(57)【要約】      （修正有）【課題】電極にダメージを与えにくい発光装置の作製方法、および新規な発光装置を提供する。【解決手段】第１の基板１１１の第１の面上に反射層１１０を設ける工程と、第１の面上の、反射層と重なる位置に端子電極１１６を設ける工程と、第１の面上に発光素子１２５を設ける工程と、反射層の少なくとも一部に、第１の基板側からレーザ光を照射し、第１の基板側から端子電極の一部を露出させる工程と、を有し、反射層は、第１の基板と端子電極との間に設けられる、発光装置の作製方法。【選択図】図１７
2020074299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の第１の面上に反射層を設ける工程と、
前記第１の面上の、前記反射層と重なる位置に端子電極を設ける工程と、
前記第１の面上に発光素子を設ける工程と、
前記反射層の少なくとも一部に、前記第１の基板側からレーザ光を照射し、前記第１の基板側から前記端子電極の一部を露出させる工程と、
を有し、
前記反射層は、前記第１の基板と前記端子電極との間に設けられる、発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板の第１の面上に反射層を設ける工程と、
前記第１の面上の、前記反射層と重なる位置に端子電極を設ける工程と、
前記第１の面上に発光素子を設ける工程と、
前記反射層の少なくとも一部に、前記第１の基板側からレーザ光を照射し、前記第１の基板に開口を設ける工程と、
を有し、
前記反射層は、前記第１の基板と前記端子電極との間に設けられる、発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記反射層は、前記端子電極の一部を囲うように設けられる、発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の基板は、有機樹脂材料を有する、発光装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板と、反射層と、端子電極と、発光素子と、を有する発光装置であって、
前記反射層と、前記端子電極と、前記発光素子とは、前記第１の基板の第１の面に設けられ、
前記反射層は、前記第１の基板と前記端子電極との間に設けられ
前記端子電極は、前記反射層と重なり、且つ前記第１の基板が有する開口と重なる位置に設けられ、
前記端子電極は、前記第１の基板が有する開口を介して、異方性導電接続層と電気的に接続される、発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記端子電極と、前記発光素子とは、電気的に接続される、発光装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記反射層は、前記端子電極の一部を囲うように設けられる、発光装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の基板は、有機樹脂材料を有する、発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、回路基板の作製方法に関する。または、本発明の一態様は、発光装
置の作製方法に関する。または、本発明の一態様は、発光装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのた
め、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、
表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置
、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【０００３】
本明細書中における回路基板は、配線を含んで構成される回路を含む基板全般を指す。
回路基板の一例としては、半導体装置や発光装置が挙げられる。半導体装置とは、半導体
特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。したがってトランジスタ、半導体素子
、半導体回路、入出力装置、記憶装置、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電
池、有機薄膜太陽電池等を含む）及び電子機器等は、半導体装置の一態様である。また、
発光装置は、発光素子を用いた表示装置を含む。発光素子にコネクター、例えば異方性導
電フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付け
られたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子
にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）が直接実装されたモジュールは、発光装置を有する場合がある。さらに、照
明器具等は、発光装置を有する場合がある。
【背景技術】
【０００４】
近年、表示装置の表示領域に用いる表示素子として、液晶素子の研究開発が盛んに行わ
れている。また、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ
：ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発も盛んに行われている。発光素子の基本的な構成
は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この発光素子に電圧を印
加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００５】
特に、上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れ
バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作
製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００６】
また、上述の表示素子を有する表示装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を
有する基板の採用が検討されている。
【０００７】
可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法としては、基板と半導体素子との間に
酸化物層および金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面における密着性が低いことを
利用して基板を分離した後に他の基板（例えば可撓性を有する基板）へと半導体素子を転
置する技術が開発されている（特許文献１）。
【０００８】
また、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている。例
えば、モバイル機器として、タッチセンサを備えるスマートフォンやタブレット端末の開
発が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
可撓性を有する基板を用いた回路基板や発光装置へ信号や電力を供給するためには、可
撓性を有する基板の一部をレーザ光や刃物を用いて除去して電極を露出させ、ＦＰＣ（Ｆ
ｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部電極を接続する場合がある
。
【００１１】
しかしながら、可撓性を有する基板の一部を刃物を用いて除去する方法では、発光装置
が有する電極にダメージを与えやすく、発光装置の信頼性や作製歩留まりが低下しやすい
という問題がある。また、可撓性を有する基板の一部をレーザ光を用いて除去する方法で
は、除去したい部分をレーザ光が透過し、下層にある配線等にダメージを与える懸念があ
る。
【００１２】
また一方で、タッチセンサを備えるスマートフォンやタブレット端末などのモバイル機
器はコンパクト化が要求されている。また、モバイル機器の筐体には、回路基板のほかに
バッテリなどの外部電源を組み込む必要がある。モバイル機器の筐体の大きさを抑えるた
めに、回路基板とバッテリ等を接続する外部電極の配置の自由度が求められる。
【００１３】
本発明の一態様は、電極にダメージを与えにくい回路基板の作製方法、若しくは発光装
置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、表示領域
にダメージを与えにくい回路基板の作製方法、若しくは発光装置の作製方法を提供するこ
とを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置の作製方法を
提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、設計の自由度が高い発光
装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性
の高い発光装置を提供することを課題の一つとする。
【００１４】
または、本発明の一態様は、新規な回路基板の作製方法若しくは新規な発光装置の作製
方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置の
作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い発
光装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、新規
な発光装置を提供することを課題の一つとする。なお、これらの課題の記載は、他の課題
の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全て
を解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載か
ら、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外
の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の一態様は、第１乃至第４の工程を有し、第１の工程は、第１の基板の第１の面
上に回路及び電極を設ける工程を有し、第２の工程は、第１の基板の第１の面側、または
第２の基板の第２の面側のいずれか一方に反射層を設ける工程を有し、第３の工程は、第
１の面と第２の面とを、反射層が電極と重なり、かつ反射層が電極の一部を囲うように向
かい合わせ、接着層を介して貼り合わせる工程を有し、第４の工程は、反射層の少なくと
も一部に電極とは反対側からレーザ光を照射する工程を有する回路基板の作製方法である
。
【００１６】
また、本発明の一態様は、上記構成において、第１乃至第４の工程に加えて第５の工程
を有し、第２の工程は、第２の面上に反射層を設ける工程であり、第２の工程において、
第２の基板は、第２の基板と反射層が囲う領域とが互いに重なる第１の領域を有し、第３
の工程において、接着層は、接着層と第１の領域とが互いに重なる第２の領域を有し、第
５の工程は、第１の領域の少なくとも一部の第２の基板と、第２の領域の少なくとも一部
の接着層と、を除去する工程を有する回路基板の作製方法である。
【００１７】
また、本発明の一態様は、上記構成において、第１の基板及び第２の基板が、可撓性を
有することを特徴とする回路基板の作製方法である。
【００１８】
また、本発明の一態様は、第１乃至第９の工程を有し、第１の工程は、第１の基板の第
１の面上に、第１の剥離層を設ける工程と、第１の剥離層上に、第１の絶縁層を設ける工
程と、第１の絶縁層上に、端子電極を設ける工程と、第１の絶縁層上、及び端子電極上に
、第２の絶縁層を設ける工程と、第２の絶縁層上に、発光素子を設ける工程と、を有し、
第２の工程は、第２の基板の第２の面上に、第２の剥離層を設ける工程と、第２の剥離層
上に、第３の絶縁層を設ける工程と、第３の絶縁層上に、反射層を設ける工程と、を有し
、第３の工程は、第１の面と第２の面とを、反射層の少なくとも一部が端子電極と重なり
、かつ反射層が端子電極の一部を囲うように向かい合わせ、接着層を介して第１の基板と
第２の基板とを互いに重ねる工程を有し、第４の工程は、第１の基板を第１の剥離層とと
もに第１の絶縁層から剥離する工程を有し、第５の工程は、第１の絶縁層と第３の基板と
を互いに重ねて第３の基板を設ける工程を有し、第５の工程において、第３の基板は可撓
性を有し、第６の工程は、第２の基板を第２の剥離層とともに第３の絶縁層から剥離する
工程を有し、第７の工程は、第３の絶縁層と第４の基板とを互いに重ねて第４の基板を設
ける工程を有し、第７の工程において、第４の基板は、第４の基板と反射層が囲う領域と
が互いに重なる第１の領域を有し、接着層は、接着層と第１の領域とが互いに重なる第２
の領域を有し、第４の基板は可撓性を有し、第８の工程は、第４の基板側から、反射層の
少なくとも一部にレーザ光を照射する工程を有し、第９の工程は、第１の領域の少なくと
も一部の第４の基板と、第２の領域の少なくとも一部の接着層と、を除去する工程を有す
る発光装置の作製方法である。
【００１９】
また、本発明の一態様は、第１の基板と、第２の基板と、を有する発光装置であって、
端子電極と、発光素子と、反射層と、を有し、第１の基板の第１の面は、第２の基板の第
２の面と対向するように設けられ、端子電極と、発光素子と、は第１の面に設けられ、端
子電極及び発光素子は、互いに電気的に接続され、反射層は、第２の面に設けられ、反射
層は、端子電極と重なり、かつ反射層が端子電極の一部を囲うように設けられている、発
光装置である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一態様によれば、電極にダメージを与えにくい発光装置の作製方法を提供する
ことができる。または、本発明の一態様によれば、表示領域にダメージを与えにくい発光
装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、信頼性の高
い発光装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、設計
の自由度が高い発光装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様に
よれば、信頼性の高い発光装置を提供する。
【００２１】
または、本発明の一態様によれば、新規な回路基板の作製方法または新規な発光装置の
作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、軽量な発光装置の
作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、厚さが薄い発光装
置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、新規な発光装
置を提供することができる。
【００２２】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施の形態に係る、回路基板の構成例。
【図２】実施の形態に係る、回路基板の作製方法。
【図３】実施の形態に係る、回路基板の作製方法。
【図４】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図５】実施の形態に係る、発光装置の構成例および作製方法。
【図６】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図７】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図８】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図９】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１０】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１１】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図１２】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１３】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１４】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１５】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１６】実施の形態に係る、発光装置の作製方法。
【図１７】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図１８】タクトタイムの計算結果を示す図。
【図１９】タクトタイムの計算結果を示す図。
【図２０】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図２１】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図２２】実施の形態に係る、発光装置の構成例。
【図２３】実施の形態に係る、発光素子の構成例。
【図２４】実施の形態に係る、電子機器および照明装置の構成例。
【図２５】実施の形態に係る、電子機器の構成例。
【図２６】実施例に係る、ドライバＩＣの圧着を説明する図。
【図２７】実施例に係る、フレキシブルディスプレイの光学顕微鏡写真。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成におい
て、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い
、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
発明を明瞭化するために誇張または省略されている場合がある。よって、必ずしもそのス
ケールに限定されない。特に上面図において、図面をわかりやすくするため一部の構成要
素の記載を省略する場合がある。
【００２６】
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易と
するため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示す
る発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。例え
ば、実際の製造工程において、エッチングなどの処理によりレジストマスクなどが意図せ
ずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。
【００２７】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものでは
ない。また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混
同を避けるため、特許請求の範囲において序数詞が付される場合がある。
【００２８】
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に
限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり
、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「
配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
【００２９】
なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または
直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電
極Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、
絶縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である回路基板１０の構成例を、図１を参照して説
明する。また、回路基板の作製方法について、図２及び図３を参照して説明する。
【００３１】
［回路基板の構成例］
本実施の形態で例示する回路基板を、図１（Ａ）及び（Ｂ）に模式的に示す。図１（Ａ
）は回路基板１０の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ−Ｙにおける断面
図である。
【００３２】
回路基板１０は、反射層２０、回路２１、及び電極２２を有する。回路２１及び電極２
２は、第１の基板１１の第１の面上に設けられる。また、反射層２０は、第２の基板１２
の第２の面上に設けられる。第１の基板１１の第１の面と、第２の基板１２の第２の面と
が、接着層２３を介して貼り合わされている。
【００３３】
反射層２０は、図１（Ｂ）に示すように第２の基板１２の第２の面上に設けられている
が、第１の基板１１の第１の面上に設けられていてもよい。図１（Ｃ）及び（Ｄ）に、反
射層２０が接着層２３と電極２２との間に設けられた回路基板を示す。また、図１（Ｅ）
及び（Ｆ）に、反射層２０が第１の基板１１と電極２２との間に設けられた回路基板を示
す。
【００３４】
反射層２０は、第１の基板１１に垂直な方向から見て、電極２２と互いに重なり、かつ
電極２２の一部を囲うように設けられる（図１（Ａ）参照）。反射層２０は、閉曲線を形
成してもよく、複数の線分に分断されていてもよい。図１（Ｃ）、（Ｄ）または図１（Ｅ
）、（Ｆ）のように、反射層２０を電極２２と互いに接するように設ける場合は、複数の
電極２２同士が反射層２０を介して繋がらないように、反射層２０を分断して設けること
が好ましい（図１（Ｃ）、図１（Ｅ）参照）。電極２２が複数ある場合に、複数の電極２
２同士が短絡することを防ぐことができる。また、反射層２０は、電極２２の一部を囲う
領域内に隙間なく形成されていてもよい（図１（Ｇ）、図１（Ｈ）参照）。
【００３５】
回路２１は電極２２と電気的に接続されている。電極２２はその一部を、回路２１が半
導体素子や発光素子等を含む場合に、各素子を外部電極と接続するための端子電極として
用いることができる。電極２２の一部を端子電極として用いるためには、基板や接着層の
一部を除去することで電極２２の一部を露出させる必要がある。
【００３６】
基板の一部を除去するためにスクライバーやカッター等の刃物を用いる場合、電極を露
出させたい領域周辺の電極や回路にダメージを与えやすく、作業歩留りが低下する懸念が
ある。また、レーザ光を基板の除去すべき領域に照射する場合、レーザ光の一部が基板の
除去すべき領域を透過して、下層に配線がある場合に配線にダメージを与えてしまう。
【００３７】
本発明の一態様の回路基板１０では、レーザ光を照射する領域にレーザ光を反射する反
射層２０を設けることで、電極２２にダメージを与えることなく、基板１２および接着層
２３を除去することができる。
【００３８】
レーザ光の照射は、反射層２０に対して、電極２２とは反対側から行う。具体的には、
反射層２０が電極２２よりも第２の基板１２側にある場合、第２の基板１２側からレーザ
光３０を照射することで、第２の基板１２の一部、または第２の基板１２の一部及び接着
層２３の一部を除去することができる（図１（Ｂ）、図１（Ｄ）、図１（Ｈ）参照）。ま
た、反射層２０が電極２２よりも第１の基板１１側にある場合、第１の基板１１側からレ
ーザ光３０を照射することで、第１の基板１１の一部を除去することができる（図１（Ｆ
）参照）。
【００３９】
反射層２０は、照射されるレーザ光に対して３０％以上の高い反射率を有する材料で形
成されていることが好ましく、７０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていると
より好ましい。またそれ自体が熱で変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されて
いることが好ましい。反射層２０に用いることのできる材料、および反射層２０の膜厚に
ついては、実施の形態２の反射層１１０の記述を参照できる。
【００４０】
第１の基板１１及び第２の基板１２は、特定のものに限定されない。一例として、半導
体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プ
ラスチック基板、金属基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィ
ルムなどが挙げられる。また、第１の基板１１及び第２の基板１２に用いることのできる
材料として、実施の形態２の基板１１１、基板１２１の記述を参照できる。
【００４１】
なお、第１の基板１１及び第２の基板１２は、そのいずれかまたはその両方が、可撓性
を有していることが好ましい。基板が可撓性を有する程度に膜厚が薄いことで、レーザ光
の照射によって基板を除去しやすくなる。
【００４２】
電極２２は、導電性を有する材料を用いて形成することができる。電極２２に用いるこ
とができる材料として、実施の形態２の端子電極１１６の記述を参照できる。
【００４３】
［回路基板の作製方法例］
以下では、上記の構成例で示した図１（Ａ）及び（Ｂ）の回路基板１０の作製方法、及
び回路基板１０に外部電極を接続する方法について、図２及び図３を参照して説明する。
【００４４】
まず、第１の基板１１を準備し、第１の基板１１の第１の面上に回路２１を形成する（
図２（Ａ１）、（Ａ２）参照）。
【００４５】
なお、図１（Ｅ）、（Ｆ）のように反射層２０を第１の基板１１と電極２２との間に設
ける場合は、この時点で反射層２０を第１の基板１１の第１の面上に形成する。
【００４６】
そして、第１の基板１１の第１の面上に電極２２を形成する。電極２２は、回路２１と
電気的に接続されている（図２（Ｂ１）、（Ｂ２）参照）。電極２２は、回路２１と同時
に形成してもよいし、回路２１より先に形成してもよい。
【００４７】
なお、図１（Ｃ）、（Ｄ）のように反射層２０を電極２２と接着層２３との間に設ける
場合は、この時点で電極２２上に反射層２０を形成する。また、反射層２０を電極２２上
に設ける場合に、反射層２０と電極２２との間に絶縁層を形成してもよい。絶縁層によっ
て反射層２０と電極２２が接しない構造とすることで、反射層２０を、第２の基板１２の
第２の面上に形成する場合と同様に閉曲線となるように形成することができる。反射層２
０に隙間をなくすことで、後の工程で照射するレーザ光が第１の基板１１にダメージを与
えるのを防ぐことができる。
【００４８】
次に第２の基板１２を準備し、第２の基板１２の第２の面上に、閉曲線となるように反
射層２０を形成する。そして、第１の基板１１と第２の基板１２を重ね合わせた時に、第
１の基板１１に垂直な方向から見て、反射層２０の閉曲線が電極２２の一部を囲うような
位置において、接着層２３を介して第１の基板１１の第１の面と第２の基板１２の第２の
面を貼り合わせる（図２（Ｃ１）、（Ｃ２）参照）。この時点で、図１（Ａ）、（Ｂ）に
示した回路基板１０が完成する。
【００４９】
次に、第２の基板１２の側から、反射層２０に対してレーザ光３０を照射する（図３（
Ａ１）、（Ａ２）参照）。電極２２を露出させたい領域の外周、すなわち軌跡３１に対し
てレーザ光３０を照射することで、後の工程において、第２の基板１２及び接着層２３の
除去を容易に行うことができる。この時、反射層２０があることで、レーザ光３０電極２
２に到達してダメージを与えることを防ぐことができる。
【００５０】
レーザ光３０としては、ハロゲンランプや、高圧水銀ランプなどから放射される赤外光
、可視光、紫外光を用いることができる。また、レーザ光３０として、連続発振レーザ光
や、パルス発振レーザ光などの強光を用いることができる。また、レーザ光３０の特徴と
しては、実施の形態２のレーザ光２２０の記述を参照できる。
【００５１】
次に、回路基板１０から、第２の基板１２の軌跡３１が囲う領域と互いに重なる領域（
以下、第１の領域４１と表記する）の一部と、接着層２３の軌跡３１が囲う領域と互いに
重なる領域（以下、第２の領域４２と表記する）の一部とを除去する（図３（Ｂ１）、（
Ｂ２）参照）。この時、反射層２０の一部も同時に除去される。なお、この時点で電極２
２のうち端子電極となる部分が露出し、開口５１が形成される。また、この工程によって
反射層２０の一部が除去されるが、他の一部が回路基板１０に残留する。
【００５２】
第１の領域４１及び第２の領域４２の除去は、機械的な力を加えることで行えばよい。
例えば、第１の領域４１に粘着テープ等を接着させ、引きはがすことで行える。また、回
転軸を有し、表面に吸着機構を有する円柱等の構造体を第１の領域４１の表面に走らせ、
巻き取りながら引きはがしてもよい。
【００５３】
このとき、電極２２の端子電極となる部分と、接着層２３との界面における密着性を低
くすることで、第１の領域を引きはがすことで電極２２の一部を露出させることが容易に
なる。例えば、電極２２の端子電極となる部分上に、電極２２との密着性が低い膜を形成
することで、該膜は第１の領域４１及び第２の領域４２の除去の際に、同時に除去するこ
とができる。
【００５４】
次に、開口５１に接続体５２を形成し、接続体５２上に外部電極５３を形成する（図３
（Ｃ１）、（Ｃ２）参照）。接続体５２は、異方導電性を有していることが好ましい。接
続体５２として、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃ
ｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）を用いることができる。また、外部電極５３としては、
例えばＦＰＣを用いることができる。
【００５５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【００５６】
（実施の形態２）
本発明の一態様の発光装置１００の構成例について、図４乃至図７を用いて説明する。
図４（Ａ）は発光装置１００の斜視図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）中でＡ１−Ａ２
に一点鎖線で示す部位の断面図である。図４（Ａ）においては、理解を容易にするため一
部の要素を省略して図示してある。
【００５７】
［発光装置の構成例］
本実施の形態に示す発光装置１００は、表示領域１３１を有する。また、表示領域１３
１は、複数の画素１３０を有する。一つの画素１３０は、少なくとも一つの発光素子１２
５を有する。
【００５８】
本実施の形態に示す発光装置１００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８、隔壁
１１４、および端子電極１１６を有する。また、端子電極１１６上に絶縁層１４１を有し
、絶縁層１４１に設けられた開口において、電極１１５と端子電極１１６は電気的に接続
されている。また、隔壁１１４は電極１１５上に設けられ、電極１１５および隔壁１１４
上にＥＬ層１１７が設けられ、ＥＬ層１１７上に電極１１８が設けられている。
【００５９】
基板１１１上には、接着層１１２、絶縁層１１９、および絶縁層１４１を介して発光素
子１２５が設けられている。発光素子１２５は、電極１１５、ＥＬ層１１７、および電極
１１８を含む。
【００６０】
また、本実施の形態に示す発光装置１００は、電極１１８上に接着層１２０を介して設
けられた基板１２１を有する。また、基板１２１には、接着層１２２および絶縁層１２９
を介して、遮光層２６４、着色層（「カラーフィルタ」ともいう。）２６６、およびオー
バーコート層２６８が設けられている。
【００６１】
また、基板１２１には、接着層１２２および絶縁層１２９を介して、反射層１１０が設
けられている。反射層１１０は、基板１１１に垂直な方向から見て（以下、平面視におい
て、と表記する。）、端子電極１１６と互いに重なり、かつ端子電極１１６の一部を囲う
ように設けられる。反射層１１０は、図４（Ａ）に示すように閉曲線を形成してもよく、
複数の線分に分断されていてもよい。なお、基板１２１の、反射層１１０に囲まれた領域
と互いに重なる部分を部位１２１ａと呼ぶ。
【００６２】
基板１２１の側から反射層１１０に対してレーザ光を照射し、図５に示すように、部位
１２１ａの一部および該一部と重畳する端子電極１１６との間の各層（接着層１２２、絶
縁層１２９及び接着層１２０）を発光装置１００から分離することで、端子電極１１６の
一部を露出させることができる。図５（Ａ）は、部位１２１ａの一部および該一部と重畳
する端子電極１１６との間の各層の分離途中の様子を示す斜視図であり、図５（Ｂ）は、
部位１２１ａの一部および該一部と重畳する端子電極１１６との間の各層の分離後の様子
を示す斜視図である。また、図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）中にＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す
部位の断面図である。レーザ光の照射、ならびに部位１２１ａの一部および該一部と重畳
する端子電極１１６との間の各層の分離については、作製方法例にて詳述する。
【００６３】
部位１２１ａの一部および該一部と重畳する端子電極１１６との間の各層を除去するこ
とで、開口１３２が形成され、端子電極１１６の一部を露出させることができる。
【００６４】
なお、開口１３２を形成した後に、反射層１１０の一部が発光装置１００に残留する。
この反射層１１０の一部は絶縁層１２９と接して、開口１３２を囲うように配置されてい
る。そのため、開口１３２の形成時や、後述する外部電極を接続して発光装置１００を使
用する時などに、開口１３２の側から絶縁層１２９に膜割れやひび（クラックともいう）
が発生することを抑制できる場合がある。
【００６５】
また、図６に示すように、開口１３２において、外部電極１２４と端子電極１１６が、
異方性導電接続層１２３を介して電気的に接続することができる。よって、基板１１１の
開口１３２と重畳する領域を「外部電極接続領域」ともいう。図６（Ａ）は外部電極１２
４が接続された発光装置１００の斜視図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）中にＡ１−Ａ
２の一点鎖線で示す部位の断面図である。
【００６６】
なお、図７に示すように、発光装置１００の構成を、遮光層２６４、着色層２６６、お
よびオーバーコート層２６８を設けない構成とすることもできる。図７（Ａ）は、遮光層
２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けない発光装置１００の斜視
図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）にＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である
。
【００６７】
特に、ＥＬ層１１７を、画素ごとに射出する光１５１の色を変える、いわゆる塗り分け
方式で形成する場合は、着色層２６６を設けてもよいし、設けなくてもよい。
【００６８】
遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８のうち、少なくとも１つ
または全てを設けないことで、発光装置１００の製造コストの低減、または、歩留まりの
向上などを実現することができる。また、着色層２６６を設けないことで光１５１を効率
よく射出することができるので、輝度の向上や、消費電力の低減などを実現することがで
きる。
【００６９】
一方、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けると、外光
の映り込みを軽減し、コントラスト比の向上や、色再現性の向上などを実現することがで
きる。
【００７０】
なお、発光装置１００をボトムエミッション構造の発光装置とする場合は、基板１１１
側に、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい。ま
た、発光装置１００をデュアルエミッション構造の発光装置とする場合は、基板１１１側
および基板１２１側のどちらか一方または両方に遮光層２６４、着色層２６６、およびオ
ーバーコート層２６８を設けてもよい。
【００７１】
また、発光素子１２５と端子電極１１６の間に、発光素子１２５に信号を供給する機能
を有するスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子１２５と端子電極１１６の
間に、トランジスタを設けてもよい。
【００７２】
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制
御するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子１２５と端子電極１１６
の間にトランジスタを設けることで、表示領域１３１の大面積化や、高精細化を容易とす
ることができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限らず、抵抗素子、イン
ダクタ、キャパシタなどを表示領域１３１内に設けることもできる。
【００７３】
〔基板１１１、１２１〕
基板１１１および基板１２１としては、有機樹脂材料や可撓性を有する程度の厚さのガ
ラス材料などを用いることができる。発光装置１００を下面射出型の発光装置、または両
面射出型の発光装置とする場合には、基板１１１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光
性を有する材料を用いる。また、発光装置１００を上面射出型の発光装置、または両面射
出型の発光装置とする場合には、基板１２１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を
有する材料を用いる。
【００７４】
基板１１１および基板１２１に用いることが可能な可撓性および可視光に対する透光性
を有する材料として、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂
、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリハロゲン
化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、エポキシ樹脂などを用いることができる。
また、これらの材料を混合または積層して用いてもよい。なお、基板１１１および基板１
２１は、それぞれ同じ材料を用いてもよいし、互いに異なる材料を用いてもよい。
【００７５】
また、基板１２１および基板１１１の熱膨張係数は、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、
さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下とする。また、基板１２１および基板１１１の表面
に、窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒
素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しても良い。なお、基板１
２１および基板１１１として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プリプレグ
とも言う）を用いてもよい。
【００７６】
〔絶縁層１１９〕
絶縁層１１９は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリ
コン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ラ
ンタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム及び酸化タンタルなどの酸化物材料や、窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物材料な
どを、単層または多層で形成することができる。例えば、絶縁層１１９を、酸化シリコン
と窒化シリコンを積層した２層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた５層構造と
してもよい。絶縁層１１９は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法
等を用いて形成することが可能である。
【００７７】
絶縁層１１９により、基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２５への不純物元
素の拡散を防止、または低減することができる。
【００７８】
なお、本明細書中において、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物を
いう。また、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいう。なお、各元
素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａ
ｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等を用いて測定することができ
る。
【００７９】
〔端子電極１１６〕
端子電極１１６は、導電性材料を用いて形成することができる。例えば、アルミニウム
、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン
、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウ
ム等から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元
素を組み合わせた合金などを用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させ
た多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いても
よい。導電性材料の形成方法は特に限定されず、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、
スピンコート法などの各種形成方法を用いることができる。
【００８０】
また、端子電極１１６は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加し
たインジウム錫酸化物などの酸素を有する導電性材料を適用することもできる。また、窒
化チタン、窒化タンタル、窒化タングステンなどの窒素を含む導電性材料を適用すること
もできる。また、上記酸素を有する導電性材料と、上記金属元素を含む材料の積層構造と
することもできる。
【００８１】
端子電極１１６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコ
ンを含むアルミニウム層の単層構造、アルミニウム層上にチタン層を積層する二層構造、
窒化チタン層上にチタン層を積層する二層構造、窒化チタン層上にタングステン層を積層
する二層構造、窒化タンタル層上にタングステン層を積層する二層構造、チタン層と、そ
のチタン層上にアルミニウム層を積層し、さらにその上にチタン層を形成する三層構造な
どがある。また、端子電極１１６に、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ク
ロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数の元素を含むアルミニウム合金
を用いてもよい。
【００８２】
〔絶縁層１４１〕
絶縁層１４１は、絶縁層１１９と同様の材料および方法を用いて形成することができる
。
【００８３】
〔電極１１５〕
電極１１５は、後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料
を用いて形成することが好ましい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造
としてもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を
、インジウム錫酸化物などの透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層（ア
ルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を設けてもよい。
【００８４】
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の発光装置について例示して
いるが、発光装置をボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッシ
ョン構造（両面射出構造）の発光装置とする場合においては、電極１１５に透光性を有す
る導電性材料を用いればよい。
【００８５】
〔隔壁１１４〕
隔壁１１４は、隣接する電極１１８間の電気的ショートを防止する機能を有する。また
、後述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子１
２５を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁１１４は、エポキシ樹脂
、アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成
することができる。隔壁１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成
される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁１１４の側壁をこのような形状
とすることで、後に形成されるＥＬ層１１７や電極１１８の被覆性を良好なものとするこ
とができる。
【００８６】
〔ＥＬ層１１７〕
ＥＬ層１１７の構成については、実施の形態４で説明する。
【００８７】
〔電極１１８〕
本実施の形態では電極１１８を陰極として用いる。電極１１８は、後述するＥＬ層１１
７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕
事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類
金属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、
インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成して
もよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグ
ネシウム−銀等を用いることもできる。
【００８８】
また、電極１１８を介して、ＥＬ層１１７が発する光を取り出す場合は、電極１１８は
、可視光に対し透光性を有することが好ましい。
【００８９】
〔接着層１２０、１１２、１２２〕
接着層１２０、接着層１１２、および接着層１２２としては、光硬化型の接着剤、反応
硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用いることができる。トップエミッション構
造の場合は接着層１２０に、ボトムエミッション構造の場合は接着層１１２に、光の波長
以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジ
ルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層１１７が発する光の取り出し効率が低下しにくく、
また、発光装置の信頼性が向上するため好適である。
【００９０】
〔異方性導電接続層１２３〕
異方性導電接続層１２３は、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる
。
【００９１】
異方性導電接続層１２３は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子
を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続
層１２３は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続
層１２３に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃｏ等
の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
【００９２】
〔絶縁層１２９〕
絶縁層１２９は、絶縁層１１９と同様の材料および方法を用いて形成することができる
。
【００９３】
〔反射層１１０〕
反射層１１０は、レーザ光を反射する機能を有する。反射層１１０は、照射されるレー
ザ光に対して３０％以上の反射率を有する材料で形成されていることが好ましく、７０％
以上の高い反射率を有する材料で形成されているとより好ましい。反射層１１０の反射率
が高いことで、反射層１１０へ向けて照射されるレーザ光の経路にある膜の除去において
、レーザ光の反射成分も利用できる場合がある。また、反射層１１０は、それ自体が熱で
変化しないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。
【００９４】
反射層１１０は、金属、合金、金属窒化物、金属酸化物、金属弗化物、半導体、絶縁体
等を含む層を、単層または積層して用いることができる。
【００９５】
金属または合金としては、具体的にはアルミニウム、銅、銀、クロム、タンタル、チタ
ン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素を含むものが挙げられる。
【００９６】
また、アルミニウムを含む合金は反射率が高い。アルミニウムを含む合金としては、ニ
ッケルを含むアルミニウム、ランタンとニッケルを含むアルミニウム、シリコンを含むア
ルミニウムを用いることができる。
【００９７】
金属窒化物としては、具体的には窒化チタン、窒化アルミニウム、窒化モリブデン、窒
化タングステン等が挙げられる。
【００９８】
金属弗化物としては、具体的には弗化チタン、弗化マグネシウム、弗化ランタン、弗化
アルミニウム等が挙げられる。
【００９９】
反射層１１０に適用可能な積層された材料としては、下側または上側の一方または双方
に、高融点金属若しくは上述の金属窒化物が積層された構成が挙げられる。なお、高融点
金属としては、具体的にはクロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ネオ
ジム、スカンジウム、イットリウムなどが挙げられる。
【０１００】
また、反射層１１０として、高屈折率と低屈折率の薄膜を交互に多数積層した誘電体多
層膜を用いてもよい。誘電体多層膜を用いることで高反射率かつ吸収の少ない反射層とす
ることができる。誘電体多層膜を構成できる材料としては、上記の弗化物のほか、酸化チ
タンなどの金属酸化物、酸化シリコン等が挙げられる。
【０１０１】
半導体材料としては、例えば金属シリサイドや導電性の金属酸化物を用いることができ
る。導電性の金属酸化物の具体例としては、酸化インジウム、酸化スズ、インジウム−ス
ズ酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物、酸
化亜鉛、ガリウムまたはアルミニウムが添加された酸化亜鉛、またはこれらの金属酸化物
に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１０２】
絶縁体としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、アク
リル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、
シロキサン系樹脂、ＳＯＧ、ポリシラザン系ＳＯＧ等から選ばれた一の絶縁体、またはこ
れらから選ばれた一を含むものを用いることができる。
【０１０３】
反射層１１０の膜厚は、レーザ光がその経路において反射層１１０の先にある膜にダメ
ージを与えないために、照射されるレーザ光が透過しない膜厚であることが好ましい。ま
た、膜厚が厚すぎると、成膜や膜の加工に時間を要してしまうため、材料によって異なる
が、３０ｎｍ以上２μｍ以下が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上１μｍ以下の膜
厚であることが好ましい。
【０１０４】
［発光装置の作製方法例］
次に、図８乃至図１５を用いて、本発明の一態様である、外部電極を接続した発光装置
１００の作製方法を例示する。図１１を除き、図８乃至図１５は、図４乃至図６中、Ａ１
−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
【０１０５】
〔剥離層１１３の形成〕
まず、支持基板１０１上に剥離層１１３を形成する。支持基板１０１の一例としては、
ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板などを
用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用
いてもよい。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板
）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・ス
チル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン
・ホイルを有する基板、などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガ
ラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。
【０１０６】
剥離層１１３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、
コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム
、シリコンから選択された元素、または該元素を含む合金材料、または該元素を含む化合
物材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層又は積層して形成する
ことができる。なお、剥離層１１３の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場
合でもよい。また、剥離層１１３を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸
化チタン、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、またはインジウ
ムとガリウムと亜鉛を含む酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、ＩＧＺＯ）等の金属酸化物を
用いて形成することもできる。
【０１０７】
剥離層１１３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【０１０８】
剥離層１１３を単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステン
とモリブデンを含む材料を用いることが好ましい。または、剥離層１１３を単層で形成す
る場合、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒
化物、またはタングステンとモリブデンを含む材料の酸化物若しくは酸化窒化物を用いる
ことが好ましい。
【０１０９】
なお、剥離層１１３の形成後に、剥離層１１３の表面を、酸素を有する雰囲気または酸
素を有するプラズマ雰囲気に曝してもよい。剥離層１１３の表面を酸化することで、後の
工程で行われる支持基板１０１の剥離を容易とすることができる。
【０１１０】
本実施の形態では、支持基板１０１にガラス基板を用いる。また、支持基板１０１上に
形成する剥離層１１３として、スパッタリング法によりタングステンを形成する。
【０１１１】
〔絶縁層１１９の形成〕
続いて、剥離層１１３上に絶縁層１１９を形成する。
【０１１２】
絶縁層１１９としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。また絶縁層１１９
としては、上記無機絶縁材料を含む層を単層で、もしくは積層して用いることができる。
【０１１３】
特に、絶縁層１１９として２層以上の積層構造とし、そのうち少なくとも１層には加熱
により水素を放出する層を用い、剥離層１１３に最も近い層には水素を透過する層を用い
ることが好ましい。例えば、剥離層１１３に近い方から酸化窒化シリコンを含む層と、窒
化シリコンを含む層の積層構造とする。本実施の形態では、絶縁層１１９として、支持基
板１０１側から、厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ２００ｎｍの窒化シリコン、
厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン、厚さ１００ｎ
ｍの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【０１１４】
絶縁層１１９は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などの成膜方法により形成でき
る。特に、水素を含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜することが好ましい
。
【０１１５】
ここで、絶縁層１１９の成膜時に剥離層１１３の表面が酸化されることにより、剥離層
１１３と絶縁層１１９の間に酸化物層が形成される。当該酸化物層は、剥離層１１３に含
まれる金属の酸化物を含む層である。好ましくは、タングステン酸化物を含む層とする。
【０１１６】
タングステン酸化物は一般にＷＯ（３−ｘ）で表記され、代表的にはＷＯ３、Ｗ２Ｏ５
、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ２といった様々な組成をとりうる不定比性化合物である。またチタン
酸化物（ＴｉＯ（２−ｘ））、やモリブデン酸化物（ＭｏＯ（３−ｘ））も不定比性化合
物である。
【０１１７】
この段階における酸化物層は、酸素を多く含む状態であることが好ましい。例えば剥離
層１１３としてタングステンを用いた場合には、酸化物層がＷＯ３を主成分とするタング
ステン酸化物であることが好ましい。
【０１１８】
ここで、絶縁層１１９の形成前に、剥離層１１３の表面に対して酸化性ガス、好ましく
は一酸化二窒素ガスを含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、剥離層１１３の表面に予め酸
化物層を形成することもできる。このような方法を用いると、酸化物層の厚さをプラズマ
処理の条件を異ならせることで変化させることができ、プラズマ処理を行わない場合に比
べて酸化物層の厚さの制御性を高めることができる。
【０１１９】
酸化物層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上
２０ｎｍ以下とする。なお、酸化物層が極めて薄い場合には、断面観察像では確認できな
い場合がある。
【０１２０】
〔加熱処理〕
続いて、加熱処理を行い、酸化物層を変質させる。加熱処理を行うことにより、絶縁層
１１９から水素が放出され、酸化物層に供給される。
【０１２１】
酸化物層に供給された水素により、酸化物層内の金属酸化物が還元され、酸化物層中に
酸素の組成の異なる領域が複数混在した状態となる。例えば、剥離層１１３としてタング
ステンを用いた場合には、酸化物層中のＷＯ３が還元されてこれよりも酸素の組成の少な
い状態（例えばＷＯ２など）が生成され、これらが混在した状態となる。このような金属
酸化物は酸素の組成に応じて異なる結晶構造を示すため、酸化物層内に酸素の組成が異な
る複数の領域を形成することで酸化物層の機械的強度が脆弱化する。その結果、酸化物層
の内部で崩壊しやすい状態が実現され、後の剥離工程における剥離性を向上させることが
できる。
【０１２２】
加熱処理は、絶縁層１１９から水素が脱離する温度以上、支持基板１０１の軟化点以下
で行えばよい。また酸化物層内の金属酸化物と水素の還元反応が生じる温度以上で行うこ
とが好ましい。例えば、剥離層１１３にタングステンを用いる場合には、４２０℃以上、
４５０℃以上、６００℃以上、または６５０℃以上の温度で加熱する。
【０１２３】
加熱処理の温度が高いほど、絶縁層１１９からの水素の脱離量が高まるため、その後の
剥離性を向上させることができる。しかし、支持基板１０１の耐熱性や、生産性を考慮し
て加熱温度を低くしたい場合には、上述のように予め剥離層１１３に対してプラズマ処理
を施して酸化物層を形成することにより、加熱処理の温度を低くしても高い剥離性を実現
できる。
【０１２４】
〔端子電極１１６の形成〕
次に、絶縁層１１９上に端子電極１１６を形成するための導電層１２６を形成する。本
実施の形態では、導電層１２６として絶縁層１１９上にスパッタリング法により二層のチ
タンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する（図８（Ａ）参照）。
【０１２５】
続いて、導電層１２６上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電
層１２６を所望の形状にエッチングして、端子電極１１６を形成することができる。レジ
ストマスクの形成は、リソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うこ
とができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しない
ため、製造コストを低減できる。
【０１２６】
導電層１２６のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく
、両方を用いてもよい。ウェットエッチング法により、導電層１２６のエッチングを行う
場合は、エッチング液として、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液や、シュウ酸を含む溶液や
、リン酸を含む溶液などを用いることができる。エッチング処理終了後に、レジストマス
クを除去する（図８（Ｂ）参照）。
【０１２７】
〔絶縁層１２７の形成〕
次に、端子電極１１６上に絶縁層１２７を形成する（図８（Ｃ）参照）。本実施の形態
では、絶縁層１２７としてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコンを形成する。
【０１２８】
次に、絶縁層１２７上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、端子電
極１１６と重なる絶縁層１２７の一部を選択的に除去し、開口を有する絶縁層１４１を形
成する（図８（Ｄ）参照）。絶縁層１２７のエッチングは、ドライエッチング法でもウェ
ットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。
【０１２９】
〔電極１１５の形成〕
次に、絶縁層１４１上に電極１１５を形成するための導電層１４５を形成する（図８（
Ｅ）参照）。導電層１４５は、導電層１２６と同様の材料および方法で形成することがで
きる。
【０１３０】
次に、導電層１４５上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電層
１４５の一部を選択的に除去し、電極１１５を形成する（図９（Ａ）参照）。導電層１４
５のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を用い
てもよい。本実施の形態では、導電層１４５（電極１１５）を、銀の上にインジウム錫酸
化物を積層した材料で形成する。電極１１５と端子電極１１６は、絶縁層１２７に設けら
れた開口において電気的に接続する。
【０１３１】
〔隔壁１１４の形成〕
次に、隔壁１１４を形成する（図９（Ｂ）参照）。本実施の形態では、隔壁１１４を感
光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する
。本実施の形態では、隔壁１１４を、感光性を有するポリイミド樹脂を用いて形成する。
【０１３２】
〔ＥＬ層１１７の形成〕
次に、ＥＬ層１１７を電極１１５および隔壁１１４上に形成する（図９（Ｃ）参照）。
【０１３３】
〔電極１１８の形成〕
次に、電極１１８をＥＬ層１１７上に形成する（図９（Ｄ）参照）。電極１１８は、蒸
着法、スパッタリング法等で形成することができる。本実施の形態では、電極１１８とし
て銀とマグネシウムの合金を用いる
【０１３４】
本実施の形態では、支持基板１０１上に発光素子１２５を形成した基板を、素子基板１
７１と呼ぶ。
【０１３５】
続いて、対向基板１８１の作製方法について説明する。
【０１３６】
〔剥離層１４３の形成〕
まず、支持基板１０２上に剥離層１４３を形成する（図１０（Ａ）参照。）。支持基板
１０２は、支持基板１０１と同様の材料を用いて形成することができる。なお、支持基板
１０１と支持基板１０２は、それぞれ同じ材料を用いてもよいし、互いに異なる材料を用
いてもよい。また、剥離層１４３は、剥離層１１３と同様に形成することができる。支持
基板１０２と剥離層１４３の間に絶縁層を設けてもよい。本実施の形態では、支持基板１
０２にガラス基板を用いる。また、支持基板１０２上に形成する剥離層１４３として、ス
パッタリング法によりタングステンを形成する。
【０１３７】
なお、剥離層１４３の形成後に、剥離層１４３の表面を、酸素を有する雰囲気または酸
素を有するプラズマ雰囲気に曝してもよい。剥離層１４３の表面を酸化することで、後の
工程で行われる支持基板１０２の剥離を容易とすることができる。
【０１３８】
〔絶縁層１２９の形成〕
次に、剥離層１４３上に絶縁層１２９を形成する（図１０（Ａ）参照。）。絶縁層１２
９は、絶縁層１１９と同様の材料および方法で形成することができる。また、絶縁層１２
９の形成後に、前述した絶縁層１１９を形成した後と同様の加熱処理を行ってもよい。
【０１３９】
なお、絶縁層１２９を形成した後の加熱処理の処理温度や処理時間を、絶縁層１１９を
形成した後の加熱処理と異なる条件で行ってもよい。後に記述する支持基板１０１の剥離
の剥離性と、支持基板１０２の剥離の剥離性とを異ならせることで、基板を剥離する工程
における歩留りを向上することができる。というのも、支持基板１０１の剥離性と支持基
板１０２の剥離性が異なる時に、剥離性の高い基板から先に剥離を行うことで、一方の基
板の剥離の最中に他方の基板の剥離が始まってしまうことを抑制しやすくなるからである
。
【０１４０】
例えば、絶縁層１２９を形成した後の加熱処理を、絶縁層１１９を形成した後の加熱処
理の温度よりも低い温度かつ／または短い時間で行うことで、支持基板１０１を先に剥離
する途中で支持基板１０２が同時に剥離されることを抑制できる。また、剥離層１１３の
形成後に剥離層１１３の表面を、酸素を有する雰囲気または酸素を有するプラズマ雰囲気
に曝し、剥離層１４３の形成後には同様の処理を短い時間で行う、または行わないことで
、支持基板１０１を先に剥離する途中で支持基板１０２が同時に剥離されることを抑制で
きる。
【０１４１】
本実施の形態では、絶縁層１２９として、支持基板１０２側から、厚さ２００ｎｍの酸
化窒化シリコン、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコ
ンの積層膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【０１４２】
〔反射層１１０の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、反射層１１０を形成するための層１４４を形成する（図１０
（Ｂ）参照）。層１４４は、単層構造であっても２層以上の積層構造であってもよい。本
実施の形態では、層１４４として厚さ１００ｎｍのチタン層と厚さ２００ｎｍのチタン層
の間に厚さ６００ｎｍのアルミニウム層を重ねた積層膜をスパッタリング法によって形成
する。続いて、層１４４上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、層１
４４を所望の形状にエッチングして、反射層１１０を形成することができる（図１０（Ｃ
）参照）。
【０１４３】
〔遮光層２６４の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、遮光層２６４を形成するための層を形成する。該層は、単層
構造であっても２層以上の積層構造であってもよい。該層に用いることができる材料とし
て、例えば、クロム、チタン、またはニッケルなどを含む金属材料、例えば、クロム、チ
タン、またはニッケルなどを含む酸化物材料などが挙げられる。
【０１４４】
該層を金属材料や酸化物材料で形成する場合は、該層上にレジストマスクを形成し、該
レジストマスクを用いて、該層を所望の形状にエッチングして、遮光層２６４を形成する
ことができる（図１０（Ｄ）参照）。また、カーボンブラックを分散した高分子材料を用
いると、インクジェット法により絶縁層１２９上に遮光層２６４を直接描画することがで
きる。
【０１４５】
また、遮光層２６４を、反射層１１０と同様の材料を用いて同一の工程で形成してもよ
い。反射層１１０及び遮光層２６４を同一の工程にて形成することで、対向基板１８１の
作製工程を短縮することができる。
【０１４６】
〔着色層２６６の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、着色層２６６を形成する（図１０（Ｅ）参照）。着色層２６
６は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いて
、それぞれ所望の位置に形成する。この時、着色層２６６の一部が遮光層２６４と重なる
ように設けることが好ましい。画素毎に着色層２６６の色を変えることで、カラー表示を
行うことができる。
【０１４７】
ここで、カラー表示を実現するための画素構成の一例を、図１１を用いて説明する。図
１１（Ａ）乃至（Ｃ）は、図４（Ａ）の表示領域１３１中に示した領域１７０を拡大した
平面図である。例えば、図１１（Ａ）に示すように、３つの画素１３０を１つの画素１４
０として用いて、３つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤、緑、青、と
することで、フルカラー表示を実現することができる。なお、図１１（Ａ）では、赤色の
光を発する画素１３０を画素１３０Ｒと示し、緑色の光を発する画素１３０を画素１３０
Ｇと示し、青色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｂと示している。また、着色層２６
６の色は、赤、緑、青、以外であってもよく、例えば、着色層２６６に黄、シアン、マゼ
ンダなどを用いてもよい。
【０１４８】
また、図１１（Ｂ）に示すように、４つの画素１３０を副画素として機能させて、まと
めて１つの画素１４０として用いてもよい。例えば、４つの画素１３０それぞれに対応す
る着色層２６６を、赤、緑、青、黄としてもよい。なお、図１１（Ｂ）では、赤色の光を
発する画素１３０を画素１３０Ｒと示し、緑色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｇと
示し、青色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｂと示し、黄色の光を発する画素１３０
を画素１３０Ｙと示している。１つの画素１４０として用いる画素１３０の数を増やすこ
とで、特に色の再現性を高めることができる。よって、発光装置の表示品位を高めること
ができる。
【０１４９】
また、４つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤、緑、青、白としても
よい。白の光を発する画素１３０（画素１３０Ｗ）を設けることで、表示領域の発光輝度
を高めることができる。なお、白の光を発する画素１３０の場合は、着色層２６６を設け
なくてもよい。白の着色層２６６を設けないことで、着色層２６６透過時の輝度低下がな
くなるため、発光装置の消費電力を低減することができる。一方で、白の着色層２６６を
設けることにより、白色光の色温度を制御することができる。よって、発光装置の表示品
位を高めることができる。
【０１５０】
なお、各画素１３０の占有面積や形状などは、それぞれ同じでもよいし、それぞれ異な
っていてもよい。また、配列方法として、ストライプ配列以外の方法でもよい。例えば、
デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などに適用することもできる。ペンタイル配
列を適用した場合の例を、図１１（Ｃ）に示す。
【０１５１】
〔オーバーコート層２６８の形成〕
次に、遮光層２６４および着色層２６６上にオーバーコート層２６８を形成する（図１
０（Ｆ）参照）。
【０１５２】
オーバーコート層２６８としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等
の有機絶縁層を用いることができる。オーバーコート層２６８を形成することによって、
例えば、着色層２６６中に含まれる不純物等を発光素子１２５側に拡散することを抑制す
ることができる。ただし、オーバーコート層２６８は、必ずしも設ける必要はなく、オー
バーコート層２６８を形成しない構造としてもよい。
【０１５３】
また、オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を形成してもよい。これに
より、発光素子１２５から発せられた光１５１を透過し、かつ、イオン化した不純物の透
過を防ぐことができる。
【０１５４】
透光性を有する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる
。また、グラフェン等の他、透光性を有する程度に薄く形成された金属膜を用いてもよい
。
【０１５５】
本実施の形態では、支持基板１０２上に着色層２６６などを形成した基板を、対向基板
１８１と呼ぶ。以上の工程により対向基板１８１を形成することができる。なお、図７に
示す発光装置１００を作製する場合は、対向基板１８１に遮光層２６４、着色層２６６及
びオーバーコート層２６８を設ける工程を省略する。
【０１５６】
〔素子基板１７１と対向基板１８１を貼り合せる〕
次に、素子基板１７１と対向基板１８１を、接着層１２０を介して貼り合せる。この時
、素子基板１７１上の発光素子１２５と、対向基板１８１上の着色層２６６が向かい合う
ように配置する（図１２（Ａ）参照）。
【０１５７】
〔支持基板１０１の剥離〕
次に、素子基板１７１が有する支持基板１０１を、剥離層１１３とともに絶縁層１１９
から剥離する（図１２（Ｂ）参照）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間
の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等）を
用いて行えばよい。たとえば、素子基板１７１の側面から剥離層１１３と絶縁層１１９の
界面に鋭利な刃物またはレーザ光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する
。毛細管現象により水が剥離層１１３と絶縁層１１９の界面にしみこむことにより、剥離
層１１３とともに支持基板１０１を絶縁層１１９から容易に剥離することができる。
【０１５８】
〔基板１１１の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して基板１１１を絶縁層１１９に貼り合わせる（図１３（Ａ）
参照）。
【０１５９】
〔支持基板１０２の剥離〕
次に、対向基板１８１が有する支持基板１０２を、剥離層１４３とともに絶縁層１２９
から剥離する。支持基板１０２の剥離は、支持基板１０１の剥離と同様の方法を用いるこ
とができる。なお、支持基板１０１の剥離性が支持基板１０２の剥離性よりも低い場合は
、支持基板１０２を先に剥離することで、基板を剥離する工程における歩留りを向上する
ことができる。
【０１６０】
〔基板１２１の貼り合わせ〕
次に、接着層１２２を介して基板１２１を絶縁層１２９に貼り合わせる（図１３（Ｂ）
参照）。
【０１６１】
〔開口１３２の形成〕
次に、基板１２１の側から反射層１１０に対してレーザ光２２０を照射する（図１４（
Ａ）参照）。
【０１６２】
レーザ光２２０としては、ハロゲンランプや、高圧水銀ランプなどから放射される赤外
光、可視光、紫外光を用いることができる。また、レーザ光２２０として、連続発振レー
ザ光や、パルス発振レーザ光などの強光を用いることができる。特に、パルス発振レーザ
光は、瞬間的に高エネルギーのパルスレーザ光を発振することができるため好ましい。パ
ルス発振レーザ光として、例えばＡｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レー
ザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ
、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、
銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザを用いることができる。
【０１６３】
レーザ光２２０の波長は、２００ｎｍ乃至２０μｍであることが好ましい。たとえば、
レーザ光２２０として１０．６μｍの波長を持つＣＯ２レーザを用いることができる。Ｃ
Ｏ２レーザは、有機材料や無機材料からなるフィルムやガラス基板を加工できる。また、
レーザ光２２０としてパルスレーザ光を用いる場合、パルス幅は１０ｐｓ（ピコ秒）乃至
１０μｓ（マイクロ秒）が好ましく、１０ｐｓ乃至１μｓがより好ましく、１０ｐｓ乃至
１ｎｓ（ナノ秒）がさらに好ましい。例えば、波長５３２ｎｍ、パルス幅１ｎｓ以下のパ
ルスレーザ光を用いればよい。
【０１６４】
レーザ光２２０を照射することで、レーザ光２２０が反射層１１０に達する経路にある
基板１２１、接着層１２２、絶縁層１２９の一部を除去することができる。これにより、
平面視において基板１２１中の部位１２１ａの一部と重畳する端子電極１１６との間の各
層（接着層１２２、絶縁層１２９及び接着層１２０）を分離しやすくなる。
【０１６５】
なお、レーザ光２２０の照射によって、レーザ光の経路にある全ての膜が除去される必
要はなく、図１５（Ａ）に示すように、少なくとも基板１２１の一部を除去すればよい。
レーザ光２２０の照射によって基板１２１に形成される溝部１２８が基板１２１を貫通し
ない場合、溝部１２８の深さは、基板１２１の厚さの２分の１以上が好ましく、３分の２
以上がより好ましい（図１５（Ａ）参照）。
【０１６６】
また、反射層１１０はレーザ光２２０の照射に対して損傷を受けてもよい。具体的には
、レーザ光２２０が反射層１１０よりも下にある層、特に端子電極１１６に達しない程度
に損傷を受けてもよい。
【０１６７】
図１５（Ｂ）に、レーザ光２２０を照射する前の発光装置１００における反射層１１０
周辺部分を拡大した上面図を示す。また図１５（Ｃ）、（Ｄ）は同部分の変形例である。
なお、図１５（Ｂ）乃至（Ｄ）においては、基板１１１、反射層１１０、端子電極１１６
以外の発光装置１００の構成要素は省略している。
【０１６８】
図１５（Ｂ）に示すように、レーザ光２２０は反射層１１０に対して、閉曲線を形成す
る軌跡１８０に沿って照射する。なお、発光装置１００は、図１５（Ｃ）に示すように、
反射層１１０が端子電極１１６と重ならない部分で分断されている構成としてもよい。こ
の場合においても、レーザ光２２０は閉曲線を形成する軌跡１８０に沿って照射すること
が好ましい。レーザ光２２０が基板１２１に形成する溝部が部位１２１ａを隙間なく囲う
ことで、部位１２１ａの分離の際に、部位１２１ａより外側の基板１２１の一部が同時に
剥がれてしまうことを防ぐことができる。
【０１６９】
また、反射層１１０に照射するレーザ光を、照射する位置に応じて照射回数または照射
強度を変えてもよい。図１６（Ａ）に示す発光装置１００の断面図は、図１６（Ｂ）の切
断線Ａ７−Ａ８に対応している。レーザ光は反射層１１０に対して、図１６（Ｂ）に示す
軌跡１８０ａ（破線）および軌跡１８０ｂ（二点鎖線）に沿って照射する。例えば、軌跡
１８０ａおよび軌跡１８０ｂからなる閉曲線は図１５（Ｂ）に示す軌跡１８０と概略一致
する。軌跡１８０ａおよび軌跡１８０ｂの境界は図１６（Ｂ）に黒丸で示している。
【０１７０】
例えば、軌跡１８０ｂに照射するレーザ光２２０ｂの照射回数を、軌跡１８０ａに照射
するレーザ光２２０ａの照射回数よりも多くする。または、軌跡１８０ｂに照射するレー
ザ光２２０ｂの照射強度を、軌跡１８０ａに照射するレーザ光２２０ａの照射強度よりも
大きくする。このようにレーザ光を照射し、端子電極１１６と重ならない位置（軌跡１８
０ｂと重なる位置）においてレーザ光を反射層１１０よりも深い位置に到達させることが
好ましい。好ましくは、レーザ光２２０ｂが接着層１２０の絶縁層１４１との界面近傍に
達する。より好ましくは、端子電極１１６及び絶縁層１１９上に、平面視において部位１
２１ａと重畳する領域にＥＬ層１１７及び電極１１８を設け、レーザ光２２０ｂがＥＬ層
１１７に達する。このようにすることで、端子電極１１６にダメージを与えることなく、
部位１２１ａの一部と該一部と重畳する端子電極１１６との間の各層を、容易に発光装置
１００から分離することができる。
【０１７１】
次に、部位１２１ａの一部と、該一部と重畳する端子電極１１６との間の各層を、発光
装置１００から分離する（図１４（Ｂ）参照）。分離は、機械的な力を加えることで行え
ばよい。例えば、部位１２１ａに粘着テープ等を接着させ、引きはがすことで分離できる
。また、回転軸を有し、表面に吸着機構を有する円柱等の構造体を部位１２１ａ上に走ら
せ、巻き取りながら引きはがしてもよい。この工程によって、開口１３２が形成され、端
子電極１１６の一部が露出する。また、この工程によって反射層１１０の一部が除去され
るが、他の一部が発光装置１００に残留する。
【０１７２】
このとき、端子電極１１６と、端子電極１１６と接する層（本実施の形態では、絶縁層
１４１）との界面における密着性を低くすることで、部位１２１ａを引きはがすことで端
子電極１１６を露出させることが容易になる。例えば、端子電極１１６の開口１３２と対
応する領域上に、端子電極１１６との密着性が低い膜を形成しておけば、該膜は部位１２
１ａの除去の際に、一緒に除去することができる。また、端子電極１１６上の、平面視に
おいて部位１２１ａと重畳する領域にＥＬ層１１７及び電極１１８を形成し、ＥＬ層１１
７と電極１１８との界面における密着性の低さを利用することによって、部位１２１ａを
引きはがすこともできる。
【０１７３】
〔外部電極１２４の形成〕
次に、開口１３２に異方性導電接続層１２３を形成し、異方性導電接続層１２３上に、
発光装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図６参照）。
異方性導電接続層１２３を介して外部電極１２４と端子電極１１６を電気的に接続する。
このようにして、発光装置１００に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部
電極１２４として、例えばＦＰＣを用いることができる。また、外部電極１２４として金
属線を用いることもできる。該金属線と端子電極１１６の接続は、異方性導電接続層１２
３を用いてもよいが、異方性導電接続層１２３を用いずに、ワイヤーボンディング法によ
り行うことができる。また、該金属線と端子電極１１６の接続をハンダ付けで行ってもよ
い。
【０１７４】
［変形例］
以下では、本実施の形態で示した発光装置１００の変形例について説明する。本発明の
一態様である、外部電極を基板１１１側に接続した発光装置１９０を図１７に示す。図１
７（Ａ）は発光装置１９０の斜視図であり、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）中でＡ３−Ａ
４に一点鎖線で示す部位の断面図である。図６に示す発光装置１００と比較して、反射層
１１０、異方性導電接続層１２３及び外部電極１２４の構成が主に異なる。
【０１７５】
図１７（Ｂ）において、反射層１１０は基板１１１の側に、絶縁層１１９と端子電極１
１６との間に設けられている。反射層１１０は図１５（Ｄ）に示すように、隣接する端子
電極１１６同士を接続しないように分断されて設けられている。図１５（Ｄ）は、発光装
置１９０の作製工程において、レーザ光２２０を照射する前の段階における、反射層１１
０周辺部分を拡大した上面図である。図１５（Ｄ）では、基板１１１、反射層１１０、端
子電極１１６以外の発光装置１９０の構成要素は省略している。
【０１７６】
端子電極１１６と外部電極１２４を接続するための開口を形成する工程において、レー
ザ光２２０を反射層１１０に対して、基板１１１側から照射する点が発光装置１００の作
製方法例と異なる。レーザ光２２０を照射した後、基板１１１の反射層１１０が囲う領域
と互いに重なる部分である部位１１１ａの一部と、該一部と重畳する接着層１１２及び絶
縁層１１９を除去することで、基板１１１側に端子電極１１６が露出し、開口１３３が形
成される。
【０１７７】
このように、反射層１１０を絶縁層１１９と端子電極１１６との間に設けることで、外
部電極１２４を発光装置１００とは反対側の基板１１１側において端子電極１１６と接続
することができる。本発明の一態様によって、発光装置を設計の自由度が高いものとする
ことができる。
【０１７８】
本発明の一態様の発光装置または表示装置は、様々な形態を用いること、または様々な
表示素子を有することが出来る。表示素子は、例えば、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ
、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）などを含むＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有
機物および無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、トランジスタ（電流
に応じて発光するトランジスタ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電子放出素子、液
晶素子、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）やデジタルマイクロミラ
ーデバイス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）素子、ＭＩＲＡＳＯ
Ｌ（登録商標）ディスプレイ、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素
子、圧電セラミックディスプレイなどのＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・
システム）を用いた表示素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。これら
の他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが
変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素子を用いた発光装置の一例としては、ＥＬ
ディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては、フィールドエ
ミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒ
ｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ
）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液
晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディ
スプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク、電子粉流体（登録商標）
、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、
半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一
部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電
極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに
、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これ
により、さらに、消費電力を低減することができる。なお、ＬＥＤを用いる場合、ＬＥＤ
の電極や窒化物半導体の下に、グラフェンやグラファイトを配置してもよい。グラフェン
やグラファイトは、複数の層を重ねて、多層膜としてもよい。このように、グラフェンや
グラファイトを設けることにより、その上に、窒化物半導体、例えば、結晶を有するｎ型
ＧａＮ半導体層などを容易に成膜することができる。さらに、その上に、結晶を有するｐ
型ＧａＮ半導体層などを設けて、ＬＥＤを構成することができる。なお、グラフェンやグ
ラファイトと、結晶を有するｎ型ＧａＮ半導体層との間に、ＡｌＮ層を設けてもよい。な
お、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、ＭＯＣＶＤで成膜してもよい。ただし、グラフェ
ンを設けることにより、ＬＥＤが有するＧａＮ半導体層は、スパッタ法で成膜することも
可能である。
【０１７９】
［量産を想定したタクトタイムについて］
ところで、本発明の一態様の発光装置の量産を想定して、上記のレーザ光を照射する場
合のタクトタイムの計算結果を図１８に示す。ここでタクトタイムとは、一基板上に設け
られた複数の発光装置（ここでは１１０個の発光装置）のレーザ照射に要する時間を指す
。
【０１８０】
本計算における条件は以下の通りである。第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）の
大型ガラス基板（以下、Ｇ６とも表記する）のハーフサイズである７５０ｍｍ×１８５０
ｍｍのガラス基板上に、表示領域が対角５インチの発光装置（１３１ｍｍ×８２ｍｍ）を
５×２２＝１１０個配設する。レーザ光の照射位置の調整に要する時間を３０ｓｅｃ、レ
ーザ光の照射に要する時間を１．４ｓｅｃ／ｐａｎｅｌ、レーザ光の照射口（レーザヘッ
ドともいう）もしくは該ガラス基板を支持するステージのＸＹ方向の走査速度を５０ｍｍ
／ｓｅｃとしている。なお、発光装置にレーザ光を照射する際に、レーザ光の照射口を移
動させてもよいし、ステージを移動させてもよい。また、レーザ光の照射口とステージを
同時に移動させてもよい。ヘッド数、すなわち同時に照射できるレーザヘッドの数を増や
すことで生産性が向上し、ヘッド数を３以上とすることでタクトタイム１８０ｓｅｃ以下
を達成することができる（図１８参照）。
【０１８１】
なお、図１８ではＧ６の短辺を半分としたガラス基板の計算結果を示しているが、Ｇ６
の長辺を半分としたガラス基板の計算結果を図１９に示す。図１９は図１８と比較して、
１５００ｍｍ×９２５ｍｍのガラス基板上に、対角５インチの発光装置を１１×１０＝１
１０枚配設する点が異なる。図１９においても、図１８と同様にヘッド数を３以上とする
ことでタクトタイム１８０ｓｅｃ以下を達成することができる。
【０１８２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１８３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した発光装置１００と異なる構成を有する発光
装置２００について、図２０を用いて説明する。図２０（Ａ）は発光装置２００の斜視図
であり、図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）中にＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図で
ある。
【０１８４】
［発光装置の構成］
本実施の形態に示す発光装置２００は、表示領域２３１と、周辺回路２５１を有する。
また、発光装置２００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８を含む発光素子１２５
と、端子電極１１６を有する。発光素子１２５は、表示領域２３１中に複数形成されてい
る。また、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２３
２が接続されている。
【０１８５】
端子電極１１６は、開口１３２に形成された異方性導電接続層１２３を介して外部電極
１２４と電気的に接続されている。また、端子電極１１６は、周辺回路２５１に電気的に
接続されている。
【０１８６】
開口１３２は、実施の形態２で説明した方法によって形成されるため、開口１３２を形
成する前の反射層１１０の一部が、絶縁層１２９と接して開口１３２を囲うように配置さ
れている。そのため、開口１３２の形成時や、発光装置２００を使用する時などに、開口
１３２の側から絶縁層１２９に膜割れやひび（クラックともいう）が発生することを抑制
できる場合がある。
【０１８７】
周辺回路２５１は、複数のトランジスタ２５２により構成されている。周辺回路２５１
は、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域２３１中のどの発光素子１２５に供
給するかを決定する機能を有する。
【０１８８】
図２０に示す発光装置２００は、接着層１２０を介して基板１１１と基板１２１が貼り
合わされた構造を有する。基板１１１上には、接着層１１２を介して絶縁層２０５が形成
されている。絶縁層２０５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等
を、単層または多層で形成するのが好ましい。絶縁層２０５は、スパッタリング法やＣＶ
Ｄ法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
【０１８９】
なお、絶縁層２０５は下地層として機能し、基板１１１や接着層１１２などからトラン
ジスタや発光素子への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
【０１９０】
また、絶縁層２０５上に、トランジスタ２３２、トランジスタ２５２、端子電極１１６
、配線２１９が形成されている。なお、本実施の形態では、トランジスタ２３２および／
またはトランジスタ２５２として、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネル
エッチング型のトランジスタを例示しているが、チャネル保護型のトランジスタや、トッ
プゲート型のトランジスタなどを用いることも可能である。また、逆スタガ型のトランジ
スタや、順スタガ型のトランジスタを用いることも可能である。また、チャネルが形成さ
れる半導体層を２つのゲート電極で挟む構造の、デュアルゲート型のトランジスタを用い
ることも可能である。また、シングルゲート構造のトランジスタに限定されず、複数のチ
ャネル形成領域を有するマルチゲート型トランジスタ、例えばダブルゲート型トランジス
タとしてもよい。
【０１９１】
また、トランジスタ２３２および／またはトランジスタ２５２として、プレーナ型、Ｆ
ＩＮ型（フィン型）、ＴＲＩ−ＧＡＴＥ型（トライゲート型）などの、様々な構成のトラ
ンジスタを用いることが出来る。
【０１９２】
トランジスタ２３２とトランジスタ２５２は、それぞれが同様の構造を有していてもよ
いし、異なる構造を有していてもよい。トランジスタのサイズ（例えば、チャネル長、お
よびチャネル幅）等は、各トランジスタで適宜調整することができる。
【０１９３】
トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極として機能できる電極２
０６、ゲート絶縁層として機能できる絶縁層２０７、半導体層２０８、ソース電極または
ドレイン電極の一方として機能できる電極２１４、ソース電極またはドレイン電極の他方
として機能できる電極２１５を有する。
【０１９４】
配線２１９、電極２１４、および電極２１５は、端子電極１１６を形成するための導電
層の一部を用いて、端子電極１１６と同時に形成することができる。また、絶縁層２０７
は、絶縁層２０５と同様の材料および方法により形成することができる。
【０１９５】
半導体層２０８は、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、ナノクリスタル半導
体、セミアモルファス半導体、非晶質半導体、等を用いて形成することができる。例えば
、非晶質シリコンや、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。また、炭化シリコン
、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体等を用
いることができる。また、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、ＣＡＡＣ
−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ（ｎａ
ｎｏ    Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）非晶質酸
化物半導体などを用いることができる。
【０１９６】
なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ以上と大きく、可視光に対す
る透過率が大きい。また、酸化物半導体を適切な条件で加工して得られたトランジスタに
おいては、オフ電流を使用時の温度条件下（例えば、２５℃）において、１００ｚＡ（１
×１０−１９Ａ）以下、もしくは１０ｚＡ（１×１０−２０Ａ）以下、さらには１ｚＡ（
１×１０−２１Ａ）以下とすることができる。このため、消費電力の少ない発光装置を提
供することができる。
【０１９７】
また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８に接する絶縁層
に酸素を有する絶縁層を用いることが好ましい。特に、半導体層２０８に接する絶縁層と
して、加熱処理により酸素を放出する絶縁層を用いることが好ましい。
【０１９８】
また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１０が形成され、絶
縁層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。絶縁層２１０および絶縁層２１１は、保
護絶縁層として機能し、絶縁層２１０よりも上の層からトランジスタ２３２およびトラン
ジスタ２５２への不純物元素が拡散することを防止または低減することができる。絶縁層
２１０は、絶縁層２０５と同様の材料及び方法で形成することができる。
【０１９９】
また、発光素子１２５の被形成面の表面凹凸を低減するために絶縁層２１１に平坦化処
理を行ってもよい。平坦化処理としては特に限定されないが、研磨処理（例えば、化学的
機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）
）、やドライエッチング処理により行うことができる。
【０２００】
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて絶縁層２１２を形成することで、研磨処理
を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹脂
、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率
材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁
層を複数積層させることで、絶縁層２１２を形成してもよい。
【０２０１】
また、絶縁層２１２上に、発光素子１２５と、各発光素子１２５を離間するための隔壁
１１４が形成されている。
【０２０２】
また、基板１２１には、遮光層２６４、着色層２６６、及びオーバーコート層２６８が
形成されている。発光装置２００は、発光素子１２５からの光を、着色層２６６を介して
基板１２１側から射出する、所謂トップエミッション構造（上面射出構造）の発光装置で
ある。
【０２０３】
また、発光素子１２５は、絶縁層２１２、絶縁層２１１、および絶縁層２１０に設けら
れた開口でトランジスタ２３２と電気的に接続されている。
【０２０４】
また、発光素子１２５を、ＥＬ層１１７から発する光を共振させる微小光共振器（「マ
イクロキャビティ」ともいう）構造とすることで、異なる発光素子１２５で同じＥＬ層１
１７を用いても、異なる波長の光を狭線化して取り出すことができる。
【０２０５】
一例として、図２１に、発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とした発光装置２０
０の断面図を示す。なお、図２１（Ａ）は、図２０（Ａ）中にＡ５−Ａ６の一点鎖線で示
す部位近傍の断面図に相当する。また、図２１（Ｂ）は、図２１（Ａ）に示した部位２８
０の拡大図である。
【０２０６】
発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とする場合、電極１１８を入射光量のうち一
定光量の光を透過して一定光量の光を反射する（半透過）導電性材料を用いて形成し、電
極１１５を、反射率の高い（可視光の反射率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０
％以上１００％以下）導電性材料と、透過率の高い（可視光の透過率が５０％以上１００
％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料の積層で形成する。ここでは、
電極１１５を、光を反射する導電性材料で形成された電極１１５ａと、光を透過する導電
性材料で形成された電極１１５ｂの積層としている。電極１１５ｂは、ＥＬ層１１７と電
極１１５ａの間に設ける（図２１（Ｂ）参照）。電極１１８及び電極１１５ａは、反射電
極として機能できる。
【０２０７】
例えば、電極１１８として、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍ
の銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用
いればよい。本実施の形態では、電極１１８として厚さ１０ｎｍの銀とマグネシウムを含
む導電性材料を用いる。
【０２０８】
また、電極１１５ａとして厚さ５０ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ乃至２０
０ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料な
どを用いればよい。本実施の形態では、電極１１５ａとして厚さ１００ｎｍの銀を含む導
電性材料を用いる。
【０２０９】
また、電極１１５ｂとして厚さ１ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ乃至１００ｎ
ｍのインジウム（Ｉｎ）を含む導電性酸化物、または亜鉛（Ｚｎ）を含む導電性酸化物な
どを用いればよい。本実施の形態では、電極１１５ｂとしてインジウム錫酸化物を用いる
。また、電極１１５ａの下に、さらに導電性酸化物を設けてもよい。
【０２１０】
電極１１５ｂの厚さｔを変えることで、電極１１８とＥＬ層１１７の界面から電極１１
５ａと電極１１５ｂの界面までの光学的距離（「光路長」ともいう）ｄを任意の値に設定
することができる。画素ごとに電極１１５ｂの厚さｔを変えることで、同じＥＬ層１１７
を用いても、画素ごとに異なる発光スペクトルを有する発光素子１２５を設けることがで
きる。よって、各発光色の色純度を高め、色再現性の良好な発光装置を実現することがで
きる。また、画素ごと（発光色ごと）にＥＬ層１１７を形成する必要がないため、発光装
置の作製工程を少なくし、生産性を高めることができる。また、発光装置の高精細化を容
易とすることができる。
【０２１１】
図２１（Ａ）は、赤色の光１５１Ｒを発光することができる画素１３０Ｒ、緑色の光１
５１Ｇを発光することができる画素１３０Ｇ、青色の光１５１Ｂを発光することができる
画素１３０Ｂ、および黄色の光１５１Ｙを発光することができる画素１３０Ｙを１つの画
素１４０として用いる例を示している。なお、本発明の一態様はこれに限定されず、画素
１４０として、赤、緑、青、黄、シアン、マゼンダ、または白などの光を発光することが
できる副画素を適宜組み合わせて用いればよい。例えば、画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、
および画素１３０Ｂの３つの副画素で画素１４０を構成してもよい。
【０２１２】
なお、光学的距離ｄの調整方法は上記の調整方法に限定されない。例えば、ＥＬ層１１
７の膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい。
【０２１３】
また、発光素子１２５と重畳する位置に着色層２６６を設けて、光１５１が着色層２６
６を透過して外部に射出する構成としてもよい。図２２に、図２１に示した発光装置２０
０に着色層２６６を組み合わせた構成の一例を示す。図２２に示す発光装置２００は、赤
色の光１５１Ｒを発光することができる画素１３０Ｒと重ねて赤色の波長帯域の光を透過
する着色層２６６Ｒが設けられ、緑色の光１５１Ｇを発光することができる画素１３０Ｇ
と重ねて緑色の波長帯域の光を透過する着色層２６６Ｇが設けられ、青色の光１５１Ｂを
発光することができる画素１３０Ｂと重ねて青色の波長帯域の光を透過する着色層２６６
Ｂが設けられ、黄色の光１５１Ｙを発光することができる画素１３０Ｙと重ねて黄色の波
長帯域の光を透過する着色層２６６Ｙが設けられている。
【０２１４】
画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、画素１３０Ｂに加えて画素１３０Ｙを用いることで、発
光装置の色再現性を高めることができる。また、画素１４０を画素１３０Ｒ、画素１３０
Ｇ、および画素１３０Ｂのみで構成する場合、画素１４０の発光色を白としたい時は、画
素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、および画素１３０Ｂの全てを発光させる必要がある。一方、
画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、および画素１３０Ｂに加えて、画素１３０Ｙを設けること
で、画素１３０Ｂと画素１３０Ｙのみを発光させて、白色光を得ることが可能となる。よ
って、画素１３０Ｒと画素１３０Ｇを発光させなくても白色光を得ることができるため、
発光装置の消費電力を低減することができる。
【０２１５】
また、画素１３０Ｙに代えて、白色の光１５１Ｗを発光することができる画素１３０Ｗ
を用いてもよい。画素１３０Ｙに代えて、画素１３０Ｗを用いることで、画素１３０Ｗの
みの発光により白色光を得ることができるため、発光装置の消費電力をより低減すること
ができる。
【０２１６】
なお、画素１３０Ｗを用いる場合は、画素１３０Ｗに着色層を設けなくてもよい。着色
層を設けないことで、表示領域の輝度が向上し、視認性の良好な発光装置を実現すること
ができる。また、発光装置の消費電力をより低減することができる。
【０２１７】
また、画素１３０Ｗに白色の波長帯域の光を透過する着色層２６６Ｗを設けてもよい。
画素１３０Ｗに白色の波長帯域の光を透過する着色層２６６Ｗを設けることで、白色の光
１５１Ｗの色温度を変化させることができる。よって、表示品位の良好な発光装置を実現
することができる。
【０２１８】
また、マイクロキャビティ構造の発光素子１２５と着色層２６６を組み合わせて用いる
ことにより、光１５１の色純度をさらに高めることができる。よって、発光装置２００の
色再現性を高めることができる。また、外部から入射した光は、着色層２６６で大部分が
吸収されるため、外部から入射した光の表示領域２３１への映り込みを軽減し、発光装置
の視認性を高めることができる。よって、表示品位の良好な発光装置を実現することがで
きる。
【０２１９】
また、本実施の形態では、発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置
について例示したが、パッシブマトリクス型の発光装置に適用することも可能である。ま
た、ボトムエミッション構造の発光装置、デュアルエミッション構造の発光装置にも適用
可能である。
【０２２０】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
【０２２１】
（実施の形態４）
本実施の形態では、発光素子１２５に用いることができる発光素子の構成例について説
明する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層６２０が、他の実施の形態に示したＥＬ層１１
７に相当する。
【０２２２】
［発光素子の構成］
図２３（Ａ）に示す発光素子６３０は、一対の電極（電極６１８、電極６２２）間にＥ
Ｌ層６２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例と
して、電極６１８を陽極として用い、電極６２２を陰極として用いるものとする。
【０２２３】
また、ＥＬ層６２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外
の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高
い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポ
ーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具
体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わ
せて用いることができる。
【０２２４】
図２３（Ａ）に示す発光素子６３０は、電極６１８と電極６２２との間に与えられた電
位差により電流が流れ、ＥＬ層６２０において正孔と電子とが再結合し、発光するもので
ある。つまりＥＬ層６２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
【０２２５】
本発明において、発光素子６３０からの発光は、電極６１８、または電極６２２側から
外部に取り出される。従って、電極６１８、または電極６２２のいずれか一方は透光性を
有する物質で成る。
【０２２６】
なお、ＥＬ層６２０は図２３（Ｂ）に示す発光素子６３１のように、電極６１８と電極
６２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積層構造を有
する場合には、ｍ番目（ｍは、１以上かつｎより小さい自然数）のＥＬ層６２０と、（ｍ
＋１）番目のＥＬ層６２０との間には、それぞれ電荷発生層６２０ａを設けることが好ま
しい。電極６１８と電極６２２を除く構成が上記実施の形態のＥＬ層１１７に相当する。
【０２２７】
電荷発生層６２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いて形成することがで
きる。金属酸化物としては、例えば、酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステ
ン等が挙げられる。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳
香族炭化水素、または、それらを基本骨格とするオリゴマー、デンドリマー、ポリマー等
、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化合
物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。
但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
なお、電荷発生層６２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に
優れているため、発光素子６３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することができ
る。上記複合材料以外にも、上記金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土類
金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などを電荷発生層６２０ａに用いる
ことができる。
【０２２８】
なお、電荷発生層６２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み
合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子
供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合
わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電
膜とを組み合わせて形成してもよい。
【０２２９】
このような構成を有する発光素子６３１は、隣接するＥＬ層６２０同士でのエネルギー
の移動が起こり難く、高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易で
ある。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
【０２３０】
なお、電荷発生層６２０ａとは、電極６１８と電極６２２に電圧を印加したときに、電
荷発生層６２０ａに接して形成される一方のＥＬ層６２０に対して正孔を注入する機能を
有し、他方のＥＬ層６２０に電子を注入する機能を有する。
【０２３１】
図２３（Ｂ）に示す発光素子６３１は、ＥＬ層６２０に用いる発光物質の種類を変える
ことにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数
の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもで
きる。
【０２３２】
図２３（Ｂ）に示す発光素子６３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組
み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例え
ば、青色の蛍光材料を発光物質として含むＥＬ層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質と
して含むＥＬ層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示すＥＬ層と、緑色の発
光を示すＥＬ層と、青色の発光を示すＥＬ層とを有する構成とすることもできる。または
、補色の関係にある光を発するＥＬ層を有する構成であっても白色発光が得られる。発光
層が２層積層された積層型素子において、発光層から得られる発光の発光色と発光層から
得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、ある
いは青緑色と赤色などが挙げられる。
【０２３３】
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置
することにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光が得られ、また、長寿命素子を
実現することができる。
【０２３４】
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
【０２３５】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できる電子機器及び照明装置につい
て、図２４及び図２５を用いて説明する。
【０２３６】
本発明の一態様の発光装置は可撓性を有する構成とすることができる。したがって、可
撓性を有する電子機器や照明装置に好適に用いることができる。
【０２３７】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機とも
いう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２３８】
また、本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしく
は外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
【０２３９】
図２４（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０
１に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４
、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、
本発明の一態様の発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明の一
態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を提供できる。
【０２４０】
図２４（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。
【０２４１】
また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。
【０２４２】
図２４（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００
は、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７
１０５、入出力端子７１０６などを備える。
【０２４３】
携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、イン
ターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することがで
きる。
【０２４４】
表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行う
ことができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面
に触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７
１０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０２４５】
操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オ
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーティング
システムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。
【０２４６】
また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能
である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリー
で通話することもできる。
【０２４７】
また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクター
を介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充
電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により
行ってもよい。
【０２４８】
携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれ
ている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末
を提供できる。
【０２４９】
図２４（Ｃ）乃至図２４（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、
照明装置７２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える
台部７２０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
【０２５０】
図２４（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０２５１】
図２４（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に
全方位を照らすことができる。
【０２５２】
図２４（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。し
たがって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。
【０２５３】
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部
材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０２５４】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部
を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発
光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明る
く照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０２５５】
ここで、各発光部には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。
【０２５６】
図２４（Ｆ）には、携帯型のタッチパネルの一例を示している。タッチパネル７３００
は、筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御
部７３０５を備える。
【０２５７】
タッチパネル７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな
表示部７３０２を備える。
【０２５８】
また、タッチパネル７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリを
そなえる。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力
を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０２５９】
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。
【０２６０】
図２４（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態のタ
ッチパネル７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。
また、筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作
することができる。また、図２４（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中
央でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
【０２６１】
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように
固定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０２６２】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。
【０２６３】
表示部７３０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態様
により、軽量で、且つ信頼性の高いタッチパネルを提供できる。
【０２６４】
図２５（Ａ）乃至図２５（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図２
５（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末３１０を示す。図２５（Ｂ）に展開した状態又は
折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図
２５（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折
りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により
表示の一覧性に優れる。
【０２６５】
表示パネル３１６はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されてい
る。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３
１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の
一態様の発光装置を表示パネル３１６に用いることができる。例えば、曲率半径１ｍｍ以
上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置を適用できる。
【０２６６】
図２５（Ｄ）（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３２０を示す。図２５（Ｄ）に
表示部３２２が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示す。図２５
（Ｅ）に、表示部３２２が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示
す。携帯情報端末３２０を使用しない際に、非表示面３２５を外側に折りたたむことで、
表示部３２２の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様の発光装置を表示部３２２に
用いることができる。
【０２６７】
図２５（Ｆ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図２５（Ｇ）は、
携帯情報端末３３０の上面図である。図２５（Ｈ）は携帯情報端末３４０の外形を説明す
る斜視図である。
【０２６８】
携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた
一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることが
できる。
【０２６９】
携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができ
る。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図２５（Ｆ）（
Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図２５（
Ｇ）（Ｈ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング
・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題
名、電子メールなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度など
がある。または、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボタ
ン３３９、アイコンなどを表示してもよい。なお、図２５（Ｆ）（Ｇ）では、上側に情報
３３７が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図
２５（Ｈ）に示す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。
【０２７０】
例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収
納した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。
【０２７１】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上
方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出
すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０２７２】
携帯情報端末３３０の筐体３３５、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する
表示部３３３には、本発明の一態様の発光装置を用いることができる。本発明の一態様に
より、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高いタッチパネルを提供できる。
【０２７３】
また、図２５（Ｉ）に示す携帯情報端末３４５のように、３面以上に情報を表示しても
よい。ここでは、情報３５５、情報３５６、情報３５７がそれぞれ異なる面に表示されて
いる例を示す。
【０２７４】
携帯情報端末３４５の筐体３５４が有する表示部３５８には、本発明の一態様の発光装
置を用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の
高いタッチパネルを提供できる。
【０２７５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２７６】
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の
形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実
施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換
えなどを行うことが出来る。
【０２７７】
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用い
て述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
【０２７８】
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分
、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複
数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることによ
り、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２７９】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章にお
いて、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって
、ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取
り出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成す
ることが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。その
ため、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子
、抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作
方法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分
を取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎ
は整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個
（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の
一態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構
成される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構
成することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成
されるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、ま
たは、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは
、ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」
、または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可
能である。
【０２８０】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章にお
いて、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すこと
は、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べ
る図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位
概念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが
可能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。
【０２８１】
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）
は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能
である。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べてい
なくても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を
構成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様
として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、
その発明の一態様は明確であると言える。
【実施例】
【０２８２】
本実施例では、可撓性を有する発光装置（フレキシブルディスプレイ）の端子部にドラ
イバＩＣを実装し、クラックの発生の有無を確認した。なお、該フレキシブルディスプレ
イに、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。
【０２８３】
図２６に、ドライバＩＣ９２０をフレキシブルディスプレイ９００に圧着する際の構成
の断面模式図を示す。フレキシブルディスプレイ９００のフレキシブル基板９０１には複
数の端子電極９１６が露出して設けられている。またドライバＩＣ９２０は、複数のバン
プ９２６が設けられている。ここで、フレキシブルディスプレイ９００は、平坦性を持た
せるために、支持基板であるガラス基板９３１上に仮固定フィルム９３２を介して固定し
た。またガラス基板９３１はステージ９３３に設けられた吸着機構により吸着した。仮固
定フィルム９３２としては、シリコーン樹脂層とポリエステルフィルムとが積層された厚
さ約９０μｍのフィルムを用いた。
【０２８４】
なお仮固定フィルム９３２としてはこれに限られず、支持基板とフレキシブル基板とを
固定でき、且つフレキシブル基板を平坦に保持できるものを用いればよい。また仮固定フ
ィルム９３２はできるだけ薄いほうが好ましく、例えば３００μｍ以下、好ましくは２０
０μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下のものを用
いればよい。
【０２８５】
また、ステージ９３３としてフレキシブルディスプレイ９００の一部が浮くことなく、
高い平坦性を維持してフレキシブルディスプレイ９００を固定できるものを用いる場合に
は、ガラス基板９３１及び仮固定フィルム９３２を用いなくてもよい。このようなステー
ジとして例えば静電チャックや、吸着部にセラミックなどの多孔質部材を用いた吸着式の
チャックを有するステージなどが挙げられる。
【０２８６】
ドライバＩＣ９２０と、フレキシブル基板９０１との間にＡＣＦ９２３を挟み、圧着を
行った。複数のバンプ９２６の最小ピッチは３４．５μｍ、バンプ９２６のサイズは１８
μｍ×１００μｍ、バンプ９２６の数は３５３４個とした。またＡＣＦ９２３として、導
電性粒子の密度６００００個／ｍｍ２、導電性粒子の直径が３．２μｍであるものを用い
た。圧着は、温度１５０℃、圧力３３ｋｇｆ（３２７Ｎ）で、１０秒間行った。
【０２８７】
ドライバＩＣ９２０を圧着した後の端子電極９１６及びバンプ９２６の接続部を、フレ
キシブル基板９０１の側から光学顕微鏡により観察した結果を、図２７（Ａ）、（Ｂ）に
示す。図２７（Ａ）と、図２７（Ｂ）は、それぞれ異なる箇所の光学顕微鏡写真である。
【０２８８】
図２７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、圧着によって該接続部のほか、その周辺の配線、
無機絶縁層等にクラックが生じていないことが確認できた。
【０２８９】
その後、ドライバＩＣ９２０を圧着したフレキシブルディスプレイ９００に画像を表示
させたところ、正常に表示が可能であることを確認した。したがってドライバＩＣ９２０
のバンプ９２６と、フレキシブルディスプレイ９００の端子電極９１６とが問題なく導通
していることが確認できた。
【符号の説明】
【０２９０】
１０    回路基板
１１    基板
１２    基板
２０    反射層
２１    回路
２２    電極
２３    接着層
３０    レーザ光
３１    軌跡
４１    領域
４２    領域
５１    開口
５２    接続体
５３    外部電極
１００    発光装置
１０１    支持基板
１０２    支持基板
１１０    反射層
１１１    基板
１１１ａ    部位
１１２    接着層
１１３    剥離層
１１４    隔壁
１１５    電極
１１５ａ    電極
１１５ｂ    電極
１１６    端子電極
１１７    ＥＬ層
１１８    電極
１１９    絶縁層
１２０    接着層
１２１    基板
１２１ａ    部位
１２２    接着層
１２３    異方性導電接続層
１２４    外部電極
１２５    発光素子
１２６    導電層
１２７    絶縁層
１２８    溝部
１２９    絶縁層
１３０    画素
１３０Ｂ    画素
１３０Ｇ    画素
１３０Ｒ    画素
１３０Ｙ    画素
１３１    表示領域
１３２    開口
１３３    開口
１４０    画素
１４１    絶縁層
１４３    剥離層
１４４    層
１４５    導電層
１５１    光
１５１Ｂ    光
１５１Ｇ    光
１５１Ｒ    光
１５１Ｙ    光
１７０    領域
１７１    素子基板
１８０    軌跡
１８０ａ    軌跡
１８０ｂ    軌跡
１８１    対向基板
１９０    発光装置
２００    発光装置
２０５    絶縁層
２０６    電極
２０７    絶縁層
２０８    半導体層
２１０    絶縁層
２１１    絶縁層
２１２    絶縁層
２１４    電極
２１５    電極
２１９    配線
２２０    レーザ光
２２０ａ    レーザ光
２２０ｂ    レーザ光
２３１    表示領域
２３２    トランジスタ
２５１    周辺回路
２５２    トランジスタ
２６４    遮光層
２６６    着色層
２６６Ｂ    着色層
２６６Ｇ    着色層
２６６Ｒ    着色層
２６６Ｙ    着色層
２６８    オーバーコート層
２８０    部位
３１０    携帯情報端末
３１３    ヒンジ
３１５    筐体
３１６    表示パネル
３２０    携帯情報端末
３２２    表示部
３２５    非表示面
３３０    携帯情報端末
３３３    表示部
３３５    筐体
３３６    筐体
３３７    情報
３３９    操作ボタン
３４０    携帯情報端末
３４５    携帯情報端末
３５４    筐体
３５５    情報
３５６    情報
３５７    情報
３５８    表示部
６１８    電極
６２０    ＥＬ層
６２０ａ    電荷発生層
６２２    電極
６３０    発光素子
６３１    発光素子
９００    フレキシブルディスプレイ
９０１    フレキシブル基板
９１６    端子電極
９２０    ドライバＩＣ
９２３    ＡＣＦ
９２６    バンプ
９３１    ガラス基板
９３２    仮固定フィルム
９３３    ステージ
７１００    携帯情報端末
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    バンド
７１０４    バックル
７１０５    操作ボタン
７１０６    入出力端子
７１０７    アイコン
７２００    照明装置
７２０１    台部
７２０２    発光部
７２０３    操作スイッチ
７２１０    照明装置
７２１２    発光部
７２２０    照明装置
７２２２    発光部
７３００    タッチパネル
７３０１    筐体
７３０２    表示部
７３０３    操作ボタン
７３０４    部材
７３０５    制御部
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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