(57)【要約】      （修正有）【課題】ペリクルの光散乱の問題に対処したＥＵＶＬスキャナを提供する。【解決手段】ＥＵＶＬスキャナ（１０）は、ＥＵＶ光源（１１０）、レチクル（１２０）、レチクル（１２０）の前に搭載され、使用において、長軸を有する楕円形の散乱パターンに透過光を散乱するＥＵＶ透過膜（１３２）を含むペリクル（１３０）、およびレチクル（１２０）により反射されペリクル（１３０）を通る光を、ターゲットウエハ（１５０）の上に投影するように形成されたアナモルフィック高ＮＡイメージングシステム（１４０）を含み、イメージングシステム（１４０）の受光コーン（１６０）の断面が長軸を有し、散乱パターンの長軸が、イメージングシステム（１４０）の受光コーン（１６０）の断面の長軸に対して所定の角度となる。【選択図】図１Ａ
2020122953.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶＬスキャナ（１０）であって、
ＥＵＶ光源（１１０）と、
レチクル（１２０）と、
レチクル（１２０）の前に搭載され、使用において、長軸（１１４）を有する楕円形の散乱パターン（１１２）に透過光を散乱するＥＵＶ透過膜（１３２）を含むペリクル（１３０）と、
レチクル（１２０）により反射されペリクル（１３０）を通る光を、ターゲットウエハ（１５０）の上に投影するように形成されたアナモルフィック高ＮＡイメージングシステム（１４０）と、を含み、
イメージングシステム（１４０）の受光コーン（１６０）の断面（１６２）が長軸（１６４）を有し、
散乱パターン（１１２）の長軸（１１４）が、イメージングシステム（１４０）の受光コーン（１６０）の断面（１６２）の長軸（１６４）に対して所定の角度となるように、イメージングシステム（１４０）に対してペリクル（１３０）が配置されるＥＵＶＬスキャナ（１０）。
【請求項２】
透過膜（１３２）は、少なくとも１つのカーボンナノチューブ束のシートを含む請求項１に記載のＥＵＶＬスキャナ（１０）。
【請求項３】
少なくとも１つのカーボンナノチューブ束のシートは、複数の実質的に平行なカーボンナノチューブ束を含む請求項２に記載のＥＵＶＬスキャナ（１０）。
【請求項４】
散乱パターン（１１２）の長軸（１１４）は、イメージングシステム（１４０）の受光コーン（１６０）の断面（１６２）の長軸（１６４）を横切るように配置される請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶＬスキャナ（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶＬスキャナに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造において、デバイスおよび回路パターンを形成するのに、様々なフォトリソグラフィックプロセスが広く用いられる。形成する特徴の大きさに依存して、異なる光学リソグラフィプロセスを用いても良い。フォトリソグラフィックプロセスでは、フォトマスクの上に存在するパターンまたはレチクルは、レチクルを照射することにより、感光性のフォトレジストコートに転写されても良い。一般に、光は、レチクルパターンにより変調されて、感光性のフォトレジストで覆われたウエハの上に画像化される。
【０００３】
従来のフォトリソグラフィでは、取り扱い中および露光中に、汚染物からレチクルを保護するために、一般にレチクルの上にペリクルが配置される。ペリクルは、レチクルの上のパターンの忠実性、およびそれゆえにウエハのパターンの転写に負の影響を与えうる望まない粒子からレチクルを保護する。
【０００４】
パターンが小さくなるほど、より短い波長の使用が注目される。極紫外線リソグラフィ、即ちＥＵＶＬでは、約１３．５ｎｍの波長が繰り返し使用される。より短波長へのシフトは、ＥＵＶ放射に対して高い透過率を提供し、ＥＵＶＬスキャナ中の一般には過酷な条件に耐えることができる、新しいペリクル設計の研究のきっかけを提供する。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の概念は、ＥＵＶＬスキャナで意図される一般的なペリクルデザインは、ペリクルを通って送られる光の無視できない散乱を引き起こすかも知れないという現実に基づく。もしペリクルで散乱される光がＥＵＶＬの結像システムにより集められたら、これはターゲットウエハに転写されるパターンの忠実性を減少させる。例えば、ペリクルにより散乱された光は、ＥＵＶＬスキャナで、結像エラーのような光学的な問題を引き起こすかも知れない。
【０００６】
ペリクルの光散乱の問題に対処したＥＵＶＬスキャナの提供を目的とする。更なるまたは代わりの目的は、下記により理解されるであろう。
【０００７】
第１の態様では、ＥＵＶＬスキャナが提供される。ＥＵＶＬスキャナは、ＥＵＶ光源、レチクル、レチクルの前に搭載され、使用において、長軸を有する楕円形の散乱パターンに透過光を散乱するＥＵＶ透過膜を含むペリクル、およびレチクルにより反射されペリクルを通る光を、ターゲットウエハの上に投影するように形成されたアナモルフィック高開口数（高ＮＡ）イメージングシステムを含み、イメージングシステムの受光コーンの断面が長軸を有し、散乱パターンの長軸が、イメージングシステムの受光コーンの断面の長軸に対して所定の角度となるように、イメージングシステムに対してペリクルが配置される。
【０００８】
この出願の文脈に範囲内で、「アナモルフィック高ＮＡイメージングシステム」の文言は、受光コーンを有するイメージングシステムとして解釈されるべきであり、受光コーンは非円形の断面を有する。換言すれば、イメージングシステムの光軸に直交する第１方向で、イメージングシステムは第１の開口数を有し、イメージングシステムの光軸に直交する第２方向で、イメージングシステムは、第１の開口数とは異なる第２の開口数を有する。
【０００９】
この出願の文脈に範囲内で、「受光コーン」の文言は、その中でイメージングシステムへの光入射がウエハに投影されるコーンとして解釈されるべきである。
【００１０】
本ＥＵＶＬスキャナの手段により、ペリクルにより散乱され、イメージングシステムに入る光の量が低減でき、これによりペリクルにより散乱された光に関する光学的な問題が低減される。還元すれば、散乱パターンの長軸が、イメージングシステムの受光コーンの断面の長軸に対して所定の角度となるように、イメージングシステムに対してペリクルを配置することにより、ペリクルにより散乱され、イメージングシステムに入る光の量が、所定の角度を制御することにより制御できる。
【００１１】
透過膜は、少なくとも１つのカーボンナノチューブ束のシートを含んでも良い。
【００１２】
この出願の文脈に範囲内で、「カーボンナノチューブ束」は、優先的な方向に沿ってそれぞれのカーボンナノチューブが整列し、束を形成するものと解釈される。それぞれのカーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブまたは多層カーボンナノチューブでもよい。そのようなカーボンナノチューブ束は、カーボンナノチューブ膜の作製中に自然に形成される傾向にある。
【００１３】
カーボンナノチューブ束の少なくとも１つのシートを含む透過膜の長所は、透過膜のＥＵＶ光の吸収が、深紫外スペクトルおよび極紫外スペクトルで減少することである。
【００１４】
カーボンナノチューブ束の少なくとも１つのシートは、複数の実質的に平行なカーボンナノチューブ束を含んでも良い。
【００１５】
この出願の文脈に範囲内で、「実質的に平行」の文言は、±１０％以内の平行と解釈される。
【００１６】
実質的に平行な複数のカーボンナノチューブ束を含む、カーボンナノチューブの少なくとも１つのシートの長所は、ペリクル中で散乱される光の楕円形の散乱パターンが、より異方性であることである。
【００１７】
散乱パターンの長軸は、イメージングシステムの受光コーンの断面の長軸に対して横切る（transverse）ように配置されても良い。
【００１８】
イメージングシステムの受光コーンの断面の長軸に対して横切るように、散乱パターンの長軸を配置する長所は、イメージングシステムにより受光されない、ペリクルにより散乱された光の量を最大化できることである。還元すれば、ターゲットウエハに投影される、ペリクルにより散乱された光の量を最小化することである。ターゲットウエハに投影される、ペリクルにより散乱された光の量を最小化することで、ゆらぎを低減できる。
【００１９】
本開示の応用の更なる範囲は、以下の詳細な記載から明らかになるであろう。しかしながら、本発明の概念の中での様々な変更および変形は、詳細な記載から当業者にとって明らかになるため、詳細な記載および特定の例は、本発明の好ましい様々な概念を示すが、単に実例として与えられるものを理解すべきである。
【００２０】
このように、本発明の概念は、そのようなシステムが変更しうるとして記載されたシステムの特定の構成部分に限定されないと理解される。ここで使用される用語は、特定の具体例のみを記載することを目的とし、限定的であることを意図するものではないことも、理解すべきである。明細書および添付の請求の範囲での使用について、冠詞「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、「その（ｔｈｅ）」、「前記（ｓａｉｄ）」は、文脈が明確に述べない限り、１つまたはそれ以上の要素があることを意図する。このように、例えば、「１つのユニット（ａ  ｕｎｉｔ）」または「そのユニット（ｔｈｅ  ｕｎｉｔ）」の言及は、様々なデバイス等を含んでも良い。さらに、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」および類似の文言は、他の要素を排除しない。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
本発明の上述のおよび他の形態について、本発明の具体例を示す添付の図面を参照しながら、より詳細に説明する。図面は、本発明を特定の具体例に限定するものと考えるべきではなく、図面は、本発明の理解および説明のために使用される。
【００２２】
図面に示したように、層や領域の大きさは、図示目的にために拡大され、本発明の具体例の一般的な構成を示すために提供される。同じ参照番号は、全体を通して同じ要素に対応する。
【００２３】
【図１Ａ】光源、レチクル、ペリクル、およびアナモルフィック高ＮＡイメージングシステムを含むＥＵＶＬスキャナの模式図を示す。
【図１Ｂ】スキャナの瞳面において、アナモルフィック高ＮＡイメージングシステムの受光コーンの断面、および従来の照射用に配置されたＥＵＶ光源を用いたペリクルによる光の散乱パターンを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の概念は、本発明の概念の現在において好ましい変形例が示される添付の図面を参照しながら、以下においてより十分に説明される。しかしながら、本発明の概念は、多くの異なる形態で実施可能であり、ここに記載された変形例に限定して解釈すべきではない。それらの変形例は、むしろ徹底と完全のために提供され、本発明の概念の範囲を当業者に完全に届ける。
【００２５】
図１Ａは、ＥＵＶＬスキャナ１０の模式図を示す。ＥＵＶＬスキャナ１０は、ＥＵＶ光源１１０、レチクル１２０、ペリクル１３０、およびアナモルフィック高ＮＡイメージングシステム１４０を含む。ＥＵＶＬスキャナ１０は、図１Ａに例示したような光軸１００を含んでも良い。
【００２６】
ＥＵＶ光源１１０は、５ｎｍと４０ｎｍの間の波長を有する光を照射しても良い。ＥＵＶ光源１１０は、プラズマを含んでも良い。ＥＵＶ光源１１０は、光学系を含んでも良い。光学系は、反射光学系を含んでも良い。光学系は、コリメーティング光学系および／またはレチクル１２０を照射するために配置された光学系を含む。光学系は、瞳ミラーを含んでも良い。瞳ミラーは、スキャナの瞳面を形成しても良い。ＥＵＶ光源１１０は、レチクル１２０の軸はずれ照射のために配置されても良い。ＥＵＶ光源１１０は、レチクル１２０の二重極照明のために配置されても良い。ＥＵＶ光源１１０は、レチクル１２０の四重極照明のために配置されても良い。ＥＵＶ光源１１０は、自由形照明のために配置されても良い。当業者は、ＥＵＶ光源１１０の配置がレチクル１２０の上のパターンによることを理解するであろう。例えば、ＥＵＶ光源１１０は、ターゲットウエハ１５０の上のレチクル１２０のラインパターンを投影するために、二重極照明のために配置される。
【００２７】
レチクル１２０は、ラインパターンを含んでも良い。ラインパターンは、主方向を有する。ラインパターンの主方向は、ラインパターンの長手方向でも良い。レチクル１２０は、矩形パターンを含んでも良い。レチクル１２０は、複数の矩形パターンを含んでも良い。レチクル１２０は、（例えば、バックエンドオブラインの相互接続層パターンのための）ヴィア層またはブロック層を形成する矩形パターンを含んでも良い。更なる例では、レチクル１２０は、ＤＲＡＭのような、標準セル、ロジックおよびメモリ応用で使用するための高密度の矩形の層を含んでも良い。
【００２８】
ペリクル１３０は、レチクル１２０の前に搭載される。ペリクル１３０は、ＥＵＶ透過膜１３２を含む。透過膜１３２は、少なくとも１つのカーボンナノチューブ束のシートまたは膜を含んでも良い。少なくとも１つのカーボンナノチューブ束のシートは、複数の実質的に平行な、単層および／または多層のカーボンナノチューブを含む、カーボンナノチューブ束を含んでも良い。複数の実質的に平行なカーボンナノチューブ束は、少なくとも１つのカーボンナノチューブ束のシートの表面に実質的に平行でも良い。カーボンナノチューブの合成のためのプロセスの例は、それ自体は公知である、アーク放電法、レーザ切除、および浮遊溶媒（エアロゾル）ＣＶＤ合成を含むＣＶＤ法に基づく技術を含む。
【００２９】
ＥＵＶ透過膜１３２は、使用において、長軸１１４を有する楕円形の散乱パターン１１２に、透過光を散乱する。楕円形の散乱パターン１１２は、図１Ｂに関連して記載される。
【００３０】
アナモルフィック高ＮＡイメージングシステム１４０は、ペリクル１３０を通ってターゲットウエハ１５０の上に、レチクル１２０により反射された光を投影するように形成される。アナモルフィック高ＮＡイメージングシステム１４０は、光学系を含んでも良い。光学系は、反射光学系でも良い。
【００３１】
イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２は、長軸１６４を有する。イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２は、短軸を有しても良い。受光コーン１６０の断面１６２は、受光コーン１６０の横断面でも良い。イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２の長軸１６４は、０．１より高い（レチクル側）開口数に対応しても良い。イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２の短軸は、０．１より低い（レチクル側）開口数に対応しても良い。受光コーン１６０の断面１６２の長軸１６４に対応する開口数は、受光コーン１６０の断面１６２の短軸に対応する開口数より大きくても良い。
【００３２】
図１Ｂは、瞳面における、アナモルフィック高ＮＡイメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２と、ペリクル１３０中に散乱した光の楕円形の散乱パターン１１２とを示す。受光コーン１６０の断面１６２は、長軸１６４を有する。
【００３３】
楕円形の散乱パターン１１２は、光軸１００を横切る面での光の強度分布でも良い。楕円形の散乱パターン１１２は、長軸１１４を有する、長軸１１４は、光軸１００を横切る面での光の強度分布の、最も大きな半値全幅でも良い。
【００３４】
図１Ｂに例示するように、ＥＵＶ光源１１０は、レチクル１２０の従来の照射のために配置されても良い。ＥＵＶ光源１１０は、レチクル１２０の環状照射、レチクル１２０の二重極照射、またはレチクル１２０の四重極照射、またはレチクル１２０の自由形照射のために配置されても良い。レチクル１２０の上の異なったパターンは、ＥＵＶ光源１１０の異なった最適照射配置を有しても良いことは理解されるであろう。
【００３５】
ペリクル１３０は、イメージングシステム１４０に対して、散乱パターン１１２の長軸１１４が、イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２の長軸１６４に対して所定の角度になるように配置される。ペリクル１３０は、イメージングシステム１４０に対して、図１Ｂに例示するように、散乱パターン１１２の長軸１１４が、イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２の長軸１６４を横切るように配置されても良い。
【００３６】
ペリクル１３０により散乱された光の散乱パターン１１２の長軸１１４が、イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１６２の長軸１６４に対して所定の角度で配置された場合、イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の外側に散乱した光の量１１６、１１８は、長軸１１４と長軸１６４との間の角度を制御することにより制御しても良い。イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の外側に散乱した光の量１１６、１１８は、図１Ｂに例示するように、ペリクル１３０により散乱された光の散乱パターン１１２の長軸１１４が、イメージングシステム１４０の受光コーン１６０の断面１２６２の長軸１６４を横切って配置された場合に、最大となっても良い。
【００３７】
当業者は、本発明の概念が、上述の好適な変形例に決して限定されないことを理解するであろう。一方、多くの変更例や変形例が、添付した請求の範囲内で可能である。
【００３８】
加えて、記載された変形例に対する変形は、図面、開示、および添付の請求の範囲の学習から、請求された発明を実施する当業者により理解され達成されるであろう。
【図１Ａ】
2020122953.tif 000003
【図１Ｂ】
2020122953.tif 000004
【外国語明細書】
2020122953.tif 000005
2020122953.tif 000006
2020122953.tif 000007
2020122953.tif 000008
2020122953.tif 000009
2020122953.tif 000010
2020122953.tif 000011
2020122953.tif 000012
2020122953.tif 000013
2020122953.tif 000014
2020122953.tif 000015