(57)【要約】【課題】ドライバモノリシックの表示パネルにおけるドライバの局所的な過熱を検出することによって、表示パネルの動作不良を防ぐことが可能な表示パネルおよび駆動方法を提供する。【解決手段】  表示パネルは、周辺領域に一体に形成された少なくとも１つのドライバと、少なくとも１つのドライバに近接して形成された、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴを含む複数のモニタ用ＴＦＴと、第１および第２ＴＦＴのそれぞれのドレインに所定の電流を供給したときの、第１ＴＦＴの第１ゲート電圧と第２ＴＦＴの第２ゲート電圧との電圧差を求める回路と、電圧差と予め決められた基準値とを比較する回路とを有する。比較する回路は、第１および第２ＴＦＴのそれぞれのゲートに所定の直流電圧を供給したときの、第１ＴＦＴの第１ドレイン電流と第２ＴＦＴの第２ドレイン電流との電流差と予め決められた基準値とを比較してもよい。【選択図】図２
2020021030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する表示パネルであって、
前記周辺領域に一体に形成された少なくとも１つのドライバと、
前記少なくとも１つのドライバに近接して形成された、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴを含む複数のモニタ用ＴＦＴと、
前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴのそれぞれのドレインに所定の電流を供給したときの、前記第１ＴＦＴの第１ゲート電圧と前記第２ＴＦＴの第２ゲート電圧との電圧差を求める回路と、
前記電圧差と予め決められた基準値とを比較する回路と
を有する、表示パネル。
【請求項２】
前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴは、それぞれダイオード接続されたＴＦＴである、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴのそれぞれのソースに直流電圧が供給されている、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する表示パネルであって、
前記周辺領域に一体に形成された少なくとも１つのドライバと、
前記少なくとも１つのドライバに近接して形成された、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴを含む複数のモニタ用ＴＦＴと、
前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴのそれぞれのゲートに所定の直流電圧を供給したときの、前記第１ＴＦＴの第１ドレイン電流と前記第２ＴＦＴの第２ドレイン電流との電流差を求める回路と、
前記電流差と予め決められた基準値とを比較する回路と
を有する、表示パネル。
【請求項５】
前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴのそれぞれのドレインに直流電圧が供給されている、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第１ＴＦＴの第１ドレイン電流を検出する第１電流センサおよび前記第２ＴＦＴの第２ドレイン電流を検出する第２電流センサをさらに有する、請求項４または５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記少なくとも１つのドライバは、前記表示領域を介して互いに対向する領域に配置された２つのドライバを含む、請求項１から６のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の表示パネルを駆動する方法であって、
前記比較する回路の出力結果に基づいて、前記ドライバの前記少なくとも１つのドライバの駆動を制限する、表示パネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示パネル（例えば、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネル）およびその駆動方法に関し、特に、ドライバが表示パネルに一体に形成されたドライバモノリシックな表示パネルおよびその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の表示パネルは、典型的には、行列状に配列された複数の画素を有し、画素毎に少なくとも１つの薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下「ＴＦＴ」という。）が設けられている。例えば、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルでは、各画素は、画素電極と、画素電極と液晶層を間に介して対向するように配置された共通電極（「対向電極」ともいう。）を有し、画素電極は、画素毎に設けられたＴＦＴのドレイン電極に電気的に接続されている。ＴＦＴのゲート電極は、ゲート線（「走査線」ともいう。）に電気的に接続されており、ゲートドライバから供給されるゲート信号（「走査信号」ともいう。）によって、ＴＦＴがオン・オフ制御される。ＴＦＴのソース電極は、ソース線（「信号線」ともいう。）に接続されており、ソースドライバからソース信号（「表示信号」ともいう。）が供給される。
【０００３】
液晶表示パネルは、典型的には、２枚の透明基板（例えばガラス基板）の間に液晶層が保持されている。一方の透明基板の液晶層側には、画素電極、ＴＦＴ、ゲート線、ソース線が形成されており、これらをまとめて「ＴＦＴ基板」という。他方の透明基板の液晶層側には、共通電極やカラーフィルタなどが形成されており、これらをまとめて「対向基板」または「カラーフィルタ基板」という。なお、共通電極は、ＴＦＴ基板に設けられることもある。一般的な、直視型の透過型液晶表示パネルでは、対向基板は観察者側に配置され、ＴＦＴ基板の背面にバックライト装置が配置される。有機ＥＬ表示パネルには、対向基板を必要としないものもある。液晶表示パネルおよび有機ＥＬ表示パネルは、必要に応じて、１以上の偏光板が設けられる。これらの表示パネルの構造はよく知られているので詳細な説明は省略する。
【０００４】
液晶表示パネルの高精細化に伴い、ドライバの負荷が増大しており、ドライバによる発熱に起因して、表示不良が起こることがある。そこで、例えば、特許文献１には、液晶表示パネルに温度センサを設け、液晶表示パネルの周囲温度が高くなったとき、ソースドライバの負荷を軽減するように駆動する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２８８６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ドライバが表示パネルに一体に形成されたドライバモノリシックな表示パネルにおいては、ドライバからの発熱によってドライバが局所的に過熱し、その結果、ドライバの誤動作が起きるおそれがある。また、液晶表示パネルにおいては、ドライバの近傍の液晶材料が相転移温度付近またはそれ以上に加熱され、正常な表示を行えないおそれがある。有機ＥＬ表示パネルについても、ドライバの誤動作や、有機ＥＬ材料が加熱されることによる表示不良が発生するおそれがある。なお、この問題は、ゲートドライバおよびソースドライバの少なくとも一方がＴＦＴ基板に一体化された表示パネルで起こり得る。
【０００７】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ドライバモノリシックのアクティブマトリクス型表示パネルにおけるドライバの局所的な過熱を検出することによって、表示パネルの動作不良を防ぐことが可能な表示パネルおよびその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施の形態によるある表示パネルは、表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する表示パネルであって、前記周辺領域に一体に形成された少なくとも１つのドライバと、前記少なくとも１つのドライバに近接して形成された、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴを含む複数のモニタ用ＴＦＴと、前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴのそれぞれのドレインに所定の電流を供給したときの、前記第１ＴＦＴの第１ゲート電圧と前記第２ＴＦＴの第２ゲート電圧との電圧差を求める回路と、前記電圧差と予め決められた基準値とを比較する回路とを有する。
本発明の実施の形態による他の表示パネルは、表示領域と、前記表示領域の周辺の周辺領域とを有する表示パネルであって、前記周辺領域に一体に形成された少なくとも１つのドライバと、前記少なくとも１つのドライバに近接して形成された、第１ＴＦＴおよび第２ＴＦＴを含む複数のモニタ用ＴＦＴと、前記第１ＴＦＴおよび前記第２ＴＦＴのそれぞれのゲートに所定の直流電圧を供給したときの、前記第１ＴＦＴの第１ドレイン電流と前記第２ＴＦＴの第２ドレイン電流との電流差を求める回路と、前記電流差と予め決められた基準値とを比較する回路とを有する。
本発明の実施の形態による表示パネルを駆動する方法は、上記の表示パネルの前記比較する回路の出力結果に基づいて、前記ドライバの前記少なくとも１つのドライバの駆動を制限する。ドライバの駆動を制限するとは、ドライバの発熱を抑制することを広く意味し、ドライバの駆動を停止すること、あるいは、駆動周波数を低減することを含み得る。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施の形態によると、ドライバモノリシックのアクティブマトリクス型表示パネルにおけるドライバの局所的な過熱を検出することによって、表示パネルの動作不良を防ぐことが可能な表示パネルおよびその駆動方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１における表示装置の概略図である。
【図２】表示パネルの要部構成を示すブロック図である。
【図３】制御回路及びモニタ回路の説明図である。
【図４】制御回路に入力されるゲート電圧値の説明図である。
【図５】保護処理の手順を示すフローチャートである。
【図６】ゲート電圧値と補正電圧値との関係を示す図表である。
【図７】実施の形態２における保護処理の手順を示すフローチャートである。
【図８】実施の形態３における制御回路及びモニタ回路の説明図である。
【図９】電流センサが検出するドレイン電流値の説明図である。
【図１０】保護処理の手順を示すフローチャートである。
【図１１】ドレイン電流値と補正電流値との関係を示す図表である。
【図１２】実施の形態４における保護処理の手順を示すフローチャートである。
【図１３】実施の形態５における制御回路及びモニタ回路の説明図である。
【図１４】制御回路に入力されるゲート電圧値の説明図である。
【図１５】実施の形態６における制御回路及びモニタ回路の説明図である
【図１６】電流センサが検出するドレイン電流値の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。なお、本発明の実施の形態は、以下に例示する実施の形態に限定されるものではない。例えば、以下では、ゲートドライバモノリシックの液晶表示パネルを例示するが、ソースドライバモノリシックの液晶表示パネルにも適用することができるし、有機ＥＬ表示パネルにも適用することができる。本発明の実施の形態は、表示モードに拘わらず、ドライバモノリシックな表示パネルおよびその駆動方法に適用できる。
本発明の実施の形態による表示パネルは、一体に（モノリシックに）形成されたドライバに近接して、複数のモニタ用ＴＦＴを形成し、モニタ用ＴＦＴの特性（例えば、ゲート電圧−ドレイン電流特性）が温度に依存して変化することを利用して、ドライバの局所的な過熱を検出する。
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１における表示装置１の概略図である。表示装置１は、表示パネル１０と、バックライト装置１１とを備える。図１には表示パネル１０の縦断面が示されている。バックライト装置１１は表示パネル１０に光を照射する。表示パネル１０は、バックライト装置１１が照射した光を用いて画像を表示する。
【００１２】
表示パネル１０は、ＴＦＴ基板２０と、ＴＦＴ基板２０の前側に配置されたカラーフィルタ基板（以下、「ＣＦ基板」という。）２１と、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板２１との間に配置された液晶層２３とを有する。シール部２２は、ＴＦＴ基板２０とＣＦ基板２１とを互いに貼り合せるとともに、液晶層２３を封止している。ＴＦＴ基板２０が有する複数の画素電極（不図示）とＣＦ基板２１が有する共通電極２１ａは、液晶層２３を介して互いに対向するように配置されている。
【００１３】
ＴＦＴ基板２０の後側に偏光板２４が配置されており、偏光板２４の前面はＴＦＴ基板２０の後面と対向している。また、ＣＦ基板２１の前側に偏光板２５が配置されており、ＣＦ基板２１の前面は偏光板２５の後面と対向している。バックライト装置１１が照射した光は、偏光板２４、ＴＦＴ基板２０、液晶層２３、共通電極２１ａ及び偏光板２５の順に透過する。
ＴＦＴ基板２０の上側部分には、プリント基板２６の下側部分が連結されている。プリント基板２６の上側部分には制御基板２７の下側部分が連結されている。
【００１４】
図２は表示パネル１０の要部構成を示すブロック図である。図２において破線で囲まれた部分は、ＴＦＴ基板２０上の構成を示している。ここでは、ＴＦＴ基板２０にゲートドライバ３４ｒ、３４ｆが一体に形成されており、ソースドライバ４０は、プリント基板２６（図１参照）に実装されている。ソースドライバ４０をＴＦＴ基板２０上に一体に形成してもよい。
なお、ＴＦＴ基板２０または表示パネル１０において、行列状に配列された複数の画素電極３０，３０，・・・が画定する領域を「表示領域」と呼び、表示領域の周辺を「周辺領域」と呼ぶことにする。表示領域を囲む様にシール部２２が形成されており、ＴＦＴ基板２０の周辺領域は、露出されている。ゲートドライバ３４ｒ、３４ｆは、周辺領域に形成されている。
【００１５】
表示パネル１０は、複数のＴＦＴ３１，３１，・・・を有する。ＴＦＴ３１の数は、画素電極３０の数と同じであり、複数のＴＦＴ３１，３１，・・・夫々は、複数の画素電極３０，３０，・・・に対応している。各画素電極３０には、対応するＴＦＴ３１のドレインが接続されている。
【００１６】
各行に配置された複数のＴＦＴ３１，３１，・・・のゲートは、共通のゲート線３２に接続されている。各列に配置された複数のＴＦＴ３１，３１，・・・のソースは、共通のソース線３３に接続されている。ＴＦＴ基板２０内には２つのゲートドライバ３４ｒ，３
４ｆが設けられている。右側に配置されたゲートドライバ３４ｒには、複数のゲート線３２，３２，・・・の一端が接続され、左側に配置されたゲートドライバ３４ｆには、複数のゲート線３２，３２，・・・の他端が接続されている。プリント基板２６にソースドライバ４０が設けられている。ソースドライバ４０には、複数のソース線３３，３３，・・・の一端が接続されている。
【００１７】
ＴＦＴ３１，３１，・・・夫々の型はＮチャネル型である。ＴＦＴ３１について、ゲートの電圧値（以下、ゲート電圧値という）が一定の電圧値以上である場合、ドレイン及びソースを介して画素電極３０に電圧を印加することが可能である。このとき、ＴＦＴ３１はオンである。ＴＦＴ３１について、ゲート電圧値が一定の電圧値未満である場合、ドレイン及びソースを介して画素電極３０に電圧を印加することは不可能である。このとき、ＴＦＴ３１はオフである。
【００１８】
ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆは、複数のゲート線３２，３２，・・・にそれぞれ対応するゲート信号を供給する。ゲート信号は、時間とともに電圧値（ゲート電圧値）が変化する信号であり、ＴＦＴをオンにする電圧値（Ｈｉｇｈ）と、ＴＦＴをオフにする電圧値（Ｌｏｗ）とを有し、これにより、各行に配置されている複数のＴＦＴ３１，３１，・・・はオン又はオフに切替わる。典型的には、ゲート信号によって、ＴＦＴがオンにされるゲート線（画素の行）が順次選択される（線順次駆動）。
ソースドライバ４０は、複数のソース線３３，３３，・・・にそれぞれ対応するソース信号を供給する。ソース信号は、時間とともに電圧値（ソース電圧値）が変化する信号であり、これにより、オンであるＴＦＴ３１に接続されている画素電極３０に対応する表示信号電圧（ソース電圧値に対応する）が供給される。各画素の液晶層２３には、画素電極３０と共通電極２１ａとの電位差に相当する電圧が印加される。共通電極２１ａの電位を基準に、画素電極３０の電位を表すと、画素電極３０に供給される表示信号電圧が、各画素の液晶層２３に印加されることになる。
【００１９】
制御基板２７には、制御回路５０が設けられている。制御回路５０には、映像信号が入力される。映像信号は、時間とともに変化する静止画（フレーム）の画像データの集合である。制御回路５０は、入力された映像信号に基づく制御信号をゲートドライバ３４ｒ，３４ｆ及びソースドライバ４０のそれぞれに出力する。ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆ夫々は、制御回路５０から入力された制御信号に従って、複数のゲート線３２，３２，・・・にゲート信号を供給する。ソースドライバ４０は、制御回路５０から入力された制御信号に従って、複数のソース線３３，３３，・・・にソース信号を供給する。
【００２０】
ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆ夫々について、上側から電力が供給される。従って、ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆ夫々の上側から電流が入力される。ゲートドライバ３４ｒにおいて、電流が入力される電流入力部分に、モニタ回路３５ｒｕが配置され、下側にモニタ回路３５ｒｂが配置されている。同様に、ゲートドライバ３４ｆにおいて、電流が入力される電流入力部分に、モニタ回路３５ｆｕが配置され、下側にモニタ回路３５ｆｂが配置されている。
モニタ回路３５ｒｕ、３５ｒｂおよびモニタ回路３５ｆｕ、３５ｆｂは、それぞれ、ゲートドライバ３４ｒおよびゲートドライバ３４ｆに近接して、周辺領域に形成されており、ゲートドライバを形成する工程で形成され得るので、図２では、ゲートドライバ内に図示している。
【００２１】
制御基板２７には、制御回路５０の他に、定電流回路５１ｒｕ，５１ｒｂ，５１ｆｕ，５１ｆｂと、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂとが設けられている。定電流回路５１ｒｕの出力端には、スイッチ５２ｒｕの一端が接続されており、スイッチ５２ｒｕの他端はモニタ回路３５ｒｕに接続されている。
【００２２】
定電流回路５１ｒｂ、スイッチ５２ｒｂ及びモニタ回路３５ｒｂは、定電流回路５１ｒｕ，スイッチ５２ｒｕ及びモニタ回路３５ｒｕと同様に接続されている。定電流回路５１ｆｕ、スイッチ５２ｆｕ及びモニタ回路３５ｆｕも、定電流回路５１ｒｕ，スイッチ５２ｒｕ及びモニタ回路３５ｒｕと同様に接続されている。定電流回路５１ｆｂ、スイッチ５２ｆｂ及びモニタ回路３５ｆｂも、定電流回路５１ｒｕ，スイッチ５２ｒｕ及びモニタ回路３５ｒｕと同様に接続されている。
スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂ夫々の一端は制御回路５０に接続されている。
【００２３】
図３は、制御回路５０及びモニタ回路３５ｒｕ，３５ｒｂ，３５ｆｕ，３５ｆｂの説明図である。図３に示すように、モニタ回路３５ｒｕ，３５ｒｂ，３５ｆｕ，３５ｆｂ夫々は、Ｎチャネル型のＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂを有する。モニタ回路が有するＴＦＴをモニタ用ＴＦＴということがある。各モニタ回路は、１つのモニタ用ＴＦＴを有している。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々では、ゲートがドレインに接続されており、ソースが接地されている。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂは、いわゆる、ダイオード接続されたＴＦＴである。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々のドレインは、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂの他端に接続されている。
【００２４】
ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々では、電流がドレイン及びソースを介して流れる。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々について、ソースの電位を基準としたゲート電圧値が高い程、ドレイン及びソース間の抵抗値は小さい。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂについて、ソース、ドレイン及びゲート夫々は第１端、第２端及び制御端に相当する。
【００２５】
以下に、定電流回路５１ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ及びＴＦＴ６ｒｕの動作を説明する。定電流回路５１ｒｂ、スイッチ５２ｒｂ及びＴＦＴ６ｒｂの動作、定電流回路５１ｆｕ、スイッチ５２ｆｕ及びＴＦＴ６ｆｕの動作、並びに、定電流回路５１ｆｂ、スイッチ５２ｆｂ及びＴＦＴ６ｆｂの動作は、定電流回路５１ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ及びＴＦＴ６ｒｕの動作と同様である。このため、これらの動作の詳細な説明を省略する。
【００２６】
スイッチ５２ｒｕは制御回路５０によってオン又はオフに切替えられる。スイッチ５２ｒｕがオンである場合、定電流回路５１ｒｕは、所定電流値の電流を、スイッチ５２ｒｕを介して、ＴＦＴ６ｒｕのドレインに供給する。そうすると、ＴＦＴ６ｒｕのゲート電圧がある値に落ち着き、ＴＦＴ６ｒｕと配線（抵抗）に同じ電流が安定して流れるようになる。このときのＴＦＴ６ｒｕのゲート電圧値は、ＴＦＴ６ｒｕの温度に依存して変わる（図４参照）。ＴＦＴ６ｒｕのゲート電圧値は、スイッチ５２ｒｕを介して、制御回路５０の入力部７５ｒｕに入力される。
【００２７】
図４は、制御回路５０に入力されるゲート電圧値の説明図である。スイッチ５２ｒｕがオンであることを前提として、制御回路５０に入力されるゲート電圧値を説明する。
図４には、ＴＦＴ６ｒｕのドレイン及びソース間の電圧値が一定の電圧値に固定されている場合におけるゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係が示されている。ゲート電圧値Ｖｇは接地電位を基準とした電圧値であり、ドレイン電流値Ｉｄは、ドレイン及びソースを介して流れる電流の電流値である。
【００２８】
図４に示すように、ゲート電圧値Ｖｇが電圧閾値を超えた場合に、ドレイン電流値Ｉｄがゼロを超える。そして、ゲート電圧値Ｖｇの上昇と共にドレイン電流値Ｉｄも上昇する。電圧閾値は、ＴＦＴ６ｒｕの温度が小さい程、高い。制御回路５０には、ドレイン電流
値Ｉｄが所定電流値Ｉｃである場合におけるゲート電圧値が入力される。制御回路５０に入力されるゲート電圧値は、ＴＦＴ６ｒｕの温度が小さい程、高い。
【００２９】
スイッチ５２ｒｕがオフである場合、定電流回路５１ｒｕは電流を供給することはない。このため、ＴＦＴ６ｒｕで電力が消費されることはない。
【００３０】
定電流回路５１ｒｂ，５１ｆｕ，５１ｆｂ夫々も、所定電流値の電流を供給する。また、ＴＦＴ６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂに係るゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの特性は、ＴＦＴ６ｒｕに係るゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの特性（図４参照）と同様である。
【００３１】
ただし、製造ばらつきがあるので、制御回路５０に入力されるゲート電圧値が同一となるＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂを製造することは難しい。このため、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂについて、すべてが所定温度であっても、制御回路５０に入力されるゲート電圧値が同一ではない可能性がある。以下では、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂについて、すべてが所定温度であっても制御回路５０に入力されるゲート電圧値が相互に異なっていると仮定する。ここで、所定温度とは、例えば、ＴＦＴが正常に動作する最高温度であってよい。
【００３２】
図３に示すように、制御回路５０は、制御部７０、記憶部７１、Ａ(Analog)／Ｄ(Digital)変換部７２ｒｕ，７２ｒｂ，７２ｆｕ，７２ｆｂ、切替え部７３ｒｕ，７３ｒｂ，７３ｆｕ，７３ｆｂ、入力部７４，７５ｒｕ，７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ及び出力部７６，７７ｒ，７７ｆを有する。制御部７０、記憶部７１、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ，７２ｒｂ，７２ｆｕ，７２ｆｂ、切替え部７３ｒｕ，７３ｒｂ，７３ｆｕ，７３ｆｂ、入力部７４及び出力部７６，７７ｆ，７７ｒはバスライン７８にそれぞれ接続されている。
【００３３】
Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ，７２ｒｂ，７２ｆｕ，７２ｆｂ夫々は、更に、入力部７５ｒｕ，７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂに接続されている。入力部７５ｒｕ，７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ夫々は、更に、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂの一端に接続されている。
【００３４】
切替え部７３ｒｕは、制御部７０の指示に従って、スイッチ５２ｒｕをオン又はオフに切替える。スイッチ５２ｒｕがオンである場合、入力部７５ｒｕには、接地電位を基準としたＴＦＴ６ｒｕのゲート電圧値が入力される。入力部７５ｒｕに入力されるゲート電圧値はアナログ値である。入力部７５ｒｕは、アナログのゲート電圧値が入力された場合、入力されたアナログのゲート電圧値をＡ／Ｄ変換部７２ｒｕに出力する。
【００３５】
Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕは、入力部７５ｒｕから入力されたアナログのゲート電圧値をデジタルのゲート電圧値に変換する。Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕが変換したデジタルのゲート電圧値は、制御部７０によって取得される。制御部７０が取得するゲート電圧値は、取得時点において入力部７５ｒｕに入力されたゲート電圧値と略一致する。
なお、入力部７５ｒｕにゲート電圧値が入力されることは、入力部７５ｒｕがゲート電圧値を検出することに相当する。
【００３６】
Ａ／Ｄ変換部７２ｒｂ、切替え部７３ｒｂ及び入力部７５ｒｂは、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ、切替え部７３ｒｕ及び入力部７５ｒｕと同様に作用する。Ａ／Ｄ変換部７２ｆｕ、切替え部７３ｆｕ及び入力部７５ｆｕも、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ、切替え部７３ｒｕ及び入力部７５ｒｕと同様に作用する。Ａ／Ｄ変換部７２ｆｂ、切替え部７３ｆｂ及び入力部７５ｆｂも、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ、切替え部７３ｒｕ及び入力部７５ｒｕと同様に作用する。
【００３７】
ただし、切替え部７３ｒｂ，７３ｆｕ，７３ｆｂ夫々は、スイッチ５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂをオン又はオフに切替える。入力部７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ夫々には、ＴＦＴ６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂのゲート電圧値が入力される。
入力部７５ｒｕ，７５ｒｂは、１つの電圧検出部として機能し、入力部７５ｆｕ，７５ｆｂは他の電圧検出部として機能する。
【００３８】
入力部７４には、映像信号が入力される。
出力部７６は、制御部７０の指示に従って、制御信号をソースドライバ４０に出力する。ソースドライバ４０は、出力部７６から入力された制御信号に従って、複数のソース線３３，３３，・・・にそれぞれ対応するソース信号を供給する。
出力部７７ｒ，７７ｆ夫々は、制御部７０の指示に従って、制御信号をゲートドライバ３４ｒ，３４ｆに出力する。ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆは、出力部７７ｒ，７７ｆから入力された制御信号に従って、複数のゲート線３２，３２，・・・にそれぞれ対応するゲート信号を供給する。
【００３９】
記憶部７１は例えば不揮発性メモリである。記憶部７１には、コンピュータプログラムが記憶されている。制御部７０は、図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)を有する。制御部７０のＣＰＵは、記憶部７１に記憶されているコンピュータプログラムを実行することによって、表示処理及び保護処理を実行する。表示処理は、表示パネル１０の前面に画像を表示するための処理である。保護処理は、表示パネル１０を異常な温度上昇から保護する処理である。
【００４０】
制御部７０は画像表示処理を周期的に実行する。画像表示処理では、制御部７０は、入力部７４に入力された映像信号に基づく３つの制御信号を生成する。次に、制御部７０は、出力部７６に指示して、生成した３つの制御信号夫々を、出力部７６，７７ｒ，７７ｆへ出力させる。前述したように、ソースドライバ４０は、入力された制御信号に従って、複数のソース線３３，３３，・・・にそれぞれ対応するソース信号を供給し、ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆ夫々は、入力された制御信号に従って、複数のゲート線３２，３２，・・・にそれぞれ対応するゲート信号を供給する。結果、バックライト装置１１が表示パネル１０に光を照射している限り、表示パネル１０の前面には、入力部７４に入力された映像信号に基づく画像が表示される。
【００４１】
図５は保護処理の手順を示すフローチャートである。制御部７０は、保護処理を周期的に実行する。保護処理では、まず、制御部７０は、切替え部７３ｒｕ，７３ｒｂ，７３ｆｕ，７３ｆｂに指示して、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂをオンに切替えさせる（ステップＳ１）。制御部７０は、ステップＳ１を実行してから所定時間が経過した後、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂのゲート電圧値を、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ，７２ｒｂ，７２ｆｕ，７２ｆｂから取得する（ステップＳ２）。ここで、所定時間は、ステップＳ１が実行されてから、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂのゲート電圧値が安定するまでにかかる時間以上である。
【００４２】
制御部７０は、ステップＳ２を実行した後、切替え部７３ｒｕ，７３ｒｂ，７３ｆｕ，７３ｆｂに指示して、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂをオフに切替えさせる（ステップＳ３）。次に、制御部７０は、ステップＳ２で取得したＴＦＴ６ｒｕ，６ｆｕのゲート電圧値を補正する（ステップＳ４）。
【００４３】
図６はゲート電圧値と補正電圧値との関係を示す図表である。記憶部７１には、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂがオンである場合に、入力部７５ｒｕ，７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ夫々に入力されるゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂ，Ｖｆｕ，Ｖｆ
ｂに対応付けて、補正電圧値が記憶されている。ゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂ，Ｖｆｕ，Ｖｆｂ夫々は接地電位を基準とした電圧値である。
【００４４】
ゲート電圧値Ｖｒｕには、補正電圧値ΔＶｒが対応しており、ゲート電圧値Ｖｒｂには、ゼロＶが対応している。補正電圧値ΔＶｒは、ＴＦＴ６ｒｕの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｒｕから、ＴＦＴ６ｒｂの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｒｂを減算することによって算出される。補正電圧値ΔＶｒが負の値である可能性もある。
【００４５】
同様に、ゲート電圧値Ｖｆｕには、補正電圧値ΔＶｆが対応しており、ゲート電圧値Ｖｆｂには、ゼロＶが対応している。補正電圧値ΔＶｆは、ＴＦＴ６ｆｕの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｆｕから、ＴＦＴ６ｆｂの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｆｂを減算することによって算出される。補正電圧値ΔＶｆが負の値である可能性もある。
【００４６】
図５に示すステップＳ４では、制御部７０は、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕから取得したゲート電圧値Ｖｒｕに補正電圧値ΔＶｒを減算し、Ａ／Ｄ変換部７２ｆｕから取得したゲート電圧値Ｖｆｕに補正電圧値ΔＶｒを減算する。これにより、ゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｆｕが補正される。制御部７０は電圧補正部として機能する。
【００４７】
次に、制御部７０は、ステップＳ４で補正されたゲート電圧値Ｖｒｕを含むゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂの右側差分値を算出する（ステップＳ５）。右側差分値は絶対値である。右側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された２つの部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ５を実行することによって、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差を適切に検知することができる。また、ゲート電圧値Ｖｒｕは補正されているため、右側差分値は正確な温度差を示す。制御部７０は演算部として機能する。
【００４８】
次に、制御部７０は、ステップＳ４で補正されたゲート電圧値Ｖｆｕを含むゲート電圧値Ｖｆｕ，Ｖｆｂの左側差分値を算出する（ステップＳ６）。左側差分値は絶対値である。左側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された２つの部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ６を実行することによって、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差を適切に検知することができる。また、ゲート電圧値Ｖｆｕは補正されているため、左側差分値は正確な温度差を示す。
【００４９】
なお、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂが略一致するとき、ゲート電圧値Ｖｒｕの補正は不要である。このとき、ゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂを補正する必要はない。同様に、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｆｕ，Ｖｆｂが略一致するとき、ゲート電圧値Ｖｆｕの補正は不要である。このとき、ゲート電圧値Ｖｆｕ，Ｖｆｂを補正する必要はない。ゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｆｕの両方を補正する必要がない場合、制御部７０は、ステップＳ３を実行した後、ステップＳ５を実行する。ステップＳ５，Ｓ６では、ステップＳ３で取得した４つのゲート電圧値が用いられる。
【００５０】
制御部７０は、ステップＳ６を実行した後、ステップＳ５で算出した右側差分値が右側基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ７）。右側基準値は、一定値であり、予め設定されている。ステップＳ７を実行することによって、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差が一定の第１閾値以上であるか否かを判定する。
【００５１】
制御部７０は、ステップＳ７で右側差分値が右側基準値未満であると判定した場合（Ｓ７：ＮＯ）、ステップＳ６で算出した左側差分値が左側基準値以上であるか否かを判定する（ステップＳ８）。左側基準値も、一定値であり、予め設定されている。ステップＳ８を実行することによって、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差が一定の第２閾値以上であるか否かを判定する。
【００５２】
右側差分値が右側基準値以上であることは、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差が第１閾値以上であることに相当する。従って、右側差分値が右側基準値以上であると判定することは、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差が第１閾値以上であることを検知することに相当する。また、左側差分値が左側基準値以上であることは、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差が第２閾値以上であることに相当する。従って、左側差分値が左側基準値以上であると判定することは、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差が第２閾値以上であることを検知することに相当する。制御部７０は検知部としても機能する。
【００５３】
制御部７０は、右側差分値が右側基準値以上であると判定した場合（Ｓ７：ＹＥＳ）、又は、左側差分値が左側基準値以上であると判定した場合（Ｓ８：ＹＥＳ）、ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆの一方における複数の部分の温度差が一定値以上であるとして、表示処理の実行を停止する（ステップＳ９）。具体的には、例えば、制御部７０は、出力部７６，７７ｒ，７７ｆからの制御信号の出力を停止する。これにより、ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆの温度は低下するので、表示パネル１０が異常な温度上昇から保護される。
【００５４】
制御部７０は、ステップＳ９を実行した後、保護処理を終了する。この場合においては、次の周期が到来しても、制御部７０は保護処理を実行することはない。
制御部７０は、左側差分値が左側基準値未満であると判定した場合（Ｓ８：ＮＯ）、保護処理を終了する。この場合においては、次の周期が到来したとき、制御部７０は再び保護処理を実行する。
【００５５】
なお、ステップＳ９では、制御部７０は、表示処理を停止せず、右側差分値が右側基準値以上であると判定した場合に出力部７７ｒからゲートドライバ３４ｒへの制御信号の出力を停止し、左側差分値が左側基準値以上であると判定した場合に出力部７７ｆからゲートドライバ３４ｆへの制御信号の出力を停止してもよい。この場合においては、制御部７０は、ステップＳ９を実行して終了した後も保護処理を周期的に実行する。
【００５６】
以上のように構成された表示パネル１０では、温度差を検知するために用いられるＴＦＴの数は少ないので、入力部７５ｒｕ，７５ｒｂに入力されたゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂ、又は、入力部７５ｆｕ，７５ｆｂに入力されたゲート電圧値Ｖｆｕ，Ｖｆｂの補正は容易である。結果、表示パネル１０の製造費用は安価である。
【００５７】
ここでは、表示領域を介して互いに対向する領域に配置された２つのゲートドライバ３４ｒ、３４ｆのそれぞれに２つのモニタ回路３５ｒｕ、３５ｒｂおよび３５ｆｕ、３５ｆｂ（２つのモニタ用ＴＦＴ６ｒｕ、６ｒｂおよび６ｆｕ、６ｆｂ）を設けた例について説明したが、１つのゲートドライバに３以上のモニタ回路を設けてもよい。３以上のモニタ回路の内の１つのモニタ回路を基準に選び、そのモニタ回路のＴＦＴのゲート電圧と、他の２以上のモニタ回路に含まれるＴＦＴのゲート電圧とから差分値を求めればよい。得られる２以上の差分値と基準値とを比較し、上記と同様に、判定すればよい。１つのゲートドライバに３以上のモニタ回路を設けてもよいことは、本発明の実施の形態に共通である。また、ソースドライバを一体化した場合も同様に適用できる。
本実施の形態によると、表示パネルの全体の温度上昇と区別して、ドライバの局所的な温度上昇を検知することができる。これは、下記の全ての実施の形態に共通の利点である
。
（実施の形態２）
図７は、実施の形態２における保護処理の手順を示すフローチャートである。
以下では、実施の形態２について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５８】
実施の形態２における表示装置１では、実施の形態１における表示装置１と比較して、表示パネル１０が有する制御回路５０の制御部７０が実行する保護処理が異なる。
制御部７０は、実施の形態１と同様に、実施の形態２における保護処理を周期的に実行する。実施の形態２における保護処理のステップＳ２１〜Ｓ２３，Ｓ２７〜Ｓ２９夫々は、実施の形態１における保護処理のステップＳ１〜Ｓ３，Ｓ７〜Ｓ９と同様である。このため、ステップＳ２１〜Ｓ２３，Ｓ２７〜Ｓ２９の詳細な説明を省略する。
【００５９】
記憶部７１では、複数のＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々に対応付けて、設定電圧値Ｖｒ１，Ｖｒ２，Ｖｆ１，Ｖｆ２が予め設定されている。設定電圧値Ｖｒ１は、ＴＦＴ６ｒｕの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｒｕである。同様に、設定電圧値Ｖｒ２は、ＴＦＴ６ｒｂの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｒｂである。設定電圧値Ｖｆ１は、ＴＦＴ６ｆｕの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｆｕである。設定電圧値Ｖｆ２は、ＴＦＴ６ｆｂの温度が所定温度である場合におけるゲート電圧値Ｖｆｂである。
【００６０】
制御部７０は、ステップＳ２３を実行した後、ステップＳ２２で取得したゲート電圧値Ｖｒｕ，Ｖｒｂ，Ｖｆｕ，Ｖｆｂ夫々について、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂの中で対応するＴＦＴに対応付けて予め設定されている設定電圧値Ｖｒ１，Ｖｒ２，Ｖｆ１，Ｖｆ２からの電圧変化量を算出する（ステップＳ２４）。実施の形態２では、制御部７０は算出部としても機能する。
【００６１】
ゲート電圧値Ｖｒｕの電圧変化量は、ゲート電圧値Ｖｒｕから設定電圧値Ｖｒ１を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｒｕが配置された部分の温度から所定温度を減算することによって算出される温度差を示す。
同様に、ゲート電圧値Ｖｒｂの電圧変化量は、ゲート電圧値Ｖｒｂから設定電圧値Ｖｒ２を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｒｂが配置された部分の温度から所定温度を減算することによって算出される温度差を示す。ゲート電圧値Ｖｆｕの電圧変化量は、ゲート電圧値Ｖｆｕから設定電圧値Ｖｆ１を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｆｕが配置された部分の温度から所定温度を減算した温度差を示す。ゲート電圧値Ｖｆｂの電圧変化量は、ゲート電圧値Ｖｆｂから設定電圧値Ｖｆ２を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｆｂが配置された部分の温度から所定温度を減算した温度差を示す。
【００６２】
次に、制御部７０は、ゲート電圧値Ｖｒｕの電圧変化量から、ゲート電圧値Ｖｒｂの電圧変化量を減算することによって、右側差分値を算出する（ステップＳ２５）。右側差分値は絶対値である。右側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ２５を実行することによって、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差を適切に検知することができる。また、右側差分値は、２つの電圧変化量の差分値であるため、正確な温度差を示す。
【００６３】
次に、制御部７０は、ゲート電圧値Ｖｆｕの電圧変化量から、ゲート電圧値Ｖｆｂの電圧変化量を減算することによって、左側差分値を算出する（ステップＳ２６）。左側差分値は絶対値である。左側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配
置された複数の部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ２６を実行することによって、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差を適切に検知することができる。また、左側差分値は、２つの電圧変化量の差分値であるため、正確な温度差を示す。制御部７０はステップＳ２６を実行した後、ステップＳ２７を実行する。
実施の形態２における表示パネル１０は、実施の形態１における表示パネル１０が奏する効果を同様に奏する。なお、実施の形態２のように、設定電圧値との差を利用すると、１つのモニタ回路（モニタ用ＴＦＴ）だけで、温度上昇を検知することができる。
【００６４】
（実施の形態３）
図８は、実施の形態３における制御回路５０及びモニタ回路３５ｒｕ，３５ｒｂ，３５ｆｕ，３５ｆｂの説明図である。
以下では、実施の形態３について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６５】
実施の形態３における表示パネル１０は、実施の形態１における表示パネル１０が有する構成部の中で、定電流回路５１ｒｕ，５１ｒｂ，５１ｆｕ，５１ｆｂを除く他の構成部を有する。実施の形態３における表示パネル１０は、更に、電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂ、直流電源５４ｒ，５４ｆ，５５ｒ，５５ｆを有する。
【００６６】
直流電源５４ｒの正極は、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ夫々の一端に接続され、直流電源５４ｒの負極は接地されている。電流センサ５３ｒｕは、環状をなし、直流電源５４ｒ及びスイッチ５２ｒｕを接続する導線を囲繞している。電流センサ５３ｒｂは、環状をなし、直流電源５４ｒ及びスイッチ５２ｒｂを接続する導線を囲繞している。スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ夫々の他端は、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂのドレインに接続されている。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ夫々のソースは接地されている。
【００６７】
直流電源５５ｒの正極は、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂのゲートに接続されている。直流電源５５ｒの負極は接地されている。従って、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ夫々のゲートは、直流電源５５ｒの正極に接続されている。従って、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ夫々のゲートには、電圧値が同一である一定の電圧が印加されている。直流電源５５ｒは電圧印加部として機能する。
【００６８】
同様に、直流電源５４ｆの正極は、スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂ夫々の一端に接続され、直流電源５４ｆの負極は接地されている。電流センサ５３ｆｕは、環状をなし、直流電源５４ｆ及びスイッチ５２ｆｕを接続する導線を囲繞している。電流センサ５３ｆｂは、環状をなし、直流電源５４ｆ及びスイッチ５２ｆｂを接続する導線を囲繞している。スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂ夫々の他端は、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂのドレインに接続されている。ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂ夫々のソースは接地されている。
【００６９】
直流電源５５ｆの正極は、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂのゲートに接続されている。直流電源５５ｆの負極は接地されている。従って、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂ夫々のゲートは、直流電源５５ｆの正極に接続されている。従って、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂ夫々のゲートには、電圧値が同一である一定の電圧が印加されている。直流電源５５ｒも電圧印加部として機能する。
【００７０】
スイッチ５２ｒｕがオンである場合、直流電源５４ｒの正極から、電流がスイッチ５２ｒｕ及びＴＦＴ６ｒｕの順に流れる。このとき、ＴＦＴ６ｒｕでは、電流はドレイン及びソースを介して流れる。スイッチ５２ｒｕがオンであり、かつ、直流電源５５ｒが一定の
電圧をＴＦＴ６ｒｕのゲートに印加している状態で、電流センサ５３ｒｕは、ＴＦＴ６ｒｕのドレイン及びソースを介して流れる電流のドレイン電流値を検出する。電流センサ５３ｒｕは、検出したドレイン電流値を示すアナログの電流情報を制御回路５０に出力する。電流情報は、検出したドレイン電流値に応じて変動する電流値又は電圧値等である。
スイッチ５２ｒｕがオフである場合、ＴＦＴ６ｒｕに電流が流れず、ＴＦＴ６ｒｕで電力が消費されることはない。
【００７１】
図９は、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値の説明図である。スイッチ５２ｒｕはオンであることを前提として、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値を説明する。
図９には、図４と同様に、ＴＦＴ６ｒｕのドレイン及びソース間の電圧値が一定の電圧値に固定されている場合におけるゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係が示されている。図９に示すゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係は、図４に示すゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係と同一である。
【００７２】
電流センサ５３ｒｕは、ゲート電圧値Ｖｇが直流電源５５ｒの出力電圧値Ｖｃである場合におけるドレイン電流値Ｉｄを検出する。従って、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値Ｉｄは、ＴＦＴ６ｒｕの温度が小さい程、小さい。
【００７３】
ＴＦＴ６ｒｂ、スイッチ５２ｒｂ及び電流センサ５３ｒｂは、ＴＦＴ６ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ及び電流センサ５３ｒｕと同様に作用する。
ＴＦＴ６ｆｕ、スイッチ５２ｆｕ、電流センサ５３ｆｕ及び直流電源５４ｆ，５５ｆは、ＴＦＴ６ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ、電流センサ５３ｒｕ及び直流電源５４ｒ，５５ｒと同様に作用する。また、ＴＦＴ６ｆｂ、スイッチ５２ｆｂ、電流センサ５３ｆｂ及び直流電源５４ｆ，５５ｆも、ＴＦＴ６ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ、電流センサ５３ｒｕ及び直流電源５４ｒ，５５ｒと同様に作用する。
２つの電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂは１つの電流検出部として機能し、２つの電流センサ５３ｆｕ，５３ｆｂは他の電流検出部として機能する。
【００７４】
ＴＦＴ６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂに係るゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの特性は、ＴＦＴ６ｒｕに係るゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの特性（図９参照）と同様である。
ただし、製造ばらつきがあるので、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値が同一であるＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂを製造することは難しい。
【００７５】
このため、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂについて、すべてが所定温度であっても、電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂが検出するドレイン電流値が同一ではない可能性がある。以下では、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂについて、すべてが所定温度であっても電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂが検出するドレイン電流値が相互に異なっていると仮定する。
【００７６】
実施の形態３における制御回路５０は、実施の形態１における制御回路５０が有する全ての構成部を有する。実施の形態３における制御回路５０では、実施の形態１における制御回路５０と比較して、入力部７５ｒｕ，７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ夫々が、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂの一端ではなく、電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂに接続される点が異なる。
【００７７】
スイッチ５２ｒｕがオンである場合、電流センサ５３ｒｕはＴＦＴ６ｒｕのドレイン電流値を検出し、検出したドレイン電流値を示すアナログの電流情報を入力部７５ｒｕに出力する。入力部７５ｒｕは、アナログの電流情報が入力された場合、入力されたアナログ
の電流情報をＡ／Ｄ変換部７２ｒｕに出力する。
【００７８】
Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕは、入力部７５ｒｕから入力されたアナログの電流情報をデジタルの電流情報に変換する。Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕが変換したデジタルの電流情報は、制御部７０によって取得される。制御部７０が取得する電流情報が示すドレイン電流値は、取得時点において電流センサ５３ｒｕが検出したドレイン電流値と略一致する。
【００７９】
Ａ／Ｄ変換部７２ｒｂ、切替え部７３ｒｂ及び入力部７５ｒｂは、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ、切替え部７３ｒｕ及び入力部７５ｒｕと同様に作用する。Ａ／Ｄ変換部７２ｆｕ、切替え部７３ｆｕ及び入力部７５ｆｕも、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ、切替え部７３ｒｕ及び入力部７５ｒｕと同様に作用する。Ａ／Ｄ変換部７２ｆｂ、切替え部７３ｆｂ及び入力部７５ｆｂも、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ、切替え部７３ｒｕ及び入力部７５ｒｕと同様に作用する。
【００８０】
ただし、切替え部７３ｒｂ，７３ｆｕ，７３ｆｂ夫々は、スイッチ５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂをオン又はオフに切替える。入力部７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ夫々には、電流センサ５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂが検出したドレイン電流値を示す電流情報が入力される。
【００８１】
図１０は保護処理の手順を示すフローチャートである。制御部７０は、実施の形態１と同様に、保護処理を周期的に実行する。実施の形態３における保護処理のステップＳ４１，Ｓ４３，Ｓ４７〜Ｓ４９は、実施の形態１における保護処理のステップＳ１，Ｓ３，Ｓ７〜Ｓ９と同様である。このため、ステップＳ４１，Ｓ４３，Ｓ４７〜Ｓ４９の詳細な説明を省略する。
【００８２】
制御部７０は、ステップＳ４１を実行した後、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々のドレイン電流値を示す４つの電流情報を、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ，７２ｒｂ，７２ｆｕ，７２ｆｂから取得する（ステップＳ４２）。制御部７０は、ステップＳ４２を実行した後、ステップＳ４３を実行する。制御部７０は、ステップＳ４３を実行した後、ステップＳ４２で取得され、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｆｕに係る２つの電流情報が示すドレイン電流値を補正する（ステップＳ４４）。
【００８３】
図１１はドレイン電流値と補正電流値との関係を示す図表である。記憶部７１には、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂがオンである場合に、電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂ夫々が検出するドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂ，Ｉｆｕ，Ｉｆｂに対応付けて、補正電流値が記憶されている。
【００８４】
ドレイン電流値Ｉｒｕには、補正電流値ΔＩｒが対応しており、ドレイン電流値Ｉｒｂには、ゼロＡが対応している。補正電流値ΔＩｒは、ＴＦＴ６ｒｕの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｒｕから、ＴＦＴ６ｒｂの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｒｂを減算することによって算出される値である。補正電流値ΔＩｒが負の値である可能性もある。
【００８５】
同様に、ドレイン電流値Ｉｆｕには、補正電流値ΔＩｆが対応しており、ドレイン電流値Ｉｆｂには、ゼロＡが対応している。補正電流値ΔＩｆは、ＴＦＴ６ｆｕの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｆｕから、ＴＦＴ６ｆｂの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｆｂを減算することによって算出される値である。補正電流値ΔＩｆが負の値である可能性もある。
【００８６】
図１０に示すステップＳ４４では、制御部７０は、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕから取得した
電流情報が示すドレイン電流値Ｉｒｕから補正電流値ΔＩｒを減算し、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｂから取得した電流情報が示すドレイン電流値Ｉｒｂから補正電流値ΔＩｆを減算する。これにより、ドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｆｕが補正される。制御部７０は電流補正部としても機能する。
【００８７】
次に、制御部７０は、ステップＳ４４で補正されたドレイン電流値Ｉｒｕを含むドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂの右側差分値を算出する（ステップＳ４５）。右側差分値は絶対値である。右側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された２つの部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ４５を実行することによって、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された２つの部分の温度差を適切に検知することができる。また、ドレイン電流値Ｉｒｕは補正されているため、右側差分値は正確な温度差を示す。
【００８８】
次に、制御部７０は、ステップＳ４４で補正されたドレイン電流値Ｉｆｕを含むドレイン電流値Ｉｆｕ，Ｉｆｂの左側差分値を算出する（ステップＳ４６）。左側差分値は絶対値である。左側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された２つの部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ４６を実行することによって、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された２つの部分の温度差を適切に検知することができる。また、ドレイン電流値Ｉｆｕは補正されているため、左側差分値は正確な温度差を示す。制御部７０はステップＳ４６を実行した後、ステップＳ４７を実行する。
【００８９】
なお、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂが略一致するとき、ドレイン電流値Ｉｒｕの補正は不要である。このとき、ドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂを補正する必要はない。同様に、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｆｕ，Ｉｆｂが略一致するとき、ドレイン電流値Ｉｆｕの補正は不要である。このとき、ドレイン電流値Ｉｆｕ，Ｉｆｂを補正する必要はない。ドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｆｕの両方を補正する必要がない場合、制御部７０は、ステップＳ４３を実行した後、ステップＳ４５を実行する。ステップＳ４５，Ｓ４６では、ステップＳ４２で取得した４つの電流情報が示すドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂ，Ｉｆｕ，Ｉｆｂが用いられる。
【００９０】
以上のように構成された表示パネル１０では、温度差を検知するために用いられるＴＦＴの数は少ないので、電流センサ５３ｒｕ，５３ｒｂが検出したドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂ、又は、電流センサ５３ｆｕ，５３ｆｂが検出したドレイン電流値Ｉｆｕ，Ｉｆｂの補正は容易である。結果、表示パネル１０の製造費用は安価である。
なお、電流センサ５３ｒｕ、５３ｒｂを省略し、直流電源５４ｒの正極とスイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂとの間に抵抗を設け、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂをオンしたときに、ＴＦＴ６ｒｕ、６ｒｂのドレイン電圧が、それぞれ入力部７５ｒｕ、７５ｒｂに入力されるようにしてもよい。同様に、電流センサ５３ｆｕ、５３ｆｂを省略し、直流電源５４ｒの正極とスイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂとの間に抵抗を設け、スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂをオンしたときに、ＴＦＴ６ｆｕ、６ｆｂのドレイン電圧が、それぞれ入力部７５ｆｕ、７５ｆｂに入力されるようにしてもよい。このことは、以下の実施の形態４についても同様である。
【００９１】
（実施の形態４）
図１２は、実施の形態４における保護処理の手順を示すフローチャートである。
以下では、実施の形態４について、実施の形態３と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態３と共通しているため、実施の形態３と共通する構成部には実施の形態３と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００９２】
実施の形態４における表示装置１では、実施の形態３における表示装置１と比較して、表示パネル１０が有する制御回路５０の制御部７０が実行する保護処理が異なる。
制御部７０は、実施の形態３と同様に、実施の形態４における保護処理を周期的に実行する。実施の形態４における保護処理のステップＳ６１〜Ｓ６３，Ｓ６７〜Ｓ６９夫々は、実施の形態３における保護処理のステップＳ４１〜Ｓ４３，Ｓ４７〜Ｓ４９と同様である。このため、ステップＳ６１〜Ｓ６３，Ｓ６７〜Ｓ６９の詳細な説明を省略する。
【００９３】
記憶部７１では、複数のＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々に対応付けて、設定電流値Ｉｒ１，Ｉｒ２，Ｉｆ１，Ｉｆ２が予め設定されている。設定電流値Ｉｒ１は、ＴＦＴ６ｒｕの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｒｕである。同様に、設定電流値Ｉｒ２は、ＴＦＴ６ｒｂの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｒｂである。設定電流値Ｉｆ１は、ＴＦＴ６ｆｕの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｆｕである。設定電流値Ｉｆ２は、ＴＦＴ６ｆｂの温度が所定温度である場合におけるドレイン電流値Ｉｆｂである。
【００９４】
制御部７０は、ステップＳ６３を実行した後、ステップＳ６２で取得した４つの電流情報が示すドレイン電流値Ｉｒｕ，Ｉｒｂ，Ｉｆｕ，Ｉｆｂ夫々について、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂの中で対応するＴＦＴに対応付けて予め設定されている設定電流値Ｉｒ１，Ｉｒ２，Ｉｆ１，Ｉｆ２からの電流変化量を算出する（ステップＳ６４）。実施の形態４では、制御部７０は算出部としても機能する。
【００９５】
ドレイン電流値Ｉｒｕの電流変化量は、ドレイン電流値Ｉｒｕから設定電流値Ｉｒ１を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｒｕが配置された部分の温度から所定温度を減算することによって算出される温度差を示す。
同様に、ドレイン電流値Ｉｒｂの電流変化量は、ドレイン電流値Ｉｒｂから設定電流値Ｉｒ２を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｒｂが配置された部分の温度から所定温度を減算することによって算出される温度差を示す。ドレイン電流値Ｉｆｕの電流変化量は、ドレイン電流値Ｉｆｕから設定電流値Ｉｆ１を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｆｕが配置された部分の温度から所定温度を減算した温度差を示す。ドレイン電流値Ｉｆｂの電流変化量は、ドレイン電流値Ｉｆｂから設定電流値Ｉｆ２を減算することによって算出され、ＴＦＴ６ｆｂが配置された部分の温度から所定温度を減算した温度差を示す。
【００９６】
次に、制御部７０は、ドレイン電流値Ｉｒｕの電流変化量から、ドレイン電流値Ｉｒｂの電流変化量を減算することによって、右側差分値を算出する（ステップＳ６５）。右側差分値は絶対値である。右側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ６５を実行することによって、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂが配置された複数の部分の温度差を適切に検知することができる。また、右側差分値は、２つの電流変化量の差分値であるため、正確な温度差を示す。
【００９７】
次に、制御部７０は、ドレイン電流値Ｉｆｕの電流変化量から、ドレイン電流値Ｉｆｂの電流変化量を減算することによって、左側差分値を算出する（ステップＳ６６）。左側差分値は絶対値である。左側差分値は、表示パネル１０において、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差を示し、この温度差が大きい程、大きい。従って、制御部７０は、ステップＳ６６を実行することによって、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂが配置された複数の部分の温度差を適切に検知することができる。また、左側差分値は、２つの電流変化量の差分値であるため、正確な温度差を示す。制御部７０はステップＳ６６を実行した後、ステップＳ６７を実行する。
実施の形態４における表示パネル１０は、実施の形態３における表示パネル１０が奏す
る効果を同様に奏する。なお、実施の形態４のように、設定電流値との差を利用すると、１つのモニタ回路（モニタ用ＴＦＴ）だけで、温度上昇を検知することができる。
【００９８】
（実施の形態５）
図１３は、実施の形態５における制御回路５０及びモニタ回路３５ｒｕ，３５ｒｂ，３５ｆｕ，３５ｆｂの説明図である。
以下では、実施の形態５について、実施の形態１と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態１と共通しているため、実施の形態１と共通する構成部には実施の形態１と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００９９】
実施の形態５における表示パネル１０は、実施の形態１における表示パネル１０が有する構成部に加えて、直流電源５６ｒ，５６ｆを有する。また、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々の型はＰチャネル型である。制御回路５０は実施の形態１と同様に構成されている。
【０１００】
直流電源５６ｒの正極は、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂのソースに接続されている。直流電源５６ｒの負極は接地されている。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ夫々では、ゲートがドレインに接続されている。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂは、いわゆる、ダイオード接続されたＴＦＴである。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ夫々のドレインは、更に、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂの一端に接続されている。スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ夫々の一端は、更に、制御回路５０の入力部７５ｒｕ，７５ｒｂに接続されている。スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ夫々の他端は、定電流回路５１ｒｕ，５１ｒｂの入力端に接続されている。定電流回路５１ｒｕ，５１ｒｂの出力端は接地されている。
【０１０１】
同様に、直流電源５６ｆの正極は、ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂのソースに接続されている。直流電源５６ｆの負極は接地されている。ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂ夫々では、ゲートがドレインに接続されている。ＴＦＴ６ｆｕ，６ｆｂ夫々のドレインは、更に、スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂの一端に接続されている。スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂ夫々の一端は、更に、制御回路５０の入力部７５ｆｕ，７５ｆｂに接続されている。スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂ夫々の他端は、定電流回路５１ｆｕ，５１ｆｂの入力端に接続されている。定電流回路５１ｆｕ，５１ｆｂの出力端は接地されている。
【０１０２】
ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々では、電流がドレイン及びソースを介して流れる。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々について、ソースの電位を基準としたゲート電圧値が低い程、ドレイン及びソース間の抵抗値は小さい。
【０１０３】
切替え部７３ｒｕがスイッチ５２ｒｕをオンに切替えている場合、定電流回路５１ｒｕは、ＴＦＴ６ｒｕのドレインから、スイッチ５２ｒｕを介して、所定電流値の電流を引き込む。そうすると、ＴＦＴ６ｒｕのゲート電圧がある値に落ち着き、ＴＦＴ６ｒｕと配線（抵抗）に同じ電流が安定して流れるようになる。このゲート電圧値は入力部７５ｒｕに入力される。
【０１０４】
入力部７５ｒｕは、入力されたアナログのゲート電圧値をＡ／Ｄ変換部７２ｒｕに出力する。Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕは、入力部７５ｒｕから入力されたアナログのゲート電圧値をデジタルのゲート電圧値に変換する。制御部７０は、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕからゲート電圧値を取得する。Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕが取得するゲート電圧値は、取得時点において、入力部７５ｒｕに入力されたゲート電圧値と略一致する。
なお、入力部７５ｒｕにゲート電圧値が入力されることは、入力部７５ｒｕがゲート電圧値を検出することに相当する。
【０１０５】
切替え部７３ｒｕがスイッチ５２ｒｕをオフに切替えている場合、ＴＦＴ６ｒｕに電流が流れず、ＴＦＴ６ｒｕで電力が消費されることはない。
【０１０６】
図１４は、制御回路５０に入力されるゲート電圧値の説明図である。スイッチ５２ｒｕがオンであることを前提として、制御回路５０の入力部７５ｒｕに入力されるゲート電圧値を説明する。
図１４には、ＴＦＴ６ｒｕのドレイン及びソース間の電圧値が一定の電圧値に固定されている場合におけるゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係が示されている。ゲート電圧値Ｖｇは接地電位を基準とした電圧値であり、ドレイン電流値Ｉｄは、ドレイン及びソースを介して流れる電流の電流値である。
【０１０７】
図１４に示すように、ゲート電圧値Ｖｇが、直流電源５６ｒの出力電圧値Ｖｐよりも低い電圧閾値よりも低下した場合に、ドレイン電流値Ｉｄがゼロを超える。そして、ゲート電圧値Ｖｇの低下と共にドレイン電流値Ｉｄが上昇する。電圧閾値は、ＴＦＴ６ｒｕの温度が小さい程、低い。制御回路５０の入力部７５ｒｕには、ドレイン電流値Ｉｄが所定電流値Ｉｃである場合におけるゲート電圧値が入力される。入力部７５ｒｕに入力されるゲート電圧値は、ＴＦＴ６ｒｕの温度が小さい程、低い。
【０１０８】
ＴＦＴ６ｒｂ、定電流回路５１ｒｂ、スイッチ５２ｒｂ、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｂ及び切替え部７３ｒｂは、ＴＦＴ６ｒｕ、定電流回路５１ｒｂ、スイッチ５２ｒｂ、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｂ及び切替え部７３ｒｂと同様に作用する。
また、ＴＦＴ６ｆｕ、定電流回路５１ｆｕ、スイッチ５２ｆｕ、直流電源５６ｆ、Ａ／Ｄ変換部７２ｆｕ及び切替え部７３ｆｕは、ＴＦＴ６ｒｕ、定電流回路５１ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ、直流電源５６ｒ、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ及び切替え部７３ｒｕと同様に作用する。更に、ＴＦＴ６ｆｂ、定電流回路５１ｆｂ、スイッチ５２ｆｂ、直流電源５６ｆ、Ａ／Ｄ変換部７２ｆｂ及び切替え部７３ｆｂも、ＴＦＴ６ｒｕ、定電流回路５１ｒｕ、スイッチ５２ｒｕ、直流電源５６ｒ、Ａ／Ｄ変換部７２ｒｕ及び切替え部７３ｒｕと同様に作用する。
【０１０９】
制御部７０は、実施の形態１と同様に、表示処理及び保護処理を実行する。
以上のように構成された実施の形態５における表示パネル１０は、実施の形態１における表示パネル１０が奏する効果を同様に奏する。
【０１１０】
なお、実施の形態５において、制御部７０は、実施の形態２と同様の保護処理を実行してもよい。この場合、表示パネル１０は、実施の形態２における表示パネル１０が奏する効果を同様に奏する。
【０１１１】
（実施の形態６）
図１５は、実施の形態６における制御回路５０及びモニタ回路３５ｒｕ，３５ｒｂ，３５ｆｕ，３５ｆｂの説明図である。
以下では、実施の形態６について、実施の形態３と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態３と共通しているため、実施の形態３と共通する構成部には実施の形態３と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【０１１２】
実施の形態６における表示パネル１０では、実施の形態３における表示パネル１０と比較して、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々の型がＰチャネル型である点が異なる。実施の形態６では、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々のソースは、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂ，５２ｆｕ，５２ｆｂの他端に接続されている。ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々のドレインは接地されている。
【０１１３】
実施の形態６では、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々は実施の形態５と同様に作用する。従って、ＴＦＴ６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ夫々では、ソースの電位を基準としたゲート電圧値が低い程、ドレイン及びソース間の抵抗値は小さい。
【０１１４】
図１６は、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値の説明図である。スイッチ５２ｒｕはオンであることを前提として、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値を説明する。
図１６には、図１４と同様に、ＴＦＴ６ｒｕのドレイン及びソース間の電圧値が一定の電圧値に固定されている場合におけるゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係が示されている。図１６に示すゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係は、図１４に示すゲート電圧値Ｖｇ及びドレイン電流値Ｉｄの関係と同一である。
【０１１５】
電流センサ５３ｒｕは、ゲート電圧値Ｖｇが直流電源５５ｒの出力電圧値Ｖｃである場合におけるドレイン電流値Ｉｄを検出する。従って、電流センサ５３ｒｕが検出するドレイン電流値Ｉｄは、ＴＦＴ６ｒｕの温度が小さい程、小さい。
同様に、電流センサ５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂ夫々が検出するドレイン電流値Ｉｄは、ＴＦＴ６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂの温度が小さい程小さい。
【０１１６】
制御部７０は、実施の形態３と同様に、表示処理及び保護処理を実行する。
以上のように構成された実施の形態６における表示パネル１０は、実施の形態３における表示パネル１０が奏する効果を同様に奏する。
また、実施の形態３と同様に、電流センサ５３ｒｕ、５３ｒｂを省略し、直流電源５４ｒの正極とスイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂとの間に抵抗を設け、スイッチ５２ｒｕ，５２ｒｂをオンしたときに、ＴＦＴ６ｒｕ、６ｒｂのソース電圧が、それぞれ入力部７５ｒｕ、７５ｒｂに入力されるようにしてもよい。同様に、電流センサ５３ｆｕ、５３ｆｂを省略し、直流電源５４ｒの正極とスイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂとの間に抵抗を設け、スイッチ５２ｆｕ，５２ｆｂをオンしたときに、ＴＦＴ６ｆｕ、６ｆｂのソース電圧が、それぞれ入力部７５ｆｕ、７５ｆｂに入力されるようにしてもよい。
【０１１７】
なお、実施の形態６において、制御部７０は、実施の形態４と同様の保護処理を実行してもよい。この場合、表示パネル１０は、実施の形態４における表示パネル１０が奏する効果を同様に奏する。
【０１１８】
なお、実施の形態１，５において、制御部７０は、右側差分値及び左側差分値を算出する代わりに、４つのゲート電圧値夫々を、４つのゲート電圧値の平均値から減算してもよい。これにより、算出された差分値（絶対値）は、１つのＴＦＴが配置された部分の温度と、４つのＴＦＴが配置された４つの部分の温度の平均温度との温度差を示す。この場合、１つのゲート電圧値を基準として、他のゲート電圧値を補正する。実施の形態２，５において、制御部７０は、右側差分値及び左側差分値を算出する代わりに、４つの電圧変化量夫々を、４つの電圧変化量の平均値から減算してもよい。これにより、算出された差分値（絶対値）は、１つのＴＦＴが配置された部分の温度と、４つのＴＦＴが配置された４つの部分の温度との温度差を示す。
【０１１９】
以上のような演算が行われる実施の形態５では、直流電源５６ｒ，５６ｆの出力電圧値は略一致している。制御部７０は、算出した差分値が所定値以上である場合、表示処理の実行、又は、ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆの一方への制御信号の出力を停止する。
【０１２０】
実施の形態３，６において、制御部７０は、右側差分値及び左側差分値を算出する代わりに、４つのドレイン電流値夫々を、４つのドレイン電流値の平均値から減算してもよい。これにより、算出された差分値（絶対値）は、１つのＴＦＴが配置された部分の温度と
、４つのＴＦＴが配置された４つの部分の温度との温度差を示す。この場合、１つのドレイン電流値を基準として、他のドレイン電流値を補正する。実施の形態４，６において、制御部７０は、右側差分値及び左側差分値を算出する代わりに、４つの電流変化量夫々を、４つの電流変化量の平均値から減算してもよい。これにより、算出された差分値（絶対値）は、１つのＴＦＴが配置された部分の温度と、４つのＴＦＴが配置された４つの部分の温度との温度差を示す。
【０１２１】
以上のような演算が行われる実施の形態３，４，６では、直流電源５４ｒ，５４ｆの出力電圧値は略一致しており、かつ、直流電源５５ｒ，５５ｆの出力電圧値も略一致している。制御部７０は、算出した差分値が所定値以上である場合、表示処理の実行、又は、ゲートドライバ３４ｒ，３４ｆの一方への制御信号の出力を停止する。
更に、実施の形態１〜６において、モニタ回路の数は４に限定されず、２、３又は５以上であってもよい。モニタ回路が有するＴＦＴは、例えば、モノリシックドライバが有するＴＦＴと同じ半導体膜を用いて形成される。この半導体膜は、画素毎に設けられるＴＦＴと同じ半導体膜であってもよい。
【０１２２】
開示された実施の形態１〜６はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１２３】
１  表示装置
１０  表示パネル
１１  バックライト装置
５１ｒｕ，５１ｒｂ，５１ｆｕ，５１ｆｂ  定電流回路（電圧調整部の一部）
５３ｒｕ，５３ｒｂ，５３ｆｕ，５３ｆｂ  電流センサ（電流検出部の一部）
５５ｒ，５５ｆ  直流電源（電圧印加部）
６ｒｕ，６ｒｂ，６ｆｕ，６ｆｂ  ＴＦＴ
７０  制御部（演算部、電圧補正部、電流補正部、算出部、検知部）
７５ｒｕ，７５ｒｂ，７５ｆｕ，７５ｆｂ  入力部（電圧検出部の一部）
【図１】
2020021030.tif 000003
【図２】
2020021030.tif 000004
【図３】
2020021030.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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