(57)【要約】【課題】雑音特性が改善された発光素子および発光素子の製造方法を提供すること。【解決手段】導電領域３２ａおよび該導電領域３２ａを囲んで設けられた非導電領域３２ｂを共有するとともに、予め定められた方向にこの順で配置された共振器構造を有する第１の柱状体Ｍ１、結合部４０、および共振器構造を有する第２の柱状体Ｍ２を含み、第２の柱状体Ｍ２における予め定められた方向と交差する方向の非導電領域３２ｂの一部の長さが他の前記非導電領域３２ｂの長さよりも短い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電領域および該導電領域を囲んで設けられた非導電領域を共有するとともに、予め定められた方向にこの順で配置された共振器構造を有する第１の柱状体、結合部、および共振器構造を有する第２の柱状体を含み、
前記第２の柱状体における前記予め定められた方向と交差する方向の前記非導電領域の一部の長さが他の前記非導電領域の長さよりも短い
発光素子。
【請求項２】
前記予め定められた方向と交差する方向の一部に前記非導電領域が配置されていない
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記共振器構造は、基板上にこの順に形成された第１の多層膜反射鏡、活性領域、および第２の多層膜反射鏡を備え、
前記活性領域が前記導電領域の一部を形成し、前記第１の多層膜反射鏡および前記第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方の一部の層に設けられた酸化層が前記非導電領域を形成する
請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
第１の多層膜反射鏡、活性領域、および第２の多層膜反射鏡がこの順で積層された多層膜構造体が形成された基板を準備する工程と、
予め定められた方向にこの順で配置された共振器構造を有する第１の柱状体、結合部、および共振器構造を有する第２の柱状体を前記多層膜構造体に形成する工程と、
前記多層膜構造体の一部の層の側面を酸化して非導電領域を形成する工程と、
前記第２の柱状体における前記予め定められた方向と交差する方向の前記非導電領域の一部を削除する工程と、を含む
発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、および発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１ミラーと、第１ミラーの上方に形成された活性層と、活性層の上方に形成された第２ミラーと、活性層の上方または下方に形成された電流狭窄層と、を含み、第２ミラーは、光の出射方向と垂直な面内に配列された複数の凹部を有し、凹部に周囲を囲まれた光閉じこめ領域は、平面視において電流狭窄層に囲まれた領域の内側に形成されている、面発光型半導体レーザが開示されている。
【０００３】
特許文献２には、基板上に形成され、基板と垂直方向にレーザ光を発する発光部と、基板上に形成され、発光部で発せられた光の一部を基板と水平方向に伝播させる光伝播部と、光伝播部で伝播された光の光量を調整する光量調整手段とを備え、光伝播部は、発光部領域の等価屈折率よりも等価屈折率が小さい低等価屈折率領域と、低等価屈折率領域と光量調整手段との間に配された低等価屈折率領域よりも等価屈折率が高い高等価屈折率領域とを含む、面発光型半導体レーザが開示されている。
【０００４】
特許文献３には、同一の半導体基板上に、単一横モード直線偏光を基板垂直方向に発する面発光レーザと、基板に水平に光を導波する導波路とを有し、面発光レーザと導波路の光軸が交差していることを特徴とする光機能素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１８９０３３号公報
【特許文献２】特開２０１２−０４９１８０号公報
【特許文献３】特開平１１−２７４６４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、雑音特性が改善された発光素子および発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１態様に係る発光素子は、導電領域および該導電領域を囲んで設けられた非導電領域を共有するとともに、予め定められた方向にこの順で配置された共振器構造を有する第１の柱状体、結合部、および共振器構造を有する第２の柱状体を含み、前記第２の柱状体における前記予め定められた方向と交差する方向の前記非導電領域の一部の長さが他の前記非導電領域の長さよりも短いものである。
【０００８】
第２態様に係る発光素子は、第１態様に係る発光素子において、前記予め定められた方向と交差する方向の一部に前記非導電領域が配置されていないものである。
【０００９】
第３態様に係る発光素子は、第１態様または第２態様に係る発光素子において、前記共振器構造は、基板上にこの順に形成された第１の多層膜反射鏡、活性領域、および第２の多層膜反射鏡を備え、前記活性領域が前記導電領域の一部を形成し、前記第１の多層膜反射鏡および前記第２の多層膜反射鏡の少なくとも一方の一部の層に設けられた酸化層が前記非導電領域を形成するものである。
【００１０】
第４態様に係る発光素子の製造方法は、第１の多層膜反射鏡、活性領域、および第２の多層膜反射鏡がこの順で積層された多層膜構造体が形成された基板を準備する工程と、予め定められた方向にこの順で配置された共振器構造を有する第１の柱状体、結合部、および共振器構造を有する第２の柱状体を前記多層膜構造体に形成する工程と、前記多層膜構造体の一部の層の側面を酸化して非導電領域を形成する工程と、前記第２の柱状体における前記予め定められた方向と交差する方向の前記非導電領域の一部を削除する工程と、を含むものである。
【発明の効果】
【００１１】
第１、および第４態様によれば、雑音特性が改善された発光素子および発光素子の製造方法を提供することができる、という効果を奏する。
【００１２】
第２態様によれば、予め定められた方向と交差する方向に非導電領域を配置する場合と比較して、より効果的に雑音特性が改善される、という効果を奏する。
【００１３】
第３態様によれば、結合共振器構造の面発光型発光素子において、雑音特性が改善される、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態に係る発光素子の構成の一例を示す（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】実施の形態に係る発光素子の動作を説明する断面図である。
【図３】実施の形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図の一部である。
【図４】実施の形態に係る発光素子の製造方法を示す断面図の一部である。
【図５】（ａ）は比較例に係る発光素子の構成を示す断面図、（ｂ）は制御部メサの酸化領域の切削位置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。以下の実施の形態では、本発明に係る発光素子として、駆動部（発光部）を構成するメサと、制御部（帰還部）を構成するメサとが結合部で結合された構成の結合共振器構造を有する面発光型半導体レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）を例示して説明する。
【００１６】
図１を参照して、本実施の形態に係る発光素子１０の構成の一例について説明する。図１（ａ）は本実施の形態に係る発光素子１０の断面図であり、図１（ｂ）は発光素子１０の平面図である。図１（ａ）に示す断面図は、図１（ｂ）に示す平面図においてＡ−Ａ’線で切断した断面図である。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、発光素子１０は、半絶縁性のＧａＡｓ（ガリウムヒ素）の基板１２上に形成されたｎ型ＧａＡｓのコンタクト層１４、下部ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）１６、活性領域２４、非酸化領域３２ａ、酸化領域３２ｂ、上部ＤＢＲ２６、ｐ側電極３６、ｎ側電極３０、および電流阻止領域６０を含んで構成されている。非酸化領域３２ａ、および酸化領域３２ｂによって電流狭窄層３２が形成されている。なお、図１では、発光素子１０を被覆する絶縁膜、ｐ側電極３６とｐ側電極パッドとの間の配線、あるいはｎ側電極３０とｎ側電極パッドとの間の配線等を省略して描いている。ここで、非酸化領域３２ａは本発明に係る「導電領域」の一例であり、酸化領域３２ｂは本発明に係る「非導電領域」の一例である。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように、発光素子１０は２つのメサ（柱状体。ポストともいう）、すなわち各々略矩形形状で、駆動部６２を構成するメサＭ１と、制御部６４を構成するメサＭ２を備えている。また、発光素子１０は、メサＭ１とメサＭ２とが接続される部分に結合部４０を有している。本実施の形態に係る結合部４０は、メサＭ１とメサＭ２とが接続されることによって形成された半導体層のくびれ部分に設けられている。メサＭ１およびメサＭ２の各々は、コンタクト層１４上に共通に形成された下部ＤＢＲ１６、活性領域２４、電流狭窄層３２、上部ＤＢＲ２６を含んでいる。
【００１９】
一方、メサＭ１とメサＭ２との間、すなわち結合部４０には、上部ＤＢＲ２６内に形成された電流阻止領域６０が配置されている。本実施の形態に係る電流阻止領域６０は、メサＭ１、Ｍ２の上面から電流狭窄層３２にかけて（すなわち、活性領域２４に至らない深さまで）、一例としてＨ＋（プロトン）イオンを注入して形成された高抵抗領域であり、駆動部６２のメサＭ１と制御部６４のメサＭ２とを電気的に分離する領域である。なお、電流阻止領域６０は、駆動部６２と制御部６４との間の分離を確実にするための構成で、該分離の許容度によっては電流阻止領域６０を用いなくともよい。また、不純物を導入する代わりに溝を形成してもよい。以上の構成を有する駆動部６２（メサＭ１）、制御部６４（メサＭ２）、および結合部４０を含んで本実施の形態に係る結合共振器構造型の発光素子１０が構成されている。
【００２０】
次に、図２（ａ）を参照して発光素子１０の作用について説明する。駆動部６２はＶＣＳＥＬ型の発光部であり、基本的に下部ＤＢＲ１６と上部ＤＢＲ２６との間の垂直共振（Ｚ軸の方向の共振）によって発光し、出力光Ｌｏを出力する。なお、駆動部６２を発光させる際には、電源の正極をｐ側電極３６に、負極をｎ側電極３０に接続して−Ｚ方向に駆動電流を流す。
【００２１】
ここで、垂直共振によって発生した光（以下、「発振光Ｌｖ」という場合がある）の一部は、図２に示す＋Ｘ方向（基板１２に平行な方向）に沁み出し、駆動部６２から結合部４０を介して制御部６４に伝播する（以下、この光を「伝播光」という場合がある）。該伝播光は、下部ＤＢＲ１６と上部ＤＢＲ２６との間で反射を繰り返しながら伝播するいわゆるスローライト光である。一方、図１（ａ）に示すように、発光素子１０では、酸化領域３２ｂはメサＭ１には形成されているが、メサＭ２には形成されていない部分がある。
つまり、図１（ｂ）に示すように、酸化領域３２ｂの先端と非酸化領域３２ａとの界面である境界１８はメサＭ１の全体およびメサＭ２の一部に形成されている。つまり、メサＭ２には酸化領域３２ｂが形成されていない領域がある。換言すれば、伝播光の伝播方向（つまり、＋Ｘ方向）に交差するメサＭ２の界面は、酸化領域３２ｂが形成されていない端面Ｓとなっている。
【００２２】
その結果、駆動部６２から制御部６４に伝播した伝播光は、メサＭ２の端面Ｓで反射し（以下、端面Ｓで反射した光を「反射光Ｌｒ」という場合がある）、駆動部６２に戻る。
駆動部６２に戻った反射光Ｌｒは発振光Ｌｖに重畳され、駆動部６２の変調特性を改善する（変調帯域を拡大する）。以上が、結合共振器構造を有する発光素子１０の動作原理である。
【００２３】
次に、再び図１を参照し、発光素子１０の構成についてより詳細に説明する。本実施の形態に係る基板１２には、一例として半絶縁性のＧａＡｓ基板を用いている。半絶縁性のＧａＡｓ基板とは、不純物がドーピングされていないＧａＡｓ基板である。半絶縁性のＧａＡｓ基板は抵抗率が非常に高く、そのシート抵抗値は数ＭΩ程度の値を示す。
【００２４】
基板１２上に形成されたコンタクト層１４は、一例としてＳｉがドープされたＧａＡｓ層によって形成されている。コンタクト層１４の一端はｎ型の下部ＤＢＲ１６に接続され、他端はｎ側電極３０に接続されている。すなわち、コンタクト層１４は、下部ＤＢＲ１６とｎ側電極３０との間に介在し、メサＭ１、Ｍ２で構成される半導体層に一定の電位を付与する機能を有する。なお、コンタクト層１４は、サーマルクリーニング後、基板表面の結晶性を良好にするために設けられるバッファ層を兼ねてもよい。
【００２５】
コンタクト層１４上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１６は、発光素子１０の発振波長をλ、媒質（半導体層）の屈折率をｎとした場合に、膜厚がそれぞれ０．２５λ／ｎとされかつ屈折率の互いに異なる２つの半導体層を交互に繰り返し積層して構成される多層膜反射鏡である。具体的には、下部ＤＢＲ１６は、Ａｌ０．９０Ｇａ０．１Ａｓによるｎ型の低屈折率層と、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓによるｎ型の高屈折率層と、を交互に繰り返し積層することにより構成されている。なお、本実施の形態に係る発光素子１０では、発振波長λを、一例として約８５０ｎｍとしている。
【００２６】
本実施の形態に係る活性領域２４は、例えば、下部スペーサ層、量子井戸活性層、および上部スペーサ層を含んで構成されてもよい（図示省略）。本実施の形態に係る量子井戸活性層は、例えば、４層のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる障壁層と、その間に設けられた３層のＧａＡｓからなる量子井戸層と、で構成されてもよい。なお、下部スペーサ層、上部スペーサ層は、各々量子井戸活性層と下部ＤＢＲ１６との間、量子井戸活性層と上部ＤＢＲ２６との間に配置されることにより、共振器の長さを調整する機能とともに、キャリアを閉じ込めるためのクラッド層としての機能も有している。発光素子１０では、メサＭ１がＶＣＳＥＬを構成しているので、メサＭ１における活性領域２４が発光層として機能している。
【００２７】
活性領域２４上に設けられたｐ型の電流狭窄層３２は、ｐ側電極３６からｎ側電極３０に向かって流れる電流を、非酸化領域３２ａによって絞る機能を有している。上述したように、図１（ｂ）に示す境界１８は、非酸化領域３２ａと酸化領域３２ｂとの間の界面を表わしている。図１（ｂ）に示すように、境界１８で区画された本実施の形態に係る非酸化領域３２ａは、結合部４０でくびれた形状をなしている。
【００２８】
電流狭窄層３２上に形成された上部ＤＢＲ２６は、膜厚がそれぞれ０．２５λ／ｎとされかつ屈折率の互いに異なる２つの半導体層を交互に繰り返し積層して構成される多層膜反射鏡である。具体的には、上部ＤＢＲ２６は、Ａｌ０．９０Ｇａ０．１Ａｓによるｐ型の低屈折率層と、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓによるｐ型の高屈折率層と、を交互に繰り返し積層することにより構成されている。
【００２９】
上部ＤＢＲ２６上には、光の出射面を保護する出射面保護膜３８が設けられている（図４（ｅ）参照）。出射面保護膜３８は、一例としてシリコン窒化膜を着膜して形成される。
【００３０】
ここで、図５を参照して、発光素子１０ではメサＭ２側に酸化領域３２ｂを配置しない領域を設ける理由について説明する。
【００３１】
ところで、一般的なＶＣＳＥＬ（単一メサのＶＣＳＥＬ）では、メサの周囲全体に亘って電流狭窄用の酸化層が形成される。一方、結合共振器構造のＶＣＳＥＬでは、スローライト光の伝播方向と交差する制御用メサの端面はスローライト光の反射面となっているので、反射面に酸化層が配置される。以下、この構成に伴う現象について説明する。
【００３２】
図５（ａ）は、一般的なＶＣＳＥＬと同様にして結合共振器構造のＶＣＳＥＬに酸化領域３２ｂ、３２ｂ’を導入した比較例に係る発光素子１００を示している。図５（ｂ）は発光素子１００の平面図を、図５（ａ）は図５（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線に沿った断面図を各々示している。図５（ａ）に示すように、発光素子１００はメサＭ１およびＭ２’を備え、メサＭ２’にも酸化領域３２ｂ’が形成されている。その結果、メサＭ２’の端面Ｓ’で反射する反射光Ｌｒに加え、酸化領域３２ｂ’の端面で反射する反射光Ｌｒ’が発生する。この２種類の反射光は伝播距離が異なるため時間差（位相差）が生じ、酸化領域３２ｂ’の端面で反射する反射光が雑音となり、帯域拡大効果を制限する。
【００３３】
そこで本発明では、スローライト光の伝播方向と交差する方向の酸化層（スローライト光の反射面に位置する酸化層）を製造工程におけるエッチング等で削除することにした。
このことによって、雑音特性が改善された発光素子および発光素子の製造方法が提供される。
【００３４】
図５（ｂ）に示すＣ−Ｃ’線は、メサＭ２’の削除する位置を示している。図５（ｂ）に示す例では、メサＭ２’の辺Ｈ１、Ｈ２に沿った部分の境界１８まで酸化領域３２ｂ’を削除している。ただし、メサＭ２’の平面視での削除範囲はこれに限られず、反射光Ｌｒ’の発生範囲等に応じて、より狭い範囲でも、より広い範囲でもよい。さらに、酸化領域３２ｂ’はすべて削除する必要もなく、反射光Ｌｒ’の程度等に応じて残留させてもよい。
【００３５】
次に、図３および図４を参照して、本実施の形態に係る発光素子１０の製造方法について説明する。本実施の形態では、１枚のウエハ上に複数の発光素子１０が形成されるが、以下ではそのうちの１つの発光素子１０について図示し説明する。
【００３６】
図３（ａ）に示すように、まず、半絶縁性ＧａＡｓの基板１２上に、ｎ型のコンタクト層１４、ｎ型の下部ＤＢＲ１６、活性領域２４、およびｐ型の上部ＤＢＲ２６がこの順でエピタキシャル成長されたウエハを準備する。
【００３７】
その際、ｎ型のコンタクト層１４は、一例として、キャリア濃度を約２×１０１８ｃｍ−３とし、膜厚を２μｍ程度として形成する。また、ｎ型の下部ＤＢＲ１６は、一例として、各々の膜厚が媒質内波長λ／ｎの１／４とされた、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とを交互に３７．５周期積層して形成される。Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層のキャリア濃度およびＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層のキャリア濃度は、各々約２×１０１８ｃｍ−３とされ、下部ＤＢＲ１６の総膜厚は約４μｍとされる。また、ｎ型キャリアとしては、一例として、Ｓｉ（シリコン）を用いる。
【００３８】
活性領域２４は、一例として、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ層による下部スペーサ層と、ノンドープの量子井戸活性層と、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓ層による上部スペーサ層とで形成される。量子井戸活性層は、例えば、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓによる４層の障壁層、および各障壁層の間に設けられたＧａＡｓによる３層の量子井戸層で構成される。Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓによる障壁層の膜厚は各々約８ｎｍとされ、ＧａＡｓによる量子井戸層の膜厚は各々約８ｎｍとされ、活性領域２４全体の膜厚は媒質内波長λ／ｎとされる。
【００３９】
ｐ型の上部ＤＢＲ２６は、一例として、各々の膜厚が媒質内波長λ／ｎの１／４とされた、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とを交互に２５周期積層して形成される。この際、Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層のキャリア濃度およびＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層のキャリア濃度は、各々約４×１０１８ｃｍ−３とされ、上部ＤＢＲ２６の総膜厚は約３μｍとされる。また、ｐ型キャリアとしては、一例として、Ｃ（カーボン）を用いる。
さらに、上部ＤＢＲ２６の層内には、後述の工程において酸化領域３２ｂを形成するための層（図示省略。上部ＤＢＲ２６の各層とは組成が異なる）が含まれる。また、上部ＤＢＲ２６の最上層はｐ側電極３６とオーミック性接触を形成するためのコンタクト層（図示省略）とされている。
【００４０】
次に、フォトリソグラフィによりマスクを形成した後、上部ＤＢＲ２６にプロトンＨ＋等をイオン注入し、図３（ｂ）に示すように電流阻止領域６０を形成する。
【００４１】
次に、上部ＤＢＲ２６上に出射面保護膜となる材料を成膜した後、該材料を例えばフォトリソグラフィによるマスクを用いてドライエッチングし、図３（ｃ）に示すように、出射面保護膜３８を形成する。出射面保護膜３８の材料としては、一例として、シリコン窒化膜を用いる。
【００４２】
次に、上部ＤＢＲ２６の最上層であるコンタクト層（図示省略）上に電極材料を成膜した後、該材料を例えばフォトリソグラフィによるマスクを用いてドライエッチングし、図３（ｄ）に示すように、ｐ側電極配線４２（図４（ｅ）参照）に接続するｐ側電極３６を形成する。ｐ側電極３６は、一例として、Ｔｉ／Ａｕの積層膜を用いて形成される。
【００４３】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングによりウエハ面上にマスクを形成し、該マスクを用いて例えばドライエッチングを行い、図３（ｅ）に示すようにメサＭ３を形成する。メサＭ３の平面視での形状は、図５（ｂ）に示すメサＭ１およびＭ２’に相当する形状である。
【００４４】
次に、ウエハに酸化処理を施してメサＭ３を側面から酸化し、図３（ｆ）に示すように、メサＭ３内に酸化領域３２ｂおよび３２ｂ’を形成する。その際、酸化領域３２ｂ、３２ｂ’の層の酸化されていない領域が非酸化領域３２ａとなり、酸化領域３２ｂおよび非酸化領域３２ａが電流狭窄層３２を形成する。非酸化領域３２ａは、図３（ｆ）に示すようにメサＭ１からＭ２’にかけて連続して形成される。
【００４５】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングによりウエハ面上にマスクを形成し、該マスクを用いて例えばドライエッチングを行い、図４（ａ）に示すようにメサＭ１、Ｍ２を形成する。すなわち、下部ＤＢＲ１６の一部をエッチングしてコンタクト層１４の一部を露出させ、さらに活性領域２４および上部ＤＢＲ２６の一部をエッチングして酸化領域３２ｂ’を削除する。酸化領域３２ｂ’が削除されたメサＭ２の端面Ｓが駆動部６２から伝播する伝播光の反射面となる。本エッチングによりメサＭ２’に相当する形状はメサＭ２に相当する形状となる。なお、本エッチングに際しては、必ずしも酸化領域３２ｂ’の全部を削除する必要はなく、反射光Ｌｒ’の強度等を勘案して一部を残留させてもよい。さらに、本例では、下部ＤＢＲ１６の削除位置と、活性領域２４および上部ＤＢＲ２６の削除位置とを異ならせる（メサＭ２に段差を設ける）形態を例示して説明するが、両削除位置は同じ位置としてもよい（図１（ａ）参照）。
【００４６】
次に、フォトリソグラフィおよびエッチングによりウエハ面上にマスクを形成し、該マスクを用いてコンタクト層１４を例えばドライエッチングし、図４（ｂ）に示すように素子分離を行う。本実施の形態において「素子分離」とは、隣接する発光素子１０との間でコンタクト層１４を分離することをいう。
【００４７】
次に、コンタクト層１４上に電極材料を成膜した後、該材料を例えばフォトリソグラフィによるマスクを用いてドライエッチングし、図４（ｃ）に示すように、ｎ側電極配線４４（図４（ｅ）参照）に接続するｎ側電極３０を形成する。ｎ側電極３０は、一例として、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの積層膜を用いて形成される。
【００４８】
次に、図４（ｄ）に示すように、ウエハの出射面保護膜３８、ｐ側電極３６、ｎ側電極３０を除く領域にシリコン窒化膜による絶縁膜３４を成膜する。本実施の形態に係る絶縁膜３４は、一例として、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）で形成されている。なお、絶縁膜３４の材料はシリコン窒化膜に限らず、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、あるいはシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等であってもよい。
【００４９】
次に、ウエハ面上に電極材料を成膜した後、該電極材料を例えばフォトリソグラフィによるマスクを用いてドライエッチングし、図４（ｅ）に示すように、ｐ側電極３６に接続されたｐ側電極配線４２、ｎ側電極３０に接続されたｎ側電極配線４４を形成する。ｐ側電極配線４２はｐ側電極パッド（図示省略）に接続され、ｎ側電極配線４４はｎ側電極パッド（図示省略）に接続される。ｐ側電極配線４２、ｎ側電極配線４４は、一例として、Ｔｉ／Ａｕの積層膜を用いて形成する。
【００５０】
次に、ウエハ上の図示しないダイシング領域においてダイシングし、発光素子１０を分離して個片化する。以上の工程により、本実施の形態に係る発光素子１０が製造される。
【００５１】
なお、上記実施の形態では、発光素子１０が備える２つのメサＭ１とＭ２の形状として略矩形形状を例示して説明したが、これに限られず、例えば楕円形状、三角形状等他の様々な形態としてもよい。また、メサＭ１とＭ２が同じ形状である必要もない。
【００５２】
また、上記実施の形態では、酸化層（酸化領域３２ｂ）を上部ＤＢＲ２６に形成する形態を例示して説明したが、これに限られず下部ＤＢＲ１６に形成してもよい。
【００５３】
また、上記各実施の形態では単一の発光素子の形態を例示して説明したが、これに限られず、上記各実施の形態に係る発光素子を単一の基板上に複数形成した発光素子アレイの形態としてもよい。
【００５４】
また、上記実施の形態では、半絶縁性のＧａＡｓ基板を用いたＧａＡｓ系の発光素子を例示して説明したが、これに限られず、ＧａＮ（窒化ガリウム）による基板、あるいはＩｎＰ（リン化インジウム）による基板を用いた形態としてもよい。
【００５５】
また、上記実施の形態では、基板にｎ型のコンタクト層を形成する形態を例示して説明したが、これに限られず、基板にｐ型のコンタクト層を形成する形態としてもよい。その場合には、上記の説明において、ｎ型とｐ型を逆に読み替えればよい。
【符号の説明】
【００５６】
１０      発光素子
１２      基板
１４      コンタクト層
１６      下部ＤＢＲ
１８      境界
２４      活性領域
２６      上部ＤＢＲ
３０      ｎ側電極
３２ａ    非酸化領域
３２ｂ    酸化領域
３４      絶縁膜
３６      ｐ側電極
３８      出射面保護膜
４０      結合部
４２      ｐ側電極配線
４４      ｎ側電極配線
６０      電流阻止領域
６２      駆動部
６４      制御部
Ｌｒ      反射光
Ｌｏ      出力光
Ｌｖ      発振光
Ｓ        端面
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ２’、Ｍ３  メサ
【図１】
2020177992.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2020177992.tif 000007