(57)【要約】      （修正有）【課題】発光特性を向上できる発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】発光素子１１０は、光反射部材４０、第１、第２半導体積層体、基板及び波長変換部材３０を含む。光反射部材は、第１、第２領域４１、４２を含む。第１半導体積層体は、第１領域と第２領域との間に設けられ第１ピーク波長を有する第１光を出射する。第２半導体積層体は、第１半導体積層体と第２領域との間に設けられ第２ピーク波長を有する第２光を出射する。基板は、第１、第２半導体積層体の間に設けられる。波長変換部材は、第１〜第３部分を含む。波長変換部材は、第３ピーク波長を有する第３光を生成する。第１領域の一部は、第１部分と第１半導体積層体の一部との間にある。第２領域の一部は、第２部分と第２半導体積層体の一部との間にある。第１光及び第２光は、基板を伝搬して第３部分に入射する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域及び第２領域を含む光反射部材と、
前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ第１ピーク波長を有する第１光を出射する第１半導体積層体と、
前記第１半導体積層体と前記第２領域との間に設けられ前記第１ピーク波長と異なる第２ピーク波長を有する第２光を出射する第２半導体積層体と、
前記第１半導体積層体と前記第２半導体積層体との間に設けられた基板と、
第１部分と、第２部分と、前記第１領域から前記第２領域への第１方向において前記第１部分と前記第２部分との間に設けられ前記基板と対向する第３部分と、を含み、前記第１光及び前記第２光が入射し、前記第１ピーク波長及び前記第２ピーク波長とは異なる第３ピーク波長を有する第３光を生成する波長変換部材と、
を備え、
前記光反射部材の前記第１光に対する反射率は、前記波長変換部材の前記第１光に対する反射率よりも高く、
前記光反射部材の前記第２光に対する反射率は、前記波長変換部材の前記第２光に対する反射率よりも高く、
前記第１領域の一部は、前記第１方向と直交する第２方向において、前記第１部分と、前記第１半導体積層体の一部と、の間にあり、
前記第２領域の一部は、前記第２方向において、前記第２部分と、前記第２半導体積層体の一部と、の間にあり、
前記第１光及び前記第２光は、前記基板を伝搬して前記第３部分に入射する、発光素子。
【請求項２】
前記光反射部材は、第３領域、第４領域及び第５領域をさらに含み、
前記第１半導体積層体、前記第２半導体積層体及び前記基板は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と直交する第３方向において、前記第３領域と前記第４領域との間にあり、
前記第１半導体積層体、前記第２半導体積層体及び前記基板は、前記第２方向において、前記波長変換部材と前記第５領域との間にある、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１半導体積層体及び前記第２半導体積層体は、窒化物半導体であり、
前記基板は、サファイアである、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１半導体積層体は、
第１ｎ形半導体層と、
前記第１ｎ形半導体層と前記第１領域との間に設けられた第１ｐ形半導体層と、
前記第１ｎ形半導体層と前記第１ｐ形半導体層との間に設けられた第１発光層と、
を含み、
前記第１ｎ形半導体層の少なくとも一部は、前記第１部分と接し、
前記第１領域の前記一部は、前記第２方向において、前記第１部分と前記第１ｐ形半導体層との間にある、請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１ｎ形半導体層と電気的に接続された第１ｎ側電極と、
前記第１ｐ形半導体層と電気的に接続された第１ｐ側電極と、
をさらに備え、
前記第１ｎ側電極の少なくとも一部は、前記第１領域から露出しており、
前記第１ｐ側電極の少なくとも一部は、前記第１領域から露出している、請求項４記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１領域は、第１端部及び第２端部を含み、
前記第２端部は、前記第２方向において、前記第１端部と前記第１部分との間にあり、
前記第１ｎ側電極は、第１電極端部及び第２電極端部を含み、
前記第２電極端部は、前記第２方向において、前記第１電極端部と前記第１部分との間にあり、
前記第１電極端部と前記第１端部とは同一平面上に位置している、請求項５記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１ｐ側電極は、第３電極端部及び第４電極端部を含み、
前記第４電極端部は、前記第２方向において、前記第３電極端部と前記第１部分との間にあり、
前記第３電極端部と前記第１端部とは同一平面上に位置している、請求項６記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２半導体積層体は、
第２ｎ形半導体層と、
前記第２ｎ形半導体層と前記第２領域との間に設けられた第２ｐ形半導体層と、
前記第２ｎ形半導体層と前記第２ｐ形半導体層との間に設けられた第２発光層と、
を含み、
前記第２ｎ形半導体層の少なくとも一部は、前記第２部分と接し、
前記第２領域の前記一部は、前記第２方向において、前記第２部分と前記第２ｐ形半導体層との間にある、請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２ｎ形半導体層と電気的に接続された第２ｎ側電極と、
前記第２ｐ形半導体層と電気的に接続された第２ｐ側電極と、
をさらに備え、
前記第２ｎ側電極の少なくとも一部は、前記第２領域から露出しており、
前記第２ｐ側電極の少なくとも一部は、前記第２領域から露出している、請求項８記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２領域は、第３端部及び第４端部を含み、
前記第４端部は、前記第２方向において、前記第３端部と前記第２部分との間にあり、
前記第２ｎ側電極は、第５電極端部及び第６電極端部を含み、
前記第６電極端部は、前記第２方向において、前記第５電極端部と前記第２部分との間にあり、
前記第５電極端部と前記第３端部とは同一平面上に位置している、請求項９記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２ｐ側電極は、第７電極端部及び第８電極端部を含み、
前記第８電極端部は、前記第２方向において、前記第７電極端部と前記第２部分との間にあり、
前記第７電極端部と前記第３端部とは同一平面上に位置している、請求項１０記載の発光素子。
【請求項１２】
前記基板は、
第１基板と、
前記第１基板と前記第２半導体積層体との間に設けられた第２基板と、
を含み、
前記第２基板は前記第１基板と接する、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記基板は、
第１基板と、
前記第１基板と前記第２半導体積層体との間に設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた中間層と、
を含み、
前記第１光に対する前記中間層の屈折率と、前記第１光に対する前記第１基板の屈折率と、の差の絶対値は、前記第１光に対する前記第１半導体積層体の屈折率と、前記第１光に対する前記第１基板の前記屈折率と、の差の絶対値よりも小さい、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光素子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つに記載の発光素子と、
駆動回路と、
を備え、
前記駆動回路は、前記第１半導体積層体に第１電流を供給し、前記第２半導体積層体に第２電流を供給し、
前記第１電流及び前記第２電流は、独立して変更可能である、発光装置。
【請求項１５】
第１基板及び第１半導体積層体を含む第１発光部と、第２基板及び第２半導体積層体を含む第２発光部と、を準備する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板が前記第１半導体積層体と前記第２半導体積層体との間に位置するように、前記第１発光部と前記第２発光部とを接合する工程と、
前記接合された前記第１発光部及び前記第２発光部を被覆する光反射部材を形成する工程と、
前記光反射部材の一部を除去して、前記第１基板及び前記第２基板の表面を露出させる工程と、
前記第１基板及び前記第２基板の前記表面上に波長変換部材を形成する工程と、
を備えた発光素子の製造方法。
【請求項１６】
第１発光部及び第２発光部を準備する工程であって、前記第１発光部は、第１基板と、第１光反射部材と、前記第１基板と前記第１光反射部材との間に設けられた第１半導体積層体と、を含み、前記第２発光部は、第２基板と、第２光反射部材と、前記第２基板と前記第２光反射部材との間に設けられた前記第２半導体積層体と、を含む、前記第１発光部及び前記第２発光部を準備する前記工程と、
前記第１基板及び前記第２基板が前記第１半導体積層体と前記第２半導体積層体との間に位置するように、前記第１発光部と前記第２発光部とを接合する工程と、
前記第１光反射部材の一部及び前記第２光反射部材の一部を除去して、前記第１基板及び前記第２基板の表面を露出させる工程と、
前記露出させた前記第１基板及び前記第２基板の前記表面上に波長変換部材を形成する工程と、
を備えた発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子において、良好な発光特性が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実用新案登録第３１９７９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、発光特性を向上できる発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、発光素子は、光反射部材、第１半導体積層体、第２半導体積層体、基板及び波長変換部材を含む。前記光反射部材は、第１領域及び第２領域を含む。前記第１半導体積層体は、前記第１領域と前記第２領域との間に設けられ第１ピーク波長を有する第１光を出射する。前記第２半導体積層体は、前記第１半導体積層体と前記第２領域との間に設けられ前記第１ピーク波長と異なる第２ピーク波長を有する第２光を出射する。前記基板は、前記第１半導体積層体と前記第２半導体積層体との間に設けられる。前記波長変換部材は、第１部分と、第２部分と、前記第１領域から前記第２領域への第１方向において前記第１部分と前記第２部分との間に設けられ前記基板と対向する第３部分と、を含む。前記波長変換部材に、第１光及び前記第２光が入射する。前記波長変換部材は、前記第１ピーク波長及び前記第２ピーク波長とは異なる第３ピーク波長を有する第３光を生成する。前記光反射部材の前記第１光に対する反射率は、前記波長変換部材の前記第１光に対する反射率よりも高い。前記光反射部材の前記第２光に対する反射率は、前記波長変換部材の前記第２光に対する反射率よりも高い。前記第１領域の一部は、前記第１方向と直交する第２方向において、前記第１部分と、前記第１半導体積層体の一部と、の間にある。前記第２領域の一部は、前記第２方向において、前記第２部分と、前記第２半導体積層体の一部と、の間にある。前記第１光及び前記第２光は、前記基板を伝搬して前記第３部分に入射する。  
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、第１基板及び第１半導体積層体を含む第１発光部と、第２基板及び第２半導体積層体を含む第２発光部と、を準備する工程を含む。前記製造方法は、前記第１基板及び前記第２基板が前記第１半導体積層体と前記第２半導体積層体との間に位置するように、前記第１発光部と前記第２発光部とを接合する工程を含む。前記製造方法は、前記接合された前記第１発光部及び前記第２発光部を被覆する光反射部材を形成する工程を含む。前記製造方法は、前記光反射部材の一部を除去して、前記第１基板及び前記第２基板の表面を露出させる工程を含む。前記製造方法は、前記第１基板及び前記第２基板の前記表面上に波長変換部材を形成する工程を含む。  
本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、第１発光部及び第２発光部を準備する工程を含む。前記第１発光部は、第１基板と、第１光反射部材と、前記第１基板と前記第１光反射部材との間に設けられた第１半導体積層体と、を含む。前記第２発光部は、第２基板と、第２光反射部材と、前記第２基板と前記第２光反射部材との間に設けられた前記第２半導体積層体と、を含む。前記製造方法は、前記第１基板及び前記第２基板が前記第１半導体積層体と前記第２半導体積層体との間に位置するように、前記第１発光部と前記第２発光部とを接合する工程を含む。前記製造方法は、前記第１光反射部材の一部及び前記第２光反射部材の一部を除去して、前記第１基板及び前記第２基板の表面を露出させる工程を含む。前記製造方法は、前記露出させた前記第１基板及び前記第２基板の前記表面上に波長変換部材を形成する工程を含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一態様によれば、発光特性を向上できる発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的斜視図である。
【図２】図２は、図１のII-II線断面における第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図３】図３は、図１のIII-III線断面における第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図４】図４は、図１のIV-IV線断面における第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図５】図５は、図１のV-V線断面における第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図６】図６は、図１のVI-VI線断面における第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図７】図７は、第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図８】図８は、第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。
【図９】図９は、第１実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１２】図１２は、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【図１４】図１４は、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的斜視図である。  
図２〜図６は、第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。  
図２は、図１のII-II線断面を例示している。図３は、図１のIII-III線断面を例示している。図４は、図１のIV-IV線断面を例示している。図５は、図１のV-V線断面を例示している。図６は、図１のVI-VI線断面を例示している。
【００１０】
図１に示すように、発光装置２１０は、発光素子１１０及び実装部材６０を含む。発光素子１１０は、実装部材６０の上に設けられる。
【００１１】
図２に示すように、発光素子１１０は、光反射部材４０、第１半導体積層体１１、第２半導体積層体１２、基板２０、及び、波長変換部材３０を含む。
【００１２】
光反射部材４０は、第１領域４１及び第２領域４２を含む。後述するように、光反射部材４０は、第３領域４３、第４領域４４及び第５領域４５をさらに含んでも良い。
【００１３】
第１半導体積層体１１は、第１領域４１と第２領域４２との間に設けられる。第１半導体積層体１１は、第１ピーク波長を有する第１光を出射する。
【００１４】
第１半導体積層体１１は、例えば、第１ｎ形半導体層１１ｎ、第１発光層１１ｅ及び第１ｐ形半導体層１１ｐを含む。第１ｐ形半導体層１１ｐは、第１ｎ形半導体層１１ｎと第１領域４１との間に設けられる。第１発光層１１ｅは、第１ｎ形半導体層１１ｎと第１ｐ形半導体層１１ｐとの間に設けられる。
【００１５】
第２半導体積層体１２は、第１半導体積層体１１と第２領域４２との間に設けられる。第２半導体積層体１２は、第２ピーク波長を有する第２光を出射する。第２ピーク波長は、第１ピーク波長と異なる。
【００１６】
第２半導体積層体１２は、例えば、第２ｎ形半導体層１２ｎ、第２発光層１２ｅ及び第２ｐ形半導体層１２ｐを含む。第２ｐ形半導体層１２ｐは、第２ｎ形半導体層１２ｎと第２領域４２との間に設けられる。第２発光層１２ｅは、第２ｎ形半導体層１２ｎと第２ｐ形半導体層１２ｐとの間に設けられる。
【００１７】
第１半導体積層体１１に電流が供給され、第１発光層１１ｅから第１光が出射する。第２半導体積層体１２に電流が供給され、第２発光層１２ｅから第２光が出射する。第１光は、例えば、青色である。第２光は、例えば、緑色である。第１ピーク波長は、例えば、４３０ｎｍ〜４８０ｎｍである。第２ピーク波長は、例えば、５００ｎｍ〜５４０ｎｍである。
【００１８】
基板２０は、第１半導体積層体１１と第２半導体積層体１２との間に設けられる。この例では、基板２０は、第１基板２１及び第２基板２２を含む。第２基板２２は、第１基板２１と第２半導体積層体１２との間に設けられる。この例では、第２基板２２は、第１基板２１と接する。例えば、第２基板２２の第２半導体積層体１２が設けられていない面が、第１基板２１の第１半導体層１１が設けられていない面と接する。
【００１９】
１つの例において、第１半導体積層体１１及び第２半導体積層体１２は、例えば、窒化物半導体である。基板２０は、例えば、サファイアである。第１基板２１及び第２基板２２は、例えば、サファイアである。第１基板２１の上に、第１半導体積層体１１がエピタキシャル成長される。第２基板２２の上に、第２半導体積層体１２がエピタキシャル成長される。
【００２０】
第１発光層１１ｅから出射した第１光は、第１基板２１に入射し、第１基板２１及び第２基板２２を伝搬する。第２発光層１２ｅから出射した第２光は、第２基板２２に入射し、第１基板２１及び第２基板２２を伝搬する。
【００２１】
第１領域４１から第２領域４２への方向を第１方向とする。第１方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００２２】
上記のように、Ｘ軸方向において、第１領域４１と第２領域４２との間に、第１半導体積層体１１及び第２半導体積層体１２が設けられる。
【００２３】
一方、波長変換部材３０から第１半導体積層体１１への方向は、Ｘ軸方向と交差する。波長変換部材３０から第２半導体積層体１２への方向は、Ｘ軸方向と交差する。
【００２４】
波長変換部材３０は、例えば、第１部分３１、第２部分３２及び第３部分３３を含む。第３部分３３は、Ｘ軸方向（第１領域４１から第２領域４２への第１方向）において、第１部分３１と第２部分３２との間に設けられる。第３部分３３は、Ｚ軸方向において、基板２０（第１基板２１及び第２基板２２）と対向する。波長変換部材３０に、第１光及び第２光が入射する。例えば、第１光及び第２光は、基板２０を伝搬して、第３部分３３に入射する。第１光及び第２光は、第１部分３１及び第２部分３２に入射しても良い。波長変換部材３０は、第３ピーク波長を有する第３光を生成する。第３ピーク波長は、第１ピーク波長とは異なり、第２ピーク波長とも異なる。波長変換部材３０は、例えば、蛍光体を含む。
【００２５】
１つの例において、第１光が青色で、第２光が緑色であり、第３光は黄色である。波長変換部材３０から出射する光は、第１光、第２光及び第３光を含む。波長変換部材３０から出射する光（発光素子１１０から出射する光）は、例えば、白色である。
【００２６】
光反射部材４０の第１光に対する反射率は、波長変換部材３０の第１光に対する反射率よりも高い。光反射部材４０の第２光に対する反射率は、波長変換部材３０の第２光に対する反射率よりも高い。光反射部材４０の反射率が高いことで、第１光及び第２光を、光反射部材４０により基板２０側に反射させ、基板２０を伝搬して、効率良く波長変換部材３０に入射させることができる。
【００２７】
例えば、基板２０は、波長変換部材３０と接する。例えば、基板２０と、波長変換部材３０の第３部分３３と、が互いに接する。基板２０を伝搬した第１光及び第２光は、波長変換部材３０に直接入射できる。
【００２８】
実施形態においては、第１領域４１の一部は、第１方向と直交する第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第１部分３１と、第１半導体積層体１１の一部と、の間にある。第２領域４２の一部は、第２方向（この例ではＺ軸方向）において、第２部分３２と、第２半導体積層体１２の一部と、の間にある。
【００２９】
図２に示すように、例えば、第１領域４１の一部は、Ｚ軸方向において、第１部分３１と第１発光層１１ｅとの間にある。これにより、第１発光層１１ｅで生じた第１光が波長変換部材３０に直接入射することが抑制される。例えば、第２領域４２の一部は、Ｚ軸方向において、第２部分３２と第２発光層１２ｅとの間にある。これにより、第２発光層１２ｅで生じた第２光が波長変換部材３０に直接入射することが抑制される。第１領域４１の一部は、例えば、基板２１と接していてもよい。これにより、第１半導体構造１１から生じた第１光が長変換部材３０に直接入射することが抑制される。第２領域４２の一部は、例えば、基板２２と接していてもよい。これにより、第２半導体構造１２から生じた第２光が長変換部材３０に直接入射することが抑制される。
【００３０】
例えば、第１発光層１１ｅ及び第２発光層１２ｅが波長変換部材３０と接する第１参考例が考えられる。第１参考例においては、第１発光層１１ｅで生じた第１光、及び、第２発光層１２ｅで生じた第２光のそれぞれが、波長変換部材３０に直接入射する。この場合、波長変換部材３０の２つの位置（例えば、第１部分３１及び第２部分３２）に、別の色の光が入射すると、例えば、青色光と、緑色光と、が分離されて発光素子１１０から出射される。そのため、青色光と緑色光とが十分に混色されず、発光素子１１０からの光の色に偏りが生じてしまう。
【００３１】
これに対して、実施形態においては、第１光及び第２光が、基板２０の内部で反射して伝搬する。これにより、十分に混色された光が波長変換部材３０に入射する。これにより、広色域な色の光が得られる。実施形態によれば、発光特性を向上できる発光素子を提供できる。
【００３２】
実施形態において、第１ｎ形半導体層１１ｎの一部、及び、第２ｎ形半導体層１２ｎの一部は、波長変換部材３０に接しても良い。第１光及び第２光は、基板２０、第１ｎ形半導体層１１ｎ、及び、第２ｎ形半導体層１２ｎを伝搬して、波長変換部材３０に入射しても良い。この場合も、第１光及び第２光は、基板２０の内部で反射し伝搬することで十分に混色された状態で、波長変換部材３０に入射する。
【００３３】
実施形態において、第１領域４１の一部は、第２方向（Ｚ軸方向）において、第１部分３１と、第１半導体積層体１１の少なくとも一部と、の間にあっても良い。第２領域４２の一部は、第２方向（Ｚ軸方向）において、第２部分３２と、第２半導体積層体１２の少なくとも一部と、の間にあっても良い。この場合も、発光層からの光が波長変換部材３０に直接入射することが抑制できる。
【００３４】
例えば、第１ｎ形半導体層１１ｎの少なくとも一部は、第１部分３１と接する。第１領域４１の一部は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第１部分３１と第１ｐ形半導体層１１ｐ、の間にある。第１領域４１の一部は、第２方向において、第１部分３１と第１発光層１１ｅとの間にある。
【００３５】
例えば、第２ｎ形半導体層１２ｎの少なくとも一部は、第２部分３２と接する。第２領域４２の一部は、第２方向（例えば、Ｚ軸方向）において、第２部分３２と第２ｐ形半導体層１２ｐとの間にある。第２領域４２の一部は、第２方向において、第２部分３２と第２発光層１２ｅとの間にある。
【００３６】
図１、及び、図４〜図６に示すように、光反射部材４０は、第３領域４３、第４領域４４及び第５領域４５をさらに含んでも良い。
【００３７】
第１半導体積層体１１、第２半導体積層体１２及び基板２０は、第３方向において、第３領域４３と第４領域４４との間にある。第３方向は、第１方向及び第２方向を含む平面と直交する。第３方向は、例えば、Ｙ軸方向である。第１半導体積層体１１、第２半導体積層体１２及び基板２０は、第２方向（例えばＺ軸方向）において、波長変換部材３０と、光反射部材４０の第５領域４５と、の間にある。
【００３８】
第３領域４３、第４領域４４及び第５領域４５により、第１光及び第２光が反射される。第１光及び第２光が光反射部材４０を介して外部に出射することが抑制され、第１光及び第２光は、基板２０を伝搬して効率的に波長変換部材３０に入射する。
【００３９】
図２及び図３に示すように、発光素子１１０は、第１ｎ側電極５１ｎ及び第１ｐ側電極５１ｐをさらに含む。第１ｎ側電極５１ｎは、第１ｎ形半導体層１１ｎと電気的に接続される。第１ｐ側電極５１ｐは、第１ｐ形半導体層１１ｐと電気的に接続される。
【００４０】
この例では、第１ｎ側電極５１ｎは、第１ｎ側導電部材５１ｎＰを介して、第１ｎ形半導体層１１ｎと電気的に接続される。第１ｐ側電極５１ｐは、第１ｐ側導電部材５１ｐＰを介して、第１ｐ形半導体層１１ｐと電気的に接続される。
【００４１】
第１ｎ側電極５１ｎの少なくとも一部は、第１領域４１から露出している。第１ｎ側電極５１ｎの少なくとも一部は、第１領域４１に被覆されていない。第１ｐ側電極５１ｐの少なくとも一部は、第１領域４１から露出している。第１ｐ側電極５１ｐの少なくとも一部は、第１領域４１に被覆されていない。
【００４２】
第１ｎ側電極５１ｎ及び第１ｐ側電極５１ｐを介して、第１半導体積層体１１に電流が供給され、第１発光層１１ｅから第１光が出射する。
【００４３】
図２及び図３に示すように、発光素子１１０は、第２ｎ側電極５２ｎ及び第２ｐ側電極５２ｐを含む。第２ｎ側電極５２ｎは、第２ｎ形半導体層１２ｎと電気的に接続される。第２ｐ側電極５２ｐは、第２ｐ形半導体層１２ｐと電気的に接続される。
【００４４】
この例では、第２ｎ側電極５２ｎは、第２ｎ側導電部材５２ｎＰを介して、第２ｎ形半導体層１２ｎと電気的に接続される。第２ｐ側電極５２ｐは、第２ｐ側導電部材５２ｐＰを介して、第２ｐ形半導体層１２ｐと電気的に接続される。
【００４５】
第２ｎ側電極５２ｎの少なくとも一部は、第２領域４２から露出している。第２ｎ側電極５２ｎの少なくとも一部は、第２領域４２に被覆されていない。第２ｐ側電極５２ｐの少なくとも一部は、第２領域４２から露出している。第２ｐ側電極５２ｐの少なくとも一部は、第２領域４２に被覆されていない。
【００４６】
第２ｎ側電極５２ｎ及び第２ｐ側電極５２ｐを介して、第２半導体積層体１２に電流が供給され、第２発光層１２ｅから第１光が出射する。
【００４７】
この例では、実装部材６０は、実装基板部６５、第１ｎ側導電層６１ｎ、第１ｐ側導電層６１ｐ、第２ｎ側導電層６２ｎ、及び、第２ｐ側導電層６２ｐを含む。実装基板部６５上に、第１ｎ側導電層６１ｎ、第１ｐ側導電層６１ｐ、第２ｎ側導電層６２ｎ、及び、第２ｐ側導電層６２ｐが設けられる。
【００４８】
実装基板部６５と第１ｎ側電極５１ｎとの間に、第１ｎ側導電層６１ｎがある。実装基板部６５と第１ｐ側電極５１ｐとの間に、第１ｐ側導電層６１ｐがある。実装基板部６５と第２ｎ側電極５２ｎとの間に、第２ｎ側導電層６２ｎがある。実装基板部６５と第２ｐ側電極５２ｐとの間に、第２ｐ側導電層６２ｐがある。
【００４９】
例えば、第１ｎ側電極５１ｎと第１ｎ側導電層６１ｎとが、第１ｎ側接続部材６１ｎＡにより電気的に接続される。第１ｐ側電極５１ｐと第１ｐ側導電層６１ｐとが、第１ｐ側接続部材６１ｐＡにより電気的に接続される。第２ｎ側電極５２ｎと第２ｎ側導電層６２ｎとが、第２ｎ側接続部材６２ｎＡにより電気的に接続される。第２ｐ側電極５２ｐと第２ｐ側導電層６２ｐとが、第２ｐ側接続部材６２ｐＡにより電気的に接続される。これらの接続部材は、例えば、はんだなどを含む。
【００５０】
例えば、第１ｎ側導電層６１ｎ及び第１ｐ側導電層６１ｐを介して、第１半導体積層体１１に電流が供給される。第２ｎ側導電層６２ｎ及び第２ｐ側導電層６２ｐを介して、第２半導体積層体１２に電流が供給される。
【００５１】
図２に示すように、第１領域４１は、第１端部ｅｐ１及び第２端部ｅｐ２を含む。第２端部ｅｐ２は、第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第１端部ｅｐ１と第１部分３１との間にある。
【００５２】
第１ｎ側電極５１ｎは、第１電極端部５１ｎａ及び第２電極端部５１ｎｂを含む。第２電極端部５１ｎｂは、第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第１電極端部５１ｎａと第１部分３１との間にある。
【００５３】
第１電極端部５１ｎａと第１端部ｅｐ１とは、同一平面上に位置している。例えば、第１電極端部５１ｎａから第１端部ｅｐ１への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。
【００５４】
図３に示すように、第１ｐ側電極５１ｐは、第３電極端部５１ｐｃ及び第４電極端部５１ｐｄを含む。第４電極端部５１ｐｄは、第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第３電極端部５１ｐｃと第１部分３１との間にある。
【００５５】
第３電極端部５１ｐｃと第１端部ｅｐ１とは、同一平面上に位置している。例えば、第３電極端部５１ｐｃから第１端部ｅｐ１への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。
【００５６】
図２に示すように、第２領域４２は、第３端部ｅｐ３及び第４端部ｅｐ４を含む。第４端部ｅｐ４は、第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第３端部ｅｐ３と第２部分３２との間にある。
【００５７】
第２ｎ側電極５２ｎは、第５電極端部５２ｎｅ及び第６電極端部５２ｎｆを含む。第６電極端部５２ｎｆは、第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第５電極端部５２ｎｅと第２部分３２との間にある。
【００５８】
第５電極端部５２ｎｅと第３端部ｅｐ３とは、同一平面上に位置している。例えば、第５電極端部５２ｎｅから第３端部ｅｐ３への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。
【００５９】
図３に示すように、第２ｐ側電極５２ｐは、第７電極端部５２ｐｇ及び第８電極端部５２ｐｈを含む。第８電極端部５２ｐｈは、第２方向（この例では、Ｚ軸方向）において、第７電極端部５２ｐｇと第２部分３２との間にある。
【００６０】
第７電極端部５２ｐｇと第３端部ｅｐ３とは、同一平面上に位置している。例えば、第７電極端部５２ｐｇから第３端部ｅｐ３への方向は、第１方向（Ｘ軸方向）に沿う。
【００６１】
電極端部と、光反射部材４０の端部と、が同一平面上に位置することで、発光素子１１０の第５領域４５側の端部は、実質的に平面になる。これにより、実装部材６０への発光素子１１０の実装が容易になる。
【００６２】
図１、図２及び図３に示すように、第２ｎ側電極５２ｎ及び第２ｐ側電極５２ｐは、光反射部材４０の側面において、実装部材６０の側に偏在している。図２及び図３に示すように、第１ｎ側電極５１ｎ及び第１ｐ側電極５１ｐは、光反射部材４０の側面において、実装部材６０の側に偏在している。これにより、発光素子１１０を実装部材６０に実装しやすくなる。
【００６３】
図２及び図３に例示するように、発光素子１１０は、第１反射膜１１ｆをさらに含んでも良い。第１反射膜１１ｆは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第１領域４１と、第１半導体積層体１１の少なくとも一部と、の間に設けられる。発光素子１１０は、第２反射膜１２ｆをさらに含んでも良い。第２反射膜１２ｆは、第１方向（Ｘ軸方向）において、第２領域４２と、第２半導体積層体１２の少なくとも一部と、の間に設けられる。第１反射膜１１ｆ及び第２反射膜１２ｆは、例えば、Ａｇ及びＡｌよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。これらの反射膜により、発光層から出射した光が、基板２０に向かって効率よく反射される。
【００６４】
図２に示すように、光反射部材４０は、複数の第１粒子４０ｐと、複数の第１粒子４０ｐの周りに設けられた第１部材４０ｑと、を含む。複数の第１粒子４０ｐは、例えば、酸化チタン及び酸化アルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１部材４０ｑは、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１部材４０ｑは、例えば、ガラスやセラミックを含んでいてもよい。
【００６５】
図２に示すように、波長変換部材３０は、複数の第２粒子３０ｐと、複数の第２粒子３０ｐの周りに設けられた第２部材３０ｑと、を含む。複数の第２粒子３０ｐは、例えば、蛍光体を含む。第２部材３０ｑは、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００６６】
発光素子１１０においては、第１基板２１は、第２基板２２と直接接合される。例えば、第１基板２１と第２基板２２とを直接接合することにより、高い放熱性が得やすい。実施形態において、第１基板２１と第２基板２２との間の境界が不明確でも良い。直接接合には、例えば、原子拡散接合や表面活性化接合等の常温接合を用いる。
【００６７】
以下に説明するように、実施形態において、第１基板２１及び第２基板２２との間に、別の層が設けられても良い。
【００６８】
図７及び図８は、第１実施形態に係る発光素子及び発光装置を例示する模式的断面図である。  
図７及び図８に示すように、第１実施形態に係る発光素子１１１も、光反射部材４０、第１半導体積層体１１、第２半導体積層体１２、基板２０、及び、波長変換部材３０を含む。基板２０は、第１基板２１及び第２基板２２に加えて、中間層２５を含む。発光素子１１１における、光反射部材４０、第１半導体積層体１１、第２半導体積層体１２、及び、波長変換部材３０には、発光素子１１０におけるそれらに関する構成が適用できる。以下、発光素子１１１における基板２０の例について説明する。
【００６９】
発光素子１１１において、第２基板２２は、第１基板２１と第２半導体積層体１２との間に設けられる。中間層２５は、第１基板２１と第２基板２２との間に設けられる。
【００７０】
例えば、中間層２５は、例えば、第１基板２１と第２基板２２とを接着する。中間層２５は、例えば、接着層である。中間層２５は、例えば、樹脂を含む。例えば、中間層２５の一部は、波長変換部材３０と接する。
【００７１】
第１発光層１１ｅから出射した第１光は、第１基板２１を通過して、中間層２５に入射する。第２発光層１２ｅから出射した第２光は、第２基板２２を通過して、中間層２５に入射する。第１光及び第２光は、中間層２５を伝搬して、良好な混色状態で、波長変換部材３０に入射する。実施形態によれば、発光特性を向上できる発光素子を提供できる。
【００７２】
実施形態において、第１光に対する中間層２５の屈折率と、第１光に対する第１基板２１の屈折率と、の差の絶対値は、第１光に対する第１半導体積層体１１の屈折率と、第１光に対する第１基板２１の屈折率と、の差の絶対値よりも小さい。中間層２５と第１基板２１との間の屈折率差が小さいことで、例えば、中間層２５と第１基板２１との間の界面での光の吸収が抑制される。光のロスが抑制され、高い効率が得られる。
【００７３】
例えば、第２光に対する中間層２５の屈折率と、第２光に対する第２基板２２の屈折率と、の差の絶対値は、第２光に対する第２半導体積層体１２の屈折率と、第２光に対する第２基板２２の屈折率と、の差の絶対値よりも小さい。中間層２５と第２基板２２との間の屈折率差が小さいことで、例えば、中間層２５と第２基板２２との間の界面での光の吸収が抑制される。光のロスが抑制され、高い効率が得られる。
【００７４】
図９は、第１実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。  
図９に示すように、発光装置２１１は、発光素子１１０及び駆動回路７０を含む。発光装置２１１は、発光素子１１１及び駆動回路７０を含んでも良い。
【００７５】
駆動回路７０は、第１半導体積層体１１及び第２半導体積層体１２と電気的に接続される。例えば、第１配線７１により、駆動回路７０は、第１ｎ側電極５１ｎと電気的に接続される。第２配線７２により、駆動回路７０は、第１ｐ側電極５１ｐと電気的に接続される。第３配線７３により、駆動回路７０は、第２ｎ側電極５２ｎと電気的に接続される。第４配線７４により、駆動回路７０は、第２ｐ側電極５２ｐと電気的に接続される。
【００７６】
駆動回路７０は、第１半導体積層体１１に第１電流を供給し、第２半導体積層体１２に第２電流を供給する。駆動回路７０は、第１電流及び第２電流の電流値を、独立して変更可能である。第１半導体積層体１１及び第２半導体積層体１２のそれぞれを独立して駆動することで、所望の色が得やすくなる。
【００７７】
（第２実施形態）  
本実施形態は、発光素子の製造方法に係る。  
図１０Ａ〜図１０Ｃ、図１１Ａ及び図１１Ｂは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１０Ａに示すように、第１発光部１０Ａ及び第２発光部１０Ｂを準備する。第１発光部１０Ａは、第１基板２１及び第１半導体積層体１１を含む。第２発光部１０Ｂは、第２基板２２及び第２半導体積層体１２を含む。
【００７８】
図１０Ｂに示すように、第１基板２１及び第２基板２２が第１半導体積層体１１と第２半導体積層体１２との間に位置するように、第１発光部１０Ａと第２発光部１０Ｂとを接合する。例えば、常温で圧力を加える直接接合により、第１基板２１と第２基板２２とが接合される。
【００７９】
図１０Ｃに示すように、接合された第１発光部１０Ａ及び第２発光部１０Ｂを一体的に被覆する光反射部材４０を形成する。
【００８０】
図１１Ａに示すように、第１ｎ側導電部材５１ｎＰ、第１ｎ側電極５１ｎ、第２ｎ側導電部材５２ｎＰ及び第２ｎ側電極５２ｎを形成する。さらに、図３に例示した、第１ｐ側導電部材５１ｐＰ、第１ｐ側電極５１ｐ、第２ｐ側導電部材５２ｐＰ、及び第２ｐ側電極５２ｐを形成する。例えば、光反射部材４０の一部を除去して第１ｎ形半導体層１１ｎ及び第２ｎ形半導体層１２ｎを光反射部材４０から露出させる。光反射部材４０から露出した第１ｎ形半導体層１１ｎと接続される第１ｎ側導電部材５１ｎＰを形成する。光反射部材４０から露出した第２ｎ形半導体層１２ｎと接続される第２ｎ側導電部材５２ｎＰを形成する。光反射部材４０と接し、第１ｎ側導電部材５１ｎＰと接続される第１ｎ側電極５１を形成する。光反射部材４０と接し、第２ｎ側導電部材５２ｎＰと接続される第２ｎ側電極５２を形成する。
【００８１】
図１１Ａに示すように、光反射部材４０の一部を除去して、第１基板２１及び第２基板２２の表面を露出させる。光反射部材４０のこの一部の除去は、例えば、研磨などにより行われる。このとき、第１ｎ側電極５１ｎ及び第２ｎ側電極５２ｎが設けられている部分に位置するの光反射部材４０を残す。
【００８２】
図１１Ｂに示すように、第１基板２１及び第２基板２２の光反射部材４０から露出した表面上に、波長変換部材３０を形成する。このとき、波長変換部材３０を、第１基板２１及び第２基板２２の表面と、光反射部材４０の表面とに連続して設けてもよい。
【００８３】
上記により、発光素子１１０が得られる。実施形態によれば、発光特性を向上できる発光素子の製造方法が提供できる。
【００８４】
図１２は、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１２に示すように、第１発光部１０Ａ及び第２発光部１０Ｂを準備した後に、第１基板２１及び第２基板２２の間に中間層２５を挿入する。例えば、中間層２５となる樹脂により、第１基板２１及び第２基板２２を接着する。
【００８５】
この後、図１０Ｃ、図１１Ａ及び図１１Ｂに関して説明した処理を行う。これにより、発光素子１１１が得られる。実施形態によれば、発光特性を向上できる発光素子の製造方法が提供できる。
【００８６】
図１３Ａ及び図１３Ｂは、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１３Ａに示すように、第１発光部１０Ａ及び第２発光部１０Ｂを準備する。第１発光部１０Ａは、第１基板２１と、第１光反射部材４０Ａと、第１基板２１と第１光反射部材４０Ａとの間に設けられた第１半導体積層体１１と、を含む。第１光反射部材４０Ａは、第１基板２１の第１半導体積層体１１が設けられた面とは反対側の面を除く面を被覆する。第２発光部１０Ｂは、第２基板２２と、第２光反射部材４０Ｂと、第２基板２２と第２光反射部材４０Ｂとの間に設けられた前記第２半導体積層体１２と、を含む。第２光反射部材４０Ｂは、第２基板２２の第２半導体積層体１２が設けられた面とは反対側の面を除く面を被覆する。
【００８７】
図１３Ｂに示すように、第１基板２１及び第２基板２２が第１半導体積層体１１と第２半導体積層体１２との間に位置するように、第１発光部１０Ａと第２発光部１０Ｂとを接合する。このとき、第１基板２１と第２基板とを直接接合により接合する。第１光反射部材４１と第２光反射部材４２とを直接接合により接合してもよい。
【００８８】
この後、上述した図１１Ａに関する工程を行う。例えば、第１ｎ側導電部材５１ｎＰ、第１ｎ側電極５１ｎ、第２ｎ側導電部材５２ｎＰ、第２ｎ側電極５２ｎ、第１ｐ側導電部材５１ｐＰ、第１ｐ側電極５１ｐ、第２ｐ側導電部材５２ｐＰ及び第２ｐ側電極５２ｐを形成する。
【００８９】
この後、上述した図１１Ａ及び図１１Ｂに関する工程を行う。例えば、第１光反射部材４０Ａの一部、及び、第２光反射部材４０Ｂの一部を除去して、第１基板２１及び第２基板２２の表面を露出させる。露出させた第１基板２１及び第２基板２２の上記の表面上に波長変換部材３０を形成する。この方法によっても、発光素子１１０が得られる。実施形態によれば、広色域な色の光が得ることができ、発光特性を向上できる発光素子の製造方法が提供できる。
【００９０】
図１４は、第２実施形態に係る発光素子の製造方法を例示する模式的断面図である。  
図１４に示すように、第１光反射部材４０Ａを含む第１発光部１０Ａ、及び、第２光反射部材４０Ｂを含む第２発光部１０Ｂを準備した後に、第１基板２１及び第２基板２２の間に中間層２５を挿入する。例えば、中間層２５となる樹脂により、第１基板２１及び第２基板２２を接着する。
【００９１】
この後、上述した図１０Ｃ、図１１Ａ及び図１１Ｂに関する工程を行う。これにより、発光素子１１１が得られる。実施形態によれば、広色域な色の光が得ることができ、発光特性を向上できる発光素子の製造方法が提供できる。
【００９２】
実施形態に係る発光素子は、例えば、バックライトに用いられる。実施形態に係る発光素子は、例えば、照明装置に用いられる。実施形態によれば、混色が良好な光が得られる。例えば、薄型のバックライトが得られる。
【００９３】
実施形態によれば、発光特性を向上できる発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法を提供できる。
【００９４】
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【００９５】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光素子に含まれる、基板、半導体積層体、光反射部材、波長変換部材、及び、電極などのそれぞれの具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【００９６】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００９７】
その他、本発明の実施の形態として上述した発光素子及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光素子及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００９８】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと解される。
【符号の説明】
【００９９】
１０Ａ、１０Ｂ…第１、第２発光部、  １１…第１半導体積層体、  １１ｅ…第１発光層、  １１ｆ…第１反射膜、  １１ｎ…第１ｎ形半導体層、  １１ｐ…第１ｐ形半導体層、  １２…第２半導体積層体、  １２ｅ…第２発光層、  １２ｆ…第２反射膜、  １２ｎ…第２ｎ形半導体層、  １２ｐ…第２ｐ形半導体層、  ２０…基板、  ２１…第１基板、  ２２…第２基板、  ２５…中間層、  ３０…波長変換部材、  ３０ｐ…第２粒子、  ３０ｑ…第２部材、  ３１〜３３…第１〜第３部分、  ４０…光反射部材、  ４０Ａ、４０Ｂ…第１、第２光反射部材、  ４０ｐ…第１粒子、  ４０ｑ…第１部材、  ４１〜４５…第１〜第５領域、  ５１ｎ…第１ｎ側電極、  ５１ｎＰ…第１ｎ側導電部材、  ５１ｎａ…第１電極端部、  ５１ｎｂ…第２電極端部、  ５１ｐ…第１ｐ側電極、  ５１ｐＰ…第１ｐ導電部材、  ５１ｐｃ…第３電極端部、  ５１ｐｄ…第４電極端部、  ５２ｎ…第２ｎ側電極、  ５２ｎＰ…第２ｎ側導電部材、  ５２ｎｅ…第５電極端部、  ５２ｎｆ…第６電極端部、  ５２ｐ…第２ｐ側電極、  ５２ｐＰ…第２ｐ側導電部材、  ５２ｐｇ…第７電極端部、  ５２ｐｈ…第８電極端部、  ６０…実装部材、  ６１ｎ…第１ｎ側導電層、  ６１ｎＡ…第１ｎ側接続部材、  ６１ｐ…第１ｐ側導電層、  ６１ｐＡ…第１ｐ側接続部材、  ６２ｎ…第２ｎ側導電層、  ６２ｎＡ…第２ｎ側接続部材、  ６２ｐ…第２ｐ側導電層、  ６２ｐＡ…第２ｐ側接続部材、  ６５…実装基板部、  ７０…駆動回路、  ７１〜７４…第１〜第４配線、  １１０、１１１…発光素子、  ２１０、２１１…発光装置、  ｅｐ１〜ｅｐ４…第１〜第４端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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