(57)【要約】【課題】発光素子を使用した場合においても被加工物の表面除去加工で使用できる程度に発光素子に存在するＵＶ光の出力バラツキ問題を安価に解決する。【解決手段】被加工基板Ｗの表面と、少なくとも表面に触媒層を有するパッド６の当該表面とを互いに当接ないし近接させ、被加工基板Ｗの表面とパッド６の表面との間に触媒反応に必要な液体を供給しつつ、被加工基板Ｗないしパッド６の一方をその表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動させる触媒基準平坦加工装置において、単一の発光素子９を容器４の底壁４２内に設けて貫通孔６２を経て上方の被加工基板Ｗの表面に紫外線を照射し、被加工基板Ｗを保持するホルダ７を回転させるとともに容器４を載置した定盤３を支持板２によって移動させて、発光素子９を被加工基板の表面全面に平行に相対移動させる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工起点を潜傷が増えること無く形成するための紫外線を局所的に被加工物の表面に照射する発光源と、当該発光源と前記被加工物の表面の少なくとも一方を互いに平行な状態で相対移動させる位置決め制御手段とを備え、形成した前記加工起点を化学反応で被加工物から除去することを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項２】
前記位置決め制御手段は、紫外線の入光量が前記被加工物表面の処理したい全ての部分でほぼ等しくなるように前記発光源か被加工物の少なくともいずれかを位置決めしつつ移動させるものである請求項１に記載の表面除去加工装置。
【請求項３】
前記位置決め制御手段は、前記被加工物表面のトレンチを形成する部分に対向する位置に前記発光源を位置決めするものである請求項１に記載の表面除去加工装置。
【請求項４】
被加工物の表面に化学反応に必要な液体を供給し、前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ光を照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射する発光源と、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を設けるために使用する請求項１から３の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置。
【請求項５】
被加工物の表面とパッドの表面との間に化学反応に必要な液体を供給し、被加工物の表面と、少なくともパッドの当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物ないし前記パッドの一方をその表面に平行な方向で少なくとも化学反応による平坦化が可能な量だけ移動させる表面除去加工装置において、前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ光を照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射する発光源と、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を設けるために使用する請求項１から４の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置。
【請求項６】
被加工物の表面とパッドの表面との間に研磨反応に必要な液体を供給し、前記被加工物の表面と、少なくとも前記パッドの当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物ないし前記パッドの一方をその表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動させる表面除去加工装置において、前記被加工物の最表面に触媒反応の加工レートを向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する単一の発光素子と、当該単一の発光素子を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光素子移動手段か、前記被加工物の表面を前記単一の発光素子に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた請求項１から５の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置。
【請求項７】
請求項６と同じ加工原理を実現させるために1以上の発光素子が研磨加工装置には設けてあるが、被加工物の加工する最表面に化学反応を向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する際には同一の被加工物に対して単一の発光素子ごとにしか紫外線を照射しない発光素子と、前記発光素子を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光素子移動手段か、前記被加工物の表面を前記発光素子に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた請求項１から６の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置。
【請求項８】
請求項６と同じ加工原理を実現させるために単一の発光素子の照射エリア程度に光をレンズや発光素子の少なくともいずれかの取り付けの調節で集光し、前記記被加工物の最表面に研磨レートを向上させる加工起点を設ける紫外線を照射するＵＶ集光部と、当該ＵＶ集光部を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるＵＶ集光部移動手段か、前記被加工物の表面を前記ＵＶ集光部に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた表面除去加工装置。
【請求項９】
請求項1から請求項８の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、光を照射する前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部の少なくともいずれかと、前記被加工物との間に、前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部のそれぞれに対応させて他と独立の電極を設けて、当該電極に給電しつつＵＶを照射することによって被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を形成する表面除去加工装置。
【請求項１０】
請求項1ないし請求項９の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、前記発光素子は使用すると光の出力が減衰していくものである表面除去加工装置。
【請求項１１】
請求項1ないし請求項１０の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、前記単一の発光素子は前記発光素子を複数同時使用する加工方法に比べて発光素子から発せられる発熱量が抑えられるものであることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１に記載の表面除去加工装置において、複数の発光素子を一つの被加工物に対して複数個所から同時に照射して使用するのでは無く、単一の発光素子ごとに少なくとも使用し、発光素子の個体差による光出力のバラツキや、使用によって光の出力がバラバラのタイミングで減衰する現象による研磨加工時におこる光出力制御の困難性を改善していることを特徴とする発光素子を利用した表面除去加工装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかは、被加工物の外周方向から被加工物の中心に向かう動作で相対移動を行い被加工物の中心で発光源をOFFにするか被加工物の中心を通り外周方向へ向かう動作で相対移動を行い被加工物の外周を通過するかの少なくともいずれかであることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかは、トレンチの穴を加工する際に、当該発光源をトレンチの穴に照射することを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項１５】
請求項1ないし請求項１４の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、加工動作の中で厚み測定装置又は膜厚測定機能の少なくともいずれかを搭載していることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項１６】
請求項１ないし請求項１５の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、表面除去加工装置の定盤は金属材質またはセラミックスの少なくともいずれかであることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項１７】
触媒基準平坦加工法又は請求項１ないし請求項１６の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置で加工したウェハか種結晶を少なくとも用いた発光素子かデバイスの少なくともいずれかを使用していることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項１８】
請求項1ないし請求項１７の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、照射する紫外線の波長帯域に対応した照射量測定又は総露光量測定用パーツを搭載または着脱可能になっている表面除去加工装置。
【請求項１９】
請求項1ないし請求項１８のいずれかに記載の表面除去加工装置において、加工動作の中で照射量測定を行えることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項２０】
請求項１ないし１９の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、表面除去加工装置はＵＶ搭載型研磨装置であることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項２１】
請求項１ないし２０の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、表面除去加工装置はＵＶ搭載型触媒基準平坦加工装置であることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項２２】
請求項１ないし２１の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、使用することを特徴とする触媒パッド。
【請求項２３】
請求項１ないし２２の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、使用することを特徴とする触媒。
【請求項２４】
請求項１から２３の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置の表面除去加工において、潜傷を加工前に比べて除去可能であることを特徴とする表面除去加工装置。
【請求項２５】
請求項１から２４の少なくともいずれかに記載のＵＶとＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工する化学薬品。
【請求項２６】
請求項１から２５の少なくともいずれかに記載のＵＶとＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工する化学薬品を用いたトレンチ表面加工装置。
【請求項２７】
請求項１から２６の少なくともいずれかに記載のＵＶとＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工するスラリーを用いた潜傷低減ＣＭＰ装置。
【請求項２８】
請求項１から２７の少なくともいずれかに記載のＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工する潜傷低減ＣＭＰスラリー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表面除去加工装置に関し、特に高精度に被加工物表面で化学反応が行える触媒基準平坦加工装置や化学反応装置やＣＭＰ装置に適用可能で、特に光電気化学反応を利用して加工速度を向上させた表面除去加工に関するものである。特に紫外線（ＵＶ）の照射部として発光素子である発光ダイオード（ＬＥＤ）を搭載した化学反応装置（触媒基準平坦加工装置やエッチング装置やＣＭＰ装置）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
研磨加工方法においてＧａＮ半導体基板等の被加工物の表面を原子レベルで平坦化できる触媒基準平坦加工（触媒基準エッチング）が注目されており、その加工速度を飛躍的に向上させる方法として、被加工物表面に紫外線を照射して加工のための酸化反応を促進する光電気化学（ＰＥＣ）反応を利用したものが知られている。
【０００３】
ところで、従来は紫外線の光源としてＨｇ−Ｘｅランプが使用されており、特許文献１の明細書［００４７］欄に記載されているように、定盤を、紫外線を通す石英ガラス製とし、定盤の下方に配置したＨｇ−Ｘｅランプから射出される紫外線を定盤内に通過させた後、定盤上に載置された触媒体（Ｐｔ膜付きラバーパッド）の貫通孔を通して当該触媒体に対向する被加工物の表面に紫外線を照射する構造としている。しかし、石英ガラスを使用した定盤は短波長に対応した石英素材ほど高価であるとともに、ヘッドに保持された特に大径の被加工基板を定盤上に十分な圧力で押し付けたい場合は厚みを厚くする必要がある。厚みが厚くなると短波長に対応した素材で対応した形状や表面に加工して仕上げる装置が限られてくるので高価になる。また紫外線の波長が短い場合、定盤は消耗品になる。一方で、コスト削減を考え定盤厚みが薄い場合は単位面積当たりの荷重を最適荷重で維持したくても破損するため押し付けられないという問題があった。また、紫外線ランプは水銀ランプが使用されている。水銀ランプは水俣条約によるＬＥＤへの置き換えの流れがある。今後、水銀ランプは生産が減ると予測される。水銀ランプにはＬＥＤを複数並べる場合に比べ、ある程度の範囲に対して均一な紫外光を得られるというメリットがあるが、環境に良くないのと今後は生産の縮小により、製造コストが上がるか数量が少ないと購入自体が出来なくなる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１１７７８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
水俣条約の関係で、従来法において使用していた水銀ランプをより効率よく使用するのか。水銀ランプを何らかのものに置き換える必要が出てきた。例えば水銀ランプ代替には発光素子が考えられる。しかし、照射範囲の狭い発光素子で水銀ランプなどのランプ光源の照射範囲をカバーしようとすると、発光素子を平面上に多数並べる必要があるが、発光素子は初期の出力時点で各個体間における光出力のバラツキが原子レベルの加工に使うには大きく、現状では大量に発光素子を製造し、光の出力を確認して出力のバラツキが無いものを集めるという方法を例えばとらないと、発光素子の発光量を均一に制御することは極めて困難である。またその場合においても光の照射エリアが替わるので、配置を考慮しなければならず。更に発光素子は現時点では使用していくと光が減衰するが、この減衰のタイミングを合わせることは困難という問題がある。また、被加工物表面の例えばトレンチ壁面（表面）を原子レベルで綺麗にしたいが、トレンチ壁面の穴は小さいのでどうやって加工したら効率よく加工できるのかという課題があった。現状は、半導体ウェハの場合には熱処理によるトレンチ壁面仕上げなどが候補としてあるが、トレンチ壁面に熱処理による材質変化が発生して本来の性能特性が出ないという課題が存在する。
【０００６】
そこで、本発明は光電気化学（ＰＥＣ）反応を利用した研磨加工において水銀ランプ代替の一例として発光素子などをどのように使用すると効率よく平坦に研磨加工できるのかという課題を解決する表面除去加工装置（エッチング装置や触媒基準平坦加工装置やＣＭＰ装置）を提供することを目的とする。特に発光素子に存在する各個体間の光出力バラツキ問題を解決できる触媒基準平坦加工やＣＭＰやエッチングで使用できる表面除去加工装置を提供することを目的とする。また、トレンチ壁面の加工で使用できる表面除去加工装置を提供することを目的とする。トレンチ壁面も平らでないと電子の流れが悪いからである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本第１発明は、加工起点を潜傷が増えること無く形成するための紫外線を局所的に被加工物の表面に照射する発光源と、当該発光源と前記被加工物の表面の少なくとも一方を互いに平行な状態で相対移動させる位置決め制御手段とを備え、形成した前記加工起点を化学反応で被加工物から除去することを特徴とする表面除去加工装置である。
ここで、「紫外線を局所的に被加工物の表面に照射する発光源」とは、被加工物の照射表面全面よりも小さい照射範囲、より具体的には単一の紫外線発光ダイオードの照射範囲程度の照射範囲を有する発光源をいう。「当該発光源と前記被加工物の表面の少なくとも一方を互いに平行な状態で相対移動させる」とは位置固定の被加工物に対して発光源を移動させるもの、位置固定の発光源に対して被加工物を移動させるもの、被加工物と発光源のどちらも位置決め動作で移動させるもの、のいずれであっても良い。
本第1発明は方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、加工起点を形成するための紫外線を局所的に被加工物の表面に照射する当該発光源と前記被加工物の表面の少なくとも一方を互いに平行な状態で相対移動させ、形成した前記加工起点を化学反応で被加工物から除去することを特徴とする。
本第１発明によれば、ランダムに紫外線を照射するのではなくて位置決め動作を行いながらＵＶ照射を行いＵＶ照射した被加工物表面を化学反応により潜傷を発生させること無く加工を行うことが出来る。位置決め制御することで除去対象面の加工除去量の正確な調整が可能となる。
【０００８】
本第２発明は、前記位置決め制御手段は、紫外線の入光量が前記被加工物表面の処理したい全ての部分でほぼ等しくなるように前記発光源か被加工物の少なくともいずれかを位置決めしつつ移動させるものである表面除去加工装置である。
本第２発明は方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、紫外線の入光量が前記被加工物表面の処理したい全ての部分でほぼ等しくなるように前記発光源か被加工物の少なくともいずれかを位置決めしつつ移動させることを特徴とする。
【０００９】
本第３発明は、前記位置決め制御手段は、前記被加工物表面のトレンチを形成する部分に対向する位置に前記発光源を位置決めするものである表面除去加工装置である。
本第３発明は方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、前記被加工物表面のトレンチを形成する部分に対向する位置に前記発光源を位置決めすることを特徴とする。
【００１０】
本第３発明によれば、被加工物表面の加工したいトレンチを形成する部分に位置決めしＵＶを照射することができる。
【００１１】
本第４発明は、被加工物の表面に化学反応に必要な液体を供給し、前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ光を照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射する発光源と、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を設けるために使用する表面除去加工装置である。
本第４発明は方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、被加工物の表面に化学反応に必要な液体を供給し、発光源から前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を、前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射し、前記発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるか、前記被加工物の表面を前記発光源に平行に相対移動させて被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を設けることを特徴とする。
【００１２】
本第４発明によれば、ランダムに紫外線を照射するのではなくて位置決め動作を行いながらＵＶ照射を行いＵＶ照射した被加工物表面を化学反応により潜傷を発生させること無く加工を行うことが出来る。位置決め制御することで除去対象面の加工除去量の調整が従来に比べて可能となる。
【００１３】
本第５発明は、被加工物の表面とパッドの表面との間に化学反応に必要な液体を供給し、被加工物の表面と、少なくともパッドの当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物ないし前記パッドの一方をその表面に平行な方向で少なくとも化学反応による平坦化が可能な量だけ移動させる表面除去加工装置において、前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ光を照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射する発光源と、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を設けるために使用する表面除去加工装置である。
本第５発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、被加工物の表面とパッドの表面との間に化学反応に必要な液体を供給し、被加工物の表面と、少なくともパッドの当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物ないし前記パッドの一方をその表面に平行な方向で少なくとも化学反応による平坦化が可能な量だけ移動させる表面除去加工方法において、発光源から前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射し、前記発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるか、前記被加工物の表面を前記発光源に平行に相対移動させて被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を設けることを特徴とする。
【００１４】
本第６発明は、被加工物の表面とパッドの表面との間に研磨反応に必要な液体を供給し、前記被加工物の表面と、少なくとも前記パッドの当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物ないし前記パッドの一方をその表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動させる表面除去加工装置において、前記被加工物の最表面に触媒反応の加工レートを向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する発光源である単一の発光素子と、当該単一の発光素子を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光素子移動手段か、前記被加工物の表面を前記単一の発光素子に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた表面除去加工装置である。
本第６発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、被加工物の表面とパッドの表面との間に研磨反応に必要な液体を供給し、前記被加工物の表面と、少なくとも前記パッドの当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物ないし前記パッドの一方をその表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動させる表面除去加工方法において、前記被加工物の最表面に触媒反応の加工レートを向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する単一の発光素子を、前記被加工物の表面に平行に相対移動させるか、前記被加工物の表面を前記単一の発光素子に平行に相対移動させることを特徴とする。
【００１５】
本第６発明によれば、ランダムに紫外線を照射するのではなくて位置決め動作を行いながらＵＶ照射を行いＵＶ照射した被加工物表面を化学反応により潜傷を発生させること無く加工を行うことが出来る。発光素子は複数同時使用する場合に発光素子ごとの初期におけるバラツキや経年による減衰の影響という問題が被加工物の表面除去においては課題となる。位置決め動作と発光素子を単一で使用することで均一に紫外線照射が可能になる。発光素子交換時には、交換前の発光素子と交換後の発光素子では加工量に変化が出る可能性がある。交換前後における表面の除去量の差を測定し、除去量を考慮したレシピを組むことで発光素子の複数同時使用に比べて、位置決め制御と単一の発光素子を使用の本発明は加工除去量調整が従来に比べて可能となる。または、光量を考慮してレシピを組めば発光素子の複数同時使用に比べて、位置決め制御と単一の発光素子を使用の本発明は加工除去量調整が従来に比べて可能となる。
【００１６】
本第７発明で、本第６発明と同じ加工原理を実現させるために1以上の発光素子が研磨加工装置には設けてあるが、被加工物の加工する最表面に化学反応を向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する際には同一の被加工物に対して単一の発光素子ごとにしか紫外線を照射しない発光素子と、前記発光素子を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光素子移動手段か、前記被加工物の表面を前記発光素子に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた表面除去加工装置である。
本第７発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、本第６発明と同じ加工原理を実現させるために1以上の発光素子が研磨加工装置には設けてあるが、被加工物の加工する最表面に化学反応を向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する際には同一の被加工物に対して単一の発光素子ごとにしか紫外線を照射せず、前記発光素子を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるか、前記被加工物の表面を前記発光素子に平行に相対移動させることを特徴とする。
【００１７】
本第８発明は、本第６発明と同じ加工原理を実現させるために単一の発光素子の照射エリア程度に光をレンズや発光素子の少なくともいずれかの取り付けの調節で集光し、前記記被加工物の最表面に研磨レートを向上させる加工起点を設ける紫外線を照射する発光源であるＵＶ集光部と、当該ＵＶ集光部を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるＵＶ集光部移動手段か、前記被加工物の表面を前記ＵＶ集光部に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかを設けた表面除去加工装置である。
【００１８】
本第９発明では、光を照射する前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部の少なくともいずれかと、前記被加工物との間に、前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部のそれぞれに対応させて他と独立の電極を設けて、当該電極に給電しつつＵＶを照射することによって被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を形成する表面除去加工装置である。
本第９発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、光を照射する前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部の少なくともいずれかと、前記被加工物との間に、前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部のそれぞれに対応させて設けた他と独立の電極につき、当該電極に給電しつつＵＶを照射することによって被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を形成する表面除去加工方法である。
【００１９】
本第９発明によれば、電極の使用再現性を向上させ、表面除去加工品質のばらつきを抑えることが出来る。ＵＶ照射時に電極を使用する箇所を1か所にすることでＵＶ光を通す場所で電気が再現性良く流れる可能性を上げた。ＵＶを同時に複数の箇所から照射する場合、ＵＶ照射時に電極を使用すると、同じようにＵＶ光が複数個所より照射されていても電極から電気が流れるところと流れが悪いもしくは流れない所が出来てしまった場合、流れているところで優先的に加工が進み加工ムラにつながる可能性があった、本発明であれば、再現性を1か所でしか消費しないことで少しでも向上可能性がある。
【００２０】
本第１０発明は、本第１発明ないし本第９発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、前記発光素子は使用すると光の出力が減衰していくものである表面除去加工装置である。
【００２１】
本第１１発明は、本第1発明ないし本第１０発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、前記単一の発光素子は前記発光素子を複数同時使用する加工方法に比べて発光素子自体から発せられる発熱量が抑えられるものであることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００２２】
本第１２発明は、本第１発明ないし本第１１発明に記載の表面除去加工装置において、複数の発光素子を一つの被加工物に対して複数個所から同時に照射して使用するのでは無く、単一の発光素子ごとに少なくとも使用し、発光素子の個体差による光出力のバラツキや、使用によって光の出力がバラバラのタイミングで減衰する現象による研磨加工時におこる光出力制御の困難性を改善していることを特徴とする発光素子を利用した表面除去加工装置である。
【００２３】
本第１３発明は、本第１発明ないし本第１２発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかは、被加工物の外周方向から被加工物の中心に向かう動作で相対移動を行い被加工物の中心で発光源をOFFにするか被加工物の中心を通り外周方向へ向かう動作で相対移動を行い被加工物の外周を通過するかの少なくともいずれかであることを特徴とする表面除去加工装置である。
本第１３発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、本第１発明ないし本第１２発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工方法において、前記発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるか、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させるかは、被加工物の外周方向から被加工物の中心に向かう動作で相対移動を行い被加工物の中心で発光源をOFFにするか被加工物の中心を通り外周方向へ向かう動作で相対移動を行い被加工物の外周を通過するかの少なくともいずれかであることを特徴とする。
【００２４】
本第１４発明は、本第１発明ないし本第１３発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させる発光源移動手段か、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させる被加工物移動手段の少なくともいずれかは、トレンチの穴を加工する際に、当該発光源をトレンチの穴に照射することを特徴とする表面除去加工装置である。
本第１４発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、本第１発明ないし本第１３発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工方法において、当該発光源を前記被加工物の表面に平行に相対移動させるか、当該被加工物の表面を当該発光源に平行に相対移動させるかは、トレンチの穴を加工する際に、当該発光源をトレンチの穴に照射することを特徴とする。
【００２５】
本第１５発明は、本第１発明ないし本第１４発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、厚み測定装置又は膜厚測定機能の少なくともいずれかを搭載していることを特徴とする表面除去加工装置である。
本第１５発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、本第１発明ないし本第１４発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工方法において、厚み測定又は膜厚測定の少なくともいずれかすることを特徴とする。
【００２６】
本第１５発明によれば、厚みまたは膜厚を測定し、測定結果を基に加工箇所を選ぶまたは、加工前後に測定実施し、測定結果を基に除去量を確認する。加工前後に測定実施し、測定結果を基に除去のされ方を確認することが可能である。
【００２７】
本第１６発明は、本第１発明ないし本第１５発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、表面除去加工装置の定盤は金属材質またはセラミックスの少なくともいずれかであることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００２８】
本第１７発明は、触媒基準平坦加工法又は本第１発明ないし本第１６発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置で加工したウェハか種結晶を少なくとも用いた発光素子か光透過部の少なくともいずれかを使用していることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００２９】
本第１８発明は、本第１発明ないし本第１７発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、照射する紫外線の波長帯域に対応した照射量測定又は総露光量測定用パーツを搭載または着脱可能になっている表面除去加工装置である。
本第１８発明は、方法としても実現でき、この場合の表面除去加工方法は、本第１発明ないし本第１７発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工方法において、照射する紫外線の波長帯域に対応した照射量測定又は総露光量測定の少なくともいずれかを行うことを特徴とする。
【００３０】
本第１８発明によれば、射量測定又は総露光量測定の少なくともいずれかを測定し、測定結果を基に紫外線の状態を確認することが出来る。
【００３１】
本第１９発明は、本第１発明ないし本第１８発明のいずれかに記載の表面除去加工装置において、加工動作の中で照射量測定を行えることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００３２】
本第２０発明は、本第１発明ないしホンダ１９発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、表面除去加工装置はＵＶ搭載型研磨装置であることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００３３】
本第２１発明は、本第１発明ないし本第２０発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、表面除去加工装置はＵＶ搭載型触媒基準平坦加工装置であることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００３４】
本第２２発明は、本第１発明ないし本第２１発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、使用することを特徴とする触媒パッドである。
【００３５】
本第２３発明は、本第１発明ないし本第２２発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、使用することを特徴とする触媒である。
【００３６】
本第２４発明は、本第１発明から本第２３発明の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置の表面除去加工において、潜傷を加工前に比べて除去可能であることを特徴とする表面除去加工装置である。
【００３７】
本第２５発明は、本第１発明から本第２４発明の少なくともいずれかに記載のＵＶとＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工する化学薬品である。
【００３８】
本第２６発明は、本第１発明から本第２５発明の少なくともいずれかに記載のＵＶとＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工する化学薬品を用いたトレンチ表面加工装置である。
【００３９】
本第２７発明は、本第１発明から本第２６発明の少なくともいずれかに記載のＵＶとＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工するスラリーを用いた潜傷低減ＣＭＰ装置である。
【００４０】
本第２８発明は、本第１発明から本第２７発明の少なくともいずれかに記載のＵＶ照射によって被加工物表面に形成される酸化物を加工する潜傷低減ＣＭＰスラリーである。
【００４１】
本第２９発明の表面加工装置は、紫外線を被加工物表面に照射する発光源と、前記発光源と前記被加工物表面を相対的に位置決めする位置決め制御手段と、発光源のオンオフを制御する発光制御手段とを備え、位置決め制御手段による位置決め動作と発光源のオンオフ動作を組み合わせて紫外線を被加工物の照射対象エリアに決められた時間ずつ照射することを特徴とするものである。
本第２９発明は方法としても実現でき、この場合の表面加工方法は、発光源と被加工物表面を相対的に位置決めする位置決め動作と、紫外線を前記被加工物表面に照射する前記発光源のオンオフ動作を組み合わせて紫外線を前記被加工物の照射対象エリアに決められた時間ずつ照射することを特徴とする。
【００４２】
本第３０発明の触媒基準平坦加工装置では、被加工物（Ｗ）の表面とパッド（６）の表面との間に触媒反応に必要な液体を供給し、前記被加工物（Ｗ）の表面と、少なくとも表面に触媒層を有する前記パッド（６）の当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物（Ｗ）ないし前記パッド（６）の一方をその表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動させる触媒基準平坦加工装置において、前記被加工物（Ｗ）の表面に紫外線を局所的に照射する発光源（９）と、当該発光源（９）を前記被加工物（Ｗ）の表面に互いにもしくはいずれかだけ平行に相対移動させる移動手段（２）を設ける。ここで、「紫外線を局所的に照射する発光源」とは、被加工物の照射表面全面よりも小さい照射範囲、より具体的には単一の紫外線発光ダイオードの照射範囲程度の照射範囲を有する発光源をいう。「移動手段」は発光源自体を移動させるものであっても、あるいはこれに対向する被加工物を移動させるも、あるいは発光源自体と被加工物を移動させるものであっても良い。
本第３０発明は方法としても実現でき、この場合の触媒基準平坦加工方法は、被加工物（Ｗ）の表面とパッド（６）の表面との間に触媒反応に必要な液体を供給し、前記被加工物（Ｗ）の表面と、少なくとも表面に触媒層を有する前記パッド（６）の当該表面とを互いに当接ないし近接させ、前記被加工物（Ｗ）ないし前記パッド（６）の一方をその表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動させる触媒基準平坦加工方法において、前記被加工物（Ｗ）の表面に局所的に紫外線を照射しつつ、当該発光源（９）を前記被加工物（Ｗ）の表面に互いにもしくはいずれかだけ平行に相対移動させることを特徴とする。
【００４３】
本第３０発明によれば、局所的に紫外線を照射する発光源を被加工物の表面に沿って互いにもしくはいずれかだけ相対移動させるようにしたから、複数の発光素子を面状に並べるのに比して各個体間の光出力のバラツキの問題を生じない。
【００４４】
本第３１発明の触媒基準平坦加工装置では、前記パッド（６）の表面はこれに対向する前記被加工物（Ｗ）の表面よりも大きく、前記発光源（９）は前記パッド（６）側に設けられて当該パッド（６）の表面に設けられた開口（６２）を経て前記被加工物（Ｗ）へ紫外線を照射するようになっている。
【００４５】
本第３１発明の触媒基準平坦加工装置では、前記パッド（６）は定盤（３）側に設けられており、前記被加工物（Ｗ）は前記定盤（３）に対向して位置させられたホルダ（７）に保持されている。
【００４６】
本第３２発明の触媒基準平坦加工装置では、前記定盤（３）はその面に平行な方向へ往復直線移動可能となっており、前記ホルダ（７）は前記定盤（３）に垂直な軸周りに回転可能となっている。
【００４７】
本第３２発明においては、いわゆる小振幅振動型の触媒基準平坦加工装置において本発明を適用することができる。
【００４８】
本第３３発明の触媒基準平坦加工装置では、前記定盤（３）はその中心回りに回転可能となっており、前記ホルダ（７）は前記定盤（３）に対して偏心した位置で当該定盤（３）に垂直な軸周りに回転可能となっている。
【００４９】
本第３３発明においては、従来広く使用されている、触媒基準平坦加工装置において本発明を適用することができる。
【００５０】
本第３４発明の触媒基準平坦加工装置では、前記パッド（６）の表面はこれに対向する前記被加工物（Ｗ）の表面よりも小さく、前記発光源（９）は前記パッド（６）側に設けられて前記被加工物（Ｗ）へ直接紫外線を照射するようになっている。
【００５１】
本第３４発明においては、一般平坦加工後の被加工物の表面を部分的にさらに平坦加工する等の用途に本発明を適用することができる。
【００５２】
本第３５発明のハンド具では、前記被加工物（Ｗ）の下面中心を吸着支持する吸着支持部（８３）と、当該吸着支持部（８３）から前記被加工物（Ｗ）の径方向へ延びる直線の両側位置に設けられてより大径の被加工物（Ｗ）の下面外周部を支持する一対の支持部（８６，８７）とを備える。
【００５３】
本第３５発明のハンド具によれば、一台で小型から大型までの被加工物を良好に搬送することができる。
【００５４】
本第３６発明のハンド具では、細幅長尺の第１半部（８１）の先端近くに前記吸着支持部（８３）が設けられるとともに、前記第１半部（８１）の基端に続く広幅の第２半部（８２）に前記一対の支持部（８６，８７）が設けられている。
【００５５】
本第３６発明のハンド具によれば、第１半部を細幅長尺としたので、例えば加工状態を検査する検査定盤にハンド具を挿入する際の検査定盤の切欠きを最小にすることができるから、検査定盤上へ搬送した被加工物を安定的にこれに載置することができる。
【００５６】
上記カッコ内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を参考的に示すものである。
【発明の効果】
【００５７】
以上のように、発光素子を使用した場合においても被加工物の表面除去加工で使用できる程度に発光素子に存在するＵＶ光の出力バラツキ問題を安価に解決する。具体的には、前記被加工物の表面に化学反応によるレートを向上させる加工起点を設けるための紫外線を前記被加工物表面にランダムな加工動作を行いつつ光を照射するのではなく、被加工物表面の必要箇所に計画的な動作で照射することで被加工物の表面除去加工で使用できる程度に発光素子に存在する光出力バラツキ問題も緩和することができる。また、本発明の表面除去加工装置によれば、発光素子に存在する各個体間の光出力バラツキ問題を解決することができる。更にトレンチへの加工も効率よく行えるようになる。また、ＵＶ光透過用素材である石英やフッ化カルシウムやサファイアなどの小型化が可能である。光の波長は短波長になるほどＵＶ光透過用素材は消耗品になるが、具体的には市販で量産されている半導体用ウェハ２インチや3インチの物を使用することでコストを大幅に下げることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】触媒基準平坦加工装置の部分断面側面図である。
【図２】定盤上に設けられた容器の平面図である
【図３】図２のII−II線に沿った断面図である。
【図４】定盤の裏面図である。
【図５】パッドの部分拡大平面図である
【図６】ハンド具の全体平面図および全体側面図である。
【図７】ハンド具で被加工基板を搬送する際の平面図である。
【図８】ハンド具でホルダに被加工基板を搬送した状態を示す側面図である。
【図９】電極の設置状態を示す部分拡大断面図である。
【図１０】ハンド具で検査定盤に被加工基板を搬送した状態を示す平面である。
【図１１】図１０のXI−XI線に沿った断面図である。
【図１２】ハンド具の他の例を示す平面図である。
【図１３】電極の他の設置状態を示す断面図である。
【図１４】触媒基準平坦加工装置の他の例を示す要部斜視図である。
【図１５】トレンチ穴に対しＵＶ援用ケミカルエッチングを行う場合の一例を示す概念的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５９】
なお、以下に説明する実施形態はあくまで一例であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で当業者が行う種々の設計的改良も本発明の範囲に含まれる。
【００６０】
［平坦加工装置の実施形態］  
図１には表面除去加工装置の一例である触媒基準平坦加工装置の垂直断面図を示す。図１において、基台１上に平行レール１１が設けられ、当該平行レール１１上にこれに沿って図１の左右方向へ移動可能に矩形の発光素子移動手段としての支持板２が架設されている。支持板２上には平行レール１１と直交する方向へ三本のレール２１が等間隔で平行に設けられ、これらレール２１上にこれに沿って図１の紙面前後方向へ移動可能に矩形の定盤３が架設されている。なお、支持板２の左右方向への移動は図略のボールねじによって行われる。また、紙面前後方向への定盤３の移動は、例えば特開２０１７−１５９４３０号公報に示されているカム機構によって往復動として行われる。
【００６１】
定盤３上には矩形周状の枠壁４１（図３参照）と底壁４２を備えた、上方へ開放する容器４が載置されている。容器４内には超純水等の加工液Ｌが貯留されている。なお、加工液Ｌは供給パイプ５１によって容器４内に所定量が供給されるとともに排出パイプ５２によって所定量が排出されて、容器４内の加工液Ｌの液位が一定に保たれている。
【００６２】
加工液Ｌに浸漬された容器４の底面上には補助板４３が設けられて、その上面に公知の触媒層を形成した一定厚のゴム材や樹脂材や金属材等のパッド６が設けられている。補助板４３は図２に示すように容器４の内周に沿った横長矩形の板体であり、パッド６は補助板４３より幅が小さく長さがやや短い同様の横長矩形の板体である。なお、補助板４３は容器４内からパッド６を取り出すに際しての当該パッド６の損傷を防止してその再利用を可能するためのもので、容器４の底壁４２にねじ止め等によって取り外し可能に固定されている。パッド６の上面には加工液Ｌの流通を保証するための長手方向へ延びる多数の平行溝６１が形成されており、当該上面には全面にＰｔ等の触媒層が形成されている。なお、定盤３の前縁（図２の下縁）中央に設けられた丸穴３１はカム機構を連結するためのものである。
【００６３】
パッド６の左半部の略中央位置に円形の貫通孔６２が設けられており、当該貫通孔６２は図３に示すように、補助板４３を下方へ貫通して容器の底壁４２内に至っている。そして、貫通孔６２が到達した底壁４２内には紫外線を貫通孔６２内に向けて上方へ射出する発光素子たる発光ダイオード（ＬＥＤ）９が貫通孔６２の下端に設置されている。そして、底板４２の貫通孔６２部分は光透過性の石英やフッ化カルシウムやサファイア等の透過性を有する物で閉鎖されている。
【００６４】
ＬＥＤ９への電源線（図示略）は容器４の底壁４２内に側方へ延設した配線溝４２１（図４）内に敷設される。なお、上記貫通孔６２の形成位置は図５に示すように、貫通孔６２の一部が平行溝６１に連通するような位置としても良いし、あるいは隣接する平行溝６１の間に位置するようにしても良い。あるいは溝幅が十分であれば平行溝６１内に貫通孔６２の上端が開口するようにしても良く、このようにできれば、後述する被加工基板への紫外線の照射と被加工基板の平坦加工をパッド６の領域で行うことができる。
【００６５】
図１に示すように、容器４内には上方から主軸７１が挿入されてその先端（下端）に公知の円形のホルダ７が設けられて、当該ホルダ７に被加工物として被加工基板Ｗが保持されている。ホルダ７の直径はパッド６の短辺（図２における縦辺）よりも短く、ホルダ７およびこれに保持された被加工基板Ｗの表面（図１の下面）はパッド６の表面（上面）よりも小さい。主軸７１は図略の駆動機構によって回転可能であるとともにその軸方向（図１の上下方向）に移動可能である。なお、ホルダはセラミックスや金属材以外にポリカーボネート等の樹脂材が使用できるが、この場合にはリテーナ部分を含むホルダの表面を白金膜等で覆って紫外線に対する耐性を向上させることが好ましい。
【００６６】
被加工基板Ｗに紫外線を照射する場合には、ホルダ７をパッド６の上面から適当距離離れた上方に位置させる。ホルダ７を回転させる。平面視で図２のＡ位置がホルダ７と重なるように例えばC位置からＡ位置に向けて平行レール１１上の支持板２がボールねじにより移動し、ＬＥＤ９に通電する。なお、Ａ位置は、被加工基板Ｗの外周縁が上記貫通孔６２に一致する位置である。ＬＥＤ９に通電して貫通孔６２を経て紫外線を被加工基板Ｗの表面（下面）に照射した状態でボールねじによって支持板２を右方へ平面視で図２のＢ位置がホルダ７と重なるように移動させる。これにより、パッド６に対してホルダ７（被加工基板Ｗ）は相対的に左方へ移動するから、この移動をＡ位置からＢ位置まで行う。Ｂ位置は被加工基板Ｗの中心が上記貫通孔６２に一致する位置である。
【００６７】
この間、被加工基板Ｗは回転しているから、結局、被加工基板Ｗの表面全面に紫外線が照射されることになる。この際、被加工基板Ｗの周速は、同一回転速度だと中心から外周へ行くほど速くなるから、紫外線照射の効果を被加工基板全面で均一にするためには、Ａ位置からＢ位置へ行くにしたがって被加工基板Ｗの回転速度を上げるようにする。被加工基板Ｗの回転速度は最初直ぐには上がらないからこのようにした方が制御的好ましいが、Ｂ位置からＡ位置へ移動するようにして被加工基板Ｗの回転速度を移動に応じて下げるようにしても良い。もちろん、この場合、被加工基板Ｗの回転速度を一定にして、Ａ位置からＢ位置へ行くにしたがってその移動速度を早くするようにしても良い。また、Ｂ位置からＡ位置へ行くにしたがって支持板２の移動速度を遅くするようにしても良い。例えばＢ位置からＡ位置へ行くにしたがって支持板２の移動速度を遅くする場合は、支持板２を右方へ平面視で図２のＢ位置よりもホルダ７が左の位置から移動させる。目標速度でホルダ７がＢ位置へ、B位置でＬＥＤ９に通電する。B位置を通過しＢ位置からＡ位置へ行くにしたがって支持板２の移動速度を遅くし、Ａ位置でＬＥＤ９を消すことで、均一にＬＥＤ９の紫外線を被加工物に照射可能である。
【００６８】
このようにして、被加工基板Ｗの全面に紫外線を照射し終えた後は、ボールねじによって支持板２を左方へ大きく移動させ、パッド７に対してホルダ６を相対的に大きく右方へ移動させて被加工基板ＷをＣ位置へ到達させる。Ｃ位置は平面視でパッド６の右半部内にあり、この位置では貫通孔６２は被加工基板Ｗの表面直下領域から外方へ外れる。
【００６９】
この状態の後で以下平坦加工工程を行う。すなわち、被加工基板Ｗがパッド６の上面に近接ないし当接するまでホルダ７を下降させる。定盤３を図１の紙面前後方向（図２の上下方向）へ往復動させる。これにより、加工液Ｌの存在下でパッド６の触媒層と接触する（近接する）被加工基板Ｗの表面がパッド６に対し相対移動させられる間に加水分解によりエッチングされて平坦化が進行する。なお、加水分解によりエッチングと記載したが例えばフッ化水素酸などを加工液で使用した場合などその限りでは無い。
【００７０】
なお、この平坦加工中に一定速度でホルダ７を回転させても平坦加工の均一性がさらに向上する。ある程度の範囲で支持板３を左右動させれば平坦加工の均一性がさらに向上する。上述の紫外線照射工程と平坦加工工程は被加工基板をＣ位置からＡ位置へ戻して所定時間ごとにＡ位置→Ｂ位置→Ｃ位置へと交互に繰り返される。繰り返し移動はＡ位置→Ｂ位置→Ｃ位置の順番でなくても上記加工が達成できる動作であれば良い。
【００７１】
本実施形態によれば、既に提案されている小振幅振動型の触媒基準平坦加工装置（例えば特許第６１２７２３５号）の基本構造をそのまま利用して本発明を容易に実現することができる。
【００７２】
［ハンド具の実施形態］
図６（１）、（２）はそれぞれ、上述した化学反応装置（触媒基準平坦加工装置やエッチング装置等）で使用できるハンド具８の一例を示す平面図および側面図である。ハンド具８は全体がセラミクスや金属の板状体で、その細幅に延びる長尺の第１半部８１と当該第１半部８１の基端からやや傾斜させつつ漸次広幅にした第２半部８２とから構成されている。第１半部８１の先端部は上方へやや厚みを増して吸着支持部８３となっており、吸着支持部８３の上面には円形の吸引口８４１が開口している。この吸引口８４１は第１半部８１内と第２半部８２内の中央を貫通して長手方向へ形成された吸引路８４の一端に連通しており、吸引路８４の他端は第２半部８２の下面に開口（符号８４２）して、ここに負圧源に至るチューブ（図示略）が連結される。チューブの途中には吸着ないしその解消を行うための切替弁が設けられる。なお、吸引口８４１はポーラス状であっても良い。
【００７３】
ハンド具８の第１半部８１の基端中央位置に上方へやや厚みを増した円形台状の支持部８５が設けられるとともに、第２半部８２の中央に対し対称位置で、第２半部８２の内側縁に沿った両外側位置には上方へやや厚みを増した円形台状の一対の支持部８６，８７が形成されている。さらに第２半部８２の板面には４か所にロボットハンド等の移動機構へハンド具８を固定するための取付穴８８が設けられている。なお、上記吸引口８４１の周囲にゴムや樹脂（具体例としてバイトンゴムやウレタン樹脂）等のクッション材を設けても良い。支持部８５，８６，８７もゴムや樹脂等のクッション材を設けても良い。また支持部８５〜８７自体をクッション材で構成するようにしても良い。第１半部８１の先端部は上方へやや厚みを増して吸着支持部８３となっておりと記載したが、第１半部８１の先端部は上方へ厚みを増すことなく、代わりに、クッション材で同様な形状を構成して吸着支持部８３を形成しても良い。支持部８５，８６，８７の形状は円形でなく四角や環状扇形などでも任意で良い。
【００７４】
このようなハンド具８で被加工基板Ｗを搬送する場合には、図７に示すように、例えば２インチ基板Ｗ１あるいは４インチ基板Ｗ２はいずれもその被加工面の中心を吸着支持部８３で吸着支持した状態で、図８に示すように平坦加工装置のホルダ７へ搬送し公知の構造で保持させる。また、６インチ基板Ｗ３（図７）はその被加工面の中心を吸着支持部８３で吸着支持するとともに外周の一か所を支持部８５で支持させた状態で平坦加工装置のホルダ７へ搬送する。さらに、８インチ基板Ｗ４の場合は、その被加工面の中心を吸着支持部８３で吸着支持するとともに外周の３か所を支持部８５，８６，８７で支持させた状態で平坦加工装置のホルダ７へ搬送する。なお、この場合、支持部８５で支持することは必須ではない。
【００７５】
このように本実施形態のハンド具８によれば、小径から大径まで広い範囲の被加工基板Ｗ１〜Ｗ４の搬送を一台で行うことができる。なお、被加工基板の吸着は負圧（真空）吸着以外に静電気吸着等を使用することができる。
【００７６】
［電極設置の実施形態］
平坦加工時に、被加工基板Ｗの被加工面に紫外線を照射すると同時にここに電界を印加すると、ある種の被加工基板Ｗでは加工効率が向上することが知られている。この場合は、被加工基板Ｗの背後のホルダ７内に公知の構造で一方の電極（面電極）を設けるとともに、ホルダ７と対向するパッド６側に他方の電極を設ける。他方の電極の一例を図９に示す。図９に示すように、パッド６が接合された補助板４３の板面に貫通孔６２に通じる溝４３１を形成して、この溝４３１内に貫通孔６２を横切るように白金線等の線状電極９１を通す。
【００７７】
［平坦加工装置の他の実施形態］
上記実施形態の平坦加工装置では紫外線照射時にホルダ７すなわち被加工基板Ｗを回転させ、支持板２すなわち発光ダイオード（ＬＥＤ）９を直線移動させるようにしたが、ＬＥＤ９は位置固定とし、被加工基板Ｗを回転と同時に直線移動させるようにしても良い。照射対象エリアが過ぎたらＬＥＤ９をＯＦＦにしても良い。
【００７８】
あるいは、紫外線照射時にはＬＥＤ９を位置固定とし、被加工基板ＷをＬＥＤ９に対向する平面内で互いに直交するＸ−Ｙ軸方向へ移動させるようにしても良い。さらには、被加工基板Ｗを位置固定とし、ＬＥＤ９発を被加工基板Ｗに対向する平面内で互いに直交するＸ−Ｙ軸方向へ移動させるようにしても良い。照射対象エリアが過ぎたらＬＥＤ９をＯＦＦにしても良い。
【００７９】
本発明は小振幅振動型の触媒基準平坦加工装置にのみ適用されるものではなく、従来の大径定盤（パッド）の周面に小径のホルダ（被加工基板）を対向させた構造の触媒基準平坦加工装置（例えば特開２００７−２８３４１０号等）にも適用することができる。この場合には、図１４に示すように、回転を止めて静止させた大径定盤１１１の周面の一か所に紫外線（ＵＶ）発光ダイオード（ＬＥＤ）１１２を埋め込み、紫外線照射時には位置固定のＬＥＤ１１２に対してホルダ（被加工基板）１１３を回転および平行直線移動させる（図１４中の矢印）。紫外線照射後の平坦加工時にはホルダ（被加工基板）１１３を大径定盤（パッド）１１１に当接ないし近接させて通常通りに被加工基板とパッドを同時に回転させる。
【００８０】
この場合、紫外線照射時にはホルダ（被加工基板）を回転させ、大径定盤（パッド）を平行直線移動させるようにしても良い。あるいはホルダ（被加工基板）を平行直線移動させ、大径定盤（パッド）を回転させるようにしても良い。照射対象エリア以外では同じ光量を被加工物表面に照射する目的でＬＥＤをＯＦＦにしても良い。なお、ＬＥＤを回転及び平行直線移動しても良い。
【００８１】
上記実施形態では相対的に大きなパッド６の上面に相対的に小さな被加工基板Ｗの表面を対向させて被加工基板Ｗ全面の平坦加工を行う場合について説明したが、被加工基板Ｗにおける平坦加工の状態を検査し、検査定盤に載置した被加工基板Ｗの表面に対してこれよりも相対的に表面の小さいパッドを上方から対向させて、検査結果に基づき被加工基板Ｗの局所的な触媒基準平坦化を行うような場合にも本発明を適用することができる。この場合には紫外線発光ダイオード（ＬＥＤ）を上方のパッド側に設けて被加工基板Ｗの表面に対向させ、ＬＥＤからパッドを当接ないし近接させる被加工基板Ｗの表面部分に紫外線を直接照射するようにする。平坦加工装置の他の実施形態についても平坦加工装置の実施形態と同様に紫外線照射と加工動作は必要にあわせて繰り返しても良い。
【００８２】
［ハンド具の他の実施形態］
上記実施形態で説明したハンド具８は、平坦加工後の被加工物（基板）Ｗを検査機に搬送する場合にも使用できる。この場合には被加工物（基板）Ｗの被加工面を上にしてその背面中心を吸着支持部８３で吸着支持し、図１０、図１１に示すように検査定盤１０に形成した、ハンド具８の外形に沿った形状の切欠き１０１内に水平方向外方からハンド具８を挿入しつつ検査定盤１０上に被加工物（基板）Ｗを置く。本実施形態のハンド具８によれば、先端半部を細幅長尺の第１半部８１としたから、検査定盤１０の切欠き１０１の面積を小さくすることができ、様々なサイズの被加工基板Ｗの精密な平坦加工状態（エピ等の膜厚や表面粗さや傷の有無、表面の成分や汚れ具合）を検査するのに有利である。理由は、被加工物表面にあるエピの膜厚や表面粗さや表面の成分や汚れ具合を測定したい場合に、被加工物（基板）Ｗをロボットで搬送する時、被加工物の測定する表面にハンド具を接触させて搬送する方式だと、被加工物表面がハンドの吸着支持部８３や支持部８５，８７のような部分に接触し、汚染して測定結果に影響が出る。
そこで、ハンド具を接触させて搬送する搬送では被加工物の側面か背面を保持して搬送する必要が出てくる。側面か裏面の保持という２択であれば検査定盤１０からみれば被加工物の側面を公知の手段で保持し搬送する方式が、検査定盤１０への切欠き１０１部分の形状が最少で済み、また被加工物の下に切り欠きがある状態が減らせるので測定にとっては理想的である。ところが、側面保持には、被加工物（基板）Ｗの２インチなら２インチ、４インチなら４インチ、６インチなら６インチ、８インチなら８インチ専用のハンド具が搬送には必要である。様々なサイズ形状の被加工物（基板）Ｗをロボット搬送で検査定盤１０へ移動させて測定をしたい場合、そのサイズ形状分（半導体ウェハであれば各インチ分）だけ搬送ロボを準備するか。装置を止めてハンド具を交換する必要がある。ハンド具を交換するにしても交換後にロボット搬送の場合は干渉しないか動作チェックが必要になる。ハンド具を頻繁に変えるのは現実的ではない。
そこで、本発明のハンド具である。様々なサイズの被加工基板Ｗの精密な平坦加工状態を検査（エピ等の膜厚や表面粗さや傷の有無、表面の成分や汚れ具合）するのにどう有利なのかといえば、本発明のハンド具であればハンド具８の第１半部８１が例えば２インチ用の幅になっている。下から保持する方式であれば側面をチャックする方式ではないので被加工物（基板）Ｗが４インチでも第１半部８１の幅で搬送対応可能である。この時、検査定盤１０への切り欠きは４インチサイズまでに対してであれば、２インチ用の切欠き１０１で良いことになる。２インチ被加工物（基板）Ｗからしてみたら被加工物（基板）Ｗが載っている部分の査定盤１０には２インチ用の切欠きしかないので、通常の被加工物（基板）Ｗの下側から保持する方式と切欠き１０１は差が無い。ところが、本発明は４インチ以降４インチでも２インチ専用に必要な切欠き１０１と細い切欠き１０１しか４インチの被加工物（基板）Ｗが載ってくる部分には無い。６インチ用に検査定盤１０へ切欠き１０１は形成しても４インチが載っている部分に６や８インチやそれ以降のインチ用に特別に切欠きを設けていないので、４インチや２インチの測定の際に影響が出ない構造になっている。６インチ用や８インチ用も４インチ同様で８インチ用に切欠きが広がっているが、６インチの被加工物（基板）Ｗが８インチ用に用意している切欠きの影響を受けないように設計されている。インチサイズが大きくなっても同様である。本発明のハンド具であれば、どのインチでも1つのハンド具で対応可能になっている。被加工物（基板）Ｗのサイズ変更に合わせてハンドの形状を変更する必要が無い。ハンドの移動も変更する必要が原則無い。理由は背面中心を吸着支持部８３で吸着支持して検査定盤１０の中心へ搬送しているからである。同じ移動動作で被加工物（基板）Ｗの各形状に対応可能だからである。
そして、本発明の検査定盤１０は本発明のハンド具８形状に合わせ切欠き１０１を設けている。だから、被加工物（基板）Ｗの裏面から保持する方式でも、公知の先端が広がっているＹのような形状のハンド具やIのような真っすぐの形状と異なり、各サイズに対応可能であるが、検査定盤１０の切欠き１０１を最小限にとどめることが出来る。
同じ被加工物の下から保持する方式でも、Ｙのような形状のハンド具やIのような真っすぐの形状のハンド具では本発明程度に最少の範囲の切欠き１０１に抑えることは出来ない。ＹもＩ形状も検査定盤１０に被加工物（基板）Ｗを置いてからハンド具８を引き抜く動作を考えると、どうしても本発明のように少ないスペースに切欠き１０１を抑えることが出来ないため、本発明ほど様々なサイズの被加工基板Ｗの精密な平坦加工状態を検査するのに有利といえないからである。ちなみにI形状は被加工物が大きくなると搬送中の風などの外力の影響でIをある程度、例えば本発明の８６や８７程度の幅にしないと被加工物が搬送中に落ちるリスクが存在する。よって、切欠き１０１スペースを考えれば本発明のハンド具は公知のハンド具に比べて様々なサイズの被加工基板Ｗの精密な平坦加工状態（エピ等の膜厚や表面粗さや傷の有無、表面の成分や汚れ具合）を検査するのに有利である。
【００８３】
また、図１２に示すように、第１半部８１の先端を吸着支持部８３よりもさらに延ばしてここに支持部８５〜８７と同様の新たな支持部８８を設けるようにしても良く、このようにすると搬送の際に被加工物（基板）Ｗに対し８３を中心に８８方向側へ押されるような力が風などでかかった時に８８方向へ倒れて被加工物（基板）Ｗが落ちるのを防止することが出来る。特に被加工物（基板）Ｗが大口径になるほど倒れ込む力がモーメント方向で効いてくるので有効である。被加工基板Ｗを吸着してハンド具８を検査定盤１０の切欠き１０１から引き出すまでより安定的に被加工基板Ｗを搬送することができる。なお、本発明の検査定盤１０は本発明のハンド具８形状に合わせて切欠き１０１を設けているが、ハンド具８が抜き差しできれば使用可能なので必ずしもハンド具８の形にそっていなければならないという事では無い。例えば、ハンド具８は第１半部８１の基端からやや傾斜させつつ漸次広幅にした第２半部８２とから構成されている、と記載したが（［００７２］欄）その形にそって定盤１０が傾斜していなくても使用に問題なければそういう形状でも良い。また、ハンド具８自体も傾斜していなくても良い。
【００８４】
［電極設置の他の実施形態］
上記実施形態で説明した他方の電極の他の例としては、図１３（１）に示すようにパッド６と補助板４３の間に金属箔４４（ないし薄板や線）を挟み、あるいは補助板４３の表面に金属膜を成膜して電極とする構造、又は図１３（２）に示すようにパッド６下方の補助板４３を上下に凹凸二分してこれらの間に金属箔４５（ないし薄板や線）を挟み、あるいは補助板４３の二分した凸面ないし凹面に金属膜を成膜して電極とする構造、さらには図１３（３）に示すように補助板４３を上下の平板に二分してこれらの間に金属箔４６（ないし薄板や線）を挟み、あるいは二分した補助板の一方に金属膜を成膜して電極とする構造等が採用できる。金属箔４４〜４６（ないし薄板）を使用した場合に、これらに設ける開口を貫通孔６２の径よりもやや小さくして、金属箔４４〜４６（ないし薄板）の開口周縁が貫通孔６２内に露出するようにしても良い。
【００８５】
［トレンチへの加工やケミカルエッチングやＣＭＰの実施形態］
被加工物かＵＶの少なくともいずれかを移動し被加工物の表面へＵＶを照射する技術を応用し、トレンチ穴へＵＶを照射することでトレンチ穴の壁面や底面の表面を酸化させることが出来る。位置決め移動と酸化表面を優先的に溶かす薬品を用いることでトレンチ穴に対しＵＶ援用ケミカルエッチングが行える。すなわち、図１５に示すように、加工液Ｌを貯留した容器４の底壁上に被加工基板（被加工物）Ｗが被加工面を上方に向けて設置されており、その上方に図略の位置決め制御機構に支持されて三次元空間内で移動可能なヘッド１００が位置している。ヘッド１００には下方へ開口する凹所１３０が形成されて、当該凹所１３０の底壁に、下方の被加工基板Ｗに形成された所定のトレンチ穴に向けてＵＶを照射するＵＶＬＥＤ９が設けられている。上記凹所１３０の開口は光透過窓１２０で閉鎖されて、飛散する加工液ＬからＵＶＬＥＤ９を保護している。なお、光透過窓１２０は必須のものではない。なお、ヘッド１００の凹所１３０の開口周囲には所定厚のパッドやクッション層１１０が形成されて被加工物Ｗにヘッド１００が衝突することがあってもその際の衝撃を緩和している。また、容器４の側壁には排液口５３が設けられている。
例えば、SiCの場合は、電気を加えながらＵＶを照射するとトレンチ穴の最表面がSiO2になる。このSiO2を化学的に溶かす目的でHFやKOHを使うことでトレンチ穴へのＵＶ照射援用加工を効果的に行うことが出来る。被加工物はトレンチ穴であれば材質はSiCに限定ざれない。特にＵＶ照射前の材質とＵＶ照射後の材質で比べたときにＵＶ照射後の方が化学反応で効率よく加工できる材質であればよい。この方法であればトレンチの壁面や底面に出来た加工変質層を潜傷が発生すること無く除去可能である。
【００８６】
本発明は化合物、GaNやSiCや三元混晶や四元混晶など複数の原子が規則正しく並んでいる被加工物に対して潜傷を発生させずに必要回数だけＵＶ照射したところを溶かせるので有利である。
【００８７】
被加工物かＵＶの少なくともいずれかを移動し被加工物の表面へＵＶを照射する技術を応用し、ＣＭＰによる表面加工を行っても良い。この場合ＣＭＰスラリーは例えば、被加工物が化合物半導体、GaNやSiCや三元混晶や四元混晶など複数の原子が規則正しく並んでいる被加工物に対して有効で、一例としてSiCの場合、加工初期はSiC用のスラリーを使用して表面を平らにし、平らになった後、ＵＶを援用してSiO2用のスラリーを用いる。この本発明の加工法のメリットは、ＣＭＰとはそもそも被加工物表面をＣＭＰで使用するスラリーの液体で化学的に柔らかくして、溶けていない層には傷が入りにくいが柔らかくなった最表面のみを削れるような硬さと大きさの超微粒子を選定して用いることで最表面のみを優先的に除去している。そうすることでメカニカルポリッシング(砥粒による物理的な切削)のみ程に潜傷が被加工物に入りにくいようにしている。そこで、本発明はその技術をさらに応用する。具体的には、加工初期は被加工物用のスラリーを使用して表面を平らにし、平らになった後、表面をＵＶ照射して酸化させ、被加工物では無くて酸化した表面を加工する目的でＣＭＰスラリーを選定し使用する。そうすると、例えばSiCでメカニズムを説明すると、SiCの表面はＵＶにより酸化してSiO2に、中の層はSiCのままである。この状態で、本発明の酸化物用スラリーを用いることでSiO2が除去できる。この時、酸化物用ＣＭＰスラリーはスラリーに含まれる超微粒子がランダムで凝集する可能性がある。しかし、凝集しても酸化物用スラリー（この例の場合は、ＵＶ照射により出来たSiO２の柔らかくなった表面を除去する目的）用なのでＵＶ照射したSiO2に潜傷が入っても除去対象面であり、被加工物の目的面（この例の場合SiC）には潜傷が従来の（この例の場合SiC用）ＣＭＰスラリーのみを使用したＣＭＰに比べて被加工物に潜傷を発生しない。また、従来の（この例の場合SiC用）ＣＭＰスラリーとＵＶを照射する組み合わせに比べて被加工物に潜傷を発生しない。ＣＭＰスラリーを使用すると光透過部もＣＭＰスラリーで溶ける可能性が高い。そこで、光透過部はＣＭＰスラリーで研磨する場合は、研磨部と分けてＵＶ照射スペースが設けられていると良い。ＵＶ照射スペースにスラリーの成分が混ざりにくいようにするためにＵＶ照射スペースに超純水を入れて被加工物についたスラリーを薄める。又は、ＵＶ照射スペースに移動する前に被加工物表面を超純水で洗っても良い。ＵＶ照射スペースの超純水はかけ流しが好ましい。本発明の加工方法は特に、被加工物が化合物半導体、GaNやSiCや三元混晶四元混晶など複数の原子が規則正しく並んでいる被加工物に対して有効である。GaNの場合はＵＶ照射により酸化ガリウムになる。潜傷が低減できるという事は従来法であるＣＭＰのみや単なるＵＶとＣＭＰに比べて、本発明のＵＶ照射後の表面の材質に注目した酸化物用スラリーとＵＶを用いた潜傷低減ＣＭＰ装置の方が被加工物の不良発生率を下げることが可能である。
【００８８】
なお、本発明における被加工物は、被加工基板に限らない。任意形状で構わない。半導体基板のように薄い物、小さい物、長尺、大きい物、円柱、四角、円柱、桶のような形、凹凸形状、穴、３Ｄ形状などや加工対象表面や形状は任意形状で構わない。被加工物も、表面をＵＶによって酸化させられる触媒基準平坦加工装置やエッチング装置やＣＭＰ装置の少なくともいずれかで加工できる物であれば何でもよい。
【００８９】
なお、ＣＭＰの場合、研磨パッドはウレタンやエポキシ樹脂など公知の研磨パッドで良く触媒が表面についている必要は無い。クッション層が研磨パッドに付いていてもかまわない。研磨パッドの溝形状は回転方式の場合には円溝、格子溝、螺旋溝、貫通穴、それらの組み合わせでも構わない。小振幅方式は直線溝が好ましい。
【００９０】
本発明のＵＶＬＥＤは、ＵＶによる関連部材の劣化を照射部がＵＶランプの場合に比べ単一のＵＶＬＥＤは小さくなったことで加工時に関係の無いところへ光が当たるのを抑えることが加工装置の動作制御次第で可能である。また、ＵＶ照射ＯＮとＯＦＦを切り替えても寿命に影響がＵＶＬＥＤはＵＶランプに比べて出にくいので容易にＯＮとＯＦＦを繰り返すことが出来るため、加工時に関係の無いところへ光が照射されないようＯＦＦにすることで光が当たるのを抑えることが出来る。
【００９１】
ＵＶ照射部はパッドが無いところにあっても良い。例えば、桶にＵＶ照射部を取り付け、桶からＵＶが出ていれば、その上に必ずしもパッドが載っている必要は無い。パッドが存在する方がエアシリンダーで研磨機の研磨パッドの上下駆動を行っている場合に再現性が出しやすいが、例えばボールねじ駆動で研磨機の上下駆動を行っている場合など、揺動で被加工物をパッド面とＵＶ照射部間を移動させ、パッド面で研磨動作をすることで加工をしても良い。
【００９２】
研磨パッドの表面粗さ状態を非接触のレーザで測定しても良い。測定の際は空気や窒素や酸素などの気体を吹きかけて測定するのが好ましい。回転方式の場合は研磨パッドのテーブルを回転させてパッド表面の水分を遠心分離の力で除去してから測定するのが好ましい。ＣＭＰの場合は、測定結果を基にドレスの動作を制御するのが好ましい。またパッド寿命の検出を非接触のレーザによる測定結果を溝の減り具合やパッド表面の巨視的なうねりを基に行っても良い。
【００９３】
非接触のレーザで研磨パッドの表面粗さ状態を測定する表面除去加工装置であって、パッド表面に付着している液体を除去しながら測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【００９４】
非接触のレーザで研磨パッドの表面粗さ状態を測定する表面除去加工装置であって、パッド表面に付着している液体を気体で除去しながら測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【００９５】
触媒パッドではない場合は、非接触のレーザで研磨パッドの表面粗さ状態を測定し測定結果を基にパッド面にドレスを行う表面除去加工装置であって、パッド表面に付着している液体を除去しながら測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【００９６】
触媒パッドではない場合は、非接触のレーザで研磨パッドの表面粗さ状態を測定し測定結果を基にパッド面にドレスを行う表面除去加工装置であって、パッド表面に付着している液体を気体で除去しながら測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
非接触のレーザで研磨パッドの表面粗さ状態を測定する表面除去加工装置であって、パッド表面に付着している液体を遠心分離で除去しながら測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【００９７】
パッドを回転方式の装置の場合は、パッド側を回転させながら測定面には空気や窒素や酸素などの気体を吹きかけてパッド表面に付着している液体を除去しながら測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【００９８】
パッド中心から外側へ向けて非接触のレーザの測定部を移動もしくはパッドの少なくとも移動か。パッド外側から中心へ向けて非接触のレーザ測定部を移動もしくはパッドの少なくともいずれかを移動することで測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【００９９】
触媒パッドではない場合は、非接触のレーザで研磨パッドの溝の深さ方向の状態を測定し測定結果を基にパッド面にドレスを行う表面除去加工装置であって、パッド表面に付着している液体を除去しながら非接触のレーザの測定部による測定を行うことを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１００】
パッド表面に付着している液体を除去しながら測定を行う際に気体を吹きかける場合は、パッド表面に付着した液体が測定部に気体を噴射した際に、測定用非接触レーザ照射部に飛び散ってこないように気体噴射部が測定用非接触レーザ照射部の方向では無い方向に向いていることを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１０１】
噴射部を測定用非接触レーザ照射部の方向に向けないことで流体力学的に飛び散っても測定用非接触レーザ照射部方向では無い方向に飛び散るようになっている。
【０１０２】
研磨パッドの表面粗さや溝深さ状態を測定するレーザは青色レーザであることを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
赤色レーザでは見ることが出来なかった溝の形状が青色レーザにより測定可能である。
【０１０３】
トレンチ穴など微細な形状部に対して触媒の微粒子を当接させて触媒反応で加工することを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１０４】
光触媒を当接させて光触媒反応で被加工物表面を加工することを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１０５】
トレンチ穴に対して触媒で使用する微粒子を当接させてトレンチ穴に光を照射し触媒反応でトレンチ穴を加工することを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１０６】
触媒反応で使用する微粒子は液に混ぜ使用することを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１０７】
触媒反応で使用する微粒子は触媒反応を行いたい加工対象の穴や溝の少なくともいずれかよりも小さいことを特徴としても良い。
【０１０８】
触媒反応を成立させる微粒子は触媒反応を行いたい加工対象の穴や溝の少なくともいずれかよりも小さく触媒反応を成立させる微粒子は触媒反応を成立させるための液体や気体や触媒反応により除去される成分が出入りできる程度に加工対象の穴や溝に比べて小さい微粒子であることを特徴としても良い。
【０１０９】
触媒反応で使用する微粒子が加工対象の穴に比べて小さく触媒反応を成立させる液や気体や触媒反応により除去される成分が出入り可能であることで効率よく触媒反応を成立させる液や気体や触媒反応により除去される成分や触媒微粒子が入れ替わることが可能になるので、効果的に触媒反応を行うことが可能になる。
【０１１０】
触媒反応で使用する微粒子は2種類以上の触媒か金属で少なくても構成されていることを特徴としても良い。
【０１１１】
触媒反応で使用する微粒子は1種類目の触媒に対し貴か卑の成分から構成されていても良い。
【０１１２】
触媒反応で使用する微粒子は白金やルテニウムなどの白金族、金、チタンの少なくとも成分から構成されていても良い。
【０１１３】
触媒微粒子を使って触媒反応を継続的に行いたい場合は、透過窓を設けて下から上に向けて光を照射すると透過窓も触媒反応で加工される可能性が有る。そこで、図15のように被加工物の加工したい表面を上にして、被加工物の上から下向きに被加工物のトレンチ穴に対し、上から光を照射する場合はＵＶを照射するのが好ましい。この時、光照射部を保護する目的で取り付ける光透過用の窓はあっても無くても良い。例えばトレンチなど用の微細な穴や溝にのみ光を照射したい場合はその穴の径や溝巾にあった光透過エリアを設ける必要がある。または、あらかじめ触媒反応で除去したい量に合わせて加工対象となる穴や溝以外の部分も触媒による除去量だけ余分に厚くしておく必要がある。そうすることで、全面を除去しても余分に厚くしておくことで目的の形状になる。
【０１１４】
触媒反応の加工を促進したり触媒毒などの触媒反応阻害成分を除去する目的で、触媒反応で使用する液体を６０度から８０度の間、好ましくは７０度程度で加温しても良い。
【０１１５】
表面除去加工装置を構成する発塵の原因になりそうなパーツが入っているボックスをクリーン環境で利用できるようにフィルタが前記ボックスの排気口に搭載されていてボックスの排気口から排出される空気がクリーン環境に適合していることを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１１６】
表面除去加工装置を構成する発塵の原因になりそうなパーツが入っているボックスをクリーン環境で利用できるようにフィルタが前記ボックスの排気口に搭載されていて、ボックス内のパーツの冷却のためにエアーがボックス内で噴射されているボックスの排気口から排出される空気がクリーン環境に適合していることを特徴とする表面除去加工装置でも良い。
【０１１７】
請求項1から請求項８の少なくともいずれかに記載の表面除去加工装置において、光を照射する前記単一の発光素子あるいは前記ＵＶ集光部の少なくともいずれかと、前記被加工物の間に、当該単一の発光素子の場合には当該単一の発光素子単独専用電極あるいは当該ＵＶ集光部の場合には当該ＵＶ集光部単独専用電極の少なくともいずれかを設けて、当該電極に通電しつつＵＶを照射することによって被加工物の最表面に化学反応のレートを向上させる加工起点を形成する表面除去加工装置でも良い。
【０１１８】
パッドに少なくとも1つの穴が存在し、前記パッドに設けられた穴のうちの一つ又は複数の穴が、紫外線を被加工物の表面に照射するＵＶ発光源の光を透過させるためのＵＶ照射用穴であり、パッドに設けたＵＶ照射用穴と上記発光源の間に、ＵＶ照射時に給電される、各ＵＶ照射用穴毎に独立した電極を設けていることを特徴とする表面除去加工装置でも良い。なお、この場合の発光源はＬＥＤに限られず、ランプであっても良い。
本発明では再現性良く同じような加工が可能なように光が出るところと電気を使うところを限定し、電気援用のＵＶ照射が出来る可能性を上げている。
【符号の説明】
【０１１９】
２…支持板（発光素子移動手段）、３…定盤、６…パッド、６２…貫通孔（開口）、７…ホルダ、８…ハンド具、８１…第１半部、８２…第２半部、８３…吸着支持部、８６，８７…支持部、９…発光ダイオード（発光素子）、Ｗ…被加工基板（被加工物）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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