(57)【要約】【課題】液晶を駆動する電極の間隔を広げることで、電極間に加わる電界の勾配を制御することができ、最適な電界を電極間に加えることが出来る。【解決手段】基板１００上に形成された第１の電極１０１と、基板１００上及び第１の電極１０１上に形成された絶縁膜１０２と、絶縁膜１０２上に形成され、薄膜トランジスタ１２１のソース、チャネル領域、及びドレインが形成された半導体膜１０３と、半導体膜１０３より上層かつ第１の電極１０１の上方に位置し、第１の開口パターン１１２ａ，１１２ｂを有する第２の電極１１２と、第２の電極１１２の上方に配置された液晶１１４とを具備する。【選択図】図１
2020016908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜を介して互いに重なる領域を有する、共通電極および画素電極と、
前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、
前記共通電極上方及び前記画素電極上方の液晶と、を有し、
前記共通電極は、前記絶縁膜を介して前記画素電極上方に配置されている、液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び液晶表示装置に関する。特に、基板に概略平行な電界を生じ
させて、液晶分子を制御する半導体装置及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の技術開発方針の一つに、視野角を広くすることがある。広い視野角を実
現する技術として、基板に概略平行な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を
動かして、階調を制御する方式が用いられている。このような方式として、ＩＰＳ（Ｉｎ
−Ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）とＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−ｆｉｅｌｄ  ｓｗｉｔｃ
ｈｉｎｇ）とがある。ＦＦＳには、液晶の下方に開口パターンを有する第２の電極（例え
ば各画素別に電圧が制御される画素電極）を配置し、さらにその開口パターンの下方に第
１の電極（例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極）を配置するものがある。画
素電極と共通電極との間に電界が加わり、液晶が制御される。液晶には基板に平行な方向
に電界が加わるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。つまり、基板と平行に配
向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるた
め、視野角が広くなる。
【０００３】
第１の電極（共通電極）は、ガラス基板の上に直接接して形成されており、逆スタガ型
のトランジスタにおけるゲート電極も、ガラス基板の上に直接接して形成されている。そ
の上には、逆スタガ型のトランジスタにおけるゲート絶縁膜として機能させる絶縁膜が直
接接して形成されている。そして、その上に、第２の電極（画素電極）が形成されている
（特許文献１参照）。
【０００４】
あるいは、第１の電極（共通電極）は、逆スタガ型のトランジスタにおけるゲート絶縁
膜として機能させる絶縁膜の上に直接接して形成されている。なお、半導体膜やソース電
極及びドレイン電極も、逆スタガ型のトランジスタにおけるゲート絶縁膜として機能させ
る絶縁膜の上に直接接して形成されている。そして、その上に絶縁層が直接接して形成さ
れている。そして、その上に、第２の電極（画素電極）が直接接して形成されている（特
許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−８９２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した従来例では液晶を駆動する電極は、１つの絶縁膜を介して配置されていた。よ
って、電極と電極の間の距離を大きくしようとしても、限界があった。仮に、電極間の絶
縁膜の膜厚を大きくすると、例えば、トランジスタにおけるゲート絶縁膜も厚くなってし
まうため、トランジスタの電流駆動能力が小さくなってしまう等の影響が出てしまってい
た。
【０００７】
また、画素電極が有する開口の配置間隔や開口の幅は、画素電極と共通電極との間の距
離によって、最適値が変わってくる。したがって、画素電極と共通電極との間の距離を自
由に設定できない場合、画素電極が有する開口の配置間隔や開口の幅も、大きく制限され
た値を取らざるを得ない。そのため、液晶分子に加わる電界の大きさや向きが十分ではな
い状況になっていた。
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、表示素子の２
つの電極の間隔の自由度を向上させることができ、最適な電界を電極間に加えることが出
来る表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、基板の上方に形成された第１の
電極と、第１の電極の上方に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上方に形成され
た半導体膜と、半導体膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上方に形成
された導電膜と、導電膜の上方に形成された第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜の上方に形成
され、開口を有する第２の電極とを具備する。
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置は、基板の上方に形成された第１の電極と、第１の電極の上
方に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上方に形成された半導体膜と、半導体膜
の上方に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜の上方に形成された導電膜と、導電膜
の上方に形成された第３の絶縁膜と、第３の絶縁膜の上方に形成され、開口を有する第２
の電極と、第２の電極の上方に配置された液晶とを具備する。
【００１１】
この半導体装置及び液晶表示装置によれば、第１の電極を基板の上すなわち半導体膜の
下に形成し、配置している。また、前記第２の電極は、導電膜（一例としては、トランジ
スタのゲート電極、もしくはソース電極など）や第３の絶縁膜の上方に配置されているた
め、従来と比較して、第１の電極と第２の電極の間隔を広げることができる。また、第１
の絶縁膜の膜厚は、厚さを変えても、トランジスタなどの他の素子にあまり影響を及ぼさ
ない。そのため、厚さを任意に変えることができ、その結果として、第１の電極と第２の
電極との間隔を自由に設定することが出来る。従って、第１の電極と第２の電極の間隔の
自由度が向上する。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようにな
り、例えば基板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。すなわち、
液晶を用いた表示装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジ
ニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、視野
角が広くなる。
【００１２】
なお、開口は、第１の電極と第２の電極との間に、基板に概略平行な方向の電界を発生
させるためのものである。したがって、基板に概略平行な方向の電界を発生させることが
可能であれば、さまざまな形状を取ることが出来る。
【００１３】
よって、開口には、スリット等の閉じられた開口のみではなく、例えば櫛歯形状の電極
における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンの相互間に位置していて該導電
体パターンが形成されていないスペースを含むものとする。つまり、電極と電極との間に
、隙間や間隔があいていればよい。以下、同様である。
【００１４】
本発明に係る他の半導体装置は、基板の上方に形成された第１の電極と、第１の電極の
上方に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上方に形成された半導体膜と、半導体
膜の上方に形成された導電膜と、導電膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜の上方に形成され、開口を有する第２の電極とを具備する。
【００１５】
この半導体装置及び液晶表示装置によれば、前記第１の電極を前記基板の上すなわち前
記半導体膜の下に形成し、配置している。また、前記第２の電極は、導電膜（一例として
は、ソース電極など）や絶縁膜の上方に配置されているため、従来と比較して、前記第１
の電極と前記第２の電極の間隔を広げることができる。また、第１の絶縁膜の膜厚は、厚
さを変えても、トランジスタなどの他の素子にあまり影響を及ぼさない。そのため、厚さ
を任意に変えることができ、その結果として、第１の電極と第２の電極との間隔を自由に
設定することが出来る。従って、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔の自由度が向上
する。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基
板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。すなわち、液晶を用いた
表示装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）
を、基板と平行な方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、視野角が広くなる
。
【００１６】
本発明に係る他の半導体装置は、基板の上方に形成された第１の電極と、第１の電極の
上方に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上方に形成された導電膜と、導電膜の
上方に形成された半導体膜と、半導体膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜の上方に形成され、開口を有する第２の電極とを具備する。
【００１７】
この半導体装置及び液晶表示装置によれば、前記第１の電極を前記基板の上すなわち前
記半導体膜の下であり、導電膜（一例としてゲート電極）の下に形成し、配置している。
また、前記第２の電極は、第２の絶縁膜の上方に配置されているため、従来と比較して、
前記第１の電極と前記第２の電極の間隔を広げることができる。また、第２の絶縁膜の膜
厚は、厚さを変えても、トランジスタなどの他の素子にあまり影響を及ぼさない。そのた
め、厚さを任意に変えることができ、その結果として、第１の電極と第２の電極との間隔
を自由に設定することが出来る。従って、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔の自由
度が向上する。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、
例えば基板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。すなわち、液晶
を用いた表示装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニア
ス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、視野角が
広くなる。
【００１８】
本発明に係る他の半導体装置は、上記構成において、第１の電極は共通電極であり、第
２の電極は画素電極である。
【００１９】
本発明に係る他の半導体装置は、上記構成において、第１の電極は画素電極であり、第
２の電極は共通電極である。
【００２０】
本発明に係る他の液晶表示装置は、基板の上方に形成された第１の電極と、第１の電極
の上方に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上方に形成された半導体膜と、半導
体膜の上方に形成された導電膜と、導電膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶
縁膜の上方に形成され、開口を有する第２の電極と、第２の電極の上方に配置された液晶
とを具備する。
【００２１】
本発明に係る他の液晶表示装置は、基板の上方に形成された第１の電極と、第１の電極の
上方に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上方に形成された導電膜と、導電膜の
上方に形成された半導体膜と、半導体膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁
膜の上方に形成され、開口を有する第２の電極と、第２の電極の上方に配置された液晶と
を具備する。
【００２２】
本発明に係る他の液晶表示装置は、上記構成において、第１の電極と第２の電極との間の
電界によって、前記液晶を制御する。
【００２３】
本発明に係る他の液晶表示装置は、上記構成において、第１の電極は共通電極であり、第
２の電極は画素電極である。
【００２４】
本発明に係る他の液晶表示装置は、上記構成において、第１の電極は画素電極であり、第
２の電極は共通電極である。
【００２５】
なお、本発明に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、
電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるもので
あれば、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジ
スタでもよいし、ダイオード（ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオ
ード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、それらを組み合わせた論理回路
でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単
なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタ
を用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けて
いるものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させる
トランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い
状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖ
ｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら
、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして動作しやすいからで
ある。なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにして
もよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、スイッチを介して出力する電圧（つまり入力電
圧）が、出力電圧に対して、高かったり、低かったりして、状況が変化する場合において
も、適切に動作を行うことが出来る。なお、本発明におけるスイッチとしては、例えば、
画素電極を制御するＴＦＴや、駆動回路部に用いるスイッチ素子等が挙げられるが、これ
以外の部分においても、電流の流れを制御する必要がある部分であれば、スイッチを用い
ることができる。
【００２６】
なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と直接接続
されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が開示する構成において、所定
の接続関係に加え、その間に電気的な接続を可能とする他の素子（例えば、スイッチやト
ランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が配置されていてもよ
い。あるいは、間に他の素子を挟まずに、配置されていてもよい。なお、ある二つの導電
膜が、電気的な接続を可能とする他の素子を間に介さず、電気的に接続されていない場合
には、直接接続されている、あるいは、直接的に接続されている、と記載するものとする
。なお、電気的に接続されている、と記載する場合は、電気的に接続されている場合と直
接接続されている場合とを含むものとする。
【００２７】
なお、本発明の表示素子や表示装置や発光装置は、様々な形態を適用することができ、
また様々な素子を有することが出来る。本発明では、液晶素子を用いることが出来る。液
晶素子とは、液晶の光学的変調作用により光の透過または非透過を制御する素子であり、
一対の電極及び液晶により構成される。液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプ
レイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイな
どがある。また、例えば、ＥＬ素子（ＥＬ素子とは、電場を加えることで発生するルミネ
ッセンスが得られる発光層を有する素子を指す。また、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は
有機物及び無機物を含むＥＬ素子を含む）、電子放出素子、電子インク、グレーティング
ライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデ
バイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁
気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を具備することが出来る。なお、ＥＬ素
子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としては
フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥ
Ｄ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉ
ｓｐｌｙ）などがあり、また、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある
。
【００２８】
なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させること
が出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、非晶質シ
リコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるトランジスタ、ＭＯＳ型トランジスタ
、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯなどの化
合物半導体を用いたトランジスタ、有機半導体やカーボンナノチューブを用いたトランジ
スタ、その他のトランジスタを適用することができる。また、トランジスタが配置されて
いる基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない
。従って例えば、ガラス基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板な
どに配置することが出来る。また、反射型ディスプレイとする場合には、単結晶基板、Ｓ
ＯＩ基板も用いることが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の
基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。
【００２９】
なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、様々なタイプを用いるこ
とができ、様々な基板上に形成させることができる。したがって、回路の全てが、ガラス
基板上に形成されていてもよく、プラスチック基板に形成されていてもよい。また、作製
する製品が反射型ディスプレイとする場合には、単結晶基板に形成されていてもよく、Ｓ
ＯＩ基板に形成されていてもよい。つまり、どのような基板上に形成されていてもよい。
回路の全てが同一基板上に形成されていることにより、部品点数を減らしてコストを低減
することや、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させることができる。あるい
は、回路の一部が、ある基板に形成されており、回路の別の一部が、別の基板に形成され
ていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、
回路の一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成し、回路の別の一部は、単結晶
基板に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続してガラ
ス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍ
ａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。この
ように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点数を減らしてコスト
を低減することや、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させることができる。
また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分は、消費電力が大きくなってしまうの
で、そのような部分は同じ基板に形成しないようにすれば、消費電力の増加を防ぐことが
できる。
【００３０】
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができ、特定の構成に限定されな
い。例えば、ゲート電極の本数が２本以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい
。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減することや、トランジスタの耐圧
を向上させて信頼性を良くすることや、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電
圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすること
ができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネル
の上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため
、電流値を大きくすることや、空乏層ができやすくなるため、Ｓ値を小さくすることがで
きる。また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよく、チャネルの下に
ゲート電極が配置されている構造でもよい。また、正スタガ構造であってもよく、逆スタ
ガ構造でもよい。さらに、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよく、並列に接続
されていてもよく、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）
にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソ
ース電極やドレイン電極が重なる構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまっ
て、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ領域があってもよい。Ｌ
ＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減することや、トランジスタの耐圧を向上さ
せて信頼性を良くすることや、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化
しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる
。
【００３１】
なお、本発明においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとす
る。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つ
で明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなる
カラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画
素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、
例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタを追加したもの
などがある。また、別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさ
を制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調を
行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表
現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場合
は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によっ
て、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につき
複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画素
において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにし
てもよい。なお、一画素（三色分）と記載する場合は、ＲとＧとＢの三画素分を一画素と
考える場合であるとする。一画素（一色分）と記載する場合は、一つの色要素につき、複
数の画素がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
【００３２】
なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んで
いる。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦縞と横縞を組み合わ
せたいわゆる格子状にストライプ配置されている場合を含んでいる。そして、三色の色要
素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、三つの色要素のドットがいわゆるデ
ルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含ん
でいる。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗ
は白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタを追加したものなどがある。また、色
要素毎にその発光領域の大きさが異なっていてもよい。
【００３３】
トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つ
の端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有する。こ
こで、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造や動作条件等によって変
わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで
、本発明においては、ソース及びドレインとして機能する領域を、それぞれ第１端子、第
２端子と表記する。
【００３４】
なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う
）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領
域やＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域などを形成する半導体と、
ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線と
は、各画素のゲート電極の間を接続するためや、ゲート電極と別の配線とを接続するため
の配線のことを言う。
【００３５】
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在す
る。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つま
り、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、
延伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その
領域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。
よって、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００３６】
また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極と電気的に接続している領域も、
ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線と電
気的に接続している領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味
では、チャネル領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機
能を有してなかったりする場合がある。しかし、製造コストや工程の削減、又はレイアウ
トの簡略化などの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極や
ゲート配線と電気的に接続している領域がある。よって、そのような領域もゲート電極や
ゲート配線と呼んでも良い。
【００３７】
また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電
極と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で
接続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるため
の領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つの
トランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲ
ート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらと電気的に接続して配置されている
ものは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。また、例えば、ゲート電極とゲート配
線とを接続している部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んで
も良い。
【００３８】
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領
域について、その一部分のことを言う。
【００３９】
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号
線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは
、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる
半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、い
わゆる、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域は、ソース領域には含
まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に
接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領
域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接
続するためや、ソース電極と別の配線とを接続するための配線のことを言う。
【００４０】
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も
存在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い
。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例
えば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、
その領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることにな
る。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良
い。
【００４１】
また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極と電気的に接続している領域や、
ソース電極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース
領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線
と同じ材料で形成され、ソース配線と電気的に接続している領域も、ソース配線と呼んで
も良い。このような領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有して
いない場合がある。しかし、製造コストや工程の削減、又はレイアウトの簡略化などの関
係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線と電気的
に接続している領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んで
も良い。
【００４２】
また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続している部分の導電膜も、ソース電極
と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００４３】
なお、ソース端子とは、ソース電極の領域や、ソース電極と電気的に接続されている領
域について、その一部分のことを言う。
【００４４】
なお、ドレインについては、ドレイン領域とドレイン電極とドレイン配線を含んだもの
を言い、本明細書中での文言の使われ方はソースと同様である。また、ドレイン端子につ
いてもソース端子と同様に使われる。
【００４５】
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）
を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般
でもよい。また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のこ
とを言う。なお、基板上に液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれら
の画素を駆動させる周辺駆動回路が形成された表示パネル本体のことでもよい。さらに、
フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）やプリント配線基板（ＰＷＢ）が表示パネル
に取り付けられたものも含んでもよい。また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用
いる素子などの自発光型の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液
晶素子を有している表示装置をいう。
【００４６】
なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、ある物上に形成され
ている、というように、ある物の上に、あるいは、ある物上に、という記載については、
ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間
に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは
層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成さ
れている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されてい
て、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、ある物の
上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定され
ず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、
層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合
と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に
直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、ある物の下に、あるい
は、ある物の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接してい
ない場合とを含むこととする。なお、ここである物の上方にと記載する場合には、電極を
形成する基板を基準とし、電極を形成する側を上方とする。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、前記第１の電極と前記第２の電極の間隔を広くできるとともに他の素
子へ影響を与えずに間隔を制御することができるため、間隔の自由度が向上する。その結
果、画素電極が有する開口の配置間隔や開口の幅は、画素電極と共通電極との間の距離に
よって、最適値が変わってくるため、開口の大きさや幅や間隔も自由に設定することがで
きる。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基
板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示
装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、
基板と平行な方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、視野角が広くなる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（Ａ）は第２の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図２】（Ａ）は第２の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図３】（Ａ）は第３の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図４】（Ａ）は第４の実施形態に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ｂ断面図及びＣ−Ｄ断面図。
【図５】（Ａ）は第５の実施形態に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ｂ断面図及びＣ−Ｄ断面図。
【図６】（Ａ）は第６の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図７】（Ａ）は第７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図８】（Ａ）は第８の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図９】（Ａ）は第９の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１０】（Ａ）は第１０の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１１】（Ａ）は第１１の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１２】（Ａ）は第１２の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１３】（Ａ）は第１３の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１４】（Ａ）は第１４の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１５】（Ａ）は第１５の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１６】（Ａ）は第１６の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１７】（Ａ）は第１７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図、Ｇ−Ｈ断面図、及びＩ−Ｊ断面図。
【図１８】（Ａ）は第１８の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図。
【図１９】（Ａ）は第１９の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＫ−Ｌ断面図及びＩ−Ｊ断面図。
【図２０】（Ａ）は第２０の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＭ−Ｎ断面図及びＯ−Ｐ断面図。
【図２１】（Ａ）は第２１の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の断面図、（Ｂ）は第２２の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の断面図。
【図２２】第２３の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明する為の断面図。
【図２３】第２４の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の断面図。
【図２４】（Ａ）は図２３に示した液晶表示装置の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の画素部の拡大図。
【図２５】（Ａ）は第２５の実施形態に係る液晶表示装置の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の画素部の拡大図。
【図２６】第２６の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の断面図。
【図２７】第２７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の電極の形状を説明する為の平面図。
【図２８】第２８の実施形態に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置の電極の形状を説明する為の平面図。
【図２９】第２９の実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を説明する為の回路図。
【図３０】第３０の実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を説明する為の回路図。
【図３１】（Ａ）〜（Ｅ）は、第３１の実施形態に係る液晶モジュールの製造方法を示す断面図。
【図３２】（Ａ）〜（Ｄ）は、第３１の実施形態に係る液晶モジュールの製造方法を示す断面図。
【図３３】（Ａ）は第３１の実施形態に係る液晶モジュールの平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＫ−Ｌ断面図。
【図３４】第３２の実施形態に係る液晶表示モジュールを説明する為の図。
【図３５】第３２の実施形態に係る液晶表示モジュールを説明する為の図。
【図３６】（Ａ）〜（Ｈ）は、第３３の実施形態に係る電子機器を示す斜視図。
【図３７】第１の実施形態であり、本発明の基本的な構成を説明する為の断面図。
【図３８】（Ａ）、（Ｂ）は、第３４の実施形態に係る発光装置の構成を説明する為の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従っ
て本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００５０】
（第１の実施形態）
図３７は、本発明の基本的な構成を説明する為の断面図である。基板３７００の上には
、第１の電極３７０１が形成されている。基板３７００は、ガラス基板、石英基板、アル
ミナなど絶縁物で形成される基板、後工程の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチ
ック基板、シリコン基板、または金属基板である。透過型の表示装置として動作させる場
合は、基板３７００は、光透過性を有することが望ましい。
【００５１】
第１の電極３７０１は、可視光を透過する導電性の膜（例えばＩＴＯ：インジウム錫酸
化物）を用いて形成されている。
【００５２】
基板３７００及び第１の電極３７０１上には絶縁膜３７０４が形成されている。絶縁膜
３７０４は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シ
リコン（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ＞ｙ）など、酸
素又は窒素を有する絶縁物質から構成されており、これらの膜のいずれかの単層構造であ
っても良いし、これらの膜を複数積層した積層構造であってもよい。絶縁膜３７０４を設
けることにより、基板３７００から絶縁膜３７０４の上層へ不純物が拡散することを防止
できる。
【００５３】
なお、基板３７００と絶縁膜３７０４の間には、さらにゲート電極や、ゲート配線や、
ゲート絶縁膜などが配置されていてもよい。これらのうち、例えばゲート電極及びゲート
配線は、第１の電極３７０１と同一工程によって形成されてもよい。
【００５４】
絶縁膜３７０４上には薄膜トランジスタ３７０３が形成されている。薄膜トランジスタ
３７０３はトップゲート型、ボトムゲート型のいずれであってもよい。薄膜トランジスタ
３７０３は、第１の電極３７０１や第２の電極３７０２の近辺に配置されている。
【００５５】
薄膜トランジスタ３７０３及び絶縁膜３７０４上には、層間絶縁膜３７０５が形成され
ている。層間絶縁膜３７０５は、単層でもよいし、多層構造になっていてもよい。
【００５６】
層間絶縁膜３７０５を構成する材料は、無機材料又は有機材料を用いることができる。
有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト、
シロキサン、又はポリシラザンなどを用いることができる。無機材料としては、酸化シリ
コン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞
ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ＞ｙ）など、酸素又は窒素を有する絶縁物質
を用いることができる。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい。また、
有機材料と無機材料を組み合わせて積層膜にしてもよい。
【００５７】
層間絶縁膜３７０５として無機材料を用いた場合、水分や不純物の侵入を止めることが
出来る。特に、窒素を含む層を用いると、水分や不純物をブロックする機能が高い。また
層間絶縁膜３７０５として有機材料を用いた場合、表面を平坦にすることが出来る。その
ため、その上の層に対して、よい効果をもたらすことが出来る。例えば、有機材料の上に
形成する層も平坦にすることが出来るため、液晶の配向の乱れを防いだりすることが出来
たり、配線が切れてしまうことを防いだり、レジストを正確に形成することができたりす
る。
【００５８】
層間絶縁膜３７０５の上には、第２の電極３７０２が形成されている。第２の電極３７
０２は、光透過性の高い材料が望ましい。例えば、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸
素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれ
た一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料（例えば、インジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（Ｉ
ＴＳＯ））が望ましい。特に、ＩＺＯは、加工しやすく、正確な形状で微細に形成しやす
いため、好適である。ただし、これに限定されない。
【００５９】
第１の電極３７０１及び第２の電極３７０２は、いずれか一方が、映像信号に応じて画
素毎に異なる信号が供給される電極、つまり、いわゆる画素電極として機能し、薄膜トラ
ンジスタ３７０３のソース又はドレインに電気的に接続している。また第１の電極３７０
１及び第２の電極３７０２の残りの一つは共通電極として機能する。
【００６０】
第２の電極３７０２には、開口パターン（スリット）を形成する。なお、この開口パタ
ーンは、第１の電極３７０１と第２の電極３７０２との間に、基板に概略平行な方向の電
界を発生させるためのものである。基板に概略平行な方向を含む電界を発生させることが
可能であれば、開口パターンは様々な形状を取ることが出来る。ここで、概略平行とは、
多少のずれを含みつつ、平行な場合を指す。したがって、表示に支障が出ない範囲におい
て、平行な方向からずれていてもよい。例えば、±１０度、より望ましくは±５度程度の
ずれを有している場合を含んでいる。
【００６１】
よって、前記した開口パターンには、スリット等の閉じられた開口パターンのみではな
く、例えば櫛歯形状の電極における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンの相
互間に位置していて該導電体パターンが形成されていないスペースを含むものとする。つ
まり、電極と電極との間に、隙間や間隔があいていればよい。
【００６２】
このように、第２の電極３７０２と第１の電極３７０１との間で電界を発生させ、液晶
分子の配向状態を制御することが出来る。
【００６３】
以上のように本実施形態では、第１の電極３７０１と薄膜トランジスタ３７０３の間に
絶縁膜３７０４が位置している。このため、絶縁膜３７０４の厚さを調節することにより
、第１の電極３７０１と第２の電極３７０２の間隔の自由度が向上する。その結果、画素
電極が有する開口パターンの配置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間
の距離によって、最適値が変わってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に
設定することができる。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるよう
になり、例えば基板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。すなわ
ち、液晶を用いた表示装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホ
モジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、
視野角が広くなる。
【００６４】
また、絶縁膜３７０４の膜厚を変えても、トランジスタの動作などに影響を与えないた
め、自由に厚さを制御出来る。そのため、第１の電極３７０１と第２の電極３７０２の間
隔を自由に広げることが出来る。
【００６５】
なお、図３７においては、第２の電極３７０２のみが開口パターンを有していたが、第
１の電極３７０１も開口パターンを有しても良い。これにより、基板に概略平行な電界を
発生させ、液晶分子を制御することが出来る。
【００６６】
また、第１の電極３７０１があると、透過率が１００％でない限り、光の透過量が減っ
てしまう。これに対し、第１の電極３７０１に開口パターンがあると、その開口パターン
の部分は、光が減衰しないため、全体として光の透過量が増える。その結果、輝度を向上
させることや、消費電力を低減させることが出来る。
【００６７】
（第２の実施形態）
図１（Ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面
図である。１画素分の画素を示している。この液晶表示装置は、ＦＦＳ方式で液晶の配向
方向を制御する装置である。図１（Ａ）において、複数のソース配線１０８が互いに平行
（図中縦方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線１０
５は、ソース配線１０８に略直交する方向（図中横方向）に延伸し、かつ互いに離間する
ように配置されている。補助配線１０６は、複数のゲート配線１０５それぞれに隣接する
位置に配置されており、ゲート配線１０５に概略平行な方向、つまり、ソース配線１０８
に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線１０８と、補助配線１
０６及びゲート配線１０５とによって、略長方形の空間が囲まれ、この空間に液晶表示装
置の画素電極が配置されている。画素電極を駆動する薄膜トランジスタ１２１は、図中左
上の角に配置されている。画素電極及び薄膜トランジスタは、マトリクス状に複数配置さ
れている。
【００６８】
なお、ゲート配線１０５、補助配線１０６、及びソース配線１０８は、アルミニウム（
Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）
、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）
、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、スカンジウム（Ｓｃ）、コバルト（
Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、シリコン（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）
、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム  （Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で
構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしくは、前記群から選ばれた一つ又は
複数の元素を成分とする化合物や合金材料（例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、イ
ンジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）
など）、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質などを有して形成される。もしく
は、それらとシリコンの化合物（シリサイド）（例えば、アルミシリコン、モリブデンシ
リコン、ニッケルシリサイドなど）や、それらと窒素の化合物（例えば、窒化チタン、窒
化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形成される。なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ
型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロンなど）を多く含んでいてもよい。これらの不
純物を含むことにより、導電率が向上し、通常の導体と同様な振る舞いをするので、配線
や電極として利用が容易となる。なお、シリコンは、単結晶でもよいし、多結晶（ポリシ
リコン）でもよいし、非晶質（アモルファスシリコン）でもよい。単結晶シリコンや多結
晶シリコンを用いることにより、抵抗を小さくすることが出来る。非晶質シリコンを用い
ることにより、簡単な製造工程で作ることが出来る。なお、アルミニウムや銀は、導電率
が高いため、信号遅延を低減することができ、エッチングしやすいので、加工しやすく、
微細加工を行うことが出来る。なお、銅は、導電率が高いため、信号遅延を低減すること
が出来る。なお、モリブデンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半導体や、シリコンと接触
しても、材料が不良を起こすなどの問題が生じることなく製造でき、加工やエッチングが
容易で、耐熱性が高いため、望ましい。なお、チタンは、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物半
導体や、シリコンと接触しても、材料が不良を起こすなどの問題が生じることなく製造で
き、また、耐熱性が高いため、望ましい。なお、タングステンは、耐熱性が高いため、望
ましい。なお、ネオジウムは、耐熱性が高いため、望ましい。特に、ネオジウムとアルミ
ニウムとの合金にすると、耐熱性が向上し、アルミニウムがヒロックをおこしにくくなる
ため、望ましい。なお、シリコンは、トランジスタが有する半導体膜と同時に形成でき、
また、耐熱性が高いため、望ましい。なお、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム
亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛
（ＺｎＯ）、シリコン（Ｓｉ）は、透光性を有しているため、光を透過させるような部分
に用いることができるため、望ましい。たとえば、画素電極や共通電極として用いること
ができる。
【００６９】
なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよ
い。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程日数を少な
くでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの
材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成すること
が出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むように
することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むよ
うにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料
で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすること
が出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだよう
な形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するよ
うな部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の
材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る
。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、アルミニウムを接触させたい場合は、間に
、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させ
たい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
【００７０】
なお、ゲート配線１０５の方が、ソース配線１０８よりも耐熱性が高い材料を用いるこ
とが望ましい。なぜなら、ゲート配線１０５の方が、製造工程の過程で、高い温度状態に
配置されることが多いからである。
【００７１】
なお、ソース配線１０８の方が、ゲート配線１０５よりも、抵抗の低い材料を用いるこ
とが望ましい。なぜなら、ゲート配線１０５には、Ｈ信号とＬ信号の２値の信号を与える
だけであるが、ソース配線１０８には、アナログの信号を与え、それが表示に寄与するか
らである。よって、ソース配線１０８には、正確な大きさの信号を供給できるようにする
ため、抵抗の低い材料を用いることが望ましい。
【００７２】
なお、補助配線１０６を設けなくてもよいが、補助配線１０６を設けることにより、各
画素における共通電極の電位を安定化させることができる。なお、図１では、補助配線１
０６は、ゲート線と概略平行に配置されているが、これに限定されない。ソース配線１０
８と概略平行に配置されていてもよい。その時は、ソース配線１０８と同じ材質で形成さ
れることが望ましい。
【００７３】
ただし、補助配線１０６は、ゲート線と概略平行に配置したほうが、開口率を大きくす
ることができ、効率的にレイアウトできるため、好適である。
【００７４】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図である。図１（Ｂ）及び図
１（Ａ）に示すように、基板１００の一部上には、液晶の配向方向を制御する第１の電極
１０１が配置されている。ただし、基板１００と第１の電極１０１との間に、別の層が配
置されていても良い。
【００７５】
基板１００は、ガラス基板、石英基板、アルミナなど絶縁物で形成される基板、後工程
の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板、シリコン基板、または金属基板
である。また、ポリシリコンであってもよい。
【００７６】
なお、透過型の表示装置として動作させる場合は、基板１００は、光透過性を有するこ
とが望ましい。
【００７７】
第１の電極１０１は、光透過性を有する導電膜（例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
膜、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）膜、ＺｎＯ膜、若しくは不純物が導入されたポリシ
リコン膜又はアモルファスシリコン膜）から形成されており、共通電極として機能する。
なお、図１（Ａ）に示すように、第１の電極１０１は、上下に繋がっている。このように
繋げることにより、共通電極の抵抗を下げ、所定の電圧が加わりやすくすることが出来る
。
【００７８】
第１の電極１０１上および基板１００上には、絶縁膜１０２が形成されている。絶縁膜
１０２は、基板１００から不純物が拡散することを防止する膜であり、下地膜として機能
する。絶縁膜１０２は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）
、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ＞
ｙ）など、酸素又は窒素を有する絶縁物質から形成される。また、これらの膜を複数積層
した積層膜であってもよい。なお、基板１００と第１の電極１０１の間に絶縁膜１０２と
同じ機能を有する絶縁膜があってもよい。
【００７９】
絶縁膜１０２上には半導体膜１０３が形成されている。半導体膜１０３には、薄膜トラ
ンジスタ１２１のソースとなる不純物領域１０３ａ、及びドレインとなる不純物領域１０
３ｂが形成されている。不純物領域１０３ａ，１０３ｂは、例えばｎ型の不純物領域であ
るが、ｐ型の不純物領域であってもよい。ｎ型を付与する不純物としては、例えばリン（
Ｐ）及びヒ素（Ａｓ）があり、ｐ型を付与する不純物としては、例えばボロン（Ｂ）及び
ガリウム（Ｇａ）がある。
【００８０】
図１（Ａ）の点線で示すように、第１の電極１０１は長方形の一角（図中左上の角）を
欠いた形状であり、画素の略全面に形成されている。なお、長方形の角を欠いた部分１０
１ｄには薄膜トランジスタ１２１が配置されている。この角を欠いた部分１０１ｄに薄膜
トランジスタ１２１を配置することにより、画素内における表示に有効な領域を、より効
率的に形成することができる。つまり、開口率の向上につながる。なお、半導体膜１０３
は、例えばポリシリコン膜であるが、他の半導体膜（例えばアモルファスシリコン膜、単
結晶シリコン膜、有機半導体膜、又はカーボンナノチューブ）であってもよい。
【００８１】
半導体膜１０３を覆うように、薄膜トランジスタ１２１のゲート絶縁膜１０４が形成さ
れている。
【００８２】
ただし、ゲート絶縁膜１０４は、チャネル領域近傍にのみ配置され、それ以外の部分で
は、配置されていない場合もある。また、場所によって厚さや積層構造が異なる場合があ
る。例えば、チャネル近傍のみ厚かったり、層の数が多かったりして、それ以外の場所で
は、膜厚が薄かったり、層の数が少ない場合もある。このようにすることにより、ソース
領域やドレイン領域への不純物の添加が制御しやすくなる。また、チャネル近傍のゲート
絶縁膜１０４の厚さや層の数を変えることにより、半導体膜への不純物の添加量が場所に
よって変わるようにして、ＬＤＤ領域を形成することが出来る。ＬＤＤ領域を形成するこ
とにより、漏れ電流を低減させることや、ホットキャリアの発生を抑えて信頼性を向上さ
せることが出来る。
【００８３】
ゲート絶縁膜１０４は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ
）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ
＞ｙ）など、酸素又は窒素を有する絶縁物質から形成される。また、これらの膜を複数積
層した積層膜であってもよい。ゲート絶縁膜１０４上には半導体膜１０３の上方に位置す
るゲート電極１０５ａ，１０５ｂが形成されている。図１（Ｂ）及び図１（Ａ）に示すよ
うに、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂは補助配線１０６及びゲート配線１０５と同一配線
層であり、ゲート配線１０５に電気的に接続している。ゲート電極１０５ａ，１０５ｂそ
れぞれの下方に位置する半導体膜１０３は、チャネル領域１０３ｃとして機能する。なお
、２つのチャネル領域１０３ｃ相互間に位置する半導体膜１０３にも、不純物領域１０３
ａ，１０３ｂと同一の不純物が導入されている。なお、本実施形態においては、２つのゲ
ート電極を有するマルチゲート構造としたが、本発明をこの構成に限定するものではない
。
【００８４】
ゲート絶縁膜１０４上及びゲート電極１０５ａ，１０５ｂ上には、第１層間絶縁膜１０
７が形成されている。第１層間絶縁膜１０７には、無機材料又は有機材料を用いることが
できる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レ
ジスト、シロキサン、又はポリシラザンなどを用いることができる。無機材料としては、
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮ
ｙ：ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ＞ｙ）など、酸素又は窒素を有する
絶縁物質を用いることができる。また、これらの膜を複数積層した積層膜であってもよい
。また、有機材料と無機材料を組み合わせて積層膜にしてもよい。絶縁膜１０２、ゲート
絶縁膜１０４、及び第１層間絶縁膜１０７には、不純物領域１０３ａ上に位置する接続孔
、不純物領域１０３ｂ上に位置する接続孔、第１の電極１０１上に位置する接続孔、及び
補助配線１０６上に位置する接続孔が形成されている。第１層間絶縁膜１０７上には、ソ
ース配線１０８、接続用導電膜１０９、及び接続用導電膜１１０が形成されている。
【００８５】
なお、絶縁膜として無機材料を用いることにより、水分や不純物の侵入を止めることが
出来る。特に、窒素を含む層を用いると、水分や不純物をブロックする機能が高い。
【００８６】
なお、絶縁膜として有機材料を用いることにより、表面を平坦にすることが出来る。そ
のため、その上の層に対して、よい効果をもたらすことが出来る。例えば、有機材料の上
に形成する層も平坦にすることが出来るため、液晶の配向の乱れを防いだりすることが出
来る。
【００８７】
ソース配線１０８は不純物領域１０３ａの上方に位置しており、一部が接続孔に埋め込
まれることにより不純物領域１０３ａに電気的に接続している。したがって、ソース電極
は、ソース配線１０８の一部となって存在していることとなる。接続用導電膜１０９は、
一部が接続孔に埋め込まれることにより不純物領域１０３ｂに電気的に接続している。こ
のように、接続用導電膜１０９を配置することにより、接続孔を深くあける必要がないの
で、正確に形成することが出来る。
【００８８】
ただし、図２（Ｂ）に示すように、第２の電極１１２と、不純物領域１０３ｂとを、図
１（Ｂ）に示した接続用導電膜１０９を介さずに、直接接続してもよい。この場合、第２
の電極１１２と、不純物領域１０３ｂとを接続するための接続孔は、深く開ける必要が出
てくるが、接続用導電膜１０９が必要ないため、その領域を開口領域として画像表示に利
用できる。そのため、開口率が向上し、低消費電力化をはかることが出来る。
【００８９】
接続用導電膜１１０は、補助配線１０６の上方に位置しており、一部が接続孔に埋め込
まれることにより、補助配線１０６及び第１の電極１０１それぞれに電気的に接続してい
る。このように、第１の電極１０１は、接続用導電膜１１０を介して補助配線１０６に電
気的に接続している。なお、接続用導電膜１１０は複数設けられていてもよい。このよう
にすると、第１の電極１０１の電位が安定化する。また、接続用導電膜１１０を介して第
１の電極１０１と補助配線１０６を接続することにより、接続孔を開ける回数を減らすこ
とが出来るので、プロセス工程を簡略化することが出来る。
【００９０】
なお、接続用導電膜１１０は、ソース配線１０８と同時に、同じ材料を用いて形成した
が、これに限定されない。第２の電極１１２と同時に、同じ材料を用いて形成してもよい
。
【００９１】
ソース配線１０８、接続用導電膜１０９、接続用導電膜１１０、及び第１層間絶縁膜１
０７上には、第２層間絶縁膜１１１が形成されている。なお、第２層間絶縁膜１１１を形
成しない構成としても良い。第２層間絶縁膜１１１には、無機材料又は有機材料を用いる
ことができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミ
ド、レジスト、又はシロキサン、ポリシラザンなどを用いることができる。無機材料とし
ては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（Ｓｉ
ＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ＞ｙ）など、酸素又は窒素を
有する絶縁物質を用いることができる。また、これらの膜を複数積層した積層膜であって
もよい。また、有機材料と無機材料を組み合わせて積層膜にしてもよい。第２層間絶縁膜
１１１には、接続用導電膜１０９上に位置する接続孔が形成されている。
【００９２】
第２層間絶縁膜１１１上には、液晶の配向方向を制御する第２の電極１１２が形成され
ている。第２の電極１１２は画素ごとに個別の電圧が供給される画素電極として機能し、
ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％
のＺｎＯを混合したターゲットを用いて形成されたＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）など
によって形成されている。第２の電極１１２は、一部が接続用導電膜１０９の上方に位置
しており、この部分の一部が接続孔中に埋め込まれることにより、接続用導電膜１０９に
電気的に接続している。このように、第２の電極１１２は、接続用導電膜１０９を介して
薄膜トランジスタ１２１の不純物領域１０３ｂに電気的に接続している。
【００９３】
なお、図２に示すように、接続用導電膜１０９がない場合は、第２の電極１１２は、薄
膜トランジスタ１２１の不純物領域１０３ｂに直接接続している。
【００９４】
図２及び図１（Ａ）に示すように、第２の電極１１２は略長方形であり、第１の電極１
０１の上方に位置し、複数の開口パターン１１２ａ，１１２ｂを有している。開口パター
ン１１２ａ，１１２ｂの例としては、スリット状で互いに平行であるものを多く含む。本
図に示す例では、開口パターン１１２ａ，１１２ｂの向きは、ソース配線１０８に対して
斜めであるが、画素の図中上半分に位置する開口パターン１１２ａと、下半分に位置する
開口パターン１１２ｂの向きは互いに異なる。開口パターン１１２ａ，１１２ｂが形成さ
れることにより、第１の電極１０１と第２の電極１１２の間で基板に平行な成分を有する
電界が、第２の電極１１２の上方で生じる。このため、第２の電極１１２の電位を制御す
ることにより、後述する液晶の配向方向を制御することができる。
【００９５】
また、開口パターン１１２ａ，１１２ｂのように、開口パターンの向きが異なるものを
配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つ
まり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、
ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことがで
き、その結果、視野角を向上させることが出来る。
【００９６】
なお、開口パターンの形状は本実施形態の形状に限定されない。第３の実施形態以降で
記載する開口パターンの形状も適用することができる。すなわち開口パターンには、例え
ば櫛歯形状の電極における櫛歯部分の相互間のスペース等、導電体パターンが形成されて
いないスペースを含まれるものとする。
【００９７】
また、図１（Ａ）に示すように、基板１００に対して垂直な方向から見た場合に、共通
電極として機能する第１の電極１０１が、画素電極として機能する第２の電極１１２の外
側に食み出している。このようにすることにより、信号を受け取った後フローティング状
態になった第２の電極１１２が、ソース配線１０８を介して他の画素へ伝達される信号の
影響を受けることが抑制される。その結果、クロストークなどの画像不良を低減すること
が出来る。なお、本発明はこのような電極構造に限定されるものではなく、共通電極が画
素電極の内側に配置される部分を有していても良い。
【００９８】
第２層間絶縁膜１１１上及び第２の電極１１２上には、第１配向膜１１３及び液晶１１
４が積層されている。液晶１１４としては、強誘電性液晶（ＦＬＣ）、ネマティック液晶
、スメクティック液晶、ホモジニアス配向になるような液晶、ホメオトロピック配向にな
るような液晶などを用いることができる。液晶１１４上には、第２配向膜１１５及びカラ
ーフィルタ１１６を介して対向基板１２０が配置されている。なお、基板１００及び対向
基板１２０それぞれには、偏光板１１９，１１８が設けられている。
【００９９】
なお、偏光板のほかに、位相差板やλ／４板などが配置されている場合も多い。
【０１００】
なお、上記した構成において、第１の電極１０１、第２の電極１１２のうち開口パター
ンが形成されていない部分、及びこれらの相互間に位置する各絶縁膜によって、容量が形
成される。この容量が形成されることにより保持容量が大きくなる。
【０１０１】
次に、本発明の半導体装置、液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。まず、
基板１００上に光透過性を有する導電膜（例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜、ＩＺ
Ｏ膜、ＺｎＯ膜、又はＳｉ膜）を形成する。次いで、この導電膜上にフォトレジスト膜（
図示せず）を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、導電膜上
にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして導電
膜をエッチングする。これにより、導電膜が選択的に除去され、基板１００上には第１の
電極１０１が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【０１０２】
次いで、基板１００上及び第１の電極１０１上に、絶縁膜１０２を形成する。絶縁膜１
０２は、後述するゲート絶縁膜１０４より厚く形成されることが望ましい。次いで、絶縁
膜１０２上に半導体膜（例えばポリシリコン膜）を形成し、この半導体膜を、レジストパ
ターンを用いたエッチングにより選択的に除去する。これにより、絶縁膜１０２上には島
状の半導体膜１０３が形成される。
【０１０３】
次いで、半導体膜１０３上及び絶縁膜１０２上に、ゲート絶縁膜１０４を形成する。ゲ
ート絶縁膜１０４は例えば酸化窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜であり、プラズマＣＶ
Ｄ法により形成される。なお、ゲート絶縁膜１０４を窒化シリコン膜、若しくは窒化シリ
コン及び酸化シリコンを有する多層膜により形成してもよい。次いで、ゲート絶縁膜１０
４上に導電膜を形成し、この導電膜を、レジストパターンをマスクとしたエッチングを行
うことにより、選択的に除去する。これにより、半導体膜１０３上に位置するゲート絶縁
膜１０４上には、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂが形成される。また、本工程により、ゲ
ート配線１０５及び補助配線１０６が形成される。
【０１０４】
なお、上記したように補助配線１０６を設けることにより、各画素において第１の電極
１０１の電位を安定化させることができる。また、補助配線１０６を形成しなくてもよい
。また、補助配線１０６を他の層（例えばソース配線１０８と同一の層、又は第１の電極
１０１と同一の層、又は第２の電極１１２と同一の層）に設けてもよく、複数の層に分け
て形成してもよい。また、図１（Ｂ）において補助配線１０６は、ソース配線１０８に直
交する方向に延伸しているが、ソース配線１０８と同一方向に延伸する構成であってもよ
い。
【０１０５】
なお、導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（
Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）、
スカンジウム（Ｓｃ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、シリコン（
Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ボロン（Ｂ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉ
ｎ）、錫（Ｓｎ）、酸素（Ｏ）で構成された群から選ばれた一つ又は複数の元素、もしく
は、前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物や合金材料（例えば、イ
ンジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を添加したイ
ンジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）
、マグネシウム銀（Ｍｇ−Ａｇ）など）、もしくは、これらの化合物を組み合わせた物質
などを有して形成される。もしくは、それらとシリコンの化合物（シリサイド）（例えば
、アルミシリコン、モリブデンシリコン、ニッケルシリサイドなど）や、それらと窒素の
化合物（例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン等）を有して形成される。
なお、シリコン（Ｓｉ）には、ｎ型不純物（リンなど）やｐ型不純物（ボロンなど）を多
く含んでいてもよい。
【０１０６】
なお、これらが単層で配線や電極を形成していてもよいし、多層構造になっていてもよ
い。単層構造で形成することにより、製造工程を簡略化することができ、工程日数を少な
くでき、コストを低減することが出来る。また、多層構造にすることにより、それぞれの
材料のメリットを生かし、デメリットを低減させ、性能の良い配線や電極を形成すること
が出来る。たとえば、抵抗の低い材料（アルミニウムなど）を多層構造の中に含むように
することにより、配線の低抵抗化を図ることができる。また、耐熱性が高い材料を含むよ
うにすれば、例えば、耐熱性が弱いが、別のメリットを有する材料を、耐熱性が高い材料
で挟むような積層構造にすることにより、配線や電極全体として、耐熱性を高くすること
が出来る。例えば、アルミニウムを含む層を、モリブデンやチタンを含む層で挟んだよう
な形にした積層構造にすると望ましい。また、別の材料の配線や電極などと直接接するよ
うな部分がある場合、お互いに悪影響を及ぼすことがある。例えば、一方の材料が他方の
材料の中に入っていって、性質を変えてしまい、本来の目的を果たせなくなったり、製造
するときに、問題が生じて、正常に製造できなくなったりすることがある。そのような場
合、ある層を別の層で挟んだり、覆ったりすることにより、問題を解決することが出来る
。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）と、アルミニウムを接触させたい場合は、間に
、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。また、シリコンとアルミニウムを接触させ
たい場合は、間に、チタンやモリブデンを挟むことが望ましい。
【０１０７】
次いで、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂをマスクとして、半導体膜１０３に不純物を注
入する。これにより、半導体膜１０３には、不純物領域１０３ａ，１０３ｂ、及びゲート
電極１０５ａ，１０５ｂ相互間に位置する不純物領域が形成される。なお、ｎ型、ｐ型の
不純物元素を個別に注入してもよいし、特定の領域にはｎ型の不純物元素及びｐ型の不純
物元素を共に注入してもよい。ただし後者の場合には、ｎ型の不純物元素又はｐ型の不純
物元素のどちらか一方の注入量が多くなるようにする。なお、本工程において、レジスト
パターンをマスクとして用いてもよい。
【０１０８】
なお、このとき、ゲート絶縁膜１０４の厚さや積層構造を変えることにより、ＬＤＤ領
域を形成してもよい。ＬＤＤ領域を形成したい部分は、ゲート絶縁膜１０４を厚く形成す
ることや、層の数を増やすことをすればよい。その結果、不純物の注入量が減るため、Ｌ
ＤＤ領域を容易に形成することが出来る。
【０１０９】
なお、半導体膜１０３に不純物を注入する場合、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂを形成
する前、例えば、ゲート絶縁膜１０４を成膜する前や、成膜した後に行っても良い。その
場合は、レジストパターンをマスクとして用いて、形成する。これにより、ゲートと同じ
層の電極と、不純物が注入された半導体膜との間で、容量を形成することが出来る。ゲー
トと同じ層の電極と、不純物が注入された半導体膜との間には、ゲート絶縁膜が配置され
ているので、膜厚がうすく、大きな容量を形成することが出来る。
【０１１０】
次いで、第１層間絶縁膜１０７及び各接続孔を形成する。次いで、第１層間絶縁膜１０
７上及び各接続孔中に導電膜（例えば金属膜）を形成し、この導電膜を、レジストパター
ンを用いたエッチングにより選択的に除去する。これにより、ソース配線１０８、接続用
導電膜１０９、及び接続用導電膜１１０が形成される。
【０１１１】
次いで、第２層間絶縁膜１１１及び各接続孔を形成する。次いで、第２層間絶縁膜１１
１上及び各接続孔中に光透過性を有する導電膜（例えばＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＺｎＯ膜、
又はＳｉ膜）を形成し、この導電膜を、レジストパターンを用いたエッチングにより選択
的に除去する。これにより、第２の電極１１２が形成される。
【０１１２】
なお、接続用導電膜１０９の一部が埋め込まれている接続孔と、第２の電極１１２の一
部が埋め込まれている接続孔とは位置が互いに異なっている。このようにすることにより
、接続用導電膜１０９及び第２の電極１１２のうち、接続孔上に位置する部分が窪んでも
、この窪みが重なることはない。このため、第２の電極１１２に深く窪む部分が形成され
ず、上記したレジストパターンの不良が発生することを抑制できる。その後、レジストパ
ターンを除去する。
【０１１３】
次いで、第１配向膜１１３を形成し、第２配向膜１１５が形成された対向基板１２０と
の間に液晶１１４を封止する。その後、液晶１１４と接しない側の対向基板１２０や基板
１００に、偏光板１１８，１１９、位相差板（図示せず）、λ／４板等の光学フィルム（
図示せず）、拡散板やプリズムシート等の光学フィルム等を設ける。さらに、バックライ
トやフロントライトを設ける。バックライトとしては、直下型やサイドライト型を用いる
ことが出来る。光源としては、冷陰極管やＬＥＤ（発光ダイオード）を用いることができ
る。ＬＥＤとしては、白色ＬＥＤや、色ごとのＬＥＤ（例えば、白、赤、青、緑、シアン
、マゼンタ、イエローなど）を組み合わせて用いればよい。ＬＥＤを用いると、光の波長
のピークが鋭いため、色純度を上げることが出来る。サイドライト型の場合は、導光板を
配置し、均一な面光源を実現する。このようにして、液晶表示装置が形成される。
【０１１４】
なお、液晶表示装置とは、基板と対向基板と、それに挟まれた液晶のみの部分を呼んで
も良い。さらに、液晶表示装置とは、偏光板や位相差板などの光学フィルムを配置したも
のまで含む場合もあり、その他にも、拡散板やプリズムシートや光源（冷陰極管やＬＥＤ
など）や導光板などを含めてもよい。
【０１１５】
以上、本発明の第２の実施形態によれば、ＦＦＳ方式で液晶の配向方向を制御する液晶
表示装置において、第１の電極１０１を基板１００上すなわち絶縁膜１０２の下に配置し
ている。このため、第１の電極１０１を絶縁膜１０２上に配置する場合と比較して、第１
の電極１０１と第２の電極１１２の間隔を広げることができる。従って、第１の電極１０
１と第２の電極１１２の間隔の自由度が向上する。その結果、画素電極が有する開口パタ
ーンの配置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適
値が変わってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に設定することができる
。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基板と
平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。すなわち、液晶を用いた表示
装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、
基板と平行な方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、視野角が広くなる。
【０１１６】
また、絶縁膜１０２の膜厚を変えても、トランジスタの動作などに影響を与えないため
、自由に厚さを制御出来る。そのため、第１の電極１０１と第２の電極１１２の間隔を自
由に広げることが出来る。
【０１１７】
また、絶縁膜１０２を厚くすることにより、ゲート絶縁膜１０４を薄くしても、第１の
電極１０１と第２の電極１１２の間隔を広くして、液晶１１４に適切な電界をかけること
ができる。ゲート絶縁膜１０４を薄くした場合、薄膜トランジスタ１２１の電流駆動能力
を向上させることができ、かつゲート容量を向上させることができる。
【０１１８】
また、ゲート電極１０５ａとゲート配線１０５は別の層に形成されていてもよいし、別
の材料で形成されていてもよい。
【０１１９】
なお、接続用導電膜１０９を、ソース配線１０８と同一層に配置したが、他の配線層（
例えばゲート配線１０５、第１の電極１０１、又は第２の電極１１２と同一層）に配置し
てもよい。また、ゲート絶縁膜１０４は全面に形成されていなくてもよい。
【０１２０】
また、第２の電極１１２の一部が埋め込まれた接続孔を、接続用導電膜１０９の一部が
埋め込まれた接続孔と重なる位置に形成しても良い。この場合、１つの場所に収めること
が出来るため、効率的にレイアウトすることが出来る。そのため、画素の開口率を向上さ
せることができる。
【０１２１】
また、本実施形態では、チャネル領域の上方にゲート電極を配置した、いわゆるトップ
ゲート型の薄膜トランジスタについて説明をしたが、本発明は特にこれに限定されるもの
ではない。チャネル領域の下方にゲート電極が配置された、いわゆるボトムゲート型の薄
膜トランジスタにしてもよいし、チャネル領域の上下にゲート電極が配置された構造を有
するトランジスタを形成してもよい。
【０１２２】
また、液晶表示装置は透過型であってもよいし、半透過型又は反射型の液晶表示装置で
あってもよい。半透過型の液晶表示装置は、例えば第１の電極１０１を光透過性の膜（例
えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）膜、ＺｎＯ膜、
若しくは不純物が導入されたポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜）により形成し
、第２の電極１１２を金属膜により形成することにより実現できる。また、第２の電極１
１２を光透過性の膜により形成し、かつ第１の電極１０１の一部を金属膜により形成して
残りを光透過性の膜により形成しても、半透過型の液晶表示装置を実現できる。また反射
型の液晶表示装置においては、第１の電極１０１を金属膜にすることで、第１の電極１０
１に反射板の機能を持たせることができる。また基板１００と第１の電極１０１の間に絶
縁膜（例えば酸化シリコン膜）を設け、この絶縁膜中に反射膜としての金属膜を形成する
こともできる。さらに、基板１００の外側の面に、反射膜としての反射シート（例えばア
ルミニウム膜）を設けることもできる。なお、ここで述べた内容は、後述する各実施形態
にも同様に適用できる。
【０１２３】
（第３の実施形態）
図３（Ａ）は、第３の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面図である
。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図である。本実施形態は、第
１の電極１０１が薄膜トランジスタ１２１の不純物領域１０３ｂに電気的に接続されてい
て画素電極として機能している点、第２の電極１１２が補助配線１０６に電気的に接続さ
れていて共通電極として機能している点、基板１００に対して垂直な方向から見た場合に
第２の電極１１２が第１の電極１０１の外側に食み出している点、並びに、第１の電極１
０１及び第２の電極１１２と各配線の接続構造を除いて、第２の実施形態と概ね同様の構
成である。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第２の実施形態と略同様
である。従って、第２の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも適用することが可能で
ある。以下、第２の実施形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省
略する。
【０１２４】
本実施形態において、第１層間絶縁膜１０７、ゲート絶縁膜１０４、及び絶縁膜１０２
には、第１の電極１０１上に位置する接続孔が形成されており、第１層間絶縁膜１０７及
びゲート絶縁膜１０４には、薄膜トランジスタ１２１の不純物領域１０３ａ，１０３ｂ上
に位置する接続孔が形成されている。また、第１層間絶縁膜１０７には、補助配線１０６
上に位置する接続孔が形成されている。
【０１２５】
接続用導電膜１０９は、不純物領域１０３ｂの上方から第１の電極１０１の上方まで延
伸しており、一部が接続孔に埋め込まれることにより、不純物領域１０３ｂ及び第１の電
極１０１それぞれに電気的に接続している。このように、第１の電極１０１は、接続用導
電膜１０９を介して不純物領域１０３ｂに電気的に接続している。また、接続用導電膜１
１０は、一部が接続孔に埋め込まれることにより補助配線１０６に電気的に接続している
。
【０１２６】
なお、第１の電極１０１は、第２の電極１１２と同じ層で形成された接続用導電膜を設
けて、それを介して不純物領域１０３ｂと電気的に接続してもよい。
【０１２７】
また、第２層間絶縁膜１１１には、接続用導電膜１１０上に位置する接続孔が形成され
ている。第２の電極１１２は、一部が接続孔に埋め込まれることにより接続用導電膜１１
０に電気的に接続している。このように、第２の電極１１２は接続用導電膜１１０を介し
て補助配線１０６に電気的に接続している。なお、図３（Ａ）に示すように、上下に位置
する第２の電極１１２同士は、部分的に互いに繋がっている。
【０１２８】
なお、接続用導電膜１１０を配置せずに、補助配線１０６と第２の電極１１２とが、直
接接続されていてもよい。
【０１２９】
なお、本実施形態では、接続用導電膜１１０は、第１の電極１０１が有する４つの角の
うち、薄膜トランジスタの近くの角を除く３つの角の上方それぞれに形成されている。
【０１３０】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実
施形態において、接続用導電膜１１０を設けなくてもよい。この場合、第１及び第２層間
絶縁膜１０７，１１１には、補助配線１０６上に位置する接続孔が形成される。そして、
この接続孔に第２の電極１１２の一部が埋め込まれることにより、補助配線１０６と第２
の電極１１２が電気的に接続される。この場合、開口率を向上させることができる。ただ
し、接続用導電膜１１０を設けると、第１及び第２層間絶縁膜１０７，１１１それぞれに
形成された接続孔に位置ずれが生じても、この位置ずれを接続用導電膜１１０によって吸
収することができる。
【０１３１】
また、図３に示すように、第１の電極１０１が画素電極として機能し、第２の電極１１
２が共通電極として機能し、画素電極よりも、共通電極の方が液晶と近接して配置されて
いる。その結果、画素ごとに画素電極の電圧が変化しても、共通電極の電圧は一定である
ため、液晶が存在する部分の電界は隣接する画素からの影響を受けにくく、クロストーク
を低減できる。例えば、表示する画像によっては、隣接する画素に入力される信号が大き
く異なる場合があるが、本実施形態のように共通電極を液晶と近接して配置する構成を採
用することで、クロストークを防ぐことが可能となる。
【０１３２】
なお、図３では画素を一つのみ図示したが、実際には複数の画素がマトリックス状に配
置されている。この場合、各画素の第２の電極１１２を相互に接続してもよい。このよう
にすることにより、抵抗を低くし、第２の電極１１２に電圧が十分に加わるようにするこ
とができる。
【０１３３】
なお、本実施形態は、第２の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変形した
場合の一例を示している。したがって、第２の実施形態で述べた内容は、本実施形態にも
適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１３４】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１３５】
（第４の実施形態）
図４（Ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る液晶表示装置の構成を説明する為の平面
図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＡ−Ｂ断面図及びＣ−Ｄ断面図である。本実施形
態に係る液晶表示装置は第２の電極１１２に形成された開口パターン１１２ｃの形状が異
なる点、及び第１の電極１０１に開口パターン１０１ａが形成されている点を除いて、第
３の実施形態と同様の構成である。すなわち本実施形態に係る液晶表示装置は、ＩＰＳ方
式で液晶の配向方向を制御する装置であり、液晶表示装置に対して垂直な方向から見た場
合に、画素電極及び共通電極が主要部分で互い違いかつ略平行となっている。ＦＦＳ方式
では、画素電極及び共通電極のうち下方に位置する電極は開口パターンを有していない。
また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第３の実施形態と概ね同様である。
従って、第３の実施形態で述べた内容は、本実施の形態にも適用することが可能である。
なお、第２の実施形態で述べた内容は、第３の実施形態でも適用可能であるため、第４の
実施形態にも適用可能である。以下、第３の実施形態と同様の構成の部分については同一
の符号を付し、説明を省略する。
【０１３６】
開口パターン１１２ｃ，１０１ａは、それぞれ図４（Ａ）中上下にジグザグに延伸して
いる。開口パターン１０１ａは、第２の電極１１２のうち開口パターン１１２ｃが形成さ
れていない領域の下方及びその周囲に位置している。
【０１３７】
また、開口パターン１１２ｃ，１０１ａのように、開口パターンの向きが異なるものを
配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つ
まり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、
ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことがで
き、その結果、視野角を向上させることが出来る。
【０１３８】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実
施形態において、第２の電極１１２の形状及び開口パターン１１２ｃの形状、並びに第１
の電極１０１及び開口パターン１０１ａの形状を、第２の実施形態における第２の電極１
１２の形状及び開口パターン１１２ｃの形状にしてもよい。ただし、基板１００に対して
垂直な方向から見た場合に、開口パターン１０１ａ，１１２ｃは、第１の電極１０１及び
第２の電極１１２の周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置される必要が
ある。ただし、これに限定されない。
【０１３９】
また、第２の実施形態又は第３の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置において
、第２の電極１１２の形状及び開口パターン１１２ａ，１１２ｂの形状を、本実施形態で
示した形状にしてもよい。
【０１４０】
また、第１の電極１０１と、第２の電極１１２や補助配線１０６とをオーバーラップさ
せることにより、容量を形成することができ、それを保持容量として用いることができる
。
【０１４１】
なお、本実施形態は、第２〜第３の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変
形した場合の一例を示している。したがって、第２〜第３の実施形態で述べた内容は、本
実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１４２】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１４３】
（第５の実施形態）
図５（Ａ）は、本発明の第５の実施形態に係るＩＰＳ方式の液晶表示装置の構成を説明
する為の平面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＡ−Ｂ断面図及びＣ−Ｄ断面図であ
る。本実施形態は、第１の電極１０１が補助配線１０６に電気的に接続されていて共通電
極として機能している点、第２の電極１１２が接続用導電膜１０９に電気的に接続されて
いて画素電極として機能している点、並びに、第１の電極１０１及び第２の電極１１２と
各配線の接続構造を除いて、第４の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に係
る液晶表示装置の製造方法は、第４の実施形態と略同様である。以下、第４の実施形態と
同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１４４】
従って、第１の実施形態乃至第４の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適
用することが可能である。
【０１４５】
本実施形態において、第３の実施形態に示した接続用導電膜１１０は形成されていない
。その代わり、ゲート絶縁膜１０４及び絶縁膜１０２には、第１の電極１０１上に位置す
る接続孔が形成されている。補助配線１０６は、一部がこの接続孔に埋め込まれることに
より、第１の電極１０１に電気的に接続している。
【０１４６】
なお、この接続孔は、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂを形成する前に形成する。
【０１４７】
このように配置することにより、効率的にレイアウトをすることができ、開口率を向上
させることが出来る。
【０１４８】
また、第２層間絶縁膜１１１には、接続用導電膜１１０上に位置する接続孔は形成され
ておらず、その代わりに接続用導電膜１０９上に位置する接続孔が形成されている。第２
の電極１１２は、この接続孔に一部が埋め込まれることにより、接続用導電膜１０９に電
気的に接続している。
【０１４９】
なお、第２の電極１１２が接続用導電膜１０９に電気的に接続されているが、これに限
定されない。接続用導電膜１０９を配置せず、不純物領域１０３ｂと電気的に接続されて
いてもよい。
【０１５０】
なお、本実施形態において、第２の電極１１２の形状及び開口パターン１１２ｃの形状
、並びに第１の電極１０１及び開口パターン１０１ａの形状を、第２の実施形態における
第２の電極１１２の形状及び開口パターン１１２ｃの形状にしてもよい。ただし、基板１
００に対して垂直な方向から見た場合に、開口パターン１０１ａ，１１２ｃは、第１の電
極１０１及び第２の電極１１２の周辺部分を除いて互い違いかつ略平行になるように配置
される必要がある。
【０１５１】
また、開口パターン１１２ｃ，１０１ａのように、開口パターンの向きが異なるものを
配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つ
まり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、
ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことがで
き、その結果、視野角を向上させることが出来る。
【０１５２】
なお、本実施形態は、第２〜第４の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変
形した場合の一例を示している。したがって、第２〜第４の実施形態で述べた内容は、本
実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１５３】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１５４】
（第６の実施形態）
図６（Ａ）は、本発明の第６の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明
する為の平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図であ
る。本実施形態は、ソース配線１０８が屈曲している点、ソース配線１０８に合わせて第
１の電極１０１及び第２の電極１１２も屈曲している点、及び第２の電極１１２が有する
開口パターン１１２ｈがソース配線１０８に沿って延伸し、かつ屈曲している点を除いて
、第２の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置と同様の構成である。このため、第
２の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用することができる。以下、第２の実施
形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１５５】
従って、第２の実施形態乃至第５の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適
用することが可能である。
【０１５６】
図６の開口パターン１１２ｈのように、開口パターンの向きが異なるものを配置するこ
とによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マル
チドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の
方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結
果、視野角を向上させることが出来る。
【０１５７】
さらに、開口パターン１１２ｈにそって、ソース配線１０８も屈曲しているため、効率
的にレイアウトをすることができ、開口率を向上させることが出来る。
【０１５８】
本実施形態によっても第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施
形態において第２の電極１１２が有する開口パターンの形状を、第２又は第４の実施形態
で示した形状にしてもよい。
【０１５９】
なお、本実施形態は、第２〜第５の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は変
形した場合の一例を示している。したがって、第２〜第５の実施形態で述べた内容は、本
実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１６０】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１６１】
（第７の実施形態）
図７（Ａ）は、本発明の第７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明
する為の平面図である。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図であ
る。本実施形態は、ソース配線１０８が屈曲している点、ソース配線１０８に合わせて第
１の電極１０１及び第２の電極１１２も屈曲している点、及び第２の電極１１２が有する
開口パターン１１２ｈがソース配線１０８に沿って延伸し、かつ屈曲している点を除いて
、第３の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置と同様の構成である。このため、第
３の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用することができる。以下、第３の実施
形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１６２】
従って、第２の実施形態乃至第６の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適
用することが可能である。
【０１６３】
図７の開口パターン１１２ｈのように、開口パターンの向きが異なるものを配置するこ
とによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つまり、マル
チドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、ある特定の
方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなってしまうことを防ぐことができ、その結
果、視野角を向上させることが出来る。
【０１６４】
さらに、開口パターン１１２ｈにそって、ソース配線１０８も屈曲しているため、効率
的にレイアウトをすることができ、開口率を向上させることが出来る。
【０１６５】
本実施形態によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実施
形態において第２の電極１１２が有する開口パターンの形状を、第２又は第４の実施形態
で示した形状にしてもよい。
【０１６６】
なお、本実施形態は、第２から第６の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は
変形した場合の一例を示している。したがって、第２から第６の実施形態で述べた内容は
、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１６７】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１６８】
（第８の実施形態）
図８（Ａ）は、本発明の第８の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明
する為の平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図であ
る。本実施形態は、基板１００上に、半導体膜１０３の下方全面に位置する導電膜１６０
が形成されている点を除いて、第２の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に
係る液晶表示装置の製造方法は、導電膜１６０が第１の電極１０１と同一工程で形成され
る点を除いて、第２の実施形態と略同様である。従って、第２の実施形態で説明した内容
は本実施形態にも適用することができる。なお、導電膜１６０はいずれの部材にも電気的
に接続されておらず、フローティングの状態にある。以下、第２の実施形態と同様の構成
の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１６９】
従って、第２の実施形態乃至第７の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適
用することが可能である。
【０１７０】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、基板
１００上に、半導体膜１０３の下方に位置する導電膜１６０が形成されているため、絶縁
膜１０２を酸化シリコン膜の単層としてもよい。導電膜１６０が形成されておらず、かつ
絶縁膜１０２が酸化シリコン膜単層の場合、基板１００から半導体膜１０３への不純物拡
散を十分に抑制することができない可能性がある。このため、絶縁膜１０２に窒化シリコ
ン膜を加える必要がある。しかし、窒化シリコン膜と半導体膜１０３を接触させると、薄
膜トランジスタ１２１の動作が不安定になる。これに対し、本実施形態では、導電膜１６
０を形成することにより、絶縁膜１０２を酸化シリコン膜単層にしても、基板１００から
半導体膜１０３への不純物拡散を十分に抑制することができる。そして、絶縁膜１０２を
酸化シリコン膜単層にすることで、薄膜トランジスタ１２１の動作を安定にすることがで
きる。
【０１７１】
なお、絶縁膜１０２は酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層構造であってもよい。こ
のようにすると、酸化シリコン膜に鉄等の不純物が含まれていても、この不純物が半導体
膜１０３に拡散することを抑制できる。また、基板１００からの不純物の侵入を、よりよ
くブロックすることが出来る。
【０１７２】
なお、第３の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４及び第５の実施
形態で示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて導電膜１６０を形成しても、本
実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態において、第２の電極１１
２及び開口パターン１１２ａの形状を、第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０１７３】
また、開口パターン１１２ａ，１１２ｂのように、開口パターンの向きが異なるものを
配置することによって、液晶分子の動く方向が異なる領域を複数設けることが出来る。つ
まり、マルチドメイン構造にすることが出来る。マルチドメイン構造にすることにより、
ある特定の方向から見たとき、画像の表示が正しくなくなることを防ぐことができ、その
結果、視野角を向上させることが出来る。
【０１７４】
なお、本実施形態は、第２乃至第７の実施形態で述べた内容を、一部変更、改良、又は
変形した場合の一例を示している。したがって、第２乃至第７の実施形態で述べた内容は
、本実施形態にも適用することや、組み合わせることが出来る。
【０１７５】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１７６】
（第９の実施形態）
図９（Ａ）は、本発明の第９の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明
する為の平面図である。図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断面図であ
る。本実施形態は、第１の電極１０１の一部が、半導体膜１０３のうち不純物領域１０３
ｂの下方まで延伸している点を除いて、第２の実施形態と同様の構成である。また、本実
施形態に係る液晶表示装置の製造方法は第２の実施形態と略同様である。このため、第２
の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用することができる。以下、第２の実施形
態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１７７】
従って、第２の実施形態乃至第８の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適
用することが可能である。
【０１７８】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１７９】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、本実
施形態において、第２の電極１１２及び開口パターン１１２ａの形状を、第４の実施形態
で示した形状にしてもよい。また、第６の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、
及び第５の実施形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と
同様に、第１の電極１０１の一部を不純物領域１０３ｂの下方に位置させてもよい。
【０１８０】
また、第３及び第７の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４の実施
形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様に、第１の
電極１０１の一部を不純物領域１０３ｂの下方に位置させてもよい。このようにすると、
第１の電極１０１の電圧は不純物領域１０３ｂの電圧と同一であるため、ノイズ等の影響
を受けにくくなり、不純物領域１０３ｂの電圧が安定する。その結果、開口パターン１１
２ａの間隔を狭くすることが可能になり、また電界の加わり方がなめらかになるので、液
晶分子を制御しやすくなる。また、開口パターン１１２ａの間隔を狭くすることにより電
圧を小さくできるので、消費電力も小さくできる。また、電界が集中することも緩和され
るため、薄膜トランジスタ１２１の信頼性も向上する。
【０１８１】
また、本実施形態において、第１の電極１０１のうち不純物領域１０３ｂの下方に位置
する部分を第１の電極１０１の本体から分離し、かつ接続用導電膜１０９に電気的に接続
してもよい。このようにしても、前記した効果を得ることができる。すなわち液晶分子が
制御しやすくなり、消費電力が小さくなり、かつ薄膜トランジスタ１２１の信頼性が向上
する。
【０１８２】
（第１０の実施形態）
図１０（Ａ）は、本発明の第１０の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、第１の電極１０１の一部が、半導体膜１０３のうち不純物領
域１０３ｂ、２つのチャネル領域１０３ｃ、及びチャネル領域１０３ｃ相互間の不純物領
域それぞれの下方まで延伸している点を除いて、第９の実施形態と同様の構成である。ま
た、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は第９の実施形態と略同様である。このた
め、第９の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用することができる。以下、第９
の実施形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１８３】
従って、第２の実施形態乃至第９の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても適
用することが可能である。
【０１８４】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１８５】
本実施形態によっても、第９の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第６
の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、及び第５の実施形態に示したＩＰＳ方式
の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様に、第１の電極１０１の一部を不純
物領域１０３ｂ、２つのチャネル領域１０３ｃ、及びチャネル領域１０３ｃ相互間の不純
物領域それぞれの下方まで延伸させてもよい。
【０１８６】
なお、本実施形態において、第２の電極１１２及び開口パターン１１２ａの形状を、第
４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０１８７】
また、第３及び第７の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４の実施
形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様に、第１の
電極１０１の一部を不純物領域１０３ｂ、２つのチャネル領域１０３ｃ、及びチャネル領
域１０３ｃ相互間の不純物領域それぞれの下方まで延伸させてもよい。このようにすると
、第１の電極１０１の電圧は不純物領域１０３ｂの電圧と同一であるため、ノイズ等の影
響を受けにくくなり、不純物領域１０３ｂの電圧が安定する。その結果、開口パターン１
１２ａの間隔を狭くすることが可能になり、また電界の加わり方がなめらかになるので、
液晶分子を制御しやすくなる。また、開口パターン１１２ａの間隔を狭くすることにより
電圧を小さくできるので、消費電力も小さくできる。また、電界が集中することも緩和さ
れるため、薄膜トランジスタ１２１の信頼性も向上する。
【０１８８】
また、本実施形態において、第１の電極１０１のうち不純物領域１０３ｂ、２つのチャ
ネル領域１０３ｃ、及びチャネル領域１０３ｃ相互間の不純物領域それぞれの下方に位置
する部分を第１の電極１０１の本体から分離し、かつ接続用導電膜１０９に電気的に接続
してもよい。このようにしても、前記した効果を得ることができる。すなわち液晶分子が
制御しやすくなり、消費電力が小さくなり、かつ薄膜トランジスタ１２１の信頼性が向上
する。
【０１８９】
（第１１の実施形態）
図１１（Ａ）は、本発明の第１１の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、第１の電極１０１の一部が、半導体膜１０３全面の下方まで
延伸している点を除いて、第１０の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に係
る液晶表示装置の製造方法は第１０の実施形態と略同様である。このため、第１０の実施
形態で説明した内容は本実施形態にも適用することができる。以下、第１０の実施形態と
同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０１９０】
従って、第２の実施形態乃至第１０の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０１９１】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１９２】
本実施形態によっても、第１０の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第
８の実施形態と同様の作用により、絶縁膜１０２を酸化シリコン膜単層にしても、基板１
００から半導体膜１０３への不純物拡散を十分に抑制することができる。そして、絶縁膜
１０２を酸化シリコン膜単層にすることで、薄膜トランジスタ１２１の動作を安定にする
ことができる。
【０１９３】
なお、本実施形態において、第２の電極１１２及び開口パターン１１２ａの形状を、第
４の実施形態で示した形状にしてもよい。また、第６の実施形態に示したＦＦＳ方式の液
晶表示装置、及び第５の実施形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、
本実施形態と同様に、第１の電極１０１の一部を半導体膜１０３全面の下方まで延伸させ
てもよい。
【０１９４】
また、第３及び第７の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４の実施
形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様に、第１の
電極１０１の一部を半導体膜１０３全面の下方まで延伸させてもよい。このようにすると
、第１の電極１０１の電圧は不純物領域１０３ｂの電圧と同一であるため、ノイズ等の影
響を受けにくくなり、不純物領域１０３ｂの電圧が安定する。その結果、開口パターン１
１２ａの間隔を狭くすることが可能になり、また電界の加わり方がなめらかになるので、
液晶分子を制御しやすくなる。また、開口パターン１１２ａの間隔を狭くすることにより
電圧を小さくできるので、消費電力も小さくできる。また、電界が集中することも緩和さ
れるため、薄膜トランジスタ１２１の信頼性も向上する。
【０１９５】
また、本実施形態において、第１の電極１０１のうち半導体膜１０３の下方に位置する
部分を第１の電極１０１の本体から分離し、かつ接続用導電膜１０９に電気的に接続して
もよい。このようにしても、前記した効果を得ることができる。すなわち液晶分子が制御
しやすくなり、消費電力が小さくなり、かつ薄膜トランジスタ１２１の信頼性が向上する
。
【０１９６】
（第１２の実施形態）
図１２（Ａ）は、本発明の第１２の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、基板１００上に、半導体膜１０３のうちソース配線１０８に
電気的に接続されている不純物領域１０３ａの下方に位置する導電膜１７０が形成されて
いる点、及び導電膜１７０がソース配線１０８に電気的に接続されている点を除いて、第
２の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、
導電膜１７０が第１の電極１０１と同一工程で形成される点を除いて、第２の実施形態と
略同様である。このため、第２の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用可能であ
る。以下、第２の実施形態と同様の構成の部分については同一の符号を付し、説明を省略
する。
【０１９７】
従って、第２の実施形態乃至第１１の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０１９８】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０１９９】
第１層間絶縁膜１０７、ゲート絶縁膜１０４及び絶縁膜１０２には、導電膜１７０上に
位置する接続孔が形成されている。ソース配線１０８は、一部がこの接続孔の中に埋め込
まれることにより、導電膜１７０に電気的に接続している。
【０２００】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、ソー
ス配線１０８に電気的に接続されている不純物領域１０３ａの下方に位置する導電膜１７
０にも、不純物領域１０３ａと同一の電圧が加わっている。従って、不純物領域１０３ａ
の電圧が安定する。
【０２０１】
なお、第３、第６、第７、第９、及び第１０の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示
装置、並びに第４及び第５の実施形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおい
て、本実施形態と同様の導電膜１７０を形成しても良い。このようにしても、本実施形態
と同様の効果を得ることができる。例えば不純物領域１０３ａの電圧を安定化させること
ができる。また、本実施形態において、第２の電極１１２及び開口パターン１１２ａの形
状を、第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０２０２】
（第１３の実施形態）
図１３（Ａ）は、本発明の第１３の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、導電膜１７０が、半導体膜１０３のうち不純物領域１０３ａ
に隣接するチャネル領域１０３ｃ及び不純物領域１０３ａの下方に形成されており、かつ
第１の電極１０１の一部が半導体膜１０３のうち不純物領域１０３ｂに隣接するチャネル
領域１０３ｃ及び不純物領域１０３ｂの下方に形成されている点を除いて、第１２の実施
形態と同様の構成である。また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第１２の
実施形態と略同様である。このため、第１２の実施形態で説明した内容は本実施形態にも
適用可能である。以下、第１２の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付し
、説明を省略する。
【０２０３】
従って、第２の実施形態乃至第１２の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２０４】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。本実施形態によっても、第１２の実施形態と同様の
効果と、第９の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第３、第６、及び第７
の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４及び第５の実施形態に示した
ＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様の導電膜１７０を形成し
、かつ第１の電極１０１の形状を本実施形態と同様にしても良い。このようにしても、本
実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態において、第２の電極１１
２及び開口パターン１１２ａの形状を、第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０２０５】
（第１４の実施形態）
図１４（Ａ）は、本発明の第１４の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、導電膜１７０が、半導体膜１０３のうち不純物領域１０３ａ
、２つのチャネル領域１０３ｃ、及びチャネル領域１０３ｃ相互間の不純物領域それぞれ
の下方に形成されている点を除いて、第１２の実施形態と同様の構成である。また、本実
施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第１２の実施形態と略同様である。このため、
第１２の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用可能である。以下、第１２の実施
形態と同様の構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２０６】
従って、第２の実施形態乃至第１３の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２０７】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２０８】
本実施形態によっても、第１２の実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば不
純物領域１０３ａの電圧を安定化させることができる。なお、第３、第６、第７、及び第
９の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４及び第５の実施形態に示し
たＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様の導電膜１７０を形成
しても良い。このようにしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる、例えば不
純物領域１０３ａの電圧を安定化させることができる。また、本実施形態において、第２
の電極１１２及び開口パターン１１２ａの形状を、第４の実施形態で示した形状にしても
よい。
【０２０９】
（第１５の実施形態）
図１５（Ａ）は、本発明の第１５の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、導電膜１７０が、半導体膜１０３全面の下方に形成されてい
る点を除いて、第１４の実施形態と同様の構成である。また、本実施形態に係る液晶表示
装置の製造方法は、第１４の実施形態と略同様である。以下、第１４の実施形態と同様の
構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２１０】
従って、第２の実施形態乃至第１４の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２１１】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２１２】
本実施形態によっても、第１４の実施形態と同様の効果を得ることができる、例えば不
純物領域１０３ａの電圧を安定化させることができる。なお、第３、第６及び第７の実施
形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４及び第５の実施形態に示したＩＰＳ
方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様の導電膜１７０を形成しても良
い。このようにしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる、例えば不純物領域
１０３ａの電圧を安定化させることができる。また、本実施形態において、第２の電極１
１２及び開口パターン１１２ａの形状を、第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０２１３】
（第１６の実施形態）
図１６（Ａ）は、本発明の第１６の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、基板１００上に、第２のゲート配線１８０及び第２のゲート
電極１８０ａ，１８０ｂが形成されている点を除いて、第２の実施形態と同様の構成であ
る。基板１００に対して略垂直な方向から見た場合、第２のゲート配線１８０及び第２の
ゲート電極１８０ａ，１８０ｂはそれぞれ、ゲート配線１０５及びゲート電極１０５ａ，
１０５ｂと略重なっている。
【０２１４】
また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第２のゲート配線１８０及び第２
のゲート電極１８０ａ，１８０ｂが第１の電極１０１と同一工程で形成される点を除いて
、第２の実施形態と略同様である。従って、第２の実施形態で説明した内容は本実施形態
にも適用可能である。以下、第２の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付
し、説明を省略する。
【０２１５】
従って、第２の実施形態乃至第１５の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２１６】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２１７】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、半導
体膜１０３の２つのチャネル領域１０３ｃは、ゲート電極１０５ａ及び第２のゲート電極
１８０ａ、若しくはゲート電極１０５ｂ及び第２のゲート電極１８０ｂに挟まれている。
従って、実質的にチャネル領域が２倍になったことになるので、薄膜トランジスタ１２１
を流れる電流量が多くなる。
【０２１８】
なお、第３、第６、第７、第９、及び第１２の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示
装置、並びに第４及び第５の実施形態で示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおい
て、本実施形態と同様に、第２のゲート配線１８０及び第２のゲート電極１８０ａ，１８
０ｂを第１の電極１０１と同一工程で形成してもよい。このようにしても、本実施形態と
同様の効果を得ることができる。また、本実施形態において、第２の電極１１２及び開口
パターン１１２ａの形状を、第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０２１９】
（第１７の実施形態）
図１７（Ａ）は、本発明の第１７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）のＥ−Ｆ断面図、Ｇ−Ｈ断面
図、及びＩ−Ｊ断面図である。本実施形態は、ゲート配線１０５が形成されておらず、接
続用配線１０５ｃを介してゲート電極１０５ａ，１０５ｂが第２のゲート配線１８０に電
気的に接続している点を除いて、第１６の実施形態と同様の構成である。従って、第１６
の実施形態で説明した内容は、本実施形態にも適用可能である。接続用配線１０５ｃはゲ
ート電極１０５ａ，１０５ｂと同一配線層に形成されている。
【０２２０】
従って、第２の実施形態乃至第１６の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２２１】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２２２】
絶縁膜１０２及びゲート絶縁膜１０４には、第２のゲート配線１８０上に位置する接続
孔が形成されている。接続用配線１０５ｃは、一部がこの接続孔に埋め込まれることによ
り、第２のゲート配線１８０に電気的に接続している。
【０２２３】
また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、接続用配線１０５ｃがゲート電極
１０５ａ，１０５ｂと同一工程で形成されている点を除いて、第２の実施形態と略同様で
ある。以下、第２の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する
。
【０２２４】
本実施形態によっても、第１６の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第
３、第６、第７、第９、及び第１２の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並び
に第４及び第５の実施形態で示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施
形態と同様に、第２のゲート配線１８０及び第２のゲート電極１８０ａ，１８０ｂを第１
の電極１０１と同一工程で形成し、かつ、ゲート配線１０５を形成せずに接続用配線１０
５ｃを介してゲート電極１０５ａ，１０５ｂを第２のゲート配線１８０に電気的に接続す
る構成としてもよい。このようにしても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態において、第２の電極１１２及び開口パターン１１２ａの形状を、第４
の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０２２５】
（第１８の実施形態）
図１８（Ａ）は、本発明の第１８の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）のＥ−Ｆ断面図及びＧ−Ｈ断
面図である。本実施形態は、薄膜トランジスタ１２１がボトムゲート型のトランジスタで
ある点を除いて、第２の実施形態と同様の構成である。従って、第２の実施形態で説明し
た内容は本実施形態にも適用可能である。以下、第２の実施形態と同様の構成部分につい
ては同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２２６】
従って、第２の実施形態乃至第１７の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２２７】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２２８】
本実施形態において、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂ、補助配線１０６、及びゲート配
線１０５は基板１００上に形成されており、ゲート絶縁膜１０４は、基板１００、ゲート
電極１０５ａ，１０５ｂ、補助配線１０６、及びゲート配線１０５それぞれの上に形成さ
れている。また、半導体膜１０３はゲート絶縁膜１０４上に形成されている。
【０２２９】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、以下の通りである。まず、基板１００上
に第１の電極１０１及び絶縁膜１０２を形成する。次いで、絶縁膜１０２上に導電膜を形
成する。
【０２３０】
なお、導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（
Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）から構成された群から選ばれた一つ又は
複数の元素、又は前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物若しくはこ
の化合物を組み合わせた物質、又は前記群から選ばれた一つ又は複数の元素とシリコンの
化合物（シリサイド）から形成される。また、ｎ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）
を用いてもよい。
【０２３１】
次いで、この導電膜を、レジストパターンを用いたエッチングにより選択的に除去する
。これにより、絶縁膜１０２上には、ゲート電極１０５ａ，１０５ｂ、補助配線１０６、
及びゲート配線１０５が形成される。その後、レジストパターンを除去する。次いで、ゲ
ート絶縁膜１０４を形成する。
【０２３２】
次いで、ゲート絶縁膜１０４上に半導体膜を形成し、この半導体膜を、レジストパター
ンを用いたエッチングにより選択的に除去する。これにより、半導体膜１０３が形成され
る。その後、レジストパターンを除去する。
【０２３３】
次いで、半導体膜１０３上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマス
クとして半導体膜１０３に不純物を注入する。これにより、不純物領域１０３ａ，１０３
ｂ、及びゲート電極１０５ａ，１０５ｂ相互間に位置する不純物領域が形成される。なお
、基板１００がガラス等の透過性を有する材料から形成されている場合、レジストパター
ンを形成する際に、露光用のマスクを用いずに、ゲート配線を露光用パターンとして基板
１００の裏面から露光することにより、レジストパターンを形成する場合もある。この場
合は露光用のマスクを用いない分だけ工程数を少なくできるため、製造コストを削減でき
る。また、自己整合的にレジストパターンを形成できるため、レジストパターンのずれが
抑制され、このずれを考慮しなくても良い、という利点もある。その後の工程は、第２の
実施形態と同様である。
【０２３４】
本実施形態でも、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第３〜第１
４の実施形態それぞれに示したＦＦＳ方式又はＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画素
を駆動する薄膜トランジスタを、本実施形態と同様の構造を有するボトムゲート型の薄膜
トランジスタとしてもよい。また、本実施形態において、第２の電極１１２及び開口パタ
ーン１１２ａの形状を、第４の実施形態で示した形状にしてもよい。
【０２３５】
（第１９の実施形態）
図１９（Ａ）は、本発明の第１９の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）のＩ−Ｊ断面図及びＫ−Ｌ断
面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、画素電極となる第２の電極１１２を制御
する薄膜トランジスタの構成が異なる点、第２層間絶縁膜１１１がない点、第２の電極１
１２及び第１配向膜１１３が第１層間絶縁膜１０７上に形成されている点、ソース配線１
０８及び接続用導電膜１０９がゲート絶縁膜１０４上に形成されている点、及び接続用導
電膜１１０が第２の電極１１２と同一層に形成されている点を除いて、第２の実施形態と
同様の構成である。以下、第２の実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、説
明を省略する。
【０２３６】
従って、第２の実施形態乃至第１８の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２３７】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２３８】
本実施形態において薄膜トランジスタ１２２はボトムゲート型であり、ゲート配線１０
５上にゲート絶縁膜１０４が形成されている。ゲート絶縁膜１０４上には、チャネル領域
となる半導体膜１２３が形成されている。半導体膜１２３は、例えばアモルファスシリコ
ン膜である。
【０２３９】
半導体膜１２３は、ｎ型半導体膜１２４ａを介してソース配線１０８と電気的に接続し
ており、かつｎ型半導体膜１２４ｂを介して接続用導電膜１０９と電気的に接続している
。ｎ型半導体膜１２４ａ，１２４ｂは、例えばリン又はヒ素が導入されたポリシリコン膜
であり、ソース又はドレインとして機能する。
【０２４０】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、以下の通りである。まず、基板１００上
に第１の電極１０１及び絶縁膜１０２を形成する。次いで、絶縁膜１０２上に導電膜を形
成する。
【０２４１】
なお、導電膜は、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジウム（Ｎｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（
Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）から構成された群から選ばれた一つ又は
複数の元素、又は前記群から選ばれた一つ又は複数の元素を成分とする化合物若しくはこ
の化合物を組み合わせた物質、又は前記群から選ばれた一つ又は複数の元素とシリコンの
化合物（シリサイド）から形成される。また、ｎ型不純物が導入されたシリコン（Ｓｉ）
を用いてもよい。
【０２４２】
次いで、この導電膜を、レジストパターンを用いたエッチングにより選択的に除去する
。これにより、絶縁膜１０２上には、ゲート配線１０５及び補助配線１０６が形成される
。その後、レジストパターンを除去する。次いで、ゲート絶縁膜１０４を形成する。
【０２４３】
次いで、ゲート絶縁膜１０４上に半導体膜を例えばＣＶＤ法により形成し、この半導体
膜を、レジストパターンを用いたエッチングにより選択的に除去する。これにより、半導
体膜１２３が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【０２４４】
次いで、半導体膜１２３上及びゲート絶縁膜１０４上に半導体膜を形成し、この半導体
膜にｎ型の不純物を注入する。次いで、この半導体膜を、レジストパターンを用いたエッ
チングにより選択的に除去する。これにより、半導体膜１２３上にはｎ型半導体膜１２４
ａ，１２４ｂが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【０２４５】
次いで、半導体膜１２３、ｎ型半導体膜１２４ａ，１２４ｂ及びゲート絶縁膜１０４そ
れぞれの上に導電膜を形成し、この導電膜を、レジストパターンを用いたエッチングによ
り選択的に除去する。これにより、ソース配線１０８及び接続用導電膜１０９が形成され
る。その後、レジストパターンを除去する。
【０２４６】
次いで、第１層間絶縁膜１０７を形成する。次いで、第１層間絶縁膜１０７に、接続用
導電膜１０９上に位置する接続孔を形成する。なお本工程において、第１層間絶縁膜１０
７及びゲート絶縁膜１０４には補助配線１０６上に位置する接続孔が形成され、第１層間
絶縁膜１０７、ゲート絶縁膜１０４、及び絶縁膜１０２には第１の電極１０１上に位置す
る接続孔が形成される。
【０２４７】
次いで、第１層間絶縁膜１０７上及び各接続孔内に、光透過性を有する導電膜（例えば
ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＺｎＯ膜、又はＳｉ膜）を形成し、この導電膜を、レジストパター
ンを用いたエッチングにより選択的に除去する。これにより、第２の電極１１２及び接続
用導電膜１１０が形成される。次いで、第１層間絶縁膜１０７、第２の電極１１２、及び
接続用導電膜１１０それぞれの上に第１配向膜１１３を形成する。以降の工程は、第２の
実施形態に係る液晶表示装置の製造方法と同様である。
【０２４８】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、ｎ型
半導体膜１２４ａ，１２４ｂを形成せずに、ソース配線１０８及び接続用導電膜１０９を
直接半導体膜１２３に接続しても良い。また、第２の電極１１２の開口パターンの形状を
、第５の実施形態と同様の形状にしてもよい。
【０２４９】
また、第６〜第１８の実施形態に示したＦＦＳ方式の液晶表示装置及び第５の実施形態
に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と同様に、薄膜トラン
ジスタの構成を変更し、第２層間絶縁膜１１１を形成せず、第２の電極１１２及び第１配
向膜１１３を第１層間絶縁膜１０７上に形成し、ソース配線１０８及び接続用導電膜１０
９をゲート絶縁膜１０４上に形成し、接続用導電膜１１０を第２の電極１１２と同一層に
形成してもよい。
【０２５０】
（第２０の実施形態）
図２０（Ａ）は、本発明の第２０の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図である。図２０（Ｂ）は、図２０（Ａ）のＭ−Ｎ断面図及びＯ−Ｐ断
面図である。本実施形態は、接続用導電膜１１０が接続用導電膜１０９と第１の電極１０
１を電気的に接続している点、及び第２の電極１１２が補助配線１０６に接続している点
、及び基板１００に対して垂直な方向から見た場合に第２の電極１１２が第１の電極１０
１の外側に食み出している点を除いて、第１９の実施形態と同様の構成である。第１の電
極１０１は画素電極として機能し、第２の電極１１２は共通電極として機能する。
【０２５１】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第１９の実施形態に係る液晶表示装置の
製造方法と同様である。このため、第１９の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適
用することができる。
【０２５２】
従って、第２の実施形態乃至第１９の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２５３】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２５４】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、ｎ型
半導体膜１２４ａ，１２４ｂを形成せずに、ソース配線１０８及び接続用導電膜１０９を
直接半導体膜１２３に接続しても良い。また本実施形態において、第２の電極１１２の開
口パターンの形状を、第４の実施形態と同様の形状にしてもよい。
【０２５５】
また、第１の電極１０１にも開口パターンを形成してもよい。この場合、ＩＰＳ方式で
液晶の配向方向を制御する装置になる。なお、第１の電極１０１及び第２の電極１１２の
形状並びにこれら電極が有する開口パターンの形状は、例えば第４の実施形態に示した形
状である。
【０２５６】
（第２１の実施形態）
図２１（Ａ）は、本発明の第２１の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の断面図である。この断面図は、図３（Ａ）のＥ−Ｆ断面及びＧ−Ｈ断面に相
当する断面を示している。本実施形態は、図３（Ｂ）に示した第２層間絶縁膜１１１が形
成されていない点、第２の電極１１２が第１層間絶縁膜１０７上に位置している点、及び
第２の電極１１２の一部が接続用導電膜１１０上に位置している点を除いて、第３の実施
形態と同様の構成である。
【０２５７】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第２層間絶縁膜１１１の形成工程が省略
される点を除いて、第３の実施形態と略同様である。従って、第３の実施形態で説明した
内容は本実施形態にも適用することが可能である。以下、第３の実施形態と同様の構成部
分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２５８】
なお、第２の電極１１２は、ソース配線１０８などと同時に形成してもよい。つまり、
同様な材料を用いて、同時に加工して形成してもよい。その結果、透光性を有する電極で
形成する工程を省くことが出来、コストを低減することが出来る。
【０２５９】
よって、第２の電極１１２は、光透過性を有していなくてもよい。つまり、第２の電極
１１２は光を反射する性質を持っていてもよい。
【０２６０】
従って、第２の実施形態乃至第２０の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２６１】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２６２】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第２
層間絶縁膜１１１の形成工程が省略されるため、製造コストを低くすることができる。ま
た、このような構造にしても、下地膜として機能する絶縁膜１０２の下に第１の電極１０
１が配置されているため、第１の電極１０１と第２の電極１１２の間隔を十分に大きくす
ることができ、液晶１１４に適切な電界を加えることができる。
【０２６３】
なお、第２、第６〜第１８の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４
及び第５の実施形態で示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と
同様に、第２層間絶縁膜１１１を形成せずに第２の電極１１２を第１層間絶縁膜１０７上
に配置させ、第２の電極１１２の一部を接続用導電膜１１０上に位置させてもよい。この
場合も本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２６４】
（第２２の実施形態）
図２１（Ｂ）は、本発明の第２２の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の断面図である。この断面図は、図１（Ａ）のＥ−Ｆ断面及びＧ−Ｈ断面に相
当する断面を示している。本実施形態は、第２の電極１１２の全てが第１層間絶縁膜１０
７上に位置している点、及び接続用導電膜１１０の一部が第２の電極１１２上に位置して
いる点を除いて、第２１の実施形態と同様の構成である。
【０２６５】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第２の電極１１２が形成された後、ソー
ス配線１０８、接続用導電膜１０９、及び接続用導電膜１１０が形成される点を除いて、
第２１の実施形態と略同様である。従って、第２１の実施形態で説明した内容は、本実施
形態にも適用することが可能である。以下、第２１の実施形態と同様の構成部分について
は同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２６６】
従って、第２の実施形態乃至第２１の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２６７】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２６８】
本実施形態によっても、第２１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第
２の電極１１２上に接続用導電膜１１０が位置しているため、第２の電極１１２の断線を
防止することができる。つまり、第２１の実施形態のように第２の電極１１２が接続用導
電膜１１０の上部に形成されると、第２の電極１１２より接続用導電膜１１０が厚く形成
されることが多いため、接続用導電膜１１０端部で第２の電極１１２が断線を起こしてし
まう可能性がある。一方、本実施形態のように第２の電極１１２を接続用導電膜１１０の
下部に形成すれば、第２の電極１１２の断線を防止できる。なお、上記したように接続用
導電膜１１０は厚く形成される場合が多いため、接続用導電膜１１０が断線を起こす可能
性は低い。また、第２層間絶縁膜１１１の形成工程が省略されるため、製造コストを低く
することができる。また、このような構造にしても、下地膜として機能する絶縁膜１０２
の下に第１の電極１０１が配置されているため、第１の電極１０１と第２の電極１１２の
間隔を十分に大きくすることができ、液晶１１４に適切な電界を加えることができる。
【０２６９】
なお、第２、第６〜第１８の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置、並びに第４
及び第５の実施形態で示したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態と
同様に、第２層間絶縁膜１１１を形成せずに第２の電極１１２を第１層間絶縁膜１０７上
に配置させ、接続用導電膜１１０の一部を第２の電極１１２上に位置させても、本実施形
態と同様の効果を得ることができる。
【０２７０】
（第２３の実施形態）
図２２は、本発明の第２３の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の電極の形状を
説明する為の断面図である。この断面図は、図３（Ａ）のＥ−Ｆ断面及びＧ−Ｈ断面に相
当する断面を示している。本実施形態は、第２層間絶縁膜１１１上に金属膜１１０ａが形
成されており、この金属膜１１０ａを介して第２の電極１１２と接続用導電膜１１０が電
気的に接続している点を除いて、第３の実施形態と同様である。従って、第３の実施形態
で説明した内容は本実施形態にも適用することが可能である。以下、第３の実施形態と同
様の構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２７１】
従って、第２の実施形態乃至第２２の実施形態で述べた内容は、本実施形態に対しても
適用することが可能である。
【０２７２】
また、さまざまな図を用いて述べてきたが、１つの図は、様々な構成要件により成り立
っている。したがって、各々の図の中から、各々の構成要件に関して、組み合わせて、さ
らなる構成を作ることも可能である。
【０２７３】
金属膜１１０ａは、一部が第２層間絶縁膜１１１に形成された接続孔に埋め込まれるこ
とにより、接続用導電膜１１０に電気的に接続している。第２の電極１１２は、一部が金
属膜１１０ａに位置することにより、金属膜１１０ａに電気的に接続している。
【０２７４】
また、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第２層間絶縁膜１１１に接続孔を
形成する工程と、第２の電極１１２を形成する工程の間に、金属膜１１０ａを形成する工
程がある点を除いて、第３の実施形態と同様である。金属膜１１０ａは、第２層間絶縁膜
１１１上及び接続孔中に金属膜を形成し、この金属膜を、レジストパターンを用いたエッ
チングにより選択的に除去することにより形成される。
【０２７５】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２７６】
なお、第４の実施形態に示したＩＰＳ方式の液晶表示装置において、金属膜１１０ａを
形成しても良い。また、第２、第６〜第１８の実施形態で説明したＦＦＳ方式の液晶表示
装置、並びに第５の実施形態で説明したＩＰＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、金
属膜１１０ａと同様の金属膜を接続用導電膜１０９の上方に設け、この金属膜を介して接
続用導電膜１０９と第２の電極１１２が電気的に接続するようにしてもよい。
【０２７７】
（第２４の実施形態）
図２３は、本発明の第２４の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の画素部の構成
を説明する為の断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置の画素部は、対向基板１２
０側にカラーフィルタを配置せず、第１層間絶縁膜１０７の代わりに赤色のカラーフィル
タ１３０ｒ、青色のカラーフィルタ１３０ｂ、及び緑色のカラーフィルタ１３０ｇを配置
した点を除いて、第２の実施形態と略同様の構成である。従って、第２の実施形態乃至第
２３の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用できる。以下、第２の実施形態と同
様の構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、ゲート絶縁膜１０４
は、カラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇと半導体膜１０３の間に位置する為、
各カラーフィルタから半導体膜１０３に不純物が拡散することを抑制する、という機能も
有することになる。
【０２７８】
なお、カラーフィルタとゲート電極１０５ａ、１０５ｂとの間に、無機材料の絶縁膜を
配置してもよい。無機材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮ
ｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：
ｘ＞ｙ）など、酸素又は窒素を有する絶縁物質を用いることができる。不純物の侵入をブ
ロックするためには、窒素を多く含む材料にすることが望ましい。
【０２７９】
なお、カラーフィルタの色は、赤、青、緑以外の色でも良いし、３色よりも多く、例え
ば、４色や６色でもよい。例えば、イエローやシアンやマゼンタや白が追加されてよい。
また、カラーフィルタだけでなく、ブラックマトリックスも配置してもよい。
【０２８０】
このように、基板１００上にカラーフィルタを配置することにより、対向基板１２０と
の位置合わせを正確にやる必要がないため、容易に製造することが可能となり、コストが
低減し、製造歩留まりが向上する。
【０２８１】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、第１層間絶縁膜１０７を形成する工程の
代わりにカラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｇ，１３０ｂを形成する工程が入る点を除いて
、第２の実施形態乃至第２３の実施形態と同様である。カラーフィルタ１３０ｒ，１３０
ｇ，１３０ｂは、カラーフィルタ層を形成する工程、カラーフィルタ層上にレジストパタ
ーンを形成する工程、及びレジストパターンをマスクとしてカラーフィルタ層を選択的に
ドライエッチングする工程を３回繰り返すことにより形成される。または、レジストを用
いずに、感光性の材料や顔料などを用いて形成される。なお、カラーフィルタ層相互間に
スペースが生じるが、このスペースには第２層間絶縁膜１１１が埋め込まれる。あるいは
、さらに無機材料や有機材料が、積層される。あるいは、ブラックマトリックスなどが積
層される。また、カラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｇ，１３０ｂやブラックマトリックス
は液滴吐出法（例えばインクジェット法）を用いても形成することができる。
【０２８２】
このため、液晶表示装置の製造工程数を減らすことができる。また、基板１００側にカ
ラーフィルタを設けているため、対向基板にカラーフィルタを設ける場合と比較して、対
向基板との間に位置ずれが生じても開口率が低下することを抑制できる。すなわち対向基
板の位置ずれに対するマージンが大きくなる。
【０２８３】
図２４（Ａ）は、図２３に示した液晶表示装置の平面図である。図２４（Ａ）に示すよ
うに、本液晶表示装置は、画素部１５０の周囲に、周辺駆動回路であるソース線駆動回路
１５２及びゲート線駆動回路１５４が設けられている。ソース線駆動回路１５２及びゲー
ト線駆動回路１５４それぞれの上には、赤色のカラーフィルタ１３０ｒが設けられていて
もよい。カラーフィルタ１３０ｒが設けられることにより、ソース線駆動回路１５２及び
ゲート線駆動回路１５４が有する薄膜トランジスタの活性層の光劣化が防止され、かつ平
坦化が図られている。
【０２８４】
図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）の画素部１５０の一部（３×３行列）を拡大した図であ
る。画素部１５０には、赤色のカラーフィルタ１３０ｒ、青色のカラーフィルタ１３０ｂ
、及び緑色のカラーフィルタ１３０ｇがストライプ状に交互に配置されている。また、各
画素が有する薄膜トランジスタ上には赤色のカラーフィルタ１３０ｒが配置されている。
【０２８５】
また、ソース配線（図示せず）及びゲート配線（図示せず）は、カラーフィルタの相互
間のスペースと重なるように配置されているため、光漏れが生じることが抑制される。
【０２８６】
このようにカラーフィルタ１３０ｒはブラックマトリックスの役割を果たすため、従来
必要であったブラックマトリックスの形成工程を省略することも可能である。
【０２８７】
以上、本実施形態によれば、第２の実施形態乃至第２３の実施形態と同様の効果を得る
ことができる。また、第１層間絶縁膜１０７の代わりにカラーフィルタ１３０ｒ，１３０
ｂ，１３０ｇを設けたため、液晶表示装置の製造工程数を減らすことができる。また、対
向基板にカラーフィルタを設ける場合と比較して、対向基板との間に位置ずれが生じても
、開口率の低下が抑制できる。すなわち対向基板の位置ずれに対するマージンが大きくな
る。
【０２８８】
なお、図２３では、ゲート電極１０５ａ、１０５ｂと、ソース配線１０８との間に、カ
ラーフィルタを配置したが、これに限定されない。ソース配線１０８と第２の電極１１２
の間に配置してもよい。
【０２８９】
また、カラーフィルタだけでなく、ブラックマトリックスも配置してもよい。
【０２９０】
なお、カラーフィルタとソース配線１０８との間や、カラーフィルタと第２の電極１１
２との間に、無機材料の絶縁膜を配置してもよい。無機材料としては、酸化シリコン（Ｓ
ｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ：ｘ＞ｙ）、窒
化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ：ｘ＞ｙ）など、酸素又は窒素を有する絶縁物質を用いる
ことができる。不純物の侵入をブロックするためには、窒素を多く含む材料にすることが
望ましい。
【０２９１】
このように、第２の電極１１２の下にカラーフィルタやブラックマトリックスを配置す
ることにより、液晶や配向膜に接する部分を平坦にすることが出来る。平坦にすることに
より、液晶分子の配向乱れを抑えることができ、光漏れを抑制し、コントラストを向上さ
せることが出来る。
【０２９２】
なお、第３〜第１８、第２２の実施形態で示したＦＦＳ方式又はＩＰＳ方式の液晶表示
装置において、本実施形態と同様に、第１層間絶縁膜１０７や第２層間絶縁膜１１１の代
わりにカラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇを設けてもよい。この場合において
も、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２９３】
（第２５の実施形態）
図２５（Ａ）は、本発明の第２５の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を
説明する為の平面図であり、図２５（Ｂ）は、図２５（Ａ）の画素部の構成を説明するた
めの拡大図である。本実施形態は、カラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇのレイ
アウトを除いて、第２４の実施形態と同様の構成である。従って、第２４の実施形態で説
明した内容は本実施形態にも適用できる。以下、第２４の実施形態と同様の構成部分につ
いては同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２９４】
本実施形態では、カラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇは、画素単位でマトリ
クス状に交互に配置されている。詳細には、青色のカラーフィルタ１３０ｂ及び緑色の１
３０ｇの隙間を埋めるように、赤色のカラーフィルタ１３０ｒが設けられている。また、
周辺駆動回路であるソース線駆動回路１５２及びゲート線駆動回路１５４の上にもカラー
フィルタ１３０ｒが設けられているが、ソース線駆動回路１５２及びゲート線駆動回路１
５４それぞれと画素部１５０の間のスペースにも、カラーフィルタ１３０ｒが設けられて
いる。このため、カラーフィルタ層相互間にスペースが生じることが抑制される。
【０２９５】
本実施形態によっても第２４の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第１
層間絶縁膜１０７を形成した後に、第２層間絶縁膜１１１の代わりにカラーフィルタ１３
０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇを設けてもよい。この場合においても本実施形態と同様の効果
を得ることができる。
【０２９６】
また、第３〜第１８、第２３の実施形態で示したＦＦＳ方式又はＩＰＳ方式の液晶表示
装置それぞれにおいて、本実施形態と同様に、第１層間絶縁膜１０７や第２層間絶縁膜１
１１の代わりにカラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇを設けてもよい。この場合
においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２９７】
（第２６の実施形態）
図２６は、本発明の第２６の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶表示装置の構成を説明す
る為の断面図である。本実施形態に係る液晶表示装置は、第１層間絶縁膜１０７の代わり
にカラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇが設けられている点を除いて、第２２の
実施形態と同様の構成である。本実施形態におけるカラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，
１３０ｇのレイアウトは、第２５の実施形態に示したレイアウトと同様である。従って、
第２２の実施形態で説明した内容、及び第２５の実施形態で説明した内容は、本実施形態
にも適用することができる。以下、第２２の実施形態と同様の構成、及び第２５の実施形
態と同様の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０２９８】
本実施形態においても第２５の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第１
９〜第２１の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、本実施形態
と同様に、第１層間絶縁膜１０７の代わりにカラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０
ｇを設けてもよい。この場合においても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０２９９】
なお、カラーフィルタ１３０ｒ，１３０ｂ，１３０ｇのレイアウトは、上記した第２３
〜第２５の実施形態に示したレイアウトに限定されるものではなく、三角モザイク配列、
ＲＧＢＧ四画素配列、ＲＧＢＷ四画素配列等、様々なレイアウトを取ることができる。な
お、これらの場合においても、薄膜トランジスタの活性層の上方に赤色のカラーフィルタ
１３０ｒを配置することが望ましい。
【０３００】
（第２７の実施形態）
図２７（Ａ）〜（Ｄ）それぞれは、本発明の第２７の実施形態に係るＦＦＳ方式の液晶
表示装置の電極の形状を説明する為の平面図である。本実施形態は、第２の電極１１２の
形状を除いて、第２の実施形態と同様の構成であるため、第１の電極１０１及び第２の電
極１１２を除いて図示を省略している。
【０３０１】
図２７（Ａ）において第２の電極１１２には、スリット状の開口パターン１１２ｄ，１
１２ｅがそれぞれ複数形成されている。開口パターン１１２ｄ，１１２ｅはソース配線に
対して斜めである。開口パターン１１２ｄは図中第２の電極１１２の上半分に形成されて
おり、開口パターン１１２ｅは図中第２の電極１１２の下半分に形成されているが、互い
の角度が異なる。
【０３０２】
図２７（Ｂ）において第２の電極１１２は、円周に沿う形状であり、互いに半径が異な
る複数の電極を同心円状に配置し、これらを接続した形状である。そして、各電極の相互
間のスペースが、開口パターンの役割を果たしている。
【０３０３】
図２７（Ｃ）において第２の電極１１２は、櫛歯状の２つの電極を、逆向きかつ櫛歯部
分が互い違いになるように配置したものである。そして櫛歯部分の相互間に位置するスペ
ースが開口パターンの役割を果たしている。
【０３０４】
図２７（Ｄ）において第２の電極１１２は櫛歯状の形状を有しており、櫛歯部分の相互
間に位置するスペースが開口パターンの役割を果たしている。
【０３０５】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、いずれの場合においても第２の実施形態
と略同様である。従って、第２の実施形態で述べた内容は本実施形態にも適用することが
できる。
【０３０６】
本実施形態によっても第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第３、
第４〜第２６の実施形態で示したＦＦＳ方式の液晶表示装置それぞれにおいて、第２の電
極１１２の形状を図２７のいずれかに示す形状にしてもよい。
【０３０７】
（第２８の実施形態）
図２８（Ａ）〜（Ｄ）それぞれは、本発明の第２８の実施形態に係るＩＰＳ方式の液晶
表示装置の電極の形状を説明する為の平面図である。本実施形態は、第１の電極１０１及
び第２の電極１１２の形状を除いて、第４の実施形態と同様の構成であるため、第１の電
極１０１及び第２の電極１１２を除いて、図示を省略している。
【０３０８】
図２８（Ａ）において第１の電極１０１の開口パターン１０１ｂ、及び第２の電極１１
２の開口パターン１１２ｆそれぞれは波線形状をしている。開口パターン１０１ｂは、第
２の電極１１２のうち開口パターン１１２ｆが形成されていない領域の下方及びその周囲
に位置している。
【０３０９】
図２８（Ｂ）において第１の電極１０１は、長方形の本体部分の中央部に円形の開口パ
ターン１０１ｃを設け、開口パターン１０１ｃ内に、円周に沿う形状であり互いに半径が
異なる複数の電極を開口パターン１０１ｃと同心円状に配置し、これら円周に沿う形状の
電極それぞれを一本の直線状の電極で本体部分に接続した形状である。また、第２の電極
１１２は、長方形の本体部分の中央部に円形の開口パターン１１２ｇを設け、開口パター
ン１１２ｇ内に、円周に沿う形状の電極を開口パターン１１２ｇと同心円状に配置し、こ
の電極と本体部分を直線状の電極で接続した形状である。なお、第２の電極１１２が有す
る円周に沿う形状の電極の数は、複数であってもよい。
【０３１０】
また、開口パターン１０１ｃ，１１２ｇは互いに同心であるため、第１の電極１０１が
有する円周に沿う形状の電極と、第２の電極１１２が有する円周に沿う形状の電極は、互
いに同心である。なお、第１の電極１０１が有する円周に沿う形状の電極と、第２の電極
１１２が有する円周に沿う形状の電極は、互いに半径が異なるため、互い違いかつ平行で
ある。
【０３１１】
図２８（Ｃ）において第１の電極１０１は、図中上下に延伸する直線状の電極を複数互
いに平行に配置し、これらの上端部及び下端部それぞれを、図中横方向に延伸する直線状
の電極で接続した形状である。また第２の電極１１２は櫛歯形状であり、櫛歯部分が、第
１の電極１０１を構成する直線状の電極相互間のスペースに位置している。
【０３１２】
図２８（Ｄ）において、第１の電極１０１及び第２の電極１１２それぞれは櫛歯形状で
あり、互いに逆向きに配置されている。そして櫛歯の部分は、互い違いに配置されている
。
【０３１３】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、いずれの場合においても第４の実施形態
と略同様である。従って、第４の実施形態で述べた内容は本実施形態にも適用することが
できる。
【０３１４】
本実施形態によっても、第４の実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第５
の実施形態に係る液晶表示装置において、第１の電極１０１及び第２の電極１１２の形状
を、図２８のいずれかに示した形状にしてもよい。
【０３１５】
（第２９の実施形態）
図２９は、本発明の第２９の実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を説明する為の回
路図である。本実施形態に係る液晶表示装置において、複数の画素がマトリックス状に配
置されている。各画素の構成は、図中縦方向に延伸する第２の補助配線１０６ａが形成さ
れている点を除いて、上記した第２〜第２８の実施形態に示した液晶表示装置が有する画
素と同様の構成である。従って、第２〜第２８の実施形態で説明した内容は、本実施形態
にも適用することができる。以下、第２〜第２８の実施形態と同様の構成部分については
同一の符号を付し、説明を省略する。
【０３１６】
第２の補助配線１０６ａは補助配線１０６と同一層に形成されており、補助配線１０６
と交差する部分それぞれで補助配線１０６と電気的に接続している。
【０３１７】
また、画素は、薄膜トランジスタ１２１，１２２に接続する容量Ｃｓ及び容量Ｃｌｓを
有している。容量Ｃｓは、第１の電極１０１、第２の電極１１２のうち開口パターンが形
成されていない部分、及びこれらの相互間に位置する各絶縁膜によって形成された容量で
ある。容量Ｃｌｓは、第１の電極１０１のうち第２の電極１１２の開口パターンと重なっ
ている部分と、これの上方に位置する部分とで形成された容量である。これらの容量が形
成されることにより保持容量が大きくなる。
【０３１８】
本実施形態によっても第２〜第２８の実施形態と同様の効果を得ることができる。また
、第２の補助配線１０６ａを設けたことにより、すべての画素において、共通電極の電位
を同一の値に保ちやすくなる。なお、本実施形態に係る液晶表示装置は、ＦＦＳ方式であ
ってもよいしＩＰＳ方式であってもよい。
【０３１９】
（第３０の実施形態）
図３０はそれぞれ、第３０の実施形態に係る液晶表示装置の回路図である。本実施形態
に係る液晶表示装置は、ＦＦＳ方式又はＩＰＳ方式の液晶表示装置であり、一つの画素が
複数（例えば二つ）のサブ画素で構成されている。各サブ画素の構造は、第２〜第２８の
実施形態で示した液晶表示装置が有する画素のいずれかと同様の構造である。従って、第
２〜第２８の実施形態で説明した内容は本実施形態にも適用可能である。以下、第２〜第
２８の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付し、説明を省略する。
【０３２０】
図３０（Ａ）に示した例において、同一の画素を構成する複数のサブ画素は、同一のゲ
ート配線１０５に電気的に接続しており、かつ互いに異なるソース配線１０８及び補助配
線１０６に電気的に接続している。ソース配線１０８は、一つの画素列についてサブ画素
の数と同数（図３０（Ａ）では２本）形成されている。このため、各サブ画素別に異なる
信号を送信することができる。
【０３２１】
図３０（Ｂ）に示した例において、同一の画素を構成する複数のサブ画素が互いに異な
るゲート配線１０５に電気的に接続しており、かつ同一の補助配線１０６に電気的に接続
している。
【０３２２】
なお、各サブ画素は容量Ｃｓ及び容量Ｃｌｓを有している。これらの容量は、第２９の
実施形態と同様の構成であるため、説明を省略する。
【０３２３】
本実施形態によれば、第２〜第２８の実施形態と同様の効果を得ることができる。また
、一つの画素を複数のサブ画素で構成したため、視野角をさらに広げることができる。な
お、画素に冗長性を持たせることができるという効果、及び面積階調表示が可能である、
という効果も得ることができる。
【０３２４】
（第３１の実施形態）
図３１、図３２、及び図３３を参照しつつ、第３１の実施形態に係る液晶表示装置の製
造方法について説明する。本実施形態は、第３の実施形態に示した構造を有する液晶表示
装置の製造方法の一例である。この製造方法を用いることによって、共通電極と画素電極
の間隔の自由度が向上する。画素電極が有する開口パターンの配置間隔や開口パターンの
幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適値が変わってくるため、開口パタ
ーンの大きさや幅や間隔も自由に設定することができる。そして、電極間に加わる電界の
勾配を制御することができるようになり、例えば基板と平行方向の電界を増やすこと等を
容易に行うことができる。すなわち、液晶を用いた表示装置においては、基板と平行に配
向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるた
め、最適な電界を加えることで、視野角が広くなる。なお、図３１、図３２、及び図３３
では層間絶縁膜を単層構造にしたが、二層構造にしてもよい。
【０３２５】
まず、図３１（Ａ）に示すように、基板８００上に光透過性を有する導電膜を形成する
。基板８００は、ガラス基板、石英基板、アルミナなど絶縁物で形成される基板、後工程
の処理温度に耐え得る耐熱性を有するプラスチック基板、シリコン基板、または金属板で
ある。また、基板８００は、ステンレスなどの金属または半導体基板などの表面に酸化珪
素や窒化珪素などの絶縁膜を形成した基板であってもよい。なお、基板８００にプラスチ
ック基板を用いる場合、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）
、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）もしくはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）
等のガラス転移点が比較的高いものを用いることが好ましい。
【０３２６】
また、導電膜は、例えばＩＴＯ膜、又はＳｉ元素を含むインジウム錫酸化物や酸化イン
ジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎ
ｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜である。
【０３２７】
次いで、この導電膜上にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び
現像する。これにより、導電膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジ
ストパターンをマスクとして導電膜をエッチングする。これにより、基板８００上には、
画素電極である第１の電極８０１が形成される。
その後、レジストパターンを除去する。
【０３２８】
次いで、第１の電極８０１上及び基板８００上に絶縁膜８０２を形成する。絶縁膜８０
２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）膜上に酸化シリコン膜（ＳｉＯＸ）を積層したも
のであるが、他の絶縁物（例えば酸化窒化シリコン（ＳｉＯＸＮｙ）（ｘ＞ｙ）又は窒化
酸化シリコン（ＳｉＮＸＯｙ）（ｘ＞ｙ））であってもよい。
【０３２９】
ここで、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などからなる絶縁膜８０２の表面に高密
度プラズマによる窒化処理を行うことによって、絶縁膜８０２の表面に窒化膜を形成して
もよい。
【０３３０】
高密度プラズマは、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いることによって生成され
、電子密度が１×１０１１〜１×１０１３／ｃｍ３かつ電子温度が２ｅＶ以下、イオンエ
ネルギーが５ｅＶ以下のものであるとする。このような高密度プラズマは活性種の運動エ
ネルギーが低く、従来のプラズマ処理と比較してプラズマによるダメージが少なく、欠陥
の少ない膜を形成することができる。マイクロ波を発生するアンテナから絶縁膜８０２ま
での距離は２０〜８０ｍｍ、好ましくは２０〜６０ｍｍとするとよい。
【０３３１】
窒素雰囲気、例えば窒素と希ガスを含む雰囲気下、または窒素と水素と希ガスを含む雰
囲気下、またはアンモニアと希ガスを含む雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を
行うことによって絶縁膜８０２の表面を窒化することができる。窒化膜は基板８００から
の不純物の拡散を抑制することができ、また上記高密度プラズマ処理によって極めて薄く
形成できるため、その上に形成される半導体膜への応力の影響を少なくできる。
【０３３２】
次いで、図３１（Ｂ）に示すように、絶縁膜８０２上に、結晶性半導体膜（例えばポリ
シリコン膜）を形成する。結晶性半導体膜の形成方法としては、絶縁膜８０２上に直接結
晶性半導体膜を形成する方法、及び、絶縁膜８０２上に非晶質半導体膜を形成した後に結
晶化させる方法が挙げられる。
【０３３３】
非晶質半導体膜を結晶化させる方法としては、レーザー光を照射する方法、半導体膜の
結晶化を助長させる元素（例えばニッケル等の金属元素）を用いて加熱して結晶化させる
方法、又は、半導体膜の結晶化を助長させる元素を用いて加熱して結晶化させた後、レー
ザー光を照射する方法を用いることができる。もちろん前記元素を用いずに非晶質半導体
膜を熱結晶化させる方法を用いることもできる。ただし基板が石英基板、シリコンウエハ
など高温に耐えられるものに限られる。
【０３３４】
レーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザービーム（ＣＷレーザービーム）やパ
ルス発振型のレーザービーム（パルスレーザービーム）を用いることができる。ここで用
いることができるレーザービームは、Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、エキシマレーザーな
どの気体レーザー、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、
ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４
、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、
Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、ガラスレ
ーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、銅
蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種から発振されるものが挙げら
れる。このようなレーザービームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高
調波のレーザービームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎ
ｄ：ＹＶＯ４レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波
（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのエネルギー密度は０．０１〜
１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして
、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【０３３５】
なお、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３
、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ
３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａ
のうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザー、Ａｒイオンレーザー
、またはＴｉ：サファイアレーザーは、連続発振をさせることが可能であり、Ｑスイッチ
動作やモード同期などを行うことによって１０ＭＨｚ以上の発振周波数でパルス発振をさ
せることも可能である。１０ＭＨｚ以上の発振周波数でレーザービームを発振させると、
半導体膜がレーザーによって溶融してから固化するまでの間に、次のパルスが半導体膜に
照射される。従って、発振周波数が低いパルスレーザーを用いる場合と異なり、半導体膜
中において固液界面を連続的に移動させることができるため、走査方向に向かって連続的
に成長した結晶粒を得ることができる。
【０３３６】
媒質としてセラミック（多結晶）を用いると、短時間かつ低コストで自由な形状に媒質
を形成することが可能である。単結晶を用いる場合、通常、直径数ｍｍ、長さ数十ｍｍの
円柱状の媒質が用いられているが、セラミックを用いる場合はさらに大きいものを作るこ
とが可能である。
【０３３７】
発光に直接寄与する媒質中のＮｄ、Ｙｂなどのドーパントの濃度は、単結晶中でも多結
晶中でも大きくは変えられないため、濃度を増加させることによるレーザーの出力向上に
はある程度限界がある。しかしながら、セラミックの場合、単結晶と比較して媒質の大き
さを著しく大きくすることができるため大幅な出力向上が期待できる。
【０３３８】
さらに、セラミックの場合では、平行六面体形状や直方体形状の媒質を容易に形成する
ことが可能である。このような形状の媒質を用いて、発振光を媒質の内部でジグザグに進
行させると、発振光路を長くとることができる。そのため、増幅が大きくなり、大出力で
発振させることが可能になる。また、このような形状の媒質から射出されるレーザービー
ムは射出時の断面形状が四角形状であるため、丸状のビームと比較すると、線状ビームに
整形するのに有利である。このように射出されたレーザービームを、光学系を用いて整形
することによって、短手の長さ１ｍｍ以下、長手の長さ数ｍｍ〜数ｍの線状ビームを容易
に得ることが可能となる。また、励起光を媒質に均一に照射することにより、線状ビーム
は長手方向にエネルギー分布の均一なものとなる。
【０３３９】
この線状ビームを半導体膜に照射することによって、半導体膜の全面をより均一にアニ
ールすることが可能になる。線状ビームの両端まで均一なアニールが必要な場合は、その
両端にスリットを配置し、エネルギーの減衰部を遮光するなどの工夫が必要となる。
【０３４０】
このようにして得られた強度が均一な線状ビームを用いて半導体膜をアニールし、この
半導体膜を用いて電子機器を作製すると、その電子機器の特性は、良好かつ均一である。
【０３４１】
非晶質半導体膜の結晶化を助長させる元素を用いて加熱して結晶化させる方法としては
、特開平８−７８３２９号公報記載の技術を用いることができる。同公報記載の技術は、
非晶質半導体膜（アモルファスシリコン膜とも呼ばれる）に対して結晶化を助長する金属
元素を添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として非晶質半導体膜を結晶化させ
るものである。
【０３４２】
また、加熱処理の代わりに強光の照射を行うことにより、非晶質半導体膜の結晶化を行
うこともできる。この場合、赤外光、可視光、または紫外光のいずれか一またはそれらの
組み合わせを用いることが可能であるが、代表的には、ハロゲンランプ、メタルハライド
ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または
高圧水銀ランプから射出された光を用いる。ランプ光源を１〜６０秒、好ましくは３０〜
６０秒点灯させ、それを１回〜１０回、好ましくは２〜６回繰り返す。ランプ光源の発光
強度は任意なものとするが、半導体膜が瞬間的に６００〜１０００℃程度にまで加熱され
るようにする。なお、必要であれば、強光を照射する前に非晶質構造を有する非晶質半導
体膜に含有する水素を放出させる熱処理を行ってもよい。また、加熱処理と強光の照射の
双方を行うことにより結晶化を行ってもよい。
【０３４３】
加熱処理後に結晶性半導体膜の結晶化率（膜の全体積における結晶成分の割合）を高め
、結晶粒内に残される欠陥を補修するために、結晶性半導体膜に対してレーザー光を大気
または酸素雰囲気で照射してもよい。レーザー光としては、上述したものを用いることが
可能である。
【０３４４】
また、添加した元素を結晶性半導体膜から除去することが必要であるが、その方法を以
下に説明する。まずオゾン含有水溶液（代表的にはオゾン水）で結晶性半導体膜の表面を
処理することにより、結晶性半導体膜の表面に酸化膜（ケミカルオキサイドと呼ばれる）
からなるバリア層を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さで形成する。バリア層は、後の工程でゲッタ
リング層のみを選択的に除去する際にエッチングストッパーとして機能する。
【０３４５】
次いで、バリア層上に希ガス元素を含むゲッタリング層をゲッタリングサイトとして形
成する。ここでは、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により希ガス元素を含む半導体膜をゲ
ッタリング層として形成する。ゲッタリング層を形成するときには、希ガス元素がゲッタ
リング層に添加されるようにスパッタリング条件を適宜調節する。希ガス元素としては、
ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン
（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種を用いる。
【０３４６】
なお、不純物元素であるリンを含む原料ガスを用いた場合やリンを含むターゲットを用
いてゲッタリング層を形成した場合、希ガス元素によるゲッタリングに加え、リンのクー
ロン力を利用してゲッタリングを行うことができる。また、ゲッタリングの際、金属元素
（例えばニッケル）は酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があるため、ゲッタリング
層に含まれる酸素濃度は、例えば５×１０１８ｃｍ−３以上とすることが望ましい。
【０３４７】
次いで結晶性半導体膜、バリア層およびゲッタリング層に熱処理（例えば加熱処理また
は強光を照射する処理）を行って、金属元素（例えばニッケル）のゲッタリングを行い、
結晶性半導体膜中における金属元素を低濃度化、又は除去する。
【０３４８】
次いでバリア層をエッチングストッパーとして公知のエッチング方法を行い、ゲッタリ
ング層のみを選択的に除去する。その後酸化膜からなるバリア層を、例えばフッ酸を含む
エッチャントにより除去する。
【０３４９】
ここで、作製されるＴＦＴのしきい値特性を考慮して不純物イオンをドーピングしても
よい。
【０３５０】
次いで、結晶性半導体膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布法により塗布し、こ
のフォトレジスト膜を露光及び現像する。塗布法とはスピンコート法、スプレー法、スク
リーン印刷法、ペイント法などのことである。これにより、結晶性半導体膜上にはレジス
トパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして結晶性半導体膜
をエッチングする。これにより、絶縁膜８０２上には、結晶性半導体膜８０３が形成され
る。
【０３５１】
次いで、結晶性半導体膜８０３の表面をフッ酸含有エッチャントなどで洗浄した後、結
晶性半導体膜８０３上にゲート絶縁膜８０４を１０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さで形成する。
ゲート絶縁膜８０４は、シリコンを主成分とする絶縁膜、例えば酸化シリコン膜、窒化シ
リコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などで形成される。また単層であっ
ても積層膜であってもよい。なお、絶縁膜８０２上にもゲート絶縁膜８０４が形成される
。
【０３５２】
次いで、図３１（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜８０４を洗浄した後、ゲート絶縁膜
８０４上に、第１の導電膜及び第２の導電膜を、順に形成する。第１の導電膜は、例えば
タングステン膜であり、第２の導電膜は窒化タンタル膜である。
【０３５３】
次いで、第２の導電膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジス
ト膜を露光及び現像する。これにより、第２の導電膜上にはレジストパターンが形成され
る。次いで、このレジストパターンをマスクとして、第１の導電膜及び第２の導電膜を第
１の条件でエッチングし、さらに、第２の導電膜を第２の条件でエッチングする。これに
より、結晶性半導体膜８０３上には第１のゲート電極８０５ａ，８０５ｂ、及び第２のゲ
ート電極８０６ａ，８０６ｂが形成される。第１のゲート電極８０５ａ，８０５ｂは相互
に離間している。第２のゲート電極８０６ａは第１のゲート電極８０５ａ上に位置してお
り、第２のゲート電極８０６ｂは第１のゲート電極８０５ｂ上に位置している。第１のゲ
ート電極８０５ａ，８０５ｂそれぞれの側面の傾斜角は、第２のゲート電極８０６ａ，８
０６ｂそれぞれの側面の傾斜角より緩やかである。
【０３５４】
また、本エッチング処理によって、第１の電極８０１の近くに、第１の配線８０７及び
、第１の配線８０７上に位置する第２の配線８０８が形成される。ここで上記した各ゲー
ト電極及び各配線は、基板８００に垂直な方向からみた場合に角が丸くなるように引き回
すのが好ましい。角部を丸くすることによって、ゴミなどが配線の角部に残るのを防止す
ることができ、ゴミが原因で発生する不良を抑制し、歩留まりを向上できる。その後、フ
ォトレジスト膜を除去する。
【０３５５】
次いで、図３１（Ｄ）に示すように、第１のゲート電極８０５ａ，８０５ｂ、及び第２
のゲート電極８０６ａ，８０６ｂをマスクとして、結晶性半導体膜８０３に第１導電型（
例えばｎ型）の不純物元素８０９（例えばリン）を注入する。これにより、結晶性半導体
膜８０３には、第１の不純物領域８１０ａ，８１０ｂ，８１０ｃが形成される。第１の不
純物領域８１０ａは、薄膜トランジスタのソースとなる領域に位置しており、第１の不純
物領域８１０ｃは、薄膜トランジスタのドレインとなる領域に位置している。第１の不純
物領域８１０ｂは、第１のゲート電極８０５ａ，８０５ｂ相互間に位置している。
【０３５６】
次いで、図３１（Ｅ）に示すように、第１のゲート電極８０５ａ，８０５ｂ、第２のゲ
ート電極８０６ａ，８０６ｂそれぞれを覆うように、フォトレジスト膜を塗布し、このフ
ォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、第１のゲート電極８０５ａ、第２のゲ
ート電極８０６ａそれぞれの上面及びその周囲、並びに第１のゲート電極８０５ｂ、第２
のゲート電極８０６ｂそれぞれの上面及びその周囲は、レジストパターン８１２ａ，８１
２ｂで覆われる。次いで、レジストパターン８１２ａ，８１２ｂをマスクとして、結晶性
半導体膜８０３に第１導電型の不純物元素８１１（例えばリン）を注入する。これにより
、第１の不純物領域８１０ａ，８１０ｂ，８１０ｃそれぞれの一部には第１導電型の不純
物元素８１１が再び注入され、第２の不純物領域８１３ａ，８１３ｂ，８１３ｃが形成さ
れる。なお、第１の不純物領域８１０ａ，８１０ｂ，８１０ｃそれぞれの残りの部分は、
第３の不純物領域８１４ａ，８１４ｂ，８１４ｃ，８１４ｄとして残る。
【０３５７】
その後、図３２（Ａ）に示すように、レジストパターン８１２ａ，８１２ｂを除去する
。次いで、ほぼ全面を覆う絶縁膜（図示せず）を形成する。この絶縁膜は、例えば酸化シ
リコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。
【０３５８】
次いで、結晶性半導体膜８０３に熱処理を行い、それぞれに添加された不純物元素を活
性化する。この熱処理は、ランプ光源を用いたラピッドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）
、或いはＹＡＧレーザーまたはエキシマレーザーを裏面から照射する方法、或いは炉を用
いた熱処理、或いはこれらの方法を複数組み合わせた方法による処理である。
【０３５９】
上記した熱処理により、不純物元素が活性化すると同時に、結晶性半導体膜８０３を結
晶化する際に触媒として使用した元素（例えばニッケル等の金属元素）が、高濃度の不純
物（例えばリン）を含む第２の不純物領域８１３ａ，８１３ｂ，８１３ｃにゲッタリング
され、結晶性半導体膜８０３のうち主にチャネル形成領域となる部分中のニッケル濃度が
低減する。その結果、チャネル形成領域の結晶性がよくなる。従って、ＴＦＴのオフ電流
値は下がり、かつ高い電界効果移動度が得られる。このようにして、良好な特性を有する
ＴＦＴが得られる。
【０３６０】
次いで、結晶性半導体膜８０３を覆うように、絶縁膜８１５を形成する。絶縁膜８１５
は、例えば窒化シリコン膜であり、プラズマＣＶＤ法により形成される。次いで、絶縁膜
８１５上に、層間絶縁膜８１６となる平坦化膜を形成する。層間絶縁膜８１６としては、
透光性を有する無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸素を含む窒化シリコンなど）
、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いる。また、
平坦化膜に用いる他の透光性を有する膜としては、塗布法によって得られるアルキル基を
含むＳｉＯｘ膜からなる絶縁膜、例えばシリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、ア
ルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキ
ルシルセスキオキサンポリマーなどを用いて形成された絶縁膜を用いることができる。シ
ロキサン系ポリマーの一例としては、東レ製塗布絶縁膜材料であるＰＳＢ−Ｋ１、ＰＳＢ
−Ｋ３１や触媒化成製塗布絶縁膜材料であるＺＲＳ−５ＰＨが挙げられる。層間絶縁膜８
１６は単層膜であっても多層膜であってもよい。
【０３６１】
次いで、層間絶縁膜８１６上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレ
ジスト膜を露光及び現像する。これにより、層間絶縁膜８１６上にはレジストパターンが
形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜８１６、絶縁膜８
１５、及びゲート絶縁膜８０４をエッチングする。これにより、層間絶縁膜８１６、絶縁
膜８１５、及びゲート絶縁膜８０４には、接続孔８１７ａ，８１７ｂ，８１７ｃ，８１７
ｄが形成される。接続孔８１７ａは、トランジスタのソースである第２の不純物領域８１
３ａ上に位置しており、接続孔８１７ｂは、トランジスタのドレインである第２の不純物
領域８１３ｃ上に位置している。接続孔８１７ｃは第１の電極８０１上に位置しており、
接続孔８１７ｄは第２の配線８０８上に位置している。その後、レジストパターンを除去
する。
【０３６２】
次いで、図３２（Ｂ）に示すように、接続孔８１７ａ，８１７ｂ，８１７ｃ，８１７ｄ
それぞれの中、及び層間絶縁膜８１６上に、第１の導電膜８１８を形成する。第１の導電
膜８１８は透光性を有する導電膜であり、例えばＩＴＯ膜、Ｓｉ元素を含むインジウム錫
酸化物や、酸化インジウムに更に２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲ
ットを用いて形成されたＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜である。次い
で、第１の導電膜８１８上に第２の導電膜８１９を形成する。第２の導電膜８１９は例え
ば金属膜である。
【０３６３】
次いで、第２の導電膜８１９上にフォトレジスト膜８２０を塗布する。次いで、フォト
レジスト膜８２０の上方に、レチクル８４０を配置する。レチクル８４０は、ガラス基板
上に半透膜パターン８４２ａ，８４２ｂ，８４２ｃ，８４２ｄを形成し、さらに半透膜パ
ターン８４２ａ，８４２ｂ，８４２ｃ，８４２ｄそれぞれの一部上に、遮光パターン８４
１ａ，８４１ｂ，８４１ｃを形成したものである。半透膜パターン８４２ａ及び遮光パタ
ーン８４１ａは接続孔８１７ａの上方に位置し、半透膜パターン８４２ｂ及び遮光パター
ン８４１ｂは接続孔８１７ｂ及び接続孔８１７ｃの上方に位置し、半透膜パターン８４２
ｃ及び遮光パターン８４１ｃは接続孔８１７ｄの上方に位置し、半透膜パターン８４２ｄ
は第１の電極８０１の上方に位置する。
【０３６４】
次いで、レチクル８４０をマスクとして、フォトレジスト膜８２０を露光する。これに
より、フォトレジスト膜８２０は、遮光パターン８４１ａ，８４１ｂ，８４１ｃの下方に
位置する部分と、半透膜パターン８４２ａ，８４２ｂ，８４２ｃ，８４２ｄと遮光パター
ン８４１ａ，８４１ｂ，８４１ｃが重なっていない部分の下方であって、第２の導電膜８
１９の近傍に位置する下層部分とを除いて感光される。なお、感光していない部分には符
号８２１ａ，８２１ｂ，８２１ｃ，８２１ｄを付している。
【０３６５】
次いで、図３２（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜８２０を現像する。これにより
、フォトレジスト膜８２０のうち感光している部分が除去され、レジストパターン８２２
ａ，８２２ｂ，８２２ｃ，８２２ｄが形成される。レジストパターン８２２ａは接続孔８
１７ａの上方に位置している。レジストパターン８２２ｂは接続孔８１７ｂ、接続孔８１
７ｃそれぞれの上方、及びこれらの間に位置している。レジストパターン８２２ｃは接続
孔８１７ｄの上方及びその周囲に位置している。レジストパターン８２２ｄは第１の電極
８０１の上方に位置している。なおレジストパターン８２２ｃのうち接続孔８１７ｄの上
方以外の部分、及びレジストパターン８２２ｄは、他のレジストパターンと比べて薄い。
【０３６６】
次いで、図３２（Ｄ）に示すように、レジストパターン８２２ａ，８２２ｂ，８２２ｃ
，８２２ｄをマスクとして第１の導電膜８１８及び第２の導電膜８１９をエッチングする
。これにより、レジストパターン８２２ａ，８２２ｂ，８２２ｃ，８２２ｄに覆われてい
ない領域からは、第１の導電膜８１８及び第２の導電膜８１９が除去される。
【０３６７】
また、レジストパターン８２２ａ，８２２ｂ，８２２ｃ，８２２ｄも徐々にエッチング
されるため、エッチング処理中に、レジストパターンの薄い部分（具体的には、レジスト
パターン８２２ｃのうち接続孔８１７ｄの上方以外の部分、及びレジストパターン８２２
ｄ）が除去される。このため、レジストパターン８２２ｃのうち接続孔８１７ｄの上方以
外の部分、及びレジストパターン８２２ｄそれぞれの下に位置する領域では、第２の導電
膜８１９が除去され、第１の導電膜８１８のみが残る。その後、レジストパターン８２２
ａ、８２２ｂ、８２２ｃを除去する。
【０３６８】
このようにして、一枚のレジストパターン及び一回のエッチング処理によって、ソース
配線８２３ａ，８２４ａ、ドレイン配線８２３ｂ，８２４ｂ、接続用導電膜８２４ｃ及び
、共通電極である第２の電極８２８が形成される。ソース配線８２３ａ，８２４ａ及びド
レイン配線８２３ｂ，８２４ｂは、結晶性半導体膜８０３に形成された各不純物領域、ゲ
ート絶縁膜８０４、第１のゲート電極８０５ａ，８０５ｂ、及び第２のゲート電極８０６
ａ，８０６ｂと共に、薄膜トランジスタ８２５を形成している。また、ドレイン配線８２
３ｂ，８２４ｂは、ドレインとなる不純物領域８１３ｃと第１の電極８０１とを電気的に
接続している。第２の電極８２８は、一部が接続孔８１７ｄに埋め込まれることにより、
第２の配線８０８に電気的に接続している。接続用導電膜８２４ｃは、接続孔８１７ｄ上
に位置する第２の電極８２８上に位置している。
【０３６９】
その後、第１の配向膜８２６を形成する。このようにして、アクティブマトリクス基板
が形成される。なお、図３１及び図３２に示した処理によって、図３３に示す液晶表示装
置のゲート信号線駆動回路領域８５４にも、薄膜トランジスタ８２７，８２９（図３３（
Ｂ）に図示）が形成される。また、図３１（Ｂ）〜（Ｄ）に示す処理によって、アクティ
ブマトリクス基板と外部とを接続する第１の端子電極８３８ａ及び第２の端子電極８３８
ｂ（図３３（Ｂ）に図示）が形成される。
【０３７０】
その後、図３３（Ａ）の平面図及び図３３（Ｂ）のＫ−Ｌ断面図に示すように、アクテ
ィブマトリクス基板上にアクリル樹脂膜等の有機樹脂膜を形成し、この有機樹脂膜を、レ
ジストパターンを用いたエッチングにより選択的に除去する。これにより、アクティブマ
トリクス基板上には、柱状のスペーサ８３３が形成される。次いで、封止領域８５３にシ
ール材８３４を形成した後、アクティブマトリクス基板上に液晶を滴下する。液晶を滴下
する前に、シール材上に、シール材と液晶が反応することを防ぐ保護膜を形成してもよい
。
【０３７１】
その後、アクティブマトリクス基板に対向する位置に、カラーフィルタ８３２及び第２
の配向膜８３１が形成された対向基板８３０を配置し、これら２つの基板をシール材８３
４で貼り合わせる。このとき、スペーサ８３３によって、アクティブマトリクス基板と対
向基板８３０は、均一な間隔を持って貼り合わせられる。次いで、封止材（図示せず）を
用いて、両基板の間を完全に封止する。このようにしてアクティブマトリクス基板と対向
基板の間には液晶が封止される。
【０３７２】
次いで、必要に応じて、アクティブマトリクス基板または対向基板もしくは双方の基板
を、所望の形状に分断する。さらに、偏光板８３５ａ，８３５ｂを設ける。次いで、フレ
キシブルプリント基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下ＦＰ
Ｃと記載）８３７を、異方性導電膜８３６を介して、外部端子接続領域８５２に配置され
た第２の端子電極８３８ｂに接続する。
【０３７３】
このようにして形成された液晶モジュールの構成を以下に説明する。アクティブマトリ
クス基板の中央には、画素領域８５６が配置されている。画素領域８５６には複数の画素
が形成されている。図３３（Ａ）において、画素領域８５６の上下それぞれには、ゲート
信号線を駆動するためのゲート信号線駆動回路領域８５４が配置されている。また、画素
領域８５６とＦＰＣ８３７の間に位置する領域には、ソース信号線を駆動するためのソー
ス信号線駆動回路領域８５７が配置されている。ゲート信号線駆動回路領域８５４は片側
のみの配置でも良く、液晶モジュールにおける基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選
択すれば良い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考えると、画素領域８５６を挟
んで対称に配置されるのが望ましい。そして各駆動回路への信号の入力は、ＦＰＣ８３７
から行われる。
【０３７４】
本実施形態によっても、第３の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【０３７５】
（第３２の実施形態）
第３２の実施形態に係る液晶表示モジュールについて、図３４及び図３５の各図を用い
て説明する。各図において、画素部９３０の構成は、第３１の実施形態で示した画素領域
８５６の構成と同様であり、基板１００上に複数の画素が形成されている。
【０３７６】
図３４（Ａ）は液晶表示モジュールの平面概略図であり、図３４（Ｂ）はソースドライ
バ９１０の回路構成を説明する為の図である。図３４に示す例では、図３４（Ａ）に示す
ようにゲートドライバ９２０及びソースドライバ９１０の双方が、画素部９３０と同一の
基板１００上に一体的に形成されている。ソースドライバ９１０は、図３４（Ｂ）に示す
ように、入力されたビデオ信号をいずれのソース信号線に伝達するかを制御する複数の薄
膜トランジスタ９１２と、複数の薄膜トランジスタ９１２を制御するシフトレジスタ９１
１とを有している。
【０３７７】
図３５（Ａ）は液晶表示モジュールの平面概略図であり、図３５（Ｂ）はソースドライ
バの回路構成を説明する為の図である。図３５に示す例では、図３５（Ａ）に示すように
ソースドライバが、基板１００上に形成された薄膜トランジスタ群９４０と、基板１００
とは別体のＩＣ９５０で構成されている。ＩＣ９５０と薄膜トランジスタ群９４０とは、
例えばＦＰＣ９６０で電気的に接続されている。
【０３７８】
ＩＣ９５０は、例えば単結晶シリコン基板を用いて形成されており、薄膜トランジスタ
群９４０を制御し、かつ薄膜トランジスタ群９４０にビデオ信号を入力する。薄膜トラン
ジスタ群９４０は、ＩＣ９５０からの制御信号に基づいて、いずれのソース信号線にビデ
オ信号を伝達するかを制御する。
【０３７９】
第３２の実施形態に係る液晶表示モジュールによっても、第３の実施形態と同一の効果
を得ることができる。
【０３８０】
（第３３の実施形態）
図３８（Ａ）および（Ｂ）は、本発明を用いた発光装置の構成を説明するための断面図
である。本実施形態では、本願発明の構成と、自発光素子（ＥＬ素子等）を組み合わせた
例を示す。
【０３８１】
図３８（Ａ）は、本願発明の構成と薄膜型ＥＬ素子とを組み合わせた発光装置の一例で
ある。薄膜型ＥＬ素子は、発光材料の薄膜からなる発光層を有しており、高電界で加速さ
れた電子による発光中心又は母体材料の衝突励起により発光が得られる。
【０３８２】
発光のメカニズムとしては、ドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセ
プター再結合型発光と、金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光とが知られてい
る。一般的に、薄膜型ＥＬ素子では局在型発光、分散型ＥＬ素子ではドナー−アクセプタ
ー再結合型発光である場合が多い。
【０３８３】
具体的な構成を以下に示す。図３８（Ａ）はトップゲート型の薄膜トランジスタ２２１
を用いた構成を有しており、第１の電極２０１と第２の電極２１２を用いる点において、
第１の実施形態に係る液晶表示装置に近い構成となっている。すなわち基板２００上に第
１の電極２０１が形成され、基板２００上及び第１の電極２０１上に絶縁膜２０２が形成
され、絶縁膜２０２上に薄膜トランジスタ２２１が形成されている。また薄膜トランジス
タ２２１上には層間絶縁膜２０６及び２０７が形成され、層間絶縁膜２０７上に第２の電
極２１２が形成されている。第２の電極２１２にはスリットが形成されている。なお、第
１の電極２０１にもスリットが形成されていても良い。本実施形態においては、第２の電
極２１２の上方に発光材料を含む層２１４を設ける。
【０３８４】
第２の実施の形態と同様の工程により基板２００、第１の電極２０１、絶縁膜２０２、
薄膜トランジスタ２２１、層間絶縁膜２０６及び２０７、第２の電極２１２を形成する。
次に、第２の電極２１２上に誘電体２１３を形成し、誘電体２１３上に発光材料を含む層
２１４を設けるとよい。しかし、前述の構成に限らず、誘電体２１３は必ずしも設ける必
要はない。誘電体２１３を形成しない場合には、層間絶縁膜２０６および２０７が誘電体
として機能する。また、発光材料を含む層２１４上に保護層２１５を介して、第２の基板
２２０を配置する。
【０３８５】
発光材料は、母体材料と発光中心からなる。局在型発光の発光中心として、マンガン（
Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、サマリウム（Ｓｍ）、テルビウム（Ｔｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、
ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジミウム（Ｐｒ
）などを用いることができる。なお、電荷補償として、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）など
のハロゲン元素が添加されていてもよい。
【０３８６】
ドナー−アクセプター再結合型発光の発光中心として、ドナー準位を形成する第１の不
純物元素及びアクセプター準位を形成する第２の不純物元素を含む発光材料を用いること
ができる。第１の不純物元素としては、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、アルミニ
ウム（Ａｌ）等を用いることができ、第２の不純物元素としては、例えば、銅（Ｃｕ）、
銀（Ａｇ）等を用いることができる。
【０３８７】
発光材料に用いる母体材料としては、硫化物、酸化物、窒化物を用いることができる。
硫化物としては、例えば、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化カルシ
ウム（ＣａＳ）、硫化イットリウム（Ｙ２Ｓ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、硫化ス
トロンチウム（ＳｒＳ）、硫化バリウム（ＢａＳ）等を用いることができ、酸化物として
は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等を用いることができ
る。
【０３８８】
また、窒化物としては、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ
）、窒化インジウム（ＩｎＮ）等を用いることができる。さらに、セレン化亜鉛（ＺｎＳ
ｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）等も用いることができ、硫化カルシウム−ガリウム（Ｃ
ａＧａ２Ｓ４）、硫化ストロンチウム−ガリウム（ＳｒＧａ２Ｓ４）、硫化バリウム−ガ
リウム（ＢａＧａ２Ｓ４）等の３元系の混晶であってもよい。これらの母体材料と発光中
心を適宜組み合わせて、発光材料とすればよい。
【０３８９】
薄膜型ＥＬ素子では局在型発光、分散型ＥＬ素子ではドナー−アクセプター再結合型発
光である場合が多い。図３８（Ａ）の構成とする場合には、局在発光となる発光中心を用
いて発光材料（例えば、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ等）とすることが好ましい。
【０３９０】
次に、図３８（Ｂ）に、本願発明の構成と分散型ＥＬ素子とを組み合わせた発光装置の
一例を示す。分散型ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有し
ており、薄膜型ＥＬ素子と同様に、高電界で加速された電子による発光中心又は母体材料
の衝突励起により発光が得られる。分散型のＥＬ素子の場合には、第２の電極２１２に接
して発光材料を含む層２２４を設ける構成とする。
【０３９１】
バインダ中に分散させる発光材料としては、薄膜型ＥＬ素子と同様に、前述した発光材
料を用いることができる。なお、分散型ＥＬ素子の場合には、ドナー−アクセプター再結
合型発光となる発光中心を用いて発光材料（例えば、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ
，Ａｌ等）とすることが好ましい。また、発光材料は前述した無機物に限らず、有機物か
らなる発光材料（例えば、ルブレン、９，１０−ジフェニルアントラセン等）を用いても
良い。
【０３９２】
分散型ＥＬ素子に用いることのできるバインダとしては、有機材料や無機材料を用いる
ことができ、また有機材料及び無機材料の混合材料を用いてもよい。有機材料としては、
シアノエチルセルロース系樹脂のように、比較的誘電率の高いポリマーや、ポリエチレン
、ポリプロピレン、ポリスチレン系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ化ビニリ
デンなどの樹脂を用いることができる。また、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミダゾー
ル（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を
用いてもよい。
【０３９３】
また、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、フェノール樹
脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、オキサゾール樹脂（
ポリベンゾオキサゾール）等の樹脂材料を用いてもよく、また光硬化型樹脂などを用いる
ことができる。さらに、これらの樹脂にチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）やチタン酸ス
トロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等の高誘電率の微粒子を適度に混合して誘電率を調整する
こともできる。
【０３９４】
また、バインダに用いる無機材料としては、酸化珪素（ＳｉＯＸ）、窒化珪素（ＳｉＮ
Ｘ）、酸素及び窒素を含む珪素、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸素及び窒素を含むアル
ミニウム、又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ＢａＴｉＯ
３、ＳｒＴｉＯ３、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、ニ
オブ酸鉛（ＰｂＮｂＯ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、タンタル酸バリウム（ＢａＴ
ａ２Ｏ６）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸
化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、ＺｎＳ、その他の無機材料を含む物質から選ばれた材料を
用いることができる。有機材料に、誘電率の高い無機材料を含ませる（添加等によって）
ことによって、発光材料及びバインダよりなる発光物質を含む層の誘電率を制御すること
ができ、より誘電率を大きくすることもできる。
【０３９５】
なお、ＥＬ素子は、一対の電極層間に電圧を印加することにより発光を得ることができ
るが、本実施形態においては交流駆動を用いることが好ましい。本実施形態に示すＥＬ発
光素子においては、第１の電極２０１および第２の電極２１２により発生される電界を用
いることによって発光させるためである。なお、発光のために発生される電界は、他の実
施形態において説明した液晶表示装置における電界と同様である。
【０３９６】
本実施形態に示すように、第１の電極上に絶縁膜を形成することで、電極間の間隔を制
御することができる。例えば、本実施形態に示す構成として、電極間の間隔を制御するこ
とで、第１の電極と第２の電極との間でマイクロキャビティー効果を得ることも可能とな
り、色純度の良い発光装置を作成することができる。
【０３９７】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが
可能である。
【０３９８】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【０３９９】
（第３４の実施形態）
本発明の第３４の実施形態に係る電子機器について、図３６を参照しつつ説明する。こ
れらの電子機器は、上記したいずれかの実施形態で示した表示装置又は表示モジュールを
搭載したものである。
【０４００】
これらの電子機器として、ビデオカメラやデジタルカメラなどのカメラ、ゴーグル型デ
ィスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（
カーオーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピ
ュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置
（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を
再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。それらの
電子機器の具体例を図３６に示す。
【０４０１】
図３６（Ａ）はテレビ受像器又はパーソナルコンピュータのモニターである。筺体２０
０１、支持台２００２、表示部２００３、スピーカー部２００４、ビデオ入力端子２００
５等を含む。表示部２００３には、上記したいずれかの実施形態で示した表示装置又は表
示モジュールが用いられている。この表示装置又は表示モジュールを有していることによ
り、画素電極と共通電極の間隔の自由度が向上する。画素電極が有する開口パターンの配
置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適値が変わ
ってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に配置することができる。そして
、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基板と平行方向
の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示装置において
は、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な
方向で制御できるため、最適な電界を加えることで、視野角が広くなる。また、薄膜トラ
ンジスタのドレイン又はソースの下方に、該一方と同電位の画素電極の一部を配置した場
合、前記したドレイン又はソースの電位が安定する。その結果、電極が有する開口パター
ンの間隔を狭くすることが可能になり、また電界の加わり方がなめらかになり、液晶分子
を制御しやすくなる。また、電極が有する開口パターンの間隔を狭くすることにより電圧
を小さくできるので、消費電力も小さくできる。
【０４０２】
図３６（Ｂ）はデジタルカメラである。本体２１０１の正面部分には受像部２１０３が
設けられており、本体２１０１の上面部分にはシャッター２１０６が設けられている。ま
た、本体２１０１の背面部分には、表示部２１０２、操作キー２１０４、及び外部接続ポ
ート２１０５が設けられている。表示部２１０２には、上記したいずれかの実施形態で示
した表示装置又は表示モジュールが用いられている。この表示装置又は表示モジュールを
有していることにより、上記した実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば画素
電極と共通電極の間隔の自由度が向上する。その結果、画素電極が有する開口パターンの
配置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適値が変
わってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に配置することができる。そし
て、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基板と平行方
向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示装置におい
ては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行
な方向で制御できるため、視野角が広い液晶表示装置又は液晶モジュールを有する製品を
提供できる。
【０４０３】
図３６（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータである。本体２２０１には、キーボー
ド２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングデバイス２２０６が設けられてい
る。また、本体２２０１には、表示部２２０３を有する筐体２２０２が取り付けられてい
る。表示部２２０３には、上記したいずれかの実施形態で示した表示装置又は表示モジュ
ールが用いられている。この表示装置又は表示モジュールを有していることにより、上記
した実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば画素電極と共通電極の間隔の自由
度が向上する。画素電極が有する開口パターンの配置間隔や開口パターンの幅は、画素電
極と共通電極との間の距離によって、最適値が変わってくるため、開口パターンの大きさ
や幅や間隔も自由に配置することができる。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御す
ることができるようになり、例えば基板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うこ
とができる。特に、液晶を用いた表示装置においては、基板と平行に配向している液晶分
子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広い
液晶表示装置又は液晶モジュールを有する製品を提供できる。
【０４０４】
図３６（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッ
チ２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。表示部２３０２にはア
クティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部２３０２には、上記したいずれか
の実施形態で示した表示装置又は表示モジュールが用いられている。この表示装置又は表
示モジュールを有していることにより、上記した実施形態と同様の効果を得ることができ
る。例えば画素電極と共通電極の間隔の自由度が向上する。画素電極が有する開口パター
ンの配置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適値
が変わってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に配置することができる。
そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基板と平
行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示装置に
おいては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と
平行な方向で制御できるため、視野角が広い液晶表示装置又は液晶モジュールを有する製
品を提供できる。
【０４０５】
図３６（Ｅ）は画像再生装置である。本体２４０１には、表示部２４０４、記録媒体読
み込み部２４０５及び操作キー２４０６が設けられている。また、本体２４０１には、ス
ピーカー部２４０７及び表示部２４０３を有する筐体２４０２が取り付けられている。表
示部２４０３及び表示部２４０４それぞれには、上記したいずれかの実施形態で示した表
示装置又は表示モジュールが用いられている。この表示装置又は表示モジュールを有して
いることにより、上記した実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば画素電極と
共通電極の間隔の自由度が向上する。画素電極が有する開口パターンの配置間隔や開口パ
ターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適値が変わってくるため、
開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に設定することができる。そして、電極間に加わ
る電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基板と平行方向の電界を増やす
こと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示装置においては、基板と平行
に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御でき
るため、視野角が広い液晶表示装置又は液晶モジュールを有する製品を提供できる。
【０４０６】
図３６（Ｆ）は電子書籍である。本体２５０１には操作キー２５０３が設けられている
。また、本体２５０１には複数の表示部２５０２が取り付けられている。表示部２５０２
には、上記したいずれかの実施形態で示した表示装置又は表示モジュールが用いられてい
る。この表示装置又は表示モジュールを有していることにより、上記した実施形態と同様
の効果を得ることができる。例えば画素電極と共通電極の間隔の自由度が向上する。画素
電極が有する開口パターンの配置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間
の距離によって、最適値が変わってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に
設定することができる。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるよう
になり、例えば基板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。すなわ
ち、液晶を用いた表示装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホ
モジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広い液晶表示装置又
は液晶モジュールを有する製品を提供できる。
【０４０７】
図３６（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１には外部接続ポート２６０４、リモ
コン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作
キー２６０９、及び接眼部２６１０が設けられている。また、本体２６０１には、表示部
２６０２を有する筐体２６０３が取り付けられている。表示部２６０２には、上記したい
ずれかの実施形態で示した表示装置又は表示モジュールが用いられている。この表示装置
又は表示モジュールを有していることにより、上記した実施形態と同様の効果を得ること
ができる。例えば画素電極と共通電極の間隔の自由度が向上する。画素電極が有する開口
パターンの配置間隔や開口パターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、
最適値が変わってくるため、開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に設定することがで
きる。そして、電極間に加わる電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基
板と平行方向の電界を増やすこと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示
装置においては、基板と平行に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、
基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広い液晶表示装置又は液晶モジュールを有
する製品を提供できる。
【０４０８】
図３６（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声
入力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、ア
ンテナ２７０８等を含む。表示部２７０３には、上記したいずれかの実施形態で示した表
示装置又は表示モジュールが用いられている。この表示装置又は表示モジュールを有して
いることにより、上記した実施形態と同様の効果を得ることができる。例えば画素電極と
共通電極の間隔の自由度が向上する。画素電極が有する開口パターンの配置間隔や開口パ
ターンの幅は、画素電極と共通電極との間の距離によって、最適値が変わってくるため、
開口パターンの大きさや幅や間隔も自由に設定することができる。そして、電極間に加わ
る電界の勾配を制御することができるようになり、例えば基板と平行方向の電界を増やす
こと等を容易に行うことができる。特に、液晶を用いた表示装置においては、基板と平行
に配向している液晶分子（いわゆるホモジニアス配向）を、基板と平行な方向で制御でき
るため、視野角が広い液晶表示装置又は液晶モジュールを有する製品を提供できる。
【符号の説明】
【０４０９】
１００    基板
１０１    電極
１０２    絶縁膜
１０３    半導体膜
１０４    ゲート絶縁膜
１０５    ゲート配線
１０６    補助配線
１０７    層間絶縁膜
１０８    ソース配線
１０９    接続用導電膜
１１０    接続用導電膜
１１１    層間絶縁膜
１１２    電極
１１３    配向膜
１１４    液晶
１１５    配向膜
１１６    カラーフィルタ
１１８    偏光板
１１９    偏光板
１２０    対向基板
１２１    薄膜トランジスタ
１２２    薄膜トランジスタ
１２３    半導体膜
１５０    画素部
１５２    ソース線駆動回路
１５４    ゲート線駆動回路
１６０    導電膜
１７０    導電膜
１８０    ゲート配線
２００    基板
２０１    電極
２０２    絶縁膜
２０６    層間絶縁膜
２０７    層間絶縁膜
２１２    電極
２１３    誘電体
２１４    層
２１５    保護層
２２０    基板
２２１    薄膜トランジスタ
２２４    層
８００    基板
８０１    電極
８０２    絶縁膜
８０３    結晶性半導体膜
８０４    ゲート絶縁膜
８０７    配線
８０８    配線
８１１    不純物元素
８１５    絶縁膜
８１６    層間絶縁膜
８１８    導電膜
８１９    導電膜
８２０    フォトレジスト膜
８２５    薄膜トランジスタ
８２６    配向膜
８２７    薄膜トランジスタ
８２８    電極
８３０    対向基板
８３１    配向膜
８３２    カラーフィルタ
８３３    スペーサ
８３４    シール材
８３６    異方性導電膜
８３７    ＦＰＣ
８４０    レチクル
８５２    外部端子接続領域
８５３    封止領域
８５４    ゲート信号線駆動回路領域
８５６    画素領域
８５７    ソース信号線駆動回路領域
９１０    ソースドライバ
９１１    シフトレジスタ
９１２    薄膜トランジスタ
９２０    ゲートドライバ
９３０    画素部
９４０    薄膜トランジスタ群
９５０    ＩＣ
１０１ａ    開口パターン
１０１ｂ    開口パターン
１０３ａ    不純物領域
１０３ｂ    不純物領域
１０３ｃ    チャネル領域
１０５ａ    ゲート電極
１０５ｂ    ゲート電極
１０５ｃ    接続用配線
１０６ａ    補助配線
１１０ａ    金属膜
１１２ａ    開口パターン
１１２ｂ    開口パターン
１１２ｃ    開口パターン
１１２ｄ    開口パターン
１１２ｅ    開口パターン
１１２ｆ    開口パターン
１１２ｇ    開口パターン
１１２ｈ    開口パターン
１２４ａ    ｎ型半導体膜
１２４ｂ    ｎ型半導体膜
１３０ｂ    カラーフィルタ
１３０ｇ    カラーフィルタ
１３０ｒ    カラーフィルタ
１８０ａ    ゲート電極
１８０ｂ    ゲート電極
２００１    筺体
２００２    支持台
２００３    表示部
２００４    スピーカー部
２００５    ビデオ入力端子
２１０１    本体
２１０２    表示部
２１０３    受像部
２１０４    操作キー
２１０５    外部接続ポート
２１０６    シャッター
２２０１    本体
２２０２    筐体
２２０３    表示部
２２０４    キーボード
２２０５    外部接続ポート
２２０６    ポインティングマウス
２３０１    本体
２３０２    表示部
２３０３    スイッチ
２３０４    操作キー
２３０５    赤外線ポート
２４０１    本体
２４０２    筐体
２４０３    表示部Ａ
２４０４    表示部Ｂ
２４０６    操作キー
２４０７    スピーカー部
２５０１    本体
２５０２    表示部
２５０３    操作キー
２６０１    本体
２６０２    表示部
２６０３    筐体
２６０４    外部接続ポート
２６０５    リモコン受信部
２６０６    受像部
２６０７    バッテリー
２６０８    音声入力部
２６０９    操作キー
２６１０    接眼部
２７０１    本体
２７０２    筐体
２７０３    表示部
２７０４    音声入力部
２７０５    音声出力部
２７０６    操作キー
２７０７    外部接続ポート
２７０８    アンテナ
３７００    基板
３７０１    電極
３７０２    電極
３７０３    薄膜トランジスタ
３７０４    絶縁膜
３７０５    層間絶縁膜
３７０７    薄膜トランジスタ
８０５ａ    ゲート電極
８０５ｂ    ゲート電極
８０６ａ    ゲート電極
８０６ｂ    ゲート電極
８１０ａ    不純物領域
８１０ｂ    不純物領域
８１０ｃ    不純物領域
８１２ａ    レジストパターン
８１３ａ    不純物領域
８１３ｃ    不純物領域
８１４ａ    不純物領域
８１７ａ    接続孔
８１７ｂ    接続孔
８１７ｃ    接続孔
８１７ｄ    接続孔
８２１ａ    符号
８２２ａ    レジストパターン
８２２ｂ    レジストパターン
８２２ｃ    レジストパターン
８２２ｄ    レジストパターン
８２３ａ    ソース配線
８２３ｂ    ドレイン配線
８２４ｃ    接続用導電膜
８３５ａ    偏光板
８３８ａ    端子電極
８３８ｂ    端子電極
８４１ａ    遮光パターン
８４１ｂ    遮光パターン
８４１ｃ    遮光パターン
８４２ａ    半透膜パターン
８４２ｂ    半透膜パターン
８４２ｃ    半透膜パターン
８４２ｄ    半透膜パターン
【図１】
2020016908.tif 000003
【図２】
2020016908.tif 000004
【図３】
2020016908.tif 000005
【図４】
2020016908.tif 000006
【図５】
2020016908.tif 000007
【図６】
2020016908.tif 000008
【図７】
2020016908.tif 000009
【図８】
2020016908.tif 000010
【図９】
2020016908.tif 000011
【図１０】
2020016908.tif 000012
【図１１】
2020016908.tif 000013
【図１２】
2020016908.tif 000014
【図１３】
2020016908.tif 000015
【図１４】
2020016908.tif 000016
【図１５】
2020016908.tif 000017
【図１６】
2020016908.tif 000018
【図１７】
2020016908.tif 000019
【図１８】
2020016908.tif 000020
【図１９】
2020016908.tif 000021
【図２０】
2020016908.tif 000022
【図２１】
2020016908.tif 000023
【図２２】
2020016908.tif 000024
【図２３】
2020016908.tif 000025
【図２４】
2020016908.tif 000026
【図２５】
2020016908.tif 000027
【図２６】
2020016908.tif 000028
【図２７】
2020016908.tif 000029
【図２８】
2020016908.tif 000030
【図２９】
2020016908.tif 000031
【図３０】
2020016908.tif 000032
【図３１】
2020016908.tif 000033
【図３２】
2020016908.tif 000034
【図３３】
2020016908.tif 000035
【図３４】
2020016908.tif 000036
【図３５】
2020016908.tif 000037
【図３６】
2020016908.tif 000038
【図３７】
2020016908.tif 000039
【図３８】
2020016908.tif 000040