(57)【要約】【課題】上部表示基板及び遮光部材の間の界面で発生する外光反射を減らすことができる表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネルは、第１乃至第３画素領域及び第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板、第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板を含み、上部表示基板は、ベース基板、ベース基板上に配置され、第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルター、ベース基板上に配置され、第２画素領域に重畳し、第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルター、ベース基板上に配置され、第１色及び第２色と異なる第３色を有し、第３画素領域に重畳したフィルター部分及び遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルター、遮光部分上に配置され、ブラック有機顔料を含む遮光部材を含む。【選択図】図４
2020076979.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３画素領域及び前記第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板と、
前記第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板と、を含み、
前記上部表示基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、前記第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルターと、
前記ベース基板上に配置され、前記第２画素領域に重畳し、前記第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルターと、
前記ベース基板上に配置され、前記第１色及び前記第２色と異なる第３色を有し、前記第３画素領域に重畳したフィルター部分及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルターと、
前記遮光部分上に配置され、ブラック有機顔料を含む遮光部材と、
を含む表示パネル。
【請求項２】
前記上部表示基板の平面上で、前記遮光部材は、前記第１乃至第３画素領域から一定の間隔で離隔される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１画素領域及び前記第２画素領域に対応する第１開口部及び第２開口部が前記第３カラーフィルターによって各々定義され、
前記第１開口部及び前記第２開口部の間の幅は、前記第１開口部及び前記第２開口部の間に配置された前記遮光部材の幅より大きい、請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記遮光部材は、前記ブラック有機顔料が分散されたベース樹脂をさらに含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記遮光部材は、前記ベース樹脂に分散された中空シリカをさらに含む、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記遮光部材は、前記ベース樹脂に分散されたペリレンをさらに含む、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記遮光部材は、前記ベース樹脂に分散されたブルー顔料及びカーボンブラックをさらに含む、請求項４に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記ブラック有機顔料は、第１重量を有し、
前記ブルー顔料は、第２重量を有し、
前記カーボンブラックは、第３重量を有し、
前記第１重量は、第２重量より大きく、前記第２重量は、前記第３重量より大きい、請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記上部表示基板は、光制御層をさらに含み、
前記光制御層は、
前記第１カラーフィルター上に配置され、前記第３色の光を吸収して第１色の光に出力する第１発光体を含む第１変換部と、
前記第２カラーフィルター上に配置され、前記第３色の光を吸収して前記第２色の光に出力する第２発光体を含む第２変換部と、
前記第３色光を透過する透過部と、
を含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第１乃至第３表示素子の各々は、前記第３色の光を前記光制御層に出力する、請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記第３色は、ブルーとして提供され、
前記第２色は、グリーンとして提供され、
前記第１色は、レッドとして提供される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１２】
上部表示基板は、前記遮光部材上に配置された前記第１色又は前記第２色を有する補助カラーフィルターをさらに含む、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記第１乃至第３カラーフィルターは、前記ベース基板上に直接的に配置されている、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１４】
第１乃至第３画素領域及び前記第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板と、
前記第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板と、を含み、
前記上部表示基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、前記第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルターと、
前記ベース基板上に配置され、前記第２画素領域に重畳し、前記第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルターと、
前記ベース基板上に配置され、前記第１色及び前記第２色と異なる第３色を有し、前記第３画素領域に重畳したフィルター部分及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルターと、
前記遮光部分を全体的にカバーし、前記ベース基板上に配置された遮光部材と、
を含む表示パネル。
【請求項１５】
前記第１画素領域及び前記第２画素領域に対応する第１開口部及び第２開口部が前記第３カラーフィルターによって各々定義され、
前記ベース基板の平面上において、前記第１開口部に対応する第１補助開口部、前記第２開口部に対応する第２補助開口部、及び前記第３画素領域に対応する第３補助開口部が前記遮光部材によって各々定義される請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記遮光部材は、
ベース樹脂と、
前記ベース樹脂に分散されたイエロー顔料と、
を含む、請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記遮光部材は、
ベース樹脂と、
前記ベース樹脂に分散されたブラック有機顔料と、
を含む、請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記遮光部材は、前記ベース基板上に直接的に配置されている、請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記第１乃至第３表示素子の各々は、前記第３色を有する光を出力し、前記第３色は、ブルーとして提供される請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項２０】
第１乃至第３画素領域及び前記第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板と、
前記第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板と、を含み、
前記上部表示基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に配置され、前記第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルターと、
前記ベース基板上に配置され、前記第２画素領域に重畳し、前記第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルターと、
前記ベース基板上に配置され、前記第１色及び前記第２色と異なる第３色を有し、前記第３画素領域に重畳したフィルター部分及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルターと、
前記遮光部分上に配置されイエロー顔料を含む遮光部材と、
を含み、
前記上部表示基板の平面上で、前記遮光部材は、前記第１乃至第３画素領域から一定の間隔で離隔される表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示パネルに関し、より詳細にはカラーフィルターを含む表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビジョン、携帯電話、タブレットコンピュータ、ナビゲーション、ゲーム機等のようなマルチメディア装置に使用される多様な表示装置が開発されている。表示装置は光源から生成されたソース光を選択的に透過させる透過型表示パネルと表示パネル自体でソース光を生成する自発光型表示パネルを含む。
【０００３】
室外で表示装置が使用される場合、映像が視認される表示面で外光による反射及び散乱が発生することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第９，４８８，８６１号明細書
【特許文献２】米国特許第１０，０２６，７８８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は上部表示基板及び遮光部材の間の界面で発生する外光反射を減らすことができる表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的を達成するための一実施形態に係る表示パネルは、第１乃至第３画素領域及び前記第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板、前記第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板を含み、前記上部表示基板は、ベース基板、前記ベース基板上に配置され、前記第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルター、前記ベース基板上に配置され、前記第２画素領域に重畳し、前記第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルター、前記ベース基板上に配置され、前記第１色及び前記第２色と異なる第３色を有し、前記第３画素領域に重畳したフィルター部分及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルター、前記遮光部分上に配置され、ブラック有機顔料を含む遮光部材を含む。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、前記上部表示基板の平面上で、前記遮光部材は前記第１乃至第３画素領域から一定の間隔で離隔される。
【０００８】
本発明の実施形態によれば、前記第１画素領域及び前記第２画素領域に対応する第１開口部及び第２開口部が前記第３カラーフィルターによって各々定義され、前記第１開口部及び前記第２開口部の間の幅は前記第１開口部及び前記第２開口部の間に配置された前記遮光部材の幅より大きい。
【０００９】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は、前記ブラック有機顔料が分散されたベース樹脂をさらに含む。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は前記ベース樹脂に分散された中空シリカをさらに含む。
【００１１】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は前記ベース樹脂に分散されたペリレンをさらに含む。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は前記ベース樹脂に分散されたブルー顔料及びカーボンブラックをさらに含む。
【００１３】
本発明の実施形態によれば、前記ブラック有機顔料は第１重量を有し、前記ブルー顔料は第２重量を有し、前記カーボンブラックは第３重量を有し、前記第１重量は第２重量より大きく、前記第２重量は前記第３重量より大きい。
【００１４】
本発明の実施形態によれば、前記上部表示基板は光制御層をさらに含み、前記光制御層は前記第１カラーフィルター上に配置され、前記第３色の光を吸収して第１色の光に出力する第１発光体を含む第１変換部、前記第２カラーフィルター上に配置され、前記第３色の光を吸収して前記第２色の光に出力する第２発光体を含む第２変換部、前記第３色光を透過する透過部を含む。
【００１５】
本発明の実施形態によれば、前記第１乃至第３表示素子の各々は前記第３色の光を前記光制御層に出力する。
【００１６】
本発明の実施形態によれば、前記第３色はブルーとして提供され、前記第２色はグリーンとして提供され、前記第１色はレッドとして提供される。
【００１７】
本発明の実施形態によれば、上部表示基板は前記遮光部材上に配置された前記第１色又は前記第２色を有する補助カラーフィルターをさらに含む。
【００１８】
本発明の実施形態によれば、前記第１乃至第３カラーフィルターは前記ベース基板上に直接的に配置されている。
【００１９】
本発明の目的を達成するための一実施形態に係る表示パネルは、第１乃至第３画素領域及び前記第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板、前記第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板を含み、前記上部表示基板は、ベース基板、前記ベース基板上に配置され、前記第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルター、前記ベース基板上に配置され、前記第２画素領域に重畳し、前記第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルター、前記ベース基板上に配置され、前記第１色及び前記第２色と異なる第３色を有し、前記第３画素領域に重畳したフィルター部分及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルター、前記遮光部分を全体的にカバーし、前記ベース基板上に配置された遮光部材を含む。
【００２０】
本発明の実施形態によれば、前記第１画素領域及び前記第２画素領域に対応する第１開口部及び第２開口部が前記第３カラーフィルターによって各々定義され、前記ベース基板の平面上において、前記第１開口部に対応する第１補助開口部、前記第２開口部に対応する第２開口部、及び前記第３画素領域に対応する第３補助開口部が前記遮光部材によって各々定義される。
【００２１】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は、ベース樹脂、前記ベース樹脂に分散されたイエロー顔料を含む。
【００２２】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は、ベース樹脂、前記ベース樹脂に分散されたブラック有機顔料を含む。
【００２３】
本発明の実施形態によれば、前記遮光部材は前記ベース基板上に直接的に配置されている。
【００２４】
本発明の実施形態によれば、前記第１乃至第３表示素子の各々は前記第３色を有する光を出力し、前記第３色はブルーとして提供される。
【００２５】
本発明の目的を達成するための一実施形態に係る表示パネルは、第１乃至第３画素領域及び前記第１乃至第３画素領域に隣接する遮光領域を含む上部表示基板、前記第１乃至第３画素領域に各々重畳する第１乃至第３表示素子を含む下部表示基板を含み、前記上部表示基板は、ベース基板、前記ベース基板上に配置され、前記第１画素領域に重畳し、第１色を有する第１カラーフィルター、前記ベース基板上に配置され、前記第２画素領域に重畳し、前記第１色と異なる第２色を有する第２カラーフィルター、前記ベース基板上に配置され、前記第１色及び前記第２色と異なる第３色を有し、前記第３画素領域に重畳したフィルター部分及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含む第３カラーフィルター、前記遮光部分上に配置され、イエロー顔料を含む遮光部材を含み、前記上部表示基板の平面上で、前記遮光部材は前記第１乃至第３画素領域から一定の間隔で離隔される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の実施形態によれば、遮光部材は第３色の波長帯域を有する第３カラーフィルターの遮光部分上に配置されることができる。特に、遮光部材はブラック有機顔料を含むことができる。遮光部材がブラック有機顔料を含むことによって、ベース基板及び遮光部材の間の界面で発生する外光反射率が減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る表示パネルの斜視図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る表示パネルの断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示パネルの平面図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に係る表示パネルの画素領域の平面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態に係る表示パネルの一画素領域の断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る上部表示基板の断面図である。
【図５Ａ】本発明の実施形態に係る上部表示基板の積層構造物の平面図である。
【図５Ｂ】本発明の実施形態に係る上部表示基板の積層構造物の平面図である。
【図５Ｃ】本発明の実施形態に係る上部表示基板の積層構造物の平面図である。
【図５Ｄ】本発明の実施形態に係る図５Ｃに図示されたＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る光制御層の光特性を簡略に示した図面である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る遮光部材を示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態に係る遮光部材を示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の他の実施形態に係る遮光部材を示す断面図である。
【図７Ｄ】本発明の他の実施形態に係る遮光部材を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る遮光部材に伝達された外光の反射率を示すグラフである。
【図９】本発明の他の実施形態に係る上部表示基板の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る図９に図示された遮光部材の平面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る上部表示基板の断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示パネルの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本明細書で、ある構成要素（又は領域、層、部分等）が他の構成要素“上にある”、“接続される”、又は“結合される”と言及される場合にそれは他の構成要素上に直接配置／接続／結合されることができるか、或いはこれらの間に第３の構成要素が配置されることもできることを意味する。
【００２９】
同一の図面符号は同一の構成要素を称する。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されたものである。
【００３０】
“及び／又は”は連関された構成が定義できる１つ以上の組み合わせを全て含む。
【００３１】
第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、この構成要素はこの用語によって限定されてはならない。この用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しなく、第１構成要素は第２構成要素と称され、類似して第２構成要素も第１構成要素と称されてもよい。単数の表現は文脈上で明確に別の表現をしない限り、複数の表現を含む。
【００３２】
また、“下に”、“下側に”、“上に”、“上側に”等の用語は図面に図示された構成の連関関係を説明するために使用される。この用語は相対的な概念として図面に表示された方向を基準に説明される。
【００３３】
別途に定義されない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術的及び科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野で当業者によって一般的に理解される同一の意味を有する。また、一般的に使用される辞典で定義された用語と同一の用語は関連技術で使用される意味と一致する意味を有することと解釈しなければならず、理想的な又はあまりにも形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。
【００３４】
“含む”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせが存在することを表現しようとするものであり、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものとして理解されるべきである。
【００３５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００３６】
図１Ａは本発明の実施形態に係る表示パネルの斜視図である。図１Ｂは本発明の実施形態に係る表示パネルの断面図である。
【００３７】
本発明の実施形態に係る表示パネルＤＰはモニター、又は屋外広告板のような大型電子装置を始めとして、パーソナルコンピュータ、ノート型コンピュータ、個人デジタル端末機、自動車ナビゲーションユニット、ゲーム機、スマートフォン、タブレット、及びカメラのような中小型電子装置等に適用されることができる。また、これらは単なる実施形態として提示されたものであって、本発明の概念から逸脱しない限り、他の電子機器にも採用されることができる。
【００３８】
本発明の実施形態によれば、表示パネルＤＰは液晶表示パネル（ｌｉｑｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、電気泳動表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、ＭＥＭＳ表示パネル（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）及びエレクトロ・ウェッティング表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、及び有機発光表示パネル（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）の中でいずれか１つであり、特別に限定されない。
【００３９】
図示していないが、表示パネルＤＰはシャーシ部材又はモールディング部材をさらに含んでもよく、表示パネルＤＰの種類に応じてバックライトユニットをさらに含んでもよい。
【００４０】
図１Ａに示すように、表示パネルＤＰは下部表示基板１００及び下部表示基板１００と対向し、離隔された上部表示基板２００を含む。図１Ａに図示されたように、表示パネルＤＰは表示面ＤＰ−ＩＳを通じてイメージを表示する。表示面ＤＰ−ＩＳは第１方向軸ＤＲ１及び第２方向軸ＤＲ２が定義する面と平行である。
【００４１】
表示面ＤＰ−ＩＳは表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとを含む。表示領域ＤＡには画素ＰＸが配置され、非表示領域ＮＤＡには画素ＰＸが配置されない。非表示領域ＮＤＡは表示面ＤＰ−ＩＳの枠に沿って定義される。表示領域ＤＡは非表示領域ＮＤＡによって囲まれる。
【００４２】
表示面ＤＰ−ＩＳの法線方向、即ち表示装置ＤＤの厚さ方向は第３方向ＤＲ３に対応する。本明細書内で、“平面視で見た時又は平面上で”の意味は第３方向ＤＲ３に沿って見る場合を意味する。以下で説明される各層又はユニットの前面（又は上面）と背面（又は下面）は第３方向ＤＲ３によって区分される。しかし、第１乃至第３方向ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３が指示する方向は相対的な概念として他の方向、例えば反対方向に変換されてもよい。
【００４３】
本発明の一実施形態で平面型表示面ＤＰ−ＩＳを具備する表示パネルＤＰを図示したが、これに限定されない。表示装置ＤＰは曲面型表示面又は立体型表示面を含んでもよい。立体型表示面は互いに異なる方向を指示する複数の表示領域を含んでもよい。
【００４４】
図１Ｂに示すように、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間には所定のセルギャップＧＰが形成される。セルギャップＧＰは上部表示基板２００と下部表示基板１００を結合するシーラントＳＬＭによって維持される。シーラントＳＬＭは有機接着部材又は無機接着部材を含んでもよい。シーラントＳＬＭはフリットを含んでもよい。
【００４５】
図２は本発明の実施形態に係る表示パネルの平面図である。図３Ａは本発明の実施形態に係る表示パネルの画素領域の平面図である。図３Ｂは本発明の実施形態に係る表示パネルの一画素領域の断面図である。
【００４６】
信号ラインＧＬ１〜ＧＬｎ、ＤＬ１〜ＤＬｍ及び画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの平面上配置関係を図示した。信号ラインＧＬ１〜ＧＬｎ、ＤＬ１〜ＤＬｍは複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ、複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍを含む。
【００４７】
画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの各々は複数のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎの中で対応するゲートライン及び複数のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍの中で対応するデータラインに各々接続される。画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの各々は画素駆動回路及び表示素子を含む。画素駆動回路の構成に応じてさらに多い種類の信号ラインが表示パネルＤＰに具備されてもよい。
【００４８】
画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍはマトリックス状に配置されるが、これに限定されない。画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍはペンタイル形態に配置されてもよい。画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍはダイヤモンド形態に配置されてもよい。
【００４９】
ゲート駆動回路ＧＤＣは非表示領域ＮＤＡに配置される。ゲート駆動回路ＧＤＣはＯＳＧ（ｏｘｉｄｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ  ｃｉｒｃｕｉｔ）又はＡＳＧ（ａｍｏｒｐｈｏｓｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ  ｃｉｒｃｕｉｔ）工程を通じて表示パネルＤＰに集積化されてもよい。
【００５０】
図３Ａは図１Ａに図示された表示領域ＤＡの一部分を拡大して示した。３種の画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂを中心に図示した。図３Ａに図示された３種の画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂは表示領域ＤＡの全体に繰り返しに配置される。
【００５１】
第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂの周辺には遮光領域ＮＰＸＡが配置される。第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂ及び遮光領域ＮＰＸＡは実質的に上部表示基板２００に定義される。
【００５２】
図３Ａを通じて平面上の面積が同一な第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂを例示的に図示したが、これに限定されない。第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂは互いに異なる面積を有してもよいし、或いは少なくとも２以上の面積が互いに異なるようにしてもよい。また、平面上において丸いコーナー領域を有する長方形状の第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂを図示したが、これに限定されない。平面上で第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂはその他の多角形状を有してもよいし、コーナー領域が丸い正多角形状を有してもよい。
【００５３】
使用者に第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂの中で１つは第１色の波長帯域を有する第１色光を提供し、他の１つは第１色と異なる第２色の波長帯域を有する第２色光を提供し、残りの他の１つは第１色及び第２色と異なる第３色の波長帯域を有する第３色光を提供する。
【００５４】
本発明の実施形態によれば、第１画素領域ＰＸＡ−Ｒはレッド光を提供し、第２画素領域ＰＸＡ−Ｇはグリーン光を提供し、第３画素領域ＰＸＡ−Ｂはブルー光を提供する。本実施形態ではソース光は第３色光であるブルー光である。ソース光はバックライトユニットのような光源で生成されてもよいし、或いは発光ダイオードのような表示素子で生成されてもよい。
【００５５】
遮光領域ＮＰＸＡは第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂの境界を設定して第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂの間の混色を防止する。また、遮光領域ＮＰＸＡはソース光が使用者に提供されないようにソース光を遮断する。
【００５６】
図３Ｂは第２画素領域ＰＸＡ−Ｇに対応する表示パネルＤＰの断面を図示した。図３Ｂは駆動トランジスタＴ−Ｄと発光素子ＯＬＥＤに対応する断面を例示的に図示した。一方、図３Ｂで上部表示基板２００は簡略的に図示された。
【００５７】
図３Ｂに示すように、下部表示基板１００は第１ベース基板ＢＳ１、第１ベース基板ＢＳ１上に配置された回路素子層ＤＰ−ＣＬ、及び回路素子層ＤＰ−ＣＬ上に配置された表示素子層ＤＰ−ＯＬＥＤを含む。
【００５８】
第１ベース基板ＢＳ１は合成樹脂基板又はガラス基板を含む。回路素子層ＤＰ−ＣＬは少なくとも１つの絶縁層と回路素子を含む。回路素子は信号ライン、画素の駆動回路等を含む。コーティング、蒸着等による絶縁層、半導体層、及び導電層の形成工程とフォトリソグラフィー工程による絶縁層、半導体層、及び導電層のパターニング工程を通じて回路素子層ＤＰ−ＣＬが形成される。
【００５９】
本実施形態では、回路素子層ＤＰ−ＣＬはバッファ膜ＢＦＬ、第１絶縁層１０、第２絶縁層２０、及び第３絶縁層３０を含む。第１絶縁層１０及び第２絶縁層２０は無機膜であり、第３絶縁層３０は有機膜である。
【００６０】
図３Ｂには駆動トランジスタＴ−Ｄを構成する半導体パターンＯＳＰ、制御電極ＧＥ、入力電極ＤＥ、出力電極ＳＥの配置関係が例示的に図示されている。第１、第２、第３、貫通ホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３も例示的に図示されている。
【００６１】
表示素子層ＤＰ−ＯＬＥＤは発光素子ＯＬＥＤを含む。発光素子ＯＬＥＤは上述したソース光を生成する。発光素子ＯＬＥＤは第１電極、第２電極、及びこれらの間に配置された発光層を含む。本実施形態では、発光素子ＯＬＥＤは有機発光ダイオードを含む。表示素子層ＤＰ−ＯＬＥＤは画素定義膜ＰＤＬを含む。例えば、画素定義膜ＰＤＬは有機層である。
【００６２】
第３絶縁層３０上に第１電極ＡＥが配置される。第１電極ＡＥは第３絶縁層３０を貫通する第３貫通ホールＣＨ３を通じて出力電極ＳＥに接続される。画素定義膜ＰＤＬには開口部ＯＰが定義される。画素定義膜ＰＤＬの開口部ＯＰは第１電極ＡＥの少なくとも一部分を露出させる。
【００６３】
正孔制御層ＨＣＬ、発光層ＥＭＬ、電子制御層ＥＣＬは第１電極ＡＥと画素定義膜ＰＤＬ上に共通に配置される。正孔制御層ＨＣＬ、発光層ＥＭＬ、電子制御層ＥＣＬは第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂ（図３Ａ参照）に共通的に配置される。
【００６４】
正孔制御層ＨＣＬは正孔輸送層を含み、正孔注入層をさらに含む。発光層ＥＭＬはブルー光を生成する。ブルー光は４１０ｎｍ乃至４８０ｎｍ波長を含む。ブルー光の発光スペクトルは４４０ｎｍ乃至４６０ｎｍ内で最大ピークを有する。電子制御層ＥＣＬは電子輸送層を含み、電子注入層をさらに含む。発光層ＥＭＬはタンデム構造を有するか、或いは単層構造を有する。
【００６５】
電子制御層ＥＣＬ上に第２電極ＣＥが配置される。第２電極ＣＥは第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂ（図３Ａ参照）に共通的に配置される。第２電極ＣＥは第１電極ＡＥより大きい面積を有する。第２電極ＣＥ上に第２電極ＣＥを保護するカバー層ＣＬがさらに配置される。カバー層ＣＬは有機物質又は無機物質を含む。一実施形態においてカバー層ＣＬは省略されてもよい。
【００６６】
図示していないが、下部表示基板１００は図３Ａに図示された第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂに対応する第１乃至第３表示素子を含む。第１乃至第３表示素子の積層構造は互いに同一であり、図３Ｂに図示された発光素子ＯＬＥＤの積層構造を有する。
【００６７】
図４は本発明の実施形態に係る上部表示基板の断面図である。図５Ａは本発明の実施形態に係る上部表示基板の積層構造物の平面図である。図５Ｂは本発明の実施形態に係る上部表示基板の積層構造物の平面図である。図５Ｃは本発明の実施形態に係る上部表示基板の積層構造物の平面図である。図５Ｄは本発明の実施形態に係る図５Ｃに図示されたＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。図６は本発明の実施形態に係る変換部の光特性を簡略に示した図面である。
【００６８】
図４に示すように、上部表示基板２００は第２ベース基板ＢＳ２、第１乃至第３カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂ、絶縁層ＩＬ、及び光制御層ＣＣＬを含む。図示していないが、本発明の他の実施形態において、第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂに対応する表示素子が互いに異なるカラーの光を生成する場合、光制御層ＣＣＬは省略されてもよい。
【００６９】
第１乃至第３カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂは第２ベース基板ＢＳ２上に配置される。一実施形態によれば、第１乃至第３カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂは第２ベース基板ＢＳ２上に直接配置される。
【００７０】
本発明の実施形態によれば、第３カラーフィルターＣＦ−Ｂは、第１カラーフィルターＣＦ−Ｒの屈折率及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｇの屈折率より第２ベース基板ＢＳ２の屈折率に近くなるように提供される。その結果、外部から入ってくる外光が第２ベース基板ＢＳ２を通過して第３カラーフィルターＣＦ−Ｂに入射される。したがって、第２ベース基板ＢＳ２及び第３カラーフィルターＣＦ−Ｂの間の界面で発生する外光反射が減らすことができる。
【００７１】
詳細には、第３カラーフィルターＣＦ−Ｂはカラーフィルターの役割を有するフィルター部分ＢＰ１と遮光パターンの役割を有する遮光部分ＢＰ２とに区分されることができる。フィルター部分ＢＰ１は第３画素領域ＰＸＡ−Ｂに重畳し、遮光部分ＢＰ２は遮光領域ＮＰＸＡに重畳する。
【００７２】
図５Ａに示すように、第２ベース基板ＢＳ２の一面にブルーカラーの有機層を形成した後、有機層を露光及び現像して第１開口部Ｂ−ＯＰ１及び第２開口部Ｂ−ＯＰ２有する第３カラーフィルターＣＦ−Ｂが形成される。即ち、フィルター部分ＢＰ１と遮光部分ＢＰ２は一体の形状に提供されることができる。
【００７３】
図５Ｂに示すように、第１カラーフィルターＣＦ−Ｒは第３カラーフィルターＣＦ−Ｂに定義された第１開口部Ｂ−ＯＰ１に配置される。平面上において、第１カラーフィルターＣＦ−Ｒは第１開口部Ｂ−ＯＰ１を全体的にカバーし、少なくとも一部分が遮光部分ＢＰ２上に配置される。第２カラーフィルターＣＦ−Ｇは第３カラーフィルターＣＦ−Ｂに定義された第２開口部Ｂ−ＯＰ２に配置される。平面上において、第２カラーフィルターＣＦ−Ｇは第２開口部Ｂ−ＯＰ２を全体的にカバーし、少なくとも一部分が遮光部分ＢＰ２上に配置される。
【００７４】
一方、遮光部分ＢＰ２上に配置された第１カラーフィルターＣＦ−Ｒ及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｇは互いに接触してもよい。但し、これに限定されず、遮光部分ＢＰ２上に配置された第１カラーフィルターＣＦ−Ｒは第２カラーフィルターＣＦ−Ｇと一定の間隔で離隔されてもよい。
【００７５】
再び図４を参照する。遮光部材ＳＨＤは第３カラーフィルターＣＦ−Ｂの遮光部分ＢＰ２上に配置される。第１カラーフィルターＣＦ−Ｒの一部分及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｇの一部分は遮光部材ＳＨＤ上に各々配置される。即ち、第１カラーフィルターＣＦ−Ｒの枠及び遮光部材ＳＨＤは遮光部分ＢＰ２を通じて伝達される外光を吸収することができ、第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂの間の混色を防止することができる。また、遮光部材ＳＨＤは光制御層ＣＣＬから出力された光の中で一部を吸収することもできる。
【００７６】
本発明の実施形態によれば、第２ベース基板ＢＳ２の平面上において、遮光部材ＳＨＤは第１乃至第３画素領域ＰＸＡ−Ｒ、ＰＸＡ−Ｇ、ＰＸＡ−Ｂから一定の間隔で離隔されて遮光部分ＢＰ２上に配置される。
【００７７】
図５Ｃ及び５Ｄに示すように、第２ベース基板ＢＳ２の平面上で、遮光部材ＳＨＤは遮光部分ＢＰ２を囲み、第１開口部Ｂ−ＯＰ１及び第２開口部Ｂ−ＯＰ２から各々離隔される。特に、第１方向ＤＲ１で、第１開口部Ｂ−ＯＰ１及び第２開口部Ｂ−ＯＰ２の間の第１幅Ｄ１は遮光部材ＳＨＤの第２幅Ｄ２より大きい。第２幅Ｄ２が第１幅Ｄ１より小さいことにより、第１カラーフィルターＣＦ−Ｒ及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｇが遮光部分ＢＰ２及び遮光部材ＳＨＤ上に配置されることを容易にすることができる。
【００７８】
一実施形態によれば、遮光部材ＳＨＤはブラック遮光層として提供されてもよい。特に、遮光部材ＳＨＤはベース樹脂及びベース樹脂に分散されたブラック有機顔料を含む。本発明に係るブラック有機顔料を含んだ遮光部材ＳＨＤは、本発明の別の例であるカーボンブラックとして提供される遮光部材よりも外部から入射される光の反射率がさらに低い。したがって、第２ベース基板ＢＳ２及び遮光部材ＳＨＤの間の界面で発生する外光反射を減らすことができる。
【００７９】
他の実施形態によれば、遮光部材ＳＨＤはイエロー遮光層として提供されてもよい。特に、遮光部材ＳＨＤはベース樹脂及びベース樹脂に分散されたイエロー顔料を含んでもよい。
【００８０】
再び図４を参照する。第１乃至第３カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂ及び遮光部材ＳＨＤをカバーする絶縁層ＩＬが第２ベース基板ＢＳ２上に配置される。
【００８１】
光制御層ＣＣＬは絶縁層ＩＬ上に配置され、表示素子層ＤＰ−ＯＬＥＤ（図３Ｂ参照）から出力された第３色光を吸収して第３色と異なる色で放出する発光体を含む。
【００８２】
光制御層ＣＣＬは第１変換部ＣＣＦ−Ｒ、第２変換部ＣＣＦ−Ｇ、及び透過部ＣＣＦ−Ｂを含む。第１変換部ＣＣＦ−Ｒは第１画素領域ＰＸＡ−Ｒに重畳し、第３色の光を吸収して第３色と異なる第１色の光を出力することができる。一例として、第１色はレッドである。
【００８３】
第２変換部ＣＣＦ−Ｇは第２画素領域ＰＸＡ−Ｇに重畳し、第３色の光を吸収して第１色及び第３色と異なる第２色の光を出力することができる。一例として、第２色はグリーンである。
【００８４】
透過部ＣＣＦ−Ｂは第３画素領域ＰＸＡ−Ｂに重畳し、第３色の光を透過することができる。
【００８５】
詳細には、図６に示すように、第１発光体ＥＰ−Ｒはブルー光である第３色光を吸収してレッド光である第１色光を放出し、第２発光体ＥＰ−Ｇは第３色光を吸収してグリーン光である第２色光を放出する。透過部ＣＣＦ−Ｂは発光体を含まない部分である。透過部ＣＣＦ−Ｂは第３色光を透過させる部分である。
【００８６】
また、第１変換部ＣＣＦ−Ｒ、第２変換部ＣＣＦ−Ｇ、及び透過部ＣＣＦ−Ｂはベース樹脂ＢＲを含むことができる。ベース樹脂ＢＲは高分子樹脂である。例えば、ベース樹脂ＢＲはアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂等である。ベース樹脂ＢＲは透明樹脂である。
【００８７】
第１変換部ＣＣＦ−Ｒ、第２変換部ＣＣＦ−Ｇ、及び透過部ＣＣＦ−Ｂの各々は散乱粒子ＯＬをさらに含んでもよい。散乱粒子ＯＬはＴｉＯ２又はシリカ系ナノ粒子等である。散乱粒子ＯＬは発光体から放出される光を散乱させて変換部の外部に放出することができる。また、透過部ＣＣＦ−Ｂのように提供された光をそのまま透過する場合、散乱粒子ＯＬは提供された光を散乱させて外部へ放出することができる。
【００８８】
光制御層ＣＣＬに含まれる第１及び第２発光体ＥＰ−Ｒ、ＥＰ−Ｇ（以下、発光体）は蛍光体又は量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）である。即ち、一実施形態では、光制御層ＣＣＬは発光体ＥＰ−Ｒ、ＥＰ−Ｇとして蛍光体又は量子ドットの中で少なくとも１つを含むことができる。
【００８９】
一例として、発光体ＥＰ−Ｒ、ＥＰ−Ｇとして使用される蛍光体は無機蛍光体である。一実施形態の表示パネルＤＰで発光体ＥＰ−Ｒ、ＥＰ−Ｇとして使用される蛍光体は緑色蛍光体又はレッド蛍光体である。
【００９０】
一方、一実施形態の光制御層ＣＣＬに使用された蛍光体の種類は開示された材料に限定されず、上述した蛍光体以外の公知の蛍光体材料が利用されることができる。
【００９１】
他の例として、光制御層ＣＣＬに含まれる発光体ＥＰ−Ｒ、ＥＰは量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）である。量子ドットのコアはＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択されることができる。
【００９２】
ＩＩ−ＶＩ族化合物はＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される二元素化合物；ＡｇＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される三元素化合物；及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなされた群から選択される四元素化合物からなされた群から選択されることができる。
【００９３】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物はＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される三元素化合物と、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される四元素化合物からなされた群から選択されることができる。
【００９４】
ＩＶ−ＶＩ族化合物はＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される三元素化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される四元素化合物からなされた群から選択されることができる。ＩＶ族元素としてはＳｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなされた群から選択されることができる。ＩＶ族化合物としてはＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなされた群から選択される二元素化合物である。
【００９５】
この時、二元素化合物、三元素化合物、又は四元素化合物は均一な濃度に粒子内に存在するか、或いは濃度分布が部分的に異なる状態に分けて同一粒子内に存在する。また、１つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有してもよい。コアとシェルとの界面はシェルに存在する元素の濃度が、中心に行くほど、低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。
【００９６】
幾つかの実施形態では、量子ドットは前述したナノ結晶を含むコア及びこのコアを囲むシェルを含むコア−シェル構造を有してもよい。前記量子ドットのシェルは前記コアの化学的変性を防止して半導体特性を維持するための保護層の役割及び／又は量子ドットに電気泳動特性を与えるためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）の役割を遂行することができる。前記シェルは単層又は多重層である。コアとシェルとの界面はシェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど、低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。量子ドットのシェルの例としては金属又は非金属の酸化物、半導体化合物、又はこれらの組み合わせ等を含むことができる。
【００９７】
例えば、上述の金属又は非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯ等の二元素化合物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４等の三元素化合物を例示できるが、本発明はこれに制限されない。
【００９８】
又、上述の半導体化合物はＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂ等を例示できるが、本発明はこれに制限されない。
【００９９】
量子ドットは約４５ｎｍ以下、望ましくは約４０ｎｍ以下、さらに望ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ  ｗｉｄｔｈ  ｏｆ  ｈａｌｆ  ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。また、このような量子ドットを通じて発光される光は全方向に放出されるので、光視野角を向上することができる。
【０１００】
また、量子ドットの形態は本分野で一般的に使用する形態のものに特別に限定しないが、より具体的に球形、ピラミッド形、多重アーム形（ｍｕｌｔｉ−ａｒｍ）、又は立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子等の形態のものを使用することができる。
【０１０１】
量子ドットは粒子サイズに応じて放出する光の色相を調節することができる。したがって量子ドットは青色、赤色、緑色等多様な発光色相に対応することができる。
【０１０２】
本発明の実施形態によれば、量子ドットは粒子サイズに応じて放出する光の色相が変化されることができる。第１発光体ＥＰーＲ及び第２発光体ＥＰーＧが量子ドットである場合、第１発光体ＥＰーＲの粒子サイズ及び第２発光体ＥＰーＧの粒子サイズは互いに異なる。例えば、第１発光体ＥＰ−Ｒの粒子サイズは第２発光体ＥＰ−Ｇの粒子サイズより大きい。この時、第１発光体ＥＰ−Ｒは第２発光体ＥＰ−Ｇより長波長の光を放出する。
【０１０３】
図７Ａは本発明の一実施形態に係る遮光部材を示す断面図である。図７Ｂは本発明の他の実施形態に係る遮光部材を示す断面図である。図８は本発明の実施形態に係る遮光部材に伝達された外光の反射率を示すグラフである。
【０１０４】
図７Ａに示すように、遮光部材ＳＨＤはベース樹脂ＢＲｓ及びベース樹脂ＢＲｓに分散されたブラック有機顔料ＰＭを含む。ベース樹脂ＢＲｓは高分子樹脂である。例えば、ベース樹脂ＢＲｓはアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂等である。ベース樹脂ＢＲｓは透明樹脂である。ベース樹脂ＢＲｓにブラック有機顔料ＰＭが噴射されることによって、遮光部材ＳＨＤはブラック遮光層として提供されてもよい。
【０１０５】
図７Ｂに示すように、遮光部材ＳＨＤａはベース樹脂ＢＲｓ及びブラック有機顔料ＰＭの以外に中空シリカＳＰをさらに含んでもよい。即ち、中空シリカＳＰはベース樹脂ＢＲｓに分散されて、遮光部材ＳＨＤａの屈折率を低下させることができる。例えば、中空シリカＳＰが含まれた遮光部材ＳＨＤａの屈折率は、第３カラーフィルターＣＦ−Ｂの遮光部分ＢＰ２の屈折率と近くなるように形成される。その結果、遮光部分ＢＰ２（図４参照）及び遮光部材ＳＨＤａの間の界面で発生する光反射率が低くなる。
【０１０６】
図７Ｃに示すように、遮光部材ＳＨＤｂはベース樹脂ＢＲｓ及びブラック有機顔料ＰＭの以外にペリレン（ＰＥＲＹＬＥＮＥ、以下、ＰＬと説明する）物質をさらに含んでもよい。即ち、ペリレンＰＬがベース樹脂ＢＲｓに分散されることによって、ブルー光をさらによく吸収することができる。特に、遮光部材ＳＨＤｂが第３色に提供された遮光部分ＢＰ２上に配置されることにより、遮光部分ＢＰ２を透過した外光をさらによく吸収することができる。遮光部分ＢＰ２を通過した外光は第３色の波長帯域を有することができる。
【０１０７】
図７Ｄに示すように、遮光部材ＳＨＤｃはベース樹脂ＢＲｓ、ブラック有機顔料ＰＭ、ブルー顔料ＢＬ、及びカーボンブラックＣＫを含んでもよい。ベース樹脂ＢＲｓに分散されたブラック有機顔料ＰＭは第１重量に提供される。ベース樹脂ＢＲｓに分散されたブルー顔料ＢＬは第２重量に提供される。ベース樹脂ＢＲｓに分散されたカーボンブラックＣＫは第３重量に提供される。
【０１０８】
実施形態によれば、第１重量は第２重量より大きく、第２重量は第３重量より大きい。即ち、ベース樹脂ＢＲｓに分散された量はブラック有機顔料ＰＭ、ブルー顔料ＢＬ、及びカーボンブラックＣＫの順に低くなる。例示的に、ブラック有機顔料ＰＭ、ブルー顔料ＢＬ、及びカーボンブラックＣＫの組成比は１５：５：３に提供されてもよい。
【０１０９】
即ち、図７Ｄに図示された遮光部材ＳＨＤｃはブラック有機顔料ＰＭの以外にブルー顔料及びカーボンブラックＣＫが追加的にベース樹脂ＢＲｓに分散されている。この場合、同様に遮光部分ＢＰ２及び遮光部材ＳＨＤｃの間の界面で発生する光反射率が低くなる。
【０１１０】
図８は上述した図７Ａ乃至図７Ｄを通じて説明された遮光部材の中でいずれか１つを使用した場合、外光反射が低くなることを示すグラフである。横軸は光の波長（ｎｍ）を示し、縦軸は反射率（％）を示す。
【０１１１】
一例として、カーボンブラックを含んだ遮光部材は第３色光に対して第１反射率ＢＣ１を有する。一方、本発明に係るブラック有機顔料を含んだ遮光部材は第３色光に対して第１反射率ＢＣ１より低い第２反射率ＢＣ２を有する。
【０１１２】
一例として、カーボンブラックを含んだ遮光部材は第２色光に対して第１反射率ＧＣ１を有する。一方、本発明に係るブラック有機顔料を含んだ遮光部材は第２色光に対して第１反射率ＧＣ１より低い第２反射率ＧＣ２を有する。
【０１１３】
一例として、カーボンブラックを含んだ遮光部材は第１色光に対して第１反射率ＲＣ１を有する。一方、本発明に係るブラック有機顔料を含んだ遮光部材は第１色光に対して第１反射率ＲＣ１より低い第２反射率ＲＣ２を有する。
【０１１４】
図９は本発明の他の実施形態に係る上部表示基板の断面図である。図１０は本発明の他の実施形態に係る図９に示された遮光部材の平面図である。
【０１１５】
図９に示された上部表示基板２００ａは図４に示された上部表示基板２００と比較して遮光部材の構造のみが変形されただけで、残りの構成の構造は実質的に同一である。したがって、図９を通じては遮光部材の構造を主に説明し、残りの構成に対する説明は、簡易化のために省略される。
【０１１６】
図９に示すように、第２ベース基板ＢＳ２上に第１乃至第３カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇ、ＣＦ−Ｂが直接配置される。第１カラーフィルターＣＦ−Ｒ及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｇは、第３カラーフィルターＣＦ−Ｂによって定義された第１開口部Ｂ−ＯＰ１及び第２開口部Ｂ−ＯＰ２に各々配置される。
【０１１７】
本発明の実施形態によれば、遮光部材ＳＨＤ１は遮光部分ＢＰ２を全体的にカバーし、少なくとも一部が第２ベース基板ＢＳ２上に直接配置される。例えば、遮光部分ＢＰ２の上面に第２ベース基板ＢＳ２が配置され、遮光部分ＢＰ２の側面及び下面に遮光部材ＳＨＤ１が配置される。
【０１１８】
図１０に示すように、上部表示基板２００ａの平面上で、遮光部材ＳＨＤ１は、第１開口部Ｂ−ＯＰ１、第２開口部Ｂ−ＯＰ２、及びフィルター部分ＢＰ１を囲み、遮光部分ＢＰ２上に配置される。第１開口部Ｂ−ＯＰ１に対応する第１補助開口部、第２開口部Ｂ−ＯＰ２に対応する第２補助開口部、及び第３画素領域ＰＸＡ−Ｂに対応する第３補助開口部が遮光部材ＳＨＤ１によって定義される。ここで、第３画素領域ＰＸＡ−Ｂはフィルター部分ＢＰ１に対応する。
【０１１９】
一実施形態によれば、遮光部材ＳＨＤ１はブラック遮光層として提供される。特に、遮光部材ＳＨＤ１はベース樹脂及びベース樹脂に分散されたブラック有機顔料を含んでもよい。本発明に係るブラック有機顔料を含んだ遮光部材ＳＨＤ１は、本発明の別の例であるカーボンブラックとして提供される遮光部材よりも外光に対して低い反射率を有する。したがって、第２ベース基板ＢＳ２及び遮光部材ＳＨＤ１の間の界面で発生する外光反射が減らすことができる。
【０１２０】
一実施形態によれば、遮光部材ＳＨＤ１はイエロー遮光層として提供されてもよい。特に、遮光部材ＳＨＤ１はベース樹脂及びベース樹脂に分散されたイエロー顔料を含んでもよい。本発明に係るイエロー顔料を含んだ遮光部材ＳＨＤ１は本発明の別の例であるカーボンブラックとして提供される遮光部材より外光に対して低い反射率を有する。
【０１２１】
また、遮光部材ＳＨＤ１が遮光部分ＢＰ２を全体的にカバーすることによって、光制御層ＣＣＬから出力された光による光漏れを減らすことができる。例えば、第１変換部ＣＣＦ−Ｒから出力された第１色光又は第１変換部ＣＣＦ−Ｒに含まれた第１発光体と反応できないブルー光が、遮光部分ＢＰ２を通じて外部へ出力される。しかし、本発明に係る遮光部材ＳＨＤ１が遮光部分ＢＰ２を全体的にカバーすることによって、第１色光又はブルー光が外部へ伝達されることを防止することができる。
【０１２２】
図１１は本発明の他の実施形態に係る上部表示基板の断面図である。
【０１２３】
図１１に示された上部表示基板２００ｂは図４に示された上部表示基板２００と比較して補助カラーフィルターの構成が追加されただけで、残りの構成の構造は実質的に同一である。したがって、図１１を通じては補助カラーフィルターの構成を主に説明し、残りの構成に対する説明は、簡易化のために省略される。
【０１２４】
図１１に示すように、遮光部材ＳＨＤ上に第１補助カラーフィルターＳＦ１が配置され、第１補助カラーフィルターＳＦ１上に第２補助カラーフィルターＳＦ２が配置される。即ち、遮光領域ＮＰＸＡに重畳するように第２ベース基板ＢＳ２上に遮光部分ＢＰ２が配置され、遮光部分ＢＰ２上に遮光部材ＳＨＤが配置される。遮光部材ＳＨＤ上に第１補助カラーフィルターＳＦ１及び第２補助カラーフィルターＳＦ２が順次的に積層される。但し、第１補助カラーフィルターＳＦ１及び第２補助カラーフィルターＳＦ２の積層順序は互いに変更されてもよい。
【０１２５】
本発明の実施形態によれば、第１補助カラーフィルターＳＦ１は第１色相であるレッドとして提供され、第２補助カラーフィルターＳＦ２は第２色相であるグリーンとして提供される。第１補助カラーフィルターＳＦ１及び第２補助カラーフィルターＳＦ２は光制御層ＣＣＬから出力された光による混色を防止し、外光をよりよく吸収することができる。即ち、第１補助カラーフィルターＳＦ１は第１色の波長帯域を除外した残りの波長帯域の光を吸収し、第２補助カラーフィルターＳＦ２は第２色の波長帯域を除外した残りの波長帯域の光を吸収することができる。
【０１２６】
一方、図１１に示されたように、第１及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇは遮光部材ＳＨＤ、第１補助カラーフィルターＳＦ１、及び第２補助カラーフィルターＳＦ２と重畳しない。即ち、第１及び第２カラーフィルターＣＦ−Ｒ、ＣＦ−Ｇは遮光部材ＳＨＤによって区分され、互いに接触しない構造である。
【０１２７】
図１２は本発明の一実施形態に係る表示パネルの平面図である。
【０１２８】
図１２に示された液晶表示パネルＤＰの画素は、等価回路的にトランジスタＴＲ、液晶キャパシターＣｌｃ、及びストレージキャパシターＣｓｔを含む。
【０１２９】
液晶表示パネルＤＰは、下部表示基板１００、上部表示基板２００、及びこれらの間に配置された液晶層ＬＣＬを含む。下部表示基板１００と上部表示基板２００との間には、遮光領域ＮＰＸＡに重畳するスペーサーＣＳが配置される。
【０１３０】
液晶表示パネルＤＰは、第１及び第２偏光子層ＰＬ１、ＰＬ２を含む。第１偏光子層ＰＬ１は下部表示基板１００の下側に配置され、第２偏光子層ＰＬ２は上部表示基板２００を構成する。第２偏光子層ＰＬ２はワイヤグリッドを含んでもよい。
【０１３１】
第１ベース基板ＢＳ１の一面上に制御電極ＧＥ及びストレージラインＳＴＬが配置される。第１ベース基板ＢＳ１はガラス基板又はプラスチック基板である。第１ベース基板ＢＳ１の一面上に制御電極ＧＥ及びストレージラインＳＴＬをカバーする第１絶縁層１０が配置される。第１絶縁層１０は無機物及び有機物の中で少なくともいずれか１つを含む。第１絶縁層１０上に制御電極ＧＥと重畳する活性化部ＡＬが配置される。活性化部ＡＬは半導体層ＳＣＬとオーミックコンタクト層ＯＣＬを含む。第１絶縁層１０上に半導体層ＳＣＬが配置され、半導体層ＳＣＬ上に前記オーミックコンタクト層ＯＣＬが配置される。
【０１３２】
半導体層ＳＣＬはアモルファスシリコン又はポリシリコンを含む。また、半導体層ＳＣＬは金属酸化物半導体を含んでもよい。オーミックコンタクト層ＯＣＬは半導体層より高密度にドーピングされたドーパントを含む。オーミックコンタクト層ＯＣＬは離隔された２つの部分を含んでもよい。本発明の一実施形態でオーミックコンタクト層ＯＣＬは一体の形状を有する。
【０１３３】
活性化部ＡＬ上に入力電極ＤＥと出力電極ＳＥが配置される。入力電極ＤＥと出力電極ＳＥは互いに離隔されて配置される。第１絶縁層１０上に活性化部ＡＬ、入力電極ＤＥ、及び出力電極ＳＥをカバーする第２絶縁層２０が配置される。第２絶縁層２０及び第３絶縁層３０は無機物及び有機物の中で少なくともいずれか１つを含むことができる。第２絶縁層２０上に第３絶縁層３０が配置される。第３絶縁層３０は平坦面を提供する有機層である。第３絶縁層３０上に第４絶縁層４０が配置される。第４絶縁層４０は無機層である。
【０１３４】
図１２に図示されたように、第４絶縁層４０上に画素電極ＰＥが配置される。画素電極ＰＥは第２絶縁層２０、第３絶縁層３０、及び第４絶縁層４０を貫通するコンタクトホールＣＨ１０を通じて出力電極ＳＥに接続される。第４絶縁層４０上に画素電極ＰＥをカバーする配向膜（図示せず）が配置される。
【０１３５】
第２ベース基板ＢＳ２はガラス基板又はプラスチック基板である。第２ベース基板ＢＳ２の下面上に中間層ＩＣＬ、第２偏光子層ＰＬ２、及び共通電極ＣＥが配置される。液晶キャパシターＣｌｃの充電又は放電によって液晶層ＬＣＬが動作し、バックライトユニットから提供されたソース光は第１偏光子層ＰＬ１、液晶層ＬＣＬ、第２偏光子層ＰＬ２を経て選択的に中間層ＩＣＬに提供される。
【０１３６】
本実施形態では中間層ＩＣＬは簡略化して図示されたが、中間層ＩＣＬは図４の第２ベース基板ＢＳ２の下面上に配置された積層構造を有してもよい。その他に中間層ＩＣＬは図９及び図１１を参照して説明した第２ベース基板ＢＳ２の下面上に配置された積層構造に提供されてもよい。
【０１３７】
一方、図１２に図示された断面は１つの例示に過ぎない。図１２にはＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネルを例示的に説明したが、本発明の一実施形態でＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード又はＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ−ｆｉｅｌｄ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＰＬＳ（Ｐｌａｎｅ  ｔｏ  Ｌｉｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＳＶＡ（Ｓｕｐｅｒ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＳＳ−ＶＡ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶表示パネルが適用されてもよい。
【０１３８】
以上、図面と明細書で実施形態が開示された。ここで、特定な用語が使用されたが、これは単なる本発明を説明するための目的で使用されたものであり、意味の限定や特許請求範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたことではない。したがって、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これからの多様な変形及び均等な他の実施形態が可能である点を理解できる。したがって、本発明の眞正なる技術的な保護範囲は添付された特許請求範囲の技術的思想によって定められなければならない。
【符号の説明】
【０１３９】
ＤＰ：表示パネル
１００：上部表示基板
２００：下部表示基板
ＢＳ１：第１ベース基板
ＢＳ２：第２ベース基板
ＣＣＬ：光制御層
ＳＨＤ：遮光部材
ＣＦ−Ｒ：第１カラーフィルター
ＣＦ−Ｇ：第２カラーフィルター
ＣＦ−Ｂ：第３カラーフィルター
【図１Ａ】
2020076979.tif 000003
【図１Ｂ】
2020076979.tif 000004
【図２】
2020076979.tif 000005
【図３Ａ】
2020076979.tif 000006
【図３Ｂ】
2020076979.tif 000007
【図４】
2020076979.tif 000008
【図５Ａ】
2020076979.tif 000009
【図５Ｂ】
2020076979.tif 000010
【図５Ｃ】
2020076979.tif 000011
【図５Ｄ】
2020076979.tif 000012
【図６】
2020076979.tif 000013
【図７Ａ】
2020076979.tif 000014
【図７Ｂ】
2020076979.tif 000015
【図７Ｃ】
2020076979.tif 000016
【図７Ｄ】
2020076979.tif 000017
【図８】
2020076979.tif 000018
【図９】
2020076979.tif 000019
【図１０】
2020076979.tif 000020
【図１１】
2020076979.tif 000021
【図１２】
2020076979.tif 000022