(57)【要約】      （修正有）【課題】高い接続信頼性の小径フィルドビア導体を有するプリント配線板を提供する。【解決手段】プリント配線板において、小径フィルドビア導体である第２ビア導体１７６Ｆの小径開口１７１の第２下端１７１ｂの周囲の第２樹脂絶縁層１７０Ｆの下面に形成されたアンダーカット１７１ａにレジスト残渣７６ａが充填されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層の上層の導体回路と下層の導体回路とを接続するフィルドビア導体を、前記樹脂絶縁層の開口に有するプリント配線板であって、
前記開口は、前記下層の導体回路側の前記樹脂絶縁層の下面に形成された下端を有し、
前記開口の下端の周囲の前記樹脂絶縁層の下面には、前記下層の導体回路に形成された凹部との間にスペースからなるアンダーカットが形成され、
前記アンダーカットにレジストが充填されている。
【請求項２】
第１樹脂絶縁層の上層の第１導体回路と下層の第１導体回路とを接続する大径フィルドビア導体を、前記第１樹脂絶縁層の大径開口に有し、
第２樹脂絶縁層の上層の第２導体回路と下層の第２導体回路とを接続する小径フィルドビア導体を、前記第２樹脂絶縁層の小径開口に有するプリント配線板であって、
前記大径開口は、前記下層の第１導体回路側の前記第１樹脂絶縁層の下面に形成された第１下端を有し、
前記第１下端は前記下層の第１導体回路に接し、
前記小径開口は、前記下層の第２導体回路側の前記第２樹脂絶縁層の下面に形成された第２下端を有し、
前記第２下端の周囲の前記第２樹脂絶縁層の下面には、前記下層の第２導体回路に形成された凹部との間にスペースからなるアンダーカットが形成され、
前記アンダーカットにレジストが充填されている。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記レジストはめっきレジストである。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、
前記めっきレジストはネガ型である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小径のフィルドビア導体を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、小径ビアと大径ビアとを有するプリント配線板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４１９９号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１のプリント配線板は、小径ビア下端の周囲の樹脂絶縁層の下面には、小径ビア下側の導体回路に形成された凹部との間にスペースからなるアンダーカットが形成されると考えられる。アンダーカットに空気が残ると、小径ビアの接続信頼性が低下すると推測される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、樹脂絶縁層の上層の導体回路と下層の導体回路とを接続するフィルドビア導体を、前記樹脂絶縁層の開口に有するプリント配線板であって、前記開口は、前記下層の導体回路側の前記樹脂絶縁層の下面に形成された下端を有し、前記開口の下端の周囲の前記樹脂絶縁層の下面には、前記下層の導体回路に形成された凹部との間にスペースからなるアンダーカットが形成され、前記アンダーカットにレジストが充填されている。
【０００６】
別実施形態のプリント配線板は、第１樹脂絶縁層の上層の第１導体回路と下層の第１導体回路とを接続する大径フィルドビア導体を、前記第１樹脂絶縁層の大径開口に有し、第２樹脂絶縁層の上層の第２導体回路と下層の第２導体回路とを接続する小径フィルドビア導体を、前記第２樹脂絶縁層の小径開口に有する。そして、前記大径開口は、前記下層の第１導体回路側の前記第１樹脂絶縁層の下面に形成された第１下端を有し、前記第１下端は前記下層の第１導体回路に接し、前記小径開口は、前記下層の第２導体回路側の前記第２樹脂絶縁層の下面に形成された第２下端を有し、前記第２下端の周囲の前記第２樹脂絶縁層の下面には、前記下層の第２導体回路に形成された凹部との間にスペースからなるアンダーカットが形成され、前記アンダーカットにレジストが充填されている。
【０００７】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態のプリント配線板は、フィルドビア導体の開口の下端の周囲の樹脂絶縁層の下面に形成されたアンダーカットにレジストが充填されている。このため、アンダーカットに空気が残らず、該フィルドビア導体の接続信頼性が高い。
【０００８】
本発明の別実施形態のプリント配線板は、小径フィルドビア導体の小径開口の第２下端の周囲の第２樹脂絶縁層の下面に形成されたアンダーカットにレジストが充填されている。このため、アンダーカットに空気が残らず、小径フィルドビア導体の接続信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図２】実施形態のプリント配線板の第１ビア導体の製造工程図
【図３】実施形態のプリント配線板の第２ビア導体の製造工程図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[実施形態]
図１は、実施形態のプリント配線板１０の断面を示す。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０と、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている上側のビルドアップ層Ｂｕ１と、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている下側のビルドアップ層Ｂｕ２、とを有する。
プリント配線板１０は、さらに、上側のビルドアップ層Ｂｕ１上に形成されている第１ソルダーレジスト層９０Ｆと下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に形成されている第２ソルダーレジスト層９０Ｓとを有することができる。
【００１１】
上側のビルドアップ層Ｂｕ１は、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている第１ビルドアップ層５０Ｆと第１ビルドアップ層５０Ｆ上に形成されている第３ビルドアップ層６０と第３ビルドアップ層６０上に形成されている第２ビルドアップ層７０で形成されている。
【００１２】
コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア層２０とコア層２０の第１面Ｆ上に形成されている第５導体層３４Ｆとコア層２０の第２面Ｓ上に形成されている第６導体層３４Ｓを有する。コア基板は、さらに、コア層２０を貫通するスルーホール導体３６を有する。第５導体層３４Ｆと第６導体層３４Ｓはスルーホール導体３６を介して接続されている。
【００１３】
第１ビルドアップ層５０Ｆは、コア基板３０の第１面Ｆと第５導体層３４Ｆ上に形成されている第１樹脂絶縁層１５０Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｆ上に形成されている第１導体層１５８Ｆと、第１樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、第１導体層１５８Ｆに接続する第１ビア導体１５６Ｆを有する。第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆは交互に積層されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆの数が複数の場合、第１ビア導体１５６Ｆは各第１樹脂絶縁層１５０Ｆに形成されている。第１樹脂絶縁層１５０Ｆを挟んでいる導体層は第１ビア導体１５６Ｆで接続される。
【００１４】
第３ビルドアップ層６０は、第１ビルドアップ層５０Ｆを形成している第１樹脂絶縁層１５０Ｆと第１導体層１５８Ｆ上に形成されている第３樹脂絶縁層５０と、第３樹脂絶縁層５０上に形成されている第３導体層５８と、第３樹脂絶縁層５０を貫通し、第３導体層５８と接続する第３ビア導体５６を有する。
【００１５】
第２ビルドアップ層７０は、第３ビルドアップ層６０を形成する第３樹脂絶縁層５０と第３導体層５８上に形成されている第２樹脂絶縁層１７０Ｆと、第２樹脂絶縁層１７０Ｆ上に形成されている第２導体層１７８Ｆと、第２樹脂絶縁層１７０Ｆを貫通し第２導体層１７８Ｆに接続する第２ビア導体１７６Ｆとを有する。第２樹脂絶縁層１７０Ｆと第２導体層１７８Ｆは交互に積層されている。第２樹脂絶縁層１７０Ｆの数が複数の場合、第２ビア導体１７６Ｆは各第２樹脂絶縁層１７０Ｆに形成されている。第２樹脂絶縁層１７０Ｆを挟んでいる導体層は第２ビア導体１７６Ｆで接続される。
【００１６】
第２ビルドアップ層７０上に第１ソルダーレジスト層９０Ｆが形成されている。第１ソルダーレジスト層９０Ｆは、第２導体層１７８Ｆを露出する第１開口９２Ｆを有する。
【００１７】
プリント配線板１０は、第１ソルダーレジスト層９０Ｆの第１開口９２Ｆから露出する第２導体層１７８Ｆ上に金属ポスト９８Ｆを有する。金属ポスト９８Ｆ上にロジック系半導体素子、メモリ系半導体素子等の電子部品が実装される。金属ポスト９８Ｆの上面にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕから成る金属膜９４Ｆが形成されている。
【００１８】
下側のビルドアップ層５０Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓと第６導体層３４Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている第４導体層１５８Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、第４導体層１５８Ｓに接続する第４ビア導体１５６Ｓとを有する。第４樹脂絶縁層１５０Ｓと第４導体層１５８Ｓは交互に積層されている。第４樹脂絶縁層１５０Ｓの数が複数の場合、第４ビア導体１５６Ｓは各第４樹脂絶縁層１５０Ｓに形成されている。第４樹脂絶縁層１５０Ｓを挟んでいる導体層は第４ビア導体１５６Ｓで接続される。
【００１９】
下側のビルドアップ層Ｂｕ２上に第２開口９２Ｓを有する第２ソルダーレジスト層９０Ｓが形成されている。第２開口９２Ｓから露出する第４導体層１５８Ｓは、マザーボードと接続するための第２パッド９３Ｓを形成する。第２パッド９３Ｓの表面に金属膜９４Ｓが形成されている。
【００２０】
第１樹脂絶縁層１５０Ｆに形成される第１ビア導体１５６Ｆは大径のフィルドビア導体であり、径（第１樹脂絶縁層の上面における径）ｄ１は５０μｍである。第２樹脂絶縁層１７０Ｆに形成される第２ビア導体１７６Ｆは小径のフィルドビア導体であり、径（第２樹脂絶縁層の上面における径）ｄ２は１０μｍである。第２樹脂絶縁層１７０Ｆ上に形成される第２導体層１７８Ｆは、ラインとスペースの比を示すＬ／Ｓ（ラインスペース）が２／２〜３／３（μｍ）になるように高配線密度に形成されている。プリント配線板１０には、ロジック系半導体素子とメモリ系半導体素子とが実装配置される。微細な第２導体層１７８Ｆは、ロジック系半導体素子とメモリ系半導体素子との間の信号伝送用に用いられる。
【００２１】
図２は、大径のフィルドビア導体である第１ビア導体１５６Ｆの製造工程を示す。
第１導体層１５８Ｆ上に第１樹脂絶縁層１５０Ｆが形成される（図２（Ａ））。レーザで第１樹脂絶縁層１５０Ｆに第１導体層１５８Ｆに至る大径の開口１５１が形成される（図２（Ｂ））。デスミヤ等の粗化処理とソフトエッチング処理が行われる。大径の開口１５１は、第１導体層１５８Ｆ側の第１樹脂絶縁層１５０Ｆの下面に形成された第１下端１５１ｂを有する。第１下端１５１ｂは第１導体層１５８Ｆに接している。ソフトエッチング処理の際に、大径の開口１５１内に、第１導体層１５８Ｆの凹部１５８Ｆａが形成される。第１樹脂絶縁層１５０Ｆ上、大径の開口１５１内に無電解めっき処理により、無電解めっき膜５２が形成される（図２（Ｃ））。ネガ型めっきレジスト液５５αが、無電解めっき膜５２上に塗布される（図２（Ｄ））。露光・現像処理により、めっきレジスト５５が形成される（図２（Ｅ））。めっきレジスト５５から露出する無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５４が形成される。大径の開口１５１内に第１ビア導体１５６Ｆが形成される（図２（Ｆ））。めっきレジストが除去され、電解めっき膜５４から露出する無電解めっき膜５２がエッチングで除去され、無電解めっき膜５２、電解めっき膜５４からなる第１導体層１５８Ｆが形成される（図２（Ｇ））。
【００２２】
図３は、小径のフィルドビア導体である第２ビア導体１７６Ｆの製造工程を示す。
第２導体層１７８Ｆ上に第２樹脂絶縁層１７０Ｆが形成される（図３（Ａ））。レーザで第２樹脂絶縁層１７０Ｆに第２導体層１７８Ｆに至る小径の開口１７１が形成される（図３（Ｂ））。デスミヤ等の粗化処理とソフトエッチング処理が行われる。小径の開口１７１は、第２導体層１７８Ｆ側の第２樹脂絶縁層１７０Ｆの下面に形成された第２下端１７１ｂを有する。ソフトエッチング処理の際に、小径の開口１７１の下方に、第２導体層１７８Ｆの凹部１７８Ｆａが形成される。第２下端１７１ｂの周囲の第２樹脂絶縁層１７０Ｆの下面には、第２導体層１７８Ｆに形成された凹部１７８Ｆａとの間にスペースからなるアンダーカット１７１ａが形成されている。１つのプリント配線板に大径のビア導体と小径のビア導体が形成される際には、小径のビア導体側にアンダーカットが生じ易くなる。第２樹脂絶縁層１７０Ｆ上、小径の開口１７１内に無電解めっき処理により、無電解めっき膜７２が形成される（図３（Ｃ））。ネガ型めっきレジスト液７６αが、無電解めっき膜７２上に塗布される。この際に、ネガ型めっきレジスト液７６αがアンダーカット１７１ａ内に充填される（図３（Ｄ））。露光・現像処理により、無電解めっき膜７２上にめっきレジスト７６が形成され、アンダーカット１７１ａ内にレジスト残渣７６ａが形成される（図３（Ｅ））。めっきレジスト７６から露出する無電解めっき膜７２上に電解めっき膜７４が形成される。小径の開口１７１内に第２ビア導体１７６Ｆが形成される（図３（Ｆ））。めっきレジストが除去され、電解めっき膜７４から露出する無電解めっき膜７２がエッチングで除去され、無電解めっき膜７２、電解めっき膜７４からなる第２導体層１７８Ｆが形成される（図３（Ｇ））。図３（Ｇ）の第２ビア導体１７６Ｆが拡大され図３（Ｈ）に示される。
【００２３】
実施形態のプリント配線板は、小径フィルドビア導体である第２ビア導体１７６Ｆの小径開口１７１の第２下端１７１ｂの周囲の第２樹脂絶縁層１７０Ｆの下面に形成されたアンダーカット１７１ａにレジスト残渣７６ａが充填されている。このため、アンダーカットに空気が残らず、空気の熱膨張による応力が発生しないので、小径フィルドビア導体である第２ビア導体１７６Ｆの接続信頼性が高い。
【００２４】
実施形態のプリント配線板では、ポジ型めっきレジスト液よりも解像性が低いネガ型めっきレジスト液を用いる。このため、小径開口１７１の第２下端１７１ｂの周囲の第２樹脂絶縁層１７０Ｆの下面に形成されたアンダーカット１７１ａにレジスト残渣７６ａを残すことができる。
【符号の説明】
【００２５】
７６ａ  レジスト残渣
１５０Ｆ  第１樹脂絶縁層
１５１  大径開口
１５１ｂ  第１下端
１５６Ｆ 第１ビア導体
１５８Ｆ  第１導体層
１７１  小径開口
１７１ａ  アンダーカット
１７１ｂ  第２下端
１７０Ｆ  第２樹脂絶縁層
１７８Ｆ  第２導体層
１７６Ｆ  第２ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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