(57)【要約】【課題】安定した光学的性能を有する発光素子チップを提供することを目的とする。【解決手段】発光素子チップ（１）は、駆動回路を有する基板（１０）と、基板（１０）上に設けられて出射面部（Ａ）から光を出射する発光素子（２）と、発光素子（２）を出射面部（Ａ）を露出させるように覆う絶縁膜（４）と、絶縁膜（４）上に形成されて駆動回路に接続された配線層（５１）と、発光素子（２）の出射面部（Ａ）の少なくとも一部と配線層（５１）の少なくとも一部とを覆うように形成された透明電極（３１）とを備える。【選択図】図２
2020123603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路を有する基板と、
前記基板上に設けられ、出射面部から光を出射する発光素子と、
前記発光素子を、前記出射面部を露出させるように覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記駆動回路に接続された配線層と、
前記発光素子の前記出射面部の少なくとも一部と、前記配線層の少なくとも一部を覆うように形成された透明電極と
を備えたことを特徴とする発光素子チップ。
【請求項２】
前記発光素子は、その内部に、通電により光を発生する発光部を有し、
前記配線層は、前記基板の板面に直交する方向において、前記発光部と重なり合わない位置に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子チップ。
【請求項３】
前記配線層は、前記発光素子の前記発光部よりも前記基板側に形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子チップ。
【請求項４】
前記透明電極は、前記絶縁膜上で前記配線層の少なくとも一部を覆うように形成されている
ことを特徴とする請求項１から３までの何れか１項に記載の発光素子チップ。
【請求項５】
前記発光素子の前記透明電極が形成された部分とは異なる部分に形成された金属電極をさらに有する
請求項１から４までの何れか１項に記載の発光素子チップ。
【請求項６】
前記透明電極は、前記前記出射面部と前記配線層とを結ぶ方向に直交する方向の幅を有し、当該幅は、前記出射面部の前記方向の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の発光素子チップ。
【請求項７】
前記発光素子は、前記透明電極と、金属電極とを有する２端子発光素子である
ことを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の発光素子チップ。
【請求項８】
前記発光素子は、基板に近い側から順に、第１のコンタクト層、第１のクラッド層、活性層、第２のクラッド層および第２のコンタクト層を積層した積層体を有し、
前記透明電極は、前記第２のコンタクト層上に形成され、
前記金属電極は、前記第１のコンタクト層上に形成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の発光素子チップ。
【請求項９】
前記配線層は、前記基板の板面に直交する方向において、前記活性層とは重なり合わない位置に形成されている
ことを特徴とする請求項８に記載の発光素子チップ。
【請求項１０】
前記発光素子は、前記透明電極と、第１の金属電極と、第２の金属電極とを有する３端子発光素子である
ことを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の発光素子チップ。
【請求項１１】
前記発光素子は、前記基板に近い側から順に、第１層、第２層、第３層および第４層を積層した積層体を有し、
前記透明電極は、前記第４層上に形成され、
前記第１の金属電極は、前記第１層上に形成され、
前記第２の金属電極は、前記第２層上に形成されている  
ことを特徴とする請求項１０に記載の発光素子チップ。
【請求項１２】
前記配線層は、前記基板の板面に直交する方向において、前記第２層および前記第３層における最も電流が流れる部分とは重なり合わない位置に形成されている
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光素子チップ。
【請求項１３】
前記透明電極は、ＩＴＯ、ＡＺＯまたはＧＺＯで構成されている
ことを特徴とする請求項１から１２までの何れか１項に記載の発光素子チップ。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の発光素子チップと、
前記発光素子チップの発光素子から出射された光を集光させるレンズ要素を有するレンズアレイと
を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の露光装置と、
前記露光装置によって潜像が形成される像担持体と、
前記像担持体に形成された潜像を現像して現像剤像を形成する現像部と
を備えた画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光ダイオード、発光サイリスタ等の発光素子を備えた発光素子チップ、並びに、発光素子アレイを備えた露光装置および画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置のプリントヘッドとして用いられる露光装置は、複数の発光素子を配列した発光素子チップを有する。発光素子チップから出射された光は、レンズアレイを介して像担持体の表面に入射し、像担持体の表面に潜像を形成する。
【０００３】
発光素子は、半導体材料層を積層した積層体と、積層体に通電するためのアノード、カソード等の電極とを有する。電極の一つは発光素子からの光の出射面に接合されるため、光を遮らないように透明電極で構成される（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−１０７４２０号公報（図１参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、透明導電は薬品に弱いため、製造工程で膜減り等が発生し、光学的性能が低下する可能性がある。そのため、安定した光学的性能を有する発光素子チップが求められている。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、安定した光学的性能を有する発光素子チップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光学素子アレイチップは、駆動回路を有する基板と、基板上に設けられ、出射面部から光を出射する発光素子と、発光素子を、出射面部を露出させるように覆う絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、駆動回路に接続された配線層と、発光素子の出射面部の少なくとも一部と、配線層の少なくとも一部を覆うように形成された透明電極とを備える。
【０００８】
本発明の露光装置は、上記の発光素子チップと、発光素子チップの発光素子から出射された光を集光させるレンズ要素を有するレンズアレイとを備える。
【０００９】
本発明の画像形成装置は、上記の露光装置と、露光装置によって潜像が形成される像担持体と、像担持体に形成された潜像を現像して現像剤像を形成する現像部とを備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、発光素子の出射面部が透明電極で覆われているため、光の取り出し効率を向上することができる。また、透明電極が配線層の少なくとも一部を覆うように形成されているため、製造工程における透明電極の膜減りの発生を抑制することができる。これにより、安定した光学的性能を有する発光素子チップを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態の発光素子チップを示す平面図である。
【図２】第１の実施の形態の発光素子チップを示す断面図である。
【図３】第１の実施の形態の発光素子チップの製造方法を示す模式図（Ａ）〜（Ｆ）である。
【図４】第２の実施の形態の発光素子チップを示す平面図である。
【図５】第３の実施の形態の発光素子チップを示す平面図である。
【図６】第３の実施の形態の発光素子チップを示す断面図である。
【図７】第４の実施の形態の発光素子チップを示す平面図である。
【図８】第４の実施の形態の発光素子チップを示す断面図である。
【図９】第４の実施の形態の発光素子チップを示す断面図である。
【図１０】第５の実施の形態の発光素子チップの各部の寸法を説明するための模式図である。
【図１１】第６の実施の形態の発光素子チップを示す断面図である。
【図１２】各実施の形態の発光素子チップが適用可能な露光装置としてのプリントヘッドを示す断面図である。
【図１３】図１２のプリントヘッドを備えた画像形成装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
第１の実施の形態．
＜発光素子チップの構成＞
本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、第１の実施の形態の発光素子チップ１を示す平面図である。発光素子チップ１は、基板１０と、基板１０上に設けられた発光素子としての複数のＬＥＤ２とを有する。基板１０は、例えばＳｉまたはプラスチック等で構成された基板であり、平坦な表面を有する。基板１０の表面に、無機膜または有機膜からなる平坦化膜を形成してもよい。
【００１３】
ＬＥＤ２は、基板１０上に一方向に配列されている。基板１０の表面には、ＬＥＤ２の配列方向に直交する方向の一方の側にアノード共通配線１１が形成され、他方の側にカソード共通配線１２が形成されている。アノード共通配線１１およびカソード共通配線１２は、駆動回路の一部を構成する。
【００１４】
以下では、基板１０の板面に平行な面をＸＹ面とする。ＸＹ面において、ＬＥＤ２の配列方向をＸ方向とし、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とする。ＸＹ面に直交する方向をＺ方向とする。
【００１５】
また、ＬＥＤ２に対して、アノード共通配線１１が配置された側を＋Ｙ方向とし、カソード共通配線１２が配置された側を−Ｙ方向とする。また、基板１０からＬＥＤ２に向かう方向を＋Ｚ方向（上方）とし、その反対方向を−Ｚ方向（下方）とする。
【００１６】
図２は、図１に示した線分ＩＩ−ＩＩにおける発光素子チップ１の断面図である。本実施の形態では、ＬＥＤ２は、２端子素子としての発光ダイオードである。
【００１７】
ＬＥＤ２は、基板１０上に、第１のコンタクト層としての下側コンタクト層２１と、第１のクラッド層としての下側クラッド層２２と、発光部としての活性層２３と、第２のクラッド層としての上側クラッド層２４と、第２のコンタクト層としての上側コンタクト層２５とを順に積層した構造を有する。これらの層２１〜２５は、例えば、ＡｌＧａＡｓ系半導体材料で構成される。
【００１８】
ＬＥＤ２は、半導体薄膜を成長基板上でエピタキシャル成長させ、その半導体薄膜を成長基板から剥離して基板１０の表面に貼り付け、フォトリソグラフィ工程（レジスト塗布、露光、現像、エッチング）による素子分離を行うことで形成される。ＬＥＤ２は、分子間力により基板１０の表面に固定される。なお、上記フォトリソグラフィ工程により、ＬＥＤ２は、下側コンタクト層２１の表面の一部を露出させるようにパターニングされる。
【００１９】
ＬＥＤ２を覆うように、絶縁膜４が形成されている。絶縁膜４は、ポリイミドまたはエポキシ等の有機材料、もしくはＳｉＮ、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３等の無機材料で構成される。絶縁膜４は、ＬＥＤ２の略全体を覆っているが、上側コンタクト層２５の表面の中央領域と、下側コンタクト層２１の表面の一部を露出させている。
【００２０】
上側コンタクト層２５の表面のうち、絶縁膜４に覆われていない部分（周縁部を除く中央領域）には、透明電極（アノード電極）３１が接合されている。また、下側コンタクト層２１の表面のうち、絶縁膜４に覆われていない部分には、金属電極としてのカソード電極３２が接合されている。
【００２１】
透明電極３１は、ＬＥＤ２の光を透過させる電極材料で構成されている。具体的には、透明電極３１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）またはＧＺＯ（ＧａをドープしたＺｎＯ）で構成される。
【００２２】
上側コンタクト層２５の表面において透明電極３１と接触する領域（コンタクト領域Ａ）は、後述するようにＬＥＤ２の光が出射される出射面部に相当する。
【００２３】
カソード電極３２は、例えば、ＡｕＧｅからなる最下層と、Ｎｉからなる中間層と、Ａｕからなる最上層とからなる３層構造（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）を有する。
【００２４】
絶縁膜４上には、透明電極３１とアノード共通配線１１とを電気的に接続するように、配線層としてのアノード配線層５１が形成されている。アノード配線層５１は、アノード共通配線１１の表面から、透明電極３１との接合部分まで延在している。
【００２５】
透明電極３１とアノード配線層５１との接合部分では、透明電極３１がアノード配線層５１を覆っている。言い換えると、アノード配線層５１は、絶縁膜４の上側で、且つ透明電極３１の下側に形成されている。アノード配線層５１の上端の高さ（Ｚ方向位置）は、上側クラッド層２４の高さと同等であるが、この高さに限定されるものではない。
【００２６】
絶縁膜４上には、また、カソード電極３２とカソード共通配線１２とを電気的に接続するように、カソード配線層５２が形成されている。アノード配線層５１およびカソード配線層５２は、いずれも、ＡｌまたはＡｕ等の金属で構成される。あるいは、Ｔｉからなる最下層と、Ｐｔからなる中間層と、Ａｕからなる最上層とからなる３層構造（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）を有していてもよい。
【００２７】
また、基板１０には、アノード共通配線１１に電気的に接続された外部接続端子としてのアノードパッド（図示せず）と、カソード共通配線１２に電気的に接続された外部接続端子としてのカソードパッド（図示せず）が形成されている。
【００２８】
図１において、アノード配線層５１およびカソード配線層５２のそれぞれの幅（Ｘ方向の寸法）Ｈ２は、上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも狭い。透明電極３１の幅Ｗ１は、コンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも広く、且つ、配線層５１，５２の幅Ｈ２よりも広い。
【００２９】
このように透明電極３１の幅Ｗ１を広くすることで、透明電極３１と上側コンタクト層２５との接触面積を大きくし、電気抵抗を小さくして消費電力を低減することができる。
【００３０】
また、透明電極３１の幅Ｗ１が広すぎると、Ｘ方向に隣り合う透明電極３１同士が干渉する可能性があるため、隣り合う透明電極３１の間には一定の隙間を設ける。ここでは、透明電極３１の幅Ｗ１は、下側コンタクト層２１の幅Ｈ０よりも狭い。
【００３１】
１２００ｄｐｉの解像度に対応する発光素子チップ１の場合、ＬＥＤ２の配列間隔（すなわちＸ方向の中心間距離）Ｄは、例えば２１μｍである。下側コンタクト層２１の幅Ｈ０は、例えば１３μｍであり、上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａの幅Ｈ１は、例えば９μｍである。配線層５１，５２の幅Ｈ２は、例えば７μｍである。これらの数値はあくまでも一例であり、適宜変更することができる。
【００３２】
＜発光素子チップの製造方法＞
次に、発光素子チップ１の製造方法について説明する。図３（Ａ）〜（Ｆ）は、発光素子チップ１の製造工程を示す工程毎の断面図である。まず、図３（Ａ）に示すように、ＬＥＤ２となる半導体薄膜２０を成長基板上でエピタキシャル成長させ、その半導体薄膜２０を成長基板から剥離して基板１０の表面に貼り付ける。基板１０には、予め、アノード共通配線１１およびカソード共通配線１２を含む駆動回路が形成されている。
【００３３】
次に、図３（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程により半導体薄膜２０をパターニングし、ＬＥＤ２を形成する。ＬＥＤ２は、下側コンタクト層２１の表面の一部を露出させる形状にパターニングされる。
【００３４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、ＬＥＤ２の下側コンタクト層２１の表面に、カソード電極３２を形成する。カソード電極３２の形成には、蒸着またはスパッタリングを用いる。カソード電極３２のパターニングは、蒸着またはスパッタリング時のリフトオフによって行う。また、リフトオフの代わりに、蒸着またはスパッタリングにより全面的にカソード電極層を形成し、その後にカソード電極３２に対応する部分をレジストで覆ってエッチングしてもよい。
【００３５】
次に、図３（Ｄ）に示すように、ＬＥＤ２を覆うように、絶縁膜４を形成する。絶縁膜４は、有機絶縁膜の場合にはスピンコートなどによって形成され、無機絶縁膜の場合にはＣＶＤ（化学蒸着）、スパッタまたはＡＬＤ（原子層蒸着）等によって形成される。
【００３６】
この絶縁膜４の形成時には、ＬＥＤ２の上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａおよび下側コンタクト層２１のカソード電極３２の接合領域を露出させる必要がある。そのため、絶縁膜４の成膜後に、露出領域に対応する部分以外をレジストで覆ってエッチングを行う。
【００３７】
次に、図３（Ｅ）に示すように、絶縁膜４上に、アノード配線層５１およびカソード配線層５２を形成する。アノード配線層５１およびカソード配線層５２の形成には、蒸着またはスパッタリングを用いる。
【００３８】
アノード配線層５１は、アノード共通配線１１の表面から、絶縁膜４に沿って所定の高さまで形成する。カソード配線層５２は、カソード共通配線１２の表面からカソード電極３２の表面まで形成する。
【００３９】
アノード配線層５１およびカソード配線層５２のパターニングは、蒸着またはスパッタリング時のリフトオフによって行う。また、リフトオフの代わりに、蒸着またはスパッタリングにより全面的に配線層を形成し、その後にアノード配線層５１およびカソード配線層５２に対応する部分をレジストで覆ってエッチングしてもよい。
【００４０】
次に、図３（Ｆ）に示すように、ＬＥＤ２の上側コンタクト層２５とアノード配線層５１とを接続するように、透明電極３１を形成する。より具体的には、上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａからアノード配線層５１の上端部分までを覆うように、透明電極３１を形成する。
【００４１】
透明電極３１の形成には、スパッタ、蒸着、またはＡＬＤ等を用いる。透明電極３１のパターニングは、蒸着またはスパッタリングにより全面的に透明電極層を形成し、その後に透明電極３１に対応する部分をレジストで覆ってエッチングすることによって行う。
【００４２】
透明電極３１の形成後、絶縁膜４の成膜温度以下の温度でアニール処理を行い、透明電極３１と上側コンタクト層２５とを接合する。これにより、透明電極３１と上側コンタクト層２５とが電気的に接続される。
【００４３】
＜発光素子チップ１の動作＞
発光素子チップ１の動作は、以下の通りである。図２において、アノード共通配線１１とカソード共通配線１２との間に電圧が印加されると、電流が、アノード配線層５１および透明電極３１を経由して、上側コンタクト層２５からＬＥＤ２に流れる。ＬＥＤ２内では、上側コンタクト層２５、上側クラッド層２４、活性層２３、下側クラッド層２２および下側コンタクト層２１の順に電流が流れ、活性層２３で発光が生じる。光の波長は、例えば７６０ｎｍである。電流は、下側コンタクト層２１からカソード電極３２およびカソード配線層５２を経由して、カソード共通配線１２に流れる。
【００４４】
活性層２３で発生した光は、上側クラッド層２４および上側コンタクト層２５を通って進み、上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａから、透明電極３１を透過して外部に出射される。ＬＥＤ２から外部に出射された光は、例えば、後述する画像形成装置８（図１３）において潜像形成のための露光に用いられる。
【００４５】
なお、ＬＥＤ２の光の波長が７６０ｎｍであれば、絶縁膜４も透過する。そのため、活性層２３よりも高い位置にあるＬＥＤ２の側面のうちアノード配線層５１に遮られていない部分からも、光が出射される。
【００４６】
＜発光素子チップ１の作用＞
上記のように構成された発光素子チップ１では、ＬＥＤ２の活性層２３で発生した光は、上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａから透明電極３１を透過して出射される。アノード配線層５１およびカソード配線層５２は、いずれもＬＥＤ２から出射される光を遮る位置に配置されていない。そのため、光の取り出し効率を向上することができ、発光素子チップ１の消費電力を低減することができる。
【００４７】
また、透明電極３１を構成するＩＴＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等は、耐薬品性が低いため、透明電極３１の形成後に配線層あるいは電極等を形成すると、透明電極３１の溶解により膜減りが生じる可能性がある。本実施の形態では、透明電極３１がアノード配線層５１上に形成されており、透明電極３１上には配線層あるいは電極等が形成されない。そのため、製造工程における透明電極３１の膜減りの発生を抑制することができ、発光素子チップ１の光学的性能および電気的性能を安定させることができる。
【００４８】
なお、アノード配線層５１を設けずに、透明電極３１を、アノード共通配線１１の表面から上側コンタクト層２５の表面まで延在させる構成も考えられる。しかしながら、透明電極３１を構成するＩＴＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ等は電気抵抗率が高いため、透明電極３１の長さが長くなるほど、電気抵抗が上昇する。一方、電気抵抗を抑えるために透明電極３１を厚くすると、光透過度が低下して光の取り出し効率が低下する。
【００４９】
これに対し、本実施の形態では、アノード共通配線１１にアノード配線層５１を接続し、このアノード配線層５１に透明電極３１を接続している。そのため、透明電極３１の長さを短くすることができ、電気抵抗の上昇を回避することができる。
【００５０】
＜第１の実施の形態の効果＞
以上説明したように、第１の実施の形態の発光素子チップ１は、ＬＥＤ２（発光素子）と、ＬＥＤ２をコンタクト領域Ａ（出射面部）が露出するように覆う絶縁膜４と、絶縁膜４上に形成されてアノード共通配線１１（駆動回路）に接続されたアノード配線層５１とを備え、ＬＥＤ２のコンタクト領域Ａの少なくとも一部とアノード配線層５１の少なくとも一部とを覆うように、透明電極３１が形成されている。そのため、ＬＥＤ２の光がコンタクト領域Ａから透明電極３１を透過して出射され、光の取り出し効率を向上することができる。これにより、より発光素子チップ１の消費電力を低減することできる。
【００５１】
また、透明電極３１がアノード配線層５１の少なくとも一部を覆うように形成されているため、透明電極３１の形成後の工程における膜減りの発生を抑制することができ、発光素子チップ１の光学的性能および電気的性能を安定させることができる。
【００５２】
また、アノード配線層５１が、Ｚ方向においてＬＥＤ２の活性層２３（発光部）と重なり合わない位置に形成されているため、活性層２３で発生した光を遮るものが少なくなり、光の取り出し効率をさらに向上することができる。
【００５３】
また、透明電極３１が、絶縁膜４上でアノード配線層５１の少なくとも一部を覆うように形成されているため、ＬＥＤ２の上側コンタクト層２５とアノード配線層５１とを確実に電気的に接続することができる。
【００５４】
また、透明電極３１の幅Ｗ１が、上側コンタクト層２５のコンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも広いため、透明電極３１と上側コンタクト層２５の接触面積を大きくし、電気抵抗を小さくして消費電力を低減することができる。
【００５５】
また、発光素子チップ１は、ＬＥＤ２の透明電極３１が形成された部分（上側コンタクト層２５）とは異なる部分（下側コンタクト層２１）に形成された金属電極としてのカソード電極３２をさらに有するため、透明電極３１およびカソード電極３２を介してＬＥＤ２に電流を流し、光を出射することができる。
【００５６】
第２の実施の形態．
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図４は、第２の実施の形態の発光素子チップ１Ａを示す平面図である。第２の実施の形態では、アノード配線層５１およびカソード配線層５２の幅Ｈ２が、ＬＥＤ２のコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等である。
【００５７】
透明電極３１の幅Ｗ１は、コンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも広いが、下側コンタクト層２１の幅Ｈ０よりも狭い。具体的には、配線層５１，５２の幅Ｈ２は、例えば１５μｍであり、コンタクト領域Ａの幅Ｈ１も、例えば１５μｍである。下側コンタクト層２１の幅Ｈ０は、例えば１８μｍである。
【００５８】
発光素子チップ１Ａの他の構成要素は、第１の実施の形態の発光素子チップ１と同様に構成されている。
【００５９】
この第２の実施の形態では、配線層５１，５２の幅Ｈ２がコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等であるため、アノード配線層５１と透明電極３１との接触面積を大きくし、また、カソード配線層５２とカソード電極３２との接触面積を大きくすることができる。これにより、発光素子チップ１の電気抵抗を小さくし、消費電力を低減することができる。
【００６０】
ここでは、アノード配線層５１およびカソード配線層５２の両方の幅Ｈ２がコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等である場合について説明したが、いずれか一方の配線層の幅のみがコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等であってもよい。
【００６１】
第３の実施の形態．
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図５は、第３の実施の形態の発光素子チップ１Ｂを示す平面図である。図６は、図５に示した矢印ＶＩ−ＶＩにおける発光素子チップ１Ｂの断面図である。
【００６２】
第３の実施の形態では、図６に示すように、アノード配線層５１の透明電極３１側の端部（上端部）が、ＬＥＤ２の活性層２３（発光部）よりも低い位置にある。言い換えると、アノード配線層５１は、その全体が、ＬＥＤ２の活性層２３よりも基板１０側（−Ｚ方向）に形成されている。アノード配線層５１とアノード共通配線１１との接続部は、第１の実施の形態と同様である。
【００６３】
なお、図６では、アノード配線層５１の上端部がＬＥＤ２の活性層２３の下面よりも下方（基板１０側）にあるが、少なくとも、アノード配線層５１の上端部がＬＥＤ２の活性層２３の上面よりも下方にあればよい。
【００６４】
発光素子チップ１Ｂの他の構成要素は、第２の実施の形態の発光素子チップ１Ａと同様に構成されている。なお、第１の実施の形態で説明したように、配線層５１，５２の幅Ｈ２をコンタクト領域Ａの幅Ｈ１より狭くしてもよい。
【００６５】
この第３の実施の形態では、アノード配線層５１がＬＥＤ２の活性層２３よりも基板１０側に形成されているため、ＬＥＤ２の側面から絶縁膜４を透過して出射される光を遮るものが少なくなる。そのため、ＬＥＤ２の側面から絶縁膜４を透過して出射される光を利用することが可能になり、光の取り出し効率をさらに向上することができる。
【００６６】
第４の実施の形態．
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。図７は、第４の実施の形態の発光素子チップ１Ｃを示す平面図である。図８は、図７に示した矢印ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける発光素子チップ１Ｃの断面図である。図９は、図７に示した矢印ＩＸ−ＩＸにおける発光素子チップ１Ｃの断面図である。
【００６７】
図７に示すように、第４の実施の形態の発光素子チップ１Ｃは、ＬＥＤ２（図１）の代わりに、発光素子としての発光サイリスタ６を有する。具体的には、基板１０上に、４ｎ（ｎは自然数）個の発光サイリスタ６が、Ｘ方向に一列に配列されている。
【００６８】
基板１０には、アノード共通配線１１およびカソード共通配線１２に加えて、ゲート共通配線１３が形成されている。発光サイリスタ６は４つ１組で制御されるため、ゲート共通配線１３は、いずれもＸ方向に延在する４つの配線部１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを有する。
【００６９】
図８に示すように、発光サイリスタ６は、基板１０上に、第１層としてのｎ型ＧａＡｓ層６１と、第２層としてのｐ型ＧａＡｓ層６２と、第３層としてのｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３、第４層としてのｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４を順に積層した構造を有する。ｐ型ＧａＡｓ層６２（第２層）およびｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３（第３層）の一部は、後述するように発光部６５となる。
【００７０】
発光サイリスタ６は、半導体薄膜を成長基板上でエピタキシャル成長させ、その半導体薄膜を成長基板から剥離して基板１０の表面に貼り付け、フォトリソグラフィ工程（レジスト塗布、露光、現像、エッチング）による素子分離を行うことで形成される。発光サイリスタ６は、分子間力により基板１０の表面に固定される。なお、上記フォトリソグラフィ工程により、発光サイリスタ６は、ｎ型ＧａＡｓ層６１およびｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３
の表面のそれぞれ一部を露出させるようにパターニングされる。
【００７１】
発光サイリスタ６は、上記の通り基板１０上に４ｎ個（ｎは自然数）形成されるが、その４ｎ個の発光サイリスタ６におけるｎ型ＧａＡｓ層６１（第１層）が１つの共通の層となっている。
【００７２】
発光サイリスタ６を覆うように、絶縁膜４が形成されている。絶縁膜４は、ポリイミドまたはエポキシ等の有機材料、もしくはＳｉＮ、ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３等の無機材料で構成される。絶縁膜４は、発光サイリスタ６の略全体を覆っているが、ｎ型ＧａＡｓ層６１（第１層）、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３（第３層）、およびｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４（第４層）の表面のそれぞれ一部を露出させるようにパターニングされる。
【００７３】
ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４（第４層）の表面のうち、絶縁膜４に覆われていない部分には、透明電極（アノード電極）３１が接合されている。また、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３（第３層）の表面のうち、絶縁膜４に覆われていない部分には、第２の金属電極としてのゲート電極３３が接合されている。また、ｎ型ＧａＡｓ層６１（第１層）の表面のうち、絶縁膜４に覆われていない部分には、第１の金属電極としてのカソード電極３２（図９）が接合されている。
【００７４】
なお、透明電極３１とゲート電極３３とは、互いに同じＸ方向位置に配置されている。カソード電極３２は、透明電極３１およびゲート電極３３に対してＸ方向にシフトした位置に配置されている。
【００７５】
透明電極３１およびカソード電極３２の材質は、第１の実施の形態で説明したとおりである。ゲート電極３３の材質は、カソード電極３２と同様である。
【００７６】
ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４の表面において透明電極３１と接触する領域（コンタクト領域Ａ）は、後述するように発光サイリスタ６の光が出射される出射面部に相当する。
【００７７】
絶縁膜４上には、透明電極３１とアノード共通配線１１とを電気的に接続するように、アノード配線層５１が形成されている。アノード配線層５１は、第１の実施の形態と同様、絶縁膜４の上側で、且つ透明電極３１の下側に形成されている。
【００７８】
絶縁膜４上には、また、カソード電極３２とカソード共通配線１２とを電気的に接続するように、カソード配線層５２（図９）が形成されており、さらに、ゲート電極３３とゲート共通配線１３とを電気的に接続するように、ゲート配線層５３が形成されている。
【００７９】
上記の通り、発光サイリスタ６は４つ１組で制御される。そのため、図７に示すように、各組の４つの発光サイリスタ６の各ゲート電極３３は、ゲート共通配線１３の配線部１３ａ〜１３ｄに、それぞれゲート配線層５３を介して接続される。
【００８０】
アノード配線層５１およびカソード配線層５２の材質は、第１の実施の形態で説明したとおりである。また、ゲート配線層５３の材質は、アノード配線層５１およびカソード配線層５２と同様である。
【００８１】
基板１０上には、アノード共通配線１１に電気的に接続された外部接続端子としてのアノードパッド１５と、カソード共通配線１２に電気的に接続された外部接続端子としてのカソードパッド１６と、ゲート共通配線１３に電気的に接続された外部接続端子としてのゲートパッド１７とが形成されている。
【００８２】
アノード共通配線１１は、ｎ個（すなわち４つの発光サイリスタ６毎）に分離されており、分離された各部に対応するようにｎ個のアノードパッド１５が設けられている。カソードパッド１６は、４ｎ個の発光サイリスタ６に対して１つ設けられている。また、ゲート共通配線１３の配線部１３ａ〜１３ｄに対応するように、４つのゲートパッド１７（符号１７ａ〜１７ｄで示す）が設けられている。
【００８３】
アノード配線層５１、カソード配線層５２およびゲート配線層５３のそれぞれの幅（Ｘ方向の寸法）Ｈ２は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４のコンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも狭い。透明電極３１の幅Ｗ１は、コンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも広く、且つ、配線層５１，５２の幅Ｈ２よりも広い。
【００８４】
１２００ｄｐｉの解像度に対応する発光素子チップ１Ｃの場合、発光サイリスタ６の配列間隔Ｄは、例えば２１μｍである。コンタクト領域Ａの幅Ｈ１は、例えば９μｍである。配線層５１，５２，５３の幅Ｈ２は、例えば７μｍである。これらの数値はあくまでも一例であり、適宜変更することができる。
【００８５】
＜発光素子チップの製造方法＞
発光素子チップの製造方法は、以下の通りである。まず、半導体薄膜を成長基板上でエピタキシャル成長させ、その半導体薄膜を成長基板から剥離して基板１０の表面に貼り付け、フォトリソグラフィ工程により４ｎ個の発光サイリスタ６を形成する。そして、ｎ型ＧａＡｓ層６１（第１層）上にカソード電極３２を形成し、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３（第３層）上にゲート電極３３を形成する。
【００８６】
次に、発光サイリスタ６を覆うように絶縁膜４を形成する。絶縁膜４の形成時には、発光サイリスタ６のｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４のコンタクト領域Ａと、ｎ型ＧａＡｓ層６１の一部と、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３の一部とを露出させる。その後、絶縁膜４上に、アノード配線層５１、カソード配線層５２およびゲート配線層５３を形成する。
【００８７】
次に、発光サイリスタ６のｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４とアノード配線層５１とを接続するように、透明電極３１を形成する。より具体的には、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４のコンタクト領域Ａからアノード配線層５１の上端部分までを覆うように、透明電極３１を形成する。
【００８８】
透明電極３１の形成後、絶縁膜４の成膜温度以下の温度でアニール処理を行い、透明電極３１とｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４とを接合し、これにより透明電極３１とｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４とが電気的に接続される。なお、各構成要素の成膜方法およびパターニング方法は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００８９】
＜発光素子チップの動作＞
発光素子チップ１Ｃの動作は、以下の通りである。カソードパッド１６は接地されており、各発光サイリスタ６のカソード電極３２の電位は接地電位となる。そのため、発光サイリスタ６は、透明電極３１とゲート電極３３の電圧のＯＮ、ＯＦＦにより駆動される。
【００９０】
すなわち、発光サイリスタ６を発光させない場合には、透明電極３１の電位を接地電位とする。これにより、透明電極３１からカソード電極３２に電流が流れず、発光サイリスタ６は発光しない。
【００９１】
一方、発光サイリスタ６を発光させる場合には、ゲート電極３３の電位を接地電位とし、透明電極３１に電圧を印加する。これにより、透明電極３１からカソード電極３２に電流が流れる。
【００９２】
透明電極３１からの電流は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４から発光サイリスタ６に流れる。発光サイリスタ６内では、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３、ｐ型ＧａＡｓ層６２、ｎ型ＧａＡｓ層６１の順に流れる。このとき、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３およびｐ型ＧａＡｓ層６２（第２層と第３層）の一部に電流が集中的に流れ、発光が生じる。この電流が集中的に流れる部分を、発光サイリスタ６の発光部６５と称する。
【００９３】
発光サイリスタ６の発光部６５は、図８に示すように、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３およびｐ型ＧａＡｓ層６２のうち、パターニングされたｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４の直下に位置する部分である。
【００９４】
発光部６５で発生した光は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４を通って進み、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４のコンタクト領域Ａから、透明電極３１を透過して外部に出射される。発光サイリスタ６から出射された光は、例えば、後述する画像形成装置８（図１３）において潜像形成のための露光に用いられる。
【００９５】
このように、発光サイリスタ６の発光部６５で発生した光は、コンタクト領域Ａから透明電極３１を透過して出射される。アノード配線層５１、カソード配線層５２およびゲート配線層５３は、いずれも発光サイリスタ６から出射される光を遮る位置にはない（言い換えると、発光部６５に対してＺ方向に重なり合う位置にない）。そのため、光の取り出し効率を向上することができ、発光素子チップ１Ｃの消費電力を低減することができる。
【００９６】
また、透明電極３１がアノード配線層５１上に形成されており、透明電極３１上には配線層あるいは電極等が形成されない。そのため、製造工程における透明電極３１の膜減りの発生を抑制することができ、発光素子チップ１Ｃの光学的性能および電気的性能を安定させることができる。
【００９７】
以上説明したように、この第４の実施の形態の発光素子チップ１Ｃは、発光サイリスタ６（発光素子）と、発光サイリスタ６をコンタクト領域Ａ（出射面部）が露出するように覆う絶縁膜４と、絶縁膜４上に形成されてアノード共通配線１１（駆動回路）に接続されたアノード配線層５１とを備え、発光サイリスタ６のコンタクト領域Ａの少なくとも一部とアノード配線層５１の少なくとも一部とを覆うように、透明電極３１が形成されている。そのため、発光サイリスタ６の光がコンタクト領域Ａから透明電極３１を経て出射され、光の取り出し効率を向上することができる。これにより、より低電力で発光素子チップ１Ｃを駆動することが可能になる。
【００９８】
また、透明電極３１がアノード配線層５１の少なくとも一部を覆うように形成されているため、透明電極３１の形成後の工程における膜減りの発生を抑制することができ、発光素子チップ１Ｃの光学的性能および電気的性能を安定させることができる。
【００９９】
また、アノード配線層５１が、Ｚ方向において発光サイリスタ６の発光部６５と重なり合わない位置に形成されているため、発光部６５で発生した光を遮るものが少なくなり、光の取り出し効率をさらに向上することができる。
【０１００】
なお、ここでは、発光サイリスタ６が、ｎ型ＧａＡｓ層６１と、ｐ型ＧａＡｓ層６２と、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４を積層したものである場合について説明したが、ｐ型層とｎ型層とは逆であってもよい。また、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ以外の半導体材料（例えばＩｎＧａＰ）を用いても良い。
【０１０１】
第５の実施の形態
次に、本発明の第５の実施の形態について説明する。図１０は、第５の実施の形態の発光素子チップ１Ｄの各部の寸法例を示す模式図である。第５の実施の形態では、アノード配線層５１およびゲート配線層５３の幅Ｈ２が、発光サイリスタ６のコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等である。
【０１０２】
透明電極３１の幅Ｗ１は、コンタクト領域Ａの幅Ｈ１よりも広い。具体的には、配線層５１，５３の幅Ｈ２は、例えば１５μｍであり、コンタクト領域Ａの幅Ｈ１も、例えば１５μｍである。
【０１０３】
発光素子チップ１Ｄの他の構成要素は、第４の実施の形態の発光素子チップ１Ｃと同様に構成されている。
【０１０４】
この第５の実施の形態では、配線層５１，５３の幅Ｈ２がコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等であるため、アノード配線層５１と透明電極３１との接触面積を大きくし、また、ゲート配線層５３とゲート電極３３との接触面積を大きくすることができる。これにより、発光素子チップ１の電気抵抗を小さくし、消費電力を低減することができる。
【０１０５】
ここでは、アノード配線層５１およびゲート配線層５３の両方の幅Ｈ２がコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等である場合について説明したが、いずれか一方の配線層の幅のみがコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等であってもよい。また、カソード配線層５２の幅をコンタクト領域Ａの幅Ｈ１と同等にしてもよい。
【０１０６】
第６の実施の形態
次に、本発明の第６の実施の形態について説明する。図１１は、第６の実施の形態の発光素子チップ１Ｅを示す断面図である。第６の実施の形態では、アノード配線層５１の透明電極３１側の端部（上端部）が、発光サイリスタ６の発光部６５よりも低い位置にある。言い換えると、アノード配線層５１は、その全体が、発光サイリスタ６の発光部６５よりも基板１０側（−Ｚ方向）に形成されている。
【０１０７】
上記の通り、発光サイリスタ６の発光部６５は、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３（第３層）およびｐ型ＧａＡｓ層６２（第２層）のうち、パターニングされたｐ型ＡｌＧａＡｓ層６４の直下に位置する部分である。
【０１０８】
アノード配線層５１の上端部は、発光サイリスタ６の発光部６５の上端部、すなわちｎ型ＡｌＧａＡｓ層６３（第３層）の上面よりも下方にあればよい。
【０１０９】
発光素子チップ１Ｅの他の構成要素は、第５の実施の形態の発光素子チップ１Ｃと同様に構成されている。なお、第４の実施の形態で説明したように、配線層５１，５３の幅Ｈ２をコンタクト領域Ａの幅Ｈ１より狭くしてもよい。
【０１１０】
この第６の実施の形態では、アノード配線層５１が発光サイリスタ６の発光部６５よりも基板１０側に形成されているため、発光サイリスタ６の側面から絶縁膜４を透過して出射される光を遮るものが少なくなる。そのため、発光サイリスタ６の側面から絶縁膜４を透過して出射される光を利用することが可能になり、光の取り出し効率をさらに向上することができる。
【０１１１】
＜プリントヘッド＞
次に、第１〜第６の実施の形態の発光素子チップ１〜１Ｅが適用可能な露光装置としてのプリントヘッド７について説明する。
【０１１２】
図１２は、第１の実施の形態の発光素子チップ１を備えたプリントヘッド７を示す断面図である。プリントヘッド７は、電子写真方式の画像形成装置８（図１３）で用いられる。図１２に示すように、プリントヘッド７は、発光素子チップ１と、発光素子チップ１が搭載された実装基板７１と、ベース部材７２と、レンズアレイ７３を保持するホルダ７４と、これらを一体に固定するクランプ部材７５とを備える。
【０１１３】
発光素子チップ１は、第１の実施の形態で説明した構成を有する。実装基板７１は、例えばプリント配線板であり、その表面に複数の発光素子チップ１がＸ方向に配列される。発光素子チップ１は、例えば接着剤により、実装基板７１の表面に固定される。
【０１１４】
ベース部材７２は、実装基板７１を固定するための部材である。レンズアレイ７３は、発光素子チップ１からの光を集光面に集光させる複数のレンズ要素を、Ｘ方向に配列したものである。ホルダ７４は、レンズアレイ７３を保持する樹脂製の部品であり、発光素子チップ１とレンズアレイ７３との間隔を規定する。クランプ部材７５は、実装基板７１とベース部材７２とホルダ７４とを一体に保持する。
【０１１５】
発光素子チップ１から出射された光は、レンズアレイ７３のレンズ要素を介して集光面（後述する画像形成装置８の感光体ドラムの表面）に集光される。
【０１１６】
発光素子チップ１は、光取り出し効率が高く、また安定した光学的性能および電気的性能を有する。そのため、発光素子チップ１を用いることで、プリントヘッド７の消費電力を低減し、性能を向上することができる。
【０１１７】
なお、第１の実施の形態で説明した発光素子チップ１の代わりに、第２〜第６の実施の形態で説明した発光素子チップ１Ａ〜１Ｆを用いてもよい。
【０１１８】
＜画像形成装置＞
次に、第１〜第６の実施の形態の発光素子チップ１〜１Ｅが適用可能なプリントヘッド７を備えた画像形成装置８について説明する。図１３は、図１２に示したプリントヘッド７を備えた画像形成装置８を示す側面図である。画像形成装置８は、電子写真法を用いるカラープリンタである。
【０１１９】
画像形成装置８は、ブラック（Ｋ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）およびシアン（Ｃ）のトナー像（現像剤像）を形成するプロセスユニット（画像形成部）８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃと、プロセスユニット８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃに印刷用紙等の媒体Ｐを供給する媒体供給部８１と、トナー像を媒体Ｐに転写する転写ユニット８２と、トナー像を媒体Ｐに定着させる定着器８３と、トナー像が定着した媒体Ｐを排出する排出部８４とを有する。
【０１２０】
媒体供給部８１は、媒体Ｐを収容する媒体カセット８１１と、媒体カセット８１１に収容された媒体Ｐを一枚ずつ繰り出す給紙ローラ８１２と、給紙ローラ８１２によって繰り出された媒体Ｐを搬送ベルト８２１まで搬送する搬送ローラ対８１３とを有する。
【０１２１】
プロセスユニット８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃは、媒体Ｐの搬送路に沿って上流側から下流側（ここでは右側から左側）に配列されている。媒体Ｐとしては、用紙のほか、ＯＨＰシート、封筒、複写紙、特殊紙等を使用することができる。
【０１２２】
プロセスユニット８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃは、トナーを除いて共通の構成を有するため、プロセスユニット８０と総称する。プロセスユニット８０は、像担持体としての円筒状の感光体ドラム８０１と、感光体ドラム８０１の表面を一様に帯電させる帯電部材としての帯電ローラ８０２と、感光体ドラム８０１の表面に形成された静電潜像に各色のトナーを付着させてトナー像を形成する現像剤担持体としての現像ローラ８０３とを備える。
【０１２３】
プロセスユニット８０は、また、現像ローラ８０３にトナーを供給する供給部材としての供給ローラ８０４と、現像ローラ８０３上のトナー層の厚さを規制する規制部材としての現像ブレード８０５と、現像ローラ８０３および供給ローラ８０４にトナーを補給する現像剤規制部材としてのトナーカートリッジ８０６とを有する。なお、現像ローラ８０３、供給ローラ８０４、現像ブレード８０５は、現像部を構成する。
【０１２４】
また、プロセスユニット８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃの各感光体ドラム８０１に対向するように、プリントヘッド７Ｋ，７Ｙ，７Ｍ，７Ｃが配置されている。プリントヘッド７Ｋ，７Ｙ，７Ｍ，７Ｃは、いずれも、図１２を参照して説明したプリントヘッド７で構成される。
【０１２５】
転写ユニット８２は、媒体Ｐを吸着して走行する搬送ベルト８２１と、搬送ベルト８２１を駆動する駆動ローラ８２２と、搬送ベルト８２１に張力を付与するテンションローラ８２３と、感光体ドラム８０１に搬送ベルト８２１を介して対向配置された転写部材としての転写ローラ８２４とを有する。転写ローラ８２４は、感光体ドラム８０１に形成された各色のトナー像を媒体Ｐに転写する。
【０１２６】
定着器８３は、媒体Ｐの搬送方向においてプロセスユニット８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃの下流側（図中左側）に配置されている。定着器８３は、媒体Ｐに転写されたトナー像に熱および圧力を加えて媒体Ｐに定着させる定着ローラ８３１および加圧ローラ８３２と、定着ローラ８３１の表面温度を検出する温度センサ８３３とを備える。
【０１２７】
排出部８４は、媒体Ｐの搬送方向において定着器８３の下流側に配置されている。排出部８４は、定着器８３から排出された媒体Ｐを搬送して排出口から排出する排出ローラ対８４１，８４２を有する。画像形成装置８の上面には、排出ローラ対８４１，８４２によって排出された媒体Ｐを載置するスタッカ部８４３が設けられている。
【０１２８】
画像形成装置８の動作は、以下の通りである。画像形成動作が開始されると、給紙ローラ８１２が回転し、媒体カセット８１１に収容された媒体Ｐを一枚ずつ搬送路に送り出す。さらに、搬送ローラ対８１３が所定のタイミングで回転し、搬送路に送り出された媒体Ｐを搬送ベルト８２１まで搬送する。搬送ベルト８２１は、駆動ローラ８２２の回転によって矢印Ｂで示す方向に走行し、媒体Ｐを吸着保持して搬送する。
【０１２９】
一方、各プロセスユニット８０では、感光体ドラム８０１の表面が帯電ローラ８０２によって一様に帯電される。さらに、プリントヘッド７が、色毎のイメージデータに応じて感光体ドラム８０１の表面に向けて光を出射する。プリントヘッド７の発光素子チップ１（図１２）から出射された光は、レンズアレイ７３のレンズ要素を通過し、集光面である感光体ドラム８０１の表面に集光する。感光体ドラム８０１の表面の感光層では露光部分の電荷が減衰し、静電潜像が形成される。
【０１３０】
このようにして感光体ドラム８０１の表面に形成された静電潜像は、現像ローラ８０３によってトナーで現像されて、トナー像となる。
【０１３１】
搬送ベルト８２１の走行に伴い、媒体Ｐはプロセスユニット８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃと転写ローラ８２４との間を通過し、その際に、感光体ドラム８０１の表面に形成されたトナー像が、転写ローラ８２４の転写電圧により、搬送ベルト８２１上の媒体Ｐに順次転写される。
【０１３２】
トナー像が転写された媒体Ｐは、定着器８３に送られる。定着器８３では、定着ローラ８３１および加圧ローラ８３２によりトナー像が加熱および加圧され、トナー像が溶融して媒体Ｐに定着する。トナー像が定着された媒体Ｐは、排出部８４の排出ローラ対８４１，８４２によって画像形成装置８の外部に排出され、スタッカ部８４３に積載される。これにより画像形成動作が完了する。
【０１３３】
第１〜第６の実施の形態で説明した発光素子チップ１〜１Ｆは、いずれも光取り出し効率が高く、また安定した光学的性能および電気的性能を有する。そのため、当該発光素子チップを備えたプリントヘッド７を用いることで、画像形成装置８の消費電力を低減し、画像品質を向上することができる。
【０１３４】
なお、ここでは、画像形成装置８の一例として、カラープリンタについて説明したが、モノクロプリンタであってもよい。また、プリンタに限らず、複写機、ファクシミリ装置、またはプリンタおよび複写機の機能を有する複合機であってもよい。
【０１３５】
以上、本発明の望ましい実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良または変形を行なうことができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ  発光素子チップ、  ２  ＬＥＤ（発光素子）、  ４  絶縁膜、  ６  発光サイリスタ（発光素子）、  ７，７Ｋ，７Ｙ，７Ｍ，７Ｃ  プリントヘッド（露光装置）、  ８  画像形成装置、  １０  基板、  １１  アノード共通配線、  １２  カソード共通配線、  １３  ゲート共通配線、  １３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ  配線部、  １５  アノードパッド、  １６  カソードパッド、  １６  ゲートパッド、  ２０  半導体薄膜、  ２１  下側コンタクト層（第１のコンタクト層）、  ２２  下側クラッド層（第１のクラッド層）、  ２３  活性層（発光部）、  ２４  上側クラッド層（第２のクラッド層）、  ２５  上側コンタクト層（第２のコンタクト層）、  ３１  透明電極（アノード電極）、  ３２  カソード電極（金属電極、第１の金属電極）、  ３３  ゲート電極（第２の金属電極）、  ５１  アノード配線層、  ５２  カソード配線層、  ５３  ゲート配線層、  ６１  ｎ型ＧａＡｓ層（第１層）、  ６２  ｐ型ＧａＡｓ層（第２層）、  ６３  ｎ型ＡｌＧａＡｓ層（第３層）、  ６４  ｐ型ＡｌＧａＡｓ層（第４層）、  ６５  発光部、  ７１  実装基板、  ７２  ベース部材、  ７３  レンズアレイ、  ７４  ホルダ、  ７５  クランプ部材、  ８０，８０Ｋ，８０Ｙ，８０Ｍ，８０Ｃ  プロセスユニット（画像形成部）、  ８１  媒体供給部、  ８２  転写ユニット、  ８３  定着器、  ８４  排出部、  Ａ  出射面部。
【図１】
2020123603.tif 000003
【図２】
2020123603.tif 000004
【図３】
2020123603.tif 000005
【図４】
2020123603.tif 000006
【図５】
2020123603.tif 000007
【図６】
2020123603.tif 000008
【図７】
2020123603.tif 000009
【図８】
2020123603.tif 000010
【図９】
2020123603.tif 000011
【図１０】
2020123603.tif 000012
【図１１】
2020123603.tif 000013
【図１２】
2020123603.tif 000014
【図１３】
2020123603.tif 000015