(57)【要約】【課題】温度制御された媒体を循環させる温調装置における所与量を超える漏水を検知する。【解決手段】温度制御された媒体を循環させる温調装置であって、前記温調装置における漏水を検知する漏水センサーと、前記温調装置における漏水を吸収する吸収材と、を有し、前記吸収材の少なくとも一部は、前記漏水センサーが配置された面内であって前記漏水センサーの近傍に配置される、温調装置が提供される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度制御された媒体を循環させる温調装置であって、
前記温調装置における漏水を検知する漏水センサーと、
前記温調装置における漏水を吸収する吸収材と、を有し、
前記吸収材の少なくとも一部は、前記漏水センサーが配置された面内であって前記漏水センサーの近傍に配置される、
温調装置。
【請求項２】
前記吸収材の材質は、ポリエステル、ナイロン、セルロース及び珪藻土の少なくともいずれかである、
請求項１に記載の温調装置。
【請求項３】
前記吸収材は、繰り返し使用可能である、
請求項１又は２に記載の温調装置。
【請求項４】
前記吸収材は、前記温調装置の循環機構が配置される側の、前記漏水センサーの周囲を囲むように配置される、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の温調装置。
【請求項５】
前記吸収材は、１００ｃｃ以下の水を吸収し、吸収した水を所与の時間内に蒸発させる、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の温調装置。
【請求項６】
前記温調装置における漏液を検知する漏液センサーを有し、
前記漏液センサーは、前記漏水センサーの近傍に配置される、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の温調装置。
【請求項７】
前記漏液センサーは、前記漏水センサーを挟んで前記吸収材の反対側に配置される、
請求項６に記載の温調装置。
【請求項８】
前記漏水センサーは、前記漏液センサーが配置された面を前記吸収材が配置された面から仕切るように配置される、
請求項６又は７に記載の温調装置。
【請求項９】
基板を載置する載置台と、温度制御された媒体を前記載置台に形成された流路に循環させる温調装置と、制御部と、を有する基板処理装置であって、
前記温調装置は、
前記温調装置における漏水を検知する漏水センサーと、
前記温調装置における漏水を吸収する吸収材と、を有し、
前記吸収材の少なくとも一部は、前記漏水センサーが配置された面内であって前記漏水センサーの近傍に配置され、
前記制御部は、
前記漏水センサーによる漏水の検知を受け付けた場合、漏水を知らせるアラームを出力する、
基板処理装置。
【請求項１０】
前記温調装置は、
前記温調装置における漏液を検知する漏液センサーを有し、
前記漏液センサーは、前記漏水センサーの近傍に配置され、
前記制御部は、
前記漏液センサーによる漏液の検知を受け付けた場合、漏液を知らせるアラームを出力する、
請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板を載置する載置台と、温度制御された媒体を前記載置台に形成された流路に循環させる温調装置と、を有する基板処理装置の漏れ検知方法であって、
前記温調装置は、
前記温調装置における漏水を検知する漏水センサーと、
前記温調装置における漏水を吸収する吸収材と、を有し、
前記吸収材の少なくとも一部は、前記漏水センサーが配置された面内であって前記漏水センサーの近傍に配置され、
前記漏水センサーによる漏水の検知を受け付ける工程と、
受け付けた前記漏水の検知に応じて漏水を知らせるアラームを出力する工程と、
を有する漏れ検知方法。
【請求項１２】
前記温調装置は、
前記温調装置における漏液を検知する漏液センサーを有し、
前記漏液センサーは、前記漏水センサーの近傍に配置され、
前記漏液センサーによる漏液の検知を受け付ける工程と、
受け付けた前記漏液の検知に応じて漏液を知らせるアラームを出力する工程と、
を有する請求項１１に記載の漏れ検知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、温調装置、基板処理装置及び漏れ検知方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、簡易な構成で冷媒温度を制御することができる冷却システム及び冷却方法を提供することを提案している。
【０００３】
例えば、特許文献２、３は、装置の小型化が可能な熱媒体循環装置を提供することを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１７５５１４号公報
【特許文献２】特開２００８−１１６１９９号公報
【特許文献３】特開２００３−１２１０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、温度制御された媒体を循環させる温調装置における所与量を超える漏水を検知することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一の態様によれば、温度制御された媒体を循環させる温調装置であって、前記温調装置における漏水を検知する漏水センサーと、前記温調装置における漏水を吸収する吸収材と、を有し、前記吸収材の少なくとも一部は、前記漏水センサーが配置された面内であって前記漏水センサーの近傍に配置される、温調装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、温度制御された媒体を循環させる温調装置における所与量を超える漏水を検知することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面模式図。
【図２】一実施形態に係るチラーユニットの一例を示す正面図及び背面図。
【図３】一実施形態に係るチラーユニットの漏水センサー及び漏液センサーの配置例を示す図。
【図４】一実施形態に係る吸収材の吸収率と厚みとの関係を示す図。
【図５】一実施形態に係る吸収材の表面積と蒸発時間との関係を示す図。
【図６】一実施形態に係る漏れ検知方法を実行する処理の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
［基板処理装置の全体構成］
（基板処理装置）
まず、本開示の一実施形態に係る基板処理装置１００の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１００の一例を示す断面模式図である。本実施形態では、チラーユニット３０により基板処理装置１００のウェハＷの温度が調整される。
【００１１】
基板処理装置１００は、処理容器１１０を有する。処理容器１１０は例えばアルミニウムから形成される。処理容器１１０の内壁面上には耐腐食性を有する膜が設けられている。処理容器１１０は接地されている。処理容器１１０内には、ウェハＷを載置する載置台１１１が設けられている。載置台１１１は、たとえばアルミニウムからなり、処理容器１１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１１６に支持されている。載置台１１１の上面にはウェハＷを静電吸着力で保持するための静電チャック１１２が設けられている。静電チャック１１２は、直流電圧が印加されることによりクーロン力でウェハＷをチャック上に吸着保持する。
【００１２】
載置台１１１の内部には流路１７０が形成されている。流路１７０には、流路１７０の入口に繋がる第１の配管１７１及び流路１７０の出口に繋がる第２の配管１７２を介してチラーユニット３０により温度制御された媒体が循環する。本実施形態では、チラーユニット３０により所望の温度に制御されたブラインが、チラーユニット３０、第１の配管１７１、流路１７０、第２の配管１７２の順に巡り、チラーユニット３０に戻る。これにより、ウェハの温度を所望の温度に制御できる。なお、流路１７０は載置台１１１の内部に形成されることに限られず、静電チャック１１２の内部に形成されてもよい。
【００１３】
処理容器１１０の底部には排気路１２０が設けられている。排気路１２０は、排気装置１２１に接続され、真空ポンプ等を用いて処理容器１１０内を所定の真空度に減圧する。処理容器１１０の側壁には、ウェハＷの搬送時に開閉するゲートバルブ１３０が取り付けられている。
【００１４】
高周波電源１３２は、整合器１３４を介して載置台１１１に、プラズマ生成用の高周波電力を印加する。高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲内の周波数である。シャワーヘッド１３８は、載置台１１１に対向して設けられている。シャワーヘッド１３８は接地電位となり、載置台１１１との間の高周波の放電によりプラズマが生成され、これにより、ウェハＷにエッチング処理等のプラズマ処理が施される。
【００１５】
シャワーヘッド１３８は、電極板１３６と電極板１３６を着脱可能に支持する電極支持体１３７とを有する。電極板１３６には多数のガス通気孔１３６ａが形成されている。電極支持体１３７の内部にはバッファ室１３５が設けられ、バッファ室１３５は多数のガス通気孔１３６ａに連通する。ガス供給源１４０から出力されたガスは、ガス供給配管１４２を通り、ガス導入口１３５ａからバッファ室１３５内に導入され、多数のガス通気孔１３６ａからシャワー状に処理容器１１０内に供給される。
【００１６】
基板処理装置１００は、制御部２００を有する。制御部２００は、プロセッサ、メモリ等の記憶部、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を有するコンピュータである。制御部２００は、基板処理装置１００の各部を制御する。制御部２００では、入力装置を用いて、オペレータが基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御部２００では、表示装置により、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示することができる。さらに、記憶部には、制御プログラム及びレシピデータが格納されている。制御プログラムは、漏れ検知方法等の各種処理を基板処理装置１００において実行するために、プロセッサによって実行される。プロセッサが制御プログラムを実行し、レシピデータに従って基板処理装置１００の各部を制御することで、ウェハＷ処理を制御したり、ウェハＷの温度を設定温度に制御するためにチラーユニット３０のブライン温度を制御したりすることができる。
【００１７】
（チラーユニット）
チラーユニット３０は、温度制御された媒体を循環させる温調装置の一例である。ブラインは、温度制御された媒体（流体）の一例である。ブラインには、フッ素系不活性液体を使用してもよいし、他の液体を使用してもよい。ブラインを温度制御する媒体は、フロン冷媒である。チラーユニット３０は、ブラインを貯蔵可能なタンク３７、熱交換部Ｍ、循環ポンプ３６、ヒーター３１及び回収容器３８を有する。熱交換部Ｍは、フロン冷媒が循環しており、熱交換器３２（蒸発器）、熱交換器３３（凝縮器）、膨張弁３４及びコンプレッサ３５を有する。
【００１８】
熱交換器３２は、外部から熱を吸収してフロン冷媒を蒸発させる機能を有する蒸発器である。熱交換器３３は、気体のフロン冷媒を液化させて熱を外部へ放出する機能を有する凝縮器である。膨張弁３４は、フロン冷媒を急激に膨張させることで、フロン冷媒を低温及び低圧にさせるように機能する。コンプレッサ３５は、フロン冷媒を圧縮し、フロン冷媒を高温及び高圧にさせるように機能する。
【００１９】
ブラインは、載置台１１１内の流路１７０を通り、第２の配管１７２を通ってチラーユニット３０に戻され、チラーユニット３０の入口からチラーユニット３０内の配管Ｒ１内を流れる。ブラインは熱交換器３２で熱を奪われて冷却される。フロン冷媒は、熱交換器３２において熱を吸収し、蒸発して気体になりコンプレッサ３５にて高温及び高圧のガスに圧縮されて熱交換器３３に送られる。熱交換器３３において、フロン冷媒は冷却水と熱交換し、熱を放出してガスから液体になり膨張弁３４において減圧されて熱交換器３２に戻る。
【００２０】
かかる構成により、所定の温度に制御されたブラインは、チラーユニット３０内の配管Ｒ２を通ってタンク３７に流れ、貯蔵される。タンク３７へ貯蔵されるブラインの量は、温度の安定性を担保できる量になっている。そして、ブラインは、循環ポンプ３６によってタンク３７から吐出し、配管Ｒ３を通り、ヒーター３１を用いて所望の温度に制御しながら第１の配管１７１を通って再び流路１７０を循環する。これにより、載置台１１１に載置されたウェハＷを所望の温度に調整できる。チラーユニット３０内の回収容器３８は、載置台１１１、配管１７１、配管１７２内のブラインを回収するときにブラインが貯蔵される容器である。なお、冷却水を通す配管を含む熱交換部Ｍは、温調装置の循環機構の一例である。また、ブラインを通す配管Ｒ１〜Ｒ３、熱交換部Ｍ、タンク３７、循環ポンプ３６の機構は、温調装置の循環機構の一例である。
【００２１】
図２にチラーユニット３０を模式的に示す。図２（ａ）はチラーユニット３０を正面から見た図であり、図２（ｂ）はチラーユニット３０を背面から見た図である。チラーユニット３０には、チラーユニット３０内における漏水を検知する漏水センサー５０、５１、５２及びチラーユニット３０内における漏液を検知する漏液センサー６０、６１、６２を有する。
【００２２】
チラーユニット３０は、上段の台８１と下段の台８２により第１の空間３０ａ、第２の空間３０ｂ、第３の空間３０ｃに分けられる。筐体８０は、タンク３７等を配置できるキャビネットであってもよい。ただし、図２は、チラーユニット３０内の循環ポンプ３６等の各部の配置の一例であり、筐体８０の段数や各部の配置はこれに限られない。
【００２３】
上段の台８１の上（第１の空間３０ａ）には、タンク３７、循環ポンプ３６、配管Ｒ３等が設置され得る。下段の台８２の上（第２の空間３０ｂ）には、熱交換部Ｍの各部、熱交換部Ｍと第２の配管１７２を繋ぐ配管Ｒ１、熱交換部Ｍとタンク３７を繋ぐ配管Ｒ２等が設置され得る。図２（ｂ）では熱交換部Ｍの内部及び配管Ｒ１〜Ｒ３の図示を省略している。
【００２４】
基板処理装置１００においてウェハＷを処理する間、チラーユニット３０内は冷却により氷結状態に制御され、チラーユニット３０内に結露は発生しない。しかしながら、基板処理装置１００のメンテナンス時には、基板処理装置１００及びチラーユニット３０を停止させるため、チラーユニット３０内の温度が低温から常温に変化し、チラーユニット３０内に結露水が生じる。
【００２５】
例えば、第１の空間３０ａに発生した結露水は、図２（ａ）及び（ｂ）と、上段の台８１の対角線上のコーナーを示す図３（ａ）及び（ｂ）を参照すると、上段の台８１に設けられた穴４４、４７のいずれかから下段に流れる。そして、第１の空間３０ａから下段に流れた結露水や第２の空間３０ｂにて発生した結露水は、図２（ａ）及び下段の台８２を示す図３（ｃ）を参照すると、下段の台８２に設けられた穴４６から最下段の第３の空間３０ｃに流れる。
【００２６】
なお、以下では、冷却水等が漏れること及び結露水が発生することを「漏水」といい、ブラインが漏れることを「漏液」という。ブラインが配管Ｒ１〜Ｒ３等から漏れた場合にも同様に、穴４４、４７、４６のいずれかから下に向かって第３の空間３０ｃへ流れる。第３の空間３０ｃは、例えば１５リットルまでの漏水及び漏液を溜めることができる。
【００２７】
図３（ａ）及び（ｂ）に示す上段の台８１の対角線上のコーナーには、漏水センサー５０及び漏液センサー６０が一対で配置され、漏水センサー５２及び漏液センサー６２が一対で配置されている。より詳しくは、図３（ａ）に示すように、穴４４が形成された上段の台８１の一つのコーナーには、当該コーナーを三角の領域に仕切る帯状の漏水センサー５０が配置されている。また、漏水センサー５０を挟んで穴４４の反対側であって三角の領域内には漏液センサー６０が配置されている。漏水センサー５０と漏液センサー６０とは離隔し、漏水センサー５０は、漏液センサー６０が配置された面を吸収材４０が配置された面から仕切るように配置されている。また、図３（ｂ）に示すように、対角線上のコーナーには、当該コーナーを三角の領域に仕切る帯状の漏水センサー５２が配置されている。また、漏水センサー５２を挟んで穴４７の反対側であって三角の領域内に漏液センサー６２が配置されている。漏水センサー５２と漏液センサー６２とは離隔し、漏水センサー５２は、漏液センサー６２が配置された面を吸収材４０が配置された面から仕切るように配置されている。
【００２８】
更に、図３（ｃ）に示す下段の台８２の一つのコーナーには、当該コーナーを三角の領域に仕切る帯状の漏水センサー５１が配置されている。また、漏水センサー５１を挟んで穴４６と同じ側であって三角の領域内に漏液センサー６１が配置されている。漏水センサー５１と漏液センサー６１とは離隔し、漏水センサー５１は、漏液センサー６１が配置された面を吸収材４０が配置された面から仕切るように配置されている。
【００２９】
このように漏水センサー５０〜５２を配置することにより、漏水は漏水センサー５０〜５２により咳止められる。これにより、漏水が漏液センサー６０〜６２に接触することを防止できる。
【００３０】
なお、漏水センサーは３つに限られないが、少なくとも一つの漏水センサーがチラーユニット３０内に配置される必要がある。一方、漏液センサーは、必ずしもチラーユニット３０内に配置されていなくてもよい。ただし、漏液センサーで検知可能なブラインと、漏水センサーで検知可能な水とを区別して検知させることが好ましいため、漏水センサーだけでなく一つ以上の漏液センサーをチラーユニット３０に配置することが好ましい。漏水センサー及び漏液センサーの配置は、一対にしてコーナーに配置することに限られない。ただし、漏水センサー及び漏液センサーは、穴４４，４６，４７の近くであって互いが近傍になるように配置されることが好ましい。また、図３（ａ）〜（ｃ）に示す結露水の流れに従い、結露水が漏液センサーに接触することを防止可能な位置に漏水センサーを配置することが好ましい。
【００３１】
かかる構成のチラーユニット３０において、メンテナンス時に内部が約２５℃の室温まで昇温したときに生じる少量の結露水、例えば５０〜１００ｃｃ程度の結露水を漏水センサー５０〜５２が検知すると、漏水センサーは漏水を知らせるアラームを出力する。そうすると、５０〜１００ｃｃ程度の少量の結露水では特に問題はないにもかかわらず、本来検知すべき１００ｃｃを超える漏水との区別がつかずにアラームを出力する。このため、監視負担が増えるとともに、その都度アラームの解除等の作業が生じ、煩雑である。本来検知すべき１００ｃｃを超える漏水では、チラーユニット３０内に配置された導線間に水が介在することによって漏電等が発生する等の問題が生じる。このため、１００ｃｃを超える漏水が生じた場合には、少なくとも漏水センサー５０〜５２のいずれかが漏水を検知し、漏水を知らせるアラームを出力することが好ましい。一方、１００ｃｃ以下の結露水では以上のような問題は生じないため、漏水を知らせるアラームを出力しないことが好ましい。
【００３２】
そこで、本実施形態に係るチラーユニット３０内には、１００ｃｃ以下の結露水、例えば５０〜１００ｃｃ程度の結露水を吸収する吸収材を配置する。これにより、チラーユニット３０内において発生した５０〜１００ｃｃの結露水は、吸収材により吸収されるため、５０〜１００ｃｃ程度の結露水に対して漏水センサーはアラームを出力しない。一方、１００ｃｃを超える漏水は、吸水材により吸収しきれないため、漏水センサーが検知し、漏水を知らせるアラームを出力することができる。
【００３３】
なお、本実施形態では、チラーユニット３０内における１００ｃｃを超える漏水を検知する。しかしながら、１００ｃｃは、チラーユニット３０において検知する「所与量」の一例であり、「所与量」は１００ｃｃに限られない。例えば、「所与量」は、５０〜１００ｃｃの範囲のいずれかであってもよいし、１００〜１５０ｃｃの範囲のいずれかであってもよいし、２００〜３００ｃｃの範囲のいずれかであってもよいし、１００ｃｃ以上の所望の値であってもよい。つまり、「所与量」は、メンテナンス時に基板処理装置１００を停止させて、チラーユニット３０を停止させると、チラーユニット３０内にて問題が生じる漏水の量よりも小さい値に設定される。これにより、メンテナンス時に発生する所与量を超える漏水に対して漏水センサーはアラームを出力し、メンテナンス時に発生する少量の結露水に対して漏水センサーはアラームを出力しないようにすることができる。
【００３４】
図２及び図３に示すチラーユニット３０の場合、上段の台８１のタンク３７や循環ポンプ３６や配管Ｒ３が配置されていない領域にシート状の吸収材４０を貼りつける。加えて、下段の台８２の熱交換部Ｍの各部や配管Ｒ１、Ｒ２が配置されていない領域にシート状の吸収材４１を貼りつける。吸収材４０、４１は、チラーユニット３０内にて発生した結露水を吸収する。また、吸収材４０、４１は、チラーユニット３０内にて発生したブライン等の液体を吸収することも可能である。本実施形態では、最大で１００ｃｃの水を吸収材４０、４１により吸収させることができるように吸収材４０、４１の厚み、体積及び材質等が設計される。
【００３５】
吸収材４０、４１の少なくとも一部は、チラーユニット３０の漏水センサー５０〜５２に向かう水の経路（図３の結露水の流れの矢印を参照）に配置され得る。吸収材４０、４１の少なくとも一部は、漏水センサー５０〜５２が配置された上段の台８１及び下段の台８２の面内であって漏水センサー５０〜５２の近傍に配置される。チラーユニット３０の漏水センサー５０〜５２に向かう水の経路は、上段の台８１の面内であって漏水センサー５０、５１にて区切られたコーナー領域以外の面及び下段の台８２の面内であって漏水センサー５２にて区切られたコーナー領域以外の面であり得る。なお、上段の台８１及び下段の台８２は、穴４４、４７、４６に向かって下がるように傾斜していてもよい。
【００３６】
吸収材４０、４１は、上段の台８１及び下段の台８２のいずれの面にも配置されることが好ましい。これにより、吸収材４０、４１は、上段の台８１及び下段の台８２において第１の空間３０ａ及び第２の空間３０ｂにて発生した漏水をそれぞれ吸収することができる。また、吸収材４０、４１は、チラーユニット３０の各部が配置される側の、漏水センサー５０〜５２の周囲を囲むように配置されることが好ましい。
【００３７】
漏液センサー６０〜６２は、漏水センサー５０〜５２の近傍に配置される。具体的には、漏液センサー６０〜６２のそれぞれは、対になる漏水センサー５０〜５２のそれぞれを挟んで吸収材４０、４１の反対側に配置され、漏液センサー６０〜６２に所与量以下の結露水が到達しないようになっている。
【００３８】
制御部２００は、漏水センサー５０〜５２による漏水の検知を受け付けた場合、漏水を知らせるアラームを出力する。アラームは、音及び表示の少なくともいずれかであってもよい。
【００３９】
また、制御部２００は、漏液センサー６０〜６２による漏液の検知を受け付けた場合、漏液を知らせるアラームを出力する。アラームは、音及び表示の少なくともいずれかであってもよい。
【００４０】
［吸収材］
吸収材４０、４１は、漏水センサー５０〜５２において１００ｃｃ以下の結露水を吸収できる部材である。これにより、チラーユニット３０内における１００ｃｃを超える漏水を検知することができる。これにより、１００ｃｃ以下の結露水に対して漏水センサー５０〜５２が反応しないため、本来検知すべき量の漏水のみを検知できる。
【００４１】
また、吸収材４０、４１は、１００ｃｃ以下の吸収した結露水を所定時間内に蒸発させることが可能な部材であってもよい。これにより、吸収材４０、４１は、繰り返し使用することが可能となる。
【００４２】
つまり、吸収材４０、４１は、例えば１００ｃｃ以下の結露水を吸収するとともに、吸収した結露水を所定時間内に蒸発させて、別途脱水等の作業を行うことなく繰り返し使える材質であることが好ましい。吸収材４０、４１は、例えば、ポリエステル、ナイロン、セルロース及び珪藻土の少なくともいずれかであってもよい。
【００４３】
（吸収材の厚み）
吸収材４０、４１が１００ｃｃ以下の結露を吸収するために必要な吸収材４０、４１の厚さを算出した結果を図４に示す。図４は、一実施形態に係る吸収材の吸収率と厚みとの関係を示す図である。
【００４４】
吸収率をＰ、吸収材４０、４１を設置可能な面積をＡ（ｃｍ２）とする。吸収材４０、４１を設置可能な面積とは、図２の例では、上段の台８１及び下段の台８２の表面積のうち、チラーユニット３０の循環ポンプ３６等の各部が置かれておらず、且つ、漏水センサーによって区切られた三角のコーナー領域を除いた面積である。
【００４５】
必要な吸収材４０、４１の厚みＸは、吸収量／吸収率／設置可能面積で算出できる。たとえば、吸収量を５０ｃｃとしたとき、吸収材４０、４１に必要な厚みをＸ１（ｃｍ）とすると、厚さＸ１は、５０／Ｐ／Ａにて示される。また、吸収量を１００ｃｃとしたとき、吸収材４０、４１に必要な厚さをＸ２（ｃｍ）とすると、厚さＸ２は、１００／Ｐ／Ａにて示される。
【００４６】
チラーユニット３０内の上段の台８１及び下段の台８２において、吸収材４０、４１を設置可能な面積が合計で６００（ｃｍ２）であったとする。以上の計算式を用いて吸収材の吸収率に応じた吸収材の厚みを計算した結果を図４に示す。
【００４７】
これによれば、吸収材４０、４１の吸収率が０．２〜０．６であり、吸収量が５０ｃｃの場合の吸収材４０、４１の厚みは０．４２ｃｍ〜０．１４ｃｍとなった。また、吸収材４０、４１の吸収率が０．２〜０．６であって、吸収量が１００ｃｃの場合の吸収材４０、４１の厚みは、０．８３ｃｍ〜０．２８ｃｍとなった。以上の計算では、吸収率が０．２〜０．６であって吸収量が５０ｃｃ及び１００ｃｃの場合に必要な容積（ｃｃ）を約１００〜５００ｃｃの範囲の値とした。
【００４８】
以上から、チラーユニット３０内に吸収材４０、４１を設置できる面積が６００ｃｍ２の場合、吸収率が０．２〜０．６のポリエステルを吸収材４０、４１に使用したとき、吸収材４０、４１の厚みは０．１４ｃｍ〜０．８３ｃｍの範囲で決定できる。つまり、吸収材４０、４１の厚みは０．１４ｃｍ〜０．８３ｃｍの範囲で５０ｃｃ〜１００ｃｃの吸収量に応じて決定できる。これにより、吸収材４０、４１によって１００ｃｃ以下の漏水の吸収が可能になる。
【００４９】
（蒸発時間）
次に、吸収材４０、４１に吸収された漏水の蒸発時間について、図５を参照しながら説明する。図５は、一実施形態に係る吸収材の表面積と蒸発時間との関係を示す図である。図５（ａ）は、吸収材の吸収率と吸収量に応じた厚みをもつ吸収材の表面積の合計を示す。吸収率が０．２〜０．６のとき、吸収材４０、４１の表面積の合計は、吸収量が５０ｃｃの場合には６８１．９〜６２７．３（ｃｍ２）であり、吸収量が１００ｃｃの場合には７６３．８〜６５４．６（ｃｍ２）であった。ただし、吸収材４０、４１の表面積の合計において、吸収材４０、４１が上段の台８１及び下段の台８２と接触する底面の面積は除いている。図２に示すように、吸収材４０、４１の底面は上段の台８１及び下段の台８２に設置されているため、底面から吸収した水を蒸発させることはできないためである。
【００５０】
吸収された水の温度を３０℃、吸収材４０、４１が置かれた空間の温度を２５℃（室温）に設定したときの単位時間における水面１ｃｍ２当たりの蒸発量は０．０３８４（ｃｃ／ｈ）である。
【００５１】
吸収材４０、４１の表面積の合計をＳ（ｃｍ２）とすると、吸収材４０、４１の表面からの蒸発量Ｖ（ｃｃ／ｈ）は、Ｖ＝０．０３８４×Ｓで算出できる。５０ｃｃ、１００ｃｃの結露水の完全に蒸発させるためにかかる時間をＴ１、Ｔ２（ｈ）とすると、Ｔ１＝５０／Ｖ、Ｔ２＝１００／Ｖで算出できる。
【００５２】
この結果、算出した完全蒸発時間を図５（ｂ）に示す。吸収率が０．２〜０．６のとき、表面積の合計が６８１．９〜６２７．３（ｃｍ２）の吸収材４０、４１から５０ｃｃの水を完全に蒸発させるためにかかる時間は、１．９〜２．１（ｈ）であった。また、吸収率が０．２〜０．６のとき、表面積の合計が７６３．８〜６５４．６（ｃｍ２）の吸収材４０、４１から１００ｃｃの水を完全に蒸発させるためにかかる時間は、３．４〜４．０（ｈ）であった。
【００５３】
以上から、許容量まで結露水を吸収した吸収材４０、４１が完全に乾くには、最大４時間が必要なことがわかった。
【００５４】
結露水が発生するタイミングは、チラーユニット３０内が低温から常温へ昇温するときである。チラーユニット３０の運転のタイミングは、Ａ：プロセス中（運転）→Ｂ：メンテナンス中（停止）→Ｃ：プロセス中（運転）→Ｄ：メンテナンス中（停止）・・・となる。よって、チラーユニット３０内の温度は、Ａ：低温→Ｂ：常温→Ｃ：低温→Ｄ：常温・・・となる。通常、チラーユニット３０を停止してメンテナンスを行った後（Ａ→Ｂの昇温後）、次のＣ→Ｄの昇温が実施されるまでに２４時間以上要する。
【００５５】
よって、許容量まで漏水を吸収した吸収材４０、４１は、最大４時間で完全に乾燥するため、次に昇温が行われるタイミングまでには乾燥している。このため、吸収材４０、４１は、別途脱水等の作業を行うことなく、何度でも繰り返し使用可能である。
【００５６】
［漏れ検知方法］
次に、一実施形態に係る漏れ検知方法について、図６を参照しながら説明する。図６は、一実施形態に係る漏れ検知方法を実行する検知方法処理のフローチャートの一例を示す。本処理が開始されると、制御部２００は、メンテナンスを実行するかを判定する（ステップＳ１）。
【００５７】
制御部２００は、メンテナンスを実行しないと判定すると、本処理を終了する。一方、制御部２００は、メンテナンスを実行すると判定すると、基板処理装置１００及びチラーユニット３０を停止する（ステップＳ３）。
【００５８】
次に、制御部２００は、漏水センサーにより漏水が検出されたか否かを判定する（ステップＳ５）。制御部２００は、漏水センサーにより漏水が検出されたと判定した場合、冷却水の漏れ等が発生していると判定し（ステップＳ７）、漏水を知らせるアラームを出力し（ステップＳ９）、処理を終了する。
【００５９】
一方、ステップＳ５において、制御部２００は、漏水センサーにより漏水が検出されなかったと判定した場合、漏液センサーにより漏液が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１１）。制御部２００は、漏液センサーにより漏液が検出されたと判定した場合、ブラインの漏れ等が発生していると判定し（ステップＳ１３）、漏液を知らせるアラームを出力し（ステップＳ１５）、処理を終了する。一方、ステップＳ１１において、制御部２００は、漏液センサーにより漏液が検出されなかったと判定した場合、処理を終了する。
【００６０】
以上に説明したように、本実施形態の漏れ検知方法によれば、漏水センサーによりチラーユニット３０内における１００ｃｃを超える漏水を検知することができる。また、漏液センサーによりチラーユニット３０内におけるブラインの漏液を検知することができる。
【００６１】
本実施形態では、漏水センサーにより漏水が検出された場合、漏液センサーによる漏液の検出の判定を行わずに、漏水を知らせるアラームを出力して処理を終了したが、これに限られない。例えば、ステップＳ９において漏水を知らせるアラームを出力した後、ステップＳ１１に進み、ステップＳ１１の判定処理を行うことによって、漏水を知らせるアラームを出力した後に、漏液の判定を行い、必要に応じて漏液を知らせるアラームを出力してもよい。
【００６２】
最後に、吸収された水の温度を３０℃、吸収材４０、４１が置かれた空間の温度を２５℃（室温）に設定したときの水面１ｃｍ２当たりの蒸発量「０．０３８４（ｃｃ／ｈ）」の算出方法について説明する。
【００６３】
水面１ｃｍ２当たりの蒸発量（ｋｇ／ｈ）は、以下の式（１）によって算出できる。
水面１ｃｍ２当たりの蒸発量（ｋｇ／ｈ）＝（２５＋１９ｖ）×（Ｘｗ−Ｘａ）×Ａ・・（１）
式（１）のｖは水面気流速度（ｍ／ｓ）、Ｘｗは水温と同温度の空気の飽和絶対湿度（ｋｇ／ｋｇＤＡ）、Ｘａは室内の絶対湿度（ｋｇ／ｋｇＤＡ）、Ａは水面の表面積（ｍ２）である。
【００６４】
室温２５℃、室内相対湿度＝６０％のとき、室内絶対湿度＝０．０１１８５（ｋｇ／ｋｇＤＡ）、水面気流速度＝０（ｍ／ｓ）、３０℃の空気の飽和絶対湿度＝０．０２７２（ｋｇ／ｋｇＤＡ）とすると、
水面１ｃｍ２当たりの蒸発量＝（２５＋１９×０）×（０．０２７２−０．０１１８５）×１（ｍ２）≒０．３８（ｋｇ／ｈ・ｍ２）となる。
【００６５】
よって、水面１ｃｍ２当たりの蒸発量＝０．３８／１００００≒０．０３８４（ｇ／ｈ・ｃｍ２）となる。
【００６６】
今回開示された一実施形態に係る温調装置、基板処理装置及び漏れ検知方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００６７】
本開示の基板処理装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP),Inductively Coupled Plasma(ICP),Radial Line Slot Antenna(RLSA), Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR),Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
【００６８】
また、基板処理装置の一例としてプラズマ処理装置を挙げて説明したが、基板処理装置は、基板に所定の処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す装置であればよく、プラズマ処理装置に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６９】
３０        チラーユニット
３１        ヒーター
３２        熱交換器（蒸発器）
３３        熱交換器（凝縮器）
３４        膨張弁
３５        コンプレッサ
３６        循環ポンプ
３７        タンク
３８        回収容器
５０、５１、５２  漏水センサー
６０、６１、６２  漏液センサー
１００      基板処理装置
１１０      処理容器
１１１      載置台
１１２      静電チャック
１１６      筒状支持部
１３８      シャワーヘッド
１７０      流路
１７１      第１の配管
１７２      第２の配管
２００      制御部
Ｍ          熱交換部
Ｗ          ウェハ
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３  配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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