(57)【要約】【課題】主表面の平坦度を精密にかつ再現性高く測定することのできるマスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、透過型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】マスクブランク用基板１０は、対向する一対の主表面１２ａ、１２ｂと、一対の主表面１２ａ、１２ｂの外縁に隣接する４つの端面１４ａ〜１４ｄを有する。４つの端面１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部において、端面の長手方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＡ、前記長手方向に垂直な方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＢとしたときに、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たしている。【選択図】図１
2020106721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の主表面と、前記一対の主表面の外縁に隣接する端面を有するマスクブランク用基板であって、
前記端面の少なくとも一部において、前記端面の長手方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＡ、前記長手方向に垂直な方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＢとしたときに、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たす、マスクブランク用基板。
【請求項２】
前記端面は、側面と、前記側面と前記主表面との間に形成された面取り面とを備え、
前記側面及び前記面取り面のうち少なくとも一方において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たす、請求項１に記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
前記面取り面は、前記主表面に隣接する稜線部を備え、
前記稜線部において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たす、請求項２に記載のマスクブランク用基板。
【請求項４】
前記端面の少なくとも一部において、ＲｑＡが０．１ｎｍ以上である、請求項１〜３のうちいずれか１項に記載のマスクブランク用基板。
【請求項５】
前記端面の少なくとも一部において、ＲｑＡ／ＲｑＢが１．１以上である、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載のマスクブランク用基板。
【請求項６】
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記一方の主表面上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された保護膜とを含む、多層反射膜付き基板。
【請求項７】
請求項６に記載の多層反射膜付き基板と、当該多層反射膜付き基板の保護膜上に形成された転写パターンとなる吸収体膜とを含む、反射型マスクブランク。
【請求項８】
請求項６に記載の多層反射膜付き基板と、当該多層反射膜付き基板の保護膜上に形成された吸収体膜パターンとを含む、反射型マスク。
【請求項９】
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記一方の主表面上に形成された転写パターンとなる遮光性膜とを含む、透過型マスクブランク。
【請求項１０】
請求項１〜５のうちいずれか１項に記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記一方の主表面上に形成された遮光性膜パターンとを含む、透過型マスク。
【請求項１１】
請求項８に記載の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の透過型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、透過型マスク、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィ法を用いて微細パターンの形成が行われる。この微細パターンの形成には、通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においても、フォトリソグラフィ法が用いられている。
【０００３】
フォトリソグラフィ法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを有している。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターンを描画した後、現像液を供給する。これにより、現像液に可溶なレジスト膜の部位が溶解するため、レジストパターンが形成される。上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンによって被覆されていない薄膜が露出した部位を除去する。これにより、所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。
【０００４】
転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリー型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板と、透光性基板上に形成された位相シフト膜を有する。この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等によって形成される。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリー型マスクも用いられるようになってきている。これら、バイナリー型マスク、位相シフト型マスクを総称して、本明細書では透過型マスクと称する。また、透過型マスクに使用される原版であるバイナリー型マスクブランク、位相シフト型マスクブランクを総称して、透過型マスクブランクと称する。
【０００５】
また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターンの形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、「ＥＵＶ」と呼ぶ。）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィーが有望視されている。ここで、ＥＵＶ光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィーにおいて用いられる転写用マスクとして、反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜が形成されたものである。吸収体膜には、転写パターンが形成されている。
【０００６】
特許文献１には、半導体製造工程のリソグラフィー工程に使用される反射型マスクの基材である低膨張ガラス基板であって、該低膨張ガラス基板の外周に沿って形成される側面のうち、互いに対向する位置関係にある２つの側面の平坦度が各々２５μｍ以下であり、前記２つの側面の平行度が０．０１ｍｍ／インチ以下である、反射型マスク用低膨張ガラス基板が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第５６４０７４４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
マスクブランクに形成されるパターンの歪みが許容範囲内に収まるように、マスクブランク用基板の主表面には、極めて高い平坦度が求められる。マスクブランク用基板の主表面の平坦度は、平坦度測定装置によって測定される。
【０００９】
平坦度測定装置によって基板の平坦度を測定する際には、重力による基板の歪みを低減するため、基板をほぼ直立させた状態（例えば、基板を鉛直方向に対して２°傾斜させた状態）で測定が行われる。このとき、基板の主表面に隣接する４つの端面のうち、例えば対向する２つの端面がホルダによって保持される。また、平坦度測定装置によって基板の平坦度を測定する際には、基板の端面をホルダによって保持しつつ、基板を例えば４方向に回転させることがある。さらに、基板の端面をホルダによって保持しつつ、直立させた状態の基板の傾斜角度を変化させることがある。
【００１０】
このように、従来のマスクブランク用基板では、平坦度測定装置によって基板の平坦度を測定する際に、ホルダによって保持した状態の基板を移動させることがあった。このため、ホルダに対する基板の位置がわずかに移動してしまい、基板の平坦度の測定値にばらつきが発生してしまうことがあった。
【００１１】
本発明は上記のような事情に鑑みてなされたものであり、主表面の平坦度を精密にかつ再現性高く測定することのできるマスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、透過型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
対向する一対の主表面と、前記一対の主表面の外縁に隣接する端面を有するマスクブランク用基板であって、
前記端面の少なくとも一部において、前記端面の長手方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＡ、前記長手方向に垂直な方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＢとしたときに、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たす、マスクブランク用基板。
【００１３】
（構成２）
前記端面は、側面と、前記側面と前記主表面との間に形成された面取り面とを備え、
前記側面及び前記面取り面のうち少なくとも一方において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たす、構成１に記載のマスクブランク用基板。
【００１４】
（構成３）
前記面取り面は、前記主表面に隣接する稜線部を備え、
前記稜線部において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たす、構成２に記載のマスクブランク用基板。
【００１５】
（構成４）
前記端面の少なくとも一部において、ＲｑＡが０．１ｎｍ以上である、構成１〜３のうちいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【００１６】
（構成５）
前記端面の少なくとも一部において、ＲｑＡ／ＲｑＢが１．１以上である、構成１〜４のうちいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【００１７】
（構成６）
構成１〜５のうちいずれかに記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記一方の主表面上に形成されたＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成された保護膜とを含む、多層反射膜付き基板。
【００１８】
（構成７）
構成６に記載の多層反射膜付き基板と、当該多層反射膜付き基板の保護膜上に形成された転写パターンとなる吸収体膜とを含む、反射型マスクブランク。
【００１９】
（構成８）
構成６に記載の多層反射膜付き基板と、当該多層反射膜付き基板の保護膜上に形成された吸収体膜パターンとを含む、反射型マスク。
【００２０】
（構成９）
構成１〜５のうちいずれかに記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記一方の主表面上に形成された転写パターンとなる遮光性膜とを含む、透過型マスクブランク。
【００２１】
（構成１０）
構成１〜５のうちいずれかに記載のマスクブランク用基板と、前記マスクブランク用基板の前記一方の主表面上に形成された遮光性膜パターンとを含む、透過型マスク。
【００２２】
（構成１１）
構成８に記載の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【００２３】
（構成１２）
構成１０に記載の透過型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、主表面の平坦度を精密にかつ再現性高く測定することのできるマスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランク、透過型マスク、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】マスクブランク用基板の斜視図である。
【図２】マスクブランク用基板の部分断面図である。
【図３】平坦度測定装置のステージ上に載置されたマスクブランク用基板の平面図である。
【図４】平坦度測定装置のステージ上に載置されたマスクブランク用基板の側面図である。
【図５】平坦度測定装置のステージ上に載置されたマスクブランク用基板の底面図である。
【図６】図４に示すマスクブランク用基板のＡ部の拡大図である。
【図７】図４に示すマスクブランク用基板のＢ部の拡大図である。
【図８】平坦度測定装置のステージ上に載置された基板を、ほぼ直立させた状態を示す図である。
【図９】多層反射膜付き基板を示す模式図である。
【図１０】反射型マスクブランクを示す模式図である。
【図１１】反射型マスクを示す模式図である。
【図１２】透過型マスクブランクを示す模式図である。
【図１３】透過型マスクを示す模式図である。
【図１４】基板仕上げ装置によってガラス基板の側面（Ｔ面）を研磨する際の態様を示す模式図である。
【図１５】基板仕上げ装置によってガラス基板の面取り面（Ｃ面）及び稜線部を研磨する際の態様を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
[マスクブランク用基板]
まず、本実施形態のマスクブランク用基板について説明する。
図１は、本実施形態に係るマスクブランク用基板１０を示す斜視図である。図２は、本実施形態のマスクブランク用基板１０の部分断面図である。
【００２７】
マスクブランク用基板１０（以下、単に基板１０と称することがある。）は、略四角形の板状体からなり、２つの主表面１２（１２ａ、１２ｂ）と、４つの端面１４（１４ａ〜１４ｄ）を有する。互いに対向する２つの主表面１２ａ、１２ｂは、基板１０の上面及び下面を構成する。２つの主表面１２ａ、１２ｂのうち少なくとも一方は、転写パターンとなる薄膜が形成される面である。
なお、本明細書において、「上」とあるのは、必ずしも鉛直方向における上側を意味するものではない。また、「下」とあるのは、必ずしも鉛直方向における下側を意味するものではない。これらの用語は、部材や部位の位置関係の説明のために便宜的に用いられているに過ぎない。
【００２８】
４つの端面１４ａ〜１４ｄは、略四角形の主表面１２ａ、１２ｂの外縁である４つの辺にそれぞれ隣接している。
４つの端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、ぞれぞれ、側面１６と、側面１６と主表面１２ａ、１２ｂとの間に形成された２つの面取り面１８ａ、１８ｂ（図２参照）とを有する。
【００２９】
側面１６は、２つの主表面１２ａ、１２ｂに略垂直な面であり、「Ｔ面」と呼ばれることがある。
面取り面１８ａ、１８ｂは、２つの主表面１２ａ、１２ｂと側面１６との間に形成された面であり、斜めに面取りされることで形成された面である。面取り面１８ａ、１８ｂは、「Ｃ面」と呼ばれることがある。
【００３０】
本実施形態のマスクブランク用基板１０は、４つの端面１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部において、端面の長手方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＡ、前記長手方向に垂直な方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＢとしたときに、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たしている。ここで、「長手方向」とは、略長方形の端面１４ａ〜１４ｄの長辺に沿った方向を意味する。一つの端面１４ｂを例にとって説明すると、端面１４ｂの「長手方向」とは、図１において上下方向を意味する。
【００３１】
二乗平均平方根表面粗さＲｑＡ、ＲｑＢとは、JIS B 0601に規定されたRq（二乗平均平方根粗さ）によって表した表面粗さを意味する。二乗平均平方根粗さRqとは、平均線から測定曲線までの偏差の二乗を平均した値の平方根である。二乗平均平方根粗さRq は、例えば、原子間力顕微鏡を用いて測定することができる。二乗平均平方根粗さRqは、例えば、下記式（１）で表される。
【００３２】
【数１】
2020106721.tif 000003
【００３３】
本実施形態のマスクブランク用基板１０は、側面１６及び面取り面１８ａ、１８ｂのうち少なくとも一方において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことが好ましい。
【００３４】
図１及び図２に示すように、４つの端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、それぞれ、２つの稜線部２０ａ、２０ｂを備えている。２つの稜線部２０ａ、２０ｂは、面取り面１８ａ、１８ｂと、主表面１２ａ、１２ｂとの境界に形成された直線状の部分である。本実施形態のマスクブランク用基板１０は、２つの稜線部２０ａ、２０ｂのうち少なくとも一方において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことが好ましい。その理由については後述する。
【００３５】
本実施形態のマスクブランク用基板１０は、４つの端面１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部において、ＲｑＡが０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．２ｎｍ以上であることがより好ましく、０．３ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、ＲｑＡは、１．０ｎｍ以下であることが好ましく、０．７ｎｍ以下であることがより好ましく、０．５ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３６】
本実施形態のマスクブランク用基板１０は、４つの端面１４ａ〜１４ｄ少なくとも一部において、ＲｑＡ／ＲｑＢ（ＲｑＢに対するＲｑＡの比率）が１．１以上であることが好ましく、１．２以上であることがより好ましい。ＲｑＡ／ＲｑＢは、２．０以下であることが好ましく、１．５以下であることがより好ましい。
【００３７】
図３〜図５は、平坦度測定装置１００のステージ１０２上に載置されたマスクブランク用基板１０を示している。図３は平面図であり、図４は側面図であり、図５は底面図である。
【００３８】
図３〜図５に示すように、平坦度測定装置１００は、基板１０を載置するためのステージ１０２を備えている。ステージ１０２の上面には、基板１０を保持するための３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃが固定されている。３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃは、合成樹脂によって形成されている。前工程（例えば洗浄工程）からロボットアームによって運ばれてきたマスクブランク用基板１０は、３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃの上に載置される。
【００３９】
３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃのうち、２つのホルダ１０４ａ、１０４ｂは、基板１０の左側（図３〜図５において左側）の端面１４ｂを支持する。他の１つのホルダ１０４ｃは、基板１０の右側（図３〜図５において右側）の端面１４ｄを支持する。
【００４０】
図３〜図５において左側に位置する２つのホルダ１０４ａ、１０４ｂは、略円錐状のコーン部１０６と、そのコーン部１０６の上部に連結する球状のボール部１０８とを有する。
【００４１】
図３〜図５において右側に位置するホルダ１０４ｃは、ステージ１０２の上面に固定された台座部１１０を有する。台座部１１０には、ステージ１０２の上面に対して傾斜したテーパ面１１２が形成されている。
【００４２】
図６は、図４に示すマスクブランク用基板１０のＡ部の拡大図である。ただし、図６では、簡略化のためにステージ１０２を省略している。
図６に示すように、３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃによって基板１０が保持された状態において、左側の２つのホルダ１０４ａ、１０４ｂのコーン部１０６の外周面は、基板１０の下側の主表面１２ｂと面取り面１８ｂとの境界に形成された稜線部２０ｂに接触している。また、ホルダ１０４ａ、１０４ｂのボール部１０８の外周面は、基板１０の側面１６に接触している。
【００４３】
図７は、図４に示すマスクブランク用基板１０のＢ部の拡大図である。ただし、図７では、簡略化のためにステージ１０２を省略している。
図７に示すように、３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃによって基板１０が保持された状態において、右側のホルダ１０４ｃのテーパ面１１２は、基板１０の下側の主表面１２ｂと面取り面１８ｂとの境界に形成された稜線部２０ｂに接触している。
【００４４】
図８は、平坦度測定装置１００のステージ１０２上に載置された基板１０を、ほぼ直立させた状態を示している。
図８に示すように、平坦度測定装置１００によって基板１０の平坦度を測定する際には、重力による基板１０の歪みを低減するため、基板１０をほぼ直立させた状態（例えば、基板１０を鉛直方向に対して２°傾斜させた状態）で測定が行われる。平坦度測定装置１００は図示しない駆動装置を備えており、この駆動装置によってステージ１０２を回動させることによって、基板１０を水平な状態からほぼ直立した状態に起立させることができる。
【００４５】
平坦度測定装置１００によって基板１０の平坦度を測定する際には、基板１０の端面１４ｂ、１４ｄをホルダ１０４ａ〜１０４ｃによって保持しつつ、基板１０を例えば４方向に回転させることがある。
【００４６】
また、平坦度測定装置１００によって基板１０の平坦度を測定する際には、基板１０の端面１４ｂ、１４ｄをホルダ１０４ａ〜１０４ｃによって保持しつつ、直立させた状態の基板１０の傾斜角度を変化させることがある。
【００４７】
このように、平坦度測定装置１００によって基板１０の平坦度を測定する際には、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃによって保持した状態の基板１０を移動させることがある。この場合、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃに対する基板１０の位置がわずかに移動してしまい、平坦度の測定値にばらつきが発生する原因となっていた。
なお、本明細書において、「平坦度」とは、ＴＩＲ（Ｔｏｔａｌ  Ｉｎｄｉｃａｔｅｄ  Ｒｅａｄｉｎｇ）で示される表面の反り（変形量）を表す値で、基板表面を基準として最小二乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
【００４８】
本発明者らは、基板１０の４つの端面１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部において、端面の長手方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＡ、前記長手方向に垂直な方向に沿って測定した二乗平均平方根表面粗さの値をＲｑＢとしたときに、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことによって、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃに対する基板１０の位置が移動することを防止できることを見出した。
【００４９】
本実施形態のマスクブランク用基板１０によれば、平坦度測定装置１００によって基板１０の平坦度を測定する際、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃに対する基板１０の位置が移動することを防止できるため、基板１０の平坦度の測定値にばらつきが発生することを防止できる。
【００５０】
本実施形態のマスクブランク用基板１０は、側面１６及び面取り面１８ａ、１８ｂのうち少なくとも一方において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことが好ましい。また、本実施形態のマスクブランク用基板１０は、稜線部２０ａ、２０ｂにおいて、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことが好ましい。つまり、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃと４つの端面１４ａ〜１４ｄが実際に接触する可能性のある部位において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことが好ましい。これにより、平坦度測定装置１００によって基板１０の平坦度を測定する際、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃに対する基板１０の位置が移動することを防止できる。その結果、基板１０の平坦度の測定値にばらつきが発生することをより確実に防止できる。
【００５１】
本実施形態の平坦度測定装置１００は、３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃによってマスクブランク用基板１０を保持するが、４つ以上のホルダで保持することも可能である。また、本実施形態では、２つの端面１４ｂ、１４ｄを保持するが、４つの端面１４ａ〜１４ｄを保持してもよい。さらに、ホルダ１０４ａ〜１０４ｃもこのような形状に限定されず、側面１６、面取り面１８ａ、１８ｂ、稜線部２０ａ、２０ｂのいずれかに接触する形状とすることが可能である。つまり、ホルダの形状や個数によらず、ホルダと４つの端面１４ａ〜１４ｄ（側面１６、面取り面１８ａ、１８ｂ、稜線部２０ａ、２０ｂ）とが接触する可能性のある部位において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすことが好ましい。
【００５２】
また、マスクブランク用基板１０の主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）で管理することが、例えば、基板１０の主表面上に形成される多層反射膜、保護膜、吸収体膜、遮光性膜の反射率等の光学特性向上の観点から好ましい。基板１０の主表面の表面粗さは、Ｒｑ≦０．１３ｎｍが好ましく、Ｒｑ≦０．１０ｎｍがより好ましく、Ｒｑ≦０．０８ｎｍがさらに好ましい。
【００５３】
また、パターンの転写精度及び／又は位置精度を高めるため、本実施形態のマスクブランク用基板１０の転写パターンが形成される側の主表面は、高平坦度となるように表面加工されていることが好ましい。ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用基板の場合、基板１０の転写パターンが形成される側の主表面の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域、または１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時の静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。ＡｒＦエキシマレーザー露光用の透過型マスクブランクに使用するマスクブランク用基板１０の場合、基板の転写パターンが形成される側の主表面の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域、または１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは、０．２μｍ以下である。
【００５４】
本実施形態のマスクブランク用基板１０は、透過型マスクブランク用基板であってもよく、反射型マスクブランク用基板であってもよい。
【００５５】
ＡｒＦエキシマレーザー露光用の透過型マスクブランク用基板の材料としては、露光波長に対して透光性を有するものであれば何でもよい。一般的には、合成石英ガラスが使用される。その他の材料としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスであっても構わない。
【００５６】
ＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用基板の材料としては、低熱膨張の特性を有するものが好ましい。例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス（２元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２）及び３元系（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２等））、例えばＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｌｉ２Ｏ系の結晶化ガラスなどの所謂、多成分系ガラスを使用することができる。また、上記ガラス以外にシリコンや金属などの基板を用いることもできる。前記金属基板の例としては、インバー合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）などが挙げられる。
【００５７】
上述のように、ＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板の場合、基板に低熱膨張の特性が要求されるため、多成分系ガラス材料を使用するが、合成石英ガラスと比較して高い平滑性を得にくいという問題がある。この問題を解決すべく、多成分系ガラス材料からなる基板上に、金属、合金からなる又はこれらのいずれかに酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含有した材料からなる薄膜（下地層）を形成してもよい。
【００５８】
上記薄膜の材料としては、例えば、Ｔａ（タンタル）、Ｔａを含有する合金、又はこれらのいずれかに酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含有したＴａ化合物が好ましい。Ｔａ化合物としては、例えば、ＴａＢ、ＴａＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＯＮ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＮ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＨｆＣＯＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＯ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、ＴａＳｉＣＯＮなどを適用することができる。これらＴａ化合物のうち、窒素（Ｎ）を含有するＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＣＯＮ、ＴａＢＮ、ＴａＢＯＮ、ＴａＢＣＯＮ、ＴａＨｆＮ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＨｆＣＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、ＴａＳｉＣＯＮＣＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、ＴａＳｉＣＯＮＣＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、ＴａＳｉＣＯＮＣＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＳｉＯＮ、ＴａＳｉＣＯＮがより好ましい。
【００５９】
本実施形態のマスクブランク用基板１０において、上記に規定した表面粗さＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすための加工方法は、特に限定されるものではない。本実施形態のマスクブランク用基板１０は、平坦度測定装置１００のホルダ１０４ａ〜１０４ｃと接触しうる部位である端面１４ａ〜１４ｄの少なくとも一部において、ＲｑＡ＞ＲｑＢの関係を満たすように表面粗さを設定した点に特徴を有している。このような表面粗さは、例えば、後述する実施例１、２に例示したような加工方法によって実現することができる。
【００６０】
[多層反射膜付き基板]
次に、本実施形態の多層反射膜付き基板について説明する。
図９は、本実施形態の多層反射膜付き基板３０を示す模式図である。
【００６１】
本実施形態の多層反射膜付き基板３０は、上記のマスクブランク用基板１０の転写パターンが形成される側の主表面上に、多層反射膜３２を形成した構成を有する。この多層反射膜３２は、ＥＵＶリソグラフィー用反射型マスクにおいてＥＵＶ光を反射する機能を付与するものであり、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜を含む。
【００６２】
多層反射膜３２は、ＥＵＶ光を反射する限りその材質は特に限定されないが、その単独での反射率は通常６５％以上であり、上限は通常７３％である。このような多層反射膜３２は、一般的には、高屈折率の材料からなる薄膜（高屈折率層）と、低屈折率の材料からなる薄膜（低屈折率層）とが、交互に４０〜６０周期程度積層された多層反射膜を含む。
【００６３】
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜３２としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜とを交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましい。その他、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜の例として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、及びＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜が挙げられる。
【００６４】
多層反射膜３２は、当該技術分野において公知の方法によって形成できる。例えば、マグネトロンスパッタリング法や、イオンビームスパッタリング法などにより、各層を形成することができる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えば、イオンビームスパッタリング法により、まずＳｉターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＳｉ膜を基板１０上に形成し、その後、Ｍｏターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＭｏ膜を形成し、これを一周期として、４０〜６０周期積層して、多層反射膜３２を形成することができる。
【００６５】
上記で形成された多層反射膜３２の上に、ＥＵＶリソグラフィー用反射型マスクの製造工程におけるドライエッチングやウェット洗浄からの多層反射膜３２の保護のため、保護膜３４（図１０を参照）が形成されてもよい。
【００６６】
保護膜３４の材料の例として、Ｒｕ、Ｒｕ−(Ｎｂ，Ｚｒ，Ｙ，Ｂ，Ｔｉ，Ｌａ，Ｍｏ)，Ｓｉ−（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｃｒ，Ｂ），Ｓｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｌａ，及びＢからなる群から選択される少なくとも１種を含む材料が挙げられる。これらのうち、ルテニウム（Ｒｕ）を含む材料を使用すると、多層反射膜の反射率特性が良好となる。具体的には、保護膜３４の材料として、Ｒｕ、及び、Ｒｕ−(Ｎｂ，Ｚｒ，Ｙ，Ｂ，Ｔｉ，Ｌａ，Ｍｏ)が好ましい。このような保護膜は、特に、吸収体膜がＴａ系材料を含み、Ｃｌ系ガスのドライエッチングで当該吸収体膜をパターニングする場合に有効である。
【００６７】
基板１０の多層反射膜３２と接する面と反対側の面には、静電チャックの目的のために裏面導電膜３６（図１０を参照）が形成されてもよい。尚、裏面導電膜３６に求められる電気的特性（シート抵抗）は、通常１００Ω／□以下である。裏面導電膜３６は、公知の方法によって形成できる。例えば、裏面導電膜３６は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法により、Ｃｒ、Ｔａ等の金属やそれらの合金のターゲットを使用して形成することができる。
【００６８】
基板１０と多層反射膜３２との間に、上述の下地層が形成されてもよい。下地層は、基板１０の主表面の平滑性向上、欠陥低減、多層反射膜３２の反射率向上、及び、多層反射膜３２の応力低減等の目的で形成することができる。
【００６９】
[反射型マスクブランク]
次に、本実施形態の反射型マスクブランクについて説明する。
図１０は、本実施形態の反射型マスクブランク４０を示す模式図である。
本実施形態の反射型マスクブランク４０は、上記の多層反射膜付き基板３０の保護膜３４上に、転写パターンとなる吸収体膜４２を形成した構成を有する。
【００７０】
吸収体膜４２の材料は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有するものであればよく、特に限定されるものではない。例えば、Ｔａ（タンタル）単体、又はＴａを主成分とする材料を用いることが好ましい。Ｔａを主成分とする材料は、例えば、Ｔａの合金である。あるいは、Ｔａを主成分とする材料の例として、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮのうち少なくとも１つを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、及び、ＴａとＧｅとＮを含む材料を挙げることができる。
【００７１】
本実施形態の反射型マスクブランクは、図１０に示す構成に限定されるものではない。例えば、吸収体膜４２の上に、吸収体膜４２をパターニングするためのマスクとなるレジスト膜を形成してもよい。吸収体膜４２の上に形成するレジスト膜は、ポジ型でも、ネガ型でもよい。また、吸収体膜４２の上に形成するレジスト膜は、電子線描画用でも、レーザ描画用でもよい。さらに、吸収体膜４２とレジスト膜との間に、ハードマスク（エッチングマスク）膜を形成してもよい。
【００７２】
[反射型マスク]
次に、本実施形態の反射型マスク５０について説明する。
図１１は、本実施形態の反射型マスク５０を示す模式図である。
【００７３】
本実施形態の反射型マスク５０は、上記の反射型マスクブランク４０の吸収体膜４２をパターニングして得られた吸収体膜パターン５２を有する。本実施形態の反射型マスク５０は、吸収体膜パターン５２のある部分では露光光が吸収され、吸収体膜４２が除去されることで多層反射膜３２（あるいは保護膜３４）が露出した部分では露光光が反射される。これにより、本実施形態の反射型マスク５０は、例えばＥＵＶ光を露光光として用いるリソグラフィー用の反射型マスクとして使用することができる。
【００７４】
[透過型マスクブランク]
次に、本実施形態の透過型マスクブランク６０について以下に説明する。
図１２は、本実施形態の透過型マスクブランク６０を示す模式図である。
【００７５】
本実施形態の透過型マスクブランク６０は、上記のマスクブランク用基板１０の転写パターンが形成される側の主表面上に、転写パターンとなる遮光性膜６２を形成した構成を有する。
【００７６】
透過型マスクブランク６０は、例えば、バイナリー型マスクブランクでもよく、位相シフト型マスクブランクでもよい。遮光性膜６２は、露光光を遮断する機能を有する遮光膜を含んでもよい。あるいは、遮光性膜６２は、露光光を減衰させ、かつ露光光の位相をシフトさせるハーフトーン膜を含んでもよい。
【００７７】
バイナリー型マスクブランクは、マスクブランク用基板１０上に、露光光を遮断する遮光膜を形成したものである。この遮光膜をパターニングして、所望の転写パターンを形成することができる。遮光膜の例としては、Ｃｒ膜、Ｃｒに酸素、窒素、炭素、弗素を選択的に含むＣｒ合金膜、これらの積層膜、ＭｏＳｉ膜、ＭｏＳｉに酸素、窒素、炭素を選択的に含むＭｏＳｉ合金膜、及び、これらの積層膜が挙げられる。遮光膜の表面には、反射防止機能を有する反射防止層が形成されてもよい。
【００７８】
位相シフト型マスクブランクは、マスクブランク用基板１０上に、露光光の位相を変化させる位相シフト膜を形成したものである。この位相シフト膜をパターニングして所望の転写パターンを形成することができる。位相シフト膜の例として、位相シフト機能を有するＳｉＯ２膜を挙げることができる。また、位相シフト膜の例として、位相シフト機能及び遮光機能を有する金属シリサイド酸化物膜、金属シリサイド窒化物膜、金属シリサイド酸化窒化物膜、金属シリサイド酸化炭化物膜、金属シリサイド酸化窒化炭化物膜（金属は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａなどの遷移金属）、ＣｒＯ膜、ＣｒＦ膜、及びＳｉＯＮ膜などのハーフトーン膜を挙げることができる。位相シフト膜の上に、上記の遮光膜を形成してもよい。
【００７９】
本実施形態の透過型マスクブランクは、図１２に示す構成に限定されるものではない。例えば、遮光性膜６２の上に、遮光性膜６２をパターニングするためのマスクとなるレジスト膜を形成してもよい。
遮光性膜６２の上に形成するレジスト膜は、ポジ型でも、ネガ型でもよい。また、遮光性膜６２の上に形成するレジスト膜は、電子線描画用でも、レーザ描画用でもよい。さらに、遮光性膜６２とレジスト膜との間に、ハードマスク（エッチングマスク）膜を形成してもよい。
【００８０】
[透過型マスク]
次に、本実施形態の透過型マスクについて説明する。
図１３は、本実施形態の透過型マスク７０を示す模式図である。
【００８１】
本実施形態の透過型マスク７０は、上記の透過型マスクブランク６０の遮光性膜６２をパターニングして得られた遮光性膜パターン７２を有する。本実施形態の透過型マスク７０は、バイナリー型マスクでもよく、位相シフト型マスクでもよい。
【００８２】
バイナリー型マスクにおいては、遮光性膜パターン７２のある部分では、露光光が遮断される。遮光性膜６２が除去されることでマスクブランク用基板１０が露出した部分では、露光光が透過する。これにより、透過型マスク７０は、例えばＡｒＦエキシマレーザー光を露光光として用いるリソグラフィー用の透過型マスクとして使用することができる。
【００８３】
位相シフト型マスクの一つであるハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、遮光性膜６２が除去されることでマスクブランク用基板１０が露出した部分では、露光光が透過する。遮光性膜パターン７２のある部分では、露光光が減衰するとともに、露光光の位相がシフトする。これにより、透過型マスク７０は、例えばＡｒＦエキシマレーザー光を露光光として用いるリソグラフィー用の位相シフト型マスクとして使用することができる。
【００８４】
[半導体装置の製造方法]
上記で説明した反射型マスク５０または透過型マスク７０と、露光装置を使用したリソグラフィープロセスにより、半導体装置を製造することができる。具体的には、半導体基板上に形成されたレジスト膜に、反射型マスク５０の吸収体パターン５２、または、透過型マスク７０の遮光性膜パターン７２を転写する。その後、現像工程や洗浄工程等の必要な工程を経ることにより、半導体基板上にパターン（回路パターン等）が形成された半導体装置を製造することができる。
【実施例】
【００８５】
［実施例１］
まず、本発明に係るＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク、及び反射型マスクに関する実施例１について説明する。
【００８６】
＜マスクブランク用基板の作製＞
マスクブランク用基板１０として、大きさが１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さが６．４ｍｍのＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板を準備した。両面研磨装置を用いて、当該ガラス基板の表面及び裏面を、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨した。その後、当該ガラス基板の表面を、低濃度のケイフッ酸で処理した。得られたガラス基板の表面粗さを、原子間力顕微鏡で測定した。その結果、ガラス基板の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は、０．１５ｎｍであった。また、同様に、原子間力顕微鏡を用いて、１０μｍ×１０μｍの領域を、５１２×５１２ピクセルの解像度で測定した。その結果、ガラス基板の側面（Ｔ面）の長手方向のＲｑＡは０．６５ｎｍ、その長手方向に垂直な方向のＲｑＢは０．６５ｎｍであり、両者は同じであった。
【００８７】
当該ガラス基板の表面及び裏面の形状（表面形態、平坦度）を、平坦度測定装置（トロペル社製  ＵｌｔｒａＦｌａｔ２００）を用いて測定した。表面形状の測定は、ガラス基板の周縁領域を除外した１４８ｍｍ×１４８ｍｍの領域に対して、１０２４×１０２４の地点で行った。その結果、ガラス基板の表面及び裏面の平坦度は、２９０ｎｍ（凸形状）であった。ガラス基板の表面の形状（平坦度）の測定結果は、測定点ごとに、ある基準面に対する高さの情報としてコンピュータに保存した。また、測定点ごとに、高さの情報と、ガラス基板に必要な表面平坦度の基準値５０ｎｍ（凸形状）とを比較し、その差分（必要除去量）をコンピュータで計算した。同様に、高さの情報と、裏面平坦度の基準値５０ｎｍと比較し、その差分（必要除去量）をコンピュータで計算した。
【００８８】
次に、ガラス基板の表面の加工スポット領域ごとに、必要除去量に応じた局所表面加工の条件を設定した。事前にダミー基板を用いて、実際の加工と同じように、ダミー基板を、一定時間、基板を移動させずにスポット加工した。そのダミー基板の形状を、上記の表面及び裏面の形状を測定する際に用いた装置と同じ装置で測定した。単位時間当たりのスポットの加工体積を算出した。そして、スポットの情報と、ガラス基板の表面形状の情報より得られた必要除去量に従い、ガラス基板をラスタ走査する際の走査スピードを決定した。
【００８９】
設定した加工条件に従い、磁気流体による基板仕上げ装置（ＱＥＤ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いて、磁気粘弾性流体研磨（Magneto Rheological Finishing : MRF）加工法により、ガラス基板の表面及び裏面の平坦度が上記の基準値以下となるように、局所表面加工処理をして表面形状を調整した。尚、このとき使用した磁気粘弾性流体は、鉄成分を含んでいた。研磨スラリーは、アルカリ水溶液＋研磨剤（約２ｗｔ％）であり、研磨剤として酸化セリウムを使用した。最大の加工取り代は１５０ｎｍであり、加工時間は３０分であった。
【００９０】
次に、上記の基板仕上げ装置（ＱＥＤ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いて、磁気粘弾性流体研磨（Magneto Rheological Finishing : MRF）加工法により、ガラス基板の４つの側面（Ｔ面）を研磨した。
図１４は、基板仕上げ装置によってガラス基板の側面（Ｔ面）を研磨する際の態様を示す模式図である。図１４に示すように、基板仕上げ装置２００は、供給ノズル２０２と、回収ノズル２０４と、ホイール２０６を備えている。供給ノズル２０２から、微粒子状の磁性体と研磨剤を含んだ流体２０８が供給される。供給された流体２０８は、右方向に回転しているホイール２０６の頂点を流れた後、回収ノズル２０４で回収される。ホイール２０６の頂点付近には、磁場が存在するため、流体２０８が粘弾性を保ったまま流れる。その頂点部分に、ガラス基板の側面（Ｔ面）を接触させることによって、その接触領域で研磨を進行させることができる。なお、ガラス基板の側面（Ｔ面）を研磨する際、その側面の長手方向は、ホイール２０６の回転軸と同じ方向に設定した。
【００９１】
その後、ガラス基板を濃度約１０％の塩酸水溶液（温度約２５℃）が入った洗浄槽に約１０分間浸漬した後、純水によるリンス、及び、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）による乾燥を行った。
【００９２】
得られたガラス基板の表面形状（表面形態、平坦度）を測定したところ、表面及び裏面の平坦度は、約２０〜３０ｎｍであった。また、ガラス基板の表面粗さを、転写パターン形成領域（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）の任意の箇所の１μｍ×１μｍの領域において、原子間力顕微鏡を用いて測定した。その結果、ガラス基板の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は、０．３７ｎｍであった。この結果より、ＭＲＦによる局所表面加工後の表面は、ＭＲＦによる局所表面加工前よりも荒れた状態となっていることが判明した。同様に、原子間力顕微鏡を用いて１０μｍ×１０μｍの領域を５１２×５１２ピクセルの解像度で測定したところ、４つの側面（Ｔ面）の長手方向のＲｑＡは０．４５〜０．４８ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．３４〜０．３６ｎｍであった。
【００９３】
次に、ガラス基板の表面及び裏面の仕上げ研磨を、以下の条件で行った。
加工液：アルカリ水溶液（ＮａＯＨ）＋研磨剤（濃度：約２ｗｔ％）
研磨剤：コロイダルシリカ、平均粒径：約７０ｎｍ
研磨定盤回転数：約１〜５０ｒｐｍ
加工圧力：約０．１〜１０ｋＰａ
研磨時間：約１〜１０分
【００９４】
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液（ＮａＯＨ）で洗浄し、ＥＵＶ露光用のマスクブランク用基板１０を得た。
【００９５】
得られたマスクブランク用基板１０の表面及び裏面の平坦度を、各１０回測定した。測定に使用した平坦度測定装置は、図３に示す３つのホルダ１０４ａ〜１０４ｃでガラス基板の端面を支持するものであった。その結果、表面の平坦度は２１ｎｍ±２ｎｍであり、裏面の平坦度は２３ｎｍ±２ｎｍであり、ばらつきが小さかった。
【００９６】
また、得られたマスクブランク用基板１０について、転写パターン形成領域（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）の任意の箇所の１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定した。その結果、マスクブランク用基板１０の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は０．１３ｎｍであった。同様に、原子間力顕微鏡を用いて、１０μｍ×１０μｍの領域を５１２×５１２ピクセルの解像度で測定した。その結果、マスクブランク用基板１０の４つの側面（Ｔ面）の長手方向のＲｑＡは０．４５〜０．４８ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．３４〜０．３６ｎｍであり、ＲｑＡ＞ＲｑＢであった。また、ＲｑＡ／ＲｑＢは１．２〜１．３５であった。
【００９７】
［実施例２］
実施例２では、ガラス基板の側面（Ｔ面）だけでなく、ガラス基板の面取り面（Ｃ面）及び稜線部を共に研磨した。それ以外については実施例１と同様であるため、説明を省略する。
【００９８】
実施例２では、上記の基板仕上げ装置（ＱＥＤ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）を用いて、磁気粘弾性流体研磨（Magneto Rheological Finishing : MRF）加工法により、ガラス基板の側面（Ｔ面）、面取り面（Ｃ面）、及び稜線部を研磨した。
【００９９】
図１５は、基板仕上げ装置によってガラス基板の面取り面（Ｃ面）及び稜線部を研磨する際の態様を示す模式図である。図１５に示すように、回転するホイール２０６の頂点部分に、ガラス基板の面取り面（Ｃ面）を接触させることによって、その接触領域で研磨を進行させることができる。これにより、ガラス基板の面取り面（Ｃ面）だけでなく、面取り面と主表面との境界に位置する稜線部をも研磨することができる。なお、ガラス基板の面取り面（Ｃ面）を研磨する際、その面取り面の長手方向は、ホイール２０６の回転軸と同じ方向に設定した。
【０１００】
実施例１と同様に、得られたマスクブランク用基板１０の表面及び裏面の平坦度を、各１０回測定した。その結果、表面の平坦度は１８ｎｍ±２ｎｍであり、裏面の平坦度は２１ｎｍ±１ｎｍであり、ばらつきが小さかった。
【０１０１】
また、得られたマスクブランク用基板１０について、転写パターン形成領域（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）の任意の箇所の１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定した。その結果、マスクブランク用基板１０の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は０．１３ｎｍであった。同様に、原子間力顕微鏡を用いて、１０μｍ×１０μｍの領域を５１２×５１２ピクセルの解像度で測定した。その結果、マスクブランク用基板１０の４つの側面（Ｔ面）の長手方向のＲｑＡは０．４９〜０．４８ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．３５〜０．３７ｎｍであり、ＲｑＡ＞ＲｑＢであった。ＲｑＡ／ＲｑＢは１．２〜１．３であった。また、８つの面取り面（Ｃ面）の長手方向のＲｑＡは０．５〜０．６ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．４〜０．４７ｎｍであり、ＲｑＡ＞ＲｑＢであった。ＲｑＡ／ＲｑＢは１．１〜１．３５であった。また、４つの稜線部の長手方向のＲｑＡは０．２４〜０．３ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．２〜０．２５ｎｍであり、ＲｑＡ＞ＲｑＢであった。ＲｑＡ／ＲｑＢは１．１〜１．３であった。
【０１０２】
［比較例］
比較例では、ガラス基板の端面（側面（Ｔ面）、面取り面（Ｃ面）、及び稜線部）の研磨を行わなかった。それ以外については実施例１と同様であるため、説明を省略する。
【０１０３】
ガラス基板の端面を研磨しなかった以外は、実施例１と同様の工程により、マスクブランク用基板を得た。得られたマスクブランク用基板の表面及び裏面の平坦度を、各１０回測定した。その結果、表面の平坦度は２２ｎｍ±４ｎｍであり、裏面の平坦度は２４ｎｍ±５ｎｍであり、実施例１及び２よりもばらつきが大きかった。
【０１０４】
また、得られたマスクブランク用基板１０について、転写パターン形成領域（１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）の任意の箇所の１μｍ×１μｍの領域を、原子間力顕微鏡で測定した。その結果、マスクブランク用基板１０の表面の二乗平均平方根粗さ（Ｒｑ）は０．１３ｎｍであった。同様に、原子間力顕微鏡を用いて、１０μｍ×１０μｍの領域を５１２×５１２ピクセルの解像度で測定した。その結果、マスクブランク用基板１０の４つの側面（Ｔ面）の長手方向のＲｑＡは０．４５〜０．５ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．４５〜０．５ｎｍであり、ＲｑＡとＲｑＢとの差はなく、ＲｑＡ／ＲｑＢは１であった。面取り面（Ｃ面）の長手方向のＲｑＡは０．５２〜０．５３ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．５２〜０．５３ｎｍであり、ＲｑＡとＲｑＢとの差はなく、ＲｑＡ／ＲｑＢは１であった。稜線部の長手方向のＲｑＡは０．１９〜０．２１ｎｍ、垂直方向のＲｑＢは０．１９〜０．２１ｎｍであり、ＲｑＡとＲｑＢとの差はなく、ＲｑＡ／ＲｑＢは１であった。
【０１０５】
上記実施例及び比較例では、原子間力顕微鏡を用いて１０μｍ×１０μｍの領域を５１２×５１２ピクセルの解像度で測定することにより、ガラス基板の表面及び端面の二乗平均平方根粗さＲｑを測定する例について説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。ガラス基板の表面及び端面の二乗平均平方根粗さＲｑを求める際、原子間力顕微鏡を用いて測定する領域は、適宜選択することが可能である。例えば、原子間力顕微鏡を用いて測定する領域は、１μｍ×１μｍでもよく、５μｍ×５μｍでもよい。
【０１０６】
上記実施例及び比較例では、磁気粘弾性流体研磨加工法により、ガラス基板の局所表面加工を行う例を示したが、本発明はこのような態様に限定されない。局所表面加工は、例えば、ガスクラスターイオンビーム（Gas Cluster Ion Beams : GCIB）や、局所プラズマを使用した加工方法であってもよい。
【０１０７】
上記実施例及び比較例では、磁気粘弾性流体研磨加工法などを用いた局所表面加工により、ガラス基板の端面（側面（Ｔ面）、面取り面（Ｃ面）、及び稜線部）を研磨する例を示したが、本発明はこのような態様に限定されない。例えば、研磨装置によって、ガラス基板の端面（側面（Ｔ面）、面取り面（Ｃ面）、及び稜線部）を研磨してもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１０    マスクブランク用基板
１２、１２ａ、１２ｂ    主表面
１４、１４ａ〜１４ｄ    端面
１６    側面
１８ａ、１８ｂ    面取り面
２０ａ、２０ｂ    稜線部
３０    多層反射膜付き基板
４０    反射型マスクブランク
５０    反射型マスク
６０    透過型マスクブランク
７０    透過型マスク
１００  平坦度測定装置
１０２  ステージ
１０４ａ〜１０４ｃ    ホルダ
【図１】
2020106721.tif 000004
【図２】
2020106721.tif 000005
【図３】
2020106721.tif 000006
【図４】
2020106721.tif 000007
【図５】
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【図６】
2020106721.tif 000009
【図７】
2020106721.tif 000010
【図８】
2020106721.tif 000011
【図９】
2020106721.tif 000012
【図１０】
2020106721.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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