(57)【要約】【課題】  半導体装置の信頼性を向上するうえで有利な技術を提供する。【解決手段】  対向板２０と回路板３０との間にデバイス板１０が配されており、回路板３０は、デバイス板１０に重なる重複部分３１と、デバイス板１０に重ならない非重複部分３２と、を有し、デバイス板１０および回路板３０の非重複部分３２に接触する樹脂部材１６は、対向板２０の側面２００の接触領域２１に接触し、かつ、対向板２０の側面２００の非接触領域２２に接触しない。【選択図】  図１
2020167347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを構成する第１板と、
前記第１板に対向する第２板と、
前記第１板を支持する前記第３板と、を備える半導体装置であって、
前記第２板と前記第３板との間に前記第１板が配されており、
前記第３板は、前記第１板に重なる第１部分と、前記第１板に重ならない第２部分と、を有し、
前記第１板および前記第３板の前記第２部分に接触する樹脂部材をさらに備え、
前記樹脂部材は、前記第２板の側面の第１領域に接触し、かつ、前記第２板の側面の第２領域に接触しない、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１領域が前記第２領域と前記第３板との間に位置する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１板と前記第２板とが重なる方向において、前記第１領域の長さは前記第２領域の長さよりも小さい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂は前記第１板と前記第３板の前記第１部分との間に延在する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１板と前記第２板との間には、前記第１板と前記第２板とを接合する接合部材が配されている、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１板は前記第２板から離間している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１板と前記第２板とが重なる方向における、前記樹脂部材が前記第１板の側面に接触する領域の寸法は、前記第１板と前記第２板との間の距離の０．８〜１．２倍である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記樹脂部材の前記第２板の側面を覆う部分の、前記第２板の側面の法線方向における寸法は、前記第１板と前記第２板との間の距離の０．８〜１．２倍である、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記樹脂部材は、前記第２板の前記第１板の側とは反対側の面を覆わない、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２板は前記第１板よりも厚い、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１板と前記第２板との間の距離は、前記第１板と前記第３板との間の距離よりも小さい、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１板と前記第２板との間の距離は、前記第１板と前記第３板との間の距離よりも大きい、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１板と前記第３板とを電気的に接続する導電部材をさらに備え、前記樹脂部材が前記導電部材に接触する、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２板は透光板であり、前記第３板は配線板である、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記接合部材は前記樹脂部材とは異なる樹脂材料からなる、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記樹脂部材の弾性率は、前記接合部材の弾性率よりも高い、請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１板と前記第３板との間には、前記第１板と前記第３板とを電気的に接続する導電部材が配されている、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記電子デバイスが撮像デバイスである、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記電子デバイスが表示デバイスである、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置を保持する保持部材と、を備える機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、電子部品は、電子部品を支持するための回路板等に実装される。複数の板を含む電子部品を良好に実装する技術が求められる。特許文献１には、第１の基板と第２の基板で形成されたチップを実装基板に実装し、アンダーフィルを形成した半導体装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ１６／２０３９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では半導体装置の信頼性が不十分であるので、本発明は、半導体装置の信頼性を向上するうえで有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための手段は、半導体装置であって、電子デバイスを構成する第１板と、前記第１板に対向する第２板と、前記第１板を支持する前記第３板と、を備える半導体装置であって、前記第２板と前記第３板との間に前記第１板が配されており、記第３板は、前記第１板に重なる第１部分と、前記第１板に重ならない第２部分と、を有し、前記第１板および前記第３板の前記第２部分に接触する樹脂部材をさらに備え、前記樹脂部材は、前記第２板の側面の第１領域に接触し、かつ、前記第２板の側面の第２領域に接触しない、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、半導体装置の信頼性を向上するうえで有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】半導体装置を説明する模式図。
【図２】半導体装置を説明する模式図。
【図３】機器を説明する模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の一例を説明する。なお、以下の説明および図面において、複数の図面に渡って共通の構成については共通の符号を付している。そのため、複数の図面を相互に参照して共通する構成を説明し、共通の符号を付した構成については適宜説明を省略する。
【０００９】
図１（ａ）は半導体装置の断面模式図、図１（ｂ）は図１（ａ）の部分Ａの拡大図、図１（ｃ）は半導体装置の平面模式図である。半導体装置の断面模式図は、図１（ｃ）のＢ−Ｂ線における半導体装置の断面に対応する。
【００１０】
半導体装置は、電子デバイス１１を構成するデバイス板１０と、デバイス板１０に対向する対向板２０と、デバイス板１０を支持す支持板３０と、を備える。対向板２０と支持板３０との間にデバイス板１０が配されている。支持板３０は、デバイス板１０に重なる重複部分３１と、デバイス板１０に重ならない非重複部分３２と、を有する。半導体装置は、デバイス板１０および支持板３０の非重複部分３２に接触する樹脂部材１６をさらに備える。
【００１１】
対向板２０は、２つの主面２０１、２０２と、主面２０１、２０２に連続する側面２００と、を有する。主面２０１を上面、外面、表面と称し、主面２０２を下面、内面、裏面と称することができる。対向板２０は、例えば、電子デバイス１１を保護する保護板であり、例えば、電子デバイス１１への光、あるいは電子デバイス１１からの光を透過する透光板である。対向板２０が電子デバイスを構成することもできる。支持板３０は回路板あるいは配線板である。例えば、リジット基板を有するプリント回路板であるが、フレキシブル基板を有するプリント配線板であってもよい。図１（ｃ）に示す様に、本例の支持板３０はコネクタ部品３４や受動部品３３を有する回路板である。或る例では、電子デバイス１１が撮像デバイスであり、別の例では、電子デバイス１１が表示デバイスであるが、これに限らず一般的な半導体デバイスであってよい。
【００１２】
樹脂部材１６は、対向板２０の側面２００の接触領域２１に接触し、かつ、対向板２０の側面２００の非接触領域２２に接触しない。接触領域２１が非接触領域２２と支持板３０との間に位置する。このように本例では接触領域２１と非接触領域２２とがＺ方向に並んでいるが、接触領域２１と非接触領域２２とがＸ方向あるいはＹ方向に並んでもよい。対向板２０はデバイス板１０よりも厚い。対向板２０とデバイス板１０とが重なる方向Ｚにおいて、接触領域２１の長さは非接触領域２２の長さよりも小さい。樹脂部材１６は、対向板２０のデバイス板１０の側とは反対側の面を覆わない。
【００１３】
本例では、樹脂部材１６はデバイス板１０と支持板３０の重複部分３１との間に延在する。デバイス板１０と支持板３０の重複部分３１との間に位置する樹脂部材が、対向板２０やデバイス板１０、非重複部分３２に接触する樹脂部材１６と異なる樹脂材料で構成されていてもよい。半導体装置は、デバイス板１０と支持板３０とを電気的に接続する導電部材１５をさらに備える。デバイス板１０と支持板３０との間には、デバイス板１０と支持板３０とを電気的に接続する導電部材１５が配されている。樹脂部材１６が導電部材１５に接触する。
【００１４】
図１（ｂ）に示すように、対向板２０とデバイス板１０とが重なる方向Ｚにおける、樹脂部材１６が対向板２０の側面に接触する接触領域２１の寸法Ｗは、対向板２０とデバイス板１０との間の距離Ｄの０．８〜１．２倍である。樹脂部材１６の対向板２０の側面を覆う部分の、対向板２０の側面の法線方向Ｘにおける寸法Ｔは、対向板２０とデバイス板１０との間の距離Ｄの０．８〜１．２倍である。対向板２０とデバイス板１０との間の距離Ｄは、デバイス板１０と支持板３０との間の距離Ｇよりも小さい。
【００１５】
本例は、デバイス板１０と対向板２０と接合部材１４とが電子部品１００を構成している。対向板２０は、電子デバイス１１が撮像デバイスや表示デバイスのような光デバイスである場合には、光透過性のあるガラス板や結晶板、樹脂板を用いる。対向板２０の厚さは、例えば１００〜１０００μｍ、好ましくは約２５０〜７５０μｍである。デバイス板１０の厚さは、例えば１０〜１０００μｍ、好ましくは、５０〜５００μｍである。デバイス板１０は対向板２０よりも薄くてよい。電子部品１００は、ＷＬ−ＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）プロセスを経て個片化された電子部品である。ＷＬＣＳＰとは、複数の半導体素子をウエハに一括形成した状態のままパッケージ組立工程を行い、その後、裏面配線などのプロセスを経て、上記半導体素子ごとに電子部品として個片化する技術である。デバイス板１０は表面と裏面を有する。デバイス板１０の表面側にはＭＯＳトランジスタ、配線層、層間絶縁膜層が一般的な半導体プロセスを用いて形成され、さらにその上部にはカラーフィルターやマイクロレンズが形成さている。電子デバイス１１は、いわゆる表面照射型イメージセンサー（ＦＳＩ）と呼ばれる撮像デバイスの構造を有している。電子デバイス１１は、裏面照射型イメージセンサー（ＢＳＩ）と呼ばれる撮像デバイスの構造を有してもよい。また、電子部品１００は、積層型イメージセンサーであってもよく、その場合には、デバイス板１０にイメージプロセッサを配置し、対向板２０にイメージセンサーを配置することできる。
【００１６】
対向板２０はデバイス板１０から離間している。対向板２０とデバイス板１０との間には、対向板２０とデバイス板１０とを接合する接合部材１４が配されている。接合部材１４は接着性能を持つ光透過性の樹脂からなり、例えば、弾性率が０．５〜２．０ＧＰａの値をもつ熱硬化性アクリル系材料である。この接合部材１４の厚みは例えば３０〜５０μｍである。なお、接合部材１４は、光透過性、接着性を有すれば他の樹脂でもよく、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂なども好適に用いられうる。また、熱硬化型だけでなく紫外線などの光硬化型の樹脂を用いてもよい。接合部材１４は樹脂部材１６とは異なる樹脂材料からなる。樹脂部材１６の弾性率は、接合部材１４の弾性率よりも高いことが好ましい。接合部材１４は、接合面で酸化シリコンのような無機絶縁材料同士が接合を成す部材であってもよい。また、接合部材１４は、接合面に絶縁体同士の接合と導電体同士の接合とが共存するハイブリッド接合を成す部材であってもよい。
【００１７】
デバイス板１０の裏面側には、表面側に形成された電子デバイス１１を駆動するために、再配線層１３が、ＷＬ−ＣＳＰプロセスの中でフォトプロセスと銅めっきにより形成されている。この再配線層１３は、裏面側から表面側へ貫通電極１２（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）を経由して電気的に接続している。
【００１８】
この貫通電極１２の形成においては、いわゆるボッシュプロセスを用いて、デバイス板１０となるシリコンウエハの裏面側から表面側に向かって垂直方向Ｚにエッチング処理し、表面側に形成されているパッド電極に達する貫通孔を形成する。ボッシュプロセスのエッチングガスとしては、ＳＦ６とＣ４Ｆ８とＯ２の混合ガスを用いることができる。そして、貫通孔の中に、パッド電極に接続する導電材料を形成して、貫通電極１２となる。
【００１９】
貫通電極１２内部の構造については詳細な記載は省略するが、デバイス板１０と再配線層１３で形成した銅めっきとがショートしないようシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いた絶縁材料で層間膜を形成している。また銅めっき処理は、スパッタ法などを用いて密着層としてチタン、めっきのシード層として銅を成膜してから電解めっき法などを用いて形成している。
【００２０】
電子部品１００は、デバイス板１０の裏面側に形成された再配線層１３に接続された半田バンプなどの導電部材１５を介して、コネクタ部品３４や受動部品３３などの電気部品が形成された支持板３０と電気的に接続されている。
【００２１】
支持板３０は、いわゆるプリント基板と呼ばれるプリント配線板であり、ガラスエポキシ基板やコンポジット基板などのリジッド基板に配線パターンがプリントされているものである。このとき、電子部品１００と支持板３０は、約２３０℃の窒素リフロー装置を用いて半田接合されるが、電子部品１００と支持板３０との線膨張係数が異なる場合、半田接合後に反りが生じてしまう。電子部品１００に使用されているデバイス板１０はシリコン板を用いて作られており、対向板２０はガラス基板など透過性をもつ基板を用いることが典型的である。よって、電子部品１００と支持板３０との線膨張係数のズレが生じ、電子部品１００が反った状態で固定されてしまう。
【００２２】
例えば、電子部品１００が３〜５ｐｐｍ、支持板３０が８〜１６ｐｐｍの線膨張係数であるために、半田接合後には電子部品１００が支持板３０に対して凸形状となるように反ってしまう可能性がある。このような反った状態で実装信頼性試験を実施すると、信頼性試験の条件にもよるが温度変化が大きいため半田バンプである導電部材１５と再配線層１３との界面に大きなストレスがかかり、クラックが発生し、電気的に導通不良の可能性となってしまう。このような状態で実装信頼性試験を実施すると、信頼性試験の条件にもよるが温度変化が大きいため半田バンプである導電部材１５と再配線層１３との界面に大きなストレスがかかり、クラックが拡大し、電気的に導通不良となってしまう。
【００２３】
そこで、デバイス板１０と支持板３０との空隙部に樹脂部材１６を注入（アンダーフィル）する。樹脂部材１６の弾性率は接合部材１４の弾性率に比べて大きい値をもち、例えば、硬化後の弾性率が５〜２０ＧＰａ、例えば１０ＧＰａ程度となるようなエポキシ系の材料を選択した。デバイス板１０と支持板３０との空隙部には半田バンプでる導電部材１５がある間隔で形成されている。そのため、樹脂部材１６を注入する際、ホットプレートなどを用いて電子部品１００を１００℃以下の温度で温めることで樹脂部材１６の粘度を下げ、空孔を発生させないように樹脂部材１６を注入、充填させていく。その後、電子部品１００の側面にも樹脂部材１６を、ディスペンサーなどを用いて、追加塗布形成を行う。その際にデバイス板１０の側面および接着性の接合部材１４の側面を覆うように形成し、さらに対向板２０の側面２００の一部の領域である接触領域２１に接触するように形成したあと、例えば２００℃のオーブンで熱硬化することで半導体装置が完成する。
【００２４】
図１（ｂ）に示すように、このとき対向板２０の側面２００の一部の領域である接触領域２１とは、側面２００の高さ方向Ｚの領域である。接触領域２１の寸法Ｗは、側面２００の上の接合部材１４の寸法である厚さＴの０．８〜１．２倍になるように形成されうる。接合部材１４の側面に形成される樹脂部材１６の厚さＴ（接合部材１４の側面に対して垂直方向）は接合部材１４の厚さＤと概略同等（厚さＤの０．８〜１．２倍）の厚みとなるように形成する。
【００２５】
このような構造において、樹脂部材１６の弾性率が接合部材１４の弾性率より大きい値であると、実装信頼性試験のような温度変化の大きい条件下においても接合部材１４の変形を抑えることができる。さらに樹脂部材１６の一部が対向板２０をも拘束するため、接合部材１４にストレスがかからなくなりクラックを抑制することが可能となる。
【００２６】
なお、対向板２０の側面２００の全領域を樹脂部材１６で覆ってしまうと、さらに樹脂部材１６の量が多いとその応力の大きさから対向板２０へダメージがかかり、対向板２０にカケなどの破壊が発生してしまう可能性がある。対向板２０の主面２０１の全領域を樹脂部材１６で覆ってしまっても同様である。そのため、対向板２０の側面２００の非接触領域２２には樹脂部材１６が接触しないようにする。これにより、対向板２０にダメージが生じることを抑制できる。また、対向板２０の主面２０１を樹脂部材１６が覆うと、対向板２０に入射する光を遮ったり乱反射したりするため、光学特性が低下してしまう。そのため、電子デバイス１１が光デバイスであれば、樹脂部材１６は、対向板２０の主面２０１を樹脂部材１６で覆わないことが好ましい。
【００２７】
デバイス板１０と対向板２０を貼り合わせた電子部品１００が支持板３０へ実装された半導体装置の実装信頼性に関しては、その線膨張係数のずれにより反りの影響が無視できなくなる。さらにその反りの影響を拡大させないために樹脂部材１６を電子部品１００と支持板３０の間に充填できる。デバイス板１０と対向板２０とを貼り合せた構造を持つ電子部品１００にとっては、貼り合せに使用している樹脂との関係が重要となりうる。
【００２８】
対向板２０の側面２００に樹脂部材１６が接触しない構造とすると、貼り合せに使用する接合部材１４が直接露出してしまうため、耐湿性に弱くなりうる。さらに反った状態で下面のみ固定された電子部品１００にとって、上部（対向板２０）が固定されていないため温度変化が大きな信頼性試験条件下では、電子部品１００の上部と下部とで反りの変化量が異なってしまうため実装信頼性の寿命が短くなってしまう。
【００２９】
電子部品１００の側面がすべて樹脂部材１６で覆われていると、デバイス板１０のクラックは抑制されるが、デバイス板１０が樹脂部材１６で固定されている状態で、接合部材１４を介した対向板２０側の拘束力が弱くなる。そのため、電子部品１００にストレスが加わりダメージが発生してしまい、半導体装置としての品位が低下してしまう。
【００３０】
また、デバイス板１０と対向板２０を貼り合せるために使用している接合部材１４の側面を覆う樹脂部材１６の量が不足すると、その部分をきっかけに接合部材１４の内部にクラックが発生しうる。接合部材１４にクラックが発生すると、そこを起点に大気中の水分が浸透し、密着強度が落ちてしまい、デバイス板１０と対向板２０とが剥がれてしまう可能性もある。
【００３１】
以上のように、デバイス板１０と対向板２０が、支持板３０上に搭載された半導体装置において、対向板２０の側面２００の一部の領域である接触領域２１に樹脂部材１６が接触することで、実装信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【００３２】
図２（ａ）、（ｂ）は半導体装置の他の例である。本例において図１の例と異なる部分は、電子部品１００と支持板３０との接続方法であり、以下に詳しく記載する。
【００３３】
本例で電子部品１００は、デバイス板１０および対向板２０を含み、デバイス板１０の表面側にはＭＯＳトランジスタ、配線層、層間絶縁層が一般的な半導体プロセスを用いて形成されている。本例では液晶素子や有機ＥＬ素子などを用いた表示デバイスが形成されている。デバイス板１０の表面側には電子デバイス１１が形成されている素子領域、と素子領域の外側にある外部接続端子１７が配された周辺領域とに区分されている。
【００３４】
また、本例ではデバイス板１０および対向板２０は、接着性能を持つ光透過性の接合部材１４で貼り合わされている。本例では、この接着性の接合部材１４の厚みは約１〜２０ｕｍで形成されており、熱硬化や紫外線硬化により硬化接着する弾性率が０．５〜２．０ＧＰａの値をもつアクリル系の材料である。また、対向板２０は、電子部品１００が表示素子であることから、約５００ｕｍの厚さをもつ光透過性のあるガラス基板を用いている。
【００３５】
また、外部接続端子１７への電気的な接続のために外部接続端子１７を露出させる必要があり、対向板２０の大きさはデバイス板１０よりも小さく形成されている。本例では外部接続端子１７が、ある一つの辺から露出した図を示しているが、この形態に限らず他の複数の辺で外部接続端子１７を露出させた構造でも問題はない。
【００３６】
デバイス板１０と支持板３０は、デバイス板１０の裏面側に形成された仮止め用の接着部材９を用いて支持板３０と局所的に仮固定される。ここで用いていた仮止め用の接着部材９は、シリコンゴムのような弾性率の低い樹脂材料である。本例では０．５〜２．０ＭＰａ程度の材料を接着部材９として使用できる。接着部材９は薄く、対向板２０とデバイス板１０との間の距離Ｄは、デバイス板１０と支持板３０との間の距離Ｇよりも大きい。
【００３７】
支持板３０は、いわゆるプリント基板と呼ばれるプリント配線板であり、ガラスエポキシ基板やコンポジット基板などのリジッド基板に配線パターンがプリントされているものである。
【００３８】
本例では、電子部品１００が３〜５ｐｐｍ、支持板３０が８〜１６ｐｐｍの線膨張係数であるが、接着部材９は仮固定のためのものであるから、熱硬化する場合でも１００℃以下で硬化するような材料である。したがって、この段階ではデバイス板１０と支持板３０との線膨張係数の影響は大きくなく、さらに仮止め用接着樹脂が弾性率の低い材料であるため電子部品１００が反った形態になるようなことはほとんどない。
【００３９】
このような形態の状態で、電子部品１００のデバイス板１０の表面側に形成された外部接続端子１７から支持板３０の表面上へワイヤーボンディング法を用いて電気的に接続されている。
【００４０】
しかしこのままでは、ボンディングワイヤーである導電部材１８の機械的強度が弱いことと、電子部品１００に使われている接着性の接合部材１４の耐湿性を考慮し、デバイス板１０と支持板３０との空隙部に樹脂部材１６を注入（アンダーフィル）する。樹脂部材１６の弾性率は、接合部材１４の弾性率に比べて大きい値をもち、硬化後の弾性率が１０ＧＰａ程度となるようなエポキシ系の材料を選択してもよい。
【００４１】
樹脂部材１６の注入、充填方法に関しては、図１の例に記載と同様の方法で行った。このとき、ワイヤーボンディング法で電気的に接続しているボンディングワイヤーである導電部材１８を保護するため、樹脂部材１６をポッティングなどの手法を使用して形成している。そして、電子部品１００の側面に対して、図１の例で記載したようにデバイス板１０の側面および接合部材１４の側面を覆うように樹脂部材１６を形成する。さらに対向板２０の側面の一部の領域を覆うように形成したあと、約２００℃のオーブンで樹脂部材１６を熱硬化することで所望の半導体装置が完成する。
【００４２】
対向板２０の側面の一部の領域とは、側面の高さ方向Ｚの領域であり、その高さは接着性の接合部材１４の厚さと概略同等となるように形成される。さらに接着性の接合部材１４の側面に形成される樹脂部材１６の厚み（接着性樹脂側面に対して垂直方向）も接着性の接合部材１４と概略同等の厚みとなるように形成する。
【００４３】
このような構造となるように形成することで、樹脂部材１６の弾性率が接着性の接合部材１４の弾性率より大きい値であるために、実装信頼性試験のような温度変化の大きい条件下においても接着性の接合部材１４の変形を抑えることができる。さらに樹脂部材１６の一部が対向板２０をも拘束するため、接着性の接合部材１４にストレスがかからなくなりクラックを抑制することが可能となる。
【００４４】
以上のことから、本例の半導体装置において、デバイス板１０と対向板２０とが接合部材１４で貼り合わされた電子部品１００が、支持板３０上に搭載さる。そして、対向板２０の側面の一部の領域とデバイス板１０の側面および支持板３０の主面に樹脂部材１６が接触する。このようにすることで、実装信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。
【００４５】
さらに電子部品１００と支持板３０とを電気的に接続している導電部材１８（ボンディングワイヤー）にも樹脂部材１６が接触しているため、耐環境性能、耐強度性も向上することが可能となる。
【００４６】
本例では、信頼性の高い半導体装置の作製プロセスにおいては、一般的な半導体プロセスを用いた場合や使用している材料、素材に関しても本発明の主旨を逸脱しない範囲でその一部の記載が変更されることも可能である。図２（ｂ）は図２（ａ）の変形例であり、ボンディングワイヤーとしての導電部材１８の代わりに、フレキシブル配線部材１９を用いて、支持板３０とデバイス板１０とを接続している。
【００４７】
図３には、図１あるいは図２に示した半導体装置を備える機器６０の例を示している。機器６０はスマートフォンやパーソナルコンピュータのような電子機器、スチルカメラやビデオカメラのような撮像機器、テレビやディスプレイのような表示機器、車両や船舶、航空機のような輸送機器、である。あるいは、機器６０は、プリンタやスキャナ、複合機のような事務機器、ロボットなどの産業機器、内視鏡や放射線医療用の医療機器、顕微鏡などの分析機器である。
【００４８】
図３の例では機器６０はカメラである。カメラとしての機器６０は、イメージセンサーＩＳとディスプレイＤＰとを備える。カメラとしての機器６０は、固定式あるいは交換式のレンズＬＮＳを備えうる。イメージセンサーＩＳが本実施形態の半導体装置でありうるし、ディスプレイＤＰが本実施形態の半導体装置でありうる。ディスプレイは電子ビューファインダーであってもよい。機器６０は、本実施形態の半導体装置（イメージセンサーＩＳやディスプレイＤＰ）を保持する保持部材５０を備える。保持部材５０は半導体装置（イメージセンサーＩＳやディスプレイＤＰ）のうちの支持板３０を保持しうる。保持部材５０は、機器６０の他の部品ＭＢや筐体に固定されている。イメージセンサーＩＳとディスプレイＤＰはフレキシブル配線板などの配線部材ＦＰＣ１、ＦＰＣ２を介して他の部品ＭＢに電気的に接続されている。
【００４９】
以上、説明した実施形態は、本発明の思想を逸脱しない範囲において適宜変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１１  電子デバイス
１０  デバイス板２０  対向板
３０  支持板
３１  重複部分
３２  非重複部分
１４  接合部材
１６  樹脂部材
２００  側面
２１  接触領域
２２  非接触領域
【図１】
2020167347.tif 000003
【図２】
2020167347.tif 000004
【図３】
2020167347.tif 000005