(57)【要約】【課題】発光素子の発する光の乱反射が抑制されたチップの製造を可能とするパッケージ基板の加工方法を提供する。【解決手段】ベース基板と、ベース基板の、分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれ搭載された発光素子と、透光性を有し発光素子を覆うモールド樹脂と、を備えるパッケージ基板の加工方法であって、第１切削ブレードを分割予定ラインに沿ってパッケージ基板に切り込ませ、ベース基板を切断せずにモールド樹脂を切断してパッケージ基板に切削溝を形成する溝形成ステップと、第２切削ブレードを、切削溝の内部で露出するモールド樹脂の側面に切り込ませる切り込みステップと、第３切削ブレードを、モールド樹脂の側面と接触させずに切削溝に沿ってベース基板に切り込ませ、パッケージ基板を分割予定ラインに沿って切断する切断ステップと、を備える。【選択図】図４
2020064935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
該ベース基板の、分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれ搭載された発光素子と、
透光性を有し該発光素子を覆うモールド樹脂と、を備えるパッケージ基板の加工方法であって、
該パッケージ基板の該ベース基板側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材を介してチャックテーブルで該パッケージ基板を保持し、第１砥粒を有する第１切削ブレードを該分割予定ラインに沿って該パッケージ基板に切り込ませ、該ベース基板を切断せずに該モールド樹脂を切断して該パッケージ基板に切削溝を形成する溝形成ステップと、
該第１砥粒よりも平均粒径が小さい第２砥粒を有する第２切削ブレードを、該切削溝の内部で露出する該モールド樹脂の側面に切り込ませる切り込みステップと、
該第２砥粒よりも平均粒径が大きい第３砥粒を有する第３切削ブレードを、該モールド樹脂の該側面と接触させずに該切削溝に沿って該ベース基板に切り込ませ、該パッケージ基板を該分割予定ラインに沿って切断する切断ステップと、
を備えることを特徴とするパッケージ基板の加工方法。
【請求項２】
該切り込みステップでは、該第２切削ブレードが該モールド樹脂に切り込む幅を、該第２砥粒の平均粒径の半分以下に設定することを特徴とする請求項１に記載のパッケージ基板の加工方法。
【請求項３】
該切り込みステップでは、該モールド樹脂の該側面に、該第２切削ブレードを複数回切り込ませることを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージ基板の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板を切断する際に用いられるパッケージ基板の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に代表される複数の発光素子をベース基板上に搭載し、透明な樹脂（モールド樹脂）で発光素子を被覆することにより、パッケージ基板が形成される。このパッケージ基板を分割予定ライン（ストリート）に沿って分割することにより、モールド樹脂によって覆われた発光素子をそれぞれ備える複数のチップが得られる。
【０００３】
パッケージ基板の分割には、例えば、被加工物を保持するチャックテーブルと、被加工物を切削する円環状の切削ブレードが装着される切削ユニットとを備える切削装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。チャックテーブルによってパッケージ基板を保持した状態で、切削ブレードを回転させてベース基板及びモールド樹脂に切り込ませることにより、パッケージ基板が切削されて複数のチップに分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−２６３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように切削装置を用いてパッケージ基板を分割する際には、発光素子を覆うモールド樹脂が切削ブレードによって切削される。このとき、切削ブレードを用いた切削によって形成されたモールド樹脂の側面には、微細な凹凸でなる加工痕（ソーマーク）が残留することがある。この場合、側面に加工痕が形成された状態のモールド樹脂によって発光素子が覆われたチップが製造される。
【０００６】
チップのモールド樹脂の側面に加工痕が残存していると、発光素子の発する光がモールド樹脂の側面で乱反射する。これにより、チップから光を特定の方向に向かって放出させることが困難となり、チップの品質が低下する。
【０００７】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、発光素子の発する光の乱反射が抑制されたチップの製造を可能とするパッケージ基板の加工方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、ベース基板と、該ベース基板の、分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれ搭載された発光素子と、透光性を有し該発光素子を覆うモールド樹脂と、を備えるパッケージ基板の加工方法であって、該パッケージ基板の該ベース基板側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介してチャックテーブルで該パッケージ基板を保持し、第１砥粒を有する第１切削ブレードを該分割予定ラインに沿って該パッケージ基板に切り込ませ、該ベース基板を切断せずに該モールド樹脂を切断して該パッケージ基板に切削溝を形成する溝形成ステップと、該第１砥粒よりも平均粒径が小さい第２砥粒を有する第２切削ブレードを、該切削溝の内部で露出する該モールド樹脂の側面に切り込ませる切り込みステップと、該第２砥粒よりも平均粒径が大きい第３砥粒を有する第３切削ブレードを、該モールド樹脂の該側面と接触させずに該切削溝に沿って該ベース基板に切り込ませ、該パッケージ基板を該分割予定ラインに沿って切断する切断ステップと、を備えるパッケージ基板の加工方法が提供される。
【０００９】
なお、好ましくは、該切り込みステップでは、該第２切削ブレードが該モールド樹脂に切り込む幅を、該第２砥粒の平均粒径の半分以下に設定する。また、好ましくは、該切り込みステップでは、該モールド樹脂の該側面に、該第２切削ブレードを複数回切り込ませる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一態様に係るパッケージ基板の加工方法では、第１砥粒を有する第１切削ブレードによってモールド樹脂を切断した後、第１砥粒よりも平均粒径の小さい第２砥粒を有する第２切削ブレードを、第１切削ブレードを用いた切削によって形成されたモールド樹脂の側面に切り込ませる。
【００１１】
この方法を用いると、第１切削ブレードによって加工痕が形成されたモールド樹脂の側面が第２切削ブレードによって研磨され、モールド樹脂の側面に残留する加工痕が除去される。これにより、発光素子の発する光の該側面における乱反射が抑制され、チップから光を特定の方向に向かって放出させやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ）はパッケージ基板を示す斜視図であり、図１（Ｂ）はパッケージ基板の一部を拡大して示す拡大斜視図である。
【図２】パッケージ基板を示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は第１切削ブレードによってパッケージ基板に切削溝が形成される様子を示す一部断面正面図であり、図３（Ｂ）は溝形成ステップを実施した後のパッケージ基板を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は第２切削ブレードがモールド樹脂の側面に切り込む様子を示す一部断面正面図であり、図４（Ｂ）は切り込みステップを実施した後のパッケージ基板を示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は第３切削ブレードによってパッケージ基板が切断される様子を示す一部断面正面図であり、図５（Ｂ）は切断ステップを実施した後のパッケージ基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して本実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法によって加工することが可能なパッケージ基板の構成例について説明する。図１（Ａ）はパッケージ基板１１を示す斜視図であり、図１（Ｂ）はパッケージ基板１１の一部を拡大して示す拡大斜視図である。
【００１４】
パッケージ基板１１は、表面１３ａ及び裏面１３ｂを備える板状のベース基板１３を備える。例えばベース基板１３は、ガラス繊維にエポキシ樹脂が含侵されたガラスエポキシ等でなり、平面視で矩形状に形成される。ただし、ベース基板１３の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。
【００１５】
ベース基板１３の表面１３ａ側には、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）に代表される複数の発光素子１５（図２参照）が搭載されている。また、発光素子１５は、発光素子１５が発する光に対して透光性を有する透明な樹脂でなるモールド樹脂１７によって覆われている。なお、パッケージ基板１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１９によって複数の領域１１ａに区画されており、発光素子１５はこの領域１１ａに配置されている。ただし、発光素子１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。
【００１６】
図２は、パッケージ基板１１を示す断面図である。図２に示すように、ベース基板１３の表面１３ａ側には、複数の発光素子１５を覆うようにモールド樹脂１７が形成されている。なお、図２では、発光素子１５がそれぞれ電極２１を介してベース基板１３の表面１３ａ上に配置されている例を示している。
【００１７】
パッケージ基板１１を分割予定ライン１９に沿って分割することにより、モールド樹脂１７によって覆われた発光素子１５をそれぞれ備える複数のチップが得られる。パッケージ基板１１の分割には、パッケージ基板１１を保持するチャックテーブルと、パッケージ基板１１を切削する円環状の切削ブレードが装着される切削ユニットとを備える切削装置等を用いることができる。
【００１８】
切削装置を用いてパッケージ基板１１を分割する際には、例えば図１（Ａ）に示すように、パッケージ基板１１が保護部材（粘着テープ）２３を介して環状フレーム２５によって支持される。具体的には、樹脂等の材料でなる円形の保護部材２３がベース基板１３の裏面１３ｂ側に貼着される。なお、保護部材２３はベース基板１３の裏面１３ｂよりも大きく、ベース基板１３は保護部材２３の中央部に貼着される。また、円形の開口２５ａを備える環状フレーム２５が、保護部材２３の外周部に貼着される。
【００１９】
そして、環状フレーム２５によって支持されたパッケージ基板１１を切削装置のチャックテーブルによって保持した状態で、切削ブレードを回転させてベース基板１３及びモールド樹脂１７に切り込ませる。これにより、パッケージ基板１１が切削されて複数のチップに分割される。
【００２０】
なお、切削装置を用いてパッケージ基板１１を分割する際には、発光素子１５を覆うモールド樹脂１７が切削ブレードによって切削される。このとき、切削ブレードを用いた切削によって形成されたモールド樹脂１７の側面には、微細な凹凸でなる加工痕（ソーマーク）が残留することがある。この場合、側面に加工痕が形成された状態のモールド樹脂１７によって発光素子１５が覆われたチップが製造される。
【００２１】
チップのモールド樹脂１７の側面に加工痕が残存していると、発光素子１５の発する光がモールド樹脂１７の側面で乱反射する。これにより、チップから光を特定の方向に向かって放出させることが困難となり、チップの品質が低下する。
【００２２】
そこで、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法では、第１砥粒を有する第１切削ブレードによってモールド樹脂１７を切断した後、第１砥粒よりも平均粒径の小さい第２砥粒を有する第２切削ブレードを、第１切削ブレードを用いた切削によって形成されたモールド樹脂１７の側面に切り込ませる。
【００２３】
この方法を用いると、第１切削ブレードによって加工痕が形成されたモールド樹脂１７の側面が第２切削ブレードによって研磨され、モールド樹脂１７の側面に残留する加工痕が除去される。これにより、発光素子１５の発する光の該側面における乱反射が抑制され、チップから光を特定の方向に向かって放出させやすくなる。
【００２４】
以下、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法の詳細について説明する。まず、図１（Ａ）に示すように、パッケージ基板１１のベース基板１３側に保護部材２３を貼着する（保護部材貼着ステップ）。
【００２５】
次に、第１砥粒を有する第１切削ブレードを分割予定ライン１９に沿ってパッケージ基板１１に切り込ませ、パッケージ基板１１に切削溝を形成する（溝形成ステップ）。図３（Ａ）は、第１切削ブレード１２によってパッケージ基板１１に切削溝１１ｂが形成される様子を示す一部断面正面図である。なお、溝形成ステップは切削装置２を用いて実施される。
【００２６】
切削装置２は、パッケージ基板１１を保持するチャックテーブル４を備える。チャックテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル４の下方には移動機構（不図示）が設けられており、この移動機構はチャックテーブル４を加工送り方向（第１水平方向）に移動させる。
【００２７】
チャックテーブル４の上面は、パッケージ基板１１を保持する保持面４ａを構成する。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）と接続されている。また、チャックテーブル４の周囲には、環状フレーム２５（図１（Ａ）参照）を固定する複数のクランプ（不図示）が設けられている。
【００２８】
チャックテーブル４の上方には、切削ユニット６が配置されている。切削ユニット６はハウジング８を備え、ハウジング８には加工送り方向に対して概ね垂直な方向に回転軸をとるスピンドル１０が収容されている。スピンドル１０の一方の先端部はハウジング８の外部に露出しており、この露出した先端部に円環状の第１切削ブレード１２が装着される。
【００２９】
スピンドル１０の他方の先端部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が接続されており、スピンドル１０に装着された第１切削ブレード１２は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。また、切削ユニット６は移動機構（不図示）に支持されており、この移動機構は切削ユニット６を加工送り方向と垂直な水平方向（割り出し送り方向、第２水平方向）及び鉛直方向に移動させる。
【００３０】
第１切削ブレード１２は、第１砥粒をボンド材で固定して形成される。第１砥粒としては、例えば平均粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下のダイヤモンドでなる砥粒を用いることができる。また、ボンド材としては、例えばメタルボンド、レジンボンド、ビトリファイドボンド等を用いることができる。
【００３１】
溝形成ステップでは、まず、保護部材２３を介してチャックテーブル４でパッケージ基板１１を保持する。具体的には、ベース基板１３の裏面１３ｂ側に貼着されている保護部材２３をチャックテーブル４の保持面４ａに接触させるとともに、クランプで環状フレーム２５を固定する。この状態で保持面４ａに吸引源の負圧を作用させると、パッケージ基板１１はモールド樹脂１７側が上方に露出した状態でチャックテーブル４によって吸引保持される。
【００３２】
次に、チャックテーブル４を回転させて、一の分割予定ライン１９（図２参照）の長さ方向を切削装置２の加工送り方向に合わせる。また、第１切削ブレード１２の下端がベース基板１３の表面１３ａ（モールド樹脂１７の下面）より下方で、且つベース基板１３の裏面１３ｂ（保護部材２３の上面）よりも上方に配置されるように、切削ユニット６の高さを調整する。さらに、該一の分割予定ライン１９の延長線上に第１切削ブレード１２が配置されるように、切削ユニット６の割り出し送り方向における位置を調整する。
【００３３】
その後、第１切削ブレード１２を回転させながら、チャックテーブル４を加工送り方向に移動させる。これにより、チャックテーブル４と切削ユニット６とが相対的に移動し、第１切削ブレード１２が分割予定ライン１９に沿ってパッケージ基板１１に切り込む。その結果、ベース基板１３及びモールド樹脂１７が切削される。
【００３４】
このとき第１切削ブレード１２は、ベース基板１３を切断せず、且つモールド樹脂１７を切断する深さでパッケージ基板１１に切り込む。そのため、パッケージ基板１１には、その深さがモールド樹脂１７の厚さより大きく、且つベース基板１３の厚さとモールド樹脂１７の厚さとの合計よりも小さい切削溝１１ｂが形成される。
【００３５】
なお、第１切削ブレード１２は、発光素子１５や電極２１と接触しないようにパッケージ基板１１を切削する。具体的には、第１切削ブレード１２は、発光素子１５及び電極２１の端部から分割予定ライン１９側に所定の距離離れた位置に配置される。そのため、切削溝１１ｂの形成時に発光素子１５や電極２１が切削されることはない。
【００３６】
その後、同様の手順を繰り返し、他の分割予定ライン１９に沿って切削溝１１ｂを形成する。これにより、パッケージ基板１１のモールド樹脂１７側に複数の切削溝１１ｂが格子状に形成され、モールド樹脂１７が分割される。
【００３７】
図３（Ｂ）は、溝形成ステップを実施した後のパッケージ基板１１を示す断面図である。図３（Ｂ）に示すように、切削溝１１ｂが形成されると、切削溝１１ｂの内部でモールド樹脂１７の第１側面１７ａ及び第２側面１７ｂが露出した状態となる。なお、第１側面１７ａ及び第２側面１７ｂは第１切削ブレード１２を用いた切削によって形成された面に相当し、第１側面１７ａ及び第２側面１７ｂには加工痕（ソーマーク）が形成されている。
【００３８】
次に、第２砥粒を有する第２切削ブレードを切削溝１１ｂの内部で露出するモールド樹脂１７の第１側面１７ａに切り込ませる（切り込みステップ）。図４（Ａ）は、第２切削ブレード１４がモールド樹脂１７の第１側面１７ａに切り込む様子を示す一部断面正面図である。なお、切り込みステップは前述の切削装置２を用いて実施される。ただし、スピンドル１０には第２砥粒をボンド材で固定して形成された円環状の第２切削ブレード１４が装着される。
【００３９】
第２切削ブレード１４の材質等は、第１切削ブレード１２と同様である。ただし、第２切削ブレード１４が有する第２砥粒の平均粒径は、第１切削ブレード１２が有する第１砥粒の平均粒径よりも小さい。第２砥粒としては、例えば平均粒径が１０μｍ未満、好ましくは５μｍ以下のダイヤモンドでなる砥粒を用いることができる。
【００４０】
切り込みステップでは、まず、チャックテーブル４を回転させて、一の切削溝１１ｂの長さ方向を切削装置２の加工送り方向に合わせる。また、第２切削ブレード１４の下端がモールド樹脂１７の下面より下方に配置されるように、切削ユニット６の高さを調整する。さらに、該一の切削溝１１ｂの内部で露出するモールド樹脂１７の第１側面１７ａを含む平面と第２切削ブレード１４とが重なるように、切削ユニット６の割り出し送り方向における位置を調整する。
【００４１】
その後、第２切削ブレード１４を回転させながら、チャックテーブル４を加工送り方向に移動させる。これにより、チャックテーブル４と切削ユニット６とが相対的に移動し、第２切削ブレード１４が切削溝１１ｂに沿ってモールド樹脂１７の第１側面１７ａに切り込む。その結果、第１側面１７ａが第２切削ブレード１４の側面によって研磨される。
【００４２】
なお、前述のように、第２切削ブレード１４が有する第２砥粒の平均粒径は、第１切削ブレード１２が有する第１砥粒の平均粒径よりも小さい。この第２砥粒を有する第２切削ブレード１４をモールド樹脂１７の第１側面１７ａに切り込ませることにより、加工痕が残存する第１側面１７ａが平らにならされる。
【００４３】
また、第２切削ブレード１４がモールド樹脂１７に切り込む幅（切り込み幅）、すなわち、第２切削ブレード１４とモールド樹脂１７とが正面視で重なる領域の幅は、第１側面１７ａに残留する加工痕が適切に除去されるように調整される。例えば切り込み幅は、第２切削ブレード１４が有する第２砥粒の平均粒径の半分以下に設定されることが好ましい。これにより、第１切削ブレード１２によって形成された加工痕を除去しつつ、第２切削ブレード１４によって新たな加工痕が形成されることを防止できる。
【００４４】
このように、モールド樹脂１７の第１側面１７ａに形成された加工痕を除去すると、発光素子１５の発する光が第１側面１７ａから外部に出射する際、第１側面１７ａにおける光の乱反射が抑制される。これにより、モールド樹脂１７から出射する光を特定の方向に向かって放出させやすくなる。
【００４５】
なお、第２切削ブレード１４は、発光素子１５や電極２１と接触しないように位置付けられた状態でモールド樹脂１７の第１側面１７ａに切り込む。具体的には、第２切削ブレード１４は、発光素子１５及び電極２１の端部から分割予定ライン１９側に所定の距離離れた位置に配置される。そのため、モールド樹脂１７の第１側面１７ａを研磨する際に発光素子１５や電極２１が切削されることはない。
【００４６】
その後、同様の手順を繰り返し、他の切削溝１１ｂに沿ってモールド樹脂１７の第１側面１７ａを研磨する。図４（Ｂ）は、切り込みステップを実施した後のパッケージ基板１１を示す断面図である。
【００４７】
なお、切り込みステップでは、切削溝１１ｂの内部で露出するモールド樹脂１７の第１側面１７ａに、第２切削ブレード１４を複数回切り込ませてもよい。例えば、１回の研磨では第１側面１７ａに残留する加工痕が十分に除去されない場合等には、同一の第１側面１７ａに対して第２切削ブレード１４を２回以上切り込ませることが好ましい。
【００４８】
また、本実施形態では、切削溝１１ｂの内部で露出するモールド樹脂１７の第１側面１７ａを第２切削ブレード１４によって研磨する例について説明したが、第１側面１７ａの代わりに第２側面１７ｂを研磨してもよいし、第１側面１７ａと第２側面１７ｂとの双方を研磨してもよい。第１側面１７ａ及び第２側面１７ｂを研磨する場合は、複数の第１側面１７ａを研磨した後に複数の第２側面１７ｂを研磨してもよいし、第１側面１７ａと第２側面１７ｂとを交互に研磨してもよい。
【００４９】
次に、第３砥粒を有する第３切削ブレードを切削溝１１ｂに沿ってベース基板１３に切り込ませることにより、パッケージ基板１１を分割予定ライン１９に沿って切断する（切断ステップ）。図５（Ａ）は、第３切削ブレード１６によってパッケージ基板１１が切断される様子を示す一部断面正面図である。なお、切断ステップは前述の切削装置２を用いて実施される。ただし、スピンドル１０には第３砥粒をボンド材で固定して形成された第３切削ブレード１６が装着される。
【００５０】
第３切削ブレード１６の材質等は、第１切削ブレード１２と同様である。ただし、第３切削ブレード１６が有する第３砥粒の平均粒径は、第２切削ブレード１４が有する第２砥粒の平均粒径よりも大きい。第３砥粒としては、例えば平均粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下のダイヤモンドでなる砥粒を用いることができる。また、第３切削ブレード１６として、前述の第１切削ブレード１２を用いることもできる。
【００５１】
切断ステップでは、まず、チャックテーブル４を回転させて、一の切削溝１１ｂの長さ方向を切削装置２の加工送り方向に合わせる。また、第３切削ブレード１６の下端がベース基板１３の裏面１３ｂより下方に配置されるように、切削ユニット６の高さを調整する。さらに、該一の切削溝１１ｂの延長線上に第３切削ブレード１６が配置されるように、切削ユニット６の割り出し送り方向における位置を調整する。
【００５２】
その後、第３切削ブレード１６を回転させながら、チャックテーブル４を加工送り方向に移動させる。これにより、チャックテーブル４と切削ユニット６とが相対的に移動し、第３切削ブレード１６が切削溝１１ｂに沿ってベース基板１３に切り込む。その結果、ベース基板１３が切断され、パッケージ基板１１が分割予定ライン１９（図２参照）に沿って切断される。
【００５３】
このとき第３切削ブレード１６は、前述の切り込みステップよって加工痕が除去されたモールド樹脂１７の第１側面１７ａと接触しないように位置付けられた状態で、ベース基板１３に切り込む。そのため、第３切削ブレード１６によってモールド樹脂１７の第１側面１７ａに新たに加工痕が形成されることはない。
【００５４】
また、前述のように、第３切削ブレード１６が有する第３砥粒の平均粒径は、第２切削ブレード１４が有する第２砥粒の平均粒径よりも大きい。そのため、第３切削ブレード１６のベース基板１３に対する切削能力は、第２切削ブレード１４のベース基板１３に対する切削能力よりも高い。よって、第３切削ブレード１６を用いることにより、ベース基板１３の切断に要する時間を削減できる。
【００５５】
なお、前述の切り込みステップで研磨されていないモールド樹脂１７の側面（図５（Ａ）においては第２側面１７ｂ）は、第３切削ブレード１６と接触してもよい。ただし、切り込みステップで第１側面１７ａと第２側面１７ｂとの双方を研磨した場合は、第３切削ブレード１６は第１側面１７ａ及び第２側面１７ｂと接触しないように位置付けられる。
【００５６】
その後、同様の手順を繰り返し、他の切削溝１１ｂに沿ってベース基板１３を切断する。これにより、パッケージ基板１１が全ての分割予定ライン１９に沿って切断され、モールド樹脂１７によって覆われた発光素子１５をそれぞれ備える複数のチップ２７に分割される。図５（Ｂ）は、切断ステップを実施した後のパッケージ基板１１を示す断面図である。パッケージ基板１１の分割によって得られたチップ２７は、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話に代表される各種の電子機器に搭載される。
【００５７】
チップ２７が備えるモールド樹脂１７では、第１側面１７ａの加工痕が切り込みステップでの研磨によって除去された状態となっている。そのため、発光素子１５の発する光を第１側面１７ａから取り出す際に、第１側面１７ａでの光の乱反射が抑制される。
【００５８】
以上の通り、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法では、第１砥粒を有する第１切削ブレード１２によってモールド樹脂１７を切断した後、第１砥粒よりも平均粒径の小さい第２砥粒を有する第２切削ブレード１４を、第１切削ブレード１２によって切削されたモールド樹脂１７の第１側面１７ａに切り込ませる。
【００５９】
この方法を用いると、第１切削ブレード１２によって加工痕が形成されたモールド樹脂１７の第１側面１７ａが第２切削ブレード１４によって研磨され、モールド樹脂１７の第１側面１７ａに形成された加工痕が除去される。これにより、発光素子１５の発する光の第１側面１７ａにおける乱反射が抑制され、チップ２７から光を特定の方向に向かって放出させやすくなる。
【００６０】
なお、本実施形態では、切削ユニット６が備えるスピンドル１０に第１切削ブレード１２、第２切削ブレード１４、第３切削ブレード１６が順に装着される例について説明したが（図３（Ａ）、図４（Ａ）、図５（Ａ）参照）、本実施形態に係るパッケージ基板の加工方法では、２つの切削ユニット６を備えた所謂フェイシングデュアルスピンドルタイプの切削装置を用いることもできる。
【００６１】
フェイシングデュアルスピンドルタイプの切削装置は、切削ブレードが装着される２つのスピンドルを備えており、２つのスピンドルに装着された切削ブレードは互いに対面するように配置される。この切削装置を用いる場合、例えば、一方のスピンドルに第１切削ブレード１２を装着し、他方のスピンドルに第２切削ブレード１４を装着する。
【００６２】
そして、溝形成ステップ及び切断ステップを実施する際には第１切削ブレード１２を用い、切り込みステップを実施する際には第２切削ブレード１４を用いる。これにより、切削ブレードの交換作業を行うことなく溝形成ステップ、切り込みステップ、切断ステップを実施することが可能となり、パッケージ基板１１の加工効率の向上を図ることができる。
【００６３】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６４】
１１  パッケージ基板
１１ａ  領域
１１ｂ  切削溝
１３  ベース基板
１３ａ  表面
１３ｂ  裏面
１５  発光素子
１７  モールド樹脂
１７ａ  第１側面
１７ｂ  第２側面
１９  分割予定ライン（ストリート）
２１  電極
２３  保護部材（粘着テープ）
２５  環状フレーム
２５ａ  開口
２７  チップ
２  切削装置
４  チャックテーブル
４ａ  保持面
６  切削ユニット
８  ハウジング
１０  スピンドル
１２  第１切削ブレード
１４  第２切削ブレード
１６  第３切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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