(57)【要約】      （修正有）【課題】接続部の高さのバラつきが小さい配線基板を提供する。【解決手段】支持基板１と、パッド部ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２を含む複数の配線を有する配線層３と、配線層３を覆い、パッド部上に開口部Ｘを有するカバー絶縁層４と、を備える配線基板１０であって、内部パッド部ＰＢ１の厚さが内部パッド部ＰＡ１の厚さよりも大きいことおよび接続部５（Ｂ）の厚さが接続部５（Ａ）の厚さよりも大きいことの少なくとも一方を満たし、支持基板１の配線層３側の面を基準として、内部パッド部ＰＡ１の支持基板側の面までの高さは、内部パッド部ＰＢ１の支持基板側の面までの高さよりも大きく、支持基板の配線層側の面を基準として、接続部５（Ａ）の頂点までの高さは、接続部５（Ｂ）の頂点までの高さとの差が、１．５μｍ以下である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の一方の面側に形成され、パッド部を含む複数の配線を有する配線層と、
前記配線層を覆い、前記パッド部に対応する位置に開口部を有するカバー絶縁層と、
を備える配線基板であって、
前記配線基板は、素子を実装するための素子実装領域を有し、
前記配線は、前記パッド部として、前記素子実装領域の領域内に位置する内部パッド部を少なくとも有し、
前記開口部により露出した前記内部パッド部の面積は、２．０×１０−３ｍｍ２以下であり、
前記配線基板は、前記開口部により露出した前記内部パッド部上に、接続部を有し、
前記配線層は、前記複数の配線として、配線Ａおよび配線Ｂを有し、
前記配線Ａおよび前記配線Ｂは、前記内部パッド部として、それぞれ、内部パッド部Ａおよび内部パッド部Ｂを有し、
前記内部パッド部Ａ上および前記内部パッド部Ｂ上に、前記接続部として、それぞれ、接続部Ａおよび接続部Ｂが形成され、
前記内部パッド部Ｂの厚さが前記内部パッド部Ａの厚さよりも大きいこと、および、前記接続部Ｂの厚さが前記接続部Ａの厚さよりも大きいことの少なくとも一方を満たし、
前記支持基板の前記配線層側の面を基準として、前記内部パッド部Ａの前記支持基板側の面までの高さをｈαとし、前記内部パッド部Ｂの前記支持基板側の面までの高さをｈβとした場合に、前記ｈαが前記ｈβよりも大きく、
前記支持基板の前記配線層側の面を基準として、前記接続部Ａの頂点までの高さｈＡとし、前記接続部Ｂの頂点までの高さｈＢとした場合に、前記ｈＡおよび前記ｈＢの差（Δｈ）が、１．５μｍ以下である、配線基板。
【請求項２】
前記支持基板および前記内部パッド部Ａの間に層間絶縁層Ａが形成され、
前記支持基板および前記内部パッド部Ｂの間に層間絶縁層Ｂが形成され、
前記層間絶縁層Ｂの厚さが、前記層間絶縁層Ａの厚さよりも小さい、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記支持基板および前記内部パッド部Ａの間に層間絶縁層Ａが形成され、
前記支持基板および前記内部パッド部Ｂの間に層間絶縁層が形成されていない、請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記支持基板および前記内部パッド部Ａの間に高さ調整用配線層が形成されている、請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記接続部が、無電解めっき部である、請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記素子実装領域の領域内における全ての前記接続部において、前記支持基板の前記配線層側の面を基準として、前記接続部の頂点までの高さの最大値をｈＭＡＸとし、前記接続部の頂点までの高さの最小値をｈＭＩＮとした場合に、
前記ｈＡおよび前記ｈＢの一方が、前記ｈＭＡＸであり、
前記ｈＡおよび前記ｈＢの他方が、前記ｈＭＩＮである、請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線Ｂにおける、前記開口部により露出した前記パッド部の総面積が、前記配線Ａにおける前記総面積よりも大きく、
前記配線Ａにおける前記総面積をＳＡとし、前記配線Ｂにおける前記総面積をＳＢとした場合に、前記ＳＡに対する前記ＳＢの割合（ＳＢ／ＳＡ）が、１０３以上である、請求項１から請求項６までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記配線Ａおよび前記配線Ｂは、それぞれ、前記パッド部として、前記素子実装領域の領域外に位置する外部パッド部を有する、請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載の配線基板。
【請求項９】
請求項１から請求項８でのいずれかの請求項に記載の配線基板と、
前記素子実装領域に実装された素子と、
を有する、素子付配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板および素子付配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の素子を実装するための配線基板が知られている。配線基板の電極パッドと、素子の電極パッドとは、例えば、ＵＢＭ（Under Bump Metal）、はんだバンプ等の接続部を介して電気的に接続される。
【０００３】
例えば、特許文献１には、配線パターンと、複数のパッド電極と、パッド電極上に形成された導電膜と、導電膜上に形成されたバンプとを有する実装基板が開示されている。また、配線基板ではなく、半導体装置（半導体チップ）に関する技術であるものの、特許文献２には、光起電力を生じ得る半導体装置に無電解メッキ処理を施して電極を形成する半導体装置の電極の製造方法であって、光起電力を取り除いた状態で、無電解メッキ処理を施す、半導体装置の電極の製造方法が開示されている。また、特許文献３には、半田バンプによる接続部の高さを一定に保持する基板支持台を備えた半導体パッケージが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１１４１９号公報
【特許文献２】特開２０００−１５０４２２号公報
【特許文献３】特開平１０−１６３３６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線基板は、素子が実装される領域に、複数の電極パッドを有する。複数の電極パッドには、それぞれ接続部が形成されるが、それらの高さのバラつきが大きいと、実装される素子が傾き、実装不良が生じる。
【０００６】
本開示は、上記実情に鑑みてなされたものであり、接続部の高さのバラつきが小さい配線基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示においては、支持基板と、上記支持基板の一方の面側に形成され、パッド部を含む複数の配線を有する配線層と、上記配線層を覆い、上記パッド部に対応する位置に開口部を有するカバー絶縁層と、を備える配線基板であって、上記配線基板は、素子を実装するための素子実装領域を有し、上記配線は、上記パッド部として、上記素子実装領域の領域内に位置する内部パッド部を少なくとも有し、上記開口部により露出した上記内部パッド部の面積は、２．０×１０−３ｍｍ２以下であり、上記配線基板は、上記開口部により露出した上記内部パッド部上に、接続部を有し、上記配線層は、上記複数の配線として、配線Ａおよび配線Ｂを有し、上記配線Ａおよび上記配線Ｂは、上記内部パッド部として、それぞれ、内部パッド部Ａおよび内部パッド部Ｂを有し、上記内部パッド部Ａ上および上記内部パッド部Ｂ上に、上記接続部として、それぞれ、接続部Ａおよび接続部Ｂが形成され、上記内部パッド部Ｂの厚さが上記内部パッド部Ａの厚さよりも大きいこと、および、上記接続部Ｂの厚さが上記接続部Ａの厚さよりも大きいことの少なくとも一方を満たし、上記支持基板の上記配線層側の面を基準として、上記内部パッド部Ａの上記支持基板側の面までの高さをｈαとし、上記内部パッド部Ｂの上記支持基板側の面までの高さをｈβとした場合に、上記ｈαが上記ｈβよりも大きく、上記支持基板の上記配線層側の面を基準として、上記接続部Ａの頂点までの高さｈＡとし、上記接続部Ｂの頂点までの高さｈＢとした場合に、上記ｈＡおよび上記ｈＢの差（Δｈ）が、１．５μｍ以下である、配線基板を提供する。
【０００８】
本開示によれば、内部パッド部および接続部の少なくとも一方の厚さにバラつきが存在する場合であっても、支持基板および内部パッド部の間の厚さを調整することで、接続部の高さのバラつきが小さい配線基板とすることができる。
【０００９】
上記開示においては、上記支持基板および上記内部パッド部Ａの間に層間絶縁層Ａが形成され、上記支持基板および上記内部パッド部Ｂの間に層間絶縁層Ｂが形成され、上記層間絶縁層Ｂの厚さが、上記層間絶縁層Ａの厚さよりも小さくてもよい。
【００１０】
上記開示においては、上記支持基板および上記内部パッド部Ａの間に層間絶縁層Ａが形成され、上記支持基板および上記内部パッド部Ｂの間に層間絶縁層が形成されていなくてもよい。
【００１１】
上記開示においては、上記支持基板および上記内部パッド部Ａの間に高さ調整用配線層が形成されていてもよい。
【００１２】
上記開示においては、上記接続部が、無電解めっき部であってもよい。
【００１３】
上記開示においては、上記素子実装領域の領域内における全ての上記接続部において、上記支持基板の上記配線層側の面を基準として、上記接続部の頂点までの高さの最大値をｈＭＡＸとし、上記接続部の頂点までの高さの最小値をｈＭＩＮとした場合に、上記ｈＡおよび上記ｈＢの一方が、上記ｈＭＡＸであり、上記ｈＡおよび上記ｈＢの他方が、上記ｈＭＩＮであってもよい。
【００１４】
上記開示においては、上記配線Ｂにおける、上記開口部により露出した上記パッド部の総面積が、上記配線Ａにおける上記総面積よりも大きく、上記配線Ａにおける上記総面積をＳＡとし、上記配線Ｂにおける上記総面積をＳＢとした場合に、上記ＳＡに対する上記ＳＢの割合（ＳＢ／ＳＡ）が、１０３以上であってもよい。
【００１５】
上記開示において、上記配線Ａおよび上記配線Ｂは、それぞれ、上記パッド部として、上記素子実装領域の領域外に位置する外部パッド部を有していてもよい。
【００１６】
また、本開示においては、上述した配線基板と、上記素子実装領域に実装された素子と、を有する、素子付配線基板を提供する。
【００１７】
本開示によれば、上述した配線基板を用いることにより、実装された素子に傾きが生じることが抑制された素子付配線基板とすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本開示における配線基板は、接続部の高さのバラつきが小さいという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本開示における配線基板および素子付配線基板を説明する模式図である。
【図２】本開示における課題を説明する概略断面図である。
【図３】接続部を形成する前の配線基板を例示する概略断面図である。
【図４】本開示における配線基板を例示する概略断面図である。
【図５】本開示における配線基板を例示する概略断面図である。
【図６】本開示における接続部周辺を例示する概略断面図である。
【図７】本開示における接続部周辺を例示する概略断面図である。
【図８】本開示における接続部周辺を例示する概略断面図である。
【図９】本開示における接続部周辺を例示する概略断面図である。
【図１０】本開示における接続部周辺を例示する概略断面図である。
【図１１】本開示における接続部を例示する概略断面図である。
【図１２】本開示における素子付配線基板を例示する概略断面図である。
【図１３】実験例１〜３を説明する概略平面図である。
【図１４】実験例１〜３で得られた配線基板における、ＳＢ／ＳＡおよびΔｈの関係図である。
【図１５】実験例４を説明する概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
下記に、図面等を参照しながら本開示における実施の形態を説明する。ただし、本開示は多くの異なる態様で実施することが可能であり、下記に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の形態に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表わされる場合があるが、あくまで一例であって、本開示における解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【００２１】
本明細書において、ある部材の上に他の部材を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」、あるいは「下に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある部材に接するように、直上、あるいは直下に他の部材を配置する場合と、ある部材の上方、あるいは下方に、さらに別の部材を介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。同様に、本明細書において、「ある部材の面側に」と表記する場合、特段の断りのない限りは、ある部材の面に接するように直接、他の部材を配置する場合と、ある部材の面に別の部材の介して他の部材を配置する場合との両方を含むものとする。
【００２２】
Ａ．配線基板
図１は、本開示における配線基板および素子付配線基板を説明する模式図である。図１（ａ）は本開示における配線基板を例示する概略断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｃ）は本開示における素子付配線基板を例示する概略断面図であり、図１（ｄ）は図１（ｃ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００２３】
図１（ａ）、（ｂ）に示される配線基板１０は、支持基板１と、層間絶縁層２と、配線層３とを、この順に有する。さらに、配線層３を覆うカバー絶縁層４には開口部Ｘが設けられており、開口部Ｘにより露出した配線層３に、接続部５（配線基板側接続部５）が形成されている。一方、図１（ｃ）、（ｄ）に示される素子付配線基板３０は、配線基板１０と、素子側接続部２５を有する素子２０とを備える。図１（ｃ）、（ｄ）では、配線基板側接続部５および素子側接続部２５が接触することにより、配線基板１０および素子２０が電気的に接続されている。
【００２４】
図１（ｂ）では、配線基板１０の素子２０が実装される領域に、複数の接続部５が形成されているが、複数の接続部５の高さのバラつきが大きいと、実装される素子が傾き、実装不良が生じる。例えば図２では、中央に位置する接続部５の高さが、左右の接続部５の高さよりも大きいため、素子２０が傾き、実装不良が生じる。なお、後述するように、接続部の高さのバラつきは、配線層３（内部パッド部）の厚さのバラつき、および、接続部５の厚さのバラつきに大きな影響を受ける。
【００２５】
本開示においては、内部パッド部および接続部の少なくとも一方の厚さにバラつきが存在する場合であっても、支持基板および内部パッド部の間の厚さを調整することで、接続部の高さのバラつきを小さくすることができる。図３および図４を用いて、本開示における配線基板をさらに詳細に説明する。図３は、接続部を形成する前の配線基板を例示する概略断面図である。図３に示される配線基板１０は、支持基板１と、支持基板１の一方の面側に形成され、複数の配線Ａ、Ｂを有する配線層３と、を備える。配線Ａは、パッド部ＰＡ１と、パッド部ＰＡ２と、パッド部ＰＡ１およびパッド部ＰＡ２を電気的に接続するリード部ＬＡとを有する。配線Ｂは、パッド部ＰＢ１と、パッド部ＰＢ２と、パッド部ＰＢ１およびパッド部ＰＢ２を電気的に接続するリード部ＬＢとを有する。さらに、配線基板１０は、配線層３を覆い、パッド部（ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＢ１、ＰＢ２）に対応する位置に開口部Ｘを有するカバー絶縁層４を備える。
【００２６】
また、図３に示される配線基板１０は、素子（図示せず）を実装するための素子実装領域Ｍを有する。配線Ａにおけるパッド部ＰＡ１、および、配線Ｂにおけるパッド部ＰＢ１は、素子実装領域Ｍの領域内に位置する内部パッド部に該当する。一方、配線Ａにおけるパッド部ＰＡ２、および、配線Ｂにおけるパッド部ＰＢ２は、素子実装領域Ｍの領域外に位置する外部パッド部に該当する。
【００２７】
図４（ａ）に示すように、配線基板１０は、開口部Ｘにより露出した内部パッド部（ＰＡ１、ＰＢ１）上に接続部５（Ａ、Ｂ）を有する。図４（ａ）では、配線Ｂの厚さが、配線Ａの厚さよりも大きい。図４（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ、図４（ａ）における内部パッド部ＰＡ１および内部パッド部ＰＢ１の周辺領域を示す模式図である。図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、支持基板１の配線層３側の面を基準として、内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の支持基板１側の面までの高さをｈαとし、内部パッド部Ｂ（ＰＢ１）の支持基板１側の面までの高さをｈβとする。図４（ｂ）、（ｃ）では、ｈαがｈβよりも大きい。例えば、配線Ｂの厚さが配線Ａの厚さよりも大きい場合であっても、ｈαがｈβよりも大きいことから、接続部５（Ａ、Ｂ）の高さのバラつき（Δｈ）を小さくすることができる。
【００２８】
本開示によれば、内部パッド部および接続部の少なくとも一方の厚さにバラつきが存在する場合であっても、支持基板および内部パッド部の間の厚さを調整することで、接続部の高さのバラつきが小さい配線基板とすることができる。なお、接続部の高さのバラつきが小さいことは、接続部の高さの均一性（コプラナリティ）が高いことと同義である。
【００２９】
上述したように、接続部の高さのバラつきは、配線層（内部パッド部）の厚さのバラつき、および、接続部の厚さのバラつきに大きな影響を受ける。配線層（内部パッド部）の厚さのバラつきは、例えば、電解めっき法で配線層を形成する場合に、局所的な電界の偏りが生じることで大きくなる。また、接続部の厚さのバラつきは、例えば、無電解めっき法で接続部を形成する場合であって、さらにパッド部の総面積が異なる場合に大きくなる。また、接続部の高さのバラつきによる実装不良は、配線基板が、微小な電極パッド（パッド部）を有する場合、言い換えると、微小な素子を実装する場合に特に問題なる。
【００３０】
また、接続部の厚さのバラつきと、パッド部の総面積との関係を説明する。比較的大きな配線基板では、例えばグランド用のパッド部の面積を大きく取ることが可能であるため、グランド用のパッド部の総面積（厳密には、開口部により露出したパッド部の総面積）が相対的に大きい。これに対して、グランド用のパッド部を有しない配線は、パッド部の総面積が相対的に小さい。このように、比較的大きな配線基板では、パッド部の総面積が、配線によって大きく異なりやすい。
【００３１】
無電解めっきを用いた場合に、パッド部の総面積の違いによって接続部の高さ（厚さ）にバラつきが生じる理由は、以下のように推測される。配線は、電気的にＣ（静電容量）成分を有するが、パッド部の表面における化学反応により電荷Ｑが発生し、それにより配線に電位Ｖが発生する（Ｖ＝Ｑ／Ｃ）。電荷Ｑは、開口部により露出したパッド部の総面積Ｓに比例することから、総面積Ｓが大きいと、電位Ｖも大きくなる。電位Ｖが大きいと、平衡状態になるまでに多くの金属イオン（例えばＮｉイオン）が析出するため、接続部が高く（厚く）なると推測される。
【００３２】
特許文献１には、半導体チップのパッド電極上に、バンプの下地となる導電膜を無電解めっき法により形成する場合に、形成される導電膜の膜厚にバラつきが生じることが記載されている。同様に、特許文献２には、半導体素子に対して、無電解めっき法を用いて、下地電極等を形成しようとすると、核となる金属の表面に析出する析出金属の厚みあるいは高さにバラつきを生じることが記載されている。しかしながら、この記載は、半導体チップ等の微小な素子に関する記載であり、素子を実装する配線基板に関する記載ではない。むしろ、特許文献２には、無電解めっき法を用いる場合でも、半導体パッケージ用のリードフレーム等においては、析出金属のめっき厚さのバラつきが特に問題となることはなかったことが明記されている。
【００３３】
１．配線基板の構成
本開示における配線基板は、素子を実装するための素子実装領域を有する。素子実装領域とは、平面視上、素子と重複する配線基板の領域であって、素子が実装される側の領域をいう。なお、平面視上、素子と重複する配線基板の領域であっても、素子が実装される側とは反対側（支持基板を基準として配線層とは反対側）の領域は、素子実装領域には該当しない。素子実装領域の面積は、例えば、４．０×１０−３ｍｍ２以上、２５００ｍｍ２以下である。
【００３４】
配線層は、複数の配線を有する。さらに、各配線は、通常、複数のパッド部を有する。配線は、パッド部として、素子実装領域の領域内に位置する内部パッド部を少なくとも有する。例えば、図３におけるパッド部ＰＡ１およびパッド部ＰＢ１は、内部パッド部に該当する。内部パッド部の数は、特に限定されないが、通常、２個以上であり、４個以上であってもよく、６個以上であってもよく、８個以上であってもよく、１５個以上であってもよい。一方、内部パッド部の数は、例えば１０６個以下である。内部パッド部の数は、例えば２個以上１０６個以下であり、４個以上１０６個以下であってもよく、６個以上１０６個以下であってもよく、８個以上１０６個以下であってもよく、１５個以上１０６個以下であってもよい。
【００３５】
本開示においては、開口部により露出した内部パッド部の面積が小さい。開口部により露出した内部パッド部の面積は、通常、２．０×１０−３ｍｍ２以下である。上記面積は、１．２６×１０−３ｍｍ２以下であってもよく、０．７１×１０−３ｍｍ２以下であってもよく、０．３１×１０−３ｍｍ２以下であってもよい。一方、上記面積は、例えば２．０×１０−５ｍｍ２以上である。上記面積は、例えば２．０×１０−５ｍｍ２以上２．０×１０−３ｍｍ２以下であり、２．０×１０−５ｍｍ２以上１．２６×１０−３ｍｍ２以下であってもよく、２．０×１０−５ｍｍ２以上０．７１×１０−３ｍｍ２以下であってもよく、２．０×１０−５ｍｍ２以上０．３１×１０−３ｍｍ２以下であってもよい。
【００３６】
開口部により露出した内部パッド部の平面視形状は、特に限定されないが、例えば、円、矩形が挙げられる。開口部により露出した内部パッド部の平面視形状が円である場合、２．０×１０−３ｍｍ２は、直径が５０μｍである内部パッド部の面積に該当する。上記直径は、４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよい。一方、上記直径は、例えば５μｍ以上である。上記直径は、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、５μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。
【００３７】
配線層は、配線Ａおよび配線Ｂを少なくとも有する。また、配線Ａおよび配線Ｂは、内部パッド部として、それぞれ、内部パッド部Ａおよび内部パッド部Ｂを有する。さらに、内部パッド部Ａ上および内部パッド部Ｂ上に、接続部として、それぞれ、接続部Ａおよび接続部Ｂが形成されている。
【００３８】
本開示における配線基板は、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きいこと、および、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きいことの少なくとも一方を満たす。例えば、図４（ｂ）、（ｃ）では、内部パッド部Ｂ（ＰＢ１）の厚さが内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の厚さよりも大きいが、接続部Ｂ（接続部５）の厚さは、接続部Ａ（接続部５）の厚さと同じである。一方、図５（ａ）〜（ｃ）は、図４（ａ）〜（ｃ）と同様の図であるが、図５（ｂ）、（ｃ）では、接続部Ｂ（接続部５）の厚さが接続部Ａ（接続部５）の厚さよりも大きいが、内部パッド部Ｂ（ＰＢ１）の厚さは、内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の厚さと同じである。
【００３９】
内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きい場合、その厚さの差は、例えば０．１μｍ以上であり、１．５μｍ以上であってもよく、２．５μｍ以上であってもよい。一方、上記厚さの差は、例えば５μｍ以下である。上記厚さの差は、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下であり、１．５μｍ以上５μｍ以下であり、２．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。また、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きい場合、接続部Ｂの厚さは、接続部Ａの厚さより大きくてもよく、接続部Ａの厚さと同じであってもよく、接続部Ａの厚さより小さくてもよい。
【００４０】
また、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい場合、その厚さの差は、例えば０．１μｍ以上であり、１．５μｍ以上であってもよく、２．５μｍ以上であってもよい。一方、上記厚さの差は、例えば５．５μｍ以下である。上記厚さの差は、例えば０．１μｍ以上５．５μｍ以下であり、１．５μｍ以上５．５μｍ以下であり、２．５μｍ以上５．５μｍ以下であってもよい。また、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい場合、内部パッド部Ｂの厚さは、内部パッド部Ａの厚さより大きくてもよく、内部パッド部Ａの厚さと同じであってもよく、内部パッド部Ａの厚さより小さくてもよい。
【００４１】
本開示において、内部パッド部Ａおよび内部パッド部Ｂの厚さが同じであるとは、両者の厚さが、０．１μｍ未満であることをいう。同様に、本開示において、内部パッド部Ａおよび内部パッド部Ｂの厚さが同じであるとは、両者の厚さが、０．１μｍ未満であることをいう。
【００４２】
内部パッド部の厚さは、例えば０．１μｍ以上であり、０．５μｍ以上であってもよく、１μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。一方、内部パッド部の厚さは、例えば２０μｍ以下であり、１５μｍ以下であってもよい。内部パッド部の厚さは、例えば０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、０．５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。また、接続部の厚さは、例えば０．５μｍ以上であり、１．０μｍ以上であってもよく、１．５μｍ以上であってもよく、２．０μｍ以上であってもよく、２．５μｍ以上であってもよい。一方、接続部の厚さは、例えば１０μｍ以下であり、８μｍ以下であってもよく、６μｍ以下であってもよく、５μｍ以下であってもよい。接続部の厚さは、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下であり、１．０μｍ以上８μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上６μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上５μｍ以下であってもよく、２．５μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
【００４３】
図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、支持基板１の配線層３側の面を基準として、内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の支持基板１側の面までの高さをｈαとし、内部パッド部Ｂ（ＰＢ１）の支持基板１側の面までの高さをｈβとする。本開示においては、ｈαがｈβよりも大きい。
【００４４】
図６は、本開示における接続部周辺を例示する概略断面図である。具体的に、支持基板１から接続部５までの層構成を例示している。本開示においては、接続部Ａおよび接続部Ｂとして、これらの層構成の任意の組み合わせを採用することができる。
【００４５】
例えば図６（ａ）では、支持基板１側から順に、第一配線層３ｘ、層間絶縁層２、第二配線層３ｙおよび接続部５が形成されている。図６（ｂ）では、支持基板１側から順に、層間絶縁層２、配線層３および接続部５が形成されている。図６（ｃ）では、支持基板１側から順に、第一配線層３ｘ、第二配線層３ｙおよび接続部５が形成されている。図６（ｄ）では、支持基板１側から順に、配線層３および接続部５が形成されている。図６（ｅ）では、支持基板１側から順に、層間絶縁層２、第一配線層３ｘ、第二配線層３ｙおよび接続部５が形成されている。図６（ｆ）では、支持基板１側から順に、第一層間絶縁層２ｘ、第一配線層３ｘ、第二層間絶縁層２ｙ、第二配線層３ｙおよび接続部５が形成されている。なお、図６（ａ）、（ｃ）、（ｅ）、（ｆ）では、第二配線層３ｙの一部が内部パッド部として機能し、図６（ｂ）、（ｄ）では、配線層３の一部が内部パッド部として機能している。また、図６（ｂ）、（ｄ）における配線層３は、例えば、図６（ａ）における第一配線層３ｘ（配線層が２層ある場合の支持基板側の配線層）であってもよく、第二配線層３ｙ（配線層が２層ある場合のカバー絶縁層側の配線層）であってもよい。
【００４６】
本開示においては、支持基板および内部パッド部Ａの間に層間絶縁層Ａが形成され、支持基板および内部パッド部Ｂの間に層間絶縁層Ｂが形成され、層間絶縁層Ｂの厚さが、層間絶縁層Ａの厚さよりも小さくてもよい。例えば図７（ａ）〜（ｅ）では、いずれも、支持基板１および内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の間に層間絶縁層Ａ（層間絶縁層２）が形成され、支持基板１および内部パッド部Ｂ（ＰＢ１）の間に層間絶縁層Ｂ（層間絶縁層２）が形成され、層間絶縁層Ｂの厚さが、層間絶縁層Ａの厚さよりも小さい。図７（ａ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さと同じである。図７（ｂ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さと同じであり、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。図７（ｃ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さも接続部Ａの厚さよりも大きい。図７（ｄ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも小さく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。図７（ｅ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも小さい。
【００４７】
なお、図７（ａ）〜（ｅ）では、層間絶縁層Ｂの厚さが、層間絶縁層Ａの厚さよりも小さいが、例えば、内部パッド部として、内部パッド部Ａ、Ｂ以外の内部パッド部Ｃが存在する場合、層間絶縁層Ｃの厚さが、層間絶縁層Ａの厚さよりも小さくてもよい。内部パッド部Ｃの数は、１個であってもよく、２個以上であってもよい。
【００４８】
本開示においては、支持基板および内部パッド部Ａの間に層間絶縁層Ａが形成され、支持基板および内部パッド部Ｂの間に層間絶縁層が形成されていなくてもよい。例えば図８（ａ）〜（ｃ）では、いずれも、支持基板１および内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の間に層間絶縁層Ａ（層間絶縁層２）が形成され、支持基板１および内部パッド部Ｂ（ＰＢ１）の間に層間絶縁層２が形成されていない。図８（ａ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さと同じであり、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。図８（ｂ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さも接続部Ａの厚さよりも大きい。図８（ｃ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも小さく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。
【００４９】
本開示においては、支持基板および内部パッド部Ａの間に高さ調整用配線層が形成されていてもよい。例えば図９（ａ）〜（ｃ）および図１０（ａ）〜（ｅ）では、いずれも、支持基板１および内部パッド部Ａ（ＰＡ１）の間に、高さ調整用配線層３１が形成されている。なお、高さ調整用配線層３１は、例えば、図６（ａ）に示す第一配線層３ｘであってもよい。また、図９（ａ）〜（ｃ）および図１０（ａ）〜（ｅ）では、支持基板１側から順に、高さ調整用配線層３１および層間絶縁層Ａ（層間絶縁層２）が形成されているが、高さ調整用配線層３１および層間絶縁層Ａの順が逆であってもよい。また、例えば、支持基板１および高さ調整用配線層３１の間に、他の層間絶縁層が形成されていてもよい。図９（ａ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さと同じである。図９（ｂ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さと同じであり、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。図９（ｃ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さも接続部Ａの厚さよりも大きい。
【００５０】
また、図９（ａ）〜（ｃ）では、層間絶縁層Ｂの厚さが、層間絶縁層Ａの厚さと同じであるが、図１０（ａ）〜（ｅ）に示すように、層間絶縁層Ｂの厚さが、層間絶縁層Ａの厚さよりも小さくてもよい。図１０（ａ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さと同じである。図１０（ｂ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さと同じであり、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。図１０（ｃ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さも接続部Ａの厚さよりも大きい。図１０（ｄ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも小さく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも大きい。図１０（ｅ）では、内部パッド部Ｂの厚さが内部パッド部Ａの厚さよりも大きく、接続部Ｂの厚さが接続部Ａの厚さよりも小さい。
【００５１】
図４（ａ）に示すように、支持基板１の配線層３側の面を基準として、接続部５（Ａ）の頂点までの高さｈＡとし、配線Ｂの接続部５（Ｂ）の頂点までの高さｈＢとする。ｈＡは、ｈＢより小さくてもよく、ｈＢと同じであってもよく、ｈＢより大きくてもよい。ｈＡおよびｈＢの差（Δｈ）は、通常、１．５μｍ以下であり、１μｍ以下であってもよく、０．８μｍ以下であってもよく、０．６μｍ以下であってもよい。ｈＡおよびｈＢは、配線基板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察することにより、求めることができる。具体的には、配線基板を樹脂封止し、その後、内部パッド部ＰＡ１および内部パッド部ＰＢ１を含む領域に対して、イオンミリング装置（日本電子製、ＩＢ−１９５３０ＣＰ）を用いて、断面出しを行う。その後、ＳＥＭ（Ｃａｒｌ  Ｚｅｉｓｓ社製、Ｕｌｔｒａ５５）を用いて、加速電圧５ｋＶにて観察する。その後、支持基板の配線層側の面から接続部の頂点までの高さｈＡおよびｈＢを、ＳＥＭの計測機能（校正後）に用いて測定する。これにより、ｈＡおよびｈＢを求めることができる。
【００５２】
また、素子実装領域の領域内における全ての接続部において、支持基板の配線層側の面を基準として、接続部の頂点までの高さの最大値をｈＭＡＸとし、接続部の頂点までの高さの最小値をｈＭＩＮとした場合に、ｈＡおよびｈＢの一方がｈＭＡＸであり、ｈＡおよびｈＢの他方がｈＭＩＮであってもよい。すなわち、素子実装領域の領域内における全ての接続部の高さが、ｈＡおよびｈＢで規定される範囲に含まれることが好ましい。
【００５３】
配線Ｂにおける、開口部により露出したパッド部の総面積は、配線Ａにおける上記総面積よりも大きくてもよく、同じであってもよく、小さくてもよい。例えば図３では、配線Ａは、パッド部ＰＡ１およびパッド部ＰＡ２を有する。そのため、開口部により露出したパッド部ＰＡ１およびパッド部ＰＡ２の面積の合計が、総面積になる。また、パッド部の面積とは、接続部が形成される部分の面積をいう。そのため、パッド部の側面にも接続部が形成される場合には、パッド部の側面も含めて総面積を求める。
【００５４】
配線Ａにおける上記総面積をＳＡとし、配線Ｂにおける上記総面積をＳＢとする。ＳＡに対するＳＢの割合（ＳＢ／ＳＡ）は、例えば１０３以上であり、１０４以上であってもよい。一方、ＳＢ／ＳＡは、例えば１０６以下であり、１０５以下であってもよい。ＳＢ／ＳＡは、例えば１０３以上１０６以下であり、１０４以上１０５以下であってもよい。
【００５５】
内部パッド部を有する複数の配線において、配線Ａが上記総面積の最も小さい配線であってもよい。また、内部パッド部を有する複数の配線において、配線Ｂが上記総面積の最も大きい配線であってもよい。
【００５６】
配線は、パッド部として、内部パッド部のみを有していてもよく、内部パッド部に加えて、外部パッド部を有していてもよい。外部パッド部は、素子実装領域の領域外に位置するパッド部である。例えば、配線Ａは、内部パッド部のみを有していてもよく、内部パッド部および外部パッド部を有していてもよい。一方、配線Ｂは、内部パッド部および外部パッド部を有することが好ましい。
【００５７】
外部パッド部は、支持基板を基準として、素子実装領域側に形成されていてもよく、素子実装領域とは反対側に形成されていてもよい。
【００５８】
配線は、内部パッド部を一つのみ有していてもよく、二以上有していてもよい。同様に、配線は、外部パッド部を一つのみ有していてもよく、二以上有していてもよい。配線は、支持基板を基準として、素子実装領域側に第一外部パッド部を有し、素子実装領域とは反対側に第二外部パッド部Ｐを有していてもよい。
【００５９】
２．配線基板の部材
本開示における配線基板は、支持基板、配線層、カバー絶縁層を少なくとも有する。さらに、層間絶縁層等の他の層を有していてもよい。
【００６０】
（１）支持基板
支持基板は、後述する配線層等を支持する層である。支持基板は、柔軟性を有していてもよく、有していなくてもよい。支持基板としては、例えば、ガラス基板、セラミックス基板等の無機基板、樹脂基板、紙基板、金属基板が挙げられる。ガラス基板としては、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラスが挙げられる。樹脂基板としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル、アクリル樹脂、ポリオレフィン（例えばポリエチレン、ポリプロピレ）、ポリシクロオレフィン（例えばポリノルボルネン）、液晶性高分子化合物が挙げられる。また、支持基板として、ガラス−エポキシ樹脂、紙エポキシ、紙フェノール等の複合材を用いてもよい。さらに、支持基板として、ＴＦＴ(Thin Film Transistor)基板を用いることもできる。
【００６１】
支持基板の平面視形状は、特に限定されないが、例えば、長方形、正方形等の矩形が挙げられる。支持基板が矩形である場合、一辺の長さは、例えば１０ｍｍ以上であり、１００ｍｍ以上であってもよい。一方、一辺の長さは、例えば２０００ｍｍ以下である。一辺の長さは、例えば１０ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であり、１００ｍｍ以上２０００ｍｍ以下であってもよい。また、支持基板の厚さは、例えば３μｍ以上であり、１０μｍ以上であってもよく、１００μｍ以上であってもよく、３００μｍ以上であってもよい。一方、支持基板の厚さは、例えば、１０００μｍ以下である。支持基板の厚さは、例えば３μｍ以上１０００μｍ以下であり、１０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよく、３００μｍ以上１０００μｍ以下であってもよい。
【００６２】
（２）配線層
配線層は、支持基板の一方の面側に形成され、パッド部を含む複数の配線を有する。配線基板は、配線層を一層のみ有していてもよく、二層以上有していてもよい。後者の場合、支持基板および層間絶縁層の少なくとも一方を介して、二層の配線層が厚さ方向に積層されていることが好ましい。厚さ方向に積層された配線層は、ビアを介して、電気的に接続されていてもよい。また、配線層は、支持基板の一方の面側のみに形成されていてもよく、支持基板の両方の面側に形成されていてもよい。
【００６３】
配線層における配線の数は、通常、２個以上であり、４個以上であってもよく、６個以上であってもよく、８個以上であってもよく、１５個以上であってもよい。一方、配線層における配線の数は、例えば、１０６個以下である。配線層における配線の数は、例えば２個以上１０６個以下であり、４個以上１０６個以下であってもよく、６個以上１０６個以下であってもよく、８個以上１０６個以下であってもよく、１５個以上１０６個以下であってもよい。また、各々の配線は、通常、複数のパッド部を有する。さらに、各々の配線は、複数のパッド部を電気的に接続するリード部を有することが好ましい。
【００６４】
配線の材料としては、例えば、金属単体、合金、金属化合物の金属材料が挙げられる。金属材料に含まれる金属元素としては、例えは、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、オスミウム、イリジウム、白金、金、水銀、タリウム、鉛、ビスマス、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル、アルミニウムが挙げられる。中でも、配線の材料は、銅、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロム等の金属単体、または、これらの金属元素の少なくとも一種を含む合金が好ましい。また、配線として、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の金属酸化物を用いることもできる。
【００６５】
配線の具体例としては、例えば、グランド用配線、電源用配線、共通（コモン）配線、信号配線、ゲート配線、ドレイン配線、ソース配線、走査配線が挙げられる。配線Ａおよび配線Ｂが、上記のいずれかの配線であることが好ましい。中でも、配線Ｂは、グランド用配線、電源用配線または共通（コモン）配線であることが好ましい。また、配線Ａの面積をＴＡとし、配線Ｂの面積をＴＢとする。ＴＢは、通常、ＴＡよりも大きい。ＴＡに対するＴＢの割合（ＴＢ／ＴＡ）は、例えば１０２以上であり、１０３以上であってよい。一方、ＴＢ／ＴＡは、例えば１０８以下であり、１０７以下であってよい。ＴＢ／ＴＡは、例えば１０２以上１０８以下であり、１０３以上１０７以下であってもよい。配線の面積は、パッド部およびリード部を含む配線表面の総面積をいう。
【００６６】
配線層の形成方法は、アディティブ法であってもよく、サブトラクティブ法であってもよい。アディティブ法では、例えばフォトリソグラフィー法によりレジストパターンを作製し、レジストパターンから露出した部分に、めっき法を行うことにより、パターン状の配線層が得られる。電解めっき法を用いる場合は、レジストパターンを作製する前に、配線層を形成する基材（例えば支持基板、層間絶縁層）上に導電層を形成してもよい。サブトラクティブ法では、例えば、全面形成した配線層上にレジストパターンを作製し、レジストパターンから露出した部分をエッチングすることにより、パターン状の配線層が得られる。
【００６７】
配線層の厚さは、例えば０．１μｍ以上であり、０．５μｍ以上であってもよく、１μｍ以上であってもよく、３μｍ以上であってもよく、５μｍ以上であってもよい。一方、配線層の厚さは、例えば２０μｍ以下であり、１５μｍ以下であってもよい。配線層の厚さは、例えば０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、０．５μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、１μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、３μｍ以上１５μｍ以下であってもよく、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。例えばスパッタリング法により配線層を形成する場合、比較的薄い配線層を得ることができる。また、例えばめっき法により配線層を形成する場合には、比較的厚い配線層を得ることができる。
【００６８】
（３）カバー絶縁層
カバー絶縁層は、配線層を覆い、パッド部に対応する位置に開口部を有する。カバー絶縁層は、配線層の劣化および短絡を防止する機能を有する。カバー絶縁層は、支持基板の一方の面側のみに形成されていてもよく、支持基板の両方の面側に形成されていてもよい。
【００６９】
カバー絶縁層の材料は、感光性材料であってもよく、非感光性材料であってもよい。また、カバー絶縁層の材料は、絶縁性樹脂であることが好ましい。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル、アクリル樹脂、ポリオレフィン（例えばポリエチレン、ポリプロピレ）、ポリシクロオレフィン（例えばポリノルボルネン）、液晶性高分子化合物が挙げられる。カバー絶縁層の厚さは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下である。
【００７０】
カバー絶縁層の形成方法は、カバー絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー絶縁層の材料が感光性材料である場合、全面形成したカバー絶縁層に対して、露光現像を行うことにより、パターン状のカバー絶縁層が得られる。一方、カバー絶縁層の材料が非感光性材料である場合、全面形成したカバー絶縁層上にレジストパターンを作製し、レジストパターンから露出した部分をエッチングすることにより、パターン状のカバー絶縁層が得られる。また、例えば、カバー絶縁層に対して、レーザー加工を行うことにより、パターン状のカバー絶縁層を形成してもよい。
【００７１】
（４）層間絶縁層
配線基板は、層間絶縁層を有していてもよく、有していなくてもよい。配線基板は、層間絶縁層を一層のみ有していてもよく、二層以上有していてもよい。層間絶縁層は、支持基板および配線層の間に形成されていてもよく、二層の配線層の間に形成されていてもよい。また、層間絶縁層は、支持基板の一方の面側のみに形成されていてもよく、支持基板の両方の面側に形成されていてもよい。
【００７２】
層間絶縁層の材料は、絶縁性樹脂であることが好ましい。絶縁性樹脂については、上述したカバー絶縁層に用いられる絶縁性樹脂と同様である。層間絶縁層の厚さは、例えば１．５μｍ以上であり、２．５μｍ以上であってもよい。一方、層間絶縁層の厚さは、例えば６μｍ以下である。層間絶縁層の厚さは、例えば１．５μｍ以上６μｍ以下であり、２．５μｍ以上６μｍ以下であってもよい。層間絶縁層の形成方法については、上述したカバー絶縁層の形成方法と同様である。
【００７３】
（５）接続部
配線基板は、通常、開口部により露出した内部パッド部上に、接続部を有する。接続部は、平面視上、開口部により露出した内部パッド部と重複する位置において、カバー絶縁層から突出していることが好ましい。また、接続部は、凸部形状を有することが好ましい。
【００７４】
接続部は、無電解めっき部であることが好ましい。さらに、無電解めっき部は、カバー絶縁層から突出していることが好ましい。無電解めっき部は、例えば、ＰｄおよびＮｉを含有することが好ましい。具体的には、内部パッド部から順に、Ｐｄ部およびＮｉ部が形成されていることが好ましい。無電解めっき法では、最初にＰｄが内部パッド部の表面に吸着し、その後、Ｐｄが触媒として機能してＮｉが析出する。そのため、内部パッド部から順に、Ｐｄ部およびＮｉ部が形成される。また、無電解めっき法では、通常、次亜リン酸等の還元剤を用いるため、無電解めっき部は、Ｐをさらに含有していてもよい。
【００７５】
また、接続部上に、保護めっき部が形成されていてもよい。例えば図１１（ａ）では、接続部５上に保護めっき部６が形成されている。保護めっき部を設けることで、接続部の劣化（例えば腐食）を防止できる。保護めっき部としては、例えば、金めっき部が挙げられる。金めっき部を設けることで、接続信頼性が向上する。金めっき部は、例えば、無電解金めっき法により形成することができる。
【００７６】
また、接続部上に、はんだ部が形成されていてもよい。例えば図１１（ｂ）では、接続部５上に保護めっき部６が形成され、さらに、保護めっき部６上にはんだ部７が形成されている。はんだ部は、例えば、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｐｂの少なくとも一種を含有することが好ましい。はんだ部は、例えば、印刷法または無電解めっき法により形成することができる。
【００７７】
Ｂ．素子付配線基板
図１２は、本開示における素子付配線基板の一例を示す概略断面図である。図１２に示される素子付配線基板３０は、配線基板１０と、配線基板１０の素子実装領域Ｍに実装された素子２０と、を有する。配線基板１０は、内部パッド部（ＰＡ１、ＰＢ１）上に形成された接続部５（配線基板側接続部５）を有し、素子２０は、素子側接続部２５を有する。図１２では、配線基板側接続部５および素子側接続部２５が接触することにより、配線基板１０および素子２０が電気的に接続される。
【００７８】
本開示によれば、上述した配線基板を用いることにより、実装された素子に傾きが生じることが抑制された素子付配線基板とすることができる。電子機器の小型化、高性能化に伴い、配線基板に実装される素子間のピッチが狭くなっている。そのため、実装される素子が傾くことを抑制することが重要である。本開示における素子付配線基板は、接続部の高さのバラつきが小さいため、実装された素子に傾きが生じることを抑制することができる。
【００７９】
１．配線基板
本開示における配線基板については、上記「Ａ．配線基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００８０】
２．素子
本開示における素子は、配線基板の素子実装領域に実装される部材である。素子は、能動素子であってもよく、受動素子であってもよく、機構素子であってもよい。また、素子は、半導体素子であることが好ましい。素子としては、例えば、トランジスタ、集積回路（例えばＬＳＩ）、ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)、リレー、発光素子（例えばＬＥＤ、ＯＬＥＤ）、センサ、抵抗器、キャパシタ、インダクタ、圧電素子、バッテリーが挙げられる。
【００８１】
３．素子付配線基板
本開示における素子付配線基板の用途は、特に限定されないが、例えば、表示装置、情報処理端末（例えばパソコン、タブレット、スマートフォン）、車用品（例えば車用内装品、車用外装品）、プリント配線基板、電磁波シールド材、アンテナ、パワー半導体、ノイズフィルタが挙げられる。
【００８２】
本開示における素子付配線基板は、例えば、配線基板に素子を実装することにより得ることができる。素子を実装する方法は、特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。素子を実装する方法としては、例えば、転写法を用いて複数の素子を一括して実装する方法が挙げられる。転写法の一例としては、転写用基板に複数の素子を仮固定した転写用積層体を準備し、転写用積層体における複数の素子を、配線基板に転写する方法が挙げられる。
【００８３】
なお、本開示は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本開示における特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本開示における技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８４】
［実験例１］
（配線基板の作製）
ガラス基板（ＡＧＣ社製、ＡＮ１００、３００ｍｍ×４００ｍｍ）に紫外線を照射し、洗浄した。洗浄後、クロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト（旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート  ＡＱ４０３８）を用いてレジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき（奥野製薬社製、トップルチナＳＦ）を行い、第一配線層（厚さ３μｍ）を形成した。次に、ドライフィルムレジストを、５０℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液（佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンＳ−２４）および銅用エッチング液（メルテック社製、ＡＤ−３３１）にて除去した。
【００８５】
その後、感光性レジスト（東レ社製、フォトニースＰＷ−１０００）を用いて、第一配線層を覆うように層間絶縁層（厚さ３μｍ）を形成した。その後、クロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト（旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート  ＡＱ４０３８）を用いて、レジストパターンを形成した。次に、レジストパターンの開口部に、硫酸銅電解めっき（奥野製薬社製、トップルチナＳＦ）を行い、第二配線層（厚さ３μｍ）を形成した。第二配線層の平面視上形状は、図１３（ａ）に示すように、配線Ａについては、幅４０μｍ、長さ１０ｍｍの長方形とした。一方、配線Ｂについては、幅４０μｍ、長さ１０ｍｍの長方形と、幅１１５ｍｍ、長さ１１５ｍｍの正方形とが接合された形とした。また、配線Ａおよび配線Ｂの間隔は３０μｍとした。なお、配線面積比ＴＢ／ＴＡは、約３．３×１０４であった。次に、ドライフィルムレジストを、５０℃の水酸化ナトリウム水溶液にて剥離し、露出したクロム層および銅層を、それぞれ、クロム用エッチング液（佐々木化学薬品工業社製、エスクリーンＳ−２４）および銅用エッチング液（メルテック社製、ＡＤ−３３１）にて除去した。
【００８６】
その後、感光性レジスト（東レ社製、フォトニースＰＷ−１０００）を用いて、第二配線層を覆うようにカバー絶縁層（厚さ３μｍ）を形成した。カバー絶縁層には開口部を設けた。具体的には、図１３（ｂ）に示すように、内部パッド部ＰＡ１、外部パッド部ＰＡ２および内部パッド部ＰＢ１では、カバー絶縁層４に直径２５μｍの開口部を設けた。一方、外部パッド部ＰＢ２では、以下の水準Ａ〜Ｆに基づいて、それぞれカバー絶縁層４に開口部を設けた。これにより、配線基板（接続部形成前）を得た。
水準Ａ：０．３１ｍｍ×０．３１ｍｍ（ＳＢ／ＳＡ≒１０２）
水準Ｂ：１．０ｍｍ×１．０ｍｍ（ＳＢ／ＳＡ≒１０３）
水準Ｃ：３．１ｍｍ×３．１ｍｍ（ＳＢ／ＳＡ≒１０４）
水準Ｄ：１０ｍｍ×１０ｍｍ（ＳＢ／ＳＡ≒１０５）
水準Ｅ：３１ｍｍ×３１ｍｍ（ＳＢ／ＳＡ≒１０６）
水準Ｆ：１００ｍｍ×１００ｍｍ（ＳＢ／ＳＡ≒１０７）
【００８７】
（接続部の形成）
得られた配線基板のパッド部に、無電解ニッケルめっきを行い、接続部を形成した。まず、パッド部の表面を酸性クリーナー（奥野製薬工業社製、ＩＣＰクリーンＳ−１３５Ｋ）を用いて脱脂した。次に、銅用エッチング液（メルテック社製、ＡＤ−３３１）にてソフトエッチングを行った。次に、活性化剤（奥野製薬工業社製、ＩＣＰアクセラ）を用いて、パッド部表面にＰｄを付与し、無電解ニッケルめっき（奥野製薬工業社製、ＩＣＰニコロンＧＭ−ＳＥ）を行い、接続部（厚さ２．５μｍ）を形成した。その後、接続部の表面に、無電解金めっき（奥野製薬工業社製、フラッシュゴールドＮＣ）を行い、保護めっき部（厚さ０．０５μｍ）を形成した。これにより、接続部を有する配線基板を得た。
【００８８】
［実験例２］
内部パッド部ＰＡ１における接続部の厚さを５μｍに変更したこと以外は、実験例１と同様にして、接続部を有する配線基板を得た。
【００８９】
［実験例３］
内部パッド部ＰＡ１における接続部の厚さを６μｍに変更したこと以外は、実験例１と同様にして、接続部を有する配線基板を得た。
【００９０】
［評価］
実験例１〜３で得られた配線基板の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、ＳＢ／ＳＡおよびΔｈ（＝ｈＢ−ｈＡ）の関係を求めた。その結果を図１４に示す。図１４に示すように、ＳＢ／ＳＡが１０３以上になると、Δｈが大きくなった。具体的には、ｈＡが一定のときに、ｈＢはＳＢ／ＳＡの増加とともに大きくなり、結果として、Δｈが大きくなった。このように、ｈαおよびｈβが同じ場合、ＳＡおよびＳＢの違いによって、接続部の厚さにバラつきが生じた。このように、例えば、内部パッド部Ｂにおける接続部の厚さが、内部パッド部Ａにおける接続部の厚さよりも大きい場合であっても、本開示においては、ｈαをｈβよりも大きくすることで、Δｈ（＝ｈＢ−ｈＡ）を小さくすることができる。
【００９１】
［実験例４］
ガラス基板（ＡＧＣ社製）に紫外線を照射し、洗浄した。洗浄後、クロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、その上に、ドライフィルムレジスト（旭化成エレクトロニスク社製、サンフォート  ＡＱ４０３８）を用いてレジストパターンを形成した。レジストパターンは、図１５に示すように、３００μｍの十字パターンとした。その後、クロムスパッタ処理および銅スパッタ処理を行い、次に、レジストパターンが形成されていない領域に、硫酸銅電解めっき（奥野製薬社製、トップルチナＳＦ）を行い、配線層を形成した。図１５に示すように、ポイントＡ（中央）、ポイントＢ（レジスト近傍）、ポイントＣ（端部）、ポイントＤ（コーナー）の配線層の厚さを測定した。ポイントＡの厚さは、３．５μｍであった。これに対して、ポイントＢ、Ｃにおける配線層の厚さは、ポイントＡにおける配線層の厚さに比べて、０．５μｍ以上大きくなった。ポイントＢ、Ｃでは、ポイントＡに比べて、電界の偏りが大きかったためであると考えられる。また、ポイントＤにおける配線層の厚さは、ポイントＡの厚さに比べて、０．８μｍ以上大きくなった。これは、ポイントＤでは、ポイントＡに比べて、電界の偏りがより大きかったためであると考えられる。このように、例えば電解めっき法で配線層を形成する場合に、局所的な電界の偏りが生じることで配線層（内部パッド部）の厚さにバラつきが生じた。このように、例えば、内部パッド部Ｂの厚さが、内部パッド部Ａの厚さよりも大きい場合であっても、本開示においては、ｈαをｈβよりも大きくすることで、Δｈ（＝ｈＢ−ｈＡ）を小さくすることができる。
【符号の説明】
【００９２】
１…支持基板
２…層間絶縁層
３…配線層
４…カバー絶縁層
５…接続部
１０…配線基板
２０…素子
３０…素子付配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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