(57)【要約】【課題】チップ側面を鏡面とすることができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】交差する第１ストリート３Ａ及び第２ストリート３Ｂを有したウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウエーハ２の内部に位置付けた状態でレーザビームをストリート３Ａ、３Ｂの交差部１０に照射して十文字の改質領域１１を形成するレーザ加工ステップと、レーザ加工ステップを実施した後、ストリート３Ａ、３Ｂに沿って伸長する押圧バーでウエーハ２のストリート３Ａ、３Ｂを押圧し、隣接する改質領域１１間をストリート３Ａ、３Ｂに沿って割断する割断ステップとを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数のストリートを有した被加工物の加工方法であって、
被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で該レーザビームを該ストリートの交差部に照射して改質領域を形成するレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートに沿って伸長する押圧バーで被加工物の該ストリートを押圧し、隣接する該改質領域間を該ストリートに沿って割断する割断ステップと、
を備えた被加工物の加工方法。
【請求項２】
該ストリートは第１方向に伸長した複数の第１ストリートと、該第１方向に直交する第２方向に伸長した複数の第２ストリートとを含み、
被加工物には該第１ストリートと該第２ストリートとで区画された各領域にそれぞれレーザダイオードデバイスが形成され、該第２ストリートに対応したチップ側面が発光面となり、
被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で該レーザビームを該第１ストリートに沿って照射して第１改質領域を形成する第１レーザ加工ステップを更に備え、
該レーザ加工ステップでは、該第２ストリートに沿って、該第１ストリートと該第２ストリートの交差部に該レーザビームを照射して該改質領域を形成し、
該割断ステップでは、少なくとも該第２ストリートに沿って該押圧バーで被加工物を押圧することで該発光面を割断する、請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、交差する複数のストリートを有した被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、サファイアやＳｉＣ（炭化ケイ素）などの基板の表面に光デバイスが形成された光デバイスウエーハ（被加工物）を分割し、例えば、レーザダイオードやシリコンフォトニクスなどの光デバイスチップを生成する加工が行われている。この種の被加工物の加工方法では、従来、基板に対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のレーザビームを、光デバイスを区画するストリート（分割予定ライン）に照射し、レーザアブレーション加工により個々の光デバイスチップに分割する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、基板に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のレーザビームの集光点をストリートに対応する基板の内部に位置づけて、レーザビームをストリートに沿って照射して変質層を形成し、その後外力を付与するにより個々の光デバイスチップに分割する方法も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３２０４６６号公報
【特許文献２】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、レーザダイオードやシリコンフォトニクスなどの光デバイスチップは、チップ側面（分割された基板断面）が発振面または光路となる。このため、光デバイスの輝度の低下を抑制するためにチップ側面を鏡面（平滑面）とすることが要望されている。
【０００５】
しかし、特許文献１に示すレーザアブレーションによるレーザダイシング加工では、チップ側面には加工によって生成されたドロスが付着してしまい、光デバイスの輝度が低下する。また、特許文献２に示すレーザビームをストリートに沿って照射して基板内部に変質層を形成する加工方法では、チップ側面にはストリートに沿って改質層が残存してしまい、光デバイスの輝度が低下する。また、ストリートに沿って切削ブレードによるダイシング加工も想定されるが、この加工方法であっても切削ブレードに含まれる砥粒によって、チップ側面に凹凸が形成され、光デバイスの輝度が低下するといった問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、チップ側面を鏡面とすることができる被加工物の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、交差する複数のストリートを有した被加工物の加工方法であって、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で該レーザビームを該ストリートの交差部に照射して改質領域を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートに沿って伸長する押圧バーで被加工物の該ストリートを押圧し、隣接する該改質領域間を該ストリートに沿って割断する割断ステップと、を備える。
【０００８】
この構成によれば、レーザビームをストリートの交差部に照射して該交差部に改質領域を形成し、ストリートに沿って伸長する押圧バーで隣接する改質領域間を押圧するため、改質領域が破断起点となって被加工物はストリートに沿って割断される。この際、被加工物は、破断起点から割れるまたは劈開されるため、交差部に対応する一部に改質領域が残存するものの、簡易な手順で分割されたチップ側面を平滑な鏡面とすることができる。
【０００９】
また、この構成において、該ストリートは第１方向に伸長した複数の第１ストリートと、該第１方向に直交する第２方向に伸長した複数の第２ストリートとを含み、被加工物には該第１ストリートと該第２ストリートとで区画された各領域にそれぞれレーザダイオードデバイスが形成され、該第２ストリートに対応したチップ側面が発光面となり、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で該レーザビームを該第１ストリートに沿って照射して第１改質層を形成する第１レーザ加工ステップを更に備え、該レーザ加工ステップでは、該第２ストリートに沿って、該第１ストリートと該第２ストリートの交差部に該レーザビームを照射して該改質領域を形成し、該割断ステップでは、少なくとも該第２ストリートに沿って該押圧バーで被加工物を押圧することで該発光面を割断してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で該レーザビームを該ストリートの交差部に照射して改質領域を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施した後、該ストリートに沿って伸長する押圧バーで被加工物の該ストリートを押圧し、隣接する該改質領域間を該ストリートに沿って割断する割断ステップと、を備えるため、簡易な手順で分割されたチップ側面を鏡面とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施形態の被加工物であるウエーハの構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、テープを介してウエーハを環状のフレームに装着した構成例を示す斜視図である。
【図３】図３は、ウエーハの内部に改質領域を形成する動作を説明する模式図である。
【図４】図４は、ストリートに形成された改質領域の位置を示すウエーハの部分平面図である。
【図５】図５は、ストリートに形成された改質領域を示すウエーハの部分断面図である。
【図６】図６は、ウエーハを割断する状態を示す模式図である。
【図７】図７は、分割されたチップを模式的に示す斜視図である。
【図８】図８は、一方のストリートに沿って、ウエーハの内部に改質領域を形成する動作を説明する模式図である。
【図９】図９は、ストリートに形成された改質領域の位置を示すウエーハの部分平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
本実施形態に係る被加工物の加工方法について説明する。図１は、本実施形態の被加工物であるウエーハの構成例を示す斜視図である。本実施形態に係る被加工物の加工方法は、被加工物としてのウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを、複数のストリート（分割予定ラインともいう）が交差する交差部に照射して、該交差部に対応するウエーハの内部に改質層を形成した後、ウエーハに外力を付与して分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップへと分割するものである。
【００１４】
本実施形態に係る被加工物の加工方法の加工対象であるウエーハ２は、図１に示すように、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウムリン（ＩｎＰ）などを母材とする光デバイスウエーハである。ウエーハ２の表面２Ａには、所定の第１方向Ｄ１に沿って伸長する複数の第１ストリート３Ａと、第１方向Ｄ１に直交する第２方向Ｄ２に沿って伸長し、複数の第１ストリート３Ａと直交（交差）する複数の第２ストリート３Ｂとが形成されている。ウエーハ２の表面２Ａには、第１ストリート３Ａと第２ストリート３Ｂによって区画された複数の領域にレーザダイオード（ＬＤ）デバイスなどの光デバイス４が形成されている。なお、第１ストリート３Ａ及び第２ストリート３Ｂを区別する必要が無い場合には、単にストリート３と称する。
【００１５】
次に、本実施形態に係る被加工物の加工方法の手順について説明する。本実施形態の被加工物の加工方法は、テープ貼着ステップと、第１レーザ加工ステップと、第２レーザ加工ステップと、割断ステップとを備える。第１レーザ加工ステップと第２レーザ加工ステップとを合わせてレーザ加工ステップとする。
【００１６】
［テープ貼着ステップ］
図２は、テープを介してウエーハを環状のフレームに装着した構成例を示す斜視図である。ウエーハ２は、図２に示すように、テープ６を介して環状のフレーム７に装着される。テープ６は、伸縮性を有する合成樹脂で構成されたエキスパンドテープであり、ウエーハ２の裏面２Ｂ側に貼着される。環状のフレーム７は、ウエーハ２よりも大径の開口を有し、この開口内にウエーハ２が保持される。本実施形態では、ウエーハ２、テープ６および環状のフレーム７を備えてウエーハユニット８を構成し、このウエーハユニット８の状態で加工が行われる。ウエーハ２はテープ６に裏面２Ｂ側が貼着されるため、表面２Ａが上側となって露出する。
【００１７】
［第１レーザ加工ステップ（レーザ加工ステップ）］
図３は、ウエーハの内部に改質領域を形成する動作を説明する模式図である。図４は、ストリートに形成された改質領域の位置を示すウエーハの部分平面図である。図５は、ストリートに形成された改質領域を示すウエーハの部分断面図である。第１レーザ加工ステップ及び第２レーザ加工ステップは、図３に示すレーザ加工装置２０を用いて実行される。レーザ加工装置２０は、ウエーハユニット８を保持するチャックテーブル２１と、ウエーハユニット８のウエーハ２に向けてレーザビーム２２Ａを照射する照射ヘッド２２と、この照射ヘッド２２と加工送り方向に横並びに配置された撮像部２３とを備える。
【００１８】
チャックテーブル２１は、例えばポーラスセラミック等で構成された保持面２１Ａと、この保持面２１Ａの周囲に配置された複数のクランプ２１Ｂとを備える。本実施形態では、ウエーハ２の表面２Ａを下向きした状態で、ウエーハ２をチャックテーブル２１の保持面２１Ａ上に保護シート（不図示）を介して載置する。そして、ウエーハユニット８のフレーム７をクランプ２１Ｂで固定するとともに、ウエーハ２を真空吸引源（不図示）の負圧により吸引する。これにより、ウエーハ２（ウエーハユニット８）は、裏面２Ｂ側を上面として保持面２１Ａ上に保持される。チャックテーブル２１は、移動機構（不図示）により、上記した加工送り方向と加工送り方向に直交する割り出し送り方向とにそれぞれ移動可能に構成される。また、チャックテーブル２１は、回転機構（不図示）により鉛直方向と平行な軸心回りに回転可能に構成されている。なお、本実施形態では、ウエーハ２（ウエーハユニット８）を保持するチャックテーブル２１が加工送り方向と割り出し送り方向に移動する構成としたが、ウエーハ２に対して、照射ヘッド２２が移動する構成としてもよい。
【００１９】
照射ヘッド２２は、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビームを発振する発振器（不図示）と、発振されたレーザビームを集光する集光器（不図示）とを備える。発振器は、例えば、ＹＡＧレーザ発振器またはＹＶＯ４レーザ発振器からなるパルスレーザ発振器である。照射ヘッド２２は、ウエーハ２に向けて照射されるレーザビーム２２Ａの集光点（フォーカス位置）Ｐを鉛直方向に調整する。
【００２０】
撮像部２３は、照射ヘッド２２に対するウエーハ２の配置状況及びウエーハ２への加工状況などを撮像するカメラである。撮像部２３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、ウエーハ２に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等を備えて構成されている。本実施形態では、ウエーハ２の表面２Ａが下方を向いているため、赤外線ＣＣＤを用いて、テープ６越しにウエーハ２の裏面２Ｂ側からストリート３を撮像する。
【００２１】
本実施形態では、レーザ加工ステップによって、図４に示すように、第１ストリート３Ａと第２ストリート３Ｂとの交差部１０にレーザビームに照射して各交差部１０に改質領域１１を形成している。改質領域とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった変質領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。
【００２２】
第１レーザ加工ステップでは、まず、ウエーハ２の第１方向Ｄ１に沿った方向と加工送り方向とが平行となるようにチャックテーブル２１の向きを調整する。そして、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐ（図３）をウエーハ２の内部に位置付けた状態で、テープ６を通じてレーザビームを交差部１０に照射しつつ、チャックテーブル２１を矢印で示す加工送り方向（第１方向に沿った方向）に移動させる。これにより、図４に示すように、交差部１０に対応するウエーハ２の内部に第１ストリート３Ａに沿って伸長する複数の第１改質領域１１Ａが形成される。そして、第１方向Ｄ１に伸長するすべての第１ストリート３Ａの交差部１０に対応するウエーハ２の内部に第１改質領域１１Ａを形成すると、第１レーザ加工ステップを終了する。
【００２３】
［第２レーザ加工ステップ（レーザ加工ステップ）］
次に、第２レーザ加工ステップを実施する。具体的には、チャックテーブル２１を９０度回転して、ウエーハ２の第２方向Ｄ２に沿った方向と加工送り方向とを平行とする。そして、第１レーザ加工ステップと同様に、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐ（図３）をウエーハ２の内部に位置付けた状態で、テープ６を通じてレーザビームを交差部１０に照射しつつ、チャックテーブル２１を矢印で示す加工送り方向（第２方向に沿った方向）に移動させる。これにより、図４に示すように、交差部１０対応するウエーハ２の内部に第２ストリート３Ｂに沿って伸長する複数の第２改質領域１１Ｂが形成される。そして、第２方向Ｄ２に伸長するすべての第２ストリート３Ｂの交差部１０に対応するウエーハ２の内部に第２改質領域１１Ｂを形成すると、第２レーザ加工ステップを終了する。
【００２４】
改質領域１１は、図４に示すように、交差部１０に対応する領域に十文字に形成される。この改質領域１１は、後の加工工程でウエーハ２を割断する際の破断起点となる。次に、本実施形態に係る改質領域１１の位置や大きさについて説明する。本実施形態の加工対象はレーザダイオードデバイスを備えた光デバイスウエーハであり光デバイスチップに分割される。ここで、レーザダイオードのような光デバイスチップは、チップ側面が発振面（発光面ともいう）または光路となるため、このチップ側面を鏡面（平滑面）として、光デバイスチップの輝度の低下を抑制することが求められる。
【００２５】
本実施形態では、上述のように、改質領域１１は交差部１０に対応する領域に形成される。具体的には、チップ幅（隣接するストリート間の距離）Ｌ１を０．１５〜１．０［ｍｍ］とした場合に、交差部１０に形成される改質領域１１の幅Ｌ２は５０〜１００［μｍ］に形成される。この場合、改質領域１１の幅Ｌ２を交差部１０（ストリート３）の幅内に収めるのが好ましいが、改質領域１１が交差部１０（ストリート３）からはみ出して光デバイス４に対応する領域まで伸長してもよい。改質領域１１の幅Ｌ２を５０〜１００［μｍ］に形成することにより、分割されたチップの角部に残存する改質領域１１の幅を５０［μｍ］以下に設定することができる。この場合、角部に残存する改質領域１１の幅は、チップ幅の５〜３３［％］となるため、チップ側面の中央部に改質領域１１が残存しない鏡面（平滑面）を形成することができる。また、ウエーハ２の高さＨ１を１００〜３００［μｍ］とした場合に、改質領域１１の高さＨ２は、１５〜２０［μｍ］に形成される。この場合、角部に残存する改質領域１１の高さＨ２は、ウエーハ２（チップ）の高さＨ１の５〜２０［％］となる。また、改質領域１１は、ウエーハ２の高さ方向における中央よりも表面２Ａ側に形成されている。
【００２６】
［割断ステップ］
図６は、ウエーハを割断する状態を示す模式図である。図７は、分割されたチップを模式的に示す斜視図である。割断ステップでは、図６に示すブレーキング装置３０を用いて行われる。ブレーキング装置３０は、ウエーハ２を支持する支持台（不図示）に対して上下動して該支持台に支持されたウエーハ２に押圧力を付与する押圧バー３１を備える。支持台は、水平面と平行に回転可能に構成される。押圧バー３１は、ウエーハ２のストリート３に沿って伸長し、最長（ウエーハ２の直径）のストリート３よりも長く形成されている。
【００２７】
ウエーハ２（ウエーハユニット８）は、裏面２Ｂに貼着されたテープ６を介して支持台に載置される。ウエーハ２のストリート３（例えば第１ストリート３Ａ）と押圧バー３１とが平行となるように支持台を回転させた後、ウエーハ２の裏面２Ｂに貼着されたテープ６側から支持台の開口部を通じて押圧バー３１を突き上げることにより、第１ストリート３Ａ）に沿ってウエーハ２を押圧する。この結果、各交差部１０に改質領域１１が形成されたウエーハ２の表面２Ａ側が大きく湾曲することにより、改質領域１１が破断起点となって亀裂１３が生じ、ウエーハ２は第１ストリート３Ａに沿って割断される。
【００２８】
そして、すべての第１ストリート３Ａに沿ってウエーハ２を割断すると、支持台を９０°回転し、第１ストリート３Ａと直交する第２ストリート３Ｂに沿って上記した割断作業を行う。この結果、各交差部１０に形成された改質領域１１が破断起点となって亀裂１３が生じ、ウエーハ２は第２ストリート３Ｂに沿って割断され、ウエーハ２は、個々の光デバイスチップ４０に分割される。
【００２９】
本実施形態では、ウエーハ２における交差部１０に十文字の改質領域１１を形成した後、ウエーハ２のストリート３を押圧バーで押圧することで、隣接する改質領域１１間を該ストリート３に沿って割断する。この際、ウエーハ２は、破断起点から割れ、ウエーハ２の結晶方向がストリート３に沿って延びている場合には破断起点から劈開される。このため、図７に示すように、光デバイスチップ４０の側面４１と側面４１との角部４１Ａには、それぞれ改質領域１１が残存するものの、側面４１の幅方向中央部には、改質領域１１が残存しない平滑な鏡面４２を形成することができる。
【００３０】
特に、本実施形態では、光デバイスチップ４０の上記角部４１Ａに残存する改質領域１１の幅は、該光デバイスチップ４０の幅の５〜３３［％］となる、幅方向中央部には、少なくとも３４［％］（１００−３３−３３＝３４）の幅の鏡面４２を備えるため、この鏡面４２を発光面（発振面）または光路として利用することができ、光デバイス４の輝度の低下を抑制することができる。改質領域１１の幅を光デバイスチップ４０の幅の３４［％］以上とすると、中央部の鏡面４２の割合が低下して、光デバイス４の輝度が低下する。
【００３１】
また、改質領域１１の幅を光デバイスチップ４０の幅の５［％］以下とすると、中央部の鏡面４２の割合を増加できるものの、隣接する改質領域１１間をストリート３に沿って割断する割断ステップが困難となる。このように、本実施形態では、角部４１Ａに残存する改質領域１１の幅を該光デバイスチップ４０の幅の５〜３３［％］とすることで、光デバイス４の輝度の低下させることなく、簡易な手順で光デバイスチップ４０の側面４１の幅方向中央部に改質領域１１が残存しない平滑な鏡面４２を形成することができる。
【００３２】
次に、別の実施形態について説明する。図８は、一方のストリートに沿って、ウエーハの内部に改質領域を形成する動作を説明する模式図である。図９は、ストリートに形成された改質領域の位置を示すウエーハの部分平面図である。上記した実施形態では、分割された光デバイスチップ４０のすべての側面４１に対して、該側面４１の幅方向中央部に改質領域１１が残存しない鏡面４２を形成する手順について説明した。これに対して、光デバイスチップは、通常、光デバイス４を挟んでほぼ平行に位置する一対の側面が発光面（発振面）または光路として利用され、残りの一対の側面は発光面（発振面）または光路として利用されていない。
【００３３】
この別の実施形態では、第１レーザ加工ステップとして、図８に示すように、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビーム２２Ａの集光点Ｐをウエーハ２の内部に位置付けた状態で、テープ６を通じてレーザビーム２２Ａを第１ストリート３Ａ（一方のストリート３）に照射しつつ、チャックテーブル２１を矢印で示す加工送り方向（第１方向に沿った方向）に移動させる。これにより、図９に示すように、ウエーハ２の内部に第１ストリート３Ａに沿って伸長する第１改質領域１１Ａ１が形成される。そして、第１方向Ｄ１に伸長するすべての第１ストリート３Ａに対応するウエーハ２の内部に第１改質領域１１Ａ１を形成すると、第１レーザ加工ステップを終了する。
【００３４】
続いて、上記した第２レーザ加工ステップと同様に、チャックテーブル２１を９０度回転して、ウエーハ２の第２方向Ｄ２に沿った方向と加工送り方向とを平行とする。そして、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点Ｐ（図３）をウエーハ２の内部に位置付けた状態で、テープ６を通じてレーザビームを交差部１０に照射しつつ、チャックテーブル２１を矢印で示す加工送り方向（第２方向に沿った方向）に移動させる。これにより、図９に示すように、交差部１０対応するウエーハ２の内部に第２ストリート３Ｂ（他のストリート３）に沿って伸長する複数の第２改質領域１１Ｂが形成される。そして、第２方向Ｄ２に伸長するすべての第２ストリート３Ｂの交差部１０に対応するウエーハ２の内部に第２改質領域１１Ｂを形成すると、第２レーザ加工ステップを終了する。
【００３５】
この別の実施形態では、第１ストリート３Ａに沿って、連続する第１改質領域１１Ａ１を形成する構成としたが、第１ストリート３Ａまたは第２ストリート３Ｂのいずれかに沿って連続する改質領域が形成されればよい。また、連続する改質領域１１を交差部１０に形成された改質領域１１の後に形成してもよい。
【００３６】
以上、本実施形態のウエーハ２の加工方法は、交差する複数のストリート３を有したウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビーム２２Ａの集光点Ｐをウエーハ２の内部に位置付けた状態でレーザビーム２２Ａをストリート３の交差部１０に照射して改質領域１１を形成するレーザ加工ステップと、レーザ加工ステップを実施した後、ストリート３に沿って伸長する押圧バー３１でウエーハ２のストリート３を押圧し、隣接する改質領域１１間をストリート３に沿って割断する割断ステップとを備える。この構成によれば、レーザビーム２２Ａをストリート３の交差部１０に照射して交差部１０に改質領域１１を形成し、ストリート３に沿って伸長する押圧バー３１で隣接する改質領域１１間を押圧するため、改質領域１１が破断起点となってウエーハ２はストリート３に沿って割断される。この際、ウエーハ２は、破断起点から割れるまたは劈開されるため、交差部１０に対応する一部に改質領域１１が残存するものの、簡易な手順で分割されたチップの側面４１を平滑な鏡面４２とすることができる。
【００３７】
また、本実施形態によれば、レーザ加工ステップは、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点をウエーハ２の内部に位置付けた状態でレーザビームを第１ストリート３Ａに沿って照射して第１改質領域１１Ａ１を形成する第１レーザ加工ステップと、第２ストリート３Ｂに沿って、第１ストリート３Ａと第２ストリート３Ｂの交差部１０にレーザビームを照射して第２改質領域１１Ｂを形成し、割断ステップでは、少なくとも第２ストリート３Ｂに沿って押圧バー３１でウエーハ２を押圧することでウエーハ２を割断し、発光面となる鏡面４２を光デバイスチップ４０の側面４１の幅方向中央部に形成することができる。
【００３８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。すなわち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本実施形態では、ウエーハ２として、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）やインジウムリン（ＩｎＰ）などを母材とする基板にレーザダイオード（ＬＤ）デバイスが設けられた光デバイスウエーハを例示して説明したが、これに限るものではなく、シリコンを母材とする基板に微細な光導波路構造を作り込み、さまざまな機能を持つ光デバイスを１つの小型チップに集積する技術であるシリコンフォトニクスに適用することもできる。
【符号の説明】
【００３９】
２  ウエーハ（被加工物）
２Ａ  表面
２Ｂ  裏面
３  ストリート
３Ａ  第１ストリート
３Ｂ  第２ストリート
４  光デバイス
１０  交差部
１１  改質領域
１１Ａ、１１Ａ１  第１改質領域
１１Ｂ  第２改質領域
１３  亀裂
２２  照射ヘッド
２２Ａ  レーザビーム
２３  撮像部
３１  押圧バー
４０  光デバイスチップ
４１  側面（チップ側面）
４１Ａ  角部
４２  鏡面（発光面）
Ｐ  集光点
Ｄ１  第１方向
Ｄ２  第２方向
【図１】
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【図２】
2020072220.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020072220.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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