(57)【要約】【課題】絶縁性を向上させる。【解決手段】高電圧発生器Ａは、回路基板１５と、回路基板１５に実装されることで電圧倍増回路１６を構成する電子部品２４，２５と、回路基板１５と電子部品２４，２５を覆うモールド部２６と、回路基板１５を貫通した形態であり、電子部品２４，２５に臨むように開口する開口部２７，２８とを備えている。回路基板１５を貫通する開口部２７，２８が形成されているので、モールド部２６を成形するための溶融樹脂の流れが良好である。開口部２７，２８は電子部品２４，２５に臨むように開口しているので、回路基板１５と電子部品２４，２５との隙間に溶融樹脂が流入し易い。したがって、回路基板１５と電子部品２４，２５に対する溶融樹脂の密着性が、良好である。【選択図】図３
2020175349.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板に実装されることで電圧倍増回路を構成する電子部品と、
前記回路基板と前記電子部品を覆うモールド部と、
前記回路基板を貫通した形態であり、前記電子部品に臨むように開口する開口部とを備えていることを特徴とする高電圧発生器。
【請求項２】
前記開口部が、Ｉ字形をなしていることを特徴とする請求項１記載の高電圧発生器。
【請求項３】
前記開口部が、前記回路基板の外周縁を凹ませた形態の切欠溝であり、
前記電子部品が、前記切欠溝を横切るように配され、且つ前記回路基板に対し表面実装されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の高電圧発生器。
【請求項４】
前記開口部が、前記回路基板の外周縁に対して非開口のスリットであり、
１つの前記電子部品に対し複数の前記スリットが臨んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の高電圧発生器。
【請求項５】
前記開口部が、前記回路基板の外周縁に対して非開口のスリットであり、
前記電子部品が前記スリットを横切るように配され、
前記スリットの長さ方向における両方の端部が前記電子部品と非対応であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の高電圧発生器。
【請求項６】
前記開口部が、前記回路基板の外周縁に対して非開口のスリットであり、
１つの前記スリットが、間隔を空けて隣り合うように配された２つの前記電子部品に臨んでいることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の高電圧発生器。
【請求項７】
前記１つのスリットの長さ方向における少なくとも一方の端部が、前記電子部品と非対応であることを特徴とする請求項６に記載の高電圧発生器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高電圧発生器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、多段倍電圧整流回路を備えた静電塗装装置用の高電圧発生器が開示されている。多段倍電圧整流回路は、回路基板にコンデンサとダイオードを取り付けて構成されており、ケース内に収容されている。多段倍電圧整流回路における沿面放電を防止する手段として、ケース内にモールド材を充填し、充填したモールド材を多段倍電圧整流回路の表面に密着させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１２８１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の多段倍電圧整流回路では、コンデンサやダイオードが空中配線されている。これにより、回路基板とコンデンサとの間や、回路基板とダイオードとの間に、モールド用の溶融樹脂が回り込み易くなっている。しかしながら、コンデンサやダイオードを空中配線すると、高電圧発生器が大型化するという問題がある。小型化を図るためには、コンデンサやダイオードを表面実装すればよいのであるが、そうすると、溶融樹脂の流れが悪くなるため、モールド材内に気泡が生じ、沿面放電を生じる虞がある。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、絶縁性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、
回路基板と、
前記回路基板に実装されることで電圧倍増回路を構成する電子部品と、
前記回路基板と前記電子部品を覆うモールド部と、
前記回路基板を貫通した形態であり、前記電子部品に臨むように開口する開口部とを備えている。
尚、本発明において「開口部が電子部品に臨む」は、「回路基板の実装面を実装面と直角に視たときに、開口部の開口領域の少なくとも一部が、電子部品の少なくとも一部と重なる」ことを意味する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の高電圧発生器は、回路基板を貫通する開口部を有しているので、モールド部を成形するための溶融樹脂の流れが良好であり、回路基板と電子部品に対する溶融樹脂の密着性が高い。開口部は電子部品に臨むように開口しているので、回路基板と電子部品との隙間に溶融樹脂が流入し易く、回路基板と電子部品に対する溶融樹脂の密着性が、更に良好となっている。これにより、本発明の高電圧発生器は、回路基板の表面や電子部品の外面における気泡の発生が防止されるので、絶縁性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例１の高電圧発生器の一部切欠側面図である。
【図２】高電圧発生器の一部切欠平面図である。
【図３】図２の部分拡大図である。
【図４】高電圧発生器の一部切欠部分拡大底面図である。
【図５】電圧倍増回路の回路図である。
【図６】実施例２の高電圧発生器の一部切欠平面図である。
【図７】図６の部分拡大図である。
【図８】高電圧発生器の底面図である。
【図９】図８の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、前記開口部が、Ｉ字形をなしていることが好ましい。Ｉ字形の開口部は、屈曲形状の開口部に比べると、開口部内における溶融樹脂の流れが良好である。
【００１０】
本発明は、前記開口部が、前記回路基板の外周縁を凹ませた形態の切欠溝であり、前記電子部品が、前記切欠溝を横切るように配され、且つ前記回路基板に対し表面実装されていることが好ましい。切欠溝は回路基板の外周縁を凹ませた形態なので、回路基板のうち切欠溝の両側縁部が変形することが懸念される。しかし、電子部品が、切欠溝の両側縁部を橋渡しするような形態で回路基板に表面実装されているので、回路基板における切欠溝の両側縁部の変形を防止できる。これにより、切欠溝を長くして、溶融樹脂の流動性を高めることができる。
【００１１】
本発明は、前記開口部が、前記回路基板の外周縁に対して非開口のスリットであり、１つの前記電子部品に対し複数の前記スリットが臨んでいることが好ましい。この構成によれば、電子部品に対する溶融樹脂の密着性が良好となる。尚、本発明において「スリットが回路基板の外周縁に対して非開口である」は、「スリットの長さ方向両端部が回路基板の外周縁に開放されず、スリットの開口縁が全周に亘って連続して繋がった形態である」ことを意味する。
【００１２】
本発明は、前記開口部が、前記回路基板の外周縁に対して非開口のスリットであり、前記電子部品が前記スリットを横切るように配され、前記スリットの長さ方向における両方の端部が前記電子部品と非対応であることが好ましい。この構成によれば、スリットの長さ方向両端部において、溶融樹脂が回路基板を貫通するので、溶融樹脂の流れが良好となる。尚、本発明において「スリットの端部が電子部品と非対応」は、「回路基板の実装面を実装面と直角に視たときに、スリットの端部が、電子部品と重ならない」ことを意味する。
【００１３】
本発明は、前記開口部が、前記回路基板の外周縁に対して非開口のスリットであり、１つの前記スリットが、間隔を空けて隣り合うように配された２つの前記電子部品に臨んでいることが好ましい。この構成によれば、隣り合う２つの電子部品の間では、溶融樹脂が回路基板を貫通するように流れるので、溶融樹脂の流動性が良好となる。
【００１４】
本発明は、前記１つのスリットの長さ方向における少なくとも一方の端部が、前記電子部品と非対応であることが好ましい。この構成によれば、スリットの長さ方向における中間部だけでなく端部においても、溶融樹脂が回路基板を貫通するように流れるので、溶融樹脂の流れが良好となる。
【００１５】
＜実施例１＞
以下、本発明を具体化した実施例１を図１〜図５を参照して説明する。尚、以下の説明において、前後の方向については、図１〜４における右方を前方と定義する。上下の方向については、図１にあらわれる向きを、そのまま上方、下方と定義する。
【００１６】
本実施例１の高電圧発生器Ａは、静電塗装用の塗装ガン（図示省略）、静電コーティング装置や静電シーラー装置用の塗布ガン（図示省略）等に内蔵される。図１，２に示すように、高電圧発生器Ａの前端部には出力端子１０が設けられ、高電圧発生器Ａの後端部には入力コネクタ１１が設けられている。入力コネクタ１１に入力された電圧は、高電圧発生器Ａにより昇圧され、出力端子１０において高電圧となる。塗装ガン又は塗布ガンから吐出される塗料や塗布材は、出力端子１０に接続された高電圧の電極（図示省略）により帯電する。
【００１７】
高電圧発生器Ａは、ケース１２と、モールド部２６と、基板モジュール１４とを備えて構成されている。図１，２に示すように、ケース１２は、全体として前後方向に細長く形状である。ケース１２のうち後端部を除いた領域は偏平な形状をなし、ケース１２の後端部は上方へ直方形状に突出した形状をなしている。ケース１２の内部は、下面の全領域が開放された収容空間１３となっている。
【００１８】
基板モジュール１４は、回路基板１５（プリント基板）と、電圧倍増回路１６とを備えて構成されている。図２に示すように、回路基板１５は、平面視形状が長辺を前後方向に向けた長方形の平板状をなす。回路基板１５の表面（上面）と裏面（下面）にはプリント回路（図示省略）が印刷されている。基板モジュール１４は、回路基板１５を水平に向けた姿勢で収容空間１３に収容されている。
【００１９】
電圧倍増回路１６は、回路基板１５のプリント回路と、回路基板１５の表面（上面）に実装した各種電気部品１７〜２１と、コッククロフト・ウォルトン回路２３とを備えて構成されている。図５に示すように、各種電気部品は、トランス１７、ダイオード１８、入力側抵抗１９、アレスタ２０、ＬＥＤ２１を備えて構成されている。トランス１７は、回路基板１５の後端部に実装されている。回路基板１５の後端部には、ダイオード１８、入力側抵抗１９、アレスタ２０、ＬＥＤ２１が実装されている。回路基板１５の後端部に実装された各種電気部品１７〜２１は、トランス１７の一次回路に接続されている。回路基板１５の前端部には出力側抵抗２２が実装されている。出力側抵抗２２には、出力端子１０が接続されている。
【００２０】
図５に示すように、コッククロフト・ウォルトン回路２３は、回路基板１５のプリント回路と、複数のコンデンサ２４と、複数のダイオード２５とを備えて構成されている。コッククロフト・ウォルトン回路２３（複数のコンデンサ２４と複数のダイオード２５）は、トランス１７の二次回路と、回路基板１５の前端部に実装した出力側抵抗２２との間に接続されている。
【００２１】
回路基板１５に、各種電気部品１７〜２１と、コッククロフト・ウォルトン回路２３を構成するコンデンサ２４及びダイオード２５を実装し、入力コネクタ１１と出力端子１０を取り付けることにより、基板モジュール１４が構成される。基板モジュール１４はケース１２の収容空間１３内に収容され、ケース１２と基板モジュール１４との隙間には、モールド部２６で埋められている。モールド部２６を成形する際には、ケース１２と基板モジュール１４を上下反転させ、収容空間１３が上方へ開口する向きにして、溶融樹脂を収容空間１３内に注入する。注入された溶融樹脂が基板モジュール１４の表面に密着して固化することにより、基板モジュール１４が絶縁状態となる。
【００２２】
絶縁性能を高めるためには、回路基板１５とモールド部２６との間、各種電気部品とモールド部２６との間、コンデンサ２４とモールド部２６との間、ダイオード２５とモールド部２６との間に気泡（隙間）が生じないようにしなければならない。気泡の発生を防止するためには、溶融樹脂の流動性を高める必要がある。本実施例１の高電圧発生器Ａには、溶融樹脂の流動性を高める手段として、回路基板１５には、複数対の切欠溝２７（請求項に記載の開口部）と複数対のスリット２８（請求項に記載の開口部）が形成されている。
【００２３】
複数対の切欠溝２７は、回路基板１５を厚さ方向に貫通し、回路基板１５の表面と裏面とに開口している。複数対の切欠溝２７は、回路基板１５の左右両外側縁（長辺）に沿って前後方向に一定ピッチで配されている。切欠溝２７は、右外側縁部と左外側縁部に形成されたもの同士が対をなす。対をなす２つの切欠溝２７の位置、形状及び大きさは、左右対称である。対をなす切欠溝２７は、前後方向（長辺と平行な方向）において同じ位置に配されている。
【００２４】
切欠溝２７は、回路基板１５の外側縁から直角に内側へ一定幅のスリット２８状に切り込んだ形態である。即ち、切欠溝２７は、回路基板１５の表面を直角に視た平面視において、Ｉ字形（直線状）に開口している。換言すると、切欠溝２７は、回路基板１５の外側縁を深く凹ませた形態である。切欠溝２７の奥端部は半円形をなしている。切欠溝２７の長さ寸法（左右方向の開口寸法）は、切欠溝２７の幅寸法（前後方向の開口寸法）よりも大きい。本実施例１では、切欠溝２７の長さ寸法は幅寸法の約４倍である。前後に隣り合う切欠溝２７同士の間隔は、切欠溝２７の幅寸法の約２倍である。
【００２５】
複数対のスリット２８は、回路基板１５を厚さ方向に貫通し、回路基板１５の表面と裏面とに開口している。複数対のスリット２８は、回路基板１５の左右方向における中央部、即ち、左右方向において対をなす切欠溝２７よりも内側の領域に配されている。スリット２８は、左右に並ぶもの同士が対をなす。対をなす２つのスリット２８の位置、形状及び大きさは、左右対称である。対をなすスリット２８は、前後方向（長辺と平行な方向）において同じ位置に配されている。複数対のスリット２８は、前後方向に一定ピッチ（切欠溝２７と同じピッチ）で配されている。前後方向において、スリット２８と切欠溝２７は、１／２ピッチずつ交互に並ぶように配されている。
【００２６】
スリット２８は、前後方向に細長い形状であり、回路基板１５の表面を直角に視た平面視において、Ｉ字形に開口している。スリット２８の左右方向の幅寸法は、前後両端部を除いて一定の寸法である。スリット２８の前後両端部は半円形をなしている。スリット２８の前後方向の長さ寸法は、スリット２８の幅寸法よりも大きい。本実施例１では、スリット２８の長さ寸法は、幅寸法の約５倍であり、前後に隣り合う切欠溝２７の間の間隔よりも少し大きい寸法である。
【００２７】
コンデンサ２４は、偏平な直方体をなすチップ型と称されるものである。コンデンサ２４の下面（裏面）には、前後一対の電極（図示省略）が設けられている。コンデンサ２４の前後方向寸法は、切欠溝２７の溝幅より大きく、切欠溝２７の並列ピッチよりも小さい。コンデンサ２４は、切欠溝２７を橋渡しするように配置され、前後両電極を切欠溝２７の前後両側縁部に載置し、リフロー半田により表面実装されている。左右方向におけるコンデンサ２４の位置は、切欠溝２７の左右方向中央よりも外側（外側縁に近い位置）に設定されている。
【００２８】
コンデンサ２４を回路基板１５に表面実装した状態では、１つの切欠溝２７が、１つのコンデンサ２４に臨むように開口している。ここで、「切欠溝２７がコンデンサ２４に臨む」は、「回路基板１５の実装面（表面）を実装面と直角に視た平面視において、切欠溝２７の開口領域の少なくとも一部が、コンデンサ２４の少なくとも一部と重なる」ことを意味する。本実施例１では、切欠溝２７の開口領域のうち左右方向における中央よりも外側の領域が、コンデンサ２４の下面に臨んでいる。換言すると、切欠溝２７のうちコンデンサ２４に臨む領域は、回路基板１５の表面側からコンデンサ２４で塞がれている。切欠溝２７の外側の端部と内側の端部は、コンデンサ２４と非対応であり、回路基板１５の表裏両面に開口した状態である。
【００２９】
ダイオード２５は、細長い円柱形の素子本体２５Ｅと、素子本体２５Ｅの長さ方向両端面から一対のリード２５Ｌを導出させたものである。ダイオード２５を回路基板１５に実装する手段として、回路基板１５のうち各切欠溝２７の奥端部を前後から挟む２位置には、夫々、スルーホールＨが形成されている。各スルーホールＨには、ダイオード２５のリード２５Ｌが挿入され、半田２９により導通可能に固着されている。リード２５Ｌを回路基板１５に固着する半田２９は、回路基板１５の表裏両面において、略半球形状に盛り上げた形状をなしている。
【００３０】
平面視において、各ダイオード２５の素子本体２５Ｅは、前後方向（スリット２８の長さ方向）と左右方向（対をなすスリット２８が並ぶ方向）の両方向に対して斜めを向くように配置されている。ダイオード２５は、２つの形態で回路基板１５に実装されている。第１の実装形態Ｍ１は、ダイオード２５が、対をなす切欠溝２７のうち一方（右側）の切欠溝２７の後側に隣り合うスルーホールＨから、他方（左側）の切欠溝２７の前側に位置するスルーホールＨとの間に配置される形態である。換言すると、ダイオード２５が対をなす切欠溝２７の間を斜めに横切る形態である。
【００３１】
第２の実装形態Ｍ２は、前後で隣り合う二対の切欠溝２７の間にダイオード２５を配置する形態である。詳細には、ダイオード２５が、後側に位置する一対の切欠部のうち一方（右側）の切欠溝２７の前側に隣り合うスルーホールＨと、前側に位置する一対の切欠部のうち他方（左側）の切欠溝２７の後側に隣り合うスルーホールＨとの間に配置される形態である。更に換言すると、ダイオード２５が、前後で隣り合う二対の切欠溝２７の間の領域において、対角位置にある２つの切欠溝２７と隣り合う２つにスルーホールＨの間に配置する形態である。
【００３２】
第１の実装形態Ｍ１では、ダイオード２５の素子本体２５Ｅが、対をなす２つ切欠溝２７の奥端部と、２つのスリット２８の前端部又は後端部を回路基板１５の表面側から覆う。換言すると、第１の実装形態Ｍ１のダイオード２５に対し、対をなす２つの切欠溝２７の一部と、対をなさない２つのスリット２８の一部が臨んでいる。ここで、「切欠溝２７とスリット２８がダイオード２５に臨む」は、「回路基板１５の実装面（表面）を実装面と直角に視た平面視において、切欠溝２７の開口領域の少なくとも一部とスリット２８の開口領域の少なくとも一部が、ダイオード２５の少なくとも一部と重なる」ことを意味する。
【００３３】
第２の実装形態Ｍ２では、ダイオード２５の素子本体２５Ｅが、対をなす２つのスリット２８の長さ方向における中央部を、回路基板１５の表面側から覆う。換言すると、第２の実装形態Ｍ２のダイオード２５に対し、対をなす２つのスリット２８の一部が臨んでいる。ここで、「スリット２８がダイオード２５に臨む」は、「回路基板１５の実装面（表面）を実装面と直角に視た平面視において、スリット２８の開口領域の少なくとも一部が、ダイオード２５の少なくとも一部と重なる」ことを意味する。
【００３４】
各スリット２８は、その前端部又は後端部において第１の実装形態Ｍ１のダイオード２５に臨むと同時に、前後方向中央部において第２の実装形態Ｍ２のダイオード２５に臨んでいる。即ち、１つのスリット２８が、前後に隣り合うように配された２つのダイオード２５に臨んでいる。各スリット２８のうち第１の実装形態Ｍ１のダイオード２５に臨んでいない側の端部は、ダイオード２５と非対応となっている。ここで、「スリット２８の端部がダイオード２５と非対応」は、「回路基板１５の実装面を実装面と直角に視たときに、スリット２８の端部が、ダイオード２５と重ならない」ことを意味する。
【００３５】
上記形態の基板モジュール１４を収容空間１３内にセットした後は、溶融樹脂を回路基板１５の裏面に垂らすようにして流し込む。流し込まれた溶融樹脂は、回路基板１５の外周縁とケース１２の内周面との隙間、切欠溝２７及びスリット２８を通過し、収容空間１３のうち回路基板１５より下方の領域に充填されていく。充填された溶融樹脂が、ケース１２と基板モジュール１４との隙間を埋めた状態で固化すると、モールド部２６が成形されると同時に高電圧発生器Ａの製造が完了する。
【００３６】
本実施例１の高電圧発生器Ａは、回路基板１５と、回路基板１５に実装されることで電圧倍増回路１６を構成するコンデンサ２４及びダイオード２５とを備える。回路基板１５とコンデンサ２４とダイオード２５はモールド部２６で覆われる。モールド部２６が基板モジュール１４に密着することにより、沿面放電が防止される。溶融樹脂の流動性を向上させる手段として、回路基板１５には、回路基板１５を貫通した形態の切欠溝２７とスリット２８が形成されている。切欠溝２７とスリット２８は、コンデンサ２４及びダイオード２５に臨むように開口している。
【００３７】
回路基板１５には、貫通形態の切欠溝２７とスリット２８が形成されているので、モールド部２６を成形するための溶融樹脂の流れが良好である。切欠溝２７とスリット２８はＩ字形をなしているので、屈曲形状の開口部に比べると、切欠溝２７内及びスリット２８内における溶融樹脂の流れが、更に良好となっている。溶融樹脂の流動性が良好であるから、回路基板１５とコンデンサ２４とダイオード２５に対する溶融樹脂の密着性が高い。
【００３８】
しかも、切欠溝２７はコンデンサ２４とダイオード２５に臨むように開口し、スリット２８はダイオード２５に臨むように開口しているので、回路基板１５の表面（実装面）からコンデンサ２４やダイオード２５が突出していても、溶融樹脂は、回路基板１５とコンデンサ２４との隙間や回路基板１５とダイオード２５との隙間に回り込むことができる。このことによっても、回路基板１５とコンデンサ２４とダイオード２５に対する溶融樹脂の密着性が、良好となっている。溶融樹脂の密着性が良好なので、回路基板１５の表面やコンデンサ２４の外面やダイオード２５の外面における気泡の発生が防止される。したがって、本実施例１の高電圧発生器Ａは、絶縁性に優れている。
【００３９】
コンデンサ２４に臨む開口部は、回路基板１５の外周縁部をスリット２８状に凹ませた形態の切欠溝２７である。コンデンサ２４は、切欠溝２７を幅方向に横切るように配され、且つ回路基板１５に対し表面実装されている。切欠溝２７は回路基板１５の外周縁をスリット２８状に凹ませた形態なので、回路基板１５のうち切欠溝２７の両側縁部が変形することが懸念される。
【００４０】
しかし、コンデンサ２４が、切欠溝２７の両側縁部を橋渡しするような形態で回路基板１５に表面実装されているので、回路基板１５における切欠溝２７の両側縁部の変形を防止できる。これにより、切欠溝２７の左右方向の長さ寸法を大きくし、溶融樹脂が回路基板１５を貫通し易くすることができ、ひいては、溶融樹脂の流動性を高めることができる。
【００４１】
ダイオード２５に臨む開口部は、回路基板１５の外周縁に対して非開口のスリット２８であり、１つのダイオード２５に対し複数のスリット２８が臨んでいる。この構成によれば、ダイオード２５に対する溶融樹脂の密着性が良好となる。尚、本実施例１において「スリット２８が回路基板１５の外周縁に対して非開口である」は、「スリット２８の長さ方向両端部が回路基板１５の外周縁に開放されず、スリット２８の開口縁が全周に亘って連続して繋がった形態である」ことを意味する。
【００４２】
１つのスリット２８が、間隔を空けて前後に隣り合うように配された２つのダイオード２５に臨んでいる。この構成によれば、隣り合う２つのダイオード２５の間では、溶融樹脂が回路基板１５を貫通するように流れるので、溶融樹脂の流動性が良好となる。また、１つのスリット２８の長さ方向（前後方向）における少なくとも一方の端部が、ダイオード２５と非対応である。この構成によれば、スリット２８の長さ方向における中間部だけでなく端部においても、溶融樹脂が回路基板１５を貫通するように流れるので、溶融樹脂の流れが良好となる。
【００４３】
＜実施例２＞
次に、本発明を具体化した実施例２を図６〜図９を参照して説明する。本実施例２の高電圧発生器Ｂは、回路基板３０（プリント基板）に形成された複数対の切欠溝３１（請求項に記載の開口部）と複数の第１スリット３２（請求項に記載の開口部）と複数の第２スリット３５（請求項に記載の開口部）、及びコッククロフト・ウォルトン回路２３を構成するコンデンサ３８（請求項に記載の電子部品）とダイオード３９（請求項に記載の電子部品）が、上記実施例１と相違する。その他の構成については上記実施例１と同じであるため、同じ構成については、同一符号を付し、構造、作用及び効果の説明は省略する。
【００４４】
複数対の切欠溝３１は、回路基板３０を厚さ方向に貫通し、回路基板３０の表面（上面）と裏面（下面）とに開口している。複数対の切欠溝３１は、回路基板３０の左右両外側縁（長辺）に沿って前後方向に一定ピッチで配されている。切欠溝３１は、右外側縁部と左外側縁部に形成されたもの同士が対をなす。対をなす２つの切欠溝３１の位置、形状及び大きさは、左右対称である。対をなす切欠溝３１は、前後方向（長辺と平行な方向）において同じ位置に配されている。
【００４５】
切欠溝３１は、回路基板３０の外側縁から直角に内側へ一定幅のスリット状に切り込んだ形態である。切欠溝３１は、回路基板３０の表面を直角に視た平面視において、Ｉ字形（直線状）に開口している。換言すると、切欠溝３１は、回路基板３０の外側縁を凹ませた形態である。切欠溝３１の奥端部は半円形をなしている。切欠溝３１の長さ寸法（左右方向の開口寸法）は、切欠溝３１の幅寸法（前後方向の開口寸法）よりも大きい。本実施例１では、切欠溝３１の長さ寸法は幅寸法の約２倍である。前後に隣り合う切欠溝３１同士の間隔は、切欠溝３１の幅寸法の約２倍である。
【００４６】
第１スリット３２は、回路基板３０を厚さ方向に貫通し、回路基板３０の表面と裏面とに開口している。第１スリット３２は、左右方向において対をなす切欠溝３１よりも内側の領域に配されている。第１スリット３２は、全体としては前後方向に細長く、台形状に屈曲した形状をなしている。詳細には、第１スリット３２は、前後方向に細長い１本の縦溝部３３と、縦溝部３３の前後両端から斜め方向に延出した２本の斜溝部３４とによって構成されている。第１スリット３２の前後方向の長さ寸法は、前後に隣り合う切欠溝３１の間の間隔よりも少し大きい寸法である。第１スリット３２は、第１スリット３２の前後方向中央部が、前後に隣り合う切欠溝３１の中間に位置するように配されている。
【００４７】
第２スリット３５は、回路基板３０を厚さ方向に貫通し、回路基板３０の表面と裏面とに開口している。第２スリット３５は、左右方向において対をなす切欠溝３１よりも内側の領域に配されている。第２スリット３５は、全体としては前後方向に細長く、鈍角状に屈曲した形状をなしている。詳細には、第２スリット３５は、前後方向に細長い１本の縦溝部３６と、縦溝部３６の前端又は後端から斜め方向に延出した１本の斜溝部３７とによって構成されている。第２スリット３５の前後方向の長さ寸法は、前後に隣り合う切欠溝３１の間の間隔よりも少し大きい寸法である。第２スリット３５は、第２スリット３５の前後方向中央部が、前後に隣り合う切欠溝３１の中間に位置するように配されている。
【００４８】
複数の第１スリット３２と複数の第２スリット３５は千鳥配置されている。即ち、第１スリット３２と第２スリット３５は、左右二列に分かれ、各列において前後方向に交互に並ぶように配されている。したがって、左右方向においては、第１スリット３２と第２スリット３５が対をなすように並んでいる。
【００４９】
コンデンサ３８は、偏平な直方体をなすチップ型と称されるものである。コンデンサ３８の下面（裏面）には、前後一対の電極（図示省略）が設けられている。コンデンサ３８の前後方向寸法は、切欠溝３１の溝幅より大きく、切欠溝３１の並列ピッチよりも小さい寸法である。コンデンサ３８は、回路基板３０の表面（上面）と裏面（下面）の両面に表面実装されている。即ち、コンデンサ３８は、切欠溝３１を橋渡しするように配置され、前後両電極を切欠溝３１の前後両側縁部に載置され、リフロー半田により固着されている。左右方向におけるコンデンサ３８の位置は、切欠溝３１の左右方向中央部に設定されている。
【００５０】
コンデンサ３８を回路基板３０に表面実装した状態では、１つの切欠溝３１が、１つのコンデンサ３８に臨むように開口している。ここで、「切欠溝３１がコンデンサ３８に臨む」は、「回路基板３０の実装面（表面）を実装面と直角に視た平面視において、切欠溝３１の開口領域の少なくとも一部が、コンデンサ３８の少なくとも一部と重なる」ことを意味する。本実施例２では、切欠溝３１の開口領域のうち左右方向中央部が、コンデンサ３８の下面に臨んでいる。切欠溝３１のうちコンデンサ３８に臨む領域は、回路基板３０の表面側からコンデンサ３８で塞がれている。切欠溝３１の外側の端部と内側の端部は、コンデンサ３８と非対応であり、回路基板３０の表裏両面に開口した状態である。
【００５１】
ダイオード３９は、偏平な直方体をなすチップ型と称されるものである。ダイオード３９の下面（裏面）には、前後一対の電極（図示省略）が設けられている。１つのダイオード３９は、１つの第１スリット３２又は１つの第２スリット３５のいずれか一方のみを橋渡しするように配置されている。ダイオード３９は、回路基板３０の表面（上面）と裏面（下面）の両面に表面実装されている。即ち、ダイオード３９は、前後両電極を第１スリット３２又は第２スリット３５の前後両側縁部に載置し、リフロー半田により表面実装されている。
【００５２】
図６，７に示すように、回路基板３０の表面（上面）において、ダイオード３９が第１スリット３２又は第２スリット３５を横切る方向は、前後方向及び左右方向の両方向に対して斜めの方向である。図８，９に示すように、回路基板３０の裏面（下面）において、ダイオード３９が第１スリット３２又は第２スリット３５を横切る方向は、左右方向である。
【００５３】
回路基板３０の表面と裏面にいずれにおいても、１つの第１スリット３２は１つのダイオード３９のみに臨んでいる。１つの第２スリット３５は１つのダイオード３９のみに臨んでいる。ここで、「第１スリット３２と第２スリット３５がダイオード３９に臨む」は、「回路基板３０の実装面（表面）を実装面と直角に視た平面視において、第１スリット３２の開口領域の少なくとも一部と第２スリット３５の開口領域の少なくとも一部が、ダイオード３９の少なくとも一部と重なる」ことを意味する。
【００５４】
第１スリット３２のうちダイオード３９に臨んでいない両端部は、ダイオード３９と非対応となっている。第２スリット３５のうちダイオード３９に臨んでいない両端部は、ダイオード３９と非対応となっている。ここで、「第１スリット３２の両端部と第２スリット３５の両端部がダイオード３９と非対応」は、「回路基板３０の実装面（表面）を実装面と直角に視たときに、第１スリット３２の両端部と第２スリット３５の両端部が、ダイオード３９と重ならない」ことを意味する。
【００５５】
上記形態の基板モジュール４０を収容空間１３内にセットした後は、溶融樹脂を回路基板３０の裏面に垂らすようにして流し込む。流し込まれた溶融樹脂は、回路基板３０の外周縁とケース１２の内周面との隙間、切欠溝３１及びスリットを通過し、収容空間１３のうち回路基板３０より下方の領域に充填されていく。充填された溶融樹脂が、ケース１２と基板モジュール４０との隙間を埋めた状態で固化すると、モールド部２６が成形されると同時に高電圧発生器Ｂの製造が完了する。
【００５６】
本実施例２の高電圧発生器Ｂは、回路基板３０と、回路基板３０に実装されることで電圧倍増回路１６を構成するコンデンサ３８及びダイオード３９とを備える。回路基板３０とコンデンサ３８とダイオード３９はモールド部２６で覆われる。モールド部２６が基板モジュール４０に密着することにより、沿面放電が防止される。溶融樹脂の流動性を向上させる手段として、回路基板３０には、回路基板３０を貫通した形態の切欠溝３１と第１スリット３２と第２スリット３５が形成されている。切欠溝３１と第１スリット３２と第２スリット３５は、コンデンサ３８又はダイオード３９に臨むように開口している。
【００５７】
回路基板３０には、貫通形態の切欠溝３１と第１スリット３２と第２スリット３５が形成されているので、モールド部２６を成形するための溶融樹脂の流れが良好である。切欠溝３１はＩ字形をなしているので、屈曲形状の開口部に比べると、切欠溝３１内における溶融樹脂の流れが、更に良好となっている。溶融樹脂の流動性が良好であるから、回路基板３０とコンデンサ３８とダイオード３９に対する溶融樹脂の密着性が高い。
【００５８】
しかも、切欠溝３１はコンデンサ３８に臨むように開口し、第１スリット３２と第２スリット３５はダイオード３９に臨むように開口しているので、回路基板３０の表面（実装面）からコンデンサ３８やダイオード３９が突出していても、溶融樹脂は、回路基板３０とコンデンサ３８との隙間や回路基板３０とダイオード３９との隙間に回り込むことができる。このことによっても、回路基板３０とコンデンサ３８とダイオード３９に対する溶融樹脂の密着性が、良好となっている。溶融樹脂の密着性が良好なので、回路基板３０の表面やコンデンサ３８の外面やダイオード３９の外面における気泡の発生が防止される。したがって、本実施例１の高電圧発生器Ｂは、絶縁性に優れている。
【００５９】
＜他の実施例＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施例に限定されるものではなく、例えば次のような実施例も本発明の技術的範囲に含まれる。
上記実施例１，２では、切欠溝を横切るように配されたコンデンサ（電子部品）が、回路基板に表面実装されているが、切欠溝を横切るように配されたコンデンサは、リードをスルーホールＨに挿入した形態で回路基板に実装されていてもよい。
上記実施例１，２では、コンデンサに臨む開口部が、回路基板の外周縁に開口する切欠溝であるが、コンデンサに臨む開口部は、回路基板の外周縁に開口しないスリットであってもよい。
上記実施例１，２では、１つのコンデンサ（電子部品）に対し１つの切欠溝が臨んでいるが、１つのコンデンサ（電子部品）に対し複数の切欠溝が臨むようにしてもよい。
上記実施例１，２では、電圧増幅回路が多段タイプのコッククロフト・ウォルトン回路で構成されているが、電圧増幅回路はコッククロフト・ウォルトン回路以外の回路であってもよい。
上記実施例１，２において回路基板に実装されるダイオード（電子部品）とコンデンサ（電子部品）の数は、これらの実施例に開示した数に限定されるものではなく、回路基板に実装するダイオードとコンデンサの数は、いずれも、任意に設定することができる。
【００６０】
上記実施例１では、回路基板の外周縁に対して非開口のスリット（開口部）が、全てＩ字形をなしているが、一部のスリット（開口部）が屈曲した形状であってもよい。
上記実施例１では、１つのダイオード（電子部品）に対し複数（２つ）のスリット（開口部）が臨んでいるが、１つのダイオードに臨むスリットの数は、１つだけであってもよい。
上記実施例１では、スリットの長さ方向における一方の端部がダイオード（電子部品）に臨み、他方の端部が、ダイオード（電子部品）と非対応であって回路基板の表裏両面に開放された形態となっているが、スリットの長さ方向における両方の端部が電子部品に臨む形態としてもよく、スリットの長さ方向における両方の端部が回路基板の表裏両面に開放された形態としてもよい。
上記実施例１では、１つのスリット（開口部）が、間隔を空けて隣り合うように配された２つのダイオード（電子部品）に臨んでいるが、１つのスリットが臨むダイオード（電子部品）の数は、１つだけであってもよい。
上記実施例１では、ダイオード（電子部品）が、回路基板のスルーホールＨに貫通させたリードを介して回路基板に実装されているが、ダイオードは回路基板に表面実装されていてもよい。
上記実施例１では、回路基板の表面（トランスが実装されている側の面）のみに電子部品（コンデンサとダイオード）を実装したが、回路基板の表裏両面に電子部品を実装してもよい。
【００６１】
上記実施例２では、回路基板にＩ字形の開口部（スリット）と屈曲形状の開口部（スリット）が形成されているが、全ての開口部がＩ字形でもよく、全ての開口部が屈曲した形状であってもよい。
上記実施例２では、１つのダイオード（電子部品）に対し１つのスリットが臨んでいるが、１つのダイオードに複数のスリットが臨むようにしてもよい。
上記実施例２では、スリットの長さ方向における両方の端部が、電子部品と非対応であって回路基板の表裏両面に開放された形態となっているが、スリットの長さ方向における両方の端部が電子部品に臨む形態としてもよく、スリットの長さ方向における一方の端部が回路基板の表裏両面に開放され、他方の端部が電子部品に臨む形態としてもよい。
上記実施例２では、回路基板の表裏両面に電子部品（コンデンサとダイオード）を実装したが、回路基板の表面（トランスが実装されている側の面）のみ又は裏面のみに電子部品を実装してもよい。
【符号の説明】
【００６２】
Ａ，Ｂ…高電圧発生器
１５，３０…回路基板
１６…電圧倍増回路
２４，３８…コンデンサ（電子部品）
２５…ダイオード（電子部品）
２６…モールド部
２７，３１…切欠溝（開口部）
２８…スリット（開口部）
３２…第１スリット（開口部）
３５…第２スリット（開口部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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