(57)【要約】【課題】低誘電基材に対する接着性が向上した電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁樹脂層（１０）と、前記絶縁樹脂層に隣接する金属を含むシールド層（２０）と、前記シールド層に隣接する芳香族ポリエーテルケトンを含有する融着接着層（６０）と、を備える電磁波シールドフィルム（１）。絶縁樹脂層（１０）の表面にはキャリアフィルム（３０）が貼付されていてもよく、融着接着層（６０）の裏面には保護フィルム（４０）が貼付されていてもよい。【選択図】図１
2020123613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接し、金属を含むシールド層と、前記シールド層に隣接し、芳香族ポリエーテルケトンを含有する融着接着層と、を備える電磁波シールドフィルム。
【請求項２】
前記芳香族ポリエーテルケトンがポリエーテルエーテルケトン又はポリエーテルケトンケトンである、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項３】
前記融着接着層の相対結晶化度が８０％未満である、請求項１又は２に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項４】
前記芳香族ポリエーテルケトンの見かけのせん断粘度が、３９０℃での見かけのせん断速度が１×１０２／秒であるとき、５×１０１〜５×１０３Ｐａ・ｓである、請求項１〜３の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項５】
前記融着接着層のガラス転移点が、１３０〜１８０℃である、請求項１〜４の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項６】
前記融着接着層の厚さが２〜５０μｍである、請求項１〜５の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項７】
前記シールド層に含まれる前記金属が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＡｕからなる群から選ばれる１種以上である、請求項１〜６の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項８】
前記シールド層の厚さが０．５〜５μｍである、請求項１〜７の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項９】
前記絶縁樹脂層が塗布膜である、請求項１〜８の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項１０】
前記絶縁樹脂層が熱硬化性樹脂からなる、請求項１〜９の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
【請求項１１】
基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された配線とを備えた基板本体と、
前記一方の面に接着された請求項１〜１０の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備えた回路基板であって、
前記電磁波シールドフィルムの前記融着接着層が、前記一方の面に接着されている、回路基板。
【請求項１２】
前記基材を形成する樹脂の比誘電率が３．５未満である、請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記基材を形成する樹脂が、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、又はポリイミドであり、
前記ポリイミドは、下記式（１）で示される繰り返し構成単位及び下記式（２）で示される繰り返し構成単位を含み、下記式（１）の繰り返し構成単位と下記式（２）の繰り返し構成単位の合計に対する下記式（１）の繰り返し構成単位の含有比が２０〜７０モル％であり、かつ、炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基を末端に有するポリイミドを含む、請求項１１又は１２に記載の回路基板。
【化１】
2020123613.tif 000014
【請求項１４】
配線が形成された基材の少なくとも一方の面に対して、請求項１〜１０の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルムの前記融着接着層を接触させ、前記融着接着層を１６０〜２８０℃で加熱することにより、前記一方の面に前記融着接着層を介して前記電磁波シールドフィルムを接着する工程を有する、回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板から発生する電磁波ノイズや外部からの電磁波ノイズを遮蔽するために、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層に隣接する導電層とからなる電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム（カバーレイフィルム）を介してプリント配線板の表面に設けることがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−１７７９４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ポリイミドからなるベースフィルムの表面にプリント回路が形成されたプリント配線板が使用されており、さらにプリント回路の配線を覆う絶縁フィルムとして、ポリイミドフィルムが使用されている。
一方、高周波特性を向上する目的で、液晶ポリマーフィルム（ＬＣＰ）等の誘電率が低いベースフィルムを用いたプリント配線板が使用されることが近年増えている。
ところが、低誘電率のベースフィルムに対する従来の電磁波シールドフィルムの接着性は必ずしも高くなく、その接着性の向上が求められている。
【０００５】
本発明は、低誘電基材に対する接着性が向上した電磁波シールドフィルム、回路基板、及び回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］  絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接し、金属を含むシールド層と、前記シールド層に隣接し、芳香族ポリエーテルケトンを含有する融着接着層と、を備える電磁波シールドフィルム。
［２］  前記芳香族ポリエーテルケトンがポリエーテルエーテルケトン又はポリエーテルケトンケトンである、［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］  前記融着接着層の相対結晶化度が８０％未満である、［１］又は［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］  前記芳香族ポリエーテルケトンの見かけのせん断粘度が、３９０℃での見かけのせん断速度が１×１０２／秒であるとき、５×１０１〜５×１０３Ｐａ・ｓである、［１］〜［３］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］  前記融着接着層のガラス転移点が、１３０〜１８０℃である、［１］〜［４］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］  前記融着接着層の厚さが２〜５０μｍである、［１］〜［５］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［７］  前記シールド層に含まれる前記金属が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＡｕからなる群から選ばれる１種以上である、［１］〜［６］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［８］  前記シールド層の厚さが０．５〜５μｍである、［１］〜［７］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［９］  前記絶縁樹脂層が塗布膜である、［１］〜［８］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［１０］  前記絶縁樹脂層が熱硬化性樹脂からなる、［１］〜［９］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
［１１］  基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された配線とを備えた基板本体と、前記一方の面に接着された［１］〜［１０］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、を備えた回路基板であって、前記電磁波シールドフィルムの前記融着接着層が、前記一方の面に接着されている、回路基板。
［１２］  前記基材を形成する樹脂の比誘電率が３．５未満である、［１１］に記載の回路基板。
［１３］  前記基材を形成する樹脂が、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、又はポリイミドであり、前記ポリイミドは、下記式（１）で示される繰り返し構成単位及び下記式（２）で示される繰り返し構成単位を含み、下記式（１）の繰り返し構成単位と下記式（２）の繰り返し構成単位の合計に対する下記式（１）の繰り返し構成単位の含有比が２０〜７０モル％であり、かつ、炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基を末端に有するポリイミドを含む、［１１］又は［１２］に記載の回路基板。
［１４］  配線が形成された基材の少なくとも一方の面に対して、［１］〜［１０］の何れか一項に記載の電磁波シールドフィルムの前記融着接着層を接触させ、前記融着接着層を１６０〜２８０℃で加熱することにより、前記一方の面に前記融着接着層を介して前記電磁波シールドフィルムを接着する工程を有する、回路基板の製造方法。
【０００７】
【化１】
2020123613.tif 000003
（Ｒ１は少なくとも１つの脂環式炭化水素構造を含む炭素数６〜２２の２価の基である。
Ｒ２は炭素数５〜１６の２価の鎖状脂肪族基である。Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の４価の基である。）
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電磁波シールドフィルムは、低誘電基材に対する接着性が向上している。
本発明の回路基板においては、電磁波シールドフィルムと基板本体との接着力が向上している。
本発明の回路基板の製造方法によれば、上記の回路基板を容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の電磁波シールドフィルムの実施形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の回路基板の実施形態の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
フィルム（キャリアフィルム、保護フィルム等）、電磁波シールドフィルムの各層の厚さは、デジタル測長機（ミツトヨ社製、ライトマチックＶＬ−５０−Ｂ）を用いて無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
金属薄膜層の厚さは、渦電流式膜厚計を用いて無作為に選ばれた５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
貯蔵弾性率は、測定対象に与えた応力と検出したひずみから算出され、温度または時間の関数として出力する動的粘弾性測定装置を用いて、粘弾性特性の一つとして測定される。
表面抵抗は、１０６Ω／□未満の場合は、低抵抗抵抗率計（例えば、三菱ケミカル社製、ロレスタＧＰ、ＡＳＰプローブ）を用い、四端子法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４：１９９４およびＪＩＳ  Ｒ  １６３７：１９９８に準拠する方法）で測定される表面抵抗率であり、１０６Ω／□以上の場合は、高抵抗抵抗率計（例えば、三菱ケミカル社製、ハイレスタＵＰ、ＵＲＳプローブ）を用い、二重リング法（ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１：２００６に準拠する方法）で測定される表面抵抗率である。
見かけのせん断粘度、相対結晶化度、ガラス転移温度、及び誘電特性は、後述する方法で測定される値である。
図１〜図２における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。
【００１１】
＜電磁波シールドフィルム＞
本発明の第一態様は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する金属を含むシールド層と、前記シールド層に隣接する芳香族ポリエーテルケトンを含有する融着接着層と、を備える電磁波シールドフィルムである。
【００１２】
図１は、第一実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図である。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム１は、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接するシールド層２０と、シールド層２０の絶縁樹脂層１０とは反対側に隣接する融着接着層６０と、絶縁樹脂層１０のシールド層２０とは反対側に隣接するキャリアフィルム３０と、融着接着層６０のシールド層２０とは反対側に隣接する保護フィルム４０とを有する。
【００１３】
［絶縁樹脂層］
絶縁樹脂層１０は、電磁波シールドフィルム１をフレキシブルプリント配線板等に貼着し、キャリアフィルム３０を剥離した後には、シールド層２０の保護層となる。
【００１４】
絶縁樹脂層１０としては、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜（塗布膜）；熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む塗料を塗布し、乾燥させて形成された塗膜；熱可塑性樹脂を含む組成物を溶融成形したフィルムからなる層等が挙げられる。はんだリフロー工程に供される際の耐熱性の点から、光硬化性樹脂と光ラジカル重合開始剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜、または熱硬化性樹脂と硬化剤とを含む塗料を塗布し、半硬化または硬化させて形成された塗膜が好ましい。
絶縁樹脂層１０がシールド層２０に対して塗布することにより形成された塗布膜であると、絶縁樹脂層１０のシールド層２０に対する接着性が向上するので好ましい。
【００１５】
光硬化性樹脂としては、（メタ）アクリロイル基を有する化合物等が挙げられる。
光ラジカル重合開始剤としては、光硬化性樹脂の種類に応じた公知の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、アミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。
熱硬化性樹脂としては、耐熱性に優れる点から、アミド樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。
硬化剤としては、熱硬化性樹脂の種類に応じた公知の硬化剤が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
【００１６】
絶縁樹脂層１０は、プリント配線板のプリント回路を隠蔽したり、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板に意匠性を付与したりするために、着色剤（顔料、染料等）およびフィラーのいずれか一方または両方を含んでいてもよい。
着色剤およびフィラーのいずれか一方または両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料またはフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、または黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層１０は、難燃剤を含んでいてもよい。絶縁樹脂層１０は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
【００１７】
絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω／□以上が好ましい。絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω／□以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０の厚さは、０．１μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。
【００１８】
［シールド層］
シールド層は、少なくとも金属を含む層であり、金属のみからなる層であってもよいし、金属以外の成分を含む層であってもよい。シールド層に含まれる金属は、薄膜状でもよいし、粒子状でもよいし、その他の形状でもよい。金属以外の成分としては、例えば、金属粒子同士を結着させるバインダー樹脂が挙げられる。
本実施形態におけるシールド層２０は、１層の金属薄膜層からなる。
【００１９】
（金属薄膜層）
金属の薄膜からなる金属薄膜層は、面方向に広がるように形成されていることから、面方向に導電性を有し、電磁波をシールドする層として機能する。
【００２０】
金属薄膜層としては、物理蒸着（真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等）又は化学蒸着によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、シールド層２０は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。シールド層２０を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点では、シールド層２０は蒸着膜であることがより好ましく、物理蒸着による蒸着膜であることがさらに好ましい。
【００２１】
金属薄膜層を構成する金属としては、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、金等が挙げられ、電気伝導度の点からは、銀又は銅が好ましい。
金属薄膜層のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかも金属薄膜層を容易に形成しやすいことから、金属蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。
【００２２】
金属薄膜層の表面抵抗は、０．００１Ω以上１Ω以下が好ましく、０．００１Ω以上０．５Ω以下がより好ましい。金属薄膜層の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、金属薄膜層を十分に薄くできる。金属薄膜層の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。
【００２３】
金属薄膜層の厚さは、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。金属薄膜層の厚さが０．０１μｍ以上であれば、面方向の導電性がさらに良好になる。金属薄膜層の厚さが０．０５μｍ以上であれば、電磁波ノイズの遮蔽効果がさらに良好になる。金属薄膜層の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の生産性、可とう性がよくなる。
【００２４】
［融着接着層］
融着接着層６０は、芳香族ポリエーテルケトンを含有する。芳香族ポリエーテルケトンは、エーテル結合を介してベンゼン環同士を結合した構造と、ケトン基を介してベンゼン環同士を結合した構造とを有するポリマーである。
芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えば、化学式（Ｐ１）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、化学式（Ｐ２）で表される化学構造を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、化学式（Ｐ３）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、化学式（Ｐ４）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）、化学式（Ｐ５）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）が挙げられる。融着接着層６０に含まれる芳香族ポリエーテルケトンは１種単独でもよいし、２種以上でもよい。
また、芳香族ポリエーテルケトンは、化学式（Ｐ１）〜（Ｐ５）で表される化学構造を２つ以上有する共重合体であってもよい。
なお、芳香族ポリエーテルケトンの両末端は水素原子となっている。
【００２５】
前記芳香族ポリエーテルケトンのなかでも、融着接着層６０を形成しやすく、低誘電基材を備えたプリント配線板に対する接着性が優れることから、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。
電磁波シールドフィルム１に耐熱性が求められる場合には、芳香族ポリエーテルケトンのなかでも、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトンが好ましい。ポリエーテルケトンのガラス転移温度は１５２℃、ポリエーテルケトンケトンのガラス転移温度は１５４℃、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトンのガラス転移温度は１６２℃であり、いずれも、ポリエーテルエーテルケトンのガラス転移温度１４３℃より高い。そのため、耐熱性が求められる用途に適している。樹脂のガラス転移温度は、示差熱走査熱量測定（ＤＳＣ）によって求められる。
【００２６】
【化２】
2020123613.tif 000004
【００２７】
前記化学式（Ｐ１）〜（Ｐ５）の各々のｎは、機械的特性の観点から、１０以上が好ましく、２０以上がより好ましい。一方、芳香族ポリエーテルケトンを容易に製造できる点では、ｎは５０００以下であることが好ましく、１０００以下であることがより好ましい。すなわち、１０以上５０００以下が好ましく、２０以上１０００以下がより好ましい。
芳香族ポリエーテルケトンは、本発明の効果を損なわない範囲において、エーテルサルホン等の他の共重合可能な単量体とのブロック共重合体、ランダム共重合体又は変性体であってもよい。
芳香族ポリエーテルケトンは、前記化学式（Ｐ１）〜（Ｐ５）のいずれかで表されるポリエーテルケトン単位の割合が、芳香族ポリエーテルケトンの全ての繰り返し構成単位（１００モル％）に対し、５０モル％以上１００モル％以下であることが好ましく、７０モル％以上１００モル％以下であることがより好ましく、８０モル％以上１００モル％以下であることがさらに好ましく、１００モル％であることが最も好ましい。芳香族ポリエーテルケトンにおいて前記芳香族ポリエーテルケトン単位の割合が前記下限値以上であれば、融着接着層６０と、シールド層２０との接着力、及び低誘電基材を備えたプリント配線板との接着力をより強くできる。
【００２８】
芳香族ポリエーテルケトンの製造方法、とりわけポリエーテルエーテルケトンの製造方法としては、例えば、特開昭５０−２７８９７号公報、特開昭５１−１１９７９７号公報、特開昭５２−３８０００号公報、特開昭５４−９０２９６号公報、特公昭５５−２３５７４号公報、特公昭５６−２０９１号公報に開示されている。
【００２９】
融着接着層６０には、芳香族ポリエーテルケトン以外に他の樹脂が含まれてもよい。他の樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
融着接着層６０における芳香族ポリエーテルケトンの含有量は５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。融着接着層６０が芳香族ポリエーテルケトンのみからなってもよい。融着接着層６０における芳香族ポリエーテルケトンの含有量が前記下限値以上であれば、融着接着層６０と、シールド層２０との接着力、及び低誘電基材を備えたプリント配線板との接着力をより強くすることができる。
【００３０】
融着接着層６０に含まれる芳香族ポリエーテルケトンが結晶性を有する場合、融着接着層６０の相対結晶化度は、８０％未満であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。相対結晶化度の下限は特には限定されないが、５％以上が好ましい。融着接着層６０の結晶化度は、相対結晶化度により表すことができる。
融着接着層６０の相対結晶化度が前記下限値以上であれば、融着接着層６０及び電磁波シールドフィルム１の剛性が適度となり、融着接着層６０の相対結晶化度が前記上限値以上であれば、融着接着層６０と、シールド層２０との接着力、及び低誘電基材を備えたプリント配線板との接着力をより強くすることができる。  
融着接着層６０の相対結晶化度が上記の範囲であれば、融着接着層６０を加熱して電磁波シールドフィルム１をプリント配線板に接着する際に、融着接着層６０が軟化し、容易に接着することができ、低誘電基材を備えたプリント配線板に対する接着力をより強くすることができる。融着接着層６０の相対結晶化度は、融着接着層６０を電磁波シールドフィルム１から剥離して取り出し、示差走査熱量計を用いて１０℃／分の昇温速度で測定した熱分析結果に基づき、以下の式により算出される。
相対結晶化度（％）＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ΔＨｃ：再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）
ΔＨｍ：結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）
【００３１】
融着接着層６０に含まれる芳香族ポリエーテルケトンの見かけのせん断粘度は、３９０℃での見かけのせん断速度が１×１０２／秒であるとき、５×１０１〜５×１０３Ｐａ・ｓであることが好ましく、３×１０２〜１．５×１０３Ｐａ・ｓであることがより好ましく、５×１０２〜１×１０３Ｐａ・ｓであることがさらに好ましい。
融着接着層６０の見かけのせん断粘度が上記の範囲であれば、融着接着層６０を加熱して電磁波シールドフィルム１をプリント配線板に接着する際に、融着接着層６０の粘度が適度となり、容易に接着することができ、低誘電基材を備えたプリント配線板に対する接着力をより強くすることができる。
また、融着接着層６０の樹脂フィルムを成形する際、温度３９０℃における見かけのせん断粘度が５．０×１０１Ｐａ・ｓ未満の場合には、Ｔダイスの先端部から押し出された樹脂フィルムの溶融張力が小さいので、急激にロール方向に引き落とすと、樹脂フィルムが破断する恐れがある。これに対し、見かけのせん断粘度が５．０×１０３Ｐａ・ｓを越える場合には、見かけのせん断粘度が高いので、Ｔダイスから押し出すことができない恐れがある。この芳香族ポリアリーレンエーテルケトンの見かけのせん断粘度は、市販のせん断粘度・伸長粘度測定装置により測定することができる。
融着接着層６０に含まれる芳香族ポリエーテルケトンの溶融粘度は、ＩＳＯ１１４４３に準拠して測定される。
【００３２】
融着接着層６０のガラス転移点は、１３０〜１８０℃であることが好ましく、１４０〜１７５℃であることがより好ましく、１４５〜１６０℃であることがさらに好ましい。
融着接着層６０のガラス転移点が上記の範囲であれば、融着接着層６０を加熱して電磁波シールドフィルム１をプリント配線板に接着する際に、融着接着層６０を上記ガラス転移点程度の低い温度で加熱することにより、容易に接着することができ、低誘電基材を備えたプリント配線板に対する接着力をより強くすることができる。  
融着接着層６０のガラス転移点は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２４４に準拠して、融着接着層の動的粘弾性測定（昇温速度３℃／分、周波数１Ｈｚ、引張モード）により得られる損失弾性率E’’の変異点温度として求められる。
【００３３】
融着接着層６０は、プリント配線板のプリント回路を隠蔽したり、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板に意匠性を付与したりするために、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料又はフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、又は黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
融着接着層６０は、本発明の特性を損なわない範囲で、酸化防止剤、光安定剤、紫外線安定剤、可塑剤、滑剤、難燃剤、帯電防止剤、耐熱向上剤、無機充填剤、有機充填剤等の添加剤が含まれてもよい。
【００３４】
融着接着層６０の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω以上が好ましい。
融着接着層６０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
融着接着層６０の厚さは、２μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。融着接着層６０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、融着接着層６０が接着層としての機能を十分に発揮できる。融着接着層６０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。
【００３５】
（キャリアフィルム）
キャリアフィルム３０は、絶縁樹脂層１０及びシールド層２０を補強及び保護する支持体であり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。特に、絶縁樹脂層１０として、薄いフィルム、具体的には厚さ１μｍ以上１０μｍ以下のフィルムを用いた場合には、キャリアフィルム３０を有することによって、絶縁樹脂層１０の破断を防ぐことができる。
キャリアフィルム３０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層１０から剥離される。
【００３６】
本実施形態において使用されるキャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２と、キャリアフィルム本体３２の絶縁樹脂層１０側の表面に設けられた粘着剤層３４とを有する。
【００３７】
キャリアフィルム本体３２の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」ということもある。）、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム１を製造する際の耐熱性（寸法安定性）及び価格の点から、ＰＥＴが好ましい。
【００３８】
キャリアフィルム本体３２は、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層１０と明確に区別でき、熱プレスした後にキャリアフィルム３０の剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層１０とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
【００３９】
キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率は、８×１０７Ｐａ以上５×１０９Ｐａが好ましく、１×１０８Ｐａ以上８×１０８Ｐａがより好ましい。キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０が適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際のキャリアフィルム３０における圧力損失を低減できる。キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、キャリアフィルム３０の柔軟性が良好となる。
【００４０】
キャリアフィルム本体３２の厚さは、３μｍ以上７５μｍ以下が好ましく、１２μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム本体３２の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム本体３２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、プリント配線板５０に電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
【００４１】
粘着剤層３４は、例えば、キャリアフィルム本体３２の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。キャリアフィルム３０が粘着剤層３４を有することによって、保護フィルム４０を融着接着層６０から剥離する際や電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に熱プレスによって貼り付ける際に、キャリアフィルム３０が絶縁樹脂層１０から剥離することが抑えられる。そのため、キャリアフィルム３０が保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。
【００４２】
粘着剤は、熱プレス前にはキャリアフィルム３０が絶縁樹脂層１０から容易に剥離することなく、熱プレス後にはキャリアフィルム３０を絶縁樹脂層１０から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層３４に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤のガラス転移温度は、−１００℃以上６０℃以下が好ましく、−６０℃以上４０℃以下がより好ましい。
【００４３】
キャリアフィルム３０の厚さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下が好ましく、３８μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム３０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム３０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、プリント配線板に電磁波シールドフィルム１を熱プレスする際に融着接着層６０に熱が伝わりやすい。
【００４４】
（保護フィルム）
保護フィルム４０は、融着接着層６０を保護するものであり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。保護フィルム４０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付ける前に、融着接着層６０から剥離される。
【００４５】
保護フィルム４０は、例えば、保護フィルム本体４２と、保護フィルム本体４２の融着接着層側の表面に設けられた粘着剤層４４とを有する。
【００４６】
保護フィルム本体４２の樹脂材料としては、キャリアフィルム本体３２の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
保護フィルム本体４２は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
保護フィルム本体４２の厚さは、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。
【００４７】
粘着剤層４４は、保護フィルム本体４２の表面を粘着剤で処理して形成される。保護フィルム４０が粘着剤層４４を有することによって、保護フィルム４０を融着接着層６０から剥離する際に、保護フィルム４０を剥離しやすく、融着接着層６０が破断しにくくなる。
粘着剤としては、公知の粘着剤を用いればよい。
【００４８】
粘着剤層４４の厚さは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。粘着剤層４４の厚さが前記範囲内であれば、保護フィルム４０をさらに剥離しやすくなる。
【００４９】
（電磁波シールドフィルムの厚さ）
電磁波シールドフィルム１の厚さ（キャリアフィルム３０及び保護フィルム４０を除く）は、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。
前記厚さが前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０を剥離する際に破断しにくい。前記厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルムを取り付けた回路基板を薄くできる。
【００５０】
（作用効果）
以上説明した電磁波シールドフィルム１にあっては、融着接着層６０が芳香族ポリエーテルケトンを含むため、シールド層２０と融着接着層６０との接着性が優れ、さらに低誘電基材を備えた基板に対する接着性にも優れる。
【００５１】
（他の実施形態）
本態様の電磁波シールドフィルムは、融着接着層に芳香族ポリエーテルケトンが含まれているものであればよく、図示例の第一実施形態に限定されない。
例えば、シールド層２０として、金属薄膜層に代えて、導電性粒子とバインダー樹脂を含む、公知の電磁波シールドフィルムに用いられている導電性接着剤層を備えていてもよい。
また、絶縁樹脂層１０が十分な柔軟性や強度を有する場合は、キャリアフィルム３０を省略してもよい。
融着接着層６０の表面を保護する必要性が少ない場合には、保護フィルム４０を省略してもよい。
キャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層３４を有しなくてもよい。
キャリアフィルム３０は、粘着剤層３４の代わりに離型剤層を有していてもよい。
保護フィルム４０は、保護フィルム本体４２のみで十分な粘着性を有する場合は、粘着剤層４４を有しなくてもよい。
【００５２】
本実施形態の電磁波シールドフィルム１は、後で詳述するように、回路基板２において基板本体５０に融着接着層６０を介して接着されて使用され得る。
【００５３】
＜電磁波シールドフィルムの製造方法＞
本発明の電磁波シールドフィルムは、積層フィルムを形成する公知方法を適用することにより製造することができる。容易に歩留まり良く均質な電磁波シールドフィルムを製造する観点から、例えば、次の好適な製造方法が挙げられる。
【００５４】
以下、図１の電磁波シールドフィルム１を製造する方法を例示する。
まず、融着接着層６０を構成する樹脂フィルムを準備する。芳香族ポリエーテルケトンが含まれる樹脂フィルムは、公知の押出成形法により得られる。
融着接着層６０のハンドリングが容易になることから、必要に応じて、融着接着層６０の一方の面に保護フィルム４０が備えられていてもよい。例えば、保護フィルム４０の表面に芳香族ポリエーテルケトンを含む樹脂を押出成形法によりフィルム状に積層してもよい。
【００５５】
次に、融着接着層６０の保護フィルム４０とは反対側の面に、シールド層２０を形成する。シールド層２０が金属蒸着層である場合には、融着接着層６０の前記面に金属蒸着を行い、所望の厚さの金属蒸着層を形成することができる。金属蒸着膜に代えて、金属箔を貼付してもよい。また、シールド層２０が導電性粒子を含む公知の導電性接着剤層である場合には、導電性粒子及び樹脂を含む組成物を融着接着層６０の前記面に所望の厚さで塗工し、その塗膜を硬化させることにより、導電性接着剤層を形成することができる。
【００５６】
続いて、シールド層２０の融着接着層６０とは反対側の面に、絶縁樹脂層１０を形成する。絶縁樹脂層１０を形成する方法は特に制限されず、絶縁樹脂層１０を形成する樹脂組成物をシールド層２０の前記面に所望の厚さで塗工し、その塗膜を硬化させることにより、絶縁樹脂層１０を形成することができる。また、樹脂フィルムとして別に準備した絶縁樹脂層１０をシールド層２０の前記面に接着する方法も挙げられる。
【００５７】
最後に、必要に応じて、絶縁樹脂層１０のシールド層２０とは反対側の面に、公知方法によりキャリアフィルム３０を貼付する。
以上の方法により、電磁波シールドフィルム１を製造することができる。
なお、絶縁樹脂層１０、シールド層２０、及び融着接着層６０の層間には、図１に示さない接着層を形成してもよい。また、キャリアフィルム３０と絶縁樹脂層１０の間、及び融着接着層６０と保護フィルム４０の間には、粘着層、接着層又は離型層を形成してもよい。
【００５８】
以上で説明した電磁波シールドフィルム１の製造方法の他に、次の製造方法も挙げられる。
まず、キャリアフィルム３０の粘着剤層３４の表面に、絶縁樹脂層１０を形成し、絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に、シールド層２０を積層し、第１の積層体を得る。次に、保護フィルム４０の粘着剤層４４の表面に、融着接着層６０を積層し、第２の積層体を得る。続いて、第１の積層体のシールド層２０の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に、第２の積層体の融着接着層６０を接して貼り付けることにより、電磁波シールドフィルム１が得られる。
【００５９】
（作用効果）
以上説明した電磁波シールドフィルム１の製造方法にあっては、融着接着層６０を備えた電磁波シールドフィルム１を容易に製造できる。
【００６０】
＜回路基板＞
本発明の第二態様は、基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された配線とを備えた基板本体と、前記一方の面に接着された第一態様の電磁波シールドフィルムと、を備えた回路基板であって、前記電磁波シールドフィルムの前記融着接着層が、前記一方の面に接着されている、回路基板である。
【００６１】
図２は、本態様の回路基板の一実施形態を示す断面図である。
回路基板２は、基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板５０と、電磁波シールドフィルム１とを備える。
フレキシブルプリント配線板５０は、ベースフィルム５２の少なくとも片面にプリント回路５４が設けられたものである。
電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０は、フレキシブルプリント配線板５０の一方の面に接着されている。
電磁波シールドフィルム１のシールド層２０は、図示しない箇所で、外部のグランド等に接続されていてもよい。例えば、絶縁樹脂層１０の一部の領域が除去されて、当該領域に露出したシールド層２０を外部に接続した構成が挙げられる。
【００６２】
回路基板２に接着された電磁波シールドフィルム１においては、保護フィルム４０は、融着接着層６０から剥離されている。
回路基板２においてキャリアフィルム３０が不要になった際には、キャリアフィルム３０は絶縁樹脂層１０から剥離される。
【００６３】
プリント回路５４（信号回路、グランド回路、グランド層等）の近傍には、電磁波シールドフィルム１のシールド層２０が、融着接着層６０を介して離間して対向配置される。
プリント回路５４とシールド層２０との離間距離は、介在する融着接着層６０の厚さとほぼ等しい。離間距離は、２μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。離間距離が２μｍ以上であると、信号回路のインピーダンスが過度に低くなることを防止することができる。離間距離が５０μｍ以下であると、回路基板２の薄型化が容易になり、可とう性も充分に得られる。
【００６４】
（基板本体）
基板本体の一例であるフレキシブルプリント配線板５０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路５４としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム５２の片面又は両面に接着剤層（図示略）を介して銅箔を貼り付けたもの；銅箔の表面にベースフィルム５２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
【００６５】
（配線）
配線の一例であるプリント回路５４を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路５４は、例えば、信号回路、グランド回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
プリント回路５４の長さ方向の端部（端子）は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、電磁波シールドフィルム１に覆われず、露出している。
【００６６】
［基材］
基板本体の基材の一例であるベースフィルム５２として、比誘電率が低い樹脂からなるフィルムを使用することができる。電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０は芳香族ポリエーテルケトンを含むので、低誘電率の樹脂からなる基材に対する接着性が向上している。
基板本体の基材を形成する樹脂の比誘電率は、３．５未満であることが好ましく、３．３未満であることがより好ましく、３．１未満であることがさらに好ましい。
基板本体の基材の比誘電率が低いほど、高周波特性、伝送特性、誘電損失等が優れる。
基板本体の基材を形成する樹脂の誘電正接は、０．０１０以下であることが好ましく、０．００５以下であることがより好ましく、０．００３以下であることがさらに好ましい。
基板本体の基材の誘電正接が低いほど、高周波特性、伝送特性等が優れる。
基板本体の基材の表面抵抗は、実用的な電気的絶縁性を得る観点から、１×１０６Ω〜１×１０１９Ωが好ましい。
基板本体の基材の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、屈曲性の点から、６μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
【００６７】
基板本体の基材を形成する樹脂の具体例としては、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルケトンケトン等の芳香族ポリエーテルケトン、又はポリイミドが挙げられる。
【００６８】
前記ポリイミドは、下記式（１）で示される繰り返し構成単位及び下記式（２）で示される繰り返し構成単位を含み、下記式（１）の繰り返し構成単位と下記式（２）の繰り返し構成単位の合計に対する下記式（１）の繰り返し構成単位の含有比が２０〜７０モル％であり、かつ、炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基を末端に有するポリイミドを含むものが好ましい。
【００６９】
【化３】
2020123613.tif 000005
（Ｒ１は少なくとも１つの脂環式炭化水素構造を含む炭素数６〜２２の２価の基である。
Ｒ２は炭素数５〜１６の２価の鎖状脂肪族基である。Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の４価の基である。）
【００７０】
前記ポリイミドは、特定の異なるポリイミド構成単位を、特定の比率で組み合わせてなり、かつ、特定の構造を末端に有するため、成形加工性及び耐熱性に優れ、さらに耐熱老化性に優れる。
【００７１】
前記式（１）のＲ１は少なくとも１つの脂環式炭化水素構造を含む炭素数６〜２２の２価の基である。ここで、脂環式炭化水素構造とは、脂環式炭化水素化合物から誘導される環を意味し、脂環式炭化水素化合物は、飽和であっても不飽和であってもよく、単環であっても多環であってもよい。
脂環式炭化水素構造としては、例えば、シクロヘキサン環等のシクロアルカン環、シクロヘキセン等のシクロアルケン環、ノルボルナン環等のビシクロアルカン環、及びノルボルネン等のビシクロアルケン環等が挙げられる。これらの中でも、シクロアルカン環が好ましく、炭素数４〜７のシクロアルカン環がより好ましく、シクロヘキサン環がさらに好ましい。
Ｒ１の炭素数は６〜２２であり、８〜１７であることが好ましい。
Ｒ１が含む脂環式炭化水素構造の数は、少なくとも１つであり、１〜３個が好ましい。
Ｒ１は、下記式（Ｒ１−１）又は（Ｒ１−２）で表される２価の基であることが好ましく、下記式（Ｒ１−３）で表される２価の基であることがより好ましい。
【００７２】
【化４】
2020123613.tif 000006
（ｍ１１及びｍ１２は、それぞれ独立に、０〜２の整数である。ｍ１３〜ｍ１５は、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）
【００７３】
【化５】
2020123613.tif 000007
【００７４】
前記式（Ｒ１−３）で表される２価の基において、２つのメチレン基のシクロヘキサン環に対する位置関係はシスであってもよいし、トランスであってもよいし、シスとトランスの両方が混合していてもよい。シスとトランスの比は任意の比でよい。
【００７５】
前記式（１）のＸ１は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の４価の基である。前記芳香環は単環でも縮合環でもよく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、及びテトラセン環が挙げられる。これらの中でも、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
Ｘ１の炭素数は６〜２２であり、６〜１８がより好ましい。
Ｘ１が含む芳香環の数は、少なくとも１つであり、１〜３個がより好ましい。
Ｘ１は、下記式（Ｘ−１）〜（Ｘ−４）のいずれかで表される４価の基であることが好ましい。
【００７６】
【化６】
2020123613.tif 000008
（Ｒ１１〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基である。ｐ１１〜ｐ１３は、それぞれ独立に、０〜２の整数である。ｐ１４、ｐ１５、ｐ１６及びｐ１８は、それぞれ独立に、０〜３の整数である。ｐ１７は０〜４の整数である。Ｌ１１〜Ｌ１３は、それぞれ独立に、単結合、エーテル基、カルボニル基又は炭素数１〜４のアルキレン基である。）
【００７７】
Ｘ１は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の４価の基であるので、式（Ｘ−２）におけるＲ１２、Ｒ１３、ｐ１２及びｐ１３は、式（Ｘ−２）で表される４価の基の炭素数が６〜２２の範囲に入るように選択される。
同様に、式（Ｘ−３）におけるＬ１１、Ｒ１４、Ｒ１５、ｐ１４及びｐ１５は、式（Ｘ−３）で表される４価の基の炭素数が６〜２２の範囲に入るように選択され、式（Ｘ−４）におけるＬ１２、Ｌ１３、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、ｐ１６、ｐ１７及びｐ１８は、式（Ｘ−４）で表される４価の基の炭素数が６〜２２の範囲に入るように選択される。
Ｘ１は、下記式（Ｘ−５）又は（Ｘ−６）で表される４価の基であることが特に好ましい。
【００７８】
【化７】
2020123613.tif 000009
【００７９】
前記式（２）のＲ２の２価の鎖状脂肪族基の炭素数は５〜１６であり、炭素数５〜１４が好ましく、炭素数５〜１２がより好ましい。鎖状脂肪族基とは、鎖状脂肪族化合物から誘導される基を意味し、鎖状脂肪族化合物は、飽和であっても不飽和であってもよく、直鎖状であっても分岐状であってもよく、酸素原子等のヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ｒ２のアルキレン基の炭素数は、５〜１６が好ましく、５〜１４がより好ましく、５〜１２がさらに好ましい。これらの中でも、炭素数６〜１２のアルキレン基が好ましく、炭素数６〜１０のアルキレン基がより好ましい。前記アルキレン基は、直鎖アルキレン基であっても分岐アルキレン基であってもよく、直鎖アルキレン基であることが好ましい。
Ｒ２は、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基及びデカメチレン基から選ばれる少なくとも１種であることが特に好ましい。
【００８０】
Ｒ２は、エーテル基を含む炭素数５〜１６の２価の鎖状脂肪族基であることも好ましい。前記炭素数は、５〜１４であることが好ましく、５〜１２であることがより好ましい。
これらのうち、Ｒ２は下記式（Ｒ２−１）又は（Ｒ２−２）で表される２価の基であることが特に好ましい。
【００８１】
【化８】
2020123613.tif 000010
（ｍ２１及びｍ２２は、それぞれ独立に、１〜１５の整数であり、好ましくは１〜１３、より好ましくは１〜１１、更に好ましくは２〜６である。ｍ２３〜ｍ２５は、それぞれ独立に、１〜１４の整数であり、好ましくは１〜１２、より好ましくは１〜１０、更に好ましくは２〜４である。）
【００８２】
Ｒ２の２価の鎖状脂肪族基の炭素数は５〜１６であり、５〜１４が好ましく、５〜１２がより好ましい。したがって、前記式（Ｒ２−１）におけるｍ２１及びｍ２２は、前記式（Ｒ２−１）で表される２価の基の炭素数が５〜１６（好ましくは炭素数５〜１４、より好ましくは炭素数５〜１２）の範囲に入るように選択される。すなわち、ｍ２１＋ｍ２２は５〜１６（好ましくは５〜１４、より好ましくは５〜１２）である。
同様に、式（Ｒ２−２）におけるｍ２３〜ｍ２５は、式（Ｒ２−２）で表される２価の基の炭素数が５〜１６（好ましくは炭素数５〜１４、より好ましくは炭素数５〜１２）の範囲に入るように選択される。すなわち、ｍ２３＋ｍ２４＋ｍ２５は５〜１６（好ましくは５〜１４、より好ましくは５〜１２）である。
【００８３】
前記式（２）のＸ２は、前記式（１）におけるＸ１と同様に定義され、好ましい実施形態も同様である。
【００８４】
前記式（１）の繰り返し構成単位と前記式（２）の繰り返し構成単位の合計に対する、前記式（１）の繰り返し構成単位の含有比は２０〜７０モル％である。前記式（１）の繰り返し構成単位の含有比が上記範囲である場合、前記ポリイミドを容易に結晶化させることができる。前記含有量比が２０モル％未満であると成形加工性が低下し、７０モル％を超えると結晶性が低下するため、耐熱性が低下する。
前記式（１）の繰り返し構成単位と前記式（２）の繰り返し構成単位の合計に対する、前記式（１）の繰り返し構成単位の含有比は、成形加工性の観点及び結晶化の容易さの観点から、２５モル％以上６５モル％以下が好ましく、３０モル％以上６０モル％以下がより好ましく、３２モル％以上５７モル％以下がさらに好ましい。
【００８５】
前記ポリイミドを構成する全繰り返し単位に対する、前記式（１）の繰り返し構成単位と前記式（２）の繰り返し構成単位の合計の含有比は、５０モル％以上１００モル％以下が好ましく、７５モル％以上１００モル％以下がより好ましく、８０モル％以上１００モル％以下がさらに好ましく、８５モル％以上１００モル％以下が特に好ましい。
【００８６】
前記ポリイミドは、さらに、下記式（３）の繰り返し構成単位を含有してもよい。その場合、前記式（１）の繰り返し構成単位と前記式（２）の繰り返し構成単位の合計に対する、下記式（３）の繰り返し構成単位の含有比は、好ましくは２５モル％以下である。一方で、下限は特に限定されず、０モル％を超えていればよい。
前記含有比は、耐熱性向上の観点及び結晶化の容易さの観点から、５モル％以上２０モル％以下が好ましく、１０モル％以上１５モル％以下がより好ましい。
【００８７】
【化９】
2020123613.tif 000011
（Ｒ３は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の２価の基である。Ｘ３は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の４価の基である。）
【００８８】
Ｒ３は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の２価の基である。前記芳香環は単環でも縮合環でもよく、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、及びテトラセン環が挙げられる。これらの中でも、好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｒ３の炭素数は６〜２２であり、６〜１８であることが好ましい。
Ｒ３が含む芳香環の数は、少なくとも１つであり、１〜３つがより好ましい。
前記芳香環には１価もしくは２価の電子求引性基が結合していてもよい。１価の電子求引性基としてはニトロ基、シアノ基、ｐ−トルエンスルホニル基、ハロゲン、ハロゲン化アルキル基、フェニル基、アシル基などが挙げられる。２価の電子求引性基としては、フッ化アルキレン基（例えば−Ｃ（ＣＦ３）２−、−（ＣＦ２）ｐ−（ここで、ｐは１〜１０の整数である。））のようなハロゲン化アルキレン基のほかに、−ＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＳＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−などが挙げられる。
Ｒ３は、下記式（Ｒ３−１）又は（Ｒ３−２）で表される２価の基であることが好ましい。
【００８９】
【化１０】
2020123613.tif 000012
（ｍ３１及びｍ３２は、それぞれ独立に、０〜２の整数であり、好ましくは０又は１である。ｍ３３及びｍ３４は、それぞれ独立に、０〜２の整数であり、好ましくは０又は１である。Ｒ２１、Ｒ２２、及びＲ２３は、それぞれ独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、又は炭素数２〜４のアルキニル基である。ｐ２１、ｐ２２及びｐ２３は０〜４の整数であり、好ましくは０である。Ｌ２１は、単結合、エーテル基、カルボニル基又は炭素数１〜４のアルキレン基である。）
【００９０】
Ｒ３は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の２価の基であるので、式（Ｒ３−１）におけるｍ３１、ｍ３２、Ｒ２１及びｐ２１は、式（Ｒ３−１）で表される２価の基の炭素数が６〜２２の範囲に入るように選択される。
同様に、式（Ｒ３−２）におけるＬ２１、ｍ３３、ｍ３４、Ｒ２２、Ｒ２３、ｐ２２及びｐ２３は、式（Ｒ３−２）で表される２価の基の炭素数が１２〜２２の範囲に入るように選択される。
【００９１】
前記式（３）のＸ３は、前記式（１）におけるＸ１と同様に定義され、好ましい実施形態も同様である。
【００９２】
前記ポリイミドを構成する全繰り返し構成単位に対する、前記式（３）の繰り返し構成単位の含有比は、２５モル％以下であることが好ましい。一方で、下限は特に限定されず、０モル％を超えていればよい。
前記含有比は、耐熱性向上の観点および結晶化の容易さを維持する観点から、５モル％以上２０モル％以下が好ましく、７モル％以上１５モル％以下がより好ましい。
【００９３】
前記ポリイミドは、さらに、下記式（４）で示される繰り返し構成単位を含有してもよい。
【００９４】
【化１１】
2020123613.tif 000013
（Ｒ４は−ＳＯ２−又は−Ｓｉ（Ｒｘ）（Ｒｙ）Ｏ−を含む２価の基であり、Ｒｘ及びＲｙはそれぞれ独立に、炭素数１〜３の鎖状脂肪族基又はフェニル基を表す。Ｘ４は少なくとも１つの芳香環を含む炭素数６〜２２の４価の基である。）
【００９５】
前記式（４）のＸ４は、前記式（１）におけるＸ１と同様に定義され、好ましい実施形態も同様である。
【００９６】
前記ポリイミドは、さらに炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基を末端に有する。
前記鎖状脂肪族基は、飽和であっても不飽和であってもよく、直鎖状であっても分岐状であってもよい。前記ポリイミドは上記特定の基を末端に有するので、耐熱老化性に優れる。具体的には、前記ポリイミドを含むフィルムを２００℃以上の高温環境下で数日保存しても分子量保持率の低下が少なく、前記フィルムの機械的強度（靭性）が保持される。
【００９７】
炭素数５〜１４の飽和鎖状脂肪族基としては、例えば、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ラウリル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、２−メチルペンチル基、２−メチルヘキシル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、イソノニル基、２−エチルオクチル基、イソデシル基、イソドデシル基、イソトリデシル基、イソテトラデシル基等が挙げられる。
炭素数５〜１４の不飽和鎖状脂肪族基としては、例えば、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−へキセニル基、２−へキセニル基、１−ヘプテニル基、２−ヘプテニル基、１−オクテニル基、２−オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基等が挙げられる。
【００９８】
前記鎖状脂肪族基は飽和鎖状脂肪族基であることが好ましく、飽和直鎖状脂肪族基であることがより好ましい。また前記ポリイミドの優れた成型加工性、耐熱性、耐熱老化性を得る観点から、前記鎖状脂肪族基の炭素数は、好ましくは６〜１２、より好ましくは７〜１０、更に好ましくは８〜９である。前記鎖状脂肪族基は１種のみでもよく、２種以上でもよい。
前記鎖状脂肪族基は、特に好ましくはｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基から選ばれる少なくとも１種であり、更に好ましくはｎ−オクチルアミン、イソオクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、ｎ−ノニルアミン、及びイソノニルアミンから選ばれる少なくとも１種であり、最も好ましくはｎ−オクチル基、イソオクチル基、及び２−エチルヘキシル基から選ばれる少なくとも１種である。
前記ポリイミドは、耐熱老化性の観点から、末端アミノ基及び末端カルボキシル基以外に、炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基のみを末端に有することが好ましい。上記以外の基を末端に有する含む場合、その含有量は、好ましくは炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基に対し１０モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。
【００９９】
前記ポリイミド中の前記炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基の含有量は、優れた耐熱老化性を発現する観点および良好な機械的物性を得るための分子量の確保の観点から、ポリイミド中の全繰り返し構成単位の合計１００モル％に対し、０．０１モル％以上１０モル％以下が好ましく、０．１モル％以上６モル％以下がより好ましく、０．２モル％以上３．５モル％以下がさらに好ましい。
前記ポリイミド中の前記炭素数５〜１４の鎖状脂肪族基の含有量は、ポリイミドを解重合することにより求めることができる。
【０１００】
前記ポリイミドは、３６０℃以下の融点を有し、かつ１５０℃以上のガラス転移温度を有することが好ましい。
前記ポリイミドの融点は、耐熱性の観点および成形加工性の観点から、２８０℃以上３４５℃以下がより好ましく、２９０℃以上３４０℃以下がさらに好ましい。
前記ポリイミドのガラス転移温度は、耐熱性の観点および成形加工性の観点から、１６０℃以上２５０℃以下が好ましく、１７０℃以上２３０℃以下がより好ましく、１７０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。
前記ポリイミドの融点、ガラス転移温度は、いずれも示差走査型熱量計により測定することができる。
結晶性、耐熱性、機械的強度、耐薬品性を向上させる観点から、示差走査型熱量計測定により、前記ポリイミドを溶融後、降温速度２０℃／分で冷却した際に観測される結晶化発熱ピークの熱量（以下、単に「結晶化発熱量」ともいう）が、５．０ｍＪ／ｍｇ以上であることが好ましく、１０．０ｍＪ／ｍｇ以上であることがより好ましく、１７．０ｍＪ／ｍｇ以上であることが更に好ましい。結晶化発熱量の上限値は特に限定されないが、通常、４５．０ｍＪ／ｍｇ以下である。
前記ポリイミドの融点、ガラス転移温度、結晶化発熱量は、具体的には特許第６０３７０８８号公報に記載の方法で測定できる。
【０１０１】
前記ポリイミドの５質量％濃硫酸溶液の３０℃における対数粘度は、好ましくは０．２〜２．０ｄＬ／ｇ、より好ましくは０．３〜１．８ｄＬ／ｇの範囲である。対数粘度が０．２ｄＬ／ｇ以上であれば成形体とした際に十分な機械的強度が得られ、２．０ｄＬ／ｇ以下であると、成形加工性及び取り扱い性が良好である。対数粘度μは、キャノン・フェンスケ粘度計を使用して、３０℃において濃硫酸及び上記ポリイミド溶液の流れる時間をそれぞれ測定し、下記式から求められる。
μ＝ｌｎ（ｔｓ／ｔ０）／Ｃ
ｔ０：濃硫酸の流れる時間
ｔｓ：ポリイミド溶液の流れる時間
Ｃ：０．５（ｇ／ｄＬ）
【０１０２】
前記ポリイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００〜１００，０００、より好ましくは１２，０００〜８０，０００、更に好ましくは１３，０００〜６０，０００である。Ｍｗが１０，０００以上であれば機械的強度が良好であり、１００，０００以下であれば成形加工性が良好である。また、前記ポリイミドの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは３，０００〜８０，０００、より好ましくは４，０００〜５０，０００、更に好ましくは５，０００〜３０，０００である。ポリイミドの分子量（Ｍｗ，Ｍｎ）は、ゲルろ過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定できる。
前記ポリイミドは、厚さ１００μｍのフィルム状に成形し、２００℃で７２時間加熱した後のＭｗの保持率が好ましくは９５％以上、より好ましくは９８％以上であり、Ｍｎの保持率が好ましくは８３％以上、より好ましくは８５％以上である。Ｍｗ及びＭｎの保持率が上記範囲であれば、耐熱老化性が良好であり、金属を含む導電層２０に対する接着性が優れる。
上記Ｍｗの保持率は１００％を超えてもよく、好ましい上限値は１２０％である。Ｍｗの保持率が１００％を超えている場合は、分子内で架橋が生じているものと考えられる。
上記Ｍｎの保持率の好ましい上限値は１００％である。
上記Ｍｗ及びＭｎの保持率は、下記式から算出できる。
｛２００℃７２時間加熱後の分子量／加熱前の分子量｝×１００（％）
【０１０３】
前記ポリイミドの製造方法は、例えば、特許第６０３７０８８号公報に開示されている。
【０１０４】
前記ポリイミドの市販品の例としては、例えば、三菱ガス化学株式会社製のサープリム（登録商標）が挙げられる。
【０１０５】
＜回路基板の製造方法＞
本発明の第三態様の回路基板の製造方法は、配線が形成された基材の少なくとも一方の面に対して、本発明の電磁波シールドフィルムの前記融着接着層を接触させ、前記融着接着層を１６０〜２８０℃で加熱することにより、前記一方の面に前記融着接着層を介して前記電磁波シールドフィルムを接着する工程を有する、回路基板の製造方法である。
上記の加熱の際には、前記電磁波シールドフィルムを前記基材に対して加圧することにより、前記電磁波シールドフィルムと前記基材とを圧着することが好ましい。
【０１０６】
図２に例示した回路基板２は、例えば、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を有する方法によって製造できる。
工程（ａ）：フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に、電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０を接触させて置く。
工程（ｂ）：工程（ａ）の後、フレキシブルプリント配線板５０と、電磁波シールドフィルム１とを互いに圧着する。この際、融着接着層６０を加熱して、軟化させた状態で圧着させる。加熱及び圧着は、公知の熱プレス機を用いて行う。
工程（ｃ）：工程（ｂ）の後、キャリアフィルム３０が不要になった際にキャリアフィルム３０を剥離する。
工程（ｄ）：必要に応じて、絶縁樹脂層１０の一部の領域を除去して、当該領域に露出したシールド層２０と、外部のグランド等とに配線して電気的に接続する。
【０１０７】
加熱及び圧着（熱プレス）の時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、３０秒以上３０分以下がより好ましい。上記範囲の下限値以上であれば、融着接着層６０とフレキシブルプリント配線板５０とを容易に接着できる。上記範囲の上限値以下であれば、回路基板２の製造時間を短縮できる。
【０１０８】
熱プレスの温度（プレス機の熱盤の温度）は、１６０℃以上２８０℃以下が好ましく、１８０℃以上２６０℃以下がより好まし、１８０℃以上２２０℃以下がさらに好ましい。上記範囲の下限値以上であれば、融着接着層６０とフレキシブルプリント配線板５０とを容易に接着できる。上記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を充分に抑えることができる。
【０１０９】
熱プレスの圧力は、０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましく、１ＭＰａ以上１６ＭＰａ以下がより好ましく、２ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下がさらに好ましく、３ＭＰａ以上７ＭＰａ以下が特に好ましい。上記範囲の下限値以上であれば、融着接着層６０とフレキシブルプリント配線板５０とを容易に接着できる。上記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０の破損を充分に防止することができる。
【０１１０】
（作用効果）
従来、低誘電率の基板本体に対して、同程度に誘電率が低い液晶ポリマーのカバーレイを介して電磁波シールドフィルムを融着接着する場合があった。液晶ポリマーを融着するためには比較的高い温度で加熱することが要求される。一方、本発明においては、従来のカバーレイに相当する融着接着層が芳香族ポリエーテルケトンを含むので、液晶ポリマーよりも低温で融着させることができる。また、本発明においては、融着接着層の結晶化度を下げてもよく、シールド層と回路配線とを電気的に接続することも容易であり、製造歩留まりも向上する。さらに、本発明においては、融着接着層の金属や樹脂に対する接着性が、液晶ポリマーよりも高いので、回路基板を構成する融着接着層における層間剥離が起こり難い。そのうえ、本発明においては、融着接着層の誘電率（比誘電率）、Ｔａｎδが液晶ポリマーと同等であるので、高周波特性、伝送特性等も良好である。
【０１１１】
（他の実施形態）
本態様の回路基板は、上記の実施形態に限定されない。
例えば、フレキシブルプリント配線板５０は、裏面側にグランド層を有するものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板５０は、両面にプリント回路５４を有し、両面に電磁波シールドフィルム１が接着されたものであってもよい。
また、フレキシブルプリント配線板５０の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
また、回路基板における電磁波シールドフィルムには、絶縁樹脂層に貫通孔が設けられ、その貫通孔を介して、シールド層と外部回路やＧＮＤとが電気的に接続されてもよい。
【実施例】
【０１１２】
各測定は下記の方法で行った。
〔見かけのせん断粘度〕
電磁波シールドフィルムの融着接着層の形成に用いる芳香族ポリエーテルケトンの樹脂フィルムの見かけのせん断粘度については、芳香族ポリエーテルケトンを１５０℃で２４時間乾燥させた後、ツインキャピラリーレオメーターＲ６０００（ＩＭＡＴＥＫ社製：商品名）を使用して測定した。具体的には、先ず、キャピラリーダイ：φ１．０ｍｍ×１６ｍｍ（ロングダイ）、φ１．０ｍｍ×０．２５ｍｍ（ショートダイ）、バレル径：１５ｍｍ、温度：３９０℃において、芳香族ポリエーテルケトンをバレル内に４０ｇ投入し、ロングダイ側：０．９ＭＰａ、ショートダイ側：０．３ＭＰａになるまでピストンを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、圧力が所定値の圧力となったら、そのままの状態で６分間保持した。
その後、再び、ロングダイ側：０．９ＭＰａ、ショートダイ側：０．３ＭＰａになるまでピストンを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、圧力が所定値の圧力となったら、所定の見かけのせん断速度（１０、２０、３０、５０、８０、１００、２００、３００、８００ｓｅｃ−１）を与えて測定し、見かけのせん断粘度を求めた。
【０１１３】
〔相対結晶化度〕
電磁波シールドフィルムの融着接着層の形成に用いる芳香族ポリエーテルケトンの樹脂フィルムの相対結晶化度については、樹脂フィルムから測定試料約８ｍｇを秤量し、示差走査熱量計〔エスアイアイ・ナノテクノロジーズ社製  製品名：ＥＸＳＴＡＲ７０００シリーズ  Ｘ−ＤＳＣ７０００〕を使用して昇温速度１０℃／分、測定温度範囲２０℃から３８０℃まで測定した。このときに得られる結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）、再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）から以下の式を用いて算出した。
相対結晶化度（％）＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ここで、ΔＨｃは樹脂フィルムの１０℃／分の昇温条件下での再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）を表し、ΔＨｍは樹脂フィルムの１０℃／分の昇温条件下での結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）を表す。
【０１１４】
〔ガラス転移温度〕
電磁波シールドフィルムの融着接着層の形成に用いる芳香族ポリエーテルケトンの樹脂フィルムのガラス転移温度については、樹脂フィルムの損失弾性率（Ｅ”）を測定し、その値が極大になった温度をガラス転移温度とした。損失弾性率は、樹脂フィルムの押出方向で測定した。具体的には、樹脂フィルムを押出方向６０ｍｍ×幅方向６ｍｍの大きさに切り出し、粘弾性スペクトロメータ（ティー・エス・インスツルメント・ジャパン社製  製品名：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いた引張モードにより、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度３℃／分、測定温度範囲−６０℃から３８０℃以下、チェック間２１ｍｍの条件で測定した。
【０１１５】
〔誘電特性（比誘電率、誘電正接）〕
樹脂フィルムの周波数：１ＧＨｚにおける誘電特性は、ネットワーク・アナライザー〔アジレント・テクノロジー社製  ＰＮＡ−Ｌネットワーク・アナライザー  Ｎ５２３０Ａ〕を用い、空洞共振器摂動法により測定した。１ＧＨｚにおける誘電特性の測定は、空洞共振器を空洞共振器１ＧＨｚ〔関東電子応用開発社製  型式；ＣＰ４３１〕に変更した以外は、ＡＳＴＭＤ２５２０に準拠して実施した。誘電特性の測定は、温度：２３℃±１℃、湿度５０％ＲＨ±５％ＲＨ環境下で実施した。
【０１１６】
（材料）
以下、図１に例示した電磁波シールドフィルム１の符号を用いて説明する。
絶縁樹脂層１０の形成用塗料として、（メタ）アクリロイル基を有する化合物の溶液（亜細亜工業社製、ＥＸＣＥＬＡＴＥ  ＲＵＡ−０５４、アクリルポリマーアクリレート、固形分：７３質量％、溶剤：酢酸ブチル、メチルイソブチルケトン）の１００ｇに、光ラジカル重合開始剤（ＢＡＳＦ社製、イルガキュア（登録商標）１８４）の１．７１ｇ、黒色染料（オリエント化学工業社製、ＯＲＩＰＡＣＳ（登録商標）Ｂ−２０、アゾ化合物クロム錯体）を添加したものを用意した。
【０１１７】
基材フィルム付きのシールド層２０として、ＰＥＴフィルム付き銅箔（東レＫＰフィルム社製、ケーピーセデュース（登録商標）、銅箔厚さ：０．５μｍ、銅箔表面抵抗：０．０１５Ω／□、ＰＥＴフィルム厚さ：５０μｍ）を用意した。
キャリアフィルム３０として、粘着フィルム（パナック社製、パナプロテクト（登録商標）ＮＴ、粘着力：０．１７Ｎ／ｃｍ、ＰＥＴフィルム厚さ：５０μｍ）を用意した。
保護フィルム４０として、粘着フィルム（パナック社製、パナプロテクト（登録商標）ＥＴ、粘着力：０．０８Ｎ／ｃｍ、ＰＥＴフィルム厚さ：５０μｍ）を用意した。
【０１１８】
［実施例１］
（電磁波シールドフィルムの製造）
ＰＥＴフィルム付き銅箔の表面に、絶縁樹脂層１０の形成用塗工液を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、シールド層２０である銅箔の表面に絶縁樹脂層１０（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０１２Ω／□以上）を設けた。
次いで、絶縁樹脂層１０の表面にキャリアフィルム３０を、絶縁樹脂層１０と粘着剤層３４とが接するように貼り付けた。基材フィルムを銅箔から剥離し、第１の積層体を得た。
【０１１９】
保護フィルム４０の粘着剤層４４表面に、厚さ２５μｍのＰＥＥＫフィルム（信越ポリマー社製）からなる融着接着層６０を貼り合せて、第２の積層体を得た。
【０１２０】
第１の積層体と第２の積層体とを、シールド層２０である銅箔と融着接着層６０とが接するように重ね、温度：２００℃、圧力：５ＭＰａの条件で圧着し、電磁波シールドフィルム１を得た。
【０１２１】
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の厚さは２５μｍであった。
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の相対結晶化度は、２６．１％であった。
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の溶融粘度は、３９０℃での見かけのせん断速度が１×１０２／秒であるとき、８７５Ｐａ・ｓであるであった。
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の非晶部のガラス転移点は、１４７℃であった。
【０１２２】
（回路基板の製造）
ＰＥＥＫ（信越ポリマー株式会社）からなる厚さ２５μｍの基材フィルム（温度：２３℃、周波数：１ＧＨｚにおける比誘電率＝３．０、誘電正接＝０．００２）の一方の表面に配線回路が形成された基板本体を用意した。
基板本体の一方の表面に、保護フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０を接触させて重ね置き、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：５ＭＰａで５分間熱プレスし、基板本体の一方の表面に、電磁波シールドフィルム１を接着した。絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離して、回路基板２を得た。得られた回路基板２を１５０℃で１時間乾燥して、絶縁樹脂層１０を本硬化した。
【０１２３】
［実施例２］
（電磁波シールドフィルムの製造）
保護フィルム４０の粘着層４４表面に、厚さ１０μｍのＰＥＥＫフィルム（信越ポリマー社製）からなる融着接着層６０を貼り合せて、第１の積層体を得た。
次いで、第１の積層体の融着接着層６０側に、蒸着により厚さ１μｍの銅膜を形成し、更にこの銅膜の上に、前述した絶縁樹脂層１０の形成用塗料を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、シールド層２０である銅膜の表面に、絶縁樹脂層１０（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０１２Ω／□以上）を設けた。
次いで、絶縁樹脂層１０の表面にキャリアフィルム３０を、絶縁樹脂層１０と粘着剤層３４とが接するように貼り付けた。
【０１２４】
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の厚さは１０μｍであった。
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の結晶化度は、２６．１％であった。
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の溶融粘度は、３９０℃での見かけのせん断速度が１×１０２／秒であるとき、８７５Ｐａ・ｓであるであった。
得られた電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０（ＰＥＥＫフィルム）の非晶部のガラス転移点は、１４７℃であった。
【０１２５】
（回路基板の製造）
ＰＥＥＫ（信越ポリマー株式会社）からなる厚さ２５μｍの基材フィルムの一方の表面に配線回路が形成された基板本体を用意した。
基板本体の一方の表面に、保護フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０を接触させて重ね置き、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：５ＭＰａで５分間熱プレスし、基板本体の一方の表面に、電磁波シールドフィルム１を接着した。絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離して、回路基板２を得た。得られた回路基板２を１５０℃で１時間乾燥して、絶縁樹脂層１０を本硬化した。
【０１２６】
［実施例３］
融着接着層６０の材料として、ＰＥＥＫフィルム（信越ポリマー社製）に代えて、ＰＥＫＫフィルム（信越ポリマー社製）を用いたこと以外は、実施例２と同様に製造し、実施例２の回路基板２を得た。
【０１２７】
［実施例４］
実施例２と同様にして、電磁波シールドフィルム１を得た。
熱可塑性ポリイミド（三菱ガス化学社製）からなる厚さ２５μｍの基材フィルム、（温度：２３℃、周波数：１ＧＨｚにおける比誘電率：２．７、誘電正接：０．００３）の一方の表面に配線回路が形成された基板本体を用意した。
基板本体の一方の表面に、保護フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０を接触させて重ね置き、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：５ＭＰａで５分間熱プレスし、基板本体の一方の表面に、電磁波シールドフィルム１を接着した。絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離して、回路基板２を得た。得られた回路基板２を１５０℃で１時間乾燥して、絶縁樹脂層１０を本硬化した。
【０１２８】
［実施例５］
実施例２と同様にして、電磁波シールドフィルム１を得た。
液晶ポリマー（クラレ社製）からなる厚さ５０μｍの基材フィルム（製品名：ベクスター、温度：２３℃、周波数：１ＧＨｚにおける比誘電率：３．０、誘電正接：０．００２）の一方の表面に配線回路が形成された基板本体を用意した。
基板本体の一方の表面に、保護フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１の融着接着層６０を接触させて重ね置き、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：５ＭＰａで５分間熱プレスし、基板本体の一方の表面に、電磁波シールドフィルム１を接着した。絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離して、回路基板２を得た。得られた回路基板２を１５０℃で１時間乾燥して、絶縁樹脂層１０を本硬化した。
【０１２９】
［比較例１］
保護フィルム４０の粘着層４４表面に、厚さ１０μｍの液晶ポリマーフィルム（クラレ社製）からなる融着接着層６０を貼り合せて、第１の積層体を得た。
次いで、第１の積層帯の融着接着層６０側に、蒸着により厚さ１μｍの銅膜を形成し、更にこの銅膜の上に、前述した絶縁樹脂層１０の形成用塗料を＃４のバーコーターを用いて塗布した。塗膜を１００℃で１分間乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射して、シールド層２０である銅膜の表面に、絶縁樹脂層１０（厚さ：１０μｍ、表面抵抗：１．０×１０１２Ω／□以上）を設けた。
次いで、絶縁樹脂層１０の表面にキャリアフィルム３０を、絶縁樹脂層１０と粘着剤層３４とが接するように貼り付けて、比較例１の電磁波シールドフィルムを得た。
次いで、実施例１と同様にして、配線回路が形成された基板本体の一方の表面に、比較例１の電磁波シールドフィルムの液晶ポリマーフィルムを接触させて重ね置き、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：３９０℃、荷重：１５ＭＰａで６０分間熱プレスし、基板本体の一方の表面に、電磁波シールドフィルムを接着した。絶縁樹脂層１０を本硬化して、比較例１の回路基板を得た。
【０１３０】
［比較例２］
まず、実施例１と同様にして、第１の積層体を得た。
次に、第１の積層体の銅箔の表面に、導電性接着剤塗料をコンマコーターで塗布した。この塗膜を１００℃で１分間乾燥して、厚さ１０μｍの異方導電性接着剤層を設けて、比較例２の電磁波シールドフィルムを得た。
次いで、実施例１で使用したものと同様の配線回路が形成された基板本体の一方の表面に、接着剤を介して厚さ２５μｍの絶縁性のポリイミドフィルム（カバーレイ）を接着した。
続いて、基板本体の一方の面に接着されたカバーレイの表面に、比較例２の電磁波シールドフィルムの異方導電性接着剤を接触させて重ね置き、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：５ＭＰａで５分間熱プレスし、基板本体の一方の表面に、ポリイミドフィルム製のカバーレイを介して、電磁波シールドフィルムを接着した。最後に、絶縁樹脂層１０と異方導電性接着剤層を本硬化して、比較例２の回路基板を得た。
【０１３１】
比較例２で使用した導電性接着剤塗料は、酢酸ビニル樹脂溶液（昭和電工社製、ビニロール（登録商標）Ｋ−２Ｓ、固形分：１５質量％、溶剤：メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メタノール）の１００ｇおよびエポキシ樹脂（三菱ケミカル社製、ｊＥＲ（登録商標）１０３１Ｓ、固形分：６０質量％、溶剤：メチルエチルケトン）の４．１ｇに、銅粒子（平均粒子径：８μｍ）の４．５ｇおよびガリック酸の０．５ｇを混合した組成物である。
【０１３２】
［評価］
各例の回路基板について、下記の方法により、電磁波シールドフィルム１と基板本体５０との接着性を評価した。
回路基板２における電磁波シールドフィルム１の絶縁樹脂層１０の表面と、回路基板２における基板本体５０の液晶ポリマーフィルムの裏面（他方の面）に、ボンディングシート（デクセリアルズ社製、Ｄ３４１０）を介して、厚さ２５μｍのポリイミド補強板をそれぞれ熱圧着して、引張試験用試験片を作製した。
前記試験片の各ポリイミド補強板に引張試験機のチャックをそれぞれ取り付け、ＪＩＳ  Ｚ０２３７に従い、１８０°剥離方向、引張速度５０ｍｍ／分の条件で剥離試験をおこなった。
【０１３３】
［結果］
実施例１の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約１０Ｎ／ｃｍでボンディングシートの母材破壊が起こっており、融着接着層６０と基板本体５０との接着は維持されていた。
実施例２の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約１１Ｎ／ｃｍで、ボンディングシートの母材破壊が起こっており、融着接着層６０と基板本体５０との接着は維持されていた。
実施例３の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約９Ｎ／ｃｍで、融着接着層６０と基板本体５０との間で層間剥離が生じた。
実施例４の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約１０Ｎ／ｃｍでボンディングシートの母材破壊が起こっており、融着接着層６０と基板本体５０との接着は維持されていた。
実施例５の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約１０Ｎ／ｃｍでボンディングシートの母材破壊が起こっており、融着接着層６０と基板本体５０との接着は維持されていた。
比較例１の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約１Ｎ／ｃｍで、液晶ポリマーフィルムからなる融着接着層６０と、銅箔からなるシールド層２０との間で層間剥離が生じた。
比較例２の回路基板２を用いた試験片では、剥離強度が約７Ｎ／ｃｍで、ポリイミドフィルム製のカバーレイと、基板本体５０との間で層間剥離が生じた。
【０１３４】
以上の結果から、芳香族ポリエーテルケトンの一種であるＰＥＥＫ又はＰＥＫＫを含む融着接着層を備えた電磁波シールドフィルムは、液晶ポリマー等の誘電率が低い基材を備えた配線基板に対する接着性に優れることが理解される。
【符号の説明】
【０１３５】
１  電磁波シールドフィルム
２  回路基板
１０  絶縁樹脂層
２０  シールド層
３０  キャリアフィルム
３２  キャリアフィルム本体
３４  粘着剤層
４０  保護フィルム
４２  保護フィルム本体
４４  粘着剤層
５０  フレキシブルプリント配線板
５２  ベースフィルム
５４  プリント回路
６０  融着接着層
【図１】
2020123613.tif 000015
【図２】
2020123613.tif 000016