(57)【要約】【課題】被処理体を極低温に維持した状態で回転させることが可能な載置台構造を提供すること。【解決手段】一実施形態の載置台構造は、冷凍伝熱体と、前記冷凍伝熱体の周囲に配置され、回転可能な外筒と、前記外筒に接続され、前記冷凍伝熱体の上面に対して隙間を有して配置された載置台と、を有し、前記冷凍伝熱体は、前記隙間と連通し、前記隙間に第１冷却ガスを供給する第１冷却ガス供給部を有し、前記冷凍伝熱体と前記外筒との間の空間に第２冷却ガスを供給する第２冷却ガス供給部を有する。【選択図】図１
2020021952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷凍伝熱体と、
前記冷凍伝熱体の周囲に配置され、回転可能な外筒と、
前記外筒に接続され、前記冷凍伝熱体の上面に対して隙間を有して配置された載置台と、
を有し、
前記冷凍伝熱体は、前記隙間と連通し、前記隙間に第１冷却ガスを供給する第１冷却ガス供給部を有し、
前記冷凍伝熱体と前記外筒との間の空間に第２冷却ガスを供給する第２冷却ガス供給部を有する、
載置台構造。
【請求項２】
前記第２冷却ガスの熱伝導率は、前記第１冷却ガスの熱伝導率よりも低い、
請求項１に記載の載置台構造。
【請求項３】
前記第２冷却ガスの供給圧力は、前記第１冷却ガスの供給圧力と同一、又は前記第１冷却ガスの供給圧力より高い、
請求項１に記載の載置台構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、載置台構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、超高真空かつ極低温の環境下において成膜した磁性膜を用いることで、高い磁気抵抗比を有する磁気抵抗素子を製造できることが知られている。超高真空かつ極低温の環境下において磁性膜を成膜する方法としては、冷却処理装置において極低温に冷却した被処理体に対し、冷却処理装置とは別の成膜装置で磁性膜を成膜する方法がある。
【０００３】
冷却処理装置としては、極低温の環境下において使用可能な静電吸着装置を有する構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２２６０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、冷却と成膜とを別の装置で行う場合、磁性膜を成膜する際の被処理体の温度を極低温に維持することが難しく、高い磁気抵抗比を有する磁気抵抗素子を製造することが困難である。
【０００６】
また、上記の冷却処理装置に新たに成膜機構を設けることで、同一装置内で超高真空かつ極低温の環境下において被処理体に磁性膜を成膜する方法も考えられる。しかし、上記の冷却処理装置では、静電チャックが回転可能な構成となっていないため、良好な面内均一性を得ることが困難である。
【０００７】
本発明は上記に鑑みてなされたものであって、被処理体を極低温に維持した状態で回転させることが可能な載置台構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る載置台構造は、冷凍伝熱体と、前記冷凍伝熱体の周囲に配置され、回転可能な外筒と、前記外筒に接続され、前記冷凍伝熱体の上面に対して隙間を有して配置された載置台と、を有し、前記冷凍伝熱体は、前記隙間と連通し、前記隙間に第１冷却ガスを供給する第１冷却ガス供給部を有し、前記冷凍伝熱体と前記外筒との間の空間に第２冷却ガスを供給する第２冷却ガス供給部を有する。
【発明の効果】
【０００９】
開示の載置台構造によれば、被処理体を極低温に維持した状態で回転させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る処理装置の一例を示す概略断面図
【図２】図１の処理装置の載置台構造における隙間の一例の説明図
【図３】本発明の第２の実施形態に係る処理装置の一例を示す概略断面図
【図４】本発明の第３の実施形態に係る処理装置の一例を示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１２】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態に係る載置台構造を備える処理装置について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る処理装置の一例を示す概略断面図である。
【００１３】
図１に示されるように、処理装置１は、超高真空かつ極低温の環境下において処理が可能に構成された真空容器１０内において、被処理体である半導体ウエハＷに磁性膜を形成することが可能な成膜装置である。磁性膜は、例えばトンネル磁気抵抗（Tunneling Magneto Resistance；ＴＭＲ）素子に用いられる。処理装置１は、真空容器１０と、ターゲット３０と、載置台構造５０と、を備える。
【００１４】
真空容器１０は、その内部を超高真空（例えば１０−５Ｐａ以下）に減圧可能に構成されている。真空容器１０には、外部からガス供給管（図示せず）が接続されており、ガス供給管からスパッタ成膜に必要なガス（例えばアルゴン、クリプトン、ネオン等の希ガスや窒素ガス）が供給される。また、真空容器１０には、ガス供給管から供給されるガス等を排気し、真空容器１０内を超高真空に減圧可能な真空ポンプ等の排気手段（図示せず）が接続されている。
【００１５】
ターゲット３０は、載置台構造５０の上方であって、真空容器１０内に設けられている。ターゲット３０には、プラズマ発生用電源（図示せず）からの交流電圧が印加される。プラズマ発生用電源からターゲット３０に交流電圧が印加されると、真空容器１０内にプラズマが発生し、真空容器１０内の希ガス等をイオン化し、イオン化した希ガス元素等によって、ターゲット３０がスパッタリングされる。スパッタリングされたターゲット材料の原子又は分子は、ターゲット３０に対向し、載置台構造５０に保持された半導体ウエハＷの表面に堆積する。ターゲット３０の数は特に限定されないが、１つの処理装置１で異なる材料を成膜できるという観点から、複数であることが好ましい。例えば、磁性膜（Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ等の強磁性体を含む膜）を堆積する場合、ターゲット３０の材料としては、例えばＣｏＦｅ、ＦｅＮｉ、ＮｉＦｅＣｏを用いることができる。また、ターゲット３０の材料として、これらの材料に、別の元素を混入させることもできる。
【００１６】
載置台構造５０は、冷凍機５２と、冷凍伝熱体５４と、載置台５６と、外筒５８と、を有する。
【００１７】
冷凍機５２は、冷凍伝熱体５４を保持し、冷凍伝熱体５４の上面を極低温（例えば−３０℃以下）に冷却する。冷凍機５２は、冷却能力の観点から、ＧＭ（Gifford-McMahon）サイクルを利用したタイプであることが好ましい。
【００１８】
冷凍伝熱体５４は、冷凍機５２の上に固定配置されており、その上部が真空容器１０内に配置されている。冷凍伝熱体５４は、例えば純銅（Ｃｕ）等の熱伝導性の高い材料により形成されており、略円柱形状を有する。冷凍伝熱体５４は、載置台５６の中心軸Ｃにその中心が一致するように配置されている。冷凍伝熱体５４の内部には、後述する隙間Ｇと連通し、第１冷却ガスを通流可能な第１冷却ガス供給部５４ａが形成されている。これにより、第１冷却ガスを隙間Ｇに供給することができる。第１冷却ガスとしては、高い熱伝導性を有するという観点から、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることが好ましい。
【００１９】
載置台５６は、冷凍伝熱体５４の上面との間に隙間Ｇ（例えば２ｍｍ以下）を有して配置されている。載置台５６は、例えば純銅（Ｃｕ）等の熱伝導性の高い材料により形成されている。隙間Ｇは、冷凍伝熱体５４の内部に形成された第１冷却ガス供給部５４ａと連通している。そのため、隙間Ｇには、第１冷却ガス供給部５４ａから第１冷却ガスが供給される。これにより、載置台５６は、冷凍機５２、冷凍伝熱体５４、及び隙間Ｇに供給される第１冷却ガスによって極低温（例えば、−３０℃以下）に冷却される。なお、第１冷却ガスに代えて、熱伝導性の良好な熱伝導グリースを隙間Ｇに充填してもよい。この場合、第１冷却ガス供給部５４ａを設ける必要がないため、冷凍伝熱体５４の構造をシンプルにできる。載置台５６には、上下に貫通する貫通孔５６ａが形成されている。貫通孔５６ａは、隙間Ｇを介して第１冷却ガス供給部５４ａに連通する。これにより、第１冷却ガス供給部５４ａから隙間Ｇに供給される第１冷却ガスの一部が貫通孔５６ａを介して、載置台５６（静電チャック）の上面と半導体ウエハＷの下面との間に供給される。そのため、冷凍伝熱体５４の冷熱が効率よく半導体ウエハＷに伝達する。貫通孔５６ａは、１つであってもよく、複数であってもよい。但し、冷凍伝熱体５４の冷熱を特に効率よく半導体ウエハＷに伝達するという観点から、複数であることが好ましい。載置台５６は、静電チャックを含む。静電チャックは、誘電体膜内に埋設されたチャック電極５６ｂを有する。チャック電極５６ｂには、配線Ｌを介して所定の電位が与えられる。これにより、半導体ウエハＷを静電チャックにより吸着して固定することができる。
【００２０】
載置台５６の下面には、冷凍伝熱体５４の側に向かって突出する凸部５６ｃが形成されている。図示の例では、凸部５６ｃは、載置台５６の中心軸Ｃを取り囲む略円環形状を有する。凸部５６ｃの高さは、例えば４０〜５０ｍｍとすることができる。凸部５６ｃの幅は、例えば６〜７ｍｍとすることができる。なお、凸部５６ｃの形状及び数は特に限定されないが、冷凍伝熱体５４との間の熱伝達効率を高めるという観点から、表面積が大きくなるような形状及び数であることが好ましい。凸部５６ｃは、例えば図２に示されるように、その外面が波打った形状であってもよい。また、凸部５６ｃの外面は、ブラスト等により凹凸加工が施されていることが好ましい。表面積が大きくなり、冷凍伝熱体５４との間の熱伝達効率を高めることができるからである。また、凸部５６ｃは、複数形成されていてもよい。
【００２１】
また、載置台５６における静電チャックを含む部分と凸部５６ｃが形成される部分とは、一体的に成形されていてもよく、別体で成形され接合されていてもよい。
【００２２】
冷凍伝熱体５４の上面、即ち、凸部５６ｃと対向する面には、凸部５６ｃに対して隙間Ｇを有して嵌合する凹部５４ｃが形成されている。図示の例では、凹部５４ｃは、載置台５６の中心軸Ｃを取り囲む略円環形状を有する。凹部５４ｃの高さは、凸部５６ｃの高さと同じであってよく、例えば４０〜５０ｍｍとすることができる。凹部５４ｃの幅は、例えば凸部５６ｃの幅よりも僅かに広い幅とすることができ、例えば７〜９ｍｍであることが好ましい。なお、凹部５４ｃの形状及び数は、凸部５６ｃの形状及び数と対応するように定められる。例えば図２に示されるように、凸部５６ｃの外面が波打った形状である場合、凹部５４ｃの内面も対応して波打った形状とすることができる。また、凹部５４ｃの内面は、ブラスト等により凹凸加工が施されていることが好ましい。表面積が大きくなり、載置台５６との間の熱伝達効率を高めることができるからである。また、凹部５４ｃは、複数形成されていてもよい。
【００２３】
外筒５８は、冷凍伝熱体５４の周囲に配置されている。図示の例では、外筒５８は、冷凍伝熱体５４の上部の外周面を覆うように配置されている。外筒５８は、冷凍伝熱体５４の外径よりも僅かに大きい内径の円筒部５８ａと、円筒部５８ａの下面において外径方向に延びるフランジ部５８ｂと、を有する。円筒部５８ａ及びフランジ部５８ｂは、例えばステンレス等の金属により形成されている。フランジ部５８ｂの下面には、断熱部材６０が接続されている。
【００２４】
断熱部材６０は、フランジ部５８ｂと同軸に延在する略円筒形状を有し、フランジ部５８ｂに対して固定されている。断熱部材６０は、アルミナ等のセラミックスにより形成されている。断熱部材６０の下面には、磁性流体シール部６２が設けられている。
【００２５】
磁性流体シール部６２は、回転部６２ａと、内側固定部６２ｂと、外側固定部６２ｃと、加熱手段６２ｄと、を有する。回転部６２ａは、断熱部材６０と同軸に延在する略円筒形状を有し、断熱部材６０に対して固定されている。言い換えると、回転部６２ａは、断熱部材６０を介して外筒５８と接続されている。これにより、外筒５８の冷熱の回転部６２ａへの伝達が断熱部材６０により遮断されるので、磁性流体シール部６２の磁性流体の温度が低下し、シール性能が低下したり、結露が生じたりすることを抑制できる。内側固定部６２ｂは、冷凍伝熱体５４と回転部６２ａとの間に磁性流体を介して設けられている。内側固定部６２ｂは、内径が冷凍伝熱体５４の外径よりも大きく、外径が回転部６２ａの内径よりも小さい略円筒形状を有する。外側固定部６２ｃは、回転部６２ａの外側に磁性流体を介して設けられている。外側固定部６２ｃは、内径が回転部６２ａの外径よりも大きい略円筒形状を有する。加熱手段６２ｄは、内側固定部６２ｂの内部に埋め込まれており、磁性流体シール部６２の全体を加熱する。これにより、磁性流体シール部６２の磁性流体の温度が低下し、シール性能が低下したり、結露が生じたりすることを抑制できる。係る構成により、磁性流体シール部６２では、回転部６２ａが、内側固定部６２ｂ及び外側固定部６２ｃに対して気密状態で回転可能となっている。即ち、外筒５８は、磁性流体シール部６２を介して回転可能に支持されている。外側固定部６２ｃの上面と真空容器１０の下面との間には、ベローズ６４が設けられている。
【００２６】
ベローズ６４は、上下方向に伸縮可能な金属製の蛇腹構造体である。ベローズ６４は、冷凍伝熱体５４、外筒５８、及び断熱部材６０を囲み、真空容器１０内の減圧可能な空間と真空容器１０の外部の空間とを分離する。
【００２７】
スリップリング６６は、磁性流体シール部６２の下方に設けられている。スリップリング６６は、金属リングを含む回転体６６ａと、ブラシを含む固定体６６ｂと、を有する。回転体６６ａは、磁性流体シール部６２の回転部６２ａと同軸に延在する略円筒形状を有し、回転部６２ａに対して固定されている。固定体６６ｂは、内径が回転体６６ａの外径よりも僅かに大きい略円筒形状を有する。スリップリング６６は、直流電源（図示せず）と電気的に接続されており、直流電源から供給される電力を、固定体６６ｂのブラシ及び回転体６６ａの金属リングを介して、配線Ｌに伝達する。この構成により、配線Ｌにねじれ等を発生させることなく、直流電源からチャック電極に電位を与えることができる。スリップリング６６の回転体６６ａは、駆動機構６８に取り付けられている。
【００２８】
駆動機構６８は、ロータ６８ａと、ステータ６８ｂと、を有するダイレクトドライブモータである。ロータ６８ａは、スリップリング６６の回転体６６ａと同軸に延在する略円筒形状を有し、回転体６６ａに対して固定されている。ステータ６８ｂは、内径がロータ６８ａの外径よりも大きい略円筒形状を有する。係る構成により、ロータ６８ａが回転すると、回転体６６ａ、回転部６２ａ、外筒５８、及び載置台５６が冷凍伝熱体５４に対して回転する。
【００２９】
また、冷凍機５２及び冷凍伝熱体５４の周囲には、真空断熱二重構造に形成された断熱体７０が設けられている。図示の例では、断熱体７０は、冷凍機５２とロータ６８ａとの間、及び冷凍伝熱体５４の下部とロータ６８ａとの間に設けられている。これにより、冷凍機５２及び冷凍伝熱体５４の冷熱がロータ６８ａに伝達するのを抑制できる。
【００３０】
また、冷凍機５２及び冷凍伝熱体５４の周囲には、第２冷却ガス供給部７２が形成されている。第２冷却ガス供給部７２は、冷凍伝熱体５４と外筒５８との間の空間Ｓに第２冷却ガスを供給する。第２冷却ガスは、例えば第１冷却ガスと熱伝導率が異なるガスであり、好ましくは熱伝導率が第１冷却ガスよりも低いガスであるため、第２冷却ガスの温度が第１冷却ガスの温度よりも相対的に高くなる。これにより、隙間Ｇから空間Ｓに漏れ出す第１冷却ガスが磁性流体シール部６２に侵入するのを防止できる。言い換えると、第２冷却ガスは、隙間Ｇから漏れ出す第１冷却ガスに対するカウンターフローとして機能する。これにより、磁性流体シール部６２の磁性流体の温度が低下し、シール性能が低下したり、結露が生じたりすることを抑制できる。また、カウンターフローとしての機能を高めるという観点から、第２冷却ガスの供給圧力は、第１冷却ガスの供給圧力と略同一、又は僅かに高い圧力であることが好ましい。なお、第２冷却ガスとしては、アルゴン、ネオン等の低沸点ガスを用いることができる。
【００３１】
また、冷凍伝熱体５４、隙間Ｇ等の温度を検出するための温度センサが設けられていてもよい。温度センサとしては、例えばシリコンダイオード温度センサ、白金抵抗温度センサ等の低温用温度センサを用いることができる。
【００３２】
また、処理装置１は、載置台構造５０の全体を真空容器１０に対して昇降させる昇降機構７４を有する。これにより、ターゲット３０と半導体ウエハＷとの間の距離を制御することができる。具体的には、昇降機構７４により載置台構造５０を昇降させることで、半導体ウエハＷを載置台５６に載置するときの位置と、載置台５６に載置された半導体ウエハＷに成膜を行うときの位置とを変更することができる。
【００３３】
以上に説明したように、第１の実施形態の載置台構造５０は、固定配置された冷凍伝熱体５４と、冷凍伝熱体５４の周囲に配置され、回転可能な外筒５８と、外筒５８に接続され、冷凍伝熱体５４の上面に対して隙間Ｇを有して配置された載置台５６と、を有する。これにより、半導体ウエハＷを極低温に維持した状態で回転させることができる。また、載置台構造５０を備える処理装置１を用いることで、良好な面内均一性と高い磁気抵抗比を有する磁気抵抗素子を製造することができる。
【００３４】
特に、載置台５６の上方に複数の異なる材料のターゲット３０が配置された処理装置１において成膜を行う場合、載置台５６が回転する本発明の第１の実施形態に係る載置台構造５０を用いることで、良好な面内均一性を実現することができる。これに対して、載置台５６が回転しない場合には、半導体ウエハＷの表面におけるターゲット３０からの距離の違いにより膜厚や膜質が異なる等、良好な面内均一性を実現することが困難である。
【００３５】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係る載置台構造を備える処理装置について説明する。第２の実施形態では、第１の実施形態の載置台構造５０の貫通孔５６ａに代えて第３冷却ガス供給部７６が形成されている。以下、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。図３は、本発明の第２の実施形態に係る処理装置の一例を示す概略断面図である。
【００３６】
第３冷却ガス供給部７６は、載置台５６の上面と半導体ウエハＷの下面との間に第３冷却ガスを供給する。第３冷却ガスとしては、例えば第１冷却ガスと同様のガスであるＨｅを用いることができる。第３冷却ガス供給部７６は、例えば磁性流体シール部７６ａを介して載置台構造５０Ａに導入される。磁性流体シール部７６ａの外周側にはカバー７６ｂが設けられている。
【００３７】
以上に説明した第２の実施形態の載置台構造５０Ａによれば、上述した第１の実施形態による効果に加えて、以下のような効果が奏される。
【００３８】
前述の第１の実施形態に係る載置台構造５０を備える処理装置１では、半導体ウエハＷを載置しない状態で載置台５６を冷却すると、高真空雰囲気に維持された真空容器１０内に第１冷却ガスが勢いよく放出されてしまい、隙間Ｇにおける熱伝達や真空容器１０内の圧力制御が困難となる場合がある。そのため、上記の処理装置１では、載置台５６にダミーウエハを載置することにより貫通孔５６ａから載置台５６の上面とダミーウエハの下面との間に供給される第１冷却ガス量を調整していた。その結果、真空容器１０内にダミーウエハを搬入又は搬出するといった動作が必要となり、スループットが悪化するという課題が生じる。
【００３９】
これに対し、第２の実施形態によれば、冷凍伝熱体５４の上面と載置台５６の下面と隙間に冷却ガスを供給する第１冷却ガス供給部５４ａとは別に設けられ、載置台５６の上面と半導体ウエハＷの下面との間に冷却ガスを供給可能な第３冷却ガス供給部７６を有する。これにより、上記の課題を解決することができる。
【００４０】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係る載置台構造を備える処理装置について説明する。第３の実施形態では、第１の実施形態の載置台構造５０に対して更に第１摺動用シール部材７８及び第２摺動用シール部材８０が設けられている。但し、第１摺動用シール部材７８又は第２摺動用シール部材８０のいずれか一方のみが設けられていてもよい。以下、第１の実施形態と異なる点を中心に説明する。図４は、第３の実施形態に係る処理装置の一例を示す概略断面図である。
【００４１】
第１摺動用シール部材７８は、冷凍伝熱体５４と外筒５８との間の空間Ｓの上部に設けられている。言い換えると、第１摺動用シール部材７８は、冷凍伝熱体５４の凹部５４ｃ（載置台５６の凸部５６ｃ）の周辺に設けられている。これにより、第１摺動用シール部材７８は、隙間Ｇから空間Ｓに漏れ出す第１冷却ガスが磁性流体シール部６２に侵入するのを防止する。第１摺動用シール部材７８は、例えばオムニシール（登録商標）であってよい。また、第１摺動用シール部材７８は、例えば磁性流体シール等を用いたガス分離構造であってもよい。
【００４２】
第２摺動用シール部材８０は、冷凍伝熱体５４と外筒５８との間の空間Ｓの下部に設けられている。言い換えると、第２摺動用シール部材８０は、磁性流体シール部６２の近傍に設けられている。これにより、第２冷却ガスの冷却機能を分離させることができ、磁性流体シール部６２と冷凍伝熱体５４との断熱機能に特化させることができる。
【００４３】
以上に説明した第３の実施形態の載置台構造５０Ｂによれば、上述した第１の実施形態による効果に加えて、以下のような効果が奏される。
【００４４】
第３の実施形態によれば、冷凍伝熱体５４と外筒５８との間の空間Ｓに摺動用シール部材（第１摺動用シール部材７８、第２摺動用シール部材８０）が設けられている。これにより、隙間Ｇから空間Ｓに漏れ出す第１冷却ガスが磁性流体シール部６２に侵入するのを防止できる。
【００４５】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。
【００４６】
上記の実施形態では、処理装置１が成膜装置である場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、例えばエッチング装置等であってもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１      処理装置
１０    真空容器
３０    ターゲット
５０    載置台構造
５２    冷凍機
５４    冷凍伝熱体
５４ａ  第１冷却ガス供給部
５４ｃ  凹部
５６    載置台
５６ａ  貫通孔
５６ｂ  チャック電極
５６ｃ  凸部
５８    外筒
５８ａ  円筒部
５８ｂ  フランジ部
６０    断熱部材
６２    磁性流体シール部
６２ａ  回転部
６２ｂ  内側固定部
６２ｃ  外側固定部
６２ｄ  加熱手段
６４    ベローズ
６６    スリップリング
６６ａ  回転体
６６ｂ  固定体
６８    駆動機構
６８ａ  ロータ
６８ｂ  ステータ
７０    断熱体
７２    第２冷却ガス供給部
７４    昇降機構
７６    第３冷却ガス供給部
７６ａ  磁性流体シール部
７６ｂ  カバー
７８    第１摺動用シール部材
８０    第２摺動用シール部材
Ｃ      中心軸
Ｌ      配線
Ｇ      隙間
Ｓ      空間
Ｗ      半導体ウエハ
【図１】
2020021952.tif 000003
【図２】
2020021952.tif 000004
【図３】
2020021952.tif 000005
【図４】
2020021952.tif 000006