(57)【要約】      （修正有）【課題】ＴＦＴの特性が低下するのを防止することができる電気光学装置、かかる電気光学装置を備える電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、透光性の基材２１と、トランジスタ２５と、前記基材と前記トランジスタとの間に配置され、金属を含む遮光性の遮光体３０と、前記遮光体と前記トランジスタとの間に前記遮光体に接して配置される絶縁性の第１絶縁層２０１と、前記第１絶縁層と前記トランジスタとの間に前記第１絶縁層に接して配置される絶縁性の第２絶縁層２０２と、を備え、前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多い。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の基材と、
トランジスタと、
前記基材と前記トランジスタとの間に配置され、金属を含む遮光性の遮光体と、
前記遮光体と前記トランジスタとの間に前記遮光体に接して配置される絶縁性の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記トランジスタとの間に前記第１絶縁層に接して配置される絶縁性の第２絶縁層と、を備え、
前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記所定元素は、フッ素またはボロンである請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層の主成分および前記第２絶縁層の主成分は、それぞれ、透光性を有するケイ素系の無機材料である請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１絶縁層の主成分および前記第２絶縁層の主成分は、それぞれ、酸化ケイ素である請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
透光性の基材と、
トランジスタと、
前記基材と前記トランジスタとの間に配置され、シリコン系の無機材料を含む材料層と、
前記材料層と前記トランジスタとの間に前記材料層に接して配置される絶縁性の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層と前記トランジスタとの間に前記第１絶縁層に接して配置さる絶縁性の第２絶縁層と、を備え、
前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量が、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
透光性の基材を用意する工程と、
前記基材上に、金属を含む遮光体を形成する工程と、
前記遮光体上に、前記遮光体に接する絶縁性の第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層に接する絶縁性の第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、トランジスタを形成する工程と、を含み、
前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多いことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１絶縁層を形成する工程では、第１温度でアニール処理を行い、
前記第２絶縁層を形成する工程では、前記第１温度よりも低い第２温度でアニール処理を行う請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置が知られている。液晶装置は、例えばプロジェクターのライトバルブとして用いられる。特許文献１には、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶とを有する電気光学装置が開示される。当該素子基板は、石英基板と、石英基板と離間してマトリクス状に配置される複数の画素電極と、画素電極ごとに対応して配置されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備える。
【０００３】
また、特許文献１に記載の素子基板では、ＴＦＴへの光の入射を抑制するため、ＴＦＴの下方に下地絶縁層を介して遮光膜が配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５０２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＦＴの製造時において、遮光膜中の不純物が下地絶縁層に拡散するおそれがある。そのため、ＴＦＴと遮光膜との間に介在している下地絶縁層が１層であると、ＴＦＴが下地絶縁層に拡散した不純物の影響を受け易い。それゆえ、下地絶縁層が非常に多くの不純物を含む場合、当該不純物の影響により、ＴＦＴの特性が低下するおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置の一態様は、透光性の基材と、トランジスタと、前記基材と前記トランジスタとの間に配置され、金属を含む遮光性の遮光体と、前記遮光体と前記トランジスタとの間に前記遮光体に接して配置される絶縁性の第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記トランジスタとの間に前記第１絶縁層に接して配置される絶縁性の第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多い。
【０００７】
本発明の電気光学装置の一態様は、透光性の基材と、トランジスタと、前記基材と前記トランジスタとの間に配置され、シリコン系の無機材料を含む材料層と、前記材料層と前記トランジスタとの間に前記材料層に接して配置される絶縁性の第１絶縁層と、前記第１絶縁層と前記トランジスタとの間に前記第１絶縁層に接して配置さる絶縁性の第２絶縁層と、を備え、前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量が、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多い。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、透光性の基材を用意する工程と、前記基材上に、金属を含む遮光体を形成する工程と、前記遮光体上に、前記遮光体に接する絶縁性の第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、前記第１絶縁層に接する絶縁性の第２絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、トランジスタを形成する工程と、を含み、前記第１絶縁層における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、前記第２絶縁層における前記所定元素の含有量よりも多い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置の断面図である。
【図３】第１実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図４】第１実施形態における素子基板の部分断面図である。
【図５】第１実施形態における遮光体および絶縁層を示す断面図である。
【図６】第１実施形態における遮光体およびＴＦＴを示す平面図である。
【図７】第１実施形態における素子基板の製造方法を示すフローである。
【図８】第１実施形態における第１基体用意工程を説明するための断面図である。
【図９】第１実施形態における遮光体形成工程を説明するための断面図である。
【図１０】第１実施形態における第１絶縁層形成工程を説明するための断面図である。
【図１１】第１実施形態における第１絶縁層形成工程を説明するための断面図である。
【図１２】第１実施形態における第１絶縁層形成工程を説明するための断面図である。
【図１３】第１実施形態における第２絶縁層形成工程を説明するための断面図である。
【図１４】第１実施形態における第２絶縁層形成工程を説明するための断面図である。
【図１５】第１実施形態における配線層形成工程を説明するための断面図である。
【図１６】第１実施形態における配線層形成工程を説明するための断面図である。
【図１７】第１実施形態におけるＴＦＴの特性を示すためのグラフである。
【図１８】第２実施形態における素子基板の一部断面図である。
【図１９】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【図２０】電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。
【図２１】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【００１１】
１．電気光学装置
１−１．第１実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置を例に説明する。
【００１２】
１−１ａ．基本構成
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００の平面図である。図２は、第１実施形態における電気光学装置１００の断面図であって、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１および図２のそれぞれに示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸を適宜用いて説明する。
【００１３】
図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。ここで、素子基板２、液晶層９および対向基板４の並ぶ方向がｚ方向であり、素子基板２の表面がｘ−ｙ平面に平行である。また、素子基板２が有する後述の第１基体２１の厚さ方向に平行なｚ方向からみることを「平面視」と言う。
【００１４】
本実施形態では、図２に示すように、電気光学装置１００に対して光ＬＬが素子基板２から入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射される場合を例に説明するが、光ＬＬは対向基板４から入射してもよい。なお、本明細書では、電気光学装置１００に入射する入射光、電気光学装置１００を透過する光、および電気光学装置１００から出射される出射光は、区別せずに光ＬＬとして示す。また、光ＬＬは可視光であり、本明細書において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示すように、電気光学装置１００は、平面視で、四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視形状はこれに限定されず、例えば円形等であってもよい。
【００１５】
図１に示すように、素子基板２は、平面視で対向基板４を包含する大きさである。図２に示すように、素子基板２は、「基材」としての第１基体２１と、絶縁層２０と、配線層２６と、複数の画素電極２８と、第１配向膜２９とを有する。第１基体２１、配線層２６、複数の画素電極２８および第１配向膜２９は、この順に並ぶ。第１配向膜２９が最も液晶層９側に位置する。また、第１基体２１には、複数の遮光体３０が配置される。第１基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基体２１は、例えばガラスまたは石英で構成される。画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、配線層２６、遮光体３０および絶縁層２０については、後で詳述する。
【００１６】
図２に示すように、対向基板４は、第２基体４１と、絶縁層４２と、対向電極４５と、第２配向膜４６と、を有する。第２基体４１、絶縁層４２、対向電極４５および第２配向膜４６は、この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。第２基体４１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基体４１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁層４２は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で形成される。対向電極４５は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。
【００１７】
シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板２および対向基板４のそれぞれに対して固着される。図１に示すように、シール部材８の一部には、液晶分子を含む液晶材を注入するための注入口８１が形成されており、注入口８１は各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止される。
【００１８】
図２に示す液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。液晶層９は、印加される電圧に応じて光ＬＬを変調させることで階調表示を可能とする。
【００１９】
また、素子基板２の対向基板４側の面には、図１に示すように、複数の走査線駆動回路１１と、信号線駆動回路１２とが配置される。また、素子基板２の対向基板４側の面には、複数の外部端子１４が配置される。外部端子１４には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２のそれぞれから引き回される引回し配線１５が接続される。
【００２０】
かかる構成の電気光学装置１００は、画像等を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２等が配置される。
【００２１】
１−１ｂ．電気的な構成
図３は、第１実施形態における素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２には、ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とｎ本の容量線２６３とが設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２との各交差に対応して「トランジスタ」としてのＴＦＴ２５が配置される。ＴＦＴ２５は、スイッチング素子として機能する。
【００２２】
ｎ本の走査線２６１は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。走査線２６１は、ＴＦＴ２５のゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２６１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。ｎ本の走査線２６１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。
【００２３】
図３に示すｍ本の信号線２６２は、それぞれｘ方向に延在し、ｙ方向に等間隔で並ぶ。信号線２６２は、ＴＦＴ２５のソースに電気的に接続される。また、ｍ本の信号線２６２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。ｍ本の信号線２６２には、図１に示す信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。
【００２４】
図３に示すｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２つの走査線２６１と隣り合う２つの信号線２６２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。１つの画素Ｐには、１つの画素電極２８が形成される。画素電極２８は、ＴＦＴ２５に電気的に接続される。
【００２５】
ｎ本の容量線２６３は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２６３は、複数の信号線２６２および複数の走査線２６１と絶縁され、これらに対して離間して形成される。容量線２６３には、グランド電位等の固定電位が印加される。また、容量線２６３と画素電極２８との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２６４が液晶容量と並列に配置される。
【００２６】
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２６１が順次選択されると、選択される走査線２６１に接続されるＴＦＴ２５がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２６２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２６１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板４が有する対向電極４５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２６４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。
【００２７】
１−１ｃ．素子基板２が有する配線層２６
図４は、第１実施形態における素子基板２の部分断面図であって、図２中の領域Ｂにおける拡大図である。配線層２６は、光ＬＬが透過する複数の透光領域Ａ１１と、ＴＦＴ２５および各種配線が配置される配線領域Ａ１２とを有する。配線領域Ａ１２は、光ＬＬを遮断する。詳細な図示はしないが、配線領域Ａ１２は、平面視で格子状をなす。一方、配線領域Ａ１２は、平面視で透光領域Ａ１１を囲む。複数の透光領域Ａ１１は、平面視で行列状に配置される。透光領域Ａ１１は、平面視でほぼ四角形状をなす。
【００２８】
図４に示すように、配線層２６は、ＴＦＴ２５、走査線２６１、容量線２６３、信号線２６２、蓄積容量２６４を有する。なお、図４に示すＴＦＴ２５、走査線２６１、容量線２６３、蓄積容量２６４および信号線２６２の並び順は一例であって、これらの並び順は図示の例に限定されない。また、配線層２６は、絶縁性および透光性を有する絶縁体２３を有する。絶縁体２３は、第１層間絶縁膜２３１、第２層間絶縁膜２３２、第３層間絶縁膜２３３、第４層間絶縁膜２３４、第５層間絶縁膜２３５、第６層間絶縁膜２３６、第７層間絶縁膜２３７および第８層間絶縁膜２３８を有する。
【００２９】
絶縁層２０上には、第１層間絶縁膜２３１が配置される。第１層間絶縁膜２３１上にはＴＦＴ２５が配置される。ＴＦＴ２５は、半導体層２５０と、ゲート電極２５１と、ゲート絶縁膜２５２と、を有する。半導体層２５０は、第１層間絶縁膜２３１に接して第１層間絶縁膜２３１上に配置される。ゲート絶縁膜２５２は、半導体層２５０とゲート電極２５１との間に介在している。
【００３０】
半導体層２５０は、チャネル領域２５０１、ソース領域２５０２、ドレイン領域２５０３、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５を有する。チャネル領域２５０１は、ソース領域２５０２とドレイン領域２５０３との間に位置する。チャネル領域２５０１は、平面視でゲート電極２５１と重なる。第１ＬＤＤ領域２５０４は、チャネル領域２５０１とソース領域２５０２との間に位置する。第２ＬＤＤ領域２５０５は、チャネル領域２５０１とドレイン領域２５０３との間に位置する。なお、第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５のうちの少なくとも一方、特に第１ＬＤＤ領域２５０４は、省略してもよい。また、半導体層２５０は、例えばポリシリコンを成膜することにより形成される。半導体層２５０のチャネル領域２５０１を除く領域には、導電性を高めるドーパントが注入される。第１ＬＤＤ領域２５０４中のドーパント濃度は、ソース領域２５０２中のドーパント濃度よりも低い。第２ＬＤＤ領域２５０５中のドーパント濃度は、ドレイン領域２５０３のドーパント濃度よりも低い。
【００３１】
半導体層２５０上には、第２層間絶縁膜２３２が配置される。第２層間絶縁膜２３２上には、ゲート電極２５１を覆うように第３層間絶縁膜２３３が配置される。第３層間絶縁膜２３３上には、走査線２６１が配置される。また、第３層間絶縁膜２３３には、走査線２６１とゲート電極２５１とを電気的に接続するコンタクト部２４１が配置される。走査線２６１上には、第４層間絶縁膜２３４が配置される。第４層間絶縁膜２３４上には、容量線２６３が配置される。容量線２６３上には第５層間絶縁膜２３５が配置される。
【００３２】
蓄積容量２６４は、第１容量２６４１と第２容量２６４２とを有する。第１容量２６４１は、第５層間絶縁膜２３５上に配置される。第１容量２６４１上には、第６層間絶縁膜２３６が配置される。第６層間絶縁膜２３６上には、第２容量２６４２が配置される。また、第６層間絶縁膜２３６には、第１容量２６４１と第２容量２６４２とを電気的に接続するコンタクト部２４２が配置される。第１容量２６４１および第２容量２６４２は、詳細な図示はしないが、それぞれ、２つの容量電極と、これら容量電極の間に配置される誘電体と、で構成される。
【００３３】
第５層間絶縁膜２３５には、第１容量２６４１と容量線２６３とを電気的に接続するためのコンタクト部２４３が配置される。第２〜第６層間絶縁膜２３２〜２３６には、第２容量２６４２とドレイン領域２５０３とを電気的に接続するコンタクト部２４４が配置される。また、ドレイン領域２５０３は、コンタクト部２４４、蓄積容量２６４、および図示しないコンタクト等を介して、画素電極２８に電気的に接続される。
【００３４】
第２容量２６４２上には、第７層間絶縁膜２３７が配置される。第７層間絶縁膜２３７上には、信号線２６２が配置される。また、詳細な図示がしないが、平面視で信号線２６２と走査線２６１とが交差する交差部は、ＴＦＴ２５と重なる。第２〜第７層間絶縁膜２３２〜２３７には、信号線２６２とソース領域２５０２とを電気的に接続するコンタクト部２４５が配置される。第７層間絶縁膜２３７上には、信号線２６２を覆うように第８層間絶縁膜２３８が配置される。第８層間絶縁膜２３８上には、画素電極２８が配置される。１つの画素電極２８は、１つの透光領域Ａ１１と平面視で重なる。
【００３５】
第１〜第８層間絶縁膜２３１〜２３８は、例えば、ケイ素系の無機化合物を用いて形成される。具体的には、第１〜第８層間絶縁膜２３１〜２３８は、例えば、シリコン熱酸化膜、またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。また、ゲート電極２５１、走査線２６１、信号線２６２、容量線２６３、および蓄積容量２６４が有する容量電極の各構成材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料が挙げられる。また、前述のコンタクト部２４１〜２４５の各構成材料も、導電性を有する材料で形成される。
【００３６】
１−１ｄ．素子基板２が有する遮光体３０および絶縁層２０
図５は、第１実施形態における遮光体３０および絶縁層２０を示す断面図である。図６は、第１実施形態における遮光体３０およびＴＦＴ２５を示す平面図である。図５に示すように、第１基体２１の＋ｚ軸側の面には、複数の凹部２１１が設けられる。凹部２１１は、第１基体２１の＋ｚ側の表面に形成された窪みである。本実施形態では、凹部２１１の底面は、ｘ−ｙ平面に沿った段差の無い連続的な平坦面である。
【００３７】
凹部２１１内には、遮光体３０が配置される。別の言い方をすると、遮光体３０は、第１基体２１とＴＦＴ２５との間に配置される。遮光体３０は、金属を含み、遮光性を有する。遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には、可視光の透過率が１０％以下であること、好ましくは５％以下であることをいう。また、遮光体３０は、導電性を有する。また、本実施形態では、遮光体３０は、ＴＦＴ２５等の各種配線とは絶縁されている。
【００３８】
図６に示すように、遮光体３０は、平面視でｘ方向およびｙ方向に行列状に配置される。遮光体３０は、平面視でＴＦＴ２５と重なる。１つのＴＦＴ２５に対して１つの遮光体３０が配置される。また、図示では、遮光体３０は、平面視で、ｘ軸方向に延びる長手形状をなす。遮光体３０は、その長手方向の途中に、その長手方向における両端よりも幅が広い幅広部３１０を有する。幅広部３１０は、平面視でＴＦＴ２５が有するゲート電極２５１と重なる。また、図５に示すように、遮光体３０の厚さＤ０は、一定である。厚さＤ０は、ｚ軸方向に沿った長さである。
【００３９】
遮光体３０は、金属を含む３つの層で形成される。遮光体３０が金属を含むことで、寸法精度に優れ、かつ遮光性に優れる遮光体３０を容易に形成できる。具体的には、遮光体３０は、第１金属膜３０１と、第２金属膜３０２と、第３金属膜３０３とを有する。第３金属膜３０３は、第１基体２１上に配置される。第２金属膜３０２は、第３金属膜３０３上に配置される。第１金属膜３０１は、第２金属膜３０２上に配置される。すなわち、第３金属膜３０３と、第２金属膜３０２と、第１金属膜３０１とは、第１基体２１からこの順に積層される。
【００４０】
第３金属膜３０３は、例えばタングステンシリサイドで構成される。第２金属膜３０２は、例えばタングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）で構成される。第１金属膜３０１は、例えばタングステンで構成される。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、第１金属膜３０１をタングステンとすることで、遮光体３０の遮光性を高めることができる。
【００４１】
また、遮光体３０が第２金属膜３０２および第３金属膜３０３を有することで、これらを有さない場合に比べ、第１基体２１と遮光体３０との密着性を高めることができる。特に、第３金属膜３０３は、ケイ素原子を含むため、ケイ素系の無機化合物で構成される第１基体２１との密着性に優れる。そのため、第３金属膜３０３を有することで、遮光体３０と第１基体２１との密着性を特に高めることができる。
【００４２】
また、タングステンに比べてタングステンシリサイドは、熱処理によりＯＤ値が低下し易い。そのため、第３金属膜３０３と第１金属膜３０１とが直接的に接触していると、第３金属膜３０３に含まれるタングステンシリサイドの影響で第１金属膜３０１のＯＤ値が低下するおそれがある。遮光体３０では、第３金属膜３０３と第１金属膜３０１との間に第２金属膜３０２が配置されるので、タングステンシリサイドの影響で第１金属膜３０１のＯＤ値の低下を抑制することができる。
【００４３】
なお、第２金属膜３０２は、タングステンナイトライドとチタンナイトライドの両方を含む構成、および、タングステンナイトライドを含む金属窒化膜とチタンナイトライドを含む金属窒化膜の積層構造のいずれであってもよい。また、遮光体３０を構成する層の数は、３に限定されず、１、または３以外の複数であってもよい。第２金属膜３０２および第３金属膜３０３の一方または両方は省略してもよい。また、第１金属膜３０１、第２金属膜３０２および第３金属膜３０３は、それぞれ、前述の金属以外の材料で構成されてもよい。遮光体３０は、チタン、タンタル、コバルトおよびニッケル等の金属、又は、これらの金属を含む化合材料、又は、これらの金属の少なくとも２つの材料を混ぜた混合材料で構成されてもよい。
【００４４】
また、第３金属膜３０３の厚さは、第２金属膜３０２の厚さよりも厚く、かつ、第１金属膜３０１の厚さよりも薄い。第１金属膜３０１の厚さが最も厚いことで、遮光体３０の遮光性を高めることができる。また、第３金属膜３０３の厚さが、第２金属膜３０２の厚さよりも厚いことで、薄い場合に比べ、遮光体３０の第１基体２１に対する密着性を高めることができる。
【００４５】
図５に示すように、第１基体２１上には、遮光体３０を覆う絶縁層２０が配置される。絶縁層２０は、第１絶縁層２０１と、第２絶縁層２０２とを有する。第１絶縁層２０１は、遮光体３０とＴＦＴ２５との間に遮光体３０に接して配置される。第２絶縁層２０２は、第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５との間に第１絶縁層２０１に接して配置される。また、第１絶縁層２０１の厚さＤ１は、第２絶縁層２０２の厚さＤ２よりも薄い。
【００４６】
第１絶縁層２０１および第２絶縁層２０２は、それぞれ、透光性および絶縁性を有する。第１絶縁層２０１および第２絶縁層２０２の各主成分としては、例えば、樹脂材料、およびケイ素系の無機材料が挙げられる。中でも、第１絶縁層２０１の主成分および第２絶縁層２０２の主成分は、それぞれ、酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等の透光性を有するケイ素系の無機材料であることが好ましく、酸化ケイ素であることがより好ましい。第１絶縁層２０１が透光性を有するケイ素系の無機材料であることで、樹脂材料である場合に比べ、充分に薄く、かつ、透光性に優れる第１絶縁層２０１を形成できる。なお、第２絶縁層２０２についても同様である。また、第１絶縁層２０１が酸化ケイ素であることで、酸窒化ケイ素である場合に比べ、第１絶縁層２０１の透光性を高めることができる。そのため、素子基板２の光学特性をより高めることができる。なお、第２絶縁層２０２についても同様である。
【００４７】
第１絶縁層２０１の主成分とは、第１絶縁層２０１において最も多くを占める材料である。同様に、第２絶縁層２０２の主成分とは、第２絶縁層２０２において最も多くを占める材料である。また、第１絶縁層２０１の主成分と第２絶縁層２０２の主成分とは、互いに異なってもよいが、同じであることが好ましい。同じであることで、異なっている場合に比べ、界面反射を低減できる。
【００４８】
また、第１絶縁層２０１は、第１絶縁層２０１の主成分の元素以外の所定元素を含む。当該所定元素は、第１絶縁層２０１において０．１質量％以下で含まれる元素である。第２絶縁層２０２においても同様である。当該所定元素は、例えば、素子基板２の製造工程において混入する。また、第２絶縁層２０２は、第１絶縁層２０１に含まれる当該所定元素の含有量よりも少ない含有量で当該所定元素を含むか、または当該所定元素を含まない。すなわち、第１絶縁層２０１に含まれる所定元素の含有量は、第２絶縁層２０２に含まれる所定元素の含有量よりも多い。また、第２絶縁層２０２は、第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５との間に第１絶縁層２０１に接して配置される。そのため、第２絶縁層２０２を備えることで、第１絶縁層２０１はＴＦＴ２５と接触していない。第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５との間に第２絶縁層２０２が配置されることで、第１絶縁層２０１がＴＦＴ２５と接触している場合に比べ、当該所定元素がＴＦＴ２５に影響を与えることを低減することができる。なお、素子基板２の製造方法、および所定元素がＴＦＴ２５の特性に与える影響については、後で詳述する。
【００４９】
また、所定元素は、具体的には、フッ素またはボロンである。これら元素は、ＴＦＴ２５の特性に特に影響を与える可能性が高い元素である。そのため、当該所定元素の含有量が第１絶縁層２０１よりも第２絶縁層２０２において少ないことで、ＴＦＴ２５の特性に与える影響を特に低減することができる。なお、これら元素は、例えば、遮光体３０を形成するための成膜ガス等に含まれる元素であり、遮光体３０の製造時に混入し易い。なお、使用する成膜ガス等によって第１絶縁層２０１および第２絶縁層２０２に含まれる所定元素の種類が変わる。
【００５０】
１−１ｅ．電気光学装置１００の製造方法
次に、電気光学装置１００の製造方法について説明する。まず、電気光学装置１００が有する素子基板２の製造方法について説明する。図７は、第１実施形態における素子基板２の製造方法を示すフローである。
【００５１】
図７に示すように、素子基板２の製造方法は、第１基体用意工程Ｓ１１と、遮光体形成工程Ｓ１２と、第１絶縁層形成工程Ｓ１３と、第２絶縁層形成工程Ｓ１４と、配線層形成工程Ｓ１５と、画素電極形成工程Ｓ１６と、第１配向膜形成工程Ｓ１７と、を有する。これら各工程を順に行うことにより素子基板２が製造される。
【００５２】
図８は、第１実施形態における第１基体用意工程Ｓ１１を説明するための断面図である。第１基体用意工程Ｓ１１では、例えば石英基板に凹部２１１が形成されることにより、図８に示す第１基体２１が形成される。これにより、第１基体２１が用意される。
【００５３】
図９は、第１実施形態における遮光体形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。遮光体形成工程Ｓ１２では、図９に示す遮光体３０が形成される。具体的には、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法により凹部２１１内にタングステンシリサイド膜形成用の組成物が堆積されることにより第３金属膜３０３が形成される。同様な方法で第３金属膜３０３上に例えばタングステンナイトライドまたはチタンナイトライドを含む組成物が堆積されることにより第２金属膜３０２が形成される。同様な方法で第２金属膜３０２上に例えばタングステンを含む組成物が堆積されることにより第１金属膜３０１が形成される。
【００５４】
遮光体３０の各層をＣＶＤ法で形成する場合、例えば、タングステン等の金属、水素（Ｈ２）、シラン（ＳｉＨ４）、アンモニア（ＮＨ３）およびジボラン（Ｂ２Ｈ６）等を含む各種ガスが用いられる。例えば、第１金属膜３０１がタングステンを含む場合、第１金属膜３０１は、例えば、六フッ化タングステン（ＷＦ６）ガス、および水素ガスを用いて形成される。この形成方法の場合、第１金属膜３０１には、その主成分の元素であるタングステン（Ｗ）の他に、所定元素であるフッ素（Ｆ）が含まれる。
【００５５】
なお、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等の研磨による平坦化処理を行うことで、遮光体３０の＋ｚ軸側の面と、第１基体２１の＋ｚ軸側の面と、が平坦化される。平坦化することで、遮光体３０の＋ｚ軸側の面と、第１基体２１の＋ｚ軸側の面との境界に段差を無くすことができる。
【００５６】
図１０、図１１および図１２は、それぞれ、第１実施形態における第１絶縁層形成工程Ｓ１３を説明するための断面図である。第１絶縁層形成工程Ｓ１３では、まず、図１０に示すように、ＣＶＤ法等の蒸着法により第１基体２１上に絶縁膜２０１ａが形成される。絶縁膜２０１ａは、遮光体３０に接触し、遮光体３０を覆う。なお、絶縁膜２０１ａは、第１絶縁層２０１を形成するための要素である。絶縁膜２０１ａが酸化ケイ素を含む場合、絶縁膜２０１ａの形成では、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）含むガスが用いられる。
【００５７】
次いで、図１１に示すように、絶縁膜２０１ａに対して、第１温度Ｔ１の熱を加えるアニール処理が施される。当該アニール処理が施されることにより、遮光体３０に含まれる所定元素が矢印Ａ１に示すように、絶縁膜２０１ａに拡散する。つまり、アニール処理が行われることによって、遮光体３０に含まれる所定元素を絶縁膜２０１ａに意図的に拡散させる。絶縁膜２０１ａが酸化ケイ素を主成分とする場合、第１温度Ｔ１は、例えば、９００℃以上であることが好ましい。かかる範囲内であると、絶縁膜２０１ａの透光性の低下を抑制することができるとともに、遮光体３０における所定元素を短時間で特に効果的に絶縁膜２０１ａに拡散させることができる。
【００５８】
次いで、図１２に示すように、絶縁膜２０１ａの一部を除去する除去処理が行われる。絶縁膜２０１ａの一部を除去することにより、第１絶縁層２０１が形成される。つまり、絶縁膜２０１ａの厚さを薄くすることにより、第１絶縁層２０１が形成される。そのため、絶縁膜２０１ａに含まれる所定元素の総含有量よりも、第１絶縁層２０１における所定元素の総含有量を少なくすることができる。なお、絶縁膜２０１ａの一部の除去は、例えば、ＣＭＰ等の研磨により行われる。
【００５９】
図１３および図１４は、それぞれ、第１実施形態における第２絶縁層形成工程Ｓ１４を説明するための断面図である。第２絶縁層形成工程Ｓ１４では、まず、図１３に示すように、ＣＶＤ法等の蒸着法により第１絶縁層２０１上に第２絶縁層２０２が形成される。また、第２絶縁層２０２は、その厚さＤ２が遮光体３０の厚さＤ１よりも厚くなるように形成される。第２絶縁層２０２が酸化ケイ素を含む場合、第２絶縁層２０２の形成では、例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスが用いられる。また、第１絶縁層２０１よりも高純度な第２絶縁層２０２が形成されるよう、第２絶縁層２０２の形成では、使用するガス、または製造条件等を適宜変更することが好ましい。例えば、シラン（ＳｉＨ４）およびＯ２ガスを用いたプラズマＣＶＤや、ＳｉＯ２+Ｎ２Ｏを用いた熱酸化プロセスを用いることができる。
【００６０】
次いで、図１４に示すように、第２絶縁層２０２に対して、第２温度Ｔ２の熱を加えるアニール処理が施される。当該アニール処理が施されることにより、第２絶縁層２０２の残留応力を効果的に取り除くことができる。その結果、第２絶縁層２０２に歪み等が生じることを抑制することができる。当該アニール処理における第２温度Ｔ２は、前述の第１温度Ｔ１よりも低いことが好ましい。第２絶縁層２０２が酸化ケイ素を主成分とする場合、第２温度Ｔ２は、例えば、７００℃以上であることが好ましい。
【００６１】
また、第２絶縁層形成工程Ｓ１４におけるアニール処理にかかる時間は、第１絶縁層形成工程Ｓ１３におけるアニール処理にかかる時間と、同等またはそれよりも短いことが好ましい。各時間が上記関係であると、第１絶縁層２０１での所定元素の拡散をより効果的に行うことができるとともに、第２絶縁層２０２に歪み等が生じることを抑制することができる。
【００６２】
図１５および図１６は、第１実施形態における配線層形成工程Ｓ１５を説明するための断面図である。配線層形成工程Ｓ１５では、ＴＦＴ２５、走査線２６１、容量線２６３、信号線２６２および蓄積容量２６４等の各種配線と、絶縁体２３とが形成される。まず、図１５に示すように、第２絶縁層２０２上に、絶縁体２３のうちの第１層間絶縁膜２３１が形成される。第１層間絶縁膜２３１は、ＣＶＤ法等の蒸着法、およびＣＭＰ等の研磨等による平坦化処理を用いて形成される。
【００６３】
次いで、図１６に示すように、ＴＦＴ２５が形成される。例えば、まず、アモルファスシリコン膜にアニール処理を施してポリシリコン膜が形成され、当該ポリシリコン膜上にゲート絶縁膜２５２およびゲート電極２５１が形成される。その後、ポリシリコン膜にドーパントを注入することにより、半導体層２５０が形成される。かかるＴＦＴ２５の形成では、例えばドーパントの活性化および半導体層２５０の膜質の改善のために、アニール処理が行われる。
【００６４】
なお、ゲート電極２５１は、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いたエッチングが行なわれることにより形成される。また、図示はしないが、ＴＦＴ２５上に形成される各種配線の製造方法は、ゲート電極２５１の製造方法と同様の方法を用いることができる。また、第１層間絶縁膜２３１以外の絶縁体２３が有する各層は、それぞれ、第１層間絶縁膜２３１と同様に、ＣＶＤ法等の蒸着法、およびＣＭＰ等の研磨等による平坦化処理を用いて形成される。
【００６５】
次に、画素電極形成工程Ｓ１６では、図示はしないが、表示領域Ａ１０における配線層２６上に複数の画素電極２８が形成される。具体的には、画素電極２８は、例えば透明電極材料からなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされることにより形成される。
【００６６】
次に、第１配向膜形成工程Ｓ１７では、例えば、ポリイミドからなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成され、その後にラビング処理が施されることにより、第１配向膜２９が形成される。
【００６７】
なお、図１に示す走査線駆動回路１１等の各種回路等は、前述の工程または工程間で適宜形成される。また、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板４が形成され、素子基板２と対向基板４とがシール部材８を介して貼り合わされる。その後、素子基板２、対向基板４およびシール部材８との間に液晶材が注入されて液晶層９が形成され、その後、封止される。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００を製造することができる。
【００６８】
以上説明したように、電気光学装置１００の製造方法は、第１基体用意工程Ｓ１１と、遮光体形成工程Ｓ１２と、第１絶縁層形成工程Ｓ１３と、第２絶縁層形成工程Ｓ１４と、配線層形成工程Ｓ１５と、を含む。遮光体形成工程Ｓ１２では、第１基体２１上に金属を含む遮光体３０が形成される。第１絶縁層形成工程Ｓ１３では、遮光体３０上に遮光体３０に接する絶縁性の第１絶縁層２０１が形成される。第２絶縁層形成工程Ｓ１４では、第１絶縁層２０１上に第１絶縁層２０１に接する絶縁性の第２絶縁層２０２が形成される。配線層形成工程Ｓ１５では、第２絶縁層２０２上にＴＦＴ２５が形成される。そして、第１絶縁層２０１における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、第２絶縁層２０２における所定元素の含有量よりも多くなるよう第１絶縁層２０１および第２絶縁層２０２は形成される。第１絶縁層２０１に含まれる所定元素の含有量が第２絶縁層２０２の所定元素の含有量よりも多くなることにより、当該所定元素の影響によるＴＦＴ２５の特性の低下を抑制することができる。
【００６９】
図１７は、第１実施形態におけるＴＦＴ２５の特性を示すためのグラフである。図１６中の縦軸は、ドレイン電流値Ｉｄを示し、横軸は、ゲード電圧Ｖｇを示す。線分Ｒ０は、遮光膜４０を備えていない場合のＴＦＴ２５の特性のリファレンス結果である。線分Ｒ１は、第２絶縁層２０２を備えておらず、第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５とが接触している場合におけるＴＦＴ２５の特性の結果である。線分Ｒ２は、第２絶縁層２０２を備える場合におけるＴＦＴ２５の特性の結果である。
【００７０】
線分Ｒ１と線分Ｒ０とを比較して分かるように、第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５とが接触している場合におけるオン電流とオフ電流との比は、リファレンス結果における当該比よりも低くなっている。一方、線分Ｒ２と線分Ｒ０とはほぼ一致している。線分Ｒ２と線分Ｒ０とを比較して分かるように、第２絶縁層２０２を備える場合におけるオン電流とオフ電流との比は、リファレンス結果における当該比と同等である。なお、線分Ｒ１と線分Ｒ２とを比較して分かるように、第２絶縁層２０２を備える場合におけるオン電流とオフ電流との比は、第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５とが接触している場合における当該比よりも高い。
【００７１】
図１７からも分かるように、遮光体３０に含まれる所定元素が拡散した第１絶縁層２０１上にＴＦＴ２５を形成すると、第１絶縁層２０１に含まれる所定元素の影響により、ＴＦＴ２５のスイッチング機能が低下してしまう。ＴＦＴ２５の形成時におけるアニール処理によって拡散した所定元素が、ＴＦＴ２５のチャネルに影響を与えてしまったと考えられる。これに対し、所定元素の含有量が第１絶縁層２０１に比べて少ない第２絶縁層２０２を備えることで、第２絶縁層２０２を備えていない場合に比べ、所定元素によるＴＦＴ２５のスイッチング機能の低下を抑制することができる。
また、所定元素の含有量が第１絶縁層２０１に比べて少ない第２絶縁層２０２を備えることで、第２絶縁層形成工程Ｓ１４以降のアニール処理および成膜工程において、第１絶縁層２０１に含まれる所定元素が半導体層２５０まで拡散することを抑制することができる。そのため、ＴＦＴ２５の特性が低下することを特に効果的に抑制することができる。
【００７２】
また、前述のように、第１絶縁層形成工程Ｓ１３では、第１温度Ｔ１でアニール処理が行われ、第２絶縁層形成工程Ｓ１４では、第１温度Ｔ１よりも低い第２温度Ｔ２でアニール処理が行われる。第１温度Ｔ１を第２温度Ｔ２よりも高くすることで、遮光体３０に含まれる所定元素を絶縁膜２０１ａに効果的に拡散させることができる。そのため、第２絶縁層２０２の形成時におけるアニール処理で遮光体３０に含まれる所定元素が第２絶縁層２０２にまで拡散することが抑制される。また、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との差は、１００℃以上３００℃以下であることが好ましい。差が当該範囲内であると、第２絶縁層２０２の形成時におけるアニール処理で所定元素が第２絶縁層２０２にまで拡散することを特に効果的に抑制できるとともに、第１絶縁層２０１および第２絶縁層２０２に歪みが生じることを特に効果的に抑制できる。また、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との差は、０℃以上３００℃以下であってもよい。第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２との差が小さい場合は、第２温度Ｔ２でのアニール処理の時間を短くすることで、第２絶縁層２０２の形成時におけるアニール処理で所定元素が第２絶縁層２０２にまで拡散することを特に効果的に抑制できるとともに、第１絶縁層２０１および第２絶縁層２０２に歪みが生じることを特に効果的に抑制できる。
【００７３】
さらに、第１温度Ｔ１は、ＴＦＴ２５の形成時におけるアニール処理での温度よりも高いことが好ましい。第１温度Ｔ１が、かかる温度であることで、ＴＦＴ２５のアニール処理によって、第１絶縁層２０１に含まれる所定元素が半導体層２５０にまで拡散することを抑制することができる。そのため、ＴＦＴ２５の特性が低下することを特に効果的に抑制することができる。
【００７４】
また、前述のように、第１絶縁層形成工程Ｓ１３では、除去処理が行われる。つまり、絶縁膜２０１ａの厚さを薄くすることにより、第１絶縁層２０１が形成される。そのため、絶縁膜２０１ａにおける所定元素の総含有量よりも、第１絶縁層２０１における所定元素の総含有量を少なくすることができる。それゆえ、ＴＦＴ２５の形成時におけるアニール処理によって、仮に第１絶縁層２０１に含まれる所定元素が半導体層２５０にまで拡散したとしても、所定元素の拡散する量を低減することができる。よって、ＴＦＴ２５の特性が低下することを抑制することができる。
【００７５】
１−２．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１８は、第２実施形態における素子基板２Ａの一部断面図である。本実施形態は、素子基板２Ａの構成が第１実施形態と異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明が適宜省略される。
【００７６】
図１８に示す素子基板２Ａは、第１基体２１Ａと、レンズ層２２とを有する。第１基体２１Ａの＋ｚ軸側の面には、複数のレンズ用凹部２１２が設けられる。
【００７７】
第１基体２１Ａと第１絶縁層２０１との間には、「材料層」としてのレンズ層２２が配置される。レンズ層２２は、第１基体２１Ａと第１絶縁層２０１と接触する。レンズ層２２は、酸化ケイ素およい酸窒化ケイ素等のシリコン系の無機材料を含んで構成される。また、レンズ層２２は、複数のレンズ２２１を有する。レンズ２２１は、レンズ用凹部２１２内に配置される。１つのレンズ２２１は、１つのレンズ用凹部２１２内に配置される。また、１つのレンズ２２１は、１つの透光領域Ａ１１と平面視で重なる。また、レンズ２２１は、第１基体２１Ａに向かって突出する凸曲面を有する凸レンズで構成される。レンズ２２１は、半球状をなす。レンズ２２１を備えることで、光ＬＬを収束させるよう屈折させることができる。そのため、ＴＦＴ２５への入射を低減できるので、光利用効率を向上させることができる。
【００７８】
このように、素子基板２Ａは、第１基体２１ＡとＴＦＴ２５との間に配置され、シリコン系の無機材料を含む「材料層」としてのレンズ層２２を備える。そして、第１実施形態と同様に、第１絶縁層２０１における主成分の元素以外の所定元素の含有量は、第２絶縁層２０２における所定元素の含有量よりも多い。そのため、第１実施形態と同様に、第１絶縁層２０１とＴＦＴ２５との間に第２絶縁層２０２が配置されることで、第１絶縁層２０１がＴＦＴ２５と接触している場合に比べ、所定元素がＴＦＴ２５に影響を与えることを低減することができる。
【００７９】
レンズ層２２上に形成された第１絶縁層２０１における所定元素は、例えば、フッ素、ボロン、または炭素である。これら元素は、ＴＦＴ２５の特性に特に影響を与える可能性が高い元素である。そのため、当該所定元素の含有量が第１絶縁層２０１よりも第２絶縁層２０２において少ないことで、ＴＦＴ２５の特性に与える影響を特に効果的に低減することができる。なお、これら元素は、例えば、成膜装置のクリーニングガス（ＮＦ３、ＣＦ系のフルオロカーボンガス）等に含まれる元素であり、遮光体３０の成膜中に混入し易い。さらには、レンズ層２２を形成するためのエッチング溶液又はエッチングガス等に含まれる場合もある。例えば、素子基板２Ａが有する凹部２１１は、フッ化水素（ＨＦ）等のフッ素系のエッチング溶液を用いたウエットエッチング、または、フッ化水素等のフッ素系のエッチングガスを用いたガスエッチングを用いて形成される。また、レンズ層２２は、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）またはテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を含むガスを用いたＣＶＤ法等の蒸着法により形成される。
【００８０】
１−３．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
【００８１】
１−３ａ．第１変形例
第２実施形態では、「材料層」がレンズ層２２である場合を例に説明したが、「材料層」は、ケイ素系の無機材料を含んで構成されればよく、例えば、任意のドーパンドを注入したポリシリコンを含んで構成された各種配線層等であってもよい。その場合、「所定元素」としては、ヒ素（Ａｓ）およびリン（Ｐ）等が挙げられる。
【００８２】
１−３ｂ．第２変形例
各実施形態において、第１温度Ｔ１は、第２温度Ｔ２よりも高いが、第１温度Ｔ１と第２温度Ｔ２とは同じであってもよいし、第２温度Ｔ２の方が高くてもよい。その場合には、第１絶縁層２０１よりも第２絶縁層２０２における所定元素の含有量が少なくなるよう、例えば、第１絶縁層２０１と第１絶縁層２０１の各構成材料、各厚さ、または各層のアニール時間を調整する。
【００８３】
１−３ｃ．第３変形例
各実施形態では、第２絶縁層２０２上に配線層２６が接触して配置されるが、第２絶縁層２０２と配線層２６との間に、さらに第３絶縁層が設けられてもよい。
【００８４】
１−３ｄ．第４変形例
各実施形態では、遮光体３０の厚さＤ０は一定であるが、厚さＤ０は一定でなくてもよい。例えば、遮光体３０のうち平面視でＴＦＴ２５が有するチャネル領域２５０１と重なる部分の厚さが、平面視でソース領域２５０２と重なる厚さよりも厚くてもよい。また、遮光体３０の平面視形状は、図６に示す形状に限定されない。例えば、遮光体３０は、幅広部３１０を有していなくてもよい。また、複数の遮光体３０は、互いに連結してもよい。
【００８５】
１−３ｅ．第５変形例
各実施形態では、「トランジスタ」がＴＦＴ２５である場合を例に説明したが、「トランジスタ」は、これに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。
【００８６】
２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
【００８７】
図１９は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを有する。
【００８８】
図２０は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。
【００８９】
図２１は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。
【００９０】
照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【００９１】
前述のパーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００は、それぞれ、前述の電気光学装置１００を備える。電気光学装置１００を備えるため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００および投射型表示装置４０００における各表示の品質を高めることができる。
【００９２】
以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【００９３】
なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【００９４】
また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【符号の説明】
【００９５】
２…素子基板、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１４…外部端子、１５…配線、２０…絶縁層、２１…第１基体、２２…レンズ層、２３…絶縁体、２６…配線層、２８…画素電極、２９…第１配向膜、３０…遮光体、４０…遮光膜、４１…第２基体、４２…絶縁層、４５…対向電極、４６…第２配向膜、８０…封止材、８１…注入口、１００…電気光学装置、２０１…第１絶縁層、２０１ａ…絶縁膜、２０２…第２絶縁層、２１１…凹部、２１２…レンズ用凹部、２２１…レンズ、２３１…第１層間絶縁膜、２３２…第２層間絶縁膜、２３３…第３層間絶縁膜、２３４…第４層間絶縁膜、２３５…第５層間絶縁膜、２３６…第６層間絶縁膜、２３７…第７層間絶縁膜、２３８…第８層間絶縁膜、２４１…コンタクト部、２４２…コンタクト部、２４３…コンタクト部、２４４…コンタクト部、２４５…コンタクト部、２５０…半導体層、２５１…ゲート電極、２５２…ゲート絶縁膜、２６１…走査線、２６２…信号線、２６３…容量線、２６４…蓄積容量、３０１…第１金属膜、３０２…第２金属膜、３０３…第３金属膜、３１０…幅広部、２５０１…チャネル領域、２５０２…ソース領域、２５０３…ドレイン領域、２５０４…第１ＬＤＤ領域、２５０５…第２ＬＤＤ領域、２６４１…第１容量、２６４２…第２容量、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透光領域、Ａ１２…配線領域、Ａ２０…周辺領域、ＬＬ…光、Ｐ…画素、Ｔ１…第１温度、Ｔ２…第２温度、Ｖｇ…ゲード電圧、Ｉｄ…ドレイン電流値。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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