(57)【要約】【課題】優れたエネルギー効率を有し、かつ、小型化が実現された光源装置および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の光源装置は、第１波長領域の光を発光する発光体と、前記第１波長領域の光を選択的に透過させ得るダイクロイック膜と、前記第１波長領域の光が入射する入射面と、前記第１波長領域の光を第２波長領域の光に変換した後に出射させる出射面とを備え、前記入射面が前記出射面よりも大きく設定されている波長変換体と、前記第２波長領域の光を集光する集光部を備える集光体と、を有し、前記発光体と、前記ダイクロイック膜と、前記波長変換体とが、前記発光体からの前記第１波長領域の光の出射方向に向かって、この順で積層された状態で直接接合されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１波長領域の光を発光する発光体と、
前記第１波長領域の光を選択的に透過させ得るダイクロイック膜と、
前記第１波長領域の光が入射する入射面と、前記第１波長領域の光を第２波長領域の光に変換した後に出射させる出射面とを備え、前記入射面が前記出射面よりも大きく設定されている波長変換体と、
前記第２波長領域の光を集光する集光部を備える集光体と、を有し、
前記発光体と、前記ダイクロイック膜と、前記波長変換体とが、前記発光体からの前記第１波長領域の光の出射方向に向かって、この順で積層された状態で直接接合されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記発光体と前記ダイクロイック膜と前記波長変換体とは、接合層を介して前記直接接合がなされ、
前記接合層は、その厚さが前記第１波長領域の光におけるピーク波長の１波長以下である請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記ダイクロイック膜は、前記第１波長領域の光の透過率が前記第２波長領域の光の透過率よりも高い請求項１または２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記発光体と、前記波長変換体とは、前記発光体からの前記第１波長領域の光の出射方向から見た平面視において、前記波長変換体の方が大きく、
前記ダイクロイック膜は、前記発光体と前記波長変換体との間に、選択的に形成されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
前記発光体は、発光ダイオードである請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項６】
前記発光体は、基板と、前記基板に配設された発光素子とを有し、
前記発光体は、前記基板と前記ダイクロイック膜とが接触して、前記ダイクロイック膜に接合している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項７】
前記発光体は、発光素子で構成され、
前記発光体は、前記発光素子と前記ダイクロイック膜とが接触して、前記ダイクロイック膜に接合している請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光源装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネルギー性の観点等により、エネルギー効率に優れた照明すなわち光源装置の開発が求められ、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザー（ＬＤ）のような固体電源を用いた光源装置が提案されている。
【０００３】
ここで、例えば、プロジェクターが備える光源装置にＬＥＤを適用した場合、１つのＬＥＤによりプロジェクターに用い得る程度の大光束を得るために、１つのＬＥＤに大電力を投入すると、ドループ現象によって発光効率が低下する。そのため、この場合、光源装置が備えるＬＥＤの数を増やす等、光源装置の発光面積を拡げる方法が一般的に取られる。
【０００４】
しかしながら、プロジェクターにおける液晶やデジタルミラーデバイス（ＤＭＤ）のような表示デバイスを照明する効率は、エテンデュー＝発光面積×立体角を小さく設定するほど高くなる。その結果、複数のＬＥＤによってプロジェクターを高輝度化しようとすると、発光面積の拡大による大光束化と、エテンデュー増大による照明効率低下とのジレンマに陥ってしまうと言う問題があった。
【０００５】
この問題を解決する手段として、複数のＬＥＤが発する光を蛍光変換して小さなエリアに蛍光変換された光を集光させる蛍光集光の原理を用いることで、エテンデューを増大させずに高輝度化を実現するいわゆるＨＬＤ（High Lumen Density）と呼ばれる技術が、例えば、特許文献１において提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１６−５２１４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このＨＬＤ技術では、蛍光変換された光を取り出す取り出し効率が低いことに起因して、エネルギー効率が低くなり、その結果、例えば、照明装置の消費電力が大きくなったり、発生する熱を冷却するための冷却機構を設ける必要が生じ照明装置の大型化をまねくと言う課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【０００９】
本発明の適用例に係る光源装置は、第１波長領域の光を発光する発光体と、
前記第１波長領域の光を選択的に透過させ得るダイクロイック膜と、
前記第１波長領域の光が入射する入射面と、前記第１波長領域の光を第２波長領域の光に変換した後に出射させる出射面とを備え、前記入射面が前記出射面よりも大きく設定されている波長変換体と、
前記第２波長領域の光を集光する集光部を備える集光体と、を有し、
前記発光体と、前記ダイクロイック膜と、前記波長変換体とが、前記発光体からの前記第１波長領域の光の出射方向に向かって、この順で積層された状態で直接接合されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光源装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す光源装置のＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【図３】各波長領域におけるダイクロイック膜の透過率特性を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した液晶プロジェクターの光学系を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の光源装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
＜光源装置＞
＜＜第１実施形態＞＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る光源装置を模式的に示す断面図、図２は、図１に示す光源装置のＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図、図３は、各波長領域におけるダイクロイック膜の透過率特性を示すグラフである。なお、以下では、説明の都合上、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」、左側を「基端」、右側を「先端」として説明を行う。
【００１３】
光源装置１００は、複数のＬＥＤのような発光体１０が発する光を蛍光変換して小さなエリアに蛍光変換された光を集光させる蛍光集光の原理を用いることで、エテンデューを増大させずに高輝度化を実現するいわゆるＨＬＤ（High Lumen Density）と呼ばれる技術が適用されたものである。
【００１４】
本実施形態では、この光源装置１００は、図１および図２に示すように、第１波長領域の光を発光する複数の発光体１０と、第１波長領域の光を第２波長領域の光に変換する波長変換体２０と、第１波長領域の光を選択的に透過させ得るダイクロイック膜４０と、第２波長領域の光を集光する集光部３３を備える集光体３０と、を有している。
【００１５】
この光源装置１００では、発光体１０と、ダイクロイック膜４０と、波長変換体２０とは、発光体１０からの第１波長領域の光の出射方向に向かって、この順で積層され、直接接合がなされている。すなわち、光源装置１００は、発光体１０と波長変換体２０との間に、これらに互いに接触して設けられたダイクロイック膜４０を有している。このダイクロイック膜４０は、第１波長領域の光を選択的に透過させ得るものであり、第１波長領域の光の透過率が第２波長領域の光の透過率よりも高くなっている。そのため、複数の発光体１０で発光した第１波長領域の光を、ダイクロイック膜４０を介して、波長変換体２０内に入射面２２から確実に入射すなわち導入させることができる。そして、この第１波長領域の光により波長変換体２０において変換された第２波長領域の光を、波長変換体２０の入射面２２においてダイクロイック膜４０により、確実に反射させることができる。これにより、波長変換体２０の出射面２１から、より多くの第２波長領域の光を、集光部３３に取り出すこと、すなわち、第２波長領域の光の波長変換体２０から集光部３３への取り出し効率の向上を図ることができる。そのため、この集光体３０から、照射すべき対象物に対して、この第２波長領域の光を優れた取り出し効率で照射することができる。
【００１６】
以下、光源装置１００が備える各部の構成について順次説明する。
［発光体１０］
発光体１０は、光源装置１００における光源であり、本発明では、第１波長領域の光を発光し、ダイクロイック膜４０および波長変換体２０へ向けて出射する。
【００１７】
この発光体１０は、光源装置１００が備える回路基板１１に複数搭載されている。すなわち、本実施形態では、波長変換体２０を介して上下方向に向き合うように配置された一対の回路基板１１に対して、それぞれ、８つの発光体１０が搭載されており、光源装置１００は、合計１６個の発光体１０を有している。これにより、発光体１０により発光された第１波長領域の光が波長変換体２０の上部および下部に対して照射される。
【００１８】
発光体１０としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）等の固体電源が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、ＬＥＤが好ましく用いられる。ＬＥＤによれば、所望の第１波長領域を有する光を、比較的高効率に出射させることができる。そのため、発光体１０として好ましく用いられる。
【００１９】
第１波長領域としては、４２０ｎｍ未満の波長範囲で規定されるＵＶまたは紫色域の光を出射させる場合、４２０ｎｍ以上４９５ｎｍ以下の波長範囲で規定される青色域の光を出射させる場合、４９５ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長範囲で規定される緑・黄色域の光を出射させる場合、６００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長範囲で規定される赤色域の光を出射させる場合、８１０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下の波長範囲で規定される近赤外域の光を出射させる場合等が挙げられ、これらの波長範囲に応じて、発光体１０として各種の色を発光するＬＥＤ等の光源が選択して使用される。
【００２０】
なお、ＬＤは、現在広く用いられているものが端面発光であるため、例えば、これをプロジェクターの光源として使用する場合には、複数のＬＤの光を光学系でまとめて均一化した後に、ＬＣＤやＤＭＤのような表示デバイスを面で照明する必要がある。これに対して、ＬＤを発光体１０として用いることで、前記光学系を用いることなく、ＬＤをプロジェクター用の光源として用いることができる。
【００２１】
また、ＯＬＥＤは、大面積化が容易な光源である。そのため、ＯＬＥＤを発光体１０として用いることで、図１に示すように、１つの回路基板１１上に８つの発光体１０を設ける必要がなく、例えば、１つの発光体１０を、波長変換体２０に対して第１波長領域の光を出射させる光源として用いることもできる。
【００２２】
以上のような発光体１０は、本実施形態では、図２に示すように、基板１６と、基板１６に配設された発光素子１５とを有している。そして、回路基板１１には、発光素子１５が搭載され、この発光素子１５に積層された基板１６がダイクロイック膜４０に接触した状態で、発光体１０がダイクロイック膜４０に接合されている。また、基板１６は、光透過性を有している。かかる構成の発光体１０では、基板１６が発光素子１５により発光した第１波長領域の光を出射する出射面を構成する。
【００２３】
このような基板１６と発光素子１５とを備える発光体１０を、ＬＥＤに適用した場合、基板１６としては、例えば、サファイア基板、シリコン基板等が挙げられ、発光素子１５としては、例えば、ＧａＮ系発光素子等が挙げられる。
【００２４】
また、この場合、基板１６は、サファイア基板や、シリコン基板の他に、さらに、保護層、被覆層等の他の層を備えるものであってもよい。発光素子１５は、ｐ型のＧａＮ層、発光層、ｎ型のＧａＮ層、電極の他に、保護層、中間層等の他の層を備えるものであってもよい。
【００２５】
［波長変換体２０］
波長変換体２０は、第１波長領域の光が入射する入射面２２と、第２波長領域の光を出射させる出射面２１とを有している。この波長変換体２０は、発光体１０から発光され、かつ、ダイクロイック膜４０を透過した第１波長領域の光を、第２波長領域の光に変換する波長変換素子として機能するとともに、入射面２２から入射された第１波長領域の光を、出射面２１に導く光導波路としての機能を併せ持つものである。
【００２６】
この波長変換体２０では、第１波長領域の光が入射する入射面２２と、第１波長領域の光を第２波長領域の光に変換した後に出射させる出射面２１とでは、入射面２２が出射面２１よりも大きく設定されている。すなわち、入射面２２の合計の面積Ｓ１と、出射面２１の合計の面積Ｓ２とは、Ｓ１＞Ｓ２であり、Ｓ１＞２×Ｓ２であることが好ましい第１波長領域の光が入射する入射面２２の大きさと、第２波長領域の光を出射させる出射面２１の大きさとの関係が上記を満足することにより、エテンデュー（＝発光面積×立体角）を増大させることなく小さく設定して、第１波長領域の光から変換された第２波長領域の光を出射面２１から出射させることができる。そのため、光源装置１００における光の取り出し効率の向上を図ることができる。
【００２７】
このような波長変換体２０は、入射面２２の大きさが出射面２１の大きさよりも大きくなるように、全体形状が例えば棒状のような長尺物をなし、その内部を光が透過し得るように、透明性を有する導光体で構成される。そして、波長変換体２０は、第１波長領域の光の照射により第２波長領域の光を発光することで、第１波長領域の光から第２波長領域の光への変換を実現させ得るように、発光材料を含有する。
【００２８】
波長変換体２０において、図１に示す、入射面２２の長さ（図１中左右方向の長さ）と出射面２１の高さ（図１中上下方向の長さ）との比は、入射面２２の長さ：出射面２１の高さ＝２：１〜１０：１程度であることが好ましく、３：１〜７：１程度であることがより好ましい。これにより、エテンデューの増大を、より確実に防止することができる。また、出射面２１の平面視形状は、特に限定されないが、例えば、真円形、楕円形のような円形状や、三角形、正方形、長方形、五角形、六角形のような多角形状が挙げられる。
【００２９】
波長変換体２０を構成する主材料としては、透明性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、ホウケイ酸ガラスのようなガラス、石英、サファイア、多結晶アルミナの他、ＹＡＧ、ＬｕＡＧのようなアンドープ透明ガーネットおよび光透過性を有する高分子材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの材料を適宜組み合わせることで、ｎ＝１．５以上１．８以下程度の屈折率を有する波長変換体２０を得ることができ、集光体３０の内部３１の屈折率よりも大きく設定することができる。
【００３０】
また、波長変換体２０に含まれる発光材料としては、例えば、黄色発光のＹＡＧ：Ｃｅ（セリウム添加イットリウム・アルミニウム・ガーネット）、緑色発光のＬｕＡＧ：Ｃｅ（セリウム添加ルテチウム・アルミニウム・ガーネット）のようなドープＹＡＧ、ＬｕＡＧ等の無機蛍光体の他、有機蛍光材料が挙げられる。この発光材料の選択により、第１波長領域の光の照射により発光する光の第２波長領域の範囲を設定することができる。すなわち、波長変換体２０の出射面２１から出射される光の色調を設定することができる。
【００３１】
かかる構成をなす波長変換体２０において、複数の発光体１０から出射された第１波長領域の光が入射され、波長変換体２０に含まれる発光材料により、第２波長領域に変換された光が発光される。この際、発光材料により発光される第２波長領域の光は、波長変換体２０内において、あらゆる方向に放射される。そして、これらのうち、図２に示す通り、入射面２２に到達した光のうち、透過角度領域２６の角度で入射した光が入射面２２を透過して波長変換体２０の外側に出射され、全反射角度領域２５の角度で入射した光が入射面２２において全反射される。その後、出射面２１が平坦面で構成されると仮定した場合、全反射された光のうち、導光角度領域２７の角度で出射面２１に入射した光が出射面２１を透過して、集光体３０内に出射される。
【００３２】
また、光源装置１００は、棒状をなす波長変換体２０の出射面２１と反対側の端面の外側に、ミラー２３を備えている。これにより、波長変換体２０に含まれる発光材料が発光した第２波長領域の光のうち、出射面２１と反対側の端面から出射された光を、ミラー２３で反射させることで波長変換体２０内に、再度、導入することができる。なお、このミラー２３は、図１に示すように、波長変換体２０に対して別個に設けられているものであってもよいし、波長変換体２０に対して一体的に形成されているものであってもよい。
【００３３】
さらに、光源装置１００は、棒状をなす波長変換体２０の入射面２２とは異なる側面の外側に、図示しない、ミラーを備えていることが好ましい。これにより、波長変換体２０に含まれる発光材料が発光した第２波長領域の光のうち、入射面２２とは異なる側面から出射された光を、ミラーで反射させることで波長変換体２０内に、再度、導入することができる。なお、このミラーは、波長変換体２０に対して別個に設けられているものであってもよいし、波長変換体２０に対して一体的に形成されているものであってもよい。
【００３４】
［ダイクロイック膜４０］
ダイクロイック膜４０は、第１波長領域の光を選択的に透過させ得るものである。換言すれば、第１波長領域の光の透過率が第２波長領域の光の透過率よりも高くなっているものである。
【００３５】
このダイクロイック膜４０は、本実施形態では、発光体１０と波長変換体２０との間で、発光体１０の出射面である基板１６と波長変換体２０の入射面２２との双方に接触して設けられている。
【００３６】
そのため、複数の発光体１０で発光した第１波長領域の光を、ダイクロイック膜４０を介して、波長変換体２０に確実に入射すなわち導入することができる。また、前述の通り、この第１波長領域の光により波長変換体２０において変換された第２波長領域の光のうち、透過角度領域２６の角度で入射した光が入射面２２を透過して波長変換体２０の外側に出射されるが、この入射面２２を透過した光をも、ダイクロイック膜４０により、確実に反射させることができる。そのため、波長変換体２０の出射面２１から集光部３３への第２波長領域の光の取り出し効率の向上を図ることができる。
【００３７】
このダイクロイック膜４０は、屈折率が相対的に高い高屈折率膜と、屈折率が相対的に低い低屈折率膜とが厚さ方向に積層されることで形成された、無機材料を主材料とする積層体で構成されている。
【００３８】
高屈折率膜および低屈折率膜に含まれる無機材料としては、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１．６３）、ＣｅＯ２（ｎ＝２．０）、Ｃｒ２Ｏ３（ｎ＝２．５５）、ＨｆＯ２（ｎ＝１．９５）、Ｌａ２Ｏ３（ｎ＝１.９）、ＭｇＯ（ｎ＝１．７４）、Ｎｂ２Ｏ３（ｎ＝２．３）、ＮｉＯ（ｎ＝−）、ＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２．1）、ＴｉＯ２（ｎ＝２．３〜２．５５）、Ｔｉ３Ｏ５（ｎ＝２．３〜２．５５）、Ｙ２Ｏ３（ｎ＝１．８７）、ＷＯ３（ｎ＝−）、ＺｎＯ（ｎ＝２．１）、ＺｒＯ２（ｎ＝２．０５）、ＺｒＯ２＋ＴｉＯ２（ｎ＝２．１）、ＡｌＦ３（ｎ＝１．３８）、ＣａＦ２（ｎ＝１．２３〜１．４５）、ＣｅＦ３（ｎ＝１．６３）、ＧｄＦ３（ｎ＝１．５９）、ＬａＦ３（ｎ＝１．５９）、ＬｉＦ（ｎ＝１．３）、ＭｇＦ２（ｎ＝１．３８〜１．４）、ＮａＦ（ｎ＝１．２９〜１．３）、ＮｄＦ３（ｎ＝１．６１）、ＹＦ３（ｎ＝１．５）、ＺｎＳ（ｎ＝２．３〜２．４）等が挙げられ、高屈折率膜が低屈折率膜に対して相対的に屈折率が高くなるように、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせたものが適宜選択される。具体的には、高屈折率膜をＴｉＯ２（ｎ＝２．３〜２．５５）で構成し、低屈折率膜をＳｉＯ２（ｎ＝１．４６）で構成する組み合わせ等が挙げられる。
【００３９】
また、高屈折率膜または低屈折率膜で構成される各膜の厚さは、例えば、好ましくは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度、より好ましくは１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下程度に設定される。
【００４０】
さらに、高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された積層体において、高屈折率膜および低屈折率膜は、例えば、それぞれ、好ましくは５層以上１００層以下程度、より好ましくは１０層以上５０層以下程度含まれるように設定される。
【００４１】
高屈折率膜および低屈折率膜の厚さならびに積層数を前記範囲内に設定することにより、積層体に、第１波長領域の光の透過率が第２波長領域の光の透過率よりも高くなっているダイクロイック膜４０としての特性を確実に付与することができる。
【００４２】
ここで、かかる構成の積層体で構成されるダイクロイック膜４０は、第１波長領域の光の透過率が第２波長領域の光の透過率よりも高くなっている特性を有するもの、換言すれば、第２波長領域の光の反射率が第１波長領域の光の反射率よりも高くなっている特性を有するものが選択されるが、このようなダイクロイック膜４０の特性は、光が入射する入射角度によって異なってくる。すなわち、入射面２２を光が透過する透過角度領域２６に含まれる垂直入射付近での光の透過特性と、入射面２２を光が全反射する全反射角度領域２５に含まれる斜め入射付近での光の透過特性とは、ダイクロイック膜４０において、同一ではなく、互いに異なってくる。そのため、ダイクロイック膜４０としては、図３に示すように、入射面２２を光が透過する透過角度領域２６に含まれる垂直入射付近では、第１波長領域の光の透過率が大きく、入射面２２を光が全反射する全反射角度領域２５に含まれる斜め入射付近では、第２波長領域の光の反射率が大きいものが好ましく選択される。
【００４３】
なお、このような特性を有するダイクロイック膜４０は、上述した高屈折率膜および低屈折率膜に含まれる構成材料、高屈折率膜および低屈折率膜の層数、ならびに高屈折率膜および低屈折率膜の膜厚等を適宜設定することにより得ることができる。
【００４４】
かかる構成をなすダイクロイック膜４０は、本実施形態では、波長変換体２０の入射面２２のほぼ全面を覆うように設けられた平坦膜４５すなわちベタ膜で構成され、発光体１０の出射面すなわち基板１６に対して直接接合している。
【００４５】
このダイクロイック膜４０は、波長変換体２０の入射面２２に対して、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法のような気相成膜法等を用いて高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された積層体を形成した後、この積層体を、発光体１０に直接接合することにより得ることができる。
【００４６】
また、ダイクロイック膜４０と発光体１０の出射面すなわち基板１６とは、接合層を介さず、直接接合していることが好ましいが、接合層を介して直接接合しているものであってもよい。また、後者とする場合、接合層は、ＳｉＯ２等のダイクロイック膜４０の構成材料として挙げた無機材料で構成されるが、この際の接合層の厚さは、第１波長領域の光におけるピーク波長の２波長以下であればよいが、１波長以下であることが好ましく、１／４波長以下であることがより好ましい。これにより、この接合層により、第１波長領域の光が全反射されるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、直接接合によりこのような接合膜を形成したとしても、発光体１０で発光された第１波長領域の光を波長変換体２０内に確実に導入することができる。
【００４７】
なお、ダイクロイック膜４０を構成する積層体の最外層と、この接合層とが、ともにＳｉＯ２である場合のように同一の材料で構成される場合、接合層の厚さは、この最外層の厚さも合算したうえで、好ましくは１波長以下、より好ましくは１／４波長以下に設定される。
【００４８】
［集光体３０］
集光体３０は、波長変換体２０の出射面２１から出射された第２波長領域の光を集光し、光源装置１００により照射すべき対象物に対して、この第２波長領域の光を放出すなわち照射するものである。
【００４９】
この集光体３０は、本実施形態では、図１に示すように、その全体形状が筒状をなす本体部３２を有し、基端側の開放面が集光部３３を構成し、先端側の開放面が第２波長領域の光を放出すなわち照射する放出部３４を構成し、内部空間を構成する内部３１を有する本体部３２の内周面に、集光部３３で集光された第２波長領域の光を反射させる反射層３５を備えている。すなわち、集光体３０は、本体部３２と反射層３５とで構成されるリフレクター構造を形成している。
【００５０】
かかる構成の集光体３０は、波長変換体２０が備える出射面２１に、集光部３３すなわち集光体３０の基端側の開放面が対応するように配置される。これにより、波長変換体２０の出射面２１から出射された、第２波長領域の光が集光部３３から本体部３２の内部３１に導かれる。
【００５１】
本体部３２は、その内径が、基端から先端に向かって、すなわち集光部３３から放出部３４に向かって漸増する形状をなしている。すなわち、本体部３２の内周面がロート状をなす湾曲面、すなわちテーパー状をなす傾斜面で構成されている。そして、この本体部３２の内周面に反射層３５が形成されている。
【００５２】
したがって、集光部３３を介して本体部３２の内部３１に導入させた、波長変換体２０の出射面２１から出射された第２波長領域の光を、反射層３５で放出部３４に向けて反射させることで、この反射の後に、放出部３４から、光源装置１００の外側に位置する対象物に対して、放出すなわち照射することができる。そのため、放出部３４から、放出される第２波長領域の光の放射角を狭めることができる。
【００５３】
なお、波長変換体２０の出射面２１における平面視形状が円形をなす場合、本体部３２は、複合パラボラ型集熱器（ＣＰＣ；Compound Parabolic Concentrator）で構成されることが好ましい。これにより、放出部３４から、放出される第２波長領域の光の放射角をより確実に狭めることができる。また、出射面２１の平面視形状が円形をなす場合、出射面２１の縁部がＣＰＣの焦点位置と一致するように、出射面２１は、集光部３３すなわち集光体３０の基端側の開放面に配置されることが好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【００５４】
本体部３２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、波長変換体２０を構成する主材料として挙げたものと同一のものを用いることができるが、中でも、石英やホウケイ酸ガラスのような熱膨張率が低い材料であることが好ましい。これにより、第２波長領域の光が反射層３５を反射することで本体部３２が加熱されたとしても、この加熱により本体部３２が変形するのを的確に抑制または防止することができる。
【００５５】
なお、このような構成材料を用いた場合、本体部３２を、透明性を有するものとし得る。そのため、反射層３５は、図１に示すように、本体部３２の内周面に形成される場合の他、本体部３２の外周面に形成されるものであってもよい。
【００５６】
また、反射層３５は、例えば、Ａｇ、Ａｌのような金属材料を主材料とする金属ミラーや、誘電体多層膜ミラーで構成することができる。
【００５７】
さらに、このような反射層３５は、保護層として最上面に誘電体層等を備えるものであってもよい。
【００５８】
また、本実施形態では、内部３１は、内部空間で構成されること、すなわち、内部３１に充填物として空気が存在する場合について説明したが、かかる構成に限定されず、内部３１には空気以外の光透過性を備える充填物が充填されていてもよい。
【００５９】
内部３１に空気が存在する場合、内部３１の屈折率（ｎ）は１．０に設定されるが、この場合を含めて、内部３１の屈折率は、波長変換体２０よりも小さければよいが、具体的には、１．０以上１．４以下であることが好ましく、１．１以上１．３以下であることがより好ましい。これにより、光源装置１００における光の取り出し効率のさらなる向上を図ることができる。
【００６０】
また、充填物の構成材料としては、光透過性を備えるものであれば、特に限定されないが、例えば、エアロゲル（ｎ＝１．０１〜１．１０）、テフロン（ｎ＝１．２９、登録商標）のような高分子材料（ｎ＝１．３前後）および水（ｎ＝１．３３）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６１】
さらに、集光体３０の内部３１をこのような充填物で充填するものとし、この充填物が適度な強度を備える固形物である場合には、集光体３０は、本体部３２の形成が省略されたものであってもよい。
【００６２】
また、先端側の開放面すなわち放出部３４を密閉し、内部３１に空気が存在する場合には、内部３１は、減圧または真空状態であってもよい。
【００６３】
［散乱部５０］
散乱部５０は、波長変換体２０の出射面２１上、または出射面２１より集光体３０側に配置され、第２波長領域の光の散乱性すなわち拡散性を向上させる。これにより、出射面２１を介した、波長変換体２０内からその外側に対する、第２波長領域の光の取り出し効率の向上を図ることができる。
【００６４】
この散乱部５０は、本実施形態では、図１に示すように、波長変換体２０と一体的に形成されており、出射面２１上、すなわち出射面２１自体が散乱部５０を構成している。
【００６５】
この場合、散乱部５０すなわち出射面２１は、例えば、マイクロレンズ、レンチキュラーレンズ、プリズム、散乱ビーズ層、回折格子およびランダムな凹凸部等で構成されている。これにより、波長変換体２０内において出射面２１に到達した、第２波長領域の光を拡散させることができ、その結果、波長変換体２０からの第２波長領域の光の取り出し効率の向上が図られる。
【００６６】
また、散乱部５０すなわち出射面２１における、第２波長領域の光の散乱の度合いを、例えば、ヘイズ（ヘイズ値；曇度）により規定することができ、ＪＩＳ  Ｋ  ７１３６に準拠して測定されるヘイズは、５％以上８５％以下であることが好ましく、１５％以上６０％以下であることがより好ましい。ヘイズの大きさをかかる範囲内に設定することにより、波長変換体２０からの第２波長領域の光の取り出しを、より優れた効率で実施することができる。
【００６７】
また、散乱部５０は、本実施形態のように、波長変換体２０と一体的に形成される必要はなく、波長変換体２０に対して別個に形成されるものであってもよい。この場合、平坦面で構成される出射面２１に対して、マイクロレンズ、レンチキュラーレンズ、プリズム、散乱ビーズ層、回折格子およびランダムな凹凸部等で構成される散乱部５０を、接触させた状態、または、例えば中間層を介する等して、微小距離先端側に離間させた状態で配置させるようにすればよい。また、波長変換体２０と散乱部５０との屈折率は、差を有していても良いが、ほぼ等しいことが好ましい。これにより、波長変換体２０から散乱部５０への第２波長領域の光の受け渡しをより円滑に行うことができる。
【００６８】
以上のような本実施形態の光源装置１００によれば、特に、ダイクロイック膜４０を備えることで、光源装置１００が備える波長変換体２０から集光体３０に第２波長領域の光を、高い取り出し効率で取り出すことができるため、光源装置１００は、優れたエネルギー効率を有する光源であると言える。また、発生する熱を冷却するための冷却機構を設ける必要がないため、光源装置１００を、小型化が実現された光源とすることができる。
【００６９】
なお、本実施形態では、光源装置１００は、散乱部５０を備える場合について説明したが、光源装置１００は、散乱部５０が省略されたものであってもよい。すなわち、出射面２１は、平坦面で構成されるものであってもよい。ただし、光源装置１００を、散乱部５０を備えるものとすることで、波長変換体２０から集光体３０に第２波長領域の光を、より高い取り出し効率で取り出すことができる。
【００７０】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の光源装置の第２実施形態について説明する。
【００７１】
図４は、本発明の第２実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【００７２】
以下、第２実施形態の光源装置１００について、前記第１実施形態の光源装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００７３】
第２実施形態の光源装置１００では、発光体１０と波長変換体２０との双方に接触して設けられるダイクロイック膜４０の構成が異なること以外は、前記第１実施形態の光源装置と同様である。
【００７４】
すなわち、光源装置１００では、発光体１０と、波長変換体２０とを比較した場合、発光体１０からの第１波長領域の光の出射方向から見た平面視において、波長変換体２０の方が大きく設定されている。すなわち、発光体１０は、波長変換体２０に包含されている。換言すれば、波長変換体２０の入射面２２の合計の面積Ｓ１と、発光体１０の出射面すなわち基板１６の合計の面積Ｓ３とはＳ１＞Ｓ３を満足するように設定される。そして、本実施形態では、図４に示すように、ダイクロイック膜４０は、発光体１０と波長変換体２０との間に、選択的に形成されている。すなわち、波長変換体２０の平面視において、波長変換体２０の発光体１０が配置されない領域には、ダイクロイック膜４０は形成されていない。
【００７５】
これにより、ダイクロイック膜４０として、第２波長領域の光に対する吸収損失や散乱損失を有するものが形成されていたとしても、波長変換体２０の発光体１０が配置されない領域では、ダイクロイック膜４０が形成されておらず、この領域では、第２波長領域の光が入射面２２により全反射される。そのため、波長変換体２０の入射面２２により、第２波長領域の光を、全体としては、高反射率で反射させることができる。
【００７６】
かかる構成をなすダイクロイック膜４０は、本実施形態では、波長変換体２０の入射面２２の一部、すなわち、発光体１０に対応する位置を選択的に覆うように設けられた島状をなすパターニング膜４１で構成され、波長変換体２０の入射面２２に対して直接接合している。
【００７７】
このダイクロイック膜４０は、発光体１０の基板１６に対して、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法のような気相成膜法等を用いて高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された積層体を形成した後、この積層体を、波長変換体２０の入射面２２に直接接合することにより得ることができる。
【００７８】
このような第２実施形態の光源装置１００によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００７９】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の光源装置の第３実施形態について説明する。
【００８０】
図５は、本発明の第３実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【００８１】
以下、第３実施形態の光源装置１００について、前記第１実施形態の光源装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００８２】
第３実施形態の光源装置１００では、発光体１０と波長変換体２０との双方に接触して設けられるダイクロイック膜４０の構成が異なること以外は、前記第１実施形態の光源装置と同様である。
【００８３】
すなわち、光源装置１００では、発光体１０と、波長変換体２０とを比較した場合、発光体１０からの第１波長領域の光の出射方向から見た平面視において、波長変換体２０の方が大きく設定されている。すなわち、発光体１０は、波長変換体２０に包含されている。換言すれば、波長変換体２０の入射面２２の合計の面積Ｓ１と、発光体１０の出射面すなわち基板１６の合計の面積Ｓ３とはＳ１＞Ｓ３を満足するように設定される。このような光源装置１００において、本実施形態では、図５に示すように、ダイクロイック膜４０は、発光体１０と波長変換体２０との間に、選択的に形成されたパターニング膜４１と、波長変換体２０の入射面２２のほぼ全面を覆うように設けられた平坦膜４５との積層体で構成されている。
【００８４】
これにより、ダイクロイック膜４０を、例えば、層数の多い高屈折率膜と低屈折率膜との積層体で構成した場合であっても、ダイクロイック膜４０中における応力が大きくなるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、ダイクロイック膜４０中における、剥離の発生を的確に抑制または防止することができる。
【００８５】
かかる構成をなすダイクロイック膜４０は、本実施形態では、発光体１０の基板１６を覆うように設けられた島状をなすパターニング膜４１と、波長変換体２０の入射面２２のほぼ全面を覆うように設けられた平坦膜４５との積層体で構成され、パターニング膜４１と平坦膜４５とが接触する接触面において直接接合している。
【００８６】
このダイクロイック膜４０は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法のような気相成膜法等を用いて、発光体１０の基板１６に対してパターニング膜４１を形成するとともに、波長変換体２０の入射面２２に対して平坦膜４５を形成した後、パターニング膜４１と平坦膜４５とを直接接合することにより得ることができる。
【００８７】
このような第３実施形態の光源装置１００によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８８】
＜＜第４実施形態＞＞
次に、本発明の光源装置の第４実施形態について説明する。
【００８９】
図６は、本発明の第４実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【００９０】
以下、第４実施形態の光源装置１００について、前記第１実施形態の光源装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９１】
第４実施形態の光源装置１００では、第１波長領域の光を発光する発光体１０の構成が異なること以外は、前記第１実施形態の光源装置と同様である。
【００９２】
すなわち、本実施形態では、光源装置１００において、図６に示すように、発光体１０は、基板１６を備えておらず、発光素子１５で構成されており、発光体１０は、発光素子１５とダイクロイック膜４０とが接触した状態で、ダイクロイック膜４０に接合している。
【００９３】
このように基板１６を省略することで、基板１６と発光素子１５との間の界面をなくすことができる。そのため、この界面で生じていたフレネル反射損失や、基板１６の吸収損失をなくすことができることから、発光体１０が発光する第１波長領域の光の波長変換体２０への入射効率の向上が図られる。
【００９４】
このように発光素子１５で構成される発光体１０は、例えば、第１実施形態で説明した、基板１６と、この基板１６上に搭載された発光素子１５とを備える積層体を得た後、この積層体から基板１６を剥離させることにより得ることができる。
【００９５】
このような第４実施形態の光源装置１００によっても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９６】
＜＜第５実施形態＞＞
次に、本発明の光源装置の第５実施形態について説明する。
【００９７】
図７は、本発明の第５実施形態に係る光源装置におけるＡ部の構成を拡大して示す拡大断面図である。
【００９８】
以下、第５実施形態の光源装置１００について、前記第４実施形態の光源装置との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００９９】
第５実施形態の光源装置１００では、発光体１０と波長変換体２０との双方に接触して設けられるダイクロイック膜４０の構成が異なること以外は、前記第４実施形態の光源装置と同様である。
【０１００】
すなわち、光源装置１００では、発光体１０と、波長変換体２０とを比較した場合、発光体１０からの第１波長領域の光の出射方向から見た平面視において、波長変換体２０の方が大きく設定されている。すなわち、発光体１０は、波長変換体２０に包含されている。換言すれば、波長変換体２０の入射面２２の合計の面積Ｓ１と、発光体１０の出射面すなわち発光素子１５の合計の面積Ｓ４とはＳ１＞Ｓ４を満足するように設定される。そして、本実施形態では、図７に示すように、ダイクロイック膜４０は、発光体１０と波長変換体２０との間に、選択的に形成されている。すなわち、波長変換体２０の平面視において、波長変換体２０の発光体１０が配置されない領域には、ダイクロイック膜４０は形成されていない。
【０１０１】
これにより、ダイクロイック膜４０として、第２波長領域の光に対する吸収損失や散乱損失を有するものが形成されていたとしても、波長変換体２０の発光体１０が配置されない領域では、ダイクロイック膜４０が形成されておらず、この領域では、第２波長領域の光が入射面２２により全反射される。そのため、波長変換体２０の入射面２２により、第２波長領域の光を、全体としては、高反射率で反射させることができる。
【０１０２】
かかる構成をなすダイクロイック膜４０は、本実施形態では、波長変換体２０の入射面２２の一部、すなわち、発光体１０に対応する位置を選択的に覆うように設けられた島状をなすパターニング膜４１で構成され、波長変換体２０の入射面２２に対して直接接合している。
【０１０３】
このダイクロイック膜４０は、基板１６が省略された発光体１０を構成する発光素子１５に対して、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射法のような気相成膜法等を用いて高屈折率膜と低屈折率膜とが交互に積層された積層体を形成した後、この積層体を、波長変換体２０の入射面２２に直接接合することにより得ることができる。
【０１０４】
このような第５実施形態の光源装置１００によっても、前記第１実施形態および前記第４実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０５】
このような光源装置１００は、各種の電子機器が備える光源として組み込むことができる。
【０１０６】
＜液晶プロジェクター＞
以下、本発明の電子機器の一例として、第２波長領域の光として黄色の光を発光する光源に光源装置１００が用いられた液晶プロジェクターについて説明する。
【０１０７】
図８は、本発明の電子機器を適用した液晶プロジェクターの光学系を模式的に示す図である。
【０１０８】
図８に示すように、液晶プロジェクター３００は、青色の光を発光する光源３０１と、第２波長領域の光として黄色の光を発光する光源装置１００と、複数のインテグレータレンズを備えた照明光学系と、複数のダイクロイック膜ミラー等を備えた色分離光学系（導光光学系）と、赤色に対応した液晶ライトバルブ２４０と、緑色に対応した液晶ライトバルブ２５０と、青色に対応した液晶ライトバルブ２６０と、赤色光を選択的に反射するダイクロイック膜ミラー面２１１および青色光を選択的に反射するダイクロイック膜ミラー面２１２が形成されたダイクロイック膜プリズム２１０と、投射レンズ２２０とを有する、３つの液晶ライトバルブを用いた液晶プロジェクターである。
【０１０９】
また、照明光学系は、インテグレータレンズ３０２Ａ、３０２Ｂ、３０３Ａ、３０３Ｂを有している。色分離光学系は、ミラー３０４、３０６、３０７、３０９、青色光および緑色光を反射する、すなわち赤色光を選択的に透過するダイクロイック膜ミラー３０５、集光レンズ３１０、３１１、３１３、３１４とを有している。
【０１１０】
液晶ライトバルブ２５０は、液晶パネル１Ｂを備えている。液晶ライトバルブ２４０、２６０も、液晶ライトバルブ２５０と同様の構成となっている。これら液晶ライトバルブ２４０、２５０、２６０が備えている液晶パネル１Ｂは、それぞれ図示しない駆動回路にそれぞれ接続されている。
【０１１１】
なお、液晶プロジェクター３００では、ダイクロイック膜プリズム２１０と投射レンズ２２０とで、光学ブロック２００が構成されている。また、この光学ブロック２００と、ダイクロイック膜プリズム２１０に対して固定的に設置された液晶ライトバルブ２４０、２５０、２６０とで、表示ユニット２３０が構成されている。
【０１１２】
以下、液晶プロジェクター３００の作用を説明する。
光源装置１００から出射された黄色光は、インテグレータレンズ３０２Ａ、３０２Ｂを透過する。この黄色光の光強度すなわち輝度分布は、インテグレータレンズ３０２Ａ、３０２Ｂにより均一にされる。また、光源３０１から出射された青色光は、インテグレータレンズ３０３Ａ、３０３Ｂを透過する。この青色光の光強度すなわち輝度分布は、インテグレータレンズ３０３Ａ、３０３Ｂにより均一にされる。
【０１１３】
インテグレータレンズ３０２Ａ、３０２Ｂを透過した黄色光は、ミラー３０４で図８中左側に反射し、その反射光のうちの緑色光（Ｇ）は、ダイクロイック膜ミラー３０５で図８中下側に反射し、赤色光（Ｒ）は、ダイクロイック膜ミラー３０５を透過する。
【０１１４】
ダイクロイック膜ミラー３０５を透過した赤色光は、ミラー３０６で図８中下側に反射し、その反射光は、集光レンズ３１０により整形され、赤色用の液晶ライトバルブ２４０に入射する。
【０１１５】
ダイクロイック膜ミラー３０５で反射した緑色光は、ミラー３０７で図８中左側に反射する。
【０１１６】
ミラー３０７で反射した緑色光は、集光レンズ３１１により整形され、緑色用の液晶ライトバルブ２５０に入射する。
【０１１７】
また、インテグレータレンズ３０３Ａ、３０３Ｂを透過した青色光は、図８中左側に向かい、ミラー３０９で図８中上側に反射する。前記青色光は、集光レンズ３１３、３１４により整形され、青色用の液晶ライトバルブ２６０に入射する。
【０１１８】
このように、光源装置１００から出射された黄色光は、色分離光学系により、赤色および緑色に色分離され、それぞれ、赤色および緑色の液晶ライトバルブ２４０、２５０に導かれ、入射し、また、光源３０１から出射された青色光は、青色の液晶ライトバルブ２６０に導かれ、入射する。
【０１１９】
この際、液晶ライトバルブ２４０が有する液晶パネル１Ｂの各画素は、赤色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路により、オン／オフのスイッチング制御、すなわち変調される。
【０１２０】
同様に、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２５０および２６０に入射し、それぞれの液晶パネル１Ｂで変調され、これにより緑色用の画像および青色用の画像が形成される。この際、液晶ライトバルブ２５０が有する液晶パネル１Ｂの各画素は、緑色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御され、液晶ライトバルブ２６０が有する液晶パネル１Ｂの各画素は、青色用の画像信号に基づいて作動する駆動回路によりスイッチング制御される。
【０１２１】
これにより赤色光、緑色光および青色光は、それぞれ、液晶ライトバルブ２４０、２５０、２６０で変調され、赤色用の画像、緑色用の画像および青色用の画像がそれぞれ形成される。
【０１２２】
液晶ライトバルブ２４０により形成された赤色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２４０からの赤色光は、面２１３からダイクロイック膜プリズム２１０に入射し、ダイクロイック膜ミラー面２１１で図８中左側に反射し、ダイクロイック膜ミラー面２１２を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１２３】
また、液晶ライトバルブ２５０により形成された緑色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２５０からの緑色光は、面２１４からダイクロイック膜プリズム２１０に入射し、ダイクロイック膜ミラー面２１１、２１２をそれぞれ透過して、出射面２１６から出射する。
【０１２４】
さらに、液晶ライトバルブ２６０により形成された青色用の画像、すなわち液晶ライトバルブ２６０からの青色光は、面２１５からダイクロイック膜プリズム２１０に入射し、ダイクロイック膜ミラー面２１２で図８中左側に反射し、ダイクロイック膜ミラー面２１１を透過して、出射面２１６から出射する。
【０１２５】
このように、液晶ライトバルブ２４０、２５０、２６０からの各色の光、すなわち液晶ライトバルブ２４０、２５０、２６０により形成された各画像は、ダイクロイック膜プリズム２１０により合成され、これによりカラーの画像が形成される。この画像は、投射レンズ２２０により、所定の位置に設置されているスクリーン３２０上に投影（拡大投射）される。
【０１２６】
なお、本発明の電子機器は、上述したような構成をなす液晶プロジェクターの他、１つのＤＭＤ（Digital Micromirror Device）を備えるＤＬＰ方式の液晶プロジェクターにも適用することができる。すなわち、光源装置１００を、ＤＬＰ方式の液晶プロジェクターが備える光源として用いることができる。
【０１２７】
さらに、本発明の電子機器は、液晶プロジェクターの他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）のような液晶プロジェクターを応用した電子機器にも適用することができる。また、本発明の光源装置は、自動車用ヘッドライト、劇場用スポットライトおよび建築物をライトアップする際に用いる照明装置のように指向性が求められる光源としても使用することが可能である。
【０１２８】
以上、本発明の光源装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
【０１２９】
例えば、本発明の光源装置において、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
【０１３０】
また、本発明の光源装置では、前記第１〜第５実施形態で示した任意の２以上の構成を組み合わせるようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１３１】
１Ｂ…液晶パネル、１０…発光体、１１…回路基板、１５…発光素子、１６…基板、２０…波長変換体、２１…出射面、２２…入射面、２３…ミラー、２５…全反射角度領域、２６…透過角度領域、２７…導光角度領域、３０…集光体、３１…内部、３２…本体部、３３…集光部、３４…放出部、３５…反射層、４０…ダイクロイック膜、４１…パターニング膜、４５…平坦膜、５０…散乱部、１００…光源装置、２００…光学ブロック、２１０…ダイクロイック膜プリズム、２１１…ダイクロイック膜ミラー面、２１２…ダイクロイック膜ミラー面、２１３…面、２１４…面、２１５…面、２１６…出射面、２２０…投射レンズ、２３０…表示ユニット、２４０…液晶ライトバルブ、２５０…液晶ライトバルブ、２６０…液晶ライトバルブ、３００…液晶プロジェクター、３０１…光源、３０２Ａ…インテグレータレンズ、３０２Ｂ…インテグレータレンズ、３０３Ａ…インテグレータレンズ、３０３Ｂ…インテグレータレンズ、３０４…ミラー、３０５…ダイクロイック膜ミラー、３０６…ミラー、３０７…ミラー、３０９…ミラー、３１０…集光レンズ、３１１…集光レンズ、３１３…集光レンズ、３１４…集光レンズ、３２０…スクリーン
【図１】
2020087864.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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