(57)【要約】【課題】テトラヒドロほう酸塩の新規な製造装置を提供すること。【解決手段】内部で水素プラズマが発生する反応容器と、上記反応容器内に設けられ、ほう酸塩が載置される試料台と、載置される上記ほう酸塩の一部を覆うように設けられた水素イオン遮蔽部材と、を備える、テトラヒドロほう酸塩の製造装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部で水素プラズマが発生する反応容器と、
前記反応容器内に設けられ、ほう酸塩が載置される試料台と、
載置される前記ほう酸塩の一部を覆うように設けられた水素イオン遮蔽部材と、
を備える、テトラヒドロほう酸塩の製造装置。
【請求項２】
前記水素イオン遮蔽部材が網状である、請求項１に記載の製造装置。
【請求項３】
前記水素イオン遮蔽部材が金属から形成される、請求項１又は２に記載の製造装置。
【請求項４】
前記水素プラズマが、水素ガス及び炭化水素ガスの少なくとも一種を含む原料ガスを用いて生成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項５】
前記水素プラズマが、マイクロ波プラズマ又はＲＦプラズマである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造装置。
【請求項６】
ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらす水素ラジカル処理工程を備える、テトラヒドロほう酸塩の製造方法。
【請求項７】
前記水素ラジカル処理工程前に、前記ほう酸塩を加熱する予備加熱工程をさらに備える、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記水素ラジカル処理工程を前記ほう酸塩を加熱しながら実施する、請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記水素ラジカル処理工程を前記ほう酸塩を流動させながら実施する、請求項６〜８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ほう酸塩の平均粒子径が５００μｍ以下である、請求項６〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ほう酸塩がメタほう酸ナトリウムである、請求項６〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記水素ラジカル処理工程前に、テトラヒドロほう酸塩と水とを反応させてほう酸塩を得るほう酸塩調製工程をさらに備える、請求項６〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、テトラヒドロほう酸塩の製造装置、及びテトラヒドロほう酸塩の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ほう酸塩を水素化することによりテトラヒドロほう酸塩を製造する方法として、約５５０℃、２．３ＭＰａの水素雰囲気下で、メタほう酸ナトリウム粉末とマグネシウム粉末とを２時間程度反応させる方法が知られている。（例えば、特許文献１参照）。また、別の方法として、約３００℃、１ＭＰａの水素雰囲気下で、メタほう酸ナトリウム粉末と粒状アルミニウムとを、粒状アルミニウムを圧延粉砕しながら１時間程度反応させる方法が知られている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２４６８４号公報
【特許文献２】国際公開第２０１５／１９０４０３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これらの特許文献に記載された技術では、大容積反応容器内の雰囲気を１時間以上にわたって高温高圧に保つ必要があり、外部から大量のエネルギーを投入し続ける必要がある。また、当該技術では、還元金属としてマグネシウムやアルミニウムを消耗材として消費するため、産業応用した場合には非常に高コストなプロセスを含むこととなる。さらには、１バッチの処理時間に１時間以上を要するため、生産性が上がらず、産業応用に適さないという問題点がある。このように、テトラヒドロほう酸塩の製造分野においては、産業応用の観点から満足のいく製造方法が確立されていないのが現状である。
【０００５】
本開示は上記事情に鑑みてなされたものであり、テトラヒドロほう酸塩の新規な製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係るテトラヒドロほう酸塩の製造装置は、内部で水素プラズマが発生する反応容器と、上記反応容器内に設けられ、ほう酸塩が載置される試料台と、載置される上記ほう酸塩の一部を覆うように設けられた水素イオン遮蔽部材と、を備える。
【０００７】
一実施形態において、上記水素イオン遮蔽部材が網状であってもよい。
【０００８】
一実施形態において、上記水素イオン遮蔽部材が金属から形成されていてもよい。
【０００９】
一実施形態において、上記水素プラズマが、水素ガス及び炭化水素ガスの少なくとも一種を含む原料ガスを用いて生成されたものであってもよい。
【００１０】
一実施形態において、上記水素プラズマが、マイクロ波プラズマ又はＲＦプラズマであってもよい。
【００１１】
本開示の一態様に係るテトラヒドロほう酸塩の製造方法は、ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらす水素ラジカル処理工程を備えるものである。
【００１２】
一実施形態において、上記製造方法は、水素ラジカル処理工程前に、ほう酸塩を加熱する予備加熱工程をさらに備えていてもよい。
【００１３】
一実施形態において、水素ラジカル処理工程をほう酸塩を加熱しながら実施してもよい。
【００１４】
一実施形態において、水素ラジカル処理工程をほう酸塩を流動させながら実施してもよい。
【００１５】
一実施形態において、ほう酸塩の平均粒子径は５００μｍ以下であってもよい。
【００１６】
一実施形態において、ほう酸塩はメタほう酸ナトリウムであってもよい。
【００１７】
一実施形態において、上記製造方法は、水素ラジカル処理工程前に、テトラヒドロほう酸塩と水とを反応させてほう酸塩を得る工程をさらに備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本開示によれば、テトラヒドロほう酸塩の新規な製造装置及び製造方法を提供することができる。本開示の製造方法は低コストかつ高生産性を実現することができるため、産業応用に非常に適していると言える。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】テトラヒドロほう酸塩の製造装置の一例を示す模式図である。
【図２】実験例及び比較実験例における水素ラジカル処理工程での、プラズマ発光スペクトル測定の結果である。図２ａが実験例における測定結果であり、図２ｂが比較実験例における測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、場合により図面を参照しつつ本開示の実施形態について詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２１】
＜テトラヒドロほう酸塩の製造方法＞
テトラヒドロほう酸塩の製造方法は、ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらす水素ラジカル処理工程を備えるものである。
【００２２】
（水素ラジカル処理工程）
水素ラジカル処理工程では、活性の高い水素ラジカル（Ｈラジカル）によりほう酸塩を処理する。この際、ほう酸塩が有する酸素原子の結合部が切断されて酸素原子が除去され、また酸素原子が結合していた電子対に水素原子が結合することで、ほう酸塩の水素化が行われる。例えば、ほう酸塩としてメタほう酸ナトリウムを用いた場合、本工程にて以下の反応（１）が生じると考えられる。
ＮａＢＯ２＋４Ｈ２→ＮａＢＨ４＋２Ｈ２Ｏ      （１）
【００２３】
本工程においては、ほう酸塩を水素化してテトラヒドロほう酸塩を製造するにあたり、反応容器を高温高圧に保つ必要がなく、外部から大量のエネルギーを投入し続ける必要がない。また、水素ラジカルを使うことで従来プロセスと比較して処理時間が大幅に短くなるため、生産性を向上することができる。そのため、ほう酸塩を水素化してテトラヒドロほう酸塩を高速かつ大量に製造することができる。
【００２４】
水素ラジカル処理工程では、マグネシウムやアルミニウム等の還元金属（還元剤）を必須としない。そのため、還元金属の原材料コストが不要となり、従来プロセスと比較して格段に低コストを実現することができる。また、マグネシウムやアルミニウム等の還元金属を使った水素化プロセスの場合、処理後の被処理物中ではテトラヒドロほう酸塩と酸化金属（酸化マグネシウムや酸化アルミニウム）とが混在した状態となる。そのため、還元金属を必須とする従来プロセスにおいてはこれらの分離処理が別途必要となり製造コストが高くなるだけでなく、製造時間が長くなる問題がある。一方、本製造方法によればそのような問題が生じない。ただし、上記記載は、本実施形態において還元金属の使用を排除するものではない。
【００２５】
水素ラジカル処理工程は、半導体プロセス等に一般的に使用されるプラズマ処理装置を用いて実施することができるため、装置コスト及び運用コスト共に安価に抑えることができる。
【００２６】
このように、水素ラジカル処理工程を備える本実施形態に係る製造方法は、産業応用に適したものであると言うことができる。
【００２７】
水素ラジカル処理は、ほう酸塩を直接水素プラズマにさらす水素プラズマ処理とは異なる。水素プラズマ中には、電子、水素イオン、水素ラジカル、水素原子、及び水素分子の各粒子が少なくとも存在する。ほう酸塩の処理においては、これらのうち特に活性の高い水素ラジカル（Ｈラジカル）及び水素イオンが、ほう酸塩中の酸素−ホウ素の結合を切って酸素を叩き出し、代わりに水素を置換させる働きをすると考えられる。しかしながら、水素イオンは必要以上に高い運動エネルギーを有しているため、塩を構成する金属イオン（例えばナトリウムイオン）やホウ素イオンをエッチングし、テトラヒドロほう酸塩の構造自体を崩してしまう傾向がある。そこで、上記水素ラジカル処理では、ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらすこととしている。この処理は、好適には水素プラズマから水素イオンを除き、そして適度な運動エネルギーを有する水素ラジカルのみをほう酸塩に作用させることを意図して見出された処理である。すなわち、ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらす処理とは、水素イオン量が減少した、あるいは水素イオンが除かれた水素プラズマにほう酸塩をさらす処理であると言うこともできる。ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらす水素ラジカル処理は、ほう酸塩を直接水素プラズマにさらす水素プラズマ処理と比して効率よくテトラヒドロほう酸塩を製造することができる。
【００２８】
水素ラジカル処理に用いられる水素プラズマは、水素（Ｈ）を構成元素として含有するガス、例えば、水素ガス及び炭化水素ガスの少なくとも一種を含む原料ガスを用いて生成することができる。また、ＮＨ３ガス等も用いることができる。なお、炭化水素（ＣＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ６Ｈ６等）のように水素よりも酸化しやすい元素を含むガスを用いることで、ほう酸塩が有する酸素原子の結合部を切断して酸素原子を除去する効果をより高くすることができる。これにより、テトラヒドロほう酸塩の製造速度向上が見込まれる。同じ効果を狙って、原料ガスには、一酸化炭素等のような水素よりも酸化し易い元素を含むガスが含まれていてもよい。そのようなガスを水素（Ｈ）を構成元素として含有するガスと組み合わせて用いることで、ほう酸塩が有する酸素原子の結合部を切断して酸素原子を除去する効果をより高くすることができる。なお、原料ガスには、アルゴンガス、ヘリウムガス、ネオンガス等のような、水素との組み合わせにおいてペニング効果が生じるガスが含まれていてもよい。これにより水素プラズマ濃度を高く保つことができるとともに、水素プラズマを安定的かつ広範囲に発生させることができるため、テトラヒドロほう酸塩の製造速度向上が見込まれる。密度の高い水素プラズマを発生させるためには、例えば１０〜１５０Ｐａ程度に原料ガスを減圧することが好ましい。
【００２９】
水素プラズマは、マイクロ波プラズマ（マイクロ波によって励起されたプラズマ）及びＲＦプラズマ（ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）によって励起されたプラズマ）のいずれであってもよい。これらのプラズマは、パルス励起されたものであってもよく、直流励起されたものであってもよい。
【００３０】
マイクロ波を用いることで、高密度広範囲の非平衡水素プラズマが発生するため、テトラヒドロほう酸塩を製造する速度を早めることができる。また、ほう酸塩から解離した酸素原子が水素プラズマと反応して生成される水を、マイクロ波によって効果的に加熱蒸発あるいは電離させることができるので、製造されたテトラヒドロほう酸塩と水とが反応してほう酸塩に戻ることを抑制することができる。これにより、テトラヒドロほう酸塩を製造する速度を速めることができる。
【００３１】
マイクロ波としては、例えば、産業上使用可能な周波数帯であり、かつ密度の高い非平衡水素プラズマを生成可能な周波数１ＧＨｚ以上のマイクロ波を用いることができ、好適には周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いることができる。
【００３２】
マイクロ波プラズマの場合、例えば、水素プラズマ雰囲気を生成する際のマイクロ波電力は３００Ｗ以上とすることができる。また、ほう酸塩をプラズマ処理する時間は、ほう酸塩の量やプラズマ密度にも依るが、例えば１時間以下とすることができ、０．５時間以下であってもよい。
【００３３】
一方、ＲＦプラズマは産業界で広く用いられているプラズマであるため、装置コスト及び運用コスト共に安価に抑えることができる。ＲＦプラズマにより広範囲の非平衡水素プラズマが発生するため、テトラヒドロほう酸塩を製造する速度を早めることができる。ＲＦプラズマの生成に用いられる励起周波数は、法規制の観点から日本国内では１３．５６ＭＨｚが一般的である。
【００３４】
水素ラジカル処理工程は、ほう酸塩を加熱しながら実施することができる。本工程においては、ほう酸塩に対する水素ラジカル処理によりほう酸塩から解離した酸素と、水素プラズマとが反応して水が生じる。そのため、ほう酸塩を加熱しながら水素ラジカル処理を実施することで、生成した水と、ほう酸塩が水素化されて生じるテトラヒドロほう酸塩とが反応してしまうことをより抑制し易くなる。なお、上記のとおりマイクロ波プラズマを用いる場合は、当該マイクロ波によってもこの効果を得ることができる。加熱温度は４０〜３５０℃とすることができる。
【００３５】
水素ラジカル処理に用いられるプラズマは平衡プラズマであってもよい。これにより水素プラズマ密度及びイオン温度を高くすることができるので、ほう酸塩の酸素原子の結合部を切断して酸素原子を解離する効果が高くなる。これにより、テトラヒドロほう酸塩を製造する速度を早めることができる。また、ほう酸塩から解離した酸素原子と水素プラズマとの結合によって生成される水を高エネルギーにより効果的に蒸発あるいは電離させることができるので、製造されたテトラヒドロほう酸塩と水とが反応してほう酸塩に戻ることを防ぐことができる。これにより、テトラヒドロほう酸塩を製造する速度を速めることができる。
【００３６】
水素ラジカル処理工程は、ほう酸塩を流動させながら実施することができる。これにより、メタほう酸塩を水素ラジカルにより満遍なく処理することができる。
【００３７】
ほう酸塩は、還元剤と共に水素ラジカル処理に供されてもよい。還元剤としては、マグネシウム（マグネシウム系材料）、アルミニウム（アルミニウム系材料）、鉄（鉄系材料）等の還元金属粉末や、炭素粉末が挙げられる。これにより、水素ラジカル処理によりほう酸塩から解離する酸素原子をトラップし、酸素原子と水素プラズマとが反応して水が生成されることを抑制し易くなる。水素ラジカル処理後に、場合によってはテトラヒドロほう酸塩と還元剤に由来する不純物（主に金属酸化物）とを分離する工程が必要となるものの、還元剤の作用により水素ラジカル処理により水が生成することを抑制し易くなるため、処理効率自体は向上させることができる。
【００３８】
ほう酸塩は、吸湿剤と共に水素ラジカル処理に供されてもよい。吸湿剤としては、生石灰、シリカゲル、ベントナイト、塩化マグネシウム、塩化カルシウム等が挙げられる。これにより、上記のとおり水素ラジカル処理により生じる水を除去することができるため、処理効率をより向上させることができる。
【００３９】
（予備加熱工程）
本実施形態に係る製造方法は、水素ラジカル処理工程前に、ほう酸塩を加熱する予備加熱工程をさらに備えていてもよい。本工程により、ほう酸塩水和物が結晶水として含んでいる水を予め除去することができる。そのため、水素ラジカル処理工程において無用の水分が存在せず、処理効率を向上でき、テトラヒドロほう酸塩を製造する速度を速めることができる。
【００４０】
予備加熱工程は、ほう酸塩の種類や量に依るが、例えば４０〜３５０℃にて０．１〜２時間の条件にて実施することができる。
【００４１】
（ほう酸塩調製工程）
本実施形態に係る製造方法は、水素ラジカル処理工程前に（かつ予備加熱工程を設ける場合は当該予備加熱工程前に）、テトラヒドロほう酸塩と水とを反応させてほう酸塩を得る工程をさらに備えていてもよい。テトラヒドロほう酸塩を水素キャリアとして用い、水素の需要場にてテトラヒドロほう酸塩に水を加えることにより水素を取出して使用した後、その化学反応において生じた残渣であるほう酸塩を水素供給場に戻して再度水素化することで、テトラヒドロほう酸塩を再生することができる。脱水素と再水素化を繰り返し生じさせて水素を輸送貯蔵できるので、安価に水素を輸送貯蔵することが可能になる。例えば、テトラヒドロほう酸塩としてテトラヒドロほう酸ナトリウムを用いた場合、本工程にて以下の反応（２）が生じると考えられる。
ＮａＢＨ４＋２Ｈ２Ｏ→ＮａＢＯ２＋４Ｈ２      （２）
【００４２】
＜ほう酸塩及びテトラヒドロほう酸塩＞
（ほう酸塩）
ほう酸塩としては、例えばメタほう酸塩、四ほう酸塩、五ほう酸塩等のほう酸塩が挙げられる。メタほう酸塩としては、例えばＮａＢＯ２、ＫＢＯ２、ＬｉＢＯ２、Ｃａ（ＢＯ２）２、Ｍｇ（ＢＯ２）２等が挙げられる。四ほう酸塩としては、例えばＮａ２Ｂ４Ｏ７、Ｎａ２Ｏ・２ＢＯ３、Ｋ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３、Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７、Ｍｇ３Ｂ４Ｏ９等が挙げられる。五ほう酸塩としては、例えばＮａＢ５Ｏ８、Ｎａ２Ｏ・５Ｂ２Ｏ３、ＫＢ５Ｏ８、Ｋ２Ｏ・５Ｂ２Ｏ９、ＬｉＢ５Ｏ８等が挙げられる。また、天然のほう酸塩鉱物であるＮａ２Ｂ４Ｏ７・１０Ｈ２Ｏ、Ｎａ２Ｂ４Ｏ７・４Ｈ２Ｏ、Ｃａ２Ｂ６Ｏ１１・５Ｈ２Ｏ、ＣａＮａＢ５Ｏ９・６Ｈ２Ｏ、Ｍｇ７Ｃｌ２Ｂ１７Ｏ３０等を用いることもできる。入手容易性、入手コスト、化学的安定性、水素脱着容易性、水素貯蔵密度等の観点からは、ほう酸塩としてメタほう酸ナトリウムを用いてもよい。
【００４３】
ほう酸塩は、水素ラジカル処理効率をより向上するという観点から粉末状とすることができる。その際、ほう酸塩の平均粒子径は、５００μｍ以下とすることができ、１００μｍ以下であってもよい。下限は特に限定されないが、５μｍとすることができる。
【００４４】
（テトラヒドロほう酸塩）
テトラヒドロほう酸塩としては、上記に例示したほう酸塩に対応する水素化物が挙げられる。例えば、ほう酸塩としてメタほう酸塩を用いた場合、ＮａＢＨ４、ＫＢＨ４、ＬｉＢＨ４、Ｃａ（ＢＨ４）２、Ｍｇ（ＢＨ４）２等が挙げられる。
【００４５】
ただし、本実施形態に係る製造方法により得られるテトラヒドロほう酸塩は、下記一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表される組成を有するものを含む。
ＭｘＢｙＨｚ      （Ａ）
ＮｓＢｔＨｕ      （Ｂ）
式（Ａ）中、ＭはＬｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも一種であり、ｘは０．０５以上１．０未満であり０．５以上１．０未満であってもよく、ｙは０．６以上１．０未満であり、ｚは４．０である。式（Ｂ）中、ＮはＣａ及びＭｇからなる群より選択される少なくとも一種であり、ｓは０．０５以上１．０未満であり０．５以上１．０未満であってもよく、ｔは１．２以上２．０未満であり、ｕは８．０である。
【００４６】
このように、本実施形態に係る製造方法によると、化学量論組成からずれた組成を有するテトラヒドロほう酸塩を得ることができる。この理由は定かではないが、水素化に際し水素プラズマ（水素ラジカル）を用いることで、プラズマを構成する粒子によりホウ酸塩中の一部元素（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｍｇ等）が外部にはじき出されるという現象が生じているのではないかと推察される。
【００４７】
なお、このようなテトラヒドロほう酸塩は、ほう酸塩の水素ラジカル処理物（混合物）中に存在するものであるため、テトラヒドロほう酸塩の組成分析をすることで、テトラヒドロほう酸塩が水素ラジカル処理を経て得られたものであるか否かを検知することができる。すなわち、上記式（Ａ）及び（Ｂ）で表される組成を有するテトラヒドロほう酸塩は、検知に際してのマーカーとして使用することができる。
【００４８】
＜テトラヒドロほう酸塩の製造装置＞
テトラヒドロほう酸塩の製造装置は、内部で水素プラズマが発生する反応容器と、上記反応容器内に設けられ、ほう酸塩が載置される試料台と、載置される上記ほう酸塩の一部を覆うように設けられた水素イオン遮蔽部材と、を備える。この製造装置を用いることで、ほう酸塩を選択的に水素ラジカルにさらす水素ラジカル処理工程を備える、テトラヒドロほう酸塩の製造方法を実施することができる。
【００４９】
図１は、テトラヒドロほう酸塩の製造装置の一例を示す模式図である。図１に示す装置１００は、雰囲気および圧力調整可能に設計された反応容器１０、反応容器１０内に設けられほう酸塩Ｓを載置可能とした試料台１１、反応容器１０内にてほう酸塩Ｓの一部を覆うように設けられた水素イオン遮蔽部材１７と、反応容器１０外に設けられ試料台１１を加熱するための赤外線加熱装置１２、赤外線加熱装置１２から赤外線を試料台１１まで伝導させるためのガラス伝導ロッド１３、試料台１１内のほう酸塩Ｓを流動させるための振動発生器１４、及び反応容器１０に配管１５を介して取り付けられ反応容器１０内の雰囲気を排気することができる真空ポンプ１６を備えるほう酸塩処理機構と、マイクロ波発振器２０、アイソレーター２１、パワーモニター２２、チューナー２３、及び矩形同軸導波路変換器２４を備えるマイクロ波発生機構と、炭化水素ガスボンベ３０、水素ガスボンベ３１、及び水素混合ガスボンベ３２を備える原料ガス供給機構と、を備える。
【００５０】
また、同装置１００は、マイクロ波発生機構から発振されるマイクロ波をほう酸処理機構に伝導させる可撓同軸導波路４０、可撓同軸導波路４０と反応容器１０との間に設けられ、雰囲気を遮蔽しながらマイクロ波が伝搬可能である石英板（誘電体）４１、及び原料ガス供給機構から供給される原料ガスをほう酸塩処理機構に供給する配管４２を備える。
【００５１】
反応容器１０内では、導入された原料ガスが所定圧力に減圧され、マイクロ波による電界によって加速させた電子と原料ガス分子とが衝突電離をすることでプラズマＰが発生する。発生したプラズマＰに含まれる水素イオンの少なくとも一部は、石英板４１と試料台１１との、厳密には石英板４１とほう酸塩Ｓとの間に設けられた水素イオン遮蔽部材１７により遮蔽（除去）される。この意味において、水素イオン遮蔽部材１７は、ほう酸塩ＳがプラズマＰに直接さらされることを阻害する部材であると言える。一方、発生したプラズマＰに含まれる水素ラジカルは、水素イオン遮蔽部材１７により遮蔽されず、ほう酸塩Ｓまで到達する。これにより、ほう酸塩が選択的に水素ラジカル処理され、テトラヒドロほう酸塩を得ることができる。
【００５２】
例えば、水素イオン遮蔽部材１７が金属製の網である場合について説明する。水素イオン遮蔽部材１７は試料台１１の辺縁部に接して載置されており、さらに試料台１１は反応容器１０と接している。反応容器１０はアースがとられているため、水素イオン遮蔽部材１７は試料台１１及び反応容器１０を通じてアースがとられた状態となっている。水素イオンは正電荷を有しているため、アースの取られた網に引き寄せられるようにトラップされることとなり、網よりも試料台１１側には進入し難い。一方で、水素ラジカルは電荷を有しないため、網の開口部を通過して、試料台１１上のほう酸塩Ｓに到達する。なお、水素イオン遮蔽部材１７は、プラズマ源（反応容器１０内におけるマイクロ波源）とほう酸塩Ｓとの間に設けられ、当該プラズマ源とほう酸塩Ｓの両者を直線で結ぶことができる範囲を完全に遮ることができるように設けられることができる。
【００５３】
一方、水素イオン遮蔽部材１７が網のような開口部を有しない部材の場合、水素イオンは、試料台１１の上部に設けられた水素イオン遮蔽部材１７により進行を阻害され、ほう酸塩Ｓには到達し難い。一方で、水素ラジカルは水素イオン遮蔽部材１７の脇を回り込み、ほう酸塩Ｓに到達することができる。
【００５４】
水素イオン遮蔽部材の形状は特に限定されず、網状、スリット状、配列孔を有する板状（いわゆるパンチングメタルや有孔ボード）、板状、塊材状であってもよい。これらの形状のうち、荷電粒子である水素イオンを選択的にトラップする一方で、水素ラジカルを透過し易いと言う観点から、特に網状の遮蔽部材を用いることができる。
【００５５】
水素イオン遮蔽部材の素材は特に限定されず、導電体（金属、炭素、金属複合材、炭素複合材等）や、非導電体（ガラス、セラミックス、樹脂、紙、木材等）から形成されていてもよい。これらの素材のうち、安価であり、プラズマへの耐性があり、加工し易く、アースを取ることで荷電粒子である水素イオンを選択的にトラップし易いと言う観点から、特に金属（とりわけステンレス材）から形成された遮蔽部材を用いることができる。
【００５６】
以上のことから、水素イオン遮蔽部材として、金属製の網（とりわけステンレスメッシュ）を用いることができる。
【００５７】
上記水素プラズマは、テトラヒドロほう酸塩の製造方法の項にて説明したとおりである。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例により本開示をさらに詳しく説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５９】
（実験例）
図１に示す装置を用いて、テトラヒドロほう酸塩の製造を行った。ほう酸塩としてＮａＢＯ２・４Ｈ２Ｏ（メタほう酸ナトリウム四水和物：キシダ化学株式会社製、含量９８質量％）を準備した。これをボールミルで粉砕処理しながら３５０℃で２時間加熱して結晶水を除去し、粉状のＮａＢＯ２（無水メタほう酸ナトリウム）を得た。粉状のＮａＢＯ２の平均粒子径は１００μｍであった。平均粒子径はデジタルマイクロスコープにより測定した。
【００６０】
次に、粉状のＮａＢＯ２（試料Ｓ）を１．０ｇ秤量して試料台１１に載せ、試料台１１を反応容器１０内に載置した。反応容器１０としては容積が２．５Ｌのものを使用した。また、試料台１１の上部には、水素イオン遮蔽部材１７としてステンレスメッシュ（ＳＵＳ３０４、６０ｍｅｓｈ）を設けた。反応容器１０内を１０−４Ｐａとなるまで真空排気し、水素ガス及びアセチレンガスを、それぞれ流量が９９ｓｃｃｍ及び１ｓｃｃｍとなるよう調整して反応容器１０内に供給した。そして、反応容器１０内の圧力が９Ｐａに維持されるよう排気速度を調整した。赤外線加熱装置１２の電源を入れ、ガラス伝導ロッド１３及び試料台１１を介して試料Ｓを１６０℃に加熱した。
【００６１】
マイクロ波発振器２０の電源を入れ、反応容器１０内に周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を入射した。その際、マイクロ波反射電力が最小となるようにチューナー２３にて調整した。マイクロ波入射電力は５００Ｗ、マイクロ波反射電力は７０Ｗであった。反応容器１０内にはマイクロ波で励起された水素プラズマが発生した。試料台１１に載せられた試料Ｓは、水素プラズマに含まれる水素ラジカルにより選択的に処理された。処理中は、振動発生器１４により試料台１１に振動を与え、試料Ｓを流動させた。処理時間は３０分間とした。プラズマ源（反応容器１０内におけるマイクロ波源）から試料台１１までの距離は６０ｍｍであり、またプラズマ源から水素イオン遮蔽部材１７までの距離は５０ｍｍであった。
【００６２】
上記所定の処理時間経過後、マイクロ波発振器２０、振動発生器１４、及び赤外線加熱装置１２の電源を切り、水素ガスの供給を停止した。その後、反応容器１０内を大気解放し、水素ラジカル処理された試料を取り出した。
【００６３】
（比較実験例）
水素イオン遮蔽部材１７を用いなかったこと以外は、上記実験例と同様にしてテトラヒドロほう酸塩の製造を行った。これにより水素プラズマ処理された試料を得た。
【００６４】
（評価）
フーリエ変換赤外分光光度計ＦＴ／ＩＲ−６３００（日本分光株式会社製、製品名）を用いて、水素ラジカル処理後の試料の赤外吸収スペクトルを測定した。測定の結果、無水メタほう酸ナトリウムに由来するＢ−Ｏ結合のピークが減少し、テトラヒドロほう酸ナトリウムに由来するＢ−Ｈ結合のピークが増加した。これにより、無水メタほう酸ナトリウムに対する水素ラジカル処理により、テトラヒドロほう酸ナトリウムが得られることを確認した。
【００６５】
また、水素ラジカル処理後の試料について、ＸＲＤにより結晶構造を解析した。得られた試料にはＮａ０．８Ｂ０．９５Ｈ４．０という組成を有するテトラヒドロほう酸ナトリウムが含まれていた。
【００６６】
実験例及び比較実験例における水素ラジカル処理工程での、プラズマ発光スペクトル測定を実施した。図２に測定結果を示す。図２ａが実験例における測定結果であり、図２ｂが比較実験例における測定結果である。Ｈαの発光強度を１として規格化すると、Ｎａの原子スペクトルであるＤ線の発光強度が、比較実験例に比して実験例では低減していた（３．１２から２．２８）。なお、図２ａ及び図２ｂともに、水素ラジカル処理開始より４分経過した時点でのプラズマ発光スペクトル測定結果である。
【００６７】
また、以下のようにしてそれぞれの水素化率を算出したところ、実験例は、比較実験例に比して水素化率が１．９３倍に向上したことが分かった。
水素化率（％）＝｛水素ラジカル処理後（又は水素プラズマ処理後）の試料を水と反応させたときの水素発生量（ｇ）／試料がほう酸塩から水素化ほう素ナトリウムに完全に転化した場合の試料を水と反応させたときの理論水素発生量（ｇ）｝×１００
【符号の説明】
【００６８】
１０…反応容器、１１…試料台、１２…赤外線加熱装置、１３…ガラス伝導ロッド、１４…振動発生器、１５…配管、１６…真空ポンプ、１７…水素イオン遮蔽部材、２０…マイクロ波発振器、２１…アイソレーター、２２…パワーモニター、２３…チューナー、２４…矩形同軸導波路変換器、３０…炭化水素ガスボンベ、３１…水素ガスボンベ、３２…水素混合ガスボンベ、４０…可撓同軸導波路、４１…石英板（誘電体）、４２…配管、１００…テトラヒドロほう酸塩の製造装置、Ｐ…プラズマ、Ｓ…ほう酸塩。
【図１】
2020152597.tif 000003
【図２】
2020152597.tif 000004