(57)【要約】【課題】電子素子の周囲に設けられたサイドフィルが、電子素子が設けられている内側の奥まで濡れ広がることが抑制される電子装置を提供する。【解決手段】回路基板と、前記回路基板に搭載される電子素子と、前記電子素子と接続される複数の接続バンプと、前記回路基板において、前記接続バンプ間に設けられた抑制バンプと、前記電子素子の周囲に設けられたサイドフィルと、を有することを特徴とする電子装置を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図１２
2020123604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板に搭載される電子素子と、
前記電子素子と接続される複数の接続バンプと、
前記回路基板において、前記接続バンプ間に設けられた抑制バンプと、
前記電子素子の周囲に設けられたサイドフィルと、
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記抑制バンプの高さは、前記接続バンプの高さよりも低いことを特徴とする、請求項１に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置の一つとして、発光素子や受光素子が回路基板に搭載されている光モジュールがある。このような光モジュールでは、発光素子の発光部から出射された光及び受光素子の受光部が受光する光が通るように、回路基板には穴が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１２５９５６号公報
【特許文献２】特開２０１４−１０２３９９号公報
【特許文献３】特開平９−６４２３８号公報
【特許文献４】特開２０１６−１８１６２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような光モジュールでは、発光素子及び受光素子の補強や保護のため、回路基板に搭載されている発光素子及び受光素子の周囲にはサイドフィルが設けられている。サイドフィルは熱硬化性の樹脂により形成されており、発光素子及び受光素子の周囲にサイドフィル樹脂を塗布した後、加熱し硬化することにより形成される。
【０００５】
しかしながら、サイドフィル樹脂を塗布する際や加熱する際に、サイドフィル樹脂が発光素子及び受光素子の下の内側に濡れ広がり、回路基板に設けられた穴に入り込んでしまう場合がある。サイドフィル樹脂は着色されており、サイドフィル樹脂が回路基板の穴に入り込んだ状態で硬化すると、発光素子から出射する光及び受光素子が受光する光が透過しないため、光モジュールとしての機能が失われてしまう。
【０００６】
このため、光モジュール等の電子装置において、発光素子及び受光素子等の電子素子の周囲に設けられたサイドフィルが、電子素子が設けられている内側の奥まで濡れ広がることのないものが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施の形態の一観点によれば、回路基板と、前記回路基板に搭載される電子素子と、前記電子素子と接続される複数の接続バンプと、前記回路基板において、前記接続バンプ間に設けられた抑制バンプと、前記電子素子の周囲に設けられたサイドフィルと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の電子装置によれば、電子素子の周囲に設けられたサイドフィルが、電子素子が設けられている内側の奥まで濡れ広がることが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】光モジュールの製造工程の説明図（１）
【図２】光モジュールの製造工程の説明図（２）
【図３】光モジュールの製造工程の説明図（３）
【図４】光モジュールの製造工程の説明図（４）
【図５】光モジュールの説明図（１）
【図６】光モジュールの説明図（２）
【図７】光モジュールの説明図（３）
【図８】光モジュールのサイドフィルの説明図（１）
【図９】光モジュールのサイドフィルの説明図（２）
【図１０】第１の実施の形態の光モジュールの説明図
【図１１】第１の実施の形態の光モジュールの断面図（１）
【図１２】第１の実施の形態の光モジュールの断面図（２）
【図１３】第１の実施の形態の光モジュールのサイドフィルの説明図（１）
【図１４】第１の実施の形態の光モジュールのサイドフィルの説明図（２）
【図１５】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程のフローチャート
【図１６】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（１）
【図１７】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（２）
【図１８】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（３）
【図１９】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（４）
【図２０】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（５）
【図２１】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（６）
【図２２】第１の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（７）
【図２３】第２の実施の形態の光モジュールの製造工程のフローチャート
【図２４】第２の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（１）
【図２５】第２の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（２）
【図２６】第２の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（３）
【図２７】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程のフローチャート
【図２８】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（１）
【図２９】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（２）
【図３０】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（３）
【図３１】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（４）
【図３２】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（５）
【図３３】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（６）
【図３４】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（７）
【図３５】第３の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（８）
【図３６】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程のフローチャート
【図３７】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（１）
【図３８】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（２）
【図３９】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（３）
【図４０】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（４）
【図４１】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（５）
【図４２】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（６）
【図４３】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（７）
【図４４】第４の実施の形態の光モジュールの製造工程の説明図（８）
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００１１】
〔第１の実施の形態〕
電子装置である光モジュールの製造工程について、図１〜図４に基づき説明する。
【００１２】
光モジュールを製造する際には、図１に示すように回路基板１０に接続バンプ２０を形成する。回路基板１０には配線パターンが形成されており、複数の穴１１が設けられている。穴１１は、後述するように発光素子の発光部や受光素子の受光部に対応する位置に形成されている。接続バンプ２０は、回路基板１０の配線パターンに接続された不図示の電極の上に金等により形成されている。尚、本願においては、発光素子あるいは受光素子の機能を持つ素子を受発光素子と総称し、発光部及び受光部を受発光素子の受発光部と総称する。
【００１３】
次に、図２に示すように、接続バンプ２０に受発光素子３０を搭載する。受発光素子３０は、フリップチップボンディング等により接続バンプ２０に接続される。この際、受発光部３１の位置と回路基板１０の穴１１の位置とが一致し、受発光素子３０の不図示の電極端子の位置と接続バンプ２０の位置とが一致するように、受発光素子３０を搭載する。
【００１４】
次に、図３に示すように、受発光素子３０の周囲にサイドフィル樹脂４０ａを塗布する。受発光素子３０の周囲に硬化前のサイドフィル樹脂４０ａを塗布すると、受発光素子３０と回路基板１０との隙間等に入り込む。サイドフィル樹脂４０ａは、熱硬化性の樹脂材料であり、黒色等に着色されており、所望の粘度に調整されている。
【００１５】
次に、サイドフィル樹脂４０ａを硬化させるため加熱する。サイドフィル樹脂４０ａは熱硬化性の樹脂材料であるが、加熱をすると一旦粘度が低くなり、その後に硬化する。加熱により粘度の低くなったサイドフィル樹脂４０ａは、図４に示すように受発光素子３０や回路基板１０の表面を矢印Ａに示すように濡れ広がり、穴１１にまで到達し穴１１の内部に入り込んでしまう場合がある。
【００１６】
図５及び図６に示すように、回路基板１０には複数の穴１１が形成され、配線１２に接続された電極１３の上に接続バンプ２０が設けられている。図５は上面図であり、図６は図５の一点鎖線５Ａ−５Ｂにおいて切断した断面図である。図５では、便宜上受発光素子３０は破線により示されている。この状態より、図７に示すように受発光素子３０の周囲にサイドフィル樹脂４０ａを塗布すると、サイドフィル樹脂４０ａは受発光素子３０と回路基板１０との間に入り込み、受発光素子３０と回路基板１０との間の隙間を埋める。サイドフィル樹脂４０ａを硬化させるため加熱すると、濡れ広がったサイドフィル樹脂４０ａが硬化しサイドフィル４０が形成される。
【００１７】
この際、図８に示すように、硬化したサイドフィル４０が穴１１まで到達していない場合には、受発光素子３０の受発光部３１において発光した光や受光される光を遮ることはない。しかしながら、図９に示すように、内側に濡れ広がり硬化したサイドフィル４０が穴１１まで到達している場合には、受発光部３１において発光した光や受光される光が遮られる場合がある。受発光部３１が受発光する光が遮られると、光モジュールとして正常に機能しなくなるため好ましくない。
【００１８】
（電子装置）
次に、本実施の形態における電子装置である光モジュールについて説明する。本実施の形態における光モジュールには、図１０〜図１２に示すように、２つの接続バンプ２０の間に樹脂の進入を抑制する抑制バンプ１５０が設けられている。図１０は上面図であり、図１１は図１０の一点鎖線１０Ａ−１０Ｂにおいて切断した断面図であり、図１２は図１０の一点鎖線１０Ｃ−１０Ｄにおいて切断した断面図である。図１０では、受発光素子３０は破線により示されており、サイドフィル４０は省略されている。回路基板１０の電極１３の上に形成されている接続バンプ２０は、直径が約５８μｍの円形であり、高さＨ１は約１５μｍである。抑制バンプ１５０は回路基板１０の電極１４の上に形成されており、直径が４０〜４５μｍの円形であり、高さＨ２は９〜１２μｍである。抑制バンプ１５０は、金、銀または銅のいずれかにより形成されている。
【００１９】
接続バンプ２０には受発光素子３０が接続されており、接続バンプ２０と受発光素子３０の不図示の電極とは電気的に接続されている。回路基板１０と受発光素子３０との間隔は約１５μｍである。抑制バンプ１５０の高さＨ２は接続バンプ２０の高さＨ１よりも低いため、抑制バンプ１５０は受発光素子３０とは接触しない。
【００２０】
接続バンプ２０と受発光素子３０とを電気的に接続した後、硬化する前の流動性を有するサイドフィル樹脂４０ａを受発光素子３０の周囲に塗布すると、サイドフィル樹脂４０ａは回路基板１０と受発光素子３０との隙間に濡れ広がり入り込む。本実施の形態においては、接続バンプ２０同士の間に抑制バンプ１５０が設けられているため、受発光素子３０の周囲に塗布されたサイドフィル樹脂４０ａが接続バンプ２０の設けられている領域よりも内側に濡れ広がることを抑制でき、接続バンプ２０よりも内側への進入が抑制される。
【００２１】
抑制バンプ１５０は、受発光素子３０との電気的接続を目的とするものではないため、受発光素子３０と接触させる必要はない。また、抑制バンプ１５０の高さＨ２が接続バンプ２０の高さＨ１と等しいと、受発光素子３０と接触して、受発光素子３０を傷つけたり、受発光素子３０に応力が加わる可能性がある。そのため、本実施形態では抑制バンプ１５０を接続バンプ２０よりも低くしている。抑制バンプ１５０は、接続バンプ２０同士の間を埋めるように設けられており、図１１に示す接続バンプ２０のピッチが１００μｍの領域では、２つの接続バンプ２０間に１つの抑制バンプ１５０が設けられており、図１２に示す接続バンプ２０のピッチが２００μｍの領域では、２つの接続バンプ２０間に、３つの抑制バンプ１５０が設けられている。
【００２２】
（抑制バンプ）
サイドフィル樹脂４０ａは、フィラーと樹脂材料等により形成されている。フィラーは、例えば最小粒径が３〜４μｍ、最大粒径が約２８μｍ、平均粒径が約１８μｍのシリカにより形成されており、サイドフィル樹脂４０ａへのフィラーの含有率は６０〜７０％である。サイドフィル樹脂４０ａには、この他に樹脂材料等として、エポキシ樹脂、酸無水物、カーボンブラック等が含まれている。
【００２３】
本実施の形態では、図１３に示すように、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との間隔Ｗ２がフィラー４１の最小粒径よりも狭くなるようにしてもよい。例えば、抑制バンプ１５０の高さＨ２を１３〜１４μｍとし、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との間隔Ｗ２が１〜２μｍとする。抑制バンプ１５０と受発光素子３０との間隔Ｗ２がフィラー４１の最小粒径よりも狭い場合、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との隙間にフィラー４１が入り込むことはない。また、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との隙間が狭いので、受発光素子３０における発熱は薄いサイドフィル４０を介して抑制バンプ１５０に伝導しやすく、更に、電極１４を介し回路基板１０に伝導するため、放熱性を向上させることができる。
【００２４】
また、図１４に示すように、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との間隔Ｗ２が、フィラー４１の最小粒径よりも広くなるようにしてもよい。例えば、抑制バンプ１５０の高さＨ２を９〜１０μｍとし、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との間隔Ｗ２を５〜６μｍとする。抑制バンプ１５０と受発光素子３０との間隔Ｗ２がフィラー４１の最小粒径よりも広い場合、抑制バンプ１５０と受発光素子３０との隙間にフィラー４１が入り込む。フィラー４１を形成しているシリカは、比較的硬く、強度が高いため、光モジュールの強度を向上させることができる。
【００２５】
（光モジュールの製造方法）
次に、本実施の形態による光モジュールの製造方法について図１５に基づき説明する。
【００２６】
最初に、Ｓ１０２に示すように、ワイヤボンダまたはバンプボンダにより、抑制バンプ１５０となるスタッドバンプを形成する。図１６（ａ）に示すように、ワイヤボンダのキャピラリ１６０をスタッドバンプが形成される電極１４に近づけ、キャピラリ１６０よりスタッドバンプを形成するための金を供給し、その後図１６（ｂ）に示すように回路基板１０よりキャピラリ１６０を離す。これにより電極１４に先端１５０ａが尖った抑制バンプ１５０が形成される。この工程を繰り返すことにより、図１７に示すように、所望の数の抑制バンプ１５０を形成する。
【００２７】
次に、Ｓ１０４に示すように、抑制バンプ１５０の尖った先端１５０ａを潰し平坦化する。図１８に示すように、平面１６１ａを有する治具１６１を用いて抑制バンプ１５０の先端１５０ａを上から押し潰し、抑制バンプ１５０を所望の高さ、例えば約１０μｍにする。
【００２８】
次に、Ｓ１０６に示すように、接続バンプ２０となるスタッドバンプを形成する。図１９に示すように、電極１３の上に先端２０ａが尖った接続バンプ２０となるスタッドバンプを形成する。接続バンプ２０となるスタッドバンプは図１６に示すスタッドバンプと同様の方法により形成することができるが、接続バンプ２０となるスタッドバンプは、抑制バンプ１５０となるスタッドバンプよりも大きい。
【００２９】
次に、Ｓ１０８に示すように、フリップチップ接続により受発光素子３０を実装する。図２０に示すように、接続バンプ２０に受発光素子３０を載せ、接続バンプ２０と受発光素子３０の不図示の電極端子とを接続する。この際、接続バンプ２０の先端２０ａが潰れ、接続バンプ２０の高さは、例えば約１５μｍになる。
【００３０】
次に、Ｓ１１０に示すように、受発光素子３０の周囲にサイドフィル樹脂４０ａを塗布する。図２１に示すように、サイドフィル樹脂４０ａは回路基板１０と受発光素子３０との隙間に濡れ広がる。
【００３１】
次に、Ｓ１１２に示すように、サイドフィル樹脂４０ａを硬化させサイドフィル４０を形成する。サイドフィル樹脂４０ａは抑制バンプ１５０により阻まれ、図２２に示すように抑制バンプ１５０よりも内側に濡れ広がることなく硬化する。
【００３２】
以上により、本実施の形態における光モジュールを製造することができる。尚、本実施の形態では電子装置の一例として光モジュールを説明したが、本実施の形態は、受発光素子に代えてＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）やＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルター等の可動部を有する電子素子に適用することも可能である。
【００３３】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態とは抑制バンプの製造方法が異なる。本実施の形態における光モジュールの製造方法について図２３に基づき説明する。
【００３４】
最初に、Ｓ２０２に示すように、ワイヤボンダまたはバンプボンダにより電極１４に抑制バンプ１５０となるスタッドバンプを形成する。図２４（ａ）に示すように、ワイヤボンダのキャピラリ１６０をスタッドバンプが形成される電極１４に近づけ、キャピラリ１６０よりスタッドバンプを形成するための金を供給し、その後、図２４（ｂ）に示すキャピラリ１６０を回路基板１０面と平行な方向に動かし、キャピラリ１６０先端のフェース面１６０ａによりスタッドバンプの登頂部の形状を整え、図２４（ｃ）に示すように回路基板１０よりキャピラリ１６０を離す。これにより、尖った先端部が形成されることなく登頂部が平坦な抑制バンプ１５０を形成することができる。この工程を繰り返すことにより、図２５に示すように、所望の数の抑制バンプ１５０を形成する。抑制バンプ１５０の高さは、例えば約１０μｍである。
【００３５】
次に、Ｓ２０４に示すように接続バンプ２０となるスタッドバンプを形成する。図２６に示すように、電極１３に先端２０ａが尖ったスタッドバンプを形成する。接続バンプ２０となるスタッドバンプは、図１６に示す抑制バンプ１５０となるスタッドバンプと同様の方法により形成することができるが、接続バンプ２０となるスタッドバンプは抑制バンプ１５０となるスタッドバンプよりも大きい。
【００３６】
次に、Ｓ２０６に示すように、フリップチップ接続により受発光素子３０を実装する。図２０に示すように、接続バンプ２０に受発光素子３０を載せ、接続バンプ２０と受発光素子３０の不図示の電極端子とを接続する。この際、接続バンプ２０の先端２０ａが潰れ、接続バンプ２０の高さは、例えば約１５μｍになる。
【００３７】
次に、Ｓ２０８に示すように、受発光素子３０の周囲にサイドフィル樹脂４０ａを塗布する。図２１に示すように、サイドフィル樹脂４０ａは、回路基板１０と受発光素子３０との隙間に濡れ広がる。
【００３８】
次に、Ｓ２１０に示すように、サイドフィル樹脂４０ａを硬化させサイドフィル４０を形成する。硬化する際、サイドフィル樹脂４０ａは抑制バンプ１５０により阻まれ、図２２に示すように抑制バンプ１５０よりも内側に濡れ広がることなく硬化する。
【００３９】
本実施の形態においては、Ｓ２０２の工程とＳ２０４の工程の順序を入れ換えたものであってもよい。
【００４０】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００４１】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、抑制バンプをメッキにより形成するものである。本実施の形態における光モジュールの製造方法について図２７に基づき説明する。
【００４２】
最初に、Ｓ３０２に示すようにメッキにより抑制バンプ３５０を形成する。図２８に示すように、電極１３及び１４が形成されている回路基板１０の表面にフォトレジストを塗布し、露光装置による露光、現像を行うことにより、図２９に示すレジストパターン３６２を形成する。レジストパターン３６２は、抑制バンプが形成される領域に開口３６２ａを有し、開口３６２ａから電極１４が露出している。この後、図３０に示すように、開口３６２ａで露出している電極１４の上に電解メッキにより金属、例えば銅を堆積させて抑制バンプ３５０を形成する。この後、有機溶剤等により図３１に示すようにレジストパターン３６２を除去する。メッキにより形成される抑制バンプ３５０の高さは、例えば約１０μｍである。
【００４３】
次に、Ｓ３０４に示すように、接続バンプ２０となるスタッドバンプを形成する。図３２に示すように、電極１３の上に先端２０ａが尖ったスタッドバンプを形成する。スタッドバンプは、図１６に示すスタッドバンプと同様の方法により形成できる。
【００４４】
次に、Ｓ３０６に示すように、フリップチップ接続により受発光素子３０を実装する。図３３に示すように、接続バンプ２０に受発光素子３０を載せ、接続バンプ２０と受発光素子３０の不図示の電極端子とを接続する。この際、接続バンプ２０の先端２０ａが潰れ、接続バンプ２０の高さは例えば約１５μｍになる。
【００４５】
次に、Ｓ３０８に示すように、受発光素子３０の周囲にサイドフィル樹脂４０ａを塗布する。図３４に示すように、サイドフィル樹脂４０ａは、回路基板１０と受発光素子３０との隙間に濡れ広がる。
【００４６】
次に、Ｓ３１０に示すように、サイドフィル樹脂４０ａを硬化させ図３５に示すサイドフィル４０を形成する。サイドフィル樹脂４０ａが硬化する際、サイドフィル樹脂４０ａは抑制バンプ３５０により阻まれるため、抑制バンプ３５０よりも内側に濡れ広がることなく硬化する。
【００４７】
本実施の形態では、接続バンプ２０もスタッドバンプではなく、メッキにより形成したものであってもよい。
【００４８】
尚、上記以外の内容については、第１の実施の形態と同様である。
【００４９】
〔第４の実施の形態〕
次に、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態は、メッキにより樹脂進入を抑制するパターンを形成するものである。本実施の形態における光モジュールの製造方法について図３６に基づき説明する。尚、抑制パターンは抑制バンプの一形態であるものとする。
【００５０】
最初に、Ｓ４０２に示すように、メッキにより抑制パターン４５０を形成する。図３７に示すように、電極１３及び１４が形成されている回路基板１０の表面にフォトレジストを塗布し露光装置による露光、現像を行うことにより、図３８に示すレジストパターン４６２を形成する。レジストパターン４６２は、抑制バンプが形成される領域に、電極１４が露出する開口４６２ａを有している。この後、図３９に示すように、電解メッキにより開口４６２ａから露出している電極１４の上に金属、例えば銅を堆積させて抑制パターン４５０を形成する。この後、有機溶剤等により図４０に示すようにレジストパターン４６２を除去する。抑制パターン４５０の高さは、例えば約１０μｍである。
【００５１】
次に、Ｓ４０４に示すように、接続バンプ２０となるスタッドバンプを形成する。図４１に示すように、電極１３の上に先端２０ａが尖ったスタッドバンプを形成する。
【００５２】
次に、Ｓ４０６に示すように、フリップチップ接続により受発光素子３０を実装する。図４２に示すように、接続バンプ２０に受発光素子３０を載せ、接続バンプ２０と受発光素子３０の不図示の電極端子とを接続する。この際、接続バンプ２０の先端２０ａが潰れ、接続バンプ２０の高さは例えば約１５μｍになる。
【００５３】
次に、Ｓ４０８に示すように、受発光素子３０の周囲にサイドフィル樹脂４０ａを塗布する。図４３に示すように、サイドフィル樹脂４０ａは、回路基板１０と受発光素子３０との隙間に濡れ広がる。
【００５４】
次に、Ｓ４１０に示すように、サイドフィル樹脂４０ａを硬化させ図４４に示すようにサイドフィル４０を形成する。サイドフィル樹脂４０ａが硬化する際、サイドフィル樹脂４０ａは抑制パターン４５０により阻まれるため、抑制パターン４５０よりも内側に濡れ広がることなく硬化する。
【００５５】
尚、上記以外の内容については、第３の実施の形態と同様である。
【００５６】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【００５７】
１０        回路基板
１１        穴
１２        配線
１３、１４  電極
２０        接続バンプ（スタッドバンプ）
３０        受発光素子
３１        受発光部
４０        サイドフィル
４０ａ      サイドフィル樹脂
４１        フィラー
１５０      抑制バンプ（スタッドバンプ）
【図１】
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【図２】
2020123604.tif 000004
【図３】
2020123604.tif 000005
【図４】
2020123604.tif 000006
【図５】
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【図６】
2020123604.tif 000008
【図７】
2020123604.tif 000009
【図８】
2020123604.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2020123604.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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