(57)【要約】【課題】高温プロセスが必要なＭＥＭＳ構造を用いることなく、磁路を機械的に変位させることによって１／ｆノイズを低減することが可能な磁気センサを提供する。【解決手段】本発明による磁気センサは、磁気ギャップＧによって形成される磁路上に設けられた感磁素子Ｒを含むセンサチップ１０と、圧電体層３２とバイパス磁性体層３１を有する機械的駆動部３０とを備える。機械的駆動部３０は、センサチップ１０に固定された固定領域３０Ａと、センサチップ１０に固定されていない変位領域３０Ｂとを有し、変位領域３０Ｂは、磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒと重なりを有している。本発明によれば、ＭＥＭＳ構造とは異なり、機械的駆動部をセンサチップに固定した構造を有していることから、感磁素子を形成した後に高温プロセスを行う必要がない。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の磁性体層と、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間の磁気ギャップによって形成される磁路上に設けられた感磁素子とを含むセンサチップと、
前記センサチップに固定され、圧電体層とバイパス磁性体層を有する機械的駆動部と、を備え、
前記機械的駆動部は、前記センサチップに固定された固定領域と、前記センサチップに固定されていない変位領域とを有し、
前記変位領域は、前記第１の磁性体層、前記第２の磁性体層及び前記感磁素子と重なりを有していることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記磁気ギャップは、前記感磁素子と前記変位領域の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記感磁素子は、感磁方向である第１の方向と直交する第２の方向に延在し、
前記機械的駆動部は、前記感磁素子の全体を覆うよう、前記第２の方向を長手方向とすることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記固定領域は、前記第１及び第２の磁性体層と重ならない位置に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記第１の磁性体層と重なり、且つ、前記機械的駆動部と重ならない位置に設けられた第１の外部磁性体と、
前記第２の磁性体層と重なり、且つ、前記機械的駆動部と重ならない位置に設けられた第２の外部磁性体と、をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記機械的駆動部は、前記バイパス磁性体層を構成する金属箔の表面に前記圧電体層が形成された構造を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気センサに関し、特に、磁路を機械的に変位させることによって１／ｆノイズを低減した磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、感磁素子を用いた磁気センサは様々な分野で利用されているが、極めて微弱な磁界を検出するためには、Ｓ／Ｎ比の高い磁気センサが必要となる。ここで、磁気センサのＳ／Ｎ比を低下させる要因として、１／ｆノイズが挙げられる。１／ｆノイズは、測定対象となる磁界の周波数成分が低いほど顕著となることから、例えば１ｋＨｚ以下といった低周波領域の磁界を高感度に検出するためには、１／ｆノイズを低減させることが重要となる。
【０００３】
磁気センサにおいて１／ｆノイズを低減させる方法としては、非特許文献１〜３に記載されているように、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を用いて磁路を機械的に変位させることによって、測定対象となる磁界を振幅変調する方法が提案されている。
【０００４】
例えば非特許文献１には、図１０に示すように、磁路１と磁路２の間の磁気ギャップにＧＭＲ素子４を配置するとともに、ＭＥＭＳ構造を有する可変磁路３によってＧＭＲ素子４を覆い、可変磁路３を上下に駆動することによってＧＭＲ素子４を通過する磁束の割合を変化させる方法が提案されている。これによれば、可変磁路３を高速に駆動することにより、測定対象となる磁界が振幅変調されることから、１／ｆノイズを低減することが可能となる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Hybrid Integration of Magnetoresistive Sensors with MEMS as a Strategy to Detect Ultra-Low Magnetic Fields, Micromachines 2016, 7, 88
【非特許文献２】Hybrid GMR Sensor Detecting 950 pT/sqrt(Hz) at 1 Hz and Room Temperature, Sensors 2018, 18, 790
【非特許文献３】FABRICATION OF MICROMECHANICALLY-MODULATED MGO MAGNETIC TUNNEL JUNCTION SENSORS, Gerardo Jaramillo, Mei Lin Chan, Andre Guedes, David A. Horsley
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、非特許文献１〜３に記載されたＭＥＭＳ構造は形状が複雑であることから、必要なプロセス数が多い、製造コストが高い、歩留まりが低い、リードタイムが長いという問題があった。しかも、非特許文献１〜３に記載されたＭＥＭＳ構造を得るためには、ウェーハ上にＭＲ素子などの感磁素子を形成した後、スパッタリングやミリングなどの高温プロセスを行う必要があることから、高温プロセスによって感磁素子の特性が劣化するという問題があった。
【０００７】
したがって、本発明は、ＭＥＭＳ構造を用いることなく、磁路を機械的に変位させることによって１／ｆノイズを低減することが可能な磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による磁気センサは、第１及び第２の磁性体層と、第１の磁性体層と第２の磁性体層との間の磁気ギャップによって形成される磁路上に設けられた感磁素子とを含むセンサチップと、センサチップに固定され、圧電体層とバイパス磁性体層を有する機械的駆動部とを備え、機械的駆動部は、センサチップに固定された固定領域と、センサチップに固定されていない変位領域とを有し、変位領域は、第１の磁性体層、第２の磁性体層及び感磁素子と重なりを有していることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、機械的駆動部をセンサチップに固定した構造を有している。このため、ＭＥＭＳ構造を用いた場合とは異なり、必要なプロセス数を少なくすることができ、製造コストを下げることができ、歩留まりを高めることができ、リードタイムを短縮することが可能となる。しかも、感磁素子を形成した後に高温プロセスを行う必要がないことから、高温プロセスによる感磁素子の特性劣化を防止しつつ、１／ｆノイズを低減することが可能となる。しかも、機械的駆動部は後付け部品であることから、センサチップと機械的駆動部を別個に作製することができ、形状・構造などの仕様変更も容易である。
【００１０】
本発明において、磁気ギャップは、感磁素子と変位領域の間に位置するものであっても構わない。これによれば、磁気ギャップと変位領域の距離を変位させることによって、感磁素子に印加される磁界を大きく変化させることが可能となる。
【００１１】
本発明において、感磁素子は、感磁方向である第１の方向と直交する第２の方向に延在し、機械的駆動部は、感磁素子の全体を覆うよう、第２の方向を長手方向とするものであっても構わない。これによれば、変位領域を変位させることによって感磁素子の出力を大きく変調することが可能となる。
【００１２】
本発明において、固定領域は、第１及び第２の磁性体層と重ならない位置に設けられていても構わない。これによれば、変位領域を変位させることによって感磁素子の出力をより大きく変調することが可能となる。
【００１３】
本発明による磁気センサは、第１の磁性体層と重なり、且つ、機械的駆動部と重ならない位置に設けられた第１の外部磁性体と、第２の磁性体層と重なり、且つ、機械的駆動部と重ならない位置に設けられた第２の外部磁性体とをさらに備えるものであっても構わない。これによれば、測定対象となる磁界が第１及び第２の外部磁性体によって集磁されることから、高い検出感度を得ることができる。
【００１４】
本発明において、機械的駆動部は、バイパス磁性体層を構成する金属箔の表面に圧電体層が形成された構造を有するものであっても構わない。これによれば、高い変調周波数を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明によれば、ＭＥＭＳ構造を用いた場合とは異なり、必要なプロセス数を少なくすることができ、製造コストを下げることができ、歩留まりを高めることができ、リードタイムを短縮することが可能となる。しかも、高温プロセスも不要となる。これにより、ＭＥＭＳ構造を用いることなく、磁路を機械的に変位させることによって１／ｆノイズを低減することが可能な磁気センサを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施形態による磁気センサの外観を示す略斜視図である。
【図２】図２は、磁気センサから第１及び第２の外部磁性体２１，２２を取り外した状態を示す略斜視図である。
【図３】図３は、センサチップ１０から機械的駆動部３０を取り外した状態を示す略斜視図である。
【図４】図４は、センサチップ１０から磁性体層Ｍ１，Ｍ２を除去した状態を示す略斜視図である。
【図５】図５は、センサチップ１０の主要部のｘｚ断面図である。
【図６】図６は、機械的駆動部３０の構造を説明するための略断面図である。
【図７】図７は、電極層３３，３４に電圧を印加した状態における機械的駆動部３０の形状を示す略斜視図である。
【図８】図８は、機械的駆動部３０と磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒとの位置関係を説明するための略平面図である。
【図９】図９は、機械的駆動部３０と磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒとの位置関係を説明するための略断面図である。
【図１０】図１０は、ＭＥＭＳ構造を有する従来の磁気センサの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の好ましい実施形態による磁気センサの外観を示す略斜視図である。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態による磁気センサは、ｘｚ面を主面とする回路基板６と、回路基板６の主面上に載置されたセンサチップ１０、並びに、第１及び第２の外部磁性体２１，２２と、センサチップ１０に固定された機械的駆動部３０とを備えている。第１及び第２の外部磁性体２１，２２を取り外した状態である図２に示すように、センサチップ１０はｘｙ面を構成する素子形成面１１を有している。図３には、センサチップ１０に固定された機械的駆動部３０を取り外した状態が示されている。図２及び図３に示すように、素子形成面１１上には感磁素子Ｒ、磁性体層Ｍ１，Ｍ２、端子電極Ｔ１１〜Ｔ１４が形成されている。
【００２０】
外部磁性体２１，２２は、センサチップ１０に磁束を集める役割を果たし、いずれもフェライトなどの高透磁率材料によって構成される。外部磁性体２１，２２は、いずれもｘ方向を長手方向とする板状体であり、センサチップ１０側における先端は、センサチップ１０に近づくにつれてｚ方向における厚みが薄くなる形状を有している。外部磁性体２１，２２は、センサチップ１０とは別部材であり、センサチップ１０とともに回路基板６に固定されている。また、外部磁性体２１，２２の先端部分は、端子電極Ｔ１１〜Ｔ１４と干渉しないよう、切り欠きが設けられている。外部磁性体２１，２２うち、外部磁性体２１は磁性体層Ｍ１の一部を覆っており、外部磁性体２２は磁性体層Ｍ２の一部を覆っている。そして、外部磁性体２１の先端と外部磁性体２２の先端によって形成される磁気ギャップに機械的駆動部３０が配置されている。機械的駆動部３０は、磁性体層Ｍ１，Ｍ２の別の一部及び感磁素子Ｒと重なる位置に設けられている。感磁素子Ｒは、平面視で磁性体層Ｍ１，Ｍ２によって形成される磁気ギャップＧと重なる位置に設けられている。かかる構成により、ｘ方向の磁界が選択的に集磁され、集磁された磁界が感磁素子Ｒに印加されることになる。
【００２１】
図４は、センサチップ１０から磁性体層Ｍ１，Ｍ２を除去した状態を示す略斜視図である。
【００２２】
図４に示すように、感磁素子Ｒは、素子形成面１１上においてｙ方向に延在し、その一端が配線Ｌ１を介して端子電極Ｔ１１に接続され、他端が配線Ｌ２を介して端子電極Ｔ１２に接続されている。感磁素子Ｒは、磁束の向きによって電気抵抗が変化する素子であれば特に限定されず、例えばＭＲ素子などを用いることができる。感磁素子Ｒの固定磁化方向はｘ方向である。端子電極Ｔ１３，Ｔ１４は、図示しない補償コイルに接続される。補償コイルは、感磁素子Ｒに印加される磁界を打ち消すことによって、いわゆるクローズドループ制御を行うために用いられる。
【００２３】
図５は、センサチップ１０の主要部のｘｚ断面図である。
【００２４】
図５に示すように、センサチップ１０の素子形成面１１には、感磁素子Ｒが形成されている。感磁素子Ｒは絶縁層１２で覆われており、絶縁層１２の表面には、パーマロイなどからなる磁性体層Ｍ１，Ｍ２が形成されている。そして、平面視で（ｚ方向から見て）、感磁素子Ｒは磁性体層Ｍ１と磁性体層Ｍ２の間に位置する。これにより、磁気ギャップＧを通過する磁界が感磁素子Ｒに印加される。
【００２５】
但し、本発明において、感磁素子Ｒが平面視で磁性体層Ｍ１，Ｍ２間に位置することは必須でなく、磁性体層Ｍ１，Ｍ２からなる磁気ギャップＧによって形成される磁路上に感磁素子Ｒが配置されていれば足りる。また、磁気ギャップＧの幅と感磁素子Ｒの幅の関係についても特に限定されない。図５に示す例では、磁気ギャップＧのｘ方向における幅Ｇｘが感磁素子Ｒのｘ方向における幅Ｒｘよりも狭く、これにより、ｚ方向から見て磁性体層Ｍ１，Ｍ２と感磁素子Ｒが重なりＯＶを有している。
【００２６】
図６は、機械的駆動部３０の構造を説明するための略断面図である。
【００２７】
図６に示すように、機械的駆動部３０は、バイパス磁性体層３１と圧電構造体Ｐが積層された構造を有している。図６に示す例では、バイパス磁性体層３１の一部分にのみ圧電構造体Ｐが積層されているが、バイパス磁性体層３１の全体が圧電構造体Ｐで覆われていても構わない。圧電構造体Ｐは、ＰＺＴなどの圧電材料からなる圧電体層３２と、その両面に形成された電極層３３，３４からなる。バイパス磁性体層３１は、パーマロイなどの高透磁率材料からなる金属箔である。ＰＺＴなどからなる圧電体層３２については、スパッタリング法によって形成された薄膜であることが好ましいが、単層もしくは多層のバルク材でも構わない。このように、バイパス磁性体層３１を金属箔とし、圧電体層３２を薄膜とすれば、全体の厚さを薄くすることができる。
【００２８】
図７は、電極層３３，３４に電圧を印加した状態における機械的駆動部３０の形状を示す略斜視図である。図７に示すように、電極層３３，３４に電圧を印加すると、圧電体層３２が収縮するため、バイパス磁性体層３１が厚み方向に変形する。
【００２９】
図８は、機械的駆動部３０と磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒとの位置関係を説明するための略平面図である。
【００３０】
図８に示すように、機械的駆動部３０はｙ方向を長手方向とし、一部が磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒと重なるように配置される。特に、感磁素子Ｒは、機械的駆動部３０によって全体が覆われる。そして、機械的駆動部３０のうち、磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒと重ならない固定領域３０Ａは、接着剤４０によってセンサチップ１０に固定される。機械的駆動部３０のうち、固定領域３０Ａ以外の領域、つまりセンサチップ１０に固定されていない領域は、変位領域３０Ｂである。本実施形態においては、固定領域３０Ａの全部及び変位領域３０Ｂの一部にのみ圧電構造体Ｐが設けられているが、圧電構造体Ｐを設ける一部についてはこれに限定されない。図８に示すように、機械的駆動部３０の変位領域３０Ｂは、磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒと重なっていることから、センサチップ１０に対する機械的駆動部３０の固定位置が多少ずれても、磁気特性に大きな影響は生じない。
【００３１】
図９は、機械的駆動部３０と磁性体層Ｍ１，Ｍ２及び感磁素子Ｒとの位置関係を説明するための略断面図である。
【００３２】
まず、機械的駆動部３０に駆動電圧を印加していない状態においては、バイパス磁性体層３１は符号３１Ａで示す位置に存在する。このため、この状態で外部磁性体２１，２２を介して取り込まれた磁界のうち、一部は磁性体層Ｍ１，Ｍ２を介して感磁素子Ｒに印加されるものの、大部分は、機械的駆動部３０に含まれるバイパス磁性体層３１をバイパスする。バイパス磁性体層３１によってバイパスされた磁界成分は、感磁素子Ｒには印加されないため、磁気センサの検出感度は低くなる。
【００３３】
一方、機械的駆動部３０に駆動電圧を印加すると、圧電体層３２が収縮するため、バイパス磁性体層３１は符号３１Ｂで示す位置に移動する。つまり、変位領域３０Ｂが上側に反るよう変位する。その結果、変位領域３０Ｂに含まれるバイパス磁性体層３１は、磁気ギャップＧによって形成される磁路からの距離が離れることから、外部磁性体２１，２２を介して取り込まれた磁界の大部分が感磁素子Ｒに印加され、バイパス磁性体層３１を経由する磁界は僅かとなる。このため、磁気センサの検出感度は高くなる。
【００３４】
したがって、機械的駆動部３０に所定の周波数を有する駆動電圧を印加すれば、駆動電圧の周波数をサンプリング周波数として、感磁素子Ｒの出力信号が振幅変調される。そして、振幅変調された出力信号を復調することにより、１／ｆノイズが低減された測定結果を得ることが可能となる。一例として、測定対象となる磁界の周波数成分が０．１Ｈｚ〜１ｋＨｚといった低周波帯である場合、１／ｆノイズによってＳ／Ｎ比が低下するため、測定対象となる磁界が特に微弱である場合には測定困難となる。しかしながら、本実施形態による磁気センサを用いれば、出力信号を任意のサンプリング周波数にて振幅変調できることから、例えばサンプリング周波数を数ｋＨｚに設定することにより、１／ｆノイズの影響をほとんど除去することが可能となる。
【００３５】
サンプリング周波数を高めるためには、機械的駆動部３０をより高速に駆動する必要があるが、上述の通り、バイパス磁性体層３１を金属箔とし、圧電体層３２を薄膜とすれば、全体の厚さが薄くなり軽量化されることから、機械的駆動部３０を数ｋＨｚ以上の周波数で駆動することが可能となる。但し、圧電体層３２が薄膜である必要はなく、バルク状であっても構わない。また、バイパス磁性体層３１と圧電構造体Ｐの間に、シリコンなどからなるバネ体を介在させても構わない。
【００３６】
しかも、機械的駆動部３０は、接着剤４０を用いてセンサチップ１０上に後付けされる別部品であることから、ＭＥＭＳ構造を用いた場合とは異なり、必要なプロセス数を少なくすることができ、製造コストを下げることができ、歩留まりを高めることができ、リードタイムを短縮することが可能となる。しかも、ＭＥＭＳ構造を形成する場合のように、感磁素子Ｒを形成した後に高温プロセスを行う必要がなく、常温での作業が可能である。このため、高温プロセスによる感磁素子Ｒの特性劣化も生じない。また、機械的駆動部３０が別部品であることから、センサチップ１０とは別に設計可能である。このため、本実施形態による磁気センサは、設計変更なども容易である。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００３８】
例えば、上記実施形態では、接着剤４０を用いて機械的駆動部３０をセンサチップ１０上に固定しているが、機械的駆動部３０の固定方法がこれに限定されるものではなく、ハンダなど接着性を有する他の部材を用いて固定しても構わない。
【符号の説明】
【００３９】
１，２    磁路
３    可変磁路
４    ＧＭＲ素子
６    回路基板
１０    センサチップ
１１    素子形成面
１２    絶縁層
２１，２２    外部磁性体
３０    機械的駆動部
３０Ａ    固定領域
３０Ｂ    変位領域
３１    バイパス磁性体層
３１Ａ    変位前におけるバイパス磁性体層の位置
３１Ｂ    変位後におけるバイパス磁性体層の位置
３２    圧電体層
３３，３４    電極層
４０    接着剤
Ｇ    磁気ギャップ
Ｌ１，Ｌ２    配線
Ｍ１，Ｍ２    磁性体層
Ｐ    圧電構造体
Ｒ    感磁素子
Ｔ１１〜Ｔ１４    端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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