(57)【要約】【課題】  本発明は、効率的に異物を検査するために有利な技術を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の異物検査装置は、基板の上の異物を検出する異物検査装置であって、基板の表面に光を投光する投光器および前記表面からの散乱光を受光する受光器を含む検出部と、前記受光器によって受光される散乱光の光量を調整する調整機構と、前記受光器によって受光される散乱光の光量を前記調整機構によって調整することによって、前記検出部の感度を高感度にして異物検出を行った後、前記調整機構によって前記検出部の感度を低感度に切り替えて異物検出を行う制御部と、を備えることを特徴とする。【選択図】  図１
2020076609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の異物を検出する異物検査装置であって、
基板の表面に光を投光する投光器および前記表面からの散乱光を受光する受光器を含む検出部と、
前記受光器によって受光される散乱光の光量を調整する調整機構と、
前記受光器によって受光される散乱光の光量を前記調整機構によって調整することによって、前記検出部の感度を高感度にして異物検出を行い、該高感度による異物検出の結果に基づき、前記調整機構によって前記検出部の感度を低感度に切り替えて異物検出を行うか否かを判断する制御部と、
を備えることを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】
前記投光器によって光が投光される前記基板の表面の位置を走査する走査機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板の表面に光が投光されるように前記走査機構による走査に応じて前記投光器による投光を制御することを特徴とする請求項２に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出部の感度を高感度にして異物検出を行った結果、前記検出部の計測値が閾値を超えた領域が基板上にある場合、該領域に対して前記検出部の感度を低感度にして異物検出を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記検出部の感度を低感度して異物検出を行い、該低感度による異物検出の結果に基づき、基板の上の異物の位置と大きさを求めることを特徴とする請求項４に記載の異物検査装置。
【請求項６】
前記検出部の高感度による検出処理は、前記異物検査装置が検出可能な最小の粒径の異物が計測できる感度であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項７】
前記調整機構は、前記投光器から投光される光の光量を調整することによって、前記受光器によって受光される散乱光の前記光量を調整することを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項８】
前記調整機構は、前記投光器から前記受光器までの光路の配置されたＮＤフィルタによって、前記受光器によって受光される散乱光の前記光量を調整することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項９】
基板を処理する処理装置であって、
前記基板の上の異物を検出するように構成された請求項１乃至８の何れか１項に記載の異物検査装置と、
前記異物検査装置の異物検出の結果を用いて前記基板の上の組成物を成形する成形処理を行う成形装置と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項１０】
前記異物検査装置に対して複数の前記成形装置を備えることを特徴とする請求項９に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記異物検査装置で異物検出が行われた前記基板の上の異物の位置に応じて、前記成形装置で前記基板の上の組成物を成形することを特徴とする請求項９または１０に記載の処理装置。
【請求項１２】
基板の上の組成物を成形する成形処理を行う成形装置であって、
前記基板の表面に光を投光し、表面からの散乱光を受光することによって基板の上の異物を検出する異物検査装置からの異物検出の結果を取得し、該異物検出の結果に基づき、前記基板の上の組成物を成形する成形処理を行うか、前記異物検査装置の感度を低感度に切り替えて異物検出を行うかを制御する制御部を備えることを特徴とする成形装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１１の何れか１項に記載の処理装置によって前記基板の上の異物検出を行い、前記基板の上の前記組成物を成形する成形工程と、
前記成形工程を経た前記基板を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異物検査装置、処理装置および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどのように微細構造を有する物品は、投影露光装置およびインプリント装置のような成形装置を利用して製造されうる。このような成形装置において、基板の上に異物が存在すると、製造される物品の不良をもたらしうる。また、インプリント装置では、基板の上のインプリント材と型とを接触させてインプリント材が成形されるので、基板の上に存在する異物は、型を破損させたり、型の寿命を縮めたりする。
【０００３】
そこで、基板の上の異物を検査する異物検査装置が使用されうる。異物検査装置は、基板上に光を照射し、異物からの散乱光を受光器で受光することで異物を検出する。例えば数十ｎｍのような微細な異物の検出を可能にするために、非常に高感度な受光器、例えば光電子増倍管などが用いられうる。光電子増倍管では、光の入射によって光電陰極で生成された電子が高電圧により加速した後に２次電子を生成する複数段のダイノードに衝突させる。最終段のダイノードを通過するまでに蓄積された電流が、増幅された信号としてアノードに集められる。光電子増倍管は、非常に微弱な光を検出可能であるが、基板の上の異物が大きく強い反射光が光電子増倍管に入射すると、光電子増倍管の出力が相応の期間にわたって飽和してしまい、正確に異物の大きさを検出できなくなる。
【０００４】
特許文献１に記載された露光装置は、感度の異なる検出系を複数個構成することで、高感度かつ広ダイナミックレンジを両立した検出系が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２３５４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、露光装置内に従来の異物検査装置を組み込む場合、限られたレイアウト内に数十ｎｍのような微細な異物の検出を可能にするために、非常に高感度な検出系を複数、構成するのは難しく、装置が大型化する恐れがある。また、検出系の感度を異物検査の度に変更して、複数回の計測を行うのは計測の時間を要してしまい、成形装置の生産性が下がる恐れがある。
【０００７】
そこで、本発明は、効率的に異物を検査するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の異物検査装置は、基板の上の異物を検出する異物検査装置であって、基板の表面に光を投光する投光器および前記表面からの散乱光を受光する受光器を含む検出部と、前記受光器によって受光される散乱光の光量を調整する調整機構と、前記受光器によって受光される散乱光の光量を前記調整機構によって調整することによって、前記検出部の感度を高感度にして異物検出を行った後、前記調整機構によって前記検出部の感度を低感度に切り替えて異物検出を行う制御部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、効率的に異物を検査するために有利な技術を提供するために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態の異物検査装置を例示した側面図である。
【図２】本発明の一実施形態の異物検査装置を例示した平面図である。
【図３】第１実施形態の異物検査方法を示したフローチャートである。
【図４】基板の上のショット領域のレイアウトを示した図である。
【図５】第１閾値と第２閾値の違いと判定後の処理を示した図である。
【図６】本発明の一実施形態の処理装置を示す図である。
【図７】ステーションの構成例を示す図である。
【図８】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
（第１実施形態）
図１、図２には、本発明の一実施形態の異物検査装置１の構成が例示的に示されている。図１は側面図、図２は平面図である。以下では、基板３の表面に平行な面をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系に従って異物検査装置１の構成を説明する。典型的には、ＸＹ平面は水平面であり、Ｚ軸は、鉛直面である。
【００１３】
異物検査装置１は、基板３の表面に存在する異物７を検出する異物検出処理を行うように構成される。異物検査装置１は、検出部２５と、走査機構２２と、制御部９とを備えうる。検出部２５は、基板３の表面に光を投光する投光器２０と、基板３の表面からの散乱光を受光する受光器８と、光量を調整する調整機構１０とを含みうる。走査機構２２は、投光器２０によって光が投光される基板３の表面における位置（基板３への光の入射位置）を走査する。
【００１４】
投光器２０は、例えば、光源４と、投光光学系６とを含みうる。光源４は、基板３の表面に投光させる光を発生する。光源４は、例えば、レーザー光源を含みうる。異物検査装置１が、感光材が塗布された基板３の表面を検査する装置として使用される場合、光源４が発生する光の波長として、感光材を感光させない波長が使われうる。例えば、インプリント装置が感光材（インプリント材）を硬化させるために使用する光は、ＵＶ光でありうる。よって、異物検査装置１がインプリント装置に組み込まれる場合、又は、インプリント装置のために使用される場合、光源４が発生する光の波長は、４００ｎｍ以上（硬化さる光とは異なる波長の光）とされうる。光源４は、適用されるプロセス条件（例えば、光源４が発生する光の波長における基板３の表面の反射率）に応じて、発生する光の強度を変更可能であることが望ましい。光源４として、半導体レーザーを用いることで、例えば、１００ＭＨｚ以上の周波数でオンオフ制御が可能になりうる。投光光学系６は、例えば、ｆθレンズを含みうる。
【００１５】
受光器８は、例えば、基板３からの表面や異物からの散乱光を受光する受光素子からなり、光電子増倍管を含みうる。また、受光器８には、調整機構１０を含みうる。調整機構１０は、例えば、ＮＤフィルタを含みうる。調整機構１０は、ＮＤフィルタの抜き差しや透過率の異なる複数のＮＤフィルタを切り替えることにより、受光器８に入射する入射光量を調整することができる。本実施形態の調整機構１０は、基板３や異物７からの散乱光が受光器８に入射する入射光量を調整する実施形態について説明したが、他の場所に配置してもよい。例えば、調整機構１０は、光源４から投光された光の光量を調整するために、光源４と基板３との間に配置されてもよい。このように調整機構１０を制御することにより、後述する計測工程において、高感度モードでの計測と低感度モードでの計測を切り替えることができる。
【００１６】
走査機構２２は、例えば、ポリゴンミラーユニット（走査光学系）５と、ステージ駆動機構（ステージ走査機構）１７とを含みうる。ポリゴンミラーユニット５は、ポリゴンミラーを有し、該ポリゴンミラーを任意の速度で等速回転させることによって光を走査する。ステージ駆動機構１７は、基板３を保持したステージ（基板保持部）２を少なくともＹ軸方向に駆動（走査）する。ステージ駆動機構１７は、更に、ステージ２を他の方向、例えば、Ｘ軸方向、および／または、Ｚ軸周りの回転に関して駆動してもよい。走査機構２２は、この例では、Ｘ軸方向に関する走査をポリゴンミラーユニット５で行い、Ｙ軸方向に関する走査をステージ駆動機構１７によって行う。しかしながら、例えば、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の双方の走査をポリゴンミラーユニット５を含む光学系によって行ってもよいし、ステージ駆動機構１７によって行ってもよい。
【００１７】
光源４から射出された光は、ポリゴンミラーユニット５のポリゴンミラーに照射され、ポリゴンミラーで反射される。ポリゴンミラーは、例えば、１００００〜３００００回転／分のような速度で回転する必要があるため、ポリゴンミラーを支持する軸受には、耐久性に優れたエアー軸受けが使われうる。ポリゴンミラーで反射された光は、投光光学系６を介して基板３に投光されうる。これにより、ポリゴンミラーの等速回転運動は、基板３の焦点平面上を動くスポットの等速直線運動に変換されうる。また、投光光学系６のｆθレンズとしては、焦点平面に対して光を垂直に照射できるテレセントリックタイプが使用されうる。図２において、光走査方向１３は、等速直線運動に変換された走査方向とその軌跡を示している。また、図２において、ステージ走査方向１２は、ステージ２の走査方向とその軌跡を示している。光走査方向１３は、ステージ走査方向１２と直交している。
【００１８】
基板３の表面に付着した異物７は、例えば、最小粒径が数＋ｎｍ以上であるパーティルでありうる。投光器２０によって異物７に対して光が照射されると、異物７から散乱光が発生する。受光器８は、異物７からの後方反射または異物７からの側方反射を検出するように配置されうる。基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。
【００１９】
制御部９は、例えば、ステージ２の位置決め制御（ステージ駆動機構１７の制御）、光源４のオンオフ制御、ポリゴンミラーユニット５の制御、調整機構１０の制御などを行いうる。制御部９は、また、受光器８から出力された連続的なアナログ電気信号をデジタル信号に変換した後にデジタル信号処理を行いうる。デジタル信号処理は、例えば、異物７からの散乱光によって得られたガウス分布の光強度信号の重心位置を求める処理を含みうる。また、デジタル信号処理は、該重心位置と、ステージ２の位置に相当するポリゴンミラーユニット５による光の走査回数と、光の走査開始位置からのデータサンプリング数とから、基板３の中心座標（０，０）に対応した各異物の座標を算出する処理を含みうる。光の走査回数は、Ｙ軸方向の位置に対応し、光の走査開始位置からのデータサンプリング数は、Ｘ軸方向の位置に対応する。また、デジタル信号処理は、得られた強度分布のピーク値と幅から異物７の粒径を求める処理を含みうる。このようにして、制御部９は、受光器８からの出力に基づき表面検査を行うことができる。
【００２０】
制御部９は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部９は、異物検査装置１内に設けてもよいし、異物検査装置１とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。
【００２１】
異物検査装置１は、基板３のアライメントマークの位置を計測する計測部１１（アライメントスコープ）を備えうる。また、異物検査装置１は、基板３の表面の高さを計測する計測部を備えうる。基板３の表面の高さを計測する計測部は、非接触型センサ、例えば、鏡面を計測できる反射型レーザー変位計を含みうる。
【００２２】
以下、図３を参照しながら異物検査装置１の動作を例示的に説明する。図３は、本実施形態の異物検査装置による異物検査方法を示すフローチャートである。異物検査装置１の検査処理の動作は、制御部９によって制御されうる。
【００２３】
制御部９（信号処理部）は、検出感度を変更する手段を有し、異物検査装置１は工程Ｓ４０１からシーケンス制御を開始する。異物検査装置１は、最初に工程Ｓ４０２において、高感度モードで散乱光の計測を行う。工程Ｓ４０２では、まず、計測部１１によって基板３の複数のアライメントマークの位置が計測され、制御部９によって、この計測の結果に基づいて基板３の位置（Ｘｒｅｆ，Ｙｒｅｆ，Ｑｚｒｅｆ）が算出される。ここで、Ｘｒｅｆ、Ｙｒｅｆは、それぞれＸ軸方向の位置、Ｙ軸方向の位置であり、Ｑｚｒｅｆは、Ｚ軸周りの回転である。このとき、基板３の表面の高さを計測してもよい。
【００２４】
次に、工程Ｓ４０２で制御部９は、基板３の表面の全域において受光器８が微小な異物からの散乱光を検出できるように検出部２５の感度を高感度に設定する。ここで、検出部２５の感度の設定は、光源４の出力強度（光源４が発生する光の強度）の設定によってなされてもよいし、受光器８の感度の設定によってなされてもよいし、それらの双方の設定によってなされてもよい。また、感度の設定には、光源４から基板３に至る光路、および／または、基板３（異物７）から受光器８に至る光路にＮＤフィルタなどの調整機構１０を配置する方法がある。
【００２５】
工程Ｓ４０２では、基板３の表面の全域を対象として投光器２０からの光の反射光を計測する計測工程が実行される。この計測工程は、走査機構２２を動作させるとともに投光器２０によって基板３の表面に光を投光しながら受光器８の出力から得られる信号Ｉを基板３の表面における位置（Ｘｒｅｆ，Ｙｒｅｆ）と対応付けて保存する処理を含みうる。具体的には、制御部９は、投光制御データに基づいて投光器２０による投光（光源４の点灯、消灯）を制御しながら基板３の表面の異物を検出する。受光器８の出力から得られる信号Ｉは、基板３の表面における座標に限らず、基板３の上に形成された複数のショット領域の位置と対応付けて保存してもよい。
【００２６】
例えば、図４に示すように、基板３の上に形成された複数のショット領域に対して順番に走査しながら、基板上の異物の検出処理をすることができる。図４は、基板３の上に形成されたショット領域のレイアウトを示した図である。図４に示されたＳ１〜Ｓ９６はそれぞれショット領域を示している。また、点線の矢印は異物検出のために光を照射する走査方向を示している。このように、ショット領域に対して順番に光を照射することにより、散乱光の発生した位置と基板３の上に形成されたショット領域の位置を対応付けることができる。図４では、ショット領域に対して１回走査して異物を検査する例を示しているが、投光器２０の照射領域の大きさによっては、一つのショット領域に対して複数回走査しながら異物を検査してもよい。
【００２７】
計測を行う位置（Ｘ，Ｙ）の間隔は、例えば、ポリゴンミラーユニット５による光の走査速度、ステージ駆動機構１７によるステージ２の走査速度、光源４が制御可能な周波数変調の周波数に応じて決定されうる。例えば、ポリゴンミラーユニット５による光の走査速度が７００ｍ／ｓｅｃ、光源４の周波数変調の周波数が１００ＭＨｚ（０．０１μｓｅｃ）である場合、Ｘ軸方向の最小ピッチは７μｍとなりうる。また、ステージ２の走査速度が２０ｍｍ／ｓｅｃ、光の走査周波数が１５００Ｈｚである場合、Ｙ軸方向の最小ピッチは１３．３ｕｍとなりうる。
【００２８】
工程Ｓ４０３では、基板３の異物の検査工程が実行される。制御部９は、基板３の表面を対象にして異物の検出が行われるように異物検出処理を制御する。具体的には、制御部９は、工程Ｓ４０２で計測された高感度モードでの計測値を、予め設定された閾値と比較することによって、異物を検出する。
【００２９】
工程Ｓ４０３において、計測値が第１閾値を超えていない場合は、異物が存在していない基板（領域）とすることができ、工程Ｓ４０４にて通常のリソグラフィ動作を行うことができる。第１閾値としては、本実施形態の異物検査装置１が検出可能な最小サイズの異物が検出される計測値の大きさに基づいて設定してもよいし、成形装置を用いて基板上にパターンを形成する際に影響が出ない異物の計測値の大きさに基づいて設定してもよい。
【００３０】
工程Ｓ４０３において、計測値が第１閾値を超えている場合は、異物が存在している基板（領域）とすることができ、工程Ｓ４０５にて低感度モードで基板３の異物の検査工程が実行される。
【００３１】
工程Ｓ４０５では、基板３の表面の全域を対象として投光器２０からの光の反射光を計測する計測工程が実行される。工程Ｓ４０５の計測工程は、工程Ｓ４０２と比較して低感度で基板の計測工程が実行される。この計測工程は、工程Ｓ４０２と同様に、走査機構２２を動作させるとともに投光器２０によって基板３の表面に光を投光しながら受光器８の出力から得られる信号Ｉを基板３の表面における位置（Ｘｒｅｆ，Ｙｒｅｆ）と対応付けて保存する処理を含みうる。具体的には、制御部９は、投光制御データに基づいて投光器２０による投光（光源４の点灯、消灯）を制御しながら基板３の表面の異物を検出する。受光器８の出力から得られる信号Ｉは、基板３の表面における座標に限らず、基板３の上に形成された複数のショット領域の位置と対応付けて保存してもよい。また、工程Ｓ４０３において異物が検出された位置のみを計測対象としてもよい。
【００３２】
工程Ｓ４０５の計測工程は、工程Ｓ４０２の計測工程と比較して低感度で計測工程を行うため、調整機構１０によって光源４の光量を低くしたり、受光器８に入射する光量を低くしたりすることによって光量を調整する。
【００３３】
工程Ｓ４０６では、基板３の異物の検査工程が実行される。工程Ｓ４０３と同様に制御部９は、基板３の表面を対象にして異物の検出が行われるように異物検出処理を制御する。具体的には、制御部９は、工程Ｓ４０５で計測された低感度モードでの計測値を、予め設定された閾値と比較することによって、異物を検出する。
【００３４】
工程Ｓ４０６において計測値が第２閾値を超えていない場合は、工程Ｓ４０７にて高感度モードで検出された異物の位置に基づいてインプリント動作を行う領域（ショット領域）を特定して、インプリント動作を行うことができる。
【００３５】
工程Ｓ４０６において計測値が第２閾値を超えている場合は、異物が存在している基板（領域）とすることができ、その領域に対して成形装置を用いて基板上にパターンを形成する際には、所望のパターンが得られない恐れがある。そのため、工程Ｓ４０８で成形装置から基板を搬出したり、基板に付着した異物を除く処理をしたりすることができる。
【００３６】
工程Ｓ４０６で設定される第２閾値は、工程Ｓ４０３で設定される第１閾値よりも大きな異物の存在を検出するために設定されうる。そのため、工程Ｓ４０６において、計測値が第２閾値を超えていない場合は、異物が存在していない基板（領域）とすることができ、工程Ｓ４０７にて通常のリソグラフィ動作を行うことができる。第２閾値としては、本実施形態の異物検査装置１が検出可能な最小サイズの異物が検出される計測値の大きさに基づいて設定してもよいし、成形装置を用いて基板上にパターンを形成する際に影響が出ない異物の計測値の大きさに基づいて設定してもよい。工程Ｓ４０６において、計測値が第２閾値を超えている場合は、異物が存在している基板（領域）とすることができ、工程Ｓ４０８にて基板のリジェクトを行うことができる。
【００３７】
このように、高感度モードでの計測で基板上の異物の存在する位置を求めた後、低感度モードでの計測を行うことによって成形装置を用いてパターンを形成する成形装置に影響を与える異物であるかを検出することができる。また、成形装置（リソグラフィ装置）に搬入する前に検査処理を行うことで、低感度モードにおける閾値判定により、基板をインプリント動作空間に搬入するか否かを判定することが可能となる。そして、基板を判定した結果、異物の存在により基板の表面状態がリソグラフィ処理を行うのに適していないと判断された基板は事前にリジェクトする（インプリント処理対象外とする）ことができる。
【００３８】
成形装置に搬入される基板は、基本的に異物が付着していない基板が搬入される。通常、高感度モードでも散乱光の計測値が第１閾値を超える確率は非常に低い。よって、計測値が閾値を超えて低感度モードで再度計測をしてもスループットを著しく低下させることはない。これにより１つの散乱光検出系で最小粒径の異物判定と、ウエハのリジェクト判定を行うことができる。
【００３９】
図５は、計測値に対する第１閾値と第２閾値の違いと判定後の処理を示した図である。第１閾値に対する判定によって、全ショットのリソグラフィ処理を行うかどうかを決定することができる。また、第２閾値に対する判定によって、大きな異物を噛みこんで押印してしまう恐れないショット領域のみをリソグラフィ処理を行うか、あるいは基板をリジェクトするかどうかを決定することが可能となる。つまり、図５に示すように、初めに高感度モードで計測した計測値と第１閾値と比較することで異物の有無を判定し、第１閾値よりも小さければ全ショット領域のリソグラフィ処理（インプリント動作）を行うことができる。そして、第１閾値を超える場合には、低感度モードで計測した計測値と第２閾値と比較することで基板のリジェクト判定を行い、第２閾値を超える場合には、基板を成形装置からリジェクトすることができる。また、高感度モードによる計測値が第１閾値を超え、低感度モードによる計測値が第２閾値を超えない場合には、リソグラフィ処理が可能な対象ショット領域のみリソグラフィ処理（インプリント動作）を行うことができる。
【００４０】
このように、本実施形態の異物検査装置は、高感度モードと低感度モードの２つのモードにおいて散乱光の計測を行うことで、広い計測範囲で、ショット領域ごとに、第１閾値を超えるものと第２閾値を超えるものを判定することができる。
【００４１】
また、成形装置として型を用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置の場合には、型に影響を与える異物の基板上の位置を検出することで、型と異物が接触することによる型の破損を防ぐことができる。
【００４２】
（成形装置と異物検査装置）
図６には、本発明の一実施形態の処理装置１０００の構成が示されている。処理装置１０００は、異物検査装置１と、成形装置１００とを備えうる。成形装置１００は、基板３の上の組成物を成形する成形処理を行うように構成されうる。一例において、成形装置１００は、パターンを有する型を用いて、基板３の上の組成物（インプリント材）を成形するインプリント装置、換言すると、型が有するパターンを基板３の上の組成物に転写するインプリント装置として構成されうる。インプリント装置は、基板３の上の組成物と型とを接触させた状態で該組成物を硬化させることによって、硬化した組成物からなるパターンを基板３の上に形成しうる。他の例において、成形装置１００は、凹凸パターンがない平面部を有する型（ブランクテンプレート）を用いて、基板３の上に組成物を平坦化する平坦化装置として構成されうる。平坦化装置は、基板３の上の組成物に型の平坦部を接触させた状態で該組成物を硬化させることによって、硬化した組成物からなり平坦な上面を有する膜を基板３の上に形成しうる。
【００４３】
処理装置１０００は、成形装置１００は、基板３を位置決めする位置決め機構１０１と、基板３の上の組成物と型とを接触させた状態で該組成物に硬化用のエネルギー（例えば、ＵＶ光）を照射することによって該組成物を硬化させる成形部１０２とを含みうる。
【００４４】
成形装置１００には、搬送室１０３が連結されうる。搬送室１０３には、コータ／デベロッパのような補助装置１０６が連結されうる。補助装置１０６は、基板３の上に組成物を配置する装置である。補助装置１０６は、組成物が配置された基板３を搬送室１０３内のステーション１０４に供給しうる。搬送機構１０５は、ステーション１０４に供給された基板３を異物検査装置１のステージ２に搬送しうる。異物検査装置１は、基板３の表面に存在する異物を検出する異物検出処理を行う。異物検査装置１によって異物が存在しないと判断された基板は、搬送機構１０５によって、成形装置１００の基板位置決め機構１０１に搬送されうる。一方、異物検査装置１によって異物が存在すると判断された基板は、搬送機構１０５によって、補助装置１０６に戻されるか、不図示の排出ポートを通して排出されうる。
【００４５】
図６には、一つの異物検査装置１に対して成形装置１００が一つ連結された処理装置１０００を示しているが、複数の成形装置が連結されていてもよい。一つの搬送室１０３（異物検査装置１）に対して複数の成形装置１００が連結されている、いわゆるクラスター型の処理装置１０００であってもよい。この場合、異物検査装置１で異物を検出した異物検出処理の処理結果（検出結果）を基板が搬送される成形装置１００に伝えうる。それぞれの成形装置１００は、異物検査装置１で得られた処理結果（検出結果）を取得することによって、基板の上に付着した異物の位置や大きさの情報を用いて成形処理を行うことができる。
【００４６】
（ステーションの構成）
図７には、ステーション１０４の構成例が示されている。ステーション１０４は、基板３の外形に基づいて基板３の位置および回転に関する誤差を計測する機能を有する計測部として機能しうる。ステーション１０４は、例えば、基板３をＸ軸、Ｙ軸、および、Ｚ軸周りの回転に関して駆動する駆動機構１０４ａと、基板エッジ検出器１０４ｂとを含みうる。基板エッジ検出器１０４ｂは、基板３のエッジ位置を検出するためのものであり、例えば、ラインセンサを含みうる。駆動機構１０４ａによって基板３を回転させながら、基板エッジ検出器１０４ｂによって基板３のエッジ位置を検出することによって基板３のオリエンテーション（ノッチ位置）および基板３の外形を求めることができる。また、基板３の外形に基づいて基板３の中心位置を算出し、搬送機構１０５が基板３を常に同じ位置で受け取りできるように基板３の位置（Ｘ，Ｙ，Ｑｚ）をオフセットさせることで、搬送機構１０５によって基板３を高い位置精度で搬送することができる。
【００４７】
計測部として機能するステーション１０４で基板３の外形に基づいて計測された基板３の位置および回転に関する誤差は、工程Ｓ４０２や工程Ｓ４０５の計測工程において光を照射する領域を特定するために使用されてもよい。これにより、基板３の外形や配置のばらつきに依存することなく、基板３の位置が正確に決定することができる。この例では、基板３の外形の計測がステーション１０４で行われるが、ステージ２を回転させる機能を設けるとともに、ステージ２とともに回転している基板３のエッジを検出する基板エッジ検出器を設けてもよい。
【００４８】
（物品の製造について）
成形装置（インプリント装置）を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。光学素子としては、マイクロレンズ、導光体、導波路、反射防止膜、回折格子、偏光素子、カラーフィルタ、発光素子、ディスプレイ、太陽電池等が挙げられる。ＭＥＭＳとしては、ＤＭＤ、マイクロ流路、電気機械変換素子等が挙げられる。記録素子としては、ＣＤ、ＤＶＤのような光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク、磁気ヘッド等が挙げられる。センサとしては、磁気センサ、光センサ、ジャイロセンサ等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００４９】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００５０】
次に、物品の製造方法について説明する。図８（ａ）に示すように、石英ガラス等の基板１ｙを用意し、続いて、インクジェット法等により、基板１ｙの表面にインプリント材３ｙを付与する。必要に応じて、基板１ｙの表面に金属や金属化合物等の別の材料の層を設けても良い。基板１ｙは、事前に異物検査装置１で基板上の異物の検査が行われており、異物が付着している場合には場所が特定されているものとする。ここで説明する物品の製造方法は、検査の結果、異物が付着していない領域に対して行われる。
【００５１】
図８（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｙを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｙに向け、対向させる。図８（ｃ）に示すように、インプリント材３ｙが付与された基板１ｙと型４ｙとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｙは型４ｙと基板１ｙとの隙間に充填される。この状態で光を型４ｙを透して照射すると、インプリント材３は硬化する。
【００５２】
図８（ｄ）に示すように、インプリント材３ｙを硬化させた後、型４ｙと基板１ｙを引き離すと、基板１ｙ上にインプリント材３ｙの硬化物のパターンが形成される。こうして硬化物のパターンを構成部材として有する物品が得られる。なお、図８（ｄ）の状態で硬化物のパターンをマスクとして、基板１ｙをエッチング加工すれば、型４ｙに対して凹部と凸部が反転した物品、例えば、インプリント用の型を得ることもできる。
【００５３】
次に、異物検査装置１によって検査された基板を露光装置によって露光する工程を経て物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、ＭＥＭＳ等）を製造する製造方法を説明する。物品は、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布された基板（ウェハ、ガラス基板等）を露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、現像された基板を他の周知の工程で処理することにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。本物品製造方法によれば、従来よりも高品位の物品を製造することができる。
【００５４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１  異物検査装置
４  光源
８  受光器
９  制御部
１０  調整機構
２０  投光器
２５  検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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