(57)【要約】【課題】フィールドシーケンシャル方式で駆動し、表示パネルに表示する画像の視認性を向上できる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、対向基板の側面に向かって光を発光する、少なくとも１つの光源と、を備える。アレイ基板は、画素において、平面視で第１透光性電極に、絶縁層を介して少なくとも一部が重なる第３透光性電極を備える。光源に近い表示領域の画素における第３透光性電極の面積は、光源から遠い表示領域の画素における第３透光性電極の面積よりも大きい。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素毎に配置された複数の第１透光性電極を有するアレイ基板と、
平面視で、前記第１透光性電極と重畳する位置に第２透光性電極を有する対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
前記対向基板の側面に向かって光を発光する、少なくとも１つの光源と、を備え、
前記アレイ基板は、前記画素において、平面視で前記第１透光性電極に、絶縁層を介して少なくとも一部が重なる第３透光性電極を備え、
前記光源に近い表示領域の前記画素における前記第３透光性電極の面積は、前記光源から遠い表示領域の前記画素における前記第３透光性電極の面積よりも大きい、表示装置。
【請求項２】
前記第２透光性電極及び前記第３透光性電極には、共通の電圧が印加されている、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第３透光性電極は、複数の画素に渡って設けられている、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第３透光性電極と積層される導電性の金属層をさらに備える、請求項１から３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記アレイ基板の一方の面には、第１方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備え、
前記金属層は、平面視で、複数の前記信号線及び複数の前記走査線と重なっており、かつ格子状に配置されている請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
平面視で、前記信号線に重なる金属層の幅は、当該信号線の幅よりも大きく、前記走査線に重なる金属層の幅は、当該走査線の幅よりも大きい、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記アレイ基板には、平面視で、前記信号線に沿って延在し、かつ前記信号線の一部と重なっており、前記信号線に対して前記金属層とは反対側に設けられた遮光層をさらに備え、
前記遮光層の幅は、前記信号線の幅よりも大きく、前記金属層の幅より小さい請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、スイッチング素子が設けられ、少なくとも前記スイッチング素子は、有機絶縁層で覆われており、有機絶縁層の上方には前記スイッチング素子よりも大きな面積の前記金属層がある
請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記アレイ基板において、前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、平面視で前記信号線及び前記信号線に重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域がある
請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記アレイ基板において前記走査線及び前記信号線に沿って前記走査線及び前記信号線の上方を覆う格子状の有機絶縁層を備える
請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記信号線の上方を覆う格子状の有機絶縁層の斜面の上方に、前記第１透光性電極がある請求項５から７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第３透光性電極は、前記光源から遠い表示領域ほど、前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域が大きくなる請求項５から１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第３透光性電極は、前記走査線及び前記信号線に沿って前記走査線及び前記信号線の上方を覆う格子状である
請求項５から１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１透光性基板と、第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板及び第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部とを備える表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−０２１９７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されている表示装置では、サイドライト光源装置をもちいて、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動する。特許文献１に記載されている表示装置では、フリッカーなどの表示品位の劣化をより抑制することが望まれている。
【０００５】
本発明の目的は、フィールドシーケンシャル方式で駆動し、表示パネルに表示する画像の視認性を向上できる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一態様に係る表示装置は、画素毎に配置された複数の第１透光性電極を有するアレイ基板と、平面視で、前記第１透光性電極と重畳する位置に第２透光性電極を有する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、前記対向基板の側面に向かって光を発光する、少なくとも１つの光源と、を備え、前記アレイ基板は、前記画素において、平面視で前記第１透光性電極に、絶縁層を介して少なくとも一部が重なる第３透光性電極を備え、前記光源に近い表示領域の前記画素における前記第３透光性電極の面積は、前記光源から遠い表示領域の前記画素における前記第３透光性電極の面積よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１の表示装置を表すブロック図である。
【図３】図３は、実施形態１のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。
【図４】図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。
【図５】図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。
【図７】図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。
【図８】図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。
【図９】図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。
【図１０】図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図１２】図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。
【図１３】図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１２のＸＩＶ−ＸＩＶ’の断面図である。
【図１５】図１５は、図１２のＸＶ−ＸＶ’の断面図である。
【図１６】図１６は、周辺領域の断面図である。
【図１７】図１７は、実施形態２の画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、実施形態２の画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、実施形態２の画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、実施形態２の画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図１９】図１９は、実施形態２の画素において、画素電極を示す平面図である。
【図２０】図２０は、実施形態２の画素の部分斜視図である。
【図２１】図２１は、図１７のＸＶ−ＸＶ’の断面図である。
【図２２】図２２は、実施形態２の変形例１の画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図２３】図２３は、実施形態２の変形例２の画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図２４】図２４は、実施形態２の変形例３の画素において、保持容量層を示す平面図である。
【図２５】図２５は、実施形態３の表示装置の平面において、透光性導電材料がない領域を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。
【００１０】
図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、サイド光源装置３と、駆動回路４とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向がＰＸ方向とされ、ＰＸ方向と直交する方向が第２方向ＰＹとされ、ＰＸ−ＰＹ平面に直交する方向が第３方向ＰＺとされている。
【００１１】
表示パネル２は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。対向基板２０は、アレイ基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向する。液晶層５０（図５参照）は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、封止部１８とで、後述する高分子分散型液晶ＬＣが封止されている。
【００１２】
図１に示すように、表示パネル２において、画像を表示可能な表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外側の周辺領域ＦＲと、がある。表示領域ＡＡには、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線ＧＬが行毎に配線され、複数の信号線ＳＬが列毎に配線されている。
【００１３】
サイド光源装置３は、複数の発光部３１を備えている。図２に示すように、光源制御部３２は、駆動回路４に含まれる。なお、光源制御部３２は、駆動回路４の回路とは別の回路にしてもよい。発光部３１と、光源制御部３２とは、アレイ基板１０内の配線で電気的に接続されている。
【００１４】
図１に示すように、駆動回路４は、アレイ基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、信号処理回路４１、画素制御回路４２、ゲート駆動回路４３、ソース駆動回路４４及び共通電位駆動回路４５を備えている。アレイ基板１０は、対向基板２０よりもＸＹ平面の面積が大きく、対向基板２０から露出したアレイ基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。
【００１５】
信号処理回路４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブル基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。
【００１６】
信号処理回路４１は、入力信号解析部４１１と、記憶部４１２と、信号調整部４１３とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された第１入力信号ＶＳに基づいて第２入力信号ＶＣＳを生成する。
【００１７】
第２入力信号ＶＣＳは、第１入力信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第２入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。
【００１８】
信号調整部４１３は、第２入力信号ＶＣＳから第３入力信号ＶＣＳＡを生成する。信号調整部４１３は、第３入力信号ＶＣＳＡを画素制御回路４２へ送出し、光源制御信号ＬＣＳＡを光源制御部３２へ送出する。光源制御信号ＬＣＳＡは、例えば、画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部３１の光量は大きく設定される。
【００１９】
そして、画素制御回路４２は、第３入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。
【００２０】
ゲート駆動回路４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線ＧＬを順次選択する。走査線ＧＬの選択の順番は任意である。
【００２１】
ソース駆動回路４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。
【００２２】
本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視で第２方向ＰＹに延在する信号（ソース）線ＳＬ及び第１方向ＰＸに延在する走査（ゲート）線ＧＬを有し、信号線ＳＬと走査線ＧＬとの交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。
【００２３】
スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線ＳＬに接続され、ゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、後述する高分子分散型液晶ＬＣの容量の一端に接続されている。高分子分散型液晶ＬＣの容量は、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極ＰＥを介して接続され、他端が共通電極ＣＥを介してコモン電位配線ＣＯＭＬに接続されている。また、画素電極ＰＥと、コモン電位配線ＣＯＭＬに電気的に接続されている保持容量電極ＩＯとの間には、保持容量ＨＣが生じる。なお、コモン電位配線ＣＯＭＬは、共通電位駆動回路４５より供給される。
【００２４】
発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３３Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３３Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３３Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第１色の発光体３３Ｒ、第２色の発光体３３Ｇ及び第３色の発光体３３Ｂは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。
【００２５】
図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＦにおいて、第１色の発光期間ＲＯＮで第１色の発光体３３Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色の発光期間ＲＯＮにおいて第１色のみ点灯している。
【００２６】
次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＦにおいて、第２色の発光期間ＧＯＮで第２色の発光体３３Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色の発光期間ＧＯＮにおいて第２色のみ点灯している。
【００２７】
さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＦにおいて、第３色の発光期間ＢＯＮで第３色の発光体３３Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色の発光期間ＢＯＮにおいて第３色のみ点灯している。
【００２８】
人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に３色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよい。なお、第４サブフレームをさらに有し、第１色、第２色及び第３色とは異なる第４色を発光するようにしてもよい。
【００２９】
図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図５は、図６のＶ−Ｖ’断面である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。
【００３０】
１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線ＳＬに各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極ＰＥへの印加電圧が変わる。画素電極ＰＥへの印加電圧が変わると、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとの間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。
【００３１】
図４に示すように、画素電極ＰＥへの印加電圧が飽和電圧Ｖｓａｔ以上となると、画素Ｐｉｘ内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路４は、飽和電圧Ｖｓａｔよりも低い電圧範囲Ｖｄｒにおいて、垂直駆動信号ＶＤＳに応じた画素電極ＰＥへの印加電圧を変化させる。
【００３２】
図５及び図６に示すように、アレイ基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。
【００３３】
図５及び図６に示すように、対向基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。
【００３４】
図５及び図６に示すように、発光部３１は、対向基板２０の第２側面２０Ｄに対向する。図５に示すように、発光部３１は、対向基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する対向基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。
【００３５】
図５に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ及び対向基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向に伝播する。アレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌがアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。
【００３６】
図５に示すように、アレイ基板１０及び対向基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａがそれぞれ対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから外部に放射される。対向基板２０の第１主面２０Ａ、アレイ基板１０の第１主面１０Ａからそれぞれ外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。以下、図７から図９を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。
【００３７】
図７に示すように、アレイ基板１０には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。対向基板２０には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えば、垂直配向膜である。
【００３８】
液晶とモノマーを含む溶液がアレイ基板１０と対向基板２０との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク５１を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型液晶ＬＣを有する液晶層５０が形成される。
【００３９】
このように、高分子分散型液晶ＬＣは、高分子によって形成されたバルク５１と、バルク５１内に分散された複数の微粒子５２と、を有する。微粒子５２は、液晶によって形成されている。バルク５１及び微粒子５２は、それぞれ光学異方性を有している。
【００４０】
微粒子５２に含まれる液晶の配向は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間の電圧差によって制御される。画素電極ＰＥへの印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘを通過する光の散乱の度合いが変化する。
【００４１】
例えば、図８に示すように、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しい。微粒子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無に関わらず、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。
【００４２】
バルク５１と微粒子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク５１と微粒子５２との間の屈折率差がゼロになる。液晶層５０は、光源光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光源光Ｌは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａ及び対向基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、発光部３１から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光Ｌを散乱しない非散乱状態であると、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。
【００４３】
図９に示すように、電圧が印加された画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間では、微粒子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に発生する電界によって傾くことになる。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて、光源光Ｌが散乱される。上述したように散乱された光源光Ｌの一部がアレイ基板１０の第１主面１０Ａ又は対向基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。
【００４４】
電圧が印加されていない画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘでは、アレイ基板１０の第１主面１０Ａから対向基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、対向基板２０の第１主面２０Ａからアレイ基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から第１入力信号ＶＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極ＰＥに電圧が印加され、第３入力信号ＶＣＳＡに基づく画像が背景とともに視認される。
【００４５】
電圧が印加された画素電極ＰＥがある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。
【００４６】
図３に示す１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎにおいて、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つに保持されている必要がある。書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位が、各１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎの後にある第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮの少なくとも１つで保持できないと、いわゆるフリッカーなどが生じやすい。言い換えると、走査線の選択時間である１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎを短くし、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動における視認性を高めるためには、第１色の発光期間ＲＯＮ、第２色の発光期間ＧＯＮ及び第３色の発光期間ＢＯＮのそれぞれで、書き込まれた各画素電極ＰＥ（図７参照）の電位を保持しやすくする要望がある。
【００４７】
図１０は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、画素において、保持容量層を示す平面図である。図１２は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。図１３は、画素において、画素電極を示す平面図である。図１４は、図１２のＸＩＶ−ＸＩＶ’の断面図である。図１５は、図１２のＸＶ−ＸＶ’の断面図である。図１６は、周辺領域の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、アレイ基板１０には、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとが平面視において格子状に設けられている。言い換えると、アレイ基板１０の一方の面には、第１方向ＰＸに間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第２方向ＰＹに間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備える。隣り合う走査線ＧＬと隣り合う信号線ＳＬとで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極ＰＥとスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線ＧＬと電気的に接続されているゲート電極ＧＥと平面視において重畳する半導体層ＳＣを有する。
【００４８】
図１０に示すように、走査線ＧＬは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。信号線ＳＬは、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。
【００４９】
図１０に示すように、半導体層ＳＣは、平面視において、ゲート電極ＧＥからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極ＧＥ側から半導体層ＳＣに向かう光源光Ｌが反射され、半導体層ＳＣに光リークが生じにくくなる。
【００５０】
図１０に示すように、ソース電極ＳＥは、信号線ＳＬと同じ２つの導電体が、信号線ＳＬと同層でかつ信号線と交差する方向に信号線ＳＬから伸びている。これにより、信号線ＳＬと電気的に接続するソース電極ＳＥは、平面視において、半導体層ＳＣの一端部と重畳している。
【００５１】
図１０に示すように、平面視において、隣り合うソース電極ＳＥの導電体の間の位置には、ドレイン電極ＤＥが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、平面視において、半導体層ＳＣと重畳している。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１３に示すように、ドレイン電極ＤＥと電気的に接続されるコンタクト電極ＤＥＡは、コンタクトホールＣＨで画素電極ＰＥと電気的に接続されている。
【００５２】
図１４に示すように、アレイ基板１０は、例えばガラスで形成された第１透光性基材１９を有している。第１透光性基材１９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。
【００５３】
図１４に示すように、第１透光性基材１９上には、第１絶縁層１１が設けられ、第１絶縁層１１上に走査線ＧＬ（図１０参照）及びゲート電極ＧＥが設けられる。
【００５４】
図１４に示すように、また、走査線ＧＬ及びゲート電極ＧＥを覆って第２絶縁層１２が設けられている。第１絶縁層１１、第２絶縁層１２は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。
【００５５】
第２絶縁層１２上には、半導体層ＳＣが積層されている。半導体層ＳＣは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。
【００５６】
第２絶縁層１２上には、半導体層ＳＣの一部を覆うソース電極ＳＥ及び信号線ＳＬと、半導体層ＳＣの一部を覆うドレイン電極ＤＥとが設けられている。ドレイン電極ＤＥは、信号線ＳＬと同じ材料で形成されている。半導体層ＳＣ、信号線ＳＬ及びドレイン電極ＤＥ上には、第３絶縁層１３が設けられている。第３絶縁層１３は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する有機絶縁材料により形成されている。第３絶縁層１３は、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。このため、スイッチング素子Ｔｒ、走査線ＧＬ、信号線ＳＬは、厚い第３絶縁層１３で覆われるので、保持容量電極ＩＯのコモン電位の影響を受けにくくなる。
【００５７】
図１４に示すように、第３絶縁層１３上には、保持容量電極ＩＯが設けられている。保持容量電極ＩＯは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電材料によって形成されている。
【００５８】
図６に示すように、サイド光源装置３から近い領域順に、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３とする。図６の第１表示領域ＡＡ１において、保持容量電極ＩＯは、図１１Ａの形状である。図６の第２表示領域ＡＡ２において、保持容量電極ＩＯは、図１１Ｂの形状である。図６の第３表示領域ＡＡ３において、保持容量電極ＩＯは、図１１Ｃの形状である。
【００５９】
図１１Ａに示すように、保持容量電極ＩＯは、ベタ膜で形成され、コンタクトホールＣＨと重なる部分及びその部分の周囲のみがくりぬかれている。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。
【００６０】
図１１Ｂに示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。
【００６１】
図１１Ｃに示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。
【００６２】
保持容量電極ＩＯの面積は、サイド光源装置３から遠い表示領域ほど、透光性導電材料がない領域ＩＯＸが大きくなる。このため、保持容量電極ＩＯの面積は、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積が異なるので、図６の第１表示領域ＡＡ１、図６の第２表示領域ＡＡ２、図６の第３表示領域ＡＡ３の順に大きくなる。
【００６３】
図１４に示すように、保持容量電極ＩＯ上の一部には、導電性の金属層ＴＭが設けられている。金属層ＴＭは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。図１２に示すように、金属層ＴＭは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。これにより、金属層ＴＭは、格子状となり、金属層ＴＭで囲まれた開口部ＡＰができる。
【００６４】
図１２に示すように、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には、スイッチング素子Ｔｒが設けられ、少なくともスイッチング素子Ｔｒは、有機絶縁層である第３絶縁層１３で覆われており、第３絶縁層１３の上方にはスイッチング素子Ｔｒよりも大きな面積の金属層ＴＭがある。これにより、スイッチング素子Ｔｒの光リークを抑制することができる。
【００６５】
金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯの下にあってもよく、保持容量電極ＩＯと積層されていればよい。金属層ＴＭは、保持容量電極ＩＯよりも電気抵抗が小さい。
【００６６】
図１２に示すように、平面視で、信号線ＳＬに重なる金属層ＴＭの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きい。これにより、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。ここで、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。また、走査線ＧＬに重なる金属層ＴＭの幅は、走査線ＧＬの幅よりも大きい。ここで、金属層ＴＭの幅及び走査線ＧＬの幅は、走査線ＧＬの延在する方向に交差する方向の長さである。
【００６７】
保持容量電極ＩＯ及び金属層ＴＭの上には、第４絶縁層１４が設けられている。第４絶縁層１４は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。
【００６８】
図１４に示すように、第４絶縁層１４上には、画素電極ＰＥが設けられている。画素電極ＰＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第４絶縁層１４及び第３絶縁層１３に設けられたコンタクトホールＣＨを介してコンタクト電極ＤＥＡと電気的に接続されている。図１３に示すように、画素電極ＰＥは、画素Ｐｉｘ毎に区画されている。画素電極ＰＥの上には、第１配向膜ＡＬ１が設けられている。
【００６９】
図１４に示すように、対向基板２０は、例えばガラスで形成された第２透光性基材２９を有している。第２透光性基材２９は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２透光性基材２９には、共通電極ＣＥが設けられている。共通電極ＣＥは、ＩＴＯなどの透光性導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥの表面には、第２配向膜ＡＬ２が設けられている。
【００７０】
図１２及び図１５に示すように、実施形態１の表示装置では、走査線ＧＬと同層の遮光層ＧＳが、信号線ＳＬに沿って延在し、かつ信号線ＳＬの一部と重なる位置に設けられている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと同じ材料で形成されている。遮光層ＧＳは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとが平面視において交差する部分には設けられていない。
【００７１】
図１５に示すように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬに対して金属層ＴＭとは反対側に設けられている。遮光層ＧＳの幅は、信号線ＳＬの幅よりも大きく、金属層ＴＭの幅より小さい。遮光層ＧＳの幅、金属層ＴＭの幅及び信号線ＳＬの幅は、信号線ＳＬの延在する方向に交差する方向の長さである。このように、遮光層ＧＳは、信号線ＳＬよりも幅が広くなっているので、信号線ＳＬのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。
【００７２】
図１４及び図１５に示すように、対向基板２０には、遮光層ＬＳが設けられている。遮光層ＬＳは、平面視において、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域に設けられている。図１５に示すように、遮光層ＬＳは、金属層ＴＭよりも大きい幅を有している。これにより、信号線ＳＬ、走査線ＧＬ及び金属層ＴＭのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。
【００７３】
図１４に示すように、アレイ基板１０と対向基板２０との間には、スペーサＳＰが配置され、アレイ基板１０と対向基板２０との間の距離の均一性を向上する。
【００７４】
図１６に示すように、周辺領域ＦＲでは、コモン電位配線ＣＯＭＬが引き回されている。コモン電位配線ＣＯＭＬは、例えば第１コモン電位配線ＣＯＭＬ１と、第２コモン電位配線ＣＯＭＬ２とを備える。第１コモン電位配線ＣＯＭＬ１は、導電性の導電部材ＣＰを介して、対向基板２０の共通電極ＣＥに電気的に接続している。導電部材ＣＰは導電柱（ピラー）であってもよいし、Ａｕ粒子が含有されたシール材であってもよい。
【００７５】
図１６に示すように、周辺領域ＦＲでは、保持容量電極ＩＯが第２コモン電位配線ＣＯＭＬ２と電気的に接続している。金属層ＴＭは、表示領域ＡＡに配置されている。
【００７６】
図６に示すように、サイド光源装置３から近い領域順に、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３とする。図５に示すように、アレイ基板１０及び対向基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、サイド光源装置３から遠くなるにつれて、光量が小さくなる。言い換えると、光源光Ｌは、サイド光源装置３に近いほど、光量が大きくなる。
【００７７】
光量が大きいと、スイッチング素子Ｔｒの光リークにより、書き込まれた各画素電極ＰＥの電位の低下が大きくなる。図６に示す第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３を比較すると、書き込まれた各画素電極ＰＥの電位の低下は、サイド光源装置３から近い領域順、つまり、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３の順に大きくなる。
【００７８】
このため、第３表示領域ＡＡ３と、第１表示領域ＡＡ１とを比較すると、第１表示領域ＡＡ１の方が第３表示領域ＡＡ３よりも、スイッチング素子Ｔｒの光リークに起因するフリッカーが生じやすい。
【００７９】
以上説明したように、表示装置１は、アレイ基板１０と、対向基板２０と、液晶層５０と、サイド光源装置３を備える。アレイ基板１０は、画素Ｐｉｘ毎に配置された第１透光性電極である複数の画素電極ＰＥを有する。対向基板２０は、平面視で、画素電極ＰＥと重畳する位置に第２透光性電極である共通電極ＣＥを有する。液晶層５０は、アレイ基板１０と対向基板２０との間に封入される高分子分散型液晶ＬＣを有する。サイド光源装置３は、対向基板２０の側面に向かって、アレイ基板１０及び対向基板２０を伝播する光を発光する。なお、サイド光源装置３は、アレイ基板１０の側面に向かって、アレイ基板１０及び対向基板２０を伝播する光を発光するようにしてもよい。
【００８０】
アレイ基板は、画素Ｐｉｘにおいて、平面視で画素電極ＰＥに、絶縁層を介して少なくとも一部が重なる第３透光性電極である保持容量電極ＩＯを備える。共通電極ＣＥ及び保持容量電極ＩＯが、コモン電位となるようにコモン電位配線ＣＯＭＬから一定の電圧が印加されている。これにより、画素電極ＰＥと、保持容量電極ＩＯとの間には、保持容量ＨＣが生じる。実施形態１では、第１表示領域ＡＡ１の画素Ｐｉｘの保持容量電極ＩＯの面積よりも第３表示領域ＡＡ３の画素Ｐｉｘの保持容量電極ＩＯの面積が大きい。第１表示領域ＡＡ１の画素Ｐｉｘの保持容量ＨＣが、第３表示領域ＡＡ３の画素Ｐｉｘの保持容量ＨＣよりも大きくなる。その結果、第１表示領域ＡＡ１の画素Ｐｉｘにおけるスイッチング素子Ｔｒの光リークの影響が小さくなり、表示領域ＡＡの部分的なフリッカーが抑制される。実施形態１の表示装置１は、表示パネル２の一方の面から、フィールドシーケンシャル方式で駆動し、表示パネルに表示する画像の視認性を向上できる。
【００８１】
また、サイド光源装置３から近い領域順、つまり、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３の順に、画素Ｐｉｘの保持容量電極ＩＯの面積が大きい。これにより、より表示領域ＡＡの部分的なフリッカーが抑制される。
【００８２】
（実施形態２）
図１７は、実施形態２の画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃは、実施形態２の画素において、保持容量層を示す平面図である。図１９は、実施形態２の画素において、画素電極を示す平面図である。図２０は、実施形態２の画素の部分斜視図である。図２１は、図１７のＸＶ−ＸＶ’の断面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００８３】
図１７に示すように、実施形態２の画素Ｐｉｘにおいて、ソース電極ＳＥは、信号線ＳＬから１本で引き出され、２本に分岐している。信号線ＳＬから１本で引き出された部分の一部は、遮光層ＧＳが平面視で重なる。これにより、ソース電極ＳＥのエッジで反射する反射光を表示パネル２より放出することを抑制する。その結果、表示装置１において、画像の視認性が向上する。
【００８４】
図６に示すように、サイド光源装置３から近い領域順に、第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３とする。図６の第１表示領域ＡＡ１において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ａの形状である。図６の第２表示領域ＡＡ２において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ｂの形状である。図６の第３表示領域ＡＡ３において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ｃの形状である。
【００８５】
図１８Ａに示すように、保持容量電極ＩＯは、ベタ膜で形成され、コンタクトホールＣＨと重なる部分及びその部分の周囲のみがくりぬかれている。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がっている。
【００８６】
図１８Ｂに示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。
【００８７】
図１８Ｃに示すように、保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域ＩＯＸを有する。保持容量電極ＩＯは、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状である。保持容量電極ＩＯは、隣り合う画素Ｐｉｘに跨がって、複数の画素Ｐｉｘに渡って設けられている。
【００８８】
保持容量電極ＩＯの面積は、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積が異なるので、図６の第１表示領域ＡＡ１、図６の第２表示領域ＡＡ２、図６の第３表示領域ＡＡ３の順に大きくなる。
【００８９】
図１９に示すように、画素電極ＰＥは、画素Ｐｉｘ毎に区画されているが、画素電極ＰＥの一部が、平面視で信号線ＳＬに重なる。また、画素電極ＰＥは、一方の走査線ＧＬと平面視で重なり、隣接する画素Ｐｉｘに渡って配置され、他方の走査線ＧＬには平面視で重ならない。
【００９０】
図２０に示すように、信号線ＳＬの上方を覆う第３絶縁層１３の斜面の上方に、画素電極ＰＥがある。これにより、画素電極ＰＥの領域が広がり、有効な画素Ｐｉｘの面積が大きくなる。
【００９１】
図２１に示すように、実施形態２の画素Ｐｉｘは、第３絶縁層１３がある領域と、第３絶縁層１３がない領域とがある。図２０に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方である。図２０に示すように、第３絶縁層１３は、走査線ＧＬ及び信号線ＳＬに沿って走査線ＧＬ及び信号線ＳＬの上方を覆う格子状になる。また、図２１に示すように、第３絶縁層１３がある領域は、半導体層ＳＣの上方、つまりスイッチング素子Ｔｒの上方である。これにより、アレイ基板１０において、走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域には第３絶縁層１３がない領域ができるので、平面視で信号線ＳＬ及び走査線ＧＬに重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域ができる。走査線ＧＬと信号線ＳＬとに囲まれた領域では、走査線ＧＬの上方及び信号線ＳＬの上方よりも相対的に、光の透過率が向上し、透光性が向上する。
【００９２】
図１に示すように、サイド光源装置３は、第２方向ＰＹより、光を入光する。光の入光方向が第２方向ＰＹに沿う方向であることから、図１７に示すように、スイッチング素子Ｔｒからサイド光源装置３の発光部３１がある側の入光方向には、遮光構造体ＳＧＳがある。入光方向に交差する第１方向ＰＸにおいて、遮光構造体ＳＧＳの長さは、スイッチング素子Ｔｒの長さよりも大きい。これにより、遮光構造体ＳＧＳは、スイッチング素子Ｔｒへ伝播する光路を遮り、スイッチング素子Ｔｒの光リークを抑制することができる。
【００９３】
遮光構造体ＳＧＳは、スイッチング素子Ｔｒのゲート電極ＧＥが延長され、走査線と同層の導電材料の上に、信号線と同層の導電材料で形成された第１遮光層ＳＭが積層されている。第１遮光層ＳＭの上には、金属層と同じ導電材料で形成された第２遮光層ＴＳが積層されている。
【００９４】
図２１に示すように、スイッチング素子Ｔｒの半導体層ＳＣは、有機絶縁層である第３絶縁層１３で覆われており、遮光構造体ＳＧＳがある入光方向の第３絶縁層１３の斜面は、金属層ＴＭで覆われている。これにより、金属層ＴＭは、スイッチング素子Ｔｒへ伝播する光路を遮り、スイッチング素子Ｔｒの光リークを抑制することができる。
【００９５】
第２遮光層ＴＳの上には、第４絶縁層１４を介して、画素電極ＰＥが積層されている。これにより、遮光構造体ＳＧＳの上方の高分子分散型液晶ＬＣも散乱に寄与することができる。
【００９６】
図１９及び図２１に示すように、遮光構造体ＳＧＳの上方に配置された画素電極ＰＥと、スイッチング素子Ｔｒの上方に配置された画素電極とは、異なる画素Ｐｉｘに配置される。遮光構造体ＳＧＳの上方に配置された画素電極ＰＥと、スイッチング素子Ｔｒの上方に配置された画素電極とは、分断されており短絡しない。
【００９７】
（実施形態２の変形例１）
図２２は、実施形態２の変形例１の画素において、保持容量層を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００９８】
実施形態２の変形例１においては、図６の第１表示領域ＡＡ１において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ａの形状である。図６の第２表示領域ＡＡ２において、保持容量電極ＩＯは、図２２の形状である。図６の第３表示領域ＡＡ３において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ｃの形状である。
【００９９】
保持容量電極ＩＯの面積は、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積が異なるので、図６の第１表示領域ＡＡ１、図６の第２表示領域ＡＡ２、図６の第３表示領域ＡＡ３の順に大きくなる。
【０１００】
なお、実施形態２の変形例１の保持容量電極ＩＯは、実施形態１の画素Ｐｉｘにも適用することができる。
（実施形態２の変形例２）
図２３は、実施形態２の変形例２の画素において、保持容量層を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１０１】
実施形態２の変形例２においては、図６の第１表示領域ＡＡ１において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ａの形状である。図６の第２表示領域ＡＡ２において、保持容量電極ＩＯは、図２３の形状である。図６の第３表示領域ＡＡ３において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ｃの形状である。
【０１０２】
保持容量電極ＩＯの面積は、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積が異なるので、図６の第１表示領域ＡＡ１、図６の第２表示領域ＡＡ２、図６の第３表示領域ＡＡ３の順に大きくなる。
【０１０３】
なお、実施形態２の変形例２の保持容量電極ＩＯは、実施形態１の画素Ｐｉｘにも適用することができる。
（実施形態２の変形例３）
図２４は、実施形態２の変形例３の画素において、保持容量層を示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【０１０４】
実施形態２の変形例３においては、図６の第１表示領域ＡＡ１において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ａの形状である。図６の第２表示領域ＡＡ２において、保持容量電極ＩＯは、図２４の形状である。図６の第３表示領域ＡＡ３において、保持容量電極ＩＯは、図１８Ｃの形状である。
【０１０５】
保持容量電極ＩＯの面積は、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積が異なるので、図６の第１表示領域ＡＡ１、図６の第２表示領域ＡＡ２、図６の第３表示領域ＡＡ３の順に大きくなる。
【０１０６】
なお、実施形態２の変形例３の保持容量電極ＩＯは、実施形態１の画素Ｐｉｘにも適用することができる。
【０１０７】
（実施形態３）
図２５は、実施形態３の表示装置の平面において、透光性導電材料がない領域を示す模式図である。図２５においては、サイド光源装置３との位置とともに、保持容量電極ＩＯ中の領域ＩＯＸの大きさが模式的に示され、他の構成要素は省略されている。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図６において透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積を第１表示領域ＡＡ１、第２表示領域ＡＡ２、第３表示領域ＡＡ３の順に大きくするという説明を行ったが、透光性導電材料がない領域ＩＯＸの面積はこの３つの領域に分割する例に限らず、複数あってもよい。例えば、図２５に示すように、サイド光源装置３から離れるにしたがって透光性導電材料がない領域ＩＯＸが徐々に大きく変化していく、保持容量電極ＩＯは、領域ＩＯＸのグラデーションを有するものであってもよい。
【０１０８】
以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。
【０１０９】
例えば、実施形態１から３について、スイッチング素子Ｔｒがボトムゲート型であるとして説明を行ったが、その他の変形例として、上述しているようにスイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート構造に限らずトップゲート型であってもよい。スイッチング素子Ｔｒがトップゲート型であれば、図１４の絶縁膜積層構造を参考に説明すると、半導体層ＳＣは第１透光性基材１９と第１絶縁層その間に配置され、ゲート電極ＧＥは第１絶縁層１１と第２絶縁層１２との間に配置され、ソース電極ＳＥ及びコンタクト電極ＤＥＡは第２絶縁層１２と第３絶縁層１３との間に形成される構造となる。
【０１１０】
また、その他の変形例として、コモン電位については、直流電圧が供給される、つまり一定のコモン電位であってもよく、また交流電圧が共有される、つまり上限値と下限値の２つを有するコモン電位であってもよい。コモン電位が直流であっても交流であっても保持容量電極ＩＯ及び共通電極ＣＥには共通の電位が供給される。
【０１１１】
また、実施形態２の図２０、２１に示す格子状の有機絶縁膜である第３絶縁層１３については、格子状の内側の第３絶縁層１３が完全に除去され下層の第２絶縁層１２や保持容量電極ＩＯを露出する構造を開示しているが、これに限られない。例えば、その他の変形例として、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとで囲まれる格子状領域の内側についてはハーフトーン露光で第３絶縁層１３の膜厚の一部を薄く残す構造であってもよい。れにより、第３絶縁層１３は、複数の信号線ＳＬと複数の走査線ＧＬとで囲まれる格子状領域よりも、格子状領域の内側の膜厚が薄くなる。
【符号の説明】
【０１１２】
１  表示装置
２  表示パネル
３  サイド光源装置
４  駆動回路
９  上位制御部
１０  アレイ基板
１１  第１絶縁層
１２  第２絶縁層
１３  第３絶縁層
１４  第４絶縁層
２０  対向基板
３１  発光部
４１  信号処理回路
４２  画素制御回路
４３  ゲート駆動回路
４４  ソース駆動回路
４５  共通電位駆動回路
５０  液晶層
ＡＬ１  配向膜
ＡＬ２  配向膜
ＡＰ  開口部
ＣＥ  共通電極
ＣＨ  コンタクトホール
ＣＯＭＬ  コモン電位配線
ＣＰ  導電柱
ＤＥ  ドレイン電極
ＤＥＡ  コンタクト電極
ＦＲ  周辺領域
ＧＥ  ゲート電極
ＧＬ  走査線
ＧＯＮ  発光期間
ＧＳ  遮光層
ＨＣ  保持容量
ＨＤＳ  水平駆動信号
ＩＯ  保持容量電極
ＩＯＸ  透光性導電材料がない領域
ＬＣ  高分子分散型液晶
ＬＳ  遮光層
ＰＥ  画素電極
ＳＣ  半導体層
ＳＥ  ソース電極
ＳＥ  信号線
ＳＧＳ  遮光構造体
ＴＭ  金属層
Ｔｒ  スイッチング素子
ＴＳ  遮光層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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