(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた発光効率を示す有機エレクトロルミネッセンス素子及びそのような有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる新規化合物を提供。【解決手段】スピロアントラセンフルオレン骨格を有する式（１）で表される化合物。2020097525.tif 000151【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物。
【化１】
2020097525.tif 000145
（式中、
Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８はそれぞれ独立して水素原子又は置換基であり、Ｒ１〜Ｒ４から選ばれる隣接する２つ、Ｒ５〜Ｒ８から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つ、及びＲ１５〜Ｒ１８から選ばれる隣接する２つは互いに結合して環構造を形成してもよい。
ただし、Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合を表すか、又は、前記環構造の環形成原子が＊に結合する。
Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３はそれぞれ独立して単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基である。
前記Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８が表す置換基は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基である。）
【請求項２】
Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２〜Ｒ７、Ｒ１２、及びＲ１７から選ばれる１つが＊に結合する単結合である請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ２〜Ｒ７から選ばれる１つが＊に結合する単結合である請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項５】
下記式（２）で表される請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【化２】
2020097525.tif 000146
（式中、Ｒ１、Ｒ３〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１８、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｌ１〜Ｌ３、Ａｒ１、及びＡｒ２は前記と同様。）
【請求項６】
下記式（３）で表される請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【化３】
2020097525.tif 000147
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１８、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｌ１〜Ｌ３、Ａｒ１、及びＡｒ２は前記と同様。）
【請求項７】
下記式（４）で表される請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【化４】
2020097525.tif 000148
（式中、Ｒ１〜Ｒ３、Ｒ５〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１８、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｌ１〜Ｌ３、Ａｒ１、及びＡｒ２は前記と同様。）
【請求項８】
Ａｒ１及びＡｒ２の一方が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、他方が置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項９】
Ａｒ１及びＡｒ２がそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
Ａｒ１及びＡｒ２がそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１１】
前記Ａｒ１及び／又はＡｒ２が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基の該アリール基がフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリレニル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ナフタセニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、トリフェニレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、及びペンタフェニル基から選ばれる請求項１〜９に記載の化合物。
【請求項１２】
前記Ａｒ１及び／又はＡｒ２が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基がフェニル基、ｐ−ビフェニル基、ｍ−ビフェニル基、ｏ−ビフェニル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−フェナントリル基、９−フェナントリル基、２−トリフェニレニル基、９，９’−スピロビフルオレン−２−イル基、９，９’−スピロビフルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−４−イル基、１０，１０−ジメチル（アントラセン−９，９’−フルオレン）−２’−イル基、及び１０，１０−ジメチル（アントラセン−９，９’−フルオレン）−４’−イル基から選ばれる請求項１〜９及び１１に記載の化合物。
【請求項１３】
前記Ａｒ１及び／又はＡｒ２が表す置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基の該酸素含有ヘテロアリール基がフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、及びフェノキサジニル基から選ばれ、
前記Ａｒ１及び／又はＡｒ２が表す置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基の該硫黄含有ヘテロアリール基がチエニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、及びフェノチアジニル基から選ばれる請求項１〜８及び１０に記載の化合物。
【請求項１４】
前記Ａｒ１及び／又はＡｒ２が表す環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基がジベンゾフラニル基又はナフトベンゾフラニル基であり、前記環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基がジベンゾチオフェニル基又はナフトベンゾチオフェニル基である請求項１〜８、１０、及び１３に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ２１及びＲ２２がそれぞれ独立して置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である請求項１〜１４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１６】
Ｒ２１及びＲ２２が互いに結合せず、従って、環構造を形成しない請求項１〜１５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１７】
Ｒ２１及びＲ２２がメチル基及びフェニル基から選ばれる請求項１〜１６のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１８】
Ｌ１及びＬ２がそれぞれ独立して単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基である請求項１〜１７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１９】
前記Ｌ１及び／又はＬ２が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基のアリーレン基が下記式より選ばれる請求項１〜１８のいずれか１項に記載の化合物。
【化５】
2020097525.tif 000149
【請求項２０】
Ｌ１及びＬ２の一方又は双方が単結合である請求項１〜１９のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項２１】
Ｌ３が単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基である請求項１〜２０のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項２２】
前記Ｌ３が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基のアリーレン基が下記式より選ばれる請求項１〜２１のいずれか１項に記載の化合物。
【化６】
2020097525.tif 000150
【請求項２３】
Ｌ３が単結合又はフェニレン基である請求項１〜２２のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項２４】
Ｌ１とＬ２、Ｌ１とＬ３、及びＬ２とＬ３は互いに結合しない請求項１〜２３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項２５】
＊に結合する単結合を表さず、かつ、前記環構造を形成しないＲ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８が水素原子である請求項１〜２４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項２６】
Ｒ１〜Ｒ７及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合であり、残りのすべてが水素原子である請求項１〜２５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項２８】
陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層が発光層を含み、該有機層の少なくとも１層が請求項１〜２６のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２９】
前記有機層が正孔輸送層を含み、該正孔輸送層が前記化合物を含む請求項２８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３０】
前記正孔輸送層が陽極側の第１正孔輸送層と陰極側の第２正孔輸送層を含み、該第１正孔輸送層と該第２正孔輸送層の一方又は双方が前記化合物を含む請求項２９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３１】
請求項２８〜３０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物、該化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、該化合物を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた有機層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。従って、電子又は正孔を効率よく発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を容易にする化合物の開発は高効率有機ＥＬ素子を得る上で重要である。
【０００３】
特許文献１はスピロビフルオレン構造が直接又は芳香族環を介して中心窒素原子に結合したアミン化合物を開示している。特許文献１はこの化合物が正孔輸送層もしくは励起子阻止層中の正孔輸送材料として、又は、発光層中のマトリックス材料として適していると記載している。
【０００４】
特許文献２は９，９−ジ置換フルオレン構造、例えば、９，９−ジフェニルフルオレン構造、９，９−ジメチルフルオレン構造が直接又は芳香族環を介して中心窒素原子に結合したアミン化合物を開示している。特許文献２はこの化合物が正孔輸送層もしくは励起子阻止層中の正孔輸送材料及び／又は正孔注入材料として、又は、発光層中のマトリックス材料として適していると記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１２／２３４６２７号
【特許文献２】国際公開第２０１４／０１５９３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、有機ＥＬ素子の製造に有用な多くの化合物が報告されているが、有機ＥＬ素子の特性を更に向上させる化合物が依然として求められている。
【０００７】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、優れた発光効率を示す有機ＥＬ素子及びそのような有機ＥＬ素子を実現する新規化合物を提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、スピロアントラセンフルオレン骨格を有する下記式（１）で表される化合物が優れた発光効率を示す有機ＥＬ素子を実現することを見出した。
【０００９】
すなわち、一態様において、本発明は式（１）で表される化合物（以下、化合物（１）と称することもある）を提供する。
【化１】
2020097525.tif 000002
（式中、
Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８はそれぞれ独立して水素原子又は置換基であり、Ｒ１〜Ｒ４から選ばれる隣接する２つ、Ｒ５〜Ｒ８から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つ、及びＲ１５〜Ｒ１８から選ばれる隣接する２つは互いに結合して環構造を形成してもよい。
ただし、Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合を表すか、又は、前記環構造の環形成原子が＊に結合する。
Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３はそれぞれ独立して単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基である。
前記Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８が表す置換基は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のハロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基である。）
【００１０】
他の態様において、本発明は化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。
【００１１】
さらに他の態様において、本発明は陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機層は発光層を含み、該有機層の少なくとも１層が化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【００１２】
さらに他の態様において、本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
化合物（１）は発光効率がより改善された有機ＥＬ素子を実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」の「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、無置換ＺＺ基の炭素数を表し、置換基の炭素数は含まない。
【００１６】
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」の「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、無置換ＺＺ基の原子数を表し、置換基の原子数は含まない。
【００１７】
本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」の「無置換ＺＺ基」とは、ＺＺ基の水素原子が置換基で置換されていないことを意味する。
【００１８】
本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。
【００１９】
本明細書において、「環形成炭素数」とは、原子が環状に結合した化合物、例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物の当該環自体を形成する炭素原子の数を表す。当該環が置換基を有する場合、置換基に含まれる炭素原子は環形成炭素原子に含めない。以下で記される「環形成炭素数」についても、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環が、例えば、アルキル置換基を有する場合、当該アルキル置換基の炭素原子は環形成炭素原子に含めない。また、フルオレン置換フルオレン環の場合（スピロビフルオレン環を含む）、フルオレン置換基の炭素原子は環形成炭素原子に含めない。
【００２０】
本明細書において、「環形成原子数」とは、原子が環状に結合した化合物、例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物の当該環自体を形成する原子の数を表す。環を成形しない原子、例えば、環を形成する原子に結合する水素原子、及び環を形成する原子に結合する置換基に含まれる原子は環形成原子に含めない。以下で記される「環形成原子数」についても、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の環形成炭素原子に結合している水素原子及び置換基の原子は環形成原子に含めない。また、フルオレン置換フルオレン環の場合（スピロビフルオレン環を含む）、フルオレン置換基の原子は環形成原子に含めない。
【００２１】
本発明の一態様に係る化合物（化合物（１））は式（１）で表される。
【化２】
2020097525.tif 000003
【００２２】
式（１）において、Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つは＊に結合する単結合を表す。また、Ｒ１〜Ｒ４から選ばれる隣接する２つ、Ｒ５〜Ｒ８から選ばれる隣接する２つ、Ｒ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つ、及びＲ１５〜Ｒ１８から選ばれる隣接する２つは互いに結合して環構造を形成してもよく、該環構造の環形成原子が＊に結合してもよい。
【００２３】
従って、化合物（１）は式（２）〜（１３）のいずれかで表される化合物を含む。
【００２４】
【化３】
2020097525.tif 000004
【００２５】
【化４】
2020097525.tif 000005
【００２６】
【化５】
2020097525.tif 000006
【００２７】
【化６】
2020097525.tif 000007
【００２８】
【化７】
2020097525.tif 000008
【００２９】
【化８】
2020097525.tif 000009
【００３０】
【化９】
2020097525.tif 000010
【００３１】
【化１０】
2020097525.tif 000011
【００３２】
【化１１】
2020097525.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ５、Ｒ８、及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合を表すか、又は、環構造Ａの環形成原子が＊に結合する。）
【００３３】
【化１２】
2020097525.tif 000013
（式中、Ｒ１〜Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合を表すか、又は、環構造Ｂの環形成原子が＊に結合する。）
【００３４】
【化１３】
2020097525.tif 000014
（式中、Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ８、及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合を表すか、又は、環構造Ａ又はＣの環形成原子が＊に結合する。）
【００３５】
【化１４】
2020097525.tif 000015
（式中、Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ１１〜Ｒ１５、及びＲ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合を表すか、又は、環構造Ｄの環形成原子が＊に結合する。）
【００３６】
以下、式（１）〜（１３）の各記号の詳細を説明する。
【００３７】
＊に結合する単結合を表さず、かつ、前記環構造を形成しないＲ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８はそれぞれ独立して水素原子又は置換基である。
前記置換基は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基；置換もしくは無置換の炭素数７〜３６、好ましくは７〜２６、より好ましくは７〜２０のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８ハロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルコキシ基；ハロゲン原子；シアノ基；又はニトロ基である。
【００３８】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基において、該アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体基を含む）、ヘキシル基（異性体基を含む）、ヘプチル基（異性体基を含む）、オクチル基（異性体基を含む）、ノニル基（異性体基を含む）、デシル基（異性体基を含む）、ウンデシル基（異性体基を含む）、又はドデシル基（異性体基を含む）であり；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、及びペンチル基（異性体基を含む）が好ましく；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、及びｔ−ブチル基がより好ましく；メチル基及びｔ−ブチル基がさらに好ましい。
【００３９】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基において、該シクロアルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロヘプチル基であり、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。
【００４０】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基において、該アリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリレニル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ナフタセニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、トリフェニレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、又はペンタフェニル基であり；好ましくはフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又はナフチル基であり；より好ましくはフェニル基、ビフェニリル基、又はナフチル基であり；さらに好ましくはフェニル基である。
前記置換アリール基としては、例えば、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、及び９，９’−スピロビフルオレニル基が好ましい。
【００４１】
前記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基において、該ヘテロアリール基は１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選択される。該ヘテロアリール基の遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能な場合には、環形成窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリール基は、例えば、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、インダゾリル基、フェナントロリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナジニル基、カルバゾリル基、ベンゾカルバゾリル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基（ベンゾチエニル基、以下同様）、ジベンゾチオフェニル基（ジベンゾチエニル基、以下同様）、又はナフトベンゾチオフェニル基（ナフトベンゾチエニル基、以下同様）であり；好ましくは、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、又はベンゾカルバゾリル基であり；より好ましくは、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、又はベンゾカルバゾリル基である。
前記置換ヘテロアリール基としては、例えば、９−フェニルカルバゾリル基、９−ビフェニリルカルバゾリル基、９−フェニルフェニルカルバゾリル基、９−ナフチルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール−９−イル基、フェニルジベンゾフラニル基、及びフェニルジベンゾチオフェニル基（フェニルジベンゾチエニル基）が好ましい。
【００４２】
前記置換もしくは無置換の炭素数７〜３６のアラルキル基において、該アラルキル基のアリール部位は上記の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選択され、アルキル部位は上記の置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基から選択される基に相当する。該アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、及びフェニルプロピル基が好ましく、ベンジル基がより好ましい。
【００４３】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基において、該アルコキシ基のアルキル部位は上記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基から選択される。該アルコキシ基としては、ｔ−ブトキシ基、プロポキシ基、エトキシ基、及びメトキシ基が好ましく、エトキシ基及びメトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。
【００４４】
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基において、該アリールオキシ基のアリール部位は上記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選択される。該アリールオキシ基としては、ターフェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、及びフェノキシ基が好ましく、ビフェニルオキシ基及びフェノキシ基がより好ましく、フェノキシ基がさらに好ましい。
【００４５】
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基が有する置換基は、上記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、及び、上記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選択される。トリ置換シリル基が好ましく、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、及びトリトリルシリル基が挙げられる。
【００４６】
前記置換もしくは無置換の炭素数１〜３０ハロアルキル基において、該ハロアルキル基は上記炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基の少なくとも１個、好ましくは１〜７個の水素原子、又は全ての水素原子をハロゲン原子で置換して得られる基が挙げられる。ハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子から選ばれ、好ましくはフッ素原子である。
該ハロアルキル基は炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のフルオロアルキル基が好ましく、ヘプタフルオロプロピル基（異性体基を含む）、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基がより好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、及びトリフルオロメチル基がさらに好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。
【００４７】
前記置換もしくは無置換のハロアルコキシ基において、該ハロアルコキシ基のハロアルキル部位は上記炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルキル基から選択される。該ハロアルコキシ基は炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のフルオロアルコキシ基が好ましく、ヘプタフルオロプロポキシ基（異性体基を含む）、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、及びトリフルオロメトキシ基がより好ましく、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、及びトリフルオロメトキシ基がさらに好ましく、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。
【００４８】
ハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子でありフッ素原子が好ましい。
【００４９】
＊に結合する前記単結合を表さず、かつ、前記環構造を形成しないＲ１〜Ｒ７及びＲ１１〜Ｒ１８はそれぞれ好ましくは水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基であり；より好ましくは水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、ハロゲン原子、又はシアノ基である。
【００５０】
本発明の一態様において、＊に結合する単結合を表さず、かつ、前記環構造を形成しないＲ１〜Ｒ７及びＲ１１〜Ｒ１８はすべて水素原子であってもよい。
本発明の他の態様において、Ｒ１〜Ｒ７及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合であり、残りのすべてが水素原子であってもよい。
【００５１】
Ｒ１〜Ｒ４から選ばれる隣接する２つ、好ましくはＲ２とＲ３又はＲ３とＲ４；Ｒ５〜Ｒ８から選ばれる隣接する２つ、好ましくはＲ５とＲ６又はＲ６とＲ７；Ｒ１１〜Ｒ１４から選ばれる隣接する２つ、好ましくはＲ１２とＲ１３；及びＲ１５〜Ｒ１８から選ばれる隣接する２つ、好ましくはＲ１６とＲ１７は互いに結合して環構造を形成してもよい。
本発明の一態様において、前記隣接する２つのすべてが環構造を形成しなくてもよい。
【００５２】
前記環構造としては、例えば、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜１８の脂肪族炭化水素環、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１８の芳香族複素環、及び置換もしくは無置換の環形成原子数５〜１８の脂肪族複素環が挙げられる。前記環構造は縮合環であってもよい。
【００５３】
前記環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン、ビフェニレン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、フェナレン、ピレン、クリセン、及びトリフェニレンから選ばれる芳香族炭化水素環が挙げられる。
【００５４】
前記環形成炭素数５〜１８の脂肪族炭化水素環としては、例えば、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、及び、前記環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環を部分的に水素化して得られる脂肪族環が挙げられる。
【００５５】
前記環形成原子数５〜１８の芳香族複素環としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、ピリジン、イミダゾール、ピラゾール、インドール、イソインドール、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、カルバゾール、及びベンゾカルバゾールから選ばれる芳香族複素環が挙げられる。
【００５６】
前記環形成原子数５〜１８の脂肪族複素環としては、例えば、上記環形成原子数５〜１８の芳香族複素環を部分的に水素化して得られる脂肪族環が挙げられる。
【００５７】
前記環構造としてはベンゼン環が好ましい。
【００５８】
本発明の一態様において、Ｒ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８から選ばれる１つが＊に結合する単結合であることが好ましく、Ｒ２〜Ｒ７、Ｒ１２、及びＲ１７から選ばれる１つが＊に結合する単結合であることがより好ましく、Ｒ２〜Ｒ７から選ばれる１つが＊に結合する単結合であることがさらに好ましく、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ７から選ばれる１つが＊に結合する単結合であることが特に好ましい。
【００５９】
本発明の他の態様において、前記環形成炭素数６〜１８の芳香族炭化水素環、前記環形成炭素数５〜１８の脂肪族炭化水素環、前記環形成原子数５〜１８の芳香族複素環、及び前記環形成原子数５〜１８の脂肪族複素環の環形成原子が＊に結合してもよい。
【００６０】
Ｒ２１及びＲ２２はそれぞれ独立して水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基である。
Ｒ２１及びＲ２２は互いに結合せず、従って、環構造を形成しないことが好ましい。
【００６１】
Ｒ２１及びＲ２２が表す各置換基の詳細は、＊に結合する単結合を表さず、かつ、前記環構造を形成しないＲ１〜Ｒ７及びＲ１１〜Ｒ１８に関して上記した対応する置換基とそれぞれ同様である。
【００６２】
Ｒ２１及びＲ２２は好ましくは置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、フェニル基、ビフェニリル基、又はナフチル基であり、さらに好ましくはメチル基又はフェニル基である。
【００６３】
Ｌ１、Ｌ２、及びＬ３はそれぞれ独立して単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリーレン基である。
【００６４】
Ｌ１及びＬ２の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基において、該アリーレン基は、例えば、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ベンゾアントリレン基、フェナントリレン基、ベンゾフェナントリレン基、フェナレニレン基、ピセニレン基、ペンタフェニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ベンゾクリセニレン基、トリフェニレニレン基、フルオランテニレン基、又はフルオレニレン基であり；好ましくはフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、フェナントリレン基、又はフルオレニレン基であり；より好ましくは下記式から選ばれる基であり；
【化１５】
2020097525.tif 000016
さらに好ましくは下記式から選ばれる基であり；
【化１６】
2020097525.tif 000017
さらに好ましくはｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、４，４’−ビフェニリレン基、４，３’−ビフェニリレン基、４，２’−ビフェニリレン基、１，４−ナフチレン基、又は２，６−ナフチレン基であり；さらに好ましくはｐ−フェニレン基又は２，６−ナフチレン基であり；特に好ましくはｐ−フェニレン基である。
置換アリーレン基としては、９，９−ジメチルフルオレンジイル基、９，９−ジフェニルフルオレンジイル基、及び９，９’−スピロビフルオレンジイル基が好ましい。
【００６５】
Ｌ１及びＬ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基において、該ヘテロアリーレン基は１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる。遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能である場合には、窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、インドール、イソインドール、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、キサンテン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、フェノキサジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、及びフェノチアジンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基が挙げられ；好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、及びベンゾオキサゾールから選ばれる芳香族複素環の２価の残基であり；より好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及びジベンゾチオフェンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基である。
Ｌ１及びＬ２の前記アリーレン基又はヘテロアリーレン基の２つの遊離原子価は、一方が中心窒素原子に結合し、他方がＡｒ１又はＡｒ２に結合する。
【００６６】
Ｌ１及びＬ２は好ましくはそれぞれ単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基である。本発明の一態様においてはＬ１及びＬ２が単結合であることが好ましく、本発明の他の態様においてはＬ１及びＬ２の一方が単結合であり、他方が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基であることが好ましく、本発明の他の態様においてはＬ１及びＬ２がそれぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基であることが好ましい。
【００６７】
Ｌ３の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基において、該アリーレン基は、例えば、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ベンゾアントリレン基、フェナントリレン基、ベンゾフェナントリレン基、フェナレニレン基、ピセニレン基、ペンタフェニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ベンゾクリセニレン基、トリフェニレニレン基、フルオランテニレン基、フルオレニレン基、又は９，９’−スピロビフルオレニレン基であり；好ましくはフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、又はナフチレン基であり；より好ましくは下記式から選ばれる基であり；
【化１７】
2020097525.tif 000018
さらに好ましくは下記式から選ばれる基であり；
【化１８】
2020097525.tif 000019
さらに好ましくはｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、４，４’−ビフェニリレン基、４，３’−ビフェニリレン基、又は４，２’−ビフェニリレン基であり；さらに好ましくはｐ−フェニレン基である。
置換アリーレン基としては、９，９−ジメチルフルオレンジイル基、９，９−ジフェニルフルオレンジイル基、及び９，９’−スピロビフルオレンジイル基が好ましい。
【００６８】
Ｌ３の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基において、該ヘテロアリーレン基は１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１〜２個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる。遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能である場合には、窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、インドール、イソインドール、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、キサンテン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、フェノキサジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、及びフェノチアジンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基が挙げられ；好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、及びベンゾオキサゾールから選ばれる芳香族複素環の２価の残基であり；より好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及びジベンゾチオフェンから選ばれる芳香族複素環の２価の残基である。
Ｌ３の前記アリーレン基又はヘテロアリーレン基の２つの遊離原子価は、一方が中心窒素原子に結合し、他方がスピロアントラセンフルオレン骨格に結合する。
【００６９】
Ｌ３は好ましくは単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基である。本発明の一態様においてはＬ３が単結合であることが好ましく、本発明の他の態様においてはＬ３が置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、好ましくはフェニレン基であることが好ましい。
【００７０】
Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３の酸素含有ヘテロアリール基；又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３の硫黄含有ヘテロアリール基である。
【００７１】
本発明の一態様において、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることが好ましい。
本発明の他の態様において、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基であることが好ましい。
本発明のさらに他の態様において、Ａｒ１及びＡｒ２はそれぞれ独立して置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基であることが好ましい。
本発明のさらに他の態様において、Ａｒ１及びＡｒ２の一方は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、他方は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基であることが好ましい。
本発明のさらに他の態様において、Ａｒ１及びＡｒ２の一方は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であり、他方は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基であることが好ましい。
本発明のさらに他の態様において、Ａｒ１及びＡｒ２の一方は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基であり、他方は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基であることが好ましい。
【００７２】
Ａｒ１及びＡｒ２の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基において、該アリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリレニル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ナフタセニル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、トリフェニレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、又はペンタフェニル基であり；好ましくはフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フルオランテニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、又はトリフェニレニル基であり；より好ましくはフェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、又はトリフェニレニル基であり；さらに好ましくはフェニル基、ｐ−ビフェニル基、ｍ−ビフェニル基、ｏ−ビフェニル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−フェナントリル基、９−フェナントリル基、２−トリフェニレニル基、フルオレン−２−イル基、又はフルオレン−４−イル基である。
置換アリール基は、好ましくは９，９’−スピロビフルオレン−２−イル基、９，９’−スピロビフルオレン−４−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−２−イル基、９，９−ジフェニルフルオレン−４−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−２−イル基、９，９−ジメチルフルオレン−４−イル基、１０，１０−ジメチル（アントラセン−９，９’−フルオレン）−２’−イル基、又は１０，１０−ジメチル（アントラセン−９，９’−フルオレン）−４’−イル基である。
【００７３】
Ａｒ１及びＡｒ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の酸素含有ヘテロアリール基において、該酸素含有ヘテロアリール基は、例えば、フリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、又はフェノキサジニル基であり；好ましくはフリル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、又はナフトベンゾフラニル基であり；より好ましくはジベンゾフラニル基又はナフトベンゾフラニル基であり；さらに好ましくはジベンゾフラニル基であり；特に好ましくは１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、又は４−ジベンゾフラニル基である。
【００７４】
Ａｒ１及びＡｒ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の硫黄含有ヘテロアリール基において、該硫黄含有ヘテロアリール基は、例えば、チエニル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、又はフェノチアジニル基であり；好ましくはチエニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はナフトベンゾチオフェニル基であり；より好ましくはジベンゾチオフェニル基又はナフトベンゾチオフェニル基であり；さらに好ましくはジベンゾチオフェニル基であり；特に好ましくは１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、又は４−ジベンゾチオフェニル基である。
【００７５】
本発明の一態様において、Ｌ１及びＬ２がそれぞれ単結合、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、及びナフチレン基から選ばれ、Ａｒ１及びＡｒ２がそれぞれフェニル基、ビフェニリル基、ナフチル基、フルオレニル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、９，９−ジフェニルフルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、及び１０，１０−ジメチル（アントラセン−９，９’−フルオレン）イル基から選ばれることが好ましい。
【００７６】
本発明の一態様において、−Ｌ１−Ａｒ１及び−Ｌ２−Ａｒ２がそれぞれ独立して以下の基から選ばれることが好ましい。
【化１９】
2020097525.tif 000020
【００７７】
本明細書において、「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、特に断らない限り、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜８、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基；置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３のヘテロアリール基、好ましくは、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０、好ましくは５〜２４、より好ましくは５〜１３の酸素含有又は硫黄含有ヘテロアリール基；置換もしくは無置換の炭素数７〜３６、好ましくは７〜２６、より好ましくは７〜２０のアラルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルコキシ基；置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリールオキシ基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８ハロアルキル基；置換もしくは無置換の炭素数１〜３０、好ましくは１〜１８、より好ましくは１〜８のハロアルコキシ基；、ハロゲン原子；シアノ基；及びニトロ基からなる群より選ばれる。
上記任意の置換基の詳細は、＊に結合する単結合を表さず、かつ、前記環構造を形成しないＲ１〜Ｒ８及びＲ１１〜Ｒ１８の置換基に関して記載したとおりである。また、特に断らない限り、隣接する任意の置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
【００７８】
化合物（１）の製造方法は特に制限されず、当業者であれば以下の実施例に記載する方法により、或いは、該方法を公知の合成方法を参考にして変更した方法により容易に製造することができる。
【００７９】
以下に本発明の化合物（１）の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００８０】
【化２０】
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【００８１】
【化２１】
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【００８２】
【化２２】
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【００８３】
【化２３】
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【００８４】
【化２４】
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【００８５】
【化２５】
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【００８６】
【化２６】
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【００８７】
【化２７】
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【００８８】
【化２８】
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【００８９】
【化２９】
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【００９０】
【化３０】
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【００９１】
【化３１】
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【００９２】
【化３２】
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【００９３】
【化３３】
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【００９４】
【化３４】
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【００９５】
【化３５】
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【００９６】
【化３６】
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【００９７】
【化３７】
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【００９８】
【化３８】
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【００９９】
【化３９】
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【０１００】
【化４０】
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【０１０１】
【化４１】
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【０１０２】
【化４２】
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【０１０３】
【化４３】
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【０１０４】
【化４４】
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【０１０５】
【化４５】
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【０１０６】
【化４６】
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【０１０７】
【化４７】
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【０１０８】
【化４８】
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【０１０９】
【化４９】
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【０１１０】
【化５０】
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【０１１１】
【化５１】
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【０１１２】
【化５２】
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【０１１３】
【化５３】
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【０１１４】
【化５４】
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【０１１５】
【化５５】
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【０１１６】
【化５６】
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【０１１７】
【化５７】
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【０１１８】
【化５８】
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【０１１９】
【化５９】
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【０１２０】
【化６０】
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【０１２１】
【化６１】
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【０１２２】
【化６２】
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【０１２３】
【化６３】
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【０１２４】
【化６４】
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【０１２５】
【化６５】
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【０１２６】
【化６６】
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【０１２７】
【化６７】
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【０１２８】
【化６８】
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【０１２９】
【化６９】
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【０１３０】
【化７０】
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【０１３１】
【化７１】
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【０１３２】
【化７２】
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【０１３３】
【化７３】
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【０１３４】
【化７４】
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【０１３５】
【化７５】
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【０１３６】
【化７６】
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【０１３７】
【化７７】
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【０１３８】
【化７８】
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【０１３９】
【化７９】
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【０１４０】
【化８０】
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【０１４１】
【化８１】
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【０１４２】
【化８２】
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【０１４３】
【化８３】
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【０１４４】
【化８４】
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【０１４５】
【化８５】
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【０１４６】
【化８６】
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【０１４７】
【化８７】
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【０１４８】
有機ＥＬ素子用材料
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、化合物（１）を含む。本発明の有機ＥＬ素子用材料における化合物（１）の含有量は、特に制限されず、例えば、１質量％以上（１００％を含む）であればよく、１０質量％以上（１００％を含む）であることが好ましく、５０質量％以上（１００％を含む）であることがより好ましく、８０質量％以上（１００％を含む）であることがさらに好ましく、９０質量％以上（１００％を含む）であることが特に好ましい。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子の製造に有用である。
【０１４９】
有機ＥＬ素子
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
有機ＥＬ素子は、陰極と陽極の間に有機層を有する。該有機層は発光層を含み、該有機層の少なくとも一層が化合物（１）を含む。
化合物（１）が含まれる有機層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる正孔輸送帯域（正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、励起子阻止層等）、発光層、スペース層、陰極と発光層との間に設けられる電子輸送帯域（電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。化合物（１）は蛍光又は燐光ＥＬ素子の正孔輸送帯域又は発光層の材料、好ましくは正孔輸送帯域の材料、より好ましくは正孔輸送層の材料として用いられる。
【０１５０】
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、蛍光発光素子であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。
【０１５１】
例えば、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐためのスペース層を各発光層の間に有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｈ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｉ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｊ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｋ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｌ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｍ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｎ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／蛍光発光層（／第一電子輸送層／第二電子輸送層／電子注入層）
（ｏ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｐ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／燐光発光層（／第一電子輸送層／第二電子輸送層／電子注入層）
（ｑ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層／電子注入層）
（ｒ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｓ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｔ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／トリプレット阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
【０１５２】
複数の燐光発光層、及び、燐光発光層と蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる色の発光層であってもよい。例えば、上記発光ユニット（ｆ）は、正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層であってもよい。
なお、各発光層と正孔輸送層又はスペース層との間には、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
【０１５３】
タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットは、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する層であり、公知の材料により形成することができる。
【０１５４】
図１に、前記有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット（有機層）１０とを有する。発光ユニット１０は、少なくとも一つの発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に陽極側有機層６（正孔注入層、正孔輸送層等）、発光層５と陰極４との間に陰極側有機層７（電子注入層、電子輸送層等）を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子阻止層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔阻止層（図示せず）をそれぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成効率をさらに高めることができる。
【０１５５】
なお、本発明において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
【０１５６】
基板
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板の材料としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどを用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板、無機蒸着フィルムなどが挙げられる。
【０１５７】
陽極
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（例えば、４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）；珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ；酸化インジウム−酸化亜鉛；酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム；グラフェン等が挙げられる。この他、金、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、及び前記金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。
【０１５８】
これらの陽極材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜１０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％及び酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットをスパッタリングすることにより成膜される。陽極は他の方法、例えば、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより形成してもよい。
【０１５９】
陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成される。そのため、陽極材料としては、一般的な材料、例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、これらの混合物、及び元素周期表の第１族または第２族に属する元素を用いることができる。
仕事関数の小さい材料、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、これらの金属を含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、希土類金属を含む合金等を陽極材料として用いることもできる。アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの金属を含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
【０１６０】
正孔注入層  正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層である。
【０１６１】
正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
【０１６２】
低分子有機化合物、例えば、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物も正孔注入層材料として用いることが出来る。
【０１６３】
高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）なども正孔注入層材料として用いることが出来る。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
【０１６４】
さらに、下記式（Ｋ）で表されるヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）化合物などのアクセプター材料を用いることも好ましい。
【化８８】
2020097525.tif 000089
【０１６５】
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２６は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ２７（Ｒ２７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。ただし、Ｒ２１及びＲ２２、Ｒ２３及びＲ２４、又はＲ２５及びＲ２６が互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で表される基を形成してもよい。）
Ｒ２７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【０１６６】
さらに、下記式（２−１）又は（２−２）で表される化合物も正孔注入層材料として好ましい。
【化８９】
2020097525.tif 000090
【０１６７】
式（２−１）及び（２−２）において、Ａｒ２１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の芳香族複素環を表す。該芳香族炭化水素環はベンゼン環であることが好ましい。該芳香族複素環は環原子数が６である環、例えば、ピリジン環、ピラジン環、及びピリダジン環が好ましい。
【０１６８】
式（２−１）及び（２−２）において、Ｘ２３〜Ｘ２８は、それぞれ独立に、Ｃ（Ｒ）または窒素原子である。
Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基を有するアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を有するアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基を有するアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基を有するアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。
上記アルキル基、アリール基、及びヘテロアリール基の詳細は、「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基に関して記載した対応する基とそれぞれ同じである。
【０１６９】
式（２−１）及び（２−２）において、ａ２１〜ａ２３は、下記式（２ｂ）で表される環構造である。
【化９０】
2020097525.tif 000091
【０１７０】
式（２ｂ）のＸ２０は、下記式（２ｂ−１）〜（２ｂ−１２）のいずれかで表される。
【化９１】
2020097525.tif 000092
（式（２ｂ−１）〜（２ｂ−１２）において、Ｒ２０はＲと同義である。）
【０１７１】
式（２−１）及び（２−２）において、Ｒ２３〜Ｒ２８は、それぞれ独立して、Ｒと同義である。
【０１７２】
式（２−１）及び（２−２）で表される化合物の具体例を以下に記載するが、下記化合物に限定されるものではない。
【０１７３】
【化９２】
2020097525.tif 000093
【０１７４】
2020097525.tif 000094
【０１７５】
【化９３】
2020097525.tif 000095
【０１７６】
【化９４】
2020097525.tif 000096
【０１７７】
【化９５】
2020097525.tif 000097
【０１７８】
【化９６】
2020097525.tif 000098
【０１７９】
【化９７】
2020097525.tif 000099
【０１８０】
【化９８】
2020097525.tif 000100
【０１８１】
【化９９】
2020097525.tif 000101
【０１８２】
【化１００】
2020097525.tif 000102
【０１８３】
【化１０１】
2020097525.tif 000103
【０１８４】
【化１０２】
2020097525.tif 000104
【０１８５】
【化１０３】
2020097525.tif 000105
【０１８６】
【化１０４】
2020097525.tif 000106
【０１８７】
【化１０５】
2020097525.tif 000107
【０１８８】
正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）を含む層である。本発明の化合物（１）を単独又は下記の化合物と組み合わせて正孔輸送層に用いることが好ましい。
【０１８９】
化合物（１）以外の正孔輸送性材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用することができる。
【０１９０】
前記芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）が挙げられる。上記化合物は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。
【０１９１】
前記カルバゾール誘導体としては、例えば、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）などが挙げられる。
【０１９２】
前記アントラセン誘導体としては、例えば、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）などが挙げられる。
【０１９３】
ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を正孔輸送層に用いることもできる。
【０１９４】
電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を正孔輸送層材料として用いてもよい。
【０１９５】
正孔輸送層は、単層でもよく、２以上の層からなる積層でもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）を含む層であってもよい。この場合、化合物（１）は第１正孔輸送層と第２正孔輸送層の一方に含まれていてもよいし、双方に含まれていてもよい、但し、第１正孔輸送層に含まれる化合物（１）と第２正孔輸送層に含まれる化合物（１）は異なる。２以上の正孔輸送層の各層は上記した化合物（１）以外の正孔輸送性材料を含んでいてもよい。
本発明の一態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層と第２正孔輸送層の一方のみに含まれるのが好ましく、他の態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層のみに含まれるのが好ましく、さらに他の態様においては、化合物（１）が第２正孔輸送層のみに含まれるのが好ましく、さらに他の態様においては、化合物（１）が第１正孔輸送層と第２正孔輸送層の双方に含まれるのが好ましい。
【０１９６】
発光層のドーパント材料
発光層は、発光性の高い材料（ドーパント材料）を含む層であり、種々の材料、例えば、蛍光発光材料及び燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。
【０１９７】
青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。
【０１９８】
緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。
【０１９９】
赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０２００】
青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。
【０２０１】
緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。
【０２０２】
赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。
【０２０３】
また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンが発光する（異なる多重度間の電子遷移）ため、燐光発光材料として用いることができる。
【０２０４】
発光層のホスト材料
上述したドーパント材料を他の材料（ホスト材料）に分散させてもよい。ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い材料を用いることが好ましい。
【０２０５】
ホスト材料としては、例えば
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４）トリアリールアミン誘導体、縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
【０２０６】
前記金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などが挙げられ、
前記複素環化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などが挙げられ、
前記縮合芳香族化合物としては、例えば、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３”−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどが挙げられ、
前記芳香族アミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などが挙げられる。
ホスト材料は複数種用いてもよい。
【０２０７】
電子輸送層
電子輸送層は電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を含む層である。電子輸送層には、例えば、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の芳香族複素環化合物、
（３）高分子化合物を使用することができる。
【０２０８】
金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）が挙げられる。
【０２０９】
複素芳香族化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）が挙げられる。
【０２１０】
高分子化合物としては、例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）が挙げられる。
【０２１１】
上記材料は、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する化合物である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。また、電子輸送層は、単層だけでなく、それぞれが上記材料を含む二層以上の積層であってもよい。
【０２１２】
電子注入層
電子注入層は電子注入性の高い材料（電子注入性材料）を含む層である。電子注入層には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性化合物にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの、例えば、Ａｌｑにマグネシウムを含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
【０２１３】
又、有機化合物と電子供与体（ドナー）を含む複合材料を電子注入層に用いてもよい。有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、このような複合材料は電子注入性および電子輸送性に優れている。該有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた化合物であることが好ましく、例えば、上述した電子輸送層材料（金属錯体、芳香族複素環化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に電子を供与することができる化合物であればよい。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０２１４】
陰極
陰極は、仕事関数の小さい（例えば、３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などにより形成することが好ましい。このような陰極材料としては、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属、これらの金属を含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属、希土類金属を含む合金等が挙げられる。
アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらの金属を含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素又は酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
【０２１５】
絶縁層
有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に薄膜絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物を用いてもよいし、これらの材料を含む複数の層の積層体にしてもよい。
【０２１６】
スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料で形成することが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
【０２１７】
阻止層
発光層に隣接する部分に、電子阻止層、正孔阻止層、トリプレット阻止層などの阻止層を設けてもいい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。トリプレット阻止層は発光層で生成した励起子が隣接する層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
【０２１８】
前記有機ＥＬ素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）などの公知の蒸着法、又はディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の公知の塗布法で形成することができる。
【０２１９】
各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、５ｎｍ〜１０μｍが好ましく、１０ｎｍ〜０．２μｍがより好ましい。
【０２２０】
前記有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
【実施例】
【０２２１】
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０２２２】
中間体合成例１：中間体Ａ
中間体Ａを以下の合成ルートに従って合成した。
【化１０６】
2020097525.tif 000108
【０２２３】
（１）中間体ａ１（２−（２−ブロモフェニル）プロパン−２−オール）の合成
【化１０７】
2020097525.tif 000109
アルゴン雰囲気下、２−ブロモ安息香酸メチル（４３０ｇ）をＴＨＦ（テトラヒドロフラン、４．０Ｌ）に溶解させ、０℃にてメチルマグネシウムブロマイドの１．０ｍｏｌ／Ｌ  ＴＨＦ溶液（６．０Ｌ）を滴下した。反応混合液を室温まで昇温させ１６時間攪拌し、再び０℃に冷却し２Ｍ塩酸を滴下し中和した。得られた混合物をトルエンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄したのち減圧濃縮し、中間体ａ１を得た（４００ｇ、収率７２％）。
【０２２４】
（２）中間体ａ２（１−ブロモ−２−（２−フェニルプロパン−２−イル）ベンゼン）の合成
【化１０８】
2020097525.tif 000110
アルゴン雰囲気下、中間体ａ１（６６０ｇ）をベンゼン（２．５Ｌ）に溶解させ、塩酸ガスを４時間バブリングした。その後Ａｒガスを１時間バブリングし０℃に冷却した。続いて反応容器に塩化アルミニウム（８１．８ｇ）を加え、同温にて３０分攪拌後室温にて１６時間攪拌した。得られた混合物に水を加えトルエンにて抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄したのち減圧濃縮し、中間体ａ２を得た（７４９ｇ、収率５５％）。
【０２２５】
（３）中間体ａ３の合成
【化１０９】
2020097525.tif 000111
アルゴン雰囲気下、マグネシウム（１７．８ｇ）、ＴＨＦ（３２０ｍＬ）、１，２−ジブロモエタン（０．６ｍＬ）の混合物を２５℃にて２０分間攪拌し、中間体ａ２（１５８ｇ）を加えてグリニャール試薬を調整した。２−ブロモ−９−フルオレノン（１３６ｇ）のＴＨＦ（１．４Ｌ）溶液に前記グリニャール試薬を滴下し、６０℃にて３０分間過熱攪拌した。室温にて反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液と水で洗浄した。有機層を減圧濃縮後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し中間体ａ３を得た（１３７ｇ、収率５２％）。
【０２２６】
（４）中間体Ａの合成
【化１１０】
2020097525.tif 000112
中間体ａ３（１４６ｇ）と酢酸（１．２Ｌ）、濃塩酸（２９２ｍＬ）の混合物を８８℃にて１時間攪拌した。室温まで放冷後トルエンで抽出した。生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶により精製し中間体Ａを得た（２９ｇ、収率２０％）。マススペクトル分析の結果、中間体Ａの分子量４３６に対し、ｍ／ｅ＝４３６であった。
【０２２７】
中間体合成例２：中間体Ｂ
【化１１１】
2020097525.tif 000113
２−ブロモ−９−フルオレノンの代わりに４−ブロモ−９−フルオレノン（７２ｇ）を用い、中間体ａ２を７８ｇ用いて上記（３）中間体ａ３の合成と同様にして中間体ａ４を得た（５４ｇ、収率４２％）。中間体ａ３の代わりに中間体ａ４（２０ｇ）を用い、上記（４）中間体Ａの合成と同様にして中間体Ｂを得た（１．５４ｇ、収率８％）。マススペクトル分析の結果、中間体Ｂの分子量４３６に対し、ｍ／ｅ＝４３６であった。
【０２２８】
合成実施例１：化合物１の合成
【化１１２】
2020097525.tif 000114
アルゴン雰囲気下、公知の中間体１（２．２１ｇ）、中間体Ａ（３．００ｇ）、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（１２６ｍｇ）、ＸＰｈｏｓ（２６２ｍｇ）、ナトリウム−t−ブトキシド（１．９８ｇ）、キシレン（１１０ｍＬ）の混合物を１１０℃にて３時間加熱撹拌した。放冷後、反応混合物をろ過し、濾液をトルエンにて抽出し、カラムクロマトグラフィーにて精製し化合物１を白色個体として得た（４．５５ｇ、９８％）。
マススペクトル分析の結果、化合物１の分子量６７７に対し、ｍ／ｅ＝６７７であった。
【０２２９】
合成実施例２：化合物２の合成
【化１１３】
2020097525.tif 000115
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体２を用いて同様の方法で化合物２を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２の分子量７２７に対し、ｍ／ｅ＝７２７であった。
【０２３０】
合成実施例３：化合物３の合成
【化１１４】
2020097525.tif 000116
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体３を用いて同様の方法で化合物３を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物３の分子量６５１に対し、ｍ／ｅ＝６５１であった。
【０２３１】
合成実施例４：化合物４の合成
【化１１５】
2020097525.tif 000117
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体４を用いて同様の方法で化合物４を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物４の分子量６７７に対し、ｍ／ｅ＝６７７であった。
【０２３２】
合成実施例５：化合物５の合成
【化１１６】
2020097525.tif 000118
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体５を用いて同様の方法で化合物５を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物５の分子量６７７に対し、ｍ／ｅ＝６７７であった。
【０２３３】
合成実施例６：化合物６の合成
【化１１７】
2020097525.tif 000119
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体６を用いて同様の方法で化合物６を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物６の分子量７０１に対し、ｍ／ｅ＝７０１であった。
【０２３４】
合成実施例７：化合物７の合成
【化１１８】
2020097525.tif 000120
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体７を用いて同様の方法で化合物７を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物７の分子量７１７に対し、ｍ／ｅ＝７１７であった。
【０２３５】
合成実施例８：化合物８の合成
【化１１９】
2020097525.tif 000121
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体８を用いて同様の方法で化合物８を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物８の分子量８３９に対し、ｍ／ｅ＝８３９であった。
【０２３６】
合成実施例９：化合物９の合成
【化１２０】
2020097525.tif 000122
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体９を用いて同様の方法で化合物９を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物９の分子量８４１に対し、ｍ／ｅ＝８４１であった。
【０２３７】
合成実施例１０：化合物１０の合成
【化１２１】
2020097525.tif 000123
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１０を用いて同様の方法で化合物１０を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１０の分子量８３９に対し、ｍ／ｅ＝８３９であった。
【０２３８】
合成実施例１１：化合物１１の合成
【化１２２】
2020097525.tif 000124
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１１を用いて同様の方法で化合物１１を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１１の分子量８４１に対し、ｍ／ｅ＝８４１であった。
【０２３９】
合成実施例１２：化合物１２の合成
【化１２３】
2020097525.tif 000125
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１２を用いて同様の方法で化合物１２を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１２の分子量８２９に対し、ｍ／ｅ＝８２９であった。
【０２４０】
合成実施例１３：化合物１３の合成
【化１２４】
2020097525.tif 000126
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１３を用いて同様の方法で化合物１３を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１３の分子量７６７に対し、ｍ／ｅ＝７６７であった。
【０２４１】
合成実施例１４：化合物１４の合成
【化１２５】
2020097525.tif 000127
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１４を用いて同様の方法で化合物１４を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１４の分子量７８３に対し、ｍ／ｅ＝７８３であった。
【０２４２】
合成実施例１５：化合物１５の合成
【化１２６】
2020097525.tif 000128
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１５を用いて同様の方法で化合物１５を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１５の分子量７６７に対し、ｍ／ｅ＝７６７であった。
【０２４３】
合成実施例１６：化合物１６の合成
【化１２７】
2020097525.tif 000129
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１６を用いて同様の方法で化合物１６を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１６の分子量７８３に対し、ｍ／ｅ＝７８３であった。
【０２４４】
合成実施例１７：化合物１７の合成
【化１２８】
2020097525.tif 000130
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１７を用いて同様の方法で化合物１７を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１７の分子量８５７に対し、ｍ／ｅ＝８５７であった。
【０２４５】
合成実施例１８：化合物１８の合成
【化１２９】
2020097525.tif 000131
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１８を用いて同様の方法で化合物１８を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１８の分子量６９１に対し、ｍ／ｅ＝６９１であった。
【０２４６】
合成実施例１９：化合物１９の合成
【化１３０】
2020097525.tif 000132
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体１９を用いて同様の方法で化合物１９を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物１９の分子量８０７に対し、ｍ／ｅ＝８０７であった。
【０２４７】
合成実施例２０：化合物２０の合成
【化１３１】
2020097525.tif 000133
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体２０を用いて同様の方法で化合物２０を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２０の分子量８４１に対し、ｍ／ｅ＝８４１であった。
【０２４８】
合成実施例２１：化合物２１の合成
【化１３２】
2020097525.tif 000134
合成実施例１において、中間体１の代わりに中間体２１を用いて同様の方法で化合物２１を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２１の分子量６６５に対し、ｍ／ｅ＝６６５であった。
【０２４９】
合成実施例２２：化合物２２の合成
【化１３３】
2020097525.tif 000135
合成実施例１において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２２を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２２の分子量６７７に対し、ｍ／ｅ＝６７７であった。
【０２５０】
合成実施例２３：化合物２３の合成
【化１３４】
2020097525.tif 000136
合成実施例４において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２３を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２３の分子量６７７に対し、ｍ／ｅ＝６７７であった。
【０２５１】
合成実施例２４：化合物２４の合成
【化１３５】
2020097525.tif 000137
合成実施例５において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２４を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２４の分子量６７７に対し、ｍ／ｅ＝６７７であった。
【０２５２】
合成実施例２５：化合物２５の合成
【化１３６】
2020097525.tif 000138
合成実施例７において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２５を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２５の分子量７１７に対し、ｍ／ｅ＝７１７であった。
【０２５３】
合成実施例２６：化合物２６の合成
【化１３７】
2020097525.tif 000139
合成実施例１３において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２６を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２６の分子量７６７に対し、ｍ／ｅ＝７６７であった。
【０２５４】
合成実施例２７：化合物２７の合成
【化１３８】
2020097525.tif 000140
合成実施例１０において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２７を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２７の分子量８３９に対し、ｍ／ｅ＝８３９であった。
【０２５５】
合成実施例２８：化合物２８の合成
【化１３９】
2020097525.tif 000141
合成実施例１１において、中間体Ａの代わりに中間体Ｂを用いて同様の方法で化合物２８を合成した。
マススペクトル分析の結果、化合物２８の分子量８４１に対し、ｍ／ｅ＝８４１であった。
【０２５６】
実施例１
有機ＥＬ素子の製造
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は１３０ｎｍであった。
洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着した。まず透明電極が形成されている面上に該透明電極を覆うようにして化合物ＨＡを蒸着して膜厚５ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、この正孔注入層の上に、化合物１を蒸着して膜厚８０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層の上に、化合物ＨＴ２を蒸着して膜厚１０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層の上に、化合物ＢＨ（ホスト材料）及び化合物ＢＤ（ドーパント材料）を共蒸着により成膜し、膜厚２５ｎｍの発光層を形成した。発光層に含まれる化合物ＢＨと化合物ＢＤの質量比は９６：４であった。
この発光層の成膜に続けて、化合物ＥＴ１を蒸着して膜厚１０ｎｍの第１電子輸送層を形成した後、化合物ＥＴ２を蒸着して膜厚１５ｎｍの第２電子輸送層を形成した。
この第２電子輸送層上にＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。
この電子注入層上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
【化１４０】
2020097525.tif 000142
【０２５７】
外部量子効率の測定
得られた有機ＥＬ素子を室温下、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ２で直流定電流駆動し、外部量子効率（％）を輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）を用いて測定した。結果を表１に示す。
【０２５８】
実施例２〜３及び比較例１〜３
化合物１の代わりに化合物７、化合物１５、及び比較化合物１〜３をそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を製造し、該有機ＥＬ素子の外部量子効率を測定した。結果を表１に示す。
【化１４１】
2020097525.tif 000143
【表１】
2020097525.tif 000144
【０２５９】
化合物１（実施例１）は比較化合物１と２（比較例１と２）の９，９−ジフェニルフルオレン骨格及び９，９’−スピロビフルオレン骨格をスピロアントラセンフルオレン骨格に代えた化合物である。化合物７（実施例２）は比較化合物３（比較例３）の９，９−ジフェニルフルオレン骨格をスピロアントラセンフルオレン骨格に代えた化合物である。
実施例１と比較例１及び２との比較、及び、実施例２と比較例３との比較から明らかなように、比較化合物の９，９−ジフェニルフルオレン骨格及び９，９’−スピロビフルオレン骨格をスピロアントラセンフルオレン骨格に代えた本発明の化合物は、比較化合物を含む有機ＥＬ素子に比べて、発光効率（外部量子効率）がさらに改善された有機ＥＬ素子を提供する。本発明の化合物の発光効率改善効果は、正孔移動度が比較化合物に比べて高いことに起因すると考えられる。
【符号の説明】
【０２６０】
１  有機ＥＬ素子
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  発光層
６  陽極側有機層
７  陰極側有機層
１０  発光ユニット
【図１】
2020097525.tif 000152