(57)【要約】【課題】熱伝導度が高い錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物全体に対して、（ｉ）ＡＳＴＭ標準ふるいを用いた粉ふるいによって測定したとき、直径が０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満で、高さが０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満である錠剤の比率が９７重量％以上で、（ｉｉ）前記錠剤は、圧縮密度が１．７ｇ／ｍＬ超過で、（ｉｉｉ）前記錠剤は、硬化密度に対する圧縮密度の比が０．６以上０．８７以下である錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物全体に対して、
（ｉ）ＡＳＴＭ標準ふるいを用いた粉ふるいによって測定したとき、直径が０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満で、高さが０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満である錠剤の比率が９７重量％以上で、
（ｉｉ）前記錠剤は、圧縮密度が１．７ｇ／ｍＬ超過で、
（ｉｉｉ）前記錠剤は、硬化密度に対する圧縮密度の比が０．６以上０．８７以下である、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記錠剤は円柱状を有するものである、請求項１に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、マグネシア、クレイ（ｃｌａｙ）、タルク（ｔａｌｃ）、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、ガラス繊維、及びホウ素窒化物（ボロンナイトライド）のうち１種以上を含む無機充填剤を含むものである、請求項１または２に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記無機充填剤は、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７０重量％〜９９重量％で含まれるものである、請求項３に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記シリカは、前記無機充填剤のうち９０重量％以下で含まれるものである、請求項３または４に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記窒化アルミニウムは、前記無機充填剤のうち５０重量％以下で含まれるものである、請求項３〜５のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
前記無機充填剤は、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍ〜１５μｍである、請求項３〜６のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記アルミナは、前記無機充填剤のうち１０重量％〜１００重量％で含まれるものである、請求項３〜７のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
前記アルミナは、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７５重量％〜９８重量％で含まれるものである、請求項３〜８のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、前記無機充填剤としてアルミナとシリカとの混合物を含むものである、請求項３〜９のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１１】
前記アルミナとシリカとの混合物は、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７５重量％〜９８重量％で含まれるものである、請求項１０に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１２】
前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、前記無機充填剤としてシリカと窒化アルミニウムとの混合物を含むものである、請求項３〜１１のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１３】
前記シリカと窒化アルミニウムとの混合物は、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７５重量％〜９８重量％で含まれるものである、請求項１２に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１４】
前記硬化密度は１．９ｇ／ｍＬ〜４ｇ／ｍＬである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１５】
前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、錠剤圧縮成形によって製造されたものである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を用いて密封された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いて密封された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器市場の中心が、スマートフォン及びタブレットＰＣに代表されるモバイル機器に移行していることによって、電子素子に対する技術開発も、さらに小さくて軽いながらも高性能を有するモバイル素子に集中している。これによって、高積層化、高性能化、高密度化、多機能化、及びスリム化の傾向に合わせたモバイル機器を具現するために、さらに薄く且つ高集積化された半導体装置を開発中である。このような高積層化及び高密度化半導体素子を小型及び薄型の半導体パッケージに密封する場合、半導体装置の作動時に発生する熱によってパッケージの誤作動及びクラック発生の頻度が高くなり得る。これを解消するために放熱板を使用しているが、放熱板は、一部のパッケージでのみ可能であり、工程追加による生産性の低下及び高費用の短所を有する。よって、熱伝導度を高めることができる半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物が要求されている。
【０００３】
一方、前記傾向に伴い、圧縮成形（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ  ｍｏｌｄｉｎｇ）によって半導体素子を密封する方法が開発中である。圧縮成形は、金型内で圧縮によって成形されることによって、半導体素子がマルチ−スタック（ｍｕｌｔｉ−ｓｔａｃｋ）で積層された場合にもボイド（ｖｏｉｄ）の発生を抑制することができ、近年注目されている成形方法である。圧縮成形時、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、金型内にフィルム状又はシート状で投入されてもよいが、組成物の成形性及び移動性などを考慮した上で、パウダー状又は顆粒状で投入されている実情にある。ところが、前記パウダー又は顆粒は、一定程度の大きさの分布を有するしかないので、ワイヤスイープ及び／又はパッケージの反りが発生するという問題を有する。
【０００４】
従来の半導体素子圧縮成形用エポキシ樹脂組成物の製造方法としては、遠心製粉法及びホットカット（ｈｏｔ  ｃｕｔ）法があった。しかし、これらの高い熱伝導特性を必要とする半導体素子圧縮成形方法では、エポキシ樹脂組成物の製造自体が難しい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第６６１６２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、熱伝導度が高い錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、圧縮成形による半導体素子の密封時、圧縮成形設備中の組成物の固着及び／又は飛散を防止し、設備汚染を低下できる錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【０００８】
本発明の更に他の目的は、圧縮成形による半導体素子の密封時、ワイヤスイープを著しく低下できる錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物が提供される。
【００１０】
第１具体例では、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物全体に対して、（ｉ）ＡＳＴＭ標準ふるいを用いた粉ふるいによって測定したとき、直径が０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満で、高さが０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満である錠剤の比率が９７重量％以上であって、（ｉｉ）前記錠剤は、圧縮密度が１．７ｇ／ｍＬ超過であって、（ｉｉｉ）前記錠剤は、硬化密度に対する圧縮密度の比が０．６以上０．８７以下である。
【００１１】
第２具体例では、第１具体例において、前記錠剤は円柱状を有してもよい。
【００１２】
第３具体例では、第１または第２具体例において、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、マグネシア、クレイ（ｃｌａｙ）、タルク（ｔａｌｃ）、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、ガラス繊維、及びホウ素窒化物（ボロンナイトライド）のうち１種以上を含む無機充填剤を含んでもよい。
【００１３】
第４具体例では、第３具体例において、前記無機充填剤は、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７０重量％〜９９重量％で含まれてもよい。
【００１４】
第５具体例では、第３または第４具体例において、前記シリカは、前記無機充填剤のうち９０重量％以下で含まれてもよい。
【００１５】
第６具体例では、第３〜第５具体例のいずれか１つにおいて、前記窒化アルミニウムは、前記無機充填剤のうち５０重量％以下で含まれてもよい。
【００１６】
第７具体例では、第３〜第６具体例のいずれか１つにおいて、前記無機充填剤は、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍ〜１５μｍであってもよい。
【００１７】
第８具体例では、第３〜第７具体例のいずれか１つにおいて、前記アルミナは、前記無機充填剤のうち１０重量％〜１００重量％で含まれてもよい。
【００１８】
第９具体例では、第３〜第８具体例のいずれか１つにおいて、前記アルミナは、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。
【００１９】
第１０具体例では、第３〜第９具体例のいずれか１つにおいて、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、前記無機充填剤としてアルミナとシリカとの混合物を含んでもよい。
【００２０】
第１１具体例では、第１０具体例において、前記アルミナとシリカとの混合物は、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。
【００２１】
第１２具体例では、第３〜第１１具体例のいずれか１つにおいて、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、前記無機充填剤としてシリカと窒化アルミニウムとの混合物を含んでもよい。
【００２２】
第１３具体例では、第１２具体例において、前記シリカと窒化アルミニウムとの混合物は、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。
【００２３】
第１４具体例では、第１〜第１３具体例のいずれか１つにおいて、前記硬化密度は１．９ｇ／ｍＬ〜４ｇ／ｍＬになってもよい。
【００２４】
第１５具体例では、第１〜第１４具体例のいずれか１つにおいて、前記錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は錠剤圧縮成形によって製造されてもよい。
【００２５】
本発明の半導体装置は、本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を用いて密封される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、熱伝導度が高い錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【００２７】
本発明は、圧縮成形による半導体素子の密封時、圧縮成形設備中の組成物の固着及び／又は飛散を防止し、設備汚染を低下できる錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【００２８】
本発明は、圧縮成形による半導体素子の密封時、ワイヤスイープを著しく低下できる錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明において錠剤の形態及び該当の錠剤における直径と高さを説明する図である。
【図２】圧縮成形によって半導体素子を密封する方法の一例を説明する図である。
【図３】圧縮成形によって密封された半導体装置の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明は、添付の図面を参考にして、実施形態や実施例によって本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、様々な異なる形態に具現可能であり、ここで説明する実施形態や実施例に限定されることはない。
【００３１】
本明細書において、「錠剤」は、第１面、第２面、及び前記第１面と前記第２面とを互いに連結する側面で構成されており、第１面と第２面は、互いに対向する形状を意味する。一実施例において、第１面と第２面はそれぞれ平面であって、側面は一つの曲面であってもよい。一具体例において、錠剤は円柱になってもよい。図１を参照すると、錠剤は円柱になってもよく、円柱は、第１面（又は第２面）における直径（Ｄ）及び側面における高さ（Ｈ）を有してもよい。本発明において、「錠剤」は、直径（Ｄ）が高さ（Ｈ）と同じかそれより小さい場合のみならず、直径（Ｄ）が高さ（Ｈ）より大きい場合も含み得る。
【００３２】
本明細書において、錠剤の「アスペクト比」は、「直径（Ｄ）に対する高さ（Ｈ）の比（高さ（Ｈ）／直径（Ｄ））になってもよい。
【００３３】
本明細書において、「錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物」は、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち重量％で９８％以上、例えば、９９重量％以上が錠剤である組成物を意味し得る。
【００３４】
本明細書において、「圧縮密度」は、ＡＳＴＭ標準ふるいを用いて篩ったとき、０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満の粉ふるいに属する錠剤に対して測定される値である。０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満の粉ふるいに属する錠剤のうち一部を秤量することによって試料を獲得し、電子秤を用いて重さ（Ｗ）を測定する。５０ｍｌのメスシリンダーに水を半分だけ充填し、シリコーン系界面活性剤を投入した後、正確な体積（Ｖ１）を測定する。重さを測定した錠剤をメスシリンダーに入れた後、変化した体積（Ｖ２）を正確に測定する。下記の式１によって圧縮密度（単位：ｇ／ｍＬ）を計算する。このとき、錠剤の間にある空気を除去するためにメスシリンダーを振った後、体積を測定し、圧縮密度は、５回測定した後の平均値として計算することができる。
【００３５】
【数１】
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【００３６】
本明細書において、「硬化密度」は、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５±５℃の範囲、注入圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒にして直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円盤に成形し、ＰＭＣ（Ｐｏｓｔ  ｍｏｌｄ  ｃｕｒｉｎｇ）工程を１７５℃で４時間進めた後、質量及び体積を求め、体積に対する質量の比（質量／体積、ｇ／ｍＬ）として計算することができる。
【００３７】
本明細書において、「熱伝導度」は、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物で形成された試験片に対してＡＳＴＭ  Ｄ５４７０によって２５℃で測定された値である。
【００３８】
本明細書において、数値範囲の記載時、「Ｘ〜Ｙ」は、Ｘ以上Ｙ以下を意味する。
【００３９】
本発明の一実施例に係る錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、下記の（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を全て満足する。（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）を全て満足することによって、半導体素子の圧縮成形時、微粉の飛散による振動フィーダーなどの設備の汚染可能性を低下させることができ、ワイヤスイープ（ｗｉｒｅ  ｓｗｅｅｐ）を著しく低下させることができ、熱伝導度を著しく高めることができる。一具体例において、本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、熱伝導度が２Ｗ／ｍＫ以上、例えば、２Ｗ／ｍＫ〜１０Ｗ／ｍＫ、例えば、２Ｗ／ｍＫ〜７．５Ｗ／ｍＫになってもよい。前記範囲では、半導体素子の密封時に放熱効果が高くなり、作動時に発生する熱によるパッケージ誤作動及びクラック発生の頻度が低下し得る。
【００４０】
特に、本発明の発明者らは、同一の種類の無機充填剤を同一の含量で含有する半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物であっても、下記の（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）のうち１種以上を満足できない場合は、熱伝導度の改善、ワイヤスイープの減少及び微粉の飛散による設備の汚染可能性低下などの効果を全て得ることができないことを確認した。
【００４１】
（ｉ）ＡＳＴＭ標準ふるいを用いた粉ふるいによって測定したとき、直径が０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満で、高さが０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満である錠剤の比率が９７重量％以上である。
【００４２】
（ｉｉ）前記錠剤は、圧縮密度が１．７ｇ／ｍＬ超過である。
【００４３】
（ｉｉｉ）前記錠剤は、硬化密度に対する圧縮密度の比（圧縮密度／硬化密度）が０．６以上０．８７以下である。
【００４４】
本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、ＡＳＴＭ標準ふるいを用いた粉ふるいによって測定したとき、直径が０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満で、高さが０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満である錠剤の比率が全体の錠剤状のエポキシ樹脂組成物のうち９７重量％以上である。直径又は高さが０．１ｍｍ未満である錠剤が３重量％を超える場合は、微粉の含量が高くなり、圧縮成形設備に微粉が固着することによって汚染が発生するという問題が生じ得る。また、直径又は高さが２．８ｍｍ以上である錠剤が３重量％を超える場合は、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物が移送中に崩れやすくなり、圧縮成形設備に汚染を引き起こすこともある。また、錠剤状の組成物の形態が不均一になり、圧縮成形設備で錠剤を計量するときにエラーが発生したり、それによって半導体パッケージの厚さの差を引き起こし、反りの偏差による不良を引き起こし得る。一具体例において、直径が０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満で、高さが０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満である錠剤の比率が全体の錠剤状のエポキシ樹脂組成物のうち９７重量％〜９９重量％になってもよい。
【００４５】
ＡＳＴＭ標準ふるいを用いた粉ふるいによると、０．１ｍｍはＡＳＴＭメッシュＮｏ．１４０に該当し、２．８ｍｍはＡＳＴＭメッシュＮｏ．７に該当する。
【００４６】
本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、圧縮密度が１．７ｇ／ｍＬ超過である。圧縮密度が１．７ｇ／ｍＬ以下であると、熱伝導度が低くなり、その結果、半導体素子の密封時に放熱効果が低くなり、作動時に発生する熱によるパッケージ誤作動及びクラック発生の頻度が高くなり得る。圧縮密度測定方法は、上述した通りである。圧縮密度は、好ましくは１．７ｇ／ｍＬ超過３．２ｇ／ｍＬ以下、さらに好ましくは１．７１ｇ／ｍＬ〜３．２ｇ／ｍＬ、最も好ましくは１．７１ｇ／ｍＬ〜３ｇ／ｍＬになってもよい。
【００４７】
本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、圧縮密度と硬化密度との間の密度比（硬化密度に対する圧縮密度の比）が０．６以上０．８７以下である。前記密度比が０．６未満であると、圧縮成形時に溶融性及び相溶性が良好でない場合がある。また、前記密度比が０．８７超過であると、熱伝導度改善効果が微弱になったり、ワイヤスイープが大きくなり得る。
【００４８】
一具体例において、硬化密度は、１．９ｇ／ｍＬ〜４ｇ／ｍＬ、好ましくは１．９５ｇ／ｍＬ〜３．５ｇ／ｍＬ、さらに好ましくは１．９５ｇ／ｍＬ〜３．２ｇ／ｍＬになってもよい。前記範囲では、圧縮成形時の溶融性及び相溶性が良好であり、ワイヤスイープ及びボイドの発生が減少し得る。硬化密度測定方法は、上述した通りである。
【００４９】
本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、錠剤のアスペクト比が０．１〜５、好ましくは０．２５〜４になってもよい。前記範囲では、半導体パッケージの厚さの偏差を減少させ、反りの偏差を減少させるという効果がさらにあり得る。
【００５０】
本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、錠剤が円柱状になってもよい。
【００５１】
以上で説明した本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、以下で説明する錠剤圧縮成形方法によって製造され得る。錠剤圧縮成形方法は、錠剤圧縮成形装置を用いてもよい。例えば、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を、連続ニーダーを用いて９０℃〜１１０℃で溶融・混練した後、冷却及び粉砕することによって粉末状の組成物に製造する。製造した粉末状の予備組成物を錠剤打錠設備フィーダーに投入し、上部パンチの下降によってダイに入っている粉末状の組成物を圧縮した後、上部パンチの昇降によって錠剤状の組成物を製造する。上部パンチの下降及び下部パンチの昇降によって組成物に加えられる圧縮荷重、ダイの直径及び高さなどを調節することによって半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。
【００５２】
一具体例において、圧縮荷重は、ダイの直径、ダイの高さ、ダイに投入された組成物の投入高さ及び直径などによって変わってもよく、圧縮荷重は０．１トン〜１トンになってもよい。一具体例において、ダイの直径は０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満になってもよく、ダイの高さは０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満になってもよい。
【００５３】
一方、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を成形する方法として、従来の遠心製粉法が知られている。遠心製粉法による場合、組成物が回転子の遠心力によって均一なパンチング鉄網を通過したとしても溶融・混練された状態で成形されるので、圧縮・成形時に溶融が確実に行われなく、その結果、ワイヤスイープ不良が発生し得る。また、顆粒の大きさの偏差によってパッケージの反り問題を発生させ得る。
【００５４】
また、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を成形する他の方法として、従来のホットカット（ｈｏｔ  ｃｕｔ）法が知られている。ホットカット法による場合、溶融・混練された状態のエポキシ樹脂組成物をカッティングして製造するので、圧縮成形時に溶融が確実に行われなく、その結果、ワイヤスイープ不良が発生し得る。
【００５５】
以下では、本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の構成成分を説明する。
【００５６】
本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化触媒、及び無機充填剤を含んでもよい。
【００５７】
エポキシ樹脂は、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマーなどの混合物になってもよい。例えば、エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルカテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線形脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂、ビフェニル型ノボラックエポキシ樹脂などになってもよく、これらは、単独で含まれてもよく、２種以上が混合されて含まれてもよい。
【００５８】
硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化できるものであれば特に限定されない。硬化剤としては、フェノールアラルキル型フェノール樹脂、フェノールノボラック型フェノール樹脂、ビフェニル型ノボラックフェノール樹脂、Ｘｙｌｏｋ型フェノール樹脂、クレゾールノボラック型フェノール樹脂、ナフトール型フェノール樹脂、テルペン型フェノール樹脂、多官能型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール樹脂、ビスフェノールＡとレゾールから合成されたノボラック型フェノール樹脂、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ジヒドロキシビフェニルを含む多価フェノール化合物、無水マレイン酸及び無水フタル酸を含む酸無水物、メタ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどを挙げることができる。
【００５９】
硬化触媒は、エポキシ樹脂のエポキシ基と硬化剤の硬化反応を促進できるものであれば制限なく使用可能である。例えば、硬化触媒としては、３級アミン、有機金属化合物、有機リン化合物、イミダゾール類、及びホウ素化合物などが使用可能である。３級アミンには、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリエチレンジアミン、ジエチルアミノエタノール、トリ（ジメチルアミノメチル）フェノール、２−２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジアミノメチル）フェノール及びトリ−２−エチルへキシル酸塩などがある。有機金属化合物には、クロムアセチルアセトネート、亜鉛アセチルアセトネート、ニッケルアセチルアセトネートなどがある。有機リン化合物には、トリス（４−メトキシフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリフェニルボラン、トリフェニルホスフィン−１，４−ベンゾキノン付加物などがある。イミダゾール類には、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−アミノイミダゾール、２−メチル−１−ビニルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどがある。ホウ素化合物には、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート、テトラフェニルホウ酸塩、トリフルオロボラン−ｎ−へキシルアミン、トリフルオロボランモノエチルアミン、テトラフルオロボラントリエチルアミン、テトラフルオロボランアミンなどがある。その他にも、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノン−５−エン（１，５−ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［４．３．０］ｎｏｎ−５−ｅｎｅ：ＤＢＮ）、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（１，８−ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ：ＤＢＵ）及びフェノールノボラック樹脂塩などが使用可能である。硬化触媒としては、エポキシ樹脂又は硬化剤とのプレ反応によって作った付加物を使用することも可能である。
【００６０】
無機充填剤としては、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物で通常的に使用される無機充填剤を使用してもよい。
【００６１】
一具体例において、無機充填剤は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、マグネシア、クレイ（ｃｌａｙ）、タルク（ｔａｌｃ）、ケイ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、ガラス繊維、及びホウ素窒化物（ボロンナイトライド）のうち１種以上を含んでもよい。好ましくは、無機充填剤としてアルミナを含むことによって、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度を高めることができる。無機充填剤は、単独で含まれてもよく、２種以上が含まれてもよい。無機充填剤が２種以上含まれる場合、無機充填剤の平均粒径（Ｄ５０）が同一又は異なってもよい。好ましくは、無機充填剤が２種以上含まれる場合、平均粒径（Ｄ５０）は異なってもよい。
【００６２】
一具体例において、無機充填剤としてアルミナのみが使用されてもよい。具体的には、アルミナは、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７０重量％〜９９重量％、好ましくは７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。前記範囲では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度が向上しながら本発明の効果も得ることができる。
【００６３】
他の具体例において、無機充填剤としてアルミナとシリカとの混合物が使用されてもよい。具体的には、アルミナとシリカとの混合物は、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７０重量％〜９９重量％、好ましくは７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。前記範囲では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度が向上しながら本発明の効果も得ることができる。
【００６４】
更に他の具体例において、無機充填剤としてアルミナと窒化アルミニウムとの混合物が使用されてもよい。具体的には、アルミナと窒化アルミニウムとの混合物は、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７０重量％〜９９重量％、好ましくは７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。
【００６５】
更に他の具体例において、無機充填剤としてシリカと窒化アルミニウムとの混合物が使用されてもよい。具体的には、シリカと窒化アルミニウムとの混合物は、錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物のうち７０重量％〜９９重量％、好ましくは７５重量％〜９８重量％で含まれてもよい。前記範囲では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度が向上しながら本発明の効果も得ることができる。
【００６６】
一具体例において、無機充填剤中のアルミナの含量は、無機充填剤のうち１０重量％以上、好ましくは１０重量％〜１００重量％になってもよい。前記範囲では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度が向上しながら本発明の効果も得ることができる。
【００６７】
一具体例において、無機充填剤中のシリカの含量は、無機充填剤のうち９０重量％以下、好ましくは１０重量％〜９０重量％になってもよい。前記範囲では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度が向上しながら本発明の効果も得ることができる。
【００６８】
一具体例において、無機充填剤中の窒化アルミニウムの含量は、無機充填剤のうち５０重量％以下、好ましくは３０重量％以下、さらに好ましくは５重量％〜３０重量％になってもよい。前記範囲では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の熱伝導度が向上しながら本発明の効果も得ることができる。
【００６９】
無機充填剤は、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍ〜１５μｍ、好ましくは５μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは５μｍ〜１２μｍになってもよい。前記範囲では、エポキシ樹脂組成物の流動性が良好になり得る。前記「平均粒径」は、Ｄ５０として、当業者に知られている通常の粒径Ｄ５０を意味し、無機充填剤を重量基準で分布させたとき、５０重量％に該当する無機充填剤の粒径を意味する。
【００７０】
半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、上述した成分以外にも、通常の添加剤をさらに含んでもよい。具体例において、添加剤は、カップリング剤、離型剤、応力緩和剤、架橋増進剤、レベリング剤、及び着色剤のうち一つ以上を含んでもよい。カップリング剤としては、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、アルキルシラン及びアルコキシシランからなる群から選ばれる１種以上を使用してもよいが、これに制限されない。離型剤としては、パラフィン系ワックス、エステル系ワックス、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、天然脂肪酸及び天然脂肪酸金属塩からなる群から選ばれる１種以上を使用してもよい。応力緩和剤としては、変性シリコーンオイル、シリコーンエラストマー、シリコーンパウダー及びシリコーンレジンからなる群から選ばれる１種以上を使用してもよいが、これに制限されない。着色剤としては、カーボンブラックなどを使用してもよい。
【００７１】
半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物には、エポキシ樹脂が０．５重量％〜２０重量％、具体的には３重量％〜１５重量％で含まれ、硬化剤が０．１重量％〜１３重量％、具体的には０．１重量％〜１０重量％で含まれ、無機充填剤が７０重量％〜９９重量％、例えば、７５重量％〜９８重量％で含まれ、硬化触媒が０．０１重量％〜２重量％、具体的には０．０２重量％〜１．５重量％で含まれ、各種添加剤が０．１重量％〜１０重量％で含まれてもよい。
【００７２】
本発明の半導体素子は、本発明の錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を用いて圧縮成形によって密封され得る。半導体素子は、集積回路、トランジスタ、サイリスター、ダイオード、固体撮像素子などを含んでもよい。
【００７３】
以下では、図２を参照して、圧縮成形による半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の密封方法を説明する。図２を参照すると、（ａ）では、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物１を振動フィーダー２によって組成物供給容器３に投入する。振動フィーダー２は、一定又は変化する供給速度で振動することによって、所定量の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を組成物供給容器３に一定の速度で投入させることができる。（ｂ）では、組成物供給容器３にシャッター４などの手段が装着されており、シャッター４などを動かすことによって、組成物供給容器３内の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物１を瞬間的に下部成形キャビティ５に投入させることができる。下部成形キャビティ５上に半導体素子６などが装着された上部基板７と、下部成形キャビティ５が形成された下部基板８とを互いに圧縮する。この際、組成物供給容器３は上部基板７と下部基板８との圧縮の邪魔にならない側方に向かって移動する。また、下部基板７が上昇することで、上部基板７と下部基板８とを圧縮する。下部成形キャビティ５に投入された半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物１が下部基板８中に埋設されたヒーター９により溶融され、半導体素子６などが装着された上部基板７が下降しながら、半導体素子などが溶融物に徐々にディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）されることによって圧縮成形が完了する。
【００７４】
図３は、圧縮成形によって密封された半導体装置の一例を説明する。図３を参照すると、半導体素子１０１は、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物で形成された密封材１０２によって封止されている。半導体素子１０１は、ダイパッド１０３上にダイボンディング物質１０４によって固定されている。半導体素子１０１の電極パッドとリードフレーム１０５はワイヤ１０６によって連結されている。本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物で形成された密封材で密封されており、半導体パッケージの厚さ（Ｔ）の偏差が小さく、これによって反りの偏差が低い。
【実施例】
【００７５】
以下では、本発明の好ましい実施例を通じて本発明の構成及び作用をさらに詳細に説明する。但し、下記の実施例は、本発明の理解を促進するためのものであって、本発明の範囲が下記の実施例に限定されることはない。
【００７６】
（実施例１）
エポキシ樹脂として、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂であるＮＣ−３０００（日本化薬株式会社製）７．０１重量％及びビフェニル型エポキシ樹脂ＹＸ−４０００（ジャパンエポキシレジン株式会社製）５．７３重量％；硬化剤として、フェノールノボラック樹脂ＤＬ−９２（明和化成株式会社製）４．３２重量％及びフェノールアラルキル型フェノール樹脂であるＭＥＨ−７８５１Ｓ（明和化成株式会社製）１．０８重量％；硬化触媒として、トリフェニルホスフィン（北興化学工業株式会社製）０．８９重量％；無機充填剤として、アルミナ１０重量％とシリカ７０重量％との混合物８０重量％；カップリング剤として、エポキシシランＫＢＭ−３０３（信越化学工業株式会社製）０．３重量％及びアミノシランＫＢＭ−５７３（信越化学工業株式会社製）０．２重量％；着色剤として、カーボンブラックＭＡ−６００Ｂ（三菱化学株式会社製）０．３７重量％；離型剤として、カルナウバワックス０．１重量％をヘンシェルミキサー（ＫＥＵＭ  ＳＵＮＧ  ＭＡＣＨＩＮＥＲＹ  ＣＯ．ＬＴＤ（ＫＳＭ−２２））を用いて混合することによってマスターバッチ組成物を製造した。このとき、「重量％」は、半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物中の各成分の含量を示す。
【００７７】
前記製造した組成物を、連続ニーダーを用いて９０℃〜１１０℃で溶融・混練した後、冷却及び粉砕することによって粉末状の組成物に製造した。製造した粉末状の予備組成物を、錠剤圧縮成形機を用いて錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物に製造した。
【００７８】
具体的には、前記製造した粉末状の組成物を錠剤打錠設備フィーダーに投入し、上部パンチの下降によってダイに入っている粉末状の組成物を圧縮した後、上部パンチの昇降によって錠剤状の組成物を製造した。上部パンチの下降及び下部パンチの昇降によって組成物に加えられる圧縮荷重は０．６トンであった。また、ダイの直径及び高さを調節することによって、下記の表４の物性を有する錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００７９】
（実施例２〜実施例９）
実施例１で半導体素子密封用エポキシ組成物中の各成分の含量を下記の表１のように変更したことを除いては、実施例１と同一の方法で半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００８０】
前記製造した半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物に対して圧縮荷重、ダイの直径、及び／又はダイの高さを調節することによって錠剤圧縮成形を行い、その結果、下記の表４の物性を有する錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００８１】
（比較例１〜比較例１２）
実施例１で半導体素子密封用エポキシ組成物中の各成分の含量を下記の表２及び表３のように変更したことを除いては、実施例１と同一の方法で半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００８２】
前記製造した半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物に対して圧縮荷重、ダイの直径、及び／又はダイの高さを調節することによって錠剤圧縮成形を行い、その結果、下記の表５及び表６の物性を有する錠剤状の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。比較例８では、錠剤圧縮成形時に錠剤を製造することができなかった。
【００８３】
（比較例１３）
実施例１で半導体素子密封用エポキシ組成物中の各成分の含量を下記の表３のように変更したことを除いては、実施例１と同一の方法で半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００８４】
円筒状外周部の素材として、穴径２．５ｍｍの小さい穴を備えた鉄製のパンチング鉄網を使用した。直径２０ｃｍの回転子の外周上に円筒状に加工した高さ２５ｍｍ、厚さ１．５ｍｍのパンチング鉄網を設置することによって円筒状外周部を形成した。回転子を３０００ＲＰＭで回転させ、円筒状外周部を励磁コイルで１１５℃に加熱した。回転子の回転数及び円筒状外周部の温度が正常状態になった後、脱気装置によって脱気しながら２軸押出機によって前記マスターバッチを溶融・混練して得られた溶融物を、回転子の上側で二重管式円筒体を通じて２ｋｇ／ｈｒの比率で回転子の内部に供給し、回転子を回転させて得ることができる遠心力によって円筒状外周部の複数の小さい穴に通過させることにより、遠心製粉法によって下記の表６の物性を有する樹脂組成物を得た。２軸押出機の混練温度は９０℃〜１１０℃であった。
【００８５】
（比較例１４〜比較例１６）
実施例１で半導体素子密封用エポキシ組成物中の各成分の含量を下記の表３のように変更したことを除いては、実施例１と同一の方法で半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００８６】
前記製造した半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物に対して、比較例１３の遠心製粉と同一の遠心製粉を実施した。比較例１４〜比較例１６の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物で遠心製粉を実施したときは、製造が不可能であった。
【００８７】
【表１】
2020100824.tif 000004
【００８８】
【表２】
2020100824.tif 000005
【００８９】
【表３】
2020100824.tif 000006
【００９０】
前記表１〜前記表３において、
エポキシ樹脂１は、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂で、
エポキシ樹脂２は、ビフェニル型エポキシ樹脂で、
硬化剤１は、フェノールノボラック型樹脂で、
硬化剤２は、フェノールアラルキル型フェノール樹脂で、
硬化触媒は、トリフェニルホスフィンで、
アルミナは、平均粒径（Ｄ５０）が９μｍで、
シリカは、平均粒径（Ｄ５０）が８μｍで、
窒化アルミニウムは、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍで、
カップリング剤１は、エポキシシランで、
カップリング剤２は、アミノシランである。
【００９１】
実施例及び比較例で成形した半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物に対して下記の物性を評価し、その結果を下記の表４、表５及び表６に示した。
【００９２】
（１）製造された半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の錠剤の大きさ：ＡＳＴＭ標準ＭＥＳＨを用いて振動ふるい機に０．１ｍｍ［ＡＳＴＭ  Ｎｏ  １４０］、２．８ｍｍ［ＡＳＴＭ  Ｎｏ  ７］のふるい目格子を用いて１０分にわたってハンマー打数として１分当たり１００打数で振動させ、試料を粉ふるいに通過させ、０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満の粉ふるいでろ過される錠剤の重さ、及び０．１ｍｍ未満２．８ｍｍ以上の粉ふるいでろ過される錠剤の重さを測定し、０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満に該当する半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物の錠剤の含量（％）を測定した。
【００９３】
（２）圧縮密度：ＡＳＴＭ標準ふるいを用いて篩ったとき、０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満の粉ふるいでろ過されるものに対して測定した。具体的には、前記０．１ｍｍ以上２．８ｍｍ未満の粉ふるいでろ過されるもののうち一部を秤量することによって試料を獲得し、電子秤を用いて重さ（Ｗ）を測定した。５０ｍｌのメスシリンダーに水を半分だけ充填し、シリコーン系界面活性剤（製品名：ＢＹＫ−３７８、製造社：ＢＹＫ社）０．１ｇを投入した後、正確な体積（Ｖ１）を測定した。重さを測定した錠剤をメスシリンダーに入れた後、変化した体積（Ｖ２）を正確に測定した。このとき、錠剤の密度は、下記の式１によって圧縮密度（単位：ｇ／ｍＬ）として計算した。このとき、錠剤の間にある空気を除去するためにシリンダーを振った後、体積を測定し、圧縮密度は、５回測定した後の平均値として計算することができる。
【００９４】
【数２】
2020100824.tif 000007
【００９５】
（３）硬化密度：半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物は、トランスファー成形機を用いて金型温度１７５±５℃の範囲、注入圧力７ＭＰａ、硬化時間１２０秒にして直径５０ｍｍ×厚さ３ｍｍの円盤に成形し、ＰＭＣ（Ｐｏｓｔ  ｍｏｌｄ  ｃｕｒｉｎｇ）工程をオーブンで１７５℃で４時間進めた後、質量及び体積を求め、体積に対する質量の比（質量／体積、ｇ／ｍＬ）として計算した。
【００９６】
（４）熱伝導度：半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を金型温度１７５℃、注入圧力９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件のトランスファー成形機に注入し、熱伝導度試験片を製造した後、ＡＳＴＭ  Ｄ５４７０によって京都電子工業株式会社製のＱＴＭ−５００測定装置を用いて２５℃で評価した。
【００９７】
（５）圧縮成形時の微粉飛散設備の汚染程度：圧縮成形装置としてコンプレッションモールド設備（ＰＭＣ−１０４０、ＴＯＷＡ株式会社製）を使用した。振動フィーダー内に実施例及び比較例で製造したエポキシ樹脂組成物２５ｇを入れ、供給速度１．０ｇ／ｓｅｃで一定に投入する作動を２０回繰り返し、投入の完了後、振動フィーダーを分離し、振動フィーダーの壁面に付着したエポキシ樹脂組成物の重さを測定した。付着したエポキシ樹脂組成物の重さが合計１５０ｍｇ未満で、肉眼で振動フィーダー内管の付着状態が見えない場合は×と判定し、付着したエポキシ樹脂組成物の重さが合計１５０ｍｇ未満で、肉眼で振動フィーダー内管の付着状態が観察される場合は△と判定し、付着したエポキシ樹脂組成物の重さが合計１５０ｍｇ以上で、肉眼で振動フィーダー内管が黒く変化し、エポキシ樹脂組成物の付着が著しく発生する場合は○と判定した。
【００９８】
（６）ワイヤスイープ：プリント配線基板（基板サイズは、横×縦が２４０ｍｍ×７７．５ｍｍ、ユニットサイズは、横×縦が１４ｍｍ×１８ｍｍ）上に、ダイ（横×縦×厚さが１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍ）であるチップを実装した。そして、直径０．８ｍｍのゴールドワイヤを用いて接続させた。このとき、コンプレションモールド設備（ＰＭＣ−１０４０、ＴＯＷＡ株式会社製）を用いた。モールド設備に、実施例及び比較例の半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物を同一の含量で投入し、モールディング厚さ０．７ｍｍを有する条件で金型温度１７５℃、硬化時間１００秒、成形圧力１０ｔｏｎの条件で半導体装置を成形した。Ｘ線透過装備（東芝ＩＴコントロールシステム株式会社製、Ｔｏｓｍｉｃｒｏｎ−Ｓ４０９０）で分析し、パッケージのワイヤ１０個（ワイヤの長さが３ｍｍであるもの）に対してワイヤスイープを評価した。
【００９９】
【表４】
2020100824.tif 000008
【０１００】
【表５】
2020100824.tif 000009
【０１０１】
【表６】
2020100824.tif 000010
【０１０２】
前記表４のように、本発明の実施例１〜９の錠剤状のエポキシ樹脂組成物は、圧縮成形による半導体素子の密封時、圧縮成形設備中の組成物の固着及び／又は飛散を防止し、設備の汚染を低下させることができた。また、圧縮成形による半導体素子の密封時、ワイヤスイープを著しく低下させることができた。また、熱伝導度が２Ｗ／ｍＫ以上になることによって、半導体素子の密封時に放熱効果が高くなり、作動時に発生する熱によるパッケージ誤作動及びクラック発生の頻度を低下させることができた。
【０１０３】
その一方で、前記表５及び表６のように、錠剤圧縮成形方法によっても、比較例１〜比較例１２を参照すると、本願の（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）のうちいずれか一つでも満足しない場合、ワイヤスイープ低下効果が低いか、熱伝導度が低いか、粉塵による設備の汚染が高くなった。
【０１０４】
本発明の単純な変形及び変更は、この分野で通常の知識を有する者によって容易に実施可能であり、このような変形や変更は、いずれも本発明の領域に含まれるものと見なすことができる。
【符号の説明】
【０１０５】
１  半導体素子密封用エポキシ樹脂組成物、
２  振動フィーダー、
３  組成物供給容器、
４  シャッター、
５  下部成形キャビティ、
６  半導体素子、
７  上部基板、
８  下部基板、
９  ヒーター、
１０１  半導体素子、
１０２  密封材、
１０３  ダイパッド、
１０４  ダイボンディング物質、
１０５  電極パッドとリードフレーム、
１０６  ワイヤ。
【図１】
2020100824.tif 000011
【図２】
2020100824.tif 000012
【図３】
2020100824.tif 000013