(57)【要約】【課題】パーティクルがマスクケース中に進入してフォトマスクが汚染されることを防ぐ乱流構造を有するマスクケースを提供する。【解決手段】乱流構造を有するマスクケース１００は、本体１及び蓋体２を備える。本体１の中央領域には、フォトマスク配置エリア１１が設けられる。蓋体２は、本体１を閉じ、蓋体２の縁辺領域２２と本体１の縁辺領域１２とは、凸部３２及び凹部３１を介して組み合わされる。凹部３１と凸部３２とが組み立てられると、フォトマスク配置エリア１１を取り囲むように乱流構造３が形成される。乱流構造３は、凹部３１と凸部３２との間に形成された乱流流路３３を有する。本体１は、乱流流路３３が形成された表面上に、少なくとも１つの後退した側壁１２１を有し、もって集塵空間Ｓが形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体及び蓋体を備え、
前記本体の中央領域には、フォトマスク配置エリアが設けられ、
前記蓋体は、前記本体を閉じ、前記蓋体の縁辺領域と前記本体の縁辺領域とは、凸部及び凹部を介して組み合わされ、前記凹部と前記凸部とが組み立てられると、前記フォトマスク配置エリアを取り囲むように乱流構造が形成され、
前記乱流構造は、前記凹部と前記凸部との間に形成された乱流流路を有し、前記本体は、前記乱流流路が形成された表面上に、少なくとも１つの後退した側壁を有し、もって集塵空間が形成されることを特徴とする、乱流構造を有するマスクケース。
【請求項２】
前記凹部は、前記本体に設けられ、
前記凸部は、前記蓋体に設けられ、
前記凹部の一側部に、前記後退した側壁が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項３】
前記凹部の両側部に、前記後退した側壁が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項４】
前記凹部は、前記蓋体に設けられ、
前記凸部は、前記本体に設けられ、
前記凸部の一側部に、前記後退した側壁が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項５】
前記凸部の両側部に、前記後退した側壁が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項６】
前記凸部の断面は矩形状であることを特徴とする請求項１に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項７】
前記凸部の断面は円弧形状であることを特徴とする請求項１に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項８】
前記後退した側壁は、鋭角部を有することを特徴とする請求項１に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【請求項９】
前記後退した側壁は、アールを有することを特徴とする請求項１に記載の乱流構造を有するマスクケース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクケースに関し、特に、乱流構造を有するマスクケースに関する。
【背景技術】
【０００２】
高度リソグラフィ工程、特にＥＵＶ（深紫外線）リソグラフィ工程では、プロセス環境のクリーン度に対する要求が高く、もしパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）によりフォトマスクが汚染されると、リソグラフィ工程に欠陥が生じることがあった。そのため、外部からパーティクルが進入することを防ぐマスクケースを用いてクリーン度及びフォトマスク保護の要求を達成することが一般的であった。しかし従来のフォトマスクのマイクロコンタミネーションコントロールは、マスクケースの上下蓋を密着させて得た気密に頼っていたため、気密不良が発生した場合、パーティクルがマスクケース中に進入してフォトマスクが汚染されることがあった。
【０００３】
そのため、上述したような様々な問題を解決することができる乱流構造を有するマスクケースが求められていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明者は、上記課題を解決するための鋭意検討を重ねた結果、かかる知見に基づいて、本発明に想到するに至った。本発明の課題は、パーティクルがマスクケース中に進入してフォトマスクが汚染されることを防ぐ乱流構造を有するマスクケースを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態によれば、本体及び蓋体を備えた、乱流構造を有するマスクケースであって、前記本体の中央領域には、フォトマスク配置エリアが設けられ、前記蓋体は、前記本体を閉じ、前記蓋体の縁辺領域と前記本体の縁辺領域とは、凸部及び凹部を介して組み合わされ、前記凹部と前記凸部とが組み立てられると、前記フォトマスク配置エリアを取り囲むように乱流構造が形成され、前記乱流構造は、前記凹部と前記凸部との間に形成された乱流流路を有し、前記本体は、前記乱流流路が形成された表面上に、少なくとも１つの後退した側壁を有し、もって集塵空間が形成されることを特徴とする、乱流構造を有するマスクケースを提供する。
【０００６】
前記凹部は、前記本体に設けられ、前記凸部は、前記蓋体に設けられ、前記凹部の一側部に、後退した側壁が設けられていることが好ましい。
【０００７】
前記凹部の両側部に、後退した側壁が設けられていてもよい。  
【０００８】
前記凹部は、前記蓋体に設けられ、前記凸部は、前記本体に設けられ、前記凸部の一側部に、前記後退した側壁が設けられていることが好ましい。
【０００９】
前記凸部の両側部に、前記後退した側壁が設けられていてもよい。
【００１０】
前記凸部の断面は矩形状であることが好ましい。
【００１１】
前記凸部の断面は円弧形状であることが好ましい。
【００１２】
前記後退した側壁は、鋭角部を有することが好ましい。
【００１３】
前記後退した側壁は、アールを有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の乱流構造を有するマスクケースは、気体の流通流路を大幅に延ばし、気体が挟んだパーティクルがフォトマスク配置エリアに達する可能性を大幅に減らすことができる上、乱流流路が形成された本体の表面上には、少なくとも１つの後退した側壁が設けられ、後退した側壁中に気流が挟んだパーティクルが進入すると、後退した側壁に沿って這い上がることが困難であるため、乱流流路中にパーティクルが滞留し、フォトマスク配置エリアにパーティクルが進入することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る乱流構造を有するマスクケースを示す斜視図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る乱流構造を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る乱流構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係る乱流構造を示す断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係る乱流構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の目的、特徴及び効果をより分かりやすくするために、具体的な実施形態について図に基づいて詳しく説明する。
【００１７】
（第１実施形態）
図１及び図２を参照する。図１及び図２に示すように、本発明の一実施形態に係る乱流構造を有するマスクケース１００は、少なくとも本体１及び蓋体２から構成されてなる。
【００１８】
本体１の中央領域には、フォトマスクＲを載置するフォトマスク配置エリア１１が設けられている。一方、フォトマスク配置エリア１１を取り囲むように縁辺領域１２が本体１に設けられている。
【００１９】
本体１を蓋体２で閉じると、蓋体２の縁辺領域２２（位置が本体１の縁辺領域１２に対応する）と本体１の縁辺領域１２とが、凸部３２及び凹部３１を介して組み合わされ、凹部３１と凸部３２とが組み立てられると、フォトマスク配置エリア１１を取り囲むように乱流構造３が形成される。第１実施形態において、凹部３１及び凸部３２は、本体１又は蓋体２の何れか１つに設けられることだけに限定されず、例えば、凹部３１が本体１に設けられて凸部３２が蓋体２に設けられてもよいし（図１及び図２に示す）、反対に凹部３１が蓋体２に設けられて凸部３２が本体１に設けられてもよい（図４及び図５に示す）。第１実施形態では、凹部３１が本体１に設けられて凸部３２が蓋体２に設けられている。
【００２０】
乱流構造３は、凹部３１と凸部３２との間に形成された乱流流路３３を含み、図１の線Ａ−Ａに沿った断面図の乱流流路３３は非線形である。本発明の乱流構造を有するマスクケース１００に外部空間から気流が進入する際、まず、蓋体２の縁辺領域２２と本体１の縁辺領域１２との間に形成された平坦状の流路を通り、非線形の乱流流路３３に進入する。その後、気体は乱流流路３３中を下降してから上昇しなければ、中央領域に位置するフォトマスク配置エリア１１に達することはできない。このように乱流流路３３は、気体の流通経路を大幅に延ばすことができるため、気体が挟んだパーティクルがフォトマスク配置エリア１１にまで達する可能性を大幅に減らすことができる。また、図２に示すように、第１実施形態の本体１は、乱流流路３３が形成された表面上に、少なくとも１つの後退した側壁１２１を有し、集塵空間Ｓが形成されている。気流が挟んだパーティクルが、後退した側壁１２１中に進入すると、後退した側壁１２１を這い上がることが困難となり、集塵空間Ｓ中にパーティクルが滞留される。このように乱流構造３は、パーティクルがフォトマスク配置エリア１１に進入することを防ぎながら、乱気流を這い上がらせることができる。
【００２１】
（第２実施形態）
図３を参照する。図３に示すように、本発明の第２実施形態に係る乱流構造を有するマスクケースは、第１実施形態と異なり、凹部３１が本体１に設けられ、凸部３２が蓋体２に設けられ、凹部３１には、後退した側壁１２１が一側のみに設けられている。好ましくは、後退した側壁１２１の後退方向は、気流方向と同じである（矢印で示す）。
【００２２】
また、図２に示すように、凹部３１の両側には、パーティクル収集及び気流攪乱の効果を高めるために、後退した側壁１２１がそれぞれ設けられてもよい。
【００２３】
（第３実施形態）
また、図４に示すように、本発明の第３実施形態に係る乱流構造を有するマスクケースは、第１実施形態と異なり、凹部３１ａが蓋体２に設けられ、凸部３２ａが本体１に設けられている。本体１に設けられた凸部３２ａの一側には、後退した側壁１２１ａが設けられている。好ましくは、後退した側壁１２１ａの後退方向は、気流方向と同じである（矢印で示す）。
【００２４】
（第４実施形態）
また、図５に示すように、本発明の第４実施形態に係る乱流構造を有するマスクケースは、第３実施形態と異なり、パーティクル収集及び気流攪乱効果を高めるために、凸部３２ａの両側に後退した側壁１２１ａがそれぞれ設けられてもよい。
【００２５】
また、図３を参照する。図３に示すように、本発明の第２実施形態に係る乱流構造を有するマスクケースの凸部３２の断面は矩形状であるが、本発明はこれだけに限定されない。
【００２６】
（第５実施形態）
図６に示すように、本発明の第５実施形態に係る乱流構造を有するマスクケースの凸部３２ｂの断面は円弧形状であるが、本発明はこれだけに限定されず、凸部の断面は如何なる形状でもよい。
【００２７】
また、後退した側壁１２１，１２１ａは、図３及び図４に示すように、鋭角部を有してもよいが、本発明はこれだけに限定されず、図２、図５及び図６に示すように、アールを有してもよい。つまり、後退した側壁１２１，１２１ａの形状、数及び凸部３２，３２ｂの形状は任意に組み合わせてもよい。
【００２８】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と領域を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明の特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００２９】
１  本体
２  蓋体
３  乱流構造
１１  フォトマスク配置エリア
１２  縁辺領域
２２  縁辺領域
３１  凹部
３１ａ  凹部
３２  凸部
３２ａ  凸部
３２ｂ  凸部
３３  乱流流路
１００  乱流構造を有するマスクケース
１２１  後退した側壁
１２１ａ  後退した側壁
Ｒ  フォトマスク
Ｓ  集塵空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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