(57)【要約】【課題】温度による階調値の補正を行うことにより、階調値のダイナミックレンジを確保するとともに、撮像画像の均一性を保つ。【解決手段】放射線検出装置（２０）は、フォトダイオード（１２）からの出力信号を用いて放射線を検出する放射線検出装置（２０）であって、フォトダイオード（１２）から出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部（１４）を備える。【選択図】図４
2020183923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードからの出力信号を用いて放射線を検出する放射線検出装置であって、
上記フォトダイオードから出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部
を備えていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記電荷量補正部は、温度に応じた補正電圧が入力されるキャパシタと、
前記キャパシタの他の一端から供給される電荷量と、前記フォトダイオードから供給される電荷量とを加算する加算部と
を備えていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
温度を入力値とし補正電荷量を出力値とする関連性情報を参照し、補正電荷量を決定する補正電荷量決定部と、
前記補正電荷量決定部が決定した補正電荷量に応じた補正電圧を生成する補正電圧生成部と
を備えていることを特徴とする請求項２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
温度測定部と、
前記温度測定部が測定した温度に応じた前記補正電圧を生成し、生成した補正電圧を前記キャパシタに印加する補正電圧印加部と、
前記電荷量補正部による補正後の電荷量を読み出す読み出し回路と、
を備えている
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記フォトダイオードをマトリックス状に備えており、
前記読み出し回路は、前記マトリックスの行毎に、前記補正後の電荷量を読み出す
ことを特徴とする請求項４に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記温度測定部は、所定の期間毎に温度測定を行い、
前記補正電圧印加部は、行毎の前記読み出し回路による読み出しに先立ち、当該行のフォトダイオードに対応するキャパシタに対して、最新の温度測定結果に応じた補正電圧を印加する
ことを特徴とする請求項５に記載の放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＸ線等の放射線を検出する放射線検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｘ線等の放射線を検出する放射線検出装置として、従来の増感紙‐Ｘ線フィルムの放射線検出システムに代わって、撮像素子等の固体デバイスを用いた放射線検出装置の開発が進んでいる。
【０００３】
特に、ＴＦＴ（Thin film Transistor）パネルを用いた放射線検出装置（放射線撮像装置）は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）またはＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor Device）等の撮像素子に比べて、レンズレスであるという利点または、大画面撮像に適しているという利点があることから、盛んに開発が進められている。
【０００４】
例えば、特許文献１では、温度検出手段が検出した放射線変換パネルの温度に基づいて、補正手段が放射線変換パネルでの感度、暗電流、濃度段差及び残像のうち少なくとも１つを補正する事で、放射線変換パネルの温度変化に起因した感度、暗電流、濃度段差及び残像のうち少なくとも１つの変化に対する温度補償を確実に行う構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７５６７１号公報（２０１０年４月８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のような特許文献１は、温度補償は増幅回路のゲインを調整する事で行われている。しかしながらこのようなゲイン調整では、フォトダイオードが発生する電荷の増減を調整するものではないため、細かな温度補正に対応できないという課題が有った。
【０００７】
本発明の一態様は、温度による階調値の補正を行うことにより、階調値のダイナミックレンジを確保するとともに、撮像画像の均一性を保つことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る放射線検出装置は、フォトダイオードからの出力信号を用いて放射線を検出する放射線検出装置であって、上記フォトダイオードから出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、温度による階調値の補正を行うことにより、階調値のダイナミックレンジを確保するとともに、撮像画像の均一性を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態１に係る放射線検出装置のブロック図である。
【図２】温度３５℃で階調値２５８０を示す出力の温度と階調値の相関を示すグラフである。
【図３】３５℃で階調値の最小最大を決めた場合、４０℃では最大側の階調値が損失、３０℃では最小側の階調値が損失することを示す図である。
【図４】図１における読出し回路および電荷量補正部を示す図である。
【図５】図１に示す放射線検出装置におけるフォトダイオードをマトリクス状に並べた放射線検出システムを示す図である。
【図６】図６の（ａ）〜（ｃ）は、ゲート制御部の出力を作成するためのタイミング信号を示す図である。
【図７】従来の画素および読出回路の構成例をＡＰＳ方式の放射線検出装置に適用する場合の補正回路を示す図である。
【図８】従来のＰＰＳ方式の放射線検出装置に備えられる、画素および読出回路の構成例を示す説明図である（実施形態２）。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（従来技術及び予備的構成例）
本願発明の一形態について具体的な説明を行う前に、従来技術及び本実施形態の予備的構成について、以下に纏める。
【００１２】
上述したように、ＴＦＴパネルを用いた放射線検出装置の開発が盛んに進められている。
【００１３】
ＴＦＴパネルを用いた放射線検出装置は、多数の画素（ピクセル）を２次元的に並べて配置した撮像回路を有している。そして、各画素にて放射線量（例えばＸ線量）に対応する物理量を信号に変換し、変換された信号を計測することにより撮像が行われる。
【００１４】
ＴＦＴパネルを用いた放射線検出装置において、各画素にて変換された信号を読出す方法は、各画素に蓄積された電荷量（キャリア量）をＴＦＴスイッチのマトリックスでそのまま読出す方法で行われる（ＰＰＳ（Passive Pixel Sensor）方式と呼ばれている）。
【００１５】
読出回路は、通常、ＣＭＯＳプロセス等によりＴＦＴパネルとは別に作成され、フレキシブル基板を介してＴＦＴパネルに接続される。
【００１６】
図８は、従来のＰＰＳ方式の放射線検出装置が備えられる、画素１００および読出回路１２０の構成例を示す説明図である。
【００１７】
画素１００は、フォトダイオード１０１、電荷蓄積部（電荷蓄積ノード）１０２、および読出スイッチ１０３を備えている。フォトダイオード１０１は、外部から入射した所定の周波数帯域の光（放射線）を光電変換し、光電変換により生成した電荷を電荷蓄積部１０２に蓄積させる。
【００１８】
これにより、フォトダイオード１０１への入射光量に応じた電荷が電荷蓄積部１０２に蓄積される。
【００１９】
読出スイッチ１０３は一端側が電荷蓄積部１０２に接続され、他端側が信号出力線１１０に接続されており、電荷蓄積部１０２と信号出力線１１０との間を図示しない制御手段からの指示に応じて、遮断状態と導通状態とに切り替える。
【００２０】
また、読出回路１２０は、アンプリセットスイッチ１２１、帰還容量１２２、および読出アンプ１２３を備えている。読出アンプ１２３の入力端子には、信号出力線１１０、帰還容量１２２の一端側、およびアンプリセットスイッチ１２１の一端側が接続されている。
【００２１】
また、読出アンプ１２３の出力端子には、読出アンプ出力線１３０、帰還容量１２２の他端側、およびアンプリセットスイッチ１２１の他端側が接続されている。
【００２２】
これにより、読出スイッチ１０３が導通状態に切り替えられると、電荷蓄積部１０２に蓄積された電荷量（Ｑｓｉｇ）に応じた電荷が読出アンプ１２３に並列に接続された帰還容量１２２（ＣＦ）に蓄積される。
【００２３】
その結果、読出アンプ１２３から読出アンプ出力線１３０への出力電位Ｖｏｕｔは、下記式（１）に示すように、フォトダイオード１０１に蓄積された電荷量に応じた出力電位になる。
【００２４】
Ｖｏｕｔ＝Ｑｓｉｇ／ＣＦ・・・（１）
この際、信号出力線１１０の電位は、読出アンプ１２３のフィードバックにより、所定の電位に設定される。
【００２５】
読出しが終わると、読出スイッチ１０３は開かれ（オフされ）、電荷蓄積部１０２と信号出力線１１０との間が遮断されて電荷蓄積部１０２に再び光電変換信号が蓄積されていく。
【００２６】
ＰＰＳ方式では各画素の出力は電荷量であり、各画素からの出力を読出す読出回路としては、通常、電荷積分回路が用いられる。
【００２７】
しかしながら、画素に照射される光が一定であっても、フォトダイオードから出力される電荷量は、温度により変化する事が知られている。
【００２８】
図８にて説明した読出し回路からの出力電圧は、ＡＤコンバータにてデジタル値に変換される。
【００２９】
デジタル値（階調値）は測定する放射線（例えばＸ線量）（図示しないシンチレータにより変換された光量）の最小値を階調値０として、最大値を階調値の最大値として規定する。最大値はＡＤコンバータのｂｉｔ精度により決まる。
【００３０】
例えば１６ｂｉｔ精度では、０階調が最小で６５５３５階調が最大になる。１６ｂｉｔ精度のＡＤコンバータでは０階調から６５５３５階調の６５５３６段階の出力電圧を測定可能である。
【００３１】
図２は、温度３５℃で階調値２５８０を示す出力の温度と階調値の相関を示すグラフである。図２に示す様に、温度３５℃で階調値が２５８０であっても、温度３０℃では、階調値は１９９０、温度４０度では階調値が３６２０に変化してしまう。
【００３２】
このため、３５℃で階調値の最小最大を決めた場合、図３に示すように、４０℃では最大側の階調値が損失して、３０℃では最小側の階調値が損失してしまう。
【００３３】
〔実施形態１〕
本発明の一実施形態について説明すれば以下の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
【００３４】
（放射線検出装置の概略構成）
図１は、本実施形態に係る放射線検出装置２０のブロック図である。図１に示すように、放射線検出装置２０は、温度測定部２１と、放射線検出部２２と、制御部２３と、電圧制御部２６とを備える。放射線検出装置２０は、例えばシンチレータ等の放射線（例えばＸ線）-光変換装置と、フォトダイオード等の光-電荷変換装置とにより構成される。
【００３５】
制御部２３は、比較回路２４と、出力値生成部１と、制御部２３に格納された温度テーブル２５とを備える。制御部２３は、温度測定部２１により測定される温度と温度テーブル２５とを比較して温度に対応した温度テーブル２５の値を電圧制御部２６へ伝える。
【００３６】
温度テーブル２５には予め測定された温度と補正電圧の相関の値が記憶されている。電圧制御部２６は温度テーブル２５からの値に対応した補正電圧を出力値生成部１に出力する。出力値生成部１は、出力値を外部に出力する。出力値の一例は離散的な階調値である。詳細は後述するが、電圧制御部２６は、補正電圧印加部２６０と、補正電荷量決定部２６１と、補正電圧生成部２６２とを備える。
【００３７】
（出力値生成部および放射線検出部）
図４は、図１における出力値生成部１および放射線検出部２２を示す図である。図４に示すように、出力値生成部１は、読出し回路１１を備えている。
【００３８】
図４に示すように、読出し回路１１には、放射線検出装置２０のフォトダイオード１２がスイッチ１３を介して接続されると共に、補正電圧と、電流制限抵抗１９を介した接地が接続される。
【００３９】
読出し回路１１は、電荷積分回路１７と、電荷積分回路１７の出力信号（例えば電圧）をデジタル信号（例えば階調値）に変換するＡ/Ｄ変換回路１８とを備える。電荷積分回路１７の入力端子に加算器１６が接続される。
【００４０】
放射線検出装置２０は、フォトダイオード１２からの出力信号を用いて放射線を検出する。放射線検出装置２０は、フォトダイオード１２から出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部１４を備えている。
【００４１】
上記の構成によれば、放射線検出装置２０は、フォトダイオード１２から出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部１４を備えることにより、階調値のダイナミックレンジを確保するとともに、撮像画像の均一性を保つことができる。
【００４２】
図４に示すように、電荷量補正部１４は、キャパシタ１５と、加算部１６とを備える。キャパシタ１５には、温度に応じた補正電圧が入力される。加算部１６は、キャパシタ１５の他の一端から供給される電荷量（チャージインジェクション補正）と、フォトダイオード１２から供給される電荷量とを加算して電荷積分回路１７の入力信号とする。
【００４３】
（読出し回路での補正）
温度に応じた階調値の補正を行うため、読出し回路１１に組み込まれているチャージインジェクション補正を利用する。
【００４４】
チャージインジェクション補正は、ＴＦＴのスイッチングによって発生するチャージインジェクションによる電荷注入を、キャパシタ１４によりキャンセルする仕組みである。キャパシタ１４による電荷注入のキャンセル量は、外部から供給される補正電圧にて決まる。この補正電圧を周囲の温度変化に応じて制御することで、階調値を補正する。
【００４５】
このように、放射線検出装置２０は、温度測定部２１と、補正電圧印加部２６０と、読出し回路１１とを備える。
【００４６】
補正電圧印加部２６０は、温度測定部２１が測定した温度に応じた前記補正電圧を生成し、生成した補正電圧をキャパシタ１５に印加する。読出し回路１１は、電荷量補正部１４による補正後の電荷量を読み出す。
【００４７】
（補正の手順）
まず、放射線検出装置２０の近傍に温度測定部２１を設ける。温度測定部２１は放射線検出装置２０を駆動するための制御部２３と接続されており、温度測定部２１から温度を定期的に読み出す。
【００４８】
制御部２３は温度に応じた補正電圧の温度テーブル２５を有し、温度測定部２１から得られた温度と温度テーブル２５とを比較することにより補正電圧の出力値を制御する。
【００４９】
補正電圧はチャージインジェクションのキャパシタ１４に接続され、一定の電荷をキャパシタ１４にチャージする。
【００５０】
このチャージされた電荷が補正値となる。温度が高くなるとフォトダイオード１２に蓄積される電荷量が増加するため、階調値も増加する。
【００５１】
この時、補正電圧を低く設定することにより補正値を小さくして、階調値の増加を抑制する。また、温度が低くなった場合にはフォトダイオード１２に蓄積される電荷量が減少するため、補正電圧により補正値を大きくして、階調値を持ち上げる。
【００５２】
このように、放射線検出装置２０は、補正電荷量決定部２６１と、補正電圧生成部２６２とを備える。補正電荷量決定部２６１は、温度を入力値とし補正電荷量を出力値とする関連性情報（温度テーブル２５）を参照し、補正電荷量を決定する。補正電圧生成部２６２は、前記補正電荷量決定部が決定した補正電荷量に応じた補正電圧を生成する。
【００５３】
（補正電圧設定タイミング）
図５は、複数の放射線検出装置２０におけるフォトダイオード１２をマトリクス状に並べた放射線検出システム（放射線検出装置群）１２５を示す図である。
【００５４】
図５におけるフォトダイオード１２とＴＦＴスイッチ１３が、図４のフォトダイオード１２とスイッチ１３に相当する。信号読出部１２７が、図４の読出し回路１１に相当するが、補正電圧等の補正の部分について図示していない。信号読出部１２７は、前記マトリックスの行毎に、前記補正後の電荷量を読み出す。
【００５５】
ゲート制御部１２６は、スイッチ１３を行毎にオンするパルスを、出力線１２８に順次出力する。
【００５６】
ＴＦＴスイッチ１３がオンする事により、フォトダイオード１２で発生した電圧が信号読出部１２７へ出力される。フォトダイオード１２が接続されている行信号１０には各々読出し回路が設けられており、フォトダイオード１２の電圧を階調信号へ変換する。
【００５７】
図６の（ａ）にゲート制御部１２６の出力を作成するためのタイミング信号を示す。行駆動開始信号のＨｉｇｈパルスのタイミングで、ゲート制御部１２６からスイッチ１３を行毎にオンするパルスが順次Ｈｉｇｈになる（ゲート制御部１２６の出力Ｒ１からＲｎ）。
【００５８】
すなわち、図６の（ａ）に記載のゲート制御部１２６の出力Ｒ１からＲｎ各々のＨｉｇｈ期間が、放射線検出装置２０の１行のフォトダイオード１２から読出し回路への電圧の転送時間になる。
【００５９】
最後の読出し期間（Ｒｎ）がＬｏｗになって期間をおいて次に行駆動開始信号がＨｉｇｈになるのは行信号１０のラインが十分に立ち上がる期間を考慮している。
【００６０】
よって、図６の（ａ）のように、読出し期間がＨｉｇｈなる前に補正電圧設定を行う事により、フォトダイオード１２からの電圧が十分に伝達されたタイミングで補正を行う事ができる。
【００６１】
図６の（ａ）で説明した補正電圧設定のタイミングは一例であり、必ずしもこの動作に限定するものではない。例えば、図６の（ｂ）のように、温度の読出しに応じて、その都度補正電圧設定を行っても良いし、図６の（ｃ）のように、温度の読出し数回毎に、補正電圧設定を行っても良い。
【００６２】
具体的には、図６の（ｂ）では、ゲート制御部１２６の出力Ｒ１からＲｎにおいて、複数回の補正電圧設定を行う。ゲート制御部１２６の出力Ｒ１からＲｎの読み出しが終了した直後の最初の温度読み出しの後であって、その次の温度読み出しの前に、最初の補正電圧設定を行う。その後は、温度読み出し毎に、補正電圧設定を行う。
【００６３】
また、図６の（ｃ）では、ゲート制御部１２６の出力Ｒ１からＲｎにおいて、複数回の補正電圧設定を行う。ゲート制御部１２６の出力Ｒ１からＲｎの読み出しが終了した直後の最初の温度読み出しの後から更に２回の温度読み出しの後に、最初の補正電圧設定を行う。その後は、複数回の温度読出し毎に、補正電圧設定を行う。
【００６４】
このように、放射線検出装置２０において、温度測定部２１は、所定の期間毎に温度測定を行い、前記補正電圧印加部は、行毎の読出し回路１１による読み出しに先立ち、当該行のフォトダイオード１２に対応するキャパシタ１５に対して、最新の温度測定結果に応じた補正電圧を印加する。
【００６５】
上記の説明では、予め測定された温度と補正電圧の相関の値を記憶した温度テーブル２５を備えているが、各温度に対する補正電圧を記憶しなくても、予め温度と階調電圧の変化を測定しておくことにより、温度テーブルを作成できる。
【００６６】
図２のグラフを例にあげると温度が３０℃から４０℃の間で階調シフトが１６００ほど発生している。
【００６７】
温度１℃あたり階調が１６０シフトしていることになる。グラフの曲線を１次近似式で表すと、補正電圧は下記式で求める事ができる。
【００６８】
ここでは説明のため１次式を使用しているが、近似式はできるだけグラフの曲線を再現できるように、２次式等を用いても構わない、また温度範囲を区切って近似式を作成する事も可能である。
【００６９】
補正電圧 = 階調 * 帰還容量１７１に蓄積される最大電荷量 / キャパシタ１５の静電容量 / 2^16
上記のように階調が１６０シフトする場合を例にとり、具体的に補正電圧を計算すると以下の通りである。
・階調 = 160
・帰還容量１７１に蓄積される最大電荷量 = 2.4[pC]    （値は一例）
・キャパシタ１５の静電容量 = 0.122[pF]  （値は一例）
・補正電圧 = 160 * 2.4[pC] / 0.122[pF] / 65536 ≒ 0.05[V]
上記の様に、温度が１℃増加すると、補正電圧を０．０５Ｖ減少させることになる。また逆に温度が１℃減少すると、補正電圧を０．０５Ｖ増加させる。
【００７０】
従って、一例として、電圧制御部２６は、温度が１℃増加すると、補正電圧を０．０５Ｖ減少させるように動作し、温度が１℃減少すると、補正電圧を０．０５Ｖ増加させるように動作する。
【００７１】
このように電圧制御部２６を動作させることによって、適切な値を有する補正電圧を生成することができる。
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
【００７２】
実施形態１では、ＰＰＳ方式での補正を示したが、各画素において蓄積された電荷に対応した電位あるいは電流を生成し、生成した電位あるいは電流を読出す方式である、ＡＰＳ（Active Pixel Sensor）方式においても本発明が応用可能である。
【００７３】
図７は、従来技術に示した画素および読出回路の構成例を変形してＡＰＳ方式の放射線検出装置に適用する場合の補正回路を示す図である。図７に示すように、各画素が、図７に示した画素１００の構成に加えて、電荷蓄積部１０２に接続された画素リセットスイッチ１０４と、電荷蓄積部１０２と読出スイッチ１０３との間に接続されたアンプトランジスタ１０５とを備えている。
【００７４】
画素リセットスイッチ１０４は、フォトダイオード１０１の基準電圧を設定するときに導通状態に切り替えられる。すなわち、画素リセットスイッチ１０４は、フォトダイオード１０１および電荷蓄積部１０２の電位を所定の基準電圧に対応するリセット電位にリセットするためのスイッチである。
【００７５】
フォトダイオード１０１および電荷蓄積部１０２の電位のリセットは、電荷蓄積部１０２に蓄積された電荷量に応じた電流の読み出し毎、あるいは所定回数の読み出し毎に行われる。
【００７６】
アンプトランジスタ１０５は、電荷蓄積部１０２に蓄積された電荷に応じた電圧信号を電流信号に変換し、スイッチ１３（読出スイッチ１０３）を介して信号出力線１１０に出力する。
【００７７】
また実施形態２でも、図７に示すように、放射線検出装置２０は、フォトダイオード１２からの出力信号を用いて放射線を検出する。放射線検出装置２０は、フォトダイオード１２から出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部１４を備えている。
【００７８】
フォトダイオード１０１に光が入射されると、フォトダイオード１０１で光電変換が行われ、電荷蓄積部１０２に電荷が蓄積されて電荷蓄積部１０２の電位がリセット電位から変化する。
【００７９】
その後、読出スイッチ１０３が導通すると、アンプトランジスタ１０５はドレイン接地アンプとして機能し、変化した電圧に応じた電流を出力する。このとき、信号出力線１１０は読出アンプ１７２のフィードバックによって所定の電位に設定されている。
【００８０】
読み出し処理を時間ｔの間行うと、読出アンプ１７２の帰還容量１７１には電流×時間ｔの電荷が蓄積される。
【００８１】
これにより、読出アンプ１７２の出力電位Ｖｏｕｔは、信号電荷をＱｓｉｇ、フォトダイオード１０１の容量をＣＰＤ、アンプトランジスタ１０５の相互コンダクタンスをｇｍ、リセット電位においてアンプトランジスタ１０５に流れるバイアス電流をＩＢ、積分時間をｔ、帰還容量１７１の容量値をＣＦとすると、下記式（２）となる。
【００８２】
Ｖｏｕｔ＝（ｇｍ・Ｑｓｉｇ／ＣＰＤ＋ＩＢ）・ｔ／ＣＦ  ・・・（２）
この演算を行うことにより、フォトダイオード１０１によって電荷蓄積部１０２に蓄積された電荷量に応じた出力が読み出される。そして、時間ｔが経過して読み出しが終わると、読出スイッチ１０３は開かれ、電荷蓄積部１０２に再び光電変換信号が蓄積されていく。
【００８３】
このように、ＡＰＳ方式の読出回路では、リセット電位からの電位変化に応じた電流値が本来の出力信号となる。また、図７における符号１７０は、スイッチ（アンプリセットスイッチ）を示す。
【００８４】
また、図７における符号２２ａは、実施形態１における放射線検出部２２の変形例を示す。
【００８５】
実施形態２の構成によっても、従来技術に示した画素および読出回路の構成例を変形し、ＡＰＳ方式の放射線検出装置に適用した補正回路を用いることにより、実施形態１と同様な効果を奏することができる。
【００８６】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る放射線検出装置（２０）は、フォトダイオード（１２）からの出力信号を用いて放射線を検出する放射線検出装置（２０）であって、フォトダイオード（１２）から出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部
（１４）を備えている。
【００８７】
上記の構成によれば、放射線検出装置（２０）は、フォトダイオード（１２）から出力される電荷量を、温度に応じた補正電荷量を用いて補正する電荷量補正部（１４）を備えることにより、階調値のダイナミックレンジを確保するとともに、撮像画像の均一性を保つことができる。
【００８８】
本発明の態様２に係る放射線検出装置（２０）は、上記態様１において、電荷量補正部（１４）は、温度に応じた補正電圧が入力されるキャパシタ（１５）と、キャパシタ（１５）の他の一端から供給される電荷量と、フォトダイオード（１２）から供給される電荷量とを加算する加算部（１６）とを備えてもよい。
【００８９】
本発明の態様３に係る放射線検出装置（２０）は、上記態様２において、温度を入力値とし補正電荷量を出力値とする関連性情報（２５）を参照し、補正電荷量を決定する補正電荷量決定部と、前記補正電荷量決定部が決定した補正電荷量に応じた補正電圧を生成する補正電圧生成部とを備えてもよい。
【００９０】
本発明の態様４に係る放射線検出装置（２０）は、上記態様２または３において、温度測定部（２１）と、温度測定部（２１）が測定した温度に応じた前記補正電圧を生成し、生成した補正電圧をキャパシタ（１５）に印加する補正電圧印加部と、電荷量補正部（１４）による補正後の電荷量を読み出す読み出し回路（１１）と、を備えてもよい。
【００９１】
本発明の態様５に係る放射線検出装置（２０）は、上記態様４において、フォトダイオード（１２）をマトリックス状に備えており、読み出し回路（１１）は、前記マトリックスの行毎に、前記補正後の電荷量を読み出してもよい。
【００９２】
本発明の態様６に係る放射線検出装置（２０）は、上記態様５において、温度測定部（２１）は、所定の期間毎に温度測定を行い、前記補正電圧印加部は、行毎の前記読み出し回路（１１）による読み出しに先立ち、当該行のフォトダイオード（１２）に対応するキャパシタ（１５）に対して、最新の温度測定結果に応じた補正電圧を印加してもよい。
【００９３】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【符号の説明】
【００９４】
１  出力値生成部
１０  行信号
１１、１２０  読出し回路
１２、１０１  フォトダイオード
１３、１０３  スイッチ（ＴＦＴスイッチ、読出スイッチ）
１４  電荷量補正部
１５  キャパシタ
１６  加算部
１７  電荷積分回路
１８  Ａ/Ｄ変換回路
１９  電流制限抵抗
２０  放射線検出装置
２１  温度測定部
２２、２２ａ  放射線検出部
２３  制御部
２４  比較回路
２５  温度テーブル
２６  電圧制御部
２７  切替スイッチ
１００  画素
１０２  電荷蓄積部
１０４  画素リセットスイッチ
１０５  アンプトランジスタ
１１０  信号出力線
１２１、１７０  スイッチ（アンプリセットスイッチ）
１２２、１７１  帰還容量
１２３、１７２  読出アンプ
１２５  放射線検出システム（放射線検出装置群）
１２６  ゲート制御部
１２７  信号読出部
１２８  出力線
１３０  読出アンプ出力線
２６０  補正電圧印加部
２６１  補正電荷量決定部
２６２  補正電圧生成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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