(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭＥＭＳデバイスの構造設計において、小分子物質のＭＥＭＳ部材への付着を防止し、デバイスの性能及び耐用年数の向上を図る。【解決手段】マイクロエレクトロメカニカルシステムＭＥＭＳデバイスはベース基板１、前記ベース基板１に設置されるパッケージ部材２、及び前記パッケージ部材２の内輪に内設され、前記ベース基板１に位置するＭＥＭＳ部材３を備え、前記デバイスは更にシール部材４を備え、前記シール部材４が前記ベース基板１及び／又は前記パッケージ部材２に設置され、前記シール部材４は外部の小分子物質が前記ＭＥＭＳ部材３に接触することを阻止することに用いられる。【選択図】図１
2020175500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロメカニカルシステムＭＥＭＳデバイスであって、
ベース基板、前記ベース基板に設置されるパッケージ部材、及び前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を備え、前記デバイスは、更にシール部材を備え、
前記シール部材が前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に設置され、
前記シール部材は外部の小分子物質が前記ＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられることを特徴とする、前記マイクロエレクトロメカニカルシステムＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、
前記第１パッケージ層が、ベース基板の、前記ＭＥＭＳ部材に接触しない位置に設置され、且つ前記第１パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでおり、
前記第２パッケージ層が、前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に設置され、且つ更に前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に設置され、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、
前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しないことを特徴とする
請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記シール部材は第１シール層を備え、
前記第１シール層が、前記第１パッケージ層と前記第２パッケージ層との間に設置され、
前記第１シール層によって、前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に密着することを特徴とする
請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記シール部材は更に第２シール層を備え、
前記第２シール層が、前記ベース基板と前記第１パッケージ層との間に設置され、
前記第２シール層によって、前記第１パッケージ層が前記ベース基板に密着することを特徴とする
請求項２又は３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ベース基板の前記第１パッケージ層に対向する位置に、不規則な突起及び凹みを有する第１構造が設置され、
前記第２シール層が前記第１構造を備えることを特徴とする
請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第１パッケージ層の前記第２パッケージ層に対向する位置には、不規則な突起及び凹みを有する第２構造が設置され、
前記第１シール層は前記第２構造を備えることを特徴とする
請求項３に記載のデバイス。
【請求項７】
前記シール部材は少なくとも１つの第３シール層を備え、
前記少なくとも１つの第３シール層が、前記ベース基板と前記第２パッケージ層との間に設置され、
前記少なくとも１つの第３シール層が、前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでおり、且つ前記第１パッケージ層の内輪を囲んでいることを特徴とする
請求項２に記載のデバイス。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第３シール層が、前記第１パッケージ層及び前記ＭＥＭＳ部材に接触しないことを特徴とする
請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第１シール層の厚さが１００ｎｍより大きいことを特徴とする
請求項３又は６に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第２シール層の厚さが１００ｎｍより大きいことを特徴とする
請求項４又は５に記載のデバイス。
【請求項１１】
ＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
ベース基板を形成することと、
前記ベース基板には、パッケージ部材と、前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材とを形成し、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することと、を含み、
前記シール部材は外部の小分子物質が前記ＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられることを特徴とする、前記ＭＥＭＳデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、前記シール部材は第１シール層を備え、前記ベース基板には、パッケージ部材及び前記パッケージ部材に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を形成して、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することは、
前記ベース基板に前記ＭＥＭＳ部材を形成することと、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第１パッケージ層を形成することと、
前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に前記第１シール層を形成することと、
前記第１シール層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第１シール層によって、前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に密着しており、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、
前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しないことを特徴とする
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シール部材は更に第２シール層を備え、前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第１パッケージ層を形成することは、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第２シール層を形成することと、
前記第２シール層に前記第１パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第２シール層によって、前記第１パッケージ層が前記ベース基板に密着することを特徴とする
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、前記シール部材は第２シール層を備え、前記ベース基板には、パッケージ部材と、前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材とを形成して、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することは、
前記ベース基板に前記ＭＥＭＳ部材を形成することと、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第２シール層を形成することと、
前記第２シール層に前記第１パッケージ層を形成することと、
前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第２シール層によって、前記第１パッケージ層が前記ベース基板に密着しており、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、
前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しないことを特徴とする
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第２シール層を形成することは、
エッチング加工を用いて、前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、不規則な突起及び凹みを有する第１構造を形成することを含み、
対応して、前記第２シール層に前記第１パッケージ層を形成することは、
前記ベース基板における前記第１構造の所在位置に、前記第１パッケージ層を形成することを含むことを特徴とする
請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に前記第１シール層を形成することは、
電子ビーム衝撃又はスクリーン印刷を用いて前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に、不規則な突起及び凹みを有する第２構造を形成することを含み、
対応して、前記第１シール層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することは、
前記第１パッケージ層における前記第２構造の所在位置及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することを含むことを特徴とする
請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、前記シール部材は少なくとも１つの第３シール層を備え、前記ベース基板には、パッケージ部材と、前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材とを形成して、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することは、
前記ベース基板に前記ＭＥＭＳ部材を形成することと、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、前記第１パッケージ層を形成することと、
前記ベース基板の、前記ＭＥＭＳ部材及び前記第１パッケージ層に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周及び前記第１パッケージ層の内輪を囲んでいる位置に、前記少なくとも１つの第３シール層を形成することと、
前記第１パッケージ層と前記少なくとも１つの第３シール層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成し、前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しないことと、
前記少なくとも１つの第３シール層の前記ベース基板から離れる面に、前記第２パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、前記第３シール層が前記第２パッケージ層に連接されることを特徴とする
請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体分野に関し、特にＭＥＭＳデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）はマイクロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロメカニカル構造、マイクロ電源、マイクロエネルギー、信号処理及び制御回路、高性能電子集積デバイス、インターフェース及び通信を一体にするマイクロデバイス又はシステムである。マイクロエレクトロメカニカルデバイスはマイクロエレクトロニクス技術（導体製造技術）を基に発展してきたものであって、フォトリソグラフィ、エッチング、薄膜、シリコン微細加工、非シリコン微細加工及び精密機械加工等の技術を融合して製造したハイテク電子機械デバイスである。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術の成熟と発展に伴い、ＭＥＭＳ技術が徐々に集積回路に使用されるようになった。ところが、ＭＥＭＳデバイスは構造が壊れやすく、且つデバイスの性能が外部要因に影響されやすいため、通常、ＭＥＭＳ部材に対してパッケージする必要がある。一部のＭＥＭＳデバイスのパッケージにキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）構造を用いてデバイスを保護するが、時間の経過につれて、小分子（例えば、水分子）物質がｃａｖｉｔｙ構造の接着層を通って密閉環境の内部に入って、ＭＥＭＳ部材に付着するようになって、デバイスの性能に影響を与えてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記技術的問題を解決するために、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供することを期待し、それにより従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計で小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという課題を解決し、ＭＥＭＳデバイス（特に音波デバイス）の性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の技術案は以下のように実現される。
【０００６】
ＭＥＭＳデバイスであって、ベース基板、前記ベース基板に設置されるパッケージ部材、及び前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を備え、更にシール部材を備え、
前記シール部材が前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に設置され、
前記シール部材は外部の小分子が前記ＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられる。
【０００７】
上記の技術案では、前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、
前記第１パッケージ層が、ベース基板の、前記ＭＥＭＳ部材に接触しない位置に設置され、且つ前記第１パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでおり、
前記第２パッケージ層が、前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に設置され、且つ更に前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に設置され、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、
前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しない。
【０００８】
上記の技術案では、前記シール部材は第１シール層を備え、
前記第１シール層が、前記第１パッケージ層と前記第２パッケージ層との間に設置され、
前記第１シール層によって、前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に密着する。
【０００９】
上記の技術案では、前記シール部材は更に第２シール層を備え、
前記第２シール層が、前記ベース基板と前記第１パッケージ層との間に設置され、
前記第２シール層によって、前記第１パッケージ層が前記ベース基板に密着する。
【００１０】
上記の技術案では、前記ベース基板の前記第１パッケージ層に対向する位置に、不規則な突起及び凹みを有する第１構造が設置され、
前記第２シール層が前記第１構造を備える。
【００１１】
上記の技術案では、前記第１パッケージ層の前記第２パッケージ層に対向する位置には、不規則な突起及び凹みを有する第２構造が設置され、
前記第１シール層は前記第２構造を備える。
【００１２】
上記の技術案では、前記シール部材は少なくとも１つの第３シール層を備え、
前記少なくとも１つの第３シール層が、前記ベース基板と前記第２パッケージ層との間に設置され、
前記少なくとも１つの第３シール層が、前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでおり、且つ前記第１パッケージ層の内輪を囲んでいる。
【００１３】
上記の技術案では、前記少なくとも１つの第３シール層が、前記第１パッケージ層及び前記ＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００１４】
上記の技術案では、前記第２シール層の厚さが１００ｎｍより大きい。
【００１５】
上記の技術案では、前記第１シール層の厚さが１００ｎｍより大きい。
【００１６】
ＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、
ベース基板を形成することと、
前記ベース基板には、パッケージ部材と、前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材とを形成し、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することと、を含み、
前記シール部材は外部の小分子物質が前記ＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられる。
【００１７】
上記の技術案では、前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、前記シール部材は第２シール層を備え、前記ベース基板には、パッケージ部材及び前記パッケージ部材に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を形成して、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することは、
前記ベース基板に前記ＭＥＭＳ部材を形成することと、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第１パッケージ層を形成することと、
前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に前記第１シール層を形成することと、
前記第１シール層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第１シール層によって、前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に密着しており、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、
前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００１８】
上記の技術案では、前記シール部材は更に第２シール層を備え、前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第１パッケージ層を形成することは、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に前記第２シール層を形成することと、
前記第２シール層に前記第１パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第２シール層によって、前記第１パッケージ層が前記ベース基板に密着する。
【００１９】
上記の技術案では、前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、前記シール部材は第２シール層を備え、前記ベース基板には、パッケージ部材及び前記パッケージ部材に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を形成して、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することは、
前記ベース基板に前記ＭＥＭＳ部材を形成することと、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第２シール層を形成することと、
前記第２シール層に前記第１パッケージ層を形成することと、
前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第２シール層によって、前記第１パッケージ層が前記ベース基板に密着しており、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、
前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００２０】
上記の技術案では、前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第２シール層を形成することは、
エッチング加工を用いて、前記ベース基板の前記ＭＥＭＳに接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、不規則な突起及び凹みを有する第１構造を形成することを含み、
対応して、前記第２シール層に前記第１パッケージ層を形成することは、
前記ベース基板における前記第１構造の所在位置に、前記第１パッケージ層を形成することを含む。
【００２１】
上記の技術案では、前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に前記第１シール層を形成することは、
電子ビーム衝撃又はスクリーン印刷を用いて前記第１パッケージ層の前記ベース基板から離れる面に、不規則な突起及び凹みを有する第２構造を形成することを含み、
対応して、前記第１シール層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することは、
前記第１パッケージ層における前記第２構造の所在位置及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成することを含む。
【００２２】
上記の技術案では、前記パッケージ部材は第１パッケージ層と第２パッケージ層を備え、前記シール部材は少なくとも１つの第３シール層を備え、前記ベース基板には、パッケージ部材と、前記パッケージ部材の内輪に内設され、前記ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材とを形成して、前記ベース基板及び／又は前記パッケージ部材に、シール部材を形成することは、
前記ベース基板に前記ＭＥＭＳ部材を形成することと、
前記ベース基板の前記ＭＥＭＳ部材に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、前記第１パッケージ層を形成することと、
前記ベース基板の、前記ＭＥＭＳ部材及び前記第１パッケージ層に接触せず且つ前記ＭＥＭＳ部材の外周及び前記第１パッケージ層の内輪を囲んでいる位置に、前記少なくとも１つの第３シール層を形成することと、
前記第１パッケージ層と前記少なくとも１つの第３シール層の前記ベース基板から離れる面及び前記ＭＥＭＳ部材の前記ベース基板から離れる側の面の上方に、前記第２パッケージ層を形成し、前記第２パッケージ層が前記ＭＥＭＳ部材に接触しないことと、
前記少なくとも１つの第３シール層の前記ベース基板から離れる面に、前記第２パッケージ層を形成することと、を含み、
前記第１パッケージ層が前記第２パッケージ層に連接され、前記第３シール層が前記第２パッケージ層に連接される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイス及びその製造方法において、該ＭＥＭＳデバイスはベース基板、ベース基板に設置されるパッケージ部材、及びパッケージ部材に内設され、ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を備え、デバイスは更にベース基板及び／又はパッケージ部材に設置されるシール部材を備え、シール部材は外部の小分子がＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられ、このように、ＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの構造模式図である。
【図２】図２は本発明の実施例に係る他のＭＥＭＳデバイスの構造模式図である。
【図３】図３は本発明の実施例に係る別のＭＥＭＳデバイスの構造模式図である。
【図４】図４は本発明の他の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの構造模式図である。
【図５】図５は本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法のフローチャートである。
【図６】図６は本発明の実施例に係る他のＭＥＭＳデバイスの製造方法のフローチャートである。
【図７】図７は本発明の実施例に係る別のＭＥＭＳデバイスの製造方法のフローチャートである。
【図８】図８は本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造過程の構造模式図である。
【図９】図９は本発明の実施例に係る他のＭＥＭＳデバイスの製造過程の構造模式図である。
【図１０】図１０は本発明の実施例に係る別のＭＥＭＳデバイスの製造過程の構造模式図である。
【図１１】図１１は本発明の他の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造過程の構造模式図である。
【図１２】図１２は本発明の他の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法のフローチャートである。
【図１３】図１３は本発明の他の実施例に係る他のＭＥＭＳデバイスの製造過程の構造模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施例の図面を参照しながら本発明の実施例の技術案を明確且つ完全に説明する。
【００２６】
本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスを提供し、該ＭＥＭＳデバイスはベース基板１、ベース基板１に設置されるパッケージ部材２、及びパッケージ部材２の内輪に内設され、ベース基板１に位置するＭＥＭＳ部材３を備えてもよく、該ＭＥＭＳデバイスは更にシール部材４を備え、
シール部材４がベース基板１及び／又はパッケージ部材２に設置され、
シール部材は外部の小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられる。
【００２７】
なお、本実施例のシール部材はパッケージ部材とベース基板とが接触する位置に設置されてもよく、パッケージ部材自身が互いに接触する位置に設置されてもよく、ＭＥＭＳ部材の外周のパッケージ部材の内輪の位置に設置されてもよく、当然ながら、シール部材の位置は上記説明された位置に限らず、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止できる他の位置がいずれも可能である。
【００２８】
本発明の他の実施例において、パッケージ部材２は第１パッケージ層２１と第２パッケージ層２２を備え、
第１パッケージ層２１がベース基板１においてＭＥＭＳ部材３に接触しない位置に設置され、且つ第１パッケージ層がＭＥＭＳ部材３の外周を囲んでいる。
【００２９】
第２パッケージ層２２が第１パッケージ層２１のベース基板１から離れる面に設置され、且つ更にＭＥＭＳ部材３のベース基板１から離れる側の面の上方に設置される。
【００３０】
第１パッケージ層が第２パッケージ層に連接され、第２パッケージ層がＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００３１】
第２パッケージ層全体が一体に連接されるものであり、第２パッケージ層と第１パッケージ層がｃａｖｉｔｙ構造が形成でき、それによりＭＥＭＳ部材全体が該ｃａｖｉｔｙ構造内に保護されて、外部と隔絶する。
【００３２】
本発明の他の実施例において、シール部材４は第１シール層４２を備え、
第１シール層４２が第１パッケージ層と第２パッケージ層との間に設置される。
【００３３】
第１シール層によって、第１パッケージ層が第２パッケージ層に密着する。
【００３４】
ＭＥＭＳデバイスに第１シール層を設置した後、第１シール層は第１パッケージ層と第２パッケージ層との接触をより緊密にすることができ、このように、第１パッケージ層と第２パッケージ層との接触位置の間に隙間がなく、外部の小分子物質も第１パッケージ層と第２パッケージ層との接触位置を通過して第１パッケージ層を通ってｃａｖｉｔｙ構造の内部に入ることができず、それにより外部の小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することを避ける。
【００３５】
本発明の他の実施例において、シール部材４は更に第２シール層４１を備え、
第２シール層４１がベース基板１と第１パッケージ層２１との間に設置される。
【００３６】
第２シール層によって、第１パッケージ層がベース基板に密着する。
【００３７】
ＭＥＭＳデバイスに第２シール層を設置した後、第２シール層は第１パッケージ層とベース基板との接触をより緊密にすることができ、このように、第１パッケージ層とベース基板との接触位置の間に隙間がなく、外部の小分子物質も第１パッケージ層とベース基板との接触位置を通過して第１パッケージ層を通ってｃａｖｉｔｙ構造の内部に入り込むことができず、それにより外部の小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することを避ける。
【００３８】
なお、本発明の実施例のＭＥＭＳデバイスに第１シール層及び第２シール層が同時に設置されてもよいし、第１シール層又は第２シール層のみが設置されてもよい。
【００３９】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスにおいて、該ＭＥＭＳデバイスはベース基板、ベース基板に設置されるパッケージ部材、及びパッケージ部材に内設され、ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材を備え、デバイスは更にベース基板及び／又はパッケージ部材に設置されるシール部材を備え、シール部材は外部の小分子がＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられ、このように、該ＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【００４０】
上記実施例に基づき、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスを提供し、図３に示すように、該ＭＥＭＳデバイスはベース基板１、ベース基板１に設置されるパッケージ部材２、及びパッケージ部材２の内輪に内設され、ベース基板１に位置するＭＥＭＳ部材３を備えてもよく、該ＭＥＭＳデバイスは更にシール部材４を備え、パッケージ部材２は第１パッケージ層２１と第２パッケージ層２２を備え、シール部材４は第１シール層４２を備え、
第１パッケージ層２１がベース基板１においてＭＥＭＳ部材３に接触しない位置に設置され、且つ第１パッケージ層がＭＥＭＳ部材３の外周を囲んでいる。
【００４１】
第２パッケージ層２２が第１パッケージ層２１のベース基板１から離れる面に設置され、且つ更にＭＥＭＳ部材３のベース基板１から離れる側の面の上方に設置される。
【００４２】
第１パッケージ層が第２パッケージ層に連接され、第２パッケージ層がＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００４３】
図３に示すように、第２パッケージ層が一体構造であり、且つ第１パッケージ層が第２パッケージ層に連接された後、図１におけるＭＥＭＳ部材をその内部に保護するためのｃａｖｉｔｙ構造を形成できる。
【００４４】
第１パッケージ層２１の第２パッケージ層２２に対向する位置には不規則な突起及び凹みを有する第２構造が設置される。
【００４５】
第１シール層４２は第２構造を備える。
【００４６】
第１パッケージ層における第２パッケージ層に対向する位置には、不規則な突起及び凹みを有する第２構造を形成した後、第２パッケージ層を形成するための材料は第１パッケージ層における第２構造に入ることができ、このように、第２パッケージ層の材料が第１パッケージ層の材料に効率よく接触することが可能になり、当然ながら、第１パッケージ層が第２パッケージ層に緊密に接触することも可能になり、それによりＭＥＭＳデバイスの位置する外部環境における小分子物質が第１パッケージ層と第２パッケージ層との接触位置を通過してｃａｖｉｔｙ構造の内部に入ることができず、小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することもなく、ＭＥＭＳデバイスの性能に影響を与えることを避ける。
【００４７】
なお、本発明の実施例は第１シール層が不規則な突起及び凹みを有する第２構造であってもよい場合を例として説明したが、第１シール層の形状を制限するためのものではなく、当然ながら、第１パッケージ層の材料が第２パッケージ層の材料に効率よく接触するように確保できる形状であればよい。
【００４８】
本発明の他の実施例において、図２に示すように、シール部材４は更に第２シール層４１を備え、
ベース基板１の第１パッケージ層２１に対向する位置には不規則な突起及び凹みを有する第１構造が設置される。
【００４９】
該第２シール層４１は第１構造を備える。
【００５０】
ベース基板における第１パッケージ層に対向する位置に、不規則な突起及び凹みを有する第１構造を形成した後、第１パッケージ層を形成するための材料はベース基板における突起及び凹みを有する構造に入ることができ、このように、第１パッケージ層の材料がベース基板の材料に効率よく接触することが可能になり、当然ながら、第１パッケージ層がベース基板に緊密に接触することも可能になり、それによりＭＥＭＳデバイスの位置する外部環境における小分子物質が第１パッケージ層とベース基板との接触位置を通過してｃａｖｉｔｙ構造の内部に入ることができず、小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することもなく、ＭＥＭＳデバイスの性能に影響を与えることを避ける。
【００５１】
なお、本発明の実施例は第２シール層が不規則な突起及び凹みを有する第１構造であってもよい場合を例として説明したが、第１シール層の形状を制限するためのものではなく、当然ながら、第１パッケージ層の材料がベース基板の材料に効率よく接触するように確保できる形状であればよい。なお、第１構造が第２構造と同じであってもよいし、異なってもよい。
【００５２】
第１シール層の厚さが１００ｎｍより大きく、第２シール層の厚さが１００ｎｍより大きい。
【００５３】
つまり、ベース基板における第１構造の最高部位と最低部位との高度差及び第１パッケージ層における第２構造の最高部位と最低部位との高度差がいずれも１００ｎｍより大きい。
【００５４】
当然ながら、第１構造の最高部位と最低部位との高度差が１００ｎｍより大きく、第２構造の最高部位と最低部位との高度差が１００ｎｍより大きいため、第１パッケージ層の材料がベース基板の材料に深く接触するように確保することができるとともに、第１パッケージ層の材料が第２パッケージ層の材料に深く接触するように確保することもでき、それにより第１パッケージ層とベース基板との接触及び第１パッケージ層と第２パッケージ層との接触をより緊密にする。
【００５５】
本発明の他の実施例において、図１に示すように、シール部材はベース基板における不規則な突起及び凹みを有する第１構造のみを備えてもよく、又は、図３に示すように、シール部材は第１パッケージ層における不規則な突起及び凹みを有する第２構造のみを備えてもよい。
【００５６】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスにおいて、該ＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【００５７】
上記実施例に基づき、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスを提供し、図４に示すように、該ＭＥＭＳデバイスはベース基板１、ベース基板１に設置されるパッケージ部材２、及びパッケージ部材２の内輪に内設され、ベース基板１に位置するＭＥＭＳ部材３を備えてもよく、該ＭＥＭＳデバイスは更にシール部材４を備え、パッケージ部材２は第１パッケージ層２１と第２パッケージ層２２を備え、シール部材４は少なくとも１つの第３シール層４３を備え、
第１パッケージ層２１がベース基板１においてＭＥＭＳ部材３に接触しない位置に設置され、且つ第１パッケージ層がＭＥＭＳ部材３の外周を囲んでいる。
【００５８】
第２パッケージ層２２が第１パッケージ層２１のベース基板１から離れる面に設置され、且つ更にＭＥＭＳ部材３のベース基板１から離れる側の面の上方に設置される。
【００５９】
第１パッケージ層が第２パッケージ層に連接され、第２パッケージ層がＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００６０】
少なくとも１つの第３シール層４３がベース基板１と第２パッケージ層２２との間に設置される。
【００６１】
少なくとも１つの第３シール層４３がＭＥＭＳ部材３の外周を囲んでおり、且つ第１パッケージ層２１の内輪を囲んでいる。
【００６２】
少なくとも１つの第３シール層４３が第１パッケージ層２１及びＭＥＭＳ部材３に接触しない。
【００６３】
なお、図４にはシール部材が１つの第３シール層を備える場合を例示し、図４に示すように、第３シール層が第１パッケージ層及びＭＥＭＳ部材に接触せず、同時に、第３シール層がｃａｖｉｔｙ構造の内部に設置されて、ＭＥＭＳ部材の外周の領域を囲んでおり、このように、ＭＥＭＳデバイスの位置する環境における外部の小分子物質が第１パッケージ層を通っても、ＭＥＭＳ部材の外周に更に第３シール層が設置されるため、該第３シール層はやはり小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することができる。当然ながら、少なくとも１つの第３シール層と第１パッケージ層とは一部が接触してもよい。
【００６４】
本発明の他の実施例において、シール部材４は少なくとも２つの第３シール層４３を備え、各第３シール層が接触しない。
【００６５】
つまり、ＭＥＭＳデバイスに複数の図４に示す第３シール層が設置されてもよいが、各第３シール層が間隔を置いて設置される。このように、ＭＥＭＳデバイスの位置する環境における外部の小分子物質が第１パッケージ層及び１番目の第３シール層を通っても、ＭＥＭＳ部材の外周に更に他の第３シール層が設置されるため、他の第３シール層は小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することができる。つまり、第３シール層の数が多ければ多いほど良いが、第３シール層の数が無制限ではなく、第３シール層の数は実際に適用している応用シーン及びニーズによって決定されてもよい。当然ながら、各第３シール層はその一部が接触してもよい。
【００６６】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスにおいて、該ＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【００６７】
上記実施例に基づき、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供し、図５に示すように、該方法は以下を含む。
【００６８】
ステップ１０１において、ベース基板を形成する。
【００６９】
本実施例はベース基板を形成する材料及び手段を具体的に制限せず、関連技術におけるベース基板の機能を実現できる材料及び手段であればよい。
【００７０】
ステップ１０２において、ベース基板にはパッケージ部材と、パッケージ部材に内設され、ベース基板に位置するＭＥＭＳ部材とを形成し、ベース基板及び／又はパッケージ部材にシール部材を形成する。
【００７１】
シール部材は外部の小分子物質がＭＥＭＳ部材に接触することを阻止することに用いられる。
【００７２】
なお、本実施例はパッケージ部材を形成する材料及び手段を具体的に制限せず、関連技術におけるパッケージの機能を実現できる材料及び手段であればよく、且つ、本実施例はＭＥＭＳ部材の構造も具体的に制限せず、ＭＥＭＳ部材の外周にパッケージ部材を設置すべき構造であればよい。
【００７３】
シール部材は電子ビーム衝撃、スクリーン印刷、エッチング等の手段を用いて形成したものであってもよい。具体的にどの手段を用いてシール部材を形成するかは、シール部材の具体的な構造及び材料によって決定されてもよい。
【００７４】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、形成されたＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【００７５】
上記実施例に基づき、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供し、図６に示すように、該方法は以下のステップを含む。
【００７６】
ステップ２０１において、ベース基板を形成する。
【００７７】
ステップ２０２において、ベース基板にＭＥＭＳ部材を形成する。
【００７８】
ステップ２０３において、ベース基板の、ＭＥＭＳ部材に接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に第２シール層を形成する。
【００７９】
実現可能な実現方式において、第２シール層はエッチング等の手段を用いて形成したものであってもよく、第２シール層の材料がベース基板の材料と同じであってもよく、当然ながら、第２シール層も他の手段及び材料を用いて形成されてもよいが、第２シール層が優れたシール性能を有するように確保する必要がある。
【００８０】
ステップ２０４において、第２シール層に第１パッケージ層を形成する。
【００８１】
本実施例は第１パッケージ層の形成手段及び第１パッケージ層の材料を具体的に制限せず、関連技術における第１パッケージ層のパッケージ機能を実現できる材料及び手段であればよい。
【００８２】
ステップ２０５において、第１パッケージ層のベース基板から離れる面及びＭＥＭＳ部材のベース基板から離れる側の面の上方に第２パッケージ層を形成する。
【００８３】
なお、本実施例は第２パッケージ層の形成手段及び第２パッケージ層の材料を具体的に制限せず、関連技術における第２パッケージ層のパッケージ機能を実現できる材料及び手段であればよい。
【００８４】
本発明の他の実施例において、ステップ２０５は以下のように実現されてもよい。
【００８５】
２０５ａにおいて、第１パッケージ層のベース基板から離れる面に第１シール層を形成する。
【００８６】
実現可能な実現方式において、第１シール層が電子ビーム衝撃又はスクリーン印刷等の手段を用いて形成したものであってもよく、第１シール層の材料が第１パッケージ層の材料と同じであってもよく、当然ながら、第１シール層も他の手段及び材料を用いて形成されてもよいが、第１シール層が優れたシール性能を有するように確保する必要がある。
【００８７】
２０５ｂにおいて、第１シール層のベース基板から離れる面及びＭＥＭＳ部材のベース基板から離れる側の面の上方に第２パッケージ層を形成する。
【００８８】
第１パッケージ層が第２パッケージ層に連接され、第２パッケージ層がＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００８９】
第２シール層によって、第１パッケージ層がベース基板に密着する。
【００９０】
第１シール層によって、第１パッケージ層が第２パッケージ層に密着する。
【００９１】
なお、本実施例における他の実施例と同様又は対応するステップ及び概念についての解釈は他の実施例の説明を参照してもよく、ここで詳細な説明は省略する。
【００９２】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、形成されたＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【００９３】
上記実施例に基づき、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供し、図７に示すように、該方法は、
ベース基板を形成するステップ３０１と、
ベース基板にＭＥＭＳ部材を形成するステップ３０２と、
ベース基板の、ＭＥＭＳ部材に接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第１パッケージ層を形成するステップ３０３と、
第１パッケージ層のベース基板から離れる面に第１シール層を形成するステップ３０４と、
第１シール層のベース基板から離れる面及びＭＥＭＳ部材のベース基板から離れる側の面の上方に第２パッケージ層を形成するステップ３０５と、を含む。
【００９４】
第１シール層によって、第１パッケージ層が第２パッケージ層に密着しており、第２パッケージ層がＭＥＭＳ部材に接触しない。
【００９５】
なお、本実施例における他の実施例と同様又は対応するステップ及び概念についての解釈は他の実施例の説明を参照してもよく、ここで詳細な説明は省略する。
【００９６】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、形成されたＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【００９７】
上記実施例に基づき、本発明の他の実施例において、ステップ２０３は、
エッチング加工を用いて、ベース基板におけるＭＥＭＳに接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、不規則な突起及び凹みを有する第１構造を形成するように実現されてもよい。
【００９８】
対応して、ステップ２０４において、
ベース基板における第１構造の所在位置に第１パッケージ層を形成するように実現されてもよい。
【００９９】
つまり、エッチング加工を用いて、ベース基板の表面に対して粗さ処理を行い、図８に示すように、最高部位と最低部位との高度差が１００ｎｍより大きい不規則な突起及び凹みを有する第１構造を形成し、更に第２シール層を得ることができる。次に、金属、セラミック、有機物等の材料を図８における形成された第１構造に塗布又は貼着して、第１パッケージ層を得て、更に図９に示す構造を得る。最後に、金属、セラミック、有機物等の材料を図９に示す構造の最外層に貼着して、第２パッケージ層を得て、更に図１に示す構造を得る。
【０１００】
上記実施例に基づき、本発明の他の実施例において、ステップ２０５ａ及びステップ３０４は、
電子ビーム衝撃又はスクリーン印刷を用いて第１パッケージ層のベース基板から離れる面に不規則な突起及び凹みを有する第２構造を形成するように実現されてもよい。
【０１０１】
対応して、ステップ２０５ｂ及びステップ３０５は、
第１パッケージ層における第２構造の所在位置及びＭＥＭＳ部材のベース基板から離れる側の面の上方に第２パッケージ層を形成するように実現されてもよい。
【０１０２】
つまり、電子ビーム衝撃、スクリーン印刷等の手段を用いて第１パッケージ層の表面に対してプラズマ衝撃処理を行い、最高部位と最低部位との高度差が１００ｎｍより大きい不規則な突起及び凹みを有する第２構造を形成し、更に第１シール層を得ることができる。ＭＥＭＳデバイスは第１シール層のみを備える場合、この時、図１０に示す構造を形成でき、ＭＥＭＳデバイスは第１シール層と第２シール層を同時に備える場合、この時、図１１に示す構造を形成できる。最後に、金属、セラミック、有機物等の材料を図１０又は図１１に示す構造の最外層に貼着して、第２パッケージ層を得て、更に図２又は図３に示す構造を得ることができる。
【０１０３】
上記実施例に基づき、本発明の実施例はＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供し、図１２に示すように、該方法は、
ベース基板を形成するステップ４０１と、
ベース基板にＭＥＭＳ部材を形成するステップ４０２と、
ベース基板の、ＭＥＭＳ部材に接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周を囲んでいる位置に、第１パッケージ層を形成するステップ４０３と、
ベース基板の、ＭＥＭＳ部材及び第１パッケージ層に接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周及び第１パッケージ層の内輪を囲んでいる位置に少なくとも１つの第３シール層を形成するステップ４０４と、を含む。
【０１０４】
本発明の他の実施例において、少なくとも１つの第３シール層は金属、セラミック、有機物等の材料をベース基板の、ＭＥＭＳ部材及び第１パッケージ層に接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周及び第１パッケージ層の内輪を囲んでいる位置に塗布又は貼着して得られたものであってもよく、実現可能な実現方式において、少なくとも１つの第３シール層の材料がドライフィルムフォトレジスト材料である場合、この時、貼着手段を用いてベース基板に１層のドライフィルムフォトレジスト材料を貼着した後、感光ステップによって他の位置に貼着したドライフィルムフォトレジスト材料を現像して除去し、ＭＥＭＳ部材及び第１パッケージ層に接触せず且つＭＥＭＳ部材の外周及び第１パッケージ層の内輪を囲んでいる位置に少なくとも１つの第３シール層を形成してもよい。なお、ＭＥＭＳデバイスが第３シール層を備える場合を例とし、上記手段を用いてドライフィルムフォトレジスト材料を貼着して現像した後、図１３に示す構造を得ることができる。当然ながら、少なくとも１つの第３シール層と第１パッケージ層とは一部が接触してもよい。
【０１０５】
シール部材は少なくとも２つの第３シール層を備え、ステップ４０４は、
ベース基板の、ＭＥＭＳ部材及び第１パッケージ層に接触せず且つＭＥＭ部材の外周及び第１パッケージ層の内輪を囲んでいる位置に順に互いに接触しない少なくとも２つの第３シール層を形成するように実現されてもよい。
【０１０６】
なお、全ての第３シール層のいずれも上記の第３シール層の形成手段及び材料を用いて形成されてもよい。且つ、各第３シール層は順に形成されたものである。当然ながら、各第３シール層はその一部が接触してもよい。
【０１０７】
ステップ４０５において、第１パッケージ層と少なくとも１つの第３シール層のベース基板から離れる面、ＭＥＭＳ部材のベース基板から離れる側の面の上方、及び少なくとも１つの第３シール層のベース基板から離れる面に第２パッケージ層を形成する。
【０１０８】
第２パッケージ層がＭＥＭＳ部材に接触しない。
【０１０９】
第１パッケージ層が第２パッケージ層に連接され、第３シール層が第２パッケージ層に連接される。
【０１１０】
実現可能な実現方式において、１つのみの第３シール層を備える場合、図１３に示す構造の最外層に１層のドライフィルムフォトレジスト材料を貼着して第２パッケージ層を形成し、更に図４に示す構造を呈する。
【０１１１】
なお、本実施例における他の実施例と同様又は対応するステップ及び概念についての解釈は他の実施例の説明を参照してもよく、ここで詳細な説明は省略する。
【０１１２】
本発明の実施例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法において、形成されたＭＥＭＳデバイスは、外部の小分子がパッケージ部材を通ってＭＥＭＳ部材に接触することを阻止するためのシール部材を有し、従来のＭＥＭＳデバイスの構造設計における小分子物質が密閉環境の内部に入ってＭＥＭＳ部材に付着するという問題を解決し、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上させて、ＭＥＭＳデバイスの耐用年数を延ばす。
【０１１３】
以上の説明は本発明の好適な実施例であって、本発明の保護範囲を制限するためのものではない。
【符号の説明】
【０１１４】
１  ベース基板
２  パッケージ部材
２１  第１パッケージ層
２２  第２パッケージ層
３  ＭＥＭＳ部材
４  シール部材
４１  第２シール層
４２  第１シール層
４３  第３シール層
【図１】
2020175500.tif 000003
【図２】
2020175500.tif 000004
【図３】
2020175500.tif 000005
【図４】
2020175500.tif 000006
【図５】
2020175500.tif 000007
【図６】
2020175500.tif 000008
【図７】
2020175500.tif 000009
【図８】
2020175500.tif 000010
【図９】
2020175500.tif 000011
【図１０】
2020175500.tif 000012
【図１１】
2020175500.tif 000013
【図１２】
2020175500.tif 000014
【図１３】
2020175500.tif 000015