(57)【要約】【課題】反りの発生が抑制され、低粗度であっても導体層との密着性に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージの提供。【解決手段】（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、（メタ）アクリレート構造、アルキレン構造、アルキレンオキシ構造、イソプレン構造、イソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂、（Ｂ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、（Ｃ）カルボジイミド化合物、（Ｄ）ビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）、及び（Ｅ）無機充填剤、を含有する樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）数平均分子量（Ｍｎ）が１,０００〜１,０００,０００である樹脂、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上の樹脂、
（Ｂ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、
（Ｃ）カルボジイミド化合物、
（Ｄ）ビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）、及び
（Ｅ）無機充填剤、を含有し、
（Ｄ）成分が、分子内にマレイミド基を有する、
樹脂組成物。
【請求項２】
樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が１７ＧＰａ以下である、請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
（Ａ）成分の含有量が、（Ｅ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％〜８５質量％である、請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｅ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、６０質量％以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
（Ａ）成分が、（Ｂ）成分と反応し得る官能基を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
（Ａ）成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基から選択される１種以上の官能基を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
（Ａ）成分が、イミド構造を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
（Ａ）成分が、フェノール性水酸基を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
（Ａ）成分が、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
支持体と、該支持体上に設けられた、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
【請求項１３】
半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、請求項１２に記載の樹脂シート。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
【請求項１５】
請求項１４に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
【請求項１６】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の樹脂組成物、または請求項１２に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物に関する。さらには、樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン、タブレット型デバイスといった小型の高機能電子機器の需要が増大しており、それに伴い、これら小型の電子機器に用いられる半導体パッケージ用絶縁材料（絶縁層）も更なる高機能化が求められている。
【０００３】
例えば、ウエハレベルチップサイズパッケージ、又は埋め込み型の配線層を備える配線板に使用される絶縁層は、絶縁層を形成する際に発生する反りの抑制及び導体層との高密着が求められる。
【０００４】
例えば、特許文献１には、熱硬化性樹脂組成物として、特定の線状変性ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３７０８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載されている材料は、他の樹脂との相溶性の観点から樹脂組成物の設計が限定され、ウエハレベルチップサイズパッケージ、又は埋め込み型の配線層を備える配線板に使用される絶縁層への利用が限定的であった。
【０００７】
本発明は、ウエハレベルチップサイズパッケージ、又は埋め込み型の配線層を備える配線板に使用される絶縁層を形成するための適した樹脂組成物を提供するものであり、具体的には、反りの発生が抑制され、低粗度であっても導体層との密着性に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂、（Ｂ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、（Ｃ）カルボジイミド化合物、（Ｄ）ビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）、及び（Ｅ）無機充填剤、を含有させることで、反りの発生が抑制され、低粗度であっても導体層との密着性に優れる絶縁層が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。さらに、当該絶縁層は、レーザービア形成時に樹脂残渣の発生が抑えられるためレーザービア信頼性に優れ、耐熱性にも優れることを見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  （Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂、
（Ｂ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、
（Ｃ）カルボジイミド化合物、
（Ｄ）ビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）、及び
（Ｅ）無機充填剤、を含有する樹脂組成物。
［２］  樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物の２３℃における弾性率が１７ＧＰａ以下である、［１］に記載の樹脂組成物。
［３］  （Ａ）成分の含有量が、（Ｅ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、３０質量％〜８５質量％である、［１］又は［２］に記載の樹脂組成物。
［４］  （Ｅ）成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、６０質量％以上である、［１］〜［３］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［５］  （Ａ）成分が、ガラス転移温度が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上である、［１］〜［４］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［６］  （Ａ）成分が、（Ｂ）成分と反応し得る官能基を有する、［１］〜［５］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［７］  （Ａ）成分が、ヒドロキシル基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基から選択される１種以上の官能基を有する、［１］〜［６］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［８］  （Ａ）成分が、イミド構造を有する、［１］〜［７］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［９］  （Ａ）成分が、フェノール性水酸基を有する、［１］〜［８］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１０］  （Ａ）成分が、ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する、［１］〜［９］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１１］  （Ｄ）成分が、分子内にマレイミド基を有する、［１］〜［１０］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１２］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の樹脂組成物。
［１３］  支持体と、該支持体上に設けられた、［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層と、を有する樹脂シート。
［１４］  半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂シートである、［１３］に記載の樹脂シート。
［１５］  ［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、回路基板。
［１６］  ［１５］に記載の回路基板と、該回路基板上に搭載された半導体チップとを含む、半導体チップパッケージ。
［１７］  ［１］〜［１２］のいずれかに記載の樹脂組成物、または［１３］に記載の樹脂シートにより封止された半導体チップを含む半導体チップパッケージ。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、反りの発生が抑制され、低粗度であっても導体層との密着性に優れる絶縁層を得ることができる樹脂組成物；該樹脂組成物を使用した、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）の一例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の樹脂組成物、樹脂シート、回路基板、及び半導体チップパッケージについて詳細に説明する。
【００１３】
［樹脂組成物］
本発明の樹脂組成物は、（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂、（Ｂ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂、（Ｃ）カルボジイミド化合物、（Ｄ）ビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）、及び（Ｅ）無機充填剤を含有する。
【００１４】
（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を樹脂組成物に含有させることで、反りの発生が抑制され、低粗度であっても導体層との密着性に優れる絶縁層を得ることが可能となる。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（Ｆ）硬化促進剤、（Ｇ）硬化剤、および（Ｈ）難燃剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００１５】
＜（Ａ）分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂＞
本発明の樹脂組成物は（Ａ）成分として、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有する樹脂を含む。（Ａ）成分は、分子内に、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種以上の構造を有することで柔軟性を示す。（Ａ）成分のような柔軟な樹脂を含むことで絶縁層が低弾性率となり、反りの発生を抑制することがきる。なお、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレート及びアクリレートを指す。
【００１６】
より具体的には、（Ａ）成分は、ポリブタジエン及び水添ポリブタジエン等のポリブタジエン構造、シリコーンゴム等のポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリアルキレン構造、ポリアルキレンオキシ構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、及びポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、ポリシロキサン構造、ポリ（メタ）アクリレート構造、ポリイソプレン構造、ポリイソブチレン構造、またはポリカーボネート構造から選択される１種または２種以上の構造を有することが好ましく、ポリブタジエン構造、及びポリ（メタ）アクリレート構造から選択される１以上の構造を有することがより好ましい。
【００１７】
ポリアルキレン構造としては、炭素原子数２〜１５のポリアルキレン構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレン構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレン構造がさらに好ましい。
ポリアルキレンオキシ構造としては、炭素原子数２〜１５のポリアルキレンオキシ構造が好ましく、炭素原子数３〜１０のポリアルキレンオキシ構造がより好ましく、炭素原子数５〜６のポリアルキレンオキシ構造がさらに好ましい。
【００１８】
（Ａ）成分は柔軟性を示すために高分子量であることが好ましく、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１,０００,０００、より好ましくは５,０００〜９,００,０００である。数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００１９】
（Ａ）成分は柔軟性を示すために、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下の樹脂、及び２５℃で液状である樹脂から選択される１種以上の樹脂が好ましい。
【００２０】
ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下である樹脂のガラス転移温度は、好ましくは２０℃以下、より好ましくは１５℃以下である。ガラス転移温度の下限は特に限定されないが、通常−１５℃以上とし得る。また、２５℃で液状である樹脂としては、好ましくは２０℃以下で液状である樹脂、より好ましくは１５℃以下で液状である樹脂である。
【００２１】
（Ａ）成分としては、硬化物の機械的強度を向上させる観点から、後述する（Ｂ）成分と反応し得る官能基を有することが好ましい。なお、（Ｂ）成分と反応し得る官能基としては、加熱によって現れる官能基も含めるものとする。
【００２２】
好適な一実施形態において、（Ｂ）成分と反応し得る官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基からなる群から選択される１種以上の官能基である。中でも、当該官能基としては、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基、イソシアネート基及びウレタン基が好ましく、ヒドロキシ基、酸無水物基、フェノール性水酸基、エポキシ基がより好ましく、フェノール性水酸基が特に好ましい。ただし、官能基としてエポキシ基を含む場合、（Ａ）成分は芳香族構造を有さない。
【００２３】
（Ａ）成分の好適な一実施形態は、ブタジエン樹脂である。ブタジエン樹脂としては２５℃で液状またはガラス転移温度が２５℃以下のブタジエン樹脂が好ましく、水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂（例えば水素化ポリブタジエン骨格含有エポキシ樹脂）、ヒドロキシ基含有ブタジエン樹脂、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂（ポリブタジエン構造を有し、かつフェノール性水酸基を有する樹脂）、カルボキシ基含有ブタジエン樹脂、酸無水物基含有ブタジエン樹脂、エポキシ基含有ブタジエン樹脂、イソシアネート基含有ブタジエン樹脂及びウレタン基含有ブタジエン樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましく、フェノール性水酸基含有ブタジエン樹脂がさらに好ましい。ここで、「ブタジエン樹脂」とは、ブタジエン構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてブタジエン構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。ブタジエン構造は一部または全てが水素添加されていてもよい。ここで、「水素化ポリブタジエン骨格含有樹脂」とは、ポリブタジエン骨格の少なくとも一部が水素化された樹脂をいい、必ずしもポリブタジエン骨格が完全に水素化された樹脂である必要はない。
【００２４】
ブタジエン樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１,０００〜１００，０００、より好ましくは５,０００〜５０，０００、より好ましくは７,５００〜３０，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５，０００である。である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００２５】
ブタジエン樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１００〜１００００、より好ましくは２００〜５０００である。なお、官能基当量とは、１グラム当量の官能基を含む樹脂のグラム数である。例えば、エポキシ基当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができる。水酸基当量はＪＩＳ  Ｋ１５５７−１に従って測定した水酸基価でＫＯＨの分子量を割ることで算出することができる。
【００２６】
ブタジエン樹脂の具体例としては、クレイバレー社製の「Ｒｉｃｏｎ  ６５７」（エポキシ基含有ポリブタジエン）、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ８」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ１３」、「Ｒｉｃｏｎ  １３０ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ５」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１０」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ１７」、「Ｒｉｃｏｎ  １３１ＭＡ２０」、「Ｒｉｃｏｎ  １８４ＭＡ６」（酸無水物基含有ポリブタジエン）、日本曹達社製の「ＪＰ−１００」、「ＪＰ−２００」（エポキシ化ポリブタジエン）、「ＧＱ−１０００」（水酸基、カルボキシル基導入ポリブタジエン）、「Ｇ−１０００」、「Ｇ−２０００」、「Ｇ−３０００」（両末端水酸基ポリブタジエン）、「ＧＩ−１０００」、「ＧＩ−２０００」、「ＧＩ−３０００」（両末端水酸基水素化ポリブタジエン）、ダイセル社製の「ＰＢ３６００」、「ＰＢ４７００」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「エポフレンドＡ１００５」、「エポフレンドＡ１０１０」、「エポフレンドＡ１０２０」（スチレンとブタジエンとスチレンブロック共重合体のエポキシ化物）、ナガセケムテックス社製の「ＦＣＡ−０６１Ｌ」（水素化ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、「Ｒ−４５ＥＰＴ」（ポリブタジエン骨格エポキシ樹脂）、等が挙げられる。
【００２７】
また（Ａ）成分の他の好適な一実施形態として、イミド構造を有する樹脂を使用することもできる。このような（Ａ）成分として、ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号に記載のポリイミド）等が挙げられる。該ポリイミド樹脂のブタジエン構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、特開２００６−３７０８３号公報、国際公開第２００８／１５３２０８号の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００２８】
（Ａ）成分の他の好適な一実施形態は、アクリル樹脂である。アクリル樹脂としては、ガラス転移温度（Ｔｇ）が２５℃以下のアクリル樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有アクリル樹脂、フェノール性水酸基含有アクリル樹脂、カルボキシ基含有アクリル樹脂、酸無水物基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、イソシアネート基含有アクリル樹脂及びウレタン基含有アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂がより好ましい。ここで、「アクリル樹脂」とは、（メタ）アクリレート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂において（メタ）アクリレート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００２９】
アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは３０，０００〜９００，０００である。ここで、樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）を使用して測定されるポリスチレン換算の数平均分子量である。
【００３０】
アクリル樹脂が官能基を有する場合の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００３１】
アクリル樹脂の具体例としては、ナガセケムテックス社製のテイサンレジン「ＳＧ−７０Ｌ」、「ＳＧ−７０８−６」、「ＷＳ−０２３」、「ＳＧ−７００ＡＳ」、「ＳＧ−２８０ＴＥＡ」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、酸価５〜３４ｍｇＫＯＨ/ｇ、重量平均分子量４０万〜９０万、Ｔｇ−３０〜５℃）、「ＳＧ−８０Ｈ」、「ＳＧ−８０Ｈ-３」、「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、エポキシ当量４７６１〜１４２８５ｇ／ｅｑ、重量平均分子量３５万〜８５万、Ｔｇ１１〜１２℃）、「ＳＧ−６００ＴＥＡ」、「ＳＧ−７９０」（ヒドロキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂、水酸基価２０〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、重量平均分子量５０万〜１２０万、Ｔｇ−３７〜−３２℃）、根上工業社製の「ＭＥ−２０００」、「Ｗ−１１６．３」（カルボキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「Ｗ−１９７Ｃ」（水酸基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）、「ＫＧ−２５」、「ＫＧ−３０００」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂）等が挙げられる。
【００３２】
また、（Ａ）成分の好適な一実施形態は、カーボネート樹脂である。カーボネート樹脂としてはガラス転移温度が２５℃以下のカーボネート樹脂が好ましく、ヒドロキシ基含有カーボネート樹脂、フェノール性水酸基含有カーボネート樹脂、カルボキシ基含有カーボネート樹脂、酸無水物基含有カーボネート樹脂、エポキシ基含有カーボネート樹脂、イソシアネート基含有カーボネート樹脂及びウレタン基含有カーボネート樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂が好ましい。ここで、「カーボネート樹脂」とは、カーボネート構造を含有する樹脂をいい、これらの樹脂においてカーボネート構造は主鎖に含まれていても側鎖に含まれていてもよい。
【００３３】
カーボネート樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）、及び官能基当量はブタジエン樹脂と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【００３４】
カーボネート樹脂の具体例としては、旭化成ケミカルズ社製の「Ｔ６００２」、「Ｔ６００１」（ポリカーボネートジオール）、クラレ社製の「Ｃ−１０９０」、「Ｃ−２０９０」、「Ｃ−３０９０」（ポリカーボネートジオール）等が挙げられる。
【００３５】
またヒドロキシル基末端ポリカーボネート、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３６０９）を使用することもできる。該ポリイミド樹脂のカーボネート構造の含有率は、好ましくは６０質量％〜９５質量％、より好ましくは７５質量％〜８５質量％である。該ポリイミド樹脂の詳細は、ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／０５３６０９の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【００３６】
また、さらなる（Ａ）成分の好適な一実施形態は、ポリシロキサン樹脂、アルキレン樹脂、アルキレンオキシ樹脂、イソプレン樹脂、イソブチレン樹脂である。
【００３７】
ポリシロキサン樹脂の具体例としては信越シリコーン社製の「ＳＭＰ−２００６」、「ＳＭＰ−２００３ＰＧＭＥＡ」、「ＳＭＰ−５００５ＰＧＭＥＡ」、アミン基末端ポリシロキサン、四塩基酸無水物を原料とする線状ポリイミド（国際公開第２０１０／０５３１８５号）等が挙げられる。
アルキレン樹脂の具体例としては旭化成せんい社製の「ＰＴＸＧ−１０００」、「ＰＴＸＧ−１８００」、三菱化学社製の「ＹＸ−７１８０」（エーテル結合を有するアルキレン構造を含有する樹脂）等が挙げられる。
アルキレンオキシ樹脂の具体例としてはＤＩＣ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製「ＥＸＡ−４８５０−１５０」「ＥＸＡ−４８１６」「ＥＸＡ−４８２２」ＡＤＥＫＡ社製「ＥＰ−４０００」、「ＥＰ−４００３」、「ＥＰ−４０１０」、及び「ＥＰ−４０１１」、新日本理化社製「ＢＥＯ−６０Ｅ」「ＢＰＯ−２０Ｅ」ならびに三菱化学社製「ＹＬ７１７５」、及び「ＹＬ７４１０」等が挙げられる。
イソプレン樹脂の具体例としてはクラレ社製の「ＫＬ−６１０」、「ＫＬ６１３」等が挙げられる。
イソブチレン樹脂の具体例としてはカネカ社製の「ＳＩＢＳＴＡＲ−０７３Ｔ」（スチレン−イソブチレン−スチレントリブロック共重合体）、「ＳＩＢＳＴＡＲ−０４２Ｄ」（スチレン−イソブチレンジブロック共重合体）等が挙げられる。
【００３８】
またさらなる（Ａ）成分の好適な実施形態として、アクリルゴム粒子、ポリアミド微粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、アクリロニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム、アクリルゴムなどのゴム弾性を示す樹脂に化学的架橋処理を施し、有機溶剤に不溶かつ不融とした樹脂の微粒子体が挙げられ、具体的には、ＸＥＲ−９１（日本合成ゴム社製）、スタフィロイドＡＣ３３５５、ＡＣ３８１６、ＡＣ３８３２、ＡＣ４０３０、ＡＣ３３６４、ＩＭ１０１（以上、ガンツ化成社製）、パラロイドＥＸＬ２６５５、ＥＸＬ２６０２（以上、呉羽化学工業社製）等が挙げられる。ポリアミド微粒子の具体例としては、ナイロンのような脂肪族ポリアミド、さらには、ポリアミドイミド等柔軟な骨格であればどのようなものでも良く、具体的には、ＶＥＳＴＯＳＩＮＴ  ２０７０（ダイセルヒュルス社製）や、ＳＰ５００（東レ社製）等が挙げられる。
【００３９】
樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量は、柔軟性付与の観点から、（Ｅ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは８５質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７５質量％以下、さらにより好ましくは７３質量％以下である。また、下限は、好ましくは３０質量％以上、より好ましくは３５質量％以上、さらに好ましくは４５質量％以上、さらにより好ましくは５５質量％以上である。
【００４０】
＜（Ｂ）芳香族構造を有するエポキシ樹脂＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｂ）成分として芳香族構造を有するエポキシ樹脂を含む。芳香族構造を有するエポキシ樹脂（以下、単に「エポキシ樹脂」ということがある。）は、芳香族構造を有していれば特に限定されない。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。
【００４１】
芳香族構造を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有する線状脂肪族エポキシ樹脂、芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、芳香族構造を有する脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するスピロ環含有エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するトリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｂ）成分は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂から選択される１種以上であることが好ましい。
【００４２】
芳香族構造を有するエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。芳香族構造を有するエポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。芳香族構造を有するエポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物の硬化物の破断強度も向上する。
【００４３】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルエステル型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するグリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するエステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、芳香族構造を有するシクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂及び芳香族構造を有するブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、アミノフェノール型エポキシ樹脂がさらに好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０６」、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、「６３０」、「６３０ＬＳＤ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）、ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、新日鐵化学社製の「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４４】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、芳香族構造を有するジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００Ｌ」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」、「ＨＰ−７２００ＨＨＨ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鉄住金化学社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフトール型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）、「１５７Ｓ７０」（ビスフェノールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）、大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱化学社製の「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、三菱化学社製の「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
（Ｂ）成分として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（固体状エポキシ樹脂：液状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：１５の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、ｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ｉｉ）樹脂シートの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにｉｉｉ）十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる等の効果が得られる。上記ｉ）〜ｉｉｉ）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（固体状エポキシ樹脂：液状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：１０の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：８の範囲がさらに好ましい。
【００４６】
樹脂組成物中の芳香族構造を有するエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき好ましくは１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。芳香族構造を有するエポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。
【００４７】
また、樹脂組成物中の芳香族構造を有するエポキシ樹脂の含有量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、（Ｅ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、１質量％以上、より好ましくは２質量％以上、さらに好ましくは３質量％以上である。芳香族構造を有するエポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２５質量％以下、さらに好ましくは２０質量％以下である。
【００４８】
芳香族構造を有するエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜５０００、より好ましくは５０〜３０００、さらに好ましくは８０〜２０００、さらにより好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００４９】
芳香族構造を有するエポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００５０】
＜（Ｃ）カルボジイミド化合物＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｃ）成分として、カルボジイミド化合物を含む。カルボジイミド化合物は、１分子中にカルボジイミド基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−）を１個以上有する化合物であり、（Ｃ）成分を含有させることで導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができ、特に後述する（Ｄ）成分と組み合わせて使用することにより、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができる。カルボジイミド化合物としては、１分子中にカルボジイミド基を２個以上有する化合物が好ましい。カルボジイミド化合物は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５１】
一実施形態において、本発明の樹脂組成物に含まれるカルボジイミド化合物は、下記式（１）で表される構造を含有する。
【００５２】
【化１】
2020122158.tif 000002
（式中、Ｘは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらは置換基を有していてもよい。ｐは１〜５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なってもよい。＊は結合手を表す。）
【００５３】
Ｘで表されるアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アルキレン基の好適な例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基が挙げられる。
【００５４】
Ｘで表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該シクロアルキレン基の好適な例としては、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基が挙げられる。
【００５５】
Ｘで表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を２個除いた基である。該アリーレン基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。該炭素原子数に置換基の炭素原子数は含まれない。該アリーレン基の好適な例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基が挙げられる。
【００５６】
（Ｄ）成分との組み合わせにおいて、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性に一層優れる絶縁層を実現する観点から、Ｘは、アルキレン基又はシクロアルキレン基であることが好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
【００５７】
Ｘで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基又はアリール基は置換基を有していてもよい。該置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アシル基及びアシルオキシ基が挙げられる。置換基として用いられるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。置換基として用いられるアルキル基、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。置換基として用いられるシクロアルキル基、シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、好ましくは３〜２０、より好ましくは３〜１２、さらに好ましくは３〜６である。置換基として用いられるアリール基は、芳香族炭化水素から芳香環上の水素原子を１個除いた基であり、その炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアリールオキシ基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシル基は、式：−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１はアルキル基又はアリール基を表す。）をいう。Ｒ１で表されるアルキル基は、直鎖状、分岐状のいずれであってもよく、その炭素原子数は、好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６、１〜４、又は１〜３である。Ｒ１で表されるアリール基の炭素原子数は、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１８、さらに好ましくは６〜１４、さらにより好ましくは６〜１０である。置換基として用いられるアシルオキシ基は、式：−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ１で表される基（式中、Ｒ１は上記と同じ意味を表す。）をいう。中でも、置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、及びアシルオキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
【００５８】
式（１）中、ｐは１〜５の整数を表す。（Ａ）〜（Ｂ）及び（Ｄ）成分との組み合わせにおいて、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性に一層優れる絶縁層を実現する観点から、ｐは、好ましくは１〜４、より好ましくは２〜４、さらに好ましくは２又は３である。
【００５９】
式（１）中、Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。好適な一実施形態において、少なくとも１つのＸは、アルキレン基又はシクロアルキレン基であり、これらは置換基を有していてもよい。
【００６０】
好適な一実施形態において、カルボジイミド化合物は、カルボジイミド化合物の分子全体の質量を１００質量％としたとき、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、さらにより好ましくは８０質量％以上又は９０質量％以上にて、式（１）で表される構造を含有する。カルボジイミド化合物は、末端構造を除いて、式（１）で表される構造から実質的になってもよい。カルボジイミド化合物の末端構造としては、特に限定されないが、例えば、アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。末端構造として用いられるアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基について説明したアルキル基、シクロアルキル基、アリール基と同じであってよい。また、末端構造として用いられる基が有していてもよい置換基は、Ｘで表される基が有していてもよい置換基と同じであってよい。
【００６１】
樹脂組成物を硬化する際のアウトガスの発生を抑制し得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、好ましくは５００以上、より好ましくは６００以上、さらに好ましくは７００以上、さらにより好ましくは８００以上、特に好ましくは９００以上又は１０００以上である。また、良好な相溶性を得る観点から、カルボジイミド化合物の重量平均分子量の上限は、好ましくは５０００以下、より好ましくは４５００以下、さらに好ましくは４０００以下、さらにより好ましくは３５００以下、特に好ましくは３０００以下である。カルボジイミド化合物の重量平均分子量は、例えば、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法（ポリスチレンン換算）で測定することができる。
【００６２】
なお、カルボジイミド化合物は、その製法に由来して、分子中にイソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を含有する場合がある。良好な保存安定性を示す樹脂組成物を得る観点、ひいては所期の特性を示す絶縁層を実現する観点から、カルボジイミド化合物中のイソシアネート基の含有量（「ＮＣＯ含有量」ともいう。）は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下、特に好ましくは１質量％以下又は０．５質量％以下である。
【００６３】
カルボジイミド化合物は、市販品を使用してもよい。市販のカルボジイミド化合物としては、例えば、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０２Ｂ、Ｖ−０３、Ｖ−０４Ｋ、Ｖ−０７及びＶ−０９、ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ、Ｐ４００、及びハイカジル５１０が挙げられる。
【００６４】
（Ｃ）成分の含有量は、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性のいずれの特性にも優れる絶縁層を得る観点から、（Ｅ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上がさらに好ましい。カルボジイミド化合物の含有量の上限は特に限定されないが、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましい。
【００６５】
＜（Ｄ）ビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）＞
本発明の樹脂組成物は、（Ｄ）成分としてビフェニルアラルキル型樹脂（ただし、（Ｂ）成分に該当するものを除く）を含む。（Ｄ）成分を含むことで導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができ、特に（Ｃ）成分と組み合わせて使用することにより、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができる。また、一般に、ビフェニルアラルキル樹脂は、柔軟な樹脂に対する混和性が低く、相溶性が低い傾向があったが、上述した（Ａ）成分に対しては特異的に良好な相溶性を示す。
【００６６】
（Ｄ）成分は、エポキシ基を有していないビフェニルアラルキル構造であれば特に限定されないが、下記式（２）で表される樹脂であることが好ましい。
【化２】
2020122158.tif 000003
（式中、Ｒ１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基、又はフェニル基を表し、Ｒ２は、それぞれ独立にマレイミド基、シアネート基、又はアミノ基を表し、ｎは平均値であり１＜ｎ≦５を表し、ｍはそれぞれ独立に１〜５の整数を表す。）
【００６７】
Ｒ１は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基、又はフェニル基を表す。
【００６８】
炭素原子数１〜５のアルキル基は、炭素原子数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜３のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。炭素原子数１〜５のアルキル基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよいが、直鎖のアルキル基が好ましい。炭素原子数１〜５のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。
【００６９】
これらの中でも、Ｒ１は、導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらす観点から、水素原子、メチル基、又はフェニル基を表すことが好ましい。
【００７０】
Ｒ２は、それぞれ独立にマレイミド基、シアネート基、又はアミド基を表し、導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらす観点から、マレイミド基を有することがより好ましい。
【００７１】
ｍは、それぞれ独立に１〜５の整数を表す。ｍは、１〜４の整数を表すことが好ましく、１〜３の整数を表すことがより好ましく、１を表すことがさらに好ましい。
【００７２】
ｎは平均値であり１＜ｎ≦５を表す。ｎが５以下であると、溶剤溶解性が良好となる。ｎは、式（２）で表される樹脂の重量平均分子量の値から算出することができる。
【００７３】
式（２）で表される樹脂は、下記式（３）で表される樹脂であることが好ましい。
【化３】
2020122158.tif 000004
（式中、Ｒ１及びｎは、式（２）中のものと同じでよい。）
【００７４】
（Ｄ）成分は、市販品を使用してもよい。市販の（Ｄ）成分としては、例えば、日本化薬社製のＭＩＲ−３０００、ＭＩＲ−３０００−７０Ｔ等が挙げられる。
【００７５】
（Ｄ）成分の含有量は、耐熱性、レーザービア信頼性、及び導体層との密着性のいずれの特性にも優れる絶縁層を得る観点から、（Ｅ）成分を除いた樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％とした場合、０．３質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上がさらに好ましい。（Ｄ）成分の含有量の上限は特に限定されないが、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。
【００７６】
＜（Ｅ）無機充填材＞
樹脂組成物は（Ｅ）無機充填材を含む。無機充填材の材料は特に限定されないが、例えば、シリカ、アルミナ、ガラス、コーディエライト、シリコン酸化物、硫酸バリウム、炭酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、酸化亜鉛、ハイドロタルサイト、ベーマイト、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化マンガン、ホウ酸アルミニウム、炭酸ストロンチウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、リン酸ジルコニウム、及びリン酸タングステン酸ジルコニウム等が挙げられる。これらの中でもシリカが特に好適である。またシリカとしては球形シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７７】
無機充填材の平均粒径は、回路埋め込み性を向上させ、表面粗度の低い絶縁層を得る観点から、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２．２μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下である。該平均粒径の下限は、特に限定されないが、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。このような平均粒径を有する無機充填材の市販品としては、例えば、アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ」、「ＹＡ０５０Ｃ−ＭＪＥ」、「ＹＡ０１０Ｃ」、電気化学工業社製「ＵＦＰ−３０」、トクヤマ社製「シルフィルＮＳＳ−３Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−４Ｎ」、「シルフィルＮＳＳ−５Ｎ」、アドマテックス社製「ＳＣ２５００ＳＱ」、「ＳＯ−Ｃ６」、「ＳＯ−Ｃ４」、「ＳＯ−Ｃ２」、「ＳＯ−Ｃ１」等が挙げられる。
【００７８】
無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」等を使用することができる。
【００７９】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等の１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ１０３」（フェニルトリメトキシシラン）、信越化学工業社製「ＫＢＭ−４８０３」（長鎖エポキシ型シランカップリング剤）等が挙げられる。
【００８０】
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、熱膨張率が低い絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは７５質量％以上である。上限は、絶縁層の機械強度、特に伸びの観点から、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８５質量％以下である。
【００８１】
＜（Ｆ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、（Ｆ）硬化促進剤を含み得る。硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８２】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００８３】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００８４】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００８５】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱化学社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００８６】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００８７】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００８８】
樹脂組成物が（Ｆ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物の不揮発成分合計量を１００質量％としたとき、０．０１質量％〜３質量％が好ましく、０．０３〜１．５質量％がより好ましく、０．０５〜１質量％がさらに好ましい。
【００８９】
＜（Ｇ）硬化剤＞
樹脂組成物は（Ｇ）硬化剤を含み得る。硬化剤としては、（Ｂ）成分等の樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、及びシアネートエステル系硬化剤などが挙げられる。硬化剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。（Ｇ）成分は、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤及びシアネートエステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましく、フェノール系硬化剤、及び活性エステル系硬化剤から選択される１種以上であることが好ましい。
【００９０】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性を高度に満足させる観点から、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤が好ましい。
【００９１】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、新日鉄住金社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」、「ＨＰＣ−９５００」、「ＫＡ−１１６０」、「ＫＡ−１１６３」、「ＫＡ−１１６５」、群栄化学社製の「ＧＤＰ−６１１５Ｌ」、「ＧＤＰ−６１１５Ｈ」等が挙げられる。
【００９２】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００９３】
具体的には、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造を表す。
【００９４】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ社製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「ＤＣ８０８」（三菱化学社製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱化学社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱化学社製）等が挙げられる。
【００９５】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００９６】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００９７】
樹脂組成物が（Ｇ）成分を含有する場合、樹脂組成物中の硬化剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは８質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下である。また、下限は特に制限はないが１質量％以上が好ましい。
【００９８】
＜（Ｈ）難燃剤＞
樹脂組成物は、（Ｈ）難燃剤を含み得る。難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００９９】
難燃剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三光社製の「ＨＣＡ−ＨＱ」等が挙げられる。
【０１００】
樹脂組成物が難燃剤を含有する場合、難燃剤の含有量は特に限定されないが、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％としたとき、好ましくは０．５質量％〜２０質量％、より好ましくは０．５質量％〜１５質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜１０質量％がさらに好ましい。
【０１０１】
＜（Ｉ）任意の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに、バインダー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【０１０２】
＜樹脂組成物の物性＞
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、反りの発生を抑制するために、２３℃における弾性率が１７ＧＰａ以下であることが好ましく、１６ＧＰａ以下、１５ＧＰａ以下、１４ＧＰａ以下、又は１３ＧＰａ以下であることがより好ましい。下限については特に限定されないが、例えば、５ＧＰａ以上、６ＧＰａ以上、７ＧＰａ以上等とし得る。弾性率を１７ＧＰａ以下とすることで硬化物の反りの発生を抑制された絶縁層を得ることができる。上記弾性率は、後述する＜弾性率の測定及び１％重量減少温度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１０３】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物は、導体層との密着性、即ち導体層との引き剥がし強さ（ピール強度）に優れるという特性を示す。ピール強度としては、好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．４５ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上である。一方、ピール強度の上限値は特に限定されないが、１．５ｋｇｆ／ｃｍ以下、１ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。導体層との密着性の評価は、後述する＜導体層との引き剥がし強さの測定及び評価＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１０４】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で９０分間熱硬化させた硬化物は、１％重量減少温度が３５０℃以上であるという特性を示すことから、耐熱性に優れるという特性を示す。１％重量減少温度としては、好ましくは３５０℃以上、より好ましくは３５５℃以上、さらに好ましくは３６０℃以上である。１％重量減少温度の上限値は特に限定されないが、５００℃以下等とし得る。１％重量減少温度の評価は、後述する＜弾性率の測定及び１％重量減少温度の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１０５】
本発明の樹脂組成物を１８０℃で３０分間熱硬化させた硬化物にビアホールを形成した際、ビアホール底部に有する硬化物の残渣長（スミア長）が短いという特性を示す。スミア長としては、好ましくは３μｍ未満、より好ましくは２．５μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下である。下限は特に限定されないが０．１μｍ以上等とし得る。
【０１０６】
本発明の樹脂組成物は、反りの発生が抑制され、耐熱性及び導体層との密着性に優れる絶縁層をもたらすことができ、また、（Ｂ）〜（Ｄ）成分を含むことから（Ａ）成分の相溶性が良好である。したがって本発明の樹脂組成物は、半導体チップパッケージの絶縁層を形成するための樹脂組成物（半導体チップパッケージの絶縁層用樹脂組成物）、回路基板（プリント配線板を含む）の絶縁層を形成するための樹脂組成物（回路基板の絶縁層用樹脂組成物）として好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するための樹脂組成物（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用樹脂組成物）としてさらに好適に使用することができる。
また、半導体チップを封止するための樹脂組成物（半導体チップ封止用樹脂組成物）、半導体チップに配線を形成するための樹脂組成物（半導体チップ配線形成用樹脂組成物）としても好適に使用することができる。
【０１０７】
［樹脂シート］
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体と接合している樹脂組成物層とを含んでなり、樹脂組成物層が本発明の樹脂組成物からなる。
【０１０８】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、６０μｍ以下、５０μｍ以下又は４０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、１μｍ以上、５μｍ以上、１０μｍ以上等とし得る。
【０１０９】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【０１１０】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【０１１１】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【０１１２】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【０１１３】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製「ルミラーＴ６０」帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【０１１４】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【０１１５】
樹脂シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【０１１６】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０１１７】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１１８】
樹脂シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを防止することができる。樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【０１１９】
本発明の樹脂シートの代わりに、シート状繊維基材に本発明の樹脂組成物を含浸させて形成されたプリプレグを用いてもよい。
【０１２０】
プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。薄型化の観点から、シート状繊維基材の厚さは、好ましくは９００μｍ以下であり、より好ましくは８００μｍ以下、さらに好ましくは７００μｍ以下、さらにより好ましくは６００μｍ以下である。シート状繊維基材の厚さの下限は特に限定されないが、通常、１μｍ以上、１．５μｍ以上、２μｍ以上等とし得る。
【０１２１】
プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。
【０１２２】
プリプレグの厚さは、上述の樹脂シートにおける樹脂組成物層と同様の範囲とし得る。
【０１２３】
本発明の樹脂シートは、半導体チップパッケージの製造において絶縁層を形成するため（半導体チップパッケージの絶縁用樹脂シート）に好適に使用することができる。例えば、本発明の樹脂シートは、回路基板の絶縁層を形成するため（回路基板の絶縁層用樹脂シート）に好適に使用することができ、その上にメッキにより導体層が形成される層間絶縁層を形成するため（メッキにより導体層を形成する回路基板の層間絶縁層用）にさらに好適に使用することができる。このような基板を使ったパッケージの例としては、ＦＣ−ＣＳＰ、ＭＩＳ−ＢＧＡパッケージ、ＥＴＳ−ＢＧＡパッケージが挙げられる。
【０１２４】
また本発明の樹脂シートは、半導体チップを封止するため（半導体チップ封止用樹脂シート）、または半導体チップに配線を形成するため（半導体チップ配線形成用樹脂シート）に好適に使用することができ、例えばＦａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＷＬＰ、Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｆａｎ−ｉｎ型ＰＬＰ等に好適に使用することができる。また、半導体チップを基板に接続した後に用いるＭＵＦ（Ｍｏｌｄｉｎｇ  Ｕｎｄｅｒ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）材料等にも好適に使用することができる。
本発明の樹脂シートはまた、高い絶縁信頼性が要求される他の広範な用途、例えば、プリント配線板等の回路基板の絶縁層を形成するために好適に使用することができる。
【０１２５】
［回路基板］
本発明の回路基板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
本発明の回路基板の製造方法は、
（１）基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程、
（２）本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程、
（３）配線層を層間接続する工程を含む。また、回路基板の製造方法は、（４）基材を除去する工程、を含んでいてもよい。
【０１２６】
工程（３）は、配線層を層間接続することができれば特に限定されないが、絶縁層にビアホールを形成し、配線層を形成する工程、及び絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させる工程の少なくともいずれかの工程であることが好ましい。
【０１２７】
＜工程（１）＞
工程（１）は、基材と、該基材の少なくとも一方の面に設けられた配線層とを有する配線層付き基材を準備する工程である。通常、配線層付き基材は、基材の両面に基材の一部である第１金属層、第２金属層をそれぞれ有し、第２金属層の基材側の面とは反対側の面に配線層を有する。詳細は、基材上にドライフィルム（感光性レジストフィルム）を積層し、フォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像しパターンドライフィルムを形成する。現像したパターンドライフィルムをめっきマスクとして電解めっき法により配線層を形成した後、パターンドライフィルムを剥離する。なお、第１金属層、第２金属層は有していなくてもよい。
【０１２８】
基材としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板（ステンレスや冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）など）、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板が挙げられ、基板表面に銅箔等の金属層が形成されていてもよい。また、表面に剥離可能な第１金属層及び第２金属層（例えば、三井金属社製のキャリア銅箔付極薄銅箔、商品名「Ｍｉｃｒｏ  Ｔｈｉｎ」）等の金属層が形成されていてもよい。
【０１２９】
ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムである限り特に限定されず、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等のドライフィルムを用いることができる。ドライフィルムは市販品を用いてもよい。
【０１３０】
基材とドライフィルムとの積層条件は、後述する工程（２）の樹脂シートを配線層に埋め込まれるように積層させる際の条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１３１】
ドライフィルムを基材上に積層後、ドライフィルムに対して所望のパターンを形成するためにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行う。
【０１３２】
配線層のライン（回路幅）／スペース（回路間の幅）比は特に制限されないが、好ましくは２０／２０μｍ以下（即ちピッチが４０μｍ以下）、より好ましくは１０／１０μｍ以下、さらに好ましくは５／５μｍ以下、よりさらに好ましくは１／１μｍ以下、特に好ましくは０．５／０．５μｍ以上である。ピッチは、配線層の全体にわたって同一である必要はない。配線層の最小ピッチは、４０μｍ以下、３６μｍ以下、又は３０μｍ以下であってもよい。
【０１３３】
ドライフィルムのパターンを形成後、配線層を形成し、ドライフィルムを剥離する。ここで、配線層の形成は、所望のパターンを形成したドライフィルムをめっきマスクとして使用し、めっき法により実施することができる。
【０１３４】
配線層に使用する導体材料は特に限定されない。好適な実施形態では、配線層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。配線層は、単金属層であっても合金層であってもよく、合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成されたものが挙げられる。中でも、配線層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【０１３５】
配線層の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは３μｍ〜３５μｍ、より好ましくは５μｍ〜３０μｍ、さらに好ましくは１０〜２０μｍ、又は１５μｍである。工程（３）において絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合は、層間接続する配線と、接続しない配線の厚みは異なっていることが好ましい。配線層の厚みは、前述のパターン形成を繰り返すことで調整することができる。各配線層のうち、最も厚みがある配線層（導電性ピラー）の厚みは、所望の配線板のデザインによるが、好ましくは１００μｍ以下２μｍ以上である。また層間接続する配線は凸型となっていてもよい。
【０１３６】
配線層を形成後、ドライフィルムを剥離する。ドライフィルムの剥離は、例えば、水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性の剥離液を使用して実施することができる。必要に応じて、不要な配線パターンをエッチング等により除去して、所望の配線パターンを形成することもできる。形成する配線層のピッチについては、先述のとおりである。
【０１３７】
＜工程（２）＞
工程（２）は、本発明の樹脂シートを、配線層が樹脂組成物層に埋め込まれるように、配線層付き基材上に積層し、熱硬化させて絶縁層を形成する工程である。詳細は、前述の工程（１）で得られた配線層付き基材の配線層を、樹脂シートの樹脂組成物層に埋め込まれるように積層させ、樹脂シートの樹脂組成物層を熱硬化させ絶縁層を形成する。
【０１３８】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを配線層に加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを配線層に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、配線層の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１３９】
配線層と樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは６０℃〜１６０℃、より好ましくは８０℃〜１４０℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力１３ｈＰａ以下の減圧条件下で実施する。
【０１４０】
積層の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【０１４１】
樹脂組成物層を、配線層が埋め込まれるように配線層付き基材上に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲、硬化時間は５分間〜１２０分間の範囲とすることができる。樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。
【０１４２】
樹脂シートの支持体は、配線層付き基材上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、配線層付き基材上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。また、後述する粗化処理工程の前に、支持体を剥離してもよい。
【０１４３】
樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した後、絶縁層表面を研磨してもよい。研磨方法は特に限定されず、公知の方法にて研磨すればよく、例えば平面研削盤を用いて絶縁層表面を研磨することができる。
【０１４４】
研磨後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）としては、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１２０ｎｍ以上である。上限は、好ましくは４５０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３５０ｎｍ以下である。上記研磨後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）は、後述する＜研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）、研磨切削後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）、及び粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１４５】
研磨後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）としては、好ましくは３０００ｎｍ以上、より好ましくは３５００ｎｍ以上、さらに好ましくは４０００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７０００ｎｍ以下、より好ましくは６５００ｎｍ以下、さらに好ましくは６０００ｎｍ以下である。上記研磨後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）は、後述する＜研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）、研磨切削後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）、及び粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１４６】
＜工程（３）＞
工程（３）は、配線層を層間接続する工程である。詳細は、絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程である。または絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程である。
【０１４７】
絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程を採用する場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。このレーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。詳細は、樹脂シートの支持体の面側からレーザー照射を行って、支持体及び絶縁層を貫通して配線層を露出させるビアホールを形成する。
【０１４８】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１４９】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。
【０１５０】
ビアホール形成後、ビアホール内のスミア除去工程である、いわゆるデスミア工程を行なってもよい。後述する導体層の形成をめっき工程により行う場合には、ビアホールに対して、例えば湿式のデスミア処理を行ってもよく、導体層の形成をスパッタ工程により行う場合には、例えばプラズマ処理工程などのドライデスミア工程を行ってもよい。また、デスミア工程は粗化処理工程を兼ねていてもよい。
【０１５１】
導体層を形成する前に、ビアホール及び絶縁層に対して粗化処理を行ってもよい。粗化処理は通常行われる公知の手順、条件を採用することができる。乾式の粗化処理の例としてはプラズマ処理等が挙げられ、湿式の粗化処理の例としては膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理及び中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【０１５２】
粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）としては、好ましくは３５０ｎｍ以上、より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは４５０ｎｍ以上である。上限は、好ましくは７００ｎｍ以下、より好ましくは６５０ｎｍ以下、さらに好ましくは６００ｎｍ以下である。上記研磨後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）は、後述する＜研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）、研磨切削後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）、及び粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１５３】
粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）としては、好ましくは７０００ｎｍ以上、より好ましくは７５００ｎｍ以上、さらに好ましくは８０００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１２０００ｎｍ以下、より好ましくは１１０００ｎｍ以下、さらに好ましくは１００００ｎｍ以下である。上記研磨後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）は、後述する＜研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）、研磨切削後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）、及び粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）の測定＞に記載の方法に従って測定することができる。
【０１５４】
ビアホールを形成後、導体層を形成する。導体層を構成する導体材料は特に限定されず、導体層は、めっき、スパッタ、蒸着等従来公知の任意好適な方法により形成することができ、めっきにより形成することが好ましい。好適な一実施形態は、例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の従来公知の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。また、樹脂シートにおける支持体が金属箔である場合、サブトラクティブ法等の従来公知の技術により、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。
【０１５５】
詳細は、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより電解めっき層を形成する。その際、電解めっき層の形成とともに、ビアホールを電解めっきにより埋め込んでフィルドビアを形成してもよい。電解めっき層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。なお、導体層を形成する際、マスクパターンの形成に用いるドライフィルムは、上記ドライフィルムと同様である。
【０１５６】
導体層は、線状の配線のみならず、例えば外部端子が搭載され得る電極パッド（ランド）なども含み得る。また導体層は、電極パッドのみから構成されていてもよい。
【０１５７】
また、導体層は、めっきシード層形成後、マスクパターンを用いずに電解めっき層及びフィルドビアを形成し、その後、エッチングによるパターニングを行うことにより形成してもよい。
【０１５８】
絶縁層を研磨又は研削し、配線層を露出させて配線層を層間接続する工程を採用する場合、絶縁層の研磨方法又は研削方法としては、配線層を露出させることができ、研磨又は研削面が水平であれば特に限定されず、従来公知の研磨方法又は研削方法を適用することができ、例えば、化学機械研磨装置による化学機械研磨方法、バフ等の機械研磨方法、砥石回転による平面研削方法等が挙げられる。絶縁層にビアホールを形成し、導体層を形成して配線層を層間接続する工程と同様に、スミア除去工程、粗化処理を行う工程を行ってもよく、導体層を形成してもよい。また、全ての配線層を露出させる必要はなく、配線層の一部を露出させてもよい。
【０１５９】
＜工程（４）＞
工程（４）は、基材を除去し、本発明の回路基板を形成する工程である。基材の除去方法は特に限定されない。好適な一実施形態は、第１及び第２金属層の界面で回路基板から基材を剥離し、第２金属層を例えば塩化銅水溶液などでエッチング除去する。必要に応じて、導体層を保護フィルムで保護した状態で基材を剥離してもよい。
【０１６０】
［半導体チップパッケージ］
本発明の半導体チップパッケージの第１の態様は、上記本発明の回路基板上に、半導体チップが搭載された、半導体チップパッケージである。上記本発明の回路基板に、半導体チップを接合することにより半導体チップパッケージを製造することができる。
【０１６１】
半導体チップの端子電極が回路基板の回路配線と導体接続する限り、接合条件は特に限定されず、半導体チップのフリップチップ実装において使用される公知の条件を使用してよい。また、半導体チップと回路基板間に絶縁性の接着剤を介して接合してもよい。
【０１６２】
好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板に圧着する。圧着条件としては、例えば、圧着温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１３０℃〜２００℃の範囲、より好ましくは１４０℃〜１８０℃の範囲）、圧着時間は１秒間〜６０秒間の範囲（好ましくは５秒間〜３０秒間）とすることができる。
【０１６３】
また、他の好適な一実施形態は、半導体チップを回路基板にリフローして接合する。リフロー条件としては、例えば、１２０℃〜３００℃の範囲とすることができる。
【０１６４】
半導体チップを回路基板に接合した後、例えば、半導体チップをモールドアンダーフィル材で充填することで半導体チップパッケージを得ることも可能である。モールドアンダーフィル材で充填する方法は公知の方法で実施することができる。本発明の樹脂組成物または樹脂シートはモールドアンダーフィル材としても使用することができる。
【０１６５】
本発明の半導体チップパッケージの第２の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）である。図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）１００は、封止層１２０を、本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。半導体チップパッケージ１００は、半導体チップ１１０、半導体チップ１１０の周囲を覆うように形成された封止層１２０、半導体チップ１１０の封止層に覆われている側とは反対側の面に再配線形成層（絶縁層）１３０、導体層（再配線層）１４０、ソルダーレジスト層１５０、及びバンプ１６０を備える。このような半導体チップパッケージの製造方法は、
（Ａ）基材に仮固定フィルムを積層する工程、
（Ｂ）半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
（Ｃ）本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程、
（Ｄ）基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
（Ｅ）半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程、
（Ｆ）再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程、及び
（Ｇ）導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程、を含む。また、半導体チップパッケージの製造方法は、（Ｈ）複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程を含み得る。
【０１６６】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）は、基材に仮固定フィルムを積層する工程である。基材と仮固定フィルムの積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１６７】
基材に使用する材料は特に限定されない。基材としては、シリコンウェハー；ガラスウェハー；ガラス基板；銅、チタン、ステンレス、冷間圧延鋼板（ＳＰＣＣ）等の金属基板；ガラス繊維にエポキシ樹脂等をしみこませ熱硬化処理した基板（例えばＦＲ−４基板）；ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなる基板などが挙げられる。
【０１６８】
仮固定フィルムは、後述する工程（Ｄ）において半導体チップから剥離することができるとともに、半導体チップを仮固定することができれば材料は特に限定されない。仮固定フィルムは市販品を用いることができる。市販品としては、日東電工社製のリヴァアルファ等が挙げられる。
【０１６９】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）は、半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程である。半導体チップの仮固定は、フリップチップボンダー、ダイボンダー等の公知の装置を用いて行うことができる。半導体チップの配置のレイアウト及び配置数は、仮固定フィルムの形状、大きさ、目的とする半導体パッケージの生産数等に応じて適宜設定することができ、例えば、複数行で、かつ複数列のマトリックス状に整列させて仮固定することができる。
【０１７０】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）は、発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層、又は本発明の樹脂組成物を半導体チップ上に塗布し、熱硬化させて封止層を形成する工程である。工程（Ｃ）では、本発明の樹脂シートの樹脂組成物層を、半導体チップ上に積層し、熱硬化させて封止層を形成することが好ましい。
【０１７１】
半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、例えば、支持体側から樹脂シートを半導体チップに加熱圧着することにより行うことができる。樹脂シートを半導体チップに加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ＳＵＳ鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、半導体チップの表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。
【０１７２】
また、半導体チップと樹脂シートの積層は、樹脂シートの保護フィルムを除去後、真空ラミネート法により実施してもよい。真空ラミネート法における積層条件は、回路基板の製造方法における工程（２）における配線層と樹脂シートとの積層条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１７３】
樹脂シートの支持体は、半導体チップ上に樹脂シートを積層し熱硬化した後に剥離してもよく、半導体チップ上に樹脂シートを積層する前に支持体を剥離してもよい。
【０１７４】
樹脂組成物の塗布条件としては、本発明の樹脂シートにおける樹脂組成物層を形成する際の塗布条件と同様であり、好ましい範囲も同様である。
【０１７５】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）は、基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程である。剥離する方法は、仮固定フィルムの材質等に応じて適宜変更することができ、例えば、仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法、及び基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法等が挙げられる。
【０１７６】
仮固定フィルムを加熱、発泡（又は膨張）させて剥離する方法において、加熱条件は、通常、１００℃〜２５０℃で１秒間〜９０秒間又は５分間〜１５分間である。また、基材側から紫外線を照射させ、仮固定フィルムの粘着力を低下させ剥離する方法において、紫外線の照射量は、通常、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２である。
【０１７７】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）は、半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に再配線形成層（絶縁層）を形成する工程である。
【０１７８】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料は、再配線形成層（絶縁層）形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１７９】
再配線形成層（絶縁層）を形成後、半導体チップと後述する導体層を層間接続するために、再配線形成層（絶縁層）にビアホールを形成してもよい。
【０１８０】
ビアホールを形成するにあたって、再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が感光性樹脂である場合、まず、再配線形成層（絶縁層）の表面にマスクパターンを通して活性エネルギー線を照射し、照射部の最配線層を光硬化させる。
【０１８１】
活性エネルギー線としては、例えば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等が挙げられ、特に紫外線が好ましい。紫外線の照射量、照射時間は、感光性樹脂に応じて適宜変更することができる。露光方法としては、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させて露光する接触露光法と、マスクパターンを再配線形成層（絶縁層）に密着させずに平行光線を使用して露光する非接触露光法のいずれを用いてもよい。
【０１８２】
次に、再配線形成層（絶縁層）を現像し、未露光部を除去することで、ビアホールを形成する。現像は、ウェット現像、ドライ現像のいずれも好適である。ウェット現像で用いる現像液は公知の現像液を用いることができる。
【０１８３】
現像の方式としては、例えば、ディップ方式、パドル方式、スプレー方式、ブラッシング方式、スクラッピング方式等が挙げられ、解像性の観点から、パドル方式が好適である。
【０１８４】
再配線形成層（絶縁層）を形成する材料が熱硬化性樹脂である場合、ビアホールの形成は特に限定されないが、レーザー照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられるが、レーザー照射によって行われることが好ましい。レーザー照射は、光源として炭酸ガスレーザー、ＵＶ−ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いる任意好適なレーザー加工機を用いて行うことができる。
【０１８５】
レーザー照射の条件は特に限定されず、レーザー照射は選択された手段に応じた常法に従う任意好適な工程により実施することができる。
【０１８６】
ビアホールの形状、すなわち延在方向でみたときの開口の輪郭の形状は特に限定されないが、一般的には円形（略円形）とされる。ビアホールのトップ径（再配線形成層（絶縁層）表面の開口の直径）は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下、さらに好ましくは２０μｍ以下である。下限は特に限定されないが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上、さらに好ましくは２０μｍ以上である。
【０１８７】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）は、再配線形成層（絶縁層）上に導体層（再配線層）を形成する工程である。再配線形成層（絶縁層）上に導体層を形成する方法は、回路基板の製造方法における工程（３）の絶縁層にビアホールを形成した後の導体層を形成する方法と同様であり、好ましい範囲も同様である。なお、工程（Ｅ）及び工程（Ｆ）を繰り返し行い、導体層（再配線層）及び再配線形成層（絶縁層）を交互に積み上げて（ビルドアップ）もよい。
【０１８８】
＜工程（Ｇ）＞
工程（Ｇ）は、導体層上にソルダーレジスト層を形成する工程である。
【０１８９】
ソルダーレジスト層を形成する材料は、ソルダーレジスト層形成時に絶縁性を有していれば特に限定されず、半導体チップパッケージの製造のしやすさの観点から、感光性樹脂、熱硬化性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、本発明の樹脂シートを形成するための樹脂組成物と同じ組成の樹脂組成物を用いてもよい。
【０１９０】
また、工程（Ｇ）では、必要に応じて、バンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボール、半田めっきなど公知の方法で行うことができる。また、バンピング加工におけるビアホールの形成は工程（Ｅ）と同様に行うことができる。
【０１９１】
＜工程（Ｈ）＞
半導体チップパッケージの製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｇ）以外に工程（Ｈ）を含んでいてもよい。工程（Ｈ）は、複数の半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングし、個片化する工程である。
【０１９２】
半導体チップパッケージを個々の半導体チップパッケージにダイシングする方法は特に限定されず、公知の方法を用いることができる。
【０１９３】
本発明の半導体チップパッケージの第３の態様は、例えば、図１に一例を示すような半導体チップパッケージ（Ｆａｎ−ｏｕｔ型ＷＬＰ）における再配線形成層（絶縁層）１３０、ソルダーレジスト層１５０を本発明の樹脂組成物または樹脂シートで製造した半導体チップパッケージである。
【０１９４】
［半導体装置］
本発明の半導体チップパッケージを実装することとなる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、スマートフォン、タブレット型デバイス、ウェラブルデバイス、デジタルカメラ、医療機器、及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例】
【０１９５】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０１９６】
＜導体層との引き剥がし強さ及び表面粗さ（Ｒａ値）測定用サンプルの調製＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、パナソニック社製Ｒ５７１５ＥＳ）の両面をメック社製ＣＺ８１００に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
【０１９７】
（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」ということがある）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが２００μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートをバッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて、内層回路基板の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。
【０１９８】
（３）樹脂組成物層の硬化
ラミネートされた樹脂シートから離型ＰＥＴを剥離し、１８０℃、３０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化し絶縁層を形成した。
【０１９９】
（４）絶縁層の研磨
絶縁層を形成した内層回路基板の絶縁層を以下の条件にて平面研削盤にて研磨切削した。絶縁層を研磨切削した内層回路基板を評価用基板Ａとした。
研磨切削の条件：砥石周速５００ｍ／ｍｉｎ、テーブルスピード１３ｍ／ｍｉｎ、１回の切り込み量３μｍ、全切削厚さ５０μｍ、砥石番手＃１０００
【０２００】
（５）粗化処理
研磨切削した絶縁層を備える内層回路基板を、膨潤液である、アトテックジャパン社製のジエチレングリコールモノブチルエーテル含有のスエリングディップ・セキュリガンドＰに６０℃で５分間浸漬し、次に粗化液として、アトテックジャパン社製のコンセントレート・コンパクトＰ（ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間浸漬させ、最後に中和液として、アトテックジャパン社製のリダクションショリューシン・セキュリガントＰに４０℃で５分間浸漬した。
【０２０１】
（６）セミアディティブ工法によるメッキ
絶縁層表面に回路を形成するために、内層回路基板を、ＰｄＣｌ２を含む無電解メッキ用溶液に浸漬し、次に無電解銅メッキ液に浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、エッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成の後に、硫酸銅電解メッキを行い、３０±５μｍの厚さでメッキ導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この回路基板を評価用基板Ｂとした。
【０２０２】
＜研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）、研磨切削後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）、及び粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）の測定＞
評価用基板Ａの絶縁層表面を、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして測定して、研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ及び粗さ曲線の最大断面高さを求めた。それぞれ１０点の平均値を求めることにより、Ｒａ１及びＲｔ１を測定した。
【０２０３】
Ｒａ２及びＲｔ２は、評価用基板Ａに粗化処理をした後の絶縁層表面の測定を、評価用基板Ａの絶縁層表面と同様に行うことで測定した。
【０２０４】
＜導体層との引き剥がし強さの測定及び評価＞
評価用基板Ｂの導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。ピール強度が０．４０ｋｇｆ／ｃｍ未満の場合を×とし、０．４０ｋｇｆ／ｃｍ以上０．４５ｋｇｆ／ｃｍ未満の場合を△とし、０．４５ｋｇｆ／ｃｍ以上の場合を○とした。
【０２０５】
＜ビアホール底部の樹脂残渣（レーザービア信頼性）の評価＞
（１）内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．３ｍｍ、パナソニック社製Ｒ１５１５Ｆ）の両面をメック社製ＣＺ８１００に浸漬して銅表面の粗化処理を行った。
【０２０６】
（２）樹脂シートのラミネート
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスをアルキド樹脂系離型剤（リンテック社製「ＡＬ−５」）で離型処理したＰＥＴフィルム（東レ社製「ルミラーＲ８０」、厚み３８μｍ、軟化点１３０℃、以下「離型ＰＥＴ」ということがある）上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚さが３０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。この樹脂シートをバッチ式真空加圧ラミネーター（名機社製、ＭＶＬＰ−５００）を用いて、内層回路基板の両面に樹脂組成物層が接するようにラミネートした。ラミネートは、３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃、圧力０．７４ＭＰａでプレスすることにより行った。
【０２０７】
（３）樹脂組成物の硬化
ラミネートされた樹脂シートを１８０℃、３０分の硬化条件で樹脂組成物層を硬化し絶縁層を形成した。
【０２０８】
（４）ビアホールの形成
ＣＯ２レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」）を使用し、マスク径１．６０ｍｍ、フォーカスオフセット値０．０５０、パルス幅２５μｓ、パワー０．６６Ｗ、アパーチャー１３、ショット数２、バーストモードの条件で絶縁層を穴あけして、ビアホールを形成した。絶縁層表面におけるビアホールのトップ径（直径）は５０μｍであった。ビアホールの形性後、離型ＰＥＴを剥離した。
【０２０９】
（５）粗化処理
絶縁層を形成した回路基板を、膨潤液（アトテックジャパン社製「スエリングディップ・セキュリガントＰ」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムを含有する水溶液）に６０℃で５分間、粗化液（アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間、最後に中和液（アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントＰ」、硫酸水溶液）に４０℃で５分間浸漬した後、８０℃で３０分間乾燥した。
【０２１０】
（６）ビアホール底部の樹脂残渣（レーザービア信頼性）の評価
ビアホール底部の周囲を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。評価基準を以下に示す。
評価基準：
○：最大スミア長が３μｍ未満
×：最大スミア長が３μｍ以上
【０２１１】
＜弾性率の測定及び１％重量減少温度の測定＞
（１）評価用硬化物の作製
離型剤処理されたＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」、厚み３８μｍ、２４０ｍｍ角）の離型剤未処理面に、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（パナソニック社製「Ｒ５７１５ＥＳ」、厚み０．７ｍｍ、２５５ｍｍ角）を重ね四辺をポリイミド接着テープ（幅１０ｍｍ）で固定した（以下、「固定ＰＥＴフィルム」ということがある。）。
【０２１２】
実施例及び比較例で作製した樹脂ワニスを上記「固定ＰＥＴフィルム」の離型処理面上に乾燥後の樹脂組成物層の厚さが４０μｍとなるようにダイコーターにて塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で１０分間乾燥し樹脂シートを得た。
【０２１３】
次いで、１８０℃のオーブンに投入後９０分間の硬化条件で樹脂組成物層を熱硬化させた。
【０２１４】
熱硬化後、ポリイミド接着テープを剥がし、硬化物をガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板から取り外し、更にＰＥＴフィルム（リンテック社製「５０１０１０」）も剥離して、シート状の硬化物を得た。得られた硬化物を「評価用硬化物」と称する。
【０２１５】
（２）弾性率の測定
評価用硬化物をダンベル状１号形に切り出し、試験片を得た。該試験片を、オリエンテック社製引張試験機「ＲＴＣ−１２５０Ａ」を用いて引張強度測定を行い、２３℃における弾性率を求めた。測定は、ＪＩＳ  Ｋ７１２７に準拠して実施した。この操作を３回行いその平均値を下記表に示した。
【０２１６】
（３）１％重量減少温度の測定（耐熱性評価）
評価用硬化物を、示差熱熱重量測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ６２００、セイコーインスツルメンツ社製）を用いて、窒素を２５０ｍ１／分でフローしながら、昇温速度１０℃／分で２５℃から４００℃まで昇温させたときの熱重量測定を行い、１％重量減少温度を求めた。１％重量減少温度が３５０℃以上である場合を○とし、３５０℃未満である場合を×とした。
【０２１７】
［合成例１］
反応容器に２官能性ヒドロキシ基末端ポリブタジエン（Ｇ−３０００、日本曹達社製、数平均分子量＝３０００、ヒドロキシ基当量＝１８００ｇ／ｅｑ．）６９ｇと、イプゾール１５０（芳香族炭化水素系混合溶媒：出光石油化学社製）４０ｇ、ジブチル錫ラウレート０．００５ｇを混合し均一に溶解させた。均一になったところで５０℃に昇温し、更に撹拌しながら、イソホロンジイソシアネート（エボニックデグサジャパン社製、ＩＰＤＩ、イソシアネート基当量＝１１３ｇ／ｅｑ．）８ｇを添加し約３時間反応を行った。次いで、この反応物を室温まで冷却してから、これにクレゾールノボラック樹脂（ＫＡ−１１６０、ＤＩＣ社製、水酸基当量＝１１７ｇ／ｅｑ．）２３ｇと、エチルジグリコールアセテート（ダイセル社製）６０ｇを添加し、攪拌しながら８０℃まで昇温し、約４時間反応を行った。ＦＴ−ＩＲより２２５０ｃｍ−１のＮＣＯピークの消失の確認を行った。ＮＣＯピーク消失の確認をもって反応の終点とみなし、反応物を室温まで降温してから１００メッシュの濾布で濾過して、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成例１の（Ａ）成分（不揮発分５０質量％）を得た。数平均分子量は５５００であった。
【０２１８】
［合成例２］
撹拌装置、温度計及びコンデンサーをつけたフラスコに、溶剤としてエチルジグリコールアセテートを２９２．０９ｇ、ソルベッソ１５０（芳香族系溶剤、エクソンモービル社製）を２９２．０９ｇ仕込み、ジフェニルメタンジイソシアネートを１００．１ｇ（０．４モル）とポリブタジエンジオール（水酸基価５２．６ＫＯＨ−ｍｇ／ｇ、分子量２１３３）４２６．６ｇ（０．２モル）を仕込んで７０℃で４時間反応を行った。ついでノニルフェノールノボラック樹脂（水酸基当量２２９．４ｇ／ｅｑ、平均４．２７官能、平均計算分子量９７９．５ｇ／モル）１９５．９ｇ（０．２モル）とエチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート４１．０ｇ（０．１モル）とを仕込んで、２時間かけて１５０℃に昇温し、１２時間反応させることで、ブタジエン構造及びフェノール性水酸基を有する合成例２の（Ａ）成分（不揮発分５５．２質量％）を得た。
【０２１９】
［実施例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ナフタレン型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）２０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例１の（Ａ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）２８．５部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１４部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン６０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２０】
［実施例２］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）２０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例１の（Ａ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）２８．５部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１４部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン６０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２１】
［実施例３］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）１０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例２の（Ａ）成分（固形分５５．２％）２７２部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）２８．５部、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学社製「１５７Ｓ７０」、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ）５部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１６部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））１０８０部、およびメチルエチルケトン９０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２２】
［実施例４］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）２０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例１の（Ａ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬社製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）２８．５部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）４部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン６０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２３】
［実施例５］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）１２部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例１の（Ａ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬社製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）４０部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１４部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン６０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２４】
［実施例６］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１７部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）１０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１６部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例２の（Ａ）成分（固形分５５．２％）２７２部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬社製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）１０部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１６部、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂（三菱化学製「１５７Ｓ７０」、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ）５部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））１０８０部、およびメチルエチルケトン９０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２５】
［比較例１］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）１０部、ポリアルキレンオキシ構造含有樹脂（三菱化学社製「ＹＸ７４００」、エポキシ当量４４０ｇ／ｅｑ）１０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例２の（Ａ）成分（固形分５５．２％）２７２部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２５、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）３１部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１．０μｍ））９６０部、およびメチルエチルケトン９０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。  
【０２２６】
［比較例２］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）４５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）１００部、ナフトール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＨＰ４７１０」、エポキシ当量１６０〜１８０ｇ／ｅｑ）３２部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）３５部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、活性エステル系硬化剤（ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、活性基当量約２２５、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液）３５．４部、ＳＯ−Ｃ４（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ））１３４０部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬社製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）２８．５部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１４部およびメチルエチルケトン２５０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２７】
［比較例３］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）１４部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）２０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）１３部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例１の（Ａ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂（日本化薬社製「ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ」、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液）２８．５部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン１２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２８】
［比較例４］
液状エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ）２０部、ナフトール型エポキシ樹脂（新日鉄住金化学社製「ＥＳＮ４７５Ｖ」、エポキシ当量約３３０）２０部、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（三菱化学社製「６３０ＬＳＤ」、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ）２０部、硬化促進剤（四国化成社製「１Ｂ２ＰＺ」、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）１部、合成例１の（Ａ）成分（固形分５０％、数平均分子量：５５００）３００部、カルボジイミド樹脂（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液）１４部、ＳＯ−Ｃ２（アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ））９５０部、およびメチルエチルケトン１２０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを作製した。
【０２２９】
下記表中の主な略語等は以下のとおりである。
合成例１：合成例１の（Ａ）成分
合成例２：合成例２の（Ａ）成分
ＹＸ７４００：ポリアルキレンオキシ構造含有樹脂、三菱化学社製
ＺＸ１０５９：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂との１：１混合品（質量比）、エポキシ当量：１６９ｇ／ｅｑ、新日鉄住金化学社製
６３０ＬＳＤ：グリシジルアミン型エポキシ樹脂、エポキシ当量：９０〜１０５ｇ／ｅｑ、三菱化学社製
ＥＳＮ４７５Ｖ：ナフトール型エポキシ樹脂、エポキシ当量約３３０、新日鉄住金化学社製
１５７Ｓ７０：ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ、三菱化学社製
ＨＰ−４７１０：ナフタレン型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６０〜１８０ｇ／ｅｑ、ＤＩＣ社製
Ｖ−０３：カルボジイミド樹脂、カルボジイミド当量２１６、不揮発成分５０質量％のトルエン溶液、日清紡ケミカル社製
ＭＩＲ−３０００−７０ＭＴ：ビフェニルアラルキル型マレイミド樹脂、マレイミド基当量：２７５ｇ／ｅｑ、不揮発分７０％のＭＥＫ／トルエン混合溶液、日本化薬社製
ＳＯ−Ｃ４：アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径１μｍ）
ＳＯ−Ｃ２：アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理された球形シリカ（アドマテックス社製、平均粒径０．５μｍ）
１Ｂ２ＰＺ：硬化促進剤、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、四国化成社製
ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ：活性エステル系硬化剤、活性基当量約２２５、不揮発成分６５質量％のトルエン溶液、ＤＩＣ社製
【０２３０】
【表１】
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【０２３１】
実施例１〜６の結果から、（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する樹脂組成物から形成された絶縁層は、弾性率が１７ＧＰａ以下と低いことから反りの発生が抑制される。また、ピール強度も好ましくは０．４ｋｇｆ／ｃｍ以上を達成し、導体層との密着性に優れる。さらに１％重量減少温度も十分に高く耐熱性に優れ、ビアホール底部の樹脂残渣も抑えられていることからレーザービア信頼性にも優れることがわかる。さらに、研磨切削後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ１）、研磨切削後の絶縁層表面の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ１）、粗化処理後の絶縁層表面の表面粗さ（Ｒａ２）、及び粗化処理後の粗さ曲線の最大断面高さ（Ｒｔ２）も優れることもわかる。一方、（Ｃ）及び／又は（Ｄ）成分を含有しない比較例１、３〜４は、実施例１〜６よりもピール強度、１％重量減少温度、及びビアホール底部の樹脂残渣のいずれかが劣ることがわかる。また、（Ａ）成分を含有しない比較例２は、実施例１〜６よりも弾性率が高く、ピール強度、及びビアホール底部の樹脂残渣が劣ることがわかる。なお、比較例２は、Ｒａ２及びＲｔ２を測定しなかった。
なお、（Ｆ）成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。
【符号の説明】
【０２３２】
１００  半導体チップパッケージ
１１０  半導体チップ
１２０  封止層
１３０  再配線形成層（絶縁層）
１４０  導体層（再配線層）
１５０  ソルダーレジスト層
１６０  バンプ
【図１】
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