(57)【要約】【課題】クラックに起因する不良を低減したフレキシブルデバイスを提供する。または、量産性に優れたフレキシブルデバイスを提供する。または、高温高湿環境下で保持しても表示不良が生じにくいフレキシブルデバイスを提供する。【解決手段】第１の可撓性基板と第２の可撓性基板とバッファ層と第１のクラック抑止層と発光素子を有し、第１の可撓性基板の第１の面と第２の可撓性基板の第２の面が互いに対向して設けられ、バッファ層及び第１のクラック抑止層が、第１の可撓性基板の第１の面上に設けられ、バッファ層と第１のクラック抑止層が互いに重なり、発光素子が第２の可撓性基板の第２の面上に設けられた発光装置とする。【選択図】図１
2020021095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する第１の層と、
前記第１の層上の表示部と、
前記表示部上の封止層と、
前記封止層上の導電層と、
前記導電層上の可撓性を有する第２の層と、を有し、
前記導電層は、前記第２の層の周辺部に設けられる表示装置。
【請求項２】
可撓性を有する第１の層と、
前記第１の層上の表示部と、
前記表示部上の封止層と、
前記封止層上の導電層と、
前記導電層上の可撓性を有する第２の層と、を有し、
平面視において、前記導電層は、前記表示部を囲むように設けられる表示装置。
【請求項３】
可撓性を有する第１の層と、
前記第１の層上の表示部及び駆動回路部と、
前記表示部上及び前記駆動回路部上の封止層と、
前記封止層上の導電層と、
前記導電層上の可撓性を有する第２の層と、を有し、
前記導電層は、前記第２の層の周辺部に設けられる表示装置。
【請求項４】
可撓性を有する第１の層と、
前記第１の層上の表示部及び駆動回路部と、
前記表示部上及び前記駆動回路部上の封止層と、
前記封止層上の導電層と、
前記導電層上の可撓性を有する第２の層と、を有し、
平面視において、前記導電層は、前記表示部及び前記駆動回路部を囲むように設けられる表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記導電層は、複数の島状に設けられる表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記導電層は、並列に配置された複数の直線形状を有する表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記表示部は、トランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続された発光素子と、を有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、表示装置に関する。特に、可撓性を有し、曲面に沿って表示を行う
ことのできる表示装置に関する。また、本発明の一態様は、発光装置に関する。特に、可
撓性を有し、曲面に沿って発光を行うことのできる発光装置に関する。
【０００２】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、電子機器、それらの駆
動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、可撓性を有する基板上に半導体素子や発光素子などが設けられたフレキシブルデ
バイスの開発が進められている。フレキシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置
、画像表示装置の他、トランジスタなどの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙
げられる。
【０００４】
可撓性を有する基板を用いた半導体装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板な
どの支持基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの半導体素子を作製したのち、可撓性
を有する基板に半導体素子を転置する技術が開発されている。この方法では、支持基板か
ら半導体素子を含む層を剥離する工程が必要である。
【０００５】
例えば、特許文献１には次のようなレーザアブレーションを用いた剥離技術が記載され
ている。基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層、分離層上に被剥離層を設け、被剥
離層を接着層により転写体に接着させる。レーザ光の照射により分離層をアブレーション
させることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００６】
また、特許文献２には次のような剥離技術が記載されている。基板と酸化物層との間に
金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合が弱いことを利用して、酸化物層と金
属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と基板とを分離している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
基板上に設けられた剥離層と、その上層に形成された被剥離層（以下、バッファ層とも
いう）との間で剥離を行う場合、剥離層の上層に形成される層は、被剥離層、薄膜トラン
ジスタ、配線、層間膜などを含む薄膜の積層体であり、その厚さは数μｍ以下と薄く、非
常に脆い場合がある。また剥離層と被剥離層の間で剥離を行う際に、剥離の起点となる基
板の端部では大きな曲げストレスがかかり、被剥離層に膜割れやひび（以下、クラックと
もいう）が生じやすい。
【０００９】
また、フレキシブルな発光装置の生産性を向上させるためには、大型の基板を用いて複
数の発光装置を同時に作製した後、基板をスクライバなどにより分断することが望まれる
。このとき、基板の分断の際にかかるストレスにより、基板の端部における薄膜、特に被
剥離層にクラックが発生することがある。
【００１０】
また、上記のように剥離及び分断の工程を経て作製されたフレキシブルな発光装置を高
温高湿環境下で保持すると、剥離及び分断の工程で被剥離層の端部に発生したクラックが
進行することがある。クラックが進行することによって、発光装置における発光素子の信
頼性が低下し、またはクラックが発光素子まで達すると発光素子の一部が非発光になるこ
とがある。
【００１１】
したがって本発明の一態様は、クラックに起因する不良を低減したフレキシブルな発光
装置を提供することを課題の一とする。または、量産性に優れたフレキシブルな発光装置
を提供することを課題の一とする。または、信頼性が高い発光装置を提供することを課題
の一とする。
【００１２】
または、本発明の一態様は、新規な発光装置を提供することを課題の一とする。または
、本発明の一態様は、軽量な発光装置を提供することを目的の一とする。または、本発明
の一態様は、破損しにくい発光装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の
一態様は、厚さが薄い発光装置を提供することを目的の一とする。
【００１３】
なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお
、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様は、第１の可撓性基板と第２の可撓性基板と第１のバッファ層と第１の
クラック抑止層と発光素子を有し、第１の可撓性基板の第１の面と第２の可撓性基板の第
２の面が互いに対向して設けられ、第１のバッファ層及び第１のクラック抑止層は、第１
の可撓性基板の第１の面上に設けられ、第１のバッファ層と第１のクラック抑止層は互い
に重なり、発光素子は第２の可撓性基板の第２の面上に設けられた発光装置である。
【００１５】
また、上記発光装置において、第１のバッファ層は、無機材料を含み、発光素子は、発
光性の有機化合物を含み、第１のクラック抑止層は導電性材料または樹脂材料のいずれか
一方を含み、かつ第１の面に垂直な方向から見て、発光素子と第１の可撓性基板の端部と
の間に位置することが好ましい。
【００１６】
また、上記発光装置において、第１の可撓性基板と第１のバッファ層との間に第１の接
着層を有し、第２の可撓性基板と発光素子との間に第２の接着層及び第２のバッファ層を
有することが好ましい。
【００１７】
また、上記発光装置において、第１の可撓性基板の第１の面上に層を有し、層はマーカ
ーとしての機能を有し、第１のクラック抑止層が層と同一の材料を含むことが好ましい。
【００１８】
また、上記発光装置において、第１の可撓性基板の第１の面上に遮光層を有し、遮光層
は発光素子からの光を遮光する機能を有し、第１のクラック抑止層が遮光層と同一の材料
を含むことが好ましい。
【００１９】
また、上記発光装置において、第１の可撓性基板の第１の面上に被覆層を有し、被覆層
は第１のクラック抑止層を被覆する部分を有し、被覆層は導電性材料または樹脂材料を含
み、かつ第１の面に垂直な方向から見て、発光素子と第１の可撓性基板の端部との間に位
置することが好ましい。
【００２０】
また、上記発光装置において、第２の可撓性基板の第２の面上に第２のクラック抑止層
を有し、第２のクラック抑止層は導電性材料または樹脂材料を含み、かつ第１の面に垂直
な方向から見て、発光素子と第１の可撓性基板の端部との間に位置することが好ましい。
【００２１】
また、本発明の他の一態様は、上記いずれかの発光装置の、第１の可撓性基板の第１の
面の他方の面である第３の面上、または第２の可撓性基板の第２の面の他方の面である第
４の面上に、タッチセンサを有する発光モジュールである。
【００２２】
なお、本明細書中における発光装置は、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方性導電フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉ
ｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式により
ＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合がある。さらに
、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の一態様によれば、クラックに起因する不良を低減したフレキシブルな発光装置
を提供できる。または、量産性に優れたフレキシブルな発光装置を提供できる。または、
信頼性が高い発光装置を提供できる。
【００２４】
または、本発明の一態様によれば、新規な発光装置を提供できる。または、軽量な発光
装置を提供できる。または、破損しにくい発光装置を提供できる。または、厚さが薄い発
光装置を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではな
い。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお
、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるもの
であり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能
である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図２】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図３】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図４】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図５】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図６】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図７】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図８】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【図９】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１０】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１１】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１２】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１３】実施の形態に係る、表示装置の構成例。
【図１４】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図１５】実施の形態に係る、電子機器の構成例。
【図１６】実施の形態に係る、電子機器の構成例。
【図１７】実施の形態に係る、照明装置の構成例。
【図１８】実施例に係る、光学顕微鏡写真と、断面概略図。
【図１９】実施例に係る、光学顕微鏡写真と、断面概略図。
【図２０】実施例に係る、透過型電子顕微鏡写真。
【図２１】実施の形態に係る、表示装置の作製方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２７】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分に
は同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある
。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場
合がある。
【００２８】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
【００２９】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の例として、画像表示装置の構成例とそ
の作製方法例について図面を参照して説明する。以下では、画像表示装置の一例として、
有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を備える画像表示装置（以
下、表示装置ともいう）について説明する。
【００３１】
［表示装置の構成例］
図１（Ａ）に上面射出（トップエミッション）方式が採用された表示装置１００の上面
概略図を示す。なお、図１（Ａ）には明瞭化のため、構成要素の一部を省略して示してい
る。
【００３２】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す、第２の基板１０１の四隅の一を含む領域を切断する
切断線Ａ１−Ｂ１と、表示部１０２の一部の領域を切断する切断線Ｃ１−Ｄ１と、信号線
駆動回路１０３及び外部接続端子１０５を含む領域を切断する切断線Ｅ１−Ｆ１における
断面概略図である。
【００３３】
表示装置１００は、第２の基板１０１の上面に、表示部１０２、信号線駆動回路１０３
、走査線駆動回路１０４及び外部接続端子１０５を有する。
【００３４】
表示装置１００において、クラック抑止領域１１０が表示部１０２の周囲を囲うように
して設けられている。また、第１の基板１２１の四隅にはマーカー１２４が設けられてい
る。
【００３５】
ここで、クラック抑止領域１１０は、後述するクラック抑止層を一以上含む領域である
。
【００３６】
表示装置１００は、第１の基板１２１と第２の基板１０１が封止層１５３及びシール材
１５４を介して対向している。第１の基板１２１は接着層１２５を介して第１のバッファ
層（被剥離層ともいう。以下、単にバッファ層と表記する）１２０を有し、バッファ層１
２０に接して複数の第１のクラック抑止層（以下、単にクラック抑止層と表記する）１２
２を含むクラック抑止領域１１０などが設けられる。また、第２の基板１０１は接着層１
３１を介して第２のバッファ層１３２を有し、第２のバッファ層１３２上に表示素子とし
て機能する発光素子１１４や、表示部１０２、信号線駆動回路１０３及び走査線駆動回路
１０４などを構成するトランジスタ、外部接続端子１０５が設けられる。
【００３７】
なお、第１の基板１２１及び第２の基板１０１は、可撓性基板であることが好ましい。
【００３８】
バッファ層１２０及び第２のバッファ層１３２は、基板（第１の基板１２１及び第２の
基板１０１）や接着層（接着層１２５及び接着層１３１）を透過した不純物が発光素子１
１４等に拡散することを抑制する機能を有する。特に発光素子１１４の上面側にバッファ
層１２０を設けることにより、高い信頼性を備えた表示装置１００を実現できる。
【００３９】
バッファ層１２０は、不純物の発光素子１１４への拡散を防ぐバリア膜としての機能を
有する。バッファ層１２０としては、例えば無機材料の単膜やその積層膜を用いることが
できる。このような材料を用いることで、第１の基板１２１にバリア性能、とくに防湿性
の低い材料を用いた場合でも、表示装置の防湿性を高めることができる。
【００４０】
しかし、無機膜はぜい性破壊が起きやすく、表示装置１００を湾曲させるなどした場合
に、バッファ層１２０にクラックが発生することがある。また、透湿性の低い無機膜は膨
潤率が低いため、例えば表示装置１００が高温高湿環境下に置かれた場合に、バッファ層
１２０と比べてその近傍の層がより大きく膨潤することにより、バッファ層１２０の隣接
する層との界面に応力集中が起こり、クラックが発生することがある。
【００４１】
そこで、バッファ層１２０に接するように、バッファ層１２０を構成する無機膜とは異
なる材料で形成されるクラック抑止層１２２を設けることで、バッファ層１２０に発生し
たクラックの進行を抑制することができる。
【００４２】
クラック抑止層１２２としては、無機膜よりも展延性が高く、かつ膨潤率が低い導電膜
を好適に用いることができる。
【００４３】
また、クラック抑止層１２２として、無機膜に対して密着性の高い樹脂材料を用いるこ
とで、バッファ層１２０の表面で起こる応力集中をその界面で緩和することができるため
好ましい。
【００４４】
クラック抑止領域１１０は、２つのクラック抑止層１２２で構成されている。図１（Ａ
）にあるように、一のクラック抑止層１２２は表示部１０２を囲い、且つ上面から見て閉
じた一の曲線（閉曲線、または端部が一致した曲線ともいう）を形成している。
【００４５】
このように表示部１０２の周囲を囲うように設けられたクラック抑止領域１１０により
、大型の基板を用いて複数の表示装置１００を同時に作製した後にそれぞれ分断するよう
な場合に、バッファ層１２０の端部に発生するクラックが、クラック抑止領域１１０の内
側に進行することを抑制できる。
【００４６】
また、後述するように、表示装置１００は支持基板を剥離する工程を経ることにより作
製することができる。このとき、剥離が基板端部から進行する際にバッファ層１２０に生
じるクラックが、クラック抑止領域１１０の内側に進行することを抑制できる。
【００４７】
なお、図１（Ａ）ではクラック抑止領域１１０が表示部１０２を囲う閉曲線となるよう
に設ける構成を示しているが、クラック抑止領域１１０は必ずしも閉曲線となるように配
置しなくてもよく、複数の線分に分断されていてもよい。
【００４８】
図２（Ａ）に、例えばクラック抑止領域１１０が３つのクラック抑止層１２２で構成さ
れている場合の表示装置１００の上面概略図を示す。図２（Ｂ）は図２（Ａ）のクラック
抑止領域１１０の一部（図の破線枠内）を拡大した上面概略図である。
【００４９】
クラックは図２（Ａ）に一点鎖線の矢印で示すように、表示装置１００の端部から内側
へ直線的に進む性質がある。そのため、図２（Ｂ）のようにクラック抑止層１２２の各一
を閉曲線とするのではなく、図２（Ｃ）のようにそれぞれのクラック抑止層１２２の分断
箇所をずらすように配置すると、表示装置１００の剛性を高めることなく、かつクラック
の進行を抑制できるため好ましい。また、分断されたクラック抑止層１２２の各線分の全
てがクラックの進行方向に対して垂直でなくともよく、例えばクラック抑止層１２２が図
２（Ｄ）のような配置であってもよい。
【００５０】
また、バッファ層１２０に接して設けられているマーカー１２４は、本構成例ではスク
ライブマーカーとしての機能を有するが、別の機能を有するマーカーであってもよい。
【００５１】
例えば、作製方法例において後述する、ＥＬ層の成膜や支持基板同士の貼り合わせにお
ける位置合わせのためのアライメントマーカーなどであってもよい。また、大型の基板を
用いて複数の表示装置１００を同時に作製する場合には、該アライメントマーカーは表示
装置１００を個々に分断する線より外側にあってもよい。
【００５２】
以下では、図１（Ｂ）を参照して、表示装置１００のそのほかの構成について説明する
。
【００５３】
外部接続端子１０５は、表示装置１００内のトランジスタ（トランジスタ１１１、１１
２、１１３）または発光素子１１４を構成する導電層と同一の材料で構成すると、作製工
程を簡略化できるため好ましい。本構成例では、トランジスタのソース電極またはドレイ
ン電極を構成する電極１３６及び第１の電極１４３と同一の材料で構成する例を示してい
る。表示装置１００には、外部接続端子１０５に異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓ
ｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：
Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを介してＦＰＣ（Ｆ
ｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）やＩＣを実装することにより、信
号を入力することができる。本構成例では、接続体１５６を介してＦＰＣ１５５が設けら
れている。
【００５４】
図１（Ｂ）には、信号線駆動回路１０３の一部として、トランジスタ１１１を有する例
を示している。信号線駆動回路１０３としては、例えばｎチャネル型のトランジスタとｐ
チャネル型のトランジスタとを組み合わせた回路、ｎチャネル型のトランジスタで構成さ
れた回路、ｐチャネル型のトランジスタで構成された回路などを有していてもよい。なお
、走査線駆動回路１０４も同様である。また、本構成例では、表示部１０２が形成される
第２のバッファ層１３２上に信号線駆動回路１０３と走査線駆動回路１０４が形成された
ドライバ一体型の構成を示すが、例えば信号線駆動回路１０３と走査線駆動回路１０４の
いずれか一方または両方として駆動回路用ＩＣを用い、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａ
ｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式により第２の基板１０１に実
装してもよいし、ＣＯＦ方式により駆動回路用ＩＣが実装されたフレキシブル基板（ＦＰ
Ｃ）を第２の基板１０１に実装する構成としてもよい。
【００５５】
また、図１（Ｂ）には、表示部１０２の一例として一画素分の断面構造を示している。
画素は、スイッチング用のトランジスタ１１２と、電流制御用のトランジスタ１１３と、
電流制御用のトランジスタ１１３が備える一対の電極１３６の一方と電気的に接続された
第１の電極１４３を含む。また第１の電極１４３の端部を覆う絶縁層１４４が設けられて
いる。
【００５６】
表示装置１００が備えるトランジスタ（トランジスタ１１１、１１２、１１３）は、ボ
トムゲート型のトランジスタである例を示している。各トランジスタは、チャネルとして
機能する領域を含む半導体層１３５と、ゲート電極１３３と、ゲート絶縁層として機能す
る絶縁層１３４と、を有する。また半導体層１３５と接するように一対の電極１３６が設
けられ、半導体層１３５及び電極１３６を覆うように絶縁層１４１及び絶縁層１４２が設
けられている。なお、半導体層１３５において、チャネルとして機能する領域を挟んで低
抵抗な領域が設けられていてもよい。
【００５７】
発光素子１１４は、絶縁層１４２上に第１の電極１４３、ＥＬ層１５１、第２の電極１
５２が順に積層された積層構造を有している。本構成例で例示する表示装置１００はトッ
プエミッション方式の表示装置であるため、第２の電極１５２に透光性の材料を用いる。
また第１の電極１４３には反射性の材料を用いることが好ましい。ＥＬ層１５１は少なく
とも発光性の有機化合物を含む。ＥＬ層１５１を挟持する第１の電極１４３と第２の電極
１５２の間に電圧を印加し、ＥＬ層１５１に電流を流すことにより、発光素子１１４を発
光させることができる。
【００５８】
第２の基板１０１と対向するように第１の基板１２１が設けられ、第２の基板１０１と
第１の基板１２１とが、封止層１５３及び、表示部１０２の外周部でかつクラック抑止領
域１１０の内側に設けられたシール材１５４により接着されている。なお、封止層１５３
により第１の基板１２１を接着し、シール材１５４を設けない構成としてもよい。
【００５９】
第１の基板１２１の発光素子１１４と対向する側の面には、接着層１２５を介してバッ
ファ層１２０が設けられる。バッファ層１２０上に、発光素子１１４と重なる位置にカラ
ーフィルタ１２７を有し、絶縁層１４４と重なる位置にブラックマトリクス１２６を有す
る。
【００６０】
なお、第１の基板１２１の発光素子１１４と対向しない面上に、透明導電膜を形成する
ことによってタッチセンサが形成されていてもよいし、タッチセンサの機能を有する可撓
性基板が貼り付けられていてもよい。
【００６１】
［材料及び形成方法について］
以下では、上述した各要素に用いることのできる材料及び形成方法について説明する。
【００６２】
〔可撓性基板〕
可撓性基板の材料としては、有機樹脂や可撓性を有する程度に薄いガラス材料などを用
いることができる。
【００６３】
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ
）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタ
クリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂
、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好まし
く、例えば、熱膨張係数が３０×１０−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（
プリプレグとも記す）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使
用することもできる。
【００６４】
上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラ
ス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。
【００６５】
発光素子１１４からの光を取り出す側の可撓性を有する基板には、ＥＬ層１５１からの
発光に対して透光性を有する材料を用いる。光射出側に設ける材料において、光の取り出
し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好ましい。例
えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからな
る基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径４０ｎｍ以下の小さな無機フィ
ラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
【００６６】
また、光射出側とは反対側に設ける基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記
に挙げた基板の他に、金属基板または合金基板等を用いることもできる。基板の厚さは、
可撓性や曲げ性を得るために、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５
０μｍ以下であることが好ましい。基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例
えば、アルミニウム、銅、ニッケル、または、アルミニウム合金もしくはステンレス等の
金属の合金などを好適に用いることができる。光を取り出さない側の可撓性を有する基板
に、金属または合金材料を含む導電性の基板を用いると、発光素子１１４からの発熱に対
する放熱性が高まるため好ましい。
【００６７】
また、導電性を有する基板を用いる場合には、基板の表面を酸化する、または表面に絶
縁膜を形成するなどし、絶縁処理が施された基板を用いることが好ましい。例えば、電着
法、スピンコート法やディップ法などの塗布法、スクリーン印刷法などの印刷法、蒸着法
やスパッタリング法などの堆積法、などの方法を用いて導電性の基板表面に絶縁膜を形成
してもよいし、酸素雰囲気下で放置または加熱する方法や、陽極酸化法などの方法により
、基板の表面を酸化してもよい。
【００６８】
また、可撓性を有する基板の表面に凹凸形状を有する場合、該凹凸形状を被覆して平坦
化した絶縁表面を形成するために平坦化層を設けてもよい。平坦化層としては絶縁性の材
料を用いることができ、有機材料または無機材料で形成することができる。例えば、平坦
化層は、スパッタリング法などの堆積法、スピンコート法やディップ法などの塗布法、イ
ンクジェット法やディスペンス法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法等を用い
て形成することができる。
【００６９】
また、可撓性を有する基板として、複数の層を積層した材料を用いることもできる。例
えば有機樹脂からなる層を２種類以上積層した材料、有機樹脂からなる層と無機材料から
なる層を積層した材料、無機材料からなる層を２種類以上積層した材料などを用いる。無
機材料からなる層を設けることにより、水分等の内部への浸入が抑制されるため、表示装
置の信頼性を向上させることができる。
【００７０】
上記無機材料としては、金属や半導体の酸化物材料や窒化物材料、酸化窒化物材料など
を用いることができる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化
アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用いればよい。なお、本
明細書中において、窒化酸化とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いもの
であって、酸化窒化とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示す。
なお、各元素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ）等を用いて測
定することができる。
【００７１】
例えば、有機樹脂からなる層と無機材料からなる層を積層する場合、有機樹脂からなる
層の上層または下層に、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法または塗布法などにより、上記無機材料からなる層を形成するこ
とができる。
【００７２】
また、可撓性を有する基板として、可撓性を有する程度に薄いガラス基板を用いてもよ
い。特に発光素子１１４に近い側から有機樹脂層、接着層、及びガラス層を積層したシー
トを用いることが好ましい。該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好
ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さとする。このような厚さのガラス層は、水や
酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとして
は、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このよ
うな有機樹脂層をガラス層と接して設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を、可撓性を有する基板に適用することにより、極めて信頼性が高く、且つフレキシブル
な表示装置とすることができる。
【００７３】
なお、ガラス基板などの可撓性を有しない基板を用いてもよい。
【００７４】
〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含む。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素
子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。
【００７５】
本実施の形態の表示装置１００が有する発光素子１１４は、一対の電極（第１の電極１
４３及び第２の電極１５２）と、該一対の電極間に設けられたＥＬ層１５１とを有する。
該一対の電極の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。
【００７６】
発光素子１１４において、光射出側に設ける電極にはＥＬ層１５１からの発光に対して
透光性を有する材料を用いる。
【００７７】
透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジ
ウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。また
は、グラフェンを用いてもよい。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、また
はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。または、これら金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料（またはそ
の窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の
積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化イン
ジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
【００７８】
このような電極は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。
【００７９】
なお、透光性を有する上述の導電性酸化物をスパッタリング法によって形成する場合、
該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上させる
ことができる。
【００８０】
また導電性酸化物膜をＥＬ層上に形成する場合、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む
雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜し
た第２の導電性酸化物膜の積層膜とすると、ＥＬ層への成膜ダメージを低減できるため好
ましい。ここで特に第１の導電性酸化物膜を成膜する際に用いるアルゴンガスの純度が高
いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−１００℃以下のアルゴンガ
スを用いる。
【００８１】
光射出側とは反対側に設ける電極には、ＥＬ層１５１からの発光に対して反射性を有す
る材料を用いることが好ましい。
【００８２】
光反射性を有する材料としては、例えばアルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タン
グステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属、または
これらを含む合金を用いることができる。またこれら金属材料を含む金属または合金にラ
ンタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅を含む合金は
耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、または金属酸
化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜
、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光
性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と酸化
インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層
膜などを用いることができる。
【００８３】
このような電極は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。
【００８４】
ＥＬ層１５１は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（以下、発光層ともいう）を
含めばよく、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されていてもよい。複数の層
で構成されている構成としては、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、並びに電子注入層が積層された構成を例に挙げることができる。なお、発光層を除く
これらの層はＥＬ層１５１中に必ずしも全て設ける必要はない。また、これらの層は重複
して設けることもできる。具体的にはＥＬ層１５１中に複数の発光層を重ねて設けてもよ
く、電子注入層に重ねて正孔注入層を設けてもよい。また、中間層として電荷発生層の他
、電子リレー層など他の構成を適宜加えることができる。また、例えば、異なる発光色を
呈する発光層を複数積層する構成としてもよい。例えば補色の関係にある２以上の発光層
を積層することにより白色発光を得ることができる。
【００８５】
ＥＬ層１５１は、真空蒸着法、またはインクジェット法やディスペンス法などの吐出法
、スピンコート法などの塗布法を用いて形成できる。
【００８６】
〔シール材、封止層、接着層〕
シール材１５４および封止層１５３としては、例えば、二液混合型樹脂、熱硬化性樹脂
、光硬化性樹脂などの硬化性材料や、ゲルなどを用いることができる。例えば、エポキシ
樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリビニルクロラ
イド（ＰＶＣ）、ポリビニルブチラル（ＰＶＢ）、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）
などを用いることができる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。
【００８７】
またシール材１５４および／または封止層１５３には乾燥剤が含まれていてもよい。例
えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸
着によって水分を吸着する物質を用いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライ
トやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。また
、粒状の乾燥剤を設けることにより、該乾燥剤により発光素子１１４からの発光が乱反射
されるため、信頼性が高く、且つ視野角依存性が改善した発光装置（特に照明用途等に有
用）を実現できる。なお、接着層１２５及び接着層１３１としては、シール材１５４と同
様の材料を用いることができる。
【００８８】
〔トランジスタ〕
表示部１０２、信号線駆動回路１０３、走査線駆動回路１０４を構成するトランジスタ
の構造は特に限定されない。例えば、トランジスタの構成は、スタガ型のトランジスタ、
逆スタガ型のトランジスタなどを用いてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲー
ト型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、チャネルエッチ型のトランジスタ
、または、チャネル保護型のトランジスタを用いてもよい。チャネル保護型の場合、チャ
ネル領域の上にのみ、チャネル保護膜を設けてもよい。または、ソースドレイン電極と半
導体層とを接触させる部分のみ開口し、その開口以外の場所にも、チャネル保護膜を設け
てもよい。
【００８９】
トランジスタのチャネルが形成される半導体層に適用可能な半導体として、例えばシリ
コンやゲルマニウムなどの半導体材料、化合物半導体材料、有機半導体材料、または酸化
物半導体材料を用いてもよい。
【００９０】
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体
、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結
晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、ト
ランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
【００９１】
例えば上記半導体としてシリコンを用いる場合、アモルファスシリコン、微結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、または単結晶シリコンなどを用いることができる。
【００９２】
また、上記半導体として酸化物半導体を用いる場合、インジウム、ガリウム、亜鉛のう
ち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いることが好ましい。代表的にはＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ系金属酸化物などが挙げられる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャ
リア密度の小さい酸化物半導体を用いると、オフ状態におけるリーク電流を抑制できるた
め好ましい。
【００９３】
本構成例ではボトムゲート型のトランジスタを備える構成を示すが、トップゲート型の
トランジスタを適用する場合については、後の実施の形態で例示する。
【００９４】
〔バッファ層、絶縁層〕
バッファ層１２０は、第１の基板１２１や接着層１２５を透過した不純物、特に水分が
拡散することを抑制する機能を有する。第２のバッファ層１３２は、第２の基板１０１や
接着層１３１を透過した不純物が拡散することを抑制する機能を有する。また、トランジ
スタの半導体層に接する絶縁層１３４及びトランジスタを覆う絶縁層１４１は、半導体層
への不純物の拡散を抑制することが好ましい。これらの層には、例えばシリコンなどの半
導体の酸化物または窒化物、アルミニウムなどの金属の酸化物または窒化物を用いること
ができる。また、このような無機絶縁材料の積層膜、または無機絶縁材料と有機絶縁材料
の積層膜を用いてもよい。
【００９５】
上記無機絶縁材料としては、例えば窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化ア
ルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、窒化シリコン、
酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化タンタル等から選ばれた材料を、単層でまたは
積層して形成する。
【００９６】
また、上記無機絶縁材料として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加
されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等のｈｉｇｈ−ｋ
材料を用いてもよい。
【００９７】
絶縁層１４２は、トランジスタや配線などに起因する段差を被覆する平坦化層として機
能する。例えばポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂や、無機絶縁
材料を用いることができる。絶縁層１４２としては感光性の樹脂（アクリル、ポリイミド
など）を用いて形成することが好ましい。また、絶縁層１４４も、絶縁層１４２と同様の
材料を用いて形成することができる。
【００９８】
〔クラック抑止層及びマーカー〕
クラック抑止層１２２及びマーカー１２４は、それぞれ導電性材料を用いて形成するこ
とができる。また、クラック抑止層１２２及びマーカー１２４を同一の材料で形成するこ
とで、工程を簡略化できるため好ましい。
【００９９】
クラック抑止層１２２はこれと接して設けられるバッファ層１２０のクラックの進行を
抑止するため、外部応力に強い導電性材料が好ましい。
【０１００】
また、マーカー１２４は、大型の基板を用いて複数の表示装置１００を同時に作製した
後にそれぞれ分断するいわゆる多面取りによって表示装置１００を作製する場合などにお
いて、分断の際の目印とする目的で設けられる。そのため、基板の分断を分断装置によっ
て行う場合、マーカー１２４は、パターンのエッジが鮮明であると分断装置の読み取り位
置のずれが小さくなるため、導電性材料を用いて形成することが好ましい。
【０１０１】
クラック抑止層１２２及びマーカー１２４はそれぞれ、例えば、モリブデン、チタン、
クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属
材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができ
る。また、クラック抑止層１２２及びマーカー１２４は、それぞれ、導電性の金属酸化物
を用いて形成しても良い。
【０１０２】
クラック抑止層１２２の厚さとしては、機械的強度が保持できる膜厚を選択する必要が
ある。具体的には、導電層として、厚さ５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下で形成し、好まし
くは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下で形成する。
【０１０３】
また、クラック抑止層１２２の幅としては、クラックの進行を抑止できる幅が必要であ
る。しかし、クラック抑止層１２２の幅を大きくすることで、多面取りによって表示装置
１００を作製する場合などにおいて、一の基板から所望の表示装置が取れる個数（取り数
ともいう）が減少する可能性がある。具体的には、導電層として、幅２０μｍ以上１００
０μｍ以下で形成し、好ましくは５０μｍ以上５００μｍ以下で形成する。
【０１０４】
〔接続体〕
接続体１５６としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシー
ト状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子とし
ては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒
子を用いることが好ましい。
【０１０５】
〔カラーフィルタ及びブラックマトリクス〕
カラーフィルタ１２７は、発光素子１１４からの発光色を調色し、色純度を高める目的
で設けられている。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場
合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色（Ｒ）
、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを用いてもよいし、これに黄色（Ｙ）
を加えた４色とすることもできる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ、（及びＹ）に加えて白色（Ｗ）の
画素を用い、４色（または５色）としてもよい。
【０１０６】
また、隣接するカラーフィルタ１２７の間には、ブラックマトリクス１２６が設けられ
ている。ブラックマトリクス１２６は隣接する画素の発光素子１１４から回り込む光を遮
光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ１２７の端部を、ブ
ラックマトリクス１２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができ
る。ブラックマトリクス１２６は、発光素子１１４からの発光を遮光する材料を用いるこ
とができ、金属材料や、顔料を含む有機樹脂などを用いて形成することができる。なお、
ブラックマトリクス１２６は、信号線駆動回路１０３などの表示部１０２以外の領域に設
けてもよい。
【０１０７】
また、カラーフィルタ１２７及びブラックマトリクス１２６を覆うオーバーコートを設
けてもよい。オーバーコートは、カラーフィルタ１２７やブラックマトリクス１２６を保
護するほか、これらに含まれる不純物が拡散することを抑制する。オーバーコートは発光
素子１１４からの発光を透過する材料から構成され、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いるこ
とができる。
【０１０８】
なお、本構成例では、トップエミッション方式が適用された表示装置を例示したが、ボ
トムエミッション方式が適用された表示装置としてもよい。その場合には、カラーフィル
タ１２７を発光素子１１４よりも第２の基板１０１側に配置する。例えば、絶縁層１４１
上にカラーフィルタを設ければよい。また、ブラックマトリクス１２６は、トランジスタ
などと重ねて設ければよい。
【０１０９】
また、本構成例ではカラーフィルタを設ける構成としたが、それぞれＲ、Ｇ、Ｂなど異
なる色の発光を呈する発光素子のうちいずれか一を画素に配置し、カラーフィルタを設け
ない構成としてもよい。
【０１１０】
以上が各要素についての説明である。
【０１１１】
［作製方法例］
以下では、上記表示装置１００の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。
【０１１２】
図３乃至図６は、以下で説明する表示装置１００の作製方法例での、各段階における断
面概略図である。図３（Ａ）乃至図６（Ｂ）は、図１（Ａ）、（Ｂ）で示した箇所の断面
構造に対応する。
【０１１３】
〔剥離層の形成〕
まず、支持基板１６１上に剥離層１６２を形成する。
【０１１４】
支持基板１６１としては、少なくとも後の工程にかかる熱に対して耐熱性を有する基板
を用いる。支持基板１６１としては、例えばガラス基板、樹脂基板の他、半導体基板、金
属基板、セラミック基板などを用いることができる。
【０１１５】
なお、量産性を向上させるため、支持基板１６１として大型のガラス基板を用いること
が好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ
×７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、
または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代
（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代
（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍ
ｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、また
はこれよりも大型のガラス基板を用いることができる。
【０１１６】
剥離層１６２としては、例えばタングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材
料を用いることができる。好ましくはタングステンを用いる。
【０１１７】
剥離層１６２は、例えばスパッタリング法により形成することができる。
【０１１８】
〔バッファ層の形成〕
続いて、剥離層１６２の上にバッファ層１２０を形成する（図３（Ａ））。
【０１１９】
バッファ層１２０としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。またバッファ
層１２０としては、上記無機絶縁材料を含む層を単層で、もしくは積層で用いることがで
きる。
【０１２０】
バッファ層１２０は、支持基板１６１の外から不純物が浸入することを防ぐバリア膜の
機能を有する。また、後述するように加熱によって剥離層１６２に水素を放出する機能を
有する。そのため、特に、バッファ層１２０として２層以上の積層構造とし、そのうち少
なくとも１層には加熱により水素を放出する層を用い、剥離層１６２から見て該水素を放
出する層よりも遠い層には水素などの不純物を透過しない層を用いることが好ましい。例
えば、剥離層１６２から酸化窒化シリコンを含む層と、窒化シリコンを含む層の積層構造
とする。
【０１２１】
バッファ層１２０は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などの成膜方法により形成
できる。特に、水素を含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤにより成膜することが好まし
い。
【０１２２】
ここで、バッファ層１２０の成膜時に剥離層１６２の表面が酸化されることにより、剥
離層１６２とバッファ層１２０の間に酸化物（図示しない）が形成される。該酸化物は、
剥離層１６２に含まれる金属の酸化物を含む層である。好ましくは、タングステン酸化物
を含む層とする。
【０１２３】
タングステン酸化物は一般にＷＯ（３−ｘ）で表記され、代表的にはＷＯ３、Ｗ２Ｏ５
、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ２といった様々な組成をとりうる不定比性化合物である。またチタン
酸化物（ＴｉＯ（２−ｘ））、やモリブデン酸化物（ＭｏＯ（３−ｘ））も不定比性化合
物である。
【０１２４】
この段階における酸化物層は、酸素を多く含む状態であることが好ましい。例えば剥離
層１６２としてタングステンを用いた場合には、酸化物層がＷＯ３を主成分とするタング
ステン酸化物であることが好ましい。
【０１２５】
ここで、バッファ層１２０の形成前に、剥離層１６２の表面に対して酸化性ガス、好ま
しくは一酸化二窒素ガスを含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、剥離層１６２の表面に予
め酸化物層を形成することもできる。このような方法を用いると、酸化物層の厚さをプラ
ズマ処理の条件を異ならせることで変化させることができ、プラズマ処理を行わない場合
に比べて酸化物層の厚さの制御性を高めることができる。
【０１２６】
酸化物層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上
２０ｎｍ以下とする。なお、酸化物層が極めて薄い場合には、断面観察像では観察されな
い場合がある。
【０１２７】
〔加熱処理〕
続いて、加熱処理を行い、酸化物層を変質させる。加熱処理を行うことにより、バッフ
ァ層１２０から水素が放出され、酸化物層に供給される。
【０１２８】
酸化物層に供給された水素により、酸化物層内の金属酸化物が還元され、酸化物層中に
酸素の組成の異なる領域が複数混在した状態となる。例えば、剥離層１６２としてタング
ステンを用いた場合には、酸化物層中のＷＯ３が還元されてこれよりも酸素の組成の少な
い状態（例えばＷＯ２など）が生成され、これらが混在した状態となる。このような金属
酸化物は酸素の組成に応じて異なる結晶構造を示すため、酸化物層内に酸素の組成が異な
る複数の領域を形成することで酸化物層の機械的強度が脆弱化する。その結果、酸化物層
の内部で崩壊しやすい状態が実現され、後の剥離工程における剥離性を向上させることが
できる。
【０１２９】
加熱処理は、バッファ層１２０から水素が脱離する温度以上、支持基板１６１の軟化点
以下で行えばよい。また酸化物層内の金属酸化物と水素の還元反応が生じる温度以上で行
うことが好ましい。例えば、剥離層１６２にタングステンを用いる場合には、４２０℃以
上、４５０℃以上、６００℃以上、または６５０℃以上の温度で加熱する。
【０１３０】
加熱処理の温度が高いほど、バッファ層１２０からの水素の脱離量が高まるため、その
後の剥離性を向上させることができる。しかし、支持基板１６１の耐熱性や、生産性を考
慮して加熱温度を低くしたい場合には、上述のように予め剥離層１６２に対してプラズマ
処理を施して酸化物層を形成することにより、加熱処理の温度を低くしても高い剥離性を
実現できる。
【０１３１】
〔クラック抑止層及びマーカーの形成〕
続いて、バッファ層１２０上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフォトリソグラフ
ィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去す
る。その後レジストマスクを除去することにより、複数のクラック抑止層１２２により構
成されるクラック抑止領域１１０及びマーカー１２４を形成する（図３（Ｂ））。
【０１３２】
なお、前述した加熱処理を、クラック抑止層１２２及びマーカー１２４の形成後に行っ
てもよい。このような工程とすることで、バッファ層１２０上に形成する導電膜の成膜後
に導電膜の膜浮きが生じることを抑制できる。
【０１３３】
また、加熱処理の際にクラック抑止層１２２及びマーカー１２４の表面が露出している
と、加熱処理によってクラック抑止層１２２及びマーカー１２４の表面が酸化などにより
荒れる場合がある。このため、前述したバッファ層１２０の一部をクラック抑止層１２２
及びマーカー１２４上に形成してもよい（図２１参照）。図２１における、バッファ層１
２０ａおよびバッファ層１２０ｂの積層を構成する膜は、バッファ層１２０を構成する膜
と同様であることが好ましい。このような構成とすることで、バッファ層全体の透過率を
変更することなく、クラック抑止層１２２及びマーカー１２４の加熱処理による表面荒れ
を抑制することができる。
【０１３４】
例えば、バッファ層１２０ａを厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、厚さ約２００
ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、及び厚さ約１４０ｎｍ
の窒化酸化シリコン膜の積層膜とし、バッファ層１２０ｂを厚さ約１００ｎｍの酸化窒化
シリコン膜とする。また例えば、バッファ層１２０ａを厚さ約６００ｎｍの酸化窒化シリ
コン膜、厚さ約２８０ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ約１８０ｎｍの酸化窒化シリコン膜、
厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜、及び厚さ約１１５ｎｍの酸化窒化シリコン膜の
積層膜とし、バッファ層１２０ｂを厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜とする。
【０１３５】
〔ブラックマトリクス及びカラーフィルタの形成〕
続いて、バッファ層１２０上にブラックマトリクス１２６及びカラーフィルタ１２７を
形成する（図３（Ｃ））。ブラックマトリクス１２６及びカラーフィルタ１２７は、印刷
法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法などでそれぞれ形成する。
【０１３６】
〔ゲート電極の形成〕
次に、剥離層１６４及び第２のバッファ層１３２を形成した支持基板１６３を準備する
。剥離層１６４及び第２のバッファ層１３２の形成方法は前述の剥離層１６２及びバッフ
ァ層１２０と同様である。
【０１３７】
続いて、第２のバッファ層１３２上に導電膜を成膜する。その後、導電膜上にフォトリ
ソグラフィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングによ
り除去する。その後レジストマスクを除去することにより、ゲート電極１３３を形成する
。
【０１３８】
なお、このとき回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。
【０１３９】
ゲート電極１３３となる導電膜は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成
膜する。
【０１４０】
〔ゲート絶縁層の形成〕
続いて、ゲート電極１３３を覆って絶縁層１３４を形成する。
【０１４１】
絶縁層１３４は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。
【０１４２】
〔半導体層の形成〕
続いて、絶縁層１３４上に半導体膜を成膜する。その後、半導体膜上にフォトリソグラ
フィ法等を用いてレジストマスクを形成し、半導体膜の不要な部分をエッチングにより除
去する。その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタを構成する半導体層
１３５を形成する。
【０１４３】
半導体膜の成膜は、用いる材料に応じて適切な方法を用いればよいが、例えばスパッタ
リング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、またはＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用
いることができる。
【０１４４】
半導体層に用いる半導体としては、酸化物半導体を用いることが好ましい。特にシリコ
ンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンより
もバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジス
タのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
【０１４５】
例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ
）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含
む。
【０１４６】
特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。
【０１４７】
このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。
【０１４８】
また、半導体膜に多結晶シリコンを適用する場合には、アモルファスシリコンを成膜し
た後に結晶化（例えばレーザ光の照射や、熱処理など）を行い、多結晶シリコンを有する
半導体膜を形成する。
【０１４９】
〔ソース電極、ドレイン電極〕
続いて、絶縁層１３４及び半導体層１３５上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフ
ォトリソグラフィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチン
グにより除去する。その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタのソース
電極またはドレイン電極として機能する電極１３６を形成する（図４（Ａ））。
【０１５０】
なおこのとき、回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。
【０１５１】
導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。
【０１５２】
また、この時点でトランジスタ１１１、トランジスタ１１２、及びトランジスタ１１３
が形成される。
【０１５３】
〔絶縁層の形成〕
続いて、絶縁層１３４、半導体層１３５及び電極１３６を覆う絶縁層１４１を成膜する
。このとき、電流制御用のトランジスタ１１３の一方の電極１３６及び外部接続端子１０
５となる配線のそれぞれに達する開口部を絶縁層１４１に形成する。
【０１５４】
絶縁層１４１は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。
【０１５５】
なお、本作製方法例では半導体層１３５上に形成される絶縁層として、絶縁層１４１の
単層を積層する構成としたが、これに限られず２層以上の積層構造としてもよい。
【０１５６】
〔平坦化層の形成〕
続いて、平坦化層として機能する絶縁層１４２を形成する。このとき、電流制御用のト
ランジスタ１１３の一方の電極１３６及び外部接続端子１０５となる配線のそれぞれに達
する開口部を絶縁層１４２に形成する。
【０１５７】
絶縁層１４２は、例えば感光性の有機樹脂をスピンコート法などにより塗布した後、選
択的に露光、現像を行って形成することが好ましい。このほかの形成方法としては、スパ
ッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット
印刷等などを用いればよい。
【０１５８】
〔第１の電極の形成〕
続いて、絶縁層１４２上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフォトリソグラフィ法
等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。
その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタ１１３の一方の電極１３６と
電気的に接続する第１の電極１４３を形成する。
【０１５９】
なおこのとき、回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。本作製方法例では外
部接続端子となる部分で電極１３６と同一の導電膜上に形成することにより、外部接続端
子１０５を形成する。
【０１６０】
導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。
【０１６１】
〔絶縁層の形成〕
続いて、第１の電極１４３の端部を覆う絶縁層１４４を形成する。このとき外部接続端
子１０５となる配線に達する開口部を絶縁層１４４に形成する。
【０１６２】
絶縁層１４４は、例えば感光性の有機樹脂をスピンコート法などにより塗布した後、選
択的に露光、現像を行って形成することが好ましい。このほかの形成方法としては、スパ
ッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット
印刷等などを用いればよい。
【０１６３】
なお、絶縁層１４４上に、絶縁層を設けてもよい。図１において、表示部１０２におけ
る絶縁層１４４上に該絶縁層を設けることで、第１の基板１２１と第２の基板１０１の間
隔を調整することができる。該絶縁層は、絶縁層１４４と同様の材料を用いて形成するこ
とができる。
【０１６４】
〔発光素子の形成〕
続いて、第１の電極１４３上にＥＬ層１５１、第２の電極１５２を順次形成することに
より、発光素子１１４を形成する（図４（Ｂ））。
【０１６５】
ＥＬ層１５１は、真空蒸着法、またはインクジェット法やディスペンス法などの吐出法
、スピンコート法などの塗布法を用いて形成する。第２の電極１５２は蒸着法またはスパ
ッタリング法などにより形成する。
【０１６６】
〔貼り合わせ〕
続いて、支持基板１６１のカラーフィルタ１２７等が設けられた面または支持基板１６
３の発光素子１１４が設けられた面に、表示部１０２を囲うようにシール材１５４を形成
する。
【０１６７】
シール材１５４は、例えばディスペンス法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷
法等を用いて硬化性樹脂を塗布した後、該樹脂に含まれる溶媒を揮発させる。
【０１６８】
続いて、支持基板１６１または支持基板１６３上に、封止層１５３を形成する。封止層
１５３は、上記シール材１５４と同様の方法により形成することができる。
【０１６９】
ここで、シール材１５４は、封止層１５３の封止性能を補強するために設けられる。封
止層１５３の封止性能が十分である場合には、シール材１５４を設けなくともよい。
【０１７０】
続いて、支持基板１６１と支持基板１６３とを貼り合わせ、シール材１５４及び封止層
１５３を硬化させることにより、支持基板１６１と支持基板１６３とを接着する（図５（
Ａ））。
【０１７１】
〔剥離〕
続いて、支持基板１６１を剥離し（図５（Ｂ））、露出したバッファ層１２０と第１の
基板１２１を、接着層１２５を介して貼り合わせる。また、支持基板１６３を剥離し、露
出した第２のバッファ層１３２と第２の基板１０１を、接着層１３１を介して貼り合わせ
る（図６（Ａ））。図６（Ａ）では、第１の基板１２１が外部接続端子１０５と重なる構
成としたが、外部接続端子１０５と第１の基板１２１が重ならない構成としてもよい。
【０１７２】
剥離の方法としては、例えば支持基板１６３を吸着ステージに固定し、剥離層１６２と
バッファ層１２０との間に剥離の起点を形成する。例えば、これらの間に刃物などの鋭利
な形状の器具を差し込むことで剥離の起点を形成してもよい。また一部の領域に対してレ
ーザ光を照射し、剥離層１６２の一部を溶解、蒸発、または熱的に破壊することで剥離の
起点を形成してもよい。また液体（例えばアルコールや水、二酸化炭素を含む水など）を
剥離層１６２の端部に滴下し、毛細管現象を利用して該液体を剥離層１６２とバッファ層
１２０の境界に浸透させることにより剥離の起点を形成してもよい。
【０１７３】
次いで、剥離の起点が形成された部分において、密着面に対して略垂直方向に、緩やか
に物理的な力を加えることにより、バッファ層１２０及びその上層に設けられる層を破損
することなく剥離することができる。
【０１７４】
ここで、剥離を行う際、支持基板１６１の端部に剥離の起点を形成し、そこから剥離を
進行させることが好ましい。また剥離の起点の形成時に、支持基板１６１の端部の近傍に
おいてバッファ層１２０にクラックが生じる場合がある。またこのとき生成されたクラッ
クは、剥離の進行と共にバッファ層１２０の外側から内側にかけて進行する場合がある。
しかしながら、クラック抑止領域１１０が表示部１０２を囲うように設けられていること
により、このようなクラックが生じた場合であってもクラックの進行をクラック抑止領域
１１０が設けられた領域で止めることができ、表示部１０２にまでクラックが到達するこ
とを効果的に抑制することができる。
【０１７５】
続いて支持基板１６３の剥離方法を説明する。例えばまず第１の基板１２１に除去可能
な接着層（例えば水溶性の接着剤や弱粘性の接着剤）を介して別の支持基板を貼り付ける
。そして上記と同様に支持基板を固定し、剥離層１６４と第２のバッファ層１３２の間に
剥離の起点を形成して剥離してもよい。また、支持基板１６３を固定し、第１の基板１２
１を吸着パッドなどで固定した後、剥離層１６４と第２のバッファ層１３２の間に剥離の
起点を形成して、第１の基板１２１を含む基板がたわまないように吸着パッドを緩やかに
引き上げることで剥離してもよい。
【０１７６】
最後に、第１の基板１２１、接着層１２５、バッファ層１２０及び封止層１５３を開口
することで、外部接続端子１０５を露出させる（図６（Ｂ））。なお、第１の基板１２１
が外部接続端子１０５と重ならない構成の場合は、バッファ層１２０及び封止層１５３を
同時に開口する。開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチ
ング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよい。また、外部接続端子１０５
上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしても
よい。このとき、外部接続端子１０５の最表面の電極１４３上にＥＬ層など導電膜との密
着性が低い膜を設けることで、外部接続端子１０５を傷つけずに開口することができる。
【０１７７】
以上の工程により、表示装置１００を作製することができる。
【０１７８】
なお、上記剥離工程は本作製方法例の他にも様々な方法を適宜用いることができる。例
えば、剥離層として、バッファ層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、該
金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、バッファ層を支持基板から剥離することができる
。また、耐熱性の高い支持基板とバッファ層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素
膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングにより該非晶質珪素膜を除去すること
で、バッファ層を支持基板から剥離することができる。また、剥離層として、バッファ層
と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さら
に剥離層の一部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを用いたエッチング
で除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離
層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金
膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素
、酸素や水素をガスとして放出させバッファ層と支持基板との剥離を促進する方法を用い
てもよい。また、バッファ層が形成された支持基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、Ｂ
ｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができ
る。この場合、剥離層を設けなくともよい。
【０１７９】
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層とバッファ層とを剥離しやすい状態にしてか
ら、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
【０１８０】
また、剥離層とバッファ層との界面に液体を浸透させて支持基板からバッファ層を剥離
してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
【０１８１】
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
【０１８２】
なお、支持基板とバッファ層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよ
い。
【０１８３】
例えば、支持基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱するこ
とにより、支持基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。図７に、支持基板と有機
樹脂の界面で剥離することで作製された表示装置１００の断面概略図を示す。有機樹脂層
１２８は、第１の基板１２１の発光素子１１４と対向する面側に接着層１２５を介して設
けられ、有機樹脂層１３８は第２の基板１０１上に接着層１３１を介して設けられている
。また、有機樹脂層１２８と接してクラック抑止領域１１０及びマーカー１２４、バッフ
ァ層１２０がこの順に設けられ、有機樹脂層１３８上には第２のバッファ層１３２が設け
られている。その他の構成は、図１（Ｂ）と同様である。このような構成にすることで、
支持基板と有機樹脂の界面で剥離する際にバッファ層１２０の端部に発生するクラックが
、クラック抑止領域１１０の内側に進行することを抑制できる。
【０１８４】
また、支持基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層
を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０１８５】
なお、本作製方法は一の表示装置１００の作製過程を示しているが、量産性を考えると
大型の基板を用いて複数の表示装置１００を同時に作製することが好ましい。その場合、
例えば前述の貼り合わせ工程や剥離工程の後に、マーカー１２４に沿って基板を分断する
。図８は大型の基板を用いて４つの表示装置１００を同時に作製する場合の上面概略図を
示しており、一の表示装置１００を切り出す際は破線に沿って分断する。
【０１８６】
以上により、クラックに起因する不良を低減した表示装置を作製することができる。
【０１８７】
［表示装置の変形例］
以下では、表示装置１００の変形例について説明する。
【０１８８】
〔変形例１〕
図９は、クラック抑止層１２２と接するように被覆層１２３を設けた場合の表示装置１
００の断面概略図である。
【０１８９】
表示装置１００にマーカー１２４を形成しない場合は、クラック抑止層１２２をブラッ
クマトリクス１２６と同一の材料によって形成することで、工程数を増やすことなくクラ
ック抑止層１２２を形成できるため好ましい。
【０１９０】
また、クラックをより効果的に抑制するため、複数のクラック抑止層１２２を覆うよう
に被覆層１２３を形成してもよい。バッファ層１２０のクラック抑止層１２２及び被覆層
１２３との界面において、クラックの進行方向に対して応力分布が不均一であるとクラッ
クの進行を抑制できるため、被覆層１２３はクラック抑止層１２２と異なる材料であるこ
とが好ましい。被覆層１２３としては、導電性材料または樹脂材料を用いることができる
。
【０１９１】
図９は、クラック抑止層１２２をブラックマトリクス１２６と同一の材料によって形成
し、かつ被覆層１２３をカラーフィルタ１２７と同一の材料によって形成した場合の表示
装置１００の構成を示している。
【０１９２】
なお、図９では、表示部１０２において絶縁層１４４上に絶縁層１４５を設けている。
絶縁層１４５を設けることで、第１の基板１２１と第２の基板１０１の間隔を調整するこ
とができる。絶縁層１４５は、絶縁層１４４と同様の材料を用いて形成することができる
。
【０１９３】
〔変形例２〕
図１０は、バッファ層１３２上に第２のクラック抑止領域１１５を設けた場合の表示装
置１００の断面概略図である。
【０１９４】
図１０は、複数の第２のクラック抑止層１３７で構成される第２のクラック抑止領域１
１５が、クラック抑止領域１１０と重なる位置に設けられた場合の表示装置１００の構成
を示している。第２のクラック抑止領域１１５を、表示部１０２だけでなく信号線駆動回
路１０３、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０５なども囲うように配置することで
、第２のバッファ層１３２の端部から生じるクラックがこれらに到達することを抑制し、
表示装置１００の動作不良などの不具合が生じることを抑制できる。
【０１９５】
なお、第２のクラック抑止層１３７は第２のバッファ層１３２に接して設けられること
が好ましく、クラック抑止層１２２と同様に導電性材料もしくは樹脂材料を用いて形成さ
れることが好ましい。図１０では、第２のクラック抑止層１３７が、ゲート電極１３３と
同一の材料で形成される場合の表示装置１００の構成を示している。このように、トラン
ジスタ（トランジスタ１１１、１１２、１１３）や発光素子１１４を構成する電極や配線
と同一材料により第２のクラック抑止層１３７を形成すると、工程を増やすことなく形成
できるため好ましい。
【０１９６】
〔変形例３〕
図１１（Ａ）に、クラック抑止領域１１０を表示部１０２から見て外部接続端子１０５
より内側に設けた場合の表示装置１００の上面概略図を示す。また、図１１（Ｂ）に図１
１（Ａ）の切断線Ａ２−Ｂ２間、Ｃ２−Ｄ２間及びＥ２−Ｆ２間の断面概略図を示す。
【０１９７】
上記の作製方法例では、クラック抑止領域１１０を外部接続端子１０５より外側に設け
る構成としている。しかし、図１１のように、クラック抑止領域１１０を外部接続端子１
０５の内側に設ける構成とすることで、上記作製方法例における外部接続端子１０５と重
なる領域のバッファ層１２０及び封止層１５３を開口する際にバッファ層１２０の開口部
端部においてクラックが発生した時、該クラックの表示部１０２への進行を抑制すること
ができる。
【０１９８】
また、このようにクラック抑止領域１１０を配置することで、クラック抑止領域１１０
を外部接続端子１０５より外側に設ける構成よりも表示装置１００の外形を小さくするこ
とができる。これにより、多面取りによって表示装置１００を作製する場合などにおいて
、取り数を増やすことができる。
【０１９９】
なお、本実施の形態では、発光素子を有する表示装置を例示したが、本発明の一態様は
これに限られない。本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる装置としては、
各種半導体装置や各種表示装置が挙げられる。例えば、以下に示す素子もしくは装置の基
板として、本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる。例えば、ＥＬ素子（有
機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、
赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトラ
ンジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライ
トバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクト
ロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭ
Ｄ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・
モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表
示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチ
ューブを用いた表示素子など、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反
射率、透過率などが変化する表示媒体が挙げられる。また、電子放出素子を用いた表示装
置の一例である、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型
ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅ
ｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装置の
一例である、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、
反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などが挙
げられる。また、電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示
装置の一例である、電子ペーパーなどが挙げられる。なお、半透過型液晶ディスプレイや
反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電
極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、
アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に
、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を
低減することができる。
【０２００】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせて
実施することができる。
【０２０１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で例示した表示装置にタッチセンサとしての機能を備
えるタッチパネルを設けた発光モジュールについて説明する。なお、以下では、実施の形
態１と重複する部分については説明を省略する。
【０２０２】
［表示装置の構成例］
図１２は、発光モジュール２００の断面概略図である。
【０２０３】
発光モジュール２００は、表示装置１００とタッチセンサ２０１を備える。表示装置１
００は第１の基板１２１、第２の基板１０１及び表示部１０２を有する。タッチセンサ２
０１は、基板２２１の表示装置１００と対向する面側に、バッファ層２２０を介して設け
られている。なお、第１の基板１２１、第２の基板１０１及び基板２２１はいずれも可撓
性基板であることが好ましい。
【０２０４】
複数の配線２３１は、タッチセンサ２０１と電気的に接続されている。また、複数の配
線２３１は基板２２１の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。当該端子は接
続体２５５を介してＦＰＣ２５６と電気的に接続される。
【０２０５】
また、タッチセンサ２０１は、複数の配線２３１と同一の材料で形成される、複数のク
ラック抑止層２２２で構成されるクラック抑止領域２１０をバッファ層２２０に接して有
する。タッチセンサ２０１の外周部にクラック抑止領域２１０があることで、バッファ層
２２０の端部に発生したクラックが、例えば発光モジュール２００を高温高湿環境下に保
持することでタッチセンサ２０１の内部に進行することを抑制できる。
【０２０６】
タッチセンサ２０１として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容
量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０２０７】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０２０８】
以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について説明する。
【０２０９】
なお、タッチセンサの構成は上記に限られず、指等の検知対象の近接または接触を検知
することができるさまざまなセンサを適用することができる。
【０２１０】
投影型静電容量方式のタッチセンサ２０１は、電極２３４と電極２３５を有する。電極
２３４は複数の配線２３１のいずれかと電気的に接続し、電極２３５は複数の配線２３１
の他のいずれかと電気的に接続する。
【０２１１】
配線２３２は、電極２３５を挟む二つの電極２３４を電気的に接続する。このとき、配
線２３２と電極２３５の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これによ
り、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結
果、タッチセンサ２０１を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【０２１２】
なお、電極２３４、電極２３５の形状は様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極２
３４をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極２３５を、電極２３
４と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣
接する２つの電極２３５の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、
透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０２１３】
タッチセンサ２０１は、バッファ層２２０の表示装置１００と対向する面側に、隣り合
う電極２３４を電気的に接続する配線２３２、絶縁層２３３、及び絶縁層２３３上に千鳥
状に配置された電極２３４及び電極２３５、並びに絶縁層２３６を備える。
【０２１４】
接着層２２５は、タッチセンサ２０１が表示部１０２と重なる位置に設けられるように
、絶縁層２３６と、第１の基板１２１の発光素子１１４とは反対側の面とを貼り合わせて
いる。
【０２１５】
なお、本構成例は表示装置１００にトップエミッション方式を適用した発光モジュール
の構成を示しているが、表示装置１００がボトムエミッション方式である場合は、接着層
２２５は、絶縁層２３６と、第２の基板１０１の発光素子１１４とは反対側の面とを貼り
合わせる。
【０２１６】
バッファ層２２０は、基板２２１を透過した不純物、特に水分が拡散することを抑制す
る機能を有する。バッファ層２２０としては、例えばシリコンなどの半導体、アルミニウ
ムなどの金属の酸化物または窒化物を用いることができる。また、このような無機絶縁材
料の積層膜、または無機絶縁材料と有機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。
【０２１７】
配線２３２としては、透光性を有する導電材料を用いると発光モジュールの開口率を高
めることができるため好ましい。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛な
どの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。
【０２１８】
透光性を有する導電性材料をバッファ層２２０上にスパッタリング法により成膜した後
、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、配
線２３２を形成することができる。グラフェンはＣＶＤ法のほか、酸化グラフェンを分散
した溶液を塗布した後にこれを還元して形成してもよい。
【０２１９】
絶縁層２３３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキ
サン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機絶縁材料を用いることもできる。
【０２２０】
また、配線２３２に達する開口が絶縁層２３３に設けられ、配線２３２と同様の形成方
法により電極２３４及び電極２３５が形成される。
【０２２１】
一の電極２３５は一方向に延在し、複数の電極２３５がストライプ状に設けられている
。
【０２２２】
配線２３２は電極２３５と交差して設けられている。
【０２２３】
一対の電極２３４が一の電極２３５を挟んで設けられ、配線２３２は隣接する一対の電
極２３４を電気的に接続している。
【０２２４】
なお、複数の電極２３４は、一の電極２３５と必ずしも直交する方向に配置される必要
はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０２２５】
一の配線２３１は、電極２３４又は電極２３５と電気的に接続される。配線２３１の一
部は、端子として機能する。配線２３１としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀
、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラ
ジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０２２６】
なお、タッチセンサ２０１を保護するための絶縁層を設けてもよい。本構成例では、絶
縁層２３３、電極２３４及び電極２３５を覆う絶縁層２３６を設けている。
【０２２７】
また、接続体２５５は、配線２３１とＦＰＣ２５６を電気的に接続する。
【０２２８】
接続体２５５としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０２２９】
接着層２２５は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いるこ
とができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する
樹脂などの樹脂を用いることができる。
【０２３０】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
【０２３１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び２で例示した表示装置とは異なる表示装置の構成
例について説明する。なお、以下では、実施の形態１と重複する部分については説明を省
略する。
【０２３２】
［表示装置の構成例］
以下では、表示素子として液晶素子が適用された画像表示装置の構成例について説明す
る。
【０２３３】
図１３（Ａ）に、表示装置３００の上面概略図を示す。また、図１３（Ｂ）に図１３（
Ａ）の切断線Ａ３−Ｂ３間、Ｃ３−Ｄ３間及びＥ３−Ｆ３間の断面概略図を示す。表示装
置３００は、上記実施の形態１で例示した表示装置１００と対比して、表示素子として液
晶素子が適用されている点、トランジスタの構成が異なる点、クラック抑止領域の配置が
異なる点で主に相違している。
【０２３４】
表示部１０２には、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用さ
れた液晶素子３１４を備える。液晶素子３１４は、基板面に対して横方向に発生する電界
により液晶の配向が制御される。
【０２３５】
画素には少なくとも一つのスイッチング用のトランジスタ３１２と、図示しない保持容
量を有する。またトランジスタ３１２のソース電極またはドレイン電極の一方に電気的に
接続するくし形状の第１の電極３４３と、くし形状の第２の電極３５２とが絶縁層１４２
上に離間して設けられている。
【０２３６】
第１の電極３４３と第２の電極３５２の少なくとも一方には、上述した透光性の導電性
材料を用いる。これら電極の両方に透光性の導電性材料を用いると、画素の開口率を高め
ることができるため好ましい。
【０２３７】
なお、図１３（Ｂ）では、第１の電極３４３と第２の電極３５２を区別するため異なる
ハッチングパターンを用いて明示しているが、これらを同一の導電膜を加工して形成する
ことが好ましい。
【０２３８】
カラーフィルタ３２７は、第１の電極３４３及び第２の電極３５２と重なるように設け
られる。図１３（Ｂ）ではカラーフィルタ３２７が絶縁層１４１上に設けられる構成を示
しているが、カラーフィルタの配置はこの位置に限られない。
【０２３９】
第１の電極３４３及び第２の電極３５２と、バッファ層１２０との間には、液晶３５３
が設けられている。第１の電極３４３と第２の電極３５２の間に電圧を印加することによ
り、横方向に電界が生じ、該電界によって液晶３５３の配向が制御され、表示装置の外部
に配置されたバックライトからの光の偏光を画素単位で制御することにより、画像を表示
することができる。
【０２４０】
液晶３５３と接する面には、液晶３５３の配向を制御するための配向膜が設けられてい
ることが好ましい。配向膜には透光性の材料を用いる。また、ここでは図示しないが、第
１の基板１２１及び第２の基板１０１の液晶素子３１４からみて外側の面に偏光板を設け
る。
【０２４１】
液晶３５３としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、
反強誘電液晶などを用いることができる。また、ブルー相を示す液晶を使用すると、配向
膜が不要であり、且つ広い視野角が得られるため好ましい。
【０２４２】
なお、液晶３５３として粘度が高く流動性の低い材料を用いることが好ましい。
【０２４３】
なお、本構成例ではＩＰＳモードが適用された液晶素子３１４について説明するが、液
晶素子の構成はこれに限られず、そのほかにもＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）
モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａ
ｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、
ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）
モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード
、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モ
ードなどを用いることができる。
【０２４４】
表示装置３００に設けられるトランジスタ（トランジスタ３１１、トランジスタ３１２
）は、トップゲート型のトランジスタである。各トランジスタは、ソース領域またはドレ
イン領域として機能する不純物領域を備える半導体層３３５と、ゲート絶縁層として機能
する絶縁層３３４と、ゲート電極３３３と、を有する。またゲート電極３３３を覆う絶縁
層３３８及び絶縁層３３９が積層して設けられ、絶縁層３３４、絶縁層３３８及び絶縁層
３３９に設けられた開口部を介して半導体層３３５のソース領域またはドレイン領域と接
する一対の電極３３６を備える。
【０２４５】
図１３では、クラック抑止領域１１０がシール材１５４よりも、表示部１０２から見て
内側に設けられている場合を示している。このようにクラック抑止領域１１０を表示部１
０２から十分離れた位置に設けることで、バッファ層１２０の端部から発生したクラック
が表示部１０２に進行することを抑制し、水分などの不純物の浸入による液晶素子３１４
の配向不良などを生じにくくさせることができる。なお、実施の形態１と同様にクラック
抑止領域１１０をシール材１５４の外側に設けてもよい。
【０２４６】
なお、ここで例示したトップゲート型のトランジスタを、実施の形態１で例示したボト
ムゲート型のトランジスタに置き換えることもできる。同様に、ここで示したトップゲー
ト型のトランジスタを実施の形態１に適用することもできる。
【０２４７】
なお、本発明の一態様は、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または
、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。
【０２４８】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
【０２４９】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
【０２５０】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
【０２５１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、発光装置の構成例について説明する。
【０２５２】
［表示装置の構成例］
図１４に発光素子として有機ＥＬ素子を用いたフレキシブルな発光装置の一例を示す。
【０２５３】
図１４（Ａ）に発光装置４００の上面概略図を示し、図１４（Ｂ）に、図１４（Ａ）の
切断線Ｘ１−Ｙ１間の断面概略図を示す。図１４（Ａ）及び（Ｂ）に示す発光装置はボト
ムエミッション型の発光装置である。
【０２５４】
図１４（Ｂ）に示すように、発光装置４００は、第２の基板４１９、接着層４２２、第
２のバッファ層４２４、導電層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、発光素子４５０（
第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、封止層４０７、クラック抑
止層４１０、バッファ層４２０及び第１の基板４２８を有する。第１の電極４０１、第２
のバッファ層４２４、接着層４２２、及び第２の基板４１９は可視光を透過する。また、
第１の基板４２８及び第２の基板４１９は可撓性基板であることが好ましい。
【０２５５】
クラック抑止層４１０は、バッファ層４２０と接して、発光素子４５０を囲うように設
けられている。このように、クラック抑止層４１０を発光素子４５０から十分離れた位置
に設けることで、バッファ層４２０の端部からクラックが発生した場合、該クラックの進
行を抑制できる。これにより、発光素子４５０への水分等の不純物の浸入を低減でき、発
光装置４００を信頼性の高い発光装置とすることができる。
【０２５６】
第２の基板４１９上には、接着層４２２及び第２のバッファ層４２４を介して発光素子
４５０が設けられている。第２の基板４１９、封止層４０７、及び第１の基板４２８によ
って、発光素子４５０は封止されている。発光素子４５０は、第１の電極４０１と、第１
の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第２
の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。
【０２５７】
第１の電極４０１、導電層４０６、導電層４１６の端部は絶縁層４０５で覆われている
。導電層４０６は第１の電極４０１と電気的に接続し、導電層４１６は第２の電極４０３
と電気的に接続する。第１の電極４０１を介して絶縁層４０５に覆われた導電層４０６は
、第１の電極４０１と電気的に接続することで、第１の電極４０１の補助配線として機能
する。ＥＬ素子の電極が補助配線を有することで、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制
できるため好ましい。導電層４０６は、第１の電極４０１上に設けられていてもよい。ま
た、絶縁層４０５上等に、第２の電極４０３と電気的に接続する補助配線を有していても
よい。
【０２５８】
発光装置の光取出し効率を高めるため、発光素子４５０からの光を取り出す側に光取り
出し構造を有することが好ましい。図１４（Ｂ）では、発光素子４５０からの光を取り出
す側に位置する第２の基板４１９が光取り出し構造を兼ねている例を示している。なお、
第２の基板４１９と重ねて、光を拡散させる機能を有するシートなどの光取り出し構造や
、タッチセンサを配置してもよい。また、偏光板や位相差板を配置してもよい。図１４（
Ｃ）では、第２の基板４１９と重ねて拡散板４１１及びタッチセンサ４１３を配置した場
合の例を示す。
【０２５９】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組
み合わせて実施することができる。
【０２６０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置または表示装置を適用可能な電子機器及
び照明装置について、図１５乃至図１７を用いて説明する。
【０２６１】
本発明の一態様の表示装置は、表示面を湾曲させることができる。このような表示装置
は、例えばテレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュ
ータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム
、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音
響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２６２】
また、照明や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装の
曲面に沿って組み込むことも可能である。
【０２６３】
図１５（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７１００は、筐体７１０
１に組み込まれた表示部７１０２の他、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、
スピーカ７１０５、マイク７１０６、カメラ７１０７などを備えている。なお、携帯電話
機７１００は、本発明の一態様の表示装置を表示部７１０２に用いることにより作製され
る。
【０２６４】
図１５（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７１０２を指などで触れることで、
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、表示部７１０２を指などで触れることにより行うことができる。例えば、表示
部７１０２に表示されたアイコン７１０８に触れることで、アプリケーションを起動する
ことができる。
【０２６５】
また操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７１０２に表示
される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニ
ュー画面に切り替えることができる。
【０２６６】
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したが
って、湾曲した表示面に沿った表示を行うことができ、且つ信頼性の高い携帯電話機とす
ることができる。
【０２６７】
図１５（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７２０
０は、筐体７２０１、表示部７２０２、操作ボタン７２０３、及び送受信装置７２０４を
備える。
【０２６８】
携帯表示装置７２００は、送受信装置７２０４によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部７２０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信
することもできる。
【０２６９】
また、操作ボタン７２０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
【０２７０】
ここで、表示部７２０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したが
って、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
【０２７１】
図１５（Ｃ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７３００
は、筐体７３０１、表示部７３０２、バンド７３０３、バックル７３０４、操作ボタン７
３０５、入出力端子７３０６などを備える。
【０２７２】
携帯情報端末７３００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、イン
ターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することがで
きる。
【０２７３】
表示部７３０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行う
ことができる。また、表示部７３０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面
に触れることで操作することができる。例えば、表示部７３０２に表示されたアイコン７
３０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０２７４】
操作ボタン７３０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オ
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末７３００に組み込まれたオペレーションシ
ステムにより、操作ボタン７３０５の機能を自由に設定することもできる。
【０２７５】
また、携帯情報端末７３００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能
である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリー
で通話することもできる。
【０２７６】
また、携帯情報端末７３００は入出力端子７３０６を備え、他の情報端末とコネクタを
介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７３０６を介して充電
を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７３０６を介さずに無線給電により行
ってもよい。
【０２７７】
携帯情報端末７３００の表示部７３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用すること
ができる。したがって、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末とするこ
とができる。
【０２７８】
図１６（Ａ）乃至（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末７４１０を示す。図１６（
Ａ）に展開した状態の携帯情報端末７４１０を示す。図１６（Ｂ）に展開した状態又は折
りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末７４１０を示す。図
１６（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末７４１０を示す。携帯情報端末７４１０は
、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域に
より表示の一覧性に優れる。
【０２７９】
表示パネル７４１２はヒンジ７４１３によって連結された３つの筐体７４１５に支持さ
れている。ヒンジ７４１３を介して２つの筐体７４１５間を屈曲させることにより、携帯
情報端末７４１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができ
る。本発明の一態様を適用して作製された表示装置を表示パネル７４１２に用いることが
できる。例えば、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置を適
用できる。
【０２８０】
図１６（Ｄ）、（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末７４２０を示す。図１６（Ｄ
）に表示部７４２２が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７４２０を示す
。図１６（Ｅ）に、表示部７４２２が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末
７４２０を示す。携帯情報端末７４２０を使用しない際に、非表示部７４２５を外側に折
りたたむことで、表示部７４２２の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様を適用し
て作製された表示装置を表示部７４２２に用いることができる。
【０２８１】
図１６（Ｆ）は携帯情報端末７４３０の外形を説明する斜視図である。図１６（Ｇ）は
、携帯情報端末７４３０の上面図である。図１６（Ｈ）は携帯情報端末７４４０の外形を
説明する斜視図である。
【０２８２】
携帯情報端末７４３０、７４４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ば
れた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いるこ
とができる。
【０２８３】
携帯情報端末７４３０、７４４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することが
できる。例えば、３つの操作ボタン７４３９を一の面に表示することができる（図１６（
Ｆ）、（Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報７４３７を他の面に表示することができる
（図１６（Ｇ）、（Ｈ））。なお、情報７４３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネ
ットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子
メールなどの題名、電子メールなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ
受信の強度などがある。または、情報７４３７が表示されている位置に、情報７４３７の
代わりに、操作ボタン７４３９、アイコンなどを表示してもよい。なお、図１６（Ｆ）、
（Ｇ）では、上側に情報７４３７が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに
限定されない。例えば、図１６（Ｈ）に示す携帯情報端末７４４０のように、横側に表示
されていてもよい。
【０２８４】
例えば、携帯情報端末７４３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７４３０
を収納した状態で、その表示（ここでは情報７４３７）を確認することができる。
【０２８５】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７４３０の
上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７４３０をポケットから取
り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０２８６】
携帯情報端末７４３０の筐体７４３５、携帯情報端末７４４０の筐体７４３６がそれぞ
れ有する表示部７４３３には、本発明の一態様を適用して作製された表示装置を用いるこ
とができる。したがって、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末とする
ことができる。
【０２８７】
また、図１６（Ｉ）に示す携帯情報端末７４５０のように、３面以上に情報を表示して
もよい。ここでは、情報７４５５、情報７４５６、情報７４５７がそれぞれ異なる面に表
示されている例を示す。
【０２８８】
携帯情報端末７４５０筐体７４５１が有する表示部７４５８には、本発明の一態様を適
用して作製された表示装置を用いることができる。したがって、湾曲した表示部を備え、
且つ信頼性の高い携帯情報端末とすることができる。
【０２８９】
本実施の形態で例示した電子機器の表示部に、本発明の一態様の表示装置を適用できる
。したがって、湾曲することによるクラックに起因する不良が低減され、信頼性が高く、
且つ曲面に沿った表示が可能な電子機器を実現できる。
【０２９０】
図１７（Ａ）乃至図１７（Ｃ）は、照明装置の一例を示している。照明装置８０００、
照明装置８０１０、照明装置８０２０はそれぞれ、操作スイッチ８００３を備える台部８
００１と、台部８００１に支持される発光部を有する。
【０２９１】
図１７（Ａ）に示す照明装置８０００は、波状の発光面を有する発光部８００２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０２９２】
図１７（Ｂ）に示す照明装置８０１０の備える発光部８０１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置８０１０を中心に
全方位を照らすことができる。
【０２９３】
図１７（Ｃ）に示す照明装置８０２０は、凹状に湾曲した発光部８０２２を備える。し
たがって、発光部８０２２からの発光を、照明装置８０２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。
【０２９４】
また、照明装置８０００、照明装置８０１０及び照明装置８０２０の備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、当該表示部を可塑性の部材や可動なフレームなど
の部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０２９５】
ここで、発光部８００２、８０１２及び８０２２には、本発明の一態様の発光装置が組
み込まれている。したがって、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い照明装置とする
ことができる。
【０２９６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせて
実施することができる。
【０２９７】
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の
形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実
施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換
えなどを行うことが出来る。
【０２９８】
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用い
て述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
【０２９９】
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分
、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複
数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることによ
り、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０３００】
なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除
くことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限
値と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めること
で、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規
定することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内
に入らないことを規定することができる。
【０３０１】
具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図
が記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこ
とを発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していな
いことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとって
いるような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる
。または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規
定して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接
続されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。
または、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を
有していない、と発明を規定することが可能である。
【０３０２】
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下で
あることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２
Ｖ以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または
、例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが
可能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定すること
も可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能
である。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除
くと発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲である
ことが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとして
も、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」な
どと記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。
【０３０３】
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好
適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ以上１Ｖ以
下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、あ
る電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
【０３０４】
別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」
と記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除
く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機
絶縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば
、その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。ま
たは、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが
可能である。
【０３０５】
別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜
が設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の
積層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜と
その膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能であ
る。
【０３０６】
なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施するこ
とが出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。
例えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信
機を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有
する発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造およ
び販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成
膜して、発光装置として完成させる、という場合がある。
【０３０７】
このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発
明の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様
を構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明
の一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張
できるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が
出来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機の
みの場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成する
ことができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態
様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例として
は、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成
された半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本
明細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様
を構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することが
でき、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断するこ
とが出来る。
【０３０８】
なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子
（容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しな
くても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接
続先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定され
た内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明
細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数
のケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。し
たがって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子
など）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明
の一態様を構成することが可能な場合がある。
【０３０９】
なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当
業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少
なくとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。
つまり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定さ
れた発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。
したがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一
態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。また
は、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様とし
て開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
【０３１０】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章にお
いて、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって
、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取
り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成す
ることが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。その
ため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子
、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作
方法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分
を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎ
は整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個
（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の
一態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構
成される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構
成することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成
されるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ま
たは、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは
、ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」
、または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可
能である。
【０３１１】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章にお
いて、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すこと
は、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べ
る図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位
概念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが
可能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。
【０３１２】
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）
は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能
である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べてい
なくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を
構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様
として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、
その発明の一態様は明確であると言える。
【実施例】
【０３１３】
本実施例では、本発明の一態様の表示装置を作製し、高温高湿環境下での保持、すなわ
ち信頼性試験を行った結果について説明する。
【０３１４】
本実施例では、本発明の一態様の表示装置である試料ａと、比較例の表示装置である比
較試料ｂと、を作製した。
【０３１５】
なお、本実施例において作製した試料の作製方法は、実施の形態１の作製方法例によっ
ている。
【０３１６】
［試料の作製］
試料ａ及び比較試料ｂに用いた材料を、図９を用いて説明する。
【０３１７】
第１の基板１２１及び第２の基板１０１としては、厚さ約２０μｍのプラスチックフィ
ルムを用いた。
【０３１８】
接着層１２５、接着層１３１、及び封止層１５３としては、二液混合型のエポキシ樹脂
を用いた。
【０３１９】
バッファ層１２０及び第２のバッファ層１３２としては、厚さ約６００ｎｍの酸化窒化
シリコン膜、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン
膜、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜、及び厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン
膜の積層膜を用いた。
【０３２０】
試料ａのみにおいて、クラック抑止層１２２としては、厚さ約１００ｎｍのチタン膜を
、被覆層１２３としては、厚さ約２．０μｍのアクリル樹脂膜を用いた。
【０３２１】
絶縁層１３４としては、厚さ約４００ｎｍの窒化シリコン膜及び厚さ約５０ｎｍの酸化
窒化シリコン膜の積層膜を用いた。また、絶縁層１４１としては、厚さ約４５０ｎｍの酸
化窒化シリコン膜及び厚さ約１００ｎｍの窒化シリコン膜の積層膜を用いた。また、絶縁
層１４２としては、厚さ約２．０μｍのアクリル樹脂膜を用いた。また、絶縁層１４４と
しては、厚さ約１．０μｍのポリイミド樹脂膜を用いた。
【０３２２】
［クラックの観察］
続いて、試料ａ及び比較試料ｂに対して信頼性試験を行った後に、クラック抑止領域近
傍の光学顕微鏡による観察を行った。信頼性試験では、試料ａ及び比較試料ｂを高温高湿
環境下（温度６５℃、湿度９０％）で保持した。
【０３２３】
図１８（Ａ）及び図１９（Ａ）に光学顕微鏡写真を示す。また、図１８（Ｂ）及び図１
９（Ｂ）には、切断線Ｘ２−Ｙ２間及びＸ３−Ｙ３間の断面構造を模式的に示している。
【０３２４】
図１８（Ａ）は、試料ａを高温高湿環境下に保持して約６００時間経過した後の光学顕
微鏡写真である。写真の上側から下側に向けてクラックが生じていることが分かる。また
、該クラックは、クラック抑止領域１１０よりも内側（右下側）には進行していないこと
が分かる。
【０３２５】
図１９（Ａ）は、比較試料ｂを高温高湿環境下に保持して約６００時間経過した後の光
学顕微鏡写真である。写真左側からクラックが生じており、該クラックは走査線駆動回路
部まで進行していることが分かる。
【０３２６】
また、比較試料ｂとは絶縁層１４２のみ異なる材料により作製した別の試料のクラック
発生部分の断面観察を行ったところ、バッファ層１２０にクラックが発生していることが
確認できた（図２０）。該試料の絶縁層１４２としては、厚さ約２．０μｍのポリイミド
樹脂膜を用いた。以上の結果より、クラック抑止領域１１０をバッファ層１２０に接する
ように設けることで、バッファ層１２０に発生したクラックの進行を抑制できたと考えら
れる。
【０３２７】
以上のことから、表示装置の外周部にクラック抑止層を設けることによって、クラック
の進行を効果的に抑制できることが確認できた。
【符号の説明】
【０３２８】
１００    表示装置
１０１    基板
１０２    表示部
１０３    信号線駆動回路
１０４    走査線駆動回路
１０５    外部接続端子
１１０    クラック抑止領域
１１１    トランジスタ
１１２    トランジスタ
１１３    トランジスタ
１１４    発光素子
１１５    クラック抑止領域
１２０    バッファ層
１２０ａ    バッファ層
１２０ｂ    バッファ層
１２１    基板
１２２    クラック抑止層
１２３    被覆層
１２４    マーカー
１２５    接着層
１２６    ブラックマトリクス
１２７    カラーフィルタ
１２８    有機樹脂層
１３１    接着層
１３２    バッファ層
１３３    ゲート電極
１３４    絶縁層
１３５    半導体層
１３６    電極
１３７    クラック抑止層
１３８    有機樹脂層
１４１    絶縁層
１４２    絶縁層
１４３    電極
１４４    絶縁層
１４５    絶縁層
１５１    ＥＬ層
１５２    電極
１５３    封止層
１５４    シール材
１５５    ＦＰＣ
１５６    接続体
１６１    支持基板
１６２    剥離層
１６３    支持基板
１６４    剥離層
２００    発光モジュール
２０１    タッチセンサ
２１０    クラック抑止領域
２２０    バッファ層
２２１    基板
２２２    クラック抑止層
２２５    接着層
２３１    配線
２３２    配線
２３３    絶縁層
２３４    電極
２３５    電極
２３６    絶縁層
２５５    接続体
２５６    ＦＰＣ
３００    表示装置
３１１    トランジスタ
３１２    トランジスタ
３１４    液晶素子
３２７    カラーフィルタ
３３３    ゲート電極
３３４    絶縁層
３３５    半導体層
３３６    電極
３３８    絶縁層
３３９    絶縁層
３４３    電極
３５２    電極
３５３    液晶
４００    発光装置
４０１    電極
４０２    ＥＬ層
４０３    電極
４０５    絶縁層
４０６    導電層
４０７    封止層
４１０    クラック抑止層
４１１    拡散板
４１３    タッチセンサ
４１６    導電層
４１９    基板
４２０    バッファ層
４２２    接着層
４２４    バッファ層
４２８    基板
４５０    発光素子
７１００    携帯電話機
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    操作ボタン
７１０４    外部接続ポート
７１０５    スピーカ
７１０６    マイク
７１０７    カメラ
７１０８    アイコン
７２００    携帯表示装置
７２０１    筐体
７２０２    表示部
７２０３    操作ボタン
７２０４    送受信装置
７３００    携帯情報端末
７３０１    筐体
７３０２    表示部
７３０３    バンド
７３０４    バックル
７３０５    操作ボタン
７３０６    入出力端子
７３０７    アイコン
７４１０    携帯情報端末
７４１２    表示パネル
７４１３    ヒンジ
７４１５    筐体
７４２０    携帯情報端末
７４２２    表示部
７４２５    非表示部
７４３０    携帯情報端末
７４３３    表示部
７４３５    筐体
７４３６    筐体
７４３７    情報
７４３９    操作ボタン
７４４０    携帯情報端末
７４５０    携帯情報端末
７４５１    筐体
７４５５    情報
７４５６    情報
７４５７    情報
７４５８    表示部
８０００    照明装置
８００１    台部
８００２    発光部
８００３    操作スイッチ
８０１０    照明装置
８０１２    発光部
８０２０    照明装置
８０２２    発光部
【図１】
2020021095.tif 000003
【図２】
2020021095.tif 000004
【図３】
2020021095.tif 000005
【図４】
2020021095.tif 000006
【図５】
2020021095.tif 000007
【図６】
2020021095.tif 000008
【図７】
2020021095.tif 000009
【図８】
2020021095.tif 000010
【図９】
2020021095.tif 000011
【図１０】
2020021095.tif 000012
【図１１】
2020021095.tif 000013
【図１２】
2020021095.tif 000014
【図１３】
2020021095.tif 000015
【図１４】
2020021095.tif 000016
【図１５】
2020021095.tif 000017
【図１６】
2020021095.tif 000018
【図１７】
2020021095.tif 000019
【図１８】
2020021095.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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