(57)【要約】  【課題】  放電空間を仕切る内周面への付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制する。  【解決手段】  下方に排気口25Ａを備え、軸方向を上下方向に配置した円筒状基体10Ａを収容して円筒状基体10Ａの外周面に非晶質材料を含む堆積膜を形成するための堆積室20と、円筒状基体10Ａを囲むように配置された、円筒状基体10Ａとの間の放電空間に放電によるプラズマを生成するための電極21と、放電空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、堆積膜の形成中に、円筒状基体10Ａに対向して放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するための内周面温度制御手段90とを備える堆積膜形成装置100である。堆積膜の形成中における内周面への付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下方に排気口を備え、軸方向を上下方向に配置した円筒状基体を収容して該円筒状基体の外周面に非晶質材料を含む堆積膜を形成するための堆積室と、
前記円筒状基体を囲むように配置された、前記円筒状基体との間の放電空間に放電によるプラズマを生成するための電極と、
前記放電空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、
前記堆積膜の形成中に、前記円筒状基体に対向して前記放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するための内周面温度制御手段と
を備える堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記内周面温度制御手段は、前記円筒状基体の上部に対向する領域における前記内周面の温度が他の領域における温度よりも高くなるように制御する、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記原料ガス導入手段は、前記内周面に一体化されており、前記内周面に形成された導入口から前記原料ガスを導入する、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記原料ガス導入手段は、前記放電空間内に上下方向に配置された管状体からなり、該管状体に形成された導入口から前記原料ガスを導入する、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記原料ガスは、水素化珪素および炭化水素の少なくとも一方を含む、請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の堆積膜形成装置を用いて、
前記堆積室に前記円筒状基体を収容し、
前記原料ガス導入手段によって前記放電空間に前記原料ガスを導入し、
前記内周面温度制御手段によって前記円筒状基体に対向して前記放電空間を仕切る前記内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて温度制御しつつ、
前記電極によって前記放電空間に放電によるプラズマを生成して、
前記円筒状基体の外周面に非晶質材料を含む堆積膜を形成する
堆積膜形成方法。
【請求項７】
前記内周面温度制御手段によって、前記円筒状基体の上部に対向する領域における前記内周面の温度が他の領域における前記内周面の温度よりも高くなるように制御する、請求項６に記載の堆積膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原料ガスを放電空間においてプラズマによって分解し、円筒状基体の外周面に堆積膜を形成するための堆積膜形成装置および堆積膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体あるいは半導体デバイスの形成時における堆積膜の形成には、真空気密可能な反応容器である堆積室において、原料ガスをプラズマによって分解して基体の表面に堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相堆積）法が
好適に採用される。
【０００３】
とりわけ、アモルファスシリコン（非晶質シリコン）（以下、ａ−Ｓｉともいう。）系の材料を用いた電子写真感光体、太陽電池、イメージセンサ、光センサあるいは薄膜トランジスタ等の製作には、主にグロー放電を利用したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置が用いられている。
【０００４】
この堆積膜形成装置は、例えばａ−Ｓｉ系電子写真感光体の製作用としては、軸方向を上下方向に配置して円筒状基体を収容し、その外周面にａ−Ｓｉ系の堆積膜を形成するための堆積室と、円筒状基体を囲むように配置され、円筒状基体の周囲の放電空間に放電によるプラズマを生成するための電極と、放電空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段とを備えるものが用いられる。
【０００５】
従来の堆積膜形成装置としては種々の態様のものが知られている。例えば、堆積室としては、円筒状基体を単数または複数収容する、円筒状または直方体状のものなどがある。このとき、堆積室内の真空排気は、堆積室の下方から行なうことが一般的である。電極としては、堆積室と一体化されて円筒状基体を囲む円筒状のもの、あるいは堆積室中に円筒状基体に対向するように上下方向に配置された棒状のものなどがある。原料ガス導入手段としては、円筒状電極と一体化されてその内周面に形成された導入口から円筒状基体に向けて供給するもの、あるいは堆積室中に複数の管状体として配置されたものなどがある。また、円筒状基体は堆積膜の形成中に加熱されるが、その加熱手段としては、円筒状基体の内側に配置されるヒータなどがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３１６１５０号公報
【特許文献２】特開平１０−１８３３５５号公報
【特許文献３】特開２００８−２５５３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
プラズマＣＶＤ法の堆積膜形成装置によってａ−Ｓｉ系電子写真感光体を製作する場合には、円筒状基体にａ−Ｓｉ系の堆積膜を形成していくにつれて、放電空間を形成している堆積室あるいは電極の内周面にも同様に膜が形成されることになる。しかしながら、その堆積室あるいは電極の内周面に形成される付着膜は、内周面が放電空間からプラズマによる熱エネルギーあるいは輻射熱を受けるものの円筒状基体に比べて通常は温度が低いことから、円筒状基体に形成される堆積膜に比べて脆弱な膜質になったり、膜にならずに粉体状となって付着したりすることが多い。また、付着膜が脆弱な膜質になったり粉体状になったりするのは、装置の構造上、堆積室の上部においてその傾向が強い。
【０００８】
そのような脆弱な膜質あるいは粉体状となった付着膜は、堆積膜の形成中に内周面から微小な剥がれを生じて堆積室内に飛散し、それらが堆積膜に付着していわゆる球状突起などの膜欠陥の原因となることが多い。そして、球状突起などの膜欠陥は、電子写真感光体の膜質の均一性を損ない、画像形成において黒点あるいは白点などの画像不良を引き起こすという問題があった。
【０００９】
そこで、堆積膜の形成中に堆積室あるいは電極の内周面からの付着膜の微小な剥がれの発生を抑制し、堆積膜における球状突起などの膜欠陥の原因を低減して、電子写真感光体の膜質の均一性の向上、ひいては画像品質の向上を図ることが可能な堆積膜形成装置および堆積膜形成方法が望まれている。
【００１０】
また、堆積膜の形成中における堆積室あるいは電極の内周面からの付着膜の微小な剥がれ発生の抑制は、他の用途の堆積膜においても同様に望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る堆積膜形成装置は、下方に排気口を備え、軸方向を上下方向に配置した円筒状基体を収容して該円筒状基体の外周面に非晶質材料を含む堆積膜を形成するための堆積室と、前記円筒状基体を囲むように配置された、前記円筒状基体との間の放電空間に放電によるプラズマを生成するための電極と、前記放電空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段と、前記堆積膜の形成中に、前記円筒状基体に対向して前記放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するための内周面温度制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る堆積膜形成装置において、前記内周面温度制御手段は、前記円筒状基体の上部に対向する領域における前記内周面の温度が他の領域における温度よりも高くなるように制御することが好ましい。
【００１３】
本発明に係る堆積膜形成装置において、前記原料ガス導入手段は、前記内周面に一体化されており、前記内周面に形成された導入口から前記原料ガスを導入することが好ましい。
【００１４】
本発明に係る堆積膜形成装置において、前記原料ガス導入手段は、前記放電空間内に上下方向に配置された管状体からなり、該管状体に形成された導入口から前記原料ガスを導入することも好ましい。
【００１５】
本発明に係る堆積膜形成装置において、前記原料ガスは、水素化珪素および炭化水素の少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００１６】
本発明に係る堆積膜形成方法は、上記の堆積膜形成装置を用いて、前記堆積室に前記円筒状基体を収容し、前記原料ガス導入手段によって前記放電空間に前記原料ガスを導入し、前記内周面温度制御手段によって前記円筒状基体に対向して前記放電空間を仕切る前記内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて温度制御しつつ、前記電極によって前記放電空間に放電によるプラズマを生成して、前記円筒状基体の外周面に非晶質材料を含む堆積膜を形成することを特徴とする。
【００１７】
本発明の堆積膜形成方法において、前記内周面温度制御手段によって、前記円筒状基体の上部に対向する領域における前記内周面の温度が他の領域における前記内周面の温度よりも高くなるように制御することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る堆積膜形成装置によれば、堆積室と、電極と、原料ガス導入手段と、堆積膜の形成中に、円筒状基体に対向して放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するための内周面温度制御手段とを備えることから、内周面の温度を上げることによって内周面への付着膜の粉体化を抑制して膜化を促進したり膜質を向上させたりすることができ、堆積膜の形成中における付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができる。これにより、堆積膜における球状突起などの膜欠陥の原因を低減し、膜質の均一性の向上を図ることができる。
【００１９】
また、軸方向を上下方向に配置した円筒状基体に対する堆積膜については、基体の上下方向（長手方向）において、温度、放電または原料ガスなどの分布に起因して膜特性のむら（分布）が生じることがあるが、それに対して内周面温度制御手段によって上下方向に複数の領域に分けて内周面の温度を制御することによって、各領域に対応する部分の堆積膜についての膜特性を調整することができ、膜特性の均一性を向上させることができる。
【００２０】
本発明に係る堆積膜形成方法によれば、本発明に係る堆積膜形成装置を用いて、内周面温度制御手段によって円筒状基体に対向して放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて温度制御しつつ、円筒状基体の外周面に非晶質材料を含む堆積膜を形成することにより、堆積膜の形成中における付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができ、電子写真感光体としての堆積膜の均一性を向上させて、画像品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る堆積膜形成装置の実施形態の一例の概略構成を示す模式的断面図である。
【図２】（ａ）は電子写真感光体の一例の概略構成を示す断面図であり、（ｂ）はＡ部を拡大して感光体層の構成の例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る堆積膜形成装置の実施形態の他の例の概略構成を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図２（ａ）は本発明に係る堆積膜形成装置によって製作する電子写真感光体の一例の概略構成を表す断面図であり、図２（ｂ）はその一部（Ａ部に相当）を拡大して示す断面図である。図２（ａ）に示すように、電子写真感光体10は、導電性の円筒状基体10Ａおよび円筒状基体10Ａの外周面上に形成された感光体層10Ｂを有しており、電子写真方式の画像形成装置において画像信号に基づいた静電潜像やトナー像が表面に形成されるものである。この電子写真感光体10は、必要に応じて両端部にフランジＦが嵌合によって固定され、これを介して画像形成装置内に回転可能に搭載される。
【００２３】
図２に示した例の電子写真感光体10（以下、感光体10ともいう。）は、導電性の円筒状基体10Ａ（以下、基体10Ａともいう。）の外周面に、感光体層10Ｂとして電荷注入阻止層10B1、光導電層10B2および表面層10B3を順次積層形成したものである。この例の感光体層10Ｂはａ−Ｓｉ系の材料を用いたものであり、この場合の基本的な構成について説明する。
【００２４】
基体10Ａは、感光体10において感光体層10Ｂの支持部材となるものであり、導電性を有する金属材料で円筒状に構成されている。金属材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），ステンレス（ＳＵＳ），亜鉛（Ｚｎ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ），インジウム（Ｉｎ），ニオブ（Ｎｂ），テルル（Ｔｅ），バナジウム（Ｖ），パラジウム（Ｐｄ），タンタル（Ｔａ），スズ（Ｓｎ），白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）が挙げられる。中でも、非晶質（アモルファス）シリコン系（ａ−Ｓｉ系）材料によって感光体層10Ｂを形成する場合においてこの感光体層10Ｂとの密着性を高める観点からは、基体10ＡをＡｌ系合金（例えばＡｌ−Ｍｎ系合金，Ａｌ−Ｍｇ系合金，Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金）によって構成したものが好ましい。
【００２５】
基体10Ａにおける感光体層10Ｂの形成面（外周面）は、旋盤加工などによって表面処理が施される。表面処理としては、例えば鏡面加工および線状溝加工が挙げられる。また、両端部にはフランジＦを装着（嵌合して固定）するためのインロー部である嵌合部が形成される。
【００２６】
感光体層10Ｂは、下部電荷注入阻止層10B1，光導電層10B2および表面層10B3を積層して形成したものであり、その厚みは例えば15μｍ以上90μｍ以下に設定される。
【００２７】
下部電荷注入阻止層10B1（以下、下部阻止層10B1ともいう。）は、基体10Ａ側からの電荷が光導電層10B2側に注入されるのを阻止する役割を担うものである。具体的に、下部阻止層10B1は、正帯電の感光体10では基体10Ａ側から光導電層10B2側に電子（負電荷）が注入されるのを阻止する機能を有している。また、負帯電の感光体10では基体10Ａ側から光導電層10B2側にホール（正電荷）が注入されるのを阻止する機能を有している。
【００２８】
本例の下部阻止層10B1は、ａ−Ｓｉを主体とする非単結晶材料により構成される。ここで非単結晶材料とは、多結晶、微結晶あるいは非晶質の部分を含む材料を意味している。また、下部阻止層10B1は、正帯電用であれば周期表第13族元素を、負帯電用であれば周期表第15族元素を含んでいる。
【００２９】
第13族元素としては、硼素（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）またはタリウム（Ｔｌ）などが挙げられる。第15族元素としては、窒素（Ｎ），燐（Ｐ），砒素（Ａｓ），アンチモン（Ｓｂ）またはビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。これらの中で、プラズマＣＶＤ法、例えばグロー放電分解法による成膜時のドーピング濃度の制御容易性の観点からは、第13族元素としては硼素が、第15族元素としては窒素または燐が好ましい。
【００３０】
また、下部阻止層10B1は、酸素（Ｏ）または炭素（Ｃ）をさらに含んでいてもよい。下部阻止層10B1が酸素または炭素を含むことによって、基体10Ａとの密着性が向上することとなるので好ましい。
【００３１】
上記の添加元素は、いずれも下部阻止層10B1中に実質的に均一に分布していてもよいし、層厚方向において不均一に分布している部位を有していてもよい。但し、分布濃度が不均一である場合は、基体10Ａへの密着性の観点または残留電荷の発生を低減する観点から、基体10Ａ側における添加元素の濃度が大きくなるように含有させるのが好ましい。なお、いずれの場合においても、面内方向における特性の均一化を図る観点から、基体10Ａの表面に平行な面内方向において実質的に均一に分布しているのが好ましい。
【００３２】
下部阻止層10B1の厚さは、所望の電子写真特性および経済的効果などの観点から、0.1
μｍ以上10μｍ以下に設定される。下部阻止層10B1の厚さが0.1μｍ未満であると、基体10Ａ側からの電荷の注入を充分に阻止することができない場合がある。他方、下部阻止層10B1の厚さが10μｍを超えると、残留電荷が発生し、メモリ特性が悪化してしまう場合が
ある。
【００３３】
光導電層10B2は、レーザ光などの光照射によってキャリアを発生させる役割を担うもの
である。本例における光導電層10B2は、ａ−Ｓｉを主体とするものである。すなわち、シリコンを主体とする非単結晶材料により構成されており、微結晶シリコンを含んでなる場合は、暗導電率・光導電率を高めることができ、光導電層10B2の設計自由度を高めることができる。
【００３４】
光導電層10B2は、シリコンの未結合手（ダングリングボンド）を補償する観点から、水素およびハロゲン元素の少なくとも一方を含むものが好ましい。光導電層10B2における水素およびハロゲン元素の含有量の総和は、シリコンと水素とハロゲン元素との含有量の総和に対して１原子％以上40原子％以下とされるのが好ましい。光導電層10B2の原料としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６などの水素化珪素（シラン類）またはＳｉＦ４，Ｓｉ２Ｆ６などのフッ化珪素が挙げられる。これらの原料は、必要に応じてＨ２およびＨｅの少なくとも一方によって希釈してもよい。
【００３５】
また、光導電層10B2には、伝導性を制御するための伝導性制御元素を導入してもよい。伝導性制御元素としては、例えばｐ型伝導特性を付与する第13族元素およびｎ型伝導特性を付与する第15族元素が挙げられる。半導体特性に対する感応性あるいは光感度の観点から、第13族元素としては硼素、第15族元素としては燐が好ましい。特に、伝導性制御元素としては、光導電層10B2を真性型（ｉ型）に近付けるべく第13族元素を採用するのが好ましい。光導電層10B2に対する伝導性制御元素の導入は、層形成時に、光導電層10B2の主たる構成元素とともに、伝導性制御元素を導入するための原料を必要に応じてＨ２およびＨｅなどのガスによって希釈して反応容器中に供給することによって行なう。光導電層10B2における伝導性制御元素の濃度は層厚方向に変化させてもよい。その場合は、光導電層10B2における伝導性制御元素の含有量は、光導電層10B2の全体における平均含有量が所定範囲内であればよい。
【００３６】
さらに、光導電層10B2には、炭素、酸素および窒素のうちの少なくとも１種の元素を含有させてもよい。この光導電層10B2の厚さ（層厚）は、所望の電子写真特性および経済的効果などの観点から、５μｍ以上100μｍ以下（好適には10μｍ以上80μｍ以下）に設定
される。
【００３７】
表面層10B3は、主として感光体10の耐湿性、繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性あるいは耐久性を高める役割を担うものであり、本例ではシリコンおよび炭素の少なくとも一方を主体とする非単結晶材料によって構成される。具体的には、水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ：Ｈ）あるいは水素化アモルファスカーボン（ａ−Ｃ：Ｈ）で構成される。表面層10B3の厚さは、耐久性あるいは残留電位などの観点から、0.2μｍ以上1.5μｍ以下（好適には、0.5μｍ以上１μｍ以下）に設定される。
【００３８】
なお、以上のような感光体層10Ｂの各層に加えて、例えば光導電層10B2と表面層10B3との間に、表面層10B3側から光導電層10B2へと表面電荷が注入されるのを阻止するために上部電荷注入阻止層を配置したりして、所望の電子写真特性が得られるように設計しても構わない。
【００３９】
また、感光体層10Ｂは、帯電器によって所定の電位に表面電荷を帯電し、露光器からのレーザ光などの照射によってキャリアを発生して静電潜像を形成するためのものであるので、そのような電子写真特性を有するものであれば種々の材料が適用できる。
【００４０】
以下、本発明に係る堆積膜形成装置および堆積膜形成方法について、図面を参照しつつ説明する。
【００４１】
図１は、本発明に係る堆積膜形成装置の実施形態の一例の概略構成を示す模式的断面図
である。この堆積膜形成装置100は、感光体10における下部阻止層10B1、光導電層10B2お
よび表面層10B3をグロー放電分解法によって基体10Ａ上に形成する成膜装置であって、グロー放電分解法によるプラズマＣＶＤ装置である。
【００４２】
堆積膜形成装置100は、反応室でもある堆積室20と円筒状の電極21と支持機構30と直流
電圧供給機構40と温度制御機構50と回転機構60とガス供給機構70と排気機構80と内周面温度制御手段90とを備えている。
【００４３】
堆積室20は、基体10Ａに対して各層となる堆積膜を形成するための空間であり、円筒状の電極21と、一対のプレート22，23と、絶縁部材24，25とにより仕切られている。
【００４４】
電極21は、堆積膜の形成空間を仕切るとともに、グロー放電を発生させるために基体10Ａ側を第１導体とした場合の第２導体としての役割を担うものである。すなわち円筒状の電極21は、円筒状基体10Ａを囲むように配置された、円筒状基体10Ａとの間の放電空間に放電によるプラズマを生成するための電極である。電極21は、基体10Ａと同様の導電性材料で構成されており、本例では絶縁部材24，25を介して一対のプレート22，23と一体化されている。本例における電極21は、支持機構30に支持させた基体10Ａと円筒状の電極21との距離が所定の範囲となるように構成されている。
【００４５】
電極21は、本例では放電空間に原料ガスを導入するための原料ガス導入手段を兼ねており、原料ガス導入手段は電極21の内周面に一体化されている。この電極21は外周面に原料ガスの供給口21ａを、内周面に放電空間への複数の導入口21ｂを有しており、その一端において接地されている。なお、電極21の接地は必須の条件ではなく、後述の直流電源41とは別の基準電源に接続する構成としてもよい。電極21を直流電源41とは別の基準電源に接続する場合に、基準電源における基準電圧は、例えば−1500Ｖ以上1500Ｖ以下とされる。
【００４６】
供給口21ａは、洗浄ガスまたは原料ガスを電極21を介して堆積室20に供給するための開口であり、ガス供給機構70に接続されている。
【００４７】
電極21の内周面に一体化された原料ガス導入手段における複数の導入口21ｂは、電極21の内部に供給された洗浄ガスまたは原料ガスを基体10Ａに向けて放電空間に吹き出して導入するための開口であり、図の上下方向および周方向において例えば等間隔で配置される。これら複数の導入口21ｂの孔径、形状および配置については、適宜設定可能である。このように電極21の内周面に原料ガス導入手段が一体化されていることにより、基体10Ａを取り囲む放電空間に対して周囲から一様に原料ガスを導入することができる。
【００４８】
プレート22は、堆積室20の開放状態と閉塞状態とを選択することができるように着脱可能な構成とされており、プレート22を開閉することによって堆積室20に対する後述の支持体31の出し入れが可能となっている。プレート22は、基体10Ａと同様の導電性材料で形成されており、その下面側に防着板26が取り付けられている。これにより、プレート22に対して堆積膜が形成されるのが防止されている。なお、防着板26は、基体10Ａと同様の導電性材料で形成されており、プレート22に対して着脱自在とされている。
【００４９】
プレート23は、堆積室20のベースとなるものであり、基体10Ａと同様の導電性材料で形成されている。プレート23と電極21との間に介在する絶縁部材25は、電極21とプレート23との間にアーク放電が発生するのを抑制する役割を担うものである。このような絶縁部材25は、例えばガラス材料（ホウ珪酸ガラス，ソーダガラス，耐熱ガラスなど）、無機絶縁材料（セラミックス，石英，サファイヤなど）、あるいは合成樹脂絶縁材料（ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂，ポリカーボネート，ポリエチレンテレフタレート，ポリエステル，ポリエチレン，ポリプロピレン，ポリスチレン，ポリアミド，ビニロン，
エポキシ，マイラー，ポリエーテルエーテルケトンなど）で形成することができる。絶縁部材25の材料としては、絶縁性を有し、使用温度で充分な耐熱性があり、真空中でガスの放出が小さい材料であれば特に限定はない。
【００５０】
プレート23および絶縁部材25には、ガスの排気口23Ａ，25Ａおよび圧力計27が設けられている。排気口23Ａ，25Ａは、堆積室20の内部の気体を排出する役割を担うものであり、排気機構80に接続されている。圧力計27は、堆積室20の圧力をモニタリングするためのものであり、公知の種々のものを使用することができる。
【００５１】
支持機構30は、基体10Ａを支持するとともに、グロー放電を発生させる第１導体としての役割を担うものである。支持機構30は、支持体31と導電性支柱32と絶縁材33とを含んで構成されている。本例における支持機構30は、２つの基体10Ａを支持することができる長さ（寸法）に形成されており、支持体31が導電性支柱32に対して着脱自在とされている。このような構成によると、支持した２つの基体10Ａの表面に直接触れることなく、堆積室20に対して２つの基体10Ａの出し入れを行なうことができる。
【００５２】
支持体31は、フランジ部31ａを有する中空状の部材であり、基体10Ａと同様の導電性材料によって全体が導体として構成されている。
【００５３】
導電性支柱32は、導板32ａを有する筒状の部材であり、基体10Ａと同様の導電性材料によって全体が導体として構成されている。導電性支柱32は、その上端部において支持体31の内壁面に当接するように構成されている。
【００５４】
絶縁材33は、導電性支柱32とプレート23との間の電気的絶縁性を確保する役割を担うものであり、堆積室20の略中央において導電性支柱32とプレート23との間に介在している。
【００５５】
直流電圧供給機構40は、導電性支柱32に直流電圧を供給する機構であり、直流電源41および制御部42を有している。
【００５６】
直流電源41は、導電性支柱32に印加する直流電圧を発生させる役割を担うものであり、導板32ａを介して導電性支柱32に接続されている。
【００５７】
制御部42は、直流電源41の動作を制御する役割を担うものであり、直流電源41に接続されている。制御部42は、直流電源41の動作を制御して、導電性支柱32を介して支持体31に例えばパルス状の直流電圧を印加できるように構成されている。
【００５８】
なお、本例はグロー放電を発生させるのに直流グロー放電を利用する装置であるが、直流電源41に代えて13.56ＭＨｚなどの高周波電源（ＲＦ電源）を使用して、高周波グロー
放電を利用する装置であってもよい。
【００５９】
温度制御機構50は、基体10Ａの温度を制御する役割を担うものであり、例えばセラミックパイプ51およびヒータ52を有している。
【００６０】
セラミックパイプ51は、絶縁性および熱伝導性を確保する役割を担うものであり、導電性支柱32の内部に収容されている。
【００６１】
ヒータ52は、基体10Ａを加熱する役割を担うものであり、導電性支柱32の内部に収容されている。基体10Ａの温度制御は、例えば支持体31あるいは導電性支柱32に熱電対（図示せず）を取り付け、そのモニタ結果に基づいてヒータ52をオン／オフ制御することによって行なわれる。なお、ヒータ52としては、例えばニクロム線またはカートリッジヒータが
挙げられる。
【００６２】
回転機構60は、支持体31を回転させる役割を担うものであり、回転モータ61と回転導入端子62と絶縁軸部材63と絶縁平板64とを有している。回転機構60によって支持機構30を回転させて成膜を行なう場合は、支持体31とともに基体10Ａが回転するため、原料ガスの分解成分を基体10Ａの外周に対して略均等に堆積させる上で好適である。
【００６３】
回転モータ61は、基体10Ａに回転力を付与する役割を担うものである。回転モータ61は、例えば基体10Ａを１ｒｐｍ以上10ｒｐｍ以下の一定の回転数で回転させるように動作制御される。回転モータ61としては、公知の種々のものを使用することができる。
【００６４】
回転導入端子62は、堆積室20内を所定の真空度に保ちながら絶縁軸部材63に回転力を伝達する役割を担うものである。このような回転導入端子62としては、回転軸を２重もしくは３重構造とした、オイルシールあるいはメカニカルシールなどの真空シール手段を用いることができる。
【００６５】
絶縁軸部材63および絶縁平板64は、支持機構30とプレート22との間の絶縁状態を維持しつつ、回転モータ61からの回転導入端子62を介した回転力を支持機構30に伝達する役割を担うものである。これらは例えば絶縁部材25と同様の絶縁材料で形成されている。
【００６６】
絶縁平板64は、プレート22を取り外す際に落下するゴミあるいは粉塵などの異物が基体10Ａに付着するのを防止する役割を担うものである。このような絶縁平板64を有する場合は、基体10Ａに異物が付着することに起因する異常放電の発生を抑制することができ、膜欠陥の発生を抑制することができる。
【００６７】
ガス供給機構70は、複数の原料ガスタンク71〜74と、複数の配管71Ａ〜74Ａと、複数のバルブ71Ｂ〜74Ｂ，71Ｃ〜74Ｃと、複数のマスフローコントローラ71Ｄ〜74Ｄとを含んでおり、配管75および供給口21ａを介して電極21に接続されている。
【００６８】
各原料ガスタンク71〜74は、原料ガスが充填されたものである。原料ガスとしては、例えば水素化珪素であるＳｉＨ４，Ｈ２，Ｂ２Ｈ６，炭化水素であるＣＨ４，Ｎ２あるいはＮＯが用いられる。特に前述のようにａ−Ｓｉ系ならびにａ−ＳｉＣ系およびａ−Ｃ系の材料によって感光体層10Ｂを形成するには、原料ガスには、水素化珪素および炭化珪素の少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００６９】
バルブ71Ｂ〜74Ｂ，71Ｃ〜74Ｃおよびマスフローコントローラ71Ｄ〜74Ｄは、堆積室20に導入するガス成分の流量、組成およびガス圧を調整するためのものである。なお、ガス供給機構70においては、各原料ガスタンク71〜74に充填すべきガスの種類あるいは複数の原料ガスタンク71〜74の数は、基体10Ａに形成すべき堆積膜の種類あるいは組成に応じて適宜選択すればよい。
【００７０】
排気機構80は、堆積室20のガスを排気口23Ａ，25Ａを介して外部に排出する役割を担うものであり、例えばメカニカルブースタポンプ81およびロータリーポンプ82を有している。これらのポンプ81，82は、圧力計27でのモニタリング結果によって動作制御されるものである。すなわち、排気機構80では、圧力計27でのモニタリング結果に基づいて、堆積室20を所定の真空状態に維持するとともに、堆積室20のガス圧を目的値に設定する。なお、堆積室20の圧力は、例えば１Ｐａ以上100Ｐａ以下とされる。
【００７１】
内周面温度制御手段90は、堆積膜の形成中に、円筒状基体10Ａに対向して放電空間を仕切る内周面、本例では円筒状の電極21の内周面の温度を、上下方向に複数の領域に分けて
制御するためのものである。本例の内周面温度制御手段90は、中空状に構成された電極21の内側に、それぞれ例えば格子状などの導入口21ｂを塞がないような構造の円筒状の部材として、上側の円筒状基体10Ａの上部に対向するように電極21の上部に位置する内周面温度制御手段90Ａ、上側の円筒状基体10Ａの下部および下側の円筒状基体10Ａの上部に対向するように電極21の中部に位置する内周面温度制御手段90Ｂ、ならびに下側の円筒状基体10Ａの下部に対向するように電極21の下部に位置する内周面温度制御手段90Ｃで構成されている。これにより、内周面温度制御手段90は、電極21の内周面の温度を、上中下の３つの領域に分けてそれぞれ制御する。
【００７２】
堆積膜形成装置100では、下方に排気口23Ａ，25Ａを備え、円筒状基体10Ａを囲む円筒
状の電極21の内周面に原料ガスの導入口21ｂを備えている関係で、堆積膜の形成中に例えば電極21の上部に付着する付着膜が粉体化する傾向がある。これに対し、内周面温度制御手段90を備えていることから、上部の内周面温度制御手段90Ａによって電極21の上部の温度を中部および下部に比べて高くすることによって、付着膜の粉体化を抑制して中部および下部と同じように膜化を促進し、堆積膜の形成中における付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができる。例えば、中部および下部の内周面温度制御手段90（90Ｂ，90Ｃ）による内周面の温度の設定を180℃とし、上部の内周面温度制御手段90（90Ａ）に
よる内周面の温度の設定を200℃として制御することによって、上部の付着膜について中
部および下部と同じように膜化を促進することができる。
【００７３】
このように、堆積室20内に複数の基体10Ａが上下方向に配置されている場合には、内周面温度制御手段90は、上側に位置する基体10Ａの上部に対向する領域における内周面の温度が他の領域における温度よりも高くなるように制御することが好ましい。複数の基体10Ａが上下方向に配置されている場合には上側の基体10Ａの上部に対向する領域の内周面において付着膜の粉体化がより生じやすい傾向にあるためである。
【００７４】
なお、堆積膜の形成条件によって付着膜が粉体化する領域あるいは膜質が脆弱となる領域が上下方向で変わって異なる分布になる場合には、その変化に応じて内周面の複数の領域の温度を上げたり下げたりして適宜に制御すればよい。
【００７５】
また、ヒータ52によって加熱される円筒状基体10Ａの温度は、上下方向で分布あるいは傾斜を持つ場合があり、それに応じて堆積膜の膜特性に分布が生じることがある。そのような場合に、円筒状基体10Ａの温度分布に対応させて内周面温度制御手段90による加熱温度を変化させることによって、円筒状基体10Ａの温度の上下方向の均一性を向上させることもできる。これによって、電子写真感光体10の特性のむらの改善を図ることもできる。
【００７６】
なお、図１は内周面温度制御手段90を上中下の３つのほぼ同じ大きさの領域に分けた場合の例を示しているが、各領域の大きさは所望の温度制御に対応させて、適宜変更して構わない。また、上下方向に分ける複数の領域は、２つであっても、４つあるいは５つであってもよく、内周面への付着膜の状態あるいは円筒状基体10Ａへの堆積膜の状態に応じて、所望の領域に分けて設定すればよい。
【００７７】
内周面温度制御手段90には、ヒータ52と同様の電気的なヒータを用いてもよく、あるいは加熱した油などの熱媒体を循環させるタイプの温調機を用いてもよい。一方、放電空間の条件によっては、放電空間を仕切る内周面の温度を高過ぎないように調整する場合もある。加熱の条件を調整するには電気的なヒータを用いて投入する電力を調整してもよく、熱媒体の加熱条件を調整してもよい。さらに、積極的に内周面を冷却しようとする場合には、冷却用に温度を調整した油あるいは水などの熱媒体を循環させるようにしてもよい。
【００７８】
次に、堆積膜形成装置100を用いた堆積膜の形成方法について、感光体10（図２参照）
を作製する場合を例にして説明する。
【００７９】
まず、堆積膜形成装置100のプレート22を取り外して、複数（図１では２つ）の基体10
Ａを支持した支持機構30を堆積室20の内部にセットし、再びプレート22を取り付ける。支持機構30における２つの基体10Ａの支持は、支持体31のフランジ部31ａ上において、下ダミー基体Ｄ１，基体10Ａ，中間ダミー基体Ｄ２，基体10Ａおよび上ダミー基体Ｄ３を順次積み上げる形で行なわれる。各ダミー基体Ｄ１〜Ｄ３としては、例えば、全体が導電性を有する構成のもの、あるいは絶縁体の表面に導電性膜を形成した構成のものが使用できるが、中でも基体10Ａと同様の構成のものが特に好ましい。
【００８０】
下ダミー基体Ｄ１は、主として基体10Ａの高さ位置を調整する役割を担うものである。中間ダミー基体Ｄ２は、主として隣接する基体10Ａの端部間に不均一な放電が発生するのを抑制する役割を担うものである。中間ダミー基体Ｄ２の長さは、不均一な放電の発生を充分に抑制できる長さ（例えば１ｃｍ以上）に設定される。また、その外周面側角部に曲面加工（例えば曲率半径0.5ｍｍ以上）あるいは面取り加工（カットされた部分の軸方向
の長さおよび深さ方向の長さがそれぞれ0.5ｍｍ以上）を施したものが採用される。ただ
し、中間ダミー基体Ｄ２は必要に応じて用いればよく、省略しても構わない。上ダミー基体Ｄ３は、主として支持体31に堆積膜が形成されるのを抑制する役割を担うものである。上ダミー基体Ｄ３としては、その上側端部が支持体31の最上部よりも上方に突出するように構成されたものが採用される。
【００８１】
次いで、温度制御機構50によって基体10Ａを所定温度に制御するとともに、排気機構80によって堆積室20を減圧する。基体10Ａの温度制御は、ヒータ52を発熱させることによって所定温度近傍まで昇温させた後、ヒータ52をオン／オフすることによって所定温度に維持するように行なわれる。基体10Ａの温度は、その表面に形成すべき膜の種類および組成によって適宜設定されるが、例えばａ−Ｓｉ系膜を形成する場合は200℃以上300℃以下の範囲に設定される。
【００８２】
一方、堆積室20の減圧は、圧力計27での堆積室20の圧力をモニタリングしつつ、メカニカルブースタポンプ81およびロータリーポンプ82の動作を制御することにより、排気口23Ａ，25Ａを介して堆積室20からガスを排出させることによって行なわれる。なお、原料ガス導入前における堆積室20の減圧は、例えば１×10−３Ｐａ程度に至るまで行なわれる。
【００８３】
また、内周面温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）により、円筒状基体10Ａに対向して放電空間を仕切る内周面の温度、ここでは電極21の内周面の温度を、上下方向に複数の領域に分けて制御する。例えばヒータ52と同様に、ヒータを発熱させ所望の温度に維持するようにオン／オフさせることによって、所定温度に維持するように制御する。内周面の温度は、放電空間の条件および内周面への付着膜の膜質などによって適宜設定されるが、例えば堆積膜としてａ−Ｓｉ系膜を形成する場合は160℃以上250℃以下の範囲に設定される。また、円筒状基体10Ａへの堆積膜に対する補助的な加熱手段として利用する場合であれば、さらに高い温度範囲に設定してもよい。なお、内周面温度制御手段90は内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するが、その際に複数の領域における温度は必ず異ならせないといけないものではなく、堆積膜および付着膜の条件によっては同じ温度に制御してもよい。
【００８４】
次いで、基体10Ａの温度および内周面の温度を所定温度で制御しつつ、堆積室20を所定圧力まで減圧した状態で、ガス供給機構70によって堆積室20に原料ガスを供給するとともに、電極21と支持体31との間に例えばパルス状の直流電圧を印加する。これにより、電極21と支持体31（基体10Ａ）との間にグロー放電によるプラズマが生成されて原料ガスが分解され、その分解成分が基体10Ａの表面に堆積することとなる。これにより、円筒状基体
10Ａの外周面にａ−Ｓｉ系材料などの所望の非晶質材料を含む堆積膜が形成される。一方、電極21の内周面においては、堆積膜とは膜質が異なる付着膜が付着し堆積することとなる。
【００８５】
排気機構80においては、圧力計27でモニタリングしつつ、メカニカルブースタポンプ81およびロータリーポンプ82の動作を制御することにより、堆積室20の圧力を所定範囲（例えば１Ｐａ以上100Ｐａ以下）に維持する。すなわち、堆積室20の内部は、ガス供給機構70におけるマスフローコントローラ71Ｄ〜74Ｄと排気機構80におけるポンプ81，82によっ
て圧力を所定範囲に維持する。
【００８６】
堆積室20への原料ガスの供給は、バルブ71Ｂ〜74Ｂ，71Ｃ〜74Ｃの開閉状態を適宜制御しつつ、マスフローコントローラ71Ｄ〜74Ｄを制御することにより、原料ガスタンク71〜74の原料ガスを所望の組成および流量で、配管71Ａ〜74Ａ，75および供給口21ａを介して中空状の電極21の内部に導入することによって行なわれる。電極21の内部に導入された原料ガスは、電極21の内周面に形成された複数の導入口21ｂを介して基体10Ａに向けて吹き出されて放電空間に導入される。そして、バルブ71Ｂ〜74Ｂ，71Ｃ〜74Ｃおよびマスフローコントローラ71Ｄ〜74Ｄによって原料ガスの組成を適宜変化させる。
【００８７】
一方、電極21と支持体31との間におけるパルス状直流電圧の印加は、電極21が接地されている場合は、−3000Ｖ以上−50Ｖ以下（好適には−3000Ｖ以上−500Ｖ以下）の負のパ
ルス状直流電位Ｖ１となるように行なわれる。また、電極21が基準電源（図示せず）に接続されている場合は、基準電源から供給される電位Ｖ２を基準電位として、目的とする電位差ΔＶ（例えば−3000Ｖ以上−50Ｖ以下）となるように行なわれる。また、支持体31（基体10Ａ）に対して負のパルス状電圧を印加する場合は、基準電源から供給される電位Ｖ２は、例えば−1500Ｖ以上1500Ｖ以下に設定される。制御部42は、直流電圧の周波数（１／Ｔ［秒］）が300ｋＨｚ以下に、Duty比（Ｔ１／Ｔ）が20％以上90％以下になるように直流電源41を制御する。本例におけるDuty比とは、パルス状の直流電圧の１周期Ｔ（基体10Ａと電極21との間に電位差が生じた瞬間から、次に電位差が生じた瞬間までの時間）における電位差発生時間Ｔ１が占める時間割合と定義する。例えば、Duty比が20％とは、パルス状の電圧を印加する際の１周期に占める電位差発生時間が１周期全体の20％であることを意味する。
【００８８】
以上のようにして、基体10Ａの表面に、下部阻止層10B1、光導電層10B2および表面層10B3が順次積層形成される。なお、下部阻止層10B1と光導電層10B2との間および光導電層10B2と表面層10B3との間には、界面を有していなくても有していてもよい。この間の界面の有無は、所望の電子写真特性および成膜工程の効率などを考慮して選択すればよい。
【００８９】
本発明に係る堆積膜形成装置100およびこれを用いる堆積膜形成方法によれば、円筒状
基体10Ａへの堆積膜の形成中に、円筒状基体10Ａに対向して放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するための内周面温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）を備えることから、例えば内周面の温度を上げることによって内周面への付着膜の粉体化を抑制して膜化を促進したり膜質を向上させたりすることができ、堆積膜の形成中における付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができる。これにより、堆積膜における球状突起などの膜欠陥の原因を低減し、膜質の均一性の向上を図ることができる。
【００９０】
また、必要であれば、内周面温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）によって上下方向に複数の領域に分けて放電空間を仕切る内周面、ここでは電極21の内周面の温度を制御することによって、各領域に対応する部分の円筒状基体10Ａの外周面への堆積膜についての膜特性を調整することができ、膜特性の均一性を向上させることができる。
【００９１】
次に、図３は、本発明に係る堆積膜形成装置の実施形態の他の例の概略構成を示す模式的断面図である。この堆積膜形成装置101は、図１に示す堆積膜形成装置100と同様のプラズマＣＶＤ装置であり、電極、原料ガス導入手段および内周面温度制御手段の構成が若干異なること以外は、概ね同じ構成であるので、同じ構成には同じ参照符号を付して説明は省略する。
【００９２】
堆積膜形成装置101において、堆積室20は、反応容器を兼ねる電極21’によって堆積膜
を形成するための空間が仕切られている。この電極21’は原料ガス導入手段を兼ねておらず、原料ガスの供給口および放電空間への複数の導入口を備えていない。本例では、原料ガスは、円筒状基体10Ａと電極21’との間の放電空間内に上下方向に配置された管状体91に形成された導入口91ｂから放電空間に導入される。このような構成は、特許文献１（特開平８−316150号公報）にも開示されている周知のものである。原料ガス導入手段に複数の管状体91を用いることにより、その配置および導入口91ｂの配置を調整することによって、基体10Ａの外周面に形成される堆積膜の膜厚、膜質および膜特性の均一化を図ることができる。
【００９３】
そして、堆積膜形成装置101における内周面温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）は、
反応容器を兼ねる電極21’の外周面に配置されており、これによって堆積室20の内周面である電極21’の内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御する。
【００９４】
このような堆積膜形成装置101およびこれを用いる堆積膜形成方法によっても同様に、
円筒状基体10Ａへの堆積膜の形成中に、円筒状基体10Ａに対向して放電空間を仕切る内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御するための内周面温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）を備えることから、例えば内周面の温度を上げることによって内周面への付着膜の粉体化を抑制して膜化を促進したり膜質を向上させたりすることができ、堆積膜の形成中における付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができる。これにより、堆積膜における球状突起などの膜欠陥の原因を低減し、膜質の均一性の向上を図ることができる。
【００９５】
また、必要であれば、内周面温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）によって上下方向に複数の領域に分けて放電空間を仕切る内周面、ここでは電極21’の内周面の温度を制御することによって、各領域に対応する部分の円筒状基体10Ａの外周面への堆積膜についての膜特性を調整することができ、膜特性の均一性を向上させることができる。
【００９６】
本発明に係る堆積膜形成装置および堆積膜形成方法は、以上の実施形態の例に限定されるものではなく、発明の要旨および思想から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。例えば、円筒状基体を囲むように配置された、円筒状基体との間の放電空間に放電によるプラズマを生成するための電極として、堆積膜形成装置100では原料ガス導入手段を兼ねる円筒状の電極21が、また堆積膜形成装置101では反応容器を兼ねる円筒状の電極21’が示されているが、この電極は、放電空間内に円筒状基体を囲むように配置された、複数の棒状あるいは板状の導電体からなる電極であっても構わない。この場合にも、堆積室を構成する反応容器の内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御する内周面温度制御手段を備えることによって、堆積膜の形成中に内周面への付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制することができる。
【００９７】
また、円筒状基体10Ａとして上下に２つを配置した例が示されているが、円筒状基体は１つでもよく、３つ以上を上下に配置してもよい。さらに、円筒状基体10Ａを円筒状の堆積室20の中央の１箇所に配置した例が示されているが、堆積室の中に例えば同心円状の複数箇所に円筒状基体を配置して、それら円筒状基体を囲むように円筒状の電極または複数
の棒状あるいは板状の電極を配置してもよい。いずれの場合も、放電空間を仕切る堆積室（反応容器）あるいは電極の内周面の温度を上下方向に複数の領域に分けて制御する内周面温度制御手段を備えることで、内周面への付着膜の粉体化を抑制したり膜質を向上させたりして、堆積膜の形成中における付着膜からの微小な剥がれの発生を抑制して、堆積膜における球状突起などの膜欠陥の原因を低減し、膜質の均一性の向上を図ることができる。
【実施例】
【００９８】
図１に示す堆積膜形成装置を用い、内周面温度制御手段によって円筒状基体に対向する上部、中部および下部の内周面温度を制御して堆積膜の形成を行ない、内周面膜剥がれ状態および得られた製品である電子写真感光体による画像品質のうち画像欠陥を評価した。
【００９９】
円筒状基体10Ａは、アルミニウム合金の素管（外径30ｍｍ、長さ360ｍｍ）を用いて作
製した。まず、この素管に対して、面取り加工および鏡面加工を行なった。次に、基体10Ａをクリーンルーム内に搬入し、油分などを取り除く精密洗浄を経た後、図１に示す堆積膜形成装置100の堆積室20にセットし、前記した成膜方法を用いて、基体10Ａの外周面に
感光体層10Ｂを形成した。感光体層10Ｂにおける各層の具体的な構成は次の通りである。
【０１００】
下部阻止層10B1は、ａ−Ｓｉに窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を加えたａ−Ｓｉ系材料に、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものであり、膜厚は６μｍとした。光導電層10B2は、ａ−Ｓｉに、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものであり、膜厚は14μｍとした。表面層10B3は、ａ−ＳｉＣ系の層とａ−Ｃ系の層とを積層した２層構成であり、膜厚は合計で１μｍとした。
【０１０１】
堆積膜形成装置100の堆積室20の内周面温度、ここでは電極21の内周面温度は、内周面
温度制御手段90（90Ａ，90Ｂ，90Ｃ）によって上部、中部および下部の各々について制御を行ない、表１に示す５つの条件に設定して堆積膜の形成を実施した。表１における条件１〜４が本発明の実施例である。なお、条件５は、内周面温度制御手段90を備えるものの、ａ−Ｓｉ系膜を形成する際に内周面への付着膜の膜質を改善するのに必要な160℃を下回る温度に設定した比較例である。
【０１０２】
【表１】
2020002417.tif 000003
【０１０３】
表１に示す条件の内周面温度で感光体を形成した後の堆積室について、内周面の付着膜の状態を目視で観察し、内周面温度を制御した上部、中部および下部それぞれにおける内周面膜剥がれ状態を評価した。この評価では、内周面の膜剥がれが無い状態を「○」とし、小さな膜剥がれが数か所発生している状態を「△」とし、膜剥がれが多数発生している状態を「×」とした。
【０１０４】
次いで、各条件で得られた感光体による画像品質について、画像欠陥の個数を以下の方法で評価した。各条件で得られた感光体をそれぞれ、京セラドキュメントソリューションズ株式会社製のカラー複合機TASKalfa 3550ciを改造した装置に組み込み、印画を実施し
た。その印画結果から画像欠陥を観察して評価した。この評価では、内周面の膜剥がれに起因する画像欠陥の発生がほとんど見られない製品を「◎」とし、膜剥がれに起因する小さな画像欠陥が見られるが印画品質に問題のない製品を「○」とし、膜剥がれの影響の痕跡が見られるが実用上問題の無い製品を「△」とし、膜剥がれが発生して画像欠陥にも実用上問題のある製品を「×」とした。
【０１０５】
以上の内周面膜剥がれ状態および画像欠陥の評価結果を表２に示す。
【０１０６】
【表２】
2020002417.tif 000004
【０１０７】
表２に示す結果から、内周面膜剥がれ状態は内周面温度に依存しており、この評価では特に180℃以上220℃以下に設定することで膜剥がれの発生を良好に低減することができかことが分かる。また、画像欠陥については、内周面膜剥がれが低減すると画像欠陥も良好になる傾向が見られ、内周面膜剥がれ状態と画像欠陥との間には相関がある（膜剥がれが発生すると画像欠陥も発生する）ことが分かる。また、内周面の上部は、中部および下部と同じ温度では膜剥がれ状態の改善がやや劣る傾向が見られることから、上部は中部および下部に比べて設定温度を高くすることが好ましいことが分かる。
【０１０８】
以上により、堆積膜の形成時に内周面温度制御手段によって、内周面温度を上下方向に複数の領域に分けて温度制御することにより、堆積膜における膜欠陥の発生を低減して、製品としての感光体による画像品質を向上させることができることが確認できた。
【符号の説明】
【０１０９】
23Ａ，25Ａ…排気口
10Ａ…円筒状基体（基体）
20…堆積室
21，21’…電極
21ｂ…導入口
90，90Ａ，90Ｂ，90Ｃ…内周面温度制御手段
91…管状体
91ｂ…導入口
100，101…堆積膜形成装置
【図１】
2020002417.tif 000005
【図２】
2020002417.tif 000006
【図３】
2020002417.tif 000007