(57)【要約】【課題】均一且つ迅速にマスクを除電することができる露光装置を提供する。【解決手段】本発明に係る露光装置は、マスクに描画されたパターンを基板に転写するように基板を露光する露光装置であって、マスクと共に圧力制御空間Ｓを形成する空間規定部材２と、マスクの自重による撓みを制御するように圧力制御空間Ｓの圧力を変化させる圧力制御機構１０と、圧力制御空間Ｓにイオン化流体を供給するイオン供給部１０３及び圧力制御空間Ｓ内の流体を吸引する吸引部１０９を有するイオン化流体供給機構７０と、を備えることを特徴とする。【選択図】  図４
2020197679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに描画されたパターンを基板に転写するように前記基板を露光する露光装置であって、
前記マスクと共に圧力制御空間を形成する空間規定部材と、
前記マスクの自重による撓みを制御するように前記圧力制御空間の圧力を変化させる圧力制御機構と、
前記圧力制御空間にイオン化流体を供給するイオン化流体供給部及び前記圧力制御空間内の流体を吸引する吸引部を有するイオン化流体供給機構と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記圧力制御機構は、前記圧力制御空間に接続されたサーボバルブを有しており、
前記圧力制御空間は、切替弁によって該サーボバルブ及び前記吸引部の一方に接続されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記イオン化流体供給部は、放射状に前記イオン化流体を放出する放射状ノズルを有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記圧力制御空間において、前記イオン化流体供給部に接続される第１の接続部と前記吸引部に接続される第２の接続部とは互いに対向して設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記イオン化流体供給部は、前記イオン化流体の温度及び湿度の少なくとも一方を制御する温湿度制御部を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記イオン化流体供給部は、不活性ガス供給源と該不活性ガス供給源からの不活性ガスをイオン化させるイオン化装置とを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記イオン化流体供給機構の前記吸引部はポンプを含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
マスクと共に圧力制御空間を形成する空間規定部材を備えた、前記マスクに描画されたパターンを基板に転写するように前記基板を露光する露光装置において前記マスクから前記空間規定部材を剥離する方法であって、
前記圧力制御空間にイオン化流体を供給するステップと、
前記圧力制御空間内の気体を排出又は吸引するステップと、
前記マスクから前記空間規定部材を剥離するステップと、
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
マスクに描画されたパターンを基板に転写するように基板を露光する露光装置において、マスクの自重による撓みを補正するために空間規定部材により圧力制御空間を設けて、圧力制御空間の圧力を制御する構成が知られている。
そのような露光装置においては、マスクを交換する際に、マスクに接触している空間規定部材を剥離する必要が有る。そして、その際に剥離帯電が発生することによってマスクに形成されているパターンの破損が生じる虞があるため、そのような露光装置において剥離帯電を防止する方法が求められる。
特許文献１は、装置内の不活性ガスをイオン化するイオナイザを設けることによって、マスクの帯電を防止する露光装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２８４２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、剥離帯電を防止するために特許文献１に開示されている露光装置のようにマスクの周囲にイオナイザを設けた場合、イオナイザは局所的に除電するため、マスクを不均一に除電することに加えて、マスク全体を除電するために時間を要してしまう。
そこで本発明は、均一且つ迅速にマスクを除電することができる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る露光装置は、マスクに描画されたパターンを基板に転写するように基板を露光する露光装置であって、マスクと共に圧力制御空間を形成する空間規定部材と、マスクの自重による撓みを制御するように圧力制御空間の圧力を変化させる圧力制御機構と、圧力制御空間にイオン化流体を供給するイオン供給部及び圧力制御空間内の流体を吸引する吸引部を有するイオン化流体供給機構と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、均一且つ迅速にマスクを除電することができる露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光装置の模式図。
【図２】第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光装置の模式的一部拡大断面図。
【図３】第一乃至第三実施形態のいずれかに係る露光装置が備えるマスク撓み補正システムの概略構成を示した図。
【図４】第一実施形態に係る露光装置が備えるイオン化エアー供給・吸引装置の模式図。
【図５】第一実施形態に係る露光装置においてマスク撓み制御ユニットをマスクから引き離す際の動作のフローチャート。
【図６】マスク撓み制御ユニットをマスクから引き離した直後のマスク上における電荷密度分布の模式図。
【図７】第一実施形態の変形例に係る露光装置が備えるイオン化エアー供給・吸引装置の模式図。
【図８】第二実施形態に係る露光装置が備えるイオン化エアー供給・吸引装置の模式図。
【図９】第二実施形態の変形例に係る露光装置が備えるイオン化エアー供給・吸引装置の模式図。
【図１０】第三実施形態に係る露光装置が備えるイオン化エアー供給・吸引装置の模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本実施形態に係る露光装置を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に示す図面は、本実施形態を容易に理解できるようにするために、実際とは異なる縮尺で描かれている。
【０００９】
［第一実施形態］
図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ、本実施形態に係る露光装置５０の模式的斜視図、模式的側面図及び模式的一部拡大斜視図を示している。
また図２は、本実施形態に係る露光装置５０の模式的一部拡大断面図を示している。
【００１０】
本実施形態に係る露光装置５０は、パターンが形成（描画）されたマスクＭを保持して移動するマスクステージＭＳＴ、感光基板Ｐ（基板）を支持する基板ステージＰＳＴを備えている。
また露光装置５０は、マスクステージＭＳＴに支持されたマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬを備えている。
また露光装置５０は、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンを基板ステージＰＳＴに保持された感光基板Ｐに投影し転写する投影光学系ＰＬ、マスクＭを搬入するマスクローダーＭＬを備えている。
また露光装置５０は、マスクＭの撓み量を測定する撓み計測装置６０を更に備えることが好ましい。
【００１１】
マスクＭの上部には、マスクＭの面を境界の一部とする撓み制御空間Ｓ（圧力制御空間）を形成するマスク撓み制御ユニット（撓み制御空間Ｓを規定する空間規定部材）１が配置される。
マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭと基板ステージＰＳＴに保持されている感光基板Ｐとは、投影光学系ＰＬを介して共役な位置関係に配置される。
本実施形態に係る露光装置５０は、大型凹面鏡を有するいわゆるミラースキャン型露光装置として構成されている。
感光基板Ｐは、典型的には、ガラスプレート（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。
【００１２】
本実施形態に係る露光装置５０は、走査型露光装置として構成され、露光光ＥＬを射出する照明光学系ＩＬに対してマスクＭと感光基板Ｐとを同期して移動させることによって、マスクＭのパターンを感光基板Ｐに走査露光により転写する。
以下では、投影光学系ＰＬの光軸方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な方向のうち、マスクＭ及び感光基板Ｐの同期移動方向をＹ軸方向（走査方向）、Ｚ軸方向及びＹ軸方向と直交する方向をＸ軸方向とする。また、Ｘ軸まわり、Ｙ軸まわり、Ｚ軸まわりのそれぞれの回転方向をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向とする。
【００１３】
照明光学系ＩＬは、例えば、超高圧水銀ランプ等を含む光源と、光源から射出された光束を集光する楕円鏡と、楕円鏡により集光された光束を拡大しかつ平行光束化するコンデンサレンズとを含みうる。
また照明光学系ＩＬは、コンデンサレンズからの平行光束のうちマスクＭへの照射光として使用しない部分をカットして所定面積の照明領域を規定するためにマスクＭと共役な位置に配置された制限スリット板を含みうる。
また照明光学系ＩＬは、制限スリット板からの光束を反射させてマスクＭにスリット状照明光束を照射するミラーを含みうる。
照明光学系ＩＬが生成する露光光ＥＬとしては、例えば、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）の他に、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）が用いられうる。あるいは、露光光ＥＬとしては、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）やＦ２レーザー光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられうる。照明光学系ＩＬは、所謂ケーラー照明系として構成されうる。
【００１４】
マスクステージＭＳＴは、照明光学系ＩＬに対してマスクＭを走査駆動するように構成され、Ｙ軸方向（走査方向）に長いストロークを有し、走査方向に直交するＸ軸方向に適当なストロークを有する。
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持するための吸着部４０を有する。吸着部４０は、不図示のバキューム装置に接続されており、マスクＭは、吸着部４０により真空吸着されて保持される。
マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは、マスクステージＭＳＴをＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する。マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは、主制御系により制御されうる。
【００１５】
図１（ａ）に示されているように、マスクステージＭＳＴ上のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの端縁には移動鏡３２ａ、３２ｂが設けられている。
また、移動鏡３２ａに対向するように、レーザー干渉計Ｍｘ１が配置され、移動鏡３２ｂに対向するように複数個（この来施形態では２個）のレーザー干渉計Ｍｙ１、Ｍｙ２が配置されている。
レーザー干渉計Ｍｙ１、Ｍｙ２は、移動鏡３２ｂにレーザー光を照射して、レーザー干渉計Ｍｙ１、Ｍｙ２と移動鏡３２ｂとの距離を検出する。
レーザー干渉計Ｍｙ１、Ｍｙ２の検出結果は主制御系に出力され、主制御系はレーザー干渉計Ｍｙ１、Ｍｙ２の検出結果に基づいてマスクステージＭＳＴのＹ軸方向における位置、及びＺ軸まわりの回転量θＺを演算する。
【００１６】
また、レーザー干渉計Ｍｘ１は、移動鏡３２ａにレーザー光を照射して、レーザー干渉計Ｍｘ１と移動鏡３２ａとの距離を検出する。
レーザー干渉計Ｍｘ１の検出結果は主制御系に出力され、主制御系は、レーザー干渉計Ｍｘ１の検出結果に基づいてマスクステージＭＳＴのＸ軸方向における位置を求める。
主制御系は、レーザー干渉計Ｍｘ１、Ｍｘ２及びＭｙ１の出力からマスクステージＭＳＴの位置（姿勢）をモニタしつつマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを制御することでマスクステージＭＳＴを所望の位置（姿勢）に設定する。
【００１７】
マスクＭを透過した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬは、マスクＭの照明領域に存在するパターンの像を感光基板Ｐ上に形成する。
図１（ｂ）に示されているように、投影光学系ＰＬは、例えば、台形ミラー５２、凸面鏡５３及び凹面鏡５４を介してマスクＭのパターンの像を感光基板Ｐ上に形成しうる。
感光基板Ｐ上への投影光学系ＰＬの投影領域は、所定形状（例えば、円弧形状）に設定される。
【００１８】
感光基板Ｐを駆動する基板ステージＰＳＴは、感光基板Ｐを保持する基板ホルダを有する。基板ステージＰＳＴは、マスクステージＭＳＴと同様に、Ｙ軸方向（走査方向）に走査用のストロークを有し、走査方向に直交するＸ軸方向にステップ移動用のストロークとを有する。
更に、基板ステージＰＳＴは、Ｚ軸方向、及びθＸ、θＹ、θＺ方向にも移動可能に構成されている。
基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは、基板ステージＰＳＴをＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する。基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは、主制御系により制御される。
【００１９】
図１（ａ）に示されているように、基板ステージＰＳＴ上のＹ軸方向及びＸ軸方向のそれぞれの端縁には移動鏡３３ａ、３３ｂが設置されている。
また、移動鏡３３ａに対向するように、複数（例えば、３個）のレーザー干渉計Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｘ３が配置されている。
また、移動鏡３３ｂに対向するように、複数（例えば、２個）のレーザー干渉計Ｐｙ１、Ｐｙ２が配置されている。
【００２０】
レーザー干渉計Ｐｙ１、Ｐｙ２は、移動鏡３３ｂにレーザー光を照射して、レーザー干渉計Ｐｙ１、Ｐｙ２と移動鏡３３ｂとの距離を検出する。
レーザー干渉計Ｐｙ１、Ｐｙ２の検出結果は主制御系に出力され、主制御系はレーザー干渉計Ｐｙ１、Ｐｙ２の検出結果に基づいて基板ステージＰＳＴのＹ軸方向における位置、及びＺ軸まわりの回転量を求める。
【００２１】
また、レーザー干渉計Ｐｘ１〜Ｐｘ３は、移動鏡３３ａにレーザー光を照射して、レーザー干渉計Ｐｘ１〜Ｐｘ３と移動鏡３３ａとの距離を検出する。
複数のレーザー干渉計Ｐｘ１〜Ｐｘ３は、Ｙ軸方向に沿って等間隔に配置されている。ここで、基板ステージＰＳＴは、Ｙ軸方向に走査用の長いストロークを有するので、基板ステージＰＳＴの位置に応じてレーザー干渉計Ｐｘ１〜Ｐｘ３が切り替えられうる。
レーザー干渉計Ｐｘ１〜Ｐｘ３の検出結果は主制御系に出力され、主制御系はレーザー干渉計Ｐｘ１〜Ｐｘ３それぞれの検出結果に基づいて基板ステージＰＳＴのＸ軸方向における位置を求める。
主制御系は、レーザー干渉計Ｐｙ１、Ｐｙ２、及びＰｘ１〜Ｐｘ３の出力から基板ステージＰＳＴの位置（姿勢）をモニタし基板ステージ駆動部ＰＳＴＤを制御することで基板ステージＰＳＴを所望の位置（姿勢）に設定する。
【００２２】
マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ及び基板ステージ駆動部ＰＳＴＤは、主制御系により制御され、マスクステージＭＳＴ、基板ステージＰＳＴは、それぞれ、マスクステージ駆動部ＭＳＴＤ、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによって駆動される。
主制御系は、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの位置をモニタしながら両駆動部ＰＳＴＤ、ＭＳＴＤを制御することによりマスクＭと感光基板Ｐとを投影光学系ＰＬに対して任意の走査速度（同期移動速度）でＸ軸方向に同期駆動する。
【００２３】
なお本実施形態では、液晶表示デバイスの製造に好適な露光装置の構成例を示しているが、本実施形態に係る露光装置５０を半導体チップや薄膜磁気ヘッド等の製造に好適な露光装置に適用することができることは当業者にとって自明である。
また、本実施形態に係る露光装置５０が有する投影光学系ＰＬは、等倍系であっても、縮小系であっても、拡大系であってもよい。
また投影光学系ＰＬは、エキシマレーザーなどの遠紫外線を用いる場合には、石英や蛍石などの遠紫外線を透過する硝材で構成することが好ましく、Ｆ２レーザーを用いる場合には、反射屈折系又は屈折系の光学系として構成されることが好ましい。
【００２４】
基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳＴの駆動装置としてリニアモータを用いる場合には、例えば、エアベアリングを用いたエアー浮上型及びローレンツ力又はリアクタンス力を用いた磁気浮上型を採用することができる。
ステージとしては、ガイドに沿って移動するタイプでもよいし、ガイドを設けないガイドレスタイブでもよい。
またステージの駆動装置としては、平面モータを用いる場合には、磁石ユニットと電機子ユニットのいずれか一方をステージ側に配置し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの定盤（ベース）側に配置すればよい。
【００２５】
基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がすことができる。
またマスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がすことができる。
【００２６】
図１（ｃ）に示されているように、マスクの撓み計測装置６０は、例えばマスクＭの上方に配置され、マスクＭの上面又は下面のＺ軸方向の位置を計測する。
マスクＭ上に配置されるマスク撓み制御ユニット（空間規定部材）１は、マスクＭに対向して配置される光透過板３を含む。
撓み計測装置６０は、例えばレーザー変位計を含むことができ、測定光が光透過板３を透過することによりマスクＭの撓みを計測することができる。
撓み計測装置６０は、マスクＭの下方に配置されて、マスクＭの撓みを下方から計測してもよい。
【００２７】
撓み計測装置６０の計測結果は、演算装置ＣＬに提供される（図３）。演算装置ＣＬは、提供された計測結果に基づいて、マスクＭの撓みを補正するための圧力指令値を演算し、その圧力指令値を圧力制御装置ＰＲＣに提供する。
圧力制御装置ＰＲＣは、提供される圧力指令値に基づいて撓み制御空間Ｓの圧力を制御する（変化させる）。
【００２８】
マスクＭの撓み量は、撓み制御空間Ｓ内の圧力に依存する。したがって、マスクＭの撓み量を撓み制御空間Ｓ内の圧力によって制御することができる。
例えば、マスクＭの材質を石英（比重２．２）とし、厚さを１０ｍｍとすれば、マスクＭの自重によってマスクＭに作用する圧力（自重圧力）は、２．２ｇｆ／ｃｍ２＝２．２×１０２Ｐａである。
すなわち、マスクＭに作用する自重圧力は、大気圧（１ａｔｍ＝１．０１３×１０５Ｐａ）の０．２％である。
この場合、マスクＭに作用する自重圧力を打ち消して、マスクＭの撓みを高精度な走査露光が可能な程度に矯正するためには、撓み制御空間Ｓの圧力を約−２．２×１０２Ｐａ（ゲージ圧）にする必要がある。
また、圧力制御は、撓み制御空間Ｓの圧力変動が圧力制御の目標値の±数Ｐａ以内に収まる精度で実施することが好ましい。
【００２９】
マスク撓み制御ユニット１を上記のようにマスクＭの上方に配置する場合において、自重圧力によるマスクＭの撓みを補正するためには、撓み制御空間Ｓ内の圧力を大気圧（或いは、周辺環境の圧力）に対して負圧にする必要がある。
一方、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭの下方に配置する場合には、自重圧力によるマスクＭの撓みを補正するためには、撓み制御空間Ｓ内の圧力を大気圧（或いは、周辺環境の圧力）に対して陽圧にする必要がある。
本実施形態に係る露光装置５０では、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭの上方に配置する構成例を用いて説明するが、これに限らず、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭの下方に配置する実施形式を用いてもよい。
このような実施形式においては、撓み制御空間Ｓ内を負圧にする構成に代えて、撓み制御空間Ｓ内を陽圧にする構成が採用される。
【００３０】
次に、図２及び図３を用いて、マスクＭの面を境界とする撓み制御空間Ｓを規定するためのマスク撓み制御ユニット（空間規定部材）１について説明する。
【００３１】
図２は、マスクステージＭＳＴ、マスクステージＭＳＴによって保持されたマスクＭ及びマスク撓み制御ユニット１の概略構成を示している。
また図３は、撓み制御空間Ｓの圧力を制御することによりマスクＭの撓みを補正する撓み補正システム（圧力制御システム）の概略構成を示している。
【００３２】
マスク撓み制御ユニット１は、マスクＭに対向する光透過板３及び枠２を含んで構成されうる。枠２は、典型的には、光透過板３の外周端に沿うように光透過板３とマスクＭとの間に配置されうる。
マスク撓み制御ユニット１では、枠２がマスクＭに接触又は近接するように配置されうる。マスク撓み制御ユニット１は、マスクＭから取り外し可能な方法でマスクＭに固定されてもよいし、マスクＭ上に載せ置かれてもよいし、マスクＭに接触又は近接するように保持機構によって保持されてもよい。
マスクＭは、典型的には矩形であり、これに応じて光透過板３及び枠２も、典型的には矩形とされうる。
【００３３】
また、マスク撓み制御ユニット１がマスクＭに接触又は近接するように配置されることによって、マスク撓み制御ユニット１の光透過板３及び枠２並びにマスクＭによって撓み制御空間Ｓが規定される。
マスク撓み制御ユニット１は、マスクステージＭＳＴ側の接続部６と接続するための接続部４、及び、撓み制御空間ＳとマスクステージＭＳＴ側の接続部６に設けられた流路６ａとを連通させる流路５を更に含みうる。
マスクステージＭＳＴ側の接続部６は、典型的にはマスクステージＭＳＴ上に配置される。なお、接続部４、６、又は、それに接続されるチューブやケーブルが照明領域内に配置される場合には、それらに露光光が当たらないように遮光板（例えば、金属製）を設けることが好ましい。
【００３４】
枠２は、マスクＭに対して傷を与え難い樹脂、例えばポリカーボネートで構成されうる。ポリカーボネートは、脱ガスが少なく、良好な仕上げ面が得られる部材である。
光透過板３は、例えば、ガラス板等のような露光光ＥＬを透過する材料で構成されうる。枠２と光透過板３とは、ネジ、接着剤等の種々の固定方法によって固定されうる。
マスク撓み制御ユニット１の所定部、例えば、光透過板３の上部には、マスクローダー（操作機構）ＭＬにより保持される１又は複数個の把手部９が設けられうる。
図１（ｃ）に示されている構成例では、Ｙ軸に沿った対向する２つの辺に、それぞれ２個ずつ把手部９が設けられている。
【００３５】
マスク撓み制御ユニット１のマスクＭに対向する面とマスクＭとの間の少なくとも一部には、接触部材（インターフェース部材）７が設けられることが好ましい。
マスク撓み制御ユニット１とマスクＭとの間の少なくとも一部に接触部材７を配置することにより、撓み制御空間Ｓと外部空間との間における気体の移動を可能にしつつその移動量を制限することができる。
なお、接触部材７は、マスク撓み制御ユニット１に接合されてもよいし、マスクＭに接合されてもよい。
【００３６】
撓み制御空間Ｓと外部空間との間における気体の移動は、露光時における撓み制御空間Ｓの気体の温度上昇に起因するマスクＭやマスク撓み制御ユニット１の熱膨張、変形、溶解等を防止する。
例えば、外部空間から撓み制御空間Ｓ内への気体の連続的な流入は、撓み制御空間Ｓの冷却、或いは温度変動の抑制に効果的である。
ここで、撓み制御空間Ｓと外部空間との間における気体の移動量が多すぎると、撓み制御空間Ｓの圧力制御を困難にし、これによりマスクＭの撓み矯正を困難にする。
そこで、接触部材７の構成材料としては、高い柔軟性によって所要のシール機能を提供するゴムが有用である。
更に、露光装置においては、シロキサン等の脱ガスは好ましくないので、ゴムの中でも、発泡フッ素ゴムが有用である。
発砲フッ素ゴムは、フッ素ゴムであるのでシロキサンが発生しない点、発泡体であるので柔軟性を有する点、独立発泡なので密閉性に優れている点において、有用な材料である。
【００３７】
接触部材７はまた、マスクステージＭＳＴが駆動されることによるマスクＭの走査移動により発生しうるマスク撓み制御ユニット１とマスクＭとの相対的ずれの抑制にも寄与しうる。
接触部材７は、マスク撓み制御ユニット１の重量と、マスクステージＭＳＴの想定される駆動プロファイル（例えば、加速度、速度）とによって決定されうる所要の摩擦力を提供する摩擦係数を有するように構成材料や表面仕上げが決定されうる。
例えば、接触部材７は、高い摩擦力を提供すると共に脱ガスが少ない合成ゴム等により構成されることが好ましい。
【００３８】
枠２について更に説明すると、枠２を厚くした際には、それに比例して撓み制御空間Ｓの体積が大きくなる。これは、撓み制御空間Ｓの圧力制御精度を低下させうる。
一方、枠２を薄くすると、例えば、必要以上に撓み制御空間Ｓに負圧を加えた場合に、光透過板３とマスクＭとが接触しうる。
したがって、マスクＭの自重による撓み量、光透過板３の撓み量等を考慮して枠２の厚さを決定する必要がある。
【００３９】
枠２と光透過板３とは、前述のように種々の方法によって接続されうるが、保守作業の容易さの観点から、ネジ等の締結具による方法のように、枠２と光透過板３との分離が容易な方法が好ましい。
ここで、枠２及び光透過板３の各インターフェース面の面加工精度を十分に高くすることにより、ネジ等の締結具による接続方法によっても十分に高いシール機能を得ることができる。
枠２と光透過板３との間には、必要に応じてシール材を介在させてもよい。
【００４０】
図２及び図３に例示的に示されているように、マスクステージＭＳＴに配置された接続部６には、流路１０ａ、１１ａを介して、それぞれサーボバルブ１０、差圧センサ（圧力センサ）１１が接続されている。
サーボバルブ１０及び差圧センサ１１は、マスクステージＭＳＴに配置されてもよいし、マスクステージＭＳＴとほぼ一定の位置関係を維持しながらマスクステージＭＳＴと共に移動する不図示の実装ステージに配置されてもよい。
【００４１】
図２及び図３に示されている構成例では、サーボバルブ１０及び差圧センサ１１は、マスクステージＭＳＴに配置されている。
サーボバルブ１０は、２つのポートを有し、一方のポートは流路１０ａを介して接続部６の流路６ａ（更には、流路５を介して撓み制御空間Ｓ）に連通し、他方のポートは流路１０ｇを通して中継器Ｃ１のガスポートに連通している。
また、サーボバルブ１０と中継器Ｃ１との間には、サーボバルブ１０を駆動するための電気信号ライン１０ｅが配線されている。
【００４２】
差圧センサ１１は、２つのポートを有し、一方のポートは流路１１ａを介して接続部６の流路６ａ（更には、流路５を介して撓み制御空間Ｓ）に連通し、他方のポートは周辺環境（撓み制御空間Ｓの外部空間であり典型的には大気）に連通している。
すなわち、差圧センサ１１の出力は、撓み制御空間Ｓと周辺環境との差圧を提供する。この差圧は、マスクＭの自重によりマスクＭに発生する撓みをキャンセルするためにマスクＭに作用している圧力差である。
差圧センサ１１の出力信号は、電気信号ライン１１ｅを介して中継器Ｃ１に提供される。
【００４３】
中継器Ｃ１は、マスクステージＭＳＴ又は不図示の実装ステージに配置され、遠隔制御部Ｆに配置された中継器Ｃ２に対して、フレキシブルチューブ１２ｇ及びフレキシブルケーブル１２ｅを介して接続されている。
典型的には、中継器Ｃ２を有する遠隔制御部Ｆは、本実施形態に係る露光装置５０における固定された部分に設置されうるが、中継器Ｃ１は、マスクステージＭＳＴと共に移動する。
そのため、中継器Ｃ１及びＣ２の間は、柔軟性を有する電気的及び機械的な接続材料によって接続されている。
【００４４】
サーボバルブ１０の他方のポートに接続された流路１０ｇは、中継器Ｃ１、フレキシブルチューブ１２ｇ、中継器Ｃ２を介してバッファタンク１３に連通している。
サーボバルブ１０の開度が大きくなると、サーボバルブ１０を通じて撓み制御空間Ｓから流路１０ｇ、中継器Ｃ１、フレキシブルチューブ１２ｇ、中継器Ｃ２を介してバッファタンク１３に吸引される気体の量が増加する。
一方、サーボバルブ１０の開度が小さくなると、サーボバルブ１０を通じて撓み制御空間Ｓから流路１０ｇ、中継器Ｃ１、フレキシブルチューブ１２ｇ、中継器Ｃ２を介してバッファタンク１３に吸引される気体の量が減少する。
サーボバルブ１０を駆動するための電気信号は、電気信号ライン１０ｅ２、中継器Ｃ２、フレキシブルケーブル１２ｅ、中継器Ｃ１、電気信号ライン１０ｅを介して圧力制御装置ＰＲＣからサーボバルブ１０に提供される。
差圧センサ１１の出力信号は、電気信号ライン１１ｅ、中継器Ｃ１、フレキシブルケーブル１２ｅ、中継器Ｃ２、電気信号ライン１１ｅ２を介して差圧センサ１１から圧力制御装置ＰＲＣに提供される。
【００４５】
ここで、フレキシブルチューブ１２ｇは、一端が他端に対して相対的に移動することが可能な部品であって流路を構成する部品の一例である。
また、フレキシブルケーブル１２ｅは、一端が他端に対して相対的に移動することが可能な部品であって電気信号を伝送可能な部品の一例である。
本実施形態では、中継器Ｃ１及びＣ２の間を接続するフレキシブルチューブ１２ｇ並びにフレキシブルケーブル１２ｅに代表されるインターフェースを総じてフレキシブルインターフェース１２と呼ぶ。
【００４６】
圧力制御装置ＰＲＣは、フレキシブルインターフェース１２を通して提供される差圧センサ１１の出力信号により示される差圧が、予め設定されている目標差圧になるようにサーボバルブ１０の駆動信号を生成する。そして、生成された駆動信号がフレキシブルインターフェース１２を通してサーボバルブ１０に提供される。
すなわち、圧力制御装置ＰＲＣは、撓み制御空間Ｓとその外部空間との差圧が目標差圧に一致するように、撓み制御空間Ｓとその外部空間との差圧をフィードバック制御する。
ここで、サーボバルブ１０の駆動信号は、例えば、サーボバルブ１０の開度を制御するための信号、又は、サーボバルブ１０の開閉を間欠的に制御するための信号とすることができる。
なお目標差圧は、マスクＭの撓みを補正するために必要な撓み制御空間Ｓとその外部空間との差圧であり、例えば、マスクＭのサイズや厚さ等に基づいて決定されうる。
【００４７】
図３に示されている構成例では、マスクＭと枠２との間を通じて撓み制御空間Ｓ内に外部気体が流入することを前提としており、そのため、撓み制御空間Ｓ内の圧力を高めるために撓み制御空間Ｓに気体を強制的に送り込む機構は有していない。
しかしながら、撓み制御空間Ｓ内に気体を強制的に送り込む機構を設けることも有用であり、この場合、給気用サーボバルブを含む圧力制御システムを別途設けて、給気用サーボバルブを差圧センサ１１の出力に基づいて圧力制御装置ＰＲＣが制御すればよい。
給気用サーボバルブは、排気用サーボバルブ１０と同様に、マスクステージＭＳＴ又は不図示の実装ステージに配置されることが好ましく、給気用サーボバルブはフレキシブルインターフェース１２を通じて圧力制御装置ＰＲＣによって制御されうる。
また、給気用サーボバルブに加圧気体を供給するための給気用バッファタンクは、遠隔制御部Ｆに設けることが好ましい。
給気用バッファタンクには、圧力源に接続された加圧ライン（圧力制御ライン）が接続される。
【００４８】
可動部であるマスクステージＭＳＴを駆動する際の負荷は、特に走査型露光装置においては、可能な限り小さいことが好ましい。
したがって、圧力制御装置ＰＲＣやバッファタンク１３は、遠隔制御部Ｆに設けることが好ましい。
しかしながら、差圧センサ１１及びサーボバルブ１０は、マスクステージＭＳＴと一定の位置関係を維持しながら移動することが好ましい。
そのため、差圧センサ１１及びサーボバルブ１０は、マスクステージＭＳＴ又はそれとほぼ一定の位置関係を維持しながら移動する不図示の実装ステージに配置されることが好ましい。
【００４９】
仮に、差圧センサ１１及びサーボバルブ１０を、マスクステージＭＳＴに対して相対的に移動する部分（例えば、露光装置のフレーム等）に配置すると、それらと撓み制御空間Ｓとをフレキシブルチューブ等の柔軟性を有し変形可能な部材で接続する必要がある。
このような部材は、マスクステージＭの移動に伴って変形し、更に場合によっては振動するため、差圧センサ１１による計測値が変動すると共にサーボバルブ１０の撓み制御空間Ｓ側の圧力も変動する。
【００５０】
バッファタンク１３は、不図示の減圧ライン等の圧力制御ラインに接続される。バッファタンク１３は、撓み制御空間Ｓの圧力制御の安定性及び追従性の向上に寄与する。
例えば、減圧源又は減圧ラインの圧力に急激な変動や規則的な変動が存在する場合には、バッファタンク１３は、そのような変動を緩和し、ほぼ一定圧力を維持する。
これにより、撓み制御空間Ｓの圧力変動は、例えば目標値（目標差圧）±数Ｐａ以内に抑えられうる。
【００５１】
また、フレキシブルチューブ１２ｇ等で構成される排気用管路を更に減圧ラインに接続する構成では、管路抵抗が大きくなる。
したがって、バッファタンク１３を設けない場合には、マスクＭがマスクステージＭＳＴに搬送されて撓み制御空間Ｓの圧力制御を開始してから撓み制御空間Ｓの圧力が目標値に到達するまでに長時間を要する。
すなわち、バッファタンク１３を設けることにより、露光装置５０と減圧源との間に配管された減圧ラインの管路抵抗の影響を受け難くし、スループットを向上させることができる。
【００５２】
差圧センサ１１をマスクステージＭＳＴ又はそれとほぼ一定の位置関係を維持しながら移動する実装ステージに配置した構成を考える。そのとき、特にマスクステージＭＳＴの静止時のほか移動時にも撓み制御空間Ｓの圧力を制御する場合には、差圧センサ１１の移動による差圧センサ１１の計測誤差を低減することが重要である。
ここで、マスクステージＭＳＴの移動にともなって差圧センサ１１の周囲に気体の流れが生じると、差圧センサ１１の周辺環境の圧力が変動し、これが差圧センサ１１の計測誤差を引き起こす。
最も単純な例を挙げると、差圧センサ１１の周囲に気体の流れが存在すると、差圧センサ１１の周囲の圧力は、ベルヌーイの定理にしたがって大気圧より低くなる。
更に、実際の系では、より複雑な気体の流れが生じるため、差圧センサ１１の周囲の圧力は、大気圧より低くなったり、逆に高くなったりしうる。
【００５３】
そこで、差圧センサ１１（特に、外部環境に連通したポート）の周囲を取り囲む包囲部１１ｂを設けることが好ましい。
更に、包囲部１１ｂには、包囲部１１ｂ内の圧力を外部環境と一致させるための開口部１１ｃを設けることが好ましい。
開口部１１ｃを有する包囲部１１ｂは、例えば、百葉箱のような構造にすることができる。
【００５４】
しかしながら、差圧センサ１１の移動又は周囲に存在しうる気体の流れに起因する差圧センサ１１の計測誤差をより完全に排除するためには、開口部１１ｃを必要に応じて閉塞することが可能な構成が好ましい。
例えば、包囲部１１ｂは、開口部１１ｃを閉塞するための閉塞部材１１ｑと、閉塞部材１１ｑを圧力制御装置ＰＲＣ等からの指令に応じて駆動するアクチュエータ１１ｄとを備えることが好ましい。
閉塞部材１１ｑ及びアクチュエータ１１ｄを含む機構は、例えば、電磁弁又は電磁シャッタとして構成されうる。
【００５５】
典型的には、閉塞部材１１ｑは、マスクステージＭＳＴ（結果として、差圧センサ１１）の移動開始の直前に開口部１１ｃを閉塞し、移動終了後に開口部１１ｃを開口させるようにアクチュエータ１１ｄによって駆動されうる。
或いは、閉塞部材１１ｑは、露光開始の直前に開口部１１ｃを閉塞し、露光終了後に開口部１１ｃを開口させるようにアクチュエータ１１ｄによって駆動されうる。
このような制御によれば、マスクステージＭＳＴの移動時或いは露光時においても、差圧センサ１１が外部環境の気体の流れの影響を受けることなく、撓み制御空間Ｓの圧力を制御しマスクＭの撓みを補正或いは矯正することができる。
【００５６】
また、マスクステージＭＳＴの移動は、マスクＭ及びマスク撓み制御ユニット１の変形を引き起こし、これが更に撓み制御空間Ｓの圧力変動を引き起こしうる。
しかしながら、マスクステージＭＳＴが移動している時にも差圧センサ１１の出力信号に基づいて撓み制御空間Ｓの圧力を制御することにより、マスクＭの撓みを補正或いは矯正することができる。
以上に示したように、本実施形態に係る露光装置５０における圧力制御機構は、サーボバルブ１０、差圧センサ１１、バッファタンク１３及び圧力制御装置ＰＲＣを含んでいる。
【００５７】
次に、本実施形態に係る露光装置５０におけるマスクＭのパターンを感光基板Ｐに転写する動作について説明する。
【００５８】
まず、マスクＭは自重により下方に凸になるように撓んでいるものとする。マスク撓み制御ユニット１及びマスクＭがマスクステージＭＳＴに保持され、感光基板Ｐが基板ステージＰＳＴ上に保持されると、主制御系は、アライメント処理の後に走査露光を開始する。
マスクＭのパターン形成面は、理想位置（ベストフォーカスが得られる位置）に対して−Ｚ側（下方側）に撓んでいる。
そして、撓み計測装置６０の出力に基づいて演算装置ＣＬで演算されたマスクＭの撓み量に関する情報は、圧力制御装置ＰＲＣに提供される。
【００５９】
圧力制御装置ＰＲＣは、演算装置ＣＬから提供された撓み量に関する情報に基づいて、マスクＭの撓みが補正されるようにフレキシブルインターフェース１２を通じて撓み制御空間Ｓの圧力を制御する。
具体的には、圧力制御装置ＰＲＣは、露光装置５０におけるマスクＭのパターン形成面と理想位置とが一致するようにサーボバルブ１０の開度を大きくして、撓み制御空間Ｓの圧力を低下させる。
【００６０】
撓み制御空間Ｓの圧力目標値については、まず、例えばマスクＭの厚み情報に基づいて暫定的な圧力目標値を決定する。
その後、決定された暫定目標圧力値にしたがって圧力制御装置ＰＲＣによって撓み制御空間Ｓの圧力を制御しマスクＭの撓みを補正する。
そして、その状態でマスクステージＭＳＴを走査駆動し、その際の撓み量を撓み計測装置６０によってモニタし、撓み量の平均値が０になるように、最終的な圧力目標値を決定するという手順で決定されうる。
【００６１】
或いは、撓み制御空間Ｓの圧力目標値は、走査露光時にマスクＭの撓み量を撓み計測装置６０によって計測しながら、その計測結果に基づいて、撓みが補正されるように動的に変更されてもよい。
このようにマスクステージＭＳＴの移動中におけるマスクＭの撓み量を計測する場合、撓み計測装置６０は、マスクＭが露光光で照明される照明領域の近傍におけるマスクＭの撓みを測定するように配置されることが好ましい。
【００６２】
また、撓み計測装置６０による計測結果を使用する代わりに、メモリＭＲＹ（図３参照）に予め複数のマスクのそれぞれについて自重等による撓みを補正するための圧力指令値を格納しておいてもよい。
この場合、圧力制御装置ＰＲＣは、使用するマスクＭについての撓みを補正するための圧力指令値をメモリＭＲＹから読み出して、その圧力指令値に基づいて撓み制御空間Ｓの圧力を制御することができる。
【００６３】
或いは、メモリＭＲＹには、複数のマスクのそれぞれについて自重等による撓み量を示す情報を格納しておいてもよい。
この場合は、使用するマスクＭについての撓み量を演算装置ＣＬがメモリＭＲＹから読み出して、マスクＭの撓みを補正するための圧力指令値を演算し、その圧力指令値を圧力制御装置ＰＲＣに提供する。
更に、撓み計測装置６０による計測結果（撓み量）とメモリＭＲＹに格納されている撓み量との双方を利用して、両者を比較することにより、マスクＭの撓みの異常の有無を判定してもよい。
【００６４】
或いは、メモリＭＲＹにマスクＭのサイズ及び厚さと撓みを補正するための圧力目標値との関係を予め格納しておく。
そして、例えばマスクＭをマスクステージＭＳＴにロードする際にマスクＭのサイズ及び厚さを計測し、又は、マスクＭのＩＤ等に基づいてこれらの情報を取得する。
その後、マスクＭのサイズ及び厚さに対応する圧力目標値をメモリＭＲＹから取得して、その圧力目標値にしたがってマスクＭの撓みを補正してもよい。
【００６５】
或いは、露光のために使用される際に圧力目標値が決定されたマスクについては、その圧力目標値をメモリＭＲＹに格納しておき、次にそのマスクを使用する際にその圧力目標値をメモリＭＲＹから読み出してもよい。
【００６６】
図４は、本実施形態に係る露光装置５０が備えるマスク撓み制御ユニット１に接続されるイオン化エアー供給・吸引装置７０（イオン化流体供給機構）の模式図を示している。
【００６７】
図４に示されているように、枠２にはイオンエアー供給孔１００が設けられている。そして、イオンエアー供給孔１００には流路１０１及び電磁弁１０２を介して、イオン化装置１０３及び窒素ガス供給源１０４（不活性ガス供給源）から構成されるイオン供給部（イオン化流体供給部）が接続されている。
また電磁弁１０２は、電磁弁１０２を駆動するための電気信号ライン１０５によって、圧力制御装置ＰＲＣに結線されている。
またイオン化装置１０３は、電気信号ライン１１２によって、圧力制御装置ＰＲＣに結線されている。
イオン化装置１０３は、コロナ放電式又は電離放射線式等の任意の方式により窒素ガス供給源１０４からの窒素ガス（不活性ガス）をイオン化する機能を有している。
【００６８】
また枠２には、エアー吸引孔１０６が設けられており、エアー吸引孔１０６には流路１０７及び電磁弁１０８を介して、吸引ポンプ１０９から構成されるイオン吸引部（吸引部）が接続されている。
また電磁弁１０８は、電磁弁１０８を駆動するための電気信号ライン１１０によって、圧力制御装置ＰＲＣに結線されている。
また吸引ポンプ１０９は、電気信号ライン１１１によって、圧力制御装置ＰＲＣに結線されている。
【００６９】
次に、本実施形態に係る露光装置５０においてマスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離す際の動作について説明する。
【００７０】
図５は、本実施形態に係る露光装置５０においてマスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離す際の動作のフローチャートを示している。
【００７１】
本実施形態に係る露光装置５０における露光動作が終了した際には、マスク撓み制御ユニット１によって撓み制御空間Ｓは減圧状態になっている（ステップＳ１）。
そして、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離す準備を開始する（ステップＳ２）。
まず、サーボバルブ１０を駆動するための電気信号ライン１０ｅを介した圧力制御装置ＰＲＣからの指令に応じてサーボバルブ１０の開度が小さくされる（ステップＳ３）。
そのとき、サーボバルブ１０を通じて撓み制御空間Ｓから流路１０ｇ、中継器Ｃ１、フレキシブルチューブ１２ｇ、中継器Ｃ２を介してバッファタンク１３に吸引される気体の量が減少する。
【００７２】
また同時に電気信号ライン１０５を介して電磁弁１０２を駆動することによって、流路１０１を介して、イオンエアー供給孔１００をイオン化装置１０３と連通させる。
更に、電気信号ライン１１２を介してイオン化装置１０３を動作させる。
このとき、撓み制御空間Ｓと窒素ガス供給源１０４との差圧に応じて、窒素ガス供給源１０４から窒素ガスが供給され、イオン化装置１０３を通過する事によってイオン化される。
そして、イオン化された窒素ガスが流路１０７を介して撓み制御空間Ｓに流入する（放出される）（ステップＳ４）。
【００７３】
また圧力制御装置ＰＲＣは、差圧センサ１１の検出値による撓み制御空間Ｓと外部空間との圧力差が所定の値以下になると、電気信号ライン１１０を介して電磁弁１０８を操作する。それによって、流路１０７を介してエアー吸引孔１０６と吸引ポンプ１０９とを連通させる。
また同時に、電気信号ライン１１１を介して吸引ポンプ１０９を駆動させる。
【００７４】
このとき、撓み制御空間Ｓにおいて中和されたイオンは、吸引ポンプ１０９によってエアー吸引孔１０６を介して外部に排出される。
このように撓み制御空間Ｓ内において中和されたイオンが排出されるため、イオン供給部によるイオン化された窒素ガスの供給が促進される。
これにより、撓み制御空間Ｓ内においてイオン化された窒素ガスを迅速且つ均一に広げる事が可能となる。
【００７５】
そして、バッファタンク１３に吸引される気体の量が低下することにより、撓み制御空間Ｓ内の圧力が増加し、マスク撓み制御ユニット１はマスクＭから剥離される（ステップＳ５）。
この際、上記に示したようにイオン化された窒素ガスが撓み制御空間Ｓ内に吸引されているため、剥離に伴う剥離帯電を抑える事ができる。
これにより、本実施形態に係る露光装置５０ではマスクＭのパターン破損のリスクを低減することができる。
【００７６】
図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離した直後のマスク撓み制御ユニット１近傍における電荷密度分布の模式図を示している。
【００７７】
図６（ａ）に示されているように、撓み制御空間Ｓにいかなる除電処理も行わない場合には、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離した直後において、マスクＭに対する接触部である枠２近傍に大きい剥離帯電が発生する。
一方、図６（ｂ）は、例えば特許文献１に示されているようにマスク撓み制御ユニット１の周囲にイオナイザを設けた場合を示している。この場合、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離した直後において、枠２のイオナイザ近傍の部分は除電されるが、それ以外の部分には依然として不均一な剥離帯電が発生している。
【００７８】
そして本実施形態に係る露光装置５０では、図６（ｃ）に示されているように、撓み制御空間Ｓにイオン化された窒素ガスを供給している。それによって、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離した直後において、枠２の全周にわたって均一に除電できることがわかる。
【００７９】
なお、本実施形態に係る露光装置５０では、イオンエアー供給孔１００及びエアー吸引孔１０６は、それぞれ一つずつ設けられているが、これに限られない。
例えば、図７（ａ）に示されているように、複数のイオンエアー供給孔１００及びエアー吸引孔１０６を枠２に設けて、イオンエアーの供給量及び排出量を増やすことによって、除電効果を高める事も可能である。
【００８０】
また、本実施形態に係る露光装置５０では、図４に示されているように、イオンエアー供給孔１００（第１の接続部）及びエアー吸引孔１０６（第２の接続部）は、ｙ軸方向において互いに対向する向きに配置されている。しかしながら、これに限られず、除電効果を高めるために、複数の方向に配置する事も可能である。
例えば、図７（ｂ）に示されているように、それぞれイオンエアー供給孔及びエアー吸引孔が放射状に配置された、放射状イオンエアー供給孔１１３（放射状ノズル）及び放射状エアー吸引孔１１４（放射状ノズル）を設けてもよい。
これにより、イオン化されたエアーの供給と中和されたエアーの吸引とが撓み制御空間Ｓ内でより均一になり、より高い除電効果を奏する事が期待できる。
また、放射状イオンエアー供給孔１１３の吹き出し流量及び放射状エアー吸引孔１１４の吸引量が各孔で均一になる様に、放射状イオンエアー供給孔１１３及び放射状エアー吸引孔１１４の内部において、各孔の圧力を調整するためのフィルタ等を設ける事も考えられる。
なお、本実施形態に係る露光装置５０では、窒素ガス供給源１０４の代わりに空気供給源を設けても構わない。
また、本実施形態に係る露光装置５０では、サーボバルブ１０とは別個にイオン吸引部を設けているが、これに限らず、サーボバルブ１０にイオン吸引部の機能を持たせることも可能である。
【００８１】
［第二実施形態］
図８は、第二実施形態に係る露光装置が備えるマスク撓み制御ユニット１に接続されるイオン化エアー供給・吸引装置８０の模式図を示している。
なお、本実施形態に係る露光装置は、イオン化エアー供給・吸引装置の構成を除いて、第一実施形態に係る露光装置５０と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して説明を省略する。
【００８２】
本実施形態に係る露光装置では、枠２に設けられているイオンエアー供給孔１００が流路１０１を介して電磁弁２００に接続されている。
また電磁弁２００（切替弁）は、マスク撓み制御ユニット１のサーボバルブ１０に接続される流路２０１ａとイオン化装置１０３に接続される流路２０１ｂとに接続されている。
また電磁弁２００は、電磁弁２００を駆動するための電気信号ライン２０２によって圧力制御装置ＰＲＣに結線されており、流路１０１と接続される流路として、流路２０１ａと流路２０１ｂとの切り替えが可能である。
【００８３】
また、枠２に設けられているエアー吸引孔１０６は、流路１０７を介して電磁弁２０３に接続されている。
そして電磁弁２０３（切替弁）は、サーボバルブ１０に接続される流路２０４ａと吸引ポンプ１０９に接続される流路２０４ｂとに接続されている。
また電磁弁２０３は、電磁弁２０３を駆動するための電気信号ライン２０５によって圧力制御装置ＰＲＣに結線されており、流路１０７と接続される流路として、流路２０４ａと流路２０４ｂとの切り替えが可能である。
【００８４】
次に、本実施形態に係る露光装置においてマスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離す際の動作について説明する。
【００８５】
まず、サーボバルブ１０を駆動するための電気信号ライン１０ｅを介した圧力制御装置ＰＲＣからの指令に応じてサーボバルブ１０の開度が小さくされる。
そのとき、サーボバルブ１０を通じて撓み制御空間Ｓから流路１０ｇ、中継器Ｃ１、フレキシブルチューブ１２ｇ、中継器Ｃ２を介してバッファタンク１３に吸引される気体の量が減少する。
同時に電気信号ライン２０２を介して電磁弁２００が駆動し、流路１０１に接続される流路を流路２０１ａから流路２０１ｂに切り替える。
これにより、イオンエアー供給孔１００は、イオン化装置１０３と連通する。
【００８６】
また、電気信号ライン１１２を介してイオン化装置１０３を動作させると、撓み制御空間Ｓと窒素ガス供給源１０４との差圧に応じて、窒素ガス供給源１０４から流路２０１ｂ及び流路１０１を介して窒素ガスが撓み制御空間Ｓに流入する。
その際、窒素ガスはイオン化装置１０３を通過する事によってイオン化される。
【００８７】
また圧力制御装置ＰＲＣは、差圧センサ１１の検出値による撓み制御空間Ｓと外部空間との圧力差が所定の値以下になると、電気信号ライン２０５を介して電磁弁２０３を操作する。それによって、流路１０７と接続される流路を流路２０４ａから流路２０４ｂに切り替える。
これにより、エアー吸引孔１０６と吸引ポンプ１０９とを連通させる。
【００８８】
また同時に、電気信号ライン１１１を介して吸引ポンプ１０９を駆動させ、撓み制御空間Ｓにおいて中和されたイオンは、吸引ポンプ１０９によってエアー吸引孔１０６を介して外部に排出される。
このように撓み制御空間Ｓ内において中和されたイオンが排出されるため、イオン供給部によるイオン化された窒素ガスの供給が促進される。
これにより、撓み制御空間Ｓ内においてイオン化された窒素ガスを迅速且つ均一に広げる事が可能となる。
【００８９】
そして、バッファタンク１３に吸引される気体の量が減少する事によって撓み制御空間Ｓ内の圧力が増加し、マスク撓み制御ユニット１はマスクＭから剥離される。
このように、本実施形態に係る露光装置では、イオン化された窒素ガスが撓み制御空間Ｓ内に吸引されるため、剥離に伴う剥離帯電を抑える事ができる。
【００９０】
以上のように、本実施形態に係る露光装置は、二つの点で第一実施形態に係る露光装置５０と特徴的に異なっている。
すなわち、本実施形態に係る露光装置では、イオン化されたエアーを供給するイオン供給部の流路２０１ｂとサーボバルブ１０の流路２０１ａとが電磁弁２００を介して同一のイオンエアー供給孔１００から撓み制御空間Ｓに接続されている。
また、本実施形態に係る露光装置では、中和されたエアーの吸引部の流路２０４ｂとサーボバルブ１０の流路２０４ａとが電磁弁２０３を介して、同一のエアー吸引孔１０６から撓み制御空間Ｓに接続されている。
【００９１】
なお、第一実施形態に係る露光装置５０と同様に、図９に示されているように、除電効果を高めるためにイオンエアー供給孔１００及びエアー吸引孔１０６を複数個設ける事も可能である。
また、第一実施形態に係る露光装置５０と同様に、イオンエアー供給孔１００及びエアー吸引孔１０６を複数方向（例えば、放射状）に設けて、それに応じた機構を設ける事も可能である。
また、流路２０１ａを設けずに、サーボバルブ１０を流路２０４ａを介して電磁弁２０３にのみ接続させても構わない。
【００９２】
［第三実施形態］
図１０は、第三実施形態に係る露光装置が備えるマスク撓み制御ユニット１に接続されるイオン化エアー供給・吸引装置９０の模式図を示している。
なお、本実施形態に係る露光装置は、イオン化エアー供給・吸引装置の構成を除いて、第一実施形態に係る露光装置５０と同一の構成であるため、同一の部材には同一の符番を付して説明を省略する。
また、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから引き離す際の動作については、第一実施形態に係る露光装置５０と同様である。
【００９３】
図１０に示されているように、本実施形態に係る露光装置では、イオン供給部に設けられている窒素ガス供給源１０４が温湿度調整装置３００を有している。
温湿度調整装置３００は、温湿度制御部３０１、ヒーター３０２、加湿器３０３、温度センサ３０４及び湿度センサ３０５を備えている。
温湿度制御部３０１は、温度センサ３０４及び湿度センサ３０５が検出した値に基づいて、ヒーター３０２からの熱量及び加湿器３０３からの蒸気量をコントロールする。それによって、窒素ガス供給源１０４からの窒素ガスの温度及び湿度が所望の値になるように制御が行われる。
なお、温湿度調整装置３００としては、この構成に限らず、別様に適した構成を用いても構わない。
【００９４】
以上のように、本実施形態に係る露光装置は、窒素ガス供給源１０４が温湿度制御されている点で、第一及び第二実施形態に係る露光装置と特徴的に異なる。
これにより、マスク撓み制御ユニット１をマスクＭから剥離する際の剥離帯電防止効果を高めることができ、より高い除電効果を奏する事が期待される。
【００９５】
なお、第一及び第三実施形態に係る露光装置では、サーボバルブ１０に接続される流路、イオン供給部に接続される流路及び吸引部に接続される流路がそれぞれ、個別の孔を介して撓み制御空間Ｓと接続する構成としてした。
しかしながら、これに限らず、第一及び第三実施形態に係る露光装置においても第二実施形態に係る露光装置と同様に、一つの孔を共用して複数の流路が接続されても構わない。
【００９６】
以上、好ましい実施形態について説明したが、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【００９７】
［物品製造方法に係る実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述した露光装置により、基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンを形成された基板を現像する工程、エッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００９８】
１  マスク撓み制御ユニット（空間規定部材）
１０  サーボバルブ（圧力制御機構）
１１  差圧センサ（圧力制御機構）
１３  バッファタンク（圧力制御機構）
５０  露光装置
７０  イオン化エアー供給・吸引装置（イオン化流体供給機構）
１０３  イオン化装置（イオン化流体供給部）
１０４  窒素ガス供給源（イオン化流体供給部）
１０９  吸引ポンプ（吸引部）
Ｍ  マスク
Ｐ  感光基板（基板）
ＰＲＣ  圧力制御装置（圧力制御機構）
Ｓ  撓み制御空間（圧力制御空間）
【図１】
2020197679.tif 000003
【図２】
2020197679.tif 000004
【図３】
2020197679.tif 000005
【図４】
2020197679.tif 000006
【図５】
2020197679.tif 000007
【図６】
2020197679.tif 000008
【図７】
2020197679.tif 000009
【図８】
2020197679.tif 000010
【図９】
2020197679.tif 000011
【図１０】
2020197679.tif 000012