(57)【要約】【課題】  トレンチゲートを備える半導体装置において、チャネル抵抗を低減することができる技術を提供する。【解決手段】  半導体基板が、第１トレンチと第２トレンチの間に配置されたｎ型の上面領域及びｐ型のボディ領域、ならびにｎ型のドリフト領域を有している。ボディ領域の少なくとも一部が、バルクチャネル効果が発揮されるように構成されている。ボディ領域に含まれるｐ型不純物の深さ方向の濃度が、上面領域側からドリフト領域側に向けて増加するとともに、ドリフト領域側にピークを有している。ドリフト領域が、低濃度ドリフト領域と高濃度ドリフト領域を含む。高濃度ドリフト領域は、低濃度ドリフト領域とボディ領域の間に設けられており、第１トレンチと第２トレンチの間に配置されており、低濃度ドリフト領域よりもｎ型不純物の濃度が高い。【選択図】図１
2020123607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられている第１トレンチと、
前記半導体基板の前記上面に前記第１トレンチから間隔を空けて設けられている第２トレンチと、
前記第１トレンチの内面及び前記第２トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記第１トレンチ内及び前記第２トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極と、を有しており、
前記半導体基板が、
前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に配置されているｎ型の上面領域と、
前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に配置されており、前記上面領域の下側に設けられており、前記第１トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接する位置から前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接する位置まで伸びているｐ型のボディ領域と、
前記ボディ領域の下側に配置されており、前記ボディ領域によって前記上面領域から分離されているｎ型のドリフト領域と、を有しており、
前記ボディ領域の少なくとも一部は、バルクチャネル効果が発揮されるように構成されており、
前記ボディ領域に含まれるｐ型不純物の深さ方向の濃度分布が、前記上面領域側から前記ドリフト領域側に向けて増加する部分を有するとともに、前記ドリフト領域側にピークを有しており、
前記ドリフト領域が、
低濃度ドリフト領域と、
前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に配置されており、前記低濃度ドリフト領域と前記ボディ領域の間に設けられており、前記低濃度ドリフト領域よりもｎ型不純物の濃度が高い高濃度ドリフト領域と、を含む、半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板は、炭化珪素により構成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、トレンチゲートを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、トレンチゲートを備える半導体装置が開示されている。この半導体装置は、上面にトレンチが設けられた半導体基板と、トレンチ内に配置されたゲート絶縁膜及びゲート電極を有している。ゲート電極は、ゲート絶縁膜によって半導体基板から絶縁されている。この半導体装置では、半導体基板が、ｎ型のソース領域と、ｐ型のボディ領域と、ｎ型のドリフト領域と、を有している。ソース領域は、半導体基板の上面に配置されており、ゲート絶縁膜に接している。ボディ領域は、上面領域の下側でゲート絶縁膜に接している。ドリフト領域は、ボディ領域の下側でゲート絶縁膜に接しており、ボディ領域によってソース領域から分離されている。
【０００３】
特許文献１の半導体装置がオンするときには、ゲート電極の電位をゲート閾値よりも高くする。すると、ゲート絶縁膜近傍のボディ領域にチャネルが形成される。チャネルを経由してソース領域からドリフト領域に電子が流れることにより、半導体装置がオン状態となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１５９２７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の半導体装置では、ゲート絶縁膜の近傍のみにチャネルが形成される。したがって、電子は、ボディ領域とゲート絶縁膜の界面近傍を流れる。ボディ領域とゲート絶縁膜の界面近傍を電子が流れる際に、電子が散乱される。例えば、ボディ領域とゲート絶縁膜の間の界面準位に捕捉された電荷によって電子が散乱される。また、ボディ領域とゲート絶縁膜の間の界面の粗さによって電子が散乱される。このように電子が散乱されることによって、チャネルを流れる電子の移動度が低下し、チャネル抵抗が高くなるという問題がある。本明細書は、トレンチゲートを備える半導体装置において、チャネル抵抗を低減することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
トレンチゲートを備える半導体装置では、２つの隣接するトレンチの間の間隔を狭くすることにより、半導体装置がオンするときに、ゲート絶縁膜の近傍のみならず、ゲート絶縁膜から離れた位置のボディ領域にもチャネルを形成することができる。すなわち、ボディ領域の幅を狭くすることにより、ボディ領域の広い範囲をチャネルとして機能させることができる。本明細書では、このようなチャネルをバルクチャネルといい、バルクチャネルが流れる現象をバルクチャネル効果という。バルクチャネルでは、ゲート絶縁膜から離れた位置でも電子が流れる。このため、電子は、ゲート絶縁膜とボディ領域の間の界面に起因する散乱の影響を受け難い。したがって、バルクチャネル効果を発揮させることにより、電子の移動度を向上させることができる。しかしながら、バルクチャネル効果を発揮させるためには、ボディ領域の濃度を比較的低くする必要がある。このため、半導体装置がオフのときに、ボディ領域とドリフト領域のｐｎ接合からボディ領域内に伸びる空乏層がソース領域まで達するパンチスルーが問題となる。上記の事情に鑑みて、本明細書が開示する半導体装置は、以下の構成を有する。
【０００７】
本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、第１トレンチと、第２トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を有している。前記第１トレンチは、前記半導体基板の上面に設けられている。前記第２トレンチは、前記半導体基板の前記上面に前記第１トレンチから間隔を空けて設けられている。前記ゲート絶縁膜は、前記第１トレンチの内面及び前記第２トレンチの内面を覆っている。前記ゲート電極は、前記第１トレンチ内及び前記第２トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されている。前記半導体基板が、上面領域と、ボディ領域と、ドリフト領域と、を有している。前記上面領域は、前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に配置されているｎ型領域である。前記ボディ領域は、前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に配置されており、前記上面領域の下側に設けられており、前記第１トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接する位置から前記第２トレンチ内の前記ゲート絶縁膜に接する位置まで伸びているｐ型領域である。前記ドリフト領域は、前記ボディ領域の下側に配置されており、前記ボディ領域によって前記上面領域から分離されているｎ型領域である。前記ボディ領域の少なくとも一部は、バルクチャネル効果が発揮されるように構成されている。前記ボディ領域に含まれるｐ型不純物の深さ方向の濃度分布が、前記上面領域側から前記ドリフト領域側に向けて増加する部分を有するとともに、前記ドリフト領域側にピークを有している。前記ドリフト領域が、低濃度ドリフト領域と、高濃度ドリフト領域と、を含んでいる。前記高濃度ドリフト領域は、前記第１トレンチと前記第２トレンチの間に配置されており、前記低濃度ドリフト領域と前記ボディ領域の間に設けられており、前記低濃度ドリフト領域よりもｎ型不純物の濃度が高い。
【０００８】
上記半導体装置では、前記ボディ領域の少なくとも一部が、バルクチャネル効果が発揮されるように構成されている。それに加え、上記半導体装置では、前記ボディ領域に含まれるｐ型不純物の深さ方向の濃度分布が、前記上面領域側から前記ドリフト領域側に向けて増加する部分を有するとともに、前記ドリフト領域側にピークを有している。このように、前記ボディ領域は、レトログレードと称される濃度分布を有している。このため、上記半導体装置がオフのときに、前記ボディ領域と前記ドリフト領域のｐｎ接合から前記ボディ領域内に伸びる空乏層による前記ボディ領域の空乏化が抑えられ、パンチスルーが抑制されている。
【０００９】
前記ボディ領域がレトログレードな濃度分布を有していると、前記ボディ領域に含まれる前記ｐ型不純物は、ピークから深さ方向に沿って裾を引くように広がって拡散している。このため、前記ボディ領域の前記濃度分布のうちのピークから前記ドリフト領域側に向けて広がる部分（本願明細書では、「裾引き部」という）によって、前記ボディ領域の前記深さ方向の厚みが大きくなる傾向にある。前記ボディ領域の厚みが大きくなると、チャネル抵抗を増大させてしまう。上記半導体装置の前記半導体基板には、前記高濃度ドリフト領域が設けられている。前記高濃度ドリフト領域が設けられていることにより、前記ボディ領域の前記裾引き部がｎ型に反転し、前記ボディ領域の前記裾引き部の厚みが抑えられる。このように、本願明細書が開示する半導体装置では、バルクチャネルを具現化したときの問題であるパンチスルーを抑えながら、低いチャネル抵抗を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態の半導体装置の要部断面図を模式的に示す。
【図２】本実施形態の半導体装置の半導体基板の深さ方向における濃度分布を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１に示す本実施形態の半導体装置１は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）である。半導体装置１は、半導体基板１０を有している。本実施形態では、半導体基板１０は、炭化珪素（ＳｉＣ）により構成されている。半導体基板１０の材料は、上記に限定されず、例えば、珪素（Ｓｉ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）といった各種の半導体材料であってもよい。以下では、半導体基板１０の上面１０ａに平行な一方向（図１の左右方向）をｘ方向といい、上面１０ａに平行でｘ方向に直交する方向（図１の紙面に対して垂直な方向）をｙ方向といい、ｘ方向とｙ方向の双方に直交する方向（半導体基板１０の深さ方向）をｚ方向という。
【００１２】
図１に示すように、半導体基板１０の上面１０ａには、複数のトレンチ２２が設けられている。各トレンチ２２は、ｙ方向に長く伸びている。各トレンチ２２は、ｘ方向に間隔を空けて互いに平行に伸びている。各トレンチ２２の内面は、ゲート絶縁膜２４によって覆われている。各トレンチ２２の内部には、ゲート電極２６が配置されている。ゲート電極２６は、ゲート絶縁膜２４によって半導体基板１０から絶縁されている。各ゲート電極２６の上面は、層間絶縁膜２８によって覆われている。図１の例に代えて、層間絶縁膜２８は、ゲート電極２６の上面を覆うとともに、トレンチ２２の内部に収まるように設けられていても良い。以下では、説明の便宜上、図１において左側のトレンチ２２を第１トレンチ２２ａといい、図１において右側のトレンチ２２を第２トレンチ２２ｂということがある。なお、図示されていないが、図１において、第１トレンチ２２ａの左側及び第２トレンチ２２ｂの右側には、トレンチ２２と同様のトレンチが複数形成されている。本実施形態では、各トレンチ２２の間の間隔は１００ｎｍ以下である。詳細には、図１に示すように、隣接する２つのトレンチ２２の対向する側面の間の間隔Ｗが１００ｎｍ以下である。
【００１３】
半導体基板１０の上面１０ａには、ソース電極３２が配置されている。ソース電極３２は、層間絶縁膜２８が設けられていない部分で半導体基板１０の上面１０ａに接している。ソース電極３２は、層間絶縁膜２８によってゲート電極２６から絶縁されている。半導体基板１０の下面１０ｂには、ドレイン電極３４が配置されている。ドレイン電極３４は、半導体基板１０の下面１０ｂの略全域に接している。
【００１４】
半導体基板１０の内部には、複数のソース領域１１、ボディコンタクト領域１２、ボディ領域１３、ドリフト領域１４及びドレイン領域１５が設けられている。
【００１５】
ソース領域１１は、ｎ型領域である。各ソース領域１１は、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間に配置されており、半導体基板１０の上面１０ａに露出する位置に設けられており、ソース電極３２にオーミック接触している。ソース領域１１は、第１ソース領域１１ａと第２ソース領域１１ｂを有している。第１ソース領域１１ａは、第１トレンチ２２ａの上端部において第１トレンチ２２ａ内のゲート絶縁膜２４に接している。第２ソース領域１１ｂは、第２トレンチ２２ｂの上端部において第２トレンチ２２ｂ内のゲート絶縁膜２４に接している。各ソース領域１１は、イオン注入技術を利用して、半導体基板１０の上面１０ａからｎ型不純物として窒素を導入することで形成される。なお、各ソース領域１１は、請求項に記載の上面領域の一例である。
【００１６】
ボディコンタクト領域１２は、ｐ型領域である。ボディコンタクト領域１２は、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間に配置されており、半導体基板１０の上面１０ａに露出する位置に設けられている。ボディコンタクト領域１２に含まれるｐ型不純物の濃度は、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物の濃度よりも高い。ボディコンタクト領域１２は、ソース電極３２にオーミック接触している。ボディコンタクト領域１２は、イオン注入技術を利用して、半導体基板１０の上面１０ａからｐ型不純物としてアルミニウムを導入することで形成される。
【００１７】
ボディ領域１３は、ｐ型領域である。ボディ領域１３は、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間に配置されており、各ソース領域１１の下側に設けられている。より詳細には、ボディ領域１３は、第１ソース領域１１ａと第２ソース領域１１ｂに挟まれた範囲から各ソース領域１１の下側まで伸びており、各ソース領域１１の側面及び底面に接している。さらに、ボディ領域１３は、第１トレンチ２２ａ内のゲート絶縁膜２４に接する位置から第２トレンチ２２ｂ内のゲート絶縁膜２４に接する位置まで伸びている。換言すると、ボディ領域１３は、隣り合う第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間に亘って設けられている。ボディ領域１３は、イオン注入技術を利用して、半導体基板１０の上面１０ａからｐ型不純物としてアルミニウムを導入することで形成される。後述するように、ボディ領域１３は、レトログレードと称される濃度分布を有している。
【００１８】
ドリフト領域１４は、ｎ型領域である。ドリフト領域１４は、ボディ領域１３の下側に配置されており、ボディ領域１３によってソース領域１１から分離されている。ドリフト領域１４は、高濃度ドリフト領域１４ａと低濃度ドリフト領域１４ｂを有している。
【００１９】
高濃度ドリフト領域１４ａは、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間に配置されており、低濃度ドリフト領域１４ｂとボディ領域１３の間に設けられている。高濃度ドリフト領域１４ａは、第１トレンチ２２ａ内のゲート絶縁膜２４に接する位置から第２トレンチ２２ｂ内のゲート絶縁膜２４に接する位置まで伸びている。この例では、高濃度ドリフト領域１４ａの一部が、第１トレンチ２２ａの底部及び第２トレンチ２２ｂの底部を覆っている。この例に代えて、高濃度ドリフト領域１４ａは、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間にのみ配置されていてもよい。高濃度ドリフト領域１４ａに含まれるｎ型不純物の濃度は、低濃度ドリフト領域１４ｂに含まれるｎ型不純物の濃度よりも高い。高濃度ドリフト領域１４ａは、イオン注入技術を利用して、半導体基板１０の上面１０ａからｎ型不純物として窒素を導入することで形成される。この例に代えて、高濃度ドリフト領域１４ａは、エピタキシャル成長技術を利用して、低濃度ドリフト領域１４ｂの表面から結晶成長して形成されてもよい。
【００２０】
低濃度ドリフト領域１４ｂは、ドレイン領域１５と高濃度ドリフト領域１４ａの間に配置されており、各トレンチ２２の下側に設けられている。低濃度ドリフト領域１４ｂは、エピタキシャル成長技術を利用して、ドレイン領域１５の表面から結晶成長して形成される。
【００２１】
ドレイン領域１５は、ｎ型領域である。ドレイン領域１５に含まれるｎ型不純物の濃度は、低濃度ドリフト領域１４ｂに含まれるｎ型不純物の濃度よりも高い。ドレイン領域１５は、低濃度ドリフト領域１４ｂの底面に接しており、低濃度ドリフト領域１４ｂの下側に配置されている。ドレイン領域１５は、半導体基板１０の下面１０ｂに露出している。ドレイン領域１５は、ドレイン電極３４にオーミック接触している。
【００２２】
次に、半導体装置１の動作について説明する。半導体装置１の使用時には、半導体装置１と負荷（例えば、モータ）と電源が直列に接続される。半導体装置１と負荷の直列回路に対して、電源電圧が印加される。半導体装置１のドレイン側（ドレイン電極３４）がソース側（ソース電極３２）よりも高電位となる向きで、電源電圧が印加される。本実施形態では、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間の間隔Ｗが１００ｎｍ以下となっている。すなわち、ボディ領域１３の幅が１００ｎｍ以下である。ボディ領域１３の幅が十分に狭いので、ゲート電極２６の電位を上昇させると、ゲート絶縁膜２４の近傍のみならず、ゲート絶縁膜２４から離れたボディ領域１３内にもチャネルが形成される。特に、ボディ領域１３のうちのソース領域１１側の濃度が低く調整されているので、この部分の全域にチャネル（すなわち、バルクチャネル）が形成される。半導体装置１では、このようなバルクチャネルを介してソース領域１１とドリフト領域１４が接続される。これにより、半導体装置１がオンする。
【００２３】
半導体装置１をオフするときには、ゲート電極２６にゲート閾値よりも低い電位を印加する。すると、ボディ領域１３に形成されていたチャネルが消滅し、半導体装置１がオフする。
【００２４】
図２に、半導体基板１０のｚ方向（深さ方向）におけるｎ型不純物（窒素）とｐ型不純物（アルミニウム）の濃度分布を示す。図２に示されるように、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物のｚ方向の濃度が、ソース領域１１側からドリフト領域１４側に向けて増加するとともに、ドリフト領域１４側にピークを有している。このように、ボディ領域１３は、レトログレードと称される濃度分布を有している。このため、半導体装置１では、オフのときに、ボディ領域１３と高濃度ドリフト領域１４ａのｐｎ接合からボディ領域１３側に伸びる空乏層がソース領域１１にまで達するパンチスルーが抑制されている。したがって、半導体装置１は、高い耐圧特性を有することができる。
【００２５】
図２に示されるように、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物のｚ方向のピークは、ボディ領域１３のｚ方向における中央よりもドリフト領域１４側である。このため、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物の濃度が比較的に低い範囲１３Ａが、ボディ領域１３のうちのソース領域１１側に大きく広がっている。この範囲１３Ａは、第１トレンチ２２ａと第２トレンチ２２ｂの間の間隔が１００ｎｍ以下であることと相俟って、半導体装置１がオンしたときに、バルクチャネルが形成される領域である。このように、半導体装置１では、ボディ領域１３の広範囲にバルクチャネルが形成されることから、低いチャネル抵抗が実現されている。
【００２６】
ここで、半導体装置１において、高濃度ドリフト領域１４ａが設けられていない場合を考える。図２に示されるように、ボディ領域１３がレトログレードな濃度分布を有していると、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物は、ピークから深さ方向に沿って裾を引くように広がって拡散している。特に、レトログレードな濃度分布には、ピークからドリフト領域１４側に向けて広がる裾引き部１３Ｂが存在している。高濃度ドリフト領域１４ａが設けられていない場合、この裾引き部１３Ｂもボディ領域１３の範囲となる。図２の例では、裾引き部１３Ｂの濃度が低濃度ドリフト領域１４ｂの濃度と一致する深さまでボディ領域１３が形成されることとなり、ボディ領域１３のｚ方向の厚みが大きくなる。ボディ領域１３の厚みが大きくなると、チャネル抵抗を増大させてしまう。なお、ｐ型不純物のピークを半導体基板１０の浅い位置にすれば、裾引き部１３Ｂの深さも浅くなり、ボディ領域１３の厚みを小さくすることができる。しかしながら、ｐ型不純物のピークを半導体基板１０の浅い位置にすると、ｐ型不純物の濃度が比較的に低い範囲１３Ａが小さくなり、バルクチャネルによりチャネル抵抗の低減効果が低下する。このように、ボディ領域１３がレトログレードな濃度分布を有している場合、高濃度ドリフト領域１４ａが設けられていないと、チャネル抵抗が増加するという問題がある。
【００２７】
半導体装置１では、高濃度ドリフト領域１４ａが設けられているので、ボディ領域１３の裾引き部１３Ｂがｎ型に反転しており、ボディ領域１３の厚みが抑えられている。したがって、半導体装置１では、低いチャネル抵抗が実現されている。
【００２８】
隣接するトレンチの間隔が広い従来の半導体装置では、ボディ領域のうちのゲート絶縁膜の近傍のみにチャネルが形成される。したがって、電子は、ゲート絶縁膜とボディ領域の界面近傍を流れる。この際、ゲート絶縁膜とボディ領域の間の界面準位に捕捉された電荷や、ゲート絶縁膜とボディ領域の間の界面の粗さによって電子が散乱される。その結果、チャネルを流れる電子の移動度が低下し、チャネル抵抗が高くなる。
【００２９】
これに対し、本実施形態では、ボディ領域１３の少なくとも一部にバルクチャネルが形成される。バルクチャネルでは、ゲート絶縁膜２４の近傍のボディ領域１３だけでなく、ゲート絶縁膜２４から離れた部分のボディ領域１３にも電子が流れる。ゲート絶縁膜２４から離れたボディ領域１３内では、ゲート絶縁膜２４とボディ領域１３の間の界面に起因する電子の散乱が生じない。このように、ゲート絶縁膜２４から離れた部分のボディ領域１３内では、電子の散乱が生じ難いので、電子の移動度が高い。したがって、本実施形態の半導体装置１では、バルクチャネルが形成されることにより、低いチャネル抵抗を実現することができる。
【００３０】
上述したように、半導体装置１では、バルクチャネルを具現化することにより生じ得るパンチスルーをレトログレードな濃度分布をボディ領域１３に採用することにより抑え、さらに、レトログレードな濃度分布により生じ得るチャネル抵抗の増大を高濃度ドリフト領域１４ｂの採用により抑えることができる。この結果、半導体装置１は、バルクチャネルによって得られる低チャネル抵抗という利益を好適に得ることができる。
【００３１】
上述した実施形態の半導体装置１では、高濃度ドリフト領域１４ｂが設けられていることにより、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物のピーク濃度を高くしても、裾引き部１３Ｂに起因したボディ領域１３の厚みの増大が抑えられる。換言すれば、ボディ領域１３に含まれるｐ型不純物のピーク濃度を高く設定することができるので、ゲート閾値電圧の制御性を向上させることができる。
【００３２】
また、上述した実施形態の半導体装置１では、高濃度ドリフト領域１４ｂが設けられていることにより、高濃度ドリフト領域１４ｂ内を流れる電流が面方向に拡散することができる。このため、半導体装置１では、ドリフト抵抗を低下させることができる。
【００３３】
また、上述の実施形態では、半導体装置１がＭＯＳＦＥＴである場合を説明した。しかしながら、半導体装置１は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であってもよい。
【００３４】
また、上述した実施形態の半導体装置１では、半導体基板が炭化珪素（ＳｉＣ）により構成されていた。ＳｉＣにより構成された半導体基板では、ゲート絶縁膜との界面近傍における電子の移動度が特に低い。このため、本明細書が開示するバルクチャネル型の半導体装置は、ＳｉＣにより構成された半導体基板を用いる場合、特に有用である。
【００３５】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３６】
１：トレンチゲート型半導体装置、１０：半導体基板、１０ａ：上面、１２ｂ：下面、２２ａ：第１トレンチ、２２ｂ：第２トレンチ、２４：ゲート絶縁膜、２６：ゲート電極、２８：層間絶縁膜、１１：ソース領域、１２：ボディコンタクト領域、１３：ボディ領域、１４：ドリフト領域、１４ａ：高濃度ドリフト領域、１４ｂ：低濃度ドリフト領域、１５：ドレイン領域、３２：ソース電極、３４：ドレイン電極
【図１】
2020123607.tif 000003
【図２】
2020123607.tif 000004