(57)【要約】【課題】底面の直径Ｌに対する高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成可能な、導電性バンプ形成用組成物の提供。【解決手段】導電性粒子と、バインダー樹脂と、溶剤と、を含有し、回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１０ｓ−１のときの粘度Ｓ１０が、８０〜２００Ｐａ・ｓであり、回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１００ｓ−１のときの粘度Ｓ１００が、５〜５０Ｐａ・ｓである導電性バンプ形成用組成物。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子と、バインダー樹脂と、溶剤と、を含有し、
回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１０ｓ−１のときの粘度Ｓ１０が、８０〜２００Ｐａ・ｓであり、
回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１００ｓ−１のときの粘度Ｓ１００が、５〜３０Ｐａ・ｓである導電性バンプ形成用組成物。
【請求項２】
前記粘度Ｓ１０に対する、前記粘度Ｓ１００の比（Ｓ１００／Ｓ１０）が、０．０５０〜０．０９５である、請求項１に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【請求項３】
ディスペンサーを用いて、ノズル内径４０μｍ、吐出時間を０．１ｓの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したときの、前記導電性バンプの尖端部の縦断面の曲率半径が、１μｍ〜４０μｍである、請求項１又は２に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【請求項４】
ディスペンサーを用いて、ノズル内径４０μｍ、吐出時間を０．１ｓの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したときの、前記導電性バンプの底面の直径Ｌに対する、前記導電性バンプの高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が、０．４〜０．８である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【請求項５】
前記導電性粒子の平均粒子径（Ｄ５０）が、２．０μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【請求項６】
前記導電性粒子が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ，Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｉ若しくはＧｅ、それらの少なくとも１種以上を含む合金、又は、それらの１種以上を含む化合物を含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【請求項７】
前記バインダー樹脂が熱硬化性樹脂である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【請求項８】
前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂を含有する、請求項７に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性バンプ形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線基板と回路部材とを接続する方法として、半田バンプ、ワイヤーボンディングバンプ、銅めっきバンプ、及び導電性ペーストを用いて形成したバンプ等によるバンプ法が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１は、フォトリソグラフィー技術により金属バンプを作製する方法を開示している。金属バンプは、接着剤層を介して被接続体の接続パットに圧着されている。特許文献２は、開口を有する印刷製版を用い、導電性ペーストを基板上に印刷してバンプを形成することを開示している。導電性ペーストを用いて形成した導電性バンプを用いた回路部材の接続方法は、めっきやフォトリソグラフィーを使用しないため製造コストが低い点で有利であり、さらに基板のそりや導電層の高さのばらつきが大きくても電気的接続性を得られ易い点で有利である。
【０００４】
回路部材の接続のための導電性バンプは、底面の直径が微細で、高いアスペクト比（高さ／底面の直径）が求められる。特許文献３及び４では、支持基板上に、複数回、マスクの形状を変化させて導電性ペーストを用いて繰り返し印刷を行うことで、所定の形状、所定の高さの導電性バンプを形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３７７０７９４号公報
【特許文献２】特許第５５１３４１７号公報
【特許文献３】特開２００９−２１２０９８号公報
【特許文献４】特開２００９−２１２１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に開示された方法では、開口を有する印刷製版上にバンプが形成されるので、回路部材の接続部の微細化には適していない。また、特許文献３及び４で開示された、繰り返し印刷を行うことで形成された導電性バンプの頭頂部は丸みがあり、回路部材の接続部を微細化した場合、接続信頼性が損なわれるおそれがある。
【０００７】
そこで、本発明は、底面の直径Ｌに対する高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成可能な、導電性バンプ形成用組成物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、以下の態様を包含するものである。
［１］  導電性粒子と、バインダー樹脂と、溶剤と、を含有し、
回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１０ｓ−１のときの粘度Ｓ１０が、８０〜２００Ｐａ・ｓであり、
回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１００ｓ−１のときの粘度Ｓ１００が、５〜３０Ｐａ・ｓである導電性バンプ形成用組成物。
［２］  前記粘度Ｓ１０に対する、前記粘度Ｓ１００の比（Ｓ１００／Ｓ１０）が、０．０５０〜０．０９５である、前記［１］に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【０００９】
［３］  ディスペンサーを用いて、ノズル内径４０μｍ、吐出時間を０．１ｓの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したときの、前記導電性バンプの尖端部の縦断面の曲率半径が、１μｍ〜４０μｍである、前記［１］又は［２］に記載の導電性バンプ形成用組成物。
［４］  ディスペンサーを用いて、ノズル内径４０μｍ、吐出時間を０．１ｓの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したときの、前記導電性バンプの底面の直径Ｌに対する、前記導電性バンプの高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が、０．４〜０．８である、前記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【００１０】
［５］  前記導電性粒子の平均粒子径（Ｄ５０）が、２．０μｍ以下である、前記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
［６］  前記導電性粒子が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ，Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｉ若しくはＧｅ、それらの少なくとも１種以上を含む合金、又は、それらの１種以上を含む化合物を含有する、前記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
［７］  前記バインダー樹脂が熱硬化性樹脂である、前記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の導電性バンプ形成用組成物。
［８］  前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂又はフェノール樹脂を含有する、前記［７］に記載の導電性バンプ形成用組成物。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、底面の直径Ｌに対する高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成可能な、導電性バンプ形成用組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】導電性バンプ１０の縦断面の形状を示す模式図である。
【図２】実施例２の導電性バンプ形成用組成物をディスペンサーのノズルから吐出させてバンプ前駆体を形成している様子を示す写真である。
【図３】比較例６の導電性バンプ形成用組成物をディスペンサーのノズルから吐出させてバンプ前駆体を形成している様子を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、導電性粒子と、バインダー樹脂と、溶剤と、を含有する。本発明の導電性バンプ形成用組成物は、ディスペンサーを用いて吐出することで、基板上に略円錐形状のバンプ前駆体を形成することができ、乾燥させて溶剤を蒸発させることで導電性粒子及びバインダー樹脂を含む導電性バンプを形成することができる。
【００１４】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１０ｓ−１のときの粘度Ｓ１０が、８０〜２００Ｐａ・ｓであることが好ましい。粘度Ｓ１０が、８０〜２００Ｐａ・ｓであることで、底面の直径Ｌに対する高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな、略円錐形状の導電性バンプを、形成することができる。
【００１５】
前記粘度Ｓ１０は、８０〜２００Ｐａ・ｓであり、８５〜１８０Ｐａ・ｓであることが好ましく、９０〜１７０Ｐａ・ｓであることがより好ましく、１００〜１６０Ｐａ・ｓであることが特に好ましい。前記下限値以上であることで、バンプ前駆体が導電性バンプに変化する間に、液だれを防止して、アスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きい形状を保ちやすくなり、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さなまま、尖端部の形状を尖塔状に保ちやすくなる。前記上限値以下であることで、ディスペンサーを用いて吐出し易い粘性を確保し易くなる。
【００１６】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、回転式レオメーターを用いて２５℃で測定される、せん断速度が１００ｓ−１のときの粘度Ｓ１００が、５〜３０Ｐａ・ｓであることで、ディスペンサーを用いて吐出し易くすることができる。
【００１７】
前記粘度Ｓ１００は、５〜３０Ｐａ・ｓであり、６〜２５Ｐａ・ｓであることが好ましく、７〜２０Ｐａ・ｓであることがより好ましく、８〜１５Ｐａ・ｓであることが特に好ましい。前記下限値以上であることで、アスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを形成できる粘性を調整し易くなる。ディスペンサーを用いて吐出し易くなる。前記上限値以下であることで、ディスペンサーを用いて吐出し易くなる。
【００１８】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、前記粘度Ｓ１０に対する、前記粘度Ｓ１００の比（Ｓ１００／Ｓ１０）が、０．０５０〜０．０９５であることが好ましく、０．０６０〜０．０９０であることがより好ましく、０．０６５〜０．０８５であることが特に好ましい。前記上限値以下であることで、ディスペンサーを用いて吐出し易く、かつ、アスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを形成できる粘性を調整し易くなる。本発明の導電性バンプ形成用組成物は、前記下限値以上の粘性に調整することができる。
【００１９】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、２箇所以上の空圧制御部を有するディスペンサーを用いて、ノズル内径２０〜１００μｍ、１箇所目の空圧制御部であるシリンジ背圧（空圧）を０．０５Ｐａ〜０．４Ｐａ、２箇所目の空圧制御部である吐出ユニット（Ｒ−ｕｎｉｔ）の空圧を０．０５Ｐａ〜０．４Ｐａの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したとき、底面の直径Ｌに対する高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成可能である。
２箇所以上の空圧制御部を有するディスペンサーとしては、エンジニアリングシステム社製、Ｒ−ｊｅｔ（登録商標）、ツインエアー方式のディスペンサーを挙げることができる。
【００２０】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、ディスペンサーを用いて、ノズル内径４０μｍ、吐出時間を０．１ｓの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したときの、前記導電性バンプの尖端部の縦断面の曲率半径が、１μｍ〜４０μｍであることが好ましく、２μｍ〜３０μｍであることがより好ましく、５μｍ〜２０μｍμｍであることが特に好ましい。
【００２１】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物は、ディスペンサーを用いて、ノズル内径４０μｍ、吐出時間を０．１ｓの条件で、前記導電性バンプ形成用組成物を吐出させ、乾燥させて導電性バンプを形成したときの、前記導電性バンプの底面の直径Ｌに対する、前記導電性バンプの高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が、０．４〜０．８であることが好ましく、０．４〜０．７であることがより好ましく、０．４〜０．６であることが特に好ましい。
【００２２】
図１は、実施形態の導電性バンプ形成用組成物をディスペンサーのノズルから吐出させ乾燥させて得られる導電性バンプ１０の縦断面の形状を示す模式図である。アスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプは、被接続体との圧着時に高い接点圧力を確保しやすいため、例えばＩＣ電極の酸化アルミ層を効率的に破壊することで、信頼性の高い接続が実現できる。さらに、接続時の荷重が低くても接点圧力を確保でき、接続部材が壊れやすい場合や、フレキシブル配線基板などの柔軟性の基材を使用した場合でも、比較的低温で、低い接点圧力の条件で圧着が可能で、信頼性の高い安定した接続が確保できる。接続時に発生するバンプつぶれが発生しにくいため、隣り合うバンプと接触し難く、短絡欠陥が発生し難い。言い換えれば、実施形態の導電性バンプ形成用組成物から得られる円錐状の導電性バンプは回路部材の接続部を微細化できる点で有利である。
【００２３】
（導電性粒子）
実施形態の導電性バンプ形成用組成物が含有する導電性粒子としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ，Ｓｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｉ若しくはＧｅ、それらの少なくとも１種以上を含む合金、又は、それらの１種以上を含む化合物などが挙げられる。
導電性粒子の形状としては、球状、フレーク状などが挙げられ、球状であることが好ましい。導電性粒子の平均粒子径Ｄ５０は、２．４μｍ以下であることが好ましく、２．２μｍ以下であることがより好ましく、２．０μｍ以下であることが特に好ましい。導電性粒子の平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折散乱粒度分布測定装置を用いて測定されたメジアン径の値である。
【００２４】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物で用いる導電性粒子としては、例えば、ＭＥＴＡＬＯＲ社、ＡＭＥＳ社、ＤＯＷＡエレクトロニクス社などから、種々の強熱減量（ｉｇ−ｌｏｓｓ値）の導電粉が市販されている。それらの導電粉をそのまま使用するか、又は、それらの導電粉の表面処理剤の量を調整して使用することができる。一般の導電粉には、粉体の凝集を防ぎ、ペースト化時の分散性や流動性を向上させるために、脂肪酸などの有機物を含む表面処理剤が付着している。表面処理剤が多いと、導電性バンプ形成用組成物の流動性が良く、ディスペンサーによる吐出性能が良好となるが、バンプ前駆体を形状する際に液だれが生じて、導電性バンプが椀状になり易い。導電粉の表面処理剤の量は、表面処理剤と相溶する市販の溶剤で洗浄することで調整することができ、導電粉の表面処理剤の量は、強熱減量試験で求められる強熱減量（ｉｇ−ｌｏｓｓ値）を目安とすることができる。市販の洗浄溶剤の例としては、ヘキサン等の炭化水素系溶剤、エタノール等のアルコール系溶剤、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤、酢酸エチル等のエステル系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコール系溶剤、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤を使用することができる。導電性粒子の、５３８℃、３０分間の強熱減量試験で求められる強熱減量は、前記導電性粒子の１００％に対して、０．４０質量％以下であることが好ましく、０．３８質量％以下であることがより好ましく、０．３６質量％以下であることが特に好ましい。導電性粒子の、５３８℃、３０分間の強熱減量試験で求められる強熱減量は、前記導電性粒子の１００％に対して、０．１６質量％以上であることが好ましく、０．２０質量％以上であることがより好ましく、０．２４質量％以上であることが特に好ましい。
【００２５】
（バインダー樹脂）
実施形態の導電性バンプ形成用組成物が含有するバインダー樹脂としては、フェノール樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂、塩ビ酢ビ共重合樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。中でも、フェノール樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂が好ましく、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含有することが特に好ましい。
【００２６】
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビフェノール等のビスフェノール化合物又はこれらの誘導体、またはトリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する３官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等をエポキシ化したエポキシ樹脂等が挙げられる。また、多機能型のエポキシ樹脂として、ナフタレン型、ジシクロペンタジエン型、ナフタレン骨格変性多官能型、アルキルジフェノール型などのエポキシ樹脂、高分子量型、低温速硬化型等のエポキシ樹脂が、ＤＩＣ社からＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）の商品名で入手可能である。
エポキシ樹脂のエポキシ当量として、２２０〜２９００ｇ／ｅｑのものが特に好ましく、４５０〜５６０ｇ／ｅｑのものが特に好ましく、７５０〜８５０ｇ／ｅｑのものが特に好ましい。  
【００２７】
フェノール樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物などが特に制限されることなく用いられる。具体的には、ポリパラビニルフェノール、パラビニルフェノール及び（メタ）アクリル酸系モノマーの共重合体、パラビニルフェノール及びスチレン系モノマーの共重合体、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ｐ−クレゾールノボラック樹脂、ｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール樹脂、ポリパラビニルフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、あるいはこれらの変性物等が挙げられる。
【００２８】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物中のバインダー樹脂量は、導電性粒子１００質量部に対して、２．０〜１０．０質量部が好ましく、３．０〜８．０質量部がより好ましく、３．０〜６．０質量部が特に好ましい。
【００２９】
(硬化剤)
実施形態の導電性バンプ形成用組成物中に、エポキシ樹脂が含まれる場合には、エポキシ樹脂硬化剤を併用することが好ましい。エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、酸無水物、ポリアミドアミン、イミダゾール系エポキシ樹脂硬化剤等が挙げられる。
【００３０】
(溶剤)
実施形態の導電性バンプ形成用組成物が含有する溶剤としては、有機溶剤であってよく、導電性粒子及びバインダー樹脂などを分散させて、所定の粘度Ｓ１０及び粘度Ｓ１００に調整することが可能なものであれば任意の溶剤系を使用することができる。例えば、各種脂肪族炭化水素系溶剤系、各種芳香族炭化水素系溶剤系、エステル系溶剤系、ケトン系溶剤系、各種アルキレングリコール系溶剤、各種エーテル系溶剤、各種アミド系溶剤等の一種類または二種類以上含んでいてよい。
【００３１】
好適に使用できる揮発性有機溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、イソヘキサン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、などの脂肪族炭化水素系揮発性有機溶剤、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、ジクロロベンゼン、クロロナフタレン、ジエチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系揮発性溶剤、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸n-プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルなどのエステル系揮発性溶剤、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、シクロヘキサノール、α-テルピネオールなどのアルコール系揮発性溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、2-オクタノンなどのケトン系揮発性溶剤、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテートなどのアルキレングリコール系揮発性溶剤、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソール、メトキシトルエン、ベンジルエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル系揮発性溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、などのアミド系揮発性溶媒などがあるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種類以上を併用してもよい。
【００３２】
実施形態の導電性バンプ形成用組成物中の溶剤量は、全導電性バンプ形成用組成物１００質量部に対して、０．１〜１５質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましく、２〜８質量部が特に好ましい。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
【００３４】
（導電性粒子）
導電性バンプ形成用組成物の製造に用いた導電性粒子として、表１の銀粉Ａ〜銀粉Ｉを用いた。
銀粉Ａ及び銀粉Ｃ〜銀粉Ｉは、市販の銀粉である。
銀粉Ｂは、銀粉Ａを洗浄したものである。
銀粉Ａ〜銀粉Ｉの、強熱減量の値、及び平均粒子径は、表１に示すとおりである。
【００３５】
＜強熱減量試験（Ｉｇｎｉｔｉｏｎ Ｌｏｓｓ Ｔｅｓｔ）＞
導電性粒子である銀粉の強熱減量（ｉｇ−ｌｏｓｓ値）の測定は、ＪＩＳ００６７−１９９２に従い、秤量した銀粉をマッフル炉（アズワン社製、型式ＨＰＭ−２Ｎ）により５３８℃で１時間加熱した後、冷却し、再度秤量することにより測定した。
【００３６】
＜平均粒子径Ｄ５０の測定＞
導電性粒子である銀粉の平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折散乱粒度分布測定装置を用いて測定されたメジアン径の値であると定義する。具体的には、レーザー回折粒度分布計（＿マイクロトラック・ベル社製、型式ＭＴ３０００）を用い、測定対象物である銀粉０．５ｇを、エタノール溶液１０ｍｌに投入し、測定対象物を分散させた分散液を得る。得られた分散液について粒度分布を測定し、体積基準の累積粒度分布曲線を得る。得られた累積粒度分布曲線において、５０％累積時の微小粒子側から見た粒子径（すなわち、Ｄ５０）の値を、平均粒子径とした。
【００３７】
＜導電性バンプ形成用組成物の粘度測定＞
回転式レオメーター（Ａｎｔｏｎ  Ｐａａｒ社製、型式ＭＣＲ）を用いて、２５℃における、各導電性バンプ形成用組成物の１０ｓ-１、及び、１００ｓ-１のせん断速度での粘度を測定した。
【００３８】
［実施例１］
（導電性バンプ形成用組成物の製造）
銀粉Ａ（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、強熱減量：０．３５％、平均粒子径Ｄ５０：１．０μｍ）１００ｇ、エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）５８００）３．０ｇ、フェノール樹脂（丸善石油化学社製、マルカリンカー（登録商標）ＣＳＴ）０．８ｇ、硬化剤（四国化成社製、イミダゾール２Ｅ４ＭＺ）４０ｍｇ、溶剤であるジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート５．２ｇ、をプラネタリーミキサーで十分に混合した後に、三本ロールで錬肉して、実施例１の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。
【００３９】
２５℃で、回転式レオメーターを用いて測定された、せん断速度が１０ｓ−１のときの粘度Ｓ１０は、１３０Ｐａ・ｓであり、同じく、２５℃で、回転式レオメーターを用いて測定された、せん断速度が１００ｓ−１のときの粘度Ｓ１００は、１０Ｐａ・ｓであった。
【００４０】
［実施例２］
実施例１の銀粉Ａを、銀粉Ｂ（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、強熱減量：０．２５％、平均粒子径Ｄ５０：１．０μｍ）に換えて用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４１】
［比較例１］
銀粉Ｃ（ＭＥＴＡＬＯＲ社製、強熱減量：０．２１％、平均粒子径Ｄ５０：６．２μｍ）１００ｇ、エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ（登録商標）５８００）２．６ｇ、フェノール樹脂（丸善石油化学社製、マルカリンカー（登録商標）ＣＳＴ）０．７ｇ、硬化剤（四国化成社製、イミダゾール２Ｅ４ＭＺ）４０ｍｇ、溶剤であるジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート９．３ｇ、をプラネタリーミキサーで十分に混合した後に、三本ロールで錬肉して、比較例１の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４２】
［比較例２］
比較例１の銀粉Ｃを、銀粉Ｄ（ＭＥＴＡＬＯＲ社製、強熱減量：０．４１％、平均粒子径Ｄ５０：０．９μｍ）に換えて用いた以外は、比較例１と同様にして、比較例２の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４３】
［比較例３］
比較例１の銀粉Ｃを、銀粉Ｅ（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、強熱減量：０．８％、平均粒子径Ｄ５０：１．８μｍ）に換えて用いた以外は、比較例１と同様にして、比較例３の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４４】
［比較例４］
比較例１の銀粉Ｃを、銀粉Ｆ（ＤＯＷＡエレクトロニクス社製、強熱減量：０．５％、平均粒子径Ｄ５０：１．９μｍ）に換えて用いた以外は、比較例１と同様にして、比較例４の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４５】
［実施例３］
実施例１の銀粉Ａを、銀粉Ｇ（ＭＥＴＡＬＯＲ社製、強熱減量：０．２８％、平均粒子径Ｄ５０：１．３μｍ）に換えて用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４６】
［実施例４］
実施例１の銀粉Ａを、銀粉Ｈ（ＭＥＴＡＬＯＲ社製、強熱減量：０．２８％、平均粒子径Ｄ５０：１．８μｍ）に換えて用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４７】
［比較例５］
比較例１の銀粉Ｃを、銀粉Ｉ（ＭＥＴＡＬＯＲ社製、強熱減量：１．０％、平均粒子径Ｄ５０：２．０μｍ）に換えて用いた以外は、比較例１と同様にして、比較例５の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４８】
［比較例６］
実施例２の溶剤であるジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート５．２ｇを、同じジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート１０．６ｇに換えて用いた以外は、実施例２と同様にして、比較例６の導電性ペースト（すなわち、導電性バンプ形成用組成物）を調製した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００４９】
［比較例７］
比較例７として、藤倉化成社製導電ペースト（ＦＡ−３５３Ｎ）を準備した。粘度Ｓ１０、及び粘度Ｓ１００の測定結果を表１に示した。
【００５０】
（導電性バンプの形成）
導電性バンプ形成用組成物をディスペンサー（エンジニアリングシステム社製、Ｒ−ｊｅｔ（登録商標）、ツインエアー方式）で塗布して、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）の電極上にバンプ前駆体を形成した。塗布条件は、シリンジ背圧（空圧）を０．２Ｐａ、サックバック機能を有する吐出ユニット（Ｒ−ｕｎｉｔ）の空圧を０．２Ｐａ、ディスペンサーのノズル内径を４０μｍ、吐出時間０．１ｓとした。
バンプ前駆体を形成したフィルム基材を、ホットプレート上で１００℃３０分乾燥させて、導電性バンプを形成した。
【００５１】
（導電性バンプの観察）
乾燥後の導電性バンプの形状を、白色干渉顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、型番：ＶＳ１３３０）を用いて観察した。導電性バンプの高さＨと底面の直径Ｌを測定し、アスペクト比（Ｈ／Ｌ）を算出した。さらに白色干渉顕微鏡の断面のプロファイルから、導電性バンプの尖端部の曲率半径Ｒを算出した。
【００５２】
【表１】
2020123634.tif 000003
【００５３】
図２は、実施例２の導電性バンプ形成用組成物をディスペンサーのノズルから吐出させてバンプ前駆体を形成している様子を示す写真である。また、図３は、比較例６の導電性バンプ形成用組成物をディスペンサーのノズルから吐出させてバンプ前駆体を形成している様子を示す写真である。
【００５４】
実施例１〜４の導電性バンプ形成用組成物は、粘度Ｓ１０が、８０〜２００Ｐａ・ｓであり、粘度Ｓ１００が、５〜３０Ｐａ・ｓであり、ディスペンサーによる吐出性能が良好であった。また、これらにより作製した導電性バンプは、円錐状かつ尖塔状の形状であり、底面の直径Ｌに対する高さＨのアスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成することができた。一方、比較例１及び５の導電性バンプ形成用組成物は、ディスペンサーによる吐出で詰まりやすく、また、比較例１〜７の導電性バンプ形成用組成物で作製した導電性バンプは椀状であった。
【００５５】
更に、比較例の導電性バンプ形成用組成物に対して、実施例の導電性バンプ形成用組成物は、粘度Ｓ１０に対する粘度Ｓ１００の比（Ｓ１００／Ｓ１０）が、より小さい結果であった。この点も、アスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成することができたことに寄与したものと推察できる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明に係る導電性バンプ形成用組成物は、アスペクト比（Ｈ／Ｌ）が大きく、尖端部の縦断面の曲率半径Ｒが小さな導電性バンプを、ディスペンサーを用いて１回の吐出で容易に形成可能であるので、回路部材の接続部の微細化、製造工程の低コスト化、低耐熱性の基材に対応するための接続圧着温度の低温化などに、適用が期待できる。
【符号の説明】
【００５７】
１０・・・導電性バンプ、Ｈ・・・導電性バンプの高さ、Ｌ・・・導電性バンプの底面の直径、Ｒ・・・導電性バンプの尖端部の縦断面の曲率半径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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