(57)【要約】【課題】絶縁抵抗に対する信頼性を向上する。【解決手段】電子部品１０は、複数の内部電極１３ａ、１３ｂが誘電体層１２を介して積層方向に交互に複数積層され、積層方向おいて相対する第１の主面および第２の主面と、幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを有する積層体１１と、積層体１１の表面に設けられ、内部電極１３ａ、１３ｂと電気的に接続された外部電極とを備える。誘電体層１２は、ＴｉおよびＭｇを含む。積層体１１の長さ方向および幅方向を含む断面を積層方向から見たときに、複数の内部電極１３ａ、１３ｂが存在しない領域であるサイドマージン部２３は、ＴｉおよびＭｇを含む誘電体で構成されており、サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さい。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極が誘電体層を介して積層方向に交互に複数積層され、前記積層方向おいて相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向と直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向と直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを有する積層体と、
前記積層体の表面に設けられ、前記内部電極と電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記誘電体層は、ＴｉおよびＭｇを含み、
前記積層体の前記長さ方向および前記幅方向を含む断面を前記積層方向から見たときに、複数の前記内部電極が存在しない領域であるサイドマージン部は、ＴｉおよびＭｇを含む誘電体で構成されており、
前記サイドマージン部に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、前記誘電体層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さいことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記サイドマージン部に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、０．０２以上０．８以下であり、
前記誘電体層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、０．０４以上２．３以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記サイドマージン部は、前記幅方向に積層された複数のサイドマージン層を備えており、
前記幅方向において最も内側に位置する前記サイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、前記幅方向において最も外側に位置する前記サイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記内部電極は、前記幅方向における端部から内側方向への１０μｍ以内の範囲に、Ｍｇが偏析している偏析部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
複数の前記内部電極の前記幅方向における端部の平均厚みは、複数の前記内部電極の前記幅方向における中央部の平均厚みよりも薄いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、内部電極と誘電体層とが交互に複数積層された積層体と、内部電極と電気的に接続され、積層体の表面に形成された外部電極とを備えた電子部品が知られている。
【０００３】
そのような電子部品の１つとして、特許文献１には、内部電極と誘電体層とが交互に複数積層された積層体の両端面に一対の外部電極を設けた積層セラミックコンデンサが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１７８６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、積層セラミックコンデンサのような電子部品に対する小型化の要求は大きいが、電子部品を小型化すると、誘電体層を薄層化せねばならず、内部電極間の絶縁抵抗が劣化し、信頼性が低下する可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するものであり、絶縁抵抗に対する信頼性を向上することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品は、
複数の内部電極が誘電体層を介して積層方向に交互に複数積層され、前記積層方向おいて相対する第１の主面および第２の主面と、前記積層方向と直交する幅方向において相対する第１の側面および第２の側面と、前記積層方向および前記幅方向と直交する長さ方向において相対する第１の端面および第２の端面とを有する積層体と、
前記積層体の表面に設けられ、前記内部電極と電気的に接続された外部電極と、
を備え、
前記誘電体層は、ＴｉおよびＭｇを含み、
前記積層体の前記長さ方向および前記幅方向を含む断面を前記積層方向から見たときに、複数の前記内部電極が存在しない領域であるサイドマージン部は、ＴｉおよびＭｇを含む誘電体で構成されており、
前記サイドマージン部に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、前記誘電体層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さいことを特徴とする。
【０００８】
前記サイドマージン部に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、０．０２以上０．８以下であり、
前記誘電体層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、０．０４以上２．３以下であってもよい。
【０００９】
前記サイドマージン部は、前記幅方向に積層された複数のサイドマージン層を備えており、
前記幅方向において最も内側に位置する前記サイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、前記幅方向において最も外側に位置する前記サイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さくてもよい。
【００１０】
前記内部電極は、前記幅方向における端部から内側方向への１０μｍ以内の範囲に、Ｍｇが偏析している偏析部を有していてもよい。
【００１１】
複数の前記内部電極の前記幅方向における端部の平均厚みは、複数の前記内部電極の前記幅方向における中央部の平均厚みよりも薄くてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の電子部品によれば、絶縁抵抗に対する信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態における積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】内部電極の幅方向Ｗにおける端部の拡大図である。
【図５】複数の内部電極の幅方向における端部が、積層方向の外側と比べて積層方向の中央部が外側に膨らむ位置関係の構造を有する積層セラミックコンデンサの断面図である。
【図６】一実施形態における積層セラミックコンデンサの製造方法の一例を説明するための図であり、（ａ）は、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを示す概略図、（ｂ）は、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを積層する様子を示す模式図である。
【図７】積層セラミックコンデンサの製造途中に作製される積層体チップの外観の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところを具体的に説明する。以下では、本発明の電子部品として、積層セラミックコンデンサを例に挙げて説明する。ただし、電子部品が積層セラミックコンデンサに限定されることはなく、例えばインダクタ、ＬＣフィルタなど、他の電子部品であってもよい。
【００１５】
図１は、一実施形態における積層セラミックコンデンサ１０の一例を示す斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００１６】
図１〜図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、全体として直方体形状を有し、積層体１１と、一対の外部電極１４である１４ａと１４ｂとを有している。一対の外部電極１４は、図１に示すように対向するように配置されている。
【００１７】
ここでは、一対の外部電極１４が対向する方向を積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向Ｌと定義し、後述する内部電極１３である１３ａと１３ｂの積層方向を積層方向Ｔと定義し、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔのいずれの方向にも直交する方向を幅方向Ｗと定義する。
【００１８】
積層セラミックコンデンサ１０の大きさは、例えば、長さ方向Ｌの寸法が０．２ｍｍ以上３．２ｍｍ以下であり、幅方向Ｗの寸法が０．１ｍｍ以上１．６ｍｍ以下であり、積層方向Ｔの寸法が０．１ｍｍ以上１．６ｍｍ以下である。
【００１９】
積層体１１は、長さ方向Ｌに相対する第１の端面１５ａおよび第２の端面１５ｂと、積層方向Ｔに相対する第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂと、幅方向Ｗに相対する第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂとを有する。
【００２０】
第１の端面１５ａおよび第２の端面１５ｂは、幅方向Ｗおよび積層方向Ｔに沿って伸びている。第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂは、長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗに沿って伸びている。第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂは、長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔに沿って伸びている。
【００２１】
積層体１１は、角部および稜線部に丸みを帯びていてもよい。ここで、角部は、積層体１１の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体１１の２面が交わる部分である。
【００２２】
図２および図３に示すように、積層体１１は、内層部２１と、外層部２２と、サイドマージン部２３とを有する。
【００２３】
内層部２１は、誘電体層１２と、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂとを備える。誘電体層１２は、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとに挟まれている。第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂが誘電体層１２を介して交互に複数積層されることにより、内層部２１が構成されている。
【００２４】
誘電体層１２は、ＢａおよびＴｉを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とし、ペロブスカイト構造を有する誘電体セラミック粒子からなる。これらの主成分に、ＳｉおよびＭｇが含まれている。ＳｉおよびＭｇは、焼成時に焼結助剤として機能する。また、誘電体層１２は、Ｄｙ、Ｙ、Ｈｏなどの希土類元素を含んでいてもよい。誘電体層１２の厚みは、例えば０．３μｍ以上０．８μｍ以下である。
【００２５】
第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂは、積層方向Ｔにおいて、誘電体層１２を介して対向している。この第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとが誘電体層１２を介して対向している領域により静電容量が発生する。
【００２６】
誘電体層１２は、幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌに沿って延びている。第１の内部電極１３ａは、誘電体層１２に沿って平板状に延びており、積層体１１の第１の端面１５ａに引き出されている。第２の内部電極１３ｂは、誘電体層１２に沿って平板状に延びており、積層体１１の第２の端面１５ｂに引き出されている。
【００２７】
第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、例えばＮｉを含む。なお、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、Ｎｉ以外に、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどの金属を含んでいてもよい。また、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、共材として、誘電体層１２に含まれる誘電体セラミックと同じ材料を含むことが好ましい。
【００２８】
第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂは、幅方向Ｗにおける端部から内側方向への１０μｍ以内の範囲に、Ｍｇが偏析している偏析部を有する。すなわち、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂのうち、後述するサイドマージン部２３と接している幅方向Ｗの端部から１０μｍ以内の範囲が、Ｍｇの偏析部である。
【００２９】
なお、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂに含まれるＭｇの量は、例えば、積層セラミックコンデンサ１０を研磨して、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂを露出させた後、波長分散型Ｘ線分析装置（ＷＤＸ）を用いて求めることができる。
【００３０】
なお、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの幅方向Ｗにおける端部には、Ｓｉも偏析している。
【００３１】
第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂとを含む内部電極１３の積層枚数は、例えば１０枚以上５００枚以下である。
【００３２】
図４は、内部電極１３の幅方向Ｗにおける端部の拡大図である。図４に示すように、内部電極１３の幅方向Ｗにおける端部の厚みは、内部電極１３の他の部分、より詳しくは、内部電極１３の幅方向Ｗにおける中央部の厚みよりも薄い。すなわち、複数の内部電極１３の幅方向Ｗにおける端部の平均厚みは、複数の内部電極１３の幅方向Ｗにおける中央部の平均厚みよりも薄い。これは、誘電体層１２の幅方向Ｗにおける中央部と比べて、後述するサイドマージン部２３と接している端部の方が、含まれているＭｇの量が少ないため、中央部と比べて端部の方が製造時の焼成による収縮量が小さいからであると考えられる。
【００３３】
複数の内部電極１３の幅方向Ｗにける中央部の厚みは、例えば０．８μｍであり、幅方向Ｗにおける端部の厚みは、例えば０．５５μｍである。また、図４に示すように、幅方向Ｗの端部から１０μｍ以内に、端部の厚みより薄い肉薄部４０を備えることが好ましい。肉薄部４０の厚みは例えば０．４μｍであり、肉薄部４０が設けられていることで内部電極間のはがれが生じにくい。
【００３４】
上述したように、複数の内部電極１３は、幅方向Ｗにおける中央部と比べて、端部の方が薄い。これにより、短絡が生じやすい内部電極１３の端部における短絡の発生を抑制することができる。
【００３５】
本実施形態では、積層セラミックコンデンサ１０の幅方向Ｗと積層方向Ｔを含む断面を長さ方向Ｌから見たときに、図３に示すように、内部電極１３の端部の位置は積層方向に揃っている。すなわち、複数の内部電極１３の幅方向Ｗにおける寸法は略同じである。
【００３６】
ただし、複数の内部電極１３の幅方向Ｗにおける端部の位置は、図５に示すように、積層方向Ｔの外側と比べて積層方向Ｔの中央部が外側に膨らむような位置関係であってもよい。換言すると、積層方向Ｔの中央部に位置する内部電極１３の幅方向Ｗの寸法は、積層方向Ｔの外側に位置する内部電極１３の幅方向Ｗの寸法と比べて大きい。
【００３７】
外層部２２は、内層部２１の積層方向Ｔの両外側に設けられている。すなわち、積層方向Ｔの両外側に設けられている２つの外層部２２によって、内層部２１が挟まれている。外層部２２は、積層体１１の積層方向Ｔおよび幅方向Ｗを含む任意の断面を長さ方向Ｌから見たときに、後述するサイドマージン部２３を除いて、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂのいずれも存在しない領域である。
【００３８】
外層部２２は、例えば、誘電体層１２と同じ材料からなる誘電体で構成されている。外層部２２の積層方向Ｔにおける寸法は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００３９】
サイドマージン部２３は、積層体１１の長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗを含む任意の断面を積層方向Ｔから見たときに、第１の内部電極１３ａと第２の内部電極１３ｂのいずれも存在しない領域である。図３に示すように、サイドマージン部２３は、幅方向Ｗの両外側に位置する。すなわち、内層部２１および外層部２２を幅方向Ｗの両外側から挟むように、２つのサイドマージン部２３が設けられている。
【００４０】
本実施形態では、サイドマージン部２３は、幅方向Ｗに積層された複数のサイドマージン層を備える。具体的には、サイドマージン部２３は、外側サイドマージン層２３ａと、内側サイドマージン層２３ｂとを備える。外側サイドマージン層２３ａは、積層体１１の第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂ側に位置する。また、内側サイドマージン層２３ｂは、内層部２１側に位置する。
【００４１】
なお、サイドマージン部２３が複数のサイドマージン層２３ａ、２３ｂを備えることは、外側サイドマージン層２３ａと内側サイドマージン層２３ｂにおける焼結性の違いにより、光学顕微鏡を用いて観察することで境界を容易に確認することができる。すなわち、外側サイドマージン層２３ａと内側サイドマージン層２３ｂとの間には、境界が存在する。境界は複数あってもよい。
【００４２】
サイドマージン部２３の幅方向Ｗの寸法は、例えば５μｍ以上３０μｍ以下である。本実施形態では、外側サイドマージン層２３ａの幅方向Ｗの寸法は、内側サイドマージン層２３ｂの幅方向Ｗの寸法よりも大きい。
【００４３】
なお、サイドマージン部２３の幅方向Ｗの寸法とは、積層方向Ｔに沿って、サイドマージン部２３の寸法を複数箇所で測定し、複数箇所における測定値に基づいて算出された平均寸法を意味する。サイドマージン部２３の幅方向Ｗの寸法の測定方法は次の通りである。
【００４４】
まず、積層セラミックコンデンサ１０の幅方向Ｗと積層方向Ｔを含む面（以下、「ＷＴ断面」という）を露出させる。次に、ＷＴ断面の第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの幅方向Ｗの端部と、幅方向Ｗの両外側に位置する２つのサイドマージン部２３のうちのいずれか一方のサイドマージン部２３とが同一視野に収まるように光学顕微鏡により撮像する。撮像箇所は、積層方向Ｔにおいて、上部、中央部、および下部の３箇所である。そして、上部、中央部、および下部において、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂの幅方向Ｗの端部から、第１の側面１７ａまたは第２の側面１７ｂに向かって幅方向Ｗに平行な複数の線分をそれぞれ引き、それぞれの線分の長さを測定する。このように測定した線分の長さについて、上部、中央部、および下部それぞれの平均値を算出する。そして、それぞれの平均値をさらに平均化することにより、サイドマージン部２３の幅方向Ｗの寸法を得る。
【００４５】
サイドマージン部２３は、例えば、ＢａＴｉＯ3などの主成分からなるペロブスカイト構造を有する誘電体セラミック材料からなる誘電体で構成されている。これらの主成分に、ＳｉおよびＭｇが添加剤として含まれている。ＳｉおよびＭｇは、焼成時に焼結助剤として機能する。
【００４６】
外側サイドマージン層２３ａは、内側サイドマージン層２３ｂと比べて、Ｓｉの含有量が多い。すなわち、外側サイドマージン層２３ａのＳｉ／Ｔｉのモル比は、内側サイドマージン層２３ｂのＳｉ／Ｔｉのモル比よりも高い。Ｓｉは焼結助剤として働くため、積層セラミックコンデンサ１０の製造時の焼成により得られる外側サイドマージン層２３ａは、内側サイドマージン層２３ｂよりも緻密な構造となる。これにより、サイドマージン部２３の強度を向上させることができるので、サイドマージン部２３に亀裂や欠けが生じ難くなり、内部への水分の侵入を抑制することができる。
【００４７】
本実施形態における積層セラミックコンデンサ１０では、誘電体層１２およびサイドマージン部２３は、それぞれＴｉおよびＭｇを含む。サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さい。そのような構成により、積層セラミックコンデンサ１０の絶縁抵抗に対する信頼性を向上させることができる。
【００４８】
サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、例えば０．０２以上０．８以下である。また、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、例えば０．０４以上２．３以下である。
【００４９】
なお、本実施形態のように、サイドマージン部２３が幅方向Ｗに積層された複数のサイドマージン層を備えている場合、複数のサイドマージン層のうち、内層部２１に最も近いサイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比が、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さい構成であればよい。
【００５０】
また、内側サイドマージン層２３ｂに含まれるＴｉに対するＭｇのモル比と、外側サイドマージン層２３ａに含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、異なっていてもよいし、同一でもよい。本実施形態では、内層部２１に近い内側サイドマージン層２３ｂに含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、外側サイドマージン層２３ａに含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さい。
【００５１】
第１の外部電極１４ａは、積層体１１の第１の端面１５ａの全体に形成されているとともに、第１の端面１５ａから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。第１の外部電極１４ａは、第１の内部電極１３ａと電気的に接続されている。
【００５２】
第２の外部電極１４ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂの全体に形成されているとともに、第２の端面１５ｂから、第１の主面１６ａ、第２の主面１６ｂ、第１の側面１７ａ、および第２の側面１７ｂに回り込むように形成されている。第２の外部電極１４ｂは、第２の内部電極１３ｂと電気的に接続されている。
【００５３】
本実施形態では、第１の外部電極１４ａは、図２に示すように、第１のベース電極層１４１ａと、第１のベース電極層１４１ａの表面に形成された第１の下層めっき層１４２ａと、第１の下層めっき層１４２ａの表面に形成された第１の上層めっき層１４３ａとを含む３層構造で構成されている。
【００５４】
第１のベース電極層１４１ａは、積層体１１の第１の端面１５ａの全体を覆うとともに、第１の端面１５ａを覆う部分から、第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂそれぞれの一部、ならびに第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂそれぞれの一部を覆うように設けられている。
【００５５】
また、本実施形態では、第２の外部電極１４ｂは、図２に示すように、第２のベース電極層１４１ｂと、第２のベース電極層１４１ｂの表面に形成された第２の下層めっき層１４２ｂと、第２の下層めっき層１４２ｂの表面に形成された第２の上層めっき層１４３ｂとを含む３層構造で構成されている。
【００５６】
第２のベース電極層１４１ｂは、積層体１１の第２の端面１５ｂの全体を覆うとともに、第２の端面１５ｂを覆う部分から、第１の側面１７ａおよび第２の側面１７ｂそれぞれの一部、ならびに第１の主面１６ａおよび第２の主面１６ｂそれぞれの一部を覆うように設けられている。
【００５７】
第１のベース電極層１４１ａおよび第２のベース電極層１４１ｂは、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、またはＡｕなどの金属を含有している。第１のベース電極層１４１ａおよび第２のベース電極層１４１ｂは、複数層であってもよい。
【００５８】
第１のベース電極層１４１ａおよび第２のベース電極層１４１ｂは、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂと同時焼成した、いわゆるコファイアにより形成されてもよいし、積層体１１に導電性ペーストを塗布して焼き付けた、いわゆるポストファイアにより形成されてもよい。コファイアにより形成する場合、例えば、第１の内部電極１３ａおよび第２の内部電極１３ｂがＮｉを含み、第１のベース電極層１４１ａおよび第２のベース電極層１４１ｂもＮｉを含むようにすることができる。コファイアである場合、外部電極１４には誘電体材料が共材として含まれ、内部電極１３に含まれる共材の３倍以上の量が含まれることが好ましい。また、第１のベース電極層１４１ａおよび第２のベース電極層１４１ｂは、直接めっきにより形成されていてもよいし、導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む樹脂層を硬化させることにより形成されていてもよい。
【００５９】
第１の下層めっき層１４２ａおよび第２の下層めっき層１４２ｂは、はんだ喰われを防止するためにＮｉを含むことが好ましい。ただし、第１の下層めっき層１４２ａおよび第２の下層めっき層１４２ｂは、Ｎｉ以外に、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、またはＡｕなどの金属を含むことができる。
【００６０】
第１の上層めっき層１４３ａおよび第２の上層めっき層１４３ｂは、実装性を高めるためにＳｎを含むことが好ましい。ただし、第１の上層めっき層１４３ａおよび第２の上層めっき層１４３ｂは、Ｓｎ以外に、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、またはＡｕなどの金属を含むことができる。
【００６１】
なお、第１の外部電極１４ａおよび第２の外部電極１４ｂの構成が上述した構成に限定されることはない。例えば、積層体１１に直接めっきすることで、めっきにより第１の外部電極１４ａおよび第２の外部電極１４ｂが形成されていてもよい。
【００６２】
（積層セラミックコンデンサの製造方法）
以下では、上述した構造を有する積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の一例について説明する。図６は、一実施形態における積層セラミックコンデンサ１０の製造方法の一例を説明するための図であり、（ａ）は、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを示す概略図、（ｂ）は、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを積層する様子を示す模式図である。また、図７は、積層セラミックコンデンサ１０の製造途中に作製される積層体チップの外観の一例を示す斜視図である。
【００６３】
まず、誘電体材料として、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を準備する。この誘電体材料から得られる誘電体粉末に、添加剤として、ＳｉおよびＭｇ、ならびに有機バインダ、有機溶剤、可塑剤および分散剤を所定の割合で混合することにより、セラミックスラリーを作製する。
【００６４】
続いて、作製したセラミックスラリーを、図示しない複数枚の樹脂フィルムの表面に塗工することにより、セラミックグリーンシート５０ａ、５０ｂを作製する。セラミックグリーンシート５０ｂは、セラミックグリーンシート５０ａと交互に積層されるものである。セラミックグリーンシート５０ａ、５０ｂの作製は、例えば、ダイコータ、グラビアコータおよびマイクログラビアコータなどを用いて行うことができる。
【００６５】
次に、図６（ａ）に示すように、セラミックグリーンシート５０ａ、５０ｂの表面に、内部電極用導電性ペーストをストライプ状に印刷し、乾燥させる。内部電極用導電性ペーストには、例えばＮｉが含まれる。ここでは、内部電極用導電性ペーストがストライプ状に伸びる方向をＸ方向とし、セラミックグリーンシート上でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。このようにして、第１の内部電極１３ａ（第２の内部電極１３ｂ）となる導電膜５２ａ（５２ｂ）が形成される。印刷方法は、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷など各種の方法を用いることができる。
【００６６】
次に、作製したセラミックグリーンシートを積層する。具体的には、外層部２２となる、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層した後、導電膜５２ａ、５２ｂが形成されたセラミックグリーンシート５０ａ、５０ｂを、図６（ｂ）に示すように、互いにＹ方向にずらした状態で複数枚積層する。そして、その上に、外層部２２となる、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、マザー積層体を得る。
【００６７】
続いて、マザー積層体を、剛体プレス、静水圧プレスなどの方法によりプレスする。そして、プレスしたマザー積層体をチップ形状にカットすることにより、図７に示す積層体チップ６０が得られる。
【００６８】
図７に示すように、積層体チップ６０の一方の端面には、セラミックグリーンシート５０ａの導電膜５２ａのみが露出し、他方の端面には、セラミックグリーンシート５０ｂの導電膜５２ｂのみが露出している。また、積層体チップ６０の両側面には、セラミックグリーンシート５０ａの導電膜５２ａおよびセラミックグリーンシート５０ｂの導電膜５２ｂのそれぞれが露出している。
【００６９】
続いて、サイドマージン部２３となるサイドマージン部用セラミックグリーンシートを作製する。サイドマージン部用セラミックグリーンシートを作製するための誘電体材料として、ＢａおよびＴｉを含むペロブスカイト型化合物を準備する。この誘電体材料から得られる誘電体粉末に、ＳｉおよびＭｇを含む添加剤、有機バインダ、有機溶剤、可塑剤、および分散剤を所定の割合で混合することにより、セラミックスラリーを作製する。そして、作製したセラミックスラリーを用いて、外側サイドマージン層２３ａを形成するためのセラミックグリーンシートと、内側サイドマージン層２３ｂを形成するためのセラミックグリーンシートを作製する。
【００７０】
ここで、セラミックスラリーを作製する際、添加剤に含まれるＭｇの量は、焼成後のサイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比が、焼成後の誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さくなるように調整する。また、外側サイドマージン層２３ａを形成するためのセラミックグリーンシートの厚みは、内側サイドマージン層２３ｂを形成するためのセラミックグリーンシートの厚みよりも厚くなるように、セラミックスラリーを塗工する。
【００７１】
続いて、外側サイドマージン層用セラミックグリーンシートの上に、内側サイドマージン層用セラミックグリーンシートを積層して張り合わせることにより、２層構造のサイドマージン部用セラミックグリーンシートを得る。
【００７２】
続いて、サイドマージン部用セラミックグリーンシートのうち、内側サイドマージン層用セラミックグリーンシートと、積層体チップ６０の導電膜５２ａ、５２ｂが露出する側面を対向させ、押し付けて打ち抜くことにより、サイドマージン部２３となる層を形成する。同様の方法により、反対側の側面にもサイドマージン部２３となる層を形成する。
【００７３】
続いて、サイドマージン部２３となる層が形成された積層体チップのバレル研磨を行う。そして、積層体チップを、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理を行った後、窒素−水素−水蒸気混合雰囲気中で、所定の温度で焼成処理を行う。これにより、焼結した積層体が得られる。
【００７４】
次に、焼結した積層体の両端面それぞれに、Ｃｕを主成分とする外部電極ペーストを塗布して焼き付けし、第１の内部電極１３ａと接続された第１のベース電極層１４１ａと、第２の内部電極１３ｂと接続された第２のベース電極層１４１ｂとを形成する。続いて、第１のベース電極層１４１ａの表面にＮｉめっきによる第１の下層めっき層１４２ａを形成し、第１の下層めっき層１４２ａの表面に、Ｓｎめっきによる第１の上層めっき層１４３ａを形成することにより、第１の外部電極１４ａを形成する。同様の方法により、第２の外部電極１４ｂを形成する。
ただし、積層体チップと外部電極ペーストとを同時焼成するようにしてもよい。
【００７５】
以上の方法により、積層セラミックコンデンサ１０が作製される。ただし、上述した製造方法は一例であって、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法が上述した製造方法に限定されることはない。
【００７６】
（実施例）
積層セラミックコンデンサ１０の誘電体層１２およびサイドマージン部２３に含まれるＭｇの量を変更して、絶縁抵抗に対する信頼性を調べた。具体的には、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比と、サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比とを変えて、絶縁抵抗に対する信頼性を調べる試験を行った。試験結果を表１に示す。
【００７７】
【表１】
2020053577.tif 000003
【００７８】
表１に示す試料番号１〜５の試料は、サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さいという本発明の要件を満たす試料である。一方、試料番号に＊が付された試料番号６の試料は、上述した本発明の要件を満たしていない試料である。表１では、絶縁抵抗に対する信頼性を、「○」、「△」、「×」の３段階で評価した。「○」は、絶縁抵抗に対する信頼性が高いことを表し、「△」は絶縁抵抗に対する信頼性が中程度を表し、「×」は絶縁抵抗に対する信頼性が低いことを表している。製品としては、絶縁抵抗に対する信頼性が「○」と「△」であれば問題はなく、「○」の方がより好ましい。
【００７９】
表１に示すように、本発明の要件を満たす試料番号１〜５の試料は、絶縁抵抗に対する信頼性が「○」または「△」となったが、本発明の要件を満たしていない試料番号６の試料は、絶縁抵抗に対する信頼性が「×」となった。すなわち、本発明の要件を満たす積層セラミックコンデンサは、本発明の要件を満たしていない積層セラミックコンデンサと比べて、絶縁抵抗に対する信頼性が高い。
【００８０】
また、本発明の要件を満たす試料番号１〜５の試料のうち、サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比が０．０２以上０．８以下であり、かつ、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比が０．０４以上２．３以下である試料番号１〜４の試料は、絶縁抵抗に対する信頼性が「○」でより好ましい結果となった。したがって、本発明の要件を満たす積層セラミックコンデンサのうち、サイドマージン部２３に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比が０．０２以上０．８以下であり、かつ、誘電体層１２に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比が０．０４以上２．３以下であるという要件を満たす積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗に対する信頼性がより高く、好ましい。
【００８１】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００８２】
例えば、上述した実施形態では、サイドマージン部２３は、幅方向Ｗに積層された２つのサイドマージン層２３ａ、２３ｂを備えるものとして説明したが、１つの層で構成されていてもよいし、３つ以上のサイドマージン層を備えていてもよい。サイドマージン部２３が２つ以上の複数のサイドマージン層を備えている場合、幅方向Ｗにおいて最も内側に位置するサイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比は、幅方向Ｗにおいて最も外側に位置するサイドマージン層に含まれるＴｉに対するＭｇのモル比よりも小さくなるようにすることが好ましい。
【符号の説明】
【００８３】
１０    積層セラミックコンデンサ
１１    積層体
１２    誘電体層
１３ａ  第１の内部電極
１３ｂ  第２の内部電極
１４ａ  第１の外部電極
１４ｂ  第２の外部電極
２１    内層部
２２    外層部
２３    サイドマージン部
２３ａ  外側サイドマージン層
２３ｂ  内側サイドマージン層
４０    内部電極の肉薄部
１４１ａ  第１のベース電極層
１４１ｂ  第２のベース電極層
１４２ａ  第１の下層めっき層
１４２ｂ  第２の下層めっき層
１４３ａ  第１の上層めっき層
１４３ｂ  第２の上層めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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