(57)【要約】【課題】シリコンウェーハ内にホウ素を均一に分散し、シート抵抗の面内ばらつきを抑制する【解決手段】加熱炉内に塗布液Ｌを塗布した製品用ウェーハＷｐと、前記塗布液を塗布したモニタウェーハＷｍ１と、前記塗布液を塗布しないモニタウェーハＷｍ２とを配置し、プレ拡散処理を行うステップと、前記プレ拡散処理後、塗布液を塗布したモニタウェーハの塗布膜厚を測定するとともに、塗布液を塗布しないモニタウェーハの酸化膜厚を測定するステップと、前記製品用ウェーハ及びモニタウェーハの表面に形成されたボロンシリケートガラスを除去するステップと、前記ボロンシリケートガラスを除去したモニタウェーハのシート抵抗を多点測定するステップと、測定した前記モニタウェーハの塗布膜厚と酸化膜厚とシート抵抗とを、前記塗布液の膜厚および前記プレ拡散処理の条件設定にフィードバックするステップと、ドライブイン拡散処理を行うステップと、を備える。【選択図】図３
2020021766.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体シリコンウェーハの表面にＢ２Ｏ３を含有する塗布液を塗布し、前記塗布液中に含まれるホウ素をウェーハ内部に拡散させるシリコンウェーハの製造方法であって、
加熱炉内のボートにおいて、前記塗布液を塗布した製品用ウェーハと、前記塗布液を塗布したモニタウェーハと、前記塗布液を塗布しないモニタウェーハとを配置し、所定温度の加熱によりプレ拡散処理を行うステップと、
前記プレ拡散処理後、塗布液を塗布したモニタウェーハの塗布膜厚を測定するとともに、塗布液を塗布しないモニタウェーハの酸化膜厚を測定するステップと、
前記塗布液を塗布した製品用ウェーハ及びモニタウェーハの表面に形成されたボロンシリケートガラスを除去するステップと、
前記ボロンシリケートガラスを除去したモニタウェーハのシート抵抗を多点測定するステップと、
測定した前記モニタウェーハの塗布膜厚と酸化膜厚とシート抵抗とを、前記塗布液の膜厚および前記プレ拡散処理の条件設定にフィードバックするステップと、
前記製品用ウェーハを加熱することによりホウ素をウェーハ内部に拡散するドライブイン拡散処理を行うステップと、
を備えることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記塗布液の膜厚および前記プレ拡散処理の条件設定にフィードバックするステップにおいて、
測定したモニタウェーハの塗布膜厚が２００ｎｍ以上、酸化膜厚が７０ｎｍ以下となるように前記プレ拡散処理の条件設定を修正することを特徴とする請求項１に記載されたシリコンウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハの製造方法に関し、特にウェーハ内部へのホウ素を均一に拡散し、シート抵抗のばらつきを抑制することのできるシリコンウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハにホウ素を拡散させる方法としてスピンオン拡散法が知られている。このスピンオン拡散法について図７に基づき説明する。
先ず、図７（ａ）に示すようにシリコンウェーハＷの単結晶シリコン表面にホウ素を含有する塗布液６０を塗布する。
【０００３】
具体的に塗布液６０としては、通常、Ｂ２Ｏ３と有機バインダと溶剤とからなるものを用い、高速で回転させたシリコンウェーハ表面に塗布液６０を滴下することにより図７（ｂ）のように均一な膜厚を得るようにしている。
【０００４】
次いでベーク工程において塗布液中の溶剤を除去し、さらに焼成工程において塗布液中の有機バインダも除去する（ハードベーク）。
次いで図７（ｃ）に示すようにプレ拡散工程においてホウ素を一定程度シリコンウェーハＷ内に拡散させて拡散層５５を形成する（プレ拡散）。
【０００５】
このときシリコンウェーハ表面の塗布液６０はボロンシリケートガラス（ＢＳＧ）になるから、これを図７（ｄ）に示すようにＢＳＧ除去工程において除去し、その後図７（ｅ）のようにドライブイン拡散工程においてホウ素５５ＡをシリコンウェーハＷ内に目的の深さだけ拡散させる。ここで、上記プレ拡散工程は従来より不活性ガス雰囲気下で行われる。
【０００６】
ところで、プレ拡散をＮ２ガスなどの不活性ガス１００％の雰囲気下で行うと、ボロンシリケートガラス（ＢＳＧ）とシリコンウェーハＷとの間にボロンシリサイドＳｉＢｙ（ｙ＝４，６）が形成されることが知られている。
ボロンシリケートガラスは、通常フッ酸液に浸漬することによって除去するが、前記ボロンシリサイドは、フッ酸液では除去することができないために、次のドライブイン拡散工程まで残る。その結果、シート抵抗が狙い値よりも低くなり、またシート抵抗のばらつきが増大する原因となっていた。
【０００７】
前記問題に対し、特許文献１においては、プレ拡散工程を、酸素分圧を有する不活性ガス雰囲気において行うことで対応している。それによれば、不純物濃度がエラーファンクションに従うような深さ方向のプロファイルに不純物拡散が発生する。同時に、フッ酸液で溶解しないボロンシリサイド膜を酸化する現象が起こる。したがって、酸化されたボロンシリサイド膜は、フッ酸液によって除去されてドライブイン拡散工程にまで残留することがなくなる。その結果、シート抵抗が狙い値となり、そのばらつきがより小さく抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−１３０６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、特許文献１に記載された実施例にあっては、酸素分圧が１％のときにシート抵抗のばらつきが２．９％という最低値を示している。
しかしながら、これはウェーハ面内の９点測定の結果であり、ボロンシリサイドを除去したことのみで、シート抵抗の面内ばらつきの抑制効果を議論するには不十分である。
【００１０】
即ち、面内評価としては、多点マップ測定を実施する必要がある。実際、シート抵抗の変動は、ウェーハ面内のスポットで発生している場合が多々あり、その原因としては、ボロンシリサイドの影響の他、ボロンの外方拡散、酸化膜厚などが考えられている。
即ち、特許文献１に開示されるホウ素拡散方法のように酸素分圧を規定するのみでは、シート抵抗のばらつきを十分に抑制することができないという課題があった。
【００１１】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、半導体シリコンウェーハにホウ素を分散させるシリコンウェーハの製造方法において、ウェーハ内にホウ素を均一に分散し、シート抵抗の面内ばらつきを抑制することのできるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するためになされた、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面にＢ２Ｏ３を含有する塗布液を塗布し、前記塗布液中に含まれるホウ素をウェーハ内部に拡散させるシリコンウェーハの製造方法であって、加熱炉内のボートにおいて、前記塗布液を塗布した製品用ウェーハと、前記塗布液を塗布したモニタウェーハと、前記塗布液を塗布しないモニタウェーハとを配置し、所定温度の加熱によりプレ拡散処理を行うステップと、前記プレ拡散処理後、塗布液を塗布したモニタウェーハの塗布膜厚を測定するとともに、塗布液を塗布しないモニタウェーハの酸化膜厚を測定するステップと、前記塗布液を塗布した製品用ウェーハ及びモニタウェーハの表面に形成されたボロンシリケートガラスを除去するステップと、前記ボロンシリケートガラスを除去したモニタウェーハのシート抵抗を多点測定するステップと、測定した前記モニタウェーハの塗布膜厚と酸化膜厚とシート抵抗とを、前記塗布液の膜厚および前記プレ拡散処理の条件設定にフィードバックするステップと、前記製品用ウェーハを加熱することによりホウ素をウェーハ内部に拡散するドライブイン拡散処理を行うステップと、を備えることに特徴を有する。
【００１３】
尚、前記塗布液の膜厚および前記プレ拡散処理の条件設定にフィードバックするステップにおいて、測定したモニタウェーハの塗布膜厚が２００ｎｍ以上、酸化膜厚が７０ｎｍ以下となるように前記プレ拡散処理の条件設定を修正することが望ましい。
【００１４】
このようにＢ２Ｏ３を含有する塗布膜を形成したモニタウェーハをプレ拡散処理した際の塗布膜の厚さと、塗布膜を形成していないモニタウェーハをプレ拡散処理による加熱処理した際の酸化膜の厚さと、ウェーハ表面に形成されるボロンシリケートガラスを除去した後のウェーハ面内を多点測定したシート抵抗の値とを、塗布膜厚およびプレ拡散処理する際のパラメータにフィードバックすることにより、ドライブイン拡散後のシート抵抗のばらつきを大きく抑えることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体シリコンウェーハにホウ素を分散させるシリコンウェーハの製造方法において、ウェーハ内にホウ素を均一に分散し、シート抵抗の面内ばらつきを抑制することのできるシリコンウェーハの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明に係る製造方法を適用可能な膜形成装置の断面図である。
【図２】図２は、加熱炉を模式的に示した断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る製造方法の流れを示すフローである。
【図４】図４は、本発明においてシート抵抗を測定する際の測定ポイントを示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施例の結果を示すグラフである。
【図６】図６は、本発明の実施例の他の結果を示すグラフである。
【図７】図７は、従来のスピンコート法によるシリコンウェーハへのホウ素分散方法の流れを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法について説明する。図１は、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法を適用可能な膜形成装置の断面図であり、図２は加熱炉を模式的に示した断面図である。
【００１８】
図１に示す膜形成装置１は、スピンナーテーブル機構２と、それを包囲して配設された水受け手段（図示せず）とを具備している。スピンナーテーブル機構２は、円盤状のスピンナーテーブル３と、このスピンナーテーブル３を回転駆動する電動モータ（図示せず）と、該電動モータを上下方向に移動可能に支持する支持手段４とを備えている。
【００１９】
スピンナーテーブル３は、多孔性材料から形成された吸着チャック５を備えており、この吸着チャック５は図示しない吸引手段に連通されている。したがって、スピンナーテーブル３は、吸着チャック５にシリコンウェーハＷを載置し、図示しない吸引手段により負圧を作用せしめることにより吸着チャック５上にウェーハＷを保持するようになっている。
また、吸着チャック５上に保持されるシリコンウェーハＷの上方には、塗布液供給ノズル６が配置され、Ｂ２Ｏ３を含有する塗布液ＬをシリコンウェーハＷ上に供給するように構成されている。
【００２０】
即ち、この膜形成装置１においては、スピンナーテーブル３の吸着チャック５に保持されたシリコンウェーハＷ上に、塗布液供給ノズル６から塗布液Ｌが供給されると、図示しない電動モータによりスピンナーテーブル３が所定速度で回転駆動され、塗布液Ｌが遠心力によりウェーハ上に拡げられ所定の膜厚で成膜されるようになっている。
このとき、膜形成装置１内の湿度は、４０〜６０％に設定される。４０％未満の場合、シリコンウェーハＷの外周に糸状の生成物が形成される。一方、６０％超えの場合、塗布ムラが発生する。
【００２１】
一方、図２に示す加熱装置１０は、加熱炉１１と、この加熱炉１１内に配置され、複数枚のシリコンウェーハＷを横方向に並列に立てた状態に保持する横型ボート１２と、加熱炉１１の周囲に配置され、加熱炉１１内を所定温度に加熱するためのヒータ１３とを備える。尚、本発明において、シリコンウェーハＷは、製品用ウェーハＷｐと、モニタウェーハＷｍとからなり、前記横型ボート１２上には、例えば前記製品用ウェーハＷｐとモニタウェーハＷｍとが互いに近くになるよう配置される。
また、前記加熱炉１１内には、そのガス流入口１１ａからガス排出口１１ｂに向けて所定流量で雰囲気ガスが流される構成となっている。
【００２２】
続いて、このように構成された膜形成装置１並びに加熱装置１０を用い、半導体ウェーハＷの内部にホウ素を拡散させる方法について図３のフローに基づき説明する。
先ず、複数枚のシリコンウェーハＷを用意する。このシリコンウェーハＷは、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶からスライスして得られ、例えばＳｉ結晶面方位（１１１）、Ｎタイプ、抵抗率３０〜３７Ω・ｃｍの特性を有する。各シリコンウェーハＷは、グラインダー研磨仕上げされたものを用いる。
【００２３】
前記複数枚のシリコンウェーハＷについて、それぞれスピンナーテーブル３の吸着チャック５に保持し、ウェーハ中央部に塗布液供給ノズル６からＢ２Ｏ３を含有する塗布液Ｌを供給する。この塗布液Ｌは、Ｂ２Ｏ３と、有機バインダと、溶剤とからなり、例えば、東京応化工業株式会社製のＰＢＦ塗布剤を用いることができる。
【００２４】
そして、図示しない電動モータによりスピンナーテーブル３を所定速度で回転駆動し、それにより塗布液Ｌがウェーハ上に拡がり所定の膜厚で成膜される（図３のステップＳ１）。ここで、成膜された塗布膜の膜厚を測定する（図３のステップＳ２）。このとき形成される塗布膜の膜厚は、例えば６５０ｎｍとされる。
尚、この後の処理に必要なシリコンウェーハＷとしては、前記塗布液Ｌを成膜された製品用ウェーハＷｐと、同じく塗布液Ｌを成膜されたモニタウェーハＷｍ１と、塗布液Ｌを成膜されていないモニタウェーハＷｍ２である。これら製品用ウェーハＷｐ、モニタウェーハＷｍ１，Ｗｍ２は、例えばそれらを１セットとして複数セット、ボート１２上に配置される。また、各セットにおいて製品用ウェーハＷｐは、モニタウェーハＷｍ１とモニタウェーハＷｍ２とに挟まれて配置される。
【００２５】
そして、加熱炉１１内にウェーハＷを保持したボート１２を配置した後、加熱炉１１内にＯ２流量を例えば３ｓｌｍとし、ヒータ１３により加熱炉１１内を６００℃まで加熱する。これにより塗布膜中の溶剤を除去し、さらに６００℃で３０分間焼成することにより有機バインダを除去する。
【００２６】
更に、加熱炉１１内を流れる雰囲気ガスを例えばＮ２流量３．０ｓｌｍ、Ｏ２流量０．１ｓｌｍ（酸素分圧３．３％）に変更し、例えば５℃／分の昇温速度で１１５０℃まで昇温し、１１５０℃において６０分間保持してプレ拡散を行う（図３のステップＳ３）。
このとき、酸素分圧は２％以上５％以下が好ましい。この範囲であれば、シート抵抗のばらつきを、より確実に抑制することができる。
このプレ拡散熱処理により、塗布膜（Ｂ２Ｏ３膜）が形成されたウェーハＷｐ，Ｗｍ１については、Ｂ２Ｏ３膜がボロンシリケートガラスとなる。また、塗布膜を形成していないウェーハＷｍ２については、表面に酸化膜が形成される。
【００２７】
ここで、塗布膜を形成したモニタウェーハＷｍ１については塗布膜厚（ボロンシリケートガラス膜厚）を測定し、塗布膜を形成していないモニタウェーハＷｍ２については酸化膜の膜厚を測定する（図３のステップＳ４）。
次にモニタウェーハＷｍ１及び製品用ウェーハＷｐの表面に形成されているボロンシリケートガラスを除去し（図３のステップＳ５）、モニタウェーハＷｍ１の外周縁から径方向内側に１０ｍｍの範囲を除く多点（例えば１２１ポイント）でのシート抵抗を測定する（図３のステップＳ６）。ここで、シート抵抗の測定は、例えば図４に示すようにモニタウェーハＷｍ１の外周縁から径方向内側に１０ｍｍの範囲を除く多点（例えば図４の□で示す１２１ポイント）でのシート抵抗を測定する。
【００２８】
さらに、加熱炉１１内を流れる雰囲気ガスを例えばＯ２流量３．０ｓｌｍに変更し、例えば５℃／分の昇温速度で１２５０℃まで昇温し、１２５０℃において例えば５２．５時間保持してドライブイン拡散を行う（図３のステップＳ７）。これによりウェーハ内部に深くホウ素が拡散する。
【００２９】
そして、製品用ウェーハＷｐの外観を検査した後（図３のステップＳ８）、問題なければ、製品用ウェーハＷｐの面上の多点（例えば１２１ポイント）のシート抵抗を測定し、抵抗ばらつきを確認する（図３のステップＳ９）。
【００３０】
尚、前記ステップＳ４での膜厚測定結果とステップＳ６でのシート抵抗の測定結果は、前記測定したシート抵抗のウェーハ面内ばらつきが５％以下となるように、ウェーハＷに形成する塗布液Ｌの膜厚、及びプレ拡散熱処理の条件（炉内雰囲気ガス中の酸素分圧等）にフィードバックすることになる。
【００３１】
以上のように本発明に係る実施の形態によれば、塗布膜を形成したモニタウェーハをプレ拡散処理した際の塗布膜の厚さと、塗布膜を形成していないモニタウェーハをプレ拡散処理による加熱処理した際の酸化膜の厚さと、ウェーハ表面に形成されるボロンシリケートガラスを除去した後のウェーハ面内を多点測定したシート抵抗の値とを、ウェーハに形成する塗布液の膜厚、及びプレ拡散処理する際のパラメータにフィードバックすることにより、ドライブイン拡散後のシート抵抗のばらつきを大きく抑えることができる。
【実施例】
【００３２】
本発明に係るシリコンウェーハの製造方法について、実施例に基づきさらに説明する。本実施例では、前記実施の形態に基づき以下の実験を行った。
【００３３】
（実験１）
実験１では、前記実施形態と同様に、Ｓｉ結晶面方位（１１１）、Ｎタイプの抵抗率３０〜３７Ω・ｃｍのシリコンウェーハを用いた。なお、シリコンウェーハの拡散層におけるシート抵抗の狙い値は２．５Ω・ｃｍとした。
各シリコンウェーハはグラインダー研磨で仕上げ、塗布剤として、東京応化工業株式会社製のＰＢＦ塗布剤を用い、スピンコーター（装置内湿度：４５〜５１％）にて塗布を行った。塗布膜厚の条件としては４５０ｎｍ、あるいは６５０ｎｍとした。
【００３４】
プレ拡散熱処理として６００℃で３０分間の焼成処理を行った後、１１５０℃で６０分間の拡散熱処理を実施した。炉内に導入する雰囲気ガスは、Ｎ２が３．０ｓｌｍ、Ｏ２が０．１ｓｌｍ（酸素分圧３．３％）、或いはＮ２が５．０ｓｌｍ、Ｏ２が０．５ｓｌｍ（酸素分圧９．１％）とした。
尚、プレ拡散熱処理においては、塗布膜厚、および酸化膜厚のモニタ用に、塗布有り／無しのウェーハを製品用ウェーハに隣接する位置に配置した。
【００３５】
プレ拡散熱処理後に得られたモニタウェーハについて、塗布液を塗布したモニタウェーハの塗布膜厚を測定するとともに、塗布液を塗布しないモニタウェーハの酸化膜厚を測定した。また、塗布液を塗布したモニタウェーハの表面に形成されたボロンシリケートガラスを除去し、シート抵抗の多点測定を行った。
この実験１の結果を図５、図６のグラフに示す。図５のグラフは、プレ拡散熱処理後のシート抵抗（縦軸）に対するプレ拡散熱処理後の酸化膜厚（横軸）と塗布膜厚の値を示す。
プレ拡散処理後の塗布膜厚は、１８０−２００ｎｍを◆で示し、２００−２２０ｎｍを◇で示し、２２０−２４０ｎｍを□で示す。
【００３６】
また、図６のグラフは、プレ拡散後のシート抵抗（縦軸）に対するプレ拡散後の塗布膜厚（横軸）の結果である。また、グラフ中にプロットした酸化膜厚は、５５−６５ｎｍを◆で示し、６５−７５ｎｍを◇で示し、７５−８５ｎｍを□で示す。
【００３７】
図５と図６のグラフに示すように、酸化膜が薄く、塗布膜厚が厚いほどシート抵抗のバラツキが小さい結果が得られた。プレ拡散処理における酸素分圧が３．３％で、プレ拡散後の酸化膜厚が７０ｎｍ以下、プレ拡散後の塗布膜厚が２００ｎｍ以上の場合に、シート抵抗はほぼ狙い値となり、シート抵抗のバラツキが小さくなることが確認された。
【００３８】
即ち、プレ拡散処理における酸素分圧を例えば約３．３％とし、プレ拡散後の酸化膜７０ｎｍ以下、塗布膜厚が２００ｎｍ以上となるように塗布液の膜厚等を設定すればよいことを確認した。
また、プレ拡散処理における酸素分圧が３．３％、プレ拡散後の酸化膜７０ｎｍ以下、塗布膜厚が２００ｎｍ以上となった製品シリコンウェーハに対し、その後、ボロンシリケートガラスを除去し、ドライブイン拡散として炉内にＯ２を３ｓｌｍ流し、１２５０℃で５２．５時間の熱処理を行った。そして、ウェーハ全面の１２１ポイントのシート抵抗を測定した結果、抵抗ばらつきは５％であった。
【００３９】
（実験２）
本発明に係る実施例１として更に、次の新たなシリコンウェーハの製造を行った。
実験１同様のシリコンウェーハを用い、前回のシリコンウェーハの製造で得られた条件（プレ拡散処理における酸素分圧を３．３％、プレ拡散後の酸化膜７０ｎｍ以下、塗布膜厚が２００ｎｍ以上）をＰＢＦ塗布液の膜厚およびプレ拡散処理の条件設定にフィードバックした。
【００４０】
即ち、ＰＢＦ塗布膜厚の条件は前条件に対して厚い６８０ｎｍとし、プレ拡散熱処理における酸素分圧は３．３％とし、その他の条件は上記同様とし、プレ拡散後の酸化膜が７０ｎｍ以下、塗布膜厚が２００ｎｍ以上となるようプレ拡散熱処理を行った。
得られたシリコンウェーハに対し、ボロンシリケートガラスを除去し、実験１同様の条件でドライブイン拡散を行った。そして、ウェーハ全面の１２１ポイントのシート抵抗を測定した結果、抵抗ばらつきは４％となり、本発明の効果を確認した。シリコンウェーハの製造毎に、モニターを行い、フィードバックを行うことで製造バラツキも低減され、所望のシート抵抗のウェーハが製造可能となった。
【００４１】
比較例１として実施例１のようなフィードバックを行わずにシリコンウェーハの製造を行った。
即ち、ＰＢＦ塗布膜厚の条件は４５０ｎｍ、拡散熱処理における酸素分圧は３．３％とし、その他の条件は上記同様として処理を行った。なお、フィードバックを行わないため、モニタウェーハはセットしていない。
【００４２】
得られたシリコンウェーハに対し、ボロンシリケートガラスを除去し、実験１同様の条件でドライブイン拡散を行った。そして、ウェーハ全面の１２１ポイントのシート抵抗を測定した結果、シート抵抗値が狙い値から大きく外れ、シート抵抗ばらつきが大きかった。塗布膜厚が４５０ｎｍかつ、酸素分圧３．３％のプレ拡散熱処理の組み合わせでは、中心のシート抵抗は３．５Ω／□、バラツキは１３％であった。このケースの場合、酸化膜厚やプレ拡散後の塗布膜厚をモニターしていないため、フィードバック条件がわからず、次の新たなウェーハの製造時においても、シート抵抗の狙い値やバラツキの改善は見込めなかった。
【符号の説明】
【００４３】
１      膜形成装置
２      スピンナーテーブル機構
３      スピンナーテーブル
４      支持部
５      吸着チャック
６      塗布液供給ノズル
１０    加熱装置
１１    加熱炉
１２    横型ボート
１３    ヒータ
Ｗ      シリコンウェーハ
Ｗｐ    製品用ウェーハ
Ｗｍ（Ｗｍ１，Ｗｍ２）    モニタウェーハ
【図１】
2020021766.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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