(57)【要約】【課題】ゲート絶縁膜が破壊されることを抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】セル部１のうちの、ドリフト層１２とベース領域１３との積層方向において保護膜６０と重なる領域を第１セル部１ａとし、第１セル部１ａと異なる領域を第２セル部１ｂとすると、ゲート構造が第１セル部１ａおよび第２セル部１ｂに形成されている。そして、第１電極２０は、第１セル部１ａに位置する部位を第１部位２０ａとし、第２セル部１ｂに位置する部位を第２部位２０ｂとし、半導体基板１０の一面１００ａから第１電極２０のうちの一面１００ａと反対側の表面までの間の長さを膜厚とすると、第１部位２０ａが第２部位２０ｂより膜厚が厚い部分を有する構成とされている。【選択図】図２
2020167178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セル部（１）と前記セル部を囲む外周部（２）とを有し、前記セル部に複数のゲート構造が形成されている半導体装置であって、
前記セル部は、
第１導電型のドリフト層（１２）と、
前記ドリフト層上に形成された第２導電型のベース領域（１３）と、
前記ベース領域の表層部に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型の第１高不純物濃度領域（１４）と、
前記ドリフト層を挟んで前記ベース領域と反対側に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型または第２導電型の第２高不純物濃度領域（１１）と、を有し、前記ベース領域側の面を一面（１００）とする半導体基板（１０）と、
前記第１高不純物濃度領域と前記ドリフト層との間に挟まれた前記ベース領域の表面を含んで形成されたゲート絶縁膜（１８）と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、を有する前記ゲート構造と、
前記ゲート絶縁膜のうちの前記ゲート電極が配置される部分と異なる部分に形成されたコンタクトホール（１８ａ）を通じて前記ベース領域および前記第１高不純物濃度領域と電気的に接続される第１電極（２０）と、
前記第２高不純物濃度領域と電気的に接続される第２電極（４０）と、を備え、
前記セル部および前記外周部は、前記外周部から前記セル部における前記外周部側の外縁部に渡り、前記第１電極における前記外周部側の部分を覆うように配置され、前記第１電極より熱伝導率が低い材料で構成された保護膜（６０）を備え、
前記セル部のうちの、前記ドリフト層と前記ベース領域との積層方向において前記保護膜と重なる領域を第１セル部（１ａ）とし、前記第１セル部と異なる領域を第２セル部（１ｂ）とすると、前記ゲート構造が前記第１セル部および前記第２セル部に形成されており、
前記第１電極は、前記第１セル部に位置する部位を第１部位（２０ａ）とし、前記第２セル部に位置する部位を第２部位（２０ｂ）とし、前記半導体基板の一面から前記第１電極のうちの前記一面と反対側の表面までの間の長さを膜厚とすると、前記第１部位が前記第２部位より膜厚が厚い部分を有している半導体装置。
【請求項２】
前記第１電極は、第１部位と前記第２部位との境界部を含む前記第２部位側に段差（２０ｃ）が形成されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２部位は、前記第１部位側の外縁部から内縁部に向かって膜厚が薄くなる構成とされている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１電極は、少なくともＡｌ−ＳｉおよびＣｕのいずれか一方の材料を含んで構成されている請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１部位は、第１金属部（２０１）と、前記第１金属部より抵抗率が小さくされた第２金属部（２０２）とを有しており、
前記第２部位は、前記第１金属部と同じ材料を用いて構成されている請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１部位は、前記第１金属部、前記第２金属部、前記第１金属部が積層された部分を有する請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１金属部は、Ａｌ−Ｓｉを含んで構成され、
前記第２金属部は、Ｔｉを含んで構成されている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１電極は、前記第１部位が前記第２部位より抵抗率が小さい材料で構成されている請求項１ないし７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
セル部（１）と前記セル部を囲む外周部（２）とを有し、前記セル部に複数のゲート構造が形成されている半導体装置であって、
前記セル部は、
第１導電型のドリフト層（１２）と、
前記ドリフト層上に形成された第２導電型のベース領域（１３）と、
前記ベース領域の表層部に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型の第１高不純物濃度領域（１４）と、
前記第１高不純物濃度領域と前記ドリフト層との間に挟まれた前記ベース領域の表面を含んで形成されたゲート絶縁膜（１８）と、前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、を有する前記ゲート構造と、
前記ドリフト層を挟んで前記ベース領域と反対側に形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型または第２導電型の第２高不純物濃度領域（１１）と、
前記ゲート絶縁膜のうちの前記ゲート電極が配置される部分と異なる部分に形成されたコンタクトホール（１８ａ）を通じて前記ベース領域および前記第１高不純物濃度領域と電気的に接続される第１電極（２０）と、
前記第２高不純物濃度領域と電気的に接続される第２電極（４０）と、を備え、
前記セル部および前記外周部は、前記外周部から前記セル部における前記外周部側の外縁部に渡り、前記第１電極における前記外周部側の部分を覆うように配置され、前記第１電極より熱伝導率が低い材料で構成された保護膜（６０）を備え、
前記セル部のうちの、前記ドリフト層と前記ベース領域との積層方向において前記保護膜と重なる領域を第１セル部（１ａ）とし、前記第１セル部と異なる領域を第２セル部（１ｂ）とすると、前記ゲート構造が前記第１セル部および前記第２セル部に形成されており、
前記第１電極は、前記第１セル部に位置する第１部位（２０ａ）が前記第２セル部に位置する第２部位（２０ｂ）より抵抗率が小さい材料で構成される部分を有する半導体装置。
【請求項１０】
前記第１部位は、Ｃｕを含んで構成され、
前記第２部位は、Ａｌ−Ｓｉを含んで構成されている請求項８または９に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のゲート構造を有し、一部のゲート構造が保護膜の下方に配置された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、セル部と、当該セル部を囲み、ガードリング等の耐圧を向上する構成が形成された外周部とを有し、セル部にゲート構造を有する半導体素子が形成された半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的には、この半導体装置では、セル部に、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの略）素子が形成されている。より詳しくは、セル部は、ドリフト層と、ドリフト層の表層部に形成されたベース領域と、ベース領域の表層部に形成されたソース領域と、ドリフト層を挟んでベース領域と反対側に形成されたドレイン層とを有している。そして、セル部は、ソース領域およびベース領域を貫通するようにトレンチが形成されており、トレンチの内壁面にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成されたトレンチゲート構造を有している。なお、ゲート絶縁膜は、トレンチの内壁面以外の表面にも形成されており、ソース領域の一部も覆うように形成されている。言い換えると、ゲート絶縁膜のうちのトレンチの内壁面以外の表面に形成された部分には、ソース領域の残部を露出させるコンタクトホールが形成されている。
【０００３】
そして、セル部は、ＭＯＳＦＥＴ素子上に層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールおよびゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じてソース領域およびベース領域と電気的に接続されるように第１電極が配置されている。なお、第１電極は、金属材料で構成され、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールおよびゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを埋め込むように配置されている。また、セル部は、ドレイン層と電気的に接続される第２電極が配置されている。
【０００４】
さらに、上記半導体装置では、外周部上に保護膜が形成されている。詳しくは、保護膜は、第１電極および第２電極との間の沿面放電が発生することを抑制するため、外周部からセル部の外縁部上まで形成されている。つまり、第１電極は、外縁部が保護膜で覆われた構成となっている。このため、セル部の外縁部では、保護膜の下方にトレンチゲート構造が位置する構成となる。なお、保護膜は、例えば、ＢＰＳＧ（Boro-phospho silicate glassの略）等で構成される。つまり、保護膜は、第１電極より熱伝導率が低い材料で構成される。
【０００５】
このような半導体装置は、ゲート電極に所定のゲート電圧が印加されると、トレンチの側面に接するベース領域にチャネル領域が形成される。これにより、ソース領域、チャネル領域、およびドリフト層を介して第１電極と第２電極との間に電流が流れるオン状態となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１８−１１７０１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記半導体装置では、オン状態の際、第１電極の内部にも電流が流れることで第１電極が発熱する。この際、保護膜は熱伝導率が低いために放熱性が低く、第１電極は、保護膜で覆われる部分が保護膜から露出する部分よりも温度が高くなり易い。この現象は、特に大電流が急激に流れる短絡状態で顕著になる。このため、上記半導体装置では、第１電極のうちの保護膜で覆われる部分が熱膨張することにより、当該部分の近傍に位置するゲート絶縁膜が圧縮されて破壊される可能性がある。
【０００８】
なお、このような現象は、セル部にＭＯＳＦＥＴ素子が形成されている場合のみではなく、例えば、セル部にＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor素子の略）素子が形成されている場合においても発生し得る。また、このような現象は、セル部にトレンチゲート構造ではなく、プレーナゲート構造が形成されている場合においても発生し得る。
【０００９】
本発明は上記点に鑑み、ゲート絶縁膜が破壊されることを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するための請求項１では、セル部（１）とセル部を囲む外周部（２）とを有し、セル部に複数のゲート構造が形成されている半導体装置であって、セル部は、第１導電型のドリフト層（１２）と、ドリフト層上に形成された第２導電型のベース領域（１３）と、ベース領域の表層部に形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型の第１高不純物濃度領域（１４）と、第１高不純物濃度領域とドリフト層との間に挟まれたベース領域の表面を含んで形成されたゲート絶縁膜（１８）と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、を有するゲート構造と、ドリフト層を挟んでベース領域と反対側に形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型または第２導電型の第２高不純物濃度領域（１１）と、を有し、ベース領域側の面を一面（１００）とする半導体基板（１０）と、ゲート絶縁膜のうちのゲート電極が配置される部分と異なる部分に形成されたコンタクトホール（１８ａ）を通じてベース領域および第１高不純物濃度領域と電気的に接続される第１電極（２０）と、第２高不純物濃度領域と電気的に接続される第２電極（４０）と、を備え、セル部および外周部は、外周部からセル部における外周部側の外縁部に渡り、第１電極における外周部側の部分を覆うように配置され、第１電極より熱伝導率が低い材料で構成された保護膜（６０）を備えている。そして、半導体装置は、セル部のうちの、ドリフト層とベース領域との積層方向において保護膜と重なる領域を第１セル部（１ａ）とし、第１セル部と異なる領域を第２セル部（１ｂ）とすると、ゲート構造が第１セル部および第２セル部に形成されており、第１電極は、第１セル部に位置する部位を第１部位（２０ａ）とし、第２セル部に位置する部位を第２部位（２０ｂ）とし、半導体基板の一面から第１電極のうちの一面と反対側の表面までの間の長さを膜厚とすると、第１部位が第２部位より膜厚が厚い部分を有している。
【００１１】
これによれば、半導体装置がオン状態である際、第１部位が第２部位の膜厚と同じ厚さとされている場合と比較すると、第１部位での発熱を低減できる。したがって、第１部位からゲート絶縁膜に大きな応力が印加されることを抑制でき、ゲート絶縁膜が破壊されることを抑制できる。
【００１２】
また、請求項９では、セル部（１）とセル部を囲む外周部（２）とを有し、セル部に複数のゲート構造が形成されている半導体装置であって、セル部は、第１導電型のドリフト層（１２）と、ドリフト層上に形成された第２導電型のベース領域（１３）と、ベース領域の表層部に形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型の第１高不純物濃度領域（１４）と、第１高不純物濃度領域とドリフト層との間に挟まれたベース領域の表面を含んで形成されたゲート絶縁膜（１８）と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（１７）と、を有するゲート構造と、ドリフト層を挟んでベース領域と反対側に形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型または第２導電型の第２高不純物濃度領域（１１）と、ゲート絶縁膜のうちのゲート電極が配置される部分と異なる部分に形成されたコンタクトホール（１８ａ）を通じてベース領域および第１高不純物濃度領域と電気的に接続される第１電極（２０）と、第２高不純物濃度領域と電気的に接続される第２電極（４０）と、を備え、セル部および外周部は、外周部からセル部における外周部側の外縁部に渡り、第１電極における外周部側の部分を覆うように配置され、第１電極より熱伝導率が低い材料で構成された保護膜（６０）を備えている。そして、半導体装置は、セル部のうちの、ドリフト層とベース領域との積層方向において保護膜と重なる領域を第１セル部（１ａ）とし、第１セル部と異なる領域を第２セル部（１ｂ）とすると、ゲート構造が第１セル部および第２セル部に形成されており、第１電極は、第１セル部に位置する第１部位（２０ａ）が第２セル部に位置する第２部位（２０ｂ）より抵抗率が小さい材料で構成される部分を有している。
【００１３】
これによれば、半導体装置がオン状態である際、第１部位が第２部位と同じ材料で構成されている場合と比較すると、第１部位での発熱を低減できる。したがって、第１部位からゲート絶縁膜に大きな応力が印加されることを抑制でき、ゲート絶縁膜が破壊されることを抑制できる。
【００１４】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態におけるＳｉＣ半導体装置の平面図である。
【図２】図１中のII−II線に沿った断面図である。
【図３】従来のＳｉＣ半導体装置がオン状態である際の第１セル部および第２セル部の境界部分近傍の温度分布に関するシミュレーション結果を示す図である。
【図４Ａ】図３中の領域IVAにおける応力分布に関するシミュレーション結果を示す図である。
【図４Ｂ】図３中の領域IVBにおける応力分布に関するシミュレーション結果を示す図である。
【図５】第２実施形態におけるＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図６】第３実施形態におけるＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図７】第３実施形態の変形例におけるＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図８】第４実施形態におけるＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図９】他の実施形態におけるＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【図１０】他の実施形態におけるＳｉＣ半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１７】
（第１実施形態）
第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態では、半導体装置として、トレンチゲート構造の反転型のＭＯＳＦＥＴ素子を半導体素子とするＳｉＣ半導体装置を例に挙げて説明する。
【００１８】
図１および図２に示されるように、ＳｉＣ半導体装置は、トレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴ素子が形成されるセル部１と、このセル部１を囲む外周部２とを有する構成とされている。外周部２は、ガードリング部２ａと、ガードリング２ａ部よりも内側に配置される繋ぎ部２ｂとを有する構成とされている。言い換えると、外周部２は、ガードリング部２ａと、セル部１とガードリング部２ａとの間に配置される繋ぎ部２ｂとを有する構成とされている。なお、本実施形態では、１つのセル部１とこのセル部１を囲む外周部２とを有する構成について説明するが、複数のセル部１を有するようにしてもよい。この場合は、各セル部１の間に位置する部分も外周部２となるため、例えば、ＳｉＣ半導体装置の略中央部に外周部２が位置する場合もあり得る。
【００１９】
ＳｉＣ半導体装置は、図２に示されるように、半導体基板１０を用いて構成されている。具体的には、半導体基板１０は、ＳｉＣからなる高濃度不純物層を構成するｎ＋型の基板１１を有している。そして、基板１１上には、基板１１よりも低不純物濃度のＳｉＣからなるｎ−型のドリフト層１２がエピタキシャル成長させられている。ドリフト層１２上には、ｐ型のベース領域１３がエピタキシャル成長させられ、さらにベース領域１３の表層部にｎ＋型のソース領域１４が形成されている。なお、半導体基板１０の一面１００ａは、ベース領域１３側の面であるソース領域１４の表面等で構成され、半導体基板１０の他面１００ｂは、基板１１の裏面等で構成される。
【００２０】
基板１１は、例えば、ｎ型不純物濃度が１．０×１０１９／ｃｍ３とされ、表面が（０００１）Ｓｉ面とされている。ドリフト層１２は、基板１１よりも低不純物濃度で構成され、例えば、ｎ型不純物濃度が０．５〜２．０×１０１６／ｃｍ１３とされている。
【００２１】
ベース領域１３は、チャネル領域が形成される部分であり、例えば、ｐ型不純物濃度が２．０×１０１７／ｃｍ３程度とされ、厚さが３００ｎｍで構成されている。ソース領域１４は、ドリフト層１２よりも高不純物濃度とされ、例えば、表層部におけるｎ型不純物濃度が２．５×１０１８〜１．０×１０１９／ｃｍ１３、厚さが０．５μｍ程度で構成されている。なお、本実施形態では、ソース領域１４が第１高不純物濃度領域に相当している。
【００２２】
セル部１および繋ぎ部２ｂでは、基板１１の表面側においてベース領域１３が残されており、ガードリング部２ａでは、ベース領域１３を貫通してドリフト層１２に達するように凹部１０ａが形成されている。このような構造とすることでメサ構造が構成されている。
【００２３】
また、セル部１および繋ぎ部２ｂでは、ベース領域１３の表面にｐ型高濃度層によって構成されるコンタクト領域１３ａが形成されている。
【００２４】
さらに、セル部１では、ベース領域１３よりも下方、つまりドリフト層１２の表層部にｐ型のディープ層１５が形成されている。ディープ層１５は、ベース領域１３よりもｐ型不純物濃度が高くされている。ディープ層１５は、図２の紙面垂直方向、すなわち後述するトレンチゲート構造と同方向を長手方向として延設されている。具体的には、ディープ層１５は、ドリフト層１２に複数本が等間隔に配置され、互いに交点なく離れて配置されたストライプ状のトレンチ１５ａ内に備えられている。各ディープ層１５は、例えば、ｐ型不純物濃度が１．０×１０１７〜１．０×１０１９ｃｍ３、幅０．７μｍ、深さ２．０μｍ程度で構成されている。
【００２５】
また、半導体基板１０には、一面１００ａ側からベース領域１３およびソース領域１４を貫通してドリフト層１２に達するように、例えば、幅が０．８μｍ、深さが１．０μｍのゲートトレンチ１６が形成されている。言い換えると、ベース領域１３およびソース領域１４は、ゲートトレンチ１６の側面と接するように配置されている。ゲートトレンチ１６は、本実施形態では、図２の紙面左右方向を幅方向、紙面垂直方向を長手方向、紙面上下方向を深さ方向とし、複数本が平行に等間隔に形成されている。つまり、本実施形態では、ゲートトレンチ１６は、ドリフト層１２とベース領域１３との積層方向（以下では、単に積層方向ともいう）と交差する方向、詳しくは直交する方向に延設されている。言い換えると、本実施形態では、複数のゲートトレンチ１６は、基板１１の面方向における一方向に沿って延設されている。そして、ゲートトレンチ１６は、延設方向の先端部で引き回されることで環状構造とされている。なお、ゲートトレンチ１６は、複数本が平行に等間隔で形成されたストライプ状とされていてもよい。
【００２６】
そして、ゲートトレンチ１６は、ゲート電極１７およびゲート絶縁膜１８によって埋め尽くされている。すなわち、ベース領域１３のうちのゲートトレンチ１６の側面に位置している部分を、縦型ＭＯＳＦＥＴ素子の作動時にソース領域１４とドリフト層１２との間を繋ぐチャネル領域とすると、チャネル領域を含むゲートトレンチ１６の内壁面にゲート絶縁膜１８が形成されている。ゲート絶縁膜１８は、例えば熱酸化膜等によって構成されている。そして、ゲート絶縁膜１８の表面には、ドープドＰｏｌｙ−Ｓｉにて構成されたゲート電極１７が形成されている。
【００２７】
なお、ゲート絶縁膜１８は、ゲートトレンチ１６の内壁面以外の表面にも形成されている。具体的には、ゲート絶縁膜１８は、半導体基板１０の一面１００ａの一部も覆うように形成されている。より詳しくは、ゲート絶縁膜１８は、ソース領域１４の表面の一部も覆うように形成されている。言い換えると、ゲート絶縁膜１８には、ゲート電極１７が配置される部分と異なる部分において、コンタクト領域１３ａおよびソース領域１４の残部を露出させるコンタクトホール１８ａが形成されている。
【００２８】
また、ゲート絶縁膜１８は、繋ぎ部２ｂにおけるベース領域１３の表面にも形成されている。ゲート電極１７についても、ゲート絶縁膜１８と同様に、繋ぎ部２ｂにおけるゲート絶縁膜１８の表面上まで延設されている。以上のようにして、本実施形態のトレンチゲート構造が構成されている。
【００２９】
そして、半導体基板１０の一面１００ａ上には、ゲート電極１７やゲート絶縁膜１８等を覆うように、層間絶縁膜１９が形成されている。なお、層間絶縁膜１９は、ＢＰＳＧ等で構成されており、ゲート絶縁膜１８より柔らかい材料で構成されている。
【００３０】
層間絶縁膜１９には、コンタクトホール１８ａと連通してソース領域１４およびコンタクト領域１３ａを露出させるコンタクトホール１９ａが形成されている。また、層間絶縁膜１９には、ゲート電極１７のうちの繋ぎ部２ｂまで延設された部分を露出させるコンタクトホール１９ｂが形成されている。つまり、層間絶縁膜１９には、セル部１にコンタクトホール１９ａが形成され、外周部２にコンタクトホール１９ｂが形成されている。そして、コンタクトホール１９ａ、１９ｂは、開口する領域がセル部１の方が外周部２よりも多いため、セル部１の方が外周部２よりも密に形成されている。
【００３１】
なお、層間絶縁膜１９に形成されたコンタクトホール１９ａは、ゲート絶縁膜１８に形成されたコンタクトホール１８ａと連通するように形成されており、当該コンタクトホール１８ａと共に１つのコンタクトホールとして機能する。このため、以下では、コンタクトホール１８ａおよびコンタクトホール１９ａを纏めてコンタクトホール１８ｂとも称する。また、コンタクトホール１８ｂのパターンは、任意であり、例えば複数の正方形のものを配列させたパターン、長方形のライン状のものを配列させたパターン、または、ライン状のものを並べたパターン等が挙げられる。本実施形態では、コンタクトホール１８ｂは、ゲートトレンチ１６の長手方向に沿ったライン状とされている。
【００３２】
層間絶縁膜１９上には、コンタクトホール１８ｂを通じてソース領域１４およびコンタクト領域１３ａと電気的に接続されるソース電極２０が形成されている。また、層間絶縁膜１９上には、コンタクトホール１９ｂを通じてゲート電極１７と電気的に接続されるゲート配線３０が形成されている。なお、本実施形態では、ソース電極２０が第１電極に相当している。
【００３３】
本実施形態では、ソース電極２０は次のようにしてソース領域１４およびコンタクト領域１３ａと接続されている。具体的には、ソース領域１４およびコンタクト領域１３ａには、コンタクトホール１８ｂから露出する部分に、Ｎｉ（ニッケル）等の金属を用いて構成された金属シリサイド２１が形成されている。この金属シリサイド２１は、ソース領域１４およびコンタクト領域１３ａとソース電極２０との間の接触抵抗の低減のために備えられている。
【００３４】
そして、金属シリサイド２１上には、Ｔｉ（チタン）やＴｉＮ（窒化チタン）等で構成されるバリアメタル２２が形成されている。なお、バリアメタル２２は、コンタクトホール１８ｂの壁面や層間絶縁膜１９の表面にも沿って形成されている。このバリアメタル２２は、本実施形態では、後述するようにソース電極２０がＡｌ−Ｓｉ層で構成されるため、Ａｌ−Ｓｉ層に含まれるＡｌが半導体基板１０側や層間絶縁膜１９側に拡散することを抑制する役割を果たすものである。また、このバリアメタル２２は、金属シリサイド２１内のＮｉがＡｌ−Ｓｉ層側に拡散することを抑制する役割も果たす。
【００３５】
そして、ソース電極２０は、バリアメタル２２上に配置されることにより、バリアメタル２２および金属シリサイド２１を介してソース領域１４およびコンタクト領域１３ａと接続されている。本実施形態では、ソース電極２０は、Ａｌを主成分とするＡｌ−Ｓｉ層で構成されている。なお、ソース電極２０は、Ａｌ−Ｓｉ層ではなく、Ａｌのみで構成されたり、Ａｌを主成分とする他の材料で構成されていてもよい。そして、ソース電極２０は、本実施形態では、セル部１と外周部２との境界部分近傍まで形成されている。
【００３６】
ゲート配線３０は、次のようにしてゲート電極１７と接続されている。すなわち、ゲート電極１７には、コンタクトホール１９ｂから露出する部分に、ＴｉＮ等で構成されるバリアメタル３１が形成されている。なお、バリアメタル３１は、コンタクトホール１９ｂの壁面や層間絶縁膜１９の表面にも沿って形成されている。このバリアメタル３１は、本実施形態では、後述するように、ゲート配線３０がＡｌ−Ｓｉで構成されるため、Ａｌ−Ｓｉに含まれるＡｌが半導体基板１０側や層間絶縁膜１９側に拡散することを抑制する役割を果たすものである。
【００３７】
そして、ゲート配線３０は、バリアメタル３１上に配置されることにより、バリアメタル３１を介してゲート電極１７と接続されている。本実施形態では、ゲート配線３０は、ソース電極２０と同様に、Ａｌ−Ｓｉ層で構成されている。そして、このゲート配線３０は、適宜引き回され、図１に示すパッド３のうちの１つと電気的に接続されている。
【００３８】
なお、本実施形態では、詳細な説明はしないが、ＳｉＣ半導体装置は、電流センスや温度センス等が適宜形成されている。そして、これらの各センスは、図１に示す各パッド３と適宜電気的に接続される。
【００３９】
また、ソース電極２０上には、ソース電極２０を通じて外部との接続を図る際のはんだ濡れ性を向上させるためのＮｉメッキ層２３およびＡｕ層２４が積層されて形成されている。なお、ソース電極２０はセル部１と外周部２との境界部分まで形成されているが、Ｎｉメッキ層２３およびＡｕ層２４は、当該境界部分まで形成されていない。つまり、Ｎｉメッキ層２３およびＡｕ層２４は、ソース電極２０の外縁部を露出させるように形成されている。なお、特に図示していないが、ゲート配線３０上にも、Ｎｉメッキ層を介してＡｕ層が形成されていてもよい。
【００４０】
基板１１の裏面（すなわち、半導体基板１０の他面１００ｂ）側には、基板１１と電気的に接続され、第２電極に相当するドレイン電極４０が形成されている。このような構造により、ｎチャネルタイプの反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが構成されている。そして、このようなＭＯＳＦＥＴが複数セル配置されることでセル部１が構成されている。なお、本実施形態では、基板１１がドレイン層を構成し、第２高不純物濃度領域に相当している。
【００４１】
ガードリング部２ａでは、上記のように、ソース領域１４およびベース領域１３を貫通してドリフト層１２に達するように凹部１０ａが形成されている。このため、セル部１から離れた位置ではソース領域１４およびベース領域１３が除去されて、ドリフト層１２が露出させられている。そして、基板１１の厚み方向において、凹部１０ａよりも内側に位置するセル部１や繋ぎ部２ｂが島状に突き出したメサ部となっており、セル部１および繋ぎ部２ｂとガードリング部２ａとの間において段差が構成されている。
【００４２】
また、凹部１０ａの下方に位置するドリフト層１２の表層部には、セル部１を囲むように、複数本のｐ型のガードリング５０が備えられている。本実施形態では、ガードリング５０の上面レイアウトは、積層方向から視たき、四隅が丸められた四角形状や円形状等とされている。ガードリング５０は、例えば、ドリフト層１２の表層部に形成されたトレンチ５０ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるｐ型のエピタキシャル膜によって構成されている。
【００４３】
なお、積層方向から視るとは、言い換えると、基板１１の面方向に対する法線方向から視ることである。また、図示していないが、必要に応じてガードリング５０よりも外周にＥＱＲ（Equi Potential Ringの略）構造が備えられることにより、セル部１を囲む外周耐圧構造が備えられたガードリング部２ａが構成されている。
【００４４】
また、セル部１からガードリング部２ａに至るまでの間を繋ぎ部２ｂとし、繋ぎ部２ｂおよびガードリング部２ａの内周側には、ドリフト層１２の表層部にｐ型のリサーフ層５１が形成されている。例えば、積層方向から視たとき、セル部１を囲むように繋ぎ部２ｂが形成されており、さらに繋ぎ部２ｂの外側を囲むように、四隅が丸められた四角形状のガードリング５０が複数本形成されている。そして、リサーフ層５１は、セル部１の周りを囲みつつ、ガードリング部２ａに至るように延設されている。このリサーフ層５１も、ドリフト層１２の表層部に形成したトレンチ５１ａ内に配置され、エピタキシャル成長によるエピタキシャル膜によって構成されている。
【００４５】
このようなリサーフ層５１を形成することにより、等電位線をガードリング部２ａ側に導くことができ、繋ぎ部２ｂ内で電界集中する部位が発生しないようすることができる。このため、耐圧低下を抑制することが可能となる。
【００４６】
さらに、繋ぎ部２ｂおよびガードリング部２ａを覆うように、ポリイミド等によって構成される保護膜６０が形成されている。本実施形態では、保護膜６０は、ソース電極２０とドレイン電極４０との間で沿面放電が発生することを抑制するため、外周部２からセル部１の外縁部上まで形成されている。具体的には、保護膜６０は、ソース電極２０のうちのＮｉメッキ層２３およびＡｕ層２４から露出する部分を覆い、かつＮｉメッキ層２３およびＡｕ層２４を露出させるように形成されている。つまり、保護膜６０は、ソース電極２０における外周部２側の外縁部を覆うように形成されている。本実施形態では、このように保護膜６０が形成されており、保護膜６０の下方にもトレンチゲート構造が位置する構成とされている。
【００４７】
以下では、積層方向において、セル部１のうちの保護膜６０と重なる部分を第１セル部１ａとし、セル部１のうちの保護膜６０と重ならない部分を第２セル部１ｂとして説明する。つまり、以下では、セル部１のうちの保護膜６０の下方に位置する部分を第１セル部１ａとし、セル部１のうちの保護膜６０の下方と異なる部分に位置する部分を第２セル部１ｂとして説明する。このため、ソース電極２０は、第１セル部１ａでは保護膜６０で覆われており、第２セル部１ｂでは保護膜６０から露出した状態となっている。なお、図１に示されるように、セル部１を囲むように外周部２が配置されているため、第１セル部１ａは、第２セル部１ｂを囲むように位置している。
【００４８】
以上が本実施形態のＳｉＣ半導体装置における基本的な構成である。なお、本実施形態では、Ｎ＋型、Ｎ−型が第１導電型に相当しており、Ｐ型、Ｐ＋型が第２導電型に相当している。
【００４９】
そして、ソース電極２０において、半導体基板１０の一面１００ａと、ソース電極２０における半導体基板１０の一面１００ａと反対側の表面との間の長さを膜厚する。この場合、本実施形態では、ソース電極２０は、第１セル部１ａに位置する第１部位２０ａは、第２セル部１ｂに位置する第２部位２０ｂよりも膜厚が厚くなる部分を有する構成とされている。本実施形態では、ソース電極２０は、第１部位２０ａが第２部位２０ｂより膜厚が全体的に厚くされており、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとの境界部に段差２０ｃを有する形状とされている。
【００５０】
なお、このようなソース電極２０は、例えば、次のように形成される。すなわち、金属シリサイド２１およびバリアメタル２２を形成した後、ソース電極２０を構成するＡｌ−Ｓｉ膜をスパッタ等で形成する。その後、第２部位２０ｂとなる部分に対して第１部位２０ａとなる部分よりも多い回数のエッチングを行うことにより、第２部位２０ｂの膜厚を第１部位２０ａの膜厚より薄くする。これにより、第１部位２０ａが第２部位２０ｂの膜厚より厚くされたソース電極２０が形成される。
【００５１】
以上が本実施形態における半導体装置の構成である。このようなＳｉＣ半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ素子をオンするときには、ゲート電極１７に対してトレンチゲート構造における閾値電圧Ｖｔ以上の電圧を印加することにより、ゲートトレンチ１６の側面に位置するベース領域１３の表面部にチャネル領域を形成する。これにより、ソース電極２０からソース領域１４に電子が注入されて、当該電子がソース領域１４からチャネル領域、ドリフト層１２を介してドレイン電極４０に流れる。このようにして、ソース電極２０とドレイン電極４０との間に電流が流れてオン状態となる。
【００５２】
この際、ソース電極２０内では、Ｎｉメッキ層２３との接触箇所と、ソース領域１４との接触箇所との間に電流が流れる。そして、ソース電極２０は、電流が流れることによって発熱し、発熱は、抵抗が大きくなるほど大きくなる。
【００５３】
この場合、ソース電極２０内では、第１部位２０ａでは、ソース領域１４との接触箇所からＮｉメッキ層２３との接触箇所に向かい、基板１１の面方向に沿っても電流が流れる。このため、本実施形態では、第１部位２０ａは、第２部位２０ｂよりも膜厚が厚くなる部分を有する構成とされている。したがって、第１部位２０ａでは、膜厚が第２部位２０ｂと同じ厚さとされている場合と比較すると、電流の流れ方向に対する断面積が大きくなるため、抵抗が小さくなる。したがって、第１部位２０ａでの発熱を低減することができる。
【００５４】
なお、ソース電極２０内では、第２部位２０ｂでは、ソース領域１４との接触箇所からＮｉメッキ層２３との接触箇所に向かい、積層方向に沿って電流が流れる。
【００５５】
また、逆バイアス時には、繋ぎ部２ｂでは、リサーフ層５１が形成されていることで等電位線のせり上がりが抑制されて、ガードリング部２ａ側に向かうようにされる。そして、ガードリング部２ａでは、ガードリング５０によって等電位線の間隔が外周方向に向かって広がりながら終端させられるようになり、ガードリング部２ａでも所望の耐圧を得ることができる。したがって、所望の耐圧を得ることが可能なＳｉＣ半導体装置とすることができる。
【００５６】
ここで、第１部位２０ａおよび第２部位２０ｂが同じ膜厚とされているＳｉＣ半導体装置がオン状態である場合の温度分布および応力分布について、図３、図４Ａおよび図４Ｂを参照しつつ説明する。なお、以下では、第１部位２０ａおよび第２部位２０ｂが同じ膜厚とされているＳｉＣ半導体装置を単に従来のＳｉＣ半導体装置とも称する。また、図３は、ソース電極２０上にＮｉメッキ層２３およびＡｕ層２４を介してはんだ７０を配置した場合のシミュレーション結果であり、ソース領域１４等の詳細な構成要素は省略して示してある。また、図４Ａおよび図４Ｂ中の数値は、ミーゼス応力を示している。
【００５７】
まず、図３に示されるように、従来のＳｉＣ半導体装置をオン状態にすると、保護膜６０の熱伝導率がソース電極２０より低く放熱性が低いため、第１セル部１ａの方が第２セル部１ｂよりも温度が高くなっていることが確認される。そして、図４Ａおよび図４Ｂに示されるように、第１部位２０ａでは、第２部位２０ｂより発生する熱応力が大きく、ゲート絶縁膜１８に印加される熱応力が大きくなっていることが確認される。つまり、第１部位２０ａ近傍のゲート絶縁膜１８には、第２部位２０ｂ近傍のゲート絶縁膜１８より大きな熱応力が印加されていることが確認される。
【００５８】
このため、本実施形態では、上記のように、ソース電極２０は、第１部位２０ａの膜厚が第２部位２０ｂの膜厚よりも厚くなるようにしている。したがって、本実施形態の半導体装置では、ＳｉＣ半導体装置がオン状態である際、第１部位２０ａの膜厚が第２部位２０ｂの膜厚と同じとされている場合と比較して、第１部位２０ａでの発熱を低減できる。したがって、第１部位２０ａ近傍のゲート絶縁膜１８に大きな熱応力が印加されることを抑制できる。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態では、ソース電極２０は、第１部位２０ａが第２部位２０ｂよりも膜厚が厚くなる部分を有する構成とされている。このため、ＳｉＣ半導体装置がオン状態である際、第１部位２０ａが第２部位２０ｂの膜厚と同じ厚さとされている場合と比較すると、第１部位２０ａでの発熱を低減できる。したがって、第１部位２０ａからゲート絶縁膜１８に大きな応力が印加されることを抑制でき、ゲート絶縁膜１８が破壊されることを抑制できる。
【００６０】
また、本実施形態では、ソース電極２０は、第２部位２０ｂが第１部位２０ａよりも膜厚が薄くされている。このため、第２部位２０ｂの膜厚が第１部位２０ａの膜厚と等しくされている場合と比較して、第２部位２０ｂでは、電流の流れ方向に沿った長さを短くできるため、抵抗を小さくできる。したがって、電流損失の低減を図ることができる。
【００６１】
さらに、本実施形態では、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとは、段差２０ｃによって膜厚が変化させられており、段差２０ｃは、エッチングの回数を変更する等によって容易に形成される。つまり、本実施形態では、エッチングにより、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとの厚さを容易に変更できるため、製造工程が複雑化することも抑制できる。
【００６２】
（第２実施形態）
第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、ソース電極２０の形状を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６３】
本実施形態では、図５に示されるように、バリアメタル２２上には、Ｔｉ／Ｃｕ（銅）の積層膜で構成されるシード層２５が形成されている。そして、ソース電極２０は、シード層２５上に形成されている。なお、本実施形態では、ソース電極２０は、Ｃｕ等のメッキ膜で構成されている。
【００６４】
また、ソース電極２０は、第２部位２０ｂにおける第１部位２０ａ側の外縁部から内縁部に向かって膜厚が徐々に薄くなる構成とされている。つまり、ソース電極２０は、上記第１実施形態と同様に、第１部位２０ａが第２部位２０ｂより膜厚が厚くなる部分を有する構成とされている。なお、本実施形態では、ソース電極２０は、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとの境界に段差２０ｃが形成されていない構成とされている。
【００６５】
このようなソース電極２０は、次のように形成される。すなわち、まず、バリアメタル２２上にシード層２５を形成する。なお、このシード層２５は、メッキ膜を形成し易くするためのものである。そして、シード層２５上に、電界メッキ法によってＣｕのメッキ膜を構成することにより、ソース電極２０が形成される。
【００６６】
この際、上記のように、第１セル部１ａは、第２セル部１ｂよりも外周部２側の部分である。そして、層間絶縁膜１９に形成されるコンタクトホール１９ａ、１９ｂは、外周部２よりもセル部１の方が密に形成される。このため、電界メッキ法によってメッキ膜を形成した場合、メッキ膜は、外周部２側では、コンタクトホール１９ｂに入り込む部分が少なくなり、厚く形成され易い。そして、第１セル部１ａが第２セル部１ｂよりも外周部２側に位置するため、メッキ膜は、第１セル部１ａに形成される部分が第２セル部１ｂに形成される部分よりも外周部２の影響を受け易い。つまり、メッキ膜は、第１セル部１ａに形成される部分が第２セル部１ｂに形成される部分よりも外周部２の影響を受けて厚くなり易い。このため、ソース電極２０は、第１部位２０ａが第２部位２０ｂよりも膜厚が厚くなり易く、また、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとの間に段差２０ｃが形成されない構成となる。
【００６７】
なお、本実施形態では、バリアメタル３１上にもシード層２５が形成されており、ゲート配線３０もメッキ膜によって構成される。
【００６８】
以上説明したように、ソース電極２０は、第２部位２０ｂが第１部位２０ａ側の外縁部から内縁部に向かって膜厚が徐々に薄くなる構成とされていても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、この構成では、複数回のエッチングを行う必要がなく、製造工程の簡略化を図ることもできる。
【００６９】
（第３実施形態）
第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、ソース電極２０の形状を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７０】
本実施形態では、図６に示されるように、ソース電極２０の第１部位２０ａは、第１金属部２０１と、第１金属部２０１よりも抵抗率が小さい材料で構成された第２金属部２０２とを有する構成とされている。そして、第２金属部２０２は、第１金属部２０１内に配置された構成とされている。つまり、第１部位２０ａは、第１金属部２０１、第２金属部２０２、第１金属部２０１が順に積層された部分を有する構成とされている。なお、本実施形態では、第１金属部２０１は、Ａｌ−Ｓｉ層で構成され、第２金属部２０２は、ＴｉＮ／Ｔｉの積層膜で構成されている。
【００７１】
このようなソース電極２０は、次のように形成される。すなわち、まず、第１金属部２０１を構成するＡｌ−Ｓｉ膜をスパッタ等によって形成する。なお、このＡｌ−Ｓｉ膜は、第２部位２０ｂの膜厚より僅かに厚く形成される。そして、このＡｌ−Ｓｉ膜上に、スパッタ等により、第２金属部２０２を構成する金属膜を形成する。次に、当該金属膜のうちの第２セル部１ｂに位置する部分をエッチング等によって除去する。この際、第２セル部１ｂでは、Ａｌ−Ｓｉ膜がオーバーエッチングされる。このため、Ａｌ−Ｓｉ膜は、第２セル部１ｂに位置する部分が第１セル部１ａに位置する部分よりも薄くなる。その後、金属膜を覆うように、再びＡｌ−Ｓｉ膜を形成する。これにより、第２金属部２０２が第１金属部２０１内に配置されたソース電極２０が形成される。
【００７２】
以上説明したように、本実施形態では、ソース電極２０の第１部位２０ａは、第１金属部２０１、第１金属部２０１より抵抗率の小さい材料で構成された第２金属部２０２を有する構成とされている。このため、第１部位２０ａが第１金属部２０１のみで構成されている場合と比較して、さらに抵抗を小さくできる。したがって、ＳｉＣ半導体装置がオン状態である際、さらに第１部位２０ａの発熱を低減できる。
【００７３】
また、第２金属部２０２上に第１金属部２０１を配置することにより、第１部位２０ａを第１金属部２０１のみで構成する場合と比較して、第２金属部２０２上に位置する第１金属部２０１は、粒径が小さくなり易く、粒子が緻密に形成され易い。また、ＳｉＣ半導体装置は、オン状態である際、ソース電極２０、Ｎｉメッキ層２３、保護膜６０との三重点において、各部材の熱膨張係数が異なるために大きな応力が発生し易い。このため、本実施形態では、第１部位２０ａを第１金属部２０１のみで構成する場合と比較して、ソース電極２０が破壊されることを抑制することもできる。
【００７４】
（第３実施形態の変形例）
第３実施形態の変形例について説明する。第３実施形態において、図７に示されるように、第１部位２０ａは、第１金属部２０１上に第２金属部２０２が積層されることで構成されていてもよい。このような構成としても、上記第３実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
（第４実施形態）
第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対し、ソース電極２０の形状を変更したものである。その他に関しては、第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７６】
本実施形態では、図８に示されるように、ソース電極２０は、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとの膜厚が等しくされている。しかしながら、ソース電極２０は、第１部位２０ａが第２部位２０ｂより抵抗率が小さい材料で構成されている。本実施形態では、ソース電極２０は、第１部位２０ａがＣｕ層で構成され、第２部位２０ｂがＡｌ−Ｓｉ層で構成される。
【００７７】
また、本実施形態では、第１部位２０ａがＣｕ層で構成されると共に第２部位２０ｂがＡｌ−Ｓｉ層で構成されるため、第２部位２０ｂの方が第１部位２０ａよりも柔らかい材料で構成される。つまり、第２部位２０ｂは、第１部位２０ａよりも硬度が小さい材料で構成される。
【００７８】
以上説明したように、本実施形態では、ソース電極２０は、第１部位２０ａが第２部位２０ｂより抵抗率が小さい材料で構成されている。このため、ＳｉＣ半導体装置がオン状態である際、第１部位２０ａが第２部位２０ｂと同じ材料で構成されている場合と比較すると、第１部位２０ａでの発熱を低減でき、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７９】
また、本実施形態では、ソース電極２０は、第２部位２０ｂが第１部位２０ａより硬度が小さい材料で構成されている。このため、ＳｉＣ半導体装置がオン状態である際、第２部位２０ｂが第１部位２０ａと同じ材料で構成されている場合と比較して、第２部位２０ｂにて応力を緩和し易くできる。このため、半導体装置が破壊されることを抑制できる。
【００８０】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００８１】
例えば、上記各実施形態では、ＳｉＣ半導体装置を例に挙げて説明した。しかしながら、ＳｉＣ半導体装置は１例であり、その他の半導体材料、すなわちシリコンや化合物半導体を用いた半導体装置に上記各実施形態を適用することもできる。
【００８２】
また、上記各実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたｎチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴ素子を例に挙げて説明したが、各構成要素の導電型を反転させたｐチャネルタイプのＭＯＳＦＥＴ素子としてもよい。また、上記各実施形態は、半導体素子としてのＭＯＳＦＥＴ素子に加えて、同様の構造のＩＧＢＴ素子に対しても適用することができる。ＩＧＢＴ素子は、上記各実施形態に対して基板１１の導電型をｎ型からｐ型に変更するだけであり、その他の構造は上記各実施形態と同様である。さらに、縦型のＭＯＳＦＥＴ素子としてトレンチゲート構造のものを例に挙げて説明したが、トレンチゲート構造のものに限らず、プレーナ型のものであってもよい。
【００８３】
さらに、上記各実施形態では、ソース領域１４がイオン注入によって形成される場合を想定しているが、ソース領域１４をエピタキシャル成長によって形成することもできる。
【００８４】
また、上記第１実施形態では、第１部位２０ａと第２部位２０ｂとの境界部に段差２０ｃを有する形状とされていなくてもよい。例えば、図９に示されるように、段差２０ｃは、第２部位２０ｂ内に位置する構成とされていてもよい。つまり、ソース電極２０は、第２部位２０ｂにおける第１部位２０ａ側の外縁部が第１部位２０ａと同じ構成とされ、膜厚が厚くなる構成とされていてもよい。さらに、特に図示しないが、段差２０ｃは、第１部位２０ａ内に位置する構成とされていてもよい。つまり、ソース電極２０は、第１部位２０ａにおける第２部位２０ｂ側の内縁部が第２部位２０ｂと同じ構成とされていてもよい。このような構成としても、第１部位２０ａは、第２部位２０ｂより膜厚が厚い部分を有するため、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
また、図１０に示されるように、保護膜６０は、Ｎｉメッキ層２３およびＡｕ層２４側の部分がテーパ形状とされていてもよい。
【００８６】
そして、特に図示しないが、上記第２実施形態では、ソース電極２０は、第１部位２０ａにおける内縁部から第２部位２０ｂにおける内縁部に向かって膜厚が徐々に薄くなる構成とされていてもよい。また、特に図示しないが、上記第３実施形態では、第２部位２０ｂにおける第１部位２０ａ側の外縁部が第１部位２０ａと同様の構成とされていてもよい。同様に、上記第３実施形態では、第１部位２０ａにおける第２部位２０ｂ側の内縁部が第２部位２０ｂと同様の構成とされていてもよい。さらに、特に図示しないが、上記第４実施形態では、第２部位２０ｂにおける第１部位２０ａ側の外縁部が第１部位２０ａと同様の構成とされていてもよい。同様に、上記第４実施形態では、第１部位２０ａにおける第２部位２０ｂ側の内縁部が第２部位２０ｂと同様の構成とされていてもよい。さらに、これらの構成においても、保護膜６０は、Ｎｉメッキ層２３およびＡｕ層２４側の部分がテーパ形状とされていてもよい。
【００８７】
そして、上記各実施形態を適宜組み合わせることができる。例えば、第１〜第３実施形態に上記第４実施形態を組み合わせ、第１部位２０ａが第２部位２０ｂより抵抗率の小さい材料で構成されるようにしてもよい。さらに、上記各実施形態を組み合わせたもの同士を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００８８】
１        セル部
１ａ      第１セル部
１ｂ      第２セル部
２        外周部
１０      半導体基板
１１      基板（第２高不純物濃度領域）
１２      ドリフト層
１３      ベース領域
１４      ソース領域（第１高不純物濃度領域）
１７      ゲート電極
１８      ゲート絶縁膜
１８ａ    コンタクトホール
２０      ソース電極（第１電極）
４０      ドレイン電極（第２電極）
６０      保護膜
１００ａ  一面
【図１】
2020167178.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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