(57)【要約】【課題】水素精製器の洗浄に使用した後の洗浄用ガスを適切に処理することができる水素製造装置、水素製造装置の洗浄方法、及び水素製造システムを提供する。【解決手段】水素製造装置１０は、改質ガスをオフガスと水素リッチガスとに分離する水素精製器１６を有している。水素精製器１６には、オフガス管Ｐ７が接続され、オフガス管Ｐ７は、オフガスタンク１８と接続されている。水素精製器１６の洗浄に使用した後の洗浄用ガスは、オフガス間Ｐ７を経てオフガスタンク１８へ送出される。【選択図】図１
2020100529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料を改質して水素を主成分とした改質ガスを生成する改質器からの前記改質ガスを、水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離し、前記オフガスを送出するオフガス送出路及び前記水素リッチガスを送出する水素ガス送出路を有する水素精製器と、
前記オフガス送出路と接続され、前記オフガスが流入するオフガスタンクと、
洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する洗浄処理を行う、洗浄実行部と、
を備えた水素製造装置。
【請求項２】
前記水素精製器は、前記不純物を吸着する吸着部を有し、
前記洗浄実行部は、前記吸着部への前記改質ガスの流入を止めると共に、前記吸着部へ前記洗浄用ガスを供給して、前記吸着部の洗浄処理を行う、
請求項１に記載の水素製造装置。
【請求項３】
前記吸着部は、前記改質ガスが流入される流入端と前記水素リッチガスが流出される流出端を有し、
前記洗浄処理において、前記洗浄用ガスは、前記流出端側から流入されて前記流入端側から流出される、請求項２に記載の水素製造装置。
【請求項４】
コンピュータを、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の水素製造装置の前記洗浄実行部として機能させるための水素製造装置制御プログラム。
【請求項５】
改質器から供給される水素を主成分とした改質ガスを、水素精製器で水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離し、
前記オフガスをオフガスタンクと接続されたオフガス送出路へ送出すると共に、前記水素リッチガスを水素ガス送出路へ送出し、
洗浄処理では、洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する、水素製造装置の洗浄方法。
【請求項６】
前記水素精製器は、前記不純物を吸着する吸着部を有し、
前記洗浄処理では、前記吸着部への前記改質ガスの流入を止めると共に、前記吸着部へ前記洗浄用ガスを供給する、請求項５に記載の水素製造装置の洗浄方法。
【請求項７】
前記吸着部は、前記改質ガスが流入される流入端と前記水素リッチガスが流出される流出端を有し、
前記洗浄処理において、前記洗浄用ガスは、前記流出端側から流入されて前記流入端側から流出される、請求項６に記載の水素製造装置の洗浄方法。
【請求項８】
原料を改質して水素を主成分とした改質ガスを生成する改質器からの前記改質ガスを、水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離し、前記オフガスを送出するオフガス送出路及び前記水素リッチガスを送出する水素ガス送出路を有する水素精製器と、
前記オフガス送出路と接続され、前記オフガスが流入するオフガスタンクと、
を有する複数の水素製造装置と、
洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する洗浄処理を行う、洗浄実行部と、
を備えた水素製造システム。
【請求項９】
前記水素ガス送出路から分岐され、前記水素リッチガスを他の水素製造装置の前記水素精製器へ供給する他機洗浄ガス供給路、を有する、請求項８に記載の水素製造システム。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項８または請求項９に記載の水素製造システムの前記洗浄実行部として機能させるための水素製造装置制御プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素製造装置、水素製造装置の洗浄方法、水素製造装置制御プログラム、及び水素製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水素を得るための水素製造装置としては、原料炭化水素を改質装置で改質ガスに改質した後、ＰＳＡ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｓｗｉｎｇ  Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ）器へ供給して改質ガスを精製することにより高純度の水素を得るものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このように、水素精製器を用いる場合、装置の起動時等に水素精製器を洗浄して水素精製器内の不純物を除去することが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−８８４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の洗浄用のガスとしては、純度の比較的高い水素ガスが用いられ、洗浄用ガスを洗浄に使用した後に、どのように処理するかの課題がある。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、水素精製器の洗浄に使用した後の洗浄用ガスを適切に処理することができる水素製造装置、水素製造装置の洗浄方法、水素製造装置制御プログラム、及び水素製造システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る水素製造装置は、原料を改質して水素を主成分とした改質ガスを生成する改質器からの前記改質ガスを、水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離し、前記オフガスを送出するオフガス送出路及び前記水素リッチガスを送出する水素ガス送出路を有する水素精製器と、前記オフガス送出路と接続され、前記オフガスが流入するオフガスタンクと、洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する洗浄処理を行う、洗浄実行部と、を備えている。
【０００７】
請求項１に係る水素製造装置では、改質器において原料が改質されて改質ガスが生成され、水素精製器において、改質ガスが水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離される。水素リッチガスは水素ガス送出路へ送出される。オフガスは、オフガス送出路へ送出され、オフガスタンクへ流入される。また、洗浄実行部は、洗浄用ガスを水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出して洗浄処理を行う。
【０００８】
このように、洗浄処理に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出することにより、通常の水素精製に伴って分離されたオフガスと同様に適切に処理することができる。
【０００９】
請求項２に係る水素製造装置は、前記水素精製器は、前記不純物を吸着する吸着部を有し、前記洗浄実行部は、前記吸着部への前記改質ガスの流入を止めると共に、前記吸着部へ前記洗浄用ガスを供給して、前記吸着部の洗浄処理を行う。
【００１０】
請求項２に係る水素製造装置では、洗浄実行部による洗浄処理は、水素精製器内の吸着部への改質ガスの流入を止めると共に、吸着部へ洗浄用ガスを供給することにより行われる。
【００１１】
請求項３に係る水素製造装置は、前記吸着部は、前記改質ガスが流入される流入端と前記水素リッチガスが流出される流出端を有し、前記洗浄処理において、前記洗浄用ガスは、前記流出端側から流入されて前記流入端側から流出される。
【００１２】
請求項３に係る水素製造装置では、吸着部の水素リッチガスが流出される流出端側から洗浄用ガスが流入されて、改質ガスが流入される流入端側から流出される。したがって、吸着部の流入端側で吸着された不純物を流出端側へ移動させることなく、効果的に洗浄処理を行うことができる。
【００１３】
請求項４に係る水素製造装置制御プログラムは、コンピュータを、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の水素製造装置の前記洗浄実行部として機能させる。
【００１４】
請求項４に係る水素製造装置制御プログラムによれば、洗浄処理に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出することにより、通常の水素精製に伴って分離されたオフガスと同様に適切に処理することができる。
【００１５】
請求項５に係る水素製造装置の洗浄方法は、改質器から供給される水素を主成分とした改質ガスを、水素精製器で水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離し、前記オフガスをオフガスタンクと接続されたオフガス送出路へ送出すると共に、前記水素リッチガスを水素ガス送出路へ送出し、洗浄処理では、洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する。
【００１６】
請求項５に係る水素製造装置の洗浄方法では、改質器において原料が改質されて改質ガスが生成され、水素精製器において、改質ガスが水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離される。水素リッチガスは水素ガス送出路へ送出される。オフガスは、オフガス送出路へ送出され、オフガスタンクへ流入される。また、洗浄用ガスを水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出して洗浄処理が行われる。
【００１７】
このように、洗浄処理に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出することにより、通常の水素精製に伴って分離されたオフガスと同様に適切に処理することができる。
【００１８】
請求項６に係る水素製造装置の洗浄方法は、前記水素精製器は、前記不純物を吸着する吸着部を有し、前記洗浄処理では、前記吸着部への前記改質ガスの流入を止めると共に、前記吸着部へ前記洗浄用ガスを供給する。
【００１９】
請求項６に係る水素製造装置の洗浄方法では、洗浄処理は、水素精製器内の吸着部への改質ガスの流入を止めると共に、吸着部へ洗浄用ガスを供給することにより行われる。
【００２０】
請求項７に係る水素製造装置の洗浄方法は、前記吸着部は、前記改質ガスが流入される流入端と前記水素リッチガスが流出される流出端を有し、前記洗浄処理において、前記洗浄用ガスは、前記流出端側から流入されて前記流入端側から流出される。
【００２１】
請求項７に係る水素製造装置の洗浄方法では、吸着部の水素リッチガスが流出される流出端側から洗浄用ガスが流入されて、改質ガスが流入される流入端側から流出される。したがって、吸着部の流入端側で吸着された不純物を流出端側へ移動させることなく、効果的に洗浄処理を行うことができる。
【００２２】
請求項８に係る水素製造システムは、原料を改質して水素を主成分とした改質ガスを生成する改質器からの前記改質ガスを、水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離し、前記オフガスを送出するオフガス送出路及び前記水素リッチガスを送出する水素ガス送出路を有する水素精製器と、前記オフガス送出路と接続され、前記オフガスが流入するオフガスタンクと、を有する複数の水素製造装置と、洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する洗浄処理を行う、洗浄実行部と、を備えている。
【００２３】
請求項８に係る水素製造システムでは、複数の水素製造装置の各々について、改質器において原料が改質されて改質ガスが生成され、水素精製器において、改質ガスが水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離される。水素リッチガスは水素ガス送出路へ送出される。オフガスは、オフガス送出路へ送出され、オフガスタンクへ流入される。また、洗浄実行部は、洗浄用ガスを前記水素精製器へ供給すると共に、洗浄に使用した後の前記洗浄用ガスを前記オフガスタンクへ送出する洗浄処理を行う。
【００２４】
このように、洗浄処理に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出することにより、通常の水素精製に伴って分離されたオフガスと同様に適切に処理することができる。
【００２５】
請求項９に係る水素製造システムは、前記水素ガス送出路から分岐され、前記水素リッチガスを他の水素製造装置の前記水素精製器へ供給する他機洗浄ガス供給路、を有する。
【００２６】
請求項９に係る水素製造システムでは、他機洗浄ガス供給路により、１の水素製造装置から他の水素製造装置へ、水素ガス送出路から送出される水素リッチガスを洗浄用ガスとして供給することができる。
【００２７】
請求項１０に係る水素製造装置制御プログラムは、コンピュータを、請求項８または請求項９に記載の水素製造システムの前記洗浄実行部として機能させる。
【００２８】
請求項１０に係る水素製造装置制御プログラムによれば、洗浄処理に使用した後の洗浄用ガスをオフガスタンクへ送出することにより、通常の水素精製に伴って分離されたオフガスと同様に適切に処理することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、水素精製器の洗浄に使用した後の洗浄用ガスを適切に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る水素製造装置を示した概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る水素製造装置の多重筒型改質器を示した断面図である。
【図３】第１実施形態に係る水素製造装置の制御部とその接続部材とのブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る水素精製器の概略構成図である。
【図５】第１実施形態の水素リッチガス送出先切換処理の流れを示すフローチャートである。
【図６】第１実施形態の洗浄処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】第２実施形態に係る水素製造システムの全体構成図である。
【図８】第２実施形態の他機洗浄処理の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る水素製造装置の一例を図面に従って説明する。
【００３２】
本実施形態に係る水素製造装置１０は、図１に示されるように、多重筒型改質器１２、圧縮機１４、水素精製器１６、オフガスタンク１８、及び、洗浄用ガスタンク５０を備えている。また、昇圧前水分離部３０、昇圧後水分離部３２、及び、燃焼排ガス水分離部３４を備えている。この水素製造装置１０は、炭化水素原料から水素を製造するものであり、本実施形態では、炭化水素原料の一例としてメタンを主成分とする都市ガスが用いられる場合について説明する。なお、図１では、水素製造装置１０の構成を概略的に示しており、水素製造装置１０は、他の構成を含んでいてもよい。
【００３３】
また、水素製造装置１０は、水素製造装置１０を制御する制御部６０を備えている（図３参照）。制御部６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ：プロセッサ）６０Ａ、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）６０Ｂ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）６０Ｃ、ストレージ６０Ｄ、入出力インターフェース（Ｉ／Ｆ）６０Ｅ、を有する。各構成は、バス６２を介して相互に通信可能に接続されている。
【００３４】
ＣＰＵ６０Ａは、中央演算処理ユニットであり、各種プログラムを実行したり、各部を制御したりする。すなわち、ＣＰＵ６０Ａは、ＲＯＭ６０Ｂまたはストレージ６０Ｄからプログラムを読み出し、ＲＡＭ６０Ｃを作業領域としてプログラムを実行する。ＣＰＵ６０Ａは、ＲＯＭ６０Ｂまたはストレージ６０Ｄに記録されているプログラムにしたがって、上記各構成の制御および各種の演算処理を行う。
【００３５】
ＲＯＭ６０Ｂは、各種プログラムおよび各種データを格納する。ＲＡＭ６０Ｃは、作業領域として一時的にプログラムまたはデータを記憶する。ストレージ６０Ｄは、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）またはＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）により構成され、オペレーティングシステムを含む各種プログラム、および各種データを格納する。本実施形態では、ＲＯＭ６０Ｂまたはストレージ６０Ｄには、後述する水素精製器１６を洗浄する洗浄処理についてのプログラム、および後述する開閉弁Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３の開閉を制御する水素リッチガス送出先切換処理に関するプログラム等が格納されている。入出力Ｉ／Ｆ６０Ｅは、信号線を介して開閉弁Ｖ１〜Ｖ５、Ｖ９、水素純度センサ４６と接続されている。
【００３６】
（改質器）
【００３７】
多重筒型改質器１２は、図２に示されるように、多重に配置された複数の筒状壁２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄを有している。複数の筒状壁２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄは、例えば円筒状や楕円筒状に形成される。複数の筒状壁２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄのうち内側から一番目の筒状壁２０Ａの内部には、燃焼空間である燃焼部２１が形成されている。一番目の筒状壁２０Ａと二番目の筒状壁２０Ｂとの間には、燃焼排ガス流路２３が形成されている。また、二番目の筒状壁２０Ｂと三番目の筒状壁２０Ｃとの間には、第一流路２４が形成されている。さらに、三番目の筒状壁２０Ｃと四番目の筒状壁２０Ｄとの間には、第二流路２５が形成されている。なお、多重筒型改質器１２は、改質器の一例であり、他の形態の改質器が用いられてもよい。
【００３８】
第一流路２４の上部は、予熱流路２４Ａとして形成されており、予熱流路２４Ａには螺旋部材２４Ｂが設けられている。この螺旋部材２４Ｂにより、予熱流路２４Ａは、螺旋状に形成されている。予熱流路２４Ａの上端部には、原料として都市ガスを供給するための原料供給管Ｐ１、及び、改質水を供給するための改質水供給管Ｐ９が接続されている。予熱流路２４Ａには、原料供給管Ｐ１から都市ガスが供給され、改質水供給管Ｐ９から改質水が供給される。都市ガス及び改質水は、予熱流路２４Ａを上側から下側に流れ、二番目の筒状壁２０Ｂを介して燃焼排ガスと熱交換され水が気化される。この予熱流路２４Ａでは、都市ガス及び気相の改質用水（水蒸気）が混合されることにより、混合ガスが生成される。
【００３９】
なお、本実施形態では、原料として都市ガスを用いるが、水蒸気改質が可能なガスであれば特に限定されず、炭化水素燃料を用いることができる。炭化水素燃料としては、天然ガス、ＬＰガス（液化石油ガス）、石炭改質ガス、低級炭化水素ガスなどが例示される。
【００４０】
第一流路２４における予熱流路２４Ａの下側には、改質触媒層２４Ｃが設けられている。改質触媒層２４Ｃには、都市ガスを水蒸気改質して水素を主成分とする改質ガスを生成するための触媒が設けられている。予熱流路２４Ａにて生成された混合ガスは、改質触媒層２４Ｃへ供給される。改質触媒層２４Ｃでは、混合ガスが燃焼排ガス流路２３を流れる燃焼排ガスにより加熱され、水蒸気改質反応によって、水素を主成分とする改質ガスが生成される。
【００４１】
第二流路２５は、第一流路２４の径方向外側に配置されており、第二流路２５の下端部は、第一流路２４の下端部と連通されている。第二流路２５には、予熱流路２４Ａに対応する位置にＣＯ変成触媒層２６及びＣＯ選択酸化触媒層２７が形成されている。ＣＯ変成触媒層２６では、改質ガスに含まれる一酸化炭素と水蒸気が反応して、水素と二酸化炭素に変換され、一酸化炭素が低減される。
【００４２】
ＣＯ選択酸化触媒層２７は、ＣＯ変成触媒層２６よりも下流側に配置されている。ＣＯ変成触媒層２６とＣＯ選択酸化触媒層２７の間には、酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス供給管Ｐ２Ｂが接続されている。ＣＯ選択酸化触媒層２７では、一酸化炭素が酸素と反応して二酸化炭素に変換され、一酸化炭素が除去される。ＣＯ選択酸化触媒層２７の下流側で第二流路２５の上端部には、改質ガス排出管Ｐ３が接続されている。改質ガスは、ＣＯ選択酸化触媒層２７で一酸化炭素が除去された後、改質ガス排出管Ｐ３から送出される。
【００４３】
なお、本実施形態では、ＣＯ選択酸化触媒層２７を設けたが、ＣＯ選択酸化触媒層２７は必須ではなく、ＣＯ選択酸化触媒層２７を設けない構成とすることもできる。この場合には、酸化剤ガス供給管Ｐ２Ｂも不要となる。
【００４４】
燃焼部２１の上部には、バーナ２２が下向きに配置されている。バーナ２２には、オフガス管Ｐ７が接続されており、後述するオフガスがオフガス管Ｐ７から燃料として供給される。さらに、この燃焼部２１の上端部には、燃焼用空気を供給するための空気供給管Ｐ２が接続されている。バーナ２２には、さらに原料供給管Ｐ１から分岐された原料分岐管Ｐ１Ａが接続されている。原料分岐管Ｐ１Ａには、空気供給管Ｐ２から分岐された空気分岐管Ｐ２Ａが接続されている。バーナ２２には、都市ガスに空気が混合された気体が、オフガスとは別に供給される。燃焼用のオフガスと都市ガスは、いずれか一方、または両方が、必要に応じて供給される。
【００４５】
燃焼排ガス流路２３は、燃焼部２１の径方向外側に形成され、燃焼排ガス流路２３の下端部は、燃焼部２１と連通されている。燃焼排ガス流路２３の上端部には、ガスを排出するためのガス排出管Ｐ１０が接続されている。ガス排出管Ｐ１０は、多重筒型改質器１２の上端面に接続されている。燃焼部２１から排出された燃焼排ガスは、燃焼排ガス流路２３を下側から上側に流れ、ガス排出管Ｐ１０を通じて多重筒型改質器１２の外に排出される。
【００４６】
多重筒型改質器１２から改質ガス排出管Ｐ３へ送出された改質ガスは、図１に示したように、昇圧前水分離部３０、圧縮機１４、昇圧後水分離部３２、及び水素精製器１６をこの順番で流れる。つまり、ガスの流れ方向において、上流側から下流側に、多重筒型改質器１２、昇圧前水分離部３０、圧縮機１４、昇圧後水分離部３２、及び水素精製器１６がこの順番で配置されている。
【００４７】
（昇圧前分離部）
昇圧前水分離部３０は、上部が気体室３０Ａとされ、下部が液体室３０Ｂとされている。気体室３０Ａには、改質ガス排出管Ｐ３の下流端が接続されている。また、気体室３０Ａには、連絡流路管Ｐ４の上流端が接続されている。液体室３０Ｂの底部には水送出口３０Ｃが形成されており、水送出口３０Ｃには改質ガス水配管Ｐ８Ａが接続されている。改質ガス中の水蒸気は、昇圧前水分離部３０の上流に配置された熱交換器ＨＥ１において冷却されることによって凝縮される。凝縮により改質ガスから分離された水は、液体室３０Ｂに貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ａへ送出される。
【００４８】
（圧縮機）
圧縮機１４には、昇圧前水分離部３０からの改質ガスが流れる連絡流路管Ｐ４と、昇圧後水分離部３２へ供給される改質ガスが流れる連絡流路管Ｐ５とが接続されている。圧縮機１４は、昇圧前水分離部３０から供給された改質ガスを圧縮して昇圧し、昇圧後水分離部３２へ供給する。
【００４９】
（昇圧後分離部）
昇圧後水分離部３２は、上部が気体室３２Ａとされ、下部が液体室３２Ｂとされている。気体室３２Ａには、連絡流路管Ｐ５の下流端が接続されている。また、気体室３２Ａには、連絡流路管Ｐ６の上流端が接続されている。液体室３２Ｂの底部には水送出口３２Ｃが形成されており、水送出口３２Ｃには改質ガス水配管Ｐ８Ｂが接続されている。改質ガス中の水蒸気は、昇圧後水分離部３２の上流に配置された熱交換器ＨＥ２において冷却されることによって凝縮される。凝縮により改質ガスから分離された水は、液体室３２Ｂに貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ｂへ送出される。
【００５０】
昇圧後水分離部３２よりも下流側、水素精製器１６よりも上流側には、バッファタンク３６が設けられている。バッファタンク３６は、昇圧後水分離部３２から供給される改質ガスを蓄積する。バッファタンク３６で一旦蓄積された改質ガスは、水素精製器１６へ送出される。
【００５１】
（水素精製器）
水素精製器１６には、昇圧後水分離部３２からの改質ガスが流れる連絡流路管Ｐ６の下流端が接続されている。水素精製器１６には、一例として、ＰＳＡ装置が使用される。水素精製器１６は、図４に示すように、２機の吸着部１６Ａ、１６Ｂを備えている。２機の吸着部１６Ａ、１６Ｂの各々には、第１切換部１５を介して連絡流路管Ｐ６の下流端、及びオフガス管Ｐ７の上流端が接続されている。また、２機の吸着部１６Ａ、１６Ｂの各々には、第２切換部１７を介して水素ガス送出管Ｐ１１の上流端、及び洗浄用ガス供給管Ｐ１２の下流端が接続されている。
【００５２】
第１切換部１５と吸着部１６Ａとは、配管Ｐ１５Ａを介して接続されており、第１切換部１５と吸着部１６Ｂとは、配管Ｐ１５Ｂを介して接続されている。また、第２切換部１７と吸着部１６Ａとは、配管Ｐ１７Ａを介して接続されており、第２切換部１７と吸着部１６Ｂとは、配管Ｐ１７Ｂを介して接続されている。
【００５３】
第１切換部１５、第２切換部１７は、接続路、複数の電磁弁を含んで構成されており、信号線により制御部６０と接続されている。第１切換部１５、第２切換部１７内の各電磁弁が制御部６０により制御され、吸着部１６Ａ、１６Ｂへのガスの流入／送出、及び停止が切換えられる。
【００５４】
吸着部１６Ａ、１６Ｂには、吸着剤が収容されており、吸着部１６Ａ、１６Ｂで不純物が吸着されることにより、改質ガスが水素リッチガスと不純物を含むオフガスとに分離される。ここで、吸着部１６Ａ、１６Ｂにおいて、改質ガスが流入する側の端部を流入端１６Ａ−ＩＮ、１６Ｂ−ＩＮ、と称し、水素リッチガスが流出する側の端部を流出端１６Ａ−ＯＵＴ、１６Ｂ−ＯＵＴ、と称する。改質ガスは、配管Ｐ１５Ａ、１５Ｂの接続側である流入端１６Ａ−ＩＮ、１６Ｂ−ＩＮから流入し、配管Ｐ１７Ａ、１７Ｂの接続側である流出端１６Ａ−ＯＵＴ、１６Ｂ−ＯＵＴへ至るまでに、不純物が吸着されて精製される。吸着部１６Ａ、１６Ｂを透過した水素リッチガスは、水素精製器１６の水素リッチガス出口側に配設される水素ガス送出管Ｐ１１へ送出される。吸着部１６Ａ、１６Ｂで吸着された不純物は、吸着部１６Ａ、１６Ｂが所定のタイミングで減圧されることにより吸着剤から脱着され、オフガス出口側に配設された、後述するオフガス管Ｐ７へ送出される。
【００５５】
水素ガス送出管Ｐ１１は、水素供給管Ｐ１１Ａ、オフガス合流管Ｐ１１Ｂ、及び、洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃに３分岐されている。
【００５６】
水素ガス送出管Ｐ１１の当該３分岐部分よりも上流側には、水素純度センサ４６が設けられている。水素純度センサ４６では、水素ガス送出管Ｐ１１へ送出された水素リッチガスの水素純度が検出される。検出された純度が高いほど水素濃度は高くなる。水素純度センサ４６は、信号線により制御部６０と接続されており、検出した水素純度に関するデータ（水素純度データ）が制御部６０へ送られる。水素の純度を検出する水素純度センサ４６としては、例えば、薄膜円筒の共振周波数が周囲のガス密度により変化することを原理として用いた水素純度計や、光学的に水素の純度を検出するセンサ等、水素の純度が検出可能であれば何れのセンサを用いてもよい。また、水素純度の測定方法としては、含有される可能性のある不純物ガスを測定し、逆算して水素純度を算出してもよい。例えば、一酸化炭素、二酸化炭素、メタン、水を測定し、これら以外は水素として逆算して水素純度を算出することができる。
【００５７】
水素供給管Ｐ１１Ａには、開閉弁Ｖ１が設けられている。開閉弁Ｖ１は、水素純度センサ４６で検出される水素純度データＤ１の値が閾値α以上の場合に開放され、製品水素が水素供給管Ｐ１１Ａへ送出される。閾値αは、要求される製品水素の水素純度に応じて設定することができ、例えば、９９．９９％に設定することができる。製品水素は、不図示のタンクへ貯留されたり、水素供給ラインへ送られたりする。
【００５８】
洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃは、後述する洗浄用ガスタンク５０と接続されている。洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃには、開閉弁Ｖ３が設けられている。開閉弁Ｖ３は、水素純度センサ４６で検出される水素純度データＤ１の値が閾値α未満、且つ閾値β以上の場合に開放される。水素純度データの値が閾値β以上、閾値α未満の水素リッチガスが「洗浄用ガス」として、洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃを経て洗浄用ガスタンク５０へ貯留される。閾値βは、吸着部１６Ａ、１６Ｂの洗浄に使用できる水素純度（洗浄純度）として設定されており、７７％〜９９．９９％の範囲で設定することができる。なお、閾値βは、より効果的に洗浄を行って洗浄間隔を長くするために、９９．５％以上であることが好ましい。なお、外気温が高い夏場などには、水素精製器１６内の温度が上昇して吸着部１６Ａ、１６Ｂにおける吸着性能が低下する傾向にある。そこで、外気温に応じて閾値βを変化させてもよい。すなわち、外気温が高い場合には、閾値βを比較的高く設定し、外気温が低い場合には、閾値βを比較的低く設定してもよい。
【００５９】
なお、本実施形態では、水素純度センサ４６で水素ガス送出管Ｐ１１へ送出された水素リッチガスの水素純度を検出したが、改質触媒の温度を検出して、当該温度に対応させた水素純度を推定してもよい。例えば、定格運転で水素が製造されている作動時と比較して、改質触媒の温度が低温のＬ１の場合には、水素純度が低いと判断することができる。
【００６０】
さらに、水素精製器１６の作動における圧力差を検出して、当該圧力差に対応させた水素純度を推定してもよい。例えば、定格運転で水素が製造されている作動時と比較して、圧力差が小さいＬ２の場合には、水素純度が低いと判断することができる。また、前述の改質触媒の温度と、当該圧力差とを合わせて水素純度を推定してもよい。
【００６１】
オフガス合流管Ｐ１１Ｂは、後述するオフガス管Ｐ７と合流されている。オフガス合流管Ｐ１１Ｂには、開閉弁Ｖ２が設けられている。開閉弁Ｖ２は、水素純度センサ４６で検出される水素純度データＤ１の値が閾値β未満の場合に開放される。水素純度データＤ１の値が閾値β未満の水素リッチガスは、オフガス合流管Ｐ１１Ｂを経てオフガス管Ｐ７へ送出される。
【００６２】
開閉弁Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３は、制御部６０と信号線により接続されており、制御部６０により開閉が制御される。
【００６３】
洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃの下流端は、洗浄用ガスタンク５０の入口側に接続されている。洗浄用ガスタンク５０の出口側には、洗浄用ガス供給管Ｐ１２の上流端が接続されている。洗浄用ガス供給管Ｐ１２の下流端は、第２切換部１７に接続されている。洗浄用ガス供給管Ｐ１２には、開閉弁Ｖ４が設けられている。また、連絡流路管Ｐ６のバッファタンク３６よりも下流側には、開閉弁Ｖ５が設けられている。開閉弁Ｖ４、Ｖ５は、信号線により制御部６０と接続されており、制御部６０により開閉が制御される。
【００６４】
水素精製器１６のオフガス出口側には、オフガス管Ｐ７の上流端が接続されている。オフガス管Ｐ７の上流側は、第１切換部１５を介して、吸着部１６Ａ、１６Ｂの流入端１６Ａ−ＩＮ、１６Ｂ−ＩＮと接続されている。オフガス管Ｐ７には、オフガス合流管Ｐ１１Ｂの下流端が合流されている。
【００６５】
オフガス管Ｐ７の下流端は、多重筒型改質器１２のバーナ２２と接続されている。水素精製器１６からは、分離されたオフガスが、オフガス管Ｐ７へ送出される。オフガス管Ｐ７には、オフガスタンク１８が設けられている。オフガスは、オフガスタンク１８に一時貯留され、オフガス管Ｐ７を流れて燃料として多重筒型改質器１２のバーナ２２（図２参照）へ供給される。
【００６６】
（燃焼排ガス水分離部）
燃焼排ガス水分離部３４は、上部が気体室３４Ａとされ、下部が液体室３４Ｂとされている。気体室３４Ａには、ガス排出管Ｐ１０の下流端が接続されている。また、気体室３４Ａには、外部排出管Ｐ１３が接続されている。液体室３４Ｂ底部には、水送出口３４Ｃが形成されており、水送出口３４Ｃに燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃが接続されている。燃焼排ガス水分離部３４は、昇圧前水分離部３０及び昇圧後水分離部３２よりも大容量とされている。なお、燃焼排ガス水分離部３４は、昇圧前水分離部３０及び昇圧後水分離部３２よりも底面積を大きくすることにより容量を大きくすることが好ましい。
【００６７】
燃焼排ガスは、燃焼部２１から燃焼排ガス流路２３を経てガス排出管Ｐ１０へ送出される。燃焼排ガス中の水蒸気は、燃焼排ガス水分離部３４の上流に配置された熱交換器ＨＥ３において冷却されることによって凝縮される。凝縮により燃焼排ガスから分離された水は、液体室３４Ｂに貯留され、燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃへ送出される。水が分離された後の燃焼排ガスは、外部排出管Ｐ１３から外部へ排出される。
【００６８】
水素製造装置１０の底部には、水タンク４０が配置されている。水タンク４０の天面には、水流入口４０Ａが形成されており、改質ガス水配管Ｐ８Ａ、Ｐ８Ｂ、及び燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃは、合流後に水流入口４０Ａと接続されている。合流後の配管を水流入管Ｐ８と称する。水タンク４０には、昇圧前水分離部３０、昇圧後水分離部３２、燃焼排ガス水分離部３４で分離された水が流入し、貯留される。
【００６９】
水タンク４０には、改質水供給管Ｐ９の上流端が接続されている。改質水供給管Ｐ９には、溶存イオン成分を除去するための水処理器（イオン交換樹脂）４２が設けられている。また、改質水供給管Ｐ９には、ポンプ４４が設けられており、ポンプ４４の駆動により、水タンク４０に貯留された水が水処理器４２を経て多重筒型改質器１２へ供給される。
【００７０】
なお、水タンク４０に外部からの水を供給して改質水が不足した場合に補うようにしてもよい。
【００７１】
（作用）
次に、水素製造装置１０の作用について説明する。
【００７２】
まず、水素製造装置１０による水素製造工程の概略の流れを説明する。原料供給管Ｐ１から多重筒型改質器１２へ供給された都市ガスは、予熱流路２４Ａで改質水と混合されつつ加熱され、混合ガスとなって改質触媒層２４Ｃへ供給される。改質触媒層２４Ｃでは、燃焼排ガス流路２３を流れる燃焼排ガスからの熱を受けて混合ガスが水蒸気改質され、水素を主成分とする改質ガスが生成される。改質ガスは、改質ガス流路２５を通ってＣＯ変成触媒層２６へ供給される。ＣＯ変成触媒層２６では、改質ガスに含まれる一酸化炭素と水蒸気が反応して、水素と二酸化炭素に変換され、一酸化炭素が低減される。ＣＯ変成触媒層２６を通過した改質ガスは、酸化剤ガス供給管Ｐ２Ｂから供給される酸化ガス（空気）と共にＣＯ選択酸化触媒層２７へ供給され、触媒上で一酸化炭素が酸素と反応して二酸化炭素に変換され、一酸化炭素が除去される。ＣＯ選択酸化触媒層２７で一酸化炭素が低減された改質ガスは、改質ガス排出管Ｐ３へ送出される。
【００７３】
改質ガスは、改質ガス排出管Ｐ３に設けられた熱交換器ＨＥ１を経て、昇圧前水分離部３０の気体室３０Ａへ供給される。気体室３０Ａへ供給された改質ガスに含まれる水は、熱交換器ＨＥ１での冷却により凝縮されて液体室３０Ｂへ貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ａを経て水タンク４０へ送出される。気体室３０Ａから、水が分離された改質ガスが、連絡流路管Ｐ４を流れて圧縮機１４へ供給され、圧縮機１４によって圧縮される。
【００７４】
圧縮された改質ガスは、連絡流路管Ｐ６を流れて昇圧後水分離部３２の気体室３２Ａへ供給される。気体室３２Ａへ供給された改質ガスに含まれる水蒸気は、熱交換器ＨＥ２での冷却により凝縮されて液体室３２Ｂへ貯留され、改質ガス水配管Ｐ８Ｂを経て水タンク４０へ送出される。気体室３２Ａから、水が分離された改質ガスが、連絡流路管Ｐ６を流れて水素精製器１６へ供給される。
【００７５】
水素精製器１６では、吸着部１６Ａ、１６Ｂで不純物が吸着されることにより、改質ガスがオフガスと水素リッチガスとに分離され、オフガスは、オフガス管Ｐ７を流れて燃料として多重筒型改質器１２のバーナ２２へ供給される。多重筒型改質器１２の燃焼部２１では、オフガスが燃焼され、燃焼排ガスがガス排出管Ｐ１０を介して燃焼排ガス水分離部３４の気体室３４Ａへ供給される。気体室３４Ａへ供給された燃焼排ガスに含まれる水蒸気は、熱交換器ＨＥ３での冷却により凝縮されて液体室３４Ｂへ貯留され、燃焼排ガス水配管Ｐ８Ｃを経て水タンク４０へ送出される。水が分離された燃焼排ガスは、外部排出管Ｐ１３を経て外部へ排出される。水素リッチガスは、水素ガス送出管Ｐ１１へ送出される。
【００７６】
次に、水素ガス送出管Ｐ１１へ送出された水素リッチガスの純度に応じて、開閉弁を切り換える水素リッチガス送出先切換処理について説明する。
【００７７】
水素製造装置１０の運転が停止されているときには、開閉弁Ｖ１〜Ｖ５は閉鎖されている。水素製造装置１０の運転が開始され、多重筒型改質器１２から送出される改質ガスの水素ガス濃度が定格運転状態で得られる程度になった後、制御部６０において、図５に示す水素リッチガス送出先切換処理が実行される。なお、定格運転状態で得られる改質ガスにおける水素ガス濃度は、改質ガスの水素濃度を実際に計測する他、多重筒型改質器１２内の温度、運転開始からの経過時間、などにより判断することができる。
【００７８】
水素リッチガス送出先切換処理では、ステップＳ１０で、開閉弁Ｖ５を開放し、ステップＳ１２で開閉弁Ｖ２を開放する。そして、ステップＳ１３で、分離処理が行われる。分離処理は、改質ガスが供給されて非吸着の水素リッチガスが水素ガス送出管Ｐ１１から送出される水素精製モードと、吸着された不純物をオフガス管Ｐ７へ送出する再生モードとが、吸着部１６Ａと吸着部１６Ｂとで交互に行われる。水素精製モードと再生モードへの設定、切換えは、第１切換部１５、第２切換部１７を制御することにより実行される。これにより、所定の水素濃度を満たす改質ガスが、水素リッチガスとオフガスとに分離され、水素リッチガスは水素ガス送出管Ｐ１１へ送出され、オフガスはオフガス管Ｐ７へ送出される。
【００７９】
ステップＳ１４で、水素純度センサ４６で検出された水素純度データＤ１を取得し、ステップＳ１６で水素純度データＤ１が閾値α以上かどうかを判断する。
【００８０】
ステップＳ１６で水素純度データＤ１が閾値α以上と判断された場合には、ステップＳ１８で開閉弁Ｖ１を開放すると共に、開閉弁Ｖ２を閉鎖する。これにより、水素純度データＤ１の値が閾値α以上の水素リッチガスが製品水素として水素供給管Ｐ１１Ａへ送出される。
【００８１】
ステップＳ１６で水素純度データＤ１が閾値α未満と判断された場合には、ステップＳ２０で、水素純度データＤ１が閾値β以上かどうかを判断する。ステップＳ２０で水素純度データＤ１が閾値β以上と判断された場合には、ステップＳ２２で開閉弁Ｖ３を開放すると共に、開閉弁Ｖ２を閉鎖する。これにより、水素純度データＤ１の値が閾値β以上、閾値α未満の水素リッチガスが洗浄用ガスとして洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃへ送出され、洗浄用ガスタンク５０に貯留される。
【００８２】
ステップＳ２０で水素純度データＤ１が閾値β未満と判断された場合、ステップＳ２３で開閉弁Ｖ２を開放する。これにより、水素純度データＤ１が閾値β未満の水素リッチガスが、オフガス合流管Ｐ１１Ｂを経てオフガス管Ｐ７へ送出される。
【００８３】
ステップＳ１８、ステップＳ２２、及びステップＳ２３の実行後、ステップＳ２４へ進む。ステップＳ２４では、水素製造装置１０の運転終了指示があったかどうかを判断し、運転終了の指示がない場合には、ステップＳ１４へ戻り、前述したステップＳ１４以降の処理を繰り返す。運転終了の指示があった場合には、ステップＳ２５で、分離処理を終了し、次に、ステップＳ２６で、開閉弁Ｖ５、Ｖ２を閉鎖し、本処理を終了する。
【００８４】
この水素リッチガス送出先切換処理によれば、水素リッチガスにおける水素純度データＤ１について、「β≦Ｄ１≦α」の範囲を満たす洗浄用ガスを洗浄用ガスタンク５０に貯留することができる。特に、水素製造装置１０の起動時においては、水素純度が製品水素に求められる純度に満たない場合があり、起動時の低純度の水素ガスを洗浄用ガスとして回収することができる。
【００８５】
次に、水素精製器１６を洗浄する洗浄処理について説明する。この洗浄処理は、水素精製器１６から送出される製品水素の純度が低下した場合や、予め定めた一定時間の経過後に、吸着部１６Ａに残存する不純物を除去するために行われる。また、水素製造装置１０の運転開始前や運転停止前などにも行われる。洗浄処理は、洗浄用ガスタンク５０に貯留された洗浄用ガスを用いて行われる。
【００８６】
洗浄処理を実行する旨の指示があると、制御部６０において、図６に示す洗浄処理が実行される。
【００８７】
洗浄処理では、まず、ステップＳ３０で、開閉弁Ｖ４を開放し、ステップＳ３２で、吸着部１６Ａを洗浄する第１洗浄切換が行われる。第１洗浄切換では、吸着部１６Ａへ低濃度水素ガスが供給されると共に吸着部１６Ａからオフガス管Ｐ７へ使用済みの洗浄用ガスが送出され、吸着部１６Ｂへ改質ガスが供給されると共に吸着部１６Ｂから水素ガス送出管Ｐ１１へ吸着部１６Ｂで非吸着の水素リッチガスが送出されるように、第１切換部１５及び第２切換部１７を制御する。これにより、洗浄用ガスタンク５０から吸着部１６Ａへ洗浄用ガスが供給され、洗浄用ガスは吸着部１６Ａを透過してオフガス管Ｐ７へ送出される。オフガス管Ｐ７へ送出された使用後の洗浄用ガスは、不純物と共にオフガスタンク１８へ送られる。なお、吸着部１６Ａへの改質ガスの供給は停止されている。また、吸着部１６Ｂでは、通常の水素精製モードで水素リッチガスが精製される。
【００８８】
次に、ステップＳ４２で、所定時間Ｔ１が経過したかどうかを判断する。ここでの時間Ｔ１は、吸着部１６Ａに残留している不純物をオフガス管Ｐ７へ送出するために必要とされる時間が設定される。所定時間Ｔ１が経過していない場合には、所定時間Ｔ１が経過するまで待機し、所定時間Ｔ１が経過したら、ステップＳ４６で、吸着部１６Ｂを洗浄する第２洗浄が行われる。第２洗浄では、吸着部１６Ｂへ洗浄用ガスが供給されると共に吸着部１６Ｂからオフガス管Ｐ７へ使用済みの洗浄用ガスが送出され、吸着部１６Ａへ改質ガスが供給されると共に吸着部１６Ａから水素ガス送出管Ｐ１１へ吸着部１６Ａで非吸着の水素リッチガスが送出されるように、第１切換部１５及び第２切換部１７を制御する。これにより、洗浄用ガスタンク５０から吸着部１６Ｂへ洗浄用ガスが供給され、洗浄用ガスは吸着部１６Ｂを透過してオフガス管Ｐ７へ送出される。なお、吸着部１６Ｂへの改質ガスの供給は停止されている。また、吸着部１６Ａでは、通常の水素精製モードで水素リッチガスが精製される。
【００８９】
次に、ステップＳ５６で、所定時間Ｔ１が経過したかどうかを判断する。所定時間Ｔ１が経過していない場合には、所定時間Ｔ１が経過するまで待機し、所定時間Ｔ１が経過したら、ステップＳ５８へ進んで、開閉弁Ｖ４を閉鎖し、本処理を終了する。
【００９０】
この洗浄処理により、吸着部１６Ａ、１６Ｂに滞留していた不純物が除去され、水素ガス送出管Ｐ１１へ送出される水素リッチガスに含まれる不純物の量を少なくすることができる。
【００９１】
本実施形態に係る水素製造装置１０では、水素精製器１６の洗浄に使用された後の洗浄用ガスが、オフガス管Ｐ７に送出されてオフガスタンク１８へ貯留されるので、使用後の洗浄用ガスをオフガスと同様に適切に処理することができる。
【００９２】
また、洗浄処理では、吸着部１６Ａ、１６Ｂの水素リッチガスが流出される流出端１６Ａ−ＯＵＴ、１６Ｂ−ＯＵＴ側から洗浄用ガスが流入され、改質ガスが流入される流入端１６Ａ−ＩＮ、１６Ｂ−ＩＮ側から流出される。したがって、通常の運転時に、吸着部１６Ａ、１６Ｂの流入端１６Ａ−ＩＮ、１６Ｂ−ＩＮ側で吸着された不純物を流出端１６Ａ−ＯＵＴ、１６Ｂ−ＯＵＴ側へ移動させることなく、効果的に洗浄処理を行うことができる。
【００９３】
また、本実施形態に係る水素製造装置１０では、運転中に生成された洗浄用ガスを洗浄用ガスタンク５０に貯留し、当該洗浄用ガスを用いて、水素精製器１６を洗浄する。したがって、洗浄に製品水素を用いる場合と比較して、水素精製器の洗浄を効率的に行うことができる。
【００９４】
なお、本実施形態では、水素リッチガスにおける水素純度データＤ１が閾値β以上の場合に、洗浄用ガスとして洗浄用ガスタンク５０に貯留したが、閾値βを設定せず、水素ガス送出管Ｐ１１へ送出される水素リッチガスが閾値α未満の場合に、洗浄用ガスとして洗浄用ガスタンク５０に貯留してもよい。また、閾値α以上の水素リッチガスを洗浄用ガスとして貯留してもよい。
【００９５】
また、本実施形態では、水素精製器１６で精製した水素リッチガスを用いて洗浄処理を行ったが、洗浄用ガスは、別途の水素タンクを設置して行ってもよい。また、洗浄用ガスは、水素リッチガスに限られるものではなく、窒素などの不活性ガスを用いて行ってもよい。
【００９６】
また、本実施形態では、第１洗浄、第２洗浄の継続時間を所定時間Ｔ１として実行したが、所定時間Ｔ１に代えて、オフガス管Ｐ７を流れるオフガスの水素純度により第１洗浄、第２洗浄の継続を判断してもよい。すなわち、オフガス管Ｐ７に水素純度センサを設けてオフガス管Ｐ７を流れるオフガスの水素純度Ｄ２を検知し、水素純度Ｄ２が所定の値よりも高くなれば、第１洗浄、第２洗浄を終了して、次のステップへ進むようにしてもよい。ここでの水素純度Ｄ２は、吸着塔１６Ａ、１６Ｂの洗浄が完了したと判断できる程度に高い値を設定する。
【００９７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態では、第１実施形態と同様の部分については同様の符号を付して図示し、その詳細な説明を省略する。
【００９８】
本実施形態の水素製造システム７０は、複数の水素製造装置１０を備えている。図７には、２機の水素製造装置１０を備えた例が示されており、各々の水素製造装置１０は第１実施形態の水素製造装置１０と同様の構成である。本実施形態では、各水素製造装置１０を区別するために、水素製造装置１０Ａ、１０Ｂと称する。なお、複数の水素製造装置１０として、３機以上を備えていてもよい。
【００９９】
各々の水素製造装置１０Ａ、１０Ｂの洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃには、開閉弁Ｖ３よりも上流側から分岐された他機洗浄管Ｐ１１Ｄが接続されている。他機洗浄管Ｐ１１Ｄの下流端は、自機と異なる水素製造装置１０（水素製造装置１０Ａの他機は水素製造装置１０Ｂ、水素製造装置１０Ｂの他機は水素製造装置１０Ａ）の洗浄用ガス供給管Ｐ１２の開閉弁Ｖ４よりも下流側に接続されている。
【０１００】
他機洗浄管Ｐ１１Ｄには、開閉弁Ｖ６が設けられている。また、洗浄用ガス供給管Ｐ１２の他機洗浄管Ｐ１１Ｄとの合流部分よりも下流側には、開閉弁Ｖ７が設けられている。開閉弁Ｖ６、Ｖ７は、信号線により制御部６０と接続されており、制御部６０により開閉が制御される。
【０１０１】
（作用）
次に、水素製造システム７０の作用について説明する。水素製造の工程については、第１実施形態の水素製造装置１０による水素製造工程と同様である。また、水素リッチガス送出先切換処理についても、第１実施形態と同様に行われる。各々の水素精製器１６の洗浄については、第１実施形態と同様の洗浄処理が行われてもよいが、１の水素製造装置１０Ａの洗浄を、他の水素製造装置１０Ｂで精製された水素リッチガスで行ってもよい。図８には、水素製造装置１０Ｂの起動時に、ユーザーの指示により、水素製造装置１０Ａの洗浄を行う手順が示されている。
【０１０２】
水素製造装置１０Ｂの運転開始と共に他機洗浄処理を実行する旨の指示が入力されると、制御部６０は、ステップＳ６０で、水素製造装置１０Ｂを起動させて水素の製造を開始する。次に、ステップＳ６２で、水素製造装置１０Ｂの開閉弁Ｖ５、Ｖ６を開放し、ステップＳ６４で、水素製造装置１０Ａの開閉弁Ｖ３、Ｖ７を開放する。そして、ステップＳ６６で、洗浄処理が実行される。この洗浄処理は、図６に示すステップＳ３０からステップＳ５８の処理と同じである。
【０１０３】
これにより、水素製造装置１０Ｂの水素精製器１６で分離された水素リッチガスが、水素ガス送出管Ｐ１１から洗浄用ガス貯留管Ｐ１１Ｃ、他機洗浄管Ｐ１１Ｄを経て、水素製造装置１０Ａの水素精製器１６へ供給される。
【０１０４】
水素製造装置１０Ａの水素精製器１６では、供給された洗浄用ガスで、吸着部１６Ａ、１６Ｂの洗浄が順次行われる。当該処理中、オフガスとして分離されたガスは、水素製造装置１０Ａ内のオフガスタンク１８へ送出される。これにより、水素製造装置１０Ａの吸着部１６Ａ、１６Ｂに滞留していた不純物が除去される。
【０１０５】
次に、ステップＳ６８で、水素製造装置１０Ａの開閉弁Ｖ３、Ｖ７を閉鎖する。また、ステップＳ７０で、水素製造装置１０Ｂの開閉弁Ｖ５、Ｖ６を閉鎖し、本処理を終了する。
【０１０６】
この他機洗浄処理でも、水素精製器１６の吸着部１６Ａ、１６Ｂに残留していた不純物が除去され、水素製造装置１０Ａにおいて、水素ガス送出管Ｐ１１へ送出される水素リッチガスに含まれる不純物の量を少なくすることができる。また、洗浄用ガスタンク５０に貯留された洗浄用ガスではなく、他機で生成された水素リッチガスを用いて洗浄するので、洗浄用ガスタンク５０に貯留された洗浄用ガスが不足する場合でも、水素精製器１６の洗浄を行うことができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１１、１１Ａ、１１Ｂ  水素製造装置
１２   多重筒型改質器（改質器）
１６   水素精製器
１５   第１切換部（洗浄実行部）
１７   第２切換部（洗浄実行部）
５０   洗浄用ガスタンク
６０   制御部（洗浄実行部）
７０、８０    水素製造システム
８２   洗浄用ガスタンク
Ｐ７  オフガス管（オフガス送出路）
Ｐ１１ 水素ガス送出管（水素ガス送出路）
Ｐ１１Ｄ  他機洗浄ガス供給管（他機洗浄ガス供給路）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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