(57)【要約】【課題】放熱板の接合不良を抑制すること。【解決手段】本発明は、反りを有する半導体部品と、前記半導体部品に接合された絶縁層と、前記半導体部品の反りと同じ方向に湾曲する凹部を有し、前記凹部が前記半導体部品に位置するように接合層を介し前記半導体部品の前記絶縁層と反対側の面に接合された放熱板と、を備えるモジュールである。【選択図】図１
2020167234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反りを有する半導体部品と、
前記半導体部品に接合された絶縁層と、
前記半導体部品の反りと同じ方向に湾曲する凹部を有し、前記凹部が前記半導体部品に位置するように接合層を介し前記半導体部品の前記絶縁層と反対側の面に接合された放熱板と、
を備えるモジュール。
【請求項２】
前記半導体部品は基板と前記基板上に設けられたＧａＮを含む半導体層とを備える請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記基板はサファイア基板である請求項２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記半導体部品の反りは中央が周縁に対し前記放熱板側に位置するように湾曲する反りであり、前記凹部は中央が周縁に対し凹むように湾曲する請求項１から３のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項５】
前記半導体部品の平面形状は略長方形状であり、
前記半導体部品の長辺方向における前記凹部の湾曲は前記半導体部品の短辺方向における前記凹部の湾曲より大きい請求項１から４のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項６】
前記凹部の湾曲量は前記半導体部品の上面の反り量の１／２倍以上かつ２倍以下である請求項１から５のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項７】
前記絶縁層と前記放熱板との間に充填された樹脂封止部材を備える請求項１から６のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項８】
前記絶縁層の前記半導体部品と反対側の面に設けられ、前記絶縁層を貫通する貫通孔を介し前記半導体部品に接続する金属層を備える請求項１から７のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項９】
反りを有する半導体部品を絶縁層に接合する工程と、
前記半導体部品の反りと同じ方向に湾曲する凹部を有する放熱板を、前記凹部が前記半導体部品に位置するように接合層を介し前記半導体部品の前記絶縁層と反対側の面に接合する工程と、を含むモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記接合層は、接着剤シート、または硬化前に流動性を有する接着剤である請求項９に記載のモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモジュールおよびその製造方法に関し、例えば半導体部品を搭載するモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁層の上面に半導体部品を搭載し、絶縁層を貫通する貫通孔を介し絶縁層の下面から電子部品に接続する配線を設けることが知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４６５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体部品の上面に放熱板を接合する場合、半導体部品に反りがあると、接合不良となることがある。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、放熱板の接合不良を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は反りを有する半導体部品と、前記半導体部品に接合された絶縁層と、前記半導体部品の反りと同じ方向に湾曲する凹部を有し、前記凹部が前記半導体部品に位置するように接合層を介し前記半導体部品の前記絶縁層と反対側の面に接合された放熱板と、を備えるモジュールである。
【０００７】
上記構成において、前記半導体部品は基板と前記基板上に設けられたＧａＮを含む半導体層とを備える構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記基板はサファイア基板である構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記半導体部品の反りは中央が周縁に対し前記放熱板側に位置するように湾曲する反りであり、前記凹部は中央が周縁に対し凹むように湾曲する構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記半導体部品の平面形状は略長方形状であり、前記半導体部品の長辺方向における前記凹部の湾曲は前記半導体部品の短辺方向における前記凹部の湾曲より大きい構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記凹部の湾曲量は前記半導体部品の上面の反り量の１／２倍以上かつ２倍以下である構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記絶縁層と前記放熱板との間に充填された樹脂封止部材を備える構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記絶縁層の前記半導体部品と反対側の面に設けられ、前記絶縁層を貫通する貫通孔を介し前記半導体部品に接続する金属層を備える構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、反りを有する半導体部品を絶縁層に接合する工程と、前記半導体部品の反りと同じ方向に湾曲する凹部を有する放熱板を、前記凹部が前記半導体部品に位置するように接合層を介し前記半導体部品の前記絶縁層と反対側の面に接合する工程と、を含むモジュールの製造方法である。
【００１５】
上記構成において、前記接合層は、接着剤シート、または硬化前に流動性を有する接着剤である構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、放熱板の接合不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）は実施例１に係るモジュールの平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１における半導体部品の断面図、図４（ｂ）は、半導体部品の裏面の反りを示す図である。
【図５】図５は、比較例１に係るモジュールの断面図である。
【図６】図６は、実施例１の変形例１に係るモジュールの断面図である。
【図７】図７は、実施例１の変形例２に係るモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１（ａ）は実施例１に係るモジュールの平面図、図１（ｂ）および図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。図１（ａ）では、絶縁層、放熱板および半導体部品を図示している。絶縁層の法線方向をＺ方向、平面方向のうち半導体部品２０の配列方向をＸ方向、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向とする。
【００２０】
図１（ａ）から図１（ｃ）に示すように、絶縁層１０の下面にそれぞれ金属層１４が設けられている。絶縁層１０は例えばポリイミド層等の樹脂層であり、可撓性を有する。絶縁層１０の厚さは例えば１０μｍから１００μｍである。金属層１４は例えば銅を主材料とする。金属層１４の厚さは、例えば１０μｍから１００μｍである。金属層１４は大電流を流す場合、絶縁層１０より厚い方が好ましい。絶縁層１０の上面に接着剤１２を介し半導体部品２０が搭載されている。接着剤１２は例えばエポキシ樹脂等からなる絶縁性樹脂接着剤である。接着剤１２の厚さは例えば５μｍから５００μｍである。
【００２１】
半導体部品２０は反っており、半導体部品２０の上面２１は中央が両端に比べ上方に位置するように反っている。半導体部品２０の上面２１は中央が両端に比べ下方に位置するように反っていてもよい。半導体部品２０の反る理由としては、半導体部品２０である半導体チップが薄い、セラミックやサファイア等の上に半導体層が積層されている、または半導体チップがシリコン基板で他の材料が厚く形成されているなどである。その他の理由で半導体部品２０が反ることもある。半導体部品２０の下面には電極２２が設けられている。半導体部品２０は、ＧａＮを材料とする半導体が用いられる。半導体部品２０はシリコン系のパワーデバイス、ＳｉＣからなるパワーデバイス、ダイアモンドからなるパワーデバイスなどでもよい。特にＧａＮを半導体層とする場合、サファイア基板に積層するため、半導体部品２０が反ってしまう。
【００２２】
電極２２は、例えば、金、アルミニウムまたは銅等を主材料とする金属層である。半導体部品２０の厚さは例えば１００μｍから５００μｍである。金属層１４は、絶縁層１０および接着剤１２を貫通する貫通孔１６を介し電極２２に電気的に接続される。貫通孔１６の大きさは、例えば３０μｍから５００μｍである。
【００２３】
半導体部品２０の上面２１（裏面）に接合層３２を介し放熱板３０が接合されている。放熱板３０は、金属層、絶縁層、または金属層と絶縁層との積層である。放熱板３０が金属層の場合、例えば銅または銅を主材料とする。放熱板３０が絶縁層の場合、例えばセラミックスを主材料とする。放熱板３０の厚さは例えば１００μｍから２ｍｍである。接合層３２は、導電性または絶縁性の材料が用いられる。例えばエポキシ樹脂を主材料とする樹脂接着剤は、絶縁性を有するが、接合層３２を導電性とする場合、樹脂接着剤に金属フィラーを含ませて用いる。接合層３２は、銅または銀ペースト等の導電性ペーストまたは半田等のロウ材でもよい。接合層３２の厚さは例えば５μｍから２０μｍである。絶縁層１０と放熱板３０との間に、半導体部品２０を封止する封止部材３６が設けられている。封止部材３６は、例えば樹脂（エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂）等の絶縁体である。
【００２４】
放熱板３０の下面には、この半導体部品２０の上面２１の反りに対応する凹部３４が設けられている。上面２１が周縁に対し中央が上方に反っている場合、凹部３４の中心が周縁より上方に湾曲している。半導体部品２０のＸ方向の反り量Ｈ１ｘと凹部３４のＸ方向の湾曲量Ｈ２ｘは互いに略同じであり、半導体部品２０のＹ方向の反り量Ｈ１ｙと凹部３４のＹ方向の湾曲量Ｈ２ｙは互いに略同じである。なお、半導体部品２０は反り、放熱板３０は基本的に反っておらず、凹部３４を加工している。その点から、前者は反り量、後者は湾曲量と区別して表現した。半導体部品２０の平面形状が、図１（ａ）のように、Ｘ方向を長辺とする略長方形状の場合、半導体部品２０は長辺方向（Ｘ方向）に反りやすい。このため、反り量Ｈ１ｘはＨ１ｙより大きくなる。そこで、凹部３４の湾曲量Ｈ２ｘをＨ２ｙより大きくする。なお、反り量Ｈ１ｘは、半導体部品２０の上面２１の両端を結ぶ直線Ｌ１に対し半導体部品２０の上面２１が最も離れる点Ｐ１と直線Ｌ１との距離である。湾曲量Ｈ２ｘは、凹部３４における半導体部品２０の両端に相当するＸ方向の位置間を結ぶ直線Ｌ２に対し凹部３４が最も離れる点Ｐ２と直線Ｌ２との距離である。反り量Ｈ１ｙおよび湾曲量Ｈ２ｙも同様である。
【００２５】
一例として、絶縁層１０および放熱板３０のＸ方向の幅は１４ｍｍ、Ｙ方向の幅ＤＹ１は１２ｍｍである。半導体部品２０のＸ方向の幅ＤＸ２は６ｍｍ、Ｙ方向の幅ＤＹ２は４ｍｍである。絶縁層１０、半導体部品２０、接合層３２および放熱板３０の厚さは、それぞれ５０μｍ、１２０μｍ、１５μｍおよび１ｍｍである。
【００２６】
図２（ａ）から図３（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
【００２７】
図２（ａ）に示すように、絶縁層１０の上面に絶縁性の接着剤１２を塗布する。接着剤１２の塗布は、例えばスピンコート法、スプレコート法、スクリーン印刷法またはインクジェット法を用いる。
【００２８】
絶縁層１０および接着剤１２を貫通する貫通孔１６を形成する。貫通孔１６は、例えばレーザ光を照射することにより形成する。貫通孔１６の大きさは、例えば３０μｍから５００μｍである。接着剤１２の上面に半導体部品２０を配置する。熱処理することにより、接着剤１２を硬化させ半導体部品２０と絶縁層１０とを接着する。熱処理は例えば１５０℃から３００℃の温度で実施する。半導体部品２０を絶縁層１０に接着した後、貫通孔１６を形成してもよい（以上、図２（ｂ）を参照）。
【００２９】
図２（ｃ）に示すように、絶縁層１０下および貫通孔１６内に金属層１４を形成する。金属層１４は貫通孔１６を介し電極２２に接触する。金属層１４を形成する前に、チタンまたはニッケルを主材料とする密着層および銅を主材料とするシード層を形成し、シード層上に金属層を形成してもよい。
【００３０】
一方、図３（ａ）に示すように、下面に接合層３２が設けられた放熱板３０を用意する。放熱板３０の下面には凹部３４が設けられ、接合層３２の下面には凹部３４に対応する凹部３３が設けられている。図３（ａ）は、接合層３２として接着シート（シート状の接着剤）を貼り付けた場合を図示している。接合層３２として接着シートの代わりに流動性のある接着剤を塗布してもよい。
【００３１】
図３（ｂ）に示すように、接合層３２を半導体部品２０の上面（裏面）に接触させ加熱する。熱処理温度は例えば１５０℃から３００℃である。これにより、接合層３２が硬化して半導体部品２０の上面に放熱板３０が接合および固着する。なお、接合層３２として流動性のある接着剤を用いる場合、放熱板３０を半導体部品２０の方に若干加圧すると、放熱板３０と半導体部品２０との間の接合層３２は外側に流動する。これにより接合層３２の厚みは均一となる。
【００３２】
その後、絶縁層１０と放熱板３０との間に封止部材３６を形成する。封止部材３６は、例えばトランスファーモールド法、ポッティチング法または印刷法等を用い形成する。以上により、実施例１に係るモジュールが製造される。
【００３３】
図４（ａ）は、実施例１における半導体部品の断面図、図４（ｂ）は、半導体部品の裏面の反りを示す図である。なお、図４（ａ）では、図１（ｂ）および図１（ｃ）の＋Ｚ方向を下に−Ｚ方向を下に図示している。すなわち上下を反転させ図示している。
【００３４】
図４（ａ）に示すように、半導体部品２０では、基板２４上に半導体層２６が設けられている。半導体層２６上に電極２２が設けられている。半導体層２６上に電極２２を露出する開口を有する保護膜２８が設けられている。基板２４は例えばサファイア基板、半導体層２６はＧａＮを主材料とする層、保護膜２８はポリイミド樹脂またはシリコン窒化膜である。半導体部品２０の厚さは約１２０μｍ、半導体層２６および保護膜２８の厚さは数μｍ、半導体部品２０のＸ方向およびＹ方向の幅ＤＸ２およびＤＹ２はそれぞれ６ｍｍおよび４ｍｍである。
【００３５】
図４（ｂ）では、半導体部品２０の裏面（すなわち基板２４の下面）の高低をレーザ顕微鏡を用いて測定した。横軸はＸ方向の位置を示し、縦軸は半導体部品２０の裏面のＺ方向の位置を示す。図４（ｂ）に示すように、Ｘ方向の半導体部品２０の両端を結ぶ直線Ｌ１に対し、半導体部品２０の裏面が最も離れる点Ｐ１と直線Ｌ１との距離Ｚ０は約６μｍである。このように、半導体部品２０は幅に対し距離Ｚ０は０．１％もある。これは、高温において基板２４上に半導体層２６を形成するため、基板２４と半導体層２６との線膨張係数の差により半導体部品２０が反るためである。
【００３６】
図５は、比較例１に係るモジュールの断面図である。図５に示すように、比較例１に係るモジュールでは、放熱板３０の下面に凹部が設けられていない。このため、接合層３２に接着シートを採用すると、半導体部品２０の周縁において、半導体部品２０の上面２１と接合層３２との間に隙間５０が生じることがある。隙間５０が生じると半導体部品２０と放熱板３０との間の熱抵抗が高くなり、放熱性が低下する。また、封止部材３６を設けた場合、隙間５０内に封止部材３６が侵入する。例えば封止部材３６が樹脂の場合、樹脂の硬化時に樹脂が膨張し、放熱板３０と半導体部品２０とが剥がれることがある。隙間５０を生じさせないため、接合層３２を厚くすることも考えられるが、接合層３２が厚いと、接合時に生じる応力が大きくなり、半導体部品２０の特性が劣化することがある。また、応力により半導体部品２０が接合層３２から剥がれやすくなる。これらにより、半導体部品２０と放熱板３０との間に熱抵抗が高くなってしまう。
【００３７】
このように、半導体部品２０が反っているとき、半導体部品２０に平坦な放熱板３０を取り付けると、半導体部品２０の上面２１の中央と周囲で高さが異なるため、半導体部品２０と接合層３２との間に未接着部分が発生する。このため、接合不良を起こす。また。接合層３２の膜厚が半導体部品２０の上面２１の場所により異なった状態で放熱板３０が接合されるため、接合層３２の収縮による応力が不均一となる。これにより、半導体部品２０の特性劣化に繋がる。
【００３８】
そこで、実施例１のように、半導体部品２０の反りに合わせて放熱板３０にザグリ（凹部３４）を形成すると、接合層３２の膜厚をある程度均一にすることができる。
【００３９】
実施例１によれば、半導体部品２０は上面に反りを有する。絶縁層１０は、半導体部品２０の下面（表面）に接合されている。放熱板３０は、下面に半導体部品２０の上面２１の反りと同じ方向に湾曲する凹部３４を有し、凹部３４が半導体部品２０上に位置するように接合層３２を介し半導体部品２０の上面（半導体部品２０と反対側の面）に接合されている。これにより、比較例１のように半導体部品２０と接合層３２との間に隙間５０が生じることを抑制できる。よって、放熱板３０の接合不良を抑制できる。また、凹部３４の大きさを半導体部品２０よりやや大きくすることで、放熱板３０の位置ずれを抑制できる。
【００４０】
このように、実施例１は、半導体チップ等の半導体部品２０の反りは敢えてそのままにすることを前提とし、放熱板３０が平らでその間に接着剤等の接合層３２があれば、半導体部品２０の上面２１の中央と周囲で接合層３２の厚みか異なることになる。このため、半導体部品２０の上面２１の曲面と放熱板３０の凹部３４の曲面を実質に同じとし、そこに接合層３２を設ければ、その接合層３２も均一になるとした発想である。
【００４１】
なお、半導体部品２０の上面および下面は略同じ曲率の曲面である。絶縁層１０は比較的薄いため、絶縁層１０は半導体部品２０の反りにある程度追随して反る。しかし、放熱板３０は、例えば金属やセラミックであり、絶縁層１０に比べると剛性がある。このため、放熱板３０は半導体部品２０の反りに追随して反りにくい。よって放熱板３０と半導体部品２０の上面２１との間の接合層３２の厚さの分布は、絶縁層１０と半導体部品２０との間の厚さの分布よりも大きくなる。よって半導体部品２０の上面２１側の接合層３２の厚さの分布を改善すれば、モジュールの劣化は改善できる。
【００４２】
図４（ａ）のように、半導体部品２０は基板２４と基板２４上に設けられたＧａＮを含む半導体層２６とを備える。この場合、半導体部品２０の上面２１の反りが大きくなる。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。基板２４がサファイア基板のとき、半導体部品２０は反りやすい。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。ＧａＮトランジスタ以外のＳｉＣトランジスタ、Ｓｉトランジスタまたはダイオードにおいても半導体部品２０が反っている場合、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。半導体部品２０は、ベアチップ状態で絶縁層１０に実装されてもよし、ベアチップが封止されて実装されたパッケージが絶縁層１０に実装されていてもよい。
【００４３】
接合層３２が樹脂接着剤からなるシートの場合、半導体部品２０が反っていると、接合層３２と半導体部品２０の上面に隙間が生じ易い。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。
【００４４】
図４（ｂ）のように、半導体部品２０の上面の反りは中央が周縁に対し上方（放熱板３０側）に位置するように湾曲する反りであり、凹部３４の上面は中央が周縁に対し上方に位置するように（すなわち凹むように）湾曲する。これにより、放熱板３０の接合不良をより抑制できる。
【００４５】
半導体部品２０の平面形状が略長方形状のとき、長辺方向の反り量Ｈ１ｘは短辺方向の反り量Ｈ１ｙより大きくなる。そこで、半導体部品２０の長辺方向における凹部３４の湾曲を半導体部品２０の短辺方向における凹部３４の湾曲より大きくする。これにより、放熱板３０の接合不良をより抑制できる。
【００４６】
半導体部品２０の上面の長辺の両端を結ぶ直線Ｌ１と半導体部品２０の上面が最も直線Ｌ１から離れる点Ｐ１までの距離（反り量Ｈ１ｘ）は、長辺の幅ＤＸ１の０．０００５倍以上である。この場合、接合層３２と半導体部品２０の上面に隙間が生じ易い。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。反り量Ｈ１ｘが幅ＤＸ１の０．００１倍以上のとき、接合層３２と半導体部品２０の上面に隙間がより生じ易い。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることがより好ましい。幅ＤＸ１が５ｍｍ以上のとき接合層３２と半導体部品２０の上面に隙間が生じ易い。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。
【００４７】
半導体部品２０の上面２１の反り量Ｈ１ｘと放熱板３０の下面の凹部３４の下面の湾曲量Ｈ２ｘは略同じであることが好ましい。例えば湾曲量Ｈ２ｘは反り量Ｈ１ｘの１／２倍以上かつ２倍以下が好ましく、２／３倍以上かつ１．５倍以下がより好ましい。
【００４８】
絶縁層１０と放熱板３０との間に封止部材３６（樹脂封止部材）を充填するとき、半導体部品２０と接合層３２との間に隙間が存在すると、隙間内の樹脂が暴騰し半導体部品２０と放熱板３０とが剥がれる可能性がある。よって、放熱板３０に凹部３４を設けることが好ましい。
【００４９】
図３（ａ）において、接合層３２には、樹脂製の接着剤シートを使用する場合と流動性を有する樹脂接着剤を使用する場合がある。以下、２つの方法について詳細を記載する。
【００５０】
まず、接着シートを使用するメリットは、接合層３２を形成する工程のとき、シートを貼付するだけで済むので、扱いやすいということである。接着剤シートは、樹脂製の可撓性のシートの表面に樹脂製の接着剤を形成したシートである。放熱板３０には凹部３４（ザグリ）が形成してあるため、反った半導体部品２０を接着シートに押し付けると、この凹部３４に沿って接着シートにくぼみができる。このくぼみにより、接着性が向上する。このため、半導体部品２０の位置が決定され、接合不良を起こしにくくすることができる。なお、放熱板３０の凹部３４に反って接着シートを追随させてもよい。弾力性のある押圧部材で接着シートを押し付ければよい。
【００５１】
次に、流動性を有する樹脂接着剤を使用するメリットは、樹脂接着剤が接着シートとは異なり硬化前に流動性を有するので、樹脂接着剤を塗り、反った半導体部品２０を押し付けると、その流動性から余分な樹脂は端から出ていき、ある程度均一な膜厚を得られるということである。その後樹脂接着剤を硬化（例えば熱硬化）させる。このため、半導体部品２０の上面２１の場所による応力のバラツキが低減され、半導体部品２０の特性劣化を抑制することができる。
【００５２】
［実施例１の変形例１］
図６は、実施例１の変形例１に係るモジュールの断面図である。図６に示すように、半導体部品２０の上面２１は中央が両端に対し下に位置するように反っている。放熱板３０の凹部３４の下面は中央が両端に対し下に位置するように湾曲している。これにより、放熱板３０の接合不良を抑制できる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５３】
［実施例１の変形例２］
図７は、実施例１の変形例２に係るモジュールの断面図である。図７に示すように、実施例１と同様に、絶縁層１０上に接着剤１２を用い半導体部品２０および２０ａを搭載する。半導体部品２０は例えばＧａＮトランジスタである。半導体部品２０ａはダイオードである。半導体部品２０の上面２１は反っている。一方、半導体部品２０ａは反っていない。そこで、放熱板３０には、半導体部品２０の上面２１に対応する凹部３４を設け、半導体部品２０ａに対応する凹部は設けない。これにより、放熱板３０の接合不良を抑制できる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００５４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  絶縁層
１２  接着剤
１４  金属層
１６  貫通孔
２０、２０ａ  半導体部品
２１  上面
２２  電極
２４  基板
２６  半導体層
３０  放熱板
３２  接合層
【図１】
2020167234.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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