(57)【要約】【課題】  電子写真感光体の表面状態が変化することによって電子写真感光体の解像力が低下し、印刷品質が低下する課題があった。【解決手段】  非画像形成時に、所定の画像濃度を有する画像データに対して第１の中間調処理を施して第１測定用画像を形成し、前記第１の中間調処理とは異なる第２の中間調処理を施して第２測定用画像を形成し、前記第１測定用画像と前記第２測定用画像の濃度を測定し、前記第１測定用画像の濃度と前記第２測定用画像の濃度の濃度差を演算し、前記濃度差が予め定められた基準値を満たしているかを判定し、前記濃度差が前記基準値を満たしていない場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施す。【選択図】  図１
2020140127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
帯電された前記電子写真感光体に潜像を形成する露光手段と、
前記潜像をトナーによって現像してトナー画像を形成する現像手段と、
前記トナー画像の濃度を測定する測定手段と
を有する電子写真装置の制御方法であって、
所定の画像濃度を有する画像データに対して第１の中間調処理及び第２の中間調処理を施した２種類の検査用画像データを前記画像形成装置の記憶部に予め保持しておき、非画像形成時に、前記２種類の検査用画像データから２種類の検査用の画像を形成し、前記２種類の検査用の画像の濃度を測定し、前記２種類の検査用画像の濃度差を算出し、前記濃度差が所定の基準値以下の場合であるか又は超える場合であるかを判定し、前記濃度差が前記基準値を超える場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施すことを特徴とする電子写真装置の制御方法。
【請求項２】
電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
帯電された前記電子写真感光体に潜像を形成する露光手段と、
前記潜像をトナーによって現像してトナー画像を形成する現像手段と、
前記トナー画像の濃度を測定する測定手段と
を有する電子写真装置の制御方法であって、
非画像形成時に、所定の画像濃度を有する画像データに対して、第１の中間調処理及び第２の中間調処理を施して２種類の検査用の画像を形成し、前記２種類の検査用の画像の濃度を測定し、前記２種類の検査用の画像の濃度差を算出し、前記濃度差が所定の基準値以下の場合であるか又は超える場合であるかを判定し、前記濃度差が前記所定の基準値を超える場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施すことを特徴とする電子写真装置の制御方法。
【請求項３】
前記第１の中間調処理と前記第２の中間調処理は解像度の異なるディザ処理である請求項１又は２に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項４】
前記第１の中間調処理が、画像形成時に使用されるディザ処理よりも高解像度なディザ処理である請求項３に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項５】
前記第１の中間調処理が誤差拡散処理であり、前記第２の中間調処理がディザ処理である請求項１又は２に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項６】
前記所定の画像濃度を有する画像データの濃度が５０％未満である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項７】
電子写真感光体を帯電する帯電手段と、
帯電された前記電子写真感光体に潜像を形成する露光手段と、
前記潜像をトナーによって現像してトナー画像を形成する現像手段と、
前記トナー画像の濃度を測定する測定手段と
を有する電子写真装置の制御方法であって、
非画像形成時に、複数の画像濃度を有する画像データに対して所定の中間調処理を施して複数の検査用の画像を形成し、前記複数の検査用の画像の濃度を測定し、前記画像濃度の画像データと前記濃度との線形性を演算し、前記線形性が予め定められた基準値未満の場合であるか又は以上の場合であるかを判定し、前記濃度差が前記基準値未満の場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施すことを特徴とする電子写真装置の制御方法。
【請求項８】
前記所定の中間調処理が、画像形成時に使用されるディザ処理よりも高解像度なディザ処理である請求項７に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項９】
前記所定の中間調処理が誤差拡散処理である請求項７に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項１０】
前記複数の画像濃度を有する画像データの濃度が５０％未満である請求項７〜９のいずれか１項に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項１１】
前記表面処理が、前記電子写真感光体の表面の付着物を除去する処理、又は前記電子写真感光体の表面を酸化する処理である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項１２】
前記電子写真感光体の表面層が水素化アモルファスカーボンまたは水素化アモルファスシリコンカーバイドである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真装置の制御方法。
【請求項１３】
前記電子写真感光体の表面層が水素化アモルファスカーボンまたは水素化アモルファスシリコンカーバイドからなり、前記表面層における炭素原子の原子数（Ｃ）とケイ素原子の原子数（Ｓｉ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｃ＋Ｓｉ））の平均値が０．９０以上であり、前記表面層における水素原子の原子数（Ｈ）と炭素原子の原子数（Ｃ）とケイ素原子の原子数（Ｓｉ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｈ＋Ｃ＋Ｓｉ））の平均値が０．４０以下であって、前記電子写真感光体の表面処理が前記電子写真感光体の表面に負電荷を与えて、前記電子写真感光体の最表面を酸化処理する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子写真装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体の表面状態を検知し、必要に応じて電子写真感光体に表面処理を施す電子写真装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真装置はデジタル露光の書き込み解像度が１２００ｄｐｉ、２４００ｄｐｉと高解像度化されるにつれ、印刷分野でも利用されるようになってきた。印刷分野で使用される場合、プリント成果物が商品となるため、従来の電子写真方式に求められてきた印刷品質に比べて、より高いレベルが要求される。
【０００３】
プリント画質に影響を及ぼす一つのパラメータとして、スクリーン線数が挙げられる。スクリーン線数は１インチ幅に含まれる網点数で定義され、スクリーン線数を高くする程、網点が見えにくくなるため、より滑らかな中間調表現が可能となり、高画質化に有利とされている。
【０００４】
デジタル方式の電子写真方法は、電子写真感光体を一様に帯電して、画像データに対応した露光を行って露光部の帯電電荷をキャンセルすることで、電子写真感光体表面に電荷密度分布により潜像を形成する。こうして形成された潜像を保持するためには電子写真感光体の表面電気抵抗（以下、「表面抵抗」とも呼ぶ）をある一定以上高くしておく必要がある。電子写真感光体の表面抵抗は、電子写真感光体の表面それ自体の性状及び電子写真感光体表面に付着した付着物の影響を受ける。いずれの要因であっても、電子写真感光体の表面抵抗が低くなると電荷密度分布で形成された潜像が面方向に均一化してしまい、潜像の劣化が生じて画像品質を低下してしまう。このような潜像の劣化は、潜像の空間周波数が高い程、生じ易い。つまり、高画質化のためにスクリーン線数を高く設定したシステム程、潜像の劣化は生じ易くなってしまう。
【０００５】
解像度を制御する技術として、特許文献１には、原稿台上に置かれた一様な濃度である少なくとも１つの基準濃度パッチと高濃度部と低濃度部から構成される少なくとも１つの基準解像度パッチを有する基準パッチ群を有する画質制御装置が開示されている。
【０００６】
また、電子写真感光体の表面処理として、特許文献２には、非画像形成時に、電子写真感光体の表面に印加する電圧等を、画像形成時より一時的に高くすることで表面摩擦係数μを急激に上げ、クリーニングローラを研磨剤リッチにする技術が開示されている。その技術は、研磨剤リッチのトナーを用いて感光体表面を研磨することで、必要最小限の量のトナーにより感光体表面に付着した放電生成物や水分を効率良く除去するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３０３０９７５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１２２２４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、デジタル方式の電子写真装置において、電子写真感光体の表面状態の変化することで電子写真感光体の解像力が低下し、印刷品質が低下してしまう課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の電子写真装置の制御方法は、
電子写真感光体を一様に帯電する帯電手段と、帯電された前記電子写真感光体に潜像を形成する露光手段と、前記電子写真感光体に形成された潜像をトナーによって現像する現像手段と、現像された画像の濃度を測定する測定手段を有する電子写真装置の制御方法であって、
予め所定の中間調データに対して第１の中間調処理及び第２の中間調処理を施した２種類の検査用画像データを前記画像形成装置の記憶部に保持しておき、非画像形成時に、前記２種類の検査用画像データから２種類の検査用画像を形成し、前記２つの測定用画像の濃度を測定し、前記２つの測定用画像の濃度差を算出し、前記濃度差が予め定められた基準値以下であるか又は超える場合であるかを判定し、前記濃度差が前記基準値を超える場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施すことを特徴とする電子写真装置の制御方法。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、本発明によれば、非画像形成時に電子写真感光体の解像力を精度良く検出することができ、必要に応じて電子写真感光体の表面処理を行うことによって、電子写真感光体の解像力を回復させることができる。その結果、電子写真装置の本来の性能を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の電子写真装置の制御方法を説明するフロー図
【図２】電子写真感光体の解像力評価用の画像データパターン図
【図３】本発明の電子写真方法に適した電子写真感光体の製造装置の概略図
【図４】本発明の電子写真方法に適した電子写真感光体の層構成の模式図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明は、非画像形成時に電子写真感光体の解像力を評価し、必要に応じて電子写真感光体の表面処理を行うことで、電子写真感光体の解像力低下を抑制し、画像品質の低下を抑制する。
【００１３】
非画像形成時とは、電子写真装置の立ち上げ時、あるいは、休止状態からの復帰時をいい、使用者が通常の画像を電子写真装置が紙媒体等に印字していない時のことをいう。本発明の制御方法は、非画像形成時に、電子写真感光体を帯電し、露光装置によって電子写真感光体上に解像力評価用の検査用の画像パターンを複数のパッチを書き込んで潜像を形成して以下の工程をおこなうものである。形成した複数の潜像を現像装置によるトナーで現像して複数の検査用のトナー画像を形成する。形成された検査用のトナー画像の濃度を電子写真感光体上、転写部材、記録媒体上のいずれかで濃度を測定し、潜像形成時に書き込んだ画像データの面積比率と測定濃度の関係から電子写真感光体の解像力を評価する。
【００１４】
［本発明の電子写真装置の制御方法］
図１は本発明の電子写真装置の制御方法のフロー図である。
【００１５】
図１（Ａ）は本発明の電子写真装置の制御方法の第１の形態である。図１（Ａ）のフロー図では、所定の画像濃度を有する画像データに対して、第１の中間調処理、第２の中間調処理、２種類の中間調処理を施して２種類の検査用の画像を形成する。なお、所定の画像濃度を有する画像データに対する２種類の中間調処理を事前に施して形成された２種類の検査用の画像データを画像形成装置の記憶部に保持して、その画像データを使用してもよい。
【００１６】
２種類の中間調処理とは、互いに異なる画像パターンで同じ階調を表現することである。具体的には、所定の画像濃度を有する画像データに対して、誤差拡散法やスクリーン線数の異なるディザ処理によって、所定の画像濃度を有する画像データを空間周波数の異なるパターンで画像を形成する。非画像形成時に、前記２種類の検査用画像データから２つの検査用の画像を形成し、こうして形成された２種類の画像の濃度を測定する。電子写真プロセスでは、帯電および露光によって電子写真感光体の表面に電荷密度分布として潜像が形成される。電子写真感光体の表面抵抗が低下した場合、表面に形成された電荷密度分布は均一化するように変化する傾向にあり、濃度を表現している画像部分の電荷が一部消失する場合が生じるため、所望の濃度が出にくくなる。この作用は、空間周波数の高い潜像を形成した場合にその影響を受けやすいことになる。つまり、異なる中間調処理を施すことによって、異なる中間調処理によって濃度差が生じるため、電子写真感光体の表面状態を検知することができる。
【００１７】
すなわち、画像の濃度を測定する測定手段で２種類の測定用画像の画像濃度が測定される。２種類の測定用画像の濃度差を演算し、前記濃度差が所定の基準値以下の場合であるか又は超える場合であるかを判定し、前記濃度差が前記所定の基準値を超える場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施す。
【００１８】
なお、使用する画像濃度を有する画像データは、５０％未満であることが好ましい。５０％未満の画像濃度を有する画像データに中間調処理を施して形成される画像パターンは、孤立ドットやラインパターンになるため、中間調処理の違いによって濃度差が生じやすくなるのでより好ましい。
【００１９】
なお、図１（Ａ）のフロー図では、２種類の中間調処理を適応しているが、３種類以上の中間調処理を用いて、電子写真感光体の表面処理の必要性を判定しても良い。
【００２０】
一方、図１（Ｂ）は本発明の電子写真装置の制御方法の第２の形態である。図１（Ｂ）のフロー図では、濃度の異なる第１の画像濃度を有する画像データと第２の画像濃度を有する画像データに対して、同一の中間調処理を施して画像形成を実施する。すなわち、第２の形態は、非画像形成時に、複数の画像濃度を有する画像データに対して所定の中間調処理を施して複数の測定用画像を形成し、複数の測定用画像の濃度を測定し、複数の測定用画像の濃度を所定の基準値と比較して評価する。具体的には、前記画像濃度を有する画像データに対して前記複数の濃度の線形性を算出して評価する。線形性が所定の基準値未満の場合であるか又以上の場合であるかを判定し、線形性（最小２乗法で求められた線形性；基準値例えばその時のＲの値）が前記基準値未満の場合に、前記電子写真感光体に表面処理を施すものである。形成された２つの画像データによって測定画像を形成し、２つの測定用画像および濃度ゼロの原点の３点の濃度を測定する。入力された２つの画像濃度を有する画像および濃度ゼロの原点に対する、測定用画像の濃度の線形性を算出する。
【００２１】
電子写真プロセスでは、帯電および露光によって電子写真感光体の表面に電荷密度分布として潜像が形成される。電子写真感光体の表面抵抗が低下した場合、面内に形成された電荷密度分布は均一化するように変化する傾向にあり、濃度を表現している画像部分の電荷が一部消失する場合が生じるため、所望の濃度が出にくくなる。この作用は、微小面積の潜像を形成した場合にその影響を受けやすい。つまり、異なる画像濃度を有する画像データに対する線形性が変化するため、電子写真感光体の表面状態を検知することができる。演算された線形性から電子写真感光体の表面状態を判定し、濃度差が基準値を満たしていない場合は、電子写真感光体の表面処理を施す。
【００２２】
図１（Ｂ）のフロー図で実施される中間調処理は、電子写真装置が通常の画像形成時に用いる中間調処理より空間周波数の高い中間調処理を用いると、電子写真感光体の表面状態を検知する上でより好ましい。
【００２３】
また、使用する２つの画像濃度を有する画像データは、５０％未満であることが好ましい。５０％未満の中間調データに中間調処理を施して形成される画像パターンは、孤立ドットやラインパターンになるため、画像濃度を有する画像データに対する濃度の線形性により影響を与えやすくなるためより好ましい。
【００２４】
なお、図１（Ｂ）のフロー図では、画像濃度を有する画像データが２つの場合であるが、３つ以上の画像濃度を有する画像データを用いて、線形性を演算する構成でも良い。
【００２５】
［解像力評価用の画像パターン］
電子写真感光体の解像力評価用の画像パターンについて説明する。
【００２６】
電子写真感光体の解像力は、書込みデータに対して忠実な潜像を形成・維持できるのか、で決定される。本発明は、電子写真感光体に形成された潜像を維持する能力を評価する。
【００２７】
前述した様に、潜像の空間周波数が高い程、その影響を受けやすい。したがって、解像度評価用の画像データは、所定の（濃度が同じ）階調データに対して異なる中間調処理を施して形成される複数の画像パターン群の濃度から評価できる。又、濃度の異なる階調データに対して所定の中間調処理を施して形成される複数の画像パターン群の濃度から、解像力を評価できる。
【００２８】
異なる中間調処理とは、スクリーン線数の異なるディザ処理の組み合わせや、誤差拡散処理とディザ処理の組み合わせのことである。
【００２９】
図２は、解像力評価用の画像パターンの例である。図２の画像パターンは書込み解像度２４００ｄｐｉの画像パターンを示している。図２（Ａ）の画像パターン群は、所定の階調データに対して異なる中間調処理を施して形成された画像パターン群である。図２（Ａ−１）〜（Ａ−３）は画像濃度２５％の画像濃度を有する画像データに対して、スクリーン線数の異なるディザ処理によって得られた画像パターン群である。それぞれ（Ａ−１）が６００ｌｐｉ、（Ａ−２）が４００ｌｐｉ、（Ａ−３）が３００ｌｐｉである。
【００３０】
一方、図２（Ｂ）の画像パターン群は、異なる階調データに対して所定の中間調処理を施して形成される複数の画像パターン群である。図２（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）の中間調処理は、スクリーン線数２８３ｌｐｉのディザ処理であり、画像濃度は、それぞれ（Ｂ−１）が５．６％、（Ｂ−２）が１１．１％、（Ｂ−３）が１６．７％である。
【００３１】
なお、電子写真方式で使用される最も高線数のスクリーンは、当然機種によって異なるが、概ね２００ｌｐｉ前後であることが多い。これは、人間の視覚特性から網点が気にならなくなる線数が２００ｌｐｉ前後であることから選択されていると考えられる。一方で、前述したように、スクリーン線数が高い程、電子写真感光体の字解像度の影響を受けやすくなる。電子写真感光体の解像度を評価するためには、解像度評価に用いるスクリーン線数は当該電子写真装置で使用されるスクリーン線数の中で最も高線数の場合より高解像度のスクリーン線数を含むパッチパターンで評価する場合が好ましい。したがって、図２に示した画像データは、本発明を適用する電子写真装置が画像形成時に使用する線数が２００ｌｐｉ前後の場合、最適な画像ターンである。
【００３２】
［濃度検知センサ］
解像力評価用の画像パターンから形成された検査画像（トナー像）の濃度を測定する濃度検知センサについて説明する。
【００３３】
濃度検知センサは、一対の発光素子と受光素子を備えた光学センサを用いると良い。発光素子から照射された光は、形成された検査画像の表面で反射されて、その反射光を受光素子で受光する。あらかじめ受光信号と濃度の関係をテーブル化しておくことで、受光信号から濃度を算出することができる。なお、検査画像の濃度を測定する場所は、電子写真感光体上でも良いし、中間転写体上でも、記録材上でも構わない。しかし、電子写真感光体上で測定する場合は、転写工程以降の影響を受けずに電子写真感光体の解像力の評価そのものの評価につながるからより好ましい形態である。
【００３４】
［電子写真感光体の解像力判定方法］
以下、前述した解像力評価用の画像パターンを用いて電子写真感光体の解像力を判定する方法を説明する。
【００３５】
まず、図２（Ａ）の画像データ群を用いた場合について説明する。事前に電子写真感光体の解像力が良い状態で、中間調処理に対する濃度の関係を測定し、各中間調処理間の濃度差の基準値を決定し、その基準値を画像形成装置記憶部に保持しておく。電子写真感光体の解像力が良好な状態では、（Ａ−１）〜（Ａ−３）の画像パターンは面積階調が等しいので、測定される濃度はほぼ同程度の濃度になる。しかし、電子写真感光体の解像力が低下した場合には、最初に空間周波数の高い画像データ（Ａ−１）に影響が表れ、（Ａ−１）の濃度が不安定となり、（Ａ−２），（Ａ−３）との濃度差として表れる。測定された濃度差が基準値と比較することで、解像力の判定が可能となる。なお、図２（Ａ）は中間調処理を３種類としているが、最低２種類あれば、判定は可能である。
【００３６】
次に、図２（Ｂ）の画像データ群を用いた場合について説明する。事前に電子写真感光体の解像力が良好な状態で、面積階調と濃度の関係を求め、線形性に関する基準値を保持しておく。電子写真感光体の解像力が良好な状態では、面積階調に対する濃度の関係の線形性は高くなる。しかし、電子写真感光体の解像力が低下した場合には、最初に低面積階調の画像データ（Ｂ−１）に影響が表れ、（Ｂ−１）の濃度が不安定となり、面積階調に対する濃度の線形性が低くなる。演算された線形性を基準値と比較することで、解像力の判定が可能となる。なお、図２（Ａ）は中間調処理を３種類としているが、２種類として、ゼロ点との３点から判定することも可能である。
【００３７】
［電子写真感光体の表面処理］
以下、電子写真感光体の解像力を回復させるための表面処理について説明する。
【００３８】
前述したように電子写真感光体の解像力は、電子写真感光体の表面抵抗の影響を受け易い。表面抵抗は、電子写真感光体表面の材料物性、あるいは、電子写真感光体表面の付着物に影響を受ける。よって、本願に係る電子写真感光体の表面処理は、付着物を除去する処理、あるいは、変質した電子写真感光体の表面の材料物性を改質する場合であって、例えば、表面を酸化する処理である。
【００３９】
まず、電子写真感光体表面の付着物を除去する方法として、前述した特許文献２に開示されているような方法で、電子写真感光体表面を研磨する方法が挙げられる。例えば、表面層がアモルファスシリコンカーバイドで構成された電子写真感光体の場合、帯電等によって、最表面に水酸基が形成され親水性が高くなり、高湿環境下で水分の影響を受けることが知られている。つまり、電子写真感光体の最表面の付着物を除去するために、電子写真感光体の表面を研磨することが有効である。
【００４０】
一方で、電子写真感光体表面の材料物性をコントロールする例として、表面層の親水性を抑制するために、表面層をシリコン元素の少ない水素化アモルファスカーボンで構成し、最表面を酸化処理して表面抵抗を制御した電子写真感光体を例に説明する。水素化アモルファスカーボンは、水素量を低減して炭素原子の密度を高めるとｓｐ２結合が増える傾向があり、抵抗が低下する傾向がある。そこで、水素化アモルファスカーボンの最表面を酸化するとによって、酸素原子が結合することで、ｓｐ２結合が減少し、表面抵抗を高めることができる。しかし、こうして改質した最表面領域に結合させた酸素原子は、長期的にはＣＯ２やＣＯとなって脱離してしまうため、ｓｐ２結合が再び増加し、表面抵抗が低下してしまい、電子写真感光体の表面抵抗が低下してしまう場合があった。よって、電子写真感光体の解像力が低下した際に、電子写真装置内で電子写真感光体の表面を酸化処理することで、解像力を回復することが可能である。具体的には、電子写真感光体表面に負電荷を与えることで、電子写真感光体の最表面を陽極酸化することができる。電子写真感光体を負に帯電するシステムの場合には、単に電子写真感光体に帯電と除電を繰り返し施す空回転を実施すれば良い。一方、電子写真感光体を正に帯電するシステムの場合には、電子写真感光体の耐圧を超えない範囲で、負電荷を供給し、負帯電のシステムと同様に電子写真感光体を除電および帯電しながら空回転すれば良い。なお、酸化処理をより短時間で施すために、電子写真感光体に接触する現像器やクリーニング手段等を電子写真感光体から離間して実施すると良い。
【００４１】
［本発明に適用可能な電子写真感光体］
以下、本発明に適した電子写真感光体について説明する。
【００４２】
図４は、本発明に適した電子写真感光体の層構成の一例であり、導電性支持基体４０１上に、下部阻止層４０２、光導電層４０３、中間層４０４、表面層４０５が積層されており、表面層４０５は水素化アモルファスカーボンで構成されている。
【００４３】
次に、前述した層構成の電子写真感光体を構成する各層および基体について説明する。
【００４４】
（表面層）
前記電子写真感光体は、前記電子写真感光体の表面層が水素化アモルファスカーボンまたは水素化アモルファスシリコンカーバイドからなるものが好ましい。
【００４５】
又、表面層における炭素原子の原子数（Ｃ）とケイ素原子の原子数（Ｓｉ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｃ＋Ｓｉ））の平均値が０．９０以上であることが好ましい。０．９０以上とすることで、表面層が酸化されたとしても高湿環境下で画像流れの発生を生じない程度に酸化に抑制されていると考えている。
【００４６】
又、表面層における水素原子の原子数（Ｈ）と炭素原子の原子数（Ｃ）とケイ素原子の原子数（Ｓｉ）との和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｈ＋Ｃ＋Ｓｉ））の平均値が０．４０以下であることが好ましい。
【００４７】
０．４０以下とすることによって、電子写真感光体に負イオンを与えた際に、負イオンが表面層を透過することを防止できる。
【００４８】
本発明に特に適した電子写真感光体の表面層材料は、水素化アモルファスカーボンである。表面層を構成する水素化アモルファスカーボンの水素含有比率（炭素原子数と水素原子数の和に対する水素原子数）を０．４０以下とすることによって、電子写真感光体に負イオンを与えた際に、より負イオンが表面層を透過することを防止できるからである。
【００４９】
これは、表面層の水素含有量を低減することによって、骨格原子となる炭素原子同士の結合が増え、骨格原子の密度が高まり、負イオンに対するバリア性が向上するためと考えられる。
【００５０】
プラズマＣＶＤ法を用い、水素を含む非晶質炭素を形成する場合、水素含有比率は成膜条件パラメータによって調整が可能である。成膜条件パラメータとして、原料ガスの種類、原料ガス流量、高周波電力、反応圧力、基板温度等が挙げられる。検討の結果、水素含有比率を低下させる方向として、原料ガス流量を減らす方向、高周波電力を高くする方向、反応圧力を下げる方向、基板温度を高くする方向が、夫々望ましい方向であった。なお、バリア性という観点では何れの成膜パラメータも有効であったが、高周波電力および基板温度は表面層の光透過率を低下させやすい成膜パラメータでもあることが分かった。よって、低めの高周波電力および基板温度条件において、原料ガス流量および反応圧力を調整すると良い。
【００５１】
一方、表面層の水素含有比率を低減すると炭素原子同士の結合が増加するため、ｓｐ２結合比率が高くなりやすい。ｓｐ２結合比率が高くなる程グラファイト的な特性に近付くため、電気抵抗は低下しやすくなる。画像解像力に影響を与えるのは、表面層の最表面領域の表面抵抗である。すなわち、表面層の最表面領域におけるｓｐ２結合比率を０．５０以下とすることによって、良好な画像解像力が得られる。
【００５２】
表面層の最表面領域のｓｐ２結合比率を制御する方法として、最表面領域を改質する方法が挙げられる。具体的方法として、酸素原子を含む処理ガスを用いたプラズマ処理によって、最表面領域のｓｐ２結合のπ結合を解離させて酸素原子を含む処理ガスに含まれる酸素原子がエーテル結合やケトンを形成することで、結果的にｓｐ２結合比率が低下すると考えられる。なお、酸素原子を含む処理ガスとしては、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、等が挙げられる。
【００５３】
また、大気圧下でのプラズマ処理としては、大気中での負コロナ放電処理が有効な方法であった。大気中での負コロナ放電処理に関しては、負コロナ放電で生成される硝酸イオン等の酸化力の高い負イオンが、最表面領域のｓｐ２結合のπ結合を解離させる作用を有する。この負イオンに含まれる酸素原子がエーテル結合やケトンを形成することによって結果的にｓｐ２結合比率が低下し、表面抵抗を高く維持できると考えられる。
【００５４】
（中間層）
本発明に適した電子写真感光体において中間層に制限はないが、表面層と光導電層との整合を考慮した材料を選択する必要がある。例えば、水素化アモルファスカーボンで表面層を形成し、水素化アモルファスシリコンで光導電層を形成する場合、中間層の材料として、水素化アモルファスシリコンカーバイドを用いると良い。ａ−ＳｉＣ：Ｈ中間層の組成を適正化することによって、露光により光導電層で発生した光キャリアを表面層まで移動しやすくできる。
【００５５】
また、ａ−ＳｉＣ：Ｈ中間層を形成する炭素原子数（Ｃ）とケイ素原子数（Ｓｉ）の和に対する炭素原子数（Ｃ）の比率（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を段階的に変化させた複数の層を設けることで光キャリアの移動を改善できる。又、ａ−ＳｉＣ中間層を形成する炭素原子数（Ｃ）とケイ素原子数（Ｓｉ）の和に対する炭素原子数（Ｃ）の比率（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を連続的に変化させたりすることによって、前述の光キャリアの移動を改善できる。更に、中間層を複数層の構成にしたり、組成を連続的に変化させたりすることによって、表面層と中間層の界面、中間層と光導電層の界面で生じる光の反射を制御することができる。更に感光体を長期的に使用し場合に生じる表面層膜厚の減少に伴って生じる反射特性の変動に起因した感度特性の変動を抑制することも可能である。
【００５６】
さらに、負帯電用の電子写真感光体の場合、中間層に電荷注入阻止能を付与することで帯電特性を向上することができる。電荷注入阻止能を向上させるためにａ−ＳｉＣ中間層に周期表第１３族を含有させることが有効である。周期表１３族に属する原子の中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。
【００５７】
（光導電層）
本発明に適用する電子写真感光体の光導電層は、電子写真特性上の性能を満足できる光導電特性を有するものであればいずれのものであってもよいが、耐久性、安定性の観点から、水素化アモルファスシリコン光導電層が好ましい。
【００５８】
伝導性を制御するための原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができる。すなわち、ｐ型伝導性を与える周期表１３族に属する原子またはｎ型伝導性を与える周期表１５族に属する原子を用いることができる。周期表１３族に属する原子の中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。周期表１５族に属する原子の中でも、リン原子、ヒ素原子が好ましい。
【００５９】
なお、光導電層は、単一の層で構成されてもよいし、複数の層（たとえば、電荷発生層
と電荷輸送層）で構成されてもよい。
【００６０】
（下部阻止層）
本発明に適用する電子写真感光体おいて、基体と光導電層との間に基体側からの電荷の注入を阻止する働きを有する下部阻止層を設けることが好ましい。下部阻止層は、電子写真感光体の表面が一定極性の帯電処理を受けた際、基体から光導電層への電荷の注入を阻止する機能を有する層である。このような機能を付与するために、下部阻止層は、光導電層を構成する材料をベースとしたうえで、伝導性を制御するための原子を光導電層に比べて比較的多く含有させる。
【００６１】
伝導性を制御するために下部阻止層に含有させる原子としては、帯電極性に応じて周期表１３族または１５族に属する原子を用いることができる。
【００６２】
さらに、下部阻止層には、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子を含有させることにより、下部阻止層を基体との間の密着性を向上させることができる。
【００６３】
（導電性基体）
導電性基体は表面に形成される光導電層および表面層を保持しうるものであれば特に限定されず、いずれのものであってもよい。基体の材質としては、たとえば、アルミニウム、鉄などの金属や、これらの合金などが挙げられる。
【００６４】
［本発明に適した電子写真感光体を製造するための製造装置および製造方法］
本発明に適した電子写真感光体の製造方法として、プラズマＣＶＤ法を用いた製造装置および製造方法について説明する。
【００６５】
図３は、本発明の感光体を作製するための高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の堆積装置の一例を模式的に示した図である。
【００６６】
この堆積装置は、大別すると、反応容器３１１０を有する堆積装置３１００、原料ガス供給装置３２００、および、反応容器３１１０内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。
【００６７】
堆積装置３１００中の反応容器３１１０内にはアースに接続された基体３１１２、基体加熱用ヒーター３１１３、および、原料ガス導入管３１１４が設置されている。さらにカソード電極３１１１には高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。
【００６８】
原料ガス供給装置３２００は、原料ガスボンベ３２２１〜３２２５、バルブ３２３１〜３２３５、圧力調整器３２６１〜３２６５、流入バルブ３２４１〜３２４５から構成されている。更に、原料ガス供給装置３２００は、流出バルブ３２５１〜３２５５およびマスフローコントローラ３２１１〜３２１５を具備する。各原料ガスを封入したガスのボンベは補助バルブ３２６０を介して反応容器３１１０内の原料ガス導入管３１１４に接続されている。３１１６はガス配管であり、３１１７はリークバルブであり、３１２１は絶縁材料である。
【００６９】
次に、この装置を使った堆積膜の形成方法について説明する。まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体３１１２を反応容器３１１０に受け台３１２３を介して設置する。次に、排気装置（図示せず）を運転し、反応容器３１１０内を排気する。真空計３１１９の表示を見ながら、反応容器３１１０内の圧力がたとえば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、基体加熱用ヒーター３１１３に電力を供給し、基体３１１２をたとえば５０〜３５０℃の所定の温度に加熱する。このとき、ガス供給装置３２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器３１１０に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００７０】
次に、ガス供給装置３２００より堆積膜形成に用いるガスを反応容器３１１０に供給する。すなわち、必要に応じてバルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５を開き、マスフローコントローラ３２１１〜３２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラの流量が安定したところで、真空計３１１９の表示を見ながらメインバルブ３１１８を操作し、反応容器３１１０内の圧力が所望の圧力になるように調整する。
【００７１】
所望の圧力が得られたところで高周波電源３１２０より高周波電力を印加すると同時に高周波マッチングボックス３１１５を操作し、反応容器３１１０内にプラズマ放電を生起する。その後、速やかに高周波電力を所望の電力に調整し、堆積膜の形成を行う。
【００７２】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、高周波電力の印加を停止し、バルブ３２３１〜３２３５、流入バルブ３２４１〜３２４５、流出バルブ３２５１〜３２５５、および、補助バルブ３２６０を閉じ、原料ガスの供給を終える。同時に、メインバルブ３１１８を全開にし、反応容器３１１０内を１Ｐａ以下の圧力まで排気する。
【００７３】
以上で、堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すればよい。原料ガス流量や、圧力などを光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、接合領域の形成を行うこともできる。
【００７４】
すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ３１１８を閉じ、反応容器３１１０内に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、基体３１１２を取り出す。
【００７５】
水素化アモルファスカーボンの表面層を形成するために、炭素原子供給用の原料ガスとしては以下のものが使用できる。たとえば、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）及びアセチレン（Ｃ２Ｈ２）が好適に使用できる。
【００７６】
なお、水素化アモルファスカーボンの水素含有比率を調整するために、原料ガス流量、反応圧力、高周波電力、基板温度、希釈ガス流量等が制御パラメータを最適化する必要がある。原料ガス流量を少なくすることで水素含有比率は下がる傾向があった。反応圧力を低く設定することで、水素含有比率は下がる傾向があった。高周波電力を高く設定することで水素含有比率は下がる傾向があった。基板温度を高く設定することで水素含有比率は下がる傾向があった。希釈ガスとしては水素（Ｈ２）やヘリウム（Ｈｅ）が有用で、希釈ガス流量を増大させることで水素含有比率は下がる傾向があった。
【００７７】
水素化アモルファスカーボン表面層の最表領域は酸素原子を含有するガスを用いてプラズマ処理すれば良い。
【００７８】
水素化アモルファスシリコンカーバイドの中間層を形成するために、ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、たとえば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が好適に使用できる。そして、反応容器に供給する原料ガス流量、高周波電力、反応容器内の圧力、基体の温度などの条件を、必要に応じて設定することで形成される。なお、中間層に電荷注入阻止能を付与するには、帯電極性に応じて周期表１３族または１５族に属する原子を含有する原料ガスを添加して中間層を形成すればよい。周期表１３族または１５族に属する原子を含有する原料ガスとしては、ホスフィン（ＰＨ３）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）などが挙げられる。
【００７９】
水素化アモルファスシリコンの光導電層を形成するために、ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、たとえば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が好適に使用できる。また、水素原子供給用の原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、たとえば、水素（Ｈ２）も好適に使用できる。
【００８０】
また、上述のハロゲン原子、伝導性を制御するための原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子など光導電層を含有させる場合には、それぞれの原子を含むガス状または容易にガス化しうる物質を材料として適宜使用すればよい。
【実施例】
【００８１】
〔実施例１および比較例１〕
本実施例では、キヤノン（株）製のデジタル電子写真装置「ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ  Ｃ６５」（商品名）の改造機に本発明の電子写真方法を適用した。
【００８２】
改造点は、デジタル電子写真装置「ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ  Ｃ６５」のＢｋステーションに、水素化アモルファスカーボン表面層を有する電子写真感光体を搭載し、帯電設定、露光設定、現像バイアス設定を最適化した。Ｂｋステーションに設置した電子写真感光体に解像力評価用のパッチを書き込み可能な構成とし、現像装置で現像されたトナー像の濃度を電子写真感光体上で測定可能な濃度測定器を設置した。パッチの面積階調データと測定された濃度データとの関係から定義される基準値を記憶し、測定された濃度データから解像力を判定する判定手段を設けた。なお、本実施例では図２（Ａ）に示すパッチパターンを用いて解像力の評価を行った。図２（Ａ）のパッチパターンは面積階調が同じで、線数が異なるパッチパターンなので、解像度の判定は各パッチの濃度差で規定し、各パッチの濃度差が小さい程、電子写真感光体の解像力が高いと判定できる。
【００８３】
本実施例では、水素化アモルファスカーボン表面層を有する電子写真感光体を用い、電子写真感光体を負に帯電するシステムであるため、電子写真感光体の表面処理は、酸化処理を実施した。具体的には、電子写真感光体に帯電と除電を繰り返し施す空回転を実施した。なお、本実施例および本比較例に使用した電子写真感光体、および、条件を表１に示す。
【００８４】
以下、本実施例に用いた電子写真感光体について説明する。
【００８５】
（電子写真感光体）
前述したＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、表１に示す条件で電子写真感光体を２本形成し、表２に示す条件で２種類の表面処理を行い、２本の電子写真感光体を作製した。
【００８６】
【表１】
2020140127.tif 000003
【００８７】
【表２】
2020140127.tif 000004
【００８８】
以下の具体的方法によって、出力画像の解像度評価の評価を行い、本発明の効果を確認した。
【００８９】
（出力画像の解像度評価）
画像解像力の評価は、キヤノン（株）製のデジタル電子写真装置「ｉｍａｇｅＰＲＥＳＳ  Ｃ６５」（商品名）の改造機を用いて行った。改造機は、一次帯電および現像バイアスを外部電源から印加できる構成とした。本体に搭載されたもっとも高線数の２３０ｌｐｉの網点スクリーンを用いて、面積階調画像により出力画像の解像度を評価した。
【００９０】
面積階調画像は、１７段階に均等配分した階調データを用いた。このとき、最も濃い階調を１６、最も薄い階調を０として各階調に番号を割り当て、階調段階とした。
【００９１】
得られた画像のうち、０〜８階調の各階調ごとに反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４  分光濃度計）により画像濃度を測定した。なお、反射濃度測定では各々の階調ごとに３枚の画像を出力し、それらの濃度の平均値を評価値とした。
【００９２】
こうして得られた評価値と階調段階との線形近似した時の決定係数Ｒ２値を算出し、０．９９６以上をＡ、０．９９０以上０．９６未満をＢ、０．９９０未満をＣとして評価した。Ｂ以上で本発明の効果が得られたと判定した。
【００９３】
【表３】
2020140127.tif 000005
【００９４】
〔実施例２〕
本実施例では、実施例１と同様に２種類の電子写真感光体を作製した。本実施例に使用した電子写真感光体、および、条件を表４に示す。評価の方法・基準は実施例１と同じ条件とした。なお、本実施例では電子写真感光体の解像力を判定するための検査用画像の画像パターンを図２（Ｂ）に示すパッチパターンを用いた点が異なる。
【００９５】
【表４】
2020140127.tif 000006
【符号の説明】
【００９６】
４０１  導電性基体
４０２  下部阻止層
４０３  光導電層
４０４  上部阻止層
４０５  表面層
４０６  表面層の最表面
【図１】
2020140127.tif 000007
【図２】
2020140127.tif 000008
【図３】
2020140127.tif 000009
【図４】
2020140127.tif 000010