(57)【要約】【課題】処理容器内の部材に付着した金属または金属含有物を効率的に除去することができる技術を提供する。【解決手段】処理容器内で用いられ、金属または金属含有物が付着した部材を帯電させる工程と、帯電した前記部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去する工程と、を有する洗浄方法が提供される。【選択図】図５
2020072190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内で用いられ、金属または金属含有物が付着した部材を帯電させる工程と、
帯電した前記部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去する工程と、
を有する洗浄方法。
【請求項２】
前記部材を帯電させる工程は、
前記部材を負に帯電させる、
請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
プラズマを用いて前記部材を負に帯電させる、
請求項２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
電子発生器又はイオナイザーを用いて前記部材を負に帯電させる、
請求項２に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記部材の表面に付着した金属を洗浄する工程は、
前記部材の表面の銅を含む物質を除去する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄薬液は、ＳＣ２洗浄である、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記部材は、
プラズマ処理装置の処理容器内の部材である、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記部材は、
エッジリング、下部電極、上部電極、デポシールド、バッフル板、カバーリング、インシュレータリング、トップシールドリングのいずれかである、
請求項７に記載の洗浄方法。
【請求項９】
処理容器内で用いられ、金属または金属含有物が付着した部材を帯電させる帯電ユニットと、
帯電した前記部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去する洗浄ユニットと、
前記帯電ユニットを制御して前記処理容器内の部材を帯電させ、前記洗浄ユニットを制御して帯電した前記部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去するように制御する制御ユニットと、
を有する洗浄システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、洗浄方法及び洗浄システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、熱酸化やChemical Vapor Deposition（ＣＶＤ）等の処理により、ウエハに薄膜を形成することが行われている。例えば、特許文献１は、アルミニウム汚染のような金属汚染を抑制することができる薄膜形成装置の洗浄方法を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理容器内の部材に付着した金属または金属含有物を効率的に除去することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、処理容器内で用いられ、金属または金属含有物が付着した部材を帯電させる工程と、帯電した前記部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去する工程と、を有する洗浄方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、処理容器内の部材に付着した金属または金属含有物を効率的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す縦断面図。
【図２】一実施形態に係る洗浄システムの一例を示す図。
【図３】一実施形態に係る帯電ユニットの一例を示す縦断面図。
【図４】一実施形態に係る洗浄対象部材を帯電させる工程の効果を説明するための図。
【図５】一実施形態に係る洗浄方法の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【０００９】
［プラズマ処理装置］
はじめに、一実施形態に係る洗浄システムにて洗浄する対象となる部材の一例について、プラズマ処理装置１のチャンバ（以下、処理容器ともいう）内の部材を例に挙げて説明する。図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１の一例を示す縦断面図である。
【００１０】
本実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、容量結合型の平行平板プラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１では、チャンバ１１内にてガスをプラズマ化し、そのプラズマを用いて載置台２０に載置されたウェハＷを処理する。プラズマ処理装置１は処理装置の一例であり、プラズマ処理装置１のチャンバ１１内の洗浄対象となる部材は、処理容器内で用いられ、金属または金属含有物が付着した部材の一例である。
【００１１】
プラズマ処理装置１は、略円筒形のチャンバ１１を有している。チャンバ１１の内面には、アルマイト処理（陽極酸化処理）が施されている。チャンバ１１内にはプラズマによりエッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理がウェハＷに施される処理室Ｕが画定される。
【００１２】
載置台２０は、基台１８と静電チャック２１とを有し、基板の一例である半導体ウェハ（以下、「ウェハＷ」と表記する。）を載置する。載置台２０は下部電極としても機能する。
【００１３】
基台１８はアルミニウム等から形成され、基台１８の上に静電チャック２１が設けられている。静電チャック２１は、絶縁体２１ｂの間にチャック電極２１ａを挟み込んだ構造になっている。チャック電極２１ａにはスイッチ２３を介して直流電源２２が接続され、スイッチ２３がオンのとき、直流電源２２からチャック電極２１ａに直流電圧が印加される。これにより、クーロン力によってウェハＷが静電チャック２１に吸着される。
【００１４】
ウェハＷの周囲であって静電チャック２１の外周の載置面には、円環状のエッジリング８７が載置される。エッジリング８７は、例えばシリコンから形成されている。エッジリング８７は、フォーカスリングとも呼ばれ、処理室Ｕ内のプラズマをウェハＷの表面に向けて収束し、プラズマ処理の効率を向上させるように機能する。
【００１５】
載置台２０は、支持体１４によりチャンバ１１の底部に保持される。基台１８の内部には、冷媒流路２４が形成されている。チラーユニットから出力された例えば冷却水やブライン等の冷却媒体は、冷媒入口配管２６ａ、冷媒流路２４、冷媒出口配管２６ｂと流れ、チラーユニットに戻り、所定の温度に制御されて前記経路を循環する。これにより、載置台２０は抜熱され、冷却される。
【００１６】
伝熱ガス供給源から供給されるヘリウムガス（Ｈｅ）等の伝熱ガスは、ガス供給ライン２８を通り静電チャック２１の載置面とウェハＷの裏面との間に供給される。冷媒流路２４に循環させる冷却媒体と、ウェハＷの裏面に供給する伝熱ガスとによりウェハＷが所定の温度に制御される。
【００１７】
第１高周波電源３２は、第１整合器３３を介して載置台２０に電気的に接続され、第１周波数のプラズマ生成用の高周波電力ＨＦ（例えば、４０ＭＨｚ）を載置台２０に印加する。また、第２高周波電源３４は、第２整合器３５を介して載置台２０に電気的に接続され、第１の周波数よりも低い第２周波数の、バイアス電圧発生用の高周波電力ＬＦ（例えば、１３．５６ＭＨｚ）を載置台２０に印加する。
【００１８】
第１整合器３３は、第１高周波電源３２の内部インピーダンスにプラズマ側の負荷インピーダンスを整合させる。第２整合器３５は、第２高周波電源３４の内部インピーダンスにプラズマ側の負荷インピーダンスを整合させる。
【００１９】
ガスシャワーヘッド２５は、その外縁に設けられた円筒状のシールドリング４０を介してチャンバ１１の天井部の開口を閉塞するように取り付けられている。ガスシャワーヘッド２５は、載置台２０（下部電極）に対向する対向電極（上部電極）としても機能する。ガスシャワーヘッド２５の周辺部には、シールドリング４０の下面にて、石英（ＳｉＯ２）から形成されたトップシールドリング４１が配置されている。
【００２０】
ガスシャワーヘッド２５には、ガスを導入するガス導入口４５が形成されている。ガスシャワーヘッド２５の内部には拡散室４６が設けられている。ガス供給源１５から出力されたガスは、ガス導入口４５を介して拡散室４６に供給され、拡散室４６にて拡散されて複数のガス供給孔４７からチャンバ１１内の処理室Ｕに導入される。
【００２１】
チャンバ１１の底面には排気口５５が形成されており、排気口５５に接続された排気装置５０によってチャンバ１１内が排気される。これにより、チャンバ１１内を所定の真空度に維持することができる。チャンバ１１の側壁にはゲートバルブＧが設けられ、ゲートバルブＧの開閉により、ウェハＷが搬送口からチャンバ１１内又はチャンバ１１外へ搬送される。
【００２２】
載置台２０の外周側面を覆うようにインシュレータリング８６が配置されている。インシュレータリング８６は、円筒状であり、石英から形成されている。また、エッジリング８７の外周側面を覆うように石英のカバーリング８９が配置されている。
【００２３】
チャンバ１１の側部には、内壁面に沿ってデポシールド８２が設けられている。また、載置台２０及び支持体１４の外周側面に沿ってデポシールド８３が設けられている。デポシールド８２、８３は、チャンバ１１にて実行されたエッチング処理等により生じた副生成物（デポ）がチャンバ１１の内壁に付着することを防止する。
【００２４】
デポシールド８２、８３の間の平面視において環状の排気路には、環状のバッフル板８１が設けられている。バッフル板８１は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３といったセラミックスを被覆することにより構成され得る。バッフル板８１の下方の排気路４９には排気口５５が設けられている。
【００２５】
プラズマ処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部１００が設けられている。制御部１００は、ＣＰＵ１０５、ＲＯＭ１１０及びＲＡＭ１１５を有している。ＣＰＵ１０５は、ＲＡＭ１１５等の記憶領域に格納されたレシピに従って、エッチング等の所望のプラズマ処理を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、チャンバ内温度、冷却媒体の温度などが設定されている。
【００２６】
プラズマ処理が実行される際には、ゲートバルブＧの開閉が制御され、ウェハＷがチャンバ１１に搬入され、載置台２０に載置される。直流電源２２からチャック電極２１ａに直流電圧が印加されると、ウェハＷが静電チャック２１に吸着され、保持される。
【００２７】
処理ガスは、ガス供給源１５からチャンバ１１内に供給される。高周波電力ＨＦは、第１高周波電源３２から載置台２０に印加され、高周波電力ＬＦは、第２高周波電源３４から載置台２０に印加される。これにより、処理室Ｕにプラズマが生成され、プラズマの作用によりウェハＷにプラズマ処理が施される。
【００２８】
かかる構成のプラズマ処理装置１では、エッチング処理や成膜処理等のプラズマ処理時に発生するパーティクル（微粒子）や金属や有機物の反応生成物がチャンバ内の部材に付着する。このため、チャンバ１１内の部材には定期的なウェット洗浄が必要である。チャンバ１１内の部材の一例としては、エッジリング８７、下部電極（載置台２０）、上部電極（ガスシャワーヘッド２５）、バッフル板８１、デポシールド８２、８３、インシュレータリング８６、カバーリング８９、トップシールドリング４１が挙げられる。ただし、以下に説明する一実施形態に係る洗浄システム１０で洗浄する対象の部品は、以上の部材に限られず、チャンバ１１内の他の部材であってもよい。また、プラズマ処理装置１以外の処理装置内の部材であって金属を含む物質が付着しているものであれば、いずれであってもよい。
【００２９】
［洗浄システム］
以下では、チャンバ１１内の部材をウェット洗浄する洗浄システム１０を例に挙げて、図２を参照しながら説明する。図２は、一実施形態にかかる洗浄システム１０の一例を示す平面図である。洗浄システム１０は、水洗ユニット２、帯電ユニット３、洗浄ユニット４、リンスユニット５、純粋洗浄ユニット６、乾燥ユニット７、処理液貯蔵ユニット８及び電源／制御ユニット９を有する。
【００３０】
水洗ユニット２は、プラズマ処理装置１から取り外したチャンバ１１内の部材（以下、「洗浄対象部材」ともいう。）を純水を用いて洗浄する。これにより、洗浄対象部材を洗浄ユニット４に投入する前に、洗浄対象部材に付着した付着物を洗い流す。
【００３１】
帯電ユニット３は、洗浄対象部材を帯電させる。帯電ユニット３は、たとえば洗浄対象部材を負に帯電させる。帯電ユニット３は、電子発生器又はイオナイザーを用いて洗浄対象部材を帯電させてもよい。図３に一例を示す誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）装置等のプラズマ処理装置を用いて洗浄対象部材を帯電させてもよい。
【００３２】
図２に戻り、洗浄ユニット４は、帯電した洗浄対象部材を洗浄槽に投入する。洗浄ユニット４には、金属除去用、パーティクル除去用、有機物除去用の各洗浄槽が独立して設けられている。ただし、洗浄ユニット４は、同一槽を用いて金属除去用、パーティクル除去用及び有機物除去用の洗浄薬液を切り替えて供給するようにしてもよい。
【００３３】
金属除去用の槽はＳＣ２用の薬液（Ｈ２Ｏ２とＨＣＬの混合溶液）で満たされている。本実施形態では、負に帯電した洗浄対象部材をＳＣ２洗浄することで、洗浄対象部材の表面に付着した金属を除去する。
【００３４】
パーティクル除去用の槽は、ＳＣ１用の薬液（アンモニア加水）で満たされている。洗浄対象部材をＳＣ１用の薬液に浸漬することで、洗浄対象部材の表面に付着したパーティクルを除去できる。有機物除去用の槽は、Sulfuric hydrogen Peroxide Mixture（ＳＰＭ:Ｈ２Ｏ２とＨ２ＳＯ４の混合溶液であり、硫酸加水ともいう。）で満たされている。洗浄対象部材をＳＰＭに浸漬することで、有機物を除去できる。
【００３５】
洗浄対象部材に付着した反応生成物がパーティクル又は有機物を含む場合、ＳＣ１やＳＰＭを選択的に用いてパーティクル又は有機物を除去する。洗浄対象部材に付着した反応生成物が金属を含む場合、ＳＣ２を用いて金属含有物を除去する。
【００３６】
本実施形態では、帯電ユニット３において洗浄対象部材を帯電させる工程が実行された後、洗浄ユニット４において帯電した洗浄対象部材を洗浄薬液に浸漬し、洗浄対象部材の表面に付着した金属を洗浄する工程が実行される。このとき、洗浄薬液は、ＳＣ２が使用される。ただし、洗浄薬液は、これに限られず、ＳＰＭであってもよいし、Hydrochloric hydrogen Peroxide Mixture（ＨＰＭ: Ｈ２Ｏ２とＨＣＬとの混合溶液）であってもよいし、フッ酸（ＨＦ）洗浄であってもよい。
【００３７】
リンスユニット５は、洗浄対象部材を例えば、純水で満たされた槽に浸漬することにより洗浄対象部材をリンス処理する。リンスは洗浄対象部材に残留する薬品を除くために行う。リンス処理は省略されてもよい。
【００３８】
純粋洗浄ユニット６は、洗浄対象部材を純水で満たされた槽に浸漬することで、純水によって洗浄対象部材を洗浄する。
【００３９】
乾燥ユニット７では、乾燥用気体として例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を所定時間、乾燥ユニット７内に供給し、洗浄対象部材に付着した純水をＩＰＡに置換させる。ＩＰＡ蒸気による置換処理が終了したら、乾燥ユニット７内に乾燥用気体として加熱された窒素ガスを所定時間供給し、洗浄対象部材を乾燥させる。
【００４０】
処理液貯蔵ユニット８は、洗浄ユニット４において使用する洗浄薬液を貯蔵又は生成する。電源／制御ユニット９は、洗浄システム１０に配置された各種の電動駆動機構や電子制御装置のための電源とその制御、処理液貯蔵ユニット８内の洗浄薬液を洗浄ユニット４に供給する際の制御、洗浄システム１０全体のその他の制御を行う制御ユニットの一例である。
【００４１】
［帯電ユニット］
次に、帯電ユニット３の一例について、図３を参照しながら説明する。図３は、一実施形態に係る帯電ユニット３の一例を示す誘導結合型のＩＣＰ１０３の縦断面図である。ＩＣＰ装置１０３は、プラズマ処理装置の一例でありチャンバ１１２を備えている。チャンバ１１２は、例えばアルミニウムといった導体から形成されており、接地されている。
【００４２】
チャンバ１１２内には、プラズマトラップ１１３が設けられている。プラズマトラップ１１３は、チャンバ１１２の鉛直方向における中間に設けられており、チャンバ１１２をプラズマトラップ１１３の上方の空間Ｓ１と下方の空間Ｓ２に分けている。ステージ１１５は、支持部材１１８によりチャンバ１１２の底部に固定され、載置面に洗浄対象部材を載置する。
【００４３】
直流電源１１７からステージ１１５に正の直流電圧が印加されると、このプラズマＰ中のマイナスイオンは、プラズマトラップ１１３のスリット及び空間Ｓ２を通過してステージ１１５上の洗浄対象部材（ここではエッジリング（ＥＲ））に移動する。これにより、洗浄対象部材を負に帯電させることができる。
【００４４】
加えて、プラズマトラップ１１３に電位を与えてもよい。プラズマトラップ１１３に直流電源１１４から正の直流電圧が印加されると、プラズマトラップ１１３は、プラスイオンが空間Ｓ２に流入することを防止又は抑制する（図３参照）。また、プラズマトラップ１１３に負の電位が与えられるとプラスイオンを引き寄せプラスイオンが空間Ｓ２に流入することを防止又は抑制する。
【００４５】
なお、プラズマトラップ１１３は、金属等の導電体から形成されてもよいし、導電体に溶射等によるコーティングが施されたものであってもよい。プラズマトラップ１１３は、チャンバ１１２によって支持されている。
【００４６】
チャンバ１１２の側壁には、空間Ｓ２に通じる開口１１２ｐが形成され、ウェハの搬送に利用する。チャンバ１１２の底部には、空間Ｓ２に連通するように配管１３２が接続されている。配管１３２にはチャンバ１１２の外側において、排気装置１３４が接続されている。排気装置１３４は、ターボ分子ポンプといった真空ポンプを含んでいる。この排気装置１３４によって、チャンバ１１２は減圧されるようになっている。
【００４７】
チャンバ１１２の上端部には開口が形成されている。この開口は、誘電体窓１３６によって閉じられている。誘電体窓１３６は、石英等の誘電体から形成されている。
【００４８】
チャンバ１１２の外側且つ誘電体窓１３６の上には、アンテナ１３８が設けられている。アンテナ１３８はスパイラル状に形成されたコイルである。アンテナ１３８の一端には、整合器１４０を介して高周波電源１４２が接続されている。アンテナ１３８の他端はグランドに接続されている。高周波電源１４２は、アンテナ１３８に供給される高周波を発生する。高周波電源１４２によって発生される高周波の周波数は、プラズマの生成に適した周波数である。整合器１４０は、高周波電源１４２の側のインピーダンスと、負荷側（チャンバ１１２の側）のインピーダンスとを整合させるための整合回路を含んでいる。
【００４９】
空間Ｓ１には、ガス供給部１４４から所定のガスが供給される。高周波がアンテナ１３８に供給されることにより空間Ｓ１内では誘導磁界が生じる。この誘導磁界により空間Ｓ１内に供給されたガスが励起される。これにより、空間Ｓ１内においてプラズマが生成される。
【００５０】
ＩＣＰ装置の全体の動作を制御する制御部１５０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ及びＲＡＭを有している。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたプログラムに従って、排気装置１３４、高周波電源１４２、ガス供給部１４４、直流電源１１４、１１７等を制御する。
【００５１】
かかる構成のＩＣＰ装置１０３により、洗浄対象部材を負に帯電する。ただし、洗浄対象部材を負に帯電させる装置は、ＩＣＰ装置１０３に限られず、イオナイザー又は電子発生器であってもよい。
【００５２】
図２及び図３を参照して説明したように、本実施形態にかかる洗浄システム１０は、洗浄対象部材を帯電させる帯電ユニット３と、帯電した洗浄対象部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去（洗浄）する洗浄ユニット４とを有する。また、洗浄システム１０は、帯電ユニット３にて洗浄対象部材を帯電させ、洗浄ユニット４にて帯電した前記部材を洗浄薬液に浸漬し、該部材の表面に付着した金属を除去するように制御する電源／制御ユニット９を有する。
【００５３】
洗浄システム１０では、洗浄ユニット４にて洗浄対象部材の表面に付着した金属を洗浄する前に、帯電ユニット３にて洗浄対象部材を負に帯電させることで、金属の除去効率を高めることができる。特に、洗浄対象部材に付着した銅の除去効率を高めることができる。換言すれば、洗浄対象部材に付着した反応生成物が銅又は銅を含有する物質の場合に、洗浄対象部材を負に帯電させた後に洗浄対象部材を洗浄薬液に浸漬することで、洗浄対象部材の表面の銅又は銅を含む物質を効率的に除去することができる。
【００５４】
［帯電効果］
帯電ユニット３にて洗浄対象部材を負に帯電させることで、金属の除去効率を向上させる効果について、図４を参照して説明する。図４は、一実施形態に係る洗浄対象部材を負に帯電させる効果を説明するための図である。
【００５５】
ここでは、一例として洗浄ユニット４にて洗浄対象部材の表面の銅を洗浄する際の洗浄薬液に硫酸加水ＳＰＭ（Ｈ２Ｏ２とＨ２ＳＯ４の混合溶液）を用いる場合に進行する化学反応（１式及び２式）を以下に示す。
【００５６】
Ｃｕ（ｓ）＋Ｈ２Ｏ２→ＣｕＯ（ｓ）＋Ｈ２Ｏ・・・・・・・（１式）
ＣｕＯ（ｓ）＋Ｈ２ＳＯ４→ＣｕＳＯ４（ｌ）＋Ｈ２Ｏ・・・・（２式）
以上の化学反応により、Ｈ２Ｏ２とＨ２ＳＯ４の混合溶液によって、洗浄対象部材の表面の銅は、Ｃｕ（ｓ）→ＣｕＯ（ｓ）、ＣｕＯ（ｓ）→ＣｕＳＯ４（ｌ）と状態を変化させ、洗浄対象部材から銅が除去される。また、本実施形態では、洗浄ユニット４にて行われる洗浄工程の前に帯電ユニット３において洗浄対象部材を帯電させる。これにより、図４に示す活性化エネルギーが下がり、１式及び２式の化学反応が促進される。図４は、ＵＲＬが（http://sekigin.jp/03corro/02corro/00cor_basic/cor_basic_05.html）の「技術情報館ＳＥＫＩＧＩＮ」に図示された「金属の状態変化とエネルギー（概念図）」を示す。図４の横軸は金属の状態の変化を示し、縦軸は化学ポテンシャルを示す。図４は、多くの金属の状態は、その金属が酸化した状態よりも化学ポテンシャルの高い状態、言い換えれば熱力学的に不安定な状態にあることを示す。また、状態変化には超えなければならない壁（活性化エネルギー）が存在する。通常、金属は、活性化エネルギーを容易に超えない環境で使用されているため、酸化状態に変化しない。
【００５７】
しかし、本実施形態では、洗浄対象部材を帯電させる工程を洗浄工程の前に実行することで、１、２式の反応を促進する活性化エネルギーを下げることができる。これにより、活性化エネルギーの壁を超えて熱力学的に安定な酸化状態に変化することがより容易になる。
【００５８】
この結果、帯電工程を洗浄工程の前に行うことで、帯電工程を行わずに洗浄工程を実行したときよりも、１、２式の左辺の項から右辺の項への化学反応を促進できる。これにより、Ｃｕ（ｓ）→ＣｕＯ（ｓ）、ＣｕＯ（ｓ）→ＣｕＳＯ４（ｌ）と状態を変化させ、洗浄対象部材から銅を効果的に除去することができる。
【００５９】
以上から、洗浄対象部材の表面に付着した金属が帯電すると活性化エネルギーが下がり、１、２式に示す化学反応を促進し、より効率的に洗浄対象部材の表面に付着した金属を除去できることがわかった。つまり、帯電ユニット３において洗浄対象部材の表面に付着した金属を帯電させた後に洗浄ユニット４において除去することで、処理容器内の部材に付着した金属または金属含有物を効率的に除去することができる。なお、帯電工程では、洗浄対象部材を負に帯電させることが好ましい。
【００６０】
［洗浄方法］
最後に、一実施形態に係る洗浄方法について、プラズマ処理装置１のチャンバ１１内の部材を洗浄対象部材の一例として挙げて、図５を参照しながら説明する。図５は、一実施形態に係る洗浄方法の一例を示すフローチャートである。
【００６１】
プラズマ処理装置１の使用状況に応じてチャンバ１１内の部材には定期的なウェット洗浄が必要である。そこで、電源／制御ユニット９は、ＲＦ印加時間の累積値等によりウェット洗浄が必要か否かを判定し、定期的に図５の洗浄方法を開始する。
【００６２】
本洗浄方法が開始されると、はじめに、プラズマ処理装置１から取り外したチャンバ１１内の部材を水洗ユニット２にて純水により洗浄する（ステップＳ１）。
【００６３】
次に、帯電ユニット３にてチャンバ１１内の部材を負に帯電させる（ステップＳ２）。次に、洗浄ユニット４にて帯電したチャンバ１１内の部材を洗浄薬液に浸漬し、チャンバ１１内の部材の表面に付着した金属を洗浄する（ステップＳ３）。このとき、洗浄薬液にはＳＣ２が使用される。ただし、洗浄薬液は、これに限られず、ＳＰＭであってもよいし、Hydrochloric hydrogen Peroxide Mixture（ＨＰＭ: Ｈ２Ｏ２とＨＣＬとの混合溶液）であってもよいし、フッ酸（ＨＦ）洗浄であってもよい。
【００６４】
次に、リンスユニット５は、チャンバ１１内の部材を例えば純水で満たされた槽に浸漬し、リンスする（ステップＳ４）。次に、純粋洗浄ユニット６は、チャンバ１１内の部材を純水で満たされた槽に浸漬し、水洗する（ステップＳ５）。次に、乾燥用気体として例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を所定時間、乾燥ユニット７のチャンバ内に供給し、チャンバ１１内の部材をＩＰＡに置換させる。置換処理が終了したら、乾燥ユニット７のチャンバ内に乾燥用気体として加熱された窒素ガスを所定時間供給し、チャンバ１１内の部材を乾燥させる（ステップＳ６）。
【００６５】
以上に説明したように、本実施形態の洗浄システム及び洗浄方法によれば、洗浄対象部材の表面に付着した金属を帯電させることで、洗浄対象部材の表面に付着した金属の除去効率を向上させることができる。
【００６６】
今回開示された一実施形態に係る洗浄システム及び洗浄方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００６７】
１      プラズマ処理装置
２      水洗ユニット
３      帯電ユニット
４      洗浄ユニット
５      リンスユニット
６      純粋洗浄ユニット
７      乾燥ユニット
８      処理液貯蔵ユニット
９      電源／制御ユニット
１０    洗浄システム
１１    チャンバ
２０    載置台
２１    静電チャック
４１    トップシールドリング
８２、８３    デポシールド
８６    インシュレータリング
８９    カバーリング
【図１】
2020072190.tif 000003
【図２】
2020072190.tif 000004
【図３】
2020072190.tif 000005
【図４】
2020072190.tif 000006
【図５】
2020072190.tif 000007