(57)【要約】【課題】新規な発光装置を提供する。【解決手段】複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発光装置は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の発光層は、第２の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有し、第１の下部電極と第１の発光層との距離は、第２の下部電極と第１の発光層との距離よりも短い。【選択図】図１
2020074330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、前記第１の発光素子と重なる第１のカラーフィルタとを有する第１の画素と、
第２の発光素子と、前記第２の発光素子と重なる第２のカラーフィルタとを有する第２の画素と、を有し、
前記第１の発光素子は、第１の下部電極と、前記第１の下部電極上の第１の発光層と、前記第１の発光層上の第２の発光層と、前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、第２の下部電極と、前記第２の下部電極上の前記第１の発光層と、前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、前記第２の発光層上の前記上部電極と、有し、
前記第１の発光層は、前記第２の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有し、
前記第１の下部電極と前記第１の発光層との距離は、前記第２の下部電極と前記第１の発光層との距離よりも短く、
前記第１の発光素子から射出される発光は、青色の波長領域に少なくとも一つのピークを有し、
前記第２の発光素子から射出される発光は、黄色の波長領域に少なくとも一つのピークを有する発光装置。
【請求項２】
第１の発光素子と、前記第１の発光素子と重なる第１のカラーフィルタとを有する第１の画素と、
第２の発光素子と、前記第２の発光素子と重なる第２のカラーフィルタとを有する第２の画素と、を有し、
前記第１の発光素子は、第１の下部電極と、前記第１の下部電極上の第１の発光層と、前記第１の発光層上の第２の発光層と、前記第２の発光層上の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、第２の下部電極と、前記第２の下部電極上の前記第１の発光層と、前記第１の発光層上の前記第２の発光層と、前記第２の発光層上の前記上部電極と、有し、
前記第１の発光層からの発光は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、又は赤色から選ばれるいずれか一つに発光スペクトルのピークを有し、
前記第２の発光層からの発光は、紫色、青色、又は青緑色から選ばれるいずれか一つに発光スペクトルのピークを有し、
前記第１の下部電極と前記第１の発光層との距離は、前記第２の下部電極と前記第１の発光層との距離よりも短く、
前記第１の発光素子から射出される発光は、青色の波長領域に少なくとも一つのピークを有し、
前記第２の発光素子から射出される発光は、黄色の波長領域に少なくとも一つのピークを有する発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の下部電極と前記第２の発光層との光学距離が、３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）近傍であり、
前記第２の下部電極と前記第１の発光層との光学距離が、３λＹ／４（λＹは、黄色の波長を表す）近傍である、発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のカラーフィルタは、前記第１の発光素子が発する光から青色を呈する波長の光を透過する機能を有し、
前記第２のカラーフィルタは、前記第２の発光素子が発する光から黄色を呈する波長の光を透過する機能を有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる発光層を一対の電極間に挟
んでなる発光素子、または該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関す
る。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発
明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション
・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発
明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明
装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例とし
て挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ
）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成
は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加す
ることにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００４】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた発光装置は、視認性に優れ、バッ
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００５】
発光素子からの光の取り出し効率を改善するために、一対の電極間で光の共振効果を利
用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波長における光強度を増
加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１８２１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一対の電極間で光の共振効果を利用した微小光共振器構造（以下、マイクロキャビティ
構造という）を採用した場合、一対の電極の一方に反射率の高い金属膜（例えば銀を含む
金属膜など）を用いると、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｐｌａｓｍｏ
ｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）の影響により、反射率の高い金属膜の表面近傍で光の散乱また
は光の吸収が生じ、光取出し効率が低下する場合がある。
【０００８】
上述した課題に鑑み、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを課題の一
つとする。または発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供すること
を課題の一つとする。または新規な発光装置の作製方法を提供することを課題の一つとす
る。
【０００９】
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細
書等の記載から自ずと明らかになるものであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽
出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発光装置は、
第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の下部電極と、
第１の下部電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上
の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電極上の第１
の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、
第１の発光層は、第２の発光層よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有し、第１の
下部電極と第１の発光層との距離は、第２の下部電極と第１の発光層との距離よりも短い
。
【００１１】
また、本発明の他の一態様は、複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発
光装置は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、第１の発光素子は、第１の下
部電極と、第１の下部電極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２
の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の下部電
極上の第１の発光層と、第１の発光層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と
、を有し、第１の発光層からの発光は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から
選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルのピークを有し、第２の発光層からの発光は、
紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルのピークを
有し、第１の下部電極と第１の発光層との距離は、第２の下部電極と第１の発光層との距
離よりも短い。
【００１２】
上記態様において、第１の発光素子から射出される発光は、青色の波長帯域に少なくと
も一つのピークを有し、第２の発光素子から射出される発光は、黄色の波長帯域に少なく
とも一つのピークを有する、と好ましい。また、上記態様において、第１の下部電極と第
２の発光層との光学距離が、３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）近傍であり、第２
の下部電極と第１の発光層との光学距離が、３λＹ／４（λＹは、黄色の波長を表す）近
傍である、と好ましい。なお、本明細書等において、３λＸ／４（λＸは、λＲ、λＧ、
λＢ、またはλＹのいずれかを表す）近傍とは、３λＸ／４の±２０ｎｍ以内、好ましく
は、３λＸ／４の±１０ｎｍ以内の範囲を表す。
【００１３】
また、上記態様において、第１の下部電極と、第２の下部電極とは、銀を有すると好ま
しい。
【００１４】
また、本発明の他の一態様は、複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発
光装置は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、を有し、第１の発
光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層と、第１の透明導電
層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と
、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の
下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層
上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有
し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３の透明導電層と、第
３の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第
２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の発光素子から射出される発
光は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２
の発光素子から射出される発光は、４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくと
も一つのピークを有し、第３の発光素子から射出される発光は、６００ｎｍ以上７４０ｎ
ｍ以下の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する。
【００１５】
また、本発明の他の一態様は、複数の発光色を有する光を発する発光装置であって、発
光装置は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、第３の発光素子と、第４の発光素子と
、を有し、第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の下部電極上の第１の透明導電層
と、第１の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層
上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の
下部電極と、第２の下部電極上の第２の透明導電層と、第２の透明導電層上の第１の発光
層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上
の上部電極と、を有し、第３の発光素子は、第３の下部電極と、第３の下部電極上の第３
の透明導電層と、第３の透明導電層上の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と
、電荷発生層上の第２の発光層と、第２の発光層上の上部電極と、を有し、第４の発光素
子は、第４の下部電極と、第４の下部電極上の第４の透明導電層と、第４の透明導電層上
の第１の発光層と、第１の発光層上の電荷発生層と、電荷発生層上の第２の発光層と、第
２の発光層上の上部電極と、を有し、第１の発光素子から射出される発光は、４００ｎｍ
以上４８０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子から射
出される発光は、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを
有し、第３の発光素子から射出される発光は、６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域
に少なくとも一つのピークを有し、第４の発光素子から射出される発光は、４８０ｎｍ以
上５５０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する。
【００１６】
また、上記態様において、第１の発光層は、燐光材料を有し、第２の発光層は、蛍光材
料を有する、と好ましい。
【００１７】
また、本発明の一態様は、上記態様の発光装置と、筐体またはタッチセンサとを有する
電子機器、または上記態様の発光装置と、筐体とを有する照明装置も範疇に含めるもので
ある。また、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明
装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐ
ｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋ
ａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回
路）が直接実装されたモジュールは、発光装置を含む場合がある。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一態様により、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一
態様により、発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置を提供することがで
きる。または、本発明の一態様により、新規な発光装置の作製方法を提供することができ
る。
【００１９】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】発光装置を説明する断面図。
【図２】発光装置を説明する断面図。
【図３】発光装置を説明する断面図。
【図４】発光装置を説明する断面図。
【図５】発光装置を説明する断面図。
【図６】発光装置を説明する断面図。
【図７】発光装置を説明する断面図。
【図８】発光装置を説明する断面図。
【図９】発光装置を説明する断面図。
【図１０】発光装置を説明する断面図。
【図１１】発光装置を説明する断面図。
【図１２】発光装置を説明する断面図。
【図１３】トランジスタを説明する断面図。
【図１４】発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図１５】発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図１６】発光装置の作製方法を説明する断面図。
【図１７】表示装置を説明するブロック図及び回路図。
【図１８】表示装置の画素回路を説明する回路図。
【図１９】表示装置の画素回路を説明する回路図。
【図２０】タッチパネルの一例を示す斜視図。
【図２１】表示パネル及びタッチセンサの一例を示す断面図。
【図２２】タッチパネルの一例を示す断面図。
【図２３】タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。
【図２４】タッチセンサの回路図。
【図２５】表示モジュールを説明する斜視図。
【図２６】電子機器を説明する図。
【図２７】発光装置を説明する斜視図及び断面図。
【図２８】発光装置を説明する断面図。
【図２９】照明装置及び電子機器を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明の一態
様は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態
及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明の一態様は以下に示す実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２２】
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明の一
態様は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００２３】
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるもので
あり、工程順又は積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の
」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載
されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場
合がある。
【００２４】
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
【００２５】
また、本明細書等において、青色の波長帯域とは４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満であり
、緑色の波長帯域とは４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満であり、黄色の波長帯域とは５５０
ｎｍ以上６００ｎｍ未満であり、赤色の波長帯域とは６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下であ
る。
【００２６】
また、本明細書等において、透明導電層とは、可視光において透光性を有し、且つ導電
性を有する層である。例えば、透明導電層としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏ
ｘｉｄｅ）に代表される酸化物導電体膜、酸化物半導体膜、または有機物を含む有機導電
体膜などが挙げられる。有機物を含む有機導電体膜としては、例えば、有機化合物と電子
供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を含む膜、有機化合物と電子受容体（アクセ
プター）とを混合してなる複合材料を含む膜等が挙げられる。また、透明導電層の抵抗率
としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０４Ω・ｃｍ以
下である。
【００２７】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
【００２８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置、及び当該発光装置の作製方法について
、図１乃至図１６を用いて以下説明する。
【００２９】
＜発光装置の構成例１＞
図１は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。図１に示す発光装置１
００は、第１の発光素子１０１Ｂと、第２の発光素子１０１Ｙと、を有する。また、第１
の発光素子１０１Ｂは、第１の下部電極１０４Ｂと、第１の下部電極１０４Ｂ上の第１の
発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上
の上部電極１１２と、を有する。また、第２の発光素子１０１Ｙは、第２の下部電極１０
４Ｙと、第２の下部電極１０４Ｙ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の第
２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第１
の発光層１０８は、第２の発光層１１０よりも長波長側に発光スペクトルのピークを有し
、第１の下部電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との距離は、第２の下部電極１０４Ｙと
第１の発光層１０８との距離よりも短い。
【００３０】
また、第１の発光素子１０１Ｂは、さらに、第１の透明導電層１０６Ｂと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂと
、正孔注入層１３４と、正孔輸送層１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第
１の発光素子１０１Ｂにおいて、第１の透明導電層１０６Ｂ、正孔注入層１３１、及び正
孔輸送層１３２は、第１の下部電極１０４Ｂと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００３１】
また、第２の発光素子１０１Ｙは、さらに、第２の透明導電層１０６Ｙと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂと
、正孔注入層１３４と、正孔輸送層１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第
２の発光素子１０１Ｙにおいて、第２の透明導電層１０６Ｙ、正孔注入層１３１、及び正
孔輸送層１３２は、第２の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００３２】
また、第１の発光素子１０１Ｂ及び第２の発光素子１０１Ｙにおいて、電子輸送層１３
３、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ、正孔注入層１３４、及び正孔輸送層１３５は、第１
の発光層１０８と第２の発光層１１０との間に設けられる。また、電子輸送層１３６は、
第２の発光層１１０と上部電極１１２との間に設けられる。
【００３３】
また、第１の発光層１０８からの発光は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中
から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルのピークを有する。別言すると、第１の発
光層１０８は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、いずれか一つ
の光を発する発光物質を有する。また、第２の発光層１１０からの発光は、紫色、青色、
または青緑色の中から選ばれる、いずれか一つに発光スペクトルのピークを有する。別言
すると、第２の発光層１１０は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、いずれか
一つの光を発する発光物質を有する。
【００３４】
例えば、第１の発光層１０８には、黄色の光を発する燐光材料を発光物質として用いる
ことができる。また、第２の発光層１１０には、青色の光を発する蛍光材料を発光物質と
して用いることができる。
【００３５】
また、図１においては、各発光素子から射出される、青色（Ｂ）を呈する光、及び黄色
（Ｙ）を呈する光を、それぞれ破線の矢印で模式的に表している。このように、図１に示
す発光装置１００は、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板１０２とは反対
側に取り出す上面射出型（トップエミッション型ともいう）の構造である。ただし、本発
明の一態様はこれに限定されず、各発光素子が発する光を発光素子が形成される基板側に
取り出す下面射出型（ボトムエミッション型ともいう）、または、各発光素子が発する光
を発光素子が形成される基板１０２の上方及び下方の双方に取り出す両面射出型（デュア
ルエミッション型ともいう）であってもよい。ボトムエミッション型の発光装置の一例を
図６に示す。図６は、図１に示す発光装置１００をボトムエミッション型の発光装置とし
た場合の断面図である。
【００３６】
なお、図１において、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１０８、電
子輸送層１３３、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５
、第２の発光層１１０、及び電子輸送層１３６を、第１の発光素子１０１Ｂと第２の発光
素子１０１Ｙとで、それぞれ分離した状態で例示しているが、各発光素子で分離せずに共
通して用いることができる。したがって、第２の発光素子１０１Ｙにおいて、正孔注入層
１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１０８、電子輸送層１３３、電荷発生層１４１
ａ、１４１ｂ、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５、第２の発光層１１０、及び電子輸
送層１３６のハッチパターンを第１の発光素子１０１Ｂと同一にし、とくに符号を付して
いない。
【００３７】
また、第１の発光素子１０１Ｂ及び第２の発光素子１０１Ｙは、マイクロキャビティ構
造を有する。各発光素子が有するマイクロキャビティ構造について、以下説明する。
【００３８】
第１の発光層１０８及び第２の発光層１１０から射出される光は、一対の電極（第１の
下部電極１０４Ｂと上部電極１１２、及び第２の下部電極１０４Ｙと上部電極１１２）の
間で共振される。発光装置１００においては、各発光素子で第１の透明導電層１０６Ｂ、
及び第２の透明導電層１０６Ｙの厚さを調整することで、第１の発光層１０８及び第２の
発光層１１０から射出される光の波長を強めることができる。
【００３９】
具体的には、第１の透明導電層１０６Ｂの膜厚を、第１の下部電極１０４Ｂと上部電極
１１２との間の光学距離がｍλＢ／２（ｍは自然数を、λＢは青色の波長を、それぞれ表
す）となるように調整する。なお、図１においては、第１の下部電極１０４Ｂと上部電極
１１２との間の光学距離がλＢとなるように調整する。また、第２の透明導電層１０６Ｙ
の膜厚を、第２の下部電極１０４Ｙと上部電極１１２との間の光学距離がｍλＹ／２（ｍ
は自然数を、λＹは黄色の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。なお、図１に
おいては、第２の下部電極１０４Ｙと上部電極１１２との間の光学距離が３λＹ／２とな
るように調整する。
【００４０】
なお、図１に示す発光装置１００においては、透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｂ
及び第２の透明導電層１０６Ｙ）厚さによって、下部電極と第１の発光層１０８との間の
距離を変える構成について例示したが、これに限定されず、例えば、正孔注入層１３１及
び正孔輸送層１３２のいずれか一方または双方の膜厚を変えることで、下部電極と第１の
発光層１０８との間の距離を変えてもよい。ただし、図１に示す発光装置１００に示すよ
うに、透明導電層の厚さを変えることで下部電極と第１の発光層１０８との間の距離を変
える方が、正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２を第１の発光素子１０１Ｂと、第２の
発光素子１０１Ｙとで共通して用いることができるため、好適である。
【００４１】
また、第１の透明導電層１０６Ｂの膜厚を調整することで、第１の下部電極１０４Ｂと
第２の発光層１１０との間の光学距離を３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）とする
ことができる。また、第１の透明導電層１０６Ｂの膜厚を調整することで、正孔輸送層１
３５と、上部電極１１２との間の光学距離をλＢ／４とすることができる。なお、第２の
発光層１１０の発光領域は、正孔輸送層１３５と第２の発光層１１０との界面近傍である
ため、ここでは、正孔輸送層１３５と上部電極１１２との間の光学距離としているが、厳
密には、第２の発光層１１０の発光領域と、上部電極１１２との間の光学距離をλＢ／４
とする方が好ましい。
【００４２】
例えば、第１の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１０との距離が短い場合、具体的に
は、第１の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１０との光学距離がλＢ／４の場合、第１
の下部電極１０４Ｂの表面近傍において、光の散乱または光の吸収により、第２の発光層
１１０から射出される光が減衰し、光取出し効率が低下する場合がある。しかしながら、
発光装置１００においては、第１の下部電極１０４Ｂと第２の発光層１１０との光学距離
を３λＢ／４とすることで、第１の下部電極１０４Ｂ近傍での光の散乱または光の吸収を
抑制し、第２の発光層１１０から射出される光の取出し効率を向上させることができる。
したがって、第１の発光素子１０１Ｂからは、第２の発光層１１０が有する発光物質から
青色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
【００４３】
また、第２の透明導電層１０６Ｙの膜厚を調整することで、第２の下部電極１０４Ｙと
第１の発光層１０８との間の光学距離を３λＹ／４（λＹは、黄色の波長を表す）とする
ことができる。また、第２の透明導電層１０６Ｙの膜厚を調整することで、正孔輸送層１
３２と上部電極１１２との間の光学距離を３λＹ／４とすることができる。なお、第１の
発光層１０８の発光領域は、正孔輸送層１３２と第１の発光層１０８との界面近傍である
ため、ここでは、正孔輸送層１３２と上部電極１１２との間の光学距離としているが、厳
密には、第１の発光層１０８の発光領域と、上部電極１１２との間の光学距離を３λＹ／
４とする方が好ましい。
【００４４】
例えば、第２の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との距離が短い場合、具体的に
は、第２の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離がλＹ／４の場合、第２
の下部電極１０４Ｙの表面近傍において、光の散乱または光の吸収により、第１の発光層
１０８から射出される光が減衰し、光取出し効率が低下する場合がある。しかしながら、
発光装置１００においては、第２の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離
を３λＹ／４とすることで、第２の下部電極１０４Ｙ近傍での光の散乱または光の吸収を
抑制し、第１の発光層１０８から射出される光の取出し効率を向上させることができる。
したがって、第２の発光素子１０１Ｙからは、第１の発光層１０８が有する発光物質から
黄色の光を効率よく取り出すことが可能となる。
【００４５】
また、第１の発光素子１０１Ｂと第２の発光素子１０１Ｙとで、正孔注入層１３１、正
孔輸送層１３２、第１の発光層１０８、電子輸送層１３３、電荷発生層１４１ａ、１４１
ｂ、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５、第２の発光層１１０、及び電子輸送層１３６
を共通して用いる構成のため、第１の発光素子１０１Ｂの第１の下部電極１０４Ｂと第２
の発光層１１０との光学距離を３λＢ／４を満たし、第２の発光素子１０１Ｙの第２の下
部電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との光学距離をλＹ／４を満たすのが困難な場合が
ある。例えば、第１の発光素子１０１Ｂにおいて、一対の電極間の光学距離をλＢとした
場合、第２の発光素子１０１Ｙの第２の透明導電層１０６Ｙ、正孔注入層１３１、及び正
孔輸送層１３２の合計の膜厚を薄く（例えば、２０ｎｍ近傍）する必要がある。しかしな
がら、本発明の一態様の発光装置においては、第２の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１
０８との光学距離を３λＹ／４とするため、第２の発光素子１０１Ｙの第２の透明導電層
１０６Ｙ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２の合計の膜厚を厚く形成することが
可能となる。
【００４６】
また、第１の下部電極１０４Ｂと、第２の発光層１１０との光学距離は、厳密には第１
の下部電極１０４Ｂにおける反射領域と、第２の発光層１１０における発光領域との光学
距離であるということができる。しかし、第１の下部電極１０４Ｂにおける反射領域や、
第２の発光層１１０における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の下
部電極１０４Ｂの任意の位置を反射領域、第２の発光層１１０の任意の位置を発光領域と
仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。第２の下部電極１０４
Ｙと、第１の発光層１０８との光学距離についても同様である。
【００４７】
また、上述の光学距離の調整を行うことで、第１の下部電極１０４Ｂと第１の発光層１
０８との距離が、第２の下部電極１０４Ｙと第１の発光層１０８との距離よりも短い構成
となる。
【００４８】
また、第１の下部電極１０４Ｂ及び第２の下部電極１０４Ｙは、可視光において反射性
を有する導電性材料により形成される。該導電性材料としては、例えば、銀を有する材料
を用いればよい。第１の下部電極１０４Ｂ及び第２の下部電極１０４Ｙに銀を有する材料
を用いることで、反射率を高めることが可能となるため、各発光素子からの発光効率を高
くすることができる。例えば、銀を含む導電膜を形成し、該導電膜を島状に分離すること
で、第１の下部電極１０４Ｂ及び第２の下部電極１０４Ｙをそれぞれ形成することができ
る。このように、第１の下部電極１０４Ｂ及び第２の下部電極１０４Ｙを、同一の導電膜
を加工する工程を経て形成すると、製造コストが安くなるため好適である。
【００４９】
このように、図１に示す発光装置１００においては、第１の発光素子１０１Ｂは、第２
の発光層１１０から射出される発光（例えば青色の発光）を強めるべく調整され、第２の
発光素子１０１Ｙは、第１の発光層１０８から射出される発光（例えば黄色の発光）を強
めるべく調整される。第１の発光素子１０１Ｂから射出される発光と、第２の発光素子１
０１Ｙから射出される発光と、を組み合わせることで白色発光を得ることが可能となる。
【００５０】
以上のように、図１に示す発光装置１００においては、各発光素子の下部電極（第１の
下部電極１０４Ｂ及び第２の下部電極１０４Ｙ）と上部電極１１２との光学距離を調整す
ることで、下部電極近傍での光の散乱または光の吸収を抑制し、高い光取出し効率を実現
することができる。したがって、発光効率が高く、消費電力が低減された新規な発光装置
を提供することができる。
【００５１】
＜発光装置の構成例２＞
次に、図１に示す発光装置１００と異なる構成例について、図２を用いて、以下説明を
行う。
【００５２】
図２は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図２において、
図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略
する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明
は省略する場合がある。
【００５３】
図２に示す発光装置１００は、第１の発光素子１０１Ｂと、第２の発光素子１０１Ｇと
、第３の発光素子１０１Ｒと、を有し、第１の発光素子１０１Ｂは、第１の下部電極１０
４Ｂと、第１の下部電極１０４Ｂ上の第１の透明導電層１０６Ｂと、第１の透明導電層１
０６Ｂ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１４１ａ、１４１
ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上
の上部電極１１２と、を有する。また、第２の発光素子１０１Ｇは、第２の下部電極１０
４Ｇと、第２の下部電極１０４Ｇ上の第２の透明導電層１０６Ｇと、第２の透明導電層１
０６Ｇ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１４１ａ、１４１
ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上
の上部電極１１２と、を有する。また、第３の発光素子１０１Ｒは、第３の下部電極１０
４Ｒと、第３の下部電極１０４Ｒ上の第３の透明導電層１０６Ｒと、第３の透明導電層１
０６Ｒ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の電荷発生層１４１ａ、１４１
ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１０と、第２の発光層１１０上
の上部電極１１２と、を有する。
【００５４】
また、第１の発光素子１０１Ｂは、さらに、第１の透明導電層１０６Ｂと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第１の発光素子１０１Ｂにおいて、第
１の透明導電層１０６Ｂ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第１の下部電極
１０４Ｂと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００５５】
また、第２の発光素子１０１Ｇは、さらに、第２の透明導電層１０６Ｇと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第２の発光素子１０１Ｇにおいて、第
２の透明導電層１０６Ｇ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第２の下部電極
１０４Ｇと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００５６】
また、第３の発光素子１０１Ｒは、さらに、第３の透明導電層１０６Ｒと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第３の発光素子１０１Ｒにおいて、第
３の透明導電層１０６Ｒ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第３の下部電極
１０４Ｒと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００５７】
また、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｇ、及び第３の発光素子１０１
Ｒにおいて、電子輸送層１３３、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ、正孔注入層１３４、及
び正孔輸送層１３５は、第１の発光層１０８と第２の発光層１１０との間に設けられる。
また、電子輸送層１３６は、第２の発光層１１０と上部電極１１２との間に設けられる。
【００５８】
また、第１の発光素子１０１Ｂから射出される発光は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満
の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子１０１Ｇから射出される発
光は、４８０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第３
の発光素子１０１Ｒから射出される発光は、６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に
少なくとも一つのピークを有する。なお、第２の発光素子１０１Ｇから射出される発光と
しては、４８０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長帯域であると好ましい。
【００５９】
第１の発光層１０８及び第２の発光層１１０から射出される光は、一対の電極（第１の
下部電極１０４Ｂと上部電極１１２、第２の下部電極１０４Ｇと上部電極１１２、及び第
３の下部電極１０４Ｒと上部電極１１２）の間で共振される。図２に示す、発光装置１０
０においては、各発光素子で第１の透明導電層１０６Ｂ、第２の透明導電層１０６Ｇ、及
び第３の透明導電層１０６Ｒの厚さを調整することで、第１の発光層１０８及び第２の発
光層１１０から射出される光の波長を強めることができる。
【００６０】
具体的には、第１の透明導電層１０６Ｂの膜厚を、第１の下部電極１０４Ｂと上部電極
１１２との間の光学距離がｍλＢ／２（ｍは自然数を、λＢは青色の波長を、それぞれ表
す）となるように調整する。なお、図２においては、第１の下部電極１０４Ｂと上部電極
１１２との間の光学距離がλＢとなるように調整する。また、第２の透明導電層１０６Ｇ
の膜厚を、第２の下部電極１０４Ｇと上部電極１１２との間の光学距離がｍλＧ／２（ｍ
は自然数を、λＧは緑色の波長を、それぞれ表す）となるように調整する。なお、図２に
おいては、第２の下部電極１０４Ｇと上部電極１１２との間の光学距離が３λＧ／２とな
るように調整する。また、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を、第３の下部電極１０４Ｒ
と上部電極１１２との間の光学距離がｍλＲ／２（ｍは自然数を、λＲは赤色の波長を、
それぞれ表す）となるように調整する。なお、図２においては、第３の下部電極１０４Ｒ
と上部電極１１２との間の光学距離が３λＲ／２となるように調整する。
【００６１】
ただし、第３の下部電極１０４Ｒと上部電極１１２との間の光学距離については、上記
の光学距離に限定されない。例えば、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整することで
、図３に示す光学距離としてもよい。図３は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断
面図である。
【００６２】
図３に示す発光装置１００においては、第１の発光素子１０１Ｂ及び第２の発光素子１
０１Ｇについては、図２に示す発光装置１００と同じ構成であるが、第３の発光素子１０
１Ｒの第３の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との間の光学距離が異なる。具体的
には、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整することで、第３の下部電極１０４Ｒと第
１の発光層１０８との間の光学距離をλＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）とすること
ができる。また、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整することで、第３の下部電極１
０４Ｒと上部電極１１２との間の光学距離がλＲ近傍とすることができる。
【００６３】
＜発光装置の構成例３＞
次に、図１に示す発光装置１００と異なる構成例について、図４を用いて、以下説明を
行う。
【００６４】
図４は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図４において、
図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略
する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を付し、その詳細な説明
は省略する場合がある。
【００６５】
図４に示す発光装置１００は、第１の発光素子１０１Ｂと、第２の発光素子１０１Ｙと
、第３の発光素子１０１Ｒと、第４の発光素子１０１Ｇと、を有し、第１の発光素子１０
１Ｂは、第１の下部電極１０４Ｂと、第１の下部電極１０４Ｂ上の第１の透明導電層１０
６Ｂと、第１の透明導電層１０６Ｂ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の
電荷発生層１４１ａ、１４１ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１
０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第２の発光素子１０
１Ｙは、第２の下部電極１０４Ｙと、第２の下部電極１０４Ｙ上の第２の透明導電層１０
６Ｙと、第２の透明導電層１０６Ｙ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の
電荷発生層１４１ａ、１４１ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１
０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第３の発光素子１０
１Ｒは、第３の下部電極１０４Ｒと、第３の下部電極１０４Ｒ上の第３の透明導電層１０
６Ｒと、第３の透明導電層１０６Ｒ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の
電荷発生層１４１ａ、１４１ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１
０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。また、第４の発光素子１０
１Ｇは、第４の下部電極１０４Ｇと、第４の下部電極１０４Ｇ上の第４の透明導電層１０
６Ｇと、第４の透明導電層１０６Ｇ上の第１の発光層１０８と、第１の発光層１０８上の
電荷発生層１４１ａ、１４１ｂと、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂ上の第２の発光層１１
０と、第２の発光層１１０上の上部電極１１２と、を有する。
【００６６】
また、第１の発光素子１０１Ｂは、さらに、第１の透明導電層１０６Ｂと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第１の発光素子１０１Ｂにおいて、第
１の透明導電層１０６Ｂ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第１の下部電極
１０４Ｂと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００６７】
また、第２の発光素子１０１Ｙは、さらに、第２の透明導電層１０６Ｙと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第２の発光素子１０１Ｙにおいて、第
２の透明導電層１０６Ｙ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第２の下部電極
１０４Ｙと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００６８】
また、第３の発光素子１０１Ｒは、さらに、第３の透明導電層１０６Ｒと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第３の発光素子１０１Ｒにおいて、第
３の透明導電層１０６Ｒ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第３の下部電極
１０４Ｒと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００６９】
また、第４の発光素子１０１Ｇは、さらに、第４の透明導電層１０６Ｇと、正孔注入層
１３１と、正孔輸送層１３２と、電子輸送層１３３と、正孔注入層１３４と、正孔輸送層
１３５と、電子輸送層１３６と、を有する。なお、第４の発光素子１０１Ｇにおいて、第
４の透明導電層１０６Ｇ、正孔注入層１３１、及び正孔輸送層１３２は、第４の下部電極
１０４Ｇと第１の発光層１０８との間に設けられる。
【００７０】
また、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｙ、第３の発光素子１０１Ｒ、
及び第４の発光素子１０１Ｇにおいて、電子輸送層１３３、電荷発生層１４１ａ、１４１
ｂ、正孔注入層１３４、及び正孔輸送層１３５は、第１の発光層１０８と第２の発光層１
１０との間に設けられる。また、電子輸送層１３６は、第２の発光層１１０と上部電極１
１２との間に設けられる。
【００７１】
また、第１の発光素子１０１Ｂから射出される発光は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満
の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第２の発光素子１０１Ｙから射出される発
光は、５５０ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有し、第３
の発光素子１０１Ｒから射出される発光は、６００ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長帯域に
少なくとも一つのピークを有し、第４の発光素子１０１Ｇから射出される発光は、４８０
ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長帯域に少なくとも一つのピークを有する。
【００７２】
第１の発光層１０８及び第２の発光層１１０から射出される光は、一対の電極（第１の
下部電極１０４Ｂと上部電極１１２、第２の下部電極１０４Ｇと上部電極１１２、及び第
３の下部電極１０４Ｒと上部電極１１２）の間で共振される。図４に示す、発光装置１０
０においては、各発光素子で第１の透明導電層１０６Ｂ、第２の透明導電層１０６Ｙ、第
３の透明導電層１０６Ｒ、及び第４の透明導電層１０６Ｇの厚さを調整することで、第１
の発光層１０８及び第２の発光層１１０から射出される光の波長を強めることができる。
【００７３】
具体的には、第１の透明導電層１０６Ｂの膜厚を調整することで、第１の下部電極１０
４Ｂと第２の発光層１１０との間の光学距離を３λＢ／４（λＢは、青色の波長を表す）
とし、第２の透明導電層１０６Ｙの膜厚を調整することで、第２の下部電極１０４Ｙと第
１の発光層１０８との間の光学距離を３λＹ／４（λＹは、黄色の波長を表す）とし、第
３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整することで、第３の下部電極１０４Ｒと第１の発光
層１０８との間の光学距離を３λＲ／４（λＲは、赤色の波長を表す）とし、第４の透明
導電層１０６Ｇの膜厚を調整することで、第４の下部電極１０４Ｇと第１の発光層１０８
との間の光学距離を３λＧ／４（λＧは、緑色の波長を表す）とする。
【００７４】
また、各発光素子の各透明導電層の膜厚を調整することで、第１の下部電極１０４Ｂと
上部電極１１２との間の光学距離をλＢとし、第２の下部電極１０４Ｙと上部電極１１２
との間の光学距離を３λＹ／２とし、第３の下部電極１０４Ｒと上部電極１１２との間の
光学距離を３λＲ／２とし、第４の下部電極１０４Ｇと上部電極１１２との間の光学距離
を３λＧ／２とする。
【００７５】
ただし、第３の下部電極１０４Ｒと上部電極１１２との間の光学距離については、上記
の光学距離に限定されない。例えば、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整することで
、図５に示す光学距離としてもよい。図５は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断
面図である。
【００７６】
図５に示す発光装置１００においては、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０
１Ｙ、及び第４の発光素子１０１Ｇについては、図４に示す発光装置１００と同じ構成で
あるが、第３の発光素子１０１Ｒの第３の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との間
の光学距離が異なる。具体的には、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整することで、
第３の下部電極１０４Ｒと第１の発光層１０８との間の光学距離をλＲ／４（λＲは、赤
色の波長を表す）とすることができる。また、第３の透明導電層１０６Ｒの膜厚を調整す
ることで、第３の下部電極１０４Ｒと上部電極１１２との間の光学距離がλＲ近傍とする
ことができる。
【００７７】
その他の構成については、図１に示す発光装置１００と同様であり、同様の効果を奏す
る。
【００７８】
＜発光装置の構成例４＞
次に、図１に示す発光装置１００と異なる構成例について、図７乃至図１２を用いて、
以下説明を行う。
【００７９】
図７乃至図１２は、本発明の一態様の発光装置の一例を示す断面図である。なお、図７
乃至図１２において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパタ
ーンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には同様の符号を
付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【００８０】
図７に示す発光装置１００は、図４に示す発光装置１００の構成と、さらに隔壁１３７
と、基板１５２と、を有する。隔壁１３７は、各発光素子の外周部に設けられ、各発光素
子の下部電極及び透明導電層のいずれか一方または双方の端部を覆う機能を有する。また
、基板１５２には、遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｒ、第２の光学素子１５６Ｙ、
第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｇが形成される。また、遮光層１５
４は、隔壁１３７と重なる位置に設けられる。また、第１の光学素子１５６Ｂは、第１の
発光素子１０１Ｂと重なる位置に設けられ、第２の光学素子１５６Ｙは、第２の発光素子
１０１Ｙと重なる位置に設けられ、第３の光学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒ
と重なる位置に設けられ、第４の光学素子１５６Ｇは、第４の発光素子１０１Ｇと重なる
位置に設けられる。
【００８１】
図８に示す発光装置１００は、図７に示す発光装置１００の第１の光学素子１５６Ｂ及
び第２の光学素子１５６Ｙが設けられない構成である。また、図９に示す発光装置１００
は、図７に示す発光装置１００の第２の光学素子１５６Ｙが設けられない構成である。ま
た、図１０に示す発光装置１００は、図７に示す発光装置１００の第１の光学素子１５６
Ｂが設けられない構成である。
【００８２】
第１の発光層１０８に、黄色を呈する波長の光を発する燐光材料を用い、第２の発光層
１１０に、青色を呈する波長の光を発する蛍光材料を用いることで、第１の発光素子１０
１Ｂ及び第２の発光素子１０１Ｙに重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けな
い構成とすることが可能となる。第１の発光素子１０１Ｂ及び第２の発光素子１０１Ｙに
重なる、いずれか一方または双方に光学素子を設けない構成とすることで、発光装置１０
０の消費電力を低減することができる。とくに、第１の発光素子１０１Ｂに、第１の光学
素子１５６Ｂを設けない構成であると、消費電力低減の効果はより顕著である。なお、外
光反射を防ぐためには、図７に示すように、全ての発光素子に光学素子を設ける構成のほ
うが好ましい。
【００８３】
また、図７に示す、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｙ、第３の発光素
子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｇにトランジスタが接続される構成の発光装置１
００を図１１に示す。図１１に示す発光装置１００は、各発光素子の下部電極とトランジ
スタ１７０とが、電気的に接続される構成である。
【００８４】
また、発光装置１００のトランジスタ１７０と、下部電極との間に光学素子（第１の光
学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｙ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素
子１５６Ｇ）を設ける構成を図１２に示す。図１２に示す構成とする場合、下部電極から
射出される光は、光学素子を介して、基板１０２側に射出される。なお、図１２に示す構
成とすることで、基板１５２側には、光学素子等を設けない構成とすることができる。し
たがって、製造コストを低減できるため好ましい。
【００８５】
また、図１１、１２に示す発光装置１００が有するトランジスタ１７０の詳細について
、図１３を用いて説明する。図１３は、トランジスタ１７０の断面図である。
【００８６】
図１３に示すトランジスタ１７０は、基板１０２上のゲート電極１７２と、基板１０２
及びゲート電極１７２上のゲート絶縁層１７４と、ゲート絶縁層１７４上の半導体層１７
６と、ゲート絶縁層１７４及び半導体層１７６上のソース電極１７８と、ゲート絶縁層１
７４及び半導体層１７６上のドレイン電極１８０と、を有する。また、トランジスタ１７
０上には、絶縁層１８２と、絶縁層１８２上の絶縁層１８４と、絶縁層１８４上の絶縁層
１８６とが設けられる。
【００８７】
絶縁層１８２としては、半導体層１７６と接する。絶縁層１８２としては、例えば、酸
化物絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層１８４は、トランジスタ１７０
に入り込みうる不純物を抑制する機能を有する。絶縁層１８４としては、例えば、窒化物
絶縁材料により形成することができる。また、絶縁層１８６は、トランジスタ１７０等に
起因する凹凸等を平坦化する機能を有する。絶縁層１８６としては、例えば、有機樹脂絶
縁材料により形成することができる。
【００８８】
また、絶縁層１８２、絶縁層１８４、及び絶縁層１８６には、開口部が設けられ、当該
開口部を介して、トランジスタ１７０のドレイン電極１８０と、下部電極（ここでは、第
２の下部電極１０４Ｙ）と、が電気的に接続される。トランジスタ１７０を駆動させるこ
とで、下部電極に流れる、電流または電圧を制御することができる。
【００８９】
ここで、上述の発光装置１００の各構成要素の詳細について、以下に説明を行う。
【００９０】
＜基板＞
基板１０２は、発光素子の支持体として用いられる。また、基板１５２は、光学素子の
支持体として用いられる。基板１０２、１５２としては、例えばガラス、石英、又はプラ
スチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、
曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポ
リアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また
、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等から
なる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の
作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
【００９１】
例えば、様々な基板を用いて発光素子、及び光学素子を形成することが出来る。基板の
種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例
えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック
基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、
タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィル
ム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、
バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが
ある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のもの
があげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹
脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニ
ル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、
アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。
【００９２】
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光素子、及び光学素子
を形成してもよい。または、基板と発光素子との間に剥離層を設けてもよい。また、基板
と光学素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素子、及び光学素子
を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いるこ
とができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光装置を転載できる。なお
、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の
構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【００９３】
つまり、ある基板を用いて発光素子、及び光学素子を形成し、その後、別の基板に発光
素子、及び光学素子を転置し、別の基板上に発光素子、及び光学素子を配置してもよい。
発光素子、及び光学素子が転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、紙基板
、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基
板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステ
ル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含
む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにく
い発光素子及び壊れにくい光学素子、耐熱性の高い発光素子及び耐熱性の高い光学素子、
軽量化された発光素子及び軽量化された光学素子、または薄型化された発光素子及び薄型
化された発光素子とすることができる。
【００９４】
＜下部電極＞
下部電極（第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｙ、第３の下部電極１０４
Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｇ）は、各発光素子の陽極としての機能を有する。なお、
下部電極は、反射性を有する導電性材料により、形成されると好ましい。該導電性材料と
しては、可視光の反射率が４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下
であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。具体的に
は、下部電極としては、銀、アルミニウム、銀またはアルミニウムを含む合金等を用いる
ことができる。アルミニウムを含む合金としては、例えば、アルミニウムとニッケルとラ
ンタンを含む合金が挙げられる。また、銀を含む合金としては、例えば、銀とパラジウム
と銅を含む合金、銀と銅を含む合金、銀とマグネシウムを含む合金、銀とニッケルを含む
合金、銀と金を含む合金等が挙げられる。下部電極としては、スパッタリング法、蒸着法
、印刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
【００９５】
＜透明導電層＞
透明導電層（第１の透明導電層１０６Ｂ、第２の透明導電層１０６Ｙ、第３の透明導電
層１０６Ｒ、及び第４の透明導電層１０６Ｇ）は、各発光素子の下部電極の一部、または
各発光素子の陽極としての機能を有する。または、各透明導電層は、各発光層からの所望
の光を共振させ、その波長を強めることができるように、所望の光の波長ごとに下部電極
と上部電極との光学距離を調整する機能を有する。例えば、透明導電層の膜厚を変えるこ
とで、所望の光の波長λに対して、電極間の光学距離がｍλ／２（ただし、ｍは自然数）
となるように調整する。
【００９６】
透明導電層としては、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏ
ｘｉｄｅ、以下ＩＴＯとして記載する）、シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化
インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄ
ｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムなどを用いることができ
る。とくに、透明導電層としては、仕事関数の大きい（４．０ｅＶ以上）材料を用いるこ
とが好ましい。透明導電層としては、スパッタリング法、蒸着法、印刷法または塗布法等
を用いて形成することができる。
【００９７】
＜上部電極＞
上部電極１１２は、各発光素子の陰極としての機能を有する。なお、上部電極１１２は
、反射性を有する導電性材料と、透光性を有する導電性材料とにより、形成されると好ま
しい。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０
％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の導電性材料が挙げ
られる。上部電極１１４としては、導電性を有する金属、合金、導電性化合物などを１種
又は複数種用いて形成することができる。とくに、仕事関数が小さい（３．８ｅＶ以下）
材料を用いることが好ましい。例えば、元素周期表の第１族又は第２族に属する元素（リ
チウム、セシウム等のアルカリ金属、カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属
、マグネシウム等）、これら元素を含む合金（例えば、Ｍｇ−Ａｇ、Ａｌ−Ｌｉ）、ユー
ロピウム、イッテルビウム等の希土類金属、これら希土類金属を含む合金、アルミニウム
、銀等を用いることができる。上部電極１１４としては、スパッタリング法、蒸着法、印
刷法または塗布法等を用いて形成することができる。
【００９８】
また、下部電極と上部電極に用いる材料を入れ替えることで、図６または図１２に示す
ようなボトムエミッション型の発光装置としてもよい。ボトムエミッション型の発光装置
の場合、下部電極が反射性及び透光性を有する導電性材料とにより形成され、上部電極が
反射性を有する導電性材料により形成される。
【００９９】
＜隔壁＞
隔壁１３７は、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成される。該
無機材料としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜等が挙げられる。該有機材料として
は、例えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
【０１００】
＜発光層＞
第１の発光層１０８は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少
なくともいずれか一つの発光を呈する発光材料を有し、第２の発光層１１０は、紫色、青
色、または青緑色の中から選ばれる、少なくともいずれか一つの発光を呈する発光材料を
有する。また、第１の発光層１０８に用いる発光材料としては、燐光材料が好ましく、第
２の発光層１１０に用いる発光材料としては、蛍光材料が好ましい。第１の発光層１０８
に燐光材料を用い、第２の発光層１１０に蛍光材料を用いる構成とすることで、発光効率
が高められ、且つ信頼性の高い発光装置とすることができる。また、第１の発光層１０８
及び第２の発光層１１０は、上記発光材料に加えて、電子輸送性材料または正孔輸送性材
料の一方または双方を含んで構成される。
【０１０１】
また、燐光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を用いるこ
とができる。また、蛍光材料としては、一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質
を用いることができる。なお、上記発光性物質としては、例えば、以下のようなものが挙
げられる。
【０１０２】
一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、蛍光を発する物質が挙げら
れ、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，
Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−
カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルア
ミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０
−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９
−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カル
バゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）
−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰ
ＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：Ｔ
ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル
〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）
、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ
−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍ
ＦＬＰＡＰｒｎ）などの青色の発光（発光波長４００ｎｍ乃至４８０ｎｍ）を呈する物質
や、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェ
ニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル
］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：
ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５
Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝
プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）などの黄色の発光（発光波長５４０ｎｍ乃至５８
０ｎｍ）を呈する物質を用いることができる。
【０１０３】
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質としては、例えば、燐光を発す
る物質が挙げられ、例えば、４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍに発光のピークを有する物質、５
２０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する物質、６００ｎｍ乃至７００ｎｍに発光
のピークを有する物質を用いることができる。
【０１０４】
４４０ｎｍ乃至５２０ｎｍに発光のピークを有する物質としては、トリス｛２−［５−
（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリ
アゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍ
ｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４
−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４−（
３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３）のような４Ｈ−トリア
ゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチル
フェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピ
ル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ
１−Ｍｅ）３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆ
ａｃ−トリス［（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾー
ル］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（２，６−
ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジ
ナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称
：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’
］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’
−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ
）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’
−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセト
ナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を
配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾー
ル骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ま
しい。
【０１０５】
５２０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する物質としては、トリス（４−メチル
−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、ト
リス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチル
アセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［
４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−
（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉ
ｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニ
ルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のよ
うなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（
３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐ
ｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−
メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰ
ｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス
（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）
３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセ
トナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ト
リス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、ト
リス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ
）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金
属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙
げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性
や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。
【０１０６】
また、５２０ｎｍ乃至６００ｎｍに発光のピークを有する物質の中でも、とくに５５０
ｎｍ乃至５８０ｎｍに発光のピークを有する物質を第１の発光層１０８に用いると好まし
い。５５０ｎｍ乃至５８０ｎｍに発光のピークを有する物質を第１の発光層１０８に用い
ることで、発光素子の電流効率を高めることができる。
【０１０７】
５５０ｎｍ乃至５８０ｎｍに発光のピークを有する物質としては、（アセチルアセトナ
ト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピ
リミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリ
ミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）
−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ
ｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニ
ルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（
アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ）、（アセチルアセトナト）ビス
（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナ
ト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（
ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オ
キサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄ
ｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリ
ジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−Ｐ
Ｆ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））などが挙
げられる。
【０１０８】
また、６００ｎｍ乃至７００ｎｍに発光のピークを有する物質としては、（ジイソブチ
リルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３−メ
チルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリ
ミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）
２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチル
アセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（
ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））
、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト
］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨
格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２
’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキノリ
ナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）
２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，
７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（
ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３
−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（
ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロ
アセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）
３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨
格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に
好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光
が得られる。
【０１０９】
また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１０に用いる電子輸送性材料としては、
含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましい。当該電子輸
送性材料としては、π電子不足型複素芳香族化合物や金属錯体などを用いることができる
。具体的には、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（
略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト
）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）
（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフ
ェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリ
アゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（
５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾ
ール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス
（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベン
ゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称
：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物や、２−［３−
（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：
２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニ
ル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）
、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ
、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレ
ン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［
３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−
ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６
−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有
する複素環化合物や、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］
ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニ
ル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物が挙げら
れる。上述した中でも、ジアジン骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物やピリジ
ン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミ
ジンやピラジン）骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、
駆動電圧低減にも寄与する。
【０１１０】
また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１０に用いる正孔輸送性材料としては、
π電子過剰型複素芳香族化合物や芳香族アミン化合物が好ましい。当該正孔輸送性材料と
しては、π電子過剰型複素芳香族化合物又は芳香族アミン化合物などを好適に用いること
ができる。具体的には、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェ
ニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、４，４’−ビス［
Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−
ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，
４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオ
レン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル
−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬ
Ｐ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン
（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４
’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール
−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル
）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略
称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ
）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニ
ル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ−（１
，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３
−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢ
ＢｉＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）
ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢ
Ｐ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称
：ＣｚＴＰ）、９−フェニル−９Ｈ−３−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イ
ル）カルバゾール（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、１，３
，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２
，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル
］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９
Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢ
ＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼ
ン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−
｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベ
ンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げ
られる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する
化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するた
め好ましい。
【０１１１】
また、第１の発光層１０８及び第２の発光層１１０に用いる正孔輸送性材料として、ポ
リ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン
）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フ
ェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴ
ＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）
ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【０１１２】
＜正孔注入層、正孔輸送層＞
正孔注入層１３１は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１３２を介して第１の発光層１０８
に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔
輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材
料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１３２を介して第１の発
光層１０８に正孔が注入される。また、正孔注入層１３４は、正孔輸送性の高い正孔輸送
層１３５を介して第２の発光層１１０に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアク
セプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、ア
クセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し
、正孔輸送層１３５を介して第２の発光層１１０に正孔が注入される。
【０１１３】
なお、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、正孔注入層１３４、及び正孔輸送層１３
５は、正孔輸送性材料を用いて形成される。正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、正孔
注入層１３４、及び正孔輸送層１３５に用いる正孔輸送性材料としては、先に示す第１の
発光層１０８及び第２の発光層１１０に用いる正孔輸送性材料と同様の材料を用いること
ができる。
【０１１４】
また、正孔注入層１３１、１３４に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表に
おける第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化
モリブデンが特に好ましい。
【０１１５】
また、正孔注入層１３１及び正孔輸送層１３２としては、場合によっては各発光層で異
なる材料、または異なる膜厚としてもよい。
【０１１６】
＜電子輸送層＞
電子輸送層１３３、１３６としては、先に示す第１の発光層１０８及び第２の発光層１
１０に用いる電子輸送性材料と同様の材料を用いることができる。
【０１１７】
＜電子注入層＞
また、図示していないが、電子輸送層１３３、１３６上に電子注入性を有する層（電子
注入層）を設ける構成としてもよい。当該電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層
である。電子注入層には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ
化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アル
カリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（
ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層にエレク
トライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウ
ムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
【０１１８】
また、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を
用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生する
ため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生
した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸
送層１３３を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電
子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、
アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネ
シウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属
酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリ
ウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることも
できる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもで
きる。
【０１１９】
また、電子輸送層１３３、１３６及び電子注入層としては、場合によっては各発光層で
異なる材料、または異なる膜厚としてもよい。
【０１２０】
＜電荷発生層＞
電荷発生層１４１ａ、１４１ｂは、一対の電極（下部電極及び上部電極）間に電圧を印
加したときに、一方の発光層（第１の発光層１０８または第２の発光層１１０）側に電子
を注入し、他方の発光層（第１の発光層１０８または第２の発光層１１０）側に正孔を注
入する機能を有する。
【０１２１】
例えば、図１に示す第１の発光素子１０１Ｂにおいては、第１の下部電極１０４Ｂに上
部電極１１２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１４１ａから第
１の発光層１０８に電子が注入され、電荷発生層１４１ｂから第２の発光層１１０に正孔
が注入される。
【０１２２】
なお、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂは、光取出し効率の点から、可視光に対して透光
性を有する（具体的には、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂに対する可視光の透過率が高い
（例えば、透過率が４０％以上））ことが好ましい。また、電荷発生層１４１ａ、１４１
ｂは、一対の電極（下部電極及び上部電極）よりも低い導電率であっても機能する。
【０１２３】
また、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂは、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター
）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構
成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０１２４】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層１４１ａ、１４１ｂを形成することにより、発
光層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１２５】
なお、上述した、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層、及び電
荷発生層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方
法で形成することができる。
【０１２６】
＜遮光層＞
遮光層１５４としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層１５４と
しては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層１５４と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
【０１２７】
＜光学素子＞
第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｙ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第
４の光学素子１５６Ｇは、入射する光から特定の色を呈する光を選択的に透過するもので
ある。例えば、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる
。なお、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射する光を、
当該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドッ
ト方式を用いる素子であると好適である。量子ドット方式を用いることにより、発光装置
の色再現性を高めることができる。
【０１２８】
また、第１の光学素子１５６Ｂは、第１の発光素子１０１Ｂが発する光から青色を呈す
る波長の光を透過する機能を有する。また、第２の光学素子１５６Ｙは、第２の発光素子
１０１Ｙが発する光から黄色を呈する波長の光を透過する機能を有する。また、第３の光
学素子１５６Ｒは、第３の発光素子１０１Ｒが発する光から赤色を呈する波長の光を透過
する機能を有する。また、第４の光学素子１５６Ｇは、第４の発光素子１０１Ｇが発する
光から緑色を呈する波長の光を透過する機能を有する。
【０１２９】
また、上記に示す光学素子と異なる他の光学素子を、各発光素子に重ねて設けてもよい
。他の光学素子としては、例えば円偏向板や反射防止膜などが挙げられる。また、円偏光
板を、発光装置の発光素子が発する光が取り出される側に設けると、発光装置の外部から
入射した光が、発光装置の内部で反射されて、外部に射出される現象を防ぐことができる
。また、反射防止膜を設けると、発光装置の表面で反射される外光を弱めることができる
。これにより、発光装置が発する発光を、鮮明に観察できる。
【０１３０】
なお、上記例示した発光装置の各構成については、適宜組み合わせて用いることができ
る。
【０１３１】
＜発光装置の作製方法＞
次に、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図１４乃至図１６を用いて以下
説明を行う。なお、ここでは、図７に示す発光装置１００の作製方法について説明する。
【０１３２】
図１４（Ａ）（Ｂ）、図１５（Ａ）（Ｂ）、及び図１６（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態
様の発光装置の作製方法を説明するための断面図である。
【０１３３】
以下で説明する発光装置１００の作製方法は、第１乃至第６の６つのステップを有する
。
【０１３４】
＜第１のステップ＞
第１のステップは、各発光素子の下部電極（第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極
１０４Ｙ、第３の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｇ）と、各発光素子の透
明導電層（第１の透明導電層１０６Ｂ、第２の透明導電層１０６Ｙ、第３の透明導電層１
０６Ｒ、及び第４の透明導電層１０６Ｇ）と、各発光素子の下部電極と透明導電層の端部
を覆う隔壁１３７と、を形成する工程である（図１４（Ａ）参照）。
【０１３５】
第１のステップにおいては、有機化合物を含む発光層を損傷するおそれがないため、さ
まざまな微細加工技術を適用できる。本実施の形態では、スパッタリング法を用いて、反
射性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、そ
の後ドライエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工し第１の下部電極１０４Ｂ、第
２の下部電極１０４Ｙ、第３の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｇを形成す
る。
【０１３６】
次に、第１の下部電極１０４Ｂ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を
用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を
島状に加工して第１の透明導電層１０６Ｂを形成する。次に、第２の下部電極１０４Ｙ上
に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし
、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第２の透明導電層１
０６Ｙを形成する。次に、第３の下部電極１０４Ｒ上に透光性の導電膜を形成し、フォト
リソグラフィ法を用いて、該導電膜をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用
いて、該導電膜を島状に加工して第３の透明導電層１０６Ｒを形成する。次に、第４の下
部電極１０４Ｇ上に透光性の導電膜を形成し、フォトリソグラフィ法を用いて、該導電膜
をパターニングし、その後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して第
４の透明導電層１０６Ｇを形成する。
【０１３７】
次に、島状の下部電極及び島状の透明導電層の端部を覆うように隔壁１３７を形成する
。なお、隔壁１３７は、下部電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出
する透明導電層が発光素子の下部電極として機能する。
【０１３８】
第１のステップにおいて、下部電極として、銀とパラジウムと銅の合金膜を用い、透明
導電層としてＩＴＳＯ膜を用い、隔壁１３７としてポリイミド樹脂を用いる。
【０１３９】
なお、第１のステップの前に、基板１０２上にトランジスタを形成してもよい。また、
該トランジスタと、下部電極（第１の下部電極１０４Ｂ、第２の下部電極１０４Ｙ、第３
の下部電極１０４Ｒ、及び第４の下部電極１０４Ｇ）とを電気的に接続させてもよい。
【０１４０】
＜第２のステップ＞
第２のステップは、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、第１の発光層１０８、電子
輸送層１３３を形成する工程である（図１４（Ｂ）参照）。
【０１４１】
正孔注入層１３１としては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む材料とを共蒸
着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異
なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。また、正孔輸送層１３２としては、正孔
輸送性材料を蒸着することで形成することができる。
【０１４２】
第１の発光層１０８としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれ
る、少なくともいずれか一つの発光を呈する発光物質を蒸着することで形成することがで
きる。上記発光物質としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐光
性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例え
ば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホス
ト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
【０１４３】
電子輸送層１３３としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成することがで
きる。
【０１４４】
＜第３のステップ＞
第３のステップは、電荷発生層１４１ａ、１４１ｂを形成する工程である（図１５（Ａ
）参照）。
【０１４５】
電荷発生層１４１ａ、１４１ｂとしては、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター
）が添加された材料、または電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された材料を
蒸着することで形成することができる。本実施の形態においては、電荷発生層１４１ａに
電子輸送性材料に電子供与体が添加された材料を用い、電荷発生層１４１ｂに正孔輸送性
材料に電子受容体が添加された材料を用いる。
【０１４６】
＜第４のステップ＞
第４のステップは、正孔注入層１３４、正孔輸送層１３５、第２の発光層１１０、電子
輸送層１３６、及び上部電極１１２を形成する工程である（図１５（Ｂ）参照）。
【０１４７】
正孔注入層１３４としては、先に示す正孔注入層１３１と同様の材料及び同様の方法に
より形成することができる。また、正孔輸送層１３５としては、先に示す正孔輸送層１３
２と同様の材料及び同様の方法により形成することができる。
【０１４８】
第２の発光層１１０としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、少なくと
もいずれか一つの発光を呈する発光物質を蒸着することで形成することができる。発光物
質としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化合物は
、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性の有機
化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該ゲスト
材料を分散して蒸着してもよい。
【０１４９】
また、電子輸送層１３６としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成するこ
とができる。
【０１５０】
上部電極１１２としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜とを積層す
ることで形成することができる。
【０１５１】
上記工程を経て、第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素子１０１Ｙ、第３の発光素子
１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｇが基板１０２上に形成される。
【０１５２】
＜第５のステップ＞
第５のステップは、基板１５２上に遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光
学素子１５６Ｙ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｇを形成する工程
である（図１６（Ａ）（Ｂ）参照）。
【０１５３】
まず、基板１５２上に遮光層１５４を形成する（図１６（Ａ）参照）。
【０１５４】
本実施の形態においては、遮光層１５４として、黒色顔料の含んだ有機樹脂膜を所望の
領域に形成する。
【０１５５】
次に、基板１５２及び遮光層１５４上に光学素子（第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光
学素子１５６Ｙ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｇ）を形成する（
図１６（Ｂ）参照）。
【０１５６】
本実施の形態においては、第１の光学素子１５６Ｂとして、青色の顔料を含む有機樹脂
膜を所望の領域に形成する。また、第２の光学素子１５６Ｙとして、黄色の顔料を含む有
機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第３の光学素子１５６Ｒとして、赤色の顔料を
含む有機樹脂膜を所望の領域に形成する。また、第４の光学素子１５６Ｇとして、緑色の
顔料を含む有機樹脂膜を所望の領域に形成する。
【０１５７】
以上の工程により、基板１５２上に遮光層１５４及び光学素子（第１の光学素子１５６
Ｂ、第２の光学素子１５６Ｙ、第３の光学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｇ）
が形成される。なお、本実施の形態においては、遮光層１５４を形成した後に、光学素子
を形成する場合について例示したが、これに限定されず、例えば、光学素子を形成した後
に、遮光層１５４を形成してもよい。
【０１５８】
＜第６のステップ＞
第６のステップは、基板１０２上に形成された第１の発光素子１０１Ｂ、第２の発光素
子１０１Ｙ、第３の発光素子１０１Ｒ、及び第４の発光素子１０１Ｇと、基板１５２上に
形成された遮光層１５４、第１の光学素子１５６Ｂ、第２の光学素子１５６Ｙ、第３の光
学素子１５６Ｒ、及び第４の光学素子１５６Ｇと、を貼り合わせ、封止材を用いて封止す
る工程である（図示しない）。
【０１５９】
以上の工程により、図７に示す発光装置１００を形成することができる。
【０１６０】
以上、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１６１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示装置について、図１７を用
いて説明を行う。
【０１６２】
なお、図１７（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図１
７（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
【０１６３】
図１７（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２と
いう）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０
６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成とし
てもよい。
【０１６４】
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４
の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
【０１６５】
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回
路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、ゲートドライバ
８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、ソースドライバ８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
【０１６６】
ゲートドライバ８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。ゲートドライバ８０４ａは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、ゲートドライバ８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。ゲートドライバ８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、ゲート
ドライバ８０４ａを複数設け、複数のゲートドライバ８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃
至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、ゲートドライバ８０４ａは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、ゲートドライバ８０
４ａは、別の信号を供給することも可能である。
【０１６７】
ソースドライバ８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。ソースドライバ８０４ｂは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。ソースドライバ８０４ｂは、画像信号を元に画素回路
８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、ソースドライバ８０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有す
る。または、ソースドライバ８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、ソースドライバ８０４ｂは、別の信号を供給することも
可能である。
【０１６８】
ソースドライバ８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。
ソースドライバ８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。
【０１６９】
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、ゲートドライバ
８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列
目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介してゲートドライバ
８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（
ｎはＹ以下の自然数）を介してソースドライバ８０４ｂからデータ信号が入力される。
【０１７０】
図１７（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、ゲートドライバ８０４ａと画素回路８
０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、ソースドラ
イバ８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路８０６は、ゲートドライバ８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路８０６は、ソースドライバ８０４ｂと端子部８０７との間の配
線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０１７１】
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
【０１７２】
図１７（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、ゲートドライバ８０４ａに
保護回路８０６を接続した構成、またはソースドライバ８０４ｂに保護回路８０６を接続
した構成とすることもできる。あるいは、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成
とすることもできる。
【０１７３】
また、図１７（Ａ）においては、ゲートドライバ８０４ａとソースドライバ８０４ｂに
よって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、ゲートドライバ８０４ａのみを形成し、別途用意されたソースドライバ回路が形成
された基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実
装する構成としても良い。
【０１７４】
また、図１７（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図１７（Ｂ）に示す構成
とすることができる。
【０１７５】
図１７（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６
２と、発光素子８７２と、を有する。
【０１７６】
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（以下、データ線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８
５２のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電
気的に接続される。
【０１７７】
トランジスタ８５２は、オン状態またはオフ状態になることにより、データ信号のデー
タの書き込みを制御する機能を有する。
【０１７８】
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
【０１７９】
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０１８０】
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０１８１】
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
【０１８２】
発光素子８７２としては、実施の形態１に示す発光素子を用いることができる。
【０１８３】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
【０１８４】
図１７（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図１７（Ａ）に示すゲ
ートドライバ８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０１８５】
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０１８６】
また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持た
せてもよい。図１８（Ａ）（Ｂ）及び図１９（Ａ）（Ｂ）に画素回路の一例を示す。
【０１８７】
図１８（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０３＿１乃至３
０３＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図１８（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０１＿１乃至３０１＿５、並びに配線３０２＿１及び配線３０
２＿２が電気的に接続されている。なお、トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６につい
ては、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
【０１８８】
図１８（Ｂ）に示す画素回路は、図１８（Ａ）に示す画素回路に、トランジスタ３０３
＿７を追加した構成である。また、図１８（Ｂ）に示す画素回路には、配線３０１＿６及
び配線３０１＿７が電気的に接続されている。ここで、配線３０１＿５と配線３０１＿６
とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０３＿７について
は、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
【０１８９】
図１９（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０８＿１乃至３
０８＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図１９（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０６＿１乃至３０６＿３、並びに配線３０７＿１乃至３０７＿
３が電気的に接続されている。ここで配線３０６＿１と配線３０６＿３とは、それぞれ電
気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６については
、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
【０１９０】
図１９（Ｂ）に示す画素回路は、２つのトランジスタ（トランジスタ３０９＿１及びト
ランジスタ３０９＿２）と、２つの容量素子（容量素子３０４＿１及び容量素子３０４＿
２）と、発光素子３０５と、を有する。また、図１９（Ｂ）に示す画素回路には、配線３
１１＿１乃至配線３１１＿３、配線３１２＿１、及び配線３１２＿２が電気的に接続され
ている。また、図１９（Ｂ）に示す画素回路の構成とすることで、発光素子３０５を定電
圧定電流（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ：Ｃ
ＶＣＣ）駆動とすることができる。なお、トランジスタ３０９＿１及び３０９＿２につい
ては、例えばＰ型の極性のトランジスタを用いることができる。
【０１９１】
また、本発明の一態様の発光素子は、表示装置の画素に能動素子を有するアクティブマ
トリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式の
それぞれの方式に適用することができる。
【０１９２】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。
【０１９３】
アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素
子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留
まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用
いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図るこ
とが出来る。
【０１９４】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０１９５】
（実施の形態３）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光装置を有する表示パネル、及び該表示
パネルに入力装置を取り付けた電子機器について、図２０乃至図２４を用いて説明を行う
。
【０１９６】
＜タッチパネルに関する説明１＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示パネルと、入力装置とを合
わせたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセ
ンサを用いる場合について説明する。なお、本発明の一態様の発光装置を表示パネルの画
素に用いることができる。
【０１９７】
図２０（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図２０（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
【０１９８】
タッチパネル２０００は、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図
２０（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び
基板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれ
も可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０のいずれか
一つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
【０１９９】
表示パネル２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給すること
ができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０
９（１）と電気的に接続する。
【０２００】
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接
続される。なお、図２０（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０
と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している
。
【０２０１】
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０２０２】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０２０３】
なお、図２０（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセン
サを適用した構成である。
【０２０４】
なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することが
できる、様々なセンサを適用することができる。
【０２０５】
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０２０６】
電極２５９２は、図２０（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
【０２０７】
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
【０２０８】
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
【０２０９】
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りう
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
【０２１０】
なお、電極２５９１、電極２５９２、配線２５９８などの導電膜、つまり、タッチパネ
ルを構成する配線や電極に用いることのできる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸
化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネル
を構成する配線や電極に用いることのできる材料として、例えば、抵抗値が低い方が好ま
しい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲ
ン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、
直径が数ナノメール）複数の導電体を用いて構成されるような金属ナノワイヤを用いても
よい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇ
ナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッ
シュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤ
を用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１０
０Ω／□以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線や電極に
用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチ
ューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（
例えば、画素電極または共通電極など）として用いてもよい。
【０２１１】
＜表示パネルに関する説明＞
次に、図２１（Ａ）を用いて、表示パネル２５０１の詳細について説明する。図２１（
Ａ）は、図２０（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
【０２１２】
表示パネル２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示
素子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
【０２１３】
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／（ｍ
２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する
材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基板２５７０の
熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率が１×１０−
３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下で
ある材料を好適に用いることができる。
【０２１４】
なお、基板２５１０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性
基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａ及び可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層２
５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、発光素子への不純物の拡散
を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａ及び可撓性基板
２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。
【０２１５】
接着層２５１０ｃ及び接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレ
タン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を
用いることができる。
【０２１６】
また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０
は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図２１（Ａ）に示すように、封止
層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学素子を兼ねることができる。
【０２１７】
また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いるこ
とにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、及びシール材で囲まれた領域
に発光素子２５５０を有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、不
活性気体（窒素やアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥材を
設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。また、上述のシール材としては、例えば
、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料
としては、水分や酸素を透過しない材料を用いると好適である。
【０２１８】
また、表示パネル２５０１は、画素２５０２を有する。また、画素２５０２は発光モジ
ュール２５８０を有する。
【０２１９】
画素２５０２は、発光素子２５５０と、発光素子２５５０に電力を供給することができ
るトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回路の一
部として機能する。また、発光モジュール２５８０は、発光素子２５５０と、着色層２５
６７Ｒとを有する。
【０２２０】
発光素子２５５０は、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層とを
有する。発光素子２５５０として、例えば、実施の形態１に示す発光素子を適用すること
ができる。なお、図面においては、発光素子２５５０が一つしか図示していないが、実施
の形態１に示すように２つ以上の発光素子を有する構成とすればよい。
【０２２１】
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発
光素子２５５０と着色層２５６７Ｒに接する。
【０２２２】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。これにより、発光素子２
５５０が発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モ
ジュール２５８０の外部に射出される。
【０２２３】
また、表示パネル２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる
。遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
【０２２４】
着色層２５６７Ｒとしては、特定の波長帯域の光を透過する機能を有していればよく、
例えば、赤色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長帯域の光を
透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を
用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法な
どで形成することができる。
【０２２５】
また、表示パネル２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトラ
ンジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化
するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与
してもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下
を抑制できる。
【０２２６】
また、発光素子２５５０は、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２５
５０が有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。なお
、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に形成
してもよい。
【０２２７】
走査線駆動回路２５０３ｇは、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有
する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。
【０２２８】
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、
クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２
５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０２２９】
また、表示パネル２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。
図２１（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示
しているが、これに限定されず、例えば、図２１（Ｂ）に示す、トップゲート型のトラン
ジスタを表示パネル２５０１に適用する構成としてもよい。
【０２３０】
また、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔの極性については、特に限
定はなく、Ｎ型およびＰ型のトランジスタを有する構造、Ｎ型のトランジスタまたはＰ型
のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタ２
５０２ｔ及び２５０３ｔに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定はない。例え
ば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては
、１３族の半導体（例えば、ガリウムを有する半導体）、１４族の半導体（例えば、シリ
コンを有する半導体）、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いるこ
とができる。トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または
双方に、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましく
は３ｅＶ以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することが
できるため好ましい。当該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸
化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、またはＮｄを表す）等が挙げら
れる。
【０２３１】
＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図２１（Ｃ）を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図２１
（Ｃ）は、図２０（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図に相当する。
【０２３２】
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
【０２３３】
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０２３４】
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
【０２３５】
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０２３６】
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
【０２３７】
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
【０２３８】
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
【０２３９】
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０２４０】
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また
、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いること
ができる。
【０２４１】
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５
を保護してもよい。
【０２４２】
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
【０２４３】
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０２４４】
＜タッチパネルに関する説明２＞
次に、図２２（Ａ）を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図２２
（Ａ）は、図２０（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間の断面図に相当する。
【０２４５】
図２２（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図２１（Ａ）で説明した表示パネル２５
０１と、図２１（Ｃ）で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
【０２４６】
また、図２２（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図２１（Ａ）及び図２１（Ｃ）で
説明した構成の他、接着層２５９７と、反射防止層２５６７ｐと、を有する。
【０２４７】
接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッ
チセンサ２５９５が表示パネル２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に
貼り合わせている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層
２５９７としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば
、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いる
ことができる。
【０２４８】
反射防止層２５６７ｐは、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６７ｐとし
て、例えば円偏光板を用いることができる。
【０２４９】
次に、図２２（Ａ）に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図２２（Ｂ）を
用いて説明する。
【０２５０】
図２２（Ｂ）は、タッチパネル２００１の断面図である。図２２（Ｂ）に示すタッチパ
ネル２００１は、図２２（Ａ）に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対
するタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、
同様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
【０２５１】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０と重なる位置にある。また、図２２（Ｂ）に示
す発光素子２５５０は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する。こ
れにより、発光素子２５５０が発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に
示す矢印の方向の発光モジュール２５８０の外部に射出される。
【０２５２】
また、タッチセンサ２５９５は、表示パネル２５０１の基板２５１０側に設けられてい
る。
【０２５３】
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示パネル２５０１とタ
ッチセンサ２５９５を貼り合わせる。
【０２５４】
図２２（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光素子から射出される光は、基板の上面及び下面
のいずれか一方または双方に射出されればよい。
【０２５５】
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図２３を用いて説明を行う。
【０２５６】
図２３（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２３
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図２３（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図２３（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量
２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
【０２５７】
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルス電圧を印加するための
回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成す
る電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等
により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、ま
たは接触を検出することができる。
【０２５８】
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線
での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
【０２５９】
次に、図２３（Ｂ）には、図２３（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図２３（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うものとする。また図２３（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（
非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。な
おＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示して
いる。
【０２６０】
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
【０２６１】
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
【０２６２】
＜センサ回路に関する説明＞
また、図２３（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有するアクティブ
型のタッチセンサとしてもよい。アクティブ型のタッチセンサに含まれるセンサ回路の一
例を図２４に示す。
【０２６３】
図２４に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
【０２６４】
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
【０２６５】
次に、図２４に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトラン
ジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲー
トが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２と
してトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が
保持される。
【０２６６】
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化する
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
【０２６７】
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノ
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
【０２６８】
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リ
フレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
【０２６９】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０２７０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図２５及び図２６を用いて説明を行う。
【０２７１】
図２５に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を
有する。
【０２７２】
本発明の一態様の発光装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。
【０２７３】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示パネル
８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
【０２７４】
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示パネル
８００６に重畳して用いることができる。また、表示パネル８００６の対向基板（封止基
板）に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示パネル８
００６の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
【０２７５】
フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動
作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０２７６】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０２７７】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
【０２７８】
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５、接続端子９００６
、センサ９００７、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
【０２７９】
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵
）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【０２８０】
図２６（Ａ）乃至図２６（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０２８１】
図２６（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
【０２８２】
図２６（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
２６（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
やＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）や電話などの着信を知らせる表示
、電子メールやＳＮＳなどの題名、電子メールやＳＮＳなどの送信者名、日時、時刻、バ
ッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている
位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
【０２８３】
図２６（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０２８４】
図２６（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０２８５】
図２６（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図２６（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図２６
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図２６（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
【０２８６】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光装置は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部におい
ては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り
畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面
部に表示を行う構成としてもよい。
【０２８７】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０２８８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について、図２７を用いて説明する。
【０２８９】
本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図２７（Ａ）に、図２７（Ａ）に示
す一点鎖線Ｅ−Ｆ間に相当する断面図を図２７（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図２７（
Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
【０２９０】
図２７（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発
光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第
１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。
【０２９１】
また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方
または双方から射出される。図２７（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発
光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。
【０２９２】
また、図２７（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第
１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とに、囲まれて配置される二重封止構
造である。二重封止構造とすることで、外部から不純物（例えば、水、酸素など）が発光
素子３００５側に入り込むことを、好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領
域３００７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封
止領域３００７のみの構成としてもよい。
【０２９３】
なお、図２７（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は
、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例え
ば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３０
０１の上方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
または、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板
３００３の下方に形成される絶縁膜、あるいは導電膜と接して設けられる構成としてもよ
い。
【０２９４】
基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態１に記載の基板１０
２と、基板１５２と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形
態１に記載の第１の発光素子乃至第３の発光素子のいずれか一つと同様の構成とすればよ
い。
【０２９５】
第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラ
スリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料
を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生
産性や封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含む
材料を用いることで、耐衝撃性や耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止領域
３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３００７
が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成されて
もよい。
【０２９６】
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、
酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸
化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン
、酸化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸
化マンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマ
ス、酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガ
ラス、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少
なくとも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
【０２９７】
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、
これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリ
ットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリ
ットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レー
ザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザや半導体レーザなどを用いることが好ましい。ま
た、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
【０２９８】
また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリ
アミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アク
リル樹脂、エポキシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いること
ができる。
【０２９９】
なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方
にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率
が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基
板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。
【０３００】
例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９
に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
【０３０１】
第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周
部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪
みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２
の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも
内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、
外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。
【０３０２】
また、図２７（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３０
０７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域は、第１の領域３０１１となる。また
、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００７に囲ま
れた領域は、第２の領域３０１３となる。
【０３０３】
第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス
等の不活性ガスが充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域
３０１３としては、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
【０３０４】
また、図２７（Ｂ）に示す構成の変形例を図２７（Ｃ）に示す。図２７（Ｃ）は、発光
装置３０００の変形例を示す断面図である。
【０３０５】
図２７（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける
構成である。それ以外の構成については、図２７（Ｂ）に示す構成と同じである。
【０３０６】
乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着に
よって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用い
ることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト、
シリカゲル等が挙げられる。
【０３０７】
次に、図２７（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例について、図２８（Ａ）（Ｂ）（
Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。なお、図２８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、図２７（Ｂ）
に示す発光装置３０００の変形例を説明する断面図である。
【０３０８】
図２８（Ａ）に示す発光装置は、第２の封止領域３００９を設けずに、第１の封止領域
３００７とした構成である。また、図２８（Ａ）に示す発光装置は、図２７（Ｂ）に示す
第２の領域３０１３の代わりに領域３０１４を有する。
【０３０９】
領域３０１４としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロ
ン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、もしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることができる。
【０３１０】
領域３０１４として、上述の材料を用いることで、いわゆる固体封止の発光装置とする
ことができる。
【０３１１】
また、図２８（Ｂ）に示す発光装置は、図２８（Ａ）に示す発光装置の基板３００１側
に、基板３０１５を設ける構成である。
【０３１２】
基板３０１５は、図２８（Ｂ）に示すように凹凸を有する。凹凸を有する基板３０１５
を、発光素子３００５の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子３００５か
らの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図２８（Ｂ）に示すような凹凸を
有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。
【０３１３】
また、図２８（Ｃ）に示す発光装置は、図２８（Ａ）に示す発光装置が基板３００１側
から光を取り出す構造であったのに対し、基板３００３側から光を取り出す構造である。
【０３１４】
図２８（Ｃ）に示す発光装置は、基板３００３側に基板３０１５を有する。それ以外の
構成は、図２８（Ｂ）に示す発光装置と同様である。
【０３１５】
また、図２８（Ｄ）に示す発光装置は、図２８（Ｃ）に示す発光装置の基板３００３、
３０１５を設けずに、基板３０１６を設ける構成である。
【０３１６】
基板３０１６は、発光素子３００５の近い側に位置する第１の凹凸と、発光素子３００
５の遠い側に位置する第２の凹凸と、を有する。図２８（Ｄ）に示す構成とすることで、
発光素子３００５からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。
【０３１７】
したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、水分や酸素などの不純物
による発光素子の劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施の
形態に示す構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することがで
きる。
【０３１８】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態、または実施例に示す構成と適宜組
み合わせることができる。
【０３１９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を様々な照明装置及び電子機器に適用す
る一例について、図２９を用いて説明する。
【０３２０】
本発明の一態様の発光装置を、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する
発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。
【０３２１】
また、本発明の一態様を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、
例えば、ダッシュボードや、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。
【０３２２】
図２９（Ａ）は、多機能端末３５００の一方の面の斜視図を示し、図２９（Ｂ）は、多
機能端末３５００の他方の面の斜視図を示している。多機能端末３５００は、筐体３５０
２に表示部３５０４、カメラ３５０６、照明３５０８等が組み込まれている。本発明の一
態様の発光装置を照明３５０８に用いることができる。
【０３２３】
照明３５０８は、本発明の一態様の発光装置を用いることで、面光源として機能する。
したがって、ＬＥＤに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例え
ば、照明３５０８とカメラ３５０６とを組み合わせて用いる場合、照明３５０８を点灯ま
たは点滅させて、カメラ３５０６により撮像することができる。照明３５０８としては、
面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することがで
きる。
【０３２４】
なお、図２９（Ａ）、（Ｂ）に示す多機能端末３５００は、図２６（Ａ）乃至図２６（
Ｇ）に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。
【０３２５】
また、筐体３５０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角
速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの）、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末３５００の内部に、
ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多
機能端末３５００の向き（縦か横か）を判断して、表示部３５０４の画面表示を自動的に
切り替えるようにすることができる。
【０３２６】
表示部３５０４は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部３
５０４に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部３５０４に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部３５
０４に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。
【０３２７】
図２９（Ｃ）は、防犯用のライト３６００の斜視図を示している。ライト３６００は、
筐体３６０２の外側に照明３６０８を有し、筐体３６０２には、スピーカ３６１０等が組
み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３６０８に用いることができる。
【０３２８】
ライト３６００としては、例えば、照明３６０８を握持する、掴持する、または保持す
ることで発光することができる。また、筐体３６０２の内部には、ライト３６００からの
発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、１回
または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御す
ることで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明３６０８の発光と
同時に、スピーカ３６１０から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよ
い。
【０３２９】
ライト３６００としては、あらゆる方向に発光することが可能なため、例えば、暴漢等
に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト３６００にデジタルス
チルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。
【０３３０】
以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して照明装置及び電子機器を得る
ことができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに
限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０３３１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
【符号の説明】
【０３３２】
１００    発光装置
１０１Ｂ    発光素子
１０１Ｇ    発光素子
１０１Ｒ    発光素子
１０１Ｙ    発光素子
１０２    基板
１０４Ｂ    下部電極
１０４Ｇ    下部電極
１０４Ｒ    下部電極
１０４Ｙ    下部電極
１０６Ｂ    透明導電層
１０６Ｇ    透明導電層
１０６Ｒ    透明導電層
１０６Ｙ    透明導電層
１０８    発光層
１１０    発光層
１１２    上部電極
１１４    上部電極
１３１    正孔注入層
１３２    正孔輸送層
１３３    電子輸送層
１３４    正孔注入層
１３５    正孔輸送層
１３６    電子輸送層
１３７    隔壁
１４１ａ    電荷発生層
１４１ｂ    電荷発生層
１５２    基板
１５４    遮光層
１５６Ｂ    光学素子
１５６Ｇ    光学素子
１５６Ｒ    光学素子
１５６Ｙ    光学素子
１７０    トランジスタ
１７２    ゲート電極
１７４    ゲート絶縁層
１７６    半導体層
１７８    ソース電極
１８０    ドレイン電極
１８２    絶縁層
１８４    絶縁層
１８６    絶縁層
３０１＿１    配線
３０１＿５    配線
３０１＿６    配線
３０１＿７    配線
３０２＿１    配線
３０２＿２    配線
３０３＿１    トランジスタ
３０３＿６    トランジスタ
３０３＿７    トランジスタ
３０４    容量素子
３０４＿１    容量素子
３０４＿２    容量素子
３０５    発光素子
３０６＿１    配線
３０６＿３    配線
３０７＿１    配線
３０７＿３    配線
３０８＿１    トランジスタ
３０８＿６    トランジスタ
３０９＿１    トランジスタ
３０９＿２    トランジスタ
３１１＿１    配線
３１１＿３    配線
３１２＿１    配線
３１２＿２    配線
８０１    画素回路
８０２    画素部
８０４    駆動回路部
８０４ａ    ゲートドライバ
８０４ｂ    ソースドライバ
８０６    保護回路
８０７    端子部
８５２    トランジスタ
８５４    トランジスタ
８６２    容量素子
８７２    発光素子
２０００    タッチパネル
２００１    タッチパネル
２５０１    表示パネル
２５０２    画素
２５０２ｔ    トランジスタ
２５０３ｃ    容量素子
２５０３ｇ    走査線駆動回路
２５０３ｔ    トランジスタ
２５０９    ＦＰＣ
２５１０    基板
２５１０ａ    絶縁層
２５１０ｂ    可撓性基板
２５１０ｃ    接着層
２５１１    配線
２５１９    端子
２５２１    絶縁層
２５２８    隔壁
２５５０    発光素子
２５６０    封止層
２５６７ＢＭ    遮光層
２５６７ｐ    反射防止層
２５６７Ｒ    着色層
２５７０    基板
２５７０ａ    絶縁層
２５７０ｂ    可撓性基板
２５７０ｃ    接着層
２５８０    発光モジュール
２５９０    基板
２５９１    電極
２５９２    電極
２５９３    絶縁層
２５９４    配線
２５９５    タッチセンサ
２５９７    接着層
２５９８    配線
２５９９    接続層
２６０１    パルス電圧出力回路
２６０２    電流検出回路
２６０３    容量
２６１１    トランジスタ
２６１２    トランジスタ
２６１３    トランジスタ
２６２１    電極
２６２２    電極
３０００    発光装置
３００１    基板
３００３    基板
３００５    発光素子
３００７    封止領域
３００９    封止領域
３０１１    領域
３０１３    領域
３０１４    領域
３０１５    基板
３０１６    基板
３０１８    乾燥剤
３５００    多機能端末
３５０２    筐体
３５０４    表示部
３５０６    カメラ
３５０８    照明
３６００    ライト
３６０２    筐体
３６０８    照明
３６１０    スピーカ
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチセンサ
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示パネル
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
９０００    筐体
９００１    表示部
９００３    スピーカ
９００５    操作キー
９００６    接続端子
９００７    センサ
９００８    マイクロフォン
９０５０    操作ボタン
９０５１    情報
９０５２    情報
９０５３    情報
９０５４    情報
９０５５    ヒンジ
９１００    携帯情報端末
９１０１    携帯情報端末
９１０２    携帯情報端末
９２００    携帯情報端末
９２０１    携帯情報端末
【図１】
2020074330.tif 000003
【図２】
2020074330.tif 000004
【図３】
2020074330.tif 000005
【図４】
2020074330.tif 000006
【図５】
2020074330.tif 000007
【図６】
2020074330.tif 000008
【図７】
2020074330.tif 000009
【図８】
2020074330.tif 000010
【図９】
2020074330.tif 000011
【図１０】
2020074330.tif 000012
【図１１】
2020074330.tif 000013
【図１２】
2020074330.tif 000014
【図１３】
2020074330.tif 000015
【図１４】
2020074330.tif 000016
【図１５】
2020074330.tif 000017
【図１６】
2020074330.tif 000018
【図１７】
2020074330.tif 000019
【図１８】
2020074330.tif 000020
【図１９】
2020074330.tif 000021
【図２０】
2020074330.tif 000022
【図２１】
2020074330.tif 000023
【図２２】
2020074330.tif 000024
【図２３】
2020074330.tif 000025
【図２４】
2020074330.tif 000026
【図２５】
2020074330.tif 000027
【図２６】
2020074330.tif 000028
【図２７】
2020074330.tif 000029
【図２８】
2020074330.tif 000030
【図２９】
2020074330.tif 000031