(57)【要約】【課題】界面の密着性を正確に評価することができること。【解決手段】密着性評価方法は、第一基板あるいは第二基板の少なくとも片方の基板に対して透過性を有する波長のレーザービームを基板の内部に集光点を位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップＳＴ１と、改質層が形成された基板側を相互に離隔する一対の支持部に対面させ、改質層により形成された破断線を挟むように支持部によって複合基板を支持する支持ステップＳＴ２と、支持部と、複合基板の上側に配置され支持部より狭い間隔で相互に離隔する一対の押圧部と、を相対的に移動させて押圧部により該複合基板を押圧する押圧ステップＳＴ３と、押圧部の変位量および複合基板に印加された荷重を測定する測定ステップＳＴ４と、を含み、基板が破断線に沿って分割した時に複合基板に印加された荷重に基づいて、第一基板と第二基板との密着性を評価する。【選択図】図３
2020187101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、該第一基板と接合した第二基板とを含む複合基板において、該第一基板と該第二基板との密着性を評価する密着性評価方法であって、
該第一基板あるいは該第二基板の少なくとも片方の基板に対して透過性を有する波長のレーザービームを該基板の内部に集光点を位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップによって改質層が形成された基板側を相互に離隔する一対の支持部に対面させ、該改質層により形成された破断線を挟むように該支持部によって該複合基板を支持する支持ステップと、
該支持ステップの後、該支持部と、該複合基板の上側に配置され該支持部より狭い間隔で相互に離隔する一対の押圧部と、を相対的に移動させて該押圧部により該複合基板を押圧する押圧ステップと、
該押圧ステップにおける該押圧部の変位量および該複合基板に印加された荷重を測定する測定ステップと、を含み、
該基板が該破断線に沿って分割した時に該複合基板に印加された荷重に基づいて、該第一基板と該第二基板との密着性を評価することを特徴とする密着性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、密着性評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの微細化及び高性能化の要求に対応すべく、次世代のパッケージング技術としてＦＯＷＬＰ（Fan  Out  Wafer  Level  Package）が注目されている。ＦＯＷＬＰは、チップ上に形成された微細な再配線がチップの外形より外側に拡張されて形成されている構造のパッケージであり、これにより複数のチップ間を高密度な配線で形成することが可能となり、従来のパッケージと比較して小型・薄型化が実現できる。
【０００３】
また、半導体チップの微細化及び高性能化の要求に対応すべく、ＴＳＶ（Through-  Silicon  Via）を用いた積層ウエハなどの三次元実装技術の開発も盛んとなっている。
【０００４】
しかし、このような新規の材料や新規の製造プロセスで形成された基板同士（あるいは基板と基板上に形成された膜）の密着性が十分でないと、製造工程で加わる応力によって基板同士が剥離してしまうおそれがある。従って、このような新規材料あるいは新規製造プロセスの信頼性評価として密着性を評価することは非常に重要である。
【０００５】
密着性の評価方法としては、テープテスト法、スタッドプル法、ｍＥＬＴ（modified  Edge  Liftoff  Test）法、及び４点曲げ試験法等の様々な方法が知られている。なかでも、４点曲げ試験法は荷重の加わり方が実際の半導体製造工程中における荷重の加わり方に似ていることから、半導体基板上に形成した膜の密着性評価方法として注目されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３１５６８４号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０３１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
４点曲げ試験を実施する際には、基板の上に接着剤等を介して基板を積層したダミー基板を用意し、片側の基板にノッチ（溝）を形成した複合基板を用意する。このノッチを形成した面を下側にして４点曲げ試験機にセットし、押圧ジグを下方に移動させながら複合基板に荷重を加える。
【０００８】
ところが、溝の底部に存在する残りの基板が耐力を有するため、押圧ジグの移動に伴って弾性変形し、複合基板が破断される際に、この残りの基板が破断する際の衝撃が加わっている可能性が考えられる。このため、この方法での密着性評価の正確性及び測定歩留まり低下が懸念されていた。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、複合基板の密着性を正確に評価することができる密着性評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の密着性評価方法は、第一基板と、該第一基板と接合した第二基板とを含む複合基板において、該第一基板と該第二基板との密着性を評価する密着性評価方法であって、該第一基板あるいは該第二基板の少なくとも片方の基板に対して透過性を有する波長のレーザービームを該基板の内部に集光点を位置付けて照射し改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップによって改質層が形成された基板側を相互に離隔する一対の支持部に対面させ、該改質層により形成された破断線を挟むように該支持部によって該複合基板を支持する支持ステップと、該支持ステップの後、該支持部と、該複合基板の上側に配置され該支持部より狭い間隔で相互に離隔する一対の押圧部と、を相対的に移動させて該押圧部により該複合基板を押圧する押圧ステップと、該押圧ステップにおける該押圧部の変位量および該複合基板に印加された荷重を測定する測定ステップと、を含み、該基板が該破断線に沿って分割した時に該複合基板に印加された荷重に基づいて、該第一基板と該第二基板との密着性を評価することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の密着性評価方法は、複合基板の密着性を正確に評価することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態１に係る密着性評価方法の評価対象の複合基板の一例の斜視図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る密着性評価方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示された密着性評価方法の改質層形成ステップを模式的に示す斜視図である。
【図５】図５は、図３に示された密着性評価方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示された密着性評価方法の改質層形成ステップ後の複合基板の斜視図である。
【図７】図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】図８は、図３に示された密着性評価方法の支持ステップ、押圧ステップ及び測定ステップで用いられる４点曲げ試験装置の構成を模式的に示す図である。
【図９】図９は、図３に示された密着性評価方法の支持ステップを模式的に示す図である。
【図１０】図１０は、図３に示された密着性評価方法の押圧ステップを模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、図３に示された密着性評価方法の押圧ステップにおいて第一基板が破断線に沿って分割した状態を模式的に示す図である。
【図１２】図１２は、図３に示された密着性評価方法の測定ステップにおいて測定される押圧部の変位量と荷重との関係を模式的に示す図である。
【図１３】図１３は、実施形態１の変形例１に係る密着性評価方法の評価対象の複合基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１４】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る密着性評価方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る密着性評価方法の評価対象の複合基板の一例の斜視図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係る密着性評価方法の流れを示すフローチャートである。
【００１５】
実施形態１に係る密着性評価方法は、図１に示す複合基板１を評価する方法である。密着性評価方法の評価対象である複合基板１は、図１及び図２に示すように、第一基板２と、第一基板２と接合した第二基板３とを含む。実施形態１では、複合基板１は、第一基板２と第二基板３とを接合する接着剤により構成された接着層４を含む。実施形態１では、第一基板２及び第二基板３は、シリコンにより構成された基板である。
【００１６】
実施形態１に係る密着性評価方法は、複合基板１において、第一基板２と第二基板３との密着性を評価する方法であって、図３に示すように、改質層形成ステップＳＴ１と、支持ステップＳＴ２と、押圧ステップＳＴ３と、測定ステップＳＴ４と、評価ステップＳＴ５とを含む。
【００１７】
（改質層形成ステップ）
図４は、図３に示された密着性評価方法の改質層形成ステップを模式的に示す斜視図である。図５は、図３に示された密着性評価方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。図６は、図３に示された密着性評価方法の改質層形成ステップ後の複合基板の斜視図である。図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【００１８】
改質層形成ステップＳＴ１は、第一基板２あるいは第二基板３の少なくとも片方の基板に対して透過性を有する波長のレーザービーム３１を第一基板２あるいは第二基板３の少なくとも片方の基板の内部に集光点３１−１を位置付けて照射し、改質層５を形成するステップである。なお、改質層５とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１において、改質層５は、基板２，３の他の部分よりも機械的な強度等が低い。
【００１９】
実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ１では、複合基板１の基板２，３のうちの片方の基板である第二基板３に外周縁に環状フレーム１１が貼着された伸縮性を有するテープ１０を貼着する。改質層形成ステップＳＴ１では、図４に示すレーザー加工装置３０のオペレータが加工内容情報をレーザー加工装置の制御ユニットに登録し、複合基板１の第二基板３に貼着したテープ１０をレーザー加工装置３０のチャックテーブル３２の保持面３３に載置する。改質層形成ステップＳＴ１では、レーザー加工装置３０の制御ユニットが、オペレータから加工動作の開始指示を受け付けると、チャックテーブル３２の保持面３３に複合基板１を吸引保持する。
【００２０】
改質層形成ステップＳＴ１では、レーザー加工装置３０は、Ｘ軸移動ユニットによりチャックテーブル３２をレーザービーム照射ユニット３４の下方に向かって移動させて、撮像ユニット３５の下方にチャックテーブル３２に保持された複合基板１を位置付け、撮像ユニット３５に複合基板１を撮像させる。改質層形成ステップＳＴ１では、レーザー加工装置３０は、撮像ユニット３５が撮像した画像に基づいて、チャックテーブル３２に保持された複合基板１と、レーザービーム照射ユニット３４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００２１】
改質層形成ステップＳＴ１では、レーザー加工装置３０は、加工内容情報に基づいて、Ｘ軸移動ユニットに、レーザービーム照射ユニット３４と複合基板１とを相対的に移動させながら、図４及び図５に示すように、レーザービーム照射ユニット３４から複合基板１に向かってパルス状のレーザービーム３１を照射させる。レーザービーム３１は、第一基板２に対して透過性を有する波長のレーザービームである。
【００２２】
改質層形成ステップＳＴ１では、レーザー加工装置３０は、パルス状のレーザービーム３１を第一基板２の内部に集光点３１−１を位置付けて照射して、第一基板２の内部に改質層５を形成する。なお、実施形態１では、改質層形成ステップＳＴ１において、レーザービーム照射ユニット３４がパルス状のレーザービーム３１を照射するので、レーザー加工装置３０は、図５に示すように、第一基板２の内部にＸ軸方向に沿って等間隔に改質層５を形成する。また、実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ１は、レーザービーム照射ユニット３４と複合基板１とを相対的に移動させながら複数回レーザービーム３１を照射しても良い。実施形態１では、改質層形成ステップＳＴ１において複数回レーザービーム３１を照射する場合には、レーザービーム３１を照射する毎に集光点３１−１の第一基板２の厚み方向の位置を異ならせるのが望ましい。
【００２３】
また、実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ１では、改質層５又は改質層５から第一基板２の表面２１及び第二基板３との界面２２に向かって延びたクラック６が、表面２１と界面２２との双方に露出するとともに、改質層５が第一基板２のＸ軸方向の一方の縁から他方の縁に亘って、第一基板２の内部に改質層５を形成する。密着性評価方法は、改質層５又はクラック６が表面２１と界面２２との双方に露出するとともに、改質層５が第一基板２のＸ軸方向の一方の縁から他方の縁に亘って形成されるまで、所定回数レーザービーム３１を複合基板１に照射すると、レーザービーム３１の照射、チャックテーブル３２の吸引保持を解除して、支持ステップＳＴ２に進む。
【００２４】
なお、実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ１後の複合基板１は、図６及び図７に示すように、第一基板２の表面２１と界面２２との双方にクラック６が露出しているとともに、クラック６及び改質層が第一基板２の一方の縁から他方の縁に亘って一直線上に形成されている。また、実施形態１では、第一基板２の表面２１に露出した複数のクラック６が破断線７を構成している。実施形態１では、破断線７は、第一基板２の表面２１に露出した複数のクラック６により構成されているが、本発明では、第一基板２の表面２１に露出した改質層５により構成されても良い。
【００２５】
（支持ステップ）
図８は、図３に示された密着性評価方法の支持ステップ、押圧ステップ及び測定ステップで用いられる４点曲げ試験装置の構成を模式的に示す図である。図９は、図３に示された密着性評価方法の支持ステップを模式的に示す図である。
【００２６】
支持ステップＳＴ２は、改質層形成ステップＳＴ１によって改質層５が形成された基板である第一基板２側を図８に示す４点曲げ試験装置４０の相互に離隔する一対の支持部４２１に対面させ、改質層５に形成された破断線７を挟むように一対の支持部４２１によって、複合基板１を支持するステップである。
【００２７】
支持ステップＳＴ２では、改質層形成ステップＳＴ１において、第一基板２の表面２１が下方に対向する状態で改質層５が形成された複合基板１を４点曲げ試験装置４０のチャンバー４１内に収容し、チャンバー４１に取り付けられた台座４８上にロードセル４６に介して設置された支持治具４２上に載置する。このとき、支持治具４２の互いに間隔をあけた一対の支持部４２１間に第一基板２の表面２１に露出したクラック６を位置付けて、図９に示すように、一対の支持部４２１上に複合基板１の第一基板２を支持させる。実施形態１では、第一基板２の内部に形成された改質層５により形成された破断線７を一対の支持部４２１同士が並ぶ方向に対して直交させ、第一基板２の内部に形成された改質層５及びクラック６を図８及び図９中の左右方向において一対の支持部４２１間の中央に配置する。
【００２８】
ロードセル４６は、支持治具４２に下方に向かって作用する荷重を検出して、検出した荷重の値を４点曲げ試験装置４０の制御ユニット４７に出力する。支持部４２１は、支持治具４２の水平方向に沿って平坦な上面４２２から突出した突起であって、実施形態１では、支持治具４２の上面４２２から離れるのにしたがって幅が狭くなる山形に形成されている。
【００２９】
また、支持ステップＳＴ２では、支持治具４２の一対の支持部４２１により支持された複合基板１の第二基板３に対して支持治具４２の上方の押圧部材４３の一対の押圧部４３１を間隔をあけて配置している。押圧部材４３は、支持治具４２の上方に支持治具４２と対向して配置され、チャンバー４１に取り付けられたモータ４５により軸心回りに回転されるリードスクリュー４９の先端に配置されたヘッド部材４４に取り付けられて、鉛直方向に沿って昇降自在に設けられている。
【００３０】
押圧部４３１は、押圧部材４３の水平方向に沿って平坦な下面４３２から突出した突起であって、実施形態１では、押圧部材４３の下面４３２から離れるのにしたがって幅が狭くなる山形に形成されている。一対の押圧部４３１同士の間隔は、一対の支持部４２１同士の間隔よりも狭く、一対の押圧部４３１は、図８中の左右方向の一対の支持部４２１間に配置されている。
【００３１】
なお、本明細書に添付された図面の図９、図１０及び図１１は、支持部４２１及び押圧部４３１を丸で模式的に示している。
【００３２】
密着性評価方法は、支持治具４２の一対の支持部４２１によって複合基板１の第一基板２を支持すると、押圧ステップＳＴ３と測定ステップＳＴ４とに進む。
【００３３】
（押圧ステップ）
図１０は、図３に示された密着性評価方法の押圧ステップを模式的に示す図である。図１１は、図３に示された密着性評価方法の押圧ステップにおいて第一基板が破断線に沿って分割した状態を模式的に示す図である。
【００３４】
押圧ステップＳＴ３は、支持ステップＳＴ２の後、支持部４２１と、複合基板１の上側に配置され支持部４２１同士より狭い間隔で相互に離隔する一対の押圧部４３１と、を相対的に移動させて押圧部４３１により複合基板１を押圧するステップである。
【００３５】
押圧ステップＳＴ３では、４点曲げ試験装置４０のオペレータが試験内容情報を制御ユニット４７に登録し、制御ユニット４７が、オペレータから試験動作の開始指示を受け付けると、モータ４５でリードスクリュー４９を軸心回りに回転させて、押圧部材４３を支持治具４２に向かって移動させて、図１０に示すように、押圧部４３１を支持部４２１に近付ける。すると、改質層形成ステップＳＴ１において、第一基板２に改質層５及びクラック６が形成されているので、図１１に示すように、第一基板２が破断線７に沿って分割する。
【００３６】
（測定ステップ）
図１２は、図３に示された密着性評価方法の測定ステップにおいて測定される押圧部の変位量と荷重との関係を模式的に示す図である。測定ステップＳＴ４は、押圧ステップＳＴ３における押圧部４３１の支持部４２１に近付いた変位量および複合基板１に印加された荷重を測定するステップである。
【００３７】
測定ステップＳＴ４では、４点曲げ試験装置４０の制御ユニット４７が、押圧ステップＳＴ３の開始からモータ４５がリードスクリュー４９を回転させた回転数から押圧部４３１の支持部４２１に近付いた変位量を所定の時間間隔で算出する。４点曲げ試験装置４０の制御ユニット４７が、算出した押圧部４３１の支持部４２１に近付いた変位量を、複合基板１に印加された荷重としてのロードセル４６の検出した荷重と１対１で対応付けて、記録し、図１２に示す変位量と荷重との関係１００を測定する。
【００３８】
４点曲げ試験装置４０の制御ユニット４７は、図１１に示すように、破断線７に沿って複合基板１の第一基板２を分割すると、押圧ステップＳＴ３と測定ステップＳＴ４を終了して、評価ステップＳＴ５に進む。
【００３９】
（評価ステップ）
評価ステップＳＴ５は、複合基板１の基板２，３のうちの片方の基板である第一基板２が破断線７に沿って分割した時に複合基板１に印加された荷重に基づいて、第一基板２と該第二基板３との密着性を評価するステップである。
【００４０】
評価ステップＳＴ５では、押圧ステップＳＴ３において複合基板１に最大荷重１０１（図１２に示す）が印加された後に、荷重が急激に減少した後の荷重１０２を求める。荷重１０２は、押圧ステップＳＴ３において、第一基板２が破断線７に沿って分割した時に複合基板１に印加されかつロードセル４６により検出された荷重である。評価ステップＳＴ５では、最大荷重１０１及び荷重１０２等から、第一基板２と該第二基板３との密着性を評価し、終了する。評価ステップＳＴ５では、そのばらつきが所定値以下の図１２に実線で示す荷重１０２を用い、図１２に一点鎖線で示すばらつきが所定値を超えた荷重１０２´を用いずに、再度、改質層形成ステップＳＴ１から実施する。
【００４１】
以上説明したように、実施形態１に係る密着性評価方法は、第一基板２の表面２１及び界面２２にクラック６が露出した破断線７を改質層形成ステップＳＴ１で形成するので、破断線７上に第一基板２の耐力を有する基板部分をなくすことができる。また、実施形態１に係る密着性評価方法は、押圧ステップＳＴ３において第一基板２が破断線７に沿って分割した際の衝撃の影響を無くすことが出来るため、値が一定の荷重１０２を得ることができ、複合基板１の密着性を正確に評価することが可能となる。その結果、実施形態１に係る密着性評価方法は、複合基板１の密着性を正確に評価することができるという効果を奏する。
【００４２】
次に、本発明の発明者は、実施形態１に係る密着性評価方法の効果を確認した。確認にあたっては、実施形態１に係る密着性評価方法を比較例１、２、３、本発明品１、２、３それぞれにおいて、測定ステップＳＴ４で測定される荷重１０２，１０２´のうち評価ステップＳＴ５で用いることができる荷重１０２の割合を確認した。結果を以下の表１に示す。
【００４３】
【表１】
2020187101.tif 000003
【００４４】
比較例１、２及び３は、複合基板１の第一基板２に溝を形成して、複合基板１を破断させる背景技術の欄に記載された従来の方法で実施形態１に係る密着性評価方法の支持ステップＳＴ２、押圧ステップＳＴ３、測定ステップＳＴ４及び評価ステップＳＴ５を実施した。本発明品１、２及び３は、実施形態１に係る密着性評価方法を実施した。比較例１、２及び３、及び本発明品１、２、３では、それぞれ、五つの複合基板１を分割した、即ち、５回実施した。
【００４５】
比較例１及び本発明品１は、温度サイクル試験を実施することなく、本発明品１では改質層形成ステップＳＴ１を実施して改質層５を形成し、４点曲げ試験装置４０を用いて支持ステップＳＴ２、押圧ステップＳＴ３、測定ステップＳＴ４及び評価ステップＳＴ５を実施した。比較例２及び本発明品２は、−５５℃から＋１２５℃の温度サイクル試験を５００回実施した後、本発明品２では改質層形成ステップＳＴ１を実施して改質層５を形成し、４点曲げ試験装置４０を用いて支持ステップＳＴ２、押圧ステップＳＴ３、測定ステップＳＴ４及び評価ステップＳＴ５を実施した。比較例３及び本発明品３は、−５５℃から＋１２５℃の温度サイクル試験を１０００回実施した後、本発明品３では改質層形成ステップＳＴ１を実施して改質層５を形成し、４点曲げ試験装置４０を用いて支持ステップＳＴ２、押圧ステップＳＴ３、測定ステップＳＴ４及び評価ステップＳＴ５を実施した。
【００４６】
表１によれば、比較例１の荷重１０２の割合が６０％であり、比較例２の荷重１０２の割合が２０％であり、比較例３の荷重１０２の割合が４０％であった。表１によれば、本発明品１、２、３の荷重１０２の割合が１００％であった。よって、表１によれば、改質層形成ステップＳＴ１において、改質層５又はクラック６を表面２１及び界面２２に露出させることで、値が一定の荷重１０２を得ることができ、複合基板１の密着性を正確に評価することが可能となることが明らかとなった。
【００４７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本発明は、改質層形成ステップＳＴ１において、第二基板３に改質層５又はクラック６を形成しても良い。また、本発明は、複合基板１を構成する基板２，３は、実施形態１に記載されたものに限定されない。複合基板１は、基板２，３であるウエーハを貼りあわせたものでも良く、第一基板２である樹脂製の基板にＳｉチップを貼り合わせたもので良く、図１３に示すように、ウエーハ又は樹脂製の基板２−１の界面２２に各種の膜３−１を形成した複合基板１−１でも良い。図１３に示す場合、膜３−１は、第二基板３に相当する。膜３−１は、金属、樹脂等の各種の材料からなるものであれば如何なるものでも良く、例えば、再配線層、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等でも良い。要するに、本発明では、複合基板１，１−１は、第一の物に第二の物が積層されて、これらの密着性が評価されるものであれば、如何なるものでも良い。
【００４８】
なお、図１３は、実施形態１の変形例１に係る密着性評価方法の評価対象の複合基板の断面図である。図１３は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【符号の説明】
【００４９】
１  複合基板
２  第一基板
３  第二基板
５  改質層
７  破断線
３１  レーザービーム
３１−１  集光点
１０２，１０２´  荷重
４２１  支持部
４３１  押圧部
ＳＴ１  改質層形成ステップ
ＳＴ２  支持ステップ
ＳＴ３  押圧ステップ
ＳＴ４  測定ステップ
ＳＴ５  評価ステップ
【図１】
2020187101.tif 000004
【図２】
2020187101.tif 000005
【図３】
2020187101.tif 000006
【図４】
2020187101.tif 000007
【図５】
2020187101.tif 000008
【図６】
2020187101.tif 000009
【図７】
2020187101.tif 000010
【図８】
2020187101.tif 000011
【図９】
2020187101.tif 000012
【図１０】
2020187101.tif 000013
【図１１】
2020187101.tif 000014
【図１２】
2020187101.tif 000015
【図１３】
2020187101.tif 000016