(57)【要約】      （修正有）【課題】移動体の位置制御性の向上と、装置の生産コストの低減を図る。【解決手段】基板Ｐを露光処理する露光装置は、基板Ｐの一部を平坦度を確保した状態で保持する基板ホルダＰＨを有し、露光位置（露光領域ＩＡ）に対して、Ｘ軸方向に移動する微動ステージと、基板ＰをＸＹ平面内のＹ軸方向に駆動する基板Ｙステップ送り装置８８と、を備えている。この場合、基板ホルダＰＨにより基板Ｐの一部を、平坦度を確保した状態で保持した微動ステージの露光領域ＩＡに対してのＸ軸方向の移動が、基板Ｙステップ送り装置８８によるＹ軸方向の基板Ｐの移動の前後で行われることで、基板Ｐ上の複数の領域が露光処理される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板の一部を平坦度を確保した状態で保持する保持部を有し、基板処理位置に対して、前記基板の面に平行な所定面内の少なくとも第１方向に移動する第１移動体と、
前記基板を前記所定面内で前記第１方向に直交する第２方向に駆動するステップ駆動装置と、を備える基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法に係り、特に、処理位置に対して基板を順次移動させて基板上の複数の領域に対して所定の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法、露光位置（処理位置）に対して基板を順次移動させて基板上の複数の領域を露光する露光方法及び露光装置、並びに前記基板処理装置若しくは前記基板処理方法又は前記露光方法若しくは露光装置を用いる、デバイス製造方法及びフラットパネルディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示素子、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。
【０００３】
この種の露光装置では、表面に感応剤が塗布されたガラスプレート、あるいはウエハなど（以下、基板と総称する）は、基板ステージ装置上に載置される。そして、マスク（あるいはレチクル）に形成された回路パターンが、投影レンズ等の光学系を介した露光光の照射により基板に転写される。
【０００４】
ここで、近年、露光装置の露光対象物である基板、特に液晶表示素子用の基板（矩形のガラス基板）は、そのサイズがより大型化される傾向にあり、これに伴い露光装置においても、基板を保持する基板テーブルが大型化し、これに伴う重量増により基板の位置制御が困難となってきている。このような問題を解決するものとして、発明者は、基板を保持する基板テーブルの自重を柱状の部材から成る心柱と呼ばれる重量キャンセル装置（自重キャンセラ）で支持する露光装置を先に提案した（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
上記特許文献１に記載の露光装置を含む従来の露光装置が備える基板ステージ装置の開発に際しての基本的な考え方は、基板を高速で高精度に位置決めするという目的を達成するため、基板ステージをできる限り軽量化し、かつ外乱（振動）を排除することを実現することにあった。従来においても、基板と、この基板を平らに平面矯正するための基板ホルダと、基板の位置を知るための干渉計用の移動鏡と、これらを一体的に支持するテーブルと、該テーブルを駆動するＶＣＭ（ボイスコイルモータ）などの、高精度位置決め制御を行なうために最低限必要な部品のみを微動ステージに載せ、その他の部品（電気基板や供給ケーブル類など）は粗動ステージに搭載する基板ステージ装置が、種々開発されている。
【０００６】
しかるに、例えば液晶用のガラス基板は、最新の第１０世代では一辺が３メートル以上になるなど一層大型化する傾向にあり、この大型基板の全体を吸着保持する基板ホルダが搭載される微動ステージは、大型化かつその重量も増大し、またしても軽量とは言えなくなっている。そして、基板ホルダ及びこれを支持する基板テーブル等の大型化が種々の不都合の要因となってきた。例えば、基板が大型化する程、基板を２次元移動させる基板ステージ装置の重量と移動量は増加した。このため、露光装置が大型になって、製造コストが増え、装置の製造及び運搬に時間が掛かってきた。また、基板の移動に時間が掛かって、タクトタイムが長くなっていた。このため、露光対象物（基板）を高精度で案内でき、さらに小型化、軽量化を図ることが可能なステージ装置の開発が望まれていた。
【０００７】
露光装置では、基板ステージでの基板交換は、基板を吸着保持する基板ホルダ上から基板を搬出（退避）させた後、新しい基板を基板ホルダ上に搬入（投入）させることによって成り立っている。しかるに、従来の露光装置では、基板と同じサイズの保持面を有する基板ホルダが用いられていた。このため、従来の露光装置では、基板をそのサイズと同じ距離だけ搬送しなければ、基板を基板ホルダ上から搬出することができず、また、基板を基板ホルダ上に搬入することもできなかった。
【０００８】
また、上述の如く、例えば液晶用のガラス基板は一層大型化する傾向にあるため、基板交換には、ある程度の時間が必要となり、更なる、基板交換時間の短縮を実現できる新たな装置の開発が望まれていた。
【０００９】
基板交換時間の短縮は、露光装置に限らず、ガラス基板等の基板を処理対象とする基板処理装置に共通の課題であると思われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
発明者は、対象物（基板）を高速、且つ高精度で案内でき、さらに小型化、軽量化を図ることが可能なステージ装置を実現すべく、あらためてステージ装置を観察した。この結果、面積が３ｍ角で厚さ０．７ｍｍ程度の基板の重量は２０ｋｇ弱であるのに対し、基板を支持する基板ホルダの重量は約１トンにもなっている。このため、基板ホルダを支持するテーブルも重くなってしまう。先端部に位置する基板ホルダを軽量化できれば、ホルダの下に連なる各構成部分、すなわちテーブル、重量キャンセル装置（心柱）、及びガイド等のすべてを軽量化することができるということを、改めて認識した。
【００１２】
基板ホルダの主たる役割は、薄く、反り及び／又は撓みを生じやすい基板を平坦に矯正することである。このため、従来の基板ホルダは基板とほぼ同じ面積を有し、基板を基板ホルダ表面（上面）に例えば真空吸着によって倣わせていた。このため、平面基準となる基板ホルダの表面は極めて平面度を高く仕上げる必要があり、剛性確保のために厚みが増して重量増となっていた。
【００１３】
一方、ステップ・アンド・スキャン方式の大型の投影露光装置などでは、一度に露光できる一括露光領域（ショット領域ともいう）は基板全体の面積に比して小さく設定されており、一度のスキャン露光で基板全面を露光できるわけではない。そのため、スキャン露光と露光を伴わないステップ移動を繰り返しながら基板全面に露光を行なっている。しかるに、基板が平坦である必要があるのは一括露光のスキャン範囲内（ショット領域）だけであり、より厳密には常に投影光学系による固定された照射範囲だけである。それ以外の範囲及び露光を伴わないステップ移動中は基板の平坦性を特に気にする必要はない。
【００１４】
そこで、発明者は、基板を平坦に矯正するための基板ホルダは露光フィールドとほぼ同等のクロススキャン方向の幅（露光フィールドよりも少し広い程度）にして、スキャン方向の長さは少なくても一括で露光できるスキャン長以上にする。そしてスキャンによる一括露光が終了すると、次に露光する基板上のスキャン露光領域（ショット領域）を基板ホルダ上に相対移動させて、その都度平面矯正と基板のアライメントを行ない、スキャン露光を行なうようにすれば良いのではないかと考えた。これにより、基板ホルダの面積は小さくなり、それを支持するテーブルも小さくなって、微動ステージ全体が小型軽量になる。
【００１５】
本発明は、かかる発明者の考えに基づいてなされたもので、以下のような構成を採用する。
【００１６】
本発明の第１の態様によれば、基板を処理する基板処理装置であって、前記基板の一部を平坦度を確保した状態で保持する保持部を有し、基板処理位置に対して、前記基板の面に平行な所定面内の少なくとも第１方向に移動する第１移動体と、前記基板を前記所定面内で前記第１方向に直交する第２方向に駆動するステップ駆動装置と、を備える第１の基板処理装置が、提供される。
【００１７】
これによれば、保持部により基板の一部を平坦度を確保した状態で保持した第１移動体の基板処理位置に対しての第１方向の移動が、ステップ駆動装置による基板の第２方向の移動の前後で行われることで、基板上の複数の被処理領域が処理される。このため、基板を保持する保持部を小さくすることができ、ひいては、その保持部を有する移動体を小型かつ軽量化することができる。これにより、移動体の位置制御性の向上と、基板処理装置の生産コストの低減が可能になる。
【００１８】
本発明の第２の態様によれば、基板を処理する基板処理装置であって、水平面に平行に配置された前記基板の被処理面と反対側の面の一部を保持する保持部を有し、基板処理位置に対して、前記基板の面に平行な所定面内の少なくとも第１方向に移動する第１移動体と、前記第１移動体を挟んで前記所定面内で前記第１方向に直交する第２方向の両側にそれぞれ配置され、前記基板の少なくとも一部を下方から支持する、前記基板と前記第１方向及び第２方向のサイズが同等以上の支持面を有する一対の第１支持装置と、少なくとも前記基板を前記第１移動体から搬出する際に、前記基板が前記第２方向に変位するように前記基板を前記所定面内で搬送する第１搬送装置と、を備える第２の基板処理装置が、提供される。
【００１９】
これによれば、第１移動体の保持部が基板の被処理面と反対側の面の一部を保持する。すなわち、保持部の基板保持面は、基板よりも小さく設定されている。このため、第１搬送装置が、基板を第１移動体から搬出する際に、基板は第２方向に変位するように所定面内で搬送されるが、その際、第１搬送装置は、基板の第２方向のサイズよりも小さい距離だけ基板を第２方向に変位させるだけで、基板の搬出が終了する。従って、従来技術に比べて、搬出距離の短縮分、基板交換時間を短縮することが可能である。
【００２０】
本発明の第３の態様によれば、第１及び第２の態様に係る基板処理装置のいずれかが、基板処理位置に配置され、設定された処理領域にエネルギビームを照射して処理領域を通過する基板を露光する露光光学系を備えている場合に、その基板処理装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【００２１】
本発明の第４の態様によれば、第１及び第２の態様に係る基板処理装置のいずれかが、基板処理位置に配置され、設定された処理領域にエネルギビームを照射して前記処理領域を通過する前記基板を露光する露光光学系を備えている場合に、その基板処理装置を用いて基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
【００２２】
本発明の第５の態様によれば、基板を処理する基板処理方法であって、前記基板の一部を平坦度を確保した状態で移動体に保持させ、該移動体を、基板処理位置に対して前記基板の面に平行な所定面内の第１方向に駆動して、前記基板の前記一部内の領域に対し所定の処理を行うことと、前記基板上の未処理領域を前記移動体に対向させるため、前記基板を前記移動体に対して前記所定面内で前記第１方向に直交する第２方向に所定量だけ駆動するステップ駆動を行うことと、を含む第１の基板処理方法が、提供される。
【００２３】
これによれば、所定の処理を行うことを、ステップ駆動を行うことの前後で行うことで、基板上の複数の被処理領域が処理される。このため、基板を保持する移動体を小型かつ軽量化することができる。これにより、移動体の位置制御性の向上と、基板処理装置の生産コストの低減が可能になる。
【００２４】
本発明の第６の態様によれば、基板を処理する基板処理方法であって、水平面に平行に配置された前記基板の被処理面と反対側の面の一部を平坦度を確保した状態で移動体に保持させ、該移動体を、基板処理位置に対して前記基板の面に平行な所定面内の第１方向に駆動して、前記基板の前記一部内の領域に対し所定の処理を行うことと、前記所定の処理が施された前記基板を前記所定面内で前記第１方向に直交する第２方向に前記基板の前記第２方向のサイズより短い距離だけ搬送して、前記基板を前記移動体から搬出することと、を含む第２の基板処理方法が提供される。
【００２５】
これによれば、所定の処理が施された基板（処理済みの基板）を所定面内で第１方向に直交する第２方向に基板の第２方向のサイズより短い距離だけ搬送して、基板を移動体から搬出する。従って、従来技術に比べて、搬出距離の短縮分、基板交換時間を短縮することが可能である。
【００２６】
本発明の第７の態様によれば、基板の処理を行う処理方法であって、水平面に平行に配置された前記基板の被処理面と反対側の面を平坦度を確保した状態で保持する移動体を、基板処理位置に対して前記基板の面に平行な所定面内の第１方向に駆動して、前記基板上の複数の被処理領域に順次所定の処理を行うことと、前記複数の被処理領域の前記基板上での配置と処理の順番とに応じて定められた前記第１方向の位置で、前記配置と前記順番とに応じて定められた方向へ、前記基板を搬送して前記移動体から搬出することと、を含む第３の基板処理方法が、提供される。
【００２７】
これによれば、基板を、基板上の被処理領域の配置と処理の順番とに応じて定められた所定面内の第１方向の位置で、前記配置と前記順番とに応じて定められた方向に搬送して移動体から搬出する。このため、搬出経路が最短となる経路に沿って基板を移動体から搬出することが可能になる。従って、基板上の被処理領域の配置と処理の順番とに拘らず、常に一定の第１方向の位置で、同じ方向に搬出する場合に比べて、基板交換時間を短縮することが可能である。
【００２８】
本発明の第８の態様によれば、第５ないし第７の態様に係る基板処理方法のいずれかが、基板を露光する方法である場合に、その基板処理方法を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【００２９】
本発明の第９の態様によれば、第５ないし第７の態様に係る基板処理方法のいずれかが、基板を露光する方法である場合に、その基板処理方法を用いて基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
【００３０】
本発明の第１０の態様によれば、複数枚の基板を露光する露光方法であって、２枚の基板を個別に保持可能な第１及び第２保持領域を有する基板保持装置に前記２枚の基板を載置して、前記２枚の基板のうち、一方の基板の露光が開始されてから終了するまでの間に、他方の基板の少なくとも１つの処理領域の露光を行う露光方法が、提供される。
【００３１】
これによれば、２枚の基板のうち、一方の基板の露光が終了後に他方の基板の露光を開始する場合に比べて、より短時間で、２枚の基板に対する露光を終了することが可能になる。
【００３２】
本発明の第１１の態様によれば、第１０の態様に係る露光方法により前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【００３３】
本発明の第１２の態様によれば、第１０の態様に係る露光方法により前記基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
【００３４】
本発明の第１３の態様によれば、基板上の複数の領域を露光する露光装置であって、２枚の基板の一部をそれぞれ保持可能な第１及び第２保持領域を有する基板保持装置と、前記基板保持装置がその一部に設けられ、第１方向に移動する移動体と、前記移動体と一体的に前記第１方向に移動するとともに、前記２枚の基板の一方を、前記第１方向に交差する第２方向に移動させる第１の基板送り装置と、を備える露光装置が、提供される。
【００３５】
これによれば、２枚の基板のそれぞれの一部を基板保持装置の第１保持領域、第２保持領域にそれぞれ載置して、前記基板保持装置がその一部に設けられた移動体が第１方向に移動して一方の基板の一部の処理領域が走査露光されるのと並行して、他方の基板を第１の基板送り装置により基板保持装置に対して第２方向に移動させることが可能になる。これにより、１枚目の基板について、１つの処理領域（未露光領域）の露光が終了した後に、その基板をステップ移動させて次の処理領域（未露光領域）を露光する、露光及びステップ移動を交互に繰り返して、その基板の露光を行い、２枚目の基板について、同様の手順で露光を行う場合に比べて、２枚の基板の露光処理に掛かる時間を短縮することが可能になる。
【００３６】
本発明の第１４の態様によれば、第１３の態様に係る露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【００３７】
本発明の第１５の態様によれば、第１３の態様に係る露光装置を用いて前記基板としてフラットパネルディスプレイに用いられる基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図３】第１の実施形態に係る露光装置を図１の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図４】第１の実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図５】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１）である。
【図６】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その２）である。
【図７】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その３）である。
【図８】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その４）である。
【図９】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その５）である。
【図１０】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その６）である。
【図１１】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その７）である。
【図１２】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その８）である。
【図１３】第１の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その９）である。
【図１４】第２の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図１５】第２の実施形態に係る露光装置の一部省略した平面図である。
【図１６】第２の実施形態に係る露光装置を図１４の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図１７】第３の実施形態に係る露光装置が備える基板ステージ装置を示す平面図である。
【図１８】第３の実施形態に係る露光装置を図１７の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図１９】第３の実施形態の変形例を説明するための図である。
【図２０】第４の実施形態に係る露光装置が備える基板ステージ装置を示す平面図である。
【図２１】第４の実施形態に係る露光装置を図２０の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図２２】第５の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２３】第５の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図２４】第５の実施形態に係る露光装置を図２２の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図２５】第６の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図２６】第６の実施形態に係る露光装置のＸＺ断面図を一部省略して示す図、かつ該露光装置で基板の処理を行う際の一連の動作について説明するための図（その１）である。
【図２７】第６の実施形態に係る露光装置で基板の処理を行う際の一連の動作について説明するための図（その２）である。
【図２８】第６の実施形態に係る露光装置で基板の処理を行う際の一連の動作について説明するための図（その３）である。
【図２９】第６の実施形態に係る露光装置で基板の処理を行う際の一連の動作について説明するための図（その４）である。
【図３０】第７の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図３１】第７の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図３２】第７の実施形態に係る露光装置を図３０の＋Ｘ方向から見た側面図（一部省略、一部断面にて示す図）である。
【図３３】第７の実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図３４】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１）である。
【図３５】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その２）である。
【図３６】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その３）である。
【図３７】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その４）である。
【図３８】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その５）である。
【図３９】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その６）である。
【図４０】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その７）である。
【図４１】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その８）である。
【図４２】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その９）である。
【図４３】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１０）である。
【図４４】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１１）である。
【図４５】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１２）である。
【図４６】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１３）である。
【図４７】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１４）である。
【図４８】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１５）である。
【図４９】第７の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１６）である。
【図５０】第８の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図５１】第８の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図５２】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１）である。
【図５３】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その２）である。
【図５４】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その３）である。
【図５５】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その４）である。
【図５６】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その５）である。
【図５７】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その６）である。
【図５８】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その７）である。
【図５９】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その８）である。
【図６０】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その９）である。
【図６１】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１０）である。
【図６２】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１１）である。
【図６３】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１２）である。
【図６４】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１３）である。
【図６５】第８の実施形態に係る露光装置で行われる基板処理のための一連の動作について説明するための図（その１４）である。
【図６６】基板支持部材を用いる変形例について説明するための図である。
【図６７】第９の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図６８】第９の実施形態に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図６９】第９の実施形態に係る露光装置を図６７の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図７０】図６８の平面図の一部を取り出して拡大して示す図である。
【図７１】第９の実施形態に係る露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図７２】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１）である。
【図７３】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２）である。
【図７４】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その３）である。
【図７５】図７５（Ａ）〜図７５（Ｄ）は、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ１の露光と基板Ｐ１のＹステップ動作との並行処理を説明するための図である。
【図７６】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その４）である。
【図７７】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その５）である。
【図７８】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その６）である。
【図７９】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その７）である。
【図８０】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その８）である。
【図８１】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その９）である。
【図８２】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１０）である。
【図８３】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１１）である。
【図８４】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１２）である。
【図８５】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１３）である。
【図８６】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１４）である。
【図８７】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１５）である。
【図８８】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１６）である。
【図８９】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１７）である。
【図９０】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１８）である。
【図９１】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１９）である。
【図９２】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２０）である。
【図９３】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２１）である。
【図９４】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２２）である。
【図９５】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２３）である。
【図９６】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２４）である。
【図９７】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２５）である。
【図９８】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２６）である。
【図９９】第９の実施形態に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２７）である。
【図１００】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１）である。
【図１０１】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その２）である。
【図１０２】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その３）である。
【図１０３】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その４）である。
【図１０４】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その５）である。
【図１０５】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その６）である。
【図１０６】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その７）である。
【図１０７】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その８）である。
【図１０８】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その９）である。
【図１０９】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１０）である。
【図１１０】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１１）である。
【図１１１】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１２）である。
【図１１２】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１３）である。
【図１１３】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１４）である。
【図１１４】第９の実施形態の変形例に係る露光装置で行われる露光手順説明図（その１５）である。
【図１１５】第１０の実施形態に係る露光装置の一部省略した平面図である。
【図１１６】第１０の実施形態に係る露光装置を図１１５の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図である。
【図１１７】第１０の実施形態に係る露光装置の効果を説明するための図である。
【図１１８】第１０の実施形態の変形例に係る露光装置を示す概略側面図である。
【図１１９】第１０の実施形態の変形例に係る露光装置を示す一部省略した平面図である。
【図１２０】第１１の実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
《第１の実施形態》
以下、第１の実施形態について、図１〜図１３に基づいて説明する。
【００４０】
図１には、第１の実施形態に係る露光装置１００の構成が概略的に示され、図２には、露光装置１００の一部省略した平面図が示されている。図２は、図１の投影光学系ＰＬより下方の部分（後述する鏡筒定盤より下方の部分）の平面図に相当する。露光装置１００は、例えばフラットパネルディスプレイ、液晶表示装置（液晶パネル）などの製造に用いられる。露光装置１００は、液晶表示装置の表示パネルなどに用いられる矩形（角型）のガラス基板Ｐ（以下、単に基板Ｐと称する）を露光対象物とする投影露光装置である。
【００４１】
露光装置１００は、照明系ＩＯＰ、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴ、投影光学系ＰＬ、マスクステージＭＳＴ及び投影光学系ＰＬなどが搭載されたボディＢＤ（図１等ではその一部のみが図示されている）、基板Ｐを保持する微動ステージ２６（基板テーブル）を含む基板ステージ装置ＰＳＴ、及びこれらの制御系等を備えている。以下においては、露光時にマスクＭと基板Ｐとが投影光学系ＰＬに対してそれぞれ相対走査される方向をＸ軸方向（Ｘ方向）とし、水平面内でこれに直交する方向をＹ軸方向（Ｙ方向）、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向をＺ軸方向（Ｚ方向）とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
【００４２】
照明系ＩＯＰは、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書などに開示される照明系と同様に構成されている。すなわち、照明系ＩＯＰは、図示しない光源（例えば、水銀ランプ）から射出された光を、それぞれ図示しない反射鏡、ダイクロイックミラー、シャッタ、波長選択フィルタ、各種レンズなどを介して、露光用照明光（照明光）ＩＬとしてマスクＭに照射する。照明光ＩＬとしては、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）などの光（あるいは、上記ｉ線、ｇ線、ｈ線の合成光）が用いられる。また、照明光ＩＬの波長は、波長選択フィルタにより、例えば要求される解像度に応じて適宜切り替えることが可能になっている。
【００４３】
マスクステージＭＳＴには、回路パターンなどがそのパターン面（図１における下面）に形成されたマスクＭが、例えば真空吸着（あるいは静電吸着）により固定されている。マスクステージＭＳＴは、ボディＢＤの一部を構成する不図示のマスク定盤上に、例えばその底面に固定された不図示のエアベアリングを介して非接触状態で支持されている。マスクステージＭＳＴは、例えばリニアモータを含むマスクステージ駆動系１２（図１では図示せず、図４参照）により、走査方向（Ｘ軸方向）に所定のストロークで駆動されるとともに、Ｙ軸方向、及びθｚ方向にそれぞれ適宜微少駆動される。マスクステージＭＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、マスクステージＭＳＴに設けられた（又は形成された）反射面に測長ビームを照射する複数のレーザ干渉計を含むマスクレーザ干渉計システム（以下、「マスク干渉計システム」という）１４により計測される。
【００４４】
投影光学系ＰＬは、マスクステージＭＳＴの図１における下方において、ボディＢＤの一部である鏡筒定盤１６に支持されている。投影光学系ＰＬは、例えば米国特許第６，５５２，７７５号明細書に開示されている投影光学系と同様に構成されている。すなわち、投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターン像の投影領域が例えば千鳥状に配置された複数の投影光学系（マルチレンズ投影光学系）を含み、Ｙ軸方向を長手方向とする単一の長方形状（帯状）のイメージフィールドを持つ投影光学系と同等に機能する。本実施形態では、複数の投影光学系のそれぞれとしては、例えば両側テレセントリックな等倍系で正立正像を形成するものが用いられている。また、以下では投影光学系ＰＬの千鳥状に配置された複数の投影領域をまとめて露光領域ＩＡと呼ぶ。
【００４５】
このため、照明系ＩＯＰからの照明光ＩＬによってマスクＭ上の照明領域が照明されると、マスクＭを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明領域内のマスクＭの回路パターンの投影像（部分正立像）が、投影光学系ＰＬの像面側に配置される、表面にレジスト（感応剤）が塗布された基板Ｐ上の前記照明領域に共役な照明光ＩＬの照射領域（露光領域）ＩＡに形成される。そして、マスクステージＭＳＴと基板Ｐを保持する後述する基板ホルダＰＨ（微動ステージ２６）との同期駆動によって、照明領域（照明光ＩＬ）に対してマスクＭを走査方向（Ｘ軸方向）に相対移動させるとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対して基板Ｐを走査方向（Ｘ軸方向）に相対移動させることで、基板Ｐ上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にマスクＭのパターンが転写される。すなわち、露光装置１００では、照明系ＩＯＰ及び投影光学系ＰＬによって基板Ｐ上にマスクＭのパターンが生成され、照明光ＩＬによる基板Ｐ上の感応層（レジスト層）の露光によって基板Ｐ上にそのパターンが形成される。
【００４６】
ボディＢＤは、図２、及び露光装置１００を＋Ｘ方向から見た概略側面図を一部省略して示す図３に示されるように、床面Ｆ上にＸ軸方向に所定距離離間して互いに平行にかつ長手方向をＹ軸方向として配置された直方体部材から成る一対（２つ）の基板ステージ架台（以下、架台と略記する）１８と、一対の架台１８上に一対のサイドフレーム２０を介して水平に支持された鏡筒定盤１６と、不図示のマスク定盤とを備えている。なお、架台１８は、２つに限らず、１つでも良いし、３つ以上でも良い。
【００４７】
各架台１８は、複数の防振装置２２を介して床面Ｆ上に設置されている（図１及び図３参照）。一対のサイドフレーム２０は、図２及び図３に示されるように、それぞれの下端が一対の架台１８上面のＹ軸方向の一端部と他端部に接続されている。鏡筒定盤１６は、ＸＹ平面に平行に配置されたＹ軸方向を長手方向とする直方体状の部材から成り、一対のサイドフレーム２０により一対の架台１８上でＹ軸方向の両端部が下方から支持されている。
【００４８】
基板ステージ装置ＰＳＴは、図１に示されるように、粗動ステージ部２４、微動ステージ２６、及び重量キャンセル装置２８等を有している。重量キャンセル装置２８は、図１及び図３に示されるように、一対の架台１８の上に配置されたＸガイド８２のＸＹ平面に平行な上面上に配置されている。
【００４９】
粗動ステージ部２４は、図３に示されるように、２本（一対）のＸビーム３０Ａ，３０Ｂと、２つ（一対）の粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂと、２本のＸビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれを床面Ｆ上で支持する複数の脚部３４と、を有している。
【００５０】
Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれは、Ｘ軸方向に延びるＹＺ断面が矩形枠状で内部にリブを持つ中空部材から成り、Ｙ軸方向に所定間隔で互いに平行に配置されている（図１〜図３参照）。Ｘビーム３０Ａ、３０Ｂのそれぞれは、図１中でＸビーム３０Ａについて示されるように、長手方向（Ｘ軸方向）両端部近傍と中央部との３箇所で、３つの脚部３４によって下方から床面Ｆ上で、一対の架台１８に対して非接触で支持されている。これにより、粗動ステージ部２４は、一対の架台１８に対して振動的に分離されている。なお、脚部３４の配置、及び数は任意で良い。また、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂは、中空部材に限らず中実部材であっても良いし、ＹＺ断面がI型の棒状部材であっても良い。
【００５１】
Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上面には、Ｘ軸方向に延びるＸリニアガイド３６が、Ｙ軸方向に所定間隔で複数本（例えば２本（一対））、互いに平行に固定されている。また、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上面であって、一対のＸリニアガイド３６間の領域には、Ｘ軸方向に延びるＸ固定子３８Ａ，３８Ｂが固定されている。Ｘ固定子３８Ａ，３８Ｂのそれぞれは、例えばＸ軸方向に所定間隔で配列された複数の永久磁石を含む磁石ユニットを有している。本実施形態では、図２及び図３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂの断面形状は、＋Ｙ側のＸビーム３０Ａの方が−Ｙ側のＸビーム３０Ｂよりも幅広、すなわちＹ軸方向の長さが長くなっているが、同じ形状でも構わない。
【００５２】
粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂは、図３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上方に個別に配置されている。−Ｙ側に位置する粗動テーブル３２Ｂは、平面視矩形の板状部材から成り、＋Ｙ側に位置する粗動テーブル３２Ａは、−Ｙ側の端部に凹部を有する平面視Ｕ字形状の板状部材から成る。図３では、粗動テーブル３２Ａは、後述する重量キャンセル装置２８とともに、部分的に断面図にて示されている。粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの下面には、図３に示されるように、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれに固定されたＸ固定子３８Ａ，３８Ｂに所定の隙間（ギャップ、クリアランス）を介して対向するＸ可動子４０Ａ，４０Ｂが固定されている。Ｘ可動子４０Ａ，４０Ｂのそれぞれは、例えば不図示のコイルユニットを含み、Ｘ固定子３８Ａ，３８Ｂと共に、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂを、Ｘ軸方向に所定のストロークで駆動するＸリニアモータ４２Ａ，４２Ｂを、それぞれ構成している。
【００５３】
また、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの下面には、図３に示されるように、不図示の転動体（例えば、複数のボールなど）を含み、各Ｘリニアガイド３６に対してスライド可能に係合するスライダ４４が複数固定されている。スライダ４４は、各Ｘリニアガイド３６に対して、Ｘ軸方向に所定間隔で、例えば４個設けられており（図１参照）、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの下面には、例えば合計８個のスライダ４４が固定されている。粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれは、Ｘリニアガイド３６とスライダ４４とを含む複数のＸリニアガイド装置により、Ｘ軸方向に直進案内される。
【００５４】
なお、図１〜図３では不図示であるが、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれには、Ｘ軸方向を周期方向とするＸスケールが固定され、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれには、Ｘスケールを用いて粗動テーブル３２Ａ，３２ＢのＸ軸方向に関する位置情報を求めるＸリニアエンコーダシステム４６Ａ，４６Ｂ（図４参照）を構成するエンコーダヘッドが固定されている。
【００５５】
粗動テーブル３２Ａ，３２ＢのＸ軸方向に関する位置は、上記エンコーダヘッドの出力に基づいて主制御装置５０（図４参照）により制御される。また、同様に図１ないし図３では不図示であるが、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれには、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂに対する微動ステージ２６のＸ軸及びＹ軸方向に関する相対移動量（相対変位量）を計測するためのギャップセンサ４８Ａ，４８Ｂ（図４参照）などが取り付けられている。主制御装置５０は、ギャップセンサ４８Ａ，４８Ｂによって計測される相対移動量が所定の制限値に達した場合に、微動ステージ２６及び粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂを直ちに停止する。ギャップセンサ４８Ａ，４８Ｂに代えて、あるいは加えて、微動ステージ２６の粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂに対する移動可能量をメカ的に制限するメカストッパ部材を設けても良い。
【００５６】
ここで、説明は前後するが、微動ステージ２６について説明する。微動ステージ２６は、図１及び図３から分かるように、平面視矩形の板状（又は箱形）部材から成り、その上面に基板ホルダＰＨが搭載されている。基板ホルダＰＨは、Ｘ軸方向の長さが基板Ｐと同等であり、Ｙ軸方向の幅（長さ）は基板Ｐの約１／２である（図２参照）。基板ホルダＰＨは、基板Ｐの一部（ここでは、基板ＰのＹ軸方向に関する約１／２の部分）を、例えば真空吸着（又は静電吸着）により吸着保持するとともに、加圧気体（例えば高圧空気）を上向きに噴き出してその噴き出し圧力によって基板Ｐの一部（基板Ｐの約１／２）を下方から非接触（浮上）支持することができる。基板ホルダＰＨによる基板Ｐに対する高圧空気の噴き出しと真空吸着との切り替えは、不図示の真空ポンプと高圧空気源とに基板ホルダＰＨを切り替え接続するホルダ吸排気切り替え装置５１（図４参照）を介して、主制御装置５０によって行われる。
【００５７】
微動ステージ２６は、複数のボイスコイルモータ（あるいはリニアモータ）を含む微動ステージ駆動系５２（図４参照）により、粗動テーブル３２Ａ上で６自由度方向（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向）に微少駆動される。
【００５８】
詳述すると、図１に示されるように、粗動テーブル３２Ａの＋Ｘ側の端部の上面には、支持部材３３を介して固定子５６が設けられ、これに対向して、微動ステージ２６の＋Ｘ側の側面には、固定子５６とともにＸボイスコイルモータ５４Ｘを構成する可動子５８が固定されている。ここで、実際には、同様の構成のＸボイスコイルモータ５４Ｘが、Ｙ軸方向に所定距離離間して一対設けられている。
【００５９】
また、図３に示されるように、粗動テーブル３２Ａの上面のＹ軸方向に関するほぼ中央の位置には、支持部材３５を介して固定子６０が設けられ、これに対向して、微動ステージ２６の＋Ｙ側の側面には、固定子６０とともに、Ｙボイスコイルモータ５４Ｙを構成する可動子６２が固定されている。ここで、実際には、同様の構成のＹボイスコイルモータ５４Ｙが、Ｘ軸方向に所定距離離間して一対設けられている。
【００６０】
微動ステージ２６は、主制御装置５０によって、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘを用いて後述する重量キャンセル装置２８に支持されて粗動テーブル３２Ａに同期駆動（粗動テーブル３２Ａと同方向に同速度で駆動）されることにより、粗動テーブル３２Ａと共にＸ軸方向に所定のストロークで移動し、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙを用いて、駆動されることにより、粗動テーブル３２Ａに対しＹ軸方向にも微少ストロークで移動する。
【００６１】
また、微動ステージ２６は、主制御装置５０によって、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘのそれぞれ、又は一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙのそれぞれに、互いに逆方向の駆動力が発生させられることにより、粗動テーブル３２Ａに対しθｚ方向に移動する。
【００６２】
本実施形態では、上述したＸリニアモータ４２Ａ，４２Ｂと、微動ステージ駆動系５２の各一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＹボイスコイルモータ５４Ｙと、によって、微動ステージ２６は、投影光学系ＰＬ（図１参照）に対し、Ｘ軸方向に長ストロークで移動（粗動）可能、かつＸ軸，Ｙ軸及びθｚ方向の３自由度方向に微少移動（微動）可能となっている。
【００６３】
また、微動ステージ駆動系５２は、図１に示されるように、微動ステージ２６を残りの３自由度方向（θｘ、θｙ、及びＺ軸の各方向）に微少駆動するための複数、例えば４つのＺボイスコイルモータ５４Ｚを有している。複数のＺボイスコイルモータ５４Ｚのそれぞれは、粗動テーブル３２Ａ上面に固定された固定子５９と、微動ステージ２６の下面に固定された可動子５７とから成り、微動ステージ２６の下面の四隅部に対応する箇所に配置されている（図１では、４つのＺボイスコイルモータ５４Ｚのうち２つのみが示され、他の２つは図示省略。また、図３では４つのＺボイスコイルモータ５４Ｚのうち１つのみが示され、他の３つは図示省略）。上記各ボイスコイルモータ５４Ｘ，５４Ｙ，５４Ｚの固定子は、粗動テーブル３２Ａにすべて取付けられている。各ボイスコイルモータ５４Ｘ，５４Ｙ，５４Ｚは、ムービングマグネット型、ムービングコイル型のいずれでも良い。なお、微動ステージ２６の位置を計測する位置計測系については、後述する。
【００６４】
粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの上方には、図２及び図３に示されるように、平面視矩形の支持面（上面）を有する４つのエア浮上ユニット８４が配置され、支持部材８６をそれぞれ介して粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂの上面に固定されている。
【００６５】
各エア浮上ユニット８４の支持面（上面）は、多孔質体や機械的に複数の微小な穴を有するスラスト型のエアベアリング構造になっている。各エア浮上ユニット８４は、気体供給装置８５（図４参照）からの加圧気体（例えば高圧空気）の供給により、基板Ｐの一部を浮上支持することができるようになっている。各エア浮上ユニット８４に対する高圧空気の供給のオン・オフは、図４に示される主制御装置５０によって制御される。ここで、図４では、作図の便宜上、単一の気体供給装置８５が図示されているが、これに限らず、各エア浮上ユニット８４に対して個別に高圧空気を供給するエア浮上ユニット８４と同数の気体供給装置を用いても良いし、あるいは、複数のエア浮上ユニット８４にそれぞれ接続された２つ以上の気体供給装置を用いても良い。図４では、これらの全てを代表して、単一の気体供給装置８５が示されている。いずれにしても、主制御装置５０によって、気体供給装置８５からの各エア浮上ユニット８４に対する高圧空気の供給のオン・オフが個別に制御される。
【００６６】
粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれに取り付けられた各４つのエア浮上ユニット８４は、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側に配置されている。各エア浮上ユニット８４の上面は基板ホルダＰＨの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。
【００６７】
図２に示されるように、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の一側と他側に配置された各４つのエア浮上ユニット８４は、平面視で基板ホルダＰＨとほぼ同じ面積（すなわち基板Ｐの約１／２）の矩形の領域内に、Ｘ軸方向に所定間隔を隔てて、かつＹ軸方向にわずかの隙間を隔てて２行２列で配置されている。この場合、上記各４つのエア浮上ユニット８４は、基板Ｐの約１／２を浮上支持することができる。
【００６８】
上述の説明から明らかなように、本実施形態では、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの両側（±Ｙ側）に隣接する各２つのエア浮上ユニット８４とによって基板Ｐの全体を浮上支持することができる。また、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの片側（＋Ｙ側又は−Ｙ側）の４つのエア浮上ユニット８４とによって基板Ｐの全体を浮上支持することもできる。
【００６９】
上述の基板ホルダＰＨの両側（±Ｙ側）の各４つのエア浮上ユニット８４は、平面視で基板ホルダＰＨとほぼ同じ面積の１つの大型のエア浮上ユニットに置き換えても良いし、Ｙ軸方向に並んだ各２つのエア浮上ユニット８４を、ほぼ同じ面積の１つのエア浮上ユニットにそれぞれ置き換えても良い。但し、後述する基板Ｙステップ送り装置の適切な配置スペースを確保するため、基板ホルダＰＨの＋Ｙ側のエア浮上ユニットは、全体として基板ホルダＰＨとＹ軸方向長さが同等で、基板ホルダＰＨより幾分Ｘ軸方向の長さが短い矩形の支持面を有し、少なくともＸ軸方向に関して２分割されていることが望ましい。
【００７０】
基板Ｙステップ送り装置８８は、基板Ｐを保持してＹ軸方向に移動させるための装置であり、基板ホルダＰＨの＋Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４のうち、＋Ｘ側と−Ｘ側の各２つのエア浮上ユニット８４相互間に配置されている。基板Ｙステップ送り装置８８は、粗動テーブル３２Ａに支持部材８９を介して固定されている（図３参照）。
【００７１】
基板Ｙステップ送り装置８８は、図３に示されるように、基板Ｐの裏面を吸着してＹ軸方向に移動する可動部８８ａと粗動テーブル３２Ａに固定された固定部８８ｂと、を備えている。可動部８８ａは、一例として可動部８８ａに設けられた可動子と固定部８８ｂに設けられた固定子とから成るリニアモータによって構成される駆動装置９０（図３では不図示、図４参照）によって、粗動テーブル３２Ａに対してＹ軸方向に駆動される。基板Ｙステップ送り装置８８には、可動部８８ａの位置を計測するエンコーダなどの位置読み取り装置９２（図３では不図示、図４参照）が設けられている。なお、駆動装置９０は、リニアモータに限らず、ボールねじ又はベルトを用いた回転モータを駆動源とする駆動機構によって構成しても良い。
【００７２】
基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａのＹ軸方向の移動ストロークは基板ＰのＹ軸方向の長さの約１／２であり、基板Ｐの裏面を吸着して、基板Ｐの露光対象領域の全域を基板ホルダＰＨ上に位置させることができる。従って、基板ＰのＹ軸方向のステップ送りの都度、投影光学系ＰＬの露光領域ＩＡに対して基板ホルダＰＨに保持された基板ＰをＸ軸方向にスキャンすることで、結果的に基板Ｐの露光対象領域の全域を露光することが可能になる。
【００７３】
また、基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａ（基板吸着面）は基板Ｐの裏面を吸着したり、吸着を解除して基板Ｐから分離したりする必要があるので、駆動装置９０によってＺ軸方向にも微少駆動可能に構成されている。
【００７４】
なお、本実施形態では、基板Ｙステップ送り装置８８は、粗動テーブル３２Ａに取付けられるものとしたが、これに限らず微動ステージ２６に取り付けられていても良い。また、上記説明では、基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａは、基板Ｐとの分離、接触を行なう必要があるため、Ｚ軸方向にも移動可能であるものとしたが、これに限らず、可動部８８ａ（基板吸着面）による基板Ｐの吸着及び基板Ｐとの分離のために、微動ステージ２６がＺ軸方向に移動しても良い。
【００７５】
重量キャンセル装置２８は、図１及び図３に示されるように、Ｚ軸方向に延びる柱状の部材から成り、心柱とも称される。重量キャンセル装置２８は、後述するレベリング装置と称される装置を介して微動ステージ２６を下方から支持している。重量キャンセル装置２８は、粗動テーブル３２Ａの凹部内に配置されており、その上半部が粗動テーブル３２Ａ（及び３２Ｂ）より上方に露出し、その下半部が粗動テーブル３２Ａ（及び３２Ｂ）より下方に露出している。
【００７６】
重量キャンセル装置２８は、図３に示されるように、筐体６４、空気ばね６６及びＺスライダ６８などを有する。筐体６４は、＋Ｚ側が開口した有底の筒状部材から成る。筐体６４の下面には、軸受面が−Ｚ側を向いた複数のエアベアリング（以下、ベースパッドと呼ぶ）７０が取り付けられている。空気ばね６６は、筐体６４の内部に収容されている。空気ばね６６には、外部から加圧気体（例えば高圧空気）が供給される。Ｚスライダ６８は、Ｚ軸方向に延びる、例えば高さの低い円柱状の部材から成り、筐体６４内に挿入され、空気ばね６６上に載置されている。Ｚスライダ６８にはＺ軸方向以外の方向の運動を規制するためのガイド（不図示）が設けられている。ガイドとしては、例えばエアベアリング、又は平行板ばねなどが用いられる。平行板ばねは、例えば、ＸＹ平面に平行な厚さの薄いばね鋼板などから成る、例えば６枚の板ばねを用いて構成される。６枚の板ばねのうち３枚の板ばねを、Ｚスライダ６８の上端部の周囲３箇所に放射状に配置し、残り３枚の板ばねを、Ｚスライダ６８の下端部の周囲３箇所に上記３枚の板ばねと上下方向に重なるように、放射状に配置する。そして、それぞれの板ばねの一端部を、Ｚスライダ６８の外周面に取り付け、他端部を筐体６４に取付けて構成する。平行板ばねを用いることにより、板ばねの撓み量でストロークが決まるので、Ｚスライダ６８は、Ｚ軸方向に短い、すなわち背（高さ）が低い構造にすることができる。ただし、Ｚスライダ６８は、エアベアリングでガイドを構成する場合のように長いストロークには対応できない。Ｚスライダ６８の上部（＋Ｚ側の端部）には、軸受面が＋Ｚ側を向いた不図示のエアベアリング（シーリングパッドという）が取り付けられている。また、筐体６４の周囲には、図１及び図３に示されるように、複数の腕（フィーラと呼ばれる）７１が放射状に配置されて固定されている。そして、各フィーラ７１の先端部上面には微動ステージ２６の下面に取り付けられた複数の反射型光センサ（レベリングセンサとも呼ばれる）７４のそれぞれで用いられるターゲット板７２が設置されている。反射型光センサ７４は、実際には、一直線上にない３箇所以上に配置されている。これらの複数の反射型光センサ７４によって、微動ステージ２６のＺ軸方向の位置、及びチルト量（θｘ及びθｙ方向の回転量）を計測するＺチルト計測系７６（図４参照）が構成されている。なお、図３では図面の錯綜を避けるために反射型光センサ７４は１つのみ示されている。
【００７７】
レベリング装置７８は、微動ステージ２６をチルト自在（ＸＹ平面に対してθｘ及びθｙ方向に揺動自在）に支持する装置である。レベリング装置７８は、固定部７８ａ（図３中に直方体部材で模式的に示されている）と可動部７８ｂ（図３中に球状部材で模式的に示されている）とを有する球面軸受、あるいは擬似球面軸受構造体であり、固定部７８ａは可動部７８ｂを下方から支持しながら可動部７８ｂを水平面内の軸（例えばＸ軸とＹ軸）回りに微少ストロークで傾斜させることができるようになっている。この場合、例えば固定部７８ａの上面に可動部７８ｂのθｘ方向及びθｙ方向の傾斜を許容する凹部が形成されているものとすることができる。
【００７８】
そして、可動部７８ｂの上面（球面の上半部）は微動ステージ２６に固定されており、固定部７８ａに対して微動ステージ２６を傾動可能にしている。固定部７８ａの下面は水平な平面に仕上げられており、重量キャンセル装置２８の前述したシーリングパッドのガイド面として、シーリングパッド全体の軸受面よりもやや広い面積を有している。そして、固定部７８ａは、重量キャンセル装置２８のＺスライダ６８に取り付けられたシーリングパッドにより下方から非接触支持されている。
【００７９】
重量キャンセル装置２８は、空気ばね６６が発生する重力方向上向きの力により、Ｚスライダ６８、及びレベリング装置７８を介して微動ステージ２６を含む系の重量（重力方向下向きの力）を打ち消す（キャンセルする）ことにより、上述した複数のＺボイスコイルモータ５４Ｚの負荷を軽減する。
【００８０】
重量キャンセル装置２８は、一対の連結装置８０を介して粗動テーブル３２Ａに接続されている（図１参照）。一対の連結装置８０のＺ位置は、重量キャンセル装置２８のＺ軸方向に関する重心位置とほぼ一致している。各連結装置８０は、ＸＹ平面に平行な厚さの薄い鋼板などを含み、フレクシャ装置とも称される。一対の連結装置８０のそれぞれは、重量キャンセル装置２８の＋Ｘ側と−Ｘ側とに互いに対峙して配置されている。各連結装置８０は、重量キャンセル装置２８の筐体６４と粗動テーブル３２Ａとの間に、Ｘ軸に平行に配置され、両者を連結している。従って、重量キャンセル装置２８は、一対の連結装置８０のいずれかを介して粗動テーブル３２Ａに牽引されることにより、粗動テーブル３２Ａと一体的にＸ軸方向に移動する。また、重量キャンセル装置２８に非接触でレベリング装置７８を介して支持された上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘの駆動によって、粗動テーブル３２Ａと一体的にＸ軸方向に移動する。この際、重量キャンセル装置２８には、そのＺ軸方向に関する重心位置を含むＸＹ平面に平行な平面内で牽引力が作用するので、移動方向（Ｘ軸）に直交する軸（Ｙ軸）周りのモーメント（ピッチングモーメント）が作用しない。
【００８１】
上述の如く、本実施形態では、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂ、重量キャンセル装置２８、微動ステージ２６、及び基板ホルダＰＨ等を含んで、基板Ｐと一体で（基板Ｐの一部を保持して）Ｘ軸方向に移動する移動体（以下、適宜、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）と表記する）が構成されている。
【００８２】
なお、レベリング装置７８、連結装置８０を含み、本実施形態の重量キャンセル装置２８の詳細な構成については、例えば米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書に開示されている（但し、本実施形態では、重量キャンセル装置２８がＹ軸方向に移動しないので、Ｙ軸方向の連結装置は不要である）。なお、不図示であるが、重量キャンセル装置２８はＹ軸方向に単独移動しないように、Ｙ軸方向の連結装置等により規制を設けても良い。
【００８３】
Ｘガイド８２は、図１及び図２に示されるように、Ｘ軸方向を長手方向とする直方体形状をしている。Ｘガイド８２は、上述した一対の架台１８の上面（＋Ｚ側面）に、一対の架台１８を横断するように配置して固定されている。Ｘガイド８２の長手方向（Ｘ軸方向）の寸法は、Ｘ軸方向に所定間隔で配置された一対の架台１８のそれぞれのＸ軸方向寸法と、一対の架台１８間の隙間のＸ軸方向寸法との和よりも幾分長く（ほぼ同等に）設定されている。
【００８４】
Ｘガイド８２の上面（＋Ｚ側の面）は、ＸＹ平面に平行で平坦度が非常に高く仕上げられている。Ｘガイド８２上には、図１及び図３に示されるように、重量キャンセル装置２８が搭載され、ベースパッド７０を介して浮上支持（非接触状態で支持）されている。Ｘガイド８２の上面は、水平面（ＸＹ平面）とほぼ平行となるように調整されており、重量キャンセル装置２８が移動する際のガイド面として機能する。Ｘガイド８２の長手方向の寸法は、重量キャンセル装置２８（すなわち粗動テーブル３２Ａ）のＸ軸方向の移動可能量よりも幾分長く設定されている。Ｘガイド８２の上面の幅方向寸法（Ｙ軸方向寸法）は、複数のベースパッド７０全ての軸受面と対向可能な寸法に設定されている（図３参照）。Ｘガイド８２の材質、及び製造方法は特に限定されないが、例えば、鋳鉄などの鋳造により形成される場合、石材（例えば、斑レイ岩）により形成される場合、セラミックス、あるいはＣＦＲＰ（Carbon Fiver Reinforced Plastics）材などにより形成される場合などがある。また、Ｘガイド８２は、中実の部材、又は内部にリブをもつ中空の部材であってその形状が直方体の部材により形成されている。なお、Ｘガイド８２は直方体部材に限らず、ＹＺ断面がＩ型の棒状部材であっても良い。
【００８５】
基板ホルダＰＨの−Ｘ側の側面には、図１及び図２に示されるように、不図示のミラー保持部品を介して、Ｘ軸に直交する反射面を有する平面ミラー（あるいはコーナーキューブ）から成る一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２が固定されている。ここで、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２は、ブラケットを介して微動ステージ２６に固定されていても良い。
【００８６】
微動ステージ２６の−Ｙ側の側面には、図３に示されるように、ミラー保持部品９６を介して、Ｙ軸に直交する反射面を有する長尺の平面ミラーから成るＹ移動鏡９４Ｙが固定されている。微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）のＸＹ平面内の位置情報は、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２、及びＹ移動鏡９４Ｙを用いるレーザ干渉計システム（以下、基板ステージ干渉計システムと呼ぶ）９８（図４参照）によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。なお、実際には、基板ステージ干渉計システム９８は、図２及び図４に示されるように、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に対応するＸレーザ干渉計（以下、Ｘ干渉計と略記する）９８Ｘ、及びＹ移動鏡９４Ｙに対応するＹレーザ干渉計（以下、Ｙ干渉計と略記する）９８Ｙを備えている。Ｘ干渉計９８Ｘ、及びＹ干渉計９８Ｙの計測結果は、主制御装置５０に供給されている（図４参照）。
【００８７】
Ｘ干渉計９８Ｘは、図１に示されるように、Ｘガイド８２（又は−Ｘ側の架台１８）に一端が固定されたＬ字型の干渉計コラム１０２の上端に、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に対向する高さで取付けられている。Ｘ干渉計９８Ｘとしては、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２のそれぞれに個別に干渉計ビーム（計測ビーム）を照射する一対の干渉計を用いることもできるし、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２のそれぞれに照射される２本の計測ビーム（測長ビーム）を射出する多軸干渉計を用いることもできる。以下では、多軸干渉計によって、Ｘ干渉計９８Ｘが構成されているものとする。
【００８８】
Ｙ干渉計９８Ｙは、図３に示されるように、２つの粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂの間に配置され、架台１８に下端が固定された支持部材１０４の上面にＹ移動鏡９４Ｙに対向して固定されている。Ｙ干渉計９８Ｙとしては、Ｙ移動鏡９４Ｙにそれぞれ干渉計ビーム（計測ビーム）を照射する一対の干渉計を用いることもできるし、Ｙ移動鏡９４Ｙに２本の計測ビームを照射する多軸干渉計を用いることもできる。以下では、多軸干渉計によって、Ｙ干渉計９８Ｙが構成されているものとする。
【００８９】
この場合、Ｙ干渉計９８ＹはＺ軸方向に関して基板Ｐの表面（露光の際には、この面が投影光学系ＰＬの像面に一致するように、基板Ｐのフォーカス・レベリング制御が行われる）よりも低い位置にあるため、Ｙ位置の計測結果にＸ軸方向の移動時の微動ステージ２６の姿勢変化（ローリング）によるアッベ誤差が含まれる。この場合、不図示ではあるが、Ｙ干渉計９８Ｙとして、Ｘ軸方向に離間した２本の計測ビームの他、この２本の計測ビームに対してＺ軸方向に離間した少なくとも１本の計測ビームを含む、少なくとも３本の干渉計ビーム（計測ビーム）をＹ移動鏡９４Ｙに照射する多軸干渉計を用いても良い。主制御装置５０は、該多軸干渉計によって微動ステージ２６のローリング量を検出し、その検出結果に基づいて、Ｙ干渉計９８ＹによるＹ位置の計測結果に含まれる上記アッベ誤差の補正を行うようにしても良い。
【００９０】
また、微動ステージ２６のθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報は、前述したＺチルト計測系７６（微動ステージ２６の下面に固定された一直線上にない３箇所以上の反射型光センサ７４）により、前述のフィーラ７１先端のターゲット板７２を用いて求められる。Ｚチルト計測系７６を含み、上述した微動ステージ２６の位置計測系の構成については、例えば米国特許出願公開第２０１０／００１８９５０号明細書に開示されている。従って、Ｙ干渉計９８Ｙとして微動ステージ２６のローリング量を検出しないタイプの干渉計を用いる場合などには、主制御装置５０は、Ｚチルト計測系７６によって求められた、微動ステージ２６のθｙ方向に関する位置情報（ローリング量）に基づいて、Ｙ干渉計９８ＹによるＹ位置の計測結果に含まれる上記アッベ誤差の補正を行うようにしても良い。
【００９１】
この他、微動ステージ２６単体のθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報を計測せず、投影光学系ＰＬと一体とみなせる微動ステージ２６上方の部材（ボディＢＤの一部、例えば鏡筒定盤１６）に固定された不図示の斜入射方式の多点焦点位置検出系（フォーカスセンサ）により、上方から直接基板Ｐのθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報を計測するのみでも良い。勿論、基板Ｐと微動ステージ２６とのθｘ、θｙ、及びＺ軸方向に関する位置情報を計測しても良い。
【００９２】
基板ホルダＰＨの上方に位置する鏡筒定盤１６の下端部には、不図示ではあるが、複数のアライメント検出系が設けられている。アライメント検出系は、Ｘ軸とＹ軸方向に所定の間隔で複数配置されている。基板ホルダＰＨは微動ステージ２６のＸ軸方向の移動によって、複数のアライメント検出系の下を通過できるようになっている。少なくとも一部のアライメント検出系は、基板Ｐ上のパターン領域の配置（ショット数、面取り数）に応じて、そのＸＹ方向の位置を変更できるようになっていても良い。
【００９３】
各アライメント検出系は、例えば、ＣＣＤカメラを備える顕微鏡を有しており、予め基板Ｐの所定の位置に設けられたアライメントマークが顕微鏡の視野内に入ると画像処理によってアライメント計測が実行され、アライメントマークの位置情報（位置ずれ情報）が、基板ステージ装置ＰＳＴの可動部の位置を制御する主制御装置５０に送られるようになっている。
【００９４】
図４には、露光装置１００の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置５０の入出力関係を示すブロック図が示されている。図４では、基板ステージ系に関連する構成各部が示されている。主制御装置５０は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等を含み、露光装置１００の構成各部を統括制御する。
【００９５】
次に、上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置１００で行われる基板処理のための一連の動作について説明する。ここでは、一例として基板Ｐに対して第２層目以降の露光を行う場合について、図５〜図１３に基づいて説明する。なお、図５〜図１３において示される露光領域ＩＡは、露光時に照明光ＩＬが投影光学系ＰＬを介して照射される照明領域であり、実際には、露光時以外に形成されることはないが、基板Ｐと投影光学系ＰＬとの位置関係を明確にするため常に図示されている。
【００９６】
まず、主制御装置５０の管理の下、不図示のマスク搬送装置（マスクローダ）によって、マスクステージＭＳＴ上へのマスクＭのロードが行われるとともに、不図示の基板搬入装置によって、基板ステージ装置ＰＳＴ上への基板Ｐの搬入（投入）が行なわれる。基板Ｐには前層以前の露光の際に、一例として図５に示されるように、複数、例えば４つのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４とともに、各ショット領域のパターンと同時に転写された複数のアライメントマーク（不図示）が、ショット領域毎に設けられている。
【００９７】
基板ステージ装置ＰＳＴ上への搬入に際し、基板Ｐは、図５に示されるように、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの＋Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４とに跨って載置され、基板ホルダＰＨは基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／２）を吸着固定し、４つのエア浮上ユニット８４は基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の残りの約１／２）を浮上支持する。このとき、基板Ｐ上の少なくとも２つのアライメントマークが、いずれかのアライメント検出系の視野に入るように、かつ基板ホルダＰＨ上にくるように、基板Ｐが、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの＋Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４とに跨って載置される。
【００９８】
その後、主制御装置５０により、従来と同様のアライメント計測の方法によって投影光学系ＰＬに対する微動ステージ２６の位置と、微動ステージ２６に対する基板Ｐの凡その位置とが求められる。なお、微動ステージ２６に対する基板Ｐのアライメント計測は省略しても良い。
【００９９】
そして、主制御装置５０は、上記の計測結果に基づいて、粗動テーブル３２Ａを介して微動ステージ２６を駆動して基板Ｐ上の少なくとも２つのアライメントマークをいずれかのアライメント検出系の視野内に移動させ、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐのアライメント計測を行い、その結果に基づいて、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置を求める。ここで、露光のためのスキャンは、走査露光時の等速移動区間の前後に加速区間及び減速区間を含むので、スキャン開始位置は、厳密に言えば加速開始位置である。そして、主制御装置５０は、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂを駆動するとともに微動ステージ２６を微小駆動して、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐを位置決めする。このとき、図５中に十字の矢印で示されるように、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の粗動テーブル３２Ａに対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図５には、このようにして、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐが位置決めされた直後の状態が示されている。
その後、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
【０１００】
ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作では、基板Ｐ上の複数のショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４に対して順次露光処理が行われる。基板Ｐは、スキャン動作時には、Ｘ軸方向に、所定の加速時間加速され、その後所定時間等速駆動され（この等速駆動中に露光（スキャン露光）が行われ）、その後加速時間と同じ時間だけ減速される（以下、この基板Ｐの一連の動作をＸスキャン動作と呼ぶ）。また、基板は、ステップ動作時（ショット領域間移動時）には、Ｘ軸又はＹ軸方向に適宜駆動される（以下、それぞれＸステップ動作、Ｙステップ動作と呼ぶ）。本実施形態では、各ショット領域ＳＡｎ（ｎ＝１、２、３、４）の最大露光幅（Ｙ軸方向の幅）は基板Ｐの約１／２である。
具体的には、露光動作は次のようにして行なわれる。
【０１０１】
図５の状態から、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）は、図５中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向へ駆動され、基板ＰのＸスキャン動作が行われる。このとき、マスクＭ（マスクステージＭＳＴ）が基板Ｐ（微動ステージ２６）と同期して−Ｘ方向へ駆動されており、ショット領域ＳＡ１が、投影光学系ＰＬによるマスクＭのパターンの投影領域である露光領域ＩＡを通過するので、その際に、ショット領域ＳＡ１に対する走査露光が行われる。走査露光は、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の−Ｘ方向へ加速後の等速移動中に、マスクＭ、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照明光ＩＬが照射されることで行われる。
【０１０２】
上述のＸスキャン動作に際し、主制御装置５０は、微動ステージ２６に搭載された基板ホルダＰＨに基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／２）を吸着固定させ、粗動テーブル３２Ａ上にある４つのエア浮上ユニット８４上に基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／２）を浮上支持させた状態で、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）を駆動する。この際、主制御装置５０は、Ｘリニアエンコーダシステム４６Ａ、４６Ｂの計測結果に基づいて、Ｘリニアモータ４２Ａ，４２Ｂを介して粗動テーブル３２Ａ及び３２ＢをＸ軸方向に駆動するとともに、基板ステージ干渉計システム９８及び／又はＺチルト計測系７６の計測結果に基づいて、微動ステージ駆動系５２（各ボイスコイルモータ５４Ｘ、５４Ｙ、５４Ｚ）を駆動する。これにより、基板Ｐは微動ステージ２６と一体となって、重量キャンセル装置２８の上に浮上支持された状態で、粗動テーブル３２Ａに牽引されてＸ軸方向に移動するとともに、粗動テーブル３２Ａからの相対駆動によって、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向（６自由度方向）に関して精密に位置制御される。また、主制御装置５０は、Ｘスキャン動作に際し、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）と同期して、マスク干渉計システム１４の計測結果に基づいて、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴを、Ｘ軸方向に走査駆動するとともに、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微小駆動する。図６には、ショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板Ｐの一部を保持する基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０１０３】
次に、主制御装置５０は、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐを、図６中に白抜き矢印で示されるように、少し＋Ｘ方向へ駆動する基板ＰのＸステップ動作を行う。基板ＰのＸステップ動作は、主制御装置５０が、Ｘスキャン動作と同様の状態で基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）を駆動して（但し、移動中の位置偏差はスキャン動作ほど厳密に規制しないで）行なう。図７には、ショット領域ＳＡ２の露光のためのスキャン開始位置に基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）が移動した状態が示されている。主制御装置５０は、基板ＰのＸステップ動作と並行して、マスクステージＭＳＴを加速開始位置に戻している。
【０１０４】
次いで、主制御装置５０は、図７中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ（基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との−Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ２に対しスキャン露光を行なう。図８には、ショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０１０５】
次に、基板Ｐの未露光領域を基板ホルダＰＨ上へ移動させるためのＹステップ動作が行われる。この基板ＰのＹステップ動作は、主制御装置５０が、基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａによって、図８に示される状態にある基板Ｐの＋Ｙ側端部の裏面を吸着保持し、その基板Ｐに対する基板ホルダＰＨの吸着を解除した後、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気とエア浮上ユニット８４による引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させた状態で、基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａを、図９中に黒塗り矢印で示されるように、−Ｙ方向へ駆動することによって行われる。これにより、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐのみが−Ｙ方向に移動し、基板Ｐは未露光のショット領域ＳＡ３，ＳＡ４が、基板ホルダＰＨ上に対向し、基板ホルダＰＨと−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４とに跨って載置された状態となる。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット８４とによって浮上支持されている。そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨが、排気から吸気（吸引）に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨにより基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／２）が吸着固定され、４つのエア浮上ユニット８４によって基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の残りの約１／２）が浮上支持された状態となる。上記の基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着動作の開始の直後に、主制御装置５０によって、基板Ｙステップ送り装置８８による基板Ｐの吸着が解除される。
【０１０６】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ上に予め設けられている次のショット領域用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に際し、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、必要に応じて、前述した基板ＰのＸステップ動作が行われる（図９中の白抜き矢印参照）。
【０１０７】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、図１０中に十字の矢印で示されるように、微動ステージ２６の粗動テーブル３２Ａに対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。
【０１０８】
次いで、主制御装置５０により、図１０中に白抜き矢印で示されるように、基板ＰとマスクＭとの＋Ｘ方向の加速が開始され、前述と同様のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が行われる。図１１には、ショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０１０９】
次に、主制御装置５０により、次の露光のための加速に備えて、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）を、図１１中に白抜き矢印で示されるように、少し−Ｘ方向へ駆動するＸステップ動作が行われる。図１２には、ショット領域ＳＡ４の露光のためのスキャン開始位置に基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）が移動した状態が示されている。
【０１１０】
次いで、主制御装置５０により、図１２中に白抜き矢印で示されるように、基板ＰとマスクＭとの＋Ｘ方向の加速が開始され、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が行われる。図１３には、ショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２Ａ，３２Ｂ，ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０１１１】
以上のように、本実施形態に係る露光装置１００では、スキャン露光とステップ動作とを繰り返すことで、基板Ｐ全体（基板上の全てのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４）に対する露光（マスクＭのパターンの重ね合わせ転写）が行われる。
【０１１２】
ここで、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４に対する露光の順番及びスキャンの方向は上述した順番、方向に限られるものではない。また、投影光学系ＰＬを介した照明光ＩＬの基板Ｐ上への照射は、マスクステージＭＳＴと微動ステージ２６とのＸ軸方向への等速同期移動時にのみ行われるように、不図示のマスキングブレードの位置、又はシャッタの開閉等が行われている。また、マスキングブレードの開口幅を可変にして露光領域ＩＡの幅を変更可能に構成しても良い。
【０１１３】
以上説明したように、本実施形態に係る露光装置１００では、基板Ｐが載置され、その基板Ｐの平坦度を確保した状態で吸着保持する基板ホルダＰＨの基板保持面（基板載置面）は従来の基板ホルダの約１／２の面積で足りるので、基板ホルダＰＨを小型、軽量化することが可能になる。また、軽量化された基板ホルダＰＨを支持する微動ステージ２６も小型、軽量化され、各ボイスコイルモータ５４Ｘ，５４Ｙ，５４Ｚによる微動ステージ２６の高速、高加減速駆動、及び位置制御性の向上が可能となる。また、基板ホルダＰＨは小型化されることによって、その基板保持部の平面度の加工時間が短縮され、加工精度も向上する。また、本実施形態では、微動ステージ２６はＹ軸方向に関してステップ移動は行なわず、粗動テーブル３２Ａ上の基板Ｙステップ送り装置８８により、基板ＰのみをＹ軸方向へラフな精度でステップ移動させるので、粗動テーブル３２Ａの構造もシンプルで小型、軽量、低コスト化することが可能である。
【０１１４】
本実施形態に係る露光装置１００が備える基板ステージ装置ＰＳＴは、基板Ｐにクロススキャン方向（Ｙ軸方向）に複数のショット領域を配置する多面取りレイアウトに有効である。
【０１１５】
なお、上記実施形態では、基板ホルダＰＨの＋Ｙ側及び−Ｙ側にそれぞれ配置されるエア浮上ユニットの基板支持面の面積（合計面積）は、必ずしも基板Ｐの約１／２である必要はなく、また、そのクロススキャン方向の寸法は、必ずしも基板Ｐの約１／２の寸法である必要はない。すなわち、より小さな面積、サイズの基板支持面を有するエア浮上ユニットによって、基板Ｐを浮上させても良い。この場合、そのエア浮上ユニットとして、エア剛性を高くできるエアベアリング構造を用いることができるし、エア剛性が低いエアベアリング構造を用いるとともに、負荷容量の大きなファンによって気流を起こし、その気流によって基板Ｐを浮上させるようにしても良い。
【０１１６】
《第２の実施形態》
次に、第２の実施形態について、図１４〜図１６に基づいて説明する。ここで、前述した第１の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１１７】
図１４には、第２の実施形態に係る露光装置２００の構成が概略的に示され、図１５には、露光装置２００の一部省略した平面図が示されている。また、図１６には、露光装置２００を＋Ｘ方向から見た概略側面図が一部省略して示されている。但し、図１６では、前述の図３と同様に、粗動テーブル３２Ａは、断面図にて示されている。
【０１１８】
本第２の実施形態に係る露光装置２００では、前述した基板ステージ装置ＰＳＴに代えて、基板ステージ装置ＰＳＴａが設けられている点が、前述の第１の実施形態と相違するが、その他の部分の構成等は、前述した第１の実施形態と同様である。
【０１１９】
基板ステージ装置ＰＳＴａは、図１５及び図１６からわかるように、前述の基板ステージ装置ＰＳＴが備える２つの粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのうち、−Ｙ側の粗動テーブル３２Ｂをなくし、これに伴い、基板ホルダＰＨの−Ｙ側のエア浮上ユニットを、可動ではなく固定型としている点が、前述の基板ステージ装置ＰＳＴと相違している。以下、相違点を中心として、第２の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴａについて説明する。
【０１２０】
基板ホルダＰＨの−Ｙ側には、図１５に示されるように、エア浮上ユニット８４Ａと、エア浮上ユニット８４Ｂとが、それぞれ一対Ｙ軸方向にわずかの隙間を介して並べられて組をなし、その組がＸ軸方向に、所定の順番で並んで配置されている。エア浮上ユニット８４Ａは、前述したエア浮上ユニット８４とほぼ同じ形状及び大きさの支持面を有し、エア浮上ユニット８４Ｂは、エア浮上ユニット８４ＡとＹ軸方向の長さが同じで、Ｘ軸方向の長さが１／３程度の支持面を有している。
【０１２１】
エア浮上ユニット８４Ａ及び８４Ｂは、ともにエア浮上ユニット８４と同様に構成されている。本第２の実施形態では、エア浮上ユニット８４Ａは、４組、エア浮上ユニット８４Ｂは、３組、合計で７組用いられている。合計７組のエア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂは、Ｙ軸方向の幅が基板ＰのＹ軸方向の幅の約１／２、Ｘ軸方向の長さは、基板ホルダＰＨがスキャン移動したときの移動範囲とほぼ同等の長さの矩形領域内に、Ｘ軸方向に所定の間隔で配置されている。合計７組のエア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂは、図１６に示されるように、架台１８に接触しないように床面Ｆに固定されたフレーム１１０の上に固定されている。
【０１２２】
図１５に示されるように、露光領域ＩＡの中心と合計７組のエア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂの配置領域の中心とのＸ位置はほぼ一致しており、Ｘ軸方向の中央に１組（一対）のエア浮上ユニット８４Ｂが配置されている。この１組のエア浮上ユニット８４Ｂと該１組のエア浮上ユニット８４Ｂに隣接するＸ軸方向両側のエア浮上ユニット８４Ａとの間の隙間から、Ｙ干渉計９８ＹからのＸ軸方向に離間した一対の計測ビームがＹ移動鏡９４Ｙに照射されるようになっている。この場合、Ｙ干渉計９８Ｙは、７組のエア浮上ユニット８４Ａ、８４Ｂよりも−Ｙ側に位置するボディＢＤのサイドフレーム２０に固定されている。Ｙ干渉計９８Ｙとして、微動ステージ２６のローリング量の計測が可能な多軸干渉計が用いられている（図１６参照）。
【０１２３】
また、図１４及び図１６に示されるように、レベリング装置７８の可動部が、重量キャンセル装置２８のＺスライダ６８に、水平面内の軸（例えばＸ軸とＹ軸）回りに微少ストロークで傾斜可能に取り付けられている。レベリング装置７８は、例えば上面が（球面の上半部）が微動ステージ２６に固定されており、Ｚスライダ６８の上面にレベリング装置７８のθｘ方向及びθｙ方向の回転（傾斜）を許容する凹部が形成されているものとすることができる。あるいは、この反対に、レベリング装置７８は、例えば下面（球面の下半部）がＺスライダ６８に固定され、レベリング装置７８に対する微動ステージ２６のθｘ方向及びθｙ方向の傾斜を許容する凹部が、微動ステージ２６に形成されているものとすることもできる。いずれにしても、レベリング装置７８は、Ｚスライダ６８に下方から支持され、微動ステージ２６の水平面内の軸（例えばＸ軸とＹ軸）回りの微少角度範囲内での傾動を許容する。
【０１２４】
第２の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴａでは、Ｚスライダ６８がレベリング装置７８の固定部を兼ね、シーリングパッドは設けられておらず、重量キャンセル装置２８が微動ステージ２６と一体化されている。また、重量キャンセル装置２８は微動ステージ２６と一体化されているので、重量キャンセル装置２８の単独運動を規制する連結装置８０（フレクシャ装置）などは設けられていない。基板ステージ装置ＰＳＴａのその他部分の構成は、基板ステージ装置ＰＳＴと同様になっている。
【０１２５】
以上のように構成される本第２の実施形態に係る露光装置２００によると、前述した第１の実施形態に係る露光装置１００と同等の効果が得られる他、基板ホルダＰＨの−Ｙ側のエア浮上ユニット８４Ａ，８４Ｂを粗動テーブル３２Ｂに搭載しないで、別置きのフレーム１１０に固定したので、エア浮上ユニット８４Ａ，８４ＢがＹ干渉計９８Ｙの計測ビームを遮ることがない。なお、Ｙ移動鏡９４Ｙは、基板ホルダＰＨの側面、あるいは微動ステージ２６にブラケットを介して取り付けても良い。
【０１２６】
《第３の実施形態》
次に、第３の実施形態について、図１７及び図１８に基づいて説明する。ここで、前述した第１、第２の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２７】
図１７には、本第３の実施形態に係る露光装置が備える基板ステージ装置ＰＳＴｂがボディＢＤの一部とともに平面図にて示され、図１８には、第３の実施形態に係る露光装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図が一部省略して示されている。但し、図１８では、前述の図１６と同様に、粗動テーブル３２Ａ（及び３２Ｂ）は、断面図にて示されている。
【０１２８】
基板ステージ装置ＰＳＴｂでは、図１８に示されるように、前述の第１の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴと同様に、２つの粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂが設けられているが、−Ｙ側の粗動テーブル３２Ｂにはエア浮上ユニットは搭載されておらず、前述の第２の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴａと同様に、基板ホルダＰＨの−Ｙ側のエア浮上ユニットは、別置きのフレーム１１０に基板ホルダＰＨのＸ方向移動範囲全体に渡って取り付けられている（図１７参照）。この場合も、−Ｙ側のエア浮上ユニットとして、第２の実施形態と同様に配置された合計７組のエア浮上ユニット８４Ａ，８４Ｂが用いられている。また、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ及び複数のＺボイスコイルモータ５４Ｚの一部（図１８では、１つのＺボイスコイルモータ５４Ｚの１つが図示されている）が、粗動テーブル３２Ｂと微動ステージ２６との間に設けられている。
【０１２９】
さらに、Ｙ移動鏡９４Ｙが、基板ホルダＰＨの−Ｙ側の側面の、Ｘ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２とほぼ同一の高さの位置に配置され、ブラケット９６Ａを介して微動ステージ２６の−Ｙ側の面に固定されている。この場合、アッベ誤差が生じないので、Ｙ干渉計９８Ｙは、ローリング量の計測は、必ずしもできなくても良い。
【０１３０】
この場合も、重量キャンセル装置２８が微動ステージ２６と一体化されている。基板ステージ装置ＰＳＴｂのその他の部分の構成、及び基板ステージ装置ＰＳＴｂ以外の各部の構成は、前述した第１の実施形態、又は第２の実施形態と同様になっている。
【０１３１】
以上のように構成される本第３の実施形態に係る露光装置によると、前述した第１及び第２の実施形態に係る露光装置１００、２００と同等の効果が得られる他、微動ステージ２６を駆動するＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＺボイスコイルモータ５４Ｚは、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂの両方にバランス良く分散して取り付けることが可能となり、第２実施形態よりも剛性の高いモータ配置が可能となる（図１８参照）。
【０１３２】
なお、上記第３の実施形態では、２つの粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂが設けられた場合について説明したが、これに限らず、図１９に示されるように、粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂを一体化したような粗動テーブル３２を設け、該粗動テーブル３２を２つのＸビーム３０Ａ，３０Ｂ上にスライド可能に取り付けても良い。
【０１３３】
なお、上記第１〜第３の実施形態及び図１９の変形例では、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の少なくとも一側のエア浮上ユニットを、粗動テーブル３２Ａ又は３２上に搭載してＸ軸方向に可動な構成としたが、これに限らず、粗動テーブルに追従して移動する別の移動体を設け、該別の移動体上にエア浮上ユニットを搭載して、Ｘ軸方向に可動な構成としても良い。例えば、前述の第１の実施形態では、粗動テーブル３２Ａの移動経路の＋Ｙ側及び／又は粗動テーブル３２Ｂの移動経路の−Ｙ側の移動経路に沿って移動する別の移動体を設け、該別の移動体上に例えば逆Ｌ字状の支持部材を介してエア浮上ユニットをＹ軸方向に関して基板ホルダＰＨに近接する状態で搭載しても良い。
【０１３４】
《第４の実施形態》
次に、第４の実施形態について、図２０及び図２１に基づいて説明する。ここで、前述した第１、第２及び第３の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１３５】
図２０には、本第４の実施形態に係る露光装置が備える基板ステージ装置ＰＳＴｃがボディの一部とともに平面図にて示され、図２１には、第４の実施形態に係る露光装置を図２０の＋Ｘ方向から見た概略側面図が一部省略して示されている。
【０１３６】
基板ステージ装置ＰＳＴｃでは、図２１に示されるよう、図１９と同様に、一体化された粗動テーブル３２が、２つのＸビーム３０Ａ，３０Ｂ上にスライド可能に取り付けられているが、粗動テーブル３２上にはエア浮上ユニットは搭載されていない。図２１では、粗動テーブル３２は、断面図にて示されている。基板ホルダＰＨの−Ｙ側及び＋Ｙ側のエア浮上ユニットは、第２、第３実施形態の−Ｙ側のエア浮上ユニットと同様に架台１８に接触しないように床面Ｆ上に設置されたフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれに固定されている。また、基板ホルダＰＨの−Ｙ側及び＋Ｙ側のエア浮上ユニットのそれぞれは、図２０に示されるように、Ｙ軸方向の幅が基板ＰのＹ軸方向の幅の約１／２、Ｘ軸方向の長さは、基板ホルダＰＨがスキャン移動したときの移動範囲とほぼ同等の長さの矩形領域内に、Ｘ軸方向に所定の間隔で、Ｙ軸方向にわずかの隙間を空けて配置されている。この場合、−Ｙ側のエア浮上ユニットとして、第２、第３の実施形態と同様に配置された合計７組のエア浮上ユニット８４Ａ，８４Ｂが用いられている。一方、＋Ｙ側のエア浮上ユニットとしては、図２０に示されるように、上記の矩形領域内にＸ軸方向に関して所定の隙間を空けて配置された４組（合計８つ）のエア浮上ユニット８４Ｄが用いられている。エア浮上ユニット８４Ｄは、前述したエア浮上ユニット８４と同様に構成され、Ｙ軸方向の幅はエア浮上ユニット８４と同等であるが、Ｘ軸方向の長さがエア浮上ユニット８４より幾分長い。
【０１３７】
＋Ｙ側の４組のエア浮上ユニット８４Ｄが固定されているフレーム１１０Ａには、前述の基板Ｙステップ送り装置８８が、Ｘ軸方向に所定の間隔で複数（図２０では３つ）設けられている。ここで、基板Ｐが可動領域内のいずれの位置（Ｙ軸方向の位置）にあるときでも基板Ｐの裏面を可動部８８ａで吸着してＹ軸方向に送ることができるようにするために、基板Ｙステップ送り装置８８は複数設けられている。各基板Ｙステップ送り装置８８は、Ｘ軸方向に隣接するエア浮上ユニット８４Ｄ間の隙間に配置されている。各基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａの上面は、エア浮上ユニット８４Ｄ上に浮上した基板Ｐを吸着して、Ｙ軸方向に移動させることができるとともに、吸着を解除して基板Ｐから分離することができるようになっている。
【０１３８】
基板ステージ装置ＰＳＴｃのその他の部分の構成、及び基板ステージ装置ＰＳＴｃ以外の各部の構成は、前述した第１、第２、又は第３の実施形態と同様になっている。
【０１３９】
以上のように構成される本第４の実施形態に係る露光装置によると、前述した各実施形態に係る露光装置と同等の効果が得られる他、基板ホルダＰＨの−Ｙ側のみならず、＋Ｙ側に位置するエア浮上ユニット８４Ｄ、及び基板Ｙステップ送り装置８８が、粗動テーブル３２とは分離して、フレーム１１０Ａ上に固定されているので、粗動テーブル３２にかかる負荷が減り、粗動テーブル３２を駆動する推力を小さくすることができる。
【０１４０】
《第５の実施形態》
次に、第５の実施形態について、図２２〜図２４に基づいて説明する。ここで、前述した第１、第２、第３又は第４の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４１】
図２２には、第５の実施形態に係る露光装置５００の構成が概略的に示され、図２３には、露光装置５００の一部省略した平面図が示されている。また、図２４には、露光装置５００を図２２の＋Ｘ方向から見た概略側面図が一部省略して示されている。図２４では、粗動テーブル３２は断面図にて示されている。
【０１４２】
本第５の実施形態に係る露光装置５００は、基本的には、前述した第４の実施形態に係る露光装置と同様に構成されているが、基板ステージ装置ＰＳＴｄが、第４の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｃと一部相違する。具体的には、基板ステージ装置ＰＳＴｄは、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２の微動ステージ２６上での取り付け位置が、基板ステージ装置ＰＳＴｃと相違し、これに対応してＸ干渉計の構成等が、基板ステージ装置ＰＳＴｃと相違している。以下、相違点を中心として、第５の実施形態に係る露光装置５００について説明する。
【０１４３】
図２２、図２３、図２４からわかるように、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２は、それぞれ不図示の移動鏡支持部品を介して微動ステージ２６のＹ軸方向の両側面のＸ軸方向中央付近に取り付けられている。一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に対応して、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２のそれぞれに対向する一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２が設けられている。一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２のそれぞれは、図２４に示されるように、−Ｘ側の架台１８にそれぞれの一端部（下端部）が固定されたＬ字状のフレーム（Ｘ干渉計フレーム）１０２Ａ，１０２Ｂの他端（上端）に個別に固定されている。フレーム１０２Ａ，１０２Ｂとして、前述のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂ、及びＸ軸方向に移動する粗動テーブル３２との干渉を避けるためにＬ字状のものが用いられている。
【０１４４】
また、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２は、基板ホルダＰＨの−Ｘ側端面よりも＋Ｘ側で基板Ｐの上面（表面）よりも低い位置、具体的には基板ホルダＰＨの下面より僅かに低い位置に設けられている。一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に対向して、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、基板Ｐの上面よりも低い位置でＹ軸方向に関して基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット８４Ｄ又は８４Ａとの隙間に収まる位置に配置されている。これにより、本第５の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｄでは、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、例えば図２３と図２０とを比較するとわかるように、Ｘ干渉計（一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２）を、第４の実施形態（及び第１〜第３の実施形態）に係るＸ干渉計９８Ｘに比べて−Ｘ側の架台１８から近い位置に配置することが可能となる。
【０１４５】
また、基板ステージ装置ＰＳＴｄでは、図２３に示されるように、＋Ｙ側のＸ移動鏡９４Ｘ１と、微動ステージ２６をＹ軸方向に微小駆動するＹボイスコイルモータ５４Ｙと、が干渉しないように、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙが、微動ステージ２６のＸ軸方向の中心（中央）に近い位置に取り付けられている。ただし、これに限らず、Ｘ移動鏡９４Ｘ１とＹボイスコイルモータ５４Ｙとが干渉しないようにできるのであれば、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙは、どこに取り付けても良い。不図示であるが、例えば、微動ステージ２６のＸ軸方向の両側面でも良い。この場合、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙの位置は、駆動力の合力が、微動ステージ２６の重心位置に作用するように、すなわち微動ステージ２６の重心駆動が可能となるように配置することが好ましい。
【０１４６】
以上のように構成される本第５の実施形態に係る露光装置５００によると、前述した第４の実施形態に係る露光装置と同等の効果が得られる他、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２を、第４の実施形態（及び第１〜第３の実施形態）に係るＸ干渉計９８Ｘに比べて−Ｘ側の架台１８から近い位置に配置することが可能となるので、フレーム１０２Ａ、１０２Ｂの総重量が干渉計コラム１０２の重量に比べて軽くなり、剛性が増すという利点がある。
【０１４７】
《第６の実施形態》
次に、第６の実施形態について、図２５〜図２９に基づいて説明する。ここで、前述した第１、第２、第３、第４又は第５の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４８】
図２５には、第６の実施形態に係る露光装置の一部省略した平面図が示されている。また、図２６には、第６の実施形態に係る露光装置のＸＺ断面図が一部省略して示されている。
【０１４９】
本第６の実施形態に係る露光装置は、基本的には、前述した第５の実施形態に係る露光装置と同様に構成されているが、基板ステージ装置ＰＳＴｅが、第５の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｄと一部相違する。
【０１５０】
具体的には、基板ステージ装置ＰＳＴｅでは、図２５に示されるように、基板ホルダＰＨとして、Ｙ軸方向のサイズのみならず、Ｘ軸方向のサイズも、基板ＰのＸ軸方向のサイズよりも小さく、例えば、基板Ｐの約１／２のものが用いられている。そして、基板ホルダＰＨのＸ軸方向の両側には、一対のエア浮上ユニット（移動エア浮上ユニット）８４Ｃが配置されている。一対のエア浮上ユニット８４Ｃのそれぞれは、図２６に示されるように、その上面が基板ホルダＰＨとほぼ同等（僅かに低い）の高さとなるように、支持部材１１２を介して粗動テーブル３２の上面に固定されている。一対のエア浮上ユニット８４Ｃのそれぞれは、例えばＹ軸方向の長さが基板ホルダＰＨと同等（若しくは基板ホルダＰＨよりも僅かに短い）で、Ｘ軸方向の長さが基板ホルダＰＨとほぼ同等、あるいは幾分短い。
【０１５１】
基板ステージ装置ＰＳＴｅでは、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２は、図２５及び図２６から分かるように、基板ホルダＰＨの−Ｘ側側面のＹ軸方向の両端付近に不図示の移動鏡支持部材を介して固定されている。基板ステージ装置ＰＳＴｅのその他の部分の構成は、第４の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｄと同様になっている。この場合、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、第５の実施形態と同様に、固定のエア浮上ユニット（８４Ａ，８４Ｂ）と、粗動テーブル３２上のエア浮上ユニット８４Ｃとに干渉しないで、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に接近できるような配置になっている。
【０１５２】
なお、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、第５の実施形態と同様に、基板ホルダＰＨの両側面でＸ軸方向の中央付近に取付けても良い。かかる場合には、Ｘ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２を、より＋Ｘ側に配置することが可能となる。また、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２は、基板ホルダＰＨではなく、微動ステージ２６に、Ｘ移動鏡支持フレームを介して取付けても良い。
【０１５３】
次に、本第６の実施形態に係る露光装置で、基板の処理を行う際の一連の動作について図２６〜図２９に基づいて、説明する。ここでは、前述した第１の実施形態のショット領域ＳＡ１及びＳＡ２(又はショット領域ＳＡ３及びＳＡ４)に最初に露光を行う場合を取り上げて説明する。なお、図２６から図２９では、固定のエア浮上ユニットなどの図示は省略されている。また、本第６の実施形態では、粗動テーブル３２、重量キャンセル装置２８、微動ステージ２６、及び基板ホルダＰＨ等を含んで、基板Ｐと一体で（基板Ｐの一部を保持して）Ｘ軸方向に移動する移動体が構成されているが、以下ではこの移動体を基板ステージ（２６，２８，３２，ＰＨ）と表記する。
【０１５４】
まず、主制御装置５０の管理の下、不図示のマスク搬送装置（マスクローダ）によって、マスクステージＭＳＴ上へのマスクＭのロードが行われるとともに、不図示の基板搬入装置によって、基板ステージ装置ＰＳＴｅ上への基板Ｐの搬入が行なわれる。基板Ｐには前層以前の露光の際に、一例として図２５に示されるように、複数、例えばＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に２つ、合計４つのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４とともに、各ショット領域のパターンと同時に転写された複数のアライメントマーク（不図示）が、ショット領域毎に設けられている。
【０１５５】
まず、基板Ｐは、基板ホルダＰＨと、＋Ｙ側の固定の複数のエア浮上ユニット８４Ｄの一部と＋Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｃとに跨って載置される。このとき、基板ホルダＰＨ、エア浮上ユニット８４Ｄ及びエア浮上ユニット８４Ｃの上面からは、高圧空気が噴出されており、基板Ｐは浮上支持されている。そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨが、排気から吸気（吸引）に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨにより基板Ｐの一部（ショット領域ＳＡ１を含む矩形領域に対応する基板Ｐ全体の約１／４）が吸着固定され、複数のエア浮上ユニット８４Ｄの一部及びエア浮上ユニット８４Ｃにより基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の残りの約３／４）が浮上支持された状態となる。そして、前述した第１の実施形態と同様の方法により、アライメント動作が行なわれる（図２６参照）。
【０１５６】
続いて、図２６中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ（基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）とが同期して−Ｘ方向に移動することで、前述した第１の実施形態と同様にして、基板ホルダＰＨに吸着されている基板Ｐの最初のショット領域ＳＡ１がスキャン露光される。図２７には、ショット領域ＳＡ１の露光終了後に、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０１５７】
次に、主制御装置５０が、その時点で基板Ｐに対向する位置にある基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａ（図２７では不図示、図２５参照）を用いて基板Ｐの裏面を吸着し、基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着を解除した後、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気と＋Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｃによる引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させる。これにより、基板Ｐは基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａのみによって保持された状態となる。
【０１５８】
次に、主制御装置５０は、この基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａのみによる基板Ｐの保持状態を維持したまま、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を、図２７中に白抜き矢印で示されるように、＋Ｘ方向に駆動する、基板ＰのＸステップを開始する。これにより、基板Ｐは、Ｘステップ開始前の位置に停止したまま、この基板Ｐに対して基板ホルダＰＨが、＋Ｘ方向に移動する。そして、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨが、基板Ｐの次のショット領域ＳＡ２の真下に到達すると、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を、停止させる（図２８参照）。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨと、＋Ｙ側の固定の複数のエア浮上ユニット８４Ｄの一部と−Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｃとに跨って載置されている。基板ホルダＰＨ、複数のエア浮上ユニット８４Ｄの一部及びエア浮上ユニット８４Ｃの上面からは、高圧エアが噴出されており、基板Ｐは浮上支持されている。
【０１５９】
上記の基板ＰのＸステップのための基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）の駆動と並行して、主制御装置５０は、マスクステージＭＳＴを、所定の加速開始位置へ戻している。
【０１６０】
その後、基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着、及び基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａによる基板Ｐの吸着解除と、基板Ｐ上の新たなアライメントマークを用いたアライメント計測と、微動ステージ２６による基板Ｐの位置決めと、が行なわれる。その後、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）とマスクステージＭＳＴとが同期して、図２８中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向に移動することで、次のショット領域ＳＡ２のスキャン露光が行なわれる。図２９には、ショット領域ＳＡ２の露光終了後に、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０１６１】
以降、前述の第１の実施形態に係る露光装置１００と同様に、基板Ｙステップ送り装置８８によって、基板ＰのＹステップ動作が行なわれ、アライメントによる位置合わせを行なってスキャン露光が繰り返し行なわれる。
【０１６２】
以上説明したように本第６の実施形態に係る露光装置によると、前述した第５の実施形態に係る露光装置５００と同等の効果を得ることができる。これに加え、本第６の実施形態に係る露光装置によると、基板ホルダＰＨを１つのショット領域（一括露光領域）と同等の大きさにし、それ以外の領域はエア浮上ユニットによって浮上支持するようにしたので、微動ステージ２６に搭載される基板ホルダＰＨは、上記第１ないし第５の実施形態に比べて、さらに小型、軽量になる。また、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）は、一つのショット領域をスキャンするだけなので、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）のＸ軸方向のストロークは、上記第１ないし第５の実施形態よりも短く（約１／２）なる。従って、基板ステージ装置、ひいては該基板ステージ装置を備える露光装置の、一層の小型化及び軽量コンパクト化、並びにコストの低減も可能になる。
【０１６３】
なお、上記の説明では、最初のショット領域をスキャン露光した後、基板Ｐを残して、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を次のショット領域の露光のため、＋Ｘ方向へ移動させたが（図２７及び図２８参照）、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を残して、不図示の基板Ｘステップ送り装置によって、基板のみを−Ｘ方向へ移動させ、その後、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）による＋Ｘ方向へのスキャンによって露光しても良い。基板Ｘステップ送り装置は、基板Ｐの搬入、搬出装置を兼ねていても良い。
【０１６４】
なお、上記の説明では、第２実施形態から第６実施形態において、粗動ステージとは分離したエア浮上ユニットをフレームを介して床面に固定したが、振動を発生する虞が少ない場合、これらは架台１８に固定しても良い。
【０１６５】
以上詳細に説明した第１〜第６の各実施形態に係る基板ステージ装置及び露光装置について要約すると、次の通りである。基板ステージ装置は、基板を吸着して平面矯正する基板ホルダを、従来装置のような基板と同等のサイズにはしないで、投影光学系による露光フィールドと同等の幅（Ｙ軸方向のサイズ）にし、スキャン方向（Ｘ軸方向）の長さは基板のＸ軸方向の長さと同等もしくは一回のスキャン動作で露光する一括露光領域のスキャン長と同等の長さにした。そして、基板の基板ホルダからはみ出した部分は、移動もしくは固定のエア浮上ユニットによって浮上支持するようにした。このため、基板ホルダは小型、軽量で高精度（高平面度）化が容易になり、微動ステージの制御性（位置速度制御性など）が向上して、高精度、高速化が可能となる。また、粗動テーブルは露光フィールド（照明光ＩＬの照射領域（露光位置））に対して１軸方向（Ｘ軸方向）にのみ移動するテーブル（ステージ）としたので、粗動ステージ部がシンプルな構成となり、コストの低減が可能になる。
【０１６６】
また、基板のＹ方向へのステップ移動は、基板Ｙステップ送り装置によって、基板のみをＹ方向へ移動させるようにしたので移動質量が軽い。また、基板のＹステップ位置決めはラフな精度で行なうようにしたので、基板Ｙステップ送り装置のコストも安い。シンプルな構成の粗動ステージ部は、微動ステージとは分離されているので、ラフな精度で良く、ラフな精度の可動部を含む構成部分（粗動ステージ部及び基板Ｙステップ送り装置など）は、軽量、高剛性のセラミックス部材を用いることなく、一般工業用材料を用いて作ることができる。従って、軽量、高剛性のセラミックス部材を大型化するのに必要となる大きな焼成炉、及びそれを高精度に加工するのに必要となる大型の研削盤などが不要である。また、ラフな精度の可動部を含む構成部分は、高精度なガイド及び高剛性の静圧気体軸受などのいずれも用いることなく、ボールあるいはローラによるころがりガイドなどを使って作ることができる。また、ラフな精度の可動部を含む構成部分は、高精度な位置決めを高速で行なう場合に必要とされる、高推力で低リップルのコアレスリニアモータ（ボイスコイルモータ）などを用いることなく、コア付きリニアモータ、ボールねじ駆動、あるいはベルト駆動など比較的安価で大型化が容易なものを使うことができる。
【０１６７】
さらに、微動ステージと粗動ステージ部とを分離して配置することによって、微動ステージへの振動伝達を抑えることができる。
【０１６８】
そして、Ｘ、Ｙ方向へのステップ移動後の位置決めは、あらかじめ基板に設けられているアライメントマークをアライメント検出系で検出し、その検出結果に基づいて微動ステージを移動することによって行なうようにしたので、露光の際の位置決め精度も高い。
【０１６９】
《第７の実施形態》
次に、第７の実施形態について、図３０〜図４９に基づいて説明する。ここで、前述した第１ないし第６の各実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１７０】
図３０には、第７の実施形態に係る露光装置７００の構成が、後述するエア浮上ユニット群等を省略して、概略的に示され、図３１には、露光装置７００の一部省略した平面図が示されている。図３１は、図３０の投影光学系ＰＬより下方の部分（鏡筒定盤より下方の部分）の平面図に相当する。また、図３２には、露光装置７００を図３０の＋Ｘ方向から見た側面図（一部省略、一部断面にて示す図）が示されている。また、図３３には、露光装置７００の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置５０の入出力関係を示すブロック図が示されている。図３３では、基板ステージ系に関連する構成各部が示されている。主制御装置５０は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等を含み、露光装置７００の構成各部を統括制御する。
【０１７１】
本第７の実施形態に係る露光装置７００では、前述した基板ステージ装置ＰＳＴに代えて、基板ステージ装置ＰＳＴfが設けられている点が、前述の第１の実施形態と相違するが、その他の部分の構成等は、前述した第１の実施形態と同様である。
【０１７２】
基板ステージ装置ＰＳＴfの構成は、これまでに説明した基板ステージ装置ＰＳＴ、ＰＳＴａ、ＰＳＴｂ、ＰＳＴｃ、ＰＳＴｄ、ＰＳＴｅの中では、前述した第５の実施形態に係る露光装置５００が備える基板ステージ装置ＰＳＴｄの構成にもっとも近い。そこで、以下では、本第７の実施形態に係る露光装置７００が備える基板ステージ装置ＰＳＴｆについて、基板ステージ装置ＰＳＴｄとの相違点を中心として説明する。
【０１７３】
図２３と図３１とを比べるとわかるように、基板ステージ装置ＰＳＴｆは、基板ホルダＰＨ（微動ステージ２６）のサイズ、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側に配置されたエア浮上ユニット群の配置及び構成、並びにそのＹ軸方向の両側のエア浮上ユニット群の配置領域内に基板Ｘステップ送り装置９１が各１つ配置されている点が、基板ステージ装置ＰＳＴｄと相違している。また、図２４と図３２とを比べるとわかるように、基板ステージ装置ＰＳＴｆが有する一対のＸビーム３０Ａ、３０ＢのＹ軸方向の幅が、基板ステージ装置ＰＳＴｄが有する一対のＸビームの幅より狭く（ほぼ半分程度）なっている。
【０１７４】
Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれの上面には、図３２に示されるように、Ｙ軸方向の中央にＸ軸方向に延びるＸリニアガイド３６が、１本のみ固定されている。本第７の実施形態では、Ｘリニアガイド３６は、Ｘ軸方向に所定間隔で配列された複数の永久磁石を含む磁石ユニットを有し、Ｘ固定子を兼ねている。なお、Ｘリニアガイド３６とは別に、磁石ユニットを有するＸ固定子を設けても良い。また、Ｘリニアガイドを、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂ上に複数本、例えば２本設けても良い。
【０１７５】
粗動テーブル３２は、図３２に示されるように、前述の基板ステージ装置ＰＳＴｄと同様、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂの上に配置されている。粗動テーブル３２は、中央にＺ軸方向に貫通する開口が形成された平面視矩形の板状部材から成る。図３２では、粗動テーブル３２は、重量キャンセル装置２８とともに、部分的に断面図にて示されている。粗動テーブル３２の下面には、図３２に示されるように、スライダ４４が、各Ｘリニアガイド３６に対して、Ｘ軸方向に所定間隔で、例えば４個（図３０参照）、合計８個固定されている。粗動テーブル３２は、Ｘリニアガイド３６とスライダ４４とを含む複数のＸリニアガイド装置により、Ｘ軸方向に直進案内される。
【０１７６】
また、この場合、各スライダ４４は、コイルユイットを含み、各スライダ４４が有する合計８個のコイルユニットによって、前述のＸ固定子とともに、粗動テーブル３２を、Ｘ軸方向に所定のストロークで駆動するＸリニアモータ４２（図３３参照）が構成されている。
【０１７７】
なお、スライダ４４とは、別にＸ可動子を設けても良く、この場合には、スライダ４４は、転動体（例えば、複数のボールなど）を含み、各Ｘリニアガイド３６に対してスライド可能に係合しても良い。
【０１７８】
なお、図３０〜図３２では不図示であるが、Ｘビーム３０Ａ，３０Ｂの所定の一方、例えばＸビーム３０Ａには、Ｘ軸方向を周期方向とするＸスケールが固定され、粗動テーブル３２には、Ｘスケールを用いて粗動テーブル３２のＸ軸方向に関する位置情報を求めるＸリニアエンコーダシステム４６（図３３参照）を構成するエンコーダヘッドが固定されている。粗動テーブル３２のＸ軸方向に関する位置は、上記エンコーダヘッドの出力に基づいて主制御装置５０（図３３参照）により制御される。
【０１７９】
ここで、説明は前後するが、微動ステージ２６の上面に搭載された基板ホルダＰＨについて説明する。基板ホルダＰＨは、図３１からわかるように、Ｘ軸方向の長さが基板Ｐと同等であり、Ｙ軸方向の幅（長さ）は基板Ｐの約１／３である。基板ホルダＰＨは、基板Ｐの一部（ここでは、基板ＰのＹ軸方向に関する約１／３の部分）を、例えば真空吸着（又は静電吸着）により吸着保持するとともに、加圧気体（例えば高圧空気）を上向きに噴き出してその噴き出し圧力によって基板Ｐの一部（基板Ｐの約１／３）を下方から非接触（浮上）支持することができる。基板ホルダＰＨによる基板Ｐに対する高圧空気の噴き出しと真空吸着との切り替えは、不図示の真空ポンプと高圧空気源とに基板ホルダＰＨを切り替え接続するホルダ吸排気切替装置５１（図３３参照）を介して、主制御装置５０によって行われる。
【０１８０】
本第７の実施形態においても、微動ステージ２６は、複数のボイスコイルモータ（あるいはリニアモータ）、例えば一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙ、及び４つのＺボイスコイルモータ５４Ｚを含み、前述の第１の実施形態と同様に構成された微動ステージ駆動系５２（図３３参照）により、粗動テーブル３２上で６自由度方向（Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向）に微少駆動される。また、本第７の実施形態においても、上述したＸリニアモータ４２と、微動ステージ駆動系５２の各一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ及びＹボイスコイルモータ５４Ｙと、によって、微動ステージ２６は、投影光学系ＰＬ（図３０参照）に対し、Ｘ軸方向に長ストロークで移動（粗動）可能、かつＸ軸，Ｙ軸及びθｚ方向の３自由度方向に微少移動（微動）可能となっている。
【０１８１】
図３２に示されるように、Ｘビーム３０Ａの＋Ｙ側、及びＸビーム３０Ｂの−Ｙ側には、前述の第５の実施形態のフレームに比べてＹ軸方向の幅（長さ）が大きい、一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれが、架台１８に接触しないように床面Ｆ上に設置されている。一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれの上面には、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆが設置されている。なお、一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂは架台１８の上に設置されていても良い。
【０１８２】
エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆは、図３１及び図３２に示されるように、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側に配置されている。エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆのそれぞれは、図３１に示されるように、Ｙ軸方向の幅が基板ＰのＹ軸方向の幅と同等で、Ｘ軸方向の長さが、基板ホルダＰＨがスキャン移動したときの移動範囲とほぼ同等の長さの矩形領域内に、Ｘ軸方向に所定の間隔で、Ｙ軸方向にわずかの隙間を空けて分散配置された複数のエア浮上ユニットによって構成されている。露光領域ＩＡの中心とエア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆの中心とのＸ位置はほぼ一致している。各エア浮上ユニットの上面は基板ホルダＰＨの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。
【０１８３】
エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆをそれぞれ構成する各エア浮上ユニットは、サイズは異なるが、前述した第１の実施形態に係るエア浮上ユニット８４と同様に構成されている。各エア浮上ユニットに対する高圧空気の供給のオン・オフは、図３３に示される主制御装置５０によって制御される。
【０１８４】
上述の説明から明らかなように、本第７の実施形態では、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの両側（±Ｙ側）のエア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆの少なくとも一方とによって基板Ｐの全体を浮上支持することができる。また、基板ホルダＰＨの片側（＋Ｙ側又は−Ｙ側）のエア浮上ユニット群８４Ｅ又は８４Ｆによっても基板Ｐの全体を浮上支持することができる。
【０１８５】
なお、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆは、それぞれ、上記のＹ軸方向の幅が基板ＰのＹ軸方向の幅と同等で、Ｘ軸方向の長さが、基板ホルダＰＨがスキャン移動したときの移動範囲とほぼ同等の長さの矩形領域とほぼ同等の総支持面積を有していれば、単一の大型のエア浮上ユニットに置き換えても良いし、個々のエア浮上ユニットの大きさを、図３１の場合と異ならせて、上記矩形領域内に分散配置しても良い。
【０１８６】
エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆそれぞれを構成する複数のエア浮上ユニットが配置された、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側の２つの矩形領域内には、図３１に示されるように、複数、例えば３つの基板Ｙステップ送り装置８８と、１つの基板Ｘステップ送り装置９１とが、露光領域ＩＡの中心（投影光学系ＰＬの中心）を通るＸ軸に関して、非対称に配置されている。基板Ｙステップ送り装置８８及び基板Ｘステップ送り装置９１のそれぞれは、エア浮上ユニットと干渉することなく、上記２つの矩形領域内に配置されている。ここで、基板Ｙステップ送り装置８８の数は、２つでも良いし、４つ以上でも良い。
【０１８７】
基板Ｙステップ送り装置８８は、基板Ｐを保持（例えば吸着）してＹ軸方向に移動させるための装置であり、平面視で、エア浮上ユニット群８４Ｅ、８８Ｆのそれぞれの内部にＸ軸方向に所定の間隔で３つ配置されている。各基板Ｙステップ送り装置８８は、フレーム１１０Ａ又は１１０Ｂ上に支持部材８９をそれぞれ介して固定されている（図３２参照）。各基板Ｙステップ送り装置８８は、基板Ｐの裏面を吸着してＹ軸方向に移動する可動部８８ａとフレーム１１０Ａ又は１１０Ｂに固定された固定部８８ｂと、を備えている。可動部８８ａは、一例として可動部８８ａに設けられた可動子と固定部８８ｂに設けられた固定子とから成るリニアモータによって構成される駆動装置９０（図３２では不図示、図３３参照）によって、フレーム１１０Ａ又は１１０Ｂに対してＹ軸方向に駆動される。基板Ｙステップ送り装置８８には、可動部８８ａの位置を計測するエンコーダなどの位置読み取り装置９２（図３２では不図示、図３３参照）が設けられている。
【０１８８】
各基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａのＹ軸方向の移動ストロークは基板ＰのＹ軸方向の長さの約２／３（幾分短い）である。本第７の実施形態においても、各基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａ（基板吸着面）は基板Ｐの裏面を吸着したり、吸着を解除して基板Ｐから分離したりする必要があるので、駆動装置９０によってＺ軸方向にも微少駆動可能に構成されている。なお、実際には、可動部８８ａが、基板Ｐを吸着してＹ軸方向に移動するのであるが、以下では、特に区別が必要な場合を除き、基板Ｙステップ送り装置８８と可動部８８ａとを区別することなく用いる。
【０１８９】
基板Ｘステップ送り装置９１は、基板Ｐを保持（例えば吸着）してＸ軸方向に移動させるための装置であり、平面視でエア浮上ユニット群８４Ｅ、８４Ｆの内部に各１つ配置されている。各基板Ｘステップ送り装置９１は、フレーム１１０Ａ又は１１０Ｂ上に支持部材９３をそれぞれ介して固定されている（図３２参照）。
【０１９０】
各基板Ｘステップ送り装置９１は、図３２に示されるように、基板Ｐの裏面を吸着してＸ軸方向に移動する可動部９１ａとフレーム１１０Ａ又は１１０Ｂに固定された固定部９１ｂと、を備えている。可動部９１ａは、例えばリニアモータによって構成される駆動装置９５（図３２では不図示、図３３参照）によって、フレーム１１０Ａ又は１１０Ｂに対してＸ軸方向に駆動される。基板Ｘステップ送り装置９１には、可動部９１ａの位置を計測するエンコーダなどの位置読み取り装置９７（図３２では不図示、図３３参照）が設けられている。なお、駆動装置９５は、リニアモータに限らず、ボールねじ又はベルトを用いた回転モータを駆動源とする駆動機構によって構成しても良い。
【０１９１】
各基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａのＸ軸方向の移動ストロークは例えば基板ＰのＸ軸方向の長さの約２倍である。各固定部９１ｂの＋Ｘ側の端部は、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆから、＋Ｘ側に所定長さ張り出している。
【０１９２】
また、各基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａ（基板吸着面）は基板Ｐの裏面を吸着したり、吸着を解除して基板Ｐから分離したりする必要があるので、駆動装置９５によってＺ軸方向にも微少駆動可能に構成されている。なお、実際には、可動部９１ａが、基板Ｐを吸着してＸ軸方向に移動するのであるが、以下では、特に区別が必要な場合を除き、基板Ｘステップ送り装置９１と可動部９１ａとを区別することなく用いる。
【０１９３】
なお、上記説明では、基板Ｙステップ送り装置８８及び基板Ｘステップ送り装置９１のそれぞれの可動部は、基板Ｐとの分離、接触を行なう必要があるため、Ｚ軸方向にも移動可能であるものとしたが、これに限らず、可動部（基板吸着面）による基板Ｐの吸着及び基板Ｐとの分離のために、基板Ｐの裏面の一部を吸着保持する基板ホルダＰＨ（微動ステージ２６）がＺ軸方向に移動しても良い。
【０１９４】
重量キャンセル装置２８は、レベリング装置７８を介して微動ステージ２６を下方から支持している。重量キャンセル装置２８は、粗動テーブル３２の開口内に配置されており、その上半部が粗動テーブル３２より上方に露出し、その下半部が粗動テーブル３２より下方に露出している。
【０１９５】
重量キャンセル装置２８は、図３２に示されるように、筐体６４、空気ばね６６及びＺスライダ６８などを有し、例えば前述した第２の実施形態以下の各実施形態と同様に構成されている。すなわち、本第７の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｆでは、Ｚスライダ６８がレベリング装置７８の固定部を兼ね、シーリングパッドは設けられておらず、重量キャンセル装置２８が微動ステージ２６と一体化されている。また、重量キャンセル装置２８は微動ステージ２６と一体化されているので、重量キャンセル装置２８の単独運動を規制する連結装置８０（フレクシャ装置）などは設けられていない。微動ステージ２６は、図３２中に球状部材で模式的に示されている球面軸受、あるいは擬似球面軸受構造体を有するレベリング装置７８によってＺスライダ６８上でチルト自在（ＸＹ平面に対してθｘ及びθｙ方向に揺動自在）に支持されている。
【０１９６】
重量キャンセル装置２８、及び重量キャンセル装置２８にレベリング装置７８を介して支持された上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘの働きによって、粗動テーブル３２と一体的にＸ軸方向に移動する。すなわち、上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、主制御装置５０によって、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘを用いて重量キャンセル装置２８に支持されて粗動テーブル３２に同期駆動（粗動テーブル３２と同方向に同速度で駆動）されることにより、粗動テーブル３２と共にＸ軸方向に所定のストロークで移動する。また、上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、主制御装置５０により、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙ及び４つのＺボイスコイルモータ５４Ｚを介して、粗動テーブル３２に対し６自由度方向に微少駆動される。
【０１９７】
本第７の実施形態では、粗動テーブル３２、重量キャンセル装置２８、微動ステージ２６、及び基板ホルダＰＨ等を含んで、基板Ｐと一体でＸ軸方向に移動する移動体（以下、適宜、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）と表記する）が構成されている。
【０１９８】
図３０及び図３１に示されるように、微動ステージ２６のＹ軸方向の両側面のＸ軸方向中央付近に、それぞれ不図示の移動鏡支持部品を介して、Ｘ軸に直交する反射面を有する平面ミラー（あるいはコーナーキューブ）から成る一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２が、前述の第５の実施形態と同様に取り付けられている。微動ステージ２６の−Ｙ側の側面には、図３２に示されるように、不図示のミラー保持部品を介して、Ｙ軸に直交する反射面を有する長尺の平面ミラーから成るＹ移動鏡９４Ｙが固定されている。
【０１９９】
本第７の実施形態では、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）のＸＹ平面内の位置情報は、前述の各実施形態と同様に基板ステージ干渉計システム９８（図３３参照）によって、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。なお、実際には、基板ステージ干渉計システム９８は、図３１及び図３３に示されるように、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に対応する一対のＸレーザ干渉計（以下、Ｘ干渉計と略記する）９８Ｘ１，９８Ｘ２、及びＹ移動鏡９４Ｙに対応する一対のＹレーザ干渉計（以下、Ｙ干渉計と略記する）９８Ｙ１，９８Ｙ２を備えている。Ｘ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２、及びＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２の計測結果は、主制御装置５０に供給されている（図３３参照）。
【０２００】
一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２のそれぞれは、図３２に示されるように、−Ｘ側の架台１８にそれぞれの一端部（下端部）が固定された＋Ｘ方向から見てＬ字の形状を有するフレーム（Ｘ干渉計フレーム）１０２Ａ，１０２Ｂの他端（上端）に個別に固定されている。ここで、フレーム１０２Ａ，１０２Ｂとして、Ｌ字状のものが用いられているので、フレーム１０２Ａ，１０２Ｂと、前述のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂ、及びＸ軸方向に移動する粗動テーブル３２との干渉を避けることができる。
【０２０１】
また、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に対向して、基板Ｐの上面よりも低い位置でＹ軸方向に関して基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｅ又は８４Ｆとの隙間に収まる位置に配置されている。これにより、本実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｆでは、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、基板ホルダＰＨのＸ軸方向移動範囲外の位置に設置する場合に比べて、−Ｘ側の架台１８から近い位置に配置することが可能となっている。
【０２０２】
また、Ｘ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２のうちの所定の一方、例えばＸ干渉計９８Ｘ２としては、図３０に示されるように、Ｚ軸方向に離間した２本の干渉計ビーム（計測ビーム）をＸ移動鏡９４Ｘ２に照射する多軸干渉計が用いられている。この理由については後述する。
【０２０３】
なお、Ｘ干渉計としては、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２のそれぞれに個別に干渉計ビーム（計測ビーム）を照射する一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２に限らず、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２のそれぞれに照射される少なくとも各１本の計測ビームを含む複数の計測ビームを射出する多軸干渉計を用いることもできる。
【０２０４】
一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２は、図３１に示されるように、エア浮上ユニット群８４Ｆを構成する最も基板ホルダＰＨに近い第１の列のエア浮上ユニット列と、これに隣接する第２列のエア浮上ユニット列との間で、かつ第１列のエア浮上ユニット列を構成するＸ軸方向中心近傍に位置する隣接するエア浮上ユニット相互間の２箇所の隙間に対向する位置に配置されている。この２箇所の隙間は、露光領域ＩＡの中心を通るＹ軸に関して対称な隙間である。一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２は、図３２に示されるように、前述のフレーム１１０Ｂの上面に設置された支持部材１０４’の上面にＹ移動鏡９４Ｙに対向して、かつエア浮上ユニット群８４Ｆを構成するエア浮上ユニットとは分離されて（非接触で）固定されている。本実施形態では、一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２から、上述の２箇所の隙間をそれぞれ介して、計測ビーム（測長ビーム）がＹ移動鏡９４Ｙに照射されるようになっている。なお、Ｙ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２を支持する支持部材をフレーム１１０Ｂに取付ける場合、Ｙ干渉計の計測の基準を投影光学系ＰＬとするために、フレーム１１０Ｂは投影光学系ＰＬと一体化された架台１８に設置するのが好ましい。あるいは、Ｙ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２を支持する支持部材１０４’を床面に設置したフレーム１１０Ｂではなく、直接架台１８に固定してもよい。
【０２０５】
Ｙ干渉計としては、Ｙ移動鏡９４Ｙに個別に干渉計ビーム（計測ビーム）を照射する一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２に限らず、Ｙ移動鏡９４Ｙに２本の計測ビームを照射する多軸干渉計を用いることもできる。
【０２０６】
本実施形態では、Ｘ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、Ｚ軸方向に関して基板Ｐの表面（露光の際には、この面が投影光学系ＰＬの像面に一致するように、基板Ｐのフォーカス・レベリング制御が行われる）よりも低い位置にあるため、Ｘ位置の計測結果にＸ軸方向の移動時の微動ステージ２６の姿勢変化（ピッチング）によるアッベ誤差が含まれる。主制御装置５０は、前述の多軸干渉計から成るＸ干渉計９８Ｘ２によって微動ステージ２６のピッチング量を検出し、その検出結果に基づいて、Ｘ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２によるＸ位置の計測結果に含まれる上記アッベ誤差の補正を行うようにしている。すなわち、かかるアッベ誤差の補正のため、Ｘ干渉計９８Ｘ２として、Ｚ軸方向に離間した２本干渉計ビーム（計測ビーム）をＸ移動鏡９４Ｘ２に照射する、すなわち微動ステージ２６のピッチング量を検出可能な多軸干渉計が用いられている。
【０２０７】
基板ステージ装置ＰＳＴｆのその他部分の構成は、基板ステージ装置ＰＳＴｄと同様になっている。また、基板ステージ装置以外の構成各部は、前述の各実施形態と同様である（図３０〜図３３参照）。
【０２０８】
次に、上述のようにして構成された本第７の実施形態に係る露光装置７００で行われる基板処理のための一連の動作について説明する。ここでは、一例として基板Ｐに対して第２層目以降の露光を行う場合について、図３４〜図４９に基づいて説明する。なお、図３４〜図４９において示される露光領域ＩＡは、露光時に照明光ＩＬが投影光学系ＰＬを介して照射される照明領域であり、実際には、露光時以外に形成されることはないが、基板Ｐと投影光学系ＰＬとの位置関係を明確にするため常に図示されている。
【０２０９】
まず、主制御装置５０の管理の下、不図示のマスク搬送装置（マスクローダ）によって、マスクステージＭＳＴ上へのマスクＭのロードが行われるとともに、不図示の基板搬入装置によって、基板ステージ装置ＰＳＴｆ上への基板Ｐの搬入（投入）が行なわれる。基板Ｐには前層以前の露光の際に、一例として図３１に示されるように、複数、例えばＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に３つ、合計６つのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ６とともに、各ショット領域のパターンと同時に転写された複数のアライメントマーク（不図示）が、ショット領域毎に設けられている。
【０２１０】
主制御装置５０は、図３４に示されるように、基板搬入装置によって−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｆの上方に搬入された基板Ｐを、エア浮上ユニット群８４Ｆを用いて浮上支持しつつ、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１を用いて吸着保持して、図３４中に黒塗り矢印で示されるように、−Ｘ方向に搬送する。
【０２１１】
次に、主制御装置５０は、エア浮上ユニット群８４Ｆによって浮上支持された基板Ｐを−Ｙ側の最も＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて吸着保持するとともに、その基板Ｐに対する基板Ｘステップ送り装置９１による吸着を解除する。そして、主制御装置５０は、基板Ｐを、基板Ｙステップ送り装置８８を用いて、図３４中に点線矢印で示されるように＋Ｙ方向に搬送する。
【０２１２】
これにより、基板Ｐは、図３５に示されるように、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とに跨って載置される。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とによって浮上支持されている。そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨが、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨにより基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／３）が吸着固定され、エア浮上ユニット群８４Ｆの一部により基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の残りの約２／３）が浮上支持された状態となる。このとき、基板Ｐ上の少なくとも２つのアライメントマークが、いずれかのアライメント検出系の視野に入るように、かつ基板ホルダＰＨ上にくるように、基板Ｐが、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とに跨って載置される。
【０２１３】
上記の基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着動作の開始の直後に、主制御装置５０によって、基板Ｙステップ送り装置８８による基板Ｐの吸着が解除され、基板Ｙステップ送り装置８８（可動部８８ａ）は、図３６に示される−Ｙ側の移動限界位置である待機位置に戻されている。このとき、基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）も、主制御装置５０によって、図３６に示される−Ｘ側の移動限界位置である待機位置に戻されている。
【０２１４】
その後、主制御装置５０により、従来と同様のアライメント計測の方法によって投影光学系ＰＬに対する微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の位置と、微動ステージ２６に対する基板Ｐの凡その位置とが求められる。なお、微動ステージ２６に対する基板Ｐのアライメント計測は省略しても良い。
【０２１５】
そして、主制御装置５０は、上記の計測結果に基づいて、粗動テーブル３２を介して微動ステージ２６を駆動して基板Ｐ上の少なくとも２つのアライメントマークをいずれかのアライメント検出系の視野内に移動させ、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐのアライメント計測を行い、その結果に基づいて、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置を求める。ここで、露光のためのスキャンは、走査露光時の等速移動区間の前後に加速区間及び減速区間を含むので、スキャン開始位置は、厳密に言えば加速開始位置である。そして、主制御装置５０は、粗動テーブル３２を駆動するとともに微動ステージ２６を微小駆動して、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐを位置決めする。このとき、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の粗動テーブル３２に対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図３６には、このようにして、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐが位置決めされた直後の状態が示されている。
その後、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
【０２１６】
ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作では、基板Ｐ上の複数のショット領域ＳＡ１〜ＳＡ６に対して順次露光処理が行われる。基板Ｐは、スキャン動作（Ｘスキャン動作）時には、Ｘ軸方向に、所定の加速時間加速され、その後所定時間等速駆動され（この等速駆動中に露光（スキャン露光）が行われ）、その後加速時間と同じ時間だけ減速される。また、基板は、ステップ動作時（ショット領域間移動時）には、Ｘ軸又はＹ軸方向に適宜駆動される（以下、それぞれＸステップ動作、Ｙステップ動作と呼ぶ）。本実施形態では、各ショット領域ＳＡｎ（ｎ＝１、２、３、４、５、６）の最大露光幅（Ｙ軸方向の幅）は基板Ｐの約１／３である。
具体的には、露光動作は次のようにして行なわれる。
【０２１７】
図３６の状態から、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）は、図３６中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向へ駆動され、基板ＰのＸスキャン動作が行われる。このとき、マスクＭ（マスクステージＭＳＴ）が基板Ｐ（微動ステージ２６）と同期して−Ｘ方向へ駆動されており、ショット領域ＳＡ１が、投影光学系ＰＬによるマスクＭのパターンの投影領域である露光領域ＩＡを通過するので、その際に、ショット領域ＳＡ１に対する走査露光が行われる。走査露光は、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の−Ｘ方向へ加速後の等速移動中に、マスクＭ、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照明光ＩＬが照射されることで行われる。
【０２１８】
上述のＸスキャン動作に際し、主制御装置５０は、微動ステージ２６に搭載された基板ホルダＰＨに基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／３）を吸着固定させ、エア浮上ユニット群８４Ｆ上に基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約２／３）を浮上支持させた状態で、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を駆動する。この際、主制御装置５０は、Ｘリニアエンコーダシステム４６の計測結果に基づいて、Ｘリニアモータ４２を介して粗動テーブル３２をＸ軸方向に駆動するとともに、基板ステージ干渉計システム９８、Ｚチルト計測系７６の計測結果に基づいて、微動ステージ駆動系５２（各ボイスコイルモータ５４Ｘ、５４Ｙ、５４Ｚ）を駆動する。これにより、基板Ｐは微動ステージ２６と共に、重量キャンセル装置２８に一体的に支持された状態で、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘの働きによって、粗動テーブル３２と一体的にＸ軸方向に移動するとともに、粗動テーブル３２からの相対駆動によって、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向（６自由度方向）に関して精密に位置制御される。また、主制御装置５０は、Ｘスキャン動作に際し、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）と同期して、マスク干渉計システム１４の計測結果に基づいて、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴを、Ｘ軸方向に走査駆動するとともに、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微小駆動する。図３７には、ショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板Ｐの一部を保持する基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２１９】
次に、主制御装置５０は、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐを、図３７中に白抜き矢印で示されるように、少し＋Ｘ方向へ駆動する基板ＰのＸステップ動作を行う。基板ＰのＸステップ動作は、主制御装置５０が、Ｘスキャン動作と同様の状態で基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を駆動して（但し、移動中の位置偏差はスキャン動作ほど厳密に規制しないで）行なう。主制御装置５０は、基板ＰのＸステップ動作と並行して、マスクステージＭＳＴを加速開始位置に戻している。
【０２２０】
そして、Ｘステップ動作後、主制御装置５０は、基板Ｐ（基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との−Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ２に対しスキャン露光を行なう。図３８には、ショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２２１】
次に、基板Ｐの未露光領域を基板ホルダＰＨ上へ移動させるためのＹステップ動作が行われる。この基板ＰのＹステップ動作は、主制御装置５０が、−Ｙ側でかつ最も−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（可動部８８ａ）によって、図３８に示される状態にある基板Ｐの裏面を吸着保持し、その基板Ｐに対する基板ホルダＰＨの吸着を解除した後、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気とエア浮上ユニット群８４Ｆによる引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させた状態で、図３８中に点線矢印で示されるように、基板Ｙステップ送り装置８８により基板Ｐを＋Ｙ方向へ搬送することによって行われる。これにより、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐのみが＋Ｙ方向に移動し、図３９に示されるように、基板Ｐは、未露光のショット領域ＳＡ３，ＳＡ４が基板ホルダＰＨに対向し、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｅの一部とエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とに跨って載置された状態となる。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｅの一部とエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とによって浮上支持されている。そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨが、排気から吸気（吸引）に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨにより基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／３）が吸着固定され、エア浮上ユニット群８４Ｅの一部とエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とによって基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の残りの約２／３）が浮上支持された状態となる。上記の基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着動作の開始の直後に、主制御装置５０によって、基板Ｙステップ送り装置８８による基板Ｐの吸着が解除される。
【０２２２】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ上に予め設けられている次のショット領域用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に際し、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、必要に応じて、前述した基板ＰのＸステップ動作が行われる（図４０の白抜き矢印参照）。
【０２２３】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、微動ステージ２６の粗動テーブル３２に対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。
【０２２４】
次いで、主制御装置５０により、基板ＰとマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図４１中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が行われる。図４１には、ショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２２５】
次に、主制御装置５０により、次の露光のための加速に備えて、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を−Ｘ方向へ駆動する基板ＰのＸステップ動作及びマスクステージＭＳＴの加速開始位置への戻し動作が行われた後、基板ＰとマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図４２中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光が行われる。図４２には、ショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２２６】
次に、基板Ｐの未露光領域を基板ホルダＰＨ上へ移動させるためのＹステップ動作が行われる。この基板ＰのＹステップ動作に際し、主制御装置５０は、図４２に示される状態にある基板Ｐの裏面を−Ｙ側でかつ最も＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（可動部８８ａ）によって吸着保持し、その基板Ｐに対する基板ホルダＰＨの吸着を解除した後、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気とエア浮上ユニット群８４Ｅ及び８４Ｆによる引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させた状態で、図４２中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｙステップ送り装置８８により基板Ｐを＋Ｙ方向へ搬送する。これにより、基板ホルダＰＨに対して基板ＰのみがＹ軸方向に移動する（図４３参照）。このとき、前記−Ｙ側の基板Ｙステップ送り装置８８のストロークが短い場合には、主制御装置５０は、＋Ｙ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐの送りを引き継ぐようにしても良い（図４４参照）。この引き継ぎに備えて、主制御装置５０は、＋Ｙ側の基板Ｙステップ送り装置８８（可動部８８ａ）を、予め−Ｙ方向に駆動して基板ホルダＰＨの近傍で待機させておいても良い（図４３参照）。
【０２２７】
基板Ｙステップ送り装置８８によって＋Ｙ方向へ駆動され、未露光のショット領域ＳＡ５，ＳＡ６が、基板ホルダＰＨ上に移動した基板Ｐは、その一部（基板Ｐ全体の約１／３）が基板ホルダＰＨによる吸着によって再び基板ホルダＰＨに固定され、一部（基板Ｐ全体の残りの約２／３）がエア浮上ユニット群８４Ｅの一部により浮上支持される。上記の基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着動作の開始の直後に、主制御装置５０によって、基板Ｙステップ送り装置８８による基板Ｐの吸着が解除される。そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ上に予め設けられている次のショット領域用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に際し、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、必要に応じて、前述した基板ＰのＸステップ動作が行われる（図４５中の白抜き矢印参照）。
【０２２８】
上記の基板Ｐの新たなアライメント計測が開始される直前に、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｆには、不図示の基板搬入装置によって、新しい基板Ｐが投入される（図４５参照）。このとき、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａは、＋Ｘ側の移動限界位置の近傍の位置、すなわち新たに投入される基板Ｐの下方の位置に移動してその位置で待機している。また、−Ｙ側で最も−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａは、主制御装置５０によって、図４５中に黒塗り矢印で示されるように、−Ｙ側の移動限界位置に移動されている。
【０２２９】
一方、基板ホルダＰＨにその一部が固定（保持）された基板Ｐに対しては、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、微動ステージ２６の粗動テーブル３２に対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。そして、前述した第１ショット領域ＳＡ１とＳＡ２の場合と同様の手順に従って、主制御装置５０によって、最後の２つのショット領域ＳＡ５、ＳＡ６に対する露光が行われる。図４６には、最後のショット領域ＳＡ６に対する露光が終了した直後の状態が示されている。
【０２３０】
上記のショット領域ＳＡ５，ＳＡ６に対する露光と並行して、新しく投入された基板Ｐが、主制御装置５０によって、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１で吸着保持されて−Ｘ側に搬送される（図４６参照）。
【０２３１】
一方、すべてのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ６に対する露光が終わった基板Ｐは、主制御装置５０により、＋Ｙ側でかつ最も−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて、図４７中に点線の白抜き矢印で示されるように＋Ｙ側に搬送され、基板ホルダＰＨ上から完全に退避してエア浮上ユニット群８４Ｅの上に運ばれる。これとほぼ同時に、新たに投入された基板Ｐは、主制御装置５０により、−Ｙ側でかつ最も−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて、図４７中に黒塗り矢印で示されるように＋Ｙ側に搬送され、ショット領域ＳＡ１，ＳＡ２が基板ホルダＰＨ上に位置させられる（図４７参照）。
【０２３２】
エア浮上ユニット群８４Ｅの上に運ばれた露光済みの基板Ｐは、主制御装置５０によって、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１を用いて、図４８に黒塗り矢印で示されるように、＋Ｘ方向に搬送され、不図示の基板搬出装置によって＋Ｘ方向に搬出される（図４８、図４９参照）。
【０２３３】
上記の露光済みの基板Ｐの搬出と並行して、基板ホルダＰＨ上の基板Ｐに対しては、前述と同様のアライメント動作が行われた後、基板ＰとマスクＭとの＋Ｘ方向の加速が開始され、前述と同様にして最初のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる（図４８、図４９参照）。以後、前述した第１枚目の基板Ｐに対する露光の際と同様の手順で、第２枚目の基板Ｐ上の残りのショット領域に対するアライメント（Ｘステップ、Ｙステップ）、露光等の動作、並びに第３枚目以降の基板に対するアライメント（Ｘステップ、Ｙステップ）、露光等の動作が繰り返される。
【０２３４】
ただし、第２枚目の基板Ｐについてショット領域ＳＡ２に対する露光が最初に行われることについての上記の説明からもわかるように、本実施形態では、１枚目（奇数枚目）の基板Ｐと２枚目（偶数枚目）の基板Ｐではショット領域の露光順が異なっている。１枚目（奇数枚目）の基板Ｐでは、露光順はショット領域ＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３、ＳＡ４、ＳＡ５、ＳＡ６であるのに対し、２枚目（偶数枚目）の基板Ｐでは、露光順はショット領域ＳＡ２、ＳＡ１、ＳＡ４、ＳＡ３、ＳＡ６、ＳＡ５の順となる。但し、露光の順番はこれに限られるものではない。
【０２３５】
以上説明したように、本第７の実施形態に係る露光装置７００によると、前述した第１の実施形態に係る露光装置１００と同等の効果を得ることができる。これに加えて、本第７の実施形態に係る露光装置７００によると、微動ステージ２６に搭載された基板ホルダＰＨが、基板Ｐの被露光面（被処理面）と反対側の面の一部を保持する。すなわち、基板ホルダＰＨの基板保持面は、基板Ｐよりも小さく、具体的には、約１／３に設定されている。このため、主制御装置５０の指示に基づき、基板Ｙステップ送り装置８８が、基板Ｐを微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）から搬出する際に、基板ＰはＹ軸方向に変位するようにＸＹ平面内で搬送されるが、その際、基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ＰのＹ軸方向のサイズ（幅又は長さ）よりも小さい距離、すなわち基板ＰのＹ軸方向のサイズの約１／３である基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅と同一距離だけ基板ＰをＹ軸方向に変位させるだけで、基板Ｐの搬出が終了する（例えば図４６、図４７参照）。このように、本実施形態では、基板Ｐの搬出の際の基板の移動距離（搬出距離）が基板のサイズよりも小さいので、基板の搬出時間を、従来に比べて短縮することが可能になる。
【０２３６】
また、本第７の実施形態に係る露光装置７００によると、基板Ｐ上の最終ショット領域に対するスキャン露光が終了した時点で微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）があるＸ軸方向の位置で、Ｙ軸方向の一側に露光済みの基板Ｐをスライドさせて基板ホルダＰＨ上から搬出（退避）し、これと並行して（ほぼ同時に）Ｙ軸方向の他側から露光前の基板Ｐをスライドさせて基板ホルダＰＨ上に搬入（投入）することが可能になる（図４６及び図４７参照）。
【０２３７】
また、露光前の基板Ｐを微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）に搬入する際にも、基板ＰはＹ軸方向に変位するように、主制御装置５０の指示に基づき、基板Ｙステップ送り装置８８によってＸＹ平面内で搬送されるが、その際、基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ＰのＹ軸方向のサイズ（幅又は長さ）よりも小さい距離、すなわち基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅（基板ＰのＹ軸方向のサイズの約１／３）と同一距離だけ基板ＰをＹ軸方向に変位させるだけで、基板Ｐの搬入が終了する。従って、基板の搬出時間に加えて、基板の搬入時間をも従来に比べて短縮することが可能になり、結果的に基板の交換時間を短縮することが可能になる。
【０２３８】
また、主制御装置５０は、基板Ｐ上のショット領域の配置、及び露光順に応じた基板ホルダＰＨのＸ軸方向の位置で、基板Ｐの基板ホルダＰＨ上からのＹ軸方向一側へのスライド搬出と、基板Ｐの基板ホルダＰＨ上へのＹ軸方向他側からのスライド搬入とを行う。従って、従来の基板交換の際のように、基板ホルダＰＨは決められた基板交換位置（例えば、＋Ｘ方向の移動限界位置近傍の位置）へ移動する必要がない。これにより、基板交換時間を一層短縮することができる。
【０２３９】
ここで、上記実施形態中の説明では、露光済みの基板Ｐの基板ホルダＰＨからの搬出方向が、いずれの基板でも＋Ｙ方向である場合について例示したが、基板上のショット領域の配置、及び露光順によっては、偶数枚目の基板及び奇数枚目の基板の少なくとも一方で、基板は基板ホルダＰＨ上から−Ｙ方向に搬出されることは当然にあり得る。すなわち、本実施形態では、主制御装置５０は、基板の交換時間が最短となるように、基板Ｐ上のショット領域の配置、及び露光順に応じた基板ホルダＰＨのＸ軸方向の位置で、基板Ｐ上のショット領域の配置、及び露光順に応じた方向（＋Ｙ方向又は−Ｙ方向）に基板Ｐを搬出する。従って、基板上のショット領域（被処理領域）の配置と処理の順番とに拘らず、常に一定のＸ位置で、同じ方向に搬出する場合に比べて、基板交換時間の短縮が可能である。
【０２４０】
なお、基板ホルダＰＨのＹ軸方向両側のエア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆの支持面のＹ軸方向のサイズは、基板ＰのＹ軸方向のサイズと同等に限らず、それより大きくても良いし、僅かに小さくても良い。
【０２４１】
また、基板ホルダＰＨの基板保持面のＹ軸方向のサイズは、基板ＰのＹ軸方向のサイズの１／３に限らず、１／２、１／４等であっても良く、要は、基板ホルダＰＨの基板保持面のＹ軸方向のサイズは、基板ＰのＹ軸方向のサイズよりある程度以上小さければ良い。実際には、基板Ｐ上に形成されるショット領域のサイズと同等に（僅かに大きく）設定される。
【０２４２】
《第８の実施形態》
次に、第８の実施形態について、図５０〜図６５に基づいて説明する。ここで、前述した第１ないし第７の各実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０２４３】
図５０には、第８の実施形態に係る露光装置８００の構成が、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆ等を省略して、概略的に示されている。また、図５１には、露光装置８００の一部省略した平面図が示されている。図５１は、図５０の投影光学系ＰＬより下方の部分（鏡筒定盤１６より下方の部分）の平面図に相当する。
【０２４４】
本第８の実施形態に係る露光装置８００は、基本的には、前述した第７の実施形態に係る露光装置７００と同様に構成されているが、基板ステージ装置ＰＳＴｇが、第７の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｆと一部相違する。
【０２４５】
具体的には、基板ステージ装置ＰＳＴｇでは、図５１に示されるように、基板ホルダＰＨとして、Ｙ軸方向のサイズのみならず、Ｘ軸方向のサイズも、基板ＰのＸ軸方向のサイズよりも小さいサイズ（例えば、基板Ｐの約１／２）のものが用いられている。基板ホルダＰＨのＹ軸方向のサイズは、基板ＰのＹ軸方向のサイズの約１／２である。そして、基板ホルダＰＨのＸ軸方向の両側には、基板ホルダＰＨ及び微動ステージ２６とは独立の一対のエア浮上ユニット（移動エア浮上ユニット）８４Ｇが配置されている。一対のエア浮上ユニット８４Ｇのそれぞれは、図５０に示されるように、その上面が基板ホルダＰＨとほぼ同等（僅かに低い）の高さとなるように、支持部材１１２を介して粗動テーブル３２の上面に固定されている。一対のエア浮上ユニット８４Ｇのそれぞれは、例えばＹ軸方向の長さが基板ホルダＰＨと同等（若しくは基板ホルダＰＨよりも僅かに短い）で、Ｘ軸方向の長さが例えば基板ホルダＰＨの約１／２である。
【０２４６】
また、基板ホルダＰＨと、一対のエア浮上ユニット８４Ｇのそれぞれとの間には、図５１に示されるように、一対の移動基板Ｙステップ送り装置１２０が配置されている。一対の移動基板Ｙステップ送り装置１２０のそれぞれは、前述の基板Ｙステップ送り装置８８と同様に構成され、図５０に示されるように、粗動テーブル３２に搭載されている。各移動基板Ｙステップ送り装置１２０の可動部１２０ａは、粗動テーブル３２上に固定された固定部１２０ｂに対してＹ軸方向に相対移動可能である。従って、各移動基板Ｙステップ送り装置１２０は、粗動テーブル３２とともにＸ軸方向に移動可能であるとともに、基板ＰのみをＹ軸方向に搬送することが可能になっている。
【０２４７】
また、基板ホルダＰＨのＹ軸方向両側に配置された一対のエア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆの配置領域の内部には、それぞれ、第７の実施形態と同様の３つの基板Ｙステップ送り装置８８と、１つの基板Ｘステップ送り装置９１とが、配置されている。ただし、図５１に示されるように、本第８の実施形態では、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆの配置領域のそれぞれの内部の３つの基板Ｙステップ送り装置８８及び１つの基板Ｘステップ送り装置９１は、露光領域ＩＡの中心を通るＸ軸に関して対称に配置されている。また、このような対称配置を採用した関係から、一対のＹ干渉計９８Ｙ１、９８Ｙ２の配置位置が、前述の第７の実施形態に比べて＋Ｙ側にずれている。
【０２４８】
また、Ｘビーム３０Ａ、３０Ｂとして、Ｙ軸方向の幅が第７の実施形態のＸビーム３０Ａ、３０Ｂと比べて幾分広いものが用いられている。Ｘビーム３０Ａ、３０Ｂの上面には、例えば前述の基板ステージ装置ＰＳＴなどと同様、Ｘリニアガイド３６が、各２本固定され、その２本のＸリニアガイド３６の間に、Ｘ固定子３８が固定されている。各２本のＸリニアガイド３６のそれぞれに係合する複数のスライダ４４が、粗動テーブル３２の下面に固定されている。粗動テーブル３２の下面には、Ｘ固定子３８とともにＸリニアモータを構成する不図示のＸ可動子が固定されている。
【０２４９】
基板ステージ装置ＰＳＴｇのその他の部分の構成は、第７の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｆと同様になっている。この場合、一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２は、固定のエア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆ、及び粗動テーブル３２上のエア浮上ユニット８４Ｇのいずれにも干渉しないで、一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２に接近できるような配置になっている。
【０２５０】
基板ステージ装置ＰＳＴｇのその他の部分の構成は、第７の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｆと同様になっている。従って、基板ステージ装置ＰＳＴｇにおいても、粗動テーブル３２、重量キャンセル装置２８、微動ステージ２６、及び基板ホルダＰＨ等を含んで、基板Ｐと一体でＸ軸方向に移動する移動体が構成されている。本第８の実施形態においても、この移動体を、以下では、適宜、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）と表記する。
【０２５１】
次に、本第８の実施形態に係る露光装置８００で行われる基板処理のための一連の動作について説明する。ここでは、一例として基板Ｐに対して第２層目以降の露光を行う場合について、図５２〜図６５に基づいて説明する。なお、図５２〜図６５において示される露光領域ＩＡは、露光時に照明光ＩＬが投影光学系ＰＬを介して照射される照明領域であり、実際には、露光時以外に形成されることはないが、基板Ｐと投影光学系ＰＬとの位置関係を明確にするため常に図示されている。
【０２５２】
まず、主制御装置５０の管理の下、不図示のマスク搬送装置（マスクローダ）によって、マスクステージＭＳＴ上へのマスクＭのロードが行われるとともに、不図示の基板搬入装置によって、基板ステージ装置ＰＳＴｇ上への基板Ｐの搬入が行なわれる。基板Ｐには前層以前の露光の際に、一例として図５１に示されるように、複数、例えばＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に２つ、合計４つのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４とともに、各ショット領域のパターンと同時に転写された複数のアライメントマーク（不図示）が、ショット領域毎に設けられている。
【０２５３】
まず、前述の第７の実施形態における１枚目の基板Ｐと同様の手順に従って、基板Ｐは、図５２に示されるように、基板ホルダＰＨと基板ホルダＰＨの−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とに跨って載置される。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｆの一部と、＋Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇとによって浮上支持されている。そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨが、排気から吸気（吸引）に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨにより基板Ｐの一部（ショット領域ＳＡ１を含む矩形領域に対応する基板Ｐ全体の約１／４）が吸着固定され、エア浮上ユニット群８４Ｆの一部及びエア浮上ユニット８４Ｇにより基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の残りの約３／４）が浮上支持された状態となる。このとき、基板Ｐ上の少なくとも２つのアライメントマークが、いずれかのアライメント検出系（不図示）の視野に入るように、かつ基板ホルダＰＨ上にくるように、基板Ｐが、基板ホルダＰＨとエア浮上ユニット群８４Ｆの一部とエア浮上ユニット８４Ｇとに跨って載置される。
【０２５４】
上記の基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着動作の開始の直後に、主制御装置５０によって、基板Ｙステップ送り装置８８による基板Ｐの吸着が解除される。このとき、基板Ｙステップ送り装置８８（可動部８８ａ）及び基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）は、それぞれ、主制御装置５０によって、−Ｙ側の移動限界位置である待機位置、−Ｘ側の移動限界位置である待機位置に戻される。
【０２５５】
その後、主制御装置５０により、従来と同様のアライメント計測の方法によって投影光学系ＰＬに対する微動ステージ２６の位置と、微動ステージ２６に対する基板Ｐの凡その位置とが求められる。なお、微動ステージ２６に対する基板Ｐのアライメント計測は省略しても良い。
【０２５６】
そして、主制御装置５０は、上記の計測結果に基づいて、粗動テーブル３２を介して微動ステージ２６を駆動して基板Ｐ上の少なくとも２つのアライメントマークをいずれかのアライメント検出系の視野内に移動させ、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐのアライメント計測を行い、その結果に基づいて、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）を求める。そして、主制御装置５０は、粗動テーブル３２を駆動するとともに微動ステージ２６を微小駆動して、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐを位置決めする。このとき、微動ステージ２６の粗動テーブル３２に対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図５２には、このようにして、基板Ｐ上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐが位置決めされた直後の状態が示されている。
その後、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行なわれる。
【０２５７】
ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作では、基板Ｐ上の複数のショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４に対して順次露光処理が行われる。本第８の実施形態においても、スキャン動作時には、基板Ｐの前述のＸスキャン動作が行われ、ステップ動作時（ショット領域間移動時）には、基板ＰのＸステップ動作又はＹステップ動作が行われる。ここで、本第８の実施形態では、基板ＰのＹステップ動作は、第７の実施形態と同様であるが、基板ＰのＸステップ動作は、後述するように第７の実施形態と異なる。本第８の実施形態では、各ショット領域ＳＡｎ（ｎ＝１、２、３、４）の最大露光幅（Ｙ軸方向の幅）は基板Ｐの約１／２である。
【０２５８】
具体的には、露光動作は次のようにして行なわれる。
図５２の状態から、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）は、図５２中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向へ駆動され、基板ＰのＸスキャン動作が行われる。このときマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）が基板Ｐ（微動ステージ２６）と同期して−Ｘ方向へ駆動されており、ショット領域ＳＡ１が、投影光学系ＰＬによるマスクＭのパターンの投影領域である露光領域ＩＡを通過するので、その際に、ショット領域ＳＡ１に対する走査露光が行われる。走査露光は、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の−Ｘ方向へ加速後の等速移動中に、マスクＭ、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐに照明光ＩＬが照射されることで行われる。
【０２５９】
上述のＸスキャン動作に際し、主制御装置５０は、微動ステージ２６上の基板ホルダＰＨに基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約１／４）を吸着固定させ、エア浮上ユニット群８４Ｆの一部及び＋Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇに基板Ｐの一部（基板Ｐ全体の約３／４）を浮上支持させた状態で、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を駆動する。この際、主制御装置５０は、前述と同様にして、粗動テーブル３２をＸ軸方向に駆動するとともに、微動ステージ駆動系５２を駆動する。これにより、基板Ｐは微動ステージ２６と共に、重量キャンセル装置２８に一体的に支持された状態で、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘの働きによって、粗動テーブル３２と一体的にＸ軸方向に移動するとともに、粗動テーブル３２からの相対駆動によって、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向（６自由度方向）に関して精密に位置制御される。また、主制御装置５０は、Ｘスキャン動作に際し、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）と同期して、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴを、Ｘ軸方向に走査駆動（Ｙ軸方向及びθｚ方向に微小駆動）する。図５３には、ショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２６０】
次に、基板Ｐの次のショット領域ＳＡ２を基板ホルダＰＨ上へ移動させるためのＸステップ動作が行われる。この基板ＰのＸステップ動作は、主制御装置５０が、図５３に示される状態にある基板Ｐの裏面を−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）によって吸着保持し、基板ホルダＰＨの吸着を解除した後、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気とエア浮上ユニット群８４Ｆ及び＋Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇによる引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させる。これにより、基板Ｐは基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）のみによって保持された状態となる。
【０２６１】
次に、主制御装置５０は、基板Ｘステップ送り装置９１のみによる基板Ｐの保持状態を維持したまま、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を、図５３中に白抜き矢印で示されるように、＋Ｘ方向に駆動する、基板ＰのＸステップを開始する。これにより、基板Ｐは、Ｘステップ開始前の位置に停止したまま、この基板Ｐに対して基板ホルダＰＨが、＋Ｘ方向に移動する。そして、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨが、基板Ｐの次のショット領域ＳＡ２の真下に到達すると、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を、停止させる（図５４参照）。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨと、エア浮上ユニット群８４Ｆの一部と−Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇとに跨って載置されている。基板ホルダＰＨ、エア浮上ユニット群８４Ｆ及びエア浮上ユニット８４Ｇの上面からは、高圧空気が噴出されており、基板Ｐは浮上支持されている。
【０２６２】
上記の基板ＰのＸステップのための基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）の駆動と並行して、主制御装置５０は、マスクステージＭＳＴを、所定の加速開始位置へ戻している。
【０２６３】
その後、基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着、及び基板Ｘステップ送り装置９１による基板Ｐの吸着解除と、基板Ｐ上の新たなアライメントマークを用いたアライメント計測と、微動ステージ２６による基板Ｐの位置決めと、が行なわれる（図５４中の白抜き矢印参照）。その後、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）とマスクステージＭＳＴとが同期して、図５５中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向に移動することで、次のショット領域ＳＡ２のスキャン露光が行なわれる。図５６には、ショット領域ＳＡ２の露光終了後に、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２６４】
次に、基板Ｐの次のショット領域ＳＡ３を基板ホルダＰＨ上へ移動させるためのＹステップ動作が行われる。この基板ＰのＹステップ動作は、次の通り行われる。すなわち、主制御装置５０が、図５６に示される状態にある基板Ｐの裏面を−Ｘ側の移動基板Ｙステップ送り装置１２０（可動部１２０ａ）によって吸着保持し、基板Ｐに対する基板ホルダＰＨの吸着を解除する。しかる後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気とエア浮上ユニット群８４Ｆ及びエア浮上ユニット８４Ｇによる引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させた状態で、図５６中に点線の白抜き矢印で示されるように、−Ｘ側の移動基板Ｙステップ送り装置１２０により基板Ｐを＋Ｙ方向へ搬送する。これにより、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐのみが＋Ｙ方向に移動する（図５７参照）。このとき、−Ｘ側の移動基板Ｙステップ送り装置１２０のストロークが足りない場合には、主制御装置５０は、最も−Ｘ側に位置する＋Ｙ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐの送りを引き継ぐようにしても良い（図５８中の黒塗り矢印参照）。
【０２６５】
このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨと、エア浮上ユニット群８４Ｅの一部と−Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇとに跨って載置されている。基板ホルダＰＨ、エア浮上ユニット群８４Ｅ及びエア浮上ユニット８４Ｇの上面からは、高圧空気が噴出されており、基板Ｐは浮上支持されている。
【０２６６】
その後、基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着、及び移動基板Ｙステップ送り装置１２０による基板Ｐの吸着解除と、基板Ｐ上の新たなアライメントマークを用いたアライメント計測と、微動ステージ２６による基板Ｐの位置決めと、が行なわれる（図５７又は図５８中の白抜き矢印参照）。その後、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）とマスクステージＭＳＴとが同期して、図５９中に白抜き矢印で示されるように、＋Ｘ方向に移動することで、次のショット領域ＳＡ３のスキャン露光が行なわれる。図６０には、ショット領域ＳＡ３の露光終了後に、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２６７】
次に、基板Ｐの次のショット領域ＳＡ４を基板ホルダＰＨ上へ移動させるためのＸステップ動作が行われる。この基板ＰのＸステップ動作は、次の通りに行われる。
【０２６８】
すなわち、主制御装置５０が、図６０に示される状態にある基板Ｐの裏面を＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）によって吸着保持し、基板ホルダＰＨの吸着を解除した後、基板ホルダＰＨからの高圧空気の排気とエア浮上ユニット群８４Ｅ及び−Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇによる引き続きの高圧空気の排気とによって基板Ｐを浮上させる。これにより、基板Ｐは基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）のみによって保持された状態となる。
【０２６９】
次いで、主制御装置５０は、基板Ｘステップ送り装置９１のみによる基板Ｐの保持状態を維持したまま、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を、図６０中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向に駆動するＸステップを開始する。これにより、基板Ｐは、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）のＸステップ開始前の位置に停止したまま、この基板Ｐに対して基板ホルダＰＨが、−Ｘ方向に移動する。そして、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨが、基板Ｐの次のショット領域ＳＡ４の真下に到達すると、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）を、停止させる（図６１参照）。このとき、基板Ｐは、基板ホルダＰＨと、エア浮上ユニット群８４Ｅの一部と＋Ｘ側のエア浮上ユニット８４Ｇとに跨って載置されている。基板ホルダＰＨ、エア浮上ユニット群８４Ｅ及びエア浮上ユニット８４Ｇの上面からは、高圧空気が噴出されており、基板Ｐは浮上支持されている。
【０２７０】
上記の基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）のステップ駆動と並行して、主制御装置５０は、マスクステージＭＳＴを、所定の加速開始位置へ戻している。
【０２７１】
その後、基板ホルダＰＨによる基板Ｐの吸着、及び基板Ｘステップ送り装置９１による基板Ｐの吸着解除と、基板Ｐ上の新たなアライメントマークを用いたアライメント計測と、微動ステージ２６による基板Ｐの位置決めと、が行なわれる（図６１中の白抜き矢印参照）。その後、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）とマスクステージＭＳＴとが同期して、図６２中に白抜き矢印で示されるように、＋Ｘ方向に移動することで、次のショット領域ＳＡ４のスキャン露光が行なわれる。図６３には、ショット領域ＳＡ４の露光終了後に、基板ステージ（２６，２８，３２、ＰＨ）が停止した状態が示されている。
【０２７２】
上記の基板Ｐ上のショット領域ＳＡ４のスキャン露光に先立って、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａが、次の基板の搬入に備えるために、主制御装置５０により、＋Ｘ側の移動限界位置近傍の待機位置に駆動され、その位置に待機させられている（図６２中の黒塗り矢印参照）。
【０２７３】
そして、上記の基板Ｐ上のショット領域ＳＡ４のスキャン露光と並行して、不図示の基板搬入装置によってエア浮上ユニット群８４Ｆ上に新たに投入された基板Ｐが、主制御装置５０によって、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（可動部９１ａ）で吸着保持されて−Ｘ側に搬送される（図６３中の白抜き矢印参照）。
【０２７４】
一方、すべてのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ４に対する露光が終わった基板Ｐは、主制御装置５０により、＋Ｘ側の移動基板Ｙステップ送り装置１２０を用いて、図６３中に点線矢印で示されるように＋Ｙ側に搬送され、基板ホルダＰＨ上から完全に退避して＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｅの上に運ばれる。このとき、前記＋Ｘ側の移動基板Ｙステップ送り装置１２０のストロークが足りない場合には、主制御装置５０は、＋Ｙ側で最も＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を使って基板の送りを引き継ぐようにしても良い（図６４参照）。これとほぼ同時に、新たに投入された基板Ｐは、主制御装置５０により、−Ｙ側でかつ最も＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて、図６４中に黒塗り矢印で示されるように＋Ｙ側に搬送され、ショット領域ＳＡ１が基板ホルダ上に位置させられる（図６４参照）。
【０２７５】
エア浮上ユニット群８４Ｅの上に運ばれた露光済みの基板Ｐは、主制御装置５０によって、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１を用いて、＋Ｘ方向に搬送され、不図示の基板搬出装置によって＋Ｘ方向に搬出される（図６４、図６５参照）。
【０２７６】
上記の露光済みの基板Ｐの搬出と並行して、基板ホルダＰＨにその一部が保持された基板Ｐに対しては、前述と同様のアライメント動作が行われた後、基板ＰとマスクＭとの＋Ｘ方向の加速が開始され、前述と同様にして最初のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が行われる（図６５参照）。以後、前述した第１枚目の基板Ｐに対する露光の際と同様の手順で、第２枚目以降の基板Ｐ上の残りのショット領域に対するアライメント（Ｘステップ、Ｙステップ）、露光等の動作、並びに第３枚目以降の基板に対するアライメント（Ｘステップ、Ｙステップ）、露光等の動作が繰り返される。この場合、奇数枚目の基板Ｐ及び偶数枚目の基板Ｐのいずれも、ショット領域ＳＡ１、ＳＡ２、ＳＡ３、ＳＡ４の順に露光される。
【０２７７】
以上説明したように本第８の実施形態に係る露光装置８００によると、前述した第７の実施形態に係る露光装置７００と同等の効果が得られる他、基板ホルダＰＨ、該基板ホルダＰＨが搭載された微動ステージ２６、及びこれを支持する重量キャンセル装置２８を、第１実施形態よりもさらに軽量、コンパクトにすることができる。
【０２７８】
《変形例》
上記各実施形態の露光装置において、基板Ｐを一体的に保持するとともにエア浮上ユニットによって基板Ｐと一体的に浮上させることができる枠状の基板支持部材を用いても良い。一例として、第８の実施形態に係る露光装置８００に、この基板支持部材を適用した場合について、図６６に基づいて説明する。
【０２７９】
基板支持部材６９は、図６６に示されるように、平面視で矩形（ほぼ正方形状）の輪郭を有し、中央部にＺ軸方向に貫通する平面視矩形の開口部を有する厚さ方向寸法が小さい（薄い）枠状部材から成る。基板支持部材６９は、Ｘ軸方向を長手方向とするＸＹ平面に平行な平板状の部材であるＸ枠部材６１ｘを、Ｙ軸方向に所定間隔で一対有し、一対のＸ枠部材６１ｘは、＋Ｘ側、−Ｘ側の端部のそれぞれにおいて、Ｙ軸方向を長手方向とするＸＹ平面に平行な平板状の部材であるＹ枠部材６１ｙにより接続されている。一対のＸ枠部材６１ｘ、及び一対のＹ枠部材６１ｙのそれぞれは、例えばＧＦＲＰ（Glass Fiber Reinforced Plastics）などの繊維強化合成樹脂材料、あるいはセラミックスなどにより形成することが、剛性の確保、及び軽量化の観点から好ましい。
【０２８０】
−Ｙ側のＸ枠部材６１ｘの上面には、−Ｙ側の面に反射面を有するＹ移動鏡９４Ｙが固定されている。また、−Ｘ側のＹ枠部材６１ｙの上面には、−Ｘ側の面に反射面を有する平面ミラーから成るＸ移動鏡９４Ｘが固定されている。この場合、基板ホルダＰＨ及び微動ステージ２６のいずれにも、Ｘ移動鏡、Ｙ移動鏡を設ける必要がない。
【０２８１】
基板支持部材６９（すなわち基板Ｐ）のＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、Ｘ移動鏡９４Ｘの反射面に測長ビームを照射する一対のＸ干渉計９８Ｘ１，９８Ｘ２、及びＹ移動鏡９４Ｙの反射面に測長ビームを照射する一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２を含む前述の基板ステージ干渉計システム９８により、例えば０．５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。
【０２８２】
なお、Ｘ干渉計、Ｙ干渉計は、それぞれ基板支持部材６９の移動可能範囲内で、少なくとも一つの測長ビームが対応する移動鏡に照射されるように、その台数及び／または測長ビームの光軸の数、又は間隔が設定される。従って、各干渉計の台数（光軸数）は２台に限定されず、基板支持部材の移動ストロークによっては、例えば１台（１軸）のみ、あるいは３台（３軸）以上であっても良い。
【０２８３】
基板支持部材６９は、基板Ｐの端部（外周縁部）を下方から真空吸着保持する複数、例えば４つの保持ユニット６５を有している。４つの保持ユニット６５は、一対のＸ枠部材６１ｘのそれぞれの互いに対向する対向面に２つずつ、Ｘ軸方向に離間して取り付けられている。なお、保持ユニットの数及び配置は、これに限られず、例えば基板の大きさ、撓み易さなどに応じて適宜追加しても良い。また、保持ユニットは、Ｙ枠部材に取り付けられても良い。保持ユニット６５は、例えばその上面に基板Ｐを真空吸着により吸着するための吸着パッドが設けられた断面Ｌ字状の基板載置部材と、該基板載置部材をＸ枠部材６１ｘに接続する平行板ばねとを有し、基板載置部材が、Ｘ枠部材６１ｘに対してＸ軸方向、及びＹ軸方向に関しては、平行板ばねの剛性によりその位置が拘束され、かつ板バネの弾性により、θｘ方向に回転することなくＺ軸方向に変位（上下動）する構成になっている。かかる保持ユニット６５及びこれを備えた基板支持部材６９と同様の構成の基板保持枠については、例えば米国特許出願公開第２０１１／００４２８７４号明細書に詳細に開示されている。
【０２８４】
図６６の変形例では、基板ＰのＸステップ若しくはＹステップ動作、又は基板Ｐの基板ステージ装置ＰＳＴｇに対する搬出入に際しては、主制御装置５０は、基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａ又は基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａによって、基板支持部材６９のいずれかのＸ枠部材６１ｘ又はいずれかのＹ枠部材６１ｙを、吸着保持しても良いし、基板Ｐを吸着保持しても良い。
【０２８５】
図６６の変形例では、基板Ｐの位置を、基板支持部材６９に固定されたＸ移動鏡９４Ｘ、Ｙ移動鏡９４Ｙを介して基板ステージ干渉計システム９８によって、計測することができるので、この変形例に係る露光装置を用いて、基板Ｐに対する第１層目の露光を行う場合であっても、基板ステージ干渉計システム９８によって計測される基板Ｐの位置情報に基づいて、設計値に従って、基板Ｐの各ショット領域の露光のための加速開始位置への位置決めを十分な精度で行うことが可能になる。
【０２８６】
なお、基板支持部材６９のＹ枠部材６１ｙ、Ｘ枠部材６１ｘに、Ｘ移動鏡９４Ｘ、Ｙ移動鏡９４Ｙの反射面に相当する反射面を形成することができるのであれば、必ずしもＸ移動鏡９４Ｘ、Ｙ移動鏡９４Ｙを設ける必要はない。この場合には、その分、基板支持部材６９を軽量化することができる。
【０２８７】
基板支持部材は、基板Ｐに対する１層目の露光の際にのみ用いても良いし、２層目以降の露光の際にも用いるようにしても良い。前者の場合、２層目以降の露光に際しては、基板ステージ干渉計システム９８によって、微動ステージ２６の位置を計測する必要があるので、例えば前述したコーナーキューブから成る一対のＸ移動鏡９４Ｘ１、９４Ｘ２、及び長尺鏡から成るＹ移動鏡９４Ｙを、前述した第８の実施形態と同様の位置に取り付けておく必要がある。また、この場合に、基板ステージ干渉計システム９８を、一層目の露光の際の基板支持部材６９（基板Ｐ）及び２層目の露光の際の微動ステージ２６の位置情報の計測に兼用しても良いが、これに限らず、基板支持部材６９（基板Ｐ）の位置を計測する基板干渉計システムを、基板ステージ干渉計システム９８とは別に設けても良い。
【０２８８】
なお、基板支持部材として、枠状の部材に限らず、枠の一部が欠けたような形状の基板支持部材を用いても良い。例えば上記米国特許出願公開第２０１１／００４２８７４号明細書の第８の実施形態中に開示されているような平面視Ｕ字状の基板保持枠を用いても良い。また、基板のスキャン露光時の動作に悪影響を与えない構成であれば、基板支持部材６９のＸＹ平面内の駆動、例えばＸ軸方向の長ストローク駆動をアシストする駆動機構を新たに設けても良い。
【０２８９】
なお、上記の説明では、第８の実施形態を代表的に取りあげて説明したが、前述の第１〜第７の各実施形態においても、上記の基板支持部材を、基板Ｐの支持に用いても良いことは勿論である。
【０２９０】
なお、上記第７、第８の実施形態では、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の一側と他側に、粗動テーブル３２及び微動ステージ２６等と分離して配置されたフレーム上にエア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆが設置される場合について説明したが、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆのうち少なくとも一方を、粗動テーブル３２上に搭載してＸ軸方向に可動な構成としても良いし、これに限らず、粗動テーブルに追従して移動する別の移動体を設け、該別の移動体上にエア浮上ユニット群を搭載して、Ｘ軸方向に可動な構成としても良い。この場合、エア浮上ユニット群が搭載された粗動テーブル３２又は粗動テーブルに追従して移動する別の移動体上に、エア浮上ユニット群の内部に配置された前述の基板Ｙステップ送り装置８８を設けても良い。また、エア浮上ユニット群８４Ｅ，８４Ｆはフレームを介して床に設置したが、架台上に設置しても良い。
【０２９１】
《第９の実施形態》
次に、第９の実施形態について、図６７〜図９９に基づいて説明する。ここで、前述した第１ないし第８の各実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０２９２】
図６７には、第９の実施形態に係る露光装置９００の構成が、エア浮上ユニット群等を省略して、概略的に示されている。図６８には、露光装置９００の一部省略した平面図、すなわち、図６７の投影光学系ＰＬより下方の部分（後述する鏡筒定盤より下方の部分）の平面図が示されている。また、図６９には、本第９の実施形態に係る露光装置を図６７の＋Ｘ方向から見て一部省略して示す概略側面図が示されている。図７０には、図６８の平面図の一部が取り出して拡大して示されている。また、図７１には、露光装置９００の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置５０の入出力関係がブロック図にて示されている。図７１では、基板ステージ系に関連する構成各部が示されている。主制御装置５０は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等を含み、露光装置９００の構成各部を統括制御する。
【０２９３】
露光装置９００は、照明系ＩＯＰ、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴ、投影光学系ＰＬ、マスクステージＭＳＴ及び投影光学系ＰＬなどが搭載されたボディＢＤ（図６７等ではその一部のみが図示されている）、微動ステージ２６（基板テーブル）を含む基板ステージ装置ＰＳＴｈ、及びこれらの制御系等を備え、全体的には、前述の第１〜第８の実施形態に係る各露光装置と同様に構成されている。しかしながら、基板ステージ装置ＰＳＴｈは、２枚の基板（図６７では、基板Ｐ１及び基板Ｐ２が示されている）のそれぞれの一部を保持可能なっている点が、これまでに説明した基板ステージ装置ＰＳＴ〜ＰＳＴｇとは異なる。
【０２９４】
基板ステージ装置ＰＳＴｈは、図６７及び図６９に示されるように、粗動ステージ部２４、微動ステージ２６、及び重量キャンセル装置２８等を有している。微動ステージ２６の上面には、図６７及び図６９から分かるように、基板ホルダＰＨが搭載されている。基板ホルダＰＨは、図６８からわかるように、Ｘ軸方向の長さが基板（Ｐ１、Ｐ２）と同等であり、Ｙ軸方向の幅（長さ）は基板（Ｐ１、Ｐ２）の約１／３である。
【０２９５】
基板ホルダＰＨの上面のＸ軸方向の中央部には、図７０に示されるように、その上面を２つの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２に分割するＹ軸に平行な溝１５０が設けられている。溝１５０で分割された２つの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２では、互いに独立して、基板Ｐ１、Ｐ２の一部（ここでは、基板Ｐ１，Ｐ２のＹ軸方向に関する約１／３の部分であって、＋Ｘ側又は−Ｘ側半部であるそれぞれの基板の１／６の領域）を、例えば真空吸着（又は静電吸着）により吸着保持するとともに、加圧気体（例えば高圧空気）を上向きに噴き出してその噴き出し圧力によって基板Ｐ１、Ｐ２の一部（それぞれの基板の約１／６の領域）を下方から非接触（浮上）支持することができる。
【０２９６】
基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２による各基板に対する高圧空気の噴き出しと真空吸着との切り替えは、不図示の真空ポンプと高圧空気源とに基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２を個別に切り替え接続するホルダ吸排気切替装置５１Ａ、５１Ｂ（図７１参照）を介して、主制御装置５０によって行われる。
【０２９７】
粗動ステージ部２４は、図６９に示されるように、２本（一対）のＸビーム３０Ａ，３０Ｂと、２つ（一対）の粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂと、２本のＸビーム３０Ａ，３０Ｂのそれぞれを床面Ｆ上で支持する複数の脚部３４と、を有している。粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂは、例えば前述の基板ステージ装置ＰＳＴが備える２つの粗動テーブルと同様に構成されている。
【０２９８】
粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂのそれぞれの上方には、図６８及び図６９に示されるように、平面視矩形の支持面（上面）を有する複数、ここでは各８つのエア浮上ユニット８４Ｈが配置され、支持部材８６をそれぞれ介して粗動テーブル３２Ａ，３２Ｂの上面に固定されている。各８つのエア浮上ユニット８４Ｈは、それぞれ、露光領域ＩＡ（投影光学系ＰＬ）の＋Ｙ側、−Ｙ側で、Ｙ軸方向に関して基板Ｐ１、Ｐ２のサイズの２／３、かつＸ軸方向に関して基板Ｐ１とＰ２とのＸ軸方向の合計サイズとほぼ同等のサイズの領域内に、２次元配列されている。各エア浮上ユニット８４Ｈの上面は基板ホルダＰＨの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。以下の説明では、上記各８つのエア浮上ユニット８４Ｈをそれぞれ、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈと称する。
【０２９９】
また、基板ホルダＰＨのＸ軸方向の両側には、図６８に示されるように、各一対のエア浮上ユニット８４Ｉが配置されている。各一対のエア浮上ユニット８４Ｉは、図６７に示されるように、その上面が基板ホルダＰＨとほぼ同等（僅かに低い）の高さとなるように、ＸＺ断面がＬ字状の支持部材１１２を介して粗動テーブル３２Ａの上面に固定されている。各エア浮上ユニット８４Ｉは、例えばＹ軸方向の長さが基板ホルダＰＨの１／２よりも幾分短く、Ｘ軸方向の長さが基板ホルダＰＨの１／２より幾分短い。
【０３００】
Ｘビーム３０Ａの＋Ｙ側、及びＸビーム３０Ｂの−Ｙ側には、図６９に示されるように、一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれが、架台１８に接触しないように床面Ｆ上に設置されている。一対のフレーム１１０Ａ，１１０Ｂのそれぞれの上面には、複数、例えば各４つのエア浮上ユニット８４Ｊが設置されている（図６８参照）。
【０３０１】
各４つのエア浮上ユニット８４Ｊは、図６８及び図６９に示されるように、前述の＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの＋Ｙ側、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの−Ｙ側に、それぞれ配置されている。各４つのエア浮上ユニット８４Ｊのそれぞれは、図６８に示されるように、Ｙ軸方向の幅が基板Ｐ１、Ｐ２のＹ軸方向の長さのほぼ１／３で、Ｘ軸方向の長さが、基板ホルダＰＨのＸ軸方向の長さの１／２より幾分短い。以下の説明では、上記各４つのエア浮上ユニット８４Ｊをそれぞれ、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｊ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｊと称する。＋Ｙ側及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｊのそれぞれは、Ｙ軸方向のサイズが基板ＰのＹ軸方向の長さのほぼ１／３で、かつＸ軸方向のサイズが基板Ｐ１とＰ２とのＸ軸方向の合計サイズとほぼ同等のサイズの領域内にＸ軸方向に配列されている。露光領域ＩＡの中心と＋Ｙ側及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｊの中心とのＸ位置はほぼ一致している。各エア浮上ユニット８４Ｊの上面は基板ホルダＰＨの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。
【０３０２】
上述したエア浮上ユニット８４Ｈ、８４Ｉ、及び８４Ｊのそれぞれの支持面（上面）は、多孔質体や機械的に複数の微小な穴を有するスラスト型のエアベアリング構造になっている。各エア浮上ユニット８４Ｈ、８４Ｉ、及び８４Ｊは、気体供給装置８５（図７１参照）からの加圧気体（例えば高圧空気）の供給により、基板（例えばＰ１、Ｐ２）の一部を浮上支持することができるようになっている。各エア浮上ユニット８４Ｈ、８４Ｉ、及び８４Ｊに対する高圧空気の供給のオン・オフは、図７１に示される主制御装置５０によって個別に制御される。
【０３０３】
上述の説明から明らかなように、本実施形態では、＋Ｙ側又は−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈ及び８４Ｊによって２枚の基板の全体を浮上支持することができる。また、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１と＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉと＋Ｙ側又は−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４Ｈとによって１枚の基板の全体を浮上支持することができる。また、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２と−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉと＋Ｙ側又は−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４Ｈとによって１枚の基板の全体を浮上支持することができる。さらに、基板ホルダＰＨと該基板ホルダＰＨの＋Ｙ側又は−Ｙ側の４つのエア浮上ユニット８４Ｈとによって１枚の基板の全体を浮上支持することができる。
【０３０４】
なお、エア浮上ユニット群８４Ｈ、８４Ｊは、それぞれ、上述した各矩形領域とほぼ同等の総支持面積を有していれば、単一の大型のエア浮上ユニットに置き換えても良いし、個々のエア浮上ユニットの大きさを、図６８の場合と異ならせて、上記矩形領域内に分散配置しても良い。一対のエア浮上ユニット８４Ｉに代えて、支持面の面積が２倍の単一のエア浮上ユニットを用いても良い。エア浮上ユニットは、基板を浮上させるものなので、全面に敷き詰める必要はなく、エア浮上ユニットの浮上能力（負荷容量）に応じて、適切に所定の間隔で所定の位置に配置すれば良い。
【０３０５】
＋Ｘ側及び−Ｘ側の各一対のエア浮上ユニット８４Ｉと基板ホルダＰＨとの間には、図６８及び図７０に示されるように、一対の基板Ｙステップ送り装置８８のそれぞれが配置されている。
【０３０６】
各基板Ｙステップ送り装置８８は、基板（例えばＰ１又はＰ２）を保持（例えば吸着）してＹ軸方向に移動させるための装置であり、前述の支持部材１１２の上面に固定されている（図６７参照）。各基板Ｙステップ送り装置８８は、図６７及び図７０に示されるように、支持部材１１２を介して粗動テーブル３２Ａに固定されたＹ軸方向に伸びる固定部８８ｂと、基板（例えばＰ１又はＰ２）の裏面を吸着してＹ軸方向に固定部８８ｂに沿って移動する可動部８８ａと、を備えている。本実施形態では、各基板Ｙステップ送り装置８８の可動部８８ａのＹ軸方向の移動ストロークは基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅と同等である。
【０３０７】
なお、実際には、可動部８８ａが、基板Ｐを吸着してＹ軸方向に移動するのであるが、以下では、特に区別が必要な場合を除き、基板Ｙステップ送り装置８８と可動部８８ａとを区別することなく用いる。
【０３０８】
＋Ｙ側及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈと基板ホルダＰＨとの間には、図６８及び図７０に示されるように、一対の基板Ｘステップ送り装置９１のそれぞれが配置されている。
【０３０９】
基板Ｘステップ送り装置９１は、基板（例えばＰ１又はＰ２）を保持（例えば吸着）してＸ軸方向に移動させるための装置であり、基板ホルダＰＨの＋Ｘ側半部の＋Ｙ側、−Ｙ側に配置された一対のエア浮上ユニット８４Ｈのそれぞれの基板ホルダＰＨに対向する側の面に支持部材を介して固定されている（図６９参照）。
【０３１０】
各基板Ｘステップ送り装置９１は、図６９及び図７０に示されるように、エア浮上ユニット８４Ｈとともに粗動テーブル３２Ａ又は３２Ｂに固定されたＸ軸方向に伸びる固定部９１ｂと、基板（例えばＰ１又はＰ２）の裏面を吸着してＸ軸方向に固定部９１ｂに沿って移動する可動部９１ａと、を備えている。可動部９１ａは、例えばリニアモータによって構成される駆動装置９５（図６９及び図７０では不図示、図７１参照）によって、粗動テーブル３２Ａ又は３２Ｂに対してＸ軸方向に駆動される。基板Ｘステップ送り装置９１には、可動部９１ａの位置を計測するエンコーダなどの位置読み取り装置９７（図６９及び図７０では不図示、図７１参照）が設けられている。なお、駆動装置９５は、リニアモータに限らず、ボールねじ又はベルトを用いた回転モータを駆動源とする駆動機構によって構成しても良い。
【０３１１】
各基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａのＸ軸方向の移動ストロークは基板ホルダのＸ軸方向長さのほぼ１／２（幾分長い）である。各固定部９１ｂの−Ｘ側の端部は、それぞれが固定されたエア浮上ユニット８４Ｈから、−Ｘ側に所定長さ張り出している。
【０３１２】
また、各基板Ｘステップ送り装置９１の可動部９１ａ（基板吸着面）は基板Ｐの裏面を吸着したり、吸着を解除して基板Ｐから分離したりする必要があるので、駆動装置９５によってＺ軸方向にも微少駆動可能に構成されている。なお、実際には、可動部９１ａが、基板Ｐを吸着してＸ軸方向に移動するのであるが、以下では、特に区別が必要な場合を除き、基板Ｘステップ送り装置９１と可動部９１ａとを区別することなく用いる。
【０３１３】
なお、本実施形態においても、基板Ｙステップ送り装置８８及び基板Ｘステップ送り装置９１のそれぞれの可動部（基板吸着面）による基板Ｐの吸着及び基板との分離のために、微動ステージ２６がＺ軸方向に移動しても良い。
【０３１４】
重量キャンセル装置２８は、図６９に示されるように、筐体６４、空気ばね６６及びＺスライダ６８などを有し、例えば前述した第２の実施形態以下の各実施形態と同様に構成されている。すなわち、本第９の実施形態に係る基板ステージ装置ＰＳＴｈでは、Ｚスライダ６８がレベリング装置７８の固定部を兼ね、シーリングパッドは設けられておらず、重量キャンセル装置２８が微動ステージ２６と一体化されている。また、重量キャンセル装置２８は微動ステージ２６と一体化されているので、重量キャンセル装置２８の単独運動を規制する連結装置８０（フレクシャ装置）などは設けられていない。微動ステージ２６は、図６９中に球状部材で模式的に示されている球面軸受、あるいは擬似球面軸受構造体を有するレベリング装置７８によってＺスライダ６８上でチルト自在（ＸＹ平面に対してθｘ及びθｙ方向に揺動自在）に支持されている。
【０３１５】
重量キャンセル装置２８、及び重量キャンセル装置２８にレベリング装置７８を介して支持された上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘの働きによって、粗動テーブル３２Ａと一体的にＸ軸方向に移動する。すなわち、上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、主制御装置５０によって、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘを用いて重量キャンセル装置２８に支持されて粗動テーブル３２Ａに同期駆動（粗動テーブル３２Ａと同方向に同速度で駆動）されることにより、粗動テーブル３２Ａと共にＸ軸方向に所定のストロークで移動する。また、上部構成部分（微動ステージ２６及び基板ホルダＰＨ等）は、主制御装置５０により、一対のＸボイスコイルモータ５４Ｘ、一対のＹボイスコイルモータ５４Ｙ及び４つのＺボイスコイルモータ５４Ｚを介して、粗動テーブル３２Ａに対し６自由度方向に微少駆動される。
【０３１６】
本第９の実施形態では、粗動テーブル３２Ａ（及び３２Ｂ）、重量キャンセル装置２８、微動ステージ２６、及び基板ホルダＰＨ等を含んで、基板（Ｐ１、Ｐ２）と一体でＸ軸方向に移動する移動体（以下、適宜、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）と表記する）が構成されている。
【０３１７】
本第９の実施形態に係る露光装置９００において、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）のＸＹ平面内の位置情報は、基板ステージ干渉計システム９８（図７１参照）によって０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。本第９の実施形態に係る基板ステージ干渉計システム９８は、図６７〜図６９と、図３０〜図３２とを比較するとわかるように、前述した第７の実施形態に係る基板ステージ干渉計システム９８と同様に構成されている。但し、本第９の実施形態に係る露光装置９００では、Ｙ干渉計９８Ｙ１、９８Ｙ２は、図６９に示されるように、エア浮上ユニット８４Ｈの下方に、Ｙ移動鏡９４Ｙに対向して、Ｘ軸方向に所定間隔で配置されている。Ｙ干渉計９８Ｙ１、９８Ｙ２は、支持部材１０４をそれぞれ介して一対の架台１８のそれぞれに固定されている。
【０３１８】
基板ステージ装置ＰＳＴｈのその他部分の構成は、例えば基板ステージ装置ＰＳＴａ、ＰＳＴｆなどと同様になっている。また、基板ステージ装置以外の構成各部は、前述の各実施形態と同様である（図６７〜図７１参照）。
【０３１９】
次に、上述のようにして構成された本実施形態に係る露光装置９００で行われる基板の露光処理のための一連の動作について説明する。ここでは、一例として複数枚の基板に対して第２層目以降の露光を行う場合について、基板の露光処理のための一連の動作手順（すなわち、露光手順）を説明するための露光手順説明図（その１〜その２７）に相当する図７２〜図７４、図７６〜図９９、及び一方の基板のショット領域の露光と他方の基板のＹステップ動作との並行動作を示す図７５（Ａ）〜図７５（Ｄ）に基づいて説明する。なお、図７２〜図９９には、説明を分かりやすくするために、図７０をさらに簡略化して基板ホルダＰＨ、基板のみが図示されている。また、図７２〜図９９において示される露光領域ＩＡは、露光時に照明光ＩＬが投影光学系ＰＬを介して照射される照明領域であり、実際には、露光時以外に形成されることはないが、基板Ｐと投影光学系ＰＬとの位置関係を明確にするため常に図示されている。また、ここでは、各基板に対し、Ｘ軸方向に２面（２スキャン）、Ｙ軸方向に３面（３スキャン）の６面取り（合計６スキャン）の露光を行なう場合について説明する。
【０３２０】
まず、主制御装置５０の管理の下、不図示のマスク搬送装置（マスクローダ）によって、マスクステージＭＳＴ上へのマスクＭのロードが行われるとともに、不図示の基板搬入装置によって、基板ステージ装置ＰＳＴｈ上への２枚の基板Ｐ１、Ｐ２の搬入（投入）が行なわれる。基板Ｐ１、Ｐ２のそれぞれには前層以前の露光の際に、例えば図７２等に示されるように、複数、例えばＸ軸方向に２つ、Ｙ軸方向に３つ、合計６つのショット領域ＳＡ１〜ＳＡ６とともに、各ショット領域のパターンと同時に転写された複数のアライメントマークＰＭ（図７０参照）が、ショット領域毎に設けられている。なお、図７０では、各ショット領域の図示が省略されている。
【０３２１】
この場合、基板搬入装置によって、２枚の基板Ｐ２、Ｐ１が、図７２中に黒塗り矢印及び白抜き矢印で示されるように、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に搬送され、図６８、図７０及び図７２に示される位置に搬入される。この場合、基板Ｐ２は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１と＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉと−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とに跨がって載置され、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２と−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉと＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とに跨がって載置されている。このとき、基板Ｐ２は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１と＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉと−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とによって浮上支持され、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２と−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉと＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とによって浮上支持されている。なお、各基板は必ずしも図７２中の各矢印の方向から搬入しなくても良い。例えば、上方（＋Ｚ側）又はＸ軸方向の外側から搬入しても良い。
【０３２２】
そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２が、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２に基板Ｐ２、Ｐ１の一部（基板全体の約１／６）が吸着固定され、一対のエア浮上ユニット８４Ｉとエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とにより基板Ｐ２，Ｐ１の一部（基板全体の残りの約５／６）が浮上支持された状態となる。
【０３２３】
その後、主制御装置５０により、従来と同様のアライメント計測の方法によって投影光学系ＰＬに対する微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の位置と、微動ステージ２６に対する基板Ｐ１，Ｐ２の凡その位置とが求められる。なお、微動ステージ２６に対する基板Ｐ１，Ｐ２のアライメント計測は省略しても良い。
【０３２４】
そして、主制御装置５０は、上記の計測結果に基づいて、粗動テーブル３２Ａを介して微動ステージ２６を駆動して基板Ｐ１上の少なくとも２つのアライメントマークＰＭ（図７２では不図示、図７０参照）をいずれかのアライメント検出系の視野内に移動させ、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１のアライメント計測を行い、その結果に基づいて、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置を求める。ここで、露光のためのスキャンは、走査露光時の等速移動区間の前後に加速区間及び減速区間を含むので、スキャン開始位置は、厳密に言えば加速開始位置である。そして、主制御装置５０は、粗動テーブル３２Ａ、３２Ｂを駆動するとともに微動ステージ２６を微小駆動して、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ１を位置決めする。このとき、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の粗動テーブル３２Ａに対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図７３には、このようにして、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。
【０３２５】
そして、図７３の状態から、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）は、図７３中に白抜き矢印で示されるように、−Ｘ方向へ駆動され、基板Ｐ１のＸスキャン動作が行われる。このとき、主制御装置５０により、マスクＭを保持するマスクステージＭＳＴが、基板ホルダＰＨ（微動ステージ２６）と同期して−Ｘ方向へ駆動されており、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ１が、投影光学系ＰＬによるマスクＭのパターンの投影領域である露光領域ＩＡを通過するので、その際に、ショット領域ＳＡ１に対する走査露光が行われる。主制御装置５０は、Ｘスキャン動作に際し、実際には、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）と同期して、マスク干渉計システム１４の計測結果に基づいて、マスクステージＭＳＴを、Ｘ軸方向に走査駆動するとともに、Ｙ軸方向及びθｚ方向に微小駆動する。
【０３２６】
走査露光は、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）の−Ｘ方向へ加速後の等速移動中に、マスクＭ、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ１に照明光ＩＬが照射されることで行われる。
【０３２７】
上述のＸスキャン動作に際し、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２に基板Ｐ１の一部（基板Ｐ１全体の約１／６）を吸着固定させ、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部及び−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉに基板Ｐ１の一部（基板Ｐ１全体の約５／６）を浮上支持させ、かつ基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１に基板Ｐ２の一部（基板Ｐ２全体の約１／６）を吸着固定させ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部及び＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉに基板Ｐ２の一部（基板Ｐ２全体の約５／６）を浮上支持させた状態で、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）を駆動する。
【０３２８】
この際、主制御装置５０は、Ｘリニアエンコーダシステム４６Ａ、４６Ｂの計測結果に基づいて、Ｘリニアモータ４２Ａ、４２Ｂをそれぞれ介して粗動テーブル３２Ａ、３２ＢをＸ軸方向に駆動するとともに、基板ステージ干渉計システム９８、Ｚチルト計測系７６の計測結果に基づいて、微動ステージ駆動系５２（各ボイスコイルモータ５４Ｘ、５４Ｙ、５４Ｚ）を駆動する。これにより、基板Ｐ１、Ｐ２は微動ステージ２６と一体となって、Ｘボイスコイルモータ５４Ｘによって粗動テーブル３２Ａと一体的に移動する。また、重量キャンセル装置２８も、微動ステージ２６と一体となって、Ｘボイスコイルモータ５４Ｘによって駆動される。また、基板Ｐ１、Ｐ２は微動ステージ２６と一体となって、粗動テーブル３２Ａからの相対駆動によって、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ及びθｚの各方向（６自由度方向）に関して精密に位置制御される。
【０３２９】
図７４には、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。
【０３３０】
続いて、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ１）用のアライメントマークの計測が、前述と同様に行われる。
【０３３１】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０は、その結果に基づいて、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）を、図７４中に白抜き矢印で示されるように、少し＋Ｘ方向へ駆動する基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）のＸステップ動作を行う。基板Ｐ２のＸステップ動作は、主制御装置５０が、Ｘスキャン動作と同様の状態で基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）を駆動して（但し、移動中の位置偏差はスキャン動作ほど厳密に規制しないで）行なう。主制御装置５０は、基板Ｐ２のＸステップ動作と並行して、マスクステージＭＳＴを加速開始位置に戻している。図７６には、このようにして、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。
【０３３２】
そして、Ｘステップ動作後、主制御装置５０は、図７６中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ２（基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との−Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ１に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、図７６中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送って基板Ｐ１のＹステップ動作を行う。この基板Ｐ１のＹステップ動作は、主制御装置５０が、保持領域ＡＤＡ２を吸引から排気に切り替えて、基板Ｐ１の吸着を解除し、−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐ１を、ショット領域のＹ軸方向の幅とほぼ等しいＹステップ距離だけ−Ｙ方向に搬送することで行われる。ここで、基板Ｙステップ送り装置８８は、保持領域ＡＤＡ２が吸引から排気に切り替えられた時点では、基板Ｐ１を吸着保持している。
【０３３３】
図７５（Ａ）〜図７５（Ｄ）には、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ１の露光と基板Ｐ１のＹステップ動作とが並行して行われているときの、時間の経過に応じた各基板の位置等の変化が示されている。図７５（Ａ）〜図７５（Ｄ）から視覚的にわかるように、本実施形態では、一方の基板（Ｐ２）の走査露光と、他方の基板（Ｐ１）のＹステップ動作とを、並行して行うことができる。これは、Ｙステップに用いられる基板Ｙステップ送り装置８８が、粗動テーブル３２Ａに固定され、粗動テーブル３２Ａと一体で基板ホルダＰＨと同期して移動するからである。
【０３３４】
この場合において、主制御装置５０は、一方の基板の走査露光中には、他方の基板のＹステップ動作を一時的に停止し、一方の基板の走査露光の前後の加速中及び減速中に他方の基板のＹステップ動作を行うこととしても良い。このようにすれば、他方の基板のＹステップ動作が、一方の基板の走査露光に与える悪影響（例えば基板Ｙステップ送り装置８８の駆動力の反力が微動ステージ２６の振動要因とならないように微動ステージ２６を駆動する結果、走査露光中の微動ステージ２６の位置制御精度（及びマスクＭと基板Ｐ２との同期精度）が低下するなど）を確実に防止することができる。
【０３３５】
図７５（Ｄ）及び図７７には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ２が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２上に位置している。
【０３３６】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ２を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ２に吸着固定される。このとき、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３３７】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ１上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ２用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ１の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図７７中の白抜き矢印参照）。
【０３３８】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ２の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）の位置決め、及び微動ステージ２６の粗動テーブル３２Ａに対する、Ｘ軸、Ｙ軸及びθｚ方向（あるいは６自由度方向）の精密な微少位置決め駆動が行われる。図７８には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。なお、以下の説明では、微動ステージ２６の粗動テーブル３２Ａに対する精密な微少位置決め駆動については、その記載を省略する。
【０３３９】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図７８中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ１のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図７８中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０３４０】
図７９には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ２が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に位置している。
【０３４１】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ２を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ１に吸着固定される。このとき、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３４２】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ２用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測の開始に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ２の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図７９中の白抜き矢印参照）。
【０３４３】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ２の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図８０には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３４４】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図８０中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図８０中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０３４５】
図８１には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ３が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２上に位置している。
【０３４６】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ３を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ２に吸着固定される。このとき、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３４７】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ１上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ３用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ１の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図８１中の白抜き矢印参照）。
【０３４８】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ３の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図８２には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３４９】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図８２中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ３に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図８２中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０３５０】
図８３には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ３が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に位置している。
【０３５１】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ３を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ１に吸着固定される。このとき、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３５２】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ３用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ２の前述したＸステップ動作が行われる（図８３中の白抜き矢印参照）。
【０３５３】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ３の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図８４には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３５４】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図８４中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ３に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図８４中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作が行われる。このＹステップ動作により、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨ上から完全に外れ、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、及び−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｊの一部によって全体が浮上支持されるようになる。
【０３５５】
図８５には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、基板ホルダＰＨ上から退避している。
【０３５６】
その後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１を吸引から排気に切り替えるとともに、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図７０参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図８５中に白抜き矢印で示されるように−Ｘ方向にＸステップ距離（ショット領域のＸ軸方向の長さのほぼ２倍の距離）搬送する。これと並行して、主制御装置５０は、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図７０参照）によって基板Ｐ１を吸着保持して、図８５中に黒塗り矢印で示されるように＋Ｘ方向にＸステップ距離搬送する。ここで、基板Ｐ１の＋Ｘ方向への搬送と、基板Ｐ２の−Ｘ方向への搬送とは、両者を干渉させることなく、行われる。
【０３５７】
図８６には、上記の基板Ｐ１と基板Ｐ２とのＸステップ距離の搬送が終了したときの両基板Ｐ１、Ｐ２の基板ホルダＰＨに対する位置関係が示されている。
【０３５８】
図８６の状態から、主制御装置５０により、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐ１が吸着保持されるとともに、−Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１による基板Ｐ１の吸着が解除される。そして、図８６中の黒塗り矢印で示されるように、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８によって、基板Ｐ１の＋Ｙ方向のステップ移動が行なわれる。これにより、基板Ｐ１と基板Ｐ２とは、基板ホルダＰＨ上での互いの位置は逆転しているが、基板ホルダＰＨ上で図７２と同じ位置関係になる（図８７参照）。
【０３５９】
そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２が、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２に基板Ｐ１、Ｐ２の一部（基板全体の約１／６）が吸着固定され、一対のエア浮上ユニット８４Ｉとエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とにより基板Ｐ１，Ｐ２の一部（基板全体の残りの約５／６）が浮上支持された状態となる。
【０３６０】
続いて、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ１上に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ４）用のアライメントマークの計測が、前述と同様に行われる。
【０３６１】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０は、その結果に基づいて、粗動テーブル３２Ａ、３２Ｂを駆動するとともに微動ステージ２６を微小駆動して、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）を、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に位置決めする。図８７には、このようにして、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ４の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。
【０３６２】
そして、主制御装置５０は、図８７中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ１（基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光を行なう。
【０３６３】
図８８には、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。
【０３６４】
続いて、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４）用のアライメントマークの計測が、前述と同様に行われる。
【０３６５】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０は、その結果に基づいて、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）を、図８８中に白抜き矢印で示されるように、少し−Ｘ方向へ駆動する基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）のＸステップ動作を前述と同様に行う。図８９には、このようにして、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。
【０３６６】
そして、主制御装置５０は、図８９中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ２（基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、図８９中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨ上で＋Ｙ方向に送って基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作を行う。
【０３６７】
図９０には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ５が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に位置している。
【０３６８】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ５を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ１に吸着固定される。このとき、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３６９】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ１上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ５用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ１の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図９０中の白抜き矢印参照）。
【０３７０】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ５の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図９１には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３７１】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図９１中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ１のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図９１中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０３７２】
図９２には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２上に位置している。
【０３７３】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ２に吸着固定される。このとき、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３７４】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ５用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ２の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図９２中の白抜き矢印参照）。
【０３７５】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図９３には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３７６】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図９３中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図９３中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ１を基板ホルダＰＨ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ１の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０３７７】
図９４には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ１は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ６が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に位置している。
【０３７８】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ６を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ１に吸着固定される。このとき、基板Ｐ１は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３７９】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ１の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ１上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ６用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ１の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図９４中の白抜き矢印参照）。
【０３８０】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ６の露光のための加速開始位置への基板Ｐ１（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図９５には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３８１】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ１とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図９５中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ１のショット領域ＳＡ６に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図９５中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る、基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０３８２】
図９６には、基板Ｐ１上のショット領域ＳＡ６に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２上に位置している。
【０３８３】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ２に吸着固定される。このとき、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０３８４】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ６用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ２の前述と同様のＸステップ動作が行われる（図９６中の白抜き矢印参照）。
【０３８５】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図９７には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０３８６】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図９７中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。
【０３８７】
図９８には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。
【０３８８】
その後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２を吸引から排気に切り替えるとともに、−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（図７０参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図９８中に黒塗り矢印で示されるように−Ｙ方向に搬出（搬送）する。これと並行して、主制御装置５０は、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（図７０参照）によって基板Ｐ１を吸着保持して図９８中に白抜き矢印で示されるように＋Ｙ方向に搬出（搬送）する。
【０３８９】
そして、図９９に示されるように、露光済みの基板Ｐ１、Ｐ２は搬出され、新しい基板Ｐ３、Ｐ４が、図７２と同様に基板ホルダＰＨ上に搬入される。この場合も、各基板の搬入及び搬出方向は、必ずしも図９９中の矢印の方向でなくても良い。例えば、上方又はＸ軸方向から搬入及び／又は搬出しても良い。
【０３９０】
以上説明したように、本第９の実施形態に係る露光装置９００では、小型（基板の１／３のサイズ）の基板ホルダＰＨを搭載した微動ステージ２６を１軸（Ｘ軸）方向に移動させ、基板のみを２軸（Ｘ軸とＹ軸）方向に移動させるようにしたので、基板ステージ装置ＰＳＴｈを小型軽量化でき、上記各実施形態と同様に、基板ホルダＰＨ及び基板ステージ装置ＰＳＴｈの小型化に伴う種々の効果を得ることができる。さらに、本第９の実施形態に係る露光装置９００では、主制御装置５０が、２枚の基板のそれぞれの一部を基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２にそれぞれ載置して、基板ホルダＰＨがその一部を構成する基板ステージがＸ軸方向に移動して一方の基板の一部のショット領域が走査露光されるのと並行して、他方の基板を基板Ｙステップ送り装置８８により基板ホルダＰＨに対してＹ軸方向に移動させることが可能になる。これにより、１枚目の基板について、１つのショット領域（未露光領域）の露光が終了した後に、その基板をステップ移動させて次のショット領域（未露光領域）を露光する、露光及びステップ移動を交互に繰り返して、その基板の露光を行い、２枚目の基板について、同様の手順で露光を行う場合に比べて、２枚の基板の露光処理に掛かる時間を短縮することが可能になる。また、本実施形態では、２枚の基板の露光を交互に行い、一方の基板のＹステップ時間を、他方の基板のＸスキャン時間に完全にオーバーラップさせることができるので、１枚の基板について考えると、（１ショット領域の走査露光に要する時間＋アライメント時間）×スキャン回数（ショット領域の数）＋α、具体的には、基板の基板ホルダ上での持ち替えを行わない従来のステップ・アンド・スキャン方式で露光処理するのとほぼ同程度の時間で、露光処理が可能になる。
【０３９１】
なお、上記第９の実施形態では、２枚の基板を、同時に基板ホルダＰＨ（基板ステージ装置ＰＳＴ）上に搬入して、同時に基板ホルダＰＨ（基板ステージ装置ＰＳＴｈ）上から搬出するようにした。しかしながら、露光装置９００では、次に説明する変形例のように、２枚の基板を1枚ずつ交互に、基板ホルダＰＨ（基板ステージ装置ＰＳＴｈ）に対して搬入及び搬出することとしても良い。
《第９の実施形態の変形例》
【０３９２】
図１００は、前述の第９の実施形態における露光手順説明図（その１３）である図８５に相当するものであるが、主制御装置５０の指示に応じて、搬出装置（不図示）によって、基板Ｐ１は、この時点で基板ステージ装置ＰＳＴｈの外部に搬出される（図１００中の黒塗り太矢印参照）。基板Ｐ１の−Ｘ側半分は、図１００に示されるように未露光のままでも良いし、予め露光されていても良い。
【０３９３】
主制御装置５０は、基板Ｐ１が、搬出の途中で、基板ホルダＰＨ上から完全に退避すると、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図７０参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図１００中に白抜き矢印で示されるように−Ｘ方向にＸステップ距離（ショット領域のＸ軸方向の長さのほぼ２倍の距離）搬送する。
【０３９４】
図１０１には、上記の基板Ｐ２のＸステップ距離の搬送が終了したときの基板Ｐ２の基板ホルダＰＨに対する位置関係が示されている。このとき、新しい基板Ｐ３が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈ及び８４Ｊの上に搬入されている。
【０３９５】
図１０１の状態から、主制御装置５０により、＋Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８を用いて基板Ｐ３が吸着保持され、図１０１中の黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ３の＋Ｙ方向のステップ移動が行なわれる。これにより、図１０２に示される状態となり、基板Ｐ２と基板Ｐ３とは、基板ホルダＰＨ上で図７２における基板Ｐ１と基板Ｐ２と同様の位置関係になる。
【０３９６】
そして、主制御装置５０により基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２が、排気から吸引に切り替えられる。これにより、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２に基板Ｐ３、Ｐ２の一部（基板全体の約１／６）が吸着固定され、一対のエア浮上ユニット８４Ｉとエア浮上ユニット群８４Ｈの一部とにより基板Ｐ３，Ｐ２の一部（基板全体の残りの約５／６）が浮上支持された状態となる。
【０３９７】
続いて、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ３の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ３上に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ１）用のアライメントマークの計測が、前述と同様に行われる。
【０３９８】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ３の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０は、その結果に基づいて、粗動テーブル３２Ａ、３２Ｂを駆動するとともに微動ステージ２６を微小駆動して、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨ）を、そのスキャン開始位置（加速開始位置）に位置決めする。図１０２には、このようにして、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ１の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。
【０３９９】
そして、主制御装置５０は、図１０２中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ３（基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ１に対しスキャン露光を行なう。
【０４００】
図１０３には、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ１に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。
【０４０１】
続いて、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次の露光対象のショット領域（この場合、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４）用のアライメントマークの計測が、前述と同様に行われる。
【０４０２】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０は、その結果に基づいて、次の露光のための加速に備えて、基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）を、図１０３中に白抜き矢印で示されるように、少し−Ｘ方向へ駆動する基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）のＸステップ動作を前述と同様に行う。図１０４には、このようにして、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４の露光のためのスキャン開始位置（加速開始位置）に基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）が位置決めされた直後の状態が示されている。
【０４０３】
そして、主制御装置５０は、図１０４中に白抜き矢印で示されるように、基板Ｐ２（基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ））とマスクＭ（マスクステージＭＳＴ）との＋Ｘ方向の加速を開始して、前述と同様にしてショット領域ＳＡ４に対しスキャン露光を行なう。これと並行して、主制御装置５０は、図１０４中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ３を基板ホルダＰＨ上で＋Ｙ方向に送って基板Ｐ３の前述と同様のＹステップ動作を行う。
【０４０４】
図１０５には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ４に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６，２８，３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ３は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ２が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に位置している。
【０４０５】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ２を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ１に吸着固定される。このとき、基板Ｐ３は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０４０６】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ３の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ３上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ２用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ３の前述したＸステップ動作が行われる（図１０５中の白抜き矢印参照）。
【０４０７】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ３の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ２の露光のための加速開始位置への基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図１０６には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０４０８】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ３とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図１０６中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ３のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１０６中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０４０９】
図１０７には、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ２に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２上に位置している。
【０４１０】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ２に吸着固定される。このとき、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０４１１】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ５用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ２の前述したＸステップ動作が行われる（図１０７中の白抜き矢印参照）。
【０４１２】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図１０８には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０４１３】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図１０８中の白抜き矢印参照）が開始され、前述と同様の基板Ｐ２のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１０８中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ３を基板ホルダＰＨ上で＋Ｙ方向に送る基板Ｐ３の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０４１４】
図１０９には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ５に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ３は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ３が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に位置している。
【０４１５】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ３を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ１に吸着固定される。このとき、基板Ｐ３は、残りの部分（約５／６）が、＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに＋Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０４１６】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ３の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ３上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ３用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ３の前述したＸステップ動作が行われる（図１０９中の白抜き矢印参照）。
【０４１７】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ３の新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ３の露光のための加速開始位置への基板Ｐ３（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図１１０には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０４１８】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ３とマスクＭとの−Ｘ方向の加速（図１１０中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ３のショット領域ＳＡ３に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。これと並行して、主制御装置５０により、図１１０中に黒塗り矢印で示されるように、基板Ｐ２を基板ホルダＰＨ上で−Ｙ方向に送る基板Ｐ２の前述と同様のＹステップ動作が行われる。
【０４１９】
図１１１には、基板Ｐ３上のショット領域ＳＡ３に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。このとき、基板Ｐ２は、Ｙステップ動作が終了し、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６が基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２上に位置している。
【０４２０】
この後、主制御装置５０により、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ２が排気から吸引に切り替えられ、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６を含む１／６の部分が、保持領域ＡＤＡ２に吸着固定される。このとき、基板Ｐ２は、残りの部分（約５／６）が、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈの一部、並びに−Ｘ側の一対のエア浮上ユニット８４Ｉによって浮上支持されている。
【０４２１】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐ２の新たなアライメント計測、すなわち基板Ｐ２上に予め設けられている次のショット領域ＳＡ６用のアライメントマークの計測が、行われる。このアライメント計測に先立って、計測対象のアライメントマークがアライメント検出系の検出視野内に位置するように、基板Ｐ２の前述したＸステップ動作が行われる（図１１１中の白抜き矢印参照）。
【０４２２】
そして、投影光学系ＰＬに対する基板Ｐの新たなアライメント計測が終了すると、主制御装置５０により、その結果に基づいて、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６の露光のための加速開始位置への基板Ｐ２（及び基板ホルダＰＨ）の位置決めが行われる。図１１２には、この位置決めが終了した直後の状態が示されている。
【０４２３】
次いで、主制御装置５０により、基板Ｐ２とマスクＭとの＋Ｘ方向の加速（図１１２中の白抜き矢印参照）が開始され、基板Ｐ２のショット領域ＳＡ６に対する前述と同様のスキャン露光が行われる。
【０４２４】
図１１３には、基板Ｐ２上のショット領域ＳＡ６に対するスキャン露光が終了して、基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２Ａ、３２Ｂ）が停止した状態が示されている。
【０４２５】
その後、主制御装置５０は、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２を吸引から排気に切り替えるとともに、−Ｘ側の基板Ｙステップ送り装置８８（図７０参照）によって基板Ｐ２を吸着保持して、図１１３中に黒塗り矢印で示されるように−Ｙ方向に搬出（搬送）する。これと並行して、主制御装置５０は、＋Ｙ側の基板Ｘステップ送り装置９１（図７０参照）によって基板Ｐ３を吸着保持する。そして、基板Ｐ２が基板ホルダＰＨ上から完全に退避した時点で、主制御装置５０は、図１１３中に白抜き矢印で示されるように−Ｘ方向に基板Ｐ３をＸステップ距離搬送する。
【０４２６】
その後、図１１４に示されるように、基板全面の露光が終了した基板Ｐ２は搬出され、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１上に新しい基板Ｐ４が搬入される。
【０４２７】
以後、３つのショット領域の露光が終了した基板Ｐ３及び未露光の基板Ｐ４に対して、前述の基板Ｐ２と基板Ｐ３と同様の処理が繰り返される。
【０４２８】
このように、本変形例では、基板の２枚同時交換（搬入・搬出）を行なわないので、露光対象のショット領域変更及び基板交換作業の効率が良い。具体的には、上記第９の実施形態の露光手順・その１３及び１４（図８５及び図８６）に示される、基板Ｐ１で実施していたような、Ｘ軸とＹ軸の２軸移動がなくなる。また、基板の搬入と搬出が１枚ずつ行なわれるので、基板の搬入及び搬出にかかわる不図示の搬入装置及び搬出装置が１台ずつでも交換作業を短時間で行なうことができる。
【０４２９】
なお、上記第９の実施形態及びその変形例では、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２を、それぞれ基板の約１／６の面積とし、Ｘ軸方向２面（２スキャン）かつＹ軸方向３面（３スキャン）の６面取り（露光スキャン数）に対応する場合について例示したが、これに限らず、基板ホルダＰＨの保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２のそれぞれを、基板の約１／４の面積に設定しても良い。この場合、Ｘ軸方向２面（２スキャン）かつＹ軸方向２面（２スキャン）の４面取りにも対応できる。
【０４３０】
また、上述した基板ホルダＰＨ上に配置する２枚の基板の配置関係や露光領域変更の順番は、一例に過ぎず、これに限定されるものではない。例えば、上記第９の実施形態及びその変形例では、２枚の基板の一方と他方に対する走査露光を交互に行う（従って、他方の基板と一方の基板とのＹステップ動作が、これと並行して、交互に行われる）場合について説明したが、２枚の基板の一方と他方に対する走査露光を必ずしも交互に行う必要はない。ただし、２枚の基板を基板ホルダＰＨ上の保持領域ＡＤＡ１、ＡＤＡ２に載置して、一方の基板の少なくも１つのショット領域の走査露光と他方の基板のＹステップ動作とを少なくとも一部並行して行うことが望ましく、２枚の基板のうち、一方の基板の露光が開始されてから終了するまでの間に、他方の基板の少なくとも１つのショット領域の露光を行うことが望ましい。これによれば、２枚の基板のうち、一方の基板の露光が終了後に他方の基板の露光を開始する場合に比べて、より短時間で、２枚の基板に対する露光を終了することが可能になる。
【０４３１】
また、上記第９の実施形態及び変形例では、溝部によって２分割された２つの保持領域を有する基板ホルダＰＨを用いる場合を例示したが、これに限らず、独立した２つの基板ホルダを1つの微動ステージ上に並べて固定しても良い。
【０４３２】
また、基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ホルダＰＨの周辺に配置したが、２枚の基板を上述と同様の位置関係になるように基板ホルダＰＨに対して移動させることができるのであれば、基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８の配置、数等は任意で良い。ただし、基板Ｙステップ送り装置８８は、一方の基板上のショット領域に対するスキャン露光と他方の基板のＹステップ送りとを並行して行う必要から、基板ホルダＰＨが搭載された微動ステージ２６又は基板ホルダＰＨと一体的に移動する移動体上に設ける必要がある。
【０４３３】
《第１０の実施形態》
次に、第１０の実施形態について、図１１５〜図１１７に基づいて説明する。ここで、前述した第９の実施形態と同一若しくは同等の構成部分については、同一若しくは類似の符号を用いるとともに、その説明を簡略若しくは省略する。
【０４３４】
図１１５には、第１０の実施形態に係る露光装置１０００の一部省略した平面図が示されている。また、図１１６には、露光装置１０００を＋Ｘ方向から見た概略側面図が一部省略して示されている。但し、図１１６では、前述の図６９と同様に、粗動テーブル３２は、重量キャンセル装置２８とともに、部分的に断面図にて示されている。
【０４３５】
本第１０の実施形態に係る露光装置１０００では、前述した基板ステージ装置ＰＳＴｈに代えて、基板ステージ装置ＰＳＴｉが設けられている点が、前述の第９の実施形態と相違するが、その他の部分の構成等は、前述した第９の実施形態と同様である。
【０４３６】
基板ステージ装置ＰＳＴｉは、図１１６に示されるように、前述の粗動ステージ部２４に代えて粗動ステージ部２４’を備えている。粗動ステージ部２４’は、図１１６に示されるように、２本（一対）のＸビーム３０Ａ’，３０Ｂ’と、粗動テーブル３２と、２本のＸビーム３０Ａ’，３０Ｂ’のそれぞれを床面Ｆ上で支持する複数の脚部３４と、を有している。
【０４３７】
粗動テーブル３２は、例えば前述の基板ステージ装置ＰＳＴｈが備える２つの粗動テーブル３２Ａ及び３２Ｂに代えて設けられたもので、図１１５及び図１１６からわかるように、粗動テーブル３２Ａ及び３２Ｂを一体化してかつＹ軸方向のサイズを小さくしたような形状を有している。
【０４３８】
粗動ステージ部２４’の各部の構成は、例えば先に説明した第４の実施形態に係る露光装置が備える基板ステージ装置ＰＳＴｃと同様になっているので、詳細説明は省略する。
【０４３９】
基板ステージ装置ＰＳＴｉでは、図１１６に示されるように、基板ホルダＰＨのＹ軸方向両側のエア浮上ユニットが、粗動テーブル３２とは分離され、床面Ｆ上に設置されている。さらには、これらに伴って、一対の基板Ｙステップ送り装置８８及び一対の基板Ｘステップ送り装置９１が、微動ステージ２６に取り付けられている。
【０４４０】
Ｘビーム３０Ａ’の＋Ｙ側、及びＸビーム３０Ｂ’の−Ｙ側には、図１１６に示されるように、一対のフレーム１１０Ａ’，１１０Ｂ’のそれぞれが、架台１８に接触しないように床面Ｆ上に設置されている。一対のフレーム１１０Ａ’，１１０Ｂ’の上面には、一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’のそれぞれが設置されている。
【０４４１】
一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’のそれぞれは、図１１５及び図１１６に示されるように、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側に配置されている。一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’のそれぞれは、図１１５に示されるように、Ｙ軸方向の幅が基板（例えばＰ１又はＰ２）のＹ軸方向の幅より幾分短く、Ｘ軸方向の長さが、基板ホルダＰＨと後述する一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’との露光シーケンスにおける移動範囲とほぼ同等の長さの矩形領域内に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に所定の隙間を空けて分散配置された複数のエア浮上ユニットによって構成されている。露光領域ＩＡの中心と一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’のそれぞれの中心とのＸ位置はほぼ一致している。一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’の各エア浮上ユニットの上面は基板ホルダＰＨの上面と同等、あるいは、幾分低くなるように設定されている。
【０４４２】
また、基板ステージ装置ＰＳＴｉでは、基板ホルダＰＨのＸ軸方向の両側には、前述の各一対のエア浮上ユニット８４Ｉに代えて、一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’のそれぞれが配置されている。一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’のそれぞれは、図１１５に示されるように、Ｘ軸方向に所定間隔で配置された複数、例えば３つのＹ軸方向に細長い矩形のエア浮上ユニットから成る。各エア浮上ユニットのＹ軸方向の長さは、一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’相互間の間隔より幾分短い。一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’のそれぞれは、エア浮上ユニット８４Ｉと同様にして、粗動テーブル３２の上面に固定されている。
【０４４３】
一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’、及び一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’を、それぞれ構成する各エア浮上ユニットの支持面（上面）は、前述のエア浮上ユニット８４と同様に、多孔質体や機械的に複数の微小な穴を有するスラスト型のエアベアリング構造になっている。各エア浮上ユニットは、前述の気体供給装置からの加圧気体（例えば高圧空気）の供給により、基板の一部を浮上支持することができるようになっている。各エア浮上ユニットに対する高圧空気の供給のオン・オフは、主制御装置５０によって制御される。
【０４４４】
本第１０の実施形態では、上述の一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’、及び一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’によって、基板が基板ステージ（ＰＨ、２６、２８、３２）によってＸ軸方向に、例えばフルストローク移動したときであっても、基板の垂れ下がりを防いで、基板を浮上支持することができる。
【０４４５】
なお、一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’は、それぞれ、上記の矩形領域とほぼ同等の総支持面積を有していれば、単一の大型のエア浮上ユニットに置き換えても良いし、個々のエア浮上ユニットの形状又は大きさを、図１１５の場合と異ならせて、上記矩形領域内に分散配置しても良い。同様に、一対のエア浮上ユニット群８４Ｉ’も、個々のエア浮上ユニットの形状又は大きさを、図１１５の場合と異ならせても良い。
【０４４６】
また、基板ステージ装置ＰＳＴｉでは、図１１６に示されるように、一対の基板Ｘステップ送り装置９１が、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側に配置され、支持部材を介して微動ステージ２６に固定されている。同様に、一対の基板Ｙステップ送り装置８８が、基板ホルダＰＨのＸ軸方向の両側に配置され、支持部材を介して微動ステージ２６に固定されている（図１１５参照）。
【０４４７】
さらに、一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２は、図１１５に示されるように、−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈ’を構成する、基板ホルダＰＨに近い第１列の複数のエア浮上ユニットのうちのＸ軸方向中心近傍に位置する隣接するエア浮上ユニット相互間の２箇所の隙間に対向する位置で、サイドフレーム２０に固定されている。２箇所の隙間は、露光領域ＩＡの中心を通るＹ軸に関して対称な隙間である。本実施形態では、一対のＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２から、上述の２箇所の隙間をそれぞれ介して、計測ビーム（測長ビーム）がＹ移動鏡９４Ｙに照射されるようになっている。
【０４４８】
基板ステージ装置ＰＳＴｉのその他の部分の構成は、前述の基板ステージ装置ＰＳＴｈと同様になっている。
【０４４９】
なお、一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’の近くに、前述した基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８とは別の基板送り装置（不図示）を設け、この装置によって基板の搬入や搬出を行なうこととしても良い。
【０４５０】
本第１０の実施形態に係る露光装置１０００では、前述した第９の実施形態に係る露光装置９００と同様の手順で、基板交換、アライメント及び露光等の一連の動作が行われる。
【０４５１】
以上説明した本第１０の実施形態に係る露光装置１０００によると、前述した第９の実施形態に係る露光装置９００と同等の効果を得ることができる。これに加え、露光装置１０００では、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側のエア浮上ユニット群８４Ｈ’が固定で、Ｘ軸方向に関して広い範囲で配置された複数のエア浮上ユニットによって構成されているので、基板交換に際して、基板を固定のエア浮上ユニット群８４Ｈ’の上に予め待機させておくことが可能になり、基板交換を、効率的にかつ短時間で行なうことが可能になる。図１１７には、一例として、前述の第９の実施形態の変形例における露光手順説明図（その１５）に示される基板交換（図１１４参照）を、本第１０の実施形態に係る露光装置１０００で行う場合の平面図が示されている。この場合、図１１７からわかるように、露光手順１５に先立つ、露光手順１４（図１１３参照）で、新しい基板Ｐ４を、図示される位置に待機させておくことができる。また、前述した第９の実施形態における露光手順説明図（その２７）に示される２枚同時基板交換（図９９参照）を行う場合にも、予め新しい基板を２枚、一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’の上で待機させておくことができるので、基板交換を効率的にかつ高速で行うことが可能になる。
【０４５２】
また、本第１０の実施形態に係る露光装置１０００によると、基板ホルダＰＨのＹ軸方向両側のエア浮上ユニット群８４Ｈ’を基板ステージ（粗動テーブル３２）から分離したので、基板ステージ（粗動テーブル３２）の負荷が減り、基板ステージの制御性が向上する。また、エア浮上ユニット群８４Ｈ’の各エア浮上ユニットは動かないので、微動ステージ２６のＹ軸方向位置を計測するＹ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２の計測ビームがエア浮上ユニットによって遮られる虞がない。このため、Ｙ干渉計９８Ｙ１，９８Ｙ２をエア浮上ユニット群８４Ｈ’より外側（−Ｙ側）の装置本体のサイドフレーム２０に設置することが可能になっている（図１１５、図１１６参照）。
【０４５３】
なお、本第１０の実施形態に係る露光装置１０００では、可動のエア浮上ユニット、基板Ｘステップ送り装置９１及び基板Ｙステップ送り装置８８は、基板ホルダＰＨ（すなわち微動ステージ２６）とは機械的に分離した粗動テーブル３２に取り付けても良いし、基板ホルダＰＨ又は微動ステージ２６に一体的に取り付けても良い。
【０４５４】
《第１０の実施形態の変形例》
また、第１０の実施形態において、一対のエア浮上ユニット群８４Ｈ’を構成する複数のエア浮上ユニットの一部を基板ステージ（粗動テーブル３２又は微動ステージ２６）に取り付けて、前述の第1実施形態のように、可動のエア浮上ユニットにしても良い。例えば、図１１８及び図１１９に示される変形例のように、基板ホルダＰＨの−Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈ’を固定のエア浮上ユニットによって構成し、基板ホルダの＋Ｙ側のエア浮上ユニット群８４Ｈを基板ステージ（粗動テーブル３２）に搭載して可動にしても良い。また、固定のエア浮上ユニット群８４Ｈ’は、図１１８では、基板ステージを搭載するボディＢＤ（露光装置本体）から機械的及び振動的に分離して床面Ｆ上に設置しているが、ボディＢＤ上に設置しても良い。
【０４５５】
《第１１の実施形態》
次に、第１１の実施形態について、図１２０に基づいて説明する。図１２０には、本第１１の実施形態に係る露光装置１１００の構成が、概略的に示されている。この図１２０に示されるように、露光装置１１００では、上記各実施形態の露光装置と異なり、基板のアライメントマークを検出する複数のアライメント検出系ＡＬが基板Ｐ１、Ｐ２等が載置される基板ホルダＰＨに設けられている。
【０４５６】
本第１１の実施形態に係る露光装置１１００で用いられる基板Ｐ１、Ｐ２等には、裏面（−Ｚ側の面）に、少なくとも２つのアライメントマークが複数のアライメント検出系ＡＬのいずれかに対応した所定の位置に設けられている。各アライメントマークは、例えば、複数の目盛り線を有しており、アライメント検出系ＡＬによって基板の基板ホルダＰＨに対する位置（又は基準位置からの位置ずれ量）を計測できるようになっている。
【０４５７】
露光装置１１００のその他の部分は、基板ステージ装置ＰＳＴｈを含み、前述の第９の実施形態に係る露光装置９００と同様に構成されている。従って、本第１１の実施形態に係る露光装置１１００によると、第９の実施形態に係る露光装置９００と同等の効果を得ることができる。これに加え、露光装置１１００では、微動ステージ２６を含む基板ステージが移動中であっても、基板のアライメント計測が可能になる。具体的には、主制御装置５０は、２枚の基板、例えば基板Ｐ１、Ｐ２のうちの一方の基板に対するＸスキャン中に他方の基板の基板ホルダＰＨに対するアライメント計測を行なうことができる。このため、主制御装置５０は、一方の基板のＸスキャンが終わった後、直ちに他方の基板を、上記のアライメント計測の結果に基づき、微動ステージ２６（基板ホルダＰＨ）ごと微少移動することによって、その他方の基板の位置を修正することができる。このため、一方の基板のスキャン露光が終わった後、直ちに他方の基板のスキャン露光を開始することができるようになり、スループットが向上する。
【０４５８】
なお、露光装置１１００において、アライメント検出系ＡＬは、基板ホルダＰＨに限らず、基板ホルダＰＨが搭載された微動ステージ２６に設けても良い。
【０４５９】
なお、上記第９〜第１１の各実施形態に係る露光装置では、粗動テーブル上に搭載されたエア浮上ユニット、基板Ｙステップ送り装置、基板Ｘステップ送り装置などを、微動ステージ上に搭載しても良いし、あるいは粗動テーブルに追従して移動する別の移動体を設け、該別の移動体上にエア浮上ユニットを搭載して、Ｘ軸方向に可動な構成としても良い。この場合、エア浮上ユニットが搭載された、粗動テーブルに追従して移動する別の移動体上に、前述の基板Ｙステップ送り装置８８を設けても良い。また、上記第９〜第１１の各実施形態において、基板Ｘステップ送り装置９１は、基板ステージの外部に配置しても良い。
【０４６０】
なお、上記第１〜第１１の各実施形態では、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅を基板の約１／３又は１／２としたが、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅は、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅より明らかに短ければ、これらに限られるものではない。基板ホルダＰＨのＹ軸方向の幅は、投影光学系による露光フィールド幅（Ｙ方向）と同程度以上であれば良い。例えば、投影光学系による露光フィールド幅（Ｙ方向）が基板の約１／ｎ（ｎは２以上の整数）であるならば、基板ホルダＰＨの幅も基板のＹ方向寸法の約１／ｎにしても良い。この場合、基板ホルダＰＨのＹ軸方向の両側に配置されるエア浮上ユニットのＹ軸方向の幅は基板の撓みを抑えるために、それぞれ基板のＹ軸方向の寸法の約（ｎ−１）／ｎにするのが良い。そして、基板Ｙステップ送り装置は、基板全体を基板ホルダ上の領域に移動させることができるだけのＹストロークをもつようにすることが望ましい。
【０４６１】
なお、上記各実施形態では、基板Ｐの撓みを防止する目的で、エア浮上ユニットを用いる場合について説明したが、これに限らず、コロ又はボール等を用いた接触型の転がり軸受を備えた基板の垂れ下がり防止装置を、上記各実施形態のエア浮上ユニットの少なくとも一部と入れ替えても良い。基板Ｐの撓みを防止する目的で、エア浮上ユニット、転がり軸受以外の軸受部材を備えた基板の垂れ下がり防止装置を用いても良い。
【０４６２】
また、上記各実施形態において、重量キャンセル装置（心柱）は、第１の実施形態のように、微動ステージと分離したもの（図１、図３参照）でも良いし、第２〜第１１の実施形態のように微動ステージと一体型でも良い。また、レベリングセンサのターゲット用のフィーラはなくても良い。また、レベリング機構と重量キャンセル機構部は上下逆配置でも良い。このように、重量キャンセル装置の構造は、前述の各実施形態に限定されるものではない。
【０４６３】
また、上記各実施形態では、微動ステージ２６に基板ホルダＰＨが搭載された場合について説明したが、これに限らず、微動ステージの素材としてセラミックスなどを用いる場合には、その上部にエッチング加工等を施して、基板を保持する上記基板ホルダＰＨと同等の機能を有する保持部を微動ステージと一体で構成しても良い。
【０４６４】
また、上記各実施形態が共通に備えている構成部分にも、露光装置が必ずしも備えていなくても良いものもある。例えば、基板Ｐを、水平面に垂直な面に平行に保持して、露光を行ういわゆる縦置きの露光装置などの場合、基板の自重による垂れ下がりは生じないので、エア浮上ユニットなどの基板支持装置は、必ずしも設けなくても良い。また、重量キャンセル装置も、必須ではない。この場合、基板ホルダを移動させるための移動ステージが必要になるが、その移動ステージは、いわゆる粗微動ステージであっても良いし、単独の６ＤＯＦステージであっても良い。要は、移動ステージは、基板ホルダをＸＹ平面内で（少なくともＸ軸方向に）駆動できれば良く、６自由度方向に駆動可能でれば、一層望ましい。また、構成が相互に矛盾しない限りにおいて、上記第１〜第１１の実施形態の構成各部を任意に組み合わせても良い。
【０４６５】
なお、上記各実施形態では、露光装置が、基板Ｐのステップ・アンド・スキャン動作を伴う走査型露光を行う投影露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステップ・アンド・スティッチ方式の投影露光装置、さらには投影光学系を用いないプロキシミティ方式の露光装置にも、上記各実施形態は適用が可能である。
【０４６６】
また、上記各実施形態の露光装置では、照明光は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光、Ｆ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ（波長：３５５ｎｍ、２６６ｎｍ）などを使用しても良い。
【０４６７】
また、上記各実施形態では、投影光学系ＰＬが、複数の投影光学系（投影光学ユニット）を備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学ユニットの数はこれに限らず、１つ以上あれば良い。また、マルチレンズ方式の投影光学系に限らず、例えばオフナー型の大型ミラーを用いた投影光学系などであっても良い。
【０４６８】
また、上記各実施形態では投影光学系ＰＬとして、投影倍率が等倍のものを用いる場合について説明したが、これに限らず、投影光学系は縮小系及び拡大系のいずれでも良い。
【０４６９】
なお、上記各実施形態においては、光透過性のマスク基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスク）、例えば、非発光型画像表示素子（空間光変調器とも呼ばれる）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）を用いる可変成形マスクを用いても良い。
【０４７０】
なお、上記各実施形態に係る露光装置は、サイズ（外径、対角線、一辺の少なくとも１つを含む）が５００ｍｍ以上の基板、例えば液晶表示素子などのフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の大型基板を露光する露光装置に対して適用することが特に有効である。これは、基板の大型化に対応すべく本発明がなされているからである。
【０４７１】
また、上記各実施形態に係る露光装置を用いて、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を製造することができる。まず、パターン像を感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に形成する、いわゆる光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成される。その後、カラーフィルタ形成工程、セル組み立て工程、及びモジュール組立工程等を経ることによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることができる。
【０４７２】
なお、上記各実施形態では、基板処理装置として露光装置について説明したが、これに限らず、例えばインクジェット式の機能性液体付与装置を備えた素子製造装置、あるいは検査装置などの露光装置以外の基板処理装置に、上記第１ないし第１１の実施形態のうちの少なくとも一部の実施形態を適用しても良い。
【０４７３】
なお、これまでの説明で引用した露光装置などに関する全ての公報、国際公開、米国特許出願公開明細書及び米国特許明細書の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
【産業上の利用可能性】
【０４７４】
本発明の基板処理装置及び基板処理方法は、大型基板の処理に適している。また、本発明の露光方法及び露光装置は、大型基板の露光に適している。また、本発明のデバイス製造方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法は、液晶表示素子等の製造に適している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２４】
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【図２６】
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【図３０】
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【図４０】
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【図４４】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５３】
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【図５６】
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【図８０】
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【図８６】
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【図９０】
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【図１００】
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【図１０１】
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【図１０７】
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【図１０８】
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【図１０９】
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【図１１０】
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【図１１１】
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【図１１２】
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【図１１３】
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【図１２０】
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