(57)【要約】      （修正有）【課題】信号線路間にあるグランドを強化し、クロストークを抑制し、高周波の信号を良好な条件で伝送する配線基板を提供する。【解決手段】配線基板は、第１凹部１１を有する絶縁基板１０と、絶縁基板１０の上面に、平面視において第１凹部１１を挟み、第１凹部１１に沿って位置する部分を有する一対の信号線路と、絶縁基板１０の上面に位置し、かつ平面視において一対の信号線路と間を空けるとともに、一対の信号線路を基準にして第１凹部１１が位置する側と反対側に沿ってそれぞれ位置する部分を有する上面グランド導体２２と、平面視において絶縁基板１０の内部に位置する第１内部グランド導体と、を備える。第１凹部１１は、第１凹部１１が位置する側面と反対側に位置する端部に、第１凹部１１と連続する第２凹部１２を有する。第２凹部１２は、内周面に、第１内部グランド導体と繋がる内周グランド導体を有する。【選択図】図３
2020053533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面から側面にかけて位置する第１凹部を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の上面に、平面視において前記第１凹部を挟むとともに、前記第１凹部に沿って位置する部分を有する一対の信号線路と、
前記絶縁基板の上面に位置し、かつ平面視において前記一対の信号線路と間を空けるとともに、前記一対の信号線路を基準にして前記第１凹部が位置する側と反対側に沿ってそれぞれ位置する部分を有する上面グランド導体と、
前記絶縁基板の内部に位置する第１内部グランド導体と、を備えており、
前記絶縁基板は、平面視における前記第１凹部の端部のうち、前記第１凹部が位置する前記側面と反対側に位置する端部に、前記第１凹部と連続し、平面視において前記一対の信号線路の間に位置する第２凹部を更に有しており、
前記第２凹部の内周面に、前記第１内部グランド導体と電気的に接続する内周グランド導体が位置することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第２凹部は、前記一対の信号線路と互いに平行して位置し、前記第１凹部の幅方向の中心を通る仮想直線上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
平面視における前記第１凹部の端部および前記第２凹部の端部のうち、前記第１凹部が位置する前記側面と反対側に位置する端部の形状は、平面視において半長円状であり、
前記第２凹部の開口幅の大きさは、前記第１凹部の開口幅の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１〜請求項２のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項４】
平面視において前記絶縁基板の内部に位置し、かつ前記第１内部グランド導体よりも上方に位置している第２内部グランド導体をさらに備え、
側面視において、前記内周グランド導体が、前記第１内部グランド導体および前記第２内部グランド導体の間にのみ位置することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１内部グランド導体は、前記第２凹部の底面まで延びていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項６】
前記内周グランド導体が、前記内周面に沿って前記上面グランド導体と電気的に接続していることを特徴とする請求項１〜請求項３および請求項５のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項７】
前記第２凹部の前記上面からの深さは、前記第１凹部の前記上面からの深さと同じであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項８】
前記絶縁基板は、前記絶縁基板の上面から側面にかけて位置するとともに、平面視において前記一対の信号線路の前記第１凹部が位置する側と反対側に沿ってそれぞれ位置し、かつ前記一対の信号線路と前記上面グランド導体との間にそれぞれ位置する一対の第３凹部をさらに備え、
前記第１凹部の前記上面からの深さは、前記一対の第３凹部の前記上面からのそれぞれの深さ以上の深さであることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項９】
平板と、
前記平板に接合され、内外を貫通する貫通孔を有する枠体と、
前記枠体の前記貫通孔に固定された請求項１〜請求項８のいずれか１つに記載の配線基
板と、を備えていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子部品パッケージと、
前記平板に実装され、前記電子部品パッケージの前記配線基板と電気的に接続された電子部品と、
前記枠体に接合され、前記電子部品を覆う蓋体と、を備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、配線基板を用いた電子部品パッケージおよび電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報技術の発達に伴い、大容量の情報を高速に伝送することを可能とする高周波の利用が進められている。電子装置を構成し、高周波の信号の伝送に配線基板が用いられている例が特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１４６４３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示された高周波用半導体素子収納用パッケージに関する技術は、セラミックス基体と、グランド導体層と、グランド線路導体と、差動線路導体と、差動信号線路導体の間にセラミックス基体の端面から差動信号線路導体に沿って延出する切欠きを有する。しかしながら、特許文献１の技術では、２本のペアの線路導体間において高周波の干渉によるクロストークが生じ、高周波の信号の伝送において損失が大きくなるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る配線基板は、絶縁基板と、一対の信号線路と、上面グランド導体と、を備えている。絶縁基板は、上面から側面にかけて位置する第１凹部を有している。一対の信号線路は、絶縁基板の上面に位置し、かつ平面視において第１凹部を挟むとともに、第１凹部に沿って位置する部分を有している。上面グランド導体は、絶縁基板の上面に位置し、かつ平面視において一対の信号線路と間を空けるとともに、一対の信号線路を基準にして第１凹部が位置する側と反対側に沿ってそれぞれ位置する部分を有している。第１凹部は、平面視における端部のうち、第１凹部が位置する側面と反対側に位置する端部に、第１凹部と連続し、平面視において一対の信号線路の間に位置する第２凹部を有している。第２凹部は、内周面に、第１内部グランド導体と繋がる内周グランド導体を有している。
【０００６】
本発明の一実施形態にかかる電子部品パッケージは、平板と、枠体と、枠体の貫通孔に固定された配線基板と、を備えている。枠体は、平板に接合され、内外を貫通する貫通孔を有している。
【０００７】
本発明の一実施形態にかかる電子装置は、上述の電子部品パッケージと、平板に実装され、電子部品パッケージの配線基板と電気的に接続された電子部品と、枠体に接合され、電子部品を覆う蓋体と、を備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る配線基板は、上記のような構成であることによって、一対の信号線路の間に第１内部グランド導体と繋がる内周グランド導体が位置するため、高周波の干渉を低減することができる。そのため、クロストークを抑制し、ひいては高周波の信号を良好な条件で伝送することができる電子部品パッケージおよび電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージ２の斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板１の斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る配線基板１の要部を拡大した斜視図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る配線基板１の平面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る配線基板１の要部を拡大した平面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る配線基板１の側面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る配線基板１の要部を拡大した側面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る電子装置３の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態に係る配線基板１について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
＜配線基板の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージ２の斜視図である。図２は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の斜視図である。図３は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の要部を拡大した斜視図である。図４は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の平面図である。図５は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の要部を拡大した平面図である。図６は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の側面図である。図７は、本発明の一実施形態に係る配線基板１の要部を拡大した側面図である。図８は、本発明の一実施形態に係る電子装置３の斜視図である。これらの図において、電子部品パッケージ２は、配線基板１を備えている。配線基板１は、絶縁基板１０、第１凹部１１、信号線路２１、上面グランド導体２２および第１内部グランド導体３１を備えている。
【００１２】
絶縁基板１０は、平面視において、たとえば矩形状であり、大きさが４ｍｍ×８ｍｍ〜２５ｍｍ×５０ｍｍで、高さが１ｍｍ〜１０ｍｍである。また、絶縁基板１０は、平面視においてＵ字形状であってもよい。絶縁基板１０は誘電体材料からなっており、複数の誘電体を積層して形成されていてもよい。誘電体材料には、たとえば酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料等を用いることができる。
【００１３】
絶縁基板１０の上面には、上面から側面にかけて設けられる第１凹部１１が位置している。第１凹部１１は絶縁基板１０の上面から下面に向かって深さ成分を持っている。また、第１凹部１１は、絶縁基板１０の側面に接する形で上面から下面にかけて切削等で切欠いて形成してもよい。絶縁基板１０が複数の誘電体を積層して形成されている場合は、第１凹部１１が位置する場所について、複数の誘電体を一部切り取り、重ね合わせることで第１凹部１１を形成してもよい。
【００１４】
第１凹部１１は平面視において、たとえば矩形状であり、大きさが０．２ｍｍ×１ｍｍ〜２ｍｍ×１０ｍｍである。また第１凹部１１は、平面視において半長円状であってもよい。平面視において第１凹部１１の形状が、半長円状である場合、その曲率半径の大きさは、０．１ｍｍ〜１ｍｍであるのがよい。平面視において第１凹部１１の形状が半長円状であることにより、絶縁基板１０のクラックを低減することができる。
【００１５】
また、第１凹部１１は、側面視において、たとえば矩形状であり、第１凹部１１の深さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。ここで第１凹部１１の深さとは、第１凹部を絶縁基板１０の上面から下面にかけて見た場合の最大の深さのことである。第１凹部１１は、側面視においてテーパ状、逆テーパ状および階段形状であってもよい。第１凹部１１は、空気あるいは樹脂材料やガラス材料等を含んでいる誘電体材料で満たされており、絶縁基板１０よりも誘電率が低くなっているのがよい。これによって、一対の信号線路２１の間隔を狭くすることによる静電容量の増加を低減できる。
【００１６】
絶縁基板１０の上面には、第１凹部１１を挟むとともに、第１凹部１１に沿って位置する部分を有する一対の信号線路２１が位置している。信号線路２１の形状は、平面視において、たとえば矩形状であり、幅が０．０５ｍｍ〜２ｍｍ、長さが１ｍｍ〜２０ｍｍである。信号線路２１は、たとえば金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料を含んでおり、絶縁基板１０の上面にメタライズ層やめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。また、信号線路２１は、たとえば１０〜６０ＧＨｚ帯に属する高周波の信号を伝送する。なお、本明細書において、第１凹部１１を挟むことは、第１凹部１１の幅方向の中心を通る仮想直線１４を挟むことを指す。
【００１７】
上面グランド導体２２は、絶縁基板１０の上面に、信号線路２１と間を空けて位置している。また、上面グランド導体２２は、一対の信号線路２１を基準にして、各線路の辺のうち、第１凹部１１が位置する側と反対側のそれぞれの辺に沿って外側から信号線路２１を挟む部分を有している。上面グランド導体２２は、平面視において、たとえば信号線路２１を囲うＵ字形状である。また、上面グランド導体２２は、平面視において、信号線路２１を囲うＵ字形の一部が切り欠かれている形状であってもよい。上面グランド導体２２は、たとえば金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、最上層の絶縁層の表面にメタライズ層やめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされたりするものでもよい。
【００１８】
信号線路２１および上面グランド導体２２は、ＧＳＳＧ構造（差動線路構造）になっている。これによって、信号線路２１は、差動線路として信号を伝送することができる。また、上面グランド導体２２は、信号線路２１を挟む部分を有することで信号配線２１をコプレーナ構造とすることができる。コプレーナ構造とすることによって、高周波の信号を円滑に伝達することができる。
【００１９】
信号線路２１の上面および上面グランド導体２２の上面には、信号線路２１および上面グランド導体２２に対して互いに平行に位置した接続部６０をさらに備えていてもよい。接続部６０は、たとえばリード端子等である。
【００２０】
第１内部グランド導体３１は、平面視において絶縁基板１０の内部に位置し、信号線路２１、上面グランド導体２２と重なるように位置していてもよい。また、絶縁基板１０が複数の誘電体を積層して形成される場合、第１内部グランド導体３１は誘電体の間に積層されていてもよい。第１内部グランド導体３１は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料を含む。また、表面にニッケルめっきや金めっき等が施されていてもよい。第１内部グランド導体３１は、ビア４０等で上面グランド導体２２と電気的に接続されている。
【００２１】
絶縁基板１０の上面には、平面視における第１凹部１１の端部のうち、第１凹部１１が位置する側面と反対側に位置する端部と連続し、一対の信号線路２１の間に位置する第２凹部１２が位置する。第２凹部１２は絶縁基板１０の上面から下面に向かって深さ成分を持っている。これによって、一対の信号線路２１間に空間が形成され、一対の信号線路２１間の誘電率を小さくすることができる。このため、一対の信号線路２１の間隔を狭くすることにより静電容量が大きくなり過ぎることを低減することができる。
【００２２】
第２凹部１２は、平面視において、たとえば矩形状であり、大きさが０．１ｍｍ×０．
１ｍｍ〜１ｍｍ×１ｍｍである。また、第２凹部１２は、平面視において半長円状や半円状であってもよい。平面視において第２凹部１２の形状が半長円状や半円状であることにより、矩形状に比較して角部に発生する応力を分散できるため、絶縁基板１０のクラックを低減することができる。
【００２３】
また、第２凹部１２は、側面視において第１内部グランド導体３１が露出しており、第２凹部１２の内周面に沿って、第１内部グランド導体３１とつながる内周グランド導体３３が位置している。つまり、第２凹部１２の底面の少なくとも一部が第１内部グランド導体３１で覆われていてもよい。内周グランド導体３３は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、表面にニッケルめっきや金めっきが施されている。内周グランド導体３３は、露出した第１内部グランド導体３１と電気的に接続されている。これによって、一対の信号線路２１の間にグランドビアとして機能する領域が増えるので、一対の信号線路２１の間における高周波の干渉が低減され、クロストークを抑制することができる。
【００２４】
平面視において第２凹部１２の開口幅の大きさは、第１凹部１１の開口幅の大きさの半分以下の大きさであってもよい。これにより、信号線路２１と第１凹部１１間にグランドビアを設けることなく、信号線路２１のグランド強化を図ることができるため、配線基板の寸法をより小さくすることが可能となる。
【００２５】
なお、本明細書における開口幅は、平面視における第１凹部１１および第２凹部１２の端部のうち、第１凹部１１が位置する側面側に位置する端部の幅を指す。
【００２６】
また、第１内部グランド導体３１は、第２凹部１２の底面まで延びていてもよい。これによって、一対の信号線路２１の間にグランドとして機能する領域が更に増えるので、クロストークを抑制することができ、配線基板１の高周波数特性を向上することができる。
【００２７】
また、第２凹部１２は、側面視において、たとえば矩形状であり、第２凹部１２の深さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。第２凹部１２は、側面視においてテーパ状、逆テーパ状および階段形状であってもよい。第２凹部１２は、空気あるいは樹脂材料やガラス材料等を含んでいる誘電体材料で満たされており、絶縁基板１０よりも誘電率が低くなっているのがよい。
【００２８】
第２凹部１２の深さは、たとえば第１凹部１１の深さと同じであってもよい。これによって、第２凹部１２の底面まで延びている第１内部グランド導体３１が、更に第１凹部１１の底面まで延びている場合に、一対の信号線路２１の間にグランドとして機能する領域が更に増えるので、信号線路間のクロストークを抑制することができ、ひいては配線基板１の高周波特性を向上することができる。また、第２凹部１２の深さは、第１凹部１１の深さより浅くてもよい。これによって、配線基板１を構成する絶縁基板１０が複数の誘電体からなる場合、配線基板１の基準グランドを信号配線２１と近い距離で設けることができるため、配線基板１の内層の信号配線設計が容易となる。第２凹部１２の開口幅は、平面視における第２凹部１２の端部のうち、第１凹部１１が位置する側面側に位置する端部の幅方向を結んだ直線の長さを指す。
【００２９】
また、第２凹部１２は、一対の信号線路２１と互いに平行して位置し、平面視において第１凹部１１の幅方向の中心を通る仮想直線１４上に位置していてもよい。これによって、第２凹部１２が仮想直線１４上に位置していていない場合と比べ、第２凹部１２の内周に配置される内周グランド導体３３と一対の信号線路２1の各線路との距離を均等にすることができ、各信号線に対し、グランドとしての機能を均一に発揮できる。これによって、差動信号において、一対の信号線路間の伝送差によって発生する伝搬遅延等を低減することができる。
【００３０】
第２内部グランド導体３２は、平面視において絶縁基板１０の内部に位置し、断面視において、第１内部グランド導体３１よりも上方に位置している。また、絶縁基板１０が複数の誘電体を積層して形成される場合、第２内部グランド導体３２は誘電体の間に積層されていてもよい。第２内部グランド導体３２は、平面視において信号線路２１、上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１と重なって位置していてもよい。また、側面視において第２凹部１２の内壁面に、第２内部グランド導体３２が露出している。第２内部グランド導体３２は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、表面にニッケルめっきや金めっきが施されている。
【００３１】
第２内部グランド導体３２は、ビア４０等で上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１と電気的に接続されている。また、第２凹部１２の内周面において、内周グランド導体３３は、第１内部グランド導体３１と第２内部グランド導体３２の間にのみ位置していてもよい。これによって、一対の信号線路２１の間のような、製造上ビア４０を打つことができない位置にある第１内部グランド導体３１と第２内部グランド導体３２を内周グランド導体３３によって電気的に接続することができる。そのため、グランドとして機能する領域の電位を安定させることができる。
【００３２】
また、第２凹部１２の内周面において、内周グランド導体３３は第１内部グランド導体３１と上面グランド導体２２とつながっていてもよい。これによって、一対の信号線路２１の間のような、製造上ビア４０を打つことができない位置にある第１内部グランド導体３１と上面グランド導体２２を内周グランド導体３３によって電気的に接続することができる。そのため、グランドとして機能する領域の電位を安定させることができる。
【００３３】
一対の第３凹部１３は、絶縁基板１０の上面から側面にかけて位置するとともに、平面視において一対の信号線路２１の各線路の辺のうち、第１凹部１１が位置する側と反対側のそれぞれの辺に沿ってそれぞれ位置している。第３凹部１３は、絶縁基板１０の上面から下面に向かって深さ成分を持っている。また、第３凹部１３は、絶縁基板１０の側面に接する形で、上面から下面に切削等で切欠いて形成してもよい。絶縁基板１０が複数の誘電体が積層して形成されている場合は、第３凹部１３が位置する場所について、複数の誘電体を一部切り取り、重ね合わせることで第３凹部１３を形成してもよい。第３凹部１３は平面視において、たとえば矩形状であり、大きさが０．２ｍｍ×１ｍｍ〜２ｍｍ×１０ｍｍである。また、第３凹部１３は、平面視において、たとえば半長円状であってもよい。第３凹部１３は空気あるいは樹脂材料やガラス材料等を含んでいる誘電体材料で満たされており、絶縁基板１０よりも誘電率が低くなっているのがよい。これにより、信号線路２１と上面グランド導体２２との間の誘電率を低減することができ、信号線路２１と上面グランド導体２２間のインピーダンス整合を行うことが容易となる。
【００３４】
平面視における第３凹部１３の形状が、半長円状である場合、その曲率半径の大きさは、０．１ｍｍ〜１ｍｍであるのがよい。また、第３凹部１３は、断面視において、たとえば矩形状であり、第３凹部１３の深さは、第１凹部１１の深さ以下であり、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。これにより、第３凹部底面から下面にかけて設けられている内層において、信号配線を行う面積を広くすることが可能となり、配線基板１の信号配線設計が容易となる。また、第３凹部１３は、断面視においてテーパ状、逆テーパ状および階段形状であってもよい。第３凹部１３は、空気あるいは樹脂材料やガラス材料等を含んでいる誘電体材料で満たされており、絶縁基板１０よりも誘電率が低くなっているのがよい。このため、信号線路２１と上面グランド導体２２の間隔を狭くすることによる静電容量の増加を低減することができる。
【００３５】
また、絶縁基板１０の側面のうち、第１凹部１１および一対の第３凹部１３が位置する側面には溝部５０が位置していてもよい。また、平面視において第３凹部１３と溝部５０が、連続するように位置していてもよい。溝部５０の内周面には、側面グランド導体３４が位置していてもよい。側面グランド導体３４は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、表面にニッケルめっきや金めっきが施されている。側面グランド導体３４は絶縁基板１０の上面と、溝部５０の境界で上面グランド導体２２と繋がっていてもよい。これによって、図２に示すように、配線基板１に一対の信号線路２１が複数配置されている場合、隣接する一対の信号線間同士のクロストークを低減し、一対の信号線路２１の周波数特性を向上させることができる。
【００３６】
第３内部グランド導体３５は、平面視において絶縁基板１０の内部に位置し、断面視において、第１内部グランド導体３１よりも下方に位置している。また、絶縁基板１０が複数の誘電体を積層して形成される場合、第３内部グランド導体３５は誘電体の間に積層されていてもよい。第３内部グランド導体３５は、平面視において信号線路２１、上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１、第２内部グランド導体３２と重なって位置していてもよい。また、第３グランド導体３５は、側面視において、絶縁基板１０の側面に露出している。第３内部グランド導体３５は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、表面にニッケルめっきや金めっきが施されている。第３内部グランド導体３５は、ビア４０等で上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１、第２内部グランド導体３２と電気的に接続されている。
【００３７】
また、第３内部グランド導体３５は、側面グランド導体３４と繋がっていてもよい。これによって、図２に示すように、配線基板１に一対の信号線路２１が複数配置されている場合、隣接する一対の信号線間同士のクロストークを低減し、一対の信号線路２１の周波数特性を向上させることができる。
【００３８】
第３凹部１３の底面には、底面グランド導体３６が位置していてもよい。底面グランド導体３６は、たとえば、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなり、表面にニッケルめっきや金めっきが施されている。底面グランド導体３６は、第３凹部１３の底面と溝部５０の境界で側面グランド導体３４と繋がっていてもよい。これによって、配線基板１に一対の信号線路２１が複数配置されている場合、さらに隣接する一対の信号線間同士のクロストークを低減できるため、一対の信号線路２１の周波数特性をさらに向上させることができる。
【００３９】
＜配線基板の製造方法＞
絶縁基板１０は、たとえば複数の絶縁層が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製される。まず、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。その後、上記のセラミックグリーンシートを積層して、圧着する。最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約１６００℃の温度で焼成するとともに、切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とすることによって所望の形状からなる絶縁基板１０を作製することができる。
【００４０】
信号線路２１、上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１、第２内部グランド導体３２は、たとえば、タングステンやモリブデン、マンガン等の高融点の金属からなるメタライズ層からなる場合、次のようにして形成することができる。まず高融点の金属の粉末を有機溶剤およびバインダとともによく混ざるように練って作製した金属ペーストを、絶縁層の上面や下面となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷する。その後、これらの金属ペーストが印刷されたセラミックグリーンシートを積層するとともに圧着し、同時焼成する。以上の工程によって、絶縁基板１０の上面や内部にメタライズ層が信号線路２１、上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１、第２内部グランド導体３２として被着される。また、信号線路２１、上面グランド導体２２、第１内部グランド導体３１、第２内部グランド導体３２は、表面にニッケルめっきや金めっきを設けてもよい。これにより、それぞれの金属層の表面における、ろう材やはんだ等の接合材の濡れ性を向上することができ、金属層と接合される平板４等の接合性を向上することができるとともに、耐腐食性や耐候性を向上することができる。
【００４１】
ビア４０は、たとえば複数の絶縁層となるセラミックグリーンシートに貫通孔６を設けておいて、貫通孔６内に上面グランド導体２２や第１内部グランド導体３１を形成するのと同様の金属ペーストを充填し、それぞれのセラミックグリーンシートを積層するとともに圧着し、同時焼成することによって設けることができる。貫通孔６は、たとえば金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工、またはレーザ光を用いた加工等の孔あけ加工によって設けることができる。金属ペーストの貫通孔６への充填の際には、真空吸引等の手段を併用して金属ペーストの充填を容易なものとする。
【００４２】
＜電子部品の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る電子部品パッケージ２の斜視図である。これらの図において、電子部品パッケージ２は、平板４、枠体５および本発明の実施形態に係る配線基板１を備えている。なお、この図面において配線基板１は上面を下向きにして取り付けられている。
【００４３】
平板４は、平面視において例えば矩形状であり、平面視における大きさが５ｍｍ×１０ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍで、高さが０．３ｍｍ〜２０ｍｍである。
【００４４】
平板４を取り囲むように、枠体５が設けられている。枠体５は、平面視において例えば矩形状であり、大きさが５ｍｍ×１０ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍで、高さが２ｍｍ〜１５ｍｍである。また、厚みは０．５ｍｍ〜２ｍｍである。
【００４５】
平板４、枠体５は、たとえば鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンのような金属、あるいはこれらの金属の合金、たとえば銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金、鉄−ニッケル−コバルト合金などを用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、平板４を構成する金属部材を作製することができる。
【００４６】
枠体５の側壁部には貫通孔６が設けられている。貫通孔６には、上記に記載した配線基板１や電子部品パッケージ２の内側と外側とを電気的に接続する、酸化アルミニウム質焼結体からなる絶縁端子が挿入固定されている。つまり、電子部品パッケージ２において、配線基板１は、入出力端子の役割を果たす。
【００４７】
＜電子装置の構成＞
図８に示すように、本発明の一実施形態に係る電子装置３の斜視図を示している。この図において、電子装置３は、本発明の実施形態に係る電子部品パッケージ２、電子部品７および蓋体８を備えている。
【００４８】
電子部品７は、たとえばレーザーダイオード（ＬＤ）である。電子部品７は、フォトダイオード（ＰＤ）等であってもよい。
【００４９】
蓋体８は、枠体５に、電子部品パッケージ２の内部を覆うように接合される。蓋体８は、平面視において例えば矩形状であり、大きさが５ｍｍ×１０ｍｍ〜５０ｍｍ×５０ｍｍで、高さが０．５ｍｍ〜２ｍｍである。蓋体８は、たとえば鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンを含む金属、あるいはこれらの金属の合金、たとえば銅−タングステン合金、銅−モリブデン合金、鉄−ニッケル−コバルト合金等を用いることができる。このような金属材料のインゴットに圧延加工法、打ち抜き加工法のような金属加工法を施すことによって、蓋体８を構成する金属部材を作製することができる。
【００５０】
以上、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更等が可能である。さらに、特許請求の範囲に属する変更等は全て本発明の範囲内のものである。
【符号の説明】
【００５１】
１：配線基板
２：電子部品パッケージ
３：電子装置
４：平板
５：枠体
６：貫通孔
７：電子部品
８：蓋体
１０：絶縁基板
１１：第１凹部
１２：第２凹部
１３：第３凹部
１４：仮想直線
２１：信号線路
２２：上面グランド導体
３１：第１内部グランド導体
３２：第２内部グランド導体
３３：内周グランド導体
３４：側面グランド導体
３５：第３内部グランド導体
３６：底面グランド導体
４０：ビア
５０：溝部
６０：接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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