(57)【要約】【課題】直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供すること。【解決手段】一対の直流端子２２を有する複数の半導体モジュール２と、一対の直流バスバー３とを備える。直流端子２２には、直流バスバー３の重なり部３０に近い位置に配された近方端子２２Aと、これよりも重なり部３０から遠い遠方端子２２Bとがある。直流バスバー３には、近方端子２２Aに接続した近方バスバー３Aと、遠方端子２２Bに接続した遠方バスバー３Bとがある。遠方端子２２Bは、近方端子２２Aを覆う平板部３１と、傾斜部３２とを備える。傾斜部３２は、一対の直流端子２２の配列方向における遠方端子２２B側へ向かうほど、直流端子の突出方向において本体部２１に近づくよう傾斜している。【選択図】図１
2020014343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（２０）を内蔵した複数の半導体モジュール（２）と、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管（１１）とを積層した積層体（１０）と、
直流電源（８）と上記半導体モジュールとの間の電流経路をなす一対の直流バスバー（３）とを備え、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部（２１）と、該本体部から突出しそれぞれ上記直流バスバーに接続した一対の直流端子（２２）とを備え、
個々の上記直流バスバーは、上記直流端子の突出方向（Ｚ）において絶縁部材（４）を介して互いに重ね合わされた重なり部（３０）を有し、個々の該重なり部は、上記一対の直流端子の配列方向（Ｙ）において上記一対の直流端子の一方側に配されており、
上記直流端子には、上記配列方向において相対的に上記重なり部に近い位置に配された近方端子（２２A）と、該近方端子よりも上記重なり部から遠い位置に配された遠方端子（２２B）とがあり、
上記直流バスバーには、上記突出方向において上記重なり部が相対的に上記本体部に近い位置に配された近方バスバー（３A）と、該近方バスバーよりも上記重なり部が上記本体部から遠い位置に配された遠方バスバー（３B）とがあり、上記近方バスバーは上記近方端子に接続し、上記遠方バスバーは上記遠方端子に接続しており、
上記遠方バスバーは、
上記重なり部と、
該重なり部に連なり、上記近方端子を上記突出方向から覆うと共に、その厚さ方向が上記突出方向と一致するよう配された平板部（３１）と、
該平板部から延出し、上記配列方向における上記遠方端子側に向かうほど、上記突出方向において上記本体部に近づくよう傾斜した傾斜部（３２）と、
該傾斜部に連なり上記遠方端子に接続した接続部（３３）とを備える、電力変換装置（１）。
【請求項２】
上記傾斜部には、上記配列方向において個々の上記近方端子に隣り合う位置に、上記突出方向に貫通したスリット（３４）が形成されている、請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
上記スリットは、上記傾斜部から上記平板部まで延びており、上記突出方向から見たときに、上記スリットのうち上記平板部に形成された部位から、上記配列方向における上記近方端子の上記遠方端子側の角部（２２１）を視認可能に構成されている、請求項２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
上記接続部には、上記突出方向に貫通し上記遠方端子が挿通された端子挿通孔（３５）が形成され、該端子挿通孔と上記スリットとが連結している、請求項２又は３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
上記積層体の積層方向（Ｘ）において、上記スリットの長さ（Ｌ1）は、上記端子挿通孔の長さ（Ｌ2）よりも長い、請求項４に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、一対の直流バスバーとを備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、一対の直流バスバーとを備える電力変換装置が知られている（下記特許文献１参照）。この電力変換装置では、複数の上記半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを積層して積層体を構成してある。上記半導体モジュールは、ＩＧＢＴ等の半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出した一対の直流端子とを備える。個々の直流端子に、上記直流バスバーを接続してある。この直流バスバーを介して、直流電源から半導体モジュールに直流電力を供給している。上記電力変換装置は、上記半導体素子をスイッチング動作させることにより、供給された上記直流電力を交流電力に変換するよう構成されている。
【０００３】
個々の直流バスバーは、上記直流端子の突出方向において、絶縁部材を介して互いに重ね合わされた重なり部を有する（図１２、図１３参照）。直流バスバーには、突出方向において上記本体部に近い位置に配された近方バスバーと、該近方バスバーよりも本体部から遠い位置に配された遠方バスバーとがある。また、直流端子には、一対の直流端子の配列方向において、重なり部に近い位置に配された近方端子と、該近方端子よりも重なり部から遠い位置に配された遠方端子とがある。近方バスバーは遠方端子に接続し、遠方バスバーは近方端子に接続している。
【０００４】
また、近方バスバーには貫通穴を形成してあり、この貫通穴に近方端子を挿通させてある。これにより、近方バスバーが近方端子に接触することを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１１４１９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記電力変換装置では、近方バスバーに上記貫通穴を形成してあるため、一対の直流バスバーが互いに対向する面積が小さい。そのため、直流バスバーに大きなインダクタンスが寄生しやすい。また、貫通穴を形成すると（図１３参照）、積層体の積層方向において２個の貫通穴が繋がらないように、積層方向における、２つの近方端子の間隔（すなわち、半導体モジュールの間隔）を広げる必要がある。そのため、電力変換装置が大型化しやすい。
【０００７】
また、上記電力変換装置では、近方端子が、貫通穴を通って遠方バスバーに接続しているため、近方端子の長さが長い（図１２参照）。そのため、近方端子に大きなインダクタンスが寄生しやすい。
【０００８】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、半導体素子（２０）を内蔵した複数の半導体モジュール（２）と、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管（１１）とを積層した積層体（１０）と、
直流電源（８）と上記半導体モジュールとの間の電流経路をなす一対の直流バスバー（３）とを備え、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部（２１）と、該本体部から突出しそれぞれ上記直流バスバーに接続した一対の直流端子（２２）とを備え、
個々の上記直流バスバーは、上記直流端子の突出方向（Ｚ）において絶縁部材（４）を介して互いに重ね合わされた重なり部（３０）を有し、個々の該重なり部は、上記一対の直流端子の配列方向（Ｙ）において上記一対の直流端子の一方側に配されており、
上記直流端子には、上記配列方向において相対的に上記重なり部に近い位置に配された近方端子（２２A）と、該近方端子よりも上記重なり部から遠い位置に配された遠方端子（２２B）とがあり、
上記直流バスバーには、上記突出方向において上記重なり部が相対的に上記本体部に近い位置に配された近方バスバー（３A）と、該近方バスバーよりも上記重なり部が上記本体部から遠い位置に配された遠方バスバー（３B）とがあり、上記近方バスバーは上記近方端子に接続し、上記遠方バスバーは上記遠方端子に接続しており、
上記遠方バスバーは、
上記重なり部と、
該重なり部に連なり、上記近方端子を上記突出方向から覆うと共に、その厚さ方向が上記突出方向と一致するよう配された平板部（３１）と、
該平板部から延出し、上記配列方向における上記遠方端子側に向かうほど、上記突出方向において上記本体部に近づくよう傾斜した傾斜部（３２）と、
該傾斜部に連なり上記遠方端子に接続した接続部（３３）とを備える、電力変換装置（１）にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記電力変換装置では、近方バスバーは近方端子に接続し、遠方バスバーは遠方端子に接続している。
そのため、直流バスバー（近方バスバー及び遠方バスバー）に、接続していない直流端子を挿通させるための貫通穴を形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバーが互いに対向する面積を増やすことができ、直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減できる。
また、従来のように、直流バスバーに貫通穴を形成する場合は、上述したように、積層体の積層方向に隣り合う２つの貫通穴が繋がらないように、個々の貫通穴に挿入される直流端子の、積層方向における間隔を広げる必要がある。そのため、電力変換装置が大型化しやすい。これに対して、上記電力変換装置では、直流バスバーに貫通穴を形成しなくてすむため、個々の直流端子の、積層方向における間隔を狭くすることができる。そのため、電力変換装置を小型化できる。
【００１１】
また、上記電力変換装置では、遠方バスバーに上記傾斜部を形成してある。
このようにすると、傾斜部に連なる上記接続部を、本体部に近い位置に配置することができる。そのため、遠方端子を短くすることが可能になる。したがって、遠方端子に寄生するインダクタンスを低減でき、半導体素子をスイッチング動作させたときに大きなサージが生じることを抑制できる。
【００１２】
以上のごとく、上記態様によれば、直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１における、電力変換装置の断面図であって、図４のI-I断面図。
【図２】図１の要部拡大図。
【図３】実施形態１における、電力変換装置の要部拡大斜視図。
【図４】図１のIV-IV断面図。
【図５】図４から、遠方バスバーを取り除いた図。
【図６】図５から、近方バスバーを取り除いた図。
【図７】実施形態１における、電力変換装置の要部拡大平面図。
【図８】実施形態１における、電力変換装置の回路図。
【図９】実施形態２における、電力変換装置の要部拡大断面図。
【図１０】実施形態３における、電力変換装置の要部拡大断面図。
【図１１】実施形態４における、電力変換装置の要部拡大断面図。
【図１２】比較形態における、電力変換装置の断面図。
【図１３】図１２のXIII-XIII断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施形態１）
上記電力変換装置に係る実施形態について、図１〜図８を参照して説明する。図１、図６に示すごとく、本形態の電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２と冷却管１１とを積層した積層体１０と、一対の直流バスバー３（３A，３B）とを備える。半導体モジュール２は、半導体素子２０（図８参照）を内蔵している。冷却管１１は、半導体モジュール２を冷却する。また、一対の直流バスバー３は、直流電源８と半導体モジュール２との間の電流経路をなしている。
【００１５】
図１、図２に示すごとく、半導体モジュール２は、半導体素子２０を内蔵した本体部２１と、該本体部２１から突出しそれぞれ直流バスバー３に接続した一対の直流端子２２（２２A，２２B）とを備える。個々の直流バスバー３は、直流端子２２の突出方向（Ｚ方向）において、絶縁部材４を介して互いに重ね合わされた重なり部３０を有する。個々の重なり部３０は、一対の直流端子２２（２２A，２２B）の配列方向（Ｙ方向）において、一対の直流端子２２の一方側に配されている。
【００１６】
直流端子２２には、近方端子２２Aと遠方端子２２Bとがある。近方端子２２Aは、Ｙ方向において、相対的に重なり部３０に近い位置に配されている。遠方端子２２Bは、Ｙ方向において、近方端子２２Aよりも重なり部３０から遠い位置に配されている。
【００１７】
また、直流バスバー３には、近方バスバー３Aと遠方バスバー３Bとがある。近方バスバー３Aは、重なり部３０が、Ｚ方向において相対的に本体部２１に近い位置に配されている。遠方バスバー３Bは、重なり部３０が、Ｚ方向において近方バスバー３Aよりも本体部２１から遠い位置に配されている。近方バスバー３Aは近方端子２２Aに接続し、遠方バスバー３Bは遠方端子２２Bに接続している。
【００１８】
遠方バスバー３Bは、上記重なり部３０と、平板部３１と、傾斜部３２と、接続部３３とを備える。平板部３１は、重なり部３０に連なり、近方端子２２AをＺ方向から覆うと共に、その厚さ方向がＺ方向と一致するよう配されている。傾斜部３２は、平板部３１から延出し、Ｙ方向における遠方端子２２B側へ向かうほど、Ｚ方向において本体部２１に近づくよう傾斜している。また、接続部３３は、傾斜部３２に連なり、遠方端子２２Bに接続している。
【００１９】
本形態の電力変換装置１は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。図８に示すごとく、本形態の電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２を備える。個々の半導体モジュール２は、半導体素子２０（ＩＧＢＴ）を内蔵している。これら複数の半導体モジュール２によって、インバータ回路を構成している。上記半導体素子２０をスイッチング動作させることにより、直流電源８から供給される直流電力を交流電力に変換している。これにより、三相交流モータ８２を駆動し、上記車両を走行させている。
【００２０】
図１に示すごとく、半導体モジュール２は、上記本体部２１と直流端子２２の他に、交流電力を出力する交流端子２３と、制御端子２４とを備える。制御端子２４は、制御回路部１９に接続している。この制御回路部１９を用いて、半導体素子２０（図８参照）の動作制御を行っている。また、交流端子２３には、図示しない交流バスバーが接続する。この交流バスバーを介して、交流電力を上記三相交流モータ８２へ供給するよう構成されている。
【００２１】
また、図１に示すごとく、本形態では、電力変換装置１のケース１３内に、コンデンサ１２を収容してある。このコンデンサ１２を用いて、直流電源８（図８参照）の直流電圧を平滑化している。上記一対の直流バスバー３は、それぞれコンデンサ１２に接続している。近方バスバー３Aは、コンデンサ１２の正電極１２１に電気接続し、遠方バスバー３Bは、コンデンサ１２の負電極１２２に電気接続している。
【００２２】
また、上述したように、本形態では図６に示すごとく、複数の半導体モジュール２と複数の冷却管１１とを積層して積層体１０を構成してある。複数の冷却管１１のうち、積層体１０の積層方向（Ｘ方向）における一端に位置する端部冷却管１１aには、冷媒１７を導入するための導入管１４と、冷媒１７を導出するための導出管１５とが接続している。Ｘ方向において互いに隣り合う２本の冷却管１１の間には、連結管１６が設けられている。連結管１６は、冷却管１１の、Ｙ方向における両端部に配されている。導入管１４から冷媒１７を導入すると、冷媒１７は連結管１６を通って全ての冷却管１１を流れ、導出管１５から導出される。これにより、個々の半導体モジュール２を冷却している。
【００２３】
また、電力変換装置１のケース１３の壁部１３１と、積層体１０との間には、加圧部材１８（板ばね）が介在している。この加圧部材１８を用いて、積層体１０をＸ方向に加圧している。これにより、半導体モジュール２と冷却管１１との接触圧を確保すると共に、積層体１０をケース１３内に固定している。
【００２４】
図２に示すごとく、遠方バスバー３Bは、上述したように、重なり部３０と、平板部３１と、傾斜部３２と、接続部３３とを備える。また、遠方バスバー３Bは、これらの他に、重なり部３０と平板部３１とを繋ぐ立設部３６を備える。立設部３６は、重なり部３０から立設し、Ｙ方向における近方端子２２A側に向かうほど、Ｚ方向において本体部２１から遠くなるよう傾斜している。
【００２５】
また、遠方バスバー３Bの重なり部３０（３０B）と、近方バスバー３Aの重なり部３０（３０A）との間には、絶縁部材４が介在している。本形態の絶縁部材４は、絶縁紙からなる。絶縁部材４の厚さは、個々の直流バスバー３の厚さよりも薄い。
【００２６】
また、図３、図４、図７に示すごとく、遠方バスバー３Bの傾斜部３２には、Ｚ方向に貫通したスリット３４が形成されている。スリット３４は、傾斜部３２から平板部３１まで延びている。図２、図７に示すごとく、Ｚ方向から見たときに、スリット３４のうち平板部３１に形成された部位３４Aから、近方端子２２Aの、Ｙ方向における遠方端子２２B側の角部２２１を視認できるよう構成してある。
【００２７】
また、図７に示すごとく、遠方バスバー３Bの接続部３３には、Ｚ方向に貫通した端子挿通孔３５が形成されている。この端子挿通孔３５に、遠方端子２２Bを挿入してある。そして、溶接部３８において、遠方端子２２Bを接続部３３に溶接してある。
【００２８】
図７に示すごとく、端子挿通孔３５とスリット３４とは、連結している。また、Ｘ方向において、スリット３４の長さＬ1は、端子挿通孔３５の長さＬ2よりも長い。
なお、上記「端子挿通孔３５の長さＬ2」とは、端子挿通孔３５のうち最も狭い部分の長さを意味する。「スリット３４の長さＬ1」も同様である。
【００２９】
また、図３、図５に示すごとく、近方バスバー３Aには、Ｚ方向に貫通した近方側端子挿通孔３９が形成されている。この近方側端子挿通孔３９に近方端子２２Aを挿入してある。そして、近方端子２２Aを近方バスバー３Aに溶接してある。
【００３０】
また、図２に示すごとく、本形態では、絶縁部材４の一部が、重なり部３０（３０A，３０B）から近方端子２２A側へ延出している。これにより、近方バスバー３Aと遠方バスバー３Bとの沿面距離Ｌ3を長くし、一対の直流バスバー３A，３B間の絶縁性を確保している。
【００３１】
本形態の作用効果について説明する。図２に示すごとく、本形態では、近方バスバー３Aを近方端子２２Aに接続し、遠方バスバー３Bを遠方端子２２Bに接続してある。
そのため、個々の直流バスバー３に、接続していない直流端子２２を挿通させるための貫通穴を形成する必要がなくなる。したがって、一対の直流バスバー３A，３Bが互いに対向する面積を増やすことができ、直流バスバー３A，３Bに寄生するインダクタンスを低減できる。
【００３２】
図１２、図１３に示すごとく、従来の電力変換装置１は、近方バスバー３Aを遠方端子２２Bに接続し、遠方バスバー３Bを近方端子２２Aに接続していた。そのため、近方バスバー３Aが近方端子２２Aに接触しないように、近方バスバー３Aに貫通穴９を形成し、この貫通穴９に近方端子２２Aを挿入する必要があった。貫通穴９は、近方バスバー３Aと近方端子２２Aとの絶縁性を確保するため、十分な大きさを確保する必要がある。そのため、貫通穴９を形成すると、一対の直流バスバー３の、互いに対向する面積が小さくなり、直流バスバー３A，３Bに寄生するインダクタンスが増加しやすい。これに対して、図２に示すごとく、本形態のように、近方バスバー３Aを近方端子２２Aに接続し、遠方バスバー３Bを遠方端子２２Bに接続すれば、直流バスバー３に、接続していない直流端子２２を挿通するための貫通穴９を形成しなくてすむ。そのため、一対の直流バスバー３の対向面積を大きくすることができ、インダクタンスを低減できる。
【００３３】
また、従来のように、直流バスバー３に貫通穴９を形成する場合（図１３参照）は、Ｘ方向に隣り合う２つの貫通穴９が繋がらないように、個々の貫通穴９に挿入される直流端子２２Aの、Ｘ方向間隔を広げる必要がある。そのため、電力変換装置１が大型化しやすい。これに対して、本形態では、直流バスバー３に貫通穴９を形成しなくてすむため、個々の直流端子２２の、Ｘ方向間隔を狭くすることができる。そのため、電力変換装置１を小型化できる。
【００３４】
また、本形態では図２に示すごとく、遠方バスバー３Bに上記傾斜部３２を形成してある。
このようにすると、傾斜部３２に連なる上記接続部３３を、本体部２１に近づけることができる。そのため、遠方端子２２BのＺ方向長さを短くすることが可能になる。したがって、遠方端子２２Bに寄生するインダクタンスを低減できる。そのため、半導体素子２０をスイッチング動作させたときに大きなサージが生じることを抑制できる。
【００３５】
また、図３に示すごとく、本形態の傾斜部３２には、Ｙ方向において個々の近方端子２２Aに隣り合う位置に、Ｚ方向に貫通したスリット３４が形成されている。
このようにすると、遠方バスバー３Bの剛性を低減することができる。そのため、外部から振動が加わったときに、遠方バスバー３Bを撓ませることができる。したがって、遠方端子２２Bと遠方バスバー３Bとの溶接部３８に、高い応力が加わることを抑制できる。
また、スリット３４を形成すると、傾斜部３２と近方端子２２Aとの間の最短距離を長くすることができる。すなわち、スリット３４を形成すると、傾斜部３２のうち、Ｘ方向において２つのスリット３４の間に存在する部位３２０から、近方端子２２Aまでの距離が、最短距離になる。そのため、傾斜部３２から近方端子２２Aまでの最短距離を長くすることができ、これらの間の絶縁性を高めることが可能になる。
【００３６】
また、図３、図７に示すごとく、本形態のスリット３４は、傾斜部３２から平板部３１まで延びている。そして、Ｚ方向から見たときに、スリット３４のうち平板部３１に形成された部位３４Aから、近方端子２２Aの、Ｙ方向における遠方端子２２B側の角部２２１を視認できるよう構成してある。
このようにすると、角部２２１から遠方バスバー３Bまでの最短距離を長くすることができる。角部２２１は、電界強度が高くなりやすい部位であるため、この角部２２１から遠方バスバー３Bまでの最短距離を長くすると、これらの間の絶縁性を特に高くしやすい。
【００３７】
また、図７に示すごとく、遠方バスバー３Bの接続部３３には、Ｚ方向に貫通し遠方端子２２Bが挿通された端子挿通孔３５が形成されている。端子挿通孔３５とスリット３４とは連結している。
このようにすると、端子挿通孔３５とスリット３４とを別々に形成した場合と比べて、遠方バスバー３Bの剛性をより低減することができる。そのため、外部から振動が加わったとき、遠方バスバー３Bが撓みやすくなり、遠方バスバー３Bと遠方端子２２Bとの溶接部３８に大きな応力が加わることを抑制できる。
【００３８】
また、図７に示すごとく、Ｘ方向において、スリット３４の長さＬ1は、端子挿通孔３５の長さＬ2よりも長い。
このようにすると、スリット３４のＸ方向長さＬ1を十分に長くすることができる。したがって、遠方バスバー３Bの剛性を十分に低減でき、外部から振動が加わったときに、遠方バスバー３Bをより撓ませることができる。そのため、上記溶接部３８に大きな応力が加わることを抑制できる。
【００３９】
また、本形態では図２に示すごとく、絶縁部材４の厚さＬ4は、個々の直流バスバー３の厚さよりも薄い。
そのため、一対の直流バスバー３A，３Bをより接近させることができ、これら一対の直流バスバー３A，３B間に寄生するインダクタンスをより低減できる。
【００４０】
また、図２に示すごとく、本形態では、絶縁部材４の一部が、重なり部３０よりも近方端子２２A側に延出している。
このようにすると、近方バスバー３Aから遠方バスバー３Bまでの沿面距離Ｌ3を長くすることができる。そのため、これら一対の直流バスバー３A，３B間の絶縁性をより高めることができる。
【００４１】
以上のごとく、本形態によれば、直流端子や直流バスバーに寄生するインダクタンスを低減でき、かつ小型化が可能な電力変換装置を提供することができる。
【００４２】
以下の実施形態においては、図面に用いた符号のうち、実施形態１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施形態１と同様の構成要素等を表す。
【００４３】
（実施形態２）
本形態は、直流バスバー３の形状を変更した例である。図９に示すごとく、本形態では、遠方バスバー３Bの重なり部３０Bと、平板部３１との、Ｚ方向における位置が互いに等しい。すなわち、重なり部３０Bと平板部３１との間で、遠方バスバー３Bが折り曲げられていない。
【００４４】
このようにすると、実施形態１と比べて、遠方バスバー３Bの曲げ回数を低減することができる。そのため、遠方バスバー３Bを容易に製造することができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４５】
（実施形態３）
本形態は、直流端子２２（２２A，２２B）の形状を変更した例である。図１０に示すごとく、本形態では、近方端子２２Aの角部２２１をテーパ状にしてある。
【００４６】
このようにすると、角部２２１の電界集中を抑制できる。そのため、角部２２１と遠方バスバー３Bとの間の絶縁性をより高めることができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４７】
（実施形態４）
本形態は、直流端子２２（２２A，２２B）の形状を変更した例である。図１０に示すごとく、本形態では、近方端子２２Aの角部２２１をアール状にしてある。
【００４８】
このようにすると、実施形態３と同様に、角部２２１の電界集中を抑制できる。そのため、角部２２１と遠方バスバー３Bとの間の絶縁性をより高めることができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
【００４９】
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１  電力変換装置
２  半導体モジュール
２２A  近方端子
２２B  遠方端子
３A  近方バスバー
３B  遠方バスバー
３０  重なり部
３１  平板部
３２  傾斜部
３３  接続部
【図１】
2020014343.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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