(57)【要約】【課題】第１被吸着体と第２被吸着体の両方を良好に静電チャックに吸着させる。【解決手段】被吸着体を吸着させる静電チャックシステムであって、前記被吸着体を吸着させる吸着面と、電極部と、を有し、前記電極部に電圧が印加されることによって前記被吸着体を前記吸着面に吸着させる静電チャックと、前記静電チャックによる前記被吸着体の吸着の際、吸着の起点を設定すると共に吸着の進行を所定の方向に誘導する吸着補助手段と、を備えることを特徴とする。【選択図】図５
2020021925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吸着体を吸着させる静電チャックシステムであって、
前記被吸着体を吸着させる吸着面と、電極部と、を有し、前記電極部に電圧が印加されることによって前記被吸着体を前記吸着面に吸着させる静電チャックと、
前記静電チャックによる前記被吸着体の吸着の際、吸着の起点を設定すると共に吸着の進行を所定の方向に誘導する吸着補助手段と、
を備えることを特徴とする静電チャックシステム。
【請求項２】
前記吸着補助手段は、
前記静電チャックに対し前記吸着面とは反対側に配置される磁力発生部であって、磁力の大きさが異なる複数の磁石を有する磁力発生部と、
前記磁力発生部を前記静電チャックに対して相対的に移動させ、前記磁力発生部と前記静電チャックとの間の前記吸着面に垂直な方向の距離を変更する駆動手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の静電チャックシステム。
【請求項３】
前記磁力発生部の前記複数の磁石は、前記静電チャックの吸着面に平行な面内に前記被吸着体の吸着を進行させる前記所定の方向に沿って並んで配置されることを特徴とする請求項２に記載の静電チャックシステム。
【請求項４】
前記吸着補助手段は、前記静電チャックによる前記被吸着体の吸着の際に、前記駆動手段によって前記磁力発生部を移動させて、前記複数の磁石のうち少なくとも一部の磁石によって生成された磁力により前記被吸着体の少なくとも一部を前記静電チャック側に引き寄せることによって、吸着起点を設定することを特徴とする請求項２又は３に記載の静電チャックシステム。
【請求項５】
前記磁力発生部は、前記被吸着体に磁力を印加可能な磁力印加位置と、前記被吸着体に磁力が実質的に印加されない退避位置との間で移動可能であることを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の静電チャックシステム。
【請求項６】
前記磁力印加位置は、
前記複数の磁石のうち磁力の大きさが最も大きい第１磁石によって生成された磁力のみが前記被吸着体の第１部分に印加される第１磁力印加位置と、
前記第１磁力印加位置より前記静電チャックに対する前記吸着面に垂直な方向の距離が近い第２磁力印加位置であって、前記複数の磁石のうち前記第１磁石の次に磁力が大きい第２磁石による磁力が前記被吸着体の第２部分に印加される第２磁力印加位置と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の静電チャックシステム。
【請求項７】
前記静電チャックによる前記被吸着体の吸着の際に、前記第１磁力印加位置で前記第１磁石の磁力によって前記被吸着体の前記第１部分を前記静電チャック側に引き寄せることで、吸着起点を設定することを特徴とする請求項６に記載の静電チャックシステム。
【請求項８】
前記磁力発生部は、前記第１磁力印加位置での前記吸着起点の設定に続き、前記第２磁力印加位置で前記第２磁石の磁力によって前記被吸着体の前記第２部分を前記静電チャック側に引き寄せることで、前記第１部分から前記第２部分へ吸着の進行を誘導することを特徴とする請求項７に記載の静電チャックシステム。
【請求項９】
基板にマスクを介して成膜を行う成膜装置であって、
第１被吸着体である基板と第２被吸着体であるマスクとを吸着させる静電チャックシステムを備え、
前記静電チャックシステムは、請求項１から８のいずれか一項に記載の静電チャックシステムであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
前記静電チャックシステムは、
前記基板を前記静電チャックに吸着させた後、前記静電チャックに吸着した前記基板をはさんで前記マスクを前記静電チャックに吸着させる際に、
前記吸着補助手段によって前記マスクの吸着起点を設定し、
前記吸着補助手段によって誘導される吸着進行方向に合わせて前記静電チャックによる前記マスクの吸着を進行させることを特徴とする請求項９に記載の成膜装置。
【請求項１１】
被吸着体を吸着させる方法であって、
静電チャックの電極部に第１電圧を印加して、第１被吸着体を前記静電チャックの吸着面に吸着させ第１吸着工程と、
前記電極部に前記第１電圧と同一又は異なる第２電圧を印加して、前記静電チャックに前記第１被吸着体をはさんで第２被吸着体を吸着させる第２吸着工程と、
を有し、
前記第２吸着工程は、
前記静電チャックに対し前記吸着面とは反対側に配置され、磁力の大きさが異なる複数の磁石を有する磁力発生部からの磁力によって、前記第２被吸着体の少なくとも一部を前記第１被吸着体側に引き寄せる吸引工程と、
前記吸引工程で引き寄せられた前記第２被吸着体を前記第１被吸着体に接触させつつ、前記電極部に前記第２電圧を印加して、前記第２被吸着体を吸着させる吸着工程と、
を有することを特徴とする吸着方法。
【請求項１２】
前記磁力発生部の前記複数の磁石は、前記静電チャックの吸着面に平行な面内に前記第２被吸着体の吸着を進行させる所定の方向に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項１１に記載の吸着方法。
【請求項１３】
前記吸引工程は、前記複数の磁石のうち少なくとも一部の磁石によって生成された磁力により前記第２被吸着体の少なくとも一部を前記第１被吸着体側に引き寄せることで、前記吸着工程での吸着起点を設定することを含む請求項１１又は１２に記載の吸着方法。
【請求項１４】
前記第２吸着工程は、前記静電チャックによる静電気力によって、前記静電チャックに前記第１被吸着体をはさんで前記第２被吸着体を吸着させることを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一項に記載の吸着方法。
【請求項１５】
前記磁力発生部は、前記第２被吸着体に磁力を印加可能な磁力印加位置と、前記第２被吸着体に磁力が実質的に印加されない退避位置との間で移動可能なことを特徴とする請求項１１から１４のいずれか一項に記載の吸着方法。
【請求項１６】
前記磁力印加位置は、
前記複数の磁石のうち磁力の大きさが最も大きい第１磁石によって生成された磁力のみが前記第２被吸着体の第１部分に印加される第１磁力印加位置と、
前記第１磁力印加位置より前記静電チャックに対する前記吸着面に垂直な方向の距離が近い第２磁力印加位置であって、前記複数の磁石のうち前記第１磁石の次に磁力が大きい第２磁石による磁力が前記第２被吸着体の第２部分に印加される第２磁力印加位置と、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の吸着方法。
【請求項１７】
前記吸引工程は、
前記磁力発生部を前記第１磁力印加位置に移動させ、前記第１磁石の磁力によって前記
第２被吸着体の前記第１部分を前記第１被吸着体側に引き寄せることで、前記吸着工程での吸着起点を設定することを含む請求項１６に記載の吸着方法。
【請求項１８】
前記吸引工程は、前記磁力発生部を前記第２磁力印加位置に移動させ、前記第２磁石の磁力によって前記第２被吸着体の前記第２部分を前記第１被吸着体側に引き寄せることで、前記第１部分から前記第２部分へ前記吸着工程での吸着の進行を誘導することを含む請求項１７に記載の吸着方法。
【請求項１９】
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
静電チャックの電極部に第１電圧を印加して、前記基板を前記静電チャックの吸着面に吸着させる第１吸着工程と、
前記電極部に前記第１電圧と同一又は異なる第２電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板をはさんで前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させて前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程と、
を有し、
前記第２吸着工程は、
前記静電チャックに対し前記吸着面とは反対側に配置され、磁力の大きさが異なる複数の磁石を有する磁力発生部からの磁力によって、前記マスクの少なくとも一部を前記基板側に引き寄せる吸引工程と、
前記吸引工程で引き寄せられた前記マスクを前記基板に接触させつつ、前記電極部に前記第２電圧を印加して、前記マスクを吸着させる吸着工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２０】
前記磁力発生部の前記複数の磁石は、前記静電チャックの吸着面に平行な面内に前記マスクの吸着を進行させる所定の方向に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項１９に記載の成膜方法。
【請求項２１】
前記磁力発生部は、前記マスクに磁力を印加可能な磁力印加位置と、前記マスクに磁力が実質的に印加されない退避位置との間で移動可能なことを特徴とする請求項１９又は２０に記載の成膜方法。
【請求項２２】
前記磁力印加位置は、
前記複数の磁石のうち磁力の大きさが最も大きい第１磁石によって生成された磁力のみが前記マスクの第１部分に印加される第１磁力印加位置と、
前記第１磁力印加位置より前記静電チャックに対する前記吸着面に垂直な方向の距離が近い第２磁力印加位置であって、前記複数の磁石のうち前記第１磁石の次に磁力が大きい第２磁石による磁力が前記マスクの第２部分に印加される第２磁力印加位置と、
を含むことを特徴とする請求項２１に記載の成膜方法。
【請求項２３】
前記吸引工程は、
前記磁力発生部を前記第１磁力印加位置に移動させ、前記第１磁石の磁力によって前記マスクの前記第１部分を前記基板側に引き寄せることで、前記吸着工程での吸着起点を設定することを含む請求項２２に記載の成膜方法。
【請求項２４】
前記吸引工程は、さらに、前記磁力発生部を前記第２磁力印加位置に移動させ、前記第２磁石の磁力によって前記マスクの前記第２部分を前記基板側に引き寄せることで、前記第１部分から前記第２部分へ前記吸着工程での吸着の進行を誘導することを含む請求項２
３に記載の成膜方法。
【請求項２５】
請求項１９から２４のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。
【０００３】
上向蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、蒸発源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着材料が蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度が低下する１つの要因となっている。上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においてもまた、基板の自重による撓みは生じる可能性がある。
【０００４】
基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。
【０００５】
特許文献１には静電チャックで基板及びマスクを吸着する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開公報２００７−００１０７２３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、従来の技術において、静電チャックで基板越しにマスクを吸着する場合、吸着後のマスクにしわが残ってしまう問題があった。
【０００８】
本発明は、基板やマスク等の複数の被吸着体（第１被吸着体と第２被吸着体）のそれぞれをしわが残らないように良好に静電チャックに吸着させることを目的にする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による静電チャックシステムは、
被吸着体を吸着させる静電チャックシステムであって、
前記被吸着体を吸着させる吸着面と、電極部と、を有し、前記電極部に電圧が印加されることによって前記被吸着体を前記吸着面に吸着させる静電チャックと、
前記静電チャックによる前記被吸着体の吸着の際、吸着の起点を設定すると共に吸着の進行を所定の方向に誘導する吸着補助手段と、
を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一実施形態による成膜装置は、
基板にマスクを介して成膜を行う成膜装置であって、
第１被吸着体である基板と第２被吸着体であるマスクとを吸着させる静電チャックシステムを備え、
前記静電チャックシステムは、上述の静電チャックシステムであることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一実施形態による吸着方法は、
被吸着体を吸着させる方法であって、
静電チャックの電極部に第１電圧を印加して、第１被吸着体を前記静電チャックの吸着面に吸着させる第１吸着工程と、
前記電極部に前記第１電圧と同一又は異なる第２電圧を印加して、前記静電チャックに前記第１被吸着体をはさんで第２被吸着体を吸着させる第２吸着工程と、
を有し、
前記第２吸着工程は、
前記静電チャックに対し前記吸着面とは反対側に配置され、磁力の大きさが異なる複数の磁石を有する磁力発生部からの磁力によって、前記第２被吸着体の少なくとも一部を前記第１被吸着体側に引き寄せる吸引工程と、
前記吸引工程で引き寄せられた前記第２被吸着体を前記第１被吸着体に接触させつつ、前記電極部に前記第２電圧を印加して、前記第２被吸着体を吸着させる吸着工程と、
を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一実施形態による成膜方法は、
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
静電チャックの電極部に第１電圧を印加して、前記基板を前記静電チャックの吸着面に吸着させる第１吸着工程と、
前記電極部に前記第１電圧と同一又は異なる第２電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板をはさんで前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させて前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程と、
を有し、
前記第２吸着工程は、
前記静電チャックに対し前記吸着面とは反対側に配置され、磁力の大きさが異なる複数の磁石を有する磁力発生部からの磁力によって、前記マスクの少なくとも一部を前記基板側に引き寄せる吸引工程と、
前記吸引工程で引き寄せられた前記マスクを前記基板に接触させつつ、前記電極部に前記第２電圧を印加して、前記マスクを吸着させる吸着工程と、
を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一実施形態による電子デバイスの製造方法は、前記成膜方法を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１被吸着体と第２被吸着体のそれぞれをしわが残らないように良好に静電チャックに吸着させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。
【図２】図２は、実施例１による成膜装置の模式図である。
【図３】図３は、実施例１による静電チャックシステムの構成ブロック図である。
【図４】図４は、実施例１による静電チャックの模式的平面図である。
【図５】図５は、実施例１による静電チャックのマスク吸着工程における、磁力発生部、静電チャック及びマスクの配置関係を模式的に示した図である。
【図６】図６は、基板の静電チャックへの吸着工程の順序を示す工程図である。
【図７】図７は、マスクの静電チャックへの吸着工程の順序を示す工程図である。
【図８】図８は、電子デバイスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１７】
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属等の任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミド等のフィルムが積層された基板であってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物等）等の任意の材料を選択してもよい。なお、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を備える
成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ素子、薄膜太陽電池）、光学部材等の製造装置に適用可能である。特に、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の１つである。
【００１８】
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、実施例１の電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
【００１９】
図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。
【００２０】
電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置１の間を繋ぐ中継装置と、を備える。
【００２１】
クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を備える。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１及びマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。
【００２２】
搬送室１３内には、基板及びマスクを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
【００２３】
成膜装置１１（蒸着装置とも呼ぶ）では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによっ
て加熱されて蒸発し、マスクを介して基板上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）等の一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。
【００２４】
マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、２つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。
【００２５】
クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に搬送するパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に搬送するためのバッファ室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の１つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の１つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファ室１６に搬送する。
【００２６】
バッファ室１６とパス室１５との間には、基板の向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファ室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｓの向きが同じになり、基板処理が容易になる。
【００２７】
パス室１５、バッファ室１６、旋回室１７は、クラスタ装置１間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置１の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室１５、バッファ室１６、旋回室１７のうち少なくとも１つを備える。
【００２８】
成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファ室１６、旋回室１７等は、有機ＥＬ素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。
【００２９】
実施例１では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバを有してもよく、これらの装置やチャンバ間の配置が異なってもよい。
【００３０】
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。
【００３１】
＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。
【００３２】
成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、蒸発源２５と、を備える。
【００３３】
基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来る基板Ｓを受け取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。
【００３４】
基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３が設けられる。マスク支持
ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来るマスクＭを受け取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
【００３５】
マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するために使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Fine Metal Mask）とも呼ばれる。
【００３６】
基板支持ユニット２２の上方には、基板を静電引力によって吸着し固定するための静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極等の電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。静電チャック２４がグラジエント力タイプの場合、基板Ｓが絶縁性基板であっても、静電チャック２４によって良好に吸着することができる。静電チャック２４がクーロン力タイプの場合、金属電極にプラス（＋）及びマイナス（−）の電圧が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板Ｓ等の被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これら間の静電引力によって基板Ｓが静電チャック２４に吸着固定される。静電チャック２４は、１つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、１つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を備え、１つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもよい。
【００３７】
実施例１では、このような静電チャック２４を利用し、基板Ｓ（第１被吸着体）だけでなく、基板Ｓの下部に位置するマスクＭ（第２被吸着体）をも吸着し保持する。
【００３８】
詳細には、実施例１では、静電チャック２４に印加される電圧を制御して鉛直方向の下側に置かれた基板Ｓ（第１被吸着体）を先に静電チャック２４で吸着及び保持する。その後、基板Ｓ（第１被吸着体）が吸着した静電チャック２４に対して、印加される電圧を再び制御することによって、基板Ｓの下側（基板Ｓを挟んで静電チャック２４と反対側）に位置するマスクＭ（第２被吸着体）も静電チャック２４を使って基板Ｓ（第１被吸着体）越しにさらに吸着し保持する。
【００３９】
このように静電チャック２４を使用し基板Ｓ越しにマスクＭを吸着する工程において、マグネット等の磁力発生手段を併用する。具体的には、静電チャック２４の上方（吸着面とは反対側）に磁力発生手段としての磁力発生部３３を設置し、静電チャック２４でマスクＭを基板Ｓ越しに吸着する際に、マスクＭの一部を磁力発生部３３によって引き寄せ、引き寄せられたマスクＭの一部が静電チャック２４による吸着の起点となるようにする。また、このような吸着起点の設定に加え、静電チャック２４の上方に位置する磁力発生部３３の駆動制御によって静電チャック２４に対するマスクＭの吸着進行方向も共に誘導制御する。これについては、図５、図７を参照して後述する。
【００４０】
図２には示さなかったが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。
【００４１】
蒸発源２５は、基板Ｓに成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ（不図示）等を備える。蒸発源２５は、点蒸発源や線形蒸発源等、用途に従って多様な構成を有することができる。
【００４２】
図２には示さなかったが、成膜装置１１は、基板Ｓに蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を備える。
【００４３】
真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９等が設けられる。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、又はモータとリニアガイド等で構成される。基板Ｚアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。
【００４４】
実施例１において、成膜装置１１は、磁力発生部３３を磁力印加位置と退避位置との間で昇降させるための駆動機構３５を備える。駆動機構３５は、磁力発生部３３を静電チャック２４に対して相対的に移動させ、磁力発生部３３と静電チャック２４との間の、静電チャック２４の吸着面に垂直な方向（Ｚ方向）の距離を変更する。後述するように、駆動機構３５が磁力発生部３３をＺ方向に駆動して磁力印加位置と退避位置との間で昇降させることにより、静電チャック２４によるマスクＭの吸着の際、吸着の基点を設定すると共に、吸着の進行を所定の方向（実施例１ではＸ方向）に誘導する吸着補助手段が実現される。
【００４５】
位置調整機構２９は、静電チャック２４のアライメントのための駆動手段である。位置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。なお、実施例１では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。
【００４６】
真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０を設置してもよい。実施例１においては、アライメント用カメラ２０は、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対角線に対応する位置又は、矩形の４つのコーナー部に対応する位置に設置してもよい。
【００４７】
実施例１の成膜装置１１に設置されるアライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度のカメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くかつ低解像度のラフアライメント用カメラを有してもよい。
【００４８】
位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ（第１被吸着体）及びマスクＭ（第２被吸着体）の位置情報に基づいて、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。
【００４９】
成膜装置１１は、制御部（不図示）を備える。制御部は、基板Ｓの搬送及びアライメント、蒸発源２５の制御、成膜の制御等の機能を有する。制御部は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏ等を持つコンピュータによって構成可能である。この場合、制御部の機能はメモリ又はストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを使用してもよく、組込み型のコンピュータ又はＰＬＣ（Programmable Logic Controller）を使用
してもよい。制御部の機能の一部又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置毎に制御部が設置されていてもよく、１つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
【００５０】
＜静電チャックシステム＞
図３から図５を参照して実施例１による静電チャックシステム３０について説明する。
【００５１】
図３は、実施例１の静電チャックシステム３０の概念的なブロック図であり、図４は、静電チャック２４の模式的な平面図である。
【００５２】
実施例１の静電チャックシステム３０は、図３に示したように、静電チャック２４と、電圧印加部３１と、電圧制御部３２と、磁力発生部３３と、駆動手段３５と、を備える。
【００５３】
電圧印加部３１は、静電チャック２４の複数の電極部２４１〜２４９に静電引力を発生させるための電圧を印加する。
【００５４】
電圧制御部３２は、静電チャックシステム３０の吸着工程又は成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電圧印加部３１から複数の電極部に加える電圧の大きさ、電圧の印加開始タイミング、電圧の維持時間、電圧の印加順序等を制御する。電圧制御部３２は、静電チャック２４の複数の電極部２４１〜２４９への電圧印加を電極部毎に独立に制御することができる。実施例１では、電圧制御部３２が成膜装置１１の制御部とは別に構成されるが、本発明はこれに限定されず、電圧制御部３２は成膜装置１１の制御部に統合されてもよい。
【００５５】
静電チャック２４は、吸着面に被吸着体（例えば、基板Ｓ、マスクＭ）を吸着させるための静電引力を発生させる複数の電極部２４１〜２４９を備える。実施例１の静電チャック２４は、図４に示したように、静電チャック２４の長手方向（Ｙ方向）及び／又は短手方向（Ｘ方向）に沿って、複数の電極部２４１〜２４９を備える。
【００５６】
複数の電極部２４１〜２４９の各々は、静電引力を発生させるためにプラス（第１極性）及びマイナス（第２極性）の電圧が印加される電極対３４を備える。各電極対３４は、プラス電圧が印加される第１電極３４１と、マイナス電圧が印加される第２電極３４２と、を備える。
【００５７】
第１電極３４１及び第２電極３４２は、図４に示したように、それぞれ櫛形状を有する。第１電極３４１及び第２電極３４２は、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部と、を備える。第１電極３４１及び第２電極３４２の基部は櫛歯部に電圧を供給し、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電引力を生じさせる。１つの電極部において、第１電極３４１の櫛歯部の各歯と第２電極３４２の櫛歯部の各歯は交互に配置され互いに対向する。このように、第１電極３４１及び第２電極３４２の各櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、異なる電圧が印加される電極間の間隔を狭くすることができ、大きな不平等電界を形成し、グラジエント力によって基板Ｓを吸着することができる。
【００５８】
実施例１においては、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９の各々の第１電極３４１及び第２電極３４２が櫛形状を有する例を説明したが、本発明はそれに限定されず、被吸着体との間で静電引力を発生させることができる限り、多様な形状を持つことができる。
【００５９】
実施例１の静電チャック２４の複数の電極部は、複数の吸着部として機能する。実施例
１の静電チャック２４は、図４に示したように、９つの電極部２４１〜２４９に対応する９つの吸着部を有するが、吸着部の個数はこれに限定されず、基板Ｓの吸着の制御に要求される精度に応じて種々の個数に設定できる。
【００６０】
実施例１の静電チャック２４の吸着部は、静電チャック２４の長手方向（Ｙ軸方向）及び短手方向（Ｘ軸方向）に複数設けられるが、これに限定されず、静電チャック２４の長手方向又は短手方向のみ複数設けられてもよい。複数の吸着部は、物理的に１つのプレートが複数の電極部を持つことで構成されてもよく、物理的に分割された複数のプレートそれぞれが１つ又はそれ以上の電極部を持つことで構成されてもよい。例えば、図４に示した実施例１において、複数の電極部の各々が複数の吸着部の各々に対応するように構成されてもよく、いくつかの電極部が１つの吸着部に対応するように構成されてもよい。
【００６１】
例えば、電圧制御部３２による電極部２４１〜２４９への電圧の印加を制御することで、後述するように、基板Ｓの吸着進行方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に配置された３つの電極部２４１、２４４、２４７が１つの吸着部に対応するようにすることができる。すなわち、３つの電極部２４１、２４４、２４７は、それぞれ独立に電圧制御が可能であるが、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７に同じ電圧が印加されるように制御することで、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７が１つの吸着部として機能するようにすることができる。複数の吸着部それぞれにおいて独立に基板の吸着が行われるという機能を実現するための具体的な物理的構造及び電気回路的構造は実施例１の構成に限られない。
【００６２】
＜磁力発生部＞
実施例１の静電チャックシステム３０は、静電チャック２４で被吸着体、例えば、マスクＭを基板Ｓ越しに吸着するとき、静電チャック２４による吸着の起点を設定し、また、吸着の進行方向を誘導制御するために、静電チャック２４の上方（吸着面とは反対側）に配置される磁力発生部３３を備える。
【００６３】
図５は、静電チャック２４によるマスクＭ吸着工程における磁力発生部３３の役割を説明するための図であり、吸着工程における磁力発生部３３、静電チャック２４、被吸着体としてのマスクＭ等の配置関係を模式的に示している。第１被吸着体である基板Ｓは、後述する電圧制御によってすでに静電チャック２４に吸着している状態を示している。
【００６４】
静電チャック２４の上方に配置される磁力発生部３３は、磁力の大きさが異なる複数のマグネットからなるマグネットユニットで構成される。図５の例では、磁力発生部３３は、磁力の大きさが異なる３つ磁石（強い磁力の第１磁石３３−１、中間的な磁力の第２磁石３３−２、弱い磁力の第３磁石３３−３）が、静電チャック２４の上方で静電チャック２４の吸着面に平行な面に沿ってマスクＭの吸着の進行方向に沿って並んで配置されている。白色の矢印Ａ，Ｂ，Ｃは、第１磁石３３−１、第２磁石３３−２、第３磁石３３−３それぞれの磁力の大きさを模式的に表しており、各磁石による磁力が及ぶ範囲を矢印の長さで表現している。
【００６５】
静電チャック２４によるマスクＭの吸着工程では、図５（ａ）から図５（ｃ）の順に、磁力発生部３３が下方へ順次移動しながら吸着が行われる。
【００６６】
磁力発生部３３は、マスクＭに磁力を印加可能な位置である磁力印加位置と、磁力印加位置よりマスクＭから離れた退避位置（マスクＭを吸引できないほどの小さい磁力が作用するか、実質的に磁力が作用しない位置）との間を駆動機構３５によって移動可能に設置される。
【００６７】
まず、駆動機構３５によって磁力発生部３３が退避位置からマスクＭに磁力を印加できる最初の位置（第１磁力印加位置ｈ１）まで下降した図５（ａ）の状態では、白色の矢印Ａで示したように、第１磁石３３−１による強い磁力だけがマスクＭの一端側に作用し、残りの第２磁石３３−２、第３磁石３３−３による磁力はマスクＭに及ばない。よって、磁力が及ぶ第１磁石３３−１側のマスクＭの一端が、基板Ｓが吸着された静電チャック２４側に磁力によって引き寄せられる。この磁力発生部３３の駆動制御に合わせて、静電チャック２４に対し、マスクＭを基板Ｓ越しに吸着可能な電圧を印加すると、磁力によって静電チャック２４側に引き寄せられた上記マスクＭの一端側において一番先に吸着が開始する。つまり、磁力発生部３３の駆動制御により、静電チャック２４によるマスクＭの吸着の起点が設定される。
【００６８】
こうして、吸着の起点が設定され該当起点でまずマスクＭの吸着が行われると、静電チャック２４にマスク吸着電圧が印加されている状態では、マスクＭにおける吸着起点に隣接した部位へと自然に吸着が進行していくことになる。
【００６９】
しかしながら、実施例１では、吸着起点が設定された図５（ａ）の状態から、駆動機構３５によって磁力発生部３３を静電チャック２４に向かって下降させることにより、吸着の進行方向をより積極的に、かつ、精密に誘導制御する。
【００７０】
具体的には、駆動機構３５によって、第２磁石３３−２の磁力がマスクＭに作用する第２磁力印加位置ｈ２まで磁力発生部３３を下降させると（図５（ｂ））、マスクＭの第１磁石３３−１側の一端から第２磁石３３−２に対応する部分まで磁力によって静電チャック２４側に引き寄せられる。引き続き、駆動機構３５によって、第３磁石３３−３の磁力がマスクＭの他端側に及ぶ第３磁力印加位置ｈ３まで磁力発生部３３を下降させると（図５（ｃ））、マスクＭの第１磁石３３−１側の一端から他端側まで磁力によって静電チャック２４側に引き寄せられる。マスクＭを吸着可能な電圧が静電チャック２４に印加された状態で、駆動機構３５によって、このような磁力発生部３３の下降を行うことによって、静電チャック２４に対するマスクＭの吸着進行方向をより確実かつ精密に制御することができ、マスクＭ吸着時にマスクにしわが生じることを抑制することができる。
【００７１】
実施例１においては、基板Ｓは非磁性体で構成されマスクＭが磁性体で構成されているため、マスクＭの引き寄せ動作のために複数の磁石の一部を磁力がマスクＭに作用する状態とした場合に基板Ｓの全体に磁気回路が形成されることがなく、磁力が作用する位置にあるマスクＭの一部分を磁力によって引き寄せることができる。また、マスクＭの一部分を引き寄せるために静電チャック２４に印加する電圧を操作する必要がないため、すでに静電チャック２４に吸着している基板Ｓの吸着状態に影響を及ぼすことなくマスクＭの引き寄せ動作を行うことができる。さらに、磁力発生部３３による吸引力は静電チャック２４による静電気的な吸引力よりも遠くまで作用させることが容易であるため、マスクＭの引き寄せ動作を効果的に行うことができる。
【００７２】
磁力発生部３３としてのマグネットユニットを構成する複数の磁石の数、静電チャック２４の吸着面に平行な面内での複数の磁石の配置形態は、実施例１の構成に限定されない。例えば、マグネットユニットを構成する複数の磁石は、静電チャック２４の吸着面に平行な面内で、静電チャック２４の長辺方向（第２方向）に沿って配列されてもよく、対角方向に配列されてもよい。
【００７３】
＜静電チャックシステムによる吸着方法＞
以下、図６及び図７を参照して、静電チャック２４に基板Ｓ及びマスクＭを吸着する方法について説明する。
【００７４】
図６は、静電チャック２４に基板Ｓを吸着する工程（第１吸着工程）を示す。
【００７５】
実施例１においては、静電チャック２４の下面に基板Ｓの全面が同時に吸着するのではなく、静電チャック２４の第１辺（短辺）に沿って一端から他端に向かって順次に吸着が進行する。ただし、本発明はこれに限定されず、例えば、静電チャック２４の対角線上の１つの角からこれと反対側の他の角に向かって基板Ｓの吸着が進行してもよい。
【００７６】
静電チャック２４の第１辺に沿って基板Ｓが順次に吸着されるようにするために、複数の電極部２４１〜２４９に基板吸着のための第１電圧を静電チャック２４の第１辺に沿った方向で順次印加するよう制御してもよいし、静電チャック２４の第１辺に沿って静電チャック２４と基板Ｓとの距離が漸増する状態で基板支持ユニット２２が基板Ｓを支持するように基板支持ユニット２２の構造や基板支持ユニット２２を構成する弾性部材の弾性係数を設定すると共に、複数の電極部２４１〜２４９に第１電圧を印加するタイミングは同時となるように制御してもよい。
【００７７】
図６は、静電チャック２４の複数の電極部２４１〜２４９に印加する電圧の制御によって、基板Ｓを静電チャック２４に順次に吸着させる例を示す。静電チャック２４の長辺方向（Ｙ方向）に沿って配置される３つの電極部２４１、２４４、２４７が第１吸着部４１として機能し、静電チャック２４の中央部の３つの電極部２４２、２４５、２４８が第２吸着部４２として機能し、残り３つの電極部２４３、２４６、２４９が第３吸着部４３として機能する。
【００７８】
まず、図６（ａ）に示したように、成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入され、基板支持ユニット２２の支持部に載置される。これにより、基板Ｓは基板支持ユニット２２によって支持される。
【００７９】
続いて、静電チャック２４が下降し、基板支持ユニット２２の支持部に支持された基板Ｓに向かって移動する。
【００８０】
静電チャック２４が基板Ｓに十分に近接し又は接触すると、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１辺（短手）に沿って第１吸着部４１を構成する電極部から第３吸着部４３を構成する電極部への順番で順次に第１電圧Ｖ１が印加されるよう制御する。
【００８１】
すなわち、まず第１吸着部４１を構成する電極部に第１電圧が印加され（図６（ｂ））、次いで、第２吸着部４２を構成する電極部に第１電圧が印加され（図６（ｃ））、最終的に第３吸着部４３を構成する電極部に第１電圧が印加されるように制御する（図６（ｄ））。
【００８２】
第１電圧Ｖ１は、基板Ｓを静電チャック２４に確実に吸着させるために十分な大きさの電圧に設定される。
【００８３】
これにより、基板Ｓの静電チャック２４への吸着は、基板Ｓの第１吸着部４１に対応する側から基板Ｓの中央部を経て、第３吸着部４３に対応する側に向かって進行していき（すなわち、Ｘ方向に基板Ｓの吸着が進行していき）、基板Ｓは、中央部にしわが残らず、平らに静電チャック２４に吸着する（第１吸着工程）。
【００８４】
基板Ｓの静電チャック２４への吸着工程（第１吸着工程）が完了した後の所定の時点で、電圧制御部３２は、図６（ｅ）に示したように、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９に印加する電圧を、第１電圧Ｖ１から第１電圧Ｖ１より小さい第２電圧Ｖ２に下げる。
【００８５】
第２電圧Ｖ２は、基板Ｓが静電チャック２４に吸着された状態に維持するための吸着維持電圧であり、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる際に印加した第１電圧Ｖ１より低い電圧である。静電チャック２４に印加される電圧が第２電圧Ｖ２に下がると、基板Ｓに誘導される分極電荷量も、図６（ｅ）に示したように、第１電圧Ｖ１が加えられた場合に比べて減少するが、基板Ｓが一旦第１電圧Ｖ１によって静電チャック２４に吸着された後は、第１電圧Ｖ１より低い第２電圧Ｖ２を印加することで基板Ｓが静電チャック２４に吸着された状態を維持することができる。
【００８６】
このように、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９に印加される電圧を第２電圧Ｖ２に下げた後、静電チャック２４に吸着した基板Ｓとマスク支持ユニット２３に支持されたマスクＭの相対位置を調整（アライメント）する。
【００８７】
静電チャック２４による基板Ｓの吸着の開始から基板Ｓのアライメントまでの間は、磁力発生部３３は退避位置に保持しておいてもよい。これにより、磁力発生部３３からの磁力をマスクＭに実質的に作用させず、マスクＭを引き寄せない状態で、基板Ｓの吸着やアライメントを行うことができる。
【００８８】
続いて、図７に示したように、静電チャック２４に基板Ｓを介してマスクＭを吸着させる。つまり、静電チャック２４に吸着した基板Ｓの下面にマスクＭを吸着させることにより、基板Ｓ越しにマスクＭを静電チャック２４に吸着させる。
【００８９】
このため、まず、基板Ｓが吸着された静電チャック２４を静電チャックＺアクチュエータ２８によりマスクＭに向かって下降させる。静電チャック２４は、静電チャック２４に印加された吸着保持電圧（第２電圧Ｖ２）による静電引力がマスクＭに作用しない限界位置まで下降する（図７（ａ））。
【００９０】
静電チャック２４が限界位置まで下降した状態で、駆動機構３５によって、磁力発生部３３が退避位置ｈ０から下降し、磁力発生部３３の強い磁力の第１磁石３３−１の磁力がマスクＭに及ぶ第１磁力印加位置ｈ１に移動する（図７（ｂ））。駆動機構３５によって、磁力発生部３３が第１磁力印加位置ｈ１に移動すると、第１磁石３３−１による磁力によってマスクＭに対応する一端側が上方に引き寄せられる。これにより、以降行われるマスクＭの静電チャック２４への吸着の起点が設定される（吸引工程）。
【００９１】
こうして、マスクＭの一端側が磁力発生部３３の磁力によって吸引されて吸着の起点が設定された状態で、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１吸着部４１に対応する電極部２４１、２４４、２４７に第３電圧Ｖ３が印加されるよう制御する（図７（ｃ））。
【００９２】
第３電圧Ｖ３は、第２電圧Ｖ２より大きく、基板Ｓ越しにマスクＭが静電誘導によって帯電できる程度の大きさであることが好ましい。これによって、基板Ｓ越しにマスクＭが静電チャック２４に吸着される。特に、磁力発生部３３によって形成されたマスクＭの吸着起点においてマスクＭが静電チャック２４に最も近いため、この部分がまず静電チャック２４に吸着される。
【００９３】
ただし、本発明はこれに限定されず、第３電圧Ｖ３は、第２電圧Ｖ２と同じ大きさでもよい。第３電圧Ｖ３が第２電圧Ｖ２と同じ大きさでも、前述した通り、静電チャック２４の限界位置までの下降及び磁力発生部３３によるマスクＭの吸引によって、静電チャック２４又は基板ＳとマスクＭと間の相対的な距離が縮まるので、基板Ｓに静電誘導された分極電荷によってマスクＭにも静電誘導を起こすことができ、基板Ｓ越しにマスクＭが静電チャック２４に吸着できる程度の静電引力が得られる。
【００９４】
第３電圧Ｖ３は、第１電圧Ｖ１より小さくしてもよく、工程時間（Ｔａｃｔ）の短縮を考慮して第１電圧Ｖ１と同じ程度の大きさにしてもよい。
【００９５】
磁力発生部３３によってマスクＭを吸引し、電圧制御部３２によって静電チャック２４の電極部２４１〜２４９に所定の電圧を印加した後、基板Ｓが吸着された静電チャック２４を静電チャックＺアクチュエータ２８によりマスクＭに向かってさらに下降させてもよい。これにより、基板ＳとマスクＭとの間の相対的な距離を短縮し、マスクＭの吸着を促進することができる。このとき、静電チャック２４と共に磁力発生部３３をさらに下降させてもよい。
【００９６】
続いて、駆動機構３５によって、磁力発生部３３を静電チャック２４に向かって、第２磁力印加位置ｈ２、第３磁力印加位置ｈ３に順次下降させる。
【００９７】
磁力発生部３３が第２磁力印加位置ｈ２、第３磁力印加位置ｈ３に順次下降するにつれ、第２磁石３３−２の位置に対応するマスクＭの中央部、及び第３磁石３３−３の位置に対応するマスクＭの他端部が、順次に静電チャック２４側に引き寄せられる（図７（ｄ）、図７（ｅ））。
【００９８】
駆動機構３５による磁力発生部３３の下降移動に合わせて、電圧制御部３２は、第３電圧Ｖ３を静電チャック２４のマスクＭ吸引位置に対応する第２吸着部４２を構成する電極部２４２、２４５、２４８、第３吸着部４３を構成する電極部２４３、２４６、２４９に順次に印加する。
【００９９】
つまり、磁力発生部３３が駆動機構３５によって第２磁力印加位置ｈ２に移動すると、磁力発生部３３の第２磁石３３−２の位置に対応する静電チャック２４の第２吸着部４２を構成する電極部に第３電圧Ｖ３が印加され（図７（ｄ））、磁力発生部３３が駆動機構３５によって第３磁力印加位置ｈ３まで下降すると、磁力発生部３３の第３磁石３３−３の位置に対応する静電チャック２４の第３吸着部４３を構成する電極部に第３電圧Ｖ３が印加されるように制御する（図７（ｅ））。
【０１００】
これにより、マスクＭの静電チャック２４への吸着は、マスクＭの吸着の起点となるマスクＭの第１吸着部４１に対応する側から、マスクＭの中央部を経て、第３吸着部４３側に向かって進行し（所定の方向（Ｘ方向）にマスクＭの吸着が進行し）、マスクＭは、中央部にしわが残らずに、平らに静電チャック２４に吸着する（第２吸着工程）。
【０１０１】
本発明は、図７に示した実施例１に限定されず、例えば、第３電圧Ｖ３を静電チャック２４全体にわたって同時に印加してもよい。すでに磁力発生部３３の第１磁石３３−１によってマスクＭの吸着起点が設定されているので、静電チャック２４全体に同時に第３電圧Ｖ３が印加されても、静電チャック２４に最も近いマスクＭの吸着の起点で一番先に吸着が行われ、続いて、磁力発生部３３が静電チャック２４に向かって順次下降移動するにつれ、対応する位置のマスクＭの部分が磁力発生部３３によって順次吸引されるので、マスクＭの吸着が第１辺に沿って順次に行われ、吸着が完了したマスクＭにしわが残ることを抑制できる。
【０１０２】
このようにして、マスクＭの全体が静電チャック２４の静電引力によって基板Ｓをはさんで静電チャック２４に吸着した後に、磁力発生部３３を退避位置ｈ０に上昇させ、磁力発生部３３によってマスクＭに作用する磁力を低下させる（図７（ｆ））。磁力発生部３３を退避位置ｈ０に上昇させてマスクＭに作用する磁力を低下させても、マスクＭは静電チャック２４による静電引力によって安定して吸着状態を維持することができる。
【０１０３】
本発明はこれに限定されず、磁力発生部３３は、マスクＭの吸着の起点が静電チャック２４の静電引力によって吸着した後であれば、任意のタイミングで退避位置に上昇させてもよい。また、マスクＭ全体が静電チャック２４の静電引力によって基板Ｓをはさんで静電チャック２４に吸着した後も、磁力発生部３３を退避位置に移動させず、磁力印加位置に配置したままにしてもよい。
【０１０４】
上述した実施例１によると、磁力発生部３３は、静電チャック２４の吸着面に平行な面内をマスクＭを吸着させる方向に沿って複数の区画に分割するように配置された複数の磁力の大きさが異なる磁石で構成される。マスクＭを基板Ｓ越しに静電チャック２４に吸着させるマスク吸着工程において、磁力発生部３３の発生する磁力によってマスクＭの一部を吸引してマスクＭの吸着の起点を形成する。マスクＭのうち磁力によって吸引される位置がマスクＭの吸着方向に沿って順次移動するように、磁力発生部３３を、複数の磁石それぞれの磁力がマスクＭに対し引き寄せる効果を及ぼし得る位置である磁力印加位置に、順次移動させながら、静電チャック２４にマスク吸着電圧を印加する。設定された吸着起点からマスクＭが静電チャック２４に順次に吸着される。これにより、しわを残さず、マスクＭを基板Ｓ越しに静電チャック２４に吸着させることができる。
【０１０５】
＜成膜プロセス＞
以下、実施例１による吸着方法を採用した成膜方法について説明する。
【０１０６】
真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが載置された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入される。
【０１０７】
真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが基板Ｓを基板支持ユニット２２の支持部に載置する。
【０１０８】
続いて、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降し、基板Ｓに十分に近接し又は接触した後に、静電チャック２４に第１電圧Ｖ１を印加し、基板Ｓを吸着させる。
【０１０９】
基板の静電チャック２４への吸着が完了した後に、静電チャック２４に加える電圧を第１電圧Ｖ１から第２電圧Ｖ２に下げる。静電チャック２４に加える電圧を第２電圧Ｖ２に下げても、以降の工程で静電チャック２４による基板Ｓの吸着状態を維持することができる。
【０１１０】
静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。本発明の他の実施形態においては、静電チャック２４に吸着した基板Ｓの下降の過程で基板Ｓが静電チャック２４から脱落することを確実に防止するために、基板Ｓの下降の過程が完了した後（つまり、後述するアライメント工程が開始する直前）に、静電チャック２４に加える電圧を第２電圧Ｖ２に下げてもよい。
【０１１１】
基板Ｓが計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０で基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影して、基板ＳとマスクＭの相対的な位置ずれを計測する。本発明の他の実施形態では、基板ＳとマスクＭの相対的位置の計測工程の精度をより高めるために、アライメントのための計測工程が完了した後（アライメント工程中）に、静電チャック２４に加える電圧を第２電圧に下げてもよい。
【０１１２】
計測の結果、基板ＳのマスクＭに対する相対的位置ずれが閾値を超えると判定された場合、静電チャック２４に吸着した状態の基板Ｓを水平面内で（ＸＹθ方向に）移動させて
、基板ＳをマスクＭに対して位置調整（アライメント）する。本発明の他の実施形態においては、このような位置調整の工程が完了した後に、静電チャック２４に加える電圧を第２電圧Ｖ２に下げてもよい。これによって、アライメント工程全体（相対的な位置計測や位置調整）にわたって精度をより高めることができる。
【０１１３】
アライメント工程の後、静電チャック２４をマスクＭに向かって下降させて限界位置まで移動させる。限界位置では、第２電圧が印加された静電チャック２４によってマスクＭが帯電されず、実質的に静電チャック２４の静電引力がマスクＭに作用しない。従ってマスクＭの意図しない位置が静電引力によって静電チャック２４に吸着してしまうことが抑制される。
【０１１４】
このような状態で、磁力発生部３３を下降させて複数の磁石それぞれの磁力印加位置に順次移動させる。複数の磁石のうち静電チャック２４の短辺の一端側に位置する最も強い磁力の磁石（第１磁石３３−１）による磁力がマスクＭに作用することになる第１磁力印加位置ｈ１まで磁力発生部３３が下降すると、該位置に対応するマスクＭの一端側の部分が磁力によって上方に引き寄せられ静電チャック２４に吸引され、マスクＭの吸着の起点が形成される。
【０１１５】
この状態で、磁力発生部３３を、マスクＭの吸着方向（基板Ｓの短辺方向、Ｘ方向）に沿って配置された複数の磁石３３−２，３３−３それぞれの磁力印加位置に順次移動させ、マスクＭの吸引位置を順次移動させる。磁力発生部３３の磁力印加位置の順次移動駆動制御に合わせて、静電チャック２４の電極部全体に第３電圧Ｖ３を印加し、又はマスクＭの吸着起点に対応する第１吸着部を構成する電極部から第２吸着部を構成する電極部、第３吸着部を構成する電極部へ順次、第３電圧Ｖ３を印加する。これにより、マスクＭの第１吸着部から第３吸着部に対応する各部分が順次、基板Ｓ越しに静電チャック２４に吸着する。マスクＭの吸着は、前述の吸着起点から順次行われるため、マスクＭは、しわが残らずに、静電チャック２４に吸着する。なお、上述のように、マスクＭの吸着の起点が形成された後に、基板Ｓが吸着された静電チャック２４を静電チャックＺアクチュエータ２８によりマスクＭに向かってさらに下降させてもよい。
【０１１６】
第３電圧Ｖ３の印加によりマスクＭ全体が静電チャック２４に吸着した後、磁力発生部３３を磁力印加位置から上昇させて退避位置に移動させる。
【０１１７】
この後、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９に印加する電圧を、静電チャック２４に基板ＳとマスクＭが吸着された状態を維持することができる第４電圧Ｖ４に下げる。これにより、成膜工程の完了後に基板Ｓ及びマスクＭを静電チャック２４から分離させるのにかかる時間を短縮することができる。
【０１１８】
続いて、蒸発源２５のシャッタを開け、蒸着材料をマスクＭを介して基板Ｓに蒸着させる。
【０１１９】
所望の厚さに蒸着した後、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９に印加する電圧を第５電圧Ｖ５に下げてマスクＭを分離し、静電チャック２４に基板Ｓのみが吸着した状態で、静電チャックＺアクチュエータ２８により、基板Ｓを上昇させる。
【０１２０】
続いて、搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９にゼロ（０）又は逆極性の電圧を印加し、静電チャック２４を基板Ｓから分離させて、静電チャック２４を上昇させる。その後、蒸着が完了した基板Ｓを搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。
【０１２１】
なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、本発明はこれに限定されず、基板Ｓが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｓの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。
【０１２２】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、実施例１の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
【０１２３】
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図８（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図８（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
【０１２４】
図８（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。実施例１にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組み合わせにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されない。
【０１２５】
図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、実施例１では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂに共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【０１２６】
図８（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が１つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されことができる。
【０１２７】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
【０１２８】
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び陽極６４が形成された基板６３を準備する。
【０１２９】
陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパタ
ーニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【０１３０】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【０１３１】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。
【０１３２】
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。
【０１３３】
電子輸送層６７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置に移動させて陰極６８を成膜する。
【０１３４】
実施例１によると、基板Ｓ及びマスクＭを静電チャック２４に吸着させて保持するが、マスクＭの吸着時、磁力発生部３３によって吸着起点を形成し、磁力発生部３３の駆動制御を通じて吸着進行方向を積極的に誘導制御することにより、マスクＭがしわなく静電チャック２４に吸着される。
【０１３５】
その後、基板をプラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
【０１３６】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、実施例１において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【０１３７】
実施例１は本発明の一例であり、本発明は実施例１の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形してもよい。
【符号の説明】
【０１３８】
２４：静電チャック
３０：静電チャックシステム
３１：電圧印加部
３２：電圧制御部
３３：磁力発生部
３３−１：第１磁石
３３−２：第２磁石
３３−３：第３磁石
３５：駆動機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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