(57)【要約】      （修正有）【課題】ふっ素樹脂に金属層を設けたふっ素樹脂成形体において、ふっ素樹脂の変形に対する金属層の追従性を高めることで剥離の発生を抑制し、特に同軸ケーブル用途に好適なふっ素樹脂成形体の提供。【解決手段】ふっ素樹脂２の表面に、ふっ素樹脂２の表面に対して離間する方向に延在する分子鎖を有する改質層３を設け、改質層３を介してふっ素樹脂２に金属層４を設けたふっ素樹脂成形体１。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ふっ素樹脂の表面に金属層を設けたふっ素樹脂成形体であって、
該金属層は、該ふっ素樹脂の表面に設けられた改質層を介して該ふっ素樹脂の表面に設けられており、
該改質層は、該ふっ素樹脂の表面に対して離間する方向に延在する分子鎖を有することを特徴とするふっ素樹脂成形体。
【請求項２】
該分子鎖は、該ふっ素樹脂に対して共有結合によって付与されていることを特徴とする、請求項１に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項３】
該分子鎖のふっ素樹脂の表面に対して離間する方向に延在する鎖長は、原子４個以上の鎖長を有することを特徴とする、請求項１または２に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項４】
該分子鎖を構成する原子間の結合は、単結合を主としていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項５】
該分子鎖は、該ふっ素樹脂の表面に対して離間する方向に延在する主鎖から分岐した側鎖を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項６】
該分子鎖は、連鎖重合性もしくは逐次重合性を有する化合物を使用して構成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項７】
該連鎖重合性は、付加重合性であることを特徴とする、請求項６に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項８】
該分子鎖は、複数の化合物を組み合わせて構成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項９】
該ふっ素樹脂は、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＰＴＦＥの中から選択されたものであることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載のふっ素樹脂成形体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のふっ素樹脂成形体を使用した同軸ケーブル。
【請求項１１】
ふっ素樹脂の表面に、該ふっ素樹脂の表面に設けられた改質層を介して金属層を設けたふっ素樹脂成形体の成形方法であって、以下（ａ）〜（ｄ）の工程を有するもの。
（ａ）ふっ素樹脂にラジカルを発生させる工程。
（ｂ）化合物と該ラジカルとを反応させて共有結合を形成するとともに、反応した該化合物中に新たなラジカルを発生させる工程。
（ｃ）該新たなラジカルが発生した化合物と、新たな化合物とを反応させて共有結合を形成させる工程。
（ｄ）上記（ａ）〜（ｃ）の工程を経ることで該ふっ素樹脂の表面に設けられた改質層に、金属層を設ける工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はふっ素樹脂に金属層を設けたふっ素樹脂成形体に関するもので、特に同軸ケーブルの誘電体、外部導体として好適に使用できるものである。
【０００２】
近年、計測機器、情報通信機器の小型化が進んでおり、これに伴いこれらの機器に使用される同軸ケーブルも細径化が要求されている。同軸ケーブルを細径化する手法の１つとして、同軸ケーブルの外部導体を金属メッキで構成する方法が提案されている。（例えば特許文献１）
【０００３】
また、通信機器の通信速度を向上させるために、通信に使用される周波数帯域が増加する傾向も存在する。高周波用途に使用される同軸ケーブルには高周波帯域に対する低損失が要求され、高周波帯域における損失を減らすには外部導体の表面を平滑にする必要がある。
【０００４】
外部導体を金属メッキで構成した同軸ケーブルは構造上、外部導体を導体素線で構成した同軸ケーブルと比較して外部導体の表面を平滑にすることができるため、高周波用途に適した同軸ケーブルである。
【０００５】
しかしながら、外部導体を金属メッキで構成した同軸ケーブルは以下の課題が存在する。
【０００６】
高周波用途の同軸ケーブルは誘電体にふっ素樹脂が使用されることが多いが、ふっ素樹脂は化学的に安定した性質を有しているため、外部導体として金属メッキを施しても密着性が弱く、外部導体の割れや剥離といった破損が起きやすい。
【０００７】
ふっ素樹脂に対する金属メッキの密着を向上させるために、ふっ素樹脂の表面に設けた凹凸に対してアンカー効果を利用して設けたＡＢＳ樹脂被覆層の上に金属メッキ層を設ける方法（特許文献２）や、ふっ素樹脂と金属メッキに対して媒体的接着能を有する接着剤膜を介在させる方法（特許文献３）、特定の化学構造をする分子接着剤をふっ素樹脂と金属メッキに化学結合させる方法（特許文献４）などが提案されている。
【０００８】
しかしながら、ふっ素樹脂の表面に凹凸を設ける方法は、金属メッキの表面の平滑性を悪化させる場合があり、外部導体の表面の平滑性が要求される高周波用途においては好ましくない方法である。
【０００９】
また、接着剤膜や分子接着剤を使用する方法は、金属メッキの表面の平滑性と一定の密着力を得ることができるが、同軸ケーブルを曲げた際に発生する剥離に対しては十分な抑制効果が得られていない。
【００１０】
具体的には、ふっ素樹脂と比較して金属メッキの柔軟性が乏しいため、ふっ素樹脂の変形に対して金属メッキが充分に追従できない。金属メッキは薄く、物理的強度に乏しいため、追従できない結果が剥離として現れる。すなわち、同軸ケーブルを曲げた部分で金属メッキが剥離しやすく、外部導体の機能低下の一因となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−１３８０１３号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８０１４号公報
【特許文献３】特開２００７−３３５１２４号公報
【特許文献４】特開２００９−１７０１１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、ふっ素樹脂に金属層を設けたふっ素樹脂成形体において、金属層の表面平滑性を損なうことなくふっ素樹脂の変形に対する金属層の追従性を高めることで剥離の発生を抑制し、特に同軸ケーブル用途に好適なふっ素樹脂成形体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、分子鎖の分子運動性によって発現する分子鎖の柔軟性に着目し、ふっ素樹脂の表面に分子鎖を付与し、分子鎖を介して金属層を設けることで、従来の問題を改善できることを見出した。
【００１４】
本発明は、ふっ素樹脂の表面に金属層を設けたふっ素樹脂成形体であって、金属層は、ふっ素樹脂の表面に設けられた改質層を介してふっ素樹脂の表面に設けられており、改質層は、ふっ素樹脂の表面に対して離間する方向に延在する分子鎖を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のふっ素樹脂成形体は、以下に記載した優れた効果が期待できる。
（１）改質層を介してふっ素樹脂の表面に金属層が設けられるため、ふっ素樹脂に対して金属層を強固に設けることができる。
（２）改質層は柔軟性を有する分子鎖で構成されているため、ふっ素樹脂の変形時に発生する応力を分子鎖が吸収し、改質層の上に設けられた金属層の剥離の発生を抑制することができる。
（３）改質層は従来の接着層と比較して薄く形成することができるため、ふっ素樹脂成形体を同軸ケーブルに使用した際の細径化に寄与する。
（４）平滑な金属層が得られるため、ふっ素樹脂成形体を同軸ケーブルに使用した際に優れた高周波特性を得ることができる
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のふっ素樹脂成形体の基本構造である。
【図２】本発明のふっ素樹脂成形体を使用した同軸ケーブルの一例である。
【図３】本発明のふっ素樹脂成形体の具体例である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の基本的構成を、添付図面を参照しながら説明する。図１において、１は本発明のふっ素樹脂成形体、２はふっ素樹脂、３は改質層、４は金属層である。
本発明で特徴的なことは、金属層４はふっ素樹脂２の表面に設けられた改質層３を介してふっ素樹脂２の表面に設けられており、改質層３は、ふっ素樹脂２の表面に対して離間する方向に延在する分子鎖を有していることである。
【００１８】
改質層３を介してふっ素樹脂２の表面に金属層４を設けることで、ふっ素樹脂２に対して金属層４を強固に設けることができる。
【００１９】
分子鎖は原子間の結合を軸とする回転に起因する分子運動性を有し、分子運動性の結果一定の柔軟性を発現する。
改質層３がふっ素樹脂２の表面に対して離間する方向に延在する分子鎖を有することによって、改質層３は分子鎖の分子運動性に起因する柔軟性を有することになる。この結果、ふっ素樹脂２の変形時に発生する応力が柔軟性を有する分子鎖によって吸収され、ふっ素樹脂２の変形に対する金属層４の追従性が高まり、金属層４の剥離を抑制することができる。
【００２０】
分子鎖の柔軟性を得るためには、分子鎖を構成する原子間の結合は単結合を主とするのが好ましい。原子間で回転が起きる際の軸が単結合である場合、少ないエネルギーで回転が可能であるため、結果として分子運動性が向上し、分子鎖の柔軟化に寄与する。
【００２１】
必ずしも分子鎖を構成する原子間の結合を全て単結合とする必要はなく、分子鎖の柔軟性を失わない範囲で、分子鎖中に不飽和結合が存在しても良い。
【００２２】
分子鎖は、ふっ素樹脂２の表面に対して離間する方向に延在する主鎖から分岐した側鎖を有する分子鎖であることが好ましい。側鎖を有する分子鎖を用いることで、分子鎖の分子運動性がさらに向上し、分子鎖のさらなる柔軟化に寄与する。
【００２３】
側鎖の鎖長は、原子４個以上の鎖長を有することが好ましい。原子４個分以上の鎖長を有することで、側鎖中に原子間の結合、言い換えると原子間で起きる回転の軸が３箇所以上存在することになり、良好な分子運動性が得られ、結果として分子鎖全体の柔軟性に寄与する。
【００２４】
側鎖の鎖長の最大値は特に限定されないが、側鎖が長大化すると分子鎖間の相互作用による結晶化が進行し、分子運動性が低下してしまう。そのため、側鎖の鎖長は結晶化が進行しない程度に留めるのが好ましい。
【００２５】
結晶化が進行しない程度の側鎖の鎖長は一概に決定できるものではないが、原子８個分の長さに留めれば、良好な分子運動性が概ね維持される。
【００２６】
加えて、側鎖からさらに分岐する分子鎖も存在すると分子運動性がさらに向上し、分子鎖全体のより一層の柔軟性向上に寄与する。
【００２７】
本発明に用いられる分子鎖の種類は特に限定されず、分子鎖を形成できる種々の化合物を適宜選択して使用することができるが、（ａ）一定の長さを有する分子鎖を形成させる観点、（ｂ）反応性に乏しいふっ素樹脂２に対して分子鎖を付与する観点、（ｃ）金属層との親和性の観点を考慮して、化合物を選定するのが好ましい。
【００２８】
（ａ）一定の長さを有する分子鎖を形成させる観点では、炭素原子を骨格とする分子鎖を形成する化合物、シロキサン結合を骨格とする分子鎖を形成する化合物が好適に利用できる。
【００２９】
炭素原子を骨格とする分子鎖を形成する化合物は、技術的に確立した種々の化学合成法を用いて分子鎖を形成することができるため、比較的容易に一定の長さを有する分子鎖を得ることができる点で好適に利用できる。
加えて、原子価（結合の手の本数）が４であるため、分子鎖の形成に結合の手を２本使用しても、さらに２つの化学種を結合する能力があるため、分子鎖の柔軟性に寄与する側鎖を設けたり、改質層３に追加の機能を発現させるための化学種を結合させたりすることができる点においても好適に利用できる。
【００３０】
シロキサン結合を骨格とする分子鎖を形成する化合物も、技術的に確立した方法を用いて分子鎖を形成することができるため、比較的容易に一定の長さを有する分子鎖を得ることができる点、原子価が４である点で好適に利用できる。
加えて、シロキサン結合を骨格とする分子鎖は、分子鎖が螺旋状に形成され、螺旋状の分子鎖に起因する柔軟性も発現するため、改質層３の柔軟性の向上に寄与する。
【００３１】
（ｂ）反応性に乏しいふっ素樹脂２に対して分子鎖を付与する観点においても、炭素原子を骨格とする分子鎖を形成する化合物、シロキサン結合を骨格とする分子鎖を形成する化合物が好適に利用できる。
【００３２】
ふっ素樹脂２に対して分子鎖を付与するには、ふっ素樹脂２に対して電子線処理になどを施し、強力なエネルギーを与えることで、ふっ素樹脂２の表面付近に存在する炭素原子−ふっ素原子間の結合（Ｃ−Ｆ結合）を切断し、切断によって発生したラジカルに分子鎖を構成する化合物を反応させる方法が使用できる。
【００３３】
炭素原子を骨格とする分子鎖を形成する化合物は、化合物中に存在する炭素原子を種々のラジカル化手段を用いてラジカル化することが可能なため、ふっ素樹脂２に発生したラジカルに対して化合物を容易に付与することができる。加えて、化合物を付与した際にふっ素樹脂２中の炭素原子−化合物中の炭素原子間に化学的に強い結合である共有結合が形成されるため、ふっ素樹脂２に対する分子鎖の付与が強固になり、結果としてふっ素樹脂２に対して金属層４が強固に設けられる。
【００３４】
シロキサン結合を骨格とする分子鎖を形成する化合物を利用する際は、末端にラジカル重合性基を有する種々のシロキサン化合物を使用できるため、ふっ素樹脂２に発生したラジカルに対して化合物を容易に付与することができる点で好適である。
【００３５】
以上を言い換えると、本発明に使用する化合物は、連鎖重合性もしくは逐次重合性を有する化合物が好適に利用できる。これらの重合性を有する化合物を重合させることで、ふっ素樹脂２の表面に容易に分子鎖を形成することができる。
【００３６】
連鎖重合性を有する化合物を使用する際は、付加重合性であることが好ましい。付加重合には、カチオン重合、アニオン重合、ラジカル重合があり、目的とする分子鎖の形成に適した重合法を適宜選択して使用できる。
【００３７】
より好ましくは、付加重合性はラジカル重合性であると良い。ラジカル重合性であれば、一定の長さの分子鎖を得るのに有利な、リビングラジカル重合を利用することができる。
【００３８】
リビングラジカル重合は、分子鎖の成長の起点となるラジカルの発生点（反応点）を制御しやすいため、所望する分子鎖を得る際に好ましく利用できる。加えて、ラジカルの発生点が複数存在しても、分子鎖の成長が特定の反応点に偏ることが無く、各分子鎖の成長が均一になる。
【００３９】
リビングラジカル重合で分子鎖を成長させる際は、電子線処理などで最初にふっ素樹脂２の表面にラジカルを発生させることになるが、ふっ素樹脂２の表面に発生する単位ｎｍあたりのラジカル数（グラフト密度）を一定値以上にすることで、ふっ素樹脂２の表面に沿う方向への分子鎖の成長が、周辺に存在する分子鎖によって阻害されるため、ふっ素樹脂２の表面に対して離間する方向への分子鎖の成長を促すことができる。
【００４０】
金属層４との親和性の観点では、金属イオンに配位結合可能な官能基を有する化合物や、ＨＳＡＢ則に従って、使用する金属との反応性が高い化合物、金属メッキ時に使用する溶媒との親和性が高い化合物が好適に利用できる。
【００４１】
本発明の分子鎖に好適に利用できる化合物の一例として、非共有電子対を有し金属に配位する能力が高い窒素原子、酸素原子を分子中に含む化合物が挙げられる。
【００４２】
金属層４に使用する金属の候補として導電性に優れた銅、ニッケル、金、銀、スズなどが挙げられ、金属層４を設ける代表的な方法として電解メッキ、無電解メッキが挙げられる。
【００４３】
分子鎖を構成する化合物は１種に限定する必要はなく、複数の化合物を組み合わせて分子鎖を構成しても良い。
例えば、メッキ溶媒との親和性に優れる化合物、分子運動性に優れる化合物、金属配位性が高い化合物を組み合わせて分子鎖を形成し、柔軟性と金属メッキ性の両者に優れる分子鎖とすることができる。
【００４４】
本発明に好適に利用できる化合物の具体例としては、メタクリル酸誘導体、アクリル酸誘導体に代表されるビニル化合物、シロキサン化合物が挙げられる。
【００４５】
ビニル化合物は、分子中に存在するビニル基内の不飽和結合を開くことでビニル化合物同士を重合させるビニル重合を用いて分子鎖を形成することができる。また、ビニル重合を行う際にリビングラジカル重合を使用できるため、ふっ素樹脂２への付与と分子鎖の成長が容易に行える。
【００４６】
ビニル化合物の一種であるメタクリル酸誘導体の基本構造は下記式１であり、種々の構造から選択された置換基Ｒを有する様々な誘導体が利用できる。メタクリル酸誘導体は末端のビニル基がリビングラジカル重合に関与できるとともに、置換基Ｒを選定することによって、溶媒親和性、金属親和性などを得ることができる。
【化１】
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【００４７】
例えば、下記式２に示すメタクリル酸２-ヒドロキシエチルを使用すれば、置換基中に存在するヒドロキシ基のため、メッキ溶媒に使用されるアルコールに対する親和性が得られるとともに、非共有電子対を有する酸素に起因する金属配位性も期待できる。
【化２】
2020082443.tif 000004
【００４８】
下記式３に示すメタクリル酸２-（ジメチルアミノ）エチルを使用すれば、置換基中に存在する窒素に起因する高い金属配位性が得られる。
【化３】
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【００４９】
下記式４に示すエチレングリコール系のメタクリル酸（ｍ＝３〜４）を使用すれば、置換基中に存在するエーテル結合のため、メッキ溶媒のアルコールに対する親和性や、メッキ溶媒中の水に対する親和による分子鎖の膨潤性を得られる。
【化４】
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【００５０】
所望する機能に応じて、式２〜４に示したメタクリル酸誘導体を組み合わせて分子鎖を形成しても良い。
【００５１】
下記式５に示すアクリル酸誘導体も、メタクリル酸誘導体と同様、ビニル基に起因するふっ素樹脂２への付与性、分子鎖の成長性と、置換基Ｒを選定することによる溶媒親和性、金属親和性などの発現が行える。
【化５】
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【００５２】
シロキサン化合物は前述の通り、柔軟性に優れたシロキサン結合による分子鎖が得られる点、末端にラジカル重合性基を有する種々のシロキサン化合物を使用できる点で、好適なものである。具体的な化合物としてはジメチルシロキサンが挙げられる。
【００５３】
また、本発明に使用するふっ素樹脂２としてはＰＦＡ、ＦＥＰ、ＰＴＦＥから選択するのが好ましい。これらのふっ素樹脂は分子構造に占めるふっ素原子の数が多く、極性が低いため、同軸ケーブル用途として好適なものである。
【００５４】
ふっ素樹脂２のラジカル化には、電子線処理、プラズマ処理、深紫外線処理などを使用して高エネルギーを与え、ふっ素樹脂２中に存在するＣ−Ｆ結合を切断する方法が利用できるが、ふっ素樹脂２としてＰＦＡ、ＦＥＰ、ＰＴＦＥを使用する際は、電子線処理が好ましい。
ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＰＴＦＥは分子構造中のＣ−Ｆ結合が多いため、他のふっ素樹脂と比較してラジカル化が行いにくい。このため、工業的に取り扱いしやすく、Ｃ−Ｆ結合を切断するのに必要な高エネルギーを容易に得られる電子線処理が好ましく利用できる。
【００５５】
本発明のふっ素樹脂成形体１は、図２に示したように、ふっ素樹脂２の内部に内部導体５、金属層４の外周に外被６を設けることで、金属層４が外部導体として機能する同軸ケーブル７を得ることができる。
【００５６】
本発明のふっ素樹脂成形体１を用いた同軸ケーブルは図２の態様に限定されず、同軸ケーブルに関する公知の技術を適用して種々の変形をしても良い。
例えば、図２のふっ素樹脂２は充実体を意図したものであるが、誘電率を下げるために発泡体としたり、シールド特性の調整のために金属層４の外周に追加の外部導体層を設けたりといった変形が可能である。
【００５７】
［実施例］
実施例として改質層を介してＰＴＦＥの表面に銅を設けたふっ素樹脂成形体を作成した。
【００５８】
（１． ふっ素樹脂の準備）
同軸ケーブルの内部導体、誘電体として使用される、外径０．０４５ｍｍの軟銅線を７本撚り合わせた外径０．１３５ｍｍの金属導体に、外径０．４１ｍｍ、肉厚０．１４ｍｍのＰＴＦＥを被覆したものを長さ５０ｍｍに切断し、実施例に使用するふっ素樹脂２とした。
【００５９】
（２．ふっ素樹脂のラジカル化処理）
ふっ素樹脂２に電子線を照射し、その表面にラジカルを発生させた。電子線の照射は酸素濃度１００ｐｐｍの環境下で、管電圧５０ｋＶ、吸収線量５０００ｋＧｙにて行った。
【００６０】
（３．改質層の形成）
電子線処理によってふっ素樹脂２の表面に発生したラジカルに化合物を反応させ、改質層３（分子鎖）を形成させる。
化合物として、メタクリル酸誘導体の一種である、上記式３に示したメタクリル酸２-（ジメチルアミノ）エチル（ＤＭＡＥＭＡ）を使用し、ふっ素樹脂２の表面に発生したラジカルに対してリビングラジカル重合させることで分子鎖を形成した。
【００６１】
具体的には、副反応が抑制され、生成する各分子鎖の成長速度を揃えるのに適した手法として、遷移金属触媒を用いたＳＩ−ＡＲＧＥＴ−ＡＴＲＰ法を使用してリビングラジカル重合を進行させ、分子鎖を形成する。
【００６２】
試験管中に、分子鎖を構成する化合物としてＤＭＡＥＭＡ、触媒として臭化銅（２）、２,２'−ビピリジル、溶媒としてメタノールと水の混合物を入れ、十分に攪拌した後、電子線処理を施したふっ素樹脂２を浸漬する。
【００６３】
試験管内の雰囲気を窒素置換した後、還元剤として窒素置換済みのアスコルビン酸溶液を混合し、３０℃で１２時間放置し、分子鎖の形成反応を進行させる。ふっ素樹脂２のラジカル化処理〜改質層の形成過程を式６に示す。
【化６】
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【００６４】
１２時間放置後ふっ素樹脂２を取り出し、メタノール洗浄、純水洗浄を行い、改質層３としてＤＭＡＥＭＡ由来の分子鎖が付与されたふっ素樹脂２を得た。
この分子鎖は、原子６個分の鎖長を有する側鎖を有するとともに、側鎖中に金属配位性に優れた窒素原子を有する。
【００６５】
（３．メッキ処理）
改質層３が形成されたふっ素樹脂２に無電解メッキを施し、金属層４として銅の層を形成させる。
アルカリ性脱脂液によるふっ素樹脂２の脱脂、触媒の浴安定性を維持するためのプリディッピング剤への浸漬、Ｐｄ−Ｓｎコロイドを使用した酸性触媒の付与、硫酸系の活性化剤によるＰｂ触媒の活性化を行った後、無電解銅メッキを行い、厚さ０．６μｍの銅メッキ層を形成した。
触媒や無電解銅メッキ液などは、メッキ用として市販されているものを使用した。
【００６６】
以上のようにして、図３に示した、ＤＭＡＥＭＡ由来の改質層３を有するふっ素樹脂成形体１を得た。
なお、図３は改質層３の主鎖の長さがＤＭＡＥＭＡを４分子分重合させた長さとなっているが、概略図として示した長さであり、図３の長さに限定されるものではない。
加えて、図３は改質層３を構成する分子鎖の先端に金属層４が形成された図になっているが、これも概略的に示したものであり、実際はＤＭＡＥＭＡ中の窒素原子に配位した銅が起点となって金属層４が形成される。
【００６７】
［強度試験］
作成した実施例のふっ素樹脂成形体１の金属層４の強度試験を行った。
試験方法は長尺状になっているふっ素樹脂成形体１を直径４ｍｍの円柱に巻き付け、金属層４の剥離の発生の有無を確認した。
【００６８】
比較例として、引用文献３の実施例に記載された方法を用い、実施例と同じふっ素樹脂２に対してナイロン系接着剤を用いた接着性樹脂膜を改質層３の代わりに設けたものに、実施例と同じ方法で無電解メッキを施したふっ素樹脂成形体１’を用意した。
【００６９】
実施例、比較例のふっ素樹脂成形体に対して強度試験を行ったところ、比較例のふっ素樹脂成形体１’の金属層は大半が剥離・脱落してしまい、実質的に金属層が破壊された状態になってしまった。
【００７０】
一方、実施例のふっ素樹脂成形体１は金属層４の剥離が発生せず、従来の方法で作成した金属層と比較して、本発明の金属層４は高い強度を有することが確認できた。
【００７１】
本発明のふっ素樹脂成形体は同軸ケーブルに使用することを意図したものであるが、用途はこれに限定されない。
例えば、ふっ素樹脂基板に導体パターンを設けた電気基板や、三次元造形したふっ素樹脂の表明に導体パターンを設けた電子部品などを製作する際にも好適に利用できる。
【符号の説明】
【００７２】
１  ふっ素樹脂成形体
２  ふっ素樹脂
３  改質層
４  金属層
５  内部導体
６  外被
７  同軸ケーブル
【図１】
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【図２】
2020082443.tif 000010
【図３】
2020082443.tif 000011