(57)【要約】      （修正有）【課題】揮発性メモリデバイス及び揮発性メモリデバイスにおける効率的なバルクデータ移動、バックアップ動作の方法を提供する。【解決手段】データにアクセスするように構成された複数のサブアレイ１５０を有し、各サブアレイが互いに電気的に結合された揮発性メモリデバイスであって、行、列制御は、複数のサブアレイのそれぞれの行、列を制御する。複数のセンスアンプＳＡは、複数のサブアレイのそれぞれをデータアクセス動作中に周期的に有効にする。複数のサブワードドライバ１５１は、複数のサブアレイに隣接して対応するワード線に駆動信号を提供する。揮発性メモリデバイスは、所定ブロック内でデータ移動動作を実行し、奇数、偶数データを決定する。揮発性メモリデバイスは、列制御によりダイナミックメモリアレイ内の第１、第２のバックアップブロックを有効にし、奇数、偶数データを同時に第１、第２のバックアップブロックにバックアップする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイナミックメモリアレイを有する揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法であって、
アクティブコマンドによって揮発性メモリデバイスにおけるバックアップアレイ及びノーマルアレイを決定することを含み、
前記アクティブコマンドによりバックアップ動作及びノーマル動作が決定され、
前記バックアップ動作を実行するステップは、
所定ブロックにおいてデータ移動動作を実行すること、
前記所定ブロックにおける奇数データ及び偶数データを決定することと、
前記所定ブロックのセンスアンプを周期的に有効にすることと、
前記センスアンプを有効にした後、行制御によって前記ダイナックメモリアレイにおける第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを有効にすることと、
前記奇数データ及び前記偶数データを同時に前記第１のバックアップブロック及び前記第２のバックアップブロックにバックアップすることと、
を含む、揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項２】
前記揮発性メモリデバイスは、アクティブコマンドを通じて前記ダイナミックメモリアレイにおける前記第１のバックアップブロック及び前記第２のバックアップブロックを決定する請求項１に記載の揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項３】
前記揮発性メモリデバイスは、前記ダイナミックメモリアレイにおける前記第１のバックアップブロック及び前記第２のバックアップブロックを自己定義する請求項１に記載の揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項４】
前記所定ブロックにおいて前記データ移動動作を実行することは、アクティブコマンドによって決定される請求項１又は２に記載の揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項５】
前記所定ブロックにおいて前記データ移動動作を実行することは、セルフリフレッシュ動作によって決定される請求項１に記載の揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項６】
前記アクティブコマンドは、前記所定ブロック、前記第１のバックアップブロック、及び前記第２のバックアップブロックのアドレス位置を含む請求項１又は２に記載の揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項７】
前記セルフリフレッシュ動作中、前記データ移動動作のバックアップあり又はバックアップなしの決定は、モデルリポジトリバックアップ又はオンザフライバックアップによって選択される請求項５に記載の揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法。
【請求項８】
データにアクセスするように構成され、それぞれが互いに電気的に結合された複数のサブアレイと、
前記複数のサブアレイのそれぞれの行を制御するように構成された行制御と、
前記複数のサブアレイのそれぞれの列を制御するように構成された列制御と、
前記複数のサブアレイのそれぞれを前記データアクセス動作中に周期的に有効にすることに適した複数のセンスアンプと、
前記複数のサブアレイに隣接して前記複数のサブアレイにおける対応するワード線に駆動信号を提供することに適した複数のサブワードドライバと、
を含み、
所定ブロックにおいて、データ移動動作を実行し、前記所定ブロックにおける奇数データ及び偶数データを決定し、
行制御を通じてダイナミックメモリアレイにおける第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを有効にし、前記奇数データ及び前記偶数データを同時に前記第１のバックアップブロック及び前記第２のバックアップブロックにバックアップする、揮発性メモリデバイス。
【請求項９】
アクティブ命令を通じて前記ダイナミックメモリアレイにおける前記第１のバックアップブロック及び前記第２のバックアップブロックを決定する請求項８に記載の揮発性メモリデバイス。
【請求項１０】
前記ダイナミックメモリアレイにおける前記第１のバックアップブロック及び前記第２のバックアップブロックを自己定義する請求項８に記載の前記揮発性メモリデバイス。
【請求項１１】
前記所定ブロックにおいてデータ移動動作を実行することは、前記アクティブコマンドによって決定される請求項８又は９に記載の前記揮発性メモリデバイス。
【請求項１２】
前記所定ブロックにおいて前記データ移動動作を実行することは、セルフリフレッシュ動作によって決定される請求項８に記載の前記揮発性メモリデバイス。
【請求項１３】
前記アクティブコマンドは、前記所定ブロック、前記第１のバックアップブロック、及び前記第２のバックアップブロックのアドレス位置を含む請求項８又は９に記載の前記揮発性メモリデバイス。
【請求項１４】
前記セルフリフレッシュ動作中、前記データ移動動作のバックアップあり又はバックアップなしの決定は、モデルリポジトリバックアップ又はオンザフライバックアップによって選択される請求項１２に記載の前記揮発性メモリデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、揮発性メモリデバイスに関し、より詳細には、揮発性メモリデバイス、及び揮発性メモリデバイスにおける効率的なバルクデータ移動、バックアップ動作のための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、フィールド人工知能ＡＩ、機械学習アプリケーションでは、揮発性メモリデバイスが広く使用されている。これらのアプリケーションでは、大量（バルク）データをピン制限チャネルの揮発性メモリデバイス間で転送する必要があり、特にアクセラレータアプリケーションの場合、揮発性メモリデバイス内では、効率的なバルクデータ移動が非常に重要である。揮発性メモリデバイスにおけるバルクデータ移動の市場の需要を満たすためには、効率的なバルクデータ移動、高速なデータ移動の実行を考慮した揮発性メモリデバイスの設計が必要である。
【０００３】
高速で効率的なバルクデータ移動のためにいくつかのアーキテクチャが提案されてきた。例えば、行クローン及び低コスト相互リンクサブアレイ（ＬＩＳＡ）があるが、有効性は高速データ移動を可能にすることができる行クローン方法に限定され、その方法は、データ移動がその１つの揮発性メモリデバイスの同じサブアレイ内にあるときだけに限定される。データ移動が同じサブアレイ内に限定されるという欠点を克服するために、揮発性メモリデバイス内でメモリセルを多数のサブアレイに分割し、各サブアレイを広いビット線インターフェースを介して接続し、異なるサブアレイの行を狭い６４ビットデータバスに接続することによって連結サブアレイが提案されてきた。これらの従来技術は効率的なバルクデータ移動を実行するが、長い待ち時間と高い電力消費を招く。さらに、同じメモリセル内のサブアレイを接続するための広いデータパスが利用できない。この問題を克服するために、追加の回路が必要であり、動作時間がはるかに高いため、データ移動が遅くなる。また、追加回路を採用することでチップサイズも大きくなり、プロセスが難しくなる。
【０００４】
揮発性メモリ内の効率的なバルクデータ移動の要求に従って、この技術分野における一定の応用に対して、隠されたバックアップ動作、高速、低コスト、容易な実装性及び低消費電力の利点を有する効率的なバルクデータ移動を実現する揮発性メモリデバイスを実際に開発することが望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明は、揮発性メモリデバイス、及び揮発性メモリデバイスにおける効率的なバルクデータ移動、バックアップ動作のための方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態では、本発明は、データにアクセスするように構成された複数のサブアレイを有し、各サブアレイが互いに電気的に結合されている揮発性メモリデバイスを提供する。行制御は、複数のサブアレイのそれぞれの行を制御するように構成される。列制御は、複数のサブアレイのそれぞれの列を制御するように構成される。複数のセンスアンプは、複数のサブアレイのそれぞれがデータアクセス動作中に周期的に有効にされることに適する。複数のサブワードドライバは、複数のサブアレイに隣接して複数のサブアレイにおける対応するワード線に駆動信号を提供することに適する。揮発性メモリデバイスは、所定ブロックにおいてデータ移動動作を実行し、所定ブロックにおいて奇数データ及び偶数データを決定するように構成される。揮発性メモリデバイスは、列制御によってダイナミックメモリアレイにおける第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを有効にし、奇数データ及び偶数データを同時に第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックにバックアップする。
【０００７】
揮発性メモリデバイスは、アクティブコマンドを通じてダイナミックメモリアレイにおける第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを決定する。
【０００８】
揮発性メモリデバイスは、ダイナミックメモリアレイにおける第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを自己定義する。
【０００９】
揮発性メモリデバイスが所定ブロックにおいてデータ移動動作を実行することは、アクティブコマンドによって決定される。揮発性メモリデバイスが所定ブロックにおいてデータ移動動作を実行することは、セルフリフレッシュ動作によって決定される。アクティブコマンドは、所定ブロック、第１のバックアップブロック、及び第２のバックアップブロックのアドレス位置を含む。
【００１０】
本発明の一実施形態において、セルフリフレッシュ動作中、データ移動動作のバックアップあり又はバックアップなしの決定は、モデルリポジトリバックアップ又はオンザフライバックアップによって選択される。
【００１１】
ダイナミックメモリアレイを有する揮発性メモリデバイスにおける効率的なデータ移動方法であって、アクティブコマンドによって揮発性メモリデバイスにおけるバックアップアレイ及びノーマルアレイを決定することを含む。ノーマル動作とバックアップ動作がアクティブコマンドによって決定される。バックアップ動作を実行するステップは、所定ブロックにおいてデータ移動動作を実行するステップと、所定ブロックにおける奇数データ及び偶数データを決定するステップと、所定ブロックのセンスアンプを周期的に有効にするステップと、センスアンプを有効にした後、行制御によってダイナックメモリアレイにおける第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを有効にするステップと、奇数データ及び偶数データを同時に第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックにバックアップするステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
上記に鑑み、本発明の方法は、揮発性メモリデバイスにおいて専用のデータ移動を実行することができる。データ移動に加えて、隠されたバックアップは、データを奇数データ及び偶数データに分割して第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックに入れることによって、異なる場所で同時に実行される。従って、ワイドデータパスは、バルクデータを転送するために必要とされない。更に、バルクデータ移動動作中に隠されたバックアップ動作を実行することによって、バックアップ動作をリフレッシュ機能と共有することで電力消費が大幅に削減される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスにおけるメモリバンクのブロック図を示す。
【図２】揮発性メモリデバイスの従来の行制御のブロック図を示す。
【図３】本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスの行制御のブロック図を示す。
【図４】本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスのバルクデータ移動動作（バックアップ動作）シーケンスを示す。
【図５】本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスにおけるバルクデータ移動（バックアップ動作）の動作波形を示す。
【図６】本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスにおけるデータアクセス動作のフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
上記をより分かりやすくするために、図面を伴ういくつかの実施形態を以下に詳細に説明する。
【００１５】
本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用することができ、構造上の変更を加えることができることを理解されたい。また、本明細書で使用されている表現及び用語は説明を目的としており、限定と見なされるべきではないことを理解されたい。本明細書における「含む」、又は「有する」及びそれらの変形の使用は、その後に列挙される項目及びその均等物、ならびに追加の項目を包含することを意味する。特に限定しない限り、本明細書における「接続された」、「連結された」、及び「取り付けられた」という用語、及びその変形は、広義に用いられ、直接及び間接の接続、カップリング、及び取り付けを包含するものである。
【００１６】
図１は、本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイス中のメモリバンクのブロック図を示している。図１を参照し、揮発性メモリデバイス１００は複数のメモリバンク１１０を含む。複数のメモリバンク１１０のそれぞれは、複数のサブアレイ１５０に分割されている。メモリバンク１１０内のサブアレイの数は、揮発性メモリデバイス１００の密度に基づいて決定される。揮発性メモリデバイス１００は、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）などの任意のタイプのメモリデバイスであることができる。「バンク」とも呼ばれる複数のメモリバンク１１０は、互いに電気的に接続されたデータを記憶するように構成されている。例えば、揮発性メモリデバイス１００は、複数のメモリセル、典型的には８から６４バンクに分割される。各バンクはさらに複数のサブアレイ１６×８Ｋｂ、６４×８Ｋｂ、５１２×８Ｋｂに細分されるが、本発明はこれに限定するものではない。複数のサブアレイ１５０を有する各バンクは、対応するサブワードドライバ（ＳＷＤ）１５１及びセンスアンプ（ＳＡ）１５２に結合されている。サブワードドライバ１５１は、サブワード線に対応している。サブワードドライバ１５１は、サブアレイの両側に隣接して配置され、対応するサブアレイ１５０を駆動する。内部データバスによって内部的に接続された複数のサブアレイ１５０は、メモリセル間のデータ移動を実行するように構成されている。
【００１７】
揮発性メモリデバイス１００は、さらに、行制御１２５、行アドレスデコーダ１２０、列制御１３５、行アドレスデコーダ１３０を含む。行制御１２５及び列制御１３５は、アドレスレジスタから制御信号を受けて、対応する行データ及び列データにおけるデータにアクセスする。本明細書におけるアクセスデータとは、読み書きを行わないバックアップデータを指す。データのアクセスは、例えば「ＳＥＬＦ?ＲＥＦＲＥＳＨ」、「ＢＡＣＫＵＰ」などのコマンド信号によって行われる。従って、本発明におけるメモリコマンド信号は特定のコマンド動作に限定されない。データにアクセスするためのアドレスレジスタからのコマンドに基づいて、行制御１２５は制御信号を行アドレスデコーダ１２０に提供する。行アドレスデコーダ１２０は、メモリバンク１１０の１行を選択する。同様に、列アドレスデコーダ１３０は列制御１３５から列制御信号に対応する列データを選択する。センスアンプ１５２は、複数のサブアレイがデータ移動（バックアップ）動作中に周期的に有効／無効にされることに適する。概略図には示されていないリフレッシュカウンタは、メモリバンクにおいてリフレッシュ動作を実行するように構成されている。さらに、リフレッシュカウンタは、アクティブコマンドなしでメモリセルの「セルフリフレッシュ」又は「オートリフレッシュ」も実行する。従って、本発明におけるリフレッシュカウンタはこれに限定するものではない。
【００１８】
揮発性メモリデバイス１００は、ユーザからの要求に応じてメモリセル内でデータ移動（バックアップ）動作を実行するように構成されている。データ移動（バックアップ）動作中に、揮発性メモリデバイス１００は定義されたメモリブロック内でデータ移動動作を実行する。本発明の例示的実施形態では、特定のメモリバンクにおいてデータ移動動作を実行する時、特定のメモリバンクは所定ブロックとして決定される。データ移動動作は、センスアップ１５２及びサブワードドライバ１５１を有効にすることによって対応するサブアレイ１５０において実行される。幾つかの実施例では、所定ブロックの数は、１つ以上であることができ、それは、データ移動動作及びデータバックアップを異なるアドレス位置で同時に実行することが要求され、詳細は後述のとおりである。
【００１９】
図２は、揮発性メモリデバイス１００における従来の行制御のブロック図を示している。図２を参照し、行制御２１０は、図１に詳述されているように行制御１２５であり、したがって、行制御２１０の動作の詳細な説明はここでは省略する。従来の揮発性メモリデバイスでは、行制御２１０はアドレスレジスタからバンクアクティブ信号及び列アドレス信号を受けてデータにアクセスしていた。バンクアクティブ信号及び行アドレス信号に応答して、行制御２１０は、ワード線イネーブル信号ＷＬイネーブル、センスアンプＳＡイネーブル、ならびにビット線ＢＬＥＱイネーブル及び行アドレスイネーブル信号を提供する。ワード線イネーブル信号ＷＬイネーブルは、サブワードドライバＳＷＤを介してワード線ＷＬを有効にするために設定される。行アドレスイネーブル信号は、揮発性メモリデバイス１００の対応するサブアレイにおけるデータにアクセスために設定される。従来の方法では、データへのアクセスは読み取り／書き込み動作を指す。このアーキテクチャにより、対応する行内のデータは、揮発性メモリデバイスのアドレスレジスタからのバンクアクティブ信号及び行アドレス信号によってアクセスすることができる。従来の揮発性メモリデバイスは、対応するバンクで読み取り／書き込み動作を実行し、サブアレイ間の広いデータパスを使用することによって揮発性メモリデバイス内のデータ移動動作に制限があるため、長い待ち時間及び高いメモリ消費を招く。
【００２０】
図３は、本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイス１００の行制御３００のブロック図を示している。図３を参照し、行制御３１０は、図２に詳述されているように行制御２１０と同様である。上記で詳述した従来の行制御２１０を参照すると、本発明の例示的実施形態における行制御３１０は、対応するサブアレイ内のデータへのアクセスを実行するためにバンクアクティブ信号及び行アドレス信号を受信する。本実施形態におけるデータへのアクセスとは、読み取り／書き込み動作なしのバックアップデータを指す。メモリバンク１１０のサブアレイ１５０は、揮発性メモリデバイス１００ではノーマルアレイ及びバックアップアレイとして決定される。図２に詳述されている従来のデータアクセス動作（即ち、ノーマル動作）とは別に、揮発性メモリデバイス１００はアクティブコマンドによってデータ移動（バックアップ動作）を実行する。いくつかの他の実施形態では、バックアップ動作はアクティブコマンドなしで実行され、揮発性メモリデバイス１００自体がバックアップ動作を定義するので、本発明におけるバックアップ動作の有効化は、これに限定するものではない。以下、ノーマル動作及びバックアップ動作の動作シーケンスを詳細に説明する。行制御３１０へのバンクアクティブ信号及び行アドレス信号に加えて、バンクアクティブに対応する遅延信号が遅延回路３２０によって行制御に与えられてバックアップ動作を実行し、バックアップ動作の詳細な動作は以下に詳述する。
【００２１】
バックアップ動作中、行制御３１０は、サブアレイを有効にしてデータ移動動作を実行するためのバンクアクティブ信号、及びサブアレイの行アドレスを配置してデータ移動動作を実行するための行アドレス信号を受信する。バンクアクティブ信号に加えて、行制御３１０は、遅延回路３２０によって発生される遅延を有するイネーブル信号を受信する。遅延回路３２０はＮ個のインバータ回路を有し、Ｎは実数の正数であるように選択される（例えば、Ｎ＝１、２、３、４…）。いくつかの実施形態では、遅延回路３２０は、抵抗器及びコンデンサ（ＲＣ遅延）又は論理回路を使用することによっても実施することができる。従って、本発明における遅延回路３２０はこれらに限定するものではない。データにアクセスするためにアドレスレジスタからコマンドを受信した後、行制御３１０は、イネーブル信号ＷＬイネーブル（ノーマルアレイ）、ＳＡイネーブル（ノーマルアレイ）、ＢＬＥＱ（ノーマルアレイ）、バックアップアレイＷＬイネーブル（バックアップアレイ）、ＳＡイネーブル（バックアップアレイ）、及びＢＬイネーブル（バックアップアレイ）を提供する。行制御３１０からのＢＬイネーブル信号は、ノーマル動作及びバックアップ動作を同時に実行するために、サブアレイ行アドレス（バンク）に対応して提供され、それにより、バックアップ動作中、少ない電力消費で効率的なデータ移動動作を実現する。メモリセルをノーマルアレイとバックアップアレイに細分する詳細な動作は以下に詳述する。この方法によって、データ移動動作中の低電力消費及び隠されたバックアップは、バックアップ動作のための別途ハードウェアを追加することなく達成される。
【００２２】
図４は、本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスのバルクデータ移動動作シーケンスを示している。図１を参照し、揮発性メモリデバイス４００のメモリバンクの概略図は、揮発性メモリデバイス１００のメモリバンクの概略図と同様である。データ移動（バックアップ）動作中、揮発性メモリデバイス４００は所定ブロック４１０内の奇数データ及び偶数データを決定する。所定ブロック４１０は、例示的実施形態における一例では、ＷＬ（ｉ）、ＷＬ（ｊ）、ＷＬ（ｋ）、ＷＬ（１）として表される、ワード線ＷＬに対応して結合されている４行に細分される。同様に、各列におけるデータは対応するセンスアンプＳＡに結合されている。データ移動（バックアップ）動作が有効にされる時、揮発性メモリデバイスは、所定ブロック４１０内の奇数データ及び偶数データとして決定され、奇数データは奇数列におけるデータとして決定される（例えば、列１、３、５、７…）。同様に、揮発性メモリデバイスにおける偶数データは、偶数列（例えば、列２、４、６、８…）におけるデータを選択することによってコントローラによって決定される。いくつかの他の実施形態では、揮発性メモリデバイス４００自体は、所定ブロック４１０内の奇数データ及び偶数データを決定することができ、従って、本発明における所定ブロック４１０内の奇数データ及び偶数データの決定は、これに限定するものではない。
【００２３】
所定ブロック４１０における奇数データ及び偶数データの決定後、揮発性メモリデバイス４００は、第１のバックアップブロック４２０及び第２のバックアップブロック４３０を有効にし、第１のバックアップブロック４２０及び第２のバックアップブロック４３０は、データ移動動作中にバックアップアレイとして定義される。所定ブロック４１０における奇数データは、第１のバックアップブロック４２０に移動され、同時に、偶数データが第２のバックアップブロック４３０に移動される。従って、効率的なデータ移動及び隠されたバックアップ動作は、同じ時間で実行される異なる場所に移動される必要があるデータの分割によって揮発性メモリデバイス内で実行される。この動作により、リフレッシュ動作中のバルクデータ移動のために広いデータパスは必要ではなく、バックアップ動作をリフレッシュ機能と共有することによって電力消費が大幅に低減される。
【００２４】
いくつかの実施形態では、揮発性メモリデバイスは、デフォルトで第１のバックアップブロック４２０及び第２のバックアップブロック４３０を定義し、他のいくつかの実施形態では第１のバックアップブロック４２０及び第２のバックアップブロック４３０は、アクティブコマンドを通じてコントローラによって定義される。いくつかの実施形態では、バックアップ動作は、セルフリフレッシュ又はオートリフレッシュ動作中に実行される。アクティブコマンドは、所定ブロック、第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックのアドレス位置を有するコントローラによって提供される。セルフリフレッシュコマンドの実行中は、モデルリポジトリバックアップ（ＭＲＳ）又はオンザフライバックアップによって、バックアップありとバックアップなしのデータ移動動作が選択される。
【００２５】
図５は、本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスにおけるバルクデータ移動の動作波形を示している。図５を参照すると、データ移動動作中に、時間ｔ０において所定ブロック１のワード線ＷＬ（ｉ）がブロック１を有効にする。ＷＬ（ｉ）イネーブルに続いて、そのＢＬ及び相補ビットラインＢＬ＃が所定ブロック１に対応して有効にされる。時間がｔ１遅延した後、所定ブロック１におけるデータに対応するセンスアンプＳＡが有効にされる。その間に、揮発性メモリデバイスは、奇数データ及び偶数データをバックアップするために第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを決定する。時間ｔ２において、対応するＷＬ及びＢＬに結合されたセルノードは、第１のバックアップブロック、ブロック０１及び第２のバックアップブロック、ブロック１２で同時にバックアップされる。同様に、時間ｔ３の間、ＳＡ０及びＳＡ３のＳＡラインが有効にされ、所定ブロック内の対応するデータのＢＬ及びＢＬ＃がバックアップ動作の間有効にされる。バックアップ動作は、バックアップブロック０１及びバックアップブロック１２で実行される。この動作中、第１のバックアップブロックは、バックアップ０１であり、第２バックアップブロックは、バックアップ１２である。従って、複数の所定ブロックは、対応するＳＡ及びＷＬ信号を有効にすることによって同時に有効にされる。図５を参照すると、ノーマルアレイにおけるノーマル動作及びバックアップアレイにおけるバックアップ動作は、アクティブコマンドＸａｄｄ＜ｉ＞＝０／１によってコントローラを通して識別される。例えば、ノーマルアレイにおける通常動作に対するアクティブコマンドは、Ｘａｄｄ＜ｉ＞＝０と定義され、バックアップ動作は、Ｘａｄｄ＜ｉ＞＝１と定義される。
【００２６】
図６は、本発明の例示的実施形態に基づく揮発性メモリデバイスにおけるデータアクセス動作のフローチャートであり、ステップ６００におけるアクティブコマンドによって揮発性メモリデバイス内のバックアップアレイ及びノーマルアレイを決定することを含む。アクティブコマンドは、Ｘａｄｄ＜ｉ＞＝０／１と定義され、ステップ６１０において、揮発性メモリデバイスで通常動作を行うかバックアップ動作を行うかのアクティブコマンドを決定する。アクティブコマンドがＸａｄｄ＜ｉ＞＝０の時、揮発性メモリデバイスは、ステップ６３０に定義されているように通常動作を実行することが決定される。ステップ６１０中のアクティブコマンドがＸａｄｄ＜ｉ＞＝１であると決定される時、揮発性メモリデバイスは、ステップ６２０に定義されているようにバックアップ動作の開始を有効にする。バックアップ動作を実行するためのステップは、以下のステップを含む。ステップ６０１において、所定ブロックでデータ移動動作を実行する。ステップ６０２において、所定ブロック内の奇数データ及び偶数データを決定する。ステップ６０３において、所定ブロック内のセルのセンスアンプを周期的に有効にする。センスアンプを有効にした後、ステップ６０４において、行制御を通してダイナミックメモリアレイ内の第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを有効にする。上述したステップを全て実行した後、ステップ６０５において、奇数データ及び偶数データを同時に第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックにバックアップする。
【００２７】
要約すると、本発明の実施形態は、揮発性メモリデバイス及び揮発性メモリデバイスにおける効率的な隠されたデータ移動の方法を紹介する。この方法は、揮発性メモリデバイスにおいて専用のデータ移動を実行することができる。データ移動に加えて、隠されたバックアップは、データを奇数データ及び偶数データに分割して第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックに入れることによって、異なる場所で同時に実行される。従って、ワイドデータパスは、バルクデータを転送するために必要とされない。更に、バルクデータ移動動作中に隠されたバックアップ動作を実行することによって、バックアップ動作をリフレッシュ機能と共有することで電力消費が大幅に削減される。この方法は、データ移動動作を実行するためのコントローラからの制御信号に限定するものではなく、セルフリフレッシュ又はオートリフレッシュ動作によっても行われる。揮発性メモリデバイスは、アクティブコマンドなしで第１のバックアップブロック及び第２のバックアップブロックを決定し得る。
【００２８】
当業者であれば明らかであるように、本発明の範囲又は精神から逸脱することなく、開示された実施形態に対して様々な変更及び変形がなされ得る。上記を考慮して、本発明は後述の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内に含まれる変更及び変形を網羅するということが意図される。
【符号の説明】
【００２９】
１１０  メモリバンク
１２０  行アドレスデコーダ
１２５、２１０、３１０  行制御
１３０  列アドレスデコータ
１３５  列制御
１５０  サブアレイ
４１０  所定ブロック
４２０  第１のバックアップブロック
４３０  第２のバックアップブロック
１５１  サブワードドライバ
１５２  センスアンプ
３２０  遅延回路
ＳＡ  センスアンプ
ＢＬ  ビット線
ＷＬ  ワード線 
【図１】
2020123416.tif 000003
【図２】
2020123416.tif 000004
【図３】
2020123416.tif 000005
【図４】
2020123416.tif 000006
【図５】
2020123416.tif 000007
【図６】
2020123416.tif 000008
【外国語明細書】
2020123416000001.pdf