(57)【要約】【課題】Ｓｉ素子とＳｉＣ素子をスイッチング素子とする電力変換回路について上下短絡による素子破損を抑制すること。【解決手段】スイッチング素子のスイッチング動作によって直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、電力変換回路を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、電力変換回路は、ＳｉＣ素子とＳｉ素子とが並列接続されたスイッチング部を各相の上下アームにそれぞれ有し、制御部は、スイッチング動作の対象となる素子を、電流値に応じて、ＳｉＣ素子とＳｉ素子との間で切り替える素子切替制御を実施し、素子切替制御に用いる電流値の閾値を、スイッチング素子の短絡防止時間を切り替える際に用いる電流値の閾値とは異なる値に設定する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子のスイッチング動作によって直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、前記電力変換回路を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、
前記電力変換回路は、ＳｉＣ素子とＳｉ素子とが並列接続されたスイッチング部を各相の上下アームにそれぞれ有し、
前記制御部は、
前記スイッチング動作の対象となる素子を、電流値に応じて、前記ＳｉＣ素子と前記Ｓｉ素子との間で切り替える素子切替制御を実施し、
前記素子切替制御に用いる電流値の閾値を、前記スイッチング素子の短絡防止時間を切り替える際に用いる電流値の閾値とは異なる値に設定する
ことを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
スイッチング素子のスイッチング動作によって直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、前記電力変換回路を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、
前記電力変換回路は、ＳｉＣ素子とＳｉ素子とが並列接続されたスイッチング部を各相の上下アームにそれぞれ有し、
前記制御部は、
前記スイッチング動作の対象となる素子を前記ＳｉＣ素子と前記Ｓｉ素子との間で切り替え、
前記スイッチング素子の短絡防止時間を前記ＳｉＣ素子の短絡防止時間と前記Ｓｉ素子の短絡防止時間との間で切り替え、
前記素子を切り替えるための切替指令と、前記短絡防止時間を切り替えるための切替指令とのうち、切替指令に対する遅れが小さいほうの切替指令に遅れ時間を付与する
ことを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＳｉＣ素子からなるスイッチング素子とＳｉ素子からなる還流ダイオードとを並列接続した第１の素子対と、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子とＳｉＣ素子からなる還流ダイオードとを並列接続した第２の素子対と、を直列接続した上下アームを有する電力変換回路を備えた電力変換装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２２３３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ＳｉＣ素子とＳｉ素子とでは、短絡防止時間（デッドタイム）が異なる。そのため、スイッチング素子としてＳｉ素子とＳｉＣ素子とを併用した電力変換装置では、素子ごとに別々の短絡防止時間を設定したい場合に、素子の切替タイミングと短絡防止時間の切替タイミングとがずれると、Ｓｉ素子をＳｉＣ素子の短絡防止時間に動かしてしまい、上下短絡による素子破損の虞がある。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、Ｓｉ素子とＳｉＣ素子をスイッチング素子とする電力変換回路について上下短絡による素子破損を抑制することができる電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、スイッチング素子のスイッチング動作によって直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、電力変換回路を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、電力変換回路は、ＳｉＣ素子とＳｉ素子とが並列接続されたスイッチング部を各相の上下アームにそれぞれ有し、制御部は、スイッチング動作の対象となる素子を、電流値に応じて、ＳｉＣ素子とＳｉ素子との間で切り替える素子切替制御を実施し、素子切替制御に用いる電流値の閾値を、スイッチング素子の短絡防止時間を切り替える際に用いる電流値の閾値とは異なる値に設定することを特徴とする。
【０００７】
本発明は、スイッチング素子のスイッチング動作によって直流電力を交流電力に変換する電力変換回路と、電力変換回路を制御する制御部と、を備える電力変換装置であって、電力変換回路は、ＳｉＣ素子とＳｉ素子とが並列接続されたスイッチング部を各相の上下アームにそれぞれ有し、制御部は、スイッチング動作の対象となる素子をＳｉＣ素子とＳｉ素子との間で切り替え、スイッチング素子の短絡防止時間をＳｉＣ素子の短絡防止時間とＳｉ素子の短絡防止時間との間で切り替え、素子を切り替えるための切替指令と、短絡防止時間を切り替えるための切替指令とのうち、切替指令に対する遅れが小さいほうの切替指令に遅れ時間を付与することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、Ｓｉ素子とＳｉＣ素子をスイッチング素子とする電力変換回路について、スイッチング動作の対象となる素子をＳｉ素子とＳｉＣ素子との間で切り替えることができるとともに、Ｓｉ素子をＳｉＣ素子の短絡防止時間に動作させることを防止できるので、上下短絡による素子破損を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態の電力変換装置を備えるシステムの全体構成図である。
【図２】図２は、Ｓｉ素子とＳｉＣ素子の特性を示す図である。
【図３】図３は、Ｓｉ素子のみをスイッチング素子とする回路の一例を示す図である。
【図４】図４は、Ｓｉ素子の特性を示す図である。
【図５】図５は、ＳｉＣ素子のみをスイッチング素子とする回路の一例を示す図である。
【図６】図６は、ＳｉＣ素子の特性を示す図である。
【図７】図７は、素子の切替と短絡防止時間の切替とが完全に同期できる場合を示すタイムチャートである。
【図８】図８は、短絡防止時間の切替が遅れる場合を示すタイムチャートである。
【図９】図９は、実施例１として素子切替用と短絡防止時間切替用で閾値をずらした場合を示すタイムチャートである。
【図１０】図１０は、実施例２として素子切替指令に遅れ時間を付与した場合を示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態における電力変換装置について具体的に説明する。なお、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
図１は、実施形態の電力変換装置を備えるシステムの全体構成図である。図１に示すように、実施形態のシステム１は、電源２と、インバータ３と、モータ４と、制御部５とを備える。このシステム１では、電源２から出力される直流電力をインバータ３で交流電力に変換し、その交流電力をインバータ３からモータ４に供給する。この交流電力によってモータ４が駆動する。制御部５は、インバータ３およびモータ４を制御するものである。制御部５からインバータ３に出力される指令信号によってモータ４の駆動が制御される。実施形態の電力変換装置は、少なくともインバータ３と制御部５とを含んで構成される。
【００１２】
インバータ３は、三相の電流をコイルに通電できるように、複数のスイッチング素子を備えた電力変換回路３０によって構成されている。電力変換回路３０は、相ごとに複数のスイッチング素子とダイオードとを備えるインバータ回路であり、スイッチング素子がスイッチング動作することによって直流電力を交流電力に変換する。スイッチング動作とは、制御対象となるスイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦが切り替わることである。この電力変換回路３０は、スイッチング素子としてＳｉ素子とＳｉＣ素子とを併用した回路である。
【００１３】
図１に示すように、電力変換回路３０では、各相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）の上下アーム３１，３２，３３を構成する六つのスイッチング部が、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子とＳｉＣ素子からなるスイッチング素子とを並列接続したスイッチング部によって構成される。各相の上下アーム３１，３２，３３は、四つのスイッチング素子と、二つのダイオードと、を備える。
【００１４】
Ｕ相の上下アーム３１は、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３１ａとＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３１ｂとが並列に接続されたスイッチング部（第１のスイッチング部）を有する上アームと、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３１ｃとＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３１ｄとが並列に接続されたスイッチング部（第２のスイッチング部）を有する下アームとによって構成される。また、上アーム素子のうち、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３１ａにはダイオード３１ｅが並列接続されている。同様に、下アーム素子のうち、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３１ｃにはダイオード３１ｆが並列接続されている。上下アーム３１では上アーム素子と下アーム素子とが直列接続されている。
【００１５】
Ｖ相の上下アーム３２は、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３２ａとＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３２ｂとが並列に接続されたスイッチング部（第３のスイッチング部）を有する上アームと、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３２ｃとＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３２ｄとが並列に接続されたスイッチング部（第４のスイッチング部）を有する下アームとによって構成される。また、上アーム素子のうち、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３２ａにはダイオード３２ｅが並列接続されている。同様に、下アーム素子のうち、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３２ｃにはダイオード３２ｆが並列接続されている。上下アーム３２では上アーム素子と下アーム素子とが直列接続されている。
【００１６】
Ｗ相の上下アーム３３は、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３３ａとＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３３ｂとが並列に接続されたスイッチング部（第５のスイッチング部）を有する上アームと、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３３ｃとＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３３ｄとが並列に接続されたスイッチング部（第６のスイッチング部）を有する下アームとによって構成される。また、上アーム素子のうち、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３３ａにはダイオード３３ｅが並列接続されている。同様に、下アーム素子のうち、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３３ｃにはダイオード３３ｆが並列接続されている。上下アーム３３では上アーム素子と下アーム素子とが直列接続されている。
【００１７】
モータ４は、インバータ３を介して電源２と電気的に接続されており、電源２から供給される電力によって駆動する。モータ４とインバータ３とは三相のコイル（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のコイル）を介して電気的に接続されている。この三相のコイルに電流が流れることによってモータ４が駆動する。また、モータ４は電動機としてだけではなく発電機としても機能する。モータ４が電動機として機能する場合、電源２に充電されていた電力がモータ４に供給される。一方、モータ４が発電機として機能する場合、モータ４で発電された電力を電源２に充電することが可能である。つまり、電源２はモータ４に供給するための電力を充電する蓄電装置であってもよい。なお、電源２とインバータ３との間にはコンバータ（図示せず）が設けられてもよい。
【００１８】
制御部５は、モータ４を駆動制御する電子制御装置（ＥＣＵ）によって構成される。この制御部５は、ＣＰＵと、各種プログラム等のデータが格納された記憶部と、モータ４を駆動制御するための各種の演算を行う演算処理部とを備える。また、制御部５には各種のセンサ（図示せず）からの信号が入力される。例えば、制御部５には、モータ４の回転数を検出する回転数からレゾルバ信号が入力される。演算処理部は、そのレゾルバ信号に基づいてモータ４の回転数を演算するなど、モータ制御のための演算処理を行う。そして、演算処理部における演算の結果、インバータ３を制御するための指令信号が制御部５からインバータ３に出力される。この指令信号には、電力変換回路３０を構成する複数のスイッチング素子のうち、スイッチング動作の制御対象となるスイッチング素子を切り替えるための切替指令（素子切替指令）が含まれる。このように、制御部５はインバータ３を制御することによってモータ４に印加する電圧および電流を制御する。
【００１９】
また、制御部５は、電力変換回路３０のスイッチング素子のうち、ＯＮ／ＯＦＦ制御の対象となる素子をＳｉ素子とＳｉＣ素子とのうちのいずれか一方とする切替制御（素子切替制御）を実施する。素子切替制御では、電流に応じて、スイッチング動作の対象となる素子をＳｉ素子とＳｉＣ素子との間で切り替える。図２に示すように、Ｓｉ素子とＳｉＣ素子とでは特性が異なり、ＳｉＣ素子はＳｉ素子よりも電流が低い側（低電流）で損失を低減することができる。一方、電流が大きい側（大電流）では、Ｓｉ素子はＳｉＣ素子よりも好適となる。そこで、制御部５では、素子切替制御を実施する際、電流値に応じてスイッチング動作の対象となる素子を切り替える。電流値が所定の閾値よりも小さい場合には、ＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３１ｂ，３１ｄ，３２ｂ，３２ｄ，３３ｂ，３３ｄをスイッチング動作の対象としてＯＮ／ＯＦＦ制御を実施する。この場合、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３１ａ，３１ｃ，３２ａ，３２ｃ，３３ａ，３３ｃは動作しない。一方、電流値が閾値以上の場合には、Ｓｉ素子からなるスイッチング素子３１ａ，３１ｃ，３２ａ，３２ｃ，３３ａ，３３ｃをスイッチング動作の対象としてＯＮ／ＯＦＦ制御を実施する。この場合、ＳｉＣ素子からなるスイッチング素子３１ｂ，３１ｄ，３２ｂ，３２ｄ，３３ｂ，３３ｄは動作しない。また、電流値に応じて素子を切り替える際、ヒスを設けてもよい。
【００２０】
ここで、比較のために、スイッチング素子がＳｉ素子のみからなる場合（図３参照）と、スイッチング素子がＳｉＣ素子のみからなる場合（図５参照）とを説明する。なお、図３および図５に例示する回路は、それ自体が実施形態を構成するものではない。
【００２１】
図３に示すように、比較例の回路１００では、各相の上下アーム１１１,１１２，１１３を構成する六つのスイッチング部は、Ｓｉ素子のみからなるスイッチング素子１１１ａ，１１１ｂ，１１２ａ，１１２ｂ，１１３ａ，１１３ｂによって構成される。Ｕ相の上下アーム１１１は、上アーム素子であるスイッチング素子１１１ａと下アーム素子であるスイッチング素子１１１ｂとからなる。Ｖ相の上下アーム１１２は、上アーム素子であるスイッチング素子１１２ａと下アーム素子であるスイッチング素子１１２ｂとからなる。Ｗ相の上下アーム１１３は、上アーム素子であるスイッチング素子１１３ａと下アーム素子であるスイッチング素子１１３ｂとからなる。また、図４に示すように、Ｓｉ素子は電流が大きくなるにつれて電圧が上昇する特性を有し、電流が小さい側で電圧の変化が大きく、電流が大きい側では電圧の変化が小さい。
【００２２】
図５に示すように、別の比較例の回路２００では、各相の上下アーム２１１,２１２，２１３を構成する六つのスイッチング部は、ＳｉＣ素子のみからなるスイッチング素子２１１ａ，２１１ｂ，２１２ａ，２１２ｂ，２１３ａ，２１３ｂによって構成される。Ｕ相の上下アーム２１１は、上アーム素子であるスイッチング素子２１１ａと下アーム素子であるスイッチング素子２１１ｂとからなる。Ｖ相の上下アーム２１２は、上アーム素子であるスイッチング素子２１２ａと下アーム素子であるスイッチング素子２１２ｂとからなる。Ｗ相の上下アーム２１３は、上アーム素子であるスイッチング素子２１３ａと下アーム素子であるスイッチング素子２１３ｂとからなる。また、図６に示すように、ＳｉＣ素子は、電流が大きくなるにつれて電圧が上昇する特性を有する。電流が低い側（低電流）では、ＳｉＣ素子はＳｉ素子に比べて損失が低減される。
【００２３】
本実施形態の電力変換回路３０では、スイッチング素子としてＳｉ素子とＳｉＣ素子とのうちのいずれか一方のみをスイッチング動作（ＯＮ／ＯＦＦ動作）させるように素子を切り替える。これより、Ｓｉ素子の特性とＳｉＣ素子の特性とを使い分けることが可能である。また、スイッチング素子の特性として、短絡防止時間がある。そして、Ｓｉ素子とＳｉＣ素子とでは短絡防止時間が異なり、Ｓｉ素子の短絡防止時間はＳｉＣ素子の短絡防止時間よりも長い。そのため、実施形態のシステム１のようにＳｉ素子とＳｉＣ素子とを切り替える構成となる電力変換装置では、Ｓｉ素子の短絡防止時間とＳｉＣ素子の短絡防止時間とが異なることを考慮して、素子の切替を実施する必要がある。さらに、損失低減のためには、ＳｉＣ素子のときには短絡防止時間を短くしたい。そこで、実施形態のシステム１では、電力変換回路３０においてスイッチング動作の対象となる素子を切り替えることに加えて、制御部５においてスイッチング素子の短絡防止時間を切り替える制御（短絡防止時間切替制御）を実施する。この場合、切替の遅れ等で、素子の切替タイミングと短絡防止時間の切替タイミングがずれることを考慮する必要がある。これら切替タイミングについて、図７と図８を参照して説明する。
【００２４】
図７は、素子の切替と短絡防止時間の切替とが完全に同期できる場合を示すタイムチャートある。図７に示すように、完全同期する場合、素子の切替指令に対して動作素子が切り替わるタイミングにずれがなく、短絡防止時間の切替指令に対して短絡防止時間が切り替わるタイミングにもずれがない。つまり、素子切替指令と短絡防止時間切替指令とを同時に出力しても、素子の切替と短絡防止時間の切替とを同時に行うことが可能となる。そのため、図７に示す例では、電流が閾値となる場合に切替指令を出力するように構成されており、その閾値は、素子切替用の閾値と短絡防止時間切替用の閾値とが同じ値に設定されている。電流閾値が同じ値であるため、各切替指令の出力タイミングが同時となる。電流が閾値よりも小さい場合には、Ｓｉ素子がスイッチング動作の対象となり、電流が閾値以上の場合には、ＳｉＣ素子がスイッチング動作の対象となる。そして、スイッチング動作の対象となる素子について、上アームと下アームとを交互にＯＮ／ＯＦＦする。
【００２５】
図８は、短絡防止時間の切替が遅れる場合を示すタイムチャートである。図８に示すように、短絡防止時間の切替指令に対して、短絡防止時間が切り替わるタイミングが遅れる。この場合、素子切替用の閾値と短絡防止時間用の閾値とが同じ値に設定されているので、素子切替指令の出力と同時に短絡防止時間の切替指令を出力することになる。そのため、短絡防止時間の切替タイミングに遅れが生じると、ＳｉＣ素子の短絡防止時間（デッドタイム）でＳｉ素子を動かしてしまうため、上下短絡の恐れがある。なお、図８には、短絡防止時間の切替のみに遅れがある場合を示したが、素子の切替指令に対して素子の切替タイミングが遅れる場合もある。
【００２６】
上述した図７に示すように、完全同期できる場合には切替の遅れを考慮する必要はないが、実際の電力変換装置では切替指令に対する遅れが生じてしまう場合がある。そこで、本実施形態では、上述したような切替の遅れが生じる場合であっても、電力変換回路３０での上下短絡を抑制することできるように切替制御を実施するように構成されている。実施形態の電力変換装置では、切替タイミングのずれを補正する方法として、素子切替用の電流閾値と短絡防止時間切替用の電流閾値とをずらす方法（実施例１）と、切替指令に遅れ時間を付加する方法（実施例２）との二つを実施可能である。
【００２７】
まず、図９を参照して、実施例１について説明する。図９は、実施例１として素子切替用と短絡防止時間切替用で閾値をずらした場合を示すタイムチャートである。実施例１の電力変換装置では、素子切替用の電流閾値と、短絡防止時間切替用の電流閾値とを異なる値に設定する。実施例１では、切替用の電流閾値をずらすことによって、切替タイミングを補正し、ＳｉＣ素子の短絡防止時間でＳｉ素子を動作させる期間が生じないようにする。図９に示された例は短絡防止時間にのみ遅れが生じる場合であるため、その切替タイミングのずれを補正する目的で、短絡防止時間切替用の閾値が素子切替用の閾値よりも小さい値に設定されている。閾値のずらし量は、電流の最大変化速度と、短絡防止時間の遅れ時間とから決まる。
【００２８】
図９に示すように、電流値が上昇している状態では、素子切替用の閾値よりも先に短絡防止時間切替用の閾値に電流値が到達するため、短絡防止時間の切替指令が素子の切替指令よりも先に出力される。一方、電流値が下降している状態では、短絡防止時間切替用の閾値よりも先に素子切替用の閾値に電流値が到達する。これにより、短絡防止時間に遅れが生じる場合であっても、Ｓｉ素子は必ずＳｉ素子の短絡防止時間で動作するため、上下短絡を防止することができる。すなわち、実施例１によれば、Ｓｉ素子をＳｉＣ素子の短絡防止時間で動作させてしまうことによる短絡の発生を防止することができる。そのため、上下短絡による素子破損が発生することを抑制することが可能である。そして、スイッチング動作の対象となる素子について、上アームと下アームとを交互にＯＮ／ＯＦＦする。また、Ｓｉ素子の短絡防止時間では、Ｓｉ素子もＳｉＣ素子も動作できる。一方、ＳｉＣ素子の短絡防止時間では、ＳｉＣ素子しか動作できない。
【００２９】
なお、図９に示す例は短絡防止時間にのみ遅れが生じる場合であるが、素子切替にのみ遅れが生じる場合には、閾値の大小関係を逆転し、素子切替用の閾値が短絡防止時間の閾値よりも小さくなるように設定すればよい。
【００３０】
次に、図１０を参照して、実施例２について説明する。図１０は、実施例２として素子切替指令に遅れ時間を付与した場合を示すタイムチャートである。実施例２の電力変換装置では、素子切替指令と短絡防止時間切替指令とのうち、遅れが小さいほうの切替指令に、遅れ時間を付与する。実施例２では、切替指令に遅れ時間を付与することによって、切替タイミングを補正し、ＳｉＣ素子の短絡防止時間でＳｉ素子を動作させる期間が生じないようにする。図１０に示された例は短絡防止時間にのみ遅れが生じる場合であるため、その切替タイミングのずれを補正する目的で、遅れが小さい側となる素子切替指令に遅れ時間を付与し、短絡防止時間切替指令が素子切替指令よりも先に出力されるように制御する。
【００３１】
図１０に示すように、素子切替用の電流閾値と、短絡防止時間切替用の電流閾値とは同じ値に設定されている。電流値が上昇している状態では、素子切替と短絡防止時間切替とで同じタイミングで閾値に到達するものの、相対的に遅れが小さい側となる素子切替について、切替指令に遅れ時間が付与されている。そのため、電流値が閾値に到達時、短絡防止時間切替指令は出力されるものの、素子切替指令は遅れ時間分の経過後に出力される。これにより、短絡防止時間に遅れが生じる場合であっても、Ｓｉ素子は必ずＳｉ素子の短絡防止時間で動作するため、上下短絡を防止することができる。すなわち、実施例２によれば、Ｓｉ素子をＳｉＣ素子の短絡防止時間で動作させてしまうことによる短絡の発生を防止することができる。そのため、上下短絡による素子破損が発生することを抑制することが可能である。そして、スイッチング動作の対象となる素子について、上アームと下アームとを交互にＯＮ／ＯＦＦする。
【００３２】
なお、図１０に示す例は短絡防止時間にのみ遅れが生じる場合であるが、素子切替にのみ遅れが生じる場合には、短絡防止時間の切替指令に遅れ時間を付与すればよい。また、素子切替と短絡防止時間切替の両方に遅れが生じる場合には、相対的に遅れが小さい側の切替指令に遅れ時間が付与される。
【００３３】
以上説明した通り、実施形態によれば、Ｓｉ素子とＳｉＣ素子をスイッチング素子とする電力変換回路３０について、Ｓｉ素子をＳｉＣ素子の短絡防止時間に動作させることを防止できるので、上下短絡が発生することを抑制できる。これにより、上下短絡による素子破損の発生を抑制することが可能になる。
【００３４】
また、素子の切替指令や短絡防止時間の切替指令が出力されてから、ハードに実際に反映されるまでに遅れがある。どちらの遅れが大きいかはハードによるため、素子切替が遅れる場合、短絡防止時間切替が遅れる場合の両方が起こり得るが、上述した実施形態はどちらにも対応できる。
【符号の説明】
【００３５】
１  システム
２  電源
３  インバータ
４  モータ
５  制御部
３０  電力変換回路
３１、３２、３３  上下アーム
３１ａ、３１ｃ、３２ａ、３２ｃ、３３ａ、３３ｃ  スイッチング素子（Ｓｉ素子）
３１ｂ、３１ｄ、３２ｂ、３２ｄ、３３ｂ、３３ｄ  スイッチング素子（ＳｉＣ素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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