(57)【要約】【課題】良好な膜厚分布の均一性が得られる成膜装置及び成膜製品の製造方法を提供する。【解決手段】内部を真空とすることが可能なチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、回転することによって円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部と、搬送部により搬送されるワークＷに対して、スパッタガスＧ１をプラズマ化することにより、ターゲット６１を構成する成膜材料を堆積させて成膜を行う成膜部４ａと、成膜部４ａに設けられ、スパッタガスＧ１が導入される成膜室Ｄｐの一部を画成し、前記搬送経路に向かう開口９１を有するシールド部材Ｓ１と、成膜室ＤｐにスパッタガスＧ１を導入するスパッタガス導入部８と、成膜室Ｄｐ内に、開口９１を狭める方向に張り出して設けられた補正部材９４と、成膜室Ｄｐ内の圧力を低減することにより、補正部材９４による成膜室Ｄｐ内の圧力上昇を抑える圧力調整部を有する。【選択図】図４
2020050939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を真空とすることが可能なチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、回転することによって円周の搬送経路に沿ってワークを搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送される前記ワークに対して、スパッタガスをプラズマ化することにより、ターゲットを構成する成膜材料を堆積させて成膜を行う成膜部と、
前記成膜部に設けられ、前記スパッタガスが導入される成膜室の一部を画成し、前記搬送経路に向かう開口を有するシールド部材と、
前記成膜室に前記スパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、
前記成膜室内に、前記開口を狭める方向に張り出して設けられた補正部材と、
前記補正部材による前記成膜室内の圧力上昇を抑える圧力調整部と、
を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記補正部材は、前記シールド部材の開口側の縁部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記補正部材は、前記ターゲットに対して、前記搬送部の回転の軸方向の重なりが生じない位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記圧力調整部は、前記成膜室への前記スパッタガスの供給量を調節する供給量調節部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項５】
前記圧力調整部は、前記成膜室からの前記スパッタガスの排気量を調節する排気量調節部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記排気量調節部は、
前記シールド部材に形成された貫通孔である窓と、
前記窓を開閉するシャッターと、
前記シャッターを前記チャンバの外部から操作する操作部材と、
を有することを特徴とする請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
請求項４記載の成膜装置を用いて、前記ワークに対して成膜を行う成膜製品の製造方法であって、
前記供給量調節部による前記成膜室への前記スパッタガスの供給量を低減することにより、前記成膜室内の圧力上昇を抑えることを特徴とする成膜製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び成膜製品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体やディスプレイあるいは光ディスクなど各種の製品の製造工程において、例えばウエーハやガラス基板等のワーク上に光学膜等の薄膜を成膜することがある。薄膜は、ワークに対して金属等の膜を形成する成膜と、形成した膜に対してエッチング、酸化又は窒化等の膜処理を繰り返すことによって、作成することができる。
【０００３】
成膜及び膜処理は様々な方法で行うことができるが、その一つとして、プラズマ処理による方法がある。成膜では、ターゲットを配置した真空容器であるチャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに直流電圧を印加する。プラズマ化したスパッタガスのイオンをターゲットに衝突させ、ターゲットから叩き出された材料をワークに堆積させて成膜を行う。膜処理では、電極を配置したチャンバ内にプロセスガスを導入し、電極に高周波電圧を印加する。プラズマ化したプロセスガスのイオンをワーク上の膜に衝突させることによって膜処理を行う。
【０００４】
このような成膜と膜処理（以下、両者を含めてプラズマ処理とする）を連続して行えるように、一つのチャンバの内部に回転テーブルを取り付け、チャンバの天井、つまり回転テーブルの上方の周方向に、成膜部と膜処理部を複数配置した成膜装置がある（例えば、特許文献１参照）。これにより、ワークを回転テーブル上に保持して搬送し、成膜部と膜処理部の直下を通過させることによって、光学膜等を形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４２８８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような成膜装置は、チャンバ内に、プラズマ処理を行う空間である処理室を有する。この処理室の一部は、シールド部材によって構成される。シールド部材は、ターゲットからの成膜材料が飛散してチャンバ内壁へ付着したり、導入されるスパッタガスやプロセスガス（以下、両者を含めて反応ガスとする）が各処理室から流出する等を防ぐために設けられる。
【０００７】
シールド部材の縁部は、ワークの通過を許容するために、隙間を空けてワークに近接している。反応ガスの漏れを極力少なくするためには、シールド部材とワークとの隙間はできるだけ小さくすることが好ましい。例えば、シールド部材の縁部とワークとの間に、数ｍｍ程度の隙間が形成されるように設定されている。
【０００８】
但し、処理室のうち成膜室では、ワークの表面の所望の領域において、単位時間当たりの成膜材料の堆積量又は膜厚である成膜レートが異なり、結果的に、形成された膜の膜厚の分布が成膜対象面の全体で均一とならない場合が生じる。このため、スパッタガスの流量、ターゲットの大きさ、位置、数、印加電圧等を調整することにより、膜厚分布の均一性を図ることが試みられてきた。しかし、このような調整方法によっても、必ずしも良好な膜厚の均一性が得られない場合が生じていた。
【０００９】
本発明の目的は、良好な膜厚分布の均一性が得られる成膜装置及び成膜製品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の成膜装置は、内部を真空とすることが可能なチャンバと、前記チャンバ内に設けられ、回転することによって円周の搬送経路に沿ってワークを搬送する搬送部と、前記搬送部により搬送される前記ワークに対して、スパッタガスをプラズマ化することにより、ターゲットを構成する成膜材料を堆積させて成膜を行う成膜部と、前記成膜部に設けられ、前記スパッタガスが導入される成膜室の一部を画成し、前記搬送経路に向かう開口を有するシールド部材と、前記成膜室に前記スパッタガスを導入するスパッタガス導入部と、前記成膜室内に、前記開口を狭める方向に張り出して設けられた補正部材と、前記補正部材による前記成膜室内の圧力上昇を抑える圧力調整部と、を有する
【００１１】
前記補正部材は、前記シールド部材の開口側の縁部に設けられていてもよい。前記補正部材は、前記ターゲットに対して、前記搬送部の回転の軸方向の重なりが生じない位置に設けられていてもよい。
【００１２】
前記圧力調整部は、前記成膜室への前記スパッタガスの供給量を調節する供給量調節部を有していてもよい。前記圧力調整部は、前記成膜室からの前記スパッタガスの排気量を調節する排気量調節部を有していてもよい。前記排気量調節部は、前記シールド部材に形成された貫通孔である窓と、前記窓を開閉するシャッターと、前記シャッターを前記チャンバの外部から操作する操作部材と、を有していてもよい。なお、このような成膜装置を用いて、成膜製品を製造する方法も、本発明の一態様である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、良好な膜厚分布の均一性が得られる成膜装置及び成膜製品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る成膜装置の構成を模式的に示す透視平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の実施形態のシールド部材を示す斜視図である。
【図４】図３のシールド部材の平面図である。
【図５】図３の補正部材を示す斜視図である。
【図６】成膜装置の制御部を示すブロック図である。
【図７】排気量調節部を示す斜視図である。
【図８】調整部材を示す斜視図である。
【図９】調整部材とワークを示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［構成］
本発明の実施形態について、図面を参照して具体的に説明する。以下の説明では、重力に従う方向を下方、これとは逆に重力に抗する方向を上方とする。
【００１６】
［チャンバ］
図１及び図２に示すように、成膜装置１００はチャンバ１を有する。チャンバ１は、略円筒形状の有底の容器である。チャンバ１は、内部を真空とすることが可能である。チャンバ１の開口には、開閉可能な蓋体１ａが設けられている。蓋体１ａは、円形の板状部材であり、チャンバ１の上部を気密に封止する。また、チャンバ１には排気部２が設けられており、チャンバ１の内部を真空に排気可能になっている。すなわち、チャンバ１は真空容器として機能する。排気部２は、図示しない真空源を含む空気圧回路に接続された配管を有する。この空気圧回路の接続箇所が排気位置である。本実施形態では、排気位置は、チャンバ１の底部にある。なお、本実施形態では、チャンバ１の蓋体１ａは上、底部は下となっているが、蓋体１ａが下、底部が上となってもよい。
【００１７】
［回転テーブル］
チャンバ１内には、円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部として、水平回転する円形の回転テーブル３が設けられている。つまり、中空の回転筒３ｂが、チャンバ１の底部を貫通してチャンバ１の内部に立設し、回転筒３ｂには、回転テーブル３が取り付けられている。回転筒３ｂには、モータ３１（図６参照）等を含む不図示の駆動機構が連結される。駆動機構の駆動によって回転テーブル３は回転筒３ｂを中心に回転する。中空の回転筒３ｂの内部には、不動の支柱３ｃが配置されている。支柱３ｃは、チャンバ１の外部に設けられた不図示の基台に固定され、チャンバ１の底部を貫通してチャンバ１の内部に立設される。回転テーブル３の中心には開口部が設けられている。支柱３ｃは回転テーブル３の開口部を貫通し、先端は回転テーブル３の上面と、チャンバ１の上面の間に位置する。なお、以下の説明では、回転筒３ｂの軸を、回転テーブル３の回転の軸とする。回転テーブル３の回転軸に近い側を内周側、回転軸から離れる側を外周側とする。
【００１８】
回転テーブル３の開口部と支柱３ｃとの間にはボールベアリング３ｄが配置されている。すなわち、回転テーブル３は、ボールベアリング３ｄを介して支柱３ｃに回転可能に支持されている。なお、支柱３ｃの先端は、後述する内周支持部ＩＰを構成している。
【００１９】
回転テーブル３の上面には、ワークＷを保持する保持部３ａが複数設けられる。複数の保持部３ａは、回転テーブル３の周方向に沿って等間隔に設けられる。回転テーブル３が回転することによって、保持部３ａに保持されたワークＷが回転テーブル３の周方向に移動する。言い替えると、回転テーブル３の面上には、ワークＷの円周の移動軌跡である搬送経路Ｌが形成される。保持部３ａは、例えばワークＷを載置する窪み、トレイ等とすることができる。保持部３ａに、ワークＷを把持する静電チャック、メカチャック等のチャック部材を設けてもよい。
【００２０】
本実施形態ではワークＷの例として、中央に凸部を有する基板を用いているが、プラズマ処理を行うワークＷの種類、形状及び材料は特定のものに限定されない。例えば、平板状の基板を用いてもよいし、凹部あるいは凸部を有する湾曲した基板を用いても良い。また、金属、カーボン等の導電性材料を含むもの、ガラスやゴム等の絶縁物を含むもの、シリコン等の半導体を含むものを用いても良い。なお、成膜装置１００により成膜されたワークＷを、成膜製品と呼ぶ場合がある。
【００２１】
［処理部］
回転テーブル３の保持部３ａに対向する位置には、成膜装置１００における各工程の処理を行う処理部４が設けられている。各処理部４は、回転テーブル３の面上に形成されるワークＷの搬送経路Ｌに沿って、互いに所定の間隔を空けて隣接するように配置されている。保持部３ａに保持されたワークＷが各処理部４に対向する位置を通過することで、各工程の処理が行われる。
【００２２】
図１の例では、回転テーブル３上の搬送経路Ｌに沿って７つの処理部４が配置されている。本実施形態では、ワークＷに成膜処理を行う処理部４が、成膜部４ａである。成膜部４ａによってワークＷ上に形成された膜に対して処理を行う処理部４が、膜処理部４ｂである。本実施形態では、成膜部４ａは、プラズマを用いたスパッタリングにより成膜を行う。つまり、成膜部４ａは、回転テーブル３により搬送されるワークＷに対して、スパッタガスＧ１をプラズマ化することにより、ターゲット６１を構成する成膜材料を堆積させて成膜を行う（図２参照）。
【００２３】
また、膜処理部４ｂは、後酸化を行う処理部４として説明する。後酸化とは、成膜部４ａで成膜された金属膜に対して、プラズマにより生成された酸素イオンによって金属膜を酸化させる処理である。なお、膜処理部４ｂの処理は、これには限定されない。例えば、プラズマにより生成された窒素イオン等によって金属膜を窒化させる後窒化を行ってもよい。また、酸素イオン、窒素イオンによる酸窒化を行ってもよい。成膜部４ａ、膜処理部４ｂは、周方向に間隔を空けて、配置されている。本実施形態では、成膜部４ａは６つ、膜処理部４ｂは１つである。但し、複数の処理部４のうち、少なくとも成膜部４ａが１つあればよい。
【００２４】
（成膜部）
成膜部４ａは、図２に示すように、スパッタ源６を有する。スパッタ源６は、成膜材料の供給源である。スパッタ源６は、ターゲット６１、バッキングプレート６２、電極６３を有する。ターゲット６１は、ワークＷ上に堆積されて膜となる成膜材料で構成された板状の部材である。ターゲット６１は、ワークＷが成膜部４ａに対向する位置を通過する際に、ワークＷと対向する位置に設置される。本実施形態のターゲット６１は、円形のものが３つ設けられている。２つのターゲット６１は、中心が回転テーブル３の半径方向に並んでいる。１つのターゲット６１は、その中心が、他の２つのターゲット６１の中心と二等辺三角形の頂点を形成する位置に配置されている（図１参照）。
【００２５】
バッキングプレート６２は、ターゲット６１を保持する部材である。電極６３は、チャンバ１の外部からターゲット６１に電力を印加するための導電性の部材である。なお、スパッタ源６には、必要に応じてマグネット、冷却機構などが適宜具備されている。
【００２６】
ターゲット６１には、電極６３を介して直流電圧を印加するＤＣ電源７が接続されている。また、チャンバ１の底部には、ターゲット６１に対向する位置にスパッタガスＧ１をチャンバ１の内部に導入するために、スパッタガス導入部８が設置されている。スパッタガスＧ１は、電力の印加によって生じるプラズマにより、発生するイオンをターゲット６１に衝突させて、ターゲット６１の材料をワークＷの表面に堆積させるためのガスである。例えば、スパッタガスＧ１は、例えば、アルゴン等の不活性ガスを用いることができる。
【００２７】
以上のようなスパッタ源６のターゲット６１を囲む位置には、シールド部材Ｓ１が設けられている。シールド部材Ｓ１は、スパッタガスＧ１が導入されるガス空間の一部を画成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口９１を有する部材である。ここでいうガス空間は、成膜部４ａによる成膜が行われる成膜室Ｄｐである。「ガス空間の一部を画成」とは、ガス空間の一部の境界を形成することをいう。このため、シールド部材Ｓ１は、ガス空間の全てを形成するように覆うものではなく、シールド部材Ｓ１の回転テーブル３に対向する端面と回転テーブル３との間のガス空間は覆っていない。
【００２８】
シールド部材Ｓ１は、カバー部９２、側面部９３を有する。カバー部９２は、成膜室Ｄｐの天井を形成する部材である。カバー部９２は、図２及び図３に示すように、回転テーブル３の平面と平行に配置された略扇形の板状体である。カバー部９２には、成膜室Ｄｐ内に各ターゲット６１が露出するように、各ターゲット６１に対応する位置に、ターゲット６１の大きさ及び形状と同じターゲット孔９２ａが形成されている。
【００２９】
側面部９３は、成膜室Ｄｐの周縁の側面を形成する部材である。側面部９３は、外周壁９３ａ、内周壁９３ｂ、隔壁９３ｃ、９３ｄを有する。外周壁９３ａ及び内周壁９３ｂは、円弧状に湾曲した直方体形状で、回転テーブル３の軸方向に延びた板状体である。外周壁９３ａの上縁は、カバー部９２の外縁に取り付けられている。内周壁９３ｂの上縁は、カバー部９２の内縁に取り付けられている。
【００３０】
隔壁９３ｃ、９３ｄは、平坦な直方体形状で、回転テーブル３の軸方向に延びた板状体である。隔壁９３ｃ、９３ｄの上縁は、それぞれが、カバー部９２の一対の半径方向の縁部に取り付けられている。カバー部９２と側面部９３との接合部は、気密に封止されている。なお、カバー部９２と側面部９３を、一体的に、つまり共通の材料により連続して形成してもよい。このようなシールド部材Ｓ１により、上部及び周縁の側面がカバー部９２及び側面部９３によって覆われ、ワークＷに向かう側が開口した成膜室Ｄｐの一部が形成される。
【００３１】
この成膜室Ｄｐは、成膜の大半が行われる領域である。しかしながら、成膜室Ｄｐから外れる領域であっても、成膜室Ｄｐからの成膜材料の漏れはある。そのため、全く膜の堆積がないわけではない。つまり、成膜部４ａにおいて成膜が行われる成膜領域は、シールド部材Ｓ１で画される成膜室Ｄｐよりもやや広い領域となる。なお、シールド部材Ｓ１内には、成膜室Ｄｐの内部の圧力を検出する圧力センサＳＥ（図６参照）が設けられている。
【００３２】
シールド部材Ｓ１は、平面視で回転テーブル３の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。ここでいう略扇形とは、扇子の扇面の部分の形を意味する。シールド部材Ｓ１の開口９１も、同様に略扇形である。回転テーブル３上に保持されるワークＷが開口９１に対向する位置を通過する速度は、回転テーブル３の半径方向において中心側に向かうほど遅くなり、外側へ向かうほど速くなる。そのため、開口９１が単なる長方形又は正方形であると、半径方向における中心側と外側とでワークＷが開口部１１に対向する位置を通過する時間に差が生じる。開口９１を半径方向における中心側から外側に向けて拡径させることで、ワークＷが開口９１を通過する時間を一定とすることができ、後述するプラズマ処理を均等にできる。ただし、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。
【００３３】
シールド部材Ｓ１は、支持部Ｐによって支持されている。支持部Ｐは、チャンバ１に対して不動で且つ蓋体１ａから独立した部材である。本実施形態では、支持部Ｐは、外周支持部ＯＰ、内周支持部ＩＰを有する。外周支持部ＯＰは、チャンバ１の底部から立設された複数の柱状の部材であり、回転テーブル３の外側であって、回転テーブル３に搭載されたワークＷよりも僅かに高い位置まで延びている。内周支持部ＩＰは、支柱３ｃの先端に設けられた平坦面である。この内周支持部ＩＰは、回転テーブル３の軸方向の長さ、つまり高さが、外周支持部ＯＰと同等となるように設定されている。
【００３４】
このような外周支持部ＯＰと内周支持部ＩＰの上に、シールド部材Ｓ１が搭載されている。これにより、外周支持部ＯＰの上端が、シールド部材Ｓ１の外周壁９３ａを支持し、内周支持部ＩＰが、シールド部材Ｓ１の内周壁９３ｂを支持する。隔壁９３ｃ、９３ｄと回転テーブル３との間には、回転する回転テーブル３上のワークＷが通過可能な間隔が形成されている。つまり、シールド部材Ｓ１とワークＷとの間に、僅かな隙間が生じるように、支持部Ｐの高さが設定されている。
【００３５】
さらに、シールド部材Ｓ１には、図４及び図５に示すように、補正部材９４が設けられている。補正部材９４は、成膜室Ｄｐ内に、開口９１を狭める方向に張り出して設けられている。また、補正部材９４は、開口９１側の縁部に設けられている。さらに、補正部材９４は、ターゲット６１に対して、回転テーブル３の軸方向の重なりが生じない位置に設けられている。この補正部材９４は、成膜材料のスパッタ粒子の一部を遮る領域を形成することにより、膜厚分布を補正することができる。つまり、補正部材９４は、スパッタ粒子が多く付着して膜が厚くなり易い箇所に、必要以上にスパッタ粒子が付着しないように遮蔽する部材である。例えば、図４及び図５に示すように、シールド部材Ｓ１の隔壁９３ｄの下端であって、成膜室Ｄｐの内部の方向に突出した板状体により、補正部材９４を構成する。
【００３６】
一例として、補正部材９４は、周方向の膜厚が厚くなる箇所に、成膜室Ｄｐ側に突出した３つの山を形成している。これにより、山の部分でスパッタ粒子を遮蔽して、ワークＷへ必要以上に付着することが防止されるので、膜厚分布を均一にすることができる。但し、この形状は一例であり、膜厚分布を均一にするための形状は種々考えられるため、特定の形状には限定されない。
【００３７】
成膜室Ｄｐには、図２に示すように、スパッタガス導入部８が接続されている。スパッタガス導入部８は、成膜室ＤｐにスパッタガスＧ１を導入する構成部である。スパッタガス導入部８は、図示しないボンベ等のスパッタガスＧ１の供給源に接続された配管８１を有する。この配管８１の先端が、チャンバ１を気密に貫通して、シールド部材Ｓ１の内部に延びている。
【００３８】
成膜装置１００は、補正部材９４による成膜室Ｄｐ内の圧力上昇を抑える圧力調整部を有している。本実施形態の圧力調整部は、図２及び図６に示すように、成膜室ＤｐへのスパッタガスＧ１の供給量を調節する供給量調節部８２である。供給量調節部８２は、スパッタガスＧ１の供給量を、スパッタリング用の圧力が維持されるように調節する。供給量調節部８２は、例えば、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。ＭＦＣは、流体の流量を計測する質量流量計と流量を制御する電磁弁を有する部材である。供給量調節部８２によってスパッタガスＧ１の供給量を低減することにより、成膜室Ｄｐ内の圧力を低減して、成膜室Ｄｐ内の圧力上昇を抑えることができる。
【００３９】
（膜処理部）
膜処理部４ｂは、チャンバ１の蓋体１ａに設置され、筒形に形成された電極（以下、「筒形電極」という。）１０を備えている。筒形電極１０は、プロセスガスＧ２が導入されるガス空間に、搬送経路Ｌを通過するワークＷをプラズマ処理するためのプラズマを発生させるプラズマ源である。ここでいうガス空間は、膜処理部４ｂによる膜処理が行われる膜処理室Ｃｐである。
【００４０】
本実施形態の筒形電極１０は角筒状であり、一端に開口部１１を有し、他端は閉塞されている。筒形電極１０はチャンバ１の蓋体１ａに設けられた貫通孔を貫通して、開口部１１側の端部がチャンバ１の内部に位置し、閉塞された端部がチャンバ１の外部に位置するように配置される。筒形電極１０は、絶縁材を介してチャンバ１の貫通孔の周縁に支持されている。筒形電極１０の開口部１１は、回転テーブル３上に形成された搬送経路Ｌと向かい合う位置に配置される。すなわち、回転テーブル３は、ワークＷを搬送して開口部１１に対向する位置を通過させる。そして、開口部１１に対向する位置が、ワークＷの通過位置となる。
【００４１】
図１及び図２に示すように、筒形電極１０及びその開口部１１は、シールド部材Ｓ１と同様に、上から見ると回転テーブル３の半径方向における中心側から外側に向けて拡径する略扇形になっている。略扇形としている理由は、シールド部材Ｓ１と同様であり、通過する時間の差が製品上問題にならない程度であれば、長方形又は正方形でもよい。
【００４２】
筒形電極１０は、シールド部材Ｓ２の内部に収容されている。シールド部材Ｓ２は、プロセスガスＧ２が導入されるガス空間の一部を画成し、チャンバ１の内部の搬送経路Ｌに向かう開口１３ａを有するシールド部材Ｓとして捉えることができる。「ガス空間の一部を画成」とは、ガス空間の一部の境界を形成することをいう。このため、シールド部材Ｓ２は、ガス空間の全てを形成するように覆うものではなく、シールド部材Ｓ２の回転テーブル３に対向する端面と回転テーブル３との間のガス空間は覆っていない。なお、以下の説明では、シールド部材Ｓ１、Ｓ２を区別しない場合には、シールド部材Ｓと呼ぶ場合がある。
【００４３】
プロセスガスＧ２は、マイクロ波により生じるプラズマにより発生する活性種を、ワークＷの表面に堆積された膜に浸透させて、化合物膜を形成するためのガスである。プロセスガスＧ２は、処理の目的によって適宜変更可能である。例えば、膜の酸化を行う場合には酸素、膜の窒化を行う場合には窒素、膜の酸窒化を行う場合には、酸素と窒素の混合ガスを用いる。さらに、エッチングを行う場合は、エッチングガスとしてアルゴン等の不活性ガスを用いることができる。なお、以下の説明では、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２を区別しない場合には、反応ガスＧと呼ぶ場合がある。
【００４４】
シールド部材Ｓ２は、外部シールド１２、内部シールド１３を有する。上述したように、筒形電極１０はチャンバ１の貫通孔を貫通し、一部がチャンバ１の外部に露出している。この筒形電極１０におけるチャンバ１の外部に露出した部分が、図２に示すように、外部シールド１２に覆われている。外部シールド１２によってチャンバ１の内部の空間が気密に保たれる。筒形電極１０のチャンバ１の内部に位置する部分の周囲は、内部シールド１３によって覆われている。
【００４５】
内部シールド１３は、筒形電極１０と相似形の角筒状であり、チャンバ１の内部の蓋体１ａに支持されている。内部シールド１３の筒の各側面は、筒形電極１０の各側面と略平行に設けられる。内部シールド１３の回転テーブル３に対向する端面は筒形電極１０の開口部１１と高さ方向において同じ位置であるが、内部シールド１３の端面は、開口１３ａとなっている。この開口１３ａには、回転テーブル３の平面と平行に延びたフランジ１４が設けられている。このフランジ１４によって、筒形電極１０の内部で発生したプラズマが内部シールド１３の外部に流出することが抑制される。回転テーブル３によって搬送されるワークＷは、回転テーブル３と開口１３ａの間の隙間を通って筒形電極１０の開口部１１に対向する位置に搬入され、再び回転テーブル３と開口１３ａの間の隙間を通って筒形電極１０の開口部１１の対向する位置から搬出される。
【００４６】
筒形電極１０には、高周波電圧を印加するためのＲＦ電源１５が接続されている。ＲＦ電源１５の出力側には整合回路であるマッチングボックス２１が直列に接続されている。ＲＦ電源１５はチャンバ１にも接続されている。筒形電極１０がアノード、チャンバ１から立設する回転テーブル３がカソードとして作用する。マッチングボックス２１は、入力側及び出力側のインピーダンスを整合させることで、プラズマの放電を安定化させる。なお、チャンバ１や回転テーブル３は接地されている。フランジ１４を有する内部シールド１３も接地される。
【００４７】
また、筒形電極１０にはプロセスガス導入部１６が接続されており、プロセスガス導入部１６を介して外部のプロセスガス供給源から、シールド部材Ｓ２の内部の筒形電極１０の内部に、プロセスガスＧ２が導入される。プロセスガス導入部１６は、膜処理室Ｃｐ内に、プロセスガスＧ２を供給するガス供給部である。ＲＦ電源１５及びプロセスガス導入部１６はともに、外部シールド１２に設けられた貫通孔を介して筒形電極１０に接続される。
【００４８】
［ロードロック部］
図１に示すように、いずれかの一組の処理部４の間には、チャンバ１内の真空を維持した状態で、外部から未処理のワークＷをチャンバ１の内部に搬入し、処理済みのワークＷをチャンバ１の外部へ搬出するロードロック部５が設けられている。なお、本実施形態では、ワークＷの搬送方向を、平面視で時計回りとする。但し、これは一例であり、搬送方向、処理部の種類、並び順及び数は特定のものに限定されず、適宜決定することができる。
【００４９】
［制御部］
図２及び図６に示すように、制御部７０は、成膜装置１００の各部を制御する装置である。この制御部７０は、例えば、プロセッサ、メモリ等を含む専用の電子回路若しくは所定のプログラムで動作するコンピュータ等によって構成できる。つまり、チャンバ１内のシールド部材Ｓ１、Ｓ２へのスパッタガスＧ１及びプロセスガスＧ２の導入および排気に関する制御、ＤＣ電源７、ＲＦ電源１５の制御、回転テーブル３の回転の制御などに関しては、その制御内容がプログラムされている。制御部７０は、このプログラムがＰＬＣやＣＰＵなどの処理装置により実行されるものであり、多種多様なプラズマ処理の仕様に対応可能である。
【００５０】
具体的に制御される対象を挙げると以下の通りである。すなわち、回転テーブル３のモータ３１の回転速度、チャンバ１の初期排気圧力、稼働させる処理部４の選択、ターゲット６１への印加電力、スパッタガスＧ１及びプロセスガスＧ２の流量、種類、導入時間及び排気時間、成膜及び膜処理の時間などである。
【００５１】
特に、本実施形態では、制御部７０は、成膜部４ａのターゲット６１への電力の印加、スパッタガス導入部８からのスパッタガスＧ１の供給量を制御することにより、成膜レートを制御する。また、制御部７０は、プロセスガス導入部１６からのプロセスガスＧ２の供給量を制御することにより、膜処理レートを制御する。
【００５２】
上記のように各部の動作を実行させるための制御部７０の構成を、ブロック図である図６を参照して説明する。すなわち、制御部７０は、機構制御部７１、電源制御部７２、ガス制御部７３、記憶部７４、設定部７５、入出力制御部７６を有する。
【００５３】
機構制御部７１は、排気部２、スパッタガス導入部８、プロセスガス導入部１６、回転テーブル３、ロードロック部５等の駆動源、電磁弁、スイッチ、電源等を制御する処理部である。電源制御部７２は、ＤＣ電源７、ＲＦ電源１５を制御する処理部である。
【００５４】
例えば、電源制御部７２は、各ターゲット６１に印加する電力を、個別に制御する。成膜レートをワークＷの全体で均一にしたい場合には、上記の内周側と外周側の速度差を考慮して、内周側から外周側に従って、電力を高くする。つまり、内周側と外周側の速度に比例させて、電力を決定すればよい。
【００５５】
但し、比例させる制御は一例であって、速度が大きくなるほど電力を高くし、処理レートが均一になるように設定すればよい。また、ワークＷに形成する膜厚を厚くしたい箇所については、ターゲット６１への印加電力を高くして、膜厚を薄くしたい箇所については、ターゲット６１への印加電力を低くすればよい。
【００５６】
ガス制御部７３は、供給量調節部８２によるスパッタガスＧ１の導入量を制御する処理部である。例えば、補正部材９４を設けている前提で、成膜レートをワークＷの全体で均一にしたい場合に、成膜室ＤｐへのスパッタガスＧ１の供給量を減少させる。より具体的には、補正部材９４を設けない場合の膜厚分布をあらかじめ成膜条件の条件出しを行う試行時や実験により求める。そして、上記実験等で用いたスパッタガスＧ１の単位時間当たりの供給量で定まる成膜室Ｄｐ内の圧力を、基準圧力とする。つまり、基準圧力とは、補正部材９４なしで成膜したときの成膜室Ｄｐ内の圧力値のことである。なお、基準圧力は、一つの値でも、プロファイルされた複数の値から選択されるようにしても良い。そして、オペレータは、成膜を開始してから、圧力センサＳＥにより検出された成膜室Ｄｐ内の圧力を監視して、検出される圧力が基準圧力よりも高くなる場合には、検出される圧力が基準圧力となるように、供給量調節部８２により、単位時間当たりのスパッタガスＧ１の供給量を低減する。なお、ガス制御部７３は、検出される圧力が、基準圧力となるようにフィードバック制御を行ってもよい。
【００５７】
記憶部７４は、本実施形態の制御に必要な情報を記憶する構成部である。記憶部７４に記憶される情報としては、排気部２の単位時間当たりの排気量、各ターゲット６１へ印加する電力、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２の単位時間当たりの供給量、基準圧力を含む。設定部７５は、外部から入力された情報を、記憶部７４に設定する処理部である。
【００５８】
このような設定は、例えば、以下のように行うことができる。まず、あらかじめ実験等
により、膜厚とこれに応じた印加電力又はスパッタガスＧ１の供給量との関係、印加電力とこれに応じたプロセスガスＧ２の供給量との関係を求めておく。そして、これらのうち少なくとも１つをテーブル化して記憶部７４に記憶しておく。そして、外部から入力された膜厚、印加電力又は供給量に応じて、設定部７５がテーブルを参照して印加電力や供給量を決定する。
【００５９】
入出力制御部７６は、制御対象となる各部との間での信号の変換や入出力を制御するインタフェースである。さらに、制御部７０には、入力装置７７、出力装置７８が接続されている。入力装置７７は、オペレータが、制御部７０を介して成膜装置１００を操作するためのスイッチ、タッチパネル、キーボード、マウス等の入力手段である。例えば、使用する成膜部４ａ、膜処理部４ｂの選択、所望の膜厚、各ターゲット６１の印加電力、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２の供給量、基準圧力等を入力手段により入力することができる。また、入力装置７７を用いて、供給量調節部８２を操作することができる。
【００６０】
出力装置７８は、装置の状態を確認するための情報を、オペレータが視認可能な状態とするディスプレイ、ランプ、メータ等の出力手段である。例えば、出力装置７８は、入力装置７７からの情報の入力画面を表示することができる。この場合、ターゲット６１、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２の導入位置を模式図で表示させて、それぞれの位置を選択して数値を入力できるようにしてもよい。また、ターゲット６１、スパッタガスＧ１、プロセスガスＧ２の導入位置を模式図で表示させて、それぞれに設定された値を数値で表示してもよい。さらに、圧力センサＳＥにより検出された圧力を数値で表示させて、オペレータが入力装置７７によって供給量調節部８２を操作することができる。
【００６１】
［動作］
本実施形態の成膜装置１００の動作を説明する。なお、以下のような手順によって成膜製品を製造する方法も、本実施形態の一態様である。成膜装置１００においては、処理対象となるワークＷに形成する膜に合わせて成膜条件が設定されており、ワークＷの形状に合わせた形状や、保持部３ａ上の載置位置に合わせた形状の補正部材９４が取り付けられている。まず、図２に示すように、蓋体１ａによって封止されたチャンバ１の内部は、図中黒塗りの矢印に示すように、排気部２によって排気されて真空状態にされる。チャンバ１内の真空状態を維持しつつ、ロードロック部５から、未処理のワークＷをチャンバ１内に搬入する。搬入されたワークＷは、ロードロック部５に順次位置決めされる回転テーブル３の保持部３ａによって保持される。さらに、回転テーブル３を連続して回転させることにより、ワークＷを搬送経路Ｌに沿って循環搬送して、各処理部４に対向する位置を通過させる。
【００６２】
成膜部４ａでは、スパッタガス導入部８からスパッタガスＧ１を導入し、ＤＣ電源７からスパッタ源６に直流電圧を印加する。直流電圧の印加によってスパッタガスＧ１がプラズマ化され、イオンが発生する。発生したイオンがターゲット６１に衝突すると、ターゲット６１の材料が飛び出す。飛び出した材料が成膜部４ａに対向する位置を通過するワークＷに堆積することで、ワークＷ上に薄膜が形成される。ただし、必ずしもすべての成膜部４ａで成膜する必要はない。一例として、ここでは、ワークＷに対してＳｉ等の金属膜をＤＣスパッタリングにより成膜する。
【００６３】
成膜部４ａで成膜が行われたワークＷは、引き続き搬送経路Ｌ上を回転テーブル３によって搬送され、膜処理部４ｂにおいて、筒形電極１０の開口部１１に対向する位置、すなわち膜処理位置を通過する。上述したように、本実施形態では、膜処理部４ｂにおいて後酸化を行う例を説明する。膜処理部４ｂでは、プロセスガス導入部１６から筒形電極１０内にプロセスガスＧ２である酸素ガスを導入し、ＲＦ電源１５から筒形電極１０に高周波電圧を印加する。高周波電圧の印加によって酸素ガスがプラズマ化され、電子、イオン及びラジカル等が発生する。プラズマはアノードである筒形電極１０の開口部１１から、カソードである回転テーブル３へ流れる。プラズマ中のイオンが開口部１１の下を通過するワークＷ上の薄膜に衝突することで、薄膜が後酸化される。
【００６４】
以上のような処理の過程において、成膜室Ｄｐ内の圧力の値が圧力センサＳＥにより検出され、出力装置７８に表示される。表示された圧力の値が、基準圧力を超える場合には、オペレータは、入力装置７７を用いて供給量調節部８２を制御することにより、スパッタガスＧ１の供給量を低減して、表示された圧力が、基準圧力を維持するようにする。つまり、補正部材９４を設けたことにより生じる成膜室Ｄｐ内の圧力上昇を、基準圧力との比較によって防ぐことができる。また、圧力センサＳＥにより検出される圧力を、常時モニタリングする必要はなく、基準圧力となったら圧力センサＳＥをＯＦＦにしてもよい。
【００６５】
［作用効果］
（１）本実施形態の成膜装置１００は、内部を真空とすることが可能なチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ、回転することによって円周の搬送経路Ｌに沿ってワークＷを搬送する搬送部である回転テーブル３と、回転テーブル３により搬送されるワークＷに対して、スパッタガスＧ１をプラズマ化することにより、ターゲット６１を構成する成膜材料を堆積させて成膜を行う成膜部４ａと、成膜部４ａに設けられ、スパッタガスＧ１が導入される成膜室Ｄｐの一部を画成し、搬送経路Ｌに向かう開口９１を有するシールド部材Ｓ１と、成膜室ＤｐにスパッタガスＧ１を導入するスパッタガス導入部８と、成膜室Ｄｐ内に、開口９１を狭める方向に張り出して設けられた補正部材９４と、成膜室Ｄｐ内の圧力を低減することにより、補正部材９４による成膜室Ｄｐ内の圧力上昇を抑える圧力調整部と、を有する。
【００６６】
これにより、補正部材９４による圧力上昇が抑えられ、膜厚分布の均一性が維持できる。ここで、基本的な膜厚の制御は、複数のターゲット６１への印加電圧を調整することにより可能となる。このため、各ターゲット６１への印加電圧を制御することにより、ある程度の膜厚分布の均一性を得ることが可能となる。例えば、±３％程度の均一性を得ることは可能である。しかし、印加電圧の制御のみによって、例えば、±１％程度の均一性を得ることは困難である。
【００６７】
これに対処するため、本発明者は、まず、ターゲット６１への印加電圧の制御に加えて、補正部材９４を設けることにより、膜厚分布を均一化することを検討した。つまり、膜厚が厚くなる傾向にある箇所において、補正部材９４によって成膜室Ｄｐ内のスパッタ粒子の一部を遮ることにより、堆積される成膜材料を低減することを試行した。その結果、補正部材９４によって膜厚分布の均一性の改善が認められた。但し、補正部材９４を適用した装置によっては、改善の程度に差が発生した。これを調べたところ、補正部材９４の形状や大きさによって改善具合に差があることを見出した。
【００６８】
本発明者は、このような差がなぜ発生するのか鋭意検討した結果、補正部材９４の形状や大きさの相違によって、成膜室Ｄｐ内の圧力に違いが生じていることを発見した。そして、補正部材９４を設けない場合と、補正部材９４を設けた場合とでは、成膜時の成膜室Ｄｐ内の圧力の相違がより顕著であることを見出した。つまり、補正部材９４を設けることにより、成膜時の成膜室Ｄｐ内の圧力が高くなっていることが、膜厚分布に影響を与えていると考えた。
【００６９】
ここで、補正部材９４は、シールド部材Ｓ１の開口９１側の端面と、回転テーブル３又はワークＷとの間の隙間に、開口９１を狭めるように介在する。このため、補正部材９４は、シールド部材Ｓ１の開口９１側の端面と、回転テーブル３又はワークＷとの間の隙間におけるスパッタガスＧ１の流れ難さを表すコンダクタンスの値が減少し、成膜室Ｄｐに導入されたスパッタガスＧ１が、より一層流出し難くなり、必要以上の圧力上昇を招いたと考えられる。そこで、本発明者は、補正部材９４による成膜室Ｄｐ内の圧力上昇分を減殺するための圧力調整部を設けることにより、良好な膜厚分布の均一性が実現できることを見出した。
【００７０】
（２）補正部材９４は、シールド部材Ｓ１の開口９１側の縁部に設けられている。ここで、上記のコンダクタンスだけに着目すると、補正部材９４を、シールド部材Ｓ１の開口９１側よりも、ターゲット６１側に設けることによって、コンダクタンスを上昇させることができる。しかし、この場合、補正部材９４とワークＷとの距離が離れてしまうので、補正部材９４よりも下で反応ガスＧ分子と衝突し、散乱したスパッタ粒子がワークＷに付着しやすくなり、補正部材９４の効果が薄れてしまう。本実施形態では、圧力調整部を設けることにより、成膜室Ｄｐの圧力の上昇を抑えることができるので、補正部材９４をシールド部材Ｓ１の開口９１側の縁部に設けて、散乱したスパッタ粒子のワークＷへの付着を防止でき、膜厚の均一性を維持できる。
【００７１】
（３）補正部材９４は、ターゲット６１に対して、回転テーブル３の回転の軸方向の重なりが生じない位置に設けられている。補正部材９４がターゲット６１に対向すると、遮蔽効果が大きくなり過ぎて、補正部材９４の加工誤差や組み立て作業者による組み立て誤差の影響も大きくなり、却って膜厚の均一性が損なわれる。本実施形態では、補正部材９４は、ターゲット６１に対して重なりが生じない位置に設けられているので、良好な膜厚の均一性を維持できる。
【００７２】
（４）圧力調整部は、成膜室ＤｐへのスパッタガスＧ１の供給量を調節する供給量調節部８２を有する。このように供給量調節部８２を設けると、取り付けられた補正部材９４の形状や大きさ（成膜室Ｄｐに介在する面積）等に合わせて、成膜室Ｄｐ内の圧力を適正に保つことができる。
【００７３】
［変形例］
本発明の実施形態は、上記の態様に限定されるものではなく、以下のような変形例も含む。
【００７４】
（１）圧力調整部は、図７に示すように、成膜室ＤｐからのスパッタガスＧ１の排気量を調節する排気量調節部８３としてもよい。排気量調節部８３は、例えば、シールド部材Ｓ１に形成された排気口９５と、排気口９５を開閉する開閉機構９６とを有する。排気口９５は、シールド部材Ｓ１の側面部９３の外周壁９３ａに形成された貫通孔である。排気口９５は、成膜室Ｄｐ内のスパッタガスＧ１を、チャンバ１内へ流出可能とする。本実施形態の排気口９５は円形であるが、この形状には限定されない。
【００７５】
開閉機構９６は、シャッター９６ａ、操作部材９６ｂを有する。シャッター９６ａは、外周壁９３ａの外部から排気口９５を塞ぐ部材である。本実施形態のシャッター９６ａは、雫形の板状体であるが、この形状には限定されない。操作部材９６ｂは、棒状の部材であり、チャンバ１の側面を気密に貫通し、その一端がシールド部材Ｓ１の外周壁９３ａに回動可能に接続されている。また、操作部材９６ｂの一端近傍にはシャッター９６ａが固定されている。さらに、操作部材９６ｂの他端は、チャンバ１の側面を気密に貫通し、チャンバ１の外に露出している。この操作部材９６ｂの露出した端部が、オペレータが把持して回動させるためのハンドルとなる。
【００７６】
このような開閉機構９６は、初期状態では、シャッター９６ａが排気口９５を塞ぐ位置にあり、スパッタガスＧ１の漏れを防止している。そして、上記のような成膜処理中に、オペレータが、圧力センサＳＥにより計測された成膜室Ｄｐ内の圧力が基準圧力を超えたと判断した場合には、操作部材９６ｂを持って回動させる。すると、シャッター９６ａが回動して、排気口９５が開放される。これにより、スパッタガスＧ１が排気され、成膜室Ｄｐ内の圧力上昇が抑えられる。従って、補正部材９４による圧力上昇を抑えて、膜厚の均一性を維持できる。また、取り付けられた補正部材９４の形状や大きさ（成膜室Ｄｐに介在する面積）等に合わせて、排気口９５の開度が調整できる。このため、ワークＷの形状等が変わって、これに合わせて補正部材９４が変更されても、成膜室Ｄｐの圧力を適正な圧力に保つことができる。
【００７７】
（２）補正部材９４は、シールド部材Ｓ１に直接固定されていなくてもよい。補正部材９４をシールド部材Ｓ１に着脱自在に設けてもよい。例えば、図８に示すように、シールド部材Ｓ１の隔壁９３ｄに着脱自在に設けられた調整部材９７に、補正部材９４を設ける。調整部材９７は、隔壁９３ｄと同様の形状であるが、シールド部材Ｓ１の開口９１を狭める方向に張り出した補正部材９４が設けられている。
【００７８】
調整部材９７には、位置決め用の位置決め部Ｆが形成されている。本態様の位置決め部Ｆは、爪を屈曲させたフック状となっている。隔壁９３ｃ、９３ｄには、複数の略方形の肉抜孔Ｈａが形成され、軽量化が図られている。肉抜孔Ｈａの下縁には、位置決め部Ｆが係止される係止部Ｈｂが形成されている。本態様の係止部Ｈｂは、フック状の位置決め部Ｆが嵌る切欠きとなっている。調整部材９７は、シールド部材Ｓ１の下方の開口９１から挿入され、位置決め部Ｆを係止部Ｈｂに引っ掛けることにより係止させる。これにより、シールド部材Ｓ１に補正部材９４が取り付けられる。種々の形状の補正部材９４を有する調整部材９７を用意しておくことで、調整部材９７を交換するだけで、膜厚分布を変えることができる。
【００７９】
（３）図９に示すように、シールド部材Ｓ１の開口９１側の端面又は調整部材９７のワークＷに対向する端部に、ワークＷの曲面に沿う形状の縁部９７ａが形成されていてもよい。図９の例は、ワークＷが湾曲により表面に曲面等の凸部を有し、その裏面の凹部に沿う形状のトレイ等の保持部３ａに載置されることにより、回転テーブル３上を搬送される場合である。この例では、調整部材９７に、ワークＷの凸部に沿う形状の凹部によって縁部９７ａが形成されている。これにより、回転テーブル３に搬送される保持部３ａ上のワークＷの形状に合うように、調整部材９７の縁部７０ａが間隔をおいて対向するので、ワークＷの一部において、シールド部材Ｓ１との間隔が拡大することが防止され、成膜材料やスパッタガスＧ１の漏れを防ぐことができる。
【００８０】
（４）成膜室Ｄｐにおけるスパッタリング時の成膜材料は、調整部材９７に付着するので、調整部材９７は、シールド部材Ｓ１への膜の形成を防止する防着板としても機能する。調整部材９７を外して清掃又は交換することにより、膜を除去することができる。このため、重量物であるシールド部材Ｓ１を清掃又は交換する手間を省くことができる。なお、補正部材９４又は調整部材９７は、隔壁９３ｃ、９３ｄのいずれか一方に設けられてもよいし、双方に設けられていてもよい。
【００８１】
（５）上記の態様では、搬送部を回転テーブル３としているが、搬送部は回転テーブル３には限定されない。回転中心から放射状に延びたアームにトレイやワークＷを保持して回転する態様であってもよい。また、処理部４がチャンバ１の底部側にあり、処理部４と回転テーブル３との上下関係が逆となっていてもよい。この場合、保持部３ａが配設される回転テーブル３の表面は、回転テーブル３が水平方向である場合に下方を向く面、つまり下面となる。シールド部材Ｓの開口９１、１３ａは上方を向く。
【００８２】
成膜装置１００の設置面は、床面であっても、天井であっても、側壁面であってもよい。上記の態様では、水平に配置した回転テーブル３の上面に保持部３ａを設け、この回転テーブル３を水平面内で回転させ、この回転テーブル３の上方に処理部４を配置するものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、回転テーブル３の配置は、水平に限らず垂直の配置でも傾斜した配置でもよい。また、保持部３ａを、回転テーブル３の相反する面に設けるようにしてもよい。つまり、本発明は、搬送部の回転平面の方向はどのような方向であってもよく、保持部３ａの位置、処理部４の位置は、保持部３ａに保持されたワークＷに処理部４が対向する位置であればよい。
【００８３】
（６）処理部４において、プラズマを発生させる装置は、上記の態様には限定されない。反応ガスＧを用いたプラズマ処理により成膜、膜処理を行うことができる装置であればよい。
【００８４】
（７）シールド部材Ｓの回転テーブルの回転軸に直交する方向の断面は、略扇形には限定されない。断面が長方形状となる角筒形状であってもよいし、断面が角丸長方形状となる円筒形状であってもよい。但し、シールド部材Ｓの断面を略扇形とする方が、半径方向の速度差による処理量の相違を周長差によって補うことができる。
【００８５】
（８）以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。各請求項の発明をどのように組み合わせた態様とするかは自由である。
【符号の説明】
【００８６】
１  チャンバ
１ａ  蓋体
２  排気部
３  回転テーブル
３ａ  保持部
３ｂ  回転筒
３ｃ  支柱
３ｄ  ボールベアリング
４  処理部
４ａ  成膜部
４ｂ  膜処理部
５  ロードロック部
６  スパッタ源
７  ＤＣ電源
８  スパッタガス導入部
１０  筒形電極
１１  開口部
１２  外部シールド
１３  内部シールド
１３ａ  開口
１４  フランジ
１５  ＲＦ電源
１６  プロセスガス導入部
２１  マッチングボックス
３１  モータ
５３  ガス供給部
６１  ターゲット
６２  バッキングプレート
６３  電極
７０  制御部
７０ａ  縁部
７１  機構制御部
７２  電源制御部
７３  ガス制御部
７４  記憶部
７５  設定部
７６  入出力制御部
７７  入力装置
７８  出力装置
８１  配管
８２  供給量調節部
８３  排気量調節部
９１  開口
９２  カバー部
９２ａ  ターゲット孔
９３  側面部
９３ａ  外周壁
９３ｂ  内周壁
９３ｃ  隔壁
９３ｄ  隔壁
９４  補正部材
９５  排気口
９６  開閉機構
９６ａ  シャッター
９６ｂ  操作部材
９７    調整部材
１００  成膜装置
Ｃｐ  膜処理室
Ｄｐ  成膜室
Ｆ  位置決め部
Ｇ  反応ガス
Ｇ１  スパッタガス
Ｇ２  プロセスガス
Ｈａ  肉抜孔
Ｈｂ  係止部
ＩＰ  内周支持部
Ｌ    搬送経路
ＯＰ  外周支持部
Ｐ  支持部
Ｓ、Ｓ１、Ｓ２  シールド部材
Ｗ  ワーク
【図１】
2020050939.tif 000003
【図２】
2020050939.tif 000004
【図３】
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【図４】
2020050939.tif 000006
【図５】
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【図６】
2020050939.tif 000008
【図７】
2020050939.tif 000009
【図８】
2020050939.tif 000010
【図９】
2020050939.tif 000011