(57)【要約】【課題】ギャップを介した磁束の漏れが低減されたフェライト構造体を提供する。【解決手段】フェライト構造体１は、面方向に配列された複数のフェライト片１１が板状又はシート状に支持されてなるフェライト構造体であって、隣接するフェライト片の間に位置するギャップ１２の少なくとも一つは、面方向に対して垂直な厚み方向に直線的に貫通しないよう、非垂直部分を有している。これによれば、フェライト構造体１に対して垂直な方向の磁束がギャップ内に進入した場合であっても、直線的に貫通することなく、途中でフェライト片に吸収されることから、ギャップを介した磁束の漏れを低減することが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
面方向に配列された複数のフェライト片が板状又はシート状に支持されてなるフェライト構造体であって、隣接するフェライト片の間に位置するギャップの少なくとも一つは、前記面方向に対して垂直な厚み方向に直線的に貫通しないよう、非垂直部分を有していることを特徴とするフェライト構造体。
【請求項２】
前記ギャップの非垂直部分は、前記厚み方向に対して傾斜した傾斜部分を含むことを特徴とする請求項１に記載のフェライト構造体。
【請求項３】
前記ギャップは、いずれの方向からも直線的に貫通しないよう、所定の方向に延在する第１の区間と、前記第１の区間とは異なる方向に延在する第２の区間を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載のフェライト構造体。
【請求項４】
前記複数のフェライト片は、所定の平面位置にギャップが形成された第１のフェライト層と、前記所定の平面位置とは異なる平面位置にギャップが形成された第２のフェライト層を構成し、前記第１のフェライト層と前記第２のフェライト層が積層されていることを特徴とする請求項１に記載のフェライト構造体。
【請求項５】
前記ギャップに樹脂材料が充填されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のフェライト構造体。
【請求項６】
フェライト材料を含むグリーンシートを作製する工程と、
前記グリーンシートの一方の表面側から、前記グリーンシートを貫通しない第１の切り込みを所定の平面位置に形成するとともに、前記グリーンシートの他方の表面側から、前記グリーンシートを貫通しない第２の切り込みを前記所定の平面位置とは異なる平面位置に形成する工程と、
前記グリーンシートを焼成した後、前記第１の切り込みの先端と前記第２の切り込みの先端を繋ぐクラックを形成することによって、面方向に配列された複数のフェライト片に分割する工程と、を備えることを特徴とするフェライト構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフェライト構造体及びその製造方法に関し、特に、複数のフェライト片に分割されてなるフェライト構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
板状又はシート状に加工されたフェライト構造体は、効率良く磁界が発生する磁路を形成させるための部材として、または、各種電子機器の磁気シールドとして広く利用されている。例えば、ワイヤレス給電装置においては、送電コイルと受電コイルを共に鎖交するワイヤレス給電のための磁束を効率よく発生させるとともに、受電コイルとは反対方向に磁界が広がらないようにするため、送電コイルの裏面にフェライト構造体からなる磁気シールドが配置されることがある。
【０００３】
しかしながら、フェライトは脆性であることから、焼結したフェライト板をそのまま電子機器などに使用すると、衝撃によって容易に割れてしまうという問題がある。このため、焼結したフェライト板をそのまま使用するのではなく、焼結したフェライト板をあらかじめ複数のフェライト片に分割しておき、支持シートや接着剤などを用いて複数のフェライト片を板状又はシート状に支持する方法が一般的である（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２２５５５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、磁気シールドに対しては磁界が垂直に印加されることが多いため、隣接するフェライト片の間に位置するギャップが厚み方向にまっすぐ延在していると、直進性の高い磁界の一部がギャップを介して通過し、これにより磁気シールド特性が低下するという問題があった。
【０００６】
したがって、本発明は、ギャップを介した磁束の漏れが低減されたフェライト構造体及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるフェライト構造体は、面方向に配列された複数のフェライト片が板状又はシート状に支持されてなるフェライト構造体であって、隣接するフェライト片の間に位置するギャップの少なくとも一つは、面方向に対して垂直な厚み方向に直線的に貫通しないよう、非垂直部分を有していることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、フェライト構造体に対して垂直な方向の磁束がギャップ内に進入した場合であっても、直線的に貫通することなく、途中でフェライト片に吸収されることから、ギャップを介した磁束の漏れを低減することが可能となる。
【０００９】
本発明において、ギャップの非垂直部分は、厚み方向に対して傾斜した傾斜部分を含んでいても構わない。これによれば、ギャップの形状を複雑化することなく、磁束の漏れを低減することが可能となる。
【００１０】
本発明において、ギャップは、いずれの方向からも直線的に貫通しないよう、所定の方向に延在する第１の区間と、第１の区間とは異なる方向に延在する第２の区間を有していても構わない。これによれば、いずれの方向からの磁束も、ギャップを直線的に貫通することがなく、途中でフェライト片に吸収されることから、ギャップを介した磁束の漏れをより低減することが可能となる。
【００１１】
本発明において、複数のフェライト片は、所定の平面位置にギャップが形成された第１のフェライト層と、所定の平面位置とは異なる平面位置にギャップが形成された第２のフェライト層を構成し、第１のフェライト層と第２のフェライト層が積層されていても構わない。これによれば、フェライト構造体を容易に作製することが可能となる。
【００１２】
本発明においては、ギャップに樹脂材料が充填されていても構わない。これによれば、ギャップに充填された樹脂材料によって複数のフェライト片を板状又はシート状に支持することが可能となる。
【００１３】
本発明によるフェライト構造体の製造方法は、フェライト材料を含むグリーンシートを作製する工程と、グリーンシートの一方の表面側から、グリーンシートを貫通しない第１の切り込みを所定の平面位置に形成するとともに、グリーンシートの他方の表面側から、グリーンシートを貫通しない第２の切り込みを所定の平面位置とは異なる平面位置に形成する工程と、グリーンシートを焼成した後、第１の切り込みの先端と第２の切り込みの先端を繋ぐクラックを形成することによって、面方向に配列された複数のフェライト片に分割する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、隣接するフェライト片の間に位置するギャップが厚み方向に直線的に貫通しない構造を容易に得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１５】
このように、本発明によれば、ギャップを介した磁束の漏れが低減されたフェライト構造体及びその製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態によるフェライト構造体１の構造を説明するための図であり、（ａ）は模式的な平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った模式的な断面図である。
【図２】図２は、フェライト構造体１のｘｚ断面を拡大した図である。
【図３】図３は、フェライト構造体１の使用例を説明するための模式的な断面図である。
【図４】図４は、フェライト構造体１の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】図５は、グリーンシートＧの両面に切り込み１２ａ，１２ｂを形成した状態を示す模式的な断面図である。
【図６】図６は、グリーンシートＧの両面に切り込み１２ａ，１２ｂを形成する第１の方法を説明するための模式図である。
【図７】図７は、グリーンシートＧの両面に切り込み１２ａ，１２ｂを形成する第２の方法を説明するための模式図である。
【図８】図８は、グリーンシートＧの両面に切り込み１２ａ，１２ｂを形成する第３の方法を説明するための模式図である。
【図９】図９は、フェライト層１０を複数のフェライト片１１に個片化する方法を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、第２の実施形態によるフェライト構造体２の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】図１１は、フェライト構造体２の作製に用いるグリーンシートＧの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】図１２は、第３の実施形態によるフェライト構造体３の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１３】図１３は、フェライト構造体３の作製に用いるグリーンシートＧの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１４】図１４は、第４の実施形態によるフェライト構造体４の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１５】図１５は、フェライト構造体４の作製に用いるグリーンシートＧの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１６】図１６は、第５の実施形態によるフェライト構造体５の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１７】図１７は、第６の実施形態によるフェライト構造体６の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１８】図１８は、第７の実施形態によるフェライト構造体７の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図１９】図１９は、フェライト構造体７の作製に用いるグリーンシートＧの構造を説明するための模式的な断面図である。
【図２０】図２０は、フェライト構造体７の作製に用いるフェライト層１０Ａ，１０Ｂを重ねた状態を示す模式的な断面図である。
【図２１】図２１は、第８の実施形態によるフェライト構造体８の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図２２】図２２は、フェライト構造体８の製造方法を説明するための模式図である。
【図２３】図２３は、フェライト構造体８の製造方法を説明するための模式図である。
【図２４】図２４は、第９の実施形態によるフェライト構造体９の構造を説明するための模式的な断面図である。
【図２５】図２５は、実施例の評価結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の第１の実施形態によるフェライト構造体１の構造を説明するための図であり、（ａ）は模式的な平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った模式的な断面図である。
【００１９】
図１に示すように第１の実施形態によるフェライト構造体１は、板状又はシート状の磁気シールド部材であり、フェライト層１０と支持シート２０がｚ方向に積層された構造を有している。フェライト層１０は、マトリクス状にｘ方向及びｙ方向に配列された複数のフェライト片１１からなり、隣接するフェライト片１１の間はギャップ１２が設けられている。したがって、ギャップ１２は平面視でｘ方向及びｙ方向に延在している。特に限定されるものではないが、フェライト層１０の厚みは０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度、例えば０．５ｍｍであり、フェライト片１１のサイズは数百μｍ〜数ｍｍ角程度、例えば３ｍｍ〜５ｍｍ角である。フェライト片１１を構成するフェライト材料としては、高い透磁率を有する限り特に限定されず、ＭｎＺｎ系フェライトやＮｉＺｎ系フェライトなどを用いることができる。支持シート２０は、複数のフェライト片１１が分離しないよう一体的に支持する部材であり、ＰＥＴなどの樹脂材料とその表面に設けられた接着部材を用いることができる。接着部材としては、アクリル糊、両面テープ、接着剤、粘着剤等を用いることができる。図１に示す例では、フェライト層１０の一方の表面にのみ支持シート２０が設けられているが、フェライト層１０の両面を支持シート２０で覆っても構わない。
【００２０】
本実施形態におけるフェライト構造体１は、厚み方向であるｚ方向に対して垂直な断面において、ギャップ１２の延在方向がｚ方向に対して角度θだけ傾斜している。角度θの値については特に限定されないが、５°以上４５°以下であることが好ましい。また、フェライト構造体１のｘｚ断面を拡大した図２に示すように、ギャップ１２の面方向（つまりｘ方向又はｙ方向）における幅をｗとし、フェライト片１１の一方の表面におけるエッジＥ１と他方の表面におけるエッジＥ２との面方向における距離をｄとした場合、
ｄ≧ｗ
を満たしている。つまり、
ｄ／ｗ≧１
である。
【００２１】
このことは、フェライト層１０をｚ方向から見た場合、ギャップ１２を介してフェライト層１０の向こう側が見えないことを意味する。このように、本実施形態においては、ギャップ１２が傾斜した非垂直部分からなる。このため、ギャップ１２はフェライト層１０を貫通するものの、ｚ方向に直線的には貫通しない。これにより、フェライト層１０に対して垂直なｚ方向の磁束φを受けた場合、この磁束φがギャップ１２を介してフェライト層１０を貫通しにくくなり、少なくともｚ方向に直線的な磁束成分については、仮にギャップ１２内に進入したとしても、フェライト片１１の側面に到達することになる。但し、フェライト層１０に存在するギャップ１２の全領域が上記の条件を満たしていることは必須でなく、ギャップ１２の一領域については、厚み方向に直線的に貫通する部分が存在しても構わない。
【００２２】
ｚ方向の磁束φに対する遮蔽効果は、ｄ／ｗの比が大きいほど高くなる。具体的には、ｄ／ｗの比が１．５以上であることが好ましく、ｄ／ｗの比が４．５以上であることがより好ましい。
【００２３】
図３は、本実施形態によるフェライト構造体１の使用例を説明するための模式的な断面図である。図３に示す例では、支持体３１及びその表面に形成されたコイルパターン３２からなるコイル部品３０の裏面に、フェライト構造体１が配置されている。これにより、コイルパターン３２に電流を流した場合に発生する磁束は、ｚ１方向へは空間的に広がる一方、ｚ２方向には広がらず、フェライト構造体１によって遮蔽される。特に限定されるものではないが、コイル部品３０としては、ワイヤレス給電システムに用いられる送電コイルを挙げることができる。
【００２４】
次に、本実施形態によるフェライト構造体１の製造方法について説明する。
【００２５】
図４は、本実施形態によるフェライト構造体１の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００２６】
まず、フェライト粉、メチルセルロース、水などを計量し、これを混練することによって原料ペーストを生成した後（ステップＳ１）、原料ペーストをシート状に成形することによってグリーンシートを作製する（ステップＳ２）。成型方法については特に限定されず、押出工法、シート積層工法、圧縮成形法などを用いることができる。中でも、フェライト層１０の厚みを０．１ｍｍ〜２ｍｍ程度とする場合、押出工法を用いることが好ましい。
【００２７】
次に、グリーンシートの両面に切り込みを形成する（ステップＳ３）。図５は、グリーンシートＧの両面に切り込み１２ａ，１２ｂを形成した状態を示す模式的な断面図である。図５に示すように、切り込み１２ａは、グリーンシートＧの一方の表面Ｇａ側に形成され、グリーンシートＧを貫通しない深さに形成される。また、切り込み１２ｂは、グリーンシートＧの他方の表面Ｇｂ側に形成され、グリーンシートＧを貫通しない深さに形成される。図５に示す例では、切り込み１２ａ，１２ｂが傾斜しており、且つ、互いに異なる平面位置に設けられる。切り込み１２ａ，１２ｂの深さは、グリーンシートＧの厚みの１／３程度とすればよい。
【００２８】
切り込み１２ａ，１２ｂを形成する方法については特に限定されず、図６に示すように、一方向に延在する複数の刃を有する型４１をグリーンシートＧに押し当てた後、型４１又はグリーンシートＧを９０°回転させて、もう一度、型４１をグリーンシートＧに押し当てることによって一方の表面Ｇａに格子状の切り込み１２ａを形成し、さらに、グリーンシートＧを上下反転させて同じ操作を行うことによって、他方の表面Ｇｂに格子状の切り込み１２ｂを形成しても構わない。或いは、図７に示すように、格子状の刃を有する型４２をグリーンシートＧに押し当てることによって一方の表面Ｇａに格子状の切り込み１２ａを形成し、さらに、グリーンシートＧを上下反転させて同じ操作を行うことによって、他方の表面Ｇｂに格子状の切り込み１２ｂを形成しても構わない。さらには、図８に示すように、複数の刃を有する２つの回転ローラ４３ａ，４３ｂの隙間にグリーンシートＧを通過させた後、グリーンシートＧを９０°回転させてもう一度同じ操作を行うことによって、表面Ｇａ，Ｇｂに切り込み１２ａ，１２ｂを同時に形成しても構わない。
【００２９】
但し、グリーンシートＧの両面に切り込みを形成することは必須でなく、グリーンシートＧの一方の表面にのみ切り込みを形成しても構わない。この場合、グリーンシートＧの両面に切り込みを形成する場合よりも、深い切り込みを形成する必要がある。例えば、グリーンシートＧの厚みの１／３〜２／３程度の深さの切り込みを形成することが好ましい。
【００３０】
次に、切り込み１２ａ，１２ｂが形成されたグリーンシートＧを例えば１１００℃〜１２００℃の温度で焼成することによって、硬化したフェライト層１０を形成する（ステップＳ４）。そして、フェライト層１０を支持シート２０上にラミネートした後（ステップＳ５）、切り込み１２ａ，１２ｂに沿ってフェライト層１０を複数のフェライト片１１に個片化すれば、本実施形態によるフェライト構造体１が完成する（ステップＳ６）。
【００３１】
フェライト層１０を複数のフェライト片１１に個片化する方法としては、図９に示すように、シリコーンラバーなどの可撓性シート５３とフェライト構造体１を重ねてステージ５０に載置し、圧延ローラ５１をｘ方向に輪転させるとともに、圧延ローラ５２をｙ方向に輪転させる方法が挙げられる。これにより、切り込み１２ａの先端と切り込み１２ｂの先端を繋ぐクラックが形成されることから、切り込み１２ａ，１２ｂに沿ってフェライト層１０が割れ、複数のフェライト片１１に個片化される。また、圧延ローラ５１，５２を用いて個片化を行えば、圧延ローラ５１，５２の進行方向によってクラックが生成される方向をコントロールすることが可能である。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態によるフェライト構造体１は、フェライト層１０に形成されたギャップ１２が傾斜しており、これにより、フェライト層１０をｚ方向に直線的に貫通しないことから、直進性の高いｚ方向の磁束φを効果的に遮蔽することが可能となる。
【００３３】
図１０は、第２の実施形態によるフェライト構造体２の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００３４】
図１０に示すように、第２の実施形態によるフェライト構造体２は、ギャップ１２が２つの垂直部分Ｖと１つの傾斜部分Ｉを有している点において、第１の実施形態によるフェライト構造体１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３５】
本実施形態においては、ギャップ１２の垂直部分Ｖがフェライト層１０の表面側に位置し、傾斜部分Ｉがフェライト層１０の内部に位置する。そして、フェライト層１０の両面に形成された垂直部分Ｖの平面位置が互いに異なっていることから、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同様、ギャップ１２がフェライト層１０をｚ方向に直線的に貫通しない。これにより、直進性の高いｚ方向の磁束φを効果的に遮蔽することが可能となる。
【００３６】
しかも、本実施形態によるフェライト構造体２は、ギャップ１２が垂直部分Ｖ及び傾斜部分Ｉの組み合わせによって構成されていることから、ｚ方向の磁束φだけでなく、ｚ方向に対して所定の傾きを持った磁束φについても、ギャップ１２を介してフェライト層１０を直線的に貫通しない。つまり、第１の実施形態によるフェライト構造体１では、ｚ方向に対して角度θの傾きを持った磁束φについては、一部がギャップ１２を介してフェライト層１０を直線的に貫通する可能性があるが、本実施形態によるフェライト構造体２は、このような傾きを持った磁束φについても、効果的に遮蔽することが可能となる。例えば、ｚ方向の磁束φについては、ギャップ１２の第１の区間である垂直部分Ｖに進入するが、第２の区間である傾斜部分Ｉが垂直部分Ｖとは異なる方向に延在していることから、進入した磁束φは、傾斜部分Ｉの壁面に吸収されることになる。
【００３７】
本実施形態によるフェライト構造体２を作製するためには、図１１に示すように、グリーンシートＧの表面Ｇａ，Ｇｂの異なる平面位置に、垂直な切り込み１２ａ，１２ｂを形成した後、焼成、ラミネート及び個片化を行えば良い。これにより、垂直な切り込み１２ａの先端と垂直な切り込み１２ｂの先端が斜め方向のクラックによって繋がることから、フェライト層１０の内部に傾斜部分Ｉを形成することが可能となる。
【００３８】
図１２は、第３の実施形態によるフェライト構造体３の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００３９】
図１２に示すように、第３の実施形態によるフェライト構造体３は、ギャップ１２が１つの垂直部分Ｖと２つの傾斜部分Ｉを有している点において、第１の実施形態によるフェライト構造体１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４０】
本実施形態においては、ギャップ１２の傾斜部分Ｉがフェライト層１０の表面側に位置し、垂直部分Ｖがフェライト層１０の内部に位置する。そして、フェライト層１０の両面に形成された傾斜部分Ｉの平面位置が互いに異なっていることから、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同様、ギャップ１２がフェライト層１０をｚ方向に直線的に貫通しない。これにより、ｚ方向の磁束φを効果的に遮蔽することが可能となる。
【００４１】
しかも、本実施形態によるフェライト構造体２は、第２の実施形態と同様、ギャップ１２が垂直部分Ｖ及び傾斜部分Ｉの組み合わせによって構成されていることから、ｚ方向の磁束φだけでなく、ｚ方向に対して所定の傾きを持った磁束φについても、ギャップ１２を介してフェライト層１０を直線的に貫通しない。例えば、ｚ方向に対して所定の角度θを持つ磁束φについては、ギャップ１２の第１の区間である傾斜部分Ｉに進入するが、第２の区間である垂直部分Ｖが傾斜部分Ｉとは異なる方向に延在していることから、進入した磁束φは、垂直部分Ｖの壁面に吸収されることになる。
【００４２】
本実施形態によるフェライト構造体３を作製するためには、図１３に示すように、グリーンシートＧの表面Ｇａ，Ｇｂの異なる平面位置に、傾斜した切り込み１２ａ，１２ｂを形成した後、焼成、ラミネート及び個片化を行えば良い。切り込み１２ａ，１２ｂの先端の平面位置はほぼ同じである。これにより、傾斜した切り込み１２ａの先端と傾斜した切り込み１２ｂの先端が垂直なクラックによって繋がることから、フェライト層１０の内部に垂直部分Ｖを形成することが可能となる。
【００４３】
図１４は、第４の実施形態によるフェライト構造体４の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００４４】
図１４に示すように、第４の実施形態によるフェライト構造体４は、ギャップ１２が２つの垂直部分Ｖと１つの水平部分Ｈを有している点において、第２の実施形態によるフェライト構造体２と相違している。その他の基本的な構成は、第２の実施形態によるフェライト構造体２と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施形態においては、ギャップ１２の垂直部分Ｖがフェライト層１０の表面側に位置し、水平部分Ｈがフェライト層１０の内部に位置する。そして、フェライト層１０の両面に形成された垂直部分Ｖの平面位置が互いに異なっていることから、第２の実施形態によるフェライト構造体２と同様、ギャップ１２がフェライト層１０を直線的に貫通しない。これにより、ｚ方向の磁束φ及び所定の傾きを持った磁束φを効果的に遮蔽することが可能となる。本実施形態が例示するように、本発明において、ギャップ１２が傾斜部分Ｉを有している点は必須ではない。
【００４６】
本実施形態によるフェライト構造体４を作製するためには、図１５に示すように、グリーンシートＧの表面Ｇａ，Ｇｂの異なる平面位置に、垂直な切り込み１２ａ，１２ｂを形成した後、焼成、ラミネート及び個片化を行えば良い。切り込み１２ａ，１２ｂの先端の深さ位置はほぼ同じである。これにより、垂直な切り込み１２ａの先端と垂直な切り込み１２ｂの先端が水平方向のクラックによって繋がることから、フェライト層１０の内部に水平部分Ｈを形成することが可能となる。
【００４７】
図１６は、第５の実施形態によるフェライト構造体５の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００４８】
図１６に示すように、第５の実施形態によるフェライト構造体５は、ギャップ１２が円弧状である点において、第１の実施形態によるフェライト構造体１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態が例示するように、本発明においてギャップ１２は曲線的であっても構わない。
【００４９】
図１７は、第６の実施形態によるフェライト構造体６の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００５０】
図１７に示すように、第６の実施形態によるフェライト構造体６は、ギャップ１２がＳ字型である点において、第１の実施形態によるフェライト構造体１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同じであることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。本実施形態が例示するように、本発明においてギャップ１２は、複数の曲線を組み合わせた形状であっても構わない。
【００５１】
図１８は、第７の実施形態によるフェライト構造体７の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００５２】
図１８に示すように、第７の実施形態によるフェライト構造体７は、第１のフェライト層１０Ａと第２のフェライト層１０Ｂの間に支持シート２０が挟み込まれた構造を有している。第１のフェライト層１０Ａは、ギャップ１２Ａによって複数のフェライト片１１Ａに分割された構造を有し、第２のフェライト層１０Ｂは、ギャップ１２Ｂによって複数のフェライト片１１Ｂに分割されたされた構造を有している。ギャップ１２Ａ，１２Ｂはいずれも垂直に延在しているが、ギャップ１２Ａとギャップ１２Ｂは、平面位置が互いに異なっている。これにより、上述した各実施形態と同様、ｚ方向の磁束φをフェライト片１１Ａ又は１１Ｂに吸収することが可能となる。
【００５３】
本実施形態によるフェライト構造体７を作製するためには、図１９に示すように、第１のグリーンシートＧＡの表面ＧＡａに垂直な切り込み１２Ａａを形成し、第２のグリーンシートＧＢの表面ＧＢｂに垂直な切り込み１２Ｂｂを形成した後、焼成する。次に、図２０に示すように、焼成したフェライト層１０Ａ，１０Ｂによって支持シート２０を挟み込んだ後、個片化を行えば良い。
【００５４】
図２１は、第８の実施形態によるフェライト構造体８の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００５５】
図２１に示すように、第８の実施形態によるフェライト構造体８は、支持シート２０が削除されているとともに、ギャップ１２に接着材料６０が充填された構造を有している。接着材料６０としては、樹脂、アクリル糊、両面テープ、接着剤、粘着剤等を用いることができる。フェライト片１１の形状は第１の実施形態と同じである。本実施形態が例示するように、本発明において支持シート２０を用いることは必須でなく、ギャップ１２に充填された接着材料６０を用いて、複数のフェライト片１１を一体的に支持しても構わない。また、接着材料６０が柔軟性を有していれば、フェライト構造体８をフレキシブルに曲げることも可能である。
【００５６】
本実施形態によるフェライト構造体８を作製するためには、図２２に示すように、焼成したフェライト層１０と接着材料６０を交互に積層した後、図２３に示すように、積層方向に対して所定の角度を持ったダイシングラインＤに沿って積層体を切断することにより、フェライト構造体８を取り出すことができる。これによれば、支持シート２０が不要となるだけでなく、複数のフェライト構造体８を多数個取りすることが可能となる。
【００５７】
図２４は、第９の実施形態によるフェライト構造体９の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００５８】
図２４に示すように、第９の実施形態によるフェライト構造体９は、薄いシート状の構造体ではなく、バルク状のフェライト片１１を床、壁、天井などの支持面７０に固定又は接着した構造を有している。隣接するフェライト片１１の間のギャップ１２は、第１の実施形態によるフェライト構造体１と同様、斜めに延在しており、これにより、支持面７０に対して垂直な方向の磁束を効果的に遮断することが可能となる。本実施形態が例示するように、本発明によるフェライト構造体が薄いシート状である点は必須でなく、バルク状のフェライト片１１を複数配列してなるものであっても構わない。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【実施例】
【００６０】
図３に示す構造を有するフェライト構造体１とコイル部品３０の積層体を想定し、コイル部品３０に所定の電流を流した場合に測定点Ｐ１，Ｐ２に生じる磁界強度をシミュレーションした。測定点Ｐ１は、コイル部品３０側に位置し、フェライト層１０の表面から０．５ｍｍ離れた空間上の点である。一方、測定点Ｐ２は、コイル部品３０とは反対側に位置し、フェライト層１０の裏面から０．５ｍｍ離れた空間上の点である。フェライト片１１のバルク状態での透磁率μは１０００とした。そして、フェライト片１１の平面サイズを１ｍｍ角、厚さを０．５ｍｍ、ギャップ１２の幅ｗを０．０５ｍｍに固定した状態で、フェライト片１１のエッジＥ１，Ｅ２の距離ｄを変化させた場合におけるシールド効果をシミュレーションした。シールド効果は、測定点Ｐ１における磁界強度と測定点Ｐ２における磁界強度の比によって定義した。結果を図２５に示す。
【００６１】
図２５に示すように、ｄ／ｗの値がゼロである場合、つまり、ギャップ１２が垂直である場合におけるシールド効果は、約−９．２ｄＢであったのに対し、ｄ／ｗの値が大きくなるにつれて、シールド効果が高くなることが確認された。特に、ｄ／ｗの値が１．５以上であると、ｄ／ｗの値がゼロである場合と比較して０．５ｄＢ以上のシールド効果の向上が確認された。上記の条件にてｄ／ｗの値が１．５である場合、ギャップ１２の傾きθは、約１０°である。また、ｄ／ｗの値が４．５以上であると、ｄ／ｗの値がゼロである場合と比較して１ｄＢ以上のシールド効果の向上が確認された。上記の条件にてｄ／ｗの値が４．５である場合、ギャップ１２の傾きθは、約２５°である。
【符号の説明】
【００６２】
１〜９    フェライト構造体
１０，１０Ａ，１０Ｂ    第２のフェライト層
１１，１１Ａ，１１Ｂ    フェライト片
１２，１２Ａ，１２Ｂ    ギャップ
１２ａ，１２ｂ，１２Ａａ，１２Ｂｂ    切り込み
２０    支持シート
３０    コイル部品
３１    支持体
３２    コイルパターン
４１，４２    型
４３ａ，４３ｂ    回転ローラ
５０    ステージ
５１，５２    圧延ローラ
５３    可撓性シート
６０    接着材料
７０    支持面
Ｄ    ダイシングライン
Ｅ１，Ｅ２    エッジ
Ｇ，ＧＡ，ＧＢ    グリーンシート
Ｇａ，Ｇｂ，ＧＡａ，ＧＢｂ    グリーンシートの表面
Ｈ    水平部分
Ｉ    傾斜部分
Ｖ    垂直部分
Ｐ１，Ｐ２    測定点
φ    磁束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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