(57)【要約】      （修正有）【課題】効率および寿命に優れる有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。【解決手段】下記一般式（１）で示される化合物。2020105155.tif 000076式（１）中、（ａ）Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の脂肪族炭化水素基および置換されたもしくは無置換の芳香族炭化水素環基の少なくとも一方であり、あるいは、任意に環を形成しており、（ｂ）Ａｒ１は、１つまたは２つ以上のメタフェニレン構造を含む、芳香族炭化水素環基（Ｘ）であり、ただし、９位で結合するフルオレン環を含まず、１つのみのメタフェニレン構造を含む場合は、フルオレン環を含まず、（ｃ）前記化合物は、ヘテロ原子およびトリフェニレン構造を含まない。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される、化合物：
【化１】
2020105155.tif 000070
上記一般式（１）中、
（ａ）Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の脂肪族炭化水素基および置換されたもしくは無置換の芳香族炭化水素環基の少なくとも一方であり、あるいは、任意に環を形成しており、
（ｂ）Ａｒ１は、１つまたは２つ以上のメタフェニレン構造を含む、芳香族炭化水素環基（Ｘ）であり、ただし、９位で結合するフルオレン環を含まず、１つのみのメタフェニレン構造を含む場合は、フルオレン環を含まず、
（ｃ）前記化合物は、ヘテロ原子およびトリフェニレン構造を含まない。
【請求項２】
前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ベンゼン環を１つ以上含み、複数の芳香族炭化水素環が単結合で直接結合している１価の基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ベンゼン環を２つ以上含む、あるいは、ベンゼン環とナフタレン環とを含む、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ベンゼン環を２つ以上含む、あるいは、ベンゼン環ならびにナフタレン環およびフルオレン環の少なくとも一方を含む、請求項２に記載の化合物。
【請求項５】
Ａｒ１は、２つ以上のメタフェニレン構造を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
下記一般式（２）で示される構造を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物。
【化２】
2020105155.tif 000071
【請求項７】
前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ｏ−ターフェニル構造を含まない、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物と、カルバゾール誘導体およびアジン誘導体の少なくとも一方を含む、組成物。
【請求項９】
前記カルバゾール誘導体が、下記化学式で表される化合物である、請求項８に記載の組成物。
【化３】
2020105155.tif 000072
一般式（Ｃ４）中、
Ｒ２１は、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の１価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の１価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）を表し；
Ｒ２２３およびＲ２２４は、それぞれ独立して、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の１価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の１価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）を表し；
ｄは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数を表し；
ｅは、それぞれ独立して、０以上３以下の整数を表す。
【請求項１０】
前記アジン環誘導体が、下記一般式（Ａ３）で表される化合物である、請求項８または９に記載の組成物：
【化４】
2020105155.tif 000073
一般式（Ａ３）中、
Ｔは、下記一般式で表される環構造を有する縮合環結合であり、
【化５】
2020105155.tif 000074
Ｚ１、Ｚ３およびＺ５は、それぞれ独立して、ＣＨまたはＮであり、ただし、Ｚ１、Ｚ３およびＺ５の少なくとも１つはＮであり；
Ｒ３１は、水素原子、重水素原子、または有機基であり；
Ｒ３２、Ｒ３３およびＲ３４は、それぞれ独立して、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の１価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の１価の芳香族複素環基を表し；
ｆおよびｇは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数を表し；
ｈは、０以上５以下の整数を表し；
ｉは、０以上２以下の整数を表す。
【請求項１１】
燐光発光性白金族金属錯体をさらに含む、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記燐光発光性白金族金属錯体が、下記化学式で表される化合物である、請求項１１に記載の組成物。
【化６】
2020105155.tif 000075
【請求項１３】
大気圧における沸点が１００℃以上３５０℃以下である溶剤と、請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物、あるいは、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の組成物とを含む、液状組成物。
【請求項１４】
一対の電極と、
前記一対の電極間に配置される１層以上の有機層と、を備え、
前記有機層の少なくとも１層は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物、あるいは、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の組成物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は化合物、組成物、液状組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型の発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｅｖｉｃｅ）を用いた表示装置および照明機器の開発が活発に行われている。有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機電界発光素子または有機ＥＬ素子という場合がある）は、発光材料を含む有機層を有している。有機ＥＬ素子の有機層内では、電子と正孔とが再結合することにより発光材料が励起され、発光材料が基底状態に戻る際に発光が生じる。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子では、電流効率、発光寿命等の素子特性を向上させる目的で、有機層を構成するための各種材料が開発されている。従来技術として、フルオレン化合物を発光層のホスト材料として用いた有機ＥＬ素子の報告例がある（特許文献１参照）。また、従来技術としてカルバゾール化合物をＨＴ性ホスト化合物、トリアジン環化合物をＥＴ性ホスト化合物として、燐光発光層に用いた有機ＥＬ素子の報告例がある（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２５５０７４号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／０８７９５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術では、いまだ効率および寿命が実用化に対して十分でないとの課題がある。そこで本発明は、効率および寿命の課題を解決することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決すべく、本発明者らは鋭意研究を積み重ねた。その結果、下記一般式（１）で示される、化合物を提供することで、上記の課題が解決できることが見出された。
【０００７】
【化１】
2020105155.tif 000002
【０００８】
上記一般式（１）中、（ａ）Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の脂肪族炭化水素基および置換されたもしくは無置換の芳香族炭化水素環基の少なくとも一方であり、あるいは、任意に環を形成しており、（ｂ）Ａｒ１は、１つまたは２つ以上のメタフェニレン構造を含む、芳香族炭化水素環基（Ｘ）であり、ただし、９位で結合するフルオレン環を含まず、１つのみのメタフェニレン構造を含む場合は、フルオレン環を含まず、（ｃ）前記化合物は、ヘテロ原子およびトリフェニレン構造を含まない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、効率および寿命の課題を解決することができる技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る組成物における、上記一般式（１）で表される化合物と、カルバゾール誘導体との間の、エネルギー準位の好ましい関係を説明するための説明図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る組成物における、上記一般式（１）で表される化合物と、アジン環誘導体との間の、エネルギー準位の好ましい関係を説明するための説明図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る組成物における、上記一般式（１）で表される化合物と、アジン誘導体と、燐光発光性白金族錯体との間の、エネルギー準位の好ましい関係を説明するための説明図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る組成物における、上記一般式（１）で表される化合物と、アジン誘導体と、カルバゾール誘導体と、燐光発光性白金族錯体との間の、エネルギー準位の好ましい関係を説明するための説明図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０℃以上２５℃以下）／相対湿度４０％以上５０％以下の条件で測定する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【００１２】
本願明細書において、「ＸおよびＹは、それぞれ独立して」とは、ＸおよびＹが同一であってもよいし、異なっていてもよいことを意味する。
【００１３】
また、本願明細書において、「置換されたまたは無置換の」または「置換されたもしくは無置換の」とは、化合物が水素原子に代えて他の置換基を有してもよいことを意味する。
【００１４】
＜化合物＞
本発明の一形態は、下記一般式（１）で示される、化合物である。
【００１５】
【化２】
2020105155.tif 000003
【００１６】
上記一般式（１）中、（ａ）Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の脂肪族炭化水素基および置換されたもしくは無置換の芳香族炭化水素環基の少なくとも一方であり、あるいは、任意に環を形成しており、（ｂ）Ａｒ１は、１つまたは２つ以上のメタフェニレン構造を含む、芳香族炭化水素環基（Ｘ）であり、ただし、９位で結合するフルオレン環を含まず、１つのみのメタフェニレン構造を含む場合は、フルオレン環を含まず、（ｃ）前記化合物は、ヘテロ原子およびトリフェニレン構造を含まない。なお、一般式（１）の化合物において、Ａｒ１、Ｒ２およびＲ３が導入されていない箇所は、すべて水素原子（重水素原子を含む）である。
【００１７】
本発明者らは、上記構成によって課題が解決されるメカニズムを以下のように推定している。本発明の化合物は、取りうるコンフォメーション数が多くなり、分子間の相互作用によるパッキングが生じ難くなる。これより、ガラス転移温度が低くなり、結晶化も生じ難くなる。その結果、高い溶解度を有し、溶液から析出し難く易く、溶液のポットライフも長くなる。また、溶剤を除去する乾燥工程において、比較的低いガラス転移温度のために、当該化合物を含む膜中において当該化合物分子が熱運動することが比較的容易であるために、揮発性不純物分子が通り抜けられる空隙が生じ易く、揮発性不純物分子の拡散および除去が容易となるため、有機ＥＬ素子の効率および寿命が向上する。本発明の一形態に係る化合物は、ＬＵＭＯレベルおよび電子と正孔とのキャリア移動度のバランスが良好となる。その結果、層内の電荷の再結合箇所および励起子の生成箇所が分散され、その負荷も分散されるため、有機ＥＬ素子の寿命が向上する。これら特定の部分構造によって奏される効果を総合することで、本発明の化合物は、従来困難であった低いガラス転移温度および結晶化の困難性の両立を実現する。また、当該化合物は、良好なＬＵＭＯレベルおよび電子と正孔とのキャリア移動度のバランスをも実現する。そして、本発明の化合物は、高い溶解性、および長い溶液のポットライフを両立し、有機ＥＬ素子の高効率化および長寿命化に寄与しうるものとなる。なお、上記メカニズムは推測に基づくものであり、その正誤が本発明の技術的範囲に影響を及ぼすものではない。
【００１８】
上記一般式（１）中、（ａ）Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の脂肪族炭化水素基および置換されたもしくは無置換の芳香族炭化水素環基の少なくとも一方であり、あるいは、任意に環を形成している。ここで、置換されたもしくは無置換の、脂肪族炭化水素基としては、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルキル基が好ましく、炭素数１以上１５以下の直鎖または分岐状のアルキル基がより好ましく、炭素数１以上１０以下の直鎖または分岐状のアルキル基がさらに好ましく、炭素数１以上５以下の直鎖または分岐状のアルキル基がよりさらに好ましく、炭素数１以上４以下の直鎖または分岐状のアルキル基がよりさらに好ましく、炭素数１以上３以下の直鎖または分岐状のアルキル基がよりさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｎ−ヘンエイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基等が挙げられる。当該脂肪族炭化水素基に存在する１以上の水素原子は、下記の芳香族炭化水素環基で置換されてもよい。
【００１９】
また、置換されたもしくは無置換の、芳香族炭化水素環基とは、一つ以上の芳香族炭化水素環を含む、芳香族炭化水素環由来の基である。つまり、一つ以上の芳香族環を含む炭素環を有する炭化水素（芳香族炭化水素）環由来の基である。本明細書中、これらは同様の定義を有する。炭素数としては、好ましくは炭素数６以上６０以下であり、より好ましくは６以上４０以下であり、さらに好ましくは６以上３０以下である。また、芳香族炭化水素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよいし、互いに単結合で直接結合してもよい。また、１つの環が、２つ以上の環と、単結合で直接結合してもよい。また、これら芳香族炭化水素環基に存在する１以上の水素原子は脂肪族炭化水素基で置換されてもよい。
【００２０】
芳香族炭化水素環基に含まれる芳香族炭化水素環は、特に限定されないが、具体的には、ベンゼン環、ペンタレン環、インデン環、ナフタレン環、アントラセン環、アズレン環、フルオレン環、９，９’−ジフェニルフルオレン環、９，９’−ジアルキル（炭素数は例えば１〜４）フルオレン環、ヘプタレン環、アセナフタレン環、フェナレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、トリナフチレン環、ヘプタフェン環、フルオレン環、ピラントレン環等が挙げられる。好ましくは、発光効率を高くするために必要な三重項励起エネルギー、および、後述する発光寿命を長くするために好ましい低いガラス転移温度（Ｔｇ）の少なくとも一方の観点からベンゼン環またはナフタレン環である。
【００２１】
また、「任意に環を形成」した場合の環としては、例えば、フルオレン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、インデン環、テトラリン環が想定される。本発明の一形態において、当該任意の環が、フルオレン環である場合、芳香族炭化水素環基（Ｘ）は、２つ以上のメタフェニレン構造を含む。かかる形態であることによって、本発明の所期の効果を効率的に奏することができる。本発明の一形態において、当該任意の環が、フルオレン環である場合、当該フルオレン環の水素には、如何なる置換基も置換されないことがよい。本発明の一形態において、「任意に環を形成」した場合、当該環の水素には如何なる置換基も置換されない。
【００２２】
本発明の一形態において、上記一般式（１）中、（ｂ）Ａｒ１は、１つまたは２つ以上のメタフェニレン構造を含む、芳香族炭化水素環基（Ｘ）である。ここで、メタフェニレン構造は、下記の式によって示される。なお、＊は、結合部位である。
【００２３】
【化３】
2020105155.tif 000004
【００２４】
よって例えば、下記式で示される化合物を例に挙げると、一般式（１）中のＡｒ１は、点線で示される丸で囲った２つのメタフェニレン構造を含む。
【００２５】
【化４】
2020105155.tif 000005
【００２６】
ここで、芳香族炭化水素環基（Ｘ）の定義は、１つまたは２つ以上のメタフェニレン構造を含む以外、芳香族炭化水素環基の定義と同様である。芳香族炭化水素環基（Ｘ）に含まれる芳香族炭化水素環は、メタフェニレン構造を形成するベンゼンを少なくとも１つ含む限り、特に限定されない。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、９，９’−ジフェニルフルオレン環、９，９’−ジアルキル（各アルキルの炭素数は例えば１つ以上４つ以下）フルオレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、フルオレン環等が挙げられる。発光効率を高くするために必要な三重項励起エネルギーの観点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、９，９’−ジフェニルフルオレン環、９，９’−ジアルキル（各アルキルの炭素数は例えば１つ以上４つ以下）フルオレン環が好ましく挙げられ、後述する発光寿命を長くするために好ましい低いガラス転移温度の観点から、ベンゼン環、ナフタレン環がより好ましく挙げられる。
【００２７】
本発明の一形態によれば、芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ペンタレン環、インデン環、アントラセン環、アズレン環、ヘプタレン環、アセナフタレン環、フェナレン環、ピレン環、クリセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、トリナフチレン環、ヘプタフェン環およびピラントレン環からなる群から選択される少なくとも１種の環を含まなくてもよい。また、本発明の一形態によれば、芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、フルオレン環およびフェナントレン環の少なくとも一方を含まなくてもよい。これらの形態であることによって、ガラス転移温度（Ｔｇ）を低下させ、乾燥工程における揮発性不純物の除去を促進し、発光寿命を長くする技術的効果がある。
【００２８】
本発明の一形態において、Ａｒ１が、１つのみのメタフェニレン構造を含む場合、フルオレン環を含まない。かかる形態であることによって、比較的には取りうるコンフォメーション数が少ないにもかかわらず、大きなπ平面を有する縮合環同士の相互作用が減少し、凝集しにくくなり、インクポットライフが長くなる、および、ガラス転移温度（Ｔｇ）を低下させ、乾燥工程における揮発性不純物の除去を促進し、発光寿命を長くする、との少なくとも一方の技術的効果がある。また、本発明の一形態において、Ａｒ１は、９位で結合するフルオレン環を含まない。９位で結合するフルオレン環はπ共役効果を有さないため、ＬＵＭＯあるいはＬＵＭＯに近い電子伝導準位を形成することがなく、単にガラス転移温度（Ｔｇ）が上昇される可能性が高い。このことによって揮発性不純物の除去が困難となり、発光寿命が短寿命化される懸念を回避できる技術的効果がある。
【００２９】
本発明の一形態においては、前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ベンゼン環を１つ以上含み、複数の芳香族炭化水素環が単結合で直接結合している１価の基である。かかる実施形態であることによって、分子が取りうるコンフォメーション数がより多くなり、分子間の相互作用によるパッキングがより生じ難くなる。ここで、上記Ｗ１で示される化合物を、一般式（１）で示される化合物に当てはめると、Ｒ１およびＲ２は、いずれもベンゼン環であり、Ａｒ１における芳香族炭化水素環基（Ｘ）は、ベンゼン環を４つ含み、これら４つのベンゼン環が単結合で直接結合している１価の基である。そして、４つのベンゼン環のうち２つがメタフェニレン構造を形成する。
【００３０】
本発明の一形態においては、前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ベンゼン環を２つ以上含む、あるいは、ベンゼン環ならびにナフタレン環およびフルオレン環の少なくとも一方を含む。かかる実施形態であることによって、高い燐光発光効率を高くするために必要な三重項励起エネルギーが確保される技術的効果がある。本発明の一形態においては、前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ベンゼン環を２つ以上含む、あるいは、ベンゼン環とナフタレン環とを含む。かかる実施形態であることによって、後述する発光寿命を長くするために、好ましい低いガラス転移温度が確保される技術的効果がある。本発明の一形態においてＡｒ１は、２つ以上のメタフェニレン構造を含む。そのことによって、分子が取りうるコンフォメーション数がより多くなり、分子間の相互作用によるパッキングがより生じ難くなる。本発明の一形態においてＡｒ１に含まれるメタフェニレン構造の数の上限としては、例えば、６つ以下、または４つ以下である。かかる形態であることによって、ガラス転移温度が必要以上（過度）に低下することを抑制する技術的効果がある。
【００３１】
本発明の一形態において、一般式（１）で示される化合物が、下記一般式（２）で示される構造を含む。メタフェニレン構造を含むことで分子のコンフォメーション数を増やし、ベンゼン環で形成された直線的な構造を有することによって、ＬＵＭＯに近いエネルギー準位の、ＬＵＭＯ以外の電子伝導が可能な非占有分子軌道（ＵＭＯ：Ｕｎｏｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）が増えることで電子伝導経路（パス）が増え、駆動電圧（消費電力）を低下させる技術的効果がある。
【００３２】
【化５】
2020105155.tif 000006
【００３３】
例えば、下記式３８で示される化合物を、一般式（１）で示される化合物に当てはめると、Ｒ１およびＲ２が環を形成してフルオレン環となる。芳香族炭化水素環基（Ｘ）は、３つのベンゼン環と、１つの９，９’−ジフェニルフルオレン環とを含む。３つのベンゼン環は、単結合で直接結合しており、さらに９，９’−ジフェニルフルオレン環を単結合で直接結合している。３つのベンゼン環のうち２つがメタフェニレン構造を形成している。さらに、上記一般式（２）で示される構造を含んでいる。
【００３４】
【化６】
2020105155.tif 000007
【００３５】
本発明の一形態において、前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）中に含まれる芳香族炭化水素環が、単結合で直接結合される場合、芳香族炭化水素環の数は、２つ以上９つ以下が好ましく、２つ以上７つ以下がより好ましく、２つ以上５つ以下がさらに好ましい。
【００３６】
本発明の一形態において、一般式（１）で示される化合物は、ヘテロ原子およびトリフェニレン構造を含まない。当該化合物が、ヘテロ原子を含むと、ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ等の少なくとも一方のエネルギー準位が変化して、電荷（正孔または電子）の、注入性または輸送性が強くなりすぎる傾向があり、発光層や隣接層界面の局所に負荷集中し易くなり、発光寿命が短くなる虞がある。なお、ここでいうヘテロ原子とは、炭素および水素以外の原子を意味する。また、本発明の一形態において、トリフェニレン構造を含むと、本願の比較例にも示されるように本発明の所期の効果を有さない。
【００３７】
本発明の一形態において、一般式（１）で示される化合物のＲ１およびＲ２のいずれもがフェニル基の場合、これらフェニル基にはメタ位に置換基を有してもよいフェニル基が置換されない。つまり、下記の構造を含まない。かかる形態によって、Ｒ１および／またはＲ２がＬＵＭＯが分布するフルオレン構造部分に与える立体障害効果が軽減され、該フルオレン部位が有する後述の電子移動度制御効果を阻害しないとの技術的効果がある。
【００３８】
【化７】
2020105155.tif 000008
【００３９】
本発明の一形態において、一般式（１）で示される化合物のＡｒ１が、フルオレン環を含む場合、そのフルオレン環の９位を起点として如何なる対称構造も採らないことがよい。かかる形態によって、一般式（１）で示される化合物の溶解度が向上する。当該形態において、一般式（１）で示される化合物のＡｒ１が、以下の構造を含まない。
【００４０】
【化８】
2020105155.tif 000009
【００４１】
本発明の一形態において、一般式（１）で示される化合物は、非対称型である。ここで、非対称型とは、フルオレン骨格の左右のベンゼン環に、非対称に置換基が導入されていることを意味する。かかる形態によって、一般式（１）で示される化合物の溶解度が向上する。
【００４２】
本発明の一形態は、前記芳香族炭化水素環基（Ｘ）が、ｏ−ターフェニル構造を含まない。ｏ−ターフェニル構造を含まないことで、より発光寿命が長い有機ＥＬ素子が提供される技術的効果がある。
【００４３】
以下、上記化学式（１）で表される構造を有する化合物を具体的に例示する。ただし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
【００４４】
【化９】
2020105155.tif 000010
【００４５】
【化１０】
2020105155.tif 000011
【００４６】
【化１１】
2020105155.tif 000012
【００４７】
【化１２】
2020105155.tif 000013
【００４８】
一般式（１）で示される化合物は、本願明細書に記載の実施例の知見や、既知のフルオレン化合物の合成方法や、一般的な鈴木−宮浦カップリング反応等を適宜参照し、あるいは組み合わせることによって当業者であれば容易に合成することができる。
【００４９】
＜組成物＞
本発明の他の一形態は、上記化学式（１）で表される構造を有する化合物に加え、他の化合物をさらに含む、組成物に関する。
【００５０】
上記化学式（１）で表される構造を有する化合物は、上述のように、高い有機ＥＬ素子の効率および寿命を実現することができる。そして、本発明の一形態に係る組成物は、当該化合物を含む。当該組成物を含む有機ＥＬ素子用材料は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層の材料として使用可能である。これらの中でも、発光層の材料として使用することが好ましい。また、上記化学式（１）で表される構造を有する化合物は、溶液から析出し難く、溶液のポットライフも長くなる。そして、本発明の一形態に係る組成物は、当該化合物を含む。当該組成物は、湿式成膜法を用いた場合であっても、高い有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命を実現することができる。
【００５１】
他の化合物としては、特に制限されず、有機ＥＬ素子の有機層形成材料として公知の化合物を適宜採用することができる。これらの中でも、発光材料、カルバゾール誘導体またはアジン環誘導体であることが好ましい。
【００５２】
本発明の一形態に係る組成物中における、上記化学式（１）で表される構造を有する化合物の含有量は、当該組成物の総質量に対して、５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。また、当該含有量は、１０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。この範囲であると、溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命が向上する。
【００５３】
以下、好ましい他の化合物である発光材料、カルバゾール誘導体、アジン環誘導体について、詳細を説明する。
【００５４】
（発光材料）
本発明の一形態に係る組成物は、発光材料をさらに含むことが好ましい。
【００５５】
発光材料としては、高い発光機能を有するものであれば、特に限定されず、有機蛍光分子、白金族金属元素を含む有機金属錯体からなる燐光発光材料（以下、燐光発光性白金族金属錯体とも称する）、量子ドットなどを用いることができる。
【００５６】
発光材料は、発光効率の観点から、燐光発光性白金族金属錯体が好ましい。白金族金属元素とは、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）および白金（Ｐｔ）の総称を表す。これらの中でも、燐光発光性イリジウム（Ｉｒ）錯体および白金（Ｐｔ）錯体であることがより好ましく、燐光発光性イリジウム（Ｉｒ）錯体であることがより好ましい。
【００５７】
燐光発光性白金族金属錯体としては、特に制限されない。例えば、下記一般式Ｌ１〜Ｌ２６からなる群から選択される少なくとも一つのリガンドを有することが好ましい。
【００５８】
【化１３】
2020105155.tif 000014
【００５９】
【化１４】
2020105155.tif 000015
【００６０】
【化１５】
2020105155.tif 000016
【００６１】
一般式Ｌ１〜Ｌ２６中、
Ｘ１〜Ｘ１３は、それぞれ独立して、炭素または窒素である。Ｘは、ＢＲ’、ＮＲ’、ＰＲ’、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｃ＝Ｏ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ２、ＣＲ’Ｒ’’、ＳｉＲ’Ｒ’’およびＧｅＲ’Ｒ’’からなる群から選択される。Ｒ’およびＲ’’は、縮合または結合して環を形成してもよい。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、１から可能な最大置換数まで存在してもよく、または存在しなくてもよい。Ｒ’、Ｒ’’、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアルキル基、アリールアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、シリル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、ヘテロアルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アシル基、カルボニル基、カルボン酸基、エステル基、ナイトライト基、イソニトリル基、スルファニル基、スルフィニル基、スルフォニル基、ホスフィノ基およびそれらの組み合わせからなる群から選択さる。Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄの２つの隣接する置換基は、縮合または結合して環を形成してもよく、または多座配位子を形成してもよい。
【００６２】
以下、上記一般式Ｌ１〜Ｌ２６で表されるリガンドを有する燐光発光性白金族金属錯体を具体的に例示する。ただし、燐光発光性白金族金属錯体はこれら具体例に限定されない。
【００６３】
【化１６】
2020105155.tif 000017
【００６４】
【化１７】
2020105155.tif 000018
【００６５】
【化１８】
2020105155.tif 000019
【００６６】
【化１９】
2020105155.tif 000020
【００６７】
【化２０】
2020105155.tif 000021
【００６８】
【化２１】
2020105155.tif 000022
【００６９】
【化２２】
2020105155.tif 000023
【００７０】
【化２３】
2020105155.tif 000024
【００７１】
【化２４】
2020105155.tif 000025
【００７２】
【化２５】
2020105155.tif 000026
【００７３】
燐光発光性白金族金属錯体は、上記示した具体例の化合物に制限されない。例えば、米国特許出願公開第２０１６／００９３８０８号明細書の段落０１０５〜０１１３、特表２０１４−５０９０６７号公報等に記載の公知の燐光発光性白金族金属錯体も参照により本発明に組み入れることができる。また、これらの参照文献に記載の燐光発光性白金族金属錯体は、本願明細書の補正の根拠としても使用することができる。
【００７４】
上記組成物中における発光材料の含有量は、ホスト材料として機能する、上記化学式（１）で表される構造を有する化合物、および後述の、組成物中に含んでもよい（ホスト材料として機能する）カルバゾール環誘導体または、後述の、（ホスト材料として機能する）アジン環誘導体、との合計質量１００質量部に対して、０．５質量部以上、５０質量部以下であることが好ましい。また、当該含有量は、１質量部以上３０質量部以下であることが好ましく、２質量部以上２５質量部以下であることがより好ましい。上記範囲であると、組成物の溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【００７５】
（カルバゾール誘導体）
本発明の一形態に係る組成物は、カルバゾール誘導体をさらに含むことが好ましい。すなわち、上記一般式（１）で表される化合物と、カルバゾール誘導体とを含む、組成物であることが好ましい。
【００７６】
本発明の一形態に係る組成物は、カルバゾール誘導体を含有することで、分子の凝集抑制効果をより高め、また電子と正孔とのキャリア移動度のバランスを改善することができる。よって、組成物の溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【００７７】
また、カルバゾール誘導体は、窒素原子（Ｎ）を含む１３個の環形成原子で構成された含窒素複素環化合物構造（カルバゾール構造）を有する。このため、カルバゾール誘導体によって、本発明の一形態に係る組成物の内で発光材料を除いて、最も浅いＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ、最高被占軌道）が分布する。よって、膜中の分子の凝集を抑制しつつ、さらに正孔注入性および正孔輸送性の少なくとも一方が高いものとなる。さらに、それらの正孔注入性および正孔輸送性の少なくとも一方はカルバゾール誘導体の組成比を制御することで容易に連続的に変調することができる。特に発光層内での正孔量や膜厚方向に対する正孔密度プロファイルの制御が容易になる。これらの結果、本発明の一形態に係る組成物がカルバゾール誘導体を含有することで、湿式成膜法により作製する有機ＥＬ素子の性能（特に、正孔注入性および正孔輸送性の少なくとも一方）がより向上する。その結果、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【００７８】
カルバゾール誘導体は、下記一般式（Ｃ１）で表される化合物であることが好ましい。下記一般式（Ｃ１）で表される化合物は、窒素原子（Ｎ）を含む複素環構造（含窒素複素環式化合物）の９位のＮにＲ２１が結合する構造（骨格）を有する。
【００７９】
【化２６】
2020105155.tif 000027
【００８０】
上記一般式（Ｃ１）において、Ｒ２１は、アジン環構造を有しない基であって、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有するものを除く）である。本願明細書において、「アジン環構造」とは、アジン環、ジアジン環またはトリアジン環等の６員環構造、またはこれを一部に含む縮合環構造を表す。
【００８１】
Ｒ２１を構成しうる一価の芳香族複素環基は、特に制限されない。例えば、炭素数６以上６０以下の芳香族炭化水素環基、すなわち炭素数６以上６０以下の一つ以上の芳香族炭化水素環を有する芳香族炭化水素環由来の基等が挙げられる。また、芳香族炭化水素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合していてもよいし、互いに単結合で直接結合してもよい。また、これら芳香族炭化水素環基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。
【００８２】
芳香族炭化水素環基に含まれる芳香族炭化水素環は、特に限定されないが、具体的には、ベンゼン環、ペンタレン環、インデン環、ナフタレン環、アントラセン環、アズレン環、ヘプタレン環、アセナフタレン環、フェナレン環、フルオレン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、トリナフチレン環、ヘプタフェン環、ピラントレン環等が挙げられる。
【００８３】
本発明の一形態では、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が互いに単結合で２つ以上５つ以下結合されている。本発明の一形態では、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）が互いに単結合で２つ以上４つ以下結合されている。本発明の一形態では、芳香族複素環基（例えば、カルバゾール環）および芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）の少なくとも２つ以上が互いに単結合で結合されている。本発明の一形態では、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）は、窒素原子を介して単結合で結合されている。
【００８４】
また、Ｒ２１を構成しうる一価の芳香族複素環基は、アジン環構造を有しないものであれば、特に制限されない。例えば、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基、すなわち１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環形成原子数３以上６０以下の環（芳香族複素環）由来の基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）等が挙げられる。また、芳香族複素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに単結合で結合または縮合していてもよい。また、これら芳香族複素環基に存在する１以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。
【００８５】
ここで、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）を有する化合物において、環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、環が置換基によって置換される場合、当該置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。例えば、カルバゾリル基は、環形成原子数が１３である。
【００８６】
芳香族複素環基を構成する芳香族複素環としては、特に限定されないが、例えば、π電子過剰系芳香族複素環、π電子不足系芳香族複素環とπ電子過剰系芳香族複素環とを混合したπ電子不足系−π電子過剰系混合芳香族複素環が挙げられる。
【００８７】
π電子過剰系芳香族複素環の具体例としては、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、カルバゾール等が挙げられる。
【００８８】
π電子不足系−π電子過剰系混合芳香族複素環の具体例としては、イミダゾール、インダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、イミダゾリノン、ベンズイミダゾリノン、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン等が挙げられる。
【００８９】
Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、Ｃ（Ｒ２２）である。Ｃ（Ｒ２２）中のＣは、炭素原子を示す。また、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、重水素原子、またはアジン環構造を有しない有機基であれば特に制限されない。これらの中でも、水素原子、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換のアリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有するものを除く）であることが好ましい。本発明の一形態において、一般式（Ｃ１）が縮合をしてもよい。
【００９０】
Ｙ１〜Ｙ８において、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうる、アルキル基は、特に限定されない。例えば、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−イソプロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２−メチル−１−イソプロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−イソプロピルブチル基、２−メチル−１−イソプロピル基、１−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、イソデシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、ｎ−ヘンエイコシル基、ｎ−ドコシル基、ｎ−トリコシル基、ｎ−テトラコシル基等が挙げられる。
【００９１】
Ｙ１〜Ｙ８において、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうる、アルコキシ基は、特に制限されない。例えば、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルコキシ基である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基等が挙げられる。これらのうち、炭素数１以上８以下の直鎖もしくは分岐状のアルコキシ基が好ましい。
【００９２】
Ｙ１〜Ｙ８において、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうる、アリールオキシ基は、アジン環構造を有しないものであれば、特に限定されない。例えば、環形成原子数６以上３０以下のアリールオキシ基である（ただし、アジン環構造を有するものを除く）。アリールオキシ基は、ヘテロ原子を含んでもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、２−アズレニルオキシ基、２−フラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基、２−インドリルオキシ基、３−インドリルオキシ基、２−ベンゾフリルオキシ基、２−ベンゾチエニルオキシ基等が挙げられる。
【００９３】
Ｙ１〜Ｙ８において、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうる、アリールアミノ基は、アジン環構造を有しないものであれば、特に限定されない。例えば、環形成原子数６以上３０以下のアリールオキシ基である（ただし、アジン環構造を有するものを除く）。アリールオキシ基は、ヘテロ原子を含んでもよい。フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニルメチルアミノ基等が挙げられる。
【００９４】
Ｙ１〜Ｙ８において、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうる、アルキル基を有するアルキルアミノ基は、特に限定されない。例えば、炭素数１以上３０以下の直鎖または分岐状のアルキル基を有するアルキルアミノ基である。具体的には、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−イソプロピルアミノ基、Ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ−イソブチルアミノ基、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルアミノ基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、Ｎ−ペンチルアミノ基、Ｎ−ヘキシルアミノ基等のＮ−アルキルアミノ基、Ｎ，Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジイソブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジヘキシルアミノ基等のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基等が挙げられる。
【００９５】
なお、Ｙ１〜Ｙ８において、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基、一価の芳香族複素環基は、上述のＲ２１を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基、一価の芳香族複素環基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【００９６】
また、Ｒ２１を構成しうる芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ならびにＲ２２中を構成しうるアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、アリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、アルキル基を有するアルキルアミノ基、一価の芳香族炭化水素環基、一価の芳香族複素環基は、他の置換基によって置換されていてもよい。また、これら他の置換基は、重水素原子またはアジン環構造を有しない有機基であれば、特に限定されない。例えば、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または（例えばアルキル基で）置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）等が挙げられる。
【００９７】
Ｒ２１およびＲ２２における他の置換基を構成しうる、アルキル基、アルコキシ基は、アリールオキシ基、アルキル基を有するアルキルアミノ基は、それぞれ、Ｃ（Ｒ２２）中のＲ２２を構成しうるこれらの基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【００９８】
Ｒ２１およびＲ２２における他の置換基を構成しうる、一価の芳香族炭化水素環基および一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有するものを除く）は、上述のＲ２１を構成しうる芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【００９９】
そして、Ｒ２１およびＲ２２を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基は、炭素数６以上６０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。また、炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることがより好ましい。
【０１００】
また、Ｒ２１およびＲ２２を構成しうる一価の芳香族複素環基は、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、環形成原子数３以上３０以下の一価の芳香族複素環基であることがより好ましい。
【０１０１】
なお、Ｒ２１および１つ以上のＲ２２や、２つ以上のＲ２２は、それぞれ独立して、互いに縮合または結合して環構造を形成していてもよい。
【０１０２】
また、一般式（Ｃ１）で表される化合物は、一般式（Ｃ１）で表される構造がそれぞれのＲ２１またはＲ２２を介して結合してなる多量体であってもよい。
【０１０３】
上記一般式（Ｃ１）で表される化合物としては、特に制限されないが、好ましい一例としては、下記一般式（Ｃ２）で表される化合物が挙げられる。ここで、下記一般式（Ｃ２）で表される化合物は、上記一般式（Ｃ１）において、Ｒ２２が互いに結合して環構造を形成してなる化合物の一例である。本発明の一形態において、下記コアの説明にあるように、Ｑの環構造を介して如何なる方向で結合されてもよい。
【０１０４】
【化２７】
2020105155.tif 000028
【０１０５】
上記一般式（Ｃ２）において、Ｑは、下記一般式で表される環構造を有する縮合環結合であり、
【０１０６】
【化２８】
2020105155.tif 000029
【０１０７】
Ｒ２１は、それぞれ独立して、上記一般式（Ｃ１）で説明したものと同様である。
【０１０８】
Ｒ２２１は、それぞれ独立して、重水素原子、またはアジン環構造を有しない有機基を表し、Ｒ２２２は、それぞれ独立して、重水素原子、またはアジン環構造を有しない有機基を表し、ｂは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数を表し、ｃは、０以上２以下の整数を表す。
【０１０９】
ここで、Ｒ２２１を構成しうる有機基は、例えば、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）等が挙げられる。
【０１１０】
また、Ｒ２２２を構成しうる有機基は、例えば、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）等が挙げられる。
【０１１１】
ここで、Ｒ２２１およびＲ２２２を構成しうる各置換基の説明は、それぞれ、上述の一般式（Ｃ１）のＲ２２を構成しうる各置換基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１１２】
Ｒ２２１およびＲ２２２を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基は、炭素数６以上６０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。また、炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることがより好ましい。
【０１１３】
また、Ｒ２２１およびＲ２２２を構成しうる一価の芳香族複素環基は、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基であることがより好ましい。
【０１１４】
上記一般式（Ｃ２）において、ｂが０であるか、またはｂが０でない場合は、Ｒ２２１は、それぞれ独立して、重水素原子、アジン環構造を有しない、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基、またはアジン環構造を有しない置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１１５】
また、上記一般式（Ｃ２）において、ｃが０であるか、またはｃが０でない場合、Ｒ２２２は、それぞれ独立して、重水素原子、アジン環構造を有しない、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基、またはアジン環構造を有しない、置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１１６】
ここで、上記一般式（Ｃ２）において、ｂおよびｃが共に０であり、Ｒ２１が無置換の炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることがより好ましい。また、上記一般式（Ｃ２）において、ｂおよびｃが共に０であり、Ｒ２１は、ベンゼン環が互いに単結合で２以上５以下結合されていることに由来する基であることがさらに好ましい。
【０１１７】
上記一般式（Ｃ２）において、Ｒ２１、１つ以上のＲ２２１および１つ以上のＲ２２２のうち少なくとも２つの基が、互いに縮合または結合して環構造を形成していてもよい。
【０１１８】
なお、上記一般式（Ｃ２）で表される化合物は、置換基Ｒ２１、Ｒ２２１およびＲ２２２を示さない以下の５つのコア構造（ａ）〜（ｅ）のいずれも有することができる。これらの中でも、コア構造（ａ）が好ましい。
【０１１９】
【化２９】
2020105155.tif 000030
【０１２０】
以下、上記一般式（Ｃ２）で表される化合物を具体的に例示する。ただし、本発明の一形態に係る組成物に含まれうるカルバゾール誘導体は、これら具体例に限定されるものではない。
【０１２１】
【化３０】
2020105155.tif 000031
【０１２２】
【化３１】
2020105155.tif 000032
【０１２３】
【化３２】
2020105155.tif 000033
【０１２４】
【化３３】
2020105155.tif 000034
【０１２５】
【化３４】
2020105155.tif 000035
【０１２６】
【化３５】
2020105155.tif 000036
【０１２７】
上記一般式（Ｃ１）で表される化合物としては、特に制限されないが、好ましい一例としては、下記一般式（Ｃ３）または（Ｃ４）で表される化合物が挙げられる。
【０１２８】
【化３６】
2020105155.tif 000037
【０１２９】
【化３７】
2020105155.tif 000038
【０１３０】
上記一般式（Ｃ３）、一般式（Ｃ４）において、Ｒ２１は、それぞれ独立して、上記一般式（Ｃ１）で説明したものと同様である。
【０１３１】
Ｒ２２３は、それぞれ独立して、重水素原子、またはアジン環構造を有しない有機基を表し、Ｒ２２４は、それぞれ独立して、重水素原子、またはアジン環構造を有しない有機基を表し、ｄは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数を表し、ｅは、０以上３以下の整数を表す。
【０１３２】
ここで、Ｒ２２３を構成しうる有機基は、例えば、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）等が挙げられる。
【０１３３】
また、Ｒ２２４を構成しうる有機基は、例えば、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアリールアミノ基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基（ただし、アジン環構造を有する基を除く）等が挙げられる。
【０１３４】
ここで、Ｒ２２３およびＲ２２４を構成しうる各置換基の説明は、それぞれ、上述の一般式（Ｃ１）のＲ２２を構成しうる各置換基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１３５】
Ｒ２２３およびＲ２２４を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基は、炭素数６以上６０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。また、炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることがより好ましい。
【０１３６】
また、Ｒ２２３およびＲ２２４を構成しうる一価の芳香族複素環基は、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。また、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１３７】
上記一般式（Ｃ３）において、ｄが０であることが好ましい。また、ｄが０でない場合、Ｒ２２３は、それぞれ独立して、重水素原子、アジン環構造を有しない置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基、またはアジン環構造を有しない置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１３８】
また、上記一般式（Ｃ３）において、ｅが０であることが好ましい。また、ｅが０でない場合、Ｒ２２４は、それぞれ独立して、重水素原子、アジン環構造を有しない、置換されたもしくは無置換の炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基、またはアジン環構造を有しない、置換されたもしくは無置換の環形成原子数３以上３０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１３９】
ここで、上記一般式（Ｃ３）において、ｄおよびｅが共に０であり、Ｒ２１が無置換の炭素数６以上３０以下の一価の芳香族炭化水素環基であることがより好ましい。また、ｄおよびｅが共に０であり、Ｒ２１が無置換のビフェニル基であることがさらに好ましい。ビフェニル基は、２つのベンゼン環が単結合で直接結合した一価の基とも言える。
【０１４０】
上記一般式（Ｃ３）において、Ｒ２１、１つ以上のＲ２２３および１つ以上のＲ２２４のうち少なくとも２つの基が、互いに縮合または結合して環構造を形成していてもよい。
【０１４１】
以下、上記一般式（Ｃ３）で表される化合物を具体的に例示する。ただし、カルバゾール誘導体はこれら具体例に限定されない。
【０１４２】
【化３８】
2020105155.tif 000039
【０１４３】
【化３９】
2020105155.tif 000040
【０１４４】
【化４０】
2020105155.tif 000041
【０１４５】
【化４１】
2020105155.tif 000042
【０１４６】
また、上記以外の好ましいカルバゾール誘導体の好ましい例としては、下記化合物が挙げられる。
【０１４７】
【化４２】
2020105155.tif 000043
【０１４８】
カルバゾール誘導体は、上記示した具体例の化合物に制限されない。例えば、ＵＳ２０１６／００９３８８号明細書の段落００９５〜０１０４、特開２０１４−５０９０６７号公報等に記載の公知のカルバゾール誘導体も参照により本発明に組み入れることができる。また、これらの参照文献に記載のカルバゾール誘導体は、本願明細書の補正の根拠としても使用することができる。
【０１４９】
上記組成物中におけるカルバゾール誘導体の含有量は、ホスト材料として機能する、当該カルバゾール誘導体自身、および、（ホスト材料として機能する）上記化学式（１）で表される構造を有する化合物、および、（ホスト材料として機能する）上記組成物中に含んでもよいアジン環誘導体、との合計質量１００質量部に対して、５質量部以上９０質量部以下であることが好ましい。また、当該含有量は、１０質量部以上８０質量部以下であることが好ましく、１５質量部以上７０質量部以下であることがより好ましい。上記範囲であると、組成物の溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。なお、後述のように、アジン環誘導体は、任意に用いられうるホスト材料である。上記範囲であると、組成物の溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０１５０】
本発明の一形態に係る組成物がカルバゾール誘導体をさらに含む場合、上記一般式（１）で表される化合物のＨＯＭＯレベル（ＨＯＭＯ０）と、カルバゾール誘導体のＨＯＭＯ（ＨＯＭＯＣｚ）との差（ΔＨＯＭＯ）（正孔トラップ深さ）は、以下の数式（１）で求められる。ここで、ＨＯＭＯ０と、ＨＯＭＯＣｚとは共にマイナス領域の数値、すなわち負の値である。
【０１５１】
【数１】
2020105155.tif 000044
【０１５２】
ΔＨＯＭＯは、好ましくは０．０５ｅＶ以上１．０ｅＶ以下であり、より好ましくは０．１０ｅＶ以上０．８ｅＶ以下であり、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．７ｅＶ以下である。ここで、ＨＯＭＯ０と、ＨＯＭＯＣｚとの好ましい関係を図１に示す。上記範囲であると、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０１５３】
（アジン環誘導体）
本発明の一形態に係る組成物は、アジン環誘導体をさらに含むことが好ましい。すなわち、上記一般式（１）で表される化合物と、アジン環誘導体とを含む、組成物であることが好ましい。
【０１５４】
本願明細書において、「アジン環誘導体」とは、アジン環、ジアジン環、トリアジン環等の６員環構造、またはこれを一部に含む縮合環構造を有する、含窒素芳香環を有する化合物を表す。
【０１５５】
本発明の一形態に係る組成物は、アジン環誘導体を含有することで、分子の凝集抑制効果をより高め、また電子と正孔とのキャリア移動度のバランスを改善することができる。よって、組成物の溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０１５６】
また、アジン環誘導体は、環形成原子として窒素原子（Ｎ）を含む６員環の複素環構造（アジン環構造）を有する。このため、アジン環誘導体によって、本発明の一形態に係る組成物の内で深いＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ、最低空軌道）が分布する。よって、膜中の分子の凝集を抑制しつつ、さらに電子注入性および電子輸送性の少なくとも一方が高いものとなる。さらに、それらの電子注入性および電子輸送性アジン環誘導体の組成比を制御することで容易に連続的に変調することができる。特に発光層内での電子量や膜厚方向に対する電子密度プロファイルの制御が容易になる。これらの結果、本発明の一形態に係る組成物がアジン環誘導体を含有することで、湿式成膜法により作製する有機ＥＬ素子の性能（特に、電子注入性および電子輸送性の少なくとも一方）がより向上する。その結果、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命の少なくとも一方がより向上する。
【０１５７】
アジン環誘導体は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物であることが好ましい。
【０１５８】
【化４３】
2020105155.tif 000045
【０１５９】
上記一般式（Ａ１）において、Ｚ１〜Ｚ６は、それぞれ独立して、Ｃ（Ｒ３１）または窒素原子である。また、Ｚ１〜Ｚ６の少なくとも１つは、窒素原子である。すなわち、上記一般式（Ａ１）で表される化合物は、窒素原子（Ｎ）を含む６員環の複素環化合物（含窒素複素環式化合物）を示す。
【０１６０】
Ｚ１〜Ｚ６において、Ｃ（Ｒ３１）中のＣは炭素原子を示す。
【０１６１】
ここで、Ｃ（Ｒ３１）中のＲ３１は、水素原子、重水素原子、または有機基であれば特に制限されない。これらの中でも、水素原子、重水素原子、置換されたもしくは無置換の炭素数１以上３０以下のアルキル基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１６２】
Ｃ（Ｒ３１）中のＲ３１を構成しうる、アルキル基は、上記一般式（Ｃ１）のＲ２２における説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１６３】
Ｃ（Ｒ３１）中のＲ３１を構成しうる、一価の芳香族炭化水素環基は、上記一般式（Ｃ１）のＲ２１における説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１６４】
そして、Ｃ（Ｒ３１）中のＲ３１を構成しうる一価の芳香族複素環基は、特に制限されない。例えば、環形成原子数３以上６０以下の一価の芳香族複素環基、すなわち１個以上のヘテロ原子（例えば、窒素原子（Ｎ）、酸素原子（Ｏ）、リン原子（Ｐ）、硫黄原子（Ｓ））を有し、残りの環原子が炭素原子（Ｃ）である１以上の芳香族環を含む環形成原子数３以上６０以下の環（芳香族複素環）由来の基等が挙げられる。Ｒ３１を構成しうる一価の芳香族複素環基は、環形成原子数３以上３０以下の一価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１６５】
本発明の一形態において、芳香族複素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに単結合で結合または縮合していてもよい。また、これら芳香族複素環基に芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環、ナフタレン環）等の置換基が導入されていてもよい。
【０１６６】
芳香族複素環基を構成する芳香族複素環としては、特に限定されないが、例えば、π電子不足系芳香族複素環、π電子過剰系芳香族複素環、π電子不足系芳香族複素環とπ電子過剰系芳香族複素環とを混合したπ電子不足系−π電子過剰系混合芳香族複素環が挙げられる。
【０１６７】
π電子不足系芳香族複素環の具体例としては、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、ピリミジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、キナゾリン、ナフチリジン、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、ベンゾキノン、クマリン、アントラキノン、フルオレノン等が挙げられる。
【０１６８】
π電子過剰系芳香族複素環の具体例としては、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、カルバゾール、インドロカルバゾール等が挙げられる。
【０１６９】
π電子不足系−π電子過剰系混合芳香族複素環の具体例としては、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ピラゾール、インダゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソオキサゾール、チアゾール、イソチアゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、イミダゾリノン、ベンズイミダゾリノン、イミダゾピリジン、イミダゾピリミジン、イミダゾフェナンスリジン、ベンズイミダゾフェナンスリジン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン等が挙げられる。
【０１７０】
なお、２つ以上のＲ３１は、互いに単結合で結合または縮合または結合して環構造を形成していてもよい。
【０１７１】
また、一般式（Ａ１）で表される化合物は、一般式（Ａ１）で表される構造がそれぞれのＲ３１を介して結合してなる多量体であってもよい。
【０１７２】
また、Ｒ３１中の各置換基は、他の置換基によって置換されていてもよい。Ｒ３１中の各置換基を置換しうる他の置換基としては、有機基であれば特に限定されない。例えば、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、２つ以上（例えば、２つ以上５つ以下、あるいは、２つ以上４つ以下）の環が単結合で直接結合している炭化水素環集合基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基が挙げられる。当該環は、上記で説明した芳香族炭化水素環と、上記で説明した芳香族複素環とが単結合で直接結合してもよい。
【０１７３】
Ｒ３１中の他の置換基を構成しうるアルキル基、アルコキシ基、アルキル基を有するアルキルアミノ基は、それぞれ、上述した一般式（Ｃ１）におけるＲ２２を構成しうるこれらの基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１７４】
Ｒ３１中の他の置換基を構成しうるアリールオキシ基は、特に限定されない。例えば、環形成原子数６以上３０以下のアリールオキシ基等が挙げられる。アリールオキシ基は、ヘテロ原子を含んでもよい。アリールオキシ基は、環形成原子数６以上３０以下の単環または縮合多環アリールオキシ基である。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、２−アズレニルオキシ基、２−フラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基、２−インドリルオキシ基、３−インドリルオキシ基、２−ベンゾフリルオキシ基、２−ベンゾチエニルオキシ基等が挙げられる。
【０１７５】
Ｒ３１中の他の置換基を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基および一価の芳香族複素環基は、それぞれ、上述のＲ３１を構成しうる一価の芳香族炭化水素環基および一価の芳香族複素環基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１７６】
また、一般式（Ａ１）で表される化合物は、一般式（Ａ１）で表される構造がそれぞれのＲ３１を介して結合してなる多量体であってもよい。
【０１７７】
アジン環誘導体の好ましい例としては、下記一般式（Ａ２−１）〜（Ａ２−５）で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、下記一般式（Ａ２−１）で表される化合物が好ましい。
【０１７８】
【化４４】
2020105155.tif 000046
【０１７９】
一般式（Ａ２−１）〜（Ａ２−５）中、Ａｒは、それぞれ独立して、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基である。
【０１８０】
上記一般式（Ａ２−１）〜（Ａ２−５）中のＡｒを構成しうる一価の芳香族炭化水素環基および一価の芳香族複素環基は、それぞれ、上記一般式（Ａ１）のＣ３１におけるこれらの基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１８１】
上記一般式（Ａ２−１）〜（Ａ２−５）において、Ａｒ中の芳香族炭化水素環基または芳香族炭化水素環基は、他の置換基によって置換されていてもよい。ここで、Ａｒ中の他の置換基は、上記一般式（Ａ１）のＲ３１における他の置換基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１８２】
また、Ａｒ中の芳香族炭化水素環基または芳香族炭化水素環基を置換する他の置換基をさらに置換するさらなる他の置換基や、さらなる他の置換基をさらに置換するその次の他の置換基のような、他の置換基中に存在する基を置換する続く置換基は、上記一般式（Ａ１）のＲ３１における他の置換基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１８３】
一般式（Ａ２−１）〜（Ａ２−５）において、芳香族炭化水素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環は、互いに縮合していてもよい。また、２以上の環が単結合で直接結合している炭化水素環集合基の形態であってもよい。
【０１８４】
また、アジン環誘導体の好ましい一例は、下記一般式（Ａ３）で表される化合物である。
【０１８５】
【化４５】
2020105155.tif 000047
【０１８６】
上記一般式（Ａ３）において、Ｔは、下記一般式で表される環構造を有する縮合環結合である。本発明の一形態において、Ａ３中で左右に示されているインドール環同士が下記一般式で表される環構造を介して如何なる方向で結合されてもよい。
【０１８７】
【化４６】
2020105155.tif 000048
【０１８８】
Ｚ１、Ｚ３、Ｚ５は、それぞれ独立して、ＣＨまたはＮであり、ただし、少なくとも１個のＺ１、Ｚ３、Ｚ５はＮである。Ｒ３１は、上記一般式（Ａ１）と同様である。Ｒ３２は、それぞれ独立して、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基を表す。Ｒ３３は、それぞれ独立して、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基を表す。
【０１８９】
上述のとおり、芳香族炭化水素環基が２以上の環を含む場合、２以上の環（芳香族炭化水素環および芳香族複素環の少なくとも２つ）は互いに縮合していてもよいし、互いに単結合で直接結合してもよい。
【０１９０】
Ｒ３４は、それぞれ独立して、重水素原子、置換されたもしくは無置換のアルキル基、置換されたもしくは無置換のアルコキシ基、置換されたもしくは無置換のアリールオキシ基、置換されたもしくは無置換のアルキル基を有するアルキルアミノ基、シアノ基、置換されたもしくは無置換の一価の芳香族炭化水素環基、または置換されたもしくは無置換の一価の芳香族複素環基を表す。ｆおよびｇは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数を表す。ｈは、０以上５以下の整数を表す。ｉは、０以上２以下の整数を表す。ここで、上記一般式（Ａ３）におけるＲ３２、Ｒ３３およびＲ３４を構成しうる各置換基は、上記一般式（Ｃ１）のＲ３１における他の置換基を構成しうる各置換基の説明と同様であるため、説明を省略する。
【０１９１】
上記一般式（Ａ３）のいくつかの実施形態において、Ｚ１、Ｚ３およびＺ５は、全てＮである。また、上記一般式（Ａ３）において、ｆおよびｇは、共に０であり、ｈは１であり、ｉは０であり、Ｒ３１およびＲ３３は、共に無置換の一価の芳香族炭化水素環基であることが好ましい。また、上記一般式（Ａ３）において、ｆおよびｇは、共に０であり、ｈは１であり、ｉは０であり、Ｒ３１は、無置換のフェニル基であり、Ｒ３３は、無置換のビフェニル基であることが好ましい。
【０１９２】
上記一般式（Ａ３）において、１つ以上のＲ３１、１つ以上のＲ３２、１つ以上のＲ３３および１つ以上のＲ３４うち少なくとも２つの基が、互いに単結合で結合または縮合または結合して環構造を形成していてもよい。
【０１９３】
本発明の一形態のアジン環誘導体は、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【０１９４】
【化４７】
2020105155.tif 000049
【０１９５】
【化４８】
2020105155.tif 000050
【０１９６】
【化４９】
2020105155.tif 000051
【０１９７】
一般式Ａ２−１で表されるトリアジン化合物においては、トリアジン環に結合する３つのＡｒのうちの少なくとも２つがそれぞれ互いに異なる構造であることがより好ましい。このような構造とすることで、化合物の結晶性を低下させることができ、化合物の溶解性を高めることができる。
【０１９８】
一般式Ａ２−２、Ａ２−３、Ａ２−４、およびＡ２−５で表される化合物の具体例としては、一般式Ａ２−１の例示化合物において、トリアジン環をピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、ピリジン環にそれぞれ置き換えた化合物等が挙げられる。
【０１９９】
キナゾリン化合物およびキノリン化合物の具体例としては、一般式Ａ２−１の例示化合物において、トリアジン環をキナゾリン環、キノリン環にそれぞれ置き換えた化合物等が挙げられる。
【０２００】
これらアジン環誘導体の中でも、上記Ａｚ１が好ましい。
【０２０１】
アジン環誘導体は、上記に具体例の化合物に制限されない。例えば、米国特許出願公開第２０１６／００９３８０８号明細書の段落００７８〜００９４、特表２０１３−５３５８３０号公報、特表２０１８−５２４７９７号公報、米国特許出願公開第２０１７／０３４６０２０号明細書、米国特許出願公開第２０１７／０３０９８２９号明細書等に記載の公知のアジン環誘導体も参照により本発明に組み入れることができる。また、これらの参照文献に記載のアジン環誘導体は、本願明細書の補正の根拠としても使用することができる。
【０２０２】
上記組成物中におけるアジン環誘導体の含有量は、（ホスト材料として機能する）当該アジン環誘導体自身、および、（ホスト材料として機能する）上記化学式（１）で表される構造を有する化合物、および、（ホスト材料として機能する）上記組成物中に含んでもよいカルバゾール環誘導体、との合計質量１００質量部に対して、５質量部以上、９０質量部以下であることが好ましい。また、当該含有量は、１０質量部以上８０質量部以下であることが好ましく、１５質量部以上７０質量部以下であることがより好ましい。上記範囲であると、組成物の溶解度がより向上し、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２０３】
本発明の一形態に係る組成物が後述のアジン環誘導体をさらに含む場合、一般式（１）で表される化合物のＬＵＭＯレベル（ＬＵＭＯ０）と、アジン環誘導体のＬＵＭＯ（ＬＵＭＯＡｚｉｎｅ）との差（ΔＬＵＭＯ）（電子トラップ深さ）は、以下の数式（２）で求められる。ここで、ＬＵＭＯ０と、ＬＵＭＯａｚｉｎｅとは共にマイナス領域の数値、すなわち負の値である。
【０２０４】
【数２】
2020105155.tif 000052
【０２０５】
ΔＬＵＭＯは、好ましくは０．０５ｅＶ以上１．０ｅＶ以下であり、より好ましくは０．０５ｅＶ以上０．５ｅＶ以下であり、さらに好ましくは０．０５ｅＶ以上０．３ｅＶ以下である。ここで、ＬＵＭＯ０と、ＬＵＭＯａｚｉｎｅとの好ましい関係を図２に示す。上記範囲であると、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２０６】
（好ましい組成物の例）
本発明の一形態に係る組成物は、上述のように、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体とを含むことが好ましい。これらの中でも、上記一般式（１）で表される化合物と、上記一般式（Ｃ１）で表される化合物とを含むことがより好ましい。この際、化合物４３または４４と、カルバゾール誘導体Ｈ１−１とを含むことが特に好ましい。上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体とを含む組成物を用いることで、溶解度がより向上する。そして、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。ここで、これらの組成物は、上記の燐光発光性白金族金属錯体をさらに含むことがさらに特に好ましい。燐光発光性白金族金属錯体により、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命をより向上させることができる。この場合、化合物４３または４４と、カルバゾール誘導体Ｈ１−１と、燐光発光性白金族金属錯体Ｄ１とを含むことが極めて好ましい。
【０２０７】
また、本発明の一形態に係る組成物は、上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体とを含むことが好ましい。これらの中でも、上記一般式（１）で表される化合物と、上記一般式（Ａ１）で表される化合物とを含むことがより好ましい。そして、これらの中でも、上記一般式（１）で表される化合物と、上記一般式（Ａ３）で表される化合物とを含むことがさらに好ましい。この際、化合物４３または４４と、アジン環誘導体Ａｚ１とを含むことがよりさらに好ましい。上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体とを含む組成物を用いることで、溶解度がより向上する。そして、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。ここで、これらの組成物は、上記の燐光発光性白金族金属錯体をさらに含むことが特に好ましい。燐光発光性白金族金属錯体により、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命をより向上させることができる。この場合、化合物４３または４４と、アジン環誘導体Ａｚ１と、燐光発光性白金族金属錯体Ｄ１とを含むことが極めて好ましい。
【０２０８】
本発明者らは、上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体とを含む組成物によって有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命が向上するメカニズムを以下のように推定している。
【０２０９】
一般的に、従来のカルバゾール誘導体に代表される正孔輸送性ホスト材料と、従来のアジン環誘導体に代表される電子輸送性ホスト材料と、燐光発光性白金族金属錯体と、を組合せた有機層（発光層）の場合、当該有機層内での正孔と電子のキャリアプロファイルを整えることは困難である。カルバゾール誘導体およびアジン環誘導体の正孔輸送性および電子輸送性がそれぞれ強すぎるからである。このため、当該有機層内における再結合分布（プロファイル）および／または励起子生成分布（プロファイル）が局所集中することで、寿命が短くなり易い。
【０２１０】
一方、図３で示されるように、上記一般式（１）で表される化合物のＬＵＭＯ（ＬＵＭＯ０）は、通常、アジン環誘導体のＬＵＭＯ（ＬＵＭＯａｚｉｎｅ）よりも浅い。また、図３で示されるように、上記一般式（１）で表される化合物のＨＯＭＯ（ＨＯＭＯ０）は、通常、カルバゾール誘導体のＨＯＭＯ（ＨＯＭＯＣｚ）よりも深い。また、上記一般式（１）で表される化合物の正孔移動度は、通常、カルバゾール誘導体よりも低い。
【０２１１】
このため、上記一般式（１）で表される化合物をカルバゾール誘導体等の正孔輸送性ホスト材料の代わりに用い、当該化合物と、アジン環誘導体等の電子輸送性ホスト材料と、燐光発光性白金族金属錯体と、を組合せた発光層の場合には、以下のような機構が発現すると推測される。
【０２１２】
まず、上記の組成物から構成される有機層内では、電子は、最も深いアジン環誘導体のＬＵＭＯ（ＬＵＭＯａｚｉｎｅ）に一度トラップされる。しかし、トラップされた電子は、上記一般式（１）で表される化合物のＬＵＭＯ（ＬＵＭＯ０）にデトラップ（ｄｅｔｒａｐ、脱トラップ）され移動を再開する。このため、当該有機層内では電子は、ＬＵＭＯａｚｉｎｅとＬＵＭＯ０の間でのトラップ−デトラップの繰り返しによって移動し、電子移動度が低下する。また、上記の組成物から構成される有機層内では、正孔は燐光発光性白金族金属錯体のＨＯＭＯ（ＨＯＭＯＭＣ）にトラップされる。そして、トラップされた正孔は、上記一般式（１）で表される化合物のＨＯＭＯ（ＨＯＭＯ０）にデトラップされ移動を再開する。このとき、トラップ深さ（ＨＯＭＯ０−ＨＯＭＯＭＣ）が大きくデトラップの確率が非常に低いこと、および／または、上記一般式（１）で表される化合物の正孔移動度が低いために、当該有機層内で、正孔移動度が著しく低下する。これより、電子は、当該有機層内のアノードに近い側（例えば、電子輸送層に近い側）に高濃度に蓄積する。一方、正孔は、当該有機層内のカソードに近い側（例えば、正孔輸送層に近い側）に高濃度に蓄積する。その結果、キャリア再結合は両者の中間領域にかけて緩やかに起きることとなる。そして、当該有機層（発光層）内での再結合分布（プロファイル）および／または励起子生成分布（プロファイル）が極めて良好に分散される。これより、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２１３】
なお、上記メカニズムは推測に基づくものであり、その正誤が本発明の技術的範囲に影響を及ぼすものではない。
【０２１４】
本発明の一形態に係る組成物は、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体と、上記アジン環誘導体とを含むことが好ましい。これらの中でも、上記一般式（１）で表される化合物と、上記一般式（Ｃ１）で表される化合物と、上記一般式（Ａ１）で表される化合物とを含むことがより好ましい。この際、化合物４３または４４と、カルバゾール誘導体Ｈ１−１と、アジン環誘導体Ａｚ１とを含むことが特に好ましい。上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体と、上記アジン環誘導体とを含む組成物を用いることで、溶解度がより向上する。そして、溶液からの析出がより生じ難くなり、溶液のポットライフがより長くなる。また、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。特に、有機ＥＬ素子の駆動電圧がより低下し、消費電力がより低減されることから、発光効率の向上効果が顕著となる。ここで、これらの組成物は、上記の燐光発光性白金族金属錯体をさらに含むことが特に好ましい。燐光発光性白金族金属錯体により、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命をより向上させることができる。この場合、化合物４３または４４と、カルバゾール誘導体Ｈ１−１と、アジン環誘導体Ａｚ１と、燐光発光性白金族金属錯体Ｄ１とを含むことが極めて好ましい。
【０２１５】
本発明者らは、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体と、上記アジン環誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体とを含む組成物によって有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命が向上するメカニズムを以下のように推定している。
【０２１６】
上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体とを含む組成物についての推定メカニズムの説明で述べたように、従来のカルバゾール誘導体等の正孔輸送性ホスト材料と、従来のアジン環誘導体等の電子輸送性ホスト材料と、燐光発光性白金族金属錯体と、を組合せた有機層（発光層）の場合、当該有機層内における再結合分布（プロファイル）および／または励起子生成分布（プロファイル）が局所集中することで寿命が短くなり易い。
【０２１７】
また、図４で示すように、ＬＵＭＯ０は、通常、ＬＵＭＯａｚｉｎｅよりも浅い。また、ＨＯＭＯ０は、通常、ＨＯＭＯＣｚよりも深い。また、上記一般式（１）で表される化合物の正孔移動度は、通常、上記カルバゾール環誘導体よりも低い。
【０２１８】
このため、上記一般式（１）で表される化合物を、カルバゾール誘導体等の正孔輸送性ホスト材料と、アジン環誘導体等の電子輸送性ホスト材料と上記の燐光発光性白金族金属錯体と、を組合せた発光層に追加的に添加した場合には、以下のような機構が発現すると推測される。
【０２１９】
まず、上記の組成物から構成される有機層内では、電子は、最も深いＬＵＭＯａｚｉｎｅに一度トラップされる。しかし、トラップされた電子は、ＬＵＭＯ０にデトラップされ移動を再開する。このため、当該有機層内では電子は、ＬＵＭＯａｚｉｎｅとＬＵＭＯ０の間でのトラップ−デトラップの繰り返しによって移動し、電子移動度が低下する。これらの点は、図３を参照して説明した、上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体と、を含む組成物についての推定メカニズムと同様である。
【０２２０】
また、本実施態様では、正孔はＨＯＭＯＭＣにトラップされる。そして、トラップされた正孔は、ＨＯＭＯＣｚにデトラップされ移動を再開する。さらに、当該有機層内には、上記一般式（１）で表される化合物が一定量以上の比率で存在する。ここで、図４で示すように、上記一般式（１）で表される化合物は、上記カルバゾール誘導体と比較して、より深いＨＯＭＯ０を有し、また、より低い正孔移動度を有する。これより、当該有機層内の正孔移動度は、上記一般式（１）で表される化合物が存在しない場合、すなわち、上記カルバゾール誘導体等の正孔輸送性ホスト材料と、上記アジン環誘導体等の電子輸送性ホスト材料と、上記の燐光発光性白金族金属錯体と、を組合せた従来の有機層（発光層）の場合と比べて低下する。
【０２２１】
これより、電子は、当該有機層内のアノードに近い側（例えば、電子輸送層に近い側）に高濃度に蓄積する。一方、正孔は、当該有機層内のカソードに近い側（例えば、正孔輸送層に近い側）に高濃度に蓄積する。その結果、キャリア再結合は両者の中間領域にかけて緩やかに起きることとなる。そして、当該有機層（発光層）内での再結合分布（プロファイル）および／または励起子生成分布（プロファイル）が極めて良好に分散される。これより、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２２２】
なお、上述したように、ホスト材料として上記一般式（１）で表される化合物および上記アジン環誘導体のみを用い、発光材料として上記の燐光発光性白金族金属錯体を用いる組成物に係る実施形態を採用した場合、本発明の高い効果が奏される。しかしながら、ホスト材料として上記一般式（１）で表される化合物、上記カルバゾール誘導体および上記アジン環誘導体を用い、発光材料として上記の燐光発光性白金族金属錯体を用いる組成物に係る実施形態を採用した場合、本発明の効果はより高まる。正孔移動度の低下が好適な程度となり、発光寿命を向上させる効果に加えて駆動電圧の低電圧化（低消費電力化）をも満足させるからである。
【０２２３】
以上のように、発光材料として上記の燐光発光性白金族金属錯体を、ホスト材料として上記化学式（１）で表される構造を有する化合物および上記アジン環誘導体のみを用いる場合に対して、上記カルバゾール誘導体を追加的に用いる場合の方が、正孔移動度の低下が好適な程度であり、発光寿命を向上させる効果に加えて駆動電圧の低電圧化（低消費電力化）をも満足させる点で好ましい。
【０２２４】
なお、上記メカニズムは推測に基づくものであり、その正誤が本発明の技術的範囲に影響を及ぼすものではない。
【０２２５】
なお、上記説明した各組成物において、上記一般式（１）で表される化合物がワイドギャップ材料であることが好ましい。当該材料を用いることで、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２２６】
なお、上記説明した各組成物の調製方法は、特に制限されない。例えば、これらの組成物は、上記一般式（１）で表される化合物と、任意に用いられる他の化合物とを混合することで調整することができる。混合の順序は特に制限されず、また混合方法、混合条件も特に限定されず、公知の調整方法を含む種々の調整方法を用いることができる。
【０２２７】
本発明の一形態に係る組成物は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料（本明細書において、有機ＥＬ素子用材料とも称する）として用いられることが好ましい。すなわち、有機ＥＬ素子用材料は、本発明の一形態に係る組成物を含むことが好ましい。
【０２２８】
＜液状組成物＞
本発明のその他の形態は、上記一般式（１）で表される化合物、またはこれと他の化合物とを含む組成物と、溶剤とを含む、液状組成物に関する。液状組成物としては、上記好ましい組成物の例に挙げた組成物と、溶剤とを含むことが好ましい。
【０２２９】
また、溶剤としては、特に限定されないが、大気圧（１０１．３ｋＰａ、１ａｔｍ）における沸点が１００℃以上３５０℃以下である溶剤であることが好ましい。すなわち、本発明の好ましい一形態は、上記一般式（１）で表される化合物またはこれと他の化合物とを含む組成物と、大気圧における沸点が１００℃以上３５０℃以下である溶剤とを含む、液状組成物である。溶剤の大気圧における沸点は、１５０℃以上３２０℃以下であることがより好ましく、１８０℃以上３００℃以下であることがさらに好ましい。溶剤の大気圧における沸点が上記範囲であると、湿式成膜法、特にインクジェット（ｉｎｋ  ｊｅｔ）印刷法における成膜性や工程性が向上する。その結果、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する、および／または、製造工程における利便性（作業能率または歩留まり）が向上する。
【０２３０】
大気圧における沸点が１００℃以上３５０℃以下である溶剤は、特に制限されず、公知の溶剤を適宜採用することができる。以下に、大気圧における沸点が１００℃以上３５０℃以下である溶剤を具体的に例示するが、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
【０２３１】
炭化水素系溶剤としては、オクタン（ｏｃｔａｎｅ）、ノナン（ｎｏｎａｎｅ）、デカン（ｄｅｃａｎｅ）、ウンデカン（ｕｎｄｅｃａｎｅ）、ドデカン（ｄｏｄｅｃａｎｅ）等が挙げられる。芳香族炭化水素系溶剤としては、トルエン（ｔｏｌｕｅｎｅ）、キシレン（ｘｙｌｅｎｅ）、エチルベンゼン（ｅｔｈｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、ｎ−プロピルベンゼン（ｎ−ｐｒｏｐｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、ｉｓｏ−プロピルベンゼン（ｉｓｏ−プロピルベンゼン（ｎ−ｐｒｏｐｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、メシチレン（ｍｅｓｉｔｙｌｅｎｅ）、ｎ−ブチルベンゼン（ｎ−ｂｕｔｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、ｓｅｃ−ブチルベンゼン（ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、１−フェニルペンタン（１−ｐｈｅｎｙｌｐｅｎｔａｎｅ）、２−フェニルペンタン（２−ｐｈｅｎｙｌｐｅｎｔａｎｅ）、３−フェニルペンタン（３−ｐｈｅｎｙｌｐｅｎｔａｎｅ）、フェニルシクロペンタン（ｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｎｅ）、フェニルシクロヘキサン（ｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ）、２−エチルビフェニル（２−ｅｔｈｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）、３−エチルビフェニル（３−ｅｔｈｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）等が挙げられる。エーテル系溶剤としては、１，４−ジオキサン（１，４−ｄｉｏｘａｎｅ）、１，２−ジエトキシエタン（１，２−ｄｉｅｔｈｏｘｙｅｔｈａｎｅ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｄｉｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）、アニソール（ａｎｉｓｏｌｅ）、エトキシベンゼン（ｅｔｈｏｘｙｂｅｎｚｅｎｅ）、３−メチルアニソール（３−Ｍｅｔｈｙｌａｎｉｓｏｌｅ）、ｍ−ジメトキシベンゼン（ｍ−ｄｉｍｅｔｈｏｘｙｂｅｎｚｅｎｅ）等が挙げられる。ケトン系溶剤としては、２−ヘキサノン（２−ｈｅｘａｎｏｎｅ）、３−ヘキサノン（３−ｈｅｘａｎｏｎｅ）、シクロヘキサノン（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、２−ヘプタノン（２−ｈｅｐｔａｎｏｎｅ）、３−ヘプタノン（３−ｈｅｐｔａｎｏｎｅ）、４−ヘプタノン（４−ｈｅｐｔａｎｏｎｅ）、シクロヘプタノン（ｃｙｃｌｏｈｅｐｔａｎｏｎｅ）等が挙げられる。エステル系溶剤としては、酢酸ブチル（ｂｕｔｙｌａｃｅｔａｔｅ）、プロピオン酸ブチル（ｂｕｔｙｌｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ）、酪酸ブチル（ｈｅｐｔｙｌｂｕｔｙｒａｔｅ）、プロピレンカーボネート（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｃａｒｂｏｎａｔｅ）、メチルベンゾエート（安息香酸メチル）（ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏａｔｅ）、エチルベンゾエート（ｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏａｔｅ）、１−プロピルベンゾエート（１−ｐｒｏｐｙｌｂｅｎｚｏａｔｅ）、１−ブチルベンゾエート（１−ｂｕｔｙｌｂｅｎｚｏａｔｅ）等が挙げられる。ニトリル系溶剤としては、ベンゾニトリル（ｂｅｎｚｏｎｉｔｒｉｌｅ）、３−メチルベンゾニトリル（３−ｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｏｎｉｔｒｉｌｅ）等が挙げられる。アミド系溶剤としては、ジメチルホルムアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、ジメチルアセトアミド（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ）、Ｎ−メチルピロリドン（ｍｅｔｈｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）等が挙げられる。これらの中でも、エステル系溶媒が好ましく、メチルベンゾエートがより好ましい。これらの溶剤は、一種単独でまたは二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０２３２】
液状組成物が、上記一般式（１）で表される化合物および溶剤のみを含む場合、液状組成物における当該化合物の濃度は、特に限定されず、用途に応じて適宜調整可能である。ただし、塗布容易性等の観点から、液状組成物における当該化合物の含有量は、溶剤１００質量部に対して、好ましくは０．０５質量部以上１０質量部以下となるように調整される。また、当該化合物の濃度は、溶剤１００質量部に対して、より好ましくは０．１質量部以上６質量部以下となるように調整される。上記範囲であると、塗布法で成膜する場合の有機薄膜の必要膜厚確保が容易となり、且つ、溶液からの析出がより生じ難く、溶液のポットライフがより長くなるとともに、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２３３】
液状組成物が、上記一般式（１）で表される化合物と他の化合物とを含む組成物および溶剤を含む場合、液状組成物における当該組成物の含有量は、特に限定されず、用途に応じて適宜調整可能である。ただし、塗布容易性等の観点から、液状組成物における当該組成物の濃度は、溶剤１００質量部に対して、好ましくは０．０５質量部以上１０質量部以下となるように調整される。また、当該組成物の濃度は、溶剤１００質量部に対して、より好ましくは０．１質量部以上６質量部以下となるように調整される。上記範囲であると、溶液からの析出がより生じ難く、溶液のポットライフがより長くなるとともに、有機ＥＬ素子の発光効率および発光寿命がより向上する。
【０２３４】
なお、上記液状組成物の調製方法は、特に制限されない。例えば、当該液状組成物は、上記一般式（１）で表される化合物と、任意に用いられる他の化合物と、溶剤とを混合することで調整することができる。混合の順序は特に制限されず、また混合方法、混合条件も特に限定されず、公知の調整方法を含む種々の調整方法を用いることができる。
【０２３５】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
本発明のさらなる他の一形態は、上記一般式（１）で表される化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳細には、当該形態は、一対の電極と、前記一対の電極の間に配置された、当該化合物またはこれと他の化合物とを含む組成物を含む有機層とを備える、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【０２３６】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【０２３７】
図５は、本発明の一形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の模式図である。以下、図５を参照して、本発明の一形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子について、詳細に説明する。
【０２３８】
図５に示すように、本発明の一形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。
【０２３９】
ここで、上記一般式（１）で表される化合物は、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機層の中に含まれうる。上記一般式（１）で表される化合物と他の化合物とを含む組成物は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機層の中に含まれうる。
【０２４０】
具体的には、上記一般式（１）で表される化合物は、正孔輸送性および電子輸送性のいずれにも優れる観点から、正孔注入材料として正孔注入層１３０に含まれうる。また、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれてもよく、発光層材料（ホスト）として発光層１５０に含まれてもよい。さらに、電子輸送材料として電子輸送層１６０に含まれてもよく、電子注入材料として電子注入層１７０に含まれてもよい。当該化合物は、より好ましくは、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、または発光層１５０に含まれる。さらに好ましくは、発光層１５０に含まれる。一般式（１）で表される化合物と、他の化合物とを含む組成物は、正孔輸送性および電子輸送性のいずれにも優れる観点から、正孔注入材料として正孔注入層１３０に含まれうる。また、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれてもよく、発光層材料（ホスト）として発光層１５０に含まれてもよい。さらに、電子輸送材料として電子輸送層１６０に含まれてもよく、電子注入材料として電子注入層１７０に含まれてもよい。当該組成物は、より好ましくは、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、または発光層１５０に含まれる。さらに好ましくは、発光層１５０に含まれる。
【０２４１】
また、上記一般式（１）で表される化合物を含む有機層は、湿式成膜法によって形成されることが好ましく、塗布法によって形成されることがより好ましい。塗布法の具体的としては、スピンコート（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏ  ｇｒａｖｕｒｅ  ｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ  ｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒ  ｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔ）法、ワイアーバーコート（ｗｉｒｅ  ｂａｒ  ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐ  ｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙ  ｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋ  ｊｅｔ）印刷法等が挙げられる。これらの中でも、生産性の観点から、インクジェット（ｉｎｋ  ｊｅｔ）印刷法が好ましい。
【０２４２】
塗布法で用いる塗布液は、上記の液状組成物であることが好ましい。よって、塗布液の詳細については、上記の液状組成物の説明と同様である。
【０２４３】
なお、乾式成膜法、塗布法の手順、条件、装置等は、特に限定されず、公知の乾式成膜法、塗布法と同様の手順、条件、装置等を適宜採用することができる。
【０２４４】
なお、上記一般式（１）で表される化合物を含む有機層以外の層の成膜方法については、特に限定されない。このような有機層以外の層は、例えば、真空蒸着法等の乾式成膜法にて成膜されてもよく、塗布法等の湿式成膜法にて成膜されてもよい。
【０２４５】
基板１１０は、一般的な有機ＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。
【０２４６】
基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、陽極であることが好ましい。当該第１電極１２０は、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数（物質内にある電子を一個外へ取り出すのに必要な最小エネルギー）が大きいものによって形成されることが好ましい。例えば、第１電極１２０は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。
【０２４７】
第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層である。正孔注入層１３０の膜厚は、特に制限されないが、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。また、当該膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【０２４８】
正孔注入層１３０以外の有機層が上記一般式（１）で表される化合物を含む場合、正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料等、公知の材料のみから形成されていてもよい。
【０２４９】
公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ  ｋｅｔｏｎｅ）−ｃｏｎｔａｉｎｇ  ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＰＡＰＥＫ）、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（４−ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−４’−ｍｅｔｈｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ  ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−［４−（フェニル−ｍ−トリル−アミノ）−フェニル］−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、４，４’，４”−トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ，Ｎ−２−ｎａｐｈｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：２−ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｐｈｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、およびポリアニリン／１０−カンファースルホン酸（ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／１０−ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）等を挙げることができる。
【０２５０】
正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層である。正孔輸送層１４０の膜厚は、特に制限されないが、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２５１】
正孔輸送層１４０以外の有機層が上記一般式（１）で表される化合物を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料等、公知の材料のみから形成されてもよい。
【０２５２】
公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（１，１−ｂｉｓ［（ｄｉ−４−ｔｏｌｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ］ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｅ：ＴＡＰＣ）、Ｎ−フェニルカルバゾール（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）およびポリビニルカルバゾール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）などのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ：ＴＰＤ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＣＴＡ）、ならびにＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）等を挙げることができる。また、国際公開第２０１１／１５９８７２号、米国特許出願公開第２０１６／０３１５２５９号明細書等に記載の正孔輸送材料も用いることもできる。
【０２５３】
正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層である。発光層１５０の膜厚は、特に制限されないが、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２５４】
発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（すなわち、りん光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、有機ＥＬ素子１００の発光効率および発光寿命をより向上させることができる。
【０２５５】
発光層１５０は、上記一般式（１）で表される化合物を含むことが特に好ましく、これを含む組成物を含むことがより好ましい。
【０２５６】
発光層１５０以外の有機層が上記一般式（１）で表される化合物を含む場合、発光層１５０は、上記一般式（１）で表される化合物を含まず、公知の発光材料等、公知の材料のみから形成されていてもよい。
【０２５７】
発光層１５０は、ホスト材料として、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ：Ａｌｑ３）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（４，４’−ｂｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ−ビニルカルバゾール）（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌ  ｃａｒｂａｚｏｌｅ）：ＰＶＫ）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：ＡＤＮ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ：ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ：ＴＰＢＩ）、３−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフト−２−イル）アントラセン（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ：ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（４，４’−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｅ）２，２’−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙ：ｄｍＣＢＰ）等の公知の材料を含んでもよい。
【０２５８】
発光層１５０は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）およびその誘導体、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）およびその誘導体、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）およびその誘導体、４−ジシアノメチレン−２−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン（４−ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ−２−（ｐｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−６−ｍｅｔｈｙｌ−４Ｈ−ｐｙｒａｎ：ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（ｂｉｓ［２−（４，６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｅ］ｐｉｃｏｌｉｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（２−（３−ｐ−キシイル）フェニル）ピリジン  イリジウム（ＩＩＩ）などのイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体等の公知の材料を含んでもよい。
【０２５９】
発光層１５０は、発光材料として、量子ドット等のナノ粒子を含んでよい。量子ドットは、Ｉ−ＶＩ族系列の半導体、ＩＩＩ−Ｖ族系列の半導体またはＩＶ−ＩＶ族系列の半導体で構成されるナノ粒子である。上記半導体としては、例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＣｄＳｅＸＴｅ１−Ｘ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓおよびＩｎＰ等が挙げられる。ただし、上記半導体は、これらに限定されるものではない。また、量子ドット等のナノ粒子の直径は、特に限定されないが、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。また、量子ドット等のナノ粒子は、単一コア構造を有していてもよいし、コアの表面上にシェルが被覆された、いわゆるコア／シェル構造を有していてもよい。
【０２６０】
発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層である。電子輸送層１６０の膜厚は、特に制限されないが、１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２６１】
電子輸送層１６０以外の有機層が上記一般式（１）で表される化合物を含む場合、電子輸送層１６０は、上記一般式（１）で表される化合物を含まず、公知の電子輸送材料等、公知の材料のみから形成されていてもよい。
【０２６２】
公知の電子輸送材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ：Ａｌｑ３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉ［（３−ｐｙｒｉｄｙｌ）−ｐｈｅｎ−３−ｙｌ］ｂｅｎｚｅｎｅ）のようなピリジン（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）環を含む化合物、２，４，６−トリス（３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル）−１，３，５−トリアジン（２，４，６−ｔｒｉｓ（３’−（ｐｙｒｉｄｉｎ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−３−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎｅ）のようなトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）環を含む化合物、２−（４−（Ｎ−フェニルベンゾイニダゾリル−１−イル−フェニル）−９，１０−ジナフチルアントラセン（２−（４−（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｙｌ−１−ｙｌ−ｐｈｅｎｙｌ）−９，１０−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）のようなイミダゾール（ｉｍｉｄａｚｏｌｅ）環を含む化合物等を挙げることができる。また、（８−キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）（（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ：Ｌｉｑ）およびＫＬＥＴ−０３（ケミプロ化成株式会社製）の混合物等も挙げることができる。
【０２６３】
電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層である。電子注入層１７０の膜厚は、特に制限されないが、０．３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２６４】
電荷注入層１７０以外の有機層が上記一般式（１）で表される化合物を含む場合、電子注入層１７０は、上記一般式（１）で表される化合物を含まず、公知の電子注入輸送材料等、公知の材料のみから形成されていてもよい。
【０２６５】
電子注入層１７０は、例えば、（８−キノリノラト）リチウム（（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｌｉｔｈｉｕｍ：Ｌｉｑ）およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（ｌｉｔｈｉｕｍ）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等の公知の材料で形成されてもよい。
【０２６６】
電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、陰極であることが好ましい。第２電極１８０は、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成されることが好ましい。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）等の合金で反射型電極として形成されてもよい。また、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）および酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）などの透明導電膜によって透過型電極として形成されてもよい。
【０２６７】
このように、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子１００は、上記一般式（１）で表される化合物を含む有機層を有する。これより、電流効率、発光寿命に優れる有機ＥＬ素子を湿式成膜法によって製造することが可能となる。
【０２６８】
ここで、有機層の好ましい態様は、上記組成物の好ましい態様と同様である。すなわち、有機層は、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体とを含むことが好ましい。この際、有機層が発光層であり、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体とを含むことがより好ましい。また、有機層は、上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体とを含むことが好ましい。この際、有機層が発光層であり、上記一般式（１）で表される化合物と、上記アジン環誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体とを含むことがより好ましい。そして、有機層は、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体と、上記アジン環誘導体とを含むことがより好ましい。この際、有機層が発光層であり、上記一般式（１）で表される化合物と、上記カルバゾール誘導体と、上記アジン環誘導体と、上記の燐光発光性白金族金属錯体とを含むことがより好ましい。
【０２６９】
ここで、有機層中の各成分の好ましい含有量は、上記組成物の好ましい態様と同様である。
【０２７０】
なお、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の積層構造は、上記の例示に限定されない。本発明の一形態に係る本実施形態に係る有機ＥＬ素子は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、有機ＥＬ素子は、図５における正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層のうちの１層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、有機ＥＬ素子の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。
【０２７１】
例えば、有機ＥＬ素子は、励起子または正孔が電子輸送層に拡散することを防止するために、発光層と電子輸送層との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）誘導体、トリアゾール（ｔｒｉａｚｏｌｅ）誘導体、または、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）誘導体等によって形成することができる。
【実施例】
【０２７２】
以下、本発明について、さらに詳細な実施例に基づいて説明する。なお、本発明は、これら実施例に限定されない。
【０２７３】
＜化合物の合成＞
化合物１の合成
【０２７４】
【化５０】
2020105155.tif 000053
【０２７５】
窒素雰囲気下、三口フラスコに２−ｂｒｏｍｏ−９，９−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎｅ（３０ｍｍｏｌ，１１．９２ｇ），２−（［１，１’：３’，１’’−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ］−３−ｙｌ）−４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅ（３１．５ｍｍｏｌ，１１．２２ｇ），トルエン（１２０ｍｌ）、ＥｔＯＨ（３０ｍｌ）を入れ撹拌して溶解させた。次いで、Ｋ２ＣＯ３  ２Ｍ  ａｑ．（１．５ｅｑ．２２．５ｍｌ）を加え、その後、酢酸パラジウム（３ｍｏｌ％，０．９ｍｍｏｌ，２０２ｍｇ），ｏ−トリルホスフィン（４．５ｍｏｌ％，１．３５ｍｍｏｌ，４１１ｍｇ）を加え、８０℃で８時間撹拌した。室温に冷却し、トルエン（２００ｍｌ）で希釈し、セライト（ｃｅｌｉｔｅ）（登録商標）を用いて濾過、純水で３回洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルパッドを通して濾過、濃縮した。これをトルエン：ヘキサン＝５ｍｌ：１５ｍｌ／１ｇで２回再結晶を行い、白色固体を得た。収量は１６．２ｇであり、収率は９９％であった。
【０２７６】
化合物２ａの合成
【０２７７】
【化５１】
2020105155.tif 000054
【０２７８】
窒素雰囲気下、三口フラスコに３−ブロモヨードベンゼン（３３０ｍｍｏｌ，９３．３６ｇ），３−ビフェニルボロン酸（１．０ｅｑ．３００ｍｍｏｌ，５９．４１ｇ），トルエン（１５００ｍｌ）、ＥｔＯＨ（１５０ｍｌ）を入れ撹拌して溶解させた。次いで、Ｋ２ＣＯ３  ２Ｍ  ａｑ．（１．５ｅｑ．  ２２５ｍｌ）を加え、その後、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（３ｍｏｌ％，９ｍｍｏｌ，１０．４０ｇ）を加え、７０℃で１２時間撹拌した。室温に冷却し、セライト（ｃｅｌｉｔｅ）（登録商標）を用いて濾過、純水で２回洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルパッドを通して濾過、濃縮した。これをトルエン：ヘキサン（３ｍｌ：１２ｍｌ／１ｇ）から再結晶を２回行い、真空乾燥（５０℃、１２時間）を行い、白色固体の目的物を得た。収量は５８．４ｇであり、収率６３％であった。
【０２７９】
化合物２ｂの合成
【０２８０】
【化５２】
2020105155.tif 000055
【０２８１】
窒素雰囲気下、三口フラスコに化合物２ａ（１００ｍｍｏｌ，  ３０．９２ｇ），３−クロロフェニルボロン酸（１．１ｅｑ．  １１０ｍｍｏｌ，  １７．２０ｇ），  トルエン（２００ｍｌ）、ＥｔＯＨ（５０ｍｌ）を入れ撹拌して溶解させた。次いで、Ｋ２ＣＯ３  ２Ｍ  ａｑ．（１．５ｅｑ．  ７５ｍｌ）を加え、その後、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  （３ｍｏｌ％，  ３ｍｍｏｌ，  ３．４７ｇ）を加え、７０℃で１２時間撹拌した。室温に冷却し、トルエン５００ｍｌで希釈し、セライト（ｃｅｌｉｔｅ）（登録商標）を用いて濾過、純水で２回洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルパッドを通して濾過、濃縮した。これをトルエン：ヘキサン＝３ｍｌ：１２ｍｌ／１ｇから再結晶を１回行い、さらにトルエン：ＥｔＯＨ＝３ｍｌ：１２ｍｌ／１ｇから再結晶を１回行い、真空乾燥（５０℃、１２時間）を行い、白色固体の目的物を得た。収量は１８．７５ｇであり、収率５５％であった。
【０２８２】
化合物２ｃの合成
【０２８３】
【化５３】
2020105155.tif 000056
【０２８４】
窒素雰囲気下、三口フラスコに化合物２ｂ（５５ｍｍｏｌ，１８．６ｇ），ピナコラートジボロン（１．１ｅｑ．  ６０．５ｍｍｏｌ，  １５．３６ｇ），酢酸カリウム（２ｅｑ．１１０ｍｍｏｌ，１０．８ｇ）１，４−ジオキサン（２２０ｍｌ）、を入れ撹拌して溶解させた。次いで、酢酸パラジウム（２ｍｏｌ％，１．１ｍｍｏｌ，２４７ｍｇ）、Ｘ−Ｐｈｏｓ（４ｍｏｌ％，２．２ｍｍｏｌ，１．０５ｇ）を加え、１００℃で１２時間撹拌した。室温に冷却し、トルエン３００ｍｌで希釈し、セライト（ｃｅｌｉｔｅ）を用いて濾過、純水で３回洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、シリカゲルパッドを通して濾過、濃縮した。これをヘキサン＝１０ｍｌ／１ｇから再結晶を２回行い、真空乾燥（５０℃、１２時間）を行い、白色固体の目的物を得た。収量は１９．３４ｇであり、収率は８１％であった。
【０２８５】
化合物２の合成
【０２８６】
【化５４】
2020105155.tif 000057
【０２８７】
原料として２−（［１，１’：３’，１’’−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ］−３−ｙｌ）−４，４，５，５−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１，３，２−ｄｉｏｘａｂｏｒｏｌａｎｅの代わりに化合物２ｃを用いた以外は化合物１と同様の方法で合成した。
【０２８８】
＜溶解性評価＞
サンプル固体試料５０ｍｇを無色透明のサンプル瓶に入れ、溶媒として安息香酸メチルを５００ｍｇ入れて室温にて超音波照射を２０分間行い、目視にてサンプル固体の残存有無を確認した。サンプル固体の残存が有れば、少量ずつ溶媒追加と超音波照射を繰り返し、完全に溶解した時点での溶媒量から溶解度を算出した。結果を表１に示す。
【０２８９】
＜溶液のポットライフ評価＞
サンプル固体試料５０ｍｇを無色透明のサンプル瓶に入れ、溶媒として安息香酸メチルを１．０ｇ入れて１５０℃に加熱しサンプル固体を完全に溶解させ、５ｗｔ％の溶液を調製した。その後、室温まで冷却して観察を開始し、結晶等の析出固体が目視で確認されるまでの時間（ｈ）をポットライフとして測定した。結果を表１に示す。
【０２９０】
比較例化合物  Ｃ１（国際公開２０１２／０３３０６１号公報）
【０２９１】
【化５５】
2020105155.tif 000058
【０２９２】
比較例化合物  Ｃ２（特開２００８−２５５０７４号公報）
【０２９３】
【化５６】
2020105155.tif 000059
【０２９４】
【表１】
2020105155.tif 000060
【０２９５】
表１の結果から、比較例の化合物に比べて、実施例の化合物の方が溶解度、ポットライフが優れていることが分かる。
【０２９６】
＜ＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ値の測定＞
１．測定サンプルの作製
（１）溶剤の安息香酸メチルの重量に対して、サンプルの固形分濃度を４ｗｔ％、となるように調製した。
【０２９７】
（２）ＩＴＯ基板および石英基板のそれぞれに、上記（１）で調製したサンプル溶液をスピンコート法によって乾燥膜厚が５０ｎｍになるように塗布し、１０−１Ｐａ以下の真空下において１２０℃にて１時間加熱、その後１０−１Ｐａ以下の真空下において室温まで冷却して、薄膜層を形成した。
【０２９８】
２．ＨＯＭＯ値の測定
上記（２）で作製したＩＴＯ基板上の薄膜サンプルを用いて、大気中光電子分光装置ＡＣ−３（理研計器製）を用いてＨＯＭＯ値を測定した。
【０２９９】
３．ＬＵＭＯ値の測定
上記（２）で作製した石英基板上の薄膜サンプルを用いて、分光光度計  Ｕ−３９００（日立ハイテクサイエンス製）を用いて紫外可視吸収スペクトルの吸収端からエネルギーギャップ値（Ｅｇ）を測定し、以下の数式（Ｘ）からＬＵＭＯ値を算出した。
【０３００】
【数３】
2020105155.tif 000061
【０３０１】
測定結果を表２に示す。
【０３０２】
＜ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定＞
示差走査熱量測定装置  ＤＳＣ６２２０（セイコーインスツルメンツ製）を用いて、サンプル約５ｍｇを用いて、−５０℃から３００℃の範囲においては昇温速度１０℃／ｍｉｎ、３００℃から−５０℃の範囲においては冷却速度−５０℃／ｍｉｎで走査測定する工程を３回繰り返した。２回目以降の走査の熱量曲線からガラス転移温度（Ｔｇ）を読み取った。測定結果を２に示す。
【０３０３】
【表２】
2020105155.tif 000062
【０３０４】
＜有機ＥＬ素子の作製＞
実施例１
まず、第１電極（陽極）として、ストライプ（ｓｔｒｉｐｅ）状の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍにて成膜されたＩＴＯ付きガラス基板を用意する。このガラス基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホネート）（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布し、正孔注入層を形成した。次に、正孔注入層上に、溶剤としてアニソールと、溶剤の重量に対して３質量％の下記繰返し構造を有する正孔輸送性ポリマー（ＨＴＰ１）（重量平均分子量Ｍｗ＝４００，０００，  ＰＤＩ（Ｍｗ／Ｍｎ）＝２．７）と、溶剤の重量に対して０．６質量％の下記構造の低分子化合物ＡＤ１から成る正孔輸送層塗布溶液を乾燥膜厚が１２５ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布し、１０−１Ｐａ以下の真空下において２３０℃にて１時間加熱、その後１０−１Ｐａ以下の真空下において室温まで冷却して、正孔輸送層を形成した。
【０３０５】
【化５７】
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【０３０６】
次いで、正孔輸送層上に、発光層用インク（ホスト材料として、化合物１および化合物Ａｚ１、ドーパント材料として、化合物ＴＥＧ（トリス（２−（３−ｐ−キシイル）フェニル）ピリジンイリジウム）を含む安息香酸メチル溶液）をスピンコート法によって乾燥膜厚が５０ｎｍになるように塗布し、１０−１Ｐａ以下の真空下において１２０℃にて１時間加熱、その後１０−１Ｐａ以下の真空下において室温まで冷却して、発光層を正孔輸送層上に形成した。発光層用インクの組成は、溶剤の安息香酸メチルの重量に対して、化合物１の固形分濃度を２．６４質量％、化合物Ａｚ１の固形分濃度を１．３２質量％、化合物ＴＥＧの固形分濃度を０．４質量％となるように調製した。
【０３０７】
【化５８】
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【０３０８】
【化５９】
2020105155.tif 000065
【０３０９】
次に、発光層上に、ＫＬＥＴ−０３（ケミプロ化成株式会社製）および（８−キノリノラト）リチウム（Ｌｉｑ）を真空蒸着装置にて８：２の重量比となるように共蒸着し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。また、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を真空蒸着装置にて蒸着し、膜厚１ｎｍの電子注入層を形成した。さらに、電子注入層上に、アルミニウム（Ａｌ）を真空蒸着装置にて蒸着し、膜厚１００ｎｍの第２電極（陰極）を形成した。その後、水分濃度１ｐｐｍ以下、酸素濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス中で、乾燥剤付きのガラス製の封止管と紫外線硬化型樹脂を用いて封止し、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１０】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
下記方法に従って、駆動電圧、電流効率および耐久性（発光寿命）を評価した。
直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ（ｓｏｕｒｃｅ  ｍｅｔｅｒ））を用いて、有機ＥＬ素子に対して０Ｖから２０Ｖまで印可電圧を連続的に変化させて有機ＥＬ素子に通電して発光させ、このときの輝度を輝度測定装置（Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ−３）にて測定した。ここで、有機ＥＬ素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度）を計算し、輝度（ｃｄ／ｍ２）を電流密度（Ａ／ｍ２）にて除算することで、電流効率（ｃｄ／Ａ）を算出した。なお、電流効率は、電流を発光エネルギーへ変換する効率（変換効率）を示し、電流効率が高いほど有機ＥＬ素子の性能が高いことを示す。また、発光寿命（耐久性）は、初期輝度が６，０００ｃｄ／ｍ２となる電流値において連続駆動し、時間経過とともに減衰する発光輝度が初期輝度の８０％になるまでの時間を「ＬＴ８０（ｈ）」として測定した。結果を下記表１に示す。なお、表１中、電流効率は、比較例１の有機ＥＬ素子の電流効率を１００とした場合の相対値として表す。また、発光寿命（耐久性）は、比較例１の有機ＥＬ素子の発光寿命を１００とした場合の相対値として表す。
【０３１１】
実施例２
発光層組成として表１に記載の組成とする以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１２】
実施例３
＜本発明化合物以外のカルバゾール環誘導体を含む組成物の実施例＞
発光層用インクの組成として、溶剤の安息香酸メチルに対して、化合物１の固形分濃度を１．３３質量％、化合物Ｃｚ１の固形分濃度を１．３３質量％、化合物Ａｚ１の固形分濃度を１．３３質量％、化合物ＴＥＧの固形分濃度を０．４質量％となるように調製した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子の作製および評価を行った。
【０３１３】
実施例４
発光層組成として表１に記載の組成とする以外は実施例３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１４】
比較例１〜４
発光層組成として表１に記載の組成とする以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１５】
正孔輸送性カルバゾール誘導体ホスト材料の分子構造を以下に示す。
【０３１６】
【化６０】
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【０３１７】
【化６１】
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【０３１８】
【化６２】
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【０３１９】
【表３】
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【０３２０】
表１の結果から、アジン環誘導体Ａｚ１と組み合わせるホストとして、従来一般的に用いられる正孔輸送性ホスト材料であるカルバゾール環誘導体Ｃｚ１〜３を用いた場合に対して、本発明化合物を用いた場合には発光効率および発光寿命が優れることが分かる。また、組成物中にカルバゾール環誘導体を含む実施形態（実施例３，４）の方が、組成物中にカルバゾール環誘導体を含まない実施形態（実施例１，２）よりも駆動電圧が顕著に低下しており、消費電力において優れることが分かる。
【０３２１】
以上、本発明について実施形態および実施例を挙げて説明したが、本発明は特定の実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０３２２】
１００    有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）
１１０    基板
１２０    第１電極
１３０    正孔注入層
１４０    正孔輸送層
１５０    発光層
１６０    電子輸送層
１７０    電子注入層
１８０    第２電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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