(57)【要約】      （修正有）【課題】検出能力を維持しつつＴＤＩセンサから転送するデータ量を削減し、リアルタイムでのデータ転送を可能にするＸ線検査装置及びＸ線検査方法を提供する。【解決手段】Ｘ線源２と、試料Ｓを特定の方向に移動させる試料移動機構３と、ＴＤＩセンサ４と、特定の方向に沿った複数の画素における電荷の蓄積と転送とを制御するＴＤＩ演算部５とを備え、ＴＤＩ演算部５が、電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送部６を備え、試料を検出可能な複数列のラインセンサを予め判断領域として設定し、判断領域で試料を検出する機能を有し、データ転送部６が、判断領域で試料を検出した画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、検出行の画素だけについて累積電荷のデータを外部に転送する。【選択図】図２
2020143922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に対してＸ線を照射するＸ線源と、
前記Ｘ線源からのＸ線を照射中に前記試料を特定の方向に移動させる試料移動機構と、
前記試料に対して前記Ｘ線源と反対側に設置され前記特定の方向に対して直交する方向に沿って複数の画素が並んだラインセンサを前記特定の方向に沿って複数列有して行列状に前記画素が並び、前記試料を透過した前記Ｘ線を前記画素で検出するＴＤＩセンサと、
前記特定の方向に沿った複数の前記画素における電荷の蓄積と転送とを制御するＴＤＩ演算部とを備え、
前記ＴＤＩ演算部が、前記電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送部を備え、前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め判断領域として設定し、前記判断領域で前記試料を検出する機能を有し、
前記データ転送部が、前記判断領域で前記試料を検出した前記画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、前記検出行の画素だけについて前記累積電荷のデータを外部に転送することを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線検査装置において、
前記ＴＤＩ演算部が、前記ラインセンサの全列のうち前記試料の移動に伴って最初に前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め前記判断領域として設定し、前記判断領域より後列の前記ラインセンサからなる領域において前記検出行の画素だけで前記電荷の蓄積と転送とを行うことを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＸ線検査装置において、
前記ＴＤＩ演算部が、前記試料の材料に応じて前記判断領域の前記ラインセンサの列数を任意に設定可能であることを特徴とするＸ線検査装置。
【請求項４】
Ｘ線源により試料に対してＸ線を照射するＸ線照射ステップと、
前記Ｘ線源からのＸ線を照射中に前記試料を特定の方向に連続して移動させる試料移動ステップと、
前記試料に対して前記Ｘ線源と反対側に設置され前記特定の方向に対して直交する方向に沿って複数の画素が並んだラインセンサを前記特定の方向に沿って複数列有して行列状に前記画素が並んだＴＤＩセンサで前記試料を透過した前記Ｘ線を前記画素で検出するＸ線検出ステップと、
前記特定の方向に沿った複数の前記画素における電荷の蓄積と転送とを行うＴＤＩ演算ステップと、
前記ＴＤＩ演算ステップで前記電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送ステップとを有し、
前記ＴＤＩ演算ステップで、前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め判断領域として設定し、前記判断領域で前記試料を検出する判断をし、
前記データ転送ステップで、前記判断領域で前記試料を検出した前記画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、前記検出行の画素だけについて前記累積電荷のデータを外部に転送することを特徴とするＸ線検査方法。
【請求項５】
請求項４に記載のＸ線検査方法において、
前記ＴＤＩ演算ステップで、前記ラインセンサの全列のうち前記試料の移動に伴って最初に前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め前記判断領域として設定し、前記判断領域よりも後列の前記ラインセンサからなる領域において前記検出行の画素だけで隣接する次列の画素に対する前記電荷の蓄積と転送とを行うことを特徴とするＸ線検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料中の微小な異物等を検出可能なＸ線検査装置及びＸ線検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、試料中の微小な金属等の異物等を検出するために、試料にＸ線を照射して取得したＸ線透過像により検査を行うＸ線透過検査が用いられている。例えば、近年、自動車、ハイブリッド車又は電気自動車等に採用されるリチウムイオン二次電池において、正極となる電極は、Ａｌ膜の両面にＭｎ酸リチウム膜やＣｏ酸リチウム膜が形成されている。そのため、ＦｅやＳＵＳ等の数十μｍ以上の異物が混入すると、短絡が発生してバッテリーの焼失や性能低下が生じるおそれがあり、異物混入を製造時にＸ線透過検査で検出して除去している。
【０００３】
このような試料中の異物等を検出するＸ線検査装置として、インラインで検査を実施する際、Ｘ線源とラインセンサ等のＸ線検出器とが一方向に移動する試料を挟むように対向配置されたものが知られている。
例えば、特許文献１及び２には、ＴＤＩセンサを利用することで微小な異物でも高感度に検出する透過Ｘ線分析装置又はＸ線検査装置が提案されている。
【０００４】
これらＸ線検査装置では、試料の移動速度とＴＤＩセンサの電荷移動速度とを同期させ、ＴＤＩセンサの画素（撮像素子）で生じた電荷を試料の移動方向に沿って順次隣接する画素に転送し蓄積、積算することで、Ｓ／Ｎ比の高い累積電荷のデータをＸ線検出データとしている。
【０００５】
すなわち、幅広のシート状の試料等を連続的にＸ線透過イメージングによって試料中の異物を検出する際、検出器として複数の画素が並んだラインセンサを走査方向へ複数列（複数段）平行に並べ、１つのラインセンサの画素に蓄積された電荷を隣接する次のラインセンサに転送するＴＤＩセンサが利用されている。このＴＤＩセンサでは、１列目（１段面）のラインセンサに蓄積された電荷が２列目のラインセンサに転送され、２列目のラインセンサでは１列目のラインセンサから転送された電荷に自身で受光して蓄積した電荷を加算して３列目のラインセンサに転送する。このように各ラインセンサには、前列（前段）のラインセンサから転送された電荷が順次加算され、最終列のラインセンサに転送された累積電荷がＸ線検出データとして出力される。したがって、ＴＤＩセンサでは、列数（段数）がＴの場合、単一のラインセンサに比べてＴ倍の電荷が蓄積され、コントラストがＴ倍となると共にノイズが低減され、測定を梗塞で行えると共にＳ／Ｎ比が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−３６８０５号公報
【特許文献２】特開２０１８−９６７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、従来のＸ線検査装置では、検査速度が大きくなる程、また高性能な検出器（ＴＤＩセンサ）で得られる情報が多い程、出力される累積電荷のデータ量が多く、制御コンピュータ等に転送するデータ量も多くなってしまう。特に、試料の幅が広くなることで、ＴＤＩセンサのラインセンサの幅も広くなり、また試料の搬送速度が上がることにより、ＴＤＩセンサのラインセンサの列数（段数）を増やす必要があり、転送に必要なデータ量が増大してしまう。また、分解能を上げるために、画素（素子）サイズを小さくして画素数（素子数）を増大させたり、各画素（素子）の感度が上がって検出データ量が増えたりすることでも、同様に転送データ量が増大してしまう。
このように転送されるデータ量が増大すると、膨大なデータ量に対して制御コンピュータでの信号処理に遅延や漏れが生じてしまい、リアルタイムでのデータ転送が困難になるという不都合があった。
【０００８】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、検出能力を維持しつつＴＤＩセンサから転送するデータ量を削減し、リアルタイムでのデータ転送を可能にするＸ線検査装置及びＸ線検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のＸ線検査装置は、試料に対してＸ線を照射するＸ線源と、前記Ｘ線源からのＸ線を照射中に前記試料を特定の方向に移動させる試料移動機構と、前記試料に対して前記Ｘ線源と反対側に設置され前記特定の方向に対して直交する方向に沿って複数の画素が並んだラインセンサを前記特定の方向に沿って複数列有して行列状に前記画素が並び、前記試料を透過した前記Ｘ線を前記画素で検出するＴＤＩセンサと、前記特定の方向に沿った複数の前記画素における電荷の蓄積と転送とを制御するＴＤＩ演算部とを備え、前記ＴＤＩ演算部が、前記電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送部を備え、前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め判断領域として設定し、前記判断領域で前記試料を検出する機能を有し、前記データ転送部が、前記判断領域で前記試料を検出した前記画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、前記検出行の画素だけについて前記累積電荷のデータを外部に転送することを特徴とする。
【００１０】
このＸ線検査装置では、ＴＤＩ演算部が、試料を検出可能な複数列のラインセンサを予め判断領域として設定し、判断領域で試料を検出する機能を有し、データ転送部が、判断領域で試料を検出した画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、検出行の画素だけについて累積電荷のデータを外部に転送するので、制御コンピュータ等の外部に転送する累積電荷のデータ量を削減することができる。すなわち、検出行の累積電荷のデータだけを異物検出に必要な情報とし、検査結果として必要の無い他の行（非検出行）の累積電荷のデータを転送せずにスクリーニングすることで、データ量を削減して外部へのリアルタイムのデータ転送が可能になる。
【００１１】
第２の発明に係るＸ線検査装置は、第１の発明において、前記ＴＤＩ演算部が、前記ラインセンサの全列のうち前記試料の移動に伴って最初に前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め前記判断領域として設定し、前記判断領域よりも後列の前記ラインセンサからなる領域において前記検出行の画素だけで隣接する次列の画素に対する前記電荷の蓄積と転送とを行うことを特徴とする。
すなわち、このＸ線検査装置では、ＴＤＩ演算部が、判断領域よりも後列のラインセンサからなる領域において検出行の画素だけで隣接する次列の画素に対する電荷の蓄積と転送とを行うので、判断領域よりも後列のラインセンサからなる領域において検出行以外の画素については電荷の蓄積と転送とを行わないことで、ＴＤＩ演算部における電荷の蓄積と転送との処理を削減することができ、ＴＤＩ演算部の演算回路（ＦＰＧＡ（field-programmable gate array））等の負荷を低減可能である。
【００１２】
第３の発明に係るＸ線検査装置は、第１又は第２の発明において、前記ＴＤＩ演算部が、前記試料の材料に応じて前記判断領域の前記ラインセンサの列数を任意に設定可能であることを特徴とする。
すなわち、このＸ線検査装置では、ＴＤＩ演算部が、試料の材料に応じて判断領域のラインセンサの列数を任意に設定可能であるので、例えば試料のベース材料等に応じて判断領域の範囲を任意に設定することで、判断領域での異物の検出精度を試料の材料に応じて適宜高めることが可能になる。
【００１３】
第４の発明に係るＸ線検査方法は、Ｘ線源により試料に対してＸ線を照射するＸ線照射ステップと、前記Ｘ線源からのＸ線を照射中に前記試料を特定の方向に連続して移動させる試料移動ステップと、前記試料に対して前記Ｘ線源と反対側に設置され前記特定の方向に対して直交する方向に沿って複数の画素が並んだラインセンサを前記特定の方向に沿って複数列有して行列状に前記画素が並んだＴＤＩセンサで前記試料を透過した前記Ｘ線を前記画素で検出するＸ線検出ステップと、前記特定の方向に沿った複数の前記画素における電荷の蓄積と転送とを行うＴＤＩ演算ステップと、前記ＴＤＩ演算ステップで前記電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送ステップとを有し、前記ＴＤＩ演算ステップで、前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め判断領域として設定し、前記判断領域で前記試料を検出する判断をし、前記データ転送ステップで、前記判断領域で前記試料を検出した前記画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、前記検出行の画素だけについて前記累積電荷のデータを外部に転送することを特徴とする。
【００１４】
第５の発明に係るＸ線検査方法は、第４の発明において、前記ＴＤＩ演算ステップで、前記ラインセンサの全列のうち前記試料の移動に伴って最初に前記試料を検出可能な複数列の前記ラインセンサを予め前記判断領域として設定し、前記判断領域よりも後列の前記ラインセンサからなる領域において前記検出行の画素だけで前記電荷の蓄積と転送とを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るＸ線検査装置及びＸ線検査方法によれば、試料を検出可能な複数列のラインセンサを予め判断領域として設定し、判断領域で試料を検出した画素の行とその行の周囲の行とを検出行とし、検出行の画素だけについて累積電荷のデータを外部に転送するので、制御コンピュータ等の外部に転送する累積電荷のデータ量を削減することができる。
したがって、本発明のＸ線検査装置及びＸ線検査方法では、ＴＤＩセンサに短時間又は大量のＸ線が入射した場合でも、制御コンピュータ等の外部へのリアルタイムのデータ転送が可能になり、信号処理の遅延や漏れが無くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係るＸ線検査装置及びＸ線検査方法の本実施形態において、ＴＤＩセンサにおける判断領域を示す説明図である。
【図２】本実施形態において、Ｘ線検査装置を示す概略的な全体構成図である。
【図３】本実施形態において、ＴＤＩセンサを示す斜視図である。
【図４】本実施形態において、判断領域における異物の検出及び検出行の設定についての説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係るＸ線検査装置及びＸ線検査方法の一実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。
【００１８】
本実施形態のＸ線検査装置は、図１から図３に示すように、試料Ｓに対してＸ線Ｘ１を照射するＸ線源２と、Ｘ線源２からのＸ線Ｘ１を照射中に試料Ｓを特定の方向Ｙ１に移動させる試料移動機構３と、試料Ｓに対してＸ線源２と反対側に設置され特定の方向Ｙ１に対して直交する方向に沿って複数の画素４ｇが並んだラインセンサ４ｌを特定の方向Ｙ１に沿って複数列有して行列状に画素４ｇが並び、試料Ｓを透過したＸ線Ｘ１を画素４ｇで検出するＴＤＩセンサ４と、特定の方向Ｙ１に沿った複数の画素４ｇにおける電荷の蓄積と転送とを制御するＴＤＩ演算部５とを備えている。
【００１９】
ＴＤＩ演算部５は、前記電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送部６とを備えている。
ＴＤＩ演算部５は、試料Ｓを検出可能な複数列のラインセンサ４ｌを予め判断領域４Ａとして設定し、判断領域４Ａで試料Ｓを検出する機能を有している。
上記データ転送部６は、判断領域４Ａで試料Ｓを検出した画素４ｇの行とその行の周囲の行とを検出行Ｌ１とし、検出行Ｌ１の画素４ｇだけについて累積電荷のデータを外部に転送する機能を有している。
【００２０】
また、ＴＤＩ演算部５は、試料Ｓの移動に伴って最初に試料Ｓを検出可能な複数列のラインセンサ４ｌを予め判断領域４Ａとして設定し、判断領域４Ａより後列のラインセンサ４ｌからなる領域４Ｂにおいて検出行Ｌ１の画素４ｇだけで電荷の蓄積と転送とを行う機能も有している。すなわち、異物Ｘの検出行Ｌ１以外の非検出行Ｌ２については、行方向に隣接する画素４ｇで電荷の積算を行わないようにしてもよい。なお、ＴＤＩセンサ４における画素４ｇの電荷の転送方向（走査方向Ｙ２）は、試料Ｓの移動方向（特定の方向Ｙ１）に沿っている。
なお、上記領域４Ｂは、走査方向Ｙ１において前列（前段）である判断領域４Ａよりも後列（後段）の複数のラインセンサ４ｌからなる領域である。
【００２１】
本実施形態では、図１に示すように、例えば判断領域４Ａのラインセンサ４ｌの列数を全列数に対して１割の列数に設定しているが、ＴＤＩ演算部５は、試料Ｓの材料に応じて判断領域４Ａのラインセンサ４ｌの列数を任意に設定可能である。
【００２２】
例えば、試料Ｓのベース材料が金属である場合、樹脂である場合に適用されている範囲と同じ判断領域４Ａに設定すると、Ｘ線Ｘ１を透過し難い金属の場合では、異物Ｘのコントラストが明確になり難い。そのため、樹脂の場合よりも金属の場合では、判断領域４Ａの範囲を拡げて（判断領域４Ａのラインセンサ４ｌの列数を多く設定して）、十分なコントラストが得られるように設定することで、判断領域４Ａでの異物検出の精度を向上させることができる。
【００２３】
さらに、本実施形態のＸ線検査装置１は、前記各構成に接続されてそれぞれを制御する外部の主制御部７と、転送されたデータに基づいて透過Ｘ線の強度の分布を示す透過像を表示する表示部８とを備えている。
上記主制御部７は、ＣＰＵ等で構成された制御コンピュータである。入力されるＴＤＩセンサ４からの信号（上記データ）に基づいて画像処理を行って透過像を作成し、さらにその画像を表示部８に表示させる演算処理回路等を含む。
上記表示部８は、主制御部７に接続されてコントラスト像などを表示するディスプレイ装置である。この表示部８は、主制御部７からの制御に応じて種々の情報を表示可能である。
【００２４】
上記Ｘ線源２は、Ｘ線Ｘ１を照射可能なＸ線管球であって、管球内のフィラメント（陰極）から発生した熱電子がフィラメント（陰極）とターゲット（陽極）との間に印加された電圧により加速されターゲットのＷ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）などに衝突して発生したＸ線Ｘ１を１次Ｘ線としてベリリウム箔などの窓から出射するものである。
【００２５】
上記試料Ｓは、例えば帯状に形成されたＬｉイオンバッテリー用の材料や医薬品系に用いられる材料である。例えば、試料ＳがＬｉイオン二次電池に使用される電極シートなどである場合、それに混入する異物は、例えば電極に異物として混入が懸念されるＦｅやＳＵＳである。
【００２６】
上記試料移動機構３は、ＴＤＩセンサ４に対して、例えば試料Ｓの延在方向に相対的に移動可能なモータ等である。上記試料移動機構３は、例えば帯状の試料Ｓをロール・ｔｏ・ロール方式で延在方向に移動させる少なくとも一対のローラ（図示略）等を備えている。
【００２７】
上記ＴＤＩ(Time Delay Integration)センサ４は、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device：電荷結合素子）センサ，ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化膜半導体）センサやＣｄＴｅ，Ｓｉなどの半導体センサを用いている。例えば、上記ＴＤＩ(Time Delay Integration)センサ４は、図３に示すように、試料Ｓの移動方向（特定の方向Ｙ１）に対して垂直な方向と平行な方向とのそれぞれに複数の画素４ｇ（セル、センサ素子）を配置したＸ線検出器であって、検出面４ａに配された蛍光体４ｂと、蛍光体４ｂ下に複数の光ファイバを二次元的に縦横に複数列並べて配したＦＯＰ（ファイバオプティクスプレート）４ｃと、ＦＯＰ４ｃの下に配されたＳｉ受光素子４ｄとを備え、ラインセンサ４ｌを複数列（複数列）並べた構成を有している。例えば、試料Ｓの送り方向に２００〜１０００列（段）の単位ラインセンサ４ｌが並んでＴＤＩセンサ４が構成されている。
このＴＤＩセンサ４では、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）、ＧＯＳ（ガドリニウムオキシ硫化物）又はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）等の蛍光体４ｂが用いられている。
なお、ＴＤＩセンサ４は、特定の方向Ｙ１に沿って並んだ画素４ｇのピッチ（センサピッチ）Ｌｔで電荷蓄積及び電荷転送が行われる。
【００２８】
次に、本実施形態のＸ線検査装置１を用いたＸ線検査方法について説明する。
本実施形態のＸ線検査方法は、Ｘ線源２により試料Ｓに対してＸ線Ｘ１を照射するＸ線照射ステップと、Ｘ線源２からのＸ線Ｘ１を照射中に試料を特定の方向Ｙ１に連続して移動させる試料移動ステップと、試料Ｓに対してＸ線源２と反対側に設置され特定の方向Ｙ１に対して直交する方向に沿って複数の画素４ｇが並んだラインセンサ４ｌを特定の方向Ｙ１に沿って複数列有して行列状に画素４ｇが並んだＴＤＩセンサ４で試料Ｓを透過したＸ線Ｘ１を画素４ｇで検出するＸ線検出ステップと、特定の方向Ｙ１に沿った複数の画素４ｇにおける電荷の蓄積と転送とを行うＴＤＩ演算ステップと、ＴＤＩ演算ステップで電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータを外部に転送するデータ転送ステップとを有している。
【００２９】
上記ＴＤＩ演算ステップでは、ＴＤＩ演算部５が、試料Ｓの移動に伴って最初に試料Ｓを検出可能な複数列のラインセンサ４ｌを予め判断領域４Ａとして設定し、判断領域４Ａだけで試料Ｓを検出する判断する。
また、データ転送ステップでは、データ転送部６が、判断領域４Ａで試料Ｓを検出した画素４ｇの行とその行の周囲の行とを検出行Ｌ１とし、検出行Ｌ１の画素４ｇだけについて累積電荷のデータを外部に転送する。
【００３０】
上記本実施形態のＸ線検査方法では、まず試料移動機構３により、試料Ｓを対向するＸ線源２とＴＤＩセンサ４との間で特定の方向Ｙ１に一定速度で移動させる。なお、この試料Ｓは、試料ＳとＴＤＩセンサ４との距離に比して非常に小さい厚さを有している。
次に、Ｘ線源２からＸ線Ｘ１を試料Ｓに照射すると共に、ＴＤＩセンサ４で試料Ｓ及び異物を透過した透過Ｘ線を検出する。
【００３１】
このとき、試料移動機構３により試料Ｓが特定の方向Ｙ１に移動されるが、試料Ｓに異物Ｘがある場合、まずＴＤＩ演算部５が判断領域４Ａにおける透過Ｘ線の強度分布に基づいて異物Ｘを検出すると共に、異物Ｘが検出された画素４ｇの行を特定する。
移動する同一の異物Ｘに対して透過するＸ線Ｘ１は、特定の方向Ｙ１に沿った同一の行の画素４ｇを通過、照射される。このため、異物検査に必要な情報は、異物Ｘが検出された画素４ｇの行とその周囲の一部の行とからなる検出行Ｌ１の画素４ｇの情報であり、検出行Ｌ１以外の行である非検出行Ｌ２の画素４ｇは、判断領域４Ａで異物Ｘが無いと判定されており、その情報は不要である。
【００３２】
したがって、ＴＤＩ演算部５は、判断領域４Ａで異物Ｘの有無の見極めを行い、異物Ｘの検出行Ｌ１について、特定の方向Ｙ１に沿った複数の画素４ｇにおける電荷の蓄積と転送とを行う。これに伴い、データ転送部６が、異物Ｘの検出行Ｌ１における電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータだけを外部の主制御部７に転送する。
【００３３】
なお、ＴＤＩ演算部５は、判断領域４Ａにおいて異物Ｘが存在する部位が、異物Ｘが存在していない部分と対比して、Ｘ線Ｘ１の透過量が異なることから、異物Ｘが存在する部位のコントラストがそれ以外と異なるため、異物Ｘが存在していることが検出可能となる。
【００３４】
例えば、図４に示すように、判断領域４Ａにおける累積電荷のデータに基づいた透過Ｘ線Ｘ１の強度分布が得られた場合、ＴＤＩ演算部５のデータ転送部６は、主にノイズ成分であるベースラインＢを強度１００％として、異物Ｘの有無の判定ラインＨを強度９５％に設定する。この判定ラインＨよりも強度が低い場合、異物Ｘが有ると判断し、その９５％未満の強度であった画素４ｇの行と、その行の周囲の行、すなわち異物Ｘが検出された画素４ｇの行の中心から両側５０ピクセル（画素）分の行とを、検出行Ｌ１に設定する。このように、異物Ｘが検出された行を含む一部の行、すなわち異物Ｘが検出された行とその行の周囲（両側）の複数行とを検出行Ｌ１に設定する。
【００３５】
なお、判定ラインＨは、ベースラインＢよりも十分に強度が低い値であればよく、検出したい異物Ｘのサイズ等に応じて決定される。例えば、ターゲットが大きい異物Ｘであるほど、数値が小さく設定される。また、ベースラインＢは、判断領域４Ａの最初の数行、撮像した画素４ｇの輝度値によって決定される。
【００３６】
ＴＤＩ演算ステップでは、判断領域４Ａよりも後列のラインセンサ４ｌからなる領域４Ｂにおいて検出行Ｌ１の画素４ｇだけで隣接する次列の画素４ｇに対する電荷の蓄積と転送とを行っても構わない。すなわち、異物Ｘの非検出行Ｌ２については、主制御部７に転送しないので、非検出行Ｌ２における各画素４ｇの電荷の蓄積（積算）及び転送も行わないように設定してもよい。
【００３７】
主制御部７では、転送された検出行Ｌ１の累積電荷のデータを出力、保存すると共に、必要に応じて累積電荷のデータに基づいて透過Ｘ線の強度分布が取得される。
さらに、上記のように取得した検出行Ｌ１の透過Ｘ線の強度分布を、主制御部７で画像処理して透過像を作成すると共に表示部８において透過像を表示する。
【００３８】
このように本実施形態のＸ線検査装置１では、ＴＤＩ演算部５が、試料Ｓを検出可能な複数列のラインセンサ４ｌを予め判断領域４Ａとして設定し、判断領域４Ａで試料Ｓを検出する機能を有し、データ転送部６が、判断領域４Ａで試料Ｓを検出した画素４ｇの行とその行の周囲の行とを検出行Ｌ１とし、検出行Ｌ１の画素４ｇだけについて累積電荷のデータを外部に転送するので、主制御部７に転送する累積電荷のデータ量を削減することができる。
【００３９】
すなわち、検出行Ｌ１の累積電荷のデータだけを異物検出に必要な情報とし、検査結果として必要の無い他の行（非検出行Ｌ２）の累積電荷のデータを転送せずにスクリーニングすることで、データ量を削減して外部へのリアルタイムのデータ転送が可能になる。
【００４０】
また、ＴＤＩ演算部５が、判断領域４Ａよりも後列のラインセンサ４ｌからなる領域４Ｂにおいて検出行Ｌ１の画素４ｇだけで隣接する次列の画素４ｇに対する電荷の蓄積と転送とを行うことで、判断領域４Ａよりも後列のラインセンサ４ｌからなる領域４Ｂにおいて検出行Ｌ１以外の画素４ｇについては電荷の蓄積と転送とを行わずに、ＴＤＩ演算部５における電荷の蓄積と転送との処理を削減することができ、ＴＤＩ演算部５の演算回路等の負荷を低減可能である。
【００４１】
また、ＴＤＩ演算部５が、試料Ｓの材料に応じて判断領域４Ａのラインセンサ４ｌの列数を任意に設定可能であるので、例えば試料Ｓのベース材料等に応じて判断領域４Ａの範囲を任意に設定することで、判断領域４Ａでの異物Ｘの検出精度を試料Ｓの材料に応じて適宜高めることが可能になる。
【００４２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００４３】
例えば、上記実施形態では、ラインセンサの全列のうち試料の移動に伴って最初に試料を検出可能な複数列のラインセンサを予め判断領域として設定しているが、ＴＤＩ演算部が、ＴＤＩセンサの全列を判断領域として設定し、ＴＤＩセンサの全列において電荷の蓄積を実施して、ラインセンサの最初の列から最終列まで電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータから異物の有無を判断しても構わない。
この場合、データ転送部が、ラインセンサ全列（判断領域）を用いて検出した異物の検出行における電荷の蓄積と転送とを行った累積電荷のデータだけを、外部の主制御部に転送する。
【符号の説明】
【００４４】
１…Ｘ線検査装置、２…Ｘ線源、３…試料移動機構、４…ＴＤＩセンサ、４Ａ…判断領域、４Ｂ…判断領域よりも後列のラインセンサからなる領域、４ｇ…画素、４ｌ…ラインセンサ、５…ＴＤＩ演算部、６…データ転送部、Ｌ１…検出行、Ｌ２…非検出行、Ｓ…試料、Ｘ１…Ｘ線、Ｙ１…特定の方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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