(57)【要約】【課題】可撓性基板の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、前記可撓性基板の前記第１面に設けられた自発光素子と磁性体を含むとともに、前記可撓性基板の前記第２面に設けられた支持部材とを備えた表示装置。【選択図】図１
2020197678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第１面に設けられた自発光素子と
磁性体を含むとともに、前記可撓性基板の前記第２面に設けられた支持部材と
を備えた表示装置。
【請求項２】
少なくとも、前記可撓性基板の縁近傍に前記支持部材が設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記支持部材は前記第２面全面にわたって設けられている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記支持部材は金属により構成されている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記自発光素子は、対向する第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の有機層とを含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
更に、前記可撓性基板と前記自発光素子との間に設けられるとともに、前記自発光素子に電気的に接続されたトランジスタを有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記可撓性基板はポリイミドを含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板の前記第２面に第１支持部材を貼り合わせ、
前記第１支持部材が貼り合わされた前記可撓性基板の前記第１面に自発光素子を形成し、
前記自発光素子を形成した後、前記可撓性基板から前記第１支持部材を除去し、
前記第１支持部材が除去された前記可撓性基板の前記第２面に磁性体を含む第２支持部材を貼り合わせる
表示装置の製造方法。
【請求項９】
更に、磁場を発生可能な基板保持具に、前記第２支持部材を間にして前記可撓性基板を保持する
請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記可撓性基板の前記第２面に、ガラスを含む第１支持部材を貼り合わせる
請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、可撓性基板を用いた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
折り曲げ可能な表示装置、いわゆるフレキシブルディスプレイの開発が進められている（例えば、特許文献１）。フレキシブルディスプレイには、例えば、可撓性基板が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−７６２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような可撓性基板を用いた表示装置は、製造の際に、可撓性基板の反りが生じやすい。この可撓性基板の反りは、製造の安定性に影響を及ぼす。
【０００５】
したがって、可撓性基板の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術の一実施の形態に係る表示装置は、対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、可撓性基板の第１面に設けられた自発光素子と、磁性体を含むとともに、可撓性基板の第２面に設けられた支持部材とを備えたものである。
【０００７】
本技術の一実施の形態に係る表示装置では、支持部材が磁性体を含んでいるので、この支持部材とともに可撓性基板が磁場に引き寄せられる。
【０００８】
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法は、対向する第１面および第２面を有する可撓性基板の第２面に第１支持部材を貼り合わせ、第１支持部材が貼り合わされた可撓性基板の第１面に自発光素子を形成し、自発光素子を形成した後、可撓性基板から第１支持部材を除去し、第１支持部材が除去された可撓性基板の第２面に磁性体を含む第２支持部材を貼り合わせるものである。
【０００９】
本技術の一実施の形態に係る表示装置の製造方法では、第１支持部材を除去した後、磁性体を含む第２支持部材を可撓性基板に貼り合わせるので、例えば、基板保持具に磁場を発生させると、第２支持部材とともに可撓性基板が磁場に引き寄せられる。したがって、可撓性基板は、第２支持部材とともに基板保持具に固定される。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の一実施の形態に係る表示装置およびその製造方法によれば、支持部材（第２支持部材）が、磁性体を含むようにしたので、製造工程で、支持部材とともに可撓性基板を基板保持具に固定することができる。よって、可撓性基板の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術の一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す断面模式図である。
【図２Ａ】図１に示した基板および磁性支持部材の平面構成の一例を表す模式図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示した基板および磁性支持部材の平面構成の他の例を表す模図である。
【図３】図１に示した表示装置の全体構成を表すブロック図である。
【図４】図１に示した表示装置の製造方法の一例を表す流れ図である。
【図５Ａ】図４に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
【図５Ｄ】図５Ｃに続く工程を表す断面模式図である。
【図５Ｅ】図５Ｄに続く工程を表す断面模式図である。
【図６】表示装置の機能構成を表すブロック図である。
【図７】撮像装置の構成を表すブロック図である。
【図８】電子機器の構成を表すブロック図である。
【図９】図４に示した表示装置の製造方法の他の例を表す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（基板の裏面に磁性支持部材が設けられた表示装置の例）
２．表示装置の機能構成例
３．撮像装置の例
４．電子機器の例
【００１３】
＜実施の形態＞
［表示装置１の構成］
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の断面構成を模式的に表したものである。表示装置１は、例えば有機電界発光（ＥＬ：Electro-Luminescence）装置であり、半導体装置１０上に表示素子層２０を備えたものである。表示装置１は、例えば、トップエミッション型の表示装置であり、表示素子層２０で発生した光は、半導体装置１０と反対側から取り出されるようになっている。半導体装置１０は、複数のＴＦＴ（Thin Film Transistor）１０ａを有している。表示素子層２０は、複数の有機ＥＬ素子２０Ａを有している。図１には、１つのＴＦＴ１０ａおよび１つの有機ＥＬ素子２０Ａを表す。
【００１４】
半導体装置１０は、基板１１の表面Ｓ１（第１面）上に、例えばＵＣ（Under Coat）膜１２およびＴＦＴ層１３をこの順に有している。このＴＦＴ層１３にＴＦＴ１０ａが設けられている。基板１１は、表面Ｓ１に対向する裏面Ｓ２（第２面）を有している。この裏面Ｓ２には、接着層１４を介して磁性支持部材１５が貼り合わされている。
【００１５】
基板１１は、例えば可撓性基板（可撓性を有する基板）である。この基板１１は、樹脂材料を含んでおり、基板１１の厚み（図１のＺ方向の大きさ）は、例えば３μｍ〜６０μｍである。基板１１に含まれる樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート），ポリアミド，ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられる。基板１１は、ＰＩを含んでいることが好ましい。基板１１がＰＩを含むことにより、耐熱性が向上し、ＴＦＴ層１３を作成する際のプロセス温度を高くすることができる。
【００１６】
ＵＣ膜１２は、基板１１から、上層に例えばナトリウムイオン等の物質が移動するのを防ぐためのものであり、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ）膜等の絶縁材料により構成されている。例えば、ＵＣ膜１２は、基板１１に近い位置から順に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜および酸化シリコン（ＳｉＯ）膜が積層された積層膜であってもよい。ＵＣ膜１２は、基板１１全面にわたって設けられている。
【００１７】
ＴＦＴ層１３のＴＦＴ１０ａは、例えば、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、ＵＣ膜１２上の選択的な領域に半導体層１３１を有している。この半導体層１３１上に、ゲート絶縁膜１３２を介してゲート電極１３３が形成されている。このゲート電極１３３を覆うように、層間絶縁膜１３４が設けられている。層間絶縁膜１３４およびゲート絶縁膜には、半導体層１３１の一部に対向して、コンタクトホールＨ１Ａ，Ｈ１Ｂが設けられている。層間絶縁膜１３４上には、そのコンタクトホールＨ１Ａ，Ｈ１Ｂを埋め込むように、一対のソース・ドレイン電極１３５Ａ，１３５Ｂが形成され、これらの層間絶縁膜１３４およびソース・ドレイン電極１３５Ａ，１３５Ｂを覆って、パッシベーション膜１３６が形成されている。パッシベーション膜１３６と表示素子層２０（後述の第１電極２１）との間には、平坦化膜１３７が設けられている。ＴＦＴ１０ａが、本技術の「トランジスタ」の一具体例に相当する。
【００１８】
半導体層１３１は、ＵＣ膜１２上にパターン形成されている。この半導体層１３１は、ゲート電極１３３と対向する領域にチャネル領域（活性層）を含んでいる。半導体層１３１は、例えば、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），チタン（Ｔｉ）およびニオブ（Ｎｂ）等のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を主成分として含む酸化物半導体から構成されている。具体的には、酸化インジウム錫亜鉛（ＩＴＺＯ），酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ: ＩｎＧａＺｎＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ），酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ），酸化インジウム錫（ＩＴＯ）および酸化インジウム（ＩｎＯ）等が挙げられる。あるいは、半導体層１３１は、低温多結晶シリコン（ＬＴＰＳ）または非結晶シリコン（ａ−Ｓｉ）等から構成されていても構わない。
【００１９】
ゲート絶縁膜１３２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉＮx）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯx）等のうちの１種よりなる単層膜、またはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜から構成されている。ゲート絶縁膜１３２は、例えば、半導体層１３１を覆い、基板１１の全面に設けられている。ゲート絶縁膜１３２は、半導体層１３１のチャネル領域上に設けられ、ゲート電極１３３と同一の平面形状を有していてもよい。
【００２０】
ゲート電極１３３は、印加されるゲート電圧（Ｖｇ）によって半導体層１３１中のキャリア密度を制御すると共に、電位を供給する配線としての機能を有するものである。このゲート電極１３３の構成材料は、例えば、チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），銀（Ａｇ），ネオジウム（Ｎｄ）および銅（Ｃｕ）のうちの１種を含む単体および合金が挙げられる。あるいは、それらのうちの少なくとも１種を含む化合物および２種以上を含む積層膜であってもよい。また、例えばＩＴＯ等の透明導電膜が用いられても構わない。
【００２１】
層間絶縁膜１３４は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）、ノボラック系樹脂等の有機材料により構成されている。あるいは、層間絶縁膜１３４には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜および酸化アルミニウム等の無機材料が用いられてもよい。
【００２２】
ソース・ドレイン電極１３５Ａ，１３５Ｂは、ＴＦＴ１０ａのソースまたはドレインとして機能するものであり、例えば、上記ゲート電極１３３の構成材料として列挙したものと同様の金属または透明導電膜を含んで構成されている。このソース・ドレイン電極１３５Ａ，１３５Ｂとしては、電気伝導性の良い材料が選択されることが望ましい。例えば、ソース・ドレイン電極１３５ＡがＴＦＴ１０ａのソース、ソース・ドレイン電極１３５ＢがＴＦＴ１０ａのドレインとして機能する。このとき、ソース・ドレイン電極１３５Ａにはソース電位（ソース電位ＰＳ）が供給され、ソース・ドレイン電極１３５Ｂにはドレイン電位（ドレイン電位ＰＤ）が供給されるようになっている。
【００２３】
パッシベーション膜１３６は、ソース・ドレイン電極１３５Ａ，１３５Ｂを覆い、層間絶縁膜１３４上に設けられている。パッシベーション膜１３６は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）または窒化シリコン（ＳｉＮ）等により構成されている。平坦化膜１３７は、このパッシベーション膜１３６を介してＴＦＴ１０ａを覆っている。
【００２４】
平坦化膜１３７上に設けられた表示素子層２０は、複数の画素（後述の図２の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）を含むと共に、ＴＦＴ１０ａが複数配置されたバックプレーンにより表示駆動される有機ＥＬ素子２０Ａ（自発光素子）を含んでいる。有機ＥＬ素子２０Ａは、ＴＦＴ層１３側から順に、例えば第１電極２１、発光層を含む有機層２３および第２電極２４を有する。第１電極２１は、例えば、アノードとして機能し、ＴＦＴ１０ａのソース・ドレイン電極１３５Ａに接続されている。第２電極２４は、例えば、カソードとして機能する。この第２電極２４には、例えば共通電位線（カソード線）を通じて、各画素に共通のカソード電位が供給されるようになっている。第１電極２１と有機層２３との間には、隔壁２２が設けられている。第２電極２４は、保護膜２５に覆われている。有機ＥＬ素子２０Ａは、例えば、基板１１と封止基板（図示せず）との間に封止されている。
【００２５】
第１電極２１は、平坦化膜１３７上の選択的な領域に、例えば画素毎に設けられている。第１電極２１は、例えば有機層２３の発光層に正孔を注入する電極である。第１電極２１は、例えば、光反射性を有する導電材料により構成されている。例えば、第１電極２１は、銀（Ａｇ）およびアルミニウム（Ａｌ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。第１電極２１は、例えば、平坦化膜１３７およびパッシベーション膜１３６に設けられたコンタクトホールＨ２を介してソース・ドレイン電極１３５Ａに電気的に接続されている。
【００２６】
隔壁２２は、隣り合う第１電極２１の間に設けられており、第１電極２１の端部を覆っている。この隔壁２２は、画素毎に設けられた第１電極２１を電気的に分離するとともに、第１電極２１と第２電極２４との間の絶縁性を確保するためのものである。隔壁２２は、例えばアクリル樹脂またはポリイミド樹脂により構成されている。
【００２７】
第１電極２１と第２電極２４との間の有機層２３は、有機化合物からなる発光層を含むものである。有機層２３は、例えば、画素毎に赤色発光層，緑色発光層，青色発光層を含んでいる。発光層では、第１電極２１および第２電極２４を通じて注入される電子と正孔との再結合により励起子を生じて発光がなされるようになっている。有機層２３は、発光層と第１電極２１との間に正孔輸送層および正孔注入層を有していてもよく、発光層と第２電極２４との間に電子輸送層および電子注入層を有していてもよい。
【００２８】
第２電極２４は、有機層２３を間にして第１電極２１に対向している。この第２電極２４は、画素部（後述の図２の画素部２）の全面にわたり、各画素に共通に設けられている。第２電極２４は、例えば有機層２３の発光層に電子を注入する電極として機能するものである。第２電極２４は、例えば光透過性の導電材料により構成されている。第２電極２４は、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）およびインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）等の透明導電膜により構成されている。
【００２９】
第２電極２４を覆う保護膜２５は、例えば、窒化シリコンおよび酸化シリコンなどの無機材料を含んで構成されている。
【００３０】
本実施の形態では、基板１１の裏面Ｓ２に、接着層１４を介して磁性支持部材１５が貼り合わされている。磁性支持部材１５は、磁性体を含む支持部材である。詳細は後述するが、これにより、磁界を発生させる基板保持具（後述の図５Ｅの基板保持具１８）に、磁性支持部材１５とともに、基板１１が引き寄せられる。これにより、伸びた状態、即ち、反りのない状態で基板１１が基板保持具に固定される。したがって、製造工程での基板１１の反りの発生を抑えることができる。
【００３１】
図２Ａは、基板１１および磁性支持部材１５の平面構成の一例を表したものである。磁性支持部材１５は、例えば、基板１１と略同じ平面形状を有する膜であり、基板１１の裏面Ｓ２全面にわたって貼り合わされている。磁性支持部材１５は、磁性体材料により構成されている。具体的には、フェライト系ステンレスまたはマルテンサイト系ステンレス等の磁性体材料により磁性支持部材１５は構成されている。磁性支持部材１５は放熱性を有していることが好ましい。これにより、基板１１の表面Ｓ１側の温度が高くなるのを抑えることができる。金属材料を用いて磁性支持部材１５を構成することにより、磁性支持部材１５の放熱性を高めることが可能となる。後述の図２Ｂに示すように、基板１１の裏面Ｓ２全面に磁性支持部材１５を設けなくてもよい。しかし、基板１１の裏面Ｓ２全面に磁性支持部材１５を設けることにより、放熱効果を高めることができる。また、磁性支持部材１５は、基板１１を保護および補強等する機能を有していることが好ましい。このような磁性支持部材１５の厚みは、例えば、５μｍ〜１５０μｍ程度である。基板１１の反りおよび撓み等を伴う変形を、磁力により抑制することができるように、磁性支持部材１５の厚みを調整すればよい。
【００３２】
図２Ｂは、基板１１および磁性支持部材１５の平面構成の他の例を表している。このように、磁性支持部材１５は、基板１１の裏面Ｓ２の一部に設けられていてもよい。少なくとも、基板１１の裏面Ｓ２の縁近傍に磁性支持部材１５を設けることにより、基板１１の反りを効果的に抑えることができる。例えば、磁性支持部材１５は、基板１１の裏面Ｓ２の周縁近傍に枠状に設けられている。
【００３３】
磁性支持部材１５と基板１１との間の接着層１４は、例えば、アクリルまたはウレタン等の樹脂材料を含んでいる。接着層１４に代えて粘着層を用いることにより、基板１１に磁性支持部材１５を貼り合わせるようにしてもよい。
【００３４】
図３は、表示装置１の全体構成を表すブロック図である。表示装置１は、マトリクス状に２次元配置された複数の画素（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）を有する画素部２と、この画素部２を駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）とを備える。表示装置１では、例えば、画素ｐｒから赤色、画素ｐｇから緑色、画素ｐｂから青色の光が各々取りだされるようになっている。
【００３５】
画素部２は、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像を表示するものである。この画素部２には、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。これらの走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂと電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素ＰＸ）を構成する。
【００３６】
画素ｐｒは、例えば赤色光を出射する有機ＥＬ素子２０ＡＲを含んで構成されている。画素ｐｇは、例えば緑色光を出射する有機ＥＬ素子２０ＡＧを含んで構成されている。画素ｐｂは、例えば青色光を出射する有機ＥＬ素子２０ＡＢを含んで構成されている。以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。また、有機ＥＬ素子２０ＡＲ，２０ＡＧ，２０ＡＢのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「有機ＥＬ素子２０Ａ」と称して説明を行う。
【００３７】
走査線ＷＳＬは、画素部２に配置された複数の画素Ｐを、行毎に選択するための選択パルスを各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子２０Ａのカソード（第２電極２４）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。
【００３８】
走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。
【００３９】
半導体装置１０には、各有機ＥＬ素子２０Ａを駆動するための画素回路ＰＸＬＣが設けられている。画素回路ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子２０Ａの発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子２０Ａ（有機ＥＬ素子２０ＡＲ，２０ＡＧ，２０ＡＢのいずれか１つ）と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。
【００４０】
書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子２０Ａに直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子２０Ａに流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。
【００４１】
書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子２０Ａのアノード（図１の第１電極２１）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子２０Ａ側の電極との間に挿入されている。
【００４２】
図３にはＴＦＴ１０ａを図示していないが、例えば、駆動トランジスタＤｓＴｒがＴＦＴ１０ａにより構成されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒをＴＦＴ１０ａにより構成するようにしてもよい。
【００４３】
尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示したが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、このような２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい
【００４４】
［表示装置１の製造方法］
次に、図４および図５Ａ〜図５Ｅを用いて、表示装置１の製造方法について説明する。図４は、表示装置１の製造方法の一例を表す流れ図であり、図５Ａ〜図５Ｅは、図４に示した各工程を表す断面模式図である。
【００４５】
まず、図５Ａに示したように、ガラス支持部材１７の主面に基板１１を形成する（図４のステップＳ１０１の基板形成工程）。基板１１は、例えば、ガラス支持部材１７の主面にポリイミドまたはポリイミド前駆体を塗布した後、これを加熱することにより形成する。ガラス支持部材１７は、例えば、板状のガラスにより構成されている。基板１１の裏面Ｓ２がガラス支持部材１７により支持される。
【００４６】
ガラス支持部材１７上に基板１１を形成した後、図５Ｂに示したように、基板１１の表面Ｓ１にＴＦＴ層１３（ＴＦＴ１０ａ）を形成する（図４のステップＳ１０２のＴＦＴ形成工程）。次いで、図５Ｃに示したように、ＴＦＴ層１３上に表示素子層２０（有機ＥＬ素子２０Ａ）を形成する（図４のステップＳ１０３の有機ＥＬ素子形成工程）。この後、例えば、封止基板を用いて有機ＥＬ素子２０Ａを封止する（図４のステップＳ１０４の封止工程）。
【００４７】
続いて、図５Ｄに示したように、基板１１の裏面Ｓ２からガラス支持部材１７を剥離する（図４のステップＳ１０５のガラス支持部材除去工程）。ガラス支持部材１７の剥離は、例えばレーザ照射により行う。次に、このガラス支持部材１７が剥離された基板１１の裏面Ｓ２に、接着層１４を介して磁性支持部材１５を貼り合わせる（図４のステップＳ１０６の磁性支持部材貼合工程）。この後、基板１１を分断する（図４のステップＳ１０７の基板切断工程）。これにより、複数のパネルが形成される。基板１１を分断した後、ガラス支持部材１７を除去して磁性支持部材１５を貼り合わせるようにしてもよい。
【００４８】
基板１１を分断した後、半導体装置１０に配線基板等を実装し（図４のステップＳ１０８の実装工程）、表示状態等の検査を行う（図４のステップＳ１０９の検査工程）。これにより表示装置１が完成する。検査工程の後、基板１１の裏面Ｓ２から磁性支持部材１５を除去するようにしてもよい。
【００４９】
実装工程および検査工程等は、例えば、図５Ｅに示したように、磁性支持部材１５を介して基板１１を基板保持具１８に載せた状態で行われる。基板保持具１８は、例えば、工程間トレーまたは設備ステージ等である。基板保持具１８は、反りの生じた表示装置１を固定した場合にも平坦性を維持可能に構成されており、十分な厚みおよび強度を備えている。基板保持具１８は、例えば、厚みが５ｍｍ程度のステンレスにより構成されている。基板保持具１８のうち、表示装置１が固定される面は、略平面となっている。基板保持具１８では、磁場が発生可能になっており、例えば、スイッチをオンすることにより基板保持具１８に磁場が発生し、スイッチをオフすることにより基板保持具１８の磁場がなくなるようになっている。基板保持具１８に磁場を発生させると、磁性支持部材１５とともに基板１１が基板保持具１８に引き寄せられるので、基板保持具１８に基板１１が固定される。このとき、基板１１は、磁性支持部材１５とともに、基板保持具１８の平坦面に沿って伸びる。したがって、基板１１の反りの発生が抑えられる。仮に、製造工程で基板１１が反ったとしても、磁場を発生させた基板保持具１８に、磁性支持部材１５とともに基板１１を載せることにより、基板１１を伸ばすことができる。基板保持具１８のスイッチをオフすることにより、基板保持具１８から、磁性支持部材１５とともに基板１１を外すことができる
【００５０】
［作用、効果］
本実施の形態の表示装置１では、外部から入力される映像信号に基づいて、表示素子層２０の各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが表示駆動され、映像表示がなされる。有機層２３で発生した光は、例えば、第２電極２４および保護膜２５を介して取り出される。このとき、半導体装置１０のＴＦＴ層１３では、例えば画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎にＴＦＴ１０ａが電圧駆動される。具体的には、ある画素（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのいずれか）のＴＦＴ１０ａのゲート電極１３３に閾値電圧以上の電圧が供給されると、半導体層１３１が活性化され（チャネルを形成し）、これにより、一対のソース・ドレイン電極１３５Ａ，１３５Ｂ間に電流が流れる。
【００５１】
本実施の形態の表示装置１では、基板１１の裏面Ｓ２に磁性支持部材１５が貼り合わされているので、この磁性支持部材１５とともに、基板１１が磁場に引き寄せられる。これにより、製造工程での基板１１の反りが抑えられる。以下、この作用効果について説明する。
【００５２】
例えば、基板切断工程（図４のステップＳ１０７の基板切断工程）の後、基板１１の裏面Ｓ２に、銅（Ｃｕ）等の金属板を貼り合わせることも考え得る。これにより、基板１１が放熱される。しかし、基板切断工程後の実装工程（図４のステップＳ１０８の実装工程）および検査工程（図４のステップＳ１０９の検査工程）では、基板１１とともに、この金属板も反りやすく、基板１１の取り扱いが難しくなる。この基板１１の反りまたは撓み等を伴う変形は、表示装置の品質、コストおよび製造効率等に影響を及ぼし、安定した量産を妨げるおそれがある。
【００５３】
これに対し、本実施の形態では、基板１１の裏面Ｓ２に、磁性支持部材１５が貼り合わされているので、製造工程で、ガラス支持部材１７を除去した後であっても、基板１１の反りを制御しやすくなる。具体的には、磁場を発生させた基板保持具１８に、磁性支持部材１５とともに基板１１が伸びた状態で固定される。したがって、基板１１の取り扱いが容易となり、安定して表示装置１を量産することが可能となる。
【００５４】
以上説明したように、本実施の形態の表示装置１では、磁性支持部材１５が、磁性体を含むようにしたので、製造工程で、磁性支持部材１５とともに基板１１を基板保持具１８に固定することができる。よって、基板１１の反りを抑えることにより、製造の安定性を高めることが可能となる。
【００５５】
また、磁性支持部材１５は、放熱のための金属板としても機能し得る。換言すれば、放熱のための金属板により、磁性支持部材１５を構成することが可能である。したがって、新たに部材を追加することなく、基板１１の反りを抑えることが可能となる。
【００５６】
＜機能構成例＞
図６は、上記実施の形態において説明した表示装置１の機能ブロック構成を表すものである。
【００５７】
表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、映像として表示するものであり、上述した有機ＥＬディスプレイの他にも、例えば量子ドット（ＱＤ：Quantum Dot）を用いたディスプレイおよび無機ＥＬディスプレイなどにも適用される。表示装置１は、例えばタイミング制御部６１と、信号処理部６２と、駆動部６３と、表示画素部６４とを備えている。
【００５８】
タイミング制御部６１は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、信号処理部６２等の駆動制御を行うものである。信号処理部６２は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号に対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号を駆動部６３に出力するものである。駆動部６３は、例えば走査線駆動回路および信号線駆動回路などを含んで構成され、各種制御線を介して表示画素部６４の各画素を駆動するものである。表示画素部６４は、例えば有機ＥＬ素子等の表示素子（上述の表示素子層２０）と、表示素子を画素毎に駆動するための画素回路とを含んで構成されている。これらのうち、例えば、駆動部６３または表示画素部６４の一部を構成する各種回路に、上述のＴＦＴ１０ａが用いられる。
【００５９】
＜表示装置以外の適用例＞
上記実施の形態等では、半導体装置１０の適用例として表示装置１を例に挙げて説明したが、半導体装置１０は、表示装置１の他にも、図７に示したような撮像装置（撮像装置６）に用いられてもよい。
【００６０】
撮像装置６は、例えば画像を電気信号として取得する固体撮像装置であり、例えばＣＣＤ(Charge Coupled Device)またはＣＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサなどから構成されている。撮像装置６は、例えばタイミング制御部６５と、駆動部６６と、撮像画素部６７と、信号処理部６８とを備えている。
【００６１】
タイミング制御部６５は、各種のタイミング信号（制御信号）を生成するタイミングジェネレータを有しており、これらの各種のタイミング信号を基に、駆動部６６の駆動制御を行うものである。駆動部６６は、例えば行選択回路、ＡＤ変換回路および水平転送走査回路などを含んで構成され、各種制御線を介して撮像画素部６７の各画素から信号を読み出す駆動を行うものである。撮像画素部６７は、例えばフォトダイオードなどの撮像素子（光電変換素子）と、信号読み出しのための画素回路とを含んで構成されている。信号処理部６８は、撮像画素部６７から得られた信号に対して様々な信号処理を施すものである。これらのうち、例えば、駆動部６６または撮像画素部６７の一部を構成する各種回路に、上述のＴＦＴ１０ａが用いられる。
【００６２】
＜電子機器の例＞
上記実施の形態等において説明した表示装置１（または撮像装置６）は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図８に、電子機器７の機能ブロック構成を示す。電子機器７としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【００６３】
電子機器７は、例えば上述の表示装置１（または撮像装置６）と、インターフェース部７０とを有している。インターフェース部７０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部７０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【００６４】
以上、実施の形態を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
【００６５】
また、図４には表示装置１の製造方法を工程順に示したが、他の工程順で表示装置１を製造するようにしてもよい。例えば、図９に示したように、ステップＳ１０７の基板切断工程の後、磁性支持部材貼合工程（ステップＳ１０６）を行うようにしてもよい。
【００６６】
また、上記実施の形態では、本開示の自発光素子の一具体例として、有機ＥＬ素子２０Ａを挙げて説明したが、表示装置１は、有機ＥＬ素子２０Ａに代えて、量子ドットを用いた自発光素子または無機ＥＬ素子等を有していてもよい。
【００６７】
また、上記実施の形態では、トップゲート構造のＴＦＴ１０ａを例示したが、本技術はボトムゲート構造のＴＦＴ１０ａを有する半導体装置にも適用可能である。
【００６８】
また、上記実施の形態では、ＴＦＴ１０ａが駆動トランジスタＤｓＴｒを構成する場合について説明したが、ＴＦＴ１０ａは他の機能を担っていてもよい。
【００６９】
上記実施の形態において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【００７０】
尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第１面に設けられた自発光素子と
磁性体を含むとともに、前記可撓性基板の前記第２面に設けられた支持部材と
を備えた表示装置。
（２）
少なくとも、前記可撓性基板の縁近傍に前記支持部材が設けられている
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記支持部材は前記第２面全面にわたって設けられている
前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記支持部材は金属により構成されている
前記（１）ないし（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記自発光素子は、対向する第１電極および第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間の有機層とを含む
前記（１）ないし（４）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
更に、前記可撓性基板と前記自発光素子との間に設けられるとともに、前記自発光素子に電気的に接続されたトランジスタを有する
前記（１）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記可撓性基板はポリイミドを含む
前記（１）ないし（６）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
対向する第１面および第２面を有する可撓性基板の前記第２面に第１支持部材を貼り合わせ、
前記第１支持部材が貼り合わされた前記可撓性基板の前記第１面に自発光素子を形成し、
前記自発光素子を形成した後、前記可撓性基板から前記第１支持部材を除去し、
前記第１支持部材が除去された前記可撓性基板の前記第２面に磁性体を含む第２支持部材を貼り合わせる
表示装置の製造方法。
（９）
更に、磁場を発生可能な基板保持具に、前記第２支持部材を間にして前記可撓性基板を保持する
前記（８）に記載の表示装置の製造方法。
（１０）
前記可撓性基板の前記第２面に、ガラスを含む第１支持部材を貼り合わせる
前記（８）に記載の表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００７１】
１…表示装置、２…画素部、３…走査線駆動部、４…信号線駆動部、５…電源線駆動部、１０…半導体装置、１０ａ…ＴＦＴ、１１…基板、１２…ＵＣ膜、１３…ＴＦＴ層、１４，１６…接着層、１５…磁性支持部材、１７…ガラス支持部材、１８…基板保持具、２０…表示素子層、２１…第１電極、２２…隔壁、２３…有機層、２４…第２電極、２５…保護膜、１３１…半導体層、１３２…ゲート絶縁膜、１３３…ゲート電極、１３４…層間絶縁膜、１３５Ａ，１３５Ｂ…ソース・ドレイン電極、１３６…パッシベーション膜、１３７…平坦化膜、６…撮像装置、７…電子機器、６１，６５…タイミング制御部、６２，６８…信号処理部、６３，６６…駆動部、６４…表示画素部、６７…撮像画素部、７０…インターフェース部、Ｈ１Ａ，Ｈ１Ｂ，Ｈ２…コンタクトホール。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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