(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ処理装置内のプラズマ分布を容易に判定するプラズマ測定部材とプラズマ分布を判定するプラズマ測定方法を提供する。【解決手段】プラズマ測定部材は、半導体製造用のウェハと略同形状の基板と、基板上に溶射形成されたオキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜で構成され、プラズマにより変色する機能を備える。プラズマ測定部材にプラズマを照射し、プラズマ分布による変色度合に基づきプラズマ分布を判定Ｓ２３する。【選択図】図３
2020053133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造用のウェハと略同形状の基板と、
前記基板上に形成された、オキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜と、
を備えたプラズマ測定部材。
【請求項２】
前記プラズマ測定膜は、オキシフッ化イットリウムを含む溶射材料により形成される溶射膜である請求項１に記載のプラズマ測定部材。
【請求項３】
前記基板および前記プラズマ測定膜は、オキシフッ化イットリウム系セラミックスの焼結体で一体的に形成される、請求項１に記載のプラズマ測定部材。
【請求項４】
プラズマ処理が実行される空間内に配置されるよう構成され、オキシフッ化イットリウムの表面を有し、当該プラズマ処理後の前記表面の変色度合により前記空間内のプラズマ分布を表示するプラズマ測定部材。
【請求項５】
オキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜を有するプラズマ測定部材を、プラズマ処理が実行されるチャンバ内に配置する配置工程と、
前記チャンバ内で前記プラズマ処理を実行する実行工程と、
前記プラズマ測定部材上に現れる変色度合により、前記チャンバ内のプラズマ分布を判定する判定工程と、
を含むプラズマ測定方法。
【請求項６】
前記配置工程において、前記プラズマ測定部材を前記チャンバ内の載置台上に配置する、請求項５に記載のプラズマ測定方法。
【請求項７】
前記配置工程において、前記プラズマ測定部材を前記チャンバの側壁を覆う位置に配置する、請求項５または６に記載のプラズマ測定方法。
【請求項８】
前記配置工程において、前記プラズマ測定部材を前記チャンバ内の空間を縦断する位置に配置する、請求項５から７のいずれか１項に記載のプラズマ測定方法。
【請求項９】
前記配置工程において、前記プラズマ測定部材を前記チャンバ内の空間を横断する位置に配置する、請求項５から８のいずれか１項に記載のプラズマ測定方法。
【請求項１０】
前記配置工程において、前記プラズマ測定部材を前記チャンバ内の空隙に配置する、請求項５から９のいずれか１項に記載のプラズマ測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
以下の開示は、プラズマ測定部材およびプラズマ測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置においては、腐食性が高い処理ガスのプラズマに露出する部分に、セラミックスに酸化イットリウムまたはフッ化イットリウムの溶射膜を形成して保護することが知られている。また、酸化イットリウムとフッ化イットリウムの両方の性格をもつオキシフッ化イットリウムの溶射膜の利用も提案されている（特許文献１）。このほか、ランタノイドフッ化物等の使用も知られている（特許文献２）。
【０００３】
また、プラズマ処理においては、プラズマ処理の完了を確認するために、プラズマ処理雰囲気下で変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータを用いた完了確認等が実施されている（特許文献３）。また、変色層としてＭｏ、Ｗ、Ｓｎ、Ｖ、Ｃｅ、Ｔｅ及びＢｉからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含むプラズマ処理検知インジケータも提案されている（特許文献４、特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−０８２３２５号公報
【特許文献２】特開２００９−１５８９３８号公報
【特許文献３】特開２０１７−２１６４４６号公報
【特許文献４】特開２０１６−１１１０６３号公報
【特許文献５】国際公開第２０１５／１７０５９２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、プラズマ処理装置内のプラズマ分布を容易に判定することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
開示する実施形態において、プラズマ測定部材は、半導体製造用のウェハと略同形状の基板と、基板上に形成された、オキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
開示する実施態様によれば、プラズマ処理装置内のプラズマ分布を容易に判定することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】図１Ａは、一実施形態に係るプラズマ測定部材の構成の一例の上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、一実施形態に係るプラズマ測定部材の構成の一例の側面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、一実施形態に係るプラズマ測定部材の構成の他の例の側面図である。
【図２】図２は、ＹＯＦ系化合物の組成の変化と色変化との対応について説明するための図である。
【図３】図３は、一実施形態に係るプラズマ測定処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図４】図４は、一実施形態に係るプラズマ測定部材を配置可能なプラズマ処理装置の構成の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明者は、半導体製造装置のチャンバ内部にフッ化イットリウム（ＹＦ３）の溶射被膜を保護膜として形成した場合に、溶射被膜に変色が生じることに気付いた。具体的には、プラズマ処理前には灰色であった溶射被膜の外周部分が濃灰色に変色していることに気付いた。しかし、変色に伴う溶射被膜の面の均一性の低下やプラズマ処理の品質への影響は見られなかった。また、本発明者は、溶射被膜の変色態様が、予測されるチャンバ内のプラズマ分布に対応することに気付いた。そこで、本発明者は、プラズマ処理に対して耐性の高いオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）を利用してチャンバ内のプラズマ分布を評価することに思い至った。
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本願の開示するプラズマ測定部材およびプラズマ測定方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す各実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
【００１１】
＜一実施形態に係るプラズマ測定部材の一例＞
一実施形態に係るプラズマ測定部材は、プラズマを用いて処理を実行する半導体製造装置（以下、プラズマ処理装置とも呼ぶ。）内のプラズマ分布を判定するための部材である。一実施形態に係るプラズマ測定部材は、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）の表面を有する。プラズマ測定部材は、プラズマ処理装置内のプラズマ処理が実行される空間内に配置され、プラズマ測定部材が当該空間内に配置された状態で、通常のプラズマ処理（エッチング、成膜等）が実行される。プラズマ処理により、プラズマ測定部材の表面のオキシフッ化イットリウムは処理ガスのプラズマに曝露されて変色する。プラズマ測定部材は、表面の変色度合により、プラズマ処理が実行される空間内のプラズマ分布を表示する。
【００１２】
図１Ａは、一実施形態に係るプラズマ測定部材の構成の一例の上面図である。図１Ｂは、一実施形態に係るプラズマ測定部材の構成の一例の側面図である。図１Ｃは、一実施形態に係るプラズマ測定部材の構成の他の例の側面図である。図１Ａ乃至図１Ｃを参照し、一実施形態に係るプラズマ測定部材について説明する。
【００１３】
図１Ａおよび図１Ｂに示すプラズマ測定部材１０Ａは、半導体製造用のウェハと略同形状の基板１１と、基板１１上に形成された、オキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜１２と、を備える。
【００１４】
基板１１の形状は、半導体製造用のウェハと略同形状である。基板１１はたとえば、厚みが約０．７７５ミリメートル（ｍｍ）、直径が約３００ｍｍの円盤形状である。またたとえば、基板１１は、厚みが約０．６２５ｍｍ、直径が１５０ｍｍの円盤形状である。またたとえば、基板１１は、厚みが約０．７２５ｍｍ、直径が約２００ｍｍの円盤形状である。ただし、基板１１は上記寸法以外の寸法を有してもよい。
【００１５】
プラズマ測定膜１２は、基板１１の一表面上にオキシフッ化イットリウムを含む溶射材料により形成される溶射膜である。たとえば、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）等の溶射材料を用いて、プラズマ測定膜１２を形成することができる。プラズマ測定膜１２の厚みは特に限定されないが、５０μｍ〜２００μｍ程度の厚みを有することが好ましい。
【００１６】
図１Ｃに示すプラズマ測定部材１０Ｂは、図１Ａ及び図１Ｂに示すプラズマ測定部材１０Ａと同様の形状を有する。しかし、プラズマ測定部材１０Ｂは、プラズマ測定部材１０Ａのように基板１１およびプラズマ測定部材１２の２つの部分に分かれていない。プラズマ測定部材１０Ｂは、基板１１およびプラズマ測定部材１２に相当する部分が、オキシフッ化イットリウム系セラミックスの焼結体１３で一体的に形成されている。
【００１７】
＜プラズマ測定部材の形状例＞
図１Ａ乃至図１Ｃに示すプラズマ測定部材１０Ａ，１０Ｂは、半導体製造用のウェハと略同形状に形成される。ただし、一実施形態に係るプラズマ測定部材は、他の形状に形成されてもよい。一実施形態に係るプラズマ測定部材は、プラズマ処理が実行される空間に配置されるように構成されていれば、形状は特に限定されない。一実施形態に係るプラズマ測定部材は、プラズマ処理が実行される空間内に配置されたとき、オキシフッ化イットリウムの表面が処理ガスのプラズマに曝露されるように構成されていればよい。
【００１８】
たとえば、一実施形態に係るプラズマ測定部材は、プラズマ処理が実行されるチャンバの側壁を覆うように設置可能な形状に構成される。プラズマ測定部材は細長い帯状であっても広がりを有する板状であってもよい。また、一実施形態に係るプラズマ測定部材は、チャンバ内の微細な空隙に配置できる小型のチップ状であってもよい。また、一実施形態に係るプラズマ測定部材は、チャンバ内の空間を縦断または横断するよう配置される棒状の部材であってもよい。いずれの形状を取る場合であっても、プラズマ測定部材のオキシフッ化イットリウムの表面が処理ガスのプラズマに曝露されるよう、チャンバ内に配置される。
【００１９】
＜ＹＯＦ系化合物の組成と色変化＞
ここで、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）系化合物の組成の変化と色変化について説明する。図２は、ＹＯＦ系化合物の組成の変化と色変化との対応について説明するための図である。
【００２０】
図２に示すように、ＹＯＦ系化合物については組成変化に伴って外観色が変化することが知られている。たとえば、図２中、三角で示す図の中央付近にあるＹＯＦの外観色は白色である。これに対し、ＹＯＦ系化合物の組成がＹＯＦからＹ５Ｏ４Ｆ７に近づくと、外観色は濃い灰色となる。さらに、Ｙ５Ｏ４Ｆ７よりもＹＦ３に近い組成では外観色は灰色となる。なお、ＹＯＦ系化合物の外観色がこのように変化する理由は、「Ｆ」サイトの空孔生成と「Ｏ」への置換によって、「Ｙ」の価数変化が生じて光の吸収が変化するためであると考えられている。
【００２１】
ところで、プラズマ処理装置の内部にＹＦ３の溶射被膜を施して、プラズマ処理を実行した場合に、溶射被膜の変色が生じるのは、プラズマ処理によって上記「Ｆ」の減少と「Ｏ」の増加が生じ、Ｙの価数変化が生じているものと考えられる。とすると、プラズマの影響が強い部分は溶射被膜の変色の度合いが大きく、他方、プラズマの影響が弱い部分は溶射被膜の変色の度合いが小さいと考えられる。このため、プラズマ処理装置のチャンバ内にＹＯＦ系化合物が表面に露出したプラズマ測定部材を配置し、変色度合を観察することで、チャンバ内の任意の位置におけるプラズマ分布すなわちプラズマの均一性を評価することができる。
【００２２】
＜プラズマ測定処理の流れの一例＞
図３は、一実施形態にかかるプラズマ測定処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、プラズマ処理装置のチャンバ内にプラズマ測定部材を配置する（ステップＳ２１）。
【００２３】
次に、チャンバ内でプラズマ処理を実行する（ステップＳ２２）。実行するプラズマ処理の種類や処理ガスの種類等は予め決めておく。たとえば、処理ガスとして四フッ化炭素（ＣＦ４）を用いた場合と、アルゴン（Ａｒ）を用いた場合、酸素（Ｏ２）を用いた場合、または複数のガスを混合して用いた場合とではプラズマ測定部材に対するプラズマの影響は異なる。このため、予め、実行するプラズマ処理の処理条件を決定しておくことで、プラズマの均一度、プラズマ分布を有効に判定できるようにする。
【００２４】
プラズマ処理の完了後、プラズマ測定部材をチャンバから取り出し、プラズマ測定部材のオキシフッ化イットリウムの表面上の変色度合を確認する。そして、変色度合に基づき、チャンバ内でのプラズマ分布を判定する（ステップＳ２３）。これが一実施形態に係るプラズマ測定処理の流れである。
【００２５】
＜プラズマ処理装置の構成の一例＞
図４は、一実施形態に係るプラズマ測定部材を配置可能なプラズマ処理装置１００の構成の一例を示す概略図である。プラズマ処理装置１００においては、半導体製造用のウェハのプラズマエッチング、成膜、スパッタリングなどのプラズマ処理が行われる。プラズマ処理装置１００は、チャンバ１内に載置台２とシャワーヘッド３とを対向配置した平行平板型のプラズマ処理装置（容量結合型プラズマ処理装置）である。載置台２は下部電極としても機能し、シャワーヘッド３は上部電極としても機能する。
【００２６】
プラズマ処理装置１００は、例えば表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形のチャンバ１を有している。チャンバ１は、電気的に接地されている。チャンバ１の底部には、半導体ウェハ（以下、単に「ウェハＷ」という。）を載置するための載置台２が設けられている。載置台２は、ウェハＷをクーロン力により保持する静電チャック、フォーカスリング、冷媒流路等（図示せず）を有する。
【００２７】
載置台２には、電力供給装置（図示せず）が接続され、プラズマ生起用の高周波電力とバイアス電圧発生用の高周波電力とが供給される。なお、プラズマ生起用の高周波電力はシャワーヘッド３に供給されるようにプラズマ処理装置１００を構成してもよい。
【００２８】
シャワーヘッド３は、その周縁部を被覆するシールドリング３ａを介してチャンバ１の天井部の開口を閉塞するように取り付けられている。シャワーヘッド３には、ガスを導入するガス導入口（図示せず）が形成されている。ガス導入口を介してプラズマ処理のための処理ガス等が載置台２に向けて導入される。
【００２９】
チャンバ１の底面には排気口（図示せず）が形成されており、排気口に接続された排気装置によってチャンバ１内が排気され真空雰囲気が形成される。
【００３０】
図４の例では、一実施形態に係るプラズマ測定部材の例として、ウェハ状部材４ａ、側壁部材４ｂ、板状部材４ｃ、ギャップ部材４ｄおよび保護膜４ｅがチャンバ１内に配置されている。
【００３１】
ウェハ状部材４ａは、図１Ａ乃至図１Ｃに示すプラズマ測定部材１０Ａ，１０Ｂと同様の半導体製造用のウェハと同形状の部材である。側壁部材４ｂは、チャンバ１の側壁に沿って配置される板状の部材である。板状部材４ｃは、チャンバ１の略中央部に載置台２からシャワーヘッド３へ延びるように、チャンバ１の側壁と略平行に配置される棒状の部材である。ギャップ部材４ｄは、チャンバ１内に形成されるギャップ（空隙）内に配置される小型のチップ状の部材である。チャンバ１内には排気口やウェハを搬送するための搬出入口など、様々な機構が配置されるため、小さな隙間が形成される場合がある。かかる隙間にはプラズマ処理時に発生したプラズマが入り込み、プラズマの分布に影響する可能性がある。そこで、かかるギャップにおいてチャンバ内の真空雰囲気に対して露出する部分にもプラズマ測定部材を配置してもよい。保護膜４ｅは、シャワーヘッド３（上部電極）のチャンバ１側表面上に形成されるオキシフッ化イットリウムの溶射膜である。
【００３２】
なお、本実施形態に係るプラズマ測定部材は、チャンバ１内に配置されてプラズマ処理が１回実行されるごとに、プラズマ分布等の判定のためチャンバ１から搬出される使い捨ての部材である。このため、上記ウェハ状部材４ａ、側壁部材４ｂ、板状部材４ｃ、ギャップ部材４ｄおよび保護膜４ｅはプラズマ処理装置内に常備されるのではなく、プラズマ測定処理を実行する際に、チャンバ１内に搬入される。また、ウェハ状部材４ａ、側壁部材４ｂ、板状部材４ｃ、ギャップ部材４ｄおよび保護膜４ｅは同時に使用する必要はない。ユーザは、プラズマ分布を測定したい部分にオキシフッ化イットリウムの表面を露出するよう構成されたプラズマ測定部材を、ウェハ状部材４ａ、側壁部材４ｂ、板状部材４ｃ、ギャップ部材４ｄおよび保護膜４ｅの中から選択してチャンバ１内に配置する。
【００３３】
なお、図４に示すように、プラズマ処理装置１００はさらに、装置全体の動作を制御する制御装置５を備えてもよい。制御装置５は、記憶部５１および制御部５２を有する。
【００３４】
記憶部５１は、プラズマ処理後のプラズマ測定部材の変色度合とチャンバ１内のプラズマ分布との対応を記憶するように構成してもよい。
【００３５】
たとえば、記憶部５１は、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等である。記憶部５１はまた、プラズマ処理のプログラムおよびレシピを記憶する。レシピはたとえば、プラズマ処理の処理条件である。レシピはたとえば、処理条件として、プロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種ガス流量、チャンバ内温度、冷媒の温度などを含む。
【００３６】
制御部５２は、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）等の処理装置である。制御部５２は、記憶部５１に記憶されるレシピに基づき、プラズマ処理のためのプログラムを実行する。プログラムおよびレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよい。また、レシピは、ＣＤ（Compact  Disc）−ＲＯＭ、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disc）等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で所定位置にセットされ、読み出されるようにしてもよい。
【００３７】
制御部５２は、画像処理部５２ａおよび判定部５２ｂを有するように構成してもよい。画像処理部５２ａは、プラズマ測定部材の画像を取得して分析する。画像処理部５２ａはたとえば、取得した画像の情報を数値化する。判定部５２ｂは、記憶部５１に記憶される色分布とプラズマ分布との対応と、画像処理部５２ａの分析結果たとえば処理の結果得られる数値と、に基づき、チャンバ１内のプラズマ分布を判定する。判定部５２ｂは、たとえば、チャンバ１内の所定部分においてプラズマ分布が均一であるか否かを判定する。
【００３８】
制御装置５はさらに、制御部５２による処理結果を出力するための出力部を備えてもよい。たとえば、制御装置５は、判定部５２ｂによる判定結果を表示するモニタや判定結果を印刷するプリンタ、プラズマ分布が非均一である場合に点滅するランプ等を備えてもよい。
【００３９】
なお、上記実施形態に係るプラズマ処理装置は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively  Coupled  Plasma)処理装置だけでなく、その他のプラズマ処理装置であってもよい。プラズマ処理装置は、たとえば、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively  Coupled  Plasma)装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon  Wave  Plasma）処理装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma）処理装置等であっても良い。
【００４０】
＜実施形態の効果＞
上記実施形態に係るプラズマ測定部材は、半導体製造用のウェハと略同形状の基板と、基板上に形成された、オキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜と、を備える。オキシフッ化イットリウムは、樹脂等をバインダとして用いる変色層等と比較して、プラズマ耐性や耐熱性が高い。このため、本実施形態によれば、アウトガスやパーティクルを発生させることなく、プラズマ処理が実行される空間内のプラズマ分布を測定することができる。また、プラズマ測定部材は半導体製造用のウェハと略同形状であるため、プラズマ処理装置等を改造したり変形したりする必要なく、プラズマ処理装置内に搬入できる。また、プラズマ測定部材は半導体製造用のウェハと略同形状であるため、プラズマ処理中の半導体製造用のウェハと同じ位置に載置してプラズマ測定処理を実行することができる。このため、プラズマ処理中に近い状態でプラズマ分布を測定することができる。
【００４１】
また、上記プラズマ測定部材のプラズマ測定膜は、オキシフッ化イットリウムを含む溶射材料により形成される溶射膜であってもよい。このため、様々な形状の部材を基材としてオキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜を容易に形成することができる。このため、本実施形態によれば、チャンバ内の多様な形状の空間におけるプラズマ分布を測定することができる。
【００４２】
また、上記プラズマ測定部材において、基板およびプラズマ測定膜は、オキシフッ化イットリウム系セラミックスの焼結体で一体的に形成してもよい。このため、本実施形態によれば、プラズマ測定部材を簡単な工程で形成することができる。
【００４３】
また、上記実施形態に係るプラズマ測定部材は、プラズマ処理が実行される空間内に配置されるよう構成され、オキシフッ化イットリウムの表面を有し、当該プラズマ処理後の表面の変色度合により空間内のプラズマ分布を表示する。このため、本実施形態によれば、プラズマ耐性や耐熱性が高いオキシフッ化イットリウムを利用してプラズマ分布を容易に測定することができる。
【００４４】
また、実施形態に係るプラズマ測定方法は、配置工程と、実行工程と、判定工程と、を含む。配置工程においては、オキシフッ化イットリウムのプラズマ測定膜を有するプラズマ測定部材を、プラズマ処理が実行されるチャンバ内に配置する。実行工程においては、チャンバ内でプラズマ処理を実行する。そして、判定工程においては、プラズマ測定部材上に現れる変色度合により、チャンバ内のプラズマ分布を判定する。このため、実施形態に係るプラズマ測定方法によれば、プラズマ処理装置内のプラズマ分布を容易に測定することができる。また、プラズマ分布の測定のための試験から結果判定までの時間を短縮することができる。また、プラズマ測定部材の表面の変色によって判定を行うことができ、プラズマ分布の容易な測定が可能となる。
【００４５】
また上記実施形態に係るプラズマ測定方法において、プラズマ測定部材はチャンバ内の載置台上に配置してもよい。このため、実施形態に係るプラズマ測定方法によれば、チャンバ内に専用のセンサやかさばる器具を設けずにプラズマ分布を測定することができる。このため、実施形態のプラズマ測定方法によれば、通常のプラズマ処理時にはチャンバ内に存在しない器具等によってプラズマ分布が乱されることなく、プラズマ処理時と同様のプラズマ分布を測定できる。
【００４６】
また、プラズマ測定部材は、チャンバの側壁を覆う位置に配置してもよい。また、プラズマ測定部材は、チャンバ内の空間を縦断する位置に配置してもよい。また、プラズマ測定部材は、チャンバ内の空間を横断する位置に配置してもよい。このため、実施形態に係るプラズマ測定方法によれば、垂直方向または水平方向に複数のセンサや測定用の器具を配置したり、複数回に分けて測定を実行したりする必要なく、チャンバ内のプラズマ分布を測定できる。
【００４７】
また、プラズマ測定部材は、チャンバ内の空隙に配置してもよい。このため、実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバ内に形成される微細な空間についてもプラズマの影響を測定することができる。
【００４８】
また、上記実施形態に係るプラズマ測定部材は、チャンバ内でのプラズマ分布を測定するための試験に用いてもよく、プラズマ処理によるチャンバへの影響を判定してメンテナンス等に利用するために用いてもよい。
【００４９】
また、上記実施形態においては、オキシフッ化イットリウムを測定部材に使用する例について説明したが、アルミナも同様にプラズマ照射によって変色するため、同様に使用することができる。
【００５０】
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１０Ａ，１０Ｂ  プラズマ測定部材
１１  基板
１２  プラズマ測定膜
１００  プラズマ処理装置
１  チャンバ
２  載置台
３  シャワーヘッド
３ａ  シールドリング
４ａ  ウェハ状部材
４ｂ  側壁部材
４ｃ  板状部材
４ｄ  ギャップ部材
４ｅ  保護膜
５  制御装置
５１  記憶部
５２  制御部
５２ａ  画像処理部
５２ｂ  判定部
Ｗ  ウェハ
【図１Ａ】
2020053133.tif 000003
【図１Ｂ】
2020053133.tif 000004
【図１Ｃ】
2020053133.tif 000005
【図２】
2020053133.tif 000006
【図３】
2020053133.tif 000007
【図４】
2020053133.tif 000008