(57)【要約】【課題】従来よりも残留電荷による基板のずれや破損を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による載置台機構は、基板の裏面と電気的に接触可能な導電膜が表面に形成された静電チャックと、前記導電膜と電気的に接続され、前記静電チャックの裏面まで這いまわされた導電部材と、前記導電部材に接続部材を介して電気的に接続され、接地電位に接続される位置と接続されない位置との間で移動可能な移動部材と、を有する。【選択図】図２
2020021769.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面と電気的に接触可能な導電膜が表面に形成された静電チャックと、
前記導電膜と電気的に接続され、前記静電チャックの裏面まで這いまわされた導電部材と、
前記導電部材に接続部材を介して電気的に接続され、接地電位に接続される位置と接続されない位置との間で移動可能な移動部材と、
を有する、
載置台機構。
【請求項２】
当該載置台機構は、処理容器内に設けられており、
前記接地電位に接続される位置は、前記処理容器と電気的に接続される位置であり、
前記接地電位に接続されない位置は、前記処理容器と電気的に絶縁される位置である、
請求項１に記載の載置台機構。
【請求項３】
前記導電膜は、前記静電チャックの吸着面に、前記静電チャックの中心部から径方向に沿って外縁部までライン状に延びて形成されている、
請求項１又は２に記載の載置台機構。
【請求項４】
前記静電チャックは、一対のチャック電極を有する双曲型であり、
前記導電膜は、平面視で、一方のチャック電極と重なり、他方のチャック電極と重ならない位置に形成されている、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の載置台機構。
【請求項５】
前記導電部材を前記導電膜に押圧する押圧部材を有する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の載置台機構。
【請求項６】
前記移動部材には、前記基板の裏面と接触可能な昇降ピンが取り付けられており、
前記移動部材は、前記接地電位に接続される位置において前記昇降ピンと前記基板の裏面とが接触し、前記接地電位に接続されない位置において前記昇降ピンと前記基板の裏面とが離間する、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の載置台機構。
【請求項７】
前記接続部材は、弾性体である、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の載置台機構。
【請求項８】
前記弾性体は、コイルバネである、
請求項７に記載の載置台機構。
【請求項９】
処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、基板を載置する載置台機構と、
を備え、
前記載置台機構は、
基板の裏面と電気的に接触可能な導電膜が表面に形成された静電チャックと、
前記導電膜と電気的に接続され、前記静電チャックの裏面まで這いまわされた導電部材と、
前記導電部材に接続部材を介して電気的に接続され、接地電位に接続される位置と接続されない位置との間で移動可能な移動部材と、
を有する、
処理装置。
【請求項１０】
前記処理容器の底部に設けられ、上下に移動可能な導電性の突起部を備え、
前記接地電位に接続される位置は、前記移動部材と前記突起部とが接触する位置であり、
前記接地電位に接続されない位置は、前記移動部材と前記突起部とが離間する位置である、
請求項９に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記接続部材は、第１の弾性体により形成されており、
前記突起部は、第２の弾性体の弾性変形により上下に移動可能であり、
前記第２の弾性体の反力は、前記第１の弾性体の反力よりも大きい、
請求項１０に記載の処理装置。
【請求項１２】
基板の裏面と電気的に接触可能な導電膜が表面に形成された静電チャックと、
前記導電膜と電気的に接続され、前記静電チャックの裏面まで這いまわされた導電部材と、
前記導電部材に接続部材を介して電気的に接続され、接地電位に接続される位置と接続されない位置との間で移動可能な移動部材と、
前記移動部材に取り付けられ、前記基板の裏面と接触可能な昇降ピンと、
を有する載置台機構の動作方法であって、
前記移動部材を前記接地電位に接続される位置に移動させた後、前記昇降ピンを前記基板の裏面に接触させる、
載置台機構の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台機構、処理装置及び載置台機構の動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電チャックの吸着面に吸着された基板を静電チャックから離間させる際、静電チャックや基板に蓄積された残留電荷による静電力が残った状態で昇降ピンを上昇させると、基板のずれや破損が生じる場合がある。そこで、静電チャックや基板に蓄積された残留電荷を除去する技術が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５３２３３１７号公報
【特許文献２】米国特許第９５９５４６４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、従来よりも残留電荷による基板のずれや破損を抑制することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による載置台機構は、基板の裏面と電気的に接触可能な導電膜が表面に形成された静電チャックと、前記導電膜と電気的に接続され、前記静電チャックの裏面まで這いまわされた導電部材と、前記導電部材に接続部材を介して電気的に接続され、接地電位に接続される位置と接続されない位置との間で移動可能な移動部材と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、従来よりも残留電荷による基板のずれや破損を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】処理装置の構成例を示す断面図
【図２】載置台機構の一例を示す断面図
【図３】静電チャックの一例を示す平面図
【図４】静電チャックの一部を拡大して示す斜視図
【図５】静電チャックの一部を拡大して示す平面図
【図６】静電チャックの表面に形成された導電膜とチャック電極との位置関係の説明図
【図７】載置台機構の動作の説明図（１）
【図８】載置台機構の動作の説明図（２）
【図９】載置台機構の動作の説明図（３）
【図１０】載置台機構の動作の説明図（４）
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
（処理装置）
本開示の一実施形態に係る処理装置について、基板の一例である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という。）の表面に対して傾斜して配置されたターゲット材からウエハにスパッタ粒子を放射させることによりウエハに膜を形成するスパッタ装置を例に挙げて説明する。図１は、処理装置の構成例を示す断面図である。
【００１０】
図１に示されるように、処理装置１０は、処理容器１２を有する。処理容器１２は、本体１２ａ及び蓋体１２ｂを含む。本体１２ａは、略円筒状を有し、上端が開口している。本体１２ａは接地されている。本体１２ａの中心軸線は軸線Ｃに一致している。蓋体１２ｂは、本体１２ａ上に設けられている。本体１２ａの上端の開口は、蓋体１２ｂ、ホルダ３０、及びホルダ支持部３２によって閉じられている。ホルダ３０及びホルダ支持部３２については後述する。
【００１１】
処理容器１２の内部には、載置台機構１００が設けられている。載置台機構１００は、載置台１１０を含む。載置台機構１００の詳細については後述する。
【００１２】
載置台１１０には、軸体２２が結合されている。軸体２２は、載置台１１０から下方に延びている。軸体２２は、本体１２ａの底部を通過して、処理容器１２の外部まで延びている。軸体２２と本体１２ａの底部との間には、処理容器１２の内部を気密に封止するためのシール機構２３が設けられている。軸体２２の中心軸線は、軸線Ｃに略一致している。
【００１３】
軸体２２は、処理容器１２の外部において駆動装置２４に接続している。駆動装置２４は、軸体２２を当該軸体２２の中心軸線を回転軸として回転させ、且つ、軸体２２を上下動させる。駆動装置２４は、載置台１１０上にウエハＷを載置する際には、載置台１１０を処理容器１２内の比較的下方の位置に配置する。そして、搬送装置（図示せず）によって処理容器１２内に搬送されたウエハＷは、静電チャック１１４によって吸着される。この後、駆動装置２４は、ウエハＷに対する成膜のために載置台１１０を上方に移動させる。載置台１１０の上方への移動中に、マスク２６が載置台１１０上に配置される。マスク２６は、略環形状を有する板状体である。マスク２６は、ウエハＷの直径よりも僅かに小さい直径の開口２６ａを有する。マスク２６の外縁部２６ｅは、下方に突出している。
【００１４】
処理容器１２内には、マスク支持体２８が設けられている。マスク支持体２８は、処理容器１２から吊り下げられている。マスク支持体２８は、載置台１１０の上下動を阻害しないように、載置台１１０が移動する領域（軸線Ｃに沿った領域）において開口している。マスク支持体２８は、支持部２８ａを有する。支持部２８ａは、上方に開口し、軸線Ｃに対して周方向に延びる凹部を形成する。支持部２８ａによって形成される凹部には、マスク２６の外縁部２６ｅが配置される。これにより、マスク２６は、載置台１１０から離間しているときに、マスク支持体２８によって支持される。
【００１５】
処理装置１０は、ガス供給部２９を有する。ガス供給部２９は、処理容器１２の内部にガスを供給する。また、処理装置１０は、ホルダ３０及びホルダ支持部３２を有する。ホルダ支持部３２は、絶縁体であり、蓋体１２ｂに取り付けられている。ホルダ支持部３２は、ホルダ３０を支持し、ホルダ３０を蓋体１２ｂから電気的に絶縁させている。ホルダ３０は、ターゲット材３４を保持する。ホルダ３０には、電源３６が接続されている。電源３６によりホルダ３０に電圧が印加されると、ターゲット材３４の近傍において電界が発生する。これにより、ガス供給部２９から供給されたガスが解離し、イオンが生成される。生成されたイオンは、ターゲット材３４に衝突し、ターゲット材３４から物質が放出される。放出された物質はウエハＷ上に堆積する。
【００１６】
処理装置１０は、処理装置１０の全体の動作を制御するためのコンピュータ等の制御部４０を有する。制御部４０は、処理装置１０の各部の動作を制御する。
【００１７】
制御部４０には、処理装置１０で実行される各種の処理を制御部４０にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置１０の各部に処理を実行させるための各種のプログラムが格納された記憶部が接続されている。各種のプログラムは記憶媒体に記憶され、記憶部に格納され得る。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよく、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、有線又は無線等の通信手段によって、他の装置やホストコンピュータから記憶部へ適宜伝送されるようにしてもよい。
【００１８】
上記の処理装置１０においては、まず、駆動装置２４により載置台１１０が成膜時の位置よりも下方の位置に配置される。続いて、ウエハＷが搬送装置（図示せず）により載置台１１０上に載置され、静電チャック１１４に吸着される。続いて、駆動装置２４により載置台１１０が上昇されて、マスク２６が載置台１１０に対して固定される。続いて、駆動装置２４により載置台１１０が更に上昇されて、成膜時の位置に移動する。続いて、駆動装置２４により載置台１１０が回転されると共に、ガス供給部２９から処理容器１２の内部にガスが供給され、電源３６からホルダ３０に電圧が印加される。これにより、ターゲット材３４から放出された物質がウエハＷ上に堆積し、所望の膜が形成される。
【００１９】
（載置台機構）
図１の処理装置１０における載置台機構１００の一例について説明する。図２は、載置台機構１００の一例を示す断面図である。図２では、複数の昇降ピンのうちの１つが設けられている部分を拡大して示す。なお、他の昇降ピンが設けられている部分についても同様である。図３は、静電チャック１１４の一例を示す平面図である。図４は、静電チャック１１４の一部を拡大して示す斜視図であり、図３における領域Ａを拡大して示す。図５は、静電チャック１１４の一部を拡大して示す平面図であり、図３における領域Ｂを拡大して示す。図６は、静電チャック１１４の表面に形成された導電膜とチャック電極１１４ａとの位置関係の説明図である。
【００２０】
図２に示されるように、載置台機構１００は、載置台１１０、導電部材１２０、昇降ピン機構１３０、及び押圧部材１４０を有する。
【００２１】
載置台１１０は、ベース部１１２及び静電チャック１１４を有する。
【００２２】
ベース部１１２は、略円盤形状を有する。ベース部１１２内には、ヒータ１１２ａが埋め込まれている。ヒータ１１２ａには、電源１１２ｂが接続されている。電源１１２ｂからヒータ１１２ａに電力が供給されることにより、載置台１１０を所定の温度に調整することができる。なお、ヒータ１１２ａは、静電チャック１１４内に埋め込まれていてもよく、載置台１１０に貼り付け可能なシート型ヒータであってもよい。また、ヒータ１１２ａは複数のゾーンに分割されていてもよい。ヒータ１１２ａが複数のゾーンに分割されている場合、分割されたゾーンごとに載置台１１０の温度を調整することができる。
【００２３】
静電チャック１１４は、ベース部１１２上に設けられている。静電チャック１１４は、略円盤形状を有し、その中心は軸線Ｃ上に略位置している。静電チャック１１４は、導電膜により形成されるチャック電極１１４ａを一対の誘電体膜の間に挟み込んだものである。チャック電極１１４ａには、電源１１４ｂが接続されている。静電チャック１１４は、電源１１４ｂから印加される電圧により、静電力でウエハＷを静電チャック１１４上に吸着保持する。静電チャック１１４の表面には、図３に示されるように、ガス孔１１４ｃ、ガス溝１１４ｄ、パッド１１４ｅ、シールバンド１１４ｆ、除電部１１４ｇ、及び接触部１１４ｈが形成されている。パッド１１４ｅ、シールバンド１１４ｆ、除電部１１４ｇ、及び接触部１１４ｈは、例えばＴｉＮ等の導電膜により形成されている。
【００２４】
ガス孔１１４ｃは、静電チャック１１４の吸着面に形成されている。ガス孔１１４ｃは、外部の伝熱ガス供給源に接続されており、ヘリウムガス（Ｈｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）等の伝熱ガスをガス溝１１４ｄに供給する。一実施形態では、ガス孔１１４ｃは、静電チャック１１４の吸着面の中心近傍に１つ形成されている。但し、ガス孔１１４ｃは、静電チャック１１４の吸着面に複数形成されていてもよい。
【００２５】
ガス溝１１４ｄは、静電チャック１１４の吸着面に形成されている。ガス溝１１４ｄは、ガス孔１１４ｃから供給される伝熱ガスの流路として機能する。一実施形態では、ガス溝１１４ｄは、静電チャック１１４の吸着面の全面に亘って形成されている。これにより、静電チャック１１４の全面に伝熱ガスが供給されるので、静電チャック１１４の吸着面に吸着されるウエハＷの均熱性が向上する。
【００２６】
パッド１１４ｅは、静電チャック１１４の吸着面に形成されている。パッド１１４ｅは、静電チャック１１４の吸着面にウエハＷを吸着する際、ウエハＷの裏面と接触可能に形成されている。パッド１１４ｅは、静電チャック１１４の表面にウエハＷを吸着する際にウエハすべりを生じさせ、ウエハＷへのストレスを軽減する。一実施形態では、静電チャック１１４の吸着面の全面に亘って多数の円形状のパッド１１４ｅが形成されている。
【００２７】
シールバンド１１４ｆは、静電チャック１１４の吸着面の外周に沿って全周に亘って形成されている。シールバンド１１４ｆは、静電チャック１１４の吸着面にウエハＷを吸着する際、ウエハＷの裏面と接触可能に形成されている。シールバンド１１４ｆは、静電チャック１１４の吸着面に形成された昇降ピン１３６を挿通するための挿通孔１１４ｉの周囲に形成されている。シールバンド１１４ｆは、静電チャック１１４の吸着面にウエハＷが載置された際にウエハＷの裏面と接触する。これにより、静電チャック１１４の吸着面に吸着されたウエハＷの裏面と静電チャック１１４の表面との間の空間に供給された伝熱ガスが空間から漏れることを抑制する。
【００２８】
除電部１１４ｇは、静電チャック１１４の吸着面に、静電チャック１１４の中心部から径方向に沿って外縁部までライン状に延びて形成されており、外縁部においてシールバンド１１４ｆと接続されている。除電部１１４ｇは、静電チャック１１４の吸着面にウエハＷが載置された際にウエハＷの裏面と接触する。これにより、静電チャック１１４の中心部と外縁部とが同電位となる。また、静電チャック１１４が一対のチャック電極１１４ａを有する双曲型である場合、図６に示されるように、除電部１１４ｇは、平面視で一方のチャック電極１１４ａ１と重なり、他方のチャック電極１１４ａ２と重ならない位置に形成されていることが好ましい。これにより、除電部１１４ｇが静電チャック１１４の静電力に影響を及ぼすことを抑制できる。
【００２９】
接触部１１４ｈは、静電チャック１１４の吸着面に形成されたシールバンド１１４ｆから載置台１１０の外縁部に亘って形成されている。接触部１１４ｈには、導電部材１２０が電気的に接続される。
【００３０】
導電部材１２０は、載置台１１０の表面に形成された接触部１１４ｈと電気的に接続され、載置台１１０の裏面まで這いまわされている。導電部材１２０は、アルミニウム等の導電材料により形成されている。
【００３１】
昇降ピン機構１３０は、ハウジング１３２、シャフト１３４、昇降ピン１３６、及び接続部材１３８を有する。
【００３２】
ハウジング１３２は、円筒形状を有し、セラミックス等の絶縁部材を介して軸体２２に固定されている。これにより、ハウジング１３２は、処理容器１２に対して電気的に浮遊すると共に、軸体２２と一体となって昇降する。ハウジング１３２は、例えばステンレスにより形成されている。
【００３３】
シャフト１３４は、移動部材の一例であり、ハウジング１３２に対して上下に摺動可能に設けられている。シャフト１３４は、例えばステンレス等の導電材料により形成されている。シャフト１３４は、接地電位に接続される位置と接地電位に接続されない位置との間で移動可能である。一実施形態では、接地電位に接続される位置は、処理容器１２と電気的に接続される位置であり、処理容器１２の底部に設けられた導電性の突起部１２ｃの上端と接触する位置である。一方、接地電位に接続されない位置は、処理容器１２と電気的に絶縁される位置であり、処理容器１２の底部に設けられた導電性の突起部１２ｃの上端から離間する位置である。なお、図２では、シャフト１３４が突起部１２ｃの上端と接触している状態を示している。突起部１２ｃは、載置台１１０の下降時のストロークを長くすることができるという観点から、弾性体１２ｄ（例えばコイルバネ）の弾性変形により上下に移動可能であることが好ましい。この場合、接続部材１３８が縮み切ったときに載置台１１０と昇降ピン１３６の位置関係が固定されることが好ましいため、突起部１２ｃを移動させる弾性体の反力は、接続部材１３８の反力よりも大きく設定される。
【００３４】
昇降ピン１３６は、シャフト１３４の上端に取り付けられている。これにより、昇降ピン１３６は、シャフト１３４と一体となって昇降する。昇降ピン１３６は、チタン（Ｔｉ）等の導電材料により形成されている。昇降ピン１３６は、シャフト１３４が突起部１２ｃに押し出されることでシャフト１３４と一体となって上方に移動する。これにより、昇降ピン１３６は、静電チャック１１４の吸着面の下方の位置から上方の位置まで昇降可能となっている。昇降ピン１３６が上方に移動してその上端がウエハＷの裏面に接触すると、静電チャック１１４やウエハＷに蓄積された残留電荷が昇降ピン１３６、シャフト１３４、突起部１２ｃ、及び処理容器１２を介して除電される。また、昇降ピン１３６の上端が静電チャック１１４の吸着面よりも上方に移動することにより、昇降ピン１３６の上端でウエハＷを支持してウエハＷが静電チャック１１４の吸着面から離間する。
【００３５】
接続部材１３８は、ステンレス等の導電材料により形成されている。接続部材１３８は、一端がシャフト１３４の上端に固定され、他端が導電部材１２０に固定されている。これにより、シャフト１３４と導電部材１２０とは、接続部材１３８を介して常に電気的に接続され同電位の状態となる。一実施形態では、接続部材１３８は、コイルバネである。これにより、シャフト１３４と導電部材１２０との間の相対位置が変化しても、シャフト１３４と導電部材１２０とが電気的に接続された状態が維持される。なお、接続部材１３８は、例えば電線であってもよい。
【００３６】
押圧部材１４０は、導電部材１２０を静電チャック１１４に形成された接触部１１４ｈに押圧する。これにより、部品公差の吸収を図ると共に、一定の接触力を与えることができる。一実施形態では、押圧部材１４０は、例えばバネを含み、バネの弾性力により導電部材１２０を接触部１１４ｈに押圧する。
【００３７】
（載置台機構の動作方法）
上記の処理装置１０の載置台機構１００の動作方法について、静電チャック１１４の吸着面に吸着されたウエハＷを昇降ピン１３６で持ち上げて吸着面から離間させるときの動作を例に挙げて説明する。
【００３８】
図７から図１０は、載置台機構１００の動作の説明図である。図７は、載置台１１０が静電チャック１１４の吸着面にウエハＷを吸着させる位置にある場合の載置台機構１００の各部の位置関係を示す。図８は、シャフト１３４の下端と突起部１２ｃの上端とが接触する位置にある場合の載置台機構１００の各部の位置関係を示す。図９は、昇降ピン１３６とウエハＷの裏面とが接触する位置にある場合の載置台機構１００の各部の位置関係を示す。図１０は、昇降ピン１３６によりウエハＷを静電チャック１１４の吸着面から離間させて支持する位置にある場合の載置台機構１００の各部の位置関係を示す。なお、図７〜図１０における矢印Ｌは、静電チャック１１４と処理容器１２との間の電気的接続状態を示す。また、図７〜図１０においては、載置台１１０にウエハＷを載置することなく載置台機構１００を動作させたときの状態を示す。
【００３９】
まず、図７に示されるように、載置台１１０が静電チャック１１４の吸着面にウエハＷを吸着させる位置にある場合、昇降ピン１３６の上端が静電チャック１１４の吸着面から引っ込み、且つ、シャフト１３４の下端と突起部１２ｃの上端とが離間している。そのため、昇降ピン機構１３０及び静電チャック１１４は地絡することがない。
【００４０】
続いて、図８に示されるように、載置台１１０を下降させてシャフト１３４と突起部１２ｃとを接触させる。これにより、静電チャック１１４（シールバンド１１４ｆ、除電部１１４ｇ、及び接触部１１４ｈ）、導電部材１２０、接続部材１３８、シャフト１３４、突起部１２ｃ、及び処理容器１２が電気的に接続される。そのため、ウエハＷの裏面及び静電チャック１１４が処理容器１２を介して地絡する。その結果、ウエハＷや静電チャック１１４に蓄積された残留電荷が、導電部材１２０、接続部材１３８、シャフト１３４、突起部１２ｃ、及び処理容器１２を介して除電される。
【００４１】
続いて、図９に示されるように、載置台１１０を更に下降させることで、昇降ピン１３６の上端を、静電チャック１１４の吸着面と同じ高さ、又は静電チャック１１４の吸着面から僅かに突出させてウエハＷの裏面に接触させる。これにより、ウエハＷに蓄積された残留電荷が、昇降ピン１３６、シャフト１３４、突起部１２ｃ、及び処理容器１２を介して除電される。
【００４２】
続いて、図１０に示されるように、載置台１１０を更に下降させることで、静電チャック１１４の吸着面から昇降ピン１３６を更に突出させてウエハＷの裏面を支持し、ウエハＷを静電チャック１１４の吸着面から離間させる。このとき、ウエハＷ及び静電チャック１１４が除電されているので、ウエハＷのずれや破損を抑制することができる。
【００４３】
以上に説明したように、本開示の一実施形態では、昇降ピン１３６によりウエハＷを持ち上げる前にウエハＷの裏面及び静電チャック１１４の吸着面を地絡させる。これにより、昇降ピン１３６によりウエハＷを持ち上げる前に、ウエハＷや静電チャック１１４に蓄積された残留電荷を除電することができる。そのため、ウエハＷを持ち上げる際のウエハＷのずれや破損を抑制することができる。また、シャフト１３４と突起部１２ｃとを接触させてウエハＷの裏面及び静電チャック１１４の吸着面を地絡させることによりウエハＷや静電チャック１１４に蓄積された残留電荷を除電するので、除電用回路やスイッチ機構・回路等を別途設ける必要がない。即ち、シンプルな構造でウエハＷや静電チャック１１４に蓄積された残留電荷を除電することができる。
【００４４】
また、本開示の一実施形態では、チャック電極１１４ａに電圧を印加して静電チャック１１４の吸着面にウエハＷを吸着させる際、シャフト１３４と突起部１２ｃとが離間している。これにより、静電チャック１１４及び昇降ピン機構１３０は地絡することなく、電気的に浮遊した状態となる。そのため、静電チャック１１４の静電力に影響を及ぼすことを防止することができる。
【００４５】
また、本開示の一実施形態では、静電チャック１１４の吸着面に、静電チャック１１４の中心部から径方向に沿って外縁部までライン状に延びて形成され、外縁部においてシールバンド１１４ｆと接続された除電部１１４ｇが設けられている。これにより、ウエハＷの裏面の中心付近に蓄積された残留電荷が除電部１１４ｇを介して除電されるので、ウエハＷの裏面の全体を効果的に除電することができると共に、静電チャック１１４の表面に残留した電荷も効果的に除去できる。
【００４６】
また、本開示の一実施形態では、平面視で、除電部１１４ｇが双曲型のチャック電極１１４ａの一方のチャック電極１１４ａと重なり、他方のチャック電極１１４ａと重ならない位置に形成されている。これにより、除電部１１４ｇが設けられることによる静電チャック１１４の静電力への影響を抑制することができる。
【００４７】
また、本開示の一実施形態では、導電部材１２０を静電チャック１１４の接触部１１４ｈに押圧する押圧部材１４０が設けられている。これにより、部品公差の吸収を図ると共に、一定の接触力を与えることができる。
【００４８】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１０      処理装置
１２      処理容器
１２ｃ    突起部
１２ｄ    弾性体
１００    載置台機構
１１０    載置台
１１４    静電チャック
１１４ａ  チャック電極
１１４ｆ  シールバンド
１１４ｇ  除電部
１１４ｈ  接触部
１２０    導電部材
１３０    昇降ピン機構
１３４    シャフト
１３６    昇降ピン
１３８    接続部材
１４０    押圧部材
Ｗ        ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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