(57)【要約】      （修正有）【課題】信号損失が低減されるプリント回路基板を提供する。【解決手段】プリント回路基板は、一面に第１回路２１０が形成された熱硬化性の第１樹脂層１１０と、第１樹脂層上に積層され、一面に第２回路２２０が形成された熱可塑性の第２樹脂層１２０と、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通し、第１回路２１０と第２回路２２０とを電気的に接続するビアＶと、を含む。ビアＶの側面には、突出部Ｗが設けられる。突出部Ｗの最外側地点が、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界に位置し、ビアＶの最外側地点よりも外側に位置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に第１回路が形成された熱硬化性の第１樹脂層と、
前記第１樹脂層上に積層され、一面に第２回路が形成された熱可塑性の第２樹脂層と、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を一括貫通して前記第１回路と前記第２回路とを電気的に接続するビアと、を含み、
前記ビアの側面には突出部が設けられたプリント回路基板。
【請求項２】
前記突出部の最外側地点が、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との境界に位置する請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記突出部の最外側地点は、前記ビアの最外側地点よりも外側に位置する請求項１または２に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記突出部の上下方向の厚さは、外側に行くほど小さくなる請求項１から３のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記突出部は、
前記ビアの側面から外側に行くほど下に向かう上部傾斜面と、
前記ビアの側面から外側に行くほど上に向かう下部傾斜面と、を含む請求項１から４のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記上部傾斜面及び前記下部傾斜面が、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との境界面で接する請求項５に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との境界面に対する前記上部傾斜面の傾斜角は、前記下部傾斜面の傾斜角よりも大きい請求項５または６に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記ビアは、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を一括貫通するビアホールと、
前記ビアホール内に形成されるメッキ層と、を含む請求項１から７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
前記ビアホールは、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に突出する部分を含む請求項８に記載のプリント回路基板。
【請求項１０】
前記メッキ層は、下部にシード層を含む請求項８または９に記載のプリント回路基板。
【請求項１１】
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層のそれぞれの誘電正接は、０．００２以下である請求項１から１０のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１２】
熱硬化性の第１樹脂層と、
前記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、
前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を一括貫通するビアと、を含み、
前記ビアは、
前記第１樹脂層を貫通する第１領域と、
前記第２樹脂層を貫通する第２領域と、
前記第１領域と前記第２領域とを接続し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を貫通する第３領域と、を含み、
前記ビアの幅の最大値が、前記第３領域に位置するプリント回路基板。
【請求項１３】
前記第３領域の幅は、前記第１樹脂層側から前記第２樹脂層側に行くほど一旦大きくなってから再び小さくなる請求項１２に記載のプリント回路基板。
【請求項１４】
前記ビアの幅の最大値を有する地点は、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との境界面に位置する請求項１３に記載のプリント回路基板。
【請求項１５】
前記第１領域及び前記第２領域のそれぞれの幅は、上側に行くほど大きくなる請求項１２から１４のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項１６】
熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、
隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアと、を含み、
前記ビアの側面には、突出部が設けられたプリント回路基板。
【請求項１７】
前記突出部の最外側地点は、前記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界に位置する請求項１６に記載のプリント回路基板。
【請求項１８】
前記突出部の最外側地点は、前記ビアの最外側地点よりも外側に位置する請求項１６または１７に記載のプリント回路基板。
【請求項１９】
前記突出部の上下方向の厚さは、外側に行くほど小さくなる請求項１６から１８のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２０】
前記突出部は、
前記ビアの側面から外側に行くほど下に向かう上部傾斜面と、
前記ビアの側面から外側に行くほど上に向かう下部傾斜面と、を含む請求項１６から１９のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２１】
前記上部傾斜面及び前記下部傾斜面は、前記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界面で接する請求項２０に記載のプリント回路基板。
【請求項２２】
前記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界面に対する前記上部傾斜面の傾斜角は、前記下部傾斜面の傾斜角よりも大きい請求項２０または２１に記載のプリント回路基板。
【請求項２３】
前記ビアは、
前記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアホールと、
前記ビアホール内に形成されるメッキ層と、を含む請求項１６から２２のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２４】
前記ビアホールは、前記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との間に突出する部分を含む請求項２３に記載のプリント回路基板。
【請求項２５】
前記メッキ層は、下部にシード層を含む請求項２３または２４に記載のプリント回路基板。
【請求項２６】
前記ビアにより一括貫通された前記隣り合っている熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層において、前記熱可塑性樹脂層の一面に形成され、前記熱硬化性樹脂層に埋め込まれる回路をさらに含む請求項１６から２５のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２７】
前記ビアの前記熱硬化性樹脂層を貫通する部分の幅は、前記ビアの前記熱可塑性樹脂層を貫通する部分の幅よりも小さい請求項１６から２６のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【請求項２８】
前記熱硬化性樹脂層及び前記熱可塑性樹脂層のそれぞれの誘電正接は、０．００２以下である請求項１６から２７のいずれか１項に記載のプリント回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
各国では全世界的に５Ｇの商用化のための技術開発に力を注いでいる。５Ｇ時代の１０ＧＨｚ以上の周波数帯域においての円滑な信号伝送のためには、従来存在する材料及び構造では対応しにくい場合もある。このため、受信された高周波信号を損失なくメインボードまで伝送するための新しい材料及び構造開発が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】韓国公開特許 第１０−２０１１−０００２１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、信号損失が低減されるプリント回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によれば、一面に第１回路が形成された熱硬化性の第１樹脂層と、上記第１樹脂層上に積層され、一面に第２回路が形成された熱可塑性の第２樹脂層と、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層を一括貫通し、上記第１回路と上記第２回路とを電気的に接続するビアと、を含み、上記ビアの側面には突出部が設けられたプリント回路基板が提供される。
【０００６】
本発明の他の側面によれば、熱硬化性の第１樹脂層と、上記第１樹脂層上に積層される熱可塑性の第２樹脂層と、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層を一括貫通するビアと、を含み、上記ビアは、上記第１樹脂層を貫通する第１領域と、上記第２樹脂層を貫通する第２領域と、上記第１ビアと上記第２ビアとを接続し、上記第１樹脂層及び上記第２樹脂層を貫通する第３領域と、を含み、上記ビアの幅の最大値が上記第３領域に位置するプリント回路基板が提供される。
【０００７】
本発明のまた他の側面によれば、熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアと、を含み、上記ビアの側面には上記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを貫通するように外側に延長する突出部が設けられたプリント回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施例に係るプリント回路基板を適用できる端末機を示す図である。
【図２】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図３】本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図である。
【図４】本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図である。
【図５】本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアのメッキ層を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアのメッキ層を示す図である。
【図７】本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。
【図８】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図９】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【図１０】本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明に係るプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。
【００１０】
また、以下で使用する「第１」、「第２」等の用語は、同一または対応する構成要素を区別するための識別記号に過ぎず、同一または対応する構成要素が第１、第２等の用語により限定されることはない。
【００１１】
また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間に物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用される。
【００１２】
図１は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を適用できる端末機を示す図である。
【００１３】
図１を参照すると、電子機器端末機１には、メインボード２が装着されており、メインボード２には、ＲＦ処理部（ＲＦモジュール）ＲＦ１、ＲＦ２、ＩＦ処理部（ＩＦチップ）ＩＦ、ベースバンドチップＢＢ等が実装できる。ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２は、アンテナを介して受信される信号を減殺するためにＩＦ処理部ＩＦに信号を送信する。または、ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２は、アンテナを介して信号を送信するために、ＩＦ処理部ＩＦで増幅された信号を受信する。ここで、ＲＦ処理部ＲＦ１、ＲＦ２とＩＦ処理部ＩＦとの交わす信号は１０ＧＨｚ以上の高周波であり得る。
【００１４】
図２は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を示す図である。本発明の実施例に係るプリント回路基板（図１の１０及び１０'）は、高周波信号を伝達することができ、メインボード（図１の２）上のＲＦ処理部（図１のＲＦ１、ＲＦ２）とＩＦ処理部（図１のＩＦ）とを接続することができる。
【００１５】
図２を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、第１樹脂層１１０、第２樹脂層１２０、ビアＶを含み、第１回路２１０、第２回路２２０をさらに含むことができる。
【００１６】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは、上下に積層される。例えば、第２樹脂層１２０は、第１樹脂層１１０上に積層されることができる。
【００１７】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは、互いに異なる物性を有する。第１樹脂層１１０は、熱硬化性であり、第２樹脂層１２０は、熱可塑性である。
【００１８】
熱硬化性の第１樹脂層１１０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂を用いることができる。
【００１９】
第１樹脂層１１０の樹脂の種類、樹脂に含有されるフィラーの種類、フィラーの含量等に応じて第１樹脂層１１０の誘電正接（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｄｉｓｓｉｐａｔｉｏｎ  ｆａｃｔｏｒ、Ｄｆ）を調整できる。ここで、誘電正接は、誘電損失に関連する数値であって、誘電損失は、樹脂層（誘電体）に交流性電界が形成されたときに発生する損失電力を意味する。誘電正接は、誘電損失に比例し、誘電正接が小さいほど誘電損失は小さい。低誘電損失の特性を有する第１樹脂層１１０は、高周波信号伝達において損失低減の側面から有利である。
【００２０】
第１樹脂層１１０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第１樹脂層１１０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【００２１】
一方、第１樹脂層１１０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第１樹脂層１１０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【００２２】
熱可塑性の第２樹脂層１２０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００２３】
第２樹脂層１２０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第２樹脂層１２０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【００２４】
一方、第２樹脂層１２０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第２樹脂層１２０の厚さは、第１樹脂層１１０の厚さより小さいか、第１樹脂層１１０の厚さと実質的に同一であることができるが、これに制限されない。また、第２樹脂層１２０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【００２５】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面は、粗度面を含むことができる。粗度面とは、ＣＺ処理等の粗化処理により凹凸を有する面を意味する。この凹凸により第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とは互いの密着力を確保することができる。
【００２６】
図３及び図４は、本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアを示す図であり、図５及び図６は、本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアのメッキ層を示す図である。
【００２７】
再び図２を参照すると、ビアＶは、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通する。このため、ビアＶの側面は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面に接する。
【００２８】
ビアＶの側面には、突出部Ｗが形成される。突出部Ｗは、第１樹脂層１１０及び上記第２樹脂層１２０を貫通するようにビアＶの側面から延長できる。突出部Ｗは、ビアＶの側面から外側に突出され、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を同時に貫通する。突出部Ｗは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との間に突出する。
【００２９】
突出部Ｗの上下方向の厚さは、外側に行くほど小さくなることができる。この場合、図２に示すように、プリント回路基板の縦断面において突出部Ｗは、三角形形状を有することができる。
【００３０】
突出部Ｗの最外側地点は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界に位置することができる。突出部Ｗの上下方向の厚さが外側に行くほど小さくなる場合、突出部Ｗの最外側地点は尖った形状を有することができ、尖った地点が第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界に位置することができる。
【００３１】
突出部Ｗは、ビアＶの側面の周りに沿って形成されることができる。図４を参照すると、突出部ＷのビアＶの側面から測定される長さは、ビアＶの側面の周りに沿って異なることができる。図４において、ＵはビアＶの上面を、ＢはビアＶの下面を示す。
【００３２】
突出部Ｗの最外側地点は、ビアＶの最外側地点よりも外側に位置することができる。ビアＶの横断面が第１樹脂層１１０から第２樹脂層１２０側に行くほど大きくなる場合、ビアＶの最大幅はビアＶの上面幅となる。突出部Ｗは、ビアＶの上面よりもさらに突出することができる。図２では、突出部Ｗの最外側地点とビアＶの上面との間のギャップＧが示されている。
【００３３】
突出部Ｗは、上部傾斜面と下部傾斜面を含むことができる。
【００３４】
上部傾斜面は、ビアＶの側面から外側に行くほど下に向かい、第２樹脂層１２０内に位置する。下部傾斜面は、ビアＶの側面から外側に行くほど上に向かい、第１樹脂層１１０内に位置する。
【００３５】
上記上部傾斜面及び上記下部傾斜面は、上記第１樹脂層１１０と上記第２樹脂層１２０との境界面で接することができる。この場合、突出部Ｗの最外側地点は尖った形状を有し、尖った突出部Ｗの最外側地点は、上記第１樹脂層１１０と上記第２樹脂層１２０との境界面に位置することができる。
【００３６】
上記第１樹脂層１１０と上記第２樹脂層１２０との境界面に対する上記上部傾斜面の傾斜角は、上記下部傾斜面の傾斜角よりも大きいことが可能である。この場合、突出部Ｗの第１樹脂層１１０を貫通する体積は、第２樹脂層１２０を貫通する体積よりも小さい。また、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界から突出部Ｗの上面までの距離（図２のＤ１）は、突出部Ｗの下面までの距離（図１のＤ２）よりも大きい。
【００３７】
図５及び図６を参照すると、ビアＶは、ビアホールＶＨとメッキ層Ｐとを含むことができる。
【００３８】
ビアホールＶＨは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とを上下に一括貫通する。メッキ層Ｐは、ビアホールＶＨ内に形成されるメッキ物質である。
【００３９】
ビアホールＶＨは、突出する部分ＷＨを含むことができる。突出する部分ＷＨは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との間に突出することができ、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０とを貫通して外側に突出することができる。メッキ層Ｐは、ビアホールＶＨの突出する部分ＷＨにも形成される。ビアホールＶＨの上記突出する部分ＷＨに形成されたメッキ層は、突出部Ｗとなる。
【００４０】
メッキ層Ｐは、シード層Ｓと電解メッキ層とを含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキの方式により形成される無電解メッキ層であることができる。シード層Ｓは、ビアホールＶＨの内側壁、底面だけではなく、ビアホールＶＨの突出する部分ＷＨの内部にも形成される。電解メッキ層は、シード層Ｓを引込線としてメッキされる層であって、ビアホールＶＨのシード層を除いた残りの部分を充填する。
【００４１】
再び図３を参照すると、ビアＶは、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通する。ビアＶは、第１領域Ｖ１、第２領域Ｖ２及び第３領域Ｖ３で構成される。
【００４２】
第１領域Ｖ１は、第１樹脂層１１０を貫通し、第２領域Ｖ２は、第２樹脂層１２０を貫通する。第３領域Ｖ３は、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０をすべて貫通し、第１領域Ｖ１と第２領域Ｖ２とが接続されるように第１領域Ｖ１と第２領域Ｖ２との間に位置する。
【００４３】
ビアＶの幅の最大値は第３領域Ｖ３に位置することができる。すなわち、第３領域Ｖ３は、第１領域Ｖ１及び第２領域Ｖ２に比べて左右幅がより大きい。また、ビアＶの幅の最大値を有する地点は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との境界面に位置することができる。
【００４４】
第３領域Ｖ３の幅は、第１樹脂層１１０側から第２樹脂層１２０側に行くほど一旦大きくなってから再び小さくなる。第３領域Ｖ３の幅の最も大きい地点がビアＶの幅の最大値を有する地点となる。
【００４５】
第１領域Ｖ１及び第２領域Ｖ２の場合、第１領域Ｖ１及び第２領域Ｖ２のそれぞれの幅は、上側に行くほど大きくなる。但し、第２領域Ｖ２の上面の幅は、第３領域Ｖ３の幅の最大値よりも小さい。
【００４６】
これらの第１領域Ｖ１、第２領域Ｖ２及び第３領域Ｖ３は、一体に形成されて互いに境界がないこともある。
【００４７】
回路は、電気信号を伝達する導体線であって、金属からなることができる。回路をなす金属としては、銅（Ｃｕ）等がある。回路は、高周波信号を伝達することができ、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０が低誘電損失の特性を有する場合、回路が高周波信号を伝達する時に第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０による信号損失を低減することができる。回路は、第１回路２１０及び第２回路２２０を含むことができる。
【００４８】
第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の一面（例えば、下面）に形成される回路であり、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の一面（例えば、上面）に形成される回路である。第１回路２１０と第２回路２２０とはビアＶを介して電気的に接続されることができる。
【００４９】
具体的には、第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の一面（例えば、下面）に埋め込まれる。すなわち、第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面からは露出できるが、第１樹脂層１１０の下面を除いた残りの面は第１樹脂層１１０と接触する。
【００５０】
また、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の一面（例えば、上面）に突出して形成される。すなわち、第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に接し、外側に突出する。
【００５１】
ビアＶは、第１回路２１０の上面及び第２回路２２０の下面と接触することができる。さらに、第１回路２１０は端部に第１パッドを含み、第２回路２２０は端部に第２パッドを含み、ビアＶは第１パッドと第２パッドとの間に介在され、第１パッド及び第２パッドのそれぞれと接触することができる。
【００５２】
第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との界面には回路が形成されないこともできる。
【００５３】
図７は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を含むプリント回路基板を示す図である。
【００５４】
図７を参照すると、本発明の実施例に係るプリント回路基板は、熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層が交互に繰り返し積層されて形成される積層体と、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通するビアＶＡ、ＶＢと、を含む。
【００５５】
本発明の実施例に係るプリント回路基板は、熱硬化性の第１樹脂層１１０、熱可塑性の第２樹脂層１２０、熱硬化性の第３樹脂層１３０及び熱可塑性の第４樹脂層１４０が順に積層された積層体を含むことができる。一方、第１樹脂層１１０の下には熱可塑性樹脂層がさらに積層され、第４樹脂層１４０の上には熱硬化性樹脂層がさらに積層されることができる。
【００５６】
熱硬化性の第１樹脂層１１０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【００５７】
第１樹脂層１１０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第１樹脂層１１０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【００５８】
一方、第１樹脂層１１０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第１樹脂層１１０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【００５９】
熱可塑性の第２樹脂層１２０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００６０】
第２樹脂層１２０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第２樹脂層１２０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【００６１】
一方、第２樹脂層１２０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第２樹脂層１２０の厚さは、第１樹脂層１１０の厚さと実質的に同じであることができるが、これに制限されない。第２樹脂層１２０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【００６２】
熱硬化性の第３樹脂層１３０としては、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｅｔｈｅｒ）系樹脂、変性ポリイミド（ＰＩ）樹脂、変性エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）系樹脂等を用いることができる。
【００６３】
第３樹脂層１３０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第３樹脂層１３０の誘電定数（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ、Ｄｋ）は、３．５以下であることができる。
【００６４】
一方、第３樹脂層１３０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。また、第３樹脂層１３０のモジュラス（ｍｏｄｕｌｕｓ）は、１０Ｇｐａ以下であることができる。
【００６５】
第３樹脂層１３０は、第１樹脂層１１０と同じであることができる。
【００６６】
熱可塑性の第４樹脂層１４０としては、液晶ポリマー（ＬＣＰ；Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｐｏｌｙｍｅｒ）、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＳ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｅｔｈｅｒ）、ポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。
【００６７】
第４樹脂層１４０の誘電正接は、０．００３以下であり、好ましくは０．００２以下であることができる。また、第４樹脂層１４０の誘電定数は、３．５以下であることができる。
【００６８】
一方、第４樹脂層１４０の厚さは、１０μｍ以上４０μｍ以下であることができる。第４樹脂層１４０の厚さは、第３樹脂層１３０の厚さと実質的に同じであることができるが、これに制限されない。また、第４樹脂層１４０のＣＴＥは、１８ｐｐｍ／℃以下であり、溶融点は、２６０℃以上であることができる。
【００６９】
第４樹脂層１４０は、第２樹脂層１２０と同じであることができる。
【００７０】
本発明の実施例に係るプリント回路基板のビアＶＡ、ＶＢは、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを一括貫通する。ビアＶＡ、ＶＢは、熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との積層手順を考慮して形成される。すなわち、ビアＶＡ、ＶＢは、下側に位置する熱硬化性樹脂層とその上側に位置する熱可塑性樹脂層とを一括貫通し、下側に位置する熱可塑性樹脂層とその上側に位置する熱硬化性樹脂層とは一括貫通しない。ビアＶＡ、ＶＢは、上述したように、ビアＶと同じ構造的特徴を有することができる。
【００７１】
ビアＶＡの上記熱硬化性樹脂層（第１樹脂層１１０）を貫通する部分の幅は、上記ビアＶＡの上記熱可塑性樹脂層（第２樹脂層１２０）を貫通する部分の幅よりも小さいことが可能である。
【００７２】
ビアＶＢの上記熱硬化性樹脂層（第３樹脂層１３０）を貫通する部分の幅は、上記ビアＶＢの上記熱可塑性樹脂層（第４樹脂層１４０）を貫通する部分の幅より小さいことが可能である。
【００７３】
ビアＶＡ、ＶＢの側面には、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを貫通して外側に延長される突出部Ｗが設けられる。
【００７４】
ビアＶＡの側面には突出部Ｗが形成される。突出部Ｗは第１樹脂層１１０及び上記第２樹脂層１２０を貫通するようにビアＶの側面から延長できる。突出部ＷはビアＶＡの側面から外側に突出され、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を同時に貫通する。突出部Ｗは、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との間に突出する。
【００７５】
ビアＶＢの側面には突出部Ｗが形成される。突出部Ｗは第３樹脂層１３０及び上記第４樹脂層１４０を貫通するようにビアＶの側面から延長できる。突出部ＷはビアＶＢの側面から外側に突出され、第３樹脂層１３０及び第４樹脂層１４０を同時に貫通する。突出部Ｗは、第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０との間に突出する。
【００７６】
突出部Ｗの上下方向の厚さは、外側に行くほど小さくなることができる。この場合、図２に示されたように、プリント回路基板の縦断面において突出部Ｗは、三角形形状を有することができる。
【００７７】
突出部Ｗの最外側地点は、上記隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界に位置することができる。すなわち、突出部Ｗの最外側地点は、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０（第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０）との境界に位置することができる。突出部Ｗの上下方向の厚さが外側に行くほど小さくなる場合、突出部Ｗの最外側地点は尖った形状を有することができ、尖った地点は第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０（第３樹脂層１３０と第４樹脂層１４０）との境界に位置することができる。
【００７８】
突出部Ｗは、ビアＶＡ、ＶＢの側面の周りに沿って形成されることができる。図４を参照すると、突出部ＷのビアＶＡ、ＶＢの側面から測定される長さは、ビアＶＡ、ＶＢの側面の周りに応じて異なることができる。
【００７９】
突出部Ｗの最外側地点は、ビアＶＡ、ＶＢの最外側地点よりも外側に位置することができる。ビアＶＡ、ＶＢの横断面が第１樹脂層１１０から第２樹脂層１２０側に行くほど大きくなる場合は、ビアＶＡ、ＶＢの最大幅は、ビアＶＡ、ＶＢの上面幅となる。突出部Ｗは、ビアＶＡ、ＶＢの上面よりもさらに突出することができる。
【００８０】
突出部Ｗは、上部傾斜面及び下部傾斜面を含むことができる。
【００８１】
上部傾斜面は、ビアＶＡ、ＶＢの側面から外側に行くほど下に向かい、第２樹脂層１２０内に位置する。下部傾斜面は、ビアＶＡ、ＶＢの側面から外側に行くほど上に向かい、第１樹脂層１１０内に位置する。
【００８２】
上記上部傾斜面及び上記下部傾斜面は、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界面で接することができる。この場合、突出部Ｗの最外側地点は尖った形状を有し、尖った突出部Ｗの最外側地点は、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界面に位置することができる。
【００８３】
隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界面に対する上記上部傾斜面の傾斜角は、上記下部傾斜面の傾斜角よりも大きいことが可能である。この場合、突出部Ｗの熱硬化性樹脂層を貫通する体積は、熱可塑性樹脂層を貫通する体積よりも小さい。また、熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との境界から突出部Ｗの上面までの距離は、突出部Ｗの下面までの距離よりも大きい。
【００８４】
ビアＶＡ、ＶＢは、ビアホールＶＨ及びメッキ層Ｐを含むことができる。
【００８５】
ビアホールＶＨは、上記隣り合っている熱硬化性樹脂層及び熱可塑性樹脂層を上下に一括貫通する。メッキ層Ｐは、ビアホールＶＨ内に形成されるメッキ物質である。
【００８６】
ビアホールＶＨは、突出する部分ＷＨを含むことができる。突出する部分ＷＨは、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層との間に突出でき、隣り合っている熱硬化性樹脂層と熱可塑性樹脂層とを貫通して外側に突出することができる。メッキ層Ｐは、ビアホールＶＨの突出する部分ＷＨにも形成される。上記突出する部分ＷＨに形成されたメッキ層は、突出部Ｗとなる。
【００８７】
メッキ層Ｐは、シード層Ｓ及び電解メッキ層を含むことができる。シード層Ｓは、無電解メッキの方式により形成される無電解メッキ層であることができる。シード層Ｓは、ビアホールＶＨの内側壁、底面だけではなく、ビアホールＶＨの突出する部分ＷＨの内部にも形成される。電解メッキ層は、シード層Ｓを引込線としてメッキされる層であって、ビアホールＶＨのシード層Ｓを除いた残りの部分を充填する。
【００８８】
回路は、第１回路２１０、第２回路２２０及び第３回路２３０等を含む。
【００８９】
第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下面に形成される回路である。第１回路２１０は、第１樹脂層１１０の下に積層された熱可塑性樹脂層（図示せず）の上面に形成され、第１樹脂層１１０に埋め込まれる。
【００９０】
第２回路２２０は、第２樹脂層１２０の上面に形成され、第３樹脂層１３０に埋め込まれる回路である。
【００９１】
第３回路２３０は、第４樹脂層１４０の上面に形成され、第４樹脂層１４０上に積層された熱硬化性樹脂層（図示せず）に埋め込まれる。
【００９２】
第１回路２１０と第２回路２２０とはビアＶＡを介して電気的に接続され、第２回路２２０と第３回路２３０とはビアＶＢを介して電気的に接続されることができる。
【００９３】
ビアＶＡは、第１回路２１０の上面及び第２回路２２０の下面と接触することができる。さらに、第１回路２１０は、端部に第１パッドを含み、第２回路２２０は端部に第２パッドを含み、ビアＶＡは、第１パッドと第２パッドとの間に介在され、第１パッド及び第２パッドのそれぞれと接触することができる。
【００９４】
ビアＶＢは、第２回路２２０の上面及び第３回路２３０の下面と接触することができる。さらに、第２回路２２０は、端部に第２パッドを含み、第３回路２３０は、端部に第３パッドを含み、ビアＶＢは、第２パッドと第３パッドとの間に介在され、第２パッド及び第３パッドのそれぞれと接触することができる。
【００９５】
一方、回路は、積層体の最外層に形成される最外層回路を含み、最外層回路のうちの最上部回路は、積層体の最上層に位置する熱可塑性樹脂層の上面に外側に突出して形成される。また、最外層回路のうちの最下部回路は、積層体の最下層に位置する熱硬化性樹脂層の下面に埋め込まれる。
【００９６】
図７において最外層回路は、第３回路２３０となる。最外層回路の表面には表面処理層４００を形成できる。表面処理層４００は、金（Ａｕ）等の反応性の弱い金属からなるか、有機物からなることができるが、これに制限されない。また、表面処理層は、複数の層で構成されることもできる。
【００９７】
積層体の両面には、最外層回路をカバーして保護するカバー層３００をさらに形成でき、このカバー層３００は、軟性のカバーレイ（ｃｏｖｅｒｌａｙ）であることができる。カバー層３００には開口が形成され、開口から表面処理層４００が露出することができる。
【００９８】
図８から図１０は、本発明の実施例に係るプリント回路基板を製造する方法を示す図である。
【００９９】
図８の（ａ）を参照すると、シード金属層を含むディタッチコアＤＣが設けられ、シード金属層上に第１回路２１０が形成される。また、シード金属層上に第１回路２１０をカバーする熱硬化性の第１樹脂層１１０が積層される。
【０１００】
図８の（ｂ）を参照すると、熱硬化性の第１樹脂層１１０上に熱可塑性の第２樹脂層１２０が積層される。図示していないが、熱可塑性の第２樹脂層１２０は、上部に銅層等の金属箔を備えることができる。この金属箔は、シード層の役割をすることができる。
【０１０１】
図８の（ｃ）を参照すると、第１樹脂層１１０及び第２樹脂層１２０を一括貫通するビアホールＶＨが形成される。ビアホールＶＨは、レーザードリル等で形成可能である。ビアホールＶＨは、第１回路２１０を露出させる。ビアホールＶＨには、第１樹脂層１１０と第２樹脂層１２０との間に突出する部分ＷＨが含まれる。
【０１０２】
図８の（ｄ）を参照すると、ビアホールＶＨの内部及び第２樹脂層１２０上にシード層Ｓが形成される。
【０１０３】
図９の（ａ）を参照すると、シード層Ｓ上に電解メッキ層が形成され、ビアホールＶＨはメッキ層で充填される。ここで、不要なシード層が除去されると、ビアＶＡ及び第２回路２２０が形成される。
【０１０４】
図９の（ｂ）から図９の（ｄ）を参照すると、上述の過程が繰り返され、熱可塑性の第２樹脂層１２０上に熱硬化性の第３樹脂層１３０が積層され、第３樹脂層１３０上に熱可塑性の第４樹脂層１４０が積層され、ビアＶＢが形成され、第３回路２３０が形成される。
【０１０５】
図１０の（ａ）及び図１０の（ｂ）を参照すると、ディタッチコアＤＣの一部が除去され、ディタッチコアＤＣに含まれていたシード金属層がエッチングで除去される。
【０１０６】
図１０の（ｃ）を参照すると、第１樹脂層１１０の下面及び第４樹脂層１４０の上面にカバー層３００が形成され、図１０の（ｄ）を参照すると、カバー層３００の開口から露出する第３回路２３０の表面に表面処理層４００が形成される。
【０１０７】
以上のように本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載された本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更、削除または追加等により本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。
【符号の説明】
【０１０８】
１１０    第１樹脂層
１２０    第２樹脂層
１３０    第３樹脂層
１４０    第４樹脂層
２１０    第１回路
２２０    第２回路
２３０    第３回路
Ｖ、ＶＡ、ＶＢ    ビア
Ｗ        突出部
Ｖ１      第１ビア
Ｖ２      第２ビア
Ｖ３      第３ビア
Ｓ        シード層
Ｐ        メッキ層
３００    カバー層
４００    表面処理層
【図１】
2020021928.tif 000003
【図２】
2020021928.tif 000004
【図３】
2020021928.tif 000005
【図４】
2020021928.tif 000006
【図５】
2020021928.tif 000007
【図６】
2020021928.tif 000008
【図７】
2020021928.tif 000009
【図８】
2020021928.tif 000010
【図９】
2020021928.tif 000011
【図１０】
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