(57)【要約】【課題】  高分子分散型の液晶層を備える表示装置の表示品位を向上させる。【解決手段】  一実施形態における表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、前記第１基板または前記第２基板に配置された画素電極と、前記第１基板または前記第２基板に配置された共通電極と、前記液晶層に光を照射する光源と、を備えている。さらに、平面視における前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の輪郭が、前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面において楕円状である。【選択図】    図３
2020177169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、
複数の画素を含む表示領域と、
前記第１基板または前記第２基板の側面に光を照射する光源と、を備え、
前記複数の画素は、第１画素と、前記第１画素よりも前記側面に近い第２画素と、を含み、
平面視において前記画素と重畳する前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面における輪郭を評価円と定義し、前記評価円の長軸の長さを短軸の長さで割った値を評価値と定義した場合に、
前記第１画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値は、前記第２画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値よりも大きい、表示装置。
【請求項２】
前記複数の画素にそれぞれ配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向する共通電極と、を備え、
前記液晶層は、前記画素電極と前記共通電極の間の電圧に応じて、前記光源からの光を散乱する散乱状態と透明状態との間で切り替わる、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１画素と前記第２画素の間に配置された複数の画素における前記評価値は、前記第２画素から前記第１画素に近づくに連れて徐々に大きくなる、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示領域は、第１領域と、前記第１領域と前記側面の間に位置する第２領域と、を有し、
前記第１領域は、前記第１領域および前記第２領域の配列方向に並ぶ複数の前記第１画素を含み、
前記第２領域は、前記配列方向に並ぶ複数の前記第２画素を含む、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記長軸の方向は、前記光源が放つ光の光軸の方向に対応する、
請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、
複数の画素を含む表示領域と、
前記第１基板または前記第２基板の第１側面に光を照射する第１光源と、
前記第１基板または前記第２基板の前記第１側面とは反対側の第２側面に光を照射する第２光源と、を備え、
前記複数の画素は、第１画素と、前記第１画素よりも前記第１側面に近い第２画素と、前記第１画素よりも前記第２側面に近い第３画素と、を含み、
平面視において前記画素と重畳する前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面における輪郭を評価円と定義し、前記評価円の長軸の長さを短軸の長さで割った値を評価値と定義した場合に、
前記第１画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値は、前記第２画素および前記第３画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値よりも大きい、表示装置。
【請求項７】
前記複数の画素にそれぞれ配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向する共通電極と、を備え、
前記液晶層は、前記画素電極と前記共通電極の間の電圧に応じて、前記第１光源および第２光源からの光を散乱する散乱状態と透明状態との間で切り替わる、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１画素と前記第２画素の間に配置された複数の画素における前記評価値は、前記第２画素から前記第１画素に近づくに連れて徐々に大きくなり、
前記第１画素と前記第３画素の間に配置された複数の画素における前記評価値は、前記第３画素から前記第１画素に近づくに連れて徐々に大きくなる、
請求項６又は７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示領域は、第１領域と、前記第１領域と前記第１側面の間に位置する第２領域と、前記第１領域と前記第２側面の間に位置する第３領域と、を有し、
前記第１領域は、前記第１領域、前記第２領域および前記第３領域の配列方向に並ぶ複数の前記第１画素を含み、
前記第２領域は、前記配列方向に並ぶ複数の前記第２画素を含み、
前記第３領域は、前記配列方向に並ぶ複数の前記第３画素を含む、
請求項６又は７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記長軸の方向は、前記第１光源または前記第２光源が放つ光の光軸の方向に対応する、
請求項６乃至９のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光源と、画素電極および共通電極を含む一対の基板と、これら基板の間に配置された高分子分散型の液晶層と、液晶層に光を照射する光源とを備えた表示装置が知られている。例えば、高分子分散型の液晶層は、筋状のポリマーと、液晶分子とを含む。高分子分散型の液晶層を備える表示装置においては、画素電極および共通電極の間の電圧により、画素ごとに光源からの光の散乱度を制御することが可能である。
【０００３】
上記光源を一対の基板の少なくとも一方の側面に光を照射するように配置した場合、表示面内で輝度むらが生じる。すなわち、光源に近い画素と遠い画素とがいずれも同様の散乱状態にある場合に、光源に近い画素よりも遠い画素の方が低輝度となり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１５１０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、高分子分散型の液晶層を備える表示装置において、輝度むらを抑制することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態における表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、複数の画素を含む表示領域と、前記第１基板または前記第２基板の側面に光を照射する光源と、を備えている。前記複数の画素は、第１画素と、前記第１画素よりも前記側面に近い第２画素と、を含む。平面視において前記画素と重畳する前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面における輪郭を評価円と定義し、前記評価円の長軸の長さを短軸の長さで割った値を評価値と定義した場合に、前記第１画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値は、前記第２画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値よりも大きい。
【０００７】
他の実施形態に係る表示装置は、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、複数の画素を含む表示領域と、前記第１基板または前記第２基板の第１側面に光を照射する第１光源と、前記第１基板または前記第２基板の前記第１側面とは反対側の第２側面に光を照射する第２光源と、を備えている。前記複数の画素は、第１画素と、前記第１画素よりも前記第１側面に近い第２画素と、前記第１画素よりも前記第２側面に近い第３画素と、を含む。平面視において前記画素と重畳する前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面における輪郭を評価円と定義し、前記評価円の長軸の長さを短軸の長さで割った値を評価値と定義した場合に、前記第１画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値は、前記第２画素および前記第３画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１実施形態における表示装置の概略的な構成を示す平面図である。
【図２】図２は、上記表示装置が備える表示パネルに適用し得る構成の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、上記表示装置が備える液晶層の構成を説明するための概略的な断面図である。
【図４】図４は、上記表示装置に適用し得る構成の概略的な断面図である。
【図５】図５は、上記表示装置が備える第２基板の輝度分布を説明するための図である。
【図６Ａ】図６Ａは、上記液晶層に含まれるポリマーのパターンの平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａのパターンを高速フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルである。
【図７Ａ】図７Ａは、上記液晶層に含まれるポリマーのパターンの平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａのパターンを高速フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルである。
【図８Ａ】図８Ａは、上記液晶層に含まれるポリマーのパターンの平面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａのパターンを高速フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルである。
【図９Ａ】図９Ａは、上記液晶層に含まれるポリマーのパターンの平面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図９Ａのパターンを高速フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルである。
【図１０】図１０は、空間周波数スペクトルの評価円の概要を示す図である。
【図１１】図１１は、上記液晶層に印加する電圧と散乱度（輝度）との関係を表すグラフである。
【図１２】図１２は、第１実施形態におけるポリマーのパターン調整の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、上記液晶層に印加する電圧と、第１画素および第２画素の散乱度（輝度）との関係を表すグラフである。
【図１４】図１４は、第１実施形態におけるポリマーのパターン調整の他の例を示す図である。
【図１５】図１５は、第２実施形態における表示装置の構成およびポリマーのパターン調整の一例を説明するための図である。
【図１６】図１６は、第２実施形態におけるポリマーのパターン調整の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
いくつかの実施形態につき、図面を参照しながら説明する。  
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一又は類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。
【００１０】
［第１実施形態］  
図１は、第１実施形態における表示装置ＤＳＰ１の概略的な構成を示す平面図である。本実施形態において、第１方向Ｘ、第２方向Ｙおよび第３方向Ｚは互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰ１を構成する基板の主面と平行な方向に相当する。第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰ１の厚さ方向に相当する。本実施形態においては、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面を見ることを平面視という。
【００１１】
本実施形態においては、表示装置ＤＳＰ１の一例として、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ）を適用した液晶表示装置を開示する。表示装置ＤＳＰ１は、表示パネルＰＮＬと、配線基板１と、ＩＣチップ２（駆動回路）と、複数の光源ＬＳとを備えている。
【００１２】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１（アレイ基板）と、第２基板ＳＵＢ２（対向基板）と、液晶層ＬＣと、シールＳＥとを備えている。第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２は、Ｘ−Ｙ平面と平行な平板状に形成され、第３方向Ｚにおいて対向している。シールＳＥは、例えばループ状に形成され、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２を接着している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置され、シールＳＥによって封止されている。
【００１３】
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の周辺領域ＰＡとを有している。シールＳＥは、周辺領域ＰＡに配置されている。表示領域ＤＡは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸを備えている。
【００１４】
図１において拡大して示すように、各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとを備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇおよび信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、複数の画素電極ＰＥに対して共通に設けられている。液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動される。容量ＣＳは、例えば共通電極ＣＥと同電位の電極および画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００１５】
後に説明するが、走査線Ｇ、信号線Ｓ、スイッチング素子ＳＷおよび画素電極ＰＥは第１基板ＳＵＢ１に設けられ、共通電極ＣＥは第２基板ＳＵＢ２に設けられている。走査線Ｇは、周辺領域ＰＡに延出し、配線基板１あるいはＩＣチップ２と電気的に接続されている。信号線Ｓは、周辺領域ＰＡに延出し、配線基板１あるいはＩＣチップ２と電気的に接続されている。
【００１６】
配線基板１は、第１基板ＳＵＢ１の延出部Ｅｘに配置された端子と電気的に接続されている。延出部Ｅｘは、第１基板ＳＵＢ１のうち第２基板ＳＵＢ２と対向しない部分に相当する。例えば、配線基板１は、フレキシブルプリント回路基板である。ＩＣチップ２は、配線基板１に実装されている。ＩＣチップ２は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ＩＣチップ２は、延出部Ｅｘに実装されてもよい。
【００１７】
複数の光源ＬＳは、延出部Ｅｘに重畳している。これら光源ＬＳは、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。各光源ＬＳは、例えば赤色の光を放つ発光素子、緑色の光を放つ発光素子、および青色の光を放つ発光素子を含む。これら発光素子としては、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができるが、この例に限定されない。
【００１８】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬに適用し得る構成の一例を示す断面図である。第１基板ＳＵＢ１は、第１透明基材１０と、絶縁膜１１，１２と、容量電極１３と、第１配向膜１４と、スイッチング素子ＳＷと、画素電極ＰＥとを備えている。第１透明基材１０は、第１面１０Ａと、第１面１０Ａの反対側の第２面１０Ｂとを有している。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、第２面１０Ｂ側に配置されている。絶縁膜１１は、スイッチング素子ＳＷを覆っている。図２においてはスイッチング素子ＳＷを簡略化しているが、実際にはスイッチング素子ＳＷは半導体層や各種の電極を含む。また、図１に示した走査線Ｇおよび信号線Ｓは、第１透明基材１０と絶縁膜１１との間に配置されているが、図２においては図示を省略している。容量電極１３は、絶縁膜１１，１２の間に配置されている。画素電極ＰＥは、絶縁膜１２と第１配向膜１４との間において、画素ＰＸごとに配置されている。画素電極ＰＥは、容量電極１３の開口部ＯＰを介してスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、容量電極１３と対向し、上述の容量ＣＳを形成している。第１配向膜１４は、画素電極ＰＥを覆っている。
【００２０】
第２基板ＳＵＢ２は、第２透明基材２０と、遮光層２１と、オーバーコート層２２と、第２配向膜２３と、共通電極ＣＥとを備えている。第２透明基材２０は、第１基板ＳＵＢ１に対向する第１面２０Ａと、第１面２０Ａの反対側の第２面２０Ｂとを有している。
【００２１】
遮光層２１および共通電極ＣＥは、第１面２０Ａ側に配置されている。例えば、遮光層２１は、スイッチング素子ＳＷ、走査線Ｇおよび信号線Ｓと対向している。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置され、第３方向Ｚにおいて複数の画素電極ＰＥと対向している。また、共通電極ＣＥは、遮光層２１を覆っている。共通電極ＣＥは、容量電極１３と同電位である。オーバーコート層２２は、共通電極ＣＥを覆っている。第２配向膜２３は、オーバーコート層２２を覆っている。液晶層ＬＣは、第１配向膜１４および第２配向膜２３の間に配置され、これら配向膜１４，２３に接している。
【００２２】
第１透明基材１０および第２透明基材２０は、例えばガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。絶縁膜１１は、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物またはアクリル樹脂などの透明な絶縁材料によって形成されている。一例では、絶縁膜１１は、無機絶縁膜および有機絶縁膜を含んでいる。絶縁膜１２は、例えばシリコン窒化物などの無機絶縁膜である。容量電極１３、画素電極ＰＥおよび共通電極ＣＥは、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電材料によって形成された透明電極である。第１配向膜１４および第２配向膜２３は、Ｘ−Ｙ平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜である。配向規制力は、ラビング処理により付与されてもよいし、光配向処理により付与されてもよい。
【００２３】
なお、表示パネルＰＮＬの構成は、図１および図２の例に限定されない。例えば、第１基板ＳＵＢ１は、容量電極１３を備えなくてもよい。また、第２基板ＳＵＢ２は、遮光層２１を備えなくてもよい。
【００２４】
図３は、液晶層ＬＣの構成例を説明するための、表示パネルＰＮＬの概略的な断面図である。本実施形態において、液晶層ＬＣは、筋状（ネットワーク状）のポリマー３０と、液晶分子３１とを有している。一例では、ポリマー３０は、液晶性ポリマーである。液晶分子３１は、ポリマー３０の隙間に分散されている。図３に示すように、ポリマー３０に接続されたモノマー３２が存在してもよい。
【００２５】
このような液晶層ＬＣは、例えば第１配向膜１４および第２配向膜２３の間に液晶モノマーを注入し、これら配向膜１４，２３の配向規制力により所定方向に配向された液晶モノマーに対して紫外光を照射することで得られる。すなわち、紫外光により液晶モノマーが高分子化され、筋状のポリマー３０が形成される。
【００２６】
ポリマー３０および液晶分子３１の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー３０の電界に対する応答性は、液晶分子３１の電界に対する応答性より低い。例えば、ポリマー３０の配向方向は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間の電界にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子３１の配向方向は、当該電界に応じて変化する。
【００２７】
図３において、実線で示す液晶分子３１は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差が無い場合（電界が形成されていない場合）の配向状態を表している。また、破線で示す液晶分子３１は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥの間に電位差が有る場合（電界が形成されている場合）の配向状態を表している。
【００２８】
液晶層ＬＣに電界が作用していないか、あるいは当該電界が極めて弱い状態においては、ポリマー３０および液晶分子３１のそれぞれの光軸は互いに略平行となる。したがって、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内でほとんど散乱されることなく透過する。以下、このような状態を透明状態と呼ぶ。また、透明状態を実現するための画素電極ＰＥの電圧を透明電圧と呼ぶ。透明電圧は、共通電極ＣＥに印加される共通電圧と同じであってもよいし、共通電圧と僅かに異なる電圧であってもよい。
【００２９】
一方、液晶層ＬＣに十分な電界が作用している状態では、ポリマー３０および液晶分子３１のそれぞれの光軸は互いに交差する。したがって、液晶層ＬＣに入射した光は、液晶層ＬＣ内で散乱される。以下、このような状態を散乱状態と呼ぶ。また、散乱状態を実現するための画素電極ＰＥの電圧を散乱電圧と呼ぶ。散乱電圧は、透明電圧よりも共通電極ＣＥとの電位差が大きくなるような電圧である。
【００３０】
図４は、表示装置ＤＳＰ１に適用し得る構成の一例を示す概略的な断面図である。光源ＬＳは、延出部Ｅｘに配置され、第２基板ＳＵＢ２の側面と対向している。ただし、光源ＬＳは、延出部Ｅｘ以外に配置されてもよい。また、光源ＬＳは、第１基板ＳＵＢ１の側面に対向してもよいし、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２の双方の側面に対向してもよい。
【００３１】
図４に示すように、光源ＬＳが放つ光Ｌ１は、第２基板ＳＵＢ２の側面に照射される。当該側面から表示パネルＰＮＬの内部に入った光Ｌ１は、表示パネルＰＮＬの内部を伝播する。透明電圧が印加されている画素電極ＰＥ（図４中のＯＦＦ）の近傍においては、光Ｌ１が液晶層ＬＣでほとんど散乱されない。そのため、光Ｌ１は、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２からほとんど漏れ出すことはない。
【００３２】
一方、散乱電圧が印加されている画素電極ＰＥ（図４中のＯＮ）の近傍においては、光Ｌ１が液晶層ＬＣで散乱される。この散乱光は、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２から出射し、表示画像として視認される。散乱電圧を所定範囲で段階的に規定することにより、散乱度（輝度）の階調表現を実現することも可能である。
【００３３】
なお、透明電圧が印加されている画素電極ＰＥの近傍において、第１基板ＳＵＢ１または第２基板ＳＵＢ２に入射する外光Ｌ２は、ほとんど散乱されることなくこれら基板を透過する。すなわち、第２基板ＳＵＢ２側から表示パネルＰＮＬを見た場合には第１基板ＳＵＢ１側の背景が視認可能であり、第１基板ＳＵＢ１側から表示パネルＰＮＬを見た場合には第２基板ＳＵＢ２側の背景が視認可能である。
【００３４】
以上のような構成の表示装置ＤＳＰ１は、例えばフィールドシーケンシャル方式にて駆動することができる。この方式においては、１つのフレーム期間が複数のサブフレーム期間（フィールド）を含む。例えば、光源ＬＳが赤色、緑色および青色の発光素子を含む場合、１つのフレーム期間には、赤色、緑色および青色のサブフレーム期間が含まれる。
【００３５】
赤色のサブフレーム期間においては、赤色の発光素子が点灯するとともに、赤色の画像データに応じた電圧が各画素電極ＰＥに印加される。これにより、赤色の画像が表示される。緑色および青色のサブフレーム期間においても同様に、それぞれ緑色および青色の発光素子が点灯するとともに、それぞれ緑色および青色の画像データに応じた電圧が各画素電極ＰＥに印加される。これにより、緑色および青色の画像が表示される。このように時分割で表示される赤色、緑色および青色の画像は、互いに合成されて多色表示の画像として観察者に視認される。
【００３６】
なお、液晶層ＬＣは、共通電圧と同程度の電圧が画素電極ＰＥに印加されている場合に散乱状態となり、共通電圧と十分に異なる電圧が画素電極ＰＥに印加されている場合に透明状態となる構成を有してもよい。また、表示装置ＤＳＰ１は、単色の画像を表示する構成を有してもよい。
【００３７】
図４に示すように、第２基板ＳＵＢ２の上面（第２面２０Ｂ）に例えばガラスで形成されたカバー部材４０が配置されてもよい。この場合において、光源ＬＳは、カバー部材４０の側面に対向しなくてもよいし、対向してもよい。光源ＬＳからの光がカバー部材４０の内部を伝播してもよい。
【００３８】
さらに、カバー部材４０の上面に第１光学機能層４１が設けられ、第１基板ＳＵＢ１の下面（第１面１０Ａ）に第２光学機能層４２が設けられてもよい。これら光学機能層４１，４２としては、例えば紫外光吸収層または反射防止層を適用し得る。紫外光吸収層を適用した場合、紫外光による液晶層ＬＣの劣化を抑制できる。反射防止層を適用した場合、外光の反射を抑制して、画像または背景の視認性を高めることができる。光学機能層４１，４２は、紫外光吸収層および反射防止層の双方を含んでもよい。
【００３９】
図５は、第２基板ＳＵＢ２における輝度分布を説明するための図である。図５中の上方に第２基板ＳＵＢ２および光源ＬＳの概略的な平面図を示し、下方に第２方向Ｙにおける位置ｙに応じた輝度分布を示している。
【００４０】
第２基板ＳＵＢ２は、第１側面ＳＦ１と、第１側面ＳＦ１の反対側の第２側面ＳＦ２とを有している。各光源ＬＳは、第１側面ＳＦ１に対向している。光源ＬＳは、光軸ＡＸを中心とした拡散光を第１側面ＳＦ１に照射する。光軸ＡＸは、例えば第２方向Ｙと平行である。
【００４１】
図５中の輝度分布は、全ての画素ＰＸの画素電極ＰＥに所定の散乱電圧を印加した場合のものに相当する。なお、本実施形態においては後述するように各画素ＰＸと重畳するポリマー３０の形状が異なるが、図５の輝度分布は各画素ＰＸと重畳するポリマー３０の形状が一様である場合を想定した比較例である。
【００４２】
光源ＬＳからの光は、走査線Ｇ、信号線Ｓ、遮光層２１、絶縁膜１１，１２などによる吸収や、第１側面ＳＦ１に近い画素ＰＸによる散乱により、第２側面ＳＦ２に近づくに連れて弱くなる。これにより、画素ＰＸの輝度も、図示したように第２側面ＳＦ２に近づくに連れて低下する。このような輝度むらが生じると、表示装置ＤＳＰ１の表示品位が低下する。
【００４３】
発明者は、画素ＰＸの散乱度がポリマー３０の形状に依存することを見出した。すなわち、光が入射する第１側面ＳＦ１からの距離に応じてポリマー３０の形状を適正化することにより、輝度むらを改善することが可能となる。ポリマー３０の形状は、例えばポリマー３０の平面視におけるパターンを２次元フーリエ変換（例えば高速フーリエ変換：ＦＦＴ）することにより解析できる。
【００４４】
２次元フーリエ変換は、パターンを構成する画素値からなる空間領域を、空間周波数領域に変換する処理である。すなわち、ポリマー３０の平面視におけるパターンは、水平方向と垂直方向の周波数成分を有する。２次元フーリエ変換においては、当該パターンを水平方向および垂直方向にフーリエ変換し、その結果に基づいて水平方向および垂直方向の周波数成分に対する振幅の分布を表す周波数スペクトルを得る。以下、いくつかのポリマー３０のパターンと、これらパターンを２次元フーリエ変換することで得られる周波数スペクトルとを例示する。
【００４５】
図６Ａ〜図９Ａは、ポリマー３０の平面視におけるパターンを拡大して示す模式図である。いずれのパターンにおいても、白色の部分がポリマー３０に相当する。図６Ｂ〜図９Ｂは、それぞれ顕微鏡にて撮影されたポリマー３０の拡大写真に基づいて高速フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルである。図６Ｂ〜図９Ｂにおいて、横軸は第１周波数成分Ｆｈ（水平周波数成分）であり、縦軸は第２周波数成分Ｆｖ（垂直周波数成分）である。例えば、第１周波数成分Ｆｈおよび第２周波数成分Ｆｖの一方が第１方向Ｘにおける周波数成分であり、他方が第２方向Ｙにおける周波数成分である。ただし、これら周波数成分Ｆｈ，Ｆｖの方向は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに限られない。第１周波数成分Ｆｈの軸と第２周波数成分Ｆｖの軸とが交差する点が（Ｆｖ，Ｆｈ）＝（０，０）であり、この点から離れるほど高周波数となる。各周波数成分（Ｆｈ，Ｆｖ）における振幅は、色の濃淡で表されている。
【００４６】
例えば、ポリマー３０のパターンは、重合前の液晶層ＬＣの特性、重合時における紫外光の露光条件、あるいは重合後の熱処理における条件などを変更することにより調整可能である。これらを適切に調整することで、所望のパターンのポリマー３０を実現できる。
【００４７】
図６Ａ〜図９Ａのようなパターンは、例えば顕微鏡にてポリマー３０の拡大写真を撮影し、この写真を所定の閾値にて２値化することにより作成できる。図６Ｂ〜図９Ｂの空間周波数スペクトルを得るための高速フーリエ変換は、例えば、１つの画素ＰＸに対応する領域におけるポリマー３０のパターンに対して施せばよい。この領域のサイズ（１つの画素ＰＸのサイズ）は、例えば２００μｍ×２００μｍあるいは１００μｍ×１００μｍであるが、より小さいサイズまたは大きいサイズであってもよい。
【００４８】
図６Ａ〜図９Ａには、上述の各配向膜１４，２３の配向規制力が働く配向規制方向Ｒ（例えば各配向膜１４，２３に対するラビング方向）および配向規制方向Ｒと直交する直交方向Ｐを矢印にて示している。図６Ｂ〜図９Ｂにも、各周波数成分Ｆｈ，Ｆｖで規定されるＦｈ−Ｆｖ平面において配向規制方向Ｒおよび直交方向Ｐに対応する方向を矢印にて示している。
【００４９】
図６Ｂ〜図９Ｂには、空間周波数スペクトルを定量的に評価するための評価円ＣＲを示している。図１０は、評価円ＣＲの概要を説明するための図である。評価円ＣＲを定めるに際しては、先ず、空間周波数スペクトルにおいて、振幅の最大値の７５％以上のスペクトルをＦｈ−Ｆｖ平面にプロットする。そして、（Ｆｖ，Ｆｈ）＝（０，０）の原点Ｏを通るあらゆる方向において、最も高周波数となるプロット（最も原点Ｏから遠いプロット）を繋ぐことにより得られた円を、評価円ＣＲとする。このような評価円ＣＲは、Ｆｈ−Ｆｖ平面において、振幅が最大値の７５％以上となる領域の輪郭に相当する。評価円ＣＲは、正円形の場合もあるし、楕円形の場合もある。上記輪郭が正確な正円形または楕円形とならない場合、評価円ＣＲは、当該輪郭を正円形または楕円形に近似したものであってもよい。評価円ＣＲが楕円形の場合、その長軸をＬＸ、短軸をＳＸと定義する。
【００５０】
図６Ａのパターンにおいては、ポリマー３０があらゆる方向において不規則に分布している。したがって、図６Ｂのように、空間周波数スペクトルは等方的となる。この場合の評価円ＣＲは、略正円形である。
【００５１】
図７Ａのパターンにおいては、ポリマー３０が配向規制方向Ｒに延びるとともに、直交方向Ｐに並んでいる。このようなパターンの空間周波数スペクトルは、図７Ｂのように、配向規制方向Ｒにおけるスペクトルの幅が小さく、直交方向Ｐにおけるスペクトルの幅が大きくなる。したがって、評価円ＣＲは楕円形となる。
【００５２】
図８Ａおよび図９Ａのパターンにおいては、ポリマー３０の直交方向Ｐにおけるピッチが図７Ａのパターンよりも小さい。この場合の評価円ＣＲも楕円形となるが、図８Ｂおよび図９Ｂのように直交方向Ｐにおけるスペクトルの幅が大きくなるため、評価円ＣＲの長軸ＬＸが図７Ａに比べて長くなる。
【００５３】
図８Ａおよび図９Ａのパターンにおいて、ポリマー３０の直交方向Ｐにおけるピッチは同等である。ただし、図８Ａのパターンではポリマー３０が連続的に配向規制方向Ｒに延びているのに対し、図９Ａのパターンではポリマー３０が断続的に配向規制方向Ｒに延びている。この影響により、図９Ｂの空間周波数スペクトルは、配向規制方向Ｒにおける幅が大きくなる。したがって、図９Ｂの評価円ＣＲの短軸ＳＸは、図８Ｂの評価円ＣＲの短軸ＳＸよりも長くなる。
【００５４】
このように、平面視におけるポリマー３０のパターンの特徴は、評価円ＣＲに表れる。本実施形態においては、評価円ＣＲにおける長軸ＬＸの長さを短軸ＳＸの長さで割った値（ＬＸ／ＳＸ）を、ポリマー３０のパターンの評価値として用いる。一例として、図６Ｂの評価円ＣＲの評価値は１．０であり、図７Ｂの評価円ＣＲの評価値は２．０であり、図８Ｂの評価円ＣＲの評価値は２．８であり、図９Ｂの評価円ＣＲの評価値は２．４である。
【００５５】
電圧が印加された液晶層ＬＣの散乱度を高める観点から、筋状のポリマー３０が延出する方向と、光源ＬＳが放つ光の光軸ＡＸ（図５参照）の方向とが平面視において直交することが好ましい。このようなポリマー３０を実現するには、各配向膜１４，２３の配向規制方向Ｒを、光軸ＡＸに直交する方向（本実施形態では第１方向Ｘ）と平行にすればよい。なお、ポリマー３０が延出する方向と光軸ＡＸの方向とが一致する場合、図７Ｂ〜図９Ｂに示した空間周波数スペクトルにおいては、長軸ＬＸの方向が光軸ＡＸの方向に対応することになる。
【００５６】
続いて、評価値と液晶層ＬＣの特性との関係について説明する。図１１は、液晶層ＬＣに印加する電圧と、液晶層ＬＣの散乱度（輝度）との関係を表すグラフである。ここでは、評価値（ＬＸ／ＳＸ）が１．９、２．７および４．４である場合の電圧−散乱度特性の曲線を示している。
【００５７】
３つの曲線から分かるように、液晶層ＬＣの散乱度は、電圧が大きくなるに連れて上昇し、電圧が十分に大きくなると飽和する。散乱度が上昇する領域において３つの曲線を比較すると、同じ電圧でも評価値が大きいと散乱度が高くなることが分かる。これは、例えば図６Ａに示すようにポリマー３０のパターンが不規則であると液晶分子３１の動きがポリマー３０により阻害されるのに対し、図７Ａ〜図９Ａのようにポリマー３０のパターンが規則的であると液晶分子３１の動きがポリマー３０の影響を受けにくくなるためと考えられる。
【００５８】
以上の検討から、液晶層ＬＣにおけるポリマー３０のパターンをＸ−Ｙ平面内で調整することにより、Ｘ−Ｙ平面における液晶層ＬＣの散乱度を制御できる。すなわち、Ｘ−Ｙ平面内での散乱度の変化が図５に示す輝度傾斜を打ち消せば、表示画像の輝度むらを抑制できる。一例として、ポリマー３０の一様でないパターンは、液晶層ＬＣを形成する際に照射する紫外光の露光条件、例えば露光量を、Ｘ−Ｙ平面内の位置に応じて変化させることにより実現できる。
【００５９】
図１２は、ポリマー３０のパターン調整の一例を示す図である。表示装置ＤＳＰ１の複数の画素ＰＸは、第１画素ＰＸ１と、第２画素ＰＸ２とを含む。第２画素ＰＸ２は、第１画素ＰＸ１よりも第１側面ＳＦ１に近い位置にある。第１側面ＳＦ１は、上述のように光源ＬＳからの拡散光が照射される入射面である。
【００６０】
第１画素ＰＸ１と重畳するポリマー３０の評価値（ＬＸ／ＳＸ）はＱ１であり、第２画素ＰＸ２と重畳するポリマー３０の評価値はＱ２である。本実施形態においては、評価値Ｑ１が評価値Ｑ２よりも大きい（Ｑ１＞Ｑ２）。
【００６１】
図１３は、液晶層ＬＣに印加する電圧と、第１画素ＰＸ１および第２画素ＰＸ２の散乱度（輝度）との関係を表すグラフである。Ｑ１＞Ｑ２の関係が成立するため、第１画素ＰＸ１の散乱度は第２画素ＰＸ２に比べて低い電圧から上昇する。したがって、各画素ＰＸ１，ＰＸ２の散乱度が飽和する前の所定電圧Ｖｘにおいては、第１画素ＰＸ１の散乱度Ｄ１が第２画素ＰＸ２の散乱度Ｄ２よりも大きい（Ｄ１＞Ｄ２）。
【００６２】
所定電圧Ｖｘは、例えば画素ＰＸの階調表現の最大値となる電圧である。仮に図５の輝度分布において第１画素ＰＸ１の位置の輝度と第２画素ＰＸ２の位置の輝度との比が４：１０であるとすると、Ｄ１：Ｄ２＝１０：４であることが好ましい。これにより、各画素ＰＸ１，ＰＸ２の位置における輝度差を打ち消すことができる。ただし、輝度差が完全に打ち消されなくても、輝度差が縮小されれば表示品位改善の効果が得られる。
【００６３】
ここまでは２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２に着目したが、第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の間に配置された複数の画素ＰＸの評価値は、第２画素ＰＸ２から第１画素ＰＸ１に近づくに連れて徐々に大きくなることが好ましい。
【００６４】
さらには、表示領域ＤＡに含まれる各画素ＰＸの評価値は、第１側面ＳＦ１から第２側面ＳＦ２に向かうに連れて徐々に大きくなることが好ましい。これにより、図５に示すように第１側面ＳＦ１から第２側面ＳＦ２に向かうに連れて徐々に減少する輝度傾斜が全体的に打ち消され、表示領域ＤＡの全体に亘ってシームレスに輝度むらを抑制できる。一例として、第１側面ＳＦ１に最も近い画素ＰＸの評価値を約１．０とし、第２側面ＳＦ２に最も近い画素ＰＸの評価値を約３．０としてもよい。
【００６５】
第１方向Ｘに並ぶ複数の画素ＰＸは、第１側面ＳＦ１からの距離（あるいは光源ＬＳからの距離）が同じである。そこで、第１方向Ｘに並ぶ複数の画素ＰＸについては、評価値が同じであってもよい。
【００６６】
なお、評価値が１．０の場合、液晶分子３１の動きがポリマー３０で抑制され過ぎてしまい、電圧に対する良好な応答特性が得られない可能性がある。そこで、全ての画素ＰＸの評価値を１．０より大きく（例えば１．１以上）してもよい。
【００６７】
図１４は、ポリマー３０のパターン調整の他の例を示す図である。この例において、表示領域ＤＡは、第２側面ＳＦ２から第１側面ＳＦ１に向けて順に並ぶ第１〜第ｎ領域Ａ１〜Ａｎ（ｎは２以上の整数）を有している。
【００６８】
第１領域Ａ１は、評価値がＱ１である複数の第１画素ＰＸ１を含む。第２領域Ａ２は、評価値がＱ２である複数の第２画素ＰＸ２を含む。第３〜第ｎ領域Ａ３〜Ａｎも同様に、それぞれ評価値がＱ３〜Ｑｎである複数の画素ＰＸを含む。第１〜第ｎ領域Ａ１〜Ａｎにおいては、少なくとも２つの画素ＰＸが、これら領域Ａ１〜Ａｎの配列方向（第２方向Ｙ）に並んでいる。
【００６９】
評価値Ｑ１〜Ｑｎにおいては、評価値Ｑ１が最も大きく、評価値Ｑｎが最も小さい。評価値Ｑ２〜Ｑｎ−１は、評価値Ｑ１からＱｎに向けて徐々に小さくなる（Ｑ１＞Ｑ２＞Ｑ３…＞Ｑｎ）。このように、複数の画素ＰＸを含む領域ごとにポリマー３０のパターンを調整した場合であっても、図５に示すように第１側面ＳＦ１から第２側面ＳＦ２に向かうに連れて徐々に減少する輝度傾斜が打ち消され、表示領域ＤＡの輝度むらを抑制できる。
【００７０】
以上の本実施形態によれば、同じ電圧が印加された場合に散乱度が異なる複数種類の画素ＰＸを表示パネルＰＮＬが備えるために、光源ＬＳからの距離に応じて生じ得る輝度傾斜を緩和して良好な表示品位を得ることができる。
【００７１】
さらに、本実施形態のように光源ＬＳに近い画素ＰＸの散乱度を下げる場合には、光源ＬＳに近い画素ＰＸで散乱される光が減るため、光源ＬＳから遠い画素ＰＸに光が到達しやすくなる。したがって、図５に示した輝度傾斜自体を緩和させる効果も期待できる。  
その他にも、本実施形態からは種々の好適な効果を得ることができる。
【００７２】
［第２実施形態］  
第２実施形態について説明する。ここでは主に第１実施形態との相違点に着目し、第１実施形態と同様の構成については適宜説明を省略する。
【００７３】
図１５は、第２実施形態における表示装置ＤＳＰ２の構成を説明するための図である。図１５中の上方に第２基板ＳＵＢ２および光源ＬＳの概略的な平面図を示し、下方に第２方向Ｙにおける位置ｙに応じた輝度分布を示している。
【００７４】
本実施形態において、表示装置ＤＳＰ２は、複数の第１光源ＬＳ１と、複数の第２光源ＬＳ２とを備えている。複数の第１光源ＬＳ１は、第２基板ＳＵＢ２の第１側面ＳＦ１に対向し、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。複数の第２光源ＬＳ２は、第２基板ＳＵＢ２の第２側面ＳＦ２に対向し、第１方向Ｘに沿って間隔をおいて並んでいる。第１光源ＬＳ１の数と第２光源ＬＳ２の数は、同じであってもよいし、異なってもよい。各光源ＬＳ１，ＬＳ２は、第１基板ＳＵＢ１の側面に対向してもよいし、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２の双方の側面に対向してもよい。
【００７５】
第１光源ＬＳ１は、光軸ＡＸ１を中心とした拡散光を第１側面ＳＦ１に照射する。第２光源ＬＳ２は、光軸ＡＸ２を中心とした拡散光を第２側面ＳＦ２に照射する。光軸ＡＸ１，ＡＸ２は、例えば第２方向Ｙと平行である。第１実施形態と同じく、筋状のポリマー３０が延出する方向と、光軸ＡＸ１，ＡＸ２の方向とが平面視において直交することが好ましい。この場合、ポリマー３０のパターンの空間周波数スペクトルにおいては、長軸ＬＸの方向が光軸ＡＸ１，ＡＸ２の方向に対応することになる。
【００７６】
第１光源ＬＳ１および第２光源ＬＳ２は、例えば赤色の光を放つ発光素子、緑色の光を放つ発光素子、および青色の光を放つ発光素子を含む。これら発光素子としては、例えば発光ダイオードを用いることができる。
【００７７】
図１５中の輝度分布ＢＤ１は、各第１光源ＬＳ１を点灯するとともに各第２光源ＬＳ２を消灯し、全ての画素ＰＸの画素電極ＰＥに所定の散乱電圧を印加した場合のものに相当する。また、輝度分布ＢＤ２は、各第２光源ＬＳ２を点灯するとともに各第１光源ＬＳ１を消灯し、全ての画素ＰＸの画素電極ＰＥに所定の散乱電圧を印加した場合のものに相当する。
【００７８】
輝度分布ＢＤｘは、各第１光源ＬＳ１および各第２光源ＬＳ２を点灯し、全ての画素ＰＸの画素電極ＰＥに所定の散乱電圧を印加した場合のものに相当する。例えば、輝度分布ＢＤｘは、輝度分布ＢＤ１，ＢＤ２の合計である。図１５の例においては、例えば表示領域ＤＡの第２方向Ｙにおける中心ＣＬにおいて合計輝度が低下している。なお、輝度分布ＢＤ１，ＢＤ２，ＢＤｘは、各画素ＰＸと重畳するポリマー３０の形状が一様である場合を想定した、本実施形態との比較例である。
【００７９】
表示領域ＤＡに配置される複数の画素ＰＸは、第１画素ＰＸ１と、第２画素ＰＸ２と、第３画素ＰＸ３とを含む。第１画素ＰＸ１は、例えば中心ＣＬに位置する。第２画素ＰＸ２は、第１画素ＰＸ１よりも第１側面ＳＦ１に近い位置にある。第３画素ＰＸ３は、第１画素ＰＸ１よりも第２側面ＳＦ２に近い位置にある。
【００８０】
第１画素ＰＸ１と重畳するポリマー３０の評価値（ＬＸ／ＳＸ）はＱ１であり、第２画素ＰＸ２と重畳するポリマー３０の評価値はＱ２であり、第３画素ＰＸ３と重畳するポリマー３０の評価値はＱ３である。
【００８１】
輝度分布ＢＤｘを打ち消すには、評価値Ｑ１を評価値Ｑ２，Ｑ３よりも大きくすればよい（Ｑ１＞Ｑ２，Ｑ３）。評価値Ｑ１〜Ｑ３の具体的な値は、所定電圧（例えば階調表現の最大値となる電圧）を画素ＰＸ１〜ＰＸ３に印加した際の輝度が同等となるように定めることが好ましい。ただし、輝度差が完全に打ち消されなくても、輝度差が縮小されれば表示品位改善の効果が得られる。
【００８２】
第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２の間に配置された複数の画素ＰＸの評価値は、第２画素ＰＸ２から第１画素ＰＸ１に近づくに連れて徐々に大きくなることが好ましい。同様に、第１画素ＰＸ１と第３画素ＰＸ３の間に配置された複数の画素ＰＸの評価値は、第３画素ＰＸ３から第１画素ＰＸ１に近づくに連れて徐々に大きくなることが好ましい。
【００８３】
他の観点からいうと、表示領域ＤＡに含まれる各画素ＰＸの評価値は、第１側面ＳＦ１および第２側面ＳＦ２から中心ＣＬに向かうに連れて徐々に大きくなることが好ましい。これにより、輝度分布ＢＤｘが全体的に打ち消され、表示領域ＤＡの全体に亘ってシームレスに輝度むらを抑制できる。一例として、各側面ＳＦ１，ＳＦ２にそれぞれ最も近い画素ＰＸの評価値を約１．０とし、中心ＣＬに最も近い画素ＰＸにおける評価値を約３．０としてもよい。第１実施形態にて述べた通り、全ての画素ＰＸの評価値を１．０超過（例えば１．１以上）としてもよい。
【００８４】
第１方向Ｘに並ぶ複数の画素ＰＸは、第１側面ＳＦ１および第２側面ＳＦ２からの距離（あるいは光源ＬＳ１，ＬＳ２からの距離）が同じである。そこで、第１方向Ｘに並ぶ複数の画素ＰＸについては、評価値が同じであってもよい。
【００８５】
図１６は、ポリマー３０のパターン調整の他の例を示す図である。この例において、表示領域ＤＡは、中心ＣＬと重畳する中央領域Ｃと、中心ＣＬから第１側面ＳＦ１に向けて順に並ぶ領域Ａ１〜Ａｍ（ｍは２以上の整数）と、中心ＣＬから第２側面ＳＦ２に向けて順に並ぶ領域Ｂ１〜Ｂｎ（ｎは２以上の整数）とを有している。
【００８６】
中央領域Ｃは、評価値がＱ１である複数の画素ＰＸ１を含む。領域Ａ１〜Ａｍは、それぞれ評価値がＱ２１〜Ｑ２ｍである複数の画素ＰＸ２１〜ＰＸ２ｍを含む。領域Ｂ１〜Ｂｎは、それぞれ評価値がＱ３１〜Ｑ３ｎである複数の画素ＰＸ３１〜ＰＸ３ｎを含む。領域Ｃ，Ａ１〜Ａｍ，Ｂ１〜Ｂｎにおいては、少なくとも２つの画素ＰＸが、これら領域Ｃ，Ａ１〜Ａｍ，Ｂ１〜Ｂｎの配列方向（第２方向Ｙ）に並んでいる。
【００８７】
例えば、評価値Ｑ２１〜Ｑ２ｍは、評価値Ｑ２１からＱ２ｍに向けて徐々に小さくなる（Ｑ２１＞Ｑ２２＞Ｑ２３…＞Ｑ２ｍ）。また、評価値Ｑ３１〜Ｑ３ｎは、評価値Ｑ３１からＱ３ｎに向けて徐々に小さくなる（Ｑ３１＞Ｑ３２＞Ｑ３３…＞Ｑ３ｎ）。また、評価値Ｑ１は、評価値Ｑ２１，Ｑ３１よりも大きい（Ｑ１＞Ｑ２１，Ｑ３１）。
【００８８】
このように、複数の画素ＰＸを含む領域ごとにポリマー３０のパターンを調整した場合であっても、図１５に示すような輝度分布ＢＤｘが打ち消され、表示領域ＤＡの輝度むらを抑制できる。
【００８９】
以上の本実施形態によれば、２つの側面ＳＦ１，ＳＦ２に沿って光源ＬＳ１，ＬＳ２が配置された表示装置ＤＳＰ２において、光源ＬＳ１，ＬＳ２からの距離に応じて生じ得る輝度傾斜を緩和して良好な表示品位を得ることができる。その他、本実施形態は、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００９０】
以上、本発明の実施形態として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００９１】
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変形例に想到し得るものであり、それら変形例についても本発明の範囲に属するものと解される。例えば、上述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００９２】
また、各実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について、本明細書の記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【００９３】
以下に、本実施形態から得られる表示装置を例示する。  
［１］
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、
複数の画素を含む表示領域と、
前記第１基板または前記第２基板の側面に光を照射する光源と、を備え、
前記複数の画素は、第１画素と、前記第１画素よりも前記側面に近い第２画素と、を含み、
平面視において前記画素と重畳する前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面における輪郭を評価円と定義し、前記評価円の長軸の長さを短軸の長さで割った値を評価値と定義した場合に、
前記第１画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値は、前記第２画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値よりも大きい、表示装置。
［２］
前記複数の画素にそれぞれ配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向する共通電極と、を備え、
前記液晶層は、前記画素電極と前記共通電極の間の電圧に応じて、前記光源からの光を散乱する散乱状態と透明状態との間で切り替わる、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］
前記第１画素と前記第２画素の間に配置された複数の画素における前記評価値は、前記第２画素から前記第１画素に近づくに連れて徐々に大きくなる、
上記［１］又は［２］に記載の表示装置。
［４］
前記表示領域は、第１領域と、前記第１領域と前記側面の間に位置する第２領域と、を有し、
前記第１領域は、前記第１領域および前記第２領域の配列方向に並ぶ複数の前記第１画素を含み、
前記第２領域は、前記配列方向に並ぶ複数の前記第２画素を含む、
上記［１］又は［２］に記載の表示装置。
［５］
前記長軸の方向は、前記光源が放つ光の光軸の方向に対応する、
上記［１］乃至［４］のうちいずれか１項に記載の表示装置。
［６］
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、筋状のポリマーおよび液晶分子を含む液晶層と、
複数の画素を含む表示領域と、
前記第１基板または前記第２基板の第１側面に光を照射する第１光源と、
前記第１基板または前記第２基板の前記第１側面とは反対側の第２側面に光を照射する第２光源と、を備え、
前記複数の画素は、第１画素と、前記第１画素よりも前記第１側面に近い第２画素と、前記第１画素よりも前記第２側面に近い第３画素と、を含み、
平面視において前記画素と重畳する前記筋状のポリマーのパターンを第１周波数成分と第２周波数成分に関して２次元フーリエ変換することで得られる空間周波数スペクトルにおいて、最大値の７５％以上の領域の前記第１周波数成分および前記第２周波数成分で規定される平面における輪郭を評価円と定義し、前記評価円の長軸の長さを短軸の長さで割った値を評価値と定義した場合に、
前記第１画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値は、前記第２画素および前記第３画素と重畳する前記筋状のポリマーの前記評価値よりも大きい、表示装置。
［７］
前記複数の画素にそれぞれ配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に対向する共通電極と、を備え、
前記液晶層は、前記画素電極と前記共通電極の間の電圧に応じて、前記第１光源および第２光源からの光を散乱する散乱状態と透明状態との間で切り替わる、
上記［６］に記載の表示装置。
［８］
前記第１画素と前記第２画素の間に配置された複数の画素における前記評価値は、前記第２画素から前記第１画素に近づくに連れて徐々に大きくなり、
前記第１画素と前記第３画素の間に配置された複数の画素における前記評価値は、前記第３画素から前記第１画素に近づくに連れて徐々に大きくなる、
上記［６］又は［７］に記載の表示装置。
［９］
前記表示領域は、第１領域と、前記第１領域と前記第１側面の間に位置する第２領域と、前記第１領域と前記第２側面の間に位置する第３領域と、を有し、
前記第１領域は、前記第１領域、前記第２領域および前記第３領域の配列方向に並ぶ複数の前記第１画素を含み、
前記第２領域は、前記配列方向に並ぶ複数の前記第２画素を含み、
前記第３領域は、前記配列方向に並ぶ複数の前記第３画素を含む、
上記［６］又は［７］に記載の表示装置。
［１０］
前記長軸の方向は、前記第１光源または前記第２光源が放つ光の光軸の方向に対応する、
上記［６］乃至［９］のうちいずれか１項に記載の表示装置。
【符号の説明】
【００９４】
ＤＳＰ１，ＤＳＰ２…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、ＳＵＢ２…第２基板、ＬＣ…液晶層、ＬＳ，ＬＳ１，ＬＳ２…光源、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、３０…ポリマー、３１…液晶分子、ＣＲ…評価円、ＬＸ…評価円の長軸、ＳＸ…評価円の短軸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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