(57)【要約】【課題】デバイスチップの側面にダイボンド用樹脂が付着することを抑制することができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、所定の厚さに形成され表面にＢＧテープが貼着されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップＳＴ１と、ウェーハの裏面に液状のダイボンド用樹脂を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２と、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側から分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハの内部に分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップＳＴ３と、ウェーハを面方向に拡張し改質層に沿ってダイボンド用樹脂層とともにウェーハを破断し、ダイボンド用樹脂層を備えるデバイスチップを形成するウェーハ破断ステップＳＴ５と、を備える。【選択図】図３
2020123624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの表面が分割予定ラインで区画され、区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
所定の厚さに形成され表面に保護部材が貼着されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、
該保護部材が貼着された面と反対側のウェーハの裏面に、液状のダイボンド用樹脂を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成ステップと、
該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層が形成されたウェーハを面方向に拡張し、該改質層に沿って該ダイボンド用樹脂層とともにウェーハを破断し、ダイボンド用樹脂層を備えるデバイスチップを形成するウェーハ破断ステップと、を備えるウェーハの加工方法。
【請求項２】
該ダイボンド用樹脂層形成ステップの後で、該改質層形成ステップの前又は後に、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップを備え、
該ウェーハ破断ステップでは、該エキスパンドテープを拡張して該ウェーハを破断する請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【請求項３】
該改質層形成ステップでは、該エキスパンドテープ側から該ウェーハに該レーザー光線を照射する請求項２に記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
該ウェーハ破断ステップでは、該ダイボンド用樹脂層を冷却して該ダイボンド用樹脂の破断を促進する請求項１乃至請求項３のうちいずれか一項に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハは、例えば、分割予定ライン（ストリート）に沿って切削ブレードで切削されて、各デバイスに対応する複数のデバイスチップへと分割される。このデバイスチップを別の基板等へと固定するために、デバイスチップの裏面側に固定用の接着層を設けることがある。
【０００３】
従来の加工方法では、接着層としてダイアタッチフィルム（以下、ＤＡＦと記す）と呼ばれるシート状の接着材がウェーハの裏面に貼着し、ウェーハとＤＡＦを共に分割する事で接着層付きのデバイスチップを得る。ウェーハの分割には、所謂ＤＢＧ（Dicing  Before  Grinding）やＳＤＢＧ（Stealth  Dicing  Before  Grinding）と呼ばれる加工方法がある。ＤＢＧやＳＤＢＧと呼ばれる加工方法は、ストリートに沿ってハーフカット溝やレーザー光線による改質層を形成後、ウェーハの裏面を研削し個々のデバイスチップに分割する加工方法である。
【０００４】
これらの加工方法の場合、ＤＡＦを貼る前にウェーハが既にデバイスチップに分割されているため、レーザー光線等により別途ＤＡＦを分割する工程が追加される。前述した加工方法の場合、既にデバイスチップに分割されたウェーハにＤＡＦを貼っているためデバイスチップの整列が乱れ、ＤＡＦの切断位置が蛇行してしまい、レーザー光線を照射する位置合わせのためのアライメント時間が長時間になるという課題が有った。
【０００５】
そこで、本発明の出願人は、ＤＢＧ、ＳＤＢＧ後のウェーハに適した分割不要の液状のダイボンド用樹脂を分割後のウェーハの裏面に塗布するという方法を考案した（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１７−０４１５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、既にデバイスチップに分割されているため液状のダイボンド用樹脂がデバイスチップとデバイスチップとの隙間に侵入して、デバイスチップの側面に付着してしまうという課題が残っていた。
【０００８】
本願発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、デバイスチップの側面にダイボンド用樹脂が付着することを抑制することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの表面が分割予定ラインで区画され、区画された各領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、所定の厚さに形成され表面に保護部材が貼着されたウェーハを準備するウェーハ準備ステップと、該保護部材が貼着された面と反対側のウェーハの裏面に、液状のダイボンド用樹脂を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層を形成するダイボンド用樹脂層形成ステップと、該ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射し、該ウェーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層が形成されたウェーハを面方向に拡張し、該改質層に沿って該ダイボンド用樹脂層とともにウェーハを破断し、ダイボンド用樹脂層を備えるデバイスチップを形成するウェーハ破断ステップと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
前記ウェーハの加工方法において、該ダイボンド用樹脂層形成ステップの後で、該改質層形成ステップの前又は後に、該ダイボンド用樹脂層を介してウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着ステップを備え、該ウェーハ破断ステップでは、該エキスパンドテープを拡張して該ウェーハを破断しても良い。
【００１１】
前記ウェーハの加工方法において、該改質層形成ステップでは、該エキスパンドテープ側から該ウェーハに該レーザー光線を照射しても良い。
【００１２】
前記ウェーハの加工方法において、該ウェーハ破断ステップでは、該ダイボンド用樹脂層を冷却して該ダイボンド用樹脂の破断を促進しても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本願発明は、デバイスチップの側面にダイボンド用樹脂が付着することを抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法により製造されたデバイスチップの斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示されたウェーハの加工方法のウェーハ準備ステップ後のウェーハを示す斜視図である。
【図５】図５は、図３に示されたウェーハの加工方法のダイボンド用樹脂層形成ステップを模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、図３に示されたウェーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着ステップにおいて、ウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着する状態を示す断面図である。
【図８】図８は、図３に示されたウェーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着ステップにおいて、ウェーハの表面側からＢＧテープを剥がした状態を示す断面図である。
【図９】図９は、図３に示されたウェーハの加工方法の分割ステップにおいて、ウェーハを分割装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法の分割ステップにおいて、ウェーハを個々のデバイスチップに分割した状態を模式的に示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、図１１に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１６】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の加工対象のウェーハの斜視図である。図２は、実施形態１に係るウェーハの加工方法により製造されたデバイスチップの斜視図である。図３は、実施形態１に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１７】
実施形態１に係るウェーハの加工方法は、図１に示すウェーハ１から図２に示すデバイスチップ２を製造する方法である。ウェーハの加工方法の加工対象であるウェーハ１は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素などの基板３を有する円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。
【００１８】
ウェーハ１は、図１に示すように、基板３の表面４が格子状に設定された分割予定ライン５で区画され、分割予定ライン５によって区画された各領域にデバイス６が形成されている。デバイス６は、例えば、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）等のイメージセンサである。
【００１９】
実施形態１において、ウェーハ１は、分割予定ライン５に沿って個々のデバイス６毎に分割されて、図２に示すデバイスチップ２に個片化される。デバイスチップ２は、基板３の一部分と、基板３上のデバイス６と、基板３の裏面７側に積層されたダイボンド用樹脂層８と、を含み、側面１０の厚み方向の中央に改質層９が形成されている。なお、ダイボンド用樹脂層８は、他のデバイスチップ２又は他の基板等にデバイスチップ２を固定するためのものである。改質層９とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層９は、ウェーハ１の他の部分よりも機械的な強度等が低い。
【００２０】
次に、実施形態１に係るウェーハの加工方法について説明する。実施形態１に係るウェーハの加工方法は、裏面７側に研削加工及び研磨加工が施されて所定の厚さに形成されたウェーハ１にダイボンド用樹脂層８を形成し、ウェーハ１を分割予定ライン５に沿って個々のデバイス６毎に分割しデバイスチップ２を製造する方法である。ウェーハの加工方法は、図３に示すように、ウェーハ準備ステップＳＴ１と、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２と、改質層形成ステップＳＴ３と、エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４と、ウェーハ破断ステップＳＴ５とを備える。
【００２１】
（ウェーハ準備ステップ）
図４は、図３に示されたウェーハの加工方法のウェーハ準備ステップ後のウェーハを示す斜視図である。ウェーハ準備ステップＳＴ１は、研削加工及び研磨加工により所定の厚さ１１に形成され、基板３の表面４側に保護部材であるＢＧ（Back  Grind）テープが貼着されたウェーハ１を準備するステップである。実施形態１では、ＢＧテープ２０は、ウェーハ１と同形の円板状に形成されている。
【００２２】
実施形態１において、ウェーハ準備ステップＳＴ１では、図４に示すように、周知のマウンタがウェーハ１と同径のＢＧテープ２０を基板３の表面４側に貼着し、ウェーハ１の裏面７を研削する際にデバイス６が破損するのを防ぐ。ウェーハの加工方法は、ウェーハ準備ステップＳＴ１後、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２に進む。
【００２３】
（ダイボンド用樹脂層形成ステップ）
図５は、図３に示されたウェーハの加工方法のダイボンド用樹脂層形成ステップを模式的に示す断面図である。ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２は、ＢＧテープ２０が貼着された基板３の表面４と反対側のウェーハ１の基板３の裏面７に、液状のダイボンド用樹脂８−１を塗布し、所望の厚みのダイボンド用樹脂層８を形成するステップである。
【００２４】
ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２では、オペレータがＢＧテープ２０を介してウェーハ１の基板３の表面４側を樹脂敷設装置３０の保持テーブル３１の保持面３２に載置し、樹脂敷設装置３０が、保持テーブル３１の保持面３２にＢＧテープ２０を介してウェーハ１の基板３の表面４を吸引保持する。ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２では、樹脂敷設装置３０が、保持テーブル３１を軸心回りに回転しながら保持面３２に沿って移動する塗布ノズル３３から液状のダイボンド用樹脂８−１と高圧エアーを混合して噴霧する。
【００２５】
なお、実施形態１において、液状のダイボンド用樹脂８−１として、外的刺激として紫外線を照射することにより固化する紫外線硬化型接着剤を採用する。紫外線硬化型接着剤としては、例えば、Ｈｏｎｇｈｏｗ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ  Ｉｎｃ．製の商品名「ＨＰ２０ＶＬ」又は「ＳＴ２０ＶＬ」を採用できる。なお、本発明では、液状のダイボンド用樹脂８−１として、外的刺激として所定の熱を付加することにより固化する銀充てんエポキシ樹脂接着剤、例えば、Ａｂｌｅｓｔｉｋ  Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ製の商品名「Ａｂｌｅｂｏｎｄ  ８２００ｃ」等を使用可能である。
【００２６】
ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２では、保持テーブル３１を軸心回りに回転させながら塗布ノズル３３から液状のダイボンド用樹脂８−１と高圧ガスとの混合物を噴射させながら塗布ノズル３３を予め定められた所定回数保持面３２に沿って移動させると、塗布ノズル３３がウェーハ１上から退避したスタンバイ状態に戻され、液状のダイボンド用樹脂８−１の供給、高圧エアーの供給が停止され、保持テーブル３１の回転も停止する。また、実施形態１では、一度に大量に噴霧することなく、上記したように一回の塗布処理を所定回数に限定することで、液状のダイボンド用樹脂８−１によって形成される薄膜層の厚みを３μｍ以上でかつ７μｍ以下になるようにしている。
【００２７】
ウェーハ１の基板３の裏面７上に噴霧された液状のダイボンド用樹脂８−１が安定し若干硬化する時間をおいたり（例えば、３０秒程度）紫外線を照射したりした後、再度、上記と同様の液状のダイボンド用樹脂８−１を塗布する処理を実行して、さらに液状のダイボンド用樹脂８−１の薄膜層を形成する。本発明では、薄膜層を形成する塗布処理の回数は、液状のダイボンド用樹脂８−１の最終的な厚さが１０μｍ以上でかつ５０μｍ以下となるような回数だけ実行されればよい。
【００２８】
実施形態１では、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２では、液状のダイボンド用樹脂８−１が塗布された基板３の裏面７側に対して、外的刺激を付加する手段としての紫外線照射手段から紫外線を照射し硬化することで、ウェーハ１の基板３の裏面７側にダイボンド用樹脂層８を形成する。なお、本発明では、液状のダイボンド用樹脂８−１として熱硬化型樹脂を採用した場合は、紫外線の照射に替えて、ヒータ等による加熱を実行して液状のダイボンド用樹脂８−１を硬化し、ウェーハ１の基板３の裏面７にダイボンド用樹脂層８を形成しても良い。ウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２後、改質層形成ステップＳＴ３に進む。
【００２９】
（改質層形成ステップ）
図６は、図３に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。改質層形成ステップＳＴ３は、ウェーハ１及びダイボンド用樹脂層８とに対して透過性を有する波長（実施形態では、１０６４ｎｍ）のレーザー光線４４を、ダイボンド用樹脂層８を介してウェーハ１の基板３の裏面７側から分割予定ライン５に沿って照射し、ウェーハ１の基板３の内部に分割予定ライン５に沿った改質層９を形成するステップである。
【００３０】
改質層形成ステップＳＴ３では、オペレータがＢＧテープ２０を介してウェーハ１の基板３の表面４側をレーザー加工装置４０のチャックテーブル４１の保持面４２に載置し、レーザー加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にＢＧテープ２０を介してウェーハ１の基板３の表面４を吸引保持する。
【００３１】
改質層形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０が、チャックテーブル４１とレーザー光線照射ユニット４３とを分割予定ライン５に沿って相対的に移動させながら、図６に示すように、レーザー光線照射ユニット４３の集光点４４−１を基板３の内部に設定して、パルス状のレーザー光線４４を分割予定ライン５に沿って照射する。実施形態１において、改質層形成ステップＳＴ３では、レーザー加工装置４０が、チャックテーブル４１に吸引保持されたウェーハ１に対してレーザー光線照射ユニット４３を図６中に点線で示す位置から図６中に実線で示す位置に向かうように、チャックテーブル４１を移動させながらレーザー光線４４を照射する。
【００３２】
改質層形成ステップＳＴ３では、レーザー光線４４がウェーハ１に対して透過性を有する波長を有するために、図６に示すように、基板３の内部に分割予定ライン５に沿って改質層９を形成する。
【００３３】
改質層形成ステップＳＴ３では、全ての分割予定ライン５に沿って基板３の内部に改質層９を形成すると、レーザー光線４４の照射、チャックテーブル４１の吸引保持を解除して、エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４に進む。
【００３４】
（エキスパンドテープ貼着ステップ）
図７は、図３に示されたウェーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着ステップにおいて、ウェーハの裏面側にエキスパンドテープを貼着する状態を示す断面図である。図８は、図３に示されたウェーハの加工方法のエキスパンドテープ貼着ステップにおいて、ウェーハの表面側からＢＧテープを剥がした状態を示す断面図である。
【００３５】
エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４は、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２の後で、改質層形成ステップＳＴ３の後に、ダイボンド用樹脂層８を介してウェーハ１の基板３の裏面７側に伸縮性を有するエキスパンドテープ１２を貼着するステップである。なお、エキスパンドテープ１２は、合成樹脂により構成された基材層と、基材層に積層された粘着層とを有し、硬化したダイボンド用樹脂層８よりも伸縮性が高い。また、実施形態１において、エキスパンドテープ１２は、ウェーハ１の外径よりも大径な円板状に形成されている。
【００３６】
エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４では、マウンタ５０が、ＢＧテープ２０を介してウェーハ１の基板３の表面４側と、内径がウェーハ１の外径よりも大径なリング状の環状フレーム１３とを保持テーブル５１の保持面５２上に保持する。なお、マウンタ５０は、保持テーブル５１の保持面５２上にウェーハ１と環状フレーム１３とが同軸となる位置に保持する。エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４では、マウンタ５０が、図７に示すように、エキスパンドテープ１２を環状フレーム１３及びウェーハ１の基板３の裏面７側に送り出すとともに、ウェーハ１の裏面７に沿って移動するローラ５３でエキスパンドテープ１２を環状フレーム１３及びウェーハ１の裏面７側に押し付けて、密着させて貼着する。
【００３７】
エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４では、マウンタ５０が、エキスパンドテープ１２を環状フレーム１３及びウェーハ１の裏面７側に貼着した後、図８に示すように、ＢＧテープ２０をウェーハ１の基板３の表面４側から剥がす。ウェーハの加工方法は、エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４後、ウェーハ破断ステップＳＴ５に進む。
【００３８】
（ウェーハ破断ステップ）
図９は、図３に示されたウェーハの加工方法の分割ステップにおいて、ウェーハを分割装置に保持した状態を模式的に示す断面図である。図１０は、図３に示されたウェーハの加工方法の分割ステップにおいて、ウェーハを個々のデバイスチップに分割した状態を模式的に示す断面図である。
【００３９】
ウェーハ破断ステップＳＴ５は、改質層９が形成されたウェーハ１を面方向に拡張し、改質層９に沿ってダイボンド用樹脂層８とともにウェーハ１を破断し、ダイボンド用樹脂層８を備えるデバイスチップ２を形成するステップである。ウェーハ破断ステップＳＴ５では、基板３の表面４側を上方に向けた状態で、破断装置６０が、クランプ部６１で環状フレーム１３を挟み込んで、ウェーハ１を固定する。このとき、図９に示すように、破断装置６０は、円筒状の拡張ドラム６２をエキスパンドテープ１２のウェーハ１と環状フレーム１３との間の領域に当接させておく。拡張ドラム６２は、環状フレーム１３の内径より小さくウェーハ１の外径より大きい内径および外径を有し、クランプ部６１により固定される環状フレーム１３と同軸となる位置に配置される。
【００４０】
また、実施形態１において、ウェーハ破断ステップＳＴ５では、ウェーハ１の基板３の裏面７にダイボンド用樹脂層８及びエキスパンドテープ１２を介して冷却板６３を接触させておくとともに、クランプ部６１、拡張ドラム６２及び冷却板６３を図示しない冷却チャンバー内に収容しておく。なお、本発明では、冷却板６３を設けずに、クランプ部６１、及び拡張ドラム６２を図示しない冷却チャンバー内に収容しなくても良い。
【００４１】
実施形態１において、ウェーハ破断ステップＳＴ５では、冷却板６３がエキスパンドテープ１２を介してダイボンド用樹脂層８を冷却するとともに、冷却チャンバー内を冷却して、ダイボンド用樹脂層８を冷却する。ウェーハ破断ステップＳＴ５では、図１０に示すように、破断装置６０がクランプ部６１を下降させる。すると、エキスパンドテープ１２が拡張ドラム６２に当接しているために、エキスパンドテープ１２が面方向に拡張される。ウェーハ破断ステップＳＴ５では、拡張の結果、エキスパンドテープ１２は、放射状の引張力が作用する。
【００４２】
このようにウェーハ１の基板３の裏面２０７側に貼着されたエキスパンドテープ１２に放射状に引張力が作用すると、ウェーハ１が、改質層形成ステップＳＴ３において、分割予定ライン５に沿った改質層９が形成されているために、改質層９を破断起点にして個々のデバイス６毎に分割され、個々のデバイスチップ２毎に個片化されるとともに、ウェーハ１が改質層９に沿って破断されるために、ダイボンド用樹脂層８も改質層９に沿って破断する。
【００４３】
なお、実施形態１では、ウェーハ破断ステップＳＴ５において、クランプ部６１を下降させてエキスパンドテープ１２を拡張したが、本発明は、これに限定されることなく、拡張ドラム６２を上昇させても良く、要するに、拡張ドラム６２をクランプ部６１に対して相対的に上昇させ、クランプ部６１を拡張ドラム６２に対して相対的に下降させれば良い。こうして、実施形態１では、ウェーハ破断ステップＳＴ５において、エキスパンドテープ１２を拡張して、ウェーハ１を破断する。
【００４４】
また、実施形態１において、ダイボンド用樹脂層８を冷却して、ダイボンド用樹脂層８の破断を促進する。ウェーハの加工方法は、分割予定ライン５に沿ってウェーハ１を分割すると、終了する。
【００４５】
以上説明したように、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２において液状のダイボンド用樹脂８−１を塗布後に、改質層形成ステップＳＴ３においてレーザー光線４４をダイボンド用樹脂層８越しに基板３の内部に集光点４４−１を設定して照射し、ウェーハ１の基板３の内部に改質層９を形成する。このために、ウェーハの加工方法は、デバイスチップ２に分割した後に貼着したＤＡＦをレーザー加工により分割する際のアライメント等のように所要時間が長時間化することを抑制できる。また、ウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂８−１を硬化させた後にウェーハ１を破断するので、デバイスチップ２の側面１０に液状のダイボンド用樹脂８−１が付着することを抑制することができるという効果も奏する。
【００４６】
さらには、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、切削ブレードを用いた切削加工によってウェーハ１をデバイスチップ２に分割するのに比べ、レーザー光線４４を照射して基板３の内部に改質層９を形成する加工のため、分割予定ライン５を狭くでき、高速加工のため加工時間の短縮も可能となる。
【００４７】
また、実施形態１に係るウェーハの加工方法は、ウェーハ１の基板３の裏面７に凹凸があっても、裏面７に液状のダイボンド用樹脂８−１を塗布するので、液状のダイボンド用樹脂８−１が硬化して形成されるダイボンド用樹脂層８の表面が平坦化される。その結果、ウェーハの加工方法は、ウェーハ１の裏面７の凹凸によるレーザー光線４４の乱反射を抑制でき、改質層９を形成することができる。
【００４８】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウェーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１１は、実施形態２に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。図１２は、図１１に示されたウェーハの加工方法の改質層形成ステップを模式的に示す断面図である。なお、図１１及び図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４９】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、図１１に示すように、ウェーハ準備ステップＳＴ１と、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２と、エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４−２と、改質層形成ステップＳＴ３−２と、ウェーハ破断ステップＳＴ５とを備える。
【００５０】
エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４−２は、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２の後で、改質層形成ステップＳＴ３−２の前に、ダイボンド用樹脂層８を介してウェーハ１の基板３の裏面７側にエキスパンドテープ１２を貼着するステップである。エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４−２は、改質層９が形成される前のウェーハ１の基板３の裏面７側にエキスパンドテープ１２を貼着すること以外、実施形態１に係るエキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４と同じある。実施形態２では、ウェーハの加工方法は、エキスパンドテープ貼着ステップＳＴ４−２後、改質層形成ステップＳＴ３−２に進む。
【００５１】
改質層形成ステップＳＴ３−２は、実施形態１に係る改質層形成ステップＳＴ３と同様に、ウェーハ１に対して透過性を有する波長のレーザー光線４４を、エキスパンドテープ１２とダイボンド用樹脂層８を介してウェーハ１の基板３の裏面７側から分割予定ライン５に沿って照射し、ウェーハ１の基板３の内部に分割予定ライン５に沿った改質層９を形成するステップである。また、改質層形成ステップＳＴ３−２では、図１２に示すように、レーザー加工装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にポーラスシート１４を介してウェーハ１の基板３の表面４を吸引保持し、チャックテーブル４１とレーザー光線照射ユニット４３とを分割予定ライン５に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット４３の集光点４４−１を基板３の内部に設定して、パルス状のレーザー光線４４を分割予定ライン５に沿って照射する。
【００５２】
このように、実施形態２において、改質層形成ステップＳＴ３−２では、エキスパンドテープ１２側からウェーハ１にレーザー光線４４を照射して、基板３の内部に分割予定ライン５に沿った改質層９を形成する。改質層形成ステップＳＴ３−２では、全ての分割予定ライン５に沿って基板３の内部に改質層９を形成すると、レーザー光線２１の照射、チャックテーブル４１の吸引保持を解除して、ウェーハ破断ステップＳＴ５に進む。
【００５３】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、ダイボンド用樹脂層形成ステップＳＴ２において液状のダイボンド用樹脂８−１を塗布後に、改質層形成ステップＳＴ３においてレーザー光線４４をエキスパンドテープ１２及びダイボンド用樹脂層８越しに基板３の内部に集光点４４−１を設定して照射し、ウェーハ１の基板３の内部に改質層９を形成する。このために、ウェーハの加工方法は、デバイスチップ２に分割した後に貼着したＤＡＦをレーザー加工により分割する際のアライメント等のように所要時間が長時間化することを抑制できる。また、ウェーハの加工方法は、デバイスチップ２の側面１０に液状のダイボンド用樹脂８−１が付着することを抑制することができるという効果も奏する。
【００５４】
実施形態２に係るウェーハの加工方法は、実施形態１に比べ、改質層９の形成前にウェーハ１をエキスパンドテープ１２に貼り替えているので、エキスパンドテープ１２に貼り替え工程でデバイスチップ２同士がこすれて欠けが発生する恐れがないという効果がある。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１  ウェーハ
２  デバイスチップ
４  表面
５  分割予定ライン
６  デバイス
７  裏面
８  ダイボンド用樹脂層
８−１  液状のダイボンド用樹脂
９  改質層
１１  所定の厚さ
１２  エキスパンドテープ
２０  ＢＧテープ（保護部材）
４４  レーザー光線
ＳＴ１  ウェーハ準備ステップ
ＳＴ２  ダイボンド用樹脂層形成ステップ
ＳＴ３，ＳＴ３−２  改質層形成ステップ
ＳＴ４，ＳＴ４−２  エキスパンドテープ貼着ステップ
ＳＴ５  ウェーハ破断ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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