(57)【要約】【課題】本発明は、１５０℃以上の熱を伴う加熱処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープで加熱処理工程と半導体チップのピックアップ工程とを行うことができる半導体加工用テープを提供する。【解決手段】基材フィルム上に粘着層が形成された半導体加工用テープであり、前記基材フィルムが、ポリアリーレンエーテルケトンを含有する半導体加工用テープ。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着層が形成された半導体加工用テープであり、
前記基材フィルムが、ポリアリーレンエーテルケトンを含有する半導体加工用テープ。
【請求項２】
半導体ウエハを半導体チップに個片化するために用いられる請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
長手方向の降伏点が、２％以上１００％以下の範囲である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項４】
前記基材フィルム中における前記ポリアリーレンエーテルケトンの結晶化度が、１０％以上３５％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項５】
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率、長手方向に対して直交方向の寸法変化率が、いずれも３％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項６】
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向に対して直交方向の寸法変化率の差が、５％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１５０℃以上の熱を伴う処理工程と、半導体ウエハを半導体チップに個片化して半導体チップをピックアップする工程を一貫して行うことができる半導体加工用テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、通常、高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとし、フォトレジストにてウエハの表面に所望の回路パターンを形成し、また、ウエハの裏面を研磨機により研磨して、ウエハの厚さを所望の厚さに薄くしてから、最後にダイシングして個片化することで得られる。
【０００３】
上記半導体チップの製造において、半導体ウエハの処理時の取扱い性を容易にし、また、半導体ウエハの破損を防止するために、半導体ウエハを保護するための粘着テープによって、半導体ウエハが補強される。例えば、高純度シリコン単結晶等から切り出された厚膜のウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した状態でウエハの研削工程が行われることがある。また、ダイシング工程においては、半導体ウエハは、ダイシングテープと呼ばれる粘着テープに貼付して固定した状態でダイシングされて、個々の半導体チップに成形されて半導体チップがピックアップされる（特許文献１）。
【０００４】
一方で、近年、半導体チップの高性能化に伴い、半導体ウエハの表面に高温処理または発熱を伴う処理を施す工程が行われることがある。例えば、半導体チップの製造工程において、半導体ウエハに対して１５０℃以上の温度による加熱処理が施されることがある。従って、半導体ウエハを保護する粘着テープには、耐熱性が要求される。しかしながら、従来のダイシングテープでは、耐熱性が十分ではなく、１５０℃以上の温度による加熱処理に対応することができない。上記から、半導体ウエハの表面に高温処理または発熱を伴う処理を施す必要がある場合には、半導体ウエハを保護するための粘着テープとダイシングテープを別々に用意する必要があった。このため、半導体ウエハを加熱処理した後に、半導体ウエハをダイシングテープに転写する必要があり、半導体チップの製造工程が複雑化し、また、半導体チップの歩留まりが低下してしまうという問題があった。
【０００５】
そこで、加熱処理時の半導体ウエハの保護とダイシング時の半導体ウエハの保護とを１つの粘着テープで行うことが検討されている。しかしながら、粘着テープの耐熱性を向上させると、半導体チップのピックアップ工程で、不良が起きるという問題があった。半導体チップをピックアップする際には、通常、半導体チップの間隔を広げるために、粘着テープを広げるエキスパンド工程の後に半導体チップのピックアップを行う。しかし、粘着テープの耐熱性を向上させると、粘着テープの柔軟性が低下してしまうことから、半導体チップの間隔が十分に広がらない。一方で、エキスパンド工程において半導体チップの間隔を十分に広げるために、耐熱性を向上させた粘着テープに大きな応力を付加すると、粘着テープが、該粘着テープを保持するリングフレームから離脱してしまうという問題があった。
【０００６】
また、半導体チップの製造工程では、半導体ウエハや半導体チップを途中まで加工し、一時的に保管する工程が設けられることがある。しかし、粘着テープの耐熱性を向上させると、低い伸び量で粘着テープの降伏点に達してしまうので、エキスパンドされた粘着テープが復元せず、結果として、半導体チップの製造工程を中断できない場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平０５−１１４６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑み、本発明は、１５０℃以上の熱を伴う加熱処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープで加熱処理工程と半導体チップのピックアップ工程とを行うことができる半導体加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、基材フィルム上に粘着層が形成された粘着テープであって、基材フィルムがポリアリーレンエーテルケトンを含む粘着テープを用いることで、加熱処理工程とピックアップ工程を一貫して実施できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
本発明の構成の要旨は、以下の通りである。
［１］基材フィルム上に粘着層が形成された半導体加工用テープであり、
前記基材フィルムが、ポリアリーレンエーテルケトンを含有する半導体加工用テープ。
［２］半導体ウエハを半導体チップに個片化するために用いられる［１］に記載の半導体加工用テープ。
［３］長手方向の降伏点が、２％以上１００％以下の範囲である［１］または［２］に記載の半導体加工用テープ。
［４］前記基材フィルム中における前記ポリアリーレンエーテルケトンの結晶化度が、１０％以上３５％以下である［１］または［２］に記載の半導体加工用テープ。
［５］前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率、長手方向に対して直交方向の寸法変化率が、いずれも３％以下である［１］または［２］に記載の半導体加工用テープ。
［６］前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向に対して直交方向の寸法変化率の差が、５％以下である［１］または［２］に記載の半導体加工用テープ。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の態様によれば、基材フィルムが、ポリアリーレンエーテルケトンを含有することにより、１５０℃以上の熱を伴う加熱処理工程を有する場合であっても、１つの粘着テープで加熱処理工程と半導体チップのピックアップ工程とを行うことができ、また、エキスパンド工程時に粘着テープがリングフレームから離脱してしまうことを防止できる。従って、半導体チップの製造工程が簡略化され、また、半導体チップの歩留まりを向上させることができる。
【００１２】
本発明の態様によれば、長手方向の降伏点が２％以上１００％以下であることにより、エキスパンド工程にて半導体チップの間隔が円滑に広げられつつ、エキスパンドされた粘着テープが確実に復元されて半導体チップの製造工程の中断がより容易化される。また、半導体加工用テープの耐熱性が確実に向上する。
【００１３】
本発明の態様によれば、基材フィルム中における前記ポリアリーレンエーテルケトンの結晶化度が１０％以上３５％以下であることにより、基材フィルムの耐熱性が確実に向上して加熱処理時の基材フィルムの変形が確実に防止されつつ、基材フィルムの脆化を確実に防止できる。
【００１４】
本発明の態様によれば、半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率、長手方向に対して直交方向の寸法変化率が、いずれも３％以下であることにより、加熱処理時にウエハが半導体加工用テープから脱落することを確実に防止できる。
【００１５】
本発明の態様によれば、半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と長手方向に対して直交方向の寸法変化率の差が５％以下であることにより、加熱処理時にウエハが半導体加工用テープから脱落することをさらに確実に防止できる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の半導体加工用テープは、基材フィルム上に粘着剤が層状に形成された粘着テープである。基材フィルムが、材料としてポリアリーレンエーテルケトンを含有する。
【００１７】
基材フィルムとしては、ポリアリーレンエーテルケトン（ＰＡＥＫ）樹脂から形成されたフィルム（以下、「ＰＡＥＫフィルム」ということがある。）が用いられる。ＰＡＥＫ樹脂から形成された基材フィルムは、耐熱性に優れるので、１５０℃以上の熱を伴う加熱処理工程での使用に適している。ＰＡＥＫ樹脂の樹脂種としては、例えば、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルエーテルケトンケトンなどが挙げられる。これらのＰＡＥＫ樹脂は、単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。これらのうち、耐熱性と製造性により優れる点から、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。
【００１８】
ＰＡＥＫフィルムの形成方法は、特に限定されず、公知のフィルム形成方法を使用できる。ＰＥＥＫ樹脂から形成されたフィルム（以下、「ＰＥＥＫフィルム」ということがある。）等のＰＡＥＫフィルムは、例えば、押出法やソルベントキャスト法により形成することができる。また、フィルム状に形成後、アニーリング処理してもよい。また、ＰＥＥＫフィルムは、市販品を用いてもよい。市販品の具体例としては、ＶＩＣＴＲＥＸ社製のＡＰＴＩＶフィルムシリーズ、住友ベークライト株式会社製のＦＳ−１１００シリーズが挙げられる。
【００１９】
また、基材フィルムは、ＰＡＥＫ以外の樹脂を含んでもよい。ＰＡＥＫ以外の樹脂としては、特に限定されないが、基材フィルムの形成条件と１５０℃以上の熱を伴うウエハの加熱処理工程に対応する点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１５０℃以上の樹脂が好ましい。Ｔｇが１５０℃以上の樹脂としては、例えば、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリアリレート、ポリフェニレンエーテル、液晶ポリマー、ポリエステルなどが挙げられる。これらは、単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２０】
ＰＡＥＫ以外の樹脂が含まれる場合、ＰＡＥＫ樹脂とＰＡＥＫ以外の樹脂の割合は、特に限定されないが、耐熱性の点から、ＰＡＥＫ樹脂１００質量部に対して、１０質量部以上１５０質量部以下が好ましく、２０質量部以上１００質量部以下が特に好ましい。
【００２１】
基材フィルムの厚みは、特に限定されないが、半導体ウエハをより確実に補強する点から、その下限値は、１０μｍが好ましく、２５μｍが特に好ましい。一方で、基材フィルムの厚みの上限値は、エキスパンド工程をより円滑化して半導体チップを確実にピックアップできる点から、２００μｍが好ましく、１００μｍが特に好ましい。
【００２２】
また、基材フィルムの長手方向の降伏点は、エキスパンド工程をより円滑化してダイシングされた半導体チップ間の間隔を確実に広げる点から、その下限値は、２．０％が好ましく、４．０％がより好ましく、５．０％が特に好ましい。一方で、基材フィルムの長手方向の降伏点の上限値は、エキスパンドされた粘着テープが確実に復元されて半導体チップの製造工程の中断がより容易化され、また、半導体加工用テープの耐熱性が確実に向上して熱の負荷を受けても耐変形性が確実に得られる点から、１００％が好ましく、９０％がより好ましく、６０％がさらに好ましく、５０％が特に好ましい。ここで、基材フィルムの長手方向とは、基材フィルム成膜時の流れ方向である。
【００２３】
また、基材フィルムに含まれるＰＡＥＫの結晶化度は、特に限定されないが、その下限値は、基材フィルムの耐熱性が確実に向上して熱の負荷を受けても耐変形性が確実に得られる点から、１０％が好ましく、１５％がより好ましく、１８％が特に好ましい。一方で、ＰＡＥＫの結晶化度の上限値は、基材フィルムの脆化を確実に防止する点から、３５％が好ましく、３０％がより好ましく、２５％が特に好ましい。
【００２４】
また、基材フィルムの、２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の寸法変化率は、加熱処理時にウエハが半導体加工用テープから脱落することを確実に防止できる点から、長手方向の寸法変化率及び長手方向に対して直交方向（幅方向）の寸法変化率は、いずれも３％以下であることが好ましく、２％以下がより好ましく、１％以下が特に好ましい。
【００２５】
また、基材フィルムの、２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の幅方向の寸法変化率の差は、加熱処理時にウエハが半導体加工用テープから脱落することを確実に防止できる点から、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、１％以下が特に好ましい。
【００２６】
上記した基材フィルムの長手方向の降伏点の範囲及び寸法変化率の範囲は、原料の樹脂をフィルム状に成形する際の押出時の引っ張り条件やフィルムをアニーリング処理する際の条件を適宜設定することで調整できる。例えば、テープの材料として一般的に使用される質量平均分子量５０００以上２００万以下のＰＡＥＫ樹脂（例えば、ＰＥＥＫ樹脂）の場合、押出時の引取ライン速度を調整し、また、必要に応じて、さらに、成形したフィルムを、加熱温度と加熱時間を調整しながら、フィルムに対する張力を抑えてアニーリング処理することで、上記長手方向の降伏点の範囲内、上記寸法変化率の範囲内の基材フィルムを得ることができる。
【００２７】
なお、基材フィルム上に形成される後述する粘着層は、基材フィルムと比較して降伏点及び寸法変化率にほとんど影響しないので、基材フィルムが上記した降伏点の範囲及び寸法変化率の範囲を備えることで、本発明の半導体加工用テープは上記した降伏点の範囲及び寸法変化率の範囲を有することができる。
【００２８】
半導体加工用テープの粘着層を構成する粘着剤としては、特に限定されず、公知のものを使用できるが、例えば、アクリル系、エポキシ系、アリル系、シリコーン系、フッ素系等の粘着剤が挙げられる。このうち、耐熱性に優れ、また、粘着力の調整が容易であることから、アクリル系の粘着剤が好ましい。
【００２９】
粘着剤は、硬化型粘着剤でも、非硬化型粘着剤でも、いずれも使用可能であるが、加熱処理前に硬化させておくことによって、加熱処理時の熱による接着促進を抑制して糊残りなく半導体チップをピックアップできることから、硬化型粘着剤が好ましい。
【００３０】
硬化型粘着剤としては、紫外線等の光の照射により、架橋、硬化する光硬化型粘着剤、加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。光硬化型粘着剤としては、例えば、主成分である重合性ポリマーと光重合開始剤を含有する組成物である光硬化型粘着剤が挙げられる。熱硬化型粘着剤としては、例えば、主成分である重合性ポリマーと熱重合開始剤を含有する組成物である熱硬化型粘着剤が挙げられる。
【００３１】
重合性ポリマーは、例えば、第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーをあらかじめ合成しておき、第１の官能基と反応する第２の官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物と、前記第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーと、を反応させることにより得ることができる。
【００３２】
第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーは、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、該主モノマーと第１の官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他のモノマーとを共重合させることにより得られる。第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーの質量平均分子量は、例えば、２０万〜２００万である。「質量平均分子量」とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、常温で測定し、ポリスチレン換算にて算出される質量平均分子量を意味する。
【００３３】
第１の官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００３４】
他のモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等、（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種の重合性モノマーが挙げられる。
【００３５】
第２の官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物としては、第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーの第１の官能基に応じて上記した第１の官能基含有モノマーと同様の化合物を使用できる。例えば、第１の官能基がカルボキシル基の場合には、第２の官能基として、エポキシ基を含有する化合物やイソシアネート基を含有する化合物が用いられる。第１の官能基がヒドロキシル基の場合には、第２の官能基として、イソシアネート基を含有する化合物が用いられる。また、第１の官能基がエポキシ基の場合には、第２の官能基として、カルボキシル基を含有する化合物やアクリルアミド等のアミド基を含有する化合物が用いられる。また、第１の官能基がアミノ基の場合には、第２の官能基として、エポキシ基を含有する化合物が用いられる。
【００３６】
光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。このような光重合開始剤としては、例えば、ジメチルアミノアセトフェノン、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン系光重合開始剤や、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン系光重合開始剤や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール系光重合開始剤や、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルホスフィンオキサイド、(２，４，６‐トリメチルベンゾイル)エトキシフェニルホスフィンオキサイド等のホスフィンオキシド系光重合開始剤や、エタノン１−〔９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（０−アセチルオキシム）、２−（アセチルオキシイミノメチル）チオキサンテン−９−オン、１，８−オクタンジオン，１，８−ビス［９−エチル−６−ニトロ−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１，８−ビス（Ｏ−アセチルオキシム）、１，８−オクタンジオン，１，８−ビス［９−（２−エチルヘキシル）−６−ニトロ−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１，８−ビス（Ｏ−アセチルオキシム）、(Ｚ) −(９−エチル−６−ニトロ−９Ｈ−カルバゾール−３−イル)(４−((１−メトキシプロパン−２−イル)オキシ) −２−メチルフェニル)メタノン Ｏ−アセチルオキシム等のオキシムエステル系光重合開始剤等が挙げられる。また、光重合開始剤としては、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３７】
熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられる。具体的には、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーペンタＨ（以上いずれも日油株式会社製）等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３８】
光硬化型粘着剤や熱硬化型粘着剤には、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーを配合してもよい。ラジカル重合性の多官能オリゴマーまたはモノマーを配合することにより、光硬化性、熱硬化性がさらに向上する。多官能オリゴマーまたはモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、加熱または光の照射による粘着剤の三次元網状化が効率よくなされるように、分子量が５０００以下かつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個の化合物が特に好ましい。
【００３９】
多官能オリゴマーまたはモノマーとしては、例えば、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート等の２官能の（メタ）アクリレート化合物、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の３官能以上の（メタ）アクリレート化合物が挙げられる。これらの多官能オリゴマーまたはモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４０】
上記硬化型粘着剤は、さらに、該硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、２００℃以上の加熱を伴う処理を経ても、粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有することにより、光照射または加熱することによって上記硬化型粘着剤と化学反応して上記硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより半導体チップ上への糊残りを防止する効果も発揮される。
【００４１】
粘着層の厚さは、特に限定されないが、その下限値は、半導体ウエハや半導体チップに対する粘着力を確実に付与し、半導体ウエハや半導体チップを確実に保護する点から、５μｍが好ましく、１０μｍが特に好ましい。一方で、粘着層の厚さの上限値は、ダイシング時に粘着剤が被着体側面に残るのを防止する観点から、１００μｍが好ましく、５０μｍが特に好ましい。
【実施例】
【００４２】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明は、以下の実施例の態様に限定されるものではない。
【００４３】
粘着剤作製方法
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４質量部、第１の官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６質量部、ラウリルメルカプタン０．０１質量部と、酢酸エチル８０質量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。次に、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１質量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１質量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後に、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５質量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５質量％、質量平均分子量６０万の第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。得られた第１の官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００質量部に対して、第２の官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５質量部を加えて反応させて、重合性ポリマーを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００質量部に対して、シリコーンアクリレート２０質量部、シリカフィラー２０質量部、化学架橋剤０．５質量部、光重合開始剤１質量部を混合し、アクリル系硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
【００４４】
なお、シリコーンアクリレート、シリカフィラー、化学架橋剤及び光重合開始剤には、以下のものを用いた。
シリコーンアクリレート：ＥＢＥＣＲＹＬ  ３５０、ダイセル・オルネクス株式会社製
シリカフィラー：レオロシール  ＭＴ−１０、株式会社トクヤマ製
化学架橋剤：コロネートＬ−４５、積水フーラー株式会社製
光重合開始剤：エサキュアワン、ＤＫＳＨジャパン株式会社製
【００４５】
基材フィルム作製方法
実施例１
Ｓｏｌｖａｙ社製ＰＥＥＫ樹脂「ＫＴ８２０ＮＴ」（４００℃におけるメルトフローレート３ｇ／１０ｍｉｎ、２．１６ｋｇ）を、押出時の線速１０ｍ／ｍｉｎにて押出成形し、厚さ５０μｍのフィルムを得た。得られたフィルムを、押出成形直後に急冷することで、実施例１の基材フィルムを作製した。
実施例２
実施例１の基材フィルムを、さらに、３００℃で２時間、張力３０Ｎ にてアニーリング処理して実施例２の基材フィルムを得た。
実施例３
押出時の引っ張り条件を５ｍ／ｍｉｎへ変更した以外は、実施例１と同様にして実施例３の基材フィルムを得た。
実施例４
実施例１の基材フィルムを、さらに、２８０℃で１時間、張力３０Ｎ にてアニーリング処理して実施例４の基材フィルムを得た。
実施例５
実施例１の基材フィルムを、さらに、２８０℃で０．５時間、張力３０Ｎ にてアニーリング処理して実施例５の基材フィルムを得た。
実施例６
Ｓｏｌｖａｙ社製ＰＥＥＫ樹脂「ＫＴ８２０ＮＴ」と「ＫＴ８８０ＮＴ」（４００℃におけるメルトフローレート３６ｇ／１０ｍｉｎ、２．１６ｋｇ）を質量比５：５で押出成形し、厚さ５０μｍのフィルムを得た。押出時の線速を５ｍ／ｍｉｎにした。得られたフィルムを、押出成形直後に急冷することで、実施例６の基材フィルムを作製した。
実施例７
実施例６の基材フィルムを、３００℃で１時間、張力３０Ｎにてアニーリング処理して実施例７の基材フィルムを得た。
実施例８
実施例６の基材フィルムを、３００℃で１時間、張力１０Ｎにてアニーリング処理して実施例８の基材フィルムを得た。
実施例９
実施例６の基材フィルムを平板で挟んで基材フィルムに対する張力を約０とした状態で、３００℃で１時間、アニーリング処理して実施例９の基材フィルムを得た。
実施例１０
Ｓｏｌｖａｙ社製ＰＥＥＫ樹脂「ＫＴ８２０ＮＴ」と「ＫＴ８８０ＮＴ」、住友化学株式会社製ポリエーテルサルフォン樹脂「スミカエクセル４１００Ｇ」（４００℃における溶融粘度が２００Ｐａｓ）を質量比３５：３５：３０で押出成形した以外は、実施例９と同様にして、実施例１０の基材フィルムを得た。
【００４６】
比較例１
帝人株式会社製ポリエステルナフタレート樹脂フィルム「ＰＥＮＱ５３Ｃ」を基材フィルムとした。
【００４７】
上記のように作製した各基材フィルムに、上記のように作製した粘着剤を乾燥後の厚みが２０μｍとなるように塗工して、各サンプルを得た。
【００４８】
評価項目
（１）降伏点
株式会社島津製作所製オートグラフ「ＡＧ−Ｘｐｌｕｓ」にて、各サンプルの引張試験を行い、引張応力が下降に転じた引張強度を降伏点とした。なお、降伏点の測定条件は、常温、サンプルサイズ１０ｍｍ幅×チャック間距離５０ｍｍ、引っ張り速度５０ｍｍ／ｍｉｎとした。
【００４９】
（２）結晶化度
各基材フィルムに対し、示差走査熱量計（株式会社島津製作所製「ＤＳＣ−６０ｐｌｕｓ」）にて示差走査熱量分析（ＤＳＣ）を行い、その結晶化ピーク面積から結晶化度を求めた。
【００５０】
（３）寸法変化率
２６０℃の恒温槽中に各サンプルを３分間保管し、保管前後の各サンプルの長手方向（ＭＤ方向）及び長手方向に対して直交方向（ＴＤ方向）の寸法変化率を求めた。また、ＭＤ方向とＴＤ方向の寸法変化率から、その差分を算出した。
【００５１】
（４）加熱工程適性
２００℃と２６０℃の各温度に設定したチャンバー内に、ウエハに貼合した各サンプルであるテープを５分放置後、チャンバーから各サンプルを取り出して、剥離状況を目視にて確認し、以下の基準で評価した。
ウエハにテープからの剥離や端部の浮きがない：〇、
ウエハにテープからの剥離はないが端部に浮きがある：△、
ウエハがテープから剥離：×
【００５２】
（５）ダイシング適性
加熱工程を経たウエハをダイサー（株式会社ディスコ製ＤＡＤ６３４０）にて３ｍｍ角に個片化し、以下の基準で評価した。
問題なくウエハの個片化可能：〇、
ウエハ端部にてチップ飛びあり：△、
チャックテーブル固定不能：×
【００５３】
（６）ピックアップ適性
個片化したチップをピックアップダイボンダ―（ＤＢ８００ＨＳＬ）にてピックアップし、以下の基準で評価した。
ピックアップ可能：〇、
一部のチップに対して認識取れず：△、
チップに対して全く認識取れず：×
【００５４】
評価結果を下記表１に示す。
【００５５】
【表１】
2020167301.tif 000002
【００５６】
上記表１から、実施例１〜１０では、２００℃にて、加熱工程適性、ダイシング適性、ピックアップ適性が得られた。実施例１〜１０では、基材フィルムが耐熱性に優れたポリアリーレンエーテルケトンであるポリエーテルエーテルケトンを含有することにより、１５０℃以上の熱を伴う加熱処理工程を有する場合であっても、１つのテープで加熱処理工程と半導体チップのピックアップ工程とを行うことができることが判明した。
【００５７】
また、降伏点を２％以上１００％以下に制御できた実施例３〜１０では、２６０℃でも加熱工程適性に優れ、また、２６０℃でもダイシング適性が得られやすかった。従って、実施例３〜１０では、テープの耐熱性が確実に向上しつつ、エキスパンド工程にて半導体チップの間隔が円滑に広げられ、さらに、エキスパンドされた粘着テープが確実に復元されて半導体チップの製造工程の中断がより容易化できることが判明した。また、さらにポリアリーレンエーテルケトンの結晶化度を１０％以上３５％以下に制御できた実施例４、６〜１０では、基材フィルムの耐熱性が確実に向上して加熱処理時の基材フィルムの変形が確実に防止されつつ、基材フィルムの脆化を確実に防止できることが判明した。また、さらにＭＤ方向及びＴＤ方向の寸法変化率をいずれも３％以下に制御できた実施例８〜１０では、２６０℃にてもピックアップ適性が得られ、加熱処理時にウエハが半導体加工用テープから脱落することを確実に防止できることが判明した。また、実施例８〜１０では、ＭＤ方向とＴＤ方向の寸法変化率の差分を５％以下に制御できた。特に、ＭＤ方向とＴＤ方向の寸法変化率の差分を０．５％以下に制御できた実施例９、１０では、２６０℃にても優れたピックアップ適性が得られ、加熱処理時にウエハが半導体加工用テープから脱落することをさらに確実に防止できることが判明した。
【００５８】
一方で、比較例１では、２６０℃の加熱工程に耐えられず、溶融してしまった。比較例１では、耐熱性が得られず、従って、加熱工程の後工程であるダイシング適性、ピックアップ適性は評価できなかった。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着層が形成された半導体加工用テープであり、
前記基材フィルムが、ポリアリーレンエーテルケトンを含有し、
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向に対して直交方向の寸法変化率が、１％以下である半導体加工用テープ。
【請求項２】
半導体ウエハを半導体チップに個片化するために用いられる請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
長手方向の降伏点が、２％以上１００％以下の範囲である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項４】
前記基材フィルム中における前記ポリアリーレンエーテルケトンの結晶化度が、１０％以上３５％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項５】
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率、長手方向に対して直交方向の寸法変化率が、いずれも１％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項６】
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向に対して直交方向の寸法変化率の差が、５％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項７】
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向に対して直交方向の寸法変化率の差が、１％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月1日(2020.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着層が形成された半導体加工用テープであり、
前記基材フィルムが、ポリアリーレンエーテルケトンを含有し、
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率、長手方向に対して直交方向の寸法変化率が、いずれも１％以下であり、
前記基材フィルム中における前記ポリアリーレンエーテルケトンの結晶化度が、１８％以上３０％以下である半導体加工用テープ。
【請求項２】
半導体ウエハを半導体チップに個片化するために用いられる請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
長手方向の降伏点が、２％以上１００％以下の範囲である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項４】
前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向の寸法変化率と前記半導体加工用テープを２６０℃の雰囲気下にて３分間保持した後の長手方向に対して直交方向の寸法変化率の差が、１％以下である請求項１または２に記載の半導体加工用テープ。