(57)【要約】【課題】スイッチング素子の配置箇所の近傍での光漏れを低減する。【解決手段】実施形態によれば、表示装置は、基板と、前記基板上のゲート線と、前記ゲート線と離隔され、基準電圧を伝達する第１基準電圧線と、前記ゲート線および前記第１基準電圧線と絶縁交差するデータ線と、前記データ線と離隔している第１ドレイン電極と、前記データ線および前記第１ドレイン電極の上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する画素電極層とを含み、前記画素電極層は、画素電極と、前記データ線に重なるように延びる遮蔽電極とを含み、前記画素電極は、前記第１ドレイン電極に向かって突出した第１延長部と、第１延長部の先端に連結された接触部とを含む第１副画素電極を含み、前記第１副画素電極の前記第１延長部は、前記遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有し、前記の第１延長部の一側辺と前記遮蔽電極の一側辺との間隔は、４μｍ以下である。【選択図】図２
2020144356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、ゲート信号を伝達可能なゲート線と、
前記ゲート線と離隔しており、基準電圧を伝達する第１基準電圧線と、
前記ゲート線および前記第１基準電圧線と絶縁交差するデータ線と、
前記データ線と離隔している第１ドレイン電極と、
前記データ線および前記第１ドレイン電極の上に位置する絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する画素電極層とを含み、
前記画素電極層は、画素電極と、前記データ線に重なるように延びる遮蔽電極とを含み、
前記画素電極は、前記第１ドレイン電極に向かって突出した第１延長部と、第１延長部の先端に連結された接触部とを含む第１副画素電極を含み、
前記第１副画素電極の前記第１延長部は、前記遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有し、前記の第１延長部の一側辺と前記の遮蔽電極の一側辺との間隔は、４μｍ以下である表示装置。
【請求項２】
前記第１延長部は、第１部分および第２部分を含み、
前記第１部分は、前記遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有する部分であり、
前記第２部分は、前記第１部分の先端箇所から垂直に折れた後、再び垂直に折れて前記接触部に連結される部分である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１部分は、前記第１副画素電極の一の隅角部の近傍から前記遮蔽電極の一辺と平行に斜線方向に延びた後、前記遮蔽電極の延長方向に沿って折れて前記遮蔽電極と平行に延び、
前記第１延長部は、第１部分および第２部分を含み、
前記第１部分と前記第２部分は、垂直に折れるようにして連結されている、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１副画素電極は、第２延長部をさらに含み、
前記第２延長部は、前記第１副画素電極から見て、前記第１延長部が近接して位置する遮蔽電極とは、反対側に位置する他の遮蔽電極に近接して位置し、前記他の遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記の第２延長部の一側辺と前記の他の遮蔽電極の一側辺との間の間隔は、４μｍ以下であり、
前記第１延長部は、前記第１副画素電極の一の隅角部に連結され、
前記第２延長部は、前記第１副画素電極の他の一の隅角部に連結され、
前記第２延長部は、
前記副画素電極の他の一の隅角部から前記他の遮蔽電極の一辺と平行に突出する根元端部分と、
この根元端部分に続いて垂直に折れて延びる中間部分と、
この中間部分から再び垂直に折れて延びる先端部分とを有する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記ゲート線は、第１ゲート電極と、第２ゲート電極と、第３ゲート電極とを含み、
前記第１ゲート電極、第１ソース電極および前記第１ドレイン電極を含む第１トランジスタと、
前記第２ゲート電極、第２ソース電極および第２ドレイン電極を含む第２トランジスタと、
前記第３ゲート電極、第３ソース電極および第３ドレイン電極を含む第３トランジスタとをさらに含み、
前記画素電極は、第２副画素電極をさらに含み、
前記絶縁層は、前記第１ドレイン電極上に位置する第１コンタクトホールと、前記第２ドレイン電極上に位置する第２コンタクトホールと、前記第３ドレイン電極上に位置する第３コンタクトホールとを含み、
前記第１副画素電極は、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ドレイン電極と電気的に連結され、
前記第２副画素電極は、前記第２コンタクトホールを介して前記第２ドレイン電極と電気的に連結され、
前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール、及び前記第３コンタクトホールは、前記ゲート線を基準として同じ側に位置し、
前記第３コンタクトホールを介して前記第１基準電圧線と前記第３ドレイン電極とを電気的に連結するための連結部材をさらに含む、請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記連結部材は、前記第２延長部に向かって突出して延びる突出部をさらに含み、
前記連結部材の前記突出部の一辺は、対向する前記第２延長部の一辺と平行である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記の突出部の一辺と、これに対向する前記の第２延長部の一辺との間の間隔は、４μｍ以下であり、
前記突出部は、前記第２延長部の根元端部に近接する位置にまで延びており、前記突出部の先端部は、前記第２延長部の根元端部の先端箇所での折れ曲がる構造に対応して、幅が減少する構造を有し、この近傍にて、前記突出部の一辺と、対向する前記第２延長部の一辺とが平行である、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ゲート線および前記第１基準電圧線の上に位置し、前記第１基準電圧線と電気的に連結されている第２基準電圧線をさらに含み、
前記第２基準電圧線は、前記第３ドレイン電極を含み、前記第３ドレイン電極と同じ導電層に位置し、
前記第２基準電圧線は、隣接する３つの画素列ごとに１つずつ含まれている、請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１ドレイン電極が切断され、前記第２ドレイン電極が切断され、前記データ線の突出部が切断され、前記第１延長部と前記第１副画素電極との連結部分が切断され、
前記第１副画素電極は、リペア時のカッティング位置を案内するカッティング位置案内部をさらに含み、前記第１延長部と前記第１副画素電極との連結部分を切断するための位置を示し、
前記データ線の前記突出部が切断される際に、前記第１副画素電極の前記第１延長部の一部も切断される、請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置に関し、より具体的には、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置は、一般に映像を表示する単位である複数の画素を含む。
【０００３】
液晶表示装置は、液晶を含む液晶層と、液晶層の液晶の配向を制御するための電場生成電極と、電場生成電極の少なくとも一部に電圧を印加するための複数の信号線と、これに連結されている複数のスイッチング素子とを含む。電場生成電極に電圧が印加されると、液晶層に電場が生成されて液晶は再配列され、これにより、透過する光の量を調節して所望の映像を表示することができる。透過する光の量を調節するために、表示板は、少なくとも１つの偏光子を含むことができる。
【０００４】
液晶表示装置が含む電場生成電極は、データ電圧が印加される画素電極と、共通電圧が印加される共通電極とを含む。画素電極は、トランジスタであり得るスイッチング素子を介してデータ電圧が印加される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】WO2017/199799（PCT/JP2017/017614）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態は、光漏れ現象を低減した表示装置を提供する。また、光漏れ現象を低減した表示装置においてリペア工程を進行させるようにするためのものである。さらに、開口率および透過率の高い表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態による表示装置は、基板と、前記基板上に位置し、ゲート信号を伝達可能なゲート線と、前記ゲート線と離隔しており、基準電圧を伝達する第１基準電圧線と、前記ゲート線および前記第１基準電圧線と絶縁交差するデータ線と、前記データ線と離隔している第１ドレイン電極と、前記データ線および前記第１ドレイン電極の上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する画素電極層とを含み、前記画素電極層は、画素電極と、前記データ線と重なる遮蔽電極とを含み、前記画素電極は、前記第１ドレイン電極に向かって突出した第１延長部と、第１延長部の端に連結された接触部とを含む第１副画素電極を含み、前記第１副画素電極の前記第１延長部は、前記遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有し、前記第１延長部と前記遮蔽電極との平行な２辺間の間隔は、４μｍ以下である。
【０００８】
前記第１延長部は、第１部分および第２部分を含み、前記第１部分は、前記遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有する部分であり、前記第２部分は、前記第１部分の終端で垂直方向に折れた後、再び垂直方向に折れて前記接触部に連結される部分であってもよい。
【０００９】
前記第１部分は、前記第１副画素電極の一側周縁で前記遮蔽電極の一辺と平行に斜線方向に延びた後、前記遮蔽電極の延長方向に沿って折れて前記遮蔽電極と平行な構造を有してもよい。
【００１０】
前記第１部分と前記第２部分とは、互いに垂直に折れるようにして連結される。
【００１１】
前記第１副画素電極は、第２延長部をさらに含み、前記第２延長部は、前記第１延長部が位置する側の反対側に位置し、前記遮蔽電極と隣接する他の遮蔽電極の一側辺と平行な一側辺を有してもよい。
【００１２】
前記第２延長部と前記隣接する他の遮蔽電極間の平行な２辺間の間隔は、４μｍ以下であってもよい。
【００１３】
前記第１延長部は、前記第１副画素電極の一側周縁に連結され、前記第２延長部は、前記第１副画素電極の他側周縁に連結される。
【００１４】
前記第２延長部は、前記副画素電極の他側周縁で前記隣接する他の遮蔽電極の一辺と平行に突出した後、垂直方向に折れて延びてから再び垂直方向に折れた終端を有してもよい。
【００１５】
前記ゲート線は、第１ゲート電極と、第２ゲート電極と、第３ゲート電極とを含み、前記第１ゲート電極、第１ソース電極および前記第１ドレイン電極を含む第１トランジスタと、前記第２ゲート電極、第２ソース電極および第２ドレイン電極を含む第２トランジスタと、前記第３ゲート電極、第３ソース電極および第３ドレイン電極を含む第３トランジスタとをさらに含み、前記画素電極は、第２副画素電極をさらに含み、前記絶縁層は、前記第１ドレイン電極上に位置する第１コンタクトホールと、前記第２ドレイン電極上に位置する第２コンタクトホールと、前記第３ドレイン電極上に位置する第３コンタクトホールとを含み、前記第１副画素電極は、前記第１コンタクトホールを介して前記第１ドレイン電極と電気的に連結され、前記第２副画素電極は、前記第２コンタクトホールを介して前記第２ドレイン電極と電気的に連結され、前記第１コンタクトホール、前記第２コンタクトホール、そして前記第３コンタクトホールは、前記ゲート線を基準として同じ側に位置してもよい。
【００１６】
前記第３コンタクトホールを介して前記第１基準電圧線と前記第３ドレイン電極とを電気的に連結するための連結部材をさらに含んでもよい。
【００１７】
前記連結部材は、前記第２延長部に向かって突出している突出部をさらに含んでもよい。
【００１８】
前記連結部材の前記突出部の一辺は、対向する前記第２延長部の一辺と平行であってもよい。
【００１９】
前記突出部と前記第２延長部の対向する２辺間の間隔は、４μｍ以下であってもよい。
【００２０】
前記突出部は、前記第２延長部の対向する辺が折れる構造に対応して幅が減少する構造を有し、前記突出部の一辺と対向する前記第２延長部の一辺が平行であってもよい。
【００２１】
前記ゲート線および前記第１基準電圧線の上に位置し、前記第１基準電圧線と電気的に連結されている第２基準電圧線をさらに含み、前記第２基準電圧線は、前記第３ドレイン電極を含み、前記第３ドレイン電極と同じ導電層に位置してもよい。
【００２２】
前記第２基準電圧線は、隣接する３つの画素ごとに１つずつ含まれていてもよい。
【００２３】
前記第１ドレイン電極が切断され、前記第２ドレイン電極が切断され、前記データ線の突出部が切断され、前記第１延長部と前記第１副画素電極との連結部分が切断されてもよい。
【００２４】
前記第１副画素電極は、カッティング位置案内部をさらに含み、前記第１延長部と前記第１副画素電極との連結部分で切断する位置を示すことができる。
【００２５】
前記データ線の前記突出部が切断される時、前記第１副画素電極の前記第１延長部の一部も切断されてもよい。
【００２６】
前記基板にはカラーフィルタをさらに含み、前記基板に対向し、遮光部材および共通電極を含む対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に位置する液晶層とをさらに含んでもよい。
【発明の効果】
【００２７】
実施形態によれば、表示装置の光漏れ現象が低減されるという利点がある。また、光漏れ現象が低減された表示装置で不良が発生すると、リペア工程によってこれを修理して使用することができる。さらに、表示装置の開口率および透過率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】一実施形態による表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【図２】一実施形態による表示装置の１つの画素の一部に対する配置図である。
【図３】図２に示した表示装置のＩＩＩａ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図である。
【図４】図２に示した表示装置のＩＶａ−ＩＶｂ線に沿った断面図である。
【図５】図２の実施形態における画素電極層だけを示す図である。
【図６】他の実施形態による表示装置の１つの画素の一部に対する配置図である。
【図７】図６の実施形態における画素電極層だけを示す図である。
【図８】図６の実施形態における光の漏れる部分を撮影した図である。
【図９】一実施形態による表示装置の表示領域に対する平面配置図である。
【図１０】一実施形態による表示装置の３つの画素に対する配置図である。
【図１１】一実施形態による表示装置の３つの画素のカラーフィルタおよび縦基準電圧線に対する配置図である。
【図１２】図６の実施形態における画素をリペアするために断線させる位置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、添付した図面を参照して、本発明の様々な実施例について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。
【００３０】
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
【００３１】
また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図示のところに限定されない。図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。
【００３２】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」あるとする時、これは、他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「直上」にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。さらに、基準となる部分の「上に」にあるというのは、基準となる部分の上または下に位置するものであり、必ずしも重力の反対方向側に「上に」位置することを意味するのではない。
【００３３】
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに包含できることを意味する。
【００３４】
さらに、明細書全体において、「平面上」とする時、これは対象部分を上から見た時を意味し、「断面上」とする時、これは、対象部分を垂直に切断した断面を横から見た時を意味する。
【００３５】
まず、図１を参照して、一実施形態による表示装置について説明する。
【００３６】
図１は、一実施形態による表示装置の１つの画素ＰＸに対する等価回路図である。
【００３７】
一実施形態による表示装置は、映像を表示できる単位である複数の画素ＰＸを含む。図１を参照すれば、１つの画素ＰＸは、第１副画素ＰＸａａおよび第２副画素ＰＸｂｂを含みうる。第１副画素ＰＸａａは、１つのデータ線１７１および１つのゲート線１２１に連結されている第１トランジスタＱａと、第１トランジスタＱａと連結されている第１液晶キャパシタＣｌｃａとを含む。また、第２副画素ＰＸｂｂは、第１トランジスタＱａと同じデータ線１７１およびゲート線１２１に連結されている第２トランジスタＱｂと、第２トランジスタＱｂと同じゲート線１２１に連結されている第３トランジスタＱｃと、第２トランジスタＱｂおよび第３トランジスタＱｃに連結されている第２液晶キャパシタＣｌｃｂとを含む。
【００３８】
第１トランジスタＱａは、ゲート線１２１に連結されているゲート電極と、データ線１７１に連結されているソース電極と、第１液晶キャパシタＣｌｃａに連結されているドレイン電極とを含む。第１トランジスタＱａは、ゲート線１２１が伝達するゲート信号によって制御され、データ線１７１が伝達するデータ電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃａの一側電極に伝達する。
【００３９】
第２トランジスタＱｂは、第１トランジスタＱａと同じゲート線１２１に連結されているゲート電極と、第１トランジスタＱａと同じデータ線１７１に連結されているソース電極と、第２液晶キャパシタＣｌｃｂおよび第３トランジスタＱｃのソース電極に連結されているドレイン電極とを含む。
【００４０】
第３トランジスタＱｃは、第１トランジスタＱａおよび第２トランジスタＱｂと同じゲート線１２１に連結されているゲート電極と、第２トランジスタＱｂのドレイン電極に連結されているソース電極と、基準電圧Ｖｒｅｆが印加されるドレイン電極とを含む。
【００４１】
第２トランジスタＱｂおよび第３トランジスタＱｃは、ゲート線１２１が伝達するゲート信号によって制御され、第３トランジスタＱｃおよび第２トランジスタＱｂがターンオンされると、データ線１７１を介して伝達されるデータ電圧と基準電圧Ｖｒｅｆとの中間電圧に分圧されて第２液晶キャパシタＣｌｃｂの一側電極に伝達される。ここで、基準電圧Ｖｒｅｆは、所定の一定電圧であってもよい。
【００４２】
第１副画素ＰＸａａおよび第２副画素ＰＸｂｂは、１つの入力映像信号に対して、互いに異なるガンマ曲線による映像を表示することもできる。ここで、ガンマ曲線とは、入力映像信号の階調に対する輝度または透過率の変化を示した曲線を意味する。表示装置が提供するガンマ曲線は、１つの画素ＰＸが提供するガンマ曲線に対応し、１つの画素ＰＸが提供するガンマ曲線は、２つの副画素ＰＸａａ、ＰＸｂｂが提供するガンマ曲線を合わせたものに対応する。
【００４３】
第２副画素ＰＸｂｂがしたがうガンマ曲線は、第３トランジスタＱｃと第２トランジスタＱｂとの抵抗比、基準電圧Ｖｒｅｆなどを制御することで調節可能である。第２液晶キャパシタＣｌｃｂの充電電圧を、第３トランジスタＱｃ、基準電圧Ｖｒｅｆなどの制御により調節することによって、２つの副画素ＰＸａａ、ＰＸｂｂの輝度が変化し、第１液晶キャパシタＣｌｃａおよび第２液晶キャパシタＣｌｃｂについての充電される電圧を適切に調節すれば、表示装置の側面視認性を改善することができる。
【００４４】
図１と共に、図２〜図４を参照して、一実施形態による表示装置の画素ＰＸの具体的な構造について説明する。
【００４５】
図２は、一実施形態による表示装置における１つの画素の一部についての配置図であり、図３は、図２に示した表示装置におけるＩＩＩａ−ＩＩＩｂ線に沿った断面図であり、図４は、図２に示した表示装置におけるＩＶａ−ＩＶｂ線に沿った断面図である。
【００４６】
一実施形態による表示装置は、液晶表示装置であって、第１表示板１００と、第２表示板２００と、これら２つの表示板１００、２００の間に位置する液晶層３とを含む。
【００４７】
第１表示板１００について説明すれば、絶縁性の基板１１０上に、複数のゲート線１２１と、基準電圧線１３１（以下、第１基準電圧線ともいう）とを含むゲート導電層が位置する。
【００４８】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、概ね第１方向ＤＲ１に延びており、拡張部１２４を含む。ゲート線１２１の拡張部１２４には、第１ゲート電極１２４ａ、第２ゲート電極１２４ｂ、そして第３ゲート電極１２４ｃが含まれており、第１ゲート電極１２４ａ、第２ゲート電極１２４ｂ、そして第３ゲート電極１２４ｃは、互いに連結されていてもよい。第２ゲート電極１２４ｂは、第１ゲート電極１２４ａと第３ゲート電極１２４ｃとの間に位置してもよい。
【００４９】
拡張部１２４は、ゲート線１２１が第１方向ＤＲ１に沿って長く延びた部分から、第２方向ＤＲ２に突出または拡張した形態を有することができる。
【００５０】
基準電圧線１３１は、基準電圧Ｖｒｅｆを伝達し、ゲート線１２１と離隔してゲート線１２１に概ね沿って延びており、拡張部１３２を含む。拡張部１３２は、基準電圧線１３１が第１方向ＤＲ１に沿って延びた部分から第２方向ＤＲ２の反対方向に突出または拡張した形態を有することができる。つまり、ゲート線１２１から拡張部１２４が突出した方向と、基準電圧線１３１から拡張部１３２が突出した方向とは、互いに反対であってもよい。言い換えれば、ゲート線１２１が第１方向ＤＲ１に長く延びた部分と、基準電圧線１３１が第１方向ＤＲ１に長く延びた部分との間に、ゲート線１２１の拡張部１２４と基準電圧線１３１の拡張部１３２とが位置し、拡張部１２４と拡張部１３２とは、互いに対向しうる。
【００５１】
ゲート導電層および露出した基板１１０の上には、ゲート絶縁膜１４０が位置してもよい。ゲート絶縁膜１４０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒酸化ケイ素などといった無機絶縁物質を含むことができる。
【００５２】
ゲート絶縁膜１４０上には、第１半導体１５４ａ、第２半導体１５４ｂ、そして第３半導体１５４ｃを含む半導体層１５１が位置する。第１半導体１５４ａは、第１ゲート電極１２４ａ上に位置して第１ゲート電極１２４ａと重なり、第２半導体１５４ｂは、第２ゲート電極１２４ｂ上に位置して第２ゲート電極１２４ｂと重なり、第３半導体１５４ｃは、第３ゲート電極１２４ｃ上に位置して第３ゲート電極１２４ｃと重なる。第１半導体１５４ａ、第２半導体１５４ｂおよび第３半導体１５４ｃは、互いに連結されていてもよく、第２半導体１５４ｂが第１半導体１５４ａと第３半導体１５４ｃとの間に位置してもよい。
【００５３】
半導体層１５１は、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、多結晶シリコン（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、または金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）を含む酸化物半導体などを含むことができる。
【００５４】
半導体層１５１上には、複数個所の抵抗性接触層１６３ａ、１６５ａを含む抵抗性接触層１６１が位置してもよいのであり、半導体層１５１の少なくとも一部の領域の上には、抵抗性接触層１６１が形成されなくてもよい。
【００５５】
抵抗性接触層１６１上には、データ導電層が位置する。データ導電層は、複数のデータ線１７１ａ、１７１ｂ、第１ソース電極１７３ａ、第２ソース電極１７３ｂ、第３ソース電極１７３ｃ、第１ドレイン電極１７５ａ、第２ドレイン電極１７５ｂ、そして第３ドレイン電極１７５ｃを含む。
【００５６】
第１ソース電極１７３ａおよび第２ソース電極１７３ｂは、互いに連結されており、１つのデータ線１７１ａに連結されている。しかし、ここで説明した画素ＰＸに、第２方向ＤＲ２の両側から（図１〜２の向かって上下から）隣接する画素ＰＸでは、これらソース電極１７３ａおよび１７３ｂが、他のデータ線１７１ｂに連結されていてもよい。つまり、２つのデータ線１７１ａ、１７１ｂのうちの１つから第１方向ＤＲ１に突出して、第１ソース電極１７３ａおよび第２ソース電極１７３ｂが形成されている。
【００５７】
第１ドレイン電極１７５ａは、第１ソース電極１７３ａと対向し、第１ソース電極１７３ａによって根元端の近傍が半円状に囲まれている細長い根元端部分(proximal-end part)と、先端側に位置する拡張部１７７ａとを含む。
【００５８】
第２ドレイン電極１７５ｂは、第２ソース電極１７３ｂにおける第２方向ＤＲ２に延びる先端の縁と対向し、第２ソース電極１７３ｂのこの先端の縁に沿って延びた細長い一端部分と、他側に位置する拡張部１７７ｂとを含む。
【００５９】
第３ソース電極１７３ｃは、第２ドレイン電極１７５ｂの少なくとも一部に位置してもよい。つまり、第２ドレイン電極１７５ｂの細長い根元端部分における第２ソース電極１７３ｂと対向する側とは反対側の縁部は、第３ソース電極１７３ｃでありうる。
【００６０】
第３ドレイン電極１７５ｃは、全体が折れ線状であり、第３ソース電極１７３ｃと対向しこれに沿って延びる細長い根元端部分(proximal-end part)、および細長い先端部分(distal-end part)１７６を含むことができる。第３ドレイン電極１７５ｃは、第３ソース電極１７３ｃと対向する根元端部分からはじまり、第２方向ＤＲ２に延びてから折れ曲がって第１方向ＤＲ１に延びた後、再び第２方向ＤＲ２に折れ曲がって延びることで先端部分１７６をなすことができる。第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６は、基準電圧線１３１の拡張部１３２と電気的に連結され、基準電圧Ｖｒｅｆが印加される。
【００６１】
データ導電層は、第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７５ｃとの間に位置する補助電極１７４ｃをさらに含んでもよい。補助電極１７４ｃは、島状であって第３半導体１５４ｃおよび第３ゲート電極１２４ｃと重なる。補助電極１７４ｃによって第３トランジスタＱｃのチャネルの幅または長さを調節することができる。
【００６２】
第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ、及び第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６は、ゲート線１２１を基準として第２方向ＤＲ２側にのみ位置する。例えば、図２に示すように、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ、及び第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６は、ゲート線１２１を基準として第２副画素ＰＸｂｂの側（図２の向かって上側）に位置してもよく、一方のデータ線１７１ａ（図２の向かって左側）から、拡張部１７７ａ、拡張部１７７ｂ、及び、第３ドレイン電極１７５ｃの他端部分１７６の順序で、第１方向ＤＲ１に配列されている。
【００６３】
拡張部１７７ａ、拡張部１７７ｂ、及び第３ドレイン電極１７５ｃについての、それぞれの少なくとも一部は、基準電圧線１３１の拡張部１３２と重なってもよい。
【００６４】
データ線１７１ａ、１７１ｂは、概ね第２方向ＤＲ２に延びており、それぞれデータ電圧を伝達することができる。各データ線１７１ａ、１７１ｂは、第１方向ＤＲ１に突出した第１突出部１７２ａと、第１方向ＤＲ１の反対方向に突出した第２突出部１７２ｂとを含むことができる。つまり、各データ線１７１ａ、１７１ｂは、互いに反対方向に突出した第１突出部１７２ａおよび第２突出部１７２ｂを含むことができる。図２のような平面図にて、１つの画素ＰＸを基準として見れば、左側に位置するデータ線１７１ａは、右側の、隣り合うデータ線１７１ｂに向かって突出した第１突出部１７２ａを含み、データ線１７１ｂは、左側の、隣り合うデータ線１７１ａに向かって突出した第２突出部１７２ｂを含むことができる。図２では、第１ソース電極１７３ａが第１突出部１７２ａを介してデータ線１７１ａに連結されている。しかし、上下に隣接する画素では、第１ソース電極１７３ａが第２突出部１７２ｂを介してデータ線１７１ｂと連結されてもよい。この場合には、第１トランジスタＱａが最も右側に位置し、それから左側へ第２トランジスタＱｂ、第３トランジスタＱｃが順次に位置して、第１方向ＤＲ１の反対方向に配列される。
【００６５】
第１突出部１７２ａおよび第２突出部１７２ｂは、図２に示すように、第１方向ＤＲ１に整列されておらず、第２方向ＤＲ２に、ややずれていてもよく、これとは異なり、一つの直線に沿うように第１方向ＤＲ１に互いに整列して位置してもよい。
【００６６】
ゲート導電層およびデータ導電層は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、これらの合金などの金属のうち少なくとも１つを含むことができる。また、単層膜（単一層）に形成されたり、複数の物質で形成される二層（二重層）以上の積層膜（多重層）に形成されてもよい。
【００６７】
データ導電層と抵抗性接触層１６１とは、平面上の形態及び配置領域が、実質的に同一であってもよい。また、チャネル開口の部分を除く部分において、すなわち、第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間、第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間、第３ソース電極１７３ｃと補助電極１７４ｃとの間、そして補助電極１７４ｃと第３ドレイン電極１７５ｃとの間を除く部分において、データ導電層と半導体層１５１とは、平面上の形態及び配置箇所が、実質的に同一であってもよい。図２に示すように、半導体層１５１の平面上の面積が、データ導電層の平面上の面積よりやや大きくてもよい。
【００６８】
第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａおよび第１ドレイン電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共に第１トランジスタＱａをなし、第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂおよび第２ドレイン電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に第２トランジスタＱｂをなし、第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃ、補助電極１７４ｃおよび第３ドレイン電極１７５ｃは、第３半導体１５４ｃと共にに第３トランジスタＱｃをなす。
【００６９】
第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂ、及び第３トランジスタＱｃにおけるチャネルは、それぞれ、第１、第２、第３ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃと、第１、第２、第３ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃとの、対応するもの同士の間に位置する第１、第２、第３半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃに形成される。補助電極１７４ｃは、第３トランジスタＱｃのチャネル長さを長くするために形成されるのであるが、補助電極１７４ｃは省略されてもよい。
【００７０】
第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂ、及び第３トランジスタＱｃは、ゲート線１２１の拡張部１２４と重なり、第１方向ＤＲ１に配列されていてもよい。例えば、図２に示すように、第１トランジスタＱａ、第２トランジスタＱｂ、及び第３トランジスタＱｃの順序で、第１方向ＤＲ１に配列されていてもよい。
【００７１】
データ導電層、露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ部分、およびゲート絶縁膜１４０の上には、第１絶縁層１８０ａが位置する。第１絶縁層１８０ａは、有機絶縁物質または無機絶縁物質を含むことができる。
【００７２】
第１絶縁層１８０ａ上には、複数のカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅを含むカラーフィルタ層が位置してもよい。カラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅは、赤色、緑色および青色の三原色または四原色などの、基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを表示することがでできる。互いに異なる基本色を示す１グループのカラーフィルタは、第１方向ＤＲ１に繰り返し配置されていてもよい。
【００７３】
データ線１７１ａ、１７１ｂ上で、隣接した少なくとも２つのカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅが、互いに重なっていてもよい。互いに重なるカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅは、隣接した画素同士の境界に位置するデータ線１７１ａ、１７１ｂの付近での光漏れを防止することができる。
【００７４】
実施形態によっては、カラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅが第１表示板１００に含まれず、第２表示板２００に含まれてもよい。
【００７５】
カラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅ上には、第２絶縁層１８０ｂが位置してもよい。第２絶縁層１８０ｂは、無機絶縁物質または有機絶縁物質を含むことができるが、特には、有機絶縁物質を含んで概ね平坦な上面をなすことができる。すなわち、平坦化膜をなすことができる。第２絶縁層１８０ｂは、カラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅを被覆する被覆膜としての役割を果たすことにより、カラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅが露出するのを防止し、顔料などの不純物が液晶層３に流入するのを防止することができる。
【００７６】
第１絶縁層１８０ａと第２絶縁層１８０ｂは、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ上に位置するコンタクトホール１８５ａと、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ上に位置するコンタクトホール１８５ｂと、第３ドレイン電極１７５ｃの他端部分１７６およびこれに隣接した基準電圧線１３１の拡張部１３２の一部の上に位置するコンタクトホール１８８とを含むことができる。
【００７７】
図２に示されるように、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８は、ゲート線１２１を基準として同じ側、例えば、図２の向かって上側（第２方向ＤＲ２側）に位置してもよい。コンタクトホール１８５ａ、コンタクトホール１８５ｂ、及びコンタクトホール１８８の順序で、図２の左側から第１方向ＤＲ１に配列されていてもよい。
【００７８】
各画素ＰＸにおいて、概ね第１方向ＤＲ１に一列に配列された３つのコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８の相互の間隔、及び、データ線１７１ａ、１７１ｂに隣接したコンタクトホール１８５ａまたはコンタクトホール１８８と、データ線１７１ａ、１７１ｂとの間の間隔が十分でないという条件で、各コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８に対応する開口部をカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅに形成するという場合、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８同士の間に残るカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅの層、または、データ線１７１ａ、１７１ｂとコンタクトホール１８５ａまたはコンタクトホール１８８との間に残るカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅの層は、厚さが薄く形成されうる。そうすると、十分でない厚さで残るカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅが、剥がれて表示不良を起こすという問題が生じかねない。
【００７９】
本実施形態では、少なくとも３つのコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８を包含する各領域にてカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅを除去して開口部２３５を形成することで、前記のような問題を防止することができる。
【００８０】
平面ビューにおいて、開口部２３５は、後で説明する遮光部材２２０と重なってもよい。特に、開口部２３５は、図２に示すように、トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃおよび第２ゲート電極１２４ｂとは重ならなくてもよく、トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃおよび第２ゲート電極１２４ｂの一部と重なってもよい。
【００８１】
図２を参照すれば、１つの画素列に対応する各カラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅは、複数の開口部２３５を有することができる。各開口部２３５は、それぞれ３つのコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８と重なる領域に位置し、１つの画素ＰＸごとに１つの開口部２３５が形成される。しかし、実施形態によっては、開口部２３５が第１方向ＤＲ１に延びており、１つの画素ＰＸに限らず、複数のデータ線１７１ａ、１７１ｂと交差して複数の画素ＰＸにわたって第１方向ＤＲ１に長く延びることもできる。
【００８２】
開口部２３５の第２方向ＤＲ２の幅は、対応する遮光部材２２０の第２方向ＤＲ２の幅の約１／２以下であってもよい。例えば、遮光部材２２０の第２方向ＤＲ２の幅が約４０μｍ〜７０μｍのとき、開口部２３５の第２方向ＤＲ２の幅は、約２０μｍ〜３５μｍであってもよい。
【００８３】
第２絶縁層１８０ｂ上には、複数の第１副画素電極１９１ａおよび複数の第２副画素電極１９１ｂを含む画素電極と、遮蔽電極１９０と、連結部材９０とを含む画素電極層が位置してもよい。
【００８４】
各画素ＰＸにて、ゲート線１２１と基準電圧線１３１、並びにトランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃが位置する領域を基準として、一側に第１副画素電極１９１ａが位置し、反対側に第２副画素電極１９１ｂが位置する。図２に示した実施形態では、第１副画素電極１９１ａがゲート線１２１を基準として図２の向かって下側に位置し、第２副画素電極１９１ｂがゲート線１２１を基準として図２の向かって上側に位置するのであってもよい。第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの具体的な形態については、図９で説明する。
【００８５】
平面図で見て、第１副画素電極１９１ａは、第１ドレイン電極１７５ａのほぼ正方形の拡張部１７７ａに向かって突出した折れ線状の延長部１９６ａと、延長部１９６ａの先端に連結された角取り正方形状の接触部１９７ａとを含み、第２副画素電極１９１ｂは、第２ドレイン電極１７５ｂの角取り正方形状の拡張部１７７ｂに向かって突出した直線状の延長部１９６ｂと、延長部１９６ｂの先端に連結された角取り正方形状の接触部１９７ｂとを含む。接触部１９７ａは、コンタクトホール１８５ａを介して第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａと電気的に連結されており、接触部１９７ｂは、コンタクトホール１８５ｂを介して第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂと電気的に連結されている。
【００８６】
連結部材９０は、コンタクトホール１８８を介して第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６およびこれに隣接した基準電圧線１３１の拡張部１３２の一部と接触して電気的に連結されている。これにより、第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６は、連結部材９０を介して基準電圧線１３１の拡張部１３２と電気的に連結され、基準電圧Ｖｒｅｆが伝達される。したがって、第３トランジスタＱｃの第３ドレイン電極１７５ｃが基準電圧Ｖｒｅｆに連結される。
【００８７】
遮蔽電極１９０は、概ね第２方向ＤＲ２に延びており、隣接した２つの画素ＰＸの間に位置してもよい。遮蔽電極１９０は、データ線１７１ａ、１７１ｂと重なってデータ線１７１ａ、１７１ｂからの電場を遮蔽し、データ線１７１ａ、１７１ｂと、第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂとの間の容量性カップリング（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を低減する。
【００８８】
一方、第１副画素電極１９１ａには、リペア時のカッティング位置を案内するカッティング位置案内部１９９がさらに形成されている。これは、第１副画素電極１９１ａの一の枝部からスリット内へと突出している構造を有し、リペアが必要な場合に、レーザでカッティングする位置を案内する。
【００８９】
画素電極層は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、金属薄膜などといった透明な導電物質を含むことができる。
【００９０】
画素電極層と第２絶縁層１８０ｂの上には、配向膜１１が位置してもよい。配向膜１１は、垂直配向膜であってもよい。配向膜１１は、少なくとも一方向にラビングされていてもよく、光反応物質を含む光配向膜であってもよい。
【００９１】
第２表示板２００について説明すれば、絶縁性の基板２１０（以下、対向基板ともいう）上に（図３および図４では基板２１０の下に）、遮光部材２２０が位置してもよい。図２に示すように、遮光部材２２０は、平面上、第１方向ＤＲ１に延びた部分を含み、ゲート線１２１の拡張部１２４、基準電圧線１３１の拡張部１３２、トランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃ、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部１７７ａ、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂ、及び第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６などと重なってもよい。つまり、遮光部材２２０は、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂとの間を横切って延びていてもよく、ゲート線１２１と基準電圧線１３１と重なって延びていてもよい。
【００９２】
他の実施形態によれば、遮光部材２２０は、第２表示板２００ではなく、第１表示板１００に位置することもできる。
【００９３】
遮光部材２２０の上には（図３および図４では遮光部材２２０の下には）、共通電極２７０が位置してもよい。共通電極２７０は、基板２１０の全面にべたパターン(solid pattern)として形成されていてもよい。つまり、共通電極２７０には、スリットなどのように除去された部分を含まなくてもよい。共通電極２７０には、一定の電圧値を有する共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。
【００９４】
基準電圧線１３１が伝達する基準電圧Ｖｒｅｆは、共通電圧Ｖｃｏｍと同一でもよく、共通電圧Ｖｃｏｍと差があってもよい。差がある場合、基準電圧Ｖｒｅｆは、共通電圧Ｖｃｏｍに対して約−２Ｖまたは＋２Ｖの電位を有することができる。
【００９５】
共通電極２７０は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、金属薄膜などの透明な導電物質を含むことができる。
【００９６】
共通電極２７０の上には（図３および図４では共通電極２７０の下）配向膜２１が位置してもよい。配向膜２１は、垂直配向膜であってもよい。配向膜２１は、少なくとも一方向にラビングされていてもよく、光反応物質を含む光配向膜であってもよい。
【００９７】
液晶層３は、複数の液晶分子３１を含む。液晶分子３１は、負の誘電率異方性を有することができ、液晶層３に電場が生成されていない状態で基板１１０、２１０に略垂直な方向に配向されていてもよい。液晶分子３１は、液晶層３に電場が生成されていないとき、一定の方向にプレチルト（先傾斜）をなすこともできる。
【００９８】
第１副画素電極１９１ａは、共通電極２７０およびこれとの間にある液晶層３と共に、第１液晶キャパシタＣｌｃａを形成することができ、第２副画素電極１９１ｂは、共通電極２７０およびこれとの間にある液晶層３と共に、第２液晶キャパシタＣｌｃｂを形成することができる。
【００９９】
第１表示板１００と第２表示板２００との間には、複数のスペーサが位置してもよい。スペーサは、平面図上にトランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃと重なるように位置してもよい。画素電極層がスペーサと重なる場合、画素電極層にクラックが生じ得ることから、画素電極層は、スペーサと重ならないのでありうる。したがって、第１副画素電極１９１ａの延長部１９６ａ（以下、第１延長部ともいう）および延長部１９６ａａ（以下、第２延長部ともいう）は、データ線１７１ａ、１７１ｂに隣接した箇所にて、第１副画素電極１９１ａにおけるトランジスタＱａ、Ｑｂ、Ｑｃ側の縁の左右端から、第２副画素電極１９１ｂの側へと突出するようにして位置してもよい。
【０１００】
本実施形態によれば、１つの画素ＰＸに属する、コンタクトホール１８５ａ、コンタクトホール１８５ｂ及びコンタクトホール１８８が、ゲート線１２１を基準として互いに同じ側に位置し、第１方向ＤＲ１に並んで配列されている。したがって、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８がゲート線１２１を基準として奥側及び手前側（図２の上側および下側）に分散して配置されている場合に比べて平面図でのスペース（空間）を少なく占めるので、遮光部材２２０の第２方向ＤＲ２の幅をさらに低減可能である。このことから、画素ＰＸの開口率および透過率を高めることができる。
【０１０１】
また、本実施形態の各画素ＰＸにおいて、全てのコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８がゲート線１２１を基準として互いに同じ側に位置するので、第１副画素電極１９１ａの延長部１９６ａと第２副画素電極１９１ｂの延長部１９６ｂのうちの１つは、左右一方のデータ線１７１ａからの第１突出部１７２ａと交差するほかない。図２に示した実施形態では、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂ、１８８がゲート線１２１を基準として奥側（図２の向かって上側）に位置するので、手前側（図２の向かって下側）に位置する第１副画素電極１９１ａからの一の延長部１９６ａが、左右一方のデータ線１７１ａからの第１突出部１７２ａと交差している。この場合、第１副画素電極１９１ａとデータ線１７１ａとの間の寄生キャパシタンスによって垂直クロストーク（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）によるシミが視認されうるが、本実施形態では、第１副画素電極１９１ａからの一の延長部１９６ａとは左右の反対の側に位置する第２延長部１９６ａａが、データ線１７１ａに隣り合うデータ線１７１ｂと交差することにより追加的な寄生キャパシタンスを形成するので、第１副画素電極１９１ａとデータ線１７１ａとの間の垂直クロストークを補償することができる。
【０１０２】
本発明では、光漏れを低減するために、第１副画素電極１９１ａの延長部１９６ａと、遮蔽電極１９０との間の間隔を、所定間隔（４μｍ）以下に形成する。特には、第１副画素電極１９１ａの延長部１９６ａと、遮蔽電極１９０との間の溝状の隙間(groove-shaped gap)が、どの位置でも一定の間隔（図３のＤｂ）を維持するように形成している。すなわち、延長部１９６ａの縁と、これに対応する遮蔽電極１９０の縁とが、一定間隔Ｄｂで互いに平行をなすという構造が、一定の箇所で形成されている。これについて、図５を通じて、より詳しく説明する。
【０１０３】
図５は、図２の実施形態における画素電極層だけを示す図である。
【０１０４】
第１副画素電極１９１ａからの一の延長部１９６ａは、幅が一定の折れ線状であり、第１副画素電極１９１ａの奥側（図５の向かって上側）左端の隅角部（distal-left corner portion）から、遮蔽電極１９０の一辺と平行に、まず第２方向ＤＲ２に突出してから、斜線方向に折れて延び、その後、再び第２方向ＤＲ２に折れてからも遮蔽電極１９０の一辺と平行な構造を有する。その後、第１方向ＤＲ１に折れて延びた後、再び第２方向ＤＲ２に折れて角取り正方形状の接触部１９７ａと連結される構造を有する。以下、延長部１９６ａのうち、第１副画素電極１９１ａから突出して全体的に第２方向ＤＲ２へと延びるとともに遮蔽電極１９０との間での一定の間隔を維持する部分を第１部分とし、この先端部から、第１方向ＤＲ１に折れて遮蔽電極１９０から遠ざかるように延び、接触部１９７ａと連結されるまでを第２部分とする。
【０１０５】
延長部１９６ａの第１部分は、遮蔽電極１９０の一辺と平行で、かつ一定の間隔Ｄｂを有するようにし、また、この一定の間隔Ｄｂを４μｍ以下にすることで、遮蔽電極１９０と、延長部１９６ａの第１部分との間で光漏れが発生しないようにする。もし、遮蔽電極１９０と、延長部１９６ａの第１部分との間の間隔が４μｍを超える場合には、光漏れが発生し始める。光漏れが発生するかの実験を行った結果は、図８を通じて説明する。
【０１０６】
延長部１９６ａの第１部分は、データ線１７１ａの第１突出部１７２ａと交差しながら延びる構造を有する。
【０１０７】
延長部１９６ａは、第１部分と第２部分との間、及び第２部分中に、平面図で見て、基本的に垂直に折れ曲がる構造を含むことを特徴とする。このような構造を有する理由は、延長部１９６ａによって発生する段差に沿って液晶層３の液晶分子３１が配列されることから、延長部１９６ａの近傍にて液晶分子３１の配列方向について、第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ上で液晶分子３１が配列される方向に準じる方向になるようにするためである。
【０１０８】
以下、これについて詳しく説明する。
【０１０９】
延長部１９６ａを含む画素電極層の下には第２絶縁層１８０ｂが位置し、厚く形成して平坦化特性を有するように形成されている。よって、データ導電層やゲート導電層の厚さは、液晶層３に影響を与えない。しかし、第２絶縁層１８０ｂ上に位置する画素電極層の上には配向膜１１だけが存在して、画素電極層の厚さによる段差が液晶層３の液晶分子３１の配列に影響を与える。ここで、延長部１９６ａが、本実施形態のように垂直に折れ曲がる構造を有さずに、これが斜線方向に延びる構造に置き代えられたとすれば、延長部１９６ａの周囲で液晶分子３１が配列される方向は、第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ上で液晶分子３１がプレチルト（先傾斜）を有する方向および液晶分子が配列される方向と異なってしまう。その結果、液晶分子３１が誤整列される部分が発生する。このような部分では、液晶分子３１が所望の配列を有しなくなっているので、光漏れ現象が発生する。
【０１１０】
しかし、本実施形態のように、延長部１９６ａが垂直方向に折れ曲がる構造を含むように形成すれば、液晶分子３１の配列方向が、第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ上で液晶分子３１がとっている方向に準じて配列されるので、光漏れ現象が発生しない。
【０１１１】
延長部１９６ａは、表示装置が正確に製造されると、遮光部材２２０によって遮られる部分であるので、当該部分における光漏れの問題は、表示品質に影響を与えないのが原則である。しかし、表示装置が高解像度化するにつれ、画素の大きさが小さくなり、画素の数が多くなって、すべての画素に対して遮光部材２２０が精密に整列されるようにすることが容易ではない。その結果、遮光部材２２０が、ややずれる場合にも、光漏れが発生しないようにすることを考慮する必要がある。
【０１１２】
本実施形態によれば、延長部１９６ａが遮蔽電極１９０との間に一定間隔（４μｍ以下）で平行であるという構造を有するという第１特徴と、平面図で見て遮蔽電極１９０が垂直に折れ曲がる構造を有するという第２特徴とにより、延長部１９６ａの周辺でも光漏れが発生しないようにしている。その結果、遮光部材２２０の位置が所定位置から、ややずれる場合にも光漏れの問題は発生しない。
【０１１３】
また、実施形態によっては、延長部１９６ａは、第１特徴および第２特徴のうちの１つの特徴だけでも光漏れ現象を低減可能なため、これら２つのうちの１つの特徴だけを含んでもよい。
【０１１４】
一方、図５の実施形態の第１副画素電極１９１ａは、延長部１９６ａ（以下、第１延長部ともいう）に対応して、左右の反対側に位置する、他の延長部１９６ａａ（以下、第２延長部ともいう）も含む。第２延長部１９６ａａも、幅が一定の折れ線状であり、第１延長部１９６ａと同様に、第１特徴および第２特徴を有する。以下、これを詳しく説明する。
【０１１５】
まず、第２延長部１９６ａａも、第１特徴を有しており、遮蔽電極１９０の一辺との間で、平行な辺を有し、かつ一定間隔Ｄｂ（４μｍ以下）を有するように形成されている。
【０１１６】
第１副画素電極１９１ａの第２延長部１９６ａａは、第１副画素電極１９１ａの奥側（図５の向かって上側）右端の隅角部（distal-right corner portion）から、遮蔽電極１９０の一辺と平行に第２方向ＤＲ２に突出して延びる根元端部分proximal-end part）と、この先端箇所から第１方向ＤＲ１に折れて延びる中間部分と、この先端箇所から再び第２方向ＤＲ２に折れて延びる先端部分(distal-end part)とを有する。第２延長部１９６ａａにおける第２方向ＤＲ２に延びるように形成された先端部分は、遮蔽電極１９０の一辺と平行に、かつ、遮蔽電極１９０のこの一辺との間で４μｍ以下の一定の間隔Ｄｂをなすように形成されている。もし、遮蔽電極１９０と、延長部１９６ａの第１部分との間の間隔が４μｍを超える場合には、光漏れが発生し始める。光漏れが発生するかの実験を行った結果は、図８を通じて説明する。
【０１１７】
一方、第２延長部１９６ａａは、先端部分に至るまでの根元端部分及び中間部分が遮蔽電極１９０と平行でないか、または、４μｍ以上の間隔を有するものとして図５に示しているが、この根元端部分についても、第１延長部１９６ａの根元端部分と同様に、遮蔽電極１９０の一方の縁と平行に延びるように形成することもできる。
【０１１８】
このような第２延長部１９６ａａの第１特徴によって、第２延長部１９６ａａの周辺で、特に、図５の実施形態における第２延長部１９６ａａの先端部分の近傍での光漏れが減少する。
【０１１９】
また、第２延長部１９６ａａも、第２特徴を有し、平面図で見て垂直に折れ曲がる構造を有する。
【０１２０】
図示の実施形態で、第２延長部１９６ａａの構造は、第１方向ＤＲ１および第２方向ＤＲ２にのみ延びる部分だけで構成されている。その結果、第１延長部１９６ａと同様に、第２延長部１９６ａａの周辺に位置する液晶分子３１が、第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂ上に位置する液晶分子３１がとる方向に準じて配列されるので、光漏れ現象が発生しない。
【０１２１】
それだけでなく、図５を参照すれば、第１副画素電極１９１ａの左右の側端辺も、遮蔽電極１９０との間で４μｍ以下の間隔をなすように形成され、当該側端辺に沿った箇所でも光漏れを減少させる構造が示されている。それだけでなく、第２副画素電極１９１ｂでも、左右の側端辺が遮蔽電極１９０との間で４μｍ以下の間隔をなすように形成され、光漏れを減少させる構造を有することができる。
【０１２２】
第２延長部１９６ａａの先端部分は、データ線１７１ｂの第２突出部１７２ｂと十字状に交差しながら延びる構造を有する。
【０１２３】
実施形態によっては、第２延長部１９６ａａは、第１特徴および第２特徴のうち１つの特徴だけを有するのでもよく、第１延長部１９６ａだけが第１特徴または第２特徴を有し、第２延長部１９６ａａはこのような特徴を有しないというのでもよい。しかし、光漏れを低減するためには、第１延長部１９６ａおよび第２延長部１９６ａａに、第１特徴および第２特徴をすべて適用することが、光漏れを遮断するうえで効果的である。
【０１２４】
以上では、図２〜図５を通じて連結部材９０の構造がコンタクトホール１８８の構造に準じる構造を有する実施形態を説明した。
【０１２５】
以下、連結部材９０の構造に追加の突出部９１を有する実施形態を説明する。
【０１２６】
図６は、他の実施形態による表示装置の１つの画素の一部に対する配置図であり、図７は、図６の実施形態における画素電極層だけを示す図である。
【０１２７】
図６は図２に準じる図であり、図７は、図５に準じる図である。よって、図６および図７では、図２〜図５ですでに説明した内容は除き、図６および図７の実施形態に該当する内容を中心に説明する。
【０１２８】
図６および図７の実施形態による連結部材９０は、コンタクトホール１８８に対応する領域に位置する第１部分９０と、この中心部から手前側（図６〜７の向かって下方向）へと直線状に突出している第２部分９１（突出部ともいう）とを含む。第２部分９１は、第２延長部１９６ａａの直線状の根元端部分の一側（左側）まで延びており、第２部分９１と第２延長部１９６ａａとは、根元端部分の先端の近傍にて、互いに対向する辺が互いに平行に延びる構造を有する。また、実施形態によっては、第２部分９１と第２延長部１９６ａａとにおける互いに対向する辺同士の間の間隔が一定であり、４μｍ以下の間隔を有することができる。また、第２部分９１は、第２延長部１９６ａａが折れ曲がる箇所の近傍でも折れ曲がる構造を有さず、幅が減少する構造を有することで、第２延長部１９６ａａの対向する辺と平行な辺を有する。
【０１２９】
連結部材９０の第２部分９１によって、第２延長部１９６ａａの左側で発生しうる光漏れも除去可能である。
【０１３０】
図６〜７の実施形態による画素ＰＸにおける光漏れの発生する程度を実験した結果は図８に示している。
【０１３１】
図８は、図６の実施形態における光の漏れる部分を撮影した図である。
【０１３２】
図８は、光漏れを撮影するために、遮光部材２２０を除去した状態で撮影した。また、図８では、どの部分で光が漏れるかを確認できるようにするために、図６のパターン配置構造を線図で追加して表示した。図８におけるＡ部分は、第１延長部１９６ａと遮蔽電極１９０との間の隙間を包含する領域を示したものであり、Ｂ部分は、第２延長部１９６ａａと遮蔽電極１９０との間の隙間を包含する領域を示す。
【０１３３】
図８のＡおよびＢ部分に示されるように、第１延長部１９６ａと遮蔽電極１９０との間（Ａ部分）、および第２延長部１９６ａａと遮蔽電極１９０との間（Ｂ部分）では、光漏れが発生しないことを確認することができる。この部分は、図２〜図５の実施形態にも適用される部分であるので、図２〜図５の実施形態でも光漏れが減少することを予想することができる。
【０１３４】
また、図６の実施形態では、連結部材９０の第２部分９１をさらに含み、第２延長部１９６ａａの左側で発生しうる光漏れも除去しており、これは、図８から確認することができる。つまり、図８を参照すれば、第１副画素電極１９１ａの接触部１９７ａの手前側（図６〜８の向かって下側）および第２副画素電極１９１ｂの接触部１９７ｂの手前側（図６〜８の向かって下側）では、光が漏れることで白く見える部分が存在する。しかし、連結部材９０の手前側では第２部分９１が形成されていることで、光漏れが遮断されることを確認することができる。特に、第２部分９１と第２延長部１９６ａａとにおける互いに対向する辺が一定の間隔（４μｍ以下）を有しかつ平行な構造を有する場合には、第２部分９１と第２延長部１９６ａａとの間でも光漏れが除去されるという利点がある。
【０１３５】
このような点を考慮すると、遮光部材２２０がデータ線方向（図６〜８の向かって上下）に一定程度誤整列されても光漏れによる表示品質の低下は減少しているといえる。遮光部材２２０がどの程度誤整列されても良いかを表示するマージンが、図８に数値で表示されている。
【０１３６】
つまり、遮光部材２２０が第２方向ＤＲ２に誤整列した際、誤整列される程度が２４．３μｍ以内であれば、光漏れが遮られて表示品質が低下しない。また、遮光部材２２０が第２方向ＤＲ２の反対方向（図６〜８の向かって下方向）に誤整列した際、誤整列される程度が２４．８μｍ以内であれば、光漏れが遮られて表示品質が低下しない。
【０１３７】
一般に、高解像度の表示装置において遮光部材２２０が誤整列される程度が１５μｍ以内であり、マージンを１５μｍ程度要求する規格が存在することを考慮すると、図６の実施形態は、遮光部材２２０の誤整列に対して十分なマージンを有すると判断されるのであり、その結果、光漏れによる表示品質（代表例としてコントラスト比（ＣＲ））の低下は発生しないと判断される。
【０１３８】
図２及び図５に示す実施形態では、図６の実施形態に比べると遮光部材２２０の誤整列に対する許容マージンが減少しうるが、図８のＡおよびＢ部分での光漏れが除去されることで、許容マージンを１５μｍ以上有しうる。
【０１３９】
以上では、画素１つの構造およびそれによる光漏れについて説明した。
【０１４０】
以下、複数の画素を基準として表示装置の構造を説明する。
【０１４１】
図９は、一実施形態による表示装置の表示領域に対する平面配置図である。
【０１４２】
一実施形態による表示装置１０００は、映像を表示できる表示領域ＤＡを含むことができる。表示領域ＤＡは、複数の画素ＰＸを含むことができ、複数の画素ＰＸは、略行列状（マトリクス状）に配列されていてもよい。
【０１４３】
互いに異なる基本色を表示できる複数のカラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃが第１方向ＤＲ１に交互に配列されている。図２で説明したカラーフィルタ２３０、２３０ｄ、２３０ｅは、図９の複数のカラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃに、それぞれ対応しうる。
【０１４４】
複数のカラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃに形成されている開口部２３５は、表示領域ＤＡにて、第１方向ＤＲ１に長く連続して延びることができる。実施形態によっては、開口部２３５は、図２および図６のように１つのカラーフィルタ内でのみ形成されて、隣接する色のカラーフィルタと連結されない構造を有することもできる。このような複数の開口部２３５が、第２方向ＤＲ２に配列されていてもよい。この場合、表示領域ＤＡ全体において、各色のカラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃにおける、副電極にそれぞれ対応する四角形のパターンは、第２方向ＤＲ２に配列されうるのであり、各画素にて、カラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃの四角形の各パターンは、開口部２３５を挟むようにして、その手前側及び奥側（図９の向かって上下）に位置しうる。図２の形態及び図９の形態のいずれにおいても、第２方向ＤＲ２に配列された複数の開口部２３５の第２方向ＤＲ２のピッチは、複数のゲート線１２１の第２方向ＤＲ２のピッチと同一であるか、類似するのでありうる。
【０１４５】
以上では、図９を通じて、カラーフィルタを基準とした画素ＰＸの配置構造を簡略に説明した。以下、図１０および図１１を通じて表示装置１０００の詳細な構造を説明する。
【０１４６】
図１０は、一実施形態による表示装置の３つの画素についての配置図であり、図１１は、一実施形態による表示装置の３つの画素のカラーフィルタおよび縦基準電圧線についての配置図である。
【０１４７】
図１０の各画素ＰＸ構造のうち、図２および図６で説明しなかった画素電極（第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの構造について説明すれば、以下の通りである。
【０１４８】
各画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３に位置する第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂは、全体的な形状が、いずれも四角形、特には長方形または正方形であってもよい。
【０１４９】
第１副画素電極１９１ａは、横幹部１９２ａおよび縦幹部１９３ａを含む十字状幹部と、十字状幹部から外側に延びる複数の枝部１９４ａと、外郭の辺をなす周縁部１９５ａと、先に説明した延長部１９６ａおよび接触部１９７ａとを含むことができる。図１０では明確に示していないが、リペア時のカッティング位置を案内するカッティング位置案内部１９９をさらに含んでもよい。
【０１５０】
同様に、第２副画素電極１９１ｂは、横幹部１９２ｂおよび縦幹部１９３ｂを含む十字状幹部と、十字状幹部から外側に延びる複数の枝部１９４ｂと、外郭の辺をなす周縁部１９５ｂと、先に説明した延長部１９６ｂおよび接触部１９７ｂとを含むことができる。
【０１５１】
第１副画素電極１９１ａの平面上の面積は、第２副画素電極１９１ｂの平面上の面積より小さくてもよい。
【０１５２】
画素ＰＸ１が位置する画素列に対応するカラーフィルタ２３０の基本色、画素ＰＸ２が位置する画素列に対応するカラーフィルタ２３０の基本色、及び、画素ＰＸ３が位置する画素列に対応するカラーフィルタ２３０の基本色は、互いに異なっていてもよい。例えば、画素ＰＸ１は、赤色カラーフィルタに対応し、画素ＰＸ２は、緑色カラーフィルタに対応し、画素ＰＸ３は、青色カラーフィルタに対応しうる。
【０１５３】
また、図２および図６では、基準電圧線１３１と連結される配線構造についても説明しなかった。よって、図１０および図１１を通じて説明すれば、以下の通りである。
【０１５４】
まず、図１０を参照すれば、基準電圧線１３１は、拡張部１３２が位置する、第１方向ＤＲ１に延びた部分のほか、第２方向ＤＲ２に延びた縦部１３３と、縦部１３３に連結された横部１３４と、横部１３４に連結されており、第１副画素電極１９１ａの左右両側に位置し、第２方向ＤＲ２に延びた縦部１３５ａ、１３５ｂとをさらに含んでもよい。横部１３４は、第２方向ＤＲ２に隣接した２つの画素の境界に対応して位置してもよい。
【０１５５】
縦部１３３は、すべての画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３に位置するのでなしに、一部の画素ＰＸ３にのみ位置してもよい。例えば、縦部１３３は、画素ＰＸ３の第２副画素電極１９１ｂの縦幹部１９３ｂと重なって延びることができる。縦部１３５ａ、１３５ｂは、３つの画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３にすべて位置してもよい。
【０１５６】
図１１を参照すれば、一実施形態による表示装置において、隣接した複数の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のうちの、少なくとも１つの画素ＰＸ３の構造は、残りの画素ＰＸ１、ＰＸ２の構造と一部異なってもよい。これについて説明すれば、データ導電層は、画素ＰＸ３と重なる縦基準電圧線１７８（以下、第２基準電圧線ともいう）をさらに含んでもよい。
【０１５７】
縦基準電圧線１７８は、基準電圧Ｖｒｅｆを縦方向に伝達する役割を果たす。縦基準電圧線１７８は、複数の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のうちの少なくとも１つの画素ＰＸ３にて、第１副画素電極１９１ａと重なって横切る縦部１７８ａと、第２副画素電極１９１ｂと重なって横切る縦部１７８ｂとを含むことができる。縦基準電圧線１７８の縦部１７８ａ、１７８ｂは、概ね第２方向ＤＲ２に長く延びていてもよい。
【０１５８】
縦基準電圧線１７８は、第３ドレイン電極１７５ｃを含むことができる。言い換えれば、第３ドレイン電極１７５ｃの先端部分１７６は、奥側（図１０の向かって上方）へさらに延びて縦基準電圧線１７８の縦部１７８ｂと連結され、第３ドレイン電極１７５ｃにおける手前側（図１０の向かって下側）の根元端部分は、手前側へさらに延びて縦基準電圧線１７８の縦部１７８ａと連結されるのでありうる。第３ドレイン電極１７５ｃを含む縦基準電圧線１７８は、コンタクトホール１８８を介して基準電圧線１３１と電気的に連結される。これにより、基準電圧Ｖｒｅｆについて、基準電圧線１３１を介して第１方向ＤＲ１に伝達するとともに、縦基準電圧線１７８を介して第２方向ＤＲ２に伝達することによって、基準電圧Ｖｒｅｆを伝達する配線の抵抗を低減することで、基準電圧Ｖｒｅｆの電圧降下を低減可能であり、面性水平クロストーク（ｐｌａｎａｒ  ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）の発生を防止することができる。
【０１５９】
縦基準電圧線１７８の縦部１７８ａは、画素ＰＸ３の第１副画素電極１９１ａの縦幹部１９３ａと重なって延びることができ、縦部１７８ｂは、画素ＰＸ３の第２副画素電極１９１ｂの縦幹部１９３ｂと重なって延びることができる。
【０１６０】
縦基準電圧線１７８は、隣り合うデータ線１７１と離隔しており、データ線１７１と交差しなくてもよい。
【０１６１】
縦基準電圧線１７８は、一部の画素ＰＸ３にのみ対応して位置するので、縦基準電圧線１７８の第１方向ＤＲ１のピッチは、画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のピッチより大きくてもよい。さらに具体的には、縦基準電圧線１７８の第１方向ＤＲ１のピッチは、画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３の第１方向ＤＲ１のピッチ（または、第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの第１方向ＤＲ１のピッチ）の約３倍以上であってもよい。
【０１６２】
複数の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のうち、一部の画素ＰＸ３に位置する画素電極（第１副画素電極１９１ａまたは第２副画素電極１９１ｂ）についての第１方向ＤＲ１の幅ＰＷ３は、残りの画素ＰＸ１、ＰＸ２に位置する画素電極（第１副画素電極１９１ａまたは第２副画素電極１９１ｂ）についての第１方向ＤＲ１の幅ＰＷ１、ＰＷ２より大きくてもよい。具体的には、画素ＰＸ３に位置する画素電極の第１方向ＤＲ１の幅ＰＷ３と、画素ＰＸ１、ＰＸ２に位置する画素電極の第１方向ＤＲ１の幅ＰＷ１、ＰＷ２との差は、略縦基準電圧線１７８の第１方向ＤＲ１の幅ＷＷと同一であるか、類似していてもよい。よって、縦基準電圧線１７８と重なる画素ＰＸ３で光が透過できる領域である有効開口領域の面積が、縦基準電圧線１７８と重ならない画素ＰＸ１、ＰＸ２の有効開口領域の面積と類似していてもよい。
【０１６３】
例えば、縦基準電圧線１７８の第１方向ＤＲ１の幅ＷＷが約３μｍであって、画素ＰＸ１、ＰＸ２に位置する画素電極の第１方向ＤＲ１の幅ＰＷ１、ＰＷ２が約１０４μｍであるときに、画素ＰＸ３に位置する画素電極の第１方向ＤＲ１の幅ＰＷ３は約１０７μｍであってもよい。
【０１６４】
このように、画素ＰＸ３を横切る縦基準電圧線１７８によって減少する開口率を考慮して、画素ＰＸ３の画素電極の第１方向ＤＲ１の幅を相対的に増加させることによって、画素ＰＸ３の全体的な開口率および透過率は、残りの画素ＰＸ１、ＰＸ２の全体的な開口率および透過率と、実質的に互いに同一であってもよい。これにより、複数の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のうちの一部の画素ＰＸ３と重なるように縦基準電圧線１７８を追加した場合にも、一部の画素ＰＸ３における開口率および透過率が相対的に低下することで発生しうる、色表現上の不良が発生するのを防止することができる。
【０１６５】
本実施形態において、画素ＰＸ３の両側に位置する隣接した２つのデータ線１７１の間の距離は、残りの画素ＰＸ１、ＰＸ２の両側に位置する隣接した２つのデータ線１７１の間の距離より大きくてもよい。また、当該画素ＰＸ３が含む第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積は、他の画素ＰＸ１、ＰＸ２が含む第１および第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂの面積より大きくてもよい。
【０１６６】
図１０と共に、図１１を参照すれば、複数のカラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃのうちの、隣接した少なくとも２つのカラーフィルタ２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃは、データ線１７１ａ、１７１ｂと重なる箇所で、互いに重なって重畳部２３０ｐをなすことができる。
【０１６７】
もし、各画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３の有効開口領域について、互いに隣り合う２つの重畳部２３０ｐの間の領域と定義するとき、複数の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のうちの画素ＰＸ３の有効開口領域の幅は、隣接した２つの重畳部２３０ｐの間の、第１方向ＤＲ１の幅ＯＷ３から、縦基準電圧線１７８の第１方向ＤＲ１の幅ＷＷを差し引いた、左側部分の幅ＯＷ３ａと右側の部分の幅ＯＷ３ｂとの合計と同一であるか、類似していてもよい。このような画素ＰＸ３の有効開口領域についての第１方向ＤＲ１の幅は、画素ＰＸ１、ＰＸ２の有効開口領域の第１方向ＤＲ１の幅ＯＷ１、ＯＷ２と、それぞれ類似していてもよい。
【０１６８】
縦基準電圧線１７８の通り抜ける画素ＰＸ３は、青色を示す画素であってもよいが、これに限定されず、縦基準電圧線１７８が赤色を示す画素または緑色を示す画素を通り抜けることもできる。また、繰り返される１グループの複数の画素ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３のうち縦基準電圧線１７８の通る画素ＰＸ３の数は１つであってもよいが、これに限定されず、２つであってもよい。
【０１６９】
以下、図１２を通じて本実施形態によるリペア時に断線させる位置を説明する。
【０１７０】
図１２は、図６の実施形態における画素をリペアするために断線させる位置を示す図である。
【０１７１】
図１２は、図６に対応し、図６に加えて、４つのカッティング部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４により切断する位置を示した。
【０１７２】
図６または図２の実施形態による画素ＰＸについては、リペアのために、計４箇所をレーザで切断する工程を進行させる。レーザでの切断のためには、基板１１０の背面を通してレーザを照射して、当該位置の配線を切り取る。
【０１７３】
まず、図１２における第１カッティング部Ｃ１は、第１ドレイン電極１７５ａを切断する位置を示している。第１ドレイン電極１７５ａの切断によって、第１トランジスタＱ１から出力が発生しても、第１副画素電極１９１ａには電圧が印加されない。
【０１７４】
第２カッティング部Ｃ２は、第２ドレイン電極１７５ｂを切断する位置を示している。第２ドレイン電極１７５ｂの切断によって、第２トランジスタＱ２から出力が発生しても、第２副画素電極１９１ｂには電圧が印加されない。
【０１７５】
第３カッティング部Ｃ３は、データ線１７１ａの第１突出部１７２ａを切断する位置を示している。第１突出部１７２ａの切断によって、データ線１７１ａと第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２とが電気的に分離される。つまり、データ電圧が第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２に伝達されないようにする。しかし、第３カッティング部Ｃ３のカッティング時には第１延長部１９６ａも共にカッティングされるが、この時、レーザによって溶けた金属間で互いに短絡が発生しうる。このような短絡が発生すると、データ電圧が直ちに第１副画素電極１９１ａに伝達されるという問題が発生する。
【０１７６】
このような問題を除去するために、第４カッティング部Ｃ４をカッティングする。つまり、第４カッティング部Ｃ４は、第１副画素電極１９１ａを切断する位置を示す。第１副画素電極１９１ａを切断する位置は、カッティング位置案内部１９９の付近であり、第１副画素電極１９１ａにおける第１延長部１９６ａと連結される部分が切り取られる。そのため、第３カッティング部Ｃ３をカッティングした際に、第１延長部１９６ａがデータ線１７１ａの第１突出部１７２ａと短絡されても、データ電圧が第１副画素電極１９１ａに印加されることはない。
【０１７７】
このように、リペア工程が行われた画素の第１副画素電極１９１ａおよび第２副画素電極１９１ｂにはデータ電圧が伝達されなくなる。その結果、修理された画素ＰＸはノーマル状態を表示し、一般にノーマリーブラックで製作された表示装置１０００ではブラックで表示される。
【０１７８】
４Ｋ、８Ｋなどの高解像度の表示装置１０００では、画素の数が非常に多くて、そのうちの数個の画素に不良がある場合には不良と処理されず販売できる。また、ブラックで当該画素ＰＸを修理すれば、画像を表示する時、１つの色が除外されて表示されるとはいえ、使用者がこれを視認しにくくて使用には問題がない。
【０１７９】
図１２では、第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２が左側に位置するデータ線１７１ａに連結される場合のカッティング部の位置を示した。右側のデータ線１７１ｂと第１トランジスタＱ１および第２トランジスタＱ２とが連結される場合には、図１２の図面が左右対称に反転して示されることとなり、カッティング部の位置も左右対称に反転した位置とすれば良い。実際にリペアする人が多様な表示装置のすべてのカッティング位置を把握することは容易でない。そのため、本実施形態のようにカッティング位置を示すカッティング位置案内部１９９が含まれる。
【０１８０】
以上、本発明の実施例について詳しく説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形および改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【０１８１】
好ましい実施形態によると、前提となる構成は、下記(i)〜(iv)のとおりである。
(i) 各画素が、データ線方向に並ぶ、矩形状(rectangular)の第１副画素及び第２副画素からなる。
(ii) 第１副画素と、第２副画素との間には、対向基板（第２基板）上の遮光膜で覆われる遮光領域が備えられる。
(iii) 遮光領域における第１副画素の側には、ゲート線及びその拡張部が備えられ、遮光領域における第２副画素の側には、ゲート線と平行に延び、第２副画素に「基準電圧」を供給するための「第１基準電圧線」、及びその拡張部が備えられる。ここでの「拡張部」は、データ線と交差する箇所の近傍以外にて、遮光領域の中央線に向かって幅を拡張した、ほぼ矩形状の領域である。
(iv) ＴＦＴ素子を覆う平坦化膜（１８０ｂ）の上には、画素電極（第１副画素電極、及び第２副画素電極）が配置されるとともに、各データ線を被覆するように、データ線用の被覆電極１９０が配置される。
【０１８２】
好ましい実施形態によると、画素開口率を大きくし、リペアを容易にし、かつ、光漏れなどの問題を防止すべく、下記Ａ１〜Ａ７となっている。
【０１８３】
Ａ１  各画素中、遮光領域における第１副画素の側には、複数のＴＦＴ素子が一列に配置されている。
【０１８４】
Ａ２  これら複数のＴＦＴ素子には、各画素を左右から挟む一方（図示の例では左側）のデータ線から延びる１つの枝状の「突出部（１７２ａ）」を通じて、データ入力が行なわれる。
【０１８５】
Ａ３  各画素中、遮光領域における第２副画素の側には、ＴＦＴ素子のドレイン電極を副画素の電極または第１基準電圧線と電気的に接続するためのコンタクトホールが一列に配置されている。
【０１８６】
Ａ４  前記一方（図２及び５の左側）のデータ線に最も近いＴＦＴ素子（第１トランジスタＱａ）のドレイン電極は、コンタクトホール１８５ａを通じて、第１副画素電極の隅角部（図２及び５の左上の隅角部(corner portion)）から延びる枝状の延長部１９６ａに接続されている。
【０１８７】
Ａ５  この延長部１９６ａは、データ線１７１ａ及びこれを覆うように延びる被覆電極１９０の縁に近接して配置されることで、ゲート線の拡張部１２４と、被覆電極１９０の縁との間の隙間にて、光漏れを防ぐ。
【０１８８】
Ａ６  被覆電極１９０の縁と、第１副画素電極からの延長部１９６ａとの間の間隔Ｄｂは、光漏れを防ぐべく、４μｍ以下とする。
【０１８９】
Ａ７  また、短絡を防ぐべく、例えば、１μｍ以上または２μｍ以上とする。
そのため、上記間隔Ｄｂは、例えば、１〜４μｍ、２〜４μｍ、または２．５〜３．５μｍとすることができる。
【０１９０】
ゲート線の拡張部と、コンタクトホールの箇所との間では、遮光膜がないと光漏れが生じうるが、特には上記Ａ１及びＡ３により、遮光領域の中心線に沿った箇所にある。
そのため、遮光領域の幅の半分に近い程度にまで、遮光膜の位置がずれない限り、光漏れが生じない。
【０１９１】
さらに好ましい実施形態においては、下記のＢ１〜Ｂ５、Ｃ１〜Ｃ３、Ｄ１〜Ｄ５の少なくともいずれかとなっている。
【０１９２】
Ｂ１  遮光領域に面する、第１副画素電極の他方の隅角部からは、左右の他方のデータ線１７１ｂに沿って、枝状の第２の「延長部１９６ａａ」が延びており、他方のデータ線１７１ｂから延びる枝状の第２の突出部１７２ｂと交差している。
【０１９３】
これにより、前記一方のデータ線１７１ａからの「突出部１７２ａ」と、第１副画素電極の前記一方の隅角部から延びる第１の「延長部１９６ａ」との間の寄生容量による影響を補償している。
【０１９４】
Ｂ２  第２の「延長部１９６ａａ」は、他方のデータ線１７１ｂと、ゲート線の拡張部１２４との間の箇所にて、他方のデータ線１７１ｂからの第２の突出部１７２ｂと交差している。そして、この交差箇所の近傍にて、第２の「延長部１９６ａａ」についても、上記Ａ５〜Ａ７と同様とする。
【０１９５】
Ｂ３  第２副画素にデータ入力を行なうためのスイッチング素子（第２トランジスタＱｂ）に隣接して、第２副画素に「基準電圧」を供給するためのスイッチング素子（第３トランジスタＱｃ）が配置されている。
この第３トランジスタＱｃのドレイン電極１７５ｃは、第３コンタクトホール１８８及びこれを覆う島状の金属パターン（連結部材９０）を通じて、第１基準電圧線の拡張部１３２に接続されている。この連結部材９０は、画素電極及び被覆電極と共に、平坦化膜の形成後に形成される。
【０１９６】
Ｂ４  第３コンタクトホールを覆う島状の金属パターン（連結部材９０）は、ゲート線の側へと突き出す「第２部分９１」を有しており、これが、第２の「延長部１９６ａａ」及び第２の突出部１７２ｂと、ゲート線の拡張部１２４との間の隙間について、光漏れの生じないように、４μｍ以下とする。特には、第２の「延長部１９６ａａ」との間隔について、上記のＡ７と同様とする。
【０１９７】
Ｂ５  第３トランジスタＱｃのソース電極と、第１の「突出部１７２ａ」の先端との間には、第２トランジスタＱｂのドレイン電極、及び、島状の「補助電極１７４ｃ」が配置されている。
この島状の「補助電極１７４ｃ」の存在により、第３トランジスタＱｃのドレイン電極と、第２トランジスタＱｂのドレイン電極との間の距離が大きくても、「基準電圧」が、第２副画素に適度に伝達されるようにする。
【０１９８】
Ｃ１  第１及び第２の副画素電極にデータ入力を行なうための、２つのスイッチング素子のドレイン電極は、いずれも、ゲート線の拡張部１２４と、コンタクトホール１８５ａ，１８５ｂの近傍箇所との間にて、幅（ゲート線の方向の寸法）が小さくなっている。特には、データ線に沿った方向に延びる、細長い形状を有している。
【０１９９】
この結果、輝点欠点の滅点化（conversion to dark spot from defective bright spot）の際に、第１及び第２の副画素電極をそれぞれのスイッチング素子（第１トランジスタＱａ及び第２トランジスタＱｂ）から切り離すためのレーザ照射による切断が容易になっている。
【０２００】
Ｃ２  第１の「延長部１９６ａ」は、データ線１７１ａからの枝状の「突出部１７２ａ」と交差する箇所の近傍にて、ゲート線１２１またはその拡張部１２４と重ならない。
これにより、滅点化をより確実に行なうべく、「突出部１７２ａ」をもレーザ照射により切断することが可能となっている。
【０２０１】
Ｃ３  第１副画素電極の前記一方の隅角部には、第１の「延長部１９６ａ」を切り離すためのレーザ照射を行なうのに適した位置を示すための「カッティング位置案内部１９９」が備えられる。
【０２０２】
上記Ｃ２を前提として、データ線１７１ａからの枝状の「突出部１７２ａ」をレーザ照射により切断する際に、第１の「延長部１９６ａ」が「突出部１７２ａ」に短絡しうるので、この短絡箇所を、第１副画素電極から切り離すのが望ましい。「カッティング位置案内部１９９」は、このように滅点化をより確実に実現するための操作を容易にする。
【０２０３】
Ｄ１  平坦化膜に覆われるように、または、平坦化膜の一部によりカラーフィルタ層を設ける。この際、各画素の遮光領域中、カラーフィルタ層には、複数のコンタクトホールの箇所をまとめて露出するように、カラーフィルタ層を省いた一つの開口部２３５のみを設ける。
【０２０４】
小さく島状にカラーフィルタ層が残ると、剥離して表示不良が生じうるので、このように行なう。
【０２０５】
Ｄ２  異なる色のカラーフィルタ層がデータ線上で重ね合わされることで、データ線の付近での光漏れをさらに防止するようにする。
【０２０６】
Ｄ３  所定の数の画素列ごとに、データ線の方向に延びる第２基準電圧線（縦基準電圧線１７８）を、データ線及びドレイン電極と同時に形成する。
この第２基準電圧線（縦基準電圧線１７８）は、特には、第３トランジスタＱｃのドレイン電極をデータ線の方向に延ばして互いに連結されるようにして設ける。
【０２０７】
Ｄ４  枝状の第１の延長部１９６ａには、コンタクトホールの近傍で、垂直に折れ曲がる部分が備えられる。特には、一旦、ゲート線方向へと折れて延びた後、再度、データ線に折れて延びる。これにより、液晶分子の配向乱れによる表示不良が防止される。
【０２０８】
Ｄ５  枝状の第２の延長部１９６ａａには、根元部分（第１副画素の側の部分）に、垂直に折れ曲がる部分が備えられる。特には、一旦、ゲート線方向へと折れて延びた後、再度、データ線に折れて延びる。これにより、液晶分子の配向乱れによる表示不良が防止される。
【符号の説明】
【０２０９】
１００、２００：表示板
１０００：表示装置
１１、２１：配向膜
１１０、２１０：基板
１２１：ゲート線
１２４：拡張部
１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ：ゲート電極
１３１：基準電圧線
１３２：拡張部
１３３、１３５ａ、１３５ｂ：縦部
１３４：横部
１４０：ゲート絶縁膜
１５１、１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ：半導体層
１６１、１６３ａ、１６５ａ：抵抗性接触層
１７１、１７１ａ、１７１ｂ：データ線
１７２ａ、１７２ｂ：突出部
１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ：ソース電極
１７４ｃ：補助電極
１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ：ドレイン電極
１７６：端部分
１７７ａ、１７７ｂ：拡張部
１７８：縦基準電圧線
１７８ａ、１７８ｂ：縦部
１８０ａ、１８０ｂ：絶縁層
１８５ａ、１８５ｂ、１８８：コンタクトホール
１９０：遮蔽電極
１９１ａ、１９１ｂ：副画素電極
１９２ａ、１９２ｂ：横幹部
１９３ａ、１９３ｂ：縦幹部
１９４ａ、１９４ｂ：複数の枝部
１９５ａ、１９５ｂ：周縁部
１９６ａ、１９６ａａ、１９６ｂ：延長部
１９７ａ、１９７ｂ：接触部
１９９：カッティング位置案内部
２２０：遮光部材
２３０ｐ：重畳部
２３５：開口部
２７０：共通電極
３：液晶層
３１：液晶分子
９０：連結部材
９１：突出部
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４：カッティング部
２３０、２３０ｄ、２３０ｅ、２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ：カラーフィルタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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