(57)【要約】【課題】従来よりも低コストでステンレス鋼に表面改質を施す。【解決手段】被処理物を収容するチャンバと、該チャンバ内の被処理物を加熱する加熱部と、チャンバ内を真空雰囲気とする排気部と、チャンバ内に所定の浸炭ガスを供給する浸炭ガス供給部と、加熱部、排気部及び浸炭ガス供給部を制御する制御部とを備え、制御部は、被処理物がステンレス鋼の場合、真空雰囲気下で前記チャンバ内を第１温度まで加熱し、当該加熱後に第１温度よりも低い第２温度にチャンバ内を設定すると共にチャンバ内に浸炭ガスを供給させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を収容するチャンバと、
該チャンバ内の前記被処理物を加熱する加熱部と、
前記チャンバ内を真空雰囲気とする排気部と、
前記チャンバ内に所定の浸炭ガスを供給する浸炭ガス供給部と、
前記加熱部、前記排気部及び前記浸炭ガス供給部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記被処理物がステンレス鋼の場合、真空雰囲気下で前記チャンバ内を第１温度まで加熱し、当該加熱後に前記第１温度よりも低い第２温度に前記チャンバ内を設定すると共に前記チャンバ内に前記浸炭ガスを供給させることを特徴とする真空浸炭装置。
【請求項２】
前記第１温度は、９００〜１１５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の真空浸炭装置。
【請求項３】
前記第２温度は、４００〜６００℃であることを特徴とする請求項１または２に記載の真空浸炭装置。
【請求項４】
前記被処理物は、ステンレス鋼から形成された部品であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の真空浸炭装置。
【請求項５】
加熱室に収容された被処理物を真空雰囲気下で第１温度まで加熱する加熱工程と、
当該加熱工程後に、前記第１温度よりも低い第２温度において前記被処理物を浸炭ガス雰囲気下に置くことにより浸炭する浸炭工程と、
を有することを特徴とする真空浸炭方法。
【請求項６】
前記第１温度は、９００〜１１５０℃であることを特徴とする請求項５に記載の真空浸炭方法。
【請求項７】
前記第２温度は、４００〜６００℃であることを特徴とする請求項５または６に記載の真空浸炭方法。
【請求項８】
前記被処理物は、ステンレス鋼から形成された部品であることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の真空浸炭方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空浸炭装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、オーステナイト系ステンレス鋼からなるワークに浸炭処理を施す場合に、研磨加工によってワーク表面の加工変質層を予め除去することにより大気圧下かつ６００℃以下の低温で浸炭処理を行うことが記載されている。
また、下記特許文献２には、Ｃｒを１３ｗｔ％以上含む合金の１つであるオーステナイト系ステンレス鋼からなる母材に浸炭処理を施す場合に、ガス置換法、溶液溶解法あるいは塗布法等を用いることにより母材の表面に形成されている酸化皮膜除を予め除去することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５９５７３００号公報
【特許文献２】特開２０１５−０４８４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記各背景技術は、表面に不働態膜を有するステンレス鋼に有効な浸炭処理を施すに際して、機械的（物理的）あるいは化学的な手法に基づく前工程で不働態膜を除去することにより、ステンレス鋼の表面改質を実現するものである。しかしながら、このような背景技術は、前工程専用の設備を用意する必要があるので、コスト高を招く。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、従来よりも低コストでステンレス鋼に表面改質を施すことを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明では、真空浸炭装置に係る第１の解決手段として、被処理物を収容するチャンバと、該チャンバ内の前記被処理物を加熱する加熱部と、前記チャンバ内を真空雰囲気とする排気部と、前記チャンバ内に所定の浸炭ガスを供給する浸炭ガス供給部と、前記加熱部、前記排気部及び前記浸炭ガス供給部を制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記被処理物がステンレス鋼の場合、真空雰囲気下で前記チャンバ内を第１温度まで加熱し、当該加熱後に前記第１温度よりも低い第２温度に前記チャンバ内を設定すると共に前記チャンバ内に前記浸炭ガスを供給させる、という手段を採用する。
【０００７】
本発明では、真空浸炭装置に係る第２の解決手段として、上記第１の解決手段において、前記第１温度は９００〜１１５０℃である、という手段を採用する。
【０００８】
本発明では、真空浸炭装置に係る第３の解決手段として、上記第１または第２の解決手段において、前記第２温度は４００〜６００℃である、という手段を採用する。
【０００９】
本発明では、真空浸炭装置に係る第４の解決手段として、上記第１〜第３のいずれかの解決手段において、前記被処理物はステンレス鋼から形成された部品である、という手段を採用する。
【００１０】
また、本発明では、真空浸炭方法に係る第1の解決手段として、加熱室に収容された被処理物を真空雰囲気下で第１温度まで加熱する加熱工程と、当該加熱工程後に、前記第１温度よりも低い第２温度において前記被処理物を浸炭ガス雰囲気下に置くことにより浸炭する浸炭工程とを有する、という手段を採用する。
【００１１】
また、本発明では、真空浸炭方法に係る第２の解決手段として、上記第１の解決手段において、前記第１温度は９００〜１１５０℃である、という手段を採用する。
【００１２】
また、本発明では、真空浸炭方法に係る第３の解決手段として、上記第１または第２の解決手段において、前記第２温度は４００〜６００℃である、という手段を採用する。
【００１３】
また、本発明では、真空浸炭方法に係る第４の解決手段として、上記第１〜第３のいずれかの解決手段において、前記被処理物はステンレス鋼から形成された部品である、という手段を採用する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、従来よりも低コストでステンレス鋼に表面改質を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る真空浸炭装置の構成を示す正縦断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る真空浸炭装置の動作を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
本実施形態に係る真空浸炭装置は、図１に示すように、本体部Ａ、操作部Ｍ、表示部Ｄ及び制御部Ｓを備えている。本体部Ａは、図１に示すように、チャンバ１、入出扉２、第１昇降シリンダ３、第１中間扉４、第２昇降シリンダ５、油槽６、第３昇降シリンダ７、断熱壁８、第２中間扉９、第４昇降シリンダ１０、加熱部１１、排気部１２及び浸炭ガス供給部１３を備えている。
【００１７】
チャンバ１は、横置きの筒状体であり、被処理物Ｘを収容する容器である。このチャンバ１には、図示するように一端部に外部に開口する外部開口１ａが形成され、また中間部位に内部開口１ｂが形成されている。チャンバ１内において、外部開口１ａと内部開口１ｂとの間の空間は、被処理物Ｘを冷却する冷却室Ｃを形成している。
【００１８】
ここで、本実施形態に係る真空浸炭装置が浸炭処理の対象とする被処理物Ｘは、ステンレス鋼から形成された各種の部品である。周知のように、ステンレス鋼は表面に不働態膜（層）を有する鉄鋼材料である。このようなステンレス鋼には、オーステナイト系ステンレス鋼やマツテンサイト系ステンレス鋼あるいはフェライト系ステンレス鋼があるが、本実施形態に係る真空浸炭装置は、全ての種類のステンレス鋼から形成された部品を処理対象としている。
【００１９】
入出扉２は、上記外部開口１ａを開放／閉鎖する開閉扉であり、チャンバ１内を開放あるいは密閉状態とする。上記被処理物Ｘは、この入出扉２を介してチャンバ１内に搬入されると共に、この入出扉２を介してチャンバ１外に搬出される。第１昇降シリンダ３は、このような入出扉２を上下動させる駆動装置である。この第１昇降シリンダ３は、入出扉２を降下させることによって外部開口１ａを閉鎖し、また入出扉２を上昇させることによって外部開口１ａを開放させる。
【００２０】
第１中間扉４は、上記内部開口１ｂを開放／閉鎖する開閉扉である。第２昇降シリンダ５は、このような第１中間扉４を上下動させる駆動装置である。この第２昇降シリンダ５は、第１中間扉４を降下させることによって内部開口１ｂを閉鎖し、また第１中間扉４を上昇させることによって内部開口１ｂを開放させる。すなわち、上記冷却室Ｃは、入出扉２が外部開口１ａを閉鎖し、かつ、第１中間扉４が内部開口１ｂを閉鎖することにより密閉空間となる。
【００２１】
油槽６は、このような冷却室Ｃの下部に設けられており、内部に所定量の冷却油が貯留されている。第３昇降シリンダ７は、冷却室Ｃ内に収容された被処理物Ｘを上下動させる駆動装置である。この第３昇降シリンダ７は、冷却室Ｃ内に収容された被処理物Ｘを降下させることによって油槽６内の冷却油に浸漬させ、また被処理物Ｘを上昇させることによって冷却油から乖離させる。
【００２２】
断熱壁８は、チャンバ１内において冷却室Ｃの奥側の空間に設けられた箱体（直方体）である。この断熱壁８は、所定の断熱性能を有し、例えば金属製の外郭とグラファイト製の内郭との間に断熱材が設けられたものである。このような断熱壁８の冷却室Ｃ側には、被処理物Ｘを搬入あるいは搬出するための開口（断熱開口８ａ）が形成されている。また、このような断熱壁８の内部空間は、被処理物Ｘを加熱するための加熱室Ｈを形成している。なお、図示していないが、チャンバ１内には冷却室Ｃと加熱室Ｈとの間で被処理物Ｘを搬送する内部搬送装置が備えられている。
【００２３】
第２中間扉９は、断熱開口８ａを開放／閉鎖する開閉扉である。この第２中間扉９は、断熱壁８に準じた断熱性能を有している。第４昇降シリンダ１０は、このような第２中間扉９を上下動させる駆動装置である。この第４昇降シリンダ１０は、第２中間扉９を降下させることによって断熱開口８ａを閉鎖し、また第２中間扉９を上昇させることによって断熱開口８ａを開放させる。すなわち、上記加熱室Ｈは、第２中間扉９が断熱開口８ａを閉鎖することにより全体として断熱材で囲まれた状態となる。
【００２４】
加熱部１１は、加熱室Ｈ内に被処理物Ｘを取り囲むように設けられた複数の電気ヒータを備え、チャンバ１内の被処理物Ｘを所定温度まで加熱する。この加熱部１１は、例えば１２００℃まで被処理物Ｘを加熱する能力を有する。排気部１２は、冷却室Ｃを除くチャンバ１内を真空雰囲気とする真空ポンプである。上記加熱室Ｈは、この排気部１２が作動することによって所望の真空度に減圧される。
【００２５】
浸炭ガス供給部１３は、チャンバ１内、特に加熱室Ｈ内に所定の浸炭ガスを供給するガス供給装置である。この浸炭ガス供給部１３は、加熱室Ｈ内の各所における浸炭ガス濃度がより均一になるように浸炭ガスを複数箇所から加熱室Ｈ内に供給する。上記浸炭ガスは、熱分解によって炭素（Ｃ）が生成される化合物のガス（気体）であり、例えばアセチレン（Ｃ２Ｈ２）である。
【００２６】
このように構成された本体部Ａに対し、操作部Ｍは、制御部Ｓに作業者の設定指示を入力するための入力装置である。表示部Ｄは、本体部Ａが被処理物Ｘに施す処理の処理条件や本体部Ａの運転状態を表示する。このような操作部Ｍ及び表示部Ｄは、例えば情報の入出力が可能なタッチパネルである。
【００２７】
制御部Ｓは、上記設定指示及び予め記憶された制御プログラム（浸炭処理プログラム）に基づいて本体部Ａを制御するソフトウエア制御装置である。この制御部Ｓは、操作部Ｍから入力された作業者の設定指示を受け付けると共に、本体部Ａの第１昇降シリンダ３、第２昇降シリンダ５、第３昇降シリンダ７、第４昇降シリンダ１０、加熱部１１、排気部１２及び浸炭ガス供給部１３を操作することにより、本体部Ａを統括的に制御する。また、この制御部Ｓは、本体部Ａの動作状態、例えば被処理物Ｘに対する浸炭処理の経過状況等を表示部Ｄに表示させる。
【００２８】
次に、このように構成された本実施形態に係る真空浸炭装置の動作つまり本実施形態に係る真空浸炭方法について、図２をも参照して詳しく説明する。
【００２９】
最初に、本実施形態に係る真空浸炭方法の概要について説明すると、この真空浸炭方法は、前工程である加熱工程と本工程である浸炭工程とを少なくとも有する。上記加熱工程は、加熱室Ｈに収容された被処理物Xを真空雰囲気下で第１温度Ｔ１まで先行加熱処理する工程である。また、上記浸炭工程は、加熱工程後において上記第１温度Ｔ１よりも低い第２温度Ｔ２において被処理物Ｘを浸炭ガス雰囲気下に置くことにより低温浸炭処理する工程である。
【００３０】
すなわち、本実施形態に係る真空浸炭装置を用いて被処理物Ｘに真空浸炭処理を施す場合、制御部Ｓは、第１昇降シリンダ３を作動させて入出扉２を上昇させることにより外部開口１ａを開放させる。そして、制御部Ｓは、この状態において内部搬送装置（図示略）を作動させて被処理物Ｘをチャンバ１内の冷却室Ｃに収容させる。そして、制御部Ｓは、第１昇降シリンダ３を作動させて入出扉２を降下させることにより、チャンバ１内を密閉空間とする。
【００３１】
そして、制御部Ｓは、このようにチャンバ１内が密閉された状態において、第２昇降シリンダ５を作動させて第１中間扉４を上昇移動させることにより内部開口１ｂを開放させる。そして、制御部Ｓは、さらに内部搬送装置を作動させることによって被処理物Ｘを冷却室Ｃから加熱室Ｈに移動させる。
【００３２】
ここで、図２は、チャンバ１内の温度及び圧力つまり被処理物Ｘの雰囲気温度及び雰囲気圧力の時間変化（履歴）を示す特性図である。制御部Ｓは、本体部Ａにおける第１昇降シリンダ３、第２昇降シリンダ５、第３昇降シリンダ７、第４昇降シリンダ１０、加熱部１１、排気部１２及び浸炭ガス供給部１３を適宜操作することにより、被処理物Ｘの雰囲気温度及び雰囲気圧力を図２に示すように変化させる。
【００３３】
すなわち、制御部Ｓは、被処理物Ｘがチャンバ１内に収容されると、時刻ｔ0において第１昇降シリンダ３を作動させることによりチャンバ１内を密閉空間とすると共に、排気部１２の作動を開始させて加熱室Ｈの圧力を徐々に低下させ、所定の圧力（真空状態）に到達すると当該真空状態を維持させる。この結果、被処理物Ｘは、所定の真空雰囲気下（減圧雰囲気下）に保持されることになる。なお、上記圧力は、例えば０．１ｋＰａ以下である。
【００３４】
また、制御部Ｓは、被処理物Ｘがチャンバ１内に収容されると、加熱部１１の作動を開始させることにより、加熱室Ｈ内の温度を第１温度Ｔ１まで上昇させる。この第１温度Ｔ１は、図２に示すように例えば１０００℃である。そして、制御部Ｓは、加熱室Ｈ内の温度が第１温度Ｔ１に到達すると、加熱部１１に到達時刻（時刻ｔ２）から所定の期間（加熱期間Ｔｈ）に亘って第１温度Ｔ１を維持させる。すなわち、被処理物Ｘの雰囲気温度は、時刻ｔ２〜時刻ｔ３の間、第１温度Ｔ１に保持される。
【００３５】
この結果、被処理物Ｘには、第１温度Ｔ１かつ加熱期間Ｔｈによる加熱処理（先行加熱処理）が施される。このような先行加熱処理によって、被処理物Ｘの不働態膜（層）は、後続する浸炭工程（浸炭処理）における炭素（Ｃ）が浸入し易い状態となる。すなわち、１０００℃の高温雰囲気下において、下式（１）の化学反応が進行することにより、被処理物Ｘの不働態膜（層）が消失する。
【００３６】
Ｃｒ２Ｏ３＋３Ｃ→２Ｃｒ＋３ＣＯ            （１）
なお、この反応式において、「Ｃｒ２Ｏ３」は、不働態膜（層）を形成する酸化クロム（III）であり、また「Ｃ」は、被処理物Ｘに含まれる炭素である。すなわち、先行加熱処理では、酸化クロム（III）と炭素とが化学反応して、クロム（Ｃｒ）と一酸化炭素（ＣＯ）が生成される。
【００３７】
このような先行加熱処理の処理条件（先行加熱条件）つまり第１温度Ｔ１及び加熱期間Ｔｈは、被処理物Ｘに対する炭素（Ｃ）の浸入容易性を支配するものであり、被処理物Ｘの性状や物性等に基づいて適宜設定される。すなわち、先行加熱条件は、被処理物Ｘがオーステナイト系ステンレス鋼、マツテンサイト系ステンレス鋼あるいはフェライト系ステンレス鋼の何れかに応じて適宜設定され、また被処理物Ｘに含まれる炭素やクロムの量に応じて適宜設定される。
【００３８】
なお、被処理物Ｘの性状や物性等にも依るが、第１温度Ｔ１は、９００〜１１５０℃の温度範囲が好ましいと思われる。また、加熱期間Ｔｈについては、３０分〜１時間程度が好ましいと思われる。
【００３９】
このようにしてチャンバ１内を第１温度Ｔ１まで加熱することによる被処理物Ｘの先行加熱処理が完了すると、制御部Ｓは、当該加熱後（先行加熱処理後）に加熱部１１を制御することにより、加熱室Ｈ内の温度を上記第１温度Ｔ１よりも低い第２温度Ｔ２（浸炭温度）まで降下させる。この第２温度Ｔ２は例えば５００℃である。すなわち、被処理物Ｘの温度は、時刻ｔ３〜時刻ｔ４において第１温度Ｔ１から第２温度Ｔ２まで低下する。
【００４０】
そして、制御部Ｓは、加熱室Ｈ内の温度が第２温度Ｔ２（浸炭温度）に到達すると、加熱部１１に第２温度Ｔ２（浸炭温度）を維持させると共に、浸炭ガス供給部１３を作動させて加熱室Ｈ内に浸炭ガスを供給させる。なお、この浸炭ガスの供給によって、加熱室Ｈ内の圧力は、図２に示すように若干上昇する。
【００４１】
浸炭ガスは、第２温度Ｔ２（浸炭温度）の雰囲気下において熱分解し、加熱室Ｈ内は熱分解ガスである炭素（Ｃ）ガス雰囲気となる。そして、この炭素（Ｃ）は、被処理物Ｘの表面から内部に浸入し、被処理物Ｘの表面近傍部位所定深さの浸炭層を形成する。すなわち、浸炭ガスが加熱室Ｈに供給される時刻ｔ４から時刻ｔ５の期間は、浸炭ガスに由来する炭素（Ｃ）が第２温度Ｔ２で被処理物Ｘの表面に浸入する浸炭期間Ｔｓである。
【００４２】
このようにして被処理物Ｘの低温浸炭処理が完了すると、制御部Ｓは、浸炭ガス供給部１３の作動を停止させて加熱室Ｈへの浸炭ガスの供給を終了させるが、加熱室Ｈ内の温度については第２温度Ｔ２を一定期間に渡って維持させる。すなわち、制御部Ｓは、加熱部１１を制御することにより、時刻ｔ５から時刻ｔ６の間に亘って被処理物Ｘの雰囲気温度を第２温度Ｔ２に保持させる。このような時刻ｔ５から時刻ｔ６の期間は、被処理物Ｘ内に浸入した炭素（Ｃ）が被処理物Ｘ内で拡散して炭素濃度が均一化する拡散期間Ｔｋである。
【００４３】
このような浸炭期間Ｔｓ及び拡散期間Ｔｋは、一般的な浸炭温度に比較して低温な第２温度Ｔ２（浸炭温度）で被処理物Ｘに対して低温浸炭処理を行う期間である。このような低温浸炭処理の処理条件（浸炭条件）のうち、第２温度Ｔ２（浸炭温度）は４００〜６００℃の温度範囲が好ましく、浸炭期間Ｔｓは目標とする浸炭層の厚さ（深さ）に応じて適宜設定され、また拡散期間Ｔｋは浸炭期間Ｔｓに応じて適宜設定される。
【００４４】
このような低温浸炭処理が完了すると、制御部Ｓは、内部搬送装置を作動させることによって被処理物Ｘを加熱室Ｈから冷却室Ｃに搬送させる。そして、制御部Ｓは、第３昇降シリンダ７を作動させることによって被処理物Ｘを油槽６内の冷却油に浸漬させる。この結果、被処理物Ｘの温度は、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間を経て第２温度Ｔ２から常温近傍まで急速に低下する。このような時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間は、被処理物Ｘを急速冷却する冷却期間である。
【００４５】
例えば、オーステナイト系ステンレス鋼の一種である「ＳＵＳ３０４」から形成された複数の部品について、本実施形態に係る真空浸炭方法で処理した結果、部品の表面硬度を２４０ＨＶから５６１ＨＶまで向上した。なお、この部品の真空浸炭における先行加熱条件のうち第１温度Ｔ１は１０００℃、また加熱期間Ｔｈは３０分である。また、この部品の真空浸炭における浸炭条件のうち、第２温度Ｔ２（浸炭温度）は５００、浸炭期間Ｔｓは３０分、また拡散期間Ｔｋは２分である。
【００４６】
このような本実施形態では、低温浸炭処理の前処理として先行加熱処理を施すだけで被処理物Ｘ（ステンレス鋼）の表面近傍部位に浸炭層を形成することができる。したがって、本実施形態によれば、従来よりも低コストで被処理物Ｘ（ステンレス鋼）に表面改質を施すことが可能である。
【００４７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような変形例が考えられる。
（１）上記実施形態では、加熱室Ｈと冷却室Ｃとが独立した２室型の本体部Ａを備える真空浸炭装置について説明したが、本発明はこれに限定されない。真空浸炭装置には、加熱室が冷却室に共用される単室型、あるいは複数の加熱室及び冷却室が連接された連続型等、各種形態のものがある。本発明は、これら各種形態の真空浸炭装置にも適用可能である。
【００４８】
（２）上記実施形態では、先行加熱条件のうち、第１温度Ｔ１を９００〜１１５０℃の温度範囲、加熱期間Ｔｈを３０分〜１時間程度としたが、本発明はこれに限定されない。この先行加熱条件はあくまで現時点における知見であり、不働態膜を消失させるためには第１温度Ｔ１と加熱期間Ｔｈとの関係が重要である。
【００４９】
すなわち、先行加熱処理の時間を短縮することにより被処理物Ｘ（ステンレス鋼）の真空浸炭処理の効率向上を図ろうとする場合、加熱期間Ｔｈを短縮する必要があるので、この短縮の度合いに応じて第１温度Ｔ１（先行加熱温度）を高く設定する必要がある。一方、先行加熱処理に要する電力つまり加熱部１１の消費電力を低減しようとする場合、第１温度Ｔ１（先行加熱温度）をより低く設定する必要があるので、この場合には加熱期間Ｔｈをより長く設定する必要がある。
【００５０】
（３）上記実施形態では、油冷式の冷却室Ｃを設けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、油冷式に代えて不活性ガスを用いたガス冷式の冷却室Ｃを採用してもよい。
【符号の説明】
【００５１】
Ａ  本体部
Ｄ  表示部
Ｍ  操作部
Ｓ  制御部
Ｃ  冷却室
Ｈ  加熱室
１  チャンバ
１ａ  外部開口
１ｂ  内部開口
２  入出扉
３  第１昇降シリンダ
４  第１中間扉
５  第２昇降シリンダ
６  油槽
７  第３昇降シリンダ
８  断熱壁
８ａ  断熱開口
９  第２中間扉
１０  第４昇降シリンダ
１１  加熱部
１２  排気部
１３  浸炭ガス供給部
【図１】
2020076125.tif 000003
【図２】
2020076125.tif 000004