(57)【要約】【課題】導電性の高い物質（バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質）を精度よく検出できる検査方法を提供すること。【解決手段】円筒形の支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体の該下引き層または該感光層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査方法であって、該検査方法が、該感光体に対して光を照射する照射工程と、該光を第一の偏光板を介して偏光させる第一偏光工程と、該第一偏光工程を通過した該光が該感光体で反射した後に第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板を介して偏光させる第二偏光工程とを有し、該第一偏光工程を通過した該光が第二偏光工程で偏光される前に波長板を通過する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形の支持体と、下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体の該下引き層または該感光層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査方法であって、
該検査方法が、
該感光体に対して光を照射する照射工程と、
該光を第一の偏光板を介して偏光させる第一偏光工程と、
該第一偏光工程を通過した該光が該感光体で反射した後に第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板を介して偏光させる第二偏光工程とを有し、
該第一偏光工程を通過した該光が第二偏光工程で偏光される前に波長板を通過することを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記第二偏光工程を通過した該光を受光する受光工程と、
該受光工程から取得された撮像情報から、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する画像処理工程とを有する請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記照射工程で照射される該光が白色光源から照射された偏光されていない光である請求項１または２に記載の検査方法。
【請求項４】
前記波長板が鋭敏色板である請求項１〜３のいずれか一項に記載の検査方法。
【請求項５】
前記第一偏光工程を通過した前記光が対物レンズを介して集光される集光工程と、
該第一偏光工程を通過した該光が前記感光体で反射した後に、該光が対物レンズを介することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項６】
前記第一偏光工程を通過した前記光が前記感光体から反射された後に、波長板を通過し、第二偏光工程で偏光されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項７】
円筒形の支持体、該支持体上に形成された樹脂層を有する円筒体の該樹脂層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査方法であって、
該検査方法が、
該円筒体に対して光を照射する照射工程と、
該光を第一の偏光板で偏光させる第一偏光工程と、
該第一偏光工程を通過した該光が該円筒体で反射した後に第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板で偏光させる第二偏光工程とを有し、
該第一偏光工程を通過した該光が第二偏光工程で偏光される前に波長板を通過することを特徴とする検査方法。
【請求項８】
前記第二偏光工程を通過した該光を受光する受光工程と、
該受光工程から取得された撮像情報から、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する画像処理工程とを有する請求項７に記載の検査方法。
【請求項９】
円筒形の支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体に
検査光を照射する光源と、該感光体からの反射光を受光する受光部とを備え、該下引き層または該感光層中のバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査装置において、
該検査装置が、
該光源と該感光体との間に第一の偏光板と、該感光体と該受光部の間に該第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板とを有し、該第一の偏光板と該第二の偏光板の間に波長板を有することを特徴とする検査装置。
【請求項１０】
円筒形の支持体、該支持体上に形成された樹脂層を有する円筒体に検査光を照射する光源と、該円筒体からの反射光を受光する受光部とを備え、該樹脂層中のバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査装置において、
該検査装置が、
該光源と該感光体との間に第一の偏光板と、該円筒体と該受光部の間に該第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板とを有し、該第一の偏光板と該第二の偏光板の間に波長板を有することを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体の検査方法及び電子写真感光体の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機やプリンタ等に用いられている電子写真感光体の感光層には、数μｍ〜数ｍｍ程度の大きさの成膜欠陥、キズ、ピンホール等の欠陥が存在することがあり、そのような欠陥は、大きさが２０μｍ程度の微小なものであっても、電子写真画像上の黒ポチや白ポチ等の画像欠陥となったりする。
そこで、このような欠陥は電子写真感光体製造時の検査工程において検出して選別する必要があるが、従来その検査方法としては、画像評価により検出する方法や、自動的に被検査体の欠陥検査装置により検出する方法が行なわれていた。
【０００３】
特許文献１には、作業者の目視等を要することなく自動的に被検査体の欠陥検査を行なうことができる欠陥検査方法が記載されている。
特許文献２には、内部層欠陥を偏光特性を利用して顕在化させる投光手段が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−１１８５４５号公報
【特許文献２】特開平４−１９４９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らの検討によると、欠陥のなかでも、金属などの導電性の高い物質（バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質）が原因である欠陥は黒ポチの発生が顕著であることがわかってきた。しかしながら、特許文献１、２に記載の電子写真感光体では、導電性に関係なく、黒ポチを発生させない異物種に基づく欠陥も黒ポチを発生させる欠陥として認識してしまっていた。したがって、従来技術においては、黒ポチの発生原因となる金属などの導電性の高い物質に基づく欠陥を特異的に検出することは困難であった。
したがって、本発明の目的は黒ポチなどの画像欠陥の発生原因となる導電性の高い物質（バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質）を精度よく検出できる検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかる電子写真感光体の検査方法は、該感光体に対して光を照射する照射工程と、
該光を第一の偏光板を介して偏光させる第一偏光工程と、
該第一偏光工程を通過した該光が該感光体で反射した後に第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板を介して偏光させる第二偏光工程とを有し、
該第一偏光工程を通過した該光が第二偏光工程で偏光される前に波長板を通過することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電子写真感光体の感光層中に存在する導電性の高い物質（バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質）を検出できる検査方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る電子写真感光体の検査手法の一例を示す図である。
【図２】本発明に係る電子写真感光体の検査手法の一例を示す図である。
【図３】被検査物の電子写真感光体の断面の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、好適な実施の形態を挙げて、本発明を詳細に説明する。
本発明者らは、感光層中の導電性の高い物質（バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質）を検出できる検査方法を検討した。導電性の高い物質を検出する方法として、その代表例である金属に着目しその反射特性に着目した。そこで、一般的に知られている偏光観察法を試した。偏光観察法は観察対象を互いに直交する方向の２枚の偏光板の間に入れて観察する方法である。この方法を用いると、反射特性の高い金属は２枚の偏光板を通ることで、光が遮断されて黒く観察されるのに対して、感光層は散乱するため、光は遮断されず、偏光板を通しても、変化がみられない。したがって、この方法で観察すると、感光層中の金属はその部分だけ黒くなる。しかしながら、導電性の低い黒い物質との識別が困難となってしまった。次に、金属が黒くなるところを、他の色（感光層中に存在しない色）として観察させることができれば、感光層中に存在しうる導電性の高い物質のみを識別できると考え、通過した光に特定の光路差を生じさせることのできる波長板を間に挟むことを試みた。その結果、たとえば、青色であるフタロシアニン顔料を用いた感光層であれば、感光層中に存在しない色として、導電性高い物質のみを赤系の色として観察できることができた。
以上のように、直交する方向の２枚の偏光板と波長板を組み合わせることによって、本発明の効果を達成することが可能となった。
【００１０】
波長板は位相差の違いにより、１／８波長板、１／４波長板、１／２波長板、１波長板がある。中でも、鋭敏色板と呼ばれる波長５３０ｎｍに対する１波長板は、導電性の高い物質を感光層に対して識別しやすい赤紫色として観察できるため、好ましい。
波長板を光が通過する位置は２枚の偏光板の間であれば被観察物に照射される前でも後でも本発明の効果は発揮される。被観察物に照射された後に通過する方が、好ましい。
【００１１】
本発明の一態様によれば、円筒形の支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体の該下引き層または該感光層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査方法であって、
該検査方法が、
該感光体に対して光を照射する照射工程と、
該光を第一の偏光板を介して偏光させる第一偏光工程と、
該第一偏光工程を通過した該光が該感光体で反射した後に第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板を介して偏光させる第二偏光工程とを有し、
該第一偏光工程を通過した該光が第二偏光工程で偏光される前に波長板を通過することを特徴とする検査方法、が提供される。
【００１２】
また、本発明の別の態様によれば、前記検査方法において、前記第二偏光工程を通過した該光を受光する受光工程と、
該受光工程から取得された撮像情報から、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する画像処理工程とを有することを特徴とする検査方法、が提供される。
【００１３】
また、本発明の別の態様によれば、前記検査方法において、前記第一偏光工程を通過した前記光が対物レンズを介して集光される集光工程と、該第一偏光工程を通過した該光が前記感光体で反射した後に、該光が対物レンズを介することを特徴とする検査方法、が提供される。
【００１４】
さらに、本発明の別の態様によれば、円筒形の支持体、該支持体上に形成された樹脂層を有する円筒体の該樹脂層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査方法であって、
該検査方法が、
該円筒体に対して光を照射する照射工程と、
該光を第一の偏光板で偏光させる第一偏光工程と、
該第一偏光工程を通過した該光が該円筒体で反射した後に第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板で偏光させる第二偏光工程とを有し、
該第一偏光工程を通過した該光が第二偏光工程で偏光される前に波長板を通過することを特徴とする検査方法、が提供される。
【００１５】
また、本発明の別の態様によれば、前記検査方法において、前記第二偏光工程を通過した該光を受光する受光工程と、
該受光工程から取得された撮像情報から、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する画像処理工程とを有することを特徴とする検査方法、が提供される。
【００１６】
また、本発明のさらに別の態様によれば、円筒形の支持体、該支持体上に形成された下引き層、および、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体に検査光を照射する光源と、該感光体からの反射光を受光する受光部とを備え、該下引き層または該感光層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査装置において、
該検査装置が、
該光源と該感光体との間に第一の偏光板と、該感光体と該受光部の間に該第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板とを有し、該第一の偏光板と該第二の偏光板の間に波長板を有することを特徴とする検査装置、が提供される。
【００１７】
さらにまた、本発明の別の態様によれば、円筒形の支持体、該支持体上に形成された樹脂層を有する円筒体に検査光を照射する光源と、該円筒体からの反射光を受光する受光部とを備え、該樹脂層中に存在するバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する検査装置において、
該検査装置が、
該光源と該感光体との間に第一の偏光板と、該円筒体と該受光部の間に該第一の偏光板に対して偏光軸を９０°回転させた第二の偏光板とを有し、該第一の偏光板と該第二の偏光板の間に波長板を有することを特徴とする検査装置、が提供される。
【００１８】
図１は本発明に係る検査手法の一例を示す図である。
１１は電子写真感光体または樹脂層を有する円筒体（以下、円筒体１１とする）であり、断面を示している。円筒体１１に対して、光源１２は照射された光が入射角θに照射されるように配置される。円筒体１１と光源１２の間に第一の偏光板１３が配置される。受光部１４は該円筒体１１に照射された光が反射した光軸上に配置される。円筒体１１と受光部１４の間に波長板１５と第二の偏光板１６が配置される。第二の偏光板１６は第一の偏光板１３に対して偏光軸を９０°回転させた状態に配置される。
【００１９】
次に光路について説明する。
図１に示す通り、光源１２から照射された光は第一の偏光板１３を通過し、入射角θで円筒体１１に照射される。円筒体１１から反射した光は波長板１５を通過し、次いで第二の偏光板１６を通過し、受光部１４に到達する。
【００２０】
光源１２から照射された光は第一の偏光板１３を通過し、第一の偏光板１３の偏光軸に沿った直線偏光となり、円筒体１１に照射される。下引き層、感光層または樹脂層中に導電性の高い物質がない場合、該光は、下引き層、感光層または樹脂層で散乱されることにより直線偏光が維持できなくなり、散乱光となる。一方、導電性の高い物質がある場合、該光は、導電性の高い物質の表面で散乱することなく反射するため、直線偏光は維持される。波長板１５は、入射した直線偏光を回転させて出射させることができるため、波長板１５に入射した導電性の高い物質から反射した光は、それぞれの波長に応じて円偏光となり、第二の偏光板１６に入射する。第二の偏光板１６は第一の偏光板１３とは偏光軸を９０°回転させた状態に配置されているため、入射した波長に応じて、通過する波長と、遮断される波長に分れる。一方、下引き層、感光層または樹脂層で反射した散乱光は波長板１５を通過しても偏光特性をもたない散乱光であり、第二の偏光板１６に入射しても完全に遮断されずに偏光板を通過できる。
【００２１】
下引き層、感光層または樹脂層中に存在する導電性の高い物質が識別できる理由を説明する。
例えば、波長板が５３０ｎｍの１波長板であった場合、５３０ｎｍの波長の光は入射時の振動方向に戻り、それ以外の波長の光は入射時の振動方向とは異なる振動方向となる。これらの波長の異なる光は、振動方向が異なった状態で第二の偏光板１６に入射される。第二の偏光板１６と第一の偏光板１３の偏光軸は９０°ずれており、２枚の偏光板の間に介在するものがなければ、光は遮断される特性をもつ。したがって、５３０ｎｍの波長の光は波長板１５を通過しても入射時の振動方向に戻っているため、第二の偏光板１６によって遮断されるのに対して、その他の波長は入射時の振動方向とは異なっているため、第二の偏光板１６を通過することができる。その結果、直線偏光の光が導電性の高い物質で反射した光は受光部１４に到達するまでに５３０ｎｍである緑色の光が遮断されることになり、受光部１４に到達するのは赤紫の色となる。
【００２２】
図２は本発明に係る検査手法の別例を示す図である。
光源１２はハーフミラー１７で反射された光が対物レンズ１８を通過し、円筒体１１に垂直入射されるように配置される。ハーフミラー１７は光軸に対して４５°に配置される。第一の偏光板１３は光源１２とハーフミラー１７の間に配置され、対物レンズ１８はハーフミラー１７と円筒体１１の間に配置される。受光部１４は円筒体１１に対して垂直上に配置される。第二の偏光板１６はハーフミラー１７と受光部１４との間に配置され、波長板１５はハーフミラー１７と第二の偏光板１６の間に配置する。
【００２３】
光源１２の位置は任意であり、円筒体１１に垂直入射されるように、いくつかのハーフミラーを用いてもよく、その場合、第一の偏光板１３は光源と円筒体１１に最も近いハーフミラーとの間の位置に配置されていればよい。
【００２４】
次に光路について説明する。
図２に示す通り、光源１２から照射された光は第一の偏光板１３を通過し、ハーフミラー１７で反射され、その光が対物レンズ１８に像側から入射後、物体側から出射され、円筒体１１に垂直に照射される。円筒体１１から反射した光は対物レンズ１８の物体側から入射後、像側に出射され、ハーフミラー１７を通過し、波長板１５、次いで第二の偏光板１６をこの順で通過し、受光部１４に到達する。
【００２５】
光源１２から照射された光は第一の偏光板１３を通過し、第一の偏光板１３の偏光軸に沿った直線偏光となり、円筒体１１に照射される。下引き層、感光層または樹脂層中に導電性の高い物質がない場合、該光は、下引き層、感光層及び樹脂層で散乱されることにより直線偏光が維持できなくなり、散乱光となる。一方、導電性の高い物質がある場合、該光は、導電性の高い物質の表面で散乱することなく反射するため、直線偏光は維持される。波長板１５は、入射した直線偏光を回転させて出射させる事ができるため、波長板１５に入射した導電性の高い物質から反射した光は、それぞれの波長に応じて円偏光となり、第二の偏光板１６に入射する。第二の偏光板１６は第一の偏光板１３とは偏光軸を９０°回転させた状態に配置されているため、入射した光の波長に応じて、通過する波長と、遮断される波長に分れる。一方、下引き層、感光層及び樹脂層で反射した散乱光は波長板１５を通過しても偏光特性をもたない散乱光であり、第二の偏光板１６に入射しても完全に遮断されずに偏光板を通過できる。
【００２６】
光源１２は第一の偏光板１３で偏光軸に沿った直線偏光となる光を照射するものであればよく、ハロゲンランプ、白熱球、ＬＥＤ、蛍光灯が挙げられる。
【００２７】
対物レンズ１８を介することで、焦点深度のコントロールができることになり、導電性の高い物質に対して適切な焦点深度の設定が可能となる。基体が金属の場合、焦点深度が深いと基体に焦点が合うことにより識別の精度が劣るため、倍率と開口数が適切な対物レンズを選択するのが良い。例えば、下引き層の膜厚が５μｍであり、識別したい導電性の高い物質の粒径が２０μｍであった場合、倍率２０倍〜５０倍、開口数が０．３〜１．５の対物レンズが好ましい。
【００２８】
受光部１４はＣＣＤカメラまたはＣＭＯＳカメラが設置され、欠陥が撮像される。
該受光部１４から取得された撮像情報から、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を識別する画像処理部を設けてもよい。
【００２９】
撮像された画像はＡＤ変換した画像信号として画像処理工程に送信してもよいし、撮像された画像をアナログ信号として取り込み、画像処理工程でＡＤ変換してもよい。 
【００３０】
本発明はバンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質を色の差によって識別しやすくすることを特徴としているため、画像処理工程においても、ＲＧＢへの色変換を行い色抽出することが好ましい。
色抽出とは、取込画像の特定エリア内の色を抽出して登録し、その基準色の色相、彩度、輝度の上下限範囲内の色と、範囲外の色を選別し、範囲内を黒、範囲外を白と変換する（２値化する）。例えばアドビシステムズ社製フォトショップ（登録商標）などの一般的なソフトを用いることにより行うことができる。その後、２値画像上の黒画素を検出して判定する。
【００３１】
図３は本発明において検査対象とする被検査物の一例を示す。本発明において検査対象とする被検査物の一例として、支持体１上に、導電層２、下引き層３、電荷発生層４、電荷輸送層５の順で積層された円筒体１１の下引き層３に欠陥６がある場合の断面を図示したものである。
【００３２】
［電子写真感光体］
本発明の検査対象である電子写真感光体は、下引き層と、感光層と、場合によって導電層、保護層とを有する。
本発明の電子写真感光体を製造する方法としては、後述する各層の塗布液を調製し、所望の層の順番に塗布して、乾燥させる方法が挙げられる。このとき、塗布液の塗布方法としては、浸漬塗布、スプレー塗布、インクジェット塗布、ロール塗布、ダイ塗布、ブレード塗布、カーテン塗布、ワイヤーバー塗布、リング塗布などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布が好ましい。
以下、支持体および各層について説明する。
【００３３】
＜支持体＞
本発明において、検査対象である電子写真感光体は、支持体を有する。支持体は導電性を有する導電性支持体であることが好ましい。また、支持体の形状としては、円筒状、ベルト状、シート状などが挙げられる。中でも、円筒状支持体であることが好ましい。また、支持体の表面に、陽極酸化などの電気化学的な処理や、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。
支持体の材質としては、金属、樹脂、ガラスなどが好ましい。
金属としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金、ステンレスや、これらの合金などが挙げられる。中でも、アルミニウムを用いたアルミニウム製支持体であることが好ましい。
また、樹脂やガラスには、導電性材料を混合又は被覆するなどの処理によって、導電性を付与してもよい。
【００３４】
＜導電層＞
電子写真感光体は、支持体の上に、導電層を設けてもよい。導電層を設けることで、支持体表面の傷や凹凸を隠蔽することや、支持体表面における光の反射を制御することができる。
導電層は、導電性粒子と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【００３５】
導電性粒子の材質としては、金属酸化物、金属、カーボンブラックなどが挙げられる。
金属酸化物としては、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ビスマスなどが挙げられる。金属としては、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などが挙げられる。
これらの中でも、導電性粒子として、金属酸化物を用いることが好ましく、特に、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を用いることがより好ましい。
導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、金属酸化物の表面をシランカップリング剤などで処理したり、金属酸化物にリンやアルミニウムなど元素やその酸化物をドーピングしたりしてもよい。
また、導電性粒子は、芯材粒子と、その粒子を被覆する被覆層とを有する積層構成としてもよい。芯材粒子としては、酸化チタン、硫酸バリウム、酸化亜鉛などが挙げられる。被覆層としては、酸化スズなどの金属酸化物が挙げられる。
また、導電性粒子として金属酸化物を用いる場合、その体積平均粒子径が、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３６】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などが挙げられる。
また、導電層は、シリコーンオイル、樹脂粒子、酸化チタンなどの隠蔽剤などを更に含有してもよい。
【００３７】
導電層の平均膜厚は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上４０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００３８】
導電層は、上述の各材料及び溶剤を含有する導電層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。導電層用塗布液中で導電性粒子を分散させるための分散方法としては、ペイントシェーカー、サンドミル、ボールミル、液衝突型高速分散機を用いた方法が挙げられる。
【００３９】
＜下引き層＞
本発明において、検査対象である電子写真感光体は、支持体又は導電層の上に、下引き層を設ける。下引き層を設けることで、層間の接着機能が高まり、電荷注入阻止機能を付与することができる。
【００４０】
下引き層は、樹脂を含有することが好ましい。また、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として下引き層を形成してもよい。
【００４１】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリエチレンオキシド樹脂、ポリプロピレンオキシド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミド酸樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、セルロース樹脂などが挙げられる。
【００４２】
重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、メチロール基、アルキル化メチロール基、エポキシ基、金属アルコキシド基、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、チオール基、カルボン酸無水物基、炭素−炭素二重結合基などが挙げられる。
【００４３】
また、下引き層は、電気特性を高める目的で、電子輸送物質、金属酸化物、金属、導電性高分子などを更に含有してもよい。これらの中でも、電子輸送物質、金属酸化物を用いることが好ましい。
電子輸送物質としては、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物、フルオレノン化合物、キサントン化合物、ベンゾフェノン化合物、シアノビニル化合物、ハロゲン化アリール化合物、シロール化合物、含ホウ素化合物などが挙げられる。電子輸送物質として、重合性官能基を有する電子輸送物質を用い、上述の重合性官能基を有するモノマーと共重合させることで、硬化膜として下引き層を形成してもよい。
金属酸化物としては、酸化インジウムスズ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素などが挙げられる。金属としては、金、銀、アルミなどが挙げられる。
また、下引き層は、添加剤を更に含有してもよい。
【００４４】
下引き層の平均膜厚は、０．１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、０．３μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００４５】
下引き層は、上述の各材料及び溶剤を含有する下引き層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【００４６】
＜感光層＞
電子写真感光体の感光層は、主に、（１）積層型感光層と、（２）単層型感光層とに分類される。（１）積層型感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と、電荷輸送物質を含有する電荷輸送層と、を有する。（２）単層型感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質を共に含有する感光層を有する。
【００４７】
（１）積層型感光層
積層型感光層は、電荷発生層と、電荷輸送層と、を有する。
【００４８】
（１−１）電荷発生層
電荷発生層は、電荷発生物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【００４９】
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、多環キノン顔料、インジゴ顔料、フタロシアニン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン顔料、クロロガリウムフタロシアニン顔料、ヒドロキシガリウムフタロシアニン顔料が好ましい。
電荷発生層中の電荷発生物質の含有量は、電荷発生層の全質量に対して、４０質量％以上８５質量％以下であることが好ましく、６０質量％以上８０質量％以下であることがより好ましい。
【００５０】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリビニルブチラール樹脂がより好ましい。
【００５１】
また、電荷発生層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤などの添加剤を更に含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、などが挙げられる。
【００５２】
電荷発生層の平均膜厚は、０．１μｍ以上１μｍ以下であることが好ましく、０．１５μｍ以上０．４μｍ以下であることがより好ましい。
【００５３】
電荷発生層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷発生層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤などが挙げられる。
【００５４】
（１−２）電荷輸送層
電荷輸送層は、電荷輸送物質と、樹脂と、を含有することが好ましい。
【００５５】
電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
電荷輸送層中の電荷輸送物質の含有量は、電荷輸送層の全質量に対して、２５質量％以上７０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
【００５６】
樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂が好ましい。ポリエステル樹脂としては、特にポリアリレート樹脂が好ましい。
電荷輸送物質と樹脂との含有量比（質量比）は、４：１０〜２０：１０が好ましく、５：１０〜１２：１０がより好ましい。
【００５７】
また、電荷輸送層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【００５８】
電荷輸送層の平均膜厚は、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、８μｍ以上４０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００５９】
電荷輸送層は、上述の各材料及び溶剤を含有する電荷輸送層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。これらの溶剤の中でも、エーテル系溶剤または芳香族炭化水素系溶剤が好ましい。
【００６０】
（２）単層型感光層
単層型感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂及び溶剤を含有する感光層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥させることで形成することができる。電荷発生物質、電荷輸送物質、樹脂としては、上記「（１）積層型感光層」における材料の例示と同様である。
【００６１】
＜保護層＞
電子写真感光体は、感光層の上に、保護層を設けてもよい。保護層を設けることで、電子写真感光体の耐久性を向上することができる。
【００６２】
保護層は、導電性粒子及び／又は電荷輸送物質と、樹脂とを含有することが好ましい。
導電性粒子としては、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物の粒子が挙げられる。
電荷輸送物質としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物や、これらの物質から誘導される基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物が好ましい。
樹脂としては、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
【００６３】
また、保護層は、重合性官能基を有するモノマーを含有する組成物を重合することで硬化膜として形成してもよい。その際の反応としては、熱重合反応、光重合反応、放射線重合反応などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーが有する重合性官能基としては、アクリル基、メタクリル基などが挙げられる。重合性官能基を有するモノマーとして、電荷輸送能を有する材料を用いてもよい。
【００６４】
保護層は、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、滑り性付与剤、耐摩耗性向上剤、などの添加剤を含有してもよい。具体的には、ヒンダードフェノール化合物、ヒンダードアミン化合物、硫黄化合物、リン化合物、ベンゾフェノン化合物、シロキサン変性樹脂、シリコーンオイル、フッ素樹脂粒子、ポリスチレン樹脂粒子、ポリエチレン樹脂粒子、シリカ粒子、アルミナ粒子、窒化ホウ素粒子などが挙げられる。
【００６５】
保護層の平均膜厚は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【００６６】
保護層は、上述の各材料及び溶剤を含有する保護層用塗布液を調製し、この塗膜を形成し、乾燥及び／又は硬化させることで形成することができる。塗布液に用いる溶剤としては、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、スルホキシド系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が挙げられる。
【実施例】
【００６７】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【００６８】
（感光体Ａ）
長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。
【００６９】
導電層：
金属酸化物粒子としての酸素欠損型酸化スズ（ＳｎＯ２）が被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子（個数平均一次粒子径２００ｎｍ）２１４部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１３２部、及び、
メタノール４０部、１−メトキシ−２−プロパノール５８部を、
直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（東レダウコーニング社製、ＳＨ２８ＰＡ）及び１５質量％になるように、シリコーン樹脂粒子（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、トスパール１２０）を分散液に添加した。この分散液を撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６０分間１６０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０．２μｍの導電層を形成した。
【００７０】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。
【００７１】
電荷発生層：
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°にピークを有する。）１０部、
ポリアセタール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部及び
シクロヘキサノン２５０部を、
直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【００７２】
電荷輸送層：
電荷輸送物質として下記式（１）で示されるアミン化合物７部と、
式（２）と式（３）で示される構造単位を有し、式（２）と（３）のモル比率が５／５である重量平均分子量が１２０，０００であるポリエステル樹脂１０部を、
ジメトキシメタン５０部とＯ−キシレン５０部の混合溶剤に溶解させ、さらに、シリカ微粒子（信越化学（株）製ＫＭＰＸ−１００：平均一次粒径０．１μｍ  ）を固形分に対して、２質量％添加し、撹拌することによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を２０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。
以上のようにして、感光体Ａを作製した。
【化１】
2020016859.tif 000003
【化２】
2020016859.tif 000004
【化３】
2020016859.tif 000005
【００７３】
（感光体Ｂ）
長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を切削処理したものを支持体（導電性支持体）とした。
【００７４】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が３μｍの下引き層を形成した。
電荷発生層、電荷輸送層は感光体Ａと同様に作製し、感光体Ｂを作製した。
【００７５】
（樹脂層を有する円筒体Ｃ）
感光体Ａの電荷輸送層を形成せずに、感光体Ａと同様にして、支持体上に導電層と下引き層と電荷発生層を形成し、樹脂層を有する円筒体Ｃを作製した。
【００７６】
（欠陥感光体１−１）
感光体Ａの下引き層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）および、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、感光体Ａと同様にして、欠陥感光体１−１を作製した。
【００７７】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させた後、樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部、Ｆｅ粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部を塗布直前に添加し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。
【００７８】
（欠陥感光体１−２）
感光体Ａの下引き層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）およびバンドギャップ０ｅＶのＡｌ粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、感光体Ａと同様にして、欠陥感光体１−２を作製した。
【００７９】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させた後、樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部、Ａｌ粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部を添加し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。
【００８０】
（欠陥感光体１−３）
感光体Ａの下引き層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）およびバンドギャップ０．８ｅＶの導電性カーボン粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、感光体Ａと同様にして、欠陥感光体１−３を作製した。
【００８１】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させた後、樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部、導電性カーボン粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部を添加し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。
【００８２】
（欠陥感光体１−４）
感光体Ａの下引き層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）およびバンドギャップ１．２ｅＶの導電性カーボン粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、感光体Ａと同様にして、欠陥感光体１−４を作製した。
【００８３】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
共重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させた後、樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部、導電性カーボン粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部を添加し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。
【００８４】
（欠陥感光体２）
感光体Ａの電荷輸送層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）および、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、感光体Ａと同様にして、欠陥感光体２を作製した。
【００８５】
電荷輸送層：
電荷輸送物質として上記式（１）で示されるアミン化合物７部と、
式（２）と式（３）で示される構造単位を有し、式（２）と（３）のモル比率が５／５である重量平均分子量が１２０，０００であるポリエステル樹脂１０部を、
ジメトキシメタン５０部とＯ−キシレン５０部の混合溶剤に溶解させ、さらに、シリカ微粒子（信越化学（株）製ＫＭＰＸ−１００：平均一次粒径０．１μｍ  ）を固形分に対して、２質量％、バンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部添加し、撹拌することによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を２０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成した。
【００８６】
（欠陥感光体３）
感光体Ｂの下引き層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）および、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、感光体Ｂと同様にして、欠陥感光体３を作製した。
【００８７】
下引き層：
Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）（旧・帝国化学産業（株））製）４．５部および
重合ナイロン樹脂（商品名：アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）１．５部を、
メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶剤に溶解させた後、バンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）０．０５部を塗布直前に添加し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、これを６分間７０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．４μｍの下引き層を形成した。
【００８８】
（欠陥円筒体４）
円筒体Ｃの電荷発生層を以下のように恣意的にバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）および、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）を混入させた以外は、樹脂層を有する円筒体Ｃと同様にして、欠陥円筒体４を作製した。
【００８９】
電荷発生層：
ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°にピークを有する。）１０部、
ポリアセタール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部及び
シクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これにバンドギャップ３ｅＶ以上の樹脂粒子（平均粒径３０μｍ）０．０１部、バンドギャップ０ｅＶのＦｅ粒子（平均粒径３０μｍ）０．０１部、酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【００９０】
（実施例１）
欠陥感光体１−１の恣意的欠陥部をランダムに２０ヶ所選択し、各々の欠陥部に対して、検査をおこなった。
照射部として白色光源、第一の偏光部として偏光板、波長板として鋭敏色板、第二の偏光部として偏光板、受光部として、２０４８画素のＣＣＤセンサを使用した。図１に示す配置で、白色光源から照射された光が感光体の欠陥部位に法線に対し７０°の角度、ＣＣＤセンサを同法線に対し７０°の角度に配置し、反射光を撮像し、２０４８ｐｉｘｅｌ×４０９６ｐｉｘｅｌの撮像を得た。
得られた観察画像について画像処理を行い、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質か、否かの識別を行った。識別の精度を示すために、各欠陥の分析をおこない、正しく識別されていたかを確認した。２０個中正しく識別できていた数を結果として表１に示す。
【００９１】
（実施例２）
欠陥感光体１−１、２、３、および欠陥円筒体４について、照射部として白色光源、第一の偏光部として偏光板、集光部として対物レンズ（倍率２０  開口数０．５）、波長板として鋭敏色板、第二の偏光部として偏光板、受光部として、２０４８画素のＣＣＤセンサを使用した。図２に示す配置で、白色光源から照射された光が感光体の欠陥部位に垂直に入射するように配置し、反射光を撮像し、２０４８ｐｉｘｅｌ×４０９６ｐｉｘｅｌの撮像を得た。
得られた観察画像について画像処理を行い、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質か、否かの識別を行い、実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００９２】
（実施例３）
欠陥感光体１−１〜１−４について、照射部として白色光源、第一の偏光部として偏光板、集光部として対物レンズ（倍率２０  開口数０．５）、波長板として鋭敏色板、第二の偏光部として偏光板、受光部として、２０４８画素のＣＣＤセンサを使用した。図２に示す配置で、白色光源から照射された光が感光体の欠陥部位に垂直に入射するように配置し、反射光を撮像し、２０４８ｐｉｘｅｌ×４０９６ｐｉｘｅｌの撮像を得た。
得られた観察画像をモニタに写し目視検査を行った。目視検査を行い、バンドギャップ１．２ｅＶ以下の物質か、否かの識別を行った。実施例１と同様の評価を行った。結果を表１に示す。
【００９３】
（実施例４）
実施例３の波長板を鋭敏色板を１／２波長板に偏光した以外は実施例３と同様に欠陥感光体１−１について識別と評価を行った。結果を表１に示す。
【００９４】
（比較例１）
実施例３において、波長板および第二の偏光板を用いなかった以外は実施例３と同様に識別と評価を行った。結果を表１に示す。
【００９５】
（比較例２）
実施例３において、波長板を用いなかった以外は実施例３と同様に識別と評価を行った。結果を表１に示す。
【００９６】
【表１】
2020016859.tif 000006
【符号の説明】
【００９７】
１    支持体
２    導電層
３    下引き層
４    電荷発生層
５    電荷輸送層
６    欠陥
１１  電子写真感光体または樹脂層を有する円筒体
１２  光源
１３  第一の偏光板
１４  受光部
１５  波長板
１６  第二の偏光板
１７  ハーフミラー
１８  対物レンズ
【図１】
2020016859.tif 000007
【図２】
2020016859.tif 000008
【図３】
2020016859.tif 000009