(57)【要約】【課題】貫通孔を有するガラス基板を使用した配線回路基板において、熱膨張係数の差による配線パターンの剥離を防止すると共に、充分な信頼性を有した配線回路基板を提供することを課題とする。【解決手段】貫通孔１３を有するガラス基板１を使用した配線回路基板１００において、ガラス基板との密着力増強層として無機密着層４を形成し、その上に導電性材料からなる配線パターン５を形成することによって製造するに際して、無機密着層に発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、配線パターンにおいて発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、の和が２２５０（Ｎ／ｍ）以下であることを特徴とする配線回路基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を備えたガラス基板の表裏面に導電性材料からなる配線パターンを備え、配線パターンは貫通孔内に備えられた導電性材料からなる貫通電極パターンによって導通してなるコア基板を使用した配線回路基板において、
配線パターンと貫通電極パターンは、ガラス基板の表面と貫通孔内において導電性材料からなる無機密着層を介して備えられており、
無機密着層に発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、配線パターンにおいて発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、の和が２２５０（Ｎ／ｍ）以下であることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記貫通孔の直径が前記貫通電極パターンの厚さの上限膜厚の２倍より大きく、前記貫通電極パターンの形態が前記貫通孔の長手方向に沿った中心線部が空洞となる筒状であることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記貫通孔の直径が前記貫通電極パターンの厚さの上限膜厚の２倍以下であり、前記貫通電極パターンの形態が、前記貫通孔が前記導電性材料で充填された円柱状であることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記無機密着層が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅の中から選ばれたいずれか１種の材料またはいずれか２種以上の材料からなる単層体または２層以上の積層体、からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記導電性材料が、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛の中から選ばれたいずれか１種の材料またはその化合物、またはいずれか２種以上の材料またはそれらの化合物、のいずれかからなる単層体または２層以上の積層体、またはいずれか１種以上の材料からなる粉体と樹脂材料との混合物、のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記絶縁樹脂層として、エポキシ／フェノール、ポリイミド、シクロオレフィン、ＰＢＯのいずれかまたはそれらの複合材料を用いることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板の一方の面に備えられた導通パッド部を介して、半導体素子が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、
前記ガラス基板に貫通孔を形成する工程と、
前記ガラス基板の表裏面と、前記貫通孔の内壁と、に前記無機密着層を形成する工程と、
前記無機密着層の上に、前記導電性材料からなる前記第１配線パターンと、前記貫通電極パターンと、を形成する工程と、
前記第１配線パターンと前記貫通電極パターン以外の部位に露出している前記無機密着層を除去することによりコア基板を作製する工程と、
コア基板の表裏面に前記絶縁樹脂層を形成する工程Ａと、
前記第１配線パターン上の前記絶縁樹脂層の所望の部位に前記導通ビアとなるビア孔を形成する工程Ｂと、
ビア孔が形成された前記絶縁樹脂層の上に、前記配線パターンと前記導通ビアを形成する工程Ｃと、
前記工程Ａ〜工程Ｃを必要な回数繰り返す工程と、を備えていることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板及び半導体装置に係り、特に、パッケージ基板とＩＣチップとの間に介在する配線回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップをマザーボードなどのプリント配線基板に直接的に接続することはできない。それはＩＣチップの電極端子のピッチが数十μｍ〜数百μｍであるのに対し、プリント配線基板に形成可能な電極端子のピッチは、数百μｍ以上であるためである。
その様な電極ピッチが違うＩＣチップとプリント配線基板のピッチを整合させる物品としてパッケージ基板が使用されている。
【０００３】
パッケージ基板の材料としては、セラミック又は樹脂が用いられている。ここで、セラミックパッケージ基板は、焼成して作製された金属配線を用いるため抵抗値が高くなる。更に、セラミックの誘電率は高く、高周波で動作する高性能のＩＣを搭載することが難しい。一方、樹脂製パッケージ基板は、めっきによる銅配線を使用できるため、配線抵抗を下げることができる。また、樹脂の誘電率は低く、高周波で動作する高性能のＩＣを搭載することが相対的に容易である。
ここで、パッケージ基板とＩＣチップとの間に配線回路基板を介在させる技術としては、例えば、特許文献１および特許文献２を挙げることができる。
【０００４】
また、近年ハイエンド向けの配線回路基板として、基板の材質にシリコンやガラスを用いた配線回路基板の研究が活発に行われるようになり、注目されている。
【０００５】
基板としてシリコンやガラスを用いた配線回路基板では、内部に貫通孔を形成しその孔を導電性物質で充填するＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）やＴＧＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ−Ｇｌａｓｓ  Ｖｉａ）と呼ばれる技術が用いられることが大きな特徴である。この技術により形成された貫通電極は、表裏を最短距離で接続することで配線長が短縮され、信号伝送速度の高速化などに対応可能な優れた電気特性が期待されている。また、線膨張係数がＩＣチップと同等もしくはＩＣチップに近い値となるため、加熱時の基板寸法変化が小さくなり、より高密度な実装・高密度配線が実現できる可能性がある。さらに貫通電極を採用することで、多ピン並列接続が可能となり、ＬＳＩ自体を高速化させる必要なく、優れた電気特性が得られるため、低消費電力化が実現できると期待されている。
【０００６】
特に近年、ガラス基板を用いた配線回路基板に大きな注目が集まっている。そのガラス基板を用いた配線回路基板への大きな関心の１つとして、低コスト化の実現が挙げられる。それは、シリコン基板を用いた配線回路基板がウエハサイズでしか製造できないのに対し、ガラス基板を用いた配線回路基板は、大型パネルでの大量処理が可能であると考えられており、これまでハイエンド向けの配線回路基板で大きな課題とされていたコストの問題を解決できる可能性がある。
【０００７】
しかしながら、ガラス基板を用いた配線回路基板を製造するにあたり、いくつかの克服すべき課題がある。その１つに、ガラス基板は、銅などの導電性材料との熱膨張率やヤング率の差が大きいことがある。また、銅などの導電性材料のガラス基板との密着強度が充分ではないため、配線回路基板の製造工程や実装時の高温プロセスや信頼性試験の温度サイクルなどにより、導電性材料からなる配線パターンがガラス基板の表面から剥離してしまうという現象が上げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１０２４７９号公報
【特許文献２】特開２００２−３７３９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述した問題点を解決するため、本発明は、貫通孔を有するガラス基板を使用した配線回路基板において、熱膨張係数の差による配線パターンの剥離を防止すると共に、充分な信頼性を有した配線回路基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項１に記載の発明は、貫通孔を備えたガラス基板の表裏面に導電性材料からなる配線パターンを備え、配線パターンは貫通孔内に備えられた導電性材料からなる貫通電極パターンによって導通してなるコア基板を使用した配線回路基板において、
配線パターンと貫通電極パターンは、ガラス基板の表面と貫通孔内において導電性材料からなる無機密着層を介して備えられており、
無機密着層に発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、配線パターンにおいて発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、の和が２２５０（Ｎ／ｍ）以下であることを特徴とする配線回路基板である。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、前記貫通孔の直径が前記貫通電極パターンの厚さの上限膜厚の２倍より大きく、前記貫通電極パターンの形態が前記貫通孔の長手方向に沿った中心線部が空洞となる筒状であることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板である。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、前記貫通孔の直径が前記貫通電極パターンの厚さの上限膜厚の２倍以下であり、前記貫通電極パターンの形態が、前記貫通孔が前記導電性材料で充填された円柱状であることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板である。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、前記無機密着層が、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅の中から選ばれたいずれか１種の材料またはいずれか２種以上の材料からなる単層体または２層以上の積層体、からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板である。
【００１４】
また、請求項５に記載の発明は、前記導電性材料が、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛の中から選ばれたいずれか１種の材料またはその化合物、またはいずれか２種以上の材料またはそれらの化合物、のいずれかからなる単層体または２層以上の積層体、またはいずれか１種以上の材料からなる粉体と樹脂材料との混合物、のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板である。
【００１５】
また、請求項６に記載の発明は、前記絶縁樹脂層として、エポキシ／フェノール、ポリイミド、シクロオレフィン、ＰＢＯのいずれかまたはそれらの複合材料を用いることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板である。
【００１６】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板の一方
の面に備えられた導通パッド部を介して、半導体素子が接続されていることを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法であって、
前記ガラス基板に貫通孔を形成する工程と、
前記ガラス基板の表裏面と、前記貫通孔の内壁と、に前記無機密着層を形成する工程と、
前記無機密着層の上に、前記導電性材料からなる前記第１配線パターンと、前記貫通電極パターンと、を形成する工程と、
前記第１配線パターンと前記貫通電極パターン以外の部位に露出している前記無機密着層を除去することによりコア基板を作製する工程と、
コア基板の表裏面に前記絶縁樹脂層を形成する工程Ａと、
前記第１配線パターン上の前記絶縁樹脂層の所望の部位に前記導通ビアとなるビア孔を形成する工程Ｂと、
ビア孔が形成された前記絶縁樹脂層の上に、前記配線パターンと前記導通ビアを形成する工程Ｃと、
前記工程Ａ〜工程Ｃを必要な回数繰り返す工程と、を備えていることを特徴とする配線回路基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の配線回路基板は、ガラス基板と、電解銅めっきによる配線パターン貫通電極やパターンと、の間に、（応力×膜厚）の値が２２５０Ｎ／ｍである無機密着層が備えられているため、熱膨張係数の差が緩和される。その結果、配線パターンや貫通電極パターンが、ガラス基板から剥離することを防止することが可能であると同時に、ヒートサイクル試験などにおける接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の配線回路基板の断面構造の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の配線回路基板を用いて作製した半導体装置の一例を示す断面図である。
【図３】実施例１に示した本発明の配線回路基板の製造方法を説明する説明図である。
【図４】実施例２に示した本発明の配線回路基板の製造方法を説明する説明図である。
【図５】比較例に示した配線回路基板の製造方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜配線回路基板＞
本発明の配線回路基板は、貫通孔を備えたガラス基板の表裏面に導電性材料からなる配線パターンを備え、配線パターンは貫通孔内に備えられた導電性材料からなる貫通電極パターンによって導通してなるコア基板を使用した配線回路基板である。
【００２１】
本発明の配線回路基板においては、配線パターンと貫通電極パターンは、ガラス基板の表面と貫通孔内において導電性材料からなる無機密着層を介して備えられている。その無機密着層に発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、配線パターンにおいて発生する応力と膜厚を乗じて得られる値と、の和が２２５０（Ｎ／ｍ）以下であることが特徴である。
【００２２】
また、本発明の配線回路基板においては、貫通孔を備えたガラス基板の表裏面に導電性材料からなる第１配線パターンを備え、第１配線パターンは貫通孔内に備えられた導電性材料からなる貫通電極パターンによって導通してなるコア基板の少なくとも一方の面に、絶縁樹脂層と導電性材料からなる配線パターンとが交互に１組以上備えられており、第１
配線パターンと配線パターンとは、絶縁樹脂層に備えられた導通ビアを介して電気的に接続されており、最上層の絶縁樹脂層の上には、外部回路と接続する開口部である導通パッド部が形成されたソルダーレジスト層を備えている配線回路基板であっても構わない。
【００２３】
無機密着層は、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル、ニッケルリン、クロム、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル、チタン、銅の中から選ばれたいずれか１種の材料またはいずれか２種以上の材料からなる、単層体または２層以上の積層体、であることが好ましい。
【００２４】
また、導電性材料は、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛の中から選ばれたいずれか１種の材料またはその化合物、またはいずれか２種以上の材料またはそれらの化合物、のいずれかからなる単層体または２層以上の積層体、またはいずれか１種以上の材料からなる粉体と樹脂材料との混合物、のいずれかであることが好ましい。
【００２５】
また、絶縁樹脂層は、エポキシ／フェノール、ポリイミド、シクロオレフィン、ＰＢＯのいずれかまたはそれらの複合材料であることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の配線回路基板においては、貫通孔の直径が、貫通電極パターンの厚さの上限膜厚の２倍より大きい場合は、貫通電極パターンの形態が貫通孔の長手方向に沿った中心線部が空洞となる筒状となる。また、上限膜厚の２倍以下の場合は、貫通電極パターンの形態が、貫通孔が前記導電性材料で充填された円柱状であることが好ましい。
【００２７】
なお、ここで上限膜厚とは、ガラス基板の表面および貫通孔の内壁面の表面に形成された無機密着層と、その上に形成した第１配線パターンおよび貫通電極パターンが、ガラス基板から剥れない最大膜厚を指す。
【００２８】
以上の様な構成を備えた本発明の配線回路基板は、製造工程ないし信頼性試験における熱膨張、熱収縮により、配線パターンとガラス基板との剥離を防止し、充分な信頼性を備えている。
以下に、本発明の配線回路基板について詳細に説明する。
【００２９】
ガラス基板の熱膨張率は、低膨張ガラスで３から４ｐｐｍ／℃、ソーダガラスで８から９ｐｐｍ／℃であり、製造方法やＮａなどの金属成分の添加により３から９ｐｐｍ／℃の制御が可能である。ガラス基板のヤング率は成分により変動するが７７ＧＰａ程度である。
また、導電性材料としてよく使用される銅の熱膨張率１６ｐｐｍ／℃程度、ヤング率は１１０ＧＰａ程度である。
【００３０】
ガラス基板に形成した貫通孔と表裏両面に、導電性材料より応力が低い無機密着層を形成することで、導電性材料と基板との応力差による、導電性材料自体の圧縮応力によるガラス基板へのクラックの発生を防止すると共に、ガラス基板と導電性材料の密着力を向上させることができる。
【００３１】
導電性材料はガラス基板に対して圧縮する応力を有し、無機密着層の応力は導電性材料の応力より小さい圧縮応力が望ましく、無機密着層の応力は導電性材料の圧縮応力の絶対値と同等の引っ張り応力であっても良い。
【００３２】
また導電層と無機密着層との積層膜からなる配線パターンの各層の（応力×膜厚）の総和がガラス基板を引っ張る単位巾あたり薄膜にかかる力は２２５０Ｎ／ｍ以下が望ましい
。これより数値が高くなると、工程内の熱履歴で配線パターンがガラス基板より剥離する現象が発生する。
【００３３】
導電性材料が銅めっきの場合ガラス基板を引っ張る方向の応力が働き、配線パターンの総厚が２５μｍで（応力×膜厚）の値が２２５０Ｎ／ｍに相当する。これより銅めっき厚が厚くなるとガラス基板から配線パターンが剥離する領域に入り、ガラスからなるコア基板が製造工程の熱履歴にて破損することになる。
【００３４】
本発明の配線回路基板で、使用する無機密着層の応力が引っ張り応力でれば、各層の力の働く方向が一致するため銅めっきの厚みは２５μｍより薄くする必要がある。
【００３５】
また、無機密着層が圧縮応力であれば、力が打ち消す方向に働くため、銅めっきの厚みは（応力×膜厚）の総和が２２５０Ｎ／ｍを越えない範囲で２５μｍより厚く設定できる。
【００３６】
薄膜にかかる力は、応力と膜厚から算出でき、応力は熱膨張率やヤング率から算出できる。
熱膨張率は、ＪＩＳ  Ｒ３１０２、ＪＩＳ  Ｋ７１９７に従い、ＴＭＡにて測定した。
シリコンウェハ上に成膜した薄膜にかかる応力は、レーザ光を用いた測定により求めた基板の反りに関する曲率半径Ｒを使用して、Ｓｔｏｎｅｙの式より求めた。
ヤング率は、応力と歪量より求めた。
（Ｓｔｏｎｅｙの式）
σ（応力）＝Ｅｓ×ｔＳ２／（６×（１−Ｖｓ）×Ｒ×ｔＦ）・・・・（１）
σ  ：応力
Ｅｓ：基板のヤング率
Ｖｓ：基板のポアッソン比
ｔｓ：基板の厚み
ｔＦ：薄膜の厚さ
Ｒ  ：曲率半径
応力を測定する際、基板として厚さが５２５μｍのシリコンウェハを使用した。
薄膜にかかる力＝σ×導電層膜厚（Ｎ／ｍ）・・・・・・・・・・・（２）
として算出することができる。
【００３７】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して更に詳しく説明する。
【００３８】
本発明の配線回路基板の断面構成を図１に基づいて以下に説明する。
本実施の形態に係る配線回路基板１００は、図１に示す構造を有している。図１に示すように配線回路基板１００は、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板１の表裏両面と貫通孔１３内に無機密着層４を介して、導電性材料からなる配線パターン５と貫通電極パターン３（または３−１）とが形成されている（図３（ａ）〜（ｃ）参照）。
【００３９】
配線回路基板１００の構造は、貫通孔の内壁面を含めてガラス基板１上に無機密着層4を有し、無機密着層4上に配線パターン５と貫通電極パターン３とからなる導電層１４を有し、導電層１４上に絶縁樹脂層７を有している。更に絶縁樹脂層７上に第２層目の配線パターン８を有し、導電層１４と配線パターン８とは導通ビア９を介して電気的に接続ており、絶縁樹脂層７と配線パターン８とは、必要層数が繰り返しその順に積層された多層構造を備えた貫通電極付き配線回路基板となっている。
なお、図１に記載の必要層数や、貫通電極パターンの金属層の形態は、１つの例として図示したものであり、特にこの構成に限定するものではない。
【００４０】
次に、本発明の半導体装置の断面構成を図２に基づいて以下に説明する。
本発明の配線回路基板１００（図１）の片面に、半導体素子１１を搭載し、配線回路基板１００のもう一方の面でプリント基板に搭載する。各々の接続にはハンダボールを使用している。
配線回路基板１００に半導体素子１１を搭載する側の接合には、通常は、より小さなはんだボールであるマイクロバンプを使用したフリップチップ実装（マイクロバンプ接合）される。その後、半導体素子１１と配線回路基板１００の間にアンダーフィルが充填される。また、配線回路基板１００とマザーボードの様なプリント配線板との接合には、マイクロバンプより大きいはんだボールを使用したフリップチップ実装（バンプ接合）が行われる。
なお、図２に記載の半導体素子１１の形状や接続方式は、１つの例として図示したものであり、これに限定するものではない。
【００４１】
＜配線回路基板の構成＞
本発明の配線回路基板１００の構成は、貫通孔１３を形成したガラス基板１（図３（ａ）参照）に、ガラス基板１の表裏両面と貫通孔１３の内壁に無機密着層４を積層し、その無機密着層４に導電性材料からなる配線パターン５と貫通電極パターン３を積層したコア基板１０−１の両面を絶縁樹脂層７にて被覆し（図３（ｄ）、（ｅ）参照）、絶縁樹脂層７の上に第２層目の配線パターン８を形成し、コア基板１０−１の表面の配線パターン５と、絶縁樹脂層７上の第２層目の配線パターン８と、を電気的に接続する為に、導通ビア９を形成した構成（図３（ｅ）参照）からなる。
【００４２】
（貫通孔）
貫通孔１３（図３（ａ）参照）の形成方法は特に規定しないが、ＣＯ２レーザやＵＶレーザや短パルスレーザや放電加工などにより形成することができ、貫通孔１３自体の熱歪を解消する為に、ガラス基板１を高温焼成する方法やフッ酸エッチングにより熱歪部分を除去することが可能である。
【００４３】
貫通孔１３の径は、使用する製品仕様により決定すれば良いが、貫通電極パターン３内部の構造は、ガラス基板１の上に形成できる導電性材料の膜厚に上限が設けられる為、導電性材料の上限膜厚以内とすることを目的として、筒状構造または充填構造を選択すべきである。
筒状構造の場合、コア基板１０−１（図３（ｄ）参照）を被覆する絶縁樹脂層７により充填すればよい（図３（ｅ）参照）。
貫通電極パターン３内でも導電層１４と無機密着層４の応力が発生しており、許容膜厚以上で形成すると、貫通電極パターン３がガラス基板１の貫通孔１３の内壁面（図３参照）から剥離する現象が発生する。
【００４４】
（無機密着層）
無機密着層４としては、ガラス基板１と導電層１４を形成する導電性材料との密着性が高く、且つ熱膨張率がガラス基板１より高い、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、ニッケル(１５ｐｐｍ／℃）、無電解ニッケルリンめっき、クロム(８ｐｐｍ／℃）、酸化クロム、チッ化アルミ、酸化アルミ、タンタル(６ｐｐｍ／℃)、チタン(９ｐｐｍ／℃)、銅(１６ｐｐｍ／℃)などの材料が使用可能である。
【００４５】
無機密着層４の熱膨張率の上限は、導電層１４を形成する導電性材料より低いことが望ましい。
【００４６】
無機密着層４を使用することで、導電層１４を形成する導電性材料とガラス基板１の熱膨張率の差によって発生する層間にかかる応力を低減し、導電性材料の剥離を回避するこ
とができる。
【００４７】
上記で例示した無機密着層４の材料の単体ないし、ＩＴＯ膜(９ｐｐｍ／℃)の如く２種類以上の複合材料を単層にて使用する事が可能である。また、クロム／銅、チタン／銅の如く２層以上の積層膜にて使用することも可能である。
【００４８】
無機密着層４の膜厚は特に規定しないが、０．１μｍ以上、１μｍ以下あれば、ガラス基板１との密着性と、熱膨張率の差を緩和する効果を得ることができる。
【００４９】
無機密着層４の形成方法は特に規定しないが、スパッタ成膜法、無電解めっき法などで形成する事が可能である。
【００５０】
（導電層）
導電層１４を形成する導電性材料は、銅、銀、金、ニッケル、白金、パラジウム、ルテニウム、錫、錫銀、錫銀銅、錫銅、錫ビスマス、錫鉛の中から選択した１つの材料からなる層、またはいずれか２つ以上の単体材料を積層した積層体、またはそれらのいずれかの金属や合金を含む化合物、が使用可能である。無機密着層４との密着性や、電気的に接続安定性の高い材料を選定すれば良い。またはこれらの金属のいずれか１つ以上を含む金属粉と樹脂材料との混合物である導電性ペーストも使用可能である。
【００５１】
導電層１４を形成方法は特に規定しないが、無電解めっき法、電解めっき法が可能である。
【００５２】
めっき法で形成する貫通電極パターン３を筒状構造で形成する場合はコンフォーマルめっきにて形成し、充填構造で形成する場合フィルドめっきにて形成すれば良い。
【００５３】
（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層７として、エポキシ／フェノール，ポリイミド，シクロオレフィン，ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）のいずれかもしくはそれらの複合材料を用いることが可能である。
【００５４】
絶縁樹脂層７は、熱膨張率が３０から１００ｐｐｍ／℃と導電性材料よりも高く、かつ弾性率が高い為、導電層１４を覆うことで導電層１４とガラス基板１との層間にかかる応力をある程度減少させ、導電層１４の剥離を抑制する効果が付与される。
絶縁樹脂層７としてはドライフィルムや液状レジストが使用可能であり、特に規定するものではない。
【００５５】
＜配線回路基板の製造方法＞
次に、図３を用いて、本発明の配線回路基板１００の製造方法について説明する。
本発明の配線回路基板１００の製造方法は、ガラス基板１に貫通孔１３を形成する工程と、ガラス基板１の表裏面と、貫通孔１３の内壁と、に無機密着層４を形成する工程と、無機密着層４の上に、導電性材料からなる第１配線パターン５と、貫通電極パターン３−１と、を形成する工程と、第１配線パターン５と貫通電極パターン３−１以外の部位に露出している無機密着層４を除去することによりコア基板１０−１を作製する工程と、コア基板１０−１の表裏面に絶縁樹脂層７を形成する工程Ａと、第１配線パターン５上の前記絶縁樹脂層７の所望の部位に導通ビア９となるビア孔を形成する工程Ｂと、ビア孔が形成された絶縁樹脂層７の上に、第２層目以降の配線パターン８と導通ビア９を形成する工程Ｃと、工程Ａ〜工程Ｃを必要な回数繰り返す工程と、を備えている。
【００５６】
（ビア孔を形成する方法）
絶縁樹脂層７に導通ビア９となるビア孔を形成する方法は、使用する絶縁樹脂層７により選択すれば良い。熱硬化性樹脂であればＣＯ２レーザやＵＶレーザなどが使用可能であり、レーザ加工の後はレーザ加工で発生したスミアを除去する為にデスミア処理を行えば良い。
感光性レジストの場合は、フォトリソ法にてビア孔を形成すれば良い。
【００５７】
（第２層目以降の配線パターンの形成方法）
絶縁樹脂上の第２層目以降の配線パターン８の形成方法は特に規定しないが、無電解めっきまたはスパッタ膜をシード層として、電解めっきにて厚付けし、セミアディティブ法やサブトラクティブ法によりパターン形成すれば良い。
また、絶縁樹脂層７と配線パターン８の層数は特に規定せず、製品の設計により設定すれば良い。
また、配線パターンの他、誘電体材料からなるキャパシタ部品やコイル構造からなるインダクタ部品を配線回路基板上にパターンとして形成することや、実装部品として埋め込むことも可能である。
【００５８】
以上に説明した製造方法で作製した配線回路基板１００は、表裏両面の配線パターン５、８間で高い導通信頼性を実現することができる。
また、回線回路基板１００に半導体素子を搭載して得られた半導体装置２００（図２参照）は、接続対象である半導体素子１１やプリント基板との間で導通パッドの材料を最適化することで高い接続強度を得ると共に、実装時の熱変形の最適化により高い接続信頼性を実現することができる。
【実施例】
【００５９】
次に、本発明の配線回路基板の実施例を説明する。
【００６０】
＜実施例１＞
ガラス基板１として、厚さ０．３ｍｍ、大きさ２００×２００ｍｍ、熱膨張率４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスを使用し、直径７０μｍの貫通孔１３を、ＣＯ２レーザを使用して形成した。
【００６１】
次に、無機密着層４をスパッタ法にて、まずＴｉ膜（熱膨張率８.４ｐｐｍ／℃、ヤング率１０６Ｇｐａ）を、続いてＣｕ膜を、それぞれ、０．１μｍ厚、０．２μｍ厚にて積層形成した。
【００６２】
更に、スパッタ装置により形成したＮｉ／Ｃｕ膜の上に無電解Ｎｉめっき膜（熱膨張率１５ｐｐｍ／℃、ヤング率２００Ｇｐａ）を厚さ０．１μｍで形成した。Ｎｉ膜のみの（応力×膜厚）の値を２０Ｎ／ｍとなる様に実施した。
【００６３】
一方、厚さ５２５μｍのシリコンウェハ上に上記の積層膜を形成し、シリコンウェハに生じた反りの曲率半径を計測することにより応力σを算出した。応力σの算出にはＳｔｏｎｅｙの式を用いた。その応力σに膜厚を乗ずることによって、応力×膜厚の値を算出した。
【００６４】
以下に、具体的な計算を示す。
まず、応力σを下記の様に算出した。
σ（応力）＝１．８０５×１０１１×（５２５×１０−６）２／（６×４１４×０．１×１０−６）≒２００（Ｍｐａ）（１Ｐａ＝１Ｎ／ｍ２）
次に、算出した応力σに膜厚を乗じて（応力×膜厚）の値を算出した。
（応力×膜厚）の値＝２００（ＭＰａ）×０．１×１０−６（ｍ）＝２０（Ｎ／ｍ）
【００６５】
次に、貫通孔１３が形成され、無機密着層４と無電解Ｎｉめっき層が形成されたガラス基板１に、電解銅めっき（熱膨張率：１６ｐｐｍ／℃、ヤング率：１１０Ｇｐａ）を、８μｍｔ形成した。
【００６６】
次に、貫通電極パターン３を、コンフォーマルめっきにて、厚さ８μｍの筒状構造で形成した。この際の無機密着層４と導電層１４との積層膜の（応力×膜厚）の総和は８７０Ｎ／ｍであった。
【００６７】
シリコンウェハ上に上記積層膜と同じ構成の積層膜を形成し、曲率半径より応力を算出し、膜厚をかけて薄膜にかかる応力σを算出した。
σ＝１．８０５×１０１１×（５２５×１０−６）２／（６×９．７７×８×１０−６）
≒１０６（ＭＰａ）
（応力×膜厚）の総和＝（無機密着層４の応力×膜厚の値）＋（導電層１４の応力×膜厚の値）              ＝２０（Ｎ／ｍ）＋１０６×８×１０−６（ＭＰａ）
＝２０＋８４８（Ｎ／ｍ）
≒８７０（Ｎ／ｍ）
【００６８】
絶縁樹脂層７にはエポキシ系樹脂からなるＡＢＦフィルム（味の素（株）製の層間絶縁樹脂フィルム）を使用し、第２層目の配線パターン８はシード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚みを８μｍ、配線パターンのＬＳ（Ｌｉｎｅ＆Ｓｐａｃｅ）値は２０μｍとして、配線形成はセミアディティブ法により実施した。
この際、導通ビア９は、ＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してＴｏｐ径５０μｍにて開口し、電解銅めっきは、コンフォーマルめっきにて実施した。
【００６９】
導通パッド部はＮｉ／Ａｕめっきにて形成した。これは、半導体素子との接合をハンダで実施することを想定したためである。
【００７０】
次に、図３（ａ）〜（ｆ）を用いて、本発明の配線回路基板１００−１の製造工程を、更に詳細に説明する。
【００７１】
まず、ガラス基板１にＣＯ２レーザとフッ酸エッチング処理にて貫通孔１３を形成した（図３（ａ））。具体的には、まずＣＯ２レーザを用いてガラス基板１の所定の位置にΦ７０μｍの貫通孔１３を形成した。次に、フッ化水素酸を使用したガラスのエッチング液に浸漬することにより、レーザ加工による残渣を除去した。
【００７２】
次に、ガラス基板１の両面より、直流マグネトロンスパッタ装置を使用して、Ｔｉ膜（厚さ０．１μｍ）とＣｕ膜（厚さ０．２μｍ）を連続して成膜した。さらに無電解Ｎｉめっき膜（厚さ０．１μｍ）を積層形成し、両表面と貫通孔内に無機密着層４を形成した（図３（ｂ））。
【００７３】
次に、無機密着層４の上に、剥離可能な感光性レジストからなる非配線パターン１６を形成した。次に、両表面と貫通孔１３内の無機密着層４の上に電解銅めっき（第１銅めっき）を形成した。この電解銅めっきにより、貫通孔１３が形成されたガラス基板１の表裏面の非配線パターン１６が形成されていない部分には配線パターン５やランド６が形成されると同時に、貫通孔１３内には、筒状構造の貫通電極パターン３−１が形成された（図３（ｃ））。
【００７４】
次に、非配線パターン１６を除去した。次に、非配線パターン１６が除去されることによって露出した、配線パターン５やランド６以外の部分の無機密着層４を、ｗｅｔエッチ
ングにて除去し、ガラス基板１に貫通電極パターン３−１と配線パターン５を配置したコア基板１０−１を形成した（図３（ｄ））。
【００７５】
次に、コア基板１０−１の両面に絶縁樹脂層７をラミネートし、貫通電極パターン３−１の筒状構造の中央部を絶縁樹脂層７にて充填した。次に、配線パターン５のランド部６にＵＶ−ＹＡＧレーザにて導通ビア９を形成し、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工にて生じた導通ビア９内の塵をアルカリ水溶液系の処理液でデスミア処理してクリーニングした（図３（ｅ））。
【００７６】
次に、セミアディティブ法により絶縁樹脂層７の上に配線パターン８と導通ビア電極１５を形成した。
具体的には、まずシード層として無電解銅めっき層を全面に形成した。そのシード層の上に、ネガ形レジストにて配線パターン８と導通ビア９部が開口したレジストパターンを形成した。次に、厚さ８μｍの電解銅めっき層を形成した。次に、レジストパターンと第２層目の配線パターン８以外の部分のシード層を除去し、配線パターン８と導通ビア電極１５を形成した。
【００７７】
次に、上記で作製した基板に感光性のソルダーレジスト１２を積層し、露光、現像を行う事により、基板の表裏面に導通パッド部２を形成した。
【００７８】
この様に、導通ビア電極１５は、ガラス基板１の貫通孔１３内に形成された貫通電極パターン３−１を介して、ガラス基板１の表裏面に形成された配線パターン５同士を接続するものであり、更に配線パターン５と導通されている導通ビア９を介して、表裏面にそれぞれ形成された導通パッド部２の導通をとるものである。
最後に、両面の導通パッド部２の表面にはＮｉ／Ａｕ層を形成する表面処理を行い、本発明の配線回路基板１００−１を作製した（図３（ｆ））。
【００７９】
なお、本実施例では、片面の配線パターンの層数を２層、表面の被覆層をソルダーレジスト１２、導通パッド部２の表面の表面処理をＮｉ／Ａｕとしたが、これらに限定するものではない。配線パターンの層数が３層以上であっても良いし、表面の被覆層がソルダーレジスト以外の材料からなる層であっても良い。また導通パッド部２の表面処理がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕであっても構わない。
【００８０】
以上により、電解銅めっきからなる導電層１４より応力の小さい無機密着層４を形成し、導電層１４の膜厚を薄膜にかかる力が規定値以下になる領域にすることで、ガラス基板１と、配線パターン８および貫通電極パターン３と、が剥離する現象を回避するとともに、製造工程内の熱履歴や信頼性試験にて配線パターン８と貫通電極パターン３に十分な密着性を有するコア基板１０−１および配線回路基板１００−１を得ることができた。
【００８１】
これらによって、ガラス基板１からの配線パターン８と貫通電極パターン３の剥離を防止すると共に、充分な信頼性を有した配線回路基板１００−１を使用した半導体装置２００（図２参照）を提供することが可能である。
【００８２】
＜実施例２＞  
本発明の実施例２について図４に基づいて以下に説明する。
【００８３】
ガラス基板１として、厚み０．２ｍｍ、大きさ２００×２００ｍｍ、熱膨張率４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスを使用し、ＣＯ２レーザを使用し直径４０μｍの貫通孔１３を形成した。
【００８４】
次に、無機密着層４は、直流マグネトロンスパッタ装置を使用して、Ｔｉ膜（熱膨張率８.４ｐｐｍ／℃、ヤング率１０６ＧＰａ）と、Ｃｕ膜を、それぞれ、厚さ０．１μｍ、厚さ０．２μｍにて積層形成した。
【００８５】
更に、スパッタ膜の上に無電解Ｎｉめっき膜（熱膨張率１５ｐｐｍ／℃、ヤング率２００ＧＰａ)を厚さ０．１μｍで形成し、Ｎｉ膜のみの（応力×膜厚）の値を２０Ｎ／ｍとなるように設計した。
また、シリコンウェハ上に積層膜を形成し、曲率半径より応力を算出し、その応力に膜厚を乗じた値を薄膜にかかる力として算出した。
σ（応力）＝１．８０５×１０１１×（５２５×１０−６）２／（６×４１４×０．１×１０−６）≒２００（Ｍｐａ）  （１Ｐａ＝１Ｎ／ｍ２）
次に、算出した応力σに膜厚を乗じて（応力×膜厚）の値を算出した。
（応力×膜厚）の値＝２００（ＭＰａ）×０．１×１０−６（ｍ）＝２０（Ｎ／ｍ）
【００８６】
次に、導電性材料として電解銅めっき（熱膨張率１６ｐｐｍ／℃、ヤング率１１０ＧＰａ）を２０μｍの厚さで形成した。また、貫通電極パターン３−２をフィルドめっきにて充填構造で形成した。
この際の無機密着層４と導電層１４の積層膜より、（応力×膜厚）の総和は１８７０Ｎ／ｍであった。
シリコンウェハ上に積層膜を形成し、曲率半径より応力を算出し、膜厚をかけて薄膜にかかる力として、応力σを下記の様に算出した。
σ＝１．８０５×１０１１×（５２５×１０−６）２／（６×４．４８×２０×１０−６）
＝９２．５（ＭＰａ）
（応力×膜厚）の総和＝（無機密着層４の値）＋（導電層１４の値）
＝２０（Ｎ／ｍ）＋９２．５×２０×１０−６（ＭＰａ）
＝１８７０（Ｎ／ｍ）
【００８７】
絶縁樹脂層７にはエポキシ系樹脂からなるＡＢＦフィルムを使用し、第２層目の配線パターン８はシード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚みを８μｍ、配線パターン８のＬＳ値は２０μｍ、配線形成はセミアディティブ法により実施した。
また、この際、導通ビア９はＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してＴｏｐ径４０μｍにて開口し、コンフォーマルめっきにて形成した。
導通パッド部２には、Ｎｉ／Ａｕめっきを施し、半導体素子との接続はハンダを使用した。
【００８８】
次に、図４（ａ）〜（ｆ）を用いて、本発明の配線回路基板２００の製造工程を詳細に説明する。
【００８９】
まず、ガラス基板１にＣＯ２レーザとフッ酸エッチング処理にて貫通孔を形成した（図４（ａ））。具体的には、まずＣＯ２レーザを用いてガラス基板１の所定の位置にΦ７０μｍの貫通孔１３を形成した。次に、フッ化水素酸を使用したガラスのエッチング液に浸漬することにより、レーザ加工による残渣を除去した。
【００９０】
次に、ガラス基板１の両面より、直流マグネトロンスパッタ装置を使用して、Ｔｉ膜（厚さ０．１μｍ）とＣｕ膜（厚さ０．２μｍ）を連続して成膜した。さらに無電解Ｎｉめっき膜（厚さ０．１μｍ）を積層形成し、両表面と貫通孔内に無機密着層４を形成した（図４（ｂ））。
【００９１】
次に、無機密着層４の上に、剥離可能な感光性レジストからなる非配線パターン１６を
形成した。次に、両表面と貫通孔１３内の無機密着層４の上に電解銅めっき（第１銅めっき）を形成した。この電解銅めっきにより、貫通孔１３が形成されたガラス基板１の表裏面の非配線パターン１６が形成されていない部分には配線パターン５やランド６が形成されると同時に、貫通孔１３内には、フィルド電解銅めっきにて充填構造の貫通電極パターン３−２が形成された（図４（ｃ））。
【００９２】
次に、非配線パターン１６を除去した。次に、非配線パターン１６が除去されることによって露出した、配線パターン５やランド６以外の部分の無機密着層４を、ｗｅｔエッチングにて除去し、ガラス基板１に貫通電極パターン３−２と配線パターン５を配置したコア基板１０−２を形成した（図４（ｄ））。
【００９３】
次に、コア基板１０−２の両面に絶縁樹脂層７をラミネートし、貫通電極パターン３−２の筒状構造の中央部を絶縁樹脂７にて充填した。次に、配線パターン５のランド部６にＵＶ−ＹＡＧレーザにて導通ビア９を形成し、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工にて生じた導通ビア９内の塵をアルカリ水溶液系の処理液でデスミア処理してクリーニングした（図４（ｅ））。
【００９４】
次に、セミアディティブ法により絶縁樹脂層７の上に配線パターン８と導通ビア電極１５を形成した。
具体的には、まずシード層として無電解銅めっき層を全面に形成した。そのシード層の上に、ネガ形レジストにて配線パターン８と導通ビア９部が開口したレジストパターンを形成した。次に、厚さ８μｍの電解銅めっき層を形成した。次に、レジストパターンと第２層目の配線パターン８以外の部分のシード層を除去し、配線パターン８と導通ビア電極１５を形成した（図４（ｆ））。
【００９５】
次に、上記で作製した基板に感光性のソルダーレジスト１２を積層し、露光、現像を行う事により、基板の表裏面に導通パッド部２を形成した。
両面の導通パッド部２の表面にはＮｉ／Ａｕからなる表面処理を行い、本発明の配線回路基板１００−２を作製した。
【００９６】
なお、本実施例では、片面の配線パターンの層数を２層、表面の被覆層をソルダーレジスト１２、導通パッド部２の表面の表面処理をＮｉ／Ａｕとしたが、これらに限定するものではない。配線パターンの層数が３層以上であっても良いし、表面の被覆層がソルダーレジスト以外の材料からなる層であっても良い。また導通パッド部２の表面処理がＮｉ／Ｐｄ／Ａｕであっても構わない。
【００９７】
以上により、電解銅めっきからなる導電層１４より応力の小さい無機密着層４を形成し、導電層１４の膜厚を薄膜にかかる力が規定値以下になる領域で設計することで、ガラス基板１と、配線パターン８および貫通電極パターン３−２と、が剥離する現象を回避するとともに、製造工程内の熱履歴や信頼性試験にて配線パターン８と貫通電極パターン３−２に十分な密着性を有するコア基板１０−２および配線回路基板１００−２を得ることができた。
【００９８】
さらに、これらによって、ガラス基板１より配線パターン８と貫通電極パターン３−２の剥離を防止すると共に、充分な信頼性を有した配線回路基板１００−２、及び、配線回路基板１００−２を使用した半導体装置を提供することが可能である。
【００９９】
＜比較例＞
次に、本発明の比較例について図５に基づいて以下に説明する。
【０１００】
ガラス基板１として、厚み０．３ｍｍ、大きさ２００×２００ｍｍ、熱膨張率４ｐｐｍ／℃の低膨張ガラスを使用し、ＣＯ２レーザを使用して、直径７０μｍの貫通孔１３を形成した。
【０１０１】
無機密着層４は、直流マグネトロンスパッタ装置を使用してＴｉ膜（熱膨張率８.４ｐｐｍ／℃、ヤング率１０６ＧＰａ）とＣｕ膜をそれぞれ、厚さ０．１μｍ、厚さ０．２μｍにて積層形成した。
【０１０２】
更に、スパッタ膜の上に無電解Ｎｉめっき膜(熱膨張率１５ｐｐｍ／℃、ヤング率２００ＧＰａ)を、厚さ０．１μｍで形成し、Ｎｉ膜のみの（応力×膜厚）の値は２０Ｎ／ｍとした。
【０１０３】
導電性材料は電解銅めっき（熱膨張率１６ｐｐｍ／℃、ヤング率１１０ＧＰａ）にて厚さ３０μｍ形成し、貫通電極パターン３−３はコンフォーマルめっきにて厚さ３０μｍの筒状構造で形成した。この際の無機密着層４と導電層１４との積層膜より、（応力×膜厚）の値の総和は２６２０Ｎ／ｍであった。
【０１０４】
薄膜にかかる力は、シリコンウェハ上に積層膜を形成し、曲率半径より応力σを算出し、それに膜厚を乗じることで、下記の様に算出した。
σ（応力）＝１．８０５×１０１１×（５２５×１０−６）２／（６×３．１９×３０×１０−６）＝８６．６（ＭＰａ）
（応力×膜厚｝の総和＝２０（Ｎ／ｍ）＋８６．６（ＭＰａ）×３０×１０−６（ｍ）
≒２６２０（Ｎ／ｍ）
【０１０５】
絶縁樹脂７にはエポキシ系樹脂からなるＡＢＦを使用し、第２層目の配線パターン８はシード層に無電解銅めっきを使用し、電解銅めっきの厚みを８μｍ、配線パターンのＬＳ値は２０μｍ、配線形成はセミアディティブ法により作製した。
また、導通ビア９はＵＶ−ＹＡＧレーザを使用してＴｏｐ径５０μｍにて開口し、コンフォーマルめっきにて形成した。
【０１０６】
まず、ガラス基板１にＣＯ２レーザとフッ酸エッチング処理にて貫通孔１３を形成した（図５（ａ））。
【０１０７】
次に、ガラス基板１の両面より、スパッタＴｉ膜とスパッタＣｕ膜を連続して成膜し、さらに無電解Ｎｉめっき膜を積層形成し、表裏面と貫通孔１３内に無機密着層４を形成した（図５（ｂ））。
【０１０８】
次に、無機密着層４の上に、剥離可能な感光性レジストからなる非配線パターン１６を形成した後、貫通電極パターン３−３は、コンフォーマル電解銅めっきにて筒状構造とした（図５（ｃ））。
【０１０９】
次に、表裏面の配線パターン５以外の部分の無機密着層４を、ｗｅｔエッチングにて除去し、ガラス基板１に貫通電極パターン３−３と配線パターン５を配置したコア基板１０−３を形成した（図５（ｄ））。
【０１１０】
次に、コア基板１０−３の両面に絶縁樹脂７をラミネートし、貫通電極パターン３−３の筒状構造の中央部を絶縁樹脂７にて充填した。配線パターン５のランドパターン部にＵＶ−ＹＡＧレーザにて導通ビア９を形成し、ＵＶ−ＹＡＧレーザ加工にて生じた導通ビア９の孔内の塵をアルカリ水溶液系の処理液で膨潤分解して除去した（図５（ｅ））。
【０１１１】
次に、絶縁樹脂７の上に、シード層として無電解銅めっきを形成した。その上にネガ形レジストにて配線パターン８と導通ビア９部が開口したレジストパターンを形成し、セミアディティブ法により、まず導電性材料として電解銅めっきを８μｍ厚で形成した後、レジストパターンと第２層目の配線パターン８以外の部分のシード層を除去し、配線パターン８と導通ビア電極１５を形成した（図５（ｆ））。
【０１１２】
以上で説明した製造方法では、表裏面の配線パターン間で導通の取れた配線回路基板１００−３を得ることはできた。しかし、コア基板１０−３の配線パターン５を形成した時点で配線パターン５とコア基板１０−３の界面に微小なガラスクラックが発生し、高温低温サイクル試験の配線回路基板１００−３に熱ストレスのかかる試験において、配線パターン５の圧縮応力が、コア基板１０−３と配線パターン５との密着力より大きくなり、貫通電極パターン３−３と、配線パターン５と、がコア基板１０−３より剥離し、配線回路基板１００−３を破壊する不具合を生じた。
【符号の説明】
【０１１３】
１…ガラス基板
２…導電パッド部
３−１、３−２…貫通電極パターン
４…無機密着層
５…第１配線パターン
６…ランド
７…絶縁樹脂層
８…（第２層目以降の）配線パターン
９…導通ビア
１０−１、１０−２、１０−３…コア基板
１１…半導体素子
１２…ソルダーレジスト
１３…貫通孔
１４…導電層
１５…導通ビア電極
１６…（剥離可能な感光性レジストからなる）非配線パターン
１００、１００−１、１００−２、１００−３…配線回路基板
２００…半導体装置
【図１】
2020053512.tif 000003
【図２】
2020053512.tif 000004
【図３】
2020053512.tif 000005
【図４】
2020053512.tif 000006
【図５】
2020053512.tif 000007