(57)【要約】【課題】研削等の後の基板を仕上げ研磨するときに、研磨レートが向上する研磨液を提供すること。【解決手段】本発明の研磨液は、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下のシリカ質基板を研磨するために用いられる。研磨液は、セリア砥粒と、シリカ砥粒と、水とを含む。セリア砥粒の平均粒径Ｄ５０は１２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である。記シリカ砥粒の平均粒径Ｄ５０は４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下である。研磨液中のセリア砥粒に対するシリカ砥粒の質量比であるシリカ砥粒／セリア砥粒の値が４／１００以上１５０／１００以下である。研磨液中のセリア砥粒の含有量は０．２５質量％以上２．５質量％以下である。研磨液中のシリカ砥粒の含有量は０．１質量％以上１．５質量％以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を研磨するために用いられる研磨液であって、
セリア砥粒と、シリカ砥粒と、水とを含み、
前記セリア砥粒の平均粒径Ｄ５０が１２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、
前記シリカ砥粒の平均粒径Ｄ５０が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であり、
前記セリア砥粒に対する前記シリカ砥粒の質量比であるシリカ砥粒／セリア砥粒の値が４／１００以上１５０／１００以下であり、
前記セリア砥粒の含有量が０．２５質量％以上２．５質量％以下であり、
前記シリカ砥粒の含有量が０．１質量％以上１．５質量％以下である、研磨液。
【請求項２】
セリア砥粒と、シリカ砥粒と、水とを含む研磨スラリー調製用濃縮液であって、
前記セリア砥粒の平均粒径Ｄ５０が１２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、
前記シリカ砥粒の平均粒径Ｄ５０が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であり、
前記セリア砥粒に対する前記シリカ砥粒の質量比であるシリカ砥粒／セリア砥粒の値が４／１００以上１５０／１００以下であり、
前記研磨スラリー調製用濃縮液は、これを水で希釈することによって、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を研磨するための研磨液として用いられるものであり、
前記研磨スラリー調製用濃縮液は、これを水で５倍以上５０倍以下に希釈して研磨液としたときの、該研磨液での前記セリア砥粒の含有量が０．２５質量％以上２．５質量％以下となり、且つ前記シリカ砥粒の含有量が０．１質量％以上１．５質量％以下となる量の前記シリカ砥粒及び前記セリア砥粒を含有している、研磨スラリー調製用濃縮液。
【請求項３】
ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を、研磨液を用いて研磨する工程を備える研磨処理物品の製造方法であって、
前記研磨液として、請求項１に記載の研磨液を用いるか、又は請求項２に記載の研磨スラリー調製用濃縮液を水で希釈して得た研磨液を用いる、研磨処理物品の製造方法。
【請求項４】
ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下の基板を、研磨液を用いて研磨する工程を備えるであるシリカ質材料からなる基板の研磨方法であって、
前記研磨液として、請求項１に記載の研磨液を用いるか、又は請求項２に記載の研磨スラリー調製用濃縮液を水で希釈して得た研磨液を用いる、シリカ質材料からなる基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリカ質材料からなる基板の研磨液に関する。また本発明は、該研磨液の濃縮液、該研磨液を用いる研磨処理物品の製造方法及び該研磨液を用いる基板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン等の携帯端末用のイメージセンサーには、端末の薄型化を目的として、カバーガラスを含めたセンサーの薄型化が求められている。この目的のために、イメージセンサーのカバーガラスは、これを研削して薄化した後、ガラス表面に傷等がないように、仕上げ研磨によって平滑化される。
【０００３】
ガラス基板を研磨する目的で、セリア砥粒及びシリカ粒子を含んだ研磨液を使用することが知られている（特許文献１参照）。この研磨液によれば、非晶質ガラス基板の研磨において、研磨速度の向上と、研磨後の基板表面の表面粗さ、ピット、及び傷の低減を実現できると、同文献には記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１４３８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の研磨液を用いた場合であっても、ガラス基板の表面状態によっては、研磨に時間を要する場合がある。したがって本発明の課題は、研削等の後のガラス基板を仕上げ研磨するときの研磨レートが向上し得る研磨液を提供することにある。
【０００６】
本発明者らは鋭意研究を積み重ねた結果、所定の表面状態になっているシリカ質基板を仕上げ研磨するときに、所定の粒径のセリア砥粒と、所定の粒径のシリカ砥粒とを、研磨液中に所定の含有割合で、且つ各砥粒を所定の範囲の含有量で含む研磨液を用いることによって、前記課題が解決されることを見出した。
【０００７】
本発明は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を研磨するために用いられる研磨液であって、
セリア砥粒と、シリカ砥粒と、水とを含み、
前記セリア砥粒の平均粒径Ｄ５０が１２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、
前記シリカ砥粒の平均粒径Ｄ５０が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であり、
前記セリア砥粒に対する前記シリカ砥粒の質量比であるシリカ砥粒／セリア砥粒の値が４／１００以上１５０／１００以下であり、
前記セリア砥粒の含有量が０．２５質量％以上２．５質量％以下であり、
前記シリカ砥粒の含有量が０．１質量％以上１．５質量％以下である、研磨液を提供することにより前記の課題を解決したものである。
【０００８】
また、本発明は、セリア砥粒と、シリカ砥粒と、水とを含む研磨スラリー調製用濃縮液であって、
前記セリア砥粒の平均粒径Ｄ５０が１２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、
前記シリカ砥粒の平均粒径Ｄ５０が４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であり、
前記セリア砥粒に対する前記シリカ砥粒の質量比であるシリカ砥粒／セリア砥粒の値が４／１００以上１５０／１００以下であり、
前記研磨スラリー調製用濃縮液は、これを水で希釈することによって、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を研磨するための研磨液として用いられるものであり、
前記研磨スラリー調製用濃縮液は、これを水で５倍以上５０倍以下に希釈して研磨液としたときの、該研磨液での前記セリア砥粒の含有量が０．２５質量％以上２．５質量％以下となり、且つ前記シリカ砥粒の含有量が０．１質量％以上１．５質量％以下となる量の前記シリカ砥粒及び前記セリア砥粒を含有している、研磨スラリー調製用濃縮液である。
【０００９】
また、本発明は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を、研磨液を用いて研磨する工程を備える研磨処理物品の製造方法であって、前記研磨液として、請求項１に記載の研磨液を用いるか、又は請求項２に記載の研磨スラリー調製用濃縮液を水で希釈して得た研磨液を用いる、研磨処理物品の製造方法を提供するものである。
【００１０】
更に本発明は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるシリカ質材料からなる基板を、研磨液を用いて研磨する工程を備える基板の研磨方法であって、前記研磨液として、請求項１に記載の研磨液を用いるか、又は請求項２に記載の研磨スラリー調製用濃縮液を水で希釈して得た研磨液を用いる、基板の研磨方法を提供するものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、シリカ質材料からなる基板を研削等した後に仕上げ研磨するときの研磨レートが向上する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。本発明の研磨液は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下の基板を研磨するために用いられるものである。この基板はシリカ質材料からなるものである。以下、簡便のため、本発明で研磨の対象となる基板のことを「シリカ質基板」ともいう。シリカ質基板は、その表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下の状態になっていれば、その表面状態を実現するための加工手段に特に制限はない。加工手段の例としては、砥石を用いる研削処理やラッピング処理が挙げられる。本発明者の検討の結果、シリカ質材料からなる基板の表面粗さＲａが上述の範囲の状態で、後述する研磨液を用いて該基板を仕上げ研磨すると、意外にも高研磨レートが達成されることが判明した。この観点から、仕上げ研磨に付されるシリカ質基板の表面粗さＲａは、０．２μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以下であることが更に好ましい。表面粗さＲａの下限値は、仕上げ研磨後の表面粗さとの関係から、０．０１μｍ以上であることが好ましく、０．０２μｍ以上であることが更に好ましい。仕上げ研磨とは、研磨対象物の表面粗さＲａを０．００３μｍ以下の表面状態にする操作のことである。
【００１３】
シリカ質基板の表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準じ、ＡＦＭ「品番：ＤＩＭＥＮＳＩＯＮ  Ｉｃｏｎ」（ブルカー社製）によって測定される。測定結果は、同社のソフトウエア「Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ」を用いて解析する。測定条件は、測定範囲：１０μｍ×１０μｍ、測定点：２５６ライン、スキャンレート：約１Ｈｚとする。
【００１４】
上述のとおり基板はシリカ質材料からなるものである。「シリカ質材料」とは、シリカ（ＳｉＯ２）を繰り返し単位として有する無機重合体のことである。シリカ質材料は結晶質のものであってもよく、あるいは非晶質のものであってもよい、結晶質のシリカ質材料としては例えば石英が挙げられる。一方、非晶質のシリカ質材料としては、シリカ質ガラス材料、例えばケイ酸ガラス、石英ガラス、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス等が挙げられるが、これらに限られない。
【００１５】
上述したシリカ質基板を研磨するために用いられる本発明の研磨液は、セリア砥粒と、シリカ砥粒と、水とを含んでいる。以下、これらの成分について詳述する。
【００１６】
セリア砥粒は、酸化セリウム（ＣｅＯ２）の粒子からなる。セリア砥粒としては、公知の各種製造方法によって得られたものが特に制限なく使用できる。例えば純度９９質量％以上の高純度炭酸セリウム塩又は高純度硝酸セリウム塩を出発原料とし、これらを焼成した後に粉砕して得られる酸化セリウム粒子が使用できる。あるいは、水酸化セリウムの水性スラリーを調製し、これをオートクレーブに入れて１００℃以上の温度で自生圧力下に水熱処理することにより得られるコロイダルセリアが使用できる。
【００１７】
セリア砥粒は、仕上げ研磨時の研磨レートを向上させる観点から、その平均粒径Ｄ５０が、１２０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であることが好ましく、３５０ｎｍ以上５２０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが特に好ましい。平均粒径Ｄ５０とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定法又は動的光散乱式粒度分布測定法など、各粒度分布範囲の測定に適した測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０のことである。以下「Ｄ５０」というときには、これらの方法で測定された粒径のことを意味する。
【００１８】
研磨液中のセリア砥粒の含有量は、仕上げ研磨時の研磨レートを向上させる観点から、０．２５質量％以上２．５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上２．０質量％以下であることが更に好ましく、１．０質量％以上１．５質量％以下であることが特に好ましい。
【００１９】
セリア砥粒とともに用いられるシリカ砥粒は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の粒子からなる。シリカ砥粒としては、例えばコロイダルシリカ粒子、ヒュームドシリカ粒子、表面修飾したシリカ粒子等が挙げられる。仕上げ研磨時に発生する可能性のある研磨傷を抑制する観点から、シリカ砥粒としてコロイダルシリカ粒子が好ましく使用できる。
【００２０】
コロイダルシリカ粒子としては、公知の各種製造方法によって得られたものを特に制限なく使用できる。例えば、ケイ酸ナトリウム等のケイ酸アルカリ金属塩を原料とし、これを水中で縮合反応させて粒子を成長させる水ガラス法で得られたものが使用できる。あるいは、テトラエトキシシラン等のアルコキシシランを原料とし、アルコール等の水溶性有機溶媒を含有する水中で縮合反応させて成長させるアルコキシシラン法で得られたものが使用できる。
【００２１】
仕上げ研磨時の研磨レートを向上させる観点から、シリカ砥粒は、その平均粒径Ｄ５０が、４０ｎｍ以上１４０ｎｍ以下であることが好ましく、６０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることが更に好ましく、７０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが特に好ましい。
【００２２】
研磨液中のシリカ砥粒の含有量は、仕上げ研磨時の研磨レートを向上させる観点から、０．１質量％以上１．５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上１．２質量％以下であることが更に好ましく、０．８質量％以上１．０質量％以下であることが特に好ましい。
【００２３】
研磨液中のシリカ砥粒及びセリア砥粒それぞれの含有量は上述の範囲であるところ、セリア砥粒に対するシリカ砥粒の質量比である、シリカ砥粒／セリア砥粒の値も仕上げ研磨時の研磨レートの向上に寄与する。この観点から、シリカ砥粒／セリア砥粒の値は、４／１００以上１５０／１００以下であることが好ましく、５０／１００以上１２０／１００以下であること更に好ましく、８０／１００以上１００／１００以下であることが特に好ましい。
【００２４】
本発明の研磨液において、セリア砥粒及びシリカ砥粒以外の砥粒を含有することは、発明の効果を損なわない限り許容される。しかし、研削等を行った後のシリカ質基板を仕上げ研磨するときの研磨レートを向上させる効果を一層顕著なものとする観点から、研磨液中に含有される砥粒は、セリア砥粒及びシリカ砥粒のみであることが好ましい。
【００２５】
水としては、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。研磨液中の水の含有量は、仕上げ研磨するときに研磨レートを向上させる観点から、９５質量％以上９８質量％以下であることが好ましい。本発明の研磨液には、本発明の効果を損なわない限りにおいて水以外の液媒体が含まれていてもよいが、シリカ質基板を仕上げ研磨するときの研磨レートを向上させる効果を一層顕著なものとする観点から、液媒体は水のみであることが好ましい。
【００２６】
前記研磨液には、上述した成分以外に、必要に応じて添加剤を含有させることができる。添加剤としては、例えばｐＨ調整剤、粘度調整剤、キレート剤、消泡剤、界面活性剤、防錆剤、防腐剤等が挙げられる。これらの成分は、単独又は２種以上を混合して用いることができる。
【００２７】
本発明の研磨液は、例えば、セリア砥粒、シリカ砥粒、及び必要に応じてｐＨ調整剤等の添加剤を、水とともに攪拌混合することによって調製できる。各成分を混合する順番や、混合するときの温度、混合時間等は、特に制限されない。
【００２８】
本発明においては、予め研磨スラリー調製用濃縮液を調製しておき、この濃縮液を水で所定倍率に希釈することで、上述した濃度のセリア砥粒及びシリカ砥粒を含む研磨液を調製してもよい。上述した研磨液を直接調製することに代えて、その濃縮液を調製することで、貯蔵・運搬・保管等に係るコストを抑制できるという利点がある。濃縮液は、研磨の直前に希釈して研磨液とすることができる。あるいは、仕上げ研磨に用いられる研磨定盤上に濃縮液と水とを供給し、該研磨定盤上で研磨液を調製するようにしてもよい。
【００２９】
濃縮液は、これを水で５倍以上５０倍以下に希釈して研磨液とすることが好ましい。希釈倍率がＸ倍とは、１質量部の濃縮液に対してＸ−１質量部の水を加えて希釈することを意味する。濃縮液は、これを水で所定倍率に希釈して研磨液としたときに、該研磨液中での前記セリア砥粒の含有量が上述した範囲となる量のセリア砥粒及びシリカ砥粒を含有している。また、濃縮液中のセリア砥粒に対するシリカ砥粒の質量比であるシリカ砥粒／セリア砥粒の値は、上述した研磨液中のシリカ砥粒／セリア砥粒の値と同様である。
【００３０】
本発明の研磨液によって仕上げ研磨するときに研磨レートが向上するという効果が実現できる理由は明らかではないが、以下のように推定される。すなわち、基板表面の結晶相の崩れによりセリア粒子の固相反応による化学的研磨力が作用しづらい中、シリカ粒子を添加することによって、シリカ粒子の物理的研磨力が作用し、基板表面の結晶相をより早く整えることとなり、セリア粒子の固相反応による化学的研磨力が促進され、０．２μｍ以下の表面粗さの基板を研磨するときの研磨レートが向上する。ただし、前記メカニズムは推定によるものであり、本発明は前記メカニズムに限定して解釈されない。
【００３１】
本発明においては、上述した研磨液を用いてシリカ質基板を研磨する研磨方法が行われる。また上述した基板を用いてシリカ質基板を研磨することで、研磨処理物品が製造される。かかる研磨方法を行う場合、又は研磨処理物品の製造を行う場合には通常の研磨装置を使用できる。研磨装置としては、基板を保持するキャリアと、研磨布が固定された研磨パッドとを備えた片面研磨装置、あるいは両面研磨装置等を用いることができる。片面研磨装置は、キャリアで基板を保持し、該装置に設けられた定盤の上に固定された研磨パッドに前記研磨液を滴下しながら、基板及び研磨パッドを相対運動させることで基板の片面を研磨する装置である。両面研磨装置は、キャリアで基板を保持し、該装置に設けられた上定盤に固定された研磨パッドと下定盤に固定された研磨パッドとの間に前記研磨液を滴下しながら、基板及び研磨パッドを相対運動させることで基板の両面を研磨する装置である。研磨パッド、研磨液、及び基板の摩擦による物理的作用と、研磨液が基板にもたらす化学的作用とによって基板が研磨される。
【００３２】
研磨パッドとしては、特に限定されず、ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等の材質のパッド等を用いてもよい。
【００３３】
シリカ質基板は、前記研磨液を用いてこれを仕上げ研磨する前に、砥石を用いた研削工程やラッピング工程（粗研磨工程）に付される。これによってシリカ基板は、その表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下に調整される。仕上げ研磨は、これらの工程の直後に行われることが好ましい。「直後」とは、砥石を用いた加工工程と、本発明の研磨液を用いた仕上げ研磨工程との間に、何らの工程も介在しないことを意味する。
【００３４】
研磨装置を用いてシリカ質基板を仕上げ研磨するときには、表面粗さＲａが０．０１μｍ以上０．２μｍ以下に調整された直後のシリカ質基板を保持具で保持する。そして、シリカ質基板と研磨パッドとの間に本発明の研磨液を供給しながら、シリカ質基板の表面に研磨パッドを所定の圧力で押し付ける。この状態下に研磨パッド及び／又は保持具を回転させることによって、シリカ質基板を仕上げ研磨する。
【００３５】
シリカ質基板と研磨パッドとの間への前記研磨液の供給量は、コストの観点から、該基板の表面１ｃｍ２あたり、０．０７ｍＬ／分以上０．６４ｍＬ／分以下であることが好ましく、０．２１ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下であることが更に好ましい。研磨パッドをシリカ質基板に押し付ける圧力（研磨荷重）は、基板の耐荷重の観点から、２０ｋＰａ以上３０ｋＰａ以下であることが好ましく、２３ｋＰａ以上２８ｋＰａ以下であることが更に好ましい。研磨パッドの回転速度は、シリカ質基板の具体的な種類や、使用する研磨装置によっても異なるが、一般的に言って３０ｒｐｍ以上８０ｒｐｍ以下であることが好ましく、４５ｒｐｍ以上６５ｒｐｍ以下であることが更に好ましい。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「％」は「質量％」を意味する。
【００３７】
〔実施例１〕
平均粒径Ｄ５０が１５０ｎｍのセリア砥粒と、平均粒径Ｄ５０が８０ｎｍのシリカ砥粒とを、蒸留水とともに攪拌混合することによって、セリア砥粒の含有量が１．０％に調整され、且つシリカ砥粒の含有量が１．０％に調整された研磨液を得た。
【００３８】
〔実施例２ないし２１、及び比較例１ないし１０〕
セリア砥粒及びシリカ砥粒の平均粒径Ｄ５０及び含有量を表１に示す値にした以外は実施例１と同様にして研磨液を調製した。
【００３９】
〔評価〕
実施例１ないし２１の研磨液、比較例１ないし１０の研磨液を用いた仕上げ研磨の研磨量を下記方法により測定した。
【００４０】
＜研削後のシリカ質基板の準備＞
ホウケイ酸ガラスの板ガラスからなる基板（独国ショット社製のテンパックス硝子  直径１２インチ  厚さ７００μｍ）を準備した。この基板を、株式会社ディスコ製の研磨装置である「ＤＧＰ８７６１ＣＭＰ」（製品名）を用いて研削した。粗上げ部において♯３２０レジンボンドの砥石を研削ホイールに用いて基板の表面から５０μｍの位置まで研削した後、次に、仕上げ研削部に基板を搬送し、♯１０００レジンボンドの砥石を研削ホイールに用いて、研削後の表面から３０μｍの位置まで更に研削して、表面粗さＲａを０．１５μｍとした。
【００４１】
＜研削後のシリカ質基板の研磨＞
研削後の基板を、研磨液を用いて仕上げ研磨した。研磨装置には株式会社ディスコ製の「ＤＧＰ８７６１ＣＭＰ」（製品名）を用い、研磨パッドには同社製の「Ｓ-ＰＡＤ」（製品名）を用いた。研磨条件は以下のとおりとした。仕上げ研磨後の基板を洗浄、乾燥した後、ＡＮＤ社製の「ＧＦ−６００」（製品名）を用いて重量変化を測定し、研磨量（μｍ）を算出した。その結果を下記表１に示した。なお、仕上げ研磨後の基板の表面粗さＲａは０．００１μｍであった。
研磨条件
・研磨パッドの回転速度：５００ｒｐｍ
・基板の回転速度：５０５ｒｐｍ
・研磨荷重：２５ｋＰａ
・研磨液の供給量：２５０ｍＬ／分（研磨対象面１ｃｍ２あたり０．３５ｍＬ／分）
・研磨時間：２分
【００４２】
【表１】
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【００４３】
表１に示す結果から明らかなとおり、各実施例の研磨液を用いてシリカ質基板を仕上げ研磨したときの研磨量は、比較例の研磨液を用いた場合に比べて多いことが判る。比較例１〜４、６、９及び１０の研磨液を用いた場合には、該研磨液中にセリア砥粒のみが含まれ、シリカ砥粒が含まれていないことに起因して、研磨量が少なくなっている。比較例５の研磨液を用いた場合には、シリカ砥粒の粒径が過度に小さいことに起因して、研磨量が少なくなっている。比較例７及び８の研磨液を用いた場合には、セリア砥粒の含有量が過度に多いことに起因して、研磨量が少なくなっている。