(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント配線板変形や金属箔損傷や変形することなく、極小径バイアホールを高精度及び高生産性で形成するプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】第１の金属箔１１、絶縁性樹脂層１０、第２の金属箔１２の順で積層された金属箔張積層板を用い、第１の金属箔表面に第１のレジスト層１３形成工程、第１のレジスト層表面から絶縁性樹脂層まで至る第１のバイアホール３１を設ける工程、第１のレジスト層表面に第２のレジスト層１４形成工程、第１のバイアホール位置に、第２のレジスト層表面から第１のレジスト層まで至り、第１のバイアホールより大きく、第１のバイアホールを開孔させるように第２のバイアホール３２を設ける工程、第１及び第２のバイアホールの両方が重複する部位における絶縁性樹脂層にブラスト加工し、第２の金属箔まで至る第３のバイアホール３３を設ける工程、第１及び第２のレジスト層を除去する工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属箔と、絶縁性樹脂層と、第２の金属箔と、がこの順で積層された金属箔張積層板を用いた、プリント配線板の製造方法であり、
前記第１の金属箔の表面に第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層の表面から、前記絶縁性樹脂層まで至る第１のバイアホールを設ける工程と、
前記第１のレジスト層の表面に第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のバイアホールの位置に、前記第２のレジスト層の表面から、前記第１のレジスト層まで至り、前記第１のバイアホールより大きく、かつ、前記第１のバイアホールを開孔させるように第２のバイアホールを設ける工程と、
前記第１のバイアホール及び前記第２のバイアホールを前記絶縁性樹脂層に投影した場合、前記第１のバイアホール及び前記第２のバイアホールの両方のバイアホールが重複する部位における前記絶縁性樹脂層にブラスト加工を施すことで、前記絶縁性樹脂層から、前記第２の金属箔まで至る第３のバイアホールを設ける工程と、
前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層を除去する工程と、
を含む、プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第２のバイアホールを設ける工程において、前記第１のバイアホールの中心位置及び前記第２のバイアホールの中心位置を前記絶縁性樹脂層に投影した場合、前記第１のバイアホールの中心位置から第２のバイアホールの中心位置までの距離が０〜２５μｍであるように前記第２のバイアホールを設ける、請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記第１のバイアホールを設ける工程において、前記第１のバイアホールの内径が１０〜５０μｍであるように前記第１のバイアホールを設ける、請求項１又は２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記第２のバイアホールを設ける工程において、前記第２のバイアホールの内径が３０〜２００μｍであるように前記第２のバイアホールを設ける、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記第２のレジスト層が、前記第１のレジスト層と異なるレジスト層である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記第１のレジスト層の厚さが、前記第２のレジスト層の厚さより薄い、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金属箔及び前記第２の金属箔から選ばれる少なくとも１つが銅箔である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器、通信機器及びパーソナルコンピューターなどに広く用いられる半導体パッケージの高機能化及び小型化は、近年、益々加速している。それに伴い、半導体パッケージにおけるプリント配線板及び半導体素子搭載用基板の薄型化が要求されている。通常、プリント配線板及び半導体素子搭載用基板は、支持基板上に回路パターンとなる層（回路パターン層）と絶縁材料（絶縁性樹脂層）とを積層させて作製される。
【０００３】
プリント配線板及び半導体素子搭載用基板においては、微細な回路の実現のため、多層の導体層間の層間接続構造（以下、バイアホールと呼ぶ。）を随所に配置している。バイアホールは、レーザ加工、ドリル加工及びルータ加工等による接続孔の形成及び接続孔の内部へのめっき充填によりバイアホールを形成することができる。
【０００４】
また、特許文献１には、プリント基板材料上に、所定径の開口部を形成するための第１の開口部を有する第１のレジストマスクを形成した後、第１のレジストマスクの第１の開口部から露出している部位における銅層にエッチング加工を施して溶解除去し、絶縁基材を露出させ、第１のレジストマスクを除去し、その後、プリント基板材料の両面にレジスト層を形成し、第１のレジストマスクの第１の開口部を形成した位置に、径が第１の開口部よりも僅かに大きな第２の開口部を有する第２のレジストマスクを形成し、第２のレジストマスクと第２のレジストマスクの第２の開口部から露出している部位における銅層をブラスト加工用マスクとして用いて、銅層の開口部から露出している部位における絶縁基材にブラスト加工を施して貫通穴を形成し、第２のレジストマスクを除去することで、バイアホールを有するプリント配線板を製造する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第６２６１１０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、レーザ加工で１穴ずつ貫通穴を形成するのでは、多列配列されたプリント基板を製造するような場合や、一つのプリント基板に多数の貫通穴をあける必要がある場合には、加工時間が長くかかり、生産性が悪い。また、レーザ加工で極小径の貫通穴を形成した場合には、加工端面が炭化して、導電性を有してしまうおそれがある。
また、ドリル加工及びルータ加工等による接続孔の形成においても、１穴ずつ形成する必要があり、生産性が悪い。極小径のバイアホールを形成するためには、ドリルやルータの径も極小化したものを用いる必要があるが、ドリルやルータの径が細いと、折れや破損のおそれが高くなる。
【０００７】
更に、特許文献１に記載のブラスト加工では、第２のレジストマスクの第２の開口部から露出している部位における銅層もブラスト加工し、銅箔は柔らかく延性であるため、プリント基板の寸法が変形することや、銅層が損傷や変形をすることの問題を有する。また、特許文献１に記載の方法で形成されるバイアホールの穴径は２０〜４０μｍ程度であり、特許文献１に記載の方法では、これより小径なバイアホールを形成することは難しい。
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、プリント配線板が変形することや、金属箔が損傷や変形することなく、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成することが可能なプリント配線板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、第１のレジスト層を除去することなく、第１のレジスト層に第２のレジスト層を積層した後、ブラスト加工によりバイアホールを形成する工程を含むプリント配線板の製造方法により、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は以下のとおりである。
〔１〕
第１の金属箔と、絶縁性樹脂層と、第２の金属箔と、がこの順で積層された金属箔張積層板を用いた、プリント配線板の製造方法であり、
前記第１の金属箔の表面に第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層の表面から、前記絶縁性樹脂層まで至る第１のバイアホールを設ける工程と、
前記第１のレジスト層の表面に第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のバイアホールの位置に、前記第２のレジスト層の表面から、前記第１のレジスト層まで至り、前記第１のバイアホールより大きく、かつ、前記第１のバイアホールを開孔させるように第２のバイアホールを設ける工程と、
前記第１のバイアホール及び前記第２のバイアホールを前記絶縁性樹脂層に投影した場合、前記第１のバイアホール及び前記第２のバイアホールの両方のバイアホールが重複する部位における前記絶縁性樹脂層にブラスト加工を施すことで、前記絶縁性樹脂層から、前記第２の金属箔まで至る第３のバイアホールを設ける工程と、
前記第１のレジスト層及び前記第２のレジスト層を除去する工程と、
を含む、プリント配線板の製造方法。
【００１１】
〔２〕
前記第２のバイアホールを設ける工程において、前記第１のバイアホールの中心位置及び前記第２のバイアホールの中心位置を前記絶縁性樹脂層に投影した場合、前記第１のバイアホールの中心位置から第２のバイアホールの中心位置までの距離が０〜２５μｍであるように前記第２のバイアホールを設ける、〔１〕に記載のプリント配線板の製造方法。
〔３〕
前記第１のバイアホールを設ける工程において、前記第１のバイアホールの内径が１０〜５０μｍであるように前記第１のバイアホールを設ける、〔１〕又は〔２〕に記載のプリント配線板の製造方法。
〔４〕
前記第２のバイアホールを設ける工程において、前記第２のバイアホールの内径が３０〜２００μｍであるように前記第２のバイアホールを設ける、〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【００１２】
〔５〕
前記第２のレジスト層が、前記第１のレジスト層と異なるレジスト層である、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
〔６〕
前記第１のレジスト層の厚さが、前記第２のレジスト層の厚さより薄い、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
〔７〕
前記第１の金属箔及び前記第２の金属箔から選ばれる少なくとも１つが銅箔である、〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のプリント配線板の製造方法によれば、プリント配線板が変形することや、金属箔が損傷や変形することなく、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本実施形態におけるプリント配線板の製造方法を示す概略図である。
【図２】本実施形態におけるプリント配線板の製造方法における好ましい態様を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」と称す）について詳細に説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。本明細書において、積層体は、各層が互いに接着したものであるが、その各層は、必要に応じて、互いに剥離可能なものであってもよい。
【００１６】
プリント配線板の製造方法について、図１及び２に基づいて説明する。図１は、本実施形態におけるプリント配線板の製造方法を示す概略図である。
〔プリント配線板の製造方法〕
本実施形態のプリント配線板の製造方法は、図１に示すとおり、第１の金属箔１１と、絶縁性樹脂層１０と、第２の金属箔１２と、がこの順で積層された金属箔張積層板を用いた製造方法であり、
前記第１の金属箔１１の表面に第１のレジスト層１３を形成する工程と、
前記第１のレジスト層１３の表面から、前記絶縁性樹脂層１０まで至る第１のバイアホール３１を設ける工程と、
前記第１のレジスト層１３の表面に第２のレジスト層１４を形成する工程と、
前記第１のバイアホール３１の位置に、前記第２のレジスト層１４の表面から、前記第１のレジスト層１３まで至り、前記第１のバイアホール３１より大きく、かつ、前記第１のバイアホール３１を開孔させるように第２のバイアホール３２を設ける工程と、
前記第１のバイアホール３１及び前記第２のバイアホール３２を前記絶縁性樹脂層１０に投影した場合、前記第１のバイアホール３１及び前記第２のバイアホール３２の両方のバイアホールが重複する部位における前記絶縁性樹脂層１０にブラスト加工を施すことで、前記絶縁性樹脂層１０から、前記第２の金属箔１２まで至る第３のバイアホール３３を設ける工程と、
前記第１のレジスト層１３及び前記第２のレジスト層１４を除去する工程と、
を含む。
【００１７】
本実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、プリント配線板が変形することや、金属箔が損傷や変形することなく、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成することが可能である。
【００１８】
（金属箔張積層板）
図１（ａ）は、本実施形態における、第１の金属箔１１と、絶縁性樹脂層１０と、第２の金属箔１２と、がこの順で積層された金属箔張積層板２１を示すための概略図である。本実施形態で用いられる金属箔張積層板２１は、図１（ａ）に示すとおり、第１の金属箔１１と、絶縁性樹脂層１０と、第２の金属箔１２と、がこの順で積層されている。
絶縁性樹脂層１０は、特に限定されないが、通常、熱硬化性樹脂と、無機充填材と、必要に応じて、ガラスクロスとを含む。絶縁性樹脂層１０の厚さは、通常１〜２００μｍであり、好ましくは基材の取り扱いやすさの点から、１〜１００μｍである。
【００１９】
熱硬化性樹脂としては、プリント配線板材料に使用される熱硬化性樹脂であれば、特に限定されない。具体例としては、シアン酸エステル化合物、エポキシ樹脂、マレイミド化合物、ポリイミド樹脂及び２重結合付加ポリフェニレンエーテル樹脂などの化合物が挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましい熱硬化性樹脂としては、シアン酸エステル化合物及びエポキシ樹脂が挙げられる。
【００２０】
シアン酸エステル化合物は、１分子中に２個以上のシアネート基を有する化合物であれば、特に限定されない。具体例としては、ビスフェノールＡ型シアン酸エステル化合物、フェノールノボラック型シアン酸エステル化合物、ビスフェノールＥ型シアン酸エステル化合物、ナフタレン骨格含有シアン酸エステル化合物及びビフェニル骨格含有シアン酸エステル化合物などが挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましいシアン酸エステル化合物としては、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン、ビス(３，５−ジメチル−４−シアナトフェニル)メタン、フェノールノボラック型のシアン酸エステル化合物及びナフトールアラルキル型のシアン酸エステル化合物が挙げられる。これらのシアン酸エステル化合物は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２１】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば、特に限定されない。具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官能フェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有エポキシ樹脂及びリン含有エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましいエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂及び３官能フェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２２】
マレイミド化合物は、１分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物であれば、特に限定されない。具体例としては、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、２，２−ビス｛４−（４−マレイミドフェノキシ）−フェニル｝プロパン、ビス（３，５−ジメチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ビス（３，５−ジエチル−４−マレイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミドが挙げられる。なお、これらマレイミド化合物のプレポリマー、もしくはマレイミド化合物とアミン化合物のプレポリマー等の形で配合することもできる。これらマレイミド化合物は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましいマレイミド化合物としては、ビス（３−エチル−５−メチル−４−マレイミドフェニル）メタンが挙げられる。
【００２３】
ポリイミド樹脂としては、一般に公知のものが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類とポリアミン類との反応物、特公昭５７−００５４０６に記載の末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらのポリイミド樹脂は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２４】
２重結合付加ポリフェニレンエーテル樹脂としては、ポリ（２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテル）、又は２，６−ジメチルフェノールと２，３，６−トリメチルフェノールとのランダム共重合体を、不飽和脂肪酸カルボン酸もしくはその酸無物で反応させたものが挙げられる。これらの２重結合付加ポリフェニレンエーテル樹脂は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２５】
無機充填材としては、シリカ、窒化ホウ素、ワラストナイト、タルク、カオリン、クレー、マイカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、チタン酸バリウム及び酸化マグネシウム等の金属酸化物、窒化物、珪化物及び硼化物等を用いることができる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。無機充填材を含むことで、プリント配線板における熱膨張係数の低減及び剛性を向上させることができる。特に、シリカ、窒化ホウ素及びチタン酸バリウムのような低誘電率の無機充填材を添加することで、本実施形態に係る絶縁性樹脂層１０を低誘電率化させることができる。
【００２６】
ガラスクロスとしては、Ｅガラスクロス、ＮＥガラスクロス、Ｄガラスクロス、Ｔガラスクロス、Ｑガラスクロス、及び石英ガラスクロス等を用いることができる。これらのガラスクロスは、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２７】
第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、アルミニウム及びこれらのうちの２種以上の金属からなる合金が挙げられる。好ましくは、電気伝導度の点から、銅である。第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２は、同じであっても異なってもよいが、同じであることが好ましい。第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２の厚さは、特に限定されないが、それぞれ通常１〜１８μｍ、好ましくは、ブラストによる加工性が容易な点から、１〜１２μｍである。厚さは、両面で同じであっても異なってもよいが、同じであることが好ましい。
【００２８】
第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２としては、例えば、ＪＸ金属（株）製のＧＨＹ５（商品名、１２μｍ厚銅箔）及びＪＸＵＴ−１（商品名、１．５μｍ厚銅箔）、三井金属鉱業（株）製の３ＥＣ−Ｍ２Ｓ−ＶＬＰ（商品名、１２μｍ厚銅箔）、３ＥＣ−ＶＬＰ（商品名、１２μｍ厚銅箔）及び３ＥＣ−ＩＩＩ（商品名、１２μｍ厚銅箔）、及び古河電気工業（株）製ＧＴＳ−ＭＰ（商品名、１２μｍ厚銅箔）などの市販品を使用することもできる。また、第１の金属箔１１又は第２の金属箔１２と、絶縁性樹脂層１０との間にそれらを接着するための接着層をそれぞれ設けてもよく、接着層付きの金属箔を使用してもよい。接着層の材質は、特に限定されず、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂及びポリエステル系樹脂が使用できる。
【００２９】
金属箔張積層板２１としては、例えば、三菱ガス化学社製ＨＬ−８３０ ＮＳ（商品名）、ＨＬ−８３０ ＮＸＡ（商品名）、ＨＬ−８３０ ＮＳＦ（商品名）などの市販品を使用することもできる。
【００３０】
また、本実施形態では、金属箔と、絶縁性樹脂層とがこの順で積層された金属箔付き樹脂シートを用いて、この樹脂シートの絶縁性樹脂層の表面に金属箔を張り合わせて、絶縁性樹脂層１０の両面に第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２が積層されている金属箔張積層体２１を用いることもできる。金属箔付き樹脂シートとしては、例えば、三菱ガス化学（株）製ＣＲＳ−３８１ＮＳ１（商品名、銅箔付き樹脂シート）の市販品を使用することもできる。
【００３１】
金属箔張積層体２１の厚さは、特に限定されないが、通常３〜２３６μｍであり、好ましくは３〜２２４μｍであり、より好ましくは３〜１３６μｍであり、更に好ましくは３〜１２４μｍであり、更により好ましくは３〜１２０μｍである。
【００３２】
（第１の金属箔の表面に第１のレジスト層を形成する工程）
図１（ｂ）は、本実施形態における、第１の金属箔１１の表面に第１のレジスト層１３を形成する工程を示すための概略図である。本実施形態では、図１（ｂ）に示すとおり、第１の金属箔１１の表面に第１のレジスト層１３を形成する工程を含む。この工程を経ることで、第１の金属箔１１の表面に第１のレジスト層１３が形成された金属箔張積層板２２を得ることができる。
第１のレジスト層１３は、金属箔張積層板２１における第１の金属箔１１を覆うように金属箔張積層板２１の全体に塗布される。必要に応じて、第１のレジスト層１３と同じように、第２の金属箔１２の表面にレジスト層を形成してもよい。第１のレジスト層１３は、後述のとおり、バイアホールの加工精度の向上及び第１の金属箔１１の損傷や変形を抑制するために形成される。
【００３３】
第１のレジスト層１３を形成するための材料としては、特に限定されないが、現像性に優れるレジストを用いることが好ましい。このような材料としては、市販品を用いることができ、例えば、日立化成（株）社製ＲＤ−１２２５（商品名）、ＲＤ−１２１５（商品名）、ＲＹ−５３１９（商品名）などが挙げられる。
【００３４】
第１のレジスト層１３の厚さは、絶縁樹脂層１０及び第１の金属箔１１に対してエッチング加工を施して溶解除去できれば、特に限定されないが、後述の第２のレジスト膜１４より薄い方が好ましい。第１のレジスト層１３の厚さは薄いほど、露光及び現像を経て形成される第１のバイアホール３１の加工精度が向上し、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成することができる。厚さとしては、より優れた解像性が得られる点から、１〜５０μｍであることが好ましく、１〜３０μｍであることがより好ましく、１〜２０μｍであることが更に好ましく、１〜１７μｍであることが更により好ましい。
【００３５】
第１のレジスト層１３の形成は、プリント配線板の製造において行われる公知の方法を用いることができ、特に限定されないが、例えば、後述のサブトラクティブ法によって、第１のレジスト層１３を形成することができる。
【００３６】
（第１のレジスト層の表面から、絶縁性樹脂層まで至る第１のバイアホールを設ける工程）
図１（ｃ）は、本実施形態における、第１のレジスト層１３の表面から、絶縁性樹脂層１０まで至る第１のバイアホール３１を設ける工程を示すための概略図である。本実施形態では、図１（ｃ）に示すとおり、第１のレジスト層１３の表面から、絶縁性樹脂層１０まで至る第１のバイアホール３１を設ける工程を含む。この工程を経ることで、第１のレジスト層１３の表面から、絶縁性樹脂層１０まで至る第１のバイアホール３１が形成された金属箔張積層板２３を得ることができる。
【００３７】
第１のバイアホール３１は、第１のレジスト層１３の所定の位置に、第２の金属箔１２を貫通しないように、第１のレジスト層１３から絶縁性樹脂層１０まで至る穴あけ加工を行うことで得られる。また、所定の位置とは、回路パターンに沿った適当な位置をいう。
【００３８】
第１のバイアホール３１の形状は、特に限定されず、同一でも異なっていてもよく、例えば、第１のレジスト層１３の表面から見て、円形、略円形、楕円形及び略楕円形など、通常のプリント配線板の製造において形成される形状であればよいが、極小孔のバイアホールを形成できることから円形及び略円形であることが好ましい。第１のバイアホール３１が円形及び略円形である場合、その内径は、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造において形成される大きさであればよいが、微細配線化の理由から、内径が１０〜５０μｍであるように第１のバイアホールを設けることが好ましく、内径が２０〜４０μｍであるように設けることがより好ましく、内径が２５〜３５μｍであるように設けることが更に好ましい。
【００３９】
第１のバイアホール３１は、第１のレジスト層１３の表面から見た穴の断面積（すなわち、第１のレジスト層１３の積層方向に直交する任意の断面の面積）は、通常０．０００３〜３ｍｍ2である。第１のバイアホール３１の深さも、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造において形成される深さであればよい。第１のバイアホール３１の深さは、通常、第１の金属箔１１と第１のレジスト層１３の合計と同じであり、１０〜１００μｍ程度である。
第１のバイアホール３１の積層方向に平行な断面の形状も、特に限定されず、正方形、略正方形、長方形、略長方形、台形及び略台形など、通常のプリント配線板の製造において形成される形状であればよい。
【００４０】
本実施形態では、適宜、第１のレジスト層１３から、第２の金属箔１２まで貫通したスルーホールを設けてもよい。
【００４１】
第１のバイアホール３１の形成は、プリント配線板の製造において行われる公知の方法を用いることができ、特に限定されないが、例えば、サブトラクティブ法によって、第１のレジスト層１３を形成して、第１のレジスト層１３の表面から、絶縁性樹脂層１０まで至る第１のバイアホール３１（すなわち、第１の金属箔１１をパターニングする）ことが好ましい。第１のバイアホール３１は、回路パターンに沿った適当な位置に形成することができる。
サブトラクティブ法による第１のバイアホール３１の形成は、例えば、次のようにして行うことができる。第１の金属箔１１の表面、及び必要に応じて第２の金属箔１２の表面に、温度１１０±１０℃、圧力０．５０±０．０２ＭＰａでドライフィルムレジストを積層貼着（ラミネート）する。次いで、第１の金属箔１１の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行う。また、必要に応じて第２の金属箔１２においても、回路パターンに沿って露光し、マスキングを行う。その後、１％炭酸ナトリウム水溶液にてドライフィルムレジストを現像処理し、第１の金属箔１１において、エッチングレジストに覆われていない部分の第１の金属箔１１を塩化第二銅水溶液で除去する。これにより、第１のレジスト層１３の表面から、絶縁性樹脂層１０まで至る第１のバイアホール３１が形成された金属箔張積層板２３を得ることができる。
【００４２】
（第１のレジスト層の表面に第２のレジスト層を形成する工程）
図１（ｄ）は、本実施形態における、第１のレジスト層１３の表面に第２のレジスト層１４を形成する工程を示すための概略図である。本実施形態では、図１（ｄ）に示すとおり、第１のレジスト層１３の表面に第２のレジスト層１４を形成する工程を含む。この工程を経ることで、第１のレジスト層１３の表面に第２のレジスト層１４が形成された金属箔張積層板２４を得ることができる。
第２のレジスト層１４は、金属箔張積層板２３における第１のレジスト層１３を覆うように金属箔張積層板２３の全体に塗布される。必要に応じて、第２のレジスト層の形成と同じように、反対面、すなわち第２の金属箔１２の面側にレジスト層を形成してもよい。第２のレジスト層１４は、ブラスト加工のエッチングから金属箔張積層板及びプリント配線板を保護するために用いられる。本実施形態において第２のレジスト層１４を有することで、ブラスト加工により金属箔張積層板及びプリント配線板のダメージを削減でき、金属箔張積層板及びプリント配線板が変形することなく、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成することが可能である。また、ブラスト加工により、後述の第３のバイアホール３３を非常に多く形成する場合、微細砥粒の噴射時間が長時間に及ぶことになるが、この場合においても、第２のレジスト層１４を有するので金属箔張積層板及びプリント配線板が変形することなく、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成することが可能である。
【００４３】
本実施形態において、第２のレジスト層１４を形成するための材料は、特に限定されず、後述のブラストによるエッチングに耐え得るレジストを形成できる材料が好ましい。また、第２のレジスト層１４を形成するための材料は、第１のレジスト層１３を形成するための材料と同一でも異なっていてもよいが、プリント配線板が変形することや、金属箔が損傷や変形することなく、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成させることができることから、第１のレジスト層１３と異なっていることが好ましい。材料としては、市販品を用いることができ、例えば、日立化成（株）社製ＨＭ−４０５６（商品名）、ニッコーマテリアル株式会社製ＡＬＰＨＯ ＮＩＴ２５０（商品名）などが挙げられる
【００４４】
第２のレジスト層１４の厚さは、特に限定されないが、前記のとおり、第１のレジスト膜１３より厚い方が好ましい。第２のレジスト層１４の厚さとしては、ブラスト加工によるエッチングにより好適に耐え得る点から、１〜１００μｍであることが好ましく、１〜８０μｍであることがより好ましく、１７μｍを超えて〜７５μｍであることが更に好ましく、２０μｍを超えて〜７０μｍであることが更により好ましく、２５〜６０μｍであることが一層好ましい。
【００４５】
第２のレジスト層１４の形成は、プリント配線板の製造において行われる公知の方法を用いることができ、特に限定されないが、例えば、前記のサブトラクティブ法によって、第２のレジスト層１４を形成することができる。
【００４６】
（第１のバイアホールの位置に、第２のレジスト層の表面から、第１のレジスト層まで至り、第１のバイアホールより大きく、かつ、第１のバイアホールを開孔させるように第２のバイアホールを設ける工程）
図１（ｅ１）は、本実施形態における、第１のバイアホール３１の位置に、第２のレジスト層１４の表面から、第１のレジスト層１３まで至り、第１のバイアホール３１より大きく、かつ、第１のバイアホール３１を開孔させるように第２のバイアホール３２を設ける工程を示すための概略図である。図２（ｅ２）は、本実施形態における、第１のバイアホール３１の中心位置及び第２のバイアホール３２の中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１の中心位置から第２のバイアホール３２の中心位置までの距離４０が所定の距離であるように第２のバイアホールを設ける工程を示すための概略図である。本実施形態では、図１（ｅ１）及び図２（ｅ２）に示すとおり、第１のバイアホール３１の位置に、第２のレジスト層１４の表面から、第１のレジスト層１３まで至り、第１のバイアホール３１より大きく、かつ、第１のバイアホール３１を開孔させるように第２のバイアホール３２を設ける工程を含む。この工程を経ることで、第１のバイアホール３１の位置に、第１のバイアホール３１より大きい第２のバイアホール３２が形成された金属箔張積層板２５ａを得ることができる。
【００４７】
第１のバイアホール３１は、前記のとおり、回路パターンに沿った適当な位置にあり、第２のバイアホール３２は、この第１のバイアホール３１を開孔させるように、第１のバイアホール３１の位置に設けられる。
また、第２のバイアホール３２は、第１の金属箔１１を第１のレジスト層１３により保護できるように、第１のバイアホール３１より大きく形成される。第１の金属箔１１は薄層であるため、ブラスト加工のエッチングにより、第１の金属箔１１はダメージを受け、損傷や変形される。この損傷や変形に伴い、金属箔張積層板及びプリント配線板自体も変形するおそれがある。しかし、本実施形態では、第１の金属箔１１は第１のレジスト層１３により保護されているため、ブラスト加工のエッチングにより、第１の金属箔１１はダメージを受けず、損傷や変形が抑制される。また、第２のバイアホール３２は、第１のバイアホール３１により大きく形成されているため、ブラスト加工時における位置合わせが容易となり、極小径のバイアホールを高精度及び高生産性で形成すること可能となる。
【００４８】
第２のバイアホール３２の形状は、特に限定されず、同一でも異なっていてもよく、例えば、第２のレジスト層１４の表面から見て、円形、略円形、楕円形及び略楕円形など、通常のプリント配線板の製造において形成される形状であればよいが、極小孔のバイアホールを形成できることから円形及び略円形であることが好ましい。第２のバイアホール３２が円形及び略円形である場合、その内径は、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造において形成される大きさであればよいが、微細配線化の理由から、内径が３０〜２００μｍであるように第２のバイアホール３２を設けることが好ましく、３５μｍを超えて〜１５０μｍであるように設けることがより好ましく、４０μｍを超えて〜１００μｍであるように設けることが更に好ましく、４５〜８０μｍであるように設けることが更により好ましい。
【００４９】
第２のバイアホール３２の深さは、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造において形成される深さであればよい。第２のバイアホール３２の深さは、通常、第２のレジスト層１４の厚さと同じであり、１〜１００μｍ程度である。
第２のバイアホール３２の積層方向に平行な断面の形状も、特に限定されず、正方形、略正方形、長方形、略長方形、台形及び略台形など、通常のプリント配線板の製造において形成される形状であればよい。
【００５０】
本実施形態において、図２は、本実施形態におけるプリント配線板の製造方法における好ましい態様を示す概略図である。図２（ｅ２）に示すとおり、第１のバイアホール３１の中心位置及び第２のバイアホール３２の中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホールの中心位置３１から第２のバイアホール３２の中心位置までの距離４０が０〜２５μｍであるように、好ましくは１〜２３μｍであるように、より好ましくは１〜２０μｍであるように、第２のバイアホールを設けることが、後述の第３のバイアホール３３を、より極小径で、かつ高精度及び高生産性で形成すること可能となるため、好ましい。
このような工程を経ることで、第２のバイアホール３２の中心位置が第１のバイアホール３１の中心位置からシフトした第２のバイアホール３２を有する金属箔張積層板２５ｂを得ることができる。金属箔張積層板２５ｂは、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２により、第２のレジスト層１４から絶縁性樹脂層１０まで至るバイアホールを有する。通常、後述のブラスト加工によるエッチングは、絶縁性樹脂層１０の積層方向に直交する方向から施されるため、第２のレジスト層１４の一部により影となる絶縁性樹脂層１０の部分（面）については、ブラスト加工の微細砥粒により削り取られない。そのため、より極小径の第３のバイアホール３３を有する金属箔張積層板２６ｂを得ることができる。
【００５１】
なお、本実施形態において、「第１のバイアホール３１の中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した」とは、絶縁性樹脂層１０の表面に対して直交する方向から見た場合における第１のバイアホール３１の中心位置をいう。なお、本実施形態において、第１のバイアホール３１の形状が、略円形、楕円形及び略楕円形など円形ではない場合、その形状における長軸と短軸が重なる点を中心位置とする。また、同様に、「第２のバイアホール３２の中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した」とは、絶縁性樹脂層１０の表面に対して直交する方向から見た場合における第２のバイアホール３２の中心位置をいう。第２のバイアホール３２の形状が、略円形、楕円形及び略楕円形など円形ではない場合には、その形状における長軸と短軸が重なる点を中心位置とする。
【００５２】
本実施形態では、適宜、第２のレジスト層１４から、第２の金属箔１２まで貫通したスルーホールを設けてもよい。
【００５３】
第２のバイアホール３２の形成は、プリント配線板の製造において行われる公知の方法を用いることができ、特に限定されないが、例えば、前記のサブトラクティブ法によって、第２のバイアホール３２を設けることができる。
【００５４】
（第１のバイアホール及び第２のバイアホールを絶縁性樹脂層に投影した場合、第１のバイアホール及び第２のバイアホールの両方のバイアホールが重複する部位における絶縁性樹脂層にブラスト加工を施すことで、絶縁性樹脂層から、第２の金属箔まで至る第３のバイアホールを設ける工程）
図１（ｆ１）及び図２（ｆ２）は、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２の両方のバイアホールが重複する部位における絶縁性樹脂層１０にブラスト加工を施すことで、絶縁性樹脂層１０から、第２の金属箔１２まで至る第３のバイアホール３３を設ける工程を示すための概略図である。本実施形態では、図１（ｆ１）及び図２（ｆ２）に示すとおり、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２の両方のバイアホールが重複する部位における絶縁性樹脂層１０にブラスト加工を施すことで、絶縁性樹脂層１０から、第２の金属箔１２まで至る第３のバイアホール３３を設ける工程を含む。この工程を経ることで、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２と共に、絶縁性樹脂層１０から第２の金属箔１２まで至る第３のバイアホール３３が形成された金属箔張積層板２６ａを得ることができる。
【００５５】
本実施形態において、ブラスト加工が施される絶縁性樹脂層１０の部位は、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２の両方のバイアホールが重複する部位である。「第１のバイアホール３１を絶縁性樹脂層１０に投影した部位」は、絶縁性樹脂層１０の表面に対して直交する方向から見た場合、第１のバイアホール３１の形状が絶縁性樹脂層１０に投影された部位をいう。同様に、「第２のバイアホール３２を絶縁性樹脂層１０に投影した部位」は、絶縁性樹脂層１０の表面に対して直交する方向から見た場合、第２のバイアホール３２の形状が絶縁性樹脂層１０に投影された部位をいう。そして、ブラスト加工は、第１のバイアホール３１の形状が絶縁性樹脂層１０に投影された部位と、第２のバイアホール３２の形状が絶縁性樹脂層１０に投影された部位との両方が重複する部位に施される。金属箔張積層板２５ｂに示すように、第２のレジスト層１４の一部により影となる絶縁性樹脂層１０の部分（面）については、通常ブラスト加工によりエッチングされない。
【００５６】
本実施形態においては、プリント配線板の製造において行われる公知のブラスト加工を用いることができ、特に限定されない。ブラスト加工は、プリント基板材料における加工対象部位のみを露出させるように、予めレジスト層などで覆った状態にして、微細砥粒を圧縮エアで高速噴射して加工対象部位の基板を除去する加工方法である。ブラスト加工は、レーザ加工等と異なり加工面の炭化がなく、ドリル加工と異なり、極小径の貫通穴を精度よく加工でき、また、複数の貫通穴を同時形成でき、更に、プレス加工と異なり設計の自由度も広く、製造コストも低減できる。
【００５７】
ブラスト加工では、加工の際に砥粒が、加工対象面の絶縁性樹脂層１０以外にも、金属箔張積層板全体に衝突する。仮に加工の際に金属箔が露出している場合、金属箔は、薄層であり、延性を有するため、砂粒により変形や損傷を生じる。また、砂粒の衝突により、金属箔張積層板自体も変形や損傷するおそれがある。しかし、本実施形態では、第１のレジスト層１３が第１の金属箔１１を保護しているため、第１の金属箔１１はダメージを受けず、変形しない。また、第２のレジスト層１４により、金属箔張積層板へのダメージを低減でき、金属箔張積層板においても変形されない。それゆえ、本実施形態によれば、高品質なプリント配線板が得られる。
【００５８】
第３のバイアホール３３の形状は、特に限定されず、同一でも異なっていてもよいが、機械的強度に優れ、高密度化したプリント配線板を好適に得ることができることから、絶縁性樹脂層１０の表面から見て、第３のバイアホール３３の形状が全て同一であることが好ましく、全て同一で、円形、略円形、楕円形及び略楕円形であることがより好ましく、全て同一で、円形及び略円形であることが更に好ましい。第３のバイアホール３３の積層方向に平行な断面の形状も、特に限定されず、同一でも異なっていてもよく、正方形、略正方形、長方形、略長方形、台形及び略台形などが挙げられる。
【００５９】
本実施形態において、第３のバイアホール３３のトップ径は、異なっていてもよく同じであってもよく、特に限定されない。本実施形態においては、５０μｍ以下のトップ径を少なくとも１つ以上有することが好ましく、より好ましくはフィルドめっきのボイドの低減の点から、１〜４０μｍであり、更に好ましくは１〜３５μｍである。バイアホールのトップ径が、全て同じ径であることが、更により好ましい。トップ径は、機械的強度に優れ、高密度化したプリント配線板を好適に得ることができることから、均一であることが好ましい。本実施形態において、トップ径とは、第３のバイアホールにおける最大径（最も大きい内径）を称す。また、第３のバイアホール３３の形状が、略円形、楕円形及び略楕円形など円形ではない場合、その形状における長軸をトップ径とする。
【００６０】
（第１のレジスト層及び第２のレジスト層を除去する工程）
図１（ｇ）は、本実施形態における、第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１４を除去する工程を示すための概略図である。本実施形態では、図１（ｇ）に示すとおり、第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１４を除去する工程を含む。この工程を経ることで、第２のバイアホール３２及び第３のバイアホール３３が形成された金属箔張積層板２７を得ることができる。
第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１４の除去は、プリント配線板の製造において行われる公知の方法を用いることができ、特に限定されない。例えば、アミン系のレジスト剥離液にて第１のレジスト層１３及び第２のレジスト層１４を剥離することができる。
【００６１】
金属箔張積層板２７において、各バイアホール又は各スルーホール間のピッチは、異なっていてもよく同じであってもよく、特に限定されない。本実施形態においては、１０〜４００μｍのピッチを少なくとも１つ以上有することが好ましく、信頼性の点から、２０〜３００μｍのピッチを少なくとも１つ以上有することがより好ましい。バイアホール又はスルーホール間のピッチが、全て２０〜２００μｍであることが更に好ましい。ピッチは、各バイアホール又は各スルーホールの表面の重心位置から、隣接するバイアホール又はスルーホールの表面の重心位置までの最短距離である。すなわち、ピッチは、隣接するバイアホール又はスルーホール間の距離であって、最短の距離である。
【００６２】
金属箔張積層板２７において、バイアホール数の合計は、特に限定されないが、１,０００,０００穴／ｍ2以上であることが好ましく、より好ましくは、基板の剛性の観点から、１,０００,０００〜４０,０００,０００穴／ｍ2である。上限は、特に限定されないが、４０,０００,０００穴／ｍ2を超えると、たとえ、真空吸着を行っても吸着不良を引き起こし、プリント配線板の反りが発生する傾向にあるため、好ましくない。
【００６３】
（金属めっき処理工程）
本実施形態では、第３のバイアホール３３を設け、第１のレジスト層及び第２のレジスト層を除去した後に、第１の金属箔１１と第２の金属箔１２との電気的接続を行うために、金属めっき処理する工程を含むことが好ましい。
【００６４】
金属めっき処理の方法としては、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造における金属めっき処理の方法を適宜用いることができる。金属めっき処理の方法及びめっきに使用される薬液の種類は、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造における金属めっき処理の方法及び薬液を適宜用いることができる。金属めっき処理に使用される薬液は、市販品であってもよい。
【００６５】
金属めっき処理方法としては、特に限定されず、例えば、脱脂液による処理、ソフトエッチング液による処理、酸洗浄、プレディップ液による処理、キャタリスト液による処理、アクセレーター液による処理、化学銅液による処理、酸洗浄及び硫酸銅液に浸漬し電流を流す処理が挙げられる。
【００６６】
金属めっき処理方法の具体例としては、第３のバイアホール３３の内壁に通常の無電解めっき処理によって無電解めっき膜を形成した後、めっき液を噴流にして基板にぶつけるスパージャめっき方法等の電解めっき方法によって、第３のバイアホール３３内をめっき充填する方法が挙げられる。無電解めっき又は電解めっきとしては、例えば、銅、すず、銀、各種はんだ、銅及びすず、銅及び銀等の金属めっきが好ましく、無電解銅めっき又は電解銅めっきがより好ましい。
【００６７】
（位置合わせ用穴を設ける工程）
本実施形態では、回路パターンを形成するための露光用の位置合わせの目的で、適宜、位置合わせ用の穴を設ける工程を含むことができる。その場合、位置合わせ用穴の周囲に穴を更に設けることが好ましい。位置合わせ用穴及び位置合わせ用穴の周囲の穴を形成する方法は、特に限定されず、通常のプリント配線板の製造における公知の穴あけ方法が使用でき、例えば、ドリルで穴あけ加工する方法、及びＸ線又はレーザで穴あけする方法を使用することができる。
【００６８】
〔プリント配線板〕
本実施形態によれば、前記の工程を経ることで、絶縁性樹脂層１０の両面に第１の金属箔１１（導体層）及び第２の金属箔１２（導体層）と、高精度で極小径なバイアホールと、必要に応じてスルーホール等を有するプリント配線板を得ることができる。本実施形態において導体層は、所定の配線パターンに形成されている。
プリント配線板は、半導体装置など各種の電子部材に用いることができる。
【実施例】
【００６９】
本実施形態の実施例について、図１及び図２を用いて説明するが、本実施形態はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。
【００７０】
〔実施例１〕
図１の（ａ）に示すとおり、銅箔（第１の金属箔１１）と、絶縁性樹脂層１０と、銅箔（第２の金属箔１２）とがこの順で積層された金属箔張積層板２１（三菱ガス化学社製ＨＬ−８３０ ＮＳ（商品名）、絶縁性樹脂層１０の組成：エポキシ樹脂及びチタン酸バリウムを含む、絶縁性樹脂層１０の厚さ：４０μｍ、第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２における銅箔の厚さ：２μｍ）の第１の金属箔１１の面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成製社製、ＲＤ−１２１５（商品名））をラミネートして、図１（ｂ）に示すとおり、第１のレジスト層１３（厚さ：１５μｍ）が形成された金属箔張積層板２２を得た。
【００７１】
その後、ラミネートしたドライフィルムレジストを所定の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、エッチング処理を行い、図１（ｃ）に示すとおり、第１のバイアホール３１（円筒形、内径：３０μｍ、断面積：１．４ｍｍ2、深さ：１７μｍ）が形成された金属箔張積層板２３を得た。
【００７２】
その後、第１のレジスト層１３の表面に感光性ドライフィルムレジスト（ニッコーマテリアル社製、ＡＬＰＨＯ ＮＩＴ２５０（商品名））をラミネートして、図１（ｄ）に示すとおり、第２のレジスト層１４（厚さ：３０μｍ）が形成された金属箔張積層板２４を得た。
【００７３】
その後、ラミネートしたドライフィルムレジストを所定の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、エッチング処理を行い、図１（ｅ１）に示すとおり、第１のバイアホール３１、及び第２のバイアホール３２（円筒形、内径：５０μｍ、深さ：３０μｍ）が形成された金属箔張積層板２５ａを得た。なお、第１のバイアホール３１の中心位置及び第２のバイアホール３２の中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１の中心位置から第２のバイアホール３２の中心位置までの距離４０は、０μｍであった。
【００７４】
その後、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２を絶縁性樹脂層１０に投影したときに、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２の両方のバイアホールが重複する部位における絶縁性樹脂層１０にサンドブラスト処理を行い、第１のバイアホール３１、第２のバイアホール３２及び第３のバイアホール３３（第３のバイアホール３３は、全て円筒形であり、トップ径は全て３０μｍであった）が形成された金属箔張積層板２６ａを得た。金属箔張積層板２６ａの感光性ドライフィルムレジストを除去することで、金属箔張積層板２７を得た。
金属箔張積層板２７において、各バイアホール間の最小ピッチは４０μｍであり、バイアホール数の合計は１０,０００,０００穴／ｍ2であった。
【００７５】
〔実施例２〕
図１の（ａ）に示すとおり、銅箔（第１の金属箔１１）と、絶縁性樹脂層１０と、銅箔（第２の金属箔１２）とがこの順で積層された金属箔張積層板２１（三菱ガス化学社製ＨＬ−８３０ ＮＳ（商品名）、絶縁性樹脂層１０の組成：エポキシ樹脂及びチタン酸バリウムを含む、絶縁性樹脂層１０の厚さ：４０μｍ、第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２における銅箔の厚さ：２μｍ）の第１の金属箔１１の面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成製社製、ＲＤ−１２１５（商品名））をラミネートして、図１（ｂ）に示すとおり、第１のレジスト層１３（厚さ：１５μｍ）が形成された金属箔張積層板２２を得た。
【００７６】
その後、ラミネートしたドライフィルムレジストを所定の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、エッチング処理を行い、図１（ｃ）に示すとおり、第１のバイアホール３１（円筒形、内径：３０μｍ、断面積：１．４ｍｍ2、深さ：１７μｍ）が形成された金属箔張積層板２３を得た。
【００７７】
その後、第１のレジスト層１３の表面に感光性ドライフィルムレジスト（ニッコーマテリアル社製、ＡＬＰＨＯ ＮＩＴ２５０（商品名））をラミネートして、図１（ｄ）に示すとおり、第２のレジスト層１４（厚さ：５０μｍ）が形成された金属箔張積層板２４を得た。
【００７８】
その後、ラミネートしたドライフィルムレジストを所定の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、エッチング処理を行い、図２（ｅ２）に示すとおり、第１のバイアホール３１、及び第２のバイアホール３２（円筒形、内径：５０μｍ、深さ：５０μｍ）が形成された金属箔張積層板２５ｂを得た。なお、第１のバイアホール３１の中心位置及び第２のバイアホール３２の中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１の中心位置から第２のバイアホール３２の中心位置までの距離４０は、１５μｍであった。
【００７９】
その後、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２を絶縁性樹脂層１０に投影したときに、第１のバイアホール３１及び第２のバイアホール３２の両方のバイアホールが重複する部位における絶縁性樹脂層１０にサンドブラスト処理を行い、第１のバイアホール３１、第２のバイアホール３２及び第３のバイアホール３３（第３のバイアホール３３は、全て円筒形であり、トップ径は全て１５μｍであった）が形成された金属箔張積層板２６ｂを得た。金属箔張積層板２６ｂの感光性ドライフィルムレジストを除去することで、金属箔張積層板２７を得た。
金属箔張積層板２７において、各バイアホール間の最小ピッチが４０μｍであり、バイアホール数の合計は１０,０００,０００穴／ｍ2であった。
【００８０】
〔比較例１〕
図１の（ａ）に示すとおり、銅箔（第１の金属箔１１）と、絶縁性樹脂層１０と、銅箔（第２の金属箔１２）とがこの順で積層された金属箔張積層板２１（三菱ガス化学社製ＨＬ−８３０ ＮＳ（商品名）、絶縁性樹脂層１０の組成：エポキシ樹脂及びチタン酸バリウムを含む、絶縁性樹脂層１０の厚さ：４０μｍ、第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２における銅箔の厚さ：２μｍ）の第１の金属箔１１の面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成製社製、ＲＤ−１２１５（商品名））をラミネートして、図１（ｂ）に示すとおり、第１のレジスト層１３（厚さ：１５μｍ）が形成された金属箔張積層板２２を得た。
【００８１】
その後、ラミネートしたドライフィルムレジストを所定の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、エッチング処理を行い、図１（ｃ）に示すとおり、第１のバイアホール３１（円筒形、内径：３０μｍ、断面積：１．４ｍｍ2、深さ：１５μｍ）が形成された金属箔張積層板２３を得た。
【００８２】
その後、第１のレジスト層１３を除去し、第１の金属箔１１の表面に感光性ドライフィルムレジスト（ニッコーマテリアル社製、ＡＬＰＨＯ ＮＩＴ２５０（商品名））をラミネートして、レジスト層Ａ（厚さ：５０μｍ）が形成された金属箔張積層板を得た。
【００８３】
その後、ラミネートしたドライフィルムレジストを所定の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、エッチング処理を行い、第１のバイアホール３１、及びレジスト層Ａから第１の金属箔１１の表面に至るバイアホールＡ（円筒形、内径：５０μｍ、深さ：５０μｍ）が形成された金属箔張積層板を得た。なお、第１のバイアホール３１の中心位置及びバイアホールＡの中心位置を絶縁性樹脂層１０に投影した場合、第１のバイアホール３１の中心位置からバイアホールＡの中心位置までの距離４０は、０μｍであった。
【００８４】
その後、サンドブラスト処理を行い、各バイアホール間の最小ピッチが４０μｍであり、バイアホール数の合計が１０,０００,０００穴／ｍ2であるように、バイアホール（バイアホールは全て円筒形であり、トップ径は全て３０μｍであった）を形成し、金属箔張積層板を得た。金属箔張積層板の感光性ドライフィルムレジストの除去を行ったが、基板反りが大きく基板の破損が発生してしまった。
【符号の説明】
【００８５】
１０：絶縁性樹脂層
１１：第１の金属箔
１２：第２の金属箔
１３：第１のレジスト層
１４：第２のレジスト層
２１：金属箔張積層板
２２：第１のレジスト層が形成された金属箔張積層板
２３：第１のバイアホールが形成された金属箔張積層板
２４：第２のレジスト層が形成された金属箔張積層板
２５ａ：第１のバイアホール及び第２のバイアホールが形成された金属箔張積層板
２５ｂ：第１のバイアホール及び第２のバイアホールが形成された金属箔張積層板
２６ａ：第１のバイアホール、第２のバイアホール及び第３のバイアホールが形成された金属箔張積層板
２６ｂ：第１のバイアホール、第２のバイアホール及び第３のバイアホールが形成された金属箔張積層板
２７：第２のバイアホール及び第３のバイアホールが形成された金属箔張積層板
３１：第１のバイアホール
３２：第２のバイアホール
３３：第３のバイアホール
４０：第１のバイアホールの中心位置から第２のバイアホールの中心位置までの距離
【図１】
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【図２】
2020072113.tif 000004