(57)【要約】      （修正有）【課題】レシーバが望まぬ位置に位置するとき、電子装置により放出される情報が影響を受けない電子変調装置を提供する。【解決手段】電子変調装置１００は第一変調ユニット１０６Ａを有する。第一変調ユニットは、延在方向に配置されるチャネルを有する第一トランジスタ１０８Ａを含む。第一変調ユニットは、さらに、第一トランジスタに電気的に接続され、且つ、第一縦方向に配置される第一変調電極１１０Ａを有する。電子変調装置は、さらに、第二変調ユニット１０６Ｂを有する。第二変調ユニットは、前記延在方向に配置されるチャネルを有する第二トランジスタ１０８Ｂを含む。第二変調ユニットは、さらに、第二トランジスタに電気的に接続され、且つ、第一縦方向と異なる第二縦方向に配置される第二変調電極１１０Ｂを有する。前記延在方向と第一縦方向との間の第一夾角は、前記延在方向と第二縦方向との間の第二夾角と異なる。【選択図】図１
2020064287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子変調装置であって、第一変調ユニット、および、第二変調ユニットを有し、
前記第一変調ユニットは、
延在方向に配置されるチャネルを有する第一トランジスタ、および、
前記第一トランジスタに電気的に接続されるとともに、第一縦方向で配置される第一変調電極を有し、
前記第二変調ユニットは、
前記延在方向に配置されるチャネルを有する第二トランジスタ、および、
前記第二トランジスタに電気的に接続されるとともに、前記第一縦方向と異なる第二縦方向で配置される第二変調電極を有し、
前記延伸方向と前記第一縦方向との間の第一夾角は、前記延伸方向と前記第二縦方向との間の第二夾角と異なることを特徴とする電子変調装置。
【請求項２】
前記第一夾角と前記第二夾角との間の差異は、１５度〜９０度の範囲であることを特徴とする請求項１に記載の電子変調装置。
【請求項３】
前記第一変調電極の面積は、前記第二変調電極の面積と異なることを特徴とする請求項１または２に記載の電子変調装置。
【請求項４】
前記第一トランジスタの前記チャネルの幅対長さの比率は、前記第二トランジスタの前記チャネルの幅対長さの比率と異なることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項５】
前記第一トランジスタの前記チャネルと前記第一変調電極との間の距離は、前記第二トランジスタの前記チャネルと前記第二変調電極との間の距離と異なることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項６】
前記第一トランジスタは、さらに、前記第一変調電極に電気的に接続される第一ドレイン電極を有し、前記第一ドレイン電極、および、前記第一変調電極は重なる領域を形成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項７】
前記重なる領域は第三縦方向を有し、前記第三縦方向と前記第一縦方向との間の第三夾角は、７０度〜１１０度の範囲であることを特徴とする請求項６に記載の電子変調装置。
【請求項８】
前記重なる領域の前記第三縦方向に沿った、前記第一変調電極の長さに対する前記重なる領域の長さの比率が、３０％〜９０％であることを特徴とする請求項７に記載の電子変調装置。
【請求項９】
前記第一変調電極の面積に対する前記重なる領域の面積の比率が、５％〜５０％であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項１０】
前記第二トランジスタは、さらに、前記第二変調電極に電気的に接続される第二ドレイン電極を有し、前記第一ドレイン電極の長さは、前記第二ドレイン電極の長さと異なることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項１１】
前記第一変調電極は第一角丸を有し、前記第二変調電極は第二角丸を有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項１２】
前記第一角丸の曲率半径は、前記第二角丸の曲率半径と異なることを特徴とする請求項１１に記載の電子変調装置。
【請求項１３】
第一方向に沿って延在し、且つ、前記第一トランジスタ、および、前記第二トランジスタの少なくとも一つに電気的に接続されるスキャンライン、および
前記第一方向と異なる第二方向に沿って延在するデータライン、をさらに有し、
前記スキャンライン、および、前記データラインの少なくとも一つが、波の形状を有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項１４】
さらに、第一コモン電極、および、変調媒体層を有し、
前記変調媒体層の一部が、前記第一コモン電極と前記第一変調電極との間に設置されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項１５】
前記第一変調ユニットは、さらに、第一電極、および、第二電極を有し、
前記第一電極が、前記第一変調電極と前記第一トランジスタとの間に設置され、前記第一変調電極が、前記第一電極と前記第二電極との間に設置されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項１６】
電子変調装置であって、第一変調ユニット、および、第二変調ユニットを有し、
前記第一変調ユニットは、
チャネルを有する第一トランジスタ、および、
前記第一トランジスタに電気的に接続される第一変調電極、を有し、
前記第二変調ユニットは、
チャネルを有する第二トランジスタ、および、
前記第二トランジスタに電気的に接続される第二変調電極、を有し、
前記第一トランジスタの前記チャネルと前記第一変調電極との間の距離は、前記第二トランジスタの前記チャネルと前記第二変調電極との間の距離と異なることを特徴とする電子変調装置。
【請求項１７】
前記第一変調電極の面積は、前記第二変調電極の面積と異なることを特徴とする請求項１６に記載の電子変調装置。
【請求項１８】
前記第一トランジスタの前記チャネルの幅対長さの比率は、前記第二トランジスタの前記チャネルの幅対長さの比率と異なることを特徴とする請求項１６または１７に記載の電子変調装置。
【請求項１９】
前記第一トランジスタは、さらに、前記第一変調電極に電気的に接続される第一ドレイン電極を有し、
前記第二トランジスタは、さらに、前記第二変調電極に電気的に接続される第二ドレイン電極を有し、且つ、前記第一ドレイン電極の長さは、前記第二ドレイン電極の長さと異なることを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載の電子変調装置。
【請求項２０】
前記第一ドレイン電極、および、前記第一変調電極は、重なる領域を形成し、且つ、前記第一変調電極の面積に対する前記重なる領域の面積の比率が、５％〜５０％の範囲であることを特徴とする請求項１９に記載の電子変調装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子変調装置(electronic modulating device)に関するものであって、特に、異なる配置の変調電極(modulating electrode)を有する電子変調装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、スマートフォン、タブレット、モニター、および、テレビなど、ディスプレイパネルを有する電子製品は、現代社会において、必要不可欠なものになっている。このような携帯型の電子製品の発展に伴い、消費者は、このような製品の品質、機能性、および、価格に対して、高い期待を有する。これらの電子製品は、通常、通信機能を具備する。しかし、当該通信機能は依然として改善が必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、電子変調装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明のいくつかの実施形態において、電子変調装置が提供される。電子変調装置は、第一変調ユニットを含む。第一変調ユニットは、延在方向に配置されるチャネルを有する第一トランジスタを含む。また第一変調ユニットは、第一トランジスタに電気的に接続されて第一縦方向に配置される第一変調電極を有する。また電子変調装置は、第二変調ユニットを有する。第二変調ユニットは、延在方向に配置されるチャネルを有する第二トランジスタを含む。また第二変調ユニットは、第二トランジスタに電気的に接続されて第一縦方向と異なる第二縦方向に配置される第二変調電極を有する。延在方向と第一縦方向との間の第一夾角は、延在方向と第二縦方向との間の第二夾角とは異なる。
【０００５】
本発明のいくつかの実施形態において、電子変調装置が提供される。電子変調装置は、第一変調ユニットを有する。第一変調ユニットは、チャネルを有する第一トランジスタを含む。また第一変調ユニットは、第一トランジスタに電気的に接続される第一変調電極を有する。また電子変調装置は、第二変調ユニットを有する。第二変調ユニットは、チャネルを有する第二トランジスタを含む。また第二変調ユニットは、第二トランジスタに電気的に接続される第二変調電極を有する。第一トランジスタのチャネルと第一変調電極との間の距離は、第二トランジスタのチャネルと第二変調電極との間の距離とは異なる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、レシーバが望まぬ位置に位置するとき、電子装置により放出される情報が影響を受けない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
添付図面を参照しながら、以下の実施形態において詳細な説明が与えられる。
【０００８】
本発明は次の詳細な説明および実施例を、添付図面を参照しながら読むとよく理解できる。
【０００９】
【図１】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す上面図である。
【００１０】
【図２Ａ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調ユニットを示す拡大上面図である。
【００１１】
【図２Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調ユニットを示す拡大上面図である。
【００１２】
【図３Ａ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置におけるチャネルの延在方向の定義の例を示す図である。
【００１３】
【図３Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置におけるチャネルの延在方向の定義の例を示す図である。
【００１４】
【図４Ａ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置におけるチャネルの延在方向の定義の例を示す図である。
【００１５】
【図４Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置におけるチャネルの延在方向の定義の例を示す図である。
【００１６】
【図５Ａ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調電極の縦方向の定義の例を示す図である。
【００１７】
【図５Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調電極の縦方向の定義の例を示す図である。
【００１８】
【図６】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調ユニットを示す拡大上面図である。
【００１９】
【図７Ａ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調電極の例を示す図である。
【００２０】
【図７Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置における変調電極の例を示す図である。
【００２１】
【図８】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す断面図である。
【００２２】
【図９】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す断面図である。
【００２３】
【図１０】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す上面図である。
【００２４】
【図１１Ａ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す上面図である。
【００２５】
【図１１Ｂ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す上面図である。
【００２６】
【図１１Ｃ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す上面図である。
【００２７】
【図１１Ｄ】本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の電子変調装置、および、その製造方法が、以下の記述で詳細に記述される。以下の詳細な記述において、説明の目的のために、いくつかの特定の詳細、および、実施形態が説明されて、本発明の完全な理解を提供する。しかし、本明細書で説明される例示的な実施形態は、単に説明の目的のために用いられ、且つ、本発明の概念は、各種形態で実施され、それらの例示的な実施形態に限定されないことは明らかである。このほか、異なる実施形態の図面は、類似の、および／または、対応する符号を用いて、類似の、および／または、対応する要素を示してもよい。しかし、異なる実施形態の図面中の類似の、および／または、対応する符号の使用は、異なる実施形態間の任意の相互関係を意味するものではない。このほか、本明細書において、たとえば、“第二材料層上方に（above）／上に（on）／に亘って（over）配置される第一材料層”という表現は、第一材料層と第二材料層の直接接触を示してもよく、あるいは、第一材料層と第二材料層の間に、一つ以上の中間層がある非接触状態を示してもよい。上記の状況において、第一材料層は、第二材料層と直接接触していなくてもよい。
【００２９】
このほか、本明細書において、相対的な表現が用いられる。たとえば、“上方（upper）”や“下方（lower）”が用いられて、一要素のもう一つの要素に対する位置を記述する。理解すべきことは、装置が上下逆さまになる場合、“底部（bottom）”にある要素が“最上部（top）”にある要素になることである。
【００３０】
理解すべきことは、本明細書において、第一、第二、第三等の用語が用いられて、各種要素、構成要素、領域、層、部分、および／または、セクションを記述しているが、これらの要素、構成要素、領域、層、部分、および／または、セクションは、これらの用語により制限されるべきではない、ということである。これらの用語は、ある要素、ある構成要素、ある領域、ある層、ある部分、あるいは、あるセクションと、別の要素、構成要素、領域、層、あるいは、セクションを区別するためだけに用いられる。よって、以下で討論される第一要素、第一構成要素、第一領域、第一層、第一部分、あるいは、第一セクションを、本発明の教示から逸脱することなく、第二要素、第二構成要素、第二領域、第二層、第二部分、あるいは、第二セクションと称することができる。
【００３１】
理解すべきことは、例示的な実施形態の当該説明は、明細書全体の一部と見なされるべき添付図面と併せて読み取ることを目的とすることである。これらの図面は尺寸通り描かれていない。このほか、構造、および、装置が概略的に示されて、これらの図面を簡潔にしている。
【００３２】
用語“約（about）”、および、“実質的（substantially）”は、通常、状態値の＋／−２０％を意味し、さらに通常は、これらの用語が状態値の＋／−１０％、状態値の＋／−５％、状態値の＋／−３％、状態値の＋／−２％、または状態値の＋／−１％を意味し、さらにより一般的には、これらの用語が状態値の＋／−０．５％を意味する。本発明の状態値は近似値である。特定の記述がないとき、状態値は、“約”や“実質的”の意味を含む。さらに、製造プロセスの偏差や変動を考慮するとき、用語“同一”は、“約”や“実質的”の意味も含む。
【００３３】
別に定義されない限り、本明細書で用いられる全用語(技術用語、および、科学用語を含む)は、本発明が属する技術分野の当業者により一般に理解されるものと同じ意義を有する。さらに理解すべきことは、いずれの場合においても、一般的に使用される辞書により定義される用語は、本発明の相対的な技術や、本発明の背景または文脈に適合する意味を有すると解釈されるべきであり、特に定義されていない限り、理想的、または、過度に形式式な意味として解釈されるべきではない。
【００３４】
このほか、本発明のいくつかの実施形態において、たとえば、“接続（connected）”および“相互接続（interconnected）”等の取り付けや結合等に関する用語は関連性に言及しており、特に記述されない限り、構造体同士が、介在構造体により、直接的あるいは間接的に互いに固定あるいは取り付けられ、同様に、両者を移動可能にまたは強固に、取り付けるまたは関係するように、固定あるいは取り付けられる。
【００３５】
このほか、用語“縦方向（longitudinal direction）”は、物体の長軸に沿った、あるいは、物体の長軸に平行な方向として定義される。この長軸は、当該物体の縦の中心から延在する線として定義される。細長い物体、あるいは、長方形の物体において、この長軸は、その物体の最大尺寸に最も近い軸に対応する。明確な長軸を有していない物体において、この長軸は、当該物体を取り囲むことができる最小の長方形の長軸である。
【００３６】
このほか、語句“第一値から第二値の範囲（in a range from a first value to a second value）”は、その範囲が、第一値、第二値、および、それらの間の別の値を含むことを示す。
【００３７】
本発明のいくつかの実施形態において、電子変調装置が提供される。この電子変調装置は、トランジスタのチャネルの延在方向と変調電極の縦方向との間の夾角が異なる夾角を有する電子ユニットを含む。よって、電子変調装置から異なる方向で受信された情報の変化が、より少ない。
【００３８】
図１は、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置１００を示す上面図である。理解すべきことは、明確にするために、電子変調装置１００の構成要素のいくつかは図１で省略されている、ということである。さらに理解すべきことは、本発明のいくつかの実施形態において、追加の構成要素が電子変調装置１００に追加されてもよい、ということである。以下で記述されるいくつかの要素を、本発明のいくつかの実施形態に従い、代替、あるいは、削除することができる。
【００３９】
図１に示されるように、電子変調装置１００は、複数のデータライン１０２、および、スキャンライン１０４を有する。少なくとも一つのデータライン１０２は、第一方向Ｄ１(たとえば、Ｙ方向)に沿って延在し、少なくとも一つのスキャンライン１０４は、第一方向Ｄ１と異なる第二方向Ｄ２(たとえば、Ｘ方向)に沿って延在する。データライン１０２、および、スキャンライン１０４は、複数の変調ユニット、あるいは、画素を定義する。いくつかの実施形態において、電子変調装置１００は、それぞれ、データライン１０２、および、スキャンライン１０４に電気的に接続される複数の変調ユニット１０６Ａ、および、変調ユニット１０６Ｂを有する。たとえば、変調ユニット１０６Ａ、および、変調ユニット１０６Ｂのいくつかにおけるソース電極が、データライン１０２に電気的に接続されてもよい。別の例において、変調ユニット１０６Ａ、および、変調ユニット１０６Ｂのいくつかにおけるゲート電極が、スキャンライン１０４に電気的に接続されてもよい。このほか、変調ユニット１０６Ａ、および／または、変調ユニット１０６Ｂは、ともに、第一方向Ｄ１に沿って配置される。多種の変更、および／または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、変調ユニット１０６Ａ、および／または、変調ユニット１０６Ｂは、どちらも、第二方向Ｄ２に沿って配置される。 
【００４０】
図１に示されるように、少なくとも一つの変調ユニット１０６Ａは、トランジスタ１０８Ａ、および、変調電極１１０Ａを有し、少なくとも一つの変調ユニット１０６Ｂは、トランジスタ１０８Ｂ、および、変調電極１１０Ｂを有する。いくつかの実施形態において、電子変調装置１００の変調媒体(たとえば、液晶)の配向は、変調電極(１１０Ａ、および、１１０Ｂ)と、コモン電極(図８に示される)との間の静電容量を調整することにより制御されて、異なる波長を有する電磁放射線(たとえば、光)が、電子変調装置１００から放射できるようにし、および／または、電子変調装置１００により受信できるようにしている。
【００４１】
図２Ａ、および、図２Ｂは、本発明のいくつかの実施形態による変調ユニット１０６Ａと変調ユニット１０６Ｂの拡大上面図を示している。図２Ａに示されるように、トランジスタ１０８Ａは、ソース電極１１２Ａ、ドレイン電極１１４Ａ、ゲート電極１１６Ａ、および、チャネル１１８Ａを有する。ソース電極１１２Ａ、および、ドレイン電極１１４Ａは、ゲート電極１１６Ａの両側に設置される。チャネル１１８Ａは、ソース電極１１２Ａとドレイン電極１１４Ａの間に形成される。さらに、ドレイン電極１１４Ａは、変調電極１１０Ａに電気的に接続される。
【００４２】
図２Ｂに示されるように、トランジスタ１０８Ｂは、ソース電極１１２Ｂ、ドレイン電極１１４Ｂ、ゲート電極１１６Ｂ、および、チャネル１１８Ｂを有する。ソース電極１１２Ｂ、および、ドレイン電極１１４Ｂは、ゲート電極１１６Ｂの両側に設置される。チャネル１１８Ｂは、ソース電極１１２Ｂとドレイン電極１１４Ｂの間に形成される。さらに、ドレイン電極１１４Ｂは、変調電極１１０Ｂに電気的に接続される。変調ユニット１０６Ｂのソース電極１１２Ｂ、ゲート電極１１６Ｂ、および、チャネル１１８Ｂは、それぞれ、変調ユニット１０６Ａのソース電極１１２Ａ、ゲート電極１１６Ａ、および、チャネル１１８Ａと同一、あるいは、類似する。
【００４３】
いくつかの実施形態において、変調ユニット１０６Ａと変調ユニット１０６Ｂとの間の差異の一つが、チャネルの延在方向と変調電極の縦方向との間の夾角である。いくつかの実施形態において、図２Ａ、および、図２Ｂに示されるように、方向Ｖ１、および、方向Ｖ２は、それぞれ、チャネル１１８Ａ、および、チャネル１１８Ｂの延在方向として見なされる。さらに、チャネル１１８Ａの方向Ｖ１、および、チャネル１１８Ｂの方向Ｖ２は、実質的に平行である。チャネルの延在方向は、ドレイン電極、および、ソース電極上の二個の基準点によりそれぞれ決定される方向である。これらの二個の基準点が、チャネルと重なってもよい。
【００４４】
たとえば、図２Ａに示されるように、チャネル１１８Ａの方向Ｖ１は、ソース電極１１２Ａ上の基準点Ｅ、および、ドレイン電極１１４Ａ上の基準点Ｆにより決定される。同様に、チャネル１１８Ｂの方向Ｖ２は、ソース電極１１２Ｂ上の基準点Ｇ、および、ドレイン電極１１４Ｂ上の基準点Ｈにより決定される。より具体的には、変調ユニット１０６Ａの基準点ＥおよびＦの位置は、変調ユニット１０６Ｂの基準点ＧおよびＨに対応し、方向Ｖ１が、実質的に方向Ｖ２に平行であるようにしている。
【００４５】
いくつかの実施形態において、変調電極１１０Ａは長方形の形状を有する。変調電極１１０Ａの縦方向は、変調電極１１０Ａの長辺に実質的に平行である。同様に、変調電極１１０Ｂの縦方向は、変調電極１１０Ｂの長辺に実質的に平行である。この実施形態において、変調電極１１０Ａの長辺に実質的に平行な方向Ｖ３は、変調電極１１０Ａの縦方向である。変調電極１１０Ｂの長辺に実質的に平行である方向Ｖ４は、変調電極１１０Ｂの縦方向である。図２Ａ、および、図２Ｂに示されるように、変調電極１１０Ｂの縦方向(方向Ｖ４)は、変調電極１１０Ａの縦方向(方向Ｖ３)と異なる。 
【００４６】
いくつかの実施形態において、図２Ａ、および、図２Ｂに示されるように、方向Ｖ１と方向Ｖ３との間の第一夾角θAは、方向Ｖ２と方向Ｖ４との間の第二夾角θBと異なる。つまり、トランジスタ１０８Ａの延在方向と変調ユニット１０６Ａの変調電極１１０Ａの縦方向との間の夾角は、トランジスタ１０８Ｂの延在方向と変調ユニット１０６Ｂの変調電極１１０Ｂの縦方向との間の夾角と異なる。変調電極の縦方向が変調媒体の配向に影響するので、変調ユニット１０６Ａの変調媒体の配向は、変調ユニット１０６Ｂの変調媒体の配向と異なる。つまり、変調媒体の配向は、変調ユニットの夾角に従って変化する。さらに、方向Ｖ１は方向Ｖ２に平行であり、変調ユニット１０６Ａ、および、変調ユニット１０６Ｂの構成要素を形成するリソグラフィ、および／または、エッチング工程のばらつきを低減できるようにしている。さらに、チャネル１１８Ａの幅対長さの比率と、チャネル１１８Ｂの幅対長さの比率との間の差異も減少させることができる。
【００４７】
いくつかの実施形態において、第一夾角θAと第二夾角θBとの間の差異は、１５度以上である。たとえば、第一夾角 θAと第二夾角θBとの間の差異は、１５度〜９０度の範囲、たとえば、３０度、あるいは、６０度である。いくつかの実施形態において、第一夾角θAと第二夾角θBとの間の差異は、４５度〜９０度の範囲である。いくつかの場合、第一夾角θAと第二夾角θBとの間の差異は１５度より小さくない。第一夾角θAと第二夾角θBとの間の差異が１５度より小さい場合、レシーバが望まれない位置にあるときに、電子装置により放射される情報が影響を受ける可能性がある。注意すべきことは、チャネルの延在方向と変調電極の縦方向との夾角は、鋭角、および、鈍角を有してもよいことである。第一夾角θAと第二夾角θBは鋭角と見なされるが、本発明はこれらに限定されない。
【００４８】
いくつかの実施形態において、図２Ａ、および、図２Ｂに示されるように、変調電極１１０Ａの延在方向と変調電極１１０Ｂの延在方向とが異なるために、ドレイン電極１１４Ａの長さＬ１が、ドレイン電極１１４Ｂの長さＬ２と異なる。長さＬ１およびＬ２は、第二方向Ｄ２(たとえば、Ｘ方向)に沿って測定される。いくつかの実施形態において、チャネル１１８Ａと変調電極１１０Ａとの間の距離Ｓ１は、チャネル１１８Ｂと変調電極１１０Ｂとの間の距離Ｓ２と異なる。距離Ｓ１およびＳ２は、第二方向(たとえば、Ｘ方向)に沿って測定される。理解すべきことは、距離Ｓ１およびＳ２は、チャネルと変調電極との間の最小距離として定義され、これらの距離Ｓ１およびＳ２は、前記第二方向Ｄ２に沿って測定されることに制限されるのではなく、同一の方向に沿って測定されるということである。
【００４９】
図２Ａ、および、図２Ｂは、ソース電極、ドレイン電極、および、チャネルが、それぞれ長方形の形状を有することを示す。多種の変更、および／または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。図３Ａ、および、図３Ｂを参照すると、本発明のいくつかの実施形態によるチャネルの延在方向の例を示している。いくつかの実施形態において、図３Ａに示されるように、変調ユニット１０６Ｃは、トランジスタ１０８Ｃ、および、変調電極１１０Ｃを有する。トランジスタ１０８Ｃは、ソース電極１１２Ｃ、ドレイン電極１１４Ｃ、ゲート電極１１６Ｃ、チャネル１１８Ｃ、および、半導体層１２０Ｃを有する。チャネル１１８Ｃは、ソース電極１１２Ｃとドレイン電極１１４Ｃとの間に設置される。本発明の図面で示されるチャネルは単に説明用の例であり、本発明の範囲を限定することを意図していない。当業者なら、実際のチャネル領域の範囲が理解されよう。この詳細は本明細書では記述されない。ソース電極１１２Ｃ、および、ドレイン電極１１４Ｃは、それぞれ、複数の突起部分１２２および１２４を有して、チャネル１１８Ｃが屈曲した形状を有するようにしている。
【００５０】
この実施形態において、チャネル１１８Ｃの延在方向は、それぞれ、ソース電極１１２Ｃ上、および、ドレイン電極１１４Ｃ上に位置する二個の基準点により定義される。これらの二個の基準点は、チャネル１１８Ｃと重なるソース電極１１２Ｃおよびドレイン電極１１４Ｃから任意に選択される。たとえば、ソース電極１１２Ｃ上の基準点Ｋ、および、ドレイン電極１１４Ｃ上の基準点Ｌにより決定される方向Ｖ５は、チャネル１１８Ｃの延在方向として定義される。別の実施形態において、ソース電極１１２Ｃ上の基準点Ｋ、および、ドレイン電極１１４Ｃ上の基準点Ｍにより決定される方向Ｖ６もまた、選択されて、チャネル１１８Ｃの延在方向を定義する。一トランジスタの延在方向を定義するのに用いられるこれらの基準点の位置は、別のトランジスタの基準点の位置と同一であるか、あるいは、対応している。いくつかの例において、少なくとも二個の変調ユニットのトランジスタにおけるチャネルの延在方向は、実質的に平行である。より具体的には、トランジスタの延在方向と変調電極の縦方向との間の夾角は、対応する変調電極の縦方向に従って変化する。
【００５１】
多種の変更、および／または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、当該トランジスタの延在方向が別の方向で定義される。図３Ｂに示されるように、チャネル１１８Ｃを取り囲む最小の仮想(imaginary)長方形Ｚ１がある。この実施形態において、チャネル１１８Ｃの延在方向は、たとえば仮想長方形Ｚ１の長辺の方向などの、仮想長方形Ｚ１の延在方向と見なされる。
【００５２】
このほか、図３Ｂに示されるように、チャネル１１８Ｃの幅対長さの比率は、チャネル１１８Ｃの幅Ｗ対長さＬ３の比率として定義される。チャネル１１８Ｃの幅Ｗは、チャネル１１８Ｃの全ての長さである。長さＬ３は、仮想長方形Ｚ１の長辺の長さである。
【００５３】
多種の変更、および／または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、ソース電極、および、ドレイン電極が、異なる形状を有する。図４Ａ、および、図４Ｂを参照すると、本発明のいくつかの実施形態によるチャネルの延在方向の定義の例を示している。図４Ａ、および、図４Ｂに示されるように、変調ユニット１０６Ｄは、トランジスタ１０８Ｄ、および、変調電極１１０Ｄを有する。トランジスタ１０８Ｄは、ソース電極１１２Ｄ、ドレイン電極１１４Ｄ、ゲート電極１１６Ｄ、チャネル１１８Ｄ、および、ソース電極１１２Ｄとゲート電極１１６Ｄとの間に設置される半導体層１２０Ｄを有する。ソース電極１１２Ｄ、および、ドレイン電極１１４Ｄの形状は、図３Ａのソース電極１１２Ｃ、および、ドレイン電極１１４Ｃの形状と異なる。さらに、チャネル１１８Ｄは、チャネル１１８Ｃと異なる幅対長さの比率を有する。
【００５４】
この実施形態において、チャネル１１８Ｄの延在方向は、それぞれ、ソース電極１１２Ｄ上、および、ドレイン電極１１４Ｄ上に位置する二個の基準点により定義される。ゲート電極１１６Ｄ、および、半導体層１２０Ｄは重なる領域を形成する。これらの二個の基準点は、前記重なる領域におけるソース電極１１２Ｄ、および、ドレイン電極１１４Ｄから任意に選択される。たとえば、ソース電極１１２Ｄ上の基準点Ｐ、および、ドレイン電極１１４Ｄ上の基準点Ｑにより決定される方向Ｖ８は、チャネル１１８Ｄの延在方向であると見なされる。
【００５５】
多種の変更、および、または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、トランジスタの延在方向が別の方法で定義される。図４Ｂに示されるように、チャネル１１８Ｄを取り囲む最小の仮想長方形Ｚ２がある。この実施形態において、チャネル１１８Ｄの延在方向は、たとえば仮想長方形Ｚ２の長辺の方向などの、仮想長方形Ｚ２の延在方向と見なされる。チャネル１１８Ｄの幅対長さの比率は、チャネル１１８Ｄの幅Ｗ対長さＬ４の比率として定義される。チャネル１１８Ｄの幅Ｗはチャネル１１８Ｄの全ての長さである。長さＬ３は、仮想長方形Ｚ２の長辺の長さである。
【００５６】
図５Ａ、および、図５Ｂを参照すると、本発明のいくつかの実施形態による変調電極の縦方向の定義の例を示している。いくつかの実施形態において、図５Ａに示されるように、変調電極１１０Ｅは長方形の形状を有する。この実施形態において、変調電極１１０Ｅの長辺に平行な方向Ｖ１０は、変調電極１１０Ｅの縦方向として定義される。いくつかの実施形態において、変調電極１１０Ｆは不規則な形状を有する。図５Ｂは、変調電極１１０Ｆを取り囲む最小の仮想長方形Ｚ３を示す。この実施形態において、仮想長方形Ｚ３の長辺に平行な方向Ｖ１１は、変調電極１１０Ｆの縦方向と見なされる。上述の最小の仮想長方形は、たとえば、OpenCV（Open Source Computer Vision Library）のようなソフトウェア、あるいは、その他の適切なソフトウェアにより得られる。
【００５７】
図６を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置中の変調ユニットの拡大上面図を示している。図６に示されるように、変調ユニット１０６Ｇは、トランジスタ１０８Ｇ、および、変調電極１１０Ｇを有する。トランジスタ１０８Ｇは、変調電極１１０Ｇに電気的に接続されるドレイン電極１１４Ｇを有する。ドレイン電極１１４Ｇ、および、変調電極１１０Ｇは重なる領域Ｚ５を形成する。いくつかの実施形態において、変調電極１１０Ｇの面積に対する重なる領域Ｚ５の面積の比率は、５％〜５０％の範囲であり、たとえば、１５％、あるいは、３５％である。いくつかの実施形態において、変調電極１１０Ｇの面積に対する重なる領域Ｚ５の面積の比率は、５％〜２０％の範囲である。変調電極１１０Ｇの面積に対する重なる領域Ｚ５の面積の比率が５％〜５０％の範囲である場合、変調電極の充電速度を向上させることができる。
【００５８】
図６に示されるように、重なる領域Ｚ５の縦方向と変調電極１１０Ｇの縦方向との間に、第三夾角θ3がある。図６に示されるように、方向Ｖ１２は重なる領域Ｚ５の縦方向と見なされ、方向Ｖ１３は変調電極１１０Ｇの縦方向と見なされる。この実施形態において、重なる領域Ｚ５の縦方向と変調電極１１０Ｇの縦方向との間の第三夾角θ3は９０度である。多種の変更、および、または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、重なる領域Ｚ５の縦方向と変調電極１１０Ｇの縦方向との間の第三夾角θ3は、７０度〜１１０度の範囲であり、たとえば、８０度、９０度、あるいは、１００度である。
【００５９】
図７Ａ、および、図７Ｂを参照すると、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置中の変調電極の例を示している。図７Ａ、および、図７Ｂに示されるように、電子変調装置の変調電極１１０Ｈ、および、変調電極１１０Ｉが、異なる面積および形状を有する。いくつかの実施形態において、変調電極１１０Ｈ、および、変調電極１１０Ｉの外形は角丸である。角丸は、鋭い先端で電子が凝集することを低減させるのに役立つ。その結果、静電放電(ＥＳＤ)を低減させることができる。
【００６０】
図７Ａ、および、図７Ｂに示されるように、変調電極１１０Ｈの面積が、変調電極１１０Ｉの面積と異なるので、変調電極１１０Ｈの角部の曲率半径Ｃ１は、変調電極１１０Ｈの角部の曲率半径Ｃ２と異なる。変調電極１１０Ｈの面積が変調電極１１０Ｉの面積より大きいという、いくつかの実施形態において、曲率半径Ｃ１が曲率半径Ｃ２より大きい。 
【００６１】
図８を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置２００の断面図を示している。理解すべきことは、明確にするために、電子変調装置２００の要素のいくつかが図８で省略されていることである。さらに理解すべきことは、本発明のいくつかの実施形態において、追加の要素が電子変調装置２００に追加されることである。以下で記述されるいくつかの要素を、本発明のいくつかの実施形態に従い、代替、あるいは、削除することができる。
【００６２】
図８に示されるように、電子変調装置２００は第一基板２０２を有する。第一基板２０２は、トランジスタ、変調電極、および、その他の構成要素のための支持体として用いられる。第一基板２０２は、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、および／または、その他の適切な基板を有する。ゲート絶縁層２０４、および、パッシベーション層２０６が第一基板２０２上に形成される。ゲート絶縁層２０４は、これに限定されないが、二酸化ケイ素(silicon dioxide)、あるいは、高誘電材(high dielectric constant (high-k) material)、リン珪酸ガラス(phosphosilicate glass、PSG)、ボロフォスフォシリケートガラス(borophosphosilicate glass、BPSG)、低誘電率(low-k)誘電材、および、その他の適切な誘電材を含む。当該低誘電率誘電材は、これに限定されないが、フッ素化シリカガラス(FSG)、カーボンドープシリコン酸化物(carbon doped silicon oxide)、アモルファスフッ素化炭素(amorphous fluorinated carbon)、パリレン（parylene)、ビスベンゾシクロブテン(BCB)、ポリイミド(polyimides)、上述の材料の組み合わせ、および、その他の適切な材料を含む。ゲート絶縁層２０４、および、パッシベーション層２０６は、たとえば、化学気相蒸着(chemical vapor deposition)、物理気相蒸着(physical vapor deposition)、あるいは、その他の適切な蒸着工程などの蒸着工程により形成される。
【００６３】
このほか、電子変調装置２００は、第一基板２０２上に形成されるトランジスタ２０８を有する。図８に示されるように、トランジスタ２０８は、ソース電極２１０、ドレイン電極２１２、ゲート電極２１４、および、半導体層２１６を有する。ゲート電極２１４は第一基板２０２上に設置される。ゲート電極２１４は金属材料を有する。たとえば、ゲート電極２１４は、これに限定されないが、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、金(Au)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、プラチナ(Pt)、チタニウム(Ti)を含む。ゲート電極２１４は、これに限定されないが、スパッタ工程(sputter process)により形成される。半導体層２１６はゲート絶縁層２０４上に設置される。半導体層２１６の材料は、これに限定されないが、アモルファスシリコン(amorphous silicon)、たとえば、低温ポリシリコン(low-temp polysilicon、LTPS)などのポリシリコン、金属酸化物、あるいは、その他の適当な材料を含む。金属酸化物は、インジウムガリウム亜鉛酸化物(IGZO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)、インジウムガリウム亜鉛錫酸化物(IGZTO)を含む。ソース電極２１０、および、ドレイン電極２１２はゲート絶縁層２０４上に形成される。このほか、ソース電極２１０、および、ドレイン電極２１２は、ゲート電極２１４上方、且つ、ゲート電極２１４両側に設置される。さらに、ソース電極２１０の一部、および、ドレイン電極２１２の一部は、半導体層２１６上に形成される。ソース電極２１０、および、ドレイン電極２１２の材料および形成方法は、ゲート電極２１４の材料および形成方法と同一でもよく、あるいは、類似してもよい。図８に示されるように、チャネル２１８が、ゲート絶縁層２０４において、且つ、ソース電極２１０とドレイン電極２１２との間に形成される。注意すべきことは、本明細書で記述されるトランジスタの構造は説明の目的のためだけのものであり、たとえば、トップゲートトランジスタのような、トランジスタの他の適切な構造を用いることもできるということである。
【００６４】
図８で示されるゲート絶縁層２０４は、ゲート電極２１４上に設置される。多種の変更、および、または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、ゲート電極２１４はパッシベーション層２０６上、かつ、変調電極２２２と同一の水平層中に形成される。いくつかの実施形態において、電子変調装置２００は二個のゲート電極を有し、これらの二個のゲート電極は同一の水平層上に位置する。たとえば、これらの二個のゲート電極は第一基板２０２上に形成される。いくつかの実施形態において、電子変調装置２００は二個のゲート電極を有し、これらの二個のゲート電極は異なる水平層上に設置される。たとえば、ゲート電極の一つは第一基板２０２上に設置され、ゲート電極のもう一つはパッシベーション層２０６上に設置される。 
【００６５】
図８に示されるように、電子変調装置２００は、導電要素２２０、および、変調電極２２２を有する。変調電極２２２は、導電要素２２０により、ドレイン電極２１２に電気的に接続される。導電要素２２０、および、変調電極２２２の材料は、ゲート電極２１４の材料と同一でもよく、あるいは、類似してもよい。いくつかの実施形態において、リソグラフィ工程、および、エッチング工程が、パッシベーション層２０６上で実行されて、開口部を形成する。次に、金属材料がこの開口部に充填されて、パッシベーション層２０６上に蒸着され、その後、リソグラフィ工程、および、エッチング工程を実行して、パッシベーション層２０６上に設置された金属材料をパターン化する。その結果、導電要素２２０、および、変調電極２２２が形成される。フォトリソグラフィ工程は、これに限定されないが、フォトレジストコーティング(たとえば、スピンオンコーティング)、ソフトベーキング(soft baking)、マスクアラインメント(mask alignment)、露光(exposure)、露光後ベーク(post-exposure baking)、フォトレジストの現像(developing the photoresist)、リンスおよび乾燥(rinsing and drying) (たとえばハードベーキング（hard baking）)を有する。またフォトリソグラフィ工程が、たとえば、マスクレスフォトリソグラフィ工程、電子ビーム工程(electron-beam process)、イオンビーム工程(ion-beam process)、あるいは、それらの組み合わせのような、その他の適切な工程により実行されてもよく、あるいは代替されてもよい。エッチング工程は、これに限定されないが、ドライエッチング工程、ウェットエッチング工程、および／または、それらの組み合わせである。
【００６６】
図８に示されるように、電子変調装置２００は、第二基板２２４を有する。コモン電極、および／または、その他の構成要素を設置するように第二基板２２４が構成される。第二基板２２４は、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板、および／または、その他の適切な基板を含む。ディスプレイ要素層２２６が第二基板２２４上に形成される。ディスプレイ要素層２２６は、これに限定されないが、カラーフィルター層、遮光層、パッシベーション層、および、その他の適切な構成要素または層を有する。このほか、コモン電極２２８は第二基板２２４上に形成される。コモン電極２２８の材料と形成方法は、ゲート電極２１４の材料および形成方法と同一でもよく、あるいは、類似してもよい。図８は、コモン電極２２８がパターン化されていない状態を示す。多種の変更、および、または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、コモン電極２２８はパターン化されて、コモン電極２２８が個別部分(discrete portions)を有するようにしている。
【００６７】
図８に示されるように、電子変調装置２００は、さらに、スペーサ２３０、および、変調媒体層２３２を有する。変調媒体層２３２は、変調電極２２２とコモン電極２２８との間に設置される。たとえば、変調媒体層２３２は、液晶層、あるいは、その他の適切な層を有する。第一基板２０２と第二基板２２４との間のセルギャップを決定するようにスペーサ２３０が構成される。いくつかの実施形態において、スペーサ２３０は、これに限定されないが、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)、ポリエチレン(ＰＥ)、ポリエーテルスルホン(ＰＥＳ)、ポリカーボネート(ＰＣ)、ポリメタクリル酸メチル(ＰＭＭＡ)、ガラス、その他の任意の適切な材料、あるいは、それらの組み合わせを含む。変調電極２２２とコモン電極２２８との間の電位差が、変調媒体層２３２の配向を決定する。変調電極２２２の電圧はトランジスタ２０８により制御されて、変調媒体層２３２の配向が変調電極２２２の電圧に従って変化するようにしている。
【００６８】
さらに、電極の構造、あるいは、ポリイミド層(polyimide layer)の配向に従って、変調媒体層２３２が異なる液晶モード(liquid-crystal mode)で適用される。いくつかの実施形態において、変調媒体層２３２の材料は、これに限定されないが、ネマチック液晶(nematic liquid crystal)、スメクチック液晶(smectic liquid crystal)、コレステリック液晶(cholesteric liquid crystal)、ブルー相液晶(blue phase liquid crystal)、あるいは、その他の任意の適切な液晶材料である。
【００６９】
図８に示されるように、ドレイン電極２１２と変調電極２２２との間の重なる部分の長さＬ５があり、変調電極２２２は長さＬ６を有する。いくつかの実施形態において、変調電極２２２の長さＬ６に対する長さＬ５の比率は、３０％〜９０％の範囲であり、たとえば、５０％、あるいは、７０％である。長さＬ６に対する変調電極２２２の長さＬ５の比率が３０％〜９０％の範囲である場合、電子変調装置２００の抵抗を減少させることができる。長さＬ５、および、長さＬ６は、変調電極２２２の縦方向に沿って測定される。しかし、長さＬ５、および、長さＬ６が、その他の方向に沿って測定されてもよく、本発明の範囲を制限することを意図しない。
【００７０】
図９を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置３００の断面を示している。図９に示されるように、電子変調装置３００は、第一基板２０２上に設置される第一電極２３４、および、第二基板２２４上に設置される第二電極２３６を有する。変調電極２２２’は、第一電極２３４と第二電極２３６との間に設置されるとともに、導電要素２２０’により、ドレイン電極２１２に電気的に接続される。導電要素２２０’、変調電極２２２’、第一電極２３４、および、第二電極２３６の材料と形成方法は変調電極２２２の材料および形成方法と同一あるいは類似するので、ここでは繰り返さない。第一電極２３４は、スペーサ２３０、および、キャビティ２３８により、第二電極２３６から分離される。キャビティ２３８は、これに限定されないが、空気、あるいは、オイルを含む。
【００７１】
いくつかの実施形態において、第一電極２３４、および、第二電極２３６の電圧は固定である。変調電極２２２’の電圧は、トランジスタ２０８により制御される。変調電極２２２’の電圧が変化するとき、変調電極２２２’はそれに応じてシフトする。変調電極２２２’の位置が変化するとき、第二電極２３６と変調電極２２２’との間の静電容量、あるいは、第一電極２３４と変調電極２２２’との間の静電容量がそれに応じて変化する。よって、異なる波長を有する電磁放射(たとえば、光)が、電子変調装置３００から放射され、および／または、電子変調装置３００により受信される。
【００７２】
図１０を参照すると、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置４００の上面図を示している。図１０に示されるように、電子変調装置４００は、複数のデータライン４０２、および、スキャンライン４０４を有する。少なくとも一つのデータライン４０２が、第一方向Ｄ１に沿って延在し、少なくとも一つのスキャンライン４０４が、第一方向Ｄ１と異なる第二方向Ｄ２に沿って延在する。電子変調装置４００は、さらに、変調ユニット４０６Ａ、および、変調ユニット４０６Ｂを有する。変調ユニット４０６Ａは、トランジスタ４０８Ａ、および、変調電極４１０Ａを有する。変調ユニット４０６Ｂは、トランジスタ４０８Ｂ、および、変調電極４１０Ｂを有する。いくつかの実施形態において、変調電極４１０Ａの面積は、変調電極４１０Ｂの面積と異なる。さらに、変調電極４１０Ａの角部における曲率半径は、変調電極４１０Ｂの角部における曲率半径と異なる。さらに、変調電極４１０Ａの縦方向は、変調電極４１０Ｂの縦方向と異なる。その結果、トランジスタ４０８Ａにおけるチャネルの延在方向と変調電極４１０Ａの縦方向との間の夾角は、トランジスタ４０８Ｂにおけるチャネルの延在方向と変調電極４１０Ｂの縦方向との間の夾角と異なる。図１０に示される変調ユニット４０６Ａおよび変調ユニット４０６Ｂの配置は変更されてもよい。たとえば、変調ユニット４０６Ａおよび変調ユニット４０６Ｂの配置は図１に示される配置と同一であってもよく、本発明の範囲を制限することを意図しない。いくつかの実施形態において、変調ユニット４０６Ａの変調電極４１０Ａのサイズは、変調電極４１０Ｂ、および、変調ユニット４０６Ｂのサイズと異なる。いくつかの例において、異なるサイズの変調電極が、チャネルでの異なる幅対長さの比率に対応するが、本発明はこれに限定されない。
【００７３】
いくつかの実施形態において、少なくとも一つのデータライン４０２、および、少なくとも一つのスキャンライン４０４が、波の形状を有する。これにより、電子変調装置４００が、曲げ電子装置(bending electronic device)に適用される。さらに、(たとえば、変調ユニット４０６Ａ、および、変調ユニット４０６Ｂなどの)トランジスタでの異なるチャネルとデータライン４０２(あるいは、スキャンライン４０４)との間の夾角が、実質的に同一である。
【００７４】
図１１Ａ〜図１１Ｄを参照すると、本発明のいくつかの実施形態による電子変調装置の上面図を示している。図１１Ａ〜図１１Ｄは、トランジスタおよび変調電極の異なる配置を示している。しかし、本発明の範囲を制限することを意図しない。
【００７５】
図１１Ａに示されるように、電子変調装置５００Ａは、変調ユニット５０６Ａ、５０６Ｂ、５０６Ｃ、および、５０６Ｄを有する。変調ユニット５０６Ａ、５０６Ｂ、５０６Ｃ、および、５０６Ｄは、それぞれ、１つのトランジスタ５０８Ａ、５０８Ｂ、５０８Ｃ、および、５０８Ｄと、１つの変調電極５１０Ａ、５１０Ｂ、５１０Ｃ、および、５１０Ｄとを有する。図１１Ａに示されるように、トランジスタ５０８Ａ、５０８Ｂ、５０８Ｃ、および、５０８Ｄのチャネルの延在方向は、互いに実質的に平行である。このほか、変調電極５１０Ａ、５１０Ｂ、５１０Ｃ、および、５１０Ｄの縦方向は互いに異なる。その結果、トランジスタのチャネルの延在方向と変調ユニット５０６Ａ、５０６Ｂ、５０６Ｃ、および、５０６Ｄの変調電極の縦方向との間の夾角が互いに異なる。いくつかの実施形態において、変調ユニット５０６Ａ、５０６Ｂ、５０６Ｃ、および、５０６Ｄのいくつかが、第一方向Ｄ１に沿って配置される。多種の変更、および、または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、変調ユニット５０６Ａ、５０６Ｂ、５０６Ｃ、および、５０６Ｄのいくつかが、第二方向Ｄ２に沿って配置される。 
【００７６】
図１１Ｂに示されるように、電子変調装置５００Ｂは、複数の変調ユニット５０６Ａ、および、変調ユニット５０６Ｃを有する。いくつかの実施形態において、変調ユニット５０６Ａ、および、変調ユニット５０６Ｃは、交互に、第二方向Ｄ２に沿って配置される。このほか、変調ユニット５０６Ａ、および、変調ユニット５０６Ｃは、交互に、第一方向Ｄ１に沿って配置される。
【００７７】
図１１Ｃに示されるように、電子変調５００Ｃは、複数の変調ユニット５０６Ａ、および、変調ユニット５０６Ｃを有する。いくつかの実施形態において、４個の変調ユニット５０６Ａは、２×２の配列であるグループＧ１に分類され、４個の変調ユニット５０６Ｃは、２×２の配列であるグループＧ２に分類される。グループＧ１、および、グループＧ２は、交互に、第二方向Ｄ２に沿って配置される。このほか、グループＧ１、および、グループＧ２は、交互に、第一方向Ｄ１に沿って配置される。多種の変更、および／または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。いくつかの実施形態において、グループＧ１、および／または、Ｇ２は、ｍ×ｍの配列であり、ここでｍは２より大きい。いくつかの実施形態において、グループＧ１、および／または、Ｇ２はｍ×ｎの配列であり、ここでｍおよびｎは、２以上であり、ｍおよびｎは正の整数であり、且つ、ｍ≠ｎである。さらに、グループＧ１、および／または、グループＧ２は、斜め正方格子状(oblique square)のｍ×ｍの配列である。
【００７８】
図１１Ｄに示されるように、電子変調装置５００Ｄは、２×２の配列である複数のグループＧ３、および、グループＧ４を有する。グループＧ３、および、グループＧ４は、交互に、第二方向Ｄ２、および、第一方向Ｄ１に沿って配置される。さらに、グループＧ３は、３個の変調ユニット５０６Ａ、および、１個の変調ユニット５０６Ｂから構成される。グループＧ４は、３個の変調ユニット５０６Ｃ、および、１個の変調ユニット５０６Ｄから構成される。しかし、本発明の範囲を制限することを意図しない。
【００７９】
多種の変更、および、または、修正が本発明の実施形態で行われてもよい。たとえば、電子変調装置は、電子ユニットに対して異なる配置を有してもよい。このほか、変調電極の面積が変更されてもよい。さらに、トランジスタのチャネルの幅対長さの比率が、変調電極の面積に従って微調整されてもよい。
【００８０】
総合すると、本発明は電子変調装置を提供する。この電子変調装置は、異なる夾角を有する電子ユニットを有する。これらの夾角は、トランジスタのチャネルの延在方向と変調電極の縦方向との間のものである。よって、レシーバが望まぬ位置にあるとき、この電子装置により放射される情報が影響を受けない。さらに、実施形態の電子変調装置は、微小電気機械システム(MEMS)、アンテナシステム、あるいは、ディスプレイ装置の構造に適用されてもよく、本発明の範囲を制限することを意図しない。
【００８１】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本開示に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の思想を逸脱しない範囲内で各種の変形を加えることができる。
【符号の説明】
【００８２】
１００，２００、３００、４００、５００Ａ、５００Ｂ  電子変調装置
１０２、４０２  データライン
１０４、４０４  スキャンライン
１０６Ａ、１０６Ｂ、１０６Ｃ、１０６Ｄ、１０６Ｇ、４０６Ａ、４０６Ｂ、５０６Ａ、５０６Ｂ、５０６Ｃ、５０６Ｄ  変調ユニット
１０８Ａ、１０８Ｂ、１０８Ｃ、１０８Ｄ、１０８Ｇ、２０８、４０８Ａ、５０８Ａ、５０８Ｂ、５０８Ｃ、５０８Ｄ  トランジスタ
１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ、１１０Ｄ、１１０Ｅ、１１０Ｆ、１１０Ｇ、１１０Ｈ、１１０Ｉ、２２２、２２２’、４１０Ａ、４１０Ｂ、５１０Ａ、５１０Ｂ、５１０Ｃ、５１０Ｄ  変調電極
１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ、２１０  ソース電極
１１４Ａ、１１４Ｂ、１１４Ｃ、１１４Ｄ、１１４Ｇ、２１２  ドレイン電極
１１６Ａ、１１６Ｂ、１１６Ｃ、１１６Ｄ、２１４  ゲート電極
１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃ、１１８Ｄ、２１８  チャネル
１２０Ｃ、１２０Ｄ、２１６  半導体層
２０２  第一基板
２０４  ゲート絶縁層
２０６  パッシベーション層
２２０  導電要素
２２４  第二基板
２２６  ディスプレイ素子層
２２８  コモン電極
２３０  スペーサ
２３２  変調媒体層
２３４  第一電極
２３６  第二電極
Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｋ、Ｍ、Ｐ、Ｑ  基準点
Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４、Ｖ５、Ｖ１０  方向
Ｓ１、Ｓ２  距離
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６  長さ
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ５  長方形
Ｗ  幅
Ｃ１、Ｃ２  曲率半径
Ｄ１  第一方向
Ｄ２  第二方向
【図１】
2020064287.tif 000003
【図２Ａ】
2020064287.tif 000004
【図２Ｂ】
2020064287.tif 000005
【図３Ａ】
2020064287.tif 000006
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
2020064287.tif 000008
【図４Ｂ】
2020064287.tif 000009
【図５Ａ】
2020064287.tif 000010
【図５Ｂ】
2020064287.tif 000011
【図６】
2020064287.tif 000012
【図７Ａ】
2020064287.tif 000013
【図７Ｂ】
2020064287.tif 000014
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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