(57)【要約】【課題】ホーンの熱歪の発生を抑えることによりホーンの反りを低減し、ホーンと基板との密着性を確保するとともに、ホーンと基板との位置ずれを最小限に抑えることにより電気特性や信頼性を保つことができるミリ波レーダ装置を得ること。【解決手段】本発明のミリ波レーダ装置１０は、基板１１と、該基板の一方の主面に配置されたホーン１３と、基板の他方の主面に配置され基板を固定するベース１４を備える。そして、一方の主面に設けられ、ホーンと熱的に接触する複数のミリ波発生回路１２を備え、複数のミリ波発生回路とホーンとの熱的な接触箇所１３ａは、ホーンの中心から所定距離だけ離れた少なくとも２箇所に分散していることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の主面に配置されたホーンと、前記基板の他方の主面に配置され前記基板を固定するベースと、を備えるミリ波レーダ装置であって、
前記一方の主面に設けられ、前記ホーンと熱的に接触する複数のミリ波発生回路を備え、
前記複数のミリ波発生回路と前記ホーンとの熱的な接触箇所は、前記ホーンの中心から所定距離だけ離れた少なくとも２箇所に分散していることを特徴とするミリ波レーダ装置。
【請求項２】
前記複数の熱的な接触箇所は、少なくとも３箇所であり、前記ホーンの中心を囲うように配置されることを特徴とする請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項３】
前記複数の熱的な接触箇所にグリスまたはゲルを含む半固体部材が介在して設けられたことを特徴とする請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項４】
前記ホーンと前記ベースは前記基板の縁を挟み込むとともに、互いに熱的に接触する縁部接触部を有し、前記縁部接触部は、前記ホーンと前記ベースとにより挟み込まれる前記基板の縁よりも外側に突出して形成されることを特徴とする請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項５】
前記ホーンと前記ベースとの前記縁部接触部は、前記ホーンと前記ベースの四辺の全周に形成されていることを特徴とする請求項４に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項６】
前記ホーンと前記ベースとの前記縁部接触部は、放熱部材を介して熱的に接触し、前記放熱部材はグリスまたはゲルを含む半固体部材を含むことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項７】
前記複数の熱的な接触箇所は、前記ホーンのアンテナを形成する矩形のアンテナ形成部の中心から前記アンテナ形成部の領域の少なくとも５０％の大きさの領域よりも外側に離隔した位置に設けられることを特徴とする請求項１に記載のミリ波レーダ装置。
【請求項８】
前記ホーンの前記基板に対向する対向面には、前記ミリ波発生回路の外縁に沿うとともに、前記対向面から前記基板に向かって突出する突出壁を有し、該突出壁の先端は、前記基板に設けられ前記ミリ波発生回路と前記アンテナとの間を接続するアンテナ線路に対して所定の距離だけ離隔していることを特徴とする請求項７に記載のミリ波レーダ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波レーダ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のミリ波レーダ装置として、一方の主面にホーンが配置された基板と、他方の主面に基板を固定するベースとを備え、基板に設けられたミリ波発生回路（ＭＭＩＣ：Monolithic Microwave Integrated Circuit）とホーンとの間を伝熱性接着剤により熱的に接触させ、ミリ波発生回路の熱をホーンに放熱するものが開示されている(特許文献１参照)。このミリ波発生回路は基板の中央部分の１箇所に設けられており、１箇所でミリ波発生回路の熱がホーンに放熱されるように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１０−５３４３２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のミリ波レーダ装置は、ミリ波発生回路の熱が伝熱性接着剤を介してホーンに放熱されるように構成されている。しかしながら、ミリ波発生回路の熱は、ホーンに対する放熱経路が１箇所のみであるため、ホーンの温度はミリ波発生回路の直上が最も高く、ミリ波発生回路の直上からホーンの端部に行くほど徐々に低くなると考えられる。その結果、ミリ波発生回路の直上とホーン端部との間の温度差や基板とホーンとの間の温度差が発生する。発生した温度差によりホーンに発生する熱歪のため、ホーンが反ってしまいホーンと基板との密着性が保てなくなるおそれがある。
【０００５】
また、基板とホーンとの温度差が大きい場合は、基板に対するホーンの相対的な位置ずれが発生し、基板に装着されたアンテナ素子とホーンとの位置ずれにつながることで、ＲＦ（Radio Frequency）の放射特性の悪化につながるおそれがある。また、ミリ波発生回路とホーンとの間に比較的に大きい弾性を有する伝熱性接着剤が使用されているので、ミリ波発生回路と基板との接続部であるはんだ付け部分に熱応力が作用し、はんだ付け部分にクラックが生ずるおそれがあり、電気特性や信頼性を損なうおそれがあるという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、ホーンの熱歪の発生を抑えることによりホーンの反りを低減し、ホーンと基板との密着性を確保するとともに、ホーンと基板との位置ずれを最小限に抑えることにより電気特性や信頼性を保つことができるミリ波レーダ装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明のミリ波レーダ装置は、基板と、該基板の一方の主面に配置されたホーンと、前記基板の他方の主面に配置され前記基板を固定するベースと、を備えるミリ波レーダ装置であって、前記一方の主面に設けられ、前記ホーンと熱的に接触する複数のミリ波発生回路を備え、前記複数のミリ波発生回路と前記ホーンとの熱的な接触箇所は、前記ホーンの中心から所定距離だけ離れた少なくとも２箇所に分散していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ホーンの熱歪の発生を抑えることによりホーンの反りを低減し、ホーンと基板との密着性を確保するとともに、ホーンと基板との位置ずれを最小限に抑えることにより電気特性や信頼性を保つことができるミリ波レーダ装置を提供することができる。
【０００９】
本発明に関連する更なる特徴は、本明細書の記述、添付図面から明らかになるものである。また、上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置の図であり、図１（ａ）は、レドーム側から見たミリ波レーダ装置の斜視図を示し、図１（ｂ）は、レドームの反対側から見たミリ波レーダ装置の斜視図を示す。
【図２】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置の分解斜視図。
【図３】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のミリ波発生回路およびホーンの部分断面図。
【図４】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のミリ波発生回路およびホーンの他の構造の部分断面図。
【図５】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンとベースとの縁部接触部を説明する説明図。
【図６】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置をホーンの裏面側から見た図であり、ミリ波発生回路とホーンの熱的な接続箇所を説明する説明図。
【図７】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置をホーンの裏面側から見た図であり、ホーンのアンテナ中心領域を説明する説明図。
【図８】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置をホーンの裏面側から見た図であって、ホーンのアンテナ中心領域を拡大した図であり、図８（ａ）は、三角形で描かれるアンテナ中心領域の説明図を示し、図８（ｂ）は、円形で描かれるアンテナ中心領域の説明図を示し、図８（ｃ）は、矩形で描かれるアンテナ中心領域の説明図を示す。
【図９】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンへの放熱構造の有無の違いによるミリ波レーダ装置の温度分布を比較する比較図。
【図１０】本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンへの放熱構造の有無の違いによるミリ波レーダ装置の変形分布を比較する比較図。
【図１１】本発明の実施形態の変形例１に係るミリ波レーダ装置の基板の外周部分の放熱部材の塗布箇所の部分断面図。
【図１２】本発明の実施形態の変形例２および変形例３に係るミリ波レーダ装置の図であり、図１２（ａ）は、ミリ波発生回路とホーンの熱的な接触箇所の他の構造を表す変形例２の部分断面図を示し、図１２（ｂ）は、ホーンとベースとの熱的な縁部接触部の他の構造を表す変形例３の部分断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明に係るミリ波レーダ装置を適用した実施形態に係るミリ波レーダ装置１０について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置の全体図であり、図１（ａ）は、レドーム側から見たミリ波レーダ装置の斜視図、図１（ｂ）は、レドームの反対側から見たミリ波レーダ装置の斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置の分解斜視図、図３は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のミリ波発生回路およびホーンの部分断面図である。
【００１３】
ミリ波レーダ装置１０は、ミリ波帯の電波を送受信し、対象物との距離や角度を検出する構成を有する。ミリ波レーダ装置１０は、例えば、図示しない車両に搭載され、車両とその周囲にある障害物との距離や角度を検出し、自動運転などの運転支援システムに用いられる。
【００１４】
ミリ波レーダ装置１０は、図１（ａ）、図１（ｂ）および図２に示すように、基板１１と、ミリ波発生回路１２と、ホーン１３と、ベース１４と、グリスまたはゲルからなる半固体部材１５と、レンズ１６と、ハウジング１７と、放熱シート１８と、各構成要素を締結して一体化する図示しない複数のねじを備えている。
【００１５】
基板１１は、図２および図３に示すように、略矩形の基板本体１１ａを備えており、その一方の主面には、アンテナ１１ｂと、ミリ波発生回路接続部１１ｃと、アンテナ線路１１ｅが設けられている。そして、基板本体１１ａには、基板固定穴１１ｄ（図６を参照）が設けられている。
【００１６】
基板本体１１ａは、各辺の縁がホーン１３とベース１４とにより挟み込まれて固定されている。基板本体１１ａは、ガラスエポキシ基板やセラミック基板であってもよく、低誘電率のフッ素樹脂製の高周波用基板であってもよい。基板本体１１ａが、例えば、ガラスエポキシのＦＲ４（Flame Retardant Type 4）で形成された場合には、ＦＲ４の線膨張係数（／℃）は、基板平面方向では約１５ｐｐｍ／℃である。
【００１７】
アンテナ１１ｂは、平面アンテナ素子であり、基板本体１１ａの一方の主面に複数個がマトリクス状に並べられて各行が水平方向にずれている、いわゆる千鳥状に配設されている。アンテナ１１ｂは、図３に示すように、後述するホーン１３の導波路１３ｂと結合することによりホーンアンテナとして機能する。
【００１８】
ホーンアンテナは、線状のアンテナパターンがプリント基板上に形成されそのパターンを直接アンテナとして使用するいわゆるパッチアンテナと比較して、電波の指向性が高く、より遠方に送信することができる。アンテナ１１ｂは、９個の送信アンテナと、１２個の受信アンテナを有している。
【００１９】
ミリ波発生回路接続部１１ｃは、ミリ波発生回路１２を基板本体１１ａに接続するためのものであり、基板本体１１ａに設けられている。ミリ波発生回路接続部１１ｃは、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）によって構成されている。基板本体１１ａに設けられているミリ波発生回路１２の数が２個の場合には、ミリ波発生回路接続部１１ｃの数もミリ波発生回路１２に対応して２箇所になる。
【００２０】
基板固定穴１１ｄは、図６に示すように、矩形を描くように基板本体１１ａの複数箇所に形成されている。基板１１は、ねじを基板固定穴１１ｄに通して、後述するベース１４の基板固定部に固定されるようになっている。
【００２１】
また、図５に示すように、基板本体１１ａの各辺の縁部分に全周または部分的にサーマルビア１１ｆを設けて、基板本体１１ａからホーン１３およびベース１４に熱を伝え易くする構成としてもよい。サーマルビア１１ｆは、ホーン１３およびベース１４との間の熱抵抗（Ｋ／Ｗ）を低下させ、ホーン１３およびベース１４との間の熱交換を効率よく行うことができる。基板本体１１ａの各辺の縁部分にサーマルビア１１ｆを設けることによって放熱経路が形成されるので、他の放熱構造を形成する必要がなく、ミリ波レーダ装置１０をより小型化することが可能となる。
【００２２】
アンテナ線路１１ｅは、ミリ波発生回路１２と各アンテナ１１ｂとの間を接続する電気的接続パターンからなる。各々のアンテナ線路１１ｅが長くなると、位相ずれや線路損失、アンテナ線路１１ｅ同士の結合が発生し電波放射特性が悪化するおそれがある。したがって、アンテナ線路１１ｅは、なるべく短く均等に形成することが好ましい。
【００２３】
ミリ波発生回路１２が基板本体１１ａの中央部分に配置されると、アンテナ線路１１ｅが長くなってしまい、アンテナ線路１１ｅの取り回しが困難になるおそれがある。さらに、ミリ波発生回路１２には、制御マイコンとの通信ラインや、外部との通信ラインなどの多数の信号線が接続される。したがって、配線効率やＥＭＣ（Electromagnetic Compatibility）対策の観点からミリ波発生回路１２は、基板本体１１ａの中央部分から離隔して、基板本体１１ａの一方の主面において分散して配置されることが好ましい。
【００２４】
ミリ波発生回路１２は、半導体基板上にトランジスタなどの能動素子とともにキャパシタなどの受動素子を一体に形成したＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit)からなり、ミリ波を生成する機能を有する。ミリ波レーダ装置１０は、所望の角度分解能を得るために複数のミリ波発生回路１２を有している。本実施形態では、ミリ波発生回路１２は、ミリ波発生回路接続部１１ｃを介して基板本体１１ａに３個接続されている。なお、ミリ波発生回路１２は、２個であっても良い。
【００２５】
各ミリ波発生回路１２には、前述のように、アンテナ線路１１ｅを介して、各アンテナ１１ｂが接続されており、各ミリ波発生回路１２からの電力供給によって各アンテナ１１ｂから電波が放射され、各アンテナ１１ｂで捕らえた電波はアンテナ線路１１ｅを通じて各ミリ波発生回路１２に送られるように構成されている。
【００２６】
なお、ミリ波発生回路１２は、送受信用として機能するものが配置される構成にしたが、送信用ミリ波発生回路と受信用ミリ波発生回路が個別に配置されてもよい。また、半導体素子として、他のＭＩＣ（Microwave Integrated Circuit)が使用されてもよい。
【００２７】
図６に示すように、３個のミリ波発生回路１２と、ホーン１３との３個の接触箇所は、それぞれアンテナ中心領域から略均等の距離だけ離隔し、分散されて配置されており、３個のミリ波発生回路１２同士の間隔も略均等の距離に分散されて配置されている。したがって、３個のミリ波発生回路１２は、アンテナ中心領域内には配置されないことになり、アンテナの中心から所定距離だけ離れて分散されて配置されている。所定距離は、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０の設定諸元や実験値などのデータに基づいて適宜選択される。
【００２８】
略均等の所定距離は、例えばアンテナの中心から所定の半径で描かれる円周を均等な角度間隔で分割した円周上の位置で表すこともできる。例えば、接触箇所が２箇所の場合は１８０°で２分割し、接触箇所が３箇所の場合は１２０°で３分割し、接触箇所が４箇所の場合は９０°で４分割した位置で表すこともできる。このように均等な角度間隔で分割した円周上の位置に接触箇所を配置することにより、ホーン１３の中心を囲うように配置することができる。
【００２９】
以下、アンテナ中心領域について図面を参照して説明する。
図７は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンの裏面側から見た図であり、ホーンのアンテナ中心領域を説明する説明図である。そして、図８は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンの裏面側から見た図であって、ホーンのアンテナ中心領域を拡大した図であり、図８（ａ）は、三角形で描かれるアンテナ中心領域の説明図、図８（ｂ）は、円形で描かれるアンテナ中心領域の説明図、図８（ｃ）は、矩形で描かれるアンテナ中心領域の説明図である。
【００３０】
アンテナ中心領域は、図７および図８（ａ）に示すように、基板１１をベース１４に固定する基板固定穴１１ｄを結ぶ直線で描かれる四角形の頂点から対角線Ｌ１を描き、ホーン１３の複数の導波路のうち、対角線Ｌ１の交点から最も近い３つの導波路１３ｂの開口の縁上の点であって、対角線Ｌ１の交点から最も遠い３つの縁上の点を結ぶ直線Ｌ２で囲まれる三角形の領域である。
【００３１】
なお、基板固定穴１１ｄを結ぶ直線で描かれる四角形の領域は、図７に示すように、複数のアンテナ１１ｂで構成されるアンテナ形成部Ａの外形を表している。アンテナ形成部Ａの領域内には、アンテナ１１ｂ、ミリ波発生回路１２およびホーン１３の導波路１３ｂのすべてが配置されている。なお、対角線Ｌ１の交点は、本発明のミリ波レーダ装置のアンテナの中心を表している。
【００３２】
なお、アンテナ中心領域は、直線Ｌ２で描かれる三角形以外の領域であってもよい、例えば、図８（ｂ）に示すように、対角線Ｌ１の交点から半径Ｒで描かれる円形の領域であってもよい。また、アンテナ中心領域は、図８（ｃ）に示すように、対角線Ｌ１の交点から距離Ｌで表される矩形の領域であってもよい。また、アンテナ形成部Ａの全体領域を１００％とすると、アンテナ中心領域は、全体領域の少なくとも略５０％の大きさの領域で表すことができる。半径Ｒおよび距離Ｌは、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０の設定諸元や実験値などのデータに基づいて適宜選択される。略５０％は、５０％に対して数％減算した値も含まれる。なお、数％は、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０の設定諸元や実験値などのデータに基づいて適宜選択される。
【００３３】
ホーン１３は、図２および図３に示すように、基板１１の一方の主面、即ちレドーム２２に対向する面に配置されている。ホーン１３は、金属材料または金属メッキを施した合成樹脂などの熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）が高い材料からなる。アルミニウム（Ａｌ）の場合、線膨張係数（／℃）は、約２３ｐｐｍ／℃である。ホーン１３が、自動車部品などに使用されているガラス繊維３０％配合のポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂の場合は、ガラス繊維の流れ方向では約２０ｐｐｍ／℃である。
【００３４】
ホーン１３は、直方体で形成されており、基板１１とほぼ同様の大きさの平面を有し、熱的な接触箇所としての台座１３ａと、導波路１３ｂと、縁部接触部としての接触部１３ｃとを有している。台座１３ａは、図３および図６に示すように、基板１１に設けられたミリ波発生回路１２と対向する側に設けられ、台座１３ａとミリ波発生回路１２との間に半固体部材１５が密着して設けられるように平坦な接触面で構成されている。
【００３５】
ホーン１３は、図３に示すように、ハウジング本体２１と外側ベース２３およびベース１４により、各辺の縁部分が挟み込まれて固定されているとともに、図示しない締結部を介して基板１１にねじにより締結されている。
【００３６】
なお、台座１３ａのミリ波発生回路１２に対向する面は、平坦面で構成されているが、台座１３ａとミリ波発生回路１２との間に設けられた半固体部材１５の熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）を有効に機能させることができる形状であれば、平坦面以外の他の構造で構成されていてもよい。
【００３７】
平坦面以外の他の構造としては、例えば、図４に示すように、台座１３ａのミリ波発生回路１２に対向する面を細かな凹凸のある面にし、台座１３ａの断面形状を波目状にして接触面積を拡大する構造や、台座１３ａのミリ波発生回路１２に対向する面に多数の突起を設けてヒートシンク状にして接触面積を拡大する構造が挙げられる。接触面積を拡大することにより、熱的な接触箇所の熱抵抗を小さくすることができる。また、台座１３ａには、基板１１に半固体部材１５が流れ出ないように台座１３ａの一端から他端に向かって傾斜するテーパ部が形成されていてもよい。
【００３８】
導波路１３ｂは、図３および図６に示すように、基板１１に設けられた複数のアンテナ１１ｂの上面にそれぞれ対応するように位置し、基板１１の一方の主面から遠ざかるにつれて幅広になるように、テーパ面によって角錐状に形成され、先端部分は開口している。なお、導波路１３ｂは、テーパ面によって円錐状に形成されていてもよい。
【００３９】
複数の導波路１３ｂは、短距離用、中距離用、長距離用に種類が分かれており、複数の導波路１３ｂからそれぞれ外部に向けて電波が放射されることで、ミリ波レーダ装置１０からの距離が異なる障害物を検知することができるように構成されている。角錐状に形成された導波路１３ｂの開口部は、例えば、十数ミリ角程度であり、導波路１３ｂは、送信アンテナ９個、受信アンテナ１２個に対応してそれぞれ設けられている。
【００４０】
縁部接触部としての接触部１３ｃは、後述するベース１４の接触部１４ｂに対応して、ホーン１３の各辺の縁部分に設けられており、接触部１４ｂに密着して突き当たるように構成されている。接触部１３ｃは接触部１４ｂと熱的に接触しており、相互に熱交換が行われるように構成されている。
【００４１】
縁部接触部としての接触部１３ｃおよび接触部１４ｂは、図６に示すように、各ミリ波発生回路１２から最も近い辺に垂線を下した点（図中の破線）から所定の長さの接触領域になるように設けられている。なお、接触部１３ｃおよび接触部１４ｂは、ミリ波発生回路１２が２つの場合は少なくとも２辺に設けられ、３つの場合は少なくとも３辺に設けられる。
【００４２】
なお、接触領域の辺に沿う方向の長さは、搭載部品などを避けるために一部接触しない部分があってもよい。また、ホーン１３を均等に熱するために、熱を逃がす量をコントロールすることを目的に、接触部１３ｃの長さを調整してもよい。接触部１３ｃをホーン１３の４辺の全周とすることもできる。
【００４３】
ベース１４は、アルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）が高い材料からなる。アルミニウム（Ａｌ）の場合、線膨張係数（／℃）は、約２３ｐｐｍ／℃である。ベース１４は、図２および図３に示すように、平板状のプレートからなり、基板１１を支持する複数の支持台１４ａと、縁部接触部としての接触部１４ｂとを有している。
【００４４】
ベース１４は、基板１１の他方の主面、即ちレドーム２２に対向する面と反対側の面に配置され、図６に示す基板１１の基板固定穴１１ｄに対応して図示しない基板固定部が設けられ、基板１１がねじで基板固定部に固定されるように構成されている。支持台１４ａは、放熱シート１８を介して基板１１に熱的に接触し、ベース１４の外側ベース２３に対向する対向面は、複数の放熱シート１８を介して外側ベース２３に熱的に接触している。また、ベース１４は、接触部１４ｂを介してホーン１３の接触部１３ｃと熱的に接触している。
【００４５】
半固体部材１５は、図３に示すように、ミリ波発生回路１２とホーンの台座１３ａとの間の熱的な接触箇所に、ミリ波発生回路１２およびホーンの台座１３ａと密着して設けられている。ミリ波発生回路１２とホーンの台座１３ａとの間の熱的な接触は、半固体部材１５を介して行われる。
【００４６】
半固体部材１５は、ミリ波発生回路１２が接続されているＢＧＡに過大な応力を作用させることなく熱抵抗（Ｋ／Ｗ）を大きく低下させることができ、ミリ波発生回路１２の上面からホーン１３の台座１３ａへ、高い効率の放熱が行われる伝熱経路を形成することができるように構成されている。
【００４７】
半固体部材１５は、グリスまたはゲルを含み、液体と固体の両方の属性を持ち、液体より固体に近い半流動体で粘性があり自由に変形する特質を持っている。半固体部材１５は、高粘度のゲル状態と低粘度のゾル状態に変化することができる半固体の部材からなる。
【００４８】
具体的には、グリスは、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０のミリ波発生回路１２の動作温度範囲（−４０℃〜１２５℃）において、ＢＧＡに応力が作用しないときは、固体の状態になり、応力が作用したときには流動性となる性質を持っている。ＢＧＡに作用する応力はグリスが持つ流動性により吸収されるため、ミリ波発生回路１２が接続されているＢＧＡにダメージを与えないようにすることができる。
【００４９】
ゲルは、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０のミリ波発生回路１２の動作温度範囲において、応力が作用しないときは、高い粘性を持ち流動性を失っており、固体状態になっている。ゲルは、ミリ波発生回路１２上に留まることができる粘性を持ち、小さい応力によって周りの変位に対して柔軟に追従することができ、ミリ波発生回路１２が接続されているＢＧＡにダメージを与えないようにすることができる。
【００５０】
レンズ１６は、図２および図３に示すように、矩形に形成されており、レンズ１６の周囲が後述するハウジング本体２１とホーン１３に挟み込まれて固定されている。レンズ１６は、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂などの誘電体材料からなる。レンズ１６は、ホーン１３の複数の導波路１３ｂにそれぞれ対向し、各導波路１３ｂに向かって半球体状に突出する複数のレンズ部１６ａを有している。
【００５１】
アンテナ１１ｂから放射され導波路１３ｂ内で放射状に拡散した電波は、レンズ部１６ａで平面波に変換されて外部に放射され、外部からの反射波はレンズ部１６によって導波路１３ｂ内で収束されてアンテナ１１ｂに受信されるように構成されている。レンズ部１６ａは、導波路１３ｂから放射される球面波からなる送信波を平面波に変換し、平面波からなる受信波を球面波に変換するように構成されている。
【００５２】
ハウジング１７は、図２および図３に示すように、ハウジング本体２１と、レドーム２２と、外側ベース２３とにより構成されており、ハウジング１７の内部には、基板１１、ミリ波発生回路１２、ホーン１３、ベース１４、半固体部材１５、レンズ１６および放熱シート１８が収容されている。
【００５３】
ハウジング本体２１は、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂やポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂などの合成樹脂からなり、内部空間を有する直方体に成形され、厚み方向の上方および下方が開口されている。上方の開口にはレンズ１６が装着されるように構成され、下方の開口には外側ベース２３が装着されるように構成されている。ハウジング本体２１は、図２に示すように、平面方向の四隅に貫通孔が形成された締結部２１ａを有している。
【００５４】
レドーム２２は、ハウジング本体２１と同様に、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂やポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂などの合成樹脂からなり、図１および図２に示すように、ハウジング本体２１の締結部２１ａに対向して、平面方向の四隅に貫通孔を有する締結部２２ａを有している。
【００５５】
レドーム２２は、平面方向の中央部分がレンズ１６と反対方向に膨出する膨出部２２ｂを有しており、膨出部２２ｂとレンズ１６との間に空間が形成されている。レドーム２２は、雨や風などの自然環境からミリ波レーダ装置１０の内部のレンズ１６などの構成要素を保護する機能を有している。
【００５６】
外側ベース２３は、アルミニウム（Ａｌ）などの熱伝導率（Ｗ／ｍ・ｋ）が高い材料からなり、図１および図２に示すように、平板状のプレートからなり、平面方向の四隅に貫通孔を有する締結部２３ａ、２３ｂを有している。外側ベース２３は、複数の放熱シート１８を介してベース１４に熱的に接触している。
【００５７】
外側ベース２３の裏面には、放熱フィン２３ｃが設けられており、ベース１４の熱は放熱シート１８を介して外側ベース２３に伝わり放熱フィン２３ｃで外気と熱交換されるようになっている。
【００５８】
外側ベース２３は、締結部２３ｂを介して車両に締結されるように構成されており、図示しないねじによりハウジング本体２１の締結部２１ａ、レドーム２２の締結部２２ａおよび外側ベース２３の締結部２３ａが締結され、ハウジング本体２１、レドーム２２および外側ベース２３が一体化されてハウジング１７が形成されるように構成されている。
なお、外側ベース２３は、ベース１４と別個の部材で構成されているが、外側ベース２３とベース１４とを結合し単一構造の部材で構成してもよい。
【００５９】
放熱シート１８は、例えば、熱伝導性フィラーを配合したシート材からなる。放熱シート１８は、グリスまたはゲルを含む半固体部材１５であってもよい。放熱シート１８は、図２および図３に示すように、外側ベース２３とベース１４に熱的に接触し、外側ベース２３とベース１４との間で熱交換が行われるように構成されている。
【００６０】
以上のように構成された本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０の効果について図面を参照して説明する。
【００６１】
図９は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンへの放熱構造の有無の違いによるミリ波レーダ装置の温度分布を比較する比較図、図１０は、本発明の実施形態に係るミリ波レーダ装置のホーンへの放熱構造の有無の違いによるミリ波レーダ装置の変形分布を比較する比較図である。
【００６２】
（１）本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、基板１１と、基板１１の一方の主面に配置されたホーン１３と、基板１１の他方の主面に配置され基板１１を固定するベース１４とを備え、一方の主面に設けられ、ホーン１３と熱的に接触する複数のミリ波発生回路１２を備え、複数のミリ波発生回路１２とホーン１３との熱的な接触箇所である台座１３ａは、ホーン１３の中心から所定距離だけ離れた少なくとも２箇所に分散している。
【００６３】
この構成により、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ホーン１３の熱歪の発生が抑えられ、ホーン１３の反りが低減され、ホーン１３と基板１１との密着性が確保され、ホーン１３と基板１１との位置ずれ、即ち相対的な変形量（ｍｍ）の差を最小限に抑えることができ、ＲＦ放射特性などの電気特性の悪化を防止することができる。その結果、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０の信頼性を保つことができるという効果が得られる。
【００６４】
具体的には、少なくとも２個のミリ波発生回路１２が離れて配置されることで、ホーン１３への局所的な熱集中を避けてホーン１３の導波路１３ｂなどの各傾斜部に加わる熱を均等にすることができる。即ち、ミリ波発生回路１２から発生する熱を分散してホーン１３にも直接伝熱させ、ホーン１３も熱変形させることで、ホーン１３と基板１１との相対的な変形量の差が低減され、ホーン形状の安定化を図ることができるという効果が得られる。また、ミリ波発生回路１２から発生する熱をホーン１３にも伝熱させることで、ミリ波発生回路１２の放熱も可能になるという効果が得られる。
【００６５】
また、ミリ波発生回路１２が離れて配置されると、アンテナ線路１１ｅが比較的に短くなり、ミリ波発生回路１２が比較的中央に配置された場合に生ずるアンテナ線路１１ｅが長い場合の問題点が解消されるという効果が得られる。即ち、ミリ波発生回路１２が比較的中央に配置されると、基板１１の各々のアンテナ線路１１ｅが長くなってしまい、アンテナ線路１１ｅの取り回しが困難になるおそれがある。さらに、各々のアンテナ線路１１ｅが長くなると、位相ずれや線路損失、アンテナ線路１１ｅ同士の結合が発生しＲＥ放射特性が悪化することがある。
【００６６】
図９に示すように、従来のミリ波発生回路とホーンとの間に直接の熱的な接触が設けられておらずホーンを放熱体として用いないホーン放熱無し構造のものと、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０のミリ波発生回路１２からホーン１３への放熱が有る構造のものについて、各構成要素の温度分布および変形分布を解析し、効果を検証した。
【００６７】
解析条件は、ミリ波発生回路１２の発熱量が２．５Ｗ、マイクロコントローラ（ＭＣＵ）の発熱量が１．５Ｗ、フランジ６０℃、８５℃Ａｉｒ h＝７．４２Ｗ／ｍ２・Ｋ（０．５ｍ／ｓ相当)で行った。
【００６８】
図９に示す温度分布の場合、ホーン放熱無し構造では、ホーンの温度分布に偏りが発生している。ミリ波発生回路部分は、断面で示すように、１２５℃となっており、高温状態となっている。ホーンの部分は、７５℃となっており比較的に低い温度となっている。ホーン裏面の図では、ホーンの中心から大きな円形の領域で表される部分が７５℃で、他の部分が７０℃となっている。
【００６９】
これに対して、ホーン放熱有り構造、即ち本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ミリ波発生回路１２とホーン１３とが半固体部材１５を介して直接熱的な接触が設けられているので、ミリ波発生回路１２の部分が断面で示すように、８５℃で、ホーン１３の部分は、７５℃〜８０℃となっている。ホーン裏面の図では、ミリ波発生回路１２の部分が３箇所で、部分的に８０℃で、他の部分が７５℃となっている。
【００７０】
ホーン放熱無し構造では、ミリ波発生回路部分が１２５℃となっており、高温状態となっている。これに対してホーン放熱有り構造では、ホーン１３の温度は全域にわたりほぼ一定で、その温度は７５℃〜８０℃と比較的に低く保たれている。ミリ波発生回路１２の部分が３箇所で、部分的に８０℃であり、ミリ波発生回路１２の動作温度範囲（−４０℃〜１２５℃）に対して余裕があることがわかる。
【００７１】
図１０に示す変形分布の場合、ホーン放熱無し構造では、変形量は、断面に示すように、ミリ波発生回路部分が０．０１ｍｍであり、ホーンの導波路部分は、０．０５ｍｍ〜０．０７５ｍｍとなっている。ホーン表面の図では、変形量の０．０５ｍｍがホーンの中心からミリ波発生回路に対して離隔する方向に偏った楕円形で表され、変形量の０．０７５ｍｍもホーンの中心からミリ波発生回路に対して離隔する方向に偏った楕円形で分布している。また、基板１１との位置関係を保たなくてはならない基板１１上のアンテナ素子近傍の変形量が０．０５ｍｍ程度になっている。
【００７２】
これに対して、ホーン放熱有り構造では、ミリ波発生回路１２の部分が断面で示すように、変形量は０．０７５ｍｍ〜０．１２５ｍｍ程度であり、ホーン１３の導波路１３ｂの部分は、０．０５ｍｍとなっている。ホーン表面の図では、変形量の０．０５ｍｍがホーンの中心を中心とする楕円形で表され、変形量の０．０７５ｍｍもホーン１３の中心を中心とする楕円形で表されている。
【００７３】
したがって、楕円形で表される変形量の小さい領域が、ホーン放熱無し構造では基板の中心から辺に偏った位置であったが、ホーン放熱有り構造では、基板１１の中心部に移動したことが分かり、ミリ波発生回路１２の部分の変形量が小さくなっていることが分かる。ミリ波発生回路１２の熱をホーン１３に均等に分散させて伝熱させることでホーン１３の変形量を小さく保つことが可能であることが分かる。このように、ホーン１３への放熱箇所を分散させ、複数箇所で放熱させることで、ミリ波発生回路１２の放熱とホーン１３の熱変形を同時に実現することが可能となることが分かる。
【００７４】
基板１１がガラスエポキシのＦＲ４で形成された場合には、線膨張係数（／℃）は、基板平面方向では約１５ｐｐｍ／℃である。ホーン１３がアルミニウム（Ａｌ）で形成された場合、線膨張係数（／℃）は、約２３ｐｐｍ／℃である。ホーン１３が、自動車部品などに使用されているガラス繊維３０％配合のポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）樹脂の場合は、ガラス繊維の流れ方向では約２０ｐｐｍ／℃である。
【００７５】
ホーン１３が、ＰＢＴ樹脂の場合、基板平面方向の変位では、基板１１とホーン１３の線膨張係数の差は約５ｐｐｍ／℃となり、ホーン１３が、アルミニウム（Ａｌ）で形成された場合、基板１１とホーン１３の線膨張係数の差は約８ｐｐｍ／℃となる。
【００７６】
常温（２５℃）を基準としたとき、解析上の整定温度である８０℃までミリ波レーダ装置１０の温度が上昇した場合、基板１１とホーン１３の線膨張係数の差が約５ｐｐｍ／℃のとき、基板１１とホーン１３の相対的な変位量は約０．２７５ｍｍとなり、比較的小さな変位量で収まる。基板１１とホーン１３の線膨張係数の差が約８ｐｐｍ／℃のときは、線膨張係数の差が約５ｐｐｍ／℃よりも大きいので、基板１１とホーン１３の相対的な変位量は約０．２７５μｍよりは大きくなるが、ほぼ同等の変位量で収まると思われる。なお、整定温度は、温度上昇などの温度の変動が小さくなり安定した状態の温度をいう。
【００７７】
ミリ波発生回路１２とホーン１３との間に複数の熱的な接触箇所を設けることで、基板１１上のアンテナ１１ｂとホーン１３の開口部の位置ずれを最小限に抑えることができ、同時に基板１１とホーン１３の反りを抑制することができるという効果が得られる。
【００７８】
温度整定、即ち、所定の温度に到達し安定した一定の温度になるまでが速やかに行われると、温度整定が遅い場合と比べホーン１３の変形量が小さくなるという効果が得られる。なお、ホーン１３への放熱が無い構造の場合は、温度整定が遅くなり、ホーン１３の変形が徐々に進み、変形量が大きくなる。また、基板１１自体およびホーン１３自体に温度差が発生し易く、複雑な変位となることが予想され、温度整定の調整が難しくなる。
【００７９】
（２）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、台座１３ａとミリ波発生回路１２との複数の熱的な接触箇所が、少なくとも３箇所であり、３箇所の熱的な接触箇所は、ホーン１３の中心を囲うように分散して配置されている。
【００８０】
この構成により、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、複数の熱的な接触箇所としての台座１３ａとミリ波発生回路１２が、２箇所のものと比較して、３箇所の分散配置により、ホーン１３に伝わる熱が部分的に集中することをより避けることができ、ホーン１３の放熱性の悪化や熱によるミリ波レーダ装置１０の誤動作や回路動作の停止などの故障の発生を防止することができるという効果が得られる。
【００８１】
ここで、基板１１の平面方向における横および縦を各々ＸおよびＹ方向とし、基板１１の厚み方向をＺ方向とすると、ホーン１３と基板１１は図示しない締結部を介してねじにより締結されており、特に密着していることが必要な基板１１の平面アンテナ素子からなるアンテナ１１ｂとホーン１３の開口部の近傍にねじが用いられる。ねじによる締結力によりホーン１３のＺ方向への変形をある程度抑制することができる。
【００８２】
しかしながら、ホーン１３を３箇所で熱してホーン１３自体の熱歪を抑えることで、基板１１やホーン１３に作用する応力を確実に抑制することができるという効果が得られる。また、ホーン１３を３箇所で熱してホーン１３自体の熱歪を抑えることで、ミリ波レーダ装置１０の変形量（ｍｍ）がより小さくなり、基板１１とホーン１３の密着がより確実になるという効果が得られる。
【００８３】
ホーン１３が、３箇所でミリ波発生回路１２により熱せられるため、１箇所で熱せられる場合に比べてホーン１３を均等に膨張させることができる。また、ホーン１３の基板１１との温度差はホーン１３を放熱部材として用いない場合に比べて小さく、ＸおよびＹ方向の熱膨張の度合いも、より近いものとなり、基板１１上の平面アンテナ素子とホーン１３の開口部の位置関係をほぼ一定に保つことができるという効果が得られる。
【００８４】
（３）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ホーン１３とミリ波発生回路１２との間に、グリスまたはゲルを含む半固体部材１５が介在して設けられている。半固体部材１５は、伝熱接着剤などの弾性が大きな材料と比較して、弾性が小さい。
【００８５】
この構成により、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ミリ波発生回路１２の接続部分のＢＧＡに過大な応力を作用させることなく、ミリ波発生回路１２とホーン１３の台座１３ａとの間の熱抵抗を大きく低下させることができる。その結果、ミリ波発生回路１２の上面からホーン１３への伝熱経路を形成することができ、効率のよい放熱が可能となるという効果が得られる。
【００８６】
（４）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ホーン１３とベース１４が基板１１の縁を挟み込むとともに、互いに熱的に接触する縁部接触部としての接触部１３ｃおよび接触部１４ｂを有し、縁部接触部は、ホーン１３とベース１４とにより挟み込まれる基板１１の縁よりも外側に突出して形成されている。
【００８７】
本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、接触部１３ｃおよび接触部１４ｂからなる接触領域を設けることで、接触部１３と接触部１４ｂとの間に放熱経路が形成され、ホーン１３の熱がベース１４に伝わる。その結果、ミリ波発生回路１２からの熱が放熱されホーン１３の温度がより均一になり、ホーン１３に対する熱の集中をより避けることができ、ホーン１３の放熱性の悪化や熱によるミリ波レーダ装置１０の故障の発生を防止することができるという効果が得られる。
【００８８】
（５）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ホーン１３とベース１４との縁部接触部としての接触部１３ｃおよび１４ｂは、ホーン１３とベース１４の各四辺の全周に形成されている。
【００８９】
本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、接触部１３ｃおよび接触部１４ｂからなる接触領域を各四辺の全周に設けることで、接触部１３と接触部１４ｂとの間の全周に放熱経路が形成され、ホーン１３の熱がベース１４により効率よく伝わる。その結果、ミリ波発生回路１２からの熱が放熱されホーン１３の温度がより速やかに均一になり、ホーン１３に対する熱の集中をより避けることができ、ホーン１３の放熱性の悪化や熱によるミリ波レーダ装置１０の故障の発生を防止することができるという効果が得られる。
【００９０】
（６）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ホーン１３とベース１４との縁部接触部としての接触部１３ｃおよび１４ｂは放熱部材Ｈを介して熱的に接触し、放熱部材は半固体部材１５を含む。
【００９１】
この構成により、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、接触部１３ｃおよび接触部１４ｂとの間の熱抵抗を大きく低下させることができる。その結果、接触部１３ｃおよび接触部１４ｂとの間の伝熱経路により、高い効率の放熱が可能となるという効果が得られる。
【００９２】
（７）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、台座１３ａとミリ波発生回路１２との複数の熱的な接触箇所が、ホーン１３における矩形のアンテナ形成部Ａの中心からアンテナ形成部Ａの領域の少なくとも５０％の大きさの領域よりも外側に離隔した位置に設けられる。
【００９３】
本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、ミリ波発生回路１２と台座１３ａの放熱経路が、ホーン１３のアンテナ形成部Ａの領域の少なくとも５０％の大きさの領域から離隔しているので、ミリ波発生回路１２の熱がホーン１３の中心部分に集中することはない。
【００９４】
その結果、ホーン１３の熱が局所的にこもることがなく、ほぼ均等になり、ホーン１３自体の熱歪が抑えられ、ミリ波レーダ装置１０の変形量（ｍｍ）がより小さくなり、基板１１とホーン１３の密着がより確実になり、放熱とホーン１３の熱変形の抑制を同時に実現することが可能となるという効果が得られる。
【００９５】
（８）また、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、後述する変形例２で説明するように、ホーン１３の台座１３ａの基板１１に対向する対向面には、ミリ波発生回路１２の外縁に沿うとともに、対向面から基板１１に向かって突出する突出壁１３ｄを有し、突出壁の先端１３ｄは、基板１１に設けられミリ波発生回路１２と各アンテナ１１ｂとの間を接続するアンテナ線路１１ｅに対して所定の距離だけ離隔している。
【００９６】
本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０は、突出壁１３ｄにより、半固体部材１５をミリ波発生回路１２の上面に留まらせることができ、半個体部材１５が基板１１上に漏出することが阻止されるという効果が得られる。また、突出壁１３ｄの先端とアンテナ線路１１ｅとは所定の距離、即ちミリ波発生回路１２の厚みと略同じ距離だけ離隔しているので、アンテナ線路１１ｅの電気力線が突出壁１３ｄと結合し、ＲＦ放射特性に影響を及ぼすことはないという効果が得られる。
【００９７】
なお、本発明に係るミリ波レーダ装置においては、本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０と異なる構造で構成してもよい。例えば、図１１に示す変形例１に係るミリ波レーダ装置１０Ａで構成してもよく、図１２（ａ）に示す変形例２に係るミリ波レーダ装置１０Ｂで構成してもよく、図１２（ｂ）に示す変形例３に係るミリ波レーダ装置１０Ｃで構成してもよい。以下、各変形例について図面を参照して説明する。なお、各変形例の本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０と同様の構成については同一の符号を用いて、詳細な説明は省略する。
【００９８】
（変形例１）
変形例１に係るミリ波レーダ装置１０Ａは、図１１に示すように、基板本体１１ａの各辺の縁部分に、全周または部分的に基板本体１１ａからホーン１３およびベース１４に熱を伝え易くするため、放熱部材Ｈを塗布してもよい。放熱部材Ｈとしては、グリスまたはゲルからなる半固体部材１５や、他の放熱機能を有する部材が挙げられる。
【００９９】
放熱部材Ｈを塗布することにより、基板本体１１ａからホーン１３およびベース１４の密着性を高め、熱抵抗（Ｋ／Ｗ）をより低くすることで更なる放熱性の向上を図ることができる。
【０１００】
（変形例２）
変形例２に係るミリ波レーダ装置１０Ｂは、図１２（ａ）に示すように、ホーン１３の基板１１に対向する台座１３ａの対向面に、ミリ波発生回路１２の外縁に沿うとともに、対向面から基板１１に向かって突出する突出壁１３ｄを形成してもよい。
【０１０１】
突出壁１３ｄの先端は、基板１１に設けられたアンテナ線路１１ｅから所定の距離だけ離隔して位置し、ミリ波発生回路１２に設けられたグリスまたはゲルからなる半固体部材１５は、突出壁１３ｄにより基板１１のアンテナ線路１１ｅ上に漏出することが阻止される。
【０１０２】
なお、上記所定の距離は、ミリ波発生回路１２の厚みと略同じ距離であり、突出壁１３ｄの先端とアンテナ線路１１ｅとの距離が近すぎると、アンテナ線路１１ｅの電気力線が突出壁１３ｄと電気的に結合し、ＲＦ放射特性が悪化することがあり、突出壁１３ｄの先端とアンテナ線路１１ｅとの距離が遠すぎると、半固体部材１５の漏出阻止機能が低下することがある。
【０１０３】
（変形例３）
変形例３に係るミリ波レーダ装置１０Ｃは、ホーン１３とベース１４が基板１１の縁を挟み込む縁部接触部としての接触部１３ｃの部分で、図３に示す本実施形態に係るミリ波レーダ装置１０と異なり、図１２（ｂ）に示すように、ホーン１３の縁部接触部としての接触部１３ｅが、ベース１４の外側面を覆うように構成されている。この構造においてもホーン１３とベース１４との熱的な接触が得られる。
【０１０４】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。例えば、前記した実施形態は本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。さらに、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ・・・ミリ波レーダ装置
１１・・・基板
１１ａ・・・基板本体
１１ｂ・・・アンテナ
１１ｃ・・・ミリ波発生回路接続部
１１ｄ・・・基板固定穴
１１ｅ・・・アンテナ線路
１１ｆ・・・サーマルビア
１２・・・ミリ波発生回路
１３・・・ホーン
１３ａ・・・台座（接触箇所）
１３ｂ・・・導波路
１３ｃ、１３ｅ、１４ｂ・・・接触部（縁部接触部）
１３ｄ・・・突出壁
１４・・・ベース
１４ａ・・・支持台
１５・・・半固体部材
１６・・・レンズ
１６ａ・・・レンズ部
１７・・・ハウジング
１８・・・放熱シート
２１・・・ハウジング本体
２１ａ、２２ａ、２３ａ、２３ｂ・・・締結部
２２・・・レドーム
２２ｂ・・・膨出部
２３・・・外側ベース
２３ｃ・・・放熱フィン
Ａ・・・アンテナ形成部
Ｈ・・・放熱部材
【図１】
2020197415.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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