(57)【要約】【課題】表示品位の向上が可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１方向に、順に並んだ第１信号線乃至第３信号線と、前記第１方向に交差する第２方向に、順に並んだ第１走査線乃至第３走査線と、を備え、前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第１走査線と前記第２走査線との間において、前記第２方向に対して傾いた第３方向に延出した第１傾斜部と、前記第２方向に対して傾いた第４方向に延出した第２傾斜部と、を有し、前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第２走査線と前記第３走査線との間において、前記第３方向に延出した第３傾斜部と、前記第４方向に延出した第４傾斜部と、を有し、前記第２走査線は、前記第１走査線より前記第３走査線に近接し、前記第２信号線は、前記第１信号線より前記第３信号線に近接している表示装置。【選択図】      図４
2020091317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に、順に並んだ第１信号線乃至第３信号線と、
前記第１方向に交差する第２方向に、順に並んだ第１走査線乃至第３走査線と、を備え、
前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第１走査線と前記第２走査線との間において、前記第２方向に対して傾いた第３方向に延出した第１傾斜部と、前記第２方向に対して傾いた第４方向に延出した第２傾斜部と、を有し、
前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第２走査線と前記第３走査線との間において、前記第３方向に延出した第３傾斜部と、前記第４方向に延出した第４傾斜部と、を有し、
前記第２走査線は、前記第１走査線より前記第３走査線に近接し、
前記第２信号線は、前記第１信号線より前記第３信号線に近接している、
表示装置。
【請求項２】
前記第２走査線及び前記第２信号線によって制御される第１副画素と、
前記第２走査線及び前記第３信号線によって制御される第２副画素と、
前記第３走査線及び前記第２信号線によって制御される第３副画素と、
前記第３走査線及び前記第３信号線によって制御される第４副画素と、を備え、
前記第１副画素及び前記第３副画素は、それぞれ前記第１方向において第１幅を有し、
前記第２副画素及び前記第４副画素は、それぞれ前記第１方向において前記第１幅より短い第２幅を有し、
前記第１副画素及び前記第２副画素は、それぞれ前記第２方向において第１長さを有し、
前記第３副画素及び前記第４副画素は、それぞれ前記第２方向において前記第１長さより短い第２長さを有している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１副画素は、前記第１傾斜部及び前記第２傾斜部に並行する第１線状電極を備え、
前記第２副画素は、前記第１傾斜部及び前記第２傾斜部に並行する第２線状電極を備え、
前記第３副画素は、前記第３傾斜部及び前記第４傾斜部に並行する第３線状電極を備え、
前記第４副画素は、前記第３傾斜部及び前記第４傾斜部に並行する第４線状電極を備えている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１走査線及び前記第３走査線の各々は、前記第１方向に対して傾いた第５方向に延出した第１斜部と、前記第１方向に対して傾いた第６方向に延出した第２斜部と、を有し、
前記第１斜部は前記第１信号線と交差し、
前記第２斜部は前記第３信号線と交差している、
請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
さらに、それぞれ前記第１走査線乃至前記第３走査線の一の走査線に重畳し前記第２方向に並んだ複数の第１部分を有する遮光層を備え、
前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第２傾斜部と前記第３傾斜部との間に、直線部を有し、
前記第２方向において、各々の前記第１部分の幅は、各々の前記直線部の長さより小さい、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
さらに、それぞれ前記第１走査線乃至前記第３走査線の一の走査線に重畳し前記第１方向に延出する複数の第１部分を有する遮光層を備え、
前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第２傾斜部と前記第３傾斜部との間に、直線部を有し、
前記第２方向において、各々の前記第１部分の幅は、各々の前記直線部の長さより大きい、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記遮光層は、前記第１副画素のための第１開口と、前記第２副画素のための第２開口と、前記第３副画素のための第３開口と、前記第４副画素のための第４開口と、を有し、
前記第２方向において、
前記第２開口の長さは、前記第１開口の長さより大きく、
前記第４開口の長さは、前記第３開口の長さより小さい、
請求項５または６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている。これらの表示装置においては、例えば赤色、緑色及び青色を含む複数の副画素の光を合成することでカラー表示を可能としている。  
各副画素の光の合成により得られる色度は、例えば副画素の境界に配置される遮光層（ブラックマトリクス）の開口率や、各副画素に配置されるカラーフィルタの明度によって調整することができる。しかしながら、開口率やカラーフィルタの明度を下げた副画素においては輝度のロスが発生するので、省電力化の観点からは望ましくない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１６／０１７８９８１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
第１方向に、順に並んだ第１信号線乃至第３信号線と、前記第１方向に交差する第２方向に、順に並んだ第１走査線乃至第３走査線と、を備え、前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第１走査線と前記第２走査線との間において、前記第２方向に対して傾いた第３方向に延出した第１傾斜部と、前記第２方向に対して傾いた第４方向に延出した第２傾斜部と、を有し、前記第１信号線乃至前記第３信号線の各々は、前記第２走査線と前記第３走査線との間において、前記第３方向に延出した第３傾斜部と、前記第４方向に延出した第４傾斜部と、を有し、前記第２走査線は、前記第１走査線より前記第３走査線に近接し、前記第２信号線は、前記第１信号線より前記第３信号線に近接している、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。
【図３】図３は、上記実施形態における画素レイアウトの第１構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図であり、複数の走査線、複数の信号線、複数の半導体層、及び複数の画素電極を示す図である。
【図５】図５は、図３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図であり、複数の走査線、複数の信号線、及び遮光層を示す図である。
【図６】図６は、上記実施形態における画素レイアウトの第２構成例を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図であり、複数の走査線、複数の信号線、及び複数の画素電極を示す図である。
【図８】図８は、図６に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図であり、複数の走査線、複数の信号線、及び遮光層を示す図である。
【図９】図９は、上記実施形態における画素レイアウトの第３構成例を示す平面図である。
【図１０】図１０は、上記実施形態の実施例１に係る走査線、信号線、及び遮光層を示す拡大平面図であり、図９に示した不整合点における信号線の形状の第１調整方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、上記実施形態の実施例２に係る走査線、信号線、及び遮光層を示す拡大平面図であり、図９に示した不整合点における信号線の形状の第２調整方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、上記実施形態の実施例３に係る走査線、信号線、及び遮光層を示す拡大平面図であり、図９に示した不整合点における信号線の形状の第３調整方法を説明するための図である。
【図１３】図１３は、上記実施形態における画素レイアウトの第４構成例を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図であり、複数の走査線、複数の信号線、複数の半導体層、及び複数の画素電極を示す図である。
【図１５】図１５は、図１３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図であり、複数の走査線、複数の信号線、及び遮光層を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。
【０００９】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す斜視図である。図１に示すように、一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう向きを「上側」（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう向きを「下側」（あるいは、単に下）と称する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよいし、第１部材から離れていてもよい。また、方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【００１０】
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、ＩＣチップ２と、バックライトユニットＢＬとを備えている。バックライトユニットＢＬは、表示パネルＰＮＬの背面に対向しており、表示パネルＰＮＬを照明する。例えば、表示装置ＤＳＰは、バックライトユニットＢＬからの光を画像表示に利用する透過型の液晶表示装置である。
【００１１】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ−Ｙ平面と平行な平板状に形成されている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、平面視で重畳している。  
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡ以外の非表示領域ＮＤＡと、表示領域ＤＡに設けられた複数の副画素ＳＰと、を備えている。ここでは、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側に位置し、表示領域ＤＡを囲む額縁状の形状を有している。表示領域ＤＡは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２が重畳している領域に位置している。非表示領域ＮＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２が重畳しない領域を有している。第１基板ＳＵＢ１は、複数の走査線Ｇと、複数の信号線Ｓと、各走査線Ｇが接続されたゲートドライバＧＤと、各信号線Ｓが接続されたソースドライバＳＤと、を備えている。複数の走査線Ｇは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。複数の信号線Ｓは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。
【００１２】
副画素ＳＰは、例えば、隣り合う２本の走査線Ｇと隣り合う２本の信号線Ｓで区画された領域に相当する。第１基板ＳＵＢ１は、複数のスイッチング素子ＳＷ及び複数の画素電極ＰＥを備えている。単個のスイッチング素子ＳＷ及び単個の画素電極ＰＥは、各々の副画素ＳＰを構成している。さらに、第１基板ＳＵＢ１は、表示領域ＤＡの全体に亘って延在する共通電極ＣＥを備えている。共通電極ＣＥは、複数の副画素ＳＰで共用されている。
【００１３】
第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２と重畳していない部分である延出部Ｅｘを有している。配線基板１は、延出部Ｅｘに連結され、延出部Ｅｘに物理的に固定され、ゲートドライバＧＤ、ソースドライバＳＤ等に電気的に接続されている。配線基板１は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。ＩＣチップ２は、配線基板１に実装されている。ＩＣチップ２は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップ２は、延出部Ｅｘに実装されていてもよい。配線基板１及びＩＣチップ２は、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能している。
【００１４】
図２は、表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡを示す断面図である。図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、絶縁性を有する透明な基板１０と、絶縁層１１乃至１４と、第１配向膜ＡＬ１とを備えている。スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣと、中継電極ＲＥとを備えている。
【００１５】
基板１０は、主面（下面）１０Ａと、主面１０Ａの反対側の主面（上面）１０Ｂと、を備えている。半導体層ＳＣは、主面１０Ｂに形成されている。絶縁層１１は、半導体層ＳＣ及び主面１０Ｂを覆っている。走査線Ｇは、絶縁層１１の上に形成されている。絶縁層１２は、走査線Ｇ及び絶縁層１１を覆っている。信号線Ｓ及び中継電極ＲＥは、絶縁層１２の上に形成されている。信号線Ｓ及び中継電極ＲＥはそれぞれ、絶縁層１１及び１２を貫通する貫通孔を介して、半導体層ＳＣと電気的に接続されている。絶縁層１３は、信号線Ｓ、中継電極ＲＥ、及び絶縁層１２を覆っている。共通電極ＣＥは、絶縁層１３の上に形成されている。絶縁層１４は、絶縁層１３及び共通電極ＣＥを覆っている。画素電極ＰＥは、絶縁層１４の上に形成され、スリットＳＬを有している。画素電極ＰＥは、絶縁層１３及び１４を貫通する貫通孔を介して、中継電極ＲＥと電気的に接続されている。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び絶縁層１４を覆っている。
【００１６】
第２基板ＳＵＢ２は、絶縁性を有する透明な基板２０と、遮光層ＢＭと、カラーフィルタＣＦと、オーバーコート層ＯＣと、第２配向膜ＡＬ２と、を備えている。基板２０は、主面（下面）２０Ａと、主面２０Ａの反対側の主面（上面）２０Ｂと、を備えている。基板２０の主面２０Ａは、基板１０の主面１０Ｂと向かい合っている。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、主面２０Ａに配置されている。カラーフィルタＣＦは、複数色の着色層を有している。遮光層ＢＭは、走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び中継電極ＲＥと対向している。カラーフィルタＣＦは、遮光層ＢＭ及び主面２０Ａを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
【００１７】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持され、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２とに接している。基板１０の主面１０Ａには第１偏光板ＰＬ１が配置され、基板２０の主面２０Ｂには第２偏光板ＰＬ２が配置されている。表示パネルＰＮＬの構造は図２の例に限られず、種々の構成を適用できる。
【００１８】
図３は、本実施形態における画素レイアウトの第１構成例を示す平面図である。図３に示すように、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ１と定義し、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｄ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｄ２とのなす角度θ２と実質的に同一である。また、第２方向Ｙの逆方向を方向ＲＹと定義する。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、画素ＰＸ１乃至ＰＸ４を含む複数の画素ＰＸを備えている。図３に示した例において、画素ＰＸ１は赤色の副画素ＳＰｒ１と緑色の副画素ＳＰｇ１とを含み、画素ＰＸ２は青色の副画素ＳＰｂ１と白色の副画素ＳＰｗ１とを含み、画素ＰＸ３は青色の副画素ＳＰｂ２と白色の副画素ＳＰｗ２とを含み、画素ＰＸ４は赤色の副画素ＳＰｒ２と緑色の副画素ＳＰｇ２とを含んでいる。
【００１９】
副画素ＳＰｒ１、副画素ＳＰｇ１、副画素ＳＰｂ２、及び副画素ＳＰｗ２は、この順に第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰｂ１、副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｒ２、及び副画素ＳＰｇ２は、この順に第１方向Ｘに並んでいる。副画素ＳＰｒ１と副画素ＳＰｂ１、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｂ２と副画素ＳＰｒ２、副画素ＳＰｗ２と副画素ＳＰｇ２の各々の副画素群は、第２方向Ｙに並んでいる。
【００２０】
表示領域ＤＡの全体においては、画素ＰＸ１乃至ＰＸ４にて構成される画素ユニットが、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配列されている。このような画素レイアウトにおいては、例えばサブピクセルレンダリング（ＳＰＲ）により、２色の副画素ＳＰで構成される各画素ＰＸ１乃至ＰＸ４をそれぞれフルカラー表示の１画素として利用し、高解像度の画像を表示することができる。
【００２１】
図３に示した例において、画素ＰＸ１乃至ＰＸ４の各々（副画素ＳＰの各々）は、それぞれ屈曲領域を有している。各々の屈曲領域は、第２方向Ｙから傾斜した領域であり、方向Ｄ１に延出した領域と、方向Ｄ２に延出した領域と、これらの領域の境界線と、を有している。画素ＰＸ１乃至ＰＸ４は、それぞれ境界線ＰＢ１乃至ＰＢ４を有している。これにより、画素ＰＸ１乃至ＰＸ４のそれぞれにおいて、マルチドメインの画素レイアウトを実現することができる。
【００２２】
副画素ＳＰｒ１、副画素ＳＰｇ１、副画素ＳＰｒ２、及び副画素ＳＰｇ２は、第２方向Ｙに長さＬ１１を有し、副画素ＳＰｂ１、副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｂ２、及び副画素ＳＰｗ２は、第２方向Ｙに長さＬ１２を有している。長さＬ１１は、長さＬ１２より大きい。副画素ＳＰｒ１，副画素ＳＰｂ１，副画素ＳＰｂ２、及び副画素ＳＰｒ２はそれぞれ第１方向Ｘに幅Ｗ２１を有し、副画素ＳＰｇ１、副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｗ２、及び副画素ＳＰｇ２は、第１方向Ｘに幅Ｗ２２を有している。幅Ｗ２２は、幅Ｗ２１より小さい。
【００２３】
このように、図３に示した画素レイアウトは、形状及びサイズが異なる複数の副画素ＳＰを含んでいる。図３に示した破線は、長さＬ１１と長さＬ１２とが等しく、かつ、幅Ｗ１１と幅Ｗ１２とが等しい場合における副画素ＳＰの境界である。副画素ＳＰｒ１と、副画素ＳＰｇ１と、副画素ＳＰｂ１と、副画素ＳＰｗ１とが接する交点Ｃ１は、白丸で示した位置から黒丸で示した位置に変位している。また、副画素ＳＰｂ２と、副画素ＳＰｗ２と、副画素ＳＰｒ２と、副画素ＳＰｇ２とが接する交点Ｃ２は、白丸で示した位置から黒丸で示した位置に変位している。  
ここで、図３に示したように、交点Ｃ１及びＣ２の第１方向Ｘにおける変位距離は、いずれもＢ１である。交点Ｃ１及びＣ２の第２方向Ｙにおける変位距離は、いずれもＡ１である。ただし、交点Ｃ１は第２方向Ｙに変位し、交点Ｃ２は方向ＲＹに変位している。境界線ＰＢ１乃至ＰＢ４の第２方向Ｙにおける変位距離は、Ａ１の略半分に相当するＡ２である。これにより、各々の副画素ＳＰにおいて、境界線ＰＢの上下のドメインの面積を実質的に同一に設定することができる。ただし、境界線ＰＢ１及びＰＢ２は第２方向Ｙに変位し、境界線ＰＢ３及びＰＢ４は方向ＲＹに変位している。このように、交点Ｃ１及びＣ２をずらすと、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｂ２の境界領域Ｘ１でこれら副画素の間に隙間が生じる。さらに、副画素ＳＰｗ１と副画素ＳＰｒ２の境界領域Ｘ２でこれら副画素の重なりが生じる。境界領域Ｘ２における重なりを解消すべく副画素ＳＰｒ２の形状を調整しており、副画素ＳＰｒ２の第１方向Ｘにおける幅は、幅Ｗ２１より小さい幅Ｗ２１ｂとなっている。なお、境界領域Ｘ１における隙間を解消すべく副画素ＳＰｂ２の形状を調整することを仮定した場合、副画素ＳＰｂ２の第１方向Ｘにおける幅は、幅Ｗ２１より大きい幅Ｗ２１ａとなり得る。
【００２４】
画素ＰＸ１は、交点Ｃ１を通る端部Ｅ１ａと、端部Ｅ１ａの反対側の端部Ｅ１ｂと、を有している。画素ＰＸ２は、交点Ｃ１を通る端部Ｅ２ｂと、端部Ｅ２ｂの反対側の端部Ｅ２ａと、を有している。画素ＰＸ３は、交点Ｃ２を通る端部Ｅ３ａと、端部Ｅ３ａの反対側の端部Ｅ３ｂと、を有している。画素ＰＸ４は、交点Ｃ２を通る端部Ｅ４ｂと、端部Ｅ４ｂの反対側の端部Ｅ４ａと、を有している。端部Ｅ１ａ、端部Ｅ１ｂ、端部Ｅ２ｂ、端部Ｅ２ａ、端部Ｅ３ａ、端部Ｅ３ｂ、端部Ｅ４ｂ、及び端部Ｅ４ａは第１方向Ｘに延出している。  
画素ＰＸ１と画素ＰＸ３との位置関係に注目する。端部Ｅ１ｂと端部Ｅ３ｂとは、第２方向Ｙにおいてずれていない。端部Ｅ１ａと端部Ｅ３ａとは、第２方向Ｙにおいて２×Ａ１ずれている。境界線ＰＢ１と境界線ＰＢ３は、第２方向ＹにおいてＡ１ずれている。  
画素ＰＸ２と画素ＰＸ４との位置関係に注目する。端部Ｅ２ａと端部Ｅ４ａとは、第２方向Ｙにおいてずれていない。端部Ｅ２ｂと端部Ｅ４ｂとは、第２方向Ｙにおいて２×Ａ１ずれている。境界線ＰＢ２と境界線ＰＢ４とは、第２方向ＹにおいてＡ１ずれている。
【００２５】
図４及び図５は、図３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図４においては複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ、複数の画素電極ＰＥ及び複数のスイッチング素子ＳＷ（半導体層ＳＣ）を示し、図５においては複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ及び遮光層ＢＭを示している。
【００２６】
図４に示すように、各副画素ＳＰにおいて、半導体層ＳＣは走査線Ｇと２回交差し、スイッチング素子ＳＷはダブルゲート構造のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。なお、スイッチング素子ＳＷは、半導体層ＳＣが走査線Ｇと１回交差しているシングルゲート構造のＴＦＴで構成されていてもよい。半導体層ＳＣは、接続位置Ｐ１で信号線Ｓに接続され、接続位置Ｐ２で画素電極ＰＥに接続されている。接続位置Ｐ２においては図２に示した中継電極ＲＥが画素電極ＰＥと半導体層ＳＣの間に介在するが、図４においては中継電極ＲＥの図示を省略している。各副画素ＳＰは、半導体層ＳＣが接続された信号線Ｓ及び走査線Ｇによって制御される。例えば、副画素ＳＰｒ１は信号線Ｓ２及び走査線Ｇ２によって制御され、副画素ＳＰｇ１は信号線Ｓ３及び走査線Ｇ２によって制御され、副画素ＳＰｂ１は信号線Ｓ２及び走査線Ｇ３によって制御され、副画素ＳＰｗ１は信号線Ｓ３及び走査線Ｇ３によって制御される。
【００２７】
画素電極ＰＥの電位は、画素電極ＰＥに接続された半導体層ＳＣと交差する走査線Ｇの電位の影響を受けて変動する。このように変動する電位差は、フィードスルー電圧と呼ばれる。フィードスルー電圧は、半導体層ＳＣと走査線Ｇとが交差する領域のチャネル幅が大きいほど大きくなり、チャネル幅が小さいほど小さくなる。また、フィードスルー電圧は、画素電極ＰＥのサイズが大きいほど小さくなり、画素電極ＰＥのサイズが小さいほど大きくなる。
【００２８】
各副画素ＳＰのフィードスルー電圧が異なると、同じ階調の映像信号が供給されても画素電位にばらつきが生じ得る。そこで、各副画素ＳＰのチャネル幅を調整することにより、フィードスルー電圧のばらつきを抑制してもよい。例えば、画素電極ＰＥのサイズが大きい副画素ＳＰｒ１、副画素ＳＰｒ２のチャネル幅を他の副画素ＳＰより大きくしてもよい。
【００２９】
信号線Ｓは、複数の直線部ＳＳと、複数の傾斜部Ｓｔ１乃至Ｓｔ４と、を有している。直線部ＳＳは、第２方向に延出している。傾斜部Ｓｔ１及びＳｔ３は、方向Ｄ１に延出している。傾斜部Ｓｔ２及びＳｔ４は、方向Ｄ２に延出している。傾斜部Ｓｔ１及びＳｔ２は、走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間に位置している。傾斜部Ｓｔ３及びＳｔ４は、走査線Ｇ２と走査線Ｇ３との間に位置している。傾斜部Ｓｔ１と傾斜部Ｓｔ２との間、及び、傾斜部Ｓｔ３と傾斜部Ｓｔ４との間には、直線部ＳＳは位置していない。信号線Ｓのうち各々の直線部ＳＳは、対応する走査線Ｇと交差している。走査線Ｇ２と交差する直線部ＳＳは、傾斜部Ｓｔ２と傾斜部Ｓｔ３との間に位置している。なお、傾斜部Ｓｔ１と傾斜部Ｓｔ２との間、及び、傾斜部Ｓｔ３と傾斜部Ｓｔ４との間に直線部ＳＳが位置してもよい。この場合、走査線Ｇ１が傾斜部Ｓｔ１と傾斜部Ｓｔ２との間に位置する直線部ＳＳと交差し、走査線Ｇ２が傾斜部Ｓｔ３と傾斜部Ｓｔ４との間に位置する直線部ＳＳと交差する構成も可能である。
【００３０】
図４に示した例において、第１方向Ｘに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ３と定義し、第１方向Ｘに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｄ４と定義する。なお、第１方向Ｘと方向Ｄ３とのなす角度θ３は、第１方向Ｘと方向Ｄ４とのなす角度θ４と実質的に同一である。走査線Ｇ１及びＧ３は直線部ＧＳを有し、走査線Ｇ２は複数の直線部ＧＳ、及び複数の斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３を有している。直線部ＧＳは第１方向Ｘに延出している。斜部Ｇｔ１及びＧｔ３は方向Ｄ３に延出し、斜部Ｇｔ２は方向Ｄ４に延出している。走査線Ｇ２において、斜部Ｇｔ１は信号線Ｓ１の直線部ＳＳと交差し、斜部Ｇｔ２は信号線Ｓ３の直線部ＳＳと交差し、斜部Ｇｔ３は信号線Ｓ５の直線部ＳＳと交差している。走査線Ｇ２のうち、一の直線部ＧＳは斜部Ｇｔ１と斜部Ｇｔ２とを接続し、別の直線部ＧＳは斜部Ｇｔ２と斜部Ｇｔ３とを接続している。走査線Ｇ２は、斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３を有しているため、走査線Ｇ１及びＧ３より配線長が長くなっている。
【００３１】
信号線Ｓ１と信号線Ｓ３との間において、走査線Ｇ１と走査線Ｇ２との間隔Ｄｉ１は、走査線Ｇ２と走査線Ｇ３との間隔Ｄｉ２より大きい。つまり、信号線Ｓ１と信号線Ｓ３との間において、走査線Ｇ２は、走査線Ｇ１よりも走査線Ｇ３に近接している。間隔Ｄｉ１及びＤｉ２は、第２方向Ｙの長さに相当する。信号線Ｓ１と信号線Ｓ２との間隔Ｄｉ３は、信号線Ｓ２と信号線Ｓ３との間隔Ｄｉ４より大きい。間隔Ｄｉ３及びＤｉ４は、第１方向Ｘに沿った長さに相当する。つまり、信号線Ｓ２は、信号線Ｓ１より信号線Ｓ３に近接している。
【００３２】
副画素ＳＰｒ１は画素電極ＰＥ１を備え、副画素ＳＰｇ１は画素電極ＰＥ２を備え、副画素ＳＰｂ１は画素電極ＰＥ３を備え、副画素ＳＰｗ１は画素電極ＰＥ４を備えている。画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ４は、それぞれ、複数の線状電極ＢＲと、隣り合う線状電極ＢＲの間の複数のスリットＳＬとを有している。画素電極ＰＥ１及びＰＥ３は５本の線状電極ＢＲと４つのスリットＳＬを有し、画素電極ＰＥ２及びＰＥ４は４本の線状電極ＢＲと３つのスリットＳＬを有しているが、線状電極ＢＲ及びスリットＳＬの数はこの例に限らない。画素電極ＰＥ１は、信号線Ｓ２の傾斜部Ｓｔ１及びＳｔ２に並行する線状電極ＢＲ１を備えている。画素電極ＰＥ２は、信号線Ｓ３の傾斜部Ｓｔ１及びＳｔ２に並行する線状電極ＢＲ２を備えている。画素電極ＰＥ３は、信号線Ｓ２の傾斜部Ｓｔ３及びＳｔ４に平行する線状電極ＢＲ３を備えている。画素電極ＰＥ４は、信号線Ｓ３の傾斜部Ｓｔ３及びＳｔ４に並行する線状電極ＢＲ４を備えている。
【００３３】
図５に示すように、遮光層ＢＭは、走査線Ｇ１乃至Ｇ３、及び信号線Ｓ１乃至Ｓ５に重畳している。遮光層ＢＭは、それぞれ複数の走査線Ｇの一の走査線に重畳し第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに並んだ複数の第１部分ＢＭ１と、それぞれ複数の信号線Ｓの一の信号線に重畳し第２方向Ｙに延出し第１方向Ｘに並び複数の第１部分ＢＭ１と交差し複数の第１部分ＢＭ１と一体に形成された複数の第２部分ＢＭ２と、を有している。走査線Ｇ１及びＧ３に重畳する各々の第１部分ＢＭ１は、直線部ＢＳを有している。走査線Ｇ２に重畳する第１部分ＢＭ１は、複数の直線部ＢＳ及び複数の傾斜部ＢＣを有している。各々の直線部ＢＳは、第１方向Ｘに延出し、各走査線Ｇの直線部ＧＳに重畳している。傾斜部ＢＣは、走査線Ｇ２の斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３にそれぞれ重畳している。副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｗ１との間の直線部ＢＳと副画素ＳＰｂ２と副画素ＳＰｒ２との間の直線部ＢＳとは、第２方向Ｙにおいてずれている。これら直線部ＢＳの間には、傾斜部ＢＣが位置している。走査線Ｇ１及びＧ３に重畳する各々の直線部ＢＳは、屈曲することなく第１方向Ｘに沿って延出している。
【００３４】
各々の第２部分ＢＭ２は、対応する信号線Ｓに重畳し、対応する信号線Ｓに沿って延出している。各々の第２部分ＢＭ２は、複数の屈曲部ＢＴを有している。各々の屈曲部ＢＴは、各々の信号線の傾斜部Ｓｔ１，Ｓｔ２に重畳し、又は傾斜部Ｓｔ３，Ｓｔ４に重畳している（図４）。遮光層ＢＭは、複数の開口Ａを有している。各々の開口Ａは、直線部ＢＳと屈曲部ＢＴとで囲われた領域に形成されている。遮光層ＢＭは、副画素ＳＰｒ１のための開口Ａｒ１、副画素ＳＰｇ１のための開口Ａｇ１、副画素ＳＰｂ１のための開口Ａｂ１、副画素ＳＰｗ１のための開口Ａｗ１，副画素ＳＰｒ２のための開口Ａｒ２、副画素ＳＰｇ２のための開口Ａｇ２、副画素ＳＰｂ２のための開口Ａｂ２、副画素ＳＰｗ２のための開口Ａｗ２を有している。それぞれの開口Ａは、カラーフィルタＣＦのうち、副画素ＳＰに対応する色の着色層と重畳する。ただし、白色の副画素ＳＰｗ１，ＳＰｗ２には、着色層の替わりに透明層が配置されていてもよく、透明層が配置されなくてもよい。
【００３５】
遮光層ＢＭは、図３に示した境界領域Ｘ１及びＸ２に重畳し、例えば境界領域Ｘ１における隙間を隠している。図５に示すように、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｂ２との間の屈曲部ＢＴの第１方向Ｘにおける幅Ｗ５１を、他の屈曲部ＢＴの幅Ｗ５０より大きくしてもよい。これにより、例えば副画素ＳＰｂ２の開口Ａｂ２のサイズを、同じ色の副画素ＳＰｂ１の開口Ａｂ１のサイズと同じにすることができる。また、副画素ＳＰｗ１と副画素ＳＰｒ２との間の屈曲部ＢＴの第１方向Ｘにおける幅Ｗ５２を、他の屈曲部ＢＴの幅Ｗ５０より小さくしてもよい。これにより、例えば副画素ＳＰｒ２の開口Ａｒ２のサイズを、同じ色の副画素ＳＰｒ１の開口Ａｒ１のサイズと同じにすることができる。
【００３６】
本実施形態によれば、赤色、青色、緑色及び白色の副画素ＳＰの合成色度を任意に調整することが可能である。図３に示したように交点Ｃ１及びＣ２を移動することができる。副画素ＳＰｗ１、副画素ＳＰｗ２が放つ白色を他の副画素ＳＰに比べて弱めることができ、表示装置の輝度ロスを抑制することができる。
【００３７】
図３に破線で示したように各色の副画素ＳＰが同じサイズである場合には、特定の副画素ＳＰで遮光層ＢＭの開口Ａの面積やカラーフィルタＣＦの明度を意図的に下げることで合成色度を調整する必要がある。この方法では、上記特定の副画素ＳＰにてバックライトユニットＢＬからの光の輝度のロスが生じる。これに対し、本実施形態のように各副画素ＳＰのサイズによって合成色度を調整する場合、遮光層ＢＭの開口Ａの面積やカラーフィルタＣＦの明度を下げることなく合成色度の調整が可能である。したがって、輝度のロスを抑制して、表示装置ＤＳＰの省電力化や表示品位の向上を実現できる。
【００３８】
上記に示した第１構成例において、走査線Ｇ１乃至Ｇ３は第１乃至第３走査線に相当し、信号線Ｓ１乃至Ｓ３は第１乃至第３信号線に相当し、傾斜部Ｓｔ１乃至Ｓｔ４は第１乃至第４傾斜部に相当し、方向Ｄ１は第３方向に相当し、方向Ｄ２は第４方向に相当し、方向Ｄ３は第５方向に相当し、方向Ｄ４は第６方向に相当し、副画素ＳＰｒ１は第１副画素に相当し、副画素ＳＰｇ１は第２副画素に相当し、副画素ＳＰｂ１は第３副画素に相当し、副画素ＳＰｗ１は第４副画素に相当し、幅Ｗ２１は第１幅に相当し、幅Ｗ２２は第２幅に相当し、長さＬ１１は第１長さに相当し、長さＬ１２は第２長さに相当し、線状電極ＢＲ１乃至ＢＲ４は第１乃至第４線状電極に相当している。
【００３９】
次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
図６は、本実施形態における画素レイアウトの第２構成例を示す平面図である。図６に示した画素レイアウトの第２構成例は、図３に示した画素レイアウトの第１構成例と比較し、画素ＰＸ３及び画素ＰＸ４を第２方向ＹにＡ１ずらした点で相違している。これにより、端部Ｅ１ａと端部Ｅ３ａとの第２方向Ｙにおけるずれは、図３の例におけるずれ量（２×Ａ１）よりも小さいＡ１に軽減される。また、端部Ｅ１ｂと端部Ｅ３ｂとは、第２方向ＹにおいてＡ１ずれている。端部Ｅ２ａと端部Ｅ４ａとは、第２方向ＹにおいてＡ１ずれている。
【００４０】
図７及び図８は、図６に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図７においては複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ、及び複数の画素電極ＰＥを示し、図８においては複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ、及び遮光層ＢＭを示している。  
図７及び図８に示すように、走査線Ｇ２は、図４の例と同じく、複数の直線部ＧＳと、斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３と、を有している。ただし、上記の通り端部Ｅ１ａと端部Ｅ３ａとの第２方向Ｙにおけるずれが本実施形態では小さいため、斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３の長さが図４の例と比較して小さい。  
さらに、走査線Ｇ１及びＧ３も、走査線Ｇ２と同じく、複数の直線部ＧＳと、斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３とを有している。これにより、各走査線Ｇの配線長が実質的に同じとなるので、各走査線Ｇの抵抗が均一化される。各走査線Ｇの斜部Ｇｔ１は信号線Ｓ１と交差し、各走査線Ｇの斜部Ｇｔ２は信号線Ｓ３と交差している。
【００４１】
図８において、遮光層ＢＭの各傾斜部ＢＣは、走査線Ｇ１の斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３、走査線Ｇ２の斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３、及び、走査線Ｇ３の斜部Ｇｔ１乃至Ｇｔ３のそれぞれに重畳している。  
上記に示した第２構成例においても、第１構成例と同様の効果が得られる。  
上記に示した第２構成例において、斜部Ｇｔ１は第１斜部に相当し、斜部Ｇｔ３は第２斜部に相当する。
【００４２】
図９は、本実施形態における画素レイアウトの第３構成例を示す平面図である。図９に示した画素レイアウトは、図６に示した画素レイアウトと比較し、画素ＰＸ１及びＰＸ４をそれぞれ矢印Ｑ１の方向（第１方向Ｘ）にずらしている。画素ＰＸ１及びＰＸ４をずらす距離は、例えばＡ１×ｔａｎφである。この角度φは、図９に示すように、各副画素ＳＰを第２方向Ｙに対して傾ける角度（シェブロン角）である。これにより、副画素ＳＰｒ１，副画素ＳＰｂ１，副画素ＳＰｒ２，副画素ＳＰｂ２の幅が、第２方向Ｙに対し傾斜した部分においていずれも幅Ｗ２１となる。画素ＰＸ１と画素ＰＸ２とが第１方向Ｘにおいてずれるため、副画素ＳＰｒ１と副画素ＳＰｂ１との第１方向Ｘに対向する両側辺、及び、副画素ＳＰｇ１と副画素ＳＰｗ１との第１方向Ｘに対向する両側辺が整合しない不整合点Ｎが生じる。同様に、画素ＰＸ３と画素ＰＸ４とが第１方向Ｘにおいてずれるため、副画素ＳＰｂ２と副画素ＳＰｒ２との第１方向Ｘに対向する両側辺、及び、副画素ＳＰｗ２と副画素ＳＰｇ２との第１方向Ｘに対向する両側辺が整合しない不整合点Ｎが生じる。不整合点Ｎにおいては、信号線Ｓを屈曲させるなどの調整が必要である。
【００４３】
次に、図１０乃至図１２を参照して、不整合点Ｎにおける信号線Ｓの形状の調整方法を説明する。これらの図においては、図９における副画素ＳＰｒ１、副画素ＳＰｇ１、副画素ＳＰｂ１、副画素ＳＰｗ１の境界に生じる不整合点Ｎに注目する。なお、図１０乃至図１２においての破線は、信号線Ｓの形状の調整を行わない場合の信号線Ｓの形状である。図１０乃至図１２において、不整合点Ｎは走査線Ｇに重畳しているが、重畳していなくてもよい。
【００４４】
図１０は、上記実施形態の実施例１に係る走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び遮光層ＢＭを示す拡大平面図であり、図９に示した不整合点Ｎにおける信号線Ｓの形状の第１調整方法を説明するための図である。図１０に示すように、傾斜部Ｓｔ２の傾斜終了点２Ｅ（傾斜部Ｓｔ２と直線部ＳＳとの接続位置）と、傾斜部Ｓｔ３の傾斜開始点３Ｓ（傾斜部Ｓｔ３と直線部ＳＳとの接続位置）とは、第１方向Ｘにおいてずれていない。傾斜終了点２Ｅは、破線で示す形状調整前の信号線Ｓよりも、傾斜開始点３Ｓから離れる方向に移動している。これにより、直線部ＳＳは、形状調整前に比べて、副画素ＳＰｒ１側に移動している。  
傾斜終了点２Ｅの位置を変更したことにより、直線部ＳＳの第２方向Ｙにおける長さＷＳが、破線で示す調整前の形状よりも大きくなる。第２方向Ｙにおいて、形状調整後の長さＷＳは、遮光層ＢＭの直線部ＢＳの幅ＷＢよりも大きい。信号線Ｓを実線で示したように配線することで、信号線Ｓを破線で示したたように配線した場合と比較して、信号線Ｓの全長を短くすることができる。
【００４５】
図１１は、上記実施形態の実施例２に係る走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び遮光層ＢＭを示す拡大平面図であり、図９に示した不整合点Ｎにおける信号線Ｓの形状の第２調整方法を説明するための図である。図１１に示すように、傾斜部Ｓｔ２の傾斜終了点２Ｅと、傾斜部Ｓｔ３の傾斜開始点３Ｓとは、第１方向Ｘにおいてずれていない。傾斜開始点３Ｓは、破線で示す形状調整前の信号線Ｓよりも、傾斜終了点２Ｅに近接する方向に移動している。  
傾斜開始点３Ｓの位置を変更したことにより、直線部ＳＳの第２方向Ｙにおける長さＷＳが、破線で示す調整前の形状よりも小さくなる。第２方向Ｙにおいて、形状調整後の長さＷＳは、遮光層ＢＭの直線部ＢＳの幅ＷＢよりも小さい。
【００４６】
図１２は、上記実施形態の実施例３に係る走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び遮光層ＢＭを示す拡大平面図であり、図９に示した不整合点Ｎにおける信号線Ｓの形状の第３調整方法を説明するための図である。図１２に示すように、傾斜部Ｓｔ２の傾斜終了点２Ｅと、傾斜部Ｓｔ３の傾斜開始点３Ｓとは、第１方向Ｘにおいてずれている。信号線Ｓは、傾斜部Ｓｔ２と傾斜部Ｓｔ３との間に、直線部ＳＳと、接続部ＳＣ１及びＳＣ２とを有している。直線部ＳＳは、直線部ＳＳ１と直線部ＳＳ２とを有している。直線部ＳＳ１は傾斜部Ｓｔ２に接続している。直線部ＳＳ２は、直線部ＳＳ１と傾斜部Ｓｔ３との間に位置している。破線で示す調整前の直線部ＳＳ１と直線部ＳＳ２とは、第１方向Ｘにおいてずれている。接続部ＳＣ１及びＳＣ２のそれぞれが、直線部ＳＳ１と直線部ＳＳ２とに接続されることによって、信号線Ｓの信頼性を高めることができ、配線抵抗の増大を抑制することができる。第２方向Ｙにおいて、形状調整後の長さＷＳは、遮光層ＢＭの直線部ＢＳの幅ＷＢと実質的に同一である。  
図９に示した複数の不整合点Ｎには、第１乃至第３調整方法のいずれかを統一的に適用してもよいし、第１乃至第３調整方法のうちの２つ以上を適用してもよい。  
上記した第３構成例においても、第２構成例と同様の効果が得られる。加えて、全ての信号線Ｓが不整合点Ｎを通るので、これら信号線Ｓの長さが揃う。これにより、信号線Ｓの抵抗も均一となり、良好な表示品位を得ることができる。
【００４７】
図１３は、本実施形態における画素レイアウトの第４構成例を示す平面図である。図１３に示した画素レイアウトは、図９に示した画素レイアウトと比較し、緑色の副画素ＳＰｇ１，副画素ＳＰｇ２を拡大し、白色の副画素ＳＰｗ１，副画素ＳＰｗ２を縮小している点で相違している。すなわち、副画素ＳＰｇ１は、隣の副画素ＳＰｒ１よりも第２方向Ｙに突出する拡大部分Ｅｘ１を有している。また、副画素ＳＰｇ２は、隣の副画素ＳＰｒ２よりも方向ＲＹに突出する拡大部分Ｅｘ２を有している。
【００４８】
図１４及び図１５は、図１３に示した画素レイアウトに適用し得る具体的な構造の一例を示す平面図である。図１４においては複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ、複数の画素電極ＰＥ、及び複数のスイッチング素子ＳＷ（半導体層ＳＣ）を示し、図１５においては複数の信号線Ｓ、複数の走査線Ｇ、及び遮光層ＢＭを示している。
【００４９】
図１４において、副画素ＳＰｇ１の画素電極ＰＥ２は、走査線Ｇ２を越えて走査線Ｇ３側に延出している。このように画素電極ＰＥ２が拡大した部分が、上述の拡大部分Ｅｘ１に相当している。副画素ＳＰｇ１の半導体層ＳＣと信号線Ｓ３との接続位置Ｐ１は、走査線Ｇ１より走査線Ｇ３側にある。副画素ＳＰｇ１の半導体層ＳＣと画素電極ＰＥ２の接続位置Ｐ２も、走査線Ｇ１より走査線Ｇ３側にある。  
副画素ＳＰｇ２の画素電極ＰＥは、走査線Ｇ２を越えて走査線Ｇ１側に延出している。このように画素電極ＰＥが拡大した部分が、上述の拡大部分Ｅｘ２に相当している。  
副画素ＳＰｗ１においては、副画素ＳＰｇ１の画素電極ＰＥ２が拡大することに伴い、画素電極ＰＥ４の第２方向Ｙにおける長さが減少している。同様に、副画素ＳＰｗ２においては、副画素ＳＰｇ２の画素電極ＰＥが拡大することに伴い、副画素ＳＰｗ２の画素電極ＰＥの第２方向Ｙにおける長さが減少している。
【００５０】
図１４及び図１５に示すように、このように副画素ＳＰｇ１及びＳＰｇ２の各画素電極ＰＥの形状や接続位置Ｐ１及びＰ２を調整したことにより、開口Ａｇ１及びＡｇ２を拡大することができる。すなわち、開口Ａｇ１及びＡｇ２の第２方向Ｙにおける長さＷｇは、開口Ａｒ１及びＡｒ２の第２方向Ｙにおける長さＷｒよりも大きい。一方で、開口Ａｗ１及びＡｗ２の第２方向Ｙにおける長さＷｗは、開口Ａｂ１及びＡｂ２の第２方向Ｙにおける長さＷｂよりも小さい。
【００５１】
なお、本実施形態においては緑色の副画素ＳＰｇ１及びＳＰｇ２を拡大し、白色の副画素ＳＰｗ１及びＳＰｗ２を縮小する場合を例示したが、同様の方法により他の色の副画素ＳＰを拡大または縮小することもできる。このように、本実施形態によれば、各色の副画素ＳＰの合成色度の調整幅を上述の各実施形態よりもさらに広げることができる。
【００５２】
以上の第１構成例乃至第４構成例において、赤色、緑色、青色、及び白色の副画素ＳＰを含む画素レイアウトを開示した。しかしながら、各構成例は、種々の画素レイアウトに適用できる。例えば、画素レイアウトは、赤色、緑色、青色、及び白色以外の色の副画素ＳＰを備えてもよい。また、画素レイアウトは、白色の副画素ＳＰを備えず、赤色、緑色、及び青色の副画素ＳＰで構成されてもよい。例示すると、図９に示した副画素ＳＰｗ１，副画素ＳＰｗ２は、緑色の副画素であってもよい。
【００５３】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の向上が可能な表示装置を提供することができる。  
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。  
例えば、上述した各々の副画素ＳＰ（又は、各々の線状電極ＢＲ若しくは各々の開口Ａ）は、＜字の形状を有しているが、＞字の形状を有していてもよい。また、交点Ｃ１及びＣ２の移動の仕方は、図３に示す交点Ｃ１及びＣ２の移動の仕方と異なってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＰＸ…画素  ＳＰ…副画素  Ａ…開口  Ｇ…走査線  Ｓ…信号線  ＰＥ…画素電極  ＢＲ…線状電極  ＳＣ…半導体層  ＢＭ…遮光層  Ｓｔ…傾斜部  ＳＳ…直線部  Ｇｔ…斜部  Ｄ…方向  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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