(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ素子を構成する半導体材料、具体的には、従来材料であるＴＰＢｉと同等以上の性能を有する電子輸送材料として、熱安定性に優れ、かつ、キャリア移動度の向上した新規クリセン誘導体、及び前記クリセン誘導体を用いた有機ＥＬ素子の提供。【解決手段】式（１）で表されるクリセン誘導体。2020105131.tif 000027［Ｒ１〜Ｒ１２は、各々独立にＨ、脂肪族置換基、芳香族置換基、又は、３,５−ジピリジルフェニル基等のオリゴピリジン誘導体］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるクリセン誘導体。
【化１】
2020105131.tif 000025
（一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族置換基、芳香族置換基または一般式（２）で表されるオリゴピリジン誘導体を表す。）
【化２】
2020105131.tif 000026
【請求項２】
請求項１に記載のクリセン誘導体を用いた有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子輸送性に優れた新規クリセン誘導体、およびそれを用いた有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、次世代ＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）として期待され、携帯電話のディスプレイ、照明、およびＴＶ（テレビ受像機）などに応用されており、さらに高機能化を目指した開発が継続されている。
【０００３】
このような有機ＥＬの商業利用を考える際に、低消費電力化や長寿命化が重要となる。消費電力の低減に最も効果的なのは、素子の駆動をより低い電圧で行うことである。電力は電圧と電流の積であるので、所期の輝度を維持する電流印加に必要な電圧を低減することができれば、電力効率は向上する。そして、一定電圧での電流量を増加させるには、キャリア移動度の向上が有効な手段である。
【０００４】
素子の駆動電圧の低下には、高い電子やホールの移動度を有する電荷輸送材料が必要である。電荷輸送材料のうち、代表的なホール輸送材料には、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。前記ホール輸送材料は、一般に１０-3ｃｍ2／Ｖｓ程度のホール移動度を有している。一方、汎用的な電子輸送材料であるトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ3）ではその電子移動度は１０-6ｃｍ2／Ｖｓ程度であり、ホール輸送材料のホール移動度より１０3倍ほど劣っている。そのため、有機ＥＬ素子の電力効率の向上を実現すべく、高い移動度を示す電子輸送材料が求められている。
【０００５】
一方、電荷輸送材料の設計により、素子を長寿命化することもできる。
励起子閉じ込め効果を高めるには、高い三重項エネルギー（Ｔ1）を有する電子輸送材料を選択すればよいことが知られている。しかしながらその一方で、高い移動度および安定性の両立は二律背反的な要求である。非特許文献１では、良好な励起子閉じ込め効果を有し、かつ、三重項エネルギー（Ｔ1）の低い電子輸送材料が開示され、立体的な遮蔽効果のあるアントラセン部位が低い三重項エネルギー（Ｔ1）に寄与することが示されている。
【０００６】
また、非特許文献２では、（アクセプタ）n−ドナー−（アクセプタ）n構造を有する電子輸送材料である２，７−ジ（［２，２’：６’，２”−ターピリジン］−４’−イル）−９，９’−スピロビフルオレンが開示され、電子求引基であるターピリジル部位が電子輸送・注入を促進し、スピロビフルオレン部位が高い三重項エネルギー（Ｔ1）と熱安定性を確保することで、最大外部量子効率（ηext,max）および半減期（Ｔ50）について、従来の電子輸送材料に比べて優れることが開示されている。非特許文献３では、相応の高い三重項エネルギー、フロンティア軌道準位、および熱安定性を有する電子輸送材料として、剛直でねじれスピロビフルオレンと電子求引性の２つのターピリジン骨格とを併せ持つ２，２’−ジ（［２，２’：６’，２”−ターピリジン］−４’−イル）−９，９’−スピロビ［フルオレン］および２，７−ジ（［２，２’：６’，２”−ターピリジン］−４’−イル）−９，９’−スピロビフルオレンが開示されている。
【０００７】
素子寿命の改善のメカニズムは、新しい素子構造の構築により、素子中における電荷トラップ濃度を減少させることにある。
そのため、有機ＥＬ素子の電力効率の向上および長寿命化を実現すべく、高い移動度を示す電子輸送材料が求められている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】D. Zhang, P. Wei, D. Zhang, L. Duan, Appl. Mater. Interfaces, 2017, 9(22), 19040-19047.
【非特許文献２】M. Bian, D. Zhang, Y. Wnag, Y. -H. Chung, Y. Liu, H. Ting, L. Duan, Z. Chen, Z. Bian, Z. Liu, L. Xiao, Adv. Funct. Mater. 2018, 1800429.
【非特許文献３】M. Bian, Y. Wang, X. Guo, F. Lv, Z. Chen, L. Duan, Z. Bian, Z. Liu, H. Geng, L. Xiao, J. Mater. Chem. C, 2018, 6, 10276-10283.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、有機ＥＬ素子を構成する電子輸送材料として、熱安定性に優れ、かつ、キャリア移動度の向上した新規クリセン誘導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のクリセン誘導体は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする。
【化１】
2020105131.tif 000002
ただし、一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族置換基、芳香族置換基、または一般式（２）で表されるオリゴピリジン誘導体を表す。
【００１１】
【化２】
2020105131.tif 000003
本発明の有機ＥＬ素子は、前記クリセン誘導体を用いたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のクリセン誘導体は、従来材料であるＴＰＢｉと同等以上の電子輸送性能を有し、該クリセン誘導体を電子輸送材料として用いた緑色リン光有機ＥＬ素子は、ＴＰＢｉを用いたものと比べて２．７倍の素子寿命を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、Ｂ３ＰｙＰＣ（１ａ）、Ｂ４ＰｙＰＣ（１ｂ）、Ｂ２ＰｙＰＣ（１ｃ）、Ｂ３ＴＰｙＣ（１ｄ）、およびＢ４ＴＰｙＣ（１ｅ）の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを表す。
【図２】図２は、Ｂ２ＰｙＰＣ、Ｂ３ＰｙＰＣ、およびＢ４ＰｙＰＣのＰＹＳ測定結果（２ａ）、ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル（２ｂ）、ＰＬスペクトル（２ｃ）、および、素子（Ｄ１、Ｄ２）におけるホール輸送層４／発光層５／電子輸送層６のエネルギーダイアグラム（２ｄ）を表す。
【図３】図３は、素子（Ｄ１、Ｄ２）に電流を流したときのＥＬスペクトル（３ａ）、輝度−電圧特性（３ｂ）、電力効率−輝度特性（３ｃ）、外部量子効率−輝度特性（３ｄ）、電流効率−輝度特性（３ｅ）、および電流密度−電圧特性（３ｆ）を表す。
【００１４】
【図４】図４は、素子（Ｄ１、Ｄ２）に電流を流したときの寿命特性（４ａ）、素子（Ｄ３）におけるホール輸送層４／発光層５／ホールブロック層／電子輸送層６／電子注入層７のエネルギーダイアグラム（４ｂ）、素子（Ｄ３）に電流を流したときのＥＬスペクトル（４ｃ）、電流密度−電圧特性（４ｄ）、電流密度−電圧特性（４ｅ）、および輝度−電圧特性（４ｆ）を表す。
【図５】図５は、素子（Ｄ３）に電流を流したときの外部量子効率−輝度特性（５ａ）、電力効率−輝度特性（５ｂ）、寿命評価（５ｃ）、素子（Ｄ４）に電流を流したときのＥＬスペクトル（５ｄ）、および電流密度−電圧特性（５ｅ、５ｆ）を表す。
【図６】図６は、素子（Ｄ４）に電流を流したときの輝度−電圧特性（６ａ）、外部量子効率−輝度特性（６ｂ）、電力効率−輝度特性（６ｃ）、および寿命評価（６ｄ）を表す。
【００１５】
【図７】図７は、Ｂ３ＴｙＰＣのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル（７ａ）、ＰＬスペクトル（７ｂ）、および素子（Ｄ４）に電流を流したときのＥＬスペクトル（７ｃ）を表す。
【図８】図８は、素子（Ｄ４）に電流を流したときの電流密度−電圧特性（８ａ、８ｂ）、輝度−電圧特性（８ｃ）、外部量子効率−輝度特性（８ｄ）、電力効率−輝度特性（８ｅ）、および寿命評価（８ｆ）を表す。
【図９】図９は、本発明の有機ＥＬ素子の典型的な構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明のクリセン誘導体は、下記一般式（１）で表される。
【化３】
2020105131.tif 000004
一般式（１）中、Ｒ1〜Ｒ12はそれぞれ独立に水素原子、脂肪族置換基、芳香族置換基、または一般式（２）で表されるオリゴピリジン誘導体を表す。なお、一般式（２）中、二重波線は結合手であることを示す。
【化４】
2020105131.tif 000005
【００１７】
脂肪族置換基は、鎖状の炭素化合物からなる置換基であり、具体的にはアルキル基、アルケニル基およびアルキニル基、ならびに該アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基を構成する水素原子の少なくとも一部が水酸基、ハロゲン原子、アミノ基およびカルボキシル基などで置換された基である。これらの置換基のうち、アルキル基やアルケニル基が好ましい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ステアリル基、２−エチルヘキシル基およびネオペンチル基などが挙げられる。アルケニル基としては、アリル基、ｎ−ブテニル基、１−ペンテニル基および１−メチル−１−ブテニル基などが挙げられる。これらのうち、メチル基およびイソプロピル基などの比較的小さな分子量の置換基が好ましい。
【００１８】
芳香族置換基には、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基がある。例えば、フェニル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−ターフェニル基、ｍ−ターフェニル基、ｐ−ターフェニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、３，５−ジピリジルフェニル基、２，３−ジピリジルフェニル基、２，４−ジピリジルフェニル基、２，６−ジピリジルフェニル基、４，４−ジピリジルフェニル基、ヘキサフェニルベンゼン、２−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾチオフェニル基およびトリフェニレニル基などの芳香族置換基が挙げられる。
【００１９】
これらのうち、過度に嵩高い置換基であると合成時に反応速度が低下すること、または立体障害によるπ平面の歪みなどの観点から、Ｒ1〜Ｒ3、Ｒ5〜Ｒ9、Ｒ11およびＲ12は、水素原子が好ましく、Ｒ4およびＲ10は、前記した脂肪族置換基、芳香族置換基または一般式（２）で表されるオリゴピリジン誘導体が好ましく、芳香族置換基のうち、下記構造式で表される３,５−ジピリジルフェニル基、２，６−ジピリジルフェニル基および４，４−ジピリジルフェニル基がより好ましい。
【化５】
2020105131.tif 000006
【００２０】
そして、本発明のクリセン誘導体としては、下記構造式で表されるＢ３ＰｙＰＣ、Ｂ２ＰｙＰＣ、Ｂ４ＰｙＰＣ、Ｂ３ＴＰｙＣ、およびＢ４ＴＰｙＣが特に好ましい。
【化６】
2020105131.tif 000007
【００２１】
一般式（１）で表されるクリセン誘導体は、種々の公知の方法により製造することができる。一例として、Ｂ３ＰｙＰＣの合成方法を示す。
【化７】
2020105131.tif 000008
【００２２】
６，１２−ジブロモクリセンと、該６，１２−ジブロモクリセンに対して２倍当量の３，５−ジクロロフェニルボロン酸とをＰｄ（０）触媒および炭酸カリウム塩基の存在下に鈴木・宮浦カップリング反応を行い、６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセンを合成する。次いで、前記６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセンと、該６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセンに対して過剰当量の３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジンとを、Ｐｄ（０）触媒、Ｓ−Ｐｈｏｓ配位子およびリン酸カリウム塩基の存在下に鈴木・宮浦カップリング反応を行って、Ｂ３ＰｙＰＣを良好な収率で合成する。
ただし、本発明のクリセン誘導体は、上記方法に限られることなく、公知の種々の方法を組み合わせて製造することができる。
【００２３】
本発明のクリセン誘導体は、Ａｌｑ3などの従来公知の電子輸送材料に比べて分解温度（Ｔd5）や融点（Ｔm）が高いため、耐熱性に優れた電子輸送層を形成することができる。特にＢ３ＰｙＰＣからは単結晶を作製できるため、優れた電気的・機械的・光学的特性が期待できる。
前記クリセン誘導体は、２−メチルＴＨＦやクロロホルムなどの有機溶媒に可溶であるため、均一に薄膜を層表面に形成することができる。さらに薄膜状態は安定に保持することができる。前記クリセン誘導体を用いて膜厚３０ｎｍの蒸着膜を形成し、イオン化ポテンシャル（Ｉp）を測定し、該イオン化ポテンシャル（Ｉp）と、ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの吸収端から見積もったエネルギーギャップ（Ｅg）とから電子親和力（Ｅa）を算出すると、いずれも低い値を示し、良好な電子注入性が期待される。
【００２４】
本発明のクリセン誘導体において、ジピリジルフェニル部位またはターピリジン部位は電子注入・輸送性を有し、このような骨格を有するクリセン誘導体を用いて形成された有機ＥＬ素子は、電子の注入・移動度が速く、発光層内で生成した励起子を閉じ込めることができ、さらにホールと電子が再結合する確率を向上させ、高発光効率を得ることができる。実際に、クリセン誘導体は、従来材料であるＴＰＢｉと同等以上の電子輸送性能を有し、該クリセン誘導体を電子輸送材料として用いた緑色リン光有機ＥＬ素子は、ＴＰＢｉを用いたものと比べて２．７倍の素子寿命を示す。さらにこのような有機ＥＬ素子では、駆動電圧が低下して、耐久性の向上も実現できる。
【００２５】
［有機ＥＬ素子］
本発明の有機ＥＬ素子の典型的な層構造を図９に示す。前記有機ＥＬ素子は、典型的には、基板１上に陽極２として、例えば、ＩＴＯ等を成膜し、その上にホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７および陰極８がこの順に積層されてなる。ホール輸送層４と発光層５との間に電子ブロック層や、発光層５と電子輸送層６との間にホールブロック層などを設けてもよい。つまり、前記多層構造において、いくつかの層を省略してもよく、例えば、電子注入層７やホール注入層３などを省略したシンプルな層構造とすることもできる。各層について説明する。
【００２６】
基板１には、透明かつ平滑であって、少なくとも７０％以上の全光線透過率を有するものが用いられ、具体的には、フレキシブルな透明基板である、数μｍ厚のガラス基板や特殊な透明プラスチック等が用いられる。
【００２７】
陽極２は、ホール（正孔）を、ホール注入層３、ホール輸送層４、および発光層５に注入する機能を有する電極である。陽極２の材料としては、一般的に、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金属酸化物、金属、合金および導電性材料などが用いられるが、発光した光を透過させる観点から、全光線透過率は通常８０％以上であるものが好ましい。具体的には、ＩＴＯやＺｎＯ等の透明導電性セラミックス、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）やポリアニリン等の透明導電性高分子、その他の透明導電性材料が用いられる。
陽極２の抵抗値は、有機ＥＬ素子の消費電力の観点から、低いことが好ましく、３００Ω／□〜数Ω／□程度が好ましい。
陽極２は、蒸着法、電子線ビーム法、スパッタリング法、化学反応法、および塗布法などにより形成される。
【００２８】
陰極８は、電子を、電子注入層７、電子輸送層６、および発光層５に注入する機能を有する電極である。陰極８の材料としては、一般的に、仕事関数がおおよそ４ｅＶ以下の金属や合金が適している。陰極に使用される金属としては、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、すず、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウムおよびマグネシウムなどが挙げられる。これらのうち、アルミニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウムおよびマグネシウムなどが好ましい。合金を使用した陰極としては、これらの低仕事関数の金属とアルミニウムもしくは銀などの金属との合金からなる電極、または、これら低仕事関数の金属とアルミニウムもしくは銀などの金属とを積層した構造の電極などが挙げられる。積層構造の陰極には、フッ化リチウムのような無機塩も使用することができる。
陰極８の抵抗値は、有機ＥＬ素子の消費電力の観点から、低いことが好ましく、数１００Ω／□〜数Ω／□が好ましい。
陰極８は、蒸着法、電子線ビーム法、スパッタリング法、化学反応法、および塗布法などにより形成される。
【００２９】
ホール注入層３は発光効率の向上のために導入される層である。ホール注入層３は低電圧で電流を流すため、ピンホールなどが発生しない程度に膜厚を薄く（１〜２０ｎｍ程度）かつ一定にすることが好ましい。このようなホール注入材料には、例えば、（ポリ（アリーレンエーテルケトン）含有トリフェニルアミン（ＫＬＨＩＰ：ＰＰＢＩ）、ＰＴＰＤ−１：ＰＰＢＩ、ヘキサアザトリフェニレンカルボニトリル（ＨＡＴＣＮ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリ（エーテルケトン）（ＰＥＫ）、およびポリアニリンなどが挙げられる。
【００３０】
ホール輸送層４は、陽極２と発光層５の間に設けられ、陽極２からホールを効率良く発光層に輸送するための層である。ホール輸送材料には、イオン化エネルギーが小さいもの、すなわち、ＨＯＭＯから電子が励起されやすく、ホールが生成されやすいものが用いられ、具体的には、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−アルト−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（ＴＦＢ）、４，４’−シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、４，４’，４’’−トリ−９−カルバゾリルトリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）および４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン）などが挙げられる。これらの化合物を一種または二種以上混合して用いてもよい。
【００３１】
ホール注入層３およびホール輸送層４を構成する材料のうち、塗布成膜が可能でかつ、寿命の向上の観点から、（ポリ（アリーレンエーテルケトン）含有トリフェニルアミン（ＫＬＨＩＰ：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）、および４，４’−シクロヘキシリデンビス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）ベンゼンアミン］（ＴＡＰＣ）などが好ましい。
【００３２】
発光層５には、有機ＥＬ素子で用いられる他の発光層と同様に、発光材料と共にホスト化合物を併用することが好ましい。発光材料には、例えば、リン光発光材料であるトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｃ２，Ｎ］（ピコリナト）イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス［１−フェニルイソキノリン−Ｃ２，Ｎ］イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）3）、および熱活性化遅延蛍光材料である（４ｓ，６ｓ）−２，４，５，６−テトラ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）イソフタロニトリル（４ＣｚＩＰＮ）、ならびに１０，１０’−（４，４’−スルホニルビス（４，１−フェニレン））ビス（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン））（ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）などが挙げられる。ホスト化合物には、例えば、９，９’−ジフェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ジカルバゾール（ＢＣｚＰｈ）、ビス［２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］エーテルオキシド（ＤＰＥＰＯ）、３，６−ビス（ジフェニルホルホリル）−９−フェニルカルバゾール（ＰＯ９）、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ＣＢＰ）、３，３’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ｍＣＢＰ）、トリス（４−カルバゾイル−９−イルフェニル）アミン（ＴＣＴＡ）、２，８−ビス（ジフェニルホスホリル）ジベンゾチオフェン（ＰＰＴ）、アダマンタン・アントラセン（Ａｄ−Ａｎｔ）、ルブレン、および２，２’−ビ（９，１０−ジフェニルアントラセン）（ＴＰＢＡ）などが挙げられる。
【００３３】
電子輸送層６は、陰極８と発光層５の間に設けられ、陰極から電子を効率良く発光層に輸送するための層である。電子輸送材料には電子親和力が大きいもの、すなわち、ＬＵＭＯのエネルギーが小さく、励起電子が存在しやすくする材料が用いられる。具体的には、本発明のクリセン誘導体が用いられる。その他、前記クリセン誘導体とともに、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ3）、３，３”，５，５’−テトラ（３−ピリジル）−１，１’；３’，１”−ターフェニル（Ｂ３ＰｙＰＢ）、４，６−ビス（３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル）−２−メチルピリミジン（Ｂ３ＰｙＭＰＭ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−２−［１，３，４］オキサジアゾリル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、３−（ビフェニル−４−イル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、１，３，５−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢｉ）などの電子輸送材料を用いてもよい。
【００３４】
電子注入層７は陰極に接し、電子を輸送する役割を有する層である。電子注入材料には、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、８−ヒドロキシキノリノラト−リチウム（Ｌｉｑ）およびリチウム２−（２’，２’’−ビピリジン−６’−イル）フェノラート（Ｌｉｂｐｐ）などが挙げられる。
【００３５】
基板１上に形成される、ホール注入層３、ホール輸送層４、発光層５、電子輸送層６、および電子注入層７などの薄膜は、真空蒸着法または塗布法で積層される。真空蒸着法には、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、および分子積層法などが挙げられる。真空蒸着法を用いる場合、通常１０-3Ｐａ以下に減圧した雰囲気で、蒸着物を加熱して行う。
【００３６】
塗布法を用いる場合、各層の構成材料を例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、および水などに溶解させて公知の塗布法により各層を形成する。塗布法には、例えば、バーコート法、キャピラリーコート法、スリットコート法、インクジェット法、スプレーコート法、ノズルコート法、および印刷法が挙げられる。各層の形成にすべて同じ塗布法を用いてもよいし、インクの種類に応じて適宜最適な塗布法を個別に用いてもよい。
【００３７】
各層の膜厚は、構成材料の抵抗値や電荷移動度によって異なるが、通常１〜１００ｎｍ、好ましくは１〜５０ｎｍである。なお、電子注入層７などは１ｎｍ以下の厚みで形成されることもある。
なお、本発明の有機ＥＬ素子は、枚葉方式によって各層を形成する以外に、例えば、ロール・ツー・ロール法によって形成してもよい。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
［一般式（１）で表されるクリセン誘導体の合成］
合成物の同定に使用した機器および測定条件は以下のとおりである。
（１）1Ｈ核磁気共鳴（ＮＭＲ）装置
日本電子（株）製（４００ＭＨｚ）ＪＮＭ−ＥＸ２７０ＦＴ−ＮＭＲ型
（２）質量分析（ＭＳ）装置
日本電子（株）製ＪＭＳ−Ｋ９［卓上ＧＣＱＭＳ］およびＷａｔｅｒｓ（株）製Ｚｓｐｒａｙ（ＳＱ検出器２））
（３）元素分析装置
Ｐｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ  ２４００ＩＩ  ＣＨＮＳ／Ｏ  アナライザー
測定モード：ＣＨＮモード
【００３９】
［実施例１］Ｂ３ＰｙＰＣの合成
（ｉ）６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセンの合成
【化８】
2020105131.tif 000009
Ｎ2導入菅、還流菅を付した２００ｍＬの四つ口フラスコに６，１２−ジブロモクリセン（４．４１ｇ，１１．４ｍｍｏｌ）、３，５−ジクロロフェニルボロン酸（４．７９ｇ，２５．０８ｍｍｏｌ）、２Ｍ Ｋ2ＣＯ3ａｑ（１２．６ｇ，９１．２ｍＬ）、トルエン（７６ｍＬ）およびエタノール（３８ｍＬ）を入れ、１時間窒素バブリングをした。その後、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（７９０ｍｇ，０．６８ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ2雰囲気下に１１０℃で２１時間加熱還流した。反応終了後、精製し、目的物を得た。1Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより同定した。
ＭＳ：ｍ／ｚ ５１９［Ｍ］+
【００４０】
（ii）Ｂ３ＰｙＰＣの合成
【化９】
2020105131.tif 000010
Ｎ2導入管と還流管を付した１００ｍＬの四つ口フラスコに６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセン（２．１ｇ，４．０５ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（５．８２ｇ，２８．４ｍｍｏｌ）、１．３５Ｍ Ｋ3ＰＯ4ａｑ（８．６０ｇ，３０ｍＬ）および１，４−ジオキサン（２７０ｍＬ）を入れ、１時間窒素バブリングをした後、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（１４８ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）およびＳｐｈｏｓ（１２２ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ2雰囲気下に１００℃で加熱還流した。６３時間経過後、反応を停止した。ワークアップ後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム：メタノール＝１００：３）にて精製し、白色固体１．６２ｇ（５８％）を得た。ＭＳ、1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１ａ）および元素分析によって目的物であることを確認した。
【００４１】
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ＝９．１１−８．９７（４Ｈ），８．９６−８．８６（２Ｈ），８．８７−８．７４（２Ｈ），８．７２−８．６０（４Ｈ），８．１７−８．１０（２Ｈ），８．１０−７．９８（４Ｈ），７．９７−７．８６（６Ｈ），７．８０−７．６９（２Ｈ），７．６９−７．５８（２Ｈ），７．５０−７．３６（４Ｈ）
ＭＳ：ｍ／ｚ ６８９［Ｍ］+
Ａｎａｌ. Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ50Ｈ32Ｎ4；Ｃ，８７．１８；Ｈ，４．６８；Ｎ，８．１３％．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８７．０５；Ｈ，４．４４；Ｎ，８．０９％
【００４２】
［実施例２］Ｂ２ＰｙＰＣの合成
（ｉ）６，１２−ビス（３，５−ジ−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）クリセンの合成
【化１０】
2020105131.tif 000011
Ｎ2導入管と還流管を付した１００ｍＬの四つ口フラスコに実施例１の（ｉ）で合成した６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセン（３．７６ｇ，７．２６ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン（８．８５ｇ，３４．８５ｍｍｏｌ）、ＫＯＡｃ（８．８５ｇ，８７．１２ｍｍｏｌ）および１，４−ジオキサン（１００ｍＬ）を入れ、１時間、Ｎ2バブリングをした後、Ｐｄ（ＯＡｃ）2（８１ｍｇ，０．３６３ｍｍｏｌ）およびＳｐｈｏｓ（１４９ｍｇ，０．３６３ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ2雰囲気下に１００℃で９６時間加熱還流した。反応を停止後、ワークアップし、粗生成物をシリカカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ＣＨＣｌ3）にて精製して、目的物５．３３ｇ（８３％）を得た。ＭＳおよび1Ｈ−ＮＭＲスペクトルより目的物を同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ＝８．８３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），８．６５（ｓ，２Ｈ），８．４２（ｔ，Ｊ＝１．１Ｈｚ，２Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝０．９Ｈｚ，４Ｈ），７．９１（ｄｄ，Ｊ＝８．２，１．４Ｈｚ，２Ｈ），７．６９−７．６４（ｍ，２Ｈ），７．５９−７．５２（ｍ，２Ｈ），１．３７（ｓ，４８Ｈ）
ＭＳ：ｍ／ｚ ８８８［Ｍ］+
【００４３】
（ii）Ｂ２ＰｙＰＣの合成
【化１１】
2020105131.tif 000012
Ｎ2導入管と還流管を付した２００ｍＬの四つ口フラスコに６，１２−ビス（３，５−ジ−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル）クリセン（５．３３ｇ，６．００ｍｍｏｌ）、２−ブロモピリジン（４．７６ｇ，３０．０ｍｍｏｌ）、１．３５ＭＫ3ＰＯ4ａｑ（２２．９ｇ，８０ｍＬ）および１，４−ジオキサン（１０８ｍＬ）を入れ、１時間Ｎ2バブリングをした後、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（２２１ｍｇ，０．２４ｍｍｏｌ）およびＳｐｈｏｓ（１８１ｍｇ，０．４４ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ2雰囲気下に１００℃で１７時間、還流攪拌し、反応を停止した。粗生成物をシリカカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム→クロロホルム：メタノール＝１０：１）にて精製した後、目的物１．８５ｇ（４７％）を得た。ＭＳ、1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（図１ｃ）および元素分析より目的物を同定した。
【００４４】
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ＝８．９４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），８．８５（ｄ，Ｊ＝９．１Ｈｚ，４Ｈ），８．７７（ｄ，Ｊ＝４．１Ｈｚ，４Ｈ），８．３７（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，４Ｈ），８．１０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），８．０４（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），７．９３−７．８５（ｍ，４Ｈ），７．７１（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５９（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｄｄ，Ｊ＝６．９，５．０Ｈz，４Ｈ）
ＭＳ：ｍ／ｚ ６８９［Ｍ］+
Ａｎａｌ. Ｃａｌｃｄｆｏｒ Ｃ50Ｈ32Ｎ4；Ｃ，８７．１８；Ｈ，４．６８；Ｎ，８．１３％．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８７．３５；Ｈ，４．５５；Ｎ，８．１７
【００４５】
［実施例３］Ｂ４ＰｙＰＣの合成
【化１２】
2020105131.tif 000013
２００ｍＬの四つ口フラスコに実施例１の（ｉ）で合成した６，１２−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−クリセン（１．６９ｇ，３．２６ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（３．３４ｇ，１６．３ｍｍｏｌ）、１．３５ＭＫ3ＰＯ4ａｑ（１２．４６ｇ，４３．５ｍＬ）および１，４−ジオキサン（５８．７ｍＬ）を入れ、１時間窒素バブリングした後、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（２３９ｍｇ，０．２６ｍｍｏｌ）およびＳ−Ｐｈｏｓ（２１４ｍｇ，０．５２ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ2雰囲気下に１００℃で６６時間還流攪拌して反応を停止した。ワークアップ後、粗生成物をシリカカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：メタノール＝１００：２）にて単離精製し、目的物１．４１ｇ（６３％）を得た。ＭＳ、1Ｈ−ＮＭＲ（図１ｂ）および元素分析より目的物を同定した。
ＭＳ：ｍ／ｚ ６８８［Ｍ］+
Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ50Ｈ32Ｎ4；Ｃ，８７．１８；Ｈ，４．６８；Ｎ，８．１３％．Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，８７．５１；Ｈ，４．４７；Ｎ，８．１３％
【００４６】
［熱物性評価］
実施例１〜３で合成したＢ３ＰｙＰＣ、Ｂ４ＰｙＰＣおよびＢ２ＰｙＰＣを昇華精製し、熱重量分析（ＴＧＡ）および示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により、ガラス転移点（Ｔg）、融点（Ｔm）および５％重量減衰温度（Ｔd）を測定した。
【００４７】
結果を表１に示す。
【表１】
2020105131.tif 000014
【００４８】
［光学特性評価］
有機ＥＬ素子は全固体型発光素子であるから、Ｂ３ＰｙＰＣ、Ｂ４ＰｙＰＣおよびＢ２ＰｙＰＣの固体状態での光学特性評価（ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル、低温ＰＬスペクトル、ＰＹＳ）を行った。
光学特性評価に用いた機器および測定条件は以下のとおりである。
【００４９】
（１）紫外・可視（ＵＶ−ｖｉｓ）分光光度計
（株）島津製作所製 ＵＶ−３１５０
測定条件；スキャンスピード  中速、
測定範囲  ２００〜８００ｎｍ、
サンプリングピッチ  ０．５ｎｍ、
スリット幅  ０．５ｎｍ
（２）フォトルミネッセンス（ＰＬ）測定装置
（株）堀場製作所製 Ｆｌｕｏｒｏ ＭＡＸ−２＋ＵＮＩＳＯＫ
液体窒素を用いて３００Ｋから８０Ｋまで温度までの温度範囲で、ＰＬスペクトル、および、ストリークカメラ（浜松ホトニクス（株）製Ｃ４３３４）を用いた時間分解ＰＬスペクトル（過渡ＰＬスペクトル）を測定した。サンプルには、濃度１０-3Ｍの２−メチルＴＨＦ溶液を用いた。
（３）光電子収量分光（ＰＹＳ）装置
住友重機械工業（株）製 イオン化ポテンシャル測定装置
イオン化ポテンシャル測定装置を用いて、１０-3Ｐａの高真空下に紫外光を薄膜（サンプル）に照射し、光電効果によって放出された電子を高感度電流計で検出した。この電流値の立ち上がりがイオン化ポテンシャル（Ｉp）である。
なお、電子親和力（Ｅa）は、ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの吸収端よりエネルギーギャップ（Ｅg）を見積もることによって算出した。
【００５０】
真空蒸着法により３０ｎｍ厚のＢ３ＰｙＰＣ、Ｂ４ＰｙＰＣおよびＢ２ＰｙＰＣの薄膜をそれぞれ作製し、光電子収量分光法（ＰＹＳ）によりイオン化ポテンシャル（Ｉp）を算出した。続いて、ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルの吸収端からエネルギーギャップ（Ｅg）を見積もり、イオン化ポテンシャルとエネルギーギャップの和から電子親和力（Ｅa）を換算した。
Ｂ３ＰｙＰＣ、Ｂ４ＰｙＰＣおよびＢ２ＰｙＰＣの低温ＰＬスペクトル測定を行って、リン光を観測し、励起三重項準位を算出した。ＰＹＳ測定（図２ａ）、ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル（図２ｂ）および低温ＰＬスペクトル（図２ｃ）の結果を示す。
【００５１】
熱物性評価および光学特性評価の結果を図２ａ〜ｃおよび表２に示す。
【表２】
2020105131.tif 000015
【００５２】
［Ｂ３ＰｙＰＣの単結晶Ｘ線構造解析］
Ｂ３ＰｙＰＣを昇華精製して単結晶を作製し、そのＸ線構造解析を行った。
単結晶は、同じ分子が周期的に配列した理想的な集合体であり、分子の持つ性質に支配されることから、一次元方向のみならず、二次元、三次元方向への良好な電荷輸送性を示すことが期待できる。
【００５３】
［有機ＥＬ素子の作製および評価］
有機ＥＬ素子の評価に用いた機器は以下のとおりである。
ＥＬスペクトル（（株）浜松ホトニクス製 ＰＨＯＴＯＮＩＣ  ＭＵＬＴＩ−ＣＨＡＮＮＥＬ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ  ＰＭＡ−１）
【００５４】
＜素子評価１＞
実施例１で得られたＢ３ＰｙＰＣを電子輸送材料に使用した有機ＥＬ素子を作製し、Ｂ３ＰｙＰＣのｎ型有機半導体としての機能を評価した。
電子輸送層（ＥＴＬ）をＴＰＢｉ（５０ｎｍ厚）で形成した有機ＥＬ素子をＤ１とし、ＴＰＢｉ（５ｎｍ厚）およびＢ３ＰｙＰＣ（４５ｎｍ厚）の二層で形成した有機ＥＬ素子をＤ２とした。発光材料には一般的な緑色リン光イリジウム錯体Ｉｒ（ｐｐｙ）3を使用した。発光層には、濃度消光を抑えた発光効率を得るため、カルバゾール系ホスト材料であるＣＢＰにＩｒ（ｐｐｙ）3を８ｗｔ％ドーピングし分散したものを使用した。ホール注入層にＰＴＰＤ−１：ＰＰＢｉ、ホール輸送層には汎用材料であるＴＡＰＣを使用した。
素子Ｄ１およびＤ２の構成を以下に示す。括弧内は膜厚（ｎｍ）を示す。
［ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＰＴＰＤ−１：ＰＰＢｉ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）3：ＣＢＰ（１０ｎｍ）／ＴＰＢｉ（５ｎｍ）／ＥＴＬ（４５ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
【００５５】
素子のエネルギーダイアグラムを図２ｄに示す。
発光量子効率（ηPL）は７８％だった。
【化１３】
2020105131.tif 000016
初期特性の評価結果を図３ａ〜ｆおよび図４ａならびに表３に示す。
【００５６】
【表３】
2020105131.tif 000017
【００５７】
＜素子評価２＞
さらなる長寿命化を目指して、下記構成の有機ＥＬ素子（Ｄ３）を作製し、評価した。
［ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＰＴＰＤ−１：ＰＰＢＩ（２０ｎｍ）／ＮＰＤ（２０ｎｍ）／１２ ｗｔ％ Ｉｒ（ｐｐｙ）3：ｍＣＢＰ（１５ｎｍ）／ＤＢＴ−ＴＲＺ（１０ｎｍ）／ＥＴＬ（４０ｎｍ）／Ｌｉｑ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
電子輸送層（ＥＴＬ）には、Ｂ２ＰｙＰＣ、Ｂ３ＰｙＰＣ、Ｂ４ＰｙＰＣ、ＤＰＢ、およびＢ３ＰｙＰＢを使用し、ホールブロック層にＤＢＴ−ＴＲＺを使用した。なお、図４ｂ中のＬＧ２０１も電子輸送材料の一つである。
これらの材料の化学構造式を示す。
【化１４】
2020105131.tif 000018
Ｄ３のエネルギーダイアグラムを図４ｂに示す。
初期特性の評価結果を図４ｃ〜４ｆおよび図５ａ〜ｃならびに表４に示す。
【００５８】
【表４】
2020105131.tif 000019
【００５９】
＜素子評価３＞
表４に示すように、最も長寿命を示したＢ４ＰｙＰＣに対してＬｉｑをドープすることでさらなる長寿命化を目指した有機ＥＬ素子（Ｄ４）を作製し、評価した。初期特性の評価結果を図５ｄ〜５ｆ及び図６ａ〜６ｄならびに表５に示す。
【表５】
2020105131.tif 000020
【００６０】
［実施例４］Ｂ３ＴＰｙＣの合成
（ｉ）６，１２−ビス−（２，６−ジクロロピリジル）−クリセンの合成
【化１５】
2020105131.tif 000021
１００ｍＬの四つ口フラスコに６，１２−ジブロモクリセン（２．００ｇ，５．１８ｍｍｏｌ）、２，６−ジクロロ−４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（３．１２ｇ，１１．４ｍｍｏｌ）、２Ｍ Ｋ2ＣＯ3 aq（５．７２ｇ，４１．４ｍｍｏｌ，２０．７ｍＬ）、トルエン（３５ｍＬ）およびエタノール（１８ｍＬ）を入れ、一時間バブリングした後、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4（３５９ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）を加え、還流攪拌し、反応の進行を確認して反応を停止した。反応溶液を吸引ろ過して分液し、濃縮した。ＭＳより目的物の生成を確認した。
ｍ／ｚ＝５２０［Ｍ+］
【００６１】
（ii）Ｂ３ＴＰｙＣの合成
【化１６】
2020105131.tif 000022
２００ｍＬの四つ口フラスコに、（ｉ）で合成した６，１２−ビス−（２，６−ジクロロピリジル）−クリセン（３．００ｇ，５．８ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（３−ＰｙＤＯＢ）（３．５７ｇ，１７．４ｍｍｏｌ）、１．３５Ｍ Ｋ3ＰＯ4 aq（２２．２ｇ，１０４．４ｍｍｏｌ，７８ｍＬ）および１，４−ジオキサン（１０５ｍＬ）を入れ、１時間バブリングした後、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（３５９ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）およびＳＰｈｏｓ（１９０ｍｇ，０．４６４ｍｍｏｌ）を加え、７３時間還流攪拌した。反応を停止して、ワークアップ後、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム：メタノール＝１００：１（ｖ／ｖ））にて精製し、白色固体１．３９ｇ（３５％）を得た。1Ｈ−ＮＭＲ（図１ｄ）およびＭＳより目的物を同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ９．４４（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，４Ｈ），８．９３（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，２Ｈ），８．８１（ｓ，２Ｈ），８．７２（ｄｄ，Ｊ＝４．８，１．６Ｈｚ，４Ｈ），８．６６−８．６１（ｍ，４Ｈ），８．１０（ｓ，４Ｈ），８．０５（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．８３−７．７７（ｍ，２Ｈ），７．６８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５５（ｄｄ，Ｊ＝８．０，４．８Ｈｚ，４Ｈ）
ｍ／ｚ＝６９０［Ｍ+］
【００６２】
［実施例５］Ｂ４ＴＰｙＣの合成
【化１７】
2020105131.tif 000023
２００ｍＬの四つ口フラスコに、実施例４の（ｉ）で合成した６，１２−ビス−（２，６−ジクロロピリジル）−クリセン（３．００ｇ，５．８ｍｍｏｌ）、４−ＰｙＤＯＢ（３．５７ｇ，１７．４ｍｍｏｌ）、１．３５ＭＫ3ＰＯ4 aq（２２．２ｇ，１０４．４ｍｍｏｌ，７８ｍＬ）および１，４−ジオキサン（１０５ｍＬ）を入れ、１時間バブリングした後、Ｐｄ2（ｄｂａ）3（３５９ｍｇ，０．３１ｍｍｏｌ）およびＳＰｈｏｓ（１９０ｍｇ，０．４６４ｍｍｏｌ）を加え、２０時間還流攪拌した。反応を停止して、ワークアップ後、粗生成物をシリカカラムクロマトグラフィーにて精製し、目的物０．９２ｇ（２３％）を得た。1Ｈ−ＮＭＲ（図１ｅ）および ＭＳより目的物を同定した。
1Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＨＬＯＲＯＦＯＲＭ−Ｄ）δ８．９１（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），８．８２−８．７５（ｍ，１０Ｈ），８．２２−８．１４（ｍ，１２Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．８４−７．７４（ｍ，２Ｈ），７．６７（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）
ｍ／ｚ＝６９０［Ｍ+］
【００６３】
［光学特性評価］
Ｂ３ＴＰｙＣのＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトルおよびＰＬスペクトルを測定した。結果を図７ａおよび７ｂに示す。
【００６４】
［有機ＥＬ素子の作製および評価］
下記構成を有する有機ＥＬ素子を作製し、評価した。
素子構造は以下のとおりである。電子輸送層（ＥＴＬ）には、Ｂ３ＰｙＰＣ：２０ｗｔ％ Ｌｉｑを使用し、ホールブロック層にＤＢＴ−ＴＲＺを使用した。
［ＩＴＯ（１３０ｎｍ）／ＰＴＰＤ−１：ＰＰＢＩ（２０ｎｍ）／ＮＰＤ（２０ｎｍ）／１２ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）3：ｍＣＢＰ（１５ｎｍ）／ＤＢＴ−ＴＲＺ（１０ｎｍ）／ＥＴＬ（４０ｎｍ）／Ｌｉｑ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）］
前記素子および、ＥＴＬにＢ３ＰｙＰＣ：２０ｗｔ％ Ｌｉｑを使用した素子の評価結果を図７ｃおよび図８ａ〜８ｆならびに表６に示す。
【表６】
2020105131.tif 000024
【符号の説明】
【００６５】
１      基板
２      陽極
３      ホール注入層
４      ホール輸送層
５      発光層
６      電子輸送層
７      電子注入層
８      陰極
【図１】
2020105131.tif 000028
【図２】
2020105131.tif 000029
【図３】
2020105131.tif 000030
【図４】
2020105131.tif 000031
【図５】
2020105131.tif 000032
【図６】
2020105131.tif 000033
【図７】
2020105131.tif 000034
【図８】
2020105131.tif 000035
【図９】
2020105131.tif 000036