(57)【要約】【課題】半導体素子の短絡耐量を検査する検査方法において、半導体素子に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲内に収まるようにする技術を提供する。【解決手段】半導体素子に短絡電流を流すことによって前記半導体素子の短絡耐量を検査する検査方法であって、前記半導体素子の主端子間に所定電圧を印加する工程と、前記半導体素子をターンオンさせて前記半導体素子に前記短絡電流を流す工程と、前記半導体素子がターンオンしてから所定時間経過後に前記半導体素子を流れる前記短絡電流の電流値に基づいて、前記半導体素子をターンオフさせるタイミングを調整する工程と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子に短絡電流を流すことによって前記半導体素子の短絡耐量を検査する検査方法であって、
前記半導体素子の主端子間に所定電圧を印加する工程と、
前記半導体素子をターンオンさせて前記半導体素子に前記短絡電流を流す工程と、
前記半導体素子がターンオンしてから所定時間経過後に前記半導体素子を流れる前記短絡電流の電流値に基づいて、前記半導体素子をターンオフさせるタイミングを調整する工程と、を備える、検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体素子の短絡耐量を検査する検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を出荷する前に、半導体素子の短絡耐量が要求仕様を満たしているか否かの検査が行われている。このような集荷前の検査では、検査規格範囲内の短絡エネルギーを半導体素子に印加し、半導体素子の状態に問題がないことを確認している。出荷前の検査は、全ての半導体素子に対して行われるのが望ましい。特許文献１は、全ての半導体素子の短絡耐量を検査するための方法の一例を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１９８２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的に、短絡耐量の検査方法では、半導体素子に検査規格範囲内の短絡エネルギーを印加するために、半導体素子の主端子間に所定電圧（Ｖ）を印加した状態で半導体素子をターンオンさせ、所定期間に亘って半導体素子に短絡電流（Ｉ）を流すことが行われる。これにより、半導体素子には検査規格範囲内の短絡エネルギー（Ｉ×Ｖの時間積分）が印加されるはずである。
【０００５】
ところが、製造バラツキに起因して、半導体素子の飽和電流、すなわち短絡電流にもバラツキが存在している。このため、例えば飽和電流が大きい半導体素子には大きな短絡電流が流れ、検査規格範囲よりも大きな短絡エネルギーが印加される虞がある。例えば飽和電流が小さい半導体素子には小さな短絡電流が流れ、検査規格範囲よりも小さな短絡エネルギーが印加される虞がある。
【０００６】
このように、半導体素子の飽和電流のバラツキに依存して半導体素子に印加される短絡エネルギーが変動し、半導体素子に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲から外れることが生じ得る。半導体素子に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲から外れると、検査が失敗となり、検査を再実施しなければならない。
【０００７】
本明細書は、半導体素子の短絡耐量を検査する検査方法において、半導体素子に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲内に収まるようにする技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書は、半導体素子に短絡電流を流すことによって前記半導体素子の短絡耐量を検査する検査方法を開示することができる。この検査方法は、前記半導体素子の主端子間に所定電圧を印加する工程と、前記半導体素子をターンオンさせて前記半導体素子に前記短絡電流を流す工程と、前記半導体素子がターンオンしてから所定時間経過後に前記半導体素子を流れる前記短絡電流の電流値に基づいて、前記半導体素子をターンオフさせるタイミングを調整する工程と、を備えることができる。
【０００９】
上記検査方法では、前記半導体素子を流れる前記短絡電流の電流値に基づいて前記半導体素子をターンオフさせるタイミングが調整される。換言すると、上記検査方法では、前記半導体素子を流れる前記短絡電流の電流値に基づいて前記半導体素子がターンオンする時間、すなわち短絡エネルギーが印加される時間が調整される。上記検査方法によると、前記半導体素子がターンオンする時間を調整することで、前記短絡電流のバラツキを補償し、前記半導体素子に印加される短絡エネルギーを検査規格範囲内に収めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】検査装置の回路図を示す。
【図２】比較例の検査装方法おいて、短絡耐量の検査を実施しているときの半導体素子のゲート電圧、電流及びドレイン・ソース間電圧の波形のタイミングチャートであり、回路上のインダクタンスが比較的に小さい場合のタイミングチャートを示す。
【図３】比較例の検査方法において、短絡耐量の検査を実施しているときの半導体素子のゲート電圧、電流及びドレイン・ソース間電圧の波形のタイミングチャートであり、回路上のインダクタンスが比較的に大きい場合のタイミングチャートを示す。
【図４】本実施例の第１検査方法のフローチャートであり、回路上のインダクタンスが比較的に小さい場合の検査方法のフローチャートである。
【図５】図４の第１検査方法において、短絡耐量の検査を実施しているときの半導体素子のゲート電圧、電流及びドレイン・ソース間電圧の波形のタイミングチャートである。
【図６】本実施例の第１検査方法の変形例のフローチャートであり、回路上のインダクタンスが比較的に小さい場合の検査方法のフローチャートである。
【図７】本実施例の第１検査方法の他の変形例のフローチャートであり、回路上のインダクタンスが比較的に小さい場合の検査方法のフローチャートである。
【図８】本実施例の第２検査方法のフローチャートであり、回路上のインダクタンスが比較的に大きい場合の検査方法のフローチャートである。
【図９】図８の第２検査方法において、短絡耐量の検査を実施しているときの半導体素子のゲート電圧、電流及びドレイン・ソース間電圧の波形のタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に、出荷前の全ての半導体素子１０の短絡耐量を検査するための検査装置１の回路図を示す。検査装置１は、直流電源２０、インダクタ３０、電圧計４０及び電流計５０を備えている。半導体素子１０のドレイン端子Ｄはインダクタ３０を介して直流電源２０の正極端子に接続されており、半導体素子１０のソース端子Ｓは電流計５０を介して直流電源２０の負極端子に接続されている。電圧計４０は、半導体素子１０のドレイン端子Ｄとソース端子Ｓの間に接続されている。インダクタ３０は、急激な電流変化を抑えるために設けられている。なお、インダクタ３０のインダクタンスＬには、回路配線上の寄生のインダクタンスも含まれている。また、回路配線上の寄生のインダクタンスが十分に大きい場合、インダクタンスＬが寄生のインダクタンスのみであってもよい。以下、インダクタンスＬについては、「回路上のインダクタンスＬ」と称する。電圧計４０は、半導体素子１０のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓを測定するために設けられている。電流計５０は、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄを測定するために設けられている。
【００１２】
（比較例の検査方法）
ここで、本実施例の短絡耐量の検査方法を説明する前に、従来の検査方法に対応した比較例の検査方法ついて説明する。なお、比較例の検査装置の回路構成については、本実施例の検査装置１の回路構成と同一である。したがって、以下の説明では、同一符号を参照して比較例の検査装置について説明する。
【００１３】
図２は、比較例の検査方法において、短絡耐量の検査を実施しているときの半導体素子１０のゲート電圧Ｖｇ、電流Ｉｄ及びドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの波形のタイミングチャートであり、回路上のインダクタンスＬが比較的に小さい場合のタイミングチャートである。図２（Ａ）は製造バラツキに起因して飽和電流が大きい半導体素子１０のタイミングチャートであり、図２（Ｂ）は製造バラツキに起因して飽和電流が小さい半導体素子１０のタイミングチャートである。
【００１４】
比較例の検査方法は、半導体素子１０のドレイン・ソース端子間に直流電源２０の固定電圧ＶＨを印加した状態で、タイミングＴｏｎで半導体素子１０をターンオンさせ、タイミングＴｏｎからタイミングＴｏｆｆまでの所定時間に亘って半導体素子１０に電流Ｉｄを流すことで実施される。直流電源２０の固定電圧ＶＨは大きいことから、半導体素子１０に印加されるドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓは大きい。このため、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄは短絡電流ともいう。
【００１５】
図２（Ａ）に示されるように、飽和電流が大きい半導体素子１０の電流Ｉｄは、半導体素子１０がオンしている所定時間（タイミングＴｏｎからタイミングＴｏｆｆ）の間で飽和電流にまで達しておらず、常時増加している。一方、図２（Ｂ）に示されるように、飽和電流が小さい半導体素子１０の電流Ｉｄは、タイミングＴｍで飽和電流に達している。この例では、回路上のインダクタンスＬが比較的に小さいことから、半導体素子１０がオンしている所定時間（タイミングＴｏｎからタイミングＴｏｆｆ）において、回路上のインダクタンスＬに基づく電圧降下（ΔＶ＝Ｌ×ｄｉ／ｄｔ）が小さい。このため、タイミングＴｍにおいて、図２（Ｂ）の半導体素子１０のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓにおける電圧降下が無くなることにより、図２（Ａ）と図２（Ｂ）のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓに差が生じているものの、その差は実質的に無視できる。したがって、半導体素子１０に印加される短絡エネルギー（Ｅ＝Ｉｄ×Ｖｄｓの時間積分）は、図２（Ａ）の飽和電流が大きい半導体素子１０で大きく、図２（Ｂ）の飽和電流が小さい半導体素子１０で小さくなる。
【００１６】
図３は、比較例の検査方法において、短絡耐量の検査を実施しているときの半導体素子１０のゲート電圧Ｖｇ、電流Ｉｄ及びドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの波形のタイミングチャートであり、回路上のインダクタンスＬが比較的に大きい場合のタイミングチャートである。図３（Ａ）は製造バラツキに起因して飽和電流が大きい半導体素子１０のタイミングチャートであり、図３（Ｂ）は製造バラツキに起因して飽和電流が小さい半導体素子１０のタイミングチャートである。
【００１７】
この例では、回路上のインダクタンスＬが比較的に大きいことから、半導体素子１０がオンしている所定時間（タイミングＴｏｎからタイミングＴｏｆｆ）において、回路上のインダクタンスＬに基づく電圧降下（ΔＶ＝Ｌ×ｄｉ／ｄｔ）が大きい。このため、タイミングＴｍにおいて、図３（Ｂ）の半導体素子１０のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓにおける電圧降下が無くなることにより、図３（Ａ）と図３（Ｂ）のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓに無視できない差が生じている。したがって、半導体素子１０に印加される短絡エネルギー（Ｅ＝Ｉｄ×Ｖｄｓの時間積分）は、図３（Ａ）の飽和電流が大きい半導体素子１０で小さく、図３（Ｂ）の飽和電流が小さい半導体素子１０で大きくなる。
【００１８】
図２及び図３の関係を以下の表１に示す。
【表１】
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【００１９】
このように、比較例の検査方法では、回路上のインダクタンスＬが小さい場合、大きい場合のいずれにおいても、半導体素子１０の飽和電流のバラツキに依存して半導体素子１０に印加される短絡エネルギーが変動する。この結果、半導体素子１０に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲から外れることが生じ得る。例えば、図２（Ａ）及び図３（Ｂ）の例では、短絡エネルギーが検査規格範囲を超えて印加される虞がある。図２（Ｂ）及び図３（Ａ）の例では、短絡エネルギーが検査規格範囲未満で印加される虞がある。このように、半導体素子１０に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲から外れると、検査が失敗となり、検査を再実施しなければならない。したがって、比較例の検査方法は、検査を再実施する回数が多くなり、検査工程のコストが増大するという問題がある。
【００２０】
（本実施例の検査方法）
以下、本実施例のいくつかの検査方法を説明する。本実施例の検査方法はいずれも、以下で具体的に説明するように、半導体素子１０に印加される短絡エネルギーが検査規格範囲内に収まるように調整されることを特徴としている。
【００２１】
（第１の検査方法）
図４は、本実施例の検査方法の一例のフローチャートであり、回路上のインダクタンスＬが比較的に小さい場合の検査方法のフローチャートである。図５は、図４の検査を実施しているときの半導体素子１０のゲート電圧Ｖｇ、電流Ｉｄ及びドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの波形のタイミングチャートである。図５（Ａ）は製造バラツキに起因して飽和電流が大きい半導体素子１０のタイミングチャートであり、図５（Ｂ）は製造バラツキに起因して飽和電流が小さい半導体素子１０のタイミングチャートである。
【００２２】
まず、図４に示されるように、半導体素子１０のドレイン・ソース端子間に直流電源２０（図１参照）の固定電圧ＶＨを印加する（ステップＳ１１）。次に、固定電圧ＶＨを印加した状態で、半導体素子１０のゲート端子Ｇに印加するゲート電圧Ｖｇを増加し、半導体素子１０をターンオンさせる（ステップＳ１２）。このステップＳ２は、図５のタイミングＴｏｎに対応する。半導体素子１０がターンオンすると、半導体素子１０に電流Ｉｄが流れ始める。直流電源２０の固定電圧ＶＨは大きいことから、半導体素子１０に印加されるドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓは大きい。このため、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄは短絡電流ともいう。
【００２３】
半導体素子１０をターンオンさせてから所定時間が経過した判定タイミングｔにおいて、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値と判定電流値Ｉｔｈを比較する（ステップＳ１３）。図５（Ａ）に示されるように、飽和電流が大きい半導体素子１０では、判定タイミングｔにおいて、電流Ｉｄが飽和電流に達しておらず、Ｉｄ＞Ｉｔｈの関係が成立している。この場合、図４に示されるように、判定タイミングｔから所定時間Δｔ１が経過したタイミングＴｏｆｆ１に半導体素子１０をターンオフさせる（ステップＳ１４）。一方、図５（Ｂ）に示されるように、飽和電流が小さい半導体素子１０では、判定タイミングｔにおいて、電流Ｉｄが飽和電流に達しており、Ｉｄ＜Ｉｔｈの関係が成立している。この場合、図４に示されるように、判定タイミングｔから所定時間Δｔ２が経過したタイミングＴｏｆｆ２に半導体素子１０をターンオフさせる（ステップＳ１５）。ここで、所定時間Δｔ１＜所定時間Δｔ２である。また、所定時間Δｔ１＝０であってもよい。
【００２４】
図５の例では、回路上のインダクタンスＬが比較的に小さいことから、回路上のインダクタンスＬに基づく電圧降下（ΔＶ＝Ｌ×ｄｉ／ｄｔ）が小さく、図５（Ａ）と図５（Ｂ）のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの差を無視することができる。このため、図５の例では、図５（Ａ）の飽和電流が大きい半導体素子１０で発生する短絡エネルギーが大きくなる傾向にあり、図５（Ｂ）の飽和電流が小さい半導体素子１０で発生する短絡エネルギーが小さくなる傾向にある。本実施例の検査方法では、ステップＳ１３の比較結果に基づいて、飽和電流が大きいと判定された半導体素子１０を比較的に短い所定時間Δｔ１が経過したタイミングＴｏｆｆ１でターンオフさせ、飽和電流が小さいと判定された半導体素子１０を比較的に長い所定時間Δｔ２が経過したタイミングＴｏｆｆ２でターンオフさせる。これにより、図５（Ａ）と図５（Ｂ）のいずれの場合も、発生する短絡エネルギーが検査規格範囲内となるように調整される。
【００２５】
次に、図４に示されるように、電圧計４０で測定されたドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓと電流計５０で測定された電流Ｉｄの積を時間積分し、発生した短絡エネルギー（Ｅ）を計算し、その短絡エネルギー（Ｅ）が検査規格範囲内に収まっているか否かを確認する。なお、本実施例の検査方法では、発生する短絡エネルギーが検査規格範囲内となるように調整されることから、この確認工程を省略してもよい。検査規格の下限値がＥｍｉｎであり、検査規格の上限値がＥｍａｘである。短絡エネルギー（Ｅ）が検査規格範囲から外れている場合（Ｅ＜Ｅｍｉｎ  又は  Ｅｍａｘ＜Ｅ）、その検査は失敗となり、再検査が実施される。短絡エネルギー（Ｅ）が検査規格範囲内の場合（Ｅｍｉｎ＜Ｅ＜Ｅｍａｘ）、その検査は成功となり、他の電気特性が確認される（ステップＳ１７）。他の電気特性が正常であれば、半導体素子１０の検査が終了する。他の電気特性に異常があれば、半導体素子１０は不良品と判断される。
【００２６】
（第１検査方法の第１変形例）
図６に、第１検査方法の変形例のフローチャートを示す。この変形例では、判定タイミングｔにおいて、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値を複数の判定電流値Ｉｔｈ１，Ｉｔｈ２を用いて比較することを特徴としている。この例では、２つの判定電流値Ｉｔｈ１，Ｉｔｈ２が用いられており、第１の判定電流値Ｉｔｈ１＞第２の判定電流値Ｉｔｈ２に設定されている。なお、３つ以上の判定電流値が用いられてもよい。また、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１６，Ｓ１７については上記検査方法と同一であり、説明を省略する。
【００２７】
この検査方法では、半導体素子１０をターンオンさせてから所定時間が経過した判定タイミングｔにおいて、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値と第１の判定電流値Ｉｔｈ１を比較する（ステップＳ１０１）。Ｉｄ＞Ｉｔｈ１となる半導体素子１０については、判定タイミングｔから所定時間Δｔ１１が経過したタイミングに半導体素子１０をターンオフさせる（ステップ１０２）。Ｉｄ＜Ｉｔｈ１の場合、電流Ｉｄの電流値と第２の判定電流値Ｉｔｈ２を比較する（ステップＳ１０３）。Ｉｄ＞Ｉｔｈ２となる半導体素子１０については、判定タイミングｔから所定時間Δｔ１２が経過したタイミングに半導体素子１０をターンオフさせる（ステップ１０４）。Ｉｄ＜Ｉｔｈ２となる半導体素子１０については、判定タイミングｔから所定時間Δｔ１３が経過したタイミングに半導体素子１０をターンオフさせる（ステップ１０５）。ここで、所定時間Δｔ１１＜所定時間Δｔ１２＜所定時間Δｔ１３である。また、所定時間Δｔ１１＝０であってもよい。
【００２８】
このように、複数の判定電流値Ｉｔｈ１，Ｉｔｈ２を用いて半導体素子１０をターンオフさせるタイミングを細かく制御することにより、発生する短絡エネルギーが検査規格範囲内となるようにより正確に調整することができる。
【００２９】
（第１検査方法の第２変形例）
図７に、第１検査方法の他の変形例のフローチャートを示す。この変形例では、複数の判定タイミングｔ１，ｔ２の各々において、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値を対応する判定電流値Ｉｔｈ１１，Ｉｔｈ１２を用いて比較することを特徴としている。この例では、２つの判定タイミングｔ１，ｔ２の各々で対応する判定電流値Ｉｔｈ１１，Ｉｔｈ１２が用いられており、判定タイミングｔ１＜判定タイミングｔ２である。また、第１の判定電流値Ｉｔｈ１１と第２の判定電流値Ｉｔｈ１２については、同値であってもよく、異なる値であってもよい。なお、３つ以上の判定タイミングで判定するように構成されていてもよい。また、ステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１６，Ｓ１７については上記検査方法と同一であり、説明を省略する。
【００３０】
この検査方法では、半導体素子１０をターンオンさせてから所定時間が経過した判定タイミングｔ１において、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値と第１の判定電流値Ｉｔｈ１１を比較する（ステップＳ２０１）。Ｉｄ＞Ｉｔｈ１１となる半導体素子１０については、判定タイミングｔ１から所定時間Δｔ２１が経過したタイミングに半導体素子１０をターンオフさせる（ステップ２０２）。Ｉｄ＜Ｉｔｈ１１の場合、半導体素子１０をターンオンさせてから所定時間が経過した判定タイミングｔ２において、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値と第２の判定電流値Ｉｔｈ１２を比較する（ステップＳ２０３）。Ｉｄ＞Ｉｔｈ１２となる半導体素子１０については、判定タイミングｔから所定時間Δｔ２２が経過したタイミングに半導体素子１０をターンオフさせる（ステップ２０４）。Ｉｄ＜Ｉｔｈ１２となる半導体素子１０については、判定タイミングｔから所定時間Δｔ２３が経過したタイミングに半導体素子１０をターンオフさせる（ステップ２０５）。ここで、所定時間Δｔ２１＜所定時間Δｔ２２＜所定時間Δｔ２３である。また、所定時間Δｔ２１＝０であってもよい。
【００３１】
このように、複数の判定タイミングｔ１，ｔ２を用いて半導体素子１０をターンオフさせるタイミングを細かく制御することにより、発生する短絡エネルギーが検査規格範囲内となるようにより正確に調整することができる。
【００３２】
（第２検査方法）
図８は、本実施例の検査方法の一例のフローチャートであり、回路上のインダクタンスＬが比較的に大きい場合の検査方法のフローチャートである。図９は、図８の検査を実施しているときの半導体素子１０のゲート電圧Ｖｇ、電流Ｉｄ及びドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの波形のタイミングチャートである。図９（Ａ）は製造バラツキに起因して飽和電流が大きい半導体素子１０のタイミングチャートであり、図９（Ｂ）は製造バラツキに起因して飽和電流が小さい半導体素子１０のタイミングチャートである。
【００３３】
まず、図８に示されるように、半導体素子１０のドレイン・ソース端子間に直流電源２０（図１参照）の固定電圧ＶＨを印加する（ステップＳ２１）。次に、固定電圧ＶＨを印加した状態で、半導体素子１０のゲート端子Ｇに印加するゲート電圧Ｖｇを増加し、半導体素子１０をターンオンさせる（ステップＳ２２）。このステップＳ２は、図９のタイミングＴｏｎに対応する。半導体素子１０がターンオンすると、半導体素子１０の電流Ｉｄが流れ始める。直流電源２０の固定電圧ＶＨは大きいことから、半導体素子１０に印加されるドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓは大きい。このため、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄは短絡電流ともいう。
【００３４】
半導体素子１０をターンオンさせてから所定時間が経過した判定タイミングｔにおいて、半導体素子１０を流れる電流Ｉｄの電流値と判定電流値Ｉｔｈを比較する（ステップＳ２３）。図９（Ａ）に示されるように、飽和電流が大きい半導体素子１０では、判定タイミングｔにおいて、電流Ｉｄが飽和電流に達しておらず、Ｉｄ＞Ｉｔｈの関係が成立している。この場合、図８に示されるように、判定タイミングｔから所定時間Δｔ３が経過したタイミングＴｏｆｆ３に半導体素子１０をターンオフさせる（ステップＳ２４）。一方、図９（Ｂ）に示されるように、飽和電流が小さい半導体素子１０では、判定タイミングｔにおいて、電流Ｉｄが飽和電流に達しており、Ｉｄ＜Ｉｔｈの関係が成立している。この場合、図８に示されるように、判定タイミングｔから所定時間Δｔ４が経過したタイミングＴｏｆｆ４に半導体素子１０をターンオフさせる（ステップＳ２５）。ここで、所定時間Δｔ３＞所定時間Δｔ４である。また、所定時間Δｔ４＝０であってもよい。
【００３５】
図９の例では、回路上のインダクタンスＬが比較的に大きいことから、回路上のインダクタンスＬに基づく電圧降下（ΔＶ＝Ｌ×ｄｉ／ｄｔ）が大きく、図９（Ａ）と図９（Ｂ）のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓの差を無視することができない。このため、図９の例では、図９（Ａ）の飽和電流が大きい半導体素子１０で発生する短絡エネルギーが小さくなる傾向にあり、図９（Ｂ）の飽和電流が小さい半導体素子１０で発生する短絡エネルギーが大きくなる傾向にある。本実施例の検査方法では、ステップＳ２３の比較結果に基づいて、飽和電流が大きいと判定された半導体素子１０を比較的に長い所定時間Δｔ３が経過したタイミングＴｏｆｆ３でターンオフさせ、飽和電流が小さいと判定された半導体素子１０を比較的に短い所定時間Δｔ４が経過したタイミングＴｏｆｆ４でターンオフさせる。これにより、図９（Ａ）と図９（ｂ）のいずれの場合も、発生する短絡エネルギーが検査規格範囲内となるように調整される。
【００３６】
次に、図８に示されるように、電圧計４０で測定されたドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓと電流計５０で測定された電流Ｉｄの積を時間積分し、発生した短絡エネルギー（Ｅ）を計算し、その短絡エネルギー（Ｅ）が検査規格範囲内に収まっているか否かを確認する。なお、本実施例の検査方法では、発生する短絡エネルギーが検査規格範囲内となるように調整されることから、この確認工程を省略してもよい。検査規格の下限値がＥｍｉｎであり、検査規格の上限値がＥｍａｘである。短絡エネルギー（Ｅ）が検査規格範囲から外れている場合（Ｅ＜Ｅｍｉｎ  又は  Ｅｍａｘ＜Ｅ）、その検査は失敗となり、再検査が実施される。短絡エネルギー（Ｅ）が検査規格範囲内の場合（Ｅｍｉｎ＜Ｅ＜Ｅｍａｘ）、その検査は成功となり、他の電気特性が確認される（ステップＳ２７）。他の電気特性が正常であれば、半導体素子１０の検査が終了する。他の電気特性に異常があれば、半導体素子１０は不良品と判断される。
【００３７】
上記した第２検査方法においても、第１検査方法の変形例のように、複数の判定電流値を用いて判定するように構成してもよく、複数の判定タイミングで判定するように構成してもよい。
【００３８】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３９】
１：検査装置
１０：半導体素子
２０：直流電源
３０：インダクタ
４０：電圧計
５０：電流計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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