(57)【要約】【課題】ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハを提供する。【解決手段】本発明を適用した半導体ウェーハの製造方法の一例である半導体ウェーハの製造方法では、大口径である第１の半導体ウェーハＷ１から小口径の第２の半導体ウェーハＷ２を複数切り出す工程において、第２の半導体ウェーハＷ２の表面及び裏面に面取り加工を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体ウェーハから、表面の外周縁部と、前記表面と反対の裏面の外周縁部が面取りされた複数の第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、
前記第１の半導体ウェーハの第１の面上のレジストに２次元又は３次元のパターンを形成して、プラズマエッチングを行う第１の工程と、
前記第１の半導体ウェーハの前記第１の面とは反対の面である第２の面上のレジストに２次元又は３次元のパターンを形成して、プラズマエッチングを行い、同第１の半導体ウェーハを複数の前記第２の半導体ウェーハに分割する第２の工程と、を備える
半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程は、等方性プラズマエッチングを行い、
前記第２の工程は、等方性プラズマエッチングを行った後に、異方性プラズマエッチングを行う
請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程及び前記第２の工程は、レジストに対して、少なくとも厚み方向に差を設けてプラズマエッチングを行う
請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第１の工程及び前記第２の工程は、レジストに対して、所定のフォトマスクを介してパターン形成した後、同レジストに熱をかけて、３次元的に少なくとも厚み方向に差を設ける
請求項３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程及び前記第２の工程は、レジストに対して、グレースケールリソグラフィー法でパターン形成すると共に、３次元的にレジストの厚み方向に差を設ける
請求項３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項６】
３次元的に厚み方向に差を設けたレジストに熱をかける
請求項５に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程は、レジストに対して、少なくとも厚み方向に差を設けてプラズマエッチングを行い、
前記第２の工程は、等方性プラズマエッチングを行った後に、異方性プラズマエッチングを行う
請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程は、等方性プラズマエッチングを行った後に、異方性プラズマエッチングを行い、
前記第２の工程は、レジストに対して、少なくとも厚み方向に差を設けてプラズマエッチングを行う
請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項９】
前記第１の面は、前記第２の半導体ウェーハの裏面となる面であり、
前記第２の面は、前記第２の半導体ウェーハの表面となる面であり、
前記第１の工程の前に、前記第１の面及び前記第２の面に、鏡面研磨加工及び洗浄が施される
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７又は請求項８に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の面は、前記第２の半導体ウェーハの裏面となる面であり、
前記第２の面は、前記第２の半導体ウェーハの表面となる面であり、
前記第１の工程の前に、前記第１の面に、鏡面研磨加工及び洗浄が施され、
前記第２の工程の前に、前記第２の面に、鏡面研磨加工及び洗浄が施される
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７又は請求項８に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項１１】
第１の半導体ウェーハからの分割物であり、
表面の外周縁部と、前記表面と反対の裏面の外周縁部が面取りされたことを特徴とする
半導体ウェーハ。
【請求項１２】
前記表面の外周縁部の面取り形状と、前記裏面の外周縁部の面取り形状とが異なる
請求項１１に記載の半導体ウェーハ。
【請求項１３】
少なくとも１層のエピタキシャル層が形成された
請求項１１又は請求項１２に記載の半導体ウェーハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハに関する。詳しくは、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハに係るものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造のファブとして、各製造プロセスの処理装置において可能な部分を標準化し、小口径化したウェーハを１枚収納した密閉搬送容器で搬送し、その処理装置のプロセス処理部と密閉容器をクリーンな雰囲気にすることにより、ファブ建設コスト、デバイス製造コスト、製造工期を最小化するミニマルファブシステムと呼ばれる製造方法が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このミニマルファブシステムでは、直径が例えば３００ｍｍといった大口径の半導体ウェーハを用いるのではなく、０．５インチ（約１２．５ｍｍ）の小口径の半導体ウェーハを用いて半導体チップを製造する。
【０００４】
なお、半導体ウェーハには、素材として、シリコンウェーハ、エピウェーハ、ＳＯＩウェーハ、さらに化合物半導体の素材、例えば、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ、サファイア、ダイアモンド等が存在する。
【０００５】
また、ミニマルファブシステムによれば、ライン構築にかかる初期投資額を大幅に抑制しつつ、少量かつ多品種の半導体チップを効率よく製造できるものと期待されている。
【０００６】
ここで、ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハを作製する方法として、例えば、大口径の半導体ウェーハ（例えば、シリコンウェーハ）を機械的に打ち抜く方法や、レーザービームを用いて切り出す方法が存在する。
【０００７】
しかしながら、大口径のシリコンウェーハを機械的に打ち抜く方法では、打ち抜き後に断面が損傷を受けているため、面取りやエッチング等の追加工程が必要となる。また、小口径のシリコンウェーハを面取り及びエッチングした後、再度の研磨及び洗浄を行わなければならない。
【０００８】
このような小口径のシリコンウェーハを研磨する場合、一度に多数を処理する作業が非常に煩雑であり、高い精度が得られにくい。また、洗浄工程では、小口径のシリコンウェーハが洗浄液から浮いてしまい、正しく洗浄することが難しい。
【０００９】
更に、研磨及び洗浄を行った後に、平坦度測定やパーティクル測定を行って、品質を確認する必要があるが、現在の半導体デバイスに要求される高精度な平坦度測定やパーティクル測定を、小口径のシリコンウェーハに対して実行することは容易ではない。
【００１０】
また、大口径のシリコンウェーハにレーザービームを照射することによって切り出す方法では、一度に多数の小口径のシリコンウェーハを切り出すことができず、生産性が低いという問題がある。
【００１１】
更に、レーザービームを照射する方法においても、切り出された小口径のシリコンウェーハの断面が損傷を受けているため、機械的に打ち抜く方法と同様、面取り、エッチング、研磨、洗浄等の工程が必要となってしまう。
【００１２】
こうしたなか、大口径のシリコンウェーハから、断面に損傷を与えることなく、小口径のシリコンウェーハを複数個同時に切り出す方法が提案されており、例えば、特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法が存在する。
【００１３】
ここで、特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法では、異方性プラズマエッチングを用いて大口径のシリコンウェーハを分割することにより、小口径のシリコンウェーハを複数個同時に切り出すものとなっている。
【００１４】
この特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法では、異方性プラズマエッチングを用いたことで、エッチング断面に損傷が生じず、その後の処理が基本的に不要となるという利点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１２−５４４１４号公報
【特許文献２】特開２０１６−１３１１７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上述した特許文献２に記載のシリコンウェーハの製造方法では、小口径のシリコンウェーハの裏面側において、面取りの形状が所望の形状に加工できないという問題があった。
【００１７】
しかも、異方性エッチング、即ち、ウェーハ面に垂直にエッチングを施すため、個片化された小口径のシリコンウェーハの端面が垂直になっており、端面形状の加工を、別途行わなくてはならない問題があった。
【００１８】
例えば、表面側から等方エッチングを行った場合には裏面側に、円弧状２００の加工がなされ（図２６（ａ）参照）、更にエッチングが進むと、行場を失ったエッチングガスが側方に向かってシリコンウェーハを削り、ノッチ２０１と呼ばれる溝状の形状（図２６（ｂ）参照）が形成されてしまう。
【００１９】
ミニマルファブシステム用の半導体ウェーハでは、上述したように、専用の密閉搬送容器で搬送がなされるが、この搬送用容器内に小口径の半導体ウェーハを載置する際には、裏面側に所定角度のテーパ状の面取りが形成されることが好ましい。
【００２０】
また、小口径の半導体ウェーハを種々の半導体デバイスに採用する際に、表面及び裏面が所望の形状に加工されることで、製造効率や品質の向上に寄与するものとなる。
【００２１】
一方、上記のような円弧状や溝状の形状が半導体ウェーハの裏面側に形成された際には、搬送用容器内において不安定な配置となるおそれがあり、ひいては、各処理部での不具合に繋がることも考えられる。
【００２２】
また、シリコンウェーハ上に、レジストを点状にディスペンス（塗布）して、熱を加えることで、微細なレンズ形状を作り、プラズマエッチングでシリコンレンズを形成することが一般的に行われている。
【００２３】
しかしながら、このような技術で作成できるレンズの大きさは、横方向及び縦方向のいずれも、たかだか数μｍ程度のサイズに限定される。
【００２４】
従って、ミニマルファブシステムの半導体ウェーハの製造工程で要求される、横方向や、縦方向に１００μｍ程度の長さを有する形状の面取り加工を行うことは困難であった。
【００２５】
本発明は、以上の点に鑑みて創案されたものであり、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、第１の半導体ウェーハから、表面の外周縁部と、前記表面と反対の裏面の外周縁部が面取りされた複数の第２の半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法であって、前記第１の半導体ウェーハの第１の面上のレジストに２次元又は３次元のパターンを形成して、プラズマエッチングを行う第１の工程と、前記第１の半導体ウェーハの前記第１の面とは反対の面である第２の面上のレジストに２次元又は３次元のパターンを形成して、プラズマエッチングを行い、同第１の半導体ウェーハを複数の前記第２の半導体ウェーハに分割する第２の工程と、を備える。
【００２７】
ここで、第１の工程で、第１の半導体ウェーハの第１の面上のレジストに２次元又は３次元のパターンを形成して、プラズマエッチングを行うことによって、第１の面を面取り加工することが可能となる。
【００２８】
また、第２の工程で、第１の半導体ウェーハの第１の面とは反対の面である第２の面上のレジストに２次元又は３次元のパターンを形成して、プラズマエッチングを行うことによって、第２の面を面取り加工することが可能となる。また、第２の面にプラズマエッチングを行うことから、第１の面の側から第２の面にプラズマエッチングを行う方法と比較して、第２の面において精度の高い面取り加工を施すことが可能となる。
【００２９】
また、第２の工程で、プラズマエッチングを行い、第１の半導体ウェーハを複数の第２の半導体ウェーハに分割することによって、第１の半導体ウェーハから複数の第２の半導体ウェーハを同時に切り出すことが可能となる。即ち、例えば、第１の半導体ウェーハを、大口径の半導体ウェーハとすれば、プラズマエッチングにより、小口径の第２の半導体ウェーハを切出し可能となる。また、切り出された第２の半導体ウェーハは、第１の面及び第２の面が所望の形状に面取り加工がされたものとなる。更に、プラズマエッチングで第２の半導体ウェーハに分割することから、従来の機械的な打ち抜きやレーザービームの照射による半導体ウェーハの切出し方法のように、切出し後にダメージを除去するための面取りやエッチング等の各工程を行う必要が無くなる。また、ダメージを除去するための各工程が不要になることから、第１の半導体ウェーハの平坦度がそのまま第２の半導体ウェーハの平坦度へと反映される。この結果、第２の半導体ウェーハに対して高精度な平坦度測定やパーティクル測定等を行う必要がなくなり、製造効率を向上させることができる。更に、第２の半導体ウェーハの表面状態を高品質なものとすることができる。また、既存技術に置いては、ウェーハから小さな個片を切り出す場合、当然加工方向は垂直になるため、結果的な切り出した個片の端面は原理的に垂直になる。このため、個片化端面の形状を制御するということが従来は不可能であった。従って、従来は、切り出した個片の端面は、切り出し後に加工する必要があった。これに対して、本発明では、レジストのパターンと３次元形状を工夫することによって、切り出しプロセスにおいて、同時に端面形状を制御することができる。このことによって、従来の第１の半導体ウェーハから第２の半導体ウェーハを切り出した後に、第２の半導体ウェーハの面取り加工を行う製造に比べて、製造効率を大幅に向上させることができる。
【００３０】
また、第１の工程で、等方性プラズマエッチングを行い、第２の工程で、等方性プラズマエッチングを行う場合には、第１の面及び第２の面をテーパ状に面取り加工することが可能となる。
【００３１】
また、異方性エッチングで問題になる、切り出し端面形状の垂直性を解決するために、第１の工程で、等方性プラズマエッチングを行い、第２の工程で、等方性プラズマエッチングを行った後に、異方性プラズマエッチングを行う場合には、異方性プラズマエッチングにより、第１の半導体ウェーハを複数の第２の半導体ウェーハに分割することが可能となる。この際、第１の面及び第２の面には、精度良く台形状面取りの加工を施すことができる。
【００３２】
また、異方性エッチングで問題になる、切り出し端面形状の垂直性を解決するために、第１の工程及び第２の工程で、レジストに対して、少なくとも厚み方向に差を設けてプラズマエッチングを行う場合には、第１の面及び第２の面に、レジストの形状に対応した所望の形状を反映させた面取り加工を行うことができる。即ち、レジストが少なくとも厚み方向に差のある形状に形成され、当該レジストに対応した形状を、第１の半導体ウェーハの第１の面及び第２の面に反映させることができる。また、例えば、第１の工程でのプラズマエッチングで、第１の半導体ウェーハの厚み方向の半分を加工し、第２の工程でのプラズマエッチングで、第１の半導体ウェーハの厚み方向のもう半分を加工して、第１の半導体ウェーハを複数の第２の半導体ウェーハに分割することが可能となる。
【００３３】
なお、異方性と等方性を組み合わせることは、ウェーハ切り出し加工技術では容易に想到できない。なぜなら、等方性エッチングでは、その水平エッチングレートは、垂直エッチングの副次効果であり、元来制御できないからである。本発明においては、水平エッチングの非制御性を、レジストの2次元または３次元パターン化で克服し、端面形状を制御することができる。
【００３４】
また、第１の工程及び第２の工程で、レジストに対して、所定のフォトマスクを介してパターン形成した後、レジストに熱をかけて、３次元的に少なくとも厚み方向に差を設ける場合には、所定のフォトマスクに応じたパターンをレジストに設けて、更にレジストに熱をかけることで、少なくとも厚み方向に差を設ける加工を施すことができる。この厚み方向に差を設けたレジストを介してプラズマエッチングを行うことで、第１のウェーハにおける第１の面及び第２の面に、レジストの形状に対応した所望の形状を反映させた面取り加工を行うことができる。
【００３５】
また、第１の工程及び第２の工程で、レジストに対して、グレースケールリソグラフィー法でパターン形成すると共に、３次元的にレジストの厚み方向に差を設ける場合には、レジストへのパターニング加工と、厚み方向に差を設ける加工を、一工程で行うことができる。この厚み方向に差が形成されたレジストを介してプラズマエッチングを行うことで、第１のウェーハにおける第１の面及び第２の面に、レジストの形状に対応した所望の形状を反映させた面取り加工を行うことができる。
【００３６】
また、３次元的に厚み方向に差を設けたレジストに熱をかける場合には、グレースケールリソグラフィー法で、少なくとも厚み方向に差を設ける加工を施したレジストの表面をより滑らかにすることができる。即ち、第１のウェーハにおける第１の面及び第２の面の面取り加工の精度を向上させることができる。
【００３７】
また、第１の工程で、レジストに対して、少なくとも厚み方向に差を設けてプラズマエッチングを行い、第２の工程で、等方性プラズマエッチングを行った後に、異方性プラズマエッチングを行う場合には、第１の面に、レジストの形状に対応した所望の形状を反映させた面取り加工を行い、第２の面をテーパ状に面取り加工することが可能となる。なお、ここで、第２の工程における等方性プラズマエッチングがなされるレジストとは、２次元または３次元のパターニングがされたレジストである。
【００３８】
また、第１の工程で、等方性プラズマエッチングを行った後に、異方性プラズマエッチングを行い、第２の工程で、レジストに対して、少なくとも厚み方向に差を設けてプラズマエッチングを行う場合には、第２の面に、レジストの形状に対応した所望の形状を反映させた面取り加工を行い、第１の面をテーパ状に面取り加工することが可能となる。なお、ここで、第１の工程における等方性プラズマエッチングがなされるレジストとは、２次元または３次元のパターニングがされたレジストである。
【００３９】
また、第１の面が、第２の半導体ウェーハの裏面となる面であり、第２の面が、第２の半導体ウェーハの表面となる面であり、第１の工程の前に、第１の面及び第２の面に、鏡面研磨加工及び洗浄が施される場合には、第１の工程に供する第１の半導体ウェーハにおける第１の面及び第２の面の両面を、高度に平坦化及び清浄化した品質の面にすることができる。
【００４０】
また、第１の面が、第２の半導体ウェーハの裏面となる面であり、第２の面が、第２の半導体ウェーハの表面となる面であり、第１の工程の前に、第１の面に、鏡面研磨加工及び洗浄が施され、第２の工程の前に、第２の面に、鏡面研磨加工及び洗浄が施される場合には、第２の工程に供する第１の半導体ウェーハの第２の面を、高度に平坦化及び清浄化した品質の面にすることができる。即ち、例えば、第２の工程で、第１の半導体ウェーハの第２の面に面取り加工を施す際に、第１の半導体ウェーハの第２の面（第２の半導体ウェーハの表面）を下面にしてチャックする工程を除くことで、第２の半導体ウェーハの表面を、高度に平坦化及び清浄化した品質に維持することができる。
【００４１】
また、上記の目的を達成する為に、本発明の半導体ウェーハは、第１の半導体ウェーハからの分割物であり、表面の外周縁部と、表面と反対の裏面の外周縁部が面取りされたことを特徴とするものとなっている。
【００４２】
ここで、半導体ウェーハが、第１の半導体ウェーハからの分割物であることによって、第１の半導体ウェーハより小口径の半導体ウェーハとして利用可能となる。即ち、例えば、第１の半導体ウェーハを、大口径のシリコンウェーハとすれば、本発明の半導体ウェーハを、ミニマルファブシステム用の小口径のシリコンウェーハとして利用することができる。
【００４３】
また、表面の外周縁部と、表面と反対の裏面の外周縁部が面取りされたことによって、半導体ウェーハを種々の用途に利用しやすくなる。即ち、例えば、ミニマルファブシステムで利用される密閉搬送容器の中で、容器内に安定して配置しやすいものとすることができる。
【００４４】
また、表面の外周縁部の面取り形状と、裏面の外周縁部の面取り形状とが異なる場合には、より一層、半導体ウェーハを種々の用途に利用しやすいものとなる。例えば、半導体ウェーハの表面と裏面との区別が容易な形状とすることができる。また、例えば、裏面は半導体装置に規定された形状に合わせ、表面はユーザーの希望する形状に製造することも可能となる。更に、半導体ウェーハの表面の面取り幅を狭くして、薄い半導体装置の製造に利用しやすくすることもできる。
【００４５】
また、表面上に少なくとも１層のエピタキシャル層が形成された場合には、欠陥の少ない結晶表面部を得やすいものとなる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な方法となっている。
また、本発明に係る半導体ウェーハは、表面及び裏面に所望の面取り加工を施されたものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図２】図１に続いて、本発明の第１の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図４】図３に続いて、本発明の第２の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図６】図５に続いて、本発明の第３の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図７】図５及び図６に続いて、本発明の第３の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図９】図８に続いて、本発明の第４の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１０】図８及び図９に続いて、本発明の第４の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１１】本発明の第５の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１２】図１１に続いて、本発明の第５の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１３】本発明の第６の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１４】図１３に続いて、本発明の第６の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１５】本発明の第７の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１６】図１５に続いて、本発明の第７の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１７】図１５及び図１６に続いて、本発明の第７の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１８】本発明の第８の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図１９】図１８に続いて、本発明の第８の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図２０】表面と裏面で上下非対称な面取り部が形成されたシリコンウェーハの形状を示す概略図である。
【図２１】本発明の第９の実施の形態における製造工程の流れの一部を示す工程説明図である。
【図２２】本発明の第１０の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図２３】図２２に続いて、本発明の第１０の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図２４】図２２及び図２３に続いて、本発明の第１０の実施の形態における製造工程の流れを示す工程説明図である。
【図２５】第１のウェーハの表面を面取り加工した形状を示す写真データである。
【図２６】従来の製造方法におけるシリコンウェーハ裏面側の形状を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００４８】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」と称する）を説明する。
なお、本実施の形態においては、各図において、第１のシリコンウェーハＷ１の表面と裏面の位置が上下で入れ替わることがあり、各図において、表面を符号Ｆ、裏面を符号Ｂで示すものとする。また、以下の説明においては、同一の機能を有する部材には同一又は関連する符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００４９】
［第１の実施の形態］
図１及び図２を参照しながら、本発明の第１の実施の形態である半導体ウェーハの製造方法について説明する。
本発明の第１の実施の形態では、大口径である第１の半導体ウェーハＷ１から小口径の第２の半導体ウェーハＷ２を複数切り出す工程において、第２の半導体ウェーハＷ２の表面及び裏面に面取り加工を行う。
【００５０】
第１の半導体ウェーハＷ１は、既知の製造方法によって製造されるものであり、その製造方法に関する詳細な説明は省略する。また、第１の半導体ウェーハＷ１は、製造後、平坦度の測定やパーティクルの測定が行われることが好ましい。
【００５１】
また、第１の半導体ウェーハＷ１は、例えば、直径が１５０ｍｍ、２００ｍｍ又は３００ｍｍである高品位シリコンウェーハを用いることができる。なお、本発明が適用可能な半導体ウェーハには、素材として、シリコンウェーハ、エピウェーハ、ＳＯＩウェーハ、さらに化合物半導体の素材、例えば、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ、サファイア、ダイアモンド等がある。以下では、シリコンウェーハを一例に説明を行う。
【００５２】
また、特に限定されるものではないが、小口径である第２の半導体ウェーハＷ２については、直径が０．５インチ（約１２．５ｍｍ）であることが好ましい。これは、ミニマルファブシステムに適した口径である。
【００５３】
また、第１の半導体ウェーハＷ１の厚さについては特に限定されないが、デバイスプロセスに用いられる第２の半導体ウェーハＷ２の直径を０．５インチとした場合、ハンドリング性の確保に必要な機械的強度と、プラズマエッチングの容易性とを考慮した場合、第１の半導体ウェーハＷ１の厚みは、２００〜５５０μｍであることが好ましく、２５０±１０μｍであることがより好ましい。
【００５４】
以下の内容では、第１のシリコンウェーハＷ１を製造した後の工程から説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜２０が形成されている。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ（酸化膜２０の上）にレジスト１０を塗布する。
【００５５】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図１（ｄ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１（ｂ）参照）。
【００５６】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラを形成したい領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【００５７】
次に、プラズマエッチングによりラインオリフラ３０を形成したい領域の酸化膜２０を除去し、更に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図１（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【００５８】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１（ｅ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図１（ｅ）参照）。
【００５９】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにウェーハ加工用のフォトマスク４１を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１（ｆ）参照）。
【００６０】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１（ｇ）参照）。これにより、最終的に、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２同士の間となる領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【００６１】
次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去し、更に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに面取り部５０を形成する（図１（ｈ）参照）。
【００６２】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図２（ｉ）で見る上方に表面Ｆが位置するようにする。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂのレジスト１０を除去する（図２（ｉ）参照）。
【００６３】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図２（ｊ）参照）。
【００６４】
次に、図１（ｆ）と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにウェーハ加工用のフォトマスク４１を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図２（ｋ）参照）。
【００６５】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図２（ｌ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂの面取り部５０が形成された領域と反対側の領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。
【００６６】
次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去し、更に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに面取り部５１を形成する（図２（ｍ）参照）。
【００６７】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５０及び面取り部５１に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図２（ｎ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。
【００６８】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７０が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、等方性エッチングによる面取り部５０、５１が形成される。なお、図２（ｎ）では、説明の便宜上、図中には第２のシリコンウェーハＷ２を２つだけ示しているが、第１のシリコンウェーハＷ１の直径方向において多数の第２のシリコンウェーハＷ２が形成されている。
【００６９】
ここで、必ずしも、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０が形成される必要はない。但し、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の区別が可能となり、その後の工程で第２のシリコンウェーハＷ２を利用しやすくなる観点から、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０が形成されることが好ましい。
【００７０】
本発明の第１の実施の形態では、以上のように、ラインオリフラを形成しながら、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハを形成することができる。また、第２のシリコンウェーハの表面だけでなく、裏面にも所望の形状の面取り部を精度高く形成することができる。
【００７１】
また、本発明の第１の実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハにおいて更なる面取りやエッチングといった追加工程を行う必要がなくなる。
【００７２】
更に、本発明の第１の実施の形態では、プラズマエッチングにより複数の第２のシリコンウェーハを切り出す為、第２のシリコンウェーハにおいて、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することができる。
【００７３】
この点は、第２のシリコンウェーハを、直径が０．５インチ（約１２．５ｍｍ）の小口径のミニマルファブシステム用のウェーハとして利用する点で大きな利点となる。まず、そもそも、ミニマルファブシステム用のサイズのウェーハでは、平坦度測定やパーティクル測定における測定精度が大口径ウェーハ測定精度より劣るため、第１のシリコンウェーハＷ１の表面状態を維持することで、測定の工程なしにウェーハの品質を担保することが可能となる。
【００７４】
更に、例えば、第１のシリコンウェーハＷ１の直径が２００ｍｍであれば、現行のウェーハ形成技術によれば、平坦度がGBIR＜２μｍ、SBIR（Ｗ２のGBIR相当）＜０．１μｍの加工精度の表面状態とすることができる。また、パーティクルについては、０．２μｍ以上＜１個、０．１μｍ以上＜１００個以下のクリーン度で形成しうる。即ち、第２のシリコンウェーハについても、直径２００ｍｍのサイズのシリコンウェーハと同一の平坦度及びパーティクルの品質を引き継ぐことができ、高品質な表面状態のシリコンウェーハとなる。
【００７５】
従来のレーザーによる切出加工による小口径のシリコンウェーハの形成方法では、上述したような平坦度及びパーティクルの品質を実現することは困難であり、この点においても、本発明の第１の実施の形態は優れたものとなる。なお、本発明の第２の実施の形態以降においても同様の利点を有している。
【００７６】
更に、本発明の第１の実施の形態では、面取り加工した第２のシリコンウェーハＷ２を、第１のシリコンウェーハＷ１から複数切り出す際、レジストのパターンと３次元形状を工夫することによって、切り出しプロセスにおいて、同時に端面形状を制御することができるため、従来の大口径のシリコンウェーハから小口径の半導体ウェーハを切り出した後に、小口径のシリコンウェーハの面取り加工を行う製造に比べて、製造効率を大幅に向上させることができる。なお、本発明の第２の実施の形態以降においても同様の利点を有している。
【００７７】
［第２の実施の形態］
図３及び図４を参照しながら、本発明の第２の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【００７８】
まず、図３（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜２０が形成されている。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ（酸化膜２０の上）にレジスト１０を塗布する。
【００７９】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３１及び表面Ｆに面取り部５１（図３（ｄ）参照）を形成するためのフォトマスク４２を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図３（ｂ）参照）。
【００８０】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図３（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３１を形成したい領域と面取り部５１を形成したい領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【００８１】
次に、プラズマエッチングによりラインオリフラ３１を形成したい領域と面取り部５１を形成したい領域の酸化膜２０を除去する。更に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３１を形成する（図３（ｄ）参照）。また、連続して、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに面取り部５１を形成する（図３（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３１及び面取り部５１を形成することができる。
【００８２】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図３（ｅ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図３（ｅ）参照）。
【００８３】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにウェーハ加工用のフォトマスク４３を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図３（ｆ）参照）。
【００８４】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図３（ｇ）参照）。これにより、最終的に、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２同士の間となる領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。
【００８５】
次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去し、更に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに面取り部５０を形成する（図４（ｈ）参照）。
【００８６】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５０及び面取り部５１に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図４（ｉ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７１が形成される。
【００８７】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７１が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、等方性エッチングによる面取り部５０、５１が形成される。
【００８８】
本発明の第２の実施の形態では、上述した第１の実施の形態と異なり、第１のシリコンウェーハの表面Ｆに対して、ラインオリフラと第１のシリコンウェーハＷ１の表面への面取り加工を連続的に行うことができ、製造工程を簡易化して、製造効率を向上させることができる。
【００８９】
［第３の実施の形態］
図５乃至図７を参照しながら、本発明の第３の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【００９０】
まず、図５（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜２０が形成されている。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ（酸化膜２０の上）にレジスト１０を塗布する。
【００９１】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図５（ｄ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図５（ｂ）参照）。
【００９２】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図５（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３０を形成したい領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【００９３】
次に、プラズマエッチングによりラインオリフラ３０を形成したい領域の酸化膜２０を除去し、更に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図５（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【００９４】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆのラインオリフラ作成用のレジスト１０を除去して、再度、表面Ｆ（酸化膜２０の上）に、レジスト１０を塗布する（図５（ｅ）参照）。
【００９５】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに酸化膜除去用のフォトマスク４４を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図５（ｆ）参照）。
【００９６】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図５（ｇ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去する（図５（ｈ）参照）。
【００９７】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図６（ｉ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂ（酸化膜２０の上）に、レジスト１０を塗布する（図６（ｉ）参照）。
【００９８】
次に、図５（ｆ）と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに酸化膜除去用のフォトマスク４４を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図６（ｊ）参照）。
【００９９】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図６（ｋ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去する（図６（ｌ）参照）。
【０１００】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図６（ｍ）で見る上方に表面Ｆが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂにおける両面のレジスト１０を除去して、更に、表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図６（ｍ）参照）。
【０１０１】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図６（ｎ）参照）。グレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５は、次工程のプラズマエッチングにおいて、表面Ｆに塗布されたレジスト１０を厚み方向に差を有した形状となるように加工する為のマスクである。
【０１０２】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図６（ｏ）参照）。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。
【０１０３】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における上半分の領域（厚み方向において表面Ｆに近い領域）を加工する（図６（ｐ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の上半分の領域には、面取り部５２と、この面取り部５２と連通した加工部５３とが形成される。
【０１０４】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図７（ｑ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図７（ｑ）参照）。
【０１０５】
次に、図６（ｎ）と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図７（ｒ）参照）。
【０１０６】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図７（ｓ）参照）。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。
【０１０７】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに、テープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する（図７（ｔ）参照）。
【０１０８】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における下半分の領域（厚み方向において裏面Ｂに近い領域）を加工する（図７（ｕ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の下半分の領域には、面取り部５４と、面取り部５４、面取り部５２及び加工部５３と連通した加工部５５とが形成される。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７２が形成される。
【０１０９】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７２が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、プラズマエッチングによる面取り部５２、５４が形成される。
【０１１０】
本発明の第３の実施の形態では、グレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５とプラズマエッチングを用いることで、レジストを厚み方向に差を有する形状にパターニングして、第１のシリコンウェーハの表面Ｆや裏面Ｂを所望の形状に加工することができる。
【０１１１】
ここで、グレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５の形状は、第１のシリコンウェーハＷ１に形成したい面取り部の形状に合わせて、適宜変更することができる。例えば、上述した形状とは異なり、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆと裏面Ｂで異なる形状の面取り部が形成され、上下非対称の面取り部が形成された第２
のシリコンウェーハＷ２を製造することも可能である。
【０１１２】
また、必ずしも、上記のように、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向で、上半分と下半分を等距離で分割してプラズマエッチングを行う必要はなく、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出し可能となっていれば充分である。例えば、厚み方向で、上半分の加工する距離と、下半分の加工する距離を異ならせることも可能である。但し、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向で、上半分と下半分を等距離で分割してプラズマエッチングを行うことで、プラズマエッチングの条件設定が容易になり、加工の精度も向上することから、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向で、上半分と下半分を等距離で分割してプラズマエッチングを行うことが好ましい。
【０１１３】
［第４の実施の形態］
図８乃至図１０を参照しながら、本発明の第４実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０１１４】
まず、図８（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜２０が形成されている。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ（酸化膜２０の上）にレジスト１０を塗布する。
【０１１５】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図８（ｄ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図８（ｂ）参照）。
【０１１６】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図８（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３０を形成したい領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【０１１７】
次に、プラズマエッチングによりラインオリフラ３０を形成したい領域の酸化膜２０を除去し、更に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図８（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【０１１８】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆのラインオリフラ作成用のレジスト１０を除去して、再度、表面Ｆ（酸化膜２０の上）に、レジスト１０を塗布する（図８（ｅ）参照）。
【０１１９】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに酸化膜除去用のフォトマスク４４を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図８（ｆ）参照）。
【０１２０】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図８（ｇ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。
【０１２１】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図８（ｈ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂ（酸化膜２０の上）に、レジスト１０を塗布する（図８（ｈ）参照）。
【０１２２】
次に、図８（ｆ）と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに酸化膜除去用のフォトマスク４４を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図９（ｉ）参照）。
【０１２３】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図９（ｊ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。
【０１２４】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１にＨＦによる化学処理を施して、表面Ｆ及び裏面Ｂの酸化膜２０の露出した部分を除去する（図９（ｋ）参照）。
【０１２５】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図９（ｌ）で見る上方に表面Ｆが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂにおける両面のレジスト１０を除去して、更に、表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図９（ｌ）参照）。
【０１２６】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図９（ｍ）参照）。
【０１２７】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図９（ｎ）参照）。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。
【０１２８】
ここで、本発明の第４の実施の形態では、現像後、パターニングされたレジスト１０を次工程でプラズマエッチングのマスクとして利用しているが、マスクとして利用する前に、現像後のレジスト１０に熱をかける工程を更に行ってもよい。
【０１２９】
現像後のレジスト１０に熱をかけることで、厚み方向に差を有する形状１０ａを含めて、レジスト１０の表面の凹凸状の荒れが少なくなり、レジスト１０の表面を滑らかなものにできる。この結果、第１のウェーハの表面や裏面の面取り加工の精度を高めることができる。この現像後のレジスト１０に熱をかける工程は、その他のグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を用いる方法で、同様に採用することが可能である。
【０１３０】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における上半分の領域（厚み方向において表面Ｆに近い領域）を加工する（図９（ｏ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の上半分の領域には、面取り部５２と、この面取り部５２と連通した加工部５３とが形成される。
【０１３１】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１０（ｐ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図１０（ｐ）参照）。
【０１３２】
次に、図９（ｍ）と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１０（ｑ）参照）。
【０１３３】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１０（ｒ）参照）。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。
【０１３４】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに、テープ６０を貼り付け、第１のシリコンウェーハＷ１の位置を固定する（図１０（ｓ）参照）。
【０１３５】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、異方性プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における下半分の領域（厚み方向において裏面Ｂに近い領域）を加工する（図１０（ｔ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の下半分の領域には、面取り部５４と、面取り部５２及び加工部５３と連通した加工部５５とが形成される。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７２が形成される。
【０１３６】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７２が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、プラズマエッチングによる面取り部５２、５４が形成される。
【０１３７】
本発明の第４の実施の形態では、上述した第３の実施の形態と異なり、面取り部及び加工部を形成する領域に対応する酸化膜２０をＨＦによる化学処理によって除去している。その為、第３の実施の形態のように、酸化膜２０を除去する為に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂの各面に対して、プラズマエッチングを行う必要がなくなる。この結果、酸化膜２０を除去する工程を簡素化して、製造効率を向上することができる。
【０１３８】
以上の説明においては、第１のシリコンウェーハＷ１又は第２のシリコンウェーハＷ２における表面及び裏面に保護膜として酸化膜２０を形成した構造を示したが、本発明に係るシリコンウェーハの製造方法では、必ずしも、酸化膜２０を形成する必要はない。以下では、酸化膜２０を形成しないシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０１３９】
［第５の実施の形態］
図１１乃び図１２を参照しながら、本発明の第５の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０１４０】
まず、図１１（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜は形成されていない。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する。
【０１４１】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図１１（ｄ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１１（ｂ）参照）。
【０１４２】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１１（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３０を形成したい領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆが露出する。
【０１４３】
次に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図１１（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【０１４４】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１１（ｅ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図１１（ｅ）参照）。
【０１４５】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにウェーハ加工用のフォトマスク４１を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１１（ｆ）参照）。
【０１４６】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１１（ｇ）参照）。これにより、最終的に、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２同士の間となる領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂが露出する。
【０１４７】
次に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに面取り部５０を形成する（図１１（ｈ）参照）。
【０１４８】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１２（ｉ）で見る上方に表面Ｆが位置するようにする。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂのレジスト１０を除去する（図１２（ｉ）参照）。
【０１４９】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図１２（ｊ）参照）。
【０１５０】
次に、図１１（ｆ）と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにウェーハ加工用のフォトマスク４１を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１２（ｋ）参照）。
【０１５１】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１２（ｌ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂの面取り部５０が形成された領域と反対側の領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆが露出する。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。
【０１５２】
次に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに面取り部５１を形成する（図１２（ｍ）参照）。
【０１５３】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５０及び面取り部５１に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図１２（ｎ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。
【０１５４】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７０が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、等方性エッチングによる面取り部５０、５１が形成される。
【０１５５】
ここで、必ずしも、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０が形成される必要はない。但し、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の区別が可能となり、その後の工程で第２のシリコンウェーハＷ２を利用しやすくなる観点から、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０が形成されることが好ましい。
【０１５６】
なお、図２５は、第４の実施の形態で加工した第１のシリコンウェーハの面取り部５２とその近傍の形状示す写真データである。図２２では、第１のシリコンウェーハの表面から内部方向に向けて、滑らかな曲面で面取り加工された形状を確認することができる。
【０１５７】
［第６の実施の形態］
図１３及び図１４を参照しながら、本発明の第６の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０１５８】
まず、図１３（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜は形成されていない。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する。
【０１５９】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３１及び表面Ｆに面取り部５１（図１３（ｄ）参照）を形成するためのフォトマスク４２を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１３（ｂ）参照）。
【０１６０】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１３（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３１を形成したい領域と面取り部５１を形成したい領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆが露出する。
【０１６１】
次に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３１を形成する（図１３（ｄ）参照）。また、連続して、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに面取り部５１を形成する（図１３（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３１及び面取り部５１を形成することができる。
【０１６２】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１３（ｅ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図１３（ｅ）参照）。
【０１６３】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにウェーハ加工用のフォトマスク４３を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１３（ｆ）参照）。
【０１６４】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１３（ｇ）参照）。これにより、最終的に、隣接する第２のシリコンウェーハＷ２同士の間となる領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の表面（裏面Ｂの表面）が露出する。また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。
【０１６５】
次に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに面取り部５０を形成する（図１４（ｈ）参照）。
【０１６６】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５０及び面取り部５１に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図１４（ｉ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７１が形成される。
【０１６７】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７１が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、等方性エッチングによる面取り部５０、５１が形成される。
【０１６８】
［第７の実施の形態］
図１５乃至図１７を参照しながら、本発明の第７の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０１６９】
まず、図１５（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜２０が形成されている。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する。
【０１７０】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図１５（ｄ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１５（ｂ）参照）。
【０１７１】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１５（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３０を形成したい領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【０１７２】
次に、プラズマエッチングによりラインオリフラ３０を形成したい領域の酸化膜２０を除去し、更に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図１５（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【０１７３】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆのレジスト１０を除去して、更に、表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図１５（ｅ）参照）。
【０１７４】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに酸化膜除去用のフォトマスク４４を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１５（ｆ）参照）。
【０１７５】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１５（ｇ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去する（図１５（ｈ）参照）。
【０１７６】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆのレジスト１０を除去して、更に、表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図１６（ｉ）参照）。
【０１７７】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１６（ｊ）参照）。
【０１７８】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１６（ｋ）参照）。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。
【０１７９】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、異方性プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における上半分の領域（厚み方向において表面Ｆに近い領域）を加工する（図１６（ｌ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の上半分の領域には、面取り部５２と、この面取り部５２と連通した加工部５３とが形成される。
【０１８０】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１６（ｍ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図１６（ｍ）参照）。
【０１８１】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに酸化膜除去及びエッチング用のフォトマスク４６を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１６（ｎ）参照）。
【０１８２】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１６（ｏ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。
【０１８３】
次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去する（図１７（ｐ）参照）。
【０１８４】
次に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂに面取り部５０を形成する（図１７（ｑ）参照）。
【０１８５】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５０及び加工部５３に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図１７（ｒ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７３が形成される。
【０１８６】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７３が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、面取り部５０、５２が形成される。
【０１８７】
本発明の第７の実施の形態によれば、グレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を用いた加工と、等方性プラズマエッチング及び異方性プラズマエッチングによる加工とを組み合わせて、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出すことが可能となっている。
【０１８８】
［第８の実施の形態］
図１８及び図１９を参照しながら、本発明の第８の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０１８９】
まず、図１８（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに保護膜として酸化膜２０が形成されている。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する。
【０１９０】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図１８（ｄ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１８（ｂ）参照）。
【０１９１】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１８（ｃ）参照）。これにより、ラインオリフラ３０を形成したい領域に対応する酸化膜２０の表面が露出する。
【０１９２】
次に、プラズマエッチングによりラインオリフラ３０を形成したい領域の酸化膜２０を除去し、更に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図１８（ｄ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【０１９３】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１８（ｅ）で見る上方に裏面Ｂが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する（図１８（ｅ）参照）。
【０１９４】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにグレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１８（ｆ）参照）。
【０１９５】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１８（ｇ）参照）。これにより、レジスト１０には、厚み方向に差を有する領域１０ａが形成される。
【０１９６】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、異方性プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における上部の領域（厚み方向において裏面Ｂに近い領域）を加工する（図１８（ｈ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の上部の領域には、面取り部５４が形成される。
【０１９７】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏面のレジスト１０を除去して、次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、図１９（ｉ）で見る上方に表面Ｆが位置するようにする。また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図１９（ｉ）参照）。
【０１９８】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに酸化膜除去及びエッチング用のフォトマスク４６を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図１９（ｊ）参照）。
【０１９９】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図１９（ｋ）参照）。これにより、酸化膜２０の表面が露出する。また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する。
【０２００】
次に、プラズマエッチングにより酸化膜２０を除去する（図１９（ｌ）参照）。
【０２０１】
次に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに面取り部５１を形成する（図１９（ｍ）参照）。
【０２０２】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５１及び面取り部５４に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図１９（ｎ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７３が形成される。
【０２０３】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７３が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆ及び裏面Ｂには、それぞれ、面取り部５０、５２が形成される。
【０２０４】
本発明の第８の実施の形態によれば、第７の実施の形態と同様に、グレースケールリソグラフィー用のフォトマスク４５を用いた加工と、等方性プラズマエッチング及び異方性プラズマエッチングによる加工とを組み合わせて、第１のシリコンウェーハＷ１から複数の第２のシリコンウェーハＷ２を切り出すことが可能となっている。
【０２０５】
ここで、本発明では、必ずしも、第２のシリコンウェーハの表面と裏面に形成される面取り部が上下対称の形状となる必要はない。プラズマエッチングの条件や、マスクの形状を変えて、表面と裏面で形状が異なる、上下非対称の面取り部を第２のシリコンウェーハに形成することが可能である。例えば、図２０に示すように、第２のシリコンウェーハにおいて、表面は曲面状の面取り部９０、裏面はテーパ状の面取り部９１が形成された形状に製造することもできる。
【０２０６】
［第９の実施の形態］
図２１を参照しながら、本発明の第９の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０２０７】
本発明の第９の実施の形態は、基本的な製造工程の流れは、上述した第５の実施の形態と共通しており、第１のシリコンウェーハの表面や裏面に塗布したレジスト１０に、厚み方向に差のある形状１０ａを設ける方法が異なっている。その為、以下では、レジスト１０に、厚み方向に差のある形状１０ａを設ける点を中心に説明を行う。
【０２０８】
図２１（ａ）は、第５の実施の形態における図９（ｌ）に続く工程を示している。図２１（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の上方に表面Ｆが位置しており、その表面Ｆにレジスト１０が塗布されている。また、表面Ｆにフォトマスク４６を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する。
【０２０９】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図２１（ｂ）参照）。これにより、レジスト１０には、フォトマスク４６のパターンを反映した、レジスト１０を上下方向に貫通したパターン１０ｂが形成される。
【０２１０】
次に、パターン１０ｂが形成されたレジスト１０に対して熱をかける。この熱をかける工程により、レジスト１０のパターン１０ｂが加工され、レジスト１０は、厚み方向に差を有する形状１０ａを有するパターンが形成される（図２１（ｃ）参照）。また、レジスト１０の表面は凹凸状の荒れが少ない滑らかな表面となる。
【０２１１】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における上半分の領域（厚み方向において表面Ｆに近い領域）を加工する（図２１（ｄ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の上半分の領域には、面取り部５２と、この面取り部５２と連通した加工部５３とが形成される。
【０２１２】
この後は、第５の実施の形態と同様に、第１のシリコンウェーハＷ１の表裏を反対にして、裏面にも図２１（ａ）乃至図２１（ｄ）と同様の加工を行い、表面及び裏目が所望の形状に面取り加工された第２のシリコンウェーハを形成することができる。
【０２１３】
本発明の第９の実施の形態によれば、レジスト１０にフォトマスク４６を介した露光と、レジスト１０に熱をかける工程を行うことで、レジスト１０に、厚み方向に差のある形状を設けることが可能となっている。
【０２１４】
［第１０の実施の形態］
図２２乃至図２４を参照しながら、本発明の第１０の実施の形態であるシリコンウェーハの製造方法について説明する。
【０２１５】
本発明の第１０の実施の形態は、基本的な製造工程の流れは、上述した第５の実施の形態と共通しており、第１のウェーハの表面や裏面に塗布したレジスト１０に、厚み方向に差のある形状１０ａを設ける工程の位置が異なっている。
【０２１６】
また、第１０の実施の形態では、第２のシリコンウェーハの裏面に対して面取り加工を行う前に、第１のシリコンウェーハの裏面（第２のシリコンウェーハの裏面となる面）に鏡面研磨加工処理を施されているが、第１のシリコンウェーハの表面には鏡面研磨加工処理を施していないことを特徴としている。また、第２のシリコンウェーハの表面に対して面取り加工を行う前に、第１のシリコンウェーハの表面（第２のシリコンウェーハの表面となる面）に鏡面研磨加工処理を施す点に特徴を有している。
【０２１７】
なお、第２のシリコンウェーハの裏面に対して行う面取り加工は、上述した第１の実施の形態から第９の実施の形態に記載した方法のいずれを採用してもよい。
【０２１８】
まず、第１のシリコンウェーハの裏面Ｂに対して、鏡面研磨加工と洗浄処理を行い、第１のシリコンウェーハの裏面を、高度に平坦化及び清浄化しておく。また、図２２（ａ）乃至図２２（ｆ）において、第１のシリコンウェーハの裏面の処理の工程を示している。
【０２１９】
図２２（ａ）に示すように、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆ及び裏面Ｂには、保護膜として酸化膜は形成されていない。そして、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにレジスト１０を塗布する。
【０２２０】
また、裏面Ｂにフォトマスク４６を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図２２（ｂ）参照）。
【０２２１】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図２２（ｃ）参照）。これにより、レジスト１０には、フォトマスク４６のパターンを反映した、レジスト１０を上下方向に貫通したパターン１０ｂが形成される。
【０２２２】
次に、パターン１０ｂが形成されたレジスト１０に対して熱をかける。この熱をかける工程により、レジスト１０のパターン１０ｂが加工され、レジスト１０は、厚み方向に差を有する形状１０ａを有するパターンが形成される（図２２（ｄ）参照）。また、レジスト１０の表面は凹凸状の荒れが少ない滑らかな表面となる。
【０２２３】
次に、パターニングされたレジスト１０をマスクとして、プラズマエッチングを行い、第１のシリコンウェーハの厚み方向における下側の領域（厚み方向において裏面Ｂに近い領域）を加工する（図２２（ｅ）参照）。この工程により、第１シリコンウェーハＷ１の下側の領域には、面取り部５２と、この面取り部５２と連通した加工部５３とが形成される。
【０２２４】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂのレジスト１０を除去する（図２２（ｆ）参照）。
【０２２５】
続いて、第１のシリコンウェーハの表面Ｆに対して、鏡面研磨加工と洗浄処理を行い、第１のシリコンウェーハの表面Ｆを、高度に平坦化及び清浄化する。そして、図２３（ｇ）で見る上方に、第１のシリコンウェーハの表面Ｆが位置するようにする。
【０２２６】
また、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図２３（ｈ）参照）。
【０２２７】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０（図２３（ｋ）参照）を形成するために、ラインオリフラ用のフォトマスク４０を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図２３（ｉ）参照）。
【０２２８】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図２３（ｊ）参照）。これにより、ラインオリフラ３０を形成したい領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆが露出する。
【０２２９】
次に、プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１にラインオリフラ３０を形成する（図２３（ｋ）参照）。ここまでの工程により、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０を形成することができる。
【０２３０】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆのレジスト１０を除去して、再度、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにレジスト１０を塗布する（図２３（ｌ）参照）。
【０２３１】
次に、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにウェーハ加工用のフォトマスク４１を介して露光を行い、レジスト１０にパターンを形成する（図２３（ｍ）参照）。
【０２３２】
次に、現像して、レジスト１０の露光した領域を除去する（図２３（ｎ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂの面取り部５２が形成された領域と反対側の領域に対応する第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆが露出する。
【０２３３】
また、第１のシリコンウェーハＷ１の裏面Ｂにテープ６０を貼り付け、第２のシリコンウェーハＷ２が分割される際に、第２のシリコンウェーハＷ２を固定する（図２４（ｏ）参照）。
【０２３４】
次に、等方性プラズマエッチングにより第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆに面取り部５１を形成する（図２４（ｐ）参照）。
【０２３５】
続いて、第１のシリコンウェーハＷ１の厚み方向にかけて、面取り部５１及び面取り部５２に挟まれた領域に異方性プラズマエッチングを行う（図２５（ｎ）参照）。これにより、第１のシリコンウェーハＷ１を貫通する貫通部７０が形成される。
【０２３６】
以上の工程で、第１のシリコンウェーハＷ１に貫通部７０が形成されることで、第１のシリコンウェーハＷ１が、複数の第２のシリコンウェーハＷ２に切り出されたものとなる。また、第２のシリコンウェーハＷ２の表面Ｆには、等方性エッチングによる面取り部５１、５２が形成される。
【０２３７】
ここで、必ずしも、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０が形成される必要はない。但し、第２のシリコンウェーハＷ２の表面及び裏面の区別が可能となり、その後の工程で第２のシリコンウェーハＷ２を利用しやすくなる観点から、第１のシリコンウェーハＷ１の表面Ｆにラインオリフラ３０が形成されることが好ましい。
【０２３８】
なお、図２５は、第４の実施の形態で加工した第１のシリコンウェーハの面取り部５２とその近傍の形状示す写真データである。図２５では、第１のシリコンウェーハの裏面から内部方向に向けて、滑らかな曲面で面取り加工された形状を確認することができる。
【０２３９】
また、本発明の実施の形態によれば、レジストの全体の厚さと、周辺の厚みをコントロールすることにより、従来では達成できなかった、１００μｍ程度の幅で、１００μｍ程度の面取り形状を作ることができた。このような形状は、従前の技術ではなし得ず、本発明により実現することが可能となった。
【０２４０】
以上のように、本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、ミニマルファブシステムに用いられる小口径の半導体ウェーハにおいて、表面及び裏面に所望の形状の面取り加工を行うことが可能な方法となっている。
また、本発明に係る半導体ウェーハは、表面及び裏面に所望の面取り加工を施されたものとなっている。
【０２４１】
本明細書、及び特許請求の範囲で使用している用語と表現は、あくまでも説明上のものであって、なんら限定的なものではなく、本明細書、及び特許請求の範囲に記述された特徴およびその一部と等価の用語や表現を除外する意図はない。また、本発明の技術思想の範囲内で、種々の変形態様が可能であるということは言うまでもない。
【符号の説明】
【０２４２】
１０      レジスト
２０      酸化膜
３０      ラインオリフラ
３１      ラインオリフラ
４０      （ラインオリフラ用の）フォトマスク
４１      （ウェーハ加工用の）フォトマスク
４２      （面取り部を形成するための）フォトマスク
４３      （ウェーハ加工用の）フォトマスク
４４      （酸化膜除去用の）フォトマスク
４５      （グレースケールリソグラフィー用の）フォトマスク
４６      フォトマスク
５０      面取り部
５１      面取り部
５２      面取り部
５３      加工部
５４      面取り部
５５      加工部
６０      テープ
７０      貫通部
７１      貫通部
７２      貫通部
７３      貫通部
９０      曲面状の面取り部
９１      テーパ状の面取り部
【図１】
2020140977.tif 000003
【図２】
2020140977.tif 000004
【図３】
2020140977.tif 000005
【図４】
2020140977.tif 000006
【図５】
2020140977.tif 000007
【図６】
2020140977.tif 000008
【図７】
2020140977.tif 000009
【図８】
2020140977.tif 000010
【図９】
2020140977.tif 000011
【図１０】
2020140977.tif 000012
【図１１】
2020140977.tif 000013
【図１２】
2020140977.tif 000014
【図１３】
2020140977.tif 000015
【図１４】
2020140977.tif 000016
【図１５】
2020140977.tif 000017
【図１６】
2020140977.tif 000018
【図１７】
2020140977.tif 000019
【図１８】
2020140977.tif 000020
【図１９】
2020140977.tif 000021
【図２０】
2020140977.tif 000022
【図２１】
2020140977.tif 000023
【図２２】
2020140977.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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