(57)【要約】【課題】高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮するのに有利な電波吸収体を提供する。【解決手段】電波吸収体（１ａ）は、抵抗層（２０）と、導電体（３０）と、誘電体層（１０）とを備えている。抵抗層（２０）は、酸化インジウムスズを主成分として含んでいる。導電体（３０）は、電波を反射する。誘電体層（１０）は、抵抗層（２０）の厚み方向において抵抗層（２０）と導電体（３０）との間に配置されている。また、誘電体層（１０）は、高分子によって形成されている。抵抗層（２０）に含まれる酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、０重量％を超え、かつ、２０重量％未満である。抵抗層（２０）に含まれる水素原子の数は、抵抗層（２０）に含まれるインジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対して５％以上である。【選択図】図１Ａ
2020053498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムスズを主成分として含む抵抗層と、
電波を反射する導電体と、
前記抵抗層の厚み方向において前記抵抗層と前記導電体との間に配置され、高分子によって形成されている誘電体層と、を備え、
前記酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、０重量％を超え、かつ、２０重量％未満であり、
前記抵抗層に含まれる水素原子の数は、前記抵抗層に含まれるインジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対して５％以上である、
電波吸収体。
【請求項２】
前記抵抗層は、当該抵抗層を１５０℃及び１時間の条件でアニールした後に非晶質状態を保つ、請求項１に記載の電波吸収体。
【請求項３】
前記抵抗層は、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、及び酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の電波吸収体。
【請求項４】
前記導電体は、酸化インジウムスズを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項５】
前記導電体は、アルミニウム、銅、アルミニウム合金、及び銅合金からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項６】
前記抵抗層は、１８０〜６００Ω／□のシート抵抗を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項７】
前記抵抗層は、１８〜１００ｎｍの厚みを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項８】
前記抵抗層のＨａｌｌ移動度は、４０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）未満である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項９】
前記誘電体層は、２．０〜２０．０の比誘電率を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１０】
前記誘電体層は、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、シリコーン、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１１】
粘着層をさらに備え、
前記導電体は、前記誘電体層と前記粘着層との間に配置されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１２】
粘着層をさらに備え、
前記粘着層は、前記誘電体層と前記導電体との間に配置されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１３】
前記誘電体層は、前記導電体に粘着している、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電波吸収体。
【請求項１４】
酸化インジウムスズを主成分として含む抵抗層と、
前記抵抗層の厚み方向において前記抵抗層に接触して配置され、高分子によって形成されている誘電体層と、を備え、
前記酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、０重量％を超え、かつ、２０重量％未満であり、
前記抵抗層に含まれる水素原子の数は、前記抵抗層に含まれるインジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対して５％以上である、
電波吸収体用積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電波吸収体及び電波吸収体用積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電波障害を防止するための電波吸収体が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、高分子フィルムからなる誘電体層と、誘電体層の一方の面に酸化インジウムスズを主成分とする抵抗層と、誘電体層の他方の面に抵抗層より低いシート抵抗を有する導電体とを有する電磁波吸収体が記載されている。この電磁波吸収体において、抵抗層の酸化インジウムスズに含まれる酸化スズは２０〜４０重量％である。これにより、抵抗層が極めて安定な非晶質構造を有し、経時的変化又は環境変化に伴う抵抗層のシート抵抗の変動を抑制でき、電磁波吸収効果が長期間にわたって発揮される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１１２３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、抵抗層の酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量が２０重量％未満である場合に、高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮できる技術は記載されていない。
【０００６】
このような事情を踏まえて、本発明は、抵抗層の酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量が２０重量％未満であるものの、高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮するのに有利な電波吸収体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、
酸化インジウムスズを主成分として含む抵抗層と、
電波を反射する導電体と、
前記抵抗層の厚み方向において前記抵抗層と前記導電体との間に配置され、高分子によって形成されている誘電体層と、を備え、
前記酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、０重量％を超え、かつ、２０重量％未満であり、
前記抵抗層に含まれる水素原子の数は、前記抵抗層に含まれるインジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対して５％以上である、
電波吸収体を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
上記の電波吸収体は、高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮するのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明に係る電波吸収体の一例を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａに示す電波吸収体の変形例を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、図１Ａに示す電波吸収体の別の変形例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明に係る電波吸収体の別の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る電波吸収体のさらに別の一例を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明に係る電波吸収体のさらに別の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態には限定されない。
【００１１】
図１Ａに示す通り、電波吸収体１ａは、抵抗層２０と、導電体３０と、誘電体層１０とを備えている。抵抗層２０は、酸化インジウムスズを主成分として含んでいる。本明細書において、「主成分」とは、質量基準で最も多く含まれる成分を意味する。導電体３０は、電波を反射する。誘電体層１０は、抵抗層２０の厚み方向において抵抗層２０と導電体３０との間に配置されている。また、誘電体層１０は、高分子によって形成されている。抵抗層２０は、下記の（Ｉ）及び（II）の条件を満たしている。
（Ｉ）抵抗層２０に含まれる酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、０重量％を超え、かつ、２０重量％未満である。
（II）抵抗層２０に含まれる水素原子の数は、抵抗層２０に含まれるインジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対して５％以上である。
【００１２】
電波吸収体１ａは、λ／４型の電波吸収体である。電波吸収体１ａに吸収対象とする波長（λO）の電波が入射すると、抵抗層２０の表面での反射（表面反射）による電波と、導電体３０における反射（裏面反射）による電波とが干渉するように、電波吸収体１ａが設計されている。λ／４型の電波吸収体においては、下記の式（１）に示す通り、誘電体層の厚み（ｔ）及び誘電体層の比誘電率（εr）によって吸収対象の電波の波長（λO）が決定される。すなわち、誘電体層の比誘電率及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電波を設定できる。式（１）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率εrの平方根を意味する。
λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr）      式（１）
【００１３】
電波吸収体１ａが上記の抵抗層２０を備えていることにより、電波吸収体１ａは高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮しやすい。本発明者らは、多大な試行錯誤を重ねた結果、酸化インジウムスズを主成分とする抵抗層において水素原子の濃度を所定値以上に高めることによって、酸化インジウムスズに含まれる酸化スズの含有量が２０重量％未満である場合に、電波吸収体が高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮できることを新たに見出した。
【００１４】
抵抗層２０において酸化インジウムスズに含まれる酸化スズの含有量は、例えば、１重量％以上であってもよく、２重量％以上であってもよく、３重量％以上であってもよい。
【００１５】
抵抗層２０に含まれる水素原子の数は、抵抗層２０に含まれるインジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対して、５〜１５％であってもよい。
【００１６】
抵抗層２０は、典型的には非晶質状態である。抵抗層２０は非晶質状態を安定的に保ちやすい。これにより、電波吸収体１ａは高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能を発揮しやすいと考えられる。
【００１７】
電波吸収体１ａは、例えば、電波吸収体１ａの環境を温度８５℃及び相対湿度８５％の条件で５００時間保った後において、垂直に入射する吸収対象の波長の電波に対し１０ｄＢ以上の反射減衰量を発揮しうる。反射減衰量は、例えば、日本工業規格(JIS) R 1679:2007に準拠して測定できる。
【００１８】
抵抗層２０は、例えば、抵抗層２０を１５０℃及び１時間の条件でアニールした後に非晶質状態を保つ。これにより、電波吸収体１ａは高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能をより確実に発揮しやすい。なお、酸化スズの含有量が２０重量％未満である酸化インジウムスズを主成分として含み、かつ、上記（II）の条件を満たしてない抵抗層を、例えば、成膜後に１５０℃及び１時間の条件でアニール処理をすると、結晶化部を含む膜質に変化してしまう。この場合、抵抗層のシート抵抗が著しく低下し、電波吸収体の電波吸収性能が低下しうる。
【００１９】
抵抗層２０は、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、及び酸化亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。この場合にも、抵抗層２０の状態を安定的に保つことができ、電波吸収体１ａは高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能をより確実に発揮しやすい。
【００２０】
抵抗層２０は、例えば、１８０〜６００Ω／□のシート抵抗を有する。これにより、電波吸収体１ａが所望の電波吸収性能を発揮しやすい。λ／４型の電波吸収体の設計において、伝送理論を用いて抵抗層２０の前面から見込んだインピーダンスが特性インピーダンスと等しくなるように、抵抗層２０のシート抵抗が定められる。抵抗層２０に求められるシート抵抗は、λ／４型の電波吸収体に入射する電波の想定される入射角度によって変動しうる。抵抗層２０のシート抵抗は、１９０〜５８０Ω／□であってもよく、２００〜５５０Ω／□であってもよい。なお、特に説明する場合を除き、「抵抗層２０のシート抵抗」は、初期のシート抵抗を意味する。
【００２１】
抵抗層２０の厚みは特に制限されない。抵抗層２０の厚みは、例えば、１８〜１００ｎｍである。この場合、抵抗層２０が所望のシート抵抗を有しやすく、かつ、電波吸収体１ａが高温高湿の環境に長期間曝された後に抵抗層２０が所望の特性を有しやすい。抵抗層２０の厚みは、望ましくは、２０〜１００ｎｍである。抵抗層２０をなす材料の比抵抗は、このような範囲の厚みを有する抵抗層２０が所望のシート抵抗を有するように調整されている。抵抗層２０をなす材料の比抵抗は、例えば、５．４×１０-4〜５．０×１０-3Ω・ｃｍである。
【００２２】
抵抗層２０のＨａｌｌ移動度は、例えば、４０ｃｍ2／（Ｖ・ｓ）未満である。これにより、電波吸収体１ａは高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能をより確実に発揮しやすい。抵抗層２０のＨａｌｌ効果測定は、例えばvan der Pauw法に従ってなされる。
【００２３】
導電体３０は、吸収対象の電波を反射できる限り特に限定されないが、所定の導電性を有する。図１Ａに示す通り、導電体３０は、例えば層状に形成されている。この場合、導電体３０は、抵抗層２０のシート抵抗よりも低いシート抵抗を有する。導電体３０は、層状以外の形状を有していてもよい。
【００２４】
導電体３０は、例えば、酸化インジウムスズを含んでいる。この場合、導電体３０が高い透明性を有しやすい。
【００２５】
導電体３０の酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、例えば５〜１５重量％である。この場合、アニール処理によって安定的な多結晶状態の酸化インジウムスズで導電体３０を形成できる。その結果、電波吸収体１ａは高温高湿の環境に長期間曝された後に所望の電波吸収性能をより確実に発揮しやすい。
【００２６】
導電体３０は、アルミニウム、銅、アルミニウム合金、及び銅合金からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。この場合、導電体３０の厚みを低減しつつ所望の導電性を実現しやすい。
【００２７】
導電体３０の厚みは、特定の厚みに制限されない。例えば、導電体３０が層状である場合、導電体３０は、例えば２０〜２００ｎｍの厚みを有し、望ましくは５０〜１５０ｎｍの厚みを有する。これにより、電波吸収体１ａが所望の電波吸収性能を発揮できるとともに、導電体３０においてクラックが発生しにくい。
【００２８】
誘電体層１０は、例えば、２．０〜２０．０の比誘電率を有する。この場合、誘電体層１０の厚みを調整しやすく、電波吸収体１ａの電波吸収性能の調整が容易である。誘電体層１０の比誘電率は、例えば、空洞共振法に従って測定される１０ＧＨｚにおける比誘電率である。
【００２９】
誘電体層１０を形成する高分子は、特定の高分子に制限されない。誘電体層１０は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、シリコーン、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む。この場合、誘電体層１０の厚みを調整しやすく、かつ、電波吸収体１ａの製造コストを低く保つことができる。誘電体層１０は、例えば、所定の樹脂組成物を熱プレスすることによって作製できる。
【００３０】
誘電体層１０は、単一な層として形成されていてもよいし、同一又は異なる材料でできた複数の層によって形成されていてもよい。誘電体層１０がｎ個の層（ｎは２以上の整数）を有する場合、誘電体層１０の比誘電率は、例えば、以下の様にして決定される。各層の比誘電率εiを測定する（ｉは、１〜ｎの整数）。次に、測定された各層の比誘電率εiにその層の厚みｔiの誘電体層１０の全体Ｔに対する厚みの割合を乗じて、εi×(ｔi／Ｔ)を求める。すべての層に対するεi×(ｔi／Ｔ)を加算することによって、誘電体層１０の比誘電率を決定できる。
【００３１】
図１Ａに示す通り、誘電体層１０は、例えば、第一層１１、第二層１２、及び第三層１３を備えている。第一層１１は、第二層１２と第三層１３との間に配置されている。第一層１１は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、シリコーン、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む。
【００３２】
第二層１２は、例えば、抵抗層２０を支持する支持体としての役割を果たす。この場合、抵抗層２０は、例えば、所定のターゲット材を用いたスパッタリングによって第二層１２上に成膜することによって形成される。この場合、酸化インジウムスズを主成分とするターゲット材を用い、ターゲット材におけるＳｎＯ2の含有量を調節することによって、上記（Ｉ）の条件を満たす抵抗層２０を形成できる。加えて、第二層１２における水分含有量又はスパッタリング中に第二層１２の周囲に供給される水の量を調節することによって、上記（II）の条件を満たす抵抗層２０を形成できる。抵抗層２０は、場合によっては、イオンプレーティング又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の方法を用いて成膜することによって形成されてもよい。
【００３３】
電波吸収体１ａにおいて、第二層１２は、例えば、抵抗層２０よりも導電体３０に近い位置に配置され、誘電体層１０の一部を構成している。図１Ｂに示す通り、第二層１２は、抵抗層２０よりも導電体３０から遠い位置に配置されていてもよい。この場合、第二層１２によって、抵抗層２０及び誘電体層１０が保護され、電波吸収体１ａが高い耐久性を有する。この場合、例えば、抵抗層２０が第一層１１に接触していてもよい。第二層１２は、例えば、抵抗層２０の厚みを高精度に調節するための補助材としての役割も果たす。第二層１２の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、又はシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）である。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、製造コストとのバランスの観点から、第二層１２の材料は、望ましくはＰＥＴである。
【００３４】
第二層１２は、例えば１０〜１５０μｍの厚みを有し、望ましくは１５〜１００μｍの厚みを有する。これにより、第二層１２の曲げ剛性が低く、かつ、抵抗層２０を形成する場合に第二層１２において皺の発生又は変形を抑制できる。
【００３５】
電波吸収体１ａにおいて、第三層１３は、例えば、層状の導電体３０を支持している。この場合、層状の導電体３０は、例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の方法を用いて第三層１３上に成膜することによって作製されうる。第三層１３は、例えば、電波吸収体１ａにおいて、層状の導電体３０よりも抵抗層２０に近い位置に配置されており、誘電体層１０の一部を構成している。なお、図１Ｃに示す通り、第三層１３は、層状の導電体３０よりも抵抗層２０から遠い位置に配置されていてもよい。この場合、例えば、層状の導電体３０が第一層１１に接触している。
【００３６】
第三層１３の材料として、例えば、第二層１２の材料として例示された材料を使用できる。第三層１３の材料は、第二層１２の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。良好な耐熱性と、寸法安定性と、製造コストとのバランスの観点から、第三層１３の材料は、望ましくはＰＥＴである。
【００３７】
第三層１３は、例えば１０〜１５０μｍの厚みを有し、望ましくは１５〜１００μｍの厚みを有する。これにより、第三層１３の曲げ剛性が低く、かつ、層状の導電体３０を形成する場合に第三層１３において皺の発生又は変形を抑制できる。なお、第三層１３は、場合によっては省略可能である。
【００３８】
第一層１１は、複数の層によって構成されていてもよい。特に、図１Ｂ又は図１Ｃに示す通り、抵抗層２０及び層状の導電体３０の少なくとも１つに第一層１１が接触している場合に、第一層１１は複数の層によって構成されうる。
【００３９】
電波吸収体１ａは、所望の波長の電波を吸収するように設計されている。電波吸収体１ａが吸収可能な電波の種類は特に限定されない。電波吸収体１ａが吸収可能な電波は、例えば、特定の周波数帯域のミリ波又はサブミリ波でありうる。
【００４０】
電波吸収体１ａは、様々な観点から変更可能である。例えば、電波吸収体１ａは、図２に示す電波吸収体１ｂ、図３に示す電波吸収体１ｃ、又は図４に示す電波吸収体１ｄのように変更されてもよい。電波吸収体１ｂ、１ｃ、又は１ｄは、特に説明する場合を除き、電波吸収体１ａと同様に構成されている。電波吸収体１ａの構成要素と同一又は対応する電波吸収体１ｂ、１ｃ、又は１ｄの構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。電波吸収体１ａに関する説明は、技術的に矛盾しない限り電波吸収体１ｂ、１ｃ、又は１ｄにも当てはまる。
【００４１】
図２に示す通り、電波吸収体１ｂは、粘着層４０ａをさらに備えている。電波吸収体１ｂにおいて、導電体３０は、誘電体層１０と粘着層４０ａとの間に配置されている。
【００４２】
例えば、所定の物品に粘着層４０ａを接触させて電波吸収体１ｂを押し当てることによって、電波吸収体１ｂを物品に貼り付けることができる。これにより、電波吸収体付物品を得ることができる。
【００４３】
粘着層４０ａは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。電波吸収体１ｂは、セパレータをさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、粘着層４０ａを覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ａを覆っているときに粘着層４０ａの粘着力を保つことができ、かつ、粘着層４０ａから容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって粘着層４０ａが露出し、電波吸収体１ｂを物品に貼り付けることができる。
【００４４】
図３に示す通り、電波吸収体１ｃは、粘着層４０ｂをさらに備えている。粘着層４０ｂは、誘電体層１０と導電体３０との間に配置されている。電波吸収体１ｃは、抵抗層２０と、誘電体層１０とを備えた電波吸収用積層体５０ａを含んでいる。粘着層４０ｂは、例えば、誘電体層１０に接して形成されている。電波吸収用積層体５０ａにおいて、誘電体層１０は抵抗層２０に接触して配置されている。例えば、導電体３０に粘着層４０ｂを接触させて電波吸収用積層体５０ａを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収用積層体５０ａが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｃを作製できる。粘着層４０ｂは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。
【００４５】
電波吸収用積層体５０ａは、セパレータをさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、粘着層４０ｂを覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ｂを覆っているときに粘着層４０ｂの粘着力を保つことができ、かつ、粘着層４０ｂから容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって粘着層４０ｂが露出し、電波吸収用積層体５０ａを導電体３０に貼り付けることができる。
【００４６】
電磁波吸収体１ｃにおいて、第一層１１は、複数の層によって構成されていてもよい。特に、第一層１１が抵抗層２０に接触している場合に、第一層１１が複数の層によって構成されうる。
【００４７】
図４に示す通り、電波吸収体１ｄにおいて、誘電体層１０は、導電体３０に粘着している。換言すると、誘電体層１０の導電体３０に接触すべき面は、導電体に対し粘着性を有する。電波吸収体１ｄは、抵抗層２０と、誘電体層１０とを備えた電波吸収用積層体５０ｂを含んでいる。電波吸収用積層体５０ｂにおいて、誘電体層１０は抵抗層２０に接触して配置されている。例えば、導電体３０に誘電体層１０を接触させて電波吸収用積層体５０ｂを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収用積層体５０ｂが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｄを作製できる。
【００４８】
電波吸収用積層体５０ｂは、セパレータをさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、誘電体層１０の導電体３０に接触すべき面を覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ｂを覆っているときに誘電体層１０の導電体３０に接触すべき面の粘着力を保つことができ、かつ、誘電体層１０から容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって誘電体層１０の導電体３０に接触すべき面が露出し、電波吸収用積層体５０ｂを導電体３０に貼り付けることができる。
【００４９】
電磁波吸収体１ｄにおいて、第一層１１は、複数の層によって構成されていてもよい。特に、第一層１１が抵抗層２０に接触している場合に、第一層１１が複数の層によって構成されうる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。まず、実施例及び比較例に関する評価方法について説明する。
【００５１】
［水素原子の濃度］
高分解能ラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）分析装置（神戸製鋼所社製、製品名ＨＲＢＳ５００）を用いて、各実施例及び比較例の抵抗層付フィルムから作製した試料に対して、高分解能ラザフォード後方散乱分析を行った。所定の寸法に切り取った試料のＰＥＴフィルムをシリコン基板に接触させた状態でシリコン基板に試料を貼り付けた。次に、シリコン基板に貼り付けた試料をホルダーに取り付け、高分解能ＲＢＳ分析装置に挿入した。次に、高分解能ＲＢＳ分析装置の内部を１０-8Ｔｏｒｒのオーダーの真空状態にした。試料にイオンビームを照射して、高分解能ＲＢＳスペクトルを得た。イオンビームの照射条件は以下の通りに調整した。
入射イオン:Ｈｅ+
入射エネルギー:４５０ｋｅＶ
入射角:４５ｄｅｇ又は２８．５ｄｅｇ
散乱角:９０ｄｅｇ又は１２３ｄｅｇ
試料電流:１０ｎＡ
照射量:１２．５μＣ又は１８．７５μＣ
【００５２】
イオンビームの条件を下記の通り変更した以外は、高分解能ＲＢＳ分析と同様にして、高分解能水素前方散乱（ＨＦＳ）分析を行い、高分解能ＨＦＳスペクトルを得た。
入射イオン:Ｎｅ+
入射エネルギー:４８０ｋｅＶ
入射角:７０ｄｅｇ
散乱角:３０ｄｅｇ
試料電流:約２ｎＡ
照射量:約０．４μＣ
【００５３】
得られた高分解能ＲＢＳスペクトルから、主に検出器の暗電流に起因するシステムバックグランドを差し引き、さらにシミュレーションフィッティングを行った。加えて、得られた高分解能ＨＦＳスペクトルから、主に検出器の暗電流に起因するシステムバックグランドを差し引き、さらにシミュレーションフィッティングを行った。これらの結果から、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比を求めた。結果を表１に示す。
【００５４】
［Ｘ線回折］
Ｘ線回折装置（リガク社製、製品名：ＲＩＮＴ２２００）を用いて、Ｘ線反射率法によって、各実施例及び比較例に係る抵抗層付フィルムの抵抗層の厚みを測定した。結果を表１に示す。また、１５０℃及び１時間の条件で各実施例及び比較例に係る抵抗層付フィルムをアニールし、Ｘ線回折装置を用いてアニール後の抵抗層に対するＸ線回折パターンを得た。Ｘ線としてはＣｕ‐Ｋα線を用いた。得られたＸ線回折パターンから抵抗層が非晶質状態及び多結晶状態のいずれであるか確認した。結果を表１に示す。
【００５５】
［耐久試験］
各実施例及び比較例に係る電波吸収体を８５℃及び相対湿度８５％の環境で５００時間保管した。その後、JIS R 1679:2007に準拠して、垂直に入射する７６ＧＨｚのミリ波に対する電波吸収体の反射減衰量（入射波の電力に対する反射波の電力の比をｄＢ表記した値の絶対値）を測定した。なお、本明細書における「反射減衰量」は、JIS R 1679:2007における「反射量」に対応する。各実施例及び比較例について、５つのサンプルに対し反射減衰量を測定して求めた平均値から下記の基準に従って各実施例及び比較例に係る電波吸収体の耐久試験後の反射減衰量を評価した。結果を表１に示す。
ＡＡ：反射減衰量の平均値が３０ｄＢ以上である。
Ａ：反射減衰量の平均値が２０ｄｂ以上３０ｄＢ未満である。
Ｂ：反射減衰量の平均値が１０ｄＢ以上２０ｄＢ未満である。
Ｘ：反射減衰量の平均値が１０ｄＢ未満である。
【００５６】
［Ｈａｌｌ移動度］
Ｈａｌｌ効果測定装置（ナノメトリクス社製、製品名：ＨＬ５５００ＰＣ）を用いて、各実施例及び比較例に係る抵抗層付フィルムについて、van der Pauw法に従ってＨａｌｌ効果測定を行った。Ｈａｌｌ効果測定の結果から、各実施例及び比較例に係る電波吸収体の抵抗層のＨａｌｌ移動度を求めた。結果を表１に示す。
【００５７】
＜実施例１＞
ＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、製品名：ダイアホイル）の上に、１０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用い、水を導入しながらスパッタリングを行って、４００Ω／□のシート抵抗を有する抵抗層を形成した。このようにして、実施例１に係る抵抗層付フィルムを得た。別のＰＥＴフィルム（三菱ケミカル社製、製品名：ダイアホイル）の上に、１０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用いたスパッタリングによりＩＴＯ膜を形成した。その後、ＩＴＯ膜を、１５０℃で１時間のアニール処理を行い、ＩＴＯを多結晶構造化させ、２０Ω／□のシート抵抗を有する導電体を形成した。このようにして、導電体付フィルムを得た。エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を含む樹脂組成物を所定厚みにプレスして、ＥＶＡ層を得た。ＥＶＡ層の比誘電率は２．４５であった。実施例１に係る導電体付フィルムのＰＥＴフィルムに接触するようにＥＶＡ層を重ね、さらに実施例１に係る抵抗層付フィルムのＰＥＴフィルムがＥＶＡ層に接触するように実施例１に係る抵抗層付フィルムを重ねた。このようにして、実施例１に係る電波吸収体を得た。
【００５８】
＜実施例２＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る抵抗層付フィルムを作製した。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例２に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例２に係る電波吸収体を作製した。
【００５９】
＜実施例３＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例３に係る抵抗層付フィルムを作製した。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１５％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例３に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例３に係る電波吸収体を作製した。
【００６０】
＜実施例４＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例４に係る抵抗層付フィルムを作製した。１０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯの代わりに３重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用いた。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例４に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例４に係る電波吸収体を作製した。
【００６１】
＜実施例５＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例５に係る抵抗層付フィルムを作製した。１０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯの代わりに５重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用いた。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例５に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例５に係る電波吸収体を作製した。
【００６２】
＜実施例６＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例６に係る抵抗層付フィルムを作製した。１０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯの代わりに１５重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用いた。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例６に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例６に係る電波吸収体を作製した。
【００６３】
＜実施例７＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例７に係る抵抗層付フィルムを作製した。１０重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯの代わりに１８重量％のＳｎＯ2を含有するＩＴＯをターゲット材として用いた。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例７に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例７に係る電波吸収体を作製した。
【００６４】
＜実施例８＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例８に係る抵抗層付フィルムを作製した。抵抗層が２００Ω／□のシート抵抗を有するようにスパッタリングの条件を調節した。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例８に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例８に係る電波吸収体を作製した。
【００６５】
＜実施例９＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして実施例９に係る抵抗層付フィルムを作製した。抵抗層が５５０Ω／□のシート抵抗を有するようにスパッタリングの条件を調節した。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が１０％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに実施例９に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして実施例９に係る電波吸収体を作製した。
【００６６】
＜比較例１＞
下記の点以外は、実施例１と同様にして比較例１に係る抵抗層付フィルムを作製した。抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が４％になるように、スパッタリングにおける水の導入量を調節した。実施例１に係る抵抗層付フィルムの代わりに比較例１に係る抵抗層付フィルムを用いた以外は、実施例１と同様にして比較例１に係る電波吸収体を作製した。
【００６７】
表１に示す通り、実施例１〜９に係る電波吸収体は、抵抗層の酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量が２０重量％未満であるにも関わらず、比較例１に係る電波吸収体に比べて、高い耐久性を有していた。実施例１〜９に係る電波吸収体の抵抗層において、インジウム原子、スズ原子、酸素原子、及び水素原子の総数に対する、水素原子の数の比が５％以上であることにより、抵抗層が非晶質状態を安定的に保つことができたと考えられる。
【００６８】
【表１】
2020053498.tif 000003
【符号の説明】
【００６９】
１ａ、１ｂ  電波吸収体
１０        誘電体層
２０        抵抗層
３０        導電体
【図１Ａ】
2020053498.tif 000004
【図１Ｂ】
2020053498.tif 000005
【図１Ｃ】
2020053498.tif 000006
【図２】
2020053498.tif 000007
【図３】
2020053498.tif 000008
【図４】
2020053498.tif 000009