(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の廃棄を抑制しつつ、漏液による危険を回避する基板処理装置及びその処理方法を提供する。【解決手段】基板に対して所定の処理を行う基板処理装置１は、液体が流通する配管と、配管から漏れた液体を受ける漏液受け部と、漏液受け部内に設けられ、液体を検出する第１の検出部３１１と、漏液受け部内における第１の検出部より高い位置に設けられ、液体を検出する第２の検出部３１２と、漏液したことを示す漏液情報を報知する報知部４００と、当該基板処理装置への電力供給を行う電源と、第１の検出部での検出結果に基づいて、漏液情報を報知するように報知部を制御すると共に、第２の検出部での検出結果に基づいて、当該基板処理装置への電力供給を遮断するように電源を制御する制御部２０２と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
液体が流通する配管と、
前記配管から漏れた前記液体を受ける漏液受け部と、
前記漏液受け部内に設けられ、前記液体を検出する第１の検出部と、
前記漏液受け部内における前記第１の検出部より高い位置に設けられ、前記液体を検出する第２の検出部と、
漏液したことを示す漏液情報を報知する報知部と、
当該基板処理装置への電力供給を行う電源と、
前記第１の検出部での検出結果に基づいて、前記漏液情報を報知するように前記報知部を制御すると共に、前記第２の検出部での検出結果に基づいて、当該基板処理装置への電力供給を遮断するように前記電源を制御する制御部と、を有する、基板処理装置。
【請求項２】
前記第２の検出部の上方を覆う遮蔽部を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１の検出部により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、前記漏液情報を報知するように前記報知部を制御する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第２の検出部により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、前記電力供給を遮断するように前記電源を制御する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板に対して所定の処理を行う基板処理装置の制御方法であって、
前記基板処理装置は、
液体が流通する配管と、
前記配管から漏れた前記液体を受ける漏液受け部と、
前記漏液受け部内に設けられ、前記液体を検出する第１の検出部と、
前記漏液受け部内における前記第１の検出部より高い位置に設けられ、前記液体を検出する第２の検出部と、を有し、
漏液したことを示す漏液情報を報知する報知部と、
当該基板処理装置への電力供給を行う電源と、
を有し、
当該制御方法は、
前記第１の検出部での検出結果に基づいて、前記漏液情報を報知するように前記報知部を制御する報知工程と、
前記第２の検出部での検出結果に基づいて、前記基板処理装置への電力供給を遮断するように前記電源を制御する遮断工程と、を有する、基板処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記報知工程は、前記第１の検出部により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに前記漏液情報を報知するように前記報知部を制御する、請求項５に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記遮断工程は、前記第２の検出部により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに前記電力供給を遮断するように前記電源を制御する、請求項５又は６に記載の基板処理装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及びその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、半導体製造装置における、冷却水漏水による危険の回避方法を開示している。この方法では、半導体製造装置に設けられた冷却水漏水検知センサでの検知結果が予め設定された危険条件に合致した場合に、半導体製造装置の電源供給を遮断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２９９３３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板の廃棄を抑制しつつ、漏液による危険を回避する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、液体が流通する配管と、前記配管から漏れた前記液体を受ける漏液受け部と、前記漏液受け部内に設けられ、前記液体を検出する第１の検出部と、前記漏液受け部内における前記第１の検出部より高い位置に設けられ、前記液体を検出する第２の検出部と、漏液したことを示す漏液情報を報知する報知部と、当該基板処理装置への電力供給を行う電源と、前記第１の検出部での検出結果に基づいて、前記漏液情報を報知するように前記報知部を制御すると共に、前記第２の検出部での検出結果に基づいて、当該基板処理装置への電力供給を遮断するように前記電源を制御する制御部と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板の廃棄を抑制しつつ、漏水による危険を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図２】基板処理装置の漏液にかかる構成を説明するための機能ブロック図である。
【図３】基板処理装置に設けられた漏液検知機構の構成例を示す側面図である。
【図４】漏液検知機構で検知される漏液の種類を示す図である。
【図５】漏液検知機構で検知される漏液の種類を示す図である。
【図６】漏液検知機構で検知される漏液の種類を示す図である。
【図７】基板処理装置に設けられた報知部の構成の概略を示す正面図である。
【図８】注意状態判定部及び警告状態判定部の構成例を示す説明図である。
【図９】基板処理装置の漏液検知にかかる動作の一例を説明するタイミングチャートである。
【図１０】本実施形態の効果を説明するための図である。
【図１１】基板処理装置に設けられた漏液検知機構の他の構成例を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
先ず、特許文献１に記載されている従来の水漏れによる危険の回避方法について説明する。当該回避方法は、前述のように、半導体製造装置に設けられた冷却水漏水検知センサでの検知結果が予め設定された危険条件に合致した場合に、半導体製造装置の所定の部分に対する電源供給、具体的にはガス温調器のヒータに対する電源供給を遮断する。これにより、作業者の危険を避けている。
【０００９】
ここで、この特許文献１の危険の回避方法を、基板に所定の処理を行う基板処理装置に適用して、漏液検知センサでの検知結果が予め設定された危険条件に合致した場合に当該基板処理装置の所定の部分への電源供給を遮断する方法を検討する。この方法では、上記所定の部分以外の部分には電源供給は継続されるため、漏液により感電するおそれがある。
したがって、漏液検知センサでの検知結果が上記危険条件に合致した場合に、基板処理装置全体への電源供給を遮断する方法が考えられる。しかしながら、作業者の危険を回避するためには、上記予め設定された危険条件としてある程度緩い条件を設定する必要があるが、その場合、基板処理装置全体への電源供給の遮断が多く発生する。このように電源供給の遮断が多く発生すると、当該遮断時に基板処理装置内に位置していたために廃棄しなければならない基板が多数生じてしまうことになる。
【００１０】
そこで、基板の廃棄を抑制しつつ、漏液による危険を回避するため、本実施形態にかかる基板処理装置は以下のように構成される。図１は、本実施形態にかかる基板処理装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１１】
図１の基板処理装置１は、クラスタ型のプラズマ処理装置であり、基板Ｗを搬送する搬送側モジュールＨと基板Ｗに対して成膜処理又はエッチング処理等の所定の処理を行う処理側モジュールＳとを有している。搬送側モジュールＨと処理側モジュールＳとは、ロードロック室（ＬＬＭ：Load Lock Module）１０５、１１０を介して連結されている。ロードロック室は本実施形態では２つであるが、これに限らず３以上設置されていてもよい。
【００１２】
搬送側モジュールＨは、容器載置台１１５とロードモジュール１２０とを有している。容器載置台１１５には、４つのフープ１１５ａ〜１１５ｄが載置されている。フープ１１５ａ〜１１５ｄは、複数の基板Ｗを収納する容器である。なお、基板Ｗは、例えば略円盤形状をなす半導体ウェハである。
【００１３】
ロードモジュール１２０には、屈伸及び旋回可能な２本の搬送アームＡｒ１、Ａｒ２が磁気駆動によりスライド移動するように支持されている。搬送アームＡｒ１、Ａｒ２は、先端に取り付けられたフォーク上に基板Ｗを保持し、ロードモジュール１２０のレール１２１上を移動する。
【００１４】
ロードモジュール１２０の一端には、基板Ｗの位置決めを行う位置合わせ機構１２５が設けられている。位置合わせ機構１２５は、基板Ｗを載置した状態で回転載置台１２５ａを回転させながら、光学センサ１２５ｂにより基板Ｗの周縁部の状態を検出することによって、基板Ｗの位置を合わせるようになっている。
【００１５】
ロードロック室１０５、１１０には、その内部に基板Ｗを載置する載置台がそれぞれ設けられているとともに、その両端に気密に開閉可能なゲートバルブＶがそれぞれ設けられている。
【００１６】
かかる構成により、搬送アームＡｒ１、Ａｒ２は、フープ１１５ａ〜１１５ｄとロードロック室１０５、１１０と位置合わせ機構１２５との間で基板Ｗを搬送するようになっている。
【００１７】
本実施形態では、処理側モジュールＳには、トランスファチャンバ（Ｔ／Ｃ）１３０及び６つのプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６が設けられている。プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６は、特定のレシピに従いエッチング処理等のプロセス処理が実行される処理室の一例である。本実施形態では、処理室は６つであるが、これに限らず、処理側モジュールＳに１以上配置されていればよい。
【００１８】
トランスファチャンバ１３０は、気密に開閉可能なゲートバルブＶを介してプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６とそれぞれ連結されている。トランスファチャンバ１３０には、屈伸及び旋回可能な搬送アームＡｒ３、Ａｒ４が設けられている。搬送アームＡｒ３、Ａｒ４は、３つ以上設けられていてもよい。搬送アームＡｒ３、Ａｒ４は、先端に取り付けられたフォーク上に基板Ｗを保持し、トランスファチャンバ１３０内のレール１３１上を移動する。
【００１９】
かかる構成により、搬送アームＡｒ３、Ａｒ４は、ロードロック室１０５、１１０とトランスファチャンバ１３０との間で基板Ｗを搬送するようになっている。
【００２０】
以上の基板処理装置１には、装置コンピュータ（ＥＣ）２００が設けられている。装置コンピュータ２００は、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理装置１における基板Ｗの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種モジュールや搬送アームの動作を制御して、基板処理装置１における処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から装置コンピュータ２００にインストールされたものであってもよい。上記記憶媒体は、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどである。
【００２１】
また、基板処理装置１には、当該基板処理装置１への電力供給を行う電源２０１と、この電源２０１や後述の報知部を制御する制御部２０２とが設けられている。制御部２０２は、本実施形態では各種電子部品が搭載された制御基板から構成されるものとする。ただし、制御部２０２は、コンピュータから構成されていてもよい。
【００２２】
次に、以上のように構成された基板処理装置１を用いて行われる基板処理について説明する。
まず、例えばフープ１１５ａ内の基板Ｗが、ロードモジュール１２０に搬入される。その後、基板Ｗは、ロードモジュール１２０の搬送アームＡｒ１に把持され、位置合わせ機構１２５に搬入される。そして、位置合わせ機構１２５において基板Ｗの位置合わせが行われる。
【００２３】
位置合わせ後、基板Ｗは、ロードモジュール１２０に再び搬入された後、ロードロック室１１０に搬入される。次に、基板Ｗは、トランスファチャンバ１３０の搬送アームＡｒ４に把持され、トランスファチャンバ１３０に搬入された後、プロセスモジュールＰＭ１に搬入される。
【００２４】
所定のプラズマ処理後、基板Ｗは、プロセスモジュールＰＭ１から搬出され、同時間にトランスファチャンバ１３０に搬入された後、ロードロック室１０５に搬入される。そして、基板Ｗは、ロードモジュール１２０に搬入され、その後、フープ１１５ａに搬入される。
【００２５】
以上のような基板処理を行う基板処理装置１では、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の冷却等のために、冷却水等の各種液体が用いられている。この液体がプロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６の配管から漏れ出ることによる危険を回避するための、基板処理装置１の構成を以下で説明する。図２は、基板処理装置１の漏液にかかる構成を説明するための機能ブロック図である。図３は、基板処理装置１に設けられた後述の漏液検知機構の構成を示す側面図であり、当該漏液検知機構が有する漏液受け部については断面で示している。図４〜図６はそれぞれ、漏液検知機構で検知される漏液の種類を示す図である。
【００２６】
基板処理装置１には、図２に示すように、液体が流通する配管（図３の符号５００参照）からの漏液の状態を検出する漏液検知機構３００と、漏液したことを示す漏液情報を含む各種情報を報知する報知部４００が設けられている。
【００２７】
そして、基板処理装置１は、制御部２０２が、漏液検知機構３００での検出結果に基づいて報知部４００を制御したり電源２０１を制御したりする。そのための構成として、制御部２０２は、漏液検知機構３００での検出結果に基づいて注意（Warning）状態であるか判定する注意状態判定部２１０と、上記検出結果に基づいて警告（Alert）状態である判定する警告状態判定部２２０とを有する。なお、注意状態とは、例えば、作業者に危険が生じない程度の漏水が生じている状態であり、警告状態とは、作業者に危険が生じうる程度の漏水が生じている状態であり、例えば作業者が感電するおそれがある状態である。また、以下の説明では、制御部２０２、漏液検知機構３００及び報知部４００は、電源２０１とは別の電源（図示せず）から別途電力が供給されているものとする。したがって、制御部２０２、漏液検知機構３００及び報知部４００は、電源２０１から基板処理装置１への電力供給が遮断されても動作することができる。
【００２８】
また、漏液検知機構３００は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６それぞれの１以上の箇所に設けられ、以下の説明では６箇所に設けられているものとする。言い換えると、漏液検知機構３００は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６それぞれに１つ以上設けられ、以下の説明では６箇所に設けられているものとする。
一方、報知部４００は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６それぞれに１つ設けられている。
【００２９】
また、漏液検知機構３００は、配管５００から漏れた液体を受ける漏液受け部３１０と、上記液体を検出する第１の検出部３１１及び第２の検出部３１２と、を有する。第１の検出部３１１及び第２の検出部３１２は、電気式で液体を検出するものであってもよいし、光学式で液体を検出するものであってもよい。
【００３０】
第１の検出部３１１は、漏液受け部３１０内に設けられ、第２の検出部３１２は、漏液受け部３１０内における第１の検出部３１１より高い位置に設けられている。具体的には、漏液受け部３１０の底面に高低差が設けられており、漏液受け部３１０は、第１の底面３１０ａと該第１の底面３１０ａよりも高い第２の底面３１０ｂを有する。そして、第１の検出部３１１は第１の底面３１０ａ上に設けられ、第２の検出部３１２は第２の底面３１０ｂ上に設けられている。
【００３１】
第１の検出部３１１での検出結果は制御部２０２の注意状態判定部２１０に出力される。また、第２の検出部３１２での検出結果は制御部２０２の警告状態判定部２２０に出力される。
【００３２】
例えば図４に示すように第１の検出部３１１の液体検出面である上面の位置まで漏水受け部３１０内に液体Ｌが溜まり第１の検出部３１１で液体が検出されると、注意状態判定部２１０は注意状態であると判定する。また、例えば図５に示すように、漏れ出た液体Ｌが第１の検出部３１１上に滴下し第１の検出部３１１で液体が検出されたときにも同様に、注意状態判定部２１０は注意状態であると判定する。注意状態と判定されると、制御部２０２は、漏液したことを示す漏液情報を報知するよう報知部４００を制御すると共に、注意状態であることを示す情報を装置コンピュータ２００に出力する。上記情報に応じて、装置コンピュータ２００は、基板Ｗが廃棄とならない所定の段階まで基板処理を進めた上で当該基板処理を中断させる。なお、その後、装置コンピュータ２００が、電源２０１からの電力供給を遮断することが好ましい。報知情報を元に漏液が発生していることを知った作業者が、上記中断中に漏液受け部３１０内の液体を除去し、漏出部分を補修すると、基板処理装置１では電力供給が再開され、基板処理が再開される。
【００３３】
一方、例えば、注意状態と判定されてから基板処理が中断されるまでの間に、又は、第１の検出部３１１が故障し注意状態と判定されずに、図６に示すように第２の検出部３１２の液体検出面である上面の位置まで漏水受け部３１０内に液体が溜まったとする。この場合、第２の検出部３１２で液体が検出され、警告状態判定部２２０は警告状態であると判定する。警告状態と判定されると、制御部２０２は、基板処理の進行具合によらず、基板処理装置１への電力供給を即時に遮断するように電源２０１を制御する。また、制御部２０２は、警告状態と判定されると、電源供給が遮断されたことを示す遮断情報を報知するよう報知部４００を制御する。
【００３４】
このように、基板処理装置１では、漏水受け部３１０内の低い位置に設けられた第１の検出部３１１で液体を検出したときに、即時には電源供給を遮断せずに、漏液情報を作業者に報知する。そのため、作業者の作業により、漏液した状態から早期に回復することができる。したがって、感電等の漏液による危険が生じにくく、即時に電源供給の遮断を行う機会が非常に少ないため、電力供給の遮断による基板Ｗの廃棄を抑制することができる。
また、漏水受け部３１０内の高い位置に設けられた第２の検出部３１２で液体が検出されたときは、基板処理装置１への電力供給を即時に遮断するため、感電等の漏液による危険を確実に回避することができる。
なお、低位置に位置する第１の検出部３１１で液体を検出したときは、上述の通り基板処理を所定の段階まで進めてから中断させ、その後電源供給を遮断してもよい。これにより、中断後に作業者が基板処理装置１に作業するときに、感電等の危険にさらされるのを防ぐことができる。
【００３５】
図７は、報知部４００の構成の概略を示す正面図である。
報知部４００は、例えば、図７に示すように、各種情報を発光により報知する発光部４１０と、当該発光部４１０の発光をリセットするリセットボタン４１１とが、板状部材４１２に設けられた表示パネルである。発光部４１０は例えばＬＥＤである。なお、報知部４００は、液晶表示装置等の表示装置等から構成されてもよい。
【００３６】
また、報知部４００は、漏液したことを示す漏液情報を表示して報知する第１の表示領域Ａ１と、電源供給が遮断されたことを示す遮断情報を表示して報知する第２の表示領域Ａ２とを有する。第１の表示領域Ａ１及び第２の表示領域Ａ２それぞれには、漏液検知機構３００と同数の発光部４１０が設けられており、本実施形態では６つの発光部４１０が設けられている。そして、第１の表示領域Ａ１の６つの発光部４１０は、６つの漏液検知機構３００の第１の検出部３１１と１対１で対応付けられている。そのため、第１の表示領域Ａ１のいずれの発光部４１０が発光しているかによって、いずれの漏液検知機構３００の第１の検出部３１１で液体を検出しているか、すなわち、いずれの漏液受け部３１０で漏液があったかを作業者が判別できる。同様に、第２の表示領域Ａ２の６つの発光部４１０は、６つの漏液検知機構３００の第２の検出部３１２と１対１で対応付けられている。そのため、第２の表示領域Ａ２のいずれの発光部４１０が発光しているかによって、いずれの漏液検知機構３００の第１の検出部３１１で液体を検出しているか、すなわち、いずれの漏液受け部３１０で漏液があったかを作業者が判別することができる。
【００３７】
さらに、報知部４００は、電源２０１が投入されているか否かを表示する第３の表示領域Ａ３を有する。第３の表示領域Ａ３には、１つの発光部４１０が設けられており、この発光部４１０の発光により、電源２０１が投入されていることを作業者が判別することができる。
【００３８】
続いて、制御部２０２が有する注意状態判定部２１０及び警告状態判定部２２０の構成を説明する。図８は、注意状態判定部２１０及び警告状態判定部２２０の構成例を示す説明図である。
【００３９】
注意状態判定部２１０は、図８に示すように、１つの第１の検出部３１１に対して１つ設けられており、遅延回路２１１と、状態判定回路２１２と、点灯判定回路２１３とを有する。
【００４０】
遅延回路２１１は、注意状態判定部２１０に入力された、第１の検出部３１１での検出結果を示す第１の検出信号を保護時間だけ、すなわち所定時間だけ遅延させて第１の遅延信号として出力する。なお、本実施形態では、第１の検出部３１１で液体を検出していないときに第１の検出信号がＨｉｇｈになり、第１の検出部３１１で液体を検出しているときに第１の検出信号がＬｏｗになるものとする（後述の図９参照）。
【００４１】
状態判定回路２１２は、注意状態判定部２１０に入力された第１の検出信号と遅延回路２１１から出力された第１の遅延信号との内容に応じて、該当する第１の検出部３１１の周囲が注意状態であるか否かを示す注意状態信号を出力する。例えば、状態判定回路２１２は、第１の検出信号と第１の遅延信号の両方がＬｏｗの場合に、注意状態である旨の上記注意状態信号を出力する。なお、本実施形態では、注意状態でないときに注意状態信号がＨｉｇｈになり、注意状態であるときに注意状態信号がＬｏｗになるものとする。注意状態信号は、注意状態判定部２１０から出力され、装置コンピュータ２００等に入力される。装置コンピュータ２００は、注意状態信号の内容に応じて、基板処理装置１における基板処理を中断させる。
【００４２】
上述の構成により、注意状態判定部２１０を有する制御部２０２は、第１の検出部３１１により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、注意状態であるものと判定し、漏液情報を報知するように報知部４００を制御することができる。したがって、後述するようにノイズにより第１の検出信号がＬｏｗになる場合があるところ、漏液の誤検知、具体的には注意状態の誤検知を防ぐことができる。
【００４３】
なお、点灯判定回路２１３は、注意状態判定部２１０に入力された、リセットボタン４１１が操作されたか否かを示すリセット信号と、状態判定回路２１２から出力された注意状態信号との内容に応じて、第１の点灯制御信号を出力する。第１の点灯制御信号は、該当する第１の検出部３１１に対応する発光部４１０を点灯すべきか否かを示す信号である。第１の点灯制御信号は、注意状態判定部２１０から出力され、報知部４００に出力される。報知部４００は、第１の点灯制御信号にしたがって、第１の表示領域Ａ１の発光部４１０を制御する。
なお、本実施形態では、リセット信号は、リセットボタン４１１が操作されていないときにＨｉｇｈになり、操作されているときにＬｏｗになるものとする（後述の図９参照）。
【００４４】
点灯判定回路２１３は、例えば注意状態信号がＬｏｗになってから、リセット信号がＬｏｗになるまで、点灯すべき旨の第１の点灯制御信号を出力する。なお、本実施形態では、第１の点灯制御信号は、発光部４１０を点灯すべきでないときにＨｉｇｈになり、発光部４１０を点灯すべきときにＬｏｗになるものとする（後述の図９参照）。
【００４５】
また、警告状態判定部２２０は、注意状態判定部２１０と同様に、１つの第２の検出部３１２に対して１つ設けられており、遅延回路２２１と、状態判定回路２２２と、点灯判定回路２２３とを有する。
【００４６】
遅延回路２２１は、警告状態判定部２２０に入力された、第２の検出部３１２での検出結果を示す第２の検出信号を保護時間だけ、すなわち所定時間だけ遅延させて第２の遅延信号として出力する。なお、本実施形態では、第２の検出部３１２で液体を検出していないときに第２の検出信号がＨｉｇｈになり、第２の検出部３１２で液体を検出しているときに第２の検出信号がＬｏｗになるものとする（後述の図９参照）。
【００４７】
状態判定回路２２２は、警告状態判定部２２０に入力された第２の検出信号と遅延回路２２１から出力された第２の遅延信号との内容に応じて、該当する第２の検出部３１２の周囲が警告状態であるか否かを示す警告状態信号を出力する。例えば、状態判定回路２２２は、第２の検出信号と第２の遅延信号の両方がＬｏｗの場合に、警告状態である旨の上記警告状態信号を出力する。なお、本実施形態では、警告状態でないときに警告状態信号がＨｉｇｈになり、警告状態であるときに警告状態信号がＬｏｗになるものとする。警告状態信号は、警告状態判定部２２０から出力され、電源２０１等に入力される。電源２０１は、警告状態信号の内容に応じて、基板処理装置１への電力供給を遮断する。
【００４８】
上述の構成により、警告状態判定部２２０を有する制御部２０２は、第２の検出部３１２により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、警告状態であるものと判定し、電力供給を遮断するように電源２０１を制御することができる。したがって、後述するようにノイズにより第２の検出信号がＬｏｗになる場合があるところ、漏液の誤検知、具体的には警告状態の誤検知を防ぐことができる。第１の検出部３１１にかかる所定時間／保護時間と、第２の検出部３１２にかかる所定時間／保護時間は異なっていることが好ましく、後者の方が短いことが好ましい。なぜならば、後者の方を長くすると、電源供給遮断までに時間を要することになり危険なためである。
【００４９】
なお、点灯判定回路２２３は、警告状態判定部２２０に入力されたリセット信号と、状態判定回路２２２から出力された警告状態信号との内容に応じて、第２の点灯制御信号を出力する。第２の点灯制御信号は、該当する第２の検出部３１２に対応する発光部４１０を点灯すべきか否かを示す信号である。第２の点灯制御信号は、警告状態判定部２２０から出力され、報知部４００に出力される。報知部４００は、第２の点灯制御信号にしたがって、第２の表示領域Ａ２の発光部４１０を制御する。
【００５０】
点灯判定回路２２３は、例えば注意状態信号がＬｏｗになってから、リセット信号がＬｏｗになるまで、点灯すべき旨の第２の点灯制御信号を出力する。なお、本実施形態では、第２の点灯制御信号は、発光部４１０を点灯すべきでないときにＨｉｇｈになり、発光部４１０を点灯すべきときにＬｏｗになるものとする。
【００５１】
図９は、基板処理装置１の漏液検知にかかる動作の一例を説明するタイミングチャートである。
第１の検出部３１１で液体が検出され第１の検出信号がＬｏｗに切り替わった直後の時刻ｔ１では、第１の遅延信号がＨｉｇｈのままである。そのため、注意状態信号及び第１の点灯制御信号はＨｉｇｈのままとなり、基板処理装置１における基板処理は継続され、報知部４００による警告情報の報知は行われない。
しかし、時刻ｔ１から所定時間ｐ１経過した時刻ｔ２まで連続して第１の検出部３１１で液体が検出され第１の検出信号がＬｏｗであると、第１の遅延信号もＬｏｗとなり、注意状態信号及び第１の点灯制御信号がＬｏｗとなる。そのため、基板処理装置１における基板処理の中断処理が開始されると共に、報知部４００による警告情報の報知が行われる。
【００５２】
基板処理の中断処理が完了する前の時刻ｔ３において、第２の検出部３１２で液体が検出され第２の検出信号がＬｏｗに切り替わっても、第２の遅延信号がＨｉｇｈのままである。そのため、警告状態信号はＨｉｇｈのままとなり、電源供給は遮断されず、基板処理装置１における基板処理は継続される。
ただし、時刻ｔ３から所定時間ｐ２経過した時刻であり中断処理が完了する前の時刻である時刻ｔ４まで連続して第２の検出部３１２で液体が検出されると、第２の遅延信号もＬｏｗとなり、警告状態信号がＬｏｗとなる。そのため、電源２０１から基板処理装置１への電源供給が遮断され、基板処理装置１がシャットダウンされる。
【００５３】
その後、作業者が、漏れ出た液体の廃棄や拭き取り、配管の漏液部分の補修などを行うことにより、時刻ｔ５で第１及び第２の検出部３１１、３１２で液体が検出されなくなり、第１の検出信号及び第２の検出信号が共にＨｉｇｈとなる。そうすると、注意状態警告信号及び警告状態信号もＨｉｇｈとなる。その後、作業者の操作により電源２０１の供給が再開され、基板処理装置１が再起動される。ただし、再起動した時点（時刻ｔ６）では、第１の点灯制御信号はＨｉｇｈにならず報知部４００による漏液情報の報知は停止されない。その後、リセットボタン４１１を作業者が操作した時（時刻ｔ７）に、第１の点灯制御信号がＬｏｗになり、漏液情報の報知が停止される。
【００５４】
以上の実施形態では、基板Ｗに対して所定の処理を行う基板処理装置１が、液体が流通する配管５００と、配管５００から漏れた液体を受ける漏液受け部３１０と、漏液受け部３１０内に設けられ、液体を検出する第１の検出部３１１と、漏液受け部３１０内における第１の検出部３１１より高い位置に設けられ、液体を検出する第２の検出部３１２と、漏液したことを示す漏液情報を報知する報知部４００と、当該基板処理装置１への電力供給を行う電源２０１と、第１の検出部３１１での検出結果に基づいて、漏液情報を報知するように報知部４００を制御すると共に、第２の検出部３１２での検出結果に基づいて、当該基板処理装置１への電力供給を遮断するように電源２０１を制御する制御部２０２と、を有する。また、別の観点によれば、本実施形態では、基板Ｗに対して所定の処理を行う基板処理装置の制御方法において、基板処理装置１が、液体が流通する配管５００と、配管５００から漏れた液体を受ける漏液受け部３１０と、漏液受け部３１０内に設けられ、液体を検出する第１の検出部３１１と、漏液受け部３１０内における第１の検出部３１１より高い位置に設けられ、液体を検出する第２の検出部３１２と、漏液したことを示す漏液情報を報知する報知部４００と、当該基板処理装置１への電力供給を行う電源２０１と、を有し、第１の検出部３１１での検出結果に基づいて、漏液情報を報知するように報知部４００を制御する報知工程と、第２の検出部３１２での検出結果に基づいて、当該基板処理装置１への電力供給を遮断するように電源２０１を制御する遮断工程とを有する。そのため、漏液情報の報知を受けた作業者の作業により、漏液した状態から早期に回復することができるので、感電等の漏液による危険が生じにくく、即時に電源供給の遮断を行う機会が非常に少ない。また、第２の検出部３１２で液体が検出されたときは、基板処理装置１への電力供給を即時に遮断するため、感電等の漏液による危険を確実に回避することができる。よって、本実施形態によれば、基板の廃棄を抑制しつつ、漏水による危険を回避することができる。
【００５５】
ところで、ノイズにより第１の検出部３１１で液体が検出されたものとされ、図１０に示すように、第１の検出信号が非常に短期間にわたってＬｏｗになる場合がある。それに対し、以上の実施形態では、制御部２０２が、第１の検出部３１１により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、漏液情報を報知するように報知部４００を制御する。また、別の観点によれば、上記報知工程は、第１の検出部３１１により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、漏液情報を報知するように報知部４００を制御する。そのため、漏液の誤検知により漏液情報が報知されるのを防ぐことができる。
【００５６】
同様に、ノイズにより第２の検出部３１２で液体が検出されたものとされ、第２の検出信号が非常に短期間にわたってＬｏｗになる場合がある。それに対し、以上の実施形態では、制御部２０２が、第２の検出部３１２により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、電力供給を遮断するように電源２０１を制御する。また、別の観点によれば、上記遮断工程は、第２の検出部３１２により所定時間にわたって連続して液体が検出されたときに、電力供給を遮断するように電源２０１を制御する。そのため、漏液の誤検知により電力供給が遮断されるのを防ぐことができる。
【００５７】
図１１は、漏液検知機構３００の他の構成例を示す側面図である。
図１１の漏液検知機構３００は、第２の検出部３１２の上方を覆う遮蔽部３２０を有する。この構成により、感電する危険性が無いのに、漏れ出た液体の液滴が第２の検出部３１２上に落下し該第２の検出部で液体の検出がなされるのを防ぐことができる。また、この構成により、第２の検出部３１２上に装置部品等の異物が落下したときにその異物が液体として第２の検出部３１２に検出されるのを防ぐことができる。
なお、図示は省略するが、第１の検出部３１１の上方を覆う遮蔽部を漏液検知機構３００に設けてもよい。これにより、第１の検出部３１１上に装置部品等の異物が落下したときにその異物が液体として第１の検出部３１１に検出されるのを防ぐことができる。
【００５８】
以上の説明では、漏液検知機構３００は、プロセスモジュールＰＭ１〜ＰＭ６に設けられるものとしたが、ロードモジュール１２０やトランスファチャンバ１３０等に設けられていてもよい。
【００５９】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１  基板処理装置
２０１  電源
２０２  制御部
３１０  漏液受け部
３１１  第１の検出部
３１２  第２の検出部
４００  報知部
５００  配管
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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