(57)【要約】【課題】基板上の異物検査をより広い範囲で行うために有利な技術を提供する。【解決手段】基板上の異物検査を行う検査装置は、前記基板上に光束を照射する照射部と、前記照射部によって前記基板上に照射された光束が前記基板上の異物で散乱されることで生じた散乱光を検出する第１検出部と、前記照射部によって前記基板上に照射された光束が前記基板で正反射されることで生じた正反射光を検出する第２検出部と、前記照射部からの光束を前記基板上で走査しながら、前記第１検出部で検出された前記散乱光に基づいて前記基板上の異物の位置を特定する処理を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記第２検出部で検出された前記正反射光の強度が閾値以下となる前記基板の領域に光束を照射しないように前記照射部を制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の異物検査を行う検査装置であって、
前記基板上に光束を照射する照射部と、
前記照射部によって前記基板上に照射された光束が前記基板上の異物で散乱されることで生じた散乱光を検出する第１検出部と、
前記照射部によって前記基板上に照射された光束が前記基板で正反射されることで生じた正反射光を検出する第２検出部と、
前記照射部からの光束を前記基板上で走査しながら、前記第１検出部で検出された前記散乱光に基づいて前記基板上の異物の位置を特定する処理を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記第２検出部で検出された前記正反射光の強度が閾値以下となる前記基板の領域に光束を照射しないように前記照射部を制御する、ことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２検出部で検出された前記正反射光の強度が閾値以下となる前記基板の領域を非検査領域とし、前記処理において前記非検査領域に光束を照射しないように前記照射部を制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記処理を行いながら、前記第２検出部で検出された前記正反射光に基づいて前記非検査領域を決定する、ことを特徴とする請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記処理を行いながら、前記第２検出部で検出された正反射光の強度が閾値以下となったときに前記光束の照射を停止するように前記照射部を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記処理を行う前に、前記基板上で前記光束を走査しながら前記第２検出部に前記正反射光を検出させることにより前記非検査領域を決定する、ことを特徴とする請求項２に記載の検査装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１検出部への光の入射を遮断した状態において、前記非検査領域を決定する、ことを特徴とする請求項５に記載の検査装置。
【請求項７】
前記第１検出部への光の入射を遮断する遮光部を更に含む、ことを特徴とする請求項６に記載の検査装置。
【請求項８】
前記照射部は、光束を射出する光源を含み、
前記制御部は、前記処理において、前記第２検出部で検出された前記正反射光の強度が閾値以下となる前記基板の領域に光束を照射しないように、前記光源からの光束の射出を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項９】
前記第２検出部は、前記基板の中央部に前記照射部からの光束が照射されたときの前記正反射光を検出するように配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記照射部は、前記基板上に光束を斜入射させる、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の検査装置と、
前記検査装置により異物検査が行われた基板上にパターンを形成する形成部と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、を含み、
加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上の異物検査を行う検査装置、それを用いたリソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造するためのリソグラフィ装置では、基板上に異物が付着していると、基板上に形成されるデバイスパターンの不良を招くとともに、デバイス製造の歩留まりが低下しうる。特に、インプリント装置では、モールドと基板上のインプリント材とを接触させるため、基板上に異物が付着していると、基板上に形成されるパターンの欠損だけでなく、モールドの破損をも招くことがある。そのため、リソグラフィ装置では、例えば、基板上にレーザ光を照射し、基板上の異物での散乱光を検出器で検出することにより、基板上の異物検査を行う異物検査装置が用いられうる。
【０００３】
異物検査装置では、基板上に付着した微小な異物による微弱な散乱光を検出することができるように、例えば光電子増倍管などの高感度な検出器が用いられる。しかしながら、このような検出器を用いる場合、基板のエッジ部からの反射光など、異物での散乱光より非常に高い強度の光が検出器に入射すると、検出器の出力が飽和してしまい、異物の検査を再開可能な状態になるまでに相応の時間を要しうる。特許文献１には、異物の検査を行わない基板のエッジ部（周縁部）の幅を、表示装置上の設定画面を介して予め設定しておき、設定されたエッジ部の幅に基づいて、シャッタにより検出器への光の入射を遮断する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３２６２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、リソグラフィ装置には、基板の周縁部に配置されたショット領域においてもデバイスパターンを形成することが求められているため、異物検査装置では、基板上の異物検査を可能な限り広範囲に行うことが好ましい。しかしながら、異物検査装置では、基板の形状バラツキや、基板を保持するステージ上への基板搬送誤差、レーザ光と基板との相対位置誤差などが生じることがある。そのため、特許文献１に記載された方法では、基板のエッジ部からの反射光が検出器に入射することを防止するため、それらの誤差を考慮してエッジ部の幅を余分に設定する必要があった。
【０００６】
そこで、本発明は、基板上の異物検査をより広い範囲で行うために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての検査装置は、基板上の異物検査を行う検査装置であって、前記基板上に光束を照射する照射部と、前記照射部によって前記基板上に照射された光束が前記基板上の異物で散乱されることで生じた散乱光を検出する第１検出部と、前記照射部によって前記基板上に照射された光束が前記基板で正反射されることで生じた正反射光を検出する第２検出部と、前記照射部からの光束を前記基板上で走査しながら、前記第１検出部で検出された前記散乱光に基づいて前記基板上の異物の位置を特定する処理を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記第２検出部で検出された前記正反射光の強度が閾値以下となる前記基板の領域に光束を照射しないように前記照射部を制御する、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、基板上の異物検査をより広い範囲で行うために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の検査装置の構成を示す図（側面図）である。
【図２】第１実施形態の検査装置の構成を示す図（上面図）である。
【図３】検査装置の変形例を示す図である。
【図４】基板上にレーザ光を照射したしたときの反射光の経路を説明するための図である。
【図５】第１実施形態の検査装置における処理フローを示す図である。
【図６】レーザ光の照射開始位置を示す図である。
【図７】第２実施形態の検査装置の構成を示す図（上面図）である。
【図８】第２実施形態の検査装置における処理フローを示す図である。
【図９】非検査領域の決定方法を説明するための図である。
【図１０】インプリント装置の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下では、鉛直方向と平行な方向をＺ方向とし、水平方向と平行な面内において互いに直行する２つの方向をＸ方向、Ｙ方向として説明する。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の検査装置について説明する。本実施形態の検査装置は、基板上で光束（例えばレーザ光）を走査しながら基板上の異物検査を行う装置である。具体的には、光束の照射位置を基板上で移動させた場合において、基板上に付着した異物（パーティクル）に光束が照射されると、該異物によって光束の散乱光が発生する。したがって、検査装置は、散乱光が検出されたときの光束の照射位置を異物の付着位置として特定することにより、基板上の異物検査を行うことができる。
【００１３】
［検査装置の構成］
図１、図２は、第１実施形態の検査装置１００の構成を示す図である。図１は、検査装置１００の側面図を示し、図２は、検査装置１００の上面図を示している。検査装置１００は、例えば、基板Ｗを保持してＸＹ方向に移動可能なステージ１０と、照射部２０と、第１検出部３０と、第２検出部４０と、制御部ＣＮＴとを含みうる。制御部ＣＮＴは、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、検査装置１００の各部を制御する。本実施形態の制御部ＣＮＴは、異物Ｐの付着位置を特定する処理を行う処理部としての機能を有するが、それに限られるものではなく、処理部と制御部とが別々に構成されてもよい。
【００１４】
照射部２０（照射光学系）は、基板上にレーザ光５１（光束）を照射する機構であり、例えば、レーザ光５１を射出する光源２１と、光源２１から射出されたレーザ光５１を走査する走査部２２とを含みうる。本実施形態の照射部２０は、レーザ光５１を基板上に斜入射させるように構成されている。
【００１５】
光源２１は、例えば半導体レーザなどを含み、基板上に照射されるレーザ光５１を射出（出力）する。光源２１に半導体レーザを用いることにより、例えば１００ＭＨｚ以上の高周波数でレーザ光５１の射出／非射出（つまり、レーザ出力のＯＮ／ＯＦＦ）を応答性よく制御することができる。ここで、光源２１は、例えば、基板上に供給（塗布）された感光材（例えばレジスト）を感光させない波長帯のレーザ光５１を射出するように構成されるとよい。例えば、インプリント装置では、基板上のインプリント材を硬化させるためにＵＶ光が使用されるため、光源２１は、該インプリント材を硬化させない波長（例えば４００ｎｍ以上）のレーザ光５１を射出するように構成されるとよい。また、光源２１は、基板Ｗのプロセス条件（例えばレーザ光の波長に対する反射率など）に応じて、レーザ出力強度を任意に変更することができる機能を有することが好ましい。
【００１６】
走査部２２は、例えばポリゴンミラー２２ａおよびｆθレンズ２２ｂを含み、光源２１から射出されたレーザ光５１を基板上に照射するとともに、基板上でレーザ光５１（具体的には、レーザ光５１の照射位置）をＸ方向に走査する。ポリゴンミラー２２ａは、図２に示すように、複数のミラー面を有する多面体（図２では４面体）のミラーブロックを有しており、ミラーブロックを任意の速度で等速回転させることにより、レーザ光５１を等角度走査することができる。ポリゴンミラー２２ａは、１００００〜３００００回転／分で高速かつ一定速度で常時回転する必要があるため、耐久性の優れたエア軸受の駆動機構が一般に使用されうる。また、ｆθレンズ２２ｂは、例えばテレセントリック型のレンズであり、ポリゴンミラー２２ａにより等角度走査されたレーザ光５１を、基板上でＸ方向に等速走査させる機能を有する。
【００１７】
第１検出部３０は、基板上に照射されたレーザ光５１の散乱光５２を検出する。第１検出部３０は、基板上に付着した異物Ｐによる散乱光５２の一部を検出するように配置され、例えば、基板上に付着した異物Ｐでの後方反射、もしくは側方反射を検出する位置に配置されることが好ましい。また、第１検出部３０は、基板上に付着した微小な異物Ｐ（例えば、最小粒径が１０ｎｍのパーティクル）による微弱な散乱光５２を検出することができるように、例えば光電子増倍管などの高感度な検出器を含みうる。光電子増倍管は、検出器内部の光電陰極で生成された電子が高電圧により加速され、さらに２次電子を生成する数段のダイノードに衝突させる。そして、最終段のダイノードを通過するまでに蓄積された電流を、増幅された信号としてアノードに集めることで、基板上の異物Ｐでの散乱光５２などの非常に微弱な強度の光を検出することができる。
【００１８】
第２検出部４０は、基板上に照射されたレーザ光５１の正反射光５３を検出する。第２検出部４０は、例えば集光素子４１と受光センサ４２とを含み、照射部２０により基板上に照射されたレーザ光５１の正反射光５３を集光素子４１によって受光センサ４２に集光し、受光センサ４２で検出する。集光素子４１としては、例えば、図２に示すように、正反射光５３を透過・屈曲して受光センサ４２に集光する集光レンズ４１ａが用いられてもよい。また、図３（ａ）に示すように、正反射光５３を反射して受光センサ４２に集光する反射ミラー４１ｂが用いられてもよい。さらに、第２検出部４０は、図３（ｂ）に示すように、集光素子４１を含まずに、Ｘ方向に延伸したライン状の受光センサ４２’（ラインセンサ）を含む構成としてもよい。
【００１９】
制御部ＣＮＴ（処理部）は、例えば、ステージ１０の位置決め制御、照射部２０の光源２１におけるレーザ出力のＯＮ／ＯＦＦ制御、およびポリゴンミラー２２ａの回転制御など、検査装置１００における各部の制御を行う。また、制御部ＣＮＴは、基板上でレーザ光５１を走査しながら、第１検出部３０で散乱光が検出されたときのレーザ光５１の照射位置を異物Ｐの付着位置として特定する処理（以下、異物検査処理と呼ぶことがある）を制御する。基板上でのレーザ光の走査は、例えば、図２に示すように、走査部２２によってレーザ光５１の照射位置を基板上で第１方向ｄ１（Ｘ方向）に移動させることと、基板Ｗを保持するステージ１０を第２方向ｄ２（Ｙ方向）に移動させることとによって行われうる。第１方向ｄ１および第２方向ｄ２は、本実施形態では互いに直行する方向であるが、互いに交差する方向であればよい。また、異物Ｐの付着位置の特定は、例えば、第１検出部３０で散乱光が検出されたときのポリゴンミラー２２ａ（ミラーブロック）の回転角と、Ｙ方向におけるステージ１０の位置とから求めることができる。ステージ１０の位置は、例えばエンコーダやレーザ干渉計などを有する位置計測部（不図示）によって計測されうる。
【００２０】
ここで、異物Ｐの付着位置の特定は、第１検出部３０から出力された連続的なアナログ電気信号をディジタル信号に変換して信号処理を行うことによって行われてもよい。信号処理の一例としては、第１検出部３０で検出された散乱光の光強度信号（ガウス分布）の重心を求める。そして、求めた重心の位置を、Ｙ方向へのステージ１０の位置に相当するＸ方向へのレーザ光５１の走査回数と、レーザ光５１の走査開始位置からのデータサンプリング数とに基づいて、基準位置に対する座標として算出する。基準位置としては、例えば、基板Ｗの中心位置や、ステージ１０の重心位置などが用いられうる。
【００２１】
［異物検査処理］
本実施形態の検査装置１００では、上述したように、基板上に付着した微小な異物Ｐによる微弱な散乱光５２を検出することができるように、光電子倍増管などの高感度な検出器が第１検出部３０に設けられている。しかしながら、このように構成された第１検出部３０では、基板Ｗのエッジ部での反射光など、異物Ｐでの散乱光より非常に高い強度の光が入射すると、第１検出部３０の出力が飽和してしまい、異物Ｐの検査を再開可能な状態になるまでに相当の時間を要しうる。また、検査装置１００には、基板上の異物検査を可能な限り広範囲に行うことが求められている。そこで、本実施形態の検査装置１００は、第２検出部４０で検出された正反射光５３の強度が閾値以下となる基板Ｗの領域を非検査領域とし、異物検査処理において非検査領域にレーザ光５１を照射しないように照射部２０を制御する。
【００２２】
まず、第２検出部４０で検出される正反射光５３の強度に基づいて非検査領域を決定する原理について説明する。図４は、基板上にレーザ光５１を照射したしたときの反射光の経路を説明するための図であり、図中には、第１検出部３０および第２検出部４０が図示されている。異物検査を行う対象の基板Ｗは、図４に示すように、一般に、平坦な表面を有する中央部ｋ１と、中央部ｋ１を取り囲むエッジ部ｋ２とを含みうる。また、エッジ部ｋ２は、中央部ｋ１に対して表面が傾斜している第１エッジ部ｋ２ａと、中央部ｋ１および第１エッジ部ｋ２ａに比べて表面粗さが大きい第２エッジ部ｋ２ｂとを含みうる。
【００２３】
図４（ａ）に示すように、平坦な表面を有する中央部ｋ１にレーザ光５１が照射された場合では、鉛直方向（Ｚ方向）に対するレーザ光５１の照射角度θ１と反射角度θ２ａは略同じとなる。第２検出部４０は、中央部ｋ１にレーザ光５１を照射したときの正反射光５３を検出することができるように配置される。一方、基板上でレーザ光５１を走査し、図４（ｂ）に示すように、表面が傾斜している第１エッジ部ｋ２ａにレーザ光５１が照射された場合を想定する。この場合、鉛直方向（Ｚ方向）に対するレーザ光５１の照射角度θ１と反射角度θ２ｂが異なり、正反射光５３が第２検出部４０に入射しなくなる。つまり、第２検出部４０で検出される正反射光５３の強度が大きく低下することとなる。また、基板上でレーザ光５１を更に走査し、図４（ｃ）に示すように、表面粗さが大きい第２エッジ部ｋ２ｂにレーザ光５１が照射された場合を想定する。この場合、第２エッジ部ｋ２ｂに照射されたレーザ光５１が乱反射を起こし、正反射光５３が第２検出部４０に入射しないとともに、基板Ｗからの反射光の一部５４が第１検出部３０に入射しうる。
【００２４】
そのため、本実施形態の検査装置１００は、第２検出部４０で検出される正反射光５３の強度が閾値以下となったときのレーザ光５１の照射位置より外側の領域を、異物検査を行わない非検査領域として決定する。つまり、図４に示す例では、第１エッジ部ｋ２ａの一部と第２エッジ部ｋ２ｂとを非検査領域として決定する。そして、このように決定された非検査領域では、光源２１におけるレーザ出力を停止（ＯＦＦ）するなどにより、レーザ光５１を照射しないように照射部２０を制御する。これにより、第２エッジ部ｋ２ｂでの反射光の一部５４が第１検出部３０に入射することを防止することができる。
【００２５】
ここで、閾値ＴＨは、任意に設定可能であるが、散乱光５２に起因する正反射光５３の強度低下によって非検査領域が決定されないように設定されるとよい。例えば、正反射光５３が第２検出部４０に入射する場合と入射しない場合とを区別（識別、判断）することができるように設定されるとよい。
【００２６】
次に、本実施形態の検査装置１００における処理フローについて説明する。図５は、第１実施形態の検査装置１００における処理フローを示す図である。本実施形態では、異物検査処理中に非検査領域を決定する例について説明する。ここで、図５に示す処理フローの各工程は、制御部ＣＮＴによって制御されうる。
【００２７】
Ｓ１１では、制御部ＣＮＴは、ステージ１０上に基板Ｗを搬送するように基板搬送部（不図示）を制御する。例えば、制御部ＣＮＴは、基板Ｗの位置や外形を示す情報を取得し、その情報に基づいて、ステージ１０上への基板Ｗの搬送を制御することができる。基板Ｗの位置や外形を示す情報は、不図示の計測部（プリアライメント部）により、基板Ｗに設けられたノッチやオリエンテーションフラットの位置を計測したり、基板Ｗに形成されたアライメントマークを計測したりすることによって得られうる。
【００２８】
Ｓ１２では、制御部ＣＮＴは、基板上へのレーザ光の照射を開始すべき照射開始位置を設定する。例えば、制御部ＣＮＴは、基板上へのレーザ光の照射を開始したときの正反射光が第２検出部４０で検出されるように、基板Ｗの中央部ｋ１に照射開始位置６１を設定するとよい。図６（ａ）に示すように照射開始位置６１ａが設定された場合には、破線矢印で示される走査経路６２でレーザ光が走査されうる。
【００２９】
Ｓ１３では、制御部ＣＮＴは、Ｓ１２で設定された基板上の照射開始位置６１に基づいて、基板上の異物検査を行う。Ｓ１３の工程では、制御部ＣＮＴは、ポリゴンミラー２２ａの回転（例えば等速回転）とＹ方向へのステージ１０の移動（例えば等速移動）を行いながら、光源２１のレーザ出力のＯＮ／ＯＦＦを制御する。また、制御部ＣＮＴは、Ｓ１３の工程中、第１検出部３０で散乱光が検出されたときのレーザ光の照射位置を異物Ｐの付着位置として逐次記憶する。以下に、Ｓ１３の具体的な工程（Ｓ１３−１〜Ｓ１３−４）について説明する。
【００３０】
Ｓ１３−１では、制御部ＣＮＴは、Ｓ１２で設定された基板上の照射開始位置６１においてレーザ光の照射が開始されるように、ポリゴンミラー２２ａの回転角に応じて、光源２１のレーザ出力を開始（ＯＮ）する。Ｓ１３−２では、制御部ＣＮＴは、第２検出部４０で検出された正反射光の強度が閾値以下となったか否かを判定する。正反射光の強度が閾値以下になっていない場合にはＳ１３−２を繰り返す。一方、正反射光の強度が閾値以下になった場合にはＳ１３−３に進み、制御部ＣＮＴは、光源２１のレーザ出力を停止（ＯＦＦ）する。即ち、Ｓ１３−３では、制御部ＣＮＴは、正反射光の強度が閾値以下になったときのレーザ光の照射位置より外側の領域を非検査領域として決定し、その非検査領域にレーザ光が照射されないように、照射部２０によるレーザ光の照射を停止する。
【００３１】
Ｓ１３−４では、制御部ＣＮＴは、ポリゴンミラー２２ａの回転角とＹ方向におけるステージ１０の位置とに基づいて、Ｓ１２で設定された照射開始位置６１に基づく異物検査が終了したが否かを判定する。異物検査が終了していないと判定した場合にはＳ１３−１〜Ｓ１３−３を繰り返し行う。一方、異物検査が終了したと判定した場合にはＳ１４に進む。
【００３２】
Ｓ１４では、制御部ＣＮＴは、基板全面での異物検査が終了したか否かを判定する。基板全面での異物検査が終了していないと判定した場合にはＳ１２に戻り、照射開始位置６１を基板上に再設定する。例えば、２回目以降のＳ１２の工程では、制御部ＣＮＴは、図６（ｂ）〜（ｄ）に示すように、ステージ１０により基板Ｗを回転させて、基板Ｗの中央部ｋ１に照射開始位置６１ｂ〜６１ｄを設定する。図６（ｂ）〜（ｄ）では、レーザ光を走査して既に異物検査が行われた領域Ｒが示されている。このように異物検査を行う対象領域を変更してＳ１２〜Ｓ１４の工程を繰り返し行うことにより、基板全面での異物検査を行うことができる。
【００３３】
Ｓ１４の工程において、基板全面での異物検査が終了したと判定した場合にはＳ１５に進む。Ｓ１５では、制御部ＣＮＴは、Ｓ１３の工程中に得られた第１検出部３０での検出結果に基づいて、基板上における異物Ｐの付着位置を示す情報を生成する。該情報は、基板上における異物Ｐの付着位置の座標を示すテーブルであってもよいし、基板上における異物Ｐの付着位置を他の部分の色と異なる色で表すなど、基板上における異物の付着位置を強調表示した分布（グラフ）などであってもよい。また、Ｓ１６では、制御部ＣＮＴは、ステージ１０上から基板Ｗを搬出するように基板搬送部（不図示）を制御する。
【００３４】
上述したように、本実施形態の検査装置１００では、基板上に照射されたレーザ光の正反射光を検出する第２検出部４０が設けられる。そして、異物検査処理中において、第２検出部４０で検出された正反射光の強度が閾値以下となったときに、照射部２０によるレーザ光の照射を停止する。これにより、基板Ｗのエッジ部からの反射光など、非常に高い強度の光が第１検出部３０に入射することを防止するとともに、基板上における広範囲にわたって異物検査を行うことができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。第１実施形態では、基板上でレーザ光を走査しながら、第１検出部３０による散乱光の検出結果に基づいて異物Ｐの付着位置を特定する異物検査処理と、第２検出部４０による正反射光の検出結果に基づいて非検査領域を決定する処理とを並行して行った。第２実施形態では、第１検出部３０への光の入射を遮断した状態において非検査領域の決定処理を行った後に、異物検査処理を行う例について説明する。
【００３６】
まず、第２実施形態の検査装置２００の構成について説明する。図７は、第２実施形態の検査装置２００の構成を示す図（上面図）である。本実施形態の検査装置２００では、第１実施形態の検査装置１００と比べて、第１検出部３０への光の入射を遮断する遮光部３１が更に設けられている。遮光部３１は、例えば、第１検出部３０への入射光（例えば基板からの散乱光や反射光）を遮断する遮光板３１ａと、第１検出部３０への入射光の光路に遮光板３１ａを挿入したり抜去したりするように遮光板３１ａを駆動する駆動部３１ｂと含みうる。ここで、第２実施形態の検査装置２００は、遮光部３１以外の構成は第１実施形態の検査装置１００と同様である。
【００３７】
次に、第２実施形態の検査装置２００における処理フローについて説明する。図８は、第２実施形態の検査装置における処理フローを示す図である。図８に示す処理フローの各工程は、制御部ＣＮＴによって制御されうる。
【００３８】
Ｓ２１では、制御部ＣＮＴは、ステージ１０上に基板Ｗを搬送するように基板搬送部（不図示）を制御する。Ｓ２１の工程は、第１実施形態で説明したＳ１１の工程と同様である。
【００３９】
Ｓ２２では、制御部ＣＮＴは、ポリゴンミラー２２ａ（ミラーブロック）の回転とＹ方向へのステージ１０の移動を行うことによりレーザ光を走査しながら、第２検出部４０による正反射光の検出結果に基づいて非検査領域の決定処理を行う。Ｓ２２の工程では、光源２１のレーザ出力を常時ＯＮした状態で行われ、第１検出部３０による散乱光の検出結果に基づいた異物検査は行われない。したがって、Ｓ２２の工程は、第１検出部３０に光が入射しないように、遮光部３１によって第１検出部３０への光の入射が遮断された状態で行われる。以下に、Ｓ２２の具体的な工程（Ｓ２２−１〜Ｓ２２−４）について説明する。
【００４０】
Ｓ２２−１では、制御部ＣＮＴは、第１検出部３０への光の入射が遮断されるように遮光部３１を制御する。具体的には、制御部ＣＮＴは、第１検出部３０への入射光の光路に遮光板３１ａが挿入されるように駆動部３１ｂを制御する。Ｓ２２−２では、制御部ＣＮＴは、ポリゴンミラー２２ａの回転とＹ方向へのステージ１０の移動とを開始するとともに、光源２１のレーザ出力をＯＮし、レーザ光の走査を開始する。Ｓ２２−３では、制御部ＣＮＴは、第２検出部４０で検出される正反射光の強度が閾値ＴＨを跨いだか否かを判定する。正反射光の強度が閾値ＴＨを跨いでいない場合にはＳ２２−３を繰り返す。一方、正反射光の強度が閾値ＴＨを跨いだ場合にはＳ２２−４に進む。
【００４１】
Ｓ２２−４では、制御部ＣＮＴは、第２検出部で検出される正反射光の強度が閾値以下となる基板上の領域を非検査領域として決定する。例えば、図９（ａ）に示す走査経路６３でレーザ光を走査すると、基板上の２つの位置６４ａ、６４ｂにおいて、第２検出部４０で検出される正反射光の強度が閾値ＴＨを跨ぐこととなる。位置６４ａは、図９（ｂ）に示すように、第２検出部４０で検出される正反射光の強度が閾値ＴＨを跨いで増加する位置である。したがって、制御部ＣＮＴは、レーザ光の照射位置が位置６４ａに配置される前のレーザ光の走査領域を非検査領域として決定することができる。一方、位置６４ｂは、図９（ｃ）に示すように、第２検出部４０で検出される正反射光の強度が閾値ＴＨを跨いで減少する位置である。したがって、制御部ＣＮＴは、レーザ光の照射位置が位置６４ｂに配置された後のレーザ光の走査領域を非検査領域として決定することができる。
【００４２】
Ｓ２２−５では、制御部ＣＮＴは、基板全面においてレーザ光を走査したか否かを判定する。基板全面においてレーザ光を走査していない場合にはＳ２２−３に戻る。一方、基板全面においてレーザ光を走査した場合にはＳ２２−６に進む。Ｓ２２−６では、制御部ＣＮＴは、第１検出部３０への光の入射の遮断を解除するように遮光部３１を制御する。具体的には、制御部ＣＮＴは、第１検出部３０への入射光の光路から遮光板３１ａを抜去するように駆動部３１ｂを制御する。このように、Ｓ２２−１〜Ｓ２２−６の工程を行うことにより、制御部ＣＮＴは、レーザ光の照射を行わない非検査領域を決定するとともに、非検査領域以外の基板上の領域を、レーザ光を照射して異物の検査を行う検査対象領域として決定することができる。
【００４３】
Ｓ２３では、制御部ＣＮＴは、Ｓ２２で決定された非検査領域および検査対象領域に基づいて、基板上の異物検査を行う。Ｓ２３の工程では、制御部ＣＮＴは、ポリゴンミラー２２ａの回転とＹ方向へのステージ１０の移動を行っている状態において、光源２１のレーザ出力のＯＮ／ＯＦＦを制御することによって行われる。具体的には、制御部ＣＮＴは、検査対象領域にはレーザ光が照射され、かつ非検査領域にレーザ光が照射されないように、光源２１のレーザ出力のＯＮ／ＯＦＦを制御する。また、制御部ＣＮＴは、Ｓ２３の工程中、第１検出部３０で散乱光が検出されたときのレーザ光の照射位置を異物Ｐの付着位置として逐次記憶する。そして、制御部ＣＮＴは、基板全面（検査対象領域）における異物検査が終了した場合にはＳ２４に進む。
【００４４】
Ｓ２４では、制御部ＣＮＴは、Ｓ２３の工程中における第１検出部３０での検出結果に基づいて、基板上における異物Ｐの付着位置を示す情報を生成する。また、Ｓ２５では、制御部ＣＮＴは、ステージ１０上から基板Ｗを搬出するように基板搬送部（不図示）を制御する。
【００４５】
上述したように、本実施形態の検査装置２００では、第１検出部３０への光の入射を遮断した状態において非検査領域の決定処理を行った後に、第１検出部３０による散乱光の検出結果に基づいて異物検査処理を行う。このような方法においても、第１実施形態と同様に、基板Ｗのエッジ部からの反射光など、非常に高い強度の光が第１検出部３０に入射することを防止するとともに、基板上における広範囲にわたって異物検査を行うことができる。
【００４６】
＜リソグラフィ装置の実施形態＞
基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置に異物検査装置を設ける例について説明する。リソグラフィ装置としては、マスクのパターンを基板に転写する露光装置、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、荷電粒子線を基板に照射して該基板にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。特に、インプリント装置では、モールドと基板上のインプリント材とを接触させるため、基板上に異物が付着していると基板上に形成されるパターンの欠損だけでなく、モールドの破損をも招くことがある。そのため、インプリント装置の場合、基板上にインプリント材のパターンを形成する前に、基板上に異物の付着がないかを検査することが必要である。
【００４７】
図１０は、異物検査装置を有するインプリント装置３００の構成例を示す図である。インプリント装置３００は、例えば、異物検査装置３１０と、搬送部３２０と、インプリント部３３０とを含みうる。異物検査装置３１０としては、例えば、第１実施形態の検査装置１００または第２実施形態の検査装置２００が用いられうる。搬送部３２０は、例えば、基板Ｗを保持して搬送する搬送アームを含み、異物検査装置３１０で異物検査が行われた基板Ｗをインプリント部３３０に搬入する。
【００４８】
インプリント部３３０は、異物検査が行われた基板上にパターンを形成する形成部である。具体的には、インプリント部３３０は、基板上に供給されたインプリント材と、凹凸パターンが形成されたモールドとを接触させた状態で、該インプリント材を硬化させることにより、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント部３３０は、例えば、モールドＭを保持するインプリントヘッド３３１と、基板Ｗを保持する基板ステージ３３２と、基板上にインプリント材を供給する供給部３３３と、光を照射して基板上のインプリント材を硬化させる硬化部３３４とを含みうる。また、インプリント部３３０は、インプリント処理を制御するための制御部３３５を含みうる。インプリント部３３０の制御部３３５と、異物検査装置３１０の制御部ＣＮＴとは、一体として構成されてもよいし、別体として構成されてもよい。
【００４９】
インプリント部３３０は、基板Ｗにおける複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行う。この際、インプリント部３３０は、基板上における異物の付着位置を示す情報を異物検査装置３１０から取得し、その情報に基づいて各ショット領域のインプリント処理を制御しうる。例えば、異物の存在するショット領域をエラーショットとしてインプリント処理を行わなかったり、異物を除去するための処理を行ったりすることができる。また、基板Ｗに付着している異物がモールドＭを破損しない程度の大きさであることが当該情報から認識可能である場合には、各ショット領域にインプリント処理を行った後に、異物を有するショット領域をエラーショットとして情報を記憶することもできる。
【００５０】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板上に上記のリソグラフィ装置を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０：ステージ、２０：照射部、２１：光源、２２：走査部、３０：第１検出部、４０：第２検出部、１００，２００：検査装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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