(57)【要約】【課題】厚さが異なる導電性ペーストの薄膜を一度に形成するに際し、導電性ペーストの使用量を抑制するのに好適な成膜装置を提供すること。【解決手段】導電性ペーストが載せられる成膜トレイと、成膜トレイに押し付けられるスキージと、成膜トレイに並んで設けられ、異なる深さを有し、成膜トレイとスキージとが相対的に動かされることによって、成膜トレイ上を摺動するスキージで押し出された導電性ペーストが入れられるように構成された複数の凹部とを備える成膜装置。【選択図】図１
2020123614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ペーストが載せられる成膜トレイと、
前記成膜トレイに押し付けられるスキージと、
前記成膜トレイに並んで設けられ、異なる深さを有し、前記成膜トレイと前記スキージとが相対的に動かされることによって、前記成膜トレイ上を摺動する前記スキージで押し出された導電性ペーストが入れられるように構成された複数の凹部とを備える成膜装置。
【請求項２】
前記成膜トレイを覆い、前記スキージとの相対的位置関係が固定されたキャッピング部材と、
前記キャッピング部材に設けられ、前記複数の凹部の少なくとも１つを露出させるように構成された開口部とを備える請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記成膜トレイの一部であって、前記複数の凹部外に設けられ、前記キャッピング部材の前記開口部よりも広い領域を有し、前記領域のみを前記キャッピング部材の前記開口部から露出させるように構成された露出部を備える請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記成膜トレイを動かす駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部とを備える請求項２又は請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記複数の凹部の開口幅に応じて、前記複数の凹部の深さが異なる、請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、導電性ペーストの薄膜を形成する成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、成膜装置に関する種々の技術が提案されている。例えば、下記特許文献１に記載の技術は、移載ヘッドによって基板に電子部品を実装する電子部品実装装置において、電子部品に転写されるフラックス膜を供給するフラックス供給装置の塗膜部材に、水平な膜厚基準面に対してそれぞれ異なる高さで設けられた複数の平坦な塗膜面を形成し、スキージの摺接部を膜厚基準面に接触させた状態で移動させることにより、塗膜面上に複数の膜厚が異なるフラックス膜を形成する。これにより、必要膜厚が異なる電子部品を対象とする場合にあっても、品種切り替えの都度スキージ交換を行う必要がなく、品種切り替え性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１４２８１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の技術によって、複数の異なる膜厚を設けたフラックス膜を塗膜面上に形成するには、塗膜面上の全域をフラックスで満たす必要がある。そのため、上記特許文献１に記載の技術において、フラックスの使用量を低減するには限界があった。
【０００５】
本開示は、上述した点を鑑みてなされたものであり、厚さが異なる導電性ペーストの薄膜を一度に形成するに際し、導電性ペーストの使用量を抑制するのに好適な成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書は、導電性ペーストが載せられる成膜トレイと、成膜トレイに押し付けられるスキージと、成膜トレイに並んで設けられ、異なる深さを有し、成膜トレイとスキージとが相対的に動かされることによって、成膜トレイ上を摺動するスキージで押し出された導電性ペーストが入れられるように構成された複数の凹部とを備える成膜装置を開示する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、成膜装置は、厚さが異なる導電性ペーストの薄膜を一度に形成するに際し、導電性ペーストの使用量を抑制するのに好適である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態の成膜装置を示す平面図である。
【図２】同成膜装置の成膜トレイを示す平面図である。
【図３】同成膜トレイが図１の線Ｚ１で切断された断面を示す図である。
【図４】同成膜トレイ等が図１の線Ｚ１で切断された断面を示す図である。
【図５】同成膜トレイ等が図１の線Ｚ１で切断された断面を示す図である。
【図６】同成膜装置を示す平面図である。
【図７】同成膜トレイ等が図１の線Ｚ１で切断された断面を示す図である。
【図８】第２実施形態の成膜装置を示す平面図である。
【図９】同成膜装置の成膜トレイ等が図８の線Ｉ−Ｉで切断された断面を示す図である。
【図１０】同成膜トレイを示す平面図である。
【図１１】同成膜トレイが図８の線Ｉ−Ｉで切断された断面を示す図である。
【図１２】同成膜トレイ等が図８の線Ｉ−Ｉで切断された断面を示す図である。
【図１３】同成膜装置を示す平面図である。
【図１４】同成膜トレイ等が図８の線Ｉ−Ｉで切断された断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の好適な実施形態を、図面を参照しつつ詳細に説明する。但し、図面では、構成の一部が省略されて描かれており、描かれた各部の寸法比等は必ずしも正確ではない。
【００１０】
先ず、第１実施形態を説明する。図１に示されるように、成膜装置１は、成膜トレイ１０、スキージ３０、キャッピング部材４０、回転機構５０、及び制御装置５２を備えている。成膜トレイ１０は、平面視で中心点Ｏを有する円形状をなしており、回転機構５０に連結されている。
【００１１】
成膜トレイ１０には、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃ、第４凹部１４Ｄ、及び第５凹部１４Ｅが設けられている。以下、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃ、第４凹部１４Ｄ、及び第５凹部１４Ｅを区別せず総称する場合は、複数の凹部１４と表記する。尚、複数の凹部１４の詳細は、後述する。
【００１２】
スキージ３０は、第１高さ調節機構３０Ｓによって、成膜トレイ１０に押し付けられる。第１高さ調節機構３０Ｓは、スキージ３０の位置を上下方向で調節するものである。第１実施形態では、第１高さ調節機構３０Ｓは、回転機構５０の筐体上に設けられているが、成膜装置１を構成する不図示のベースプレート上に設けられてもよい。スキージ３０及び第１高さ調節機構３０Ｓは、公知技術で構成されるため、その詳細な説明は省略する。
【００１３】
キャッピング部材４０は、平面視において、成膜トレイ１０よりも僅かに小さな円形状をなすと共に、略扇状の開口部４２が形成されたものである。キャッピング部材４０は、第２高さ調節機構４０Ｓによって、成膜トレイ１０に重ねられる。これにより、成膜トレイ１０は、その約４分の３程度がキャッピング部材４０に覆われる。
【００１４】
キャッピング部材４０の開口部４２には、成膜トレイ１０に押し付けられた状態のスキージ３０が配置されると共に、導電性ペースト３２が盛り上がった状態で成膜トレイ１０に載せられている。尚、導電性ペースト３２は、例えば、３次元積層電子デバイスの製造において、電極パットの作成や導電回路間の接合等にピン転写の方法で使用されるものである。
【００１５】
第２高さ調節機構４０Ｓは、キャッピング部材４０の位置を上下方向で調節するものであって、第１実施形態では、回転機構５０の筐体上に設けられている。これにより、スキージ３０とキャッピング部材４０との相対的位置関係が、第２高さ調節機構４０Ｓ、回転機構５０の筐体、及び第１高さ調節機構３０Ｓによって固定される。第２高さ調節機構４０Ｓは、公知技術で構成されるため、その詳細な説明は省略する。尚、第２高さ調節機構４０Ｓは、成膜装置１を構成する上記のベースプレート上に設けられてもよい。
【００１６】
回転機構５０は、成膜トレイ１０を、その中心点Ｏを回転中心として、回転方向Ｚ１へ回転させるものである。制御装置５２は、回転機構５０に接続されている。これにより、制御装置５２は、回転機構５０を制御することによって、成膜トレイ１０を回転方向Ｚ１へ回転させながら任意の位置に移動させることが可能である。そのようにして、成膜トレイ１０とスキージ３０とが相対的に動かされると、スキージ３０が成膜トレイ１０上を摺動する。これにより、導電性ペースト３２は、スキージ３０で押し出されることによって、成膜トレイ１０上を移動する。回転機構５０及び制御装置５２は、公知技術で構成されるため、その詳細な説明は省略する。
【００１７】
図２に示されるように、複数の凹部１４は、平面視で円形状であり、それぞれの中心点から成膜トレイ１０の中心点Ｏまでの距離が等しく、成膜トレイ１０の中心点Ｏを基準にして６０度の等角度ピッチとなるように、成膜トレイ１０に並んで設けられている。つまり、第１凹部１４Ａと第２凹部１４Ｂとの角度ピッチ、第２凹部１４Ｂと第３凹部１４Ｃとの角度ピッチ、第３凹部１４Ｃと第４凹部１４Ｄとの角度ピッチ、及び第４凹部１４Ｄと第５凹部１４Ｅとの角度ピッチは、６０度で等しい。但し、第５凹部１４Ｅと第１凹部１４Ａとの角度ピッチは、上述した各角度ピッチを２倍した１２０度である。
【００１８】
複数の凹部１４は、それらの直径が、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃ、第４凹部１４Ｄ、第５凹部１４Ｅの記載順で大きくなる。つまり、第１凹部１４Ａの直径ＤＡよりも、第２凹部１４Ｂの直径ＤＢが大きい。第２凹部１４Ｂの直径ＤＢよりも、第３凹部１４Ｃの直径ＤＣが大きい。第３凹部１４Ｃの直径ＤＣよりも、第４凹部１４Ｄの直径ＤＤが大きい。第４凹部１４Ｄの直径ＤＤよりも、第５凹部１４Ｅの直径ＤＥが大きい。以下、第１凹部１４Ａの直径ＤＡ、第２凹部１４Ｂの直径ＤＢ、第３凹部１４Ｃの直径ＤＣ、第４凹部１４Ｄの直径ＤＤ、及び第５凹部１４Ｅの直径ＤＥを区別せず総称する場合は、直径Ｄと表記する。
【００１９】
成膜トレイ１０には、第１凹部１４Ａと第５凹部１４Ｅとの間において、露出部１６が設けられている。露出部１６は、領域１８を有している。領域１８は、平面視で扇状であって、成膜トレイ１０の中心点Ｏから第１凹部１４Ａに対して第５凹部１４Ｅ側で外接する線と、成膜トレイ１０の中心点Ｏから第５凹部１４Ｅに対して第１凹部１４Ａ側で外接する線と、成膜トレイ１０の円弧で構成されている。従って、露出部１６及び領域１８は、成膜トレイ１０の一部であって、複数の凹部１４外に設けられている。また、領域１８は、上述した略扇状のキャッピング部材４０の開口部４２よりも広い。
【００２０】
そのため、成膜トレイ１０が制御装置５２及び回転機構５０で回転させられることによって、成膜トレイ１０の露出部１６がキャッピング部材４０の開口部４２まで移動させられると、図１に示されるようにして、露出部１６の領域１８のみをキャッピング部材４０の開口部４２から露出させた状態にすることが可能である。そのような状態では、複数の凹部１４は、キャッピング部材４０で覆われる。
【００２１】
また、成膜トレイ１０が制御装置５２及び回転機構５０で回転させられることによって、成膜トレイ１０に設けられた複数の凹部１４の少なくとも１つが、キャッピング部材４０の開口部４２まで移動させられると、その移動させられた凹部１４を、平面視でスキージ３０と重ならないようにして、キャッピング部材４０の開口部４２から露出させた状態にすることが可能である。
【００２２】
図３に示されるように、複数の凹部１４は、それらの深さが、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃ、第４凹部１４Ｄ、第５凹部１４Ｅの記載順で大きくなる。つまり、第１凹部１４Ａの深さＴＡよりも、第２凹部１４Ｂの深さＴＢが大きい。第２凹部１４Ｂの深さＴＢよりも、第３凹部１４Ｃの深さＴＣが大きい。第３凹部１４Ｃの深さＴＣよりも、第４凹部１４Ｄの深さＴＤが大きい。第４凹部１４Ｄの深さＴＤよりも、第５凹部１４Ｅの深さＴＥが大きい。以下、第１凹部１４Ａの深さＴＡ、第２凹部１４Ｂの深さＴＢ、第３凹部１４Ｃの深さＴＣ、第４凹部１４Ｄの深さＴＤ、及び第５凹部１４Ｅの深さＴＥを区別せず総称する場合は、深さＴと表記する。
【００２３】
以上より、第１実施形態では、複数の凹部１４の深さＴが大きくなるに連れて、複数の凹部１４の直径Ｄが大きくなる。よって、複数の凹部１４の深さＴは、複数の凹部１４の直径Ｄに応じて異なる。
【００２４】
第１実施形態の成膜装置１において、成膜トレイ１０の露出部１６の領域１８のみがキャッピング部材４０の開口部４２から露出した状態（図１参照）では、図４に示されるように、キャッピング部材４０の開口部４２において、スキージ３０及び導電性ペースト３２が成膜トレイ１０の露出部１６上に位置すると共に、成膜トレイ１０に設けられた複数の凹部１４がキャッピング部材４０に覆われる。
【００２５】
そのような状態にある成膜トレイ１０が制御装置５２及び回転機構５０で、例えば、１回転させられると、スキージ３０及びキャッピング部材４０が、成膜トレイ１０に設けられた複数の凹部１４上を相対的に移動する。その際、成膜トレイ１０上の導電性ペースト３２がスキージ３０で押し出されることによって、導電性ペースト３２の一部が複数の凹部１４に入り込む。これにより、図５に示されるようにして、複数の凹部１４では、それぞれの深さＴを膜厚とする、導電性ペースト３２の薄膜が形成される。
【００２６】
その後、例えば、図６に示されるようにして、成膜トレイ１０の第５凹部１４Ｅが、平面視でスキージ３０とは重なることなく、キャッピング部材４０の開口部４２から露出した状態となるように、成膜トレイ１０が制御装置５２及び回転機構５０で回転させられる。これにより、第１実施形態の成膜装置１では、図７に示されるように、３次元積層電子デバイスの製造等で使用される転写ピン６０が、成膜トレイ１０の第５凹部１４Ｅに形成された導電性ペースト３２の薄膜に対して、ディップすることが可能となる。
【００２７】
尚、第５凹部１４Ｅは、複数の凹部１４の中で最も大きな円形である。よって、成膜トレイ１０が制御装置５２及び回転機構５０で回転させられることによって、第１凹部１４Ａの円中心が図６に示された第５凹部１４Ｅの円中心と一致すると、第１凹部１４Ａは、平面視でスキージ３０と重なることなく、キャッピング部材４０の開口部４２から露出した状態となる。これにより、第１凹部１４Ａに形成された導電性ペースト３２の薄膜に対して、転写ピン６０がディップすることが可能となる。この点は、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃ、及び第４凹部１４Ｄについても、同様である。このようにすれば、転写ピン６０がディップする位置は、常に一定である。
【００２８】
また、複数の凹部１４のうち、少なくとも１つに形成された導電性ペースト３２の薄膜が少なくなった場合には、制御装置５２及び回転機構５０によって、成膜トレイ１０をＺ１方向へ回転させれば、スキージ３０及び導電ペースと３２が複数の凹部１４上を相対的に移動するので、導電性ペースト３２の薄膜を複数の凹部１４に形成させることが可能である。
【００２９】
また、複数の凹部１４内のいずれの導電性ペースト３２も使用されなくなった場合には、図１及び図５に示されるように、複数の凹部１４がキャッピング部材４０と重なる状態となるように、成膜トレイ１０が制御装置５２及び回転機構５０で回転させられる。これにより、キャッピング部材４０が複数の凹部１４を覆う状態になるので、複数の凹部１４内の導電性ペースト３２が、キャッピング部材４０でキャッピングされる。
【００３０】
次に、第２実施形態を説明する。以下の説明では、上記第１実施形態と実質的に共通する部分には同一の符号を付し、詳しい説明を省略する。図８に示されるように、成膜装置１０１は、成膜トレイ１１０、一対のスキージ１３０、キャッピング部材１４０、スライド機構１５０、及び制御装置１５２を備えている。成膜トレイ１１０は、平面視で長方形状をなしている。尚、図面において、Ｚ２方向は、成膜トレイ１１０の長手方向であって、左右方向を示している。
【００３１】
スライド機構１５０は、成膜トレイ１１０の長手方向側の端部に連結されており、成膜トレイ１１０をＺ２方向（左右方向）へスライドさせるものである。制御装置１５２は、スライド機構１５０に接続されている。これにより、制御装置１５２は、スライド機構１５０を制御することによって、成膜トレイ１１０をＺ２方向（左右方向）へスライドさせながら任意の位置に移動させることが可能である。スライド機構１５０及び制御装置１５２は、公知技術で構成されるため、その詳細な説明は省略する。
【００３２】
成膜トレイ１１０には、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、及び第３凹部１４Ｃが設けられている。以下、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、及び第３凹部１４Ｃを区別せず総称する場合は、複数の凹部１４と表記する。尚、複数の凹部１４の詳細は、後述する。
【００３３】
キャッピング部材１４０は、平面視において、Ｚ２方向を長手方向とする長方形状をなすと共に、Ｚ２方向の中央に略正方形状の開口部１４２が形成されたものである。これにより、キャッピング部材１４０は、中央部１４０Ａ、左端部１４０Ｂ、右端部１４０Ｃ、及び開口部１４２に区分けされる。左端部１４０Ｂ及び右端部１４０Ｃは、中央部１４０Ａを介して連結されている。Ｚ２方向において、左端部１４０Ｂの幅は、右端部１４０Ｃの幅よりも大きい。平面視において、開口部１４２は、中央部１４０Ａ、左端部１４０Ｂ、及び右端部１４０Ｃに囲まれている。キャッピング部材１４０は、成膜装置１０１を構成する不図示のベースプレート上に設けられている。
【００３４】
キャッピング部材１４０の開口部１４２には、一対のスキージ１３０が設けられている。一対のスキージ１３０は、平面視で概して長方形状をなし、それらの長手方向がＺ２方向で向かい合った状態にある。更に、一対のスキージ１３０は、それらの長手方向側の端部が、不図示の高さ調節機構を介して、キャッピング部材１４０の中央部１４０Ａに連結されている。これにより、一対のスキージ１３０とキャッピング部材１４０との相対的位置関係が固定される。そのため、成膜トレイ１１０が制御装置１５２及びスライド機構１５０でＺ２方向（左右方向）へスライドさせられると、成膜トレイ１１０と一対のスキージ１３０とが相対的に動く。一対のスキージ１３０及び上記の高さ調節機構は、公知技術で構成されるため、その詳細な説明は省略する。
【００３５】
図９に示されるように、成膜トレイ１１０がＺ２方向の最も左側に位置する場合には、成膜トレイ１１０にキャッピング部材１４０の左端部１４０Ｂが重なることによって、成膜トレイ１１０に設けられた各凹部１４がキャッピング部材１４０の左端部１４０Ｂに覆われると共に、成膜トレイ１１０の右端部がキャッピング部材１４０の開口部１４２から露出する。キャッピング部材１４０の開口部１４２では、上記の高さ調節機構によって、一対のスキージ１３０が成膜トレイ１１０の右端部に押し付けられている。
【００３６】
一対のスキージ１３０の間では、導電性ペースト３２が盛り上がった状態で成膜トレイ１１０に載せられている。一対のスキージ１３０の間隔は、成膜トレイ１１０に向かうに連れて広がっている。そのため、制御装置１５２及びスライド機構１５０によって、成膜トレイ１１０がＺ２方向の左側又右側へスライドされても、一対のスキージ１３０は、成膜トレイ１１０上を摺動しながら、成膜トレイ１１０上の導電性ペースト３２を押し出すことが可能である。
【００３７】
図１０に示されるように、複数の凹部１４は、平面視で円形状であって、それぞれの中心点を結ぶ線がＺ２方向と平行となり、更に、等ピッチとなるようにして、成膜トレイ１１０に並んで設けられている。
【００３８】
複数の凹部１４は、それらの直径が、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃの記載順で大きくなる。つまり、第１凹部１４Ａの直径ＤＡよりも、第２凹部１４Ｂの直径ＤＢが大きい。第２凹部１４Ｂの直径ＤＢよりも、第３凹部１４Ｃの直径ＤＣが大きい。以下、第１凹部１４Ａの直径ＤＡ、第２凹部１４Ｂの直径ＤＢ、及び第３凹部１４Ｃの直径ＤＣを区別せず総称する場合は、直径Ｄと表記する。
【００３９】
図１１に示されるように、複数の凹部１４は、それらの深さが、第１凹部１４Ａ、第２凹部１４Ｂ、第３凹部１４Ｃの記載順で大きくなる。つまり、第１凹部１４Ａの深さＴＡよりも、第２凹部１４Ｂの深さＴＢが大きい。第２凹部１４Ｂの深さＴＢよりも、第３凹部１４Ｃの深さＴＣが大きい。以下、第１凹部１４Ａの深さＴＡ、第２凹部１４Ｂの深さＴＢ、及び第３凹部１４Ｃの深さＴＣを区別せず総称する場合は、深さＴと表記する。
【００４０】
以上より、第２実施形態でも、複数の凹部１４の深さＴが大きくなるに連れて、複数の凹部１４の直径Ｄが大きくなる。よって、複数の凹部１４の深さＴは、複数の凹部１４の直径Ｄに応じて異なる。
【００４１】
第２実施形態の成膜装置１０１では、制御装置１５２及びスライド機構１５０によって、成膜トレイ１１０がＺ２方向の最も左側から最も右側までスライドさせられると、キャッピング部材１４０及び一対のスキージ１３０が、成膜トレイ１１０に設けられた複数の凹部１４上を相対的に移動する。その際、成膜トレイ１１０上の導電性ペースト３２が一対のスキージ１３０で押し出されることによって、導電性ペースト３２の一部が複数の凹部１４に入り込む。
【００４２】
これにより、図１２に示されるようにして、複数の凹部１４では、それぞれの深さＴを膜厚とする、導電性ペースト３２の薄膜が形成される。また、図１２及び図１３に示されるようにして、成膜トレイ１１０にキャッピング部材１４０の右端部１４０Ｃが重なることによって、成膜トレイ１１０に設けられた第１凹部１４Ａ及び第２凹部１４Ｂが、キャッピング部材１４０の右端部１４０Ｃに覆われる。更に、一対のスキージ１３０及び導電性ペースト３２が、キャッピング部材１４０の開口部１４２から露出した成膜トレイ１１０の右端部にまで、成膜トレイ１１０上を相対的に移動する。
【００４３】
更に、キャッピング部材１４０の開口部１４２では、成膜トレイ１１０の第３凹部１４Ｃが、平面視で一対のスキージ１３０と重なることなく露出した状態となる。これにより、成膜トレイ１１０の第３凹部１４Ｃに形成された導電性ペースト３２の薄膜に対して、転写ピン６０がディップすることが可能となる。
【００４４】
尚、第３凹部１４Ｃは、複数の凹部１４の中で最も大きな円形である。よって、成膜トレイ１１０が制御装置１５２及びスライド機構１５０でスライドさせられることによって、第１凹部１４Ａの円中心が図１３に示された第３凹部１４Ｃの円中心と一致すると、第１凹部１４Ａは、平面視で一対のスキージ１３０と重なることなく、キャッピング部材１４０の開口部１４２から露出した状態となる。これにより、第１凹部１４Ａに形成された導電性ペースト３２の薄膜に対して、転写ピン６０がディップすることが可能となる。この点は、第２凹部１４Ｂについても、同様である。このようにすれば、転写ピン６０がディップする位置は、常に一定である。
【００４５】
また、複数の凹部１４のうち、少なくとも１つに形成された導電性ペースト３２の薄膜が少なくなった場合には、制御装置１５２及びスライド機構１５０によって、成膜トレイ１１０をＺ２方向（左右方向）へスライドさせれば、一対のスキージ１３０及び導電ペースと３２が複数の凹部１４上を相対的に移動するので、導電性ペースト３２の薄膜を複数の凹部１４に形成させることが可能である。
【００４６】
また、複数の凹部１４内のいずれの導電性ペースト３２も使用されなくなった場合には、図８及び図１４に示されるようにして、複数の凹部１４がキャッピング部材１４０の左端部１４０Ｂと重なる状態となるように、成膜トレイ１１０が制御装置１５２及びスライド機構１５０でＺ２方向の最も左側までスライドさせられる。これにより、キャッピング部材１４０の左端部１４０Ｂが複数の凹部１４を覆う状態になるので、複数の凹部１４内の導電性ペースト３２が、キャッピング部材１４０の左端部１４０Ｂでキャッピングされる。
【００４７】
以上詳細に説明した通り、各実施形態の成膜装置１，１０１は、厚さが異なる導電性ペースト３２の薄膜を一度に形成するに際し、導電性ペースト３２の使用量を抑制するのに好適である。
【００４８】
ちなみに、各実施形態において、回転機構５０とスライド機構１５０は、駆動部の一例である。制御装置５２，１５２は、制御部の一例である。複数の凹部１４の直径Ｄは、開口幅の一例である。
【００４９】
尚、本開示は、上記各実施形態に限定されるものでなく、その趣旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５０】
例えば、第１実施形態において、スキージ３０及びキャッピング部材４０を一体的に回転させることによって、成膜トレイ１０とスキージ３０とが相対的に動いてもよい。また、成膜トレイ１０を回転させると共に、スキージ３０及びキャッピング部材４０を一体的に回転させることによって、成膜トレイ１０とスキージ３０とが相対的に動いてもよい。この点は、第２実施形態の成膜トレイ１１０、一対のスキージ１３０、及びキャッピング部材１４０についても同様である。
【００５１】
また、第１実施形態では、成膜トレイ１０とスキージ３０とが相対的に動くことによって、導電性ペースト３２が複数の凹部１４に入り込むことが可能であれば、成膜トレイ１１０における複数の凹部１４は、どのような配置であってもよい。この点は、第２実施形態においても、同様である。
【００５２】
また、上記各実施形態では、複数の凹部１４の深さＴが大きくなるに連れて、複数の凹部１４の直径Ｄが小さくなってもよい。また、複数の凹部１４の深さＴは、複数の凹部１４の直径Ｄとは無関係に異なってもよい。
【００５３】
また、上記各実施形態では、複数の凹部１４の直径Ｄが同じであってもよいし、複数の凹部１４が平面視で多角形（例えば、三角形、正方形又は菱形等の四角形）であってもよい。
【００５４】
また、第２実施形態の成膜トレイ１１０において、第１実施形態の露出部１６及び領域１８が設けられてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１，１０１  成膜装置
１０，１１０  成膜トレイ
１４  凹部
１６  露出部
１８  領域
３０，１３０  スキージ
３２  導電性ペースト
４０，１４０  キャッピング部材
４２，１４２  開口部
５０  回転機構
５２，１５２  制御装置
１５０  スライド機構
Ｄ  凹部の直径
Ｔ  凹部の深さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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