(57)【要約】      （修正有）【課題】樹脂組成物の滲み及び樹脂組成物と金属基材表面との密着性を共に十分に改善させうる膜形成基材等を提供することを課題とする。【解決手段】金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材、又は、金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材。
【請求項２】
金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜形成基材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
金属基材の表面にソルダーレジスト、エッチングレジスト等の樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材は、例えば、はんだ付けによる電気接続のための銅開口部を残してソルダーレジストで被覆されたプリント配線板等として利用される。かかる膜形成基材は、一般的にはスクリーン版を用いた印刷や、露光、現像を行うフォト法等によって、金属基材表面の所望の箇所に樹脂組成物を配置することによって製造されているが、近年、インクジェット方式で樹脂組成物を描画することで膜を形成する方法が着目されている。
【０００３】
インクジェット方式は、版やフォトマスクが不要であり、工程数が少なく簡易に且つ必要な部分へのみ膜を形成することが容易であるという利点がある。一方、従来の技術では問題視されなかった、ソルダーレジスト、エッチングレジスト等の樹脂組成物が印刷塗布部分の端部の金属基材上での滲むという、滲みの低減が課題となる。かかる金属基材上の滲みを低減するための技術としては、例えば特許文献１乃至３に記載されているように金属基材表面の濡れ性を調整すべく界面活性剤等を含む表面処理剤に接触させる表面処理を行うことが挙げられている。
【０００４】
一方、樹脂組成物を金属基材上に配置した場合に、金属基材表面と樹脂組成物との密着性を向上させることが要求される。金属基材表面と樹脂組成物との密着性を向上させるためには、例えば、特許文献２及び３に記載されているように表面処理に先立ち金属表面をバフやスクラブ等の手段で凹凸を形成して粗面を形成する処理（粗化処理）をすることが知られている。
【０００５】
しかしながら、粗化処理だけでは密着性を十分に向上させることが難しく、特に微細なパターンに従って樹脂組成物の膜を形成した場合は、その密着性を向上させる効果が不十分である。さらに、金属表面を粗化することで、より樹脂組成物が滲みやすくなるという問題もある。
従って、インクジェット方式による膜形成基材において、樹脂組成物の滲みと、金属基材表面との密着性とを同時に改善することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】日本国特開２０１５−１９２９６３号公報
【特許文献２】国際公開第２０１６／１１１０３５号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２０１６／１１１０３６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、インクジェット方式で樹脂組成物の膜を金属基材表面上に形成する場合に、樹脂組成物の滲み及び樹脂組成物と金属基材表面との密着性を共に十分に改善させうる膜形成基材を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材にかかる本発明は、金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である。
【０００９】
別の金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材にかかる本発明は、金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹脂組成物の滲み及び樹脂組成物と金属基材表面との密着性を共に十分に改善させうる膜形成基材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は実施例及び比較例の試験基板の滲み幅と接触角との関係を示すグラフである。
【図２】図２は実施例及び比較例の試験基板の滲み幅とピール強度との関係を示すグラフである。
【図３】図３はピール強度と表面粗さとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の膜形成基材の実施形態について説明する。
また、膜形成基材の製造方法（以下、単に製造方法ともいう。）及び表面処理剤の発明に関する実施形態について説明する。
【００１３】
（第一の実施形態：膜形成基材の製造方法）
本実施形態の膜形成基材の製造方法は、金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材を製造する膜形成基材の製造方法であって、金属基材表面をマイクロエッチング剤によってエッチングするエッチング工程と、エッチングされた前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える製造方法である。
【００１４】
＜膜形成基材＞
本実施形態の製造方法で製造される膜形成基材は、金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜が形成された基材であれば特に限定されるものではなく、例えば、プリント配線板等の回路基板や、その他の各種電子・電気機器、医療機器、車両搭載用機器、自動車部品、船舶用機器用の部品等が挙げられる。
【００１５】
金属基材を構成する金属としては、特に限定されるものではないが、例えば、銅、錫、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、チタン及びそれらの合金等が挙げられる。
【００１６】
本実施形態の製造方法は、例えば、銅あるいは銅合金等の銅を含む金属（以下、単に銅ともいう。）からなる導体を有する金属基材上の前記導体以外の部分にソルダーレジストが膜として形成されている回路基板を製造する場合に特に適している。
【００１７】
＜エッチング工程＞
本実施形態の製造方法は、金属基材表面をマイクロエッチング剤によってエッチングするエッチング工程を備えている。
【００１８】
エッチング工程で使用されるマイクロエッチング剤とは、金属表面に接触させることで金属表面をわずかにエッチングして金属表面に微細な凹凸を形成する（マイクロエッチングする）エッチング剤をいう。
本実施形態で使用されるマイクロエッチング剤としては、金属基材を構成する金属をマイクロエッチングしうるものであれば特に限定されるものではない。例えば、金属基材が銅である場合には、公知の銅のマイクロエッチング剤、具体的には、有機酸系、硫酸−過酸化水素系、過硫酸塩系エッチング剤等が挙げられる。
【００１９】
好ましいマイクロエッチング剤としては、有機酸系のマイクロエッチング剤が挙げられる。例えば、有機酸、第二銅イオン、ハロゲン化物イオン、アミノ基含有化合物、ポリマー等を含む水溶液等の市販のマイクロエッチング剤等が挙げられる。
【００２０】
エッチング工程では、マイクロエッチング剤を金属基材表面に接触させてエッチングして、該表面に微細な凹凸を形成する。
かかる微細な凹凸が形成されることで、金属基材表面と樹脂組成物との密着性が向上する。
エッチング工程における処理条件、すなわち、処理時間、マイクロエッチング剤の処理時の温度、スプレーあるいは浸漬処理等の処理方法等、は適宜調整することができる。
【００２１】
エッチング工程において、金属基材表面は、例えば、表面粗さ（Ｒａ）が、０．１μｍ以上０．８μｍ以下、好ましくは０．２μｍ以上０．７μｍ以下、さらに好ましくは０．３μｍ以上０．７μｍ以下になるように処理される。かかる表面粗さの範囲になるように処理することで、後の表面処理工程後に金属基材表面と樹脂組成物との密着性が向上し、且つ、樹脂組成物の滲みが抑制できる。
尚、本実施形態でいう表面粗さ（Ｒａ）とは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２０１３）に従って測定される算術平均粗さをいう。
【００２２】
エッチング工程における重量法によるエッチング量は、上記表面粗さになるように適宜に調整することが好ましいが、例えば、０．５μｍ以上２．０μｍ以下、好ましくは０．７μｍ以上１．５μｍ以下程度であることが挙げられる。
前記エッチング量の範囲にすることで、適切な表面粗さにしやすくなり、従って、後の表面処理工程後には金属基材表面と樹脂組成物との密着性が向上させやすくなる。
【００２３】
＜表面処理工程＞
本実施形態の製造方法は、エッチングされた前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下になるように表面処理する表面処理工程を備えている。
【００２４】
本実施形態の表面処理工程では、前記マイクロエッチングされた金属基材表面の接触角を調整しうる表面処理剤を用いて処理を行う。
本実施形態で使用しうる表面処理剤は、金属基材表面を前記のような接触角の範囲に調整しうる表面処理剤であれば特に限定されるものではないが、表面処理剤が後述するような本実施形態の表面処理剤である場合には、より本実施形態の製造法における効果を高めることができる。
尚、本実施形態でいう接触角とはＪＩＳ  Ｒ３２５７  「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に記載されている静滴法で測定する値をいう。
【００２５】
表面処理剤の有効成分としては、例えば、アニオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤溶液、アルキルアミン化合物を有効成分として含む溶液等が挙げられる。
アルキルアミン化合物を構成するアルキルアミンとしては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン等が挙げられる。中でも、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン等のアルキルアミンを構成するアルキル基の炭素数が６〜１８であるアルキルアミンが挙げられる。
【００２６】
アルキルアミン化合物としては、前記各アルキルアミン及びこれらの無機酸塩、有機酸塩等の塩が挙げられる。
表面処理剤の有効成分は、単独又は複数種類を組み合わせて用いてもよい。
【００２７】
前記アルキルアミンとしては、アルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン及びその塩はヘキシルアミン、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオクチルアミンからなる群から選択される少なくとも１種であることが上記接触角の範囲に調整しやすくなるため好ましい。
【００２８】
表面処理剤のｐＨは特に限定されるものではないが、例えば、ｐＨ４．０以上ｐＨ１３以下、さらにはｐＨ４．０以上ｐＨ１１．５以下、さらにはｐＨ４．０以上ｐＨ１０以下、であることが挙げられる。表面処理剤が上記ｐＨの範囲である場合には上記接触角の範囲に調整しやすくなるため好ましい。
表面処理剤の最適なｐＨはアルキルアミン化合物の種類や、膜を形成するソルダーレジストの種類によって適宜選択可能であるが、例えば、表面処理剤に含まれるアルキルアミンが、ドデシルアミン、テトラデシルアミンである場合にはｐＨ４．０以上ｐＨ１０．０以下、オクチルアミンである場合にはｐＨ１０．０以上ｐＨ１３．０以下であることが好ましい。
【００２９】
表面処理剤のｐＨを調整する手段としては上記アルキルアミン化合物、そのた公知のｐＨ調整剤を配合することで調整することができる。
ｐＨ調整剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、塩酸、硫酸、酢酸、水酸化ナトリウム、アンモニア、エタノールアミン、あるいはそれらの塩類（例えば酢酸ナトリウム）等、酢酸緩衝液、リン酸緩衝液、クエン酸緩衝液、クエン酸リン酸緩衝液、ホウ酸緩衝液、グッド緩衝液等の一般的な緩衝剤、キレート剤、アミノ酸等のｐＨ調整に用いられるものが挙げられる。
【００３０】
上記表面処理剤には、上記成分の他に、消泡剤、防錆剤、溶剤等他の任意の成分が含まれていてもよい。
【００３１】
上記表面処理剤は、上記各有効成分及びその他の成分を、水、その他の公知の溶媒に溶解させた溶液であることが好ましい。
【００３２】
本実施形態の表面処理工程において処理する手段は公知の手段が使用されうる。
例えば、表面処理剤を金属基材表面に接触させる手段としては特に限定されるものではなく、浸漬、スプレー等公知の液剤による表面処理手段が挙げられる。
また、表面処理剤の温度は特に限定されるものではなく、２０℃以上４０℃以下、好ましくは２５℃以上３５℃以下等が挙げられる。
さらに、表面処理剤で処理する時間（表面処理剤と金属基材との接触時間）は特に限定されるものではない、１０秒以上２分以下、好ましくは３０秒以上１分以下等が挙げられる。
【００３３】
＜膜形成工程＞
本実施形態の製造方法は、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程を備えている。
【００３４】
本実施形態の膜形成工程で用いられる樹脂組成物としては、例えば、エッチングレジストインキ、ソルダーレジストインキ等が挙げられる。
【００３５】
エッチングレジストインキ、ソルダーレジストインキとしては、公知のものから適宜選択して用いることができるが、インクジェット方式で塗布可能な程度粘度に調整されたものであることが好ましい。
例えば、エッチングレジストインキとしては、塗布後に紫外線により硬化し、アルカリ水溶液にて剥離可能な樹脂組成物が望ましく、具体的には、カルボキシル基含有モノマー、単官能モノマー、多官能モノマー、光重合開始剤、および、その他任意成分を含むものが挙げられる。
ソルダーレジストインキとしては、熱や紫外線などにより硬化可能で、硬化後に耐熱性をもつ樹脂組成物が好ましく、具体的には、前記エッチングレジストインキに使用する各種モノマーの組み合わせに加えて、エポキシ化合物やイソシアネート化合物などの硬化剤と各種任意成分を含むものが挙げられる。
【００３６】
膜形成工程においては、公知のインクジェット装置を使用して、エッチング処理及び表面処理を行った金属基材表面に所望のパターンに従って樹脂組成物を描画する。例えば、プリント配線板の最外層においてソルダーレジストを塗布する場合や、内層におけるエッチングレジストやめっきレジストを塗布する場合等に本実施形態の製造方法は適用できる。
【００３７】
本実施形態の製造方法では、膜形成工程の後に、さらに別の処理工程を実施してもよい。例えば、膜形成工程でソルダーレジスト膜を形成した後に、ソルダーレジストの開口部から露出する金属表面にめっきを施すめっき工程を実施してもよい。
この場合には、上述のようなエッチング工程及び表面処理工程を実施することによって、ソルダーレジスト等の樹脂組成物の密着性が向上し、めっき液の染み込みが抑制でできる。
【００３８】
本実施形態の製造方法では、エッチング工程、表面処理工程、膜形成工程の前後及び各工程の間に、洗浄工程、乾燥工程、等の公知の処理工程を実施してもよい。
【００３９】
本実施形態の製造方法によれば、エッチング工程を実施することにより樹脂組成物と金属基材表面との密着性を十分に向上させることができると同時に、エッチング工程後に金属基材表面が粗化されて滲みが発生しやすくなることを、表面処理工程を実施することで抑制できる。従って、樹脂組成物の滲み及び樹脂組成物と金属基材表面との密着性を共に十分に改善させうる。
【００４０】
（第二の実施形態：膜形成基材の製造方法）
別の本実施形態の膜形成基材の製造方法は、金属基材表面をマイクロエッチング剤によってエッチングするエッチング工程と、エッチングされた前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える製造方法である。
【００４１】
本実施形態では、表面処理工程において、表面処理剤を接触させて金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下になるように前記マイクロエッチングされた金属基材表面の接触角を調整しうる表面処理剤を用いて処理を行うこと以外は、上記第一の実施形態と同様である。
【００４２】
ソルダーレジストに対する接触角は、１０°以上１２０°以下であり、さらには１０°以上９０°以下であること、さらには、１０°以上８０°以下であること等が挙げられる。
ソルダーレジストに対する接触角が上記範囲であることで、ソルダーレジストの塗布性が阻害されず密着性を維持しつつ、滲みを抑制することがしやすくなる。
【００４３】
尚、本実施形態でいう接触角とは、ＪＩＳ  Ｒ３２５７  「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に記載されている静滴法における蒸留水をソルダーレジストに変えて測定する値をいう。具体的には後述する実施例において示す方法で測定する値をいう。
【００４４】
（第三の実施形態：膜形成基材の製造方法）
別の本実施形態の膜形成基材の製造方法は、金属基材表面を機械的に粗化する粗化工程と、粗化された前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える製造方法である。
【００４５】
＜粗化工程＞
本実施形態では、上記第一の実施形態の製造方法におけるエッチング工程に変えて粗化工程を行うこと以外は、上記第一の実施形態と同様である。
【００４６】
粗化工程においては、金属基材表面に機械的な手段によって微細な凹凸形状(粗化形状）形成してソルダーレジストとの密着性を向上させる。
金属基材表面を機械的に粗化する手段としては金属表面に凹凸を形成できる手段であれば特に限定されるものではないが、例えば、バフ、ジェットスクラブ、サンドブラスト、ベルトサンダー等、公知の金属表面を削り凹凸を形成する手段が挙げられる。
【００４７】
粗化工程において、粗化時間や粗化の程度(表面粗さ）等は、後に実施する表面処理工程後に上述のような接触角を有する金属表面が得られるように適宜調整しうる。
【００４８】
（第四の実施形態：膜形成基材の製造方法）
本実施形態の金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材を製造する膜形成基材の製造方法は、金属基材表面を機械的に粗化する粗化工程と、粗化された前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える製造方法である。
【００４９】
本実施形態では、上記第二の実施形態の製造方法におけるエッチング工程に変えて上記第三の実施形態と同様の粗化工程を行うこと以外は、上記第二の実施形態と同様である。
【００５０】
尚、第一乃至第四実施形態の製造方法において、粗化工程あるいはエッチング工程のいずれかの工程前後に他方の工程を実施してもよい。
【００５１】
（第五の実施形態：表面処理剤）
【００５２】
次に、本実施形態の表面処理剤について説明する。本実施形態の表面処理剤は、上述した本実施形態の製造方法の表面処理剤として用いることに限定されるものではないが、本実施形態の製造方法に用いることでより効果を高めることができる。
本実施形態の表面処理剤は、すでに上で述べたようなアルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン（以下、単にアルキルアミンともいう。）及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種を０．００１質量％以上１質量％以下含むものである。
前記アルキルアミン及びその塩としては、例えば、アルキルアミンの有機酸塩、無機酸塩等の塩等、上述したようなアルキルアミン化合物が挙げられる。
これらのアルキルアミン及びその塩は、単独又は複数種類を組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
また、上述のように前記アルキルアミンとしては、アルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン及びその塩はヘキシルアミン、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオクチルアミンからなる群から選択される少なくとも１種であることが上記接触角の範囲に調整しやすくなるため好ましい。
【００５４】
本実施形態の表面処理剤のｐＨも特に限定されるものではないが、例えば、ｐＨ４．０以上ｐＨ１３以下、さらにはｐＨ４．０以上ｐＨ１１．５以下、さらにはｐＨ４．０以上ｐＨ１０．０以下であることが挙げられる。表面処理剤が上記ｐＨの範囲である場合には上記接触角の範囲に調整しやすくなるため好ましい。
表面処理剤の最適なｐＨはアルキルアミン化合物の種類や、膜を形成するソルダーレジストの種類によって適宜選択可能であるが、例えば、表面処理剤に含まれるアルキルアミンが、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、オクタデシルアミンである場合にはｐＨ４．０以上ｐＨ１０．０、以下、オクチルアミン、ヘキシルアミンである場合にはｐＨ１０．０以上ｐＨ１３．０以下であることが好ましい。
【００５５】
前記アルキルアミン及びその塩の表面処理剤中の含有量は、０．００１質量％以上１質量％以下、好ましくは０．０１質量％以上１質量％以下である。
かかる含有量の範囲であることで、インクジェット方式で樹脂組成物を金属表面に配置する際の滲みを抑制できる。
特に、金属基材表面が上述したような表面粗さ（Ｒａ）になるようにエッチング処理されている場合には、本実施形態の表面処理剤で表面処理を行うことで、滲みをより抑制しつつ、樹脂組成物と金属基材表面との密着性もより向上させることができる。
【００５６】
本実施形態の表面処理剤には、前記アルキルアミン及びその塩の他に、消泡剤、防錆剤、溶剤等他の任意の成分が含まれていてもよい。
【００５７】
本実施形態の表面処理剤は、前記アルキルアミン及びその塩と、その他の成分とを、水、その他の公知の溶媒に溶解させた溶液であることが好ましい。
【００５８】
（第六の実施形態：膜形成基材）
次に、本実施形態の膜形成基材について説明する。本実施形態の膜形成基材は、上述した本実施形態の膜形成基材の製造方法によって、又は／及び本実施形態の表面処理剤を用いることで製造されることに限定されるものではないが、本実施形態の製造方法によって、又は／及び本実施形態の表面処理剤を用いることでも製造されうるものである。
【００５９】
本実施形態の膜形成基材は、金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材であって、前記金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下である膜形成基材である。
【００６０】
本実施形態の膜形成基材は、樹脂組成物の滲みが抑制でき、且つ、樹脂組成物と金属基材表面の密着性が高い基材である。
本実施形態の膜形成基材は、金属基材としての金属導体の間に樹脂組成物としてのソルダーレジスト膜が形成されたプリント配線板等として利用することができる。その他、例えば、各種電子・電気機器、医療機器、車両搭載用機器、自動車部品、船舶用機器用の部品等に用いることができる。
【００６１】
（第七の実施形態：膜形成基材）
別の本実施形態の膜形成基材は、金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下且つ表面粗さ（Ｒａ）が０．２μｍ以上０．８μｍ以下である金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材である。
【００６２】
本実施形態の膜形成基材は、金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下であること以外は、上記第六の実施形態と同様である。
【００６３】
ソルダーレジストに対する接触角は、１０°以上１２０°以下であり、さらには１０°以上９０°以下であること、さらには、１０°以上８０°以下であること等が挙げられる。
ソルダーレジストに対する接触角が上記範囲であることで、ソルダーレジストの塗布性が阻害されず密着性を維持しつつ、滲みを抑制することがしやすくなる。
【００６４】
金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材を製造する膜形成基材の製造方法にかかる発明は、金属基材表面をマイクロエッチング剤によってエッチングするエッチング工程と、エッチングされた前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える。
【００６５】
別の金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材を製造する膜形成基材の製造方法にかかる発明は、金属基材表面をマイクロエッチング剤によってエッチングするエッチング工程と、エッチングされた前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える。
【００６６】
前記エッチング工程において、金属基材表面を表面粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以上０．８μｍ以下になるようにエッチングしてもよい。
【００６７】
別の金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材を製造する膜形成基材の製造方法にかかる発明は、金属基材表面を機械的に粗化する粗化工程と、粗化された前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面の水に対する接触角が５０°以上１５０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える。
【００６８】
さらに、別の金属基材表面に樹脂組成物の膜が形成された膜形成基材を製造する膜形成基材の製造方法にかかる発明は、金属基材表面を機械的に粗化する粗化工程と、粗化された前記金属基材表面に表面処理剤を接触させて金属基材表面のソルダーレジストに対する接触角が１０°以上１２０°以下になるように表面処理する表面処理工程と、表面処理された金属基材表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する膜形成工程と、を備える。
【００６９】
前記表面処理工程において、アルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種を０．００１質量％以上１質量％以下含む表面処理剤を接触させてもよい。
【００７０】
アルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン及びその塩はヘキシルアミン、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオクチルアミンからなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。
【００７１】
前記表面処理剤はｐＨ４．０以上ｐＨ１１．５以下であってもよい。
【００７２】
樹脂組成物膜形成前の金属基材表面を処理する表面処理剤にかかる発明は、表面にインクジェット方式で樹脂組成物の膜を形成する金属基材用の表面処理剤であって、アルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン及びその塩からなる群から選択される少なくとも１種を０．００１質量％以上１質量％以下含む。
【００７３】
表面処理剤にかかる発明において、アルキル基の炭素数が６〜１８のアルキルアミン及びその塩はヘキシルアミン、オクタデシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオクチルアミンからなる群から選択される少なくとも１種であってもよい。
あるいは、記表面処理剤はｐＨ４．０以上ｐＨ１１．５以下であってもよい。
【００７４】
本実施形態にかかる膜形成基材の製造方法、膜形成基材及び表面処理剤は、以上のとおりであるが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は前記説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【実施例】
【００７５】
次に、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。尚、本発明は下記の実施例に限定して解釈されるものではない。
【００７６】
『試験１』
＜試験基板の作製＞
厚み３５μｍの銅めっき層を有するめっき板（愛工機器社製：１２ｃｍ×１２ｃｍ）を試験基板として用意した。次に、有機酸系マイクロエッチング剤（メック社製、ＣＺシリーズ）を用いて、温度２５℃、スプレー圧０．１ＭＰａの条件で上記試験基板の片面にスプレーし、当該試験基板の片面において１．０μｍのエッチング量となるようにエッチング時間を調整してエッチングした。次いで、水洗を行い、表１に記載の各のアルキルアミン水溶液（温度２５℃、濃度０．１質量％）でエッチング処理面を表１に記載の時間浸漬した後、水洗を行い、乾燥させたものを実施例１乃至１５とした。
比較例１として、エッチング後、塩酸処理（３．５％の塩酸、２５℃、１０秒間浸漬処理）したもの、比較例２として、エッチング処理を行わず塩酸処理をしたものを準備した。
【００７７】
＜接触角測定＞
上記各試験基板の水に対する接触角を、ＪＩＳ  Ｒ３２５７  「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に記載されている静滴法で測定した。測定装置は協和界面化学株式会社製、自動接触角計ＤＭ−５０１を使用した。
【００７８】
＜滲み測定＞
各試験基板に樹脂組成物としてのソルダーレジスト（太陽インキ社製、品番ＩＪＳＲ−４０００）を各試験基板の一面側の全面に塗布しながら仮硬化し、さらに、塗布後、本硬化させた。硬化後の各試験基板のソルダーレジスト端部をデジタルマイクロスコープ（ＶＨＸ−２０００、キーエンス社製）を用いて観察し最も滲み幅が大きい箇所を測定した。
【００７９】
<ピール強度>
次いで各試験基板のソルダーレジスト層とめっき板の銅めっき層との間のピール強度（Ｎ／ｍｍ）の初期値及びＨＡＳＴ条件（１３０℃、８５％ＲＨ）５０時間後の値を測定した。
ピール強度はＪＩＳ  Ｃ６４８１に記載の「引きはがし強さ」の測定方法に従って測定した（表中の単位は「Ｎ／ｍｍ」）。
【００８０】
<表面粗さ>
樹脂組成物を塗布する前に各試験基板の表面粗さを測定した。表面粗さは、レーザー顕微鏡：ＯＬＳ１１００（ＯＬＹＭＰＵＳ社製）を用いて、画像処理平均化１回、面粗さ：２００倍（レーザー顕微鏡における設定）、視野範囲６４．０μｍ×４８．０μｍの測定条件で測定した。
結果を表１、図１及び図２に示す。
【００８１】
【表１】
2020124919.tif 000002
【００８２】
表１に示すように、各実施例では滲み幅は比較例１に比べて少なかった。一方、ピール強度は、各実施例は酸処理のみの比較例２に比べて高かった。
すなわち、各実施例では滲み、ピール強度共に良好な結果が得られた。
【００８３】
『試験２』
表面粗さとピール強度との関係を前記試験１で使用した各種アルキルアミン水溶液及びエッチング量を変えて測定した。
厚み３５μｍの銅めっき層を有するめっき板（愛工機器社製：１２ｃｍ×１２ｃｍ）を有機酸系マイクロエッチングでエッチングした。エッチング量は表２に記載のとおりである。かかるエッチング表面の表面粗さを試験１と同様の方法で測定した。
その後、各種アルキルアミン水溶液でディップ処理を行った。さらに、樹脂組成物としてのソルダーレジスト（日立化成社製、ＳＲ−７３００Ｇ）を各試験基板の一面側の全面に塗布しながら仮硬化し、さらに、塗布後、本硬化させたものについて、試験１と同様の方法でピール強度を測定した。表２及び図３に結果を示す。
【００８４】
【表２】
2020124919.tif 000003
【００８５】
表２に示すように、表面粗さを所定の範囲にして表面処理を行った各試験基板ではいずれもピール強度は良好であった。
【００８６】
『試験３』
試験１で用いたオクチルアミンの濃度及び浸漬時間と、接触角との関係を参考試験として測定した。
試験１で用いた試験基板を、表３に記載の濃度及び浸漬時間で表面処理を行った。処理は試験１と同条件で行った。
各試験基板を試験１と同様に接触角を測定した。結果を表３に示した。
【００８７】
【表３】
2020124919.tif 000004
【００８８】
『試験４』
試験１と同様の各実施例及び比較例において、ソルダーレジストに対する接触角の測定を追加した。ソルダーレジストとして試験１に使用したソルダーレジスト(表中にはソルダーレジストＡと記載）に加えて、ソルダーレジストＢ（タムラ製作所社製、インクジェット用ソルダーレジスト）を使用した。
【００８９】
＜接触角測定＞
各ソルダーレジストに対する上記各試験基板の接触角をＪＩＳ  Ｒ３２５７  「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に記載されている静滴法で測定した。測定装置は協和界面化学株式会社製、自動接触角計ＤＭ−５０１を使用した。
【００９０】
＜ｐＨ測定＞
各実施例比較例で使用した表面処理剤のｐＨは株式会社堀場製作所製、卓上型ｐＨメータＦ-72を用いて測定した。
滲み測定及びピール強度は上記試験１と同様に測定した。各結果を表４に示した。
【００９１】
【表４】
2020124919.tif 000005
【００９２】
表４に示すように、各実施例ではソルダーレジストＡ及びＢに対しても滲み、ピール強度共に良好な結果が得られた。
【００９３】
『試験５』
＜ｐＨと接触角との関係＞
試験１で用いた試験基板を、ｐＨを調整したドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオクチルアミンを用いた表面処理剤で表面処理を行った場合の各接触角を測定した。接触角は水に対する接触角、ソルダーレジストＡ及びＢに対する接触角を示した。測定方法は試験１及び試験４に示す方法で測定した。結果を表５〜７に示した。尚、表中の数値の単位は「°」である。
各表面処理液は以下のとおりである。
表面処理液Ａ：ドデシルアミン０．１質量％水溶液
表面処理液Ｂ：テトラデシルアミン０．１質量％水溶液
表面処理液Ｃ：オクチルアミン０．１質量％水溶液
ｐＨ調整は、塩酸および水酸化ナトリウムを用いて各表に示すｐＨとなるように調整した。
処理時間は６０秒である。
【００９４】
【表５】
2020124919.tif 000006
表面処理液Ａ：ドデシルアミン０．１質量％水溶液
【００９５】
【表６】
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表面処理液Ｂ：テトラデシルアミン０．１質量％水溶液
【００９６】
【表７】
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表面処理液Ｃ：オクチルアミン０．１質量％水溶液
【図１】
2020124919.tif 000009
【図２】
2020124919.tif 000010
【図３】
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