(57)【要約】      （修正有）【課題】生産プロセスの間にセンサを較正してもセンサの生産が完了した後に感知素子の精度が低くならず、改善された精度を有する温度センサの製造方法を提供する。【解決手段】基板６０２上に金属層を堆積すること、及び、金属層上に較正構造６０４を作ることを含む。較正構造は、第１の較正部分６０７及び第２の較正部分６０６を含み得る。方法はさらに、第１の較正部分を改変することによって、センサ６００の第１の較正を行うことを含み得る。また、方法は、第１の較正の後、第１の較正部分の一部上にカバー層６１０を置くこと、及び、第２の較正を改変することによって、センサの第２の較正を行うことを含み得る。【選択図】図６Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサを製造する方法であって、
基板上に金属層を堆積させることと、
前記金属層上に、第１の較正部分及び第２の較正部分を有する較正構造を作ることと、
前記第１の較正部分を改変することによって、前記センサの第１の較正を行うことと、
前記第１の較正部分の一部上にカバー層を置くことと、
前記第１の較正部分の前記一部上に前記カバーを置いた後、前記第２の較正部分を改変することによって、前記センサの第２の較正を行うこと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の較正部分を改変することが、材料を除去することによって、メアンダー構造を改変することを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記第２の較正部分を改変することが、材料を除去することを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記第２の較正部分を作ることが、
前記金属層上に、矩形形状を有する構造、はしご形状を有する構造、又は球形形状を有する構造の少なくとも１つを作ること、
を含む、方法。
【請求項５】
センサであって、
第１の較正部分及び第２の較正部分を含む較正構造を有する基板と、
前記第１の較正部分と接触するカバー層と、
を含み、
前記第２の較正部分の少なくとも一部が、前記カバー層と接触せず、
前記第１の較正部分と接触する前記カバー層の配置の後、前記第２の較正部分が改変される、
センサ。
【請求項６】
請求項５に記載のセンサであって、前記第１の較正部分がメアンダー構造を含む、センサ。
【請求項７】
請求項５に記載のセンサであって、前記第２の較正部分が、矩形形状を有する構造、はしご形状を有する構造、又は球形形状を有する構造を含む、センサ。
【請求項８】
請求項５に記載のセンサであって、前記第１及び第２の較正部分の少なくとも１つが、材料の除去によって改変される、センサ。
【請求項９】
請求項５に記載のセンサであって、前記第１の較正部分が、前記第２の較正部分と直列に電気的に接続される、センサ。
【請求項１０】
センサであって、
基板と、
前記基板上に提供されるメアンダー部分と、
前記基板上に提供され、前記メアンダー部分に結合される、較正部分と、
前記メアンダー部分と接触し、前記較正部分と接触しない、第１のカバー層と、
を含み、
前記メアンダー部分と接触する第１のカバー層の配置の後、前記較正部分が改変される、
センサ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のセンサであって、前記第１のカバー層の前記配置の後、前記較正部分が、材料の除去によって改変される、センサ。
【請求項１２】
請求項１０に記載のセンサであって、前記較正部分が、矩形形状を有する構造、はしご形状を有する構造、又は球形形状を有する構造の少なくとも１つを含む、センサ。
【請求項１３】
請求項１０に記載のセンサであって、前記メアンダー部分及び前記較正部分の少なくとも１つが、材料の除去によって改変される、センサ。
【請求項１４】
請求項１０に記載のセンサであって、さらに、
第１及び第２のコンタクトパッドであって、前記基板上に互いに近隣に提供され、前記メアンダー部分及び前記較正部分と直列に電気的に接続される、前記第１及び第２のコンタクトパッド、
を含み、
前記較正部分が、前記第１及び第２のコンタクトパッド間の前記基板上に提供される、
センサ。
【請求項１５】
請求項１４に記載のセンサであって、前記較正部分及び前記メアンダー部分のそれぞれが、選択的低減のため、抵抗のそれぞれの量を含み、
抵抗の前記それぞれの量が、それぞれの大きさ、形状、幅及び厚さの関数である、
センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、「オートモーティブ排気ガスセンサの精度」という表題の、２０１９年１月３０日に出願された米国仮出願番号６２／７９８、５２２に優先権を主張し、その全文が参照により本願に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、改善された精度を有する感知デバイス、及び、そのような感知デバイスを製造する方法に関する。より詳細には、本開示は、高温排気ガスセンサの精度の改善に関する。
【背景技術】
【０００３】
内燃機関エンジン、例えば、以下に限定されないが、ディーゼル及びガソリンエンジンなどは、少なくとも部分的に排気システム内に置かれる１つ又は複数の温度センサを含み得る。これらの温度センサは、排気ガスの温度を感知する。また、これらの温度センサは、例えば、空気燃料比、ブースト圧、タイミング等など、エンジンの１つ又は複数の特性を調整するため、エンジン制御システムによって用いられ得る。これらの温度センサは、典型的に、６００℃を超える温度で、熱力学的及び化学的にアグレッシブな周囲条件下で動作する。
【０００４】
高温センサの生産のため、通常、プラチナ抵抗層が、高温センサの生産の間、金属酸化物セラミック基板上に施される。センサの較正は、プラチナメアンダー抵抗の調整によって実現される。センサの較正は、生産プロセスの間に、但し、パッシベーション完了及び保護エンベロープ配置前に行われる。センサの生産が完了した後、プラチナパッシベーション層及び保護エンベロープは、ガラス及び／又はセラミック及び／又は複合層を含み得、この結果、感知素子の精度が低くなる。
【０００５】
改善された精度を有する温度センサが必要とされている。
【発明の概要】
【０００６】
種々の実施形態に従って、センサを製造する方法が提供される。方法は、基板上に金属層を堆積させること、及び、金属層上に、第１の較正部分及び第２の較正部分を有する較正構造を作ることを含み得る。方法はさらに、第１の較正部分を改変（modify）することによって、センサの第１の較正を行うことを含み得る。さらに、方法は、第１の較正部分の一部上にカバー層を置くこと、及び、第１の較正部分上にカバーを置いた後、第２の較正部分を改変することによって、センサの第２の較正を行うことを含み得る。
【０００７】
いくつかの実施形態において、第１の較正部分を改変することは、材料を除去することによりメアンダー構造を改変することによって行われ得る。いくつかの実施形態において、第２の較正部分を改変することは、材料を除去することによって行われ得る。
【０００８】
いくつかの実施形態において、第２の較正部分を作ることは、金属層上に、矩形形状を有する構造、はしご形状を有する構造、又は球形形状を有する構造の少なくとも１つを作ることを含み得る。
【０００９】
種々の実施形態に従って、センサが提供される。センサは、第１の較正部分及び第２の較正部分を含む較正構造を有する基板を含み得る。センサはさらに、第１の較正部分と接触するカバー層を含み得、第２の較正部分の少なくとも一部はカバー層と接触せず、第１の較正部分と接触するカバー層の配置の後、第２の較正部分が改変される。
【００１０】
いくつかの実施形態において、第１の較正部分はメアンダー構造を含み得る。いくつかの実施形態において、第２の較正部分は、矩形形状を有する構造、はしご形状を有する構造、又は球形形状を有する構造を含み得る。いくつかの実施形態において、第１及び第２の較正部分の少なくとも１つは、材料の除去によって改変されている。他の実施形態において、第１の較正部分は、第２の較正部分と直列に電気的に接続され得る。
【００１１】
種々の実施形態に従って、センサが提供される。センサは、基板と、基板上に提供されるメアンダー構造と、基板上に提供され、メアンダー部分に結合される較正部分とを含み得る。センサはさらに、メアンダー部分と接触し、較正部分と接触しない、第１のカバー層を含み得、較正部分は、メアンダー部分と接触する第１のカバー層の配置の後、改変され得る。
【００１２】
いくつかの実施形態において、較正部分は、第１のカバー層の配置の後、材料の除去によって改変され得る。いくつかの実施形態において、較正部分は、矩形形状を有する構造、はしご形状を有する構造、又は球形形状を有する構造の少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態において、メアンダー部分及び較正部分の少なくとも１つは、材料の除去によって改変され得る。いくつかの実施形態において、センサはさらに、第１及び第２のコンタクトパッドを含み得、第１及び第２のコンタクトパッドは、基板上に互いに近隣に提供され、メアンダー部分及び較正部分と直列に電気的に接続される。いくつかの実施形態において、較正部分は、第１及び第２のコンタクトパッド間の基板上に提供され得る。いくつかの実施形態において、較正部分及びメアンダー部分のそれぞれは、選択的低減のための抵抗のそれぞれの量を含み得、抵抗のそれぞれの量は、それぞれの大きさ、形状、幅及び厚さの関数である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本開示の少なくとも１つの実施形態の種々の態様が、添付の図面を参照して以下で説明される。図解を簡単及び明確にするために、図面に示される要素は、必ずしも正確に又は一定の縮尺で描かれていない。例えば、要素のいくつかの寸法が、明確にするために他の要素と比べて強調されることがあり、又は、いくつかの物理的な構成要素が、１つの機能ブロック又は要素に含まれることがある。さらに、適切だと考えられる場合、対応する又は類似の要素を示すために、参照数字は図面を通して繰り返されることがある。明確性の目的のため、全ての構成要素が全ての図面において標識されているわけではない。図面は、図解及び説明のために提供されており、本開示の態様の限定を定義するものであると意図されない。
【００１４】
【図１】既知の温度センサを図示する。
【００１５】
【図２Ａ】図１の温度センサの較正プロセスの間のデジタルトリミングを図示する。
【図２Ｂ】図１の温度センサの較正プロセスの間のデジタルトリミングを図示する。
【００１６】
【図３】図１の温度センサの抵抗分布を図示する。
【００１７】
【図４】図１における既知のセンサの生産プロセスである。
【００１８】
【図５Ａ】図４に示した生産プロセスの間のセンサの抵抗分布を図示する。
【図５Ｂ】図４に示した生産プロセスの間のセンサの抵抗分布を図示する。
【００１９】
【図６Ａ】本開示の態様に従ったセンサ設計を図示する。
【００２０】
【図６Ｂ】図６に示したセンサの金属構造の拡大図を図示する。
【００２１】
【図６Ｃ】本開示の態様に従った、図６Ｂに示した金属構造の一部を図示する。
【００２２】
【図６Ｄ】本開示の態様に従った、図６Ａに示したセンサ設計を図示する。
【００２３】
【図７】本開示の態様に従ったセンサを製造する方法を図示する。
【００２４】
【図８Ａ】図７に示した製造方法の間に得られるセンサの抵抗を図示するグラフである。
【図８Ｂ】図７に示した製造方法の間に得られるセンサの抵抗を図示するグラフである。
【００２５】
【図９】図７の方法に従った、センサの抵抗分布を図示するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本願は、「オートモーティブ排気ガスセンサのための精度」という表題で、２０１９年１月３０日に出願された米国仮出願６２／７９８，５２２に優先権を主張し、その全体の内容が参照により本願に組み込まれる。
【００２７】
以下の詳細な説明において、本開示の実施形態の全体的な理解を提供するために、多数の具体的な詳細が述べられる。当業者であれば、これらの実施形態が、これらの具体的な詳細のいくつかを伴わずに実施され得ることを理解する。他の例において、説明される実施形態を不明瞭にしないように、周知の方法、手順、構成要素及び構造は詳細に説明されていない。
【００２８】
少なくとも１つの実施形態を詳細に説明する前に、そうした実施形態が、それらの用途において、以下の説明において述べられ又は図面において図示される構成要素の構造及び配置の詳細に限定されないことを理解すべきである。また、本願で用いられる言い回し及び専門用語は、専ら説明目的のためであり、限定であるとみなされるべきでないことを理解すべきである。
【００２９】
本開示は、その感知精度を改善するための特定の設計を有するセンサを説明する。この設計によって、製造プロセスの間、付加的な較正ステップが可能となり、それゆえ、一層正確な感知結果が達成される。
【００３０】
本開示において説明される付加的な較正ゾーンを備える較正プロセスは、０時間（０ｈ）でセンサ精度を改善でき、こうして、産業において用いられている既知の商用センサより、性能を一層良好にする。さらに、本開示の態様は、センサ生産コストを削減する。
【００３１】
センサにとって、特に高温センサにとって、正確な感知結果を得るために微細な較正を行うことが望ましい。図１は、既知の温度センサ１００を図示する。高温センサ、例えばセンサ１００の生産の間、例えば金属酸化物セラミック製の基板１０２が、プラチナメアンダー１０４と、コンタクトパッド１１２及び１１４とを備える。第１のパッシベーション層１０６が、プラチナメアンダー１０４の上に堆積される。
【００３２】
ワイヤ１１６、第２のパッシベーション層１０８、カバー層１１０、及びカバー層１１８が基板１０２上に置かれる前に、センサ１００の較正が、既知の技法、例えばレーザートリミングに従って、プラチナメアンダー１０４の抵抗の調節によって実現される。カバー層１１０は、２つのカバー、すなわち、セラミックカバーと、セラミックカバーの頂部上のガラスカバーとを含み得る。カバー層１１８はガラスカバーであり得る。金属パッシベーション層１０６、１０８と、カバー層１１０とは、ガラス及び／又はセラミック及び／又は複合層であり得る。
【００３３】
知られているように、センサの較正（キャリブレーション）は、導体の長さを増加させることによりプラチナメアンダー１０４の抵抗を調節することによって実現される。各感知素子の抵抗は、所望の精度仕様に合致するように公称値に調整され得る。抵抗調節は、下記で説明されるようにレーザートリミングによって成され得る。
【００３４】
次に、図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、プラチナメアンダー１０４は、抵抗が異なる抵抗ループを含む。ループは、回路ブリッジ２０２と並列に接続される。
【００３５】
第１の調節は、デジタルトリミングによるものである。デジタルトリミングにおいて、各感知素子の抵抗は、抵抗ループを付加し、プラチナメアンダー１０４の長さを増加させることによって、公称＋／−３オームに近い値に調節される。
【００３６】
図２Ｂは、トリミングの間、レーザートリマが接続ブリッジ２０２をカットし、対応するループ抵抗を、総感知素子抵抗に変えることを示す。
【００３７】
さらに、はやり知られているように、アナログトリミングは、＋／−０．１オーム近辺の精度で抵抗を公称値に調整する微細な較正プロセスである。このステップは、カッティングによるデジタルトリムの後に行われる。レーザーカッティングが行われる一方、公称値に達するまで抵抗値が測定される。
【００３８】
図３は、較正の前後の、既知のセンサ１００、すなわち、プラチナメアンダー１０４の抵抗分布を表す。図３が線３０２によって示すように、較正プロセスの前、抵抗分布は均一でない。しかし、較正プロセスの後、線３０４によれば、抵抗分布は均一である。
【００３９】
上述のように、例えばレーザートリミングによるセンサの較正は、生産プロセスの間に実施される。図４は、較正を備えるセンサ生産の既知の方法４００を図示する。図４が図示するように、温度センサの生産のため、プラチナ層が基板上に堆積され（４０４）、焼結される。その後、感知素子構造がプラチナ層上に作られ（４０８）、パッシベーション層（４１２）及び焼結がこれに続く。パッシベーションは、その電気的特性を改変するために、薄膜をマイクロデバイスの表面上に堆積するプロセスである。
【００４０】
次のステップ４１６は、上述したような、当業者にとって知られたレーザートリミングを用いた較正プロセスである。センサが較正された後、第２のパッシベーションが行われ（４２０）、焼結がこれに続く。次のステップにおいて、セラミック層が第２のパッシベーション層上に配置され（４２４）、その後焼結される。その後、センサの抵抗が測定され（４２８）、センサが、行でダイシングされる（４３２）。センサの生産のため、基板、例えばシリコンウェハ上に複数のセンサを生産し、その基板をダイシングして個々のセンサを得ることは一般的である。ダイシングプロセスにおいて、基板は行にダイシングされ、その後、各行が、単一のセンサを得るためにダイシングされる。生産の次のステップは、ワイヤ溶接及びガラスディスペンシング（ｇｌａｓｓ  ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）の取り付け又は固定であり（４３６）、焼結がこれに続く。ワイヤ溶接プロセスにおいて、ワイヤ１１６は、導電性パッド１１２、１１４上に溶接され、感知構造、例えば、メアンダー構造１０４に接続され、感知構造への電気的接続を提供する。ワイヤは、金属又は金属／セラミックであってよい。例えば、プラチナ、プラチナロジウム（Ｐｔ  Ｒｈ）、銅、ニッケル又は任意の他の適切な金属又は金属合金であってよい。次のプロセスは、溶接されたワイヤ１１６上にガラスペーストを堆積することであり、焼結がこれに続く。ガラスは、導電性構造の機械的強度及び電気的絶縁を提供する。ステップ４３６において、ガラスは任意の溶接されたワイヤ及び第２の較正部分６０７を基板６０２に封止又は固定して、均一構造、すなわち、センサ６００をつくり得る。その後、行が個々にダイシングされ（４４０）、第２の時間の間、抵抗がチェックされる（Ｒチェック２、４４４）。
【００４１】
図５Ａ及び図５Ｂは、既知の生産プロセスの種々のステップにおけるセンサの抵抗分布に対する変化を図示する。図５Ａが図示するように、トリミングプロセス４１６の最後におけるセンサ抵抗（Ｒ０）分布５０４は均一である。しかし、その後、ステップ４２８の後、分布５０８は均一性を失い、ステップ４４４の後、分布５１２はさらに一層変化している。これは、高温に晒されること（焼結ステップ）と熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致とに起因する。図５Ｂは、ステップ４２８及び４４４において測定される抵抗分布を図示する。
【００４２】
較正ループを含むメアンダー構造上の既存の設計は、焼結プロセスの影響を緩和、すなわち、修正するための可能性を提供しない。既知のＲ０分布５１２は、顧客仕様に適合するために、チップレベルで１００％のソーティングを必要とし、経済的損失を招く。
【００４３】
上記で説明したように、既知のセンサでは、プラチナメアンダー設計は、パッシベーション層の完了と、保護又はカバー層の配置との前にのみ、較正を可能とする。それゆえ、抵抗分布に対する焼結プロセスの不利な影響が、製造プロセスの終わりでセンサ精度に反映される。
【００４４】
有利にも、本開示の態様に従ったセンサ設計は、センサ構造、すなわち、改善されたメアンダー構造における付加的な較正ゾーンを含み、この目標を達成する。
【００４５】
図６Ａ〜図６Ｃに示すように、本開示の態様に従ったセンサ設計６００は、基板６０２を含み得、基板６０２は、任意の適切な材料、例えば、金属酸化物セラミック、酸化アルミニウムセラミック、酸化ジルコニウムセラミック、又はこれらの材料の任意の組み合わせでつくられる。センサ６００は、基板６０２上に作られる較正構造６０４を含み得る。較正構造６０４は、任意の適切な金属、例えば、プラチナ、銅、ニッケル、ロジウム、パラジウム、又はプラチナ／ロジウム合金でつくられ得る。適切な金属又は金属合金は、デバイス及びその用途の温度範囲及び精度に依存し得る。例えば、プラチナは、最大温度範囲にわたって非常に安定した抵抗‐温度関係を有する。較正構造６０４は、第１の較正部分６０６及び第２の較正部分６０７を含む。図６Ａ〜図６Ｂに図示するように、第１の較正部分６０６は、例えはプラチナでつくられるメアンダー構造であり得る。第１の較正部分６０６及び第２の較正部分６０７の両方が、センサ６００の感知素子であり得る。センサ６００はさらに、コンタクトパッド６１２と接触するワイヤ６１６を含み得る。いくつかの実施形態において、センサ６００はさらに、ワイヤ６１６とコンタクトパッド６１２とに接触するコンタクトパッド６１４を含み得る。センサ６００は排気ガスに晒されることがあり、これが、コンタクトパッド６１２間の抵抗を変化させる。抵抗の変化は、排気ガスの温度に比例する。いくつかの実施形態では、較正構造６０４と、コンタクトパッド６１２及び６１４と、ワイヤ６１６とが排気ガスに晒される。
【００４６】
センサ６００は、第１のパッシベーション層６０５を含み得る。第１のパッシベーション層６０５は、基板６０２と、較正構造６０４の少なくとも一部とに接触する。いくつかの実施形態において、第１のパッシベーション層６０５は、基板６０２及び第１の較正部分６０６と接触する。いくつかの実施形態において、第１のパッシベーション層６０５は、単に第１の較正部分６０６と接触する。いくつかの実施形態において、第１のパッシベーション層６０５は、第２の較正部分６０７に接触しない。他の実施形態において、第１のパッシベーション層６０５は、第２の較正部分６０７の一部にのみ接触する。
【００４７】
センサ６００はさらに、第２のパッシベーション層６０８を含み得る。いくつかの実施形態において、第２のパッシベーション層６０８は、第１のパッシベーション層６０５と接触する。センサ６００はさらに、カバー層６１０及び６１０’を含み得る。カバー層６１０及び６１０’は、センサ６００を保護するための任意の適切な材料でつくられ得る。例えば、カバー層６１０及び６１０’は、ガラス、セラミック、又は複合材料からつくられ得る。
【００４８】
図６Ｂは、本開示の態様に従った較正構造６０４の拡大図を図示する。第２の較正部分６０７は、センサの作成中に第２の較正ステップのために使用され得る。第１の較正部分６０６は、第２の較正部分６０７と直列に電気的に接続される。上述のように、生産プロセスの間、センサは一度較正されることが知られている。長所として、後述するように、第２の較正部分６０７によって、生産プロセスにおいてセンサ６００の更なる下方の第２の較正ステップが可能となる。
【００４９】
図６Ｂが図示するように、較正構造６０４は、第１の較正部分６０６、第２の較正部分６０７、及びコンタクトパッド６１２からつくられ得る。いくつかの実施形態において、較正構造６０４は２つのコンタクトパッド６１２を含む。いくつかの実施形態において、較正構造６０４は少なくとも１つコンタクトパッド６１２を含む。いくつかの実施形態において、第１の較正部分６０４、第２の較正部分６０７、及びコンタクトパッド６１２は、直列に接続される。上述のように、較正構造６０４は、金属、例えば、プラチナの層を堆積することによって基板６０２上に作られ得、製造プロセスがこれに続く。いくつかの実施形態において、コンタクトパッド６１２は、第１の較正部分６０６及び第２の較正部分６０７と同じ材料からつくられる。いくつかの実施形態において、コンタクトパッド６１２は、金属、例えば、プラチナであり得る。
【００５０】
第２の較正部分６０７は、第１の較正部分６０６との電気的接触を有する限り、基板６０２上の任意のロケーション上に作られ及び位置され得る。いくつかの実施形態において、第２の較正部分６０７は、コンタクトパッド６１２間に位置される。いくつかの実施形態において、第２の較正部分６０７は、パッシベーション層６０５、６０８と接触しない。いくつかの実施形態において、第２の較正部分６０７は、パッシベーション層６０５、６０８及びカバー層６１０に接触しない。いくつかの実施形態において、第２の較正部分６０７の少なくとも一部は、パッシベーション層６０５、６０８及び／又はカバー層６１０に接触しない。第２の較正部分６０７の少なくとも一部を、パッシベーション層６０５、６０８及び／又はカバー層６１０と非接触にさせることによって、製造プロセスにおいて、更なる下方の第２の較正ステップが可能となる。
【００５１】
第２の較正部分６０７は、任意の形状でつくられ得る。いくつかの実施形態において、第２の較正部分６０７は矩形形状を有する。図６Ｃは、第２の較正部分６０７のいくつかの実施形態を図示する。例えば、第２の較正部分６０７は、矩形（Ａ）、円形ループ（Ｂ）、又ははしご設計（Ｃ）においてつくられ得る。第２の較正部分６０７を図６Ｃに示したような設計において有すると、トリマは、第２の較正部分６０７の断片（セクション）をカットして、センサ６００の抵抗を所望の範囲に改変することが可能となる。
【００５２】
図６Ｄは、組み立てられた配置におけるセンサ６００を図示する。
【００５３】
本開示の態様に従ったセンサを製造するプロセス（方法）７００が図７に示される。方法７００は、基板上に金属層を堆積すること（７０４）及びその後に焼結することを含む。金属は、任意の適切な金属、例えば、プラチナであり得る。その後、構造、例えば、感知素子が、金属層上に作られ得（７０８）、パッシベーション層６０５を施すこと（７１２）がこれに続く。次のステップは焼結ステップであり得る。
【００５４】
次のステップは、センサ６００の第１の較正ステップ７１６であり得る。較正は、上述したようなデジタル及び／又はアナログ較正であり得る。センサ６００が較正された後、第２のパッシベーション７２０が行われ得、パッシベーション層６０８が焼結され得る。次のステップ７２４において、カバー層６１０が第２のパッシベーション層６０８上に置かれ得、その後に焼結され得る。カバー層６１０は、任意の適切な材料、例えば、ガラス又はセラミックからつくられ得る。いくつかの実施形態において、方法７００は、基板６０２の一部及び第２のパッシベーション層６０８上にカバー層６１０を置くことを含み得る。いくつかの実施形態において、方法７００は、基板６０２の一部と、第２のパッシベーション層６０８と、較正構造６０４の少なくとも一部との上にカバー層６１０を置くことを含み得る。ステップ７２８において、センサ６００の抵抗が測定され（Ｒチェック１）、第２の較正ステップが行われ得る。
【００５５】
第２の較正ステップは、第１のパッシベーション層６０５及び／又は第２のパッシベーション層６０８、及び／又はカバー層６１０によって覆われていない較正構造６０４の第２の較正部分６０７上で行われ得る。次のステップ７３２は、センサ６００を行でダイシングすることであり得る。生産の次のステップ７３６は、ワイヤ溶接及びガラスの取り付け又は固定であり得、焼結がこれに続く。その後、デバイスが個々にダイシングされ、抵抗が、第２の時間の間チェックされ得る（７４４、Ｒチェック２）。
【００５６】
上述のように、第２の較正ステップ７２８は、第１の抵抗チェック、例えば、Ｒチェック１の一部として行われ得る。いくつかの実施形態において、２Ω〜６Ωの抵抗（これは、輪郭設計に依存する）が、抵抗分布傾斜を補償するためにメイン構造に付加され得る。上述したように、製造方法は、公称値を達成するために２つの較正ステップを含み得る。公称値それ自体は、センサの用途及び所望の抵抗に依存して選ばれてよい。第１の較正ステップ、デジタル及びアナログトリミングにおいて、抵抗値は、公称値に近いが付加的な輪郭（contour）の最大抵抗よりは低くない、低い値に調節される。例えば、公称値は１９５．００Ω〜１９９．００Ω間に調節される。第２の較正ステップは、第２の較正部分６０７を改変（変更）すること、例えば、例えば２００Ωの公称値に調節することによって、全ての要素を公称抵抗に調整することであり得る。付加されるべき抵抗の量は、第２の較正部分６０７の設計、第１の較正部分６０６の幅、メアンダー幅、較正構造６０４の厚さ等に依存する。第２の較正部分６０７は、図７の生産プロセスのワイヤ固定ステップと共に、ガラス又はガラスセラミックカバーによって保護され得る。
【００５７】
図８Ａ及び図８Ｂは、本開示の態様に従った生産プロセスの種々のステップにおいて、方法７００に従った、結果として生じるセンサの抵抗分布を図示する。図８Ａが図示するように、第１の較正ステップ７１６の後、センサ６００の抵抗８０４は比較的一定である。２つのパッシベーションプロセス７１２、７２０及びカバー層の配置７２４の後、センサ６００の抵抗分布８０８は変化する。第１の抵抗チェック７２８であるＲチェック１において、センサ６００は再び較正され、すなわち、８１２に示した第２の較正ステップが行われる。図８Ａが図示するように、プロセス（Ｒチェック２）７４４の終わりで測定される抵抗分布８１６は、第２の較正ステップ７２８で測定される抵抗８１２に類似する。図８Ｂは、２つの較正ステップ７１６、７２８の後のセンサ６００の抵抗分布を示す。
【００５８】
図９は、既知のセンサ及び本開示の態様に従ったセンサの抵抗測定分布の比較を図示する。プロット９０１は、既知のセンサの抵抗測定分布を表し、プロット９０２は、方法７００に従って製造されたセンサ６００の抵抗測定を表す。図９が図示するように、センサ６００の抵抗分布９０２は、既知のセンサ１００の抵抗分布より著しく良好である。
【００５９】
幾つかの特徴が、明確にするために、個別の実施形態の文脈で説明されたが、それらが、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよいことを理解されたい。逆に、簡潔にするために、単一の実施形態の文脈において説明される種々の他の特徴は、個別に、又は、任意の適切な副次的組み合わせにおいて提供されてもよい。
【００６０】
前述の説明を読めば、本開示の多くの代替物及び改変が、疑いなく当業者に明らかとなり、実例として図示及び説明された特定の実施形態が、限定と考えられることを意図するものではないことを理解すべきである。さらに、特定の実施形態を参照して主題が説明されたが、本開示の精神及び範囲内における変更が、当業者に生じるであろう。前述の例は単に説明目的のために提供されたものであり、本開示の限定として理解すべきでないことに留意されたい。
【００６１】
本開示は、特定の実施形態を参照して本願で説明されたが、本開示は、本願で開示される特定物に限定されることを意図しない。むしろ、本開示は、特許請求の範囲内にある、全ての機能的に均等な構造、方法及び仕様に及ぶ。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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