(57)【要約】【課題】開口率の低下を抑制しつつ高輝度化が図られる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、第１方向に沿って延在する第１陽極線及び第２陽極線と、第１陽極線上及び第２陽極線上に位置し、第１陽極線に重なる第１開口を有する第１絶縁膜と、第１陽極線上、第２陽極線上、及び第１絶縁膜上に位置し、第１開口を介して第１陽極線に接続される第１画素電極と、第１画素電極上に位置し、第１方向に交差する第２方向に沿って延在する有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に位置し、第２方向に沿って延在する陰極線と、を備える。【選択図】図３
2020053153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿って延在する第１陽極線及び第２陽極線と、
前記第１陽極線上及び前記第２陽極線上に位置し、前記第１陽極線に重なる第１開口を有する第１絶縁膜と、
前記第１陽極線上、前記第２陽極線上、及び前記第１絶縁膜上に位置し、前記第１開口を介して前記第１陽極線に接続される第１画素電極と、
前記第１画素電極上に位置し、前記第１方向に交差する第２方向に沿って延在する有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に位置し、前記第２方向に沿って延在する陰極線と、
を備える有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第１方向において前記第１画素電極の隣であって、前記第１陽極線上、前記第２陽極線上、及び前記第１絶縁膜上に位置する第２画素電極をさらに備え、
前記第１絶縁膜は、前記第２陽極線に重なる第２開口をさらに有し、
前記第２画素電極は、前記第２開口を介して前記第２陽極線に接続され、
前記第２画素電極上には、前記有機ＥＬ層と前記陰極線とが位置する、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜上に設けられる第２絶縁膜をさらに備え、
前記第１画素電極の縁は、前記第１絶縁膜及び前記第２絶縁膜によって覆われる、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１陽極線と、前記第２陽極線と、前記陰極線と、前記第１画素電極とは、透光性を示す、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一つとして、有機ＥＬ材料（ＥＬ：Electro-Luminescence）を発光物質として用いた有機ＥＬ表示装置が挙げられる。例えば下記特許文献１には、走査電極と信号電極との交差部が画素として機能する有機発光表示装置（有機ＥＬ表示装置）が開示されている。この特許文献１の上記画素では、１つの走査電極と、少なくとも２つの信号電極が交差している。これにより特許文献１では、有機ＥＬ表示装置に含まれる走査電極の数が低減されるので、高輝度化等が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１７０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１においては、画素内における２つの信号電極のそれぞれは、発光に寄与する画素部と、非発光部分である引き出し線部とを有する。加えて、画素内における隣り合う信号電極同士の隙間もまた、非発光部分になる。画素中にこれらの非発光部分が存在する場合、画素の開口率が低下してしまう。これにより、画素の高輝度化等が十分に図れないことがある。
【０００５】
本発明の目的の一つは、開口率の低下を抑制しつつ高輝度化が図られる有機ＥＬ表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、第１方向に沿って延在する第１陽極線及び第２陽極線と、第１陽極線上及び第２陽極線上に位置し、第１陽極線に重なる第１開口を有する第１絶縁膜と、第１陽極線上、第２陽極線上、及び第１絶縁膜上に位置し、第１開口を介して第１陽極線に接続される第１画素電極と、第１画素電極上に位置し、第１方向に交差する第２方向に沿って延在する有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層上に位置し、第２方向に沿って延在する陰極線と、を備える。
【０００７】
この有機ＥＬ表示装置の第１画素電極は、第１陽極線上、第２陽極線上、及び第１絶縁膜上に位置し、第１開口を介して第１陽極線に接続される。このような有機ＥＬ表示装置においては、第１画素電極上と、第２陽極線に接続される別の画素電極上との両方に同一の陰極線を形成できる。このため、有機ＥＬ表示装置における陰極線の数を低減できるので、各陰極線の幅を拡大できる。すなわち、各陰極線の許容電流を増大できる。よって、画素一つあたりに流れる電流値を増大できるので、画素の高輝度化が可能になる。加えて、例えば各陽極線を単に陽極として用いた場合、隣り合う陽極線同士の隙間は非発光部分になる。これに対して、画素の陽極として機能する第１画素電極は、第１陽極線と第２陽極線との隙間上にも設けられる。このため、上記非発光部分を低減できるので、上記画素の開口率低下を抑制できる。したがって上記有機ＥＬ表示装置によれば、開口率の低下を抑制しつつ高輝度化が図られる。
【０００８】
上記有機ＥＬ表示装置は、第１方向において第１画素電極の隣であって、第１陽極線上及び第２陽極線上に位置する第２画素電極をさらに備え、第１絶縁膜は、第２陽極線に重なる第２開口をさらに有し、第２画素電極は、第２開口を介して第２陽極線に接続され、第２画素電極上には、有機ＥＬ層と陰極線とが位置してもよい。この場合、第２画素電極を有する画素の開口率の低下は、第１画素電極を有する上記画素と同様に抑制される。加えて、第２画素電極を有する画素の高輝度化も可能になる。
【０００９】
上記有機ＥＬ表示装置は、第１絶縁膜上に設けられる第２絶縁膜をさらに備え、第１画素電極は、第１絶縁膜及び第２絶縁膜によって覆われてもよい。この場合、第１画素電極の縁における電界集中を抑制できる。したがって、電界集中に起因した画素の破損を抑制できる。
【００１０】
複数の第１陽極線と、第２陽極線と、陰極線と、第１画素電極とは、透光性を示してもよい。この場合、両面発光が可能な有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【００１１】
上記有機ＥＬ表示装置は、パッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置であってもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、開口率の低下を抑制しつつ高輝度化が図られる有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の模式平面図である。
【図２】図２（ａ）は、表示領域の要部平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の要部拡大図である。
【図３】図３は、図２（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図４は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】図５は、図２（ｂ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
まず、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成の概略について、図１を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の模式平面図である。図１に示される有機ＥＬ表示装置１は、パッシブマトリックス型の表示装置である。有機ＥＬ表示装置１は、互いに積層している第１基板２及び第２基板３と、表示領域４と、配線部５と、集積回路６と、ＦＰＣ７（フレキシブルプリント回路）と、保護樹脂８とを備える。以下では、第１基板２と第２基板３とが互いに積層する方向を、「積層方向（第３方向Ｄ３）」として説明する。積層方向は、第１基板２及び第２基板３の厚さ方向に相当する。加えて、以下では、積層方向に直交する方向を水平方向とし、水平方向の所定方向を第１方向Ｄ１とし、第１方向Ｄ１に交差若しくは直交する方向を第２方向Ｄ２として説明する。
【００１６】
第１基板２は、封止基板として機能する基板であり、第２基板３に対向している。第１基板２は、例えば枠状の封止層（不図示）を介して第２基板３と接合している。この封止層は、例えば接着性を示す紫外線硬化樹脂を含んでおり、スペーサ等をさらに含んでもよい。第１基板２は、例えば平面視にて略長方形状を呈している。第１基板２は、例えばガラス基板、セラミックス基板、金属基板、又は可撓性を示す基板（例えば、プラスチック基板）である。
【００１７】
第２基板３は、表示領域４及び配線部５が設けられる素子基板である。第２基板３は、例えば平面視にて略長方形状を呈している。第２基板３は、例えばガラス基板、又は可撓性を示す基板（例えば、プラスチック基板等）であり、透光性を示す。平面視にて、第２基板３の短辺は第１基板２の短辺と略同一であり、第２基板３の長辺は、第１基板２の長辺よりも長くなっている。このため、第１基板２の一短辺と第２基板３の一短辺とを合わせた場合、第２基板３の一部は、第１基板２から露出している。なお、本実施形態における「略同一」は、完全同一だけを示すのではなく、多少の誤差（例えば、最大数％程度）を包含する概念である。
【００１８】
表示領域４は、電流が供給されることによって光を発生する領域であり、第２基板３上に設けられている。表示領域４は、第１基板２、第２基板３、及び上記封止層によって囲まれて封止された封止空間内に設けられている。この封止空間内には、乾燥剤等が設けられてもよい。表示領域４の詳細については、後述する。
【００１９】
配線部５は、複数の引き回し配線を含む部分であり、第１領域５ａ及び第２領域５ｂを有する。第１領域５ａには、表示領域４と集積回路６とを接続する引き回し配線が設けられており、第２領域５ｂには、集積回路６とＦＰＣ７とを接続する引き回し配線が設けられる。これらの引き回し配線は、例えば順に積層されたモリブデン合金層、アルミニウム合金層、及びモリブデン合金層を含む。配線部５には、上記引き回し配線を保護するためのバリア膜が設けられてもよい。このバリア膜は、例えば酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜等の絶縁膜である。
【００２０】
集積回路６は、表示領域４内における各画素の発光及び非発光を制御する駆動回路である。集積回路６は、第２基板３において第１基板２から露出した領域に搭載されており、配線部５に接続されている。集積回路６は、例えばＩＣチップ等である。有機ＥＬ表示装置１における集積回路６の数は、１つでもよいし、複数でもよい。
【００２１】
ＦＰＣ７は、有機ＥＬ表示装置１と外部装置とを接続する配線である。ＦＰＣ７は、例えば可撓性を示すプラスチック基板を用いて形成される。ＦＰＣ７に接続される外部装置は、例えば電源及び電流制御回路等である。
【００２２】
保護樹脂８は、封止空間の外側に位置する配線部５と、集積回路６とを保護するために設けられる樹脂である。保護樹脂８は、例えば種々の硬化性樹脂である。
【００２３】
次に、図２〜図５を参照しながら、表示領域４の詳細について説明する。図２（ａ）は、表示領域の要部平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の要部拡大図である。図３は、図２（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図４は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図５は、図２（ｂ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。なお、図２〜図５においては、第１基板２は省略されている。
【００２４】
まず、図２（ａ），（ｂ）を参照しながら、表示領域４の平面構成を説明する。図２（ａ），（ｂ）に示されるように、表示領域４内には、第１方向Ｄ１に沿って延在する複数の陽極線１１と、第２方向Ｄ２に沿って延在する複数の陰極線２１とが位置する。陽極線１１と陰極線２１とは、互いに重なっている。具体的には、陽極線１１は、第３方向Ｄ３において第２基板３と陰極線２１との間に位置する。陽極線１１と陰極線２１とが交差する位置には、画素Ｐが設けられる。このため、表示領域４は、マトリクス状に配置される複数の画素Ｐを有する。
【００２５】
複数の陽極線１１は、平面視にて直線状を呈する透明導電体であり、第２基板３上にてストライプ状に配列されている。陽極線１１は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の透光性を示す導電材料によって形成される。陽極線１１は、例えば真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法（物理気相成長法）により成膜した透明導電膜を、パターニングすることによって形成される。各陽極線１１の厚さは、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第２方向Ｄ２に沿った各陽極線１１の幅Ｗ１は、例えば２０μｍ以上５００μｍ以下である。第２方向Ｄ２に沿った隣り合う陽極線１１同士の間隔Ｓ１は、例えば１０μｍ以上２０μｍ以下である。以下では、ｍが自然数である場合、（２ｍ−１）本目の陽極線１１を第１陽極線１１ａとし、２ｍ本目の陽極線１１を第２陽極線１１ｂとする。
【００２６】
複数の陰極線２１は、平面視にて直線状を呈する導電体であり、第２基板３上にてストライプ状に配列されている。陰極線２１は、例えばアルミニウム、銀等の導電材料によって形成される。当該導電材料には、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム等）が含まれてもよいし、ＩＺＯ、ＩＴＯ等の透光性を示す導電材料が含まれてもよい。すなわち、陰極線２１は、透光性を示してもよい。陰極線２１は、例えばＰＶＤ法によって形成される。各陰極線２１の厚さは、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第１方向Ｄ１に沿った各陰極線２１の幅Ｗ２は、例えば２０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合、陰極線２１の許容電流を十分に確保できる。陰極線２１の幅Ｗ２は、陽極線１１の幅Ｗ１以上であってもよい。第１方向Ｄ１に沿った隣り合う陰極線２１同士の間隔Ｓ２は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下である。以下では、ｎが自然数である場合、（２ｎ−１）本目の陰極線２１を第１陰極線２１ａとし、２ｎ本目の陰極線２１を第２陰極線２１ｂとする。
【００２７】
次に、図３〜図５を参照しながら、表示領域４内において第２基板３上に設けられる各構成要素について説明する。図３〜図５に示されるように、表示領域４内の第２基板３上には、複数の陽極線１１と、第１絶縁膜３１と、複数の画素電極１２と、第２絶縁膜３２と、複数の素子分離体３３と、複数の有機ＥＬ層４１と、複数の陰極線２１とが順に設けられる。陽極線１１及び陰極線２１の構成は、上述した通りである。
【００２８】
第１絶縁膜３１は、陽極線１１上に位置する透明膜であり、少なくとも各陽極線１１の縁を覆っている。第１絶縁膜３１は、単層構造もしくは多層構造を有する。第１絶縁膜３１は、例えば酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、及び酸化アルミニウム膜等の少なくとも何れかを含む。第１絶縁膜３１は、例えばＣＶＤ法（化学気相成長法）によって形成される。第１絶縁膜３１の厚さは、陽極線１１の厚さよりも大きく、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第１絶縁膜３１は、第１陽極線１１ａに重なる第１開口３１ａと、第２陽極線１１ｂに重なる第２開口３１ｂとを有する。
【００２９】
第１開口３１ａは、第１陽極線１１ａの一部を露出するために設けられており、第２陽極線１１ｂと重なっていない。平面視にて、第１開口３１ａの第１方向Ｄ１に沿った寸法は陰極線２１の幅Ｗ２の半分未満であり、第１開口３１ａの第２方向Ｄ２に沿った寸法は陽極線１１の幅Ｗ１未満である。また、第１開口３１ａは、第２陽極線１１ｂと重なっていない。一方、第２開口３１ｂは、第２陽極線１１ｂの一部を露出するために設けられており、第１陽極線１１ａには重なっていない。平面視にて、第２開口３１ｂの第１方向Ｄ１に沿った寸法は陰極線２１の幅Ｗ２の半分未満であり、第２開口３１ｂの第２方向Ｄ２に沿った寸法は陽極線１１の幅Ｗ１未満である。各陰極線２１上には、第１開口３１ａと第２開口３１ｂとの両方が位置する。この場合、各第１開口３１ａは、第１方向Ｄ１において陰極線２１の中心よりも一方側に位置し、各第２開口３１ｂは、第１方向Ｄ１において陰極線２１の中心よりも他方側に位置する。
【００３０】
第１開口３１ａと第２開口３１ｂとは、第１方向Ｄ１において互いに重なっていない。本実施形態では、第１開口３１ａと第２開口３１ｂとのそれぞれは、第１絶縁膜３１中に複数設けられている。加えて、第１方向Ｄ１において隣り合う第１開口３１ａ同士の間隔と、第１方向Ｄ１において隣り合う第２開口３１ｂ同士の間隔とは、略同一である。
【００３１】
複数の画素電極１２は、平面視にてマトリクス状に配置される透明導電層であり、陽極線１１上及び第１絶縁膜３１上に位置する。表示領域４において画素電極１２が位置する箇所は、画素Ｐに相当する。各画素電極１２は、平面視にて略矩形状を呈する。画素電極１２は、１本の第１陽極線１１ａと、１本の第２陽極線１１ｂと、これらの陽極線同士の隙間とに重なっている。本実施形態では、平面視にて、画素電極１２の一辺は、１本の第１陽極線１１ａの一長辺と揃っており、画素電極１２の他の一辺は、１本の第２陽極線１１ｂの一長辺と揃っているが、これに限られない。画素電極１２の厚さは、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。各画素電極１２は、ＩＺＯ、ＩＴＯ等の透光性を示す導電材料によって形成される。
【００３２】
平面視にて、画素電極１２の第１方向Ｄ１に沿った寸法は、例えば陰極線２１の幅Ｗ２の半分未満である。この場合、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ少なくとも２つの画素電極１２を、１本の陰極線２１上に配置可能である。また平面視にて、画素電極１２の第２方向Ｄ２に沿った寸法は、例えば第１陽極線１１ａの幅Ｗ１、第２陽極線１１ｂの幅Ｗ１、及び、第１陽極線１１ａと第２陽極線１１ｂとの間隔Ｓ１の合計値以下である。この場合、隣り合う画素電極１２同士の短絡を防止できる。
【００３３】
画素電極１２の一部は第１開口３１ａを介して第１陽極線１１ａに接続され、画素電極１２の他部は第２開口３１ｂを介して第２陽極線１１ｂに接続される。このため、各画素電極１２は、画素Ｐの陽極として機能する。以下では、第１陽極線１１ａに接続される画素電極１２を第１画素電極１２ａとし、第２陽極線１１ｂに接続される画素電極１２を第２画素電極１２ｂとする。また、第１画素電極１２ａを有する画素Ｐを第１画素Ｐ１とし、第２画素電極１２ｂを有する画素Ｐを第２画素Ｐ２とする。第１画素電極１２ａは第２陽極線１１ｂには接続されておらず、第２画素電極１２ｂは第１陽極線１１ａには接続されていない。
【００３４】
第２絶縁膜３２は、隣り合う画素電極１２同士の意図しない短絡を防ぐために設けられる絶縁膜であり、第１絶縁膜３１上に設けられる。第２絶縁膜３２の厚さは、画素電極１２の厚さよりも大きく、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第２絶縁膜３２は、第１絶縁膜３１及び画素電極１２を覆う絶縁膜をパターニングすることによって形成される。当該パターニングによって、各画素電極１２の大部分は、第２絶縁膜３２から露出している。本実施形態では、第２絶縁膜３２は、各画素電極１２の縁を被覆している。換言すると、各画素電極１２の縁は、第１絶縁膜３１と第２絶縁膜３２とによって覆われている。これにより、画素電極１２の縁における電界集中を抑制できる。第２絶縁膜３２は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜の少なくとも一方を含む。無機絶縁膜は、例えば酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜等である。有機絶縁膜は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド等の有機膜である。有機膜は、例えばスピンコートによって形成される。第２絶縁膜３２は、透光性を示してもよいし、遮光性を示してもよい。
【００３５】
素子分離体３３は、所望の形状を呈する陰極線２１及び有機ＥＬ層４１を形成するための絶縁部材である。素子分離体３３は、第１方向Ｄ１において第１陰極線２１ａと第２陰極線２１ｂとの間に位置しており、第２方向Ｄ２に沿って延在している。素子分離体３３は、平面視にて略直線形状を呈しており、断面逆テーパー形状を呈する。素子分離体３３は、第２絶縁膜３２が形成された後であって、有機ＥＬ層４１及び陰極線２１が形成される前に設けられる。素子分離体３３は、例えばネガ型の感光性樹脂を含む。
【００３６】
有機ＥＬ層４１は、発光材料を含む有機発光層を少なくとも備えており、第２絶縁膜３２上であって画素電極１２上に位置する。有機ＥＬ層４１は、平面視にて対応する陰極線２１と略同一形状を呈する。すなわち、有機ＥＬ層４１は、平面視にて第２方向Ｄ２に沿った略直線形状を呈しており、有機ＥＬ層４１の幅は、陰極線２１の幅Ｗ２と略同一である。このため、１つの有機ＥＬ層４１は、第１方向Ｄ１に沿って並ぶ少なくとも２つの画素電極１２上に位置することができる。有機ＥＬ層４１は、有機発光層に加えて、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、及び正孔注入層等を有してもよい。発光材料は、低分子有機化合物でもよく、高分子有機化合物でもよい。発光材料として、蛍光材料が用いられてもよく、リン光材料が用いられてもよい。電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、及び正孔注入層は、それぞれ有機材料を含む。例えば、正孔輸送層には正孔輸送性を示す低分子有機化合物であるα−ＮＰＤが含まれ、電子輸送層には電子輸送性を示す低分子有機化合物であるＡｌｑ３が含まれる。有機ＥＬ層４１の厚さは、例えば１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００３７】
上述したように、各陰極線２１は、素子分離体３３を利用することによって形成される。陰極線２１は、有機ＥＬ層４１上に設けられる。このため、各陰極線２１は、画素Ｐの陰極として機能する。以上の説明から、第１画素Ｐ１は、第１陽極線１１ａに接続される第１画素電極１２ａと、有機ＥＬ層４１と、第１陰極線２１ａとから構成されることが理解できる。また、第１方向Ｄ１において当該第１画素Ｐ１の隣に位置する第２画素Ｐ２は、第２陽極線１１ｂに接続される第２画素電極１２ｂと、有機ＥＬ層４１と、第１陰極線２１ａとから構成されることが理解できる。加えて、第１方向Ｄ１において上記第１画素Ｐ１の隣に位置する別の第２画素Ｐ２は、第２陽極線１１ｂに接続される別の第２画素電極１２ｂと、別の有機ＥＬ層４１と、第２陰極線２１ｂとから構成されることが理解できる。なお、別の第２画素電極１２ｂは、第２画素Ｐ２に含まれる第２画素電極１２ｂと異なる電極である。また、別の有機ＥＬ層４１は、第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２を構成する有機ＥＬ層４１とは異なる層である。
【００３８】
以上に説明した本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の第１画素電極１２ａは、第１陽極線１１ａ上、第２陽極線１１ｂ上、及び第１絶縁膜３１上に位置し、第１開口３１ａを介して第１陽極線１１ａに接続される。このような有機ＥＬ表示装置１においては、第１画素電極１２ａ上と、第２陽極線１１ｂに接続される第２画素電極１２ｂ上との両方に同一の陰極線２１を形成できる。このため、有機ＥＬ表示装置１における陰極線の数を低減できる。例えば、１２８×６４画素を有するパッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置を形成する場合、通常、１２８本の陽極線と６４本の陰極線とが用いられる。これに対して本実施形態によれば、２５６本の陽極線と、３２本の陰極線とによって、１２８×６４画素を有するパッシブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置を形成できる。これにより、各陰極線２１の幅を拡大できる。すなわち、各陰極線２１の許容電流を増大できる。よって、画素Ｐ一つあたりに流れる電流値を増大できるので、各画素Ｐの高輝度化が可能になる。
【００３９】
加えて、例えば各陽極線１１を単に陽極として用いた場合、隣り合う陽極線１１同士の隙間は非発光部分になる。これに対して、第１画素Ｐ１の陽極として機能する第１画素電極１２ａは、第１陽極線１１ａと第２陽極線１１ｂとの隙間上にも設けられる。このため、上記非発光部分を低減できるので、第１画素Ｐ１の開口率低下を抑制できる。したがって本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１によれば、開口率の低下を抑制しつつ高輝度化が図られる。
【００４０】
本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１は、第１方向Ｄ１において第１画素電極１２ａの隣であって、第１陽極線１１ａ上及び第２陽極線１１ｂ上に位置する第２画素電極１２ｂを備え、第１絶縁膜３１は、第２陽極線１１ｂに重なる第２開口３１ｂを有し、第２画素電極１２ｂは、第２開口３１ｂを介して第２陽極線１１ｂに接続され、第２画素電極１２ｂ上には、有機ＥＬ層４１と第１陰極線２１ａとが位置してもよい。この場合、第２画素電極１２ｂを有する第２画素Ｐ２の開口率の低下は、上記第１画素Ｐ１と同様に抑制される。加えて、有機ＥＬ層４１と第１陰極線２１ａとは、第１画素Ｐ１及び第２画素Ｐ２との両方に対して利用される。また、陰極線２１の数が低減されることによって、各陰極線２１に対する書き込み時間が延びる。これにより、第１画素Ｐ１と第２画素Ｐ２との点灯時間を長くできる。このため、画素Ｐのさらなる高輝度化が可能になる。
【００４１】
本実施形態では、有機ＥＬ表示装置１は、第１絶縁膜３１上に設けられる第２絶縁膜３２をさらに備え、第１画素電極１２ａの縁と第２画素電極１２ｂの縁とは、第１絶縁膜３１及び第２絶縁膜３２によって覆われている。このため、第１画素電極１２ａの縁と、第２画素電極１２ｂの縁とのそれぞれにおける電界集中を抑制できる。したがって、電界集中に起因した画素Ｐの破損を抑制できる。
【００４２】
本実施形態では、複数の陽極線１１と、複数の陰極線２１と、複数の画素電極１２とは、透光性を示してもよい。この場合、両面発光が可能な有機ＥＬ表示装置１を提供できる。
【００４３】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では、１つの画素電極は２本の陽極線上に位置するが、これに限られない。例えば、１つの画素電極は３本以上の陽極線上に位置してもよい。この場合、１本の陰極線に対して３本以上の陽極線が干渉されるので、表示領域内の陰極線の数をさらに低減できる。したがって、陰極線の許容電流をさらに増大できる。
【００４４】
上記実施形態において、基板は平面視にて略長方形状を呈しているが、これに限られない。基板は、平面視にて多角形状もしくは略円形状等を呈してもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１…有機ＥＬ表示装置、２…第１基板、３…第２基板、４…表示領域、５…配線部、６…集積回路、７…ＦＰＣ、８…保護樹脂、１１…陽極線、１１ａ…第１陽極線、１１ｂ…第２陽極線、１２…画素電極、１２ａ…第１画素電極、１２ｂ…第２画素電極、２１…陰極線、２１ａ…第１陰極線、２１ｂ…第２陰極線、３１…第１絶縁膜、３１ａ…第１開口、３１ｂ…第２開口、３２…第２絶縁膜、３３…素子分離体、４１…有機ＥＬ層、Ｐ…画素、Ｐ１…第１画素、Ｐ２…第２画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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