(57)【要約】【課題】剛性、および絶縁性を担保しつつ、高度な開口精度が得られるソルダーレジスト用樹脂組成物を提供する。【解決手段】ソルダーレジスト用樹脂組成物は、エポキシ樹脂と、シアネート樹脂と、感光剤と、を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂と、シアネート樹脂と、感光剤と、を含むソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項２】
前記エポキシ樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、およびフルオレン型エポキシ樹脂の中から選択される一種または二種以上である、請求項１に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項３】
以下条件で測定される膜べり量が、８０％〜１００％である、請求項１または２に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
（膜べり量の測定）
当該ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて不揮発分７０重量％となるようにメチルエチルケトンに溶解してワニスを作製し、当該ワニスをキャリア基材に塗布した後、１００℃、５分の条件で処理し、樹脂層を形成し、キャリア基材付き樹脂層（当該樹脂層の厚みＴ初）を得る。コア基材の両面それぞれに、前記キャリア基材付き樹脂層の当該樹脂層側を対向させ、ラミネートする。つぎに、一方の面側の当該樹脂層に対し、２０００ｍＪの条件で露光し、１２０℃、３０分乾燥し、当該キャリア基材を除去した後、塩基性溶液に浸漬する。その後、当該露光の有無により前記塩基性溶液に対する溶解度が変化した前記樹脂層において、前記塩基性溶液に対する溶解度が低い方の領域の樹脂層の厚みＴａと、当該塩基性溶液による溶解度が高い方の領域の樹脂層の厚みＴｂをそれぞれ測定し、以下の式に当てはめて膜べり量を算出する。
膜べり量（％）＝｛Ｔａ（μｍ）−Ｔｂ（μｍ）｝／Ｔ初（μｍ）×１００
（ただし、Ｔ初は、２５μｍである。）
【請求項４】
前記感光剤が、光により塩基を発生する化合物である、請求項１乃至３いずれか一項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項５】
前記感光剤が、光により酸を発生する化合物である、請求項１乃至３いずれか一項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項６】
充填剤を含む、請求項１乃至５いずれか一項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項７】
着色剤を含む、請求項１乃至６いずれか一項に記載のソルダーレジスト用樹脂組成物。
【請求項８】
表面に回路が形成された基板の表面上に、ソルダーレジスト膜を形成する工程と、
前記ソルダーレジスト膜を露光する工程と、
前記ソルダーレジスト膜の一部を除去し、前記回路の一部を露出させる工程と、
を有する、回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記回路の一部を露出させる前記工程において、前記ソルダーレジスト膜の一部を塩基性溶液で除去する、請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソルダーレジスト用樹脂組成物および回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板には、基板上に形成された導体回路パターン上に電子部品がはんだ付けによって搭載されている。一方で、はんだ付け不要な導体回路は、当該はんだが付着しないよう、ソルダーレジスト膜で被覆されている。また、ソルダーレジスト膜は、導体配線の酸化防止、電気絶縁および外部環境からの保護という役割を果たしている。すなわち、ソルダーレジスト膜は、導体回路パターンを覆うとともに、はんだ付けされる領域は開口している。
【０００３】
また、ソルダーレジスト膜に開口を設けるため、従来、感光性を付与したアルカリ現像型のソルダーレジスト組成物が知られている。しかしながら、従来のアルカリ現像型のソルダーレジスト組成物は、剛性が低いため、特に薄型基板において基板がたわんだり、絶縁信頼性が十分ではないといった問題があった。
そこで、かかる問題を解決するため、例えば、特許文献１に記載のものがある。同文献には、シアネート樹脂による高剛性のソルダーレジストが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−０３４２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、近年、プリント配線基板の薄膜化・高密度化に伴い、ソルダーレジスト膜の開口はより高精度であることが求められている。
そこで、本件発明者は、特許文献１に記載されるようなソルダーレジスト用樹脂組成物において開口精度を高める観点から検討を行ったところ、ソルダーレジスト用樹脂組成物が非感光性である場合に行われるマスクを用いたケミカルエッチングに着目した。かかるケミカルエッチングでは、ソルダーレジスト膜が化学薬液により等方にエッチングされるため、マスクの下部に入り込むようにエッチングが行われ開口が形成される場合があった。そのため、開口安定性、小開口、高精度な開口形状において改善の余地があった。また、ソルダーレジスト膜の開口プロセスが煩雑化するものであった。
【０００６】
そこで、本発明者は、剛性、および絶縁信頼性を担保しつつ、かつ高度な開口精度を得るという新たな課題に着目し、かかる課題を解決する観点からソルダーレジスト膜の材料について鋭意検討を行った結果、シアネート樹脂と、エポキシ樹脂と、感光剤とを組み合わせることが有効であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、エポキシ樹脂と、シアネート樹脂と、感光剤と、を含むソルダーレジスト用樹脂組成物を提供する。
【０００８】
また、本発明は、
表面に回路が形成された基板の表面上に、ソルダーレジスト膜を形成する工程と、
前記ソルダーレジスト膜を露光する工程と、
前記ソルダーレジスト膜の一部を除去し、前記回路の一部を露出させる工程と、
を有する、回路基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、剛性、および絶縁性を担保しつつ、高度な開口精度が得られるソルダーレジスト用樹脂組成物が得られる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、詳細を説明する。
【００１１】
＜ソルダーレジスト用樹脂組成物＞
以下、本実施形態の樹脂層に用いられるソルダーレジスト用樹脂組成物を説明する。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、ワニス状の樹脂組成物である。当該ソルダーレジスト用樹脂組成物をフィルム状とすることにより、本実施形態の樹脂層を得ることができる。かかる樹脂層を硬化させることにより、ソルダーレジストが得られる。
【００１２】
［エポキシ樹脂（Ａ）］
本実施形態に係るエポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；変性ビフェノール型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。
これらの中でも、剛性、および絶縁性を担保する観点からは、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型フェノール樹脂を含むことがより好ましく、開口精度を効果的に向上させる観点から、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂であることがさらに好ましい。
【００１３】
本実施形態においては、以下の式（１）に示すエポキシ樹脂をエポキシ樹脂（Ａ）として含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。
【００１４】
【化１】
2020097697.tif 000002
（式（１）中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルコキシ基である。）
【００１５】
本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえばソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの剛性、および絶縁性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえばソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して４０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以下であることがより好ましく、２０重量％以下であることがさらに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの絶縁性の確保を図ることができる。なお、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体とは、ソルダーレジスト用樹脂組成物中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
【００１６】
［シアネート樹脂（Ｂ）］
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、シアネート樹脂（Ｂ）をさらに含むことができる。これにより、ソルダーレジストについて、低線膨張化や、弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる電子装置の絶縁性の向上に寄与することも可能である。
【００１７】
本実施形態に係るシアネート樹脂（Ｂ）は、分子内にシアネート基（−Ｏ−ＣＮ）を有する樹脂であり、シアネート基を分子内に２個以上を有する樹脂を用いることができる。
シアネート樹脂（Ｂ）としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、ノボラックフェノール型シアネートエステル樹脂、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂等が挙げられる。
また、シアネート樹脂（Ｂ）は、特に限定されるものではないが、例えば、ハロゲン化シアン化合物と、フェノール類またはナフトール類と、を反応させて得ることができる。このようなシアネート樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、クレゾールノボラック型の多価フェノール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類とハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂等が挙げられる。これらは、一種または二種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、開口精度を高めつつ、ソルダーレジストの低線膨張化や、弾性率および剛性を向上させる観点からは、フェノールノボラック型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル樹脂、またはナフトールアラルキル型シアネート樹脂を含むことがより好ましく、フェノールノボラック型シアネート樹脂を含むことがさらに好ましい。
【００１８】
シアネート樹脂（Ｂ）の含有量は、たとえばソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して３重量％以上であることが好ましく、５重量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストのより剛性、および絶縁性の向上に寄与することができる。
一方で、シアネート樹脂（Ｂ）の含有量は、たとえばソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して４０重量％以下であることが好ましく、３０重量％以下であることがより好ましく、２０重量％以下であることがさらに好ましい。シアネート樹脂（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて形成されるソルダーレジストの絶縁性の確保を図ることができる。
【００１９】
［感光剤（Ｃ）］
感光剤（Ｃ）は、光またはその他の放射線の照射によって、分子構造が変化したり、分子が開裂することにより、熱硬化反応の触媒として機能しうるものである。なかでも、剛性および絶縁性を確保しつつ開口精度を向上させる観点から、シアネート樹脂（Ｂ）に対する反応性が得られることが好ましい。放射線としては、例えば紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等が挙げられる。
また、感光剤（Ｃ）としては、光またはその他の放射線の照射によって、酸を発生する光酸発生剤と塩基を発生する光塩基発生剤とが挙げられる。
【００２０】
光酸発生剤としては、例えば、オキシムスルホネート化合物、スルホンイミド化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾメタン化合物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、およびオニウム塩等が挙げられる。中でも、剛性を保持しつつ、開口精度を向上させる観点から、好ましくはスルホン化合物が挙げられる。また、市販品としては、「ＣＰＩ−３１０ＦＧ」（サンアプロ株式会社製）、「ＣＰＩ−３１０Ｂ」（サンアプロ株式会社製）、および「ＣＰＩ−３１０Ａ」（サンアプロ株式会社製）が好適に用いられる。
【００２１】
光塩基発生剤としては、α−アミノアセトフェノン化合物、オキシムエステル化合物や、アシルオキシイミノ基，Ｎ−ホルミル化芳香族アミノ基、Ｎ−アシル化芳香族アミノ基、ニトロベンジルカーバメイト基、アルコオキシベンジルカーバメート基等の置換基を有する化合物等が挙げられる。なかでも、オキシムエステル化合物、α−アミノアセトフェノン化合物が好ましい。α−アミノアセトフェノン化合物としては、特に、２つ以上の窒素原子を有するものが好ましい。
【００２２】
その他の光塩基発生剤として、１−（アントラキノン−２−イル）エチルイミダゾールカルボキシレート（「ＷＰＢＧ−１４０」和光純薬工業株式会社製）、１，５，７−トリアザ−ビシクロ［４．４．０］デス−５−エニウム２−（３−ベンゾイルフェニル）プロパノエート（「ＰＴ−３９３」）、グアニジニウム２−（３−ベンゾイルフェニル）プロピオネート（「ＷＰＢＧ−８２」和光純薬工業株式会社製）、１，２−ジイソプロピル−３−［ビス（ジメチルアミノ）メチレン］グアニジウム、２−（３−ベンゾイルフェニル）プロピオネート（「ＷＰＧ−２６６」和光純薬工業株式会社製）、１，２−ジシクロヘキシル−４，４，５，５−テトラメチルビグアニジウム、ｎ−ブチルトリフェニルボレート（「ＷＰＧ−３００」和光純薬工業株式会社製）が挙げられる。
中でも、剛性を保持しつつ、開口精度を向上させる観点から、１，２−ジイソプロピル−３−［ビス（ジメチルアミノ）メチレン］グアニジウム、２−（３−ベンゾイルフェニル）プロピオネート（「ＷＰＧ−２６６」和光純薬工業株式会社製）、１，２−ジシクロヘキシル−４，４，５，５−テトラメチルビグアニジウム、ｎ−ブチルトリフェニルボレート（「ＷＰＧ−３００」和光純薬工業株式会社製）が好ましい。
【００２３】
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、さらに以下の成分を含んでもよい。これにより、高度な開口精度を安定的に得つつ、剛性を向上できる。
【００２４】
［充填剤（Ｄ）］
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、充填剤（Ｄ）をさらに含んでもよい。
充填剤（Ｄ）としては、無機充填剤を用いることができる。上記無機充填剤としては、特に限定されないが、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましい。
【００２５】
上記のシリカとしては、球状シリカ、および破砕シリカのうちの少なくとも一方を含んでもよい。ソルダーレジストの剛性を向上させつつ、開口精度を高める観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、シリカは、たとえば、溶融球状シリカでもよい。
【００２６】
充填剤（Ｄ）の平均粒径Ｄ５０の下限値は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。充填剤（Ｄ）の平均粒径Ｄ５０の上限値は、特に限定されないが、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．２μｍ以下がさらに好ましい。これにより、開口精度を高めつつ、流動性と機械的強度のバランスを向上させることができる。
【００２７】
上記シリカとして、平均粒径Ｄ５０は特に限定されないが、例えば、平均粒径Ｄ５０が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカを用いてもよい。これにより、ソルダーレジストの剛性をより効果的に向上させることができる。本実施形態においては、平均粒径Ｄ５０が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカと、平均粒径Ｄ５０が１００ｎｍ超過のシリカと、をともにソルダーレジスト用樹脂組成物中に含むことが、剛性を向上させるうえで好ましい態様の一例として挙げられる。
【００２８】
充填剤（Ｄ）の平均粒径Ｄ５０は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。また、充填剤（Ｄ）は１種または２種以上を含んでもよい。
【００２９】
また、ソルダーレジスト用樹脂組成物の調製に際しては、シリカスラリーとしては、たとえばシリカ濃度が１０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料を使用することがより好ましい。回路基板の機械的強度を向上させる観点からは、たとえばシリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料を使用することが特に好ましい。また、回路基板のたわみの抑制や、電子装置の絶縁信頼性を向上させる観点からは、たとえばシリカ濃度が５０重量％以上９０重量％以下であるシリカ原料と、シリカ濃度が１０重量％以上５０重量％以下であるシリカ原料と、を併用することが特に好ましい。
【００３０】
充填剤（Ｄ）の含有量は、たとえばソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して４０重量％以上であることが好ましく、５５重量％以上であることがより好ましい。充填剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストの絶縁性を効果的に向上させることができる。また、ソルダーレジストを低線膨張化および高弾性率化させ、回路基板のたわみや、その回路基板により得られる半導体パッケージの反り低減に寄与することも可能である。
一方で、充填剤（Ｄ）の含有量は、たとえばソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましい。充填剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジストの埋め込み性を確保することが可能となる。
【００３１】
［着色剤（Ｅ）］
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、着色剤（Ｅ）をさらに含むことができる。着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含む。これらの中でも、開口部の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことができるが、緑色染料を含めてもよい。当該緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。
【００３２】
上記黒色染料は、例えば、アゾ系等の金属錯塩黒色染料、または、アントラキノン系化合物等の有機黒色染料等が挙げられる。当該黒色染料としては、特に限定されないが、例えば、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｂｌａｃｋ  Ａ−Ｎ（日本化薬社製）、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｂｌａｃｋ  Ｇ（日本化薬社製）等が挙げられる。本実施形態において、黒色染料は１種または２種以上用いてもよい。
【００３３】
上記黒色染料の含有量の下限値は、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して、０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．０７重量％以上であることが特に好ましい。これにより、ソルダーレジストのＹＡＧレーザー等のレーザーの捺印性を向上させることができる。
上記黒色染料の含有量の上限値は、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して、３．０重量％以下であることが好ましく、２.５重量％以下であることがより好ましく、２．０重量％以下であることがさらに好ましい。これにより、黒色以外に着色したソルダーレジストを実現させることが可能になる。
【００３４】
着色剤（Ｅ）の含有量の合計量は、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して０．０５重量％以上であることが好ましく、０．１重量％以上であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて得られるソルダーレジストの開口部の視認性や隠蔽性をより効果的に向上させることができる。
一方で、着色剤（Ｅ）の含有量の合計量は、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して３．０重量％以下であることが好ましく、２.５重量％以下であることがより好ましく、２．０重量％以下であることがさらに好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト用樹脂組成物の硬化性等をより効果的に向上させることが可能となる。
【００３５】
［その他の成分］
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物には、上記各成分以外に、必要に応じて、他の熱硬化性樹脂、光重合開始剤、カップリング剤、レベリング剤、硬化剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
【００３６】
他の熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、およびメタクリロイル基を有する樹脂等が挙げられる。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３７】
上記光重合開始剤としては、例えば、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）−２，５−ジメチルフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）−４−プロピルフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジクロロベンゾイル）−１−ナフチルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，５−ジメチルフェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９）等のビスアシルフォスフィンオキサイド類；２，６−ジメトキシベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、２，６−ジクロロベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィン酸メチルエステル、２−メチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ピバロイルフェニルフォスフィン酸イソプロピルエステル、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド（ＢＡＳＦジャパン社製ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＴＰＯ）等のモノアシルフォスフィンオキサイド類；１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等のヒドロキシアセトフェノン類；ベンゾイン、ベンジル、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインｎ−プロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインｎ−ブチルエーテル等のベンゾイン類；ベンゾインアルキルエーテル類；ベンゾフェノン、ｐ−メチルベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、メチルベンゾフェノン、４，４'−ジクロロベンゾフェノン、４，４'−ビスジエチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン類；アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル）−１−［４−（４−モルホリニル）フェニル］−１−ブタノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアセトフェノン等のアセトフェノン類；チオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類；アントラキ��ン、クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−アミルアントラキノン、２−アミノアントラキノン等のアントラキノン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類；エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−（ジメチルアミノ）エチルベンゾエート、ｐ−ジメチル安息香酸エチルエステル等の安息香酸エステル類；１，２−オクタンジオン、１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル類；ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）フェニル）チタニウム、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス［２，６−ジフルオロ−３−（２−（１−ピル−１−イル）エチル）フェニル］チタニウム等のチタノセン類；フェニルジスルフィド２−ニトロフルオレン、ブチロイン、アニソインエチルエーテル、アゾビスイソブチロニトリル、およびテトラメチルチウラムジスルフィド等が挙げられる。
【００３８】
上記カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。上記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、例えば、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して、０．０５重量％以上５重量％以下としてもよく、さらに０．２重量％以上３重量％以下としてもよい。
【００３９】
上記硬化剤としては、たとえばノボラック型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、アリールアルキレン型ノボラック樹脂等のフェノール樹脂等が挙げられる。上記硬化剤の含有量は、特に限定されないが、例えば、ソルダーレジスト用樹脂組成物の全体に対して、０．０５重量％以上１０重量％以下としてもよく、さらに０．２重量％以上５重量％以下としてもよい。上記感光剤としては、たとえば感光性ジアゾキノン化合物が挙げられる。
【００４０】
なお、本実施形態に係るソルダーレジスト用樹脂組成物は、たとえばガラス繊維基材等の繊維基材や紙基材を含まないものとすることができる。これにより、ソルダーレジストを形成するために特に適したソルダーレジスト用樹脂組成物を実現することができる。
【００４１】
次に、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物の特性について説明する。
本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物は、以下条件で測定される膜べり量が、８０％〜１００％である。これにより、より安定的に開口精度を向上できるようになる。
（膜べり量の測定）
当該ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて不揮発分７０重量％となるようにメチルエチルケトンに溶解してワニスを作製し、当該ワニスをキャリア基材に塗布した後、１００℃、５分の条件で処理し、樹脂層を形成し、キャリア基材付き樹脂層（当該樹脂層の厚みＴ初）を得る。コア基材の両面それぞれに、前記キャリア基材付き樹脂層の当該樹脂層側を対向させ、ラミネートする。つぎに、一方の面側の当該樹脂層に対し、２０００ｍＪの条件で露光し、１２０℃、３０分乾燥し、当該キャリア基材を除去した後、塩基性溶液に浸漬する。その後、当該露光の有無により前記塩基性溶液に対する溶解度が変化した前記樹脂層において、前記塩基性溶液に対する溶解度が低い方の領域の樹脂層の厚みＴａと、当該塩基性溶液による溶解度が高い方の領域の樹脂層の厚みＴｂをそれぞれ測定し、以下の式に当てはめて膜べり量を算出する。
膜べり量（％）＝｛Ｔａ（μｍ）−Ｔｂ（μｍ）｝／Ｔ初（μｍ）×１００
（ただし、Ｔ初は、２５μｍである。）
【００４２】
本発明において、かかる膜べり量は、高水準の開口精度を得るための指標であり、本発明者が考案したものである。膜べり量は、ソルダーレジスト用樹脂組成物の樹脂の選択、および樹脂と感光剤との組み合わせ等により調整することができる。また、本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物においては、露光により塩基性溶液に対して不溶化されるネガ型と、露光により塩基性溶液に対して可溶化されるポジ型のいずれであってもよい。
なお、膜厚は、研磨により断面出しを行った上でデジタルマイクロスコープ、例えばＤＳＸ−５００（オリンパス製）で測定することができる。
【００４３】
＜樹脂シート＞
本実施形態に係る樹脂シートは、キャリア基材と、キャリア基材上に形成された樹脂層とを備えることができる。本実施形態の樹脂層は、Ｂステージ状態であり、上記のソルダーレジスト用樹脂組成物の乾燥フィルム、すなわちソルダーレジスト膜で構成される。本実施形態における樹脂シートは、シート形状（枚葉形状）でもよく、巻き取り可能なロール形状でもよい。
【００４４】
本実施形態において、ソルダーレジスト用樹脂組成物をキャリア基材上に形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、ソルダーレジスト用樹脂組成物を溶剤等に溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法、スプレー装置を用いて樹脂ワニスをキャリア基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、等が挙げられる。これらの中でも、コンマコーター、ダイコーター等の各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、溶剤を除去し、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。
【００４５】
本実施形態の樹脂ワニスは、溶剤を含むソルダーレジスト樹脂組成物である。
上記樹脂ワニスにおいて、ソルダーレジスト用樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば３０重量％以上８０重量％以下であることが好ましく、４０重量％以上７０重量％以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れたソルダーレジスト用樹脂組成物が得られる。なお、ワニス状のソルダーレジスト用樹脂組成物は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式等の各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。
【００４６】
［溶剤］
本実施形態の溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。
【００４７】
以上のようにして、Ｂステージ状態（半硬化状態）の樹脂層をキャリア基材上に形成した樹脂シートを得ることができる。
【００４８】
本実施形態において、樹脂層の半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、未硬化の樹脂層と硬化後の樹脂層とをＤＳＣ（示差走査熱量計）で測定し、ＤＳＣの測定結果から算出される反応率が、０％を超え６０％以下であり、好ましくは０．５％以上５５％以下であり、さらに好ましくは１％以上５０％以下の状態であることを意味する。これにより、樹脂層のハンドリング性を向上させることができる。
【００４９】
また、Ｂステージ状態における樹脂層の溶剤含有率は、ソルダーレジスト用樹脂組成物全体に対して５重量％以下と定義することができる。上述の溶剤含有量の範囲内とするために、ソルダーレジスト樹脂組成物に対して、たとえば１００℃〜１５０℃、１分〜５分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。これにより、熱硬化性樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
【００５０】
一方、本実施形態の樹脂層の硬化物の硬化状態（Ｃステージ状態）とは、上記のように、ＤＳＣの測定結果から算出される反応率が、６０％より大きく、より好ましくは８５％以上であり、さらに好ましくは９５％以上の状態であることを意味する。これにより、樹脂層の硬化物の剛性を向上させることができる。
【００５１】
本実施形態において、上記の樹脂層を熱処理により硬化することができる。本実施形態の硬化温度の下限値としては、特に限定されないが、例えば、１６０℃以上が好ましく、１８０℃以上がより好ましく、２００℃以上がさらに好ましい。上記硬化温度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、２６０℃以下とすることができ、２４０℃以下でもよく、２２０℃以下でもよい。本実施形態のソルダーレジスト用樹脂組成物を利用することにより、高温の硬化温度条件下においても、耐熱性に優れているため、製造安定性に優れたソルダーレジストを得ることができる。
【００５２】
また本実施形態において、キャリア基材としては、例えば、高分子フィルムや金属箔等を用いることができる。上記の高分子フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンシート等の離型紙、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性を有した熱可塑性樹脂シート等が挙げられる。上記の金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅および＼または銅系合金、アルミおよび＼またはアルミ系合金、鉄および＼または鉄系合金、銀および＼または銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金等が挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートで構成されるシートが安価および剥離強度の調節が簡便なため最も好ましい。これにより、上記樹脂シートから、キャリア基材を適度な強度で剥離することが容易となる。
【００５３】
上記キャリア基材の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上１００μｍ以下としてもよく、１０μｍ以上７０μｍ以下としてもよい。これにより、樹脂シートを製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。
【００５４】
本実施形態の樹脂層は、単層でも多層でもよく、１種または２種以上の上記フィルムを含むことができる。当該樹脂シートが多層の場合、同種で構成されてもよく、異種で構成されてもよい。
【００５５】
本実施形態において、２層以上の樹脂層を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、ソルダーレジスト用樹脂組成物をキャリア基材に塗布して得られた、第１樹脂層と第２樹脂層とを貼り合わせ、その後乾燥させることにより、２層の樹脂層が得られる。そのほかにも、ソルダーレジスト用樹脂組成物をキャリア基材に塗布し、乾燥させることで、第１樹脂層を得る。この後、第１樹脂層上に、ソルダーレジスト用樹脂組成物を塗布、乾燥させることで、第２樹脂層を第１樹脂層上に形成する方法が挙げられる。また、２層同時にキャリア基材上に塗布、乾燥させることで、２層の樹脂層を得る方法も使用できる。
【００５６】
＜回路基板の製造方法＞
本実施形態の回路基板の製造方法は、以下の工程を含む。
表面に回路が形成された基板の表面上に、ソルダーレジスト膜を形成する工程と、
フォトマスクを介して、前記ソルダーレジスト膜を露光する工程と、
前記ソルダーレジスト膜の一部を除去し、前記回路の一部を露出させる工程。
以下、各工程について詳述する。
【００５７】
表面に回路が形成された基板の表面上に、ソルダーレジスト膜を形成する工程としては、上記で説明した、キャリア基材にソルダーレジスト用樹脂組成物を溶剤等に溶解・分散させて樹脂ワニスを塗工後乾燥し得られたキャリア基材付き樹脂シートの樹脂層側を、基板の回路が形成された側表面にラミネートする方法が挙げられる。
または、スクリーン印刷法またはステンシル印刷法等により、樹脂ワニスを回路が形成された基板の表面上に直接印刷し、乾燥することにより、ソルダーレジスト膜を形成することもできる。その他、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスを回路が形成された基板の表面上に塗工した後、乾燥する方法などでもよい。
ソルダーレジスト膜の平坦性の観点から、ラミネートによりソルダーレジスト膜を形成することが好ましい。
【００５８】
つぎに、フォトマスクを介して、形成したソルダーレジスト膜を露光する。フォトマスクは公知のものを用いることができる。また、露光条件も特に限定されない。露光後に乾燥工程を追加してもよい。
【００５９】
つづけて、現像液を用い、露光によって生じる現像液に対する溶解度の差を利用して、ソルダーレジスト膜の一部を除去し、回路の一部を露出させる。現像液としては、例えば、塩基性溶液で除去することが好ましい。塩基性溶液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、およびアンモニア水等の無機アルカリ類；エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、２−アミノエタノール、およびトリエタノールアミン等の有機アミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の４級アンモニウム塩類等の水溶液；および必要に応じてメタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤または界面活性剤を適当量添加した水溶液を使用することができる。これらは、１種単独で用いられてもよいし、２種以上を混合して用いられてもよい。
なかでも、無機アルカリ類、有機アミン類、および４級アンモニウム塩類が好ましく、混合物であることがより好ましい。例えば、水酸化カリウム、および２−アミノエタノールの混合物であることが好適に挙げられる。
【００６０】
本実施形態の回路形成方法によれば、ソルダーレジスト膜の露光部と未露光部とのエッチングレート差が明確であるため、高精度で開口を行うことができる。また、簡便な方法で、ソルダーレジスト膜を開口することができ、製造効率を向上できる。
【００６１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【実施例】
【００６２】
次に、実施例により本発明を詳しく説明するが、本発明の内容は実施例に限られるものではない。
【００６３】
（実施例、および比較例）
［ソルダーレジスト用樹脂組成物の調製］
以下の材料を用いて、表１に示す組成となるようにソルダーレジスト用樹脂組成物を調製した。なお、表１における各成分の配合割合を示す数値は、ソルダーレジスト用樹脂組成物の固形分全体に対する各成分の配合割合（重量％）を示している。
【００６４】
＜材料＞
・エポキシ樹脂（Ａ）
エポキシ樹脂１：ナフタレン変性クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製社製「ＨＰ−５０００」）
エポキシ樹脂２：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ−３０００Ｈ」）
エポキシ樹脂３：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル社製「ＪＥＲ８２８ＥＬ」）
・ソルダーレジスト用樹脂：感光性ソルダーレジスト（太陽インキ社製「ＡＵＳ−４１０」）
・シアネート樹脂（Ｂ）
シアネート樹脂１：ノボラックフェノール型シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン社製「ＰＴ−３０」）
シアネート樹脂２：ノボラックフェノール型シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン社製「ＰＴ−６０」）
・感光剤（Ｃ）
感光剤１：和光純薬工業社製「ＷＰＢＧ−３００」
感光剤２：サンアプロ社製「ＣＰＩ−３００ＦＧ」
・充填剤（Ｄ）
充填剤１：球状シリカ（アドマテックス社製、ＳＣ４０５０、平均粒径Ｄ５０：１μｍ）
充填剤２：球状シリカ（アドマテックス社製、アドマナノ５０ｎｍ）
・着色剤（Ｅ）
着色剤１：緑色染料（日本化薬社製、Ｋａｙａｓｅｔ  Ｇｒｅｅｎ  Ａ−Ｂ）
・その他の成分
カップリング剤１：エポキシシラン（ＧＥ東芝シリコーン社製、Ａ−１８７）
レベリング剤１：レベリング剤（ビックケミージャパン社製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）
【００６５】
［ソルダーレジスト用樹脂組成物のワニスの調製］
得られたソルダーレジスト用樹脂組成物をメチルエチルケトンに溶解、分散させ、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌して、不揮発分７０重量％となるように調整し、ソルダーレジスト用樹脂組成物のワニス１（樹脂ワニス１）を調製した
【００６６】
得られた各ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて、以下の測定・評価を行った。結果を、表１に示す。
＜測定＞
・膜べり量：各ソルダーレジスト用樹脂組成物を用いて不揮発分７０重量％となるようにメチルエチルケトンに溶解してワニスを作製し、当該ワニスをキャリア基材に塗布した後、１００℃、５分の条件で処理し、樹脂層を形成し、キャリア基材付き樹脂層（当該樹脂層の厚みＴ初）を得た。コア基材の両面それぞれに、前記キャリア基材付き樹脂層の当該樹脂層側を対向させ、ラミネートした。つぎに、一方の面側の当該樹脂層に対し、２０００ｍＪの条件で露光し、１２０℃、３０分乾燥し、当該キャリア基材を除去した後、塩基性溶液に浸漬した。その後、当該樹脂層における露光部の厚みＴａと未露光部の厚みＴｂを測定し、以下の式に当てはめて膜べり量を算出した。
膜べり量（％）＝｛Ｔａ（μｍ）−Ｔｂ（μｍ）｝／Ｔ初（μｍ）×１００
（ただし、Ｔ初は、２５μｍである。）
なお、露光は、大日本スクリーン社製「ＬＩ−９０００」を用い、塩基性溶液として、三菱製紙ＩＥ−３００を用い、６０秒現像した。
【００６７】
＜評価＞
・開口精度（ケミカルエッチングレート差）：得られた各ワニスをキャリア基材であるＰＥＴフィルム上にコンマコーターを用いて塗工した後、１４０℃、２分の条件で溶剤を除去して、所定の樹脂厚みを有する樹脂層（キャリア基材付き樹脂層）を形成した。その後、当該キャリア基材付き樹脂膜の樹脂膜側が基板側となるようにして、基板上にラミネート（真空ラミネーター、名機製作所、１００ｄｅｇＣ／真空引き３０ｓｅｃ／プレス３０ｓｅｃ／圧力０．８ＭＰａ）した。
得られた基板上の樹脂膜に、２００μｍの円形パターンの露光（２０００ｍＪ、大日本スクリーン、ＬＩ−９０００）を行ったあとＰＥＴフィルムを除去し、ＰＥＢを１２０ｄｅｇＣ／３０ｍｉｎで行った。その後、三菱製紙ＩＥ−３００を用い現像した後、開口径を測定した。なお、比較例１のソルダーレジスト用樹脂組成物を用いたワニスから形成された樹脂膜付き回路基板に関しては、樹脂膜側に２００μｍの円形パターンの露光（２５０ｍＪ、大日本スクリーン、ＬＩ−９０００）を行ったあとＰＥＴフィルムを除去し、その後、炭酸ナトリウム溶液を用いて現像した後、開口径を測定した。
評価基準は、開口径と露光径（データ＝２００μｍ）との差とし、以下の基準に従い評価した。
［評価基準］
◎：３０μｍ以下
○：３０μｍより大きく６０μｍ以下
×：６０μｍより大きい
【００６８】
・絶縁信頼性−１：上記で得られたワニスをキャリア基材であるＰＥＴフィルム上にコンマコーターを用いて塗工した後、１４０℃、２分の条件で溶剤を除去して、所定の樹脂厚みを有する樹脂層（キャリア基材付き樹脂層）を形成した。
一方で、Ｌ／Ｓ＝２０／２０μｍパターンを有する回路基板を準備した。
回路表面に、当該キャリア基材付き樹脂膜の樹脂膜側が回路側となるようにして、上記キャリア基材付き樹脂層をラミネート（真空ラミネーター、名機製作所、１００ｄｅｇＣ／真空引き３０ｓｅｃ／プレス３０ｓｅｃ／圧力０．８ＭＰａ）した。
得られた回路基板上の樹脂膜に露光（２０００ｍＪ、大日本スクリーン、ＬＩ−９０００）を行ったあとＰＥＴフィルムを除去し、ＰＥＢを１２０ｄｅｇＣ／３０ｍｉｎで行い、さらに、硬化（２２０ｄｅｇＣ／６０ｍｉｎ）させた。なお、比較例１のソルダーレジスト用樹脂組成物を用いたワニスから形成された樹脂膜付き回路基板に関しては、樹脂膜側に露光（２５０ｍＪ、大日本スクリーン、ＬＩ−９０００）を行ったあとＰＥＴフィルムを除去し、さらに、１０００ｍJの露光を行った後、硬化（１５０ｄｅｇＣ／６０ｍｉｎ）させた。
得られた硬化樹脂膜付き回路基板に対し、１３０℃、８５％ＲＨの条件で５Ｖの電圧をかけ、以下の評価基準に従い、評価した。
［○×の評価基準］
〇：５００時間以上たっても、抵抗値は１０＾５Ω以上であった。
×：５００時間未満で、抵抗値は１０＾５Ω以下となった。
【００６９】
・絶縁信頼性−２：得られた硬化樹脂膜付き回路基板に対し、１３０℃、９８％ＲＨの条件で５Ｖの電圧をかけ、以下の評価基準に従い、評価した以外は、上記「絶縁信頼性−１」と同様にして測定を行った。
［○×の評価基準］
〇：２００時間以上たっても、抵抗値は１０＾５Ω以上であった。
×：２００時間未満で、抵抗値は１０＾５Ω以下となった。
【００７０】
・基板のたわみ；上記で得られたワニスをキャリア基材であるＰＥＴフィルム上にコンマコーターを用いて塗工した後、１４０℃、２分の条件で溶剤を除去して、所定の樹脂厚みを有する樹脂層（キャリア基材付き樹脂層）を形成した。
一方で、コア層が６０μｍの回路基板を準備した。
回路表面に、当該キャリア基材付き樹脂膜の樹脂膜側が回路側となるようにして、上記キャリア基材付き樹脂層をラミネート（真空ラミネーター、名機製作所、１００ｄｅｇＣ／真空引き３０ｓｅｃ／プレス３０ｓｅｃ／圧力０．８ＭＰａ）した。
得られた回路基板上の樹脂膜に露光（２０００ｍＪ、大日本スクリーン、ＬＩ−９０００）を行ったあとＰＥＴフィルムを除去し、ＰＥＢを１２０ｄｅｇＣ／３０ｍｉｎで行い、さらに、硬化（２２０ｄｅｇＣ／６０ｍｉｎ）させた。なお、比較例１のソルダーレジスト用樹脂組成物を用いたワニスから形成された樹脂膜付き回路基板に関しては、樹脂膜側に露光（２５０ｍＪ、大日本スクリーン、ＬＩ−９０００）を行ったあとＰＥＴフィルムを除去し、さらに１０００ｍJの露光を行った後、硬化（１５０ｄｅｇＣ／６０ｍｉｎ）させた。
得られた硬化樹脂膜付き回路基板にチップ（厚み１００μｍ）を搭載し、チップ搭載基板を得た。当該チップ搭載基板を基板用マガジンラック（内壁に突起を有し、突起により基板周囲を水平方向に支え、基板を多段に収納できるもの）内に挿入し、その後、水平方向から観察した。
［○×の評価基準］
○：基板のたわみが見られない。
×：基板が自重により下方にたわんでいた。
【００７１】
【表１】
2020097697.tif 000003