(57)【要約】【課題】製造が容易であり、かつ表示状態を切り替え可能な電気光学装置を提供する。【解決手段】  電気光学装置は、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の間隔を保持する複数のスペーサと、前記第１基板に配置される画素電極と、前記画素電極の前記第１基板の側に位置し、前記画素電極の一部と重畳する導電層と、前記第１基板上に配置され、前記第２基板の側へ突出し、前記画素電極に覆われた突起物と、前記第２基板上に配置され、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極上に設けられ、前記突起物に重畳する部分に第１開口部を有する第１配向膜と、前記対向電極上に設けられ、前記突起物に重畳する部分に第２開口部を有する第２配向膜と、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に設けられた液晶層と、を有し、前記突起物の下面から上面までの距離は、前記スペーサの下面から上面までの距離よりも小さい。【選択図】図３
2020091350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間の間隔を保持する複数のスペーサと、
前記第１基板に配置される画素電極と、
前記画素電極の前記第１基板の側に位置し、前記画素電極の一部と重畳する導電層と、
前記第１基板上に配置され、前記第２基板の側へ突出し、前記画素電極に覆われた突起物と、
前記第２基板上に配置され、前記画素電極と対向する対向電極と、
前記画素電極上に設けられ、前記突起物に重畳する部分に第１開口部を有する第１配向膜と、
前記対向電極上に設けられ、前記突起物に重畳する部分に第２開口部を有する第２配向膜と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に設けられた液晶層と、
を有し、
前記突起物の下面から上面までの距離は、前記スペーサの下面から上面までの距離よりも小さい、
電気光学装置。
【請求項２】
前記スペーサは、前記画素電極の隅部に複数配置される、
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２開口部は、前記突起物の上面よりも広い、
請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２基板の一部が押圧されたときに、前記対向電極は、前記突起物の上面と対向する部分において前記画素電極と電気的に接続される、
請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記導電層は、前記画素電極の第１の領域と、前記第１の領域と離間した第２の領域とに重畳し、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、互いに対向する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素電極は、第１の方向に延びる一対の第１の辺と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延びる一対の第２の辺とを有し、
前記導電層は、前記一対の第１の辺の１つと、前記一対の第２の辺の１つとに重畳する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記導電層と同層に位置し、前記突起物と前記第１基板との間に設けられ、遮光性を有する第２の導電層を備える、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極と前記導電層との間に、絶縁層を備える、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記画素電極と、前記導電層と、前記絶縁層とは、容量素子を形成し、
前記画素電極は、前記容量素子の第１容量電極であり、
前記導電層は、前記容量素子の第２容量電極である、
請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記絶縁層は、前記画素電極と前記導電層とに重なる領域の一部に、開口部を有する、
請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記開口部には、前記画素電極が位置する、
請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記開口部には、半導体層が位置する、
請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記画素電極と前記導電層との間に、半導体層を備える、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
前記半導体層は、前記画素電極と前記導電層とに重なる領域の一部に位置し、第１の導電率を有する第１の部分と、前記一部以外の領域に位置し、前記第１の導電率とは異なる第２の導電率を有する第２の部分と、を有する、
請求項１３に記載の電気光学装置。
【請求項１５】
前記画素電極はフローティングであり、
前記画素電極と前記対向電極とが電気的に接続されていないとき、前記画素電極へ直接電圧が印加されていない、
請求項１乃至１０および請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１６】
前記導電層には、前記対向電極に印加される電圧よりも低い電圧が印加され、
前記画素電極と前記対向電極とが電気的に接続されていないとき、前記画素電極へは前記導電層を介して所定の電圧が印加される、
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記突起物は、前記画素電極上に複数個配置される、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１８】
前記複数のスペーサは、第１のスペーサと第２のスペーサとを含み、
前記第１のスペーサは、前記画素電極の１辺の両端のうち、一方の端部に隣接し、
前記第２のスペーサは、前記両端のうち、他方の端部に隣接し、
前記突起物と前記第１のスペーサとの距離は、前記突起物と前記第２のスペーサとの距離と異なる、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１９】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間の間隔を保持するスペーサと、
前記第１基板上に配置される画素電極と、
前記画素電極の前記第１基板の側に位置し、前記画素電極の一部と重畳する導電層と、
前記第２基板上に配置され、前記画素電極と対向する対向電極と、
前記第２基板上に配置され、前記第１基板の側へ突出し、前記対向電極に覆われた突起物と、
前記画素電極上に設けられ、前記突起物に重畳する部分に第１開口部を有する第１配向膜と、
前記対向電極上に設けられ、前記突起物に重畳する部分に第２開口部を有する第２配向膜と、
前記第１配向膜と第２配向膜との間に設けられた液晶層と、
を有し、
前記突起物の下面から上面までの距離は、前記スペーサの下面から上面までの距離よりも小さい、
電気光学装置。
【請求項２０】
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間の間隔を保持するスペーサと、
前記第１基板に配置される画素電極と、
前記画素電極の前記第１基板の側に位置し、前記画素電極の一部と重畳する導電層と、
前記第１基板上に配置され、前記第２基板の側へ突出し、前記画素電極に覆われた突起物と、
前記第２基板側において配置された対向電極と、
前記画素電極と前記対向電極との一方に覆われ、前記画素電極の第１領域と前記対向電極の距離を、前記画素電極の第２領域と前記対向電極の距離よりも近づけるように、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１領域と平面的に見て重畳する突起物と、
前記画素電極上の一部に配置された第１配向膜と、
前記対向電極上の一部に配置された第２配向膜と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１領域において前記画素電極と前記対向電極とに接触する液晶層と、を含む、
電気光学装置。
【請求項２１】
前記画素電極はフローティングであり、
前記画素電極と前記対向電極とが電気的に接続されていないとき、前記画素電極へ直接電圧が印加されていない、
請求項１９または２０に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気器具および電子機器に用いられる表示装置として、液晶の電気光学効果を利用した液晶表示装置や、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を用いた有機エレクトロルミネセンス表示装置が開発、商品化されている。
【０００３】
また、文房具用途として電子メモパッドも普及し始めている。電子メモパッドに用いられる電気光学装置では、コレステリック液晶を用いて通常において透過状態とし、押圧された場所が非透過状態（反射状態）になる構成がとられている。特許文献１には、押圧されたときに上下基板が球状粒子を介して導通することにより位置情報を検出する液晶電気光学装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２８９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方で、従来と異なる方式として、新たに通常非透過状態から押圧されたときに透過状態となる電気光学装置の開発が進められている。この新しい方式を有する電気光学装置を、現状有する技術を用いて製造する場合、表示素子、および表示素子を動かす駆動回路とともに、位置を検出するタッチセンサを組み合わせた表示装置（タッチパネルともいう）が必要となる。この場合、タッチパネルを製造するためには、多くのトランジスタ、配線、および絶縁層が必要となり、製造工程が増加してしまう課題を有する。
【０００６】
このような課題に鑑み、本発明は、製造が容易であり、かつ表示状態を切り替え可能な電気光学装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の間隔を保持する複数のスペーサと、前記第１基板に配置される画素電極と、前記画素電極の前記第１基板の側に位置し、前記画素電極の一部と重畳する導電層と、前記第１基板上に配置され、前記第２基板の側へ突出し、前記画素電極に覆われた構造体（突起物）と、前記第２基板上に配置され、前記画素電極と対向する対向電極と、前記画素電極上に設けられ、前記構造体に重畳する部分に第１開口部を有する第１配向膜と、前記対向電極上に設けられ、前記構造体に重畳する部分に第２開口部を有する第２配向膜と、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に設けられた液晶層と、を有し、前記構造体の下面から上面までの距離は、前記スペーサの下面から上面までの距離よりも小さい、電気光学装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気光学装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の回路構成を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の一部を押圧したときの押圧された表示領域の断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の回路構成を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の回路構成を示す模式図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す断面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２３】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２４】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２５】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す上面図である。
【図２６】本発明の一実施形態に係る表示領域の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号（又は数字の後にＡ、Ｂなどを付した符号）を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。さらに各要素に対する「第１」、「第２」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
【００１０】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１１】
また、本明細書において、「電極」および「配線」は、それぞれの機能を明確に分けるために用いているが、いずれも「導電層」であり、同様の意味を有している。
【００１２】
＜第１実施形態＞
（１−１．電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１０の斜視図である。図１において、電気光学装置１０は、画素を有する表示領域１０１、電源１０３、並びに表示領域１０１および電源１０３を収容する筐体１０５を有する。
【００１３】
表示領域１０１は、通常は非透過状態であり、スタイラス１０７や指先で押圧されると押圧された領域において透過状態に切り替わる。透過状態に切り替わると、表示領域の裏側（後述する基板１１０の第２面１１０ｂ側）に配置された表示物１０９（紙や表示デバイス）が表示されるようになる。
【００１４】
電源１０３は、後述する導電層１２０および対向電極１８０に電圧を印加し、液晶の配向状態を変化させる。
【００１５】
（１−２．表示領域の構成）
図２に、図１の表示領域１０１の一部１０１ａの上面図を示す。表示領域１０１は、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５（突起物ともいう）、および画素電極１５０を有している。
【００１６】
図２に示すように、導電層１２０は、第１方向Ｄ１および第１方向Ｄ１に交差する第２方向に格子状に配置されている。この例では、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とは直交している。このとき、導電層１２０によって画定された領域は、本実施形態において画素領域Ｐｉｘと定義される。この例では、画素領域Ｐｉｘは略正方形であり、画素領域Ｐｉｘは、一つの画素として定義される。
【００１７】
スペーサ１３０は、導電層１２０と同様に、第１方向Ｄ１および第２方向に格子状に配置され、各々の画素領域Ｐｉｘの隅部に配置される。このとき、スペーサ１３０は、導電層１２０に重畳して配置されている。
【００１８】
柱状構造体１３５は、画素領域Ｐｉｘの一部にそれぞれ配置される。この例では、柱状構造体１３５は画素領域Ｐｉｘの中央に配置されている。柱状構造体１３５は、導電層１２０に重畳して配置されている。なお、柱状構造体１３５は、柱状に限定されず、円錐台形状でもよいし、半球状でもよい。柱状構造体１３５は、画素電極１５０と対向電極１８０との距離を近づけるように配置される。
【００１９】
画素電極１５０は、それぞれの画素領域Ｐｉｘに配置されている。図２において、画素電極１５０の端部１５１は実線で示されており、導電層１２０の端部１２１は点線で示されている。図２に示すように、画素電極１５０は、導電層１２０と画素領域Ｐｉｘの一部において重畳している。この例では、画素電極１５０は、導電層１２０と画素領域Ｐｉｘの周縁部（この例では４つの辺１２０ａ）において重畳している。これにより、後述する絶縁層１４０と組み合わせて容量素子３０が形成される。
【００２０】
図３は、表示領域１０１のＡ１−Ａ２間の断面図である。図３に示すように、表示領域１０１は、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５、および画素電極１５０の他、表示物１０９、基板１１０、絶縁層１４０、配向膜１６０、配向膜１７０、対向電極１８０、基板１９０、および液晶層２００、偏光板２１０、偏光板２２０を有する。図３において、導電層１２０、絶縁層１４０および画素電極１５０が重なる部分は、容量素子３０としての機能を有する。また、画素電極１５０、液晶層２００および対向電極１８０は、表示素子（液晶素子５０）としての機能を有する。なお、液晶層２００に位置する液晶材料は、公知の液晶パネルで用いられるものが適用可能である。
【００２１】
基板１１０および基板１９０は、表示領域１０１を保持するともに透光性を有する。基板１１０および基板１９０には、ガラス基板または有機樹脂材料が用いられる。なお、基板１１０および基板１９０は上記材料の他、表面に絶縁材料が設けられたものでもよい。基板１１０の第２面１１０ｂ側には表示物１０９が用いられる。表示物１０９には、紙または表示デバイスなどが用いられる。このとき、基板１９０の第２面１９０ｂは、表示面となる。なお、表示物１０９の配置される位置は、基板１９０の第２面１９０ｂの外側でもよい。この場合、基板１１０の第２面１１０ｂが表示面となる。
【００２２】
導電層１２０は、基板１１０の第１面１１０ａ上に設けられる。導電層１２０は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム等から選ばれた遮光性を有する導電材料で形成される。導電層１２０は、前述の導電材料の単層構造であっても良いし、積層構造であっても良い。この例では、導電層１２０は、モリブデンとアルミニウムの積層膜が用いられる。基板１１０と導電層１２０との間に、例えば無機絶縁膜からなる下地膜を配置してもよい。また、上述の通り、スペーサ１３０および柱状構造体１３５と導電層１２０は、重畳して配置されている。スペーサ１３０が配置された場所では、液晶層２００が配置されていない。別言すれば、スペーサ１３０の上面に位置する配向膜１６０が配向膜１７０と直に接している。柱状構造体１３５が配置された場所では、配向膜１７０が配置されないので、液晶層２００の液晶分子の配向を制御することができない。このため、スペーサ１３０および柱状構造体１３５下に配置された導電層１２０は、基板１１０の第２面１１０ｂ側に配置された表示物１０９が、意図せず表示されてしまうことを防止するために、遮光膜としての機能も有する。このとき、スペーサ１３０および柱状構造体１３５と導電層１２０が重畳する部分において、導電層１２０はスペーサ１３０および柱状構造体１３５よりも広く設けられている。
【００２３】
スペーサ１３０は、導電層１２０上に設けられる。スペーサ１３０は、基板１１０と基板１９０との間の間隔を所定の厚さに保持する。スペーサ１３０は、無機絶縁材料または有機絶縁材料または無機絶縁材料と有機絶縁材料の混合材料が用いられる。この例では、スペーサ１３０は、ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２４】
柱状構造体１３５は、導電層１２０上に設けられる。柱状構造体１３５は、基板１９０の側へ突出している。柱状構造体１３５は、スペーサ１３０と同様の材料が用いられる。この例では、柱状構造体１３５には、ポリイミド樹脂が用いられる。このとき、柱状構造体１３５の下面１３５ｂから上面１３５ａまでの距離Ｈ１３５は、スペーサ１３０の下面１３０ｂから上面１３０ａまでの距離Ｈ１３０よりも小さいことが好ましい。
【００２５】
絶縁層１４０は、基板１１０、導電層１２０、スペーサ１３０、および柱状構造体１３５上に設けられる。絶縁層１４０は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、或いはその他高誘電率の無機材料を用いることができる。この例では、絶縁層１４０には窒化シリコン膜が用いられる。
【００２６】
画素電極１５０は、絶縁層１４０上に設けられる。このとき、画素電極１５０は、柱状構造体１３５の側面および上面を覆うように設けられる。画素電極１５０には、透光性を有する材料が用いられる。この例では、画素電極１５０にはＩＴＯ（酸化インジウム錫）が用いられる。
【００２７】
配向膜１６０は、画素電極１５０上に設けられる。配向膜１６０は、液晶層２００の液晶分子の配向を制御する。配向膜１６０には、有機樹脂などが用いられる。この例では、配向膜１６０にはアクリル樹脂が用いられる。なお、配向膜１６０は、柱状構造体１３５の上面１３５ａには配置されないように、柱状構造体１３５と重畳する領域Ｒ１６０において開口部１６０ａを有している。
【００２８】
配向膜１７０は、配向膜１６０と同様に液晶層２００の液晶分子の配向を制御する。配向膜１７０は、配向膜１６０と同様の材料が用いられる。配向膜１７０は、柱状構造体と重畳する部分Ｒ１７０において開口部１７０ａを有する。開口部１７０ａの幅Ｄ１７０ａは、柱状構造体１３５の上面１３５ａの幅Ｄ１３５ａ（より具体的には、柱状構造体１３５の上面１３５ａを覆う絶縁層１４０および画素電極１５０の上面の幅）よりも広く設けられる。
【００２９】
対向電極１８０は、画素電極１５０に対向して設けられる。液晶素子５０の共通電極としての機能を有する。対向電極１８０は、透光性を有する。対向電極１８０には、画素電極１５０と同様の材料が用いられる。この例では、対向電極１８０には、ＩＴＯが用いられる。
【００３０】
液晶層２００は、配向膜１６０と配向膜１７０との間にある。液晶層２００の液晶分子は、画素電極１５０と対向電極１８０との間の電位差により配向制御されている。この例では、液晶層２００にネマティック液晶が用いられ、液晶素子５０は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔ  Ｎｅｍａｔｉｃ）方式で駆動する。また、液晶素子５０とともに、偏光板２１０および偏光板２２０を用いることにより、特定の光を通過させることができる。
【００３１】
（１−３．液晶素子の駆動）
次に、液晶素子５０の駆動について図４乃至図７を用いて説明する。
【００３２】
図４は、電気光学装置１０の液晶素子５０の回路構成を示す模式図である。図４に示すように、対向電極１８０には、ＨＩＧＨの電位ＶＧＨが加えられる。この例では、対向電極１８０には、５Ｖが印加される。一方、画素電極１５０には、電位が直接印加されておらず、フローティングの構造である。導電層１２０には、例えばＧＮＤの電位、つまり０Ｖが印加される。画素電極１５０は、導電層１２０と容量結合しており、画素電極１５０には対向電極１８０よりも低い電位ＶＧＬに、例えばＧＮＤの電位や負電位に、帯電する。この電位差により、液晶層２００において電界が生じ、液晶層２００の液晶分子は電界に沿って配向する。これにより、表示領域１０１は非透過の状態となる。また、このとき画素電極１５０は、導電層１２０とともに絶縁層１４０を誘電体とした容量素子３０を形成している。
【００３３】
図５は、表示領域１０１の一部を押圧したときの表示領域１０１の断面図である。図５に示すように、表示領域１０１の一部を押圧する（押し込む）ことにより、基板１９０、対向電極１８０および配向膜１７０が撓む。このとき、配向膜１７０には上述の通り、開口部１７０ａが設けられている。これにより、画素電極１５０のうち柱状構造体１３５の上面１３５ａを覆う部分１５０ａが対向電極１８０と電気的に接続する（短絡する）ことになる。画素電極１５０（１５０ａ）と対向電極１８０とが電気的に接続するならば、開口部１６０ａと開口部１７０ａとを設けない構造にしてもよい。
【００３４】
図６は、表示領域１０１の一部を押圧したときの電気光学装置１０の液晶素子５０の回路構成を示す模式図である。図６に示すように、画素電極１５０の部分１５０ａが対向電極１８０と接続することにより、対向電極１８０に印加されたＨＩＧＨの電位ＶＧＨが画素電極１５０にも印加されることになる。具体的には画素電極１５０には、５Ｖの電位が印加される。結果として、液晶層２００に対して電界が生じないため、液晶分子の配向状態が図３における配向状態から変化し、表示領域１０１の一部において、換言すれば対向電極１８０と電気的に接続した画素電極１５０が位置する領域において、透過状態となる。
【００３５】
図７は、押圧が解除された後の電気光学装置１０の液晶素子５０の回路構成を示す模式図である。図７に示すように、画素電極１５０の部分１５０ａが対向電極１８０から離れると、容量素子３０において画素電極１５０に蓄積された電位ＶＧＨ（５Ｖ）と導電層１２０に印加された電位ＧＮＤ（０Ｖ）との電位差が生じる。このとき、容量素子３０の絶縁抵抗１２２により生じるリーク電流が画素電極１５０から導電層１２０へ徐々に流れることとなる。これにより、画素電極１５０の電位は、５Ｖから徐々に減少し、結果的には画素電極１５０の電位は再度電位ＶＧＬとなる。その後、図４と同じように液晶層２００に対して電界が発生し、液晶層２００が電界に沿って再び配向することとなる。すなわち、透過状態から非透過状態へ徐々に変化させることができる。
【００３６】
液晶が再び配向するまでの時間は、導電層１２０、絶縁層１４０および画素電極１５０の容量素子３０における容量値および誘電体（絶縁層１４０）の絶縁抵抗に基づいて算出される時定数により適宜調整することができる。上記方法を用いることにより、表示領域１０１において、画素領域Ｐｉｘ（画素）毎に透過状態および非透過状態を制御することができる。つまり、特別に駆動回路を用いることなく、表示状態を制御することができる。
【００３７】
（１−４．電気光学装置の製造方法）
以下、電気光学装置１０の製造方法について、図８乃至図１３を用いて説明する。
【００３８】
まず、基板１００上に導電層１２０を形成する。基板１００は、絶縁性を有するともに、第２面１１０ｂ側に表示物１０９を設ける関係上、透光性を有する材料が用いられる。具体的には、基板１１０は無機絶縁材料、有機樹脂材料の他、導電体材料に絶縁処理を施したものであればよい。より具体的には、石英基板、無アルカリガラス基板、ソーダガラスなどのガラス基板、サファイア、アルミナなどの無機絶縁基板、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などが挙げられる。例えば、基板１００に有機樹脂基板を用いる場合、ポリイミド基板が用いられる。有機樹脂基板は、板厚を数マイクロメートルから数十μｍにすることができ、可撓性を有するシートディスプレイを実現することが可能となる。導電層１２０を形成する前に、基板１００上に、例えば無機絶縁材料からなる下地膜を形成してもよい。下地膜は、例えば第１面１１０ａの全面に形成される。
【００３９】
導電層１２０は、タングステン、アルミニウム、クロム、銅、チタン、タンタル、モリブデン、ニッケル、コバルト、タングステン、インジウム、錫、亜鉛から選ばれた金属元素、または上記金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等の材料を用いて形成される。また、導電層１２０は、上記材料に窒素、酸素、水素などが含有されたものを用いてもよい。導電層１２０は、単層膜でも積層膜でもよい。導電層１２０は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、めっき法、印刷法などにより形成される。例えば、導電層１２０として、スパッタリング法により形成したモリブデンおよびアルミニウムの積層膜を用いることができる。導電層１２０は、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により所定の形状に加工される。
【００４０】
次に、図９に示すように、基板１１０および導電層１２０上に、スペーサ１３０および柱状構造体１３５を形成する。スペーサ１３０および柱状構造体１３５は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂などの有機樹脂材料により形成される。スペーサ１３０および柱状構造体１３５は、フォトリグラフィ法およびエッチング法により加工される。スペーサ１３０および柱状構造体１３５として、感光性材料を有するポリイミド樹脂を用いた場合には、フォトリソグラフィ法のみにより加工することができる。このとき、ポジ型の感光材を用いた場合、スペーサ１３０に相当する部分は遮光膜を用い、柱状構造体１３５に相当する部分には半透過膜（ハーフトーンマスク）を用いることが好ましい。ハーフトーンマスクを用いることにより、柱状構造体１３５の高さとスペーサ１３０の高さとを異ならせることができる。加工されたスペーサ１３０および柱状構造体１３５は、適宜熱処理により硬化されてもよい。
【００４１】
次に、図１０に示すように、基板１１０、導電層１２０、スペーサ１３０および柱状構造体１３５上に絶縁層１４０を形成する。絶縁層１４０は、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒化シリコン等の材料を用いて形成される。絶縁層１４０は、単層であっても、積層であってもよい。絶縁層１４０は、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、プラズマＣＶＤ法、スピンコーティング法、印刷法などにより形成することができる。この例では、プラズマＣＶＤ法により形成された窒化シリコン膜が用いられる。
【００４２】
次に、図１１に示すように、画素電極１５０および配向膜１６０を形成する。画素電極１５０には、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透明導電膜が用いられる。画素電極１５０の膜厚は、例えば１００ｎｍ以上１μｍ以下で適宜設定される。また、画素電極１５０は、真空蒸着法、スパッタリング法などにより形成することができる。例えば、画素電極１５０として、スパッタリング法により成膜したＩＴＯ膜を用いることができる。また、画素電極１５０は、スペーサ１３０と重畳する部分において、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により除去されてもよい。
【００４３】
配向膜１６０には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料が用いられる。また、配向膜１６０は、塗布法、蒸着法、スプレー法、インクジェット法、印刷法などを用いて数百ｎｍ以上数μｍ以下の厚さに形成することができる。また、配向膜１６０は、液晶層２００の配向性を高めるため、ラビング処理がなされる。この例では、塗布法により形成されたポリイミド樹脂が用いられる。
【００４４】
また、配向膜１６０は、柱状構造体１３５と重畳する部分において、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により除去される。これにより、柱状構造体１３５上の画素電極１５０を露出させることができる。
【００４５】
次に、図１２に示すように、基板１９０の第１面１９０ａ側に対向電極１８０および配向膜１７０を形成する。対向電極１８０は、画素電極１５０と同様の材料および方法により形成される。例えば、対向電極１８０として、スパッタリング法により成膜したＩＴＯ膜を用いることができる。
【００４６】
配向膜１７０は、配向膜１６０と同様の材料および方法に形成される。また、配向膜１７０には、液晶層２００の配向性を高めるため、ラビング処理がなされる。
【００４７】
次に、図１３に示すように、配向膜１７０に開口部１７０ａを形成する。開口部１７０ａは、柱状構造体１３５と重畳する部分Ｒ１７０に形成される。開口部１７０ａは、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により形成される。配向膜１７０が感光材を有する場合には、フォトリソグラフィ法のみにより形成することができる。
【００４８】
次に、基板１１０の周辺部に接着剤（図示なし）を形成する。接着剤には、例えば光硬化接着剤が用いられる。光硬化接着剤は、紫外線、電子線、可視光、赤外線等により硬化し、具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂、シリカ等、を含む接着剤が挙げられる。
【００４９】
次に、接着剤で囲われた領域の内側に液晶層２００を形成する。液晶層２００は、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）法などにより形成される。この例では、液晶層２００には、ネマティック液晶が用いられる。なお、液晶層２００は、この方法に限定されずに、適宜適切な方法により注入してもよい。
【００５０】
次に、基板１００と対向基板となる基板１９０とを接着剤を用いて貼り合わせる。基板１１０と基板１９０とを貼り合わせたのち、接着層に対して紫外線を照射し、接着層を硬化させてもよい。最後に、基板１９０の第２面１９０ｂに偏光板２１０、基板１１０の第２面１１０ｂに偏光板２２０および表示物１０９を配置し、筐体１０５に収容する。以上により、電気光学装置１０が形成される。表示物１０９は電気光学装置１０へ着脱可能な構造にしてもよい。表示物１０９は筐体１０５に収容されない構造にしてもよい。
【００５１】
上記製造方法を用いることにより、駆動回路に用いられるトランジスタ等を形成することなく電気光学装置を製造することができる。したがって、電気光学装置製造における工程負荷を抑えることができる。
【００５２】
＜第２実施形態＞
本実施形態では、絶縁層１４０の一部に開口部を有する電気光学装置について説明する。
【００５３】
図１４は、表示領域１０１Ａの一部を示す断面図である。図１４に示すように、表示領域１０１Ａは、基板１１０、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５、絶縁層１４０Ａ、画素電極１５０、配向膜１６０、配向膜１７０、対向電極１８０、基板１９０、および液晶層２００を有する。
【００５４】
絶縁層１４０Ａは、第１実施形態の絶縁層１４０と材料は同じであるが、容量素子３０Ａの導電層１２０上において、開口部１４０Ａａを有する。開口部１４０Ａａの幅は、２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００５５】
本実施形態を用いることにより、容量素子３０Ａにおける導電層１２０と画素電極１５０と間の容量結合による電荷の移動に加えて、開口部１４０Ａａにおいて導電層１２０と画素電極１５０とを電気的に接続することにより微量の電荷の移動が起こる。これにより、さらに高精度に電気光学装置の透過状態および非透過状態を制御することができる。開口部１４０Ａａの面積は、導電層１２０の上面の面積の５％未満であることが望ましい。なぜならば、押圧が解除され、画素電極１５０と対向電極１８０との導通が解消された際に、画素電極１５０の電位が電位ＶＧＨから電位ＶＧＬへ徐々に変化させることができるためである。
【００５６】
なお、本実施形態では、絶縁層１４０Ａに開口部１４０ａを設ける例を示したが、これ限定されない。例えば、絶縁層１４０Ａの厚さを３００ｎｍ以下に薄くした場合、絶縁層１４０Ａは微小欠陥を有するポテンシャルが高くなる。これにより、微小欠陥を介して画素電極１５０から導電層１２０への電荷の移動が起こり、電気光学装置の透過状態および非透過状態を制御することができる。
【００５７】
＜第３実施形態＞
本実施形態では、絶縁層１４０の一部に半導体層を有する電気光学装置について説明する。
【００５８】
図１５は、表示領域１０１Ｂの一部を示す断面図である。図１５に示すように、表示領域１０１Ｂは、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５の他、基板１１０、絶縁層１４０Ｂ、半導体層１４２、画素電極１５０、配向膜１６０、配向膜１７０、対向電極１８０、基板１９０、および液晶層２００を有する。
【００５９】
絶縁層１４０Ｂは、第１実施形態の絶縁層１４０と材料は同じであるが、容量素子３０Ｂの導電層１２０上において、開口部１４０Ｂａを有する。開口部１４０Ｂａの幅は、２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
また、開口部１４０Ｂａには、半導体層１４２が設けられる。半導体層１４２は、半導体材料がもちいられる。半導体層１４２としてシリコン材料を用いる場合、例えばアモルファスシリコン、多結晶シリコンなどが用いられる。また、半導体層１４２として酸化物半導体を用いる場合、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、アルミニウム、錫、セリウムなどの金属材料を用いることができる。例えば、インジウム、ガリウム、亜鉛を有する酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができる。半導体層１４２は、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、ＣＶＤ法などにより形成することができる。
【００６１】
本実施形態を用いることにより、容量素子３０Ｂにおける導電層１２０と画素電極１５０との容量結合による電荷の移動に加えて、半導体層１４２を介して微量の電荷の移動が起こる。これより、さらに高精度に電気光学装置の透過状態および非透過状態を制御することができる。
【００６２】
＜第４実施形態＞
本実施形態では、絶縁層１４０の代わりに半導体層およびドーピング層を有する電気光学装置について説明する。
【００６３】
図１６は、表示領域１０１Ｃの一部を示す断面図である。図１６に示すように、表示領域１０１Ｃは、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５の他、基板１１０、半導体層１４２、画素電極１５０、配向膜１６０、配向膜１７０、対向電極１８０、基板１９０、および液晶層２００を有する。
【００６４】
本実施形態では、絶縁層１４０の代わりに半導体層１４２が設けられる。半導体層１４２は、第２実施形態で記載した半導体層１４２と同様の材料が用いられる。半導体層１４２は、容量素子３０Ｃにおける導電層１２０に重畳する部分においてドーピング部１４２ａを有している。ドーピング部１４２ａは、半導体層１４２の他の領域に比べて導電率が高い。ドーピングされる材料には、リン、ホウ素、ヒ素等が挙げられる。ドーピング部１４２ａの幅は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００６５】
本実施形態を用いることにより、容量素子３０Ｃにおける導電層１２０と画素電極１５０との容量結合による電荷の移動に加えて、ドーピング部１４２ａを介して微量の電荷の移動が起こる。これより、さらに高精度に電気光学装置の透過状態および非透過状態を制御することができる。
【００６６】
＜第５実施形態＞
本実施形態では、柱状構造体１３５が異なる配置を有する電気光学装置について説明する。
【００６７】
図１７は、表示領域１０１Ｄの一部を示す上面図である。図１７に示すように、表示領域１０１Ｄは、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５Ｄおよび画素電極１５０を有している。
【００６８】
第１実施形態の柱状構造体１３５と異なり、スペーサと柱状構造体１３５Ｄとの距離がスペーサごとに異なってもよい。柱状構造体１３５Ｄは画素領域Ｐｉｘにおいて中央からずれた左上に配置されている。このとき、スペーサ１３０−１と柱状構造体１３５Ｄとの距離Ｄ１３５Ｄ１は、スペーサ１３０−２と柱状構造体１３５Ｄとの距離Ｄ１３５Ｄ２と異なり、小さくなっている。このような構成とすることにより、押圧されたときの荷重のかかり方に違いが生じ、画素電極１５０と対向電極１８０との電気的接続に必要な押圧量（押し込み量）を調整することができる。この例では、柱状構造体１３５が中央からずれることにより中央に配置されている場合に比べて必要な押圧量が増えることとなる。
【００６９】
＜第６実施形態＞
本実施形態では、一つの画素に複数の柱状構造体が設けられた電気光学装置について説明する。
【００７０】
図１８は、表示領域１０１Ｅの一部を示す上面図である。図１８に示すように、表示領域１０１Ｅは、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５Ｅおよび画素電極１５０を有している。
【００７１】
第１実施形態の柱状構造体１３５と異なり、柱状構造体１３５Ｅは一つの画素領域Ｐｉｘにおいて複数個配置されている。この例では、柱状構造体１３５Ｅ−１が画素領域Ｐｉｘの中央に配置され、柱状構造体１３５Ｅ−２、１３５Ｅ−３、１３５Ｅ−４、１３５Ｅ−５は柱状構造体１３５Ｅ−１とスペーサ１３０との間の領域に配置されている。このような構成とすることにより、画素電極１５０と対向電極１８０との接続抵抗を下げることができる。
【００７２】
なお、本実施形態では柱状構造体１３５Ｅの各々は、同じ大きさを有しているが、これに限定されない。また、それぞれの柱状構造体１３５Ｅの高さは、同じでなくてもよい。例えば、画素領域Ｐｉｘの中央から離れるごとに柱状構造体１３５Ｅは高くなってもよい。また、上記構成を有した場合、一つの柱状構造体の形状が崩れた場合に他の柱状構造体により機能を補完することができるため、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。
【００７３】
＜第７実施形態＞
本実施形態では、導電層１２０と画素電極１５０との重なり方の異なる電気光学装置について説明する。
【００７４】
図１９は、表示領域１０１Ｆの一部を示す上面図である。図１９に示すように、表示領域１０１Ｆは、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５および画素電極１５０Ｆを有している。
【００７５】
図１９において、画素電極１５０Ｆの端部１５１Ｆは実線で示されており、導電層１２０の端部１２１は点線で示されている。第１実施形態の画素電極１５０と異なり、画素領域Ｐｉｘの上辺のＰｉｘＵにおいて、画素電極１５０Ｆは、導電層１２０と重畳しない構成を有している。これにより、隣接する画素領域Ｐｉｘに対する影響を最小限に抑えることができる。
【００７６】
画素電極１５０Ｆが導電層１２０と重畳しない構成は、上記に限定されない。図２０は、表示領域１０１Ｆの変形例である表示領域１０１Ｆ１の一部を示す上面図である。図２０に示すように、表示領域１０１Ｆ１は画素領域Ｐｉｘの右辺のＰｉｘＲにおいて、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。
【００７７】
また、画素電極１５０が、導電層１２０と重畳しない構成は、一つの辺に限定さない。図２１は、表示領域１０１Ｆの変形例である表示領域１０１Ｆ２の一部を示す上面図である。図２１に示すように、表示領域１０１Ｆ２は、一つの方向において、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。具体的には、画素電極１５０は、画素領域Ｐｉｘの上辺ＰｉｘＵおよび下辺ＰｉｘＤ、すなわち第２方向Ｄ２において、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。この構成により、第２方向Ｄ２における隣接画素への電位変動の影響を軽減することができる。
【００７８】
図２２は、表示領域１０１Ｆの変形例である表示領域１０１Ｆ３の一部を示す上面図である。図２２に示すように、表示領域１０１Ｆ３は、画素領域Ｐｉｘの左辺ＰｉｘＬおよび右辺ＰｉｘＲ、すなわち第１方向Ｄ１において、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。この構成により、第１方向Ｄ１における隣接画素への電位変動の影響を軽減することができる。
【００７９】
図２３は、表示領域１０１Ｆの変形例である表示領域１０１Ｆ４の一部を示す上面図である。図２３に示すように、表示領域１０１Ｆ４は、画素領域Ｐｉｘの隣接する領域において、画素電極１５０と、導電層１２０とが重畳しない構成を有してもよい。具体的には、画素電極１５０は、画素領域Ｐｉｘの上辺ＰｉｘＵおよび右辺ＰｉｘＲにおいて、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。この構成を有することにより、画素領域Ｐｉｘの上辺および右辺の側で隣接する他の画素領域に対して、電位変動の影響を軽減することができる。
【００８０】
図２４は、表示領域１０１Ｆの変形例である表示領域１０１Ｆ５の一部を示す上面図である。図２４に示すように、表示領域１０１Ｆ５は、画素領域Ｐｉｘの上辺ＰｉｘＵ、下辺ＰｉｘＤおよび右辺ＰｉｘＲにおいて、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。
【００８１】
図２５は、表示領域１０１Ｆの変形例である表示領域１０１Ｆ６の一部を示す上面図である。図２５に示すように、表示領域１０１Ｆ６は、画素領域Ｐｉｘの上辺ＰｉｘＵ、左辺ＰｉｘＬおよび右辺ＰｉｘＲにおいて、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳しない構成を有してもよい。
【００８２】
したがって、本実施形態を用いることにより、画素領域Ｐｉｘの周縁部の少なくとも一部（一つの辺）において、画素電極１５０は、導電層１２０と重畳する構成とすることにより、隣接する画素の影響、具体的には隣接する画素電極１５０の電位の変動を最小限に抑えることができる。
【００８３】
＜第８実施形態＞
本発明の第１実施形態では、柱状構造体が第１基板側に配置された例を示したが、本実施形態では柱状構造体が第２基板に配置される例を示す。
【００８４】
図２６は、表示領域１０１ＧのＡ１−Ａ２間の断面図である。図２６に示すように、表示領域１０１Ｇは、導電層１２０、スペーサ１３０、柱状構造体１３５Ｇ、および画素電極１５０、表示物１０９、基板１１０、絶縁層１４０、配向膜１６０Ｇ、配向膜１７０、対向電極１８０、基板１９０、および液晶層２００、偏光板２１０、偏光板２２０を有する。図２６において、柱状構造体１３５Ｇは、第１実施形態の柱状構造体１３５と異なり、基板１９０の第１面１９０ａ側に配置されている。
【００８５】
配向膜１６０Ｇは、画素電極１５０上に設けられる。配向膜１６０Ｇは、配向膜１６０と同様の機能、材料を有する。配向膜１６０Ｇは、柱状構造体１３５Ｇの上面１３５Ｇａには配置されないように、柱状構造体１３５Ｇと重畳する領域Ｒ１６０Ｇにおいて開口部１６０Ｇａを有している。開口部１６０Ｇａの幅Ｄ１６０Ｇは、柱状構造体１３５Ｇの上面１３５Ｇａの幅Ｄ１３５Ｇａよりも広く設けられる。本実施形態を用いた場合においても、本発明の第１実施形態と同様の効果、すなわち押圧することにより、液晶の配向状態を切り替えることができる。また、柱状構造体１３５は、この例に限定されず、基板１９０および基板１１０の双方に配置されてもよい。
【００８６】
（変形例）
本発明の第１実施形態では、表示領域が通常非透過状態から押圧されることにより透過状態になる例を示したが、これに限定されない。例えば、通常透過状態から押圧されることにより非透過状態となるものでもよい。
【００８７】
本発明の第１実施形態では、第１方向と第２方向とが直交する例を示したが、これに限定されない。例えば、第１方向と第２方向とが４５度、６０度または１２０度で交差してもよい。なお、この場合、画素領域Ｐｉｘは正方形に限定されず、六角形や八角形を有してもよい。画素領域Ｐｉｘを多角形にすることにより、表示領域の高精細化を図ることができる。画素領域Ｐｉｘは多角形以外の形状でもよい。
【００８８】
また、本発明の第１実施形態において、導電層１２０が遮光膜の機能を有したが、これに限定されず、遮光膜の機能は、異なる材料により達成されてもよい。例えば、スペーサ１３０および柱状構造体１３５と重畳する部分に黒色の樹脂材料が用いられてもよい。
【００８９】
本発明の第１実施形態において、ＴＮ方式で駆動する液晶素子を用いて説明したが、これに限定されない。例えば、光散乱型液晶素子を用いてもよい。このとき、液晶層２００として高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）が用いられる。この場合、偏光板を配置しなくてもよい。
【００９０】
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９１】
１０・・・電気光学装置、３０・・・容量素子、５０・・・液晶素子、１００・・・基板、１０１・・・表示領域、１０３・・・電源、１０５・・・筐体、１０７・・・スタイラス、１０９・・・表示物、１１０・・・基板、１２０・・・導電層、１３０・・・スペーサ、１３１・・・導電層、１３５・・・柱状構造体、１４０・・・絶縁層、１４０ａ・・・開口部、１４２・・・半導体層、１４２ａ・・・ドーピング部、１５０・・・画素電極、１６０・・・配向膜、１６０ａ・・・開口部、１７０・・・配向膜、１７０ａ・・・開口部、１８０・・・対向電極、１９０・・・基板、２００・・・液晶層、２１０・・・偏光板、２２０・・・偏光板
【図１】
2020091350.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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