(57)【要約】【課題】浮上量を階段状に変化させた状態で基板を浮上搬送しながら当該基板の上面に処理液を供給する基板処理技術において、基板への処理液の供給を良好に行う。【解決手段】処理ステージは、ノズルの下方に位置して処理液の供給に適合する供給用浮上量で基板を浮上させる供給浮上領域と、搬送方向において供給浮上領域の上流側で供給用浮上量よりも大きな上流側浮上量で基板を浮上させる上流側浮上領域と、搬送方向において供給浮上領域の下流側で供給用浮上量よりも大きな下流側浮上量で基板を浮上させる下流側浮上領域と、供給浮上領域と上流側浮上領域との間ならびに供給浮上領域と下流側浮上領域との間のうちの少なくとも一方に噴出口および吸引口が設けられない緩衝領域を有し、緩衝領域と供給浮上領域との境界近傍での基板の浮上量の変動を緩和する変動緩和部と、を有している。【選択図】図２
2020152480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上方に向けて気体を噴出する噴出口と気体を吸引する吸引口とが分散して設けられるステージ上面を有し、前記ステージ上面の上方に基板を浮上させる処理ステージと、
前記処理ステージ上で浮上する前記基板を搬送方向に搬送する基板搬送部と、
前記基板搬送部により搬送される前記基板の上面に処理液を供給するノズルと、を備え、
前記処理ステージは、
前記ノズルの下方に位置して前記処理液の供給に適合する供給用浮上量で前記基板を浮上させる供給浮上領域と、
前記搬送方向において前記供給浮上領域の上流側で前記供給用浮上量よりも大きな上流側浮上量で前記基板を浮上させる上流側浮上領域と、
前記搬送方向において前記供給浮上領域の下流側で前記供給用浮上量よりも大きな下流側浮上量で前記基板を浮上させる下流側浮上領域と、
前記供給浮上領域と前記上流側浮上領域との間ならびに前記供給浮上領域と前記下流側浮上領域との間のうちの少なくとも一方に前記噴出口および前記吸引口が設けられない緩衝領域を有し、前記緩衝領域と前記供給浮上領域との境界近傍での前記供給用浮上量に対する前記基板の浮上量の変動を緩和する変動緩和部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記上流側浮上領域の上方に配置されて前記基板の上面に存在する異物を検出する異物検出部を備え、
前記上流側浮上領域では、前記噴出口および前記吸引口が前記異物の検出に対応した上流側ピッチで格子状に設けられる基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記変動緩和部は、前記供給浮上領域と前記上流側浮上領域との間に設けられ、前記搬送方向における長さが前記上流側ピッチの１．１倍以上かつ２倍未満である上流側緩衝領域を有する基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記下流側浮上領域では、前記噴出口および前記吸引口が下流側ピッチで格子状に設けられて前記処理液を担持する前記基板が前記搬送方向に搬送されるのに伴う前記供給浮上領域での前記基板の振動を抑制する基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記変動緩和部は、前記供給浮上領域と前記下流側浮上領域との間に設けられ、前記搬送方向における長さが前記下流側ピッチの１．１倍以上かつ２倍未満である下流側緩衝領域を有する基板処理装置。
【請求項６】
上方に向けて気体を噴出する噴出口と気体を吸引する吸引口とが分散して設けられるステージ上面を有する処理ステージにより前記ステージ上面の上方に浮上された、基板を基板搬送部により搬送方向に搬送しながらノズルから処理液を前記基板の上面に供給する基板処理方法であって、
前記処理ステージのうち、前記ノズルの下方に位置して前記処理液の供給に適合する供給用浮上量で前記基板を浮上させる領域を供給浮上領域とし、前記搬送方向において前記供給浮上領域の上流側で前記供給用浮上量よりも大きな上流側浮上量で前記基板を浮上させる領域を上流側浮上領域とし、前記搬送方向において前記供給浮上領域の下流側で前記供給用浮上量よりも大きな下流側浮上量で前記基板を浮上させる領域を下流側浮上領域と定義したとき、
前記上流側浮上領域から前記供給浮上領域への前記基板の搬送ならびに前記供給浮上領域から前記下流側浮上領域への前記基板の搬送のうちの少なくとも一方では、前記噴出口および前記吸引口が設けられない緩衝領域を経由して前記基板を搬送させて前記緩衝領域と前記供給浮上領域との境界近傍での前記供給用浮上量に対する前記基板の浮上量の変動を緩和することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等のＦＰＤ用ガラス基板、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルター用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、半導体パッケージ用基板（以下、単に「基板」と称する）にノズルから処理液を供給する基板処理技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品等の製造工程では、基板の上面に処理液を供給する基板処理装置の一例として塗布装置が用いられる。例えば特許文献１に記載の塗布装置は、基板をステージから浮上させた状態で当該基板をステージの長手方向に搬送しながら当該基板の上面に対して処理液をノズルの吐出口から供給して基板のほぼ全体に処理液を塗布する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５４３７１３４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の装置では、基板を浮上搬送するためのステージ部が、基板搬入用の浮上ステージ、異物検出ステージ（本発明の「上流側浮上領域」に相当）、塗布ステージ（本発明の「供給浮上領域」に相当）、振動防止ステージ（本発明の「下流側浮上領域」に相当）および基板搬出用の浮上ステージに分割されている。これらのステージは互いに隣接されている。しかも、各ステージでの基板の浮上量を比較すると、塗布ステージでの浮上量が最も少なく、それよりも異物検出ステージおよび振動防止ステージでの浮上量は大きく、基板搬入用および基板搬出用の浮上ステージでの浮上量はさらに大きくなっている。このように互いに隣接するステージ間で浮上量が階段状に変化している。このため、互いに隣接するステージ間を搬送される基板は境界近傍で変形する。特に、塗布ステージでは、浮上させた基板に対してノズルから処理液が供給される。このため、塗布ステージの近傍での浮上量が大きく変動して基板の変形量が大きくなると、処理液を適正に基板に供給することができず、これが塗布ムラの要因となり、基板処理の品質低下を招いてしまう。
【０００５】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、浮上量を階段状に変化させた状態で基板を浮上搬送しながら当該基板の上面に処理液を供給する基板処理技術において、基板への処理液の供給を良好に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明の一態様は、基板処理装置であって、上方に向けて気体を噴出する噴出口と気体を吸引する吸引口とが分散して設けられるステージ上面を有し、ステージ上面の上方に基板を浮上させる処理ステージと、処理ステージ上で浮上する基板を搬送方向に搬送する基板搬送部と、基板搬送部により搬送される基板の上面に処理液を供給するノズルと、を備え、処理ステージは、ノズルの下方に位置して処理液の供給に適合する供給用浮上量で基板を浮上させる供給浮上領域と、搬送方向において供給浮上領域の上流側で供給用浮上量よりも大きな上流側浮上量で基板を浮上させる上流側浮上領域と、搬送方向において供給浮上領域の下流側で供給用浮上量よりも大きな下流側浮上量で基板を浮上させる下流側浮上領域と、供給浮上領域と上流側浮上領域との間ならびに供給浮上領域と下流側浮上領域との間のうちの少なくとも一方に噴出口および吸引口が設けられない緩衝領域を有し、緩衝領域と供給浮上領域との境界近傍での供給用浮上量に対する基板の浮上量の変動を緩和する変動緩和部と、を有することを特徴としている。
【０００７】
また、この発明の他の態様は、上方に向けて気体を噴出する噴出口と気体を吸引する吸引口とが分散して設けられるステージ上面を有する処理ステージによりステージ上面の上方に浮上された、基板を基板搬送部により搬送方向に搬送しながらノズルから処理液を基板の上面に供給する基板処理方法であって、処理ステージのうち、ノズルの下方に位置して処理液の供給に適合する供給用浮上量で基板を浮上させる領域を供給浮上領域とし、搬送方向において供給浮上領域の上流側で供給用浮上量よりも大きな上流側浮上量で基板を浮上させる領域を上流側浮上領域とし、搬送方向において供給浮上領域の下流側で供給用浮上量よりも大きな下流側浮上量で基板を浮上させる領域を下流側浮上領域と定義したとき、上流側浮上領域から供給浮上領域への基板の搬送ならびに供給浮上領域から下流側浮上領域への基板の搬送のうちの少なくとも一方では、噴出口および吸引口が設けられない緩衝領域を経由して基板を搬送させて緩衝領域と供給浮上領域との境界近傍での供給用浮上量に対する基板の浮上量の変動を緩和することを特徴としている。
【０００８】
このように構成された発明では、搬送方向における供給浮上領域の両側に上流側浮上領域および下流側浮上領域が設けられ、供給浮上領域での供給用浮上量よりも大きな浮上量で基板を浮上させている。このため、供給浮上領域と上流側浮上領域との間で浮上量が階段状に変化しており、供給浮上領域の上流側での浮上量が供給用浮上量から許容範囲を超えて変化することがある。また、供給浮上領域の下流側で浮上量の変動が問題となることもある。そこで、本発明では、噴出口および吸引口を有しない緩衝領域が設けられ、緩衝領域と供給浮上領域との境界近傍での基板の浮上量の変動を緩和することで供給浮上領域での浮上量が大きく変化するのを抑制する。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように、本発明によれば、緩衝領域を設けることで緩衝領域と供給浮上領域との境界近傍での基板の浮上量の変動を緩和しているので、基板への処理液の供給を良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一実施形態である塗布装置の全体構成を模式的に示す図である。
【図２】図１に示す塗布装置に装備される浮上ステージ部の構成を示す図である。
【図３】従来の塗布装置に装備される塗布ステージの構成を示す図である。
【図４】本発明に係る基板処理装置の他の実施形態である塗布装置に装備される浮上ステージ部の構成を示す図である。
【図５】本発明に係る基板処理装置の別の実施形態である塗布装置に装備される浮上ステージ部の部分構成を示す図である。
【図６】本発明に係る基板処理装置のさらに別の実施形態である塗布装置に装備される浮上ステージ部の部分構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は本発明に係る基板処理装置の一実施形態である塗布装置の全体構成を模式的に示す図である。この塗布装置１は、図１の左手側から右手側に向けて水平姿勢で搬送される基板Ｓの上面Ｓｆに処理液の一例として塗布液を塗布するスリットコータである。なお、以下の各図において装置各部の配置関係を明確にするために、基板Ｓの搬送方向Ｄｔと関連付けて位置関係を示すとき、「基板Ｓの搬送方向Ｄｔにおける上流側」を単に「上流側」と、また「基板Ｓの搬送方向Ｄｔにおける下流側」を単に「下流側」と略することがある。この例では、ある基準位置から見て相対的に（−Ｘ）側が「上流側」、（＋Ｘ）側が「下流側」に相当する。
【００１２】
まず図１を用いて塗布装置１の構成および動作の概要を説明し、その後で本発明の技術的特徴を備える浮上ステージ部３の詳細な構造および動作について説明する。塗布装置１では、基板Ｓの搬送方向Ｄｔ（＋Ｘ方向）に沿って、入力コンベア１００、入力移載部２、浮上ステージ部３、出力移載部４、出力コンベア１１０がこの順に近接して配置されており、以下に詳述するように、これらにより略水平方向に延びる基板Ｓの搬送経路が形成されている。
【００１３】
処理対象である基板Ｓは図１の左手側から入力コンベア１００に搬入される。入力コンベア１００は、コロコンベア１０１と、これを回転駆動する回転駆動機構１０２とを備えており、コロコンベア１０１の回転により基板Ｓは水平姿勢で下流側、つまり（＋Ｘ）方向に搬送される。入力移載部２は、コロコンベア２１と、これを回転駆動する機能および昇降させる機能を有する回転・昇降駆動機構２２とを備えている。コロコンベア２１が回転することで、基板Ｓはさらに（＋Ｘ）方向に搬送される。また、コロコンベア２１が昇降することで基板Ｓの鉛直方向位置が変更される。このように構成された入力移載部２により、基板Ｓは入力コンベア１００から浮上ステージ部３に移載される。
【００１４】
浮上ステージ部３は、基板の搬送方向Ｄｔに沿って３分割された平板状のステージを備える。すなわち、浮上ステージ部３は入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３を備えており、これらの各ステージの上面は互いに同一平面の一部をなしている。そして、浮上ステージ部３は各ステージの上面から鉛直上方（＋Ｚ）に基板を浮上させる。なお、これらのステージのうち入口浮上ステージ３１には、図には現れていないリフトピンが配設されており、浮上ステージ部３にはこのリフトピンを昇降させるリフトピン駆動機構３４が設けられている。また、塗布ステージ３２での浮上量についてはセンサ６１、６２による検出結果に基づいて制御ユニット９により算出され、高精度に調整可能となっている。
【００１５】
入力移載部２を介して浮上ステージ部３に搬入される基板Ｓは、コロコンベア２１の回転により（＋Ｘ）方向への推進力を付与されて、入口浮上ステージ３１上に搬送される。入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３は基板Ｓを浮上状態に支持するが、基板Ｓを水平方向に搬送する機能を有していない。浮上ステージ部３における基板Ｓの搬送は、入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３の下方に配置された基板搬送部５により行われる。
【００１６】
基板搬送部５は、基板Ｓの下面周縁部に部分的に当接することで基板Ｓを下方から支持するチャック機構５１と、チャック機構５１上端の吸着部材に設けられた吸着パッド（図示省略）に負圧を与えて基板Ｓを吸着保持させる機能およびチャック機構５１をＸ方向に往復走行させる機能を有する吸着・走行制御機構５２とを備えている。チャック機構５１が基板Ｓを保持した状態では、基板Ｓの下面Ｓｂは浮上ステージ部３の各ステージの上面よりも高い位置に位置している。したがって、基板Ｓは、チャック機構５１により周縁部を吸着保持されつつ、浮上ステージ部３から付与される浮力により全体として水平姿勢を維持する。なお、チャック機構５１により基板Ｓの下面Ｓｂを部分的に保持した段階で基板Ｓの上面の鉛直方向位置を検出するために板厚測定用のセンサ６１がコロコンベア２１の近傍に配置されている。このセンサ６１の直下位置に基板Ｓを保持していない状態のチャック（図示省略）が位置することで、センサ６１は吸着部材の上面、つまり吸着面の鉛直方向位置を検出可能となっている。
【００１７】
入力移載部２から浮上ステージ部３に搬入された基板Ｓをチャック機構５１が保持し、この状態でチャック機構５１が（＋Ｘ）方向に移動することで、基板Ｓが入口浮上ステージ３１の上方から塗布ステージ３２の上方を経由して出口浮上ステージ３３の上方へ搬送される。搬送された基板Ｓは、出口浮上ステージ３３の（＋Ｘ）側に配置された出力移載部４に受け渡される。
【００１８】
出力移載部４は、コロコンベア４１と、これを回転駆動する機能および昇降させる機能を有する回転・昇降駆動機構４２とを備えている。コロコンベア４１が回転することで、基板Ｓに（＋Ｘ）方向への推進力が付与され、基板Ｓは搬送方向Ｄｔに沿ってさらに搬送される。また、コロコンベア４１が昇降することで基板Ｓの鉛直方向位置が変更される。コロコンベア４１の昇降により実現される作用については後述する。出力移載部４により、基板Ｓは出口浮上ステージ３３の上方から出力コンベア１１０に移載される。
【００１９】
出力コンベア１１０は、コロコンベア１１１と、これを回転駆動する回転駆動機構１１２とを備えており、コロコンベア１１１の回転により基板Ｓはさらに（＋Ｘ）方向に搬送され、最終的に塗布装置１外へと払い出される。なお、入力コンベア１００および出力コンベア１１０は塗布装置１の構成の一部として設けられてもよいが、塗布装置１とは別体のものであってもよい。また例えば、塗布装置１の上流側に設けられる別ユニットの基板払い出し機構が入力コンベア１００として用いられてもよい。また、塗布装置１の下流側に設けられる別ユニットの基板受け入れ機構が出力コンベア１１０として用いられてもよい。
【００２０】
このようにして搬送される基板Ｓの搬送経路上に、基板Ｓの上面Ｓｆに塗布液を塗布するための塗布機構７が配置される。塗布機構７はスリットノズルであるノズル７１を有している。ノズル７１には、塗布液供給機構８から塗布液が供給され、ノズル下部に下向きに開口する吐出口から塗布液が吐出される。
【００２１】
ノズル７１は、図示を省略する位置決め機構によりＸ方向およびＺ方向に移動位置決め可能となっている。位置決め機構により、ノズル７１が塗布ステージ３２の上方の塗布位置（図１中の実線で示される位置）に位置決めされる。この塗布位置に位置決めされたノズル７１から塗布液が吐出されて、塗布ステージ３２との間を搬送されてくる基板Ｓに供給される。こうして基板Ｓへの塗布液の塗布が行われる。
【００２２】
ノズル７１に対して所定のメンテナンスを行うために、図１に示すように、塗布機構７にはノズル洗浄待機ユニット７２が設けられている。ノズル洗浄待機ユニット７２は、主にローラ７２１、洗浄部７２２、ローラバット７２３などを有している。そして、これらによってノズル洗浄および液だまり形成を行い、ノズル７１の吐出口を次の塗布処理に適した状態に整える。また、ノズル洗浄待機ユニット７２が設けられた位置、つまりメンテナンス位置にノズル７１を位置させ、最適化処理における疑似吐出が実行される。
【００２３】
この他、塗布装置１には、装置各部の動作を制御するための制御ユニット９が設けられている。制御ユニット９は所定の制御プログラムや各種データを記憶する記憶手段、この制御プログラムを実行することで装置各部に所定の動作を実行させるＣＰＵなどの演算手段、ユーザや外部装置との情報交換を担うインターフェース手段などを備えている。本実施形態では、演算手段が装置各部を制御して次に説明するように塗布ステージ３２での基板Ｓの浮上量を高精度に制御しつつノズル７１からの塗布液の供給を行う。
【００２４】
図２は図１に示す塗布装置に装備される浮上ステージ部の構成を示す図であり、同図中の上段に示す図は浮上ステージ部３の部分平面図であり、中段および下段は浮上ステージ部３での基板Ｓの浮上搬送状態を模式的に示す側面図である。なお、同図および後で説明する図３および図４においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００２５】
浮上ステージ部３を構成する３つのステージのうち、入口浮上ステージ３１および出口浮上ステージ３３のそれぞれの上面には、噴出口３６がマトリクス状に多数設けられている。また、各噴出口３６に対して特許文献１に記載の装置と同様に構成される浮上制御機構３５が接続され、噴出口３６から圧縮空気を基板Ｓの下面Ｓｂに向けて噴出して入口浮上ステージ３１および出口浮上ステージ３３のステージ上面と基板Ｓの下面Ｓｂとの間の空間に圧縮空気を送り込む。これにより、各噴出口３６から噴出される気流から付与される浮力により基板Ｓが浮上する。こうして基板Ｓの下面Ｓｂがステージ上面から離間した状態で水平姿勢に支持される。基板Ｓの下面Ｓｂとステージ上面との距離、つまり浮上量は、例えば１０マイクロメートルないし５００マイクロメートルとすることができる。
【００２６】
塗布ステージ３２では、搬送方向Ｘに沿って５つの領域３２Ａ〜３２Ｅがこの順序で設けられており、入口浮上ステージ３１および出口浮上ステージ３３よりも小さな浮上量で基板Ｓを浮上させることが可能となっている。領域３２Ａ、３２Ｂはともにステージ部材３２１のステージ上面３２１ａに設けられている。領域３２Ｃはステージ部材３２２のステージ上面３２２ａに設けられている。領域３２Ｄ、３２Ｅはともにステージ部材３２３のステージ上面３２３ａに設けられている。
【００２７】
ステージ部材３２１では、領域３２Ａがステージ上面３２１ａの上流側に位置しており、上記噴出口３６と、基板Ｓの下面Ｓｂとステージ上面３２１ａとの間の空気を吸引する吸引口３７とが分散して設けられている。より詳しくは、入口浮上ステージ３１および出口浮上ステージ３３に設けられた噴出口３６よりも狭く、異物検出に適したピッチＰａで複数の開口がマトリックス状に分散して設けられている。これら複数の開口のうち半分は上記噴出口３６として機能し、残りの半分は吸引口３７として機能するものであり、噴出口３６と吸引口３７とが交互に設けられている。そして、浮上制御機構３５は領域３２Ａの噴出口３６と接続され、噴出口３６から圧縮空気を基板Ｓの下面Ｓｂに向けて噴出してステージ上面３２１ａと基板Ｓの下面Ｓｂとの間の空間に圧縮空気を送り込む。また、浮上制御機構３５は領域３２Ａの吸引口３７と接続され、吸引口３７を介して上記空間から空気を吸引する。このように上記空間に対して空気の噴出と吸引とが行われることで、上記空間では各噴出口３６から噴出された圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、当該噴出口３６に隣接する吸引口３７から吸引される。このため、上記空間に広がる空気層（圧力気体層）における圧力バランスは、より安定的となり、基板Ｓの浮上量Ｆａ（図２参照）を高精度に、しかも安定して制御することができる。また、領域３２Ａに対応して特許文献１に記載の装置と同様の構成を有する異物検出部７３が設けられ、浮上量Ｆａで浮上している基板Ｓに対する異物検出を行う。このように、本実施形態では、領域３２Ａが異物検出を担保する上流側浮上領域として機能し、以下においては「上流側浮上領域３２Ａ」と称する。
【００２８】
またステージ部材３２１では、領域３２Ｂがステージ上面３２１ａの下流側に位置しており、上記噴出口３６および吸引口３７は設けられておらず、後で詳述するように、上流側浮上領域３２Ａから領域３２Ｂを経由して領域３２Ｃに基板Ｓを浮上搬送している間における浮上量の変化を緩衝して領域３２Ｃの上流側近傍における浮上量の変動を緩和する上流側緩衝部として機能し、以下においては「上流側緩衝領域３２Ｂ」と称する。
【００２９】
ステージ部材３２２では、ステージ上面３２２ａに対し、上流側浮上領域３２Ａに設けられた開口（＝噴出口３６＋吸引口３７）のピッチＰａよりも狭く、基板Ｓへの塗布液の塗布に適したピッチで複数の開口がマトリックス状に分散して設けられている。これら複数の開口のうち半分は上記噴出口３６として機能し、残りの半分は吸引口３７として機能するものであり、噴出口３６と吸引口３７とが交互に設けられている。そして、浮上制御機構３５は上流側緩衝領域３２Ｂと同様に領域３２Ｃの噴出口３６および吸引口３７に接続され、浮上量Ｆｃ（図２参照）で基板Ｓを浮上させる。ここで、領域３２Ｃはノズル７１の下方に位置して塗布液の供給を受ける基板Ｓを浮上させるための供給浮上領域であることから、噴出口３６および吸引口３７の配設密度が上流側浮上領域３２Ａよりも高められるとともに浮上制御機構３５は浮上量Ｆｃを上流側緩衝領域３２Ｂでの浮上量Ｆａよりも小さくして基板Ｓへの塗布液の供給に適合させている。こうして、領域３２Ｃでは、基板Ｓの浮上が超高精度で、しかも安定して制御される。このように領域３２Ｃは超高精度な供給を担保するための供給浮上領域として機能し、以下においては「供給浮上領域３２Ｃ」と称する。
【００３０】
ステージ部材３２３では、ステージ上面３２３ａの上流側に領域３２Ｄが設けられるとともに下流側に領域３２Ｅが設けられている。この領域３２Ｄでは、上記噴出口３６および吸引口３７は設けられていない。このため、上流側緩衝領域３２Ｂと同様に、領域３２Ｄは供給浮上領域３２Ｃから領域３２Ｄを経由して領域３２Ｅに基板Ｓを浮上搬送している間における浮上量の変化を緩衝して供給浮上領域３２Ｃの下流側近傍における浮上量の変動を緩和する下流側緩衝部として機能し、以下においては「下流側緩衝領域３２Ｄ」と称する。
【００３１】
また、領域３２Ｅでは、上流側浮上領域３２Ａと同様に、所定のピッチＰｅで噴出口３６および吸引口３７が交互に設けられており、これらをマトリックス状に分散させた配置構造が形成されている。ステージ部材３２３では、ステージ部材３２２側から搬送されてくる基板Ｓが供給浮上領域３２Ｃでの浮上量Ｆｃよりも大きい浮上量Ｆｅで浮上される。ここで、当該基板Ｓの上面Ｓｆには、塗布液の供給を受けて塗布膜が形成されており、ステージ部材３２３の上方で基板Ｓが振動すると、供給浮上領域３２Ｃの上方での塗布液の塗布に悪影響を及ぼす可能性がある。そこで、ピッチＰｅおよび浮上量Ｆｃは振動を防止するのに好適な値に設定されている。なお、本実施形態では、ピッチＰｅおよび浮上量Ｆｃは上流側緩衝領域３２Ｂと同じ値に設定されており、領域３２Ｅが塗布済基板Ｓの振動防止を担保するための下流側浮上領域として機能し、以下においては「下流側浮上領域３２Ｅ」と称する。
【００３２】
上記したように本実施形態は、特許文献１に記載の装置と同様に上流側浮上領域３２Ａ、供給浮上領域３２Ｃおよび下流側浮上領域３２Ｅを有するだけでなく、さらに上流側緩衝領域３２Ｂと下流側緩衝領域３２Ｄとからなる変動緩和部３８が追加されている。このため、供給浮上領域３２Ｃの上流近傍Ｒｂｃおよび下流近傍Ｒｃｄにおける浮上量の変動を緩和することができる。この緩和効果について、図２に示す塗布装置１を図３に示す変動緩和部３８を有さない塗布装置と比較しながら説明する。
【００３３】
図３は従来の塗布装置に装備される塗布ステージの構成を示す図である。従来装置では、入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３が基板Ｓを浮上させる一方、図示省略のチャック機構が浮上状態の基板Ｓを入口浮上ステージ３１の上方から塗布ステージ３２の上方を経由して出口浮上ステージ３３の上方へ搬送する。特に塗布ステージ３２では、搬送方向（＋Ｘ）に沿って上流側浮上領域３２Ａ、供給浮上領域３２Ｃおよび下流側浮上領域３２Ｅが互いに隣接して設けられている。これら上流側浮上領域３２Ａ、供給浮上領域３２Ｃおよび下流側浮上領域３２Ｅは基本的に上記実施形態と同一構造を有しており、上流側浮上領域３２Ａ、供給浮上領域３２Ｃおよび下流側浮上領域３２Ｅでの浮上量Ｆａ、Ｆｃ、Ｆｅは、上記実施形態と同様に、
Ｆａ＝Ｆｅ＞Ｆｃ
となっている。このため、上流側浮上領域３２Ａおよび供給浮上領域３２Ｃの間、ならびに供給浮上領域３２Ｃおよび下流側浮上領域３２Ｅの間で浮上量が階段状に変化している。このため、上流側浮上領域３２Ａと供給浮上領域３２Ｃとの境界近傍Ｒａcで浮上量が大きく変動する。このため、境界近傍Ｒａｃ、特に供給浮上領域３２Ｃの上流側端部では、基板Ｓの浮上量が浮上量Ｆｃから許容範囲を超えて変化してしまう可能性がある。このような浮上量の変動が大きくなると、供給浮上領域３２Ｃの上流側で基板Ｓが変形して塗布液の供給が良好に行われず、塗布ムラは発生することがある。
【００３４】
また、供給浮上領域３２Ｃと下流側浮上領域３２Ｅとの境界近傍Ｒｃｅでの浮上量の変動が大きくなり、供給浮上領域３２Ｃの下流側端部で、基板Ｓの浮上量が浮上量Ｆｃから大きく変動することがある。この場合、供給浮上領域３２Ｃの下流側端部で基板Ｓが変形して塗布液の供給が良好に行われず、塗布ムラは発生することがある。
【００３５】
これに対し、本実施形態では、図２に示すように、上流側浮上領域３２Ａと供給浮上領域３２Ｃとの間に上流側緩衝領域３２Ｂが設けられている。この上流側緩衝領域３２Ｂには、噴出口３６および吸引口３７のいずれも設けられておらず浮上量の変化を緩和し、上流側緩衝領域３２Ｂと供給浮上領域３２Ｃとの境界近傍Ｒｂｃでの浮上量の変動が緩和される。これによって、境界近傍Ｒｂｃ、特に供給浮上領域３２Ｃの上流側端部では、基板Ｓの浮上量が浮上量Ｆｃから許容範囲を超えて変化するのを防止することができる。その結果、供給浮上領域３２Ｃの上流側端部での基板Ｓの変形が抑えられ、塗布液の供給が良好に行うことができ、塗布ムラの発生を効果的に防止することができる。ここで、上流側緩衝領域３２Ｂによる十分な変動緩和効果を得るためには、搬送方向Ｘにおける上流側緩衝領域３２Ｂの長さＬｂをピッチＰａの１．１倍以上に設定するのが望ましい。ただし、長さＬｂがピッチＰａの２倍以上となると、上流側緩衝領域３２Ｂで基板Ｓが下方に撓んで基板Ｓの下面Ｓｂがステージ上面３２１ａと接触するおそれが生じる。したがって、長さＬｂについては、ピッチＰａの１．１倍以上かつ２倍未満とするのが望ましい。
【００３６】
また、下流側についても上流側と同様に構成されている。つまり、供給浮上領域３２Ｃと下流側浮上領域３２Ｅとの間に下流側緩衝領域３２Ｄが設けられ、浮上量の変化を緩和し、供給浮上領域３２Ｃと下流側緩衝領域３２Ｄとの境界近傍Ｒｃｄでの浮上量の変動が緩和される。これによって、境界近傍Ｒｃｄ、特に供給浮上領域３２Ｃの下流側端部では、基板Ｓの浮上量が浮上量Ｆｃから許容範囲を超えて変化するのが防止される。その結果、供給浮上領域３２Ｃの下流側端部での基板Ｓの変形が抑えられ、塗布液の供給が良好に行うことができ、塗布ムラの発生を効果的に防止することができる。搬送方向Ｘにおける下流側緩衝領域３２Ｄの長さＬｄについても、上記と同様の理由からピッチＰｅの１．１倍以上かつ２倍未満とするのが望ましい。
【００３７】
以上のように上記実施形態では、塗布液および空気がそれぞれ本発明の「処理液」および「気体」の一例に相当している。また、塗布ステージ３２が本発明の「処理ステージ」の一例に相当している。また、浮上量Ｆａ、Ｆｃ、Ｆｅがそれぞれ本発明の「上流側浮上量」、「供給用浮上量」および「下流側浮上量」の一例に相当している。また、ピッチＰａ、Ｐｅがそれぞれ本発明の「上流側ピッチ」および「下流側ピッチ」の一例に相当している。
【００３８】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、上流側緩衝領域３２Ｂをステージ部材３２１に設けているが、上流側緩衝領域３２Ｂをステージ部材３２２に設けてもよいし、上流側緩衝領域３２Ｂ用のステージ部材をステージ部材３２１、３２２の間に追加し、当該ステージ部材に上流側緩衝領域３２Ｂを設けてもよい。この点については、下流側緩衝領域３２Ｄを同様である。
【００３９】
また、５つの領域３２Ａ〜３２Ｅを３つのステージ部材３２１〜３２３に振り分けて設けているが、例えば図４に示すように、１つのステージ部材３２０に全領域３２Ａ〜３２Ｅを設けてもよい。また、領域３２Ａ〜３２Ｅを２、４または５つのステージ部材に振り分けて設けてもよい。
【００４０】
また、上記実施形態では、上流側浮上領域３２Ａ、供給浮上領域３２Ｃおよび下流側浮上領域３２Ｅでは、噴出口３６および吸引口３７を交互に設けてマトリックス状に分散させているが、分散形態はこれに限定されるものではなく、噴出口３６および吸引口３７を格子状に設けることができる。つまり、噴出口３６および吸引口３７を格子状に設けるものとしては、上記マトリックス状に設ける以外に、例えば図５に示すようにハニカム状に設けたものや例えば図６に示すようにＸ方向に配列する噴出口３６および吸引口３７の開口列３９が基板Ｓの搬送方向（Ｘ方向）に対して傾斜するように設けたものなどが含まれる。
【００４１】
また、上記実施形態では、上流側緩衝領域３２Ｂおよび下流側緩衝領域３２Ｄを設けて供給浮上領域３２Ｃの両端部において基板Ｓの浮上量が許容範囲を超えて変化するのを防止している。ただし、浮上量の変化が問題となるのが供給浮上領域３２Ｃの上流側端部のみである場合には、上流側緩衝領域３２Ｂのみを設ければよい。逆に、上記問題が供給浮上領域３２Ｃの下流側端部のみである場合には、下流側緩衝領域３２Ｄのみを設ければよい。
【００４２】
さらに、上記実施形態では、上流側浮上領域３２Ａおよび下流側浮上領域３２Ｅでの浮上量Ｆａ、Ｆｅを一致させているが、両者が相違した状態で基板Ｓを浮上搬送させてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
この発明は、浮上量を階段状に変化させた状態で基板を浮上搬送しながら当該基板の上面に処理液を供給する基板処理技術全般に適用可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１…塗布装置
５…基板搬送部
７…塗布機構
３２…塗布ステージ（処理ステージ）
３２Ａ…上流側浮上領域
３２Ｂ…上流側緩衝領域
３２Ｃ…供給浮上領域
３２Ｄ…下流側緩衝領域
３２Ｅ…下流側浮上領域
３６…噴出口
３７…吸引口
３８…変動緩和部
７１…ノズル
７３…異物検出部
３２１ａ，３２２ａ，３２３ａ…ステージ上面
Ｄｔ…搬送方向
Ｆａ…（上流側）浮上量
Ｆｃ…（供給用）浮上量
Ｆｅ…（下流側）浮上量
Ｐａ…（上流側）ピッチ
Ｐｅ…（下流側）ピッチ
Ｓ…基板
Ｓｂ…（基板の）下面
Ｓｆ…（基板の）上面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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