(57)【要約】【課題】開口部の形状を容易に変更することができる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様によるスパッタ装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内をターゲット材が設けられる第１空間と前記基板が設けられる第２空間とに区画するスリット板と、を備え、前記スリット板は、板厚方向に貫通する開口部を有する内側部材と、前記内側部材の周囲に設けられる外側部材と、を有し、前記内側部材は、前記外側部材に対して着脱可能である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内をターゲット材が設けられる第１空間と前記基板が設けられる第２空間とに区画するスリット板と、
を備え、
前記スリット板は、
板厚方向に貫通する開口部を有する内側部材と、
前記内側部材の周囲に設けられる外側部材と、
を有し、
前記内側部材は、前記外側部材に対して着脱可能である、
スパッタ装置。
【請求項２】
前記開口部は、長辺が成膜時における前記基板の前記長辺の方向の幅よりも大きく、短辺が成膜時における前記基板の前記短辺の方向の幅よりも小さい略矩形状を有する、
請求項１に記載のスパッタ装置。
【請求項３】
前記ターゲット材は、前記開口部に対して斜め上方に設けられる、
請求項１又は２に記載のスパッタ装置。
【請求項４】
前記開口部の長辺側において前記内側部材を支持する壁部材を有する、
請求項３に記載のスパッタ装置。
【請求項５】
前記内側部材は、前記開口部の長辺側においてのみ前記壁部材に固定されている、
請求項４に記載のスパッタ装置。
【請求項６】
前記内側部材は、外周から中心に向かって板厚が小さくなるテーパ部を有し、前記テーパ部の中心側の角がＲ加工されている、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項７】
前記内側部材と前記外側部材との接続箇所は、ラビリンス構造を有する、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項８】
前記内側部材の内部から前記基板に向けてガスを供給する第１のガス供給部を有する、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項９】
前記第１のガス供給部は、前記内側部材のうちの少なくとも前記開口部の長手方向及び短手方向の一方における少なくともいずれかの側の部分に形成されたガス吐出孔を有する、
請求項８に記載のスパッタ装置。
【請求項１０】
前記開口部の長辺側において、前記内側部材との間にラビリンス構造の隙間を形成して前記内側部材を支持する壁部材を有し、
前記隙間にガスを供給する第２のガス供給部を有する、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のスパッタ装置。
【請求項１１】
前記内側部材と前記外側部材との接続箇所に形成される前記ラビリンス構造の隙間にガスを供給する第３のガス供給部を有する、
請求項７に記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、スパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ターゲット材から放出される粒子を基板に入射させて成膜を行うスパッタ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、基板の表面に対して傾斜して配置されたターゲット材から基板にスパッタ粒子を放射させ、ターゲット材と基板との間に設けられたスリット板の開口部を通過させて基板に膜を形成するスパッタ装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２０１６４７号公報
【特許文献２】特開２０１５−６７８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、開口部の形状を容易に変更することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によるスパッタ装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内をターゲット材が設けられる第１空間と前記基板が設けられる第２空間とに区画するスリット板と、を備え、前記スリット板は、板厚方向に貫通する開口部を有する内側部材と、前記内側部材の周囲に設けられる外側部材と、を有し、前記内側部材は、前記外側部材に対して着脱可能である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、開口部の形状を容易に変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態のスパッタ装置の構成例を示す断面図（１）
【図２】スリット板の構成例を示す断面図（１）
【図３】スリット板の構成例を示す断面図（２）
【図４】スリット板の構成例を示す平面図
【図５】第１の実施形態のスパッタ装置の構成例を示す断面図（２）
【図６】第１の実施形態のスパッタ装置の構成例を示す断面図（３）
【図７】第２の実施形態のスパッタ装置を説明するための図
【図８】図７のスパッタ装置のガス供給部の一例を示す図
【図９】図７のスパッタ装置のガス供給部の別の例を示す図
【図１０】図７のスパッタ装置のガス供給部の更に別の例を示す図
【図１１】第３の実施形態のスパッタ装置を説明するための図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔第１の実施形態〕
（スパッタ装置）
第１の実施形態のスパッタ装置の構成例について説明する。図１は、第１の実施形態のスパッタ装置の構成例を示す断面図である。図２は、スリット板の構成例を示す断面図であり、図１に示すスパッタ装置のスリット板を含む一部を拡大して示す図である。図３は、スリット板の構成例を示す断面図であり、図２における一点鎖線III−IIIにおいて切断した断面を示す図である。図４は、スリット板の構成例を示す平面図であり、上方から見たときのスリット板を示す。
【００１０】
図１に示されるように、スパッタ装置１０は、処理容器１２、スリット板１４、ホルダ１６、ステージ１８、移動機構２０、及び制御部８０を有する。
【００１１】
処理容器１２は、本体１２ａ及び蓋体１２ｂを有する。本体１２ａは、例えば略円筒形状を有する。本体１２ａの上端は開口されている。蓋体１２ｂは、本体１２ａの上端の上に設けられており、本体１２ａの上端の開口を閉じる。
【００１２】
処理容器１２の底部には、排気口１２ｅが形成されている。排気口１２ｅには、排気装置２２が接続されている。排気装置２２は、例えば圧力制御装置、減圧ポンプを有する。減圧ポンプは、例えばドライポンプ、ターボ分子ポンプであってよい。
【００１３】
処理容器１２の側壁には、開口１２ｐが形成されている。処理容器１２内への基板Ｗの搬入、及び処理容器１２内からの基板Ｗの搬出は、開口１２ｐを介して行われる。開口１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉される。
【００１４】
処理容器１２には、処理容器１２内にガスを導入するポート１２ｉが設けられており、ガス供給部からのガス（例えば、不活性ガス）がポート１２ｉを介して処理容器１２内に導入される。
【００１５】
スリット板１４は、処理容器１２内に設けられている。スリット板１４は、処理容器１２の高さ方向の中間位置において水平に延在する。スリット板１４は、別体として製造された複数の部材を組み合わせることにより形成されている。図１の例では、スリット板１４は、別体として製造された内側部材１４１と外側部材１４２とを組み合わせることにより形成されている。
【００１６】
内側部材１４１は、略板状の部材であり、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等の金属材料により形成されている。内側部材１４１には、開口部１４ｓが形成されている。
【００１７】
開口部１４ｓは、スリット板１４をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通する。スパッタ装置１０における成膜時には、基板Ｗは開口部１４ｓの下方を水平な一方向であるＸ方向に移動する。開口部１４ｓは、水平な別の一方向であるＹ方向に沿って長く延びており、例えば図４に示されるように、平面視で略矩形状を有する。Ｙ方向は、開口部１４ｓの長手方向であり、Ｘ方向に直交する方向である。開口部１４ｓのＹ方向における中心は、成膜時における基板ＷのＹ方向における中心と略一致している。
【００１８】
Ｙ方向における開口部１４ｓの幅Ｌｙは、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも長い。Ｙ方向における開口部１４ｓの幅Ｌｙは、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）の１．０６倍以上であることが好ましく、１．３３倍以上であることが特に好ましい。例えば、基板Ｗが直径３００ｍｍのウエハである場合、幅Ｌｙは３２０ｍｍ以上であることが好ましく、４００ｍｍ以上であることが特に好ましい。これにより、基板Ｗの端部における膜の付き回りが向上し、面内均一性が改善する。
【００１９】
Ｘ方向における開口部１４ｓの幅Ｌｘは、成膜時における基板ＷのＸ方向の幅（最大幅）よりも短い。Ｘ方向における開口部１４ｓの幅Ｌｘは、生産性の観点から、成膜時における基板ＷのＸ方向の幅（最大幅）の０．１６倍以上であることが好ましい。
【００２０】
内側部材１４１は、外側部材１４２に対して着脱可能である。内側部材１４１は、図２及び図３に示されるように、テーパ部１４１ａ、内側肉厚部１４１ｂ、肉薄部１４１ｃ、及び外側肉厚部１４１ｄを有する。
【００２１】
テーパ部１４１ａは、内側から外側に向かって板厚が厚くなる部位である。テーパ部１４１ａは、内側部材１４１の全周にわたって形成されている。テーパ部１４１ａにおける水平面と傾斜面との間の角度は、テーパ部１４１ａと後述するターゲット材２４との間の位置関係に応じて定めることができる。テーパ部１４１ａの先端は、曲面形状（例えば、Ｒ面形状）であることが好ましい。これにより、テーパ部１４１ａに膜が堆積したときに、テーパ部１４１ａの先端で膜剥がれが生じることを抑制できる。
【００２２】
内側肉厚部１４１ｂは、テーパ部１４１ａの外側に位置し、第１の板厚を有する部位である。内側肉厚部１４１ｂは、テーパ部１４１ａの外周に沿って形成されている。内側部材１４１は、内側肉厚部１４１ｂを有することで高い強度を備える。内側肉厚部１４１ｂの上面とテーパ部１４１ａの傾斜面との境界部１４１ｘは、曲面形状（例えば、Ｒ面形状）であることが好ましい。これにより、角部が削減されるため、境界部１４１ｘに膜が堆積した場合でも、境界部１４１ｘで膜剥がれが生じることを抑制できる。
【００２３】
肉薄部１４１ｃは、内側肉厚部１４１ｂの外側に位置し、第１の板厚よりも薄い第２の板厚を有する部位である。肉薄部１４１ｃは、内側肉厚部１４１ｂの外周に沿って形成されている。
【００２４】
外側肉厚部１４１ｄは、肉薄部１４１ｃの外側に位置し、第２の板厚よりも厚い第３の板厚を有する部位である。外側肉厚部１４１ｄは、肉薄部１４１ｃの外周に沿って形成されている。これにより、内側肉厚部１４１ｂの外側面、肉薄部１４１ｃの上面、及び外側肉厚部１４１ｄの内側面によって、内側部材１４１の全周にわたる凹部１４１ｙが形成される。外側肉厚部１４１ｄは、長辺の側においては後述する壁部材２８の第１部材５２に固定されており、固定箇所は基板Ｗより外側に設定されている。一方、外側肉厚部１４１ｄは、短辺の側においては壁部材２８の第１部材５２に固定されていない。言い換えると、内側部材１４１は、平面視で成膜時における基板Ｗと重ならない位置において壁部材２８に固定されている。これにより、熱膨張又は熱収縮により外側肉厚部１４１ｄと壁部材２８とが擦れることによりパーティクルが発生した場合であっても基板Ｗ上にパーティクルが付着することを抑制できる。
【００２５】
外側部材１４２は、内側部材１４１の周囲に設けられた略板状の部材であり、例えばアルミニウム、ステンレス鋼等の金属材料により形成されている。外側部材１４２の材料は、内側部材１４１の材料と同一であってもよく、異なっていてもよいが、温度が変化したときの熱膨張、熱収縮による変形量が同一となるという観点から、内側部材１４１の材料と同一であることが好ましい。外側部材１４２の縁部は処理容器１２に固定されており、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２とを区画する。第１空間Ｓ１は、処理容器１２内の一部の空間であり、スリット板１４の上方にある。第２空間Ｓ２は、処理容器１２内の別の一部の空間であり、スリット板１４の下方にある。外側部材１４２は、図２及び図３に示されるように、テーパ部１４２ａ、凸部１４２ｂ、及び支持部１４２ｃを有する。
【００２６】
テーパ部１４２ａは、内側から外側に向かって板厚が厚くなる部位である。テーパ部１４２ａは、外側部材１４２の全周にわたって形成されている。テーパ部１４２ａにおける水平面と傾斜面との間の角度は、テーパ部１４２ａと後述するターゲット材２４との間の位置関係に応じて定めることができ、例えばテーパ部１４１ａと同一又は略同一の角度であってよい。テーパ部１４２ａの先端は、曲面形状（例えば、Ｒ面形状）であることが好ましい。これにより、テーパ部１４２ａに膜が堆積したときに、テーパ部１４２ａの先端で膜剥がれが生じることを抑制できる。テーパ部１４２ａの先端の側には、内側部材１４１の凹部１４１ｙに向かって突出する凸部１４２ｂが形成されている。
【００２７】
凸部１４２ｂは、テーパ部１４２ａの先端の側に下方に突出して形成された部位である。凸部１４２ｂは、テーパ部１４２ａの全周にわたって形成されている。凸部１４２ｂと凹部１４１ｙとの間には隙間が形成されており、隙間により形成される経路が折り曲げられてラビリンス構造を形成する。このように凸部１４２ｂと凹部１４１ｙとによりラビリンス構造が形成されているので、後述するターゲット材２４からの粒子が内側部材１４１と外側部材１４２との間を通過して第２空間Ｓ２に進入することを抑制できる。また、凸部１４２ｂと凹部１４１ｙとの間に隙間が形成されているので、熱膨張又は熱収縮により内側部材１４１及び外側部材１４２が変形した場合であっても凸部１４２ｂと凹部１４１ｙとが接触しないので擦れによるパーティクルの発生を防止できる。
【００２８】
支持部１４２ｃは、テーパ部１４２ａの外側に位置する部位である。支持部１４２ｃは、テーパ部１４２ａの外周に沿って形成されている。支持部１４２ｃの外端は本体１２ａの内壁に固定されている。
【００２９】
ホルダ１６は、スリット板１４の上方に設けられている。ホルダ１６は、導電性材料により形成されている。ホルダ１６は、絶縁性部材１７を介して蓋体１２ｂに取り付けられている。ホルダ１６は、第１空間Ｓ１内に配置されたターゲット材２４を保持する。ホルダ１６は、例えば開口部１４ｓに対して斜め上方にターゲット材２４が位置するようにターゲット材２４を保持する。但し、ホルダ１６は、開口部１４ｓの直上にターゲット材２４が位置するようにターゲット材２４を保持してもよい。ターゲット材２４は、例えば平面視で略矩形状である。ターゲット材２４をスリット板１４に投影した投影像２４ａのＹ方向における幅Ｌｔは、例えば図４に示されるように、成膜時における基板ＷのＹ方向の幅（最大幅）よりも大きい。例えば、基板Ｗが直径３００ｍｍのウエハである場合、幅Ｌｔは４５０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３０】
ホルダ１６には、電源２６が接続されている。電源２６は、ターゲット材２４が金属材料である場合、直流電源であってよい。電源２６は、ターゲット材２４が誘電体又は絶縁体である場合、高周波電源であってよく、整合器を介してホルダ１６に電気的に接続される。
【００３１】
ステージ１８は、処理容器１２内において基板Ｗを支持する。ステージ１８は、移動可能に構成されている。ステージ１８は、成膜時には、移動エリアＳ２１内において移動方向（図１のＸ方向）に沿って移動する。移動エリアＳ２１は、第２空間Ｓ２に含まれるエリアであり、開口部１４ｓの直下の空間及びスリット板１４の直下の空間を含むエリアである。ステージ１８は、ターゲット材２４からの粒子が開口部１４ｓを介して移動エリアＳ２１以外の第２空間Ｓ２内の他のエリアＳ２２に飛散することを抑制するために、１つ以上の凸部を有する。ステージ１８の１つ以上の凸部は、開口部１４ｓとエリアＳ２２との間のステージ１８の周囲の経路に上方及び／又は下方に折れ曲がった部分を形成する。即ち、ステージ１８は、開口部１４ｓとエリアＳ２２との間のステージ１８の周囲の経路として、ラビリンス構造の経路を形成する。
【００３２】
移動エリアＳ２１は、壁部材２８によって画成されている。壁部材２８は、移動エリアＳ２１とエリアＳ２２との間の境界に沿って延在する。壁部材２８は、ステージ１８と共に、開口部１４ｓとエリアＳ２２との間の経路を形成する。壁部材２８及びステージ１８により、開口部１４ｓとエリアＳ２２との間の経路は、折れ曲がった狭い経路、即ち、ラビリンス構造の狭い経路となる。
【００３３】
ステージ１８は、移動機構２０に取り付けられている。移動機構２０は、ステージ１８を移動させる。移動機構２０は、駆動装置２０ａ、駆動軸２０ｂ、及び多関節アーム２０ｃを有する。
【００３４】
駆動装置２０ａは、処理容器１２の外側に設けられている。駆動装置２０ａは、例えば処理容器１２の底部に取り付けられている。駆動装置２０ａには、駆動軸２０ｂの下端が接続されている。駆動軸２０ｂは、駆動装置２０ａから本体１２ａの底部を貫通し、処理容器１２内の上方に延在する。駆動装置２０ａは、駆動軸２０ｂを上下動させ、且つ回転させるための駆動力を発生する。駆動装置２０ａは、例えばモータであってよい。
【００３５】
駆動軸２０ｂの上端には、多関節アーム２０ｃの一端が軸支されている。多関節アーム２０ｃの他端は、ステージ１８に取り付けられている。駆動装置２０ａによって駆動軸２０ｂが回転されると、多関節アーム２０ｃの他端はＸ方向に沿って直線的に移動する。これにより、移動エリアＳ２１でのステージ１８の移動が実現される。また、駆動装置２０ａによって駆動軸２０ｂが上下動されると、多関節アーム２０ｃ及びステージ１８は上下動する。
【００３６】
第２空間Ｓ２のエリアＳ２２のうち開口１２ｐの近傍のエリアには、基板リフトアップ機構３０が設けられている。基板リフトアップ機構３０は、複数のリフトピン３０ａ、支持部材３０ｂ、駆動軸３０ｃ、及び駆動装置３０ｄを有する。複数のリフトピン３０ａは、鉛直方向に延びる円柱形状を有する。複数のリフトピン３０ａの各々の上端の鉛直方向における高さは、略同一である。複数のリフトピン３０ａの個数は、例えば３本であってよい。複数のリフトピン３０ａは、支持部材３０ｂに支持されている。支持部材３０ｂは、略馬蹄形状を有する。複数のリフトピン３０ａは、支持部材３０ｂの上方で延在している。支持部材３０ｂは、駆動軸３０ｃによって支持されている。駆動軸３０ｃは、支持部材３０ｂの下方に延びて、駆動装置３０ｄに接続されている。駆動装置３０ｄは、複数のリフトピン３０ａを上下動させる駆動力を発生する。駆動装置３０ｄは、例えばモータであってよい。
【００３７】
基板リフトアップ機構３０は、処理容器１２の外部から搬送装置（図示せず）によって処理容器１２内に基板Ｗが搬送されて、ステージ１８上に基板Ｗを搭載する前に、搬送装置から複数のリフトピン３０ａそれぞれの上端の上に基板Ｗを受け取る。また、基板リフトアップ機構３０は、処理容器１２の外部へ基板Ｗを搬出する際、ステージ１８から複数のリフトピン３０ａそれぞれの上端の上に基板Ｗを受け取る。なお、ステージ１８には、複数のリフトピン３０ａが挿入される複数の貫通孔が形成されているが、図１ではこれらの貫通孔の図示を省略している。
【００３８】
壁部材２８は、Ｘ方向の一端において開口している。ステージ１８は、エリアＳ２２から移動エリアＳ２１に移動する際、壁部材２８のＸ方向の一端の開口を通過して移動エリアＳ２１に進入する。また、ステージ１８は、移動エリアＳ２１からエリアＳ２２に退避する際、壁部材２８のＸ方向の一端の開口を通過する。
【００３９】
スパッタ装置１０は、壁部材２８の一端の開口を開閉するための蓋部３２を備える。蓋部３２は、駆動軸３４によって支持されている。駆動軸３４は、蓋部３２から下方に延びて駆動装置３６に接続されている。駆動装置３６は、蓋部３２を上下動させるための駆動力を発生する。駆動装置３６は、例えばモータであってよい。駆動装置３６は、後述する図６に示されるように、蓋部３２を上方へ移動させることにより、蓋部３２を第２空間Ｓ２から第１空間Ｓ１に退避させる。スリット板１４には、蓋部３２が第２空間Ｓ２から第１空間Ｓ１に退避する際に通過する開口１４ｐが形成されている。蓋部３２は、壁部材２８の一端の開口２８ｐを閉じているときには、同時にスリット板１４の開口１４ｐを閉じる。なお、スリット板１４、蓋部３２、及び駆動装置３６等の部品は、蓋部３２がＹ方向へ移動して壁部材２８のＸ方向の一端の開口２８ｐを開閉するように構成されていてもよい。また、スリット板１４、蓋部３２、及び駆動装置３６等の部品は、蓋部３２がＸ方向へ移動して壁部材２８のＸ方向の一端の開口２８ｐを開閉するように構成されていてもよい。
【００４０】
制御部８０は、スパッタ装置１０の各部の動作を制御する。制御部８０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、及びＲＡＭ（Random Access Memory）を有する。ＣＰＵは、ＲＡＭ等の記憶領域に格納されたレシピに従って、所望の処理を実行する。レシピには、プロセス条件に対する装置の制御情報が設定されている。制御情報は、例えばガス流量、圧力、温度、プロセス時間であってよい。レシピ及び制御部８０が使用するプログラムは、例えばハードディスク、半導体メモリに記憶されてもよい。レシピ等は、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定の位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００４１】
以下、ステージ１８、壁部材２８、及び蓋部３２について詳細に説明する。
【００４２】
ステージ１８は、搭載部４０及び支持部４２を有する。
【００４３】
搭載部４０は、例えばＸ方向及びＹ方向に延びる略板状に形成されている。搭載部４０は、上面に基板Ｗが載置される搭載領域４０ｒを有する。搭載部４０は、搭載領域４０ｒを囲むように搭載領域４０ｒよりも上方に突出する凸部４０ａを有する。
【００４４】
支持部４２は、搭載部４０の下方に設けられている。支持部４２は、搭載部４０を支持する。支持部４２は、上部４４、接続部４６、中空部４８、及び下部５０を有する。
【００４５】
上部４４は、平板形状を有し、Ｘ方向及びＹ方向に延在する。搭載部４０は、上部４４の上面に搭載部４０の下面が接した状態で、上部４４に固定されている。
【００４６】
接続部４６は、上部４４の下面から下方に延びて中空部４８に接続している。接続部４６は、一対の平板部を有する。平板部の各々は、平板形状を有しており、Ｘ方向及びＺ方向に延在する。接続部４６の一対の平板部の上端は上部４４の下面に接続しており、接続部４６の一対の平板部の下端は中空部４８に接続している。
【００４７】
中空部４８は、中空形状を有する。中空部４８は、複数の箇所で折れ曲がった板材から形成されており、その内側の空間と当該空間と外側との境界に沿って延在する。ステージ１８が移動エリアＳ２１に配置されているときに、中空部４８の内側の空間内には後述する遮蔽部材６０が位置する。中空部４８は、Ｘ方向における両端において開口している。
【００４８】
中空部４８は、Ｙ方向の両側に二つの縁部４８ａ，４８ｂを有する。二つの縁部４８ａ，４８ｂは、Ｘ方向に延在している。縁部４８ａは、Ｙ方向において外側に向いた開口を形成する。縁部４８ａの開口は、中空部４８の内側の空間に繋がっている。一方、縁部４８ｂは、中空部４８の内側の空間を閉じている。
【００４９】
中空部４８は、二つの平板部４８ｃ，４８ｄを有する。平板部４８ｃ，４８ｄは、縁部４８ａと縁部４８ｂとの間に設けられており、Ｘ方向及びＹ方向に延びている。平板部４８ｃ，４８ｄは互いに略平行に設けられている。平板部４８ｃは、平板部４８ｄから上方に離間している。平板部４８ｃには上述した接続部４６の下端が接続している。
【００５０】
縁部４８ａは、凸部４８ｆ，４８ｇを形成する。縁部４８ｂは、凸部４８ｈ，４８ｉを形成する。凸部４８ｆ，４８ｈは、Ｙ方向において平板部４８ｃの両側に設けられている。凸部４８ｆ，４８ｈは平板部４８ｃよりも上方に突出しており、Ｘ方向に延在している。凸部４８ｇ，４８ｉは、Ｙ方向において平板部４８ｄの両側に設けられている。凸部４８ｇ，４８ｉは、平板部４８ｄよりも下方に突出しており、Ｘ方向に延在している。
【００５１】
下部５０は、平板部４８ｄの下面に接続しており、Ｘ方向の一端及び他端において開口された角筒形状を平板部４８ｄと共に形成している。下部５０には、移動機構２０の多関節アーム２０ｃの他端が接続されている。
【００５２】
壁部材２８は、移動エリアＳ２１とエリアＳ２２との間の境界に沿って延在しており、移動エリアＳ２１を画成する。壁部材２８は、第１部材５２、第２部材５４，５６、及び第３部材５８を有する。
【００５３】
第１部材５２は、移動エリアＳ２１のうち、搭載部４０と支持部４２の上部４４が移動するエリアを画成する。第１部材５２は、複数の箇所で折り曲げられた板材により形成されている。第１部材５２は、Ｘ方向の一端に蓋部３２の一部によって開閉される開口を形成する。第１部材５２は、底部５２ａ、中間部５２ｂ、及び上端部５２ｃを有する。
【００５４】
底部５２ａは、スリット板１４から下方に離間しており、Ｘ方向及びＹ方向に延在している。底部５２ａには、開口が形成されており、底部５２ａの開口には、移動エリアＳ２１にステージ１８が配置されているときに、ステージ１８の支持部４２の接続部４６が配置される。中間部５２ｂは、Ｘ方向の一端側を除く底部５２ａの縁部から上方に延びている。上端部５２ｃは、中間部５２ｂの上端から鍔状に延在しており、スリット板１４に接続されている。
【００５５】
第２部材５４は、第２部材５４と中空部４８の縁部４８ａとの間に僅かな間隙を形成するように縁部４８ａを囲んでいる。具体的には、第２部材５４は、凸部４８ｆ，４８ｇを囲んでいる。第２部材５４は、複数の箇所で折り曲げられた板材に形成されている。第２部材５４は、凹部５４ａ，５４ｂを形成する。凹部５４ａには、ステージ１８の凸部４８ｆが挿入される。凹部５４ｂには、ステージ１８の凸部４８ｇが挿入される。
【００５６】
第２部材５６は、第２部材５６と中空部４８の縁部４８ｂとの間に僅かな間隙を形成するように縁部４８ｂを囲んでいる。具体的には、第２部材５６は、凸部４８ｈ，４８ｉを囲んでいる。第２部材５６は、複数の箇所で折り曲げられた板材に形成されている。第２部材５６は、凹部５６ａ，５６ｂを形成する。凹部５６ａには、ステージ１８の凸部４８ｈが挿入される。凹部５６ｂには、ステージ１８の凸部４８ｉが挿入される。
【００５７】
第２部材５４，５６の各々の上部は、Ｘ方向及びＹ方向に延びる平板形状を有する。第２部材５４，５６の各々の上部は、第１部材５２の底部５２ａの開口内に配置されている。第２部材５４，５６の各々の上部は、第１部材５２の底部５２ａの開口を画成する端面に接続されている。
【００５８】
第２部材５４，５６は、Ｙ方向において互いに離間している。第２部材５４の上部と第２部材５６の上部との間には、移動エリアＳ２１にステージ１８が配置されているときに、ステージ１８の支持部４２の接続部４６が配置される。第２部材５４の下部と第２部材５６の下部との間には、移動エリアＳ２１にステージ１８が配置されているときに、ステージ１８の支持部４２の下部５０が配置される。
【００５９】
第２部材５４，５６は、Ｘ方向における一端及び他端において開口している。第２部材５４，５６のＸ方向における一端の開口は、壁部材２８のＸ方向における一端の開口の一部である。第２部材５４，５６のＸ方向の他端には、移動エリアＳ２１のＸ方向の他端を閉じるように、第３部材５８が接続されている。
【００６０】
蓋部３２は、壁部材２８のＸ方向における一端の開口を開閉する。蓋部３２は、上部３２ａ及び下部３２ｂを有する。上部３２ａは、箱形である。上部３２ａは、蓋部３２が移動エリアＳ２１のＸ方向の一端を閉じているときに、その内部の空間が移動エリアＳ２１と繋がるように開口を形成する。下部３２ｂは、上部３２ａの上記開口を形成する端部から下方に延びている。下部３２ｂは、蓋部３２が移動エリアＳ２１のＸ方向の一端を閉じているときに、第２部材５４，５６の各々のＸ方向の一端の開口、及び第２部材５４のＸ方向の一端と第２部材５６のＸ方向の一端との間の開口を閉じる。蓋部３２の下部３２ｂは、Ｙ方向及びＺ方向に延びる平板形状を有する。
【００６１】
スパッタ装置１０は、遮蔽部材６０を更に有する。遮蔽部材６０は、移動エリアＳ２１内に設けられている。ステージ１８が移動エリアＳ２１内に配置されているときには、遮蔽部材６０は部分的にステージ１８の中空部４８の内側の空間に配置される。
【００６２】
遮蔽部材６０は、平板部６０ａ及び凸部６０ｂ，６０ｃ，６０ｄを有する。平板部６０ａは、開口部１４ｓに対して略平行に延在する。平板部６０ａは、Ｘ方向及びＹ方向に延在する。凸部６０ｂ，６０ｃは、平板部６０ａに対してＹ方向の両側に設けられており、平板部６０ａよりも上方に突出している。凸部６０ｄは、凸部６０ｃよりもＹ方向において外側に設けられており、平板部６０ａよりも下方に突出している。凸部６０ｂ，６０ｃ，６０ｄは、Ｘ方向及びＺ方向に延びる平板形状を有する。遮蔽部材６０は、Ｘ方向において凸部６０ｄと反対側にある端部において、第２部材５４に固定されている。凸部６０ｂは、ステージ１８が移動エリアＳ２１内に配置されているときには、凸部４８ｆの内側の空間内に部分的に配置される。凸部６０ｃは、ステージ１８が移動エリアＳ２１内に配置されているときには、凸部４８ｈの内側の空間内に部分的に配置される。凸部６０ｄは、ステージ１８が移動エリアＳ２１内に配置されているときには、凸部４８ｉの内側の空間内に部分的に配置される。
【００６３】
スパッタ装置１０では、ステージ１８に設けられた凸部４８ｆ，４８ｇ，４８ｈ，４８ｉにより、開口部１４ｓとエリアＳ２２との間のステージ１８の周囲の経路が折り曲げられてラビリンス構造になる。これにより、ターゲット材２４からの粒子がエリアＳ２２に飛散することが抑制され、ターゲット材２４からの粒子の不必要な堆積が抑制される。また、凸部４８ｆ，４８ｇ，４８ｈ，４８ｉがステージ１８に設けられているので、部品点数を増加させることなく、ターゲット材２４からの粒子の不必要な飛散及び不必要な堆積が抑制される。
【００６４】
また、スパッタ装置１０は上述の壁部材２８を有する。壁部材２８により、開口部１４ｓとエリアＳ２２と間の経路の幅がより狭くなり、ターゲット材２４からの粒子がエリアＳ２２に飛散することが更に抑制される。また、スパッタ装置１０は、遮蔽部材６０を有する。遮蔽部材６０により、ターゲット材２４からの粒子がエリアＳ２２に飛散することが更に抑制される。また、ステージ１８が移動エリアＳ２１に配置されていない状態で成膜処理を行うような場合においても、ターゲット材２４からの粒子がエリアＳ２２に飛散することが遮蔽部材６０によって抑制される。
【００６５】
（スパッタ装置の動作）
第１の実施形態のスパッタ装置１０の動作について、図１、図５、及び図６を参照して説明する。図５は、第１の実施形態のスパッタ装置１０の構成例を示す断面図であり、基板Ｗがステージ１８上に搭載された状態を示す図である。図６は、第１の実施形態のスパッタ装置１０の構成例を示す断面図であり、移動エリアＳ２１に基板Ｗを配置するために蓋部３２が上方に移動された状態を示す図である。以下に示すスパッタ装置１０の動作は、制御部８０がスパッタ装置１０の各部を制御することで実行される。
【００６６】
まず、ゲートバルブ１２ｇを開くことにより開口１２ｐを開放する。続いて、スパッタ装置１０に接続された搬送モジュールの搬送装置により基板Ｗを処理容器１２内に搬入する。基板Ｗを搬入する際、複数のリフトピン３０ａ及びステージ１８は、基板Ｗに干渉しないように、基板Ｗが搬入される領域の下方に退避している。
【００６７】
次いで、複数のリフトピン３０ａを上方に移動させて、搬送モジュールの搬送装置から基板Ｗを受け取る。このとき、基板Ｗは、複数のリフトピン３０ａの上端の上に支持される。なお、基板Ｗが複数のリフトピン３０ａによって支持された後、搬送モジュールの搬送装置は処理容器１２内から処理容器１２の外部に退避する。続いて、ゲートバルブ１２ｇを閉じることにより開口１２ｐを閉じる。
【００６８】
次いで、図５に示されるように、ステージ１８を上方に移動させ、若しくは複数のリフトピン３０ａを下降させることにより、複数のリフトピン３０ａからステージ１８に基板Ｗが受け渡される。続いて、図６に示されるように、蓋部３２が第１空間Ｓ１に退避するように蓋部３２を上方に移動させる。続いて、ステージ１８を移動エリアＳ２１内に移動させて、蓋部３２によって壁部材２８の一端の開口２８ｐを閉じる。
【００６９】
次いで、処理容器１２内にポート１２ｉからガスを導入し、排気装置２２により処理容器１２内の圧力を所定の圧力に設定する。また、電源２６によりホルダ１６に電圧を印加する。ホルダ１６に電圧が印加されると、処理容器１２内のガスが解離し、イオンがターゲット材２４に衝突する。イオンがターゲット材２４に衝突すると、ターゲット材２４から、その構成材料の粒子が放出される。ターゲット材２４から放出された粒子は、開口部１４ｓを通過して基板Ｗ上に堆積する。このとき基板ＷをＸ方向に移動させる。これにより、基板Ｗの表面にターゲット材２４の構成材料の膜が形成される。
【００７０】
以上に説明したように、第１の実施形態のスパッタ装置１０は、処理容器１２内をターゲット材２４が設けられる第１空間Ｓ１と基板Ｗが設けられる第２空間Ｓ２とに区画するスリット板１４を有する。そして、スリット板１４は、板厚方向に貫通する開口部１４ｓを有する内側部材１４１と、内側部材１４１の周囲に設けられる外側部材１４２と、を有し、内側部材１４１は、外側部材１４２に対して着脱可能である。これにより、スリット板１４の一部分である内側部材１４１のみを交換することで、開口部１４ｓの形状を変更することができる。そのため、開口部の形状を容易に変更することができる。
【００７１】
また、第１の実施形態のスパッタ装置１０によれば、内側部材１４１と外側部材１４２との接続箇所がラビリンス構造を有する。これにより、ターゲット材２４からの粒子が内側部材１４１と外側部材１４２との間を通過して第２空間Ｓ２に進入することを抑制できる。また、凸部１４２ｂと凹部１４１ｙとの間に隙間が形成されているので、熱膨張又は熱収縮により内側部材１４１及び外側部材１４２が変形した場合であっても凸部１４２ｂと凹部１４１ｙとが接触しないので擦れによるパーティクルの発生を防止できる。
【００７２】
また、第１の実施形態のスパッタ装置１０によれば、内側部材１４１が開口部１４ｓの長辺側において壁部材２８に接続されている。これにより、熱膨張又は熱収縮により外側肉厚部１４１ｄと壁部材２８とが擦れることによりパーティクルが発生した場合であっても基板Ｗ上にパーティクルが付着することを抑制できる。
【００７３】
また、第１の実施形態のスパッタ装置１０によれば、内側部材１４１は、外周から中心に向かって板厚が小さくなるテーパ部１４１ａを有し、テーパ部１４１ａの中心側の角がＲ加工されている。これにより、テーパ部１４１ａに膜が堆積したときに、テーパ部１４１ａの先端で膜剥がれが生じることを抑制できる。
【００７４】
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態のスパッタ装置の構成例について説明する。図７は、第２の実施形態のスパッタ装置を説明するための図であり、図３と同様、開口部１４ｓの長手方向に沿った断面を示している。図８は、図７のスパッタ装置のガス供給部の一例を示す図である。
【００７５】
図７に示されるように、第２の実施形態のスパッタ装置１０Ａは、内側部材１４１の内部から基板Ｗに向けてガスを供給するガス供給部２１０，２２０を有する点で、第１の実施形態のスパッタ装置１０と異なる。なお、その他の構成については第１の実施形態のスパッタ装置１０と同様の構成であってよい。以下、第１の実施形態のスパッタ装置１０と異なる点を中心に説明する。
【００７６】
ガス供給部２１０は、ガス吐出孔２１１と、ガス流路２１２と、ガス導入フランジ２１３と、を有する。
【００７７】
ガス吐出孔２１１は、内側部材１４１のうちの開口部１４ｓの長手方向の一方の側（図中では、−Ｙ方向の側）の部分に形成されており、開口部１４ｓに向けてガスを吐出する。ガス吐出孔２１１は、例えば図８に示されるように、開口部１４ｓの短手方向（図中では、Ｘ方向）に沿って延びる長孔として形成されている。ガス吐出孔２１１の長手方向の長さは、例えば開口部１４ｓの幅Ｌｘと略同一であってよい。これにより、開口部１４ｓに対して均一にガスを供給できる。但し、ガス吐出孔２１１の長手方向の長さは、開口部１４ｓの幅Ｌｘより長くてもよく、短くてもよい。また、ガス吐出孔２１１は、開口部１４ｓの短手方向に沿って配列された複数の孔として形成されていてもよい。この場合、複数の孔の各々の大きさを調整することで、開口部１４ｓに供給されるガスの分布を調整できる。
【００７８】
ガス流路２１２は、第１部材５２をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通する貫通孔により形成されている。ガス流路２１２は、一端がガス吐出孔２１１と連通し、他端がガス導入フランジ２１３と連通する。
【００７９】
ガス導入フランジ２１３は、第１部材５２の下面にシール部材２１４を介して取り付けられており、ガス供給源（図示せず）から供給されるガスをガス流路２１２に導入する。ガス供給源から供給されるガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガスや窒素（Ｎ２）ガス、これらのガスの混合ガスといった反応性ガスが挙げられる。
【００８０】
ガス供給部２２０は、開口部１４ｓを挟んでガス供給部２１０と対向して形成されている。ガス供給部２２０は、ガス吐出孔２２１と、ガス流路２２２と、ガス導入フランジ２２３と、を有する。
【００８１】
ガス吐出孔２２１は、内側部材１４１のうちの開口部１４ｓの長手方向の他方の側（図中では、＋Ｙ方向の側）の部分に形成されており、開口部１４ｓに向けてガスを吐出する。ガス吐出孔２２１は、例えば図８に示されるように、開口部１４ｓの短手方向（図中では、Ｘ方向）に沿って延びる長孔として形成されている。ガス吐出孔２２１の長手方向の長さは、例えばガス吐出孔２１１の長手方向の長さと同一であってよい。また、ガス吐出孔２２１は、ガス吐出孔２１１と同様、開口部１４ｓの短手方向に沿って配列された複数の孔として形成されていてもよい。この場合、複数の孔の各々の大きさを調整することで、開口部１４ｓに供給されるガスの分布を調整できる。
【００８２】
ガス流路２２２は、第１部材５２をその板厚方向（図中では、Ｚ方向）に貫通する貫通孔により形成されている。ガス流路２２２は、一端がガス吐出孔２２１と連通し、他端がガス導入フランジ２２３と連通する。
【００８３】
ガス導入フランジ２２３は、第１部材５２の下面にシール部材２２４を介して取り付けられており、ガス供給源（図示せず）から供給されるガスをガス流路２２２に導入する。ガス供給源から供給されるガスとしては、例えばＯ２ガスやＮ２ガス、これらのガスの混合ガスといった反応性ガスが挙げられる。
【００８４】
係るガス供給部２１０，２２０を有するスパッタ装置１０Ａにおいては、ガス供給源から供給されるガスは、ガス導入フランジ２１３，２２３によりガス流路２１２，２２２に供給されてガス吐出孔２１１，２２１から基板Ｗに向かって吐出される。
【００８５】
以上に説明したように、第２の実施形態のスパッタ装置１０Ａによれば、第１の実施形態のスパッタ装置１０により奏される効果に加えて、以下の効果が奏される。
【００８６】
スパッタ装置１０Ａによれば、開口部１４ｓの下方を水平な一方向であるＸ方向に移動する基板Ｗに近接した位置にガス吐出孔２１１，２２１が設けられているので、基板Ｗに対して効率よくガスを供給できる。
【００８７】
また、スパッタ装置１０Ａによれば、内側部材１４１は外側部材１４２と分離可能である。これにより、ガス吐出孔２１１，２２１の孔径を変更した内側部材１４１を複数種類用意しておくことにより、内側部材１４１を交換するだけで、プロセス条件に適合したガスの流量や分圧を容易に実現できる。
【００８８】
なお、上記の例では、ガス吐出孔２１１の中心軸２１１ｃとガス吐出孔２２１の中心軸２２１ｃとが一致している場合を説明したが、これに限定されない。図９は、図７のスパッタ装置のガス供給部の別の例を示す図である。図９に示されるように、ガス吐出孔２１１の中心軸２１１ｃとガス吐出孔２２１の中心軸２２１ｃとが重ならないように互い違いとなるように、ガス吐出孔２１１及びガス吐出孔２２１が形成されていてもよい。
【００８９】
また、内側部材１４１のうちの開口部１４ｓの長手方向のいずれかの側のみにガス吐出孔が形成されていてもよい。図１０は、図７のスパッタ装置のガス供給部の更に別の例を示す図である。図１０では、一例として、内側部材１４１のうちの開口部１４ｓの長手方向の他方の側（図中では、＋Ｙ方向の側）の部分のみにガス吐出孔が形成されている場合を示している。言い換えると、図１０の例では、内側部材１４１に、ガス吐出孔２１１は形成されておらず、ガス吐出孔２２１のみが形成されている。
【００９０】
さらに、上記ではガス吐出孔は開口部１４ｓの長手方向の一方、若しくは両方の側に形成されている例を開示したが、これに限定されず、開口部１４ｓの短手方向の一方、若しくは両方の側に形成されていてもよい。この場合においては、内側部材１４１の内部にガス流路を形成することにより実現でき、ガス吐出孔の形状、数量、配置箇所はプロセス条件に応じて設定することができる。
【００９１】
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態のスパッタ装置の構成例について説明する。図１１は、第３の実施形態のスパッタ装置を説明するための図であり、図３と同様、開口部１４ｓの長手方向に沿った断面を示している。
【００９２】
図１１に示されるように、第３の実施形態のスパッタ装置１０Ｂは、第１部材５２及び内側部材１４１によりラビリンス構造に形成された隙間Ａ１，Ａ２にガスを供給するガス供給部２３０，２４０を有する点で、第１の実施形態のスパッタ装置１０と異なる。なお、その他の構成については第１の実施形態のスパッタ装置１０と同様の構成であってよい。以下、第１の実施形態のスパッタ装置１０と異なる点を中心に説明する。
【００９３】
ガス供給部２３０は、ガス流路２３２と、ガス導入フランジ２３３と、を有する。
【００９４】
ガス流路２３２は、第１部材５２の内部に、断面視でＬ字状の孔により形成されている。ガス流路２３２は、一端が隙間Ａ１と連通し、他端がガス導入フランジ２３３と連通する。
【００９５】
ガス導入フランジ２３３は、第１部材５２の下面にシール部材２３４を介して取り付けられており、ガス供給源（図示せず）から供給されるガスをガス流路２３２に導入する。ガス供給源から供給されるガスとしては、例えばＯ２ガスやＮ２ガス、これらのガスの混合ガスといった反応性ガスが挙げられる。
【００９６】
ガス供給部２４０は、開口部１４ｓを挟んでガス供給部２３０と対向して形成されている。ガス供給部２４０は、ガス流路２４２と、ガス導入フランジ２４３と、を有する。
【００９７】
ガス流路２４２は、第１部材５２の内部に、断面視でＬ字状の孔により形成されている。ガス流路２４２は、一端が隙間Ａ２と連通し、他端がガス導入フランジ２４３と連通する。
【００９８】
ガス導入フランジ２４３は、第１部材５２の下面にシール部材２４４を介して取り付けられており、ガス供給源（図示せず）から供給されるガスをガス流路２４２に導入する。ガス供給源から供給されるガスとしては、例えばＯ２ガスやＮ２ガス、これらのガスの混合ガスといった反応性ガスが挙げられる。
【００９９】
係るガス供給部２３０，２４０を有するスパッタ装置１０Ｂにおいては、ガス供給源から供給されるガスは、ガス導入フランジ２３３，２４３によりガス流路２３２，２４２に供給されて隙間Ａ１，Ａ２から基板Ｗに向かって吐出される。
【０１００】
以上に説明したように、第３の実施形態のスパッタ装置１０Ｂによれば、第１の実施形態のスパッタ装置１０により奏される効果に加えて、以下の効果が奏される。
【０１０１】
スパッタ装置１０Ｂによれば、開口部１４ｓの下方を水平な一方向であるＸ方向に移動する基板Ｗに近接した位置である隙間Ａ１，Ａ２から基板Ｗに向けてガスが吐出されるので、基板Ｗに対して効率よくガスを供給できる。
【０１０２】
また、スパッタ装置１０Ｂによれば、ガス供給源からガス導入フランジ２３３，２４３を介してガス流路２３２，２４２に導入されるガスは、ラビリンス構造に形成された隙間Ａ１，Ａ２を経由して基板Ｗに供給されるので、ガスの流速を小さくできる。これにより、基板Ｗとガスとの反応をより促進できる。
【０１０３】
さらに、スパッタ装置１０Ｂにおいては、内側部材１４１の形状を変更して隙間Ａ１，Ａ２のラビリンス構造の幅を太くしたり細くしたりすることにより、隙間Ａ１，Ａ２を通過するガスの流速を調整できる。そのため、複数種類の内側部材１４１を用意しておくことにより、内側部材１４１を交換するだけで容易にプロセス条件に適合したガスを供給できる。
【０１０４】
加えて、上記実施例においては、内側部材１４１と第１部材５２とで形成されたラビリンス構造部にガスを供給する例を開示したが、これに限定されず、例えば、内側部材１４１と外側部材１４２とで形成されるラビリンス構造部にガスを供給してもよい。内側部材１４１と外側部材１４２とで形成されるラビリンス構造は開口部１４ｓの周囲を全周にわたって形成されているため、流速が調整されたガスを開口部１４ｓに向けて開口部１４ｓの全周から供給することができ、ガス流れの偏りを効果的に抑制できる。
【０１０５】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【０１０６】
上記の実施形態では、処理容器１２内で基板Ｗを移動させる方法として、多関節アーム２０ｃを有する移動機構２０によりステージ１８を移動させる場合を説明したが、これに限定されない。例えば、スパッタ装置１０に接続された搬送モジュールの搬送装置により基板Ｗを処理容器１２内で移動させてもよい。
【符号の説明】
【０１０７】
１０      スパッタ装置
１２      処理容器
１４      スリット板
１４ｓ    開口部
１４１    内側部材
１４１ａ  テーパ部
１４２    外側部材
２４      ターゲット材
２８      壁部材
２１０，２２０  ガス供給部
２１１，２２１  ガス吐出孔
２３０，２４０  ガス供給部
Ｓ１      第１空間
Ｓ２      第２空間
Ｗ        基板
【図１】
2020002456.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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