(57)【要約】      （修正有）【課題】インダクタンスが良好で、ビア加工を確実に成功させることができるインダクタを提供する。【解決手段】インダクタ１は、配線２と、配線２を被覆する磁性層３とを備える。配線２は、導線６と絶縁層７とを備える。磁性層３は、異方性磁性粒子８とバインダ９とを含有し、配線２の周辺領域１１において、配向領域１３を備える。周辺領域１１は、断面視において、配線２の重心から配線２の外面までの最長長さおよび最短長さの平均の１．５倍値を、配線２の外面から外側に進んだ領域であり、インダクタ１の上面に、配線２に起因する凸部１０を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線と、前記配線を被覆する磁性層とを備えるインダクタであって、
前記配線は、導線と、前記導線を被覆する絶縁層とを備え、
前記磁性層は、異方性磁性粒子と、バインダとを含有し、
前記配線の周辺領域において、前記磁性層は、前記異方性磁性粒子が、前記配線の周囲に沿って配向する配向領域を備え、
前記周辺領域は、断面視において、前記配線の重心から前記配線の外面までの最長長さおよび最短長さの平均の１．５倍値を、前記配線の前記外面から外側に進んだ領域であり、
前記インダクタの厚み方向一方面に、前記配線に起因する凸部を有することを特徴とする、インダクタ。
【請求項２】
前記配線は、前記厚み方向と直交する直交方向に間隔を隔てて複数配置されており、
前記複数の配線は、前記磁性層を介して連続していることを特徴とする、請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記配線の断面視形状が、円形であることを特徴とする、請求項１または２に記載のインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタは、電子機器などに搭載されて、電圧変換部材などの受動素子として用いられることが知られている。
【０００３】
例えば、磁性体材料からなる直方体状のチップ本体部と、そのチップ本体部の内部に埋設された銅などの内部導体とを備え、チップ本体部の断面形状と内部導体の断面形状とが相似形であるインダクタが提案されている（特許文献１参照。）。すなわち、特許文献１のインダクタでは、断面視矩形状（直方体状）の配線（内部導体）の周囲に磁性体材料が被覆されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１４４５２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、インダクタには、さらなるインダクタンスの向上が求められている。
【０００６】
また、インダクタは、所望の配線基板に実装される。この際、特許文献１の内部導体は、磁性体材料で被覆されているため、インダクタの厚み方向一方面からビア加工して、内部導体を露出させ、その露出させた内部導体に導通させる必要が生じる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１のインダクタでは、厚み方向一方面からビア加工する際に、内部導体の位置が判別できない。すなわち、内部導体４０の領域とは位置ずれしした場所に開口部４１（ビア）が形成されてしまい（図８参照）、１００％の確率ではビア加工が成功することは困難である。
【０００８】
本発明は、インダクタンスが良好で、ビア加工を確実に成功させることができるインダクタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明［１］は、配線と、前記配線を被覆する磁性層とを備えるインダクタであって、前記配線は、導線と、前記導線を被覆する絶縁層とを備え、前記磁性層は、異方性磁性粒子と、バインダとを含有し、前記配線の周辺領域において、前記磁性層は、前記異方性磁性粒子が、前記配線の周囲に沿って配向する配向領域を備え、前記周辺領域は、断面視において、前記配線の重心から前記配線の外面までの最長長さおよび最短長さの平均の１．５倍値を、前記配線の前記外面から外側に進んだ領域であり、前記インダクタの厚み方向一方面に、前記配線に起因する凸部を有する、インダクタを含む。
【００１０】
このインダクタによれば、配線の周辺に、異方性磁性粒子が周囲に沿って配向する配向領域が存在するため、インダクタンスが良好である。
【００１１】
また、インダクタの厚み方向一方面に、配線に起因する凸部を有するため、凸部にビア加工すると、配線を確実に露出させることができる。したがって、ビア加工を確実に成功させることができる。
【００１２】
本発明［２］は、前記配線は、前記厚み方向と直交する直交方向に間隔を隔てて複数配置されており、前記複数の配線は、前記磁性層を介して連続している、［１］に記載のインダクタを含む。
【００１３】
このインダクタによれば、複数の配線間に、これらに直交方向に連続する磁性層が配置されているため、インダクタンスが良好である。
【００１４】
本発明［３］は、前記配線の断面視形状が、円形である、［１］または［２］に記載のインダクタを含む。
【００１５】
配線の断面視形状が、円形であるため、角部が存在しない。したがって、配線の周辺に、異方性磁性粒子を周囲（円周方向）に沿って配向させやすい。そのため、配向領域を確実に形成することができ、インダクタンスを確実に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のインダクタによれば、インダクタンスが良好で、ビア加工を確実に成功させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１Ａ−Ｂは、本発明のインダクタの第１実施形態であって、図１Ａは、平面視図、図１Ｂは、図１ＡのＡ−Ａ断面図を示す。
【図２】図２は、図１Ｂの破線部の部分拡大図を示す。
【図３】図３Ａ−Ｂは、図１Ａ−Ｂに示すインダクタの製造工程図であって、図３Ａは、配置工程、図３Ｂは、積層工程を示す。
【図４】図４は、図１Ｂに示すインダクタをビア加工した際の断面図を示す。
【図５】図５は、図１Ａ−Ｂに示すインダクタの変形例（配線が単数である形態）を示す。
【図６】図６は、本発明のインダクタの第２実勢形態の部分拡大断面図を示す。
【図７】図７は、図６に示すインダクタをビア加工した際の断面図を示す。
【図８】図８は、従来のインダクタをビア加工した際の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１Ａにおいて、紙面左右方向は、第１方向であって、紙面左側が第１方向一方側、紙面右側が第１方向他方側である。紙面上下方向は、第２方向（第１方向と直交する方向）であって、紙面上側が第２方向一方側（配線軸方向一方向）、紙面下側が第２方向他方側（配線軸他方向）である。紙面紙厚方向は、上下方向（第１方向および第２方向と直交する第３方向、厚み方向）であって、紙面手前側が上側（第３方向一方側、厚み方向一方側）、紙面奥側が下側（第３方向他方側、厚み方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
【００１９】
＜第１実施形態＞
１．インダクタ
本発明のインダクタの第１実施形態の一実施形態を、図１Ａ−図２を参照して説明する。
【００２０】
図１Ａ−Ｂに示すように、インダクタ１は、面方向（第１方向および第２方向）に延びる平面視略矩形状を有する。
【００２１】
インダクタ１は、複数（２つ）の配線２と、磁性層３とを備える。
【００２２】
複数の配線２は、それぞれ、第１配線４と、第１配線４と幅方向（第１方向；厚み方向と直交する直交方向）に間隔を隔てて配置される第２配線５とを備える。
【００２３】
第１配線４は、図１Ａ−Ｂに示すように、第２方向に長尺に延び、例えば、平面視略Ｕ字形状を有する。また、第１配線４は、断面視略円形状を有する。
【００２４】
第１配線４は、導線６と、それを被覆する絶縁層７とを備える。
【００２５】
導線６は、第２方向に長尺に延び、例えば、平面視略Ｕ字形状を有する。また、導線６は、第１配線４と中心軸線を共有する断面視略円形状を有する。
【００２６】
導線６の材料は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、これらの合金などの金属導体であり、好ましくは、銅が挙げられる。導線６は、単層構造であってもよく、コア導体（例えば、銅）の表面にめっき（例えば、ニッケル）などがされた複層構造であってもよい。
【００２７】
導線６の半径Ｒ１は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【００２８】
絶縁層７は、導線６を薬品や水から保護し、また、導線６の短絡を防止するための層である。絶縁層７は、導線６の外周面全面を被覆するように、配置されている。
【００２９】
絶縁層７は、第１配線４と中心軸線（中心Ｃ１）を共有する断面視略円環形状を有する。
【００３０】
絶縁層７の材料としては、例えば、ポリビニルホルマール、ポリエステル、ポリエステルイミド、ポリアミド（ナイロンを含む）、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタンなどの絶縁性樹脂が挙げられる。これらは、１種単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。
【００３１】
絶縁層７は、単層から構成されていてもよく、複数の層から構成されていてもよい。
【００３２】
絶縁層７の厚みＲ２は、円周方向のいずれの位置においても配線２の径方向において略均一であり、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００３３】
絶縁層７の厚みＲ２に対する、導線６の半径Ｒ１の比（Ｒ１／Ｒ２）は、例えば、１以上、好ましくは、１０以上であり、例えば、２００以下、好ましくは、１００以下である。
【００３４】
第１配線４の半径（Ｒ１＋Ｒ２）は、例えば、２５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。
【００３５】
第１配線４が略Ｕ字形状である場合、第１配線４の中心間距離Ｄ２は、後述する複数の配線２間の中心間距離Ｄ１と同一距離であり、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。
【００３６】
第２配線５は、第１配線４と同一形状であり、同一の構成、寸法および材料を備える。すなわち、第２配線５は、第１配線４と同様に、導線６と、それを被覆する絶縁層７とを備える。
【００３７】
複数の配線２（第１配線４および第２配線５）は、後述する磁性層３を介して連続している。すなわち、第１配線４と第２配線５との間に、第１方向に延びる磁性層３が配置されており、磁性層３は、第１配線４および第２配線５の両方に接触している。
【００３８】
第１配線４と第２配線５との中心間距離Ｄ１は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、２０００μｍ以下である。
【００３９】
磁性層３は、インダクタンスを向上させるための層である。
【００４０】
磁性層３は、複数の配線２の外周面全面を被覆するように、配置されている。磁性層３は、インダクタ１の外形をなす。具体的には、磁性層３は、面方向（第１方向および第２方向）に延びる平面視略矩形状を有する。また、磁性層３は、その第２方向他方面において、複数の配線２の第２方向端縁を露出する。
【００４１】
磁性層３は、異方性磁性粒子８およびバインダ９を含有する磁性組成物から形成されている。
【００４２】
異方性磁性粒子（以下、「粒子」とも略する。）８を構成する材料としては、軟磁性体、硬磁性体が挙げられる。好ましくは、インダクタンスの観点から、軟磁性体が挙げられる。
【００４３】
軟磁性体としては、例えば、１種類の金属元素を純物質の状態で含む単一金属体、例えば、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体（混合物）である合金体が挙げられる。これらは、単独または併用することができる。
【００４４】
単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素（第１金属元素）のみからなる金属単体が挙げられる。第１金属元素としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、その他、軟磁性体の第１金属元素として含有することが可能な金属元素の中から適宜選択される。
【００４５】
また、単一金属体としては、例えば、１種類の金属元素のみを含むコアと、そのコアの表面の一部または全部を修飾する無機物および／または有機物を含む表面層とを含む形態、例えば、第１金属元素を含む有機金属化合物や無機金属化合物が分解（熱分解など）された形態などが挙げられる。後者の形態として、より具体的には、第１金属元素として鉄を含む有機鉄化合物（具体的には、カルボニル鉄）が熱分解された鉄粉（カルボニル鉄粉と称される場合がある）などが挙げられる。なお、１種類の金属元素のみを含む部分を修飾する無機物および／または有機物を含む層の位置は、上記のような表面に限定されない。なお、単一金属体を得ることができる有機金属化合物や無機金属化合物としては、特に制限されず、軟磁性体の単一金属体を得ることができる公知乃至慣用の有機金属化合物や無機金属化合物から適宜選択することができる。
【００４６】
合金体は、１種類以上の金属元素（第１金属元素）と、１種類以上の金属元素（第２金属元素）および／または非金属元素（炭素、窒素、ケイ素、リンなど）との共融体であり、軟磁性体の合金体として利用することができるものであれば特に制限されない。
【００４７】
第１金属元素は、合金体における必須元素であり、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などが挙げられる。なお、第１金属元素がＦｅであれば、合金体は、Ｆｅ系合金とされ、第１金属元素がＣｏであれば、合金体は、Ｃｏ系合金とされ、第１金属元素がＮｉであれば、合金体は、Ｎｉ系合金とされる。
【００４８】
第２金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する金属元素であって、例えば、鉄（Ｆｅ）（第１金属元素がＦｅ以外である場合）、コバルト（Ｃｏ）（第１金属元素がＣｏ以外である場合）、ニッケル（Ｎｉ）（第１金属元素Ｎｉ以外である場合）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、各種希土類元素などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。
【００４９】
非金属元素は、合金体に副次的に含有される元素（副成分）であり、第１金属元素に相溶（共融）する非金属元素であって、例えば、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）などが挙げられる。これらは、単独使用または２種以上併用することができる。
【００５０】
合金体の一例であるＦｅ系合金として、例えば、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）（電磁ステンレスを含む）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）（スーパーセンダストを含む）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ―Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金、Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｓｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎ合金、Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｐ合金、フェライト（ステンレス系フェライト、さらには、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライトを含む）、パーメンジュール（Ｆｅ−Ｃｏ合金）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｖ合金、Ｆｅ基アモルファス合金などが挙げられる。
【００５１】
合金体の一例であるＣｏ系合金としては、例えば、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、コバルト（Ｃｏ）基アモルファス合金などが挙げられる。
【００５２】
合金体の一例であるＮｉ系合金としては、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ合金などが挙げられる。
【００５３】
これら軟磁性体の中でも、磁気特性の点から、好ましくは、合金体、より好ましくは、Ｆｅ系合金、さらに好ましくは、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）が挙げられる。また、軟磁性体として、好ましくは、単一金属体、より好ましくは、鉄元素を純物質の状態で含む単一金属体、さらに好ましくは、鉄単体、あるいは、鉄粉（カルボニル鉄粉）が挙げられる。
【００５４】
粒子８の形状としては、異方性の観点から、例えば、扁平状(板状）、針状などが挙げられ、好ましくは、面方向（二次元）に比透磁率が良好である観点から、扁平状が挙げられる。なお、磁性層３は、異方性磁性粒子８に加え、非異方性磁性粒子をさらに含有することもできる。非異方性磁性粒子は、例えば、球状、顆粒状、塊状、ペレット状などの形状を有していてもよい。非異方性磁性粒子の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。
【００５５】
なお、扁平状の粒子８の扁平率（扁平度）は、例えば、８以上、好ましくは、１５以上であり、また、例えば、５００以下、好ましくは、４５０以下である。扁平率は、例えば、粒子８の平均粒子径（平均長さ）（後述）を粒子８の平均厚さで除したアスペクト比として算出される。
【００５６】
粒子８（異方性磁性粒子）の平均粒子径（平均長さ）は、例えば、３．５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。粒子８が扁平状であれば、その平均厚みが、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、３．０μｍ以下、好ましくは、２．５μｍ以下である。
【００５７】
バインダ９としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられる。
【００５８】
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。接着性、耐熱性などの観点から、好ましくは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂が挙げられる。
【００５９】
熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂（６−ナイロン、６，６−ナイロンなど）、熱可塑性ポリイミド樹脂、飽和ポリエステル樹脂（ＰＥＴ、ＰＢＴなど）などが挙げられる。好ましくは、アクリル樹脂が挙げられる。
【００６０】
好ましくは、バインダ９として、熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂の併用が挙げられる。より好ましくは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の併用が挙げられる。これにより、粒子８を所定の配向状態で、かつ、高充填で、配線２の周囲により確実に固定できる。
【００６１】
また、磁性組成物は、必要に応じて、熱硬化触媒、無機粒子、有機粒子、架橋剤などの添加剤を含有することもできる。
【００６２】
磁性層３では、粒子８がバインダ９内に配向しながら均一に配置されている。磁性層３は、インダクタ１の上面（厚み方向一方面）から下面（厚み方向他方面）に至るまで連続している。磁性層３は、面方向に投影したときに、配線２を含む。すなわち、磁性層３の上面は、配線２の上端よりも上方に位置し、磁性層３の下面は、配線２の下端よりも下方に位置する。
【００６３】
磁性層３は、断面視において、周辺領域１１と、外側領域１２とを有する。
【００６４】
周辺領域１１は、配線２の周辺領域であって、複数の配線２と接触するように複数の配線２の周囲に位置する。周辺領域１１は、配線２と中心軸線を共有する断面視略円環状を有する。より具体的には、周辺領域１１は、磁性層３のうち、配線２の半径（配線２の中心（重心）Ｃ１から外周面までの距離の平均；Ｒ１＋Ｒ２）の１．５倍値（好ましくは、１．２倍値、より好ましくは、１倍値、さらに好ましくは、０．８倍値、とりわけ好ましくは、０．５倍値）、配線２の外周面から径方向外側に進んだ領域である。
【００６５】
周辺領域１１は、複数の配線２のそれぞれの周囲、すなわち、第１配線４および第２配線５の周囲に配置されている。
【００６６】
周辺領域１１は、それぞれ、複数（２つ）の配向領域１３と、複数（２つ）の非配向領域１４とを備える。
【００６７】
複数の配向領域１３は、円周方向配向領域である。すなわち、配向領域１３では、粒子８が配線２（第１配線４または第２配線５）の円周方向（周囲）に沿って配向する。
【００６８】
複数の配向領域１３は、配線２の上側（第３方向一方側）および下側（第３方向他方側）に、配線２の中心Ｃ１を挟んで互いに対向配置されている。すなわち、複数の配向領域１３は、配線２の上側に配置される上側配向領域１５と、配線２の下側に配置される下側配向領域１６とを備える。また、上側配向領域１５と下側配向領域１６との上下方向中央に、配線２の中心Ｃ１が位置する。
【００６９】
それぞれの配向領域１３では、粒子８の比透磁率が高い方向（例えば、扁平状異方性磁性粒子では、粒子の面方向）が、配線２の中心Ｃ１を中心とした円の接線と略一致する。より具体的には、粒子８の面方向と、その粒子８が位置する円の接線とがなす角度が、１５°以下である場合を、粒子８が円周方向に配向していると定義する。
【００７０】
配向領域１３に含まれる粒子８全体の数に対して、円周方向に配向している粒子８の数の割合は、例えば、５０％を超過し、好ましくは、７０％以上、より好ましくは、８０％以上である。すなわち、配向領域１３では、円周方向に配向していない粒子８を、例えば、５０％未満、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、２０％以下含んでいてもよい。
【００７１】
複数の配向領域１３の総面積割合は、周辺領域１１全体に対して、例えば、４０％以上、好ましくは、５０％以上、より好ましくは、６０％以上であり、また、例えば、９０％以下、好ましくは、８０％以下である。
【００７２】
配向領域１３の円周方向の比透磁率は、例えば、５以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、３０以上であり、また、例えば、５００以下である。径方向の比透磁率は、例えば、１以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、５０以下、より好ましくは、２５以下である。また、径方向に対する円周方向の比透磁率の比（円周方向／径方向）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下である。比透磁率が上記範囲であれば、インダクタンスに優れる。
【００７３】
比透磁率は、例えば、磁性材料テストフィクスチャを使用したインピーダンスアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、「４２９１Ｂ」）によって測定することができる。
【００７４】
複数の非配向領域１４は、円周方向非配向領域である。すなわち、非配向領域１４では、粒子８が、配線２の円周方向に沿って配向していない。換言すると、非配向領域１４では、粒子８が、配線２の円周方向以外の方向（例えば、径方向）に沿って配向するか、または、配向していない。
【００７５】
複数の非配向領域１４は、配線２の第１方向一方側および他方側に、配線２を挟んで互いに対向配置されている。すなわち、複数の非配向領域１４は、配線２（第１配線４または第２配線５）の第１方向一方側に配置される一方側非配向領域１７と、配線２の第１方向他方側に配置される他方側非配向領域１８とを有する。一方側非配向領域１７と他方側非配向領域１８とは、中心Ｃ１を上下方向に通る直線を基準に略線対称である。
【００７６】
それぞれの非配向領域１４では、粒子８の比透磁率が高い方向（例えば、扁平状異方性磁性粒子では、粒子の面方向）が、配線２の中心Ｃ１を中心とした円の接線と一致しない。より具体的には、粒子８の面方向と、その粒子８が位置する円の接線とがなす角度が、１５°を超過する場合を、粒子８が円周方向に配向していないと定義する。
【００７７】
非配向領域１４に含まれる粒子８全体の数に対して、円周方向に配向していない粒子８の数の割合は、５０％を超過し、好ましくは、７０％以上であり、また、例えば、９５％以下、好ましくは、９０％以下である。
【００７８】
非配向領域１４では、例えば、円周方向に配向する粒子８を含んでいてもよい。非配向領域１４に含まれる粒子８全体の数に対して、円周方向に配向する粒子８の数の割合は、５０％未満であり、好ましくは、３０％以下であり、また、例えば、５％以上、好ましくは、１０％以上である。
【００７９】
なお、円周方向に配向する粒子８を含む場合、好ましくは、その円周方向に配向する粒子８は、非配向領域１４の最内側、すなわち、配線２の表面に配置されている。
【００８０】
複数の非配向領域１４の総面積割合は、周辺領域１１全体に対して、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、また、例えば、６０％以下、好ましくは、５０％以下、より好ましくは、４０％以下である。
【００８１】
周辺領域１１（特に、配向領域１３および非配向領域１４のそれぞれ）において、粒子８の充填率は、例えば、４０体積％以上、好ましくは、４５体積％以上であり、また、例えば、９０体積％以下、好ましくは、７０体積％以下である。充填率が上記下限以上であれば、インダクタンスに優れる。
【００８２】
充填率は、実比重の測定、ＳＥＭ写真断面図の二値化などによって算出することができる。
【００８３】
周辺領域１１において、複数の配向領域１３と複数の非配向領域１４とは、円周方向に互いに隣接するように、配置されている。具体的には、上側配向領域１５、一方側非配向領域１７、下側配向領域１６および他方側非配向領域１８は、円周方向に、この順で連続する。なお、配向領域１３と非配向領域１４との円周方向における境界（一端縁または他端縁）は、配線２の中心から径方向外側に延びる仮想直線とする。
【００８４】
外側領域１２は、磁性層３のうち、周辺領域１１以外の領域である。外側領域１２は、周辺領域１１の外側において、周辺領域１１と連続するように配置されている。
【００８５】
外側領域１２では、粒子８が面方向（特に第１方向）に沿って配向している。
【００８６】
外側領域１２では、粒子８の比透磁率が高い方向（例えば、扁平状異方性磁性粒子では、粒子の面方向）が、第１方向と略一致する。より具体的には、粒子８の面方向と、第１方向とがなす角度が、１５°以下である場合を、粒子８が第１方向に配向していると定義する。
【００８７】
外側領域１２では、外側領域１２に含まれる粒子８全体の数に対して、第１方向に配向している粒子８の数の割合が、５０％を超過し、好ましくは、７０％以上、より好ましくは、９０％以上である。すなわち、外側領域１２では、第１方向に配向していない粒子８を５０％未満、好ましくは、３０％以下、より好ましくは、１０％以下含んでいてもよい。
【００８８】
外側領域１２において、第１方向の比透磁率は、例えば、５以上、好ましくは、１０以上、より好ましくは、３０以上であり、また、例えば、５００以下である。上下方向の比透磁率は、例えば、１以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、１００以下、好ましくは、５０以下、より好ましくは、２５以下である。また、上下方向に対する第１方向の比透磁率の比（第１方向／上下方向）は、例えば、２以上、好ましくは、５以上であり、また、例えば、５０以下である。比透磁率が上記範囲であれば、インダクタンスに優れる。
【００８９】
外側領域１２において、粒子８の充填率は、例えば、４０体積％以上、好ましくは、４５体積％以上であり、また、例えば、９０体積％以下、好ましくは、７０体積％以下である。充填率が上記下限以上であれば、インダクタンスに優れる。
【００９０】
磁性層３の上面は、インダクタ１の上面を形成する。すなわち、インダクタ１の上面は、磁性層３からなる。
【００９１】
磁性層３の上面、すなわち、インダクタ１の上面は、複数（２つ）の凸部１０を有する。
【００９２】
複数の凸部１０は、それぞれ、配線２（４、５）に起因して形成されている。凸部１０は、厚み方向に投影したときに、配線２を含む。凸部１０の平面視形状は、配線２の平面視形状と相似形状である。すなわち、凸部１０は、例えば、平面視略Ｕ字形状を有する。凹部１０は、インダクタ１の上面に対向する配線２の円弧形状に沿って円弧上に突出している。よって、凸部１０は、側断面視において、上側に緩やかに突出する円弧形状を有する。より具体的には、凸部１０の円弧形状は、Ｃ１を中心とする中心角αの円弧形状であり、凸部１０は、配線２における中心αの円弧部分に対応する円弧形状を有する。αは、例えば、１５度以上、好ましくは、３０度以上であり、また、例えば、１５０度以下、好ましくは、９０度以下である。凸部１０の内部においても、粒子８は充填されている。
【００９３】
磁性層３の上面において、凸部１０の最上端Ａ１と、配線２間の中点Ｍ１との上下方向距離（段差）Ｈ１は、５μｍ以上であり、好ましくは、１０μｍ以上である。また、上下方向距離Ｈ１は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。上下方向距離Ｈ１が上記下限以上であれば、凸部１０を認識することが容易であり、確実に凸部１０に対してビア加工が可能である。一方、上下方向距離Ｈ１が、上記上限以下であれば、ビア加工の距離を短くでき、配線２を確実に露出することができる。
【００９４】
磁性層３の下面は、インダクタ１の下面を形成する。すなわち、インダクタ１の下面は、磁性層３からなる。
【００９５】
磁性層３の下面、すなわち、インダクタ１の下面は、平坦である。具体的には、磁性層３の下面において、配線領域Ａにおける最下端Ａ２と、配線２間の中点Ｍ２との上下方向距離Ｈ２は、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ未満である。上下方向距離Ｈ２が上記上限以下であれば、インダクタ１を配線基板の上面に配置して実装する際に、インダクタ１を傾かずに配置することができ、実装性に優れる。
【００９６】
配線領域Ａは、厚み方向に投影したときに配線４と重複する領域である。中点Ｍ１および中点Ｍ２は、それぞれ、隣接する２つの配線２の中心（重心）Ｃ１を結ぶ直線において、第１方向の中心に位置する。
【００９７】
磁性層３の第１方向長さＴ１は、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、５０００ｍｍ以下、好ましくは、２０００ｍｍ以下である。
【００９８】
磁性層３の第２方向長さＴ２は、例えば、５ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、５０００ｍｍ以下、好ましくは、２０００ｍｍ以下である。
【００９９】
磁性層３の上下方向長さ（特に、中点Ｍ１における厚さ）Ｔ３は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、２００μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。
【０１００】
磁性層３の上下方向長さＴ３に対する、配線２の厚み（直径）の比（配線直径／Ｔ３）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、例えば、０．９以下、好ましくは、０．７以下である。
【０１０１】
磁性層３の上下方向長さＴ３に対する、凸部１０の厚み（配線２の上端縁からＡ１まで上下方向距離）の比（すなわち、凸部／Ｔ３）は、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上であり、例えば、０．９以下、好ましくは、０．７以下である。
【０１０２】
２．インダクタの製造方法
図３Ａ−Ｂを参照して、インダクタ１の製造方法の一実施形態について説明する。インダクタ１の製造方法は、例えば、用意工程、配置工程および積層工程を順に備える。
【０１０３】
用意工程では、複数の配線２、および、２つの異方性磁性シート２０を用意する。
【０１０４】
２つの異方性磁性シート２０は、それぞれ、面方向に延びるシート状を有し、磁性組成物から形成されている。異方性磁性シート２０では、粒子８が、面方向に配向されている。好ましくは、２つの半硬化状態（Ｂステージ）の異方性磁性シート２０を用いる。
【０１０５】
このような異方性磁性シート２０としては、特開２０１４−１６５３６３号、特開２０１５−９２５４４号などに記載の軟磁性熱硬化性接着フィルムや軟磁性フィルムなどが挙げられる。
【０１０６】
配置工程では、図３Ａに示すように、一方の異方性磁性シート２０の上面に複数の配線２を配置するとともに、複数の配線２の上方に、他方の異方性磁性シート２０を対向配置する。
【０１０７】
具体的には、下側異方性磁性シート２１を、上面が平坦な水平台２３に載置し、続いて、下側異方性磁性シート２１の上面に複数の配線２を第１方向に所望の間隔を隔てて配置する。
【０１０８】
次いで、上側異方性磁性シート２２を、下側異方性磁性シート２１および複数の配線２の上側に、間隔を隔てて対向配置する。
【０１０９】
積層工程では、図３Ｂに示すように、複数の配線２を埋設するように、２つの異方性磁性シート２０を、積層する。
【０１１０】
具体的には、可撓性の押圧部材２４を用いて、上側異方性磁性シート２２を、下側に向かって押圧する。すなわち、押圧部材２４の下面を上側異方性磁性シート２２の上面に接触させ、押圧部材２４を下側異方性磁性シート２１に向かって押圧する。
【０１１１】
これにより、上側異方性磁性シート２２は、配線２に沿うように、配線２および下側異方性磁性シート２１の上面に配置され、その結果、配線２に起因する凸部１０がインダクタ１の上面に形成される。すなわち、上側異方性磁性シート２２の上面に配線２の外周形状がトレースされる。
【０１１２】
この際、２つの異方性磁性シート２０が半硬化状態である場合は、押圧によって、複数の配線２は、下側異方性磁性シート２１内にわずかに沈み込み、沈み込み部分において、粒子８が複数の配線２に沿って配向する。すなわち、下側配向領域１６が形成される。
【０１１３】
また、上側異方性磁性シート２２は、複数の配線２に沿って被覆され、その粒子８が複数の配線２に沿って配向するとともに、下側異方性磁性シート２１の上面に積層される。すなわち、配線２の上側では、上側異方性磁性シート２２によって、上側配向領域１５が形成されるとともに、配線２の第１方向両側（側方）では、下側異方性磁性シート２１と上側異方性磁性シート２２との接触付近にて、これらに配向している粒子８が衝突し、その結果、非配向領域１４が形成される。
【０１１４】
なお、異方性磁性シート２０が半硬化状態である場合は、加熱する。これにより、異方性磁性シート２０が硬化状態（Ｃステージ）となる。また、２つの異方性磁性シート２０の接触界面２９が消滅し、２つの異方性磁性シート２０は、一の磁性層３を形成する。
【０１１５】
これにより、図２に示すように、断面視略円形状の配線２と、それを被覆する磁性層３とを備えるインダクタ１が得られる。すなわち、インダクタ１は、複数（２つ）の異方性磁性シート２０を、配線２を挟むように、積層してなるものである。
【０１１６】
３．用途
インダクタ１は、電子機器の一部品、すなわち、電子機器を作製するための部品であり、電子素子（チップ、キャパシタなど）や、電子素子を実装する配線基板を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。
【０１１７】
インダクタ１は、必要に応じて１つの配線２を含むように個片化され、その後、例えば、電子機器などに搭載される（組み込まれる）。図示しないが、電子機器は、配線基板と、配線基板に実装される電子素子（チップ、キャパシタなど）とを備える。そして、インダクタ１は、はんだなどの接続部材を介して配線基板に実装され、他の電子機器と電気的に接続され、コイルなどの受動素子として作用する。
【０１１８】
実装時において、インダクタ１は、電子機器との導通のため、ビア加工される。具体的には、図４に示されるように、インダクタ１の上部には、複数の開口部３０が形成される。
【０１１９】
開口部３０は、導線６を露出するように形成されている。具体的には、開口部３０は、平面視において略円形を有し、側断面視において、下側に向かうに従って開口面積が狭まるテーパ形状を有する。
【０１２０】
導線６の中心（重心）Ｃ１と、開口部３０の第１方向中心Ｃ２との第１方向距離（位置ずれの距離）Ｌは、例えば、導線６の第１方向長さ（直径）の１／２以下であり、好ましくは、１／４以下である。具体的には、上記第１方向距離Ｌは、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。上記第１方向距離Ｌが上記上限以下であれば、導線６を確実に露出することができ、導通が可能となる。
【０１２１】
そして、インダクタ１では、配線２の周辺に、粒子８が配線２の周囲に沿って配向する配向領域１３（円周方向配向領域）が存在する。よって、粒子８の磁化容易軸が配線周囲に発生する磁力線の方向と同一となる。したがって、インダクタンスが良好である。
【０１２２】
また、インダクタ１では、配線２の周辺に、配線２の円周方向に沿って配向していない非配向領域１４（円周方向非配向領域）を有する。よって、粒子８の磁化困難軸が配線周囲に発生する磁力線の方向と同一となる。したがって、直流重畳特性が良好である。
【０１２３】
また、インダクタ１の上面に、配線２に起因する凸部１０を有する。よって、凸部１０に対してビア加工すると、確実に導線６を露出させることができる。したがって、ビア加工を１００％の確率で確実に成功させることができる。
【０１２４】
一般的に、断面視略円形状の配線を埋設する部材は、その配線形状から、ビア（開口部３０）の位置がずれると、断面視円形状の導線６が露出しにくいため、ビア加工の歩留まりが低くなるとされている。しかしながら、このインダクタ１では、配線２の断面視形状が円形状であるにもかかわらず、配線２が凸部１０の下側に確実に存在するため、確実にビア加工を成功させることができる。
【０１２５】
また、配線２は、第１方向に間隔を隔てて複数配置されており、複数の配線２は、磁性層３を介して連続している。このため、複数の配線２間に磁性層３が配置されている。その結果、磁性層３の存在量が多くなり、インダクタンスがより一層優れる。
【０１２６】
また、磁性層３は、インダクタ１の上面から下面に至るまで連続しており、インダクタ１の上面および下面の両方が、磁性層３からなる。このインダクタ１によれば、インダクタ１は、配線２が存在する領域を除き、磁性層３で満たされている。したがって、インダクタンスが非常に優れる。
【０１２７】
４．変形例
図５を参照して、図１Ａ−図２に示す一実施形態の変形例について説明する。なお、変形例において、上記した一実施形態と同様の部材には、同様の符号を付し、その説明を省略する。
【０１２８】
図１Ｂに示す実施形態では、配線２は、平面視略Ｕ字形状を有しているが、その形状は限定されず、適宜設定できる。
【０１２９】
また、図１Ａ−Ｂに示す実施形態では、２つの配線２を備えているが、その数は、限定されず、例えば、単数または３つ以上とすることもできる。
【０１３０】
例えば、図５に、単数の配線２を備えているインダクタ１を示す。凸部１０において、凸部１０の最上端Ａ１と、最上端Ａ１から面方向に５０μｍ離れた地点Ｍ´１との上下方向距離Ｈ１が、３０μｍ以下（好ましくは、２０μｍ以下、より好ましくは、５μｍ未満）である。すなわち、中点Ｍ１の代わりに、最上端Ａ１から面方向に５０μｍ離れた地点Ｍ´１を凸部の高さの基準とする。
【０１３１】
磁性層３の下面は、平坦であり、その平坦の基準についても、磁性層３の上面の凸部１０の基準と同様である。すなわち、中点Ｍ２の代わりに面方向に５０μｍ離れた地点Ｍ´２を基準とする。
【０１３２】
また、図１Ａ−Ｂに示す実施形態において、磁性層３における異方性磁性粒子８の割合は、磁性層３において一様でもよく、また、各配線２から離れるに従って、高くなってもよく、あるいは、低くなってもよい。
【０１３３】
＜第２実施形態＞
図６−図７を参照して、本発明のインダクタの第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材には、同様の符号を付し、その説明を省略する。第２実施形態についても、第１実施形態と同様の作用効果を奏する。また、第２実施形態についても、第１実施形態の変形例を同様に適用することができる。
【０１３４】
第１実施形態では、配線２の断面視形状が、略円形状であるが、例えば、略矩形状（正方形および長方形状を含む）、略楕円形状、略不定形状であってもよい。第２実施形態の一実施形態では、図６に示すように、配線２の断面視形状が、略矩形状であり、凸部１０の断面視形状が、略矩形状である。
【０１３５】
配線２（第１配線６および第２配線７）は、導線６と、それを被覆する絶縁層７とを備える。
【０１３６】
導線６は、断面視略矩形状であり、第１方向長さが第２方向長さよりも長くなるように形成されている。導線６の第１方向長さは、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、３０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。導線６の第２方向長さは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。
【０１３７】
絶縁層７は、配線２と中心軸線（中心Ｃ１）を共有する断面視略矩形枠状を有する。
【０１３８】
磁性層３は、断面視において、周辺領域１１と、外側領域１２とを有する。
【０１３９】
周辺領域１１は、周辺領域１１は、配線２の周辺領域であって、複数の配線２と接触するように複数の配線２の周囲に位置する。周辺領域１１は、配線２と中心軸線を共有する断面視略矩形枠形状を有する。より具体的には、周辺領域１１は、磁性層３のうち、配線２の重心Ｃ１から配線２の外周面までの最長長さおよび最短長さの平均（［最長長さ＋最短長さ］／２）の１．５倍値、配線２の外周面から外側に進んだ領域である。
【０１４０】
周辺領域１１は、それぞれ、複数（２つ）の配向領域１３と、複数（２つ）の非配向領域１４とを備える。これら領域は、第１実施形態の領域１３、１４と同様である。
【０１４１】
第２実施形態のインダクタ１も、第１実施形態と同様に、図７に参照されるように、ビア加工により、開口部３０が形成される。
【符号の説明】
【０１４２】
１  インダクタ
２  配線
３  磁性層
６  導線
７  絶縁層
８  異方性磁性粒子
１０  凸部
１３  配向領域
【図１】
2020150057.tif 000003
【図２】
2020150057.tif 000004
【図３】
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【図４】
2020150057.tif 000006
【図５】
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【図６】
2020150057.tif 000008
【図７】
2020150057.tif 000009
【図８】
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