(57)【要約】【課題】厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる集合基板を提供する。【解決手段】集合基板１００は、第１の主面Ｓ１と、第２の主面Ｓ２と、第１の主面Ｓ１と第２の主面Ｓ２とを接続する側面Ｓ３とを有する集合基板素体１０と、第１の樹脂膜２０とを備えている。集合基板素体１０は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板１となる部分を含む基板領域１０ａと、基板領域１０ａを囲むように基板領域１０ａと一体に成形された周辺領域１０ｂとを含んでいる。そして、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂの少なくとも一部に、基板領域１０ａを囲むように設けられている。【選択図】図１
2020021768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、第２の主面と、前記第１の主面と前記第２の主面とを接続する側面とを有する集合基板素体と、第１の樹脂膜とを備え、
前記集合基板素体は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、前記基板領域を囲むように前記基板領域と一体に成形された周辺領域とを含み、
前記第１の樹脂膜は、前記第１の主面における前記周辺領域の少なくとも一部に、前記基板領域を囲むように設けられていることを特徴とする、集合基板。
【請求項２】
前記第１の樹脂膜は、枠状であることを特徴とする、請求項１に記載の集合基板。
【請求項３】
前記第１の樹脂膜は、間隔をおいて形成されている第１の部分と第２の部分とを含んでいることを特徴とする、請求項１または２に記載の集合基板。
【請求項４】
前記第１の主面における前記基板領域には、第１の電極群が配置されており、
前記第１の樹脂膜は、前記第１の電極群を露出させた状態で前記第１の主面を覆うように設けられているレジスト膜であることを特徴とする、請求項１に記載の集合基板。
【請求項５】
前記第２の主面における前記周辺領域の少なくとも一部に、前記基板領域を囲むように第２の樹脂膜が設けられていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の集合基板。
【請求項６】
前記第２の樹脂膜は、枠状であることを特徴とする、請求項５に記載の集合基板。
【請求項７】
前記第２の樹脂膜は、間隔をおいて形成されている第１の部分と第２の部分とを含んでいることを特徴とする、請求項５または６に記載の集合基板。
【請求項８】
前記第２の主面における前記基板領域には、第２の電極群が配置されており、
前記第２の樹脂膜は、前記第２の電極群を露出させた状態で前記第２の主面を覆うように設けられているレジスト膜であることを特徴とする、請求項５に記載の集合基板。
【請求項９】
前記側面を覆うように第３の樹脂膜が設けられていることを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の集合基板。
【請求項１０】
前記第１の樹脂膜と前記第２の樹脂膜とが、前記第３の樹脂膜を介して接続されていることを特徴とする、請求項９に記載の集合基板。
【請求項１１】
前記第１の樹脂膜は、前記第１の電極群を露出させた状態で前記第１の主面を覆うように設けられたレジスト膜であり、
前記第２の樹脂膜は、前記第２の電極群を露出させた状態で前記第２の主面を覆うように設けられた、前記第１の樹脂膜と同じ材料からなるレジスト膜であり、
前記第３の樹脂膜は、前記第１の樹脂膜および前記第２の樹脂膜と同じ材料からなることを特徴とする、請求項１０に記載の集合基板。
【請求項１２】
前記周辺領域の内部には、パターン導体が配置されていることを特徴とする、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の集合基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は、複数のセラミック多層基板が、一体に形成された状態である集合基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型移動体通信機器などに用いられる回路モジュールの小型化が進められている。そのため、回路モジュールに用いられるセラミック多層基板の厚みの低減が必要とされている。一方で、多層セラミック基板の厚みの低減は、その集合体である集合基板の強度の低下に繋がる。その結果、集合基板が取り扱われる種々の工程において、集合基板に割れまたは欠けが発生する虞がある。
【０００３】
そのような集合基板の割れまたは欠けの低減について興味ある技術が、国際公開第２０１１／１５２０８５号（特許文献１）に記載されている。特許文献１に記載された集合基板は、誘電体層とパターン導体とビア導体とを備えた個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、基板領域の周囲を囲む周辺領域と、周辺領域に形成された収縮抑制層とを備えている。ここで、収縮抑制層は、積層前のセラミックグリーンシートの各層に設けられている。また、収縮抑制層は、パターン導体と同じ材料で形成されることが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１５２０８５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された集合基板では、周辺領域に形成された収縮抑制層が、集合基板の強度の低下を抑制することができる。一方、収縮抑制層は、積層前のセラミックグリーンシートの各層の周辺領域に、互いに積み重なるようにして形成されている。そのため、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、収縮抑制層を含むことで厚くなった周辺領域に圧力が優先して加わる。
【０００６】
したがって、周辺領域に加わる圧力に比べて、基板領域に加わる圧力が相対的に小さくなる。その結果、基板領域の圧着が不十分となり、デラミネーションなどの構造欠陥が基板領域に発生する虞がある。
【０００７】
すなわち、この開示の目的は、厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる集合基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この開示に従う集合基板では、周辺領域の構造についての改良が図られる。
【０００９】
この開示に従う集合基板は、第１の主面と、第２の主面と、第１の主面と第２の主面とを接続する側面とを有する集合基板素体と、第１の樹脂膜とを備えている。集合基板素体は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板となる部分を含む基板領域と、基板領域を囲むように基板領域と一体に成形された周辺領域とを含んでいる。そして、第１の樹脂膜は、第１の主面における周辺領域の少なくとも一部に、基板領域を囲むように設けられている。
【発明の効果】
【００１０】
この開示に従う集合基板は、上記の構造を有しているため、厚みが低減されても強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（Ａ）は、集合基板１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、Ａ１面で切断された集合基板１００の矢視断面図である。
【図２】図２（Ａ）は、集合基板１００の第１の変形例である集合基板１００Ａの断面図である。図２（Ｂ）は、集合基板１００の第２の変形例である集合基板１００Ｂの断面図である。
【図３】集合基板１００の第３の変形例である集合基板１００Ｃの斜視図である。
【図４】図４（Ａ）は、集合基板２００の斜視図である。図４（Ｂ）は、Ａ２面で切断された集合基板２００の矢視断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、集合基板２００の第１の変形例である集合基板２００Ａの断面図である。図５（Ｂ）は、集合基板２００の第２の変形例である集合基板２００Ｂの断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、集合基板３００の斜視図である。図６（Ｂ）は、Ａ３面で切断された集合基板３００の矢視断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、集合基板３００の第１の変形例である集合基板３００Ａの断面図である。図７（Ｂ）は、集合基板３００の第２の変形例である集合基板３００Ｂの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
この開示の特徴とするところを、この開示の実施形態に基づき、図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す実施の形態においては、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さないことがある。
【００１３】
−集合基板の第１の実施形態−
この開示に従う集合基板の第１の実施形態である集合基板１００について、図１を用いて説明する。
【００１４】
図１（Ａ）は、集合基板１００の斜視図である。また、図１（Ｂ）は、Ａ１面で切断された集合基板１００の矢視断面図である。集合基板１００は、第１の主面Ｓ１（上面）と、第２の主面Ｓ２（下面）と、第１の主面Ｓ１と第２の主面Ｓ２とを接続する側面Ｓ３とを有する集合基板素体１０と、第１の樹脂膜２０とを備えている。
【００１５】
集合基板素体１０は、必要に応じて焼成前パターン導体および焼成前ビア導体の少なくとも一方が形成されたセラミックグリーンシートが積層および圧着されてなる圧着体が、所定の条件で焼成されることにより得られる。グリーンシートの積層方向は、パターン導体と直交する方向である。
【００１６】
すなわち、集合基板素体１０は、セラミックグリーンシートが焼成されてなる誘電体層１１と、パターン導体１２と、ビア導体１３とを含んでいる。パターン導体１２は、個々のセラミック多層基板１において、回路配線および回路素子などを構成する第１のパターン導体１２ａと、グランド接続される第２のパターン導体１２ｂとを含んでいる。第２のパターン導体１２ｂは、セラミック多層基板１において、全面パターンとなるように形成されている。
【００１７】
誘電体層１１には、例えば低温焼結セラミック材料が用いられる。パターン導体１２およびビア導体１３には、例えばＣｕおよびＣｕ合金などの中から選ばれる金属材料が用いられる。なお、パターン導体１２は、上記の金属材料が用いられた下地層と、下地層の上に形成されたＮｉめっきおよびＡｕめっきなどのめっき膜とを含むようにしてもよい。上記の材料および構成はあくまでも例示であって、この限りではない。
【００１８】
集合基板素体１０は、分割されることにより、個々のセラミック多層基板１となる部分を含む基板領域１０ａ（図１（Ａ）斜線部）と、基板領域１０ａを囲むように基板領域１０ａと一体に成形された周辺領域１０ｂとを含んでいる。周辺領域１０ｂは、図１（Ｂ）において、基板領域１０ａの両側の点線により囲まれた領域である。基板領域１０ａと周辺領域１０ｂとは、基板領域１０ａおよび周辺領域１０ｂにそれぞれ相当する領域を含むセラミックグリーンシートが上記のように積層および圧着されてなる積層体が焼成されることにより、一体に成形される。
【００１９】
第１の主面Ｓ１における基板領域１０ａには、第１の電極群１４が配置されている。第１の電極群１４は、集合基板１００の分割後に得られる個々のセラミック多層基板１において、電子部品が接続されるランドとなる。一方、第２の主面Ｓ２における基板領域１０ａには、第２の電極群１５が配置されている。第２の電極群１５は、セラミック多層基板１に電子部品が接続されてなる回路モジュールにおいて、回路モジュールが電子機器のマザーボードなどに接続される際の外部電極となる。
【００２０】
そして、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられている。
【００２１】
第１の樹脂膜２０としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびそれらに添加物を加えたものなどを用いることができる。第１の樹脂膜２０は、上記の樹脂の液状前駆体をスクリーン印刷およびインクジェット法などの塗工方法により第１の主面Ｓ１の周辺領域１０ｂに付与した後、加熱などで固体の樹脂とすることにより形成される。上記の材料および形成手段はあくまでも例示であって、この限りではない。
【００２２】
集合基板１００では、第１の樹脂膜２０が第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに基板領域１０ａを囲むように設けられている。すなわち、周辺領域１０ｂは、第１の樹脂膜２０により補強されることになる。したがって、集合基板１００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができる。
【００２３】
また、第１の樹脂膜２０は、焼成後の集合基板素体１０の状態で形成される。すなわち、集合基板素体１０は、前述した特許文献１に記載された収縮抑制層のような集合基板の強度の低下を抑制するための手段を、集合基板素体１０の周辺領域１０ｂの内部に備えなくともよい。
【００２４】
したがって、集合基板素体１０の製造過程において、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、周辺領域１０ｂに加わる圧力に対する基板領域１０ａに加わる圧力の相対的な低下を抑制することができる。その結果、基板領域１０ａが十分に圧着され、基板領域１０ａにおける構造欠陥の発生を抑制することができる。
【００２５】
なお、集合基板１００では、第１の樹脂膜２０に加え、第２の樹脂膜３０が、第２の主面Ｓ２における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられている。すなわち、周辺領域１０ｂは、第２の樹脂膜３０によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板１００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。
【００２６】
第２の樹脂膜３０としては、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂およびそれらに添加物を加えたものなどを用いることができる。第２の樹脂膜３０は、上記の樹脂の液状前駆体をスクリーン印刷およびインクジェット法などの塗工方法により第２の主面Ｓ２の周辺領域１０ｂに付与した後、加熱などで固体の樹脂とすることにより形成される。第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とは、同じ材料で形成されてもよく、また異なる材料で形成されてもよい。上記の材料および形成手段はあくまでも例示であって、この限りではない。
【００２７】
なお、集合基板１００では、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とは、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されている。ただし、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。
【００２８】
集合基板１００では、周辺領域１０ｂの内部に、パターン導体１６が配置されている。パターン導体１６は、第３のパターン導体１６ａと、第４のパターン導体１６ｂとを含んでいる。第３のパターン導体１６ａは、図１（Ｂ）の矢視断面図に例示された千鳥配置のように、互いに積み重なる部分が少なくなるように配置された、回路配線および回路素子などを構成しないダミーパターンである。なお、第３のパターン導体１６ａの配置は、これに限られない。第４のパターン導体１６ｂは、前述の第２のパターン導体１２ｂの一部である。
【００２９】
第３のパターン導体１６ａは、上記のように配置されているため、集合基板素体１０の製造過程において、セラミックグリーンシートが積層および圧着される際に、周辺領域１０ｂの厚みの増加を抑制することができる。その結果、周辺領域１０ｂに加わる圧力に対する、基板領域１０ａに加わる圧力の相対的な低下を抑制することができる。また、第４のパターン導体１６ｂは、第２のパターン導体１２ｂの一部であるため、周辺領域１０ｂの厚みのみを増加させるものではない。
【００３０】
したがって、周辺領域１０ｂの内部へのパターン導体１６の配置は、基板領域１０ａにおける構造欠陥の増加を抑制しながら、集合基板１００の強度をさらに向上させることができる。
【００３１】
−集合基板の第１の実施形態の変形例−
この開示に従う集合基板の第１の実施形態の変形例である集合基板１００Ａないし１００Ｃについて、図２および図３を用いて説明する。
【００３２】
図２（Ａ）は、集合基板１００の第１の変形例である集合基板１００Ａの断面図である。図２（Ｂ）は、集合基板１００の第２の変形例である集合基板１００Ｂの断面図である。図２（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示された断面図は、図１（Ｂ）に示された矢視断面図に相当する。図３は、集合基板１００の第３の変形例である集合基板１００Ｃの斜視図である。
【００３３】
集合基板１００Ａないし１００Ｃは、周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板１００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。
【００３４】
第１の変形例である集合基板１００Ａでは、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられているが、第２の樹脂膜３０は設けられていない。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域１０ａにおける構造欠陥を抑制することができる。
【００３５】
第２の変形例である集合基板１００Ｂでは、第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０に加え、側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられている。また、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とは、第３の樹脂膜４０を介して接続されている。
【００３６】
側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面Ｓ３に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。また、集合基板１００Ｂのように、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが第３の樹脂膜４０を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体１０の角部が樹脂膜により被覆される。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。
【００３７】
なお、集合基板１００Ｂにおいて、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。
【００３８】
第３の変形例である集合基板１００Ｃにおいても、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように設けられている。また、第２の樹脂膜３０は、第２の主面Ｓ２における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように設けられている。しかしながら、集合基板１００Ｃにおける第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０は、短い帯状の樹脂膜が間隔をおいて破線状に配置されている。
【００３９】
この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。なお、集合基板１００Ｃにおいても、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。
【００４０】
−集合基板の第２の実施形態−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態である集合基板２００について、図４を用いて説明する。
【００４１】
図４（Ａ）は、集合基板２００の斜視図である。また、図４（Ｂ）は、Ａ２面で切断された集合基板２００の矢視断面図である。集合基板２００は、基板領域１０ａ（図４（Ａ）斜線部）を囲むように周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板１００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。
【００４２】
集合基板２００では、第１の樹脂膜２０が、間隔をおいて形成されているそれぞれ枠状の第１の部分２０ａと第２の部分２０ｂと第３の部分２０ｃとを含んでいる。なお、第１の樹脂膜２０は、間隔をおいて形成されている第１の部分２０ａおよび第２の部分２０ｂの２つの部分を含んでいればよい。
【００４３】
この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域１０ａにおける構造欠陥を抑制することができる。また、第１の樹脂膜２０の量を低減させることにより、集合基板２００の製造コストを低減させることができる。
【００４４】
集合基板２００における第１の樹脂膜２０は、例えば樹脂の液状前駆体をインクジェット法で塗工することにより形成することができる。細い線幅の第１の部分２０ａおよび第２の部分２０ｂを含む第１の樹脂膜２０がインクジェット法で形成されることにより、形成時に集合基板素体１０へ加わる衝撃を抑制することができる。
【００４５】
なお、集合基板２００では、第１の樹脂膜２０に加え、第２の樹脂膜３０が、第２の主面Ｓ２における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられている。第２の樹脂膜３０は、間隔をおいて形成されている第１の部分３０ａと第２の部分３０ｂと第３の部分３０ｃとを含んでいる。第２の樹脂膜３０は、間隔をおいて形成されている第１の部分３０ａおよび第２の部分３０ｂの２つの部分を含んでいればよい。
【００４６】
すなわち、周辺領域１０ｂは、第２の樹脂膜３０によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板２００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。
【００４７】
なお、集合基板２００において、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。また、それぞれの樹脂膜における第１ないし第３の部分が、集合基板１００Ｃのように、短い帯状の樹脂膜が間隔をおいて破線状に配置されたものであってもよい。さらに、集合基板２００においても、周辺領域１０ｂの内部に、パターン導体１６が配置されていてもよい。
【００４８】
−集合基板の第２の実施形態の変形例−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態の変形例である集合基板２００Ａ、２００Ｂについて、図５を用いて説明する。
【００４９】
図５（Ａ）は、集合基板２００の第１の変形例である集合基板２００Ａの断面図である。図５（Ｂ）は、集合基板２００の第２の変形例である集合基板２００Ｂの断面図である。図５（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示された断面図は、図４（Ｂ）に示された矢視断面図に相当する。
【００５０】
集合基板２００Ａ、２００Ｂは、周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板２００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板２００と同様であるため、詳細な説明は省略される。
【００５１】
第１の変形例である集合基板２００Ａでは、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１における周辺領域１０ｂに、基板領域１０ａを囲むように枠状に設けられているが、第２の樹脂膜３０は設けられていない。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。
【００５２】
第２の変形例である集合基板２００Ｂでは、第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０に加え、側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられている。また、第１の樹脂膜２０（第３の部分２０ｃ）と第２の樹脂膜３０（第３の部分３０ｃ）とは、第３の樹脂膜４０を介して接続されている。
【００５３】
側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面Ｓ３に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。また、集合基板２００Ｂのように、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが第３の樹脂膜４０を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体１０の角部が樹脂膜により被覆される。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。
【００５４】
なお、集合基板２００Ｂにおいて、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが、第１の主面Ｓ１の法線方向から見て、同じ形状かつ同じ位置となるように形成されることは、必須ではない。
【００５５】
−集合基板の第３の実施形態−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態である集合基板３００について、図６を用いて説明する。
【００５６】
図６（Ａ）は、集合基板３００の斜視図である。また、図６（Ｂ）は、Ａ３面で切断された集合基板３００の矢視断面図である。集合基板３００も、基板領域１０ａ（図６（Ａ）斜線部）を囲むように周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板１００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。
【００５７】
集合基板３００において、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１において基板領域１０ａに配置されている第１の電極群１４を露出させた状態で第１の主面Ｓ１を覆うように設けられている。また、第１の樹脂膜２０は、レジスト膜である。このレジスト膜としては、例えば第１の電極群１４に電子部品がはんだ接続される際に、はんだブリッジによる短絡を防ぐ目的で第１の主面Ｓ１上に付与されるはんだレジストなどが挙げられる。
【００５８】
この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域１０ａにおける構造欠陥を抑制することができる。また、はんだレジストなどのレジスト膜を第１の樹脂膜２０とすることにより、レジスト膜と第１の樹脂膜２０とを別に形成する必要がなくなり、製造工程を簡略化することができる。
【００５９】
集合基板３００における第１の樹脂膜２０は、例えば樹脂の液状前駆体をスピンコーティングにより塗工し、フォトリソグラフィによりパターンニングすることにより形成することができる。この場合、第１の電極群１４を露出させた状態で第１の主面Ｓ１を覆う第１の樹脂膜２０を、効率的に形成することができる。
【００６０】
なお、集合基板３００では、第１の樹脂膜２０に加え、第２の樹脂膜３０が、第２の主面Ｓ２において基板領域１０ａに配置されている第２の電極群１５を露出させた状態で第２の主面Ｓ２を覆うように設けられている。第２の樹脂膜３０も、第１の樹脂膜２０と同様に、はんだレジスト膜などのレジスト膜である。
【００６１】
すなわち、周辺領域１０ｂは、第２の樹脂膜３０によりさらに補強されることになる。したがって、集合基板３００（集合基板素体１０）の厚みの低減に伴う強度の低下をさらに抑制することができる。
【００６２】
なお、集合基板３００においても、周辺領域１０ｂの内部に、パターン導体１６が配置されていてもよい。
【００６３】
−集合基板の第３の実施形態の変形例−
この開示に従う集合基板の第２の実施形態の変形例である集合基板３００Ａ、３００Ｂについて、図７を用いて説明する。
【００６４】
図７（Ａ）は、集合基板３００の第１の変形例である集合基板３００Ａの断面図である。図７（Ｂ）は、集合基板３００の第２の変形例である集合基板３００Ｂの断面図である。図７（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示された断面図は、図６（Ｂ）に示された矢視断面図に相当する。
【００６５】
集合基板３００Ａ、３００Ｂは、周辺領域１０ｂに設けられている樹脂膜が集合基板３００と異なっている。それ以外の構成は、集合基板３００と同様であるため、詳細な説明は省略される。
【００６６】
第１の変形例である集合基板３００Ａでは、第１の樹脂膜２０は、第１の主面Ｓ１において基板領域１０ａに配置されている第１の電極群１４を露出させた状態で第１の主面Ｓ１を覆うように設けられているが、第２の樹脂膜３０は設けられていない。第１の樹脂膜２０は、集合基板３００と同様にレジスト膜である。この場合においても、前述したように、厚みの低減に伴う強度の低下を抑制することができ、基板領域における構造欠陥を抑制することができる。
【００６７】
第２の変形例である集合基板３００Ｂでは、それぞれレジスト膜である第１の樹脂膜２０および第２の樹脂膜３０に加え、側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられている。また、第１の樹脂膜２０、第２の樹脂膜３０および第３の樹脂膜４０は、互いに同じ材料からなる。
【００６８】
側面Ｓ３を覆うように第３の樹脂膜４０が設けられることにより、前述の厚みの低減に伴う強度の低下の抑制に加えて、側面Ｓ３に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。また、集合基板３００Ｂのように、第１の樹脂膜２０と第２の樹脂膜３０とが第３の樹脂膜４０を介して接続されることにより、衝撃に対して特に欠けやすい集合基板素体１０の角部が樹脂膜により被覆される。この場合、それぞれの樹脂膜は、一体となっている。その結果、角部に加わる衝撃による集合基板素体１０の破損を抑制することができる。
【００６９】
さらに、第１の電極群１４と第２の電極群１５とを露出させた状態で、集合基板素体１０の外表面がそれぞれの樹脂膜により一体的に覆われるので、樹脂膜の剥離を抑制することができる。
【００７０】
この明細書に開示された実施形態は、例示的なものであって、この開示に係る発明は、上記の実施形態および変形例に限定されるものではない。すなわち、この開示に係る発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、上記の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。
【００７１】
この開示に係る発明は、回路モジュールの回路基板であるセラミック多層基板の集合体である集合基板などに適用されるが、これに限られない。
【符号の説明】
【００７２】
１００    集合基板
１    セラミック多層基板
１０    集合基板素体
１０ａ    基板領域
１０ｂ    周辺領域
１１    誘電体層
１２    パターン導体
１２ａ    第１のパターン導体
１２ｂ    第２のパターン導体
１３    ビア導体
１４    第１の電極群
１５    第２の電極群
１６    パターン導体
１６ａ    第３のパターン導体
１６ｂ    第４のパターン導体
２０    第１の樹脂膜
３０    第２の樹脂膜
Ｓ１    第１の主面
Ｓ２    第２の主面
Ｓ３    側面
【図１】
2020021768.tif 000003
【図２】
2020021768.tif 000004
【図３】
2020021768.tif 000005
【図４】
2020021768.tif 000006
【図５】
2020021768.tif 000007
【図６】
2020021768.tif 000008
【図７】
2020021768.tif 000009