(57)【要約】【課題】  はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る無残渣フラックス組成物及びソルダペーストの提供。【解決手段】  有機化合物（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、活性剤（Ｃ）と、チクソ剤（Ｄ）とを含む無残渣フラックス組成物であって、  前記活性剤（Ｃ）は炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）及びハロゲン化合物（Ｃ−２）を含み、  前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、  前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して０．０１質量％以上０．１質量％以下であることを特徴とする無残渣フラックス組成物。【選択図】図１
2020082106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、活性剤（Ｃ）と、チクソ剤（Ｄ）とを含む無残渣フラックス組成物であって、
前記活性剤（Ｃ）は炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）及びハロゲン化合物（Ｃ−２）を含み、
前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、
前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して０．０１量％以上０．１質量％以下であることを特徴とする無残渣フラックス組成物。
【請求項２】
前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）は、炭素数が３以上５以下のジカルボン酸であることを特徴とする請求項１に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項３】
前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）は臭素化合物及びヨウ素化合物の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項４】
前記臭素化合物は２−ブロモ−ｎ−ヘキサン酸及びジブロモブテンジオールの少なくとも一方であることを特徴とする請求項３に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項５】
前記ヨウ素化合物は２−ヨード安息香酸及び３，５−ジヨードサリチル酸の少なくとも一方であることを特徴とする請求項３に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項６】
前記チクソ剤（Ｄ）は炭素数が１８以下の飽和脂肪酸アミドであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項７】
前記炭素数が１８以下の飽和脂肪酸アミドはパルミチン酸アミド及びラウリン酸アミドの少なくとも一方であることを特徴とする請求項６に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項８】
前記チクソ剤（Ｄ）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して１質量％以上１５質量％であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の無残渣フラックス組成物。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の無残渣フラックス組成物と、はんだ合金粉末とを含むことを特徴とするソルダペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無残渣フラックス組成物及びソルダペーストに関する。
【０００２】
プリント配線板やモジュール基板等の電子回路基板上に電子部品を接合する方法として、フラックス組成物とはんだ合金粉末とを混合したソルダペーストを用いたはんだ接合方法が広く採用されている。この方法では、ソルダペーストを電子回路基板上の所定の位置に印刷し、所定の位置に電子部品を載置し、これを加熱することで、電子回路基板と電子部品とをはんだ接合させる。
【０００３】
一方、近年ではエネルギー及び環境問題の観点から、電力の制御及び供給を行う電力用半導体素子、所謂パワー半導体が注目されている。通常、パワー半導体は、はんだ等の接合材を用いてパワー半導体をＤＣＢ基板上にダイボンディングした後、当該パワー半導体上に形成されている電極とＤＣＢ基板上に形成された電極とを接合（ワイヤボンディング）する。
ここで、ダイボンディング時にソルダペーストを用いる場合、ソルダペーストに含まれるフラックスの残渣（フラックス残渣）がダイボンディング後のＤＣＢ基板上に残存していると、その後のワイヤボンディング時に当該フラックス残渣がＤＣＢ基板上の電極に広がってしまう虞があり、これがパワー半導体とＤＣＢ基板との接合不良を引き起こす原因となり得る。そのため、パワー半導体のＤＣＢ基板への接合時には、ダイボンディング後にフラックス残渣を除去（洗浄）する必要があった。
【０００４】
しかし、フラックス残渣の洗浄には溶剤を使用するため、環境面及びコスト面での負担が大きい。そのため、ダイボンディング後に残存するフラックス残渣が非常に少ない（若しくはほとんどない）、所謂無残渣フラックス組成物を用いたソルダペーストの開発が求められている。
【０００５】
これまでも、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を大幅に低減するフラックス組成物（ソルダペースト）として、例えば活性剤としてマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、マレイン酸、クエン酸、酒石酸、及び安息香酸から選ばれる１種をフラックス量１００ｇに対し４．５５ｍｍｏｌ／ｇ〜４５．５ｍｍｏｌ／ｇ配合し、且つ、ソルダペーストに含有されるはんだ粉末以外の成分がはんだ粉末の溶融する温度以下で揮発するものであるソルダペースト（特許文献１参照）、及び常温で固体であってリフロー温度で蒸発する固体溶剤と、常温で高粘性流体であってリフロー温度で蒸発する高粘性溶剤と、常温で液体であってリフロー温度で蒸発する液体溶剤とを含むフラックスを用いた無残渣ソルダペースト（特許文献２参照）等が開示されている。
【０００６】
マロン酸、コハク酸といった炭素数の少ない有機酸を含むフラックス組成物を使用したソルダペーストは、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減することはできる。しかし炭素数の少ない活性剤は、活性力が小さいためにソルダペーストの濡れ性を低下させ、よってこのようなソルダペーストは実装する電子部品と基板（電子回路基板、ＤＣＢ基板等）との接合不良を引き起こし易い。
【０００７】
また、フラックス組成物に特定の溶剤を使用することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣は低減できるものの、上述のように炭素数の少ない活性剤を使用すればソルダペーストの濡れ性が低下し得る。一方、ソルダペーストの濡れ性を向上させるために炭素数の多い活性剤を使用すると、はんだ接合後に残存するフラックス残渣が低減できないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１７−２０９７３４号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するものであり、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る無残渣フラックス組成物及びソルダペーストを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の無残渣フラックス組成物は、有機化合物（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、活性剤（Ｃ）と、チクソ剤（Ｄ）とを含み、前記活性剤（Ｃ）は炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）及びハロゲン化合物（Ｃ−２）を含み、前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上１．５質量％以下であり、前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）の配合量は無残渣フラックス組成物全量に対して０．０１質量％以上０．１質量％以下であることをその特徴とする。
【００１１】
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）が炭素数が３以上５以下のジカルボン酸であることが好ましい。
【００１２】
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）が臭素化合物及びヨウ素化合物の少なくとも一方であることが好ましい。
【００１３】
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記臭素化合物が２−ブロモ−ｎ−ヘキサン酸及びジブロモブテンジオールの少なくとも一方であることが好ましい。
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記ヨウ素化合物が２−ヨード安息香酸及び３，５−ジヨードサリチル酸の少なくとも一方であることが好ましい。
【００１４】
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記チクソ剤（Ｄ）が炭素数が１８以下の飽和脂肪酸アミドであることが好ましい。
【００１５】
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記炭素数が１８以下の飽和脂肪酸アミドがパルミチン酸アミド及びラウリン酸アミドの少なくとも一方であることが好ましい。
【００１６】
また本発明の無残渣フラックス組成物は、前記チクソ剤（Ｄ）の配合量が無残渣フラックス組成物全量に対して１質量％以上１５質量％であることが好ましい。
【００１７】
本発明のソルダペーストは、前記の無残渣フラックス組成物と、はんだ合金粉末とを含むことをその特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の無残渣フラックス組成物及びソルダペーストは、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】「チップ部品の枕不良発生確認試験」におけるリフロー条件を表わした温度プロファイル。
【図２】「チップ部品の枕不良発生確認試験」において、枕不良が発生しているチップ部品を表わす写真。
【図３】「チップ部品下ブリッジ発生確認試験」において、チップ部品下ブリッジが発生しているチップ部品を表わす写真。
【図４】「フラックス残渣確認試験」において、はんだの外周部分にもはんだ表面にもフラックス残渣がほぼ存在しない（○と評価し得る）試験基板を表わす写真。
【図５】「フラックス残渣確認試験」において、はんだ表面にはフラックス残渣はほぼ存在しないが、はんだの外周部分にはフラックス残渣が若干存在する（△と評価し得る）試験基板を表わす写真。
【図６】「フラックス残渣確認試験」において、はんだの外周部分とはんだ表面の両方にフラックス残渣が存在する（×と評価し得る）試験基板を表わす写真。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の無残渣フラックス組成物及びソルダペーストの一実施形態を以下に詳述する。なお、本発明がこれらの実施形態に限定されないのはもとよりである。
【００２１】
１．無残渣フラックス組成物
本実施形態のフラックスは、有機化合物（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、活性剤（Ｃ）と、チクソ剤（Ｄ）とを含む。
【００２２】
有機化合物（Ａ）
前記有機化合物（Ａ）としては、常温で固体の脂肪族アルコールであって、５０℃以上で液状となるものが好ましく用いられる。なお、本明細書において「常温」とは、１５℃から３０℃程度をいう。
前記有機化合物（Ａ）としては、例えばトリメチロールプロパン等が好ましく用いられる。
なお、前記有機化合物は１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
【００２３】
前記有機化合物（Ａ）の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して２０質量％以上７０質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は、３５質量％以上６５質量％以下であり、４５質量％以上５５質量％以下であることが更に好ましい。
【００２４】
溶剤（Ｂ）
前記溶剤（Ｂ）としては、例えばトリエチレングリコール、イオン交換水、イソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ヘキシルジグリコール、（２−エチルヘキシル）ジグリコール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、フェニルグリコール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、αテルピネオール、βテルピネオール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル等を使用することができる。これらの中でも特に、トリエチレングリコールが好ましく用いられる。
なお、これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
【００２５】
前記溶剤（Ｂ）の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して１０質量％以上６５質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は１５質量％以上４０質量％以下であり、特に好ましいその配合量は２０質量％以上３５質量％以下である。
【００２６】
活性剤（Ｃ）
本実施形態の無残渣フラックス組成物は、前記活性剤（Ｃ）として、炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）とハロゲン化合物（Ｃ−２）とを含むことが好ましい。
【００２７】
前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）としては、炭素数が３以上５以下のジカルボン酸（Ｃ−１）が好ましく用いられる。
前記炭素数が３以上５以下のジカルボン酸（Ｃ−１）としては、マロン酸、コハク酸及びグルタル酸が挙げられる。これらの中でも特に、グルタル酸及びコハク酸が好ましく用いられる。
なお、これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
【００２８】
前記炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上１．５質量％以下であることが好ましい。当該配合量は、０．５質量％以上１．５質量％以下であることがより好ましい。更に好ましいその配合量は、０．５質量％以上１質量％以下であり、０．５質量％以上０．７５質量％以下であることが特に好ましい。
【００２９】
また前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）としては、臭素化合物及びヨウ素化合物が好ましく用いられる。
前記臭素化合物としては、例えば２−ブロモ−ｎ−ヘキサン酸及びジブロモブテンジオール等が挙げられる。
また、前記ヨウ素化合物としては、例えば２−ヨード安息香酸及び３，５−ジヨードサリチル酸等が挙げられる。
前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）としては、特に２−ブロモ−ｎ−ヘキサン酸及びジブロモブテンジオールが好ましく用いられる。
なお、これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
【００３０】
前記ハロゲン化合物（Ｃ−２）の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して０．０１質量％以上０．１質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は、０．０１質量％以上０．０５質量％以下である。
【００３１】
本実施形態の無残渣フラックス組成物は、前記活性剤（Ｃ）として、炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）とハロゲン化合物（Ｃ−２）とを併用し、且つこれらの配合量を上記範囲とすることにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、当該無残渣フラックス組成物を用いたソルダペーストの良好な濡れ性を発揮し得る。
【００３２】
即ち、マロン酸、コハク酸といった炭素数の少ない有機酸を含む無残渣フラックス組成物を使用したソルダペーストは、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減することはできる。しかし炭素数の少ない活性剤は、活性力が小さいためにソルダペーストの濡れ性を低下させ、電子部品と基板（電子回路基板、ＤＣＢ基板等）との接合不良を引き起こす虞がある。
しかし本実施形態の無残渣フラックス組成物は、前記活性剤（Ｃ）として、炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）とハロゲン化合物（Ｃ−２）とを併用し、且つこれらの配合量を調整することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、当該無残渣フラックス組成物に良好な活性を付与し得るため、これを用いたソルダペーストの良好な濡れ性を発揮することができる。また本実施形態の無残渣フラックス組成物は、加熱時において前記溶剤（Ｂ）の飛散現象をも抑制することができる。
そしてこのようなソルダペーストを使用して形成されたはんだ接合部は、接合不良やはんだブリッジ等の発生を抑制でき、信頼性の高い電子回路実装基板やパワーモジュールを提供することができる。
【００３３】
前記活性剤（Ｃ）全体の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して０．１１質量％以上１．６質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は０．５１質量％以上１．０５質量％以下であり、特に好ましいその配合量は０．５１質量％以上０．８質量％以下である。
【００３４】
チクソ剤（Ｄ）
前記チクソ剤（Ｄ）としては、飽和脂肪酸アミドが好ましく用いられる。
前記脂肪酸アミドの中でも特に、炭素数が１８以下の飽和脂肪酸アミドが好ましく用いられる。またその中でも炭素数が１４以下の脂肪酸飽和アミドがより好ましく、更には炭素数が１２以下の脂肪酸飽和アミドが特に好ましく用いられる。
このような脂肪酸飽和アミドとしては、例えばパルミチン酸アミド及びラウリン酸アミド等が挙げられる。
なお、これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
【００３５】
前記チクソ剤（Ｄ）の配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して１質量％以上１５質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は３質量％以上１３質量％以下であり、特に好ましいその配合量は、５質量％以上８質量％以下である。
【００３６】
酸化防止剤
本実施形態の無残渣フラックス組成物には、はんだ合金粉末の酸化を抑える目的で酸化防止剤を配合することができる。このような酸化防止剤としては、例えばヒンダードフェノール系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤、ビスフェノール系酸化防止剤、ポリマー型酸化防止剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの中でも特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく用いられる。このヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、例えばイルガノックス２４５（ＢＡＳＦジャパン（株）製）等が挙げられる。
なお、これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
【００３７】
本実施形態の無残渣フラックス組成物に前記酸化防止剤を配合する場合、その配合量は、本実施形態の無残渣フラックス組成物の効果に影響を与えない、即ち無残渣となるように調整される。
【００３８】
また本実施形態のフラックスには、消泡剤、防錆剤、界面活性剤、熱硬化剤、つや消し剤等の添加剤を配合することができる。本実施形態の無残渣フラックス組成物に前記添加剤を配合する場合、その配合量は、本実施形態の無残渣フラックス組成物の効果に影響を与えない、即ち無残渣となるように調整される。
【００３９】
本実施形態の無残渣フラックス組成物には、残存するフラックス残渣の量に影響を与えない範囲で、ロジン系樹脂やアクリル樹脂といったベース樹脂を配合してもよく、好ましいその配合量は、無残渣フラックス組成物全量に対して１質量％未満である。
【００４０】
なお、本明細書において「無残渣」とは、フラックス残渣の質量が、はんだ接合（加熱）前の無残渣フラックス組成物の質量の１％以下となることをいう。
【００４１】
（２）ソルダペースト
本実施形態のソルダペーストは、上記無残渣フラックス組成物とはんだ合金粉末とを混合することにより得られる。
前記はんだ合金粉末としては、例えば錫及び鉛を含む合金、錫及び鉛並びに銀、ビスマス及びインジウムの少なくとも１種を含む合金、錫及び銀を含む合金、錫及び銅を含む合金、錫、銀及び銅を含む合金、錫及びビスマスを含む合金等を用いることができる。またこれら以外にも、例えば錫、鉛、銀、ビスマス、インジウム、銅、亜鉛、ガリウム、アンチモン、金、パラジウム、ゲルマニウム、ニッケル、クロム、アルミニウム、リン等を適宜組合せたはんだ合金粉末を使用することができる。なお、上記に挙げた元素以外であってもその組合せに使用することは可能である。
【００４２】
前記はんだ合金粉末の配合量は、ソルダペースト全量に対して６５質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は８５質量％以上９３質量％以下であり、特に好ましいその配合量は８８質量％以上９２質量％以下である。
【００４３】
本実施形態のソルダペーストは、上記無残渣フラックス組成物を使用することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、当該無残渣フラックス組成物に良好な活性を付与し得るため、ソルダペーストの良好な濡れ性を発揮することができる。
また本実施形態のソルダペーストは、上記無残渣フラックス組成物を使用することにより、加熱時において前記溶剤（Ｂ）の飛散現象をも抑制することができる。
そしてこのようなソルダペーストを使用して形成されたはんだ接合部は、接合不良やはんだブリッジ等の発生を抑制でき、信頼性の高い電子回路実装基板やパワーモジュールを提供することができる。
【００４４】
なお、上記においては無残渣フラックス組成物をソルダペーストに使用する実施形態について説明したが、本実施形態における無残渣フラックス組成物の用途はこれに限定されず、例えばはんだボール用等、他のフラックス用途にも種々適用可能である。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳述する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４６】
表１及び表２に記載の各成分を混練し、実施例１から１１及び比較例１から６に係る各フラックス組成物を作製した。
また上記各フラックス組成物９．５質量％と、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ合金粉末（粒径２０μｍから４５μｍ）９０．５質量％とを混合し、実施例１から１１及び比較例１から６に係る各ソルダペーストを作製した。
なお、特に記載のない限り、表１及び表２に記載の数値は質量％を意味するものとする。
【００４７】
【表１】
2020082106.tif 000003
【００４８】
【表２】
2020082106.tif 000004
※１  イソボルニルシクロヘキサノール  日本テルペン化学（株）製  
※２  ラウリン酸アミド  東京化成工業（株）製
【００４９】
＜チップ部品の枕不良発生確認試験＞
以下の用具を用意した。
・チップ部品（サイズ：１．６ｍｍ×０．８ｍｍ、Ｓｎめっき処理）
・上記チップ部品に対応するソルダレジストと電極（０．９ｍｍ×０．６ｍｍ、Ｎｉ／Ａｕめっき処理）とを備えたプリント配線板
・前記電極のパターンと同じパターンを有するメタルマスク（厚さ：２００μｍ）
実施例及び比較例に係る各ソルダペーストを、印刷機（製品名：ＳＰ６０Ｐ−Ｌ、パナソニック（株）製）及び前記メタルマスクを用い、前記プリント配線板に印刷した。
なお、印刷時の条件は、スキージ速度：３０ｍｍ／秒、スキージ角度：６０度、版離れ速度：２ｍｍ／秒に設定した。
次いで、前記各プリント配線板に、３０個ずつ前記チップ部品をマウンター（製品名：ＹＶ１００Ｘ、ヤマハ発動機（株）製）を用いて搭載し、これらをリフロー炉（製品名：ＳＭＴ  Ｓｃｏｐｅ  ＳＫ−５０００、山陽精工（株）製）を用いて加熱し、前記各プリント配線板上に前記チップ部品を実装した。なお、この際のリフロー条件は、図１に示す温度プロファイルに従って行った。また酸素濃度は１００±５０ｐｐｍに設定した。
前記各プリント配線板上の電極と前記各チップ部品の電極とを接合する各はんだ接合部について、図２に示すような枕不良が発生しているかどうかを目視で確認し、以下の評価基準に従い評価した。その結果を表３及び表４に表す。
〇：枕不良の発生したチップ部品数が０個以上１個以下
△：枕不良の発生したチップ部品数が２個以上４個以下
×：枕不良の発生したチップ部品数が５個以上
【００５０】
＜チップ部品下ブリッジ発生確認試験＞
各プリント配線板上に搭載するチップ部品数を１０個とする以外は上記チップ部品の枕不良発生確認試験と同様の条件にて、各プリント配線板上の電極と各チップ部品の電極とを接合する各はんだ接合部を形成した。
そして、前記各プリント配線板上の電極と前記各チップ部品の電極とを接合する各はんだ接合部について、図３に示すようなチップ部品下ブリッジが発生しているかどうかを目視で確認し、以下の評価基準に従い評価した。その結果を表３及び表４に表す。
〇：チップ部品下ブリッジの発生したチップ部品数が０個
△：チップ部品下ブリッジの発生したチップ部品数が１個以上３個以下
×：チップ部品下ブリッジの発生したチップ部品数が４個以上
【００５１】
＜フラックス残渣確認試験＞
以下の用具を用意した。
・Ｃｕ板
・６ｍｍ×６ｍｍのメタルマスク（厚さ：２００μｍ）
実施例及び比較例に係る各ソルダペーストを、印刷機（製品名：ＳＰ６０Ｐ−Ｌ、パナソニック（株）製）及び前記メタルマスクを用い、前記Ｃｕ板に印刷した。
なお、印刷時の条件は、スキージ速度：３０ｍｍ／秒、スキージ角度：６０度、版離れ速度：２ｍｍ／秒に設定した。
次いで、前記各Ｃｕ板をリフロー炉（製品名：ＳＭＴ  Ｓｃｏｐｅ  ＳＫ−５０００、山陽精工（株）製）を用いて加熱し、各試験基板を作製した。なお、この際のリフロー条件は、プリヒートを１７０℃から１９０℃で１１０秒間、ピーク温度を２４０℃とし、昇温速度を０．６℃／秒、２２０℃以上の時間が１００秒間とした。また酸素濃度は１００±５０ｐｐｍに設定した。
そして、各試験基板について、各試験基板上にフラックス残渣が残っているかを目視で確認した。そして、以下の評価基準に従い評価した。その結果を表３及び表４に表わす。
〇：図４に示すように、はんだの外周部分にもはんだ表面にもフラックス残渣がほぼ存在しない
△：図５に示すように、はんだ表面にはフラックス残渣はほぼ存在しないが、はんだの外周部分にはフラックス残渣が若干存在する（円で囲った部分参照）
×：図６に示すように、はんだの外周部分とはんだ表面の両方にフラックス残渣が存在する（円で囲った部分参照）
【００５２】
＜総合評価＞
上記の各試験の評価結果について、〇を２点、△を１点、×を０点と点数化した。
そして、上記各試験の評価結果（点数）について、以下の計算式に従い総合評価点数を算出した。なお、本実施形態においては、主たる課題を「はんだ接合後のフラックス残渣の低減」としていることから、以下の計算式では「フラックス残渣確認試験」の評価結果（点数）を２乗している。
（チップ部品の枕不良発生確認試験の評価結果）×（チップ部品下ブリッジ発生確認試験の評価結果）×（フラックス残渣確認試験」の評価結果）２
そして、この算出した総合評価点数について、以下の基準に従い総合評価を行った。その結果を表３及び表４に表わす。
◎：８点以上
〇：４点以上７点以下
△：１点以上３点以下
×：０点
【００５３】
【表３】
2020082106.tif 000005
【００５４】
【表４】
2020082106.tif 000006
【００５５】
以上に示す通り、本実施例に係るフラックス組成物（無残渣フラックス組成物）は、活性剤（Ｃ）として、炭素数が３以上５以下の有機酸（Ｃ−１）とハロゲン化合物（Ｃ−２）とを併用し、且つこれらの配合量を調整することにより、はんだ接合後に残存するフラックス残渣を低減できると共に、チップ部品の枕不良発生やチップ部品下のブリッジ発生を抑制することができるため、信頼性の高いはんだ接合部を提供することができる。
【図１】
2020082106.tif 000007
【図２】
2020082106.tif 000008
【図３】
2020082106.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
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