(57)【要約】      （修正有）【課題】光電変換効率が高く、または暗電流を低減でき、適用されるデバイスの用途に必要とされる所定の波長域の光を用いての光電変換を可能とする光電変換素子の提供。【解決手段】陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含み、該活性層が、下記式で合成される化合物（Ｐ−１）などで表される化合物を含む、光電変換素子。2020083867.tif 000025【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含み、該活性層が、下記式（１）または下記式（２）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化１】
2020083867.tif 000024
（式（１）および式（２）中、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３およびＡ１４は、互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。
Ｘ１およびＸ２は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜２０の炭化水素環または置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０複素環を表す。置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
ｎは０または１を表す。）
【請求項２】
Ａ１とＡ６とが同一の基であり、Ａ２とＡ７とが同一の基であり、Ａ３とＡ８とが同一の基であり、Ａ４とＡ９とが同一の基であり、Ａ５とＡ１０とが同一の基であり、かつＸ１とＸ２とが同一の基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記活性層が、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料を含み、該ｐ型半導体材料が、請求項１または２に記載の化合物である請求項１または２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記ｎ型半導体材料が、フラーレンである、請求項３に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記ｎ型半導体材料が、Ｃ６０フラーレンである、請求項４に記載の光電変換素子。
【請求項６】
光検出素子である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
請求項６に記載の光電変換素子を備える、イメージセンサー。
【請求項８】
請求項１または２に記載の式（１）または式（２）で表される化合物であって、式（１）におけるｎが１である化合物。
【請求項９】
請求項１または２に記載の式（１）または式（２）で表される化合物であって、式（１）におけるｎが０であり、Ｘ１またはＸ２が、互いに独立に、芳香族炭化水素を含む環である化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物、および該化合物を用いた光電変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換素子は、陽極および陰極を含む一対の電極と、該一対の電極間に設けられる活性層とを少なくとも備える素子である。光電変換素子では、いずれかの電極を透明または半透明の材料から構成し、透明または半透明とした電極側から活性層に光を入射させる。活性層に入射した光のエネルギー（ｈν）によって、活性層において電荷（正孔および電子）が生成し、生成した正孔は陽極に向かって移動し、電子は陰極に向かって移動する。そして、陽極および陰極に到達した電荷は、素子の外部に取り出される。
【０００３】
近赤外波長領域（波長８００ｎｍ〜２５００ｎｍ）に有効な感度を有する光電変換素子（以下、近赤外光電変換素子という。）は、非可視光である近赤外光を検出することができるため、近赤外光検出器として利用することができる。
【０００４】
近赤外光電変換素子を近赤外光検出器として用いることにより、人間の目では取得できない情報を電気信号として得ることができる。そして、得られた電気信号を任意好適な情報処理技術によって処理することで可視化することができるため、３Ｄイメージング、血流等の生体情報に基づいた診断などの様々な分野への近赤外光電変換素子の応用が期待されている（例えば、非特許文献１および２参照。）。
【０００５】
また、近赤外光電変換素子の活性層の材料として、近赤外域に強い吸収を持ち、可視域に相対的に小さな吸収しか持たない材料の開発が試みられている（特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３０８６０２号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】「近赤外グリッドパターンを用いたテクスチャ付き形状のワンショット計測手法」画像の認識・理解シンポジウム（ＭＩＲＵ２０１１）  ２０１１年７月  Ｐ．１４９４−１５０１．
【非特許文献２】「近赤外線を利用した生体の可視化」Ｍｅｄｉｃａｌ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  Ｎｏ．７  Ｐ．５３−５７．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光電変換素子は、搭載される光検出装置の用途に応じて、光電変換すべき光の波長が異なる。例えば、特許文献１に記載の光電変換素子は、吸収極大波長が７００ｎｍ〜８００ｎｍであるが、吸収極大波長が８００ｎｍ以上の光電変換素子が求められている場合もある。また、特許文献１に記載の光電変換素子のように、光検出装置の用途に応じて、可視光域の吸収が小さい光電変換素子が求められる場合もある。さらに、光電変換効率または暗電流等の光検出感度に影響する特性の向上も求められている。このように、光電変換素子およびそれに適用される活性層の材料には、搭載される光検出装置の用途に合わせた特性（可視光域での光透過性、特定の波長での吸収、光電変換効率、暗電流および耐熱性など）の向上が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を進めたところ、所定の構造を有する化合物、およびかかる化合物を活性層の材料として用いる光電変換素子により、上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成するに至った。よって、本発明は、下記［１］〜［９］を提供する。
［１］陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含み、該活性層が、下記式（１）または下記式（２）で表される化合物を含む、光電変換素子。
【化１】
2020083867.tif 000002
（式（１）および式（２）中、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３およびＡ１４は、互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。
Ｘ１およびＸ２は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜２０の炭化水素環または置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０複素環を表す。置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
ｎは０または１を表す。）
［２］Ａ１とＡ６とが同一の基であり、Ａ２とＡ７とが同一の基であり、Ａ３とＡ８とが同一の基であり、Ａ４とＡ９とが同一の基であり、Ａ５とＡ１０とが同一の基であり、かつＸ１とＸ２とが同一の基である、［１］に記載の化合物。
［３］前記活性層が、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料を含み、該ｐ型半導体材料が、［１］または［２］に記載の化合物である［１］または［２］に記載の光電変換素子。
［４］前記ｎ型半導体材料が、フラーレンである、［３］に記載の光電変換素子。
［５］前記ｎ型半導体材料が、Ｃ６０フラーレンである、［４］に記載の光電変換素子。
［６］光検出素子である、［１］〜［５］のいずれか１つに記載の光電変換素子。
［７］［６］に記載の光電変換素子を備える、イメージセンサー。
［８］［１］または［２］に記載の式（１）または式（２）で表される化合物であって、式（１）におけるｎが１である化合物。
［９］［１］または［２］に記載の式（１）または式（２）で表される化合物であって、式（１）におけるｎが０であり、Ｘ１またはＸ２が、互いに独立に、芳香族炭化水素を含む環である化合物。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、近赤外光電変換素子が搭載される光検出装置の用途に必要とされる特性を有する光電変換素子、およびかかる光電変換素子を用いられる材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、化合物Ｐ−２２の溶液吸収スペクトルおよび化合物Ｐ−２２の成膜吸収スペクトルを示す。
【図２】図２は、化合物Ｐ−２３の溶液吸収スペクトルおよび化合物Ｐ−２３の成膜吸収スペクトルを示す。
【図３】図３は、化合物Ｐ−２４の溶液吸収スペクトルおよび化合物Ｐ−２４の成膜吸収スペクトルを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。まず、本実施形態の説明において、共通して用いられる用語について説明する。
【００１３】
「水素原子」は、軽水素原子であっても、重水素原子であってもよい。
【００１４】
「置換基を有していてもよい」とは、その化合物または基を構成するすべての水素原子が無置換の場合、および１個以上の水素原子の一部または全部が置換基によって置換されている場合の両方の態様を含む。
【００１５】
「置換基」の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、およびニトロ基が挙げられる。
【００１６】
「ハロゲン原子」には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子が含まれる。
【００１７】
「アルキル基」は、特に断らない限り、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。アルキル基は、置換基を有していてもよい。直鎖状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは１〜３０であり、より好ましくは１〜２０である。分岐状または環状であるアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【００１８】
アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−ｎ−プロピルヘプチル基、アダマンチル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ｎ−ヘキシル−デシル基、ｎ−ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、エイコシル基等のアルキル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ｎ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基等の置換基を有するアルキル基が挙げられる。
【００１９】
「アリール基」は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。
【００２０】
アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等の置換基を有する基が挙げられる。
【００２１】
「アルコキシ基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは１〜１０である。分岐状または環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
【００２２】
アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、およびラウリルオキシ基が挙げられる。
【００２３】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
【００２４】
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントリルオキシ基、９−アントリルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等の置換基を有する基が挙げられる。
【００２５】
「アルキルチオ基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは１〜１０である。分岐状および環状のアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
【００２６】
アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、およびトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。
【００２７】
「アリールチオ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。
【００２８】
アリールチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシフェニルチオ基（ここで、「Ｃ１〜Ｃ１２」は、その直後に記載された基の炭素原子数が１〜１２であることを示す。以下、他の基においても同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、およびペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
【００２９】
「炭素原子数３〜２０の炭化水素環または炭素原子数２〜２０の複素環」は、２個の窒素原子と結合した炭素原子を含む環構造である。炭素原子数３〜２０の炭化水素環または炭素原子数２〜２０の複素環が有する置換基は、置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
「炭素原子数３〜２０の炭化水素環」としては、炭素原子数４〜１６であることが好ましく、炭素原子数５〜１０であることがより好ましい。
「炭素原子数２〜２０の複素環」としては、炭素原子数３〜１６であることが好ましく、炭素原子数４〜１０であることがより好ましい。複素環に含まれるヘテロ原子としては、酸素原子、窒素原子および硫黄原子が挙げられ、酸素原子、窒素原子であることが好ましい。
炭化水素環としては、例えば、脂環式炭化水素および芳香族炭化水素を含む環が挙げられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、ノルボルナン環、ノルボルネン環、デカリン環およびアダマンタン環が挙げられる。
芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環およびアントラセン環が挙げられる。
芳香族炭化水素を含む環としては、例えば、インダン環（ベンゾシクロペンタン環）、テトラリン環（ベンゾシクロヘキサン環）、フルオレン環、ジヒドロアントラセン環およびテトラヒドロアントラセン環が挙げられる。
「炭素原子数３〜２０の複素環」としては、例えば、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロフラン環、ピペリジン環、テトラヒドロチオピラン環、およびテトラヒドロチオフェン環が挙げられる。
【００３０】
「１価の複素環基」とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちの１個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基には、「１価の芳香族複素環基」が含まれる。「１価の芳香族複素環基」は、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち１個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基および１価の芳香族複素環基は、置換基を有していてもよい。ヘテロ原子の例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子が挙げられる。
【００３１】
１価の複素環基および１価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、およびニトロ基が挙げられる。
【００３２】
芳香族複素環式化合物には、複素環自体が芳香族性を示す化合物に加えて、芳香族性を示さない複素環に芳香環が縮環している化合物が包含される。
【００３３】
芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示す化合物の具体例としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、およびジベンゾホスホールが挙げられる。
【００３４】
芳香族複素環式化合物のうち、芳香族性を示さない複素環に芳香環が縮環している化合物の具体例としては、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、およびベンゾピランが挙げられる。
【００３５】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
【００３６】
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、１価の複素環基の具体例としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有している基が挙げられる。
【００３７】
「置換アミノ基」とは、置換基を有するアミノ基を意味する。置換アミノ基が有し得る置換基の例としては、アルキル基、アリール基、および１価の複素環基が挙げられる。置換基としては、アルキル基、アリール基、または１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基の炭素原子数は、通常２〜３０である。
【００３８】
置換アミノ基の例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基等のジアリールアミノ基が挙げられる。
【００３９】
「アシル基」は、炭素原子数が通常２〜２０であり、好ましくは炭素原子数が２〜１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、およびペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
【００４０】
「イミン残基」とは、イミン化合物から、炭素原子−窒素原子二重結合を構成する炭素原子または窒素原子に直接結合する水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。「イミン化合物」とは、分子内に、炭素原子−窒素原子二重結合を有する有機化合物を意味する。イミン化合物の例としては、アルジミン、ケチミン、およびアルジミン中の炭素原子−窒素原子二重結合を構成する窒素原子に結合している水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる。
【００４１】
イミン残基は、通常炭素原子数が２〜２０であり、好ましくは炭素原子数が２〜１８である。イミン残基の例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。
【００４２】
【化２】
2020083867.tif 000003
【００４３】
「アミド基」は、アミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１８である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、およびジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
【００４４】
「酸イミド基」とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常４〜２０である。酸イミド基の具体例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。
【００４５】
【化３】
2020083867.tif 000004
【００４６】
「置換オキシカルボニル基」とは、Ｒ’−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−で表される基を意味する。ここで、Ｒ’は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、または１価の複素環基を表す。
【００４７】
置換オキシカルボニル基は、炭素原子数が通常２〜６０であり、好ましくは炭素原子数が２〜４８である。
【００４８】
置換オキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、およびピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。
【００４９】
「アルケニル基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐状または環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
【００５０】
アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有している基が挙げられる。
【００５１】
「アルキニル基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐状または環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
【００５２】
アルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有している基が挙げられる。
【００５３】
＜化合物＞
本実施形態の化合物は、四角酸（スクアリン酸）型または五角酸（クロコン酸）型の母核構造を含み、この母核構造に２個の縮環構造が結合している化合物である。本実施形態において、この２個の縮環構造は、いずれもスピロ構造を含んでいる。本実施形態において、この２個の縮環構造は、製造を容易にする観点から、同一の構造を有していることが好ましい。
【００５４】
本実施形態の化合物は、近赤外波長領域（波長８００ｎｍ〜２５００ｎｍ）に極大吸収波長（λｍａｘ）を有している。
【００５５】
本実施形態の化合物は、含まれる２個の縮環構造がいずれもスピロ構造を含んでいるため、耐熱性に優れる。
【００５６】
本実施形態の化合物の例としては、下記式（１）および下記式（２）で表される化合物が挙げられる。式（１）および式（２）には、ｓｙｎ−、ａｎｔｉ−による異性体が存在し、いずれであってもよい。
【００５７】
【化４】
2020083867.tif 000005
【００５８】
ここで、式（１）および式（２）で表される化合物に含まれ得る構成要素について説明する。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３およびＡ１４は、互いに独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。
Ｘ１およびＸ２は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素原子数３〜２０の炭化水素環または置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０複素環を表す。これらの環には窒素原子と窒素原子に結合した炭素原子が含まれる。また置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
ｎは０または１を表す。
【００５９】
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、およびＡ１０としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基およびアリール基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３およびＡ１４としては、メチル基であることが好ましい。
【００６０】
Ｘ１およびＸ２としては、炭素原子数４〜１６の炭化水素環または複素環であることが好ましく、炭素原子数５〜１２の炭化水素環または複素環であることがより好ましい。
炭素原子数３〜２０の炭化水素環としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、インダン環（ベンゾシクロペンタン環）、テトラリン環（ベンゾシクロヘキサン環）、フルオレン環、ジヒドロアントラセン環またはテトラヒドロアントラセン環が好ましい。
炭素原子数２〜２０の複素環としては、テトラヒドロピラン環またはピペリジン環が好ましい。
Ｘ１およびＸ２としては、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環、インダン環（ベンゾシクロペンタン環）、テトラリン環（ベンゾシクロヘキサン環）、フルオレン環、ジヒドロアントラセン環、テトラヒドロアントラセン環、テトラヒドロピラン環またはピペリジン環であることが好ましく、吸収波長を長波長化しうる点から、インダン環（ベンゾシクロペンタン環）、テトラリン環（ベンゾシクロヘキサン環）、フルオレン環、ジヒドロアントラセン環、テトラヒドロアントラセン環であることがより好ましい。
【００６１】
式（１）または式（２）としては、Ａ１とＡ６とが同一の基であり、Ａ２とＡ７とが同一の基であり、Ａ３とＡ８とが同一の基であり、Ａ４とＡ９とが同一の基であり、Ａ５とＡ１０とが同一の基であり、かつＸ１とＸ２とが同一の基であることが好ましい。
【００６２】
式（１）で表される化合物の具体例としては、下記式で表される化合物Ｐ−１〜化合物Ｐ−２１が挙げられる。
式（１）で表される化合物としては、光電変換素子の耐熱性の観点から、化合物Ｐ−１、化合物Ｐ−４〜化合物Ｐ−９、および化合物Ｐ−１９が好ましい。
【００６３】
【化５】
2020083867.tif 000006
【００６４】
【化６】
2020083867.tif 000007
【００６５】
式（１）としては、光電変換素子の耐熱性の観点から、化合物Ｐ−１、化合物Ｐ−４〜化合物Ｐ−９、およびＰ−１９が好ましい。
【００６６】
式（１）で表される化合物であって、式（１）中、ｎが０である化合物の具体例としては、下記式で表される化合物Ｐ−２２〜化合物Ｐ−４２が挙げられる。
【化７】
2020083867.tif 000008
【００６７】
【化８】
2020083867.tif 000009
【００６８】
式（２）で表される化合物の具体例としては、下記式で表される化合物Ｐ−４３〜化合物Ｐ−４８が挙げられる。
【００６９】
【化９】
2020083867.tif 000010
【００７０】
本実施形態の化合物は、近赤外波長領域のうち、好ましくは波長８００ｎｍ〜１２００ｎｍにおいて高い吸収を示し、より好ましくは波長８５０ｎｍ〜１１００ｎｍにおいて高い吸収を示す。また、本実施形態の化合物は、可視光波長域の光の透過性が高いことが好ましい。
【００７１】
＜化合物の製造方法＞
本実施形態の化合物は、例えば、Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｐｉｇｍｅｎｔｓ，２０１８，１５４，２１６−２２８に記載の製造方法を参考にして、製造（合成）することができる。  以下、既に説明した本実施形態の化合物の製造方法についてより具体的に説明する。
【００７２】
本実施形態の化合物の製造方法においては、ペリミジン系化合物を合成し、これを使用することができる。
【００７３】
具体的には、まず、１，８−ジアミノナフタレン類とシクロアルカン−オン類とを、酸触媒存在下、溶媒（例えば、トルエンおよび１−プロパノールの混合溶媒）中で加熱還流して縮合させることにより、ペリミジン化合物を合成する。
【００７４】
ここで、１，８−ジアミノナフタレン類の例としては、置換基としてアルキル基、アリール基、１価の複素環基を有していてもよい１，８−ジアミノナフタレンが挙げられる。
【００７５】
シクロアルカン−オン類の炭素原子数は３〜２２であることが好ましい。シクロアルカン−オン類の例としては、１−テトラロン、２−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキサン−１−オン、および４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン−１−オンが挙げられる。
【００７６】
酸触媒の好適な例としては、パラトルエンスルホン酸が挙げられる。
溶媒としては、溶解性を確保しやすいため、また縮合反応を促進しやすいため、アルコール溶媒と芳香族炭化水素溶媒との混合溶媒を用いることが好ましい。
【００７７】
アルコール溶媒の好適な例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、およびペンタノールが挙げられる。
【００７８】
芳香族炭化水素溶媒の好適な例としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、およびクロロベンゼンが挙げられる。
【００７９】
混合溶媒における混合比率（アルコール溶媒：芳香族炭化水素溶媒）は、１：１０〜１０：１であることが好ましく、１：５〜５：１であることがより好ましい。
【００８０】
ペリミジン化合物を合成するにあたり、反応時間（加熱還流の時間）を、０．５時間〜２４時間とすることが好ましく、１時間〜１２時間とすることがより好ましい。反応温度は、反応が脱水縮合であるため加熱して反応させることが好ましいことから、５℃０〜２００℃が好ましく、８０℃〜１５０℃がより好ましい。
【００８１】
加熱還流後、溶媒を減圧留去して得られた残渣は、溶媒（例えば、トルエン）に溶解させ、得られた溶液をシリカゲルカラムに通して高極性の不純物を除去することが好ましい。
次いで、不純物が除去された溶液を減圧留去して、前駆体であるペリミジン化合物を得る。
【００８２】
続いて、得られたペリミジン化合物を、スクアリン酸（四角酸）またはクロコン酸（五角酸）と、溶媒（例えば、トルエンと１−プロパノールとの混合溶媒）中で、加熱還流することにより縮合させる。
【００８３】
加熱還流後、反応液を常温まで冷却し、生じた沈殿をろ過してメタノールで洗浄することにより本実施形態にかかる化合物を得ることができる。
【００８４】
スクアリン酸（四角酸）またはクロコン酸（五角酸）に対する、前駆体であるペリミジン化合物の当量は、スクアリン酸（四角酸）またはクロコン酸（五角酸）の１分子に対して２分子を縮合させるため、１．５〜５．０倍モル量用いることが好ましく、１．８〜３．０倍モル量用いて縮合させることがより好ましい。
【００８５】
この縮合反応は、脱水縮合であるので、加熱条件で行うことが好ましく、反応温度としては８０℃〜１５０℃が好ましく、９０℃〜１３０℃がより好ましい。
【００８６】
中間生成物であるヨードニウム塩、スクアリン酸（四角酸）またはクロコン酸（五角酸）の溶解性を確保しやすいことから、この脱水縮合反応においては、アルコール溶媒と芳香族炭化水素溶媒との混合溶媒を用いることが縮合反応を促進しやすいため好ましい。
【００８７】
この脱水縮合反応においては、減圧留去での除去しやすさの観点から、アルコール溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノールなどを用いることが好ましく、芳香族炭化水素溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼンなどを用いることが好ましい。
【００８８】
＜光電変換素子＞
本実施形態の光電変換素子は、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含み、該活性層が、式（１）または式（２）で表される化合物を含む光電変換素子である。
【００８９】
本実施形態の光電変換素子は、近赤外波長領域（波長８００ｎｍ〜２５００ｎｍ）において、優れた光電変換効率を示す。
【００９０】
本実施形態の光電変換素子は、活性層が式（１）または式（２）で表される化合物を含むので、近赤外波長領域のうち、好ましくは波長８００ｎｍ〜１２００ｎｍにおいて高い光電変換効率を有し、より好ましくは波長８５０ｎｍ〜１１００ｎｍにおいて高い光電変換効率を有する。式（１）または式（２）で表される化合物は可視光波長域の光を透過させることができるため、本実施形態の光電変換素子は、可視光波長域の光に基づく信号を低減しつつ、近赤外波長域の光を効果的に検出することができる。
【００９１】
ここで、本実施形態の光電変換素子が備え得る構成要素について説明する。
【００９２】
（基板）
光電変換素子は、通常、基板（支持基板）上に設けられる。基板上には、陰極および陽極を含む電極が形成され得る。支持基板に接合するように陽極が配置される態様は順積層構造と称され、支持基板に接合するように陰極が配置される態様は逆積層構造と称される。本実施形態の光電変換素子は、いずれの態様をとることもできる。
【００９３】
基板の材料は、有機化合物を含む層を形成する際に化学的に変化しない材料であれば特に限定されない。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板である場合には、不透明な基板側に設けられる電極とは反対側の電極（すなわち、基板から遠い側の電極）が透明または半透明の電極とされることが好ましい。
【００９４】
（電極）
透明または半透明の電極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛オキサイド（ＩＺＯ）、ＮＥＳＡ等の導電性材料、金、白金、銀、銅が挙げられる。透明または半透明の電極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズが好ましい。また、電極として、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の有機化合物が材料として用いられる透明導電膜を用いてもよい。透明または半透明の電極としては、導電性物質のナノ粒子、導電性物質のナノワイヤまたは導電性物質のナノチューブを含む、エマルション（乳濁液）やサスペンション（懸濁液）、金属ペーストなどの分散液、溶融状態の低融点金属等を用いて塗布法により形成してもよい。導電性物質としては、金、銀などの金属、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの酸化物、カーボンナノチューブ等が挙げられる。なお、電極は、特表２０１０―５２５５２６号に記載されているように、導電性物質のナノ粒子またはナノファイバーが、導電性ポリマーなどの所定の媒体中に分散して配置された構成を有していてもよい。
透明または半透明の電極は、陽極であっても陰極であってもよい。また、基板（支持基板）に接合するように設けられる電極は、陽極であっても陰極であってもよい。両方の電極が透明であれば、可視光波長域の光の透過性が高い光電変換素子を得ることができる。
【００９５】
一方の電極が透明または半透明であれば、他方の電極は光透過性の低い電極であってもよい。光透過性の低い電極の材料としては、例えば、金属、および導電性高分子が挙げられる。光透過性の低い電極の材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、およびこれらのうちの２種以上の合金、または、これらのうちの１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステンおよび錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、およびカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
【００９６】
（活性層）
本実施形態の光電変換素子は、活性層が、ｐ型半導体材料（電子供与性化合物）およびｎ型半導体材料（電子受容性化合物）を含み、該ｐ型半導体材料が、式（１）または式（２）で表される化合物である。
【００９７】
活性層は、単層または複数の層が積層された形態をとりうる。単層の活性層は、電子受容性化合物（ｎ型半導体材料）および電子供与性化合物（ｐ型半導体材料）を含有している。
【００９８】
活性層が含み得るｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料において、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちのいずれであるかは、選択された化合物同士のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯのエネルギー準位から相対的に決定することができる。
【００９９】
複数の層が積層された活性層は、例えば、ｐ型半導体材料を含有する第１の半導体層と、ｎ型半導体材料を含有する第２の半導体層とを積層した積層体から構成される。この場合、第１の半導体層は、第２の半導体層に対して陽極寄りに配置される。
【０１００】
活性層の材料として用いられるｎ型半導体材料は、後述する活性層の形成工程に適用できることを条件として、特に限定されない。
【０１０１】
ｎ型半導体材料としては、フラーレンおよびフラーレン誘導体から選ばれる１種以上が好ましい。特に活性層が、蒸着法により形成される場合にはフラーレンを用いることが好ましく、塗布法により形成される場合にはフラーレン誘導体を用いることが好ましい。
【０１０２】
フラーレンの例としては、Ｃ６０フラーレン、Ｃ７０フラーレン、Ｃ７６フラーレン、Ｃ７８フラーレン、およびＣ８４フラーレンが挙げられる。フラーレン誘導体の例としては、これらのフラーレンの誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体とは、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を意味する。
【０１０３】
フラーレン誘導体の例としては、下記式（Ｎ−１）〜式（Ｎ−４）で表される化合物が挙げられる。
【０１０４】
【化１０】
2020083867.tif 000011
【０１０５】
式（Ｎ−１）〜式（Ｎ−４）中、Ｒａは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、またはエステル構造を有する基を表す。複数個あるＲａは、同一であっても互いに異なっていてもよい。
【０１０６】
Ｒｂは、アルキル基、またはアリール基を表す。複数個あるＲｂは、同一であっても互いに異なっていてもよい。
【０１０７】
Ｒａで表されるエステル構造を有する基の例としては、下記式（１９）で表される基が挙げられる。
【０１０８】
【化１１】
2020083867.tif 000012
【０１０９】
式（１９）中、ｕ１は、１〜６の整数を表す。ｕ２は、０〜６の整数を表す。Ｒｃは、アルキル基、アリール基、または１価の複素環基を表す。
【０１１０】
Ｃ６０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。
【０１１１】
【化１２】
2020083867.tif 000013
【０１１２】
Ｃ７０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。
【０１１３】
【化１３】
2020083867.tif 000014
【０１１４】
フラーレン誘導体の具体例としては、［６，６］−フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ  Ｃ６１  ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ）、［６，６］−フェニル−Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ  Ｃ７１  ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ）、［６，６」−フェニル−Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ  Ｃ８５  ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ）、及び［６，６］−チエニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］−Ｔｈｉｅｎｙｌ  Ｃ６１  ｂｕｔｙｒｉｃ  ａｃｉｄ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。
【０１１５】
活性層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、特に好ましくは２０ｎｍ〜２００ｎｍである。光電変換素子が、例えば太陽電池である場合には、活性層の厚さは、５００ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましい。光電変換素子が、例えば光検出素子である場合には、活性層の厚さは、５００ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましい。
【０１１６】
（中間層）
本実施形態の光電変換素子は、光電変換効率といった特性を向上させるためのさらなる構成要素として、電荷輸送層（電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層）といった付加的な中間層を備えていてもよい。
【０１１７】
このような中間層に用いられる材料としては、従来公知の任意好適な材料を用いることができる。中間層の材料としては、例えば、フッ化リチウムなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物、および酸化物が挙げられる。
【０１１８】
また、中間層に用いられる材料としては、例えば、酸化チタン等の無機半導体の微粒子、およびＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））とＰＳＳ（ポリ（４−スチレンスルホネート））との混合物(ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ)が挙げられる。
【０１１９】
本実施形態の光電変換素子は、陽極と活性層との間に、正孔輸送層を備えていてもよい。正孔輸送層は、活性層から電極へと正孔を輸送する機能を有する。
【０１２０】
陽極に接して設けられる正孔輸送層を、特に正孔注入層という場合がある。陽極に接して設けられる正孔輸送層（正孔注入層）は、陽極への正孔の注入を促進する機能を有する。正孔輸送層（正孔注入層）は、活性層に接していてもよい。
【０１２１】
正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料の例としては、ポリチオフェンおよびその誘導体、芳香族アミン化合物、芳香族アミン残基を有する構成単位を含む高分子化合物、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＮｉＯ、および酸化モリブデン（ＭｏＯ３）が挙げられる。
【０１２２】
本実施形態の光電変換素子は、陰極と活性層との間に、電子輸送層を備えていてもよい。電子輸送層は、活性層から陰極へと電子を輸送する機能を有する。電子輸送層は、陰極に接していてもよい。電子輸送層は活性層に接していてもよい。
【０１２３】
電子輸送層は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料の例としては、酸化亜鉛のナノ粒子、ガリウムドープ酸化亜鉛のナノ粒子、アルミニウムドープ酸化亜鉛のナノ粒子、ポリアルキレンイミンを主鎖として含み、エチレンオキシドが主鎖中の窒素原子に付加した変性体であるエトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）、およびＰＦＮ−Ｐ２が挙げられる。
【０１２４】
（封止層）
光電変換素子は、封止層を含んでいてもよい。封止層は、例えば、基板から遠い方の電極側に設けることができる。封止層は、水分を遮断する性質（水蒸気バリア性）または酸素を遮断する性質（酸素バリア性）を有する材料により形成することができる。
【０１２５】
（光電変換素子の用途）
本実施形態の光電変換素子は、電極間に電圧を印加した状態で、透明または半透明の電極側から光を照射することにより、光電流を流すことができ、光検出素子（光センサー）として動作させることができる。また、光センサーを複数集積することによりイメージセンサーとして用いることもできる。
【０１２６】
また、本実施形態の光電変換素子は、光が照射されることにより、電極間に光起電力を発生させることができ、太陽電池として動作させることができる。太陽電池を複数集積することにより薄膜太陽電池モジュールとすることもできる。
【０１２７】
（光電変換素子の適用例）
本実施形態にかかる光電変換素子は、特に近赤外光波長域において大きな吸収を有し、可視光波長域の吸収が小さい式（１）または式（２）で表される化合物を活性層の材料として用いるので、近赤外光検出器として有用である。
【０１２８】
本実施形態の光電変換素子は、３Ｄイメージング、ＶＲ（仮想現実）、拡張現実（ＡＲ）、ＭＲ（混合現実）向けのデバイスに適用される光検出素子、イメージセンサーとして好適に用いることができる。
【０１２９】
＜光電変換素子の製造方法＞
本実施形態の光電変換素子の製造方法は、特に限定されない。本実施形態の光電変換素子は、既に説明した各構成要素を形成するにあたり選択された材料に好適な形成方法により製造することができる。
【０１３０】
（電極の形成方法）
電極の形成方法としては、従来公知の任意好適な形成方法を用いることができる。電極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、およびめっき法が挙げられる。
【０１３１】
（中間層の形成方法）
中間層の製造方法は、特に限定されない。中間層が、既に説明した無機材料または低分子材料により構成される場合には、真空蒸着法、真空加熱蒸着法などの材料に応じた任意好適な方法により形成することができる。
【０１３２】
また本実施形態の光電変換素子の中間層などの機能層が、溶媒に可溶である材料、特に高分子化合物により構成される場合には、インクを用いる塗布法によっても製造することができる。
【０１３３】
本実施形態の光電変換素子の製造方法において適用される塗布法は、材料と、溶媒とを含むインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程（ｉ）と、該塗膜から溶媒を除去する工程（ｉｉ）とを含む。以下、塗布法に含まれる工程（ｉ）および工程（ｉｉ）について説明する。
【０１３４】
工程（ｉ）
インクを塗布対象に塗布する方法としては、任意好適な塗布法を用いることができる。塗布法としては、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、インクジェット印刷法、ノズルコート法、またはキャピラリーコート法が好ましく、スリットコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法、またはバーコート法がより好ましく、スリットコート法またはスピンコート法がさらに好ましい。
【０１３５】
インクは、光電変換素子およびその製造方法に応じて選択された塗布対象に塗布される。インクは、光電変換素子の製造工程において、基板または光電変換素子が有する機能層上に塗布されうる。よって、インクの塗布対象は、製造される光電変換素子の層構成および層形成の順序によって異なる。例えば、光電変換素子が、基板／陽極／正孔輸送層／活性層／電子輸送層／陰極の層構成を有しており、より左側に記載された層が先に形成される場合（順積層構造）であって、正孔輸送層を塗布法により形成する場合には、インクの塗布対象は、陽極となる。また、例えば、光電変換素子が、基板／陰極／電子輸送層／活性層／正孔輸送層／陽極の層構成を有しており、より左側に記載された層が先に形成される場合（逆積層構造）であって、正孔輸送層を塗布法により形成する場合には、インクの塗布対象は、活性層となる。
【０１３６】
工程（ｉｉ）
インクの塗膜から、溶媒を除去する方法、すなわち塗膜から溶媒を除去して固化膜とする方法としては、任意好適な方法を用いることができる。溶媒を除去する方法の例としては、ホットプレートを用いて直接的に加熱する方法、熱風乾燥法、赤外線加熱乾燥法、フラッシュランプアニール乾燥法、減圧乾燥法などの乾燥法が挙げられる。
【０１３７】
塗布法により機能層を形成する工程は、前記工程（ｉ）および工程（ｉｉ）以外に、本発明の目的および効果を損なわないことを条件としてその他の工程を含んでいてもよい。
【０１３８】
インク
塗布法に用いられるインクは、溶液であってもよく、分散液、エマルション（乳濁液）、サスペンション（懸濁液）等の分散液であってもよい。本実施形態のインクは、所定の機能層形成用のインクであって、選択された機能性材料（ｐ型半導体材料および／またはｎ型半導体材料）と、溶媒とを含み得る。
【０１３９】
インクは、ｐ型半導体材料、ｎ型半導体材料を１種のみ含んでいてもよく、２種以上を任意の割合の組み合わせで含んでいてもよい。
【０１４０】
溶媒は、選択された材料に対する溶解性、乾燥条件に対応するための特性（沸点など）を考慮して選択すればよい。
溶媒は、置換基（例えば、アルキル基、ハロゲン原子）を有していてもよい芳香族炭化水素（以下、単に芳香族炭化水素という。）を含むことが好ましい。
【０１４１】
このような芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン（例、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン）、トリメチルベンゼン（例、メシチレン、１，２，４−トリメチルベンゼン（プソイドクメン））、ブチルベンゼン（例、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン）、メチルナフタレン（例、１−メチルナフタレン）、テトラリン、インダン、クロロベンゼンおよびジクロロベンゼン（ｏ−ジクロロベンゼン）が挙げられる。
【０１４２】
溶媒は１種のみの芳香族炭化水素を含んでいても、２種以上の芳香族炭化水素を含んでいてもよい。溶媒は、１種のみの芳香族炭化水素を含むことが好ましい。
【０１４３】
溶媒は、好ましくは、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン、プソイドクメン、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、インダン、クロロベンゼンおよびｏ−ジクロロベンゼンからなる群から選択される１種以上を含み、より好ましくは、ｏ−キシレン、プソイドクメン、テトラリン、クロロベンゼンまたはｏ−ジクロロベンゼンを含む。
【０１４４】
溶媒は、芳香族炭化水素以外の溶媒をさらに含んでいてもよい。このような溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、プロピオフェノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸フェニル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジル等のエステル溶媒が挙げられる。
【０１４５】
インクは、溶媒、ｐ型半導体材料、ｎ型半導体材料の他に、本発明の目的および効果を損なわない限度において、紫外線吸収剤、酸化防止剤、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するためのため増感剤、紫外線に対する安定性を増すための光安定剤といった任意の成分を含んでいてもよい。
【０１４６】
インクの調製
インクは、公知の方法により調製することができる。例えば、選択された複数種類の溶媒を混合して混合溶媒を調製し、混合溶媒に既に説明した材料を添加して混合し、材料を溶解または分散させることにより、調製することができる。溶媒と材料とを、溶媒の沸点以下の温度で加温して混合してもよい。
【０１４７】
溶媒および材料とを混合した後、得られた混合物をフィルターを用いてろ過し、得られたろ液をインクとして用いてもよい。フィルターとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂で形成されたフィルターを用いることができる。
【０１４８】
（活性層の形成方法）
本実施形態の光電変換素子の活性層は、ｐ型半導体材料として、式（１）または式（２）で表される化合物と、ｎ型半導体材料として、フラーレンを用いて製造することが好ましい。
【０１４９】
活性層の形成方法としては、従来公知の任意好適な形成方法を用いることができる。活性層は、既に説明した中間層の形成方法と同様の塗布法により形成してもよい。
【０１５０】
活性層の形成方法としては、従来公知の任意好適な形成方法を用いることができる。既に説明した材料を用いて形成される本実施形態の活性層の好適な形成方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子線加熱蒸着法などの真空蒸着法が挙げられる。本実施形態の光電変換素子の活性層は、より具体的には、式（１）または式（２）で表される化合物およびフラーレンを用いて、これらを同時に真空蒸着する共蒸着法またはフラッシュ蒸着法により形成することが好ましい。
【実施例】
【０１５１】
以下、本発明にかかる実施例について説明する。本発明は下記の実施例に限定されない。
【０１５２】
（Ｉ）ＮＭＲ分析
ＮＭＲ測定は、測定対象となる化合物を重クロロホルムに溶解させたサンプルを用いて、ＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ社製４００ＭＨｚＮＭＲ装置、ＪＮＭ-ＥＣＺ４００Ｓ/Ｌ１）により実施した。
（ＩＩ）ＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル分析
測定対象となる化合物５ｍｇをクロロホルム０．９９５ｇに溶解させ、溶解液Iを得た。得られた溶解液０．１６ｇとクロロホルム０．８４ｇとを混合した混合溶液IIを得た。得られた混合溶液Ｉ０．１ｇとクロロホルム４．９ｇとを混合した混合溶液IIIを測定溶液とした。
測定装置（Ｖａｒｉａｎ社製  Ｃａｒｙ  ５Ｅ  ＵＶ−ＶＩＳ―ＮＩＲ  Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、測定溶液の３００−１２００ｎｍの吸収スペクトルを測定した。得られたスペクトルを、溶液吸収スペクトルと称する。
溶解液Iを、スピンコート法により、ガラス基板上に成膜し、測定サンプルを得た。測定装置（Ｖａｒｉａｎ社製  Ｃａｒｙ  ５Ｅ  ＵＶ−ＶＩＳ―ＮＩＲ  Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、測定サンプルの３００−１２００ｎｍの吸収スペクトルを測定した。得られたスペクトルを成膜吸収スペクトルと称する。
【０１５３】
＜実施例１＞（化合物Ｐ−１の合成）
スクアリン酸の代わりにクロコン酸を用い、直鎖状カルボニル化合物の代わりに環状カルボニル化合物を用いた以外は、Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｐｉｇｍｅｎｔｓ  １５４  （２０１８）  ２１６−２２８．の記載を参考にして、下記のスキームに従って、化合物Ｐ−１を合成した。
【０１５４】
【化１４】
2020083867.tif 000015
【０１５５】
具体的には、１，８−ジアミノナフタレン０．７９１ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、１−テトラロン０．７６５ｇ（５．２５ｍｍｏｌ）およびトルエン−４−スルホン酸一水和物０．０９５ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）を、１−プロパノール１０ｍＬに加えて、２時間加熱還流し、その後、溶媒である１−プロパノールを減圧留去した。
【０１５６】
次いで、得られた残渣を少量のトルエンに溶解したトルエン溶液に対して、シリカゲルを用いてろ過を行った。着色不純物がシリカゲルに吸着され、着色不純物が除去されたトルエン溶液が得られた。得られたトルエン溶液からトルエンを減圧留去して、茶色固形物  １．５０ｇ（５．０２ｍｍｏｌ）を定量的に得た。
【０１５７】
続いて、得られた茶色固形物を全量１．５０ｇ（５．０２ｍｍｏｌ）と、クロコン酸０．３５７ｇ（２．５１ｍｍｏｌ）とを、１−プロパノール１２．６ｍＬとトルエン６．３ｍＬとの混合溶媒に加えて２時間加熱還流した。反応液を常温まで放冷した後をろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄した。洗浄後の固体を５０℃で真空乾燥することにより、茶色の粉末のｐ型半導体材料である化合物Ｐ−１を１．２１ｇ（２工程通しての収率７１．２％））得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＤＭＦ−ｄ７）：１０．９−１０．１（ｂｒｓ、−ＮＨ−）、１０．１−９．４（ｂｒｓ、−ＮＨ−）、８．８―８．２（ｂｒ，芳香環）、８．２−６．０（ｂｒ，芳香環）、４．０−２．５（ｂｒ，−ＣＨ２−）、２．５−１．５（ｂｒ，−ＣＨ２−）。
【０１５８】
＜実施例２＞化合物Ｐ−２の合成
スクアリン酸の代わりにクロコン酸を用い、直鎖状カルボニル化合物の代わりに環状カルボニル化合物を用いたこと以外は、Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｐｉｇｍｅｎｔｓ  １５４  （２０１８）  ２１６−２２８．の記載を参考にして、下記のスキームに従って化合物Ｐ−２を合成した。
【０１５９】
【化１５】
2020083867.tif 000016
【０１６０】
具体的には、１，８−ジアミノナフタレン０．７９１ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、２−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキサン−１−オン０．８１０ｇ（５．２５ｍｍｏｌ）、トルエン−４−スルホン酸一水和物０．０９５ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）を、１−プロパノール１０ｍＬに加えて２時間加熱還流した。次いで、溶媒である１−プロパノールを減圧留去した。得られた残渣を少量のトルエンに溶解し、シリカゲル５ｇでろ過を行った。トルエン５５ｍＬで溶出させることで着色不純物がシリカゲルに吸着され、着色不純物が除去されたトルエン溶液が得られた。得られたトルエン溶液からトルエンを減圧留去することにより、茶色の固体である油状成分１．４９７ｇ（５．０４ｍｍｏｌ）を定量的に得た。
【０１６１】
続いて、得られた固体である油状成分１．４９７ｇ（５．０４ｍｍｏｌ）と、クロコン酸０．３５８ｇ（２．５２ｍｍｏｌ）とを、１−プロパノール１２．６ｍＬとトルエン６．３ｍＬとの混合溶媒に加え、２時間加熱還流した。反応液を常温に放冷した後、ろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄した。洗浄後の固体を５０℃で真空乾燥することにより、茶色の粉末のｐ型半導体材料である化合物Ｐ−２を１．６２ｇ（収率９３．０％）得た。
【０１６２】
＜実施例３＞化合物Ｐ−３の合成
スクアリン酸の代わりにクロコン酸を用い、直鎖状カルボニル化合物の代わりに環状カルボニル化合物を用いた以外は、Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｐｉｇｍｅｎｔｓ  １５４  （２０１８）  ２１６−２２８．の記載を参考にして、下記のスキームに従って、化合物Ｐ−３を合成した。
【０１６３】
【化１６】
2020083867.tif 000017
【０１６４】
具体的には、１，８−ジアミノナフタレン０．７９１ｇ（５．００ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン−１−オン０．８１０ｇ（５．２５ｍｍｏｌ）およびトルエン−４−スルホン酸一水和物０．０９５ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）を１−プロパノール１０ｍＬに加え、１時間加熱還流した。溶媒である１−プロパノールを減圧留去した。得られた残渣を少量のトルエンに溶解しシリカゲル５ｇでろ過を行った。トルエン５５ｍＬで溶出させることで着色不純物がシリカゲルに吸着され、着色不純物が除去されたトルエン溶液が得られた。得られたトルエン溶液からトルエンを減圧留去することにより桃色の固体である油状成分１．３８４ｇ（収率９３．６％）を得た。
【０１６５】
続いて、得られた固体である油状成分１．３８４ｇ（４．７０ｍｍｏｌ）と、クロコン酸０．３３４ｇ（２．３５ｍｍｏｌ）とを、１−プロパノール１１．８ｍＬとトルエン５．９ｍＬとの混合溶媒に加え、２時間加熱還流した。得られた反応液を常温に放冷した後ろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄した。洗浄された固体を５０℃で真空乾燥することにより、茶色の粉末のｐ型半導体材料である化合物Ｐ−３を１．０３ｇ（収率６３．５％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＤＭＦ−ｄ７）：１０．１−９．５（ｂｒｓ，−ＮＨ−），８．５―６．１（ｂｒ，芳香環），８．２−６．０（ｂｒ，芳香環），２．１−１．１（ｂｒ，アルキル部分）。
【０１６６】
＜比較例１＞化合物ＣＰ−１の合成
スクアリン酸の代わりにクロコン酸を用いたこと以外は、Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｐｉｇｍｅｎｔｓ  １５４  （２０１８）  ２１６−２２８．を参考にして、下記のスキームに従って、化合物ＣＰ−１を合成した。
【０１６７】
【化１７】
2020083867.tif 000018
【０１６８】
具体的には、１，８−ジアミノナフタレン３．１６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、３−ペンタノン１．８１ｇ（２１．０ｍｍｏｌ）、およびトルエン―４−スルホン酸一水和物０．３８０ｇ（２．０ｍｍｏｌ）を１−プロパノール４０ｍＬに加え、２時間加熱還流した。溶媒である１プロパノールを減圧留去した。得られた残渣をトルエン８ｍＬに溶解しシリカゲル２０ｇでろ過を行った。トルエン２２０ｍＬで溶出させることで着色不純物がシリカゲルに吸着され、着色不純物が除去されたトルエン溶液が得られた。得られたトルエン溶液からトルエンを減圧留去することで、茶色の固体である油状成分４．６７ｇ（２０．１１ｍｍｏｌ）を定量的に得た。
【０１６９】
続いて、得られた固体である油状成分４．６７ｇ（２０．１１ｍｍｏｌ）と、クロコン酸１．４３ｇ（１０．０５ｍｍｏｌ）とを、１−プロパノール５０ｍＬとトルエン２５ｍＬとの混合溶媒に加え、２時間加熱還流した。反応液を常温に放冷した後ろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄した。洗浄された固体を、５０℃で真空乾燥することにより、黒茶色の粉末のｐ型半導体材料である化合物ＣＰ−１を３．８７ｇ（収率６８．９％）得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：１０．２−９．５（ｂｒ、−ＮＨ−）、７．７−６．３（ｂｒ、Ａｒ）、２．６―２．2（ｂｒ、−ＣＨ２−）、１．１−０．６（ｂｒ，−ＣＨ３）。
【０１７０】
＜実施例４＞（化合物Ｐ−２２の合成）
クロコン酸の代わりにスクアリン酸を用いた以外は、実施例１と同等の方法にて、下記のスキームに従って、化合物Ｐ−２２を合成した。
【０１７１】
【化１８】
2020083867.tif 000019
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：
１０．５（ｂｒｓ、−ＮＨ−）、７．９−６．９（ｍ、芳香環）、６．８（ｄｄ，芳香環）、６．５（ｄ，芳香環）、２．５−１．５（ｍ，−ＣＨ２−）。
【０１７２】
（ＩＩ）に記載の方法に従って、化合物Ｐ−２２の溶液吸収スペクトルおよびＰ−２２の成膜吸収スペクトルを測定した。その結果を図１に示す。
【０１７３】
＜合成例１＞（化合物Ｐ−２３の合成）
クロコン酸の代わりにスクアリン酸を用いた以外は、実施例２と同等の方法にて、下記のスキームに従って、化合物Ｐ−２３を合成した。
【０１７４】
【化１９】
2020083867.tif 000020
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：
１０．４−９．８（ｂｒ、−ＮＨ−）、８．２−６．４（ｍ、芳香環）、２．５−０．６（ｍ，脂肪族）。
【０１７５】
（ＩＩ）に記載の方法に従って、化合物Ｐ−２３の溶液吸収スペクトルおよびＰ−２３の成膜吸収スペクトルを測定した。その結果を図２に示す。
【０１７６】
＜合成例２＞（化合物Ｐ−２４の合成）
クロコン酸の代わりにスクアリン酸を用いた以外は、実施例３と同等の方法にて、下記のスキームに従って、化合物Ｐ−２４を合成した。
【０１７７】
【化２０】
2020083867.tif 000021
１Ｈ−ＮＭＲ（ｐｐｍ，ＤＭＳＯ−ｄ６）：
１０．５−１０．２（ｂｒ、−ＮＨ−）、７．９−６．４（ｍ、芳香環）、２．４−１．０（ｍ，脂肪族）、０．９１（ｓ,−ＣＨ３）。
【０１７８】
（ＩＩ）に記載の方法に従って、化合物Ｐ−２４の溶液吸収スペクトルおよびＰ−２４の成膜吸収スペクトルを測定した。その結果を図３に示す。
【０１７９】
＜化合物Ｐ−１〜化合物Ｐ−３、化合物Ｐ−２２〜化合物Ｐ−２４、および化合物ＣＰ−１の熱分析＞
化合物Ｐ−１〜化合物Ｐ−３、化合物Ｐ−２２〜化合物Ｐ−２４、および化合物ＣＰ−１についてＴＧ−ＤＴＡ（示差熱分析）による耐熱性評価を行った。結果を表１に示す。
【０１８０】
ＴＧ−ＤＴＡ装置として「熱分析装置ＴＧ―ＤＴＡ６３００」（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）を用いた。窒素雰囲気下、２５℃から５００℃まで毎分１０℃の速度で昇温し、重量減少が５％に達する温度を測定した。昇温することにより化合物が分解され、化合物の重量が減少する。重量減少が５％に達する温度が高いほど、耐熱性に優れる。
【０１８１】
【化２１】
2020083867.tif 000022
【０１８２】
【表１】
2020083867.tif 000023
【０１８３】
実施例４、合成例１および合成例２で得られた化合物は、で温度変化に伴う重量減少が抑制でき、耐熱性が向上した。
実施例４、合成例１および合成例２で得られた化合物は、近赤外光波長域に強い吸収を示し、可視光波長域に相対的に小さな吸収を示した。
【０１８４】
＜実施例５＞
（近赤外光電変換素子の製造）  
上記合成例１により得られた化合物Ｐ−１を用いて近赤外光電変換素子を製造する。本実施例では、陽極、正孔輸送層（電子ブロック層）、活性層、電子輸送層（ホールブロック層）および陰極を含む。
【０１８５】
具体的には、ＩＴＯ層が設けられたガラス基板のうちのＩＴＯ層をパターニングして陽極としたガラス基板を準備し、アセトン超音波洗浄、次いでＵＶオゾン洗浄を行う。
次に、ポリエチレンイミンを含む溶液を用いて、スピンコート法により当該溶液を、陽極が設けられている側に塗布し、塗布膜を加熱乾燥することにより、正孔輸送層を形成する。  
【０１８６】
次いで、正孔輸送層上に、上記実施例１により得られた化合物Ｐ−１とｎ型半導体材料であるＣ６０フラーレンとを真空加熱蒸着法により共蒸着して、活性層を形成する。  
【０１８７】
次に、活性層上に、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を真空加熱蒸着法により蒸着して、電子輸送層を形成する。
【０１８８】
次いで、電子輸送層上に、Ａｇを蒸着法により蒸着して陰極を形成することにより、近赤外光電変換素子を製造する。
【０１８９】
陰極の形成後、上記各層を具備するガラス基板を大気に暴露することなくグローブボックス中に移送し、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂を塗布したガラス板を貼り合わせ、ＵＶ光を照射することにより、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂を硬化して、近赤外光電変換素子を封止する。
【０１９０】
（近赤外光電変換素子の評価）
近赤外光波長領域における光電変換特性を評価するために、近赤外光電変換素子の分光感度を分光感度測定装置（分光計器社製  、ＣＥＰ２０００）を用いて評価する。
【０１９１】
＜実施例６＞
（近赤外光電変換素子の製造）  
上記実施例１により得られた化合物Ｐ−１を用いて近赤外光電変換素子を製造する。本実施例では、近赤外光電変換素子は、陽極、正孔輸送層、活性層、電子輸送層および陰極を含む。
【０１９２】
具体的には、ＩＴＯ層が設けられているガラス基板のうちのＩＴＯ層をパターニングして陽極をとしたガラス基板を準備し、アセトン超音波洗浄、次いでＵＶオゾン洗浄を行う。
【０１９３】
次に、ポリエチレンイミンの溶液を用いて、スピンコート法により当該溶液を、陽極が設けられている側に塗布し、塗布膜を加熱乾燥することにより、正孔輸送層を形成する。
【０１９４】
次いで、正孔輸送層上に、上記実施例１により得られた化合物Ｐ−１とｎ型半導体材料であるＣ６０ＰＣＢＭとを重量比を１：３（ｐ型半導体材料：ｎ型半導体材料）としてクロロホルムに溶解させた溶液を、スピンコート法により塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を加熱乾燥することにより活性層を形成する。  
【０１９５】
次に、活性層上に、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を、真空加熱蒸着法により蒸着して、電子輸送層を形成する。
【０１９６】
次いで、電子輸送層上に、Ａｇを蒸着法により蒸着して陰極を形成することにより、近赤外光電変換素子を製造する。
【０１９７】
陰極の形成後、上記各層を具備するガラス基板を大気に暴露することなくグローブボックス中に移送し、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂を塗布したガラス板を貼り合わせ、ＵＶ光を照射することにより、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂を硬化して、近赤外光電変換素子を封止する。  
【０１９８】
（近赤外光電変換素子の評価）
近赤外光波長領域における光電変換促成を評価するために、近赤外光電変換素子の分光感度を分光感度測定装置（分光計器社製、  ＣＥＰ２０００）を用いて評価する。
【０１９９】
＜実施例７＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記実施例２で得られた化合物Ｐ−２を用いた以外は、実施例５と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
＜実施例８＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記実施例２で得られた化合物Ｐ−２を用いた以外は、実施例６と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２００】
＜実施例９＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記実施例３で得られた化合物Ｐ−３を用いた以外は、実施例５と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０１】
＜実施例１０＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記合成例３で得られた化合物Ｐ−３を用いた以外は、実施例６と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
＜実施例１１＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記実施例４で得られた化合物Ｐ−２２を用いた以外は、実施例５と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０２】
＜実施例１２＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記実施例４で得られた化合物Ｐ−２２を用いた以外は、実施例６と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０３】
＜実施例１３＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記合成例１で得られた化合物Ｐ−２３を用いた以外は、実施例５と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０４】
＜実施例１４＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記合成例１で得られた化合物Ｐ−２３を用いた以外は、実施例６と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０５】
＜実施例１５＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記合成例２で得られた化合物Ｐ−２４を用いた以外は、実施例５と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０６】
＜実施例１６＞
（近赤外光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記合成例２で得られた化合物Ｐ−２４を用いた以外は、実施例６と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０７】
＜比較例２＞
（光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記比較合成例１で得られた化合物ＣＰ−１を用いた以外は、実施例５と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０８】
＜比較例３＞
（光電変換素子の製造および評価）
化合物Ｐ−１の代わりに、上記比較合成例１で得られた化合物ＣＰ−１を用いた以外は、実施例６と同様にして、近赤外光電変換素子を製造し、評価する。
【０２０９】
実施例５〜１６の近赤外光電変換素子は、比較例２および３の近赤外光電変換素子と比較して、８００ｎｍ以上の近赤外波長領域における光電変換効率に優れ、可視光領域において光電変換効率が低下する。
【図１】
2020083867.tif 000026
【図２】
2020083867.tif 000027
【図３】
2020083867.tif 000028