(57)【要約】【課題】チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる表面処理装置を提供する。【解決手段】表面処理装置１は、チップ部品１００を収納した処理容器２を回転させてチップ部品１００に表面処理を行うものである。処理容器２の底面２１上のチップ部品１００は、遠心力によって外周側へ移動する。傾斜部２０は、処理容器２の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品１００に作用する外周側へ向かう力Ｆ４を大きくすることができる。すなわち、傾斜部２０は、処理容器２の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品１００を外周側へ移動させ易くすることができる。また、処理容器２の回転数の増加を抑制することで、チップ部品１００が外周縁の電極リング１３と衝突したときの衝撃を抑制することができる。【選択図】図１
2020050887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
処理容器をその回転中心にて水平面上で回転させる垂直回転軸と、を備え、
チップ部品を収納した処理容器を回転させて前記チップ部品に表面処理を行う、表面処理装置であって、
前記処理容器の底面には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる第１の傾斜部が形成されている、表面処理装置。
【請求項２】
前記処理容器の底面には、前記第１の傾斜部よりも外周側の位置に、内周側から外周側へ向かうに従って上がる第２の傾斜部が形成されている、請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記第１の傾斜部は、前記底面の中央部を中心とした円錐状の形状を有する、請求項１又は２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記第１の傾斜部は、前記底面の中央部と外周端との間の水平方向における距離に対して、１／７〜３／７の距離を占める領域に形成される、請求項１〜３の何れか一項に記載の表面処理装置。
【請求項５】
前記第１の傾斜部は、複数段の傾斜面によって構成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表面処理装置として、特許文献１に示すものが知られている。この表面処理装置は、処理容器と、処理容器をその回転中心にて水平面上で回転させる垂直回転軸と、を備え、チップ部品を収納した処理容器を回転させてチップ部品に表面処理を行うものである。この表面処理装置の処理容器の底面は、水平方向に広がる平面をなしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１３８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の表面処理装置は、回転によって処理容器内のチップ部品に遠心力を与えて、外周側へ移動させる。チップ部品は、処理容器の外周側の電極に接触することで、表面処理が行われる。ここで、処理容器の底面の内周側の領域では、チップ部品に作用する遠心力が小さいため、チップ部品の移動が起こりにくい。当該領域にてチップ部品を移動させようとした場合、回転数を上げる必要がある。しかしながら、回転数が大きくなると、電極と衝突したときのチップ部品に対する衝撃が大きくなる場合がある。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる表面処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表面処理装置は、処理容器と、処理容器をその回転中心にて水平面上で回転させる垂直回転軸と、を備え、チップ部品を収納した処理容器を回転させてチップ部品に表面処理を行う、表面処理装置であって、処理容器の底面には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる第１の傾斜部が形成されている。
【０００７】
本発明に係る表面処理装置は、チップ部品を収納した処理容器を回転させてチップ部品に表面処理を行うものである。処理容器の底面上のチップ部品は、遠心力によって外周側へ移動する。ここで、処理容器の底面には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる第１の傾斜部が形成されている。この場合、第１の傾斜部上のチップ部品には、遠心力に加えて、内周側から外周側へ向かって滑り落ちようとする力が作用する。このため、第１の傾斜部は、処理容器の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品に作用する外周側へ向かう力を大きくすることができる。すなわち、第１の傾斜部は、処理容器の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品を外周側へ移動させ易くすることができる。また、処理容器の回転数の増加を抑制することで、チップ部品が外周縁の電極と衝突したときの衝撃を抑制することができる。以上より、チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる。
【０００８】
処理容器の底面には、第１の傾斜部よりも外周側の位置に、内周側から外周側へ向かうに従って上がる第２の傾斜部が形成されてよい。チップ部品は、内周側から外周側へ向かって重力に抗して第２の傾斜部を上がらなくてはならないため、内周側から外周側へ向かう移動速度が低下する。このように、チップ部品が外周縁の電極と衝突する手前の段階で、チップ部品の移動速度が低下するため、チップ部品に対する衝撃を低減することができる。
【０００９】
第１の傾斜部は、底面の中央部を中心とした円錐状の形状を有してよい。この場合、一定な傾斜角で傾斜面を形成することができるため、第１の傾斜部を容易に形成することができる。
【００１０】
第１の傾斜部は、底面の中央部と外周端との間の水平方向における距離に対して、１／７〜３／７の距離を占める領域に形成されてよい。このように第１の傾斜部が形成される範囲を適切な大きさとすることで、チップ部品を外周側に移動し易くしつつ、第１の傾斜部が広すぎて外周側へ向かう速度が大きくなりすぎることを抑制できる。
【００１１】
第１の傾斜部は、複数段の傾斜面によって構成されてよい。この場合、中心からの距離に応じて、傾斜面を適切な角度に調整することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、チップ部品に対する衝撃を低減しながら、処理容器内でチップ部品を移動し易くすることができる表面処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態に係る表面処理装置の断面図である。
【図２】傾斜部に配置された状態のチップ部品の拡大図である。
【図３】変形例に係る表面処理装置の断面図である。
【図４】変形例に係る表面処理装置の断面図である。
【図５】変形例に係る表面処理装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１を参照して、本実施形態に係る表面処理装置の構成について説明する。図１は、本実施形態に係る表面処理装置の断面図である。表面処理装置１は、チップ部品１００を収容した処理容器２を回転させることでチップ部品１００に表面処理を行う装置である。本実施形態に係る表面処理装置１は、電気めっき処理を行う。ただし、表面処理装置１は、電気めっき処理のみならず、通電を必要とする処理であれば行うことができ、例えば、複合めっき処理、アニオン電着塗装処理、カチオン電着塗装処理、酸電解処理、電解研磨処理などを行うこともできる。チップ部品１００は、素体１０１に外部電極１０２が設けられたコイル、コンデンサなどの電子素子である（図２参照）。図１に示すように、表面処理装置１は、処理容器２と、垂直回転軸３と、を備える。
【００１５】
処理容器２は、内部にめっき液Ｗとチップ部品１００が収容され、当該チップ部品１００に表面処理を行う容器である。処理容器２は、基板１１と、底板１２と、電極リング１３と、カバー１４と、電極１６と、を備える。
【００１６】
基板１１は、処理容器２の底壁部を形成する、水平方向に広がる円板状の部材である。基板１１は、導電性の材料によって構成される。底板１２は、基板１１の上側に設けられ、処理容器２の内部空間の底面２１を形成する部材である。底板１２は、基板１１上にて水平方向に広がる略円板状の部材である。底板１２は、樹脂などの非導電性の材料によって構成される。基板１１と底板１２は、互いの中心軸線が、表面処理装置１の中心軸線ＣＬと一致するように配置される。また、基板１１と底板１２の直径は同一とされている。底板１２の中央位置には、傾斜部２０（第１の傾斜部）が形成されている。傾斜部２０の詳細な構成については後述する。
【００１７】
電極リング１３は、処理容器２の側壁を構成する円環状の部材である。電極リング１３は、導電性の材料によって構成され、表面処理装置１における陰極として機能する。電極リング１３は、底板１２の外周縁における上面から、上方へ向かって延びるように配置される。電極リング１３の外径は、底板１２の直径と同一とされている。電極リング１３は、その中心軸線が表面処理装置１の中心軸線ＣＬと一致するように配置される。電極リング１３の内周面は、チップ部品１００と接触する接触面１３ａとして機能する。電極リング１３の断面形状は矩形状に形成されているため、接触面１３ａは鉛直方向へ真っ直ぐ延びる面を構成している。ただし、接触面１３ａの形状は特に限定されず、内周側から外周側へ向かって傾斜するような傾斜面をなしていてもよい。
【００１８】
電極リング１３は、上方からボルト１７が挿入されることによって、基板１１及び底板１２に固定される。ボルト１７は、カバー１４の後述のフランジ部１４ａを介して電極リング１３に上方から挿入され、当該電極リング１３及び底板１２を貫通して、基板１１まで達している。なお、電極リング１３と底板１２との間には、めっき液Ｗを外部に排出する排出口（不図示）が形成される。排出口は、電極リング１３と底板１２との間に多孔性の部材を配置することによって、または隙間を設けることによって形成される。
【００１９】
カバー１４は、処理容器２の天井壁部を構成する円錐台状の筒状部材である。カバー１４は、樹脂などの非導電性の材料によって構成される。カバー１４は、その中心軸線が表面処理装置１の中心軸線ＣＬと一致するように配置される。カバー１４は、下端部に外周側へ水平に広がるフランジ部１４ａにて、電極リング１３と接合される。カバー１４のフランジ部１４ａは、電極リング１３の上面に配置されて、ボルト１７によって固定される。カバー１４の上端部には円形状の開口部１４ｂが形成されている。
【００２０】
電極１６は、表面処理装置１における陽極として機能する。電極１６は、カバー１４の開口部１４ｂを介して上方から処理容器２内に挿入されている。電極１６は、網目構造などのように液体を通す容器の中に、めっきの金属材料を収容することによって構成される。例えば、チップ部品１００に対してニッケルめっきを行う場合は、電極１６の容器にはニッケルの固体が収容され、銅めっきを行う場合は、電極１６の容器には銅の固体が収容される。電源１９のプラス側が電極１６に接続され、マイナス側が電極リング１３に接続される。これにより、電極１６の金属材料の金属イオンがめっき液Ｗ中に溶け出す。なお、図１では、電源１９が電極リング１３に直接接続されているように模式的に記載されているが、例えば、電極リング１３は、導電性の材料で形成される垂直回転軸、基板１１、及びボルト１７を介して通電されてもよい。
【００２１】
垂直回転軸３は、処理容器２に接続されており、処理容器２をその回転中心にて回転させるための部材である。垂直回転軸３は、基板１１の下面に固定されて下方へ垂直に延びる円柱状の部材である。垂直回転軸３の中心軸線は、処理容器２の中心軸線ＣＬと一致するように配置される。従って、処理容器２は、垂直回転軸３の回転に伴って中心軸線ＣＬを回転中心として、回転を行う。処理容器２の回転数は特に限定されないが、６０ｒｐｍ〜１２０ｒｐｍ程度に設定されてよい。
【００２２】
以上のように、垂直回転軸３が回転することで処理容器２が回転し、処理容器２の内部のチップ部品１００に対して外周側へ向かう遠心力が作用する。底板１２上に配置されていた多数のチップ部品１００は、遠心力の影響によって外周側へ移動し、陰極である電極リング１３の接触面１３ａと接触する。これにより、電極リング１３と接触したチップ部品１００の外部電極１０２（図２参照）にて還元反応が起こり、めっき中の金属イオンが電子を受け取ることで、外部電極１０２に金属のめっき層が形成される。
【００２３】
次に、底板１２の傾斜部２０について詳細に説明する。傾斜部２０は、処理容器２の底面２１に形成されている。傾斜部２０は、内周側から外周側へ向かうに従って下がるように傾斜している。本実施形態では、傾斜部２０は、底面２１の中央部２１ａを中心とした円錐状の形状を有する。すなわち、傾斜部２０は、中心軸線ＣＬ上に頂部２０ａを有するように、配置されている。頂部２０ａは、電極１６と干渉しないように、当該電極１６よりも低い位置に配置されている。傾斜部２０の傾斜面２０ｂは、水平方向に対して、一定の角度をなすように真っ直ぐに傾斜している。傾斜面２０ｂの傾斜角は、回転数や底面２１の摩擦係数などによって適宜変更されるものであり特に限定されないが、例えば４０°〜８０°程度の角度に設定されてよい。なお、傾斜角の設定の詳細については、作用・効果の説明と共に後述する。
【００２４】
底面２１は、傾斜部２０が形成される中央側の領域Ｅ１と、傾斜部２０が形成されていない外周側の領域Ｅ２と、を有する。領域Ｅ２は、傾斜部２０と底面２１の外周端２１ｂとの間の領域であり、水平方向に広がる平面となっている。傾斜部２０は、底面２１の中央部２１ａと外周端２１ｂとの間の水平方向における距離に対して、１／７〜３／７の距離を占める領域に形成される。底面２１の中央部２１ａと外周端２１ｂとの間の水平方向における距離は図において「Ｌ１」で示される。当該距離（Ｌ１）のうちの傾斜部２０が占める距離は、中央部２１ａと下端２０ｃとの間の水平方向における距離である「Ｌ２」で示される。すなわち、「Ｌ２／Ｌ１」の範囲が１／７〜３／７となる。「Ｌ２／Ｌ１」が１／７以上であることにより、傾斜部２０の範囲を十分広くすることで、底面２１の中央部２１ａ付近にて、移動しないチップ部品１００が発生することを抑制できる。また、「Ｌ２／Ｌ１」が３／７以下であることにより、傾斜部２０が広すぎることで、チップ部品１００の移動速度が大きくなりすぎることを抑制できる。
【００２５】
次に、本実施形態に係る表面処理装置１の作用・効果について説明する。
【００２６】
本実施形態に係る表面処理装置１は、チップ部品１００を収納した処理容器２を回転させてチップ部品１００に表面処理を行うものである。処理容器２の底面２１上のチップ部品１００は、遠心力によって外周側へ移動する。チップ部品１００は、外周側の電極リング１３の接触面１３ａと接触する。電極リング１３は陰極として機能するため、当該電極リング１３と接触するチップ部品１００の外部電極１０２（図２参照）にてめっき液Ｗ中の金属イオンが電子を受け取り、外部電極１０２にめっきがなされる。
【００２７】
ここで、処理容器２の底面２１には、内周側から外周側へ向かうに従って下がる傾斜部２０が形成されている。この場合、傾斜部２０上のチップ部品１００には、遠心力に加えて、内周側から外周側へ向かって滑り落ちようとする力が作用する。
【００２８】
具体的に、図２に示すように、チップ部品１００に対して水平方向に遠心力Ｆ１が作用し、鉛直方向下向きに重力Ｆ２が作用し、傾斜面２０ｂと平行な方向に摩擦力Ｆ３が作用する。傾斜部２０の傾斜角は「θ」とする。遠心力Ｆ１のうち、傾斜面２０ｂに対する平行成分Ｆ１ａは斜め下方へ向かって「Ｆ１・ｃｏｓθ」となり、傾斜面２０ｂに対する垂直成分Ｆ１ｂは斜め上方へ向かって「Ｆ１・ｓｉｎθ」となる。重力Ｆ２のうち、傾斜面２０ｂに対する垂直成分Ｆ２ａは斜め下方へ向かって「Ｆ２・ｃｏｓθ」となり、傾斜面２０ｂに対する平行成分Ｆ２ｂは斜め下方へ向かって「Ｆ２・ｓｉｎθ」となる。
【００２９】
このとき、チップ部品１００に対する傾斜面２０ｂの垂直抗力Ｎは、「重力Ｆ２の垂直成分Ｆ２ａ−遠心力Ｆ１の垂直成分Ｆ１ｂ」となる。よって、摩擦力Ｆ３は、「静止摩擦係数μ×（重力Ｆ２の垂直成分Ｆ２ａ−遠心力Ｆ１の垂直成分Ｆ１ｂ）」となる。静止摩擦係数μは０．２〜０．６程度に設定される。チップ部品１００が外周側へ移動するためには、摩擦力Ｆ３と反対方向の力Ｆ４、すなわち傾斜面２０ｂと平行で内周側へ向かう力Ｆ４が、摩擦力Ｆ３よりも大きくなればよい。ここで、内周側へ向かう力Ｆ４は、「遠心力Ｆ１の平行成分Ｆ１ａ＋重力Ｆ２の平行成分Ｆ２ｂ」としめされる。このように、傾斜部２０上のチップ部品１００には、遠心力Ｆ１の平行成分Ｆ２ｂに加えて、内周側から外周側へ向かって滑り落ちようとする力として、重力Ｆ２の平行成分Ｆ２ｂが作用する。なお、傾斜角θが大きいほど、加算される重力Ｆ２の平行成分Ｆ２ｂが大きくなるため、力Ｆ４を摩擦力Ｆ３より大きくし易くなる。ただし、チップ部品１００が動き出した後に外周側へ向かう速度が大きくなりすぎない傾斜角θに抑えることが好ましい。
【００３０】
遠心力Ｆ１は回転の中心から近いほど低くなる。比較例として、底面２１の全域が水平面であるような表面処理装置の場合、中心付近のチップ部品１００が水平面に配置された状態となる。中心付近のチップ部品１００に作用する遠心力Ｆ１が摩擦力Ｆ３よりも小さい場合、チップ部品１００が停止してしまい、外周側へ移動することができない。この場合、内周側へ向かう力Ｆ４を摩擦力Ｆ３よりも大きくするには、処理容器２の回転数を大きくする必要がある。しかし、回転数を大きくすると、電極リング１３と衝突したときのチップ部品１００に対する衝撃が大きくなる場合がある。
【００３１】
これに対し、チップ部品１００が傾斜部２０上に配置されている場合は、内周側へ向かう力Ｆ４には、重力Ｆ２の平行成分Ｆ２ｂを加算することができる。従って、本実施形態内周側へ向かう力Ｆ４を摩擦力Ｆ３よりも大きくするために必要な遠心力Ｆ１は、比較例に係る表面処理装置よりも小さくなる。以上より、傾斜部２０は、処理容器２の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品１００に作用する外周側へ向かう力Ｆ４を大きくすることができる。すなわち、傾斜部２０は、処理容器２の回転数の増加を抑制しながら、チップ部品１００を外周側へ移動させ易くすることができる。また、処理容器２の回転数の増加を抑制することで、チップ部品１００が外周縁の電極リング１３と衝突したときの衝撃を抑制することができる。以上より、チップ部品１００に対する衝撃を低減しながら、処理容器２内でチップ部品１００を移動し易くすることができる。
【００３２】
傾斜部２０は、底面２１の中央部２１ａを中心とした円錐状の形状を有している。この場合、一定な傾斜角で傾斜面２０ｂを形成することができるため、傾斜部２０を容易に形成することができる。
【００３３】
傾斜部２０は、底面２１の中央部２１ａと外周端２１ｂとの間の水平方向における距離に対して、１／７〜３／７の距離を占める領域に形成される。このように傾斜部２０が形成される範囲を適切な大きさとすることで、チップ部品１００を外周側に移動し易くしつつ、傾斜部２０が広すぎて外周側へ向かう速度が大きくなりすぎることを抑制できる。
【００３４】
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
【００３５】
例えば、図３に示すような変形例に係る表面処理装置１を採用してもよい。図３に示すように、傾斜部１２０（第１の傾斜部）は、複数段階に傾斜角が変化している。傾斜部１２０は、底面１２１の中央部１２１ａから外周側へ向かうに従って、傾斜角が小さくなるように変化する。傾斜部１２０は、頂部１２０ａから下方へ向かって傾斜する傾斜面１２０ｂと、傾斜面１２０ｂの下端から下端１２０ｃへ向かって傾斜する傾斜面１２０ｄと、を有する。傾斜面１２０ｂの傾斜角は、傾斜面１２０ｄよりも大きい。底面１２１は、傾斜部１２０の下端１２０ｃから外周端１２１ｂまでは水平に延びる平面を有する。
【００３６】
このように傾斜部１２０が、複数段の傾斜面１２０ｂ，１２０ｄによって構成されているため、中心からの距離に応じて、傾斜面１２０ｂ，１２０ｄを適切な角度に調整することができる。図２を用いて前述したように、中央部１２１ａに近い位置ほど遠心力が小さくなるため、傾斜部の傾斜角を大きくする必要があり、中央部１２１ａから外周側に離れた位置ほど遠心力が大きくなるため、傾斜角は小さくてよい。図１の形態において、中央部２１ａ付近で必要な傾斜角に合わせて、傾斜部２０全域を大きな傾斜角とした場合、頂部２０ａの位置が高くなる。電極１６と傾斜部２０とが干渉することを回避するため、電極１６を高い位置に配置する必要が生じる。一方、図３に示すように、中央部１２１ａ付近では、必要な傾斜角が得られるように傾斜角が大きい傾斜面１２０ｂが形成され、外周側では必要以上に傾斜角が大きくない傾斜面１２０ｄが形成されている。従って、頂部１２０ａの位置を低くすることができる。その分、電極１６を低い位置に配置できるため、めっき液Ｗ中に浸漬される電極１６の範囲が大きくなる。これにより、めっきの効率を向上することができる。また、傾斜面１２０ｄでは、必要以上に傾斜角が大きくなることが抑制されているため、チップ部品１００の移動速度が必要以上に大きくなることを抑制できる。
【００３７】
また、図４に示すような変形例に係る表面処理装置１を採用してもよい。図４に示すように、傾斜部２２０（第１の傾斜部）は、内周側から外周側へ向かって連続的に傾斜角が変化するように、湾曲している。傾斜部２２０は、底面２２１の中央部２２１ａから外周側へ向かうに従って、傾斜角が小さくなるように変化する。傾斜部２２０は、頂部２２０ａから外周側へ向かうに従って徐々に傾斜角が小さくなる湾曲面２２０ｂを有する。湾曲面２２０ｂは、下側へ向かって凸をなすように湾曲する。湾曲面２２０ｂの傾斜角は、下端２２０ｃ付近ではほぼ０°に等しくなる。底面２２１は、傾斜部２２０の下端２２０ｃから外周端２２１ｂまでは水平に延びる平面を有する。なお、本変形例において、湾曲面２２０ｂの傾斜角は、任意の位置における接線の角度に該当する。
【００３８】
図２を用いて前述したように、中央部２２１ａに近い位置ほど遠心力が小さくなるため、傾斜部の傾斜角を大きくする必要があり、中央部２２１ａから外周側に離れた位置ほど遠心力が大きくなるため、傾斜角は小さくてよい。従って、図４に示すように、底面２２１は、中央部２２１ａ付近では、必要な傾斜角が得られるように傾斜角が大きく、外周側では必要以上に傾斜角が大きくならないような、湾曲面２２０ｂを有している。従って、頂部２２０ａの位置を低くすることができる。その分、電極１６を低い位置に配置できるため、めっき液Ｗ中に浸漬される電極１６の範囲が大きくなる。これにより、めっきの効率を向上することができる。また、外周側では、必要以上に傾斜角が大きくなることが抑制されているため、チップ部品１００の移動速度が必要以上に大きくなることを抑制できる。
【００３９】
また、図５に示すような変形例に係る表面処理装置１を採用してもよい。図５に示すように、処理容器２の底面３２１には、傾斜部２０よりも外周側の位置に、内周側から外周側へ向かうに従って上がる傾斜部３２０（第２の傾斜部）が形成される。傾斜部３２０は、底面３２１の外周端３２１ｂから内周側へ向かって下がるように傾斜する。中央部３２１ａ側の傾斜部２０と外周側の傾斜部３２０との間の領域は、水平な平面となっている。なお、傾斜部２０は、図３に示す傾斜部１２０、図４に示す傾斜部２２０に変更してもよい。
【００４０】
図５のような構成によれば、チップ部品１００は、内周側から外周側へ向かって重力に抗して傾斜部３２０を上がらなくてはならないため、内周側から外周側へ向かう移動速度が低下する。このように、チップ部品１００が外周縁の電極リング１３と衝突する手前の段階で、チップ部品の移動速度が低下するため、チップ部品１００に対する衝撃を低減することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１…表面処理装置、２…処理容器、３…垂直回転軸、２０，１２０，２２０…傾斜部（第１の傾斜部）、２１，１２１，２２１，３２１…底面、２１ａ，１２１ａ，２２１ａ，３２１ａ…中央部、２１ｂ，１２１ｂ，２２１ｂ，３２１ｂ…外周端、１２０ｂ，１２０ｄ…傾斜面、３２０…傾斜部（第２の傾斜部）。
【図１】
2020050887.tif 000003
【図２】
2020050887.tif 000004
【図３】
2020050887.tif 000005
【図４】
2020050887.tif 000006
【図５】
2020050887.tif 000007