(57)【要約】      （修正有）【課題】サイドマージン部の強度が高く、かつ、水分の侵入による絶縁抵抗の低下が生じにくい積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミック材料で構成されるサイドマージン部を有する積層セラミックコンデンサであって、サイドマージン部は、積層体の幅方向最も内側のインナー層４２ａと、最も外側のアウター層４２ｂとを含む。積層体の長さ方向中央部で切断した断面において、インナー層と内層部との境界とインナー層内とを含むインナー領域においてＳｉの偏析６１が存在し、その面積が、アウター層内に存在するＳｉの偏析６２の面積よりも大きい。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層方向に積層される、誘電体セラミック層及び内部電極層を含む積層体と、
前記内部電極層に接続される外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体は、前記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、を有し、
前記内部電極層は、前記第１の端面に引き出される第１の内部電極層と、前記誘電体セラミック層を介して前記第１の内部電極層と対向するように前記第２の端面に引き出される第２の内部電極層と、を含み、
前記外部電極は、前記第１の端面上に配置され、かつ、前記第１の内部電極層と接続される第１の外部電極と、前記第２の端面上に配置され、かつ、前記第２の内部電極層と接続される第２の外部電極と、を含み、
前記積層体は、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層が前記誘電体セラミック層を介して交互に積層される内層部と、前記内層部を前記積層方向に挟むように配置され、かつ、セラミック材料で構成される外層部と、前記内層部及び前記外層部を前記幅方向に挟むように配置され、かつ、セラミック材料で構成されるサイドマージン部と、を有し、
前記サイドマージン部は、前記幅方向の最も内側のインナー層と、前記幅方向の最も外側のアウター層と、を含み、
前記積層体の長さ方向中央部で切断した、積層方向及び幅方向を含む断面において、
前記インナー層及び前記内層部の境界と、前記インナー層内とを含むインナー領域においてＳｉの偏析が存在し、前記インナー領域に存在するＳｉの偏析の面積が、前記アウター層内に存在するＳｉの偏析の面積よりも大きいことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記インナー層は、前記アウター層よりも薄い、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記積層体の長さ方向中央部で切断した、積層方向及び幅方向を含む断面において、
前記外層部のＳｉの含有量が前記インナー領域のＳｉの含有量よりも多い請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層の厚みは、各々、０．４μｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層の厚みは、各々、０．３８μｍ以下である、請求項４に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記誘電体セラミック層の厚みは、０．５５μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極は、各々、Ｎｉ及びセラミック材料を含有するＮｉ層を含み、
前記Ｎｉ層中の前記セラミック材料の含有量は、２５面積％以上４０面積％以下である、請求項１〜６のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサを製造する方法として、例えば、特許文献１には、グリーンシートと焼成前の内部電極層とを交互に積層してグリーンチップを作製し、グリーンチップを焼成した後、得られたコンデンサ素子本体の端面に外部電極を形成する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−７３６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、大容量かつ小型の積層セラミックコンデンサが求められている。このような積層セラミックコンデンサを実現するためには、グリーンシート上を占有する内部電極層の有効面積、つまり、互いに対向する内部電極層の面積を大きくすることが有効である。
【０００５】
特許文献１に記載の方法においては、内部電極層の印刷精度やグリーンシートの積層精度を考慮して、切断のためのマージンを大きく確保する必要がある。そのため、大容量かつ小型の積層セラミックコンデンサを製造するには不利である。
【０００６】
そこで、グリーンチップの側面にサイドマージン部と呼ばれる誘電体セラミック層を形成する方法が提案されている。具体的には、未焼成の内部電極層が表面に形成されたセラミックグリーンシートを積層してマザーブロックを作製した後、マザーブロックを切断してグリーンチップを作製する。グリーンチップを作製する際には、外部電極が形成されない側面において内部電極層が露出するようにマザーブロックを切断する。切断後のグリーンチップの側面に、例えば、セラミックグリーンシートを貼り付けることによりサイドマージン部を形成する。この方法では、グリーンチップの全幅にわたって内部電極層を形成することができるため、大容量かつ小型の積層セラミックコンデンサを製造することが可能となる。
【０００７】
しかしながら、サイドマージン部が薄くなると、サイドマージン部の強度が低下し、さらに、サイドマージン部から水分が侵入して内部電極層に到達して絶縁抵抗の低下を引き起こすおそれがあった。
【０００８】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、サイドマージン部の強度が高く、かつ、水分の侵入による絶縁抵抗の低下が生じにくい積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層セラミックコンデンサは、積層方向に積層される、誘電体セラミック層及び内部電極層を含む積層体と、上記内部電極層に接続される外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、上記積層体は、上記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、上記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、上記積層方向及び上記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、を有し、上記内部電極層は、上記第１の端面に引き出される第１の内部電極層と、上記誘電体セラミック層を介して上記第１の内部電極層と対向するように上記第２の端面に引き出される第２の内部電極層と、を含み、上記外部電極は、上記第１の端面上に配置され、かつ、上記第１の内部電極層と接続される第１の外部電極と、上記第２の端面上に配置され、かつ、上記第２の内部電極層と接続される第２の外部電極と、を含み、上記積層体は、上記第１の内部電極層及び上記第２の内部電極層が上記誘電体セラミック層を介して交互に積層される内層部と、上記内層部を上記積層方向に挟むように配置され、かつ、セラミック材料で構成される外層部と、上記内層部及び上記外層部を上記幅方向に挟むように配置され、かつ、セラミック材料で構成されるサイドマージン部と、を有し、上記サイドマージン部は、上記幅方向の最も内側のインナー層と、上記幅方向の最も外側のアウター層と、を含み、上記積層体の長さ方向中央部で切断した、積層方向及び幅方向を含む断面において、上記インナー層及び上記内層部の境界と、上記インナー層内とを含むインナー領域においてＳｉの偏析が存在し、上記インナー領域に存在するＳｉの偏析の面積が、上記アウター層内に存在するＳｉの偏析の面積よりも大きいことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、サイドマージン部の強度が高く、かつ、水分の侵入による絶縁抵抗の低下が生じにくい積層セラミックコンデンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサを構成する積層体の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図４は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】図５は、積層体の長さ方向中央部で切断した、積層方向及び幅方向を含む断面（ＷＴ断面）におけるＳｉの偏析について説明する説明図である。
【図６】内部電極層及び誘電体セラミック層の厚みを定める方法を模式的に示す図面である。
【図７】図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、セラミックグリーンシートの一例を模式的に示す平面図である。
【図８】図８は、マザーブロックの一例を模式的に示す分解斜視図である。
【図９】図９は、グリーンチップの一例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の積層セラミックコンデンサについて説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００１３】
［積層セラミックコンデンサ］
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサを構成する積層体の一例を模式的に示す斜視図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＡ−Ａ線断面図である。図４は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＣ−Ｃ線断面図である。
【００１４】
本明細書においては、積層セラミックコンデンサ及び積層体の積層方向、幅方向、長さ方向を、図１に示す積層セラミックコンデンサ１及び図２に示す積層体１０において、それぞれ矢印Ｔ、Ｗ、Ｌで定める方向とする。ここで、積層（Ｔ）方向と幅（Ｗ）方向と長さ（Ｌ）方向とは互いに直交する。積層（Ｔ）方向は、複数の誘電体セラミック層２０と複数対の第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２とが積み上げられていく方向である。
【００１５】
図１に示す積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０と、積層体１０の両端面にそれぞれ設けられた第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２とを備えている。
【００１６】
図２に示すように、積層体１０は、直方体状又は略直方体状をなしており、積層（Ｔ）方向において相対する第１の主面１１及び第２の主面１２と、積層（Ｔ）方向に直交する幅（Ｗ）方向において相対する第１の側面１３及び第２の側面１４と、積層（Ｔ）方向及び幅（Ｗ）方向に直交する長さ（Ｌ）方向において相対する第１の端面１５及び第２の端面１６とを有している。
【００１７】
本明細書においては、第１の端面１５及び第２の端面１６に直交し、かつ、積層（Ｔ）方向と平行な積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の断面を、長さ（Ｌ）方向及び積層（Ｔ）方向の断面であるＬＴ断面という。また、第１の側面１３及び第２の側面１４に直交し、かつ、積層（Ｔ）方向と平行な積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の断面を、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向の断面であるＷＴ断面という。また、第１の側面１３、第２の側面１４、第１の端面１５及び第２の端面１６に直交し、かつ、積層（Ｔ）方向に直交する積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の断面を、長さ（Ｌ）方向及び幅（Ｗ）方向の断面であるＬＷ断面という。したがって、図３は、積層セラミックコンデンサ１のＬＴ断面であり、図４は、積層セラミックコンデンサ１のＷＴ断面である。
【００１８】
積層体１０は、角部及び稜線部に丸みが付けられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。
【００１９】
図２、図３及び図４に示すように、積層体１０は、積層（Ｔ）方向に積層された複数の誘電体セラミック層２０と、誘電体セラミック層２０間の界面に沿って形成された複数対の第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２とを含む積層構造を有している。誘電体セラミック層２０は、幅（Ｗ）方向及び長さ（Ｌ）方向に沿って延びており、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２のそれぞれは、誘電体セラミック層２０に沿って平板状に延びている。
【００２０】
第１の内部電極層２１は、積層体１０の第１の端面１５に引き出されている。一方、第２の内部電極層２２は、積層体１０の第２の端面１６に引き出されている。
【００２１】
第１の内部電極層２１と第２の内部電極層２２とは、積層（Ｔ）方向において、誘電体セラミック層２０を介して対向している。第１の内部電極層２１と第２の内部電極層２２とが誘電体セラミック層２０を介して対向している部分により、静電容量が発生する。
【００２２】
第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２のそれぞれは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等の金属を含むことが好ましい。第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２のそれぞれは、上記金属に加えて、誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料を含んでもよい。
【００２３】
第１の外部電極５１は、積層体１０の第１の端面１５に設けられており、図１では、第１の主面１１、第２の主面１２、第１の側面１３及び第２の側面１４の各一部にまで回り込んだ部分を有している。第１の外部電極５１は、第１の端面１５において、第１の内部電極層２１に接続されている。
【００２４】
第２の外部電極５２は、積層体１０の第２の端面１６に設けられており、図１では、第１の主面１１、第２の主面１２、第１の側面１３及び第２の側面１４の各一部にまで回り込んだ部分を有している。第２の外部電極５２は、第２の端面１６において、第２の内部電極層２２に接続されている。
【００２５】
第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２はそれぞれ、Ｎｉ及びセラミック材料を含有するＮｉ層を含むことが好ましい。Ｎｉ層は、下地電極層である。このようなＮｉ層は、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２と同時に焼成される、いわゆるコファイア法によって形成できる。Ｎｉ層は、積層体１０に直接配置されていることが好ましい。
【００２６】
さらに、Ｎｉ層におけるセラミック材料に含まれる元素は、後述するアウター層に含まれるセラミック材料に含まれる元素と同じであることが好ましい。
Ｎｉ層におけるセラミック材料に含まれる元素を、アウター層に含まれるセラミック材料に含まれる元素と同じにすると、外部電極形成用のペーストを積層体に付与して焼成した際にアウター層とＮｉ層の焼結挙動が近くなり、アウター層とＮｉ層の密着性が向上する。
Ｎｉ層におけるセラミック材料に含まれる元素を、アウター層に含まれるセラミック材料に含まれる元素と同じにするということは、アウター層を構成する誘電体セラミックから検出される元素がＮｉ層において全て検出されることを意味する。
セラミック材料に含まれる元素の例としては、アウター層を構成する誘電体セラミックの主成分がＢａＴｉＯ３である場合のＴｉ、Ｂａ及び希土類等が挙げられる。
【００２７】
第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２に含有される元素の種類については、透過型電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で元素分析を行うことによって確認できる。
【００２８】
Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量は、２５面積％以上４０面積％以下であることが好ましい。
Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量が２５面積％以上であるということは、Ｎｉ層中にセラミック材料が一定量以上含まれていることを意味し、セラミック材料を一定量以上含むＮｉ層からなる外部電極は、積層体の焼成時に外部電極ペーストを同時焼成することにより形成することができる。
また、Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量は、３５面積％以下であることが好ましい。
【００２９】
Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量は、波長分散型Ｘ線分析装置（ＷＤＸ）を用いた以下の方法により測定される。まず、積層セラミックコンデンサ１の幅（Ｗ）方向の中央部の断面を露出させ、積層体１０の積層（Ｔ）方向の中央部におけるＮｉ層の厚さ寸法の中央部を１００００倍に拡大する。拡大した領域の視野は６μｍ×８μｍとする。そして、拡大した領域をＷＤＸによりマッピングし、マッピングによって得られた画像から面積比率を測定する。
【００３０】
第１の外部電極５１は、積層体１０の第１の端面１５側から順に、Ｎｉ層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含むことが好ましい。同様に、第２の外部電極５２は、積層体１０の第２の端面１６側から順に、Ｎｉ層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含むことが好ましい。第１のめっき層は、Ｎｉめっきにより形成されることが好ましく、第２のめっき層は、Ｓｎめっきにより形成されることが好ましい。第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２はそれぞれ、Ｎｉ層と第１のめっき層との間に、導電性粒子及び樹脂を含有する導電性樹脂層を含んでもよい。導電性樹脂層中の導電性粒子としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の金属粒子が挙げられる。
【００３１】
なお、Ｎｉ層は、導電性ペーストを塗布して焼き付けられる、いわゆるポストファイア法によって形成されてもよい。この場合、Ｎｉ層は、セラミック材料を含有していなくてもよい。
【００３２】
あるいは、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２はそれぞれ、Ｃｕ等の金属を含有する下地電極層を含んでもよい。下地電極層は、コファイア法によって形成されてもよいし、ポストファイア法によって形成されてもよい。また、下地電極層は、複数層であってもよい。
【００３３】
例えば、第１の外部電極５１は、積層体１０の第１の端面１５側から順に、下地電極層であるＣｕ層と、導電性粒子及び樹脂を含有する導電性樹脂層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含む４層構造であってもよい。同様に、第２の外部電極５２は、積層体１０の第２の端面１６側から順に、下地電極層であるＣｕ層と、導電性粒子及び樹脂を含有する導電性樹脂層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含む４層構造であってもよい。
【００３４】
図３及び図４に示すように、積層体１０は、それぞれの第１の内部電極層２１及びそれぞれの第２の内部電極層２２が誘電体セラミック層２０を介して対向している内層部３０と、内層部３０を積層（Ｔ）方向に挟むように配設される外層部３１及び３２と、内層部３０、外層部３１及び外層部３２を幅（Ｗ）方向に挟むように配設されるサイドマージン部４１及び４２とを備えている。図３及び図４では、内層部３０は、積層（Ｔ）方向に沿って、第１の主面１１に最も近い第１の内部電極層２１と、第２の主面１２に最も近い第１の内部電極層２１に挟まれた領域である。図示されていないが、外層部３１及び外層部３２のそれぞれは、積層（Ｔ）方向に積層された複数の誘電体セラミック層２０から構成されることが好ましい。
【００３５】
内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０は、例えば、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０には、さらにＳｉが含まれることが好ましい。また、他の焼結助剤元素がさらに含有されていてもよい。
【００３６】
外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０は、セラミック材料から構成され、例えば、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０には、さらにＳｉが含まれることが好ましい。また、他の焼結助剤元素がさらに含有されていてもよい。
外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０は、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料から構成されることが好ましいが、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。
【００３７】
外層部３１及び３２のそれぞれの厚みは、１５μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましい。なお、外層部３１及び３２のそれぞれは、複層構造ではなく単層構造であってもよい。
【００３８】
サイドマージン部４１及びサイドマージン部４２のそれぞれは、幅（Ｗ）方向に積層された複数のセラミック層から構成される。
複数のセラミック層のうち、幅方向の最も内側の層をインナー層と呼び、最も外側の層をアウター層と呼ぶ。
図４では、サイドマージン部４１は、該セラミック層として、積層体１０の最も内側に配置されるインナー層４１ａと、積層体１０の最も外側に配置されるアウター層４１ｂとを含む２層構造である。同様に、サイドマージン部４２は、該セラミック層として、積層体１０の最も内側に配置されるインナー層４２ａと、積層体１０の最も外側に配置されるアウター層４２ｂとを含む２層構造である。なお、サイドマージン部は、２層構造に限定されず、３層以上の構造であってもよい。サイドマージン部が３層以上のセラミック層を含む場合、幅方向の最も内側に配置されるセラミック層をインナー層とし、幅方向の最も外側に配置されるセラミック層を含む他のセラミック層をアウター層とする。
また、積層体の第１の側面側のサイドマージン部と第２の側面側のサイドマージン部とで、セラミック層の層数が異なっていてもよい。
【００３９】
サイドマージン部がインナー層及びアウター層を含む２層構造である場合、インナー層及びアウター層における焼結性の違いから、暗視野で光学顕微鏡を用いて観察することにより、２層構造であることを確認することができる。サイドマージン部が３層以上の構造である場合も同様である。
【００４０】
インナー層４１ａ及びインナー層４２ａは、セラミック材料から構成され、例えば、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。インナー層４１ａ及びインナー層４２ａには、さらにＳｉが含まれる。また、他の焼結助剤元素がさらに含有されていてもよい。
インナー層４１ａ及びインナー層４２ａは、内層部３０、外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料から構成されることが好ましいが、内層部３０、外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０と異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。
【００４１】
アウター層４１ｂ及びアウター層４２ｂは、例えば、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。
アウター層４１ｂ及びアウター層４２ｂには、さらにＳｉが含まれる。また、他の焼結助剤元素がさらに含有されていてもよい。アウター層４１ｂ及びアウター層４２ｂは、インナー層４１ａ及びインナー層４２ａと同じ誘電体セラミック材料から構成されていてもよいし、インナー層４１ａ及びインナー層４２ａと異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。アウター層４１ｂ及びアウター層４２ｂは、内層部３０、外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料から構成されていてもよいし、内層部３０、外層部３１及び外層部３２を構成する誘電体セラミック層２０と異なる誘電体セラミック材料から構成されていてもよい。
【００４２】
図５は、積層体の長さ方向中央部で切断した、積層方向及び幅方向を含む断面（ＷＴ断面）におけるＳｉの偏析について説明する説明図である。
図５には、ＷＴ断面において、積層体の内層部、インナー層及びアウター層を含む部分を拡大して、波長分散型Ｘ線分析（ＷＤＸ）による元素分析においてＳｉをマッピングした場合の各領域におけるＳｉの分布を模式的に示している。
Ｓｉは各領域において偏析しており、内層部３０に存在するＳｉの偏析を参照符号６０、インナー層４２ａと内層部３０の境界に存在するＳｉの偏析を参照符号６１ａ、インナー層４２ａ内に存在するＳｉの偏析を参照符号６１ｂ、アウター層４２ｂ内に存在するＳｉの偏析を参照符号６２で示している。
【００４３】
インナー層４２ａとそれぞれの内部電極層で挟まれた内層部３０の境界と、インナー層４２ａ内とをまとめてインナー領域と呼ぶ。また、インナー層４２ａと内層部３０の境界に存在するＳｉの偏析６１ａとインナー層４２ａ内に存在するＳｉの偏析６１ｂを、まとめてインナーＳｉ偏析(インナーＳｉ偏析６１）とも呼ぶ。
また、アウター層４２ｂ内に存在するＳｉの偏析をアウターＳｉ偏析（アウターＳｉ偏析６２）とも呼ぶ。
このように定義したインナーＳｉ偏析６１及びアウターＳｉ偏析６２について、インナーＳｉ偏析６１の面積が、アウターＳｉ偏析６２の面積よりも大きくなっている。
インナーＳｉ偏析６１の面積とアウターＳｉ偏析６２の面積の比較は、４０μｍ×４０μｍの視野において、一番大きいＳｉの偏析がインナー領域に存在することを確認することにより行う。
典型的には、アウター層４２ｂにはＳｉの偏析が多く存在する一方、インナー領域に存在するＳｉの偏析の数は少ないが、Ｓｉの偏析の面積の比較にあたってＳｉの偏析の数は関係なく、視野内で一番大きな面積のＳｉの偏析がどこに存在するかによってＳｉの偏析の面積の比較を行う。特に、内部電極層の幅方向外側にＳｉが偏析しやすい。
【００４４】
インナー領域に存在するＳｉの偏析が大きいと、サイドマージン部からの水分の侵入を防止する効果が発揮される。また、インナー層と内部電極層の境界にＳｉの偏析が存在すると、隣接する内部電極層間での短絡の発生を防止することができる。
また、サイドマージン部にＳｉを存在させることにより、サイドマージン部が硬くなり、サイドマージン部の抗折強度を向上させることができる。
以上のことから、サイドマージン部を薄くした場合であっても、サイドマージン部の強度が高く、かつ、水分の侵入による絶縁抵抗の低下が生じにくい積層セラミックコンデンサとすることができる。
【００４５】
また、積層体の長さ方向中央部で切断した、積層方向及び幅方向を含む断面（ＷＴ断面）において、外層部のＳｉの含有量がインナー領域のＳｉの含有量よりも多いことが好ましい。
外層部のＳｉの含有量、及び、インナー領域のＳｉの含有量はＷＤＸの観察領域におけるＳｉの偏析の面積を外層部とインナー領域のそれぞれで合計した面積の比較により定めることができる。Ｓｉの偏析の面積の合計は目視により比較可能である。
外層部のＳｉの含有量がインナー領域のＳｉの含有量よりも多いことによって、外層部の強度が高くなり、抗折強度を高めることができる。内層部に近いインナー層は信頼性確保のため、セラミックの粒子径が小さいほうが好ましいが、Ｓｉ量が多いと粒成長が促進されてしまうのでＳｉ量が少ない方が好ましい。一方、外層部では水分侵入防止の面や強度面から粒成長を促進させ、高い緻密性を得る方が好ましい。
【００４６】
積層セラミックコンデンサにおいては、第１の内部電極層及び第２の内部電極層の厚みは、各々、０．４μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の内部電極層及び第２の内部電極層の厚みは、各々、０．３８μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の内部電極層及び第２の内部電極層の厚みは、各々、０．２５μｍ以上であることが好ましい。
【００４７】
誘電体セラミック層の厚みは、０．５５μｍ以下であることが好ましい。
また、誘電体セラミック層の厚みは、各々、０．４μｍ以上であることが好ましい。
ここでいう誘電体セラミック層の厚みとは、内部電極層の間にある誘電体セラミック層の厚み、すなわち、内層部における誘電体セラミック層の厚みを意味する。
内部電極層及び誘電体セラミック層の厚みは以下のようにして定める。
【００４８】
図６は、内部電極層及び誘電体セラミック層の厚みを定める方法を模式的に示す図面である。
この図は、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中心を通るＷＴ断面図の一部であり、図３におけるＣ−Ｃ線断面図の一部に相当する。
まず、積層セラミックコンデンサの長さ方向の中心を通るＷＴ断面を研磨により露出させる。必要に応じて、研磨で引き伸ばされた内部電極を除去するために研磨面にエッチング処理を行う。そして、露出させた断面を走査型電子顕微鏡により観察する。
【００４９】
積層体の積層方向に延びてかつ積層体の中心を通る直線Ｌｃを引く。次に、直線Ｌｃと平行な複数の直線を等間隔(ピッチＳ)に引く。ピッチＳは、測定しようとする誘電体セラミック層又は内部電極層の厚みの５倍〜１０倍程度で決めればよく、たとえば、厚みが約１μｍの誘電体セラミック層の厚みを測定する場合には、ピッチＳ＝５μｍとする。また、直線Ｌｃの両側に同じ本数の直線を引く。すなわち、直線Ｌｃを合わせて奇数本の直線を引く。図６においては、直線Ｌａ〜直線Ｌｅまでの５本の直線を図示している。
【００５０】
次に、直線Ｌａ〜直線Ｌｅの各直線上において、誘電体セラミック層および内部電極層の厚みを測定する。ただし、直線Ｌａ〜直線Ｌｅの各直線上において、内部電極層が欠損して、この内部電極層を挟む誘電体セラミック層同士が繋がっている場合、または、測定位置の拡大像が不明瞭である場合は、さらに直線Ｌｃから離れた直線上において、厚みまたは距離を測定する。
【００５１】
たとえば、誘電体セラミック層の厚みを測定する際には、図６に示すように、直線Ｌａ上の厚みＤａ、直線Ｌｂ上の厚みＤｂ、直線Ｌｃ上の厚みＤｃ、直線Ｌｄ上の厚みＤｄ、及び、直線Ｌｅ上の厚みＤｅを測定し、これらの平均値を誘電体セラミック層の厚みとする。
同様に、内部電極層の厚みを測定する際には、図６に示すように、直線Ｌａ上の厚みＥａ、直線Ｌｂ上の厚みＥｂ、直線Ｌｃ上の厚みＥｃ、直線Ｌｄ上の厚みＥｄ、及び、直線Ｌｅ上の厚みＥｅを測定し、これらの平均値を内部電極層の厚みとする。
【００５２】
たとえば、複数の誘電体セラミック層及び内部電極層の平均厚みを算出する際には、積層方向Ｔの略中央に位置する誘電体セラミック層及び内部電極層とその両側にそれぞれ位置する２層ずつの誘電体セラミック層（内部電極層）とを合わせた５層の誘電体セラミック層及び内部電極層の各々について上記の方法により厚みを測定し、その平均値を複数の誘電体セラミック層及び内部電極層の平均厚みとする。なお、誘電体セラミック層（内部電極層）の積層数が５層未満である場合には、全ての誘電体セラミック層及び内部電極層について上記の方法により厚みを測定し、その平均値を複数の誘電体セラミック層及び内部電極層の平均厚みとする。
【００５３】
誘電体セラミック層の厚み及び内部電極層の厚みを上記のように測定することを踏まえて、積層セラミックコンデンサの好ましい寸法の形態としては以下の形態が挙げられる。
（品種１）
長さ方向の寸法：０．３２ｍｍ以上０．３６ｍｍ以下
幅方向の寸法：０．２５ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下
積層方向寸法：０．２５ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下
誘電体セラミック層の厚み：４．７μｍ以上５．７μｍ以下
内部電極層の厚み：０．９μｍ以上１．１μｍ以下
（品種２）
長さ方向の寸法：０．１ｍｍ以上０．１２ｍｍ以下
幅方向の寸法：０．６３ｍｍ以上０．６８ｍｍ以下
積層方向寸法：０．６２ｍｍ以上０．６８ｍｍ以下
誘電体セラミック層の厚み：１．１μｍ以上１．５μｍ以下
内部電極層の厚み：０．６３μｍ以上０．７５μｍ以下
【００５４】
いずれの品種においても、誘電体セラミック層の厚みを厚くすることで耐電圧性が向上する。一方、サイドマージン部を極小化することで、静電容量を発生させる有効領域を極大化できる。
また、Ｌギャップでは、通常、誘電体セラミック層と内部電極層の厚みの差により段差が生じ、積層する際に内部電極層が積層方向に湾曲し、湾曲部に電界集中が生じることで信頼性が低下するが、内部電極層との厚みを補完する形で誘電体セラミック層を形成することにより、内部電極層の湾曲を抑制することができ、信頼性が向上する。
【００５５】
積層セラミックコンデンサ１の形状及び性能を維持する観点から、インナー層４１ａは、アウター層４１ｂよりも薄いことが好ましい。同様に、インナー層４２ａは、アウター層４２ｂよりも薄いことが好ましい。
【００５６】
インナー層４１ａ及び４２ａのそれぞれの厚みは、０．１μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。インナー層４１ａ及び４２ａの厚みは、互いに同じであることが好ましい。
【００５７】
アウター層４１ｂ及び４２ｂのそれぞれの厚みは、５μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。アウター層４１ｂ及び４２ｂの厚みは、互いに同じであることが好ましい。
【００５８】
サイドマージン部４１及び４２のそれぞれの厚みは、５μｍ以上、４０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上、２０μｍ以下であることがより好ましい。サイドマージン部４１及び４２の厚みは、互いに同じであることが好ましい。ただし、インナー層４１ａ及びアウター層４１ｂが上記の範囲を満たしながら、アウター層４１ｂがインナー層４１ａより厚いことが好ましい。同様に、インナー層４２ａ及びアウター層４２ｂが上記の範囲を満たしながら、アウター層４２ｂがインナー層４２ａより厚いことが好ましい。
【００５９】
サイドマージン部の各セラミック層の厚みとは、積層（Ｔ）方向に沿ってサイドマージン部の各セラミック層の厚みを複数箇所で測定したときの平均値を意味する。
【００６０】
具体的には、積層セラミックコンデンサの長さ（Ｌ）方向の略中央においてＷＴ断面を露出させ、ＷＴ断面の第１及び第２の内部電極層の幅（Ｗ）方向の端部といずれか一方のサイドマージン部が同一視野に収まるように光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて撮像する。撮像箇所として、積層（Ｔ）方向において、上部、中央部及び下部の３箇所をそれぞれ撮像する。上部、中央部及び下部において、第１及び第２の内部電極層の幅（Ｗ）方向の端部から積層体の側面に向かって幅（Ｗ）方向に平行な複数の線分を引き、それぞれの線分の長さを測定する。測定した線分の長さについて、上部、中央部及び下部それぞれの平均値を算出する。それぞれの平均値をさらに平均化することで、各セラミック層の厚みが得られる。
【００６１】
サイドマージン部４１の各セラミック層を構成するセラミックの組成は、誘電体セラミック層２０を構成するセラミック材料の組成と異なっていてもよい。この場合、インナー層４１ａ及びアウター層４１ｂの少なくとも一方を構成するセラミック材料の組成が、誘電体セラミック層２０を構成するセラミック材料の組成と異なっていればよい。
【００６２】
同様に、サイドマージン部４２の各セラミック層を構成するセラミック材料の組成は、誘電体セラミック層２０を構成するセラミック材料の組成と異なっていてもよい。この場合、インナー層４２ａ及びアウター層４２ｂの少なくとも一方を構成するセラミック材料の組成が、誘電体セラミック層２０を構成するセラミック材料の組成と異なっていればよい。
【００６３】
［積層セラミックコンデンサの製造方法］
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、好ましくは、
未焼成の状態にある複数の誘電体セラミック層と複数対の第１の内部電極層及び第２の内部電極層とをもって構成された積層構造を有し、積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面に前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層が露出した、グリーンチップを準備する工程と、
前記グリーンチップの前記第１の側面及び前記第２の側面に、未焼成のサイドマージン部を形成することにより、未焼成の積層体を作製する工程と、
前記未焼成の積層体を焼成する工程と、を備え、
前記未焼成の積層体を作製する工程では、前記第１の側面及び前記第２の側面に未焼成のインナー層を形成し、最も外側に未焼成のアウター層を形成することにより、前記未焼成のサイドマージン部が形成される。
【００６４】
以下、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について説明する。
【００６５】
まず、誘電体セラミック層２０となるべきセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートには、上述した誘電体セラミック材料を含むセラミック原料の他、バインダ及び溶剤等が含まれる。また、セラミック原料にはＳｉを含む添加物を添加してもよい。セラミックグリーンシートは、例えば、キャリアフィルム上で、ダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いて成形される。
【００６６】
図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、セラミックグリーンシートの一例を模式的に示す平面図である。
図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃには、それぞれ、内層部３０を形成するための第１のセラミックグリーンシート１０１、内層部３０を形成するための第２のセラミックグリーンシート１０２、及び、外層部３１又は３２を形成するための第３のセラミックグリーンシート１０３を示している。
【００６７】
図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃでは、第１のセラミックグリーンシート１０１、第２のセラミックグリーンシート１０２及び第３のセラミックグリーンシート１０３は積層セラミックコンデンサ１ごとに切り分けられていない。図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃには、積層セラミックコンデンサ１ごとに切り分ける際の切断線Ｘ及びＹが示されている。切断線Ｘは長さ（Ｌ）方向に平行であり、切断線Ｙは幅（Ｗ）方向に平行である。
【００６８】
図７Ａに示すように、第１のセラミックグリーンシート１０１には、第１の内部電極層２１に対応する未焼成の第１の内部電極層１２１が形成されている。図７Ｂに示すように、第２のセラミックグリーンシート１０２には、第２の内部電極層２２に対応する未焼成の第２の内部電極層１２２が形成されている。図７Ｃに示すように、外層部３１又は３２に対応する第３のセラミックグリーンシート１０３には、未焼成の内部電極層１２１又は１２２は形成されていない。
【００６９】
第１の内部電極層１２１及び第２の内部電極層１２２は、任意の導電性ペーストを用いて形成することができる。導電性ペーストによる第１の内部電極層１２１及び第２の内部電極層１２２の形成には、例えば、スクリーン印刷法、グラビア印刷法等の方法を用いることができる。
【００７０】
第１の内部電極層１２１及び第２の内部電極層１２２は、切断線Ｙによって仕切られた長さ（Ｌ）方向に隣接する２つの領域にわたって配置され、幅（Ｗ）方向に帯状に延びている。第１の内部電極層１２１と第２の内部電極層１２２とでは、切断線Ｙによって仕切られた領域１列ずつ長さ（Ｌ）方向にずらされている。つまり、第１の内部電極層１２１の中央を通る切断線Ｙが第２の内部電極層１２２の間の領域を通り、第２の内部電極層１２２の中央を通る切断線Ｙが第１の内部電極層１２１の間の領域を通っている。
【００７１】
その後、第１のセラミックグリーンシート１０１、第２のセラミックグリーンシート１０２及び第３のセラミックグリーンシート１０３を積層することにより、マザーブロックを作製する。
【００７２】
図８は、マザーブロックの一例を模式的に示す分解斜視図である。
図８では、説明の便宜上、第１のセラミックグリーンシート１０１、第２のセラミックグリーンシート１０２及び第３のセラミックグリーンシート１０３を分解して示している。実際のマザーブロック１０４では、第１のセラミックグリーンシート１０１、第２のセラミックグリーンシート１０２及び第３のセラミックグリーンシート１０３が静水圧プレス等の手段により圧着されて一体化されている。
【００７３】
図８に示すマザーブロック１０４では、内層部３０に対応する第１のセラミックグリーンシート１０１及び第２のセラミックグリーンシート１０２が積層（Ｔ）方向に交互に積層されている。さらに、交互に積層された第１のセラミックグリーンシート１０１及び第２のセラミックグリーンシート１０２の積層（Ｔ）方向の上下面に、外層部３１及び３２に対応する第３のセラミックグリーンシート１０３が積層されている。なお、図８では、第３のセラミックグリーンシート１０３がそれぞれ３枚ずつ積層されているが、第３のセラミックグリーンシート１０３の枚数は適宜変更可能である。
【００７４】
得られたマザーブロック１０４を切断線Ｘ及びＹ（図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃ参照）に沿って切断することにより、複数のグリーンチップを作製する。この切断には、例えば、ダイシング、押切り、レーザカット等の方法が適用される。
【００７５】
図９は、グリーンチップの一例を模式的に示す斜視図である。
図９に示すグリーンチップ１１０は、未焼成の状態にある複数の誘電体セラミック層１２０と複数対の第１の内部電極層１２１及び第２の内部電極層１２２とをもって構成された積層構造を有している。グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４は切断線Ｘに沿う切断によって現れた面であり、第１の端面１１５及び第２の端面１１６は切断線Ｙに沿う切断によって現れた面である。第１の側面１１３及び第２の側面１１４には、第１の内部電極層１２１及び第２の内部電極層１２２が露出している。また、第１の端面１１５には、第１の内部電極層１２１のみが露出し、第２の端面１１６には、第２の内部電極層１２２のみが露出している。
【００７６】
得られたグリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４に、未焼成のサイドマージン部を形成することにより、未焼成の積層体を作製する。未焼成のサイドマージン部は、例えば、グリーンチップの第１の側面及び第２の側面に、サイドマージン部用セラミックグリーンシートを貼り付けることにより形成される。
【００７７】
例えば、サイドマージン部がインナー層及びアウター層の２層から構成される場合、まず、インナー層用セラミックグリーンシートを作製するため、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料を含むセラミック原料の他、バインダ及び溶剤等を含むセラミックスラリーを作製する。インナー層用セラミックスラリーには、Ｓｉを含む添加物を添加する。また、他の焼結助剤が添加されてもよい。インナー層は、グリーンチップ１１０と接着するための役割を有する。
【００７８】
次に、アウター層用セラミックグリーンシートを作製するため、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料を含むセラミック原料の他、バインダ及び溶剤等を含むセラミックスラリーを作製する。また、アウター層用セラミックスラリーには、Ｓｉを含む添加物を添加する。また、他の焼結助剤が添加されてもよい。
【００７９】
樹脂フィルムの表面に、アウター層用セラミックスラリーを塗布し、乾燥することにより、アウター層用セラミックグリーンシートが形成される。樹脂フィルム上のアウター層用セラミックグリーンシートの表面に、インナー層用セラミックスラリーを塗布し、乾燥することにより、インナー層用セラミックグリーンシートが形成される。以上により、２層構造を有するサイドマージン部用セラミックグリーンシートが得られる。
この際に、インナー層用セラミックグリーンシートとアウター層用セラミックグリーンシートの接触面にＳｉを含む溶液を吹き付けてＳｉを含ませるようにしてもよい。
また、インナー層用セラミックグリーンシートがグリーンチップと接触することになる面にＳｉを含む溶液を吹き付けてＳｉを含ませるようにしてもよい。
【００８０】
なお、２層構造を有するサイドマージン部用セラミックグリーンシートは、例えば、アウター層用セラミックグリーンシートとインナー層用セラミックグリーンシートのそれぞれを予め形成しておき、その後、それぞれを貼り合せることによっても得られる。また、サイドマージン部用セラミックグリーンシートは、２層に限らず、３層以上の複数層であってもよい。
【００８１】
その後、樹脂フィルムから、サイドマージン部用セラミックグリーンシートを剥離する。
【００８２】
続いて、サイドマージン部用セラミックグリーンシートのインナー層用セラミックグリーンシートとグリーンチップ１１０の第１の側面１１３を対向させ、押し付けて打ち抜くことにより、未焼成のサイドマージン部４１が形成される。さらに、グリーンチップ１１０の第２の側面１１４についても、サイドマージン部用セラミックグリーンシートのインナー層用セラミックグリーンシートを対向させ、押し付けて打ち抜くことにより、未焼成のサイドマージン部４２が形成される。このとき、グリーンチップの側面には、予め、接着剤となる有機溶剤を塗布しておくことが好ましい。以上により、未焼成の積層体が得られる。
【００８３】
上記の方法によって得られた未焼成の積層体に対して、バレル研磨等を施すことが好ましい。未焼成の積層体を研磨することにより、焼成後の積層体１０の角部及び稜線部に丸みが付けられる。
【００８４】
その後、未焼成の積層体において、グリーンチップ１１０の第１の端面１１５及び第２の端面１１６の各端面上に、Ｎｉ及びセラミック材料を含有する外部電極用導電性ペーストを塗布する。
【００８５】
外部電極用導電性ペーストは、セラミック材料として、アウター層用セラミックグリーンシート又はアウター層用セラミックスラリーと同じ誘電体セラミック材料を含有することが好ましい。外部電極用導電性ペースト中のセラミック材料の含有量は、好ましくは１５重量％以上である。また、外部電極用導電性ペースト中のセラミック材料の含有量は、好ましくは２５重量％以下である。
【００８６】
次に、外部電極用導電性ペーストが塗布された未焼成の積層体に対して、例えば、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理を行った後、窒素−水素−水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成する。これにより、未焼成の積層体及び外部電極用導電性ペーストが同時に焼成され、いわゆるコファイア法によって、積層体１０と、第１の内部電極層２１に接続されるＮｉ層と、第２の内部電極層２２に接続されるＮｉ層とが同時に形成される。その後、各々のＮｉ層の表面上に、Ｎｉめっきによる第１のめっき層と、Ｓｎめっきによる第２のめっき層とを順に積層させる。これにより、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２が形成される。
【００８７】
なお、積層体１０と、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２とは、いわゆるポストファイア法によって別々のタイミングで形成されてもよい。具体的には、まず、未焼成の積層体に対して、例えば、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理を行った後、窒素−水素−水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成することによって、積層体１０を形成する。そして、積層体１０の第１の端面１５及び第２の端面１６の各端面上に、Ｃｕ粉を含有する導電性ペーストを塗布して焼き付ける。これにより、第１の内部電極層２１に接続される下地電極層と、第２の内部電極層２２に接続される下地電極層とが形成される。そして、各々の下地電極層の表面上に、導電性粒子（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、等の金属粒子）及び樹脂を含有する導電性樹脂層と、Ｎｉめっきによる第１のめっき層と、Ｓｎめっきによる第２のめっき層とを順に積層させる。これにより、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２が形成される。
【００８８】
以上により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
【００８９】
なお、未焼成のサイドマージン部は、グリーンチップの両側面に、サイドマージン部用セラミックグリーンシートを貼り付けることによって形成してもよいし、サイドマージン部用セラミックスラリーを塗布することによって形成してもよい。
【００９０】
サイドマージン部用セラミックスラリーを塗布することにより未焼成のサイドマージン部を形成する場合、グリーンチップの両側面に、インナー層用セラミックスラリーがそれぞれ塗布され、乾燥される。さらに、インナー層の表面に、アウター層用セラミックスラリーが塗布される。
【００９１】
また、サイドマージン部は、グリーンチップの両端面を樹脂等でマスクした上で、このグリーンチップを丸ごとインナー層用セラミックスラリー内にディッピングし、乾燥させ、さらに、アウター層用セラミックスラリー内にディッピングすることで形成してもよい。この場合、外層部上にもインナー層およびアウター層が形成され、３層構造となる。
【００９２】
上述した実施形態では、マザーブロック１０４を切断線Ｘ及びＹに切断して複数のグリーンチップを得てから、グリーンチップの両側面に未焼成のサイドマージン部を形成していたが、以下のように変更することも可能である。
【００９３】
すなわち、マザーブロックを切断線Ｘのみに沿って切断することによって、切断線Ｘに沿う切断によって現れた側面に第１の内部電極層及び第２の内部電極層が露出した、複数の棒状のグリーンブロック体を得てから、グリーンブロック体の両側面に未焼成のサイドマージン部を形成した後、切断線Ｙに切断して複数の未焼成の積層体を得て、その後、未焼成の積層体を焼成してもよい。焼成後は、前述の実施形態と同様の工程を行うことによって、積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【符号の説明】
【００９４】
１  積層セラミックコンデンサ
１０  積層体
１１  積層体の第１の主面
１２  積層体の第２の主面
１３  積層体の第１の側面
１４  積層体の第２の側面
１５  積層体の第１の端面
１６  積層体の第２の端面
２０  誘電体セラミック層
２１  第１の内部電極層
２２  第２の内部電極層
３０  内層部
３１，３２  外層部
４１，４２  サイドマージン部
４１ａ，４２ａ  インナー層
４１ｂ，４２ｂ  アウター層
５１  第１の外部電極
５２  第２の外部電極
６０  内層部に存在するＳｉの偏析
６１  インナーＳｉ偏析
６１ａ  インナー層と内層部の境界に存在するＳｉの偏析
６１ｂ  インナー層内に存在するＳｉの偏析
６２  アウター層内に存在するＳｉの偏析（アウターＳｉ偏析）
１０１  第１のセラミックグリーンシート
１０２  第２のセラミックグリーンシート
１０３  第３のセラミックグリーンシート
１０４  マザーブロック
１１０  グリーンチップ
１１３  グリーンチップの第１の側面
１１４  グリーンチップの第２の側面
１１５  グリーンチップの第１の端面
１１６  グリーンチップの第２の端面
１２０  未焼成の誘電体セラミック層
１２１  未焼成の第１の内部電極層
１２２  未焼成の第２の内部電極層
Ｘ，Ｙ  切断線
【図１】
2020167197.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020167197.tif 000009
【図８】
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【図９】
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