(57)【要約】      （修正有）【課題】原版と基板とのアライメントに要する時間の長期化を抑制することが可能な露光装置を提供する。【解決手段】投影光学系を介さずに基板に設けられた複数のマークを検出するスコープを有する検出部と、基板と検出部とを相対的に移動させながら、検出部にマークを検出させ、検出部での検出結果に基づいて基板の位置を制御する制御部を含み、投影光学系を介して原版のパターンを基板上に転写する露光装置において、制御部は、スコープにおいてマークの検出エラーＳ４０１が生じたことに応じて、マークの検出条件を変更して、基板に設けられたマークを検出部に再検出させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を介して原版のパターンを基板上に転写する露光装置であって、
前記投影光学系を介さずに前記基板に設けられた複数のマークを検出するスコープを有する検出部と、
前記基板と前記検出部とを相対的に移動させながら、前記検出部に前記マークを検出させ、前記検出部での検出結果に基づいて前記基板の位置を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記スコープにおいて前記マークの検出エラーが生じたことに応じて、マークの検出条件を変更して、前記基板に設けられたマークを前記検出部に再検出させることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記スコープは、撮像素子と当該撮像素子に前記マークの像を結像する光学素子を含み、
前記制御部は、前記検出エラーが生じたことに応じて、前記スコープにおける撮像条件を変更して、前記検出エラーが生じたときと同一のマークを前記検出部に再検出させることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記撮像条件は、前記マークを照明する照明条件及びフォーカス条件の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出エラーが生じたことに応じて、検出対象のマークを変更して、前記検出部に前記マークを検出させることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記検出エラーが生じた後に検出されるマークは、前記基板とは別に設けられた基準プレートに形成されたマークであることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記複数のマークをそれぞれ検出する複数のスコープを有し、
前記制御部は、前記検出エラーが生じたことに応じて、マーク検出を行うスコープを変更して、前記検出エラーが生じたときと同一のマークを再検出させることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記複数のスコープのうち、前記検出エラーが生じたときに用いたスコープに最も近いスコープを用いて、前記検出エラーが生じたときと同一のマークを検出させることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記投影光学系を介して前記基板のマークを検出する第２検出部を更に含み、
前記制御部は、前記スコープにおいて前記マークの検出エラーが生じたことに応じて、
前記第２検出部に前記複数のマークを検出させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記検出エラーが生じたときにおける前記検出部の検出結果と、前記検出条件を変更した後に検出された前記検出の検出結果を比較することにより、前記検出エラーの原因を特定することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記検出エラーの原因を表示するインターフェースをさらに有し、
前記検出部は、特定した前記検出エラーの原因を前記インターフェースに表示させることを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、を含み、
現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機ＥＬパネル等のフラットパネルや、半導体デバイスの製造には、マスクなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラスプレートやウエハなどの基板に転写する露光装置が用いられる。このような露光装置では、スループットを向上させるために、原版と基板とのアライメントを高精度かつ高速に行うことが求められており、それには、基板に設けられた複数のマークの検出時間を短縮することが望まれている。
【０００３】
特許文献１には、基板上のマークを投影光学系を介して原版上のマークとともに検出するアライメント検出部と、基板上のマークを投影光学系を介さずに検出するオフアクシス検出部とを有する露光装置が開示されている。特許文献１に記載された露光装置では、オフアクシス検出部において同時に検出ことができるマークの数（即ち、基板上のマークを検出するスコープの数）がアライメント検出部より多くなるようにオフアクシス検出部が構成される。そして、基板上の複数のマークをオフアクシス検出部に検出させることによって検出時間の短縮を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１９８２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
オフアクシス検出部では、それに含まれる各スコープにおいて、基板上のマークを検出できない等のエラーが生じる場合がある。このときの対処方法として、基板上における複数のマークの全てをアライメント検出部に検出させる方法が考えられるが、そのような対処では検出時間の点で不利になり、結果として生産性の低下を招き得る。
【０００６】
オフアクシス検出部において基板上のマークを検出できない原因を早期に突き止めることで、露光装置の生産性の低下を抑制することができる。
【０００７】
本発明は、原版と基板とのアライメントに要する時間の長期化を抑制することが可能な露光装置を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の露光装置は、投影光学系を介して原版のパターンを基板上に転写する露光装置であって、前記投影光学系を介さずに前記基板に設けられた複数のマークを検出するスコープを有する検出部と、前記基板と前記検出部とを相対的に移動させながら、前記検出部に前記マークを検出させ、前記検出部での検出結果に基づいて前記基板の位置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記スコープにおいて前記マークの検出エラーが生じたことに応じて、マークの検出条件を変更して、前記基板に設けられたマークを前記検出部に再検出させることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、原版と基板とのアライメントに要する時間の長期化を抑制することが可能な露光装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】（ａ）アライメント検出部の構成例、（ｂ）オフアクシス検出部の構成例、（ｃ）基板における複数のショット領域および複数の基板側マークの配置例をそれぞれ示す図である。
【図３】露光処理を示すフローチャートである。
【図４】マークの検出エラーの原因を特定するためのフローを示すフローチャートである。
【図５】通常検出モードにおける基板側マークの検出方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態では、鉛直方向であるＺ方向に垂直な面内において互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。
【００１２】
本発明に係る実施形態の露光装置１００について説明する。露光装置１００は、例えば液晶表示デバイスや有機ＥＬディスプレイなどのフラットパネルや半導体デバイスを製造する際のリソグラフィ工程に使用されるものである。具体的には、露光装置１００は、原版Ｍおよび投影光学系を通過した光で基板Ｗ（基板Ｗ上に塗布されたレジスト）を露光することにより、基板Ｗにおける複数のショット領域の各々に原版Ｍのパターンを転写する処理（露光処理）を行うものである。
【００１３】
本実施形態では、露光装置１００を、原版Ｍと基板Ｗとを相対的に走査しながら原版Ｍのパターンを基板Ｗに転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（スキャナ）とするが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（ステッパ）としてもよい。ここで、原版Ｍとしては、例えばマスクやレチクルなどが用いられ、基板Ｗとしては、例えばガラスプレートや半導体ウエハなどが用いられうる。
【００１４】
［露光装置の構成について］
図１は、本実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、照明光学系１と、アライメント検出部２（第２検出部）と、原版ステージ３と、投影光学系４と、基板ステージ５と、オフアクシス検出部６（第１検出部）と、制御部７とを含みうる。制御部７は、例えばＣＰＵやメモリを有するコンピュータによって構成されるとともに、装置内の各部に電気的に接続され、装置全体の動作を統括して制御する（即ち、基板Ｗの露光処理を制御する）。
【００１５】
照明光学系１は、光源（不図示）を有し、スリット状（例えば円弧状）に整形された照明光で原版Ｍの一部を照明する。原版ステージ３は、原版Ｍを保持し、少なくともＸ方向およびＹ方向に移動可能に構成されうる。投影光学系４は、原版Ｍに形成されたパターンのうち、照明光学系１によって照明された一部の像を、基板ステージ５により保持された基板Ｗに投影する。基板ステージ５は、基板Ｗを保持し、定盤８の上を、例えばＸ，Ｙ、Ｚ、ωＸ、ωＹ、ωＺの６軸方向に移動可能に構成されうる。
【００１６】
原版ステージ３により保持された原版Ｍ、および基板ステージ５により保持された基板Ｗは、投影光学系４を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面および像面）にそれぞれ配置される。制御部７は、原版ステージ３と基板ステージ５とを投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で相対的に同期走査（例えばＹ方向）することにより、原版Ｍのパターンを基板上に転写することができる。
【００１７】
また、基板ステージ５上には、基板Ｗとは別に基準プレートＲＰが設けられている。この基準プレートは、アライメント検出部２とオフアクシス検出部６とのキャリブレーションや、オフアクシス検出部６に含まれるスコープ間のキャリブレーション等に用いられる。これらのキャリブレーションに関しては後述する。
【００１８】
次に、アライメント検出部２およびオフアクシス検出部６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は、アライメント検出部２の構成例を示し、図２（ｂ）は、オフアクシス検出部６の構成例を示している。また、図２（ｃ）は、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓおよび複数の基板側マーク９の配置例を示している。
【００１９】
アライメント検出部２（第２検出部）は、例えば、照明光学系１と原版ステージ３（原版Ｍ）との間に配置され、基板Ｗに設けられたマーク９（以下、基板側マーク９）を原版Ｍおよび投影光学系４を介して検出する。これにより、原版Ｍに設けられたマーク（以下、原版側マーク）と基板側マーク９とを同時に検出し、原版側マークと基板側マーク９との相対位置を検出することができる。アライメント検出部２の具体的な構成としては、投影光学系４を介して１つの基板側マーク９を検出（観察）するための視野をそれぞれ有する複数のスコープ（アライメントスコープ）が設けられる。アライメント検出部２の各スコープは、撮像素子および撮像素子に基板側マーク９の像を結像する光学素子を含みうる。
【００２０】
本実施形態のアライメント検出部２では、図２（ａ）に示すように、Ｘ方向に沿って配列した２個のスコープ２ａ、２ｂが設けられている。スコープ２ａは、基板Ｗのショット領域Ｓの第１側（−Ｘ方向側）に設けられた基板側マーク９を検出するように配置される。また、スコープ２ｂは、基板Ｗのショット領域Ｓの第２側（第１側の反対側（＋Ｘ方向側））に設けられた基板側マーク９を検出するように配置されうる。
【００２１】
オフアクシス検出部６（第１検出部）は、投影光学系４と基板ステージ５（基板Ｗ）との間に配置され、投影光学系４を介さずに基板側マーク９を検出する。オフアクシス検出部６の具体的な構成としては、投影光学系４を介さずに１つの基板側マーク９を検出（観察）するための視野をそれぞれ有する複数のスコープ（オフアクシススコープ）が設けられる。オフアクシス検出部６の各スコープは、アライメント検出部２の各スコープと同様に、撮像素子および光学素子を含みうる。また、オフアクシス検出部６における複数のスコープは、その数がアライメント検出部２のスコープの数より多く設けられ、より好ましくは、図２に示すように、Ｘ方向に沿って基板上に配列された基板側マークの数と同じになるように設けられるとよい。
【００２２】
本実施形態のオフアクシス検出部６では、図２（ｂ）に示すように、Ｘ方向に沿って配列した８個のスコープ６ａ〜６ｈが設けられている。スコープ６ａ、６ｃ、６ｅおよび６ｇは、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの第１側（−Ｘ方向側）に設けられた基板側マーク９をそれぞれ検出するように配置された第１スコープ群である。また、スコープ６ｂ、６ｄ、６ｆおよび６ｈは、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの第２側（＋Ｘ方向側）に設けられた基板側マーク９をそれぞれ検出するように配置された第２スコープ群である。
【００２３】
基準プレートＲＰにも、基板ＷにおけるＸ方向のマーク配列と同一の間隔で複数のマークが設けられている。基準プレートＲＰは、熱等によって変形しにくい材質により形成されている。これにより、基準プレートＲＰ上の各マーク間の間隔を一定に維持することができる。
【００２４】
［露光処理について］
次に、本実施形態の露光装置１００で行われる露光処理について説明する。図３は、露光装置１００で行われる露光処理を示すフローチャートである。図３に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって行われうる。
【００２５】
ステップＳ１では、制御部７は、アライメント検出部２に原版側マークと基板側マーク９とを検出させる。例えば、制御部７は、アライメント検出部２の各スコープ２ａ、２ｂの視野に、原版側マークと基板側マーク９とが１つずつ収まるように原版ステージ３および基板ステージ５を駆動し、原版側マークと基板側マーク９とを各スコープ２ａ、２ｂに検出させる。ステップＳ１の工程では、スループットの観点から、アライメント検出部２（各スコープ２ａ、２ｂ）による検出が１回だけ行われればよく、複数の基板側マーク９の全てに対するアライメント検出部２による検出は行われない。
【００２６】
ステップＳ２では、制御部７は、ステップＳ１で得られたアライメント検出部２での検出結果に基づいて、原版Ｍと基板Ｗとの相対位置情報を生成する。例えば、制御部７は、各スコープ２ａ、２ｂで検出された原版側マークと基板側マーク９との位置関係を求めることにより、ＸＹ方向およびωＺ方向（回転方向）における原版Ｍと基板Ｗとの位置ずれを相対位置情報として生成することができる。
【００２７】
ステップＳ３では、制御部７は、基板ステージ５（基板Ｗ）とオフアクシス検出部６とを相対的にステップ移動させながら、基板Ｗに設けられた複数の基板側マーク９を順次検出させる。ステップＳ３の工程では、制御部７は、通常、オフアクシス検出部６（スコープ６ａ〜６ｈ）を用いて、複数の基板側マーク９の検出を行いうる。ステップＳ３の具体的な制御内容については後述する。
【００２８】
ステップＳ４では、制御部７は、ステップＳ３で得られた複数の基板側マーク９の検出結果に基づいて各基板側マーク９の位置を求めることにより、各ショット領域Ｓの配列情報（即ち、各ショット領域Ｓの配置および形状に関する情報）を生成する。このとき、制御部７は、ベースライン量に基づいて補正された各基板側マーク９の位置を用いることにより、アライメント検出部２を基準とした各ショット領域の配列情報を生成することができる。
【００２９】
ここで、ベースライン量とは、アライメント検出部２のスコープによる基板上の検出位置とオフアクシス検出部６のスコープによる基板上の検出位置との差（距離）を示す指標であり、事前に取得（計測）されて設定されうる。例えば、制御部７は、アライメント検出部２のスコープとオフアクシス検出部６のスコープに基準プレートＲＰ上の同一マークを検出させる。そして、そのときの基板ステージ５の移動量と、各スコープの視野内での該マークの位置に基づいてベースライン量を求める。このようにベースライン量を決定する工程をキャリブレーションと称する。
【００３０】
本実施形態では、オフアクシス検出部６のスコープごとに事前にキャリブレーションが実行され、ベースライン量が設定されている。例えば、オフアクシス検出部６の第１スコープ群（各スコープ６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇ）については、アライメント検出部２のスコープ２ａに対するベースライン量が設定されている。また、オフアクシス検出部６の第２スコープ群（各スコープ６ｂ、６ｄ、６ｆ、６ｈ）については、アライメント検出部２のスコープ２ｂに対するベースライン量が設定されている。また、アライメント検出部２とオフアクシス検出部６とのキャリブレーションだけでなく、オフアクシス検出部６に含まれる各スコープ間のキャリブレーションを行っても良い。
【００３１】
ステップＳ５では、制御部７は、原版ステージ３および基板ステージ５によって原版Ｍと基板Ｗとを相対的に走査しながら、対象ショット領域Ｓの露光処理を行う。当該露光処理では、制御部７は、Ｓ１で生成された原版Ｍと基板Ｗとの相対位置情報と、Ｓ４で生成された各ショット領域の配列情報とに基づいて、原版Ｍと基板Ｗとの相対位置や投影光学系４の投影倍率などの制御（補正）を行う。
【００３２】
ステップＳ６では、制御部７は、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの全てに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていないショット領域Ｓがある場合にはステップＳ５に戻り、露光処理を行っていないショット領域Ｓを対象ショット領域Ｓに設定して露光処理を行う。一方、全てのショット領域Ｓに対して露光処理を行った場合には終了する。
【００３３】
［基板側マークの検出（Ｓ３）について］
上述したように構成された露光装置１００では、制御部７は、ステップＳ３の工程において、通常、基板上における複数の基板側マーク９の全てをオフアクシス検出部６に検出させる。このようにオフアクシス検出部６を用いると、オフアクシス検出部６はアライメント検出部２よりスコープの数が多く構成されているため、複数の基板側マーク９の全てをアライメント検出部２に検出させることと比較して検出時間の短縮を図ることができる。
【００３４】
しかしながら、オフアクシス検出部６では、それに含まれる複数のスコープにおいて、基板側マーク９を検出できなくなったり、信号を出力しなくなったりなど、マークの検出エラーが発生し得る。本実施形態の露光装置１００では、オフアクシス検出部６においてマークの検出エラーが生じた場合に、検出エラーの原因を迅速に特定し、露光装置としての生産性を損なわないようにしている。
【００３５】
図４は、本実施形態におけるマークの検出エラーの原因を特定するためのフローを示すフローチャートである。図４に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって行われうる。
【００３６】
ステップＳ４０１において、オフアクシス検出部６におけるスコープ６ａ〜６ｈにおいて、基板側マーク９の検出エラーが生じているか否かの判定を行う。検出エラーが生じているか否かは、例えば、各スコープによって撮像された基板側マーク９の画像に基づいて行うことができる。上記検出エラーが生じていないと判定された場合には、ステップＳ４０２に進み、通常検出モードによって複数の基板側マーク９の検出が行われる。
【００３７】
Ｓ４０２は、通常検出モードによって複数の基板側マーク９の検出を行う工程である。通常検出モードでは、制御部７は、基板ステージ５（基板Ｗ）とオフアクシス検出部６（スコープ６ａ〜６ｈ）とをＹ方向に相対的にステップ移動させながら、オフアクシス検出部６（スコープ６ａ〜６ｈ）に複数の基板側マーク９を順次検出させる。具体的には、位置１（Ｐｏｓ．１）の基板側マーク９の上方にオフアクシス検出部６が配置されるように基板ステージ５をＹ方向に移動させ（図５（ａ））、オフアクシス検出部６に基板側マーク９を検出させる。
【００３８】
それから、位置２（Ｐｏｓ．２）の基板側マーク９の上方にオフアクシス検出部６が配置されるように基板ステージをＹ方向に移動させ（図５（ｂ））、オフアクシス検出部６に基板側マーク９を検出させる。位置３〜位置６（Ｐｏｓ．３〜６）についても同様の制御を行うことにより、オフアクシス検出部６に複数の基板側マーク９を検出させることができる。
【００３９】
Ｓ４０３からＳ４０６は、基板側マーク９の検出エラーが生じた場合において、当該検出エラーの原因を特定するための工程である。ステップＳ４０３では、スコープにおける撮像条件を変更して、検出エラーが生じたときと同一の基板側マーク９の検出を再度行う。撮像条件としては、基板側マーク９を照明する照明条件や、撮像に際しての被写界深度等のフォーカス条件が含まれる。再検出された基板側マーク９の検出結果と、検出エラーが生じたときの基板側マーク９の検出結果を比較して、マークを適切に検出することができたと判断した場合には、このときの撮像条件を制御部７のメモリ等に保存する。
【００４０】
続いて、ステップＳ４０４では、スコープを変更して、検出エラーが生じたときと同一の基板側マーク９の検出を再度行う。再検出の結果、基板側マーク９を適切に検出することができた場合には、検出エラーが生じたときの撮像に用いられたスコープに異常が生じているものとして、当該スコープに異常が生じているという情報を上記メモリ等に保存する。変更後のスコープとして、検出エラーが生じたときに用いたスコープに最も近いスコープを選定することにより、再検出に要する時間を短縮することができる。
【００４１】
ステップＳ４０５では、検出対象の基板側マーク９を変更して、別の基板側マーク９の検出を行う。当該検出において基板側マーク９を適切に検出することができた場合には、検出エラーが生じたときの検出対象の基板側マーク９に何らかの不具合が生じたことを示す情報を上記メモリ等に保存する。
【００４２】
ステップＳ４０６では、ステップＳ４０３からステップＳ４０５における検出結果に基づいて、検出エラーの原因を特定する。そして、ステップＳ４０７において、検出エラーの原因に応じたエラー対応を行う。例えば、検出エラーの原因がスコープにおける撮像条件である場合には、撮像条件を変更して再度基板側マーク９の検出を行う。このとき、基板側マーク９が適切に検出されるまで、撮像条件の変更と基板側マーク９の検出が繰り返し行われる。
【００４３】
また、特定のスコープに異常が生じていることが判明した場合には、基板側マーク９の検出において当該スコープの使用を禁止して、その他のスコープを用いて基板側マーク９の検出を継続する。または、露光装置１００の不図示のインターフェースに当該スコープに異常が生じたことを表示し、ユーザに対してスコープの取り換えまたは修理を行うことを促す。検出対象の基板側マーク９に不具合が生じた場合には、当該マークを除いて、その他の基板側マーク９の検出のみを行う。
【００４４】
ステップＳ４０７におけるエラー対応が完了すると、ステップＳ４０８に進み、オフアクシス検出部６によって複数の基板側マーク９の検出が行われる。Ｓ４０７のエラー対応によって、異常が生じたスコープの交換やスコープにおける撮像条件の最適化等が実行された場合には、通常検出モードにおけるマーク検出が行われる。一方、異常が生じたスコープの使用を禁止する等の何らかの制限が設けられた場合には、当該制限のもとでのマーク検出が行われる。なお、一度に複数のスコープに異常が生じた場合等には、オフアクシス検出部６によるマーク検出に代えて、アライメント検出部２によるマーク検出に切り替えても良い。
【００４５】
上述したように、本実施形態の露光装置１００は、オフアクシス検出部６において基板側マーク９の検出エラーが生じた場合に、マークの検出条件を適宜変更してマークの再検出を行うことで、検出エラーの原因を素早く特定することができる。これにより、検出エラーの原因に応じたエラー処理を迅速に行うことが可能となり、原版と基板とのアライメントに要する時間の長期化を抑制、露光装置としての生産性の低下を防ぐことができる。
【００４６】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像（加工）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４８】
Ｍ  原版
Ｗ  基板
４  投影光学系
６  検出部
７  制御部
【図１】
2020177149.tif 000003
【図２】
2020177149.tif 000004
【図３】
2020177149.tif 000005
【図４】
2020177149.tif 000006
【図５】
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