(57)【要約】      （修正有）【課題】破断伸びに優れる硬化物を作製可能であるポリケトン組成物及びその硬化物、並びに当該ポリケトン硬化物を有する光学素子及び画像表示装置の提供。【解決手段】一般式（ＩＩ）の構造単位を含むポリケトンと、ヒドラジド化合物とを含有するポリケトン組成物。2020105517.tif 000034【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（ＩＩ）の構造単位を含むポリケトンと、ヒドラジド化合物と、を含有するポリケトン組成物。
【化１】
2020105517.tif 000030
〔一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２〜３０個有する２価の鎖状基を表す。Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜４の整数を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは１〜４の整数を表し、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。〕
【請求項２】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ２が、それぞれ独立に、アルコキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す、請求項１に記載のポリケトン組成物。
【請求項３】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は主鎖の一端又は両端に酸素原子を有する、請求項１又は請求項２に記載のポリケトン組成物。
【請求項４】
前記一般式（ＩＩ）の構造単位が、下記一般式（ＩＩ−１）の構造単位又は下記一般式（ＩＩ−２）の構造単位から選択される、請求項１に記載のポリケトン組成物。
【化２】
2020105517.tif 000031
〔一般式（ＩＩ−１）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ３は炭素数１〜２８の鎖状炭化水素基を表す。ｘは０〜４の整数を表す。〕
【化３】
2020105517.tif 000032
〔一般式（ＩＩ−２）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表し、各芳香環においてＲ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ４は炭素数２〜３０の鎖状炭化水素基を表す。ｘは１〜４の整数を表す。〕
【請求項５】
前記一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）中、Ｒ２が、それぞれ独立に、アルコキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す、請求項４に記載のポリケトン組成物。
【請求項６】
前記一般式（ＩＩ）の構造単位が前記一般式（ＩＩ−１）の構造単位であり、前記一般式（ＩＩ−１）の構造単位が下記一般式（ＩＩ−３）の構造単位である、請求項４又は請求項５に記載のポリケトン組成物。
【化５】
2020105517.tif 000033
〔一般式（ＩＩ−３）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ３は炭素数１〜２８の鎖状炭化水素基を表す。〕
【請求項７】
前記ポリケトンが、カルボニル基を隔てて前記一般式（ＩＩ）の構造単位を有する基と連結する炭素数１〜５０の２価の基をさらに含む、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
【請求項８】
前記カルボニル基を隔てて前記一般式（ＩＩ）の構造単位を有する基と連結する炭素数１〜５０の２価の基が、脂環骨格及び芳香環からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項７に記載のポリケトン組成物。
【請求項９】
前記ヒドラジド化合物が、分子中に２個以上のヒドラジド基を有する、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
【請求項１０】
前記ヒドラジド化合物が、鎖状脂肪族ヒドラジド化合物及び芳香族ヒドラジド化合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
【請求項１１】
溶剤をさらに含有する、請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載のポリケトン組成物の硬化物である、ポリケトン硬化物。
【請求項１３】
請求項１２に記載のポリケトン硬化物を有する光学素子。
【請求項１４】
請求項１２に記載のポリケトン硬化物を有する画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ポリケトン組成物、ポリケトン硬化物、光学素子、及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
主鎖に芳香環とカルボニル基とを有する芳香族ポリケトンは、優れた耐熱性と機械特性を有しており、エンジニアリングプラスチックとして利用されている。芳香族ポリケトンに属する高分子のほとんどは、求核芳香族置換反応を利用して重合された芳香族ポリエーテルケトンであり、主鎖にエーテル結合を有している。これに対し、主鎖にエーテル結合を有していない芳香族ポリケトンは、芳香族ポリエーテルケトンよりもさらに優れた耐熱性を発揮しうる（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
近年、脂環式ジカルボン酸と２，２’−ジアルコキシビフェニル等の芳香族化合物とをＦｒｉｅｄｅｌ−Ｃｒａｆｔｓアシル化により直接重合することで、高い透明性と耐熱性を両立した芳香族ポリケトンが得られることが報告され（例えば、特許文献３参照）、光学部品への応用が期待されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−７７３０号公報
【特許文献２】特開２００５−２７２７２８号公報
【特許文献３】特開２０１３−５３１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
さらに、ポリケトンを光学部材へ応用するに際しては、耐熱性及び透明性に加えて、優れた破断伸びを有することが求められることがある。しかしながら、従来の芳香族ポリケトンでは十分な破断伸びが得られない場合があった。上記事情に鑑み、本開示は、破断伸びに優れる硬化物を作製可能であるポリケトン組成物及びその硬化物、並びに当該ポリケトン硬化物を有する光学素子及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための手段には、以下の実施態様が含まれる。
【０００７】
＜１＞  下記一般式（ＩＩ）の構造単位を含むポリケトンと、ヒドラジド化合物と、を含有するポリケトン組成物。
【０００８】
【化１】
2020105517.tif 000002
【０００９】
〔一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２〜３０個有する２価の鎖状基を表す。Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜４の整数を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは１〜４の整数を表し、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。〕
＜２＞  前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ２が、それぞれ独立に、アルコキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す、＜１＞に記載のポリケトン組成物。
＜３＞  前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は主鎖の一端又は両端に酸素原子を有する、＜１＞又は＜２＞に記載のポリケトン組成物。
＜４＞  前記一般式（ＩＩ）の構造単位が、下記一般式（ＩＩ−１）の構造単位又は下記一般式（ＩＩ−２）の構造単位から選択される、＜１＞に記載のポリケトン組成物。
【００１０】
【化２】
2020105517.tif 000003
【００１１】
〔一般式（ＩＩ−１）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ３は炭素数１〜２８の鎖状炭化水素基を表す。ｘは０〜４の整数を表す。〕
【００１２】
【化３】
2020105517.tif 000004
【００１３】
〔一般式（ＩＩ−２）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表し、各芳香環においてＲ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ４は炭素数２〜３０の鎖状炭化水素基を表す。ｘは１〜４の整数を表す。〕
＜５＞  前記一般式（ＩＩ−１）及び一般式（ＩＩ−２）中、Ｒ２が、それぞれ独立に、アルコキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜３０の炭化水素基を表す、＜４＞に記載のポリケトン組成物。
＜６＞  前記一般式（ＩＩ）の構造単位が前記一般式（ＩＩ−１）の構造単位であり、前記一般式（ＩＩ−１）の構造単位が下記一般式（ＩＩ−３）の構造単位である、＜４＞又は＜５＞に記載のポリケトン組成物。
【００１４】
【化４】
2020105517.tif 000005
【００１５】
〔一般式（ＩＩ−３）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ３は炭素数１〜２８の鎖状炭化水素基を表す。〕
＜７＞  前記ポリケトンが、カルボニル基を隔てて前記一般式（ＩＩ）の構造単位を有する基と連結する炭素数１〜５０の２価の基をさらに含む、＜１＞〜＜６＞のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
＜８＞  前記カルボニル基を隔てて前記一般式（ＩＩ）の構造単位を有する基と連結する炭素数１〜５０の２価の基が、脂環骨格及び芳香環からなる群より選択される少なくとも１種を含む、＜７＞に記載のポリケトン組成物。
＜９＞  前記ヒドラジド化合物が、分子中に２個以上のヒドラジド基を有する、＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
＜１０＞  前記ヒドラジド化合物が、鎖状脂肪族ヒドラジド化合物及び芳香族ヒドラジド化合物からなる群より選択される少なくとも１つを含む、＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
＜１１＞  溶剤をさらに含有する、＜１＞〜＜１０＞のいずれか１項に記載のポリケトン組成物。
＜１２＞  ＜１＞〜＜１１＞のいずれか１項に記載のポリケトン組成物の硬化物である、ポリケトン硬化物。
＜１３＞  ＜１２＞に記載のポリケトン硬化物を有する光学素子。
＜１４＞  ＜１２＞に記載のポリケトン硬化物を有する画像表示装置。
【発明の効果】
【００１６】
本開示は、破断伸びに優れる硬化物を作製可能であるポリケトン組成物及びその硬化物、並びに当該ポリケトン硬化物を有する光学素子及び画像表示装置が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
【００１８】
本開示において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において「層」又は「膜」との語には、当該層又は膜が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において「積層」との語は、層を積み重ねることを示し、二以上の層が結合されていてもよく、二以上の層が着脱可能であってもよい。
【００１９】
本開示において「優れた耐熱性」とはポリケトンを含む部材においてガラス転移点（Ｔｇ）が１４０℃以上であることを意味する。
本開示において「優れた透明性」とは、波長４００ｎｍの光の透過性が８０％以上（膜厚１μｍ換算）であることを意味する。
本開示において「優れた破断伸び」とは実施例の方法により測定される硬化物の破断伸び率が６％を超えることを意味する。
本開示において「優れた柔軟性」とは、硬化物を、実施例の方法により直径２ｍｍの芯棒を用いたマンドレル試験に供しても、膜に割れが生じないことを意味する。
【００２０】
≪ポリケトン組成物≫
本開示のポリケトン組成物は、下記一般式（ＩＩ）の構造単位を含むポリケトンと、ヒドラジド化合物と、を含有する。
【００２１】
【化５】
2020105517.tif 000006
【００２２】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２〜３０個有する２価の鎖状基を表す。Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜４の整数を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは１〜４の整数を表し、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。
【００２３】
本開示のポリケトン組成物によれば、硬化物としたときの破断伸びに優れる。この理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。本開示のポリケトン組成物に含まれるポリケトンは、２つの芳香環の間に、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２以上有する鎖状基を有することから、分子の剛直性が緩和され、破断伸びを向上させると推測される。
【００２４】
また、本開示のポリケトン組成物によれば、硬化物としたときに優れた耐熱性を維持できる傾向にある。本開示のポリケトンにおける複数の芳香環は耐熱性に寄与していると考えられる。さらに、式（ＩＩ）における複数の芳香環は相互に非共役であるか、又は相互の共役関係が弱いため、ポリケトンを合成するときに低い反応温度で良好なジアシル化を実現することができ、分子量が高く耐熱性に優れるポリケトンとなると考えられる。これに加えて、ポリケトン組成物がヒドラジド化合物を含有することにより、ポリケトンにヒドラジン化合物が作用し、架橋構造を形成する。そのため、ポリケトン組成物を硬化したときに、優れた破断伸びを有しつつ、Ｔｇを大きく低下させることがないと考えられる。
さらに、本開示のポリケトン組成物により得られた硬化物は良好な透明性及び柔軟性を維持している傾向にある。
以下、ポリケトン組成物に含まれる各成分について説明する。
【００２５】
＜ポリケトン＞
本開示のポリケトンは、下記一般式（ＩＩ）の構造単位を含む。
【００２６】
【化６】
2020105517.tif 000007
【００２７】
一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２〜３０個有する２価の鎖状基を表す。Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜４の整数を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは１〜４の整数を表し、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。
【００２８】
一般式（ＩＩ）において、Ｒ１は、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２〜３０個有する２価の鎖状基を表す。主鎖に存在する原子数は２〜２０であることが好ましく、２〜１５であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましい。なお、本開示において、Ｒ１の主鎖とは、一般式（ＩＩ）の２つの芳香環どうしを連結する原子鎖をいうものとする。また、鎖状基とは主鎖上に環状構造を含まない基をいう。Ｒ１のうち、各芳香環に隣接する原子はそれぞれ独立に酸素原子又は炭素原子である。
【００２９】
Ｒ１の主鎖に存在する炭素原子と酸素原子のそれぞれの数は、その合計が２〜３０個であれば特に制限されない。例えば、Ｒ１は、主鎖に存在する全ての原子が炭素原子である鎖状炭化水素基であってもよく（単に鎖状炭化水素基ともいう）、主鎖に存在する全ての原子が酸素原子である鎖状基であってもよく、主鎖に炭素原子及び酸素原子が存在する、鎖状炭化水素基と酸素原子とを組み合わせた主鎖を有する鎖状基であってもよい。
【００３０】
Ｒ１が鎖状炭化水素基である場合、鎖状炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。当該置換基としては、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ１が鎖状炭化水素基である場合、鎖状炭化水素基は直鎖炭化水素基であっても分岐炭化水素基であってもよい。
【００３２】
Ｒ１が鎖状炭化水素基である場合、鎖状炭化水素基は不飽和結合を含んでいても含んでいなくてもよい。
【００３３】
Ｒ１が鎖状炭化水素基である場合、Ｒ１は炭素数２〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましく、炭素数２〜１５の鎖状炭化水素基であることがより好ましく、炭素数２〜１０の鎖状炭化水素基であることがさらに好ましい。なお、本開示において、炭化水素基の炭素数には置換基における炭素数を含めないものとする。また、鎖状炭化水素基が分岐鎖を有する場合、分岐鎖は当該鎖状炭化水素基の置換基には含めないものとする。
【００３４】
Ｒ１が、主鎖に存在する全ての原子が酸素原子である鎖状基の場合、当該鎖状基としては、２〜３０個の酸素原子が直鎖状に結合した基が挙げられる。酸素原子の数は、２〜２０であることが好ましく、２〜１５であることがより好ましく、２〜１０であることがさらに好ましい。
【００３５】
Ｒ１が、鎖状炭化水素基と酸素原子とを組み合わせた主鎖を有する鎖状基である場合、当該鎖状基は置換基を有していても有していなくてもよい。当該置換基としては、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基等が挙げられる。
【００３６】
Ｒ１が、鎖状炭化水素基と酸素原子とを組み合わせた鎖状基である場合、Ｒ１中の鎖状炭化水素基は直鎖炭化水素基であっても分岐炭化水素基であってもよい。
【００３７】
Ｒ１が、鎖状炭化水素基と酸素原子とを組み合わせた鎖状基である場合、鎖状炭化水素基は不飽和結合を含んでいても含んでいなくてもよい。
【００３８】
Ｒ１が、鎖状炭化水素基と酸素原子とを組み合わせた鎖状基である場合、Ｒ１中の鎖状炭化水素基の炭素数の合計は１〜１８であることが好ましく、１〜１３であることがより好ましく、１〜８であることがさらに好ましい。
【００３９】
Ｒ１が、鎖状炭化水素基と酸素原子とを組み合わせた鎖状基である場合、Ｒ１における酸素原子の位置は主鎖上であれば特に制限されない。好ましい一態様において、Ｒ１は主鎖の一端又は両端に酸素原子を有する。Ｒ１の主鎖の一端又は両端に存在する酸素原子は、ポリケトンの合成上、芳香環に対する電子供与性基として働くことができる。また、Ｒ１は主鎖の一端又は両端に酸素原子を有さず、内部に酸素原子を有する鎖状基であってもよい。Ｒ１は主鎖の一端又は両端に酸素原子を有し、内部にも酸素原子を有する鎖状基であってもよい。
【００４０】
一般式（ＩＩ）において、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ２で表される置換基としては、水酸基、アルコキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜３０の炭化水素基等が挙げられ、アルコキシ基、アミノ基、又は炭素数１〜３０の炭化水素基が好ましい。
【００４１】
Ｒ２が炭素数１〜３０の炭化水素基である場合、当該炭化水素基は置換基を有していてもいなくてもよい。当該置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアシル基等が挙げられる。
【００４２】
Ｒ２が炭素数１〜３０の炭化水素基である場合、当該炭化水素基は直鎖炭化水素基であっても分岐炭化水素基であってもよい。
【００４３】
Ｒ２が炭素数１〜３０の炭化水素基である場合、当該炭化水素基は不飽和結合を含んでいてもいなくてもよい。
【００４４】
Ｒ２で表される炭素数１〜３０の炭化水素基としては、炭素数１〜２０の炭化水素基が好ましく、炭素数１〜１５の炭化水素基がより好ましく、炭素数１〜１０の炭化水素基がさらに好ましい。
【００４５】
Ｒ２が炭素数１〜３０の炭化水素基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−イコサニル基、ｎ−トリアコンタニル基等の飽和鎖状炭化水素基；及び、ビニル基、アリル基等のアルケニル基、エチニル基等のアルキニル基などの不飽和鎖状炭化水素基；置換又は非置換のフェニル基、置換又は非置換のベンジル基等の芳香族炭化水素基が挙げられる。好ましい一実施形態において、Ｒ２はメチル基又はフェニル基であってもよい。
【００４６】
Ｒ２がアルコキシ基である場合、Ｒ２は、炭素数１〜３０のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜１０のアルコキシ基であることがより好ましく、炭素数１〜５のアルコキシ基であることがさらに好ましい。
【００４７】
Ｒ２がアルコキシ基である場合の具体例としては、Ｒ２が炭素数１〜３０の炭化水素基である場合の具体例として先述された飽和鎖状炭化水素基又は不飽和鎖状炭化水素基に酸素原子が連結したアルコキシ基が挙げられる。
【００４８】
Ｒ２がアミノ基である場合、アミノ基は、非置換のアミノ基であってもよく、１又は２の水素原子がアルキル基で置換された置換アミノ基であってもよい。置換アミノ基としては、炭素数１〜３０の炭化水素基を１つ又は２つ有する置換アミノ基が好ましい。置換アミノ基における炭素数１〜３０の炭化水素基の具体例としては、Ｒ２が炭素数１〜３０の炭化水素基である場合の具体例として先述された飽和鎖状炭化水素基及び不飽和鎖状炭化水素基が挙げられる。
【００４９】
一般式（ＩＩ）において、Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜４の整数を表す。この場合、ポリケトンの合成上、芳香環に隣接する酸素原子が電子供与性基として働くことができるため、Ｒ２は電子供与性基であってもなくてもよい。芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、入手容易性の観点からは、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜２であることが好ましい。溶剤への溶解性の観点からは、ｘは１〜４であることが好ましい。
Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは１〜４の整数を表し、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。入手容易性の観点からは、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、ｘは１又は２であることが好ましい。
電子供与性基としては、水酸基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられる。
【００５０】
一般式（ＩＩ）の構造単位の、隣接する基との結合位置は特に制限されない。好ましい一態様において、Ｒ１中の芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に対してパラ位又はオルト位、好ましくはパラ位に位置している。別の好ましい一態様において、Ｒ２が電子供与性基であるとき、当該電子供与性基に対してパラ位又はオルト位、好ましくはパラ位に位置している。
【００５１】
一般式（ＩＩ）の構造単位の好ましい一態様として、一般式（ＩＩ−１）の構造単位及び一般式（ＩＩ−２）の構造単位が挙げられる。
【００５２】
【化７】
2020105517.tif 000008
【００５３】
一般式（ＩＩ−１）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ３は炭素数１〜２８の鎖状炭化水素基を表す。ｘは０〜４の整数を表す。Ｒ２及びｘの詳細は、一般式（ＩＩ）における「Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合」に採用されうるＲ２及びｘの態様と同様である。
【００５４】
Ｒ３で表される鎖状炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。当該置換基としては、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基等が挙げられる。
Ｒ３で表される鎖状炭化水素基は直鎖炭化水素基であっても分岐炭化水素基であってもよい。
Ｒ３で表される鎖状炭化水素基は不飽和結合を含んでいても含んでいなくてもよい。
Ｒ３で表される鎖状炭化水素基の炭素数は１〜１８であることが好ましく、１〜１３であることがより好ましく、１〜８であることがさらに好ましい。
【００５５】
一般式（ＩＩ−１）の構造単位の、隣接する基との結合位置は特に制限されず、芳香環とＲ３の間に存在する酸素原子に対してパラ位又はオルト位に位置していることが好ましく、パラ位に位置していることがより好ましい。また、Ｒ２として電子供与性基が存在する場合は、当該電子供与性基に対してパラ位又はオルト位に位置していることが好ましく、パラ位に位置していることがより好ましい。
【００５６】
好ましい一実施形態の例として、前記一般式（ＩＩ）の構造単位が前記一般式（ＩＩ−１）の構造単位であり、前記一般式（ＩＩ−１）の構造単位が下記一般式（ＩＩ−３）の構造単位である実施形態が挙げられる。
【００５７】
【化８】
2020105517.tif 000009
【００５８】
一般式（ＩＩ−３）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ３は炭素数１〜２８の鎖状炭化水素基を表す。
【００５９】
Ｒ２の詳細は、一般式（ＩＩ）においてｘが１であり「Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合」に採用されうるＲ２の態様と同様である。Ｒ３の詳細は、一般式（ＩＩ−１）におけるＲ３の詳細と同様である。
【００６０】
一般式（ＩＩ−３）の構造単位では、Ｒ２が芳香環の２位で置換されている。このような構造単位を含むポリケトンは、硬化物としたときに、特に良好な破断伸び及びガラス転移温度を有する傾向にある。この理由は必ずしも明らかではないが、隣接する芳香環同士がより平面的な構造を取るためと推測される。
【００６１】
【化９】
2020105517.tif 000010
【００６２】
一般式（ＩＩ−２）中、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表し、各芳香環においてＲ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。Ｒ４は炭素数２〜３０の鎖状炭化水素基を表す。ｘは１〜４の整数を表す。Ｒ２及びｘの詳細は、一般式（ＩＩ）における「Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合」に採用されうるＲ２及びｘの態様と同様である。
【００６３】
Ｒ４で表される鎖状炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。当該置換基としては、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、ハロゲン原子、アシル基等が挙げられる。
Ｒ４で表される鎖状炭化水素基は直鎖炭化水素基であっても分岐炭化水素基であってもよい。
Ｒ４で表される鎖状炭化水素基は不飽和結合を含んでいても含んでいなくてもよい。
Ｒ４で表される鎖状炭化水素基の炭素数は１〜２０であることが好ましく、１〜１５であることがより好ましく、１〜１０であることがさらに好ましい。
【００６４】
一般式（ＩＩ−２）の構造単位の、隣接する基との結合位置は、電子供与性基であるＲ２に対してパラ位又はオルト位に位置していることが好ましく、パラ位に位置していることがより好ましい。
【００６５】
ポリケトンは、カルボニル基を隔てて一般式（ＩＩ）の構造単位を有する基と連結する炭素数１〜５０の２価の基をさらに含んでもよい。当該２価の基は炭素数１〜５０の２価の炭化水素基であることが好ましく、耐熱性と破断伸びの両立の観点からは、脂環骨格又は芳香環を含んでいることが好ましい。炭素数１〜５０の２価の基の詳細は、後述する一般式（Ｉ）中のＹの詳細を適用することができる。
【００６６】
ポリケトンは、下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有するポリケトンであることが好ましい。
【００６７】
【化１０】
2020105517.tif 000011
【００６８】
一般式（Ｉ）中、Ｘは、それぞれ独立に、一般式（ＩＩ）の構造単位を含む２価の基を表し、Ｙは、それぞれ独立に、炭素数１〜５０の２価の基を表し、ｎは構造単位の数を表す。
【００６９】
一般式（Ｉ）中、ｎは１〜１５００の整数であることが好ましく、２〜１０００の整数であることがより好ましい。
【００７０】
一般式（Ｉ）中、Ｘは、それぞれ独立に、一般式（ＩＩ）の構造単位を含む２価の基であればよく、一般式（ＩＩ）の構造単位に他の２価の基が連結したものであってもよく、一般式（ＩＩ）の構造単位からなる基であってもよい。
Ｘで表される２価の基に含まれる炭素数は、１２〜５０であることが好ましく、１２〜４０であることがより好ましく、１２〜３０であることがさらに好ましい。
一般式（ＩＩ）に連結しうる２価の基としては、例えば置換又は非置換の炭素数１〜３０の炭化水素基が挙げられる。具体的には、一般式（ＩＩ）に連結しうる２価の基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、メチルエチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、２−メチルトリメチレン基、エチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、１−メチルテトラメチレン基、２−メチルテトラメチレン基、１−エチルトリメチレン基、２−エチルトリメチレン基、１，１−ジメチルトリメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、１，２−ジメチルトリメチレン基、プロピルエチレン基、エチルメチルエチレン基、ヘキシレン基、１−メチルペンチレン基、２−メチルペンチレン基、３−メチルペンチレン基、１−エチルテトラメチレン基、２−エチルテトラメチレン基、１−プロピルトリメチレン基、２−プロピルトリメチレン基、ブチルエチレン基、１，１−ジメチルテトラメチレン基、２，２−ジメチルテトラメチレン基、１，２−ジメチルテトラメチレン基、１，３−ジメチルテトラメチレン基、１，４−ジメチルテトラメチレン基、１，２，３−トリメチルトリメチレン基、１，１，２−トリメチルトリメチレン基、１，１，３−トリメチルトリメチレン基、１，２，２−トリメチルトリメチレン基、１−エチル−１−メチルトリメチレン基、２−エチル−２−メチルトリメチレン基、１−エチル−２−メチルトリメチレン基、２−エチル−１−メチルトリメチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基等が挙げられる。
【００７１】
一般式（Ｉ）中、Ｙは、それぞれ独立に、炭素数１〜５０の２価の基を表し、炭素数１〜５０の２価の炭化水素基であることが好ましい。耐熱性と破断伸びの両立の観点からは、Ｙは脂環骨格又は芳香環を含んでいることが好ましい。
【００７２】
Ｙで表される２価の基は、破断伸びと耐熱性の両立の観点からは、芳香環を含むことが好ましい。また、Ｙで表される２価の基は、破断伸び及び透明性の観点からは、飽和炭化水素基を含むことが好ましい。飽和炭化水素基は、飽和鎖状炭化水素基であっても、飽和脂環式炭化水素基であってもよい。破断伸び、耐熱性及び透明性の観点から、Ｙで表される２価の基は、飽和脂環式炭化水素基を含むことが好ましい。脂環式炭化水素基は、炭素数が同じ鎖状炭化水素基に比べて嵩高いため、高い耐熱性と透明性を維持したまま、溶剤への溶解性にも優れる傾向にある。
また、Ｙで表される２価の基は、複数種の飽和鎖状炭化水素基、又は、複数種の飽和脂環式炭化水素基を含んでいてもよい。また、Ｙは、飽和鎖状炭化水素基と、飽和脂環式炭化水素基と、を組み合わせて含んでいてもよい。
【００７３】
Ｙが飽和鎖状炭化水素基を含む場合、Ｙで表される２価の基の炭素数は、１〜５０であり、１〜３０であることが好ましく、３〜３０であることがより好ましい。
Ｙが飽和鎖状炭化水素基を含む場合、Ｙで表される２価の基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、メチルエチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、２−メチルトリメチレン基、エチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、１−メチルテトラメチレン基、２−メチルテトラメチレン基、１−エチルトリメチレン基、２−エチルトリメチレン基、１，１−ジメチルトリメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、１，２−ジメチルトリメチレン基、プロピルエチレン基、エチルメチルエチレン基、ヘキシレン基、１−メチルペンチレン基、２−メチルペンチレン基、３−メチルペンチレン基、１−エチルテトラメチレン基、２−エチルテトラメチレン基、１−プロピルトリメチレン基、２−プロピルトリメチレン基、ブチルエチレン基、１，１−ジメチルテトラメチレン基、２，２−ジメチルテトラメチレン基、１，２−ジメチルテトラメチレン基、１，３−ジメチルテトラメチレン基、１，４−ジメチルテトラメチレン基、１，２，３−トリメチルトリメチレン基、１，１，２−トリメチルトリメチレン基、１，１，３−トリメチルトリメチレン基、１，２，２−トリメチルトリメチレン基、１−エチル−１−メチルトリメチレン基、２−エチル−２−メチルトリメチレン基、１−エチル−２−メチルトリメチレン基、２−エチル−１−メチルトリメチレン基、２，２−エチルメチルトリメチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、イコサニレン基、トリアコンタニレン基等が挙げられる。
【００７４】
なかでも、耐熱性の観点から、Ｙで表される２価の基としては、好ましくは、テトラメチレン基、ヘキシレン基、メチルペンチレン基、エチルテトラメチレン基、プロピルトリメチレン基、ブチルエチレン基、ジメチルテトラメチレン基、トリメチルトリメチレン基、エチルメチルトリメチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基、イコサニレン基、トリアコンタニレン基等が挙げられる。
【００７５】
Ｙが飽和脂環式炭化水素基を含む場合、Ｙで表される２価の基の炭素数は、３〜５０であり、３〜３０であることが好ましく、４〜３０であることがより好ましく、６〜３０であることがさらに好ましい。
Ｙが飽和脂環式炭化水素基を含む場合、Ｙで表される２価の基としては、シクロプロパン骨格、シクロブタン骨格、シクロペンタン骨格、シクロヘキサン骨格、シクロヘプタン骨格、シクロオクタン骨格、キュバン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロ［５．２．１．０］デカン骨格、アダマンタン骨格、ジアダマンタン骨格、ビシクロ［２．２．２］オクタン骨格、デカヒドロナフタレン骨格等を有する２価の炭化水素基が挙げられる。
【００７６】
なかでも、耐熱性の観点から、Ｙで表される２価の基として、好ましくは、シクロヘキサン骨格、シクロヘプタン骨格、シクロオクタン骨格、キュバン骨格、ノルボルナン骨格、トリシクロ［５．２．１．０］デカン骨格、アダマンタン骨格、ジアダマンタン骨格、ビシクロ［２．２．２］オクタン骨格、デカヒドロナフタレン骨格等を有する２価の炭化水素基が挙げられる。
【００７７】
Ｙで表される２価の基が有し得る置換基としては、アミノ基、オキソ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００７８】
Ｙは、下記一般式（ＩＶ）及び下記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）からなる群より選択される少なくとも１種で表される２価の炭化水素基を少なくとも含むことが好ましく、下記一般式（ＩＶ）で表される２価の炭化水素基を少なくとも含むことがより好ましい。
【００７９】
【化１１】
2020105517.tif 000012
【００８０】
【化１２】
2020105517.tif 000013
【００８１】
【化１３】
2020105517.tif 000014
【００８２】
【化１４】
2020105517.tif 000015
【００８３】
一般式（ＩＶ）におけるアダマンタン骨格の水素原子、一般式（Ｖ−１）におけるシクロヘキサン骨格の水素原子、一般式（Ｖ−２）におけるデカリン骨格の水素原子、及び一般式（Ｖ−３）におけるノルボルナン骨格の水素原子は、それぞれ炭化水素基、アミノ基、オキソ基、水酸基又はハロゲン原子で置換されていてもよい。
また、一般式（ＩＶ）及び一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）中、Ｚは、それぞれ独立に、単結合、又は、置換又は非置換の炭素数１〜１０の２価の飽和炭化水素基を表す。
柔軟な成形物が得られる観点からは、Ｚは、それぞれ独立に、置換又は非置換の炭素数１〜１０の２価の飽和炭化水素基であることが好ましく、耐熱性の観点から、Ｚは炭素数１〜５の２価の飽和炭化水素基であることが好ましい。また、高い硬度を得る観点からは、Ｚは単結合であることが好ましい。
【００８４】
Ｚで表される２価の飽和炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、メチルエチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、２−メチルトリメチレン基、エチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、ペンチレン基、１−メチルテトラメチレン基、２−メチルテトラメチレン基、１−エチルトリメチレン基、２−エチルトリメチレン基、１，１−ジメチルトリメチレン基、２，２−ジメチルトリメチレン基、１，２−ジメチルトリメチレン基、プロピルエチレン基、エチルメチルエチレン基、ヘキシレン基、１−メチルペンチレン基、２−メチルペンチレン基、３−メチルペンチレン基、１−エチルテトラメチレン基、２−エチルテトラメチレン基、１−プロピルトリメチレン基、２−プロピルトリメチレン基、ブチルエチレン基、１，１−ジメチルテトラメチレン基、２，２−ジメチルテトラメチレン基、１，２−ジメチルテトラメチレン基、１，３−ジメチルテトラメチレン基、１，４−ジメチルテトラメチレン基、１，２，３−トリメチルトリメチレン基、１，１，２−トリメチルトリメチレン基、１，１，３−トリメチルトリメチレン基、１，２，２−トリメチルトリメチレン基、１−エチル−１−メチルトリメチレン基、２−エチル−２−メチルトリメチレン基、１−エチル−２−メチルトリメチレン基、２−エチル−１−メチルトリメチレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デシレン基等が挙げられる。
【００８５】
Ｚで表される２価の飽和炭化水素基が有し得る置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアシル基等が挙げられる。
【００８６】
一般式（ＩＶ）で表される２価の炭化水素基は、下記一般式（ＩＶ−１）で表される２価の炭化水素基であってもよい。
一般式（Ｖ−１）で表される２価の炭化水素基は、下記一般式（ＶＩ−１）で表される２価の炭化水素基であってもよい。
一般式（Ｖ−２）で表される２価の炭化水素基は、下記一般式（ＶＩ−２）で表される２価の炭化水素基であってもよい。
一般式（Ｖ−３）で表される２価の炭化水素基は、下記一般式（ＶＩ−３）で表される２価の炭化水素基であってもよい。
【００８７】
【化１５】
2020105517.tif 000016
【００８８】
一般式（ＩＶ−１）、一般式（ＶＩ−１）、一般式（ＶＩ−２）及び一般式（ＶＩ−３）におけるＺは、一般式（ＩＶ）及び一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）におけるＺと同様のものが挙げられる。
【００８９】
ポリケトンは、Ｙとして、上記一般式（ＩＶ）で表される２価の炭化水素基と、上記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）からなる群より選択される少なくとも１つで表される２価の炭化水素基と、の両方を含むポリケトンであってもよい。ポリケトンが、Ｙとして、上記一般式（ＩＶ）で表される２価の炭化水素基と、上記一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）からなる群より選択される少なくとも１つで表される２価の炭化水素基と、の両方を含むとき、一般式（ＩＶ）で表される２価の炭化水素基の含有量と一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）で表される２価の炭化水素基の総含有量との質量比（（ＩＶ）：（Ｖ−１）〜（Ｖ−３））は特に限定されない。耐熱性及び伸び率の観点から、前記質量比は５：９５〜９５：５であることが好ましく、耐熱性及び溶解性の観点から、５：９５〜９０：１０であることがより好ましい。
【００９０】
本開示のポリケトンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、耐熱性を維持する観点から、ポリスチレン換算の標準ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー、ｇｅｌ  ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）で５００以上であることが好ましく、より高い耐熱性と、溶剤への溶解性の観点から、５，０００〜１，０００，０００であることがより好ましい。さらに高い耐熱性が必要な場合には、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜１，０００，０００であることがさらに好ましい。ポリケトンの重量平均分子量は実施例に記載の方法で測定した値をいう。
【００９１】
本開示のポリケトンの数平均分子量（Ｍｎ）は、耐熱性を維持する観点から、ポリスチレン換算の標準ＧＰＣで５００以上であることが好ましく、より高い耐熱分解性の観点から、１，０００〜１００，０００であることがより好ましく、２，０００〜７５，０００であることがさらに好ましい。ポリケトンの数平均分子量は、実施例に記載の方法で測定した値をいう。
【００９２】
本開示のポリケトンは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本開示のポリケトンと、他のポリケトンを併用してもよい。本開示のポリケトンと他のポリケトンを併用する場合、全ポリケトンに対する本開示のポリケトンの含有率は、破断伸びの観点から、５０質量％以上であることが好ましく、６０質量％以上であることがより好ましく、７０質量％以上であることがさらに好ましい。
【００９３】
〔ポリケトンの製造方法〕
本開示のポリケトンの製造方法は特に制限されず、例えば、一般式（ＩＩ）の構造単位を含むモノマとジカルボン酸とを酸性媒体中で縮合反応させる方法が挙げられる。好ましくは、下記一般式（ＩＩＡ）のモノマとジカルボン酸とを酸性媒体中で縮合反応させる方法が挙げられる。
【００９４】
【化１６】
2020105517.tif 000017
【００９５】
一般式（ＩＩＡ）中、Ｒ１は、主鎖に炭素原子及び酸素原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を２〜３０個有する２価の鎖状基を表す。Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が酸素原子である場合、当該酸素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは０〜４の整数を表す。Ｒ１のうち、芳香環に隣接する原子が炭素原子である場合、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の数を表すｘは１〜４の整数を表し、当該炭素原子に隣接する芳香環の置換基Ｒ２の少なくとも１つは電子供与性基を表す。
【００９６】
一般式（ＩＩＡ）中のＲ１、Ｒ２、及びｘの詳細は一般式（ＩＩ）中のＲ１、Ｒ２、及びｘの詳細をそれぞれ適用することができる。
【００９７】
一般式（ＩＩＡ）のモノマの具体例としては、１，２−ジフェノキシエタン、１，２−ビス（３−メチルフェノキシ）エタン、１，３−ビス（２−メトキシフェノキシ）−２−プロパノール、４−［（２Ｓ，３Ｒ）−４−（３，４−ジメトキシフェニル）−２，３−ジメチルブチル］−１，２−ジメトキシベンゼン等が挙げられる。
【００９８】
ジカルボン酸としては、炭素数１〜５０のジカルボン酸が挙げられる。なお、本開示においてジカルボン酸の炭素数にはカルボキシ基の炭素を含めないものとする。以下同様である。ジカルボン酸は、脂環骨格又は芳香環を含んでいることが好ましい。
【００９９】
ジカルボン酸としては、下記一般式（６Ａ）で表されるジカルボン酸が好ましい。
【０１００】
【化１７】
2020105517.tif 000018
【０１０１】
一般式（６Ａ）中、Ｙは炭素数１〜５０の２価の炭化水素基を表す。Ｙの詳細は一般式（Ｉ）におけるＹの詳細を適用することができる。
【０１０２】
ジカルボン酸の具体例としては、１，３−アダマンタンジカルボン酸、１，３−アダマンタン二酢酸、４，４’−ジカルボキシジフェニルエーテル、１，３−シクロヘキサンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、ドデカン二酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ジフェン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸等が挙げられる。
【０１０３】
縮合反応に用いる酸性媒体は特に限定されず、例えば、塩化アルミニウムの有機溶媒溶液、トリフルオロアルカンスルホン酸の有機溶媒溶液、ポリリン酸、及び五酸化二リンと有機スルホン酸との混合物を用いることができる。反応性と扱いやすさの観点から、酸性媒体には五酸化二リンと有機スルホン酸との混合物を用いることが好ましく、さらに、有機スルホン酸としてはメタンスルホン酸が好ましい。
【０１０４】
五酸化二リンと有機スルホン酸との混合比は、混合比の制御及び反応性の観点から、質量比で五酸化二リン：有機スルホン酸＝１：５〜１：２０であることが好ましく、１：５〜１：１０であることがより好ましい。五酸化二リンと有機スルホン酸との混合比が前記範囲内であると、反応性に優れる傾向にある。
【０１０５】
原料に対する酸性媒体の配合量は、特に限定されず、触媒量から溶媒量までの範囲で用いることができる。酸性媒体の配合量は、反応性と扱いやすさの観点から、ジカルボン酸の総量の１質量部に対して、５質量部〜１００質量部の範囲であることが好ましい。
【０１０６】
反応の温度は、反応生成物の着色及び副反応を防ぐ観点からは、１０℃〜１００℃であることが好ましく、反応速度を上げて生産性を向上する観点からは、２０℃〜１００℃であることがより好ましい。
【０１０７】
反応の雰囲気は特に限定されず、開放系で行うこともできる。水分が少ないと酸性媒体の反応性が向上する傾向にあることから、乾燥空気、窒素、アルゴン等を用いることが好ましい。想定外の副反応を防ぐ観点から、窒素又はアルゴンを用いることがより好ましい。
【０１０８】
反応液を撹拌することで、反応を促進することができる。撹拌方法は特に限定されず、マグネチックスターラ、メカニカルスターラ等の撹拌機を用いることができる。
【０１０９】
反応時間は特に限定されず、反応温度、目標とするポリケトンの分子量、反応に用いる原料の種類等によって適宜調整することができる。充分に分子量の高いポリケトンを得る観点から、反応時間は１時間〜１２０時間程度が好ましく、生産性の観点から、１時間〜７２時間がより好ましい。
【０１１０】
反応の圧力は特に限定されず、常圧下、加圧下、又は減圧下のいずれで行ってもよい。
コストの観点から、常圧下で反応を行うことが好ましい。
【０１１１】
反応を終えた後、反応液と貧溶媒を接触させてポリケトンを析出させ、不純物を貧溶媒相に抽出し、析出したポリケトンを濾過、デカンテーション、遠心分離等の方法で液体から分離することができる。さらにこの後、分離したポリケトンを再度良溶媒に溶解させ、再び貧溶媒と接触させてポリケトンを析出させ、不純物を貧溶媒相に抽出し、析出したポリケトンを濾過、デカンテーション、遠心分離等の方法で液体から分離する工程を繰り返してもよい。
【０１１２】
＜ヒドラジド化合物＞
本開示のポリケトン組成物はヒドラジド化合物を含有する。本開示のポリケトン組成物が上述のポリケトンと併せてヒドラジド化合物を含有すると、優れた破断伸びとともに良好な耐熱性を維持できる傾向にある。詳細な理由は明らかではないが、硬化剤としてヒドラジド化合物を用いると、架橋構造が安定化され、上記効果を良好に発揮すると推測される。上記効果は、例えば硬化剤としてアミン化合物を用いる場合と比較しても良好に発揮される傾向にある。
【０１１３】
ヒドラジド化合物は、分子中に２個以上のヒドラジド基を有することが好ましい。なかでも、ヒドラジド化合物は、分子中に２個〜６個のヒドラジド基を有することが好ましく、２個〜４個のヒドラジド基を有することがより好ましく、２個又は３個のヒドラジド基を有することがさらに好ましい。ヒドラジド基とは下記化学式(ＶＩＩ)で表される基を表す。
【０１１４】
【化１８】
2020105517.tif 000019
【０１１５】
ヒドラジド化合物としては、鎖状脂肪族ヒドラジド化合物を用いてもよく、脂環式ヒドラジド化合物を用いてもよく、芳香族ヒドラジド化合物を用いてもよい。耐熱性の観点からは、芳香族ヒドラジド化合物を用いることが好ましい。破断伸びをより良好なものとする観点からは、鎖状脂肪族ヒドラジド化合物を用いることが好ましい。
【０１１６】
本開示において、脂環式ヒドラジド化合物とは分子内に脂環構造を有するヒドラジド化合物をいう。芳香族ヒドラジド化合物とは分子内に芳香環を有するヒドラジド化合物をいう。鎖状脂肪族ヒドラジド化合物は分子内に脂環も芳香環も有しない鎖状脂肪族ヒドラジド化合物をいう。ヒドラジド化合物は、分子中に脂環及び芳香環の両方を有する化合物であってもよい。すなわち、ヒドラジド化合物は、脂環式ヒドラジド化合物と芳香族ヒドラジド化合物との両方に該当する化合物であってもよい。
【０１１７】
ヒドラジド化合物が鎖状脂肪族ヒドラジド化合物である場合、ヒドラジド化合物のヒドラジド基を除いた部分（以下、骨格部分ともいう）は、炭素数１〜３０の鎖状脂肪族炭化水素基であることが好ましく、炭素数１〜２０の鎖状脂肪族炭化水素基であることがより好ましく、炭素数１〜１０の鎖状脂肪族炭化水素基であることがさらに好ましい。また、鎖状脂肪族ヒドラジド化合物は、例えばシュウ酸ジヒドラジドのように骨格部分を有さない（つまり、ヒドラジド基が直接連結している）ヒドラジド化合物であってもよい。
鎖状脂肪族炭化水素基は直鎖状であっても分岐状であってもよく、直鎖状であることが好ましい。
鎖状脂肪族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。鎖状脂肪族炭化水素基が置換基を有する場合、置換基は特に限定されず、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアシル基等が挙げられる。なお、炭化水素基が置換基を有する場合、置換基に含まれる炭素数は、炭化水素基の炭素数に含まれないものとする。以下同様である。
鎖状脂肪族炭化水素基は不飽和結合を有していても有していなくてもよく、不飽和結合を有しないことが好ましい。
【０１１８】
ヒドラジド化合物が脂環式ヒドラジド化合物である場合、ヒドラジド化合物の骨格部分は、例えば、炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基であることが好ましく、炭素数３〜８の脂環式炭化水素基であることがより好ましく、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基であることがさらに好ましい。脂環式炭化水素基は、脂環構造を少なくとも一部に有している炭化水素基であり、脂環構造に加えて鎖状脂肪族炭化水素基を有していてもよい。
脂環式炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。脂環式炭化水素基が置換基を有する場合、置換基は特に限定されず、アルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアシル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基は不飽和結合を有していても有していなくてもよい。
【０１１９】
ヒドラジド化合物が芳香族ヒドラジド化合物である場合、ヒドラジド化合物の骨格部分は、例えば、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であることが好ましく、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基であることがより好ましく、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基であることがさらに好ましい。芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも一部に有している炭化水素基であり、芳香環に加えて鎖状脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、又はこれらの組合せを有していてもよい。
芳香族炭化水素基は置換基を有していても有していなくてもよい。芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、置換基は特に限定されず、アルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアシル基等が挙げられる。
【０１２０】
ヒドラジド化合物は、下記一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。
【０１２１】
【化１９】
2020105517.tif 000020
【０１２２】
式（ＶＩＩＩ）中、Ｗは炭化水素基を表し、ｎは２〜６の整数を表す。
Ｗで表される炭化水素基は前述の鎖状脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基であり、ｎは２〜４の整数であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。
【０１２３】
ヒドラジド化合物の具体例としては、例えば、シュウ酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラジド、グルタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、フタル酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド、マレイン酸ジヒドラジド、フマル酸ジヒドラジド、イタコン酸ジヒドラジドクエン酸トリヒドラジドが挙げられる。耐熱性の観点から、アジピン酸ジヒドラジド、及びイソフタル酸ジヒドラジドが好ましく、イソフタル酸ジヒドラジドがより好ましい。ヒドラジド化合物は、市販品であっても、公知の方法によって合成されたものであってもよい。
【０１２４】
ヒドラジド化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。ヒドラジド化合物の含有量は、ポリケトン組成物に含まれる全ポリケトン１００質量部に対して、１質量部〜５０質量部であることが好ましく、５質量部〜５０質量部であることがより好ましく、５質量部〜３０質量部であることがさらに好ましい。ヒドラジド化合物の含有量がポリケトン１００質量部に対して１質量部以上であると、良好な耐熱性を維持しやすい傾向にある。また、良好な透明性及び耐薬品性も得やすい傾向にある。ヒドラジド化合物の含有量がポリケトン１００質量部に対して５０質量部以下であると、耐熱性と破断伸びを良好に維持しやすい傾向にある。
【０１２５】
＜溶剤＞
ポリケトン組成物は、さらに溶剤を含有してもよい。溶剤は、各成分を溶解又は分散するものであれば特に制限されない。溶剤としては、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ブチル、酢酸ベンジル、ｎ−ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、３−メチルメトキシプロピオネート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、ジイソプロピルベンゼン、ヘキシルベンゼン、アニソール、ジグライム、ジメチルスルホキシド、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン等が挙げられる。溶剤は１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１２６】
ポリケトン組成物が溶剤を含有する場合、溶剤の含有量は、ポリケトン、ヒドラジド化合物、及び溶剤の合計量１００質量部に対して、５質量部〜９５質量部であることが好ましく、１０質量部〜９０質量部であることがより好ましい。
【０１２７】
＜その他の添加剤＞
ポリケトン組成物は、さらにその他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、接着助剤、界面活性剤、レベリング剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤等、摺動剤（ポリテトラフルオロエチレン粒子等）、光拡散剤（アクリル架橋粒子、シリコーン架橋粒子、極薄ガラスフレーク、炭酸カルシウム粒子等）、蛍光染料、無機系蛍光体（アルミン酸塩を母結晶とする蛍光体等）、帯電防止剤、結晶核剤、無機抗菌剤、有機抗菌剤、光触媒系防汚剤（酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子等）、架橋剤、硬化剤、反応促進剤、赤外線吸収剤（熱線吸収剤）、フォトクロミック剤などが挙げられる。
【０１２８】
≪ポリケトン硬化物≫
本開示のポリケトン硬化物は、本開示のポリケトン組成物の硬化物である。
ポリケトン硬化物は、例えば、以下の方法で作製することができる。まず、ポリケトン組成物を基材の表面の少なくとも一部に付与して組成物層を形成し、乾燥して組成物層から溶剤を除去した後又は溶剤の除去と共に硬化することで、本開示のポリケトン硬化物を作製することができる。ポリケトン組成物を基材に付与する方法としては、組成物層を基材上の任意の場所に任意の形状で形成可能な手法であれば特に限定されない。ポリケトン組成物を基材に付与する方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布法、スピンコート法、及びバーコート法が挙げられる。
【０１２９】
ポリケトン組成物を付与する基材は特に限定されず、ガラス、半導体、金属酸化物絶縁体（酸化チタン、酸化ケイ素等）、窒化ケイ素等の無機材料、トリアセチルセルロース、ポリイミド、ポリカルボナート、アクリル系ポリマー、シクロオレフィン樹脂などの樹脂で構成される基材を例示することができる。基材の形状は特に限定されず、板状又はフィルム状であってもよい。
【０１３０】
ポリケトン組成物が溶剤を含有する場合には、硬化前後に乾燥を行ってもよい。乾燥方法は特に限定されず、例えば、ホットプレート、オーブン等の装置を用いて熱処理する方法、自然乾燥する方法などが挙げられる。熱処理することで乾燥を行う条件は、ポリケトン組成物中の溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はなく、通常、５０℃〜２５０℃で、１分間〜１８０分間程度であってよい。
【０１３１】
ポリケトンを硬化する方法は特に制限されず、熱処理等により硬化することができる。熱処理による硬化は、箱型乾燥機、熱風式コンベアー型乾燥機、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等を用いて行なうことができる。
【０１３２】
硬化する際の雰囲気は、大気中、窒素等の不活性雰囲気中などのいずれを選択してもよく、ポリケトン組成物の酸化を防ぐ観点から、窒素雰囲気下で行なうことが好ましい。
硬化のための熱処理の温度及び時間は、組成条件、作業効率等を鑑みて、任意に設定でき、５０℃〜２５０℃で１分〜１８０分間程度であってもよい。
【０１３３】
必要に応じて、乾燥した本開示のポリケトン硬化物は、残存溶媒を除去するために、さらに熱処理してもよい。熱処理の方法は特に限定されず、箱型乾燥機、熱風式コンベアー型乾燥機、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉、真空乾燥機等を用いて行なうことができる。また、熱処理工程における雰囲気としては特に限定されず、大気中、窒素等の不活性雰囲気中などが挙げられる。熱処理を行う条件は、特に制限はなく、５０℃〜２５０℃で、１分間〜１８０分間程度であってもよい。
【０１３４】
ポリケトン硬化物を厚さ１０μｍとしたときのヘイズは、１％未満であることが好ましい。
また、ポリケトン硬化物の波長４００ｎｍの光の透過率は、膜厚１μｍ換算で８０％以上であることが好ましい。
【０１３５】
得られたポリケトン硬化物は、基材を付けたままポリケトン硬化物付基材として用いることもでき、必要に応じて、基材から剥がして用いることもできる。
ポリケトン硬化物付基材において、ポリケトン硬化物は、基材の表面の少なくとも一部に設けられていればよく、基材の一方の面のみに設けられても、両面に設けられてもよい。また、ポリケトン硬化物は、一層でも、二層以上が積層された複数層構造であってもよい。
【０１３６】
透明性の観点から、ポリケトン硬化物の、波長４００ｎｍの光の透過率（膜厚１μｍ換算）は８０％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９７％以上であることがさらに好ましい。波長４００ｎｍの光の透過率は、分光光度計（例えば、Ｖ−５７０、日本分光株式会社）を用いた紫外可視吸収スペクトル法により求めることができる。具体的には実施例に記載の方法によって求めることができる。
【０１３７】
耐熱性の観点からは、ポリケトン硬化物のガラス転移点は１４０℃以上であることが好ましく、１５０℃以上、１６０℃以上、１７０℃以上、１８０℃以上、１９０℃以上、２００℃以上、２１０℃以上、２２０℃以上、２３０℃以上等、高いほど好ましい。ガラス転移点の上限値は特に制限されず、例えば３００℃であってもよい。ガラス転移点は、粘弾性測定装置（例えば、ＲＳＡ−ＩＩ、レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社）を用いて、１Ｈｚ、２５℃〜３００℃の条件で測定したときの値とする。
【０１３８】
ポリケトン硬化物の破断伸び率は、７％以上であることが好ましく、９％以上であることがより好ましく、１１％以上であることがさらに好ましい。強度の低下を避ける観点からは、破断伸び率の上限値は、例えば２０％であってもよい。破断伸び率は、引張試験機（例えば、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ  ＥＺ−ＴＥＳＴ  ＥＺ−Ｓ、株式会社島津製作所製）を用いて、ポリケトン硬化物を５ｍｍ／分の速度で引張り試験を行うことによって求めることができる。
【０１３９】
ポリケトン硬化物の柔軟性は、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−１：１９９９に従ってマンドレル試験（円筒形マンドレル法）により求めることができる。実施例に記載の方法により求められる、クラックの発生しないマンドレルの最小直径は２ｍｍ以下であることが好ましい。
【０１４０】
≪光学素子及び画像表示装置≫
本開示の光学素子及び画像表示装置は、それぞれ本開示のポリケトン硬化物を有する。光学素子及び画像表示装置に適用されるポリケトン硬化物は、上述のように基材をつけたままポリケトン硬化物付基材として適用してもよい。また、基材が透明基材であれば、光学素子に好適に用いることができる。透明基材としては、トリアセチルセルロース、透明ポリイミド、ポリカルボナート、アクリル系ポリマー、シクロオレフィン樹脂等の樹脂で構成される基材を例示することができる。
【０１４１】
光学素子及び画像表示装置は、例えば、ポリケトン硬化物付基材における基材側を、粘着剤、接着剤等を介してＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＥＬＤ（エレクトロルミネッセンスディスプレイ）、有機ＥＬディスプレイ等の適用箇所に貼り付けて得ることができる。
【０１４２】
ポリケトン硬化物及びこれを用いた偏光板等の各種光学素子は、液晶表示装置等の各種画像表示装置に好ましく用いることができる。画像表示装置は、本開示のポリケトン硬化物を用いる以外は、従来の画像表示装置と同様の構成であってよい。画像表示装置が液晶表示装置である場合は、液晶セル、偏光板等の光学素子、及び必要に応じ照明システム（バックライト等）等の各構成部品を適宜に組み立てて駆動回路を組み込むことなどにより製造できる。液晶セルとしては、特に制限されず、ＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ）型、ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒ  ｔｗｉｓｔｅｄ  ｎｅｍａｔｉｃ）型、π型等の様々なタイプを使用できる。
【０１４３】
画像表示装置の用途としては、デスクトップパソコン、ノートパソコン、コピー機等のＯＡ機器、携帯電話、時計、デジタルカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯ゲーム機等の携帯機器、ビデオカメラ、テレビ、電子レンジ等の家庭用電気機器、バックモニター、カーナビゲーションシステム用モニター、カーオーディオ等の車載用機器、商業店舗用インフォメーション用モニター等の展示機器、監視用モニター等の警備機器、介護用モニター等の介護機器、医療用モニター等の医療機器などが挙げられる。
【実施例】
【０１４４】
以下、本開示の実施形態を実施例により具体的に説明するが、本開示の実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１４５】
＜ポリケトン組成物＞
以下の（Ａ）成分〜（Ｃ）成分を、表４及び表５に示される割合で配合し、５μｍ孔のＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）製のフィルターで濾過し、実施例及び比較例のポリケトン組成物を得た。表４及び表５中、括弧内の数値は、配合比（質量部）を表す。表５中、「−」はその成分を含有しないことを表す。表４及び表５中の各成分は、以下に示すものである。
【０１４６】
（Ａ）成分：ポリケトン
（合成例１）ポリケトンＰＫ−１の合成
モノマとして、１，２−ジフェノキシエタン１０ｍｍｏｌと４，４’−ジカルボキシビフェニルエーテル１０ｍｍｏｌが入ったフラスコに、五酸化二リン及びメタンスルホン酸の混合液（質量比１：１０）を３０ｍｌ加え、６０℃で撹拌した。反応後、内容物をメタノール５００ｍｌ中に投じ、生成した析出物を濾取した。得られた固体を蒸留水とメタノールで洗浄した後、乾燥し、ポリケトンＰＫ−１を得た。
得られたポリケトンＰＫ−１の重量平均分子量は１６，０００、数平均分子量は８，０００であった。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、後述の方法で測定し、算出したものである。
【０１４７】
（合成例２〜２２）ポリケトンＰＫ−２〜ＰＫ−２２の合成
モノマを表１〜表３に記載の各成分に変更した以外は、合成例１と同様にして、ポリケトンＰＫ−２〜ＰＫ−２２を得た。表１〜表３中の数値の単位はｍｍｏｌであり、空欄は該当する成分を使用しないことを表す。得られたポリケトンＰＫ−２〜ＰＫ−２２の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）をＰＫ−１と同様の方法で測定した。
【０１４８】
（合成例２３）ポリケトンＰＫ−２３の合成
モノマとして、１，２−ビス（２−メチルフェノキシ）エタン１０ｍｍｏｌと４，４’−ジカルボキシビフェニルエーテル５ｍｍｏｌと１，４−シクロヘキサンジカルボン酸５ｍｍｏｌとが入ったフラスコに、五酸化二リン及びメタンスルホン酸の混合液（質量比１：１０）を３０ｍｌ加え、６０℃で撹拌した。反応後、内容物をメタノール５００ｍｌ中に投じ、生成した析出物を濾取した。得られた固体を蒸留水とメタノールで洗浄した後、乾燥し、ポリケトンＰＫ−２３を得た。
得られたポリケトンＰＫ−２３の重量平均分子量は３８，０００、数平均分子量は９，９００であった。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ＰＫ−１と同様の方法で測定し、算出したものである。
【０１４９】
（合成例２４）ポリケトンＰＫ−２４の合成
モノマとして、１，３−ビス（２−フェニルフェノキシ）プロパン１０ｍｍｏｌと４，４’−ジカルボキシビフェニルエーテル５ｍｍｏｌと１，４−シクロヘキサンジカルボン酸５ｍｍｏｌとが入ったフラスコに、五酸化二リン及びメタンスルホン酸の混合液（質量比１：１０）を３０ｍｌ加え、６０℃で撹拌した。反応後、内容物をメタノール５００ｍｌ中に投じ、生成した析出物を濾取した。得られた固体を蒸留水とメタノールで洗浄した後、乾燥し、ポリケトンＰＫ−２４を得た。
得られたポリケトンＰＫ−２４の重量平均分子量は１６，０００、数平均分子量は４，８００であった。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ＰＫ−１と同様の方法で測定し、算出したものである。
【０１５０】
【表１】
2020105517.tif 000021
【０１５１】
【表２】
2020105517.tif 000022
【０１５２】
【表３】
2020105517.tif 000023
【０１５３】
（Ｂ）成分
Ｂ１：下記式（ＸＩ）で表される化合物
【化２０】
2020105517.tif 000024
【０１５４】
Ｂ２：下記式（ＸＩＩ）で表される化合物
【化２１】
2020105517.tif 000025
【０１５５】
Ｂ３：下記式（ＸＩＩＩ）で表される化合物
【化２２】
2020105517.tif 000026
【０１５６】
（Ｃ）成分：溶剤
Ｃ１：Ｎ−メチル−２−ピロリドンとジメチルスルホキシドの混合溶剤（質量比１：１）
【０１５７】
【表４】
2020105517.tif 000027
【０１５８】
【表５】
2020105517.tif 000028
【０１５９】
＜評価用サンプルの作製＞
得られたポリケトン組成物を用いて、以下の方法によりポリケトン硬化物を作製し、後述の評価用のサンプルを準備した。
【０１６０】
（１）透過率測定用サンプル
ガラス基板にポリケトン組成物をスピンコート法により塗布し、１２０℃に加熱したホットプレート上で３分間乾燥した。得られたガラス基板をイナートガスオーブン（光洋サーモシステム株式会社）を用いて窒素気流下、２００℃で１時間熱処理して、前記ガラス基板上に厚さ１０μｍのポリケトン硬化物を形成し、これを透過率測定用サンプルとした。
【０１６１】
（２）Ｔｇ、破断伸び率、及びマンドレル測定用サンプル
ポリケトン組成物をバーコート法によりガラス基板上に塗布し、（１）と同様に乾燥し、熱処理して、前記ガラス基板上に厚さ１０μｍのポリケトン硬化物を形成した。このポリケトン硬化物をガラス基板から剥がし、ポリケトン硬化物を得て、これをＴｇ、破断伸び率、及びマンドレル測定用サンプルとした。
【０１６２】
＜ポリケトンの分子量測定＞
ポリケトンの分子量（重量平均分子量及び数平均分子量）は、溶離液としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いて、ＧＰＣ法によって測定し、標準ポリスチレン換算にて求めた。詳細は次のとおりである。
【０１６３】
・装置名：Ｅｃｏｓｅｃ  ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ（東ソー株式会社）
・カラム：ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒｍｕｌｔｉｐｏｒｅ  ＨＺ−Ｍ（東ソー株式会社）・検出器：ＵＶ検出器、ＲＩ検出器併用
・流速：０．４ｍｌ／ｍｉｎ
【０１６４】
＜透過率測定＞
ポリケトン硬化物の波長４００ｎｍの光の透過率を、分光光度計（Ｖ−５７０、日本分光株式会社）を用いた紫外可視吸収スペクトル法によって測定した。ポリケトン硬化物を有さないガラス基板をリファレンスとして、膜厚１μｍに換算した硬化物の透過率を表６に示す。
【０１６５】
＜Ｔｇ測定＞
粘弾性測定装置（ＲＳＡ−ＩＩ、レオメトリック・サイエンティフィック・エフ・イー株式会社）を用いて、１Ｈｚ、２５℃〜３００℃の条件で、ポリケトン硬化物のＴｇを測定した。ｔａｎδのピークトップをＴｇと定義する。結果を表６に示す。
【０１６６】
＜破断伸び率測定＞
引張試験機（ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ  ＥＺ−ＴＥＳＴ  ＥＺ−Ｓ、株式会社島津製作所製）を用いて、ポリケトン硬化物を５ｍｍ／分の速度で引張り試験を行い、破断伸び率を測定した。その結果を表６に示す。
【０１６７】
＜柔軟性測定＞
ポリケトン硬化物をマンドレル試験（円筒形マンドレル法）により評価した。試験はＪＩＳ  Ｋ５６００−５−１：１９９９に従って行った。マンドレルの直径は２５ｍｍから２ｍｍまで変え、クラックの発生有無を目視で確認した。クラックの発生しないマンドレルの最小直径を表６に示す。
【０１６８】
【表６】
2020105517.tif 000029
【０１６９】
実施例のポリケトン組成物から得られるポリケトン硬化物は、高い破断伸び率を有することがわかる。また、実施例のポリケトン組成物から得られるポリケトン硬化物は、良好な透過率、Ｔｇ、及び柔軟性を有していることがわかる。
【０１７０】
また、特に、上記一般式（ＩＩ−３）において、Ｒ２が芳香環の２位で置換されている構造単位を含むポリケトンであるＰＫ−２３を用いたポリケトン組成物の場合、得られるポリケトン硬化物のＴｇは２８５℃であった（実施例２６）。