(57)【要約】【課題】バナジウム含有材料を速やかにエッチングすることができるとともに、エッチングにより形成される被エッチング体が剥がれにくいバナジウム含有材料用エッチング液組成物、及びそれを用いたエッチング方法を提供する。【解決手段】（Ａ）硝酸０．１〜３０質量％、（Ｂ）硫酸０．１〜３０質量％、（Ｃ）有機カルボン酸化合物０．１〜３０質量％、及び水を含有する水溶液であるバナジウム含有材料用エッチング液組成物である。このバナジウム含有材料用エッチング液組成物を用いて基体上のバナジウム含有材料をエッチングする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）硝酸０．１〜３０質量％、
（Ｂ）硫酸０．１〜３０質量％、
（Ｃ）有機カルボン酸化合物０．１〜３０質量％、
及び水を含有する水溶液であるバナジウム含有材料用エッチング液組成物。
【請求項２】
さらに（Ｄ）フッ化物イオン供給源０．００１〜１質量％を含有する請求項１に記載のバナジウム含有材料用エッチング液組成物。
【請求項３】
さらに（Ｅ）チアゾール化合物０．００１〜１質量％を含有する請求項１又は２に記載のバナジウム含有材料用エッチング液組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のバナジウム含有材料用エッチング液組成物を用いて基体上のバナジウム含有材料をエッチングする工程を有するエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バナジウム含有材料をエッチングするために用いるバナジウム含有材料用エッチング液組成物、及びそれを用いたエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
バナジウムを含有する材料は、ＬＳＩなどの電子材料に用いられる銅含有膜用のバリア層や密着層として用いられている。近年の電子機器の小型化や高機能化の要求に伴い、プリント配線板等に対しては薄型化や回路配線の高密度化が望まれている。高密度な回路配線をウェットエッチングで形成する方法としては、サブトラクティブ法やセミアディティブ法と呼ばれる方法がある。
【０００３】
微細パターンの回路配線を形成するためには、エッチング部分の残膜がないこと、上部からみた回路配線の側面が直線となること、回路配線の断面が矩形となること、高いエッチングファクターを示すこと、制御可能な程度の速さでエッチングが完了すること、所望の幅の配線が得られること、及び基板や周辺の部材へのダメージがないことが理想である。
【０００４】
バナジウム含有材料をエッチングするために用いられるエッチング液について、これまでに多数報告されている。例えば、特許文献１には、バナジウムを含有するニッケル合金をエッチングするためのエッチング液として、塩酸、硝酸、燐酸、及び塩鉄（ＩＩＩ）を含有するエッチング液が開示されている。また、特許文献２には、バナジウムを含みニッケルを主成分とする酸化物薄膜をエッチングするためのエッチング液として、硝酸第２セリウムアンモニウム及び過塩素酸を水性媒体中に含有するエッチング液が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１３８４５１号公報
【特許文献２】特開２００４−０５９９７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、被エッチング体の微細化が進んでおり、従来のエッチング液を用いる場合にはエッチング速度を制御することがいずれも困難であった。さらには、エッチング後に被エッチング体が剥がれやすくなるといった問題があった。
【０００７】
したがって、本発明は上記問題を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、バナジウム含有材料を速やかにエッチングすることができるとともに、エッチングにより形成される被エッチング体が剥がれにくいバナジウム含有材料用エッチング液組成物を提供することにある。また、本発明の課題とするところは、上記バナジウム含有材料用エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記問題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の成分を特定濃度で含有させたエッチング液組成物が上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明によれば、（Ａ）硝酸０．１〜３０質量％、（Ｂ）硫酸０．１〜３０質量％、（Ｃ）有機カルボン酸化合物０．１〜３０質量％、及び水を含有する水溶液であるバナジウム含有材料用エッチング液組成物が提供される。
【００１０】
また、本発明によれば、上記のバナジウム含有材料用エッチング液組成物を用いて基体上のバナジウム含有材料をエッチングする工程を有するエッチング方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、バナジウム含有材料を速やかにエッチングすることができるとともに、エッチングにより形成される被エッチング体が剥がれにくいバナジウム含有材料用エッチング液組成物を提供することができる。また、本発明によれば、上記バナジウム含有材料用エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。本明細書における「エッチング」とは、化学薬品などの腐食作用を利用した塑形又は表面加工の技法を意味する。本発明のバナジウム含有材料用エッチング液組成物の具体的な用途としては、例えば、除去剤、表面平滑化剤、表面粗化剤、パターン形成用薬剤、基体に微量付着した成分の洗浄液などを挙げることができる。本発明のバナジウム含有材料用エッチング液は、バナジウムを含有する層の除去速度が速いことから除去剤として好適に用いることができる。また、３次元構造を有する微細な形状のパターンの形成に用いると、矩形などの所望の形状のパターンを得ることができるため、パターン形成用薬剤としても好適に用いることができる。
【００１３】
本明細書における「バナジウム含有材料」とは、バナジウムを含有するものであればよく特に限定されるものではないが、例えば、バナジウムメタル、バナジウム含有合金、バナジウム含有酸化物セラミックス等を含む概念である。バナジウム含有合金としては、例えば、バナジウムニッケル合金、バナジウムアルミ合金、バナジウムチタン合金、バナジウムガリウム合金などを挙げることができる。本発明のバナジウム含有材料用エッチング液組成物は、これらのなかでも、バナジウムメタル及びバナジウムニッケル合金用のエッチング液組成物として好適に使用することができる。
【００１４】
本発明の一実施形態であるバナジウム含有材料用エッチング液組成物（以下、単に「エッチング液組成物」とも記す）は、（Ａ）硝酸０．１〜３０質量％、（Ｂ）硫酸０．１〜３０質量％、（Ｃ）有機カルボン酸化合物０．１〜３０質量％、及び水を含有する水溶液である。
【００１５】
エッチング液組成物中の（Ａ）硝酸（以下、「（Ａ）成分」とも記す）の濃度は、０．１〜３０質量％である。（Ａ）成分の濃度が０．１質量％未満であると、エッチング速度が著しく遅くなる。一方、（Ａ）成分の濃度が３０質量％超であると、エッチング速度が速くなりすぎてしまい、エッチング速度を制御することが困難になる。（Ａ）成分の濃度が０．５〜１５質量％であると、エッチング速度が制御可能な範囲で速いことから好ましい。
【００１６】
エッチング液組成物中の（Ｂ）硫酸（以下、「（Ｂ）成分」とも記す）の濃度は、０．１〜３０質量％である。（Ｂ）成分の濃度が０．１質量％未満であると、エッチング速度が著しく遅くなる。一方、（Ｂ）成分の濃度が３０質量％超であると、エッチング速度が速くなりすぎてしまい、エッチング速度を制御することが困難になる。（Ｂ）成分の濃度が０．５〜１５質量％であると、エッチング速度が制御可能な範囲で速いことから好ましい。
【００１７】
エッチング液組成物中の（Ｃ）有機カルボン酸化合物（以下、「（Ｃ）成分」とも記す）は、カルボキシ基を有する有機化合物であればよい。（Ｃ）成分としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ドコサヘキサエン酸、エイコサペンタエン酸等の脂肪族モノカルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸等の脂肪族多価カルボン酸；乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒドロキシ酸；安息香酸、サリチル酸、没食子酸、桂皮酸等の芳香族モノカルボン酸；フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、メリト酸、ビフェニルジカルボン酸、ビフェニルテトラカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族多価カルボン酸；ピルビン酸等のオキソカルボン酸；これらの酸無水物；及びこれらの混合物等を挙げることができる。
【００１８】
（Ｃ）成分としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸等が好ましい。さらに、（Ｃ）成分として酢酸を用いると、エッチング速度をより速くすることができるとともに、エッチング液組成物の保存安定性が高まるために特に好ましい。
【００１９】
本発明の一実施形態であるエッチング液組成物は、特定の濃度の（Ａ）〜（Ｃ）成分及び水を組み合わせてはじめて所期の効果を奏する。エッチング液組成物は、上記成分を必要量含有する水溶液である。すなわち、エッチング液組成物は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び水を含有する水溶液である。
【００２０】
エッチング液組成物には、さらに、（Ｄ）フッ化物イオン供給源（以下、「（Ｄ）成分」とも記す）を含有させることが好ましい。（Ｄ）成分をさらに含有させることで、エッチング速度をより向上させることができる。エッチング液組成物中の（Ｄ）成分の濃度は、０．００１〜１質量％であることが好ましく、０．００５〜０．８質量％であることがさらに好ましい。（Ｄ）成分の濃度が０．００１質量％未満であると、（Ｄ）成分の配合効果が得られない場合がある。一方、（Ｄ）成分の濃度を１質量％超としても、（Ｄ）成分の配合効果はそれ以上向上しない。
【００２１】
フッ化物イオン供給源は、エッチング液組成物中でフッ化物イオンを発生するものであればよい。（Ｄ）成分としては、例えば、フッ化水素酸；フッ化アンモニウム；酸性フッ化アンモニウム（一水素二フッ化アンモニウム）；バッファードフッ酸（フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合物）；フッ化ナトリウム、酸性フッ化ナトリウム（一水素二フッ化ナトリウム）、フッ化カリウム、酸性フッ化カリウム（一水素二フッ化カリウム）、フッ化カルシウム、フッ化第二銅、フッ化テトラメチルアンモニウム等のフッ化物塩；等を挙げることができる。アルカリ金属のフッ化物塩を（Ｄ）成分として用いると、エッチング処理後に被エッチング基体にアルカリ金属が残留する場合もある。このため、（Ｄ）成分としては、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、バッファードフッ酸が好ましく、酸性フッ化アンモニウムがさらに好ましい。
【００２２】
エッチング液組成物には、さらに、（Ｅ）チアゾール化合物（以下、「（Ｅ）成分」とも記す）を含有させることが好ましい。（Ｅ）成分をさらに含有させると、銅層、銅合金層、チタン層、及びチタン合金層等が溶解しにくくなるので、バナジウム含有材料層と銅層等との積層体のうち、バナジウム含有材料層のみを選択的にエッチングすることができるようになる。
【００２３】
エッチング液組成物中の（Ｅ）成分の濃度は、０．００１〜１質量％であることが好ましく、０．００５〜０．８質量％であることがさらに好ましい。（Ｅ）成分の濃度が０．００１質量％未満であると、（Ｅ）成分の配合効果が得られない場合がある。一方、（Ｅ）成分の濃度を１質量％超としても、（Ｅ）成分の配合効果はそれ以上向上しない。
【００２４】
（Ｅ）成分としては、周知一般のチアゾール化合物を用いることができる。（Ｅ）成分としては、例えば、５員環の１位に硫黄、３位に窒素原子を持つ複素環式芳香族化合物のアミンを挙げることができる。より具体的には、ベンゾチアゾール、４−メチルベンゾチアゾール、５−メチルベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−アミノベンゾチアゾール、２−アミノチアゾールなどを挙げることができる。なかでも、２−アミノチアゾール、２−アミノベンゾチアゾールを用いると効果が高いために好ましく、２−アミノベンゾチアゾールがさらに好ましい。
【００２５】
エッチング液組成物には、前述の各成分及び水に加えて、本発明の効果を阻害することのない範囲で、周知の添加剤をさらに含有させることができる。添加剤としては、還元剤、界面活性剤、エッチング液組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、消泡剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、酸化剤、ポリアルキレングリコール化合物、アゾール類化合物、ピリミジン類化合物、チオ尿素類化合物、アルキルピロリドン類化合物、ポリアクリルアミド類化合物、及び過硫酸塩を挙げることができる。これらの添加剤の濃度は、一般的に、それぞれ０．００１〜５０質量％の範囲である。
【００２６】
ポリアルキレングリコール化合物としては、例えば、ポリエチレングリコール；ポリエチレングリコールジメチルエーテル；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブタノール及び１，４−ブタノール等のジオールにエチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドをブロック又はランダム付加させたポリアルキレングリコールを挙げることができる。
【００２７】
界面活性剤としては、例えば、フルオロアルキルベタイン及びフルオロアルキルポリオキシエチレンエーテル等のフッ素系両性界面活性剤；上記ポリアルキレングリコール化合物以外のノニオン系界面活性剤を挙げることができる。
【００２８】
アゾール類化合物としては、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、及び２−メチルベンゾイミダゾール等のアルキルイミダゾール類；ベンゾイミダゾール、２−メチルベンゾイミダゾール、２−ウンデシルベンゾイミダゾール、２−フェニルベンゾイミダゾール、及び２−メルカプトベンゾイミダゾール等のベンゾイミダゾール類；１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、５−フェニル−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−アミノベンゾトリアゾール、４−アミノベンゾトリアゾール、１−ビスアミノメチルベンゾトリアゾール、１−メチル−ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、及び５−クロロベンゾトリアゾール等のトリアゾール類；１Ｈ−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、１−シクロヘキシル−５−メルカプト−１Ｈ−テトラゾール、及び５，５’−ビス−１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール類；等を挙げることができる。
【００２９】
ピリミジン類化合物としては、例えば、ジアミノピリミジン、トリアミノピリミジン、テトラアミノピリミジン、及びメルカプトピリミジン等を挙げることができる。
【００３０】
チオ尿素類化合物としては、例えば、チオ尿素、エチレンチオ尿素、チオジグリコール、メルカプタン等を挙げることができる。
【００３１】
アルキルピロリドン類化合物としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ブチル−２−ピロリドン、Ｎ−アミル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ−ヘプチル−２−ピロリドン、及びＮ−オクチル−２−ピロリドン等を挙げることができる。
【００３２】
ポリアクリルアミド類化合物としては、例えば、ポリアクリルアミド、及びｔ−ブチルアクリルアミドスルホン酸等を挙げることができる。
【００３３】
過硫酸塩としては、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、及び過硫酸カリウムを挙げることができる。
【００３４】
本発明の一実施形態であるエッチング方法は、上述のエッチング液組成物を用いて基体上のバナジウム含有材料をエッチングする工程を有する。バナジウム含有材料をエッチングする方法は特に限定されず、一般的なエッチング方法を採用すればよい。例えば、ディップ式、スプレー式、スピン式等によるエッチング方法を挙げることができる。被エッチング材料であるバナジウム含有材料としては、例えば、バナジウムニッケル合金等のバナジウム合金やバナジウムメタルを挙げることができる。また、エッチング方法や条件についても特に限定されず、バッチ式、フロー式、エッチャントの酸化還元電位、比重、酸濃度によるオートコントロール式等の周知一般の様々な方式を採用することができる。
【００３５】
ディップ式のエッチング方法によって、シリコン基板上にバナジウムニッケル合金層が成膜された基材をエッチングする場合、この基材を適切なエッチング条件にてエッチング液組成物に浸漬した後、引き上げることで、シリコン基板上のバナジウムニッケル合金層をエッチングすることができる。
【００３６】
ディップ式のエッチング方法におけるエッチング条件は特に限定されず、基材（被エッチング体）の形状や膜厚等に応じて任意に設定すればよい。例えば、エッチング温度は１０〜４０℃とすることが好ましく、２０〜４０℃とすることがさらに好ましい。エッチング液組成物の温度は反応熱により上昇することがある。このため、必要に応じて、エッチング液組成物の温度を上記の範囲内に維持するように公知の手段によって温度制御してもよい。また、エッチング時間は、エッチングが完了するのに十分な時間とすればよく、特に限定されない。例えば、膜厚１ｎｍ〜１μｍ程度であれば、上記の温度範囲で１０秒〜１時間程度エッチングすればよい。
【００３７】
スプレー式のエッチング方法によって、シリコン基板上にバナジウムニッケル合金が成膜された基材をエッチングする場合、エッチング液組成物を適切な条件で基材に噴霧することで、シリコン基板上のバナジウムニッケル合金をエッチングすることができる。
【００３８】
スプレー式のエッチング方法におけるエッチング条件は特に限定されず、被エッチング体の形状や膜厚等に応じて任意に設定すればよい。例えば、噴霧条件は０．０１〜１．０ＭＰａの範囲から選択することができ、好ましくは０．０２〜０．１ＭＰａの範囲、さらに好ましくは０．０３〜０．０８ＭＰａの範囲である。エッチング液組成物を用いてスプレー法によって細線を形成する場合、スプレー圧を０．０３〜０．０８ＭＰａの範囲とすると、形成される細線の上部の幅と下部の幅との差を非常に小さくできるために特に好ましい。また、エッチング温度は１０〜６０℃とすることが好ましく、２０〜４０℃とすることがさらに好ましい。エッチング液組成物の温度は反応熱により上昇することがある。このため、必要に応じて、エッチング液組成物の温度を上記の範囲内に維持するように公知の手段によって温度制御してもよい。また、エッチング時間は、エッチングが完了するのに十分な時間とすればよく、特に限定されない。例えば、膜厚１ｎｍ〜１μｍ程度であれば、上記の温度範囲で１０秒〜１時間程度エッチングすればよい。
【００３９】
本発明の一実施形態であるエッチング方法は、エッチングの繰り返しによるエッチング液組成物の劣化を回復させるために、エッチング液組成物に補給液を加える工程をさらに有することが好ましい。特に、前述のオートコントロール式のエッチングの場合、エッチング装置に補給液を予めセットしておけば、エッチング液組成物に補給液を適宜添加することができる。補給液としては、例えば、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び水を含有する水溶液や、（Ｂ）成分及び水を含有する水溶液などを用いることができる。各成分の濃度は、エッチング液組成物中の各成分の濃度の３〜２０倍程度とすればよい。この補給液には、エッチング液組成物に必須又は任意で使用される前述の各成分を必要に応じて添加してもよい。
【００４０】
上述のエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を用いたエッチング方法によれば、ＬＳＩなどの電子材料に用いられる銅含有膜用の精密なバリア層や密着層として有用なバナジウムを含有する材料をエッチングすることができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施例等によって何ら制限を受けるものではない。
【００４２】
＜エッチング液組成物＞
（実施例１〜１２）
表１に示す配合となるように各成分を混合してエッチング液組成物（実施例１〜１２）を得た。表１中、（Ａ）〜（Ｅ）成分以外の成分は、合計が１００質量％となるように配合した水である。
【００４３】
2020097773.tif 000002
【００４４】
（比較例１〜４）
表２に示す配合となるように各成分を混合してエッチング液組成物（比較例１〜４）を得た。表２中、成分１〜成分３以外の成分は、合計が１００質量％となるように配合した水である。
【００４５】
2020097773.tif 000003
【００４６】
＜エッチング方法＞
（実施例１３〜２４）
ガラス基板上に、チタン層（厚さ１０ｎｍ）、銅層（厚さ５００ｎｍ）、及びニッケルバナジウム合金層（厚さ５０ｎｍ）の下層から順に積層して形成した基体上に、ポジ型ドライフィルムレジストを用いて幅６０μｍ、開口部６０μｍのレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した基体を５０ｍｍ×５０ｍｍに切断してテストピースを得た。得られたテストピースに対し、実施例組成物Ｎｏ．１〜１２を用いて、３５℃、３００秒間、撹拌下でディップ式によるエッチング処理を行って、評価用パターンＮｏ．１〜１２を形成した。
【００４７】
（比較例５〜８）
比較例１〜４のエッチング液組成物を用いたこと以外は、前述の実施例１３〜２４と同様にして、比較用パターン１〜４を形成した。
【００４８】
＜評価＞
評価用パターンＮｏ．１〜１２及び比較用パターン１〜４について、レーザー顕微鏡を使用し、基体上の積層体（細線となった部分）の剥がれを評価した。積層体に剥がれが確認できなかったものを「＋」と評価し、積層体に剥がれが確認できたものを「−」と評価した。結果を表３の「剥がれ」に示す。
【００４９】
また、評価用パターンＮｏ．１〜１２及び比較用パターン１〜４の断面をＦＥ−ＳＥＭを使用して観察し、ニッケルバナジウム合金層の状態を確認した。ニッケルバナジウム合金層が完全に溶解しているものを「＋」と評価し、ニッケルバナジウム合金層が完全に溶解していないものを「−」と評価した。結果を表３の「断面」に示す。
【００５０】
さらに、評価用パターンＮｏ．１〜１２及び比較用パターン１〜４の断面をＦＥ−ＳＥＭを使用して観察し、銅層の厚さを確認した。エッチング前と比較して銅層の厚さの変化率が５％未満であったものを「＋＋」と評価し、５％以上２０％未満であったものを「＋」と評価し、２０％以上であったものを「−」と評価した。結果を表３の「Ｃｕ層変化」に示す。
【００５１】
2020097773.tif 000004
【００５２】
エッチング時におけるガラス基板上の金属層（積層体）の状態を目視にて確認した。その結果、（Ｄ）成分を含有する実施例組成物Ｎｏ．８、１０、及び１２を用いた場合には、（Ｄ）成分を含有しない実施例組成物を用いた場合に比べて、より速やかにエッチング処理が終了することがわかった。また、表３に示すように、評価用パターンＮｏ．１〜１２には剥がれの発生が認められなかったのに対し、比較用パターン１、３、及び４には剥がれの発生が認められた。
【００５３】
エッチング後の断面観察の結果、評価用パターンＮｏ．１〜１２ではニッケルバナジウム合金層がきれいにエッチングされていることを確認した。一方、比較用パターン２では、ニッケルバナジウム合金層が十分に溶解されていないことを確認した。評価用パターンＮｏ．９〜１２では銅層の厚さの変化率が小さかったことから、実施例組成物Ｎｏ．９〜１２を用いると、ニッケルバナジウム合金層及び銅層を含む積層体のうち、ニッケルバナジウム合金層のみを選択的にエッチングできることがわかった。なかでも、実施例組成物Ｎｏ．１１及び１２を用いた場合には、銅層の厚さの変化率が特に小さいことがわかった。