(57)【要約】      （修正有）【課題】マークを安定して形成するために有利な技術を提供する。【解決手段】基板１６を処理する処理装置ＰＦは、原版３の照明系１、原版３を駆動する原版駆動系２５、原版３のパターンを基板１６に投影する投影光学系４、基板１６を駆動する基板駆動系１７、基板１６におけるマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得する取得部２３と、状態情報に応じた条件で基板１６のマーク形成領域にマークを形成するマーク形成部１９と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理装置であって、
前記基板におけるマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得する取得部と、
前記状態情報に応じた条件で前記基板の前記マーク形成領域にマークを形成するマーク形成部と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記取得部は、前記基板の前記マーク形成領域の状態を計測する計測部を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記基板は、レジスト膜を有し、
前記状態情報は、前記マーク形成領域における前記レジスト膜の厚さに関する情報を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項４】
レジスト膜の膜厚が保証された膜厚保証領域を特定する第１情報と、前記マーク形成領域を特定する第２情報とをユーザに設定させる設定部を更に備える、
ことを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記取得部は、前記第２情報によって特定される前記マーク形成領域が前記第１情報によって特定される前記膜厚保証領域の外にある場合に、前記状態情報を取得する、
ことを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
【請求項６】
前記マーク形成部は、前記第２情報によって特定される前記マーク形成領域が前記第１情報によって特定される前記膜厚保証領域の中にある場合に、予め指定された条件で前記マークを形成する、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記マーク形成部は、前記マーク形成領域における前記レジスト膜の膜厚が第１膜厚である場合は、第１エネルギーを前記マーク形成領域に照射することによって前記マークを形成し、前記マーク形成領域における前記レジスト膜の膜厚が前記第１膜厚より薄い第２膜厚である場合は、前記第１エネルギーより大きい第２エネルギーを前記マーク形成領域に照射することによって前記マークを形成する、
ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項８】
前記処理装置は、前記レジスト膜に原版のパターンが転写されるように前記レジスト膜を露光する露光装置として構成されている、
ことを特徴とする請求項３乃至７のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項９】
前記露光装置は、前記マーク形成領域に前記マーク形成部によって形成されたマークの位置を計測するためのアライメントスコープを備え、
前記アライメントスコープの出力に基づいて前記基板と前記原版との位置合わせが行われた後に、前記レジスト膜の露光が行われる、
ことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記マーク形成部は、レーザー光の照射によって前記基板にマークを形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項１１】
基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記基板におけるマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得する取得工程と、
前記状態情報に応じた条件で前記基板の前記マーク形成領域にマークを形成するマーク形成工程と、
前記マークの位置に基づいて前記基板の位置決めを行い、前記基板に第１パターンを転写する第１転写工程と、
前記第１転写工程の後に、前記マークの位置に基づいて前記基板の位置決めを行い、前記基板に第２パターンを転写する第２転写工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
前記第１転写工程および前記第２転写工程は、同一のパターン形成装置によって実施される、
ことを特徴とする請求項１１に記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
前記第１転写工程は、前記基板の第１辺が第１方向に平行な状態で実施され、
前記第２転写工程は、前記基板の前記第１辺が前記第１方向に直交する第２方向に平行な状態で実施される、
ことを特徴とする請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記第１転写工程は、前記基板の第１辺が第１方向に平行な状態で実施され、
前記第２転写工程は、前記基板の前記第１辺が前記第１方向に平行な状態で実施される、
ことを特徴とする請求項１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
前記第１転写工程は、第１パターン形成装置において実施され、
前記第２転写工程は、前記第１パターン形成装置とは異なる第２パターン形成装置において実施される、
ことを特徴とする請求項１１に記載のパターン形成方法。
【請求項１６】
物品を製造する物品製造方法であって、
基板の上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載のパターン形成方法によって、前記基板の前記レジスト膜に潜像パターンを形成するパターン形成工程と、
前記潜像パターンを現像して物理パターンを形成する現像工程と、
前記物理パターンを使用して前記基板を処理する処理工程と、
を含み、前記処理工程を経た前記基板から前記物品を得ることを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置、パターン形成方法および物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１露光ステーションで基板の第１、第２ショット領域に対する露光を行い、その後、第２露光ステーションで該基板の第３、第４ショット領域に対する露光を行うことが記載されている。ここで、第１露光ステーションで基板の第１、第２ショット領域に対する露光を行う前又は後に、第１露光ステーションのマーク形成装置によって該基板にマークが形成される。そして、第２露光ステーションにおいて該マークの位置が検出され、その結果に基づいて該基板の第３、第４ショット領域に対する露光が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−９２１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者による検討の結果、マークを形成するべきマーク形成領域の状態に応じてマークを形成する際の最適条件が異なることが分かった。例えば、レジスト膜の厚さ等の状態が保証されていない領域をマーク形成領域として使用する場合、一定の条件でマークを形成する装置または方法では、マークが適切に形成されない可能性がある。
【０００５】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、マークを安定して形成するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、基板を処理する処理装置に係り、前記基板におけるマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得する取得部と、前記状態情報に応じた条件で前記基板の前記マーク形成領域にマークを形成するマーク形成部と、を備える。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、マークを安定して形成するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】処理装置の一例を示す図。
【図２】基板の構成例を示す図。
【図３】マークの形成結果（ａ）、および、レジスト膜の膜厚と最適なレーザー出力との関係を示す特性（ｂ）を例示する図。
【図４】基板のショットレイアウトおよびパターンの転写方法を例示する図。
【図５】基板のショットレイアウトおよびパターンの転写方法を例示する図。
【図６】第１実施形態のパターン形成方法を例示する図。
【図７】第２実施形態のパターン形成方法を例示する図。
【図８】他の処理装置の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１０】
本発明に係る処理装置は、基板を処理するように構成され、該基板におけるマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得する取得部と、該状態情報に応じた条件で該基板の該マーク形成領域にマークを形成するマーク形成部とを備えうる。マーク形成領域は、基板の全域のうちマーク形成部によってマークが形成される領域である。本発明に係る処理装置は、基板にマークを形成する処理装置として実現されてもよいし、基板にマークを形成する他、基板にパターンを形成する処理装置として構成されてもよい。基板にパターンを形成する処理装置は、パターン形成装置と呼ばれてもよい。パターン形成装置は、例えば、レジスト膜を有する基板の該レジスト膜に原版のパターンが転写されるように該レジスト膜を露光する露光装置でありうる。この場合、該レジスト膜には、原版のパターンに対応する潜像パターンが形成（転写）される。潜像パターンは、現像工程を経て物理パターンに変換されうる。パターン形成装置は、あるいは、硬化性組成物を有する基板の該硬化性組成物にモールドのパターンを転写するインプリント装置として構成されうる。このようなインプリント装置では、硬化性組成物の硬化物によって物理パターンが形成される。
【００１１】
図１には、本発明に係る処理装置の一つの具体化例としての露光装置（パターン形成装置）ＰＦの構成が示されている。露光装置ＰＦは、例えば、原版３を照明する照明系１、原版３を駆動する原版駆動系２５、原版３のパターンを基板１６に投影する投影光学系４、基板１６を駆動する基板駆動系１７を備えうる。また、露光装置ＰＦは、基板１６のマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得する取得部２３、基板１６のマーク形成領域にマークを形成するマーク形成部１９、アライメントスコープ２１、および、制御部１８を備えうる。アライメントスコープ２１は、例えば、オフアクシススコープでありうる。
【００１２】
照明系１は、例えば、光源５、第１コンデンサーレンズ６、フライアイレンズ７、第２コンデンサーレンズ８、スリット規定部材９、結像光学系１０、平面鏡１１を含みうる。光源５は、例えば、水銀ランプと、楕円ミラーとを含みうる。スリット規定部材９は、原版３の照明範囲（即ち、原版３を照明するスリット形状光の断面形状）を規定する。結像光学系１０は、スリット規定部材９によって規定されるスリットを投影光学系４の物体面（原版３が配置される面）に結像させるように構成される。平面鏡１１は、照明系１において光路を折り曲げる。
【００１３】
投影光学系４は、照明系１によって照明される原版３のパターン（の像）を基板１６に投影する。原版３は投影光学系４の物体面に配置され、基板１６は投影光学系４の像面に配置される。投影光学系４は、等倍結像光学系、拡大結像光学系および縮小結像光学系のいずれとしても構成されうる。照明系１によって照明される原版３のパターンの像は、例えば、投影光学系４の構成要素である第１平行平板１３ａ、平面鏡１４、凹面鏡１２、凸面鏡１５、凹面鏡１２、平面鏡１４および第２平行平板１３ｂを経て基板１６に形成される。基板１６は、基板駆動系１７のステージに搭載された基板保持部によって保持され、該基板保持部は、制御部１８からの駆動指令に従って駆動される。該基板保持部の位置は、干渉計等の計測器によってリアルタイムに計測され、その計測結果に基づいて制御部１８が基板駆動系１７を制御することによって該基板保持部の位置が制御されうる。アライメントスコープ２１は、基板１６のマークの位置を検出しうる。
【００１４】
取得部２３は、基板１６のマーク形成領域の状態を示す状態情報を取得するための構成として、例えば、基板１６のマーク形成領域の状態を計測する計測部を含みうる。例えば、基板１６は、レジスト膜を有し、該状態情報は、マーク形成領域における該レジスト膜の厚さに関する情報を含みうる。該状態情報は、マーク形成領域を構成している材料を特定する情報を含んでもよい。例えば、マーク形成部１９は、取得部２３によって取得された状態情報に応じた条件で基板１６のマーク形成領域にマークを形成する。制御部１８は、取得部２３によって取得された状態情報に応じてマークの形成条件を決定し、該形成条件に従ってマーク形成領域にマークが形成されるようにマーク形成部１９を動作させうる。
【００１５】
制御部１８は、基板駆動系１７の他、照明系１、原版駆動系２５、投影光学系４、アライメントスコープ２１を制御しうる。制御部１８は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。
【００１６】
図２には、基板１６の構成例が示されている。基板１６は、例えば、板部材１６ａと、板部材１６ａの上に形成された１又は複数の膜１６ｂと、膜１６ｂの上に配置されたレジスト膜１６ｃとを含みうる。板部材１６ａは、例えば、ガラス基板等の絶縁基板、半導体基板、または、金属基板等の導電性基板でありうる。１又は複数の膜１６ｂは、任意的な構成要素であり、板部材１６ａの上に直接にレジスト膜１６ｃが配置されてもよい。１又は複数の膜１６ｂは、導電膜、絶縁膜および半導体膜の少なくとも１つを含みうる。
【００１７】
取得部２３は、例えば、基板１６のマーク形成領域ＭＦＲにおけるレジスト膜１６ｃの膜厚を非接触で計測する計測部でありうる。一例において、取得部２３は、基板１６に対して所定の入射角で計測光を入射させ、基板１６からの反射光によって形成される干渉縞を検出し、この干渉縞に基づいてレジスト膜１６ｃの膜厚を検出する分光干渉計でありうる。あるいは、取得部２３は、基板１６にレーザー光を照射し、この照射の開始から基板１６で熱が発生するまでの時間を計測することでレジスト膜１６ｃの膜厚を検出する計測部であってもよい。取得部２３は、例えば、基板１６のマーク形成領域ＭＦＲにプローブを接触させることによってレジスト膜１６ｃの膜厚を計測する計測部であってもよい。そのような計測部は、例えば、レジスト膜１６ｃの膜厚に依存する電気的特性をレジスト膜１６ｃの膜厚に換算しうる。
【００１８】
取得部２３としての計測部は、例えば、基板１６が走査露光される場合、基板１６の走査方向（ここではＹ方向とする）と直交する方向（Ｘ方向）における互いに異なる２つの位置に配置されうる。取得部２３として構成された計測部の個数は、１以上の任意の個数とすることができる。
【００１９】
取得部２３として構成された計測部によって、基板１６のマーク形成領域ＭＦＲにおける状態、例えば、レジスト膜１６ｃの膜厚を計測することができる。ここで、マーク形成領域ＭＦＲにおけるレジスト膜１６ｃの膜厚は、０の場合もありうる。その場合、取得部２３は、状態情報として、レジスト膜１６ｃの厚さが０であることを検出しうる。図２（ａ）には、マーク形成領域ＭＦＲにおけるレジスト膜１６ｃの膜厚が０でない場合の例が示され、図２（ｂ）には、マーク形成領域ＭＦＲにおけるレジスト膜１６ｃの膜厚が０である場合の例が示されている。
【００２０】
取得部２３は、図８に例示されるように、他の装置５０から無線又は有線の通信路を介して状態情報を取得してもよい。他の装置５０は、基板１６のマーク形成領域ＭＦＲの状態を計測する計測部を含んでもよいし、そのような計測部による計測結果を取得し保持してもよい。
【００２１】
以下、マーク形成部１９について説明する。マーク形成部１９は、例えば、基板のマーク形成領域ＭＦＲにレーザー光を照射することによってマーク形成領域ＭＦＲにマークを形成しうる。マークは、例えば、マーク形成領域ＭＦＲにレジスト膜１６ｃが存在する場合には、そのレジスト膜１６ｃを透過してレーザー光が膜１６ｂに照射され、これによって膜１６ｂが変質することによってマークが形成されうる。マーク形成領域ＭＦＲにレジスト膜１６ｃが存在しない場合には、レーザー光が膜１６ｂに直接に照射されることによって膜１６ｂにマークが形成されうる。膜１６ｂが存在しない場合には、板部材１６ａにマークが形成されうる。
【００２２】
図３（ａ）には、マーク形成部１９のレーザー出力（エネルギー）とレジスト膜１６ｃの厚さとをパラメータとするマークの形成結果が例示されている。レジスト膜１６ｃの厚さが１．５μｍである場合は、マーク形成部１９のレーザー出力が１２０ｍＷであるときに最適なマークが形成された。一方、レーザー出力を１２０ｍＷより大きくしてゆくと、形成されるマークの形状が理想形状から逸脱し、レーザー出力が６００ｍＷである場合には、マークの位置を正確に識別することが困難になった。レジスト膜１６ｃの厚さが０μｍである場合は、マーク形成部１９のレーザー出力が１２０ｍＷであるときは、マークが形成されなかった。一方、レーザー出力を１２０ｍＷより大きくしてゆくと、形成されるマークが識別可能になり、レーザー出力が６００ｍＷである場合に最適なマークが形成された。
【００２３】
図３（ｂ）には、レジスト膜１６ｃの膜厚と最適なレーザー出力との関係を示す特性が例示されている。制御部１８は、図３（ｂ）に例示される特性を示す特性情報（例えば、近似式、ルックアップテーブル等）を保持し、取得部２３によって取得された状態情報（レジスト膜１６ｃの膜厚）に応じて、マーク形成部１９によるマークの形成条件を決定しうる。上記の特性情報は、図３（ａ）に例示されたような実験を通して、または、シミュレーションによって得ることができる。マーク形成部１９は、制御部１８による制御の下で、マーク形成領域ＭＦＲにおけるレジスト膜１６ｃの膜厚が第１膜厚である場合は、第１エネルギーをマーク形成領域ＭＦＲに照射することによってマークを形成しうる。マーク形成部１９は、マーク形成領域ＭＦＲにおけるレジスト膜１６ｃの膜厚が該第１膜厚より薄い第２膜厚である場合は、該第１エネルギーより大きい第２エネルギーをマーク形成領域ＭＦＲに照射することによってマークを形成しうる。
【００２４】
図４には、基板１６のショットレイアウトが例示されている。ショットレイアウトは、基板１６の複数のショット領域のレイアウトである。図４の例では、基板１６は、ショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２と、ショット領域ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３とを有する。ショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２は、露光装置ＰＦにおいて、基板１６をＹ方向に走査しながら走査露光されうる。ショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２の走査露光は、基板１６の第１辺Ｓ１が第１方向（この例では、Ｘ方向）に平行に配置されるように基板駆動系１７の基板保持部によって基板１６が保持された状態で実施されうる。その後、基板１６は、図５に例示されるように、基板１６の第１辺Ｓ１が第１方向（Ｘ方向）に直交する第２方向（Ｙ方向）に平行になるように不図示の基板操作機構によって基板１６が回転され、この状態で基板駆動系１７の基板保持部によって保持されうる。そして、ショット領域ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３の走査露光は、基板１６の第１辺Ｓ１が第２方向（Ｙ方向）に平行になるように基板駆動系１７の基板保持部によって保持された状態で実施されうる。
【００２５】
図６には、第１実施形態のパターン形成方法が例示されている。このパターン形成方法は、図１に示される処理装置（パターン形成装置）ＰＦによって、または、図１に示される処理装置（第１パターン形成装置）ＰＦおよび他の処理装置（第２パターン形成装置）によって実施されうる。
【００２６】
工程Ｓ６０１では、制御部１８は、図３（ｂ）に例示される特性情報を取得する。取得すべき特性情報は、複数の特性情報の中から、マーク形成領域を構成している材料に応じて選択されてもよい。工程Ｓ６０２では、制御部１８は、取得部２３から基板１６のマーク形成領域ＭＦＲの状態を示す状態情報を取得する。取得部２３は、マーク形成領域ＭＦＲを計測することによって状態情報を取得しうる。あるいは、取得部２３は、他の装置５０から状態情報を取得しうる。取得部２３は、例えば、図４に例示されるマーク３１、３２、３３がそれぞれ存在する領域（マーク形成領域）の状態を示す状態情報を取得する。なお、この時点では、マーク３１、３２、３３は、まだ形成されていない。
【００２７】
工程Ｓ６０３では、制御部１８は、工程Ｓ６０２で取得部２３から取得した状態情報に応じたマークの形成条件を、工程Ｓ６０１で取得した特性情報に基づいて決定する。工程Ｓ６０４では、制御部１８は、工程Ｓ６０３で決定した形成条件に従って基板１６のマーク形成領域にマーク３１、３２、３３が形成されるようにマーク形成部１９を制御する。
【００２８】
工程Ｓ６０５では、制御部１８は、アライメントスコープ２１を使って、マーク３１、３２、３３の位置を計測し、マーク３１、３２、３３の位置に基づいてショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２（第１露光領域）の位置を決定する。工程Ｓ６０６（第１転写工程）では、制御部１８は、ショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２（第１露光領域）が露光されるように、すなわち、ショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２に原版３のパターンが転写されるように露光動作を制御する。ここで、露光動作は、アライメントスコープ２１の出力に基づいて基板１６と原版３との位置合わせ、あるいは基板１６の位置決めが行われた後に実行される。
【００２９】
工程Ｓ６０７では、制御部１８は、図５に例示されるように、基板１６の第１辺Ｓ１が第１方向（Ｘ方向）に直交する第２方向（Ｙ方向）に平行になるように不図示の基板操作機構によって基板１６を回転させる動作を行いうる。その後、制御部１８は、回転後の基板１６を基板駆動系１７の基板保持部に保持させる。工程Ｓ６０７は、任意的な工程であり、実行されなくてもよい。
【００３０】
工程Ｓ６０８では、制御部１８は、アライメントスコープ２１を使って、マーク３１、３２、３３の位置を計測し、マーク３１、３２、３３の位置に基づいてショット領域ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３（第２露光領域）の位置を決定する。工程Ｓ６０９（第２転写工程）では、制御部１８は、ショット領域ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３（第２露光領域）が露光されるように、すなわち、ショット領域ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３に原版３のパターンが転写されるように露光動作を制御する。工程Ｓ６０７が実行された場合、基板１６の第１辺Ｓ１が第１方向（Ｘ方向）に直交する第２方向（Ｙ方向）に平行な状態で工程Ｓ６０９が実行される。一方、工程Ｓ６０７が実行されなかった場合、基板１６の第１辺Ｓ１が第１方向（Ｘ方向）に平行な状態で工程Ｓ６０９が実行される。つまり、工程Ｓ６０７が実行されなかった場合、工程Ｓ６０６（第１転写工程）および工程Ｓ６０９（第２転写工程）の双方において、基板１６の第１辺Ｓ１が第１方向（Ｘ方向）に平行な状態で基板１６の露光が実行される。
【００３１】
工程Ｓ６０８、工程Ｓ６０９は、他の処理装置（パターン形成装置）によって実行されてもよい。この場合、工程Ｓ６０７は、処理装置ＰＦ、他の処理装置、または、不図示の搬送機構によって実施されうる。
【００３２】
工程Ｓ６０４でマーク３１、３２、３３を形成し、工程Ｓ６０５、工程Ｓ６０６においてマーク３１、３２、３３の位置を計測することによってショット領域ＳＲ１１、ＳＲ１２とショット領域ＳＲ２１、ＳＲ２２、ＳＲ２３との位置関係を保証することができる。
【００３３】
図７には、第２実施形態のパターン形成方法が示されている。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。このパターン形成方法は、図１に示される処理装置（パターン形成装置）ＰＦによって、または、図１に示される処理装置（第１パターン形成装置）ＰＦおよび他の処理装置（第２パターン形成装置）によって実施されうる。処理装置（パターン形成装置）ＰＦは、設定部４０を備えうる。設定部４０は、レジスト膜１６ｃの膜厚が保証された膜厚保証領域を特定する第１情報と、マーク形成領域ＭＦＲを特定する第２情報とをユーザに設定させるユーザインターフェースを含みうる。膜厚保証領域は、例えば、ショット領域を配置することができる領域である。膜厚保証領域は、例えば、基板１６にレジスト膜１６ｃを塗布する塗布装置の使用あるいは設定によって決定されうる。
【００３４】
第２実施形態のパターン形成方法は、工程Ｓ７０１、工程Ｓ７０２および工程Ｓ７０３を有しうる。工程Ｓ７０１では、制御部１８は、レジスト膜１６ｃの膜厚が保証された膜厚保証領域を特定する第１情報と、マーク形成領域ＭＦＲを特定する第２情報とを設定部４０から取得しうる。工程Ｓ７０２では、制御部１８は、第２情報によって特定されるマーク形成領域ＭＦＲが第１情報によって特定される膜厚保証領域の外にあるかどうかを判断する。
【００３５】
第２情報によって特定されるマーク形成領域ＭＦＲが第１情報によって特定される膜厚保証領域の外にあると判断された場合、処理は、前述の工程Ｓ６０２に進められる。前述のように、工程Ｓ６０２では、制御部１８は、取得部２３から基板１６のマーク形成領域ＭＦＲの状態を示す状態情報を取得する。
【００３６】
第２情報によって特定されるマーク形成領域ＭＦＲが第１情報によって特定される膜厚保証領域の外にない場合、すなわち、マーク形成領域ＭＦＲが膜厚保証領域の中にあると判断された場合、処理は、工程Ｓ７０３に進められる。工程Ｓ７０３では、制御部１８は、予め指定された条件をマークの形状条件として設定する。工程Ｓ６０４では、制御部１８は、工程Ｓ６０３または工程Ｓ６０４で設定された形成条件に従って基板１６のマーク形成領域にマーク３１、３２、３３が形成されるようにマーク形成部１９を制御する。
【００３７】
ここで、マーク形成領域ＭＦＲが膜厚保証領域の中にある場合は、その膜厚保証領域におけるレジスト膜１６ｃの膜厚に適合した条件がマークの形成条件として指定されうる。よって、取得部２３は、レジスト膜１６ｃの膜厚を取得する必要はない。
【００３８】
以下、上記のパターン形成方法を含む物品製造方法を例示的に説明する。物品製造法は、基板の上にレジスト膜１６ｃを形成するレジスト膜形成工程と、上記のパターン形成方法によって基板のレジスト膜１６ｃに潜像パターンを形成するパターン形成工程と、該潜像パターンを現像して物理パターンを形成する現像工程と、を含みうる。該物品製造方法は、該物理パターンを使用して基板を処理する処理工程を更に含みうる。該物品製造法は、該処理工程を経た基板から物品を得る。該物品は、例えば、表示デバイス、半導体デバイス等のデバイスを含みうる。
【００３９】
他の観点において、物品製造法方法は、基板に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の処理装置あるいは露光装置を使用して、感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態の物品製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００４０】
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【００４１】
ＰＦ：処理装置（パターン形成装置）、１６：基板、１６ａ：板部材、１６ｂ：膜、１６ｃ：レジスト膜、１８：制御部、１９：マーク形成部、２３：取得部、ＭＦＲ：マーク形成領域、３１、３２、３３：マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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