(57)【要約】      （修正有）【課題】反りの生じ難いプリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】支持板１３０の両面に第１導体層１７１、第１樹脂絶縁層１５１、第２樹脂絶縁層１５２が形成され、第２樹脂絶縁層１５２上に第２配線板１１が配置され、第１中間体１１１が完成される。完成した第１中間体１１１が支持板１３０から分離される。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗な配線ピッチに形成された第１配線板と、密な配線ピッチに形成された第２配線板とから成る結合型のプリント配線板の製造方法であって、
第２配線板を用意することと、
両面に銅箔を有する支持板を用意することと、
前記両面の銅箔上に第１導体層を形成することと、
前記銅箔及び前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層に前記第１導体層に至るビア用開口を形成し、ビア導体を形成すると共に、前記第１樹脂絶縁層上に第２導体層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層上に前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層を形成することと、
前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層上に前記第２配線板を配置することと、
前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層上及び前記第２配線板の周囲に最外層の樹脂絶縁層を形成することと、
前記支持板から前記銅箔を分離することと、
前記銅箔を前記第１樹脂絶縁層からエッチングで除去し、前記第１導体層を露出させることと、を有する。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２配線板の用意は、
ガラス板を用意することと、
前記ガラス上に絶縁層及び導体パターンを形成することと、を有し、
前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層上への前記第２配線板の配置は、前記第２配線板に前記ガラス板の付いた状態で行う。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記第２配線板の用意は、
ガラス板を用意することと、
前記ガラス上に絶縁層及び導体パターンを形成することと、を有し、
前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層上への前記第２配線板の配置は、前記第２配線板から前記ガラス板を剥離した状態で行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粗な配線ピッチに形成された第１配線板と、密な配線ピッチに形成された第２配線板とから成る結合型のプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＩＣチップの微細化、高集積化に伴い、パッケージ基板の配線ピッチも急速に細線化している。
【０００３】
特許文献１では、支持板上に半導体プロセスで配線密度の高い再配線基板を形成し、再配線基板をプリント配線板に埋め込むプリント配線板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２１４５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[特許文献の課題]
特許文献１では、再配線基板をプリント配線板の一方の面に埋め込むため、再配線基板とプリント配線板との熱膨張係数、剛性の違いからプリント配線板に反りが生じ易く、歩留まりが低下することが考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る粗な配線ピッチに形成された第１配線板と、密な配線ピッチに形成された第２配線板とから成る結合型のプリント配線板の製造方法は、第２配線板を用意することと、両面に銅箔を有する支持板を用意することと、前記両面の銅箔上に第１導体層を形成することと、前記銅箔及び前記第１導体層上に第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層に前記第１導体層に至るビア用開口を形成し、ビア導体を形成すると共に、前記第１樹脂絶縁層上に第２導体層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層上に前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層を形成することと、前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層上に前記第２配線板を配置することと、前記第２配線板の配置用の樹脂絶縁層上及び前記第２配線板の周囲に最外層の樹脂絶縁層を形成することと、前記支持板から前記銅箔を分離することと、前記銅箔を前記第１樹脂絶縁層からエッチングで除去し、前記第１導体層を露出させることと、を有する。
【０００７】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、支持板の両面に第１導体層、第１樹脂絶縁層、第２導体層、ビア導体、第２配線板の配置用の樹脂絶縁層を有する第１配線板が形成され、第１配線板に第２配線板が配置され、第１配線板の完成後にプリント配線板が支持板から分離される。即ち、支持板の上下で対称構造のプリント配線板が形成されてから、支持板からプリント配線板が分離される。支持板の上下で対称性があるため、製造時にプリント配線板に反りが生じ難い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図
【図２】第１実施形態の応用例のプリント配線板の断面図
【図３】第１実施形態のプリント配線板の平面図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の第２配線板の断面図
【図５】第１実施形態のプリント配線板の第２配線板の製造工程図
【図６】第１実施形態のプリント配線板の第２配線板の製造工程図
【図７】図７（Ａ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図７（Ｂ）は、第２実施形態に係るプリント配線板の第２配線板の断面図である。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図１０】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図１１】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図１２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図１３】第２実施形態のプリント配線板の製造工程図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照し説明が成される。なお、図１，図２、図３中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。積層方向において、配線板のＺ２側が下層、Ｚ１側が上層とされる。
【００１０】
[第１実施形態]
図１、図２に第１実施形態に係るプリント配線板１１０の断面が示される。
第１実施形態のプリント配線板１１０は、コアレスのビルドアップ多層積層基板である。図２に示されるように、プリント配線板１１０上には、第１半導体素子としてのマイクロプロセッサＭＰＵ（Micro-Processing Unit：ロジック系半導体素子）９２と、第２半導体素子としてのダイナミックラムＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory：メモリ系半導体素子)９４とが実装され、パッケージ基板が形成される。プリント配線板１１０は、図示されないマザーボード基板上に実装される。プリント配線板１１０と、ＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４との間は、アンダーフィル樹脂１６８で封止されている。
【００１１】
図１に示されるように、プリント配線板１１０は、第１面Ｆ（Ｚ１側）と第１面Ｆと反対側の第２面Ｓ（Ｚ２側）とを有する。プリント配線板１１０は、プリント配線板の第２面Ｓ側に形成された第１樹脂絶縁層１５１と、第１樹脂絶縁層１５１の第１面Ｆ側（上層）に形成された第２樹脂絶縁層１５２と、第２樹脂絶縁層１５２の第１面Ｆ側（上層）に形成された第３樹脂絶縁層１５３と、を有する。第２樹脂絶縁層１５２の所定位置には、第２配線板１０が配置されている。第３樹脂絶縁層１５３は、第２配線板１０を収容するための開口１４５を有する。
【００１２】
第１樹脂絶縁層１５１内に第１導体層１７１が形成されている。第１導体層１７１は第２面Ｓ側のボトム面１７１ｂが埋まりボトム面の反対側のトップ面１７１ｔが第１樹脂絶縁層１５１の開口１４６から露出する。第１樹脂絶縁層１５１の第１面Ｆ側には第２導体層１７２が形成されている。第１導体層１７１と第２導体層１７２とは第１樹脂絶縁層１５１を貫通する第１ビア導体１６１で接続されている。第２樹脂絶縁層１５２の第１面Ｆ側には第３導体層１７３が形成されている。第２導体層１７２と第３導体層１７３とは第２樹脂絶縁層１５２を貫通する第２ビア導体１６２で接続されている。第３樹脂絶縁層１５３の第１面Ｆ側には第４導体層１７４が形成されている。第３導体層１７３と第４導体層１７４とは第３樹脂絶縁層１５３を貫通する第３ビア導体１６３で接続されている。第２配線板１０及び第３樹脂絶縁層１５３上にソルダーレジスト層１８０が被覆されている。ソルダーレジスト層１８０は、第２配線板１０の第４導体パターン７８を露出する開口径の相対的に小さな第１開口１８２Ａと、第４導体層１７４を露出する開口径の相対的に大きな第２開口１８２Ｂを有する。第１開口１８２Ａから露出される第４導体パターン７８は第１パッド１８４Ａを形成し、該第１パッド１８４ＡにＭＰＵ９２−ＤＲＡＭ９４間の信号伝送用の第１半田バンプ１８６Ａが形成されている。第２開口１８２Ｂから露出される第４導体層１７４は第２パッド１８４Ｂを形成し、該第２パッド１８４ＢにＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４を実装するための第２半田バンプ１８６Ｂが形成されている。第１パッド１８４Ａと第１半田バンプ１８６Ａとの間、第２パッド１８４Ｂと第２半田バンプ１８６Ｂとの間には、図示されないニッケルめっき層と金めっき層とが形成されている。第１樹脂絶縁層１５１の第２面Ｓには開口１４６が形成され、該開口１４６内に第１導体層１７１上のパッド１４８Ｐが形成されている。パッド１４８Ｐの表面に図示されないニッケルめっき層と金めっき層、または、耐食膜が形成されている。プリント配線板の第２面Ｓ側は、開口１４６内に図示されない半田バンプを形成するソルダーレジスト層の無い構造である。
【００１３】
第１実施形態のプリント配線板１１０は、第１配線板１００と、この第１配線板１００の内部に配置された第２配線板１０を含んでいる。第２配線板１０は、多層プリント配線板の配線ルールではなく、後に詳述するようにＩＣやＬＳＩなどの半導体素子の配線ルールに従って配線設計されたものであり、第１配線板１００よりも、配線の密度の指標である、ラインとスペースの比を示すＬ／Ｓ（ラインスペース）が微細になるように設計されている。ここで、ラインはパターン幅、スペースはパターン間の間隙を示す。具体的には、ラインとスペースの比を示すＬ／Ｓ（ラインスペース）が１／１〜５／５（μｍ）、好ましくは３／３〜５／５（μｍ）になるように高い配線密度に形成されている。これは、本実施形態の第１配線板１００を含む通常の多層プリント配線板のＬ／Ｓが１０／１０（μｍ）程度であることに比較すると微細なレベルである。
【００１４】
第１配線板１００は、半導体素子であるＭＰＵ９２及びＤＲＡＭ９４の電源端子Ｖｄｄへの電源の供給ラインと、信号の伝送ラインとを含む（図３参照）。
【００１５】
図４（Ａ）は第２配線板１０の断面を示す。
第２配線板１０は、ガラス板（支持板）３０と、ガラス板３０上の第１絶縁層４０と、第１絶縁層４０上の第１導体パターン４８と、第１導体パターン４８上の第２絶縁層５０と、第２絶縁層５０上の第２導体パターン５８と、第２導体パターン５８上の第３絶縁層６０と、第３絶縁層６０上の第３導体パターン６８と、第３導体パターン６８上の第４絶縁層７０と、第４絶縁層７０上の第４導体パターン７８と、を有する。第１導体パターン４８と第２導体パターン５８とは第２絶縁層５０を貫通するビア導体５６で接続されている。第２導体パターン５８と第３導体パターン６８とは第３絶縁層６０を貫通するビア導体６６で接続されている。第３導体パターン６８と第４導体パターン７８とは第４絶縁層７０を貫通するビア導体７６で接続されている。絶縁層４０、５０、６０，７０には、ポリイミド、フェノール系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂のいずれかが絶縁材として使用できる。第２配線板１０は、第３樹脂絶縁層１５３を所定領域で貫通して形成された開口１４５内に収容されている。
【００１６】
図４（Ｂ）に第２配線板１０の一部が拡大されて示される。
ガラス板３０の熱膨張係数は３．３ｐｐｍである。ガラス板３０の厚みＤ１は２０〜３０mmである。第１絶縁層４０の厚みｄ２は、４．６μｍである。第２絶縁層５０の厚み（第１導体パターン４８と第２導体パターン５８との絶縁距離）ｄ３は、２μｍである。第３絶縁層６０、第４絶縁層７０の厚みも第２絶縁層５０とほぼ等しい。第１導体パターン４８の厚みｔ１、第２導体パターン５８の厚みｔ２、第３導体パターン６８の厚みｔ３は２μｍである。第４導体パターン７８の厚みｔ４は５μｍである。ガラス板上に形成された第２配線板を形成する絶縁層及び導体パターンの総合厚みＤ２は２１．６μｍである。ガラス板３０の厚みＤ１と第２配線板を形成する絶縁層及び導体パターンの総合厚みＤ２とはほぼ等しいことが好ましい。ガラス板３０の厚みＤ１は、第２配線板を形成する絶縁層及び導体パターンの総合厚みＤ２の０．５〜１．５倍であることが好ましい。これにより、第２配線板に導体パターンの信頼性を保つのに十分な剛性を持たせながら、第１配線板１００側の樹脂絶縁層とガラス板との剛性差に起因する絶縁層のクラックが生じないレベルに剛性を抑えることができる。なお、ガラス板３０は研磨により厚みが調整されることができる。
【００１７】
第２配線板１０は、電源の供給ラインを含まず、導体パターン４８、５８、６８により形成される信号の伝送ライン１２（図３参照）のみを含んでおり、ＭＰＵ９２とＤＲＡＭ９４との間の信号の伝送に使用される。
詳しくは、伝送ライン１２は、ＭＰＵ９２とＤＲＡＭ９４との間の信号の伝送に使用され、ＭＰＵ９２及びＤＲＡＭ９４への電源の供給には使用されない。ＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４の電源端子Ｖｄｄは、第１配線板１００の第２半田バンプ１８６Ｂ（図２参照）に電気的に接続され、外部の直流電源から電源が供給される。ＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４のグランド端子Ｇｎｄは、第１配線板１００の別の第２半田バンプを介してグランドに接続される。
【００１８】
第１実施形態のように第２配線板１０が下から２層目の第２樹脂絶縁層１５２上に配置されていることにより、ソルダーレジスト層１８０によって、第２配線板１０の上表面に生じうる小さな陥没の影響が低減され、第１半田バンプ１８６Ａの高さが均一化されるようになる。また、第２配線板１０がソルダーレジスト層上に形成されている場合と比較して、第１実施形態のプリント配線基板は応力による損傷に対して強い構造になっている。
【００１９】
ビア導体５６、６６、７６の直径（絶縁層上面での径）は、１０μｍ、好ましくは８μｍ以上１２μｍ以下であることがよい。ビアランドは２０μｍ、好ましくは１６μｍ以上２４μｍ以下であることがよい。ビア導体の直径をこのような微小なサイズとすることにより、第２配線板１０での導体パターン４８、５８、６８により形成される伝送ライン１２（図３参照）の配線取り回しの自由度が向上し、例えば、伝送ライン１２で、第２配線板１０の左右の辺の一方辺側から多くの配線が取り出される。
【００２０】
第１実施形態のプリント配線板１１０において、第１配線板１００は、第１配線板１００よりも高い配線密度とされた、半導体素子間の信号伝送用の第２配線板１０を内蔵する。多層プリント配線板である第１配線板１００の設計の自由度を向上させることができる。例えば、電源系及び信号系の配線の全てが配線板の特定の部位に集中することを回避することができる。また、例えば、電子部品の周辺の電子部品が存在しない領域では、導体が存在せず樹脂のみ存在することを避けることができる。
【００２１】
第１実施形態のプリント配線板１１０によれば、ガラス板３０上に、第１絶縁層４０、第１導体パターン４８、第２絶縁層５０、第２導体パターン５８の形成された第２配線板１０が第１配線板１００に配置される。ガラス板を有することで第２配線板１０の剛性が高く、第２配線板１０と第１配線板１００との界面での剛性差に起因する第１導体パターン４８、第２導体層１５２、第３導体層１５３の信頼性の低下が生じ難い。
【００２２】
第１実施形態のプリント配線板によれば、ガラス板３０上に形成される第１絶縁層４０、第２絶縁層５０、第３絶縁層６０、第４絶縁層７０の熱収縮のバラツキを±２μｍに制御できるため、バンプピッチが５５μｍ、４５μｍに設定されることができる。
【００２３】
以下、本実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一例が説明される。プリント配線板の製造プロセスは、第２配線板１０の製造プロセスと、第１配線板１００に第２配線板１０を実装する工程を含む第１配線板（多層プリント基板）の製造プロセスとからなる。
【００２４】
[第２配線板の製造方法]
図５（Ａ）に示されるように、ガラス板（支持板）３０が準備される。ガラス板３０は表面の平坦なガラスからなる。
【００２５】
図５（Ｂ）に示されるように、ガラス板３０上に、例えば樹脂からなる第１絶縁層４０（層間材：ＪＳＲ製ＷＰＲ５１００）が配置される。第１絶縁層４０とガラス板３０とは、例えば加熱処理により接着される。ここで、第１絶縁層４０とガラス板３０との間に接着層が形成されることもある。
【００２６】
図５（Ｃ）に示されるように、例えばセミアディティブ（ＳＡＰ）法により、第１絶縁層４０上に第１導体パターン４８が形成される。第１導体パターン４８は、第１導体膜４８ａと第２導体膜４８ｂとからなる。より詳しくは、第１導体膜４８ａは、ＴｉＮ層（下層）とＴｉ層（中間層）とＣｕ層（上層）の３層からなる。これらの金属層は、それぞれ、例えばスパッタ法によって形成されるので、微細とされた第１導体パターン４８と基材（第１絶縁層）４０との良好な密着性が確保される。また、第２導体膜４８ｂは、Ｃｕ層上の無電解銅めっき膜と、無電解銅めっき膜上の電解めっき膜とからなる。
【００２７】
第１導体パターン４８は、ラインとスペースの比を示すＬ／Ｓ（ラインスペース）が１μｍ／１μｍ〜５μｍ／５μｍ、好ましくは３μｍ／３μｍ〜５μｍ／５μｍになるように高い配線密度に形成される。ここで、ラインはパターン幅、スペースはパターン間の間隙を示す。ここでの配線密度は、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）などの半導体素子に配線を形成する場合と同等の配線ルールで形成される。
【００２８】
続いて、図５（Ｄ）に示されるように、第１絶縁層４０上に、例えばラミネート等により、第２絶縁層５０が形成される。第２絶縁層５０は、第１導体パターン４８を覆うように形成される。
【００２９】
続いて、例えばレーザにより、第２絶縁層５０に開口５２（ビアホール）が形成される（図６（Ａ））。開口５２は、第１導体パターン４８に到達し、その一部を露出させる。ここでの開口５２の直径（第２絶縁層表面での開口径）は、１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以上５μｍ以下の微小なサイズである。その後、必要に応じて、デスミアやソフトエッチがなされる。
【００３０】
続いて、例えばセミアディティブ（ＳＡＰ）法により、開口５２内にビア導体５６（フィルド導体）が形成されるとともに、第２絶縁層５０上に第２導体パターン５８が形成される（図６（Ｂ））。第２導体パターン５８及びビア導体５６はそれぞれ、第１導体膜５８ａと第２導体膜５８ｂとの２層からなる。より詳しくは、第１導体膜５８ａは、ＴｉＮ層（下層）とＴｉ層（中間層）とＣｕ層（上層）の３層からなる。また、第２導体膜５８ｂは、Ｃｕ層上の無電解銅めっき膜と、無電解銅めっき膜上の電解めっき膜とからなる。
【００３１】
これにより、図６（Ｃ）に示されるように、ガラス板３０上に、第３絶縁層６０、第４絶縁層７０、第３導体パターン６８、第４導体パターン７８、ビア導体６６、７６が形成され、第２配線板１０が完成する。
【００３２】
[第１配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板の製造方法が図８〜図１２に示される。
樹脂基板１２０に銅箔１３２を積層した銅張積層板（支持板）１３０と、銅箔１４２が準備される。銅張積層板１３０に銅箔１４２が接合される（図８（Ａ））。銅箔１４２上にめっきレジスト１３８が形成され、めっきレジスト１３８から露出する銅箔上にニッケルめっき膜１４０が形成される（図８（Ｂ））。ニッケルめっき膜１４０上に銅めっきから成る第１導体層１７１が形成される（図８（Ｃ））。めっきレジストが剥離される（図８（Ｄ））。銅箔１４２及び第１導体層１７１上に第１樹脂絶縁層１５１が形成される（図９（Ａ））。第１樹脂絶縁層１５１に第１導体層１７１に至るビア用開口１５０ａが形成される（図９（Ｂ））。ビア用開口１５０ａ内及び第１樹脂絶縁層の第２面上に無電解めっき膜１２６が形成される。図示しないめっきレジストが形成される。電解めっきでビア用開口１５０ａ内に第１ビア導体１６１が形成され、図示しないめっきレジストから露出する無電解めっき膜１２６上に電解めっき膜１２８が形成される。めっきレジストが除去され、電解めっき膜１２８から露出する無電解めっき膜１２６が除去され、電解めっき膜１２８と無電解めっき膜１２６とから成る第２導体層１７２が形成される（図９（Ｃ））。
【００３３】
図９（Ａ）〜図９（Ｃ）と同様な工程で、第１樹脂絶縁層１５１、第２導体層１７２上に第２樹脂絶縁層１５２、第３導体層１７３、第２ビア導体１６２が形成され、第１中間体１１１とされる（図１０（Ａ））。図１０（Ｂ）に示されるように、第２配線板１０が第１中間体１１１の第２樹脂絶縁層１５２の所定領域上に搭載される。ここで、第２配線板１０は、図示されない接着層を介して貼り付けられることもできる。
【００３４】
図１１（Ａ）に示されるように、第２樹脂絶縁層１５２上に第２配線板１０を通す開口１４５を有する第３樹脂絶縁層１５３が形成される。第３樹脂絶縁層１５３上に第４導体層１７４が形成され、第３樹脂絶縁層１５３を貫通する第３ビア導体１６３が形成される。
【００３５】
図１１（Ｂ）に示されるように第３樹脂絶縁層１５３上にソルダーレジスト層１８０が形成される。ソルダーレジスト層１８０は、第２配線板１０の第４導体パターン７８を露出する開口径の相対的に小さな第１開口１８２Ａと、第４導体層１７４を露出する開口径の相対的に大きな第２開口１８２Ｂを有する。第１開口１８２Ａから露出される第４導体パターン７８は第１パッド１８４Ａを形成し、第２開口１８２Ｂから露出される第４導体層１７４は第２パッド１８４Ｂを形成する。銅張積層板１３０の銅箔１４２上に第１樹脂絶縁層１５１、第２樹脂絶縁層１５２、第３樹脂絶縁層１５３、第２配線板１０、ソルダーレジスト層１８０を有する第２中間体１１２が形成される。
【００３６】
銅張積層板１３０と銅箔１４２上の第２中間体１１２とが分離される（図１２（Ａ））。銅箔１４２がエッチングで除去されると同時に、ニッケルめっき膜１４０が除去され、第１樹脂絶縁層１５１に第１導体層１７１のトップ面１７１ｔを露出させる開口１４６が形成される（図１２（Ｂ））。第１導体層１７１のトップ面１７１ｔが上述されたパッド１４８Ｐを形成する。
【００３７】
第１パッド１８４ＡにＭＰＵ９２−ＤＲＡＭ９４間の信号伝送用の第１半田バンプ１８６Ａが形成され、第２パッド１８４ＢにＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４を実装するための第２半田バンプ１８６Ｂが形成され、プリント配線板１１０が完成する（図１）。
【００３８】
第１半田バンプ１８６Ａ、第２半田バンプ１８６Ｂを介してＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４が実装される（図２）。
【００３９】
ここで、プリント配線板１１０にＭＰＵ９２、ＤＲＡＭ９４が実装された後、プリント配線板１１０が支持板１３０から分離されることも可能である。
【００４０】
第１実施形態の製造方法によれば、支持板１３０の両面に第１導体層１７１、第１樹脂絶縁層１５１、第２導体層１７２、第１ビア導体１６１、第２配線板の配置用の樹脂絶縁層（第２樹脂絶縁層）１５２を有する第１中間体１１１が形成され、第１中間体１１１に第２配線板１０が配置され、第２中間体１１２の完成後に第２中間体１１２が支持板１３０から分離される。即ち、支持板１３０の上下で対称構造の第２中間体１１２が形成されてから、支持板１３０から第２中間体１１２が分離され、プリント配線板とされる。支持板の上下で対称性があるため、製造時にプリント配線板に反りが生じ難い。
【００４１】
[第２実施形態]
図７（Ａ）は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板２１０の断面図であり、図７（Ｂ）は、第２実施形態に係るプリント配線板の第２配線板１１の断面図である。
第２実施形態に係るプリント配線板２１０では、第１配線板１００に図４（Ａ）に示す第２配線板１０からガラス板３０が剥離された状態の第２配線板１１が搭載される。
【００４２】
図１３は第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。
第１実施形態の図１０（Ａ）に示す第１中間体１１１が形成される（図１３（Ａ））。第１中間体１１１の第２樹脂絶縁層１５２上に、図４（Ａ）に示す第２配線板１０からガラス板３０が剥離された状態の第２配線板１１が搭載される（図１３（Ｂ））。以降の工程は第１実施形態と同様である。
【００４３】
第２実施形態の製造方法によれば、支持板１３０の両面に第１中間体１１１が形成され、第１中間体１１１に第２配線板１１が配置される。支持板の上下で対称性があるため、ガラス板を剥離した剛性の低い第２配線板１１を配置しても、第２配線板及びプリント配線板に反りが生じ難い。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
上述した実施形態では、３層の樹脂絶縁層を積層したプリント配線板を例示したが、２層または４層以上の樹脂絶縁層が積層されることも可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  第２配線板
３０  支持板
４２  銅箔
９２  ＭＰＵ
９４  ＤＲＡＭ
１００  第１配線板
１１０  プリント配線板
１５１  第１樹脂絶縁層
１６１  第１ビア導体
１７１  第１導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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