(57)【要約】【課題】振動子を保護するテープを設ける場合と比較して、製造工程を簡略化しながら、振動子を保護する。【解決手段】基板と、基板に設けられ、リアルタイムクロック回路を有する半導体集積回路と、半導体集積回路を覆う位置に設けられるとともに、半導体集積回路からの熱を受け放熱する放熱体と、基板および放熱体に挟まれる空間内に設けられるとともに、振動を行いリアルタイムクロック回路にクロック信号を供給する振動子とを備える画像形成装置。【選択図】図４
2020049713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に設けられ、リアルタイムクロック回路を有する半導体集積回路と、
前記半導体集積回路を覆う位置に設けられるとともに、当該半導体集積回路からの熱を受け放熱する放熱体と、
前記基板および前記放熱体に挟まれる空間内に設けられるとともに、振動を行い前記リアルタイムクロック回路にクロック信号を供給する振動子と
を備える画像形成装置。
【請求項２】
前記半導体集積回路の動作にともない前記放熱体において温度差が発生し、
前記振動子は、前記空間内のうち前記放熱体における低温となる領域と対峙する位置に設けられる
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記基板は、板面が上下方向に沿う向きに設けられ、
前記振動子は、前記空間における下側の領域に設けられる
請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記放熱体は、上下方向に延びる放熱部が複数並んで設けられる請求項３記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記放熱体に向けて空気流を発生させる空気流発生体を有し、
前記振動子は、前記空間内のうち、前記空気流の流れ方向における上流側に設けられる
請求項２記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記振動子は一方向に長い形状をしており、前記空気流の流れに交差する方向が長手方向になるように配置される請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記振動子は、前記基板上に設けられ、前記放熱体との間に間隙を形成する請求項１記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記基板および前記放熱体に挟まれて設けられ、当該基板に向けて当該放熱体が移動することを制限する制限体を有する請求項７記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記振動子における前記基板からの高さが、前記半導体集積回路における当該基板からの高さよりも低い請求項８記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記半導体集積回路および前記振動子と接続されるとともに、前記空間内に設けられるコンデンサを有する
請求項１乃至９のいずれか１項記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記振動子は、一方向に長い形状をしており、
前記振動子は、当該振動子の長手方向が上下方向に沿う向きに設けられる
請求項１乃至１０のいずれか１項記載の画像形成装置。
【請求項１２】
基板本体と、
前記基板本体に設けられ、リアルタイムクロック回路を有する半導体集積回路と、
前記半導体集積回路を覆う位置に設けられるとともに、当該半導体集積回路からの熱を受け放熱する放熱体と、
前記基板本体および前記放熱体によって挟まれる空間内に設けられるとともに、振動を行い前記リアルタイムクロック回路にクロック信号を供給する振動子と
を備える基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置および基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、主制御部が自らを省電力状態に遷移させた動作状態にて予め設定された時間間隔毎または予め設定された日時毎の時点を認識することにより、ＣＰＵをＲＯＭに記憶されたプログラムを用いて再起動させて、ＣＰＵにＲＡＭ内の記憶内容に対する初期設定処理を実行させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−８８２９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、例えば画像形成装置などに設けられる基板において、リアルタイムクロック回路を有する半導体集積回路と、半導体集積回路に対してクロック信号を供給する振動子とを設けることがある。ここで、振動子は一般的に容量変化に対する感受性が高いため、例えば人体が触れることによっても発振周波数が変動し得る。そこで、振動子を保護するため振動子をテープで覆う構成が採用されるが、この場合、製造工程においてテープを設ける作業が必要となる。
【０００５】
そこで、本発明では、振動子を保護するテープを設ける場合と比較して、製造工程を簡略化しながら、振動子を保護することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板に設けられ、リアルタイムクロック回路を有する半導体集積回路と、前記半導体集積回路を覆う位置に設けられるとともに、当該半導体集積回路からの熱を受け放熱する放熱体と、前記基板および前記放熱体に挟まれる空間内に設けられるとともに、振動を行い前記リアルタイムクロック回路にクロック信号を供給する振動子とを備える画像形成装置である。
請求項２に記載の発明は、前記半導体集積回路の動作にともない前記放熱体において温度差が発生し、前記振動子は、前記空間内のうち前記放熱体における低温となる領域と対峙する位置に設けられる請求項１記載の画像形成装置である。
請求項３に記載の発明は、前記基板は、板面が上下方向に沿う向きに設けられ、前記振動子は、前記空間における下側の領域に設けられる請求項２記載の画像形成装置である。
請求項４に記載の発明は、前記放熱体は、上下方向に延びる放熱部が複数並んで設けられる請求項３記載の画像形成装置である。
請求項５に記載の発明は、前記放熱体に向けて空気流を発生させる空気流発生体を有し、前記振動子は、前記空間内のうち、前記空気流の流れ方向における上流側に設けられる請求項２記載の画像形成装置である。
請求項６に記載の発明は、前記振動子は一方向に長い形状をしており、前記空気流の流れに交差する方向が長手方向になるように配置される請求項５に記載の画像形成装置である。
請求項７に記載の発明は、前記振動子は、前記基板上に設けられ、前記放熱体との間に間隙を形成する請求項１記載の画像形成装置である。
請求項８に記載の発明は、前記基板および前記放熱体に挟まれて設けられ、当該基板に向けて当該放熱体が移動することを制限する制限体を有する請求項７記載の画像形成装置である。
請求項９に記載の発明は、前記振動子における前記基板からの高さが、前記半導体集積回路における当該基板からの高さよりも低い請求項８記載の画像形成装置である。
請求項１０に記載の発明は、前記半導体集積回路および前記振動子と接続されるとともに、前記空間内に設けられるコンデンサを有する請求項１乃至９のいずれか１項記載の画像形成装置である。
請求項１１に記載の発明は、前記振動子は、一方向に長い形状をしており、前記振動子は、当該振動子の長手方向が上下方向に沿う向きに設けられる請求項１乃至１０のいずれか１項記載の画像形成装置である。
請求項１２に記載の発明は、基板本体と、前記基板本体に設けられ、リアルタイムクロック回路を有する半導体集積回路と、前記半導体集積回路を覆う位置に設けられるとともに、当該半導体集積回路からの熱を受け放熱する放熱体と、前記基板本体および前記放熱体によって挟まれる空間内に設けられるとともに、振動を行い前記リアルタイムクロック回路にクロック信号を供給する振動子とを備える基板である。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の発明によれば、振動子を保護するテープを設ける場合と比較して、製造工程を簡略化しながら、振動子を保護することが可能となる。
請求項２の発明によれば、振動子の温度上昇が抑制される。
請求項３の発明によれば、振動子の温度上昇が抑制される。
請求項４の発明によれば、放熱体による放熱効率が向上する。
請求項５の発明によれば、空気流の流れに沿う方向が長手方向になるように配置される構成と比較して、振動子が空気流により冷却される。
請求項６の発明によれば、振動子の温度上昇が抑制される。
請求項７の発明によれば、振動子の温度上昇が抑制される。
請求項８の発明によれば、放熱体が振動子と接触することを抑制することができる。
請求項９の発明によれば、放熱体が振動子と接触することを抑制することができる。
請求項１０の発明によれば、リアルタイムクロック回路に供給されるクロック信号が安定する。
請求項１１の発明によれば、振動子の温度上昇が抑制される。
請求項１２の発明によれば、振動子を保護するテープを設ける場合と比較して、製造工程を簡略化しながら、振動子を保護することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本実施の形態が適用される画像形成装置の構成を示した図である。
【図２】制御基板の概略構成を説明する図である。
【図３】ＳｏＣの周辺構成を説明する図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
【図５】ヒートシンク対向領域における水晶振動子およびコンデンサの配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
＜画像形成装置１＞
図１は、本実施の形態が適用される画像形成装置１の構成を示した図である。
まず、図１を参照しながら、本実施の形態が適用される画像形成装置１の構成について説明をする。
【００１０】
画像形成装置１は、用紙Ｐなどの記録材、すなわちシートに対して画像を形成する。図示の画像形成装置１は、用紙Ｐを収容する用紙収容部１０と、用紙Ｐに画像を形成する画像形成部１３と、画像が形成された用紙Ｐを排出する排出ロール１５と、画像形成装置１の動作を制御する制御部２０とを有する。
【００１１】
なお、以下の説明においては、図１に示す画像形成装置１における上下方向、すなわち鉛直方向を単に「上下方向」ということがある。また、図１における上下方向における上側を単に「上側」、上下方向における下側を単に「下側」ということがある。また、図１に示す画像形成装置１における紙面の左右方向を、単に「幅方向」ということがある。また、図１における紙面左側を単に「一方側」、紙面右側を単に「他方側」ということがある。また、図１に示す画像形成装置１における紙面の奥行方向を、単に「奥行方向」ということがある。また、図１における紙面手前側を単に「手前側」、紙面奥側を単に「奥側」ということがある（図２参照）。
【００１２】
用紙収容部１０は、各々サイズや種類の異なる用紙Ｐを収容する。図示の例においては、用紙収容部１０は複数設けられる。用紙収容部１０の各々は、奥行方向手前側に引き出し可能である。
【００１３】
画像形成部１３は、用紙収容部１０から搬送されてくる用紙Ｐに画像を形成する。画像形成部１３は、感光体に付着させたトナーを用紙Ｐに転写して像を形成する電子写真方式により用紙Ｐに画像を形成する。なお、画像形成部１３が画像を形成する方式は特に限定されるものではなく、用紙Ｐ上にインクを吐出して像を形成するインクジェット方式などにより画像を形成してもよい。
【００１４】
排出ロール１５は、画像形成部１３によって画像が形成された用紙Ｐを排出する。図示の例における排出ロール１５は、ロール対からなり、このロール対が各々回転することにともない、用紙Ｐを画像形成装置１から排出する。
【００１５】
制御部２０は、画像形成装置１に設けられる各構成部材の動作を制御する。この制御部２０は制御基板１００を有する。図示の例における制御基板１００は、画像形成装置１の幅方向における他方側の側面に設けられ、板面が上下方向に沿うように配置されている。
【００１６】
ここで、画像形成装置１の動作について説明をする。まず、制御部２０から指示信号が出力されることにともない、用紙収容部１０から用紙Ｐが１枚ずつ送り出される。そして、画像形成部１３によって用紙Ｐに画像が形成された後、排出ロール１５によって画像が形成された用紙Ｐが排出される。
【００１７】
＜制御基板１００＞
図２は、制御基板１００の概略構成を説明する図である。
図２を参照しながら、制御基板１００の概略構成を説明する。
【００１８】
図２に示すように、制御基板１００は、ガラスエポキシ基板などにより構成される所謂プリント基板である基板本体１１０と、基板本体１１０に搭載される素子の１つであるＳｏＣ（Ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ Ｃｈｉｐ）２００とを有する。図示の例においては、ＳｏＣ２００は、基板本体１１０の上下方向における中央ＣＬよりも上側に設けられる。
【００１９】
ここで、ＳｏＣ２００は、半導体集積回路の一例であり、画像形成装置１の動作に必要な複数の機能を果たす１個の半導体チップである。図示のＳｏＣ２００は、複数のＣＰＵを備えるとともに、リアルタイムクロック回路を内蔵している。なお、ここでは基板本体１１０に搭載される素子の１つとしてＳｏＣ２００を説明するが、基板本体１１０にはＳｏＣ２００を含め複数の素子が搭載される。基板本体１１０に搭載される素子としては、例えば、ハードディスク、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、メモリなどである主制御用素子、ファクシミリやＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）機器といった画像形成装置１の外部機器との接続を行う素子である外部接続用素子、あるいは高電圧コア電源（例えば、１．１Ｖ）および低電圧コア電源（例えば０．９Ｖ）を含む電圧供給用素子などが含まれてもよい。
【００２０】
＜ＳｏＣ２００の周辺構成＞
図３は、ＳｏＣ２００の周辺構成を説明する図である。なお、図３においては、ヒートシンク２５０の記載は省略している。
図４は、図２のＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
次に、図３および図４を参照しながら、ＳｏＣ２００およびその周辺構成を説明する。
【００２１】
図３および図４に示すように、ＳｏＣ２００は基板本体１１０に搭載される。また、ＳｏＣ２００の周辺には、ＳｏＣ２００で発生する熱を放熱するヒートシンク２５０（図４参照）と、ＳｏＣ２００に送信されるクロック信号を生成する水晶振動子３００と、水晶振動子３００が生成するクロック信号を安定させるコンデンサ３５０とを有する。以下、基板本体１１０について説明をした後、ＳｏＣ２００、ヒートシンク２５０、水晶振動子３００、およびコンデンサ３５０の各々について説明をする。
【００２２】
まず、基板本体１１０について説明をする。基板本体１１０は、ＳｏＣ２００を搭載する面である第１面１１５と、第１面１１５とは反対側の面である第２面１１７（図４参照）とを有する。ここで、基板本体１１０の第１面１１５において、ヒートシンク２５０と対向する領域を、ヒートシンク対向領域１１９とする。図示の例のヒートシンク対向領域１１９は、ＳｏＣ２００の第１面１１５における略長方形状の領域である。
【００２３】
また、基板本体１１０は、ヒートシンク対向領域１１９において、複数の貫通孔である第１貫通孔１１１、第２貫通孔１１２、および第３貫通孔１１３を備える。第１貫通孔１１１乃至第３貫通孔１１３は、ヒートシンク対向領域１１９の四隅、すなわち第１隅部Ｃ１乃至第４隅部Ｃ４のうちの、一部の隅、すなわち第１隅部Ｃ１乃至第３隅部Ｃ３の３つの隅部に設けられている。
【００２４】
また、基板本体１１０は、複数の層を積層して形成される。さらに説明をすると、基板本体１１０は、中間層として、接地して設けられるグラウンド層１１８（図４参照）を有する。また、基板本体１１０の第１面１１５には、ＳｏＣ２００と電気的に接続される端子である基板端子（不図示）が設けられる。
【００２５】
次に、ＳｏＣ２００について説明をする。ＳｏＣ２００は、内部に複数のＣＰＵなどが設けられた平板状のＳｏＣ基体２１０と、ＳｏＣ基体２１０に設けられ基板本体１１０の基板端子（不図示）に電気的に接続されるＳｏＣ端子２０１とを有する。ここで、ＳｏＣ基体２１０におけるＳｏＣ端子２０１とは反対側の面である天面２０３には、ヒートシンク２５０が固定される。
【００２６】
次に、ヒートシンク２５０について説明をする。ヒートシンク２５０は、ＳｏＣ基体２１０の天面２０３に設けられる平板上のシンク基体２５１と、シンク基体２５１から立ち上がる向きに複数設けられるフィン板２５３とを有する。図示のフィン板２５３は、各々の板面が上下方向に沿う向きに設けられている。また、フィン板２５３は、奥行方向において予め定めた間隔で並べて設けられている。なお、以下の説明においては、ヒートシンク２５０がＳｏＣ基体２１０に設けられた状態で、シンク基体２５１における奥行方向奥側の端部を奥側端２５５、シンク基体２５１における上下方向下側の端部を下側端２５６（後述する図５参照）ということがある。
【００２７】
また、ヒートシンク２５０は、接着体２７０を介してＳｏＣ２００に固定される。図示の接着体２７０は、ＳｏＣ基体２１０の天面２０３と、シンク基体２５１の底面２５７とを接着するシート部材、例えば熱伝導テープにより構成される。また、ヒートシンク２５０の底面２５７は、ＳｏＣ基体２１０の天面２０３よりも大きく、ヒートシンク２５０の底面２５７が、ＳｏＣ基体２１０の天面２０３を覆う位置関係となる。そして、ヒートシンク２５０の底面２５７におけるＳｏＣ基体２１０の天面２０３よりも外周に突出する部分は、複数の支柱を介して固定される。図示の例においては、第１支柱２９１、第２支柱２９２、および第３支柱２９３によって、ヒートシンク２５０のシンク基体２５１と、基板本体１１０とが接続される。
【００２８】
ここで、第１支柱２９１乃至第３支柱２９３の各々は、一端がシンク基体２５１に固定され、他端が基板本体１１０に固定される。また、第１支柱２９１乃至第３支柱２９３の各々は、第１貫通孔１１１乃至第３貫通孔１１３内を貫通して設けられるとともに、第２面１１７側からはんだ２９５によって基板本体１１０に対して固定される。
【００２９】
次に、水晶振動子３００について説明をする。水晶振動子３００は、略直方体状であり、ヒートシンク２５０とともに第１面１１５に設けられる。具体的には、水晶振動子３００は、ヒートシンク対向領域１１９内であって、第１隅部Ｃ１に設けられる。すなわち、水晶振動子３００は、ヒートシンク２５０の外周下側に設けられる。図示の水晶振動子３００は、水晶振動子３００の長手方向が上下方向に沿うように設けられている（後述する図５参照）。
【００３０】
次に、コンデンサ３５０について説明をする。コンデンサ３５０は、略直方体状であり、ヒートシンク２５０とともに第１面１１５に設けられる。具体的には、コンデンサ３５０は、ヒートシンク対向領域１１９内であって、第１隅部Ｃ１に設けられる。すなわち、コンデンサ３５０は、ヒートシンク２５０の外周下側に設けられる。図示の例におけるコンデンサ３５０は、水晶振動子３００の周囲に複数設けられている。また、コンデンサ３５０は、コンデンサ３５０の長手方向が上下方向に沿うように設けられている（後述する図５参照）。
【００３１】
＜水晶振動子３００およびコンデンサ３５０の配置＞
さて、ＳｏＣ２００が内蔵するリアルタイムクロック回路は、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０などのクロック生成用振動子周辺回路の容量変化に対する感受性が一般的に高い。そのため、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０などが人体に触れる程度の容量変化でも、クロック発振停止などを引き起こすことがある。また、水晶振動子３００が温度変動することにともない、発振周波数が変動することがある。
【００３２】
ここで、一般的には、時計機能が発振停止等で時刻にずれが生じた場合に、時計機能を再設定することができる。しかしながら、画像形成装置１では、セキュリティおよび課金対応で不正が発生しないようにするため、生産工場以外でマスター時計(Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｅｄ  Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｔｉｍｅ、ＵＴＣ)の設定変更をできないようにしている。したがって、時計機能が停止することは、制御基板１００の交換を招き、ユーザに対して不利益を与え、サービスコストもかかる。
【００３３】
また、上記のようなリアルタイムクロック回路の誤動作を抑制するためには、設計段階において、発熱素子の近傍に水晶振動子３００およびコンデンサ３５０を配置することを避けることがある。例えば、本実施の形態とは異なる例においては、基板における発熱素子を搭載する実装面とは反対側の面に、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が配置されることがある。
【００３４】
また、基板交換時などに人体に触れることを抑制するため、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０をテープでカバーすることがある。しかしながら、テープなどの保護部品によるカバーは、誤動作を抑制することはできるが、製造工程の追加をともなうため生産費用の増加を招く。そこで、本実施の形態においては、保護部品としてテープを用いることなく、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が人体に触れることを抑制し、時計機能を保護する。
【００３５】
具体的には、図３および図４に示すように、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が、ヒートシンク２５０の占有空間内に設けられる。言い替えると、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が、ヒートシンク２５０の直下に設けられる。図示の例においては、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０は、ヒートシンク２５０の奥側端２５５よりも奥行方向手前側であり、かつヒートシンク２５０の下側端２５６（後述する図５参照）よりも上下方向上側に設けられる。このことにより、発熱素子であるＳｏＣ２００を冷却する構成であるヒートシンク２５０を用いて、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が人体に触れることを構造的に抑制する。
【００３６】
ここで、図４に示すように、基板本体１１０の第１面１１５からの高さとしては、水晶振動子３００の高さＨ３の方が、ＳｏＣ２００の高さＨ２よりも低い。また、コンデンサ３５０の高さＨ４の方が、ＳｏＣ２００の高さＨ２のよりも低い。このことにより、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が、ヒートシンク２５０のシンク基体２５１との間に間隙を形成し、ヒートシンク２５０から熱を受けることが抑制される。
【００３７】
図示の例においては、高さＨ１、高さＨ２、高さＨ３、高さＨ４は、この順で後になるほど高さが低くなる。例えば、高さＨ１は４ｍｍ、高さＨ２は３ｍｍ、高さＨ３は２ｍｍ、高さＨ４は１ｍｍとなる。ここで、基板本体１１０の第１面１１５からシンク基体２５１の底面２５７までの距離である高さＨ１は、基板本体１１０の第１面１１５とシンク基体２５１の底面２５７との間に、ユーザの指先が進入することを抑制する寸法である。
【００３８】
また、上記のようにヒートシンク２５０は、第１支柱２９１乃至第３支柱２９３で支持されている。すなわち、ヒートシンク２５０は外周が３点によって支持される。この３点の支持により、シンク基体２５１の位置が一義的に定まる。ここで、図示の例とは異なり、ヒートシンク２５０が４点で固定される場合は、シンク基体２５１の位置が一義的には定まらず、各点を支える支柱の長さのばらつきなどにより、ヒートシンク２５０ががたつくことがある。このようなヒートシンク２５０のがたつきが、ヒートシンク２５０を３点で支持する図示の構成においては抑制される。
【００３９】
また、水晶振動子３００が設けられるヒートシンク対向領域１１９の第１隅部Ｃ１には第１支柱２９１が設けられている。この第１支柱２９１が設けられることにより、基板本体１１０の第１面１１５からシンク基体２５１の底面２５７の距離が変化するような外力が例えばヒートシンク２５０に付与されても、第１支柱２９１によって、ヒートシンク２５０の移動が抑制される。さらに説明をすると、第１支柱２９１によって、シンク基体２５１が水晶振動子３００と接触することが抑制される。
【００４０】
なお、ヒートシンク２５０を支持する第１支柱２９１乃至第３支柱２９３は、基板本体１１０を貫通し、グラウンド層１１８と接続して設けられる。このことにより、図示のヒートシンク２５０の熱が、第１支柱２９１乃至第３支柱２９３を介してグラウンド層１１８へ伝達され、グラウンド層１１８から放熱される。
【００４１】
＜ヒートシンク対向領域１１９における配置＞
図５は、ヒートシンク対向領域１１９における水晶振動子３００およびコンデンサ３５０の配置を示す図である。
次に、図３乃至図５を参照しながら、ヒートシンク対向領域１１９における水晶振動子３００およびコンデンサ３５０の配置を説明する。
【００４２】
ここで、ヒートシンク対向領域１１９における水晶振動子３００およびコンデンサ３５０の配置について説明をする。まず、上述のように水晶振動子３００およびコンデンサ３５０は、ヒートシンク対向領域１１９内の第１隅部Ｃ１において、ＳｏＣ２００から離間して設けられている。なお、コンデンサ３５０は複数設けられるが、全てのコンデンサ３５０がヒートシンク対向領域１１９内に設けられている。また、ＳｏＣ２００の近傍に水晶振動子３００およびコンデンサ３５０を設けることにより、ＳｏＣ２００が受けるクロック信号のノイズが抑制される。
【００４３】
また、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０は、ヒートシンク対向領域１１９における上下方向下側に設けられる。ここで、ＳｏＣ２００からの熱を受けたヒートシンク２５０によって、ヒートシンク２５０周辺の空気が加熱される。この加熱にともない、フィン板２５３の間を上側に向かう空気流（矢印Ｄ１参照）が発生する。したがって、ヒートシンク２５０の下側領域である第１低温領域Ａ１は、他の部分よりも低温になる。この第１低温領域Ａ１と対向する位置に、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が設けられる。
【００４４】
また、上記で説明を省略したが、画像形成装置1は制御基板１００に設けられた素子を冷却するための強制冷却機能を備えたファン６００を有する。このファン６００により生成される空気流を受ける領域に、ＳｏＣ２００は設けられている。図示の例においては、ＳｏＣ２００は奥行方向において奥側から手前側（矢印Ｄ２参照）に向けて空気流を発生させる。したがって、ヒートシンク２５０における空気流の上流側、すなわちヒートシンク２５０の奥側領域である第２低温領域Ａ２は、他の部分よりも低温になる。この第２低温領域Ａ２と対向する位置に、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が設けられる。
【００４５】
上記のように水晶振動子３００およびコンデンサ３５０は、第１低温領域Ａ１であってかつ第２低温領域Ａ２と対向する位置に設けられている。このことにより、ヒートシンク対向領域１１９における温度が上がりにくい領域に、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０が設けられていることとなる。付言すると、熱が上方に集まる性質を利用し、ＳｏＣ２００の下側に、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０を配置することで、ＳｏＣ２００からの熱の影響を低減する。また、ファン６００からの空気流を受ける位置に、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０を配置することで、ＳｏＣ２００からの熱の影響を低減する。
【００４６】
なお、図示の例においては、水晶振動子３００は、長手方向がファン６００からの空気流（矢印Ｄ２参照）と交差する方向に配置される。このことにより、長手方向が空気流に沿うように配置される構成と比較して、水晶振動子３００が空気流により冷却される。また、図示の例においては、第１支柱２９１よりもファン６００からの空気流（矢印Ｄ２参照）上流側に設けられている。このことにより、水晶振動子３００に向かう空気流が、第１支柱２９１によって妨げられることが回避される。
【００４７】
＜変形例＞
上記の説明においては、水晶振動子３００およびコンデンサ３５０各々の長手方向が、上下方向に沿って設けられる構成として説明したがこれに限定されない。例えば水晶振動子３００およびコンデンサ３５０の少なくとも一方の長手方向が、水平方向など他の方向に配置されてもよい。
【００４８】
また、上記の説明においてはＳｏＣ２００を用いて説明をしたが、半導体集積回路であればＳｏＣ２００に限定されるものではなく、例えばＣＰＵを用いてもよい。
また、上記の説明においては、基板本体１１０の板面が上下方向に沿うように配置されることを説明したがこれに限定されない。基板本体１１０の板面が、水平方向に沿うように配置される構成や、上下方向に対して傾斜する向きに配置される構成であってもよい。
【００４９】
また、上記の説明においてはＳｏＣ２００の熱を放熱するヒートシンク２５０を例に説明をしたが、ＳｏＣ２００に設けられ、ＳｏＣ２００を冷却する機能を有する部材であればよく、例えばペルチェ素子やファンなどの冷却機構を用いてもよい。
また、上記の説明においてはクロック信号を生成する水晶振動子３００を例に説明をしたが、ＳｏＣ２００に送信されるクロック信号を生成する部材であれば、セラミック振動子など他の振動子を用いてもよい。
また、上記の説明においては画像形成装置１に設けられる制御基板１００として説明をしたが、画像形成装置以外の半導体集積回路を有する装置に上記構成を採用してもよい。
【００５０】
なお、上記の説明における制御基板１００は基板の一例である。ＳｏＣ２００は半導体集積回路の一例である。ヒートシンク２００は放熱体の一例である。水晶振動子３００は振動子の一例である。フィン板２５３は放熱部の一例である。ファン６００は空気流発生体の一例である。第１支柱２９１は制限体の一例である。
【００５１】
なお、上記では種々の実施形態および変形例を説明したが、これらの実施形態や変形例同士を組み合わせて構成してももちろんよい。
また、本開示は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施することができる。
【符号の説明】
【００５２】
１…画像形成装置、１００…制御基板、１１９…ヒートシンク対向領域、２００…ＳｏＣ、２５０…ヒートシンク、３００…水晶振動子、３５０…コンデンサ、６００…ファン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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