(57)【要約】【課題】メッキ電極を備えた太陽電池セルにおいて、メッキ用接点部に起因する出力低下を抑制する。【解決手段】実施形態の一例である太陽電池セルは、平面視多角形状のシリコンウェーハと、シリコンウェーハの第１面に設けられた第１導電型の第１非晶質半導体層と、シリコンウェーハの第１面に設けられた第２導電型の第２非晶質半導体層と、第１非晶質半導体層上に設けられた第１メッキ電極と、第２非晶質半導体層上に設けられた第２メッキ電極とを備える。シリコンウェーハの第１面には、複数の辺のうち１つの辺に沿った第１端部のみに、少なくとも１つのメッキ用接点部が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を有する、平面視多角形状のシリコンウェーハと、
前記シリコンウェーハの前記第１面に設けられた第１導電型の第１非晶質半導体層と、
前記シリコンウェーハの前記第１面に設けられた第２導電型の第２非晶質半導体層と、
前記第１非晶質半導体層上に設けられた第１メッキ電極と、
前記第２非晶質半導体層上に設けられた第２メッキ電極と、
を備え、
前記シリコンウェーハの前記第１面の複数の辺のうち１つの辺に沿った第１端部のみに、少なくとも１つのメッキ用接点部が形成されている、太陽電池セル。
【請求項２】
前記シリコンウェーハは、第１導電型であり、
前記メッキ用接点部は、前記第２メッキ電極に形成されている、請求項１に記載の太陽電池セル。
【請求項３】
前記第２メッキ電極は、複数の第２フィンガーと、前記シリコンウェーハの前記第１端部に設けられ、前記複数の第２フィンガーが接続される第２バスバーとを含み、
前記シリコンウェーハの第１端部には、前記第２バスバーに接続された、前記メッキ用接点部を含むメッキパッド部が形成されている、請求項２に記載の太陽電池セル。
【請求項４】
前記シリコンウェーハの第１端部には、前記第２バスバーの長手方向に間隔をあけて前記メッキパッド部が複数形成されている、請求項３に記載の太陽電池セル。
【請求項５】
前記第１メッキ電極は、互いに平行に配置される複数の第１フィンガーのみで構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池セル。
【請求項６】
前記シリコンウェーハの第１端部と対向する第２端部において、前記第１フィンガーは、前記第２フィンガーよりもウェーハエッジ側に延設されている、請求項５に記載の太陽電池セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、太陽電池セルに関し、より詳しくはシリコンウェーハの一方の面のみにメッキ電極が設けられた太陽電池セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウェーハと、ウェーハの一方の面に設けられた第１非晶質半導体層と、ウェーハの一方の面に設けられた第２非晶質半導体層と、各半導体層上にそれぞれ設けられた電極とを備えた、いわゆる裏面接合型の太陽電池セルが知られている。裏面接合型の太陽電池セルの電極は、一般的にメッキ電極であって、電解メッキ法により形成される（例えば、特許文献１参照）。電解メッキ法では、例えばシリコンウェーハの一方の面の対向する２つの辺に沿った両端部に端子ピンが取り付けられ、メッキ電極には端子ピンの接続跡であるメッキ用接点部が複数形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１７／０５６３７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、メッキ電極のメッキ用接点部が形成される部分には、一般的にメッキパッド部（メッキ用給電部）が形成される。或いは、メッキ用接点部が形成される部分は、他の部分よりも幅広に形成される。そして、メッキパッド部等により電極面積が大きくなると、例えば光電変換特性に影響する非晶質半導体層の成膜範囲が小さくなり、太陽電池セルの出力が低下する場合がある。
【０００５】
本開示の目的は、メッキ電極を備えた太陽電池セルにおいて、メッキ用接点部に起因する出力低下を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様である太陽電池セルは、第１面および第２面を有する、平面視多角形状のシリコンウェーハと、前記シリコンウェーハの前記第１面に設けられた第１導電型の第１非晶質半導体層と、前記シリコンウェーハの前記第１面に設けられた第２導電型の第２非晶質半導体層と、前記第１非晶質半導体層上に設けられた第１メッキ電極と、前記第２非晶質半導体層上に設けられた第２メッキ電極とを備える。前記シリコンウェーハの前記第１面の複数の辺のうち１つの辺に沿った第１端部のみに、少なくとも１つのメッキ用接点部が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一態様によれば、メッキ電極を備えた太陽電池セルにおいて、メッキ用接点部に起因する出力低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態である太陽電池セルを第１面側から見た図である。
【図２】図１中のＡ部拡大図である。
【図３】図２中のＢＢ線断面図である。
【図４】図１中のＣ部拡大図であって、第１非晶質半導体層および第２非晶質半導体層が設けられた領域を示す図である。
【図５】従来の太陽電池セルの構造を示す図である。
【図６】第２の実施形態である太陽電池セルを第１面側から見た図である。
【図７】第２の実施形態の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら、本開示に係る太陽電池セルの実施形態の一例について詳細に説明する。なお、本開示に係る太陽電池セルは、以下で説明する実施形態に限定されない。実施形態の説明で参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された構成要素の寸法比率などは以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１０】
図１は第１の実施形態である太陽電池セル１０を第１面側から見た図、図２は図１中のＡ部拡大図である。図３は、図２中のＢＢ線断面図である。
【００１１】
図１〜図３に例示するように、太陽電池セル１０は、第１面および第２面を有する、平面視多角形状のシリコンウェーハ１１と、シリコンウェーハ１１の第１面に設けられた第１導電型の第１非晶質半導体層１２と、シリコンウェーハ１１の第１面に設けられた第２導電型の第２非晶質半導体層１３とを備える。また、太陽電池セル１０は、第１非晶質半導体層１２上に設けられた第１メッキ電極２０と、第２非晶質半導体層１３上に設けられた第２メッキ電極３０とを備える。詳しくは後述するが、太陽電池セル１０では、シリコンウェーハ１１の第１面の複数の辺のうち１つの辺に沿った第１端部のみに、少なくとも１つのメッキ用接点部３４が形成されている。
【００１２】
以下、シリコンウェーハ１１の第１面を「裏面」、第２面を「受光面」とする。シリコンウェーハ１１の受光面とは、太陽電池セル１０がモジュール化されたときに、太陽光が主に入射（５０％超過〜１００％）する面を意味し、裏面とは受光面と反対側の面を意味する。
【００１３】
シリコンウェーハ１１は、多結晶シリコンウェーハであってもよいが、好ましくは単結晶シリコンウェーハである。本実施形態では、シリコンウェーハ１１として、ｎ型単結晶シリコンウェーハを用いるものとする。ｎ型ドーパントには、一般的にリン（Ｐ）が用いられる。シリコンウェーハ１１の表面には、テクスチャ構造（図示せず）が形成されていることが好ましい。テクスチャ構造とは、表面反射を抑制して光吸収量を増大させるための表面凹凸構造であって、例えばシリコンウェーハ１１の受光面のみに形成される。
【００１４】
シリコンウェーハ１１は、一般的に、４つの角が斜めにカットされた平面視略正方形状を有する。シリコンウェーハ１１の裏面において、対向する第１の辺１１Ａと第２の辺１１Ｂ、および対向する第３の辺１１Ｃと第４の辺１１Ｄは、それぞれ互いに平行である。シリコンウェーハ１１の角部には、辺１１Ａと辺１１Ｂ、および辺１１Ｃと辺１１Ｄをつなぐ斜辺１１Ｅが形成されている。４つの辺１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄの長さは同じであり、また４つの斜辺１１Ｅの長さは同じである。シリコンウェーハ１１の厚みは、例えば５０μｍ〜３００μｍである。
【００１５】
太陽電池セル１０は、シリコンウェーハ１１の受光面に設けられた絶縁層１４を備える。図３に示す例では、シリコンウェーハ１１と絶縁層１４の間に、パッシベーション層１５が設けられている。絶縁層１４およびパッシベーション層１５は、シリコンウェーハ１１の受光面の略全域に設けられることが好ましい。なお、シリコンウェーハ１１の受光面に電極は存在しない。太陽電池セル１０は、シリコンウェーハ１１の裏面のみに電極が設けられた裏面接合型のセルである。
【００１６】
絶縁層１４は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素などの金属化合物で構成される。中でも、ＳｉＮが好適である。パッシベーション層１５は、シリコンウェーハ１１の受光面におけるキャリアの再結合を抑制する層であって、例えば実質的に真性な非晶質シリコン（以下、「ｉ型非晶質シリコン」という場合がある）か、または第１非晶質半導体層１２よりドーパント濃度が低い非晶質シリコンで構成される。
【００１７】
シリコンウェーハ１１の裏面には、上述のように、第１非晶質半導体層１２、第２非晶質半導体層１３、第１メッキ電極２０、および第２メッキ電極３０が設けられている。本実施形態では、シリコンウェーハ１１がｎ型単結晶シリコンウェーハであり、第１非晶質半導体層１２がシリコンウェーハ１１と同じ導電型のｎ型非晶質シリコン層、第２非晶質半導体層１３がｐ型非晶質シリコン層である。シリコンウェーハ１１の裏面には、第１非晶質半導体層１２によってｎ型にドーピングされたｎ型領域が、第２非晶質半導体層１３によってｐ型にドーピングされたｐ型領域がそれぞれ形成される。
【００１８】
第１非晶質半導体層１２はシリコンウェーハ１１の裏面の第１の領域に設けられ、第２非晶質半導体層１３はシリコンウェーハ１１の裏面の第２の領域に設けられる。また、第１非晶質半導体層１２上の一部に絶縁層１６が設けられ、第２非晶質半導体層１３が第２の領域および絶縁層１６上に設けられる。本実施形態では、シリコンウェーハ１１の裏面において、第１非晶質半導体層１２が設けられる第１の領域がｎ型領域となり、第２非晶質半導体層１３が設けられる第２の領域がｐ型領域となる。なお、ｎ型のシリコンウェーハ１１とｐｎ接合を形成するｐ型領域は、ｎ型領域よりも大面積に形成されてもよい。
【００１９】
第１非晶質半導体層１２および第２非晶質半導体層１３が成膜される領域は、例えばシリコンウェーハ１１の裏面の外周縁を除く全域に形成される。このため、第１非晶質半導体層１２の一部と第２非晶質半導体層１３の一部が重なって隙間なく成膜される。本実施形態では、第２非晶質半導体層１３の一部が絶縁層１６を介して第１非晶質半導体層１２上にオーバーラップし、各半導体層がシリコンウェーハ１１の裏面の辺１１Ａ，１１Ｂに沿ったα方向に交互に並んでストライプ状に配置されている。絶縁層１６は、例えばＳｉＮで構成され、第１非晶質半導体層１２と第２非晶質半導体層１３が重なる部分において各半導体層の間に介在する。
【００２０】
太陽電池セル１０は、シリコンウェーハ１１と第１非晶質半導体層１２の間、およびシリコンウェーハ１１と第２非晶質半導体層１３の間にそれぞれ介在するパッシベーション層を備えていてもよい。当該パッシベーション層は、シリコンウェーハ１１の裏面におけるキャリアの再結合を抑制する層であって、例えばｉ型非晶質シリコン、または対応する非晶質半導体層よりドーパント濃度が低い非晶質シリコンで構成される。
【００２１】
第１非晶質半導体層１２はｎ型非晶質シリコンを主成分として構成され、第２非晶質半導体層１３はｐ型非晶質シリコンを主成分として構成されることが好ましい。各半導体層におけるドーパントの濃度は、例えば１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である。ｐ型ドーパントには、一般的にはボロン（Ｂ）が用いられる。各半導体層の厚みの一例は、１〜２５ｎｍである。各半導体層は、ＣＶＤまたはスパッタリングにより成膜できる。また、絶縁層１４，１６、パッシベーション層についても、ＣＶＤまたはスパッタリングにより成膜できる。
【００２２】
第１メッキ電極２０は、第１透明導電層２３を介して第１非晶質半導体層１２上に設けられることが好ましい。同様に、第２メッキ電極３０は、第２透明導電層３３を介して第２非晶質半導体層１３上に設けられることが好ましい。本実施形態では、第１メッキ電極２０および第１透明導電層２３がｎ型領域からキャリアを収集するｎ側電極となり、第２メッキ電極３０および第２透明導電層３３がｐ型領域からキャリアを収集するｐ側電極となる。ｎ側電極とｐ側電極は、溝状に形成された隙間によって分離されている。
【００２３】
第１メッキ電極２０および第２メッキ電極３０は、電解メッキ法により形成される。各メッキ電極は、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属で構成され、Ｎｉ層とＣｕ層との積層構造であってもよく、耐食性を向上させるために最表面に錫（Ｓｎ）層を有していてもよい。各メッキ電極の厚みの一例は、５０ｎｍ〜１μｍであって、第１メッキ電極２０は第２メッキ電極３０より厚く形成されてもよい。
【００２４】
第１透明導電層２３および第２透明導電層３３は、一般的に、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物に、タングステン（Ｗ）、Ｓｎ、アンチモン（Ｓｂ）等がドーピングされた透明導電性酸化物（ＩＷＯ、ＩＴＯ等）から構成される。各透明導電層は、スパッタリングにより形成できる。各透明導電層の厚みは、例えば３０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００２５】
第１メッキ電極２０は、複数の第１フィンガー２１と、複数の第１フィンガー２１が接続される第１バスバー２２とを含む。同様に、第２メッキ電極３０は、複数の第２フィンガー３１と、複数の第２フィンガー３１が接続される第２バスバー３２とを含む。第１バスバー２２は、シリコンウェーハ１１の第２の辺１１Ｂに沿った第２端部に設けられ、第２バスバー３２は、辺１１Ｂと平行な第１の辺１１Ａに沿った第１端部に設けられる。また、第１バスバー２２と第２バスバー３２の一部は、シリコンウェーハ１１の角部に形成される斜辺１１Ｅに沿って設けられている。
【００２６】
複数の第１フィンガー２１と複数の第２フィンガー３１は、シリコンウェーハ１１の第３の辺１１Ｃ、第４の辺１１Ｄと平行に、辺１１Ｃ，１１Ｄに沿ったβ方向に延設されている。また、辺１１Ａ，１１Ｂに沿ったα方向に、第１フィンガー２１と第２フィンガー３１が交互に配置されている。そして、第１フィンガー２１と第１バスバー２２は、絶縁層１６上に形成された溝状の隙間を隔てて互いに噛み合った平面視櫛歯状を呈する。
【００２７】
太陽電池セル１０は、上述のように、シリコンウェーハ１１の裏面において、第１の辺１１Ａに沿った第１端部のみに形成される少なくとも１つのメッキ用接点部３４を有する。メッキ用接点部３４の形成箇所をシリコンウェーハ１１の第１端部に限定することで、メッキ用接点部３４を設けることに起因する太陽電池セル１０の出力低下を抑制できる。本実施形態では、ｎ型のシリコンウェーハ１１と異なる導電型（ｐ型）の第２非晶質半導体層１３上に設けられる第２メッキ電極３０にメッキ用接点部３４が形成されている。
【００２８】
メッキ用接点部３４は、電解メッキ工程でシリコンウェーハ１１の裏面に取り付けられる端子ピンの接続跡である。メッキ用接点部３４は、例えば金属メッキ層を有するが、その厚みは第２メッキ電極３０の他の部分の厚みより薄くてもよい。メッキ用接点部３４の平面視形状は、端子ピンの形状に依存し、特に限定されない。メッキ用接点部３４は１つであってもよいが、好ましくはシリコンウェーハ１１の裏面の第１端部に複数形成される。この場合、シリコンウェーハ１１の裏面の広範囲においてメッキ層の厚みを均一化し易い。
【００２９】
シリコンウェーハ１１の第１端部には、第２バスバー３２に接続された、メッキ用接点部３４を含むメッキパッド部３５（メッキ用給電部３５）が形成されている。メッキパッド部３５は、第２バスバー３２と同様に金属メッキ層を有し、第２メッキ電極３０の一部を構成する。メッキパッド部３５から、複数の第２フィンガー３１が延出していてもよい。メッキパッド部３５となる部分は、電解メッキ工程で端子ピンが取り付けられる部分であって、端子ピンを取り付け可能な大きさで設けられる。なお、第１メッキ電極２０に接続されるメッキパッド部は存在せず、メッキパッド部はシリコンウェーハ１１の第１端部のみに形成される。
【００３０】
メッキパッド部３５の形状は特に限定されないが、好適な一例は平面視四角形状である。メッキパッド部３５は、第２バスバー３２の一部が突出して形成された凸部ということができ、第２バスバー３２の一部をシリコンウェーハ１１の内側に突出させて幅広にすることで形成される。メッキ用接点部３４は、メッキパッド部３５、および第２バスバー３２のメッキパッド部３５と隣接する部分に形成されていてもよい。
【００３１】
メッキパッド部３５は、第２バスバー３２の長手方向に沿ったα方向に間隔をあけて複数形成されることが好ましい。図１に示す例では、第２バスバー３２の長手方向に等間隔で３つのメッキパッド部３５が形成されている。メッキパッド部３５の１つが第２バスバー３２の長手方向中央部に形成され、残りの２つが第２バスバー３２の長手方向端部寄りにそれぞれ形成されている。メッキ用接点部３４は、各メッキパッド部３５にそれぞれ形成される。即ち、シリコンウェーハ１１の第１端部には、第２バスバー３２の長手方向に間隔をあけてメッキ用接点部３４が複数形成される。
【００３２】
図４は、図１中のＣ部拡大図である。比較例として、第１メッキ電極２０の一部を構成するメッキパッド部５０が形成された従来の太陽電池セルの構造を図５に示す。図４および図５では、シリコンウェーハ１１の裏面の第１非晶質半導体層１２が成膜された領域のうち、裏面に直接形成され、かつｎ側電極と接する領域Ｒ１（ｎ型領域の一部）を斜線ハッチングで示す。また、シリコンウェーハ１１の裏面の第２非晶質半導体層１３が成膜されたｐ型領域のうち、裏面に直接形成され、かつｐ側電極と接する領域Ｒ２（ｐ型領域の一部）をクロスハッチングで示す。
【００３３】
図４に示すように、太陽電池セル１０では、シリコンウェーハ１１の辺１１Ｂに沿った第２端部側にメッキパッド部は存在せず、上述の通り、シリコンウェーハ１１の第１端部のみにメッキ用接点部３４を含むメッキパッド部３５が形成される。太陽電池セル１０では、第１メッキ電極２０にメッキパッド部が形成されない。この場合、領域Ｒ２を第１バスバー２２の近傍まで延設することができる。
【００３４】
一方、図５に示すように、メッキパッド部５０が形成される場合は、メッキパッド部５０とβ方向に重なる領域Ｒ２を第１バスバー２２の近傍まで形成できず、領域Ｒ２の長さが他の領域Ｒ２よりも短くなる。つまり、太陽電池セル１０では、メッキパッド部５０を有する従来の太陽電池セルと比較して、キャリア分離領域であるｐｎ接合領域を形成するｐ型領域の面積を大きくすることができ、出力特性が向上する。換言すると、メッキパッド部５０が設けられていることに起因する出力低下を抑制できる。
【００３５】
ここで、上記構成を備えた太陽電池セル１０の製造方法の一例について説明する。太陽電池セル１０の製造工程では、まず初めに、テクスチャ構造が形成されたシリコンウェーハ１１を準備する。シリコンウェーハ１１には、例えば受光面となる一方の面のみにテクスチャ構造が形成されたｎ型単結晶シリコンウェーハを用いる。次に、シリコンウェーハ１１の裏面となる他方の面に、第１非晶質半導体層１２、絶縁層１６をこの順に設ける。これらの層は、他方の面の略全域に成膜される。
【００３６】
次に、シリコンウェーハ１１の裏面に設けられた上記各層をパターニングする。具体的には、絶縁層１６をエッチングした後、パターニングされた絶縁層１６をマスクとして、露出した第１非晶質半導体層１２をエッチングする。その後、シリコンウェーハ１１の他方の面の略全域に、第２非晶質半導体層１３を設ける。第２非晶質半導体層１３の絶縁層１６上に成膜された部分をパターニングし、絶縁層１６の露出した部分をエッチングして第１非晶質半導体層１２の一部を露出させる。また、シリコンウェーハ１１の一方の面には、パッシベーション層１５、絶縁層１４をこの順に設ける。
【００３７】
次に、第１非晶質半導体層１２および第２非晶質半導体層１３の全域を覆う透明導電層を設ける。そして、透明導電層の上にパターニングされたレジスト膜を配置する。このときのレジスト膜の配置パターンとしては、完成した太陽電池セルがメッキパッド部３５を有することができるようなパターンを用いる。レジスト膜を設けたのち、透明導電層の表面のうち、太陽電池セルにおいてメッキパッド部３５となる部分に端子ピンを取り付けて、電解メッキによって金属メッキ層を形成する。
【００３８】
端子ピンは、例えばシリコンウェーハ１１を挟むクリップ状部材であって、シリコンウェーハ１１の第１端部のみに複数取り付けられ、シリコンウェーハ１１は吊り下げられた状態でメッキ液に浸漬される。第１端部のみに端子ピンを取り付けた場合、金属メッキ層の厚みにバラツキが生じ易いが、メッキ液に浸漬したシリコンウェーハ１１をゆっくり移動させる、或いはメッキ液を流動させることにより、均一な金属メッキ層を形成できる。
【００３９】
なお、上述した第１の実施形態は、本開示の目的を損なわない範囲で適宜設計変更できる。例えば、図６に示す第２の実施形態は、第１メッキ電極２０がバスバーを含まない点で、第１の実施形態と異なる。第１メッキ電極２０は、複数の第２フィンガー３１の間隙において、互いに平行に配置される複数の第１フィンガー２１のみで構成され、各第１フィンガー２１は電気的に接続されていない。
【００４０】
図６に示す形態では、シリコンウェーハ１１の辺１１Ｂに沿った第２端部にバスバーが存在しないため、第１フィンガー２１および第２フィンガー３１が、ウェーハエッジである辺１１Ｂの近傍まで延設している。この場合、ｎ型のシリコンウェーハ１１とｐｎ接合領域を形成するｐ型領域の形成面積が拡大し、さらなる出力特性の向上が期待される。なお、図６に示す形態では、辺１１Ｂから各第１フィンガー２１および各第２フィンガー３１の長手方向一端までの距離が同じであり、各フィンガーの長手方向一端の位置が揃っている。
【００４１】
図７に例示する形態では、第１フィンガー２１が第２フィンガー３１よりもウェーハエッジ側に延びている点で、図６に例示する形態と異なる。即ち、ウェーハエッジである辺１１Ｂから各第２フィンガー３１の長手方向一端までの距離は、辺１１Ｂから各第１フィンガー２１の長手方向一端までの距離より長い。この場合、太陽電池セル１０をモジュール化する際に、一般的な帯状の配線材を用いて隣り合うセルと容易に接続できる。なお、第２非晶質半導体層１３（ｐ型領域）は、第２フィンガー３１の長手方向一端を超えて辺１１Ｂ側に延設されていてもよい。
【００４２】
また、上述の実施形態では、シリコンウェーハ１１をｎ型シリコンウェーハとしたが、シリコンウェーハ１１はｐ型にドーピングされたｐ型シリコンウェーハであってもよい。この場合、例えば、第１非晶質半導体層１２がｐ型非晶質シリコン層で、第１メッキ電極２０がｐ側電極となり、第２非晶質半導体層１３がｎ型非晶質シリコン層で、第２メッキ電極３０がｎ側電極となる。そして、メッキ用接点部を含むメッキパッド部は、ｎ側電極である第２メッキ電極３０の一部として形成されることが好ましい。換言すると、ｐ側電極には、メッキパッド部が存在しないことが好ましい。
【００４３】
また、上述の実施形態では、第２バスバー３２の一部が突出して形成されたメッキパッド部３５が存在するが、このようなメッキパッド部を有さない形態であってもよい。例えば、全長にわたって幅広に形成された第２バスバー３２に、メッキ用接点部３４が形成されていてもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１０  太陽電池セル、１１  シリコンウェーハ、１２  第１非晶質半導体層、１３  第２非晶質半導体層、１４，１６  絶縁層、１５  パッシベーション層、２０  第１メッキ電極、２１  第１フィンガー、２２  第１バスバー、２３  第１透明導電層、２４  メッキ用接点部、２５  メッキパッド部、３０  第２メッキ電極、３１  第２フィンガー、３２  第２バスバー、３３  第２透明導電層、３４  メッキ用接点部、３５  メッキパッド部
【図１】
2020167334.tif 000003
【図２】
2020167334.tif 000004
【図３】
2020167334.tif 000005
【図４】
2020167334.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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