(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に対して、電子輸送性材料を好ましくは平行近くに配向でき、しかも透明性が高い電子輸送層を形成できる新規化合物の提供。【解決手段】下記反応で得られるV字型分子化合物、Tr-bisPIBocなど。2020037536.tif 000029V字型分子化合物を含む電子輸送層。化合物の平均配向角が50°以下である電子輸送層。電子輸送層を含む太陽電池。電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式（Ｉ）又は（ＩＩ）,すなわち,
【化２２】
2020037536.tif 000023
で示される化合物であって，
ここで，式（Ｉ）において，
Ａ１は，下記Ａ３群から選択されるいずれかの基を示し，
Ｂ１１及びＢ１２は，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，
Ｂ１３は，Ｂ１１及びＢ１２と同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示すか，又は下記X群から選択されるいずれかの末端基を示し，
式（ＩＩ）において，
Ａ２は下記Ａ４群から選択されるいずれかの基を示し，
Ｂ２１〜Ｂ２４は，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示すか，又は，
Ｂ２１〜Ｂ２４のうち２つ又は３つが，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，残りが下記Ｘ群から選択されるいずれかの末端基を示し，
ここで，
Ａ３群は，以下の式，
【化２３】
2020037536.tif 000024
【化２４】
2020037536.tif 000025
で示される化合物の群であり，
ここで，式A３I〜A３VIIIにおいて，E11〜E13，E41〜E43，E51〜E53，E61〜E63，E71〜E7３，及びE81〜E83は，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｎ（窒素原子），ＣＨ（メチン基），ＣＦ，ＣＣｌ，ＣＢｒ，ＣＯＭｅ，又はＣＯＨで表される基を示し，E２1〜E２3，及びE３1〜E３3は，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｎ（窒素原子）又はＣＨ（メチン基）で表される基を示し，＊は，末端基との接続部分を示し，
Ａ４群は，以下の式，
【化２５】
2020037536.tif 000026
で示される化合物の群であり，ここで，式A４I〜A４IＶにおいて，＊は，末端基との接続部分を示し，
Ｂ３群は，以下の式，
【化２６】
2020037536.tif 000027
で示される化合物の群であり，
ここで，式Ｂ３I〜Ｂ３ＶＩにおいて，＊は，Ａ１又はＡ２で表される基との接続部分を示し，
Ｂ４群は，以下の式，
【化２７】
2020037536.tif 000028
で示される化合物の群であり，
ここで，式Ｂ４I〜Ｂ４ＶＩにおいて，ＰＧは，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基，２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基，メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基，パラメトキシベンジルオキシカルボニル基，パラ（又はオルト）ニトロベンジルオキシカルボニル基；ベンジル基，４−メトキシベンジル基，トリフェニルメチル基；ホルミル基，アセチル基；ベンゾイル基；２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基，又はオルトニトロベンゼンスルホニル基を示し，＊は，Ａ１又はＡ２で表される基との接続部分を示し，
Ｘ群は，以下の基，すなわち，
水素原子，ハロゲン原子，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基，Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい３〜１０員シクリル基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい５〜１０員アリール基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい３〜１０員ヘテロシクリル基，及びＣ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい５〜１０員ヘテロアリール基で示される基の群である，化合物。
【請求項２】
請求項１の化合物であって，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一でも異なってもよく，Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し， 
Ｂ２１〜Ｂ２４のうち３つが，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，残りの１つがX群から選択されるいずれかの末端基を示す，化合物。
【請求項３】
請求項２の化合物であって，
式（Ｉ）で示される化合物。
【請求項４】
請求項３の化合物であって，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，それぞれ同一でも異なってもよく，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶ及び式Ｂ４I〜Ｂ４ＩＶで表されるいずれかの基であり，
ＰＧは，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である化合物。
【請求項５】
請求項４の化合物であって，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，それぞれ同一でも異なってもよく，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である，化合物。
【請求項６】
請求項５の化合物であって，
A１は，A３I〜A３IIIで表されるいずれかの基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である，化合物。
【請求項７】
請求項６の化合物であって，
Ａ１は，A３I〜A３IIIで表されるいずれかの基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３Iで表される基である，化合物。
【請求項８】
請求項６の化合物であって，
Ａ１は，式A３Iで表される基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である，化合物。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれかに記載の化合物を含む電子輸送層。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子輸送層であって，前記化合物の平均配向角が50°以下である電子輸送層。
【請求項１１】
請求項９に記載の電子輸送層を含む太陽電池。
【請求項１２】
請求項９に記載の電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基本的には，電子輸送層などに有効な新規化合物，電子輸送性材料の配向性を制御した電子輸送層に関する。本発明は，さらに，制御された配向性を有する電子輸送層を含む，太陽電池又は有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２０１７−５９６６８号公報（特許文献１）には，ベンゾチアゾール系化合物及び有機薄膜太陽電池が記載されている。特許文献１に記載されたベンゾチアゾール系化合物を電子輸送物質として用いると，基板に対してランダム方向に配向する。このため，この化合物を含む電子輸送層は，電子輸送能が高くならない。また，この化合物は，ベンゾチアゾール系化合物特有の配色を有し，透明性が高くない。
【０００３】
国際公開ＷＯ２０１７−１０４７９２号パンフレット（特許文献２）には，ペロブスカイト型太陽電池が記載されている。電子輸送層は，ペロブスカイト型太陽電池を構成する層である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−５９６６８号公報
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２０１７−１０４７９２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は，基板に対して，電子輸送性材料を好ましくは平行近くに配向でき，しかも透明性が高い電子輸送層の材料となる新規化合物や，その新規化合物を用いた電子輸送層，及び電子輸送層の成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
特に本発明は，特定の化合物を構成する窒素原子に置換基を導入して上記の化合物の溶解性を高めた状態の塗布液を基板に塗布し，脱置換基処理（脱保護処理）を行うことで，その特定の化合物を含み，透明性に優れた電子輸送層を比較的低温にて得ることができるという知見に基づく。
【０００７】
本明細書に開示される複数の実施態様のうちの一つは，以下の式（Ｉ）又は（ＩＩ）で示される化合物に関する。
【化１】
2020037536.tif 000002
【０００８】
式（Ｉ）において，
Ａ１は下記Ａ３群から選択されるいずれかの基を示す。
Ｂ１１及びＢ１２は，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示す。
Ｂ１３は，Ｂ１１及びＢ１２と同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示すか，又は下記Ｘ群から選択されるいずれかの末端基を示す。
【０００９】
式（ＩＩ）において，
Ａ２は下記Ａ４群から選択されるいずれかの基を示す。
Ｂ２１〜Ｂ２４は，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示すか，又は，
Ｂ２１〜Ｂ２４のうち２つ又は３つが，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，残りが下記Ｘ群から選択されるいずれかの末端基を示す。
【００１０】
Ａ３群：
【化２】
2020037536.tif 000003
【００１１】
【化３】
2020037536.tif 000004
【００１２】
式Ａ３I〜Ａ３VIIIにおいて，E11〜E13，E41〜E43，E51〜E53，E61〜E63，E71〜E7３，及びE81〜E83は，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｎ（窒素原子），ＣＨ（メチン基），ＣＦ，ＣＣｌ，ＣＢｒ，ＣＯＭｅ，又はＣＯＨで表される基を示し，E２1〜E２3，及びE３1〜E３3は，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｎ（窒素原子）又はＣＨ（メチン基）で表される基を示し，＊は，末端基との接続部分を示す。
【００１３】
Ａ４群：
【化４】
2020037536.tif 000005
【００１４】
式Ａ４I〜Ａ４IＶにおいて，＊は，末端基との接続部分を示す。
【００１５】
Ｂ３群：
【化５】
2020037536.tif 000006
【００１６】
式Ｂ３I〜Ｂ３ＶＩにおいて，＊は，Ａ１又はＡ２で表される基との接続部分を示す。
【００１７】
Ｂ４群：
【化６】
2020037536.tif 000007
【００１８】
式Ｂ４I〜Ｂ４ＶＩにおいて，ＰＧは，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基，２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基，メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基，パラメトキシベンジルオキシカルボニル基，パラ（又はオルト）ニトロベンジルオキシカルボニル基；ベンジル基，４−メトキシベンジル基，トリフェニルメチル基；ホルミル基，アセチル基；ベンゾイル基；２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基，又はオルトニトロベンゼンスルホニル基を示し，＊は，Ａ１又はＡ２で表される基との接続部分を示す。
【００１９】
Ｘ群：
水素原子，ハロゲン原子，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基，Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい３〜１０員シクリル基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい５〜１０員アリール基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい３〜１０員ヘテロシクリル基，又はＣ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい５〜１０員ヘテロアリール基。
【００２０】
この化合物の好ましい態様は以下のものである。
化合物が，式（Ｉ）で示される場合，Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一でも異なってもよく，Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示す。
化合物が，式（ＩＩ）で示される場合，Ｂ２１〜Ｂ２４のうち３つが，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，残りの１つがX群から選択されるいずれかの末端基を示す。
【００２１】
この化合物の好ましい態様は式（Ｉ）で示される化合物である。
【００２２】
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ｂ１１〜Ｂ１３は，それぞれ同一でも異なってもよく，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶ及び式Ｂ４I〜Ｂ４ＩＶで表されるいずれかの基であり，
ＰＧは，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ｂ１１〜Ｂ１３は，それぞれ同一でも異なってもよく，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，A１は，A３I〜A３IIIで表されるいずれかの基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ａ１は，A３I〜A３IIIで表されるいずれかの基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３Iで表される基である，化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ａ１は，式A３Iで表される基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である，化合物。
【００２３】
この明細書に開示されるある実施態様は，上記した化合物を含む電子輸送層である。この電子輸送層は，上記した化合物の平均配向角（□ave）が５０°以下であることが好ましい。
【００２４】
この明細書に開示されるある実施態様は，上記した電子輸送層を含む太陽電池である。
【００２５】
この明細書に開示されるある実施態様は，上記した電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は，基板に対して，電子輸送性材料を好ましくは平行近くに配向でき，しかも透明性が高い電子輸送層となる新規化合物や，電子輸送層の成膜方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は，V字型分子Tr-bisPIBocの熱量測定結果を示す図面に代わるグラフである。
【図２】図２は，三方型分子Tr-trisPIBocの熱量測定結果を示す図面に代わるグラフである。
【図３】図３は，V字型分子Tr-bisPIBocおよびV字型分子Tr-bisPIHの紫外線吸収スペクトルを示す図面に代わるグラフである。
【図４】図４は，三方型分子Tr-trisPIBocおよび三方型分子Tr-trisPIH の紫外線吸収スペクトルを示す図面に代わるグラフである。
【図５】図５は，2D-GIXD測定の結果を示す図である。
【図６】図６は， 2D-GIXD測定の結果を示す図である。
【図７】図７は，V字型分子Tr-bisPIBocおよびV字型分子Tr-bisPIHを用いた薄膜のp偏光多角入射分解分光法による分析結果を示す図である。
【図８】図８は，三方型分子Tr-bisPIBocおよび三方型分子Tr-trisPIHを用いた薄膜のp偏光多角入射分解分光法による分析結果を示す図である。
【図９】図９は，V字型分子Tr-bisPIBocおよびV字型分子Tr-bisPIHの電子移動度を示す図である。
【図１０】図１０は，三方型分子Tr-trisPIBocおよび三方型分子Tr-trisPIHの電子移動度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下，本発明を実施するための形態について説明する。本発明は，以下に説明する形態に限定されるものではなく，以下の形態から当業者が自明な範囲で適宜修正したものも含む。
【００２９】
１．化合物
本明細書に開示される複数の実施態様のうちの一つは，以下の式（Ｉ）又は（ＩＩ）で示される化合物に関する。
【化７】
2020037536.tif 000008
【００３０】
式（Ｉ）において，
Ａ１は下記Ａ３群から選択されるいずれかの基を示す。
Ｂ１１及びＢ１２は，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示す。
Ｂ１３は，Ｂ１１及びＢ１２と同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示すか，又は下記X群から選択されるいずれかの末端基を示す。
【００３１】
式（ＩＩ）において，
Ａ２は下記Ａ４群から選択されるいずれかの基を示す。
Ｂ２１〜Ｂ２４は，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示すか，又は，
Ｂ２１〜Ｂ２４のうち２つ又は３つが，同一でも異なってもよく，下記Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，残りが下記Ｘ群から選択されるいずれかの末端基を示す。
【００３２】
Ａ３群：
【化８】
2020037536.tif 000009
【００３３】
【化９】
2020037536.tif 000010
【００３４】
式A３I〜A３VIIIにおいて，E11〜E13，E41〜E43，E51〜E53，E61〜E63，E71〜E7３，及びE81〜E83は，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｎ（窒素原子），ＣＨ（メチン基），ＣＦ，ＣＣｌ，ＣＢｒ，ＣＯＭｅ，又はＣＯＨで表される基を示し，E２1〜E２3，及びE３1〜E３3は，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｎ（窒素原子）又はＣＨ（メチン基）で表される基を示し，＊は，末端基との接続部分を示す。
【００３５】
Ａ４群：
【化１０】
2020037536.tif 000011
【００３６】
式A４I〜A４IＶにおいて，＊は，末端基との接続部分を示す。
【００３７】
Ｂ３群：
【化１１】
2020037536.tif 000012
【００３８】
式Ｂ３I〜Ｂ３ＶＩにおいて，＊は，Ａ１又はＡ２で表される基との接続部分を示す。
【００３９】
Ｂ４群：
【化１２】
2020037536.tif 000013
【００４０】
式Ｂ４I〜Ｂ４ＶＩにおいて，ＰＧは，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基，２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基，メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基，パラメトキシベンジルオキシカルボニル基，パラ（又はオルト）ニトロベンジルオキシカルボニル基；ベンジル基，４−メトキシベンジル基，トリフェニルメチル基；ホルミル基，アセチル基；ベンゾイル基；２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基，又はオルトニトロベンゼンスルホニル基を示し，＊は，Ａ１又はＡ２で表される基との接続部分を示す。
【００４１】
Ｘ群：
水素原子，ハロゲン原子，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基，Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい３〜１０員シクリル基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい５〜１０員アリール基，Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい３〜１０員ヘテロシクリル基，又はＣ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基で置換されてもよい５〜１０員ヘテロアリール基
【００４２】
この化合物の好ましい態様は以下のものである。
化合物が，式（Ｉ）で示される場合，Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一でも異なってもよく，Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示す。
化合物が，式（ＩＩ）で示される場合，Ｂ２１〜Ｂ２４のうち３つが，それぞれ同一でも異なってもよく，Ｂ３群又はＢ４群から選択されるいずれかの末端基を示し，残りの１つがX群から選択されるいずれかの末端基を示す。
【００４３】
この化合物の好ましい態様は式（Ｉ）で示される化合物である。
【００４４】
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ｂ１１〜Ｂ１３は，それぞれ同一でも異なってもよく，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶ及び式Ｂ４I〜Ｂ４ＩＶで表されるいずれかの基であり，
ＰＧは，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基である化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ｂ１１〜Ｂ１３は，それぞれ同一でも異なってもよく，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，A１は，A３I〜A３IIIで表されるいずれかの基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ａ１は，A３I〜A３IIIで表されるいずれかの基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３Iで表される基である，化合物。
この化合物の好ましい態様は，以下のものである。
式（Ｉ）で示され，Ａ１は，式A３Iで表される基であり，
Ｂ１１〜Ｂ１３は，同一であり，式Ｂ３I〜Ｂ３ＩＶで表されるいずれかの基である，化合物。
【００４５】
ＰＧの例は，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基（Ｂｏｃ），２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基，メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基，パラメトキシベンジルオキシカルボニル基，パラ（又はオルト）ニトロベンジルオキシカルボニル基等のアリールメトキシカルボニル基；ベンジル基，４−メトキシベンジル基，トリフェニルメチル基等のアリールメチル基；ホルミル基，アセチル基等のアルカノイル基；ベンゾイル基等のアロイル基；又は２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基，オルトニトロベンゼンスルホニル基等のアリールスルホニル基である。ＰＧが，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基（Ｂｏｃ）である場合，置換基除去工程でｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基が除去された後，二酸化炭素とイソブテンとに分解し，塗膜から揮発する。このため，ＰＧの中では，ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基（Ｂｏｃ）が好ましい。
【００４６】
「Ｃ１〜Ｃ６アルキル基」とは，炭素数１から６の直鎖又は分岐鎖の飽和炭化水素基を意味し，例えば，メチル基，エチル基，プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，イソブチル基，ｎ−ペンチル基，ｎ−ヘキシル基，１−エチルプロピル基，２，２−ジメチルプロピル基などが挙げられる。
【００４７】
「Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基」とは，炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルオキシ基を意味し，例えば，メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，イソプロポキシ基，ｔｅｒｔ−ブトキシ基などが挙げられる。
【００４８】
「Ｃ３〜Ｃ１２シクロアルキル基」とは，炭素数３〜１２の飽和炭化水素環を意味し，シクロプロピル基，シクロブチル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基，シクロヘプチル基，シクロオクチル基等で例示されるモノシクロアルキル基の他に，ポリシクロアルキル基，例えば，ビシクロアルキル基，トリシクロアルキル基等も包含され，ビシクロアルキル基としては，ノルボルニル基，例えば，ｅｘｏ−２−ノルボルニル基，ｅｎｄｏ−２−ノルボルニル基，３−ピナニル基，ビシクロ〔３．１．０〕ヘキシル基，ビシクロ〔２．２．１〕ヘプチル基，ビシクロ〔２．２．２〕オクト−２−イル基等，トリシクロアルキル基としては，アダマンチル基，例えば，１−アダマンチル基，２−アダマンチル基などが挙げられる。
【００４９】
「Ｃ６〜Ｃ１４アリール基」とは，炭素数６〜１４のアリール基を意味し，例えばフェニル基，ナフチル基，アントリル基，フェナントリル基が挙げられる。
【００５０】
「Ｃ８〜Ｃ１４アラルキル基」とは，炭素数が８〜１４であって，アルキルの水素原子の一つがアリール基により置き換えられているアルキル基を意味する。
【００５１】
「Ｃ３〜Ｃ１２ヘテロシクロアルキル基」とは，窒素原子，酸素原子及び硫黄原子からなる群より選択される原子により，シクロ環を構成する炭素原子が１以上置換されたＣ３〜Ｃ１２シクロアルキル基を意味する。
【００５２】
「Ｃ６〜Ｃ１４ヘテロアリール基」とは，窒素原子，酸素原子及び硫黄原子からなる群より選択される原子により，アリールを構成する炭素原子が１以上置換されたＣ６〜Ｃ１４アリール基を意味する。ヘテロアリールの例は，フラン，ベンゾフラン，チオフェン，ベンゾチオフェン，ピロール，ピリジン，ピリミジン，ピリダジン，ピラジン，キノリン，イソキノリン，フタラジン，ベンゾ−１,２,５−チアジアゾール，ベンゾチアゾール，インドール，ベンゾトリアゾール，ベンゾジオキソラン，ベンゾジオキサン，ベンズイミダゾール，カルバゾールおよびキナゾリンである。
【００５３】
「Ｃ８〜Ｃ１４ヘテロアラルキル基」とは，炭素数が８〜１４であって，アルキルの水素原子の一つがヘテロアリール基により置き換えられているアルキル基を意味する。
【００５４】
「ヘテロシクリル基」とは，窒素原子，酸素原子及び硫黄原子からなる群より選択される１〜３個の原子を含有する単環若しくは二環性の３〜１０員の飽和若しくは不飽和の複素環基を意味し，例えば，アジリジニル基，アゼチジニル基，ピロリジニル基，モルホリニル基，ピロリル基，フリル基，チエニル基，ピラゾリル基，イミダゾリル基，オキサゾリル基，イソチアゾリル基，ピラニル基，ピリジル基，ピリダジニル基，ピリミジニル基，ピラジニル基，ベンゾイミダゾリル基，ベンゾオキサゾリル基，キノリル基，ピロリニル基，イミダゾリニル基，ピラゾリニル基，ジヒドロピリジル基，テトラヒドロピリジル基などが挙げられる。ヘテロシクリル基は，ヘテロシクロアルキル基及びヘテロアリール基を含んでもよい。
【００５５】
式（Ｉ）及び式（ＩＩ）で示される化合物は，複数のモノマーが結合し，オリゴマーを形成する。そのオリゴマーの末端基には，電子求引性基が結合している。このため，この誘導体のＬＵＭＯ（最低非占軌道）のエネルギー順位が引き下げられ，この結果，電子を受け取りやすくなり，良好なアクセプターとなる。
【００５６】
式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物は，透明性に優れている。また，後述する実施例により示された通り，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物の少なくとも一部は，基板に対して垂直ではない配向（基板に平行に近い配向）を示す。このことは，この化合物を含む電子輸送層が，基板に対して垂直方向への電子移送に優れることを意味する。このため式（Ｉ）で示される化合物を含む電子輸送層は，膜厚を薄くできるなど，実際の利用上様々な利点を有する。      
【００５７】
式（Ｉ）で表される化合物の合成方法
式（Ｉ）で表される化合物は，公知の合成方法を適宜参照することで得ることができる。スキーム１は，式（Ｉ）で示される化合物のうち，Ｂ１１〜Ｂ１３が，同一でも異なってもよく，Ｂ４群から選択されるいずれかの末端基を示す化合物を合成するためのスキームを示す。なお， Ｂ１１〜Ｂ１３がＢ３群から選択される末端基を示す化合物は，一度，Ｂ４群から選択される末端基を示す化合物を以下のスキーム１により合成し，得られた化合物を中間体として用いて，スキーム４により脱保護を行うことで，得ることができる。
【００５８】
スキーム１
【化１３】
2020037536.tif 000014
【００５９】
上記式において，Ｙは，ハロゲン原子（例えば，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）又はＯＴｆ（トリフルオロメタンスルホニル基）である。Ｙは，反応性がより高いという観点からはI，又はＢｒが好ましいが，Ｃｌ又はＯＴｆを用いることもできる。Ｚの例は，−ＳｎＲ３（ここで，Ｒは，Ｍｅ（メチル基），Ｅｔ（エチル基），またはＢｕ（ブチル基））を示すか，
【００６０】
【化１４】
2020037536.tif 000015
【００６１】
で示される基を示すか（ここで，上記式中−Ｂ部分の−がＢ４との接続部分である。），又は−ＺｎＹ（Ｙは上記）を示す。Ｚの例として好ましいものは，−Ｓｎ（ＣＨ３）３である。この場合，式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物は，Ｓｎ（ＣＨ３）３Ｂ４（Ｓｎに３つのメチル基とＢ４が結合した化合物）となる。他の基もこれと同様に接続部位を考えることができる。
【００６２】
スキーム１の例は，スティルカップリング工程である。スキーム１において，式Ｓ．Ｉ．Ｉで示される化合物は，式（Ｉ）におけるＢ１１〜Ｂ１３が，ハロゲン原子（上記式では塩素原子）で置換された化合物を用いる。また，スキーム１では，ハロゲン原子と置換され，末端基を構成するように，式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物も用いられる。式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物は，Ｂ４群で表される末端基の連結部分（＊で示される部分）に，トリメチルスズ（Ｍｅ３Ｓｎ）が付加した構造を有するものであることが好ましい。式Ｓ．Ｉ．Ｉで示される化合物と式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物は，モル比で１：１であればよいし，分量を適宜調整してもよい。式Ｓ．Ｉ．ＩＩＩで示される化合物は，式（Ｉ）で示される化合物のうち，Ｂ１１〜Ｂ１３がＢ４群から選択される末端基を示す化合物である。Ｂ１’が異なる化合物を得るためには，式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物においてＢ１’が異なる化合物を複数種類用いればよい。もっとも，式Ｓ．Ｉ．ＩＩＩで示される化合物は，末端基が同じものであることが好ましい。  
【００６３】
スキーム１は，上記の式Ｓ．Ｉ．Ｉ及び式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物を，有機溶媒及び触媒（例えば，遷移金属触媒）の存在下で加熱して，反応させる工程を含めばよい。有機溶媒は，カップリング反応において用いられる公知の溶媒を適宜用いればよい。有機溶媒は，後述する電子輸送層の製造方法を参考に調整すればよい。有機溶媒の具体例は，トルエンである。触媒の例は，パラジウム触媒又はニッケル触媒であり，配位子を有する触媒であってもよい。スキーム１の合成に先立って，触媒を溶媒中に添加し，触媒を反応させておいてもよい。触媒の例は，トリス(ジベンジリデンアセトン)(クロロホルム)ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３ＣＨＣｌ３）及びトリブチルホスフィン（ＰｔＢｕ３）を反応させたものや，Ｐｄ２（ｄｂａ）３ＣＨＣｌ３及びＳＰｈｏｓ（２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２‘，６’−ジメトキシビフェニル：２−Ｄｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｐｈｏｓｐｈｉｎｏ−２‘，６’−ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｂｉｐｈｅｎｙｌ）である。上記の式Ｓ．Ｉ．Ｉ及び式Ｓ．Ｉ．ＩＩで示される化合物，触媒及び，有機溶媒の量に，特に制限はなく，必要に応じて適宜選択すればよい。
反応時の加熱温度は，特に制限はないが，２５℃〜２００℃であることが好ましく，４０℃〜１５０℃であることがより好ましく，５０℃〜９０℃であってもよい。反応時間の例は１時間〜１０日であり，１２時間以上１週間以下でもよい。反応は，攪拌下に行ってもよい。
【００６４】
スキーム２は，式（Ｉ）で示される化合物のうち，Ｂ１１及びＢ１２が，同一でも異なってもよく，Ｂ４群から選択され末端基を示し，Ｂ１３が，Ｘ群から選択され末端基を示す化合物を合成するためのスキームである。なお， Ｂ１１及びＢ１２がＢ３群から選択される末端基を示す化合物は，一度，Ｂ４群から選択される末端基を示す化合物を以下のスキーム１により合成し，得られた化合物を中間体として用いて，スキーム４により脱保護を行うことで，得ることができる。
【００６５】
スキーム２
【化１５】
2020037536.tif 000016
【００６６】
スキーム２は，スキーム１と同様にして行えばよく，一般的に，反応時間がスキーム１に比べて短くて良い。Ｘ，Ｙ及びＺは先に説明したものと同義である。
【００６７】
式（ＩＩ）で表される化合物の合成方法
スキーム３は，式（ＩＩ）で示される化合物のうち，Ｂ２１〜Ｂ２３が，同一でも異なってもよく，Ｂ４群から選択され末端基を示し，Ｂ３４が，Ｘ群から選択され末端基を示す化合物を合成するためのスキームである。なお， Ｂ２１〜Ｂ２３ががＢ１群から選択される末端基を示す化合物は，一度，Ｂ４群から選択される末端基を示す化合物を以下のスキーム３により合成し，得られた化合物を中間体として用いて，スキーム４により脱保護を行うことで，得ることができる。なお，Ｂ２１〜Ｂ２４がＢ４群又はＢ３群から選択される末端基を有する化合物や，Ｂ２１〜Ｂ２４のうち２つがＢ４群又はＢ３群から選択される末端基を有する化合物も，スキーム３及びスキーム４を参考にして得ることができる。具体的には，式Ｓ．ＩＩＩ．Ｉで示される化合物のＹ（例えば、Ｃｌ（塩素原子））部分が末端基と置換されるので，目的とする化合物の構造に合わせて，スタート化合物の末端部分を調整すればよい。
【００６８】
スキーム３
【化１６】
2020037536.tif 000017
【００６９】
スキーム３は，スキーム１と同様にして行えばよく，一般的に，反応時間がスキーム１に比べて長い。Ｘ，Ｙ及びＺは先に説明したものと同義である。
【００７０】
脱保護工程
ＰＧで示される保護基を脱保護し，水素原子に置換するためには，以下のスキーム４に従って行えばよい。
【００７１】
スキーム４
【化１７】
2020037536.tif 000018
【００７２】
この工程は，末端基として，Ｂ４を含む化合物を脱保護し，Ｂ３に置換する脱保護工程である。この工程は，例えば，上記のスキーム１〜３で得られた溶液をそのまま加熱するか，溶液を基板などに塗布した後に加熱する，又は溶液を基板などに塗布しつつ加熱することにより反応を進行させればよい。この工程は，後に説明する置換基除去工程の通りである。
【００７３】
上記のスキーム４では，基本骨格がＡ１のものについて説明した。しかし，基本骨格がＡ２のものもスキーム４と同様に処理することで，脱保護を行うことができる。
【００７４】
高分子系
本明細書は，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物を基本構造とし，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物が複数連結したポリマーや，複数の式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物が，他の基礎構造と結合した構造を基本構造とするポリマーをも提供する。本明細書は，そのようなポリマーを用いた電子輸送層，電子輸送層を含む太陽電池，電子輸送層を含む有機ＥＬ素子や，それらの製造方法をも提供する。つまり，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物を基本構造としたポリマーは，有機溶媒への溶解性に乏しい。一方，この実施態様では，イミド結合（イミド基）を構成する窒素分子に接続された水素原子等をいったん別の基に置き換えて，有機溶媒に溶解させ，塗膜を得る。その後，置き換えた基を除去することで，イミド結合等を復活させる。このようにして有機溶媒に溶解しにくいポリマーの溶解性を向上させて，塗膜を形成し，電子輸送層を得ることができる。この考え方は，電子輸送材料として使用できるイミド結合を有する分子やポリマーに広く用いることができる。
【００７５】
特に，化合物（Ｉ）及び（ＩＩ）のうち，末端基に，Ｂ３群又はＢ４群で表される基を３つ有する化合物は，化合物が平面的に適切な大きさで広がって高分子を構成する場合，優れた透明性や電子輸送層としての特質を有すると考えられる。
【００７６】
太陽電池
次に，上記の実施態様に関する化合物を含む太陽電池（特にペロブスカイト型太陽電池）や，上記の実施態様に関する化合物を含む電子輸送層について説明する。
【００７７】
上記の実施態様に関するペロブスカイト型太陽電池は，例えば，透明電極，電子輸送層，ペロブスカイト層（光吸収層），正孔輸送層，及び金属電極をこの順に備える。
【００７８】
透明電極
透明電極は，電子輸送層の支持体であるとともに，この層を介してペロブスカイト層（光吸収層）より電流（電子）を取り出す機能を有する層であることから，導電性基板が好ましく，光電変換に寄与する光を透過可能な透光性を有する透明導電層が好ましい。
【００７９】
当該透明導電層としては，例えば，錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜，不純物ドープの酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）膜，不純物ドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜，フッ素ドープ二酸化錫（ＦＴＯ）膜，これらを積層してなる積層膜等が挙げられる。これら透明導電層の厚みは特に制限されず，通常，抵抗（表面低効率）が５〜１５Ω／□（オーム・パー・スクエア）となるように調整することが好ましい。表面低効率は，１ｃｍ×１ｃｍ当たりの抵抗値を意味する。当該透明導電層は，成形する材料に応じ，公知の成膜方法により得ることができる。
【００８０】
また，当該透明導電層は，外部から保護するために，必要に応じて，透光性被覆体により覆われ得る。当該透光性被覆体としては，例えば，フッ素樹脂，ポリ塩化ビニル，ポリイミド等の樹脂シート；白板ガラス，ソーダガラス等の無機シート；これらの素材を組合せてなるハイブリッドシート等が挙げられる。これら透光性被覆体の厚みは特に制限されず，通常，抵抗（表面低効率）が５〜１５Ω／□となるように調整することが好ましい。
【００８１】
電子輸送層
電子輸送層は，ペロブスカイト層（光吸収層）の活性表面積を増加させ，光電変換効率を向上させるとともに，電子収集しやすくするために形成される。電子輸送層は，基板上に形成することが好ましい。基板には，カソード界面層を設け，カソード界面層上に電子輸送層を設けてもよい。カソード界面層は，例えば，ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）やポリエチレンイミン（ＰＥＩ）をスピンコート等により塗膜することで，カソード界面層を形成してもよい。電子輸送層の製造方法については，後述するものの，後述するもの以外としては，電子輸送層はフラーレン誘導体等有機半導体材料を用いた平坦な層でも好ましいが，電子輸送層の製造方法については，後に詳述する。なお，この実施態様に関する電子輸送層は，（正孔）ブロッキング層を兼ねたものであってもよい。つまり，この実施態様に関する電子輸送層は，正孔の漏れを防ぎ，逆電流を抑制して太陽電池特性（特に光電変換効率）を向上させる機能を有していてもよい。
【００８２】
この電子輸送層は，上記した化合物を含み，上記した化合物の平均配向角（□ave）が５０°以下であることが好ましい。平均配向角（□ave）が４０°以下でもよいし，３５°以下でもよい。平均配向角（□ave）は０°以上でもよいし，５°以上でもよいし，１５°以上でもよい。平均配向角（□ave）は，例えば，電子輸送層の面内方向の吸光度AIP，および面外方向の吸光度AOPを用いた関係式 （□ave） = tan−1{(2AIP/AOP)1/2} に従って求めればよい。
【００８３】
ペロブスカイト層（光吸収層）
ペロブスカイト型太陽電池におけるペロブスカイト層（光吸収層）は，光を吸収し，励起された電子を移動させることにより，光電変換を行う層である。ペロブスカイト層（光吸収層）は，ペロブスカイト材料や，ペロブスカイト錯体を含む。ペロブスカイト材料の例は，ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３及びこの化合物に配位子がついた錯体，国際公開ＷＯ２０１７−１０４７９２号パンフレットに記載された各種ペロブスカイト材料及び錯体である。ペロブスカイト層は，ロール・トゥ・ロールによる大量生産を実現することが好ましい。混合液をスピンコート，ディップコート，スクリーン印刷法，ロールコート，ダイコート法，転写印刷法，スプレー法，スリットコート法等，好ましくはスピンコートにより基板上に塗布することが好ましい。
【００８４】
基板は，成膜する膜を支持できるものであれば特に限定されない。基板の材料も，目的を阻害しない限り特に限定されず，公知の基板であってよく，有機化合物及び無機化合物のいずれも採用し得る。例えば，絶縁体基板，半導体基板，金属基板及び導電性基板（導電性フィルムも含む）のいずれも採用できる。また，これらの表面の一部又は全部の上に，金属膜，半導体膜，導電性膜及び絶縁性膜の少なくとも１種の膜が形成されている基板も好適に用いることができる。
【００８５】
金属膜の構成金属としては，例えば，ガリウム，鉄，インジウム，アルミニウム，バナジウム，チタン，クロム，ロジウム，ニッケル，コバルト，亜鉛，マグネシウム，カルシウム，シリコン，イットリウム，ストロンチウム及びバリウムから選ばれる１種又は２種以上の金属等が挙げられる。半導体膜の構成材料としては，例えば，シリコン，ゲルマニウム等の元素単体，周期表の第３族〜第５族，第１３族〜第１５族の元素を有する化合物，金属酸化物，金属硫化物，金属セレン化物，金属窒化物等が挙げられる。また，前記導電性膜の構成材料としては，例えば，スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ），フッ素ドープ酸化インジウム（ＦＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），酸化スズ（ＳｎＯ２），酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３），酸化タングステン（ＷＯ３）等が挙げられる。前記絶縁性膜の構成材料としては，例えば，酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化チタン（ＴｉＯ２），酸化シリコン（ＳｉＯ２），窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４），酸窒化シリコン（Ｓｉ４Ｏ５Ｎ３）等が挙げられ，絶縁性酸化物からなる絶縁性膜が好ましく，酸化チタン膜がより好ましい。この実施態様においては，導電性酸化物又は絶縁性酸化物からなる導電性膜が好ましく，スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜，フッ素ドープ酸化インジウム（ＦＴＯ），酸化チタン（ＴｉＯ２）等がより好ましい。
【００８６】
前記基板の形状としては，どのような形状のものであってもよく，あらゆる形状に対して有効であり，例えば，平板や円板等の板状，繊維状，棒状，円柱状，角柱状，筒状，螺旋状，球状，リング状等が挙げられ，多孔質構造体を採用することもできる。ある実施態様においては，板状の基板が好ましい。基板の厚さは，特に限定されず，０．１μｍ〜１００ｍｍが好ましく，１μｍ〜１０ｍｍがより好ましい。基板がガラス基板の場合，基板の厚さの例は，０．１ｍｍ以上１ｃｍ以下であり，０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下でもよいし，０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下でもよい。また，基板が，ＰＥＴ基板や２軸延伸ポリエチレン２，６−ナフタレート（ＰＥＮ）基板といった樹脂製の基板の場合，基板の厚さの例は，１μｍ以上２００μｍ以下であり，５μｍ以上１００μｍ以下でもよいし，１０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。
【００８７】
ペロブスカイト層は，上記において説明した実施態様の錯体から得られるペロブスカイト材料又はこの実施態様のペロブスカイト材料のみからなる層ともし得るし，電子輸送層との接着性の観点より，メソ酸化チタンや酸化アルミニウム等の金属酸化物及びペロブスカイト材料を含む層とすることもできる。
【００８８】
ペロブスカイト層（光吸収層）の膜厚は，光吸収効率と励起子拡散長とのバランス及び透明電極で反射した光の吸収効率の観点から，例えば，５０〜１０００ｎｍが好ましく，２００〜８００ｎｍがより好ましい。なお，ある実施態様におけるペロブスカイト層（光吸収層）の膜厚は，１００〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましく，２５０〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。具体的には，この実施態様のペロブスカイト層（光吸収層）の膜厚の下限値が１００ｎｍ以上（特に２５０ｎｍ以上）であり，上限値が１０００ｎｍ以下（特に５００ｎｍ以下）であることが好ましい。この実施態様のペロブスカイト層（光吸収層）の膜厚は，この実施態様の錯体からなる膜の断面走査型電子顕微鏡（断面ＳＥＭ）により測定する。
【００８９】
また，この実施態様のペロブスカイト層（光吸収層）の平坦性は，走査型電子顕微鏡により測定した表面の水平方向５００ｎｍ×５００ｎｍの範囲において高低差が５０ｎｍ以下（−２５ｎｍ〜＋２５ｎｍ）が好ましく，高低差が４０ｎｍ以下（−２０ｎｍ〜＋２０ｎｍ）がより好ましい。これにより，光吸収効率と励起子拡散長とのバランスをより取りやすくし，透明電極で反射した光の吸収効率をより向上させることができる。なお，ペロブスカイト層（光吸収層）の平坦性とは，任意に決定した測定点を基準点とし，測定範囲内において最も膜厚が大きいところとの差を上限値，最も小さいところとの差を下限値としており，この実施態様のペロブスカイト層（光吸収層）の断面走査型電子顕微鏡（断面SEM）により測定する。
【００９０】
正孔輸送層
正孔輸送層は，電荷を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には，例えば，導電体，半導体，有機正孔輸送材料等を用いることができる。当該材料は，ペロブスカイト層（光吸収層）から正孔を受け取り，正孔を輸送する正孔輸送材料として機能し得る。正孔輸送層はペロブスカイト層（光吸収層）上に形成される。当該導電体及び半導体としては，例えば，ＣｕＩ，ＣｕＩｎＳｅ２，ＣｕＳ等の1価銅を含む化合物半導体；ＧａＰ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＦｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＭｏＯ２，Ｃｒ２Ｏ３等の銅以外の金属を含む化合物が挙げられる。なかでも，より効率的に正孔のみを受け取り，より高い正孔移動度を得る観点から，１価銅を含む半導体が好ましく，ＣｕＩがより好ましい。有機正孔輸送材料としては，例えば，ポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ），ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体；２，２’，７，７’−テトラキス-(Ｎ,Ｎ−時−ｐ−メトキシフェニルアミン)−９,９’−スピロビフルオレン（ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ）等のフルオレン誘導体；ポリビニルカルバゾール等のカルバゾール誘導体；ポリ[ビス（４−フェニル）（２，４，６−トリメチルフェニル）アミン］（ＰＴＡＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジフェニルアミン誘導体；ポリシラン誘導体；ポリアニリン誘導体等が挙げられる。なかでも，より効率的に正孔のみを受け取り，より高い正孔移動度を得る観点から，トリフェニルアミン誘導体，フルオレン誘導体等が好ましく，ＰＴＡＡ，ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤなどがより好ましい。
【００９１】
正孔輸送層中には，正孔輸送特性をさらに向上させることを目的として，リチウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド（ＬｉＴＦＳＩ），銀ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド，トリフルオロメチルスルホニルオキシ銀，ＮＯＳｂＦ６，ＳｂＣｌ５，ＳｂＦ５等の酸化剤を含むこともできる。また，正孔輸送層中には，ｔ−ブチルピリジン（ＴＢＰ），２−ピコリン，２，６−ルチジン等の塩基性化合物を含むこともできる。酸化剤及び塩基性化合物の含有量は，従来から通常使用される量とすることができる。正孔輸送層の膜厚は，より効率的に正孔のみを受け取り，より高い正孔移動度を得る観点から，例えば，３０〜２００ｎｍが好ましく，５０〜１００ｎｍがより好ましい。正孔輸送層を成膜する方法は，例えば，乾燥雰囲気下で行うことが好ましい。例えば，有機正孔輸送材料を含む溶液を，乾燥雰囲気下，ペロブスカイト層（光吸収層）上に塗布（スピンコート等）し，３０〜１５０℃（特に５０〜１００℃）で加熱することが好ましい。
【００９２】
金属電極
金属電極は，透明電極に対向配置され，正孔輸送層の上に形成されることで，正孔輸送層と電荷のやり取りが可能である。金属電極としては，当業界で用いられる公知の素材を用いることが可能であり，例えば，白金，チタン，ステンレス，アルミニウム，金，銀，ニッケル等の金属又はこれらの合金が挙げられる。これらの中でも金属電極は，乾燥雰囲気下で電極を形成することができる点から，蒸着等の方法で形成できる材料が好ましい。  上記層構成以外の構成を有するペロブスカイト型太陽電池についても，同様の方法により，製造することができる。
【００９３】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
有機ＥＬ素子は，例えば特開２０１７−１２３３５２号公報，特開２０１５−０７１６１９号公報に記載される通り，公知の素子であり，その製造方法も公知である。有機ＥＬ素子の例は，基板と，陽極と，陰極と，陽極と陰極との間に配置された有機層と，を有する。 そして，有機層は，陽極側から順に，正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層，および電子注入層が，この順番で積層されて構成される。この実施態様の化合物は，電子輸送層における電子輸送材料として用いることができる。
【００９４】
次に，電子輸送層の製造方法について説明する。
この方法は，溶液塗布工程と，置換基除去工程とを含む。
溶液塗布工程は，保護基を有する式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で示される化合物を含む溶液を基板に塗布し，塗膜を形成する工程である。
置換基除去工程は，溶液塗布工程の後に脱保護するための工程である。
【００９５】
Ｂ３群から選択される置換基を有する式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物は，有機溶媒への溶解性に乏しいと考えられる。一方，Ｂ４群で表される置換基を有する化合物を塗布液に含ませることができる。そして，後の置換基除去工程において，所定の置換基を除去し，脱保護する。このようにして，Ｂ３群で表される置換基を有する化合物を含む電子輸送層を製造できる。そして，実際にＢ３群で表される置換基を有する式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で示される化合物を含む電子輸送層を製造したところ，透明性と，電子輸送能に優れていた。これは，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物を含む電子輸送層において，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物が基板に平行（基板に対する傾斜が大きくない状態）に配向することによると考えられる。          
【００９６】
Ｂ４群で表される置換基を有する化合物を含む溶液
Ｂ４群で表される置換基を有する化合物を含む溶液は，Ｂ４群で表される置換基を有する化合物を，溶液１リットル当たり，０．１ｇ以上５００ｇ以下含めばよく，１ｇ以上１００ｇ以下含んでもよいし，３ｇ以上２０ｇ以下含んでもよい。この溶液は，有機溶媒を第１の溶媒として含むことが好ましい。有機溶媒の例は，アミド系溶媒，芳香族有機溶媒，グリコールエーテル類，グリコールエステル類である。具体的な有機溶媒の例は，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ−メチルピロリドンやトルエン，キシレン，エチルベンゼン，クロロベンゼン，オルトジクロロベンゼン，ジエチレングリコールモノメチルエーテル，トリエチレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノメチルエーテル,３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール，エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート，ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。上記有機溶媒は単独で用いることもできるが，任意の比率で混合して使用することもでき，さらには他の有機溶媒と併用して用いることもできる。
【００９７】
有機溶媒は，第１の有機溶媒であってもよいし，第１の有機溶媒と第２の有機溶媒とを併用してもよいし，以下に説明する第２の有機溶媒を用いてもよい。第２の有機溶媒の例は，メタノール，エタノール，イソプロパノールなどのアルコール類，エチレングリコール，ジエチレングリコールなどのグリコール類，アセトン，メチルエチルケトンなどのケトン類，ジクロロメタン，クロロホルム，四塩化炭素などのハロゲン化炭素である。第２の有機溶媒も単独で用いることもできるが，任意の比率で混合して使用することもできる。第１の有機溶媒と第２の有機溶媒の重量比は，任意であり，重量比の例は，１：１００以上１００：１以下であり，１：１０以上１０：１以下でもよいし，１：５以上５：１以下でもよい。
【００９８】
この溶液を用いて得られた電子輸送層は，この実施態様の化合物の他，有機溶媒に由来する有機物を含んでいてもよい。
【００９９】
溶液を塗布する塗布方法の例は  スクリーン印刷，浸漬塗布，スピンコート塗布，ローラ塗布，及びスプレー塗布である。これらの中では，スピンコート塗布又はローラ塗布が好ましい。なお，塗布は例えば１５〜３０℃程度で行うことができる。
【０１００】
電子輸送層の厚みは，特に制限されず，ペロブスカイト層（光吸収層）からの電子をより収集できる観点から，１０〜３００ｎｍ程度が好ましく，１０〜２５０ｎｍ程度がより好ましい。いっぽう，この実施態様の化合物は電子輸送能が高いため，電子輸送層の厚みが３ｎｍ〜９ｎｍでもよく，４ｎｍ以上８ｎｍ以下でも，４ｎｍ以上７ｎｍ以下でもよい。
【０１０１】
置換基除去工程
置換基除去工程は，基本的には，焼鈍（アニール）を行うなどして，式（Ｉ）又は式（ＩＩ）で表される化合物における保護基（ＰＧ）を除去する工程である。置換基除去工程は，塗膜を１００℃以上２００℃以下の状態で，５分以上１日以下維持するアニール処理を行ってもよい。アニール処理の温度は，１００℃以上１５０℃以下でもよいし，１１０℃以上１５０℃以下でもよいし，１２０℃以上１４５℃以下でもよいし，１３０℃以上１５０℃以下でもよい。アニール処理の時間は，２０分以上５時間以下でもよいし，２０分以上３時間以下でもよいし，３０分以上２時間以下でもよい。
【０１０２】
置換基除去工程が，塗膜に酸を接触させる酸接触工程と，塗膜を１５０℃以上２００℃以下にする工程（アニール工程）とを含むものであってもよい。酸接触工程とアニール工程は，同時に行ってもよいし，いずれかが先でもよい。酸接触工程において用いられる酸の例は，塩酸，硫酸，酢酸又は硝酸である。これらの酸は，例えば，希釈された状態（例えば，０．０１Ｍ以上０．５Ｍ以下，０．１Ｍ以上０．５Ｍ以下）の状態で噴霧器により塗膜に塗布することで，塗膜に酸を接触させればよい。このようにすると，置換基除去が促進される。酸の噴霧量は適宜調整すればよい。
【０１０３】
置換基除去工程は，置換基（ＰＧ）や対象化合物に応じて，紫外線，可視光，赤外線，Ｘ線又は中性子線を塗膜に照射するといった方法を採用してもよい。
【０１０４】
この明細書は，ある実施態様として，太陽電池の製造方法をも提供する。この方法は，先に説明した電子輸送層の製造方法を用いて，基板上に電子輸送層を形成する工程と，電子輸送層上に光吸収層を形成する工程と，光吸収層上にホール輸送層を形成する工程と，ホール輸送層上に電極を形成する工程とを含む。
【実施例１】
【０１０５】
以下，実施例を用いてこの明細書に開示されるある実施態様を具体的に説明する。本発明は，以下の実施例に限定されるものではない。本発明の範囲には，以下の実施例に基づき，当業者が公知技術を適用し拡張できる発明も含まれる。
【０１０６】
N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-ブロモフタルイミドの合成
【化１８】
2020037536.tif 000019
【０１０７】
4-ブロモフタルイミド1（11.3 g, 50.0 mmol）をアセトニトリル（50 mL）に溶解させ，二炭酸ジ-tert-ブチル（12.1 g, 55 mmol），4-ジメチルアミノピリジン（60 mg, 0.50 mmol）を加えた。室温で1.5時間撹拌した後，反応溶液を濃縮することにより粗生成物を得た。ジクロロメタン／ヘキサンで再結晶することで，N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-ブロモフタルイミド2（15.5 g, 95%）を得た。
【０１０８】
1H NMR (500 MHz, CDCl3):□  8.07 (d, J = 1.7 Hz, 1H), 7.94 (dd, J = 8.0, 1.7 Hz, 1H), 7.80 (d, J = 8.0 Hz, 1H), 1.63 (s, 9H); 13C NMR (126 MHz, CDCl3): □ 163.31, 162.80, 146.37, 138.24, 132.75, 130.19, 129.72, 127.49, 125.60, 85.75, 27.89 (3C).
【０１０９】
N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-トリメチルスタニルフタルイミドの合成
【化１９】
2020037536.tif 000020
【０１１０】
N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-ブロモフタルイミド2（1.63 g, 5.0 mmol），ヘキサメチル二スズ（2.10 mL, 10.0 mmol），Pd2(dba)3・CHCl3（259 mg, 0.25 mmol），トリ-tert-ブチルホスフィン（203 mg, 1.0 mmol）をシュレンク管に入れ，脱気したトルエン（40 mL）を加えた。70 °Cで56時間撹拌した後，反応溶液を濃縮することにより粗生成物を得た。クロロホルムを展開溶媒とするゲル浸透クロマトグラフィーで精製し，N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-トリメチルスタニルフタルイミド3（1.64 g, 80%）を得た。
【０１１１】
1H NMR (500 MHz, CDCl3): □ 8.07 (s, 1H), 7.93 (d, J = 7.3 Hz, 1H), 7.85 (d, J = 7.3 Hz, 1H), 1.63 (s, 9H), 0.38 (s, 9H); 13C NMR (126 MHz, CDCl3): □ 164.92, 164.62, 154.04, 146.93, 142.33, 131.10, 130.93, 129.88, 122.88, 85.24, 27.93 (3C), −9.26 (3C); HRMS (FAB) (m/z): [M+Na]+ calcd. for C16H21NO4Sn, 434.0390; found, 434.0396. 
【０１１２】
Tr-bisPIBocの合成
【０１１３】
【化２０】
2020037536.tif 000021
【０１１４】
2,4-ジクロロ-6-フェニル-1,3,5-トリアジントリアジン4（113 mg, 0.50 mmol），N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-トリメチルスタニルフタルイミド3（533 mg, 1.30 mmol），Pd2(dba)3・CHCl3 （26 mg, 0.025 mmol），トリ-tert-ブチルホスフィン（20 mg, 0.10 mmol）をシュレンク管に入れ，脱気したトルエン（10 mL）を加えた。70 °Cで24時間撹拌した後，反応溶液を濃縮することにより粗生成物を得た。クロロホルムを展開溶媒とするゲル浸透クロマトグラフィーで精製し，V字型分子Tr-bisPIBoc（207 mg, 64%）を得た。
【０１１５】
1H NMR (500 MHz, CDCl3): □ 9.31 (s, 2H), 9.25 (dd, J = 7.4, 1.1 Hz, 2H), 8.81 (d, J = 7.4 Hz, 2H), 8.18 (d, J = 7.4 Hz, 2H), 7.70 (d, J = 7.4 Hz, 1H), 7.65 (t, J = 7.4 Hz, 2H), 1.67 (s, 18H); 13C NMR (126 MHz, CDCl3): □ 172.79, 170.16, 163.65, 163.51, 146.53, 142.43, 135.59, 134.70, 134.34, 133.76, 131.87, 129.33, 129.02, 124.80, 124.70, 85.79, 27.94 (3C); HRMS (APCI) (m/z): [M]− calcd. for C35H29N5O8, 647.2016; found, 647.2017.
【０１１６】
Tr-trisPIBocの合成
【化２１】
2020037536.tif 000022
【０１１７】
2,4,6-トリクロロ-1,3,5-トリアジン5（185 mg, 1.0 mmol），N-(tert-ブトキシカルボニル)-4-トリメチルスタニルフタルイミド3（1.35 g, 3.3 mmol），Pd2(dba)3・CHCl3（52 mg, 0.050 mmol），SPhos（83 mg, 0.20 mmol）をシュレンク管に入れ，脱気したトルエン（20 mL）を加えた。70 °Cで37時間撹拌した後，反応溶液を濃縮することにより粗生成物を得た。クロロホルムを展開溶媒とするゲル浸透クロマトグラフィーで精製し，三方型分子Tr-trisPIBoc（407 mg, 50%）を得た。
【０１１８】
1H NMR (500 MHz, CDCl3): □ 9.30 (s, 3H), 9.28 (dd, J = 7.4, 1.4 Hz, 3H), 8.22 (d, J = 7.4 Hz, 2H), 1.68 (s, 27H); 13C NMR (126 MHz, CDCl3): □ 170.93, 163.47, 163.37, 146.46, 141.63, 135.86, 134.80, 132.04, 124.93, 85.92, 27.94; HRMS (MALDI) (m/z): [M]− calcd. for C42H36N6O12, 816.2391; found, 816.2388.
【０１１９】
［熱重量測定］
上記において得られた各化合物の熱重量を測定した。熱重量測定には島津製作所TGA-50を用いた。 V字型分子Tr-bisPIBocを4.95 mg量り取り，窒素雰囲気下で2 °C／分の割合で加熱しながら重量の変化を測定した。図１は，V字型分子Tr-bisPIBocの熱量測定結果を示す図面に代わるグラフである。図１に示されるように， 150 °C〜180 °C付近で原料に対して31.0%の重量減少が見られたが，これは2つのBoc基の重量（計算値30.9%）に対応し，加熱によるBoc基の脱離を示唆している。
【０１２０】
三方型分子Tr-trisPIBocを3.90 mg量り取り，窒素雰囲気下で2 °C／分の割合で加熱しながら重量の変化を測定した。図２は，三方型分子Tr-trisPIBocの熱量測定結果を示す図面に代わるグラフである。図２に示されるように， 120 °C〜150 °C付近で原料に対して36.5%の重量減少が見られたが，これは3つのBoc基の重量（計算値36.8%）に対応し，加熱によるBoc基の脱離を示唆している。三方型分子Tr-trisPIBocでは、V字型分子Tr-bisPIBocよりも低い温度でBoc基の脱離が行われることが分かった。
【０１２１】
［紫外可視吸収特性］ 
紫外可視吸収測定には島津製作所UV-3150を用いた。V字型分子Tr-bisPIBocをクロロホルムに溶解（10 mg/mL）させ，石英基板上に1000 rpmで60秒スピンコートすることにより薄膜を形成した。このサンプルを140 °Cで30分アニールすることにより，基板上でBoc基を脱保護し，Tr-bisPIHの薄膜を形成した。図３は，V字型分子Tr-bisPIBocおよびV字型分子Tr-bisPIHの紫外線吸収スペクトルを示す図面に代わるグラフである。図３に示されるように，アニール前のTr-bisPIBocの薄膜は293 nm，アニール後のTr-bisPIHの薄膜は299 nmに吸収極大を示し，いずれも350 nm以上に吸収を示さない，高い可視光透明性をもつことがわかった。さらに、PG（Boc）を脱離させる前後で,薄膜の吸収極大が10 nm以下のわずかな変化に抑えられた。
【０１２２】
三方型分子Tr-trisPIBocをクロロホルムに溶解（10 mg/mL）させ，石英基板上に1000 rpmで60秒スピンコートすることにより薄膜を形成した。このサンプルを140 °Cで30分アニールすることにより，基板上でBoc基を脱保護し，Tr-trisPIHの薄膜を形成した。図４は，三方型分子Tr-trisPIBocおよび三方型分子Tr-trisPIHの紫外線吸収スペクトルを示す図面に代わるグラフである。図４に示されるように，アニール前のTr-trisPIBocの薄膜は297 nm，アニール後のTr-trisPIHの薄膜は306 nmに吸収極大を示し，いずれも350 nm以上に吸収を示さない，高い可視光透明性をもつことがわかった。さらに、PG（Boc）を脱離させる前後で,薄膜の吸収極大が10 nm以下のわずかな変化に抑えられた。
【０１２３】
［２次元微小角入射X線回折（2D-GIXD）］
微小角入射X線回折（GIXD）測定は，Spring−8，ビームラインBL19B2を用いて行った。X線のエネルギーは12.39 keV (□＝1 オングストローム)，入射角は0.12° Vとし，GIXDパターンは2次元検出器（Pilatus 300K）を用いて記録した。V字型分子Tr−bisPIBocをクロロホルムに溶解（10 mg/mL）させ，シリコン基板（バルカー・エフエフティ社），またはITO付ガラス基板（25 mm × 24 mm，旭硝子）上に，1000 rpmで60秒スピンコートすることにより薄膜を形成した。これらのサンプルを140 °Cで30分アニールすることにより，基板上でBoc基を脱保護し，Tr-bisPIHの薄膜を形成した。
【０１２４】
図５は，2D-GIXD測定の結果を示す図である。図５に示される通り，Si基板上，ITO基板上いずれの場合でも，アニール前のTr-bisPIBocではedge-on（垂直）配向に由来する回折パターンが見られ，アニール後のTr-bisPIHでは明確な回折パターンが見られなかった。
【０１２５】
三方型分子Tr−trisPIBocをクロロホルムに溶解（10 mg/mL）させ，シリコン基板（バルカー・エフエフティ社），またはITO付ガラス基板（25 mm × 24 mm，旭硝子）上に，1000 rpmで60秒スピンコートすることにより薄膜を形成した。これらのサンプルを140 °Cで30分アニールすることにより，基板上でBoc基を脱保護し，Tr−trisPIHの薄膜を形成した。
【０１２６】
図６は， 2D-GIXD測定の結果を示す図である。図６に示される通り，Si基板上，ITO基板上いずれの場合でも，アニール前のTr−trisPIBocでは明確な回折パターンが見られず，アニール後のTr−trisPIHではface-on（平行）配向の回折パターンが見られた。
【０１２７】
［p偏光多角入射分解分光法（pMAIRS）］ 
p偏光多角入射分解分光法（pMAIRS）測定にはサーモフィッシャーサイエンティフィック社Nicolet 6700 FT-IR分光器を用いた。V字型分子Tr-bisPIBocをクロロホルムに溶解（10 mg/mL）させ，シリコン基板（バルカー・エフエフティ社）上に1000 rpmで30秒スピンコートすることにより薄膜を形成した。図７は，V字型分子Tr−bisPIBocを用いた薄膜のp偏光多角入射分解分光法による分析結果を示す図である。図７に示される通り，140 °Cで30分アニールしたサンプルでは，Boc基のC=O伸縮に由来する1808 cm−１のピークが消失していることなどから，Boc基が脱保護されていることが確認された。また，ベンゼン環のＣ−Ｈ面外変角のピークに注目すると，アニール前後どちらにおいても，面内方向の吸光度が面外方向の吸光度よりも大きいことがわかる。実際，平均配向角（□ave）を，面内方向の吸光度AIP，面外方向の吸光度AOPを用いた関係式 （□ave） = tan−1{(2AIP/AOP)1/2} に従って計算した結果，アニール前のTr−bisPIBocでは63°，アニール後のTr-bisPIHでは64°となった。
【０１２８】
三方型分子Tr−bisPIBocをクロロホルムに溶解（10 mg/mL）させ，シリコン基板（バルカー・エフエフティ社）上に1000 rpmで30秒スピンコートすることにより薄膜を形成した。図８は，三方型分子Tr−bisPIBocを用いた薄膜のp偏光多角入射分解分光法による分析結果を示す図である。図８に示される通り，140 °Cで30分アニールしたサンプルでは，Boc基のC=O伸縮に由来する1807 cm−1のピークが消失していることなどから，Boc基が脱保護されていることが確認された。また，ベンゼン環のＣ−Ｈ面外変角のピークに注目すると，アニール前のTr-trisPIBocでは面内方向の吸光度が面外方向の吸光度が同程度であるのに対し，アニール後のTr-trisPIHでは面外方向の吸光度が面内方向の吸光度よりも大きいことがわかる。この結果は，三方型分子の配向がBoc基の脱保護によってランダムからface-on（平行）に変化したことを示唆しており，2D-GIXDの結果と一致する。実際，平均配向角（□ave）を計算した結果，アニール前のTr-trisPIBocでは51°，アニール後のTr-trisPIHでは35°となった。
【０１２９】
以上，V字型分子ではBoc基の脱保護による配向の変化は見られないのに対し，2次元水素ネットワークを作り得る三方型分子ではBoc基の脱保護によってface-on配向へと変化することがわかった。
【０１３０】
［電子移動度測定（SCLC法）］
ITO付ガラス基板（25 mm × 24 mm，旭硝子）を，水，アセトン，セミコクリーン56，水，エタノールの順でそれぞれ15分間超音波洗浄した。最後に，15分間のUVオゾン洗浄を行った。上記ITO基板にZn(OAc)2・2H2Oの0.2 Mエタノール溶液を1000 rpmで40秒スピンコートし，175 °Cで40分間アニールすることで，酸化亜鉛の層を成膜した。次に，電子輸送層として，V字型分子Tr-bisPIBocの15 mg/mLクロロホルム溶液を600 rpmで60秒スピンコートした。また，このサンプルを140 °Cで30分アニールすることによりTr-bisPIHの薄膜を形成した。電子輸送層の膜厚は，Tr-bisPIBoc，Tr-bisPIHについてそれぞれ100 nm，75 nm程度であった。最後に，フッ化リチウム（1 nm），アルミ電極（350 nm）を真空蒸着した。
【０１３１】
図９は，V字型分子Tr-bisPIBocおよびV字型分子Tr-bisPIHの電子移動度を示す図である。図９に示されるように，得られたエレクトロンオンリーデバイス（ITO/ZnO/Tr−bisPI/LiF/Al）のダイオード特性を測定し，Mott−Gurneyの式J = (9/8) □□0□(V2/d3)を用いて基板に垂直な方向の電子移動度（□）を見積もると，Tr-bisPIBocでは電子移動度（□） = 4.1 × 10−７ cm２V−１s−１，Tr−bisPIHでは電子移動度（□） = 1.5 × 10−７cm２V−１s−１となった。
【０１３２】
三方型分子Tr-trisPIBocについても同様に素子を作製した。電子輸送層として，Tr-trisPIBocの20 mg/mLクロロホルム溶液を600 rpmで60秒スピンコートした。また，このサンプルを140 °Cで30分アニールすることによりTr-trisPIHの薄膜を形成した。電子輸送層の膜厚は，Tr-trisPIBoc，Tr-trisPIHについてそれぞれ220 nm，160 nm程度であった。
【０１３３】
図１０は，三方型分子Tr-trisPIBocおよび三方型分子Tr-trisPIHの電子移動度を示す図である。図１０に示されるように，得られたエレクトロンオンリーデバイス（ITO/ZnO/Tr-trisPI/LiF/Al）のダイオード特性を測定し，基板に垂直な方向の電子移動度（□）を見積もると，Tr-trisPIBocでは電子移動度（□） = 4.5 × 10−７ cm２V−１s−１，Tr-trisPIHでは電子移動度（□） = 1.3× 10−６cm２V−１s−１となり，face−on（フェイスオン）配向を示すTr-trisPIH において他より1桁程度高い電子移動度が得られることが明らかになった。
【産業上の利用可能性】
【０１３４】
この明細書に開示された実施態様は，太陽電池や有機ＥＬといった情報電子産業において利用されるほか，電子輸送材料を提供する化学産業においても利用されうる。
【図１】
2020037536.tif 000030
【図２】
2020037536.tif 000031
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2020037536.tif 000037
【図９】
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【図１０】
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