(57)【要約】【課題】好適に伝熱ガスの供給を制御する基板処理装置の制御方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】本体容器内にて基板を載置するステージと、環状部材と、ガス導入部と、排気部と、裏面空間に伝熱ガスを供給または排気する伝熱ガス供給排気部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、ステージに基板を載置し、環状部材を基板に載置して押圧する工程と、伝熱ガス供給排気部において、裏面空間に供給する伝熱ガスの圧力を準備する工程と、伝熱ガス供給排気部から裏面空間に伝熱ガスを供給する工程と、ガス導入部から本体容器内にガスを導入して基板に処理を施す工程と、オリフィスを介して裏面空間から伝熱ガスを排気する第１の排気工程と、第１の排気工程の後、裏面空間から伝熱ガスを排気する第２の排気工程と、環状部材を基板から外す工程と、を有する、基板処理装置の制御方法。【選択図】図３
2020122206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体容器内にて基板を載置するステージと、
前記ステージに載置された前記基板を押圧する環状部材と、
前記本体容器内にガスを導入するガス導入部と、
前記本体容器内を排気する排気部と、
前記基板の裏面と前記ステージの表面との間の空間である裏面空間に伝熱ガスを供給または排気する伝熱ガス供給排気部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
前記ステージに前記基板を載置し、前記環状部材を前記基板に載置して押圧する工程と、
前記伝熱ガス供給排気部において、前記裏面空間に供給する伝熱ガスの圧力を準備する工程と、
前記伝熱ガス供給排気部から前記裏面空間に伝熱ガスを供給する工程と、
前記ガス導入部から前記本体容器内にガスを導入して前記基板に処理を施す工程と、
オリフィスを介して前記裏面空間から伝熱ガスを排気する第１の排気工程と、
前記第１の排気工程の後、前記裏面空間から伝熱ガスを排気する第２の排気工程と、
前記環状部材を前記基板から外す工程と、
を有する、基板処理装置の制御方法。
【請求項２】
前記ステージに前記基板を載置する前に、前記本体容器内を排気する工程を有する、
請求項１に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項３】
前記第２の排気工程は、前記オリフィスを介しないバイパス経路、または、前記バイパス経路と前記オリフィスを介する経路とから伝熱ガスを排気する、
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項４】
前記基板に処理を施す工程の前に、前記本体容器内の圧力が前記裏面空間の圧力よりも高くなるように、前記本体容器内へのガスの導入と、前記裏面空間への伝熱ガスの供給と、を制御する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項５】
前記伝熱ガスの圧力を準備する工程は、前記基板を予め加熱する予備加熱工程を含む、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項６】
前記ステージ、前記本体容器、及び、前記ガス導入部の少なくとも１つは加熱手段を備え、
前記予備加熱工程は、前記加熱手段から入熱により、前記基板を加熱する、
請求項５に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項７】
前記バイパス経路は、開閉弁をさらに備え、
前記第２の排気工程は、前記開閉弁を特定の時間連続的に開弁する、または、間欠的に開弁する、の少なくとも１つの制御を行う、
請求項３に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記環状部材を前記基板から外す工程の後に、前記基板を前記ステージから離間する工程を更に有し、
該工程は、前記本体容器内の圧力と前記裏面空間の圧力の差が小さくなるように前記排気部を制御する、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項９】
本体容器内にて基板を載置するステージと、
前記ステージに載置された前記基板を押圧する環状部材と、
前記本体容器内にガスを導入するガス導入部と、
前記本体容器内を排気する排気部と、
前記基板の裏面と前記ステージの表面との間の空間である裏面空間に伝熱ガスを供給または排気する伝熱ガス供給排気部と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記ステージに前記基板を載置し、前記環状部材を前記基板に載置して押圧する工程と、
前記伝熱ガス供給排気部において、前記裏面空間に供給する伝熱ガスの圧力を準備する工程と、
前記伝熱ガス供給排気部から前記裏面空間に伝熱ガスを供給する工程と、
前記ガス導入部から前記本体容器内にガスを導入して前記基板に処理を施す工程と、
オリフィスを介して前記裏面空間から伝熱ガスを排気する第１の排気工程と、
前記第１の排気工程の後、前記裏面空間から伝熱ガスを排気する第２の排気工程と、
前記環状部材を前記基板から外す工程と、を実行する、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置の制御方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、基板に成膜処理等の所定の処理を行う基板処理装置が知られている。
【０００３】
特許文献１には、試料の裏面に伝熱ガスを導入し試料の温度を制御する真空処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平３−１０４８８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一の側面では、本開示は、好適に伝熱ガスの供給を制御する基板処理装置の制御方法及び基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、本体容器内にて基板を載置するステージと、前記ステージに載置された前記基板を押圧する環状部材と、前記本体容器内にガスを導入するガス導入部と、前記本体容器内を排気する排気部と、前記基板の裏面と前記ステージの表面との間の空間である裏面空間に伝熱ガスを供給または排気する伝熱ガス供給排気部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記ステージに前記基板を載置し、前記環状部材を前記基板に載置して押圧する工程と、前記伝熱ガス供給排気部において、前記裏面空間に供給する伝熱ガスの圧力を準備する工程と、前記伝熱ガス供給排気部から前記裏面空間に伝熱ガスを供給する工程と、前記ガス導入部から前記本体容器内にガスを導入して前記基板に処理を施す工程と、オリフィスを介して前記裏面空間から伝熱ガスを排気する第１の排気工程と、前記第１の排気工程の後、前記裏面空間から伝熱ガスを排気する第２の排気工程と、前記環状部材を前記基板から外す工程と、を有する、基板処理装置の制御方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、好適に伝熱ガスの供給を制御する基板処理装置の制御方法及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例の断面模式図。
【図２】一実施形態に係る基板処理装置が有する伝熱ガス供給部の一例の構成図。
【図３】一実施形態に係る基板処理装置における動作の一例を示すフローチャート。
【図４】各工程における伝熱ガス供給排気部の状態を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１０】
＜処理装置＞
一実施形態に係る基板処理装置１００の構造の一例について図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１００の一例の断面模式図である。図１に示す基板処理装置１００は、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置であって、例えば、ルテニウムを埋め込むためのルテニウム埋込工程を行う装置である。例えば、ドデカカルボニル三ルテニウムＲｕ３（ＣＯ）１２等のルテニウム含有ガス等のプロセスガスを供給し、ウェハＷにルテニウムの成膜処理等の所定の処理を行う。
【００１１】
本体容器１０１は、上側に開口を有する有底の容器である。支持部材１０２は、ガス導入機構１０３を支持する。また、支持部材１０２が本体容器１０１の上側の開口を塞ぐことにより、本体容器１０１は密閉され、処理室１０１ｃを形成する。ガス供給部１０４は、供給管１０２ａを備えた支持部材１０２を介して、ガス導入機構１０３にルテニウム含有ガス等のプロセスガスやキャリアガスを供給する。ガス供給部１０４から供給されたルテニウム含有ガスやキャリアガスは、ガス導入機構１０３から処理室１０１ｃ内へ供給される。
【００１２】
ステージ１０５は、例えば、窒化アルミニウムや石英などを材料として、扁平な円板状に形成され、ウェハＷを載置する部材である。ステージ１０５の内部には、ウェハＷを加熱するためのヒータ１０６が埋設されている。ヒータ１０６は、例えば、シート状の抵抗発熱体より構成されていて、不図示の電源部から電力が供給されて発熱し、ステージ１０５の載置面を加熱することにより、成膜に適した所定のプロセス温度までウェハＷを昇温する。例えば、ヒータ１０６は、ステージ１０５上に載置されたウェハＷを、例えば、１００℃〜３００℃に加熱する。
【００１３】
また、ステージ１０５は、ステージ１０５の下面中心部から下方に向けて伸び、本体容器１０１の底部を貫通する一端が昇降板１０９を介して昇降機構１１０に支持された支持部１０５ａを有する。
【００１４】
また、ステージ１０５の下部には、温調部材として、温調ジャケット１０８が設けられている。温調ジャケット１０８は、ステージ１０５と同程度のサイズの板部１０８ａが上部に形成され、支持部１０５ａよりも径の大きい軸部１０８ｂが下部に形成されている。また、温調ジャケット１０８は、中央の上下方向に板部１０８ａおよび軸部１０８ｂを貫通する穴部１０８ｃが形成されている。
【００１５】
温調ジャケット１０８は、穴部１０８ｃに支持部１０５ａを収容しており、穴部１０８ｃで支持部１０５ａを覆うと共にステージ１０５の裏面全面を覆うように配置されている。穴部１０８ｃは、支持部１０５ａの径より大きいため、支持部１０５ａと温調ジャケット１０８との間に隙間部（図示せず）が形成される。
【００１６】
温調ジャケット１０８は、板部１０８ａの内部に冷媒流路１０８ｄが形成され、軸部１０８ｂの内部に２本の冷媒配管１１８ａ，１１８ｂが設けられている。冷媒流路１０８ｄは、一方の端部が一方の冷媒配管１１８ａに接続され、他方の端部が他方の冷媒配管１１８ｂに接続されている。冷媒配管１１８ａ，１１８ｂは、冷媒ユニット１１８に接続されている。
【００１７】
冷媒ユニット１１８は、例えばチラーユニットである。冷媒ユニット１１８は、冷媒の温度が制御可能とされており、所定の温度の冷媒を冷媒配管１１８ａに供給する。冷媒流路１０８ｄには、冷媒ユニット１１８から冷媒配管１１８ａを介して冷媒が供給される。冷媒流路１０８ｄに供給された冷媒は、冷媒配管１１８ｂを介して冷媒ユニット１１８に戻る。温調ジャケット１０８は、冷媒流路１０８ｄの中に冷媒、例えば、冷却水等を循環させることによって、温度調整が可能とされている。
【００１８】
ステージ１０５と温調ジャケット１０８との間には、断熱部材として、断熱リング１０７が配置されている。断熱リング１０７は、例えば、ＳＵＳ３１６、Ａ５０５２、Ｔｉ（チタン）、セラミックなどによって、円盤状に形成されている。
【００１９】
断熱リング１０７は、ステージ１０５との間に、温調ジャケット１０８の穴部１０８ｃから縁部まで連通する隙間が全ての周方向に形成されている。例えば、断熱リング１０７は、ステージ１０５と対向する上面に複数の突起部が設けられている。
【００２０】
断熱リング１０７には、周方向に間隔を空けて同心円状に複数の突起部が複数、例えば２列形成されている。なお、突起部は、同心円状に少なくとも１列形成されていればよい。
【００２１】
温調ジャケット１０８の軸部１０８ｂは、本体容器１０１の底部を貫通する。温調ジャケット１０８の下端部は、本体容器１０１の下方に配置された昇降板１０９を介して、昇降機構１１０に支持される。本体容器１０１の底部と昇降板１０９との間には、ベローズ１１１が設けられており、昇降板１０９の上下動によっても本体容器１０１内の気密性は保たれる。
【００２２】
昇降機構１１０が昇降板１０９を昇降させることにより、ステージ１０５は、ウェハＷの処理が行われる処理位置（図１参照）と、搬入出口１０１ａを介して外部の搬送機構（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しが行われる受け渡し位置（図示せず）と、の間を昇降することができる。
【００２３】
昇降ピン１１２は、外部の搬送機構（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行う際、ウェハＷの下面から支持して、ステージ１０５の載置面からウェハＷを持ち上げる。昇降ピン１１２は、軸部と、軸部よりも拡径した頭部と、を有している。ステージ１０５及び温調ジャケット１０８の板部１０８ａは、昇降ピン１１２の軸部が挿通する貫通穴が形成されている。また、ステージ１０５の載置面側に昇降ピン１１２の頭部を収納する溝部が形成されている。昇降ピン１１２の下方には、当接部材１１３が配置されている。
【００２４】
ステージ１０５をウェハＷの処理位置（図１参照）まで移動させた状態において、昇降ピン１１２の頭部は溝部内に収納され、ウェハＷはステージ１０５の載置面に載置される。また、昇降ピン１１２の頭部が溝部に係止され、昇降ピン１１２の軸部はステージ１０５及び温調ジャケット１０８の板部１０８ａを貫通して、昇降ピン１１２の軸部の下端は温調ジャケット１０８の板部１０８ａから突き出ている。一方、ステージ１０５をウェハＷの受け渡し位置（図示せず）まで移動させた状態において、昇降ピン１１２の下端が当接部材１１３と当接して、昇降ピン１１２の頭部がステージ１０５の載置面から突出する。これにより、昇降ピン１１２の頭部がウェハＷの下面から支持して、ステージ１０５の載置面からウェハＷを持ち上げる。
【００２５】
当接部材１１３は、昇降ピン１１２と当接する当接部１１３ａと、当接部１１３ａから下方に延びる軸部１１３ｂと、を有している。当接部材１１３の軸部１１３ｂは、本体容器１０１の底部を貫通する。当接部材１１３の下端部は、本体容器１０１の下方に配置された昇降板１１４を介して、昇降機構１１５に支持される。本体容器１０１の底部と昇降板１１４との間には、ベローズ１１６が設けられており、昇降板１１４の上下動によっても本体容器１０１内の気密性は保たれる。昇降機構１１５は、昇降板１１４を昇降させることにより、当接部材１１３を昇降することができる。昇降ピン１１２の下端部が当接部材１１３の上面と当接することにより、昇降ピン１１２の上端部がウェハＷの下面から支持することができる。
【００２６】
環状部材１１７は、ステージ１０５の上方に配置されている。ステージ１０５をウェハＷの処理位置（図１参照）まで移動させた状態において、環状部材１１７は、ウェハＷの上面外周部と接触し、環状部材１１７の自重によりウェハＷをステージ１０５の載置面に押し付ける。一方、ステージ１０５をウェハＷの受け渡し位置（図示せず）まで移動させた状態において、環状部材１１７は、搬入出口１０１ａよりも上方で図示しない係止部によって係止されており、搬送機構（図示せず）によるウェハＷの受け渡しを阻害しないようになっている。
【００２７】
伝熱ガス供給排気部１１９は、配管１１９ａを介して、ステージ１０５に載置されたウェハＷの裏面とステージ１０５の表面との間の裏面空間１０５ｂ（図２参照）に、例えばＨｅガス等の伝熱ガスを供給する。また、伝熱ガス供給排気部１１９は、裏面空間１０５ｂから伝熱ガスを排気する。
【００２８】
ここで、図２を用いて、伝熱ガス供給排気部１１９の構成について更に説明する。図２は、一実施形態に係る基板処理装置１００が有する伝熱ガス供給排気部１１９の一例の構成図である。
【００２９】
伝熱ガス供給排気部１１９は、伝熱ガス供給源１１と、圧力調整弁１２と、オリフィス１３と、伝熱ガス排気部１４と、第１〜第４開閉弁２１〜２４と、を有している。
【００３０】
第１流路３１は、伝熱ガス供給源１１から分岐部３０へと接続する流路である。第１流路３１には、第１開閉弁２１及び圧力調整弁１２が設けられている。伝熱ガス供給源１１は、Ｈｅ等の伝熱ガスを供給する。第１開閉弁２１は、第１流路３１を開閉する。圧力調整弁１２は、分岐部３０へと供給される伝熱ガスの圧力を調整する。
【００３１】
第２流路３２は、分岐部３０から配管１１９ａへと接続する流路である。配管１１９ａは、ウェハＷの裏面とステージ１０５の表面との間の空間である裏面空間１０５ｂへと接続する。第２流路３２には、第２開閉弁２２が設けられている。第２開閉弁２２は、第２流路３２を開閉する。
【００３２】
第３流路３３は、分岐部３０から伝熱ガス排気部１４へと接続する流路である。第３流路３３には、第３開閉弁２３及びオリフィス１３が設けられている。第３開閉弁２３は、第３流路３３を開閉する。オリフィス１３は、圧力差を形成する。伝熱ガス排気部１４は、真空ポンプ等で構成される。
【００３３】
第４流路３４は、第３流路３３に設けられている第３開閉弁２３およびオリフィス１３をバイパスするように設けられた流路であり、分岐部３０から伝熱ガス排気部１４へと接続する流路である。第４流路３４には、第４開閉弁２４が設けられている。第４開閉弁２４は、第４流路３４を開閉する。なお、第３流路３３と第４流路３４の配置は逆でもよい。
【００３４】
図１に戻り、パージガス供給部１２０は、配管１２０ａ、ステージ１０５の支持部１０５ａと温調ジャケット１０８の穴部１０８ｃの間に形成された隙間部（図示せず）、ステージ１０５と断熱リング１０７の間に形成され径方向外側に向かって延びる流路（図示せず）、ステージ１０５の外周部に形成された上下方向の流路（図示せず）を介して、環状部材１１７の下面とステージ１０５の上面との間に、例えばＣＯガス等のパージガスを供給する。これにより、環状部材１１７の下面とステージ１０５の上面との間の空間にプロセスガスが流入することを抑制して、環状部材１１７の下面やステージ１０５の外周部の上面に成膜されることを防止する。
【００３５】
本体容器１０１の側壁には、ウェハＷを搬入出するための搬入出口１０１ａと、搬入出口１０１ａを開閉するゲートバルブ１２１と、が設けられている。
【００３６】
本体容器１０１の下方の側壁には、排気管１０１ｂを介して、真空ポンプ等を含む排気部１２２が接続される。排気部１２２により本体容器１０１内が排気され、処理室１０１ｃ内が所定の真空雰囲気（例えば、１．３３Ｐａ）に設定、維持される。
【００３７】
制御部１３０は、ガス供給部１０４、ヒータ１０６、昇降機構１１０、冷媒ユニット１１８、伝熱ガス供給排気部１１９、パージガス供給部１２０、ゲートバルブ１２１、排気部１２２等を制御することにより、基板処理装置１００の動作を制御する。
【００３８】
＜基板処理装置１００の動作＞
次に、図３及び図４を用いて、一実施形態に係る基板処理装置１００の動作について説明する。図３は、一実施形態に係る基板処理装置１００における動作の一例を示すフローチャートである。図４は、各工程における伝熱ガス供給排気部１１９の状態を示す構成図である。なお、図４において、第１〜第４開閉弁２１〜２４は、開弁状態を白抜きで示し、閉弁状態を黒塗りで示す。
【００３９】
ステップＳ１において、制御部１３０は、ウェハＷを昇降ピン１１２に受け渡しをする。具体的には、制御部１３０は、昇降機構１１０を制御して、ステージ１０５をウェハＷの受け取り位置へと移動させる。制御部１３０は、ゲートバルブ１２１を開く。図示しない搬送装置によって、本体容器１０１の処理室１０１ｃにウェハＷが搬入される。制御部１３０は、昇降機構１１５を制御して、昇降ピン１１２を上昇させる。これにより、ウェハＷが昇降ピン１１２により支持される。図示しない搬送装置が搬入出口１０１ａから退避すると、制御部１３０は、ゲートバルブ１２１を閉じる。
【００４０】
ステップＳ２において、制御部１３０は、排気部１２２を制御して、本体容器１０１内を排気する。これにより、ウェハＷをステージ１０５に載置した際に形成される裏面空間１０５ｂも真空雰囲気となる。
【００４１】
ステップＳ３において、制御部１３０は、ウェハＷをステージ１０５に載置し、環状部材１１７をウェハＷに載置する。具体的には、制御部１３０は、昇降機構１１５を制御して、昇降ピン１１２を下降させる。これにより、ウェハＷがステージ１０５に載置される。なお、ステージ１０５を上昇させることにより、ウェハＷをステージ１０５に載置してもよい。また、制御部１３０は、昇降機構１１０を制御して、ステージ１０５を上昇させる。これにより、環状部材１１７がウェハＷの上面外周部と接触し、環状部材１１７の自重によりウェハＷをステージ１０５の載置面に押し付ける。
【００４２】
ステップＳ４において、制御部１３０は、準備工程を行う。
【００４３】
準備工程では、裏面空間１０５ｂへ供給する伝熱ガスの圧力を準備する。この際の伝熱ガス供給排気部１１９の状態を図４（ａ）に示す。制御部１３０は、第１開閉弁２１及び第３開閉弁２３を開弁し、第２開閉弁２２、第４開閉弁２４を閉弁する。また、制御部１３０は、圧力調整弁１２を制御して分岐部３０の圧力が所定の圧力（例えば、１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ）となるように制御する。なお、分岐部３０の圧力を検出するセンサを有し、制御部１３０は、その検出値に基づいて圧力調整弁１２を制御してもよい。また、所定の圧力とは、後述するプロセス処理における裏面空間１０５ｂの圧力としてもよい。
【００４４】
また、準備工程では、ウェハＷを予め加熱する予備加熱工程を行う。具体的には、制御部１３０は、ガス供給部１０４を制御して、上部空間１０１ｄに例えば、Ｎ２ガスを供給する。また、制御部１３０は、ヒータ１０６を動作させる。これにより、ウェハＷの表面側の上部空間１０１ｄの圧力（例えば、５Ｔｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒ）が裏面側の裏面空間１０５ｂの圧力（例えば、１Ｔｏｒｒ〜１０Ｔｏｒｒ）よりも高圧となり、ウェハＷがステージ１０５へと押し付けられ密着する。かかる構成によれば、環状部材１１７を用いて均等押圧によりウェハＷを固定し、ステージ１０５の熱がウェハＷへと伝熱し、ウェハＷを昇温することができる。また、本体容器１０１の側壁等に設けられたヒータ（図示せず）やガス導入機構１０３のヒータ（図示せず）の熱も、上部空間１０１ｄ内のＮ２ガスを介してウェハＷへと伝熱する。これにより、静電吸着力によりウェハＷをステージへ密着させることが可能な静電チャックを使用せずに、ウェハＷの裏面に伝熱ガスを導入できる。
【００４５】
ステップＳ５において、制御部１３０は、裏面空間１０５ｂへ伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給工程を行う。この際の伝熱ガス供給排気部１１９の状態を図４（ｂ）に示す。制御部１３０は、第２開閉弁２２を開弁する。また、制御部１３０は、圧力調整弁１２を制御する。これにより、裏面空間１０５ｂに伝熱ガスが供給される。ここで、ステップＳ４の準備工程において、分岐部３０における圧力を所定の圧力に調整されている。これにより、裏面空間１０５ｂに伝熱ガスを供給した際、裏面空間１０５ｂの圧力が突然高圧になりウェハＷが持ち上げられ、ウェハＷの位置がずれることを防止することができる。
【００４６】
ステップＳ６において、制御部１３０は、プロセス処理を行う。制御部１３０は、排気部１２２を制御して、処理室１０１ｃ内のＮ２ガスを排気して真空雰囲気とする。制御部１３０は、ヒータ１０６を動作させるとともに、ガス供給部１０４を制御して、ルテニウム含有ガス等のプロセスガスやキャリアガスをガス導入機構１０３から処理室１０１ｃの上部空間１０１ｄ内へ供給させる。これにより、ウェハＷに成膜等の所定の処理が行われる。処理後のガスは、上部空間１０１ｄから環状部材１１７の上面側の流路を通過し、下部空間１０１ｅへと流れて、排気管１０１ｂを介して排気部１２２により排気される。
【００４７】
この際、伝熱ガス供給排気部１１９により、裏面空間１０５ｂに伝熱ガスが供給されている。また、制御部１３０は、パージガス供給部１２０を制御して、環状部材１１７の下面とステージ１０５の上面との間にパージガスを供給する。パージガスは、環状部材１１７の下面側の流路を通過し、下部空間１０１ｅへと流れて、排気管１０１ｂを介して排気部１２２により排気される。所定のプロセス処理が終了すると、次のステップに進む。
【００４８】
ステップＳ７において、制御部１３０は、第１の排気工程を行う。この際の伝熱ガス供給排気部１１９の状態を図４（ｃ）に示す。制御部１３０は、第１開閉弁２１を閉弁する。これにより、裏面空間１０５ｂへの伝熱ガスの供給が停止する。また、裏面空間１０５ｂの伝熱ガスは、配管１１９ａ、第２流路３２、分岐部３０、第３流路３３を介して、伝熱ガス排気部１４へと排気される。ここで、第１の排気工程では、オリフィス１３を介して排気されるため、裏面空間１０５ｂの圧力が急に減圧することを防止することができる。
【００４９】
ステップＳ８において、制御部１３０は、第２の排気工程を行う。この際の伝熱ガス供給排気部１１９の状態を図４（ｄ）に示す。制御部１３０は、第４開閉弁２４を開弁する。なお、第４開閉弁２４を開弁する際、特定の時間連続的に開弁してもよく、間欠的に開弁してもよく、これらを組み合わせてもよい。これにより、裏面空間１０５ｂの伝熱ガスは、オリフィス１３をバイパスして、配管１１９ａ、分岐部３０、第２流路３２、第４流路３４を介して、伝熱ガス排気部１４へと排気される。これにより、裏面空間１０５ｂの圧力を真空雰囲気まで減圧する、換言すれば、裏面空間１０５ｂと上部空間１０１ｄとの圧力差を十分に小さくすることができる。なお、図４（ｄ）では、第３流路３３及び第４流路３４の両方を用いて排気するものとして説明したが、第３開閉弁２３を閉弁して第４流路３４のみを用いて排気してもよい。
【００５０】
ステップＳ９において、制御部１３０は、ウェハＷを押えている環状部材１１７を外す。具体的には、制御部１３０は、昇降機構１１０を制御してステージ１０５を受け取り位置に移動させる。この際、ステージ１０５が下降することにより、環状部材１１７が図示しない係止部によって係止される。ここで、ステップＳ７，８の排気工程において、裏面空間１０５ｂと上部空間１０１ｄとの圧力差が十分に小さくなっている。このため、自重によりウェハＷをステージ１０５へと押し付ける環状部材１１７を取り外しても、裏面空間１０５ｂと上部空間１０１ｄとの圧力差でウェハＷが持ち上げられウェハＷの位置がずれることを防止することができる。
【００５１】
また、環状部材１１７がウェハＷから取り外された後、ステージ１０５を受け取り位置に移動させる際、昇降ピン１１２の下端が当接部材１１３と当接する。これにより、昇降ピン１１２の頭部がステージ１０５の載置面から突出し、ステージ１０５の載置面からウェハＷを持ち上げ、ウェハＷがステージ１０５の載置面から離間する。この工程において、制御部１３０は、ウェハＷの表面側の上部空間１０１ｄの圧力と裏面側の裏面空間１０５ｂの圧力との圧力差がなくなる（例えば、１Ｔｏｒｒ以下に小さくなる）ように排気部１２２を制御する。次に、制御部１３０は、ゲートバルブ１２１を開ける。ここで、外部の搬送機構（図示せず）により、昇降ピン１１２の上に載置されたウェハＷが搬出される。搬送機構（図示せず）が搬入出口１０１ａから出ると、制御部１３０は、ゲートバルブ１２１を閉じる。
【００５２】
このように、一実施形態に係る基板処理装置１００によれば、ウェハＷに成膜等の所定の処理を行うことができる。
【００５３】
また、一実施形態に係る基板処理装置１００によれば、ステップＳ４の準備工程において、分岐部３０における圧力を所定の圧力とした後に、ステップＳ５の伝熱ガス供給工程において、第２開閉弁２２を開いて裏面空間１０５ｂに伝熱ガスを供給する。これにより、裏面空間１０５ｂが急に高圧となることを防止することができる。また、一実施形態に係る基板処理装置１００によれば、ステップＳ４の準備工程において、ウェハＷを昇温することができる。
【００５４】
また、一実施形態に係る基板処理装置１００によれば、裏面空間１０５ｂの伝熱ガスを排気する際、オリフィス１３を介する第１の排気工程と、オリフィス１３をバイパスする第２の排気工程と、を行う。これにより、裏面空間１０５ｂが急に減圧されることを防止することができる。
【００５５】
また、一実施形態に係る基板処理装置１００によれば、環状部材１１７を外す前に、裏面空間１０５ｂを減圧する。これにより、ウェハＷをステージ１０５へと押し付ける環状部材１１７を取り外しても、裏面空間１０５ｂと上部空間１０１ｄとの圧力差でウェハＷが持ち上げられウェハＷの位置がずれることを防止することができる。
【００５６】
また、ウェハＷをがステージの載置面から離間させる際、上部空間１０１ｄの圧力と裏面側の裏面空間１０５ｂの圧力との圧力差を十分に小さくすることにより、裏面空間１０５ｂ内の伝熱ガスが本体容器１０１内に拡散することを抑制することができる。
【００５７】
以上、基板処理装置１００の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。
【００５８】
処理室１０１ｃを排気する排気部１２２（図１参照）と、裏面空間１０５ｂを排気する伝熱ガス排気部１４（図２参照）とは、独立して設けられていてもよく、真空ポンプ等を共用してもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１１        伝熱ガス供給源
１２        圧力調整弁
１３        オリフィス
１４        伝熱ガス排気部
２１〜２４  第１〜第４開閉弁
３０        分岐部
３１〜３４  第１〜第４流路
Ｗ          ウェハ
１００      基板処理装置
１０１      本体容器
１０１ｃ    処理室
１０２      支持部材
１０３      ガス導入機構
１０４      ガス供給部
１０５      ステージ
１０６      ヒータ
１０７      断熱リング
１０９      昇降板
１１０      昇降機構
１１１      ベローズ
１１２      昇降ピン
１１３      当接部材
１１４      昇降板
１１５      昇降機構
１１６      ベローズ
１１７      環状部材
１１８      冷媒ユニット
１１９      伝熱ガス供給排気部
１１９ａ    配管
１２０      パージガス供給部
１２１      ゲートバルブ
１２２      排気部
１３０      制御部
【図１】
2020122206.tif 000003
【図２】
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【図３】
2020122206.tif 000005
【図４】
2020122206.tif 000006