(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体発光層の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置１は、半導体主面１３を有し、光を生成する半導体発光層７と、半導体主面を被覆し、半導体発光層からの光を透過させる光透過電極７２と、光透過電極を被覆し、光透過電極の光吸収率を超える光吸収率を有し、光透過電極からの光の一部を吸収し、光透過電極からの光の一部を透過させる光出力調節層８８と、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有し、光を生成する半導体発光層と、
前記主面を被覆し、前記半導体発光層からの光を透過させる光透過電極と、
前記光透過電極を被覆し、前記光透過電極の光吸収率を超える光吸収率を有し、前記光透過電極からの光の一部を吸収し、前記光透過電極からの光の一部を透過させる光出力調節層と、を含む、半導体発光装置。
【請求項２】
前記光出力調節層は、外部に露出し、前記半導体発光層の前記主面に面する開放面を有している、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記光透過電極の上で前記光透過電極に電気的に接続された端子電極をさらに含み、
前記光出力調節層は、平面視において前記端子電極の周囲に形成されている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記光出力調節層は、平面視において前記端子電極を取り囲んでいる、請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記光出力調節層は、前記端子電極から間隔を空けて形成されている、請求項３または４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記光出力調節層は、前記光透過電極および前記端子電極の間の領域に介在する部分を含む、請求項３または４に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光層は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成され、前記主面を形成する第２導電型の第２半導体層を含む積層構造を有し、
前記光透過電極は、前記第２半導体層を被覆している、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記半導体発光層の前記主面は、前記第１半導体層が露出する第１露出部、および、前記第２半導体層が露出する第２露出部を含み、
前記光透過電極は、前記第２露出部を被覆している、請求項７に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記光出力調節層は、前記第１露出部を露出させている、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第１露出部は、前記半導体発光層の積層方向に関して相対的に低所に位置し、前記第２露出部は、前記半導体発光層の積層方向に関して前記第１露出部に対して高所に位置している、請求項８または９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
主面を有し、光を生成する半導体発光層と、
前記主面を被覆し、ＴｉＮを含み、前記半導体発光層からの光の一部を吸収し、前記半導体発光層からの光の一部を透過させる光出力調節層と、を含む、半導体発光装置。
【請求項１２】
前記光出力調節層は、外部に露出し、前記半導体発光層の前記主面に面する開放面を有している、請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記主面の上で前記半導体発光層に電気的に接続された端子電極をさらに含み、
前記光出力調節層は、平面視において前記端子電極の周囲に形成されている、請求項１１または１２に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記光出力調節層は、平面視において前記端子電極を取り囲んでいる、請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記光出力調節層は、前記端子電極から間隔を空けて形成されている、請求項１３または１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記光出力調節層は、前記主面および前記端子電極の間の領域に介在する部分を含む、請求項１３または１４に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記半導体発光層は、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に形成された活性層、および、前記活性層の上に形成され、前記主面を形成する第２導電型の第２半導体層を含む積層構造を有し、
前記光出力調節層は、前記第２半導体層を被覆している、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
前記半導体発光層の前記主面は、前記第１半導体層が露出する第１露出部、および、前記第２半導体層が露出する第２露出部を含み、
前記光出力調節層は、前記第２露出部を被覆している、請求項１７に記載の半導体発光装置。
【請求項１９】
前記光出力調節層は、前記第１露出部を露出させている、請求項１８に記載の半導体発光装置。
【請求項２０】
前記第１露出部は、前記半導体発光層の積層方向に関して相対的に低所に位置し、前記第２露出部は、前記半導体発光層の積層方向に関して前記第１露出部に対して高所に位置している、請求項１８または１９に記載の半導体発光装置。
【請求項２１】
前記主面を被覆し、ＩＴＯを含み、前記半導体発光層からの光を透過させる光透過電極をさらに含み、
前記光出力調節層は、前記光透過電極を被覆し、前記光透過電極からの光の一部を吸収し、前記光透過電極からの光の一部を透過させる、請求項１１〜２０のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項２２】
一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する光透過性基板と、
前記光透過性基板の前記第１主面の上に形成され、光を生成する半導体発光層と、
前記光透過性基板の前記第２主面の上に形成され、前記半導体発光層からの光の一部を吸収し、前記半導体発光層からの光の一部を前記半導体発光層に向けて反射させる光出力調節層と、を含む、半導体発光装置。
【請求項２３】
前記光出力調節層は、Ａｌを含む、請求項２２に記載の半導体発光装置。
【請求項２４】
前記光出力調節層を被覆するＴｉ層と、
前記Ｔｉ層を被覆するＡｕ層と、をさらに含む、請求項２３に記載の半導体発光装置。
【請求項２５】
前記光透過性基板の前記第１主面に形成された凹凸構造をさらに含み、
前記光出力調節層は、前記光透過性基板の前記第１主面の法線方向に前記凹凸構造に対向している、請求項２２〜２４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、光を生成する半導体発光層と、半導体発光層の上に形成されたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）電極と、を含む、半導体発光装置を開示している。半導体発光層で生成された光は、ＩＴＯ電極を介して外部に取り出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−０５４８８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体発光層の光出力は、半導体発光装置の製造時に生じる誤差に起因して目的の数値範囲を超えることがある。目的の光出力を超える半導体発光層は、歩留まりの低下や高収率化の妨げになる。このような問題は、半導体発光層の設計変更によって改善されると考えられる。しかし、半導体発光層の設計変更には時間と労力が要求される。
本発明の一実施形態は、半導体発光層の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、主面を有し、光を生成する半導体発光層と、前記主面を被覆し、前記半導体発光層からの光を透過させる光透過電極と、前記光透過電極を被覆し、前記光透過電極の光吸収率を超える光吸収率を有し、前記光透過電極からの光の一部を吸収し、前記光透過電極からの光の一部を透過させる光出力調節層と、を含む、半導体発光装置を提供する。
【０００６】
この半導体発光装置によれば、光出力調節層による光損失を利用して半導体発光層の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる。
本発明の一実施形態は、主面を有し、光を生成する半導体発光層と、前記主面を被覆し、ＴｉＮを含み、前記半導体発光層からの光の一部を吸収し、前記半導体発光層からの光の一部を透過させる光出力調節層と、を含む、半導体発光装置を提供する。
【０００７】
この半導体発光装置によれば、光出力調節層による光損失を利用して半導体発光層の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる。
本発明の一実施形態は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有する光透過性基板と、前記光透過性基板の前記第１主面の上に形成され、光を生成する半導体発光層と、前記光透過性基板の前記第２主面の上に形成され、前記半導体発光層からの光の一部を吸収し、前記半導体発光層からの光の一部を前記半導体発光層に向けて反射させる光出力調節層と、を含む、半導体発光装置を提供する。
【０００８】
この半導体発光装置によれば、光出力調節層による光損失を利用して半導体発光層の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図であって、第１形態例に係る光出力調節層を含む構造を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。
【図３】図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。
【図４】図４は、図３に示す領域IVの拡大図である。
【図５】図５は、図１に示すｎ側電極のバリア電極の拡大平面図である。
【図６】図６は、図１に示すｐ側電極のバリア電極の拡大平面図である。
【図７】図７は、光出力調節層の光吸収率および光出力調節層の厚さの関係を示すグラフである。
【図８Ａ】図８Ａは、図１に対応する平面図であって、第２形態例に係る光出力調節層を含む構造を示す平面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図１に対応する平面図であって、第３形態例に係る光出力調節層を含む構造を示す平面図である。
【図９】図９は、図１に示す半導体発光装置の製造に使用されるウエハを示す斜視図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図３に対応する領域の断面図であって、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、図１０Ｂの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ｄは、図１０Ｃの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｅ】図１０Ｅは、図１０Ｄの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｆ】図１０Ｆは、図１０Ｅの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｇ】図１０Ｇは、図１０Ｆの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｈ】図１０Ｈは、図１０Ｇの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｉ】図１０Ｉは、図１０Ｈの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｊ】図１０Ｊは、図１０Ｉの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｋ】図１０Ｋは、図１０Ｊの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｌ】図１０Ｌは、図１０Ｋの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｍ】図１０Ｍは、図１０Ｌの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｎ】図１０Ｎは、図１０Ｍの後の工程を示す断面図である。
【図１０Ｏ】図１０Ｏは、図１０Ｎの後の工程を示す断面図である。
【図１１】図１１は、半導体発光装置の製造時における光出力調節層の導入効果を説明するためのグラフである。
【図１２】図１２は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１３】図１３は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１４】図１４は、第２光出力調節層の光反射率および第２光出力調節層の厚さの関係を示すグラフである。
【図１５】図１５は、図１３に対応する領域の断面図であって、本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１６】図１６は、図３に対応する断面図であって、本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１７】図１７は、図３に対応する断面図であって、本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第７実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図であって、第１形態例に係る光出力調節層を含む構造を示す平面図である。
【図１９】図１９は、図１８に示すXIX-XIX線に沿う断面図である。
【図２０】図２０は、図１９に示す領域XXの拡大図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、図１８に対応する平面図であって、第２形態例に係る光出力調節層を含む構造を示す平面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、図１８に対応する平面図であって、第３形態例に係る光出力調節層を含む構造を示す平面図である。
【図２２】図２２は、図１９に対応する断面図であって、本発明の第８実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図２３】図２３は、図１９に対応する断面図であって、本発明の第９実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図２４】図２４は、図１９に対応する断面図であって、本発明の第１０実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置１を示す平面図である。図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図３に示す領域IVの拡大図である。図５は、図１に示すｎ側電極５１の端子電極５５の拡大平面図である。図６は、図１に示すｐ側電極７１の端子電極７５の拡大平面図である。
【００１１】
図１〜図３を参照して、半導体発光装置１は、チップ本体２を含む。チップ本体２は、一方側の第１チップ主面３、他方側の第２チップ主面４、ならびに、第１チップ主面３および第２チップ主面４を接続するチップ側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを含む。チップ側面５Ａ〜５Ｄは、より具体的には、第１チップ側面５Ａ、第２チップ側面５Ｂ、第３チップ側面５Ｃおよび第４チップ側面５Ｄを含む。第１チップ主面３および第２チップ主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。
【００１２】
第１チップ側面５Ａおよび第２チップ側面５Ｂは、平面視において第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。第３チップ側面５Ｃおよび第４チップ側面５Ｄは、平面視において第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。チップ側面５Ａ〜５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。
【００１３】
チップ本体２は、より具体的には、基板６および半導体発光層７を含む積層構造を有している。基板６は、チップ本体２の第２チップ主面４およびチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部を形成している。半導体発光層７は、チップ本体２の第１チップ主面３およびチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部を形成している。
基板６は、一方側の第１基板主面８、他方側の第２基板主面９、ならびに、第１基板主面８および第２基板主面９を接続する基板側面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを含む。基板側面１０Ａ〜１０Ｄは、より具体的には、第１基板側面１０Ａ、第２基板側面１０Ｂ、第３基板側面１０Ｃおよび第４基板側面１０Ｄを含む。
【００１４】
第１基板主面８および第２基板主面９は、平面視において四角形状に形成されている。第２基板主面９は、第２チップ主面４を形成している。基板側面１０Ａ〜１０Ｄは、チップ本体２のチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
基板６は、光透過性基板からなる。基板６は、この形態では、光透過性基板の一例としての不純物無添加のサファイア基板からなる。基板６の厚さは、５０μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。基板６の厚さは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、または、３００μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。
【００１５】
基板６の第１基板主面８には、この形態では、凹凸構造（an uneven structure）１１が形成されている。凹凸構造１１は、半導体発光層７で生成された光をチップ本体２の第１チップ主面３に向けて乱反射させる。これにより、半導体発光層７で生成された光の取り出し効率が高められる。
凹凸構造１１は、この形態では、基板６の第１基板主面８との間で凹凸を形成する複数の突出部１２を含む。複数の突出部１２は、互いに間隔を空けて第１基板主面８の上に配置されている。複数の突出部１２は、平面視において行列状または千鳥状に配置されていてもよい。複数の突出部１２は、錐台形状、ドーム形状または半球形状に形成されている。複数の突出部１２は、錐台形状の一例として、円錐台形状またはｎ（ｎ≧３）角錐台形状に形成されていてもよい。
【００１６】
複数の突出部１２は、この形態では、絶縁体をそれぞれ含む。複数の突出部１２は、絶縁体の一例としての酸化シリコンまたは窒化シリコンをそれぞれ含んでいてもよい。複数の突出部１２は、この形態では、窒化シリコンからなる。
半導体発光層７は、基板６の第１基板主面８の上に積層されている。半導体発光層７は、この形態では、４５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有する光を生成する。つまり、半導体発光層７は、青色光、青緑色光または緑色光を生成する。半導体発光層７で生成された光は、チップ本体２の第１チップ主面３から取り出される。
【００１７】
半導体発光層７は、半導体主面１３および半導体側面１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄを含む。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、より具体的には、第１半導体側面１４Ａ、第２半導体側面１４Ｂ、第３半導体側面１４Ｃおよび第４半導体側面１４Ｄを含む。
半導体主面１３は、平面視において四角形状に形成されている。半導体主面１３は、光取り出し面である。半導体主面１３は、第１チップ主面３を形成している。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、基板側面１０Ａ〜１０Ｄに連なっている。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、基板側面１０Ａ〜１０Ｄに対して面一に形成されている。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、チップ本体２のチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
【００１８】
半導体発光層７は、基板６の第１基板主面８側からこの順に積層されたバッファ層２１、ｎ型半導体層２２、活性層２３、ｐ型半導体層２４を含む積層構造を有している。
バッファ層２１は、不純物無添加のＧａＮを含む。基板６の第１基板主面８の上において、複数の突出部１２を被覆している。バッファ層２１の厚さは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。バッファ層２１の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、１．５μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
【００１９】
バッファ層２１は、この形態では、複数の空孔２５を含む。複数の空孔２５は、複数の突出部１２の頂部の上にそれぞれ形成されている。複数の空孔２５は、複数の突出部１２を起点にそれぞれ形成され、複数の突出部１２の頂部に対して、１対１対応の関係で形成されている。複数の空孔２５は、断面視において複数の突出部１２の頂部から半導体主面１３に向けて法線方向Ｚに沿って延びるライン状に形成されている。
【００２０】
バッファ層２１は、この形態では、基板６の第１基板主面８の上に積層された複数（２以上）のバッファ層を含む。バッファ層の積層数は任意であり、特定の積層数に限定されない。バッファ層２１は、この形態では、第１基板主面８側からこの順に積層された第１バッファ層２６、第２バッファ層２７および第３バッファ層２８を含む。第１バッファ層２６、第２バッファ層２７および第３バッファ層２８は、不純物無添加のＧａＮをそれぞれ含む。
【００２１】
第１バッファ層２６は、基板６の第１基板主面８を被覆している。第１バッファ層２６は、第１基板主面８の上に膜状に結晶成長されたＧａＮを含む。第１バッファ層２６は、複数の突出部１２の頂部に対して基板６の第１基板主面８側の領域に形成されている。
第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６の上に形成されている。第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６の上に３次元的に結晶成長されたＧａＮを含む。第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６から半導体主面１３に向かう先細り形状に形成されている。第２バッファ層２７は、基部および頂部を有している。
【００２２】
第２バッファ層２７の基部は、複数の突出部１２の頂部に対して基板６の第１基板主面８側に位している。第２バッファ層２７の頂部は、複数の突出部１２の頂部に対して半導体主面１３側に突出している。第２バッファ層２７は、少なくとも複数の突出部１２の頂部を露出させるように形成されている。第２バッファ層２７は、この形態では、複数の突出部１２の頂部および側壁の一部を露出させている。
【００２３】
第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７の上に形成されている。第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７の上に２次元的に結晶成長されたＧａＮを含む。第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７および複数の突出部１２を被覆している。第３バッファ層２８は、複数の突出部１２の頂部との間で複数の空孔２５を区画している。
ｎ型半導体層２２は、バッファ層２１の上に形成されている。ｎ型半導体層２２は、この形態では、ｎ型コンタクト層２９およびｎ型クラッド層３０を含む積層構造を有している。
【００２４】
ｎ型コンタクト層２９は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＮを含む。ｎ型コンタクト層２９は、ｎ型不純物の一例としてのシリコンを含んでいてもよい。ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下であってもよい。ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度は、この形態では、５×１０１８ｃｍ−３程度である。
【００２５】
ｎ型コンタクト層２９の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。ｎ型コンタクト層２９の厚さは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
ｎ型クラッド層３０は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＮを含む。ｎ型クラッド層３０は、ｎ型不純物の一例としてのシリコンを含んでいてもよい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度未満であることが好ましい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、この形態では、３×１０１８ｃｍ−３程度である。
【００２６】
ｎ型クラッド層３０の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０の厚さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、または、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０の厚さは、この形態では、２００ｎｍ程度である。
【００２７】
活性層２３は、ｎ型クラッド層３０の上に形成されている。活性層２３は、この形態では、多重量子井戸構造を有している。多重量子井戸構造は、ＭＱＷ（Multi Quantum Well）層とも称される。多重量子井戸構造は、交互に積層された複数のバリア層３２および複数のウェル層３３を含む。
複数のバリア層３２および複数のウェル層３３は、交互に５層〜２０層ずつ積層されていてもよい。バリア層３２およびウェル層３３の積層数および積層順序は任意である。多重量子井戸構造の最下層は、バリア層３２またはウェル層３３であってもよい。多重量子井戸構造の最上層は、バリア層３２またはウェル層３３であってもよい。
【００２８】
バリア層３２は、不純物が添加されたＡｌＧａＮ、または、不純物無添加のＡｌＧａＮを含む。バリア層３２は、この形態では、不純物が添加されたＡｌＧａＮを含む。バリア層３２は、不純物の一例としてのシリコンを含んでいてもよい。バリア層３２の不純物濃度は、５×１０１６ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であってもよい。
バリア層３２の厚さは、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア層３２の厚さは、０．１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下、０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下、１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下、または、１．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であってもよい。
【００２９】
ウェル層３３は、不純物無添加のＡｌＩｎＧａＮを含む。ウェル層３３は、バリア層３２の厚さを超える厚さを有していてもよい。ウェル層３３の厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。ウェル層３３の厚さは、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、または、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。
【００３０】
ｐ型半導体層２４は、活性層２３の上に形成されている。ｐ型半導体層２４は、この形態では、ｐ型クラッド層３４およびｐ型コンタクト層３５を含む積層構造を有している。
ｐ型クラッド層３４は、活性層２３の上に形成されている。ｐ型クラッド層３４は、この形態では、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＮを含む。ｐ型クラッド層３４は、ｐ型不純物の一例としてのマグネシウムを含んでいてもよい。ｐ型クラッド層３４のｐ型不純物濃度は、５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４のｐ型不純物濃度は、この形態では、５×１０１９ｃｍ−３程度である。
【００３１】
ｐ型クラッド層３４の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、または、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、この形態では、３０ｎｍ程度である。
ｐ型コンタクト層３５は、ｐ型クラッド層３４の上に形成されている。ｐ型コンタクト層３５は、この形態では、ｐ型不純物が添加されたＧａＮを含む。ｐ型コンタクト層３５は、ｐ型不純物の一例としてのマグネシウムを含んでいてもよい。ｐ型コンタクト層３５のｐ型不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２２ｃｍ−３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３５のｐ型不純物濃度は、この形態では、２×１０２０ｃｍ−３程度である。
【００３２】
ｐ型コンタクト層３５の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、または、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、この形態では、２００ｎｍ程度である。
【００３３】
半導体発光層７の半導体主面１３には、高域部４１（第２露出部）、低域部４２（第１露出部）および接続部４３が形成されている。高域部４１、低域部４２および接続部４３は、半導体発光層７を切り欠いて形成されている。高域部４１、低域部４２および接続部４３は、台地状のメサ構造４４を形成している。
高域部４１は、半導体発光層７の厚さ方向（積層方向）に関して相対的に高所に位置している。高域部４１は、ｐ型半導体層２４によって形成されている。高域部４１は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３５によって形成されている。高域部４１は、この形態では、平面視において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄから間隔を空けて、半導体発光層７の中央部に形成されている。
【００３４】
高域部４１は、平面視において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄに沿って平行に延びる４つの辺を有している。高域部４１の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。高域部４１は、平面視において多角形状、円形状、楕円形状等に形成されていてもよい。
低域部４２は、半導体発光層７の厚さ方向（積層方向）に関して、高域部４１に対して低所に位置している。低域部４２は、ｎ型半導体層２２によって形成されている。低域部４２は、より具体的には、ｎ型コンタクト層２９によって形成されている。低域部４２は、平面視において高域部４１の周囲に沿って帯状に延びている。低域部４２は、この形態では、平面視において高域部４１を取り囲む無端状（環状）に形成されている。
【００３５】
接続部４３は、高域部４１および低域部４２を接続している。接続部４３は、ｎ型半導体層２２の一部（ｎ型コンタクト層２９）、活性層２３およびｐ型半導体層２４によって形成されている。接続部４３は、平面視において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄに沿って平行に延びる４つの辺を有している。接続部４３は、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。接続部４３は、高域部４１から低域部４２に向けて下り傾斜していてもよい。
【００３６】
半導体主面１３の上には、接続部４３を被覆する絶縁層４５が形成されている。絶縁層４５は、酸化シリコン層もしくは窒化シリコン層、または、酸化シリコン層および窒化シリコン層を含む積層構造を含んでいてもよい。絶縁層４５は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。
絶縁層４５は、平面視において高域部４１を取り囲んでいる。絶縁層４５は、接続部４３の全域を被覆している。絶縁層４５は、高域部４１および接続部４３を接続するエッジ部を介して高域部４１を被覆するオーバラップ部を含む。絶縁層４５は、低域部４２および接続部４３を接続するエッジ部を介して低域部４２を被覆するオーバラップ部を含む。
【００３７】
半導体主面１３の上には、ｎ側電極５１が形成されている。ｎ側電極５１は、低域部４２に配置されている。ｎ側電極５１は、低域部４２において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄのうちの少なくとも１つに沿う領域に形成されている。ｎ側電極５１は、この形態では、低域部４２における第１半導体側面１４Ａおよび第４半導体側面１４Ｄを接続する角部に沿う領域に配置されている。ｎ側電極５１は、ｎ型半導体層２２（ｎ型コンタクト層２９）に電気的に接続されている。
【００３８】
ｎ側電極５１は、より具体的には、光透過電極５２を含む。光透過電極５２は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層を含む。光透過電極５２は、この形態では、ＩＴＯ層からなる単層構造を有している。光透過電極５２は、半導体主面１３（低域部４２）を被覆し、半導体発光層７で生成された光を透過させる。光透過電極５２は、ｎ型半導体層２２（ｎ型コンタクト層２９）の上に形成されている。光透過電極５２は、ｎ型半導体層２２（ｎ型コンタクト層２９）に電気的に接続されている。
【００３９】
光透過電極５２は、平面視において第１面積Ｓｎ１を有している。光透過電極５２は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、光透過電極５２は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
光透過電極５２は、この形態では、本体部５３および配線部５４を含む。本体部５３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部５３の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。本体部５３は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
【００４０】
配線部５４は、本体部５３から帯状に引き出された部分である。配線部５４は、この形態では、本体部５３から低域部４２における第１半導体側面１４Ａに沿う領域に引き出されている。配線部５４は、平面視において高域部４１を２方向、３方向または４方向から区画するように半導体側面１４Ａ〜１４Ｄのうちの２つ、３つまたは４つに沿って形成されていてもよい。
【００４１】
光透過電極５２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。光透過電極５２の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。光透過電極５２の厚さは、この形態では、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【００４２】
ｎ側電極５１は、光透過電極５２の上に形成された端子電極５５を含む。端子電極５５は、平面視において光透過電極５２の第１面積Ｓｎ１未満の第２面積Ｓｎ２（Ｓｎ２＜Ｓｎ１）を有している。端子電極５５は、光透過電極５２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。
端子電極５５の全域は、平面視において、光透過電極５２に重なっている。端子電極５５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、端子電極５５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
【００４３】
端子電極５５は、本体部５６および配線部５７を含む。本体部５６は、ボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される部分である。本体部５６は、光透過電極５２の本体部５３の上に配置されている。本体部５６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部５６の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。本体部５６は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
【００４４】
配線部５７は、本体部５６から帯状に引き出された部分である。配線部５７は、光透過電極５２の配線部５４の上に配置されている。配線部５７の引き出し態様を調整することにより、半導体発光装置１の順方向電圧ＶＦ等が調節される。
配線部５７は、本体部５６から低域部４２における第１半導体側面１４Ａに沿う領域に引き出されている。配線部５７は、平面視において高域部４１を２方向、３方向または４方向から区画するように半導体側面１４Ａ〜１４Ｄのうちの２つ、３つまたは４つに沿って形成されていてもよい。
【００４５】
端子電極５５は、断面視において頂部５８、基部５９、および、頂部５８から基部５９に向けて下り傾斜した側壁６０を有する台形状に形成されている。端子電極５５は、頂部５８および側壁６０を接続するエッジ部において外側に張り出した膨出部６１を有している。
膨出部６１は、法線方向Ｚおよび頂部５８に沿う方向に向かって張り出している。膨出部６１は、平面視において頂部５８の周縁に沿って延びる環状に形成されている。膨出部６１は、本体部５６においてボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される領域を画定している。
【００４６】
端子電極５５は、この形態では、光透過電極５２側からこの順に積層されたＡｌ電極６２、Ｔｉ電極６３およびＡｕ電極６４を含む積層構造を有している。
Ａｌ電極６２は、Ａｌ（アルミニウム）を含む。Ａｌ電極６２は、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる。Ａｌ合金は、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉ合金、ＡｌＳｉＣｕ合金等であってもよい。Ａｌ電極６２は、この形態では、純Ａｌからなる。
【００４７】
Ａｌ電極６２は、半導体発光層７で生成された光を反射させる光反射電極として形成されている。Ａｌ電極６２は、断面視において台形状に形成されている。Ａｌ電極６２の側壁は、第１傾斜角θｎ１を有している。第１傾斜角θｎ１は、Ａｌ電極６２の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｌ電極６２内で成す角度である。
Ａｌ電極６２の厚さは、１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極６２の厚さは、１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、７５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下、または、１２５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極６２の厚さは、この形態では、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。Ａｌ電極６２を厚くするほど、光の反射率を高めることができる。
【００４８】
Ｔｉ電極６３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極６３は、Ａｌ電極６２に対するＡｕ電極６４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極６３は、Ａｌ電極６２のほぼ全域を被覆している。Ｔｉ電極６３は、断面視において台形状に形成されている。Ｔｉ電極６３の側壁は、Ａｌ電極６２の側壁を被覆している。
Ｔｉ電極６３の側壁は、Ａｌ電極６２の第１傾斜角θｎ１を超える第２傾斜角θｎ２（θｎ１＜θｎ２）を有している。第２傾斜角θｎ２は、Ｔｉ電極６３の側壁が半導体主面１３を基準にしてＴｉ電極６３内で成す角度である。
【００４９】
Ｔｉ電極６３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極６３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極６３の厚さは、この形態では、１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。
Ａｕ電極６４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極６４は、Ｔｉ電極６３のほぼ全域を被覆している。Ａｕ電極６４は、断面視において台形状に形成されている。Ａｕ電極６４は、端子電極５５の外面を形成している。Ａｕ電極６４の側壁は、Ｔｉ電極６３の側壁を被覆している。
【００５０】
Ａｕ電極６４の側壁は、Ｔｉ電極６３の第２傾斜角θｎ２を超える第３傾斜角θｎ３（θｎ１＜θｎ２＜θｎ３）を有している。第３傾斜角θｎ３は、Ａｕ電極６４の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｕ電極６４内で成す角度である。
Ａｕ電極６４の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極６４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極６４の厚さは、この形態では、１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。
【００５１】
ｎ側電極５１は、光透過電極５２および端子電極５５（Ａｌ電極６２）の間の領域に介在するバリア電極６５を含む。バリア電極６５は、Ａｌ電極６２のＡｌに起因して光透過電極５２で生じるガルバニック腐食を抑制する保護電極として形成されている。
バリア電極６５は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。バリア電極６５は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、バリア電極６５は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。
【００５２】
バリア電極６５の厚さは、光透過電極５２の厚さ未満である。バリア電極６５の厚さは、Ａｌ電極６２の厚さ未満である。バリア電極６５の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極６５の厚さは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、３ｎｍ以上４ｎｍ以下、または、４ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極６５の厚さは、この形態では、１．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。
【００５３】
バリア電極６５は、平面視において光透過電極５２において端子電極５５が対向する領域の全域に形成されている。つまり、バリア電極６５は、本体部６６および配線部６７を含む。バリア電極６５の本体部６６は、光透過電極５２の本体部５３および端子電極５５の本体部５６の間の領域に介在している。バリア電極６５の配線部６７は、光透過電極５２の配線部５４および端子電極５５の配線部５７の間の領域に介在している。
【００５４】
バリア電極６５の周縁は、平面視において端子電極５５の周縁に対して端子電極５５の内方に位置していてもよい。バリア電極６５の周縁は、端子電極５５の周縁に対して面一に形成されていてもよい。バリア電極６５の周縁は、平面視において端子電極５５の周縁に対して端子電極５５の外側に位置していてもよい。つまり、バリア電極６５は、平面視において端子電極５５外の領域に引き出されていてもよい。
【００５５】
バリア電極６５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、バリア電極６５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
半導体主面１３の上には、ｐ側電極７１が形成されている。ｐ側電極７１は、高域部４１に配置されている。ｐ側電極７１は、ｐ型半導体層２４（ｐ型コンタクト層３５）に電気的に接続されている。
【００５６】
ｐ側電極７１は、より具体的には、光透過電極７２を含む。光透過電極７２は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層を含む。光透過電極７２は、この形態では、ＩＴＯ層からなる単層構造を有している。光透過電極７２は、半導体主面１３（高域部４１）を被覆し、半導体発光層７で生成された光を透過させる。光透過電極７２は、ｐ型半導体層２４（ｐ型コンタクト層３５）の上に形成されている。光透過電極７２は、ｐ型半導体層２４（ｐ型コンタクト層３５）に電気的に接続されている。
【００５７】
光透過電極７２は、高域部４１の周縁から間隔を空けて高域部４１の内方領域を被覆している。光透過電極７２の周縁は、高域部４１の周縁に沿って延びている。光透過電極７２は、平面視において第１面積Ｓｐ１を有している。光透過電極７２は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、光透過電極７２は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
【００５８】
光透過電極７２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。光透過電極７２の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
光透過電極７２の厚さは、この形態では、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。光透過電極７２の厚さは、ｎ側電極５１の光透過電極５２の厚さと等しいことが好ましい。光透過電極７２の厚さが光透過電極５２の厚さと等しいとは、光透過電極７２の厚さが光透過電極５２の厚さと等しくなる条件下で光透過電極７２が形成されていることを意味する。光透過電極７２の厚さには、光透過電極５２の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００５９】
ｐ側電極７１は、光透過電極７２の上に形成された端子電極７５を含む。端子電極７５は、平面視において光透過電極７２の第１面積Ｓｐ１未満の第２面積Ｓｐ２（Ｓｐ２＜Ｓｐ１）を有している。端子電極７５は、光透過電極７２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。
端子電極７５は、平面視において光透過電極７２の露出部の面積が光透過電極７２の隠蔽部の面積以上となる態様で、光透過電極７２の上に形成されている。これにより、端子電極７５の全域は、平面視において、光透過電極７２に重なっている。端子電極７５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、端子電極７５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
【００６０】
端子電極７５は、本体部７６および配線部７７を含む。本体部７６は、ボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される部分である。本体部７６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部７６の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。本体部７６は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
【００６１】
配線部７７は、本体部７６から帯状に引き出された部分である。配線部７７の引き出し態様を調整することにより、半導体発光装置１の順方向電圧ＶＦ等が調節される。配線部７７は、この形態では、本体部７６においてｎ側電極５１に対向する部分から引き出されている。
配線部７７は、この形態では、平面視において本体部７６から離れる方向に湾曲した円弧状に形成され、本体部７６に外接されている。配線部７７は、より具体的には、異なる曲率半径を有する複数の部分を含む。複数の部分は、第１配線部７７ａおよび第２配線部７７ｂを含む。
【００６２】
第１配線部７７ａは、平面視においてｎ側電極５１（端子電極５５）の本体部５６を中心とする円弧状に延び、本体部７６に外接されている。第２配線部７７ｂは、平面視においてｎ側電極５１（端子電極５５）の配線部５７の先端部を中心とする円弧状に延び、第１配線部７７ａに接続されている。
端子電極７５は、断面視において頂部７８、基部７９、および、頂部７８から基部７９に向けて下り傾斜した側壁８０を有する台形状に形成されている。端子電極７５は、頂部７８および側壁８０を接続するエッジ部において膨出部８１を有している。
【００６３】
膨出部８１は、法線方向Ｚおよび頂部７８に沿う方向に向かって張り出している。膨出部８１は、平面視において頂部７８の周縁に沿って延びる環状に形成されている。膨出部８１は、本体部７６においてボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される領域を画定している。
端子電極７５は、この形態では、光透過電極７２側からこの順に積層されたＡｌ電極８２、Ｔｉ電極８３およびＡｕ電極８４を含む積層構造を有している。
【００６４】
Ａｌ電極８２は、Ａｌ（アルミニウム）を含む。Ａｌ電極８２は、純ＡｌまたはＡｌ合金からなっていてもよい。Ａｌ合金は、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉ合金、ＡｌＳｉＣｕ合金等であってもよい。Ａｌ電極８２は、ｎ側電極５１のＡｌ電極６２と同一の電極材料からなることが好ましい。Ａｌ電極８２は、この形態では、純Ａｌからなる。
Ａｌ電極８２は、半導体発光層７で生成された光を反射させる光反射電極として形成されている。Ａｌ電極８２は、断面視において台形状に形成されている。Ａｌ電極８２の側壁は、第１傾斜角θｐ１を有している。第１傾斜角θｐ１は、Ａｌ電極８２の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｌ電極８２内で成す角度である。
【００６５】
Ａｌ電極８２の厚さは、１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極８２の厚さは、１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、７５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下、または、１２５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。
Ａｌ電極８２の厚さは、この形態では、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。Ａｌ電極８２を厚くするほど、光の反射率を高めることができる。Ａｌ電極８２の厚さは、ｎ側電極５１のＡｌ電極６２の厚さと等しいことが好ましい。Ａｌ電極８２の厚さがＡｌ電極６２の厚さと等しいとは、Ａｌ電極８２の厚さがＡｌ電極６２の厚さと等しくなる条件下でＡｌ電極８２が形成されていることを意味する。Ａｌ電極８２の厚さには、Ａｌ電極６２の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００６６】
Ｔｉ電極８３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極８３は、Ａｌ電極８２に対するＡｕ電極８４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極８３は、Ａｌ電極８２のほぼ全域を被覆している。Ｔｉ電極８３は、断面視において台形状に形成されている。Ｔｉ電極８３の側壁は、Ａｌ電極８２の側壁を被覆している。
Ｔｉ電極８３の側壁は、Ａｌ電極８２の第１傾斜角θｐ１を超える第２傾斜角θｐ２（θｐ１＜θｐ２）を有している。第２傾斜角θｐ２は、Ｔｉ電極８３の側壁が半導体主面１３を基準にしてＴｉ電極８３内で成す角度である。
【００６７】
Ｔｉ電極８３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極８３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
Ｔｉ電極８３の厚さは、この形態では、１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。Ａｌ電極８２の厚さは、ｎ側電極５１のＴｉ電極６３の厚さと等しいことが好ましい。Ｔｉ電極８３の厚さがＴｉ電極６３の厚さと等しいとは、Ｔｉ電極８３の厚さがＴｉ電極６３の厚さと等しくなる条件下でＴｉ電極８３が形成されていることを意味する。Ｔｉ電極８３の厚さには、Ｔｉ電極６３の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００６８】
Ａｕ電極８４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極８４は、Ｔｉ電極８３のほぼ全域を被覆している。Ａｕ電極８４は、断面視において台形状に形成されている。Ａｕ電極８４は、端子電極７５の外面を形成している。Ａｕ電極８４の側壁は、Ｔｉ電極８３の側壁を被覆している。
Ａｕ電極８４の側壁は、Ｔｉ電極８３の第２傾斜角θｐ２を超える第３傾斜角θｐ３（θｐ１＜θｐ２＜θｐ３）を有している。第３傾斜角θｐ３は、Ａｕ電極８４の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｕ電極８４内で成す角度である。
【００６９】
Ａｕ電極８４の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極８４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
Ａｕ電極８４の厚さは、この形態では、１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。Ａｕ電極８４の厚さは、ｎ側電極５１のＡｕ電極６４の厚さと等しいことが好ましい。Ａｕ電極８４の厚さがＡｕ電極６４の厚さと等しいとは、Ａｕ電極８４の厚さがＡｕ電極６４の厚さと等しくなる条件下でＡｕ電極８４が形成されていることを意味する。Ａｕ電極８４の厚さには、Ａｕ電極６４の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００７０】
ｐ側電極７１は、光透過電極７２および端子電極７５（Ａｌ電極８２）の間の領域に介在するバリア電極８５を含む。バリア電極８５は、Ａｌ電極８２のＡｌに起因して光透過電極７２で生じるガルバニック腐食を抑制する保護電極として形成されている。
バリア電極８５は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。バリア電極８５は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、バリア電極８５は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。
【００７１】
バリア電極８５の厚さは、光透過電極７２の厚さ未満である。バリア電極８５の厚さは、Ａｌ電極８２の厚さ未満である。バリア電極８５の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極８５の厚さは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、３ｎｍ以上４ｎｍ以下、または、４ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。
バリア電極８５の厚さは、この形態では、１．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。バリア電極８５の厚さは、ｎ側電極５１のバリア電極６５の厚さと等しいことが好ましい。バリア電極８５の厚さがバリア電極６５の厚さと等しいとは、バリア電極８５の厚さがバリア電極６５の厚さと等しくなる条件下でバリア電極８５が形成されていることを意味する。バリア電極８５の厚さには、バリア電極６５の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００７２】
バリア電極８５は、平面視において光透過電極７２において端子電極７５が対向する領域の全域に形成されている。つまり、バリア電極８５は、本体部８６および配線部８７を含む。バリア電極８５の本体部８６は、光透過電極７２および端子電極７５の本体部７６の間の領域に介在している。バリア電極８５の配線部８７は、光透過電極５２および端子電極７５の配線部７７の間の領域に介在している。
【００７３】
バリア電極８５の周縁は、平面視において端子電極７５の周縁に対して端子電極７５の内方に位置していてもよい。バリア電極８５の周縁は、端子電極７５の周縁に対して面一に形成されていてもよい。バリア電極８５の周縁は、平面視において端子電極７５の周縁に対して端子電極７５の外側に位置していてもよい。つまり、バリア電極８５は、平面視において端子電極７５外の領域に引き出されていてもよい。
【００７４】
バリア電極８５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、バリア電極８５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
図１および図３を参照して、半導体主面１３の上には、光出力調節層８８が形成されている。光出力調節層８８は、高域部４１の上に形成されている。光出力調節層８８は、高域部４１の上において光透過電極７２を被覆している。光出力調節層８８は、低域部４２を露出させている。
【００７５】
光出力調節層８８は、光透過電極７２の光吸収率を超える光吸収率を有している。光出力調節層８８は、光透過電極７２からの光の一部を吸収し、光透過電極７２からの光の一部を透過させる。光出力調節層８８は、半導体発光層７の光出力を制限する。
光出力調節層８８は、平面視において光透過電極７２の露出部の面積が光透過電極７２の隠蔽部の面積未満となる態様で、光透過電極７２の上に形成されている。光出力調節層８８の全域は、平面視において光透過電極７２に重なっている。光出力調節層８８は、外部に露出し、半導体発光層７の半導体主面１３に面する開放面を有している。したがって、半導体発光層７の光出力未満の光出力が、光出力調節層８８の開放面から外部に取り出される。
【００７６】
光出力調節層８８は、平面視において端子電極７５の周囲に沿って形成されている。光出力調節層８８は、平面視において端子電極７５を取り囲んでいる。光出力調節層８８は、この形態では、平面視において端子電極７５から間隔を空けて形成されている。これにより、光出力調節層８８は、端子電極７５を取り囲む無端状に形成されている。
光出力調節層８８の内周縁は、端子電極７５の周縁に沿って形成されている。光出力調節層８８の外周縁は、光透過電極７２の周縁に沿って形成されている。光出力調節層８８の外周縁は、光透過電極７２の周縁に対して光透過電極７２の内方に間隔を空けて形成されている。
【００７７】
端子電極７５の周縁および光出力調節層８８の内周縁の間の領域からは光透過電極７２の一部が露出している。端子電極７５の周縁および光出力調節層８８の内周縁の間の間隔Ｉ１は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。間隔Ｉ１は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
【００７８】
光透過電極７２の周縁および光出力調節層８８の外周縁の間の領域からは光透過電極７２の一部が露出している。光透過電極７２の周縁および光出力調節層８８の外周縁の間の間隔Ｉ２は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。間隔Ｉ２は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。光出力調節層８８の外周縁は、光透過電極７２の周縁が露出しないように、光透過電極７２の周縁を被覆していてもよい。
【００７９】
光出力調節層８８は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、光出力調節層８８は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
光出力調節層８８は、光透過電極７２の抵抗値（比抵抗）を超える抵抗値（比抵抗）を有する金属材料を含むことが好ましい。この場合、電流は、光出力調節層８８を迂回して光透過電極７２および端子電極７５の間を流れる。これにより、光出力調節層８８に起因する電気的特性の変動を抑制できる。
【００８０】
光出力調節層８８は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。光出力調節層８８は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。光出力調節層８８は、この形態では、ＴｉＮ層からなる単層構造を有している。Ｃｒ層の光透過率は、ＴｉＮ層に比べて小さい。したがって、ＴｉＮ層からなる光出力調節層８８によれば、半導体発光層７で生成された光を適切に外部に取り出すことができると同時に、半導体発光層７の光出力を適切に制限できる。
【００８１】
光出力調節層８８は、０ｎｍを超えて１００ｎｍ以下の厚さＴＬを有していてもよい。厚さＴＬは、０ｎｍを超えて２．５ｎｍ以下、２．５ｎｍ以上５ｎｍ以下、５ｎｍ以上７．５ｎｍ以下、７．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上２５ｎｍ以下、２５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、または、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。
【００８２】
厚さＴＬは、バリア電極６５の厚さを超えていてもよい。厚さＴＬは、バリア電極６５の厚さ未満であってもよい。厚さＴＬは、バリア電極６５の厚さとほぼ等しくてもよい。厚さＴＬがバリア電極６５の厚さと等しいとは、厚さＴＬがバリア電極６５の厚さと等しくなる条件下で光出力調節層８８が形成されていることを意味する。厚さＴＬには、バリア電極６５の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００８３】
厚さＴＬは、バリア電極８５の厚さを超えていてもよい。厚さＴＬは、バリア電極８５の厚さ未満であってもよい。厚さＴＬは、バリア電極８５の厚さとほぼ等しくてもよい。厚さＴＬがバリア電極８５の厚さと等しいとは、厚さＴＬがバリア電極８５の厚さと等しくなる条件下で光出力調節層８８が形成されていることを意味する。厚さＴＬには、バリア電極８５の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００８４】
以下、図７を参照して、光出力調節層８８の光吸収率および光出力調節層８８の厚さＴＬの関係について説明する。図７は、光出力調節層８８の光吸収率および厚さＴＬの関係を示すグラフである。縦軸は、光透過電極７２から取り出される光出力を１００％とした時の光出力調節層８８の光吸収率［％］を示している。横軸は、光出力調節層８８の厚さＴＬ［ｎｍ］を示している。
【００８５】
図７を参照して、光出力調節層８８の厚さＴＬを増加させると、光出力調節層８８の光吸収率が対数的に増加する。光出力調節層８８の厚さＴＬが０ｎｍを超えて１００ｎｍ以下の範囲の場合、０％を超えて３５％以下の範囲で光出力調節層８８の光吸収率を調節できる。
光出力調節層８８の厚さＴＬが３０ｎｍを超えると、光出力調節層８８の光吸収率の増加量は小さくなる。したがって、製造コストを鑑みると、光出力調節層８８の厚さＴＬは、０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下であることが好ましい。光出力調節層８８の厚さＴＬが０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下の範囲であれば、製造コストを抑制できると同時に、光出力調節層８８の光吸収率を０％を超えて３０％以下の範囲で調節できる。
【００８６】
外部に取り出される光出力は、たとえば、光出力調節層８８の厚さＴＬの他、光出力調節層８８の配置や平面面積等を変更することによっても調節される。以下、図８Ａおよび図８Ｂに光出力調節層８８の他の形態例を示す。
図８Ａは、図１に対応する平面図であって、第２形態例に係る光出力調節層８８を含む構造を示す平面図である。以下では、図１〜図６に示された構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００８７】
図８Ａを参照して、光出力調節層８８は、光透過電極７２を露出させる開口８９を含む。この形態では、複数の開口８９が形成されている。複数の開口８９は、この形態では、平面視において規則的に配列されている。複数の開口８９は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って間隔を空けて行列状に形成されている。複数の開口８９は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。
【００８８】
複数の開口８９の配列や平面形状は任意であり、特定の配列や平面形状に制限されない。複数の開口８９は、たとえば平面視において千鳥状に配列されていてもよいし、不規則なドット状に配列されていてもよい。また、複数の開口８９は、平面視において任意の方向に沿って延びる格子状、ストライプ状、縞模様状等に形成されていてもよい。また、複数の開口８９は、平面視において多角形状や楕円形状に形成されていてもよい。
【００８９】
半導体発光層７からの光の一部は、光出力調節層８８において光透過電極７２を被覆する部分によって吸収される。また、半導体発光層７からの光の一部は、光出力調節層８８において光透過電極７２を露出させる部分（複数の開口８９）において光出力調節層８８を介することなく外部に放出される。
外部に取り出される光出力は、光出力調節層８８の平面面積（開口８９の個数、配置、形状、平面面積等）を調整することによって調節される。このように、外部に取り出される光出力は、光出力調節層８８の厚さＴＬの他、光出力調節層８８の配置や平面面積等を変更することによっても調節される。
【００９０】
図８Ｂは、図１に対応する平面図であって、第３形態例に係る光出力調節層８８を含む構造を示す平面図である。以下では、図１〜図６に示された構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図８Ｂを参照して、光出力調節層８８は、複数の被覆部９０を含む。複数の被覆部９０は、光透過電極７２を部分的に被覆し、光透過電極７２を部分的に露出させるように互いに間隔を空けて形成されている。複数の被覆部９０は、この形態では、平面視において規則的に配列されている。複数の被覆部９０は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って間隔を空けて行列状に配列されている。複数の被覆部９０は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。
【００９１】
複数の被覆部９０の配列や平面形状は任意であり、特定の配列や平面形状に制限されない。複数の被覆部９０は、たとえば平面視において千鳥状に配列されていてもよいし、不規則なドット状に配列されていてもよい。また、複数の被覆部９０は、平面視において任意の方向に沿って延びるストライプ状や縞模様状等に形成されていてもよい。また、複数の被覆部９０は、平面視において多角形状や楕円形状に形成されていてもよい。
【００９２】
半導体発光層７からの光の一部は、光出力調節層８８において光透過電極７２を被覆する部分（複数の被覆部９０）によって吸収される。また、半導体発光層７からの光の一部は、光出力調節層８８において光透過電極７２を露出させる部分において光出力調節層８８を介することなく外部に放出される。
外部に取り出される光出力は、光出力調節層８８の平面面積（被覆部９０の個数、配置、形状、平面面積等）を調整することによって調節される。このように、外部に取り出される光出力は、光出力調節層８８の厚さＴＬの他、光出力調節層８８の配置や平面面積等を変更することによっても調節される。
【００９３】
ｎ側電極５１およびｐ側電極７１の間に順方向電圧ＶＦが印加されると、ｎ型半導体層２２から活性層２３に電子が供給され、ｐ型半導体層２４から活性層２３に正孔が供給される。活性層２３に供給された電子および正孔は、活性層２３において結合する。これにより、光が生成される。
以上、半導体発光装置１は、半導体発光層７の半導体主面１３（高域部４１）の上に形成された光出力調節層８８を含む。光出力調節層８８は、高域部４１において光透過電極５２を被覆している。光出力調節層８８は、光透過電極５２の光吸収率を超える光吸収率を有し、光透過電極５２からの光の一部を吸収し、光透過電極５２からの光の一部を透過させる。これにより、光出力調節層８８による光損失を利用して半導体発光層７の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる。
【００９４】
また、半導体発光装置１は、半導体発光層７の半導体主面１３（高域部４１）の上に形成されたバリア電極８５を含む。バリア電極８５は、光透過電極７２およびＡｌ電極８２の間の領域に介在している。これにより、Ａｌ電極８２のＡｌに起因して光透過電極７２で生じるガルバニック腐食をバリア電極８５によって抑制できる。
その結果、半導体発光層７において生成された光を光透過電極７２を介してＡｌ電極８２に適切に入射させ、Ａｌ電極８２によって反射された光を光透過電極７２を介して半導体発光層７に適切に入射させることができる。これにより、光出力調節層８８によって光出力を適切に調節できる。
【００９５】
特に、半導体発光装置１は、基板６の第１基板主面８に形成された凹凸構造１１を含む。これにより、半導体発光層７において生成された光およびＡｌ電極８２によって反射された光を半導体発光層７に向けて乱反射させることができる。その結果、半導体発光層７において生成された光およびＡｌ電極８２によって反射された光を、光出力調節層８８を介して外部に効率的に取り出すことができる。
【００９６】
バリア電極８５は、平面視においてＡｌ電極８２外の領域に引き出されていてもよい。ガルバニック腐食は、Ａｌ電極８２の周縁を起点に光透過電極７２で生じ傾向がある。したがって、バリア電極８５をＡｌ電極８２外の領域に引き出すことにより、Ａｌ電極８２の周縁を起点とする光透過電極７２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
また、Ａｌ電極８２は、断面視において台形状に形成されている。これにより、Ａｌ電極８２において周縁を形成する部分の体積を減じることができる。その結果、Ａｌ電極８２の構造を利用して、Ａｌ電極８２の周縁を起点とする光透過電極７２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
【００９７】
また、半導体発光装置１は、半導体発光層７の半導体主面１３（低域部４２）の上に形成されたバリア電極６５を含む。バリア電極６５は、光透過電極５２およびＡｌ電極６２の間の領域に介在している。これにより、Ａｌ電極６２のＡｌに起因して光透過電極５２で生じるガルバニック腐食をバリア電極６５によって抑制できる。
その結果、半導体発光層７において生成された光を光透過電極５２を介してＡｌ電極６２に適切に入射させ、Ａｌ電極６２によって反射された光を光透過電極５２を介して半導体発光層７に適切に入射させることができる。これにより、光出力調節層８８によって光出力を適切に調節できる。
【００９８】
特に、半導体発光装置１は、基板６の第１基板主面８に形成された凹凸構造１１を含む。これにより、半導体発光層７において生成された光およびＡｌ電極６２によって反射された光を半導体発光層７に向けて乱反射させることができる。その結果、半導体発光層７において生成された光およびＡｌ電極８２によって反射された光を、光出力調節層８８を介して外部に効率的に取り出すことができる。
【００９９】
バリア電極６５は、平面視においてＡｌ電極６２外の領域に引き出されていてもよい。ガルバニック腐食は、Ａｌ電極６２の周縁を起点に光透過電極５２で生じる傾向がある。したがって、バリア電極６５をＡｌ電極６２外の領域に引き出すことにより、Ａｌ電極６２の周縁を起点とする光透過電極５２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
また、Ａｌ電極６２は、断面視において台形状に形成されている。これにより、Ａｌ電極６２において周縁を形成する部分の体積を減じることができる。その結果、Ａｌ電極６２の構造を利用して、Ａｌ電極６２の周縁を起点とする光透過電極５２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
【０１００】
図９は、図１に示す半導体発光装置１の製造に使用されるウエハ９１を示す斜視図である。
図９を参照して、ウエハ９１は、基板６のベースとなる光透過性部材である。ウエハ９１は、この形態では、サファイアウエハからなる。ウエハ９１は板状または盤状に形成されている。ウエハ９１は、円盤状に形成されていてもよい。ウエハ９１は、一方側の第１ウエハ主面９２、他方側の第２ウエハ主面９３、ならびに、第１ウエハ主面９２および第２ウエハ主面９３を接続するウエハ側面９４を有している。
【０１０１】
ウエハ側面９４には、サファイアの結晶方位を示す目印の一例としてオリエンテーションフラット９５が形成されている。オリエンテーションフラット９５は、ウエハ側面９４に形成された切欠部である。ウエハ側面９４には、複数（たとえば２つ）のオリエンテーションフラット９５が形成されていてもよい。
第１ウエハ主面９２には、半導体発光装置１にそれぞれ対応した複数の装置形成領域９６が設定される。複数の装置形成領域９６は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに間隔を空けて行列状に配列される。複数の装置形成領域９６は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って延びる格子状の切断予定ライン９７によってそれぞれ区画されている。複数の装置形成領域９６に所定の構造が作り込まれた後、切断予定ライン９７に沿ってウエハ９１を切断することによって、複数の半導体発光装置１が切り出される。
【０１０２】
図１０Ａ〜図１０Ｏは、図３に対応する領域の断面図であって、図１に示す半導体発光装置１の製造方法の一例を説明するための断面図である。図１０Ａ〜図１０Ｏでは、１つの装置形成領域９６だけが示されている。
図１０Ａを参照して、まず、ウエハ９１が用意される。次に、ウエハ９１の第１ウエハ主面９２の上に、複数の突出部１２のベースとなるベース絶縁層１０１が形成される。ベース絶縁層１０１は、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含む。ベース絶縁層１０１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。
【０１０３】
次に、図１０Ｂを参照して、所定パターンを有するマスク１０２が、ベース絶縁層１０１の上に形成される。マスク１０２は、複数の突出部１２を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口１０２ａを有している。
次に、マスク１０２を介するエッチング法によって、ベース絶縁層１０１の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、複数の突出部１２が形成される。マスク１０２は、その後、除去される。
【０１０４】
次に、図１０Ｃを参照して、バッファ層２１の一部となる第１バッファ層２６が、ウエハ９１の第１ウエハ主面９２の上に形成される。第１バッファ層２６は、第１ウエハ主面９２からＧａＮをエピタキシャル成長することにより形成される。第１バッファ層２６は、複数の突出部１２の頂部に対して第１ウエハ主面９２側の領域に形成される。
次に、図１０Ｄを参照して、バッファ層２１の一部となる第２バッファ層２７が、第１バッファ層２６の上に形成される。第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６からＧａＮを３次元的にエピタキシャル成長することにより形成される。
【０１０５】
第２バッファ層２７は、複数の突出部１２の頂部よりも上方に突出するように形成される。第２バッファ層２７は、少なくとも複数の突出部１２の頂部を露出させるように形成される。第２バッファ層２７は、この形態では、複数の突出部１２の頂部および側壁の一部を露出させている。
次に、図１０Ｅを参照して、バッファ層２１の一部となる第３バッファ層２８が、第２バッファ層２７の上に形成される。第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７からＧａＮを２次元的にエピタキシャル成長することにより形成される。
【０１０６】
第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７および複数の突出部１２を被覆する。第３バッファ層２８は、複数の突出部１２の頂部との間で複数の空孔２５を区画する。これにより、第１バッファ層２６、第２バッファ層２７および第３バッファ層２８を含むバッファ層２１が、ウエハ９１の第１ウエハ主面９２の上に形成される。
次に、図１０Ｆを参照して、ｎ型半導体層２２が、バッファ層２１の上に形成される。ｎ型半導体層２２の形成工程は、ｎ型コンタクト層２９の形成工程およびｎ型クラッド層３０の形成工程を含む。
【０１０７】
ｎ型コンタクト層２９の形成工程は、バッファ層２１からＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｎ型コンタクト層２９の形成工程は、ｎ型不純物をＧａＮに添加する工程を含む。ｎ型コンタクト層２９の形成工程は、ＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＧａＮにｎ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。
ｎ型クラッド層３０の形成工程は、ｎ型コンタクト層２９からＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｎ型クラッド層３０の形成工程は、ｎ型不純物をＧａＮに添加する工程を含む。ｎ型クラッド層３０の形成工程は、ＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＧａＮにｎ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。
【０１０８】
次に、活性層２３が、ｎ型半導体層２２の上に形成される。活性層２３の形成工程は、バリア層３２およびウェル層３３を交互に積層する工程を含む。バリア層３２の形成工程は、ＡｌＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。バリア層３２の形成工程は、シリコンをＡｌＧａＮに添加する工程を含んでいてもよい。バリア層３２の形成工程は、ＡｌＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＡｌＧａＮにシリコンを添加する工程を含んでいてもよい。ウェル層３３は、ＡｌＩｎＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。
【０１０９】
次に、ｐ型半導体層２４が、活性層２３の上に形成される。ｐ型半導体層２４の形成工程は、ｐ型クラッド層３４の形成工程およびｐ型コンタクト層３５の形成工程を含む。ｐ型クラッド層３４の形成工程は、活性層２３からＡｌＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｐ型クラッド層３４の形成工程は、ｐ型不純物をＡｌＧａＮに添加する工程を含む。ｐ型クラッド層３４の形成工程は、ＡｌＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＡｌＧａＮにｐ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。
【０１１０】
ｐ型コンタクト層３５の形成工程は、ｐ型クラッド層３４からＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｐ型コンタクト層３５の形成工程は、ｐ型不純物をＧａＮに添加する工程を含む。ｐ型コンタクト層３５の形成工程は、ＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＧａＮにｐ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。これにより、バッファ層２１、ｎ型半導体層２２、活性層２３およびｐ型半導体層２４を含む半導体発光層７が、ウエハ９１の第１ウエハ主面９２の上に形成される。
【０１１１】
次に、図１０Ｇを参照して、所定パターンを有するマスク１０３が、半導体主面１３の上に形成される。マスク１０３は、高域部４１を形成すべき領域を被覆し、低域部４２を形成すべき領域を露出させる開口１０３ａを有している。
次に、マスク１０３を介するエッチング法によって、半導体発光層７の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、半導体発光層７に高域部４１、低域部４２および接続部４３が形成される。マスク１０３は、その後、除去される。
【０１１２】
次に、図１０Ｈを参照して、絶縁層４５のベースとなるベース絶縁層１０４が、半導体主面１３の上に形成される。ベース絶縁層１０４は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。ベース絶縁層１０４は、高域部４１、低域部４２および接続部４３に沿って膜状に形成される。ベース絶縁層１０４は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。
【０１１３】
次に、図１０Ｉを参照して、所定パターンを有するマスク１０５が、ベース絶縁層１０４の上に形成される。マスク１０５は、絶縁層４５を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口１０５ａを有している。
次に、マスク１０５を介するエッチング法によって、ベース絶縁層１０４の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、半導体主面１３の接続部４３を被覆する絶縁層４５が形成される。マスク１０５は、その後、除去される。
【０１１４】
次に、図１０Ｊを参照して、ｎ側電極５１の光透過電極５２が低域部４２に形成され、ｐ側電極７１の光透過電極７２が高域部４１に形成される。光透過電極５２および光透過電極７２は、リフトオフ法によって形成されてもよい。
次に、図１０Ｋを参照して、ｎ側電極５１のバリア電極６５およびｐ側電極７１のバリア電極８５のベースとなるベースバリア電極１０６が、半導体主面１３の上に形成される。ベースバリア電極１０６は、光透過電極５２および光透過電極７２を一括して被覆する膜状に形成される。
【０１１５】
ベースバリア電極１０６は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。ベースバリア電極１０６は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、ベースバリア電極１０６は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。ベースバリア電極１０６は、スパッタ法によって形成されてもよい。
【０１１６】
次に、図１０Ｌを参照して、所定パターンを有するマスク１０７が、ベースバリア電極１０６の上に形成される。マスク１０７は、バリア電極６５およびバリア電極８５を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口１０７ａを有している。
次に、マスク１０７を介するエッチング法によって、ベースバリア電極１０６の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、バリア電極６５が光透過電極５２の上に形成され、バリア電極８５が光透過電極７２の上に形成される。マスク１０７は、その後、除去される。
【０１１７】
次に、図１０Ｍを参照して、ｎ側電極５１のＴｉ電極６３およびＡｕ電極６４がバリア電極６５の上に形成され、ｐ側電極７１のＴｉ電極８３およびＡｕ電極８４がバリア電極８５の上に形成される。
Ｔｉ電極６３およびＴｉ電極８３は、リフトオフ法によってバリア電極６５およびバリア電極８５の上にそれぞれ形成される。Ａｕ電極６４およびＡｕ電極８４は、リフトオフ法によってＴｉ電極６３およびＴｉ電極８３の上にそれぞれ形成される。Ｔｉ電極６３およびＴｉ電極８３、ならびに、Ａｕ電極６４およびＡｕ電極８４は、共通のマスクを利用して形成されてもよい。
【０１１８】
次に、図１０Ｎを参照して、光出力調節層８８が、各光透過電極７２の上に形成される。光出力調節層８８は、この形態では、ＴｉＮ層からなる単層構造を有している。光出力調節層８８は、リフトオフ法によって光透過電極７２の上に形成される。
この工程では、まず、所定パターンを有するマスク１０８が、半導体主面１３の上に形成される。マスク１０８は、光出力調節層８８を形成すべき領域を出させる複数の開口１０８ａを有している。次に、光出力調節層８８が、光透過電極７２の上およびマスク１０８の上に形成される。光出力調節層８８は、スパッタ法によって形成されてもよい。
【０１１９】
光出力調節層８８は、必ずしも全ての光透過電極７２の上に形成される必要はない。たとえば、光出力調節層８８は、任意の装置形成領域９６（光透過電極７２）の上だけに形成されてもよい。たとえば、光出力調節層８８は、第１ウエハ主面９２の１／２の領域、１／４の領域、または、１／８の領域に含まれる複数の装置形成領域９６（光透過電極７２）の上にだけ形成されてもよい。
【０１２０】
光出力調節層８８の形成工程に先立って、複数の装置形成領域９６の全体の光出力を測定する工程が実施されてもよい。光出力調節層８８の形成工程は、光出力の測定結果に応じて、光出力を制限すべきと判定された装置形成領域９６にだけ光出力調節層８８を形成する工程を含んでいてもよい。
次に、図１０Ｏを参照して、マスク１０８および光透過電極７２においてマスク１０８の上に形成された部分が除去される。このようにして、光出力調節層８８が、光透過電極７２の上に形成される。その後、切断予定ライン９７に沿ってウエハ９１が切断され、複数の半導体発光装置１が切り出される。以上を含む工程を経て、半導体発光装置１が製造される。
【０１２１】
光出力調節層８８の形成工程後、ウエハ９１の切断工程に先立って、複数の装置形成領域９６の全体の光出力を測定する光出力測定工程が実施されてもよい。また、ウエハ９１の切断工程に先立って、光出力調節層８８を除去し、光出力調節層８８を再度形成し、装置形成領域９６の光出力を調整する光出力再調整工程が実施されてもよい。
一例として、光出力測定工程時に目的の光出力を超えた光出力を有する装置形成領域９６の個数が、目的の光出力を有する装置形成領域９６の個数よりも多い場合、光出力再調整工程が実施されてもよい。一方、光出力測定工程時に目的の光出力を有する装置形成領域９６の個数が、目的の光出力を超えた光出力を有する装置形成領域９６の個数よりも多い場合、ウエハ９１の切断工程が実施されてもよい。
【０１２２】
図１１は、半導体発光装置１の製造時における光出力調節層８８の導入効果を説明するためのグラフである。縦軸は、装置形成領域９６の個数［ｐｃｓ］を示している。横軸は、装置形成領域９６の光出力を示している。
図１１には、第１曲線Ｌ１（破線参照）および第２曲線Ｌ２（実線参照）が示されている。第１曲線Ｌ１は、光出力調節層８８の形成工程前の装置形成領域９６の個数および光出力の関係を示している。第２曲線Ｌ２は、光出力調節層８８を形成工程後の装置形成領域９６の個数および光出力の関係を示している。また、図１１には、目的の光出力の範囲を破線および矢印によって示している。
【０１２３】
第１曲線Ｌ１を参照して、光出力調節層８８の形成工程前では、目的の光出力を超えた光出力を有する装置形成領域９６の個数が、目的の光出力を有する装置形成領域９６の個数よりも多い。そのため、この状態でウエハ９１から半導体発光装置を切り出すと、収率が低下する。
一方、第２曲線Ｌ２を参照して、光出力調節層８８の形成工程後では、複数の装置形成領域９６の光出力が光出力調節層８８によって低下させられ、目的の光出力に合わせ込まれる。その結果、目的の光出力を有する装置形成領域９６の個数が増加するから、高収率化を図ることができる。
【０１２４】
図１２は、図２に対応する領域の断面図であって、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置１１１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１２を参照して、半導体発光装置１１１の光出力調節層８８は、半導体主面１３および端子電極７５の間の領域に介在する部分を含む。光出力調節層８８は、平面視において光透過電極７２において端子電極７５が対向する領域の全域に形成されている。
【０１２５】
光出力調節層８８において半導体主面１３および端子電極７５の間の領域に介在する部分は、バリア電極８５として形成されている。つまり、この形態では、バリア電極８５および光出力調節層８８が、一つの電極層として一体的に形成されている。このような光出力調節層８８は、前述の図１０Ｌの形成工程においてマスク１０７のレイアウトを変更するだけで形成できる。
【０１２６】
光出力調節層８８は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。光出力調節層８８は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。光出力調節層８８は、この形態では、ＴｉＮ層からなる単層構造を有している。Ｃｒ層の光透過率は、ＴｉＮ層に比べて小さい。したがって、ＴｉＮ層からなる光出力調節層８８によれば、半導体発光層７で生成された光を適切に外部に取り出すことができると同時に、半導体発光層７の光出力を適切に制限できる。
【０１２７】
光出力調節層８８の厚さＴＬは、光透過電極７２の厚さ未満であることが好ましい。厚さＴＬは、Ａｌ電極８２の厚さ未満であることが好ましい。厚さＴＬは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってもよい。厚さＴＬは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上４ｎｍ以下、４ｎｍ以上６ｎｍ以下、６ｎｍ以上８ｎｍ以下、または、８ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってもよい。厚さＴＬは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２８】
厚さＴＬは、ｎ側電極５１のバリア電極６５の厚さと等しいことが好ましい。厚さＴＬがバリア電極６５の厚さと等しいとは、厚さＴＬがバリア電極６５の厚さと等しくなる条件下で光出力調節層８８が形成されていることを意味する。厚さＴＬには、バリア電極６５の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
以上、半導体発光装置１１１によれば、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、半導体発光装置１１１によれば、バリア電極８５および光出力調節層８８を同時に形成できるので、工数の削減によってコストの低減を図ることができる。半導体発光装置１１１の構造は、比較的大きい厚さＴＬを有する光出力調節層８８が求められない場合に有効である。
【０１２９】
図１３は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置１２１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１３を参照して、半導体発光装置１２１は、基板６の第２基板主面９（チップ本体２の第２チップ主面４）を被覆する第２光出力調節層１２２を含む。第２光出力調節層１２２は、基板６の光反射率を超える光反射率を有している。
【０１３０】
第２光出力調節層１２２は、半導体発光層７からの光の一部を吸収し、半導体発光層７からの光の一部を半導体発光層７に向けて反射させる。半導体発光層７からの光には、Ａｌ電極６２およびＡｌ電極８２によって反射された光が含まれる。この形態では、光出力調節層８８に加えて、第２光出力調節層１２２による光損失（光吸収効果）を利用して、外部に取り出される光出力が制限される。
【０１３１】
第２光出力調節層１２２は、この形態では、Ａｌ（アルミニウム）層を含む。第２光出力調節層１２２は、基板６によって半導体発光層７から電気的に分離されている。第２光出力調節層１２２は、電極としては機能しない。
第２光出力調節層１２２は、純Ａｌ層またはＡｌ合金層からなる。Ａｌ合金層は、ＡｌＣｕ合金層、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＳｉＣｕ合金層等であってもよい。第２光出力調節層１２２は、この形態では、純Ａｌ層からなる単層構造を有している。Ａｌ層を含む第２光出力調節層１２２によれば、半導体発光層７で生成される光に対する光反射率を適切に調整できる。
【０１３２】
第２光出力調節層１２２は、基板６の第２基板主面９の全域を被覆している。第２光出力調節層１２２の周縁は、基板６の基板側面１０Ａ〜１０Ｄから露出している。第２光出力調節層１２２の周縁は、基板側面１０Ａ〜１０Ｄに対して面一に形成されていてもよい。第２光出力調節層１２２は、第２基板主面９の一部を露出させるように、基板側面１０Ａ〜１０Ｄから第２基板主面９の内方に間隔を空けて形成されていてもよい。
【０１３３】
第２光出力調節層１２２は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、第２光出力調節層１２２は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
第２光出力調節層１２２は、０ｎを超えて１２０ｎｍ以下の厚さＴＬ２を有していてもよい。厚さＴＬ２は、０ｎｍを超えて１０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、５０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または、１００ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であってもよい。
【０１３４】
以下、図１４を参照して、第２光出力調節層１２２の光反射率および第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２の関係について説明する。図１４は、第２光出力調節層１２２の光反射率および第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２の関係を示すグラフである。縦軸は、半導体発光層７からの光を１００％とした時の第２光出力調節層１２２の光反射率［％］を示している。横軸は、第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２［ｎｍ］を示している。
【０１３５】
図１４を参照して、第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２を増加させると、第２光出力調節層１２２の光反射率が対数的に増加する。第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２が０ｎｍを超えて１２０ｎｍ以下の範囲の場合、３０％以上９５％以下の範囲で第２光出力調節層１２２の光反射率を調節できる。
第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２が５０ｎｍを超えると、第２光出力調節層１２２の光反射率の増加量は小さくなる。したがって、製造コストを鑑みると、第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２は、０ｎｍを超えて５０ｎｍ以下であることが好ましい。第２光出力調節層１２２の厚さＴＬ２が０ｎｍを超えて５０ｎｍ以下の範囲であれば、製造コストを抑制できると同時に、第２光出力調節層１２２の光反射率を３０％以上９５％以下の範囲で調節できる。
【０１３６】
図１３を参照して、半導体発光装置１２１は、第２光出力調節層１２２側からこの順に積層されたＴｉ層１２３およびＡｕ層１２４を含む。Ｔｉ層１２３およびＡｕ層１２４は、基板６によって半導体発光層７から電気的に分離されている。Ｔｉ層１２３およびＡｕ層１２４は、電極としては機能しない。
Ｔｉ層１２３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ層１２３は、第２光出力調節層１２２に対するＡｕ層１２４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ層１２３は、第２光出力調節層１２２の全域を被覆している。
【０１３７】
Ｔｉ層１２３の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ層１２３の厚さは、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、または、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ層１２３の厚さは、この形態では、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
Ａｕ層１２４は、金属ペーストや半田を介して接続対象物に外部接続される。Ａｕ層１２４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ層１２４は、Ｔｉ層１２３の全域を被覆している。Ａｕ層１２４の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ａｕ層１２４の厚さは、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、または、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ａｕ層１２４の厚さは、この形態では、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【０１３８】
以上、半導体発光装置１２１によれば、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、半導体発光装置１２１は、基板６の第２基板主面９（チップ本体２の第２チップ主面４）を被覆する第２光出力調節層１２２を含む。
第２光出力調節層１２２は、半導体発光層７からの光の一部を吸収し、半導体発光層７からの光の一部を半導体発光層７に向けて反射させる。これにより、光出力調節層８８および第２光出力調節層１２２による光損失を利用して外部に取り出される光出力を調節できる。第３実施形態に係る光出力調節層８８は、前述の第２実施形態に係る光出力調節層８８に適用することもできる。
【０１３９】
図１５は、図１３に対応する領域の断面図であって、本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置１３１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１２１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１５を参照して、半導体発光装置１３１は、光出力調節層８８を含まず、第２光出力調節層１２２だけを含む。以上、半導体発光装置１３１によれば、第２光出力調節層１２２による光損失を利用して、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。光出力調節層８８を含まず、第２光出力調節層１２２だけを含む構造は、前述の第２実施形態に適用することもできる。
【０１４０】
図１６は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置１４１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
半導体発光装置１４１に係るバッファ層２１は、空孔２５を有していない。以上、半導体発光装置１４１によれば、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。第５実施形態に係るバッファ層２１は、前述の第２実施形態、第３実施形態および第４実施形態に係るバッファ層２１に適用することもできる。
【０１４１】
図１７は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置１５１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１７を参照して、半導体発光装置１５１に係る凹凸構造１１は、この形態では、複数の突出部１２に代えて、基板６の一部からなる複数の突出部１５２を含む。複数の突出部１５２は、エッチング法によって基板６の第１基板主面８を第２基板主面９に向けて選択的に掘り下げることによって形成されている。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。
【０１４２】
複数の突出部１５２は、錐台形状、ドーム形状または半球形状に形成されている。複数の突出部１５２は、錐台形状の一例として、円錐台形状またはｎ（ｎ≧３）角錐台形状に形成されていてもよい。複数の突出部１５２は、互いに間隔を空けて第１基板主面８に形成されている。複数の突出部１５２は、平面視において行列状または千鳥状に形成されていてもよい。
【０１４３】
以上、半導体発光装置１５１によれば、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。第６実施形態に係る凹凸構造１１は、前述の第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態および第５実施形態に係る凹凸構造１１に適用することもできる。
図１８は、本発明の第７実施形態に係る半導体発光装置１６１を示す平面図であって、第１形態例に係る光出力調節層２０７を含む構造を示す平面図である。図１９は、図１８に示すXIX-XIX線に沿う断面図である。図２０は、図１９に示す領域XXの拡大図である。
【０１４４】
図１８および図１９を参照して、半導体発光装置１６１は、チップ本体１６２を含む。チップ本体１６２は、一方側の第１チップ主面１６３、他方側の第２チップ主面１６４、ならびに、第１チップ主面１６３および第２チップ主面１６４を接続するチップ側面１６５Ａ，１６５Ｂ，１６５Ｃ，１６５Ｄを含む。
チップ側面１６５Ａ〜１６５Ｄは、より具体的には、第１チップ側面１６５Ａ、第２チップ側面１６５Ｂ、第３チップ側面１６５Ｃおよび第４チップ側面１６５Ｄを含む。第１チップ主面１６３および第２チップ主面１６４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。
【０１４５】
第１チップ側面１６５Ａおよび第２チップ側面１６５Ｂは、平面視において第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。第３チップ側面１６５Ｃおよび第４チップ側面１６５Ｄは、平面視において第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。チップ側面１６５Ａ〜１６５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。
【０１４６】
チップ本体１６２は、より具体的には、基板１６６および半導体発光層１６７を含む積層構造を有している。基板１６６は、チップ本体１６２の第２チップ主面１６４およびチップ側面１６５Ａ〜１６５Ｄの一部を形成している。半導体発光層１６７は、チップ本体１６２の第１チップ主面１６３およびチップ側面１６５Ａ〜１６５Ｄの一部を形成している。
【０１４７】
基板１６６は、一方側の第１基板主面１６８、他方側の第２基板主面１６９、ならびに、第１基板主面１６８および第２基板主面１６９を接続する基板側面１７０Ａ，１７０Ｂ，１７０Ｃ，１７０Ｄを含む。
基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄは、より具体的には、第１基板側面１７０Ａ、第２基板側面１７０Ｂ、第３基板側面１７０Ｃおよび第４基板側面１７０Ｄを含む。第１基板主面１６８および第２基板主面１６９は、平面視において四角形状に形成されている。第２基板主面１６９は、チップ本体１６２の第２チップ主面１６４を形成している。基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄは、チップ本体１６２のチップ側面１６５Ａ〜１６５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
【０１４８】
基板１６６は、この形態では、ｎ型のＧａＡｓ基板からなる。基板１６６の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。基板１６６の厚さは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１８０μｍ以下、または、１８０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。
半導体発光層１６７は、この形態では、５５０ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有する光を生成する。つまり、半導体発光層１６７は、赤色光を生成する。半導体発光層１６７で生成された光は、チップ本体１６２の第１チップ主面１６３から取り出される。
【０１４９】
半導体発光層１６７は、基板１６６の第１基板主面１６８の上に積層されている。半導体発光層１６７は、半導体主面１７３および半導体側面１７４Ａ，１７４Ｂ，１７４Ｃ，１７４Ｄを含む。半導体側面１７４Ａ〜１７４Ｄは、より具体的には、第１半導体側面１７４Ａ、第２半導体側面１７４Ｂ、第３半導体側面１７４Ｃおよび第４半導体側面１７４Ｄを含む。
【０１５０】
半導体主面１７３は、チップ本体１６２の第１チップ主面１６３を形成している。半導体主面１７３は、平面視において四角形状に形成されている。半導体主面１７３は、光取り出し面である。半導体側面１７４Ａ〜１７４Ｄは、基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄに連なっている。半導体側面１７４Ａ〜１７４Ｄは、基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄに対して面一に形成されている。チップ本体１６２のチップ側面１６５Ａ〜１６５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
【０１５１】
半導体発光層１６７は、基板１６６の第１基板主面１６８側からこの順に積層されたｎ型半導体層１８１、活性層１８２、ｐ型半導体層１８３を含む積層構造を有している。
ｎ型半導体層１８１は、ｎ型バッファ層１８４およびｎ型クラッド層１８５を含む積層構造を有している。ｎ型バッファ層１８４は、基板１６６の第１基板主面１６８の上に形成されている。ｎ型バッファ層１８４は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＡｓを含む。ｎ型クラッド層１８５は、ｎ型バッファ層１８４の上に積層されている。ｎ型クラッド層１８５は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＡｌＧａＩｎＰを含む。
【０１５２】
活性層１８２は、ｎ型半導体層１８１の上に積層されている。活性層１８２は、この形態では、不純物無添加のＡｌＧａＩｎＰを含む。
ｐ型半導体層１８３は、ｐ型クラッド層１８６、ｐ型電流拡散層１８７およびｐ型コンタクト層１８８を含む積層構造を有している。ｐ型クラッド層１８６は、活性層１８２の上に形成されている。ｐ型クラッド層１８６は、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＩｎＰを含む。
【０１５３】
ｐ型電流拡散層１８７は、ｐ型クラッド層１８６の上に形成されている。ｐ型電流拡散層１８７は、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＰを含む。ｐ型電流拡散層１８７は、必要に応じて除かれてもよい。ｐ型コンタクト層１８８は、ｐ型電流拡散層１８７の上に形成されている。ｐ型コンタクト層１８８は、ｐ型不純物が添加されたＧａＰを含む。
【０１５４】
半導体主面１７３の上には、ｐ側電極１９１が形成されている。ｐ側電極１９１は、ｐ型半導体層１８３（ｐ型コンタクト層１８８）に電気的に接続されている。
ｐ側電極１９１は、より具体的には、光透過電極１９２を含む。光透過電極１９２は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）層を含む。光透過電極１９２は、この形態では、ＩＴＯ層からなる単層構造を有している。光透過電極１９２は、半導体発光層１６７で生成された光を透過させる光透過電極として形成されている。光透過電極１９２は、ｐ型半導体層１８３（ｐ型コンタクト層１８８）の上に形成されている。光透過電極１９２は、ｐ型半導体層１８３（ｐ型コンタクト層１８８）に電気的に接続されている。
【０１５５】
光透過電極１９２は、半導体発光層１６７の半導体側面１７４Ａ〜１７４Ｄから内方に間隔を空けて形成されている。光透過電極１９２は、半導体主面１７３の一部を露出させている。光透過電極１９２は、半導体主面１７３の全域を被覆していてもよい。光透過電極１９２は、平面視において第１面積Ｓ１を有している。
光透過電極１９２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。光透過電極１９２の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。光透過電極１９２の厚さは、この形態では、５０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である。
【０１５６】
ｐ側電極１９１は、光透過電極１９２の上に形成された端子電極１９３を含む。端子電極１９３は、平面視において光透過電極１９２の第１面積Ｓ１未満の第２面積Ｓ２（Ｓ２＜Ｓ１）を有している。端子電極１９３は、光透過電極１９２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。端子電極１９３は、平面視において光透過電極１９２の露出部の面積が光透過電極１９２の隠蔽部の面積以上となる態様で、光透過電極１９２の上に形成されている。これにより、端子電極１９３の全域は、平面視において、光透過電極１９２に重なっている。
【０１５７】
端子電極１９３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。端子電極１９３の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。端子電極１９３は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
端子電極１９３は、断面視において頂部１９４、基部１９５、および、頂部１９４から基部１９５に向けて下り傾斜した側壁１９６を有する台形状に形成されている。端子電極１９３は、頂部１９４および側壁１９６を接続するエッジ部において外側に張り出した膨出部１９７を有している。
【０１５８】
膨出部１９７は、法線方向Ｚおよび頂部１９４に沿う方向に向かって張り出している。膨出部１９７は、平面視において頂部１９４の周縁に沿って延びる環状に形成されている。膨出部１９７は、端子電極１９３においてボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される領域を画定している。
端子電極１９３は、この形態では、光透過電極１９２側からこの順に積層されたＡｌ電極２０２、Ｔｉ電極２０３およびＡｕ電極２０４を含む積層構造を有している。
【０１５９】
Ａｌ電極２０２は、Ａｌ（アルミニウム）を含む。Ａｌ電極２０２は、純ＡｌまたはＡｌ合金からなっていてもよい。Ａｌ合金は、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉ合金、ＡｌＳｉＣｕ合金等であってもよい。Ａｌ電極２０２は、この形態では、純Ａｌからなる。
Ａｌ電極２０２は、半導体発光層１６７で生成された光を反射させる光反射電極として形成されている。Ａｌ電極２０２は、断面視において台形状に形成されている。Ａｌ電極２０２の側壁は、第１傾斜角θ１を有している。第１傾斜角θ１は、半導体主面１７３を基準にしてＡｌ電極２０２の側壁がＡｌ電極２０２内で成す角度である。
【０１６０】
Ａｌ電極２０２の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極２０２の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極２０２の厚さは、この形態では、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。
Ｔｉ電極２０３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極２０３は、Ａｌ電極２０２に対するＡｕ電極２０４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極２０３は、Ａｌ電極２０２のほぼ全域を被覆している。Ｔｉ電極２０３は、断面視において台形状に形成されている。Ｔｉ電極２０３の側壁は、Ａｌ電極２０２の側壁を被覆している。
【０１６１】
Ｔｉ電極２０３の側壁は、Ａｌ電極２０２の第１傾斜角θ１を超える第２傾斜角θ２（θ１＜θ２）を有している。第２傾斜角θ２は、半導体主面１７３を基準にしてＴｉ電極２０３の側壁が、Ｔｉ電極２０３内で成す角度である。
Ｔｉ電極２０３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極２０３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極２０３の厚さは、この形態では、１８０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。
【０１６２】
Ａｕ電極２０４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極２０４は、Ｔｉ電極２０３のほぼ全域を被覆している。Ａｕ電極２０４は、断面視において台形状に形成されている。Ａｕ電極２０４は、端子電極１９３の外面を形成している。Ａｕ電極２０４の側壁は、Ｔｉ電極２０３の側壁を被覆している。
Ａｕ電極２０４の側壁は、Ｔｉ電極２０３の第２傾斜角θ２を超える第３傾斜角θ３（θ１＜θ２＜θ３）を有している。第３傾斜角θ３は、半導体主面１７３を基準にしてＡｕ電極２０４の側壁が、Ａｕ電極２０４内で成す角度である。
【０１６３】
Ａｕ電極２０４の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極２０４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極２０４の厚さは、この形態では、１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。
ｐ側電極１９１は、光透過電極１９２および端子電極１９３（Ａｌ電極２０２）の間の領域に介在するバリア電極２０５を含む。バリア電極２０５は、Ａｌ電極２０２のＡｌに起因して光透過電極１９２で生じるガルバニック腐食を抑制する保護電極として形成されている。
【０１６４】
バリア電極２０５は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。バリア電極２０５は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、バリア電極２０５は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。
バリア電極２０５の厚さは、光透過電極１９２の厚さ未満である。バリア電極２０５の厚さは、Ａｌ電極２０２の厚さ未満である。バリア電極２０５の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極２０５の厚さは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、３ｎｍ以上４ｎｍ以下、または、４ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極２０５の厚さは、この形態では、１．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。
【０１６５】
バリア電極２０５の周縁は、平面視において端子電極１９３の周縁に対して端子電極１９３の内方に位置していてもよい。バリア電極２０５の周縁は、端子電極１９３の周縁に対して面一に形成されていてもよい。バリア電極２０５の周縁は、平面視において端子電極１９３の周縁に対して端子電極１９３の外側に位置していてもよい。つまり、バリア電極２０５は、平面視において端子電極１９３外の領域に引き出されていてもよい。
【０１６６】
基板１６６の第２基板主面１６９の上には、ｎ側電極２０６が形成されている。ｎ側電極２０６は、基板１６６に電気的に接続されている。ｎ側電極２０６は、Ｇｅ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ａｇ層およびＡｌ層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
ｎ側電極２０６は、Ｇｅ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ａｇ層またはＡｌ層を含む単層構造を有していてもよい。ｎ側電極２０６は、Ｇｅ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ａｇ層またはＡｌ層のうちの少なくとも２つを任意の態様で積層させた積層構造を有していてもよい。
【０１６７】
図１８および図１９を参照して、半導体主面１７３の上には、光出力調節層２０７が形成されている。光出力調節層２０７は、半導体主面１７３の上において光透過電極１９２を被覆している。
光出力調節層２０７は、光透過電極１９２の光吸収率を超える光吸収率を有している。光出力調節層２０７は、光透過電極１９２からの光の一部を吸収し、光透過電極１９２からの光の一部を透過させる。光出力調節層２０７は、半導体発光層１６７の光出力を制限する。
【０１６８】
光出力調節層２０７は、平面視において光透過電極１９２の露出部の面積が光透過電極１９２の隠蔽部の面積未満となる態様で、光透過電極１９２の上に形成されている。光出力調節層２０７の全域は、平面視において光透過電極１９２に重なっている。光出力調節層２０７は、外部に露出し、半導体発光層１６７の半導体主面１７３に面する開放面を有している。したがって、半導体発光層１６７の光出力未満の光出力が、光出力調節層２０７の開放面から外部に取り出される。
【０１６９】
光出力調節層２０７は、平面視において端子電極１９３の周囲に形成されている。光出力調節層２０７は、平面視において端子電極１９３を取り囲んでいる。光出力調節層２０７は、この形態では、平面視において端子電極１９３から間隔を空けて形成されている。これにより、光出力調節層２０７は、端子電極１９３を取り囲む無端状に形成されている。
【０１７０】
光出力調節層２０７の内周縁は、端子電極１９３の周縁に沿って形成されている。光出力調節層２０７の外周縁は、光透過電極１９２の周縁に沿って形成されている。光出力調節層２０７の外周縁は、光透過電極１９２の周縁に対して光透過電極１９２の内方に間隔を空けて形成されている。
端子電極１９３の周縁および光出力調節層２０７の内周縁の間の領域からは光透過電極１９２の一部が露出している。端子電極１９３の周縁および光出力調節層２０７の内周縁の間の間隔Ｉ１は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。間隔Ｉ１は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
【０１７１】
光透過電極１９２の周縁および光出力調節層２０７の外周縁の間の領域からは光透過電極１９２の一部が露出している。光透過電極１９２の周縁および光出力調節層２０７の外周縁の間の間隔Ｉ２は、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。間隔Ｉ２は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。光出力調節層２０７の外周縁は、光透過電極１９２の周縁が露出しないように、光透過電極１９２の周縁を被覆していてもよい。
【０１７２】
光出力調節層２０７は、光透過電極１９２の抵抗値（比抵抗）を超える抵抗値（比抵抗）を有する材料を含むことが好ましい。この場合、電流は、光出力調節層２０７を迂回して光透過電極１９２および端子電極１９３の間を流れる。これにより、光出力調節層２０７に起因する電気的特性の変動を抑制できる。
光出力調節層２０７は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。光出力調節層２０７は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。光出力調節層２０７は、この形態では、ＴｉＮ層からなる単層構造を有している。Ｃｒ層の光透過率は、ＴｉＮ層に比べて小さい。したがって、ＴｉＮ層からなる光出力調節層２０７によれば、半導体発光層１６７で生成された光を適切に外部に取り出すことができると同時に、半導体発光層１６７の光出力を適切に制限できる。
【０１７３】
光出力調節層２０７は、０ｎｍを超えて１００ｎｍ以下の厚さＴＬを有していてもよい。厚さＴＬは、０ｎｍを超えて２．５ｎｍ以下、２．５ｎｍ以上５ｎｍ以下、５ｎｍ以上７．５ｎｍ以下、７．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下、１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上２５ｎｍ以下、２５ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、または、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。
【０１７４】
厚さＴＬを増加させると、光出力調節層２０７の光吸収率が対数的に増加する（前述の図７も合わせて参照）。厚さＴＬが０ｎｍを超えて１００ｎｍ以下の範囲の場合、０％を超えて３５％以下の範囲で光出力調節層２０７の光吸収率を調節できる。
厚さＴＬが３０ｎｍを超えると、光出力調節層２０７の光吸収率の増加量は小さくなる。したがって、製造コストを鑑みると、厚さＴＬは、０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下であることが好ましい。厚さＴＬが０ｎｍを超えて３０ｎｍ以下の範囲であれば、製造コストを抑制できると同時に、光出力調節層２０７の光吸収率を０％を超えて３０％以下の範囲で調節できる。
【０１７５】
外部に取り出される光出力は、たとえば、光出力調節層２０７の厚さＴＬの他、光出力調節層２０７の配置や平面面積等を変更することによっても調節される。以下、図２１Ａおよび図２１Ｂに光出力調節層２０７の他の形態例を示す。
図２１Ａは、図１８に対応する平面図であって、第２形態例に係る光出力調節層２０７を含む構造を示す平面図である。以下では、図１８〜図２０に示された構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１７６】
図２１Ａを参照して、光出力調節層２０７は、光透過電極１９２を露出させる開口２０８を含む。この形態では、複数の開口２０８が形成されている。複数の開口２０８は、この形態では、平面視において規則的に配列されている。複数の開口２０８は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って間隔を空けて行列状に形成されている。複数の開口２０８は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。
【０１７７】
複数の開口２０８の配列や平面形状は任意であり、特定の配列や平面形状に制限されない。複数の開口２０８は、たとえば平面視において千鳥状に配列されていてもよいし、不規則なドット状に配列されていてもよい。また、複数の開口２０８は、平面視において任意の方向に沿って延びる格子状、ストライプ状、縞模様状等に形成されていてもよい。また、複数の開口２０８は、平面視において多角形状や楕円形状に形成されていてもよい。
【０１７８】
半導体発光層１６７からの光の一部は、光出力調節層２０７において光透過電極１９２を被覆する部分によって吸収される。また、半導体発光層１６７からの光の一部は、光出力調節層２０７において光透過電極１９２を露出させる部分（複数の開口２０８）において光出力調節層２０７を介することなく外部に放出される。
外部に取り出される光出力は、光出力調節層２０７の平面面積（開口２０８の個数、配置、形状、平面面積等）を調整することによって調節される。このように、外部に取り出される光出力は、光出力調節層２０７の厚さＴＬの他、光出力調節層２０７の配置や平面面積等を変更することによっても調節される。
【０１７９】
図２１Ｂは、図１８に対応する平面図であって、第３形態例に係る光出力調節層２０７を含む構造を示す平面図である。以下では、図１８〜図２０に示された構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２１Ｂを参照して、光出力調節層２０７は、複数の被覆部２０９を含む。複数の被覆部２０９は、光透過電極１９２を部分的に被覆し、光透過電極１９２を部分的に露出させるように互いに間隔を空けて形成されている。複数の被覆部２０９は、この形態では、平面視において規則的に配列されている。複数の被覆部２０９は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに沿って間隔を空けて行列状に配列されている。複数の被覆部２０９は、この形態では、平面視において円形状にそれぞれ形成されている。
【０１８０】
複数の被覆部２０９の配列や平面形状は任意であり、特定の配列や平面形状に制限されない。複数の被覆部２０９は、たとえば平面視において千鳥状に配列されていてもよいし、不規則なドット状に配列されていてもよい。また、複数の被覆部２０９は、平面視において任意の方向に沿って延びるストライプ状や縞模様状に形成されていてもよい。また、複数の被覆部２０９は、平面視において多角形状や楕円形状に形成されていてもよい。
【０１８１】
半導体発光層１６７からの光の一部は、光出力調節層２０７において光透過電極１９２を被覆する部分（複数の被覆部２０９）によって吸収される。また、半導体発光層１６７からの光の一部は、光出力調節層２０７において光透過電極１９２を露出させる部分において光出力調節層２０７を介することなく外部に放出される。
外部に取り出される光出力は、光出力調節層２０７の平面面積（被覆部２０９の個数、配置、形状、平面面積等）を調整することによって調節される。このように、外部に取り出される光出力は、光出力調節層２０７の厚さＴＬの他、光出力調節層２０７の配置や平面面積等を変更することによっても調節される。
【０１８２】
ｐ側電極１９１およびｎ側電極２０６の間に順方向電圧ＶＦが印加されると、ｎ型半導体層１８１から活性層１８２に電子が供給され、ｐ型半導体層１８３から活性層１８２に正孔が供給される。活性層１８２に供給された電子および正孔は、活性層１８２において結合する。これにより、光が生成される。
以上、半導体発光装置１６１は、半導体発光層１６７の半導体主面１７３の上に形成された光出力調節層２０７を含む。光出力調節層２０７は、光透過電極１９２を被覆している。光出力調節層２０７は、光透過電極１９２の光吸収率を超える光吸収率を有し、光透過電極１９２からの光の一部を吸収し、光透過電極１９２からの光の一部を透過させる。これにより、光出力調節層２０７による光損失を利用して半導体発光層１６７の光出力を制限し、外部に取り出される光出力を調節できる。
【０１８３】
また、半導体発光装置１６１は、半導体発光層１６７の半導体主面１７３の上に形成されたバリア電極２０５を含む。バリア電極２０５は、光透過電極１９２およびＡｌ電極２０２の間の領域に介在している。これにより、Ａｌ電極２０２のＡｌに起因して光透過電極１９２で生じるガルバニック腐食をバリア電極２０５によって抑制できる。
その結果、半導体発光層１６７において生成された光を光透過電極１９２を介してＡｌ電極２０２に適切に入射させ、Ａｌ電極２０２によって反射された光を光透過電極１９２を介して半導体発光層１６７に適切に入射させることができる。これにより、光出力調節層２０７によって光出力を適切に調節できる。
【０１８４】
バリア電極２０５は、平面視においてＡｌ電極２０２外の領域に引き出されていてもよい。ガルバニック腐食は、Ａｌ電極２０２の周縁を起点に光透過電極１９２で生じ傾向がある。したがって、バリア電極２０５をＡｌ電極２０２外の領域に引き出すことにより、Ａｌ電極２０２の周縁を起点とする光透過電極１９２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
【０１８５】
また、Ａｌ電極２０２は、断面視において台形状に形成されている。これにより、Ａｌ電極２０２においてＡｌ電極２０２の周縁を形成する部分の体積を減じることができる。その結果、Ａｌ電極２０２の構造を利用して、Ａｌ電極２０２の周縁を起点とする光透過電極１９２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
図２２は、図１９に対応する断面図であり、本発明の第８実施形態に係る半導体発光装置２１１を示す平面図である。以下では、半導体発光装置１６１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１８６】
図２２を参照して、半導体発光装置２２１の光出力調節層２０７は、半導体主面１７３および端子電極１９３の間の領域に介在する部分を含む。光出力調節層２０７は、平面視において光透過電極１９２において端子電極１９３が対向する領域の全域に形成されている。
光出力調節層２０７において半導体主面１７３および端子電極１９３の間の領域に介在する部分は、バリア電極２０５として形成されている。つまり、この形態では、バリア電極２０５および光出力調節層２０７が、一つの電極層として一体的に形成されている。
【０１８７】
光出力調節層２０７は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。光出力調節層２０７は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。光出力調節層２０７は、この形態では、ＴｉＮ層からなる単層構造を有している。Ｃｒ層の光透過率は、ＴｉＮ層に比べて小さい。したがって、ＴｉＮ層からなる光出力調節層２０７によれば、半導体発光層１６７で生成された光を適切に外部に取り出すことができると同時に、半導体発光層１６７の光出力を適切に制限できる。
【０１８８】
光出力調節層２０７の厚さＴＬは、光透過電極１９２の厚さ未満であることが好ましい。厚さＴＬは、Ａｌ電極２０２の厚さ未満であることが好ましい。厚さＴＬは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってもよい。厚さＴＬは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上４ｎｍ以下、４ｎｍ以上６ｎｍ以下、６ｎｍ以上８ｎｍ以下、または、８ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってもよい。厚さＴＬは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１８９】
以上、半導体発光装置２１１によれば、半導体発光装置１６１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、半導体発光装置２１１によれば、バリア電極２０５および光出力調節層２０７を同時に形成できるので、工数の削減によってコストの低減を図ることができる。半導体発光装置２１１の構造は、比較的大きい厚さＴＬを有する光出力調節層２０７が求められない場合に有効である。
【０１９０】
図２３は、図１９に対応する断面図であって、本発明の第９実施形態に係る半導体発光装置２２１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１６１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
半導体発光装置２２１に係るｎ側電極２０６は、基板１６６の第２基板主面１６９（チップ本体１６２の第２チップ主面１６４）を被覆する第２光出力調節層２２２を含む。第２光出力調節層２２２は、基板１６６の光反射率を超える光反射率を有している。
【０１９１】
第２光出力調節層２２２は、半導体発光層１６７からの光の一部を吸収し、半導体発光層１６７からの光の一部を半導体発光層１６７に向けて反射させる。半導体発光層１６７からの光には、Ａｌ電極２０２によって反射された光が含まれる。この形態では、光出力調節層２０７に加えて、第２光出力調節層２２２による光損失（光吸収効果）を利用して、外部に取り出される光出力が制限される。
【０１９２】
第２光出力調節層２２２は、この形態では、Ａｌ（アルミニウム）層を含む。第２光出力調節層２２２は、基板１６６に電気的に接続されている。第２光出力調節層２２２は、純Ａｌ層またはＡｌ合金層からなる。Ａｌ合金層は、ＡｌＣｕ合金層、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＳｉＣｕ合金層等であってもよい。第２光出力調節層２２２は、この形態では、純Ａｌ層からなる単層構造を有している。Ａｌ層を含む第２光出力調節層２２２によれば、半導体発光層１６７で生成される光に対する光反射率を適切に調整できる。
【０１９３】
第２光出力調節層２２２は、基板１６６の第２基板主面１６９の全域を被覆している。第２光出力調節層２２２の周縁は、基板１６６の基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄから露出している。第２光出力調節層２２２の周縁は、基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄに対して面一に形成されていてもよい。第２光出力調節層２２２は、第２基板主面１６９の一部を露出させるように、基板側面１７０Ａ〜１７０Ｄから第２基板主面１６９の内方に間隔を空けて形成されていてもよい。
【０１９４】
第２光出力調節層２２２は、０ｎを超えて１２０ｎｍ以下の厚さＴＬ２を有していてもよい。厚さＴＬ２は、０ｎｍを超えて１０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、５０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または、１００ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であってもよい。
【０１９５】
第２光出力調節層２２２の厚さＴＬ２を増加させると、第２光出力調節層２２２の光反射率が対数的に増加する（前述の図１４も合わせて参照）。第２光出力調節層２２２の厚さＴＬ２が０ｎｍを超えて１２０ｎｍ以下の範囲の場合、３０％以上９５％以下の範囲で第２光出力調節層２２２の光反射率を調節できる。
第２光出力調節層２２２の厚さＴＬ２が５０ｎｍを超えると、第２光出力調節層２２２の光反射率の増加量は小さくなる。したがって、製造コストを鑑みると、第２光出力調節層２２２の厚さＴＬ２は、０ｎｍを超えて５０ｎｍ以下であることが好ましい。第２光出力調節層２２２の厚さＴＬ２が０ｎｍを超えて５０ｎｍ以下の範囲であれば、製造コストを抑制できると同時に、第２光出力調節層２２２の光反射率を３０％以上９５％以下の範囲で調節できる。
【０１９６】
ｎ側電極２０６は、第２光出力調節層２２２側からこの順に積層されたＴｉ電極２２３およびＡｕ電極２２４を含む。Ｔｉ電極２２３およびＡｕ電極２２４は、第２光出力調節層２２２に電気的に接続されている。
Ｔｉ電極２２３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極２２３は、第２光出力調節層２２２に対するＡｕ電極２２４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極２２３は、第２光出力調節層２２２の全域を被覆している。
【０１９７】
Ｔｉ電極２２３の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極２２３の厚さは、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、または、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極２２３の厚さは、この形態では、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
Ａｕ電極２２４は、金属ペーストや半田を介して接続対象物に外部接続される。Ａｕ電極２２４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極２２４は、Ｔｉ電極２２３の全域を被覆している。Ａｕ電極２２４の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ａｕ電極２２４の厚さは、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下、６０ｎｍ以上８０ｎｍ以下、または、８０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であってもよい。Ａｕ電極２２４の厚さは、この形態では、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【０１９８】
以上、半導体発光装置２２１によれば、半導体発光装置１６１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、半導体発光装置２２１は、基板１６６の第２基板主面１６９（チップ本体１６２の第２チップ主面１６４）を被覆する第２光出力調節層２２２を含む。
第２光出力調節層２２２は、半導体発光層１６７からの光の一部を吸収し、半導体発光層１６７からの光の一部を半導体発光層１６７に向けて反射させる。これにより、光出力調節層２０７および第２光出力調節層２２２による光損失を利用して外部に取り出される光出力を調節できる。第２光出力調節層２２２は、前述の第８実施形態に適用することもできる。
【０１９９】
図２４は、図１９に対応する断面図であって、本発明の第１０実施形態に係る半導体発光装置２３１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１６１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
半導体発光装置２３１は、光出力調節層２０７を含まず、第２光出力調節層２２２だけを含む。以上、半導体発光装置２３１によれば、第２光出力調節層２２２による光損失を利用して、半導体発光装置１６１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。光出力調節層２０７を含まず、第２光出力調節層２２２だけを含む構造は、前述の第８実施形態に適用することもできる。
【０２００】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施できる。
前述の第１〜第６実施形態では、ｎ側電極５１に係る端子電極５５が本体部５６および配線部５７を含む例について説明した。しかし、配線部５７を有さない端子電極５５が採用されてもよい。この場合、光透過電極５２の配線部５４およびバリア電極６５の配線部６７は除かれてもよい。
【０２０１】
前述の第１〜第６実施形態では、ｐ側電極７１に係る端子電極７５が本体部７６および配線部７７を含む例について説明した。しかし、配線部７７を有さない端子電極７５が採用されてもよい。この場合、バリア電極８５の配線部８７は除かれてもよい。
前述の第１〜第６実施形態では、ｎ側電極５１に係る端子電極５５がＡｌ電極６２、Ｔｉ電極６３およびＡｕ電極６４を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、端子電極５５は、Ａｌ電極６２からなる単層構造を有していてもよい。
【０２０２】
前述の第１〜第６実施形態において、Ａｌ電極６２の上の構造は任意であり、必ずしもＴｉ電極６３およびＡｕ電極６４が積層されている必要はない。たとえば、Ａｌ電極６２の上には、Ｔｉ電極６３およびＡｕ電極６４に代えて、Ｐｔ（プラチナ）層や、Ｗ（タングステン）層が形成されていてもよい。
前述の第１〜第６実施形態では、ｐ側電極７１に係る端子電極７５がＡｌ電極８２、Ｔｉ電極８３およびＡｕ電極８４を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、端子電極７５は、Ａｌ電極８２からなる単層構造を有していてもよい。
【０２０３】
また、前述の第１〜第６実施形態において、Ａｌ電極８２の上の構造は任意であり、必ずしもＴｉ電極８３およびＡｕ電極８４が積層されている必要はない。たとえば、Ａｌ電極８２の上には、Ｔｉ電極８３およびＡｕ電極８４に代えて、Ｐｔ（プラチナ）層や、Ｗ（タングステン）層が形成されていてもよい。
前述の第１〜第６実施形態では、基板６の第１基板主面８に凹凸構造１１が形成された例について説明した。しかし、第１〜第６実施形態において基板６の第１基板主面８に凹凸構造１１を有さない形態が採用されてもよい。
【０２０４】
前述の第７〜第１０実施形態では、ｐ側電極１９１に係る端子電極１９３がＡｌ電極２０２、Ｔｉ電極２０３およびＡｕ電極２０４を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、端子電極１９３は、Ａｌ電極２０２からなる単層構造を有していてもよい。
前述の第７〜第１０実施形態では、Ａｌ電極２０２の上の構造は任意であり、必ずしもＴｉ電極２０３およびＡｕ電極２０４が積層されている必要はない。たとえば、Ａｌ電極２０２の上には、Ｔｉ電極２０３およびＡｕ電極２０４に代えて、Ｐｔ（プラチナ）層や、Ｗ（タングステン）層が形成されていてもよい。
【０２０５】
前述各実施形態において、各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型に形成され、ｎ型の部分がｐ型に形成されてもよい。
この明細書は、第１〜第１０実施形態に示された特徴の如何なる組み合わせ形態をも制限しない。第１〜第１０実施形態は、それらの間で任意の態様および任意の形態において組み合わせられることができる。つまり、第１〜第１０実施形態に示された特徴が任意の態様および任意の形態で組み合わされた形態が採用されてもよい。
【０２０６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０２０７】
１      半導体発光装置
６      基板
７      半導体発光層
８      第１基板主面
９      第２基板主面
１１    凹凸構造
１３    半導体主面
２２    ｎ型半導体層
２３    活性層
２４    ｐ型半導体層
４１    高域部
４２    低域部
５５    端子電極
７２    光透過電極
８８    光出力調節層
１１１  半導体発光装置
１２１  半導体発光装置
１２２  第２光出力調節層
１２３  Ｔｉ層
１２４  Ａｕ層
１３１  半導体発光装置
１４１  半導体発光装置
１５１  半導体発光装置
１６１  半導体発光装置
１６６  基板
１６７  半導体発光層
１６８  第１基板主面
１６９  第２基板主面
１７３  半導体主面
１８１  ｎ型半導体層
１８２  活性層
１８３  ｐ型半導体層
１９２  光透過電極
１９３  端子電極
２０７  光出力調節層
２１１  半導体発光装置
２２１  半導体発光装置
２２２  第２光出力調節層
２２３  Ｔｉ電極
２２４  Ａｕ電極
２３１  半導体発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１０Ｇ】
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【図１０Ｈ】
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【図１０Ｉ】
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【図１０Ｊ】
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【図１０Ｋ】
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【図１０Ｌ】
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【図１０Ｍ】
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【図１０Ｎ】
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【図１０Ｏ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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