(57)【要約】      （修正有）【課題】簡易な構成で基板を均一に冷却できる基板冷却装置および基板冷却方法を提供する。【解決手段】基板冷却装置１０１において、基板１０８の垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部１１２を備え、チャンバー１００と、第一側壁部１１２ａに形成され、冷却ガスを基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂと略平行な横方向に導入するよう構成された少なくとも１つのガス導入口１０４と、第一側壁部１１２ａと基板を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部１１２ｂに形成され、冷却ガスの少なくとも一部を横方向に沿ってチャンバー１００の外部に導くよう構成された少なくとも１つのガス出口１１０と、を備える。ガス導入口１０４とガス出口１１０は、冷却ガスを基板の上面１０８ａ上および下面１０８ｂ上を横方向に横切るように流動させるよう位置付けられている。【選択図】図１ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面と厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面とを有する基板を冷却する基板冷却装置であって、
前記基板を取り囲み前記基板の前記垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部を備え、前記基板を受け入れるよう構成されたチャンバーと、
前記チャンバーの第一側壁部に形成され、前記チャンバー内に冷却ガスを前記基板の前記上面および前記下面と略平行な横方向に導入するよう構成された少なくとも１つのガス導入口と、
前記チャンバーの前記第一側壁部と前記基板を挟んで実質的に反対側に位置する前記チャンバーの第二側壁部に形成され、前記冷却ガスの少なくとも一部を前記横方向に沿って前記チャンバーの外部に導くよう構成された少なくとも１つのガス出口と、を備え、
前記ガス導入口と前記ガス出口は、前記冷却ガスを前記基板の前記上面上および前記下面上を前記横方向に横切るように流動させるよう位置付けられている基板冷却装置。
【請求項２】
前記ガス出口は、前記基板と前記垂直方向において実質的に同位置に位置付けられている請求項１に記載の基板冷却装置。
【請求項３】
前記ガス導入口は、前記基板と前記垂直方向において実質的に同位置に位置付けられている請求項１に記載の基板冷却装置。
【請求項４】
前記チャンバー内に配置された少なくとも１つのバンパーを備え、前記バンパーは、前記基板の前記横方向の動きを規制するよう前記垂直方向に立設されている請求項１に記載の基板冷却装置。
【請求項５】
前記バンパーは、前記基板が載置される前記チャンバー内のパッドと一体化されている請求項４に記載の基板冷却装置。
【請求項６】
前記チャンバー内に配置され、前記基板の前記垂直方向または前記横方向の動きのうちの少なくとも１つを規制するよう前記基板に前記垂直方向に物理的に圧力を加えるクランプピンを備える請求項１に記載の基板冷却装置。
【請求項７】
前記クランプピンは前記垂直方向に格納可能である請求項６に記載の基板冷却装置。
【請求項８】
前記チャンバーの上壁に配置され、前記チャンバー内に第二ガスを導入し、前記第二ガスを前記垂直方向に流動させるよう構成された少なくとも１つの第二ガス導入口をさらに備える請求項１に記載の基板冷却装置。
【請求項９】
前記第二ガスは、前記基板に対して前記垂直方向に前記第二ガスの流動による圧力が加わるよう前記チャンバー内に導入されるように構成されている請求項８に記載の基板冷却装置。
【請求項１０】
前記ガス導入口と連通する１つまたは複数のバルブをさらに備え、前記バルブは、前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に導入される前記冷却ガスの流量を調整可能に構成されている請求項１に記載の基板冷却装置。
【請求項１１】
上面と下面と厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面とを有する基板を冷却する基板冷却方法であって、
前記基板を取り囲み、前記基板の垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部を備えるチャンバー内に前記基板を配置し、
前記チャンバーの第一側壁部に配置された少なくとも１つのガス導入口を介して、冷却ガスを前記基板の前記上面および前記底面と平行な横方向に前記チャンバー内に導入し、
前記チャンバーの前記第一側壁部と前記基板を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部に形成された少なくとも１つのガス出口を介して、前記冷却ガスの少なくとも一部を前記横方向に沿って前記チャンバーの外部に導き、
前記冷却ガスを前記基板の前記上面上および下面上を前記横方向に横切るように流動させる、
ことを含む基板冷却方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板を冷却するための装置およびその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体はフォトリソグラフィ、不純物拡散、エッチング、イオン注入、成膜、およびメタライゼーション工程等の一連の工程を基板（例えば、ウエハ）上に繰り返し施すことによって製造される。半導体を製造するための製造装置は、各工程の処理を行うために基板が装填されるプロセスチャンバーなど、これらの各工程の処理を行うための装置を備えている。さらに、半導体製造装置は、プロセスチャンバーに接続された少なくとも１つのロードロックチャンバー、多数の基板を保持することができるカセットまたはキャリア、ならびにプロセスチャンバーおよびロードロックチャンバーを含む、異なる装置間で基板を移動させるための機械的移送機構も備え得る。
【０００３】
典型的な半導体製造工程においては、少なくとも１つの基板がカセットに装填され、ロードロックチャンバーが大気に開放されている間に入力ステージからロードロックチャンバーに移動される。その後、ロードロック室は所定の高真空圧まで排気される。その後、ロードロックチャンバー内の基板は処理のためにプロセスチャンバーに機械的に移送され、そこで基板は高い処理温度にさらされる。処理が完了すると、基板はプロセスチャンバーから移送され、基板はロードロックチャンバーに戻る前に冷却ステーションに配置される。基板の冷却は、処理後のウエハの取り扱いにあたり、高温に弱い装置が損傷すること避けるために必要である。高温に弱い装置の例としては、大気ロボットアームおよびその関連構成要素、ならびにプラスチック製ウエハ保管用カセットが挙げられるが、これらに限定されるものではない。 冷却後、基板はロードロックチャンバー内に配置された元のカセットに戻される。 ロードロックチャンバー内の他の基板が同様に処理された後、ロードロックチャンバーは大気圧下に開放される。
【０００４】
したがって、ロードロックチャンバーは、真空下に維持されるプロセスチャンバーと大気圧下にある入力ステージとの間の移行チャンバーとして機能する。 ロードロックチャンバーは、プロセスチャンバーを大気下に晒すことなく基板をプロセスチャンバー内に移送することを可能にし、それによってプロセスチャンバー内の処理時間を短縮し、プロセスチャンバーへの大気の混入を最小限にする。
【０００５】
また、半導体ウエハやガラス基板等の基板を冷却するために使用されるための装置として、特許文献１に開示された基板冷却装置が知られている。
特許文献１に示された基板冷却装置は、基板を収容する処理室内に、内部に冷却水経路が形成されたクーリングプレートと、基板に向けて冷却用空気を供給するエア供給ノズルを備えている。また、クーリングプレートの表面には、基板を載置しつつクーリングプレート表面と基板との間に間隙を形成するプロキシミティーボールが突設されている。すなわち、特許文献１の基板冷却装置は、基板の一面をクーリングプレートにより冷却し、他面をエア供給ノズルから吹きつけられた冷却用空気により冷却する構成である。
【０００６】
したがって、特許文献１の基板冷却装置においては、基板を冷却するため冷却水経路を備えたクーリングプレートが必要となるため構成が複雑になる。また、仮に冷却用空気のみで基板を冷却しようとすると、基板の表側から裏側に冷却用空気が回り込ように流動する構成であるため、冷却空気は基板の表側の熱を奪った後に基板の裏側に回り込むことになり、基板の表側と裏側を均一に冷却することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−３２９９２２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本願は上記課題を解決するためになされたものであり、簡易な構成で基板を均一に冷却できる基板冷却装置および基板冷却方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る基板冷却装置は、上面と下面と厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面とを有する基板を冷却する基板冷却装置であって、 前記基板を取り囲み前記基板の前記垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部を備え、前記基板を受け入れるよう構成されたチャンバーと、前記チャンバーの第一側壁部に形成され、前記チャンバー内に冷却ガスを前記基板の前記上面および前記下面と略平行な横方向に導入するよう構成された少なくとも１つのガス導入口と、前記チャンバーの前記第一側壁部と前記基板を挟んで実質的に反対側に位置する前記チャンバーの第二側壁部に形成され、前記冷却ガスの少なくとも一部を前記横方向に沿って前記チャンバーの外部に導くよう構成された少なくとも１つのガス出口と、を備え、前記ガス導入口と前記ガス出口は、前記冷却ガスを前記基板の前記上面上および前記下面上を前記横方向に横切るように流動させるよう位置付けられている構成とされている。
【００１０】
この構成によれば、冷却ガスが基板の上面上および下面上を横方向に流動させられていることから、従来のような冷却ガスが基板の一面側から他面側に回り込むような流動が発生せず、基板の上面上および下面上には常に新たにチャンバー内に導入された冷却ガスが一方向に流動する。したがって、従来のようなクーリングプレートのような装置を使用することなく、基板の両面を均一に冷却することができる。
【００１１】
また、前記ガス出口は、前記基板と前記垂直方向において実質的に同位置に位置付けられている構成としてもよい。
【００１２】
また、前記ガス導入口は、前記基板と前記垂直方向において実質的に同位置に位置付けられている構成としてもよい。
【００１３】
また、  前記チャンバー内に配置された少なくとも１つのバンパーを備え、前記バンパーは、前記基板の前記横方向の動きを規制するよう前記垂直方向に立設されている構成としてもよい。
【００１４】
また、前記バンパーは、前記基板が載置される前記チャンバー内のパッドと一体化されている構成としてもよい。
【００１５】
また、前記チャンバー内に配置され、前記基板の前記垂直方向または前記横方向の動きのうちの少なくとも１つを規制するよう前記基板に前記垂直方向に物理的に圧力を加えるクランプピンを備える構成としてもよい。
【００１６】
また、前記クランプピンは前記垂直方向に格納可能である構成としてもよい。
【００１７】
また、前記チャンバーの上壁に配置され、前記チャンバー内に第二ガスを導入し、前記第二ガスを前記垂直方向に流動させるよう構成された少なくとも１つの第二ガス導入口をさらに備える構成としてもよい。
【００１８】
また、前記第二ガスは、前記基板に対して前記垂直方向に前記第二ガスの流動による圧力が加わるよう前記チャンバー内に導入されるように構成されていてもよい。
【００１９】
また、前記ガス導入口と連通する１つまたは複数のバルブをさらに備え、前記バルブは、前記ガス導入口を介して前記チャンバー内に導入される前記冷却ガスの流量を調整可能に構成してもよい。
【００２０】
また、本発明に係る基板冷却方法は、上面と下面と厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面とを有する基板を冷却する基板冷却方法であって、前記基板を取り囲み、前記基板の垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部を備えるチャンバー内に前記基板を配置し、前記チャンバーの第一側壁部に配置された少なくとも１つのガス導入口を介して、冷却ガスを前記基板の前記上面および前記底面と平行な横方向に前記チャンバー内に導入し、前記チャンバーの前記第一側壁部と前記基板を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部に形成された少なくとも１つのガス出口を介して、前記冷却ガスの少なくとも一部を前記横方向に沿って前記チャンバーの外部に導き、前記冷却ガスを前記基板の前記上面上および下面上を前記横方向に横切るように流動させる、ことを含む。
【００２１】
この方法によれば、冷却ガスが基板の上面上および下面上を横方向に流動させられていることから、従来のような冷却ガスが基板の一面側から他面側に回り込むような流動が発生せず、基板の上面上および下面上には常に新たにチャンバー内に導入された冷却ガスが一方向に流動する。したがって、従来のようなクーリングプレートのような装置を使用することなく、基板の両面を均一に冷却することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の基板冷却装置によれば、簡易な構成で基板を均一に冷却できる
【００２３】
また、本発明の他の目的および利点は、例だけでなく、本発明の原理を例示している添付図面と併せ読むことにより、以下の詳細な説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
上述の技術的利点は、さらなる利点と共に、添付の図面と併せて以下の説明を参照することによってより深く理解することができる。 図面は必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではなく、その代わりに概して技術の原理を例示することに重点が置かれている。
【００２５】
【図１ａ】本発明の一実施形態における基板冷却装置の斜視図。
【図１ｂ】同実施形態における基板冷却装置の側面図。
【図２】同実施形態におけるガス導入口の配置を示す模式図。
【図３】同実施形態におけるガス導入口の他の配置例を示す模式図。
【図４】同実施形態におけるガス出口の配置例を示す模式図。
【図５】同実施形態におけるガス出口の他の配置例を示す模式図。
【図６】同実施形態における基板載置部を模式的に示す斜視図。
【図７】同実施形態における基板の移動規制機構を模式的に示す斜視図。
【図８】同実施形態におけるアクチュエーターを模式的に示す断面図。
【図９】同実施形態における基板冷却装置のチャンバー内の基板の移動機構の変形例を示す模式的断面図。
【図１０】同実施形態における基板冷却装置を使用した基板冷却方法を示すフロー図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本実施の形態においては、冷却機能が統合されたロードロックチャンバーを提供する。具体的には、本発明の基板冷却装置および基板冷却方法は、既に設置されている機構（例えば、既存のガス供給システム）を利用して基板を冷却することができる。この冷却機能が統合された装置は、処理された基板を別個の冷却を必要とせずにプロセスチャンバーからロードロックチャンバーに移送することができるので、システムのスループットを増加させ、また、物理的な設置面積を減少させる。さらに、本発明の基板冷却システムおよびその方法は、ロードロックチャンバー内において基板を均一に冷却することを容易にする。
【００２７】
以下、本発明の一実施形態における基板冷却装置１０１について説明する。基板冷却装置１０１は、基板１０８を収容するチャンバー１００、および、チャンバー１００内を高真空状態とするための排気装置（不図示）を備えており、本実施の形態においては、チャンバー１００は内部を高真空下と大気圧下に切り替え可能なロードロックチャンバーとして構成されている。すなわち、本実施の形態における基板冷却装置１０１は、冷却機能が統合されたロードロックチャンバーとして捉えることもできる。
【００２８】
尚、本実施の形態におけるチャンバー１００は必ずしもロードロックチャンバーとして構成されている必要はなく、本実施形態の基板冷却装置１０１とは別個に設けたロードロックチャンバーを使用して基板１０８に対して各種処理を施すものであってもよい。
【００２９】
図１ａおよび図１ｂは、本発明の一実施形態における基板冷却装置１０１のチャンバー１００の斜視図および側面図をそれぞれ示す。図１ａおよび図１ｂに示すように、基板冷却装置１０１のチャンバー１００を単一のウエハを収容する装置として示しているが、当業者には理解されるように、本発明の原理は複数のウエハを収容するロードロック装置にも同様に適用可能である。
【００３０】
図１ａおよび図１ｂに示すように、チャンバー１００は、１つ以上のガス導入口１０４を有するガス供給マニホールド１０２と、基板１０８を受け入れて収容するよう構成されたホルダー１０６と、少なくとも１つのガス出口１１０とを備えている。
基板１０８は、一般に、その上に第２の物質層が形成され得る固体物質を指す。集積回路製造においては、基板１０８は、半導体材料（例えば、シリコン、シリコンカーバイド、ゲルマニウムまたはガリウムヒ素）または絶縁体材料（例えば、ガラス）から作られたウエハ等とすることができる。
【００３１】
基板１０８は上面１０８ａおよび下面１０８ｂを有し、これらはともに基板１０８が平面形状である場合、実質的に水平である。また、基板１０８は基板の厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面（符号を付与せず）を有する。
【００３２】
図１ａに示すように、チャンバー１００は、ホルダー１０６に保持された基板１０８を実質的に取り囲む複数の側壁部１１２、上壁１１４および底壁１１６によって画定されている。複数の側壁部１１２は、それぞれ基板１０８の側面（符号付与せず）と実質的に平行となる垂直方向１１８に向かって延在するように形成されている。また、チャンバー１００の上壁１１４および下部壁１１６は、基板１０８の上面１０８ａ、下面１０８ｂに対してそれぞれ平行に形成されている。
【００３３】
図１ａおよび図１ｂに示すように、チャンバー１００の第一側壁部分１１２ａには、１つまたは複数（本実施の形態においては４つ）のガス導入口１０４が配置され、窒素（Ｎ ２）ガスなどの冷却ガスを横方向１２０に向かってチャンバー１００内に導入するように構成されている。基板冷却装置１０１においては、基板１０８の上面１０８ａ上および下面１０８ｂ上を横切るように冷却ガスが流動することにより、基板１０８から冷却ガスへの熱伝達が促進され、基板１０８の温度が低下するものである。
【００３４】
図１ａおよび図１ｂに示すように、チャンバー１００は、第一側壁部分１１２ａと基板１０８を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部１１２ｂを備えている。すなわち、基板１０８とホルダー１０６とは第一側壁部１１２ａと第二側壁部１１２ｂの間に配置されている。また、第二側壁部１１２ｂには１つまたは複数（本実施形態においては１つ）のガス出口１１０が配置されており、冷却ガスの少なくとも一部を横方向１２０に沿ってチャンバー１００の外へ導くように構成されている。
【００３５】
ガス導入口１０４およびガス出口１１０が、それぞれ互いに対向する第一側壁部１１２ａと第二側壁部１１２ｂに配置されていることにより、冷却ガスが基板１０８の上面１０８ａ上および下面１０８ｂ上を横切るように協働して流れるようになり、その結果、冷却ガスがチャンバー１００から出る前に基板１０８を冷却することになる。
【００３６】
本実施の形態においては、ガス供給マニホールド１０２は、基板１０８を冷却するためにチャンバー１００に冷却ガスを供給するように構成されている。具体的には、ガス供給マニホールド１０２は、少なくとも１つのガス源（図示せず）から第一側壁部１１２ａに連通するガス導入口１０４を介してチャンバー１００への冷却ガスを導入するように構成され、また、後述するバルブ１２２によって冷却ガスの導入を制御できるよう構成されている。ここで、冷却ガスの導入の制御とは、単に冷却ガスを導入するか否かを制御するだけでなく、冷却ガスの流量等を可変に調整する制御を含む。
【００３７】
本実施の形態におけるチャンバー１００においては、ガス供給マニホールド１０２は、従来においてロードロックチャンバー内部の圧力を調整するために使用されていたのと同じガス源（図示せず）またはガス供給システム（図示せず）に接続される構成とされている。 すなわち、チャンバー１００内の内圧を真空状態から大気圧に復元するために一般的に使用されるガス（例えば、窒素）をチャンバー１００内の基板１０８を冷却するために使用できるようガス供給マニホールド１０２を用いる構成としている。
言い換えれば、ガス供給マニホールド１０２は、従来のロードロックチャンバーが備えているのと同一のガス源およびガス供給システムに接続されており、チャンバー１００をロックチャンバーとして捉えた場合に内圧を高めるために供給されるガスを、基板１０８の冷却ガスとしても機能するように導入するものである。すなわち、本実施の形態における基板冷却装置１０１においては、同一のガスが基板１０８の冷却とチャンバー１００内の圧力調整の両方の目的に使用されている。
【００３８】
本実施の形態においては、ガス供給マニホールド１０２は、また、それを通ってチャンバー１００内に送達されるガスの流速を制御するための１つまたは複数のバルブ１２２を備えており、バルブ１２２は１つまたは複数のガス導入口１０４と連通している。バルブ１２２は、オペレータによる手動調整、またはコンピュータ数値制御装置による自動調整による制御とすることができ、ガス導入口１０４を介して導入される冷却ガスの流速を調整可能とすることができる。 したがって、チャンバー１００内での基板１０８を冷却するための冷却ガスの流速を可変にすることができる。
【００３９】
例えば、ガス供給マニホールド１０２のバルブ１２２を選択的に操作することによって、要求されるスループットの変化に対応させるよう、冷却ガスの流速を調整し、基板１０８が所定の温度に冷却されるまでの時間を変化させることができる。また、バルブ１２２は、基板１０８から冷却ガスへの熱伝達効率を高めるため、すなわち、基板１０８の冷却効率を高めるため、冷却ガスが乱流となるように調整できる構成されていてもよい。
また、真空状態のチャンバー１００内に冷却ガスを低い流速で導入してチャンバー１００の内圧を高めた後、冷却ガスの流速を上げることにより基板１０８の冷却効率を高めるようバルブ１２２を制御してもよい。
【００４０】
図１ａおよび図１ｂに示すように、冷却ガスは、チャンバー１００の第一側壁部１１２ａから反対側の第二側壁部１１２ｂへと横方向１２０に流れるようになっている。
この横方向１２０へ冷却ガスを流動させること利点は、特許文献１の基板冷却装置のような冷却ガスをチャンバー１００の上壁１１４から底壁１１６へ（すなわち垂直方向１１８へ）流動させるような場合に比べて、基板１０８を上面１０８ａと下面１０８ｂの両方にわたって均一に冷却できることである。
例えば、基板１０８の上面１０８ａを横切る冷却ガスの速度と下面１０８ｂを横切る冷却ガスの速度とが実質的に同じになるように調整することにより、冷却ガスの流速が上面１０８ａと下面１０８ｂの表面全体にわたって実質的に一定となり、基板１０８を均一に冷却することができる。
【００４１】
また、特許文献１の基板冷却装置の場合、エア供給ノズルから吐出された冷却ガスは先ず基板表面の中央付近に集中して当たるため、冷却用空気による圧力が基板表面の中央付近に集中して基板が損傷（例えば破損）する虞がある。これに対し、本実施の形態における基板冷却装置１０１においては、冷却ガスは横方向１２０に向かってチャンバー１００内に導入されることから、冷却ガスの圧力が基板１０８の上面１０８ａまたは下面１０８ｂ上の特定の領域に集中することがないため、冷却ガスによる基板１０８の損傷（例えば、破壊）を最小限に抑えることができる。
【００４２】
本実施の形態における基板冷却装置１０１では、１つまたは複数のガス導入口１０４および／または１つまたは複数のガス出口１１０は、上面１０８ａおよび下面１０８ａに冷却ガスがより均一に分配されて行きわたるよう、それぞれの側壁部分に適切に配置される。 例えば、少なくとも１つのガス導入口１０４を、チャンバー１００内の基板１０８と垂直方向１１８において略同じ高さにする配置するなど、垂直方向１１８に基板１０８と実質的に整列させることができる。 同様に、基板１０８をより均一に冷却するため、少なくとも１つのガス出口１１０を垂直方向１１８に実質的に基板１０８と整列させることができる。
【００４３】
図２は、本実施形態におけるチャンバー１００の第一側壁部１１２ａ上の複数のガス導入口１０４の配置例を示す。
図２に示すように、複数のガス導入口１０４は、垂直方向１１８において基板１０８とほぼ同位置に配置されており、垂直方向１１８において基板１０８と実質的に整列している。すなわち、この配置によって、ガス導入口１０４から導入された冷却ガスが基板１０８の上面１０８ａ側と下面１０８ｂ側に均等に分配されるため、基板ホルダー１０６内の基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂの均一な冷却を確実にする。さらに、複数のガス導入口１０４は、基板１０８の幅方向に沿って配置されるよう、チャンバー１００の横方向１２０に沿って均等に配置されており、それによって冷却の均一な供給が促進される。
尚、基板１０８に対してチャンバー１００の第二側壁部１１２ｂ上のガス出口１１０についても同様の構成をとることができる。
【００４４】
図３は、本実施形態におけるチャンバー１００の第一側壁部１１２ａ上の複数のガス導入口１０４の別の配置例を示す。
図３に示すように、ホルダー１０６内の基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂを確実に均一に冷却するために、基板１０８に対して上下に、すなわち垂直方向１１８に基板１０８を挟んで同数のガス導入口１０４が配置されている。すなわち、垂直方向１１８に基板１０８を挟んで同数のガス導入口１０４が配置することにより、基板の１０８の上面１０８ａ側と下面１０８ｂ側に導入される冷却ガスの流量を均一にすることができ、基板１０８を均一に冷却することができる。
同様に、基板１０８に対してチャンバー１００の第２の側壁部１１２ｂ上のガス出口１１０に対して同じ配置をなすことができる。
【００４５】
図４は、チャンバー１００の第二側壁部１１２ｂ上のガス出口１１０の配置例を示す。
図４に示すように、１つのガス出口１１０は、チャンバー１００内の基板１０８と垂直方向１１８に沿って実質的に同じ高さに位置決めされた第二側壁部分１１２ｂに位置する。チャンバー１００に対する基板１０８の搬入・搬出はガス出口１１０を通じて行われる。つまり、ガス出口１１０は、冷却ガスをチャンバー１００の外に導く機能と基板１０８の搬入・搬出を可能にするという二重の機能を提供することができる。
【００４６】
図５は、チャンバー１００の第二側壁部１１２ｂ上の複数のガス出口１１０の別の配置例を示す。図５に示されるように、複数のガス出口１１０を、チャンバー１００内の基板１０８と垂直方向１１８においてほぼ同じ高さに位置付け、垂直方向１１８において基板１０８と整列するような配置とする構成としてもよい。
【００４７】
この場合、複数のガス出口１１０は、チャンバー１００の第二側壁部１１２ｂに基板１０８の幅方向に沿って、すなわち横方向１２０に沿って均等に配置されている。この構成により、冷却ガスはチャンバー１００内において、横方向１２０へより流動しやすくなる。すなわち、冷却ガスがより一方向（横方向１２０）へ流動しやすくなり、より確実に基板１０８を均一に冷却することができる。
同様に、チャンバー１００の第一側壁部１１２ａ上のガス導入口１０４についても同じ配置をなすことができる。尚、基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂを横切る冷却ガスの流動を均一にするための任意のガス導入口１０４またはガス出口１１０の配置は本発明の範囲内である。
この変形例においては、各ガス出口１１０の開口部が小さいために、基板１０８の搬入・搬出を行うための開口部（図示せず）をチャンバー１００の別の側壁部分に別途設ければよい。
【００４８】
また、本発明は、基板１０８をチャンバー１００に固定するための様々な機構を特徴とする。基板１０８を横切る冷却ガスの流動が高速である場合、冷却ガスは潜在的に乱れて流動する可能性がある。したがって、基板の移動を規制するためにチャンバー１０８内に基板１０８を固定することが望ましい場合がある。しかしながら、冷却ガスの速度が遅いとき、基板１０８は動く可能性が低いので、必ずしも固定される必要はない。
【００４９】
図６は、本実施形態におけるチャンバー１００内に載置された基板１０８の移動を規制するための機構を例示的に示している。
図６に示すように、基板１０８は、チャンバー１００内のホルダー１０６に形成された少なくとも１つの基板載置部４０１に配置される。
基板載置部４０１は、基板１０８が載置されるパッド４０２と、パッド４０２の端部に垂直方向１１８に立ち上げるように形成されたバンパー４０４とから構成されている。
バンパー４０４は、基板１０８をホルダー１０６に載置する際の位置決めをするとともに、例えば冷却ガスが横方向１２０に沿って流れることによって引き起こされる基板１０８の横方向のスライド移動を規制する。
【００５０】
したがって、基板載置部４０１は、基板１０８をホルダー１０６に対して定位置に保持するために、基板１０８の縁部／周囲の周りの複数個所に分布するよう配置する構成とすることもできる。また、本実施の形態においては、バンパー４０４は、パッド４０２と一体に形成されているが、パッド４０２に取り外し可能に取り付けられる構成とすることもできる。
【００５１】
図７は、本実施の形態におけるチャンバー１００内の基板１０８の移動を規制するためのクランプ機構６０１を示している。例えば、冷却ガスの流速が速い場合には、基板１０８をホルダー１０６から浮き上がらせるような場合が考えられる。この場合、冷却ガスによって、基板１０８がバンパー４０４を飛び越えるような動きをし得ることも予測される。
このように、基板１０８がパッド４０２とバンパー４０４上に配置されている間に基板１０８がガスの流動によって持ち上がるのを防ぐため、クランプ機構６０１を使用して基板１０８の上面１０８ａに垂直方向の力を加える構成としてもよい。
【００５２】
図１ｂに示すように、クランプ機構６０１は、チャンバー１００の上壁１１４に配置されており、図７に示すように、ホルダー１０６上のパッド４０２と対向するように配置されている。したがって、クランプピン５０２を各パッド４０２に対して使用することができる。
【００５３】
クランプピン５０２の先端５０４は、パッド１０８に対して垂直方向１１８に基板１０８に物理的圧力を加えるように基板１０８の上面１０８ａに接触するようになっており、それによって基板１０８の横方向または垂直方向の動きの少なくとも一方を規制する。
また、クランプピン５０２によって加えられる圧力は、基板１０８の横方向および垂直方向の動きを規制する。
クランプピン５０２の先端５０４は、基板１０８の上面１０８ａと接触するように構成されているが、基板１０８の端部から約２ｍｍの距離など、基板１０８の端部から特定の公差距離で基板１０８を固定することができる。
【００５４】
尚、クランプピン５０２はバンパー４０４と共に使用する必要はない。 すなわち、パッド４０２をバンパー４０４に取り付けずに、１つまたは複数のクランプピン５０２およびパッド４０２のみを使用する構成とすることもできる。
【００５５】
本実施形態では、クランプピン５０２はアクチュエーター６００に取り付けられている。
図８は、図７のクランプ機構の一例としての格納式アクチュエーター６００を示している。 
図７に示すように、アクチュエーター６００は頂部６０２と一組のベローズ６０４を備えている。クランプピン５０２は軸部６０５と保持ばね６０８によって軸部６０５内に保持された先端部６０６とを備えている。
【００５６】
クランプ機構６０１の動作中、空気圧がアクチュエーター６００の頂部６０２に印加されて、一組のベローズ６０４を圧縮し、これが頂部表面に対して垂直方向１１８に下方に先端部６０６と共にクランプピン５０２のロッド部分６０５を押す。 空気圧が解放されると、クランプピン５０２のロッド部分６０５は（チップ６０６と共に）上方に後退して基板１０８に対する圧力を解放するようになっている。クランプピン５０２のチップ６０６を交換可能としてもよい。 そのような格納式のアクチュエーター６００を使用することは、冷却ガス流が速く、バンパー４０４のみでは基板１０８の動きを十分に規制できない場合にのみ、オペレータがアクチュエーター６００を作動させて基板１０８の動きを規制できる。したがって、クランプ機構６０１を備えることにより、必要に応じてチャンバー１００内の基板１０８の位置決めを強化することができる。 アクチュエーター６００は、そのような追加の固定が必要とされないとき、クランプピン５０２をその後退位置にさせることができる。
【００５７】
図９は、本実施の形態におけるチャンバー１００内の基板１０８の移動を防止するためのさらに別の機構を示しており、本実施の形態における基板冷却装置１０１は、垂直方向１１８へ流動する第二ガスを使用して、基板１０８の垂直方向１１８または横方向１２０への移動を規制することもできる。
すなわち、図９に示すように、基板冷却装置１０１は、横方向１２０に流動する冷却ガスに加えて第二ガスがチャンバー１００に供給され、第二ガスによって、チャンバー１００内での基板１０８の移動を規制する構成とすることもできる。
【００５８】
この場合、図９に示すように、第二ガス導入口７０２は、第二ガスを垂直方向１１８に導入し、それによって基板１１８の上面１１８ａに垂直方向の圧力を加えるように構成されている。すなわち、第二ガスは、例えば、１つまたは複数の第二ガス導入口１０４から導入された横方向１２０に流動する冷却ガスによって基板１１８が横方向または垂直方向の移動することを規制するものである。すなわち、第二ガスは、冷却ガスである必要はなく、基板１０８をチャンバー１００の内側の所定位置に保持するという目的を達成することができればよい。第二ガスを垂直方向１１８に導入する機構は、前述のクランプ機構６０１やバンパー４０４と共に使用されてもよく、また、単独で用いられてもよい。
【００５９】
図１０は、本実施の形態における基板冷却装置１０１を使用し、チャンバー１００内に保持された基板を冷却するための基板冷却方法の一例であるプロセス８００を示す。
まず、ステップ８０２では、基板１０８は、チャンバー１００内のホルダー１０６上に配置される。例えば、基板１０８は、図６に示すように、ホルダー１０６に形成された１つまたは複数のパッド４０２上に載置することができる。また、パッド４０２には、基板１０８がチャンバー１００内で横方向に動くのを防ぐために１つまたは複数のバンパー４０４が形成されていてもよい。
また、図８に示すように、クランプ機構６０１を使用して、基板１０８の垂直方向１１８おまたは横方向１２０への移動を規制してもよい。また、図９に示すように、垂直方向の第二ガスの流れを使用して、基板１０８の垂直方向１１８おまたは横方向１２０への移動を規制してもよい。
【００６０】
続いて、ステップ８０４では、窒素ガス等の冷却ガスが基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂと実質的に平行に横方向１２０にガスを伝導するように構成された少なくとも１つのガス導入口１０４を介してチャンバー１００内に導入される。 ガス導入口１０４は、チャンバー１００の第１の側壁部１１２ａに配置されている。ここで、操作者が、ガス導入口１０４と連通する１つ以上のバルブ１２２を操作して冷却ガスの流量を調整してもよい。
【００６１】
次に、ステップ８０６では、冷却ガスは、横方向１２０に沿って少なくとも１つのガス出口１１０を介してチャンバー１００から排出される。ガス出口１１０は、基板１０８を挟んでチャンバー１００の第一側壁部１１２ａと実質的に反対側に配置された、チャンバー１００の第二側壁部１１２ｂに配置されている。
【００６２】
次に、ステップ８０８では、ガス導入口１０４からガス出口１１０への冷却ガスのこのような横方向１２０に沿った一方向の流動により、基板１０８の上面１０８ａおよび底面１０８ｂの両方が冷却されている。ガス出口１１０は、基板１０８の上面１０８ａおよび底面１０８ｂを横切る冷却ガスが実質的に均一に流動するようそれぞれの側壁部１１２上に配置される。
【００６３】
当業者は、本発明がその精神または本質的な特徴から逸脱することなく、その他の様々な形態で実施可能であることを理解するであろう。したがって、前述の実施形態は、本発明の範囲を限定するのではなく、あらゆる点において例として提示したものであるとみなされる。したがって、本発明の範囲は、前述の記載ではなく、添付の特許請求の範囲によって示され、請求項における意味やその均等の範囲等の一切の変形は、請求項に含まれるものである。
【符号の説明】
【００６４】
１０１  基板冷却装置
１００  チャンバー
１０２  ガス供給マニホールド
１０４  ガス導入口
１０６  ホルダー
１０８  基板
１１０  ガス出口
１１２  側壁部
４０１  基板載置部
４０２  パッド
４０４  バンパー
６０１  クランプ機構
７０２  第二ガス導入口
【図１ａ】
2020150248.tif 000003
【図１ｂ】
2020150248.tif 000004
【図２】
2020150248.tif 000005
【図３】
2020150248.tif 000006
【図４】
2020150248.tif 000007
【図５】
2020150248.tif 000008
【図６】
2020150248.tif 000009
【図７】
2020150248.tif 000010
【図８】
2020150248.tif 000011
【図９】
2020150248.tif 000012
【図１０】
2020150248.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
上面と下面と厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面とを有する基板を冷却する基板冷却方法であって、
前記基板を取り囲み、前記基板の垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部を備えるチャンバー内に前記基板を配置し、
前記チャンバーの第一側壁部に配置された少なくとも１つのガス導入口を介して、冷却ガスを前記基板の前記上面および前記下面と平行な横方向に前記チャンバー内に導入し、
前記チャンバーの前記第一側壁部と前記基板を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部に形成された少なくとも１つのガス出口を介して、前記冷却ガスの少なくとも一部を前記横方向に沿って前記チャンバーの外部に導き、
前記冷却ガスを前記基板の前記上面上および下面上を前記横方向に横切るように流動させる、
ことを含む基板冷却方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明に係る基板冷却方法は、上面と下面と厚さに対応する少なくとも１つの垂直側面とを有する基板を冷却する基板冷却方法であって、前記基板を取り囲み、前記基板の垂直側面と実質的に平行な垂直方向に延在する複数の側壁部を備えるチャンバー内に前記基板を配置し、前記チャンバーの第一側壁部に配置された少なくとも１つのガス導入口を介して、冷却ガスを前記基板の前記上面および前記下面と平行な横方向に前記チャンバー内に導入し、前記チャンバーの前記第一側壁部と前記基板を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部に形成された少なくとも１つのガス出口を介して、前記冷却ガスの少なくとも一部を前記横方向に沿って前記チャンバーの外部に導き、前記冷却ガスを前記基板の前記上面上および下面上を前記横方向に横切るように流動させる、ことを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【図１ａ】本発明の一実施形態における基板冷却装置の斜視図。
【図１ｂ】同実施形態における基板冷却装置の側面図。
【図２】同実施形態におけるガス導入口の配置を示す模式図。
【図３】同実施形態におけるガス導入口の他の配置例を示す模式図。
【図４】同実施形態におけるガス出口の配置例を示す模式図。
【図５】同実施形態におけるガス出口の他の配置例を示す模式図。
【図６】同実施形態における基板載置部を模式的に示す斜視図。
【図７】同実施形態における基板の移動規制機構を模式的に示す斜視図。
【図８】同実施形態におけるアクチュエーターを模式的に示す断面図。
【図９】同実施形態における基板冷却装置のチャンバー内の基板の移動規制機構の変形例を示す模式的断面図。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１ａに示すように、チャンバー１００は、ホルダー１０６に保持された基板１０８を実質的に取り囲む複数の側壁部１１２、上壁１１４および底壁１１６によって画定されている。複数の側壁部１１２は、それぞれ基板１０８の側面（符号付与せず）と実質的に平行となる垂直方向１１８に向かって延在するように形成されている。また、チャンバー１００の上壁１１４および底壁１１６は、基板１０８の上面１０８ａ、下面１０８ｂに対してそれぞれ平行に形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１ａおよび図１ｂに示すように、チャンバー１００の第一側壁部１１２ａには、１つまたは複数（本実施の形態においては４つ）のガス導入口１０４が配置され、窒素（Ｎ ２）ガスなどの冷却ガスを横方向１２０に向かってチャンバー１００内に導入するように構成されている。基板冷却装置１０１においては、基板１０８の上面１０８ａ上および下面１０８ｂ上を横切るように冷却ガスが流動することにより、基板１０８から冷却ガスへの熱伝達が促進され、基板１０８の温度が低下するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１ａおよび図１ｂに示すように、チャンバー１００は、第一側壁部１１２ａと基板１０８を挟んで実質的に反対側に位置する第二側壁部１１２ｂを備えている。すなわち、基板１０８とホルダー１０６とは第一側壁部１１２ａと第二側壁部１１２ｂの間に配置されている。また、第二側壁部１１２ｂには１つまたは複数（本実施形態においては１つ）のガス出口１１０が配置されており、冷却ガスの少なくとも一部を横方向１２０に沿ってチャンバー１００の外へ導くように構成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本実施の形態における基板冷却装置１０１では、１つまたは複数のガス導入口１０４および／または１つまたは複数のガス出口１１０は、上面１０８ａおよび下面１０８ｂに冷却ガスがより均一に分配されて行きわたるよう、それぞれの側壁部に適切に配置される。 例えば、少なくとも１つのガス導入口１０４を、チャンバー１００内の基板１０８と垂直方向１１８において略同じ高さにする配置するなど、垂直方向１１８に基板１０８と実質的に整列させることができる。 同様に、基板１０８をより均一に冷却するため、少なくとも１つのガス出口１１０を垂直方向１１８に実質的に基板１０８と整列させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図２は、本実施形態におけるチャンバー１００の第一側壁部１１２ａ上の複数のガス導入口１０４の配置例を示す。
図２に示すように、複数のガス導入口１０４は、垂直方向１１８において基板１０８とほぼ同位置に配置されており、垂直方向１１８において基板１０８と実質的に整列している。すなわち、この配置によって、ガス導入口１０４から導入された冷却ガスが基板１０８の上面１０８ａ側と下面１０８ｂ側に均等に分配されるため、基板ホルダー１０６内の基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂの均一な冷却を確実にする。さらに、複数のガス導入口１０４は、基板１０８の幅方向に沿って配置されるよう、チャンバー１００の横方向１２０に沿って均等に配置されており、それによって冷却ガスの均一な供給が促進される。
尚、基板１０８に対してチャンバー１００の第二側壁部１１２ｂ上のガス出口１１０についても同様の構成をとることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図３は、本実施形態におけるチャンバー１００の第一側壁部１１２ａ上の複数のガス導入口１０４の別の配置例を示す。
図３に示すように、ホルダー１０６内の基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂを確実に均一に冷却するために、基板１０８に対して上下に、すなわち垂直方向１１８に基板１０８を挟んで同数のガス導入口１０４が配置されている。すなわち、垂直方向１１８に基板１０８を挟んで同数のガス導入口１０４が配置することにより、基板１０８の上面１０８ａ側と下面１０８ｂ側に導入される冷却ガスの流量を均一にすることができ、基板１０８を均一に冷却することができる。
同様に、基板１０８に対してチャンバー１００の第２の側壁部１１２ｂ上のガス出口１１０に対して同じ配置をなすことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図４は、チャンバー１００の第二側壁部１１２ｂ上のガス出口１１０の配置例を示す。
図４に示すように、１つのガス出口１１０は、チャンバー１００内の基板１０８と垂直方向１１８に沿って実質的に同じ高さに位置決めされ、第二側壁部分１１２ｂに位置する。チャンバー１００に対する基板１０８の搬入・搬出はガス出口１１０を通じて行われる。つまり、ガス出口１１０は、冷却ガスをチャンバー１００の外に導く機能と基板１０８の搬入・搬出を可能にするという二重の機能を提供することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、本発明は、基板１０８をチャンバー１００に固定するための様々な機構を特徴とする。基板１０８を横切る冷却ガスの流動が高速である場合、冷却ガスは潜在的に乱れて流動する可能性がある。したがって、基板の移動を規制するためにチャンバー１００内に基板１０８を固定することが望ましい場合がある。しかしながら、冷却ガスの速度が遅いとき、基板１０８は動く可能性が低いので、必ずしも固定される必要はない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
クランプピン５０２の先端部６０６は、パッド４０２に対して垂直方向１１８に基板１０８に物理的圧力を加えるように基板１０８の上面１０８ａに接触するようになっており、それによって基板１０８の横方向または垂直方向の動きの少なくとも一方を規制する。
また、クランプピン５０２によって加えられる圧力は、基板１０８の横方向および垂直方向の動きを規制する。
クランプピン５０２の先端部６０６は、基板１０８の上面１０８ａと接触するように構成されているが、基板１０８の端部から約２ｍｍの距離など、基板１０８の端部から特定の公差距離で基板１０８を固定することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本実施形態では、クランプピン５０２はアクチュエーター６００に取り付けられている。
図８は、図７のクランプ機構の一例としての格納式アクチュエーター６００を示している。
図８に示すように、アクチュエーター６００は頂部６０２と一組のベローズ６０４を備えている。クランプピン５０２は軸部６０５と保持ばね６０８によって軸部６０５内に保持された先端部６０６とを備えている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
クランプ機構６０１の動作中、空気圧がアクチュエーター６００の頂部６０２に印加されて、一組のベローズ６０４を圧縮し、これが頂部表面に対して垂直方向１１８に下方に先端部６０６と共にクランプピン５０２の軸部６０５を押す。 空気圧が解放されると、クランプピン５０２の軸部６０５は（先端部６０６と共に）上方に後退して基板１０８に対する圧力を解放するようになっている。クランプピン５０２の先端部６０６を交換可能としてもよい。 そのような格納式のアクチュエーター６００を使用することは、冷却ガス流が速く、バンパー４０４のみでは基板１０８の動きを十分に規制できない場合にのみ、オペレータがアクチュエーター６００を作動させて基板１０８の動きを規制できる。したがって、クランプ機構６０１を備えることにより、必要に応じてチャンバー１００内の基板１０８の位置決めを強化することができる。 アクチュエーター６００は、そのような追加の固定が必要とされないとき、クランプピン５０２をその後退位置にさせることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
この場合、図９に示すように、第二ガス導入口７０２は、第二ガスを垂直方向１１８に導入し、それによって基板１０８の上面１０８ａに垂直方向の圧力を加えるように構成されている。すなわち、第二ガスは、例えば、１つまたは複数の第二ガス導入口１０４から導入された横方向１２０に流動する冷却ガスによって基板１０８が横方向または垂直方向の移動することを規制するものである。すなわち、第二ガスは、冷却ガスである必要はなく、基板１０８をチャンバー１００の内側の所定位置に保持するという目的を達成することができればよい。第二ガスを垂直方向１１８に導入する機構は、前述のクランプ機構６０１やバンパー４０４と共に使用されてもよく、また、単独で用いられてもよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図１０は、本実施の形態における基板冷却装置１０１を使用し、チャンバー１００内に保持された基板を冷却するための基板冷却方法の一例であるプロセス８００を示す。
まず、ステップ８０２では、基板１０８は、チャンバー１００内のホルダー１０６上に配置される。例えば、基板１０８は、図６に示すように、ホルダー１０６に形成された１つまたは複数のパッド４０２上に載置することができる。また、パッド４０２には、基板１０８がチャンバー１００内で横方向に動くのを防ぐために１つまたは複数のバンパー４０４が形成されていてもよい。
また、図８に示すように、クランプ機構６０１を使用して、基板１０８の垂直方向１１８および／または横方向１２０への移動を規制してもよい。また、図９に示すように、垂直方向の第二ガスの流れを使用して、基板１０８の垂直方向１１８および／または横方向１２０への移動を規制してもよい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次に、ステップ８０８では、ガス導入口１０４からガス出口１１０への冷却ガスのこのような横方向１２０に沿った一方向の流動により、基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂの両方が冷却されている。ガス出口１１０は、基板１０８の上面１０８ａおよび下面１０８ｂを横切る冷却ガスが実質的に均一に流動するようそれぞれの側壁部１１２上に配置される。