(57)【要約】【課題】ＶＨＦ帯の電磁波を用いて生成したプラズマによるプラズマ処理において、プラズマ分布を均一にする。【解決手段】被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記被処理体が載置される載置部と、当該プラズマ処理装置内にプラズマ生成用のＶＨＦ帯の電磁波を導入する導波部と、前記導波部により導入された前記電磁波を、前記載置部の前記被処理体載置側に形成されるプラズマ処理空間に透過させる誘電体窓と、を有し、前記誘電体窓は、前記載置部の前記プラズマ処理空間側と対向するように設けられた環状の部材であり、前記載置部の方向に突出する複数の凸部が周方向に沿って等間隔で並ぶように前記載置部側に形成され、前記凸部の周方向の幅は、前記誘電体窓内における前記電磁波の波長の１／８〜３／８である。【選択図】図２
2020053245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記被処理体が載置される載置部と、
当該プラズマ処理装置内にプラズマ生成用のＶＨＦ帯の電磁波を導入する導波部と、
前記導波部により導入された前記電磁波を、前記載置部の前記被処理体載置側に形成されるプラズマ処理空間に透過させる誘電体窓と、を有し、
前記誘電体窓は、前記載置部の前記プラズマ処理空間側と対向するように設けられた環状の部材であり、前記載置部の方向に突出する複数の凸部が周方向に沿って等間隔で並ぶように前記載置部側に形成され、
前記凸部の周方向の幅は、前記誘電体窓内における前記電磁波の波長の１／８〜３／８である、プラズマ処理装置。
【請求項２】
互いに隣接する前記凸部間の距離は、前記電磁波の波長の１％以上である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記誘電体窓は、アルミナ、石英または窒化アルミにより形成されている、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記誘電体窓は、円環状の部材であり、外径が３５０ｍｍ〜５００ｍｍ、内径が３００〜４５０ｍｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
プラズマ処理装置を用いて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
前記被処理体が載置される載置部と、
前記載置部の前記被処理体載置側に形成されるプラズマ処理空間に透過させる誘電体窓と、を有し、
前記誘電体窓は、前記載置部の前記プラズマ処理空間側と対向するように設けられた環状の部材であり、前記載置部の方向に突出する複数の凸部が周方向に沿って並ぶように前記載置部側に形成され、
前記凸部の周方向の幅は、前記誘電体窓内におけるプラズマ生成用のＶＨＦ帯の電磁波の波長の１／８〜３／８であり、
当該プラズマ処理方法は、
前記プラズマ処理装置内に前記電磁波を導入する工程と、
導入された前記電磁波を、前記誘電体窓を介して前記プラズマ処理空間へ供給し、プラズマを生成する工程と、を有するプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、導波管を介して真空チャンバ内部にマイクロ波を伝達させ、真空チャンバ内部でプラズマを発生させるプラズマ処理装置が開示されている。このプラズマ処理装置は、天板と誘電体とを有する。上記天板は、真空チャンバの導波管と対向する部分に設けられマイクロ波を真空チャンバ内部に導入するためのスリットが形成され、真空チャンバ側の面にスリットを通過した上記マイクロ波を内面に沿って伝播させる。また、上記誘電体は、上記天板の真空チャンバ側に設けられると共にマイクロ波を透過させる板状の部材である。そして、上記誘電体の真空チャンバ側の表面には、突条からなる凹凸部が７．５〜３０ｍｍのピッチで周期的に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３７８７２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、ＶＨＦ帯の電磁波を用いて生成したプラズマによるプラズマ処理において、プラズマ分布を均一にする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、前記被処理体が載置される載置部と、当該プラズマ処理装置内にプラズマ生成用のＶＨＦ帯の電磁波を導入する導波部と、前記導波部により導入された前記電磁波を、前記載置部の前記被処理体載置側に形成されるプラズマ処理空間に透過させる誘電体窓と、を有し、前記誘電体窓は、前記載置部の前記プラズマ処理空間側と対向するように設けられた環状の部材であり、前記載置部の方向に突出する複数の凸部が周方向に沿って等間隔で並ぶように前記載置部側に形成され、前記凸部の周方向の幅は、前記誘電体窓内における前記電磁波の波長の１／８〜３／８である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、ＶＨＦ帯の電磁波を用いて生成したプラズマによるプラズマ処理において、プラズマ分布を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】誘電体窓の下面図である。
【図３】誘電体窓に凸部が形成されておらず下面が平坦である場合に、実際にプラズマ処理により成膜を行ったときの膜厚分布を示す図である。
【図４】誘電体窓に凸部が形成されておらず下面が平坦である場合に、プラズマ生成条件を変えて、実際に窒素雰囲気下でプラズマ生成を行ったときの処理容器内の様子を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
従来から、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）等の被処理体に対して、成膜処理やエッチング処理等の所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置が知られている。
【０００９】
特許文献１のプラズマ処理装置では、プラズマの生成にマイクロ波を用いており、マイクロ波を真空チャンバに透過させる板状の誘電体の、真空チャンバ側の表面に、突条からなる凹凸部が７．５〜３０ｍｍのピッチで周期的に形成されている。このプラズマ処理装置では、周期的な凹凸部を設けることでプラズマ分布を一定に保つようにしている。
【００１０】
ところで、プラズマの生成に、マイクロ波ではなく、ＶＨＦ帯の電磁波（以下、ＶＨＦ波）を用いることがある。この場合、本発明者らが鋭意調査したところによれば、当該電磁波の強度やプラズマが生成される真空チャンバ内の圧力によっては、プラズマ分布に周方向の偏りが生じ、プラズマ分布が均一にならないことがある。
特許文献１は、この点に関し何らの開示も示唆もしていない。
【００１１】
そこで、本開示にかかる技術は、ＶＨＦ波を用いて生成したプラズマによるプラズマ処理において、プラズマ分布を均一にする。
【００１２】
以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１３】
図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１の概略の構成を示す縦断面図である。
図のプラズマ処理装置１は、被処理体としてのウェハＷに対して所定のプラズマ処理を行うものである。プラズマ処理装置１では、プラズマ処理に用いられるプラズマはＶＨＦ波により生成される。また、プラズマ処理装置１が行うプラズマ処理は、例えば成膜処理やエッチング処理、ドーピング処理である。
【００１４】
プラズマ処理装置１は、内部にプラズマ処理空間Ｓが形成される略円筒状の処理容器１０を有する。処理容器１０は、アルミニウム等の金属材料から成り、その内壁が表面に耐プラズマ性の材料からなる溶射皮膜が形成されたライナ（図示せず）により覆われている。また、処理容器１０は接地されている。この処理容器１０の天壁１０ａの中央には、貫通孔１０ｂが設けられており、天壁１０ａの上面には、内部の空洞が貫通孔１０ｂに連通する筒状壁１０ｃが接続されている。なお、図示は省略するが、処理容器１０には、処理容器１０内の雰囲気、具体的にはプラズマ処理空間Ｓ内の雰囲気を排出するための排気口が、例えば底壁１０ｄに設けられている。上記排気口から排気することにより、プラズマ処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。
【００１５】
処理容器１０内におけるプラズマ処理空間Ｓの下方には、ウェハＷが載置される載置部としての載置台１１が設けられている。
載置台１１は、処理容器１０の底部中央に絶縁部材１２ａを介して立設された支持部材１２により支持されている。図示はしていないが、載置台１１には、温度制御機構、ウェハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路、搬送アーム（図示せず）との間でウェハＷを受け渡すために昇降する昇降ピン等が設けられている。さらに、載置台１１には、ウェハＷを静電吸着するための静電チャックが設けられていてもよい。
【００１６】
処理容器１０内における載置台１１のプラズマ処理空間Ｓの上方には、載置台１１と対向するように、アルミニウム等の金属製のシャワーヘッド電極１３と誘電体窓１４とが設けられている。
【００１７】
シャワーヘッド電極１３は、誘電体窓１４を介して処理容器１０に支持されており、また、その内部には、略円盤状に形成されたガス拡散室１３ａが設けられている。シャワーヘッド電極１３の下部すなわちプラズマ処理空間Ｓ側の部分には、ガス拡散室１３ａと連通するガス供給口１３ｂが複数設けられている。さらに、ガス拡散室１３ａにはガス供給管１５ａが接続され、ガス供給管１５ａにはガス供給源１５ｂが接続されている。ガス供給源１５ｂから供給されたプラズマ処理用ガスは、ガス供給管１５ａを介してガス拡散室１３ａに供給される。ガス拡散室１３ａに供給されたプラズマ処理用ガスは、ガス供給口１３ｂを通じてプラズマ処理空間Ｓに供給される。
【００１８】
シャワーヘッド電極１３の上面中央には、アンテナ導体１６が接続されている。アンテナ導体１６は、天壁１０ａの貫通孔１０ｂ及び筒状壁１０ｃの中心を通るよう設けられており、また、整合器１７を介してＶＨＦ発生源１８が電気的に接続されている。ＶＨＦ発生源１８は、ＶＨＦ帯（３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ）の電磁波を出力する。
ＶＨＦ発生源１８からの電磁波は、アンテナ導体１６の外周面と筒状壁１０ｃの内周面との間、アンテナ導体１６の外周面と貫通孔１０ｂを形成する面との間、天壁１０ａの内側面とシャワーヘッド電極１３の上面との間を順に伝播し、誘電体窓１４に到達する。言い換えると、プラズマ処理装置１内にＶＨＦ波を導入する導波部は、アンテナ導体１６の外周面、筒状壁１０ｃの内周面、貫通孔１０ｂを形成する面、天壁１０ａの内側面及びシャワーヘッド電極１３の上面等から成る。上述の導波部は、電磁波が伝播し易いように石英等の誘電体で充填されていてもよい。
【００１９】
誘電体窓１４は、載置台１１のプラズマ処理空間Ｓ側と対向し且つシャワーヘッド電極１３の外周面を覆うように設けられており、また、前述のように伝達してきたＶＨＦ波を、プラズマ処理空間Ｓに透過させる。この誘電体窓１４は、載置台１１の方向すなわち下方に突出する複数の凸部１４ａを、載置台１１側すなわち下側に有する。誘電体窓１４及び凸部１４ａの詳細については後述する。
【００２０】
プラズマ処理装置１では、誘電体窓１４を透過したＶＨＦ波により、プラズマ処理空間Ｓにプラズマが生成される。このプラズマ中のイオン等をウェハＷに引き込ませるため、載置台１１には、整合器１９を介してＲＦバイアス用の高周波電源２０が電気的に接続されている。ＲＦバイアス用の高周波電源２０は、例えば４００ｋＨｚ〜２０ＭＨｚの周波数の高周波電力を出力する。なお、シャワーヘッド電極１３は接地されている。整合器１９及びＲＦバイアス用の高周波電源２０はプラズマ処理の特性によっては設けなくてもよい。
【００２１】
さらに、プラズマ処理装置１には制御部２１が設けられている。制御部２１は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータにより構成され、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、プラズマ処理装置１における各種処理のためにＶＨＦ発生源１８等を制御するためプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、当該記憶媒体から制御部２１にインストールされたものであってもよい。
【００２２】
続いて、図２を用いて誘電体窓１４について説明する。図２は、誘電体窓１４の下面図である。
図示するように、誘電体窓１４は、円環状の部材である。この誘電体窓１４は、平面視において、載置台１１上のウェハＷと重ならないように当該ウェハＷより外側に位置するように設けられている。したがって、ウェハＷの外径が３００ｍｍである場合、誘電体窓１４の内径は例えば３００ｍｍ以上４５０ｍｍ以下である。なお、この場合、誘電体窓１４の径方向の幅Ｌ１は例えば４０ｍｍ以上６０ｍｍ以下であり、誘電体窓１４の外径は例えば３５０ｍｍ以上５００ｍｍ以下である。
【００２３】
この誘電体窓１４は、上側は平坦に形成されているが、前述のように、下側は下方向に突出する複数の凸部１４ａが形成されている。これら凸部１４ａは、周方向に沿って等間隔で並ぶように設けられており、例えば、平面視及び断面視の双方において矩形状に形成されている。そして、凸部１４ａは、ＶＨＦ発生源１８からのＶＨＦ波が当該凸部１４ａ内で共鳴し当該凸部１４ａ及び当該凸部１４ａの直下に電界が集中するように、周方向の幅Ｌ２が誘電体窓１４内におけるＶＨＦ波の波長λの１／８〜３／８となっている。本例では、「周方向」とは、誘電体窓１４の径方向と垂直な方向を意味する。そして、本例では、平面視において凸部１４ａを形成する矩形の長辺が誘電体窓１４の径方向と垂直であるため、「凸部１４ａの周方向の幅」とは、上記矩形の長辺の長さを意味する。なお、本例では、凸部１４ａの径方向の幅は、上記矩形の短辺の長さを意味し、誘電体窓１４の径方向の幅Ｌ１と略同一である。
【００２４】
また、互いに隣接する凸部１４ａ間の距離Ｌ３は、誘電体窓１４内におけるＶＨＦ波の波長λ（以下、ＶＨＦ波の誘電体内波長λと省略することがある。）の１％以上としてもよい。これにより、凸部１４ａそれぞれ及びそれぞれの凸部１４ａの直下に電界を集中させることができる。
【００２５】
凸部１４ａは、誘電体窓１４の環状の本体部１４ｂに一体に成形される。本体部１４ｂの厚さは例えば１０〜１２ｍｍである。
誘電体窓１４は、誘電率が高く成形が容易な材料、例えば、アルミナや石英、窒化アルミにより形成される。
【００２６】
次に、プラズマ処理装置１におけるプラズマ処理について説明する。
【００２７】
まず、ウェハＷが、処理容器１０内に搬入され、載置台１１上に載置される。そして、処理容器１０内を排気装置（図示せず）により排気させ、プラズマ処理空間Ｓ内の圧力が所定の圧力に調整される。
【００２８】
その後、プラズマ処理用ガスが、ガス供給源１５ｂからシャワーヘッド電極１３のガス拡散室１３ａ等を介してプラズマ処理空間Ｓに、所定の流量で供給される。プラズマ処理用ガスとしては、例えばＡｒガス等の励起用ガスが供給される。また、プラズマ処理装置１で行うプラズマ処理がプラズマＣＶＤ処理である場合であってＳｉＮ膜を形成する場合、プラズマ処理用ガスとして、上述の励起用ガス以外に、窒素ガスやシランガスが供給される。
【００２９】
続いて、ＲＦバイアス用の高周波電源２０により載置台１１にＲＦバイアス用の高周波電力が供給される。さらに、ＶＨＦ波が、ＶＨＦ発生源１８から、アンテナ導体１６と処理容器１０との間等から構成される導波部を介して、誘電体窓１４に伝達され、凸部１４ａを有する誘電体窓１４を透過してプラズマ処理空間Ｓに供給される。
この凸部１４ａを有する誘電体窓１４を透過したＶＨＦ波による電界によって生成されたプラズマでは、後述するように周方向偏りが抑制されている。
【００３０】
そして、周方向偏りが抑制されたプラズマにより発生したラジカル等によって、ウェハＷにプラズマ処理が施される。
プラズマ処理が完了すると、プラズマ処理用ガスの供給と、高周波電源２０からの高周波電力の供給と、ＶＨＦ発生源１８からのＶＨＦ波の供給とが停止される。その後、ウェハＷが処理容器１０から搬出されて、プラズマ処理に係る一連の処理が終了する。
【００３１】
ここで、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態では、誘電体窓１４に凸部１４ａが設けられている。図３は、本実施形態と異なり、誘電体窓１４に凸部１４ａが形成されておらず下面が平坦である場合に、実際にプラズマ処理により成膜を行ったときの膜厚分布を示す図である。図３では、黒色が濃いほど当該部分の膜厚が小さいことを意味する。図４は、本実施形態と異なり、誘電体窓１４に凸部１４ａが形成されておらず下面が平坦である場合に、プラズマ生成条件を変えて、実際に窒素雰囲気下でプラズマ生成を行ったときの処理容器１０内の様子を模式的に示す図である。図４では、白色に近いほどプラズマの強度が高いことを意味する。なお、プラズマ生成時のＶＨＦ波の出力と処理容器１０内の圧力は、図４（Ａ）では１００Ｗ、５００ｍＴｏｒｒ、図４（Ｂ）は２００Ｗ、５００ｍＴｏｒｒ、図４（Ｃ）では５００Ｗ、５００ｍＴｏｒｒであった。また、図４（Ｄ）では１００Ｗ、１０００ｍＴｏｒｒ、図４（Ｅ）は２００Ｗ、１０００ｍＴｏｒｒ、図４（Ｆ）では５００Ｗ、１０００ｍＴｏｒｒであった。
【００３２】
本実施形態と異なり、誘電体窓１４に凸部１４ａが形成されておらず下面が平坦である場合、図３に示すように、プラズマ処理により得られた膜の厚さは、周方向において不均一となることがあった。具体的には、膜厚の最大値と最小値の差が膜厚の平均値の約５％以上となることがあった。これは、図４に示すように、プラズマ生成条件によっては、周方向に偏りを有さないプラズマ（例えばリング状のプラズマ）が生成されず、周方向で偏りを有するプラズマが生成されるため、と考えられる。
【００３３】
それに対し、本実施形態では、周方向の幅がＶＨＦ波の誘電体内波長λの１／８〜３／８である複数の凸部１４ａが、誘電体窓１４の下面に設けられている。したがって、ＶＨＦ波による電界は、プラズマ生成条件によらず、誘電体窓１４の凸部１４ａ及びその直下のプラズマ処理空間Ｓに集中する。なお、電界が集中する部分では、電磁波のプラズマへの吸収効率が高く、プラズマからの反射波が抑制される。このように電界を集中させる凸部１４ａが周方向に沿って等間隔で並ぶように設けられているため、誘電体窓１４全体において、その直下のプラズマ生成用の電界分布は、プラズマ生成条件によらず、周方向偏りを有さないものとなる。したがって、この電界により生成されたプラズマは、周方向偏りが抑制されたものとなる。また、このプラズマにより、プラズマ処理として成膜処理を行った場合、周方向において均一な膜厚を得ることができる。成膜処理以外のプラズマ処理を行った場合も、周方向において均一な処理結果を得ることができる。
【００３４】
また、本実施形態では、マイクロ波ではなくＶＨＦ波を用いている。したがって、マイクロ波を用いることによる不利を改善することができる。例えば、マイクロ波を用いる場合に比べて、プラズマ処理空間Ｓの高さを低くすることができるため、処理容器１０を小型化させプラズマ処理装置１を小型化させることができる。また、高周波を用いても異常な放電が起きない金属製のシャワーヘッド電極を用いることができる。
【００３５】
以上の説明で用いた図では、凸部１４ａは本体部１４ｂに一体に形成された突起により形成されており、凸部１４ａの下面は本体部１４ｂの下面より下側に位置していた。これに限らず、凸部１４ａは本体部１４ｂに一体に形成された凹所間で形成され、凸部１４ａの下面と本体部１４ｂの下面が一致していていもよい。
【００３６】
なお、以上の説明では、誘電体窓１４の凸部１４ａが周方向に沿って等間隔で設けられている、ものとした。ただし、凸部１４ａを設ける間隔は厳密に等しい必要はなく、誘電体窓１４の直下のプラズマ処理空間Ｓの電界が、プラズマ生成条件によらず周方向の偏りがないものとなればよい。
【００３７】
また、本実施形態では、互いに隣接する凸部１４ａ間の距離Ｌ３が、ＶＨＦ波の誘電体内波長λの１％以上である。したがって、凸部１４ａそれぞれ及びそれぞれの凸部１４ａの直下に電界を集中させることができる。その結果、誘電体窓１４の直下における電界分布として、周方向偏りを有さない分布をより確実に得ることができる。
【００３８】
なお、凸部１４ａに電界を集中させるため、凸部１４ａの径方向の幅をＶＨＦ波の誘電体内波長λの１／８〜３／８にすることも考えられる。しかし、プラズマ処理装置１の大型化を避けるためには、凸部１４ａの径方向の幅ではなく、周方向の幅を、ＶＨＦ波の誘電体内波長λの１／８〜３／８にするすることが好ましい。
【００３９】
以上の例では、平面視において凸部１４ａを形成する矩形の長辺と誘電体窓１４の径方向とが成す角度は垂直（９０°）であった。そして、凸部１４ａの周方向の幅とは、上記矩形の長辺の長さを意味していた。これに限られず、平面視において凸部１４ａを形成する矩形の長辺と誘電体窓１４の径方向とが成す角度が４５°以上９０°未満または９０°超且つ１３５°以下であってもよい。この場合、凸部１４ａの周方向の幅は、上記矩形の長辺の長さを意味してもよいし、上記矩形の対角線の長さを意味してもよい。言い換えると、この場合、平面視において凸部１４ａを形成する矩形の長辺または対角線の長さをＶＨＦ波の誘電体内波長λの１／８〜３／８とすることにより、周方向において均一なプラズマ処理結果を得ることができる。
また、以上の例では、平面視における凸部１４ａの形状は矩形であった。これに限らず、平面視における凸部１４ａの形状は楕円形であってもよい。この場合、凸部１４ａの周方向の幅は、例えば、平面視において凸部１４ａを形成する楕円形の長軸方向の長さを意味する。つまり、この場合、平面視において凸部１４ａを形成する楕円形の長軸方向の長さをＶＨＦ波の誘電体内波長λの１／８〜３／８とすることにより、周方向において均一なプラズマ処理結果を得ることができる。
【００４０】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００４１】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記被処理体が載置される載置部と、
当該プラズマ処理装置内にプラズマ生成用のＶＨＦ帯の電磁波を導入する導波部と、
前記導波部により導入された前記電磁波を、前記載置部の前記被処理体載置側に形成されるプラズマ処理空間に透過させる誘電体窓と、を有し、
前記誘電体窓は、前記載置部の前記プラズマ処理空間側と対向するように設けられた環状の部材であり、前記載置部の方向に突出する複数の凸部が周方向に沿って等間隔で並ぶように前記載置部側に形成され、
前記凸部の周方向の幅は、前記誘電体窓内における前記電磁波の波長の１／８〜３／８である、プラズマ処理装置。
前記（１）によれば、環状の誘電体窓に、周方向の幅がＶＨＦ帯の電磁波の波長の１／８〜３／８である凸部が複数設けられている。そのため、上記電磁波の強度やプラズマ処理時の圧力によらず、プラズマ生成用の電磁波が凸部内において共振し、当該凸部に電界が集中する。電界が集中する部分では、電磁波のプラズマへの吸収効率が高く、プラズマからの反射波が抑制される。このような凸部が周方向に沿って等間隔で並ぶように設けられているため、プラズマ処理におけるプラズマ分布を均一にすることができる。
【００４２】
（２）互いに隣接する前記凸部間の距離は、前記電磁波の波長の１％以上である、上記（１）に記載のプラズマ処理装置。
【００４３】
（３）前記誘電体窓は、アルミナ、石英または窒化アルミにより形成されている、上記（１）または（２）に記載のプラズマ処理装置。
【００４４】
（４）前記誘電体窓は、円環状の部材であり、外径が３５０ｍｍ〜５００ｍｍ、内径が３００〜４５０ｍｍである、上記（１）〜（３）のいずれか１に記載のプラズマ処理装置。
【００４５】
（５）プラズマ処理装置を用いて被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマ処理装置は、
前記被処理体が載置される載置部と、
前記載置部の前記被処理体載置側に形成されるプラズマ処理空間に透過させる誘電体窓と、を有し、
前記誘電体窓は、前記載置部の前記プラズマ処理空間側と対向するように設けられた環状の部材であり、前記載置部の方向に突出する複数の凸部が周方向に沿って並ぶように前記載置部側に形成され、
前記凸部の周方向の幅は、前記誘電体窓内におけるプラズマ生成用のＶＨＦ帯の電磁波の波長の１／８〜３／８であり、
当該プラズマ処理方法は、
前記プラズマ処理装置内に前記電磁波を導入する工程と、
導入された前記電磁波を、前記誘電体窓を介して前記プラズマ処理空間へ供給し、プラズマを生成する工程と、を有するプラズマ処理方法。
【符号の説明】
【００４６】
１  プラズマ処理装置
１０  処理容器
１１  載置台
１４  誘電体窓
１４ａ  凸部
Ｌ２  周方向の幅
Ｓ  プラズマ処理空間
【図１】
2020053245.tif 000003
【図２】
2020053245.tif 000004
【図３】
2020053245.tif 000005
【図４】
2020053245.tif 000006