(57)【要約】      （修正有）【課題】導電性パターンがベースフレームに安定して付着され、安定性および信頼性が優秀なアンテナモジュールを提供する。【解決手段】アンテナモジュールは、ベースフレーム１１０と、ベースフレーム１１０上に配置された導電性パターン１２０で形成される。導電性パターン１２０は、第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２、および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含む。導電性パターン１２０の表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さと、４０〜５５μｍの最大高さで表現される面積粗度を有する。第１導電体層１２１と第３導電体層１２３は、ニッケル、モリブデン、およびチタンのうち、少なくとも一つを含む。第２導電体層１２２は、銅、アルミニウムのうち、少なくとも一つを含む。【選択図】図４
2020014203.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフレーム；および
前記ベースフレーム上に配置された導電性パターン；を含み、
前記導電性パターンは、
前記ベースフレーム上の第１導電体層；
前記第１導電体層上の第２導電体層；および
前記第２導電体層上の第３導電体層；を含み、
前記導電性パターンの表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する、アンテナモジュール。
【請求項２】
前記第１導電体層および前記第３導電体層は、それぞれニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項３】
前記第１導電体層は、０．２〜２μｍの厚さを有する、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項４】
前記第２導電体層は、銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも一つを含む、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項５】
前記第２導電体層は、８〜１７μｍの厚さを有する、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項６】
前記第３導電体層は、１〜７μｍの厚さを有する、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項７】
前記導電性パターンの縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触する、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項８】
平面上のいずれか一方向に沿って、前記第１導電体層と前記第３導電体層が接触する縁の一端と前記第１導電体層と前記第３導電体層が接触する縁の他端の間で、前記第１導電体層の幅および前記第３導電体層の幅は前記第２導電体層の幅より大きい、請求項７に記載のアンテナモジュール。
【請求項９】
前記第１導電体層と前記第３導電体層が接触した前記導電性パターンの前記縁部分の厚さは、前記縁以外の部分での前記第１導電体層および前記第３導電体層のそれぞれの厚さより大きい、請求項７に記載のアンテナモジュール。
【請求項１０】
前記導電性パターンの縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触して閉空間を形成し、
前記第２導電体層は前記第１導電体層と前記第３導電体層によって形成された閉空間内に配置された、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項１１】
前記導電性パターンは、前記ベースフレームと前記第１導電体層間に配置され、パラジウム（Ｐｄ）および錫（Ｓｎ）のうち少なくとも一つを含むシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）をさらに含む、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項１２】
前記ベースフレームは山および谷を含む凹凸部を有し、
前記導電性パターンは前記凹凸部上に配置された、請求項１に記載のアンテナモジュール。
【請求項１３】
前記ベースフレームは、前記凹凸部の前記山および谷の表面に形成されたホール（ｈｏｌｅ）および前記ホール（ｈｏｌｅ）の表面に形成された空隙を有する、請求項１２に記載のアンテナモジュール。
【請求項１４】
前記ベースフレームには、いずれか一方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の前記山及び平均３〜７個の前記谷が形成されている、請求項１２に記載のアンテナモジュール。
【請求項１５】
前記ホール（ｈｏｌｅ）は、３〜３０μｍの深さを有する、請求項１３に記載のアンテナモジュール。
【請求項１６】
前記空隙は、０．３〜３μｍの深さを有する、請求項１５に記載のアンテナモジュール。
【請求項１７】
山と谷を含む凹凸部を有するベースフレームを製造する段階；
前記凹凸部の表面に複数個のホール（ｈｏｌｅ）を形成する段階；
前記ホール（ｈｏｌｅ）の表面に空隙を形成する段階；および
前記凹凸部上に導電性パターンを形成する段階；を含み、
前記導電性パターンを形成する段階は、
前記凹凸部上に第１導電体層を形成する段階；
前記第１導電体層上に第２導電体層を形成する段階；および
前記第２導電体層上に第３導電体層を形成する段階を含む、
アンテナモジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記導電性パターンの縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触して閉空間を形成し、
前記第２導電体層は前記第１導電体層と前記第３導電体層によって形成された閉空間内に配置される、請求項１７に記載のアンテナモジュールの製造方法。
【請求項１９】
前記導電性パターンを形成する段階は、前記第１導電体層を形成する段階前に、前記空隙にシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成する段階をさらに含む、請求項１７に記載のアンテナモジュールの製造方法。
【請求項２０】
ベースフレーム；および
前記ベースフレーム上に配置された導電性パターン；を含み、
前記導電性パターンは、
第１導電体層；
前記第１導電体層上の第２導電体層；および
前記第２導電体層上の第３導電体層；を含み、
前記導電性パターンの表面は、４．７〜５．７μｍの算出平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；  Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する、アンテナモジュールを含む、電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナモジュールに関し、特に、携帯用端末に適用されるアンテナモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
通信端末には電波を送信および受信するためのアンテナが設置される。例えば、携帯電話や無線機などのような携帯用通信端末には電波送受信用のアンテナが設置される。
【０００３】
通信端末の小型化および軽量化の趨勢につれてアンテナも小型化されており、最近は機器に内蔵される内蔵型アンテナが広く使われている。
【０００４】
例えば、韓国特許公開第２００５−００１３７０５号に携帯用端末の内蔵型アンテナ装置が開示されている。図１は、従来内蔵型アンテナ装置の一例についての概略的な分解斜視図である。図１に図示された内蔵型アンテナ装置は、端末の内側面の所定領域に導電性物質で塗布されたグラウンドに接地されるシールドプレート１０、シールドプレート１０に対面して設置されるアンテナプレート２０およびシールドプレート１０とアンテナプレート２０の間に介在されるキャリア３０を含む。しかし、このような構造を有する内蔵型アンテナの場合、シールドプレート１０、アンテナプレート２０、キャリア３０およびアンテナプレートと連結された印刷回路基板（図示されず）がそれぞれ別途に製作された後に組み立てられなければならないため、製造工程が煩雑であり、製造費用が多く要される短所がある。
【０００５】
従来内蔵型アンテナ装置の他の例として、電波送受信用放射体の役割をする導電性パターンがベースフレームの所定領域に直接形成されているアンテナモジュールが知られている。しかし、導電性パターンとベースフレームの間の付着力が充分でない場合、精密なパターンの形成が難しく、導電性パターンがベースフレームから剥離されるか、導電性パターン形成用金属物質の残骸などによって、アンテナモジュールに不良が発生し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は前記のような問題点を解決できるアンテナモジュールおよびその製造方法を提供しようとする。
【０００７】
本発明の一実施例は、電波を送受信する放射体の役割をする導電性パターンがベースフレームに安定して付着されて、安定性および信頼性が優秀なアンテナモジュールを提供しようとする。
【０００８】
本発明の一実施例は、ベースフレームと導電性パターンの表面形状および面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を調整することによって、導電性パターンがベースフレームに安定して付着するようにしようとする。
【０００９】
前記で言及された本発明の観点の他にも、本発明の他の特徴および利点が以下で説明されるか、そのような説明から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるはずである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を解決するために、本発明の一実施例は、ベースフレームおよび前記ベースフレーム上に配置された導電性パターンを含み、前記導電性パターンは第１導電体層、前記第１導電体層上の第２導電体層および前記第２導電体層上の第３導電体層を含むアンテナモジュールを提供する。
【００１１】
ここで、前記導電性パターンの表面は４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。
【００１２】
前記第１導電体層はニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含む。
【００１３】
前記第１導電体層は０．２〜２μｍの厚さを有する。
【００１４】
前記第２導電体層は銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも一つを含む。
【００１５】
前記第２導電体層は８〜１７μｍの厚さを有する。
【００１６】
前記第３導電体層はニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含む。
【００１７】
前記第３導電体層は１〜７μｍの厚さを有する。
【００１８】
前記導電性パターンの縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触する。
【００１９】
平面上のいずれか一方向に沿って、前記第１導電体層と前記第３導電体層が接触する一端と前記第１導電体層と前記第３導電体層が接触する他端との間で、前記第１導電体層の幅および前記第３導電体層の幅は前記第２導電体層の幅より大きい。少なくともいずれか一方向において、前記第１導電体層の幅および前記第３導電体層の幅は前記第２導電体層の幅より大きい。
【００２０】
前記第１導電体層と前記第３導電体層が接触した前記導電性パターンの前記縁部分の厚さは、前記縁以外の部分での前記第１導電体層および前記第３導電体層のそれぞれの厚さより大きい。
【００２１】
前記導電性パターンの縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触して閉空間を形成し、前記第２導電体層は前記第１導電体層と前記第３導電体層によって形成された閉空間内に配置される。
【００２２】
前記第２導電体層は、前記第１導電体層の縁を除いた前記第１導電体層の領域内に配置され、前記第３導電体層は前記第１導電体層の縁で前記第１導電体層と接触する。
【００２３】
前記導電性パターンは前記ベースフレームと前記第１導電体層間に配置されたシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）をさらに含む。
【００２４】
前記シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）はパラジウム（Ｐｄ）および錫（Ｓｎ）のうち少なくとも一つを含む。
【００２５】
前記ベースフレームは山および谷を含む凹凸部を有し、前記導電性パターンは前記凹凸部上に配置される。
【００２６】
前記ベースフレームには、いずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の前記山および平均３〜７個の前記谷が形成されている。
【００２７】
前記ベースフレームは、前記凹凸部の前記山および谷の表面に形成されたホール（ｈｏｌｅ）を有する。
【００２８】
前記ホール（ｈｏｌｅ）は３〜３０μｍの深さを有する。
【００２９】
前記ベースフレームは、前記ホール（ｈｏｌｅ）の表面に形成された空隙を含む。
【００３０】
前記空隙は０．３〜３μｍの深さを有する。
【００３１】
前記導電性パターンは前記空隙に配置されたシード層をさらに含む。
【００３２】
前記導電性パターンは電波を送信、受信または送受信する放射体である。
【００３３】
本発明の他の一実施例は、ベースフレームおよび前記ベースフレーム上に配置された放射体を含み、前記放射体は第１導電体層、前記第１導電体層上の第２導電体層および前記第２導電体層上の第３導電体層を含むアンテナモジュールを提供する。
【００３４】
前記放射体の表面は４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。
【００３５】
前記放射体の縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触する。
【００３６】
前記放射体の縁で前記第１導電体層と前記第３導電体層が互いに接触して閉空間を形成し、前記第２導電体層は前記第１導電体層と前記第３導電体層によって形成された閉空間内に配置される。
【００３７】
本発明のさらに他の一実施例は、山と谷を含む凹凸部を有するベースフレームを製造する段階、前記凹凸部の表面に複数個のホール（ｈｏｌｅ）を形成する段階、前記ホール（ｈｏｌｅ）の表面に空隙を形成する段階および前記凹凸部上に導電性パターンを形成する段階を含み、前記導電性パターンを形成する段階は、前記凹凸部上に第１導電体層を形成する段階、前記第１導電体層上に第２導電体層を形成する段階、および前記第２導電体層上に第３導電体層を形成する段階を含む、アンテナモジュールの製造方法を提供する。
【００３８】
前記導電性パターンは、端縁を基準として前記凹凸部と同じ表面形状を有する。
【００３９】
前記ベースフレームは金型を利用した射出によって形成され、前記金型は前記凹凸部の前記山と前記谷にそれぞれ対応する陰刻パターンと陽刻パターンを有する。
【００４０】
前記複数個のホール（ｈｏｌｅ）のうち互いに隣り合うホール（ｈｏｌｅ）間の間隔は５〜１０μｍである。
【００４１】
前記ホール（ｈｏｌｅ）を形成する段階は、前記凹凸部にレーザーを照射する段階を含む。
【００４２】
前記空隙を形成する段階は、前記ホールを形成した後、前記ベースフレームを溶剤で処理する段階を含む。
【００４３】
前記溶剤はｐＨ０．５〜５の酸性を有する。
【００４４】
前記ベースフレームを溶剤で処理する段階は、前記ベースフレームを前記溶剤に浸漬させ、２０〜５０Ｈｚの超音波を印加する段階を含む。
【００４５】
前記導電性パターンを形成する段階は、前記第１導電体層を形成する段階前に、前記空隙にシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成する段階をさらに含む。
【００４６】
本発明のさらに他の一実施例は、放射体領域を有するベースフレームを製造する段階および前記放射体領域に放射体を形成する段階を含み、ベースフレームを製造する段階は、前記放射体領域に山および谷を有する凹凸部を形成する段階、前記山および谷の表面に複数個のホール（ｈｏｌｅ）を形成する段階および前記ホール（ｈｏｌｅ）の表面に空隙を形成する段階を含み、前記放射体を形成する段階は、前記凹凸部上に第１導電体層を形成する段階、前記第１導電体層上に第２導電体層を形成する段階および前記第２導電体層上に第３導電体層を形成する段階を含む、アンテナモジュールの製造方法を提供する。
【００４７】
本発明のさらに他の一実施例は、ベースフレームおよび前記ベースフレーム上に配置された導電性パターンを含み、前記導電性パターンは第１導電体層、前記第１導電体層上の第２導電体層および前記第２導電体層上の第３導電体層を含み、前記導電性パターンの表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ；ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有するアンテナモジュールを含む、電子装置を提供する。
【００４８】
前記のような本発明に対する一般的な記述は本発明を例示したり説明するためのものに過ぎず、本発明の権利範囲を制限しない。
【発明の効果】
【００４９】
本発明の一実施例によると、アンテナモジュールを構成するベースフレームと導電性パターンの表面形状および面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が所定の範囲に調整される。それにより、導電性パターンがベースフレームに安定して付着する。電波を送受信する放射体の役割をする導電性パターンがベースフレームに安定して付着することによって、放射体の分離によるアンテナモジュールの不良が防止される。
【００５０】
また、導電性パターンがベースフレームに安定して付着するため、微細パターンを有する放射体が製造され得る。また、導電性パターンを形成する導電体物質の拡散や不要な残存が防止されてアンテナモジュールの不良が防止される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
添付された図面は本発明の理解を助け、本明細書の一部を構成するためのものであって、本発明の実施例を例示し、発明の詳細な説明と共に本発明の原理を説明する。
【図１】従来内蔵型アンテナ装置の一例についての概略的な分解斜視図。
【図２】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの斜視図。
【図３】図２の「Ａ」部分についての拡大平面図。
【図４】図３のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図。
【図５Ａ】図４の「Ｂ」部分についての拡大図。
【図５Ｂ】図４の「Ｂ」部分についての拡大図。
【図６】図４の「Ｃ」部分についての拡大図。
【図７】図６の「Ｄ」部分についての拡大図。
【図８Ａ】空隙の形状についての概略図。
【図８Ｂ】空隙の形状についての概略図。
【図９】本発明の一実施例に係る導電性パターンの表面写真。
【図１０】本発明の一実施例に係る導電性パターンの表面についての３次元写真。
【図１１】算術平均高さＳａを説明する概略図。
【図１２】最大高さＳｚを説明する概略図。
【図１３】本発明の他の一実施例に係るアンテナモジュールの断面図。
【図１４】図１３の「Ｋ」部分についての拡大図。
【図１５Ａ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｂ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｃ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｄ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｅ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｆ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｇ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｈ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１５Ｉ】本発明の一実施例に係るアンテナモジュールの製造工程図。
【図１６】図１５Ｉの「Ｇ」部分についての拡大図。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下では添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【００５３】
本発明の技術的思想および範囲を逸脱しない範囲内で本発明の多様な変更および変形が可能であることは当業者に自明であろう。したがって、本発明は特許請求の範囲に記載された発明およびその均等物の範囲内の変更と変形をすべて含む。
【００５４】
本発明の実施例を説明するために図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数等は例示的なものであるため、本発明は図面に図示された事項によって限定されるものではない。明細書全体に亘って同一構成要素は同一参照符号で指称され得る。
【００５５】
本明細書で言及された「含む」、「有する」、「なる」等が使われる場合、「〜のみ」という表現が使われない限り、他の部分が追加され得る。構成要素が単数で表現された場合、特に明示的な記載事項がない限り複数を含む。また、構成要素の解釈において、別途の明示的な記載がなくても誤差範囲を含むものと解釈される。
【００５６】
位置関係についての説明の場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜そばに」等で両部分の位置関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」という表現が使われない限り、両部分間に一つ以上の他の部分が位置し得る。
【００５７】
時間関係についての説明の場合、例えば、「〜後に」、「〜に引き続き」、「〜次に」、「〜前に」等で時間的前後関係が説明される場合、「すぐに」または「直接」という表現が使われない限り、連続的ではない場合も含み得る。
【００５８】
多様な構成要素を説明するために、「第１」、「第２」等のような表現が使われ得るが、これらの構成要素はこのような用語によって制限されはしない。このような用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素でもよい。
【００５９】
「少なくとも一つ」の用語は一つ以上の関連項目から提示可能なすべての組み合わせを含むものと理解されるべきである。
【００６０】
本発明の多様な実施例のそれぞれの特徴が部分的にまたは全体的に互いに結合または組み合わせ可能であり、技術的に多様な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに対して独立的に実施可能でもよく、連関する関係で共に実施されてもよい。
【００６１】
図２は本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００の斜視図であり、図３は図２の「Ａ」部分についての拡大平面図であり、図４は図３のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【００６２】
本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００はベースフレーム１１０およびベースフレーム１１０上に配置された導電性パターン１２０を含む。
【００６３】
ベースフレーム１１０は絶縁性物質で作られ得る。重さおよび製造の便宜性などを考慮して、プラスチック材料によってベースフレーム１１０が形成され得る。例えば、ベースフレーム１１０はポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびＡＢＳ（ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ−ｂｕｔａｄｉｅｎｅ−ｓｔｙｒｅｎｅ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、他の絶縁性物質によってベースフレーム１１０が制作されてもよい。
【００６４】
導電性パターン１２０はベースフレーム１１０上に配置される。
【００６５】
本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０は電波を送受信する放射体の役割をする。したがって、導電性パターン１２０を放射体ともいう。
【００６６】
本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００は、ベースフレーム１１０上に配置された少なくとも一つの導電性パターン１２０を含む。アンテナモジュール１００は２個以上の導電性パターンを含むこともできる。図２を参照すると、アンテナモジュール１００は３個の導電性パターン１２０、１３０、１４０を含む。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、アンテナモジュール１００は４個以上の導電性パターンを含んでもよい。
【００６７】
複数個の導電性パターン１２０、１３０、１４０はそれぞれの機能により互いに異なる平面の形状を有することができる。例えば、複数の導電性パターン１２０、１３０、１４０は、パターンの形状によりそれぞれ互いに異なる周波数の電波を送信または受信することができる。また、本発明の一実施例によると、複数の導電性パターン１２０、１３０、１４０は同一の積層構造を有することができる。
【００６８】
以下、複数の導電性パターン１２０、１３０、１４０のうち一つの導電性パターン１２０を参照して、導電性パターン１２０をより詳細に説明する。
【００６９】
本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０の表面は面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。導電性パターン１２０の表面は、面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）で、算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および 最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）を有することができる。
【００７０】
本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０の表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。
【００７１】
算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）は２次元表面粗さであるＲａを３次元に拡張したものである。図１１は、算術平均高さＳａを説明する概略図である。
【００７２】
算術平均高さＳａはＩＳＯ  ２５１７８の規格に沿って測定される。
【００７３】
本発明の一実施例によると、算術平均高さＳａは平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）に対する各地点の高さまたは深さの絶対値（｜Ｚ（ｘ、ｙ）｜）の和をその面積で割った値である。ここで、平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）は、測定領域内で各地点の高さの和の大きさと深さの和の大きさが同一になる仮想の面である。したがって、平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）を基準として、高さの和と深さの和はその大きさが互いに同じである。換言すると、測定領域に対する３次元（３Ｄ）プロファイルにおいて、平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）から突出した部分（凸部、Ｐ）の体積の和（高さの和）と平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）から陥没した部分（凹部、Ｖ）の体積の和（深さの和の大きさ）は同じである。
【００７４】
本発明の一実施例によると、算術平均高さＳａは次の式１で求められる。
【００７５】
【数１】
2020014203.tif 000003
ここで面積（Ａ）はｘｙ表面を基準として計算された面積であり、高さ［Ｚ（ｘ、ｙ）］はｚ軸に沿って測定される。
【００７６】
例えば、測定対象表面の３次元（３Ｄ）プロファイルにおいて、凹部Ｖを凸部Ｐに反転させ、平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）に対する各地点の高さ［Ｚ（ｘ、ｙ）］の和を測定対象面積で割ることによって算術平均高さＳａを求めることができる。
【００７７】
算術平均高さＳａはＩＳＯ  ２５１７８の規格に沿った測定を遂行する測定装置によって測定され得る。本発明の一実施例によると、形状測定レーザーマイクロスコープ（３Ｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）であるＫＥＹＥＮＣＥ社のＶＫ−Ｘ１０００ＴＭを利用して、ＩＳＯ  ２５１７８の規格に沿って算術平均高さＳａを測定することができる。
【００７８】
導電性パターン１２０の表面の算術平均高さＳａが４．７μｍ未満である場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の界面の表面粗さが低く、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着性が低下し得る。
【００７９】
反面、導電性パターン１２０の表面の算術平均高さＳａが５．７μｍを超過する場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の界面が過度に粗く、導電性パターン１２０の膜安定性が低下し、断線または短絡などが発生し得る。
【００８０】
したがって、本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０の表面は４．７μｍ〜５．７μｍの算術平均高さＳａを有する。
【００８１】
最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）は測定領域内で最も高い凸部Ｐの高さ（絶対値）と最も深い凹部Ｖの深さ（絶対値）の和である。図１２は、最大高さＳｚを説明する概略図である。最大高さＳｚはＩＳＯ  ２５１７８の規格に沿って測定される。
【００８２】
図１２を参照すると、最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）は、測定領域内で平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）から最も高い凸部Ｐの高さと最も深い凹部Ｖの深さの和で計算される。
【００８３】
具体的には、最大高さＳｚは次の式２で求められる。
【００８４】
【数２】
2020014203.tif 000004
ここで、「Ｓｐ」は測定領域内で最も高い凸部Ｐの高さであり、「Ｓｖ」は最も深い凹部Ｖの深さである。
【００８５】
最大高さＳｚはＩＳＯ  ２５１７８の規格に沿った測定を遂行する測定装置によって測定され得る。本発明の一実施例によると、形状測定レーザーマイクロスコープ（３Ｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）のＫＥＹＥＮＣＥ社のＶＫ−Ｘ１０００ＴＭを利用して、ＩＳＯ  ２５１７８の規格に沿って最大高さＳｚを測定することができる。
【００８６】
導電性パターン１２０の表面の最大高さＳｚが４０μｍ未満である場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の界面の表面粗さが低く、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着性が低下し得る。
【００８７】
反面、導電性パターン１２０の表面の最大高さＳｚが５５μｍを超過する場合、凸部Ｐと凹部Ｖの高低差が激しく、導電性パターン１２０の付着力および膜安定性が低下し得る。
【００８８】
したがって、本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０の表面は４０μｍ〜５５μｍの最大高さＳｚを有する。
【００８９】
本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０は少なくとも一つの導電体層を含む。図４を参照すると、導電性パターン１２０は、第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含む。
【００９０】
第１導電体層１２１は、導電性を有してベースフレーム１１０と優秀な接着性を有する物質で形成され得る。第１導電体層１２１は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、第１導電体層１２１の形成のために他の金属または導電性材料が使われ得る。
【００９１】
本発明の一実施例によると、ニッケル（Ｎｉ）メッキによって第１導電体層１２１が作られ得る。ニッケル（Ｎｉ）メッキ方法に特に制限はなく、公知のニッケル（Ｎｉ）メッキ方法が適用され得る。例えば、第１導電体層１２１はニッケル（Ｎｉ）と次亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）（ＮａＨ２ＰＯ２）を利用するメッキによって作られ得る。また、第１導電体層１２１の形成のために硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）等が使われてもよい。
【００９２】
第１導電体層１２１はベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力を向上させる役割をすることができる。
【００９３】
第１導電体層１２１は０．２〜２μｍの厚さ（ｔ１）を有する。第１導電体層１２１の厚さ（ｔ１）が０．２μｍ未満である場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力が充分でない可能性がある。反面、第１導電体層１２１の厚さ（ｔ１）が２μｍを超過する場合、導電性パターン１２０の厚さが必要以上に厚くなって薄型化に不利であり、導電性パターン１２０の剥離が発生し得る。より具体的には、第１導電体層１２１は０．５〜１μｍの厚さ（ｔ１）を有することができる。
【００９４】
第２導電体層１２２は優秀な導電性を有する物質で形成され得る。第２導電体層１２２は、例えば、銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、第２導電体層１２２形成のために他の金属または導電性材料が使われてもよい。
【００９５】
本発明の一実施例によると、銅（Ｃｕ）メッキによって第２導電体層１２２が作られ得る。銅（Ｃｕ）メッキ方法に特に制限はなく、公知の銅（Ｃｕ）メッキ方法が適用され得る。例えば、銅（Ｃｕ）メッキのために、銅（Ｃｕ）とともに水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）等が使われ得る。
【００９６】
第２導電体層１２２は電波を送受信するメイン導体の役割をする。
【００９７】
第２導電体層１２２は８〜１７μｍの厚さ（ｔ２）を有する。第２導電体層１２２の厚さ（ｔ２）が８μｍ未満である場合、導電性パターン１２０の電気伝導性が充分でない可能性がある。反面、第２導電体層１２２の厚さ（ｔ２）が１７μｍを超過する場合、導電性パターン１２０の厚さが必要以上に厚くなって薄型化に不利である。より具体的には、第２導電体層１２２は９〜１５μｍの厚さ（ｔ２）を有することができる。
【００９８】
第３導電体層１２３は、導電性を有して腐食または変成に対する抵抗性が優秀な物質で形成され得る。第３導電体層１２３は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、第３導電体層１２３形成のために他の金属または導電性材料が使われ得る。
【００９９】
本発明の一実施例によると、ニッケル（Ｎｉ）メッキによって第３導電体層１２３が作られ得る。ニッケル（Ｎｉ）メッキ方法に特に制限はなく、公知のニッケル（Ｎｉ）メッキ方法が適用され得る。例えば、第３導電体層１２３はニッケル（Ｎｉ）と次亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）（ＮａＨ２ＰＯ２）を利用するメッキによって作られ得る。また、第３導電体層１２３形成のために硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）等が使われてもよい。
【０１００】
第３導電体層１２３は第２導電体層１２２および導電性パターン１２０を保護する役割をする。
【０１０１】
第３導電体層１２３は１〜７μｍの厚さ（ｔ３）を有することができる。第３導電体層１２３の厚さ（ｔ３）が１μｍ未満である場合、第２導電体層１２２が十分に保護されない可能性もある。反面、第３導電体層１２３の厚さ（ｔ３）が７μｍを超過する場合、導電性パターン１２０の厚さが必要以上に厚くなって薄型化に不利である。
【０１０２】
図５を参照すると、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と前記第３導電体層１２３が互いに接触され得る。
【０１０３】
図５Ａおよび図５Ｂは、それぞれ図４の「Ｂ」部分についての拡大図である。
【０１０４】
図５Ａおよび図５Ｂを参照すると、に図示された通り、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触して閉空間を形成し、第２導電体１２２層は第１導電体層１２１と第３導電体層１２３によって形成された閉空間内に配置され得る。それにより、第２導電体１２２層が効率的に保護され得る。
【０１０５】
本発明の一実施例によると、第２導電体層１２２は第１導電体層１２１の縁を除いた領域で第１導電体層１２１の上に配置され、第３導電体層１２３は第１導電体層の縁で第１導電体層１２１と接触する。その結果、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３によって形成された閉空間内に第２導電体１２２層が配置され得る。
【０１０６】
具体的には、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が接触する場合、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３の間に相互作用が発生し得る。それにより、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３の間の接触が堅固となり、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３の接触によって形成された導電性パターン１２０の縁部分の体積または厚さが増加し得る。
【０１０７】
例えば、図５Ｂを参照すると、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が接触した導電性パターン１２０の縁部分の厚さは、縁以外の部分に位置する第１導電体層１２１と第３導電体層１２３のそれぞれの厚さより大きくてもよい。
【０１０８】
その結果、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３により形成された閉空間内で第２導電体層１２２が安定的に保護され得る。
【０１０９】
本発明の一実施例によると、厚さはいずれか一面とそれに対応する対応面の間の距離で測定され得、例えば、Ｚ軸方向に沿って測定され得る。図４を参照すると、第１導電体層１２１、第２導電体層１２２および第３導電体層１２３はＹ軸方向に沿ってそれぞれｔ１、ｔ２およびｔ３の厚さを有することができる。
【０１１０】
図３、図４および図５を参照すると、第２導電体層１２２は平面上に第１導電体層１２１より小さい面積を有し、第１導電体層１２１の領域内に配置され、第１導電体層１２１の縁には配置されない。第３導電体層１２３は、平面上に第２導電体層１２２より大きい面積を有し、第１導電体層の縁で第１導電体層１２１と接触することができる。第３導電体層１２３は、第１導電体層１２１と実質的に同じ面積を有することができる。ここで、平面は例えば、Ｘ−Ｙ平面である。
【０１１１】
図３および図４を参照すると、第１導電体層１２１の幅ｗ１および第３導電体層１２３の幅ｗ３は第２導電体層１２２の幅ｗ２より大きい。本発明の一実施例によると、幅はＸ−Ｙ平面上で各層の表面を横切る距離で測定され得る。
【０１１２】
図３を参照すると、Ｘ−Ｙ平面上でいずれの方向に沿って測定しても、第１導電体層１２１の幅と第３導電体層１２３の幅は第２導電体層１２２の幅より大きくてもよい。
【０１１３】
また、本発明の一実施例によると、平面上のいずれか一方向に沿って、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が接触する縁の一端ＥＤ１と第１導電体層１２１と前記第３導電体層が接触する縁の他端ＥＤ２の間で、第１導電体層１２１の幅ｗ１および第３導電体層１２３の幅ｗ３は第２導電体層１２２の幅ｗ２より大きい。ここで、平面はＸ−Ｙ平面である。本発明の一実施例によると、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３は実質的に同じ幅（ｗ１＝ｗ３）を有することができる。
【０１１４】
導電性パターン１２０はシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）１２４をさらに含むことができる。本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０はベースフレーム１１０と第１導電体層１２１の間に配置されたシード層１２４をさらに含むことができる（図７参照）。
【０１１５】
シード層１２４はベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着力を向上させる。シード層１２４は、ベースフレーム１１０を構成するプラスチックのような絶縁体および導電性パターン１２０の最下層である第１導電体層１２１のすべてと優秀な付着力を有する物質で作られる。それにより、シード層１２４を媒介としてベースフレーム１１０と第１導電体層１２１が優秀な結合を形成することによって、導電性パターン１２０がベースフレーム１１０に安定して付着され得る。
【０１１６】
金属およびプラスチックと優秀な付着力を有する物質であれば制限なくシード層１２４形成用物質として使われ得る。本発明の一実施例によると、シード層１２４は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）および錫（Ｓｎ）のうち少なくとも一つを含む。
【０１１７】
本発明の一実施例によると、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）が溶解している塩酸（ＨＣｌ）溶液にベースフレーム１１０を浸漬させることによってシード層１２４が形成され得る。または塩化錫（ＳｎＣｌ２）が溶解している水酸化ナトリウム塩酸（ＮａＯＨ）溶液にベースフレーム１１０を浸漬させることによってシード層１２４が形成され得る。
【０１１８】
図４を参照すると、ベースフレーム１１０は山Ｐ１および谷Ｖ１を含む凹凸部を有し、導電性パターン１２０は凹凸部上に配置される。より具体的には、本発明の一実施例によると、ベースフレーム１１０の一部の領域に凹凸部が形成され、導電性パターン１２０はベースフレーム１１０の領域のうち凹凸部が形成されている領域に配置される。
【０１１９】
導電性パターン１２０はベースフレーム１１０の表面形状とほぼ同じ表面形状を有する。例えば、導電性パターン１２０は、断面を基準として凹凸部と同じ表面形状を有することができる。より具体的には、導電性パターン１２０はは、凹凸部で断面を基準として、ベースフレーム１１０と同じ表面形状を有することができる。
【０１２０】
具体的には、ベースフレーム１１０は表面プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有し、ベースフレーム１１０上に形成された導電性パターン１２０はベースフレーム１１０とほぼ同じ表面プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する。導電性パターン１２０は薄膜で形成されるため、ベースフレーム１１０の表面プロファイルは導電性パターン１２０に反映される。
【０１２１】
したがって、ベースフレーム１１０の山Ｐ１には導電性パターン１２０の凸部Ｐが形成され、ベースフレーム１１０の谷Ｖ１には導電性パターン１２０の凹部Ｖが形成される。その結果、導電性パターン１２０は、断面を基準として凹凸部と同じ表面プロファイルを有することができる。
【０１２２】
ベースフレーム１１０が山Ｐ１と谷Ｖ１を含む不規則な表面を有するため、メッキなどによって導電性パターン１２０が形成される時、導電性パターン１２０がベースフレーム１１０に容易に付着され得る。それにより、導電性パターン１２０の付着力が向上する。
【０１２３】
本発明の一実施例によると、ベースフレーム１１０には、いずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の山Ｐ１および平均３〜７個の谷Ｖ１が形成されている。例えば、凹凸部は、いずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の山Ｐ１および平均３〜７個の谷Ｖ１を有することができる。それにより、導電性パターン１２０も、いずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり３〜７個の凸部Ｐおよび３〜７個の凹部Ｖを有する。
【０１２４】
ベースフレーム１１０のいずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり山Ｐ１および谷Ｖ１の個数がそれぞれ３個未満の場合、ベースフレーム１１０の表面粗さが低いためベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着性が低下し得る。
【０１２５】
反面、ベースフレーム１１０のいずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり山Ｐ１および谷Ｖ１の個数がそれぞれ７個を超過する場合、ベースフレーム１１０の表面が過度に粗いため導電性パターン１２０の膜安定性が低下し得る。
【０１２６】
図６を参照すると、ベースフレーム１１０は、凹凸部の山Ｐ１および谷Ｖ１の表面に形成されたホール（ｈｏｌｅ）１１３を有する。
【０１２７】
図６は、図４の「Ｃ」部分についての拡大図である。図６に凹凸部の山Ｐ１および谷Ｖ１の表面に沿って形成されているホール１１３が図示されている。ホール１１３は、例えば、ベースフレーム１１０の形成後、レーザー照射による表面処理過程で形成され得る。この場合、ホール１１３は点光源形態のレーザーによって形成され得る。このように形成されたホール１１３はレーザー照射部位に該当する。
【０１２８】
ホール１１３の存在によって、ベースフレーム１１０の微細粗さが増加してベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着力が向上し得る。
【０１２９】
ホール１１３は、例えば、３〜３０μｍの深さを有することができる。ホール１１３の深さが３μｍ未満である場合、ベースフレーム１１０の微細粗さの増加程度が微小であるため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力の向上効果がほとんど発生しない。
【０１３０】
反面、ホール１１３の深さが３０μｍを超過する場合、過度なホール１１３深さによって、導電性パターン１２０を構成する第１導電体層がホール１１３の底まで延びて形成されないため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力が低下し得る。
【０１３１】
図７は、図６の「Ｄ」部分についての拡大図である。
【０１３２】
図７を参照すると、ベースフレーム１１０は、ホール１１３の表面に形成された空隙１１５を有する。ベースフレーム１１０にレーザーを照射する過程でベースフレーム１１０を構成する成分が分解または劣化（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）されるが、ベースフレーム１１０に対する後処理または洗浄する過程でこのような部分が除去されることによって空隙１１５が形成され得る。
【０１３３】
空隙は０．３〜３μｍの深さを有することができる。このような空隙１１５によってベースフレーム１１０の微細粗さが増加してベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着力が向上し得る。
【０１３４】
また、空隙１１５にはシード層１２４が配置され得る。
【０１３５】
図７を参照すると、導電性パターン１２０は空隙１１５に配置されたシード層１２４をさらに含む。図７に図示された通り、微細な空隙１１５に配置されたシード層１２４はベースフレーム１１０から容易に剥離されない。それにより、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０が容易に分離しないため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力が向上する。その結果、導電性パターン１２０の安定性が向上することによって、アンテナモジュール１００の安定性が向上する。このようなアンテナモジュール１００は優秀な信頼性を有し、不良率が減少する。
【０１３６】
図８Ａおよび８Ｂは、それぞれ空隙１１５の形状１１５ａ、１１５ｂについての概略図である。空隙１１５の形状１１５ａ、１１５ｂは特に制限されない。図面にすべてを表示することはできないが、図８Ａおよび８Ｂに図示された形状１１５ａ、１１５ｂの他に、他の多様な形状を有する空隙１１５が作られ得る。
【０１３７】
図９は本発明の一実施例に係る導電性パターン１２０の表面写真であり、図１０は本発明の一実施例に係る導電性パターン１２０の表面についての３次元写真である。
【０１３８】
図９に図示された本発明の一実施例に係る導電性パターン１２０の表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。
【０１３９】
図９に図示されたような本発明の一実施例に係る導電性パターン１２０は、いずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の凸部Ｐおよび平均３〜７個の凹部Ｖを有する。
【０１４０】
また、図１０を参照すると、導電性パターン１２０は平均面（ｍｅａｎ  ｐｌａｎｅ）を基準として、凸部の最高高さｔＰおよび凹部の最低深さｔＬを有する。
【０１４１】
このような表面形状を有する導電性パターン１２０は、電波を送信したり、受信したり、送受信する放射体として使われる。
【０１４２】
本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００は、電波を送受信する多様な端末に適用され得、特に、携帯電話、タブレットＰＣ、ノートパソコンなどの携帯用端末に適用され得る。
【０１４３】
本発明の他の一実施例は、ベースフレーム１１０およびベースフレーム１１０上に配置された放射体を含むアンテナモジュールを提供する。
【０１４４】
本発明の他の一実施例によると、放射体は、第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含む。また、放射体の表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有する。
【０１４５】
このような本発明の他の一実施例に係る放射体は、図２〜図７に図示された導電性パターン１２０と同じ構造を有することができる。例えば、放射体の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触することができる。具体的には、放射体の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触して閉空間を形成し、第２導電体層１２２は第１導電体層１２１および第３導電体層１２３によって形成された閉空間内に配置され得る。
【０１４６】
本発明のさらに他の一実施例は、放射体領域を有するベースフレーム１１０および放射体領域に配置された放射体を含むアンテナモジュールを提供する。本発明のさらに他の一実施例に係る放射体は図２〜図７に図示された導電性パターン１２０に対応し、放射体領域はベースフレーム１１０で導電性パターン１２０が形成された領域に対応する。
【０１４７】
具体的には、図２において、ベースフレーム１１０のうち導電性パターン１２０が形成されている領域が放射体領域に対応する。
【０１４８】
放射体領域には山Ｐ１および谷Ｖ１を有する凹凸部が形成されており、凹凸部の山Ｐ１および谷Ｖ１の表面にはホール１３３が形成されている。
【０１４９】
放射体は、第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含む。また、ホール１１３の表面には空隙１１５が形成されている。
【０１５０】
放射体は、空隙１１５に配置されて第１導電体層１２１と接触するシード層１２４をさらに含む。
【０１５１】
図１３は本発明の他の一実施例に係るアンテナモジュール２００の断面図であり、図１４は図１３の「Ｋ」部分についての拡大図である。
【０１５２】
本発明の他の一実施例に係るアンテナモジュール２００は、ベースフレーム１１０およびベースフレーム１１０上に配置された導電性パターン１２０を含む。
【０１５３】
本発明の他の一実施例によると、導電性パターン１２０は、第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含む。
【０１５４】
本発明の他の一実施例によると、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と前記第３導電体層１２３が互いに接触することができる。図１４を参照すると、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触して閉空間を形成し、第２導電体１２２層は第１導電体層１２１と第３導電体層１２３によって形成された閉空間内に配置され得る。それにより、第２導電体１２２層が効率的に保護され得る。
【０１５５】
図１３を参照すると、ベースフレーム１１０は山と谷を含む凹凸部を有し、導電性パターン１２０は凹凸部上に配置される。導電性パターン１２０はベースフレーム１１０の表面形状とほぼ同じ表面形状を有する。例えば、導電性パターン１２０は、断面を基準として凹凸部と同じ表面形状を有することができる。より具体的には、導電性パターン１２０は、凹凸部で断面を基準として、ベースフレーム１１０と同じ表面形状を有することができる。また、ベースフレーム１１０は表面プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有し、ベースフレーム１１０上に形成された導電性パターン１２０はベースフレーム１１０とほぼ同じ表面プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する。
【０１５６】
図１３を参照すると、導電性パターン１２０はベースフレーム１１０の凹凸部と同じ平面積を有し、同じ平面の形状を有することができる。
【０１５７】
図１３の導電性パターン１２０は電波を送受信する放射体の役割をし、導電性パターン１２０を放射体ともいう。したがって、本発明のさらに他の一実施例は、第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含む放射体を提供する。
【０１５８】
本発明のさらに他の一実施例によると、放射体の縁で第１導電体層１２１と前記第３導電体層１２３が互いに接触することができる。放射体の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触して閉空間を形成し、第２導電体１２２層は第１導電体層１２１と第３導電体層１２３によって形成された閉空間内に配置され得る。
【０１５９】
本発明のさらに他の一実施例は、前述したアンテナモジュールを含む電子装置を提供する。本発明の一実施例に係る電子装置は、ベースフレーム１１０およびベースフレーム１１０上に配置された導電性パターン１２０を含むアンテナモジュール１００を含む。
【０１６０】
具体的には、本発明の一実施例に係る電子装置は、ベースフレーム１１０およびベースフレーム１１０上に配置された導電性パターン１２０を含み、導電性パターン１２０は第１導電体層１２１、第１導電体層１２１上の第２導電体層１２２および第２導電体層１２２上の第３導電体層１２３を含み、導電性パターンの表面１２０は４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有するアンテナモジュールを含む。
【０１６１】
以下、重複を避けるために、すでに説明された構成要素についての説明は省略する。
【０１６２】
本発明のさらに他の一実施例に係る電子装置は電波を送受信できる装置であって、例えば、携帯電話、ノートパソコン、無線機、タブレットＰＣ、スマートフォンなどがある。携帯電話、ノートパソコン、無線機、タブレットＰＣ、スマートフォンなどのような電子装置にアンテナモジュールが内蔵または外装され得る。本明細書で携帯電話、ノートパソコン、無線機、タブレットＰＣ、スマートフォンなどのような電子装置の具体的な構成についての説明は省略する。
【０１６３】
以下、図１５Ａ〜１５Ｉを参照して、アンテナモジュール１００の製造方法を説明する。説明の便宜のために、図２のベースフレーム１１０に配置された一つの導電性パターン１２０を中心に、本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００の製造方法を説明する。
【０１６４】
図１５Ａ〜１５Ｉは、本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００の製造工程図である。具体的には、図１５Ａ〜１５Ｉは、図２に図示されたアンテナモジュール１００の製造工程を説明するための図面である。
【０１６５】
本発明の一実施例に係るアンテナモジュール１００の製造方法は、山Ｐ１と谷Ｖ１を含む凹凸部１２０ａを有するベースフレーム１１０を製造する段階、凹凸部１２０ａの表面に複数個のホール（ｈｏｌｅ）１１３を形成する段階、ホール（ｈｏｌｅ）１１３の表面に空隙１１５を形成する段階および凹凸部１２０ａ上に導電性パターン１２０を形成する段階を含む。
【０１６６】
導電性パターン１２０を形成する段階は、凹凸部１２０ａ上に第１導電体層１２１を形成する段階、第１導電体層１２１上に第２導電体層１２２を形成する段階および第２導電体層１２２上に第３導電体層１２３を形成する段階を含む。
【０１６７】
導電性パターン１２０は、断面を基準として凹凸部１２０ａと同じ表面形状を有することができる。より具体的には、導電性パターン１２０はは凹凸部１２０ａと同じ表面プロファイルを有することができる。
【０１６８】
また、導電性パターン１２０は凹凸部１２０ａと同じ平面の形状を有することができる。より具体的には、導電性パターン１２０は凹凸部１２０ａと同じ平面パターンの形状を有することができる。
【０１６９】
図１５Ａ〜１５Ｃを参照すると、まず、山Ｐ１と谷Ｖ１を含む凹凸部１２０ａを有するベースフレーム１１０が製造される。図１５Ａは凹凸部１２０ａが形成されたベースフレーム１１０の斜視図であり、図１５Ｂは図１５Ａの「Ａ１」部分についての拡大図であり、図１５Ｃは図１５ＢのＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【０１７０】
図１５Ａを参照すると、ベースフレーム１１０は一つ以上の凹凸部１２０ａを有する。ベースフレーム１１０は２個以上の凹凸部を有してもよい。図１５Ａを参照すると、ベースフレーム１１０は３個の凹凸部１２０ａ、１３０ａ、１４０ａを有する。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、ベースフレーム１１０は４個以上の凹凸部を有してもよい。
【０１７１】
複数個の凹凸部１２０ａ、１３０ａ、１４０ａは、その上に形成される複数の導電性パターン１２０、１３０、１４０の機能または種類によってそれぞれ互いに異なる平面の形状を有することができる。以下、説明の便宜のために、複数個の凹凸部１２０ａ、１３０ａ、１４０ａのうち、一つの凹凸部１２０ａを中心にアンテナモジュール１００の製造方法を説明する。
【０１７２】
ベースフレーム１１０は絶縁性物質によって形成される。重さおよび製造の便宜性などを考慮して、プラスチック材料によってベースフレーム１１０が作られ得る。ベースフレーム１１０は絶縁性プラスチック材料の射出によって作られ得る。
【０１７３】
より具体的には、ベースフレーム１１０は金型（図示されず）を利用した射出によって形成され得る。金型は凹凸部１２０ａの山Ｐ１と谷Ｖ１にそれぞれ対応する陰刻パターンと陽刻パターンを有することができる。このような金型を利用した絶縁性プラスチック材料の射出によって、山Ｐ１と谷Ｖ１を含む凹凸部１２０ａを有するベースフレーム１１０が作られ得る。
【０１７４】
ベースフレーム１１０の形成に使われるプラスチック材料は特に制限されない。ベースフレーム１１０の形成のために、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）およびＡＢＳ（ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ−ｂｕｔａｄｉｅｎｅ−ｓｔｙｒｅｎｅ）のうち少なくとも一つが使われ得る。本発明の一実施例によると、ベースフレーム１１０は、ポリカーボネート（ＰＣ）とＡＢＳの混合物によって作られ得る。また、フレーム１１０はポリカーボネート（ＰＣ）にガラス繊維（Ｇｌａｓｓ  Ｆｉｂｅｒ、ＧＦ）が分散した構造を有してもよい。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、他の絶縁性物質によってベースフレーム１１０が作られてもよい。
【０１７５】
ベースフレーム１１０は５〜１５の誘電定数を有することができる。
【０１７６】
本発明の一実施例によると、凹凸部１２０ａには、いずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の山Ｐ１および平均３〜７個の谷Ｖ１が形成される。それにより、導電性パターン１２０がいずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり３〜７個の凸部Ｐおよび３〜７個の凹部Ｖを有することができる（図９および図１５Ｃ参照）。
【０１７７】
凹凸部１２０ａのいずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり山Ｐ１および谷Ｖ１の個数がそれぞれ３個未満の場合、凹凸部１２０ａの表面粗さが低いため、凹凸部１２０ａ上に形成される導電性パターン１２０とベースフレーム１１０の間の付着性が低下し得る。
【０１７８】
反面、凹凸部１２０ａのいずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり山Ｐ１および谷Ｖ１の個数がそれぞれ７個を超過する場合、凹凸部１２０ａの表面が過度に粗いため、導電性パターン１２０の膜安定性が低下し得る。
【０１７９】
図１５Ｄおよび１５Ｅを参照すると、凹凸部１２０ａの表面に複数個のホール（ｈｏｌｅ）１１３が形成される。図１５Ｅは、図１５Ｄの「Ｅ」部分についての拡大図である。図１５Ｅに凹凸部１２０ａの山Ｐ１および谷Ｖ１の表面に沿って形成されている複数個のホール１１３が図示されている。本発明の一実施例によると、ホール１１３を形成する段階は、凹凸部１２０ａにレーザーＬを照射する段階を含むことができる。
【０１８０】
例えば、レーザーＬを照射して凹凸部１２０ａを表面処理することによって、凹凸部１２０ａにホール１１３が形成され得る。ホール１１３の形成のためのレーザーＬとして点光源形態のレーザーＬが使われ得、ホール１１３はレーザーＬの照射部位に該当する。
【０１８１】
ホール１１３の存在によって、凹凸部１２０ａの微細粗さが増加して凹凸部１２０ａに形成される導電性パターン１２０とベースフレーム１１０の間の付着力が向上し得る。
【０１８２】
本発明の一実施例によると、導電性パターン１２０とベースフレーム１１０の間の付着力の向上のために、レーザーＬの強度および照射密度が調整される。具体的には、レーザーＬの強度および照射密度の調整によって、ホール１１３の深さおよびホール１１３間の間隔が調整され得る。
【０１８３】
本発明の一実施例によると、ホール１３３は３〜３０μｍの深さに形成される。また、複数個のホール１１３のうち、互いに隣り合うホール１１３間の間隔は５〜１０μｍに調整される。
【０１８４】
ホール１１３の深さが３μｍ未満である場合、凹凸部１２０ａの微細粗さの増加程度が微小であるため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力の向上効果がほとんど発生しない。反面、ホール１１３の深さが３０μｍを超過する場合、過度なホール１１３深さによって、導電性パターン１２０がホール１１３の底まで延びて形成されないため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力が低下し得、また、ベースフレーム１１０の耐久性が低下し得る。
【０１８５】
レーザーＬの照射によってホール１１３が形成される時、レーザーＬの強度はホール１３３の深さが３〜３０μｍとなるようにする範囲で調整され、レーザーＬの照射密度は隣り合うホール１１３間の間隔が５〜１０μｍとなるようにする範囲で調整される。
【０１８６】
したがって、ベースフレーム１１０を構成する物質の種類によってレーザーＬの強度が変わり得る。ベースフレーム１１０を構成する物質の種類が変わっても、ホールの深さが３〜３０μｍとなるようにレーザーＬの強度が調整される。
【０１８７】
図１５Ｆを参照すると、ホール１１３の表面に空隙１１５が形成される。図１５Ｆは、図１５Ｅの「Ｆ」部分についての拡大図である。
【０１８８】
図１５Ｅおよび１５Ｆに図示された通り、ベースフレーム１１０は凹凸部１２０ａに形成されたホール１１３およびホール１１３の表面に形成された空隙１１５を含む。
【０１８９】
本発明の一実施例によると、空隙１１５を形成する段階は、ホール１１３を形成した後、ベースフレーム１１０を溶剤で処理する段階を含む。
【０１９０】
凹凸部１２０ａにレーザーＬを照射してホール１１３を形成する過程で、ホール１１３に隣接した部分ではレーザーＬの影響による構成成分の分解または劣化（ｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ）が発生し得る。このようなベースフレーム１１０を溶剤で処理する場合、ベースフレーム１１０のうち分解または劣化された部分が除去されて空隙１１５が形成され得る。
【０１９１】
空隙１１５の形成によりベースフレーム１１０の微細粗さが増加することによって、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着力が向上し得る。
【０１９２】
本発明の一実施例によると、空隙１１５は０．３〜３μｍの深さを有することができる。
【０１９３】
空隙１１５の深さが０．３μｍ未満である場合、凹凸部１２０ａの微細粗さの増加程度が微小であるため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力の向上効果が小さい可能性がある。反面、空隙１１５の深さが３μｍを超過する場合、過度な空隙１１５の深さによって、ベースフレーム１１０の耐久性が低下し得る。
【０１９４】
溶剤は、レーザーＬの照射後、ベースフレーム１１０を洗浄および劣化された部分の除去による空隙１１５の形成のための用途で使われる。溶剤は、特にベースフレーム１１０の表面を洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ）する用途で使われ得る。円滑な洗浄および空隙１１５の大きさ調整のために、溶剤の組成およびｐＨが調整され得る。
【０１９５】
ベースフレーム１１０の洗浄および劣化された部分の除去のために、例えば、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と水（Ｈ２Ｏ）を含む溶剤が使われ得る。具体的には、溶剤は水（Ｈ２Ｏ）１リットル（Ｌ）当たり５０〜２００ｍＬの硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を含むことができる。
【０１９６】
本発明の一実施例によると、溶剤はｐＨ０．５〜５の酸性を有することができる。溶剤のｐＨが０．５未満であると、溶剤の酸性が強いため３μｍを超過する深さを有する空隙１１５が形成され得る。反面、溶剤のｐＨが５を超過すると、溶剤の酸性が弱いため空隙１１５の形成が困難であるか、洗浄効率が低下し得る。溶剤のｐＨはベースフレーム１１０を構成する成分の種類によって変わり得る。
【０１９７】
本発明の一実施例によると、ベースフレーム１１０を溶剤で処理する段階は、ベースフレーム１１０を前記溶剤に浸漬させて２０〜５０Ｈｚの超音波を印加する段階を含むことができる。
【０１９８】
超音波の印加によって空隙１１５の形成効率および洗浄効率が向上し得る。
【０１９９】
印加される超音波の周波数が２０Ｈｚ未満の場合、空隙１１５の形成効率および洗浄効率の増加効果がほとんど発生しない可能性がある。反面、印加される超音波の周波数が５０Ｈｚを超過する場合、必要以上に大きな空隙１１５が形成され得る。より具体的には、ベースフレーム１１０を溶剤で処理する段階で２０〜３０Ｈｚの超音波が溶剤に印加され得る。
【０２００】
ベースフレーム１１０の洗浄および劣化された部分の除去段階で、溶剤の温度は４５〜５５℃の範囲に維持され得る。溶剤の温度が４５℃未満である場合、洗浄効率が低下し、５５℃を超過する場合、ベースフレーム１１０に変形が発生し得、過度な酸の活性によって空隙１１５の大きさが非正常的に大きくなり得る。
【０２０１】
空隙１１５の形状は、例えば、図８Ａおよび８Ｂに開示された通りである。しかし、空隙１１５の形状１１５ａ、１１５ｂは特に制限されない。図面にすべてを表示することはできないが、図８Ａおよび８Ｂに図示された形状１１５ａ、１１５ｂの他に、他の多様な形状を有する空隙１１５が作られ得る。
【０２０２】
次いで、凹凸部１２０ａ上に導電性パターン１２０が形成される。導電性パターン１２０は、凹凸部１２０ａの山Ｐ１と谷Ｖ１および凹凸部１２０ａに形成されたホール１１３と空隙１１５に形成される。
【０２０３】
導電性パターン１２０を形成する段階は、凹凸部１２０ａ上に第１導電体層１２１を形成する段階、第１導電体層１２１上に第２導電体層１２２を形成する段階および第２導電体層１２２上に第３導電体層１２３を形成する段階を含む。
【０２０４】
導電性パターン１２０を形成する段階は、第１導電体層１２１を形成する段階前に、空隙１１５にシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）１２４を形成する段階をさらに含むことができる。
【０２０５】
図１５Ｇを参照すると、導電性パターン１２０の形成過程で、まずシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）１２４が形成される。シード層１２４はメッキによって形成され得る。
【０２０６】
本発明の一実施例によると、シード層１２４は空隙１１５に配置される。その結果、導電性パターン１２０は空隙１１５に配置されたシード層１２４を含むことができる。
【０２０７】
シード層１２４形成用物質として、金属およびプラスチックと優秀な付着力を有する導電性物質が使われ得る。金属およびプラスチックと優秀な付着力を有する物質であれば、制限なくシード層１２４形成用物質として使われ得る。本発明の一実施例によると、シード層１２４は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）および錫（Ｓｎ）のうち少なくとも一つを含む。
【０２０８】
シード層１２４はベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着力を向上させる。シード層１２４は、ベースフレーム１１０を構成するプラスチックのような絶縁体と優秀な付着力を有するだけでなく、導電性パターン１２０を構成する他の導電体とも優秀な付着力を有する物質で作られ得る。それにより、シード層１２４を媒介としてベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間に優秀な結合が形成されることによって、導電性パターン１２０がベースフレーム１１０に安定して付着され得る。
【０２０９】
また、図１５Ｇに図示された通り、シード層１２４が微細な空隙１１５内に配置されることによって、シード層１２４がベースフレーム１１０からほとんど剥離されず、付着状態を維持することができる。それにより、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力がさらに向上し得る。
【０２１０】
本発明の一実施例によると、塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）が溶解している塩酸（ＨＣｌ）溶液（メッキ液）にベースフレーム１１０を浸漬させることによって、シード層１２４が形成され得る。または塩化錫（ＳｎＣｌ２）が溶解している水酸化ナトリウム塩酸（ＮａＯＨ）溶液（メッキ液）にベースフレーム１１０を浸漬させることによって、シード層１２４が形成され得る。塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と硫酸（Ｈ２ＳＯ４）を含む溶液（メッキ液）によってシード層１２４が形成されてもよい。このように、パラジウム（Ｐｄ）が溶解している酸（ａｃｉｄ）溶液にベースフレーム１１０を浸漬させる場合、メッキによってシード層１２４が形成される。この時、パラジウム（Ｐｄ）が溶解している酸（ａｃｉｄ）溶液をメッキ液という。
【０２１１】
シード層１２４の形成において、メッキ液の温度は２５〜３５℃に維持され、メッキ液はｐＨ３〜４の酸性に維持される。
【０２１２】
シード層１２４により導電性パターン１２０の付着力が向上することによって、アンテナモジュール１００の安定性が向上し、アンテナモジュール１００の不良率が減少する。
【０２１３】
図示してはいないが、シード層１２４の形成後、ベースフレーム１１０を洗浄する段階をさらに含むことができる。この時、ベースフレーム１１０を洗浄するために約１０％濃度の硫酸（Ｈ２ＳＯ４）溶液が使われ得る。
【０２１４】
空隙１１５の形成、シード層１２４の形成およびベースフレーム１１０の洗浄過程を経る間、ホール１１３の入口が広くなってホール１１３の境界面が緩やかな曲線となる。
【０２１５】
次いで、図１５Ｈおよび１５Ｉを参照すると、凹凸部１２０ａ上に第１導電体層１２１が形成され、第１導電体層１２１上に第２導電体層１２２が形成され、第２導電体層１２３上に第３導電体層１２３が形成される。図１５Ｉは、図１５ＢのＩＩ−ＩＩ’を切断した断面に対応する。
【０２１６】
第１導電体層１２１はメッキによって形成され得る。第１導電体層１２１はベースフレーム１１０と優秀な接着性を有する導電性物質で形成され得る。第１導電体層１２１は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、第１導電体層１２１の形成のために他の金属または導電性材料が使われてもよい。
【０２１７】
本発明の一実施例によると、ニッケル（Ｎｉ）メッキによって第１導電体層１２１が作られ得る。ニッケル（Ｎｉ）メッキ方法に特に制限はなく、公知のニッケル（Ｎｉ）メッキ方法が適用され得る。例えば、第１導電体層１２１はニッケル（Ｎｉ）と次亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）（ＮａＨ２ＰＯ２）を利用するメッキによって作られ得る。また、第１導電体層１２１の形成のために、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）等が使われてもよい。
【０２１８】
第１導電体層１２１はベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力を向上させる役割をすることができる。また、図７を参照すると、第１導電体層１２１はシード層１２４上にも形成される。第１導電体層１２１がシード層１２４上に形成されることによって、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０が容易に分離しないため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力がさらに向上する。
【０２１９】
第１導電体層１２１は０．２〜２μｍの厚さ（ｔ１）を有する。第１導電体層１２１の厚さ（ｔ１）が０．２μｍ未満である場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の付着力が充分でない可能性がある。反面、第１導電体層１２１の厚さ（ｔ１）が２μｍを超過する場合、導電性パターン１２０の厚さが必要以上に増加して薄型化に不利である。より具体的には、第１導電体層１２１は０．５〜１μｍの厚さ（ｔ１）を有することができる。
【０２２０】
第２導電体層１２２はメッキによって形成され得る。第２導電体層１２２は優秀な導電性を有する物質で形成され得る。第２導電体層１２２は、例えば、銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、第２導電体層１２２形成のために他の金属または導電性材料が使われてもよい。
【０２２１】
本発明の一実施例によると、銅（Ｃｕ）メッキによって第２導電体層１２２が作られ得る。銅（Ｃｕ）メッキ方法に特に制限はなく、公知の銅（Ｃｕ）メッキ方法が適用され得る。例えば、銅（Ｃｕ）メッキのために、銅（Ｃｕ）とともに水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）等が使われ得る。
【０２２２】
第２導電体層１２２は電波を送受信するメイン導体の役割をする。
【０２２３】
第２導電体層１２２は８〜１７μｍの厚さ（ｔ２）を有する。第２導電体層１２２の厚さ（ｔ２）が８μｍ未満である場合、導電性パターン１２０の電気伝導性が充分でない可能性がある。反面、第２導電体層１２２の厚さ（ｔ２）が１７μｍを超過する場合、導電性パターン１２０の厚さが必要以上に増加して薄型化に不利である。より具体的には、第２導電体層１２２は９〜１５μｍの厚さ（ｔ２）を有することができる。
【０２２４】
第３導電体層１２３はメッキによって形成され得る。第３導電体層１２３は導電性を有して腐食または変成に対する耐性が優秀な物質で形成され得る。第３導電体層１２３は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含むことができる。しかし、本発明の一実施例はこれに限定されるものではなく、第３導電体層１２３形成のために他の金属または導電性材料が使われ得る。
【０２２５】
本発明の一実施例によると、ニッケル（Ｎｉ）メッキによって第３導電体層１２３が作られ得る。ニッケル（Ｎｉ）メッキ方法に特に制限はなく、公知のニッケル（Ｎｉ）メッキ方法が適用され得る。例えば、第３導電体層１２３はニッケル（Ｎｉ）と次亜リン酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ  ｈｙｐｏｐｈｏｓｐｈｉｔｅ）（ＮａＨ２ＰＯ２）を利用するメッキによって作られ得る。また、第３導電体層１２３形成のために硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ）、塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、ほう酸（Ｈ３ＢＯ３）等が使われてもよい。
【０２２６】
第３導電体層１２３は第２導電体層１２２および導電性パターン１２０を保護する役割をする。
【０２２７】
第３導電体層１２３は１〜７μｍの厚さ（ｔ３）を有することができる。第３導電体層１２３の厚さ（ｔ３）が１μｍ未満である場合、第２導電体層１２２が十分に保護されない可能性もある。反面、第３導電体層１２３の厚さ（ｔ３）が７μｍを超過する場合、導電性パターン１２０の厚さが必要以上に増加して薄型化に不利である。より具体的には、第３導電体層１２３は２〜５μｍの厚さ（ｔ３）を有することができる。
【０２２８】
図１６は、図１５Ｉの「Ｇ」部分についての拡大図である。図１６は、図５に対応する。
【０２２９】
図１６を参照すると、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触することができる。特に、第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が同じ物質からなる場合、第３導電体層１２３の形成過程で、第２導電体層１２２の外側領域で第３導電体層１２３が下部の第１導電体層１２１と連結され得る。その結果、図１６に図示された通り、導電性パターン１２０の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触して閉空間を形成し、第２導電体１２２層は第１導電体層１２１と第３導電体層１２３によって形成された閉空間内に配置され得る。それにより、第２導電体１２２層が効率的に保護され得る。
【０２３０】
ベースフレーム１１０の凹凸部１２０ａ上に配置された導電性パターン１２０は凹凸部１２０ａの表面形状とほぼ同じ表面形状を有する。具体的には、凹凸部１２０ａは表面プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有し、導電性パターン１２０は凹凸部１２０ａと同じ表面プロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）を有する。導電性パターン１２０は薄膜で形成されるため、凹凸部１２０ａの表面プロファイルは導電性パターン１２０に反映される。
【０２３１】
その結果、図１５Ｉに図示された通り、凹凸部１２０ａの山Ｐ１には導電性パターン１２０の凸部Ｐが形成され、凹凸部１２０ａの谷Ｖ１には導電性パターン１２０の凹部Ｖが形成される。また、凹凸部１２０ａの表面に形成されたホール１１３およびホール１１３に形成された空隙１１５のプロファイルも導電性パターン１２０の表面プロファイルに影響を及ぼす。
【０２３２】
本発明の一実施例に係る導電性パターン１２０の表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有することができる。
【０２３３】
導電性パターン１２０の表面の算術平均高さＳａが４．７μｍ未満である場合は、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の界面の表面粗さが低いケースに該当する。この場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着性が低下し得る。
【０２３４】
反面、導電性パターン１２０の表面の算術平均高さＳａが５．７μｍを超過する場合は、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の界面が過度に粗いケースに該当する。この場合、導電性パターン１２０の膜安定性が低下し、断線または短絡などが発生し得る。
【０２３５】
導電性パターン１２０の表面の最大高さＳｚが４０μｍ未満である場合、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の間の界面の表面粗さが低いため、ベースフレーム１１０と導電性パターン１２０の付着性が低下し得る。
【０２３６】
反面、導電性パターン１２０の表面の最大高さＳｚが５５μｍを超過する場合、凸部Ｐと凹部Ｖ高低差が激しいため、導電性パターン１２０の付着力および膜安定性が低下し得る。したがって、本発明の一実施例によると、その表面が４０μｍ〜５５μｍの最大高さＳｚを有するように導電性パターン１２０が形成される。
【０２３７】
本発明の他の一実施例により前記説明した方法で製造されたアンテナモジュール１００は、電波を送信、受信または送受信する多様な端末に適用され得、特に、携帯電話、タブレットＰＣ、ノートパソコンなどの携帯用端末に適用され得る。
【０２３８】
本発明のさらに他の一実施例は、放射体領域を有するベースフレーム１１０を製造する段階および前記放射体領域に放射体を形成する段階を含むアンテナモジュール１１０の製造方法を提供する。ここで、放射体は図２に図示された導電性パターン１２０と同じである。また、放射体領域は図２に図示された導電性パターン１２０が形成される領域であって、図１５Ａの凹凸部１２０ａの領域に対応する。
【０２３９】
本発明のさらに他の一実施例において、ベースフレーム１１０を製造する段階は、放射体領域に山Ｐ１および谷Ｖ１を有する凹凸部１２０ａを形成する段階、山Ｐ１および谷Ｖ１の表面に複数個のホール（ｈｏｌｅ）１１３を形成する段階およびホール１１３の表面に空隙１１５を形成する段階を含む。
【０２４０】
放射体を形成する段階は、凹凸部１２０ａ上に第１導電体層１２１を形成する段階、第１導電体層１２１上に第２導電体層１２２を形成する段階および第２導電体層１２２上に第３導電体層１２３を形成する段階を含む。
【０２４１】
放射体の表面は、４．７〜５．７μｍの算術平均高さ（Ｓａ：ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃａｌ  ｍｅａｎ  ｈｅｉｇｈｔ）および４０〜５５μｍの最大高さ（Ｓｚ；Ｍａｘｉｍｕｍ  ｈｅｉｇｈｔ）で表現される面積粗度（ａｒｅａｌ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有するように製造される。また、放射体はいずれか一つの方向に沿って、５００μｍ長さ当たり平均３〜７個の凸部Ｐおよび平均３〜７個の凹部Ｖを有するように製造される。
【０２４２】
放射体の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触する。具体的には、放射体の縁で第１導電体層１２１と第３導電体層１２３が互いに接触して閉空間を形成し、第２導電体層１２２は第１導電体層１２１と第３導電体層１３３によって形成された閉空間内に配置される。
【０２４３】
以上説明された本発明の実施例によると、アンテナモジュールの導電性パターンがベースフレームに安定して付着するため放射体の分離によるアンテナモジュールの不良が防止され、導電性パターンがベースフレームに安定して付着するため微細パターンを有する放射体が製造され得る。また、本発明の実施例によると、導電性パターンを形成する導電体物質の拡散や不要な残存が防止されるためアンテナモジュールの性能が安定的に維持される。
【符号の説明】
【０２４４】
１００：アンテナモジュール
１１０：ベースフレーム
１１３：ホール
１１５：空隙
１２０、１３０、１４０：導電性パターン
１２１：第１導電体層
１２２：第２導電体層
１２３：第３導電体層
１２４：シード層
【図１】
2020014203.tif 000005
【図２】
2020014203.tif 000006
【図３】
2020014203.tif 000007
【図４】
2020014203.tif 000008
【図５Ａ】
2020014203.tif 000009
【図５Ｂ】
2020014203.tif 000010
【図６】
2020014203.tif 000011
【図７】
2020014203.tif 000012
【図８Ａ】
2020014203.tif 000013
【図８Ｂ】
2020014203.tif 000014
【図９】
2020014203.tif 000015
【図１０】
2020014203.tif 000016
【図１１】
2020014203.tif 000017
【図１２】
2020014203.tif 000018
【図１３】
2020014203.tif 000019
【図１４】
2020014203.tif 000020
【図１５Ａ】
2020014203.tif 000021
【図１５Ｂ】
2020014203.tif 000022
【図１５Ｃ】
2020014203.tif 000023
【図１５Ｄ】
2020014203.tif 000024
【図１５Ｅ】
2020014203.tif 000025
【図１５Ｆ】
2020014203.tif 000026
【図１５Ｇ】
2020014203.tif 000027
【図１５Ｈ】
2020014203.tif 000028
【図１５Ｉ】
2020014203.tif 000029
【図１６】
2020014203.tif 000030