(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁キャップ内における電界集中を緩和しつつ小型化できる絶縁キャップを提供する。【解決手段】電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部１３０を保護する有底筒状の絶縁キャップ１０であって端末部が絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部２１０から絶縁キャップの他端まで軸方向に貫通する貫通孔２２０と中空部の一部を構成する内部半導電層２５０と中空部のうち内部半導電層で覆われていない部分及び貫通孔を構成し内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体２６０を覆う絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層２７０とを有し内部半導電層は貫通孔から径方向に離間した位置で貫通孔を囲むよう設けられ中空部の軸方向の端部から絶縁キャップの他端に向けて突出する突出部２５２を有し絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに突出部のうち貫通孔を挟んだ両側の各々は絶縁キャップの他端側に凸に湾曲している。【選択図】図１
2020021638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記内部半導電層は、前記貫通孔から径方向に離間した位置で該貫通孔を囲むように設けられ、前記中空部の軸方向の端部から前記絶縁キャップの前記他端に向けて突出する突出部を有し、
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲している
絶縁キャップ。
【請求項２】
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記内部半導電層の外側に形成される等電位線が、前記内部半導電層と前記絶縁体と前記貫通孔内の空気とが接する三重点まで回り込むことを抑制するように、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲している
請求項１に記載の絶縁キャップ。
【請求項３】
前記絶縁体および前記外部半導電層のそれぞれは、前記中空部側から前記絶縁キャップの前記他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部を有する
請求項１又は２に記載の絶縁キャップ。
【請求項４】
前記内部半導電層の前記突出部は、前記絶縁キャップの径方向に前記絶縁キャップの外周側から前記貫通孔側に行くに従って、前記外部半導電層の前記傾斜部から徐々に離れている
請求項３に記載の絶縁キャップ。
【請求項５】
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記絶縁体および前記外部半導電層のそれぞれは、前記中空部側から前記絶縁キャップの前記他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部を有する
絶縁キャップ。
【請求項６】
前記内部半導電層は、前記絶縁キャップの径方向に前記貫通孔から離間され、前記貫通孔内に露出していない
請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁キャップ。
【請求項７】
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記内部半導電層は、前記絶縁キャップの径方向に前記貫通孔から離間され、前記貫通孔内に露出していない
絶縁キャップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁キャップに関する。
【背景技術】
【０００２】
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部が他の電力ケーブルと接続されない状態（いわゆる空き回路の状態）である場合などには、当該端末部に対して絶縁キャップが設けられることがある。これにより、高電圧が印加される端子部等を安全に保護することができる（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１２６５７９公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、絶縁キャップ内における電界集中を緩和しつつ、絶縁キャップを小型化することができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記内部半導電層は、前記貫通孔から径方向に離間した位置で該貫通孔を囲むように設けられ、前記中空部の軸方向の端部から前記絶縁キャップの前記他端に向けて突出する突出部を有し、
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲している
絶縁キャップが提供される。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記絶縁体および前記外部半導電層のそれぞれは、前記中空部側から前記絶縁キャップの前記他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部を有する
絶縁キャップが提供される。
【０００７】
本発明の更に他の態様によれば、
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記内部半導電層は、前記絶縁キャップの径方向に前記貫通孔から離間され、前記貫通孔内に露出していない
絶縁キャップが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、絶縁キャップ内における電界集中を緩和しつつ、絶縁キャップを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る絶縁キャップの軸方向に沿った片側断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る絶縁キャップの軸方向に沿った片側断面図である。
【図３】従来の絶縁キャップの軸方向に沿った概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜発明者の得た知見＞
まず、図３を用い、発明者の得た知見について説明する。図３は、従来の絶縁キャップの軸方向に沿った概略断面図である。図３において、細点線は等電位線を示している。なお、以下において、「等電位線」とは、電位が等しい点を結んだ面である等電位面を所定断面で切り取った線のことを意味している。
【００１１】
図３に示すように、従来の絶縁キャップ９０には、通気孔としての貫通孔９２２が設けられることがある。貫通孔９２２は、端末部が挿入される中空部９２１から絶縁キャップ９０の端部まで絶縁キャップ９０の軸方向に貫通している。これにより、中空部９２１内に端末部が挿入されたときに、貫通孔９２２から空気を抜くことができる。
【００１２】
発明者等は、絶縁キャップ９０が上述の通気孔としての貫通孔９２２を有する場合に、以下のような課題が生じる可能性があることを見出した。
【００１３】
図３に示すように、絶縁キャップ９０が貫通孔９２２を有する場合には、中空部９２１と貫通孔９２２との接続部付近において、内部半導電層９２５と絶縁体９２６と貫通孔９２２内の空気とが接する三重点（三重接触点、トリプルジャンクション）が形成される。このような三重点が形成されていると、内部半導電層９２５の外側に形成される等電位線が当該三重点まで回り込む。このため、当該三重点付近では、等電位線が密となり、電界が集中する可能性がある。その結果、貫通孔９２２内の絶縁破壊（閃絡、短絡）が発生してしまうおそれがある。
【００１４】
このような中空部９２１と貫通孔９２２との接続部付近の三重点での電界集中を緩和させるため、従来の絶縁キャップ９０では、内部半導電層９２５が、中空部９２１の軸方向の端部から絶縁キャップ９０の端部に向けて突出する突出部９２５ａを有していた。
【００１５】
しかしながら、上述の構成では、突出部９２５ａを絶縁キャップ９０の端部に向けて充分に長く突出させなければ、中空部９２１と貫通孔９２２との接続部付近の三重点での電界集中を緩和することができなかった。このため、内部半導電層９２５の突出部９２５ａが長くなることに起因して、絶縁キャップ９０を小型化することが困難となっていた。
【００１６】
さらに、図３に示すように、絶縁キャップ９０が貫通孔９２２を有する場合には、絶縁キャップ９０の軸方向の端部側での貫通孔９２２の開口付近において、外部半導電層９２７と絶縁体９２６と貫通孔９２２内の空気とが接する三重点が形成される。このような三重点が形成されていると、上述と同様に、外部半導電層９２７の内側に形成される等電位線が当該三重点まで回り込む。このため、当該三重点付近において、等電位線が密となり、電界が集中する可能性がある。
【００１７】
また、図３に示すように、絶縁キャップ９０が貫通孔９２２を有し、当該貫通孔９２２に対して垂直に外部半導電層９２７が立設している場合には、外部半導電層９２７の内側に形成される等電位線が、貫通孔９２２の開口付近の三重点で急峻に屈曲してしまう。このため、当該三重点付近において、等電位線が密となり易く、電界が集中し易い傾向がある。
【００１８】
上述の構成では、内部半導電層９２５と外部半導電層９２７との間の距離を長くしなければ、貫通孔９２２の開口付近の三重点での等電位線が密となることを抑制することができず、電界集中を緩和することができなかった。このため、絶縁キャップ９０を小型化することが困難となっていた。
【００１９】
以上のように、従来の絶縁キャップ９０の構成では、絶縁キャップ９０内における電界集中を抑制しつつ、絶縁キャップ９０を小型化することが困難となっていた。
【００２０】
本発明は、発明者が見出した上記新規課題に基づくものである。
【００２１】
＜本発明の第１実施形態＞
（１）絶縁キャップ
本発明の第１実施形態に係る絶縁キャップについて、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る絶縁キャップの軸方向に沿った片側断面図である。なお、図１のうち、一点鎖線よりも上側が断面図であり、下側側が正面図である。なお、図１において、絶縁体２６０のハッチングを省略し、細点線で等電位線を示している。
【００２２】
なお、以下において、絶縁キャップ１０等の「軸方向」とは、絶縁キャップ１０等の中心軸の方向のことをいい、場合によっては、絶縁キャップ１０等の長手方向と言い換えることができる。また、絶縁キャップ１０等の「径方向」とは、絶縁キャップ１０等の軸方向に垂直な方向のことをいい、場合によっては、絶縁キャップ１０等の短手方向と言い換えることができる。
【００２３】
ここで、まず、保護対象である端末部１００について説明する。端末部１００は、例えば、電力機器に設けられ、該電力機器内の所定の配線に対して他の電力ケーブルを接続する接続部分として構成されている。なお、ここでいう「電力機器」とは、例えば、開閉器や変圧器などである。
【００２４】
図１に示すように、端末部１００は、例えば、導体１１０と、ブッシング１２０と、端子部１３０と、を有している。導体１１０は、例えば、電力機器内の所定の配線に接続される柱状金属部材として構成されている。ブッシング１２０は、例えば、導体１１０の外周を覆うように設けられ、該導体１１０の周辺の絶縁性を確保するよう構成されている。具体的には、ブッシング１２０は、例えば、略筒状に構成され、絶縁性のゴムからなっている。端子部１３０は、例えば、導体１１０と他の電力ケーブルとを電気的および機械的に中継する金属部材として構成されている。端子部１３０は、例えば、いわゆる羽子板端子と呼ばれ、板状に構成されている。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態の絶縁キャップ１０は、例えば、電力機器の端末部１００を保護する有底筒状の絶縁部材として構成されている。ここでは、絶縁キャップ１０の形状は、例えば、有底円筒状である。また、絶縁キャップ１０は、例えば、弾性を有するゴムからなっている。
【００２６】
絶縁キャップ１０は、例えば、中空部２１０と、貫通孔２２０と、内部半導電層２５０と、絶縁体２６０と、外部半導電層２７０と、を有している。絶縁キャップ１０では、例えば、内部半導電層２５０、絶縁体２６０および外部半導電層２７０が一体として有底筒状にモールド成形され、これらの内部に中空部２１０および貫通孔２２０が形成されている。
【００２７】
（中空部）
中空部２１０は、絶縁キャップ１０に設けられる空隙であり、その内部に絶縁キャップ１０の軸方向に沿って端末部１００が挿入されるよう構成されている。中空部２１０の形状は、例えば、円柱状となっている。
【００２８】
中空部２１０は、例えば、絶縁キャップ１０の軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹んで設けられている。ここでいう「絶縁キャップ１０の軸方向の一端（第１端）」とは、絶縁キャップ１０のうち端末部１００が挿入される側（端末部１００を保護する側）の端部のことをいい、「絶縁キャップ１０の軸方向の他端（第２端）」とは、絶縁キャップ１０のうち端末部１００が挿入される側と反対側の端部のことをいう。ここでは、中空部２１０は、例えば、絶縁キャップ１０の軸方向の略中央部まで延在している。
【００２９】
中空部２１０の内径は、例えば、端末部１００のブッシング１２０の外径よりも若干小さい。これにより、中空部２１０内にはブッシング１２０が弾性的に嵌合し、中空部２１０を構成する内周面（周側壁）にブッシング１２０が気密に密着するようになっている。このため、中空部２１０内に端末部１００を挿入すると、中空部２１０内の空気が圧縮されることとなる。そこで、以下の貫通孔２２０が設けられている。
【００３０】
（貫通孔）
貫通孔２２０は、例えば、中空部２１０内で圧縮された空気を外部に抜く通気孔として構成されている。貫通孔２２０は、例えば、中空部２１０から絶縁キャップ１０の他端まで貫通している。
【００３１】
貫通孔２２０の中心軸は、例えば、中空部２１０の中心軸と一致している。これにより、中空部２１０からの空気抜けで偏りが生じることを抑制することができる。
【００３２】
貫通孔２２０は、例えば、空気を抜くことが可能な内径を有している。絶縁キャップ１０の絶縁性を確保する観点から、貫通孔２２０の内径は、例えば、空気を抜くことが可能な範囲内で可能な限り小さいことが好ましい。
【００３３】
なお、貫通孔２２０の開口には、必要に応じて、栓３２０が設けられていてもよい。
【００３４】
（内部半導電層）
内部半導電層２５０は、例えば、半導電性を有している。具体的には、内部半導電層２５０は、例えば、半導電性のエチレンプロピレンゴム（ＥＰゴム）またはシリコーンゴムを含んでいる。
【００３５】
内部半導電層２５０は、例えば、中空部２１０の一部を構成し、中空部２１０内に端末部１００が挿入されたときの、該端末部１００のうち高電圧が印加される端子部１３０を覆うように設けられている。内部半導電層２５０内には、端末部１００が挿入されたときに、端子部１３０のうちの少なくとも一部が接触する。このため、内部半導電層２５０は、端子部１３０とほぼ同電位となる。
【００３６】
本実施形態では、内部半導電層２５０は、例えば、突出部２５２を有している。内部半導電層２５０の突出部２５２等に関する構成については、詳細を後述する。
【００３７】
（絶縁体）
絶縁体２６０は、例えば、絶縁性を有している。具体的には、絶縁体２６０は、例えば、エチレンプロピレンゴム（ＥＰゴム）またはシリコーンゴムを含んでいる。
【００３８】
絶縁体２６０は、例えば、中空部２１０のうち内部半導電層２５０で覆われていない部分および貫通孔２２０を構成し、内部半導電層２５０を覆うように設けられている。絶縁体２６０の内面は、例えば、中空部２１０を構成する内面として、内部半導電層２５０の内面と同一面を形成している。これにより、中空部２１０の形状は、段差なく、円柱状となっている。
【００３９】
（外部半導電層）
外部半導電層２７０は、例えば、半導電性を有している。具体的には、外部半導電層２７０は、例えば、内部半導電層２５０と同様の材料からなっている。
【００４０】
外部半導電層２７０は、例えば、絶縁体２６０を覆うように設けられ、絶縁キャップ１０の最外面の少なくとも一部を構成している。外部半導電層２７０を接地することにより、絶縁キャップ１０の内部を電気的に遮蔽することができる。
【００４１】
（内部半導電層の突出部）
内部半導電層２５０の突出部２５２は、例えば、貫通孔２２０から径方向に離間した位置で該貫通孔２２０を囲むように設けられている。また、突出部２５２は、例えば、中空部２１０の軸方向の端部（閉口端）から絶縁キャップ１０の軸方向の他端に向けて突出している。これにより、中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近において、内部半導電層２５０と絶縁体２６０と貫通孔２２０内の空気とが接する三重点での電界集中を緩和することができる。
【００４２】
ここで、本実施形態では、絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、突出部２５２のうち貫通孔２２０を挟んだ両側のそれぞれは、例えば、絶縁キャップ１０の軸方向の他端側に凸に湾曲している。つまり、突出部２５２は、絶縁キャップ１０の軸方向の他端側から見て、ドーナツ状となっている。このように、突出部２５２が凸に湾曲していることで、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線を、該突出部２５２の湾曲形状に倣って、滑らかに屈曲させることができる。これにより、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線が、中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近の三重点まで回り込むことを抑制することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、突出部２５２のうち貫通孔２２０を挟んだ両側のそれぞれは、例えば、絶縁キャップ１０の軸方向の他端側に凸に湾曲しながら、絶縁キャップ１０の径方向に絶縁キャップ１０の外周側から貫通孔２２０側に延在している。これにより、突出部２５２と貫通孔２２０との間を狭くすることができる。その結果、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線を、中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近の三重点まで回り込み難くすることができる。
【００４４】
また、本実施形態では、絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、突出部２５２のうち貫通孔２２０を挟んだ両側のそれぞれは、例えば、絶縁キャップ１０の軸方向に延在する直線部分を有していない。これにより、絶縁キャップ１０の軸方向への突出部２５２の突出長Ｌｐを短くすることができる。その結果、絶縁キャップ１０を容易に小型化することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、突出部２５２のうち貫通孔２２０を挟んだ両側のそれぞれは、例えば、絶縁キャップ１０の外周側から貫通孔２２０側までの全体に亘って円弧状に湾曲している。言い換えれば、絶縁キャップ１０の軸方向への突出部２５２の突出長Ｌｐは、例えば、突出部２５２の曲率半径とほぼ等しい。また、絶縁キャップ１０の径方向への突出部２５２の延在長Ｌｅは、例えば、突出部２５２の曲率直径に等しい。このような構成により、内部半導電層２５０の外周に形成される等電位線を、突出部２５２の外周全体に亘って円弧状に屈曲させることができる。その結果、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線が、中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近の三重点まで回り込むことを安定的に抑制することができる。
【００４６】
また、本実施形態では、突出部２５２は、例えば、内部半導電層２５０のうち中空部２１０の内周面（周側壁）を構成する部分よりも絶縁キャップ１０の径方向に絶縁キャップ１０の外周側に突出していない。これにより、絶縁キャップ１０の径方向における突出部２５２と外部半導電層２７０との間の距離が短くなることを抑制することができ、突出部２５２と外部半導電層２７０との間で等電位線が密になることを抑制することができる。その結果、突出部２５２と外部半導電層２７０との間での絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、内部半導電層２５０は、例えば、絶縁キャップ１０の径方向に貫通孔２２０から離間され、貫通孔２２０内に露出していない。つまり、貫通孔２２０は、ほぼ絶縁体２６０のみにより構成されている。これにより、貫通孔２２０内の絶縁距離（沿面距離）を確保することができる。
【００４８】
また、本実施形態では、絶縁キャップ１０の径方向への貫通孔２２０と内部半導電層２５０との離間距離Ｄｇは、例えば、絶縁キャップ１０の径方向への突出部２５２の延在長Ｌｅよりも短いことが好ましい。これにより、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線を、中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近の三重点まで回り込み難くすることができる。
【００４９】
（その他）
絶縁キャップ１０には、上記構成のほか、検電部３４０や締付部３６０が設けられていてもよい。検電部３４０は、例えば、絶縁キャップ１０の絶縁性を電気的に検査するための接続部分として構成されている。締付部３６０は、絶縁キャップ１０を端末部１００に被せたときに、絶縁キャップ１０を締め付けるよう構成されている。
【００５０】
（２）絶縁キャップの製造方法
次に、本実施形態に係る絶縁キャップ１０の製造方法について説明する。本実施形態の絶縁キャップ１０の製造方法は、例えば、芯金準備工程Ｓ１１０と、内部半導電層形成工程Ｓ１２０と、外部半導電層形成工程Ｓ１３０と、絶縁体形成工程Ｓ１４０と、を有している。なお、ステップを「Ｓ」と略している。
【００５１】
（Ｓ１１０：芯金準備工程）
まず、中空部２１０と貫通孔２２０とを形成する所定の芯金を準備する。芯金は、例えば、中空部２１０を形成する大径円柱部と、大径円柱部に連結され貫通孔２２０を形成する微小径円柱部と、を有する。
【００５２】
このとき、絶縁キャップ１０が完成した場合に、絶縁キャップ１０の軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、端末部１００が絶縁キャップ１０の軸方向に沿って挿入される中空部２１０が形成されるように、大径円柱部を構成する。また、このとき、絶縁キャップ１０が完成した場合に、中空部２１０から絶縁キャップ１０の他端まで絶縁キャップ１０の軸方向に貫通する貫通孔２２０が形成されるように、微小径円柱部を構成する。
【００５３】
（Ｓ１２０：内部半導電層形成工程）
また、所定の金型を用い、該金型内に半導電性樹脂を注入することにより、内部半導電層２５０を形成する。このとき、絶縁キャップ１０が完成した場合に、中空部２１０の一部を構成し、中空部２１０内に端末部１００が挿入されたときの、該端末部１００のうち高電圧が印加される端子部１３０を覆うように、内部半導電層２５０を形成する。
【００５４】
また、このとき、本実施形態では、絶縁キャップ１０が完成した場合の内部半導電層２５０において、貫通孔２２０から径方向に離間した位置で該貫通孔２２０を囲み、且つ、中空部２１０の軸方向の端部から絶縁キャップ１０の他端に向けて突出するように、突出部２５２を形成する。また、完成後の絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、突出部２５２のうち貫通孔２２０を挟んだ両側のそれぞれが、絶縁キャップ１０の他端側に凸に湾曲するように、突出部２５２を形成する。
【００５５】
また、このとき、本実施形態では、絶縁キャップ１０が完成した場合に、絶縁キャップ１０の径方向に貫通孔２２０から離間し、貫通孔２２０内に露出しないように、内部半導電層２５０を形成する。
【００５６】
（Ｓ１３０：外部半導電層形成工程）
また、所定の金型を用い、該金型内に半導電性樹脂を注入することにより、外部半導電層２７０を形成する。このとき、絶縁キャップ１０が完成した場合に、絶縁体２６０を覆い、絶縁キャップ１０の最外面の少なくとも一部を構成するように、外部半導電層２７０を形成する。
【００５７】
（Ｓ１４０：絶縁体形成工程）
内部半導電層２５０および外部半導電層２７０を形成したら、所定の金型の中心に上述の芯金を配置する。芯金を配置したら、その外周に内部半導電層２５０を配置する。また、金型の内周面に接するように外部半導電層２７０を配置する。この状態で、金型内に絶縁性樹脂を注入することにより、内部半導電層２５０および外部半導電層２７０の間に絶縁体２６０を形成する。
【００５８】
このとき、絶縁キャップ１０が完成した場合に、中空部２１０のうち内部半導電層２５０で覆われていない部分および貫通孔２２０を構成し、内部半導電層２５０を覆うように、絶縁体２６０を形成する。
【００５９】
絶縁体２６０を構成する絶縁性樹脂が硬化したら、金型から成形体を取り外し、成形体から不要部分を除去する。このようにして、内部半導電層２５０、絶縁体２６０および外部半導電層２７０が一体としてモールド成形される。
【００６０】
以上により、本実施形態の絶縁キャップ１０が製造される。
【００６１】
（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００６２】
（ａ）内部半導電層２５０の突出部２５２は、貫通孔２２０から径方向に離間した位置で該貫通孔２２０を囲むように設けられ、中空部２１０の軸方向の端部から絶縁キャップの軸方向の他端に向けて突出している。また、突出部２５２は、絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、絶縁キャップ１０の軸方向の他端側に凸に湾曲している。このように突出部２５２が絶縁キャップ１０の他端側に凸に湾曲していることで、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線を、該突出部２５２の湾曲形状に倣って、滑らかに屈曲させることができる。これにより、内部半導電層２５０の外側に形成される等電位線が、中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近において、内部半導電層２５０と絶縁体２６０と貫通孔２２０内の空気とが接する三重点まで回り込むことを抑制することができる。中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近の三重点での等電位線の回り込みを抑制することで、当該三重点付近において、等電位線が密となることを抑制し、電界が集中することを抑制することができる。その結果、貫通孔２２０内の絶縁破壊の発生を抑制することが可能となる。
【００６３】
また、突出部２５２の湾曲によって中空部２１０と貫通孔２２０との接続部付近の三重点での等電位線の回り込みを抑制することで、突出部２５２を絶縁キャップ１０の他端に向けて絶縁キャップ１０の軸方向に長く突出させなくても、当該三重点での電界集中を緩和することができる。これにより、絶縁キャップ１０の軸方向の長さを短くすることができる。その結果、絶縁キャップ１０内の電界集中を緩和しつつ、絶縁キャップ１０を小型化することが可能となる。
【００６４】
（ｂ）内部半導電層２５０は、絶縁キャップ１０の径方向に貫通孔２２０から離間され、貫通孔２２０内に露出していない。これにより、貫通孔２２０内の絶縁距離を確保することができる。
【００６５】
ここで、図３に示した従来の絶縁キャップ９０のように、内部半導電層９２５が貫通孔９２２に達し該貫通孔９２２内に露出していると、貫通孔９２２内に内部半導電層９２５が露出している部分の長さだけ、貫通孔９２２内の絶縁距離が短くなる。このため、貫通孔９２２内の絶縁破壊が生じてしまうおそれがある。
【００６６】
これに対し、本実施形態では、内部半導電層２５０が貫通孔２２０内に露出していないことで、貫通孔２２０をほぼ絶縁体２６０のみにより構成することができ、貫通孔２２０内に絶縁体２６０が露出している部分を長くすることができる。これにより、端子部１３０の高圧部分と、貫通孔２２０内に外部半導電層２７０が露出している接地部分との間での、貫通孔２２０内の絶縁距離を一定以上に確保することができる。これにより、貫通孔２２０内の絶縁破壊（閃絡、短絡）が生じることを抑制することができる。
【００６７】
＜本発明の第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００６８】
本実施形態では、絶縁体２６０および外部半導電層２７０の形状や、突出部２５２の形状が第１実施形態と異なる。以下、上述の実施形態と異なる要素についてのみ説明し、上述の実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００６９】
（１）絶縁キャップ
図２を用い、本実施形態の絶縁キャップ１０について説明する。図２は、本実施形態に係る絶縁キャップの軸方向に沿った片側断面図である。なお、図２のうち、一点鎖線よりも上側が断面図であり、下側側が正面図である。なお、図２において、絶縁体２６０のハッチングを省略し、細点線で等電位線を示している。
【００７０】
図２に示すように、本実施形態では、絶縁体２６０および外部半導電層２７０は、それぞれ、傾斜部２６２，２７２を有している。傾斜部２６２，２７２は、当該絶縁体２６０および当該外部半導電層２７０が中空部２１０側から絶縁キャップの軸方向の他端に向けて徐々に縮径するように、絶縁キャップ１０の軸方向に対して斜めに傾斜している。また、傾斜部２６２，２７２は、絶縁キャップ１０の全周に亘って設けられている。このような構成により、外部半導電層２７０の内側に形成される等電位線が、貫通孔２２０の開口付近において、密となることを抑制することができる。
【００７１】
絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、傾斜部２６２の外面および傾斜部２７２の内面のそれぞれは、例えば、直線状である。なお、絶縁体２６０および外部半導電層２７０が中空部２１０側から絶縁キャップの軸方向の他端に向けて徐々に縮径していれば、傾斜部２６２の外面および傾斜部２７２の内面のそれぞれは、例えば、絶縁キャップ１０の外側に向けて凸に湾曲していたり、絶縁キャップ１０の内側に向けて凹に湾曲していたりしてもよい。
【００７２】
また、傾斜部２６２の外面および傾斜部２７２の内面のそれぞれは、例えば、絶縁キャップ１０の軸方向に対して緩やかに傾斜していることが好ましい。
【００７３】
絶縁キャップ１０の軸方向に対する傾斜部２６２の外面および傾斜部２７２の内面のそれぞれの傾斜角θは、電界強度等によって最適範囲が変化するため、９０°未満であれば、特に限定されるものではない。しかしながら、傾斜角θは、例えば、２０°以上７５°以下とすることで、貫通孔２２０の開口付近の三重点での等電位線の回り込み抑制効果を充分に得ることができる。
【００７４】
また、本実施形態では、内部半導電層２５０の突出部２５２は、例えば、絶縁キャップ１０の径方向に絶縁キャップ１０の外周側から貫通孔２２０側に行くに従って、外部半導電層２７０の傾斜部２７２から徐々に離れている。言い換えれば、絶縁キャップ１０の軸方向への内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２との離間距離Ｌｄは、例えば、絶縁キャップ１０の径方向に絶縁キャップ１０の外周側から貫通孔２２０側に行くに従って、徐々に広がっている。このような構成により、内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２との間での絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００７５】
また、本実施形態では、絶縁キャップ１０の軸方向に沿った断面で見たときに、内部半導電層２５０の突出部２５２は、例えば、外部半導電層２７０の傾斜部２７２に沿うように直線状に傾斜する突出部傾斜部２５２ａを有している。これにより、外部半導電層２７０の傾斜部２７２と突出部傾斜部２５２ａとの間に、これらに沿うように等電位線を形成することができる。
【００７６】
（２）本実施形態に係る効果
（ａ）絶縁体２６０および外部半導電層２７０は、それぞれ、中空部２１０側から絶縁キャップ１０の軸方向の他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部２６２，２７２を有している。当該傾斜部２６２，２７２が設けられていることで、貫通孔２２０の開口付近において、中空部２１０側から絶縁キャップ１０の軸方向の他端に近づくにしたがって、外部半導電層２７０の傾斜部２７２と貫通孔２２０との間を徐々に狭くすることができる。これにより、外部半導電層２７０の内側に形成される等電位線が、貫通孔２２０の開口付近において、外部半導電層２７０と絶縁体２６０と貫通孔２２０内の空気とが接する三重点まで回り込むことを抑制することができる。
【００７７】
また、当該傾斜部２６２，２７２が設けられていることで、外部半導電層２７０の内側に形成される等電位線を、傾斜部２６２，２７２に沿って滑らかに傾斜させることができる。これにより、外部半導電層２７０の傾斜部２７２の内面と貫通孔２２０との間で均等に等電位線を分布させることができる。
【００７８】
このように、貫通孔２２０の開口付近の三重点での等電位線の回り込みを抑制するとともに、外部半導電層２７０の傾斜部２７２の内面と貫通孔２２０との間で均等に等電位線を分布させることで、等電位線が密となることを抑制し、電界が集中することを抑制することができる。その結果、貫通孔２２０内の絶縁破壊の発生を抑制することが可能となる。
【００７９】
また、貫通孔２２０の開口付近の三重点での等電位線の回り込みを抑制することで、内部半導電層９２５と外部半導電層９２７との間の距離を長くしなくても、当該三重点での電界集中を緩和することができる。その結果、絶縁キャップ１０内の電界集中を緩和しつつ、絶縁キャップ１０を小型化することが可能となる。
【００８０】
（ｂ）内部半導電層２５０の突出部２５２は、絶縁キャップ１０の径方向に絶縁キャップ１０の外周側から貫通孔２２０側に行くに従って、外部半導電層２７０の傾斜部２７２から徐々に離れている。これにより、内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２との間での絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００８１】
ここで、外部半導電層２７０が傾斜部２７２を有し、且つ、内部半導電層２５０の突出部２５２が絶縁キャップ１０の軸方向の他端側に凸の円弧状に湾曲している場合では、当該湾曲した突出部２５２の突出端付近で、該突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２とが過剰に接近した部分が生じてしまう可能性がある。突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２とが過剰に接近すると、当該接近部分において、等電位線が密となり、電界が集中する可能性がある。その結果、内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２との間で絶縁破壊が生じてしまうおそれがある。
【００８２】
これに対し、本実施形態では、内部半導電層２５０の突出部２５２が、絶縁キャップ１０の径方向に絶縁キャップ１０の外周側から貫通孔２２０側に行くに従って、外部半導電層２７０の傾斜部２７２から徐々に離れていることで、内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２とが過剰に接近した部分が生じることを抑制することができる。これにより、内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２との間で、等電位線が密となることを抑制し、電界が集中することを抑制することができる。その結果、内部半導電層２５０の突出部２５２と外部半導電層２７０の傾斜部２７２との間での絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００８３】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００８４】
上述の実施形態では、絶縁キャップ１０が保護する保護対象が、電力機器の端末部１００である場合について説明したが、保護対象は、電力ケーブルの端末部であってもよい。
【００８５】
上述の実施形態では、絶縁キャップ１０の形状が有底円筒状である場合について説明したが、絶縁キャップ１０の形状は、有底筒状であれば、円筒状でなくてもよく、端末部１００の形状に合わせた形状としてもよい。
【００８６】
上述の実施形態では、中空部２１０の形状が円柱状である場合について説明したが、中空部２１０にブッシング１２０が嵌合可能であれば、中空部２１０の形状は、円柱状でなくてもよく、ブッシング１２０の形状に合わせた形状としてもよい。
【００８７】
上述の実施形態では、貫通孔２２０の中心軸が中空部２１０の中心軸と一致している場合について説明したが、貫通孔２２０の中心軸は、中空部２１０からの空気抜けを阻害しない程度に、中空部２１０の中心軸からずれていてもよい。
【００８８】
上述の実施形態では、芯金準備工程Ｓ１１０において、中空部２１０と貫通孔２２０とを形成する芯金を準備する場合について説明したが、芯金準備工程Ｓ１１０において、中空部２１０のみを形成する芯金を準備し、絶縁体形成工程Ｓ１４０の後に、貫通孔２２０を刳り貫いても良い。
【００８９】
上述の実施形態では、外部半導電層形成工程Ｓ１３０の後に絶縁体形成工程Ｓ１４０を行う場合について説明したが、絶縁体形成工程Ｓ１４０の後に外部半導電層形成工程Ｓ１３０を行ってもよい。
【００９０】
上述の第１実施形態では、（ａ）内部半導電層２５０が突出部２５２を有することと、（ｂ）内部半導電層２５０が貫通孔２２０から離間していることと、を絶縁キャップ１０が満たす場合について説明し、また、上述の第２実施形態では、上記（ａ）および（ｂ）と、（ｃ）絶縁体２６０および外部半導電層２７０がそれぞれ傾斜部２６２，２７２を有することと、を絶縁キャップ１０が満たす場合について説明したが、絶縁キャップ１０は、（ａ）〜（ｃ）の少なくともいずれか１つを満たしていればよく、解決しようとする課題に応じて、絶縁キャップ１０の構成を変更してもよい。
【００９１】
＜本発明の好ましい態様＞
以下、本発明の好ましい態様を付記する。
【００９２】
（付記１）
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記内部半導電層は、前記貫通孔から径方向に離間した位置で該貫通孔を囲むように設けられ、前記中空部の軸方向の端部から前記絶縁キャップの前記他端に向けて突出する突出部を有し、
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲している
絶縁キャップ。
【００９３】
（付記２）
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記内部半導電層の外側に形成される等電位線が、前記内部半導電層と前記絶縁体と前記貫通孔内の空気とが接する三重点まで回り込むことを抑制するように、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲している
付記１に記載の絶縁キャップ。
【００９４】
（付記３）
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲しながら、前記絶縁キャップの径方向に前記絶縁キャップの外周側から前記貫通孔側に延在している
付記１又は２に記載の絶縁キャップ。
【００９５】
（付記４）
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、前記絶縁キャップの軸方向に延在する直線部分を有していない
付記１〜３のいずれか１つに記載の絶縁キャップ。
【００９６】
（付記５）
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれは、該突出部のうちの前記絶縁キャップの外周側から該突出部のうちの前記貫通孔側までの全体に亘って円弧状に湾曲している
付記１〜４のいずれか１つに記載の絶縁キャップ。
【００９７】
（付記６）
前記突出部は、前記内部半導電層のうち前記中空部の内周面を構成する部分よりも前記絶縁キャップの径方向に前記絶縁キャップの外周側に突出していない
付記１〜５のいずれか１つに記載の絶縁キャップ。
【００９８】
（付記７）
前記絶縁体および前記外部半導電層のそれぞれは、前記中空部側から前記絶縁キャップの前記他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部を有する
付記１〜６のいずれか１つに記載の絶縁キャップ。
【００９９】
（付記８）
前記内部半導電層の前記突出部は、前記絶縁キャップの径方向に前記絶縁キャップの外周側から前記貫通孔側に行くに従って、前記外部半導電層の前記傾斜部から徐々に離れている
付記７に記載の絶縁キャップ。
【０１００】
（付記９）
前記絶縁キャップの軸方向への前記内部半導電層の前記突出部と前記外部半導電層の前記傾斜部との離間距離は、前記絶縁キャップの径方向に前記絶縁キャップの外周側から前記貫通孔側に行くに従って、徐々に広がっている
付記７又は８に記載の絶縁キャップ。
【０１０１】
（付記１０）
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記絶縁体および前記外部半導電層のそれぞれは、前記中空部側から前記絶縁キャップの前記他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部を有する
絶縁キャップ。
【０１０２】
（付記１１）
前記内部半導電層は、前記絶縁キャップの径方向に前記貫通孔から離間され、前記貫通孔内に露出していない
付記１〜１０のいずれか１つに記載の絶縁キャップ。
【０１０３】
（付記１２）
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップであって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、
前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように設けられる内部半導電層と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように設けられる絶縁体と、
前記絶縁体を覆うように設けられ、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成する外部半導電層と、
を有し、
前記内部半導電層は、前記絶縁キャップの径方向に前記貫通孔から離間され、前記貫通孔内に露出していない
絶縁キャップ。
【０１０４】
（付記１３）
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップの製造方法であって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、を形成する所定の芯金を準備する工程と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように、内部半導電層を形成する工程と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように、絶縁体を形成し、前記絶縁体を覆い、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成するように、外部半導電層を形成する工程と、
を有し、
前記内部半導電層を形成する工程では、
前記内部半導電層において、前記貫通孔から径方向に離間した位置で該貫通孔を囲み、且つ、前記中空部の軸方向の端部から前記絶縁キャップの前記他端に向けて突出するように、突出部を形成し、
前記絶縁キャップの軸方向に沿った断面で見たときに、前記突出部のうち前記貫通孔を挟んだ両側のそれぞれを、前記絶縁キャップの前記他端側に凸に湾曲させる
絶縁キャップの製造方法。
【０１０５】
（付記１４）
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップの製造方法であって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、を形成する所定の芯金を準備する工程と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように、内部半導電層を形成する工程と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように、絶縁体を形成し、前記絶縁体を覆い、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成するように、外部半導電層を形成する工程と、
を有し、
前記絶縁体および前記外部半導電層を形成する工程では、
前記絶縁体および前記外部半導電層のそれぞれに、前記中空部側から前記絶縁キャップの前記他端に向けて徐々に縮径するように傾斜する傾斜部を形成する
絶縁キャップの製造方法。
【０１０６】
（付記１５）
電力機器又は電力ケーブルのいずれかの端末部を保護する有底筒状の絶縁部材として構成される絶縁キャップの製造方法であって、
前記絶縁キャップの軸方向の一端から他端側に向けて所定距離だけ凹み、前記端末部が前記絶縁キャップの軸方向に沿って挿入される中空部と、前記中空部から前記絶縁キャップの前記他端まで前記絶縁キャップの軸方向に貫通する貫通孔と、を形成する所定の芯金を準備する工程と、
前記中空部の一部を構成し、前記中空部内に前記端末部が挿入されたときの、該端末部のうち高電圧が印加される端子部を覆うように、内部半導電層を形成する工程と、
前記中空部のうち前記内部半導電層で覆われていない部分および前記貫通孔を構成し、前記内部半導電層を覆うように、絶縁体を形成し、前記絶縁体を覆い、前記絶縁キャップの最外面の少なくとも一部を構成するように、外部半導電層を形成する工程と、
を有し、
前記内部半導電層を形成する工程では、
前記絶縁キャップの径方向に前記貫通孔から離間し、前記貫通孔内に露出しないように、前記内部半導電層を形成する
絶縁キャップの製造方法。
【符号の説明】
【０１０７】
１０  絶縁キャップ
９０  絶縁キャップ
１００  端末部
１１０  導体
１２０  ブッシング
１３０  端子部
２１０  中空部
２２０  貫通孔
２５０  内部半導電層
２５２  突出部
２５２ａ  突出部傾斜部
２６０  絶縁体
２６２  傾斜部
２７０  外部半導電層
２７２  傾斜部
３２０  栓
３４０  検電部
３６０  締付部
９２１  中空部
９２２  貫通孔
９２５  内部半導電層
９２５ａ  突出部
９２６  絶縁体
９２７  外部半導電層
【図１】
2020021638.tif 000003
【図２】
2020021638.tif 000004
【図３】
2020021638.tif 000005