(57)【要約】【課題】本発明は、従来に比べて歩留まりが良好な熱処理装置を提供する。【解決手段】仕掛太陽電池基板を熱処理するものであり、仕掛太陽電池基板は、一方の主面と一辺の属する端面で構成される第１角部と、一方の主面と対辺の属する端面で構成される第２角部を有し、基板支持ラックと、加熱室を有し、基板支持ラックは、第１支持部材と、第２支持部材と、連結部材を有し、第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第１支持板部を有し、第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第２支持板部を有し、基板支持ラックは、第１支持板部の傾斜面が第１角部と下方側から線接触し、第２支持板部の傾斜面が第２角部と下方側から線接触することで、仕掛太陽電池基板を水平姿勢で支持可能であり、基板支持ラックは仕掛太陽電池基板を支持した状態で加熱室の内部から外部に取り出し可能である構成とする。【選択図】図１４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を含む下地基板にレジスト材料が塗布され、前記レジスト材料が一方の主面を構成する仕掛太陽電池基板を熱処理する熱処理装置であって、
前記仕掛太陽電池基板は、平面視したときに対向する２辺を有するものであって、前記一方の主面と前記２辺のうちの一辺の属する端面で構成される第１角部と、前記一方の主面と前記２辺のうちの他辺の属する端面で構成される第２角部を有するものであり、
基板支持ラックと、前記基板支持ラックを収容する加熱室を有し、
前記基板支持ラックは、第１支持部材と、第２支持部材と、前記第１支持部材と前記第２支持部材を連結する連結部材を有し、
前記第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第１支持板部を有し、
前記第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第２支持板部を有し、
前記基板支持ラックは、前記第１支持板部の傾斜面が前記第１角部と下方側から線接触し、前記第２支持板部の傾斜面が前記第２角部と下方側から線接触することで、前記仕掛太陽電池基板を水平姿勢で支持可能であり、
前記仕掛太陽電池基板を支持した状態の前記基板支持ラックを前記加熱室の内部から前記加熱室の外部に取り出し可能である、熱処理装置。
【請求項２】
前記第１支持部材は、少なくとも２つの第１支持板部を有し、
前記第２支持部材は、少なくとも２つの第２支持板部を有し、
前記２つの第１支持板部は、高さ方向に前記第１支持板部の最大厚みの２倍以上の間隔を空けて配されており、
前記２つの第１支持板部は、前記２つの第２支持板部のうち、対をなす第２支持板部とともに前記仕掛太陽電池基板をそれぞれ支持可能である、請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第３支持板部をさらに有し、
前記第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第４支持板部をさらに有し、
前記基板支持ラックは、前記第１支持板部の傾斜面及び前記第３支持板部の傾斜面が前記第１角部と下方側から線接触し、前記第２支持板部の傾斜面及び前記第４支持板部の傾斜面が前記第２角部と下方側から線接触することで、前記仕掛太陽電池基板を支持可能であり、
前記第１支持板部及び前記第３支持板部は、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態において、前記一辺の延び方向に間隔を空けて配されている、請求項１又は２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第１支持板部と前記第３支持板部の間隔は、前記仕掛太陽電池基板の前記一辺の長さの１／４以上である、請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記基板支持ラックは、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態において、前記第１支持部材及び前記第２支持部材とともに前記仕掛太陽電池基板の移動を一方向に規制する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記第１支持部材は、複数の溝部を有し、
前記第１支持板部は、前記溝部の内壁を構成しており、
前記基板支持ラックは、前記仕掛太陽電池基板の一部を前記溝部に挿入して前記仕掛太陽電池基板を支持している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱処理装置を使用する太陽電池の製造方法であって、
前記下地基板に前記レジスト材料を塗布し、前記仕掛太陽電池基板を形成するレジスト塗布工程と、
前記熱処理装置を使用して前記仕掛太陽電池基板に対して熱処理する熱処理工程を有し、
前記熱処理工程は、
前記仕掛太陽電池基板を前記第１支持部材及び前記第２支持部材に跨って載置して前記基板支持ラックに支持させる載置工程と、
前記仕掛太陽電池基板を支持した前記基板支持ラックを前記加熱室内に挿入する挿入工程と、
前記加熱室から前記仕掛太陽電池基板を支持した前記基板支持ラックを取り出す取出工程を含む、太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記下地基板に塗布された前記レジスト材料は、前記第１角部を含むように前記一辺に沿って幅をもって延びる第１延伸部と、前記一辺に対して直交する方向に延びる第２延伸部とを含んでおり、
前記載置工程において、前記仕掛太陽電池基板を前記一辺の延び方向に移動させて前記第１支持部材及び前記第２支持部材に跨って載置する、請求項７に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置及び太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体基板の一方の主面側に対をなす電極層を形成する、いわゆるバックコンタクト型の太陽電池が開発されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
バックコンタクト型の太陽電池では、同一面に電極層や異なる導電型の半導体層を形成するため、電極層同士や異なる導電型の半導体層が面方向に接触しないように形成する必要がある。
【０００４】
そこで、従来から、バックコンタクト型の太陽電池では、フォトレジストを使用して、電極層や半導体層のパターニングを行い、電極層同士や導電型が異なる半導体層同士が面方向に接触しないように製造を行っていた。
【０００５】
具体的には、下地基板の半導体層上に感光性のレジスト溶液を塗布した基板（以下、仕掛太陽電池基板ともいう）を熱処理装置で乾燥させてレジスト層を形成する。そして、仕掛太陽電池基板を露光・現像し、エッチングすることで半導体層の一部を除去し、さらにレジスト層を剥離することで、半導体層のパターニングを行っていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１５８２２６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の熱処理装置は、仕掛太陽電池基板を乾燥させる際に、仕掛太陽電池基板を支持するラックの爪が仕掛太陽電池基板の表面に形成されたレジスト層と面接触する。そのため、ラックの爪にレジスト溶液が接触した状態で乾燥すると、レジスト溶液が半導体層からラックの爪に跨って硬化し、レジスト層がラックの爪にこびりつく場合がある。このような場合、ラックから仕掛太陽電池基板を取り出す際に、爪とレジスト層の接触部分においてレジスト層とともに半導体層が下地基板から剥がれるという事態が生じていた。下地基板から半導体層が剥がれると、半導体層が剥がれた部分では、正確にパターニングができず、導電型の異なる半導体層同士が面方向に接触してしまう虞がある。そのため、下地基板から半導体層の一部が剥がれた場合には、不良品として扱われており、歩留まりが悪いものとなっていた。
【０００８】
そこで、本発明は、従来に比べて歩留まりが良好な熱処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した課題を解決するための請求項１に記載の発明は、半導体基板を含む下地基板にレジスト材料が塗布され、前記レジスト材料が一方の主面を構成する仕掛太陽電池基板を熱処理する熱処理装置であって、前記仕掛太陽電池基板は、平面視したときに対向する２辺を有するものであって、前記一方の主面と前記２辺のうちの一辺の属する端面で構成される第１角部と、前記一方の主面と前記２辺のうちの他辺の属する端面で構成される第２角部を有するものであり、基板支持ラックと、前記基板支持ラックを収容する加熱室を有し、前記基板支持ラックは、第１支持部材と、第２支持部材と、前記第１支持部材と前記第２支持部材を連結する連結部材を有し、前記第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第１支持板部を有し、前記第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第２支持板部を有し、前記基板支持ラックは、前記第１支持板部の傾斜面が前記第１角部と下方側から線接触し、前記第２支持板部の傾斜面が前記第２角部と下方側から線接触することで、前記仕掛太陽電池基板を水平姿勢で支持可能であり、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態の前記基板支持ラックを前記加熱室の内部から前記加熱室の外部に取り出し可能である、熱処理装置である。
【００１０】
本発明の構成によれば、被支持部分である下地基板の下面側にレジスト材料が塗布された仕掛太陽電池基板に対して熱処理するものである。
【００１１】
本発明の構成によれば、仕掛太陽電池基板の面方向に対向する角部を傾斜面に線接触させて保持するため、レジスト材料に傾斜面が実質的に接触せず、レジスト材料が半導体基板から剥がれることを防止できる。また、傾斜面と仕掛太陽電池基板の角部が線接触して仕掛太陽電池基板が支持されるため、針等のように点接触で支持する場合とは異なり、接触により仕掛太陽電池基板に傷等がつくことを防止できる。
【００１２】
本発明の構成によれば、仕掛太陽電池基板を支持した状態で基板支持ラックを加熱室の内部から外部に取り外し可能であるため、熱処理後の仕掛太陽電池基板の交換が容易である。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、前記第１支持部材は、少なくとも２つの第１支持板部を有し、前記第２支持部材は、少なくとも２つの第２支持板部を有し、前記２つの第１支持板部は、高さ方向に前記第１支持板部の最大厚みの２倍以上の間隔を空けて配されており、前記２つの第１支持板部は、前記２つの第２支持板部のうち、対をなす第２支持板部とともに前記仕掛太陽電池基板をそれぞれ支持可能である、請求項１に記載の熱処理装置である。
【００１４】
本発明の構成によれば、第１支持板部と第２支持板部が高さ方向において段状に設けられているため、基板支持ラックにより複数の仕掛太陽電池基板を同時に支持可能であり、同時に熱処理できる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第３支持板部をさらに有し、前記第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第４支持板部をさらに有し、前記基板支持ラックは、前記第１支持板部の傾斜面及び前記第３支持板部の傾斜面が前記第１角部と下方側から線接触し、前記第２支持板部の傾斜面及び前記第４支持板部の傾斜面が前記第２角部と下方側から線接触することで、前記仕掛太陽電池基板を支持可能であり、前記第１支持板部及び前記第３支持板部は、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態において、前記一辺の延び方向に間隔を空けて配されている、請求項１又は２に記載の熱処理装置である。
【００１６】
本発明の構成によれば、少なくとも４つの支持板部で仕掛太陽電池基板を支持可能であるため、仕掛太陽電池基板と支持板部の接触面積をより小さくできる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、前記第１支持板部と前記第３支持板部の間隔は、前記仕掛太陽電池基板の前記一辺の長さの１／４以上である、請求項３に記載の熱処理装置である。
【００１８】
本発明の構成によれば、仕掛太陽電池基板の角部に近い部分を保持できるため、安定して保持できる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記基板支持ラックは、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態において、前記第１支持部材及び前記第２支持部材とともに前記仕掛太陽電池基板の移動を一方向に規制する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の熱処理装置である
本発明の構成によれば、仕掛太陽電池基板の移動が一方向に規制されているため、仕掛太陽電池の落下を抑制でき、位置調整も容易となる。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、前記第１支持部材は、複数の溝部を有し、前記第１支持板部は、前記溝部の内壁を構成しており、前記基板支持ラックは、前記仕掛太陽電池基板の一部を前記溝部に挿入して前記仕掛太陽電池基板を支持している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の熱処理装置である。
【００２１】
本発明の構成によれば、溝部に仕掛太陽電池基板の一部を挿入して支持するため、切削加工等で容易に傾斜部を形成できる。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の熱処理装置を使用する太陽電池の製造方法であって、前記下地基板に前記レジスト材料を塗布し、前記仕掛太陽電池基板を形成するレジスト塗布工程と、前記熱処理装置を使用して前記仕掛太陽電池基板に対して熱処理する熱処理工程を有し、前記熱処理工程は、前記仕掛太陽電池基板を前記第１支持部材及び前記第２支持部材に跨って載置して前記基板支持ラックに支持させる載置工程と、前記仕掛太陽電池基板を支持した前記基板支持ラックを前記加熱室内に挿入する挿入工程と、前記加熱室から前記仕掛太陽電池基板を支持した前記基板支持ラックを取り出す取出工程を含む、太陽電池の製造方法である。
【００２３】
本発明の構成によれば、レジスト材料の下地基板からの剥がれ等の不具合を防止でき、歩留まりが良好となる。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、前記下地基板に塗布された前記レジスト材料は、前記第１角部を含むように前記一辺に沿って幅をもって延びる第１延伸部と、前記一辺に対して直交する方向に延びる第２延伸部とを含んでおり、前記載置工程において、前記仕掛太陽電池基板を前記一辺の延び方向に移動させて前記第１支持部材及び前記第２支持部材に跨って載置する、請求項７に記載の太陽電池の製造方法である。
【００２５】
本発明の構成によれば、仮に部分的にレジスト材料が剥がれたとしても、不具合が生じにくい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、太陽電池の歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態の熱処理装置の斜視図である。
【図２】図１の加熱室の斜視図である。
【図３】図１の基板支持ラックの斜視図であり、仕掛太陽電池基板を設置した状態を示している。
【図４】図１の基板支持ラックの斜視図であり、仕掛太陽電池基板を設置していない状態を示している。
【図５】図１の基板支持ラックの分解斜視図である。
【図６】図１の基板支持ラックの正面図である。
【図７】図６の基板支持ラックの要部の正面図である。
【図８】図１の熱処理装置を使用して好適に製造できる太陽電池を模式的に示した斜視図である。
【図９】図８の太陽電池のＡ−Ａ断面図であり、理解を容易にするためにハッチングを省略している。
【図１０】図８の太陽電池の平面図である。
【図１１】図８の太陽電池の製造方法の説明図であり、（ａ）は第１真性半導体層形成工程における断面図を表し、（ｂ）は第１半導体層形成工程における断面図を表し、（ｃ）はリフトオフ層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図１２】図８の太陽電池の製造方法の図１１の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は第１保護層形成工程における断面図を表し、（ｂ）は第２保護層形成工程における断面図を表し、（ｃ）は第１レジスト層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図１３】図１２の第１レジスト層形成工程時における第１仕掛太陽電池基板の斜視図である。
【図１４】図１２の第１レジスト層形成工程における第１仕掛太陽電池基板を基板支持ラックに載置した状況を表す説明図であり、（ａ）は上方側からみた要部の斜視図であり、（ｂ）は下方側からみた要部の斜視図である。
【図１５】図８の太陽電池の製造方法の図１２の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は第１エッチング工程における断面図を表し、（ｂ）は第１レジスト層除去工程における断面図を表し、（ｃ）は第２真性半導体層形成工程おける断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図１６】図８の太陽電池の製造方法の図１５の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は第２半導体層形成工程における断面図を表し、（ｂ）はリフトオフ工程における断面図を表し、（ｃ）は反射防止層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図１７】図８の太陽電池の製造方法の図１６の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は透明導電膜形成工程における断面図を表し、（ｂ）は第２レジスト層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図１８】図１７の第２レジスト層形成工程時における第２仕掛太陽電池基板の斜視図である。
【図１９】図１７の第２レジスト層形成工程における第２仕掛太陽電池基板を基板支持ラックに載置した状況を表す説明図であり、（ａ）は上方側からみた要部の斜視図であり、（ｂ）は下方側からみた要部の斜視図である。
【図２０】図８の太陽電池の製造方法の図１７の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は第２エッチング工程における断面図を表し、（ｂ）は第２レジスト層除去工程における断面図を表し、（ｃ）は金属電極層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図２１】本発明の他の実施形態の支持板部の説明図であり、（ａ）は支持板部が断続的に延びている実施形態の支持板部の斜視図であり、（ｂ）は支持板部の傾斜面が曲面となる実施形態の支持板部の斜視図である。
【図２２】本発明の他の実施形態の支持板部の説明図であり、（ａ）は５つの支持板部で仕掛太陽電池基板を支持した状態を示す斜視図であり、（ｂ）は６つの支持板部で仕掛太陽電池基板を支持した状態を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
（１）本発明の第１は、半導体基板を含む下地基板にレジスト材料が塗布され、前記レジスト材料が一方の主面を構成する仕掛太陽電池基板を熱処理する熱処理装置であって、前記仕掛太陽電池基板は、平面視したときに対向する２辺を有するものであって、前記一方の主面と前記２辺のうちの一辺の属する端面で構成される第１角部と、前記一方の主面と前記２辺のうちの他辺の属する端面で構成される第２角部を有するものであり、基板支持ラックと、前記基板支持ラックを収容する加熱室を有し、前記基板支持ラックは、第１支持部材と、第２支持部材と、前記第１支持部材と前記第２支持部材を連結する連結部材を有し、前記第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第１支持板部を有し、前記第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第２支持板部を有し、前記基板支持ラックは、前記第１支持板部の傾斜面が前記第１角部と下方側から線接触し、前記第２支持板部の傾斜面が前記第２角部と下方側から線接触することで、前記仕掛太陽電池基板を水平姿勢で支持可能であり、  前記仕掛太陽電池基板を支持した状態の前記基板支持ラックを前記加熱室の内部から前記加熱室の外部に取り出し可能である、熱処理装置、である。
【００２９】
（２）本発明の第２は、前記第１支持部材は、少なくとも２つの第１支持板部を有し、前記第２支持部材は、少なくとも２つの第２支持板部を有し、前記２つの第１支持板部は、高さ方向に前記第１支持板部の最大厚みの２倍以上の間隔を空けて配されており、前記２つの第１支持板部は、前記２つの第２支持板部のうち、対をなす第２支持板部とともに前記仕掛太陽電池基板をそれぞれ支持可能である、前記（１）に記載の熱処理装置、である。
【００３０】
（３）本発明の第３は、前記第１支持部材は、上面側に傾斜面を有した第３支持板部をさらに有し、前記第２支持部材は、上面側に傾斜面を有した第４支持板部をさらに有し、前記基板支持ラックは、前記第１支持板部の傾斜面及び前記第３支持板部の傾斜面が前記第１角部と下方側から線接触し、前記第２支持板部の傾斜面及び前記第４支持板部の傾斜面が前記第２角部と下方側から線接触することで、前記仕掛太陽電池基板を支持可能であり、前記第１支持板部及び前記第３支持板部は、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態において、前記一辺の延び方向に間隔を空けて配されている、前記（１）又は（２）に記載の熱処理装置、である。
【００３１】
（４）本発明の第４は、  前記第１支持板部と前記第３支持板部の間隔は、前記仕掛太陽電池基板の前記一辺の長さの１／４以上である、前記（３）に記載の熱処理装置、である。
【００３２】
（５）本発明の第５は、前記基板支持ラックは、前記仕掛太陽電池基板を支持した状態において、前記第１支持部材及び前記第２支持部材とともに前記仕掛太陽電池基板の移動を一方向に規制する、前記（１）乃至（４）のいずれか１項に記載の熱処理装置、である。
【００３３】
（６）本発明の第６は、前記第１支持部材は、複数の溝部を有し、  前記第１支持板部は、前記溝部の内壁を構成しており、前記基板支持ラックは、前記仕掛太陽電池基板の一部を前記溝部に挿入して前記仕掛太陽電池基板を支持している、前記（１）乃至（５）のいずれか１項に記載の熱処理装置、である。
【００３４】
（７）本発明の第７は、前記（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の熱処理装置を使用する太陽電池の製造方法であって、前記下地基板に前記レジスト材料を塗布し、前記仕掛太陽電池基板を形成するレジスト塗布工程と、前記熱処理装置を使用して前記仕掛太陽電池基板に対して熱処理する熱処理工程を有し、  前記熱処理工程は、前記仕掛太陽電池基板を前記第１支持部材及び前記第２支持部材に跨って載置して前記基板支持ラックに支持させる載置工程と、前記仕掛太陽電池基板を支持した前記基板支持ラックを前記加熱室内に挿入する挿入工程と、前記加熱室から前記仕掛太陽電池基板を支持した前記基板支持ラックを取り出す取出工程を含む、太陽電池の製造方法、である。
【００３５】
（８）本発明の第８は、前記下地基板に塗布された前記レジスト材料は、前記第１角部を含むように前記一辺に沿って幅をもって延びる第１延伸部と、前記一辺に対して直交する方向に延びる第２延伸部とを含んでおり、前記載置工程において、前記仕掛太陽電池基板を前記一辺の延び方向に移動させて前記第１支持部材及び前記第２支持部材に跨って載置する、前記（７）に記載の太陽電池の製造方法、である。
【００３６】
以下、本発明の実施形態について具体的に説明する。なお、前後左右上下においては、図１の姿勢を基準とする。
【００３７】
本発明の第１実施形態の熱処理装置１は、太陽電池１００の製造工程で生じる仕掛太陽電池基板２００に対して使用される装置であり、表面にレジスト材料が塗布された仕掛太陽電池基板２００に熱処理するものである。
【００３８】
熱処理装置１は、図１のように、主要構成部材として、加熱室２と、基板支持ラック３を備えている。そして、熱処理装置１は、仕掛太陽電池基板２００を基板支持ラック３に設置した状態で加熱室２内に収容して加熱するものである。
【００３９】
この仕掛太陽電池基板２００は、太陽電池１００の製造工程における熱処理工程での加熱対象物である。
【００４０】
本実施形態の熱処理装置１は、図１のように、仕掛太陽電池基板２００を基板支持ラック３に設置した状態で加熱室２内から外部に取り出し可能となっている。また、本実施形態の熱処理装置１は、仕掛太陽電池基板２００を基板支持ラック３に設置した状態で外部から加熱室２内へ設置可能となっている。
【００４１】
すなわち、本実施形態の熱処理装置１は、仕掛太陽電池基板２００を基板支持ラック３に設置した状態で加熱室２の内外への移動が可能となっている。
【００４２】
加熱室２は、図２のように、一方向（前方）が開放された筐体部１０と、扉部１１と、仕切り板１２で構成されており、図示しない加熱ヒータ等の温度調節装置や加熱室２内部の空気を循環させる送風装置が内蔵されており、筐体部１０の内部に加熱空間１３が形成されている。
【００４３】
加熱空間１３は、仕切り板１２によって上下に複数に分割されている。
【００４４】
基板支持ラック３は、図３のように、一又は複数の仕掛太陽電池基板２００を収納可能な筐体である。
【００４５】
基板支持ラック３は、図４，図５のように、天板部２０（連結部材）と、底板部２１（連結部材）と、第１支柱部２２ａ〜２２ｄ（第１支持部材、第２支持部材）と、第２支柱部２３ａ，２３ｂと、支持ユニット２５，２６（第１支持部材、第２支持部材）を備えている。
【００４６】
天板部２０は、図４のように、基板支持ラック３の天面を構成し、平面視「コ」字状の板状部位である。すなわち、天板部２０は、前後方向Ａに延びる延伸部４０，４１と、延伸部４０，４１の後端部間を接続する接続部４２を備えている。
【００４７】
底板部２１は、図５のように、基板支持ラック３の底面を構成し、天板部２０と同様、平面視「コ」字状の板状部位である。すなわち、底板部２１は、前後方向Ａに延びる延伸部４５，４６と、延伸部４５，４６の後端部間を接続する接続部４７を備えている。
【００４８】
第１支柱部２２ａ〜２２ｄは、図５のように、底板部２１の延伸部４５，４６から直立し、天板部２０の延伸部４０，４１を支持する板状部位である。また、第１支柱部２２ａ〜２２ｄは、支持ユニット２５，２６を支持する部位でもある。
【００４９】
第２支柱部２３ａ，２３ｂは、底板部２１の接続部４７から直立し、天板部２０の接続部４２を支持する棒状部位であり、本実施形態では、円柱状をしている。第２支柱部２３ａ，２３ｂは、第１支柱部２２ｂ，２２ｄの間に位置している。第２支柱部２３ａ，２３ｂは、仕掛太陽電池基板２００の基板支持ラック３の奥側への移動を防止する規制部である。
【００５０】
支持ユニット２５，２６は、仕掛太陽電池基板２００を水平姿勢で支持する部位であり、図５のように、主要構成部として、支持部３０ａ〜３０ｄと、上側連結部３１ａ，３１ｂと、下側連結部３２ａ，３２ｂを備えている。
【００５１】
支持部３０ａ〜３０ｄは、図３のように、仕掛太陽電池基板２００の一部を支持可能な部位であり、正面視鋸歯状の部位である。
【００５２】
支持部３０ａ〜３０ｄは、図６，図７のように、本体部５０と、支持板部５１で構成されている。
【００５３】
本体部５０は、上下方向に延びた長板状の部位であり、支持部３０ａ〜３０ｄの骨格をなす部位である。
【００５４】
支持板部５１（５１ａ〜５１ｄ）は、図７のように、本体部５０の側面（設置空間７０側の側面）から立設された板状部位であり、直線部５２と、傾斜部５３を備えている。
【００５５】
直線部５２は、上面が直線状に延び、基端部が本体部５０に接続された部位である。
【００５６】
傾斜部５３は、直線部５２の先端部と連続し、上面に傾斜面５５を備えた略三角形状の部位である。
【００５７】
傾斜面５５は、図７に示されるように、水平面Ｌに対して傾斜角度θで傾斜しており、直線部５２の上面に対して傾斜角度（１８０−θ）で下り傾斜している。
【００５８】
傾斜角度θの角度は、５度以上４５度以下であることが好ましく、１０度以上３０度以下であることがより好ましく、１０度以上２０度以下であることがさらに好ましい。
【００５９】
この範囲であれば、仕掛太陽電池基板２００の端面や底面が傾斜面５５に接触することを防止できる。
【００６０】
本実施形態の傾斜面５５は、図７のように、支持板部５１の基端部側（本体部５０側）から先端部側に向かうにつれて下り傾斜している。
【００６１】
また、別の観点から視ると、支持部３０ａ〜３０ｄは、図７のように、複数の溝部６０を備えている。
【００６２】
溝部６０は、高さ方向に隣接する支持板部５１，５１を側壁とし、本体部５０を底部とする凹溝である。すなわち、上段の支持板部５１の下面と、下段の支持板部５１の上面と、本体部５０の側面は、溝部６０の内壁を構成している。
【００６３】
上側連結部３１ａ，３１ｂは、図５のように、前後方向Ａに隣接する支持部３０ａ，３０ｂ又は支持部３０ｃ，３０ｄの上端部間を連結する部位である。
【００６４】
下側連結部３２ａ，３２ｂは、図５のように、前後方向Ａに隣接する支持部３０ａ，３０ｂ又は支持部３０ｃ，３０ｄの下端部間を連結する部位である。
【００６５】
続いて、仕掛太陽電池基板２００を設置した状態の基板支持ラック３の各部材の位置関係について説明する。
【００６６】
支持ユニット２５，２６は、図４のように、第１支柱部２２ａ〜２２ｄによって支持され、幅方向Ｗに設置空間７０を挟んで対向している。
【００６７】
設置空間７０は、図３，図４のように、仕掛太陽電池基板２００を設置する空間であり、少なくとも前方に向かって開放した空間である。設置空間７０は、天板部２０、底板部２１、支持ユニット２５，２６、及び第２支柱部２３ａ，２３ｂに囲まれている。
【００６８】
第１支柱部２２ａ〜２２ｄは、図５のように、下端部が底板部２１に接続されて底板部２１に対して直立しており、上端部が天板部２０に接続されている。
【００６９】
第１支柱部２２ａ，２２ｂは、延伸部４５の外側縁に沿って直線状に間隔を空けて並んでおり、第１支柱部２２ｃ，２２ｄは、延伸部４６の外側縁に沿って直線状に間隔を空けて並んでいる。
【００７０】
第２支柱部２３ａ，２３ｂは、図５のように、下端部が底板部２１に接続されて底板部２１に対して直立しており、上端部が天板部２０に接続されている。
【００７１】
第２支柱部２３ａ，２３ｂは、接続部４７の外側縁に沿って直線状に間隔を空けて並んでおり、図６のように、正面視したときに、幅方向Ｗにおいて第１支柱部２２ａ，２２ｃ及び第１支柱部２２ｂ，２２ｄの間に位置している。
【００７２】
支持板部５１は、図６のように、直線部５２が水平となるように高さ方向に並んでおり、複数段となっている。
【００７３】
高さ方向に隣接する支持板部５１，５１は、支持板部５１の最大厚み（直線部５２の厚み）の２倍以上の間隔を空けて配されている。
【００７４】
支持部３０ａ，３０ｂの支持板部５１ａ，５１ｂ（第１支持板部，第３支持板部）は、図７のように、幅方向Ｗにおいて、支持部３０ｃ，３０ｄの支持板部５１ｃ，５１ｄ（第２支持板部，第４支持板部）と設置空間７０を挟んで対向している。
【００７５】
支持板部５１ａ〜５１ｄは、いずれも直線部５２の上面が水平となっている。
【００７６】
支持板部５１ａ〜５１ｄの直線部５２の上面は、いずれも同じ高さとなっている。
【００７７】
支持板部５１ａ〜５１ｄは、傾斜部５３がそれぞれの直線部５２に対して内側（設置空間７０側）に位置し、内側に向かうにつれて下り傾斜している。
【００７８】
前後方向Ａに隣接する支持板部５１ａ，５１ｂの間隔は、仕掛太陽電池基板２００を設置したときに、仕掛太陽電池基板２００の縦辺１６２の長さの１／４以上であることが好ましい。同様に、前後方向Ａに隣接する支持板部５１ｃ，５１ｄの間隔は、仕掛太陽電池基板２００を設置したときに、仕掛太陽電池基板２００の縦辺１６２の長さの１／４以上であることが好ましい。
【００７９】
幅方向Ｗに隣接する支持板部５１ａ，５１ｃの間隔は、仕掛太陽電池基板２００を設置したときに、仕掛太陽電池基板２００の横辺１６０の長さの１／４以上であることが好ましい。同様に、幅方向Ｗに隣接する支持板部５１ｂ，５１ｄの間隔は、仕掛太陽電池基板２００を設置したときに、仕掛太陽電池基板２００の横辺１６０の長さの１／４以上であることが好ましい。
【００８０】
支持部３０ａ，３０ｂの溝部６０，６０と、支持部３０ｃ，３０ｄの溝部６０，６０とは、設置空間７０を挟んで対向しており、設置空間７０に向かって開放している。
【００８１】
続いて、本実施形態の熱処理装置１を用いて好適に製造できる太陽電池１００について説明する。
【００８２】
太陽電池１００は、バックコンタクト型の太陽電池であり、図８，図９のように、裏側主面１２６側に一対の電極層１０２，１０３が形成され、表側主面１２５側には電極層１０２，１０３が形成されていないものである。
【００８３】
太陽電池１００は、図１０のように、多角形状（本実施形態では、四角形状）であり、互いに直交する四辺を有している。すなわち、太陽電池１００は、横方向Ｘに延びる横辺１６０，１６１と、縦方向Ｙに延びる縦辺１６２，１６３を備えている。
【００８４】
太陽電池１００は、図８，図９のように、半導体基板１０５の表側主面１２５側に第１真性半導体層１０６及び反射防止層１０７が積層されている。
【００８５】
太陽電池１００は、半導体基板１０５の裏側主面１２６側の一部分に、第２真性半導体層１１０、一導電型半導体層１１１、第１電極層１０２が形成されており、半導体基板１０５の裏側主面側の他の部分に、第３真性半導体層１１５、逆導電型半導体層１１６、第２電極層１０３が形成されている。縦方向Ｙにおいて、一導電型半導体層１１１と逆導電型半導体層１１６の間には、第２真性半導体層１１０が介在している。
【００８６】
第１電極層１０２と第２電極層１０３は、共に透明電極層１２０，１２１と、金属電極層１２２，１２３の多層構造となっている。
【００８７】
第１電極層１０２と第２電極層１０３は、図１０のように、裏面視したときに、ともに櫛状であり、互いに入り組んだ形状となっている。
【００８８】
一導電型半導体層１１１と逆導電型半導体層１１６の間には、蛇行した分離溝１５５が形成されており、下地となる一導電型半導体層１１１の下地となる第２真性半導体層１１０が分離溝１５５に充填されている。
【００８９】
続いて、本実施形態の熱処理装置１を使用した太陽電池１００の製造方法について説明する。
【００９０】
本実施形態の製造工程では、レジスト層１３３，１３５，１７６，１７７を形成するレジスト層形成工程が複数回あり、各レジスト層形成工程における仕掛太陽電池基板２００（２００ａ，２００ｂ）に対して本実施形態の熱処理装置１を使用する。
【００９１】
まず、プラズマＣＶＤ装置によって、図１１（ａ）のように半導体基板１０５の表側主面１２５上に第１真性半導体層１０６を製膜し、裏側主面１２６上に第３真性半導体層１１５を製膜する（第１真性半導体形成工程）。
【００９２】
続いて、プラズマＣＶＤ装置によって、図１１（ｂ）のように第３真性半導体層１１５上に逆導電型半導体層１１６を製膜する（第１半導体層形成工程）。
【００９３】
続いて、プラズマＣＶＤ装置によって、図１１（ｃ）のように、逆導電型半導体層１１６上にリフトオフ層１５０を製膜する（リフトオフ層形成工程）。
【００９４】
続いて、プラズマＣＶＤ装置によって、図１２（ａ）のように、リフトオフ層１５０上に第１保護層１５１を製膜する（第１保護層形成工程）。
【００９５】
別途工程にて、プラズマＣＶＤ装置によって、図１２（ｂ）のように、第１真性半導体層１０６上に第２保護層１５２を製膜し、下地基板２０１ａを形成する（第２保護層形成工程）。
【００９６】
続いて、逆導電型半導体層１１６をパターニングするべく、図１２（ｃ）のように、下地基板２０１ａに対して第１レジスト層形成工程を行う。
【００９７】
この第１レジスト層形成工程は、レジスト塗布工程と、熱処理工程で構成されている。
【００９８】
まず、第１レジスト塗布工程では、図１３のように下地基板２０１ａに対して、スクリーン印刷等により、第１保護層１５１上に所定の形状にパターニングされた液体状のレジスト材料１３０を塗布し、さらに第２保護層１５２上に液体状のレジスト材料１３１を塗布して、第１仕掛太陽電池基板２００ａを形成する。
【００９９】
このとき、表側主面１２５側のレジスト材料１３１は、図１３，図１４（ａ）のように第２保護層１５２全面に塗布されており、裏側主面１２６側のレジスト材料１３０は、図１３，図１４（ｂ）のように第１保護層１５１上に櫛状に塗布されている。
【０１００】
第１仕掛太陽電池基板２００ａは、裏側主面１２６側において、レジスト材料１３０が縦辺１６２が属する端面と裏側主面１２６側の主面とでなす第１角部１４５を含むように塗布されている。
【０１０１】
裏側主面１２６側に塗布されたレジスト材料１３０は、縦辺１６２に沿って幅をもって延びる横側延伸部１４０（第１延伸部）と、縦辺１６２に対して直交する方向に延びる縦側延伸部１４１（第２延伸部）を有している。
【０１０２】
続いて、両面にレジスト材料１３０，１３１が塗布された第１仕掛太陽電池基板２００ａに熱処理装置１を用いて熱処理を施し、乾燥させる（熱処理工程）。
【０１０３】
具体的には、図１４のように、両面にレジスト材料１３０，１３１が塗布された第１仕掛太陽電池基板２００ａを基板支持ラック３に設置する（載置工程）。より詳細には、第１仕掛太陽電池基板２００ａの裏側主面１２６側の主面が下面となるように縦辺１６２の延び方向に移動させて、第１仕掛太陽電池基板２００ａを基板支持ラック３に載置する。
【０１０４】
このとき、第１仕掛太陽電池基板２００ａは、平面視したときに縦辺１６２（一辺）が属する端面と、下面とで第１角部１４５をなしており、縦辺１６２と対向する縦辺１６３（他辺）が属する端面と、下面とで第２角部１４６をなしている。
【０１０５】
そして、仕掛太陽電池基板２００ａは、角部１４５が支持板部５１ａ，５１ｂの傾斜部５３の傾斜面５５と下側から線接触するように載置されており、角部１４６が支持板部５１ｃ，５１ｄの傾斜部５３の傾斜面５５と下側から線接触するように載置されている。すなわち、仕掛太陽電池基板２００ａは、支持板部５１ａ，５１ｂから支持板部５１ｃ，５１ｄに跨って載置されている。
【０１０６】
別の観点からみると、基板支持ラック３は、第１仕掛太陽電池基板２００ａの両端部が支持部３０ａ〜３０ｄの各溝部６０に挿入されて第１仕掛太陽電池基板２００ａの両端部付近を支持している。各角部１４５，１４６と傾斜面５５の接触部分は、前後方向に直線状に延びている。
【０１０７】
そして、第１仕掛太陽電池基板２００ａを設置した状態で、加熱室２の扉部１１を開けて加熱空間１３内に基板支持ラック３を挿入し（挿入工程）、扉部１１を閉めて熱処理を行い、レジスト材料１３０，１３１を乾燥させて下地基板２０１ａの一方の主面に第１レジスト層１３３を形成し、下地基板２０１ａの他方の主面に第２レジスト層１３５を形成する（乾燥工程）。
【０１０８】
乾燥工程が終了し、レジスト層１３３，１３５が形成された第１仕掛太陽電池基板２００ａを熱処理装置１から取り出す（取出工程）。
【０１０９】
続いて、上記の第１レジスト層形成工程を経た第１仕掛太陽電池基板２００ａをレジスト用エッチング液に浸し、図１５（ａ）のように、レジスト層１３３，１３５が形成されていない非重畳部分の一部又は全部において、第３真性半導体層１１５、逆導電型半導体層１１６、リフトオフ層１５０、及び第１保護層１５１をエッチングする（第１エッチング工程）。
【０１１０】
このとき、半導体基板１０５は、エッチングされた部分においてレジスト層１３３，１３５から露出する。
【０１１１】
続いて、第１エッチング工程でエッチングされた基板をレジスト除去溶液に浸し、図１５（ｂ）のように、レジスト層１３３，１３５を除去する（第１レジスト除去工程）。
【０１１２】
第１レジスト除去工程でレジスト層１３３，１３５が除去された基板をプラズマＣＶＤ装置に導入し、図１５（ｃ）のように、半導体基板１０５の裏側主面１２６及び第１保護層１５１に跨って第２真性半導体層１１０を製膜する（第２真性半導体層形成工程）。
【０１１３】
続いて、図１６（ａ）のように、プラズマＣＶＤ装置によって第２真性半導体層１１０上に一導電型半導体層１１１を製膜する（第２半導体層形成工程）。
【０１１４】
一導電型半導体層１１１が製膜された基板をリフトオフ用エッチング液に浸し、図１６（ｂ）のように、リフトオフ層１５０を溶解させてリフトオフし、リフトオフ層１５０上の層を除去する（リフトオフ工程）。
【０１１５】
このとき、リフトオフ用エッチング液により、半導体基板１０５を基準としてリフトオフ層１５０よりも外側の層が剥離し、表側主面１２５側の第２保護層１５２も溶解される。
【０１１６】
図１６（ｃ）のようにリフトオフされた基板の第１真性半導体層１０６上に反射防止層１０７を形成する（反射防止層形成工程）。
【０１１７】
続いて、図１７（ａ）のように、一導電型半導体層１１１及び逆導電型半導体層１１６上に跨るように、透明導電膜１７５を形成して下地基板２０１ｂを形成する（透明導電膜形成工程）。
【０１１８】
このとき、下地基板２０１ｂは、裏側主面１２６側の面の全面に透明導電膜１７５が形成される。
【０１１９】
続いて、透明導電膜１７５をパターニングするべく、図１７（ｂ）のように、透明導電膜１７５が形成された下地基板２０１ｂに対して、第２レジスト層形成工程を行う。
【０１２０】
まず、第２レジスト塗布工程において、下地基板２０１ｂに対し、スクリーン印刷等により、透明導電膜１７５上に所定の形状にパターニングされた液体状のレジスト材料１７０を塗布し、さらに反射防止層１０７上に液体状のレジスト材料１７１を塗布して、第２仕掛太陽電池基板２００ｂを形成する。
【０１２１】
このとき、表側主面１２５側のレジスト材料１７１は、図１８，図１９（ａ）のように反射防止層１０７全面に塗布されており、裏側主面１２６側のレジスト材料１７０は、図１８，図１９（ｂ）のように透明導電膜１７５上に非塗布部分１７８が分離溝１５５に沿った形状となるように塗布されている。
【０１２２】
すなわち、裏側主面１２６側のレジスト材料１７０は、図１８のように、分離溝１５５に沿って非塗布部分１７８が形成されており、非塗布部分１７８から透明導電膜１７５が露出している。
【０１２３】
第２仕掛太陽電池基板２００ｂは、裏側主面１２６側において、レジスト材料１７０が対向する第１角部１４５と、第２角部１４６を含むように塗布されている。
【０１２４】
続いて、両面にレジスト材料１７０，１７１が塗布された第２仕掛太陽電池基板２００ｂに熱処理装置１を用いて熱処理を施し、乾燥させる（熱処理工程）。
【０１２５】
具体的には、図１９のように、両面にレジスト材料１７０，１７１が塗布された第２仕掛太陽電池基板２００ｂを基板支持ラック３に設置する（載置工程）。より詳細には、第２仕掛太陽電池基板２００ｂの裏側主面１２６側の主面が下面となるように、縦辺１６２の延び方向に移動させて基板支持ラック３に第２仕掛太陽電池基板２００ｂを載置する。
【０１２６】
このとき、第２仕掛太陽電池基板２００ｂは、第１仕掛太陽電池基板２００ａのときと同様、角部１４５が支持板部５１ａ，５１ｂの傾斜部５３の傾斜面５５と下側から線接触するように載置されており、角部１４６が支持板部５１ｃ，５１ｄの傾斜部５３の傾斜面５５と下側から線接触するように載置されている。すなわち、仕掛太陽電池基板２００ｂは、支持板部５１ａ，５１ｂから支持板部５１ｃ，５１ｄに跨って載置されている。
【０１２７】
別の観点からみると、基板支持ラック３は、第２仕掛太陽電池基板２００ｂの両端部が支持部３０ａ〜３０ｄの各溝部６０に挿入されて第２仕掛太陽電池基板２００ｂの両端部付近を支持している。
【０１２８】
そして、第２仕掛太陽電池基板２００ｂを設置した状態で、加熱室２の扉部１１を開けて加熱空間１３内に基板支持ラック３を挿入し（挿入工程）、扉部１１を閉めて熱処理を行い、レジスト材料１７０，１７１を乾燥させて下地基板２０１ｂの一方の主面に第１レジスト層１７６を形成し、下地基板２０１ｂの他方の主面に第２レジスト層１７７を形成する（乾燥工程）。
【０１２９】
乾燥工程が終了し、レジスト層１７６，１７７が形成された第２仕掛太陽電池基板２００ｂを熱処理装置１から取り出す（取出工程）。
【０１３０】
続いて、上記の第２レジスト層形成工程を経た第２仕掛太陽電池基板２００ｂをレジスト用エッチング液に浸し、図２０（ａ）のように、透明導電膜１７５の非塗布部分１７８（非重畳部分）をエッチングし、透明電極層１２０，１２１に分割する（第１エッチング工程）。
【０１３１】
続いて、第２エッチング工程でエッチングされた基板をレジスト除去溶液に浸し、図２０（ｂ）のように、レジスト層１７６，１７７を除去する（第２レジスト除去工程）。
【０１３２】
そして、図２０（ｃ）のように、スクリーン印刷等により、透明電極層１２０，１２１上に金属電極層１２２，１２３を形成し、電極層１０２，１０３を形成する（金属電極層形成工程）。
【０１３３】
そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層１０２，１０３に取り付けて太陽電池１００が完成する。
【０１３４】
続いて、本実施形態の太陽電池１００を構成する各部位の詳細な構成について説明する。
【０１３５】
半導体基板１０５は、ｎ型又はｐ型の一方の導電型をもつシリコン基板である。
【０１３６】
本実施形態の半導体基板１０５は、ｎ型の単結晶シリコン基板である。
【０１３７】
真性半導体層１０６，１１０，１１５は、半導体基板１０５への不純物の拡散を抑制し、表面の不動態化処理する層である。真性半導体層１０６，１１０，１１５は、ｉ型半導体層であり、実質的に導電性不純物を含まないものである。
【０１３８】
ここでいう「実質的に導電性不純物を含まないもの」とは、完全にｎ型不純物やｐ型不純物などの導電性不純物を含まないものだけではなく、真性層として機能を維持し得る範囲で微量の導電性不純物を含むものも含む。
【０１３９】
真性半導体層１０６，１１０，１１５は、半導体基板１０５への不純物の拡散を抑制し、表面の不動態化処理する機能を有すれば、特に限定されない。真性半導体層１０６，１１０，１１５としては、例えば、非晶質シリコン系半導体層であってもよいし、水素化非晶質シリコン系半導体層であってもよい。
【０１４０】
一導電型半導体層１１１は、半導体基板１０５と同じ導電型の半導体層である。
【０１４１】
本実施形態の一導電型半導体層１１１は、真性半導体層１０６，１１０，１１５と同様の半導体にｎ型のドーパント（リン等）を添加したｎ型の半導体層であり、具体的には、ｎ型非晶質シリコン層である。
【０１４２】
逆導電型半導体層１１６は、半導体基板１０５及び一導電型半導体層１１１とは異なる導電型の半導体層である。
【０１４３】
本実施形態の逆導電型半導体層１１６は、真性半導体層１０６，１１０，１１５と同様の半導体にｐ型のドーパント（ホウ素等）を添加したｐ型半導体層であり、具体的には、ｐ型非晶質シリコン層である。
【０１４４】
反射防止層１０７は、透光性をもち、且つ光の反射を抑制する低反射層である。
【０１４５】
反射防止層１０７は、例えば、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化チタンなどの金属酸化物や窒化ケイ素等の金属窒化物などで形成できる。
【０１４６】
透明電極層１２０，１２１は、例えば、酸化亜鉛、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化チタン、酸化錫、酸化タングステン、酸化モリブデンなどの透明導電性酸化物で形成できる。
【０１４７】
金属電極層１２２，１２３は、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケル、パラジウム等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成できる。
【０１４８】
第１実施形態の熱処理装置１によれば、第２支柱部２３ａ，２３ｂによって後方側への移動が規制されているため、基板支持ラック３を加熱室２に入れる際に仕掛太陽電池基板２００が基板支持ラック３から落下しにくい。
【０１４９】
上記した実施形態では、支持板部５１ａ〜５１ｄの傾斜部５３は、前後方向（仕掛太陽電池基板２００の挿脱方向）に連続して延びていたが、本発明はこれに限定されるものではない。支持板部５１の傾斜部５３は、図２１（ａ）のように、前後方向に断続的に延びていてもよい。
【０１５０】
上記した実施形態では、支持板部５１の傾斜面５５は、平面であったが、本発明はこれに限定されるものではない。支持板部５１の傾斜面５５は、図２１（ｂ）のように、曲面であってもよい。
【０１５１】
上記した実施形態では、使用形態の一例として、基板支持ラック３に仕掛太陽電池基板２００を設置した状態で加熱室２の内部に設置し、基板支持ラック３に仕掛太陽電池基板２００を設置した状態で加熱室２から外部に取り出した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。加熱室２の内部に基板支持ラック３を設置し、その状態で仕掛太陽電池基板２００を設置してもよいし、加熱室２の内部に基板支持ラック３を設置した状態で仕掛太陽電池基板２００のみを外部に取り出してもよい。
【０１５２】
上記した実施形態では、パターニングされたレジスト層１３３，１７６が下面となるように支持板部５１に載置したが、本発明はこれに限定されるものではない。パターニングされたレジスト層１３３，１７６が上面となるように支持板部５１に載置してもよい。
【０１５３】
上記した実施形態では、４つの支持板部５１で仕掛太陽電池基板２００を支持していたが、本発明はこれに限定されるものではない。３つの支持板部５１で支持してもよいし、図２２（ａ）のように５つの支持板部５１で仕掛太陽電池基板２００を支持していてもよいし、図２２（ｂ）のように６つの支持板部５１で仕掛太陽電池基板２００を支持してもよい。勿論、７つ以上の支持板部５１で仕掛太陽電池基板２００を支持してもよい。
【０１５４】
上記した実施形態では、逆導電型半導体層１１６と透明導電膜１７５をパターニングする際に熱処理装置を使用したが、本発明はこれに限定されるものではない。他の層をパターニングする際に熱処理装置を使用してもよい。また、逆導電型半導体層１１６と透明導電膜１７５の一方の層をパターニングする際にのみ用いてもよい。
【０１５５】
上記した実施形態では、バックコンタクト型の太陽電池１００の製造工程において熱処理装置１を使用したが、本発明はこれに限定されるものではない。熱処理装置１は、他の種類の太陽電池の製造工程においても使用できる。
【符号の説明】
【０１５６】
１．熱処理装置
２．加熱室
３．基板支持ラック
１３．加熱空間
２０．天板部（連結部材）
２１．底板部（連結部材）
２２ａ〜２２ｄ．第１支柱部（第１支持部材）
２２ｃ，２２ｄ．第１支柱部（第２支持部材）
２５．支持ユニット（第１支持部材）
２６．支持ユニット（第２支持部材）
５１ａ．支持板部（第１支持板部）
５１ｂ．支持板部（第３支持板部）
５１ｃ．支持板部（第２支持板部）
５１ｄ．支持板部（第４支持板部）
５３．傾斜部
５５．傾斜面
６０．溝部
１０５．半導体基板
１２５．表側主面
１２６．裏側主面
１３０，１３１，１７０，１７１．レジスト材料
１３３，１７６．第１レジスト層
１３５，１７７．第２レジスト層
１４０．横側延伸部（第１延伸部）
１４１．縦側延伸部（第２延伸部）
１４５．第１角部
１４６．第２角部
１６２．縦辺（２辺，一辺）
１６３．縦辺（２辺，他辺）
１７８．非塗布部分
２００．仕掛太陽電池基板
２００ａ．第１仕掛太陽電池基板
２００ｂ．第２仕掛太陽電池基板
２０１ａ，２０１ｂ．下地基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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