(57)【要約】【課題】電子基板の固定構造において温度上昇時にケースに向けて反る電子基板がうけるダメージを低減する。【解決手段】電子基板の固定構造は、電子基板と、ケースとを備えている。電子基板には、電子部品が実装されている。ケースには、複数の固定部を介して電子基板が固定されている。ケースの線膨張係数は、電子基板の全体の線膨張係数より大きい。電子基板は、線膨張係数が異なる複数の層によって構成されている。電子基板は、ケースに固定されていない単独の状態で電子基板の温度が上昇した場合に凸状に反る側の面がケースに対向している。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子基板の固定構造であって、
電子部品が実装された前記電子基板と、
複数の固定部を介して前記電子基板が固定されたケースと
を備えており、
前記ケースの線膨張係数は、前記電子基板の線膨張係数より大きく、
前記電子基板は、線膨張係数が異なる複数の層によって構成されており、
前記電子基板は、前記ケースに固定されていない単独の状態で温度が上昇した場合に凸状に反る側の面が前記ケースに対向している、電子基板の固定構造。
【請求項２】
前記複数の層は、
第１線膨張係数を有する第１層と、
前記第１線膨張係数より大きな第２線膨張係数を有しており、前記第１層より前記ケースに近い側に位置している第２層と、
を含んでいる、請求項１に記載の電子基板の固定構造。
【請求項３】
前記第２層は、前記電子基板において前ケースに近い側に多く分布している、請求項２に記載の電子基板の固定構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書は、電子基板の固定構造に関する技術を開示する。
【背景技術】
【０００２】
電子基板の固定構造として、複数の固定部を介して電子基板をケースに固定する構造が知られている。特許文献１には、ハイブリッド車両のパワーコントロールユニットにおいて、複数のボルトを介して電子基板がケースに固定された構造が開示されている。
【０００３】
一般的なパワーコントロールユニットでは、ケースの線膨張係数は、電子基板の線膨張係数より大きい。例えば、電子基板がガラスエポキシ基板であり、ケースがアルミニウム合金製である場合、電子基板の線膨張係数が約１３×１０−６／℃であるのに対して、ケースの線膨張係数は約２２×１０−６／℃である。基板自体の反りを低減する技術は、例えば特許文献２に開示されている。しかしながら、パワーコントロールユニットの温度が上昇した場合、電子基板とケースとの線膨張係数の差に起因して、電子基板は、ケースに向けて凸状に反ることになる。ケースから応力を受けて電子基板が反ってしまうと、電子基板がダメージを受けるおそれがある。例えば、特許文献３では、電子基板とケースの間に応力緩和部材を配置し、電子基板の反りを抑制する技術が開示されている。応力緩和部材は、線膨張係数がケースのそれよりも電子基板のそれに近い値を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−７８５５３号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８６２６７号公報
【特許文献３】特開２０１５−００２３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献３の技術では、応力緩和部材の分だけケースの容量が小さくなってしまう。本明細書は、電子基板以外の部材を用いずに、ケースとの線膨張係数の相違に起因して電子基板が受けるダメージを低減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書に開示する技術は、電子基板の固定構造に関する。この電子基板の固定構造は、電子基板と、ケースとを備えている。電子基板には、電子部品が実装されている。ケースには、複数の固定部を介して電子基板が固定されている。ケースの線膨張係数は、電子基板の全体の線膨張係数よりも大きい。電子基板は、線膨張係数が異なる複数の層によって構成されている。電子基板は、ケースに固定されていない単独の状態で電子基板の温度が上昇した場合に凸状に反る側の面がケースに対向している。なお、電子基板は、異なる線膨張係数を有している複数の層で構成されているので、「電子基板の全体の線膨張係数」とは、電子基板の全体が一様な材料で作られていると仮定したときの線膨張係数を意味する。あるいは、「電子基板の全体の線膨張係数」とは、電子基板を構成している複数の層の線膨張係数の平均（各層の体積に応じた重み付けをした平均）であってもよい。
【０００７】
上記した電子基板の固定構造によれば、ケースに固定された電子基板が温度上昇時に反る方向が、ケースに固定されていない単独の状態で電子基板が温度上昇時に反る方向と同じであるため、温度上昇時にケースから受ける応力（すなわち、電子基板の内部応力）が小さくなる。したがって、電子基板とケースとの線膨張係数の差に起因して電子基板が受けるダメージが低減される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】ハイブリッド車両のエンジンルームを示す説明図である。
【図２】パワーコントロールユニットの構成を示す断面図である。
【図３】図２のＦ３−Ｆ３矢視から見たパワーコントロールユニットの構成を示す説明図である。
【図４】ケースおよび電子基板の詳細構成を示す拡大断面図である。
【図５】組付状態および単独状態の各状態において昇温時に電子基板が変形する様子を示す説明図である。
【図６】変形例における電子基板の詳細構成を示す拡大断面図である。
【図７】実験例における電子基板の詳細構成を示す拡大断面図である。
【図８】実験例における電子基板の詳細構成を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施例の説明の前に、実施例の固定構造が適用されている構造物の一例を説明する。実施例の固定構造は、ハイブリッド車のエンジンルームに搭載されるパワーコントロールユニットに適用されている。図１は、ハイブリッド車両１０のエンジンルーム１２を示す説明図である。ハイブリッド車両１０は、エンジン２２およびモータジェネレータ２４によって発生する動力を用いて走行する。ハイブリッド車両１０のエンジンルーム１２には、エンジン２２およびモータジェネレータ２４の他、ラジエータ２６、補機バッテリ２８、パワーコントロールユニット１００などが収容されている。パワーコントロールユニット１００は、モータジェネレータ２４の上方に配置されている。パワーコントロールユニット１００は、モータジェネレータ２４を制御する。
【００１０】
図２は、パワーコントロールユニット１００の構成を示す断面図である。図３は、図２の矢視Ｆ３−Ｆ３から見たパワーコントロールユニット１００の構成を示す説明図である。パワーコントロールユニット１００は、ケース１１０と、電子基板１２０と、固定ネジ１３０と、カバー１５０とを備えている。
【００１１】
ケース１１０は、パワーコントロールユニット１００を構成する各種の電子部品を収容する筐体である。ケース１１０は、アルミニウム合金製である。ケース１１０（アルミニウム）の線膨張係数は、約２２×１０−６／℃である。
【００１２】
ケース１１０は、隔壁部１１２と、収容室１１８とを有している。隔壁部１１２は、収容室１１８の上方を画定する壁である。隔壁部１１２には、上方に向けて突出する複数の突出部１１４が設けられている。複数の突出部１１４には、それぞれ固定ネジ１３０を介して電子基板１２０が固定されている。固定ネジ１３０は、突出部１１４とともに電子基板１２０を固定する固定部である。収容室１１８は、パワーコントロールユニット１００を構成する種々の電子部品（不図示）を収容する。
【００１３】
カバー１５０は、ケース１１０の上方を覆う蓋である。カバー１５０は、ケース１１０に固定されている電子基板１２０の上方を覆っている。カバー１５０は、複数の固定ネジ１５２を介してケース１１０に固定される。固定ネジ１５２は、ケース１１０のネジ穴１１９に嵌り合う。
【００１４】
電子基板１２０は、電子部品１２６、１２７、１２８などが実装された板状の部品である。電子部品１２６、１２７、１２８は、パワーコントロールユニット１００を構成する各種の電子部品の一部である。電子基板１２０は、複数の層によって構成されたガラスエポキシ基板である。電子基板１２０全体の線膨張係数は、ケース１１０の線膨張係数より小さい。なお、電子基板１２０は、異なる線膨張係数を有している複数の層で構成されているので、「電子基板１２０全体の線膨張係数」とは、電子基板１２０の全体が一様な材料で作られていると仮定したときの線膨張係数を意味する。あるいは、「電子基板１２０全体の線膨張係数」とは、電子基板１２０を構成している複数の層の線膨張係数の平均（各層の体積に応じた重み付けをした平均）であってもよい。電子基板１２０は、上面１２１と、下面１２２とを有している。
【００１５】
電子基板１２０の上面１２１は、ケース１１０に固定された状態で上方を向いた面である。上面１２１には、電子部品１２６、１２７、１２８などが配置されている。上面１２１には、パワーコントロールユニット１００を構成する電気回路の一部である導体パターン１２９が形成されている。上面１２１は、電子基板１２０がケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板１２０の温度が上昇した場合に凹状に反る側の面である。
【００１６】
電子基板１２０の下面１２２は、ケース１１０に固定された状態で下方を向いた面である。下面１２２は、ケース１１０の隔壁部１１２に向かい合う対向面である。下面１２２は、電子基板１２０がケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板１２０の温度が上昇した場合に凸状に反る側の面である。別言すれば、電子基板１２０は、単独の状態で温度が上昇した場合に凸状に反る側の面がケース１２０に対向するように固定されている。
【００１７】
図４は、ケース１１０および電子基板１２０の詳細構成を示す拡大断面図である。図４には、突出部１１４を中心にケース１１０および電子基板１２０の詳細構成が図示されている。固定ネジ１３０のネジ部１３４は、電子基板１２０の貫通孔１２４を通過して突出部１１４のネジ穴１１５に嵌り合う。電子基板１２０は、固定ネジ１３０の頭部１３２と突出部１１４との間に挟まれることによって、ケース１１０に固定される。
【００１８】
電子基板１２０は、線膨張係数が異なる複数の層（６つの層）によって構成されている。電子基板１２０では、上面１２１から下面１２２に向けて順に、絶縁層１２０ａ、導体層１２０ｂ、絶縁層１２０ｃ、導体層１２０ｄ、絶縁層１２０ｅ、導体層１２０ｆが積層されている。絶縁層１２０ａは、上面１２１を構成する。導体層１２０ｆは、下面１２２を構成する。
【００１９】
絶縁層１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅは、ガラス繊維製クロスにエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ層である。絶縁層１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅの線膨張係数は、約１３×１０−６／℃である。絶縁層１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅは、導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆより小さな線膨張係数を有する第１層である。絶縁層１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅのそれぞれの厚みは、導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆのそれぞれの厚みより大きい。
【００２０】
導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆは、銅製のパターン層である。導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆの線膨張係数は、約２４×１０−６／℃である。導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆは、絶縁層１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅより大きな線膨張係数を有する第２層である。導体層１２０ｂは、絶縁層１２０ａより下面１２２側に位置する。導体層１２０ｄは、絶縁層１２０ａ、１２０ｃより下面１２２側に位置する。導体層１２０ｆは、絶縁層１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅより下面１２２側に位置する。このように、比較的に線膨張係数が大きい第２層である導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆは、電子基板１２０の厚み方向において下面１２２側に多く分布している。そのため、電子基板１２０がケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板１２０の温度が上昇した場合に、下面１２２は、凸状に反る側の面となる。
【００２１】
図５は、組付状態および単独状態の各状態において昇温時に電子基板１２０が変形する様子を示す説明図である。図５（ａ）は、ケース１１０に組付けられた組付状態の常温時における電子基板１２０の様子を示す。図５（ｂ）は、常温時の組付状態（図５（ａ））から、パワーコントロールユニット１００の稼働時に想定される温度（例えば８０℃）にまで電子基板１２０の温度が上昇したときの電子基板１２０の様子を示す。組付状態において常温時（図５（ａ））から昇温時（図５（ｂ））へ移行した場合、ケース１１０の線膨張係数が電子基板１２０全体の線膨張係数より大きいため、ケース１１０の熱膨張量は電子基板１２０全体の熱膨張量より大きくなる。また、固定ネジ１３０によって電子基板１２０がケース１１０に拘束されている。そのため、ケース１１０は熱膨張時に電子基板１０の側の伸びが抑制される。その結果、ケース１１０は図中の下側が凸状に変形する。ケース１１０の凸状の変形にともなって、組付状態の電子基板１２０も、ケース１１０側（下面１２２側）が凸状に変形する。その際、電子基板１２０の上面１２１は凹状に反る側の面となり、電子基板１２０の下面１２２は凸状に反る側の面となる。
【００２２】
図５（ｃ）は、ケース１１０に固定されていない単独の状態の常温時における電子基板１２０の様子を示す。図５（ｄ）は、常温時の単独状態（図５（ｃ））から、パワーコントロールユニット１００の稼働時に想定される温度にまで電子基板１２０の温度が上昇した昇温時における電子基板１２０の様子を示す。単独状態において常温時（図５（ｃ））から昇温時（図５（ｄ））へ移行した場合、電子基板１２０における導体層１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆは、前述したように、電子基板１２０の厚み方向において下面１２２側に多く分布している（図４参照）。そのため、単独状態の電子基板１２０は、組付状態と同様に、下面１２２側が凸状となるように変形する。このように、電子基板１２０が昇温時に凸状に変形する方向が組付状態と単独状態との間で同じであるため、変形する方向が組付状態と単独状態との間で異なる場合と比較して、組付状態の昇温時に電子基板１２０に生じるひずみ（内部応力）を軽減できる。
【００２３】
以上説明した実施形態における電子基板１２０の固定構造によれば、ケース１１０に固定された電子基板１２０が温度上昇時に反る方向が、ケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板１２０が温度上昇時に反る方向と同じである。それゆえ、温度上昇時にケース１１０に向けて反る電子基板１２０に生じる内部応力を軽減できる。したがって、電子基板１２０とケース１１０との線膨張係数の差に起因して電子基板１２０が受けるダメージを抑制できる。
【００２４】
図６は、変形例における電子基板１２０Ｂの詳細構成を示す拡大断面図である。変形例のパワーコントロールユニット１００は、電子基板１２０に代えて電子基板１２０Ｂを備える点を除き、上述の実施形態と同じである。電子基板１２０Ｂは、電子基板１２０とは異なる複数の層（５つの層）によって構成されている点を除き、電子基板１２０と同じである。電子基板１２０Ｂでは、上面１２１から下面１２２に向けて順に、導体層１２０ｇ、絶縁層１２０ｈ、導体層１２０ｉ、絶縁層１２０ｊ、導体層１２０ｋが積層されている。導体層１２０ｇは、上面１２１を構成する。導体層１２０ｋは、下面１２２を構成する。
【００２５】
導体層１２０ｇ、導体層１２０ｉ、導体層１２０ｋは、銅製のパターン層である。導体層１２０ｇ、導体層１２０ｉ、導体層１２０ｋの線膨張係数は、約２４×１０−６／℃である。
【００２６】
絶縁層１２０ｈは、ガラスエポキシ層である。絶縁層１２０ｈの線膨張係数は、導体層１２０ｇ、導体層１２０ｉ、導体層１２０ｋより小さい。絶縁層１２０ｈは、絶縁層１２０ｊより小さな線膨張係数を有する第１層である。絶縁層１２０ｈの厚みは、導体層１２０ｇ、導体層１２０ｉ、導体層１２０ｋのそれぞれの厚みより大きく、絶縁層１２０ｊの厚みと同等である。
【００２７】
絶縁層１２０ｊもガラスエポキシ層であるが、絶縁層１２０ｊの線膨張係数は、絶縁層１２０ｈよりも大きい線膨張係数を有している。ただし、絶縁層１２０ｊの線膨張係数は、導体層１２０ｇ、導体層１２０ｉ、導体層１２０ｋのそれよりも小さい。絶縁層１２０ｊは、絶縁層１２０ｈより大きな線膨張係数を有する第２層である。絶縁層１２０ｊの厚みは、導体層１２０ｇ、導体層１２０ｉ、導体層１２０ｋのそれぞれの厚みより大きく、絶縁層１２０ｈの厚みと同等である。このように、比較的に線膨張係数が大きい第２層である絶縁層１２０ｊは、電子基板１２０Ｂの厚み方向において下面１２２側に多く分布している。そのため、電子基板１２０Ｂがケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板１２０Ｂの温度が上昇した場合に、下面１２２は、凸状に反る側の面となる。すなわち、電子基板１２０ｂは、ケース１１０に固定されていない単独の状態で温度が上昇した場合に凸状に反る側の面がケース１１０に対向している。そして、電子基板１２０Ｂは、第１線膨張係数を有する第１層（絶縁層１２０ｈ）と、第１線膨張係数より大きな第２線膨張係数を有している第２層（絶縁層１２０ｊ）を有しており、第２層（絶縁層１２０ｊ）が、第１層（絶縁層１２０ｈ）よりケース１１０に近い側に位置している。
【００２８】
以上説明した変形例における電子基板１２０Ｂの固定構造によれば、ケース１１０に固定された電子基板１２０Ｂが温度上昇時に反る方向が、ケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板１２０Ｂが温度上昇時に反る方向と同じである。そのため、温度上昇時にケース１１０に向けて反る電子基板１２０Ｂに生じる内部応力を軽減できる。したがって、電子基板１２０Ｂとケース１１０との線膨張係数の差に起因して電子基板１２０Ｂが受けるダメージを低減できる。
【００２９】
図７は、実験例における電子基板１２０Ｃの詳細構成を示す拡大断面図である。実験例のパワーコントロールユニット１００は、電子基板１２０に代えて電子基板１２０Ｃを備える点を除き、上述の実施形態と同じである。電子基板１２０Ｃは、電子基板１２０とは異なる複数の層（２つの層）によって構成されている点を除き、電子基板１２０と同じである。電子基板１２０Ｃでは、上面１２１から下面１２２に向けて順に、絶縁層１２０ｍ、導体層１２０ｎが積層されている。絶縁層１２０ｍは、上面１２１を構成する。導体層１２０ｎは、下面１２２を構成する。
【００３０】
絶縁層１２０ｍは、ガラスエポキシ層である。絶縁層１２０ｍの線膨張係数は、約１３×１０−６／℃である。絶縁層１２０ｍの厚みは、１．５ｍｍである。
【００３１】
導体層１２０ｎは、銅製のパターン層である。導体層１２０ｎの線膨張係数は、約２４×１０−６／℃である。導体層１２０ｎの厚みは、０．１ｍｍである。電子基板１２０Ｃは、第１線膨張係数の第１層（絶縁層１２０ｍ）と、第１線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する第２層（導体層１２０ｎ）を有しており、第２層（導体層１２０ｎ）が、第１層（絶縁層１２０ｍ）よりもケース１１０に近い側に位置している。
【００３２】
図７の実験例におけるケース１１０の隔壁部１１２は、アルミニウム合金製である。隔壁部１１２の線膨張係数は、約２２×１０−６／℃である。隔壁部１１２の厚みは、１０ｍｍである。
【００３３】
図８は、比較例における電子基板１２０Ｄの詳細構成を示す拡大断面図である。比較例のパワーコントロールユニットは、電子基板１２０に代えて電子基板１２０Ｄを備える点を除き、上述の実施形態と同じである。電子基板１２０Ｄは、電子基板１２０とは異なる複数の層（２つの層）によって構成されている点を除き、電子基板１２０と同様である。電子基板１２０Ｄでは、上面１２１から下面１２２に向けて順に、導体層１２０ｒ、絶縁層１２０ｓが積層されている。導体層１２０ｒは、上面１２１を構成する。絶縁層１２０ｓは、下面１２２を構成する。
【００３４】
導体層１２０ｒは、銅製のパターン層である。導体層１２０ｒの線膨張係数は、約２４×１０−６／℃である。導体層１２０ｒの厚みは、０．１ｍｍである。
【００３５】
絶縁層１２０ｓは、ガラスエポキシ層である。絶縁層１２０ｓの線膨張係数は、約１３×１０−６／℃である。絶縁層１２０ｓの厚みは、１．５ｍｍである。比較例の電子基板１２０Ｄは、第１線膨張係数の第１層（絶縁層１２０ｓ）と、第１線膨張係数よりも大きい線膨張係数を有する第２層（導体層１２０ｒ）を有しており、第１層（絶縁層１２０ｓ）が、第２層（絶縁層１２０ｒ）よりもケース１１０に近い側に位置している。すなわち、ケース１１０に近い側の層の線膨張係数が、図７の実験例では、ケース１１０から遠い側の層の線膨張係数よりも大きく、反対に、図８の比較例では、ケース１１０から遠い側の層の線膨張係数よりも小さい点で相違する。
【００３６】
図８の比較例におけるケース１１０の隔壁部１１２は、アルミニウム合金製である。隔壁部１１２の線膨張係数は、約２２×１０−６／℃である。隔壁部１１２の厚みは、１０ｍｍである。
【００３７】
図７の実験例、および、図８の比較例では、組付状態および単独状態の各状態において常温時から昇温時における電子基板１２０Ｃ、１２０Ｄの変形を観察するとともに電子基板１２０Ｃ、１２０Ｄに生じるひずみを測定した。
【００３８】
単独状態の電子基板１２０Ｃは、下面１２２側へ凸状に変形し、組付状態の電子基板１２０Ｃは、単独状態と同様に、下面１２２側（ケース１１０側）へ凸状に変形した。その際、電子基板１２０Ｃに生じるひずみの最大値は、２７１０×１０−６ｓｔであった。
【００３９】
単独状態の電子基板１２０Ｄは、上面１２１側へ凸状に変形し、組付状態の電子基板１２０Ｃは、単独状態とは反対に、下面１２２側（ケース１１０側）へ凸状に変形した。その際、電子基板１２０Ｄに生じるひずみの最大値は、２９５０×１０−６ｓｔであった。
【００４０】
図７の実験例および図８の比較例の結果によれば、ケース１１０に固定された電子基板が温度上昇時に反る方向が、ケース１１０に固定されていない単独の状態で電子基板が温度上昇時に反る方向と同じであることによって、温度上昇時にケース１１０に向けて反る電子基板に生じるひずみ（すなわち内部応力）を低減できることが判明した。
【００４１】
上述した実施形態の特徴を以下に述べる。電子基板の固定構造において、複数の層は、第１層と、第２層を含む。第１層は、第１線膨張係数を有している。第２層は、第１線膨張係数より大きな第２線膨張係数を有している。第２層は第１層よりもケースに近い側に位置している。言い換えると、第２層は、電子基板においてケースから遠い側よりもケースに近い側に多く分布している。この構造によって、電子基板は、ケースに固定されていない単独の状態で電子基板の温度が上昇した場合に凸状に反る側の面をケースに対向させることができる。
【００４２】
以上、実施形態を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、上述した実施形態を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面において説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載した組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面において説明した技術は、複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４３】
１０：ハイブリッド車両
１２：エンジンルーム
２４：モータジェネレータ
２６：ラジエータ
２８：補機バッテリ
１００：パワーコントロールユニット
１１０：ケース
１１２：隔壁部
１１４：突出部
１１５、１１９：ネジ穴
１１８：収容室
１２０、１２０Ｂ〜１２０Ｄ：電子基板
１２０ａ、１２０ｃ、１２０ｅ、１２０ｈ、１２０ｊ、１２０ｍ、１２０ｓ：絶縁層
１２０ｂ、１２０ｄ、１２０ｆ、１２０ｇ、１２０ｉ、１２０ｋ、１２０ｎ、１２０ｒ：導体層
１２１：上面
１２２：下面
１２４：貫通孔
１２６、１２７、１２８：電子部品
１２９：導体パターン
１３０、１５２：固定ネジ
１３２：頭部
１３４：ネジ部
１５０：カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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