(57)【要約】【課題】消費電力を低減可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１サブ画素及び第２サブ画素を備えた基板、基板上で第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに備えられた第１電極、第１電極上で第１サブ画素及び第２サブ画素それぞれに備えられ、第１色の光を発する第１発光層、第１発光層上で第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに備えられた第２電極、第２電極上に備えられ、第２色の光を発する第２発光層、及び第２発光層上に備えられた第３電極を含む表示装置とする。第１サブ画素の第１電極は、第２サブ画素の第１電極よりも大きな面積を有する。第１サブ画素の第１電極は、第１サブ画素の第２電極と電気的に接続し、第２サブ画素の第１電極は、前記第２サブ画素の第２電極と絶縁される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブ画素及び第２サブ画素を備えた基板、
前記基板上で前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞれに備えられた第１電極、
前記第１電極上で前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞれに備えられ、第１色の光を発する第１発光層、
前記第１発光層上で前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞれに備えられた第２電極、
前記第２電極上に備えられ、第２色の光を発する第２発光層、及び
前記第２発光層上に備えられた第３電極を含み、
前記第１サブ画素の第１電極が、前記第２サブ画素の第１電極よりも大きな面積を有して、
前記第１サブ画素の第１電極は、前記第１サブ画素の第２電極と電気的に接続し、前記第２サブ画素の第１電極は、前記第２サブ画素の第２電極と絶縁される表示装置。
【請求項２】
前記第２サブ画素の第２電極が、前記第３電極と電気的に接続する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１サブ画素は前記第２発光層が発光し、前記第２サブ画素は前記第１発光層が発光する請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１発光層が、青色光を発する請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１発光層が、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれにパターン形成される請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１サブ画素が、前記第１発光層が前記第１サブ画素の前記第１電極よりも小さい面積を有するように形成され、前記第１サブ画素の前記第１電極が露出し、
前記第２サブ画素は、前記第１発光層が前記第２サブ画素の前記第１電極よりも大きな面積を有するように形成され、前記第２サブ画素の前記第１電極を覆う請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２電極が、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素のそれぞれにパターン形成される請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１サブ画素が、前記第２電極が前記第１発光層よりも大きな面積を有するように形成され、前記露出した第１電極と前記第２電極が接触する請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１電極の下で、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素のそれぞれに備えられた補助電極、及び
前記基板と前記補助電極の間に備えられた薄膜トランジスタを含み、
前記補助電極が、前記薄膜トランジスタに接続して高電位電圧が印加される請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極が、前記補助電極に接続して、前記高電位電圧が印加される請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記補助電極の端を覆って前記補助電極の一部が露出するように形成されたバンクをさらに含み、
前記第１サブ画素の第１電極が、前記露出した補助電極の上面及び前記バンクの側面に形成される請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１サブ画素の第１電極が、前記バンク上で前記第１サブ画素の第２電極と接触する請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記基板が、前記第１サブ画素が第１方向に複数個が羅列した第１サブ画素領域、及び前記第２サブ画素が第２方向に前記第１サブ画素と隣接するように配置され、前記第１方向に複数個が羅列した第２サブ画素領域を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１サブ画素領域に配置された第２電極と前記第２サブ画素領域に配置された第２電極が、互いに離隔している請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１サブ画素領域に配置された第２電極が、前記複数の第１サブ画素のそれぞれにパターン形成される請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２サブ画素領域に配置された第２電極が、前記複数の第２サブ画素に沿って延長され、一端が前記第３電極と接触する請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を備えた基板、
前記基板上で前記第１サブ画素、前記第２サブ画素、及び前記第３サブ画素のそれぞれに備えられた第１電極、
前記第１電極上に備えられ、第１色の光を発する第１発光層、
前記第１発光層上に備えられた第２電極、
前記第２電極上に備えられ、第２色の光を発する第２発光層、及び
前記第２発光層上に備えられた第３電極を含み、
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれでは、前記第１電極と前記第２電極に同じ電圧が印加され、
前記第２サブ画素では、前記第２電極と前記第３電極に同じ電圧が印加される表示装置。
【請求項１８】
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれが、前記第２電極と前記第３電極の間に備えられた第２発光層が発光し、
前記第２サブ画素は、前記第１電極と前記第２電極の間に備えられた第１発光層が発光する請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１発光層が、青色の光を発する請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれの第１電極が、前記第２サブ画素の第１電極と異なる面積を有する請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれの第１電極が、前記第２サブ画素の第１電極よりも大きな面積を有する請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれが、前記第１発光層が、前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれの前記第１電極よりも小さい面積を有するように形成されて前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれの前記第１電極が露出し、
前記第２サブ画素は、前記第１発光層が、前記第２サブ画素の前記第１電極よりも大きい面積を有するように形成されて前記第２サブ画素の前記第１電極を覆う請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第２電極が、前記第１サブ画素、前記第２サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれにパターン形成される請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれが、前記第２電極が前記第１発光層よりも大きな面積を有するように形成され、前記露出した第１電極と前記第２電極が接触する請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第２サブ画素が、前記第２電極が第１方向に延長され、一端が前記第３電極と接触する請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれに対応するように配置されたカラーフィルタをさらに含む請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記カラーフィルタが、
前記第１サブ画素に対応するように配置され、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタ、及び
前記第３サブ画素に対応するように配置され、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタを含む請求項２６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会が発展するにつれて、映像を表示するための表示装置への要求が様々な形で高まっている。これにより、最近では液晶表示装置（ＬＣＤ、Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（ＰＤＰ、Plasma Display Panel）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ、Organic Light Emitting Display）など複数の表示装置が活用されている。
【０００３】
最近では、このような表示装置を含むヘッドマウントディスプレイとも呼ばれるヘッドマウント表示（ＨＭＤ、Head Mounted Display）装置が開発されている。ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は、眼鏡やヘルメットの形態で着用して、使用者の目の前の近い距離に焦点が形成される仮想現実（ＶＲ、Virtual Reality）または拡張現実（ＡＲ、Augmented Reality）のメガネ型モニター装置である。
【０００４】
このようなヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は、高解像度の稠密した画素間隔によりサブ画素ごとに異なる色の発光層を精密にパターン形成するのには困難がある。これを解決するために、ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は互いに異なる色相の光を発する複数のスタックによる白色発光層を共通層として形成し、サブ画素ごとにカラーフィルタを配置することで異なる色の発光を実現することができる。この場合には、ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は、精密なマスク作製や精密なマスクアライメント工程を必要としないという利点があるが、複数のスタックによって電力が多く消費されるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、消費電力を低減可能な表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例に係る表示装置は、第１サブ画素及び第２サブ画素を備えた基板、基板上で第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに備えられた第１電極、第１電極上で第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに備えられ、第１色の光を発する第１発光層、第１発光層上で第１サブ画素及び第２サブ画素のそれぞれに備えられた第２電極、第２電極上に備えられて第２色の光を発する第２発光層、及び第２発光層上に備えられた第３電極を含む。第１サブ画素の第１電極は、第２サブ画素の第１電極よりも大きな面積を有する。第１サブ画素の第１電極は、第１サブ画素の第２電極と電気的に接続し、第２サブ画素の第１電極は、前記第２サブ画素の第２電極と絶縁される。
【０００７】
本発明の他の実施例に係る表示装置は、第１サブ画素、第２サブ画素及び第３サブ画素を備えた基板、基板上で第１サブ画素、第２サブ画素、及び第３サブ画素のそれぞれに備えられた第１電極、第１電極上に備えられて第１色の光を発する第１発光層、第１発光層上に備えられた第２電極、第２電極上に備えられて第２色の光を発する第２発光層、及び第２発光層上に備えられた第３電極を含む。第１サブ画素及び前記第３サブ画素のそれぞれでは、第１電極と第２電極に同じ第１電圧が印加され、第２サブ画素では、第２電極と第３電極に同じ第２電圧が印加される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、サブ画素に第１発光層及び第２発光層をマスクなしに形成することにより、マスクを用いて、サブ画素ごとに異なる発光層をパターン形成することによる問題点を解決することができる。すなわち、本発明は、精密なマスク作製や精密なマスクアライメント工程を必要とせず稠密な画素間隔を有する高解像度の表示装置にも適用が可能である。
【０００９】
また、本発明によると、第１発光層及び第２発光層をすべてサブ画素に形成するにもかかわらず、サブ画素のそれぞれで第１発光層及び第２発光層のいずれか１つだけを発光させることができる。これにより、第１発光層及び第２発光層の両方を発光させるのと比較して、消費電力を顕著に減らすことができる。
【００１０】
本発明で得られる効果は、以上で言及した効果に制限されるものではなく、言及していない効果であっても、以下の記載から、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解される他の効果も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一実施例に係る表示装置を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す第１基板、ソースドライブＩＣ、軟性フィルム、回路基板、及びタイミング制御部を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施例に係る表示パネルの第１基板を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、第１〜第３サブ画素の一例を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図３のＩ−Ｉにおける断面の一例を示す図である。
【図６】図６は、図３のＩＩ−ＩＩにおける断面の一例を示す図である。
【図７】図７は、図３のＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面の一例を示す図である。
【図８】図８は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第１断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第２断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第３断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第４断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第５断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第６断面図である。
【図９Ｇ】図９Ｇは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第７断面図である。
【図９Ｈ】図９Ｈは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第８断面図である。
【図９Ｉ】図９Ｉは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第９断面図である。
【図９Ｊ】図９Ｊは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第１０断面図である。
【図９Ｋ】図９Ｋは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第１１断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａはヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置の概略的な斜視図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置のＶＲ構造の概略的な平面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置のＡＲ（Augmented Reality）構造の概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ規定される。
【００１３】
本発明の実施例を説明するための図に開示された形状、大きさ、比率、角度、数などは例示的なものなので、本発明は、図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一の参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するに際して、関連する公知技術に対する詳細な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合には、その詳細な説明は省略している。
【００１４】
本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合には、「だけ」との文言が使用されていない限り、他の部分が追加され得る。構成要素を単数表現の場合には特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含む。
【００１５】
構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。
【００１６】
位置関係の説明である場合には、例えば、「〜の上に」、「〜の上部に」、「〜の下部に」、「〜の隣に」など２つの部分の位置関係が説明されている場合には、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。
【００１７】
時間の関係に対する説明である場合には、例えば、「〜の後」、「〜に続いて」、「〜次の」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合には、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、連続していない場合も含むことができる。
【００１８】
第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、ただ１つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下に記載されている第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもある。
【００１９】
「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」及び「Ｚ軸方向」とは、互いの関係が垂直方向である幾何学的な関係だけで解釈されてはならず、本発明の構成は、機能的に作用することができる範囲内より広い方向性を有することを意味することができる。
【００２０】
「少なくとも１つ」の用語は、複数の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されなければならない。例えば、「第１項目、第２項目及び第３項目のうち少なくとも１つ」の意味は、第１項目、第２項目または第３項目のそれぞれだけでなく、第１項目、第２項目及び第３項目の中の二つ以上から提示することができるすべての項目の組み合わせを意味することができる。
【００２１】
本発明の一部の実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に多様な連動及び駆動が可能であり、各実施例が互いに独立して実施可能であり得、関連の関係でともに実施することもできる。
【００２２】
以下、図を参照して、本発明の好ましい実施例について詳細に説明することにする。
【００２３】
図１は、本発明の一実施例に係る表示装置１００を示す斜視図である。図２は、図１に示す第１基板１１１、ソースドライブＩＣ（integrated circuit：集積回路）１４０、軟性フィルム１５０、回路基板１６０、及びタイミング制御部１７０を示す平面図である。
【００２４】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、表示パネル１１０、ソースドライブＩＣ１４０、軟性フィルム１５０、回路基板１６０、及びタイミング制御部１７０を含む。
【００２５】
表示パネル１１０は、第１基板１１１と第２基板１１２を含む。第２基板１１２は、封止基板であり得る。第１基板１１１は、プラスチックフィルム（plastic film）、ガラス基板（glass substrate）、または半導体工程を用いて形成されたシリコンウエハ基板であり得る。第２基板１１２は、プラスチックフィルム、ガラス基板、または封止フィルムであり得る。
【００２６】
第２基板１１２と対向する第１基板１１１の一面上にはゲートライン、データライン、及びサブ画素が形成される。サブ画素は、ゲートラインとデータラインの交差構造によって規定される領域に備えられる。
【００２７】
サブ画素のそれぞれは、薄膜トランジスタとアノード電極、発光層、及びカソード電極を具備する発光素子を含むことができる。サブ画素のそれぞれは、薄膜トランジスタを用いてゲートラインからゲート信号が入力される場合には、データラインのデータ電圧によって発光素子に所定の電流が供給される。これにより、アノード電極に高電位電圧が印加され、カソード電極に低電位電圧が印加されると、サブ画素のそれぞれの発光層は、所定の電流によって所定の明るさで発光することができる。
【００２８】
表示パネル１１０は、画素が形成されて画像を表示する表示領域（ＤＡ、Display Area）と画像を表示しない非表示領域（ＮＤＡ、Non-Display Area）に区分することができる。表示領域（ＤＡ）には、ゲートライン、データライン、及び画素が形成され得る。非表示領域（ＮＤＡ）には、ゲート駆動部とパッドが形成され得る。
【００２９】
図示しないゲート駆動部は、タイミング制御部１７０から入力されるゲート制御信号によってゲートラインにゲート信号を供給する。ゲート駆動部は、表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の一方または両方の外側の非表示領域（ＤＡ）にＧＩＰ（gate driver in panel）方式で形成され得る。または、ゲート駆動部は、駆動チップに作製されて軟性フィルムに実装され、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式で表示パネル１１０の表示領域（ＤＡ）の一方または両方の外側の非表示領域（ＮＤＡ）に貼り付けることもできる。
【００３０】
ソースドライブＩＣ１４０には、タイミング制御部１７０からのデジタルビデオデータとソース制御信号が入力される。ソースドライブＩＣ１４０は、ソース制御信号によって、デジタルビデオデータをアナログデータ電圧に変換してデータラインに供給する。ソースドライブＩＣ１４０が駆動チップで作製される場合には、ＣＯＦ（Chip On Film）またはＣＯＰ（Chip On Plastic）方式で軟性フィルム１５０に実装され得る。
【００３１】
表示パネル１１０の非表示領域（ＮＤＡ）には、データパッドのようなパッドが形成され得る。軟性フィルム１５０には、パッドとソースドライブＩＣ１４０を接続する配線、パッドと回路基板１６０の配線を接続する配線が形成され得る。軟性フィルム１５０は、異方性導電フィルム（ＡＣＦ、Antisotropic Conducting Film）を用いてパッド上に貼り付けられ、これにより、パッドと軟性フィルム１５０の配線が接続し得る。
【００３２】
回路基板１６０は、軟性フィルム１５０に貼り付けることができる。回路基板１６０は、駆動チップに具現された多数の回路が実装され得る。例えば、回路基板１６０には、タイミング制御部１７０が実装され得る。回路基板１６０は、プリント回路基板（ＰＣＢ、Printed Circuit Board）またはフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣＢ、Flexible Printed Circuit Board）であり得る。
【００３３】
タイミング制御部１７０は、回路基板１６０のケーブルを介して外部のシステムボードからデジタルビデオデータとタイミング信号が入力される。タイミング制御部１７０は、このタイミング信号に基づいて、ゲート駆動部の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号と、ソースドライブＩＣ１４０を制御するためのソース制御信号を生成する。タイミング制御部１７０は、ゲート制御信号をゲート駆動部に供給し、ソース制御信号をソースドライブＩＣ１４０に供給する。
【００３４】
図３は、本発明の一実施例に係る表示パネル１１０の第１基板１１１を概略的に示す平面図である。図４は、第１〜第３サブ画素の一例を概略的に示す平面図である。図５は、図３のＩ−Ｉにおける断面の一例を示す図である。図６は、図３のＩＩ−ＩＩにおける断面の一例を示す図である。図７は、図３のＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面の一例を示す図である。
【００３５】
図３から図７を参照すると、本発明の一実施例に係る表示パネル１１０の第１基板１１１上には、回路素子層２００、第１電極３００、第１発光層４００、第２電極５００、第２発光層６００、第３電極７００及び封止層８００が形成される。この実施例において、表示パネル１１０は、第１基板１１１上に補助電極３４０、３５０、３６０及びカラーフィルタ９００のうち少なくとも１つをさらに含むことができる。
【００３６】
第１基板１１１は、表示領域（ＤＡ）と非表示領域（ＮＤＡ）に区分され、非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド（ＰＡＤ）が形成されるパッド領域（ＰＡ）が形成され得る。第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）には、第１サブ画素（Ｐ１）、第２サブ画素（Ｐ２）、及び第３サブ画素（Ｐ３）が備えられている。第１サブ画素（Ｐ１）は赤色光を放出し、第２サブ画素（Ｐ２）は青色光を放出し、第３サブ画素（Ｐ３）は緑色光を放出するように備えることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。また、第１基板１１１の表示領域（ＤＡ）には、白色（Ｗ）の光を発する第４サブ画素をさらに備えてもよい。
【００３７】
第１基板１１１は、ガラスやプラスチックからなり得るが、必ずしもこれに限定されるものではなく、シリコンウエハのような半導体物質からもなり得る。第１基板１１１は、透明な材料からなり得、不透明な材料からもなり得る。
【００３８】
本発明の一実施例に係る表示装置１００は、発光が上部に向かって放出される上部発光（top emission）方式からなり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。本発明の一実施例に係る表示装置１００は、発光が上部に向かって放出される上部発光方式である場合には、第１基板１１１は、透明な材料だけでなく、不透明な材料を使用し得る。一方、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、発光が下部に向かって放出される、いわゆる下部発光（bottom emission）方式である場合には、第１基板１１１には、透明な材料が用いられ得る。
【００３９】
回路素子層２００は、第１基板１１１上に形成される。
【００４０】
回路素子層２００上には、各種信号ライン、薄膜トランジスタ及びコンデンサなどを含む回路素子がサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに備えられる。信号ラインは、ゲートライン、データライン、電源線、及び基準線を含んでなり得る。薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）及びセンシング薄膜トランジスタを含んでなり得る。
【００４１】
スイッチング薄膜トランジスタは、ゲート配線に供給されるゲート信号によってスイッチングされ、データ配線から供給されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）に供給する。
【００４２】
駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）は、スイッチング薄膜トランジスタから供給されるデータ電圧によってスイッチングされ、電源線から供給される電源からデータ電流を生成して、第１電極３００に供給する。
【００４３】
センシング薄膜トランジスタは、画質劣化の原因となる駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のしきい値電圧のばらつきをセンシングするものであり、ゲート配線または他のセンシング配線から供給されるセンシング制御信号に応答して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）の電流を基準線に供給する。
【００４４】
コンデンサは、駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）に供給されるデータ電圧を１フレーム期間維持させるものであり、駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のゲート端子とソース端子にそれぞれ接続する。
【００４５】
回路素子層２００には、薄膜トランジスタと第１電極３００の間に図示しない絶縁膜が形成され得る。より詳細には、回路素子層２００は、薄膜トランジスタを保護するための図示しない保護膜と薄膜トランジスタに起因する段差を平坦化させるための図示しない平坦化膜のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００４６】
また、回路素子層２００には、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに保護膜と平坦化膜を貫通するコンタクトホール（ＣＨ）が備えられ、コンタクトホール（ＣＨ、Contact Hole）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子が露出される。
【００４７】
第１電極３００は、回路素子層２００上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成される。第１サブ画素（Ｐ１）に１つの第１電極３１０が形成され、第２サブ画素（Ｐ２）に他の１つの第１電極３２０が形成され、第３サブ画素（Ｐ３）にまた他の１つの第１電極３３０が形成される。
【００４８】
第１電極３１０、３２０、３３０は、回路素子層２００に備えられた駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）と接続される。詳細には、第１電極３１０、３２０、３３０と回路素子層２００の間には、図５に示すように補助電極３４０、３５０、３６０を、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成することができる。第１電極３１０、３２０、３３０は、発光領域（ＥＡ、Emission Area）で補助電極３４０、３５０、３６０上に直接に形成され、電気的に接続される。また、補助電極３４０、３５０、３６０は、回路素子層２００に備えられたコンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子と接続される。これにより、第１電極３１０、３２０、３３０は、補助電極３４０、３５０、３６０及びコンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子から高電位電圧が印加される。
【００４９】
第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０は、補助電極３４０及びコンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子に接続されて、第１高電位電圧が印加される。第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、補助電極３５０及びコンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子に接続されて、第２高電位電圧が印加される。第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０は、補助電極３６０及びコンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子に接続されて、第３高電位電圧が印加される。
【００５０】
図５は、第１電極３１０、３２０、３３０と回路素子層２００の間に補助電極３４０、３５０、３６０が形成される例を示しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。他の実施例において、補助電極３４０、３５０、３６０は省略され得る。この場合には、第１電極３１０、３２０、３３０は、コンタクトホール（ＣＨ）を介して直接に駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース端子またはドレイン端子と接続されていてもよい。
【００５１】
一方、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれに形成された第１電極３１０、３２０、３３０は、それぞれ異なる面積を有することができる。より詳細には、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０は、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０よりも大きい面積を有することができる。第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０の幅（Ｗ４）と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０の幅（Ｗ６）は、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０の幅（Ｗ５）より大きくすることができる。例えば、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０は、回路素子層２００の上面だけでなく、バンク３７０の側面まで形成することができる。一方、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、図５に示すように、回路素子層２００の上面のみに形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、回路素子層２００の上面及びバンク３７０の側面にも形成することができる。ここで、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０よりも小さい面積を有しなければならないので、バンク３７０の側面から第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０または第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０よりも小さく形成され得る。
【００５２】
第１電極３１０、３２０、３３０は、第１、第２及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）それぞれの発光領域（ＥＡ）を規定する。つまり、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）で、第１電極３１０、３２０、３３０が形成された領域が発光領域（ＥＡ）となる。一方、それぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）で、第１電極３１０、３２０、３３０が形成されない領域が非発光領域となる。
【００５３】
したがって、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０より小さな面積を有するので、第２サブ画素（Ｐ２）は、第１及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ３）より発光領域（ＥＡ）が小さい。
【００５４】
第１電極３１０、３２０、３３０は、透明な導電性物質、半透過導電性物質または反射率の高い金属物質からなり得る。表示装置１００が上部発光方式である場合には、第１電極３１０、３２０、３３０は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、Ａｇ合金、及びＡｇ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質で形成することができる。Ａｇ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）などの合金であり得る。表示装置１００が下部発光方式である場合には、第１電極３１０、３２０、３３０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）のようなＴＣＯ（Transparent Conductive Oxide）に代表される透明な導電性物質、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、若しくはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過導電性物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成され得る。これらの第１電極３１０、３２０、３３０は、アノード電極であり得る。
【００５５】
バンク３７０は、回路素子層２００上で補助電極３４０、３５０、３６０のそれぞれの端を覆うように形成され得る。それによって、補助電極３４０、３５０、３６０の端に電流が集中して発光効率が低下する問題を回避することができる。
【００５６】
また、バンク３７０は、１つの補助電極３４０の端から他の１つの補助電極３５０の端まで延長し、他の１つの補助電極３５０の端からまた他の１つの補助電極３６０の端まで延長することができる。つまり、バンク３７０は、補助電極３４０、３５０、３６０のそれぞれの端を覆うとともに、回路素子層２００も覆うように形成され得る。
【００５７】
このようなバンク３７０は、比較的薄い無機絶縁膜からなり得るが、これに限定されるものではない。バンク３７０は、比較的厚い有機絶縁膜からもなり得る。
【００５８】
第１発光層４００は、第１電極３００上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成される。第１発光層４００は、バンク３７０上に形成され得る。第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０上には、１つの第１発光層４１０が形成され、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０上には、他の１つの第１発光層４２０が形成され、第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０上には、また他の１つの第１発光層４３０が形成される。
【００５９】
第１サブ画素（Ｐ１）の第１発光層４１０は、図５に示すように、第１電極３１０よりも小さい面積を有する。これにより、第１サブ画素（Ｐ１）は、第１電極３１０の端が第１発光層４１０によって覆われることなく、露出する。
【００６０】
第３サブ画素（Ｐ３）の第１発光層４３０は、図５に示すように、第１電極３３０よりも小さい面積を有する。これにより、第３サブ画素（Ｐ３）は、第１電極３３０の端が第１発光層４３０によって覆われることなく、露出される。
【００６１】
第２サブ画素（Ｐ２）の第１発光層４２０は、図５に示すように、第１電極３２０よりも大きい面積を有する。これにより、第２サブ画素（Ｐ２）は、第１電極３２０が第１発光層４２０によって覆われる。
【００６２】
ここで、第２サブ画素（Ｐ２）の第１発光層４２０は、第１サブ画素（Ｐ１）の第１発光層４１０及び第３サブ画素（Ｐ３）の第１発光層４３０と同じ面積を有する。しかし、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０が第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０及び第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０よりも小さい面積を有するので、第２サブ画素（Ｐ２）は、第１及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ３）とは異なり、第１電極３２０が第１発光層４２０によって覆われる。
【００６３】
第１発光層４１０、４２０、４３０は、正孔輸送層（hole transporting layer）、発光層（light emitting layer）、及び電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合には、第１発光層４１０、４２０、４３０は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動することになり、発光層で互いに結合して、所定の色で発光することになる。
【００６４】
第１発光層４１０、４２０、４３０は、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層、青色光を発する青色発光層及び黄色光を発する黄色発光層のいずれかであり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００６５】
第２電極５００は、第１発光層４００上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成される。第２電極５００は、バンク３７０上に形成され得る。第１サブ画素（Ｐ１）の第１発光層４１０上に１つの第２電極５１０が形成され、第２サブ画素（Ｐ２）の第１発光層４２０上に、他の１つの第２電極５２０が形成され、第３サブ画素（Ｐ３）の第１発光層４３０上にまた他の１つの第２電極５３０が形成される。
【００６６】
第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、第１電極３１０の形成領域内に形成される。第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、図４及び図５に示すように、第１電極３１０よりも小さい面積を有することができる。すなわち、第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、第１電極３１０の幅（Ｗ４）よりも小さい幅（Ｗ１）を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、第１電極３１０と同じ面積を有することもできる。
【００６７】
また、第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、第１発光層４１０よりも大きい面積を有する。これにより、第１サブ画素（Ｐ１）は、第２電極５１０が第１発光層４１０によって覆われることなく露出した第１電極３１０の端に接続する。第１サブ画素（Ｐ１）には、第１電極３１０と第２電極５１０が接続した第１接続領域（ＣＡ１）が形成される。
【００６８】
第１サブ画素（Ｐ１）は、第２電極５１０が第１電極３１０に直接に接続して、第２電極５１０と、第１電極３１０が電気的に接続する。すなわち、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０に第１高電位電圧が印加されると、第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、第１電極３１０と同じ第１高電位電圧が印加され得る。ここで、第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、アノード電極であり得る。
【００６９】
第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０もまた、第１電極３３０の形成領域内に形成される。第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、図４及び図５に示すように、第１電極３３０よりも小さい面積を有することができる。すなわち、第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、第１電極３３０の幅（Ｗ６）よりも小さい幅（Ｗ３）を有することができる。しかし、必ずしもこれに限定されず、第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、第１電極３３０と同じ面積を有することもできる。
【００７０】
また、第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、第１発光層４３０よりも大きい面積を有する。これにより、第３サブ画素（Ｐ３）は、第２電極５３０が第１発光層４３０によって覆われることなく露出した第１電極３３０の端に接続する。第３サブ画素（Ｐ３）には、第１電極３３０と第２電極５３０が接続した第２接続領域（ＣＡ２）が形成される。
【００７１】
第３サブ画素（Ｐ３）は、第２電極５３０が第１電極３３０に直接に接続して、第２電極５３０と、第１電極３３０が電気的に接続する。すなわち、第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０に第３高電位電圧が印加されると、第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、第１電極３３０と同じ第３高電位電圧が印加され得る。ここで、第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、アノード電極であり得る。
【００７２】
第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０は、図４及び図５に示すように、第１発光層４２０及び、第１電極３２０よりも大きい面積を有する。第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０は、第１電極３２０の幅（Ｗ５）よりも大きい幅（Ｗ２）を有することができる。第２サブ画素（Ｐ２）は、第１及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ３）とは異なり、第１電極３２０が第１発光層４２０によって覆われているので、第１発光層４２０上に形成された第２電極５２０が第１電極３２０に接続しない。すなわち、第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０は、第１発光層４２０によって、第１電極３２０と絶縁することができる。
【００７３】
一方、第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０は、表示領域（ＤＡ）のパッド領域（ＰＡ）に配置されたパッド（ＰＡＤ）まで延長して形成され得る。
【００７４】
より詳細には、第１〜第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）は、第１方向（Ｘ軸方向）に配置され、第１〜第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）それぞれは第２方向（Ｙ軸方向）に複数個が羅列され得る。
【００７５】
第１基板１１１は、第１サブ画素（Ｐ１）が第２方向（Ｙ軸方向）に複数個が羅列された第１サブ画素領域（ＳＰＡ１）を含むことができる。第１サブ画素領域（ＳＰＡ１）に配置された第２電極５１０は、第２方向（Ｙ軸方向）に複数の第１サブ画素（Ｐ１）それぞれにパターン形成される。第１サブ画素領域（ＳＰＡ１）に配置された第２電極５１０は、第１電極３１０と電気的に接続して、アノード電極に用いられる。
【００７６】
第１基板１１１は、第３サブ画素（Ｐ３）が第２方向（Ｙ軸方向）に複数個が羅列された第３サブ画素領域（ＳＰＡ３）を含むことができる。第３サブ画素領域（ＳＰＡ３）に配置された第２電極５３０もまた第２方向（Ｙ軸方向）に複数の第３サブ画素（Ｐ３）それぞれにパターン形成される。第３サブ画素領域（ＳＰＡ３）に配置された第２電極５３０は、第１電極３３０と電気的に接続して、アノード電極に用いられる。
【００７７】
一方、第１基板１１１は、第２サブ画素（Ｐ２）が第２方向（Ｙ軸方向）に複数個が羅列された第２サブ画素領域（ＳＰＡ２）を含むことができる。第２サブ画素領域（ＳＰＡ２）に配置された第２電極５２０は、図３に示すように、第２方向（Ｙ軸方向）に複数の第２サブ画素（Ｐ２）に沿って延長形成される。ここで、第２サブ画素領域（ＳＰＡ２）に配置された第２電極５２０は、表示領域（ＤＡ）のパッド領域（ＰＡ）に配置されたパッド（ＰＡＤ）まで延長されて、パッド（ＰＡＤ）に接続する。すなわち、第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０は、パッド（ＰＡＤ）から低電位電圧が印加され得る。ここで、第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０は、カソード電極であり得る。
【００７８】
第２電極５１０、５２０、５３０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯに代表される透明な導電性物質、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）若しくは銀（Ａｇ）の合金のような半透過導電性物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成され得る。
【００７９】
第２発光層６００は、第２電極５１０、５２０、５３０上に形成される。第２発光層６００は、第１発光層４１０、４２０、４３０とは異なり、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間で相互に接続されている。すなわち、第２発光層６００は、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成されず、表示領域（ＤＡ）全体に形成され得る。
【００８０】
第２発光層６００は、正孔輸送層（hole transporting layer）、発光層（light emitting layer）、及び電子輸送層（electron transporting layer）を含むことができる。この場合には、第２発光層６００は、正孔と電子がそれぞれ正孔輸送層と電子輸送層を介して発光層に移動することになり、発光層で互いに結合して、所定の色で発光することになる。
【００８１】
第２発光層６００は、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層、青色光を発する青色発光層及び黄色光を発する黄色発光層のいずれかであり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００８２】
ただし、第２発光層６００は、第１発光層４１０、４２０、４３０と異なる色の光を発することができる。第１発光層４１０、４２０、４３０が第１色の光を発する発光層である場合には、第２発光層６００は、第１色とは異なる第２色の光を発する発光層であり得る。例えば、第１発光層４１０、４２０、４３０は、青色光を発する青色発光層であり、第２発光層６００は、黄色光を発する黄色発光層であり得る。
【００８３】
第３電極７００は、第２発光層６００上に形成される。第３電極７００は、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成されず、表示領域（ＤＡ）全体に形成され得る。第３電極７００は、表示領域（ＤＡ）のパッド領域（ＰＡ）まで延長されて、図６及び図７に示すようにパッド（ＰＡＤ）または第２電極５２０に接続され得る。第３電極７００は、カソード電極であり得る。
【００８４】
このような第３電極７００は、透明な導電性物質、半透過導電性物質または反射率の高い金属物質からなり得る。表示装置１００が上部発光方式である場合には、第３電極７００は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯに代表される透明な導電性物質、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、若しくはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過導電性物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成され得る。表示装置１００が下部発光方式である場合には、第３電極７００は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、Ａｇ合金、及びＡｇ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質で形成することができる。Ａｇ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）などの合金であり得る。
【００８５】
封止層８００は、第３電極７００を覆うように形成され得る。封止層８００は、第１発光層４００、第２電極５００、第２発光層６００及び第３電極７００に酸素または水分が浸透することを防止する。このため、封止層８００は、少なくとも１つの無機膜と、少なくとも１つの有機膜を含むことができる。
【００８６】
詳細には、封止層８００は、第１無機膜と有機膜を含むことができる。一実施例において、封止層８００は、第２無機膜をさらに含むことができる。
【００８７】
第１無機膜は、第３電極７００を覆うように形成される。有機膜は、第１無機膜上に形成され、異物（particles）が第１無機膜を貫通して、第１発光層４００、第２電極５００、第２発光層６００及び第３電極７００に浸透することを防止するために十分な長さで形成することが好ましい。第２無機膜は、有機膜を覆うように形成される。
【００８８】
第１及び第２無機膜のそれぞれは、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。第１及び第２無機膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で蒸着され得るが、これらに限定されるものではない。
【００８９】
有機膜は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成され得る。有機膜は、有機物を使用する蒸着（vapour deposition）、印刷（printing）、スリットコーティング（slit coating）技法で形成され得るが、これらに限定されるものではなく、有機膜は、インクジェット（ink-jet）工程で形成することもできる。
【００９０】
本発明の一実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素（Ｐ１）と第３サブ画素（Ｐ３）で、異なる色の光が放出されるようにするために、カラーフィルタ９００をさらに備えてもよい。
【００９１】
カラーフィルタ９００は、第１サブ画素（Ｐ１）に対応するように配置された第１カラーフィルタ（ＣＦ１）と第３サブ画素（Ｐ３）に対応するように配置された第２カラーフィルタ（ＣＦ２）を含むことができる。第１カラーフィルタ（ＣＦ１）と第２カラーフィルタ（ＣＦ２）は、異なる色の光を透過させることができる。
【００９２】
例えば、第１カラーフィルタ（ＣＦ１）は、赤色光を透過させる赤色カラーフィルタであり得、第２カラーフィルタ（ＣＦ２）は、緑色光を透過させる緑色カラーフィルタであり得る。これにより、第１サブ画素（Ｐ１）は、赤色光を放出し、第３サブ画素（Ｐ３）は、緑色光を放出することができる。
【００９３】
このようなカラーフィルタ９００は、表示装置１００の発光方式によって封止層８００上に、または第１電極３１０、３２０、３３０の下に配置され得る。表示装置１００が上部発光方式である場合には、カラーフィルタ９００は、図５に示すように封止層８００上に備えられ得る。表示装置１００が下部発光方式である場合には、カラーフィルタ９００は、第１電極３１０、３２０、３３０と、第１基板１１１の間に備えられ得る。
【００９４】
本発明の一実施例に係る表示装置は、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）それぞれで第１発光層４１０、４２０、４３０及び第２発光層６００の中の１つだけが発光することを特徴とする。
【００９５】
より詳細には、第１サブ画素（Ｐ１）は、第２発光層６００が発光する。第１サブ画素（Ｐ１）は、第２電極５１０が第１電極３１０に接続するので、第２電極５１０と第１電極３１０が電気的に接続する。第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０に第１高電位電圧が印加されると、第１サブ画素（Ｐ１）の第２電極５１０は、第１電極３１０と同じ第１高電位電圧が印加され得る。これにより、第１サブ画素（Ｐ１）は、第１電極３１０と第２電極５１０の間に備えられた第１発光層４１０が発光しない。
【００９６】
一方、第１サブ画素（Ｐ１）は、第２電極５１０に第１高電位電圧が印加され、第３電極７００に低電位電圧が印加されると、第２電極５１０と第３電極７００間に備えられた第２発光層６００が所定の電流によって所定の明るさで発光する。
【００９７】
第３サブ画素（Ｐ３）もまた第２発光層６００が発光する。第３サブ画素（Ｐ３）は、第２電極５３０が第１電極３３０に接続するので、第２電極５３０と第１電極３３０が電気的に接続する。第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０に第３高電位電圧が印加されると、第３サブ画素（Ｐ３）の第２電極５３０は、第１電極３３０と同じ第３高電位電圧が印加され得る。これにより、第３サブ画素（Ｐ３）は、第１電極３３０と第２電極５３０間に備えられた第１発光層４３０が発光しない。
【００９８】
一方、第３サブ画素（Ｐ３）は、第２電極５３０に第３高電位電圧が印加され、第３電極７００に低電位電圧が印加されると、第２電極５３０と第３電極７００間に備えられた第２発光層６００が所定の電流によって所定の明るさで発光する。
【００９９】
すなわち、第１サブ画素（Ｐ１）及び第３サブ画素（Ｐ３）は、両方とも第２発光層６００で同じ色の光が発光する。本発明の一実施例に係る表示装置１００は、カラーフィルタ９００を介して第１サブ画素（Ｐ１）と第３サブ画素（Ｐ３）で、異なる色の光が放出されるようにする。例えば、第１サブ画素（Ｐ１）は、赤色カラーフィルタを介して赤色光を放出し、第３サブ画素（Ｐ３）は、緑色カラーフィルタを介して緑色光を放出することができる。
【０１００】
第２サブ画素（Ｐ２）は、第１発光層４２０が発光する。第２サブ画素（Ｐ２）は、第２電極５２０がパッド（ＰＡＤ）に接続され、第３電極７００が第２電極５２０に接続される。第２サブ画素（Ｐ２）の第２電極５２０にパッド（ＰＡＤ）から低電位電圧が印加されると、第３電極７００は、第２電極５２０と同じ低電位電圧が印加される。これにより、第２サブ画素（Ｐ２）は、第２電極５２０と第３電極７００間に備えられた第２発光層６００が発光しない。
【０１０１】
一方、第２サブ画素（Ｐ２）は、第１電極３２０に第２高電位電圧が印加され、第２電極５２０に低電位電圧が印加されると、第１電極３２０と第２電極５２０間に備えられた第１発光層４２０が所定の電流によって所定の明るさで発光する。
【０１０２】
例えば、第１発光層４２０は、青色光を発する青色発光層であり得る。このような場合には、表示装置１００は、第２サブ画素（Ｐ２）に対応する位置に別途のカラーフィルタを備えずに、青色サブ画素を具現することができる。
【０１０３】
上述したように、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、第１サブ画素（Ｐ１）及び第３サブ画素（Ｐ３）で第２発光層６００のみを発光させ、第２サブ画素（Ｐ２）で第１発光層４２０のみを発光させることができる。これにより、本発明の一実施例に係る表示装置１００は、すべてのサブ画素で、第１発光層４１０、４２０、４３０及び第２発光層６００のすべてを発光させる構成と比較して、消費電力を顕著に減らすことができる。
【０１０４】
図８は、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図９Ａ〜図９Ｋは、本発明の一実施例に係る表示装置の製造方法を説明するための第１から第１１の断面図である。
【０１０５】
まず、図９Ａに示すように、第１基板１１１上に回路素子層２００を形成する（Ｓ８０１）。
【０１０６】
より詳細には、第１基板１１１上に駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）を形成するために、第１基板１１１上にアクティブ層を形成する。アクティブ層はシリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成することができる。
【０１０７】
アクティブ層上にはゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多層膜で形成することができる。
【０１０８】
ゲート絶縁膜上にはゲート電極を形成する。ゲート電極は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のいずれか、またはこれらの合金により形成される単一層または積層であり得るが、これに限定されない。
【０１０９】
ゲート電極上には層間絶縁膜を形成することができる。層間絶縁膜は、無機膜、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの多層膜で形成することができる。
【０１１０】
層間絶縁膜上にはソース電極とドレイン電極を形成する。ソース電極とドレイン電極のそれぞれは、ゲート絶縁膜と層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを介してアクティブ層に接続され得る。ソース電極とドレイン電極のそれぞれは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のいずれか、またはこれらの合金により形成される単一層または積層であり得るが、これに限定されない。
【０１１１】
ソース電極とドレイン電極上には保護膜を形成する。保護膜は、無機膜、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多層膜で形成し得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０１１２】
保護膜上には平坦化膜を形成することができる。平坦化膜は、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）、ポリイミド樹脂（polyimide resin）などの有機膜で形成することができる。
【０１１３】
次に、図９Ｂに示すように、補助電極３４０、３５０、３６０及びバンク３７０を形成する（Ｓ８０２）。
【０１１４】
より詳細には、回路素子層２００上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに補助電極３４０、３５０、３６０をパターン形成する。補助電極３４０、３５０、３６０は、コンタクトホール（ＣＨ）を介して駆動薄膜トランジスタ（図５に示すＴＦＴ）のソース電極またはドレイン電極に接続され得る。場合によっては、補助電極３４０、３５０、３６０は省略され得る。
【０１１５】
そして、補助電極３４０、３５０、３６０のそれぞれの端を覆うようにバンク３７０を形成する。バンク３７０は、比較的薄い無機絶縁膜からなり得るが、これに限定されるものではない。バンク３７０は、比較的厚い有機絶縁膜からなることもできる。
【０１１６】
次に、図９Ｃに示すように、第１電極３１０、３２０、３３０を形成する（Ｓ８０３）。
【０１１７】
より詳細には、補助電極３４０、３５０、３６０及びバンク３７０上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに、第１電極３１０、３２０、３３０をパターン形成する。ここで、第１電極３１０、３２０、３３０は、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）のそれぞれで異なる面積を有するように形成することができる。
【０１１８】
第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０は、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０よりも大きい面積を有することができる。例えば、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０は、回路素子層２００の上面のみならず、バンク３７０の側面まで形成することができる。
【０１１９】
一方、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、回路素子層２００の上面のみに形成され得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、回路素子層２００の上面とバンク３７０の側面にも形成することができる。ここで、第２サブ画素（Ｐ２）の第１電極３２０は、第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０と第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０よりも小さい面積を有しなければならないので、バンク３７０の側面で第１サブ画素（Ｐ１）の第１電極３１０または第３サブ画素（Ｐ３）の第１電極３３０よりも小さく形成され得る。
【０１２０】
このような第１電極３１０、３２０、３３０は、透明な導電性物質、半透過導電性物質または反射率の高い金属物質からなり得る。表示装置１００が上部発光方式である場合には、第１電極３１０、３２０、３３０は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、Ａｇ合金、及びＡｇ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質で形成することができる。Ａｇ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）などの合金であり得る。表示装置１００が下部発光方式である場合には、第１電極３１０、３２０、３３０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯに代表される透明な導電性物質、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、若しくはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過導電性物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成され得る。このような第１電極３１０、３２０、３３０は、アノード電極であり得る。
【０１２１】
第１電極３１０、３２０、３３０は、スパッタリング法（sputtering）のような物理的な気相蒸着法（physics vapor deposition）で形成され得る。
【０１２２】
次に、図９Ｄに示すように、逆テーパー構造物３８０を形成する（Ｓ８０４）。より詳細には、バンク３７０上に下面が上面よりも小さい面積を有する逆テーパー構造物３８０を形成する。ここで、下面はバンク３７０と接触する面である。
【０１２３】
逆テーパー構造物３８０は、第１電極３１０、３２０、３３０の間に形成することができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。逆テーパー構造物３８０は、第１電極３１０、３２０、３３０の端と重畳することもできる。
【０１２４】
次に、図９Ｅに示すように、第１発光層４１０、４２０、４３０を形成する（Ｓ８０５）。
【０１２５】
より詳細には、第１電極３１０、３２０、３３０、及び逆テーパー構造物３８０上に第１発光層４１０、４２０、４３０を形成する。第１発光層４１０、４２０、４３０は、蒸着工程または溶液工程で形成することができる。第１発光層４１０、４２０、４３０が蒸着工程で形成される場合には、蒸発蒸着法（Evaporation）を用いて形成することができる。
【０１２６】
第１発光層４１０、４２０、４３０は、逆テーパー構造物３８０によって、第１サブ画素（Ｐ１）、第２サブ画素（Ｐ２）及び第３サブ画素（Ｐ３）間で断絶され得る。また、第１及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ３）のそれぞれの第１発光層４１０、４３０は、逆テーパー構造物３８０によって、第１電極３１０、３３０の端に形成されないことがあり得る。これにより、第１及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ３）のそれぞれの第１電極３１０、３３０は、端が露出され得る。
【０１２７】
第１発光層４１０、４２０、４３０は、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層、青色光を発する青色発光層及び黄色光を発する黄色発光層のいずれかであり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０１２８】
次に、図９Ｆに示すように、第２電極５１０、５２０、５３０を形成する（Ｓ８０６）。
【０１２９】
より詳細には、第１発光層４１０、４２０、４３０、及び逆テーパー構造物３８０上に第２電極５１０、５２０、５３０を形成する。第２電極５１０、５２０、５３０は、スパッタリング法（sputtering）のような物理的な気相蒸着法（ＰＶＤ、Physical Vapor Deposition）で形成され得る。スパッタリング法のような物理的気相蒸着法で形成された膜はステップカバレッジ（step coverage）特性が優れている。したがって、第２電極５１０、５２０、５３０は、蒸発蒸着法（Evaporation）を用いて形成された第１発光層４１０、４２０、４３０よりも広い面積で形成することができる。これにより、第１及び第３サブ画素（Ｐ１、Ｐ３）では、第２電極５１０、５３０が第１発光層４１０、４３０によって覆われることなく露出した第１電極３１０、３３０に接続することができる。
【０１３０】
第２電極５１０、５２０、５３０は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯに代表される透明な導電性物質、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過導電性物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成され得る。
【０１３１】
次に、図９Ｇに示すように、逆テーパー構造物３８０を除去する（Ｓ８０７）。
【０１３２】
そして、図９Ｈに示すように、第２発光層６００を形成する（Ｓ８０８）。
【０１３３】
より詳細には、第２電極５１０、５２０、５３０上に第２発光層６００を形成する。第２発光層６００は、蒸着工程または溶液工程で形成することができる。第２発光層６００が蒸着工程で形成される場合には、蒸発蒸着法（Evaporation）を用いて形成することができる。
【０１３４】
第２発光層６００は、第１サブ画素（Ｐ１）、第２サブ画素（Ｐ２）及び第３サブ画素（Ｐ３）間で相互に接続される。
【０１３５】
第２発光層６００は、赤色光を発する赤色発光層、緑色光を発する緑色発光層、青色光を発する青色発光層及び黄色光を発する黄色発光層のいずれかであり得るが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【０１３６】
ただし、第２発光層６００は、第１発光層４１０、４２０、４３０と異なる色の光を発することができる。第１発光層４１０、４２０、４３０が第１色の光を発する発光層である場合には、第２発光層６００は、第１色とは異なる第２色の光を発する発光層であり得る。例えば、第１発光層４１０、４２０、４３０は、青色光を発する青色発光層であり、第２発光層６００は、黄色光を発する黄色発光層であり得る。
【０１３７】
次に、図９Ｉに示すように、第３電極７００を形成する（Ｓ８０９）。
【０１３８】
より詳細には、第２発光層６００上に第３電極７００を形成する。第３電極７００は、スパッタリング法（sputtering）のような物理的な気相蒸着法（ＰＶＤ）で形成され得る。または第３電極７００は、蒸発蒸着法（Evaporation）を用いて形成することもできる。
【０１３９】
第３電極７００は、透明な導電性物質、半透過導電性物質または反射率の高い金属物質からなり得る。表示装置１００が上部発光方式である場合には、第３電極７００は、光を透過させることができるＩＴＯ、ＩＺＯのようなＴＣＯに代表される透明な導電性物質、またはマグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、若しくはマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）の合金のような半透過導電性物質（Semi-transmissive Conductive Material）で形成され得る。表示装置１００が下部発光方式である場合には、第３電極７００は、アルミニウムとチタンの積層構造（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）、アルミニウムとＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯ）、Ａｇ合金、及びＡｇ合金とＩＴＯの積層構造（ＩＴＯ／Ａｇ合金／ＩＴＯ）のような反射率の高い金属物質で形成することができる。Ａｇ合金は、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び銅（Ｃｕ）などの合金であり得る。このような第３電極７００は、カソード電極であり得る。
【０１４０】
次に、図９Ｊに示すように、封止層８００を形成する（Ｓ８１０）。
【０１４１】
より詳細には、第３電極７００上に封止層８００を形成する。封止層８００は、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜を含むことができる。第３電極７００上に第１無機膜を形成することができる。第１無機膜は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。第１無機膜は、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法で蒸着され得るが、これらに限定されるものではない。
【０１４２】
そして、第１無機膜上に有機膜を形成することができる。有機膜は、有機物質、例えば、アクリル樹脂（acryl resin）、エポキシ樹脂（epoxy resin）、フェノール樹脂（phenolic resin）、ポリアミド樹脂（polyamide resin）またはポリイミド樹脂（polyimide resin）で形成され得る。
【０１４３】
そして、有機膜上に第２無機膜を形成することができる。第２無機膜は、シリコン窒化物、窒化アルミニウム、ジルコニウム窒化物、チタン窒化物、ハフニウム窒化物、タンタル窒化物、シリコン酸化物、アルミニウム酸化物またはチタン酸化物で形成され得る。第２無機膜は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で蒸着され得るが、これらに限定されるものではない。
【０１４４】
次に、図９Ｋに示すように、カラーフィルタ９００を形成する（Ｓ８１１）。
【０１４５】
より詳細には、封止層８００上に第１カラーフィルタ（ＣＦ１）及び第２カラーフィルタ（ＣＦ２）を形成する。第１カラーフィルタ（ＣＦ１）は、第１サブ画素（Ｐ１）に対応するように配置され、第２カラーフィルタ（ＣＦ２）は、第３サブ画素（Ｐ３）に対応するように配置され得る。
【０１４６】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、本発明の他の実施例に係る表示装置を示すものであり、具体的にはヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置を示すものである。
【０１４７】
図１０Ａはヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置の概略的な斜視図である。図１０Ｂは、ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置のＶＲ構造の概略的な平面図である。図１０Ｃは、ヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置のＡＲ（Augmented Reality）構造の概略的な断面図である。
【０１４８】
図１０Ａに示すように、本発明に係るヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は、収納ケース１０と、ヘッド装着バンド３０を含む。
【０１４９】
収納ケース１０は、その内部に表示装置、レンズアレイ、及び接眼レンズなどの構成を収納している。
【０１５０】
ヘッド装着バンド３０は、収納ケース１０に固定される。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成された例を示したが、これに限定されるものではない。ヘッド装着バンド３０は、使用者の頭にヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置を固定するためのものであり、メガネフレーム形態やヘルメット形態の構造物に代替することができる。
【０１５１】
図１０Ｂに示すように、本発明に係るＶＲ構造のヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は、右眼用表示装置１１、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ及び右眼接眼レンズ２０ｂを含む。
【０１５２】
右眼用表示装置１１、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ及び右眼接眼レンズ２０ｂは、収納ケース１０に収納されている。
【０１５３】
右眼用表示装置１１及び左眼用表示装置１２は、同じ映像を表示することができ、この場合には、使用者は、２Ｄ映像を視聴することができる。または、左眼用表示装置１２は左眼映像を表示して、右眼用表示装置１１は右眼映像を表示することができ、この場合には、使用者は、立体映像を視聴することができる。右眼用表示装置１１及び左眼用表示装置１２のそれぞれは、図１〜図７に示す表示装置により実現される。ここで、図１〜図７に画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、カラーフィルタ９００が、レンズアレイ１３と対向することになる。
【０１５４】
レンズアレイ１３は、右眼用表示装置１１及び左眼用表示装置１２のそれぞれと離隔し、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２の間に備えることができる。すなわち、レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａの前方且つ左眼用表示装置１２の後方に位置することができる。また、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１のそれぞれと離隔し、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１の間に備えることができる。すなわち、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂの前方且つ右眼用表示装置１１の後方に位置することができる。
【０１５５】
レンズアレイ１３は、マイクロレンズアレイ（Micro Lens Array）であり得る。レンズアレイ１３は、ピンホールアレイ（Pin Hole Array）に代替することができる。レンズアレイ１３により、左眼用表示装置１２または右眼用表示装置１１に表示される映像は、使用者に拡大されて視認され得る。
【０１５６】
左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼（ＬＥ）が位置し、右眼接眼レンズ２０ｂには、使用者の右眼（ＲＥ）が位置することができる。
【０１５７】
図１０Ｃに示すように、本発明に係るＡＲ（Augmented Reality）構造のヘッドマウント表示（ＨＭＤ）装置は、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４及び透過窓１５を含む。図１０Ｃは、便宜上、左内側の構成のみを示すが、右内側の構成も左内側の構成と同じである。
【０１５８】
左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４及び透過窓１５は、収納ケース１０に収納される。
【０１５９】
左眼用表示装置１２は、透過窓１５を覆うことなく、透過反射部１４の一方、例として上側に位置することができる。これにより、左眼用表示装置１２が透過窓１５を介して見える外部の背景を遮ることなく、透過反射部１４に映像を提供することができる。
【０１６０】
左眼用表示装置１２は、図１〜図７に示す表示装置により実現される。ここで、図１〜図７に画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、カラーフィルタ９００が透過反射部１４と対向することになる。
【０１６１】
レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａと透過反射部１４の間に位置することができる。
【０１６２】
左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼が位置することができる。
【０１６３】
透過反射部１４は、レンズアレイ１３と透過窓１５の間に配置される。透過反射部１４は、光の一部を透過させ、光の他の一部を反射させる反射面１４ａを含むことができる。反射面１４ａは、左眼用表示装置１２に示される映像が、レンズアレイ１３に進むように形成される。したがって、使用者は、透過窓１５を介して、外部の背景と左眼用表示装置１２によって表示される映像の両方を見ることができる。つまり、使用者は現実の背景と仮想の映像を重ねて１つの映像として見ることができるので、ＡＲを実現することができる。
【０１６４】
透過窓１５は、使用者から見て透過反射部１４の前方に配置されている。
【０１６５】
以上、添付した図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示した実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１６６】
１０  収納ケース
１１  右眼用表示装置
１２  左眼用表示装置
１３  レンズアレイ
１４  透過反射部
１４ａ  反射面
１５  透過窓
２０ａ  左眼接眼レンズ
２０ｂ  右眼接眼レンズ
３０  ヘッド装着バンド
１００  表示装置
１１０  表示パネル
１１１  第１基板
１１２  第２基板
１４０  ソースドライブＩＣ
１５０  軟性フィルム
１６０  回路基板
１７０  タイミング制御部
２００  回路素子層
３００，３１０，３２０，３３０  第１電極
３４０，３５０，３６０  補助電極
３７０  バンク
３８０  逆テーパー構造物
４００，４１０，４２０，４３０  第１発光層
５００，５１０，５２０，５３０  第２電極
６００  第２発光層
７００  第３電極
８００  封止層
９００  カラーフィルタ
【図１】
2020087911.tif 000003
【図２】
2020087911.tif 000004
【図３】
2020087911.tif 000005
【図４】
2020087911.tif 000006
【図５】
2020087911.tif 000007
【図６】
2020087911.tif 000008
【図７】
2020087911.tif 000009
【図８】
2020087911.tif 000010
【図９Ａ】
2020087911.tif 000011
【図９Ｂ】
2020087911.tif 000012
【図９Ｃ】
2020087911.tif 000013
【図９Ｄ】
2020087911.tif 000014
【図９Ｅ】
2020087911.tif 000015
【図９Ｆ】
2020087911.tif 000016
【図９Ｇ】
2020087911.tif 000017
【図９Ｈ】
2020087911.tif 000018
【図９Ｉ】
2020087911.tif 000019
【図９Ｊ】
2020087911.tif 000020
【図９Ｋ】
2020087911.tif 000021
【図１０Ａ】
2020087911.tif 000022
【図１０Ｂ】
2020087911.tif 000023
【図１０Ｃ】
2020087911.tif 000024