(57)【要約】【課題】より少ない工程で、ナノメートルレベルの微細配線を形成することができる微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置を提供する。【解決手段】熱を加えると相分離する相分離体を所望の位置に配置し、その相分離体に対して熱処理を行って相分離させる相分離工程と、相分離工程で分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させる拡散工程とを有する。相分離体は、例えばブロック共重合体など、熱を加えると相分離する２種類以上の高分子から成ることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱を加えると相分離する相分離体を所望の位置に配置し、前記相分離体に対して熱処理を行って相分離させる相分離工程と、
前記相分離工程で分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させる拡散工程とを
有することを特徴とする微細配線構造の製造方法。
【請求項２】
前記相分離体は、熱を加えると相分離する２種類以上の高分子から成ることを特徴とする請求項１記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項３】
前記相分離体は、ブロック共重合体であることを特徴とする請求項１記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項４】
前記相分離体は、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）とを含むブロック共重合体であることを特徴とする請求項１記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項５】
前記拡散工程で前記導体または前記絶縁体を拡散した相に存在する高分子を除去する除去工程を有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項６】
前記相分離工程は、前記相分離体を含む溶液を前記所望の位置に配置することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項７】
前記溶液は、導電性の粒子を含んでいることを特徴とする請求項６記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項８】
前記拡散工程は、前記相分離工程で分離した相のうちの第１の相を、第１の染色剤を用いて染色することにより、前記第１の相に前記導体を拡散させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項９】
前記第１の相は、官能基として、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＮＨ２、または、−ＣＯＮＨを含む高分子から成り、
前記第１の染色剤は、四酸化オスミウム、四酸化ルテニウム、または、リンタングステン酸であることを
特徴とする請求項８記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の相はポリスチレン（ＰＳ）であり、
前記第１の染色剤は四酸化ルテニウムであり、
前記導体は二酸化ルテニウムであることを
特徴とする請求項８記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項１１】
前記拡散工程で前記第１の相に拡散した前記導体を還元する還元工程を有することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項１２】
前記拡散工程は、前記相分離工程で分離した相のうちの第２の相を、第２の染色剤を用いて染色することにより、前記第２の相に前記絶縁体を拡散させることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の相はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）であり、
前記第２の染色剤はトリメチルアルミニウムであり、
前記絶縁体は酸化アルミニウムであることを
特徴とする請求項１２記載の微細配線構造の製造方法。
【請求項１４】
熱を加えると相分離する相分離体が相分離するよう、所望の位置に配置された前記相分離体を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段で前記相分離体を加熱して分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させる拡散手段とを、
有することを特徴とする微細配線構造の製造装置。
【請求項１５】
前記拡散手段は、前記加熱手段で相分離した前記相分離体を染色剤の蒸気にさらすことにより、前記分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、前記導体または前記絶縁体を拡散させるよう構成されていることを特徴とする請求項１４記載の微細配線構造の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積回路の微細配線は、極めて高価な極端紫外線（EUV: Extreme Ultraviolet）を利用した超微細加工や、減算的なリソグラフィとエッチングとの繰り返しなどにより形成されていたが、これらの方法は、非常に煩雑な工程であることや、より微細なナノメートルレベルの加工サイズに対応するのが困難であるという問題があった。そこで、これらの問題を解決するために、ジブロックコポリマー等の自己組織化材料を用いて、熱処理等により規則的な周期構造を形成させ、数１０ｎｍ以下のナノメートルレベルサイズの微細なパターン形成を行う誘導自己組織化（ＤＳＡ：Directed Self-Assembly）リソグラフィ技術が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
このＤＳＡを利用して貫通電極やバンプ等の微細配線を形成する方法として、本発明者等により、自己組織化する金属粒子とポリマーとを用いて、例えば、ガイドの内側に、ポリマー層を形成し、さらにそのポリマー層の内側に金属柱を形成する方法（例えば、特許文献１参照）や、ブロック共重合体と、そのブロック共重合体の一方の高分子に金属を修飾したものとを混合し、ブロック共重合体を自己組織化させることにより、修飾した金属が連続したナノワイヤの配線を形成する方法（例えば、非特許文献２参照）が開発されている。
【０００４】
なお、一般的な高分子材料は、Ｃ，Ｈ，Ｎ，Ｏ等の軽元素で構成されているため、電子線の透過性が良く、そのままでは内部構造を認識するだけのコントラストを得ることが難しい。そこで、高分子材料を電子線散乱性能の高い重金属で染色固定することにより、高分子材料の内部構造を識別可能にする染色方法が開発されている（例えば、非特許文献３または４参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】木原尚子、「自己組織化リソグラフィ技術」、東芝レビュー、2012年、Vol.67、No.4、p.44-47
【非特許文献２】Takafumi Fukushima, Mariappan Murugesan, and Mitsumasa Koyanagi, “DSA Technology with Metal Nanocomposites for Advanced Interconnections”, 4th International Symposium on DSA, November 11-13, 2018, poster
【非特許文献３】岡村稔、「高分子材料の内部構造観察」、2002年、2002-I号(Vol.15)、p.12-14
【非特許文献４】Sang-Min Park, Sang-Hyun Yun, Byeong-Hyeok Sohn, “Variations of the Lamellar Period in Thin Films of Diblock Copolymers by Selective Staining Agents”, Macromol. Chem. Phys., 2002, 203, No.14, p.2069-2074
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１６／０３５６２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の方法は、比較的簡単な方法で貫通電極やバンプ等の微細配線を形成することができるが、自己組織化材料として金属粒子を利用するため、形成される金属柱のサイズが１００ｎｍ以上になってしまい、より微細なナノメートルレベルの配線にするのは難しいという課題があった。また、非特許文献２に記載の方法では、ナノメートルレベルの微細配線を形成可能であるが、自己組織化の前工程として、高分子に金属を修飾したものを製造する工程が必要となるという課題があった。
【０００８】
本発明は、このような課題に着目してなされたもので、より少ない工程で、ナノメートルレベルの微細配線を形成することができる微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る微細配線構造の製造方法は、熱を加えると相分離する相分離体を所望の位置に配置し、前記相分離体に対して熱処理を行って相分離させる相分離工程と、前記相分離工程で分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させる拡散工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る微細配線構造の製造方法は、熱処理により分離した相のうち、少なくとも一つの相に導体または絶縁体を拡散させることにより、電気を通しやすい相と通しにくい相とを形成することができる。これにより、電気を通しやすい相を導電体とした微細配線を形成することができる。また、相分離体の自己組織化を利用しているため、ナノメートルレベルの微細配線を形成することができる。本発明に係る微細配線構造の製造方法は、例えば、貫通電極やバンプ、多層配線等の微細配線を形成することができる。
【００１１】
また、本発明に係る微細配線構造の製造方法は、拡散工程として、比較的簡単な方法を使用することにより、リソグラフィとエッチングとを繰り返す従来の方法や、高分子に金属を修飾したものを製造する前工程を行う方法に比べて、より少ない工程で微細配線を形成することができる。拡散工程は、比較的簡単なものであればいかなる方法を使用してもよく、例えば、非特許文献３または４に記載のような染色方法であってもよい。
【００１２】
本発明に係る微細配線構造の製造方法で、前記相分離体は、熱を加えると相分離する２種類以上の高分子から成ることが好ましく、特に、ブロック共重合体であることが好ましい。相分離体は、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）とを含むブロック共重合体や、Poly(styrene-b-4-vinyl pyridine)、Poly(styrene-b-2-vinyl pyridine)、Poly(styrene-b-dimethyl siloxane)、Poly(styrene-b-hydroxystyrene)、Poly(styrene-b-lactic acid)、Poly(styrene-b-trimethylsilylstyrene)、Poly(styrene-b-butadiene)などのブロック共重合体である。
【００１３】
本発明に係る微細配線構造の製造方法は、前記拡散工程で前記導体または前記絶縁体を拡散した相に存在する高分子を除去する除去工程を有していてもよい。この場合、除去工程により、導体または絶縁体のみを残すことができる。導体を残したときには、電気伝導率を高めて、電気抵抗を低く抑えることができ、絶縁体を残したときには、電気伝導率を小さくして、漏電を防ぐことができる。
【００１４】
本発明に係る微細配線構造の製造方法で、前記相分離工程は、前記相分離体を含む溶液を前記所望の位置に配置してもよい。この場合、所望の位置に容易に微細配線を形成することができる。また、この場合、前記溶液は、導電性の粒子を含んでいてもよい。このとき、相分離工程により、導電性の粒子を少なくとも一つの相に凝集させることができ、微細配線の形成を促進することができる。
【００１５】
本発明に係る微細配線構造の製造方法で、前記拡散工程は、前記相分離工程で分離した相のうちの第１の相を、第１の染色剤を用いて染色することにより、前記第１の相に前記導体を拡散させてもよい。この場合、染色により、比較的容易に導体を拡散させることができる。第１の相および第１の染色剤は、第１の染色剤で染色したときに、第１の相に導電性を有する物質を拡散可能な組合せであれば、いかなるものであってもよい。例えば、前記第１の相は、官能基として、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＮＨ２、または、−ＣＯＮＨを含む高分子から成り、前記第１の染色剤は、四酸化オスミウム（ＯｓＯ４）、四酸化ルテニウム（ＲｕＯ４）、または、リンタングステン酸であってもよい。より具体的には、前記第１の相はポリスチレン（ＰＳ）であり、前記第１の染色剤は四酸化ルテニウム（ＲｕＯ４）であってもよく、この場合、前記導体として、第１の相に二酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）を拡散することができる。
【００１６】
また、この場合、前記拡散工程で前記第１の相に拡散した前記導体を還元する還元工程を有していてもよい。還元工程で導体を還元することにより、より電気伝導率が高く、電気抵抗が小さい物質にすることができる。例えば、第１の相に拡散した導体が二酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）のとき、還元工程により、純ルテニウム（Ｒｕ）に還元することができる。
【００１７】
本発明に係る微細配線構造の製造方法で、前記拡散工程は、前記相分離工程で分離した相のうちの第２の相を、第２の染色剤を用いて染色することにより、前記第２の相に前記絶縁体を拡散させてもよい。この場合、染色により、比較的容易に絶縁体を拡散させることができる。第２の相および第２の染色剤は、第２の染色剤で染色したときに、第２の相に絶縁体を拡散可能な組合せであれば、いかなるものであってもよい。具体的には、前記第２の相はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）であり、前記第２の染色剤はトリメチルアルミニウム（Ｃ６Ｈ１８Ａｌ２）であってもよく、この場合、前記絶縁体として、第２の相に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を拡散することができる。
【００１８】
本発明に係る微細配線構造の製造装置は、熱を加えると相分離する相分離体が相分離するよう、所望の位置に配置された前記相分離体を加熱する加熱手段と、前記加熱手段で前記相分離体を加熱して分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させる拡散手段とを、有することを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る微細配線構造の製造装置は、本発明に係る微細配線構造の製造方法を好適に実施することができる。本発明に係る微細配線構造の製造装置は、加熱手段で相分離体を加熱して分離した相のうち、少なくとも一つの相に導体または絶縁体を拡散させることにより、電気を通しやすい相と通しにくい相とを形成することができる。これにより、電気を通しやすい相を導電体とした微細配線を形成することができる。また、相分離体の自己組織化を利用しているため、ナノメートルレベルの微細配線を形成することができる。本発明に係る微細配線構造の製造装置は、例えば、貫通電極やバンプ、多層配線等の微細配線を形成することができる。
【００２０】
本発明に係る微細配線構造の製造装置で、前記拡散手段は、前記加熱手段で相分離した前記相分離体を染色剤の蒸気にさらすことにより、前記分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、前記導体または前記絶縁体を拡散させるよう構成されていてもよい。この場合、染色方法を利用して、比較的容易に導体または絶縁体を拡散させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、より少ない工程で、ナノメートルレベルの微細配線を形成することができる微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法により形成された、誘導自己組織化コンポジットを示す、（ａ）縦断面全体、（ｂ）  （ａ）中のＡ領域、（ｃ）  （ａ）中のＢ領域、（ｄ）  （ｂ）中のＣ領域の、走査型顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図２】図１（ｂ）に示す誘導自己組織化コンポジットのＡ領域の、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）による、（ａ）Ｃ、（ｂ）Ｏ、（ｃ）Ｓｉ、（ｄ）Ａｕ、（ｅ）Ｒｕの元素マッピング、（ｆ）ＳＥＭ写真である。
【図３】図１に示す誘導自己組織化コンポジットの、Auナノワイヤ（Au nano-wire）での（ａ）電圧、電流、抵抗測定時のＳＥＭ写真、（ｂ）その測定結果を示す電圧−電流関係（図中の破線）および電圧−抵抗関係（図中の実線）のグラフである。
【図４】図１に示す誘導自己組織化コンポジットの、Ruで染色されたPS相（Ru stained PS）での（ａ）電圧、電流、抵抗測定時のＳＥＭ写真、（ｂ）その測定結果を示す電圧−電流関係（図中の破線）および電圧−抵抗関係（図中の実線）のグラフである。
【図５】図１に示す誘導自己組織化コンポジットの、PMMA相（Insulator）とPS相との間の（ａ）電圧、電流、抵抗測定時のＳＥＭ写真、（ｂ）その測定結果を示す電圧−電流関係（図中の破線）および電圧−抵抗関係（図中の実線）のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、実施例等に基づいて、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法は、相分離工程と拡散工程とを有している。相分離工程は、熱を加えると相分離する相分離体を所望の位置に配置し、その相分離体に対して熱処理を行って相分離させる。相分離体は、例えば、ブロック共重合体など、熱を加えると相分離する２種類以上の高分子から成ることが好ましい。また、相分離工程は、相分離体を含む溶液を、例えば、孔や溝状のガイド内などに配置してもよい。このときの溶液には、導電性の粒子を含んでいてもよい。
【００２４】
拡散工程は、相分離工程で分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させる。拡散工程は、例えば、相分離工程で分離した相のうちの第１の相を、第１の染色剤を用いて染色することにより、第１の相に導体を拡散させてもよく、さらに、相分離工程で分離した相のうちの第２の相を、第２の染色剤を用いて染色することにより、第２の相に絶縁体を拡散させてもよい。例えば、第１の相が、官能基として、−ＣＨ＝ＣＨ−を含む高分子のとき、第１の染色剤は四酸化オスミウム（ＯｓＯ４）であり、第１の相が、−ＣＨ２−ＣＨ２−を含む高分子のとき、第１の染色剤は四酸化ルテニウム（ＲｕＯ４）であり、第１の相が、−ＮＨ２、または、−ＣＯＮＨを含む高分子のとき、第１の染色剤はリンタングステン酸であることが好ましい。また、第２の相が、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のとき、第２の染色剤は、トリメチルアルミニウム（Ｃ６Ｈ１８Ａｌ２）であることが好ましい。このとき、第２の相に拡散する絶縁体は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である。
【００２５】
本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法は、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造装置により好適に実施することができる。本発明の実施の形態の微細配線構造の製造装置は、加熱手段と拡散手段とを有している。加熱手段は、例えばヒーターから成り、熱を加えると相分離する相分離体が相分離するよう、所望の位置に配置された相分離体を加熱するよう構成されている。加熱手段は、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法の相分離工程を実施することができる。
【００２６】
拡散手段は、加熱手段で相分離体を加熱して分離した相のうち、少なくとも一つの相に対して、導体または絶縁体を拡散させるよう構成されている。拡散手段は、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法の拡散工程を実施することができる。拡散手段は、例えば、染色方法を利用し、加熱手段で相分離した相分離体を、染色剤を含む水溶液に浸漬することにより、導体または絶縁体を拡散させるよう構成されていてもよく、加熱手段で相分離した相分離体を染色剤の蒸気にさらすことにより、導体または絶縁体を拡散させるよう構成されていてもよい。この場合、染色剤を用いて染色を行う拡散工程を実施することができる。
【００２７】
本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置は、熱処理により分離した相のうち、少なくとも一つの相に導体または絶縁体を拡散させることにより、電気を通しやすい相と通しにくい相とを形成することができる。これにより、電気を通しやすい相を導電体とした微細配線を形成することができる。また、相分離体の自己組織化を利用しているため、ナノメートルレベルの微細配線を形成することができる。本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置は、例えば、貫通電極やバンプ、多層配線等の微細配線を形成することができる。
【００２８】
また、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法は、拡散工程として、比較的簡単な方法を使用することにより、リソグラフィとエッチングとを繰り返す従来の方法や、高分子に金属を修飾したものを製造する前工程を行う方法に比べて、より少ない工程で微細配線を形成することができる。
【００２９】
本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法は、溶液中に相分離体を混合することにより、相分離工程で、その溶液を所望の位置に容易に配置することができる。また、その溶液に導電性の粒子を含ませることにより、相分離工程で、導電性の粒子を少なくとも一つの相に凝集させることができ、微細配線の形成を促進することができる。また、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法および微細配線構造の製造装置は、拡散工程または拡散手段で、染色方法を利用することにより、比較的容易に導体や絶縁体を拡散させることができる。
【００３０】
なお、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法は、相分離体が高分子を含むとき、拡散工程で導体または絶縁体を拡散した相に存在する高分子を除去する除去工程を有していてもよい。本発明の実施の形態の微細配線構造の製造装置は、相分離体が高分子を含むとき、拡散手段で導体または絶縁体を拡散した相に存在する高分子を除去する除去手段を有していてもよい。これらの場合、除去工程または除去手段により、導体または絶縁体のみを残すことができる。導体を残したときには、電気伝導率を高めて、電気抵抗を低く抑えることができ、絶縁体を残したときには、電気伝導率を小さくして、漏電を防ぐことができる。
【００３１】
また、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法は、拡散工程で拡散した導体を還元する還元工程を有していてもよい。本発明の実施の形態の微細配線構造の製造装置は、拡散手段で拡散した導体を還元する還元手段を有していてもよい。これらの場合、還元工程または還元手段で導体を還元することにより、より電気伝導率が高く、電気抵抗が小さい物質にすることができる。
【実施例１】
【００３２】
本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法を用いて、微細配線構造を製造した。まず、相分離体として、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）とを含む、PS-b-PMMAのブロック共重合体を用いた。このブロック共重合体の各構成成分の分子量を、PS  57,000、PMMA  25,000 とした。なお、この組成では、相分離したとき、PMMA がシリンダー型となり、その周囲をPS が覆うナノ構造が形成される。
【００３３】
また、導電体を含む粒子として、Au-PMMAナノ粒子を用いた。用いたAu-PMMAナノ粒子に含まれるPMMA のMn数平均分子量は、Mn  15,000 である。また、Au に対するPMMA の被覆率は、92.2 %である。また、Auナノ粒子の粒径は、2〜5 nm である。
【００３４】
PS-b-PMMAブロック共重合体  98 vol％と、Au-PMMAナノ粒子  2 vol%とを、20倍に希釈したピリジンに溶解して混合し、その混合溶液を、Ｓｉ板に形成した直径３μｍの孔に注入して乾燥させた。その後、真空中で、280℃で120分間の熱処理を施して相分離させ、さらに、Ｒｕを含む水（RuO4水溶液）中に３日間浸漬して、誘導自己組織化コンポジットを形成した。なお、PS-b-PMMA とAu-PMMA とを混合した後のPS：PMMA比は、およそ１：１である。
【００３５】
孔中に形成された誘導自己組織化コンポジットの縦断面の走査型顕微鏡（ＳＥＭ）写真を、図１に示す。また、その縦断面の一部のエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）の結果を、図２に示す。図１に示すように、誘導自己組織化コンポジットは、PSマトリックス相中に、複数のシリンダー状のPMMA相が存在していることが確認された。また、図１（ｂ）、（ｄ）および図２（ｄ）に示すように、PMMA相の中に、Auが連続した、長さ520 nm程度のAuナノワイヤ（Au nano-wire）が存在していることが確認された。また、図１（ｃ）に示すように、PS がRuで染色されて、PS相の中にRuO2が拡散していることが確認された。
【００３６】
次に、微小デバイス特性評価装置（ナノプローバ「N-6000SS」；（株）日立ハイテクノロジーズ社製）のナノプローブ（Nano probe）を用いて、孔中に形成された誘導自己組織化コンポジットの縦断面中の所定の区間での電圧、電流、抵抗測定を行った。測定箇所は、Auナノワイヤ、Ruで染色されたPS相、PMMA相とPS相との間である。各測定箇所での測定時のＳＥＭ写真および測定結果を、それぞれ図３〜図５に示す。
【００３７】
図３に示すように、Auナノワイヤ（Au nano-wire）は、２回測定を行ったところ、２回とも、電流と電圧とが比例し、抵抗値もほぼ５ＭΩよりも小さくなっていることが確認された。この結果から、Auナノワイヤは、導電性を有していることいえる。また、図４に示すように、Ruで染色されたPS相（Ru stained PS）は、２回測定を行ったところ、２回とも、Auナノワイヤよりも抵抗は大きいが、電流と電圧とが比例し、抵抗値もほぼ２５ＭΩよりも小さくなっていることが確認された。この結果から、Ruで染色されたPS相も、導電性を有しているといえる。図５に示すように、PMMA相（Insulator）とPS相との間は、電圧をかけているにもかかわらず、ほとんど電流が流れておらず、抵抗も数ＴΩと非常に大きくなっていることが確認された。この結果から、PMMA相とPS相との間は、絶縁されているといえる。
【００３８】
以上のように、本発明の実施の形態の微細配線構造の製造方法により、Au-PMMAナノ粒子を使用して、PMMA相中にAuナノワイヤによる微細配線を形成することができた（図３参照）。また、Ruで染色されたPS相にも微細配線を形成することができた（図４参照）。なお、Ruで染色されたPS相は、PMMA相中のAuナノワイヤの存在とは関係なく、導電性を有していることから、Au-PMMAナノ粒子を使用しなくとも、PS相中に微細配線を形成可能であることは明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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