(57)【要約】【課題】高温環境に曝されたときにインピーダンス整合の観点からシート抵抗の変化を抑制するのに有利な新規の電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。【解決手段】インピーダンス整合膜１０は、金属元素と、非金属元素とを含む。インピーダンス整合膜１０は、１０〜２００ｎｍの厚みを有する。インピーダンス整合膜１０は、２００Ω／□以上のシート抵抗を有する。インピーダンス整合膜１０において、酸素原子の原子数基準の含有率が５０％未満である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素と、非金属元素とを含み、
１０〜２００ｎｍの厚みを有し、
２００Ω／□以上のシート抵抗を有し、
酸素原子の原子数基準の含有率が５０％未満である、
電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項２】
０．４×１０-3Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する、請求項１に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項３】
前記非金属元素は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｓｉ、Ｓ、及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素である、請求項１又は２に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項４】
前記金属元素は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項５】
前記金属元素は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項６】
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉの原子数基準の含有率の合計が１０％以上である、請求項５に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項７】
６００Ω／□以下のシート抵抗を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項８】
８．０×１０-3Ω・ｃｍ以下の比抵抗を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜。
【請求項９】
基材と、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜と、を備えた、
電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜と、
電波を反射する導電体と、
前記電波吸収体用インピーダンス整合膜の厚み方向において前記電波吸収体用インピーダンス整合膜と前記導電体との間に配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電波吸収体用インピーダンス整合膜と、
前記電波吸収体用インピーダンス整合膜の厚み方向において前記電波吸収体用インピーダンス整合膜に接触して配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体用積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電波吸収体用インピーダンス整合膜、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム、電波吸収体、及び電波吸収体用積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電波吸収体用抵抗被膜に合金を用いて電波吸収体表面のインピーダンスを空気の特性インピーダンスに合わせるインピーダンス整合を図る技術が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、モリブデンを５重量％以上含有する合金からなるλ／４型電波吸収体用抵抗皮膜が提案されている。このλ／４型電波吸収体用抵抗皮膜において、合金のニッケル含有量及びクロム含有量の調節により、５〜６ｎｍの膜厚で表面抵抗値が所定の範囲に調整されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−５６５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１において、２５℃における抵抗皮膜の表面抵抗値の時間的な変化が測定されている。一方、特許文献１において、高温環境（例えば、８０℃の環境）に曝されたときの抵抗皮膜の表面抵抗値の時間的な変化は評価されていない。
【０００６】
このような事情を踏まえて、本発明は、高温環境に曝されたときにインピーダンス整合の観点からシート抵抗の変化を抑制するのに有利な新規の電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、
金属元素と、非金属元素とを含み、
１０〜２００ｎｍの厚みを有し、
２００Ω／□以上のシート抵抗を有し、
酸素原子の原子数基準の含有率が５０％未満である、
電波吸収体用インピーダンス整合膜を提供する。
【０００８】
また、本発明は、
基材と、
上記の電波吸収体用インピーダンス整合膜と、を備えた、
電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルムを提供する。
【０００９】
また、本発明は、
上記の電波吸収体用インピーダンス整合膜と、
電波を反射する導電体と、
前記電波吸収体用インピーダンス整合膜の厚み方向において前記電波吸収体用インピーダンス整合膜と前記導電体との間に配置されている誘電体層と、を備えた、
電波吸収体を提供する。
【００１０】
また、本発明は、
上記の電波吸収体用インピーダンス整合膜と、
前記電波吸収体用インピーダンス整合膜の厚み方向において前記電波吸収体用インピーダンス整合膜に接触して配置されている、誘電体層と、を備えた、
電波吸収体用積層体を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
上記の電波吸収体用インピーダンス整合膜は、高温環境に曝されたときにインピーダンス整合の観点からシート抵抗の変化を抑制するのに有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明に係る電波吸収体用インピーダンス整合膜の一例を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明に係る電波吸収体の一例を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示す電波吸収体の変形例を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２Ａに示す電波吸収体の別の変形例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明に係る電波吸収体の別の一例を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明に係る電波吸収体のさらに別の一例を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明に係る電波吸収体用積層体の一例を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明に係る電波吸収体のさらに別の一例を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明に係る電波吸収体用積層体の別の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本発明は、以下の実施形態には限定されない。
【００１４】
図１に示す通り、電波吸収体用インピーダンス整合膜１０は、例えば、電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム１５によって提供される。電波吸収体用インピーダンス整合膜１０は、抵抗被膜である。電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム１５は、基材２２と、電波吸収体用インピーダンス整合膜１０と、を備えている。電波吸収体用インピーダンス整合膜１０は、例えば、基材２２の一方の主面上に成膜されている。
【００１５】
インピーダンス整合膜１０は、金属元素と、非金属元素とを含む。加えて、インピーダンス整合膜１０は、１０〜２００ｎｍの厚みを有し、２００Ω／□以上のシート抵抗を有する。さらに、インピーダンス整合膜１０は、原子数基準の酸素原子の含有率が５０％未満である。このため、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜は、インピーダンス整合膜１０には含まれない。なお、本明細書において、ケイ素、ゲルマニウム、ヒ素、アンチモン、テルル等の半金属元素は、非金属元素として取り扱われる。インピーダンス整合膜１０は、例えば、その前面から見込んだインピーダンスが平面波の特性インピーダンスと等しくなるように調整された抵抗被膜である。
【００１６】
インピーダンス整合膜１０は、１０〜２００ｎｍの厚みを有するので、高温環境（例えば、８０℃）に曝されたときに、インピーダンス整合の観点から所望のシート抵抗を保ちやすい。なぜなら、高温環境においてインピーダンス整合膜の表面付近が変質しても、インピーダンス整合膜１０において変質した部分が占める体積は小さいからである。一方、特許文献１に記載のλ／４型電波吸収体用抵抗皮膜は、例えば５〜６ｎｍの膜厚を有する。この抵抗皮膜は薄いので、高温環境において抵抗皮膜の表面付近が変質すると、抵抗皮膜において変質した部分が占める体積が大きく、インピーダンス整合のための抵抗皮膜の特性に対する影響が大きい。このため、特許文献１に記載の技術は、高温環境に曝されたときにインピーダンス整合の観点から抵抗皮膜のシート抵抗の変化を抑制するために有利であるとは言い難い。
【００１７】
インピーダンス整合膜１０の厚みは、１１ｎｍ以上であってもよく、１３ｎｍ以上であってもよく、１５ｎｍ以上であってもよい。
【００１８】
インピーダンス整合膜１０の厚みは２００ｎｍ以下である。これにより、インピーダンス整合膜１０の反りを抑制でき、インピーダンス整合膜１０においてクラックが発生しにくい。インピーダンス整合膜１０の厚みは、１８０ｎｍ以下であってもよく、１６０ｎｍ以下であってもよく、１５０ｎｍ以下であってもよい。
【００１９】
インピーダンス整合膜１０は２００Ω／□以上のシート抵抗を有するので、インピーダンス整合膜１０を用いて提供される電波吸収体が所望の電波吸収性能を発揮しやすい。
【００２０】
インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、２２０Ω／□以上であってもよく、２５０Ω／□以上であってもよく、２８０Ω／□以上であってもよい。
【００２１】
インピーダンス整合膜１０のシート抵抗の上限は特定の値に限定されない。インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、電波吸収体の他の構成の特性によって変動し得る。電波吸収体の一例において、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、例えば、６００Ω／□以下である。インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、５８０Ω／□以下であってもよく、５５０Ω／□以下であってもよく、５２０Ω／□以下であってもよい。例えば、電波吸収体が誘電損失材料及び磁性損失材料等の損失材料を含んでいない場合、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗の上限は、このような範囲に調整されうる。電波吸収体の別の一例において、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗は、例えば、１０ＭΩ（メガオーム）／□以下であり、８ＭΩ／□以下であってもよく、５ＭΩ／□以下であってもよく、３ＭΩ／□以下であってもよい。例えば、電波吸収体が誘電損失材料又は磁性損失材料等の損失材料を含んでいる場合、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗の上限は、このような範囲に調整されうる。
【００２２】
インピーダンス整合膜１０は、例えば、０．４０×１０-3Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有する。これにより、インピーダンス整合膜１０は、１０〜２００ｎｍの厚みを有しつつ、インピーダンス整合の観点から所望のシート抵抗を有しやすい。
【００２３】
インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、０．４４×１０-3Ω・ｃｍ以上であってもよく、０．５０×１０-3Ω・ｃｍ以上であってもよく、０．５６×１０-3Ω・ｃｍ以上であってもよい。
【００２４】
インピーダンス整合膜１０の比抵抗の上限は特定の値に限定されない。インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、電波吸収体の他の構成の特性によって変動し得る。電波吸収体の一例において、インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、例えば、８．０×１０-3Ω・ｃｍ以下である。インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、７．７×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよく、７．３×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよく、７×１０-3Ω・ｃｍ以下であってもよい。例えば、電波吸収体が誘電損失材料及び磁性損失材料等の損失材料を含んでいない場合、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗の上限は、このような範囲に調整されうる。電波吸収体の別の一例において、インピーダンス整合膜１０の比抵抗は、例えば、１５０Ω・ｃｍ以下であり、１００Ω・ｃｍ以下であってもよく、８０Ω・ｃｍ以下であってもよく、５０Ω・ｃｍ以下であってもよい。例えば、電波吸収体が誘電損失材料又は磁性損失材料等の損失材料を含んでいる場合、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗の上限は、このような範囲に調整されうる。
【００２５】
インピーダンス整合膜１０において、下記の式（１）により決定される、シート抵抗変化率Ｃｓは、例えば、３０％以下である。式（１）において、Ｒｉ［Ω／□］は、インピーダンス整合膜１０の初期のシート抵抗であり、Ｒｔ［Ω／□］は、インピーダンス整合膜１０の環境温度を８０℃で２４時間保った後のインピーダンス整合膜１０のシート抵抗である。インピーダンス整合膜１０においてシート抵抗変化率Ｃｓが３０％以下であれば、電波吸収体が高温環境に曝されてもその電波吸収性能が保たれやすい。シート抵抗変化率Ｃｓが０％であることが最も望ましい。
Ｃｓ［％］＝１００×｜Ｒｔ−Ｒｉ｜／Ｒｉ      式（１）
【００２６】
インピーダンス整合膜１０におけるシート抵抗変化率Ｃｓは、２８％以下であってもよく、２５％以下であってもよく、２３％以下でありうる。
【００２７】
インピーダンス整合膜１０に含まれる非金属元素は、インピーダンス整合膜１０が１０〜２００ｎｍの厚みを有し、かつ、２００Ω／□以上のシート抵抗を有する限り、特定の元素に限定されない。インピーダンス整合膜１０に含まれる非金属元素は、例えば、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｓｉ、Ｓ、及びＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。この場合、インピーダンス整合膜１０は、高温環境に曝されたときに、より確実に、インピーダンス整合の観点から所望のシート抵抗を保ちやすい。
【００２８】
インピーダンス整合膜１０に含まれる金属元素は、インピーダンス整合膜１０が１０〜２００ｎｍの厚みを有し、かつ、２００Ω／□以上のシート抵抗を有する限り、特定の元素に限定されない。インピーダンス整合膜１０に含まれる金属元素は、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｒｈ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、及びＶからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素である。この場合、インピーダンス整合膜１０は、高温環境に曝されたときに、より確実に、インピーダンス整合の観点から所望のシート抵抗を保ちやすい。
【００２９】
インピーダンス整合膜１０に含まれる金属元素は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素であってもよい。この場合、インピーダンス整合膜１０は、高温環境に曝されたときに、より確実に、インピーダンス整合の観点から所望のシート抵抗を保ちやすい。
【００３０】
インピーダンス整合膜１０に含まれる金属元素の原子数基準の含有率は、特定の値に限定されない。その含有率は、０％を超えており、５％以上であってもよく、１０％以上であってもよく、１５％以上であってもよく、２０％以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０に含まれる金属元素の原子数基準の含有率は、例えば９０％以下であり、８５％以下であってもよく、８０％以下であってもよく、７５％以下であってもよく、７０％以下であってもよい。
【００３１】
インピーダンス整合膜１０に含まれる金属元素がＮｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含む場合、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉの原子数基準の含有率の合計は、例えば、１０％以上である。この場合、インピーダンス整合膜１０は、高温環境に曝されたときに、より確実に、インピーダンス整合の観点から所望のシート抵抗を保ちやすい。
【００３２】
インピーダンス整合膜１０において、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉの原子数基準の含有率の合計は、１１％以上であってもよく、１３％以上であってもよく、１５％以上であってもよい。インピーダンス整合膜１０において、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、及びＴｉの原子数基準の含有率の合計は、例えば、９０％以下であり、８５％以下であってもよく、８０％以下であってもよく、７５％以下であってもよく、７０％以下であってもよい。
【００３３】
基材２２は、例えば、インピーダンス整合膜１０を支持する支持体としての役割を果たす。インピーダンス整合膜１０は、例えば、所定のターゲット材を用いたスパッタリングによって基材２２の一方の主面上に成膜される。この場合、例えば、金属元素と非金属元素とを含む所定のターゲット材が用いられる。ターゲット材の組成に加えて、スパッタリングにおいて基材２２の周囲に供給されるガスの体積流量に対する酸素ガス等の活性ガスの体積流量の比等の所定の条件を調整することによって、酸素原子の原子数基準の含有率が５０％未満であるように、インピーダンス整合膜１０を形成できる。インピーダンス整合膜１０は、場合によっては、イオンプレーティング又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の方法を用いて成膜されてもよい。
【００３４】
図２Ａに示す通り、インピーダンス整合膜１０を用いて、電波吸収体１ａを提供できる。電波吸収体１ａは、インピーダンス整合膜１０と、導電体３０と、誘電体層２０とを備えている。導電体３０は、電波を反射する。誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０と導電体３０との間に配置されている。
【００３５】
電波吸収体１ａは、例えば、λ／４型の電波吸収体である。電波吸収体１ａに吸収対象とする波長λOの電波が入射すると、インピーダンス整合膜１０の表面での反射（表面反射）による電波と、導電体３０における反射（裏面反射）による電波とが干渉するように、電波吸収体１ａが設計されている。λ／４型の電波吸収体においては、下記の式（２）に示す通り、誘電体層の厚みｔ及び誘電体層の比誘電率εrによって吸収対象の電波の波長λOが決定される。すなわち、誘電体層の比誘電率及び厚みを適宜調節することにより、吸収対象の波長の電波を設定できる。式（２）においてｓｑｒｔ（εr）は、比誘電率εrの平方根を意味する。
λO＝４ｔ×ｓｑｒｔ（εr）      式（２）
【００３６】
電波吸収体１ａが上記のインピーダンス整合膜１０を備えていることにより、電波吸収体１ａは、高温環境に曝されても所望の電波吸収性能を保ちやすい。
【００３７】
電波吸収体の設計において、例えば、伝送理論を用いてインピーダンス整合膜１０の前面から見込んだインピーダンスが平面波の特性インピーダンスと等しくなるように、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗が定められる。電波吸収体において、インピーダンス整合膜１０に求められるシート抵抗は、電波吸収体に入射する電波の想定される入射角度によって変動しうる。
【００３８】
導電体３０は、吸収対象の電波を反射できる限り特に限定されないが、所定の導電性を有する。図２Ａに示す通り、導電体３０は、例えば層状に形成されている。この場合、導電体３０は、インピーダンス整合膜１０のシート抵抗よりも低いシート抵抗を有する。導電体３０は、層状以外の形状を有していてもよい。
【００３９】
導電体３０は、例えば、酸化インジウムスズを含んでいる。この場合、導電体３０が高い透明性を有しやすい。
【００４０】
導電体３０の酸化インジウムスズにおける酸化スズの含有量は、例えば、５〜１５質量％である。この場合、アニール処理によって安定的な多結晶状態の酸化インジウムスズで導電体３０を形成できる。その結果、電波吸収体１ａは高温環境に長期間曝されたときに所望の電波吸収性能をより確実に発揮しやすい。
【００４１】
導電体３０は、アルミニウム、銅、鉄、アルミニウム合金、銅合金、及び鉄合金からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。この場合、導電体３０の厚みを低減しつつ所望の導電性を実現しやすい。
【００４２】
導電体３０の厚みは、特定の厚みに限定されない。例えば、導電体３０が酸化インジウムスズである場合、導電体３０は、例えば２０〜２００ｎｍの厚みを有し、望ましくは５０〜１５０ｎｍの厚みを有する。これにより、電波吸収体１ａが所望の電波吸収性能を発揮できるとともに、導電体３０においてクラックが発生しにくい。
【００４３】
導電体３０がアルミニウム、銅、鉄、アルミニウム合金、銅合金、鉄合金からなる群より選ばれる少なくとも１つである場合、導電体３０は、例えば３０ｎｍ〜１００μｍの厚みを有し、望ましくは５０ｎｍ〜５０μｍの厚みを有する。
【００４４】
誘電体層２０は、例えば、２．０〜２０．０の比誘電率を有する。この場合、誘電体層２０の厚みを調整しやすく、電波吸収体１ａの電波吸収性能の調整が容易である。誘電体層２０の比誘電率は、例えば、空洞共振法に従って測定される１０ＧＨｚにおける比誘電率である。
【００４５】
誘電体層２０は、例えば、所定の高分子によって形成されている。誘電体層２０は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む。この場合、誘電体層２０の厚みを調整しやすく、かつ、電波吸収体１ａの製造コストを低く保つことができる。誘電体層２０は、例えば、所定の樹脂組成物を熱プレスすることによって作製できる。
【００４６】
誘電体層２０は、単一の層として形成されていてもよいし、同一又は異なる材料でできた複数の層によって形成されていてもよい。誘電体層２０がｎ個の層（ｎは２以上の整数）を有する場合、誘電体層２０の比誘電率は、例えば、以下の様にして決定される。各層の比誘電率εiを測定する（ｉは、１〜ｎの整数）。次に、測定された各層の比誘電率εiにその層の厚みｔiの誘電体層２０の全体Ｔに対する厚みの割合を乗じて、εi×(ｔi／Ｔ)を求める。すべての層に対するεi×(ｔi／Ｔ)を加算することによって、誘電体層２０の比誘電率を決定できる。
【００４７】
図２Ａに示す通り、誘電体層２０は、例えば、第一層２１、第二層２２、及び第三層２３を備えている。第一層２１は、第二層２２と第三層２３との間に配置されている。第一層２１は、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、アクリルウレタン樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、及びシクロオレフィンポリマーからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子を含む。
【００４８】
電波吸収体１ａにおいて、第二層２２は、インピーダンス整合膜１０にとっての基材を兼ねている。第二層２２は、例えば、インピーダンス整合膜１０よりも導電体３０に近い位置に配置されている。図２Ｂに示す通り、第二層２２は、インピーダンス整合膜１０よりも導電体３０から遠い位置に配置されていてもよい。この場合、第一層２１及び第三層２３によって誘電体層２０が構成される。この場合、第二層２２によって、インピーダンス整合膜１０及び誘電体層２０が保護され、電波吸収体１ａが高い耐久性を有する。この場合、例えば、インピーダンス整合膜１０が第一層２１に接触していてもよい。第二層２２は、例えば、インピーダンス整合膜１０の厚みを高精度に調節するための補助材としての役割も果たす。第二層２２の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、又はシクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）である。なかでも、良好な耐熱性と、寸法安定性と、製造コストとのバランスの観点から、第二層２２の材料は、望ましくはＰＥＴである。
【００４９】
基材２２は、例えば１０〜１５０μｍの厚みを有し、望ましくは１５〜１００μｍの厚みを有する。これにより、基材２２の曲げ剛性が低く、かつ、インピーダンス整合膜１０を形成する場合に基材２２において皺の発生又は変形を抑制できる。
【００５０】
電波吸収体１ａにおいて、第三層２３は、例えば、層状の導電体３０を支持している。この場合、層状の導電体３０は、例えば、金属箔又は合金箔である。層状の導電体３０は、例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、又はコーティング（例えば、バーコーティング）等の方法を用いて第三層２３上に成膜することによって作製されてもよい。第三層２３は、例えば、電波吸収体１ａにおいて、層状の導電体３０よりもインピーダンス整合膜１０に近い位置に配置されており、誘電体層２０の一部を構成している。なお、図２Ｃに示す通り、第三層２３は、層状の導電体３０よりもインピーダンス整合膜１０から遠い位置に配置されていてもよい。この場合、例えば、層状の導電体３０が第一層２１に接触している。
【００５１】
第三層２３の材料として、例えば、第二層２２の材料として例示された材料を使用できる。第三層２３の材料は、第二層２２の材料と同一であってもよいし、異なっていてもよい。良好な耐熱性と、寸法安定性と、製造コストとのバランスの観点から、第三層２３の材料は、望ましくはＰＥＴである。
【００５２】
第三層２３は、例えば１０〜１５０μｍの厚みを有し、望ましくは１５〜１００μｍの厚みを有する。これにより、第三層２３の曲げ剛性が低く、かつ、層状の導電体３０を形成する場合に第三層２３において皺の発生又は変形を抑制できる。なお、第三層２３は、場合によっては省略可能である。
【００５３】
第一層２１は、複数の層によって構成されていてもよい。特に、図２Ｂ又は図２Ｃに示す通り、インピーダンス整合膜１０及び層状の導電体３０の少なくとも１つに第一層２１が接触している場合に、第一層２１は複数の層によって構成されうる。
【００５４】
第一層２１は、粘着性を有していてよいし、粘着性を有していなくてもよい。第一層２１が粘着性を有する場合、第一層２１の両主面の少なくとも一方に粘着層が接して配置されてもよいし、その両主面に接するように粘着層が配置されていなくてもよい。第一層２１が粘着性を有しない場合、望ましくは、第一層２１の両主面に接して粘着層が配置される。なお、誘電体層２０が第二層２２を含む場合、第二層２２が粘着性を有しなくても、第二層２２の両主面に接するように粘着層が配置されなくてもよい。この場合、第二層２２の一方の主面に接して粘着層が配置されうる。誘電体層２０が第三層２３を含む場合、第三層２３が粘着性を有しなくても、第三層２３の両主面に接して粘着層が配置されなくてもよい。第三層２３の少なくとも一方の主面に接して粘着層が配置されうる。
【００５５】
電波吸収体１ａは、所望の波長の電波を吸収するように設計されている。電波吸収体１ａが吸収可能な電波の種類は特に限定されない。電波吸収体１ａが吸収可能な電波は、例えば、特定の周波数帯域のミリ波又はサブミリ波でありうる。
【００５６】
電波吸収体１ａは、誘電損失材料及び磁性損失材料の少なくとも１つを含んでいてもよい。換言すると、電波吸収体１ａは、誘電損失型の電波吸収体であってもよいし、磁性損失型の電波吸収体であってもよい。この場合、インピーダンス整合膜１０に求められるシート抵抗は高くなりやすい。誘電体層２０が、誘電損失材料及び磁性損失材料の少なくとも１つを含んでいてもよい。また、インピーダンス整合膜１０をなす材料は磁性体であってもよい。
【００５７】
電波吸収体１ａは、様々な観点から変更可能である。例えば、電波吸収体１ａは、図３に示す電波吸収体１ｂ、図４Ａに示す電波吸収体１ｃ、又は図５Ａに示す電波吸収体１ｄのように変更されてもよい。電波吸収体１ｂ、１ｃ、及び１ｄは、特に説明する部分を除き、電波吸収体１ａと同様に構成されている。電波吸収体１ａの構成要素と同一又は対応する電波吸収体１ｂ、１ｃ、及び１ｄの構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。電波吸収体１ａに関する説明は、技術的に矛盾しない限り電波吸収体１ｂ、１ｃ、及び１ｄにも当てはまる。
【００５８】
図３に示す通り、電波吸収体１ｂは、粘着層４０ａをさらに備えている。電波吸収体１ｂにおいて、導電体３０は、誘電体層２０と粘着層４０ａとの間に配置されている。
【００５９】
例えば、所定の物品に粘着層４０ａを接触させて電波吸収体１ｂを押し当てることによって、電波吸収体１ｂを物品に貼り付けることができる。これにより、電波吸収体付物品を得ることができる。
【００６０】
粘着層４０ａは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。電波吸収体１ｂは、セパレータ（図示省略）をさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、粘着層４０ａを覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ａを覆っているときに粘着層４０ａの粘着力を保つことができ、かつ、粘着層４０ａから容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ＰＥＴ等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって粘着層４０ａが露出し、電波吸収体１ｂを物品に貼り付けることができる。
【００６１】
電波吸収体において、誘電体層２０は、導電体３０に対して粘着性を有していてもよい。例えば、図４Ａに示す通り、電波吸収体１ｃにおいて、誘電体層２０は、粘着層４０ｂを含む複数の層を有する。粘着層４０ｂは、導電体３０に接触している。粘着層４０ｂは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。粘着層４０ｂは、例えば、第一層２１と導電体３０との間に配置されている。
【００６２】
図４Ａに示す通り、誘電体層２０は、粘着層４０ｃをさらに備えている。粘着層４０ｃは、例えば、第二層２２と接触している。粘着層４０ｃがインピーダンス整合膜１０と接触するように電波吸収体１ｃが変更されてもよい。粘着層４０ｃは、例えば、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、又はウレタン系粘着剤を含んでいる。粘着層４０ｃは、例えば、第一層２１と第二層２２との間に配置されている。
【００６３】
電波吸収体１ｃは、例えば、図４Ｂに示す、電波吸収体用積層体５０ａを用いて作製されうる。電波吸収体用積層体５０ａは、インピーダンス整合膜１０と、誘電体層２０とを備える。誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０に接触して配置されている。
【００６４】
電波吸収体用積層体５０ａによれば、誘電体層２０は、例えば、インピーダンス整合膜１０から離れた主面において、粘着性を有する。この場合、例えば、導電体３０に誘電体層２０を接触させ、電波吸収体用積層体５０ａを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収体用積層体５０ａが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｃを作製できる。
【００６５】
図４Ｂに示す通り、電波吸収体用積層体５０ａにおいて、誘電体層２０は、例えば、粘着層４０ｂを含む複数の層を有する。粘着層４０ｂは、誘電体層２０をなす複数の層においてインピーダンス整合膜１０から最も離れて配置されている。
【００６６】
電波吸収体用積層体５０ａは、セパレータ（図示省略）をさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、粘着層４０ｂを覆っている。セパレータは、典型的には、粘着層４０ｂを覆っているときに粘着層４０ｂの粘着力を保つことができ、かつ、粘着層４０ｂから容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ＰＥＴ等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって粘着層４０ｂが露出し、電波吸収体用積層体５０ａを導電体３０に貼り付けることができる。
【００６７】
図５Ａに示す通り、電波吸収体１ｄにおいて、第一層２１は、導電体３０に接触している。第一層２１は、例えば、導電体３０に対して粘着性を有する。第一層２１は、例えば、第二層２２に接触している。第一層２１は、例えば、第二層２２に対して粘着性を有する。第一層２１がインピーダンス整合膜１０と接触するように電波吸収体１ｄが変更されてもよい。この場合、第一層２１は、例えば、インピーダンス整合膜１０に対して粘着性を有する。
【００６８】
電波吸収体１ｄは、例えば、図５Ｂに示す、電波吸収体用積層体５０ｂを用いて作製されうる。電波吸収体用積層体５０ｂは、インピーダンス整合膜１０と、誘電体層２０とを備える。誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０の厚み方向においてインピーダンス整合膜１０に接触して配置されている。
【００６９】
電波吸収体用積層体５０ｂにおいて、誘電体層２０は、インピーダンス整合膜１０から離れた主面において、粘着性を有する。例えば、第一層２１が粘着性を有する。例えば、導電体３０に第一層２１を接触させて電波吸収体用積層体５０ｂを導電体３０に押し当てることによって、電波吸収体用積層体５０ｂが導電体３０に貼り付き、電波吸収体１ｄを作製できる。
【００７０】
電波吸収体用積層体５０ｂは、セパレータ（図示省略）をさらに備えていてもよい。この場合、セパレータは、誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面を覆っている。セパレータは、典型的には、誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面を覆っているときに誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面の粘着力を保つことができ、かつ、誘電体層２０から容易に剥離できるフィルムである。セパレータは、例えば、ＰＥＴ等のポリエステル樹脂製のフィルムである。セパレータを剥離することによって誘電体層２０の導電体３０に接触すべき面が露出し、電波吸収体用積層体５０ｂを導電体３０に貼り付けることができる。
【００７１】
電波吸収体用積層体は、インピーダンス整合膜１０と、誘電体層２０とを備え、かつ、インピーダンス整合膜１０の厚み方向において誘電体層２０がインピーダンス整合膜１０に接触して配置されている限り、特定の構成に限定されない。
【実施例】
【００７２】
以下、実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されない。まず、実施例及び比較例に関する評価方法について説明する。
【００７３】
［Ｘ線回折］
Ｘ線回折装置（リガク社製、製品名：ＲＩＮＴ２２００）を用いて、Ｘ線反射率法によって、各実施例及び比較例に係るインピーダンス整合膜付フィルムのインピーダンス整合膜の厚みを測定した。結果を表１に示す。
【００７４】
［ＴＥＭ−ＥＤＸ］
集束イオンビーム（FIB）加工観察装置（日立ハイテクノロジーズ社製、FB-2200）を用いて、FIBマイクロサンプリング法によって、実施例及び比較例に係るインピーダンス整合膜からＴＥＭ−ＥＤＸ用の試料を作製した。試料の厚みは８０ｎｍであった。ＴＥＭ−ＥＤＸ装置を用いて、試料の断面の特定の領域に対しＥＤＸを行い、各元素の原子数基準の含有率を調べた。結果を表１に示す。ＴＥＭ−ＥＤＸ装置は、ＴＥＭ（日本電子社製、製品名：JEM-2800）と、ＥＤＸ装置（Thermo Fisher Scientific社製、製品名：NORAN System 7）とを組み合わせて構成されていた。ＥＤＸを行った領域は、インピーダンス整合膜の厚み方向における中央の位置において、厚み方向に対し垂直な方向に４００ｎｍの長さを有する領域であった。
【００７５】
［比抵抗］
非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ−８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び比較例に係るインピーダンス整合膜の初期のシート抵抗Ｒｉ［Ω／□］を測定した。各実施例及び比較例において、上記のように測定したインピーダンス整合膜の厚みと、上記のように測定したインピーダンス整合膜の初期のシート抵抗Ｒｉ［Ω／□］とから、両者の積を求めることにより、比抵抗を決定した。結果を表１に示す。
【００７６】
［加熱試験］
各実施例及び比較例に係るインピーダンス整合膜付フィルムを８０℃の環境に２４時間曝した。その後、非接触式抵抗測定装置（ナプソン社製、製品名：ＮＣ−８０ＭＡＰ）を用いて、JIS Z 2316に準拠して、渦電流測定法によって各実施例及び比較例に係るインピーダンス整合膜の加熱試験後のシート抵抗Ｒｔ［Ω／□］を測定した。この測定結果と、上記のように測定したインピーダンス整合膜の初期のシート抵抗Ｒｉ［Ω／□］とから、上記の式（１）に基づき、各実施例に係るインピーダンス整合膜のシート抵抗変化率Ｃｓを求めた。結果を表１に示す。
【００７７】
[電波吸収性能]
JIS R 1679:2007を参考に、サンプルホルダーに固定された各実施例及び各比較例に係るサンプルに対し、６０〜９０ＧＨｚの周波数の電波を０°の入射角度で入射させ、アンリツ社製のベクトルネットワークアナライザーを用いて、各周波数における反射減衰量を特定した。反射減衰量は、下記の式（３）に従って算出される値の絶対値|Ｓ|である。式（３）において、Ｐ0は、測定対象に電波を所定の入射角度で入射させた場合における送信電波の電力であり、Ｐiは、その場合における受信電波の電力である。なお、各実施例及び各比較例に係るサンプルの代わりに、アルミニウム製の板材をサンプルホルダーに固定してこの板材に電波を垂直に入射させた場合の反射減衰量|Ｓ|を０ｄＢとみなして各サンプルの反射減衰量|Ｓ|の基準として用いた。この板材は３０ｃｍ平方の面寸法を有し、この板材の厚みは５ｍｍであった。各サンプルに対し、反射減衰量|Ｓ|の最大値、その最大値を示す周波数（吸収ピーク周波数）を決定した。結果を表２に示す。反射減衰量|Ｓ|の最大値が１０ｄＢ以上であれば良好な電波吸収性能を有すると評価できる。
Ｓ［ｄＢ］＝１０×ｌｏｇ｜Ｐi／Ｐ0｜      式（３）
【００７８】
＜実施例１＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、及びＯ（酸素）を含有するターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例１に係るインピーダンス整合膜を形成した。このようにして、実施例１に係るインピーダンス整合膜付フィルムを得た。
【００７９】
２．６の比誘電率を有するアクリル樹脂を５６０μｍの厚みに成形して、アクリル樹脂層を得た。実施例１に係るインピーダンス整合膜付フィルムのインピーダンス整合膜がアクリル樹脂層に接触するように実施例１に係るインピーダンス整合膜付フィルムをアクリル樹脂層に重ねた。次に、７μｍの厚みのＡｌ（アルミニウム）膜の両面にＰＥＴ層が形成された反射体付フィルムを得た。この反射体付フィルムにおいて、アルミニウム膜の一方の主面に形成されたＰＥＴ層の厚みは２５μｍであり、アルミニウム膜の他方の主面に形成されたＰＥＴ層の厚みは９μｍであった。反射体付フィルムにおける２５μｍの厚みのＰＥＴ層がアクリル樹脂層に接触するように反射体付フィルムをアクリル樹脂層に重ねた。このようにして、実施例１に係るサンプルを得た。
【００８０】
＜実施例２＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｃｒ（クロム）からなるターゲット材を用い、アルゴンガス及び窒素ガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例２に係るインピーダンス整合膜を形成した。このようにして、実施例２に係るインピーダンス整合膜付フィルムを得た。スパッタリングにおいてチャンバー内にわずかに取り込まれた残留酸素の影響により、実施例２に係るインピーダンス整合膜において酸素が検出されたと考えられる。
【００８１】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例２に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るサンプルを作製した。
【００８２】
＜実施例３＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、ハステロイＣ−２７６からなるターゲット材を用い、アルゴンガス及び窒素ガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例３に係るインピーダンス整合膜を形成した。このようにして、実施例３に係るインピーダンス整合膜付フィルムを得た。ハステロイは、ヘインズ  インターナショナル  インコーポレーテッドの登録商標である。スパッタリングにおいてチャンバー内にわずかに取り込まれた残留酸素の影響により、実施例３に係るインピーダンス整合膜において酸素が検出されたと考えられる。
【００８３】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例３に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るサンプルを作製した。
【００８４】
＜実施例４＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、及びＳｉ（シリコン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例４に係るインピーダンス整合膜を形成した。
【００８５】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例４に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るサンプルを作製した。
【００８６】
＜実施例５＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｃｕ（銅）、Ｎｉ（ニッケル）、及びＳｉ（シリコン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例５に係るインピーダンス整合膜を形成した。
【００８７】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例５に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るサンプルを作製した。
【００８８】
＜実施例６＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、及びＳｉ（シリコン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例６に係るインピーダンス整合膜を形成した。
【００８９】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例６に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るサンプルを作製した。
【００９０】
＜実施例７＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、及びＳｉ（シリコン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例７に係るインピーダンス整合膜を形成した。
【００９１】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例７に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るサンプルを作製した。
【００９２】
＜実施例８＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｔｉ（チタン）及びＭｏ（モリブデン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガス及び窒素ガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例８に係るインピーダンス整合膜を形成した。スパッタリングにおいてチャンバー内にわずかに取り込まれた残留酸素の影響により、実施例８に係るインピーダンス整合膜において酸素が検出されたと考えられる。
【００９３】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例８に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るサンプルを作製した。
【００９４】
＜実施例９＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｔｉ（チタン）及びＭｏ（モリブデン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガス及び窒素ガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例９に係るインピーダンス整合膜を形成した。スパッタリングにおいてチャンバー内にわずかに取り込まれた残留酸素の影響により、実施例９に係るインピーダンス整合膜において酸素が検出されたと考えられる。
【００９５】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例９に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例９に係るサンプルを作製した。
【００９６】
＜実施例１０＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｔｉ（チタン）及びＭｏ（モリブデン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガス及び窒素ガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、実施例１０に係るインピーダンス整合膜を形成した。スパッタリングにおいてチャンバー内にわずかに取り込まれた残留酸素の影響により、実施例１０に係るインピーダンス整合膜において酸素が検出されたと考えられる。
【００９７】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、実施例１０に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例１０に係るサンプルを作製した。
【００９８】
＜比較例１＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｆｅ（鉄）、Ｃｒ（クロム）、及びＮｉ（ニッケル）を含有するターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、比較例１に係るインピーダンス整合膜を形成した。このようにして、比較例１に係るインピーダンス整合膜付フィルムを得た。
【００９９】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、比較例１に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るサンプルを作製した。
【０１００】
＜比較例２＞
２３μｍの厚みを有するＰＥＴフィルムの上に、Ｔｉ（チタン）及びＭｏ（モリブデン）からなるターゲット材を用い、アルゴンガスをＰＥＴフィルムの周囲に供給しながらスパッタリングを行い、比較例２に係るインピーダンス整合膜を形成した。スパッタリングにおいてチャンバー内にわずかに取り込まれた残留窒素及び残留酸素の影響により、比較例２に係るインピーダンス整合膜において窒素及び酸素が検出されたと考えられる。
【０１０１】
実施例１に係るインピーダンス整合膜の代わりに、比較例２に係るインピーダンス整合膜を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るサンプルを作製した。
【０１０２】
表１に示す通り、実施例１〜１０に係るインピーダンス整合膜のシート抵抗変化率Ｃｓは、２０％以下であった。これに対し、比較例１及び２に係るインピーダンス整合膜のシート抵抗変化率Ｃｓは、それぞれ、６３％及び５９％であった。実施例１〜１０に係るインピーダンス整合膜のシート抵抗は、インピーダンス整合膜が高温環境に曝されても変化しにくいことが示唆された。
【０１０３】
表２に示す通り、実施例１〜１０に係るサンプルは、良好な電波吸収性能を発揮した。
【０１０４】
【表１】
2020167414.tif 000003
【０１０５】
【表２】
2020167414.tif 000004
【符号の説明】
【０１０６】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ  電波吸収体
１０                    電波吸収体用インピーダンス整合膜
１５                    電波吸収体用インピーダンス整合膜付フィルム
２０                    誘電体層
３０                    導電体
４０ｂ                  粘着層
５０ａ、５０ｂ          電波吸収体用積層体
【図１】
2020167414.tif 000005
【図２Ａ】
2020167414.tif 000006
【図２Ｂ】
2020167414.tif 000007
【図２Ｃ】
2020167414.tif 000008
【図３】
2020167414.tif 000009
【図４Ａ】
2020167414.tif 000010
【図４Ｂ】
2020167414.tif 000011
【図５Ａ】
2020167414.tif 000012
【図５Ｂ】
2020167414.tif 000013