(57)【要約】【課題】多孔質ガラス母材を適正にガラス化する。【解決手段】加熱炉２１内に配置した光ファイバ用の多孔質ガラス母材１００を加熱部４０により所定の雰囲気中で加熱し、当該加熱中に加熱炉内の排気ガスの排気を行う多孔質ガラス母材の熱処理方法であって、前記多孔質ガラス母材を目標温度まで昇温する昇温工程と、前記多孔質ガラス母材を目標温度に維持するガラス化工程と、前記多孔質ガラス母材の降温を行う降温工程と、を含み、前記ガラス化工程において、前記加熱炉から排気される排気ガス中の特定の成分を測定し、当該成分の分圧が予め定めた閾値以下に下がると、前記降温工程に移行する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱炉内に配置した光ファイバ用の多孔質ガラス母材を加熱部により所定の雰囲気中で加熱し、当該加熱中に前記加熱炉内の排気ガスの排気を行う多孔質ガラス母材の熱処理方法であって、
前記多孔質ガラス母材を目標温度まで昇温する昇温工程と、
前記多孔質ガラス母材を目標温度に維持するガラス化工程と、
前記多孔質ガラス母材の降温を行う降温工程と、を含み、
前記ガラス化工程において、前記加熱炉から排気される排気ガス中の特定の成分を測定し、当該成分の分圧が予め定めた閾値以下に下がると、前記降温工程に移行することを特徴とする多孔質ガラス母材の熱処理方法。
【請求項２】
多孔質ガラス母材を格納する加熱炉と、
前記多孔質ガラス母材を加熱する加熱部と、
前記加熱炉内の排気ガスの排気を行う排気部と、
前記加熱部を制御する制御部とを備える多孔質ガラス母材の熱処理装置であって、
前記加熱炉からの排気ガスに含まれる特定の成分の分圧を測定する測定部を備え、
前記制御部は、
前記加熱炉内の前記多孔質ガラス母材を目標温度まで昇温する昇温工程と、前記加熱炉内の前記多孔質ガラス母材を目標温度に維持するガラス化工程と、前記多孔質ガラス母材の降温を行う降温工程とを含む複数工程で段階的に熱処理を行うと共に、
前記ガラス化工程において、前記測定部が測定した前記特定の成分の分圧が予め定めた閾値以下に下がると、前記降温工程に移行する制御を行うことを特徴とする多孔質ガラス母材の熱処理装置。
【請求項３】
前記排気部は、前記排気ガスの排気が通る排気通路を有し、
前記測定部は、前記排気通路から分岐したバイパス路を有し、当該バイパス路を通る前記排気ガスに含まれる前記特定の成分の分圧を測定することを特徴とする請求項２に記載の多孔質ガラス母材の熱処理装置。
【請求項４】
前記測定部は、前記排気ガスを前記排気通路から前記バイパス路に引き込む吸引手段が接続されていることを特徴とする請求項３に記載の多孔質ガラス母材の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多孔質ガラス母材の熱処理方法及び熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバの製造工程では、光ファイバの材料となる多孔質ガラス母材の脱水工程を経てガラス化工程が行われている。
このガラス化工程では、脱水された多孔質母材を炉内に吊下した状態で、脱水時よりも高温で加熱することにより行われている。
多孔質ガラス母材は、高温で加熱し続けると、自重で必要以上に鉛直下方に伸びを生じ、多孔質ガラス母材自体が変形してしまうおそれがあり、場合によっては加熱炉の炉心管に達して炉心管を破損させてしまう場合もある。
このため、従来の製造装置では、炉内の多孔質材料の下側を検出範囲とする放射温度計を設け、その検出温度の変化から検出範囲まで延びを生じたことを検知すると非常停止を行っていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−９００１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の製造装置は、炉内の多孔質材料の下側の検出範囲まで多孔質母材が延びを生じた段階で検知を行うので、多孔質母材が十分に延びてしまった後でしか検出することができず、安定的に製造する観点からは問題があった。
【０００５】
本発明は、光ファイバの用の多孔質ガラス母材のガラス化をより適正に行うことをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、加熱炉内に配置した光ファイバ用の多孔質ガラス母材を加熱部により所定の雰囲気中で加熱し、当該加熱中に前記加熱炉内の排気ガスの排気を行う多孔質ガラス母材の熱処理方法であって、
前記多孔質ガラス母材を目標温度まで昇温する昇温工程と、
前記多孔質ガラス母材を目標温度に維持するガラス化工程と、
前記多孔質ガラス母材の降温を行う降温工程と、を含み、
前記ガラス化工程において、前記加熱炉から排気される排気ガス中の特定の成分を測定し、当該成分の分圧が予め定めた閾値以下に下がると、前記降温工程に移行することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明は、多孔質ガラス母材を格納する加熱炉と、前記多孔質ガラス母材を加熱する加熱部と、前記加熱炉内の排気ガスの排気を行う排気部と、前記加熱部を制御する制御部とを備える多孔質ガラス母材の熱処理装置であって、
前記加熱炉からの排気ガスに含まれる特定の成分の分圧を測定する測定部と、
前記制御部は、
前記加熱炉内の前記多孔質ガラス母材を目標温度まで昇温する昇温工程と、前記加熱炉内の前記多孔質ガラス母材を目標温度に維持するガラス化工程と、前記多孔質ガラス母材の降温を行う降温工程とを含む複数工程で段階的に熱処理を行うと共に、
前記ガラス化工程において、前記測定部が測定した前記特定の成分の分圧が予め定めた閾値以下に下がると、前記降温工程に移行する制御を行うことを特徴とする。
【０００８】
また、上記熱処理装置において、
前記排気部は、前記排気ガスの排気が通る排気通路を有し、
前記測定部は、前記排気通路から分岐したバイパス路を有し、当該バイパス路を通る前記排気ガスに含まれる前記特定の成分の分圧を測定する構成としても良い。
【０００９】
また、上記熱処理装置において、
前記測定部は、前記排気ガスを前記排気通路から前記バイパス路に引き込む吸引手段が接続されている構成としても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光ファイバの用の多孔質ガラス母材のガラス化をより適正に行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】発明の実施形態たる熱処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】制御部が実行する熱処理の制御のフローチャートである。
【図３】熱処理装置により多孔質ガラス母材の熱処理を行い、その際のガラス化工程の際に得られたガス分析計の出力に基づく検出成分の分圧の変化を検出不能となるまで継続して行った場合の線図である。
【図４】実施例１の多孔質ガラス母材のガラス化工程における測定部の検出成分の分圧の変化を示した線図である。
【図５】比較例１の多孔質ガラス母材のガラス化工程における測定部の検出成分の分圧の変化を示した線図である。
【図６】比較例２の多孔質ガラス母材のガラス化工程における測定部の検出成分の分圧の変化を示した線図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［発明の実施形態の概要］
以下、本発明の実施の形態にかかる光ファイバの用の多孔質ガラス母材の熱処理装置１０について、図面に基づいて説明する。図１は、熱処理装置１０の概略構成を示す断面図である。
【００１３】
［多孔質ガラス母材について］
熱処理の対象となる光ファイバ用の多孔質ガラス母材１００は、コア部分１０１と、その外周に形成されたスート体１０２とからなる。
この多孔質ガラス母材１００は、コア部分１０１に対して、スート体１０２の原料となる石英ガラス微粒子をミストと共に噴霧しながらバーナーで加熱し、コア部分１０１の周囲に石英ガラス微粒子を堆積させて、スート体１０２が形成される。
そして、多孔質ガラス母材１００を焼結温度よりも低温で加熱することにより脱水が行われる。
熱処理装置１０は、上記脱水が行われた多孔質ガラス母材１００のスート体１０２を加熱焼結により透明ガラス化させるための熱処理（ガラス化工程）を行うためのものである。
【００１４】
［熱処理装置の概略構成］
熱処理装置１０は、多孔質ガラス母材１００を格納する炉心管２１を有する加熱炉としての炉体２０と、炉体２０内で多孔質ガラス母材１００を吊下支持する支持部３０と、炉体２０内の多孔質ガラス母材１００を加熱する加熱部４０と、炉心管２１内に所定のガスを供給するガス供給部５０と、炉心管２１内の排気ガスの排気を行う排気部６０と、排気ガスに含まれる特定の成分の分圧を測定する測定部７０と、装置各部を制御する制御部９０とを備えている。
【００１５】
［炉体］
炉体２０は、内部の断熱を図る筐体であり、内部には炉心管２１を格納している。
炉心管２１は、石英ガラスからなる中空の円筒体である。炉心管２１は、上部が開口可能であって、支持部３０によって鉛直上下方向に吊下支持された多孔質ガラス母材１００を内部に格納することができる。
また、炉心管２１の下端部にはガス供給部５０に接続された吸気口２２を備え、上端部には排気部６０に接続された排気口２３を備えている。
熱処理装置１０は、いわゆる減圧炉であり、炉心管２１の内部には、ガス供給部５０からガスが供給されると共に、排気部６０によって、炉心管２１の内部を大気と比較して負圧（例えば、100[Pa]以下）にすることができる。
【００１６】
［加熱部］
加熱部４０は、炉体２０内において、炉心管２１を介してその内部の多孔質ガラス母材１００を加熱するヒータ４１を備えている。
加熱部４０のヒータ４１は、炉心管２１の周囲を取り囲むように配置されており、炉心管２１のほぼ全長に渡って加熱可能な長さとなっている。
このようなヒータ４１を備える加熱部４０は、多孔質ガラス母材１００の全長を同時に加熱することができる。
ヒータ４１は、調節部４２に接続されており、当該調節部４２の電力供給量に応じて発熱量を調節することができる。調節部４２は、制御部９０の制御によって、多孔質ガラス母材１００が目標温度となるようにヒータ４１の発熱量の調節を実行する。
【００１７】
［支持部］
支持部３０は、炉体２０の上側に設けられ、炉心管２１の上端部に設けられた小孔から外部に延びる多孔質ガラス母材１００のコア部分１０１の上端部を把持して吊下支持する。
支持部３０は、駆動源となる図示しないモータと、当該モータの出力回転を減速する減速機等を備えており、把持したコア部分１０１を中心として多孔質ガラス母材１００に減速回転を付与する。
支持部３０は、制御部９０に接続されており、多孔質ガラス母材の熱処理の際に、規定の回転速度で多孔質ガラス母材１００を回転させるように制御が行われる。
【００１８】
［ガス供給部］
ガス供給部５０は、所定のガラス化ガスのガス供給源５１と、ガス供給源５１から炉心管２１の吸気口２２までを接続する接続管５２と、接続管５２の途中に設けられたガスフローメータ５３とを備えている。
ガス供給源５１は、炉心管２１内に供給するガラス化ガス、例えば、Heガス、Arガス、N2ガス等の不活性ガスやCl2ガス等を貯留しており、これらのガスを適宜炉心管２１に供給する。
ガスフローメータ５３は、制御部９０に接続され、接続管５２を介してガス供給源５１から炉心管２１に供給されるガスの量を目標量に調節することができる。
【００１９】
［排気部］
排気部６０は、炉心管２１から吸気を行うドライポンプ６１と、炉心管２１の排気口２３とドライポンプ６１を接続する排気通路としての排気管６２と、ドライポンプ６１の排気側に接続された排ガス処理装置６３とを備えている。
ドライポンプ６１は、炉心管２１の吸気を行い、その内部を減圧する。ドライポンプ６１は、油や液体を真空室内に使用しない真空ポンプなので、排ガス処理装置６３に送られる排気に対して油や液体の混入を低減することができる。
排ガス処理装置６３は、排気ガス中から排気できない成分を捕集する。
【００２０】
［測定部］
測定部７０は、排気管６２から分岐して再び排気管６２に戻るバイパス路としてのバイパス管７１と、バイパス管７１の途中に設けられた所定の成分を検出する検出部としてのガス分析計７２と、ガス分析計７２の下流側に設けられたターボポンプ７３と、ターボポンプ７３のさらに下流側に設けられたドライポンプ７４とを備えている。
【００２１】
ドライポンプ７４は、バイパス管７１の下流側から排気管６２に対して吸引を行う。一方、排気管６２は、その下流側のドライポンプ６１により排気ガスの吸気を行っているので、バイパス管７１内を排気管６２内よりも負圧にする必要がある。このため、バイパス管７１には、ターボポンプ７３も設けられており、これら二つのポンプ７３，７４を吸引手段として排気ガスの一部についてバイパス管７１への引き込みを行う。
また、ドライポンプ７４もまた、油や液体を真空室内に使用しない真空ポンプなので、排ガス処理装置６３に送られる排気に対して油や液体の混入を低減することができる。
【００２２】
ガス分析計７２は、四重極型質量分析計等のガス分析計であり、排気ガスに含まれる特定の成分の濃度を検出する。ガス分析計７２による検出濃度は、制御部９０に入力され、当該制御部９０が、特定の成分の分圧を算出する。
従って、厳密には、制御部９０が特定の成分の検出濃度から分圧を算出する機能も、測定部７０の構成の一部となっている。
なお、特定の成分としては、後述する実施例１では、塩化水素を例示している。
【００２３】
［制御部］
制御部９０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）と、制御プログラム及び制御データを格納した記憶装置と、ＣＰＵがデータを展開するメモリとを備える。
制御部９０は、図示しないインターフェイスを介して、加熱部４０の調節部４２及びガス供給部５０のガスフローメータ５３に接続されており、ヒータ４１の発熱量の制御を行い、炉心管２１へのガスの供給量を調節する制御を行うこともできる。
また、制御部９０は、インターフェイスを介して、測定部７０のガス分析計７２に接続されており、ガス分析計７２の出力から検出成分の分圧を算出する。
さらに、制御部９０は、インターフェイスを介して、炉心管２１内に格納された多孔質ガラス母材１００の温度を検出する温度検出部としての放射温度計２４にも接続されており、検出温度が入力される。
また、制御部９０は、インターフェイスを介して、排気部６０のドライポンプ６１と測定部７０のターボポンプ７３及びドライポンプ７４と接続されており、これらのポンプ６１，７３，７４の駆動と停止を制御する。
【００２４】
［制御部による熱処理制御］
制御部９０では、ＣＰＵが記憶装置の制御プログラムを実行することで、多孔質ガラス母材１００に対する特徴的な熱処理方法に基づく熱処理制御を実現する。
即ち、制御部９０は、炉心管２１内の多孔質ガラス母材１００をガラス化に好適な目標温度まで昇温する昇温工程と、炉心管２１内の多孔質ガラス母材１００を目標温度に維持するガラス化工程と、炉心管２１内の多孔質ガラス母材１００の降温を行う降温工程とを含む複数工程で段階的に熱処理を行う。
【００２５】
制御部９０が実行する熱処理の制御を図２のフローチャートに示す。
まず、制御部９０は、昇温工程の前に、炉心管２１に多孔質ガラス母材１００が格納された状態において、ガスフローメータ５３を制御して、ガス供給部５０から炉心管２１内に窒素ガスの供給を行う共に、排気部６０のドライポンプ６１と測定部７０のターボポンプ７３及びドライポンプ７４を作動させて、炉心管２１内を所定の負圧状態に減圧する（準備工程：ステップＳ１）。
【００２６】
そして、制御部９０は、ヒータ４１に電力を供給し、放射温度計２４によって多孔質ガラス母材１００の温度を監視しながら加熱昇温を行う（昇温工程：ステップＳ２）。
制御部９０は、放射温度計２４による多孔質ガラス母材１００の検出温度が、ガラス化に好適な目標温度に達するか判定を行い、達していなければ昇温を続けて、達していれば昇温工程からガラス化工程に移行する（ステップＳ３）。
【００２７】
次いで、制御部９０は、放射温度計２４によって多孔質ガラス母材１００の温度を監視しながらガラス化に好適な目標温度を維持するように、調節部４２を制御してヒータ４１への供給電力を調整する（ガラス化工程：ステップＳ４）。
また、ガラス化工程では、制御部９０は、測定部７０のガス分析計７２の出力から検出成分の分圧を算出して、その値を逐次的に記録する。
そして、制御部９０は、逐次的に求められる検出成分の分圧を予め定められた閾値と比較し、閾値より高ければ目標温度を維持し続ける。また、検出成分の分圧が閾値以下まで下がると、ガラス化工程の終点に到達したものとして、ヒータ４１への電力供給を停止する（ステップＳ５）。
そして、ガラス化工程から降温工程に移行する。
【００２８】
次いで、制御部９０は、測定部７０のターボポンプ７３及びドライポンプ７４を停止させると共に、ガス分析計７２の出力の記録を終了する。
また、制御部９０は、放射温度計２４によって多孔質ガラス母材１００の温度を監視して、多孔質ガラス母材１００が予め定められた冷却温度まで温度が下がると、ガスフローメータ５３を制御して窒素ガスの供給を停止すると共に、排気部６０のドライポンプ６１の停止により排気を停止する（降温工程：ステップＳ６）。
そして、熱処理を終了する。
【００２９】
［実施例１］
ここで、本発明の実施例１について説明する。
図３は、上記熱処理装置１０により多孔質ガラス母材１００の熱処理を行い、その際のガラス化工程の際に得られたガス分析計７２の出力に基づく検出成分の分圧の変化を、検出不能となるまで継続して行った場合の線図である。また、図４は、分圧が予め定められた閾値となるまでガラス化工程を行った場合の分圧の変化の線図である。
【００３０】
この実施例１では、1100[℃]に加熱した炉心管２１に、多孔質ガラス母材１００を投入し、炉心管２１内を約20[Pa]に減圧した。
その後、ガラス化に好適な目標温度である約1400[℃]に到達するまで、昇温した（昇温工程）。
さらに、多孔質ガラス母材１００の検出温度が約1400[℃]に到達すると、ガラス化が完了するまで一定の目標温度を保持した（ガラス化工程）。このとき、炉心管２１内で発生した排気ガスは、一部が測定部７０に引き込まれ、特定成分として塩化水素の分圧が逐次記録された。
ガラス化工程における塩化水素の分圧は、図３に示すように、検出当初は、一時的に増加し、その後に減少に転じた。その後、多孔質ガラス母材１００の検出温度が約1400[℃]の状態を継続すると、分圧の値が3×10-6[Pa]を下回ったあたりで、他の物質によるノイズの影響により検出不能となった。
【００３１】
一方、上記と同様にガラス化工程を実施し、図４に示すように、分圧の閾値を5×10-6[Pa]に定め、分圧が閾値まで低下した時にガラス化工程を終了し、ヒータ４１の加熱を停止して降温工程にプロセスを進めた場合には、次のようになった。
即ち、降温工程により十分冷却された多孔質ガラス母材１００を炉心管２１から取り出してみると、多孔質ガラス母材１００は、長手方向にほぼ均一に焼結して全体がガラス化していることを確認した。
【００３２】
本願発明の発明者は、この結果に関し、熱処理のガラス化工程において、以下の現象が起こっていると推測した。即ち、多孔質光ファイバ母材は内部に塩素を含み、脱水工程において、徐々に加熱炉内に排出される。
多孔質ガラス母材のガラス化工程を行う場合にも、脱水工程の場合と同様にして、多孔質ガラス母材１００に僅かに残存する水分と塩素とが炉心管２１内に排出され、塩化水素が生成される。母材の焼結が進行すると、放出される塩素の量が減少するため、塩化水素の生成量も減少する。従って、塩化水素の検出量が十分に少なくなるタイミングを見極めることでガラス化の終点を判断することができる。
【００３３】
［比較例１］
上記実施例１と同様に、多孔質ガラス母材１００を炉心管２１に投入し、約1400[℃]まで昇温する。そして、1400[℃]を維持して、炉心管２１内で発生した排気中の塩化水素の濃度をガス分析計７２で検出し、これに基づく分圧の変化を監視した。このときの分圧の変化を図５に示す。
この比較例１では、減少する分圧の数値が4×10-6[Pa]でほぼ一定となったところで、降温工程へとプロセスを進めた。
その後、十分冷却された後に取り出してみると、多孔質ガラス母材１００は、十分焼結していたが、一部に細い部分が生じたことを確認した。これは、ガラス化が過剰になり、ガラス化した母材に伸びが生じたことが原因である。
【００３４】
［比較例２］
上記実施例１と同様に、多孔質ガラス母材１００を炉心管２１に投入し、約1400[℃] まで昇温する。そして、1400[℃]を維持して、炉心管２１内で発生した排気中の塩化水素の濃度をガス分析計７２で検出し、これに基づく分圧の変化を監視した。このときの分圧の変化を図６に示す。
この比較例２では、減少する分圧の数値が6×10-6[Pa]を示したところで降温工程へとプロセスを進めた。
その後、十分冷却された後に取り出してみると、ガラス化した母材は、焼結が不十分であった。即ち、多孔質ガラス母材１００のスート体１０２に透明化せずに白濁のままである箇所が散見された。
【００３５】
前述の実施例１及び比較例１，２の結果から、図３に示すように、多孔質ガラス母材のガラス化工程の終点を、塩化水素の分圧が4×10-6[Pa]となる点Ｅ２に設定すると、多孔質ガラス母材１００のガラス化が過度に進行して伸びや変形を生じ、塩化水素の分圧が6×10-6[Pa]となる点Ｅ３に設定すると、ガラス化が不充分となることが分かった。そして、これらの間の塩化水素の分圧が5×10-6[Pa]となる点Ｅ１にガラス化工程の終点を設定すると、過不足なく良好なガラス化が行われることが分かった。
従って、ガラス化の終点を塩化水素の分圧の変化から決定することが可能であることが示された。
【００３６】
［比較例３］
上記実施例１と同様に、多孔質ガラス母材１００を炉心管２１に投入し、約1400[℃]まで昇温する。そして、1400[℃]を維持して、多孔質ガラス母材１００の加熱を行った。100[kg]程度の母材の重量をもとに、予め設定した時間が経過した後に降温工程へとプロセスを進めた。そして、同じ熱処理を同じ条件で複数の多孔質ガラス母材１００について行った。
それぞれの多孔質ガラス母材１００を、十分冷却された後に取り出してみると、長手方向にほぼ均一に焼結しているものが多くあるが、一部焼結が不十分である母材や、伸びが生じている母材が存在していた。これは、焼結前の母材の密度や、脱水工程が十分行われていたかが影響していると考えられる。
また、時間を揃えてガラス化工程を実行しても、複数の多孔質ガラス母材１００について、結果にバラつきが生じることから、ガラス化工程を処理時間で管理することは困難であるという結論が得られた。
【００３７】
［発明の実施形態の技術的効果］
以上のように、熱処理装置１０は、制御部９０が、ガラス化工程において、測定部７０の測定に基づく特定の成分の分圧が予め定めた閾値以下に下がると、降温工程に移行する制御を行っている。
このため、多孔質ガラス母材１００に対して、過剰な延びを抑えつつ、全体を適正にガラス化することが可能となる。
また、特定の成分の分圧の変化に基づいてガラス化工程の終点を決めているので、実際に多孔質ガラス母材に延びが生じてからそれを検出する場合に比べて、多孔質ガラス母材の延びの発生を抑制することができ、ガラス化された良好な母材を得ることが可能となる。
【００３８】
また、熱処理装置１０は、測定部７０が、排気管６２から分岐したバイパス管７１を通る排気ガスに含まれる特定の成分の分圧を測定するので、排気管６２側で炉心管２１内の真空引きや減圧のための吸引を行う場合であっても、測定部７０側では一定の量で排気を引き込むことが容易となり、高い精度で特定の成分の分圧を測定することが可能となり、より良好な多孔質ガラス母材のガラス化を実現することが可能となる。
【００３９】
また、熱処理装置１０は、排気ガスをバイパス管７１に引き込むターボポンプ７３及びドライポンプ７４が接続されているので、測定部７０側に排気を引き込む吸引力を調整することが容易となり、ガス分析計７２の前後での圧力差を調整することが可能となり、ガス分析計７２の保護を図ることが可能となる。
【００４０】
［その他］
上記実施形態では、発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されている場合を例示したが、本発明の範囲を上記実施形態及び図示の例に限定するものではない。
例えば、測定部７０が測定を行う特定の成分は、塩化水素を例示したが、ガラス化工程で発生し得る他の成分を対象としても良い。
また、ガラス化工程の終了を決定する分圧の数値も一例であって、例えば、数値を変えた比較試験によって求められたより適正な数値を選択しても良い。
【符号の説明】
【００４１】
１０  熱処理装置
２０  炉体（加熱炉）
２１  炉心管
２４  放射温度計
４０  加熱部
４１  ヒータ
４２  調節部
５０  ガス供給部
５３  ガスフローメータ
６０  排気部
６１  ドライポンプ
６２  排気管（排気通路）
７０  測定部
７１  バイパス管（バイパス路）
７２  ガス分析計
７３  ターボポンプ（吸引手段）
７４  ドライポンプ（吸引手段）
９０  制御部
１００  多孔質ガラス母材
１０１  コア部分
１０２  スート体
【図１】
2020152620.tif 000003
【図２】
2020152620.tif 000004
【図３】
2020152620.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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