(57)【要約】【課題】デバイス領域の形状が異なる半導体ウェーハにも対応できる汎用性の高い被加工物の加工方法を提供する。【解決手段】互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極バンプを備えるデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲む様に設けられ且つ電極バンプが形成されていない外周余剰領域とを表面側に備える被加工物の加工方法であって、電極バンプの高さ方向の端部の高さ位置との差が許容範囲内である段差解消部材を、外周余剰領域の形状に応じて、外周余剰領域に形成する段差解消部材形成ステップと、被加工物の表面側を覆う様に被加工物の表面側に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、保護部材側をチャックテーブルで保持し、被加工物の裏面側を研削する研削ステップと、を備える被加工物の加工方法を提供する。【選択図】図２
2020123666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極バンプを備えるデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む様に設けられ且つ該電極バンプが形成されていない外周余剰領域とを表面側に備える被加工物の加工方法であって、
該電極バンプの高さ方向の端部の高さ位置との差が許容範囲内である段差解消部材を、該外周余剰領域の形状に応じて、該外周余剰領域に形成する段差解消部材形成ステップと、
該段差解消部材形成ステップ後、該被加工物の該表面側を覆う様に該被加工物の該表面側に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、
該保護部材貼り付けステップ後、該保護部材側をチャックテーブルで保持し、該表面とは反対側に位置する該被加工物の裏面側を研削する研削ステップと、を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
該段差解消部材形成ステップでは、ジェットディスペンサを用いて液状樹脂を該外周余剰領域に塗布することを特徴とする請求項１記載の被加工物の加工方法。
【請求項３】
該段差解消部材形成ステップでは、硬化型液状樹脂を該外周余剰領域に塗布した後、該硬化型液状樹脂を硬化させて該外周余剰領域に該段差解消部材を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極バンプを備える被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体デバイスチップの表面側に形成された電極パッドに金属製のワイヤが接続される様に構成された、ワイヤ・ボンディング方式の半導体デバイスチップが知られている。これに対して、近年では、電極バンプが半導体デバイスチップの表面側に形成されたフリップチップ方式の半導体デバイスチップも実用化されている。
【０００３】
フリップチップ方式の半導体デバイスチップを製造する場合は、通常は、電極バンプ形成後に、研削装置を用いて半導体ウェーハの裏面側を研削する。但し、研削時には、半導体ウェーハの表面側の段差（即ち、電極バンプが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲む様に設けられ且つ電極バンプが形成されていない外周余剰領域との高さの差）に起因して、半導体ウェーハに割れが生じやすいという問題がある。
【０００４】
この段差を解消するべく、電極バンプをめり込ませることができる柔らかい保護テープを、半導体ウェーハの表面側に設けた上で、裏面側を研削する場合があった。但し、電極バンプには、例えば、高さが５０μｍ程度の比較的低いタイプの他にも、高さが３００μｍを超えるいわゆるハイバンプタイプ等がある。ハイバンプタイプの電極バンプが用いられる場合、電極バンプを保護テープに完全にめり込ませることは難しく、保護テープを使用しても必ずしも段差を解消できない。
【０００５】
そこで、表面側の段差を解消するべく、デバイス領域に対応する領域に粘着層が無く、外周余剰領域に対応する領域に粘着層（即ち、段差解消部材）を有する比較的厚い保護テープが開発された（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１８８０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、デバイス領域の形状に応じて外周余剰領域の形状も異なるので、デバイス領域に対応する領域に粘着層が無い保護テープを、デバイス領域の形状が異なる半導体ウェーハには適用できなかった。
【０００８】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、デバイス領域の形状が異なる半導体ウェーハにも対応できる汎用性の高い被加工物の加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極バンプを備えるデバイスがそれぞれ形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む様に設けられ且つ該電極バンプが形成されていない外周余剰領域とを表面側に備える被加工物の加工方法であって、該電極バンプの高さ方向の端部の高さ位置との差が許容範囲内である段差解消部材を、該外周余剰領域の形状に応じて、該外周余剰領域に形成する段差解消部材形成ステップと、該段差解消部材形成ステップ後、該被加工物の該表面側を覆う様に該被加工物の該表面側に保護部材を貼り付ける保護部材貼り付けステップと、該保護部材貼り付けステップ後、該保護部材側をチャックテーブルで保持し、該表面とは反対側に位置する該被加工物の裏面側を研削する研削ステップと、を備える被加工物の加工方法が提供される。
【００１０】
好ましくは、該段差解消部材形成ステップでは、ジェットディスペンサを用いて液状樹脂を該外周余剰領域に塗布する。
【００１１】
また、好ましくは、該段差解消部材形成ステップでは、硬化型液状樹脂を該外周余剰領域に塗布した後、該硬化型液状樹脂を硬化させて該外周余剰領域に該段差解消部材を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る被加工物の加工方法の段差解消部材形成ステップでは、電極バンプの高さ方向の端部の高さ位置との差が許容範囲内である段差解消部材を、外周余剰領域の形状に応じて、外周余剰領域に形成する。それゆえ、あらゆる形状の外周余剰領域に応じて適切な段差解消部材を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】被加工物の斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、樹脂塗布工程を示す一部断面側面図であり、図２（Ｂ）は、樹脂硬化工程後の被加工物の斜視図である。
【図３】図３（Ａ）は、樹脂層の高さ方向の端部の高さ位置が電極バンプの高さ方向の端部の高さ位置よりも高い場合を示す図であり、図３（Ｂ）は、樹脂層の高さ方向の端部の高さ位置が電極バンプの高さ方向の端部の高さ位置よりも低い場合を示す図である。
【図４】図４（Ａ）は、保護部材押圧工程を示す一部断面側面図であり、図４（Ｂ）は、保護部材切断工程後の被加工物等の断面図である。
【図５】研削ステップを示す一部断面側面図である。
【図６】被加工物の加工方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１は、被加工物１１の斜視図である。本実施形態の被加工物１１は、主としてシリコン（Ｓｉ）から成り、厚さが５００μｍから１０００μｍ程度の円盤状に形成されているウェーハを有する。
【００１５】
なお、半導体基板の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、ウェーハは、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などから成るシリコン以外の半導体材料等で形成されてもよい。
【００１６】
被加工物１１は、ウェーハに接する様に形成され、ウェーハよりも薄い厚さを有する配線層（不図示）を更に有する。本実施形態では、ウェーハに接する面とは反対側に位置する配線層の一面を被加工物１１の表面１１ａと称し、表面１１ａとは反対側に位置する被加工物１１の他面を被加工物１１の裏面１１ｂと称する。
【００１７】
配線層は、積層された複数の電極層（不図示）を有し、この複数の電極層は、ウェーハの表面１１ａ側に位置する活性領域と電気的に接続する様に形成されている。配線層は、層間絶縁層として機能する低誘電率絶縁体層（いわゆる、Ｌｏｗ−ｋ材料層）（不図示）を更に有し、この低誘電率絶縁体層は、電極層間に配置されている。配線層と、ウェーハの活性領域とにより、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイス１７ａが構成されている。
【００１８】
被加工物１１の表面１１ａ側には、複数のデバイス１７ａを含むデバイス領域１５ａが形成されている。デバイス領域１５ａは、互いに交差する様に（例えば、格子状に）配置された複数の分割予定ライン（ストリート）１３により、複数の領域に区画されており、複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にデバイス１７ａが形成されている。
【００１９】
デバイス１７ａの表面１１ａ側には、半田等の金属材料で略球状に形成された複数の電極バンプ１７ｂが設けられている。複数の電極バンプ１７ｂの各々は、例えば、３００μｍ程度の高さを有する、いわゆるハイバンプタイプの電極バンプである。
【００２０】
複数の電極バンプ１７ｂの各々は、最も上側に位置し且つ低誘電率絶縁体層から露出している上述の電極層に接しており、複数の電極層を介して上述の活性領域に電気的に接続している。なお、電極バンプ１７ｂの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。
【００２１】
デバイス領域１５ａの外縁よりも外側には、デバイス領域１５ａを囲む略環状の領域である外周余剰領域１５ｂが存在している。この外周余剰領域１５ｂには、電極バンプ１７ｂが形成されていないので、デバイス領域１５ａの表面１１ａ側の高さと外周余剰領域１５ｂの表面１１ａ側の高さとには、高さの差（即ち、段差）が形成されている。
【００２２】
外周余剰領域１５ｂの外周端部の一部には、半導体基板の結晶方位を示すノッチ１１ｃが設けられている。なお、ノッチ１１ｃに代えて、オリエンテーションフラット等の他のマークが設けられてもよい。
【００２３】
次に、図２から図６を用いて、被加工物１１の加工方法について説明する。図２（Ａ）は、樹脂塗布工程（Ｓ１０）を示す一部断面側面図である。なお、図６は、被加工物１１の加工方法を示すフロー図である。
【００２４】
樹脂塗布工程（Ｓ１０）では、樹脂層形成装置１８を用いて被加工物１１の外周余剰領域１５ｂに液状樹脂２２ａを塗布する。樹脂層形成装置１８は、被加工物１１の裏面１１ｂ側を吸引して保持する吸着テーブル２０を備える。吸着テーブル２０の上部には、複数の吸引孔（不図示）が設けられている。
【００２５】
各吸引孔の一端は、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されており、各吸引孔の他端は、吸着テーブル２０の表面に露出している。吸引源を動作させると、吸着テーブル２０の表面には負圧が生じ、この表面は被加工物１１を吸引して保持する保持面２０ａとして機能する。
【００２６】
吸着テーブル２０の下方には、ボールねじ式のＸ軸移動機構（不図示）が設けられており、吸着テーブル２０は、Ｘ軸移動機構によりＸ軸方向に沿って移動させられる。吸着テーブル２０の上方には、液状樹脂２２ａを吐出可能なジェットディスペンサ２４が設けられている。
【００２７】
ジェットディスペンサ２４には、ボールねじ式のＹ軸移動機構（不図示）が設けられており、ジェットディスペンサ２４は、Ｙ軸移動機構によりＹ軸方向に沿って移動させられる。ジェットディスペンサ２４は、液状樹脂２２ａを吐出するノズル２４ａを有し、このノズル２４ａの吐出口は、吸着テーブル２０に対向する様に配置されている。
【００２８】
本実施形態のジェットディスペンサ２４は、ピエゾ素子を利用してバルブを高速で開閉するピエゾジェットディスペンサである。なお、ジェットディスペンサ２４は、バネの復元力等を利用して機械的にロッドを往復運動させることで、液状樹脂２２ａを吐出する機械式ジェットディスペンサであってもよい。
【００２９】
本実施形態では、液状樹脂２２ａとして、ＵＶ（即ち、紫外線）硬化型液状樹脂が用いられる。但し、液状樹脂２２ａは、ＵＶ以外の波長帯域の光で硬化する光硬化型液状樹脂、熱により硬化する熱硬化型液状樹脂、又は、常温環境で硬化する自然硬化型液状樹脂であってもよい。
【００３０】
樹脂塗布工程（Ｓ１０）では、まず、被加工物１１の裏面１１ｂ側が保持面２０ａに接する様に、被加工物１１を吸着テーブル２０上に載置する。そして、吸引源を動作させて、被加工物１１の裏面１１ｂ側を保持面２０ａで吸引して保持する。
【００３１】
その後、Ｘ軸移動機構及びＹ軸移動機構を用いて、ノズル２４ａと吸着テーブル２０とを相対的に移動させながら、ノズル２４ａから被加工物１１の表面１１ａ側に液状樹脂２２ａを吐出させる。
【００３２】
例えば、デバイス領域１５ａ側（即ち、内側）の外周余剰領域１５ｂの縁に沿って液状樹脂２２ａを吐出させ、次いで、吐出された液状樹脂２２ａの吐出領域の外側の縁に沿って液状樹脂２２ａを吐出させる。
【００３３】
液状樹脂２２ａは所定の粘性を有しており、単位時間当たりの吐出量を調整することで、吐出された液状樹脂２２ａの表面１１ａからの高さは調整可能である。例えば、液状樹脂２２ａの吐出量は、電極バンプ１７ｂの高さ方向（例えば、裏面１１ｂから表面１１ａに向かう方向）の端部の位置との高さ位置の差が許容範囲内となる様に調整される。
【００３４】
外周余剰領域１５ｂ全体には、液状樹脂２２ａが塗布されるが、本実施形態では、ノッチ１１ｃにも液状樹脂２２ａを吐出する。これにより、ノッチ１１ｃは、液状樹脂２２ａで埋められる。
【００３５】
この様に、本実施形態では、ジェットディスペンサ２４を用いて、外周余剰領域１５ｂの形状に対応する様に、液状樹脂２２ａを塗布する。それゆえ、液状樹脂２２ａの塗布領域を任意の形状に調節できる。
【００３６】
なお、樹脂層形成装置１８では、ノズル２４ａと吸着テーブル２０とが相対的に移動できればよく、吸着テーブル２０及びノズル２４ａのどちらか一方のみがＸ軸及びＹ軸方向に移動可能な様に樹脂層形成装置１８を構成してもよい。
【００３７】
樹脂塗布工程（Ｓ１０）後に、樹脂硬化工程（Ｓ２０）を行い、液状樹脂２２ａを硬化させる。本実施形態の液状樹脂２２ａはＵＶ硬化型液状樹脂であるので、樹脂硬化工程（Ｓ２０）では、ＵＶ照射装置（不図示）が用いられる。ＵＶ照射装置は、例えば、吸着テーブル２０の保持面２０ａに向けてＵＶを照射する様に、吸着テーブル２０上に配置されている。
【００３８】
ＵＶ照射装置は、例えば、Ｙ軸方向に沿って直列的に配列された複数のＵＶ光源（不図示）を有し、被加工物１１の直径と略同等の直線領域にＵＶを照射する。なお、液状樹脂２２ａが熱硬化型液状樹脂である場合、ＵＶ照射装置に代えて、吸着テーブル２０の下に加熱装置（不図示）が設けられてもよい。
【００３９】
樹脂硬化工程（Ｓ２０）では、ＵＶ照射装置から吸着テーブル２０へＵＶを照射させながら、Ｘ軸移動機構を用いて吸着テーブル２０をＸ軸方向に沿って移動させる。Ｘ軸方向に沿って被加工物１１の一端から他端までＵＶを照射することで、外周余剰領域１５ｂ全体にＵＶを照射する。なお、ＵＶ照射装置にＸ軸移動機構を設け、ＵＶ照射装置をＸ軸方向に移動させてもよい。
【００４０】
ＵＶ照射により、外周余剰領域１５ｂの全体に塗布された液状樹脂２２ａは、硬化して樹脂層２２ｂとなる。液状樹脂２２ａがＵＶ硬化型液状樹脂である場合、液状樹脂２２ａに数秒間ＵＶを照射するだけで液状樹脂２２ａを硬化させることができるので、自然硬化型液状樹脂等を硬化させる場合に比べて、樹脂硬化工程（Ｓ２０）に要する作業時間を短縮できる。
【００４１】
図２（Ｂ）は、樹脂硬化工程（Ｓ２０）後の被加工物１１の斜視図である。なお、本実施形態では、樹脂塗布工程（Ｓ１０）及び樹脂硬化工程（Ｓ２０）を合わせて、段差解消部材形成ステップと称する。硬化した樹脂層２２ｂは、外周余剰領域１５ｂに形成された段差解消部材の一例である。
【００４２】
本実施形態の段差解消部材形成ステップでは、外周余剰領域１５ｂの形状に応じて、電極バンプ１７ｂとの高さの差が許容範囲内である樹脂層２２ｂ（即ち、段差解消部材）を外周余剰領域１５ｂに形成できる。それゆえ、任意の形状の外周余剰領域１５ｂに応じて段差解消部材を形成できる。
【００４３】
ところで、後述する研削ステップ（Ｓ５０）では、電極バンプ１７ｂ及び樹脂層２２ｂが設けられた被加工物１１の表面１１ａ側を下方に向け、裏面１１ｂ側を上方に向けて、裏面１１ｂ側が研削される。
【００４４】
但し、樹脂層２２ｂの高さが電極バンプ１７ｂの高さよりも高すぎる場合、デバイス領域１５ａが外周余剰領域１５ｂに比べて窪んだ状態で裏面１１ｂ側が研削される。それゆえ、被加工物１１を均一な厚さに薄化することが難しい。
【００４５】
また、樹脂層２２ｂの高さが電極バンプ１７ｂの高さよりも低すぎる場合、デバイス領域１５ａが外周余剰領域１５ｂに比べて突出した状態で裏面１１ｂ側が研削されるので、被加工物１１を均一な厚さに薄化することが難しい。
【００４６】
加えて、デバイス領域１５ａが外周余剰領域１５ｂに比べて窪んだ状態又は突出した状態で裏面１１ｂ側が研削されると、被加工物１１の割れが生じやすくなるという問題がある。また、この様な状態で裏面１１ｂ側が研削されると、表面１１ａ側にシート状の保護部材２５が貼られている場合に、この保護部材２５が剥がれやすくなるという問題がある。
【００４７】
それゆえ、樹脂層２２ｂの高さ方向の端部の高さ位置と電極バンプ１７ｂの高さ方向の端部の高さ位置との差は、研削ステップ（Ｓ５０）で問題が生じない程度の所定の許容範囲内とすることが望ましい。例えば、高さの差の許容範囲は、１００μｍ以内とする。
【００４８】
図３（Ａ）は、樹脂層２２ｂの高さ方向の端部の高さ位置が、電極バンプ１７ｂの高さ方向の端部の高さ位置よりも高い場合を示す図である。この場合、樹脂層２２ｂの高さ方向の端部の高さ位置と電極バンプ１７ｂの高さ方向の端部の高さ位置との高さの差Ｌ１は、許容範囲（例えば、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下が更に好ましい）とする。
【００４９】
図３（Ｂ）は、樹脂層２２ｂの高さ方向の端部の高さ位置が電極バンプ１７ｂの高さ方向の端部の高さ位置よりも低い場合を示す図である。この場合、電極バンプ１７ｂの高さ方向の端部の高さ位置と樹脂層２２ｂの高さ方向の端部の高さ位置との高さの差Ｌ２は、許容範囲（例えば、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下が更に好ましい）とする。
【００５０】
樹脂硬化工程（Ｓ２０）後、被加工物１１の表面１１ａ側を覆う様に被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材２５を貼り付ける（保護部材押圧工程（Ｓ３０））。図４（Ａ）は、保護部材押圧工程（Ｓ３０）を示す一部断面側面図である。
【００５１】
保護部材２５は、樹脂製の矩形状のフィルムであり、例えば、粘着性を有する粘着層（不図示）と、粘着性を有しない基材層（不図示）との積層構造を有する。なお、保護部材２５は、粘着層を有せず、基材層のみを有してもよい。
【００５２】
保護部材押圧工程（Ｓ３０）では、保護部材貼り付け装置２６が用いられる。保護部材貼り付け装置２６は、被加工物１１の裏面１１ｂ側を吸引して保持するチャックテーブル２８を備える。チャックテーブル２８の上部には、多孔質材料で形成された円盤状のポーラス板（不図示）が設けられている。
【００５３】
ポーラス板は、エジェクタ等の吸引源（不図示）に一端が接続された吸引路（不図示）を内部に有する。吸引路の他端は、ポーラス板の表面に露出している。吸引源を動作させると、ポーラス板の表面には負圧が生じ、この表面は被加工物１１を吸引して保持する保持面２８ａとして機能する。
【００５４】
チャックテーブル２８よりも上方には、テープ体（不図示）が設けられている。また、テープ体の近傍には、テープ体から送り出された矩形状の保護部材２５を被加工物１１に対して押圧するローラー状の押圧部材２８ｂが配置されている。押圧部材２８ｂは、回転しながら所定の方向（例えば、Ｘ軸方向）に移動可能な態様で構成されている。
【００５５】
保護部材押圧工程（Ｓ３０）では、まず、被加工物１１の裏面１１ｂ側が保持面２８ａに接する様に、被加工物１１をチャックテーブル２８上に載置する。そして、吸引源を動作させて、被加工物１１の裏面１１ｂ側を保持面２８ａで吸引して保持する。
【００５６】
そして、保護部材２５を押圧部材２８ｂと被加工物１１の表面１１ａとの間に配置し、押圧部材２８ｂを表面１１ａに押圧した状態で、押圧部材２８ｂをＸ軸方向に沿って回転させながら移動させる。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側の全体を覆うように、矩形状の保護部材２５が貼り付けられる。
【００５７】
なお、保護部材２５が粘着層を有しない場合には、保護部材２５を加熱することにより保護部材２５を軟化及び変形させつつ、押圧部材２８ｂで保護部材２５を被加工物１１の表面１１ａ側に密着させてよい。また、保護部材２５に温風等を当てることで、加熱により保護部材２５を軟化及び変形させつつ、風圧により保護部材２５を被加工物１１の表面１１ａ側に密着させてもよい。加熱温度は、保護部材２５の材料の軟化点に応じて、適宜調節してよい。
【００５８】
保護部材押圧工程（Ｓ３０）後、被加工物１１の外周縁に沿って保護部材２５を切り取る（保護部材切断工程（Ｓ４０））。保護部材切断工程（Ｓ４０）では、上述のテープ体及び押圧部材２８ｂの近傍に配置されたカッター（不図示）により、矩形状の保護部材２５が被加工物１１の外周に沿う様に円状に切り取られる。
【００５９】
図４（Ｂ）は、保護部材切断工程（Ｓ４０）後の被加工物１１等の断面図である。保護部材押圧工程（Ｓ３０）及び保護部材切断工程（Ｓ４０）を経て、保護部材２５が表面１１ａ側に貼り付けられた被加工物１１が形成される。なお、本実施形態では、保護部材押圧工程（Ｓ３０）及び保護部材切断工程（Ｓ４０）を合わせて、保護部材貼り付けステップと称する。
【００６０】
保護部材切断工程（Ｓ４０）の後、被加工物１１の裏面１１ｂ側が研削される（研削ステップ（Ｓ５０））。図５は、研削ステップ（Ｓ５０）を示す一部断面側面図である。研磨ステップ（Ｓ５０）では、研削装置３０が用いられる。
【００６１】
研削装置３０は、被加工物１１の保護部材２５側を保持するためのチャックテーブル３２を備える。チャックテーブル３２はモーター等の回転駆動源（不図示）と接続されており、鉛直方向に概ね平行な直線を回転軸として回転する。
【００６２】
チャックテーブル３２の上面側には、多孔質材料で形成された円盤状のポーラス板（不図示）が設けられている。ポーラス板は、エジェクタ等の吸引源（不図示）に一端が接続された吸引路（不図示）を内部に有する。吸引路の他端は、ポーラス板の表面に露出している。吸引源を動作させると、ポーラス板の表面には負圧が生じ、この表面は被加工物１１の保護部材２５側を吸引して保持する保持面３２ａとして機能する。
【００６３】
チャックテーブル３２の上方には、研削ユニット３４が設けられている。研削ユニット３４は、昇降機構（不図示）によって支持された円筒状のスピンドルハウジング（不図示）を備える。スピンドルハウジングにはスピンドル３６が回転可能に収容されており、スピンドルハウジングから露出したスピンドル３６の下端部には円盤状のホイールマウント３８が固定されている。
【００６４】
ホイールマウント３８の下面側には、ホイールマウント３８と概ね同径の研削ホイール４０が装着される。研削ホイール４０は、ステンレス、アルミニウム等の金属材料で形成された円環状のホイール基台４０ａを有する。また、ホイール基台４０ａの下面側には、直方体状の複数の研削砥石（砥石チップ）４０ｂがホイール基台４０ａの外周に沿って円環状に配列されている。
【００６５】
研削砥石４０ｂは、例えば、金属、セラミックス、樹脂等の結合材に、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic boron nitride）等の砥粒を混合して形成される。ただし、結合材及び砥粒の種類に制限はなく、研削砥石４０ｂの仕様に応じて適宜選択できる。
【００６６】
スピンドル３６の上端側にはモーター等の回転駆動源（不図示）が接続されており、研削ホイール４０は、この回転駆動源が発生する力によってスピンドル３６を回転軸として回転する。また、研削ユニット３４には、研削砥石４０ｂ及び被加工物１１に純水等の研削液を供給するためのノズル（不図示）が設けられている。
【００６７】
研削ステップ（Ｓ５０）では、まず、裏面１１ｂ側が上方に露出した状態となるように被加工物１１をチャックテーブル３２の保持面３２ａ上に配置する。この状態で吸引源を動作させて保持面３２ａに負圧を作用させる。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側は、保護部材２５を介して保持面３２ａに吸引されて保持される。
【００６８】
次に、チャックテーブル３２と研削ホイール４０とを所定の方向にそれぞれ回転させて、純水等の研削液を研削砥石４０ｂ及び被加工物１１の裏面１１ｂ側に供給しながらスピンドル３６を降下させる。
【００６９】
スピンドル３６の降下速度は、研削砥石４０ｂが適切な力で被加工物１１の裏面１１ｂ側に押し当てられるように調節される。被加工物１１は、裏面１１ｂ側が研削され、所定の厚さになるまで薄化される。
【００７０】
本実施形態に係る被加工物１１の加工方法では、電極バンプ１７ｂとの高さの差が許容範囲内である樹脂層２２ｂ（即ち、段差解消部材）が外周余剰領域１５ｂに設けられているので、段差解消部材が無い場合に比べて、被加工物１１をより均一な厚さにできる。また、段差解消部材が無い場合に比べて、被加工物１１の割れを低減でき、保護部材２５の剥がれも抑制できる。
【００７１】
なお、本実施形態では、ノッチ１１ｃを樹脂層２２ｂで埋めるので、ノッチ１１ｃを樹脂層２２ｂで埋めない場合に比べて、研削ステップ（Ｓ５０）での被加工物１１の割れを低減できる。
【００７２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。例えば、複数のデバイスチップがモールド樹脂で封止され一面に複数の電極バンプ１７ｂが設けられた樹脂パッケージ基板が被加工物１１として用いられてもよい。
【００７３】
また、例えば、表面１１ａ側が封止樹脂でモールドされ、封止樹脂から電極バンプ１７ｂが突出する様に配置されたウェーハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ：Wafer Level Chip Size Package）が被加工物１１として用いられてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  ノッチ
１３  分割予定ライン
１５ａ  デバイス領域
１５ｂ  外周余剰領域
１７ａ  デバイス
１７ｂ  電極バンプ
１８  樹脂層形成装置
２０  吸着テーブル
２０ａ  保持面
２２ａ  液状樹脂
２２ｂ  樹脂層
２４  ジェットディスペンサ
２４ａ  ノズル
２５  保護部材
２６  保護部材貼り付け装置
２８  チャックテーブル
２８ａ  保持面
２８ｂ  押圧部材
３０  研削装置
３２  チャックテーブル
３２ａ  保持面
３４  研削ユニット
３６  スピンドル
３８  ホイールマウント
４０  研削ホイール
４０ａ  ホイール基台
４０ｂ  研削砥石
Ｌ１  高さの差
Ｌ２  高さの差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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