(57)【要約】【課題】気相成長型の成膜法を用いて製造する膜構造体であっても、内部構造を備えることのできる膜構造体製造方法を提供する。【解決手段】気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有することを特徴とする膜構造体の製造方法。【選択図】図２
2020139208.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有することを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項２】
前記第ｎ＋１基材を形成する工程では、前記第ｎ膜構造体の少なくとも一部を前記第ｎ＋１基材の外表面に露出させていることを特徴とする請求項１に記載の膜構造体の製造方法。
【請求項３】
気相成長型の成膜法により基材の表面に成膜を行い、前記基材を除去することで立体形状を得る膜構造体であって、
外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有することを特徴とする膜構造体。
【請求項４】
気相成長型の成膜法により基材の表面に成膜を行い、前記基材を除去することで立体形状を得る膜構造体であって、
外殻を成す外膜構造体の内部に、内膜構造体を備え、
前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有していることを特徴とする膜構造体。
【請求項５】
前記内膜構造体は、中実構造であることを特徴とする請求項３または４に記載の膜構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長型の成膜技術により構成される立体形状を持つ膜構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
耐環境性に優れ、化学的安定性が高いことより、特に半導体素子製造の分野において、半導体製造時におけるウェハボートやチューブ、およびダミーウェハといった超高温下で利用される治具や製品として、ＳｉＣにより構成されている膜単体により構成された構造体が需要を高めている。
【０００３】
こうしたＳｉＣ膜により構成される構造体（以下、ＳｉＣ膜構造体と称す）は、例えば特許文献１に開示されているようにして構成される。すなわち、グラファイト等により構成された基材の外表面にＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの気相成長法を用いてＳｉＣ膜を形成した後、基材を除去するという方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１５８６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
確かに、特許文献１に開示されているような方法によれば、立体形状を持つＳｉＣ膜構造体を得ることができる。しかし、特許文献１に開示されているような方法で製造される構造体は、外殻構造のみを持つものに限られてしまう。このため、強度上、形態上の理由からサイズや用途が限られてしまうという問題があった。
【０００６】
そこで本発明では、気相成長型の成膜法を用いて製造する膜構造体であっても、内部構造を備えることのできる膜構造体製造方法、および膜構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体の製造方法は、気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
また、上記のような特徴を有する膜構造体の製造方法において前記第ｎ＋１基材を形成する工程では、前記第ｎ膜構造体の少なくとも一部を前記第ｎ＋１基材の外表面に露出させるようにしても良い。このような特徴を有することによれば、内部構造物の一部を外部に露出させることが可能となる。
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体は、気相成長型の成膜法により基材の表面に成膜を行い、前記基材を除去することで立体形状を得る膜構造体であって、外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体は、気相成長型の成膜法により基材の表面に成膜を行い、前記基材を除去することで立体形状を得る膜構造体であって、外殻を成す外膜構造体の内部に、内膜構造体を備え、前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有していることを特徴とするものであっても良い。
【００１１】
また、上記のような特徴を有する膜構造体において、前記内膜構造体は、中実構造としても良い。このような特徴を有する場合であっても、内部構造を備えることに変わりないからである。
【発明の効果】
【００１２】
上記のような特徴を有する膜構造体の製造方法によれば、気相成長型の成膜法を用いて製造する膜構造体であっても、内部構造を備えることのできる膜構造体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態に係る内部構造を備えた膜構造体の一例を示す図である。
【図２】実施形態に係る内部構造を備えた膜構造体の製造方法を説明するための図である。
【図３】内部構造が中実部材である場合の構成例を示す図である。
【図４】外膜構造体と内膜構造体とを別体として構成する場合の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の膜構造体の製造方法、および膜構造体に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下に示す実施の形態は、本発明を実施する上での好適な形態の一部であり、発明特定事項を備える範囲において、構成の一部を変更したとしても、本発明の一部とみなすことができる。
【００１５】
［構成］
まず、図１を参照して、本実施形態に係る膜構造体１０について説明する。本実施形態に係る膜構造体１０は、外膜構造体１２と、内膜構造体１４とを有する。外膜構造体１２は、膜構造体１０の外殻を成す構造体であり、気相成長型の成膜法により形成された膜により構成されている。膜は、ＣＶＤ法やＰＶＤ（ＰｈｙｓｉｃａｌＶａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：物理気相成長）法、およびＭＢＥ（ＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ：分子線エピタキシー）法などの技法により成膜される膜であり、少なくとも自立可能な強度を有していることが好ましい。
【００１６】
膜の構成素材としては、ＳｉＣ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ：炭化ケイ素）などの気相成長型の成膜法で形成することのできる素材であれば良い。なお、外膜構造体１２の具体的形態は問うものではなく、内膜構造体１４の少なくとも一部を覆う形態であれば良い。一例として、図１に示すものは、筒状体の両端に端板１２ａ，１２ｂを備え、一方の端板１２ｂに開口部を有する形態としている。
【００１７】
内膜構造体１４は、外膜構造体１２の内部に立体形状を構成する構造体である。その構成は外膜構造体１２と同様に、気相成長型の成膜法により形成された膜によるものであれば良い。また、膜の構成素材については、外膜構造体１２と同素材とすることが望ましいが、異なる素材により構成しても良い。なお、外膜構造体１２と内膜構造体１４とが交差する面を有する接触構造である場合において、外膜構造体１２と内膜構造体１４とを異なる素材により構成する場合には、熱膨張率（線膨脹係数）が近似する素材を選定すると良い。加熱、あるいは冷却時における歪の発生を防ぐためである。
【００１８】
内膜構造体１４の具体的形態については、外膜構造体１２と同様に、問うものではない。一例として、図１に示すものは、筒状体であり、その一部を外膜構造体１２の内部空間に配置している。内膜構造体１４の露出部分は、外膜構造体１２の一方の端板１２ｂに備えられた開口部を介して外膜構造体１２の外部に露出する構造とされている。このため、内膜構造体１４は、外膜構造体１２の内部に、外膜構造体１２の構成面と交差する面を持つこととなる。
【００１９】
［製造方法］
次に、図２を参照して、上記のような特徴を有する膜構造体１０の製造方法について説明する。まず、内膜構造体１４の基材となる第１基材２０を形成する。図１に示す例の場合、第１基材２０は、円柱状の形態とし、成膜を行わない端部には、マスキング２２を施すこととする。第１基材２０の構成素材としては、加熱や薬液等により容易に除去することが可能なものであることが望ましい。一例として、グラファイトを挙げることができるが、タングステンやモリブデン、シリコンなどにより構成しても良い。
【００２０】
次に、ＣＶＤ法等の気相成長型の成膜法により、第１基材２０の表面に内膜構造体１４を構成する膜を形成する（図２（Ｂ）参照）。膜の構成素材は、原料により選択することができ、例えばＳｉＣ等により膜を構成することができる。
【００２１】
成膜完了後、図２（Ｃ）に示すように、内膜構造体１４の内包範囲を覆うようにして、外膜構造体１２の基材となる第２基材２４を形成する。第２基材２４の形成については、内膜構造体１４における内包範囲を覆うことができれば、その具体的な手法を問うものではない。例えば、ペースト状のカーボンを内膜構造体１４の外周に付着させ、これを硬化させた後に成形するという方法であっても良い。その他、内膜構造体１４を内包可能な型状に形成した第２基材２４を半割とし、これにより挟み込むという方法であっても良い。第２基材２４を形成した後、成膜を望まない範囲には、第１基材２０と同様に、マスキング２６を施す。図２（Ｃ）に示す例の場合、第２基材２４の外部に露出した内膜構造体１４の端部にマスキング２６を施す。
【００２２】
第２基材２４を形成し、必要に応じてマスキング２６を施した後、図２（Ｄ）に示すように、第２基材２４の表面、および露出している内膜構造体１４の一部に膜を形成する。成形する膜は、内膜構造体１４と同じ原料により構成されるものとしても良いが、異なる原料により構成されるものとすることもできる。
【００２３】
成膜により外膜構造体１２を構成した後、図２（Ｅ）に示すように、内膜構造体１４、および外膜構造体１２の内部に位置する基材（第１基材２０及び第２基材２４）を除去する。第１基材２０及び第２基材２４の除去は、使用した基材の構成素材と、膜の構成素材に適した手法とすれば良い。例えば、第１基材２０と第２基材２４の構成素材としてグラファイトを用い、内膜構造体１４、外膜構造体１２をＳｉＣにより構成した場合には、酸化雰囲気中において加熱するといった手法を採れば良い。
【００２４】
［効果］
上記のような特徴を有する膜構造体１０は、気相成長型の成膜法を用いて製造する膜構造体であっても、内膜構造体１４によって構成される内部構造を有することとなる。なお、図１に示す形態では、内膜構造体１４の中空部と、外膜構造体１２の中空部とが連通しているため、中空部へ繋がっている開口を１つ（内膜構造体１４により構成される貫通孔）としている。しかしながら、内膜構造体１４の中空部と、外膜構造体１２の中空部とが分断されている場合には、基材除去を行うために、それぞれの中空部に繋がる開口部を設ける必要がある。
【００２５】
［変形例］
また、上記実施形態では、外膜構造体１２と内膜構造体１４は、共に中空構造であるように記載した。しかしながら、内膜構造体１４は、必ずしも中空構造とする必要は無い。例えば、図３（Ａ）に示すように、柱状に構成された部材を内膜構造体１４としても良い。すなわち、内膜構造体１４は、気相成長型の成膜法により構成された部材であれば、中実構造であっても良い。
【００２６】
このような部材を内膜構造体１４とする場合、図３（Ａ）に示すように、複数の内膜構造体を孔空きブロックとして構成した基材２８の貫通孔２８ａに嵌め込み、その後に図３（Ｂ）に示すように、基材２８の外周に外膜構造体１２を構成する膜を形成する。そして、図３（Ｃ）に示すようにして基材２８の除去を行えば良い。このようにして形成した膜構造体１０は、内部に柱を備えることができ、耐過重性を向上させることができる。
【００２７】
また、上記実施形態では、内膜構造体１４は、外膜構造体１２の内部に、外膜構造体１２の構成面と交差する面を持つ旨記載した。しかしながら、内膜構造体１４を外膜構造体１２に内包する構造としつつ、図４に示すように両者を完全に別体として構成するようにしても良い。この場合、内膜構造体１４は、第２基材２４を除去するために外膜構造体１２に形成する開口部１２ｃの開口面積よりも大きな投影面を有する構造とすると良い。外膜構造体１２に形成した開口部１２ｃから、内膜構造体１４が排出されてしまう事を防ぐためである。なお、図４において、図４（Ａ）は、膜構造体１０の断面構成を示す図であり、同図（Ｂ）は、底面構成を示す図である。
【００２８】
また、上記実施形態では、基材は、第１基材２０と第２基材２４とし、各基材の外周に成膜を行い、第１基材２０と第２基材２４を除去することで、膜構造体１０を得る旨記載した。しかしながら、本発明に係る膜構造体１０は、さらに複数回、同様な工程を繰り返し、多重構造の膜構造体を製造することもできる。
【００２９】
すなわち、ｎを１からｍまでの正数とした場合に、第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第ｎ構造体を構成する膜の外周に第ｎ＋１基材を形成する。そして、第ｎ＋１基材の外周に、第ｎ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成す。このような工程を繰り返し、第ｍ＋１構造体を構成する膜の生成を成した後、第１から第ｍ＋１基材の除去を行う。このように、基材の形成と成膜を繰り返すことにより、複雑な内部構造を持つ膜構造体を形成することも可能となる。
【符号の説明】
【００３０】
１０………膜構造体、１２………外膜構造体、１２ａ，１２ｂ………端板、１２ｃ………開口部、１４………内膜構造体、２０………第１基材、２２………マスキング、２４………第２基材、２６………マスキング、２８………基材、２８ａ………貫通孔。
【図１】
2020139208.tif 000003
【図２】
2020139208.tif 000004
【図３】
2020139208.tif 000005
【図４】
2020139208.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月3日(2019.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、
前記第ｎ＋１基材を形成する工程では、前記第ｎ膜構造体の少なくとも一部を前記第ｎ＋１基材の外表面に露出させることを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項２】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、各膜構造体に形成された開口部を介して第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、
前記第ｎ膜構造体の投影面積を、第ｎ＋１膜構造体に形成する前記開口部の開口面積よりも大きくしたことを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項３】
外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有し、
前記内膜構造体は、前記構成面に設けられた開口部を介して、その一部を前記外膜構造体の内部に配置すると共に、前記外膜構造体の外部に突出する露出部分を有し、
前記内部に配置された部分は、前記外膜構造体に覆われており、
前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とする膜構造体。
【請求項４】
外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体と別体として構成される内膜構造体を備え、
前記外膜構造体は前記内膜構造体を非接合状態で覆い、
前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有し、
前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とする膜構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体の製造方法は、気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、前記第ｎ＋１基材を形成する工程では、前記第ｎ膜構造体の少なくとも一部を前記第ｎ＋１基材の外表面に露出させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体の製造方法は、気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、各膜構造体に形成された開口部を介して第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、前記第ｎ膜構造体の投影面積を、第ｎ＋１膜構造体に形成する前記開口部の開口面積よりも大きくしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体は、外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有し、前記内膜構造体は、前記構成面に設けられた開口部を介して、その一部を前記外膜構造体の内部に配置すると共に、前記外膜構造体の外部に突出する露出部分を有し、前記内部に配置された部分は、前記外膜構造体に覆われており、前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とするものであっても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体は、外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体と別体として構成される内膜構造体を備え、前記外膜構造体は前記内膜構造体を非接合状態で覆い、前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有し、前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とするものであっても良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月23日(2019.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、
前記第ｎ＋１基材を形成する工程では、前記第ｎ膜構造体の少なくとも一部を前記第ｎ＋１基材の外表面に露出させることを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項２】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、各膜構造体に形成された開口部を介して第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、
前記第ｎ膜構造体の投影面積を、第ｎ＋１膜構造体に形成する前記開口部の開口面積よりも大きくしたことを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項３】
外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有し、
前記内膜構造体は、前記構成面に設けられた開口部を介して、その一部を前記外膜構造体の内部に配置すると共に、前記外膜構造体の外部に突出する露出部分を有し、
前記内部に配置された部分は、前記外膜構造体に覆われて外部に露出しておらず、
前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とする膜構造体。
【請求項４】
外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体と別体として構成される内膜構造体を備え、
前記外膜構造体は前記内膜構造体を非接合状態で覆い、
前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有し、
前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とする膜構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体は、外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有し、前記内膜構造体は、前記構成面に設けられた開口部を介して、その一部を前記外膜構造体の内部に配置すると共に、前記外膜構造体の外部に突出する露出部分を有し、前記内部に配置された部分は、前記外膜構造体に覆われて外部に露出しておらず、前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とするものであっても良い。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月2日(2020.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、
前記第ｎ＋１基材を形成する工程では、前記第ｎ膜構造体の少なくとも一部を前記第ｎ＋１基材の外表面に露出させることを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項２】
気相成長型の成膜法により基材の外周に成膜を行い、成膜後に前記基材を除去することで膜構造体を形成する方法であって、
第ｎ基材の外周に第ｎ膜構造体を構成する膜の成膜を成す工程と、
前記第ｎ膜構造体を構成する膜の少なくとも一部を内包する第ｎ＋１基材を形成する工程と、をｍ回繰り返し（ｎは、１からｍまで順次繰り上がる正数）、
第ｍ＋１基材を形成した後、その外周に第ｍ＋１膜構造体を構成する膜の成膜を成し、各膜構造体に形成された開口部を介して第１基材から前記第ｍ＋１基材までを除去して膜構造体を得る工程と、を有し、
前記第ｎ膜構造体の投影面積を、第ｎ＋１膜構造体に形成する前記開口部の開口面積よりも大きくしたことを特徴とする膜構造体の製造方法。
【請求項３】
外殻を成す外膜構造体の内部に、前記外膜構造体の構成面と交差する面を備えた内膜構造体を有し、
前記内膜構造体は、前記構成面に設けられた開口部を介して、その一部を前記外膜構造体の内部に配置すると共に、前記外膜構造体の外部に突出する露出部分を有し、
前記内部に配置された部分は、前記外膜構造体に覆われて外部に露出しておらず、
前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とする膜構造体。
【請求項４】
外殻を成す外膜構造体に内包され、前記外膜構造体と別体として構成される内膜構造体を備え、
前記外膜構造体は前記内膜構造体を非接合状態で覆い、
前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有し、
前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とする膜構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記目的を達成するための本発明に係る膜構造体は、外殻を成す外膜構造体に内包され、前記外膜構造体と別体として構成される内膜構造体を備え、前記外膜構造体は前記内膜構造体を非接合状態で覆い、前記内膜構造体は、前記外膜構造体の内部空間に連通する開口部の面積よりも大きな面積の投影面を有し、前記外膜構造体と前記内膜構造体は、ＳｉＣにより構成されていることを特徴とするものであっても良い。