(57)【要約】【課題】簡易な構成にて有害物質の外部への排出を防止することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】チャンバー内の気体を排出するガス排気管の経路途中にトラップボックス９０が設けられる。チャンバー内での加熱処理によって半導体ウェハーから放出されたヒ素を含む気体がトラップボックス９０に流入してラジエーター９２によって冷却されることにより、ヒ素が固体として析出する。冷却された気体流がトラッププレート９５に衝突することにより、析出したヒ素がトラッププレート９５に付着して捕獲される。ヒ素が捕獲されて除去された無害な気体が装置外部に排出される。筐体９１の内部にラジエーター９２およびトラッププレート９５を設けるという簡易な構成によって有害物質の外部への排出を防止することができる。【選択図】図９
2020021831.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱する熱処理装置であって、
基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内に収容された前記基板を加熱する加熱源と、
前記チャンバー内の雰囲気を排出する排気経路と、
前記排気経路に設けられ、前記雰囲気中に含まれる物質を捕獲するトラップ部と、
を備え、
前記トラップ部は、筐体の内部に当該筐体を通過する気流を冷却する冷却部を設けることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理装置において、
前記トラップ部は、前記冷却部によって冷却された気流が衝突するトラップ板を前記筐体の内部にさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の熱処理装置において、
前記トラップ部は、前記冷却部が前記気流を冷却することによって析出した前記物質を付着させる捕集基板を収容する収容部を前記筐体の内部にさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記加熱源は、基板に光を照射して加熱するランプを備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理装置において、
前記物質はヒ素であることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハー等の薄板状精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）を光照射等によって加熱する熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、極めて短時間で半導体ウェハーを加熱するフラッシュランプアニール（ＦＬＡ）が注目されている。フラッシュランプアニールは、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光を照射することにより、半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリ秒以下）に昇温させる熱処理技術である。
【０００３】
キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリ秒以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。
【０００４】
このようなフラッシュランプアニールは、極短時間の加熱が必要とされる処理、例えば典型的には半導体ウェハーに注入された不純物の活性化に利用される。イオン注入法によって不純物が注入された半導体ウェハーの表面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射すれば、当該半導体ウェハーの表面を極短時間だけ活性化温度にまで昇温することができ、不純物を深く拡散させることなく、不純物活性化のみを実行することができるのである。
【０００５】
一方、半導体デバイスは典型的にはシリコンを用いて形成されるのであるが、微細化の限界を迎えつつある近年においては、シリコンに代わる材料にて半導体デバイスを形成する試みも盛んである。ゲルマニウムやガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の半導体は、シリコンよりも移動度が高く、これらの材料を用いてトランジスタを形成すればシリコンよりも高い性能を有した半導体デバイスの製作が可能である。例えば、特許文献１には、ガリウムヒ素の半導体薄膜に錫、ゲルマニウム、鉛等を含有させたものにフラッシュランプアニールを行うことにより、高キャリア移動度および高品質の半導体薄膜を得ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２５２１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ガリウムヒ素の半導体を４００℃以上に加熱するとヒ素（Ａｓ）が外方拡散によって半導体薄膜から放出されることが判明している。フラッシュランプアニールにおいても、短時間ではあるものの半導体薄膜が４００℃以上の温度域に到達するため、外方拡散によるヒ素の放出が懸念される。ヒ素は、微量でも有害であることが知られている。
【０００８】
このため、加熱時に放出されたヒ素をフラッシュランプアニール装置から外部に排出しないようにすることが求められる。一般的には、ヒ素等の有害物質を大気中に放散させないための対策として、工場排気にスクラバや除外装置が接続されている。しかし、このようなスクラバや除外装置をフラッシュランプアニール装置に組み込むことは、コストパフォーマンスおよびフットプリントの観点から現実的ではない。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成にて有害物質の外部への排出を防止することができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を加熱する熱処理装置において、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内に収容された前記基板を加熱する加熱源と、前記チャンバー内の雰囲気を排出する排気経路と、前記排気経路に設けられ、前記雰囲気中に含まれる物質を捕獲するトラップ部と、を備え、前記トラップ部は、筐体の内部に当該筐体を通過する気流を冷却する冷却部を設けることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記トラップ部は、前記冷却部によって冷却された気流が衝突するトラップ板を前記筐体の内部にさらに備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記トラップ部は、前記冷却部が前記気流を冷却することによって析出した前記物質を付着させる捕集基板を収容する収容部を前記筐体の内部にさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記加熱源は、基板に光を照射して加熱するランプを備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理装置において、前記物質はヒ素であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１から請求項５の発明によれば、排気経路に設けられたトラップ部は、筐体の内部に当該筐体を通過する気流を冷却する冷却部を設けるため、雰囲気中に含まれる物質を固体として析出させて捕獲することができ、簡易な構成にて有害物質の外部への排出を防止することができる。
【００１６】
特に、請求項２の発明によれば、トラップ部は、冷却部によって冷却された気流が衝突するトラップ板を備えるため、有害物質をより確実に捕獲することができる。
【００１７】
特に、請求項３の発明によれば、トラップ部は、冷却部が気流を冷却することによって析出した物質を付着させる捕集基板を収容する収容部を備えるため、捕集基板を分析することによって有害物質の捕獲を確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る熱処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図２】保持部の全体外観を示す斜視図である。
【図３】サセプタの平面図である。
【図４】サセプタの断面図である。
【図５】移載機構の平面図である。
【図６】移載機構の側面図である。
【図７】複数のハロゲンランプの配置を示す平面図である。
【図８】トラップボックスの構成を示す斜視図である。
【図９】トラップボックスの正面図である。
【図１０】トラップボックスの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す縦断面図である。図１の熱処理装置１は、基板として円板形状の半導体ウェハーＷに対してフラッシュ光照射を行うことによってその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。処理対象となる半導体ウェハーＷのサイズは特に限定されるものではないが、例えばφ３００ｍｍやφ４５０ｍｍである（本実施形態ではφ３００ｍｍ）。熱処理装置１に搬入される前の半導体ウェハーＷには、ガリウムヒ素の半導体薄膜が形成されており、熱処理装置１による加熱処理によってガリウムヒ素に注入された不純物の活性化が実行される。なお、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２１】
熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容するチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するフラッシュ加熱部５と、複数のハロゲンランプＨＬを内蔵するハロゲン加熱部４と、を備える。チャンバー６の上側にフラッシュ加熱部５が設けられるとともに、下側にハロゲン加熱部４が設けられている。また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部に、半導体ウェハーＷを水平姿勢に保持する保持部７と、保持部７と装置外部との間で半導体ウェハーＷの受け渡しを行う移載機構１０と、を備える。また、熱処理装置１は、チャンバー６から排気される気体から有害物質であるヒ素を除去するトラップボックス９０を備える。さらに、熱処理装置１は、ハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。
【００２２】
チャンバー６は、筒状のチャンバー側部６１の上下に石英製のチャンバー窓を装着して構成されている。チャンバー側部６１は上下が開口された概略筒形状を有しており、上側開口には上側チャンバー窓６３が装着されて閉塞され、下側開口には下側チャンバー窓６４が装着されて閉塞されている。チャンバー６の天井部を構成する上側チャンバー窓６３は、石英により形成された円板形状部材であり、フラッシュ加熱部５から出射されたフラッシュ光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。また、チャンバー６の床部を構成する下側チャンバー窓６４も、石英により形成された円板形状部材であり、ハロゲン加熱部４からの光をチャンバー６内に透過する石英窓として機能する。
【００２３】
また、チャンバー側部６１の内側の壁面の上部には反射リング６８が装着され、下部には反射リング６９が装着されている。反射リング６８，６９は、ともに円環状に形成されている。上側の反射リング６８は、チャンバー側部６１の上側から嵌め込むことによって装着される。一方、下側の反射リング６９は、チャンバー側部６１の下側から嵌め込んで図示省略のビスで留めることによって装着される。すなわち、反射リング６８，６９は、ともに着脱自在にチャンバー側部６１に装着されるものである。チャンバー６の内側空間、すなわち上側チャンバー窓６３、下側チャンバー窓６４、チャンバー側部６１および反射リング６８，６９によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。
【００２４】
チャンバー側部６１に反射リング６８，６９が装着されることによって、チャンバー６の内壁面に凹部６２が形成される。すなわち、チャンバー側部６１の内壁面のうち反射リング６８，６９が装着されていない中央部分と、反射リング６８の下端面と、反射リング６９の上端面とで囲まれた凹部６２が形成される。凹部６２は、チャンバー６の内壁面に水平方向に沿って円環状に形成され、半導体ウェハーＷを保持する保持部７を囲繞する。チャンバー側部６１および反射リング６８，６９は、強度と耐熱性に優れた金属材料（例えば、ステンレススチール）にて形成されている。
【００２５】
また、チャンバー側部６１には、チャンバー６に対して半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部（炉口）６６が形設されている。搬送開口部６６は、ゲートバルブ１８５によって開閉可能とされている。搬送開口部６６は凹部６２の外周面に連通接続されている。このため、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を開放しているときには、搬送開口部６６から凹部６２を通過して熱処理空間６５への半導体ウェハーＷの搬入および熱処理空間６５からの半導体ウェハーＷの搬出を行うことができる。また、ゲートバルブ１８５が搬送開口部６６を閉鎖するとチャンバー６内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。
【００２６】
さらに、チャンバー側部６１には、貫通孔６１ａが穿設されている。チャンバー側部６１の外壁面の貫通孔６１ａが設けられている部位には放射温度計２０が取り付けられている。貫通孔６１ａは、後述するサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から放射された赤外光を放射温度計２０に導くための円筒状の孔である。貫通孔６１ａは、その貫通方向の軸がサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの主面と交わるように、水平方向に対して傾斜して設けられている。貫通孔６１ａの熱処理空間６５に臨む側の端部には、放射温度計２０が測定可能な波長領域の赤外光を透過させるフッ化バリウム材料からなる透明窓２１が装着されている。
【００２７】
また、チャンバー６の内壁上部には熱処理空間６５に処理ガスを供給するガス供給孔８１が形設されている。ガス供給孔８１は、凹部６２よりも上側位置に形設されており、反射リング６８に設けられていても良い。ガス供給孔８１はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８２を介してガス供給管８３に連通接続されている。ガス供給管８３は処理ガス供給源８５に接続されている。また、ガス供給管８３の経路途中には給気バルブ８４が介挿されている。給気バルブ８４が開放されると、処理ガス供給源８５から緩衝空間８２に処理ガスが送給される。緩衝空間８２に流入した処理ガスは、ガス供給孔８１よりも流体抵抗の小さい緩衝空間８２内を拡がるように流れてガス供給孔８１から熱処理空間６５内へと供給される。処理ガスとしては、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガス、または、水素（Ｈ２）、アンモニア（ＮＨ３）等の反応性ガス、或いはそれらを混合した混合ガスを用いることができる（本実施形態では窒素ガス）。
【００２８】
一方、チャンバー６の内壁下部には熱処理空間６５内の気体を排気するガス排気孔８６が形設されている。ガス排気孔８６は、凹部６２よりも下側位置に形設されており、反射リング６９に設けられていても良い。ガス排気孔８６はチャンバー６の側壁内部に円環状に形成された緩衝空間８７を介してガス排気管８８に連通接続されている。ガス排気管８８は排気部１９０に接続されている。また、ガス排気管８８の経路途中には排気バルブ８９およびトラップボックス９０が介挿されている。排気バルブ８９が開放されると、熱処理空間６５の気体がガス排気孔８６から緩衝空間８７を経てガス排気管８８へと排出される。なお、ガス供給孔８１およびガス排気孔８６は、チャンバー６の周方向に沿って複数設けられていても良いし、スリット状のものであっても良い。
【００２９】
排気部１９０としては、真空ポンプや熱処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気部１９０として真空ポンプを採用し、給気バルブ８４を閉止してガス供給孔８１から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー６内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気部１９０として真空ポンプを用いていない場合であっても、ガス供給孔８１からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー６内を大気圧未満の気圧に減圧することができる。
【００３０】
図８は、トラップボックス９０の構成を示す斜視図である。また、図９はトラップボックス９０の正面図であり、図１０はトラップボックス９０の平面図である。図８〜図１０の各図においては、それらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００３１】
トラップボックス９０は、ガス排気管８８の経路途中に設けられている。トラップボックス９０の設置位置は特に限定されるものではないが、ガス排気管８８の経路途中において可能な限りチャンバー６のガス排気孔８６の近くに設けるのが好ましい。
【００３２】
トラップボックス９０は、筐体９１の内部に、主たる構成要素としてラジエーター９２、トラッププレート９５およびウェハー収容部９６を備える。筐体９１は、中空の直方体形状の箱である。筐体９１には、内部に気体を取り入れる給気口９７および内部の気体を排出する排気口９８が設けられている。給気口９７および排気口９８は、チャンバー６から排出された気体を導くガス排気管８８に接続される。
【００３３】
ラジエーター９２は、筐体９１の内部空間を隔てるように、筐体９１の断面（ＹＺ断面）の全面に設けられている。ラジエーター９２は、複数の冷却管９３、図示を省略するタンクおよび循環ポンプを備える。複数の冷却管９３は、所定の間隔を隔てて平行に並べて配置されている。複数の冷却管９３のそれぞれは、熱伝導性に優れた材質、例えばアルミニウムによって形成されている。タンクに貯留されている所定温度に温調された冷却液（例えば、冷却水）が循環ポンプによって複数の冷却管９３内を流れて循環されるように構成されている。複数の冷却管９３の間を通る気体は冷却液が流れる冷却管９３によって冷却されることとなる。ラジエーター９２は、筐体９１の断面全面に設けられているため、筐体９１を通過する気流全体を冷却する。なお、ラジエーター９２の冷却効率を高めるために、冷却管９３は表面積の大きな蛇行形状とされていていても良いし、複数の冷却管９３が格子状に配置されていても良い。
【００３４】
トラッププレート９５は、筐体９１の内部にてラジエーター９２と平行に設けられた板状部材である。図８および図９に示すように、トラッププレート９５は、筐体９１の断面（ＹＺ断面）の上部を遮蔽するように設けられている。従って、トラッププレート９５が設置された筐体９１の断面において、トラッププレート９５の下方は開放されている。トラッププレート９５の材質は特に限定されるものではないが、例えば塩化ビニル樹脂を用いることができる。
【００３５】
ラジエーター９２およびトラッププレート９５は、筐体９１に対して着脱可能に設けられている。従って、必要に応じてラジエーター９２およびトラッププレート９５を交換することが可能である。
【００３６】
ウェハー収容部９６は、筐体９１の内部にてトラッププレート９５の下方に設置されている。ウェハー収容部９６は、トラッププレート９５の下方にて計測用ウェハーＭＷを水平姿勢に載置する。つまり、ウェハー収容部９６は、トラッププレート９５と垂直に計測用ウェハーＭＷを載置する。計測用ウェハーＭＷは、一般的な半導体ウェハーＷと同じ形状およびサイズを有するシリコン基板である。但し、計測用ウェハーＭＷには、パターン形成や成膜処理はなされていない。
【００３７】
図２は、保持部７の全体外観を示す斜視図である。保持部７は、基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４を備えて構成される。基台リング７１、連結部７２およびサセプタ７４はいずれも石英にて形成されている。すなわち、保持部７の全体が石英にて形成されている。
【００３８】
基台リング７１は円環形状から一部が欠落した円弧形状の石英部材である。この欠落部分は、後述する移載機構１０の移載アーム１１と基台リング７１との干渉を防ぐために設けられている。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されることによって、チャンバー６の壁面に支持されることとなる（図１参照）。基台リング７１の上面に、その円環形状の周方向に沿って複数の連結部７２（本実施形態では４個）が立設される。連結部７２も石英の部材であり、溶接によって基台リング７１に固着される。
【００３９】
サセプタ７４は基台リング７１に設けられた４個の連結部７２によって支持される。図３は、サセプタ７４の平面図である。また、図４は、サセプタ７４の断面図である。サセプタ７４は、保持プレート７５、ガイドリング７６および複数の基板支持ピン７７を備える。保持プレート７５は、石英にて形成された略円形の平板状部材である。保持プレート７５の直径は半導体ウェハーＷの直径よりも大きい。すなわち、保持プレート７５は、半導体ウェハーＷよりも大きな平面サイズを有する。
【００４０】
保持プレート７５の上面周縁部にガイドリング７６が設置されている。ガイドリング７６は、半導体ウェハーＷの直径よりも大きな内径を有する円環形状の部材である。例えば、半導体ウェハーＷの直径がφ３００ｍｍの場合、ガイドリング７６の内径はφ３２０ｍｍである。ガイドリング７６の内周は、保持プレート７５から上方に向けて広くなるようなテーパ面とされている。ガイドリング７６は、保持プレート７５と同様の石英にて形成される。ガイドリング７６は、保持プレート７５の上面に溶着するようにしても良いし、別途加工したピンなどによって保持プレート７５に固定するようにしても良い。或いは、保持プレート７５とガイドリング７６とを一体の部材として加工するようにしても良い。
【００４１】
保持プレート７５の上面のうちガイドリング７６よりも内側の領域が半導体ウェハーＷを保持する平面状の保持面７５ａとされる。保持プレート７５の保持面７５ａには、複数の基板支持ピン７７が立設されている。本実施形態においては、保持面７５ａの外周円（ガイドリング７６の内周円）と同心円の周上に沿って３０°毎に計１２個の基板支持ピン７７が立設されている。１２個の基板支持ピン７７を配置した円の径（対向する基板支持ピン７７間の距離）は半導体ウェハーＷの径よりも小さく、半導体ウェハーＷの径がφ３００ｍｍであればφ２７０ｍｍ〜φ２８０ｍｍ（本実施形態ではφ２７０ｍｍ）である。それぞれの基板支持ピン７７は石英にて形成されている。複数の基板支持ピン７７は、保持プレート７５の上面に溶接によって設けるようにしても良いし、保持プレート７５と一体に加工するようにしても良い。
【００４２】
図２に戻り、基台リング７１に立設された４個の連結部７２とサセプタ７４の保持プレート７５の周縁部とが溶接によって固着される。すなわち、サセプタ７４と基台リング７１とは連結部７２によって固定的に連結されている。このような保持部７の基台リング７１がチャンバー６の壁面に支持されることによって、保持部７がチャンバー６に装着される。保持部７がチャンバー６に装着された状態においては、サセプタ７４の保持プレート７５は水平姿勢（法線が鉛直方向と一致する姿勢）となる。すなわち、保持プレート７５の保持面７５ａは水平面となる。
【００４３】
チャンバー６に搬入された半導体ウェハーＷは、チャンバー６に装着された保持部７のサセプタ７４の上に水平姿勢にて載置されて保持される。このとき、半導体ウェハーＷは保持プレート７５上に立設された１２個の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。より厳密には、１２個の基板支持ピン７７の上端部が半導体ウェハーＷの下面に接触して当該半導体ウェハーＷを支持する。１２個の基板支持ピン７７の高さ（基板支持ピン７７の上端から保持プレート７５の保持面７５ａまでの距離）は均一であるため、１２個の基板支持ピン７７によって半導体ウェハーＷを水平姿勢に支持することができる。
【００４４】
また、半導体ウェハーＷは複数の基板支持ピン７７によって保持プレート７５の保持面７５ａから所定の間隔を隔てて支持されることとなる。基板支持ピン７７の高さよりもガイドリング７６の厚さの方が大きい。従って、複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの水平方向の位置ずれはガイドリング７６によって防止される。
【００４５】
また、図２および図３に示すように、サセプタ７４の保持プレート７５には、上下に貫通して開口部７８が形成されている。開口部７８は、放射温度計２０が半導体ウェハーＷの下面から放射される放射光（赤外光）を受光するために設けられている。すなわち、放射温度計２０が開口部７８およびチャンバー側部６１の貫通孔６１ａに装着された透明窓２１を介して半導体ウェハーＷの下面から放射された光を受光して当該半導体ウェハーＷの温度を測定する。さらに、サセプタ７４の保持プレート７５には、後述する移載機構１０のリフトピン１２が半導体ウェハーＷの受け渡しのために貫通する４個の貫通孔７９が穿設されている。
【００４６】
図５は、移載機構１０の平面図である。また、図６は、移載機構１０の側面図である。移載機構１０は、２本の移載アーム１１を備える。移載アーム１１は、概ね円環状の凹部６２に沿うような円弧形状とされている。それぞれの移載アーム１１には２本のリフトピン１２が立設されている。移載アーム１１およびリフトピン１２は石英にて形成されている。各移載アーム１１は水平移動機構１３によって回動可能とされている。水平移動機構１３は、一対の移載アーム１１を保持部７に対して半導体ウェハーＷの移載を行う移載動作位置（図５の実線位置）と保持部７に保持された半導体ウェハーＷと平面視で重ならない退避位置（図５の二点鎖線位置）との間で水平移動させる。水平移動機構１３としては、個別のモータによって各移載アーム１１をそれぞれ回動させるものであっても良いし、リンク機構を用いて１個のモータによって一対の移載アーム１１を連動させて回動させるものであっても良い。
【００４７】
また、一対の移載アーム１１は、昇降機構１４によって水平移動機構１３とともに昇降移動される。昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて上昇させると、計４本のリフトピン１２がサセプタ７４に穿設された貫通孔７９（図２，３参照）を通過し、リフトピン１２の上端がサセプタ７４の上面から突き出る。一方、昇降機構１４が一対の移載アーム１１を移載動作位置にて下降させてリフトピン１２を貫通孔７９から抜き取り、水平移動機構１３が一対の移載アーム１１を開くように移動させると各移載アーム１１が退避位置に移動する。一対の移載アーム１１の退避位置は、保持部７の基台リング７１の直上である。基台リング７１は凹部６２の底面に載置されているため、移載アーム１１の退避位置は凹部６２の内側となる。なお、移載機構１０の駆動部（水平移動機構１３および昇降機構１４）が設けられている部位の近傍にも図示省略の排気機構が設けられており、移載機構１０の駆動部周辺の雰囲気がチャンバー６の外部に排出されるように構成されている。
【００４８】
図１に戻り、チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ加熱部５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、フラッシュ加熱部５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。フラッシュ加熱部５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状の石英窓である。フラッシュ加熱部５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３が上側チャンバー窓６３と相対向することとなる。フラッシュランプＦＬはチャンバー６の上方からランプ光放射窓５３および上側チャンバー窓６３を介して熱処理空間６５にフラッシュ光を照射する。
【００４９】
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。複数のフラッシュランプＦＬが配列される領域は半導体ウェハーＷの平面サイズよりも大きい。
【００５０】
キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、ハロゲンランプＨＬの如き連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。すなわち、フラッシュランプＦＬは、１秒未満の極めて短い時間で瞬間的に発光するパルス発光ランプである。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間は、フラッシュランプＦＬに電力供給を行うランプ電源のコイル定数によって調整することができる。
【００５１】
また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されている。
【００５２】
チャンバー６の下方に設けられたハロゲン加熱部４は、筐体４１の内側に複数本（本実施形態では４０本）のハロゲンランプＨＬを内蔵している。ハロゲン加熱部４は、複数のハロゲンランプＨＬによってチャンバー６の下方から下側チャンバー窓６４を介して熱処理空間６５への光照射を行って半導体ウェハーＷを加熱する。
【００５３】
図７は、複数のハロゲンランプＨＬの配置を示す平面図である。４０本のハロゲンランプＨＬは上下２段に分けて配置されている。保持部７に近い上段に２０本のハロゲンランプＨＬが配設されるとともに、上段よりも保持部７から遠い下段にも２０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。各ハロゲンランプＨＬは、長尺の円筒形状を有する棒状ランプである。上段、下段ともに２０本のハロゲンランプＨＬは、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように配列されている。よって、上段、下段ともにハロゲンランプＨＬの配列によって形成される平面は水平面である。
【００５４】
また、図７に示すように、上段、下段ともに保持部７に保持される半導体ウェハーＷの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域におけるハロゲンランプＨＬの配設密度が高くなっている。すなわち、上下段ともに、ランプ配列の中央部よりも周縁部の方がハロゲンランプＨＬの配設ピッチが短い。このため、ハロゲン加熱部４からの光照射による加熱時に温度低下が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部により多い光量の照射を行うことができる。
【００５５】
また、上段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群と下段のハロゲンランプＨＬからなるランプ群とが格子状に交差するように配列されている。すなわち、上段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向と下段に配置された２０本のハロゲンランプＨＬの長手方向とが互いに直交するように計４０本のハロゲンランプＨＬが配設されている。
【００５６】
ハロゲンランプＨＬは、ガラス管内部に配設されたフィラメントに通電することでフィラメントを白熱化させて発光させるフィラメント方式の光源である。ガラス管の内部には、窒素やアルゴン等の不活性ガスにハロゲン元素（ヨウ素、臭素等）を微量導入した気体が封入されている。ハロゲン元素を導入することによって、フィラメントの折損を抑制しつつフィラメントの温度を高温に設定することが可能となる。したがって、ハロゲンランプＨＬは、通常の白熱電球に比べて寿命が長くかつ強い光を連続的に照射できるという特性を有する。すなわち、ハロゲンランプＨＬは少なくとも１秒以上連続して発光する連続点灯ランプである。また、ハロゲンランプＨＬは棒状ランプであるため長寿命であり、ハロゲンランプＨＬを水平方向に沿わせて配置することにより上方の半導体ウェハーＷへの放射効率が優れたものとなる。
【００５７】
また、ハロゲン加熱部４の筐体４１内にも、２段のハロゲンランプＨＬの下側にリフレクタ４３が設けられている（図１）。リフレクタ４３は、複数のハロゲンランプＨＬから出射された光を熱処理空間６５の側に反射する。
【００５８】
制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行う回路であるＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。制御部３のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによって熱処理装置１における処理が進行する。
【００５９】
上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にハロゲンランプＨＬおよびフラッシュランプＦＬから発生する熱エネルギーによるハロゲン加熱部４、フラッシュ加熱部５およびチャンバー６の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６の壁体には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ハロゲン加熱部４およびフラッシュ加熱部５は、内部に気体流を形成して排熱する空冷構造とされている。また、上側チャンバー窓６３とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、フラッシュ加熱部５および上側チャンバー窓６３を冷却する。
【００６０】
次に、熱処理装置１における処理動作について説明する。まず、処理対象となる半導体ウェハーＷに対する熱処理の手順について説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷは、シリコンの基材上にガリウムヒ素の半導体薄膜が形成された半導体基板である。そのガリウムヒ素の半導体薄膜に注入された不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ光照射加熱処理（アニール）により実行される。以下に説明する半導体ウェハーＷの処理手順は、制御部３が熱処理装置１の各動作機構を制御することにより進行する。
【００６１】
まず、給気バルブ８４が開放されるとともに、排気バルブ８９が開放されてチャンバー６内に対する給排気が開始される。給気バルブ８４が開放されると、ガス供給孔８１から熱処理空間６５に窒素ガスが供給される。また、排気バルブ８９が開放されると、ガス排気孔８６からチャンバー６内の気体が排気される。これにより、チャンバー６内の熱処理空間６５の上部から供給された窒素ガスが下方へと流れ、熱処理空間６５の下部から排気される。
【００６２】
続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介して処理対象となる半導体ウェハーＷがチャンバー６内の熱処理空間６５に搬入される。このときには、半導体ウェハーＷの搬入にともなって装置外部の雰囲気を巻き込むおそれがあるが、チャンバー６には窒素ガスが供給され続けているため、搬送開口部６６から窒素ガスが流出して、そのような外部雰囲気の巻き込みを最小限に抑制することができる。
【００６３】
搬送ロボットによって搬入された半導体ウェハーＷは保持部７の直上位置まで進出して停止する。そして、移載機構１０の一対の移載アーム１１が退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２が貫通孔７９を通ってサセプタ７４の保持プレート７５の上面から突き出て半導体ウェハーＷを受け取る。このとき、リフトピン１２は基板支持ピン７７の上端よりも上方にまで上昇する。
【００６４】
半導体ウェハーＷがリフトピン１２に載置された後、搬送ロボットが熱処理空間６５から退出し、ゲートバルブ１８５によって搬送開口部６６が閉鎖される。そして、一対の移載アーム１１が下降することにより、半導体ウェハーＷは移載機構１０から保持部７のサセプタ７４に受け渡されて水平姿勢にて下方より保持される。半導体ウェハーＷは、保持プレート７５上に立設された複数の基板支持ピン７７によって支持されてサセプタ７４に保持される。また、半導体ウェハーＷは、ガリウムヒ素の半導体薄膜が形成された表面を上面として保持部７に保持される。複数の基板支持ピン７７によって支持された半導体ウェハーＷの裏面（表面とは反対側の主面）と保持プレート７５の保持面７５ａとの間には所定の間隔が形成される。サセプタ７４の下方にまで下降した一対の移載アーム１１は水平移動機構１３によって退避位置、すなわち凹部６２の内側に退避する。
【００６５】
半導体ウェハーＷが石英にて形成された保持部７のサセプタ７４によって水平姿勢にて下方より保持された後、ハロゲン加熱部４の４０本のハロゲンランプＨＬが一斉に点灯して予備加熱（アシスト加熱）が開始される。ハロゲンランプＨＬから出射されたハロゲン光は、石英にて形成された下側チャンバー窓６４およびサセプタ７４を透過して半導体ウェハーＷの下面に照射される。ハロゲンランプＨＬからの光照射を受けることによって半導体ウェハーＷが予備加熱されて温度が上昇する。なお、移載機構１０の移載アーム１１は凹部６２の内側に退避しているため、ハロゲンランプＨＬによる加熱の障害となることは無い。
【００６６】
ハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うときには、半導体ウェハーＷの温度が放射温度計２０によって測定されている。すなわち、サセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの下面から開口部７８を介して放射された赤外光を透明窓２１を通して放射温度計２０が受光して昇温中のウェハー温度を測定する。測定された半導体ウェハーＷの温度は制御部３に伝達される。制御部３は、ハロゲンランプＨＬからの光照射によって昇温する半導体ウェハーＷの温度が所定の予備加熱温度Ｔ１に到達したか否かを監視しつつ、ハロゲンランプＨＬの出力を制御する。すなわち、制御部３は、放射温度計２０による測定値に基づいて、半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１となるようにハロゲンランプＨＬの出力をフィードバック制御する。
【００６７】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した後、制御部３は半導体ウェハーＷをその予備加熱温度Ｔ１に暫時維持する。具体的には、放射温度計２０によって測定される半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達した時点にて制御部３がハロゲンランプＨＬの出力を調整し、半導体ウェハーＷの温度をほぼ予備加熱温度Ｔ１に維持している。
【００６８】
このようなハロゲンランプＨＬによる予備加熱を行うことによって、半導体ウェハーＷの全体を予備加熱温度Ｔ１に均一に昇温している。ハロゲンランプＨＬによる予備加熱の段階においては、より放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部の温度が中央部よりも低下する傾向にあるが、ハロゲン加熱部４におけるハロゲンランプＨＬの配設密度は、基板Ｗの中央部に対向する領域よりも周縁部に対向する領域の方が高くなっている。このため、放熱が生じやすい半導体ウェハーＷの周縁部に照射される光量が多くなり、予備加熱段階における半導体ウェハーＷの面内温度分布を均一なものとすることができる。
【００６９】
半導体ウェハーＷの温度が予備加熱温度Ｔ１に到達して所定時間が経過した時点にてフラッシュ加熱部５のフラッシュランプＦＬがサセプタ７４に保持された半導体ウェハーＷの表面にフラッシュ光照射を行う。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。
【００７０】
フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光（閃光）照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。すなわち、フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに注入された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに注入された不純物の熱による拡散を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。
【００７１】
フラッシュ加熱処理が終了した後、所定時間経過後にハロゲンランプＨＬが消灯する。これにより、半導体ウェハーＷが予備加熱温度Ｔ１から急速に降温する。降温中の半導体ウェハーＷの温度は放射温度計２０によって測定され、その測定結果は制御部３に伝達される。制御部３は、放射温度計２０の測定結果より半導体ウェハーＷの温度が所定温度まで降温したか否かを監視する。そして、半導体ウェハーＷの温度が所定以下にまで降温した後、移載機構１０の一対の移載アーム１１が再び退避位置から移載動作位置に水平移動して上昇することにより、リフトピン１２がサセプタ７４の上面から突き出て熱処理後の半導体ウェハーＷをサセプタ７４から受け取る。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、リフトピン１２上に載置された半導体ウェハーＷが装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの加熱処理が完了する。
【００７２】
ところで、本実施形態においては、ガリウムヒ素の半導体薄膜が形成された半導体ウェハーＷの加熱処理を行っている。ガリウムヒ素は４００℃以上に加熱されるとヒ素が外方拡散によって半導体薄膜から放出されることが知られている。上記の予備加熱温度Ｔ１が４００℃以上であると、ハロゲンランプＨＬによる予備加熱時に半導体ウェハーＷからヒ素が放出されることとなる。また、処理温度Ｔ２が４００℃以上であれば、短時間ではあるもののフラッシュランプＦＬによるフラッシュ加熱時にも半導体ウェハーＷからヒ素が放出される。半導体ウェハーＷから放出されたヒ素は気体としてチャンバー６内の熱処理空間６５に存在している。ヒ素は微量でも有害であり、半導体ウェハーＷから放出されたヒ素が熱処理装置１の外部に排出されないようする必要がある。
【００７３】
このため、熱処理装置１にはトラップボックス９０を設けている。排気バルブ８９が開放されると、ヒ素を含むチャンバー６内の雰囲気はガス排気孔８６からガス排気管８８へと排出される。ヒ素を含む気体はガス排気管８８を流れて給気口９７からトラップボックス９０の内部に流入する。図９に示すように、給気口９７からトラップボックス９０の内部に流入した気体は、ラジエーター９２の複数の冷却管９３の間を通り抜ける。ヒ素を含む気体が複数の冷却管９３の間を通り抜けるときに室温にまで冷却され、これによって気体のヒ素が固体として析出する。
【００７４】
続いて、ラジエーター９２によって冷却された気体流がトラッププレート９５に衝突する。図９に示すように、トラッププレート９５に衝突した気体流は、開放されているトラッププレート９５の下方に向けて流れの向きを変える。このときに、冷却されて析出した固体のヒ素がトラッププレート９５に付着することによって捕獲される。
【００７５】
トラッププレート９５の下方へと向かった気体流は、トラッププレート９５下方の開放部分を超えてトラップボックス９０の奥側へ流れる。このときに、気体流はウェハー収容部９６に載置された計測用ウェハーＭＷの表面にも接触することとなり、析出した固体のヒ素の一部は計測用ウェハーＭＷの表面にも付着する。また、トラッププレート９５に捕獲されたヒ素の一部は計測用ウェハーＭＷの表面に落下する。
【００７６】
トラッププレート９５の下方を超えた気体流は排気口９８から再びガス排気管８８に流出して排気部１９０へと排出される。トラップボックス９０の給気口９７から流入した気体に含まれていたヒ素はラジエーター９２で冷却されることによって固体として析出し、その析出したヒ素はトラッププレート９５および計測用ウェハーＭＷに付着して捕獲される。従って、トラップボックス９０の排気口９８から流出する気体には有害なヒ素が含まれておらず、無害な気体が排気部１９０から熱処理装置１の外部に排出されることとなる。
【００７７】
このように、ヒ素は有害ではあるものの、室温程度にまで冷却されることによって固体として析出するという特性を有する。本発明は、このようなヒ素の特性を利用して完成されたものであり、チャンバー６から排出された気体をラジエーター９２で冷却することによってヒ素を固体として析出させて捕獲することにより有害なヒ素を除去している。そして、本実施形態においては、筐体９１の内部にラジエーター９２およびトラッププレート９５を設けるという簡易な構成のトラップボックス９０によって加熱処理時に半導体ウェハーＷから放出されたヒ素を回収して無害化している。よって、スクラバや特殊な除外装置等を組み込むことなく、簡易な構成にて有害物質であるヒ素の外部への排出を防止することができる。
【００７８】
また、ウェハー収容部９６に載置された計測用ウェハーＭＷを取り出し、その計測用ウェハーＭＷの表面に付着した粒子を分析することによって、ヒ素が析出して捕獲されているか否かを確認することができる。計測用ウェハーＭＷの表面からヒ素が検出されない、或いはヒ素の検出量が顕著に少ない場合には、トラップボックス９０によって十分にヒ素が回収されていない可能性が疑われる。
【００７９】
また、ラジエーター９２およびトラッププレート９５は着脱可能に設けられているため、析出したヒ素が付着することによって汚染されたラジエーター９２およびトラッププレート９５を適当なタイミングで交換することができる。ラジエーター９２およびトラッププレート９５は、定期的に交換するようにしても良いし、汚染状況に基づいて交換するようにしても良い。
【００８０】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、筐体９１の内部にラジエーター９２、トラッププレート９５およびウェハー収容部９６を備えていたが、トラッププレート９５およびウェハー収容部９６は必須の要素ではなく、少なくとも筐体９１の内部にラジエーター９２が設けられていれば良い。少なくともラジエーター９２が設けられていれば、チャンバー６から排出された気体を冷却してヒ素を固体として析出させ、そのヒ素を筐体９１の内壁面によって捕獲することができる。このようにしても、ヒ素の外部への排出を防止することができる。もっとも、上記実施形態のように、トラッププレート９５を設けている方がより確実に析出したヒ素を捕獲して回収することができる。
【００８１】
また、上記実施形態においては、複数の冷却管９３を備えたラジエーター９２によって気体流を冷却していたが、これに限定されるものではなく、例えばペルチェ素子等の他の冷却機構によって気体流を冷却するようにしても良い。
【００８２】
また、チャンバー６内を減圧雰囲気として半導体ウェハーＷの加熱処理を行うようにしても良い。この場合であっても、半導体ウェハーＷから放出されたヒ素をトラップボックス９０にて析出させて捕獲することにより、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。但し、チャンバー６内を減圧雰囲気としたときにはトラップボックス９０の内部も大気圧未満の減圧状態となるため、トラッププレート９５の材質は減圧下でも使用可能な金属材料が好ましい。
【００８３】
また、上記実施形態においては、フラッシュ加熱部５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。また、ハロゲン加熱部４に備えるハロゲンランプＨＬの本数も４０本に限定されるものではなく、任意の数とすることができる。
【００８４】
また、上記実施形態においては、１秒以上連続して発光する連続点灯ランプとしてフィラメント方式のハロゲンランプＨＬを用いて半導体ウェハーＷの予備加熱を行っていたが、これに限定されるものではなく、ハロゲンランプＨＬに代えて放電型のアークランプ（例えば、キセノンアークランプ）を連続点灯ランプとして用いて予備加熱を行うようにしても良い。
【００８５】
また、半導体ウェハーＷを加熱する加熱源はランプに限定されるものではなく、例えばヒータを備えたホットプレートによって半導体ウェハーＷを加熱するようにしても良い。
【００８６】
また、熱処理装置１によって処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。基板に形成される膜はガリウムヒ素に限定されるものではなく、ヒ素を含む膜であれば良い。さらには、ヒ素に限らず、冷却されることによって固体として析出する有害物質を放出する基板の熱処理に本発明に係る技術は好適である。
【符号の説明】
【００８７】
１  熱処理装置
３  制御部
４  ハロゲン加熱部
５  フラッシュ加熱部
６  チャンバー
７  保持部
１０  移載機構
６３  上側チャンバー窓
６４  下側チャンバー窓
６５  熱処理空間
７４  サセプタ
８８  ガス排気管
９０  トラップボックス
９１  筐体
９２  ラジエーター
９３  冷却管
９５  トラッププレート
９６  ウェハー収容部
ＦＬ  フラッシュランプ
ＨＬ  ハロゲンランプ
ＭＷ  計測用ウェハー
Ｗ  半導体ウェハー
【図１】
2020021831.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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