(57)【要約】      （修正有）【課題】減衰量の急峻性を向上させる。【解決手段】フィルタ１１は、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのいずれか一方である第１素子と、入力端子と出力端子との間に第１素子と並列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち第１素子と異なる他方である第２素子と、入力端子と出力端子との間に第１素子と並列にかつ第２素子と直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち第１素子と異なる他方である第３素子と、一端が第２素子と第３素子との間のノードＮ３に接続され、他端が接地された第１弾性波共振器Ｒ１と、入力端子と出力端子との間において第２素子および第３素子と直列に接続された第２弾性波共振器Ｒ２を含む共振回路１５と、を備える。【選択図】図４
2020150363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と出力端子との間に直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのいずれか一方である第１素子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１素子と並列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち前記第１素子と異なる他方である第２素子と、
前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１素子と並列にかつ前記第２素子と直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち前記第１素子と異なる他方である第３素子と、
一端が前記第２素子と前記第３素子との間のノードに接続され、他端が接地された第１弾性波共振器と、
前記入力端子と前記出力端子との間において前記第２素子および前記第３素子と直列に接続された第２弾性波共振器を含む共振回路と、
を備えるフィルタ。
【請求項２】
前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する第１減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、
前記第１弾性波共振器が主に形成する第２減衰極は前記通過帯域と前記第１減衰極との間に位置し、
前記共振回路が主に形成する第３減衰極は前記通過帯域と前記第２減衰極との間に位置する請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する第１減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、
前記第１弾性波共振器が主に形成する第２減衰極は前記通過帯域と前記第１減衰極との間に位置し、
前記共振回路の反共振周波数は前記第１弾性波共振器の単体の反共振周波数の１．０５倍以下である請求項１に記載のフィルタ。
【請求項４】
前記共振回路は、前記第１素子と並列接続され、
前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する第１減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、
前記第１弾性波共振器が主に形成する第２減衰極は前記通過帯域と前記第１減衰極との間に位置し、
前記共振回路の反共振周波数は前記第１弾性波共振器の単体の反共振周波数より低い請求項１に記載のフィルタ。
【請求項５】
前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、
前記第１弾性波共振器の単体の反共振周波数および前記第２弾性波共振器の単体の反共振周波数は、前記フィルタの通過帯域より高く、前記減衰極より低い請求項１に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記第１弾性波共振器の単体の共振周波数および前記第２弾性波共振器の単体の共振周波数は、前記フィルタの通過帯域内に位置する請求項５に記載のフィルタ。
【請求項７】
前記共振回路は、前記第２弾性波共振器単体である請求項１から６のいずれか一項に記載のフィルタ。
【請求項８】
前記共振回路は、前記第２弾性波共振器に並列にかつ前記第２素子および前記第３素子に直列に接続されたキャパシタを備える請求項１から６のいずれか一項に記載のフィルタ。
【請求項９】
前記第１素子はインダクタであり、前記第２素子および前記第３素子はキャパシタである請求項１から８のいずれか一項に記載のフィルタ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば弾性波共振器を有するフィルタおよびマルチプレクサに関する。
【背景技術】
【０００２】
キャパシタおよびインダクタにより形成されたＬＣ回路に、弾性波共振器を設けるフィルタが知られている（例えば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−１２９６８０号公報
【特許文献２】特開２０１８−１２９６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１および２のフィルタでは、通過帯域と阻止帯域との間の遷移領域における減衰量の急峻性が十分ではない。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、減衰量の急峻性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、入力端子と出力端子との間に直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのいずれか一方である第１素子と、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１素子と並列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち前記第１素子と異なる他方である第２素子と、前記入力端子と前記出力端子との間に前記第１素子と並列にかつ前記第２素子と直列に接続され、キャパシタおよびインダクタのうち前記第１素子と異なる他方である第３素子と、一端が前記第２素子と前記第３素子との間のノードに接続され、他端が接地された第１弾性波共振器と、前記入力端子と前記出力端子との間において前記第２素子および前記第３素子と直列に接続された第２弾性波共振器を含む共振回路と、を備えるフィルタである。
【０００７】
上記構成において、前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する第１減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、前記第１弾性波共振器が主に形成する第２減衰極は前記通過帯域と前記第１減衰極との間に位置し、前記共振回路が主に形成する第３減衰極は前記通過帯域と前記第２減衰極との間に位置する構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する第１減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、前記第１弾性波共振器が主に形成する第２減衰極は前記通過帯域と前記第１減衰極との間に位置し、前記共振回路の反共振周波数は前記第１弾性波共振器の単体の反共振周波数の１．０５倍以下である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記共振回路は、前記第１素子と並列接続され、前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する第１減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、前記第１弾性波共振器が主に形成する第２減衰極は前記通過帯域と前記第１減衰極との間に位置し、前記共振回路の反共振周波数は前記第１弾性波共振器の単体の反共振周波数より低い構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１素子、前記第２素子および前記第３素子が主に形成する減衰極は、前記フィルタの通過帯域より高く、前記第１弾性波共振器の単体の反共振周波数および前記第２弾性波共振器の単体の反共振周波数は、前記フィルタの通過帯域より高く、前記減衰極より低い構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１弾性波共振器の単体の共振周波数および前記第２弾性波共振器の単体の共振周波数は、前記フィルタの通過帯域内に位置する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記共振回路は、前記第２弾性波共振器単体である構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記共振回路は、前記第２弾性波共振器に並列にかつ前記第２素子および前記第３素子に直列に接続されたキャパシタを備える構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第１素子はインダクタであり、前記第２素子および前記第３素子はキャパシタである構成とすることができる。
【００１５】
本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、減衰量の急峻性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）は、比較例および実施例に用いられる弾性表面波共振器の平面図であり、図１（ｂ）は、比較例および実施例に用いられる圧電薄膜共振器の断面図である。
【図２】図２は、比較例１に係るフィルタの回路図である。
【図３】図３は、比較例１に係るフィルタの通過特性を示す図である。
【図４】図４は、実施例１に係るフィルタの回路図である。
【図５】図５は、実施例１に係るフィルタの通過特性を示す図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例１に係るフィルタの回路図である。
【図７】図７は、実施例１の変形例１に係るフィルタの通過特性を示す図である。
【図８】図８は、実施例１の変形例２に係るフィルタの回路図である。
【図９】図９は、実施例１の変形例２に係るフィルタの通過特性を示す図である。
【図１０】図１０は、実施例１の変形例３に係るフィルタの回路図である。
【図１１】図１１は、実施例２に係るダイプレクサの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
まず、比較例および実施例に用いられる弾性波共振器について説明する。図１（ａ）は、比較例および実施例に用いられる弾性表面波共振器の平面図である。図１（ａ）に示すように、圧電基板２０の上面にＩＤＴ（Interdigital Transducer）２５と反射器２６が設けられている。ＩＤＴ２５は、互いに対向する１対の櫛型電極２４を有する。櫛型電極２４は、複数の電極指２２と複数の電極指２２を接続するバスバー２３とを有する。反射器２６は、ＩＤＴ２５の電極指２２の配列する方向における両側に設けられている。ＩＤＴ２５が圧電基板２０に弾性表面波を励振する。弾性表面波共振器は、１ポート共振器として構成される。圧電基板２０は、例えば、タンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板である。圧電基板２０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板上に接合されていてもよい。さらに、圧電基板２０と支持基板との間に酸化シリコンまたは窒化アルミニウム等の絶縁体層を設けてもよい。ＩＤＴ２５および反射器２６は例えばアルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜により形成される。圧電基板２０上にＩＤＴ２５および反射器２６を覆うように保護膜または温度補償膜が設けられていてもよい。
【００１９】
図１（ｂ）は、比較例および実施例に用いられる圧電薄膜共振器の断面図である。図１（ｂ）に示すように、基板３０上に圧電膜３４が設けられている。圧電膜３４を挟むように下部電極３２および上部電極３６が設けられている。下部電極３２と基板３０との間に空隙３８が形成されている。圧電膜３４の少なくとも一部を挟み下部電極３２と上部電極３６とが対向する領域が共振領域３５である。共振領域３５内の下部電極３２および上部電極３６は圧電膜３４内に、厚み縦振動モードの弾性波を励振する。圧電薄膜共振器は、１ポート共振器として構成される。基板３０は、例えばサファイア基板、スピネル基板、アルミナ基板、ガラス基板、水晶基板またはシリコン基板である。下部電極３２および上部電極３６は例えばルテニウム膜等の金属膜である。圧電膜３４は例えば窒化アルミニウム膜である。空隙３８の代わりに弾性波を反射する音響反射膜が設けられていてもよい。
【００２０】
［比較例１］
図２は、比較例１に係るフィルタの回路図である。図２に示すように、フィルタ１０はキャパシタＣ１、Ｃ２、インダクタＬ１、Ｌ２および弾性波共振器Ｒ１を備えている。キャパシタＣ１およびＣ２は端子Ｔ１とＴ２との間に直列に接続されている。インダクタＬ１は端子Ｔ１とキャパシタＣ１の間のノードＮ１と端子Ｔ２とキャパシタＣ２との間のノードＮ２との間においてキャパシタＣ１およびＣ２と並列接続されている。弾性波共振器Ｒ１の一端はインダクタＬ２を介しキャパシタＣ１とＣ２との間のノードＮ３に接続され、他端はグランド端子Ｔｇに接続されている。インダクタＬ２は配線のインダクタンスに相当する。
【００２１】
比較例１のフィルタ１０の端子Ｔ１とＴ２との間の通過特性をシミュレーションした。シミュレーション条件は以下である。
キャパシタＣ１、Ｃ２のキャパシタンス
Ｃ１：０．６８ｐＦ
Ｃ２：０．７５ｐＦ
インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス
Ｌ１：２．９ｎＨ
Ｌ２：０．１ｎＨ
弾性波共振器Ｒ１の構造：図１（ｂ）で示した圧電薄膜共振器
基板３０：シリコン基板
下部電極３２：ルテニウム膜
圧電膜３４：窒化アルミニウム膜
上部電極３６：ルテニウム膜
弾性波共振器Ｒ１の特性
共振周波数ｆｒ１：４９８７ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ１：５１５１ＭＨｚ
共振周波数ｆｒが約５０００ＭＨｚとなる下部電極３２、圧電膜３４および上部電極３６の厚さは、例えばそれぞれ６０ｎｍ、４００ｎｍおよび６０ｎｍである。
【００２２】
図３は、比較例１に係るフィルタの通過特性を示す図である。フィルタ１０の通過特性、および弾性波共振器Ｒ１をシャント接続したときの通過特性である。図３に示すように、キャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１の並列共振回路が主に形成する減衰極Ａ１の周波数は通過帯域Ｐａｓｓより高い。通過帯域Ｐａｓｓの高周波端は例えば減衰量の極大の周波数である。弾性波共振器Ｒ１が主に形成する減衰極Ａ２は通過帯域Ｐａｓｓと減衰極Ａ１との間に位置する。減衰極Ａ２のボトム周波数は５１５７ＭＨｚである。減衰極Ａ２により通過帯域と阻止帯域との間の遷移領域における減衰量を急峻に変化させることができる。急峻性として減衰量が−５ｄＢと−２０ｄＢとの間の周波数間隔を定義する。図３では、急峻性は約５２．３ＭＨｚである。しかしながら、比較例１における急峻性は十分でない。以下、急峻性を高くできる実施例について説明する。
【実施例１】
【００２３】
図４は、実施例１に係るフィルタの回路図である。図４に示すように、実施例１のフィルタ１１では、共振回路１５として弾性波共振器Ｒ２が設けられている。弾性波共振器Ｒ２の一端はノードＮ１に他端はキャパシタＣ２に接続されている。その他の構成は比較例１と同じある。
【００２４】
実施例１のフィルタ１１のシミュレーション条件は以下である。
キャパシタＣ１、Ｃ２のキャパシタンス
Ｃ１：０．６０ｐＦ
Ｃ２：０．９５ｐＦ
インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス
Ｌ１：３．５ｎＨ
Ｌ２：０．１ｎＨ
弾性波共振器Ｒ１の特性
共振周波数ｆｒ１：４９８７ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ１：５１５１ＭＨｚ
弾性波共振器Ｒ２の特性
共振周波数ｆｒ２：４９２３ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ２：５１０４ＭＨｚ
【００２５】
図５は、実施例１に係るフィルタの通過特性を示す図である。フィルタ１１の通過特性、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２をシャント接続したときの通過特性である。図５に示すように、弾性波共振器Ｒ１が主に形成する減衰極Ａ２と通過帯域Ｐａｓｓとの間に、共振回路１５が主に形成する減衰極Ａ３が位置している。すなわち、減衰極Ａ２およびＡ３は極小（ボトム）を有し、減衰極Ａ３の極小は通過帯域と減衰極Ａ２の極小との間に位置する。減衰極Ａ２のボトム周波数は５１５７ＭＨｚである。比較例１の図３と比較し、減衰極Ａ３により通過帯域と阻止帯域との間の減衰量をより急峻に変化させることができる。急峻性は約２７．９ＭＨｚである。
【００２６】
［実施例１の変形例１］
図６は、実施例１の変形例１に係るフィルタの回路図である。図６に示すように、実施例１の変形例１のフィルタ１２では、共振回路１５として弾性波共振器Ｒ２とキャパシタＣ３が設けられている。キャパシタＣ３は、ノードＮ３とキャパシタＣ２との間において弾性波共振器Ｒ２に並列接続されている。その他の構成は実施例１と同じある。
【００２７】
実施例１の変形例１のフィルタ１２のシミュレーション条件は以下である。
キャパシタＣ１、Ｃ２のキャパシタンス
Ｃ１：１．０５ｐＦ
Ｃ２：１．１ｐＦ
Ｃ３：２．４ｐＦ
インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス
Ｌ１：２．４５ｎＨ
Ｌ２：０．１ｎＨ
弾性波共振器Ｒ１の特性
共振周波数ｆｒ１：４９８７ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ１：５１５１ＭＨｚ
弾性波共振器Ｒ２の特性
共振周波数ｆｒ２：５０２３ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ２：５２０４ＭＨｚ
共振回路１５の特性
共振周波数：４９２３ＭＨｚ
反共振周波数：５１０４ＭＨｚ
【００２８】
図７は、実施例１の変形例１に係るフィルタの通過特性を示す図である。図７に示すように、弾性波共振器Ｒ１が主に形成する減衰極Ａ２と通過帯域Ｐａｓｓとの間に、共振回路１５が主に形成する減衰極Ａ３が位置している。減衰極Ａ２のボトム周波数は５２１０ＭＨｚである。急峻性は約１９．４ＭＨｚである。
【００２９】
［実施例１の変形例２］
図８は、実施例１の変形例２に係るフィルタの回路図である。図８に示すように、実施例１の変形例２のフィルタ１３では、共振回路１５は、ノードＮ２と端子Ｔ２との間に接続され、弾性波共振器Ｒ２の一端はノードＮ２に他端は端子Ｔ２に接続されている。その他の構成は実施例１と同じある。
【００３０】
実施例１の変形例２のフィルタ１３のシミュレーション条件は以下である。
キャパシタＣ１、Ｃ２のキャパシタンス
Ｃ１：２．１ｐＦ
Ｃ２：１．９５ｐＦ
インダクタＬ１、Ｌ２のインダクタンス
Ｌ１：１．２９ｎＨ
Ｌ２：０．１ｎＨ
弾性波共振器Ｒ１の特性
共振周波数ｆｒ１：４８６７ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ１：５０２３ＭＨｚ
弾性波共振器Ｒ２の特性
共振周波数ｆｒ２：４９６５ＭＨｚ
反共振周波数ｆａ２：５１１５ＭＨｚ
【００３１】
図９は、実施例１の変形例２に係るフィルタの通過特性を示す図である。図９に示すように、弾性波共振器Ｒ１が主に形成する減衰極Ａ２と通過帯域Ｐａｓｓとの間に、共振回路１５が主に形成する減衰極Ａ３が位置している。減衰極Ａ２のボトム周波数５２４７ＭＨｚである。急峻性は約３０．４ＭＨｚである。
【００３２】
実施例１およびその変形例によれば、インダクタＬ１（第１素子）は端子Ｔ１（入力端子）と端子Ｔ２（出力端子）との間に直列に接続されている。キャパシタＣ１（第２素子）は端子Ｔ１とＴ２との間にインダクタＬ１と並列に接続されている。キャパシタＣ２（第３素子）は、端子Ｔ１とＴ２との間にインダクタＬ１と並列にかつキャパシタＣ１と直列に接続されている。弾性波共振器Ｒ１（第１弾性波共振器）は、一端がキャパシタＣ１とＣ２との間のノードＮ３に接続され、他端が接地されている。共振回路１５は端子Ｔ１とＴ２との間にキャパシタＣ１およびＣ２と並列接続された弾性波共振器Ｒ２（第２弾性波共振器）を含む。これにより、通過帯域と阻止帯域との間の減衰量の急峻性を高めることができる。
【００３３】
実施例１の図５、実施例１の変形例１の図７および実施例１の変形例２の図９のように、キャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１が主に形成する減衰極Ａ１（第１減衰極）は、フィルタの通過帯域Ｐａｓｓより高い。弾性波共振器Ｒ１が主に形成する減衰極Ａ２（第２減衰極）は通過帯域Ｐａｓｓと減衰極Ａ１との間に位置する。共振回路１５が主に形成する減衰極Ａ３（第３減衰極）が通過帯域Ｐａｓｓと減衰極Ａ２との間に位置する。これより、通過帯域と阻止帯域との間の減衰量の急峻性を高めることができる。
【００３４】
減衰極Ａ１は通過帯域Ｐａｓｓより高く、減衰極Ａ２は通過帯域Ｐａｓｓと減衰極Ａ１との間に位置する。共振回路１５の反共振周波数（実施例１およびその変形例１のとき５１０４ＭＨｚ、実施例１の変形例２のとき５１１５ＭＨｚ）は弾性波共振器Ｒ１の単体の反共振周波数ｆａ１（実施例１およびその変形例１のとき５１５１ＭＨｚ、実施例１の変形例２のとき５０２３ＭＨｚ）の１．０５倍以下である。これにより、通過帯域と阻止帯域との間の減衰量の急峻性を高めることができる。共振回路１５の反共振周波数はｆａ１の１．０４倍以下が好ましく、１．０２倍以下がより好ましい。
【００３５】
実施例１およびその変形例１のように、共振回路１５がインダクタＬ１と並列接続されているとき、共振回路１５の反共振周波数（５１０４ＭＨｚ）は弾性波共振器Ｒ１の単体の反共振周波数ｆａ２（５１５１ＭＨｚ）より低い。これにより、通過帯域と阻止帯域との間の減衰量の急峻性を高めることができる。共振回路１５の反共振周波数は弾性波共振器Ｒ１の単体の反共振周波数ｆａ２の０．９９５倍以下が好ましく、０．９９倍以下がより好ましい。
【００３６】
弾性波共振器Ｒ１の単体の反共振周波数ｆａ１および弾性波共振器Ｒ２の単体の反共振周波数ｆａ２は、フィルタの通過帯域Ｐａｓｓより高く、減衰極Ａ１より低い。これにより、急峻性をより高くすることができる。反共振周波数ｆａ１およびｆａ２は減衰極Ａ１の０．９９５倍以下が好ましく、０．９９倍以下がより好ましい。
【００３７】
弾性波共振器Ｒ１の単体の共振周波数ｆｒ１および弾性波共振器Ｒ２の単体の共振周波数ｆｒ２は、フィルタの通過帯域内に位置する。これにより、急峻性をより高くすることができる。
【００３８】
なお、弾性波共振器Ｒ１の単体および弾性波共振器Ｒ２の単体とは、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２以外のキャパシタおよびインダクタを含まないことを意味する。
【００３９】
実施例１およびその変形例１のように、共振回路１５は弾性波共振器Ｒ２単体でもよい。実施例１の変形例２のように、共振回路１５は、弾性波共振器Ｒ２に並列にかつキャパシタＣ１およびＣ２に直列に接続されたキャパシタＣ３を備えてもよい。共振回路１５は、弾性波共振器Ｒ２を含めばよい。
【００４０】
弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の例として圧電薄膜共振器を説明したが、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２は弾性表面波共振器でもよい。
【００４１】
［実施例１の変形例３］
図１０は、実施例１の変形例３に係るフィルタの回路図である。図１０に示すように、実施例１のキャパシタＣ１、Ｃ２およびインダクタＬ１の代わりにそれぞれインダクタＬ３、Ｌ４およびキャパシタＣ４が設けられている。その他の構成は実施例１と同じである。実施例１の変形例３においても急峻性を高めることができる。
【００４２】
実施例１の変形例３のように、第１素子はキャパシタＣ４であり、第２素子および第３素子はインダクタＬ３およびＬ４でもよい。このように、第１素子はキャパシタおよびインダクタのいずれか一方であり、第２素子および第３素子はキャパシタおよびインダクタのうち第１素子と異なる他方であればよい。
【実施例２】
【００４３】
図１１は、実施例２に係るダイプレクサの回路図である。図１１に示すように、共通端子ＴＡと端子ＴＨとの間にハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１６が接続されている。共通端子ＴＡと端子ＴＬとの間にローパスフィルタ（ＬＰＦ）１８が接続されている。ＬＰＦ１８は、実施例１およびその変形例のフィルタ１１から１４である。ＨＰＦ１６は、共通端子ＴＡまたは端子ＴＨから入力された高周波信号のうち通過帯域の信号を端子ＴＨまたは共通端子ＴＡに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。ＬＰＦ１８は、共通端子ＴＡまたは端子ＴＬから入力された高周波信号のうち通過帯域の信号を端子ＴＬまたは共通端子ＴＡに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。ＨＰＦ１６の代わりにＢＰＦが接続されていてもよい。
【００４４】
マルチプレクサとしてダイプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。
【００４５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０−１４  フィルタ
１５  共振回路
１６  ＨＰＦ
１８  ＬＰＦ
【図１】
2020150363.tif 000003
【図２】
2020150363.tif 000004
【図３】
2020150363.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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