(57)【要約】【課題】  ターゲットと基板の相対位置変化に起因する膜圧変化を補正して、膜厚を高精度に制御することができる成膜装置を提供することを目的とする。【解決手段】  チャンバーの内部に基板を保持する基板保持部と、前記チャンバーの内部に配置されたターゲットと、前記基板の位置および傾きの測定手段を備えたスパッタ成膜装置において、測定した前記基板の位置および傾きに基づいて成膜速度を推定し、推定した成膜速度に基づいて目標膜厚まで成膜する制御部と、を有することを特徴とするスパッタ成膜装置。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーの内部に基板を保持する基板保持部と、
前記チャンバーの内部に配置されたターゲットと、
前記基板の位置および傾きの測定手段を備えたスパッタ成膜装置において、
測定した前記基板の位置および傾きに基づいて成膜速度を推定し、推定した成膜速度に基づいて目標膜厚まで成膜する制御部と、を有することを特徴とするスパッタ成膜装置。
【請求項２】
前記測定手段は、前記基板の回転軸に対する前記基板の位置ずれ量と前記基板のずれ角度とを測定し、
前記制御部は、測定した前記基板の位置および前記基板のずれ角度に基づいて成膜速度を推定することを特徴とする請求項１に記載のスパッタ成膜装置。
【請求項３】
前記測定手段は、前記基板の回転軸に対する前記基板の位置ずれ量と前記基板のずれ角度および前記基板保持部の回転軸ずれ量を測定し、
前記制御部は、測定した前記基板の位置、前記基板のずれ角度および前記基板保持部の回転軸ずれ量に基づいて成膜速度を推定することを特徴とする請求項１に記載のスパッタ成膜装置。
【請求項４】
前記測定手段はカメラであり、
前記制御部は、前記基板の位置および傾きに基づいて成膜速度を推定し、推定した成膜速度に基づいて目標膜厚まで成膜することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパッタ成膜装置。
【請求項５】
チャンバーの内部に基板を保持する基板保持部と、前記チャンバーの内部に配置されたターゲットと、前記基板の位置及び傾きを測定する測定手段と、を有するスパッタ成膜方法であって、
測定した前記基板の位置及び傾きに基づいて成膜速度を推定し、推定した成膜速度に基づいて目標膜厚まで成膜することを特徴とするスパッタ成膜方法。
【請求項６】
前記測定手段は、前記基板の回転軸に対する前記基板の位置ずれ量と前記基板のずれ角度とを測定し、
測定した前記基板の位置および前記基板のずれ角度に基づいて成膜速度を推定することを特徴とする請求項５に記載のスパッタ成膜方法。
【請求項７】
前記測定手段は、前記基板の回転軸に対する前記基板の位置ずれ量と前記基板のずれ角度および前記基板保持部の回転軸ずれ量を測定し、
測定した前記基板の位置、前記基板のずれ角度および前記基板保持部の回転軸ずれ量に基づいて成膜速度を推定することを特徴とする請求項５に記載のスパッタ成膜方法。
【請求項８】
前記測定手段はカメラであり、
測定した前記基板の位置および前記基板のずれ角度は、カメラで測定した画像を画像処理して、前記基板の位置および傾きを計算することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載のスパッタ成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学レンズに設ける光学薄膜等の成膜に用いることができるスパッタ成膜装置およびスパッタリング成膜方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、レンズ等の光学部品に形成される光学薄膜は、真空蒸着装置やスパッタ装置などで成膜さる。光学薄膜の膜厚および膜厚分布は、レンズの光学特性に重要な役割を果たす。
【０００３】
スパッタ装置において、ターゲットと基板との距離を示すＴＳ距離が変わると、成膜速度や膜厚分布が変化することが一般的に知られている。また、ターゲットのエロージョンが進行することによっても、ＴＳ距離および材料の放出角度が変化し、成膜速度や膜厚分布が変化することが知られている。そのため、これらの変化を反映して、所望の膜厚および膜厚分布を得ることができるスパッタ装置が求められている。
【０００４】
特許文献１は、回転ドラムの外周面上に基板が取り付けられ、ドラムを回転しながら基板に成膜するスパッタ装置で、回転ドラムの偏芯量を計測できるスパッタ装置を開示している。特許文献１に記載されたスパッタ装置は、計測した偏芯量に基づいてターゲット電力を修正することで、回転軸受けの微小な偏芯が膜厚特性のばらつきに与える影響を抑制することができる。
【０００５】
また、特許文献２は、スパッタリングによるターゲットの侵食部分（エロージョン）の形状測定をする機構を設けたスパッタ装置を開示している。特許文献２に記載されたスパッタ装置は、ターゲットの消耗状態に応じて、基板とターゲット間を最適距離に設定して所望する膜厚と均一な膜厚分布を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２２８０６２号公報
【特許文献２】特開２０００−６４０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、カメラやビデオ等に使用されるレンズの光学薄膜は、高い膜厚精度が要求され、成膜時のターゲットと基板の相対位置の変化によって光学特性が変化する。特許文献１および特許文献２記載のスパッタリング装置では、ＴＳ距離以外のターゲットと基板の相対位置が変化した場合、膜厚を高精度に制御することはできない。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のスパッタ成膜装置は、チャンバーの内部に基板を保持する基板保持部と、前記チャンバーの内部に配置されたターゲットと、前記基板の位置および傾きの測定手段を備えたスパッタ成膜装置において、測定した前記基板の位置および傾きに基づいて成膜速度を推定し、推定した成膜速度に基づいて目標膜厚まで成膜する制御部と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のスパッタ成膜方法は、チャンバーの内部に基板を保持する基板保持部と、前記チャンバーの内部に配置されたターゲットと、前記基板の位置及び傾きを測定する測定手段と、を有するスパッタ成膜方法であって、測定した前記基板の位置及び傾きに基づいて成膜速度を推定し、推定した成膜速度に基づいて目標膜厚まで成膜することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のスパッタ成膜装置によれば、ターゲットと基板の相対位置に起因する膜厚変化を補正して、膜厚を高精度に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態のスパッタ成膜装置の概要を示す図である。
【図２】基板保持部と回転軸の関係について説明する図である。
【図３】基板の位置と方向について説明する図である。
【図４】成膜材料の放出分布を示す概略図である。
【図５】第１の実施形態のスパッタ成膜方法のフローを示す図である。
【図６】基板の傾きが成膜速度に影響することを説明する図である。
【図７】第２の実施形態のスパッタ成膜装置の概要を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
本実施形態のスパッタリング成膜装置は、ターゲットの裏面に永久磁石を配置して磁界を発生させることで成膜速度を向上させたマグネトロンスパッタリング成膜装置（以下、「スパッタ成膜装置」という）を用いることができる。図１は、実施形態１のスパッタ成膜装置の概要を示す図である。
【００１４】
図１で、スパッタ成膜装置１００は、真空チャンバー１の内部に、成膜材料を放出するターゲット３と、レンズ等の基板１２を保持する基板保持部１３と、基板１２を撮像するカメラ１６を備えている。ターゲット３と基板１２の間にシャッター９が設けられており、プレスパッタ中に基板１２をカバーすることができる。
【００１５】
真空チャンバー１は、排気装置２２が設けられていて、真空チャンバー１の内部は真空に排気することができる。真空チャンバー１には、スパッタガスボンベ９内に圧縮されているスパッタガス（アルゴンガス）と、反応性ガスボンベ６内に圧縮されている反応性ガス（酸素ガス）を供給可能となっている。スパッタガスは、スパッタガスバルブ１０で流量を調整されて、ガス管１１を通って真空チャンバー１内に供給される。反応性ガス（酸素ガス）は、マスフローコントローラ７でガス流量を制御され、ガス管８を通って真空チャンバー１内に供給される。スパッタガス（アルゴンガス）と反応性ガス（酸素ガス）の供給が不要な時は、電磁バルブ（不図示）によりガス供給を遮断することができる。
【００１６】
真空チャンバー１内に充填されたスパッタガスと反応性ガスを真空チャンバー１に接続された排気装置２２から排気させることで、真空チャンバー１内を所定の圧力に調節することができる。また、スパッタガスと、反応性ガスとを供給している時も真空チャンバー１内の圧力を調整可能となっている。
【００１７】
ターゲット３にはプラズマ電源２１が接続され、真空状態で所定の電力を供給することでプラズマを生成する。ターゲット３はケイ素、ニッケル、アルミニウム等を用いることができ、成膜する膜種によって自動で切り替え可能である。ターゲット３はターゲット保持部４によって保持されており、ターゲット保持部４は冷却水を供給する冷却器５が接続されている。冷却器５は、ターゲット３を冷却することで、ターゲット３およびその周辺がプラズマの熱で変形するのを防止している。ターゲット３の裏面に永久磁石２を備えており、材料放出面に磁場を形成している。また、ターゲット３近傍にはプラズマエミッションモニタ５を備えており、プラズマ発光をモニタ可能になっている。
【００１８】
基板１２を保持する基板保持部１３は、基板駆動部１４によって回転およびＴＳ距離を調整可能になっている。基板駆動部１４は、基板保持部１３に保持された基板１２を所定の回転数で回転させ、所定のＴＳ距離で成膜できるようになっている。また、成膜中にも回転数およびＴＳ距離は任意に調整可能になっている。基板保持部１３の回転軸は、任意の角度で設定可能で、回転停止状態で成膜することも可能である。
【００１９】
シャッター９は、ターゲット３と基板１２の間に備えられており、シャッター駆動部１５によってターゲット３と基板１２の間に侵入および退避可能になっている。シャッター９は成膜中に退避し、所定の膜厚に達した時にシャッター９をターゲット３と基板１２の間に侵入させることで、成膜を停止できるようになっている。また、シャッター駆動部１５は、シャッター９を任意の位置に中間停止するように制御可能で、膜厚分布をコントロールするマスクとしても利用できる。
【００２０】
カメラ１６は、大気チャンバー１７内に配置されており、ガラスビューポート１８越しに基板１２を撮像可能になっている。カメラ１６から見て基板１２の背面側に平板照明１９を備えており、基板１２を撮像して撮像画像を画像処理することで基板１２の位置を計測することが可能になっている。また、カメラ１６は基板１２だけでなく基板保持部１３を撮影して、撮影画像を画像処理することでターゲット３と基板１２の相対位置を高い精度で求めることができる。
【００２１】
本実施形態では、カメラで撮像した画像を画像処理し、基板１２の位置および方向を計測しているが、カメラ以外の例えばレーザー変位系や、接触式の変位系等を使用して、基板１２の位置を計測してもよい。
【００２２】
制御部２３は、基板１２の位置情報又は基板１２と基板保持部１３の位置情報に基づいて、成膜速度を推定して成膜速度を制御する。
【００２３】
次に、図１を用いて本実施形態のスパッタ成膜装置の成膜速度の推定方法について説明する。膜厚を高精度に制御するために、ターゲット３から放出される成膜材料の放出速度と、放出された成膜材料が基板１２に着膜する着膜割合との積で成膜速度を推定する。推定した成膜速度を時間で積算した値を膜厚推定値とし、所定の膜厚に達した時にシャッター９を閉じて成膜を停止する。
【００２４】
まず、成膜材料の放出速度の推定について説明する。プラズマエミッションモニタ５から取得したプラズマ発光の分光特性が所定の状態になるように、ターゲット３に印加する電力または反応性ガス（酸素ガス）のガス流量またはその両方を制御する。そして、（１）成膜中のプラズマ発光の分光特性、（２）ターゲット３への印加電圧および（３）反応性ガス（酸素ガス）のガス流量に基づいて、ターゲット３から放出される成膜材料の放出速度を推定する。（１）プラズマ発光の分光特性、（２）ターゲット３への印加電圧および（３）反応性ガス（酸素ガス）のガス流量と、（３）成膜材料の放出速度の関係を、シミュレーションまたは事前に測定した結果をデータベースに登録しておくことで、成膜材料の放出速度を推定する。なお、本実施形態の実施例として、（１）プラズマ発光の分光特性、（２）ターゲット３への印加電圧、および（３）反応性ガス（酸素ガス）のガス流量と、成膜材料の放出速度の関係を測定した結果をテーブル化しデータベース（不図示）に登録して使用した。
【００２５】
次に、放出された成膜材料が基板１２に着膜する着膜割合の推定について説明する。着膜割合は、（５）基板位置及び傾きと（６）成膜材料の放出分布に基づいて推定する。（５）基板位置は、基板１２のずれ量および基板１２のずれ角度を用いる。また、（５）基板位置は、更に、基板保持部１３の回転軸ずれ量を用いることでより正確に着膜割合を推定できる。
【００２６】
図２で、基板保持部１３と回転軸との関係について説明する。図２（ａ）に示すように、通常、基板保持部１３は回転軸ＲＨで回転する。これに対して、図２（ｂ）に示すように、基板保持部１３の回転軸がずれている場合には回転軸ずれ量ΔＸＲを求める。また、図２（ｃ）に示すように、基板保持部１３の回転軸の角度が通常よりもずれている場合には、基板保持部１３の回転軸ずれ角度θＨを求める。
【００２７】
次に、図３で、基板１２の位置と方向について説明する。図３（ａ）のように、基板保持部１３の回転軸ＲＨと基板１２の中心軸ＲＳは一致する。これに対して、図３（ｂ）に示すように、基板保持部１３の回転軸ＲＨと基板１２の中心軸ＲＳがずれている場合には基板１２のずれ量ΔＸＳを求める。図３（ｃ）に示すように、基板保持部１３の回転軸ＲＨと基板の中心軸ＲＳの角度がずれている場合には、基板１２のずれ角度θＳを求める。（５）基板１２の位置及び傾きと、（６）成膜材料の放出分布と、着膜割合との関係をシミュレーションまたは事前に測定した結果をデータベースに登録しておくことで、成膜材料が基板１２に着膜する着膜割合を推定する。ここで、成膜材料の放出分布Ｄとは、図４に示すように、単位時間にターゲット３から基板に向けて成膜材料が放出される量の分布を示すもので、ＴＳ距離、成膜材料、ターゲットの消耗状態等が変わると基板１２に成膜される膜厚分布も変化する。本実施形態の実施例では、事前に基板の位置および傾きと、成膜材料の放出分布と、着膜割合との関係を測定した結果をテーブル化し、データベースに登録して使用した。
【００２８】
成膜材料の放出分布は、プラズマ電源２１がターゲット３への印加する電力量の積算値を記憶し、積算電力量に基づいてターゲット３の消耗状態（エロージョントラックの位置および消耗量）を推定することができる。プラズマ電源２１がターゲット３への印加する電力量の積算値はターゲット３を新品に交換する毎にリセットする。成膜材料の放出分布とターゲット３への印加電力積算値の関係を、シミュレーションまたは事前に測定した結果をデータベースに登録しておくことで、ターゲット３から放出される成膜材料の放出分布を推定する。本実施形態の実施例では、事前に成膜材料の放出分布とターゲット３への印加電力積算値の関係を測定した結果をテーブル化し、データベース（不図示）に登録して使用した。
【００２９】
第１の実施形態では、ターゲット３を十分に冷却しているため、成膜材料の放出分布とターゲット３への印加電力積算値の関係は再現性がある。もし、再現性が得られない場合は、ターゲット３の位置とスパッタリングによるターゲット３の侵食部分（エロージョン）の形状測定をする機構を設けてもよい。この時、ターゲット３の形状測定結果と成膜材料の放出分布の関係をテーブル化し、データベースに登録して使用した。
【００３０】
次に、膜厚分布の推定について説明する。カメラ１６によって撮影された画像を画像処理することにより基板１２の位置および方向を求めて、成膜材料の放出分布に基づいて、基板に成膜される材料の膜厚分布を推定する。基板１２の位置および方向と、成膜材料の放出分布と、膜厚分布の関係を、シミュレーションまたは事前に測定した結果をデータベースに登録しておくことで、成膜材料が基板１２に着膜する膜厚分布を計算する。計算によって推定される膜厚分布が均一になるように、制御部２３は、基板駆動部１４に指令し、ＴＳ距離を調整する。なお、本実施形態の実施例は、前に基板の位置および傾きと、成膜材料の放出分布と、膜厚分布との関係を測定した結果をテーブル化し、データベースに登録して使用した。
【００３１】
基板１２の位置および方向を求めるため撮像は、基板１２が１回転する間に複数回行う。基板１２の位置および方向を正確に求めるために、基板１２が１回転する間に少なくとも８回以上撮像し、基板１２の位置および方向を求めるのが好ましい。本実施形態の実施例では、基板１２の回転数は６０ｒｐｍで成膜し、カメラ１６は６０ｆｐｓで撮像して、基板１２が１回転する間に６０枚の撮像を行った。６０枚の基板１２の画像から基板１２の位置および方向を求めた。基板１２の位置および方向を精度良く計測するために、基板１２が複数回転している間、画像を撮り続け、その画像に基づいて、基板１２の位置および方向を求めた。
【００３２】
図５に、本発明の実施例に係わるスパッタ成膜装置の制御フローを示す。ステップＳ１０１〜Ｓ１０９は成膜開始までの準備フローを示し、ステップＳ２０１〜Ｓ２０４は成膜中フローを示し、ステップＳ３０１〜Ｓ３０２は成膜後の後処理フローを示している。なお、ターゲット保持部４へは常に冷却器５から冷却水が供給されており、ターゲット３およびその周辺がプラズマの熱で変形し難い状態にしてある。
【００３３】
図５のステップＳ１０１では、搬送ロボット装置（不図示）によって、基板１２を真空チャンバー１へ投入する。基板保持部１３によって基板１２を保持し、真空チャンバー１を排気装置２２で真空排気する。
【００３４】
ステップＳ１０２では、成膜設計条件に基づいて、あらかじめ設定されたＴＳ距離および回転数になるように基板駆動部１４によって基板１２を保持する基板保持部１３を駆動する。本実施形態の実施例では、基板１２の回転数を６０ｒｐｍで成膜した。
【００３５】
ステップＳ１０３では、カメラ１６および平板照明１９を制御し、６０ｆｐｓで連続撮像された６０枚の基板１２の画像其々から基板１２及び／又は基板保持部１３の位置および方向の検出を行う。基板１２の位置および方向は、基板１２のずれ量ΔＸＳと、基板１２のずれ角度θＳを計算する。基板保持部１３の位置および方向は、回転軸ずれ量ΔＸＲと、基板保持部１３の回転軸ずれ角度θＨを計算する。
【００３６】
ステップＳ１０４では、前回の成膜までにプラズマ電源２１からターゲット３への印加した電力積算値に基づいて、放出分布をデータベース２３から取得する。
【００３７】
ステップＳ１０５では、ステップＳ１０３で求めた基板１２のずれ量ΔＸＳと、ステップＳ１０４で求めた放出分布に基づいて、基板１２に成膜される膜厚分布をデータベース２４から取得する。データベース２４を用いて膜厚分布が均一になるＴＳ距離を求めて、基板駆動部１４によってＴＳ距離を補正する。
【００３８】
ステップＳ１０６では、ステップＳ１０３で求めた基板１２の位置と、ステップＳ１０４で求めた成膜材料の放出分布と、に基づいて、着膜割合をデータベース２２から取得する。
【００３９】
ステップＳ１０７では、スパッタガス（アルゴンガス）、および、反応性ガス（酸素ガス）を真空チャンバー１に供給し、プラズマ電源２１からターゲット３へ予め設定された電力を供給し放電する。
【００４０】
ステップＳ１０８では、プラズマエミッションモニタ５から取得したプラズマ発光の分光特性が所定の状態になるように、反応性ガス（酸素ガス）のガス流量をマスフローコントローラ７でフィードバック制御し、成膜が完了するまで制御を継続する。
【００４１】
図５のステップＳ２０１では、シャッター駆動部１５によってシャッター９を開き、成膜を開始する。
【００４２】
ステップＳ２０２では、プラズマエミッションモニタ５から取得したプラズマ発光の分光特性、プラズマ電源２１からターゲット３への印加した電力量およびマスフローコントローラ７で制御している反応性ガス（酸素ガス）のガス流量を取得する。そして、これらの値に基づいて、成膜材料の放出速度をデータベース２５から取得する。
【００４３】
ステップＳ２０３では、ステップＳ１０６で求めた着膜割合と、ステップＳ２０２で求めた放出速度の積である成膜速度を時間で積分し膜厚を推定する。
【００４４】
ステップＳ２０４では、ステップＳ２０３で求めた膜厚推定値と、あらかじめ設定された目標膜厚値を比較し、膜厚推定値が目標膜厚値に到達していない場合は、ステップＳ２０２へ戻り、膜厚推定値が目標膜厚値に到達するまで繰り返す。本実施形態の実施例では、ステップＳ２０２からステップＳ２０４までを５０ｍｓｅｃ周期でループされることで、高精度な膜厚再現性を実現した。
【００４５】
ステップＳ２０５では、シャッター駆動部１５によってシャッター９を閉め、ターゲット３から放出された成膜材料が基板１２へ着膜するのを遮断し、プラズマ電源２１からターゲット３へ供給する電力を停止する。
【００４６】
図５のステップＳ３０１では、真空チャンバー１へ供給しているスパッタガス（アルゴンガス）および反応性ガス（酸素ガス）の電磁バルブを閉め、ガス供給を遮断する。
【００４７】
ステップＳ２０５では、排気装置２２を停止し、真空チャンバー１を大気解放し、搬送ロボット装置（不図示）で基板１２を真空チャンバー１から排出する。
【００４８】
図６に、図３の基板１２のずれ角度θＳが膜厚精度与える影響を示す。図６（ａ）は基板１２がターゲットに対して所望の位置および傾きである場合を示し、図６（ｂ）は基板１２がターゲットに対してずれ角度θＳで傾いている場合を示している。矢印はターゲットから放出される成膜材料を示している。図６に示したように、基板１２がターゲットに対して傾くことによって、基板１２に到達する成膜材料が減少するため、材料がターゲットから放出されるレートが一定であったとしても、基板に材料が着膜する着膜割合が減少する。そのため、プラズマの熱などのよりＴＳ距離のみならず、ターゲットと基板１２の相対位置変化があった場合、実際に基板１２の膜厚は所望の膜厚より薄くなってしまう。このような着膜割合の変化を防止するために、ずれ角度θＳ等を補正するような制御が必要になる。第１の実施形態によれば、ターゲットと基板１２の相対位置と方向の変化を計測することによって、着膜割合の変化を推定することができ、成膜時間を補正することで膜厚を高精度に制御することができる。
【００４９】
従来、スパッタ成膜装置を連続運転した時、真空と大気の圧力差による真空チャンバーの変形や、プラズマによる熱変形、基板保持位置誤差などによって、成膜した時に膜厚のずれが生じていた。ターゲットと基板の相対位置はＴＳ距離で約０．８ｍｍ、水平方法で約０．５ｍｍ、角度で約０．５度のずれが発生していた。ターゲットと基板の相対位置の変化により、着膜レートが変化するため、膜厚は設定値より２．４３％の誤差があったが、第１の実施形態の膜厚の推定を用いることにより、膜厚誤差は１．１７％と改善された。
【００５０】
（第２の実施形態）
第２の実施形態は、第１の実施形態よりも大きな基板を用いるのに適した実施形態である。図７、第２の実施形態に係わるスパッタ成膜装置を示す。
【００５１】
第２の実施形態は大型ガラス基板１１２の成膜装置である。基板保持部１１３で大型ガラス基板１１２を保持し、基板搬送部１１４で大型ガラス基板１１２をスキャンしながら成膜する。大型ガラス基板１１２の下から形状計測するためのレーザー位置計測センサ１１６が備えられている。大型ガラス基板１１２のスキャン成膜する直前に、大型ガラス基板１１２のスキャンの形状をスキャン計測し、ターゲット１０３と大型ガラス基板１１２の着膜部の相対位置を計測する。基板が大型化した場合、自重で基板がたわみ、ターゲット１０３と大型ガラス基板１１２の着膜部の相対位置が変化することで、着膜割合が変化することがある。本実施例の場合、着膜割合の変化に応じて大型ガラス基板１１２のスキャン速度を補正することで、所望の膜厚分布が得られる。または、着膜割合の変化に応じて、ターゲット１０３に供給する電力を補正してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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