(57)【要約】【課題】ミストを基板に供給して行う洗浄において、噴射したミストの基板への再付着を防止することにある。【解決手段】基板Ｗに処理液を含むミストを供給して処理する基板処理装置１１であって、基板Ｗを保持する回転テーブル１５と、基板Ｗに処理液を含むミストを供給する２流体ノズル３３と、２流体ノズル３３により基板Ｗに供給され、雰囲気中に飛散するミストを収集するミスト収集機構２１と、ミスト収集機構２１を所定の電荷に帯電させる制御部２３と、を有する構成である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を含むミストを供給して処理する基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持テーブルと、
前記基板に前記処理液を含むミストを供給するノズルと、
前記ノズルにより前記基板に前記ミストが供給され、雰囲気中に飛散するミストを収集するミスト収集機構と、
前記ミスト収集機構を所定の電荷に帯電させる制御部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ノズルは、処理液をミストにして前記基板に供給する２流体ノズルであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記所定の電荷として前記ミストに帯電する電荷と逆の電荷に前記ミスト収集機構を帯電させることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記ミストの電位に応じて前記ミスト収集機構を前記所定の電位に帯電させる請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ミスト収集機構は、前記所定の電荷に帯電して前記ミストを収集する面状のミスト収集部と、該ミスト収集部により収集された前記ミストを前記ミスト収集部から除去するミスト除去部と、ミスト除去部により前記ミスト収集部から除去された前記ミストを回収する回収部と、を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ミスト収集機構は、前記ノズルを取り付けたアーム部に設けることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ミスト収集機構は、前記基板の周囲に設けた環状のカップ体の所定位置に設けることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ミスト収集機構は、前記基板を処理する処理室内の前記基板の出し入れ口を挟むように設けることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ミスト除去部は、前記ミスト収集部に気体を吹き付けるノズルを有する構造である請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板に処理液を含むミストを供給して処理する基板処理方法であって、
基板保持テーブルに保持された前記基板にノズルにより前記処理液を含むミストを供給するミスト供給工程と、
前記ノズルにより供給された雰囲気中のミストを、所定の電荷に帯電するミスト収集機構により収集するミスト収集工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記ミスト収集工程は、前記所定の電荷として前記ミストに帯電する電荷と逆の電荷に前記ミスト収集機構を帯電させることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記ミスト収集工程は、前記ミストの電位に応じて前記所定の電位に前記ミスト収集機構を帯電させる請求項１０又は１１に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理液を供給して基板処理を行う、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィーや蒸着による配線パターンなどのパターン形成された基板の洗浄に際しては、薬液による化学洗浄、ブラシ等によるスクラブ洗浄、超音波を付与した超純水を基板に供給して超音波振動を基板に付与するソニック洗浄等が行われるが、近年の微細化されたパターンの洗浄時の損傷を防止するために２流体ノズルからのミスト噴射による基板洗浄が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１に記載の２流体ノズルによる基板洗浄は、洗浄液と加圧気体とを混合して生成されたミストを基板に噴射して基板を洗浄するものであり、加圧気体により分断された洗浄液の液滴が微細なミストとなるため、パターンの損傷を抑えて基板上の微細なパターンに付着したパーティクルの除去を行う洗浄が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２９９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、２流体ノズルによる微細なミストを用いた基板の洗浄では、処理室内にミストが舞い上がり、そのミストが雰囲気中のパーティクルや酸素を取り込んで、被洗浄物である基板に付着し、ウォータマークが生じる場合がある。例えば、２流体ノズルが揺動する場合、発生したミストは、チャンバー内の広範囲にわたり霧散するため、一定に設定されたダウンフローや排気ではミストを除去しきれないことがあり、基板への再付着のおそれが生じる。
【０００６】
本発明は、ミストによる基板の洗浄処理において、雰囲気中に飛散したミストの基板への再付着を防止することで、基板の品質低下を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を含むミストを供給して処理する基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持テーブルと、前記基板に前記処理液を含むミストを供給するノズルと、前記ノズルにより前記基板に前記ミストが供給され、雰囲気中に飛散するミストを収集するミスト収集機構と、前記ミスト収集機構を所定の電荷に帯電させる制御部と、を有することを特徴とする。
【０００８】
更に、上記課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、基板に処理液を含むミストを供給して処理する基板処理方法であって、基板保持テーブルに保持された前記基板にノズルにより前記処理液を含むミストを供給するミスト供給工程と、前記ノズルにより供給された雰囲気中のミストを、所定の電荷に帯電するミスト収集機構により収集するミスト収集工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ミストによる基板の品質低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】図１に示すミスト収集機構の斜視図である。
【図３】図１に示すミスト収集機構の一部の正面図である。
【図４】図１に示すミスト収集機構の平面図である。
【図５】図３に示すミスト収集機構の一部の部分拡大断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の全体概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について図面を用いて説明する。
【００１２】
本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の基本的な構造が、図１〜図５に示される。図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１１は、搬入された基板Ｗを処理する処理室１３（鎖線で示す）と、処理室１３の内部に設けられ、基板Ｗを保持して回転する回転テーブル（基板保持テーブル）１５と、回転テーブル１５を回転駆動させる回転駆動部１７と、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給部１８と、基板Ｗに供給される処理液から生じたミストを収集するミスト収集機構２１と、回転駆動部１７及び処理液供給部１８並びにミスト収集機構２１の動作等を制御する制御部２３と、を有する。
【００１３】
回転テーブル１５の上面には、その外周に沿ってクランプピン２５が所定間隔で複数個（図１では便宜上２個図示）設けられる。クランクピン２５は、搬送ロボット（不図示）により処理室１３の搬入出口（不図示）から搬入された基板Ｗを保持及び開放する。回転テーブル１５の下面の中央には、回転駆動モータ２７により回転される回転軸２８が接続されている。回転駆動モータ２７は、制御部２３に電気的に接続され、その駆動を制御部２３に記憶された基板処理情報や各種プログラムに基づいて制御される。
【００１４】
回転テーブル１５の周囲には、断面が内側に屈曲した環状のカップ体３０が昇降機構（不図示）によって昇降可能に設けられている。カップ体３０は、基板Ｗに供給された処理液やミストが周囲に飛散するのを防止するために設けられる。カップ体３０は、基板Ｗが搬入されるときは基板Ｗとの接触防止のために降下し、処理液の供給時には所定位置に上昇するように制御部２３により昇降が制御されて、処理液等の飛散を防止する。カップ体３０の下部には、基板Ｗから飛散した処理液を排出するために、処理液の排出管（不図示）への接続口（不図示）が設けられる。
【００１５】
処理液供給部１８は、水平方向に延びるアーム３１と、アーム３１の基板Ｗ側先端に設けられた２流体ノズル（スプレーノズル）３３と、アーム３１の基端側が接続される、回動軸を鉛直方向とした円柱形状の回動軸体３５と、回動軸体３５を回動させる駆動モータ３６と、駆動モータ３６が載置された載置台３７と、載置台３７を昇降させる昇降シリンダ３８と、を有する。なお、上記したアーム３１には、後に詳述するミスト収集機構２１が設けられる。
【００１６】
２流体ノズル３３は、処理液と、加圧された気体と、を混合して微細なミストにして基板Ｗに供給するノズルであり、ミスト化された処理液を基板Ｗに供給するものである。２流体ノズル３３は、外部に設けた気体（窒素等の不活性ガス）を供給する気体供給部４１に気体管路４２を介して接続され、更に外部に設けた液体（洗浄液等）を供給する液体供給部４３に液体管路４５を介して接続される。２流体ノズル３３の内部では、その供給された処理液が気体により分断され、２流体ノズル３３の吐出口３３ａから微細なミストとして噴出する構造となっている。気体供給部４１及び液体供給部４３は、制御部２３に電気的に接続され、その供給量等の制御を制御部２３に記憶された基板処理情報や各種プログラムに基づいて制御される。
【００１７】
２流体ノズル３３は、駆動モータ３６により回動軸体３５を回動させることで、基板Ｗ面の上を基板Ｗの径方向に旋回移動され、更に昇降シリンダ３８の昇降により基板Ｗとの間を所定間隔に調整することが可能となる。旋回移動及び昇降移動により基板Ｗの薬液処理、洗浄処理を行うことができる。駆動モータ３６及び昇降シリンダ３８は、制御部２３に電気的に接続され、その駆動を制御部２３に記憶された基板処理情報や各種プログラムに基づいて制御される。
【００１８】
上記したアーム２１には、ミスト収集機構２１が設けられる。このミスト収集機構２１は、２流体ノズル３３から基板Ｗに微細なミストが噴射されて、基板Ｗ上で跳ね返り、処理室１３内に飛散するミストを収集するように作用する。ミスト収集機構２１は、ミスト収集部５１と、ミスト除去部５２と、ミスト回収部５３を有する。ミスト収集部５１は、図１に示すように方形状の板部材を基板Ｗ側に曲げた曲面５１ａを有して、所定の電荷（正の電荷又は負の電荷）に帯電させてミストを収集する。ミスト除去部５２は、ミスト収集部５１に窒素ガスなどの気体を吹き付け、ミスト収集部５１に収集されたミストを除去する。ミスト回収部５３はアーム３１に設けられ、ミスト収集部５１から除去されたミストを回収する。
【００１９】
上記したように、基板Ｗ側に曲げた形状の板部材であるミスト収集部５１は、長手方向の一端を２流体ノズル３３より先方に突出した位置となるように、他端をアーム３１の長手方向の中間位置付近に取付られる。また、アーム３１の長手方向に対して直交する方向において、ミスト収集部５１は、アーム３１の幅よりも大きい所定の幅を有している。なお、ミスト収集部５１の幅は、基板Ｗから跳ね返ったミストを収集できるサイズに設定すればよい。更に、ミスト収集部５１の上部背面部には、Ｌ字形状の支持部材５５の一端が取り付けられている。このＬ字形状の支持部材５５の他端は回動軸体３５の上端に取付けられている。支持部材５５により、ミスト収集部５１が２流体ノズル３３の上部側の所定位置に取付けられた構造となっている。ミスト除去部５２は、上記したミスト収集部５１の長手方向の一端側付近に設けられる。ミスト除去部５２は、曲面５１ａを有するミスト収集部５１の内面（図１において下面）、特にミスト収集部５１の上端付近に向けて気体を噴射するノズル５２ａと、気体を導入する気体配管５２ｂと、気体配管５２ｂに気体（例えば、窒素ガス）を供給する気体供給部５４と、を有する。ノズル５２ａは、ノズル収集部５１の先端に、不図示の取り付け部座を介して取り付けられる。気体供給部５４は、制御部２３に電気的に接続され、気体の供給を制御部２３に記憶された基板処理情報や各種プログラムに基づいて制御される。なお、ノズル５２ａは、曲面５１ａの幅方向に噴射する幅広ノズルの構成となっている。また、幅広ノズルに限らず、拡散ノズルでも良いし、曲面５１ａの幅方向に複数のノズルを設けてもよい。
【００２０】
ミスト収集部５１は、図５にその断面を示すように、鉄などの金属で構成される一対の電極５６ａ、５６ｂと、電極５６ａと電極５６ｂとで挟まれた誘電体（絶縁体）５７と、電極５６ａ、５６ｂの表面に設けた、フッ素樹脂によるコーティング層５８とを有する。電極５６ａ、５６ｂはそれぞれ直流電源（不図示）に配線（不図示）により接続されてコンデンサを形成している。電極５６ａ、５６ｂは、制御部２３に電気的に接続され、２流体ノズル３３側となる電極５６ａを、飛散するミストに帯電している電荷と逆の電荷に帯電するように制御される。例えば、飛散するミストが正の電荷に帯電しているときは電極５６ａが負の電荷となるように帯電させ、飛散するミストが負の電荷に帯電しているときは電極５６ｂが正の電荷となるように帯電させる。なお、予め、２流体ノズル３３から噴射するミストに帯電する極性（正の電荷又は負の電荷）を、測定器を用いて求めておく。また、制御部２３は、予め求めたミストが帯電する電位に応じて電極５６ａ、５６ｂを所定の電位にさせることができる。誘電体５７を構成する絶縁体としては、例えばプラスチック板、セラミック板、酸化アルミニウム等が選択される。いずれもミストを電気的に引き寄せて吸着させる効率を考慮して選択される。
【００２１】
電極５６ａ、５６ｂの表面に設けた、フッ素樹脂によるコーティング層５８は、撥水性を有しているので、電極５６ａ側のコーティング層５８に電気的に引き寄せられたミストがそれぞれ集まって複数個の液滴を形成するようになる。なお、電極５６ａと反対に位置する電極５６ｂにはミストと同一の電荷が帯電させられているので、電極５６ｂ側のコーティング層ではミストは反発されるため、特に撥水性のコーティング層を設けなくてもよい。
【００２２】
ミスト除去部５２を構成するノズル５２ａからミスト収集部５１に窒素ガスが吹きつけられることで、ミスト収集部５１の内側の曲面５１ａに付着した、ミストの集まりである液滴５９は、曲面上を伝わり、アーム３１の上面に設けたミスト回収部５３に集められることになる。このミスト回収部５３は、上部を開口とした直方体形状の箱体で、ミスト収集部５１の他端側がミスト回収部５３の内部に入り込むように設けられる。ミスト回収部５３の底部には、排液管６２が接続され、ミスト回収部５３が回収したミストの液滴５９は、この排液管６２を介して外部の排液路６１に排出される。ミスト除去部５２は、制御部２３に電気的に接続され、窒素ガスを噴射するタイミング、噴射時間等が制御される。
【００２３】
上記した本実施形態に係る基板処理装置１１の制御部２３による基板Ｗの処理の動作について、図１〜図５を参照して以下に説明する。
【００２４】
処理室１３の出し入れ口（不図示）を開き、基板Ｗを搬送ロボット（不図示）により処理室１３内に搬入する。処理室１３に搬入された基板Ｗは、回転テーブル１５に載置され、クランプピン２５が偏心回転して基板Ｗを保持する。基板Ｗが回転テーブル１５に保持されると、カップ体３０が上昇する。その後、回転駆動モータ２７により回転テーブル１５及び基板Ｗを回転させる（５００ｒｐｍ）。待機位置にある純水供給ノズル（不図示）を基板Ｗの中心位置に移動させ、基板Ｗに純水を供給する（約５秒間）。この純水の供給は、基板Ｗのパターンに液膜を形成するためであり、２流体ノズル３３によるミスト噴射によるパターンの損傷を防止するものである。純水による供給が終了すると、純水供給ノズルは、もとの待機位置へ移動する。
【００２５】
次に、駆動モータ３６を作動させて２流体ノズル３３を待機位置から基板Ｗの中心位置に移動させる。このとき、２流体ノズル３３の移動開始と同時にミスト収集部５１の電極５６ａ、５６ｂを所定の電荷に帯電させる。なお、電極５６ａ、５６ｂについては常時所定の電位にさせておくことも可能である。電極５６ａがミストに帯電する電荷と逆の電荷で、かつ予め求めていたミストの電位との関係で所定の電位となるように制御されている。前述したように、予め、ミストに帯電している極性を求めている。本実施形態では、ミストに負の電荷が帯電しているとして説明する。
【００２６】
液体供給部４３から液体管路４５を介して２流体ノズル３３に処理液（例えば、アルカリ洗浄液ＡＰＭ：アンモニアと過酸化水素水の混合液）が供給され、気体供給部４１から気体管路４２を通じて窒素ガスが２流体ノズル３３に供給される。２流体ノズル３３に供給された処理液は、窒素ガスにより分断され、微細なミストとして２流体ノズル３３から基板Ｗに向けて噴射される。上記ミストの基板Ｗへの噴射に際しては、昇降シリンダ３８を昇降させて、２流体ノズル３３と基板Ｗとの距離を最適な値（例えば、５ｍｍ〜１０ｍｍ）に設定し、更に駆動モータ３６を作動させて２流体ノズル３３を基板Ｗ上で、基板中心から一方の基板外周へと移動させ、さらに一方の基板外周から基板外周へ向かう範囲の揺動を繰り返させる。これにより、微細なパターン相互間の更に微細なゴミを、ＡＰＭ（アンモニアと過酸化水素水の混合液）と窒素の混合であるミストの物理力（ミストで除去する力）により排出することができる。ミストの噴射は、例えば３０秒間程度行われる。
【００２７】
２流体ノズル３３から噴射されるミストは、２流体ノズル３３から噴射されたとき、つまり、２流体ノズル３３から離れたときに静電気が発生することによって帯電するものと考えられる。上記した２流体ノズル３３による基板Ｗへ噴射したミストは、基板Ｗ上で跳ねて処理室１３内を飛散する。ミスト収集部５１の曲面５１ａ側の電極５６ａが、ミストに帯電している電荷（負）と反対の電荷（正）に帯電しているので、飛散したミストはミスト収集部５１の曲面５１ａに電気的に引き寄せられる。曲面５１ａはフッ素樹脂で形成されており、撥水性を有するので、引き寄せられたミストは集まって液滴５９として曲面５１ａに付着する。制御部２３は、電極５６ａをミストの帯電する電荷と反対の電荷に帯電させ、飛散するミストを電気的に引き寄せることができる。
【００２８】
２流体ノズル３３からのアルカリ洗浄液ＡＰＭ（アンモニアと過酸化水素水の混合液）と窒素との混合によるミストの噴出が所定時間行われた後、気体供給部４１及び液体供給部４３からの気体及び液体の供給が停止し、駆動モータ３６及び昇降シリンダ３８が作動して、２流体ノズル３３は待機位置へ移動する。なお、２流体ノズル３３が待機位置に移動すると、ミスト除去部５２のノズル５２ａから窒素ガスがミスト収集部５１の曲面５１ａに向けて噴射される。これにより、曲面５１ａに付着したミストの集まりである液滴２９は、この曲面上を伝わり、箱体のミスト回収部５３に回収される。ミスト回収部５３に回収された液滴２９は、回収液として排液管６２を通して外部の排液路６１へ排出される。このように、２流体ノズル３３から基板Ｗの洗浄のために噴出されたミストは、ミスト収集部５１の曲面５１ａに電気的に引き寄せられて液滴となって付着し、ミスト除去部５２による窒素ガスを吹き付けられてミスト回収部に回収液として回収され、排液管６２を通じて外部の排液路６１に排出される。従って、飛散したミストが基板Ｗに再付着するのを抑えることができる。
【００２９】
２流体ノズル３３が待機位置へ移動すると、純水を供給するノズル（以下「純水ノズル」という。不図示）が待機位置から基板Ｗの中心位置に移動する。純水ノズルから回転する基板Ｗに純水が供給される。純水を供給することで、２流体ノズル３３から噴射したミストによって基板Ｗのパターンから排出されたパーティクル等のゴミを、基板Ｗから排出することができる。排出されたゴミを基板Ｗから排出させるために、純水の供給が、例えば１０秒間程度行われる。純水の供給が終了すると、純水ノズルは待機位置へ移動する。
【００３０】
純水ノズルによる基板Ｗへの純水の供給が終了すると、回転駆動モータ２７により基板Ｗを高速回転（１０００〜１５００ｒｐｍ）させる。この高速回転により基板Ｗの表面に存在する液膜を除去する乾燥処理を行う。高速回転の時間は例えば３０秒間程度である。
【００３１】
高速回転を所定時間行って乾燥処理が終了すると、回転テーブル１５及び基板Ｗの回転を停止させる。その後、クランプピン２５による基板Ｗの保持を解除し、更にカップ体３０を降下させ、出し入れ口（不図示）を開き、搬送ロボット（不図示）により基板Ｗが処理室１３から外部へ搬送されて処理を終了する。
【００３２】
上記したように、本実施形態によれば、２流体ノズル３３から基板Ｗに向けて噴射したミストが基板Ｗ上で跳ねて処理槽１３内を飛散しても、ミスト収集機構２１のミスト収集部５１の２流体ノズル３３側の曲面５１ａ側は、ミストが帯電する電荷（負）と逆の電荷（正）に帯電しているので、ミストを電気的に引き寄せ、ミストを液滴５９として付着させ、回収することができる。これにより、処理室１３内の雰囲気に飛散するミストの基板Ｗへの再付着による汚染等を防止することができる。本実施形態では、ミスト収集部５１の電極５６ａ、５６ｂに電源（不図示）から電力供給して所定の電荷に帯電させているが、これに限定するものではない。例えば、コイル等を利用した磁気を利用して電極５６ａ、５６ｂを所定の電荷に帯電させるものでもよい。更には、摩擦による帯電を利用してミスト収集部５１を所定の電荷にするものでもよい。また、ミスト収集部５１の部材自体が、所定の電荷が帯電しているもの材質（例えば、フッ素系樹脂やポリ塩化ビニール）であってもよい。
【００３３】
本実施形態では、２流体ノズル３３に近接してミスト収集機構２１を設けているが、これに限定されず、後述するようにカップ体、出入り口等にミスト収集機構２１を設けることができる。また、処理済みの基板Ｗを搬出した後、次の未処理の基板Ｗが搬入する前に、２流体ノズル３３を待機位置から回転テーブル１５側に移動させ、ミスト収集機構２１を帯電させて処理室１３内の雰囲気中に飛散するミストを収集させることができる。これにより、次に搬送されてくる未処理の基板Ｗへのミストの付着を防止することができる。また、ミスト除去部５２を２流体ノズル３３及びアーム３１とは別個に設けてもよい。ミスト収集部５１の曲面５２ａに窒素等ガスを吹き付け、ミスト回収部５３にミストを液滴として回収できれば、処理室１３内のいずれに設けてもよい。更に、本実施形態では、基板Ｗを回転テーブル１５で保持して回転させているが、基板回転させない基板処理装置の場合でも、２流体ノズルによるミストの噴射に対してミスト回収機構を設けることができ
【００３４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置について、図６を参照して説明する。第１実施形態と異なる部分を中心に説明し、共通する部分の説明は適宜省略する。なお、第１の実施形態と共通する構成部分については、共通の名称、符号を使用する。
【００３５】
図６に示す基板処理装置６８では、回転テーブル１５の周囲に設けた、鉛直断面が内側（回転テーブル１５側）に屈曲した環状のカップ体３０の上部内側にミスト収集機構７０のミスト収集部７１が取付けられている。このミスト収集部７１は、環状に形成されている。なお、ミスト収集部７１を環状に形成せずに、カップ体３０の内周に沿って所定間隔で複数個設けることも可能である。ミスト収集部７１の構造は第１の実施形態と同様で、鉄などの金属で構成される一対の電極５６ａ、５６ｂと、電極５６ａと電極５６ｂとで挟まれた誘電体（絶縁体）５７と、電極５６ａ、５６ｂの表面に設けた、フッ素樹脂によるコーティング層５８と、で構成されている（図６では、電極５６ａのみ図示）。電極５６ａ、５６ｂはそれぞれ直流電源（不図示）に配線（不図示）により接続されてコンデンサを形成している。本実施形態では電極５６ａ側の環状面７１ａを基板Ｗ側に向けている。電極５６ａ、５６ｂは制御部２３に電気的に接続され、基板Ｗ側となる電極５６ａを飛散するミストに帯電している電荷と逆の電荷に帯電するように制御される。また、電極５６ａ、５６ｂは、制御部２３によりミストの電位に応じた所定の電位に制御される。なお、本実施形態ではミスト回収部７１で回収されたミストは、ミスト同士が集まり、液滴５９となって、自重によりカップ体３０の底部に落下し、カップ体３０に接続されている排出管（不図示）により排出液として排出されるようになる。
【００３６】
上記した本実施形態に係る基板処理装置６８の制御部２３による基板Ｗの処理の動作について、図６を参照して以下に説明する。２流体ノズル３３からミストを噴射する前に行う、純水ノズルによる基板Ｗ上の液膜形成、ミスト噴射後の純水供給による基板上のゴミの排出、高速回転による乾燥処理は第１の実施形態と同様であり、説明を省略する。
【００３７】
待機位置にある２流体ノズル３３を基板Ｗの中心位置に移動させ、アルカリ洗浄液ＡＰＭ（アンモニアと過酸化水素水の混合液）と窒素ガスとの混合によるミストを基板Ｗに向けて噴射させ、基板Ｗのパターンとパターンの間の洗浄処理を行う。このとき、帯電したミストが基板Ｗ上で跳ねて処理室７２（図６に図示）内を飛散するが、ミスト収集部７１の基板Ｗ側の電極５６ａが、ミストに帯電している電荷と逆の電荷に帯電しているので、ミストは電極５６ａ側の環状面７１ａに引き寄せられ、吸着する。ミスト吸着部７１に吸着したミストは、ミスト同士が集まり、液滴５９となって、自重によりカップ体３０の底部をミスト回収部として落下し、カップ体３０に接続されている排出管により排出液として排出する。なお、ミスト収集部７１やカップ体３０の内面に向けて窒素ガスを吹き付けるミスト除去機構を別途設けてもよい。また、ミスト収集機構７０を環状のカップ体３０の上部内側に設けたがこれに限らず、カップ体３０の下部内側の設けてもよい。さらに、カップ体３０の上部内側及び下部内側に設けてもよい。
【００３８】
このように、本実施形態の基板処理装置６８によれば、２流体ノズル３３から噴射され、基板Ｗからカップ体３０内を飛散するミストを、カップ体３０の内面側に環状に形成されたミスト収集部７１の環状面７１ａに電気的に引き寄せて、ミストを液滴５９として付着させ、更に回収液として回収することができる。これにより、カップ体３０内に飛散するミストが基板Ｗに再付着することによる汚染等を防止することができる。なお、本実施形態ではカップ体３０の内面にミスト収集部７１を設けているが、併せて第１の実施形態に係るミスト収集機構を２流体ノズルの上に設けることが可能である。
【００３９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置について、図７を参照して説明する。第１実施形態と異なる部分を中心に説明し、共通する部分の説明は適宜省略する。なお、第１の実施形態と共通する構成部分については、共通の名称、符号を使用する。
【００４０】
図７に示すように、本実施形態に係る基板処理装置８１は、処理室８２内への基板Ｗを出し入れする開閉可能な出し入れ口８３が設けられている。この出し入れ口８３は、処理室８２の壁８４に設けられている。壁８４には、出し入れ口８３を挟むようにミスト収集部８５ａ、８５ｂを設けている。このミスト収集部８５ａ、８５ｂの構造は第１の実施形態と同様で、図示は省略するが、鉄などの導電性を有する材質で構成される一対の電極５６ａ、５６ｂと、電極５６ａと電極５６ｂとで挟まれた誘電体（絶縁体）５７と、電極５６ａ、５６ｂの表面に設けた、フッ素樹脂によるコーティング層５８と、で構成されている。電極５６ａ、５６ｂはそれぞれ直流電源（不図示）に配線（不図示）により接続されてコンデンサを形成している。本実施形態では、電極５６ａ側の面８５ａ１、８５ｂ１をそれぞれ基板Ｗ側に向けている。また、電極５６ａ、５６ｂ、誘電体５７は、処理室８２内側の壁８４に沿って設けられている。電極５６ａ、５６ｂは制御部２３に電気的に接続され、面８５ａ１、８５ｂ１が、処理室８２内を飛散するミストに帯電する電荷（負）と逆の電荷（正）となるように制御される。また、電極５６ａ、５６ｂは、制御部２３によりミストの電位に応じた所定の電位に制御される。
【００４１】
本実施形態に係る基板処理装置８１の動作について図７を参照して説明する。基板Ｗの２流体ノズルによるミストの噴射による洗浄処理、洗浄前後の純水ノズルによる純水の供給、乾燥処理は、第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。本実施形態では、ミスト収集部８５ａ、８５ｂに対して常時所定の電荷に帯電させている。これにより、基板の処理中のほかに、処理開始の前後においても、処理室８２内に飛散、浮遊するミストを電気的に引き寄せて収集できる。特に、ミスト収集部８５ａ、８５ｂを出し入れ口８３の左右に設けることで、基板Ｗが出し入れ口８３を通って搬出入される際に、処理室８２内に浮遊しているミストが出し入れ口８３から処理室８２外に排出されることを防止できる。これにより、ミストが処理室８２外における搬送中の基板Ｗに付着することを防止することができる。なお、本実施形態では、ミスト収集部８５ａ、８５ｂで回収されたミストによる液滴を、処理室８２から排出される機構を設けてもよい。たとえば、ミスト収集部８５ａ、８５ｂに窒素ガスを吹き付けるミスト除去機構を別途設けてもよい。また、ミスト除去機構によって除去されたミストを排出する排出機構を処理槽８２内に設けてもよい。また、ミスト収集部８５ａ、８５ｂを、出し入れ口８３を挟むようにして設けたが、これに限らない。例えば、壁面８４において、出し入れ口８３を除くすべての面に設けることもできる。
【００４２】
本実施形態では、ミスト収集部８５ａ、８５ｂを処理槽８２内への基板Ｗを出し入れする開閉可能な出し入れ口８３を挟むように処理室８２内側に設けているが、これを単独で設けるよりも、第１の実施形態のミスト収集部、第２の実施形態のミスト収集部と併せて設けることで、ミストの収集をより一層図ることが可能となり、ミストの基板への再付着を防止することができる。
【００４３】
以上、本発明のいくつかの実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１１、６８、８１    基板処理装置
１３    処理室
１５    回転テーブル（基板保持テーブル）
１７    回転駆動部
１８    処理液供給部
２１    ミスト収集機構
２３    制御部
２７    回転駆動モータ
２８    回転軸
３１    アーム
３３    ２流体ノズル
３５    回転軸体
３６    駆動モータ
４１    気体供給部
４３    液体供給部
５１    ミスト収集部
５１ａ  曲面
５２    ミスト除去部
５２ａ  ノズル
５３    ミスト回収部
５６ａ、５６ｂ  電極
５７    誘電体（絶縁体）
５８    コーティング層
５９    液滴
６２    排液管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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