(57)【要約】【課題】精度よく抵抗値を測定するとともに、小型化された抵抗測定治具及び抵抗測定治具の切替方法を提供する。【解決手段】被測定対象物に接続される複数の第１端子と、抵抗測定器に接続される複数の第２端子と、複数の前記第１端子と複数の前記第２端子のうちから、接続する前記第１端子と前記第２端子を切り替える端子切替部と、を備える、抵抗測定治具。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定対象物に接続される複数の第１端子と、
抵抗測定器に接続される複数の第２端子と、
複数の前記第１端子と複数の前記第２端子のうちから、接続する前記第１端子と前記第２端子を切り替える端子切替部と、を備える、抵抗測定治具。
【請求項２】
前記端子切替部は、回転体を有する、
請求項１に記載の抵抗測定治具。
【請求項３】
前記回転体は、回転体本体と、前記回転体本体に着脱可能な突起部と、を有する、
請求項２に記載の抵抗測定治具。
【請求項４】
前記回転体本体が回転することにより、前記突起部が前記第１端子または前記第２端子を押し、前記第１端子と前記第２端子とが電気的に接続される、
請求項３に記載の抵抗測定治具。
【請求項５】
前記突起部の先端部は、曲面を有する、
請求項３または請求項４に記載の抵抗測定治具。
【請求項６】
前記突起部は、絶縁体で形成される、
請求項３乃至請求項５のいずれか１項に記載の抵抗測定治具。
【請求項７】
前記端子切替部は、前記第１端子と前記第２端子との間でスライドするスライド部材を有する、
請求項１に記載の抵抗測定治具。
【請求項８】
前記スライド部材は、前記第１端子及び前記第２端子のうち少なくとも一方が挿通する孔を有する、
請求項７に記載の抵抗測定治具。
【請求項９】
前記孔は、テーパを有する、
請求項８に記載の抵抗測定治具。
【請求項１０】
前記スライド部材は、絶縁体で形成される、
請求項７乃至請求項９のいずれか１項に記載の抵抗測定治具。
【請求項１１】
前記被測定対象物は、静電チャックのヒータである、
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の抵抗測定治具。
【請求項１２】
被測定対象物に接続される複数の第１端子と、
抵抗測定器に接続される複数の第２端子と、
複数の前記第１端子と複数の前記第２端子のうちから、接続する前記第１端子と前記第２端子を切り替える端子切替部と、を備える抵抗測定治具の切替方法であって、
前記端子切換部において接続する前記第１端子と前記第２端子を切り替えることにより、前記抵抗測定器と接続される前記被測定対象物を切り替える、抵抗測定治具の切替方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、抵抗測定治具及び抵抗測定治具の切替方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チャンバ内に処理ガスが導入され、チャンバ内の電極に高周波電力を印加することにより、基板にエッチング処理等の所望の処理を施す基板処理装置が知られている。例えば、基板を載置する静電チャックには、基板を加熱するためのヒータが設けられている。ヒータ自体や接合箇所に不具合（例えば、断線等）がないかを確認するため、四端子法を用いてヒータの抵抗を測定する抵抗測定治具が知られている。
【０００３】
特許文献１には、単芯ケーブルで構成されたプローブと多芯シールドケーブルで構成されたプローブとを使用して抵抗値を測定する四端子法抵抗測定装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５５２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一の側面では、本開示は、精度よく抵抗値を測定するとともに、小型化された抵抗測定治具及び抵抗測定治具の切替方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、被測定対象物に接続される複数の第１端子と、抵抗測定器に接続される複数の第２端子と、複数の前記第１端子と複数の前記第２端子のうちから、接続する前記第１端子と前記第２端子を切り替える端子切替部と、を備える、抵抗測定治具である。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、精度よく抵抗値を測定するとともに、小型化された抵抗測定治具及び抵抗測定治具の切替方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図。
【図２】一実施形態に係る基板処理装置の下部電極及び静電チャックの正面図の一例。
【図３】一実施形態に係る基板処理装置の下部電極び静電チャックの断面図及び抵抗測定器の一例。
【図４】一実施形態に係る基板処理装置の下部電極及び静電チャックの裏面図の一例。
【図５】一実施形態に係る基板処理装置の下部電極及び静電チャックの裏面図及び抵抗測定器の一例。
【図６】一実施形態に係る基板処理装置の下部電極及び静電チャックの正面図の他の一例。
【図７】一実施形態に係る抵抗測定治具を説明する模式図。
【図８】回転体の斜視図。
【図９】一実施形態に係る抵抗測定治具の動作を説明する模式図。
【図１０】他の実施形態に係る抵抗測定治具の斜視図。
【図１１】他の実施形態に係る抵抗測定治具の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
＜基板処理装置＞
一実施形態に係る基板処理装置１について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１の一例を示す断面模式図である。
【００１１】
基板処理装置１は、チャンバ１０を備える。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供する。チャンバ１０はチャンバ本体１２を含む。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有する。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから形成される。チャンバ本体１２の内壁面上には、耐腐食性を有する膜が設けられている。当該膜は、酸化アルミニウム、酸化イットリウムなどのセラミックであってよい。
【００１２】
チャンバ本体１２の側壁には、通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、通路１２ｐを通して内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送される。通路１２ｐは、チャンバ本体１２の側壁に沿って設けられるゲートバルブ１２ｇにより開閉される。
【００１３】
チャンバ本体１２の底部上には、支持部１３が設けられている。支持部１３は、絶縁材料から形成される。支持部１３は、略円筒形状を有する。支持部１３は、内部空間１０ｓの中で、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持部１３は、上部に支持台１４を有する。支持台１４は、内部空間１０ｓの中において、基板Ｗを支持するように構成されている。
【００１４】
支持台１４は、下部電極１８及び静電チャック２０を有する。支持台１４は、電極プレート１６を更に有し得る。電極プレート１６は、アルミニウムなどの導体から形成され、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６上に設けられている。下部電極１８は、アルミニウムなどの導体から形成されて、略円盤形状を有する。下部電極１８は、電極プレート１６に電気的に接続されている。
【００１５】
静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。静電チャック２０の上面に基板Ｗが載置される。静電チャック２０は、本体及び電極を有する。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有し、誘電体から形成される。静電チャック２０の電極は、膜状の電極であり、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、スイッチ２０ｓを介して直流電源２０ｐに接続されている。静電チャック２０の電極に直流電源２０ｐからの電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。その静電引力により、基板Ｗが静電チャック２０に保持される。また、静電チャック２０には、ヒータ２１ａ〜２１ｃ（後述する図２参照）が設けられている。
【００１６】
下部電極１８の周縁部上には、基板Ｗのエッジを囲むように、エッジリング２５が配置される。エッジリング２５は、基板Ｗに対するプラズマ処理の面内均一性を向上させる。エッジリング２５は、シリコン、炭化シリコン、又は石英などから形成され得る。
【００１７】
下部電極１８の内部には、流路１８ｆが設けられている。流路１８ｆには、チャンバ１０の外部に設けられているチラーユニット（図示しない）から配管２２ａを介して熱交換媒体（例えば冷媒）が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２２ｂを介してチラーユニットに戻される。基板処理装置１では、静電チャック２０上に載置された基板Ｗの温度が、熱交換媒体と下部電極１８との熱交換、及び、ヒータ２１ａ〜２１ｃ（後述する図２参照）により、調整される。
【００１８】
基板処理装置１には、ガス供給ライン２４が設けられている。ガス供給ライン２４は、伝熱ガス供給機構からの伝熱ガス（例えばＨｅガス）を、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面との間に供給する。
【００１９】
基板処理装置１は、上部電極３０を更に備える。上部電極３０は、支持台１４の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２を介して、チャンバ本体１２の上部に支持されている。部材３２は、絶縁性を有する材料から形成される。上部電極３０と部材３２は、チャンバ本体１２の上部開口を閉じている。
【００２０】
上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含み得る。天板３４の下面は、内部空間１０ｓの側の下面であり、内部空間１０ｓを画成する。天板３４は、発生するジュール熱の少ない低抵抗の導電体又は半導体から形成され得る。天板３４は、天板３４をその板厚方向に貫通する複数のガス吐出孔３４ａを有する。
【００２１】
支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持する。支持体３６は、アルミニウムなどの導電性材料から形成される。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。支持体３６は、ガス拡散室３６ａから下方に延びる複数のガス孔３６ｂを有する。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入口３６ｃが形成されている。ガス導入口３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入口３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。
【００２２】
ガス供給管３８には、バルブ群４２、流量制御器群４４、及びガスソース群４０が接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４２、及び流量制御器群４４、は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含む。バルブ群４２は、複数の開閉バルブを含む。流量制御器群４４は、複数の流量制御器を含む。流量制御器群４４の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４２の対応の開閉バルブ、及び流量制御器群４４の対応の流量制御器を介して、ガス供給管３８に接続されている。
【００２３】
基板処理装置１では、チャンバ本体１２の内壁面及び支持部１３の外周に沿って、シールド４６が着脱自在に設けられている。シールド４６は、チャンバ本体１２に反応副生物が付着することを防止する。シールド４６は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜を形成することにより構成される。耐腐食性を有する膜は、酸化イットリウムなどのセラミックから形成され得る。
【００２４】
支持部１３とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフルプレート４８が設けられている。バッフルプレート４８は、例えば、アルミニウムから形成された母材の表面に耐腐食性を有する膜（酸化イットリウムなどの膜）を形成することにより構成される。バッフルプレート４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフルプレート４８の下方、且つ、チャンバ本体１２の底部には、排気口１２ｅが設けられている。排気口１２ｅには、排気管５２を介して排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、圧力調整弁及びターボ分子ポンプなどの真空ポンプを含む。
【００２５】
基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び第２の高周波電源６４を備えている。第１の高周波電源６２は、第１の高周波電力を発生する電源である。第１の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第１の高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。第１の高周波電源６２は、整合器６６及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６６は、第１の高周波電源６２の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。なお、第１の高周波電源６２は、整合器６６を介して、上部電極３０に接続されていてもよい。第１の高周波電源６２は、一例のプラズマ生成部を構成している。
【００２６】
第２の高周波電源６４は、第２の高周波電力を発生する電源である。第２の高周波電力は、第１の高周波電力の周波数よりも低い周波数を有する。第１の高周波電力と共に第２の高周波電力が用いられる場合には、第２の高周波電力は基板Ｗにイオンを引き込むためのバイアス用の高周波電力として用いられる。第２の高周波電力の周波数は、例えば４００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数である。第２の高周波電源６４は、整合器６８及び電極プレート１６を介して下部電極１８に接続されている。整合器６８は、第２の高周波電源６４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための回路を有する。
【００２７】
なお、第１の高周波電力を用いずに、第２の高周波電力を用いて、即ち、単一の高周波電力のみを用いてプラズマを生成してもよい。この場合には、第２の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも大きな周波数、例えば４０ＭＨｚであってもよい。基板処理装置１は、第１の高周波電源６２及び整合器６６を備えなくてもよい。第２の高周波電源６４は一例のプラズマ生成部を構成する。
【００２８】
基板処理装置１においてガスが、ガス供給部から内部空間１０ｓに供給されて、プラズマを生成する。また、第１の高周波電力及び／又は第２の高周波電力が供給されることにより、上部電極３０と下部電極１８との間で高周波電界が生成される。生成された高周波電界がプラズマを生成する。
【００２９】
基板処理装置１は、電源７０を備えている。電源７０は、上部電極３０に接続されている。電源７０は内部空間１０ｓ内に存在する正イオンを天板３４に引き込むための電圧を、上部電極３０に印加する。
【００３０】
基板処理装置１は、制御部８０を更に備え得る。制御部８０は、プロセッサ、メモリなどの記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。制御部８０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部８０では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部８０では、表示装置により、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、基板処理装置１で各種処理を実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが、制御プログラムを実行し、レシピデータに従って基板処理装置１の各部を制御する。
【００３１】
次に、静電チャック２０に設けられたヒータの抵抗値測定について説明する。
【００３２】
図２は、一実施形態に係る基板処理装置１の下部電極１８及び静電チャック２０を基板Ｗの載置面側から見た正面図の一例である。図２に示す一例において、静電チャック２０の基板Ｗを載置する載置面は、同心の第１〜第３の加熱領域２０ａ〜２０ｃを有している。なお、図２において、加熱領域の境界を破線で示す。第１の加熱領域２０ａには、ヒータ２１ａが配置されている。ヒータ２１ａは、一端に端子ａ１が設けられ、他端に端子ａ２が設けられている。第２の加熱領域２０ｂには、ヒータ２１ｂが配置されている。ヒータ２１ｂは、一端に端子ａ３が設けられ、他端に端子ａ４が設けられている。第３の加熱領域２０ｃには、ヒータ２１ｃが配置されている。ヒータ２１ｃは、一端に端子ａ５が設けられ、他端に端子ａ６が設けられている。端子ａ１〜ａ６にそれぞれヒータ電源（図示せず）が接続されることにより、第１〜第３の加熱領域２０ａ〜２０ｃを個別に温度調整することができる。なお、図２においては、端子ａ１〜ａ６及び配線が載置面と水平に引き出すものとして模式的に図示している。
【００３３】
図３は、一実施形態に係る基板処理装置１の下部電極１８及び静電チャック２０の断面図及び抵抗測定器１００の一例である。図４は、一実施形態に係る基板処理装置１の下部電極１８及び静電チャック２０を基板Ｗの載置面側から見た裏面図の一例である。図５は、一実施形態に係る基板処理装置１の下部電極１８及び静電チャック２０の裏面図及び抵抗測定器１００の一例である。なお、図３から図５において、第１の加熱領域２０ａに配置されるヒータ２１ａの端子ａ１，ａ２について説明する。なお、ヒータ２１ｂの端子ａ３，ａ４及びヒータ２１ｃの端子ａ５，ａ６についても、同様の構成を有しており、図示及び重複する説明を省略する。
【００３４】
図３及び図４に示すように、下部電極１８の裏面側には、端子ａ１，ａ２が設けられている。端子ａ１は、孔２１１を有する電極２１２と、スリーブ２１３と、を有している。孔２１１は、プラグ２１４が差込される差込口である。電極２１２は、ヒータ２１ａと電気的に接続される。スリーブ２１３は、下部電極１８と電極２１２とを電気的に絶縁する絶縁体である。端子ａ２も端子ａ１と同様の構造を有している。
【００３５】
抵抗測定器１００は、４端子法を用いて、被測定対象物（例えば、ヒータ２１ａ）の抵抗値を測定する測定器である。図３及び図５に示すように、抵抗測定器１００は、４つの端子１００ａ〜１００ｄを有する。第１の端子１００ａは、配線ａ１−１を介して、端子ａ１の電極２１２と直接接続される。第２の端子１００ｂは、配線ａ１−２を介して、端子ａ１の電極２１２の孔２１１に挿入されるプラグ２１４と接続される。第３の端子１００ｃは、配線ａ２−１を介して、端子ａ２の電極２１２と直接接続される。第４の端子１００ｄは、配線ａ２−２を介して、端子ａ２の電極２１２の孔２１１に挿入されるプラグ２１４と接続される。抵抗測定器１００は、第２の端子１００ｂ及び第４の端子１００ｄ間に配置された電源（図示せず）及び電流検出部（図示せず）により被測定対象物に電流を印加し、第１の端子１００ａ及び第３の端子１００ｃ間に配置された電圧検出部（図示せず）によって電圧を検出することにより、精度よく、被測定対象物の抵抗値を検出する。
【００３６】
なお、図２の例においては、加熱領域が３つに区分されるものとして説明したが、これに限られるものではない。図６は、一実施形態に係る基板処理装置１の下部電極１８及び静電チャック２０の正面図の他の一例である。図６において、加熱領域の境界を破線で示す。図６に示すように、加熱領域が径方向に複数区分され、かつ、周方向にも複数区分されていてもよい。この場合も、各加熱領域に対応したヒータがそれぞれ設けられる。これにより、基板Ｗの温度をより好適に調整することができる。
【００３７】
図７は、一実施形態に係る抵抗測定治具３００を説明する模式図である。なお、図７は、抵抗測定治具３００を上から見た図である。１つの抵抗測定器１００を用いて、複数のヒータ２１ａ〜２１ｃの抵抗値を順次測定するために、回路接続を切り替える抵抗測定治具３００を備えている。抵抗測定治具３００は、抵抗測定器１００と被測定対象物との間に接続される。
【００３８】
抵抗測定治具３００は、被測定対象物であるヒータ２１ａ〜２１ｃと接続される複数の第１端子３１０と、抵抗測定器１００と接続される複数の第２端子３２０と、接続する第１端子３１０と第２端子３２０を切り替える端子切替部である回転体３３０と、を備えている。なお、図７および後述する図９において、第１端子３１０を実線で図示し、第２端子３２０を破線で図示している。
【００３９】
第１端子３１０及び第２端子３２０は、導電体で形成される。
【００４０】
第１端子３１０ａ及び第２端子３２０ａは、１対１に対応し、片持ち支持された板状部材である。第１端子３１０ａの先端部分の下に第２端子３２０ａの先端部分が重なるように配置される。第１端子３１０ｂ〜３１０ｈ及び第２端子３２０ｂ〜３２０ｈについてもそれぞれが１対１に対応し、同様に配置される。
【００４１】
第１端子３１０ａは、配線ａ１−１とそれぞれ接続されることにより、ヒータ２１ａの端子ａ１（電極２１２）と接続される。第１端子３１０ｂは、配線ａ１−２とそれぞれ接続されることにより、ヒータ２１ａの端子ａ１（プラグ２１４）と接続される。第１端子３１０ｃは、配線ａ２−１とそれぞれ接続されることにより、ヒータ２１ａの端子ａ２（電極２１２）と接続される。第１端子３１０ｄは、配線ａ２−２とそれぞれ接続されることにより、ヒータ２１ａの端子ａ２（プラグ２１４）と接続される。
【００４２】
同様に、第１端子３１０ｅは、ヒータ２１ｂの端子ａ３（電極２１２）と接続される。第１端子３１０ｆは、ヒータ２１ｂの端子ａ３（プラグ２１４）と接続される。第１端子３１０ｇは、ヒータ２１ｂの端子ａ４（電極２１２）と接続される。第１端子３１０ｈは、ヒータ２１ｂの端子ａ４（プラグ２１４）と接続される。他のヒータの端子も同様に、第１端子３１０とそれぞれ接続される。
【００４３】
第２端子３２０ａは、抵抗測定器１００の第１の端子１００ａと接続される。第２端子３２０ｂは、抵抗測定器１００の第２の端子１００ｂと接続される。第２端子３２０ｃは、抵抗測定器１００の第３の端子１００ｃと接続される。第２端子３２０ｄは、抵抗測定器１００の第４の端子１００ｄと接続される。
【００４４】
同様に、第２端子３２０ｅは、抵抗測定器１００の第１の端子１００ａと接続される。第２端子３２０ｆは、抵抗測定器１００の第２の端子１００ｂと接続される。第２端子３２０ｇは、抵抗測定器１００の第３の端子１００ｃと接続される。第２端子３２０ｈは、抵抗測定器１００の第４の端子１００ｄと接続される。
【００４５】
図８は、回転体３３０の斜視図である。回転体３３０は、孔３３１を有する回転体本体３３２と、孔３３１に着脱可能な突起部３３３と、を有している。回転体本体３３２は、導電体または絶縁体で形成される円柱状の部材である。孔３３１は、回転体本体３３２の円筒面に形成されている、また、孔３３１は、回転体本体３３２の軸方向および周方向に複数配置されている。回転体本体３３２は、不図示の駆動源によって回転する。駆動源は例えばステッピングモータであって、回転体３３０は駆動源によって角度制御されて回転する。突起部３３３は、絶縁体で形成される柱状の部材である。突起部３３３を孔３３１に挿入した際、突起部３３３が回転体本体３３２の円筒面より突出する。なお、突起部３３３の露出する側の先端は、曲面を有することが好ましい。
【００４６】
図９は、一実施形態に係る抵抗測定治具３００の動作を説明する模式図である。なお、図９は、回転体３３０の回転軸方向に見た図である。図９（ａ）に示すように、突起部３３３が第２端子３２０と接触していない状態において、第１端子３１０と第２端子３２０とは、離間した状態となっている。図９（ｂ）に示すように、回転体３３０を回転させると、突起部３３３が第２端子３２０と接触して、第２端子３２０を第１端子３１０の方向に押し付ける。これにより、第１端子３１０と第２端子３２０とが接触し、電気的に接続される。なお、突起部３３３は絶縁体であり、回転体３３０を介した電流の漏れを防止することができる。
【００４７】
なお、回転体３３０の回転方向は、第２端子３２０と突起部３３３との接触位置が、第２端子３２０の片持ち支持された側（図９の例において右側）から第２端子３２０の先端側（図９の例において左側）へと摺動するように回転する（図９の例において反時計回り）ことが好ましい。これにより、回転体３３０の回転によって、突起部３３３の先端が第２端子３２０の裏面へと接触し、摺動しながら第２端子３２０を第１端子３１０の方向に押すことができる。また、突起部３３３の先端が曲面を有することにより、摺動抵抗を低減することができる。
【００４８】
以上、一実施形態に係る抵抗測定治具３００によれば、突起部３３３の配置を適宜選択することにより、第１端子３１０と第２端子３２０との接続を切り替えることができる。例えば、回転体３３０が第１の角度において、第１端子３１０ａ〜３１０ｄと第２端子３２０ａ〜３２０ｄとがそれぞれ接続するように突起部３３３を配置する。また、回転体３３０が第１の角度とは異なる第２の角度において、第１端子３１０ｅ〜３１０ｈと第２端子３２０ｅ〜３２０ｈとがそれぞれ接続するように突起部３３３を配置する。これにより、回転体３３０の角度を第１の角度から第２の角度へと切り替えることで、抵抗測定器１００と接続されるヒータをヒータ２１ａからヒータ２１ｂへと切り替えることができる。なお、切り替える被測定対象物の数を増やしても、回転体３３０を回転させる駆動源は一つで足りるため、抵抗測定治具３００が大型化することを抑制することができる。また、抵抗測定治具３００における測定対象物と抵抗測定器１００との接続の切り替えは、突起部３３３の配置及び回転体３３０の角度制御で行うことができるので、切り替え制御が容易となる。
【００４９】
ところで、回路の接続を切り替える切替要素としてメカニカルリレーが知られている。例えば、メカニカルリレーを用いて各ヒータと抵抗測定器１００との接続を切り替えながら、図６に示すような多数の加熱領域を有する静電チャック２０の各ヒータの抵抗値を測定する場合、メカニカルリレーの数も多くなり、構成が大規模化する。これに対し、抵抗測定治具３００によれば、メカニカルリレーを用いる場合と比較して、装置を小型化することができる。
【００５０】
また、切替要素として半導体リレーが知られている。半導体リレーを用いて各ヒータと抵抗測定器１００との接続を切り替えながら、静電チャック２０の各ヒータの抵抗値を測定する場合、開路時の漏れ電流により抵抗値測定の精度が悪くなる。これに対し、抵抗測定治具３００によれば、開路時において第１端子３１０と第２端子３２０が非接触となっており、漏れ電流を防止することができる。このため、抵抗測定治具３００によれは、半導体リレーを用いる場合と比較して、抵抗値の測定精度を向上させることができる。
【００５１】
なお、突起部３３３が第２端子３２０を第１端子３１０の方向に押し付けることにより、第１端子３１０と第２端子３２０を接触させるものとして説明したが、これに限られるものではない。例えば、第１端子３１０と第２端子３２０の位置を入れ替えて、突起部３３３が第１端子３１０を第２端子３２０の方向に押し付けることにより、第１端子３１０と第２端子３２０を接触させるものであってもよい。また、図７及び図９において、第１端子３１０と第２端子３２０の片持ち支持する位置は、回転体３３０からみて左右逆向きになるものとして図示しているが、これに限られるものではなく、同じであってもよい。
【００５２】
次に、他の実施形態に係る抵抗測定治具４００について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は、他の実施形態に係る抵抗測定治具４００の斜視図である。図１１は、他の実施形態に係る抵抗測定治具４００の断面図である。
【００５３】
抵抗測定治具４００は、被測定対象物であるヒータ２１ａ〜２１ｃと接続される複数の第１端子４１０と、抵抗測定器１００と接続される複数の第２端子４２０と、第１端子４１０と第２端子４２０との接続を切り替える端子切替部であるスライド部材４３０と、を備えている。
【００５４】
第１端子４１０及び第２端子４２０は、導電体で形成される軸状の部材である。第１端子４１０および第２端子４２０の少なくとも一方の端子は、図示しないバネ等の弾性部材により、他方の端子に向かって付勢されている。以下の説明においては、第２端子４２０が第１端子４１０に向かって下向きに付勢されているものとして説明する。
【００５５】
スライド部材４３０は、絶縁体で形成される板部材またはシート部材であり、第１端子４１０と第２端子４２０との間でスライドする。また、スライド部材４３０は、第１端子４１０及び第２端子４２０のうち少なくとも一方の端子が挿通可能な孔４３１が形成されている。また、スライド部材４３０は、図示しない駆動源によってスライド移動する。
【００５６】
図１１の左側の第１端子４１０と第２端子４２０に示すように、孔４３１が形成されていない位置においては、第１端子４１０と第２端子４２０との間に絶縁体であるスライド部材４３０が配置され、開路となる。一方、図１１の右側の第１端子４１０と第２端子４２０に示すように、孔４３１が形成されている位置においては、第１端子４１０と第２端子４２０とが接触する。
【００５７】
また、孔４３１の側壁には、テーパが形成されていることが好ましい。なお、テーパは付勢されている端子の側（図１１の例では、第２端子４２０の側）が開くように形成される。スライド部材４３０をスライドさせると、付勢された第２端子４２０はテーパに沿って第１端子４１０から離間し、第１端子４１０と第２端子４２０とが切り離される。
【００５８】
以上、他の実施形態に係る抵抗測定治具４００によれば、スライド部材４３０をスライドさせることにより、第１端子４１０と第２端子４２０との接続を切り替えることができる。これにより、スライド部材４３０の位置を切り替えることで、抵抗測定器１００と接続される被測定対象物を切り替えることができる。なお、切り替える被測定対象物の数を増やしても、スライド部材４３０をスライドさせる駆動源は一つで足りるため、抵抗測定治具４００が大型化することを抑制することができる。また、抵抗測定治具４００における測定対象物と抵抗測定器１００との接続の切り替えは、孔４３１の配置及びスライド部材４３０の位置制御で行うことができるので、切り替え制御が容易となる。また、抵抗測定治具４００によれば、メカニカルリレーを用いる場合と比較して、装置を小型化することができる。また、抵抗測定治具４００によれは、半導体リレーを用いる場合と比較して、抵抗値測定の精度を向上させることができる。
【００５９】
以上、本開示の好ましい実施形態について詳説した。しかしながら、本開示は、上述した実施形態に制限されることはない。上述した実施形態は、本開示の範囲を逸脱することなしに、種々の変形、置換等が適用され得る。また、別々に説明された特徴は、技術的な矛盾が生じない限り、組み合わせが可能である。
【００６０】
被測定対象物として、静電チャック２０のヒータを例に説明したが、これに限られるものではない。例えば、チャンバ１０の側壁に設けられたヒータに適用してもよい。
【００６１】
本開示の基板処理装置１は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプの基板処理装置にもでも適用可能である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｗ          基板
１          基板処理装置
２０        静電チャック
２１ａ〜２１ｃ  ヒータ（被測定対象物）
１００      抵抗測定器
３００      抵抗測定治具
３１０      第１端子
３２０      第２端子
３３０      回転体（端子切替部）
３３１      孔
３３２      回転体本体
３３３      突起部
４００      抵抗測定治具
４１０      第１端子
４２０      第２端子
４３０      スライド部材（端子切替部）
４３１      孔
【図１】
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【図２】
2020106497.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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