(57)【要約】【課題】ガスの反応性を制御すること。【解決手段】成膜方法は、成膜対象の基板が配置された処理容器内に成膜用の原料ガスを供給しつつ、原料ガスが有する所定の結合を分離する第１波長の紫外線を処理容器内に照射して、基板の表面に原料ガスの前駆体を吸着する工程と、処理容器内に反応ガスを供給して基板の表面に前駆体と反応ガスとが反応した層を形成する工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜対象の基板が配置された処理容器内に成膜用の原料ガスを供給しつつ、前記原料ガスが有する所定の結合を分離する第１波長の紫外線を前記処理容器内に照射して、前記基板の表面に前記原料ガスの前駆体を吸着する工程と、
前記処理容器内に反応ガスを供給して前記基板の表面に前記前駆体と前記反応ガスとが反応した層を形成する工程と、
を有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記原料ガスは、ＳｉＮ結合を有するガスとし、
前記第１波長は、２００〜２５０ｎｍの範囲の波長とし、
前記反応ガスは、前記前駆体を酸化する酸化ガスとした
ことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記原料ガスは、アミノシランガスとし、
前記反応ガスは、酸素ガスとした
ことを特徴とする請求項２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記層を形成する工程は、前記前駆体と前記反応ガスとの反応を促進する第２波長の紫外線を前記処理容器内に照射しつつ、前記処理容器内に反応ガスを供給する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記第２波長は、１６０〜２００ｎｍの範囲の波長とした
ことを特徴とする請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記吸着する工程と前記層を形成する工程との間、および、前記層を形成する工程の後に、前記処理容器内のガスをパージする工程をさらに有し、
前記パージする工程において第３波長の紫外線を前記処理容器内に照射する
ことを特徴とする請求項１〜５の何れか１つに記載の成膜方法。
【請求項７】
成膜対象の基板が配置された処理容器と、
前記処理容器内に、成膜用の原料ガスおよび反応ガスを供給可能なガス供給部と、
前記処理容器内に紫外線を照射する照射部と、
前記ガス供給部から前記原料ガスを供給しつつ前記照射部から前記原料ガスが有する所定の結合を分離する第１波長の紫外線を前記処理容器内に照射して前記基板の表面に前記原料ガスの前駆体を吸着させた後、前記ガス供給部から前記反応ガスを供給して前記基板の表面に前記前駆体と前記反応ガスとが反応した層を形成するよう制御する制御部と、
を有することを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜方法および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、紫外線透過窓が設けた処理ガス供給室をチャンバの外部に設け、供給室内の処理ガスに紫外線透過窓から紫外線を照射して光励起した処理ガスを反応チャンバに導入して半導体ウエハに成膜処理を施す技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−４５８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、ガスの反応性を制御できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による成膜方法は、成膜対象の基板が配置された処理容器内に成膜用の原料ガスを供給しつつ、原料ガスが有する所定の結合を分離する第１波長の紫外線を処理容器内に照射して、基板の表面に原料ガスの前駆体を吸着する工程と、処理容器内に反応ガスを供給して基板の表面に前駆体と反応ガスとが反応した層を形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、ガスの反応性を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係る成膜処理の流れの一例を示す図である。
【図３】図３は、実施形態に係るアミノシランガスの分子の状態を模式的に示す図である。
【図４】図４は、実施形態に係るＯ２ガスの分子の状態を模式的に示す図である。
【図５】図５は、実施形態に係る成膜装置の他の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本願の開示する成膜方法および成膜装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する成膜方法および成膜装置が限定されるものではない。
【０００９】
ところで、成膜の材料となるガスを供給し、熱やプラズマによりガスを反応させて成膜を行うプラズマＣＶＤ（chemical  vapor  deposition）などの成膜手法が知られている。ガスは、分子構造を反映した数々の励起状態がある。従来の成膜手法では、熱やプラズマによりガスを反応させるため、ガスが複数の励起状態を混在した状態となり、ガスの反応性を制御することが困難である。そこで、ガスの反応性を制御することが期待されている。
【００１０】
［成膜装置の構成］
最初に、実施形態に係る成膜装置１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。図１には、実施形態に係る成膜装置１０の縦断面における構造が概略的に示されている。成膜装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略筒形状を有しており、鉛直方向に延在している。処理容器１２は、略筒状の側壁部、及び、側壁部の下端に連続する底部を有している。処理容器１２は、内部空間１２ｓを提供している。処理容器１２は、アルミニウムといった金属から形成されている。
【００１１】
処理容器１２の側壁部には、半導体ウエハなどの基板Ｗを搬出入するための通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、処理容器１２の外部から内部空間１２ｓに搬送されるとき、及び、内部空間１２ｓから処理容器１２の外部に搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。通路１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能である。ゲートバルブ１２ｇは、処理容器１２の側壁部に沿って設けられている。
【００１２】
処理容器１２の内部空間１２ｓの中には、基板Ｗを載置するための載置台１４が設けられている。載置台１４は、略円盤形状に形成されている。載置台１４は、支持体１５によって支持されている。支持体１５は、絶縁性を有しており、処理容器１２の底部から上方に延びている。
【００１３】
載置台１４は、上部に静電チャック１８が設けられており、静電チャック１８の上面に基板Ｗが載置される。静電チャック１８は、誘電体膜、及び、当該誘電体膜内に内蔵された電極を含んでいる。静電チャック１８の電極は、導電性を有する膜である。静電チャック１８の電極には、スイッチを介して電源が接続されている。電源から静電チャック１８の電極に電圧が印加されることにより、静電チャック１８と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック１８に引き付けられ、静電チャック１８によって保持される。
【００１４】
載置台１４は、温度の制御が可能とされている。例えば、載置台１４は、内部に不図示のヒーターなどの温調機構が設けられ、基板Ｗが載置される静電チャック１８の載置面の温度の制御が可能とされている。基板Ｗは、載置台１４により加熱される。
【００１５】
載置台１４の上方には、シャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０と載置台１４の間には、内部空間１２ｓの一部が介在している。本実施形態では、処理容器１２の上端部は、開口している。シャワーヘッド２０は、部材２１を介して処理容器１２の上端部に支持されている。部材２１は、絶縁性を有している。シャワーヘッド２０は、部材２１と共に、処理容器１２の上端部の開口を封止している。
【００１６】
シャワーヘッド２０は、導電性を有する一以上の部品から形成されている。シャワーヘッド２０を構成する一以上の部品は、アルミニウム、シリコンといった材料により形成されている。或いは、シャワーヘッド２０は、導電性を有する一以上の部品と絶縁性を有する一以上の部品により形成されていてもよい。
【００１７】
シャワーヘッド２０には、複数のガス吐出孔２０ａ及びガス拡散室２０ｂが形成されている。複数のガス吐出孔２０ａは、ガス拡散室２０ｂから内部空間１２ｓ側のシャワーヘッド２０下面まで下方に延びている。ガス拡散室２０ｂには、ガス供給管２３を介してガス供給部２２が接続されている。
【００１８】
ガス供給部２２は、成膜に用いる各種のガスをガス拡散室２０ｂに供給する。例えば、ガス供給部２２は、複数のガスソース、マスフローコントローラといった複数の流量制御器、及び、複数のバルブを有する。複数のガスソースの各々は、複数の流量制御器のうち対応の流量制御器、及び、複数のバルブのうち対応のバルブを介して、ガス拡散室２０ｂに接続されている。ガス供給部２２は、複数のガスソースのうち選択されたガスソースからのガスの流量を調整し、当該ガスをガス拡散室２０ｂに供給する。ガス拡散室２０ｂに供給されたガスは、各ガス吐出孔２０ａから内部空間１２ｓに供給される。
【００１９】
本実施形態に係る成膜装置１０は、ＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）により成膜を行う。ガス供給部２２は、原料ガスと反応ガスとパージガスとをそれぞれ個別に供給する。原料ガス、反応ガスおよびパージガスの具体例は、後述する。
【００２０】
また、シャワーヘッド２０は、中央部分に、透過窓２５が設けられている。透過窓２５は、例えば、石英などの紫外線を透過する部材によって形成され、紫外線を透過する。透過窓２５には、光ファイバ２７を介して光源部２６に接続されている。光源部２６は、特定の波長の紫外線を発生させることが可能とされている。光源部２６は、特定の波長の紫外線を光ファイバ２７に出力する。光源部２６から出力された紫外線は、光ファイバ２７および透過窓２５を透過し、処理容器１２内全体に照射される。本実施形態に係る成膜装置１０は、光源部２６、光ファイバ２７および透過窓２５により、処理容器１２内のガスや、載置台１４された基板Ｗに対して、紫外線を照射することが可能とされている。
【００２１】
処理容器１２の底部には、排気装置２４が接続されている。排気装置２４は、内部空間１２ｓに連通可能に設けられている。排気装置２４は、圧力調整弁といった圧力制御装置、及び、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった真空ポンプを有している。排気装置２４を作動させることにより、内部空間１２ｓの中に存在するガスは、載置台１４と処理容器１２の側壁部との間の空間１２ｖを通って、排出される。また、排気装置２４によって、内部空間１２ｓの中の圧力が、指定された圧力に調整される。
【００２２】
上記のように構成された成膜装置１０は、制御部３０によって、動作が統括的に制御される。制御部３０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムや、成膜のプロセス条件に基づいて動作し、装置全体の動作を制御する。例えば、制御部３０は、基板Ｗの搬入、搬出の制御、載置台１４の不図示のヒーターの温度の制御、処理容器１２内の圧力制御を制御する。また、制御部３０は、ガス供給部２２からの各ガスの供給の開始、停止、各ガスの流量、光源部２６からの紫外線の照射を制御する。なお、制御に必要なコンピュータに読み取り可能なプログラムは、記憶媒体に記憶されていてもよい。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはＤＶＤ等よりなる。また、制御部３０は、成膜装置１０の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部３０が外部に設けられている場合、制御部３０は、有線又は無線等の通信手段によって、成膜装置１０を制御することができる。
【００２３】
なお、成膜装置１０は、処理容器１２内にプラズマを生成可能な構成としてもよい。この場合、例えば、成膜装置１０は、載置台１４およびシャワーヘッド２０をアルミニウムといった導電性材料で形成する。また、成膜装置１０は、載置台１４およびシャワーヘッド２０の一方または両方に高周波電源を接続する。そして、成膜装置１０は、高周波電源から載置台１４およびシャワーヘッド２０の一方または両方に所定周波数の高周波電力を印加して、処理容器１２内にプラズマを生成可能な構成としてもよい。プラズマの生成に用いる高周波電力の周波数は、３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの範囲内の周波数を用いることができる。載置台１４およびシャワーヘッド２０の表面は、耐プラズマ性を有する被覆が形成されていてもよい。また、処理容器１２の内壁面も、耐プラズマ性を有する被覆が形成されていてもよい。耐プラズマ性を有する被覆としては、アルマイト膜、酸化イットリウム膜といったセラミックス製の膜が挙げられる。
【００２４】
〔成膜の流れ〕
次に、成膜装置１０を用いた成膜処理の具体例を説明する。以下では、成膜装置１０を用いてＡＬＤにより成膜を実施する場合を説明する。
【００２５】
例えば、成膜を実施する場合、成膜装置１０のゲートバルブ１２ｇが開き、通路１２ｐを介して成膜対象の基板Ｗが載置台１４上に搬送され、ゲートバルブＧが閉じる。制御部３０は、排気装置２４を駆動し、処理容器１２内を所定の真空度まで減圧する。そして、制御部３０は、ガス供給部２２を制御して、ガス供給部２２から成膜用の原料ガスと反応ガスとを、パージガスによるパージを挟んで個別に処理容器１２内に供給してＡＬＤにより成膜を実施する。また、制御部３０は、光源部２６を制御して、成膜の際に光源部２６から特定の波長の紫外線を光ファイバ２７および透過窓２５を介して処理容器１２内に照射する。
【００２６】
例えば、シリコン酸化膜を成膜する場合、原料ガスとしては、例えば、ＢＤＥＡＳ（ビスジエチルアミノシラン）、ＤＩＰＡＳ（ジイソプロピルアミノシラン）、ＤＭＡＳ（ジメチルアミノシラン）、ＴＤＭＡＳ（トリジメチルアミノシラン）等のアミノシランガスを用いることができる。反応ガスとしては、酸素（Ｏ２）ガスやＨ２Ｏ等の酸化ガスを用いることができる。パージガスとしては、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガスを用いることができる。
【００２７】
ところで、紫外線は、波長によってエネルギーが変化する。例えば、紫外線は、波長が短いほどエネルギーが高くなる。ガスには、分子構造を反映した数々の励起状態がある。ガスの分子は、様々な波長の紫外線を吸収する。このため、ガスの分子に対して、特定の波長の紫外線を照射することで、ガスの分子を選択的に特定の状態に励起できる。例えば、ガスの分子の特定の電子結合の励起に必要なエネルギーに対応する特定の波長の紫外線をガスの分子に照射することで、ガスの分子の特定の結合電子のみを励起することができる。このように、ガスの分子の特定の結合電子のみを励起できることで、ガスの反応性を制御できる。例えば、ガスの分子は、励起状態によっては、化学結合を弱める電子軌道や反応が促進する電子軌道が存在する。このため、適切な波長の紫外線を照射してガスの分子を特定の化学結合を特定の状態に励起することで、結果的に特定の化学結合を切ることや、反応を促進させることができる。
【００２８】
例えば、アミノシランガスは、Ｓｉ−Ｎの結合を有する。Ｓｉ−Ｎの結合は、２００〜２５０ｎｍの範囲の波長の紫外線を照射することで、結合を切ることができる。また、Ｏ２ガスは、１６０〜２００ｎｍの範囲の波長の紫外線の照射と共に、供給することで、酸化を促進させることができる。このような範囲の波長の紫外線を発生可能な光源部２６としては、エキシマランプやエキシマレーザーが挙げられる。
【００２９】
ここで、制御部３０の制御の元、成膜装置１０が実施する成膜処理の流れを説明する。図２は、実施形態に係る成膜処理の流れの一例を示す図である。
【００３０】
工程Ｓ１では、ガス供給部２２からアミノシランガスを供給しつつ、光源部２６から２００〜２５０ｎｍの範囲の特定の波長の紫外線を照射する。例えば、本実施形態では、光源部２６から２３０ｎｍの波長の紫外線を照射する。
【００３１】
図３は、実施形態に係るアミノシランガスの分子の状態を模式的に示す図である。図３には、アミノシランガスの分子構造の一部が示されている。アミノシランガスは、ＳｉＨ３−Ｎ−２（ＣｍＨｎ）などの分子構造を有し、Ｓｉ−Ｎの結合を有する。アミノシランガスが処理容器１２に供給されると、Ｎ−２（ＣｍＨｎ）の部分が作用し、基板Ｗの表面には、アミノシランの前駆体を吸着する。しかし、アミノシランガスは、２３０ｎｍの波長の紫外線が照射されると、Ｓｉ−Ｎの結合が切れて、ＳｉＨ３とＮ−２（ＣｍＨｎ）に分離するため、基板Ｗの表面にアミノシランの前駆体を吸着しづらくなる。
【００３２】
このように、成膜装置１０は、アミノシランガスを供給しつつ、光源部２６から２３０ｎｍの波長の紫外線を処理容器１２内に照射することで、基板Ｗの表面へのアミノシランの吸着を制御できる。
【００３３】
次に、工程Ｓ２では、アミノシランガスの供給および紫外線の照射を停止し、パージガスを供給すると共に排気を行って、内部空間１２ｓからアミノシランガスを排気する。
【００３４】
次に、工程Ｓ３では、パージガスの供給を停止し、酸化ガス、例えば、Ｏ２ガスを供給しつつ、光源部２６から１６０〜２００ｎｍの範囲の波長の紫外線を照射する。例えば、本実施形態では、光源部２６から１７２ｎｍの波長の紫外線を照射する。
【００３５】
図４は、実施形態に係るＯ２ガスの分子の状態を模式的に示す図である。処理容器１２にＯ２ガスが供給されると、表面に吸着したアミノシランガスの前駆体がＯラジカルと反応して改質され、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）が成膜される。この際に、１７２ｎｍの波長の紫外線を照射されると、改質を促進できる。
【００３６】
このように、成膜装置１０は、Ｏ２ガスを供給しつつ、光源部２６から１７２ｎｍの波長の紫外線を処理容器１２内に照射することで、基板Ｗの表面の改質を促進できる。
【００３７】
次に、工程Ｓ４では、Ｏ２ガスの供給および紫外線の照射を停止し、パージガスを供給すると共に排気を行って、内部空間１２ｓから窒素含有ガスを排気する。
【００３８】
成膜装置１０は、工程Ｓ１〜Ｓ４を繰り返して所望の膜厚のシリコン酸化膜を基板Ｗに成膜する。
【００３９】
なお、ＡＬＤの流れはこれに限定されるものではない。紫外線は、工程Ｓ１、工程Ｓ３の何れか一方のみ照射するようにしてもよい。また、工程Ｓ２および工程Ｓ４において、紫外線を照射してもよい。例えば、工程Ｓ２において、２００〜２５０ｎｍの範囲の波長の紫外線を照射することで、基板Ｗの表面に残留するアミノ基を除去できる。また、工程Ｓ４において、１６０〜２００ｎｍの範囲の波長の紫外線を照射することで、基板Ｗの表面を活性化することができる。紫外線は、様々な分子に吸収されやすい。このため、基板Ｗの表面の改質目的として紫外線を照射する場合は、パージガスの供給を停止、または、圧力を下げて紫外線がガスに吸収されるのを抑えることが好ましい。
【００４０】
このように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜対象の基板Ｗが配置された処理容器１２内に成膜用の原料ガスを供給しつつ、原料ガスが有する所定の結合を分離する第１波長の紫外線を処理容器１２内に照射して、基板Ｗの表面に原料ガスの前駆体を吸着する。本実施形態に係る成膜方法は、処理容器内１２に反応ガスを供給して基板Ｗの表面に前駆体と反応ガスとが反応した層を形成する。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、原料ガスの反応性を制御できる。この結果、本実施形態に係る成膜方法は、成膜の反応性を制御できる。
【００４１】
また、原料ガスは、ＳｉＮ結合を有するガスとする。第１波長は、２００〜２５０ｎｍの範囲の波長とする。反応ガスは、前駆体を酸化する酸化ガスとする。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、ＳｉＮ結合が作用する反応の反応性を制御することができる。
【００４２】
また、原料ガスは、アミノシランガスとする。反応ガスは、酸素ガスとする。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、ＳｉＯ膜の成膜の反応性を制御できる。
【００４３】
また、本実施形態に係る成膜方法は、前駆体と反応ガスとの反応を促進する第２波長の紫外線を処理容器１２内に照射しつつ、処理容器１２内に反応ガスを供給する。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、前駆体と反応ガスとの反応の反応性を制御できる。この結果、本実施形態に係る成膜方法は、成膜の反応性を制御できる。
【００４４】
また、第２波長は、１６０〜２００ｎｍの範囲の波長とする。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、膜の改質を促進できる。
【００４５】
また、本実施形態に係る成膜方法は、処理容器１２内のガスをパージする工程において第３波長の紫外線を処理容器１２内に照射する。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、基板Ｗの表面に残留するアミノ基を除去できる。また、工程Ｓ４において紫外線を照射することで、基板Ｗの表面を活性化することができる。
【００４６】
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００４７】
例えば、実施形態では、光源部２６から出力された紫外線を１箇所（透過窓２５）から処理容器１２内に照射する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。成膜装置１０は、紫外線を複数個所から処理容器１２内に照射可能な構成としてもよい。また、成膜装置１０は、処理容器１２内で部分的に紫外線の照射量を変更可能な構成としてもよい。図５は、実施形態に係る成膜装置の他の構成の一例を示す図である。図５に示す成膜装置１０は、シャワーヘッド２０の中央部分に透過窓２５ａが設けられると共に、シャワーヘッド２０の周辺部分に透過窓２５ｂが設けられている。透過窓２５ｂは、シャワーヘッド２０の周方向に連続した円環状の形状としてもよく、周方向に複数に分離した形状としてもよい。光源部２６は、透過窓２５ａおよび透過窓２５ｂに光ファイバ２７ａ、２７ｂを介して接続され、それぞれ照射量を制御して特定の波長の紫外線を光ファイバ２７ａ、２７ｂにそれぞれ出力可能とされている。ここで、一般に、ＡＬＤでは、アミノシランガスなどの原料ガスを供給した場合、基板Ｗの表面に前駆体が１原子層びっしりと吸着して飽和すると言われている。しかし、実際には、不均一が発生する場合がある。例えば、成膜装置１０は、シャワーヘッド２０から原料ガスを噴出させた場合、原料ガスの濃度がシャワーヘッド２０の中央部分が周辺部分よりも高くなり、基板Ｗの中央部分と周辺部分で前駆体の吸着に若干の不均一が発生する場合がある。そこで、制御部３０は、光源部２６を制御し、シャワーヘッド２０の中央部分と周辺部分から、２３０ｎｍの波長の紫外線を、照射量を変えて照射してもよい。例えば、制御部３０は、透過窓２５ｂよりも透過窓２５ａから照射される紫外線の照射量が多くなるように光源部２６から光ファイバ２７ａ、２７ｂに出力する紫外線の照射量などを制御して、処理容器１２内に紫外線を照射してもよい。これにより、シャワーヘッド２０の周辺部分よりも中央部分のアミノシランの前駆体を吸着しづらくなるため、基板Ｗの中央部分と周辺部分の前駆体の吸着の不均一を抑制できる。
【００４８】
また、実施形態では、シャワーヘッド２０に透過窓２５を設け、光源部２６から出力した紫外線を、透過窓２５を透過させて処理容器１２内に照射する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。成膜装置１０は、光源部２６を処理容器１２内に設けて紫外線を直接処理容器１２内に照射してもよい。
【００４９】
また、実施形態では、基板Ｗを半導体ウエハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板Ｗは、シリコンであっても、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体でもあってもよい。また、基板Ｗは、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いるガラス基板や、セラミック基板等でもあってもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１０  成膜装置
１２  処理容器
２０  シャワーヘッド
２２  ガス供給部
２６  光源部
２５、２５ａ、２５ｂ  透過窓
２７、２７ａ、２７ｂ  光ファイバ
３０  制御部
Ｗ  基板
【図１】
2020177980.tif 000003
【図２】
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【図３】
2020177980.tif 000005
【図４】
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【図５】
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