(57)【要約】【課題】画素領域から外側にイオン性不純物を効率よく掃き出すことのできる液晶装置、液晶装置の駆動方法、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００において、第１基板１０では、画素領域Ｅに複数の画素電極１５が設けられている。また、第１基板１０には、平面視で画素領域Ｅとシール材４０とに挟まれた第１電極１３１と、平面視で第１電極１３１とシール材４０とに挟まれた第２電極１３２とが設けられている。複数の画素電極１５のうち、第１電極１３１と隣り合う第１画素電極１５１には、第１位相Ｖａの第１信号Ｖ１１が供給され、第１電極１３１には第１信号Ｖ１１より位相が遅れた第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１が印加され、第２電極１３２には第２信号Ｖ１２より位相が遅れた第３位相Ｖｃの第３信号Ｖ２２が印加される。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、
前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、
前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で前記画素領域と前記シール材との間に位置する第１電極と、
前記一方の基板に設けられ、平面視で前記第１電極と前記シール材との間に位置する第２電極と、
を備え、
前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う第１画素電極には、第１位相の第１信号が供給され、前記第１電極には前記第１信号より位相が遅れた第２位相の第２信号が供給され、前記第２電極には前記第２信号より位相が遅れた第３位相の第３信号が供給されることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記第１信号、前記第２信号、および前記第３信号は、同一周波数の交流信号であり、
前記第１信号が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第２信号が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第２信号が負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第３信号が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第１信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第２信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移し、
前記第２信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第３信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置において、
前記第１信号、前記第２信号および前記第３信号は、同一波形の交流信号であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３までの何れか一項に記載の液晶装置において、
前記一方の基板は前記第１基板であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置において、
前記第２基板には、前記第１電極および前記第２電極と平面視で重なる遮光性の見切り部が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置において、
前記見切り部は、前記第１画素電極と平面視で重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項５に記載の液晶装置において、
前記見切り部は、前記第１画素電極と平面視で重なっておらず、
前記第１画素電極は、画像を表示する期間中、黒表示を行う信号が供給されることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項５に記載の液晶装置において、
前記見切り部は、前記第１画素電極と平面視で重なっておらず、
前記複数の画素電極で画像を表示するとともに、前記画像の表示を休止している期間中、前記第１画素電極に前記第１信号が印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１から８までの何れか一項に記載の液晶装置において、
前記複数の画素電極のうち、前記第１画素電極に対して前記第１電極とは反対側で隣り合う第２画素電極には、前記第１位相より位相が進んだ第４信号が印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から９までの何れか一項に記載の液晶装置において、
前記第２基板に共通電極が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の液晶装置において、
前記共通電極は、前記画素領域と平面視で重なる領域に設けられ、
前記共通電極の外縁は、平面視で前記画素領域と前記第１電極との間に位置することを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、を備えた液晶装置の駆動方法において、
前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に対し、平面視で前記画素領域と前記シール材との間に第１電極を設け、平面視で前記第１電極と前記シール材との間に第２電極を設け、
前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う第１画素電極には、第１位相の第１信号を供給し、前記第１電極には前記第１信号より位相が遅れた第２位相の第２信号を供給し、前記第２電極には前記第２信号より位相が遅れた第３位相の第３信号を供給するすることを特徴とすることを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液晶装置の駆動方法において、
前記第１信号、前記第２信号、および前記第３信号は、同一周波数の交流信号であり、
前記第１信号が正極性または基準電位から負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第２信号が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第２信号が負極性に遷移してから、前記基準電位または正極性に遷移する前に、前記第３信号が正極性または前記基準電位から負極性に遷移し、
前記第１信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第２信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移し、
前記第２信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移してから、前記基準電位または負極性に遷移する前に、前記第３信号が負極性または前記基準電位から正極性に遷移することを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１４】
請求項１から１１までの何れか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の駆動方法、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板の間に液晶層が保持された液晶パネルを備えており、液晶パネルに光が入射すると、液晶層に用いた液晶材料等が光化学反応を起こし、イオン性不純物が発生することがある。また、液晶装置の製造過程で、シール材等から液晶層にイオン性不純物が侵入することもある。一方、液晶装置を駆動した際に液晶分子の配向状態が変化して液晶層に流動が発生すると、イオン性不純物が画素領域の端部に凝集し、画像の焼き付き等といった表示品位の低下が発生する。そこで、特許文献１では、画素領域の複数の画素電極に交流電圧を印加し、イオン性不純物を画素領域のうち、見切り部と重なる端部に掃引する技術が提案されている。また、特許文献１および特許文献２では、画素領域とシール材との間に第１電極を設けるとともに、第１電極とシール材との間に第２電極を設け、第１電極と第２電極との間に発生する電界を利用してイオン性不純物を画素領域の外側に掃き出す技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１１１２４７号公報
【特許文献２】特開２０１５−１６３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の技術において、画素領域内の画素電極に交流電圧を印加するだけでは、イオン性不純物が画素領域の端部に掃引されるだけであり、端部に溜まったイオン性不純物が表示領域に拡散すると、表示品位に影響を及ぼすという問題点がある。また、特許文献１、２に記載の技術のように、画素領域の外側に設けた第１電極との間に発生する電界を利用してイオン性不純物を画素領域の外側に掃き出す方式では、画素領域の内部と外部との境界でのイオン性不純物の掃引が効果的に行わず、イオン性不純物が画素領域の端部に溜まりやすいという問題点がある。
【０００５】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素領域から外側にイオン性不純物を効率よく掃き出すことのできる液晶装置、液晶装置の駆動方法、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に設けられ、平面視で前記画素領域と前記シール材との間に位置する第１電極と、前記一方の基板に設けられ、平面視で前記第１電極と前記シール材との間に位置する第２電極と、を備え、前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う第１画素電極には、第１位相の第１信号が供給され、前記第１電極には前記第１信号より位相が遅れた第２位相の第２信号が供給され、前記第２電極には前記第２信号より位相が遅れた第３位相の第３信号が供給されることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の別態様は、第１基板と、シール材を介して前記第１基板と貼り合わされた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間の前記シール材で囲まれた空間内に配置された液晶層と、前記第１基板の画素領域に設けられた複数の画素電極と、を備えた液晶装置の駆動方法において、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板に対し、平面視で前記画素領域と前記シール材との間に第１電極を設け、平面視で前記第１電極と前記シール材との間に第２電極を設け、前記複数の画素電極のうち、前記第１電極と隣り合う第１画素電極には、第１位相の第１信号を供給し、前記第１電極には前記第１信号より位相が遅れた第２位相の第２信号を供給し、前記第２電極には前記第２信号より位相が遅れた第３位相の第３信号を供給することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、画素領域とシール材との間に第１電極が設けられているとともに、第１電極とシール材との間に第２電極が設けられており、画素領域の複数の画素電極のうち、第１電極と隣り合う第１画素電極に第１位相の第１信号を供給し、第１電極には第１信号より位相が遅れた第２位相の第２信号を印加し、第２電極には第２信号より位相が遅れた第３位相の第３信号を印加する。このため、画素領域のイオン性不純物は、画素電極と第１電極との間の電界によって第１電極に向けて掃引された後、第１電極と第２電極との間の電界によって第２電極に向けて掃引される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶装置の平面構成を模式的に示す説明図。
【図２】図１に示す液晶装置をＨ−Ｈ′線に沿って切断した様子を模式的に示す断面図。
【図３】図１に示す液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】図３に示す画素の構造を模式的に示す断面図。
【図５】図１に示す液晶装置におけるイオン性不純物の挙動を模式的に示す説明図。
【図６】図１に示す液晶装置における画素領域の説明図。
【図７】図６のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネルを切断した様子を模式的に示す断面図。
【図８】図６に示す画素領域内のイオン性不純物を画素領域の端部に掃引する動作等を示す説明図。
【図９】図８に示す掃引を行うための信号の説明図。
【図１０】本発明の実施形態２に係る液晶装置の説明図。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネルを切断した様子を模式的に示す断面図。
【図１２】本発明の実施形態３に係る液晶装置の説明図。
【図１３】図１２のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネルを切断した様子を模式的に示す断面図。
【図１４】本発明の実施形態４に係る液晶装置で用いる信号の説明図。
【図１５】本発明の実施形態５に係る液晶装置の説明図。
【図１６】本発明の実施形態６に係る液晶装置の説明図。
【図１７】図１６に示すイオントラップ電極の構成とイオン性不純物の掃引効果との関係を示す説明図。
【図１８】イオン性不純物の移動度と温度との関係を示すグラフ。
【図１９】本発明の実施形態８に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２０】本発明の実施形態９に係る液晶装置の説明図。
【図２１】本発明を適用した電子機器の構成例を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、使用する図面では、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、以下の説明において、第１基板１０の一方面１０ｓに形成された膜等を説明する際、上層とは第１基板１０とは反対側を意味し、下層とは第１基板１０の側を意味する。第２基板２０の一方面２０ｓに形成された膜等を説明する際、上層とは第２基板２０とは反対側を意味し、下層とは第２基板２０の側を意味する。また、平面視とは、第１基板１０および第２基板２０に対する法線方向からみた様子を意味する。また、以下の説明では、トランジスターの一例として、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ３０）を画素スイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置１００を中心に説明する。かかる液晶装置１００は、後述する投射型表示装置の光変調手段等として好適に用いることができる。
【００１１】
［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶装置１００の平面構成を模式的に示す説明図である。図２は、図１に示す液晶装置１００をＨ−Ｈ′線に沿って切断した様子を模式的に示す断面図である。図１および図２に示す液晶装置１００は、第１基板１０と、第１基板１０に対向する第２基板２０とを有しており、第１基板１０と第２基板２０とは、枠状のシール材４０を介して貼り合わされている。また、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材４０で囲まれた空間内には液晶層５０が保持されている。第１基板１０および第２基板２０は、例えば、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。
【００１２】
第１基板１０は第２基板２０よりも大きく、シール材４０は、第２基板２０の外縁に沿って配置されている。液晶層５０は、正または負の誘電異方性を有する液晶材料からなる。シール材４０は、例えば、熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂等の接着剤からなり、第１基板１０と第２基板２０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示せず）を含んでいる。
【００１３】
シール材４０で囲まれた領域内には、画素Ｐがマトリクス状に複数配列された画素領域Ｅが設けられており、第２基板２０には、少なくとも、シール材４０と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅの周りを囲む見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、金属あるいは金属酸化物等からなる遮光層によって構成されている。図示を省略するが、遮光層は、第２基板２０に対して、隣り合う画素Ｐの境界部分に平面視で重なるブラックマトリックスとして構成されることもある。
【００１４】
第１基板１０の第２基板２０と対向する一方面１０ｓにおいて、シール材４０と画素領域Ｅとの間には、１つの辺に沿って複数の端子１０４が配列されており、端子１０４と画素領域Ｅとの間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、シール材４０と画素領域Ｅとの間には、端子１０４が配列された辺と隣り合う２辺の各々に沿って走査線駆動回路１０２が設けられ、端子１０４が配列された辺と対向する辺に沿って検査回路１０３が設けられている。第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、シール材４０と検査回路１０３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。データ線駆動回路１０１、および走査線駆動回路１０２に繋がる複数の配線は各々、複数の端子１０４に接続されている。以下、端子１０４が配列されている方向をＸ方向（第１方向）とし、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向（第２方向）として説明する。従って、画素領域Ｅは、Ｘ方向の寸法がＹ方向の寸法より大である。なお、検査回路１０３は、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００１５】
第１基板１０の一方面１０ｓ側では、複数の画素Ｐ毎に配置された画素電極１５と、画素電極１５を覆う第１配向膜１８とが設けられている。また、図示を省略するが、第１基板１０の液晶層５０側の一方面１０ｓ側には、後述する画素スイッチング素子や配線等が設けられている。画素電極１５は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性導電膜からなる。
【００１６】
第２基板２０の第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、見切り部２１と、見切り部２１を覆う平坦化膜２２と、平坦化膜２２を覆う共通電極２３と、共通電極２３を覆う第２配向膜２４とが設けられている。平坦化膜２２は、例えば酸化シリコン等の無機材料からなる。見切り部２１は、平面視において、画素領域Ｅの周りを囲むととともに、走査線駆動回路１０２および検査回路１０３と重っている。従って、第２基板２０側から走査線駆動回路１０２等に入射しようとする光を遮蔽することにより、光による誤動作を防止している。
【００１７】
共通電極２３は、ＩＴＯ等の透光性導電膜からなり、第２基板２０に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、第１基板１０に設けられた配線を介して端子１０４に電気的に接続されている。
【００１８】
第１配向膜１８、および第２配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜１８、および第２配向膜２４は、気相成長法によって成膜されたＳｉＯｘ（酸化シリコン）等の無機配向膜からなり、負の誘電異方性を有する液晶分子を略垂直配向させる。第１配向膜１８、および第２配向膜２４は、表面がラビングされたポリイミド等の有機配向膜からなる場合もあり、有機配向膜は、正の誘電異方性を有する液晶分子を略水平配向させる。
【００１９】
本実施形態の液晶装置１００は透過型であって、液晶パネル１１０に対する光の入射側、および出射側の各々に配置される偏光素子の光学設計に応じて、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの液晶装置として構成される。本実施形態では、第１配向膜１８、および第２配向膜２４として無機配向膜を用い、液晶層５０に負の誘電異方性を有する液晶材料を用いることによって、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例を中心に説明する。
【００２０】
（電気的な構成）
図３は、図１に示す液晶装置１００の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域ＥにおいてＸ方向（第１方向：行方向）に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ方向（第２方向：列方向）に延在する複数のデータ線６ａとを有しており、走査線３ａとデータ線６ａとは、第１基板１０において、互いに絶縁された状態にある。本実施形態において、第１基板１０は、データ線６ａに沿って延在する容量線３ｂを有している。また、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して画素Ｐが設けられている。複数の画素Ｐは各々、画素電極１５、ＴＦＴ３０、および蓄積容量１６を備えている。走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００２１】
データ線６ａは、図１に示すデータ線駆動回路１０１に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、図１に示す走査線駆動回路１０２に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣｍを順次、画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで線順次で供給する。本実施形態では、ライン反転駆動法が用いられている。
【００２２】
液晶装置１００では、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力によりオン状態とされる期間、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる。画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。本実施形態においては、画素電極１５と液晶層５０との間に保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。
【００２３】
図１に示す検査回路１０３にはデータ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することによって、液晶装置１００の動作欠陥などを確認するのに用いられる。従って、図３では、検査回路１０３の図示を省略してある。なお、図１には、画素領域Ｅの外側に形成される周辺回路として、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、および検査回路１０３を示してあるが、周辺回路として、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路や、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号Ｄ１〜Ｄｎに先行して供給するプリチャージ回路等が設けられる場合もある。
【００２４】
（画素Ｐの構成）
図４は、図３に示す画素Ｐの構造を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓには、走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の遮光層からなる。
【００２５】
走査線３ａの上層には酸化シリコン等からなる第１絶縁膜１１ａ（下地絶縁膜）が形成され、第１絶縁膜１１ａの上層に半導体層３０ａが形成されている。半導体層３０ａは、多結晶シリコン膜からなる。半導体層３０ａは、酸化シリコン等からなる第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂによって覆われており、第２絶縁膜１１ｂの上層にはゲート電極３０ｇが形成される。
【００２６】
ゲート電極３０ｇの上層には酸化シリコン等からなる第３絶縁膜１１ｃが形成されており、第２絶縁膜１１ｂおよび第３絶縁膜１１ｃには、半導体層３０ａのソース領域およびドレイン領域に到るコンタクトホールＣＮＴ１、ＣＮＴ２が形成される。第３絶縁膜１１ｃの上層には、コンタクトホールＣＮＴ１、ＣＮＴ２を介して半導体層３０ａに接続するデータ線６ａ（ソース電極）、および第１中継電極６ｂ（ドレイン電極）が形成される。このようにしてＴＦＴ３０が構成される。本実施形態において、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有している。
【００２７】
データ線６ａおよび第１中継電極６ｂの上層側には酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜１２ａが形成される。第１層間絶縁膜１２ａの表面は、化学的機械的研磨処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ処理）等によって平坦化されている。第１層間絶縁膜１２ａには、第１中継電極６ｂに到るコンタクトホールＣＮＴ３が形成されており、第１層間絶縁膜１２ａの上層には、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ３を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。配線７ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと平面視で重なるように形成されており、固定電位が印加されたシールド層として機能する。
【００２８】
配線７ａおよび第２中継電極７ｂの上層側には酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜１３ａが形成される。第２層間絶縁膜１３ａの表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦化されている。第２層間絶縁膜１３ａには、第２中継電極７ｂに到るコンタクトホールＣＮＴ４が形成される。
【００２９】
第２層間絶縁膜１３ａの上層には、遮光性の金属等によって、第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄが形成される。第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成された容量線３ｂであり、固定電位が供給される。第１容量電極１６ａおよび第３中継電極１６ｄの上層には、第１容量電極１６ａの外縁および第３中継電極１６ｄの外縁等を覆うように絶縁膜１３ｂが形成される。第１容量電極１６ａおよび絶縁膜１３ｂの上層側には誘電体層１６ｂが形成される。誘電体層１６ｂは、シリコン窒化膜や、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる。誘電体層１６ｂの上層には、窒化チタン（ＴｉＮ）等からなる第２容量電極１６ｃが形成され、第１容量電極１６ａ、誘電体層１６ｂ、および第２容量電極１６ｃによって蓄積容量１６が構成される。第２容量電極１６ｃは、誘電体層１６ｂおよび絶縁膜１３ｂの除去部分を介して第３中継電極１６ｄに電気的に接続されている。
【００３０】
第２容量電極１６ｃの上層側には酸化シリコン等からなる第４層間絶縁膜１４ａが形成され、第４層間絶縁膜１４ａの表面は、ＣＭＰ処理等によって平坦化されている。第４層間絶縁膜１４ａには、第２容量電極１６ｃに到達するコンタクトホールＣＮＴ５が形成されている。第４層間絶縁膜１４ａの上層にはＩＴＯ等の透光性導電膜からなる画素電極１５が形成され、画素電極１５は、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第２容量電極１６ｃに電気的に接続されている。
【００３１】
このように構成した液晶装置１００では、第１基板１０の一方面１０ｓ側に、複数の配線が形成されており、配線間を絶縁する絶縁膜や層間絶縁膜の符号を用いて配線部を表すこととする。すなわち、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、および第３絶縁膜１１ｃを括って配線層１１と称する。配線層１１の代表的な配線は走査線３ａである。配線層１２の代表的な配線はデータ線６ａである。第２層間絶縁膜１３ａ、絶縁膜１３ｂ、および誘電体層１６ｂを括って配線層１３と称し、配線層１３の代表的な配線は配線７ａである。同じく、配線層１４の代表的な配線は、第１容量電極１６ａとしての容量線３ｂである。
【００３２】
（液晶層５０等の構成）
第１配向膜１８および第２配向膜２４は、無機配向膜であって、酸化シリコン等の無機材料を斜め蒸着して柱状に成長させたカラム１８ａ、２４ａの集合体からなる。従って、液晶層５０において、液晶分子ＬＣは、第１基板１０および第２基板２０に対する法線方向に対して、３°〜５°のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）する。液晶分子ＬＣは、画素電極１５と共通電極２３との間に駆動信号が印加された際、画素電極１５と共通電極２３との間に生ずる電界方向によって傾きが変化する。
【００３３】
（イオン性不純物の挙動）
図５は、図１に示す液晶装置１００におけるイオン性不純物の挙動を模式的に示す説明図であり、図５には、液晶装置１００を第２基板２０側から見た様子を示してある。図５において、第１基板１０に第１配向膜１８を形成する際の斜め蒸着方向は、例えば、破線の矢印Ａ１で示す方位であり、Ｙ方向に角度θａの角度を成す方向である。第２基板２０に第２配向膜２４を形成する際の斜め蒸着方向は、例えば、実線の矢印Ａ２で示す方位であり、Ｙ方向に角度θａの角度を成す方向である。角度θａは例えば４５度である。第１基板１０に第１配向膜１８を形成する際の斜め蒸着の方位と、第２基板２０に第２配向膜２４を形成する際の斜め蒸着の方位は逆向きである。
【００３４】
このように構成した液晶装置１００において、液晶層５０を駆動すると、図４に矢印Ｂで示すように、液晶分子ＬＣが振動し、図５に示す破線あるいは実線の矢印Ａ１、Ａ２で示した斜め蒸着方向に液晶分子ＬＣのフローが生ずる。従って、液晶層５０にイオン性不純物が含まれていると、イオン性不純物は、液晶分子ＬＣのフローに沿って画素領域Ｅの角部Ｅ０に向かって移動し、偏在しようとする。イオン性不純物が偏在している領域では、液晶層５０の絶縁抵抗が低下し、駆動電位の低下を招く。その結果、角部Ｅ０では表示ムラや通電による焼き付き現象が発生することになる。特に、第１配向膜１８および第２配向膜２４に無機配向膜を用いた場合には、無機配向膜がイオン性不純物を吸着し易いので、有機配向膜に比べて表示ムラや焼き付き現象が発生しやすい。そこで、本実施形態の液晶装置１００には、以下に説明するように、画素電極１５に印加する電圧によって画素領域Ｅ内のイオン性不純物を画素領域Ｅの端部に掃引する一方、イオントラップ機構１３０を設け、イオントラップ機構１３０によって、画素領域Ｅのイオン性不純物を画素領域Ｅから離間する方向に掃引する。
【００３５】
（イオントラップ機構１３０等の説明）
図６は、図１に示す液晶装置１００における画素領域Ｅの説明図である。図７は、図６のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネル１１０を切断した様子を模式的に示す断面図である。図６および図７に示すように、本実施形態の液晶装置１００の画素領域Ｅは複数の画素ＰがＸ方向およびＹ方向に配置されており、複数の画素Ｐは各々、ＴＦＴ３０に電気的に接続された画素電極１５を有している。画素Ｐおよび画素電極１５は、平面的な形状、大きさや配置ピッチ等が同一である。本実施形態において、画素電極１５の１辺の寸法は、例えば、７．５μｍであり、隣り合う２つの画素電極１５の隙間は、例えば、０．５μｍである。
【００３６】
本実施形態において、画素領域Ｅは、複数の画素Ｐのうち、表示に直接寄与する表示画素Ｐ０が配置された表示領域Ｅ１を有し、表示領域Ｅ１の周りには、複数の画素Ｐのうち、表示に直接寄与しない複数のダミー画素ＤＰを有するダミー画素領域Ｅ２を有している。以下の説明では、複数の画素電極１５のうち、表示画素Ｐ０に設けられた画素電極１５を有効画素電極とし、ダミー画素ＤＰに設けられた画素電極１５をダミー画素電極とする。図６に示す態様では、ダミー画素領域Ｅ２にＸ方向において表示領域Ｅ１を挟んで２列ずつのダミー画素ＤＰが配置され、Ｙ方向において表示領域Ｅ１を挟んで２行ずつのダミー画素ＤＰが配置されている。但し、ダミー画素領域Ｅ２におけるダミー画素ＤＰの配置数はこれに限定されるものではなく、Ｘ方向およびＹ方向の各々において、表示領域Ｅ１を挟んで少なくとも１個ずつのダミー画素ＤＰが配置されていればよい。また、３個ずつ以上でもよく、Ｘ方向とＹ方向とにおける配置数が異なっていてもよい。
【００３７】
本実施形態において、見切り部２１は、ダミー画素領域Ｅ２と平面視で重なるように設けられており、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射することを防止することによって、表示される画像のコントラストを高めている。
【００３８】
このように構成した液晶装置１００にイオントラップ機構１３０を構成するにあたって、第１基板１０および第２基板２０のうちの一方の基板には、平面視で画素領域Ｅとシール材４０とに挟まれた第１電極１３１と、平面視で第１電極１３１とシール材４０とに挟まれた第２電極１３２とが設けられている。また、前記一方の基板には、平面視で第２電極１３２とシール材４０とに挟まれた第３電極１３３が設けられている。本実施形態において、第１電極１３１、第２電極１３２および第３電極１３３は各々、第１基板１０の側に画素領域Ｅを平面視で囲む四角形の枠状に形成されている。
【００３９】
第１電極１３１、第２電極１３２および第３電極１３３に給電するにあたっては、例えば、第１電極１３１のＸ方向に延在する部分の両端付近には、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３５の一方端が電気的に接続され、引き回し配線１３５の他方端は、第１基板１０に形成された端子１０４に電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３５が電気的に接続された端子１０４については、他の端子１０４と区別するため、端子１０４（Ｉｔ１）と表す。第２電極１３２のＸ方向に延在する部分の両端付近には、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３６の一方端が電気的に接続され、引き回し配線１３６の他方端は、第１基板１０に形成された端子１０４に電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３６が電気的に接続された端子１０４については、他の端子１０４と区別するため、端子１０４（Ｉｔ２）と表す。第３電極１３３のＸ方向に延在する部分の両端付近には、Ｙ方向に延在する一対の引き回し配線１３７の一方端が電気的に接続され、引き回し配線１３７の他方端は、第１基板１０に形成された端子１０４に電気的に接続されている。一対の引き回し配線１３７が電気的に接続された端子１０４については、他の端子１０４と区別するため、端子１０４（Ｉｔ３）と表す。
【００４０】
このようにして、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３、引き回し配線１３５、１３６、１３７、および端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）によってイオントラップ機構１３０が構成されている。本実施形態では、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に供給される信号が、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の位置によってばらつくことを抑制するために、２つの端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）から信号を供給する構成としたが、これに限定されるものではない。端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）が各々、１つでもよいし、３つ以上であってもよい。また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は、平面視で電気的に閉じられた四角形の電極である態様に限定されず、一方の端に引き回し配線１３５、１３６、１３７が電気的に接続され、他方の端が開放された状態（オープン）であってもよい。
【００４１】
図７に示すように、本実施形態では、第１基板１０の一方面１０ｓ側には複数の配線層１１〜１４が設けられており、画素電極１５、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は各々、第４層間絶縁膜１４ａの上層に形成されている。より具体的には、画素電極１５、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３は、画素電極１５を形成する工程で、同一の透光性導電膜をパターニングすることによって形成される。また、引き回し配線１３５、１３６、１３７は、配線層１１〜１４と同様な構成によって端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）に電気的に接続されている。
【００４２】
（液晶装置１００の駆動方法）
図８は、図６に示す画素領域Ｅ内のイオン性不純物を画素領域Ｅの端部に掃引する動作等を示す説明図である。図９は、図８に示す掃引を行うための信号の説明図である。本実施形態では、図３において、図１に示す走査線駆動回路１０２から複数の走査線３ａの各々に走査信ＳＣ１．ＳＣ２・・ＳＣｍを供給してＴＦＴ３０を順次、一定期間、ＴＦＴ３０をオン状態とする。そして、データ線駆動回路１０１から全てのデータ線６ａに同時にデータ信号を供給し、画素領域Ｅの複数の画素電極１５の電圧を制御する。また、図６に示す端子１０４（Ｉｔ１、Ｉｔ２、Ｉｔ３）に信号を供給し、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）の電圧を制御する。
【００４３】
図７に示すように、本実施形態では、画像の表示を休止している期間中、画素領域Ｅの全ての画素電極１５によって、Ｙ方向の中央からＹ方向の両端部に向けて、画素領域Ｅのイオン性不純物を画素領域ＥのＹ方向の端部に掃引する。また、画像の表示を休止している期間中、および画像を表示している期間中、ダミー画素領域Ｅ２の画素電極１５（ダミー画素電極）、およびイオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）によって、画素領域Ｅのイオン性不純物を画素領域Ｅから離間する方向に掃引する。
【００４４】
より具体的には、画像を表示している期間中、表示領域Ｅ１の画素電極１５（有効画素電極）には画像信号が供給される。これに対して、液晶パネル１１０をＹ方向で切断したとき、複数の画素電極１５のうち、第１電極１３１と隣り合う第１画素電極１５１（ダミー画素電極）には、第１位相Ｖａの第１信号Ｖ１１が供給される。また、第１電極１３１には第１信号Ｖ１１より位相が遅れた第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１が供給され、第２電極１３２には第２信号Ｖ２１より位相が遅れた第３位相Ｖｃの第３信号Ｖ２２が供給され、第３電極１３３には第３信号Ｖ２２より位相が遅れた信号Ｖ２３が供給される。また、複数の画素電極１５のうち、第１画素電極１５１に対して第１電極１３１と反対側で隣り合う第２画素電極１５２（ダミー画素電極）には、第１信号Ｖ１１より位相が進んだ第４信号Ｖ１２が供給される。
【００４５】
ここで、第１信号Ｖ１１、第２信号Ｖ２１、および第３信号Ｖ２２は、同一周波数の交流信号であり、第１位相Ｖａ、第２位相Ｖｂ、および第３位相Ｖｃは、図９に示すように、１２０°ずつ位相がずれている。従って、第３電極１３３に印加される信号Ｖ２３の位相は、第１位相Ｖａであり、第２画素電極１５２に印加される信号Ｖ１２の位相は第３位相Ｖｃである。また、第１信号Ｖ１１、第２信号Ｖ２１および第３信号Ｖ２２等の不純物イオンの掃引に用いられる信号は、同一波形の交流信号であり、振幅も同一である。本実施形態において、上記の信号は、共通電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）を基準電位として、高電位と低電位とに遷移する信号である。第１信号Ｖ１１、第２信号Ｖ２１、および第３信号Ｖ２２の周波数は、例えば、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚである。周波数が５０ｍＨｚの場合、交流信号の１周期の時間は、２０秒である。本実施形態では、表示領域Ｅ１の画素電極１５（有効画素電極）と共通電極２３との間に印加される駆動信号の最大電圧差は、第１信号Ｖ１１、第２信号Ｖ２１、および第３信号Ｖ２２の最大振幅電圧の１／２に相当する電圧と等しい。
【００４６】
図９に示す交流信号は矩形波の交流信号であり、時間ｔ０、ｔ１、ｔ２・・とともに、第１位相Ｖａの第１信号Ｖ１１が正極性（＋）または基準電位から負極性（−）に遷移してから、基準電位または正極性（＋）に遷移する前に、第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１が正極性（＋）または基準電位から負極性（−）に遷移する。また、第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１が負極性（−）に遷移してから、基準電位または正極性（＋）に遷移する前に、第３位相Ｖｃの第３信号Ｖ２２が正極性（＋）または基準電位から負極性（−）に遷移する。また、第１位相Ｖａの第１信号Ｖ１１が負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移してから、基準電位または負極性（−）に遷移する前に、第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１が負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移する。また、第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１が負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移してから、基準電位または負極性（−）に遷移する前に、第３位相Ｖｃの第３信号Ｖ２２が負極性（−）または基準電位から正極性（＋）に遷移する。なお、図９に示した矩形波の交流信号は、基準電位を０Ｖとして、高電位（５Ｖ）と低電位（−５Ｖ）とに遷移するものであるが、基準電位、高電位、低電位の設定は、これに限定されるものではない。
【００４７】
これに対して、画像の表示を休止している期間中、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）に上記の信号を供給する一方、図８に示すように、画素領域Ｅ１の全ての画素電極１５に対して、Ｙ方向の中央からＹ方向の両端部に向けて、各走査線３ａに対応する画素電極１５の列毎に第１位相Ｖａ、第２位相Ｖｂ、および第３位相Ｖｃの信号を印加する。従って、図７に示すように、複数の画素電極１５のうち、第２画素電極１５２（ダミー画素電極）に対して第１電極１３１と反対側で隣り合う第３画素電極１５３（有効画素電極）には、第１信号Ｖ１１より位相が進んだ信号Ｖ１３が印加され、信号Ｖ１３の位相は、第２位相Ｖｂである。
【００４８】
それ故、画像の表示を休止している期間中、図８および図９に示すように、画素領域Ｅの正極性（＋）および負極性（−）のイオン性不純物６０は各々、矢印Ｉ１および矢印Ｉ２で示すように、隣り合う画素電極１５間の電界によって、Ｙ方向の中央からＹ方向の両端部に向けて掃引される。また、画素領域ＥのＹ方向の両端部に掃引された正極性（＋）および負極性（−）のイオン性不純物６０は各々、矢印Ｉ３および矢印Ｉ４で示すように、第１画素電極１５１（ダミー画素電極）、およびイオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）のうち、隣り合う電極間の電界によって、画素領域ＥからＹ方向に離間する方向に掃引される。
【００４９】
なお、イオン掃引用の信号の周波数は、１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚであることが好ましいが、低すぎると、画素電極１５と共通電極２３との間で直流が印加されるのと同様の状態となり、液晶の分解、焼き付き、シミなど、表示不良が発生する恐れがある。また、上記範囲より周波数が高くなると、電界のスクロール速度にイオン性不純物が追従できなくなり、イオン性不純物が掃引できなくなるおそれがある。また、本実施形態では、各信号の電圧の時間平均と基準電位差は略０Ｖである。具体的には、１００ｍＶ以下であることが好ましい。１００ｍＶ以上ある場合は、焼き付きが発生する恐れがある。１００ｍＶ以下では、焼き付きが発生しにくい。
【００５０】
（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態では、画素領域Ｅとシール材４０との間に第１電極１３１が設けられているとともに、第１電極１３１とシール材４０との間に第２電極１３２が設けられている。また、画素領域Ｅの複数の画素電極１５のうち、第１電極１３１と隣り合う第１画素電極１５１に第１位相Ｖａの第１信号Ｖ１１を供給し、第１電極１３１には第１信号Ｖ１１より位相が遅れた第２位相Ｖｂの第２信号Ｖ２１を印加し、第２電極１３２には第２信号Ｖ２１より位相が遅れた第３位相Ｖｃの第３信号Ｖ２２を印加する。このため、画素領域Ｅのイオン性不純物は、第１画素電極１５と第１電極１３１との間の電界によって第１電極１３１に向けて掃引された後、第１電極１３１と第２電極１３２との間の電界によって第２電極１３２に向けて掃引される。従って、画素領域Ｅのイオン性不純物を画素領域Ｅから効率よく掃き出すことができるので、イオン性不純物が表示の品位に影響を及ぼしにくい。
【００５１】
また、画素領域Ｅの画素電極１５に印加した信号によって、画素領域Ｅのイオン性不純物を画素領域Ｅの端部に掃引した後、画素領域Ｅの端部に掃引されたイオン性不純物を第１画素電極１５と第１電極１３１との間の電界によって第１電極１３１に向けて掃引する。このため、画素領域Ｅのイオン性不純物が画素領域Ｅに偏在しにくいので、イオン性不純物が表示の品位に影響を及ぼしにくい。また、イオン性不純物の掃引を画素領域Ｅの寸法が小さいＹ方向で行うため、画素領域Ｅからのイオン性不純物の掃引を効率よく行うことができる。また、イオン性不純物の掃引を走査線３ａが並ぶＹ方向で行うため、液晶装置４００の通常の回路構成を利用し、駆動方法を異ならせることによって、イオン性不純物の掃引を行うことができる。
【００５２】
特に無機材料によって第１配向膜１８、および第２配向膜２４を設けた場合、イオン性不純物を吸収しやすい傾向にあるが、その場合でも、本実施形態によれば、イオン性不純物が表示の品位に影響を及ぼしにくい。
【００５３】
［実施形態２］
図１０は、本発明の実施形態２に係る液晶装置１００の説明図であり、画素領域Ｅの平面構成等を模式的に示す平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネル１１０を切断した様子を模式的に示す断面図である。従って、図１０は、実施形態１で参照した図６に対応し、図１１は、実施形態１で参照した図７に対応する。なお、本実施形態および以下に説明する実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５４】
実施形態１では、見切り部２１がダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）と平面視で重なっていたが、図１０および図１１に示すように、本実施形態では、見切り部２１がダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）と重なっておらず、ダミー画素領域Ｅ２は、電子見切り１２０として、見切り部２１とともに遮光性の見切りを構成する。従って、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）には振幅が±５Ｖの信号を供給するが、画像の表示中、ダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）には、最大電圧値でも黒表示を行う信号を印加する。例えば、ダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）には、±０．５Ｖの信号を供給する。
【００５５】
［実施形態３］
図１２は、本発明の実施形態３に係る液晶装置１００の説明図であり、画素領域Ｅの平面構成等を模式的に示す断面図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ’線に沿って液晶パネル１１０を切断した様子を模式的に示す断面図である。従って、図１２は、実施形態１で参照した図６に対応し、図１３は、実施形態１で参照した図７に対応する。
【００５６】
実施形態１、２では、画素領域Ｅにダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）が設けられていたが、図１２および図１３に示すように、本実施形態では、画素領域Ｅにダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）が設けられていない。従って、画素領域Ｅの全体が表示領域Ｅ１になっている。本実施形態において、イオン性不純物の掃引は、例えば、画像を表示しない期間のみに行われる。なお、イオン性不純物の掃引を常時行うこともできる。それ故、イオン性不純物の掃引を行う際は、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）、および画素電極１５には±５．０Ｖの信号を供給してもよい。
【００５７】
［実施形態４］
図１４は、本発明の実施形態４に係る液晶装置１００で用いる信号の説明図であり、図１４は、実施形態１で参照した図９に対応する。実施形態１では、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）、およびダミー画素電極（第１画素電極１５１および第２画素電極１５２）に印加する信号が矩形波であったが、図１４に示すように、１周期の時間内において互いに位相が異なる正弦波を利用してもよい。
【００５８】
なお、矩形波および正弦波のいずれの信号においても、基準電位に対して正極性の最大電位と、負極性の最大電位とを必ずしも同じにしなくてもよい。例えば、０Ｖを基準電位として、５Ｖと−５Ｖとの間で振幅する交流信号と、０Ｖを基準電位として、７．５Ｖと−７．５Ｖとの間で振幅する交流信号と、０Ｖを基準電位として、１０Ｖと−１０Ｖとの間で振幅する交流信号を用いてもよい。
【００５９】
［実施形態５］
図１５は、本発明の実施形態５に係る液晶装置１００の説明図であり、液晶パネル１１０を切断した様子を模式的に示す断面図である。従って、図１５は、実施形態１で参照した図７に対応する。また、本実施形態および以下に説明する実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、対応する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００６０】
図１５に示すように、本実施形態では、第２基板２０に設けた共通電極２３が、画素領域Ｅと平面視で重なる領域の全域にベタに設けられているが、共通電極２３の外縁は、平面視で画素領域Ｅと第１電極１３１との間に位置する。従って、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と平面視で重なる部分には共通電極２３がほとんど設けられていない。従って、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と共通電極２３との間に電界が生じ難いので、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の間に生ずる電界のスクロールによって、イオン性不純物を画素領域Ｅの外側の見切り領域Ｅ３に効率よく掃き出すことができる。
【００６１】
この場合、図示を省略するが、例えば、共通電極２３の外縁の一部から延在する引き出し配線を設け、引き出し配線を介して共通電極２３を上下導通部１０６と電気的に接続した構造を採用すれば、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と共通電極２３とが平面的に重なる面積を極めて狭くすることができる。
【００６２】
また、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３に部分的な途切れ部分を設け、途切れ部分と平面視で重なる部分で引き出し配線を延在させてもよい。また、共通電極２３のうち、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３が設けられた領域に形成された部分の上層に適度な厚さの絶縁膜を設け、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）と共通電極２３との間に電界が生じ難い態様としてもよい。
【００６３】
［実施形態６］
図１６は、本発明の実施形態６に係る液晶装置１００の説明図であり、液晶パネル１１０を切断した様子を模式的に示す断面図である。従って、図１６は、実施形態１で参照した図７に対応する。図１７は、図１６に示すイオントラップ電極の構成とイオン性不純物の掃引効果との関係を示す説明図であり、図１７には、各電極間距離の比、および信号の周波数を変化させた場合のイオン性不純物の掃引効果を示してある。より具体的には、図１７には、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０を第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１で割った値を０．５〜４まで変化させ、信号の周波数を０．１Ｈｚから１０Ｈｚ変化させた際のイオン性不純物の掃引効果を電気泳動シミュレーターで評価した結果を示してある。図１６において、イオン性不純物に対して十分な掃引効果が得られた条件には「○」を付し、イオン性不純物に対する掃引効果が不十分である条件には「×」を付してある。ここで、イオントラップ電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）の配置ピッチは４μｍであり、イオントラップ電極の幅、およびイオントラップ電極の間隔はいずれも２μｍである。
【００６４】
図１６に示すように、本実施形態において、第１電極１３１、第２電極１３２、第３電極１３３は、Ｙ方向に等間隔で配置されている。第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３のＹ方向の幅Ｌ１は、例えば４μｍであり、第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３の平面視におけるＹ方向のピッチは、例えば８μｍである。従って、第１電極１３１と第２電極１３２との平面におけるＹ方向の間隔Ｓ１（第２間隔）、および第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ２（第３間隔）はいずれも、４μｍである。
【００６５】
また、図１７に示すように、信号の周波数を０．１Ｈｚから１０Ｈｚ変化させるとともに、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０（第１間隔）を第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との間隔Ｓ２）で割った値を０．５〜４まで変化させると、比（Ｓ０／Ｓ１）が小さい程、十分な掃引効果を得ることのできる周波数の上限が高い。例えば、比（Ｓ０／Ｓ１）が０．５〜１．０である場合、信号の周波数が０．１Ｈｚ〜５Ｈｚで十分な掃引効果を得ることができるのに対して、比（Ｓ０／Ｓ１）が２．０である場合、信号の周波数が０．１Ｈｚ〜２Ｈｚでしか十分な掃引効果を得ることができず、比（Ｓ０／Ｓ１）が４．０である場合、信号の周波数が０．１Ｈｚでしか十分な掃引効果を得ることができない。従って、比（Ｓ０／Ｓ１）を１以下にすれば、比較的高い周波数でも十分な掃引効果を得ることができる。
【００６６】
それ故、本実施形態においては、図１６に示すように、複数の画素電極１５のうち、第１電極１３１とＹ方向で隣り合う画素電極１５（第１画素電極１５１）と、第１電極１３１との平面視におけＹ方向の間隔Ｓ０は、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ２）以下に設定されている。本実施形態において、画素電極１５と第１電極１３１との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ０は、第１電極１３１と第２電極１３２との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ１（＝第２電極１３２と第３電極１３３との平面視におけるＸ方向の間隔Ｓ２）と等しい。ここで、間隔が等しいとは、設計値が等しいことを意味し、工程内でのばらつきを考慮すると、±１０％の差がある場合も、間隔が等しいとの定義に含まれる。また、画素電極１５と第１電極１３１との平面視におけるＹ方向の間隔Ｓ０は、Ｙ方向で隣り合う画素電極１５の間隔Ｓ３より広い。
【００６７】
例えば、第１電極１３１と画素電極１５との間隔Ｓ０（第１間隔）は１μｍであり、第１電極１３１と第２電極１３２との間隔Ｓ１、および第２電極１３２と第２電極１３２との間隔Ｓ２も１μｍである。また、隣り合う画素電極１５の間隔は、０．５μｍである。
【００６８】
このような態様によれば、移動度が低いイオン性不純物であっても、画素領域Ｅから第１電極１３１に引き寄せられる。従って、画素領域Ｅからイオン性不純物を適正に掃き出すことができるので、イオン性不純物が表示の品位を低下させにくい。
【００６９】
［実施形態７］
図１８は、イオン性不純物の移動度μと温度との関係を示すグラフである。図１８に示すグラフは、横軸がイオン性不純物の温度であり、右側にいくに従って温度が高くなっている。縦軸はイオン性不純物の移動度であり、ｌｏｇμの値で示している。図１８から分かるように、イオン性不純物の移動度μ（移動速度ｖ）は温度に依存し、移動度μの対数（＝ｌｏｇμ）は、以下の式によって求めることができる。なお、Ｔは、温度℃である。
ｌｏｇμ＝０．０２８２Ｔ−１０．３５７
【００７０】
従って、液晶装置２００が実際に駆動されるときの温度が常温よりも高ければ、信号の周波数（１０ｍＨｚ〜５０ｍＨｚ）を高くしてもイオン性不純物を適正に掃引することができる。例えば、温度が室温（例えば、２５℃）のときのイオン性不純物の移動度μの値は、ｌｏｇμの値で凡そ、−９．６となる。これに対し、温度が６０℃のときのイオン性不純物の移動度μの値は、ｌｏｇμの値で−８．７となる。つまり、２５℃に対して６０℃のイオン性不純物の移動度μはおよそ１０倍になる。６０℃の温度に着目するのは、液晶装置２００を投射型表示装置のライトバルブとして使用したときの温度を考慮したものである。それ故、投射型表示装置の温度が上がれば、イオン性不純物の移動度も上がる。具体的には、室温で５０ｍＨｚの交流信号を印加していたものを、例えば、５００ｍＨｚの交流信号を印加しても掃引することができる。すなわち、交流信号の周波数を高くすることでき、イオン性不純物を効率よく掃引することができる。また、焼き付きリスクを低減することができる。
【００７１】
よって、例えば、液晶装置２００の温度を測定するための温度センサーを設け、制御部が、温度センサーによって得られた情報に基づいて、イオン性不純物を掃引するための信号の周波数を適正化する態様を採用してもよい。
【００７２】
［実施形態８］
図１９は、本発明の実施形態８に係る液晶装置１００の電気的な構成を示す等価回路図である。従って、図１９は、実施形態１で参照した図３に対応する。図１９に示すように、本形態の液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の選択配線８０と、複数の書き込み配線（第１書き込み配線８１、第２書き込み配線８２、および第３書き込み配線８３）と、スイッチング素子３３とを有している。選択配線８０は、スイッチング素子３３として用いたＴＦＴ３３ａ、３３ｂ、３３ｃのゲートに電気的に接続されている。選択配線８０は、選択端子９０と電気的に接続されている。選択端子９０に電圧を印加することにより、複数の選択配線８０と接続された全てのＴＦＴ３３ａ、３３ｂ、３３ｃを選択することができる。
【００７３】
複数の書き込み配線（第１書き込み配線８１、第２書き込み配線８２、および第３書き込み配線８３）は各々、ＴＦＴ３３ａ、３３ｂ、３３ｃを介して画素電極１５に電気的に接続されている。従って、不純物イオンの掃引を行う際、複数の書き込み配線（第１書き込み配線８１、第２書き込み配線８２、および第３書き込み配線８３）からＴＦＴ３３ａ、３３ｂ、３３ｃを介して画素電極１５に信号を供給することができる。
【００７４】
［実施形態９］
図２０は、本発明の実施形態９に係る液晶装置１００の説明図であり、画素領域Ｅ内のイオン性不純物を画素領域Ｅの端部に掃引する動作等を示す説明図である。従って、図２０は、実施形態１で参照した図８に対応する。
【００７５】
実施形態１では、Ｙ方向の両側に位置する電極と、印加される信号との組み合わせが対称であったが、画素領域Ｅの内側に位置する電極からシール材４０に向けて配置された電極に対して、位相が遅れた信号が供給される態様であれば、図２０に示すように、Ｙ方向の両側に位置する電極と、印加される信号との組み合わせが非対称であってもよい。例えば、画素領域ＥのＹ方向の一方側の端部に位置する画素電極１５に第１位相Ｖａの信号が供給されるが、画素領域ＥのＹ方向の他方側の端部に位置する画素電極１５に第３位相Ｖｃの信号が供給される場合、画素領域ＥのＹ方向の他方側に配列されたイオントラップ用電極（電極１３４、１３５、１３５）に印加される信号の順序をＹ方向の一方側と相違させてもよい。
【００７６】
［他の実施形態］
上記実施形態では、各信号の位相を１２０°ずらしたが、位相のずれ量は、１２０°以外であってもよい。但し、信号を生成する回路の構成を簡素化するという観点からすれば、３６０°を位相のずれ量で割った値が整数であることが好ましい。
【００７７】
上記実施形態では、透過型の液晶装置１００に本発明を適用したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００７８】
上記実施形態では、イオントラップ用電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）が第１基板１０に設けられていたが、イオントラップ用電極（第１電極１３１、第２電極１３２、および第３電極１３３）が第２基板２０に設けられている態様であってもよい。
【００７９】
上記実施形態では、共通電極２３が第２基板２０に設けられていたが、共通電極２３が第１基板１０に設けられたＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００８０】
［電子機器の構成］
（投射型表示装置の構成例）
図２１は、本発明を適用した電子機器の構成例を示す説明図である。図２１に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４、１１０５と、３つの反射ミラー１１０６、１１０７、１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１、１２０２、１２０３、１２０４、１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から出射された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１、１２０２、１２０３と２つの反射ミラー１１０７、１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８２】
液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０に入射した色光は、画像信号に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて出射される。クロスダイクロイックプリズム１２０６は、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８３】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述したイオントラップ機構１３０を有する液晶装置１００が適用されたものであり、液晶パネル１１０の色光の入射側と出射側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０、１２３０も同様である。
【００８４】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０、１２２０、１２３０として、実施形態１等に係る液晶装置１００が用いられているので、イオン性不純物に起因する表示不具合が改善され、優れた表示品質を有する投射型表示装置１０００を提供することができる。
【００８５】
［他の実施形態］
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置の駆動方法、及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。また、本発明に係る液晶装置１００を適用可能な電子機器は、投射型表示装置に限定されず、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８６】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、１０…第１基板、１５…画素電極、１８…第１配向膜、２０…第２基板、２１…見切り部、２３…共通電極、２４…第２配向膜、３０…ＴＦＴ、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０４…端子、１０６…上下導通部、１１０…液晶パネル、１２０…電子見切り部、１３０…イオントラップ機構、１３１…第１電極、１３２…第２電極、１３３…第３電極、１５１…第１画素電極、１５２…第２画素電極、１５３…第３画素電極、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１２０７…投射レンズ、１２１０、１２２０、１２３０…液晶ライトバルブ、Ｅ…画素領域、Ｅ１…表示領域、Ｅ２…ダミー画素領域、Ｅ３…見切り領域、Ｌ…システム光軸、Ｐ…画素、Ｐ０…表示画素、ＤＰ…ダミー画素、Ｖａ…第１位相、Ｖｂ…第２位相、Ｖｃ…第３位相。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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