(57)【要約】【課題】基板小片からＰＥＴ層を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片を切り出すための切断線を多層基板に形成する。【解決手段】第１ＰＥＴ層Ｌ２、ＰＩ層Ｌ１、第２ＰＥＴ層Ｌ３、第１接着層Ｌ４、第２接着層Ｌ５からなる多層基板Ｐ１から、Ｘ方向及びＹ方向に延びＹ方向の一端において第１ＰＥＴ層Ｌ２が剥離された基板小片ＳＰ１を切り出す方法は、Ｙ方向に沿って延びる複数の第１切断線ＳＬ１を、基板小片ＳＰ１のＸ方向の幅に相当する間隔を空けて多層基板Ｐ１に形成するステップと、その後、Ｘ方向に沿って延び、基板小片ＳＰ１のＹ方向の一端から第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するための第４切断線ＳＬ４を形成するピーリング切断線形成ステップと、を備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、前記第１ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第１接着層、前記第２ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第２接着層からなる多層基板から、第１方向及び第２方向に延び、前記第１方向の一端において前記第１ＰＥＴ層が剥離された基板小片を切り出す方法であって、
前記第１方向に沿って延びる複数の第１切断線を、前記基板小片の前記第２方向の幅に相当する間隔を空けて前記多層基板に形成する第１切断線形成ステップと、
前記第１切断線形成ステップの後に、前記第２方向に沿って延び、前記基板小片の前記第１方向の一端から前記第１ＰＥＴ層を剥離するためのピーリング切断線を形成するピーリング切断線形成ステップと、
を備える、切り出し方法。
【請求項２】
前記第１切断線形成ステップの後に、前記第２方向に沿って延びる第２切断線を、前記基板小片の前記第１ＰＥＴ層が剥離される側とは反対側の辺に相当する前記多層基板の箇所に形成する第２切断線形成ステップと、
前記第２切断線形成ステップの後に、前記第２方向に沿って延びる第３切断線を、前記基板小片の前記第１ＰＥＴ層が剥離される側の辺に相当する前記多層基板の箇所に形成する第３切断線形成ステップと、
をさらに備える、請求項１に記載の切り出し方法。
【請求項３】
前記第１切断線、前記第２切断線、及び前記第３切断線は、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層に形成された溝と、前記ＰＩ層に形成されたＰＩ切断線と、を有し、
第１レーザ光の照射により、前記第２ＰＥＴ層及び前記第２接着層の前記第１切断線を形成した位置に対応する位置に、第４溝を形成するステップと、
前記第１レーザ光の照射により、前記第２ＰＥＴ層及び前記第２接着層の前記第２切断線を及び前記第３切断線を形成した位置に対応する位置に、第５溝を形成するステップと、
をさらに備える、請求項２に記載の切り出し方法。
【請求項４】
前記第１切断線形成ステップは、
前記第１レーザ光の照射により、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層の前記第１切断線を形成する位置に第１溝を形成するステップと、
ホイール切断手段を前記第１溝に通しながら、前記ＰＩ層に第１ＰＩ切断線を形成するステップと、
を有する、請求項３に記載の切り出し方法。
【請求項５】
前記第２切断線形成ステップは、
前記第１レーザ光の照射により、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層の前記第２切断線を形成する位置に第２溝を形成するステップと、
前記第１レーザ光の照射により、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層に、前記ピーリング切断線を形成するステップと、
ホイール切断手段を前記第２溝に通しながら、前記ＰＩ層に第２ＰＩ切断線を形成するステップと、
を有する、請求項３又は４に記載の切り出し方法。
【請求項６】
前記第３切断線形成ステップは、
前記第１レーザ光の照射により、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層の前記第３切断線を形成する位置に第３溝を形成するステップと、
第２レーザ光を前記第３溝を通して照射することにより、前記ＰＩ層に第３ＰＩ切断線を形成するステップと、
を有する、請求項３〜５のいずれかに記載の切り出し方法。
【請求項７】
前記ピーリング切断線形成ステップは、第１レーザ光の照射により、前記第１ＰＥＴ層及び前記第１接着層に前記ピーリング切断線に対応する溝を形成するステップを備える、請求項１〜６のいずれかに記載の切り出し方法。
【請求項８】
第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、前記第１ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第１接着層、前記第２ＰＥＴ層を前記ＰＩ層に接着する第２接着層からなる多層基板から、第１方向及び第２方向に延び、前記第１方向の一端において前記第１ＰＥＴ層が剥離された基板小片を切り出す切出装置であって、
前記第１方向に沿って延びる複数の第１切断線を、前記基板小片の前記第２方向の幅に相当する間隔を空けて前記多層基板に形成し、その後、前記第２方向に沿って延び、前記基板小片の前記第１方向の一端から前記第１ＰＥＴ層を剥離するためのピーリング切断線を形成する第１切断線形成手段を備える、切出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層からなる多層基板から基板小片を切り出す方法、及び、上記多層基板から基板小片を切り出す切出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＯＬＥＤ基板のような複数の基板小片が形成された多層基板から、１つの基板小片を切り出す方法が知られている。
多層基板から基板小片を切り出す際には、各切り出し小片の辺に沿って切断ラインが形成される。上記の多層基板に切断ラインを形成する方法としては、多層基板の一方の面からレーザ光を照射して所望のラインに沿って切断ラインを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
ＯＬＥＤ基板のような電気回路が形成された基板小片においては、ＯＬＥＤなどの酸化などに対して弱い電気回路を保護するために保護層が設けられる。従って、基板小片が切り出される多層基板は、表面に電気回路が形成されたポリイミド（ＰＩ）の基板層（ＰＩ層と呼ぶ）と、当該ＰＩ層に接着層を介して接着されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の保護層（ＰＥＴ層と呼ぶ）と、を有する。
また、ＰＩ層の電気回路が形成された表面には、当該電気回路と外部の回路とを接続するための接続端子が形成されている。
【０００４】
電気回路と接続端子が形成されたＰＩ層とそれを保護するＰＥＴ層とを有する基板小片においては、ＰＩ層の電気回路の形成箇所はＰＥＴ層にて保護する必要がある一方、接続端子の形成箇所は外部に露出させる必要がある。そのため、多層基板から基板小片の切り出し後に、基板小片の接続端子が形成された箇所からはＰＥＴ層が剥離される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１８−１５７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、多層基板において、ＰＥＴ層は接着層（接着剤）によりＰＩ層に接着されている。この場合に、多層基板に基板小片を切り出すための切断線をレーザ照射により形成すると、レーザ照射により接着層の状態が変化することが考えられる。この接着層の状態の変化により、基板小片からＰＥＴ層を剥離しにくくなると推測される。
【０００７】
本発明の目的は、多層基板から基板小片を切り出すときに、基板小片からＰＥＴ層を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片を切り出すための切断線を多層基板に形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。
本発明の一見地に係る切り出し方法は、多層基板から基板小片を切り出す方法である。多層基板は、第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、第１ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する第１接着層、第２ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する第２接着層からなる。基板小片は、第１方向及び第２方向に延びる基板である。基板小片では、第１方向の一端において第１ＰＥＴ層が剥離されている。基板小片の切り出し方法は、以下のステップを備える。
◎第１方向に沿って延びる複数の第１切断線を、基板小片の第２方向の幅に相当する間隔を空けて多層基板に形成する第１切断線形成ステップ。
◎第１切断線形成ステップの後に、第２方向に沿って延び、基板小片の第１方向の一端から第１ＰＥＴ層を剥離するためのピーリング切断線を形成するピーリング切断線形成ステップ。
【０００９】
上記の切り出し方法では、基板小片の一端から第１ＰＥＴ層を剥離するための第２方向に延びるピーリング切断線が、第１方向に延びる第１切断線の形成後に形成されている。
切断線の形成順を上記のようにすることで、ピーリング切断線に生じるダメージを最小限とできるので、基板小片からＰＥＴ層を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片を切り出すための切断線を多層基板に形成できる。
【００１０】
基板小片の切り出し方法は、以下のステップをさらに備えてもよい。
◎第１切断線形成ステップ後に、第２方向に沿って延びる第２切断線を、基板小片の第１ＰＥＴ層が剥離される側とは反対側の辺に相当する多層基板の箇所に形成する第２切断線形成ステップ。
◎第２切断線形成ステップ後に、第２方向に沿って延びる第３切断線を、基板小片の第１ＰＥＴ層が剥離される側の辺に相当する多層基板の箇所に形成する第３切断線形成ステップ。
これにより、基板小片からＰＥＴ層を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片を切り出すための切断線を多層基板に形成できる。
【００１１】
第１切断線、第２切断線、及び第３切断線は、第１ＰＥＴ層及び第１接着層に形成された溝と、ＰＩ層に形成されたＰＩ切断線と、を有してもよい。この場合、上記の切り出し方法は、以下のステップをさらに備えてもよい。
◎第１レーザ光の照射により、第２ＰＥＴ層及び第２接着層の第１切断線を形成した位置に対応する位置に、第４溝を形成するステップ。
◎第１レーザ光の照射により、第２ＰＥＴ層及び第２接着層の第２切断線及び第３切断線を形成した位置に対応する位置に、第５溝を形成するステップ。
これにより、基板小片を確実に切り出すことができる。
【００１２】
第１切断線形成ステップは、以下のステップを有してもよい。
◎第１レーザ光の照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層の第１切断線を形成する位置に第１溝を形成するステップ。
◎ホイール切断手段を第１溝に通しながら、ＰＩ層に第１ＰＩ切断線を形成するステップ。
これにより、ＰＥＴ層及びＰＩ層に最適な切断線の形成方法により、効率よく切断線を形成できる。
【００１３】
第２切断線形成ステップは、以下のステップを有してもよい。
◎第１レーザ光の照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層の第２切断線を形成する位置に第２溝を形成するステップ。
◎第１レーザ光の照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層に、第１ＰＥＴ層を基板小片から剥離するための第４切断線を形成するステップ。
◎ホイール切断手段を第２溝に通しながら、ＰＩ層に第２ＰＩ切断線を形成するステップ。
これにより、ＰＥＴ層及びＰＩ層に最適な切断線の形成方法により、効率よく切断線を形成できるとともに、ピーリング切断線を同時に形成できる。
【００１４】
第３切断線形成ステップは、以下のステップを有してもよい。
◎第１レーザ光の照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層の第３切断線を形成する位置に第３溝を形成するステップ。
◎第２レーザ光を第３溝を通して照射することにより、ＰＩ層に第３ＰＩ切断線を形成するステップ。
ＰＩ層のＰＥＴ層を剥離する箇所に切断線を形成する最適な方法により、第３ＰＩ切断線を形成できる。
【００１５】
ピーリング切断線形成ステップは、第１レーザ光の照射により、第１ＰＥＴ層及び第１接着層にピーリング切断線に対応する溝を形成するステップを備えてもよい。
これにより、第１ＰＥＴ層及び第１接着層に対して最適な方法により、ピーリング切断線を形成できる。
【００１６】
本発明の他の見地に係る切出装置は、多層基板から基板小片を切り出す装置である。多層基板は、第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層、第１ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する第１接着層、第２ＰＥＴ層をＰＩ層に接着する第２接着層からなる基板である。基板小片は、第１方向及び第２方向に延び、第１方向の一端において第１ＰＥＴ層が剥離された基板である。
切出装置は、第１切断線形成手段を備える。
第１切断線形成手段は、第１方向に沿って延びる複数の第１切断線を、基板小片の第２方向の幅に相当する間隔を空けて多層基板に形成する。その後、第１切断線形成手段は、第２方向に沿って延び、基板小片の第１方向の一端から第１ＰＥＴ層を剥離するためのピーリング切断線を形成する。
【００１７】
上記の切出装置では、第１切断線形成手段が、基板小片の一端から第１ＰＥＴ層を剥離するための第２方向に延びるピーリング切断線を、第１方向に延びる第１切断線の形成後に形成している。
切断線の形成順を上記のようにすることで、ピーリング切断線に生じるダメージを最小限とできるので、基板小片からＰＥＴ層を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片を切り出すための切断線を多層基板に形成できる。
【発明の効果】
【００１８】
第１ＰＥＴ層、ＰＩ層、第２ＰＥＴ層からなる多層基板から、その一端において第１ＰＥＴ層が剥離された基板小片を切り出す際に、第２方向に沿って延び、基板小片の第１方向の一端から第１ＰＥＴ層を剥離するためのピーリング切断線を、第１方向に沿って延びる第１切断線を形成後に形成することにより、基板小片から第１ＰＥＴ層を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片を切り出すための切断線を多層基板に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】多層基板の断面構造を示す図。
【図２】多層基板の平面構造を示す図。
【図３】第１実施形態に係る切出装置の構成を示す図。
【図４】切断装置の構成を示す図。
【図５】剥離装置の構成を示す図。
【図６】基板小片の切り出し方法を多層基板の上面方向から見た場合を模式的に示す図。
【図７】基板小片の切り出し方法を多層基板の断面方向から見た場合を模式的に示す図（その１）。
【図８】基板小片の切り出し方法を多層基板の断面方向から見た場合を模式的に示す図（その２）。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
１．第１実施形態
（１）多層基板の構造
以下、本発明の一実施形態による多層基板から基板小片を切り出す方法について説明する。以下においては、複数のＯＬＥＤ層ｄがアレイ状に形成された多層基板から、１つのＯＬＥＤ層ｄを含む基板小片ＳＰ１を切り出す方法を、基板小片ＳＰ１の切り出す方法の一例として説明する。従って、最初に、図１及び図２を用いて、多層基板Ｐ１の構成を説明する。図１は、多層基板の断面構造を示す図である。図１の（ａ）は、多層基板をＹ方向から見た断面構造を示し、（ｂ）は多層基板をＸ方向から見た断面構造を示す。図２は、多層基板の平面構造を示す図である。
図１及び図２において、多層基板Ｐ１の横方向を「Ｘ方向」と定義し、縦方向を「Ｙ方向」と定義する。また、多層基板Ｐ１の縦方向（Ｙ方向）を第１方向と定義し、横方向（Ｘ方向）を第２方向と定義する。
【００２１】
多層基板Ｐ１は、Ｘ方向及びＹ方向に延びる矩形の基板である。多層基板Ｐ１は、三層構造を有し、ＰＩ層Ｌ１と、第１ＰＥＴ層Ｌ２と、第２ＰＥＴ層Ｌ３と、を有している。
ＰＩ層Ｌ１は、ポリイミド（ＰＩ）製の基板である。図２に示すように、ＰＩ層Ｌ１の一方の表面には、複数のＯＬＥＤ層ｄ（有機ＬＥＤ）がＸ方向及びＹ方向にアレイ状に並んで形成されている。具体的には、例えば、発光層と、発光層による発光を制御するための駆動用素子（例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ））と、ＯＬＥＤ層ｄの配線と、が形成されている。
多層基板Ｐ１に形成された各ＯＬＥＤ層ｄは、基板小片ＳＰ１として、多層基板Ｐ１から切り出される。
【００２２】
ＯＬＥＤ層ｄのＹ方向（第１方向）の一端には、ＯＬＥＤ層ｄを外部の回路と接続するための接続部ｄ１が形成されている。接続部ｄ１には、ＯＬＥＤ層ｄを空気中の水分から保護するための保護膜（例えば、ＳｉＯ２膜）が形成されている。
【００２３】
第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第２ＰＥＴ層Ｌ３は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製のフィルムであり、ＰＩ層Ｌ１の表面に形成されたＯＬＥＤ層ｄを保護する。ただし、ＯＬＥＤ層ｄの接続部ｄ１に対応する箇所の第１ＰＥＴ層Ｌ２は、ＯＬＥＤ層ｄを基板小片ＳＰ１として切り出す際に剥離される。
第１ＰＥＴ層Ｌ２は、第１接着層Ｌ４により、ＰＩ層Ｌ１のＯＬＥＤ層ｄが形成された側の表面に接着されている。第１接着層Ｌ４は、例えば、アクリル系又はウレタン系の接着剤により形成される。
一方、第２ＰＥＴ層Ｌ３は、第２接着層Ｌ５により、ＰＩ層Ｌ１のＯＬＥＤ層ｄが形成された側とは反対側の表面に接着されている。第２接着層Ｌ５は、例えば、アクリル系又はウレタン系の接着剤により形成される。
【００２４】
（２）切出装置
次に、図３を用いて、本実施形態の切出装置１の構成を説明する。図３は、第１実施形態に係る切出装置の構成を示す図である。切出装置１は、上記の構成を有する多層基板Ｐ１から、ＯＬＥＤ層ｄを１つ含む基板小片ＳＰ１を切り出し、当該基板小片ＳＰ１のＯＬＥＤ層ｄの接続部ｄ１に対応する領域の第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４を、基板小片ＳＰ１から剥離するための装置である。
切出装置１は、搬送装置３と、切断装置５と、剥離装置７と、を備える。
搬送装置３は、多層基板Ｐ１を切断装置５及び剥離装置７へ搬送するための装置である。搬送装置３は、例えば、ベルトコンベヤである。切断装置５は、搬送装置３において、多層基板Ｐ１の搬送方向の上流側に設置されている。剥離装置７は、搬送装置３において、切断装置５よりも多層基板Ｐ１の搬送方向の下流側に設置されている。
【００２５】
（２−１）切断装置
切断装置５は、多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１を切り出すための切断線（スクライブライン）を形成する装置である。以下、図４を用いて、切断装置の構成を説明する。図４は、切断装置の構成を示す図である。
切断装置５は、第１切断線形成手段５１と、第２切断線形成手段５３と、機械駆動系５５と、制御部５７と、を備える。
【００２６】
第１切断線形成手段５１は、多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１を切り出すための切断線（スクライブライン）、及び、基板小片ＳＰ１の一端から第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するための第４切断線ＳＬ４（ピーリング切断線の一例）を形成する装置である。第１切断線形成手段５１は、基板小片ＳＰ１を切り出すための切断線を形成する際には、レーザ光の照射により多層基板Ｐ１のＰＥＴ層及び接着層に溝を形成し、当該溝にスクライブホイールＳＷ（後述）を通してＰＩ層Ｌ１に切断線（ＰＩ切断線と呼ぶ）を形成する。
一方、第１切断線形成手段５１は、基板小片ＳＰ１の一端から第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するための第４切断線ＳＬ４を形成する際には、レーザ光の照射により多層基板Ｐ１のＰＥＴ層及び接着層に、第４切断線ＳＬ４に対応する溝を形成する。
具体的には、第１切断線形成手段５１は、第１レーザ装置５１Ａと、スクライブホイール切断装置５１Ｂと、を有する。
【００２７】
第１レーザ装置５１Ａは、第１レーザ光ＬＡ１を出力するレーザ発振器と、当該第１レーザ光ＬＡ１を後述する機械駆動系５５に伝送する伝送光学系と、を有している（いずれも図示せず）。伝送光学系は、例えば、図示しないが、集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等を有する。また、伝送光学系は、例えば、レーザ発振器及び他の光学系が組み込まれたレーザ照射ヘッド（図示せず）をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構（図示せず）を有している。第１レーザ装置５１Ａのレーザ発振器は、例えば、ＣＯ２レーザである。
【００２８】
スクライブホイール切断装置５１Ｂは、スクライブホイールＳＷ（ホイール切断手段の一例）を転動させて基板を切断する装置である。本実施形態では、スクライブホイール切断装置５１Ｂは、多層基板Ｐ１のＰＩ層Ｌ１にＰＩ切断線を形成するために用いられる。
スクライブホイールＳＷは、外周部分がＶ字形に形成された円板状の部材である。スクライブホイールＳＷの上記外周部分が、ＰＩ層Ｌ１にＰＩ切断線を形成する刃となる。スクライブホイールＳＷは、例えば、直径が５〜１５ｍｍであり、Ｖ字形の刃先の頂角が２０〜５０°とされている。
【００２９】
第２切断線形成手段５３は、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４に形成された溝を通して、第２レーザ光ＬＡ２をＰＩ層Ｌ１に照射することで、ＰＩ層Ｌ１にＰＩ切断線を形成する装置である。
第２切断線形成手段５３は、第２レーザ光ＬＡ２を出力するレーザ発振器と、当該第２レーザ光ＬＡ２を後述する機械駆動系５５に伝送する伝送光学系と、を有している（いずれも図示せず）。伝送光学系は、例えば、図示しないが、集光レンズ、複数のミラー、プリズム、ビームエキスパンダ等を有する。また、伝送光学系は、例えば、レーザ発振器及び他の光学系が組み込まれたレーザ照射ヘッド（図示せず）をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動機構（図示せず）を有している。第２切断線形成手段５３のレーザ発振器は、例えば、ＵＶレーザである。
【００３０】
上記のように、ＯＬＥＤ層ｄの接続部ｄ１は、ＳｉＯ２などの保護膜が形成されており、脆くなっている。脆い接続部ｄ１にスクライブホイールＳＷなどにより切断線を形成しようとすると、接続部ｄ１及び／又はＯＬＥＤ層ｄが破壊される可能性がある。
従って、ＯＬＥＤ層ｄの接続部ｄ１については、第２レーザ光ＬＡ２の照射により切断線を形成する。これにより、脆い保護層等を破壊することなく、接続部ｄ１の近傍において基板小片ＳＰ１を切り出すための切断線を形成できる。
【００３１】
機械駆動系５５は、多層基板Ｐ１を水平方向に移動させ、中心軸回りに回転する機構である。具体的には、機械駆動系５５は、ベッド５５Ａと、多層基板Ｐ１が載置される加工テーブル５５Ｂと、加工テーブル５５Ｂをベッド５５Ａに対して水平方向に移動させる移動装置５５Ｃとを有している。移動装置５５Ｃは、ガイドレール、移動テーブル、回転機構、モータ等を有する公知の機構である。
本実施形態の切断装置５においては、移動装置５５Ｃが、多層基板Ｐ１を第１切断線形成手段５１及び第２切断線形成手段５３に対して相対的に移動させることにより、多層基板Ｐ１に切断線を形成する。
【００３２】
また、機械駆動系５５は、多層基板Ｐ１（加工テーブル５５Ｂ）を回転させる機構、及び、多層基板Ｐ１の表裏を反転させる機構（いずれも図示せず）を備えている。
【００３３】
制御部５７は、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ）と、記憶装置（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、ＳＳＤなど）と、各種インターフェース（例えば、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェースなど）を有するコンピュータシステムである。制御部５７は、記憶部（記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応）に保存されたプログラムを実行することで、各種制御動作を行う。
制御部５７は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
【００３４】
制御部５７には、図示しないが、多層基板Ｐ１の大きさ、形状及び位置を検出するセンサ、各装置の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。
この実施形態では、制御部５７は、第１切断線形成手段５１、第２切断線形成手段５３、及び、移動装置５５Ｃを制御できる。
【００３５】
（２−２）剥離装置
剥離装置７は、基板小片ＳＰ１（多層基板Ｐ１）の第１方向の一端に形成された接続部ｄ１から、第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するための装置である。本実施形態の剥離装置７は、剥離したい第１ＰＥＴ層Ｌ２をテープにて接着し、当該テープを多層基板Ｐ１に対して離反させることにより、第１ＰＥＴ層Ｌ２を基板小片ＳＰ１から剥離する装置である。
以下、図５を用いて、剥離装置の構成を説明する。図５は、剥離装置の構成を示す図である。剥離装置７は、テーブル７１と、粘着テープ７３と、加圧ローラ７５と、を主に備える。
【００３６】
テーブル７１は、第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離したい多層基板Ｐ１を固定して載置するためのテーブルである。本実施形態において、テーブル７１は、多層基板Ｐ１とテーブル７１との間を真空状態とすることで、多層基板Ｐ１をテーブル７１に固定する。
【００３７】
粘着テープ７３は、接着面を多層基板Ｐ１側に向け、送出ボビン７３Ａと巻取ボビン７３Ｂとの間に橋渡しされた状態で配置されている。送出ボビン７３Ａは、粘着テープ７３を送り出すボビンである。巻取ボビン７３Ｂは、送出ボビン７３Ａから送り出された粘着テープ７３を巻き取るボビンである。
【００３８】
加圧ローラ７５は、送出ボビン７３Ａと巻取ボビン７３Ｂとの間に橋渡された粘着テープ７３の接着面を、所定の力で第１ＰＥＴ層Ｌ２の表面に押圧するローラである。また、加圧ローラ７５は、粘着テープ７３の接着面を第１ＰＥＴ層Ｌ２の表面に押圧した状態で、多層基板Ｐ１の第１方向に移動可能となっている。
加圧ローラ７５が第１方向に移動することで、第１ＰＥＴ層Ｌ２に押圧されていた粘着テープ７３の接着面が多層基板Ｐ１から離反し、それと同時に当該接着面に付着したＰＥＴ層が多層基板Ｐ１（基板小片ＳＰ１）から剥離される。
【００３９】
なお、ＰＥＴ層を剥離する際の加圧ローラ７５の移動方向は、多層基板Ｐ１の第１方向に限られず、第１方向とは垂直の第２方向であってもよい。または、加圧ローラ７５は、水平面（多層基板Ｐ１の主面と平行な面）内の任意の方向に移動してもよい。
【００４０】
その他、剥離装置７は、加圧ローラ７５、送出ボビン７３Ａ、巻取ボビン７３Ｂを制御する制御部（図示せず）を備えている。制御部は、プロセッサと、記憶装置と、各種インターフェースを有するコンピュータシステムである。
【００４１】
（３）基板小片の切り出し方法
以下、図６〜図８を用いて、複数のＯＬＥＤ層ｄがアレイ状に形成された多層基板Ｐ１から、１つのＯＬＥＤ層ｄを含む基板小片ＳＰ１を切り出す方法を説明する。図６は、基板小片の切り出し方法を多層基板の上面方向から見た場合を模式的に示す図である。図７及び図８は、基板小片の切り出し方法を多層基板の断面方向から見た場合を模式的に示す図である。
なお、説明を簡単にするため、図６においては、多層基板Ｐ１のうち、横方向に２個及び縦方向に２個の合計４個のＯＬＥＤ層ｄが形成された部分を切り抜いて、基板小片ＳＰ１の切り出し方法を示している。一方、図７及び図８では、多層基板Ｐ１のうち、１つのＯＬＥＤ層ｄが形成された部分を切り抜いて、基板小片ＳＰ１の切り出し方法を示している。
【００４２】
以下の説明においては、切断装置５の移動装置５５Ｃは、加工テーブル５５Ｂ上の多層基板Ｐ１を一方向に直線的に移動可能であるとする。すなわち、以下の説明において、切断装置５は、第１切断線形成手段５１及び第２切断線形成手段５３を、加工テーブル５５Ｂに載置された多層基板Ｐ１の一方向にのみ走査可能であるとする。
【００４３】
切り出しをする前に、多層基板Ｐ１の第１ＰＥＴ層Ｌ２を上にし、かつ、多層基板Ｐ１のＹ方向と切断装置５における多層基板Ｐ１の移動方向とが平行になるように、加工テーブル５５Ｂ上に多層基板Ｐ１を載置する。
加工テーブル５５Ｂに多層基板Ｐ１を載置後、第１切断線形成手段５１が、Ｙ方向（第１方向）に沿って延びる複数の第１切断線ＳＬ１を、基板小片ＳＰ１のＸ方向（第２方向）の幅に相当する間隔を空けて、多層基板Ｐ１に形成する（第１切断線形成ステップ）。
【００４４】
具体的には、図６の（ａ）及び図７の（ａ）に示すように、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４の第１切断線ＳＬ１を形成する位置に、第１溝Ｇ１を形成する。
第１溝Ｇ１は、第１レーザ装置５１Ａにより、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４の第１切断線ＳＬ１を形成する位置に第１レーザ光ＬＡ１を照射しつつ、移動装置５５Ｃの移動により第１レーザ光ＬＡ１を多層基板Ｐ１のＹ方向に沿って走査することより形成できる。
なお、第１レーザ光ＬＡ１にて形成する溝は、その開口角度θを４５°〜１００°の範囲とすることが好ましい。開口角度θは、溝の２つの側壁がなす角度と定義される。また、溝幅は４０μｍ〜２００μｍの範囲とすることが好ましい。
【００４５】
第１溝Ｇ１を形成後、図６の（ｂ）及び図７の（ｂ）に示すように、スクライブホイールＳＷを第１溝Ｇ１に通して、ＰＩ層Ｌ１の第１溝Ｇ１に対応する位置に、第１ＰＩ切断線ＰＳ１を形成する。
具体的には、第１溝Ｇ１内にスクライブホイールＳＷを通し、所定の荷重をかけてスクライブホイールＳＷの刃先をＰＩ層Ｌ１に押し込んだ状態で多層基板Ｐ１をＹ方向に移動させ、さらにスクライブホイールＳＷを転動させることで、第１ＰＩ切断線ＰＳ１を形成できる。
上記のようにして、基板小片ＳＰ１のＹ方向（第１方向）に延びる辺に対応する位置に、第１溝Ｇ１と第１ＰＩ切断線ＰＳ１とにより構成される第１切断線ＳＬ１を形成できる。
【００４６】
第１切断線ＳＬ１を形成後、多層基板Ｐ１を９０°回転して、多層基板Ｐ１のＸ方向が移動装置５５Ｃによる多層基板Ｐ１の移動方向と平行になるようにする。
多層基板Ｐ１を９０°回転後、基板小片ＳＰ１のＸ方向（第２方向）の辺に対応する位置に切断線を形成する。
本実施形態においては、基板小片ＳＰ１のＸ方向に延びる２辺のうち、まずは、基板小片ＳＰ１の第１ＰＥＴ層Ｌ２が剥離される側とは反対側の辺に相当する多層基板Ｐ１の箇所に、第２切断線ＳＬ２を形成する（第２切断線形成ステップ）。
【００４７】
具体的には、図６の（ｃ）及び図７の（ｃ）に示すように、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４の第２切断線ＳＬ２を形成する位置（接続部ｄ１が存在する側とは反対側の辺に対応する位置）に、第２溝Ｇ２を形成する。
第２溝Ｇ２は、第１レーザ装置５１Ａにより、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４の第２切断線ＳＬ２を形成する位置に第１レーザ光ＬＡ１を照射しつつ、移動装置５５Ｃの移動により第１レーザ光ＬＡ１を多層基板Ｐ１のＸ方向に沿って走査することにより形成できる。
【００４８】
また、図６の（ｃ）及び図７の（ｃ）に示すように、本実施形態においては、第２溝Ｇ２の形成と同時に、第１レーザ光ＬＡ１の照射により形成できる多層基板Ｐ１のＸ方向に延びる他の溝も形成される。具体的には、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４に、第３溝Ｇ３と第４切断線ＳＬ４が同時に形成される（ピーリング切断線形成ステップ）。
第３溝Ｇ３は、後述する第３切断線ＳＬ３を形成するための溝である。第４切断線ＳＬ４は、基板小片ＳＰ１のＹ方向の一端から第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するための溝である。
【００４９】
第３溝Ｇ３は、第１レーザ装置５１Ａにより、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４の第３切断線ＳＬ３を形成する位置（接続部ｄ１が存在する側の辺に対応する位置）に第１レーザ光ＬＡ１を照射しつつ、移動装置５５Ｃの移動により第１レーザ光ＬＡ１を多層基板Ｐ１のＸ方向に沿って走査することにより形成できる。
第４切断線ＳＬ４は、第１レーザ装置５１Ａにより、第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４の第４切断線ＳＬ４を形成する位置（ＯＬＥＤ層ｄと接続部ｄ１との境界線に対応する位置）に第１レーザ光ＬＡ１を照射しつつ、移動装置５５Ｃの移動により第１レーザ光ＬＡ１を多層基板Ｐ１のＸ方向に沿って走査することにより形成できる。
【００５０】
第２溝Ｇ２、第３溝Ｇ３、及び第４切断線ＳＬ４を形成後、図６の（ｄ）及び図７の（ｄ）に示すように、スクライブホイールＳＷを第２溝Ｇ２に通して、ＰＩ層Ｌ１の第２溝Ｇ２に対応する位置に、第２ＰＩ切断線ＰＳ２を形成する。
これにより、基板小片ＳＰ１のＸ方向（第２方向）に延びる２辺のうち、第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離しない側の辺に対応する位置に、第２溝Ｇ２と第２ＰＩ切断線ＰＳ２とにより構成される第２切断線ＳＬ２を形成できる。
【００５１】
第２切断線ＳＬ２を形成後、基板小片ＳＰ１のＸ方向（第２方向）に延びる２辺のうちのもう一方の辺、すなわち、第１ＰＥＴ層Ｌ２が剥離される側の辺に相当する多層基板Ｐ１の箇所に、第３切断線ＳＬ３を形成する（第３切断線形成ステップ）。
具体的には、図６の（ｅ）及び図８の（ｅ）に示すように、第２切断線形成手段５３から出力される第２レーザ光ＬＡ２を、上記のようにして既に形成された第３溝Ｇ３を通してＰＩ層Ｌ１に照射することにより、ＰＩ層Ｌ１に第３ＰＩ切断線ＰＳ３を形成する。
これにより、第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離する側の辺に対応する位置に、第３溝Ｇ３と第３ＰＩ切断線ＰＳ３とにより構成される第３切断線ＳＬ３を形成できる。
【００５２】
第１切断線ＳＬ１〜第４切断線ＳＬ４を形成後、多層基板Ｐ１の表裏を反転し、さらに、多層基板Ｐ１を９０°回転する。これにより、多層基板Ｐ１の第２ＰＥＴ層Ｌ３が上を向いた状態で、多層基板Ｐ１のＹ方向が移動装置５５Ｃによる多層基板Ｐ１の移動方向と平行となる。
【００５３】
多層基板Ｐ１の表裏の反転及び９０°回転の後、図６の（ｆ）及び図８の（ｆ）に示すように、第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５の第１切断線ＳＬ１に対応する位置に、第４溝Ｇ４を形成する。
第４溝Ｇ４は、第１レーザ装置５１Ａにより、第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５の第１切断線ＳＬ１に対応する位置に第１レーザ光ＬＡ１を照射しつつ、移動装置５５Ｃの移動により第１レーザ光ＬＡ１を多層基板Ｐ１のＹ方向に沿って走査することにより形成できる。
【００５４】
第２ＰＥＴ層Ｌ３に第４溝Ｇ４を形成後、多層基板Ｐ１を９０°回転させて、多層基板Ｐ１のＸ方向が移動装置５５Ｃによる多層基板Ｐ１の移動方向と平行となるようにする。
その後、図６の（ｇ）及び図８の（ｇ）に示すように、第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５の第２切断線ＳＬ２及び第３切断線ＳＬ３に対応する位置に、第５溝Ｇ５を形成する。
【００５５】
第５溝Ｇ５は、第１レーザ装置５１Ａにより、第２ＰＥＴ層Ｌ３及び第２接着層Ｌ５の第２切断線ＳＬ２及び第３切断線ＳＬ３に対応する位置に第１レーザ光ＬＡ１を照射しつつ、移動装置５５Ｃの移動により第１レーザ光ＬＡ１を多層基板Ｐ１のＸ方向に沿って走査することにより形成できる。
【００５６】
上記のようにして、多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１を切り出すための第１切断線ＳＬ１〜第４切断線ＳＬ４を形成後、これらの切断線が形成された多層基板Ｐ１は、搬送装置３により剥離装置７に搬送される。剥離装置７によって、基板小片ＳＰ１の接続部ｄ１に対応する領域に存在する第１ＰＥＴ層Ｌ２が剥離される。
【００５７】
さらに、多層基板Ｐ１に形成された第１切断線ＳＬ１〜第３切断線ＳＬ３により、図６の（ｈ）及び図８の（ｈ）に示すように、Ｘ方向（第２方向）及びＹ方向（第１方向）に延び、１つのＯＬＥＤ層ｄを含む基板小片ＳＰ１を、多層基板Ｐ１から切り出すことができる。
また、図８の（ｈ）に示すように、切り出された基板小片ＳＰ１において、ＯＬＥＤ層ｄの接続部ｄ１に対応する箇所には第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第１接着層Ｌ４が存在せず、その他の箇所には第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第２ＰＥＴ層Ｌ３が存在する。
すなわち、接続部ｄ１のみが露出され、ＯＬＥＤ層ｄのその他の箇所は第１ＰＥＴ層Ｌ２及び第２ＰＥＴ層Ｌ３により保護されている。
【００５８】
（４）まとめ
上記の図６〜図８を用いて説明した、多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１を切り出す切り出し方法では、基板小片ＳＰ１のＹ方向の一端から第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するためのＸ方向に延びる第４切断線ＳＬ４が、Ｙ方向に延びる第１切断線ＳＬ１の形成後に形成されている。また、Ｘ方向に延びる他の切断線（第２切断線ＳＬ２及び第３切断線ＳＬ３）も、第１切断線ＳＬ１の形成後に形成されている。
【００５９】
上記の多層基板Ｐ１に切断線を形成する場合、一般的に、一方向に延びる切断線を形成後に、この切断線と交わる他の方向に延びる切断線を形成すると、先に形成した切断線により切断されていたＰＥＴ層が再融着するなど、先に形成した切断線にダメージが生じることがある。
【００６０】
従って、Ｙ方向に延びる第１切断線ＳＬ１の形成後に、Ｘ方向に延びる第４切断線ＳＬ４を形成することで、第４切断線ＳＬ４（及び第３切断線ＳＬ３）に生じるダメージを最小限とできるので、基板小片ＳＰ１から第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離しやすい状態を維持しつつ、基板小片ＳＰ１を切り出すための切断線を多層基板Ｐ１に形成できる。
【００６１】
その一方、第１切断線ＳＬ１については、第４切断線ＳＬ４の形成によりダメージを受けていても、多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１を切り出す際に問題とはならない。なぜなら、多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１の切り出しは、多層基板Ｐ１の第１切断線ＳＬ１付近を押さえつつ、基板小片ＳＰ１を吸着して多層基板Ｐ１から基板小片ＳＰ１を離反させることにより行われるため、当該離反時に切断線形成時のＰＥＴ層の融着を破壊できるからである。
【００６２】
上記の効果を確認するために、比較例として、第１ＰＥＴ層Ｌ２を剥離するための第４切断線ＳＬ４及び基板小片ＳＰ１のＸ方向に延びる２辺の切断線（第２切断線ＳＬ２、第３切断線ＳＬ３）を最初に形成し、その後、Ｙ方向に延びる２辺の切断線（第１切断線ＳＬ１）を形成して、第１ＰＥＴ層Ｌ２を基板小片ＳＰ１から剥離した。
その結果、上記の比較例においては、第１ＰＥＴ層Ｌ２の剥離を７２０回試行したうち、３０回の試行において第１ＰＥＴ層Ｌ２を適切に剥離できなかった。つまり、比較例の場合、第１ＰＥＴ層Ｌ２の剥離の失敗率は約４％であった。
【００６３】
その一方、上記にて説明した本実施形態の切り出し方法を用いた場合、すなわち、第１切断線ＳＬ１の形成後に第４切断線ＳＬ４を形成した場合には、第１ＰＥＴ層Ｌ２の剥離を２４０回試行しても、第１ＰＥＴ層Ｌ２の剥離に失敗することはなかった。つまり、本実施形態の場合、第１ＰＥＴ層Ｌ２の剥離の失敗率は０％であった。
【００６４】
また、本実施形態においては、多層基板Ｐ１の各層を切断する手段を異ならせている。具体的には、ＰＥＴ層及び接着層への切断線（溝）の形成を第１レーザ光ＬＡ１の照射により実行している。接続部ｄ１のＸ方向に延びる辺以外の３辺に対応する切断線のＰＩ層Ｌ１への形成をスクライブホイールＳＷにより実行している。さらに、接続部ｄ１のＸ方向に延びる辺に対応する切断線のＰＩ層Ｌ１への形成を第２レーザ光ＬＡ２への照射により実行している。
これにより、ＰＥＴ層及びＰＩ層に最適な切断線の形成方法により、効率よく切断線を形成できる。
【００６５】
２．他の実施形態
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
ＰＩ層Ｌ１に形成されるデバイスはＯＬＥＤ層ｄに限られず、他のフレキシブルなデバイスをＰＩ層Ｌ１に形成した場合でも、上記の基板小片ＳＰ１の切り出し方法を使用できる。
【００６６】
上記において、多層基板Ｐ１は３つの層（ＰＩ層Ｌ１、第１ＰＥＴ層Ｌ２、第２ＰＥＴ層Ｌ３）を有していたが、２層を有する基板、及び、４層以上の層を有する基板に対しても、上記の切断方法を適用できる。
多層基板Ｐ１及び／又は基板小片ＳＰ１の形状は、特に限定されない。
【００６７】
切断装置５及び／又は剥離装置７の構成は、上記の実施形態にて説明した構成に限定されない。例えば、切断装置５の機械駆動系５５は、加工テーブル５５Ｂ及び移動装置５５Ｃを回転させる機構を有していてもよい。
【００６８】
移動装置５５Ｃは、多層基板Ｐ１を一方向に直線的に移動させることに限られず、水平方向において任意の方向に移動可能となっていてもよい。この場合、移動装置５５Ｃは、多層基板Ｐ１を回転させることなく、多層基板Ｐ１をＸ方向及びＹ方向の両方に移動可能となっていてもよい。
これにより、移動装置５５Ｃによる移動のみで、多層基板Ｐ１のＸ方向及びＹ方向の両方に第１切断線形成手段５１及び第２切断線形成手段５３を走査できる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、多層基板からの基板小片の切り出しに広く適用できる。
【符号の説明】
【００７０】
１     切出装置
３     搬送装置
５     切断装置
５１   第１切断線形成手段
５１Ａ 第１レーザ装置
ＬＡ１ 第１レーザ光
５１Ｂ スクライブホイール切断装置
ＳＷ   スクライブホイール
５３   第２切断線形成手段
ＬＡ２ 第２レーザ光
５５   機械駆動系
５５Ａ ベッド
５５Ｂ 加工テーブル
５５Ｃ 移動装置
５７   制御部
７     剥離装置
７１   テーブル
７３   粘着テープ
７３Ａ 送出ボビン
７３Ｂ 巻取ボビン
７５   加圧ローラ
Ｐ１   多層基板
ＳＰ１ 基板小片
ｄ     ＯＬＥＤ層
ｄ１   接続部
Ｌ１   ＰＩ層
Ｌ２   第１ＰＥＴ層
Ｌ３   第２ＰＥＴ層
Ｌ４   第１接着層
Ｌ５   第２接着層
ＳＬ１ 第１切断線
ＳＬ２ 第２切断線
ＳＬ３ 第３切断線
ＳＬ４ 第４切断線
Ｇ１   第１溝
Ｇ２   第２溝
Ｇ３   第３溝
Ｇ４   第４溝
Ｇ５   第５溝
ＰＳ１ 第１ＰＩ切断線
ＰＳ２ 第２ＰＩ切断線
ＰＳ３ 第３ＰＩ切断線
θ     開口角度
【図１】
2020053208.tif 000003
【図２】
2020053208.tif 000004
【図３】
2020053208.tif 000005
【図４】
2020053208.tif 000006
【図５】
2020053208.tif 000007
【図６】
2020053208.tif 000008
【図７】
2020053208.tif 000009
【図８】
2020053208.tif 000010