(57)【要約】【課題】  蒸着方式で作製するＥＬ表示パネルでは、ファイン蒸着マスク２５１を使用して赤、緑、青色画素を形成する。しかし、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれが発生し、製造歩留まりを低下させていた。【解決手段】    赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂには共通に、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔが形成されている。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆは蛍光のゲスト材料を含有し、発光層１７ＢｔはＴＡＤＦのゲスト材料を含有する。画素３７Ｇの発光層１７Ｒおよび画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、レーザ光を照射されて改質されている。画素３７Ｇでは、発光層１７Ｂｔで生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換され、ＦＲＥＴプロセスで、発光層１７Ｂｆ、１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇで発光する。【選択図】  図９
2020140956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルであって、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に共通に形成された第１の発光層と、
前記第１の発光層の上層として形成された第２の発光層と、
前記第２の発光層の上層として形成された第３の発光層とを備え、
前記第１の発光層と前記第１の発光層と前記第３の発光層のいずれかの発光層は、蛍光のゲスト材料と熱活性化遅延蛍光のゲスト材料を含有し、
前記第２の色の画素及び前記第３の色の画素の前記第１の発光層は、レーザ光が照射されて改質されており、
前記第３の色の画素の前記第２の発光層は、レーザ光が照射されて改質されていることを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記第１の発光層および前記第２の発光層の各々は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記レーザ光が照射された前記第１の発光層、および前記レーザ光が照射された第２の発光層には、
前記ゲスト材料のバンドギャップが、前記ホスト材料のバンドギャップよりも大きく、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、前記ゲスト材料のほうが前記ホスト材料よりも低く、
前記ゲスト材料と前記ホスト材料のＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、ゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、
の３つの関係のうち、少なくとも１つ以上の関係があることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記第１の発光層および前記第２の発光層の各々は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記レーザ光が照射された前記第１の発光層、および前記レーザ光が照射された第２の発光層は、
前記ゲスト材料が分解する、前記ゲスト材料の分子構造が変化している、
の２つの関係のうち、少なくとも１つ以上の関係があることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記第１の色の画素の第１の干渉次数と、前記第２の色の画素の第２の干渉次数と、前記第３の色の第３の干渉次数のうち、
いずれかの色の画素の干渉次数が、他の色の画素の干渉次数と異なっていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素の各々の画素のカソード電極は光透過性を有し、
前記第１の発光層および前記第２の発光層の各々の発光層で発生した光は、前記各々の画素の前記カソード電極側から出射される構造であり、
前記各々の発光層の画素電極は、透明電極であり、
前記画素電極の下層に、反射膜が形成され、
少なくとも１つの色の画素においては前記透明電極に反射膜が積層され、
前記各々の発光層で発生した光は、前記反射膜で反射されることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素の各々の画素のカソード電極は光透過性を有し、
前記第１の発光層および前記第２の発光層の各々の発光層で発生した光は、前記カソード電極側から出射される構造であり、
前記各々の発光層の画素電極は透明電極であり、
前記画素電極の下層に反射膜が形成され、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素のうち、少なくとも１つの色の画素の前記画素電極と前記反射膜との間に、光透過性を有する薄膜が形成され、
前記第１の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離、前記第２の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離、および前記第３の色の画素の反射膜と前記カソード電極との間の光学的距離のうち、
少なくとも１つの色の画素についての光学的距離が、他の色の画素についての光学的距離と異なることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記第１の発光層、前記第２の発光層および前記第３の色の画素の各々の発光層の画素電極は、透明電極であり、
前記第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素の各々においては、前記画素電極の下層に、反射膜が形成され、
前記画素電極と前記反射膜を電極として、コンデンサが形成されていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記第１の発光層および前記第２の発光層の各々は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記ゲスト材料の前記レーザ光の光吸収率は、前記ホスト材料の前記レーザ光の光吸収率よりも大きいことを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記レーザ光が照射された前記第１の発光層の下層に、正孔輸送層が形成され、
前記正孔輸送層の前記レーザ光の光吸収率は、前記第１の発光層の前記レーザ光の光吸収率よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記レーザ光の波長は、１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、
前記レーザ光は前記第１の発光層および前記第２の発光層の各々の発光層に照射され、
前記レーザ光により、前記各々の発光層は、燐光または蛍光を発生し、
前記発生した燐光または蛍光の強度に基づいて、前記レーザ光が制御されていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
第１の色の画素と第２の色の画素と第３の色の画素がマトリックス状に配置され、
前記第１の色の画素に、第１の発光層と第２の発光層と第３の発光層とが積層され、
前記第２の色の画素に、前記第２の発光層と前記第３の発光層とが積層され、
前記第３の色の画素に、前記第２の発光層と前記第３の発光層とが積層され、
前記第１の色の画素の前記第１の発光層は、他の色の画素と独立して形成され、
前記第２の発光層は、前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に共通に形成され、
前記第３の発光層は、蛍光のゲスト材料と熱活性化遅延蛍光のゲスト材料を含有し、
前記第３の色の画素の前記第２の発光層は、レーザ光が照射されて改質されていることを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
前記第１の発光層、前記第２の発光層および第３の発光層の各々は、ゲスト材料とホスト材料とを含有し、
前記第１の発光層の前記ゲスト材料は、前記第２の発光層の前記ゲスト材料のエネルギーを吸収でき、
前記第２の発光層の前記ゲスト材料は、前記第３の発光層の前記ゲスト材料のエネルギーを吸収できることを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１３】
前記第１の色の画素に形成された、前記第１の発光層、第２の発光層および第３の発光層のうち、少なくとも１つの発光層が、熱転写技術により形成されていることを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１４】
前記第１の色の画素に形成された、前記第１の発光層、第２の発光層および第３の発光層のうち、少なくとも１つの発光層が、ファイン蒸着マスクを用いて形成されていることを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１５】
前記第３の色の画素の前記第２の発光層は、前記レーザ光の照射により燐光または蛍光を発生し、
前記燐光または蛍光は、光−電気変換されて信号電圧に変換され、
前記信号電圧に基づいて、前記レーザ光が制御されていることを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１６】
前記第３の色の画素は、青色の光を発光する画素であり、
前記第３の色の画素は、干渉次数が１次であり、
前記第１の色の画素および前記第２の色の画素は、干渉次数が０次であることを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１７】
前記第３の色の画素は、干渉次数が１次であり、
前記第１の色の画素および前記第２の色の画素は、干渉次数が０次であり、
前記第３の色の画素の正孔輸送層の膜厚は、前記第１の色の画素の正孔輸送層および前記第２の色の画素の正孔輸送層の各々の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１８】
前記第１の色の画素、第２の色の画素および第３の色の画素の各々の画素のカソード電極は光透過性を有し、
前記第１の発光層、第２の発光層および第３の発光層の各々の発光層で発生した光は、前記カソード電極側から取り出す構造であり、
前記各々の画素の前記カソード電極の上層に、ＳｉＯＮからなる封止膜が形成され、
光出射側に、円偏光フィルムが配置されていることを特徴とする請求項１１記載のＥＬ表示パネル。
【請求項１９】
第１の色の画素と第２の色の画素と第３の色の画素がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルの製造装置であって、
前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素に、第１の発光層を共通に形成する第１の発光層形成手段と、
前記第２の色の画素の前記第１の発光層と、前記第３の色の画素の前記第１の発光層のうち少なくとも一方を選択してレーザ光を照射するレーザ光発生手段と、
前記第１の発光層上に、第２の発光層を形成する第２の発光層形成手段を具備することを特徴とするＥＬ表示パネルの製造装置。
【請求項２０】
前記レーザ光を透過させる透過部を有する保持容器を、更に具備し、
前記ＥＬ表示パネルは、前記保持容器内に配置され、
前記レーザ光は、前記透過部を透過して、前記保持容器内に導光されることを特徴とする請求項１９記載のＥＬ表示パネルの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示パネルに関し、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro-Luminescence。以下、有機ＥＬと呼ぶことがある。）素子等を有し、カラー画像表示に適するＥＬ表示パネルとＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の発光分子としては、一重項励起状態からの輻射遷移である蛍光を利用する蛍光材料が用いられた。しかし、スピン統計則に従い、電荷再結合により生じる一重項励起子の生成効率は２５％が上限となる。
したがって、蛍光材料を用いた有機ＥＬ発光素子は、発光効率が悪く、消費電力が大きいという問題があった。
また、イリジウム錯体に代表されるリン光材料を利用して三重項励起状態からの輻射遷移を示すリン光材料が開発され、有機ＥＬ素子が実用化されている。
【０００３】
リン光材料を利用した有機ＥＬ素子はイリジウムや白金等のレアメタル元素を含む材料を発光材料に使用する必要があることから、材料コストが増加するという問題点がある。
【０００４】
熱活性型遅延蛍光発光(Thermal Activated Delayed Fluorescence：ＴＡＤＦ)を示す芳香族化合物を有機ＥＬ素子の発光分子をして使用する研究が進んでいる。ＴＡＤＦを用いることにより、リン光有機ＥＬ素子と同等の発光効率を達成可能である。
【０００５】
励起一重項エネルギー(ＥＳ１)と、励起三重項エネルギー(ＥＴ１)のエネルギー差(ＥＳＴ)を十分に小さくした場合、ＴＡＤＦは通常では遷移確率が著しく低い三重項励起状態(T1)から一重項励起状態(Ｓ１)に逆項間交差（Reverse Inter System Crossing：ＲＩＳＣ）で熱的に励起する。
ＴＡＤＦ材料を発光分子とした有機ＥＬ素子は、発光分子中にレアメタルを含有しないが、１００％に達する内部量子効率を得ることが可能である。
【０００６】
ＴＡＤＦは、分子内のドナーおよびアクセプター部位間の電荷移動により誘起されるため、ＴＡＤＦ分子の発光スペクトルは、一般的に波長帯域が広いスペクトルを示す。そのため、色再現範囲が狭いと言う問題があった。
【０００７】
図４４は、従来のＥＬ表示パネルの構造図である。画素電極１５の周辺部には土手（バンク）９５が形成されている。土手９５は、ファイン蒸着マスク２５１が画素電極１５等に接触することを防止する。
【０００８】
ＥＬ表示パネルは、ＥＬ素子２２が表示画面３６にマトリックス状に配置されている。ＥＬ素子２２は、正孔輸送層（ＨＴＬ : hole transport layer）１６、発光層（ＥＭＬ : emitter layer）１７、電子輸送層（ＥＴＬ : electron transport layer）１８等の有機材料の積層構造を有し、この積層構造を挟持する画素電極１５と、光透過性を有するカソード電極１９で構成される。
ＥＬ表示パネルにソースドライバ回路３２、ゲートドライバ回路３１が実装されてＥＬ表示パネルが構成される。
【０００９】
図４５は、従来のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。蒸着の際、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色のＥＬ材料を、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の対応する画素に蒸着させるために、ファイン蒸着マスク２５１が使用される。ファイン蒸着マスク２５１は、対応する画素形状にあわせた穴が開口されたマスクであり、また、金属または樹脂からなるマスクである。
【００１０】
図４５（ａ）に図示するように、画素電極１５には、正孔輸送層１６が形成される。次に、図４５（ｂ）に示すように、赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置される。赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤色の画素電極１５Ｒに対応する箇所が、開口されている。赤色のファイン蒸着マスク２５１Ｒは、他の色の画素電極（緑色の画素電極１５Ｇ、青色の画素電極１５Ｂ）に対応する箇所は開口されていない。
【００１１】
以上のように、ファイン蒸着マスク２５１Ｒが配置された状態で、蒸発源から赤色の発光層１７Ｒが蒸発され、マスク２５１Ｒの開口部から、赤色の画素３７Ｒに、赤色の発光層材料１７２Ｒが蒸着される。蒸着された赤色の発光層材料は、赤色の発光層１７Ｒとなる。
【００１２】
緑色画素も赤色画素と同様に、図４５（ｃ）に図示するように、緑色のファイン蒸着マスク２５１Ｇが配置され、マスク２５１Ｇの開口部を介して、緑色画素３７Ｇに緑色の発光層１７Ｇが形成される。
【００１３】
青色画素も赤色画素と同様に、図４５（ｄ）に図示するように、青色のファイン蒸着マスク２５１Ｂが配置され、マスク２５１Ｂの開口部を介して、青色画素３７Ｂに青色の発光層１７Ｂが形成される。
【００１４】
図４５（ｅ）は図４５（ｄ）の次の工程を示す説明図である。赤、緑、青の発光層１７の上方に、電子輸送層１８が蒸着される。また、電子輸送層１８上にマグネシウム・銀（ＭｇＡｇ）等からなるカソード電極（陰極）１９が形成される。図４５（ｆ）に図示するように、カソード電極１９上には、封止層２０が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１６−１１９３５５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
有機ＥＬ素子の発光分子として一重項励起状態からの輻射遷移である蛍光を利用する蛍光材料を用いる場合は、発光波長帯域が狭く良好な色を再現できる。しかし、蛍光を利用する蛍光材料は発光効率が悪く、消費電力が大きいという問題がある。
【００１７】
有機ＥＬ素子の発光分子として三重項励起状態からの輻射遷移を示すリン光を利用する場合は、発光効率が良好で、低消費電力化を実現できる。しかし、リン光材料を利用した有機ＥＬ素子はイリジウムや白金等のレアメタル元素を含む材料を発光材料に使用する必要があることから、材料コストが増加するという問題点がある。
【００１８】
ＴＡＤＦは、リン光有機ＥＬ素子と同等の発光効率を達成可能である。しかし、ＴＡＤＦは、分子内のドナーおよびアクセプター部位間の電荷移動により誘起されるため、ＴＡＤＦ分子の発光スペクトルは、波長帯域が広いスペクトルを示す。そのため、色再現性が低いと言う問題がある。
従来のＥＬ表示パネルでは、赤色、緑色、青色のＥＬ素子の発光層１７の形成時に、赤色、緑色、青色のファイン蒸着マスク２５１を使用する。
【００１９】
しかし、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれが発生すると、画素３７に混色が発生する。また、蒸着マスクの位置決め機構および装置の価格が高いという課題がある。また、蒸着マスクの位置決めに長時間を必要とするため製造タクトが長くなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明のＥＬ表示装置は、赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素がマトリックス状に配置されている。
【００２１】
前記緑（Ｇ）色の画素は、蛍光材料またはＴＡＤＦからなる赤（Ｒ）色ゲスト材料とホスト材料を含有する赤（Ｒ）色層と、前記赤（Ｒ）色層の上層に形成された蛍光材料からなる緑（Ｇ）色ゲスト材料とＴＡＤＦ材料からなる緑（Ｇ）色ゲスト材料とホスト材料を含有する緑（Ｇ）色層と、前記緑（Ｇ）色層の上層に形成された蛍光材料からなる青（Ｇ）色ゲスト材料とＴＡＤＦ材料からなる青（Ｇ）色ゲスト材料とホスト材料とホストとを含有する青（Ｂ）色層とを有する。
前記緑（Ｇ）色の画素の前記赤（Ｒ）色層の赤（Ｒ）色ゲスト材料は、レーザ光等が照射されたことにより改質されている。
「改質」とは、発光層が消光するか、非発光となるか、もしくは、減光するか、所定の発光波長から変化させることである。
【００２２】
また、「改質」とは、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯ（Highest Occupied Molecular Orbital）およびＬＵＭＯ（Lowest Unoccupied Molecular Orbital）の相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係が発生することである。
【００２３】
また、「改質」とは、ゲスト材料に紫外線等の光を吸収させ、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくすることである。
【００２４】
また、「改質」とは、発光層１７を構成する成分の少なくとも一部、例えばゲスト材料あるいはホスト材料が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質が変化することである。
【００２５】
発光層１７が、ゲスト材料あるいはホスト材料の共蒸着で形成されない単一の材料で構成される場合の「改質」とは、発光層１７を構成する成分の少なくとも一部が、分解または重合を生じるか、または分子構造に変化を生じ、物理的性質が変化することである。また、ＥＬ素子を構成する膜層が、変質することである。
改質された発光層１７は、発光しなくなるか、もしくはほとんど発光しなくなる。改質された発光層１７は、正孔あるいは電子移動させる層として機能する。
赤色の発光層と、赤色の発光層の上に緑色の発光層と、緑色の発光層の上に青色の発光層が積層され、赤色の発光層が改質されている構成を例示する。
【００２６】
青色の発光層のＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。
【００２７】
青色の発光層のＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーは、蛍光共鳴エネルギー移動（Fluorescence Resonance Energy Transfer：ＦＲＥＴ）により、速やかに蛍光の青色ゲスト材料にエネルギー移動する。
ＦＲＥＴの速度は著しく速い。そのため、ＲＩＳＣにより生成された一重項励起子が再び三重項励起状態へと遷移する確率は非常に小さくなる。
蛍光の青色ゲスト材料に移動した一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより、速やかに緑色の発光層の蛍光の緑色ゲスト材料にエネルギー移動する。
【００２８】
赤色の発光層は改質されているため、緑色ゲスト材料に移動したエネルギーは赤色の発光層にはエネルギー移動せず、緑色の発光層においてＳ１準位からＳ０準位へと輻射遷移して、緑（Ｇ）色で発光する。
【００２９】
一方、緑色の発光層のＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。また、緑色の発光層のＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより速やかに蛍光の緑色ゲスト材料へとエネルギー移動する。
【００３０】
蛍光の青色ゲスト材料に移動した一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより速やかに緑色の発光層の蛍光の緑色ゲスト材料へとエネルギー移動する。緑色ゲスト材料に移動したエネルギーは、緑色の発光層においてＳ１準位からＳ０準位へと輻射遷移して、緑（Ｇ）で発光する。
【００３１】
本発明は、ＥＬ表示パネルの製造方式において、少なくとも一部の工程において、蒸着マスクを使用しない。赤色の発光層、緑色の発光層、青色の発光層の少なくとも１つの工程において蒸着マスクを使用することなしに発光層を形成する。
【００３２】
緑色の画素では、赤色の発光層にレーザ光を照射し、赤色の発光層のゲスト材料またはホスト材料を改質させる。赤色の発光層へのレーザ光の照射は、真空中で実施する。
【発明の効果】
【００３３】
例えば、青色の発光層を例示する場合、青色の発光層で、電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。
【００３４】
青色の発光層中にエネルギーアクセプターとして機能する蛍光分子をドーピングした場合、ＴＡＤＦ分子の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより速やかに青色の蛍光分子へとエネルギー移動する。
【００３５】
ＦＲＥＴにより青色の蛍光分子に移動した一重項励起子エネルギーは、さらにＦＲＥＴにより緑色の発光層の緑色の蛍光分子に移動する。エネルギー移動した一重項励起子エネルギーはＳ１準位からＳ０準位へと輻射遷移し、緑色で発光する。
【００３６】
したがって、青色の発光層において、ＴＡＤＦ分子で１００％内部ＥＬ量子効率を実現したエネルギーは、青色の発光層の蛍光分子に移動し、さらに、緑色の蛍光分子に移動するため、効率の良い緑色発光を実現できる。
【００３７】
また、ＴＡＤＦの発光スペクトルはブロードなスペクトルであるが、蛍光材料にＦＲＥＴされることによりスペクトル半値幅が１００ｎｍ以下の狭い帯域のスペクトルに変換される。したがって、波長帯域の良好な純色の発光色を得ることができる。
【００３８】
緑色の画素で、緑色の発光を得るために、本発明は緑色の画素の赤色の発光層を改質させている。改質は、レーザ光等狭指向性の光を該当箇所に照射することにより行う。
レーザ光は10μｍ以下に集光することができるため、微細な画素であっても、画素形状にあわせてレーザ光を照射することができる。
【００３９】
本発明のＥＬ表示パネルは、各色の画素の形成に蒸着マスクを使用しない。そのため、蒸着マスクの位置ずれによる混色の発生はなく、６００ｐｐｉ以上の高精細のＥＬ表示装置を容易に製造できる。また、レーザ光を照射するだけであるので、６０インチ以上の大画面のＥＬ表示パネルであっても容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明のＥＬ表示パネルのブロック図および画素の等価回路図である。
【図２】本発明のＥＬ表示パネルの画素配置の説明図である。
【図３】本発明のＥＬ表示パネルの画素配置の説明図である。
【図４】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図５】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図６】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図７】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図８】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図９】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１０】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１１】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１２】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１３】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１４】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１５】本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【図１６】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図１７】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図１８】本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図１９】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図２０】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図２１】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図２２】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。
【図２３】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図２４】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図２５】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図２６】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図２７】本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。
【図２８】本発明のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【図２９】本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。
【図３０】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図３１】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図３２】本発明のＥＬ表示パネルの製造におけるレーザ装置の説明図である。
【図３３】本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図３４】本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図３５】本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図３６】本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図３７】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図３８】本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図３９】本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図４０】本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【図４１】本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。
【図４２】本発明のＥＬ表示パネルの説明図である。
【図４３】本発明のＥＬ表示パネルを用いたＥＬ表示装置の説明図である。
【図４４】従来のＥＬ表示パネルの断面構造図である。
【図４５】従来のＥＬ表示パネルの製造工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本明細書、図面において、同様または類似した機能を発揮する構成要素には、同一あるいは類似の参照符号を付加する。また、各実施例で重複する説明は省略する場合がある。
【００４２】
本明細書の実施例の説明では、他の実施例との差異事項あるいは異なる個所を中心として説明をする。本発明の実施例で記載された事項は、本明細書で記載する他の実施例に適用することができる。また、本明細書で記載する他の実施例と組み合わせることができる。
【００４３】
図１または図２に図示するように、本発明のＥＬ表示パネルおよび表示装置は、表示画面３６に、赤色（Ｒ）画素３７Ｒ、緑色（Ｇ）画素３７Ｇ、青色（Ｂ）画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。
【００４４】
図２はダイモンド形状に画素が配置されたペンタイル（PenTile）の画素配置である。図３は、ストライプ状の画素が配置されたスタンダードＲＧＢストライプの画素配置である。いずれの画素配置もＲ、Ｇ、Ｂ色の画素がマトリックス状に配置されている。また、発光色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光効率に応じて、画素面積が適切に設定され、また形成されている。例えば、青（Ｂ）色は、発光効率が悪いため、青（Ｂ）色画素の面積を大きくしている。
【００４５】
本発明のＥＬ表示パネルおよびＥＬ表示装置は、マトリックス状に画素が配置されたものに限定するものではない。表示画面３６に、複数の色の部分を有していれば本発明の技術的範疇である。
【００４６】
黄色画素３７Ｙ、青色画素３７Ｂがマトリックス状に形成された表示パネルでもよい。また、画素がマトリックス状に配置された表示パネルに限定されるものではなく、所定の文字表示するＥＬ表示パネルであっても良い。
【００４７】
本発明のＥＬ表示パネルの製造装置または製造方法において、「改質」は、形成した発光層１７の一部に光を照射し、光を照射した箇所を「改質」するものであれば、どんなパネル構造、形態あっても、本発明の技術的思想は適用できる。本発明の技術的思想は、例えば、単色のキャラクタ表示のＥＬ表示パネルにも適用できることは言うまでもない。
【００４８】
図１は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図、および画素の等価回路図である。表示画面３６には、赤色（Ｒ）画素３７Ｒ、緑色（Ｇ）画素３７Ｇ、青色（Ｂ）画素３７Ｂがマトリックス状に配置されている。
【００４９】
トランジスタ２１は、高温ポリシリコン(ＨＴＰＳ : High-temperature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(ＬＴＰＳ : Low-temrature poly silicon)、連続粒界シリコン(ＣＧＳ : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(ＴＡＯＳ : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（ＡＳ : amorphous silicon）、赤外線RTA（ＲＴＡ : rapid thermal annealing）で形成が例示される。
【００５０】
図１（ａ）は、本発明のＥＬ表示パネルの構造図であり、図１（ｂ１）（ｂ２）は、画素３７の等価回路図である。図１（ｂ１）は、画素３７を構成するトランジスタ２１をＰチャンネルトランジスタで構成した場合の等価回路図である。図１（ｂ２）は、画素３７を構成するトランジスタ２１をＮチャンネルトランジスタで構成した場合の等価回路図である。画素３７は、ＮチャンネルのトランジスタとＰチャンネルのトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
【００５１】
図１（ｂ１）（ｂ２）で図示するように、画素３７には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２１、コンデンサ２３、ＥＬ素子２２が形成されている。
【００５２】
スイッチ用トランジスタ２１ａはソースドライバ回路３２が出力する映像信号を、駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子に供給するスイッチ素子として機能する。駆動用トランジスタ２１ｂはＥＬ素子２２に電流を供給する駆動用トランジスタとして機能する。
【００５３】
各画素３７のスイッチ用トランジスタ２１ａのゲート端子はゲート信号線３４に接続され、スイッチ用トランジスタ２１ａのソース端子またはドレイン端子は、ソース信号線３５、または駆動用トランジスタ２１ｂのゲート端子と接続されている。
【００５４】
駆動用トランジスタ２１ｂのソース端子またはドレイン端子は、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている電極またはＥＬ素子２２のアノード端子と接続されている。
【００５５】
ＥＬ素子２２のアノード端子は、駆動用トランジスタ２１ｂのドレイン端子またはソース端子と接続され、ＥＬ素子２２のカソード端子はカソード電位Ｖｓｓが印加されたカソード電極１９と接続されている。
【００５６】
本明細書では、駆動用トランジスタ２１ｂ、スイッチ用トランジスタ２１ａは、薄膜トランジスタとして説明するが、薄膜トランジスタに限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。トランジスタ２１は、ＦＥＴ、ＭＯＳ−ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。図２、図３に図示するようにマトリックス状に画素３７が配置され、表示画面３６を構成する。
【００５７】
図１６は、本発明のＥＬ表示パネルの断面図である。赤色画素３７Ｒには画素電極１５Ｒ、反射膜１２Ｒが形成または配置されている。緑色画素３７Ｇには画素電極１５Ｇ、反射膜１２Ｇが形成または配置されている。青色画素３７Ｂには画素電極１５Ｂ、反射膜１２Ｂが形成または配置されている。
【００５８】
ＥＬ素子２２を構成するアノード電極（画素電極）１５は、透明電極であるＩＴＯ、ＩＺＯで形成される。画素電極１５の下層には反射膜１２が形成されている。反射膜１２は、銀（Ａｇ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）もしくはこれらのいずれかの合金で形成される。
【００５９】
図１６では、反射膜１２の上層にＩＴＯ等の透明電極を形成しているが、これに限定するものではなく、反射膜１２の下層にもＩＴＯ等の透明電極を形成してもよい。つまり、反射膜１２をＩＴＯ等でサンドイッチ構造に形成してもよい。
反射膜１２は電極である必要はなく、光を反射する膜であればよい。例えば、ダイクロイックミラーのように、多層膜からなる反射膜が例示される。
【００６０】
画素電極１５は、透明電極に限定するものでなく、アルミニウム、銀等の金属材料で形成しても良い。この場合、画素電極１５が反射膜となる。また、反射膜１２と画素電極１５は積層して形成してもよい。
【００６１】
画素電極１５Ｒは、図１、図２、図３等で説明した画素３７Ｒが対応する。また、図１、図２、図３等の画素電極１５Ｇは画素３７Ｇが対応し、図１、図２、図３等の画素電極１５Ｂは画素３７Ｂが対応する。
本明細書において、カソード側から発光光が出射される上面発光型のＥＬ表示パネルを例示して説明する。
【００６２】
本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等の技術的思想は、カソード電極１９を反射膜とし、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型のＥＬ表示パネルにも適用可能である。
下面発光型のＥＬ表示パネルの場合は、反射膜１２を有せず、アノード電極１５を透明電極で形成し、カソード電極１９を反射電極で形成する。
【００６３】
ＴＦＴ基板５２は、トランジスタ２１、画素電極１５等が形成されたガラス基板である。なお、ガラス基板の代わりに樹脂からなる基板の場合もある。例えば、ポリイミド樹脂で形成された基板（ポリエステル支持基板）であってもよい。
【００６４】
ＴＦＴ基板５２はワニスを平面上に塗布し、硬化させた樹脂フィルムであってもよい。例えば、ワニスを硬化させ厚みが１０〜２５μｍのポリイミドフィルムとし、前記ポリイミドフィルムを０．１〜０．７ｍｍのポリエステル支持基板に貼り付けてもよい。また、ポリエステル支持基板は、金属材料、セラミック材料からなる基板であってもよい。
【００６５】
本明細書では、ＴＦＴ基板５２に発光層１７等を形成する例を例示して説明するが、本発明は、ＴＦＴ基板５２を用いたＥＬ表示パネルに限定するものではない。例えば、ＴＦＴが形成されていない単純マトリックス型ＥＬ表示パネルであっても良いし、固定の文字を表示するキャラクタ表示のＥＬ表示パネルであっても良い。
【００６６】
図１６は、本発明のＥＬ表示パネルの断面図である。ＴＦＴ基板５２の上にトランジスタ２１等からなる画素３７を形成し、その上に、一例として感光性樹脂よりなる平坦化膜２８を設ける。反射膜１２は、平坦化膜２８の下層に形成しても良いし、平坦化膜２８の上方に形成してもよい。
【００６７】
平坦化膜２８の反射膜１２上に、ＩＴＯまたはＩＺＯからなる透明導電膜を形成し、この透明導電膜をパターニングすることにより、赤色の画素電極１５Ｒ、緑色の画素電極１５Ｇ、青色の画素電極１５Ｂを形成する。画素電極１５は、平坦化膜２８のコンタクトホール（図示せず）を介して駆動用トランジスタ２１ｂの一端子と導通させる。
【００６８】
図１６に図示する本発明の実施例では、赤色、緑色および青色の画素電極１５上には、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔ、電子輸送層（ＥＴＬ）１８が形成されている。
【００６９】
発光層１７は、蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料と、ＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料と、ホスト材料のうち少なとも１つ以上の材料を共蒸着して構成される。
【００７０】
発光層１７に赤色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｒｆの記号を付加し、発光層１７に赤色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｒｔの記号を付加する。
【００７１】
同様に、発光層１７に緑色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｇｆの記号を付加し、発光層１７に緑色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｇｔの記号を付加する。
【００７２】
発光層１７に青色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｂｆの記号を付加し、発光層１７に青色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する場合は、Ｂｔの記号を付加する。
【００７３】
本明細書および図面において、発光層１７に、Ｒｆの記号が記載されている場合は、発光層１７に赤色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。Ｒｔの記号が記載されている場合は、発光層１７に赤色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。
【００７４】
発光層１７に、Ｇｆの記号が記載されている場合は、発光層１７に緑色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。Ｇｔの記号が記載されている場合は、発光層１７に緑色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。発光層１７に、Ｂｆの記号が記載されている場合は、発光層１７に青色の蛍光材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。Ｂｔの記号が記載されている場合は、発光層１７に青色のＴＡＤＦ材料のゲスト（ドーパント）材料を含有する。
【００７５】
なお、本発明の実施例において、発光層１７にＴＡＤＦのゲスト材料または蛍光のゲスト材料のうち、少なくとも一方を含有するとして説明するが、ＴＡＤＦのゲスト材料、蛍光のゲスト材料に限定されるものではない。本発明の技術的思想は、ＴＡＤＦのような、光発光効率が高く（例えば、三重項励磁状態を一重項励磁状態に変換でき、光変換効率が高い材料）、また、発光スペクトルが、蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルと重なりが大きい材料であればいずれでもよい。
【００７６】
図１６において、発光層１７Ｒは、赤色の蛍光材料のゲスト材料Ｒｆと赤色のＴＡＤＦ材料のゲスト材料Ｒｔを含有する。発光層１７Ｇは、緑色の蛍光材料のゲスト材料Ｇｆと緑色のＴＡＤＦ材料のゲスト材料Ｇｔを含有する。発光層１７Ｂｆは、青色の蛍光材料のゲスト材料Ｂｆを含有する。発光層１７Ｂｔは、青色のＴＡＤＦ材料のゲスト材料Ｂｔを含有する。
【００７７】
蛍光のゲスト材料として、例えば、2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene （ＴＢＰｅ）、9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracene （ＴＴＰＡ）、2,8-di-tert-butyl-5,11-bis(4-tert-butylphenyl)-6,12-diphenyltetracene （ＴＢＲｂ）、tetraphenyldibenzoperiflanthene （ＤＢＰ）が例示される。
【００７８】
ＴＡＤＦのゲスト材料として、例えば、10'H-spiro[acridine-9,9'-anthracen]-10'-one （ＡＣＲＳＡ）、 3-(9,9-dimethylacridin-10(9H)-yl)-9H-xanthen-9-one（ＡＣＲＸＴＮ）、 2-phenoxazine-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine （ＰＸＺ−ＴＲＸ）、 2,4,6-tri(4-(IOH-phenoxazin-10H-yl)phenyl)-1,3,5-triazine （ｔｒｉ−ＰＸＺ−ＴＲＺ）が例示される。
【００７９】
ホスト材料として、例えば、 bis-(2-(diphenylphosphino)phenyl)ether oxide （ＤＰＥＰＯ）、 1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene （ｍＣＰ）、3,3-di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl （ｍＣＢＰ）、4,4'-bis(9-carbazolyl)-1,1'-biphenyl （ＣＢＰ）、3,3-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl（ｍＣＢＰ）が例示される。
【００８０】
例えば、赤色の発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料として、ＤＢＰ、ｔｒｉ−ＰＸＺ−ＴＲＺ、ＤＣＭ（(E)-2-(2-(4-(Dimethylamino)styryl)-6-methyl-4H -pyran-4-ylidene)malononitrile）、ＤＣＭ２（4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H -pyran）、Ｒｕｂｒｅｎｅ（5,6,11,12-Tetraphenylnaphthacene）を使用する。緑色の発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料として、ＴＴＰＡ、ＡＣＲＸＴＮ、Ａlｑ3を使用する。青色の発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料として、ＴＢＰｅ、ＴＰＢ、Ｐｅｒｙｌｅｎｅ、３−ＤＰＡＤＢＣを使用する。
【００８１】
例えば、赤色の発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料として、ｔｒｉ−ＰＸＺ−ＴＲＺ、ＰＰＺ−ＤＰＯ、ＰＰＺ−ＤＰＳ、４ＣｚＴＰＮ−Ｍｅ、４ＣｚＴＰＮ−Ｐｈ、ＨＡＰ−３ＴＰＡを使用する。緑色の発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料として、ＰＸＺ−ＤＰＳ、ＰＰＺ−３ＴＰＴ、ＰＸＺ−ＤＰＳ、４ＣｚＰＮ、４ＣｚＴＰＮ、４ＣｚＩＰＮ、Ｓｐｉｒｏ−ＣＮ、ＰＸＺ−ＴＲＺを使用する。青色の発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料として、ＡＣＲＳＡ、ＡＣＲＸＴＮ、ＤＭＡＣ−ＤＰＳ、ＰＰＺ−４ＴＰＴ、２ＣｚＰＮを使用する。
【００８２】
なお、ＴＡＤＦ材料は、４ＣｚＩＰＮ、ｐａｔａ−３ＣｚＢＮ、４ＣｚＢＮ、５ＣｚＢＮのように、分子にパラ体構造を導入して電荷非局在励起種を形成したものを採用することが好ましい。
【００８３】
図１６に図示するように、赤の画素電極１５Ｒ、緑の画素電極１５Ｇ、青の画素電極１５Ｂの上方（上層）には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが共通に形成されている。発光層１７Ｒは、複数の色の画素（赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂ）に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。
【００８４】
同様に、発光層１７Ｇは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成され、発光層１７Ｂは、複数の色の画素に、共通に、かつ連続した膜として形成されている。発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂは、ラフ蒸着マスクを使用して、表示画面３６の全体に形成されている。
【００８５】
ラフ蒸着マスクは、表示領域に開口部が形成され、表示領域に開口部があり、表示領域以外に開口部がない蒸着マスクである。したがって、ラフ蒸着マスクを使用すると、表示領域部に連続した蒸着膜が形成され、表示領域部以外の他の領域には蒸着膜は形成されない。
【００８６】
ファイン蒸着マスクは、各画素に対応して蒸着材料を蒸着する部分に開口部が形成されている蒸着マスクである。表示領域以外に開口部はない点はラフ蒸着マスクと同様である。
【００８７】
画素電極１５上には、正孔輸送層１６が形成されている。画素電極１５と正孔輸送層１６間に正孔注入層（ＨＩＬ：Hole injection layer  図示せず）を形成してもよい。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への注入障壁を下げる働きをする。
【００８８】
このような正孔注入層を構成する材料としては、例えば、ベンジジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、テトラシアノキノジメタン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。
【００８９】
画素電極１５の正孔輸送層１６、電子輸送層（ＥＴＬ）１８の膜厚は、赤色、緑色、青色の画素３７で異ならせてもよい。例えば、画素電極１５Ｒ上に正孔輸送層１６Ｒを形成し、画素電極１５Ｇ上に正孔輸送層１６Ｇを形成し、画素電極１５Ｂ上に正孔輸送層１６Ｂを形成し、それぞれの色の画素での正孔輸送層１６の膜厚を異ならせる。
【００９０】
また、画素３７Ｒの発光層１７Ｂｔ上に電子輸送層（ＥＴＬ）１８Ｒを形成し、画素３７Ｇの発光層１７Ｂｔ上に電子輸送層（ＥＴＬ）１８Ｇを形成し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｔ上に電子輸送層（ＥＴＬ）１８Ｂを形成し、それぞれの色の画素での電子輸送層（ＥＴＬ）１８の膜厚を異ならせる。
【００９１】
本発明で発光層１７等と表現するが、発光層１７は発光しない場合もある。例えば、発光層１７Ｂｔの励起エネルギーがＦＲＥＴで発光層１７Ｂｆに移動し、発光層１７Ｂｆが発光する場合は、発光層１７Ｂｔは発光しないか、ほとんど発光しない。したがって、本明細書において発光層１７は発光することに限定されない。
【００９２】
本発明のＥＬ表示パネルは、図１６に図示するように、画素電極１５Ｒの上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。同様に、画素電極１５Ｇの上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。また、画素電極１５Ｂの上方には、赤色の発光層１７Ｒ、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂが形成されている。
【００９３】
赤色の発光層１７Ｒは、蛍光のゲスト材料Ｒｆ、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｒｔを含有する。緑色の発光層１７Ｇは、蛍光のゲスト材料Ｇｆ、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｇｔを含有する。青色の発光層１７Ｂは、発光層１７Ｂｆと発光層１７Ｂｔで構成される。発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料Ｂｆを含有する。発光層１７Ｂｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有する。
【００９４】
また、各発光層１７は、ホスト材料とゲスト材料が共蒸着されて形成されている。各発光層１７のホスト材料は異ならせてもよい。例えば、赤色の発光層１７Ｒには、ホスト材料としてｍＣＰを使用し、緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂには、ホスト材料としてｍＣＢＰを使用することが例示される。ホスト材料は、電子輸送性、正孔輸送性を考慮して選択する。ｍＣＢＰは電子輸送性が高く、ｍＣＰは正孔輸送性が高い。ｍＣＰをアノード側に使用し、ｍＣＢＰをカソード側に使用することにより、発光効率等が向上する。また、発光層１７Ｒ等カソード側の発光層を改質する時、発光効率が向上する。
発光層にホスト材料が含んでいても、ホスト材料にエネルギー移動がすることがない、あるいは少なくなるようにホスト材料を選定する。
【００９５】
発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の吸収スペクトルは、発光層１７Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【００９６】
発光層１７の上方には、電子輸送層１８を形成されている。電子輸送層１８とカソード電極１９との間に電子注入層（ＥＩＬ：Electron injection layer  図示せず）を形成してもよい。電子輸送層１８の種類は、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂで異ならせてもよい。
【００９７】
カソード電極（陰極）１９は、例えば金属材料を用いて構成されたものであり、光透過性を有している。例えば、ＭｇＡｇ等の光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この金属陰極層は、さらにアルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。さらに、第３の層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
【００９８】
一実施例としてＭｇＡｇを例示してカソード電極（陰極）を形成している。カソード電極（陰極）１９は、蒸着により形成する。カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことがない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば、蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。
【００９９】
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって１μｍ以上５μｍ以下の膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、封止層の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【０１００】
封止層２０は、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚でＳｉＯＮ膜等をＣＶＤで形成した後、アクリルあるいはエポキシ樹脂からなる有機材料等を４μｍ以上３０μｍの膜厚で形成し、さらに、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚でＳｉＯＮ膜またはＳｉＮｘ膜を形成してもよい。
【０１０１】
封止層２０には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。また、光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）２９を貼り付けることが望ましい。
【０１０２】
電子注入層は、電子注入層として用いられるものであり、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、さらにはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。その他、ＬｉＦ等も例示される。
【０１０３】
電子注入層は、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物および複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物および複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
【０１０４】
電子輸送層１８は、カソード電極（陰極)１９から電子を注入し輸送する機能を持つ。正孔輸送層１６と同様に、バンドギャップが広い材料が好ましい。また、発光層１７内で生成した励起子の移動を阻止する働きもあるため、励起子阻止層や、ＢＣＰはホールの移動を阻止する作用があるため、ホールブロッキング層として使われることもある。
【０１０５】
電子輸送層１８の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、スチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【０１０６】
具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａlｑ3）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。このような電子輸送層（ＥＴＬ）１８は積層構造であっても良い。
【０１０７】
発光層１７は、画素電極（陽極）１５とカソード電極（陰極）１９とに対する電圧印加時に、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが再結合する領域である。
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｂｆのゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。
発光層１７Ｂｆのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。
また、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっていることが好ましい。
発光層１７Ｇのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。
また、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっている。
発光層１７ＧのＴＡＤＦゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルの一部が重なっていることが好ましい。
発光層１７の発光スペクトルと吸収スペクトルの重なりが大きい方が、ＦＲＥＴ効率が向上することから好ましい。
【０１０８】
ＴＡＤＦ材料は、三重項励起子を一重項励起子に熱的に変換することが可能である。したがって、三重項エネルギーを遷移確率の高い一重項エネルギーとして再利用することができるため、発光効率が優れている。
【０１０９】
ＴＡＤＦ材料の励起は、分子内のドナーおよびアクセプター部位間の電荷移動により誘起されるため、ＴＡＤＦ材料の発光スペクトルは、一般的に幅の広いスペクトルとなる。そのため、ＴＡＤＦ材料を発光色素とするＥＬ素子２２は、広帯域の発光スペクトルとなる。蛍光のゲスト材料を発光層１７にドーピングした場合、一般的に幅の狭いスペクトルとなる。
【０１１０】
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーを、蛍光のゲスト材料よりも高いように材料選定を行うことにより、ＦＲＥＴによりＴＡＤＦ材料から蛍光材料間にエネルギー移動が生じ、結果として高いEL量子効率を維持しつつ、純色（狭いスペクトル幅）発光を得ることができる。
【０１１１】
以上のことから、一般的な蛍光色素を発光分子とする有機ＥＬ素子においても理論限界に達するＥＬ効率を実現することが可能となる。また、ＥＬ素子２２の耐久性も著しく向上する。
【０１１２】
図４は、図１６の本発明のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。各発光層１７（発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔ）の膜厚は１５ｎｍ以下と薄く形成されている。そのため、発光層１７のゲスト材料の発光スペクトルと、他の発光層の吸収スペクトルとが重なっていれば、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層の励起エネルギーが他の発光層に移動する。
【０１１３】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｔ１に変換される。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、逆項間交差（ＲＩＳＣ）により、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。
【０１１４】
各発光層１７の膜厚は１５ｎｍ以下と薄く形成されている。そのため、ＲＩＳＣにより三重項励起子から生成された一重項励起子の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７の蛍光のゲスト材料の一重項励起状態の準位に移動する。
発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇ一重項準位（Ｓｂ１）も高い材料を選定する。
【０１１５】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。
【０１１６】
発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。
発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。
【０１１７】
したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。
【０１１８】
発光層１７ＧにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。
【０１１９】
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高い材料を選定する。発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により発光層１７Ｇの一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動する。
【０１２０】
発光層１７ＧにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。
【０１２１】
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高い材料を選定する。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより、発光層１７Ｇ蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動する。
【０１２２】
発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高い材料を選定する。
【０１２３】
したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動することができる。
【０１２４】
発光層１７ＲにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。
【０１２５】
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高く材料を選定する。発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により発光層１７Ｒの一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動する。
【０１２６】
発光層１７ＲにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。
【０１２７】
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高く材料を選定する。発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより、発光層１７Ｒ蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動する。
発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒ１から準位Ｓｒ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０１２８】
また、発光層１７ＲにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｒ１を生成する。
【０１２９】
生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｒ１に変換される。一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒ１から準位Ｓｒ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０１３０】
本発明の実施例において、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料としてＡＣＲＳＡが例示され、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料としてＴＢＰｅが例示される。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料としてＰＸＺ−ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＴＴＰＡが例示される。発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料としてｔｒｉ−ＰＸＺ−ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＤＢＰが例示される。
【０１３１】
本発明の明細書および図面では、ゲスト材料を３８とし、ホスト材料を３９としている。例えば、発光層１７Ｂｔはゲスト材料３８Ｂｔとホスト材料３９Ｂｔで構成されている。発光層１７Ｂｆはゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆで構成されている。発光層１７Ｇはゲスト材料３８Ｇとホスト材料３９Ｇで構成されている。発光層１７Ｒはゲスト材料３８Ｒとホスト材料３９Ｒで構成されている。
【０１３２】
図４では、それぞれの発光層１７には異なるホスト材料が使用されている。発光層１７Ｂｔはホスト材料３９Ｂｔが使用されている。発光層１７Ｂｆはホスト材料３９Ｂｆが使用されている。発光層１７Ｇはホスト材料３９Ｇが使用されている。発光層１７Ｒはホスト材料３９Ｒが使用されている。
【０１３３】
図４のように、各発光層１７に異なるホスト材料３９を使用することにより、各ゲスト材料に対するホスト材料を適正に選定することができ、電子および正孔の移動量を調整することができ、適正の発光層で電子および正孔を結合させて発光させることができる。
【０１３４】
一例として、ホスト材料ｍＣＰのＨＯＭＯは−６．１（ｅＶ）、ＬＵＭＯは−２．４（ｅＶ）である。ホスト材料ＣＢＰのＨＯＭＯは−５．９（ｅＶ）、ＬＵＭＯは−２．６（ｅＶ）である。ホスト材料ｍＣＢＰのＨＯＭＯは−６．０（ｅＶ）、ＬＵＭＯは−２．７（ｅＶ）である。また、ホスト材料ＤＰＥＰＯＨＯＭＯは−６．３（ｅＶ）、ＬＵＭＯは−２．５（ｅＶ）である。
【０１３５】
ホスト材料ｍＣＰの正孔輸送移動度は、ホスト材料ｍＣＢＰの正孔輸送移動度およびホスト材料ＣＢＰの正孔輸送移動度より大きい（ホスト材料ｍＣＰの正孔輸送性が高い）。ホスト材料ｍＣＢＰおよびホスト材料ＣＢＰの電子輸送移動度はホスト材料ｍＣＰの電子輸送移動度より大きい（ホスト材料ｍＣＢＰ、ＣＢＰの正電子輸送性が高い）。
【０１３６】
カソード電極１９の電位がアノード電極１５の電位より低い場合（例えば、カソード電極１９がマイナス電位）、カソード電極１９側のホスト材料の電子移動度は、アノード電極１５側のホスト材料の電子移動度より大きなホスト材料を選択することが好ましい。
【０１３７】
カソード電極１９の電位がアノード電極１５の電位より低い場合（例えば、カソード電極１９がマイナス電位）、アノード電極１５側のホスト材料の正孔移動度は、カソード電極１９側のホスト材料の正孔移動度より大きなホスト材料を選択することが好ましい。
【０１３８】
カソード電極１９の電位がアノード電極１５の電位より低い場合（例えば、カソード電極１９がマイナス電位）、カソード電極１９側のホスト材料のＬＵＭＯは、アノード電極１５側のホスト材料のＬＵＭＯよりエネルギー準位が高いホスト材料を選択することが好ましい。
【０１３９】
カソード電極１９の電位がアノード電極１５の電位より低い場合（例えば、カソード電極１９がマイナス電位）、アノード電極１５側のホスト材料のＨＯＭＯは、アノード電極１５側のホスト材料のＨＯＭＯよりエネルギー準位が低いホスト材料を選択することが好ましい。
以上の４つの関係のうち、少なくとも１つ以上を満足するように、ホスト材料を選定する。
【０１４０】
図５は、青色の発光層１７Ｂｔと青色の発光層１７Ｂｆは、同一のホスト材料３９ａを使用している。また、緑色の発光層１７Ｇと赤色の発光層１７Ｒは、同一のホスト材料３９ｂを使用している。
図５の実施例において、ホスト材料３９ａとしてホスト材料ｍＣＰを使用し、ホスト材料３９ｂとしてホスト材料ｍＣＢＰを使用することが例示される。
【０１４１】
ホスト材料ｍＣＰのＨＯＭＯは−６．１（ｅＶ）、ＬＵＭＯは−２．４（ｅＶ）であり、ホスト材料ｍＣＢＰのＨＯＭＯは−６．０（ｅＶ）、ＬＵＭＯは−２．７（ｅＶ）である。
【０１４２】
したがって、ホスト材料ｍＣＰのＨＯＭＯ準位は、ホスト材料ｍＣＢＰのＨＯＭＯ準位より、エネルギー準位が低く、ホスト材料ｍＣＰのＬＵＭＯ準位は、ホスト材料ｍＣＢＰのＬＵＭＯ準位より、エネルギー準位が高い。
【０１４３】
ホスト材料ｍＣＰの正孔輸送度はホスト材料ｍＣＢＰの正孔輸送度よりも大きい。また、ホスト材料ｍＣＢＰの電子輸送度はホスト材料ｍＣＰの電子孔輸送度よりも大きい。
【０１４４】
本発明のＥＬ表示パネルのＥＬ素子において複数のホスト材料を使用する場合、アノード側のホスト材料はカソード側のホスト材料よりもＨＯＭＯ準位が低いホスト材料を使用する。また、カソード側のホスト材料はアノード側のホスト材料よりもＬＯＭＯ準位が低いホスト材料を使用する。
【０１４５】
カソード側のホスト材料はアノード側のホスト材料よりも正孔輸送性（正孔移動度）が高いホスト材料を使用する。また、アノード側のホスト材料はカソード側のホスト材料よりも電子輸送性（電子移動度）が高いホスト材料を使用する。
【０１４６】
なお、以上の関係のすべてを満足するようにホスト材料を選定することは要しない。少なくとも１つ以上の関係、好ましくは２つ以上の関係を満足するようにホスト材料を選定する。
図５の実施例における動作は、図４で説明しているので説明は省略する。
【０１４７】
図４では、発光層１７Ｂｔはホスト材料３９Ｂｔ、発光層１７Ｂｔはホスト材料３９Ｂｆ、発光層１７Ｇはホスト材料３９Ｇ、発光層１７Ｒはホスト材料３９Ｒと４種類のホスト材料を採用している。ただし、これに限定されるものではない。例えば、ホスト材料３９Ｂｔとホスト材料３９Ｂｆを同一としてもよい。
【０１４８】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料としてＡＣＲＳＡが例示され、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料としてＴＢＰｅが例示される。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料としてＰＸＺ−ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＴＴＰＡが例示される。発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料としてｔｒｉ−ＰＸＺ−ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＤＢＰが例示される。
【０１４９】
発光層１７Ｂｔのホスト材料３９ＢｔとしてｍＣＢＰが例示され、発光層１７Ｂｆのホスト材料３９ＢｆとしてＣＢＰが例示される。発光層１７Ｇのホスト材料３９ＧとしてＤＰＥＰＯが例示される。発光層１７Ｒのホスト材料３９ＲとしてｍＣＰが例示される。
【０１５０】
ｍＣＢＰのＬＵＭＯは−２．７（ｅＶ）、ＣＢＰのＬＵＭＯは−２．６（ｅＶ）、ＤＰＥＰＯのＬＵＭＯは−２．５（ｅＶ）、ｍＣＰのＬＵＭＯは−２．４（ｅＶ）である。
【０１５１】
ｍＣＢＰのＨＯＭＯは−６．０（ｅＶ）、ＣＢＰのＨＯＭＯは−５．９（ｅＶ）、ＤＰＥＰＯのＨＯＭＯは−６．３（ｅＶ）、ｍＣＰのＨＯＭＯは−６．１（ｅＶ）である。
【０１５２】
したがって、ホスト材料のＬＵＭＯのエネルギー準位は、ｍＣＢＰ  ＜  ＣＢＰ  ＜  ＤＰＥＰＯ  ＜  ｍＣＰとなる。ホスト材料のＨＯＭＯのエネルギー準位は、ＤＰＥＰＯ  ＜  ｍＣＰとなる。また、ホスト材料ｍＣＰの正孔輸送度は、他のホスト材料の正孔輸送度より大きく、ホスト材料ｍＣＢＰ、ＣＢＰの電子輸送度はホスト材料ｍＣＰより大きい。
【０１５３】
本発明のＥＬ表示パネルのＥＬ素子において、３種類以上のホスト材料を使用する場合、アノード側に近いホスト材料はカソード側に近いホスト材料よりも、ＨＯＭＯ準位が低いホスト材料を使用する。また、カソード側に近いホスト材料はアノード側に近いホスト材料よりもＬＯＭＯ準位が低いホスト材料を使用する。また、カソード側に近いホスト材料はアノード側に近いホスト材料よりも正孔輸送性（正孔移動度）が高いホスト材料を使用する。また、アノード側に近いホスト材料はカソード側に近いホスト材料よりも電子輸送性（電子移動度）が高いホスト材料を使用する。
【０１５４】
なお、以上の関係のすべてを満足するようにホスト材料を選定することは要しない。少なくとも１つ以上の関係、好ましくは２つ以上の関係を満足するようにホスト材料を選定する。
図１６において、発光層は、ＴＡＤＦのゲスト材料と蛍光のゲスト材料のうち少なくとも一方のゲスト材料を含有する。
【０１５５】
図６は、図１６の発光層１７の一実施例の構成図または説明図である。発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、ホスト材料３９Ｒで構成される。
発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、ホスト材料３９Ｒで構成される。
発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、ホスト材料３９Ｇで構成される。
【０１５６】
発光層１７Ｂｆは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ、ホスト材料３９Ｂｆで構成される。発光層１７Ｂｔは蛍光のゲスト材料３８Ｂｔ、ホスト材料３９Ｂｔで構成される。
【０１５７】
発光層１７Ｂｔでは電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。
【０１５８】
発光層１７Ｂｆにエネルギーアクセプターとして機能する蛍光のゲスト材料３８Ｂｆがドーピングされている場合、ＴＡＤＦ分子の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｂプロセスによりに青色の蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。
【０１５９】
ＦＲＥＴｂプロセスにより青色の蛍光分子に移動した一重項励起子エネルギーは、さらにＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動する。
【０１６０】
ＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。
【０１６１】
ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動の記載は、各発光層が改質されていない場合の説明あるいは動作である。
【０１６２】
例えば、発光層１７Ｒが改質されている場合は、ＦＲＥＴｒプロセスは発生せず、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０１６３】
例えば、発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇが改質されている場合は、ＦＲＥＴｇプロセスは発生せず、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動し、青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。
【０１６４】
図６の実施例は、青色の発光層が発光層１７Ｂｔと発光層１７Ｂｆに分離された実施例である。図７は、青色の発光層１７Ｂにおいて、ホスト材料３８ＢとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆが共蒸着されている構成である。他の発光層（発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂ）は図６と同様である。
【０１６５】
なお、本明細書の説明において、各発光層等は蒸着方式で形成されているとして説明するが、蒸着方式だけでなく、インクジェット方式、印刷方式等を使用して蒸着あるいは共蒸着に対応する方式で形成してもよいことは言うまでもない。
【０１６６】
発光層１７Ｂでは電荷再結合をＴＡＤＦ分子上で生じさせることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態に変換される。
【０１６７】
発光層１７Ｂにエネルギーアクセプターとして機能する蛍光のゲスト材料３８Ｂｆが、ホスト材料３９Ｂと共蒸着されている場合、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｂプロセスにより青色の蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。
【０１６８】
ＦＲＥＴｂプロセスにより青色の蛍光分子に移動した一重項励起子エネルギーは、さらにＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色の蛍光のゲスト材料３８ＧｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動する。
【０１６９】
ＦＲＥＴｇプロセスにより緑色の発光層１７Ｇの緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔあるいは蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、ＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ、あるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。あるいは、緑色の発光層１７Ｇの緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの励磁エネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動し、移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。
【０１７０】
ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。また、緑色の発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料３８Ｇから赤色の発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動は、各発光層が改質されていない場合の動作あるいは説明である。
【０１７１】
例えば、発光層１７Ｒが改質されている場合は、ＦＲＥＴｒプロセスは発生せず、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０１７２】
また、青色のゲスト材料３８Ｂから、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０１７３】
発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇが改質されている場合は、ＦＲＥＴｇプロセスは発生せず、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動し、青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。
【０１７４】
図６は、発光層１７Ｇに、ホスト材料３９ＧとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとが共蒸着されている。また、発光層１７Ｒに、ホスト材料３９ＢとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとが共蒸着されている。しかし、本発明はこれに限定するものではない。例えば、図８の構成が例示される。
【０１７５】
図８の実施例では、画素電極１５上に正孔輸送層（ＨＴＬ）１６が形成され、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６上に発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔが積層されている。発光層１７Ｒ上には、発光層１７Ｇｆ、発光層１７Ｇｔが積層されている。発光層１７Ｇ上には、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔが順次、積層されている。
【０１７６】
発光層１７Ｂｔは、ホスト材料３９ＢｔとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔとが共蒸着されている。発光層１７Ｂｆは、ホスト材料３９ＢｆとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｆとが共蒸着されている。
【０１７７】
発光層１７Ｇｔは、ホスト材料３９ＧｔとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔとが共蒸着されている。発光層１７Ｇｆは、ホスト材料３９ＧｆとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｆとが共蒸着されている。
【０１７８】
発光層１７Ｒｔは、ホスト材料３９ＲｔとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔとが共蒸着されている。発光層１７Ｒｆは、ホスト材料３９ＲｆとＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｆとが共蒸着されている。
【０１７９】
発光層１７ＢｔではＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで電荷結合が生じることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子（三重項励起エネルギー）は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態（一重項励起エネルギー）に変換される。
【０１８０】
ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起エネルギーに転換されたエネルギーは、ＦＲＥＴｂにより発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。
【０１８１】
ＦＲＥＴｂプロセスにより蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動した一重項励起エネルギーは、さらにＦＲＥＴｇプロセスにより発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇｆに移動する。
【０１８２】
発光層１７ＧｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで電荷結合が生じることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子（三重項励起エネルギー）は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態（一重項励起エネルギー）に変換される。発光層１７Ｇｔで発生した一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｇにより発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。
【０１８３】
発光層１７Ｇｔが１５ｎｍ以下と薄い場合、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで生成された三重項励起子（三重項励起エネルギー）は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態（一重項励起エネルギー）に変換される。前記一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動する。
発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動した一重項励起エネルギーは、発光層１７ＲｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。
【０１８４】
発光層１７Ｒｔの蛍光のゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。あるいは、緑色の発光層１７Ｇの緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの励磁エネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動し、移動したエネルギーはＦＲＥＴｒプロセスにより、赤色の発光層１７Ｒの赤色の蛍光のゲスト材料３８ＲｆあるいはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動する。
【０１８５】
ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔに移動したエネルギーは、ＦＲＥＴｒプロセスにより蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動する。また、発光層１７ＲｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔで電荷結合が生じることにより、三重項励起子を生成する。生成された三重項励起子（三重項励起エネルギー）は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態（一重項励起エネルギー）に変換される。発光層１７Ｒｔで発生した一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴｒにより発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する。
【０１８６】
蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。また、緑色の発光層１７Ｇｔの緑色のゲスト材料３８Ｇｔから赤色の発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
なお、以上のエネルギー移動は、各発光層が改質されていない場合である。
【０１８７】
例えば、発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｒｆが改質されている場合は、ＦＲＥＴｒプロセスは発生せず、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０１８８】
また、青色のゲスト材料３８Ｂｆから、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０１８９】
発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｒｆおよび発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｇｆが改質されている場合は、ＦＲＥＴｇプロセスは発生せず、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動し、青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。
【０１９０】
図１７は、本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面および構成図である。図１７において、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されている。また、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質されている。
【０１９１】
図１７の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、赤色で発光する。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されているため発光しない。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、緑色で発光する。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質されているため発光しない。
【０１９２】
図１７の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは発光層１７Ｒが改質されていないため、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光するゲスト材料をより高い濃度で含有しているか、含有していない。改質プロセスにより、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒはゲスト材料がゲストとしての発光特性が消滅等しているからである。
【０１９３】
図１７の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料のほとんどは消光するか、または励起されない。
【０１９４】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方が小さい。
【０１９５】
画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光するゲスト材料を、より高い濃度で含有している。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、励起されない。
【０１９６】
または、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと電気的特性が異なっている。画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇと比較して、正孔移動度と正孔注入効率のうち少なくとも一方が小さい。
【０１９７】
画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能であり、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇが含んでいる発光層１７Ｇのゲスト材料のほとんどは消光するか、励起されない。
【０１９８】
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光層１７Ｒの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇと比較して、発光層１７Ｇの正孔移動度と正孔注入効率がのうち少なくとも一方がより大きい。
【０１９９】
本明細書では、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８を形成し、共通電極としてのカソード電極１９が形成されたＥＬ素子２２を有するＥＬ表示パネルを例示して説明するが、これに限定するものではない。
【０２００】
画素電極１５の上方に電子輸送層１８、発光層１７、正孔輸送層１６を形成し、共通電極としてのカソード電極１９形成された逆構造のＥＬ素子２２を有するＥＬ表示パネルでもよい。
逆構造のＥＬ素子２２の場合は、本発明の図面および本明細書とその説明において、正孔輸送層と電子輸送層とを置き換えればよい。
【０２０１】
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは、本発明の製造方法により、紫外線光領域または紫色光領域または青色光領域のレーザ光５９が照射される。レーザ光５９は、主として、発光層１７Ｒのゲスト材料が吸収する。
【０２０２】
レーザ光５９はこれらの波長に限定するものではない。例えば、ゲスト材料としてルブレン（Ｒｕｂｒｅｎｅ）を使用する場合は、ルブレンの吸収スペクトルは緑色波長帯域であるため、緑色のレーザ光（第二高調波（ＳＨＧ）  基本波の半分の５３２ｎｍ）を使用することが好ましい。ＤＣＭの場合は、青から緑波長帯域に吸収スペクトルがあるため、アルゴン（Ａｒ）イオンレーザ（波長４８８ｎｍ、５１４．５ｎｍ）、半導体レーザ（４００ｎｍ〜６９０ｎｍ）を使用することができる。
【０２０３】
以上のように、改質のための光は、指向性が狭く、エネルギー密度が高いものであればいずれでもよい。例えば、ＬＥＤ（発光ダイオード）、高圧水銀灯、紫外線ランプ等を採用することができる。
【０２０４】
改質させる発光層１７等へのレーザ光５９の照射は、真空中で実施する。なお、２０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下の酸素を含む窒素あるいはアルゴン雰囲気中で実施してもよい。２０以上２００ｐｐｍ以下の酸素中で改質を実施することにより、改質時間が短時間になる。
【０２０５】
紫外線とは、波長が１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下、すなわち、可視光線より短く軟Ｘ線より長い不可視光線の電磁波である。赤外線は、可視光線の赤色より波長が長く（周波数が低い）、電波より波長の短い電磁波のことである。
【０２０６】
本発明は、蒸着等の工程により発光層１７を形成した後に、レーザ光等を発光層１７に照射し、発光層１７を「改質」するとして説明するが、これに限定するものではない。例えば、蒸着等の工程で発光層１７を形成しつつ、レーザ光等を発光層１７に照射して、発光層１７を「改質」してもよい。
【０２０７】
発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９の吸収によって共有結合鎖が切断される。酸素の無い蒸着室５７で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成する。または、他の共有結合鎖の原子を引き抜き、結合する。あるいは、他の共有結合鎖と架橋構造を生成し、構造に変化が生じる。または、共有結合鎖が切断されることで他の物質に変化する。したがって、発光層１７Ｒのゲスト材料のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ電位が変化し、レーザ光５９を照射された発光層１７Ｒのゲスト材料は発光しなくなる。
レーザ光５９は、狭指向性の光であり直進性が良好である。そのため、所定の画素３７の発光層１７を選択してレーザ光５９を照射することができる。
【０２０８】
本発明等のＥＬ表示パネルは、図２、図３に図示するように同一色の画素３７が縦方向および横方向にマトリックス状に配列されている。隣接した画素電極１５間にも、発光層１７の材料が蒸着されているが、隣接した画素電極１５間には、ソース信号線３５等が形成されている。
【０２０９】
隣接画素３７間には所定の間隔がある。したがって、レーザ光５９のレーザスポット９１のサイズが大きくとも、横方向に隣接した画素の発光層１７に照射されることはない。
【０２１０】
図１９に示すように、レーザ光５９の走査方向は、ガルバノミラー６２を制御することにより、高速かつ精度よく制御できる。また、レーザ装置５８は、蒸着室５７外に配置しているため、メンテナンスが容易である。
【０２１１】
レーザ光５９は蒸着室５７外で発生させ、発生したレーザ光５９は、レーザ窓６３を介して、蒸着室５７内の真空中に導光させる。したがって、蒸着室５７内の真空状態を良好に維持できる。なお、レーザ装置５８またはレーザヘッド部は、蒸着室５７内に配置してもよいことは言うまでもない。
【０２１２】
照射する光の波長が短いと材料への光吸収率が高まる。紫外線領域のレーザ光５９は回折限界近くまでスポット径を絞ることができるので、加工したときに周囲への熱影響を小さくでき、微細加工に適する。
レーザ光５９の波長は、発光層１７、正孔輸送層（ＨＴＬ）１６の吸収スペクトル、画素形成ピッチを考慮して選択する。
【０２１３】
レーザ装置５８は、連続発振モードのレーザ装置を使用することが例示される。また、パルス発振方式のレーザ装置５８は、レーザ光パルスのエネルギーが強く、改質を短時間で実施できる。
【０２１４】
マトリックス状に画素が配置されたＥＬ表示パネルのように、レーザ光５９を照射する画素が離散的に配置されている場合は、図２、図３に図示するように、画素は、赤色の画素、緑色の画素、青色の画素が所定間隔で形成されている。
【０２１５】
レーザ光５９は、例えば赤色の画素を順次、照射する。したがって、赤色の画素にはパルス状にレーザ光５９を照射することになる。このパネルの画素配置では、パルス発振方式のレーザ装置５８を用いることが好ましい。
【０２１６】
パルス発振方式のレーザ装置５８が出力するレーザ光５９は、Ｑスイッチでオンオフ制御されるため、パルス強度のバラツキが発生しやすい。そのため、改質させる箇所（画素）に、複数のレーザパルスを照射して発光層１７等を改質させることが望ましい。
【０２１７】
パルス発振レーザの場合は、同一箇所に複数のパルスを照射する。同一箇所に複数のパルスの照射することにより、同一箇所に照射されるレーザ光５９のエネルギーが平均化され、改質状態が均一になる。なお、レーザパルスの照射間隔は、５０ｎｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下にすることが好ましい。
【０２１８】
連続発振レーザの場合は、同一箇所に複数回のレーザ光を走査（照射）する。同一箇所に複数回のレーザ光５９を走査することにより、同一箇所に照射されるレーザ光のエネルギーが平均化され、改質状態が均一になる。なお、レーザ光５９の照射間隔は、５０ｎｓｅｃ以上５μｓｅｃ以下にすることが好ましい。
【０２１９】
レーザ装置５８としては、一例として、オプトピア株式会社が製品化しているレーザ・リフト・オフ（ＬＬＯ）装置のレーザ装置を使用することができる。レーザ・リフト・オフ装置のレーザ装置のレーザ波長は３３７（ｎｍ）、ラインビーム長は７５０ｍｍである。ライン幅は３０μｍ、エネルギー密度は２５０ｍＪ／ｃｍ２、パルス幅は１５ｎｓである。
【０２２０】
したがって、大型のＥＬ表示パネルであっても、１画素列（画面の上端から下端）に、一つのレーザスポット９１で、１画素列にレーザ光５９を照射することができる。レーザ光５９のパルス幅は１０ｎｓｅｃ以上８０ｎｓｅｃ以下が適正である。
【０２２１】
その他、レーザ装置５８として、波長３５５（ｎｍ）のＵＶ光を発生させるＹＡＧレーザを用いたレーザ装置が例示され、３０８（ｎｍ）のエキシマレーザを用いたレーザ装置が例示される。
【０２２２】
本発明のＥＬ表示装置の製造方法は、レーザ装置５８を用いることにより、レーザ光５９を走査し、精度よく画素３７を選択して、所定の発光層１７を改質することができる。
【０２２３】
レーザ光５９は単位面積あたりの光強度が大きい。したがって、発光層１７を短時間で改質することができる。レーザ光５９は真空中を進行して、真空蒸着室５７内に配置されたＴＦＴ基板５２の表示画面３６に照射することができる。
【０２２４】
本発明は、少なくとも、一つの色の発光層１７を形成する工程では、従来の製造方法のように、ファイン蒸着マスク２５１は使用する必要がない。そのため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれによる発光色の混色問題は発生しない。したがって、混色による歩留まり低下を防止できる。
【０２２５】
ファイン蒸着マスク２５１の位置決め装置が不要であるから蒸着製造装置のコストを低減できる。ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めも不要であるから、製造タクトを短縮することができる。
図１９の実施例は、ガルバノミラー６２でレーザ光５９の照射位置を制御する構成である。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０２２６】
例えば、図２３に図示するように、レーザ光５９ｂの照射位置をミラー７３の移動により制御してもよい。ミラー７３をＡ方向またはＢ方向に移動させることにより、ＴＦＴ基板５２へのレーザ光５９ｂの照射位置を移動させることができる。レーザ光５９ｂはレーザ窓６３を透過する。
【０２２７】
レーザ光５９ｂを発光層１７に照射することにより、発光層１７は発光７１しながら改質される。発光７１は、レーザ窓６３を透過し、ミラー７３で反射して方向を変化させられ、光検出装置７７に入射する。
レーザ窓６３はレーザ窓６３で反射するレーザ光の反射率を低減するため、無機材料からなる反射防止膜を形成している。
【０２２８】
ミラー７３はガルバノミラー６２に置き換えてもよいことは言うまでもない。ガルバノミラー６２はＡ方向またはＢ方向に移動し、かつ角度を変化させてレーザ光５９ｂの照射位置を可変する。他の事項、構成は、図１９と同一あるいは類似であるので説明を省略する。
【０２２９】
本発明において、紫外線領域の波長の光を使用することが好ましい。特にレーザ光５９を使用する。レーザ光５９の照射により、発光層１７のゲスト材料とホスト材料の組み合わせ状態に変化を発生させる。主としてレーザ光５９は、ゲスト材料に紫外線領域の光を吸収させる。
【０２３０】
本発明の製造方法・製造装置では光の照射により、ゲスト材料のバンドギャップはホスト材料のバンドギャップよりも大きく、ゲスト材料とホスト材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの相対的な配置は、ＨＯＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも低く、ＬＵＭＯはゲスト材料のほうがホスト材料よりも高い、のうち少なくとも１つ以上の関係を発生させる。
【０２３１】
したがって、レーザ光５９を照射された発光層１７は改質され、消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。あるいは、ゲスト材料に光を吸収させることにより、ゲスト材料のバンドギャップを、可視光を発光するエネルギーギャップ領域よりも大きくする。そのため、発光層１７が消光するか、非発光となるか、もしくはほとんど発光しなくなる。
【０２３２】
電子と正孔との再結合は、画素３７Ｒでは、主に発光層１７Ｒにおいて生じさせる。特に再結合は、各層が接する面で生じる。画素３７Ｇでは電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｇにおいて生じさせる。画素３７Ｂでは主に発光層１７Ｂにおいて生じさせる。
【０２３３】
本発明の第一の実施例におけるＥＬ表示パネルでは、画素３７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇおよび１７Ｂにおいても発生する可能性がある。すなわち、画素電極１５Ｒでは、発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂの各々が発光する可能性がある。
【０２３４】
画素３７Ｒでは、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。発光層１７Ｇが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｂが放出する光を吸収して励起するが、発光層１７Ｒが放出する光を吸収して励起することはほとんどない。また、発光層１７Ｂが含んでいるゲスト材料は、発光層１７Ｒまたは１７Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光することはほとんどない。
【０２３５】
画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂが放出する励起エネルギーうち少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。発光層１７Ｇが励起されるエネルギーの少なくとも一部は、発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の発光スペクトルを有している光へと変換される。したがって、画素３７Ｒの発光色は、発光層１７Ｒの発光色とほぼ等しく、画素３７Ｒは、赤色光を放出する。
【０２３６】
画素３７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇおよび１７Ｂにおいても発光する可能性がある。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９の照射により、発光するゲスト材料を含有していない。
【０２３７】
画素３７Ｇの発光層１７Ｒは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｒにおいて、色変換は生じない。発光層１７Ｂでは、上記の色変換を生じる。したがって、画素電極１５Ｇの発光色は、発光層１７Ｇの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｇは、緑色光を放出する。
【０２３８】
画素３７Ｂでは、電子と正孔との再結合は、主に発光層１７Ｂにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇにおいても発生する可能性がある。しかし、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒおよび１７Ｇは、レーザ光５９の照射により、励起あるいは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｂのみが発光する。
【０２３９】
画素３７Ｂの発光層１７Ｒおよび発光層１７Ｇは、励起あるいは発光するゲスト材料を含有していないので、発光層１７Ｒおよび１７Ｇにおいて色変換は生じない。したがって、画素３７Ｂの発光色は、発光層１７Ｂの発光色とほぼ等しく、画素電極１５Ｂは、青色光を放出する。
【０２４０】
なお、図２１において、ゲスト材料およびホスト材料の光吸収率（％）は、光吸収率の最大時を１００％として規格化して図示している。また、理解を容易にするため吸収率の曲線は模式して図示している。
【０２４１】
図２１（ａ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光Ａ（レーザ光５９）を吸収しにくく、ゲスト材料は、レーザ光Ａを吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光Ａの波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト（ドーパント）材料が吸収しやすい波長を選定する。
【０２４２】
好ましくは、図２１（ａ）に図示するように、ゲスト材料の吸収率が７５％以上の時、ホスト材料の吸収率が２５％以下の関係となるようなホスト材料、ゲスト材料を選定する。
【０２４３】
レーザ光５９の波長は説明を容易にするため、また図示を容易にするため、３５０（ｎｍ）としている。実際の紫外線領域の波長のＹＡＧレーザの波長は、３５５（ｎｍ）である。
【０２４４】
図２１（ａ）において、ゲスト材料Ａは、波長４００（ｎｍ）以下で吸収率（％）が増加する特性を有し、レーザ光Ａの波長で、７５％以上の吸収率を有する材料のモデル例である。ゲスト材料Ｂは、レーザ光Ａの波長近傍で良好な吸収率を有する材料のモデル例である。
【０２４５】
改質をさせるレーザ光Ａの波長で、ゲスト材料の光吸収率と、ホスト材料の光吸収率は３倍以上となるように、レーザ光波長、ゲスト材料、ホスト材料を選定する。
【０２４６】
例えば、レーザ光Ａの波長で、ゲスト材料の光吸収率７５％、ホスト材料の光吸収率２５％とすれば、７５％／２５％＝３倍である。レーザ光Ａの波長で、ゲスト材料の光吸収率５０％、ホスト材料の光吸収率１０％とすれば、５０％／１０％＝５倍である。
【０２４７】
レーザ光Ａの波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）も考慮する必要がある。正孔輸送層１６の上方に発光層１７が形成され、発光層１７にレーザ光Ａを照射する。その際、発光層１７を透過したレーザ光Ａが正孔輸送層１６に照射される場合がある。正孔輸送層１６がレーザ光Ａを吸収すると正孔輸送層１６が特性変化する可能性がある。
【０２４８】
したがって、図２１（ｂ）に図示するように、正孔輸送層１６材料は、ホスト材料と同様に、ゲスト材料のレーザ光Ａの吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料のレーザ光Ａの吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層１６材料を選定することが好ましい。あるいは、吸収率の倍率が５倍以上となるように選定することが好ましい。
【０２４９】
また、レーザ光Ａの波長は、ゲスト材料のレーザ光Ａの吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料または正孔輸送層１６材料の吸収率が２５％以下の関係となるようなレーザ光Ａの波長を選定することが好ましい。あるいは、吸収率の倍率が５倍以上となるようにレーザ光Ａの波長を選定することが好ましい。
【０２５０】
本発明は、発光層１７がゲスト材料とホスト材料から形成される構成に限定するものではない。発光層１７は、単一の材料で形成される場合もある。発光層１７が単一の材料で形成される場合は、前記単一の材料を改質させる。
【０２５１】
本発明は、レーザ光Ａ等を、ＥＬ素子２２を形成する有機膜に照射し、発光層１７等を改質させることを技術的思想とするものである。この場合、発光層１７と正孔輸送層材料のレーザ光Ａの吸収率の関係が必要になる。つまり、図２１（ｂ）に図示するように、レーザ光５９の波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）と発光層１７の光吸収率（％）の関係が必要である。
【０２５２】
したがって、図２１（ｂ）に図示するように、発光層１７材料のレーザ光Ａの吸収率が７５％以上の時、正孔輸送層材料のレーザ光Ａの吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層材料を選定することが好ましい。
【０２５３】
図２１（ｂ）において、発光層材料Ａは、波長４００（ｎｍ）以下で吸収率（％）が増加する特性を有し、レーザ光Ａの波長で、７５％以上の吸収率を有する材料の例である。発光層材料Ｂは、レーザ光Ａの波長近傍で良好な吸収率を有する材料の例である。正孔輸送層材料は、レーザ光Ａの波長で、光吸収率２５％以下となる。
【０２５４】
以上のように、発光層１７を構成する材料と、正孔輸送層を構成する材料は、改質させる光（レーザ光５９等）の波長において、７５％／２５％＝３倍以上の光吸収率差とする。好ましくは、４倍以上の光吸収率差とすることが好ましい。
正孔輸送層を構成する材料あるいはホスト材料は、一定以下の光吸収では物質的変化が生じないか、生じたとして光学的特性に変化はないか小さい。
レーザ光Ａの波長で、発光層１７の光吸収率と、正孔輸送層の光吸収率は３倍以上となるように、レーザ光波長、発光層材料、正孔輸送層材料を選定する。
【０２５５】
例えば、レーザ光Ａでの発光層１７の光吸収率７５％、正孔輸送層材料の光吸収率２５％とすれば、７５％／２５％＝３倍である。レーザ光Ａでの発光層１７の光吸収率５０％、正孔輸送層の光吸収率１０％とすれば、５０％／１０％＝５倍である。
【０２５６】
図２１（ｃ）は、発光層１７がゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｂ、ホスト材料で形成される場合、ゲスト材料Ａまたはゲスト材料Ｂのいずれかを選択して改質させるための説明図である。図２１（ｃ）も他の図２１の図面と同様に、説明を容易にするため吸収率のカーブは模式的に図示している。
【０２５７】
図２１（ｃ）において、ゲスト材料Ａとゲスト材料Ｂとは吸収波長が異なっている。ゲスト材料Ａは波長３５０ｎｍのレーザ光Ａ波長を良好に吸収する。ゲスト材料Ｂは波長３００ｎｍのレーザ光Ｂ波長を良好に吸収する。ホスト材料は、レーザ光Ａ波長とレーザ光Ｂ波長は吸収しない。
【０２５８】
発光層１７にレーザ光Ａを照射すれば、ゲスト材料Ａが改質され、ゲスト材料Ｂは改質されないか、ほとんど変化しない。発光層１７にレーザ光Ｂ照射すれば、ゲスト材料Ｂが改質され、ゲスト材料Ａは改質されないか、ほとんど変化しない。
【０２５９】
したがって、発光層１７にレーザ光Ａを照射すればゲスト材料Ａが改質されてゲスト材料Ｂの機能的な濃度が高まる。発光層１７にレーザ光Ｂを照射すれば、ゲスト材料Ｂが改質されてゲスト材料Ａの機能的な濃度が高まる。レーザ光Ａとレーザ光Ｂとの照射を選択することにより、発光層１７の励磁準位、励起エネルギーを変更することができる。
【０２６０】
また、レーザ光Ａとレーザ光Ｂの両方を発光層１７に照射することにより、発光層１７のゲスト材料Ａとゲスト材料Ｂの両方が改質され、発光層１７は発光しなくする（消光する）ことができる。
【０２６１】
なお、発光層１７がゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｂ、ホスト材料で形成される場合であって、ゲスト材料Ａとゲスト材料Ｂの両方を同時に改質させる場合は、ゲスト材料Ａとゲスト材料Ｂとの両方をレーザ光Ａまたはレーザ光Ｂの一方を吸収するようなゲスト材料を選択して発光層１７を形成する。
以上のように、本発明は複数のレーザ光（一例として、レーザ光Ａ、レーザ光Ｂ）を使用し、改質させる材料あるいは層を選択することに特徴がある。
【０２６２】
図２１（ｄ）は、発光層１７がゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｂ、ゲスト材料Ｃを含有して形成される場合、ゲスト材料Ａまたはゲスト材料Ｂまたはゲスト材料Ｃのいずれかを選択して改質させるための説明図である。図２１（ｄ）も他の図２１の図面と同様に、説明を容易にするため吸収率のカーブは模式的に図示している。
【０２６３】
図２１（ｄ）において、ゲスト材料Ａとゲスト材料Ｂとゲスト材料Ｃとは吸収波長が異なっている。ゲスト材料Ａは波長３５０ｎｍのレーザ光Ａ波長を良好に吸収する。ゲスト材料Ｂは波長３００ｎｍのレーザ光Ｂ波長を良好に吸収する。ゲスト材料Ｃは波長２５０ｎｍのレーザ光Ｂ波長を良好に吸収する。なお、ホスト材料は省略しているか、発光層１７の発光層の構成材料でないとしている。
【０２６４】
発光層１７にレーザ光Ａを照射すれば、ゲスト材料Ａが改質され、ゲスト材料Ｂ、ゲスト材料Ｃは改質されないか、ほとんど変化しない。発光層１７にレーザ光Ｂ照射すれば、ゲスト材料Ｂが改質され、ゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｃは改質されないか、ほとんど変化しない。発光層１７にレーザ光Ｃ照射すれば、ゲスト材料Ｃが改質され、ゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｂは改質されないか、ほとんど変化しない。
【０２６５】
したがって、発光層１７にレーザ光Ａを照射すればゲスト材料Ａが改質されてゲスト材料Ｂ、ゲスト材料Ｃの機能的な濃度が高まる。発光層１７にレーザ光Ｂを照射すればゲスト材料Ｂが改質されてゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｃの機能的な濃度が高まる。発光層１７にレーザ光Ｃを照射すればゲスト材料Ｃが改質されてゲスト材料Ａ、ゲスト材料Ｂの機能的な濃度が高まる。
【０２６６】
レーザ光Ａとレーザ光Ｂとレーザ光Ｃの照射を選択することにより、発光層１７の励磁準位、励起エネルギーを変更することができる。また、レーザ光Ａとレーザ光Ｂの両方を発光層１７に照射することにより、ゲスト材料Ｃのみが発光に寄与する。レーザ光Ａとレーザ光Ｃの両方を発光層１７に照射することにより、ゲスト材料Ｂのみが発光に寄与する。レーザ光Ｂとレーザ光Ｃの両方を発光層１７に照射することにより、ゲスト材料Ａのみが発光に寄与する。レーザ光Ａとレーザ光Ｂとレーザ光Ｃを発光層１７に照射することにより、発光層１７は発光しない（消光する）。
【０２６７】
本発明は、改質対象材料に吸収しやすい波長のレーザ光を発生するレーザ装置を採用し、同時に改質しない材料に吸収しにくい波長のレーザ光を発生するレーザ装置を採用する。
図２１では吸収率のグラフとしているが、吸収率の代わり反射率であってもよい。あるいは吸光度であってもよい。
図２１の技術的思想は、各材料がレーザ光を吸収等し、各材料等を選択して改質することである。
図２１で説明する事項は、本発明の他の実施例においても適用されることは言うまでもない。
【０２６８】
図１７の実施例において、発光状態は、以下の状態である。画素電極１５Ｒの上方の発光層は、赤色の発光層１７Ｒが赤色で発光する。緑色の発光層１７Ｇ、青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“発光”、緑色の発光層１７Ｇは“消光”、青色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
【０２６９】
画素電極１５Ｇの上方の発光層は、緑色の発光層１７Ｇが緑色で発光する。赤色の発光層１７Ｒおよび青色の発光層１７Ｂは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“消光”、緑色の発光層１７Ｇは“発光”、青色の発光層１７Ｂは“消光”となっている。
【０２７０】
画素電極１５Ｂの上方の発光層は、青色の発光層１７Ｂが青色で発光する。赤色の発光層１７Ｒおよび緑色の発光層１７Ｇは発光しない。赤色の発光層１７Ｒは、“消光”、緑色の発光層１７Ｇは“消光”、青色の発光層１７Ｂは“発光”となっている。
【０２７１】
正孔輸送層１６は、発光層１７へ正孔を輸送する働きをし、発光層と接するため発光層１７から励起エネルギーが移動せず、さらには他の層と相互作用してエキサイプレックスを形成しないように、発光層１７よりもエネルギーバンドギャップが大きな材料が用いられる。例えば、ＴＰＤ、α―ＮＰＤ、ＮＢＰ、ＴＣＴＡが例示される。
正孔注入層は、正孔輸送層１６のＨＯＭＯ準位と陽極の仕事関数との間にＨＯＭＯ準位を有し、陽極から有機層への注入障壁を下げる働きをする。
【０２７２】
発光層１７の上方には、電子輸送層１８を形成されている。電子輸送層１８とカソード電極１９との間に電子注入層（ＥＩＬ：Electron injection layer  図示せず）を形成してもよい。電子輸送層１８の種類は、赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂで異ならせてもよい。
【０２７３】
カソード電極（陰極）１９は、例えば、金属材料を用いて構成されたものであり、光透過性を有している。例えば、ＭｇＡｇ等の光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この金属陰極層は、さらにアルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。さらに第３の層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。
【０２７４】
本明細書では、一実施例としてＭｇＡｇを例示してカソード電極（陰極）を形成している。カソード電極（陰極）１９は、蒸着により形成する。カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。
【０２７５】
例えば、アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって１μｍ以上５μｍ以下の膜厚に形成する。有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に設定すると共に、封止層の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【０２７６】
封止層２０は、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚でＳｉＯＮ膜等をＣＶＤで形成した後、アクリルあるいはエポキシ樹脂からなる有機材料等を４μｍ以上３０μｍの膜厚で形成し、さらに、０．５μｍ以上２．０μｍ以下の膜厚でＳｉＯＮ膜またはＳｉＮｘ膜を形成してもよい。
【０２７７】
封止層２０には、封止フィルム２７を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。また、光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）を貼り付けることが望ましい。
【０２７８】
本発明の図面では電子注入層を図示していないが、電子注入層を形成してもよいことは言うまでもない。その他、正孔注入層を形成してよいことは言うまでもない。
【０２７９】
電子注入層は、電子を注入するために用いられるものであり、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）、さらにはこれらの酸化物および複合酸化物の混合物を用いることができる。その他、ＬｉＦ等も例示される。
【０２８０】
電子注入層は、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物および複合酸化物、フッ化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物および複合酸化物、フッ化の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。
【０２８１】
電子輸送層１８は、カソード電極（陰極)１９から電子を注入し輸送する機能を持つ。正孔輸送層１６と同様に、バンドギャップが広い材料が好ましい。また、発光層１７内で生成した励起子の移動を阻止する働きもあるため、励起子阻止層や、ＢＣＰはホールの移動を阻止する作用があるため、ホールブロッキング層として使われることもある。
【０２８２】
電子輸送層１８の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、スチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。
【０２８３】
具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａlｑ3）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、Ｃ６０、アクリジン、スチルベン、１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。このような電子輸送層（ＥＴＬ）１８は複数の材料が積層された積層構造であっても良い。
【０２８４】
発光層１７は、画素電極（陽極）１５とカソード電極（陰極）１９とに対する電圧印加時に、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが再結合する領域である。
本発明のＥＬ表示パネルの発光層１７は、ホスト材料とドーパンド材料を共蒸着して形成することが好ましい。
【０２８５】
ＥＬ素子２２が、共振器構造となっている場合、半透過、半反射性を有して構成されたカソード電極１９の光反射面と、反射膜１２の光反射面との間で多重干渉させた発光がカソード電極１９側から取り出される。反射膜１２の光反射面とカソード電極１９側の光反射面との間の光学的距離Ｌは、取り出したい光の波長によって規定され、この光学的距離Ｌを満たすように各層の膜厚および干渉条件が設定される。
【０２８６】
このような上面発光型のＥＬ素子２２においては、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。
【０２８７】
画素電極１５の周囲には土手（バンク）９５が形成されている。土手９５は、主として、ファイン蒸着マスク２５１を配置する際、ファイン蒸着マスク２５１が画素電極１５等と接触することを防止すること、発光層１７が隣接した画素間に混入することを防止することを目的として形成される。
【０２８８】
本発明のように、ファイン蒸着マスク２５１を使用しない場合、レーザ光５９等の狭指向性の光を照射して、発光層１７を改質する場合、また、画素間に混色が発生しない場合、また、画素間の混色を防止または抑制できる場合等は、土手９５は形成しなくともよいことは言うまでもない。したがって、本発明において、土手９５は必須構成物ではない。
【０２８９】
本発明において土手９５が形成されていても、例えば、図１７等において、赤色の発光層１７Ｒが、赤色画素、緑色画素、青色画素に連続して形成すると表現する。これは赤色の発光層１７Ｒが複数の色の画素に共通に形成されていることを意味する。
【０２９０】
つまり、本発明は、第１の色の発光等が、前記第１の色の画素、前記第２の色の画素および前記第３の色の画素等複数の色の画素に共通に形成されたことを特徴とする。
【０２９１】
なお、本発明の製造装置、製造方法、ＥＬ表示パネル等は、反射膜１２を形成し、透明なカソード電極１９側から、発光層１７で発生した光を取り出す上面発光型のＥＬパネルを例示して説明する。
【０２９２】
しかし、本発明はこれに限定するものではなく、カソード電極１９を反射膜として、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、下面発光型のＥＬ表示パネルにも適用できる。また、透明有機表示ＥＬパネルのように、上面および下面の両方から発光が出力される表示パネルにも適用される。
【０２９３】
図１９は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の蒸着装置の構成図および説明図である。本発明のＥＬ表示パネルの蒸着装置は、金属蒸発源（図示せず）、有機蒸発源（図示せず）を備えた蒸着室５７を有する。蒸着室５７には、ＴＦＴ基板５２を保持するための移動ステージ５１、真空ポンプ５５と蒸着室５７とを結ぶ排気ダクト５６を備えている。蒸着室５７は超真空に維持される。
【０２９４】
真空ポンプ５５は、オイルミストや熱分解したオイル成分が、きわめてわずかであるが蒸着室内へ混入して不純物として振る舞うために、水分を効果的に除去できるクライオポンプや、メンテナンスがほぼ必要のないターボ分子ポンプと液体窒素トラップを組み合わせたドライな排気系を採用している。
【０２９５】
図１９はレーザ装置５８と蒸着室５７を中心として説明する説明図である。実際の本発明の製造装置は、複数のチャンバー室１１１を具備する。本発明の製造装置の一例として図２２に図示している。
【０２９６】
図２２に図示するチャンバー室１１１およびレーザ装置室１１８の真空度は、１×１０−３Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。さらに好ましくは１×１０−４Ｐａ以上の真空度に保つことが好ましい。
【０２９７】
有機分子は酸素存在下で加熱すると、酸化反応が進み炭化してしまうことが多い。しかし、高真空下では沸点降下現象により沸点（昇華点）は低下するが、有機分子を構成するＣ−Ｃ結合等の化学結合を解離・分解するエネルギーは影響を受けない。そのため、大気中で分解することなく昇華（蒸発）することができない有機材料も、酸素も取り除かれた高真空状態で加熱することによって、容易に昇華させ基板上へ薄膜を成膜することが可能となる。
【０２９８】
蒸着された有機材料にレーザ光を照射しても、酸素が取り除かれた高真空状態であるため、有機材料は必要な化学的変化が促進される。したがって、酸化反応が進み炭化してしまうことがない。
２種類の有機材料を共蒸着法により成膜できるように、複数の蒸着用電源および膜厚計がホスト材料用とゲスト材料用に設置されている。
【０２９９】
図１９に図示するように、レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は、光量調整フィルタ６０でレーザ光５９の強度が調整される。発光層１７を改質させるレーザ光５９は、主として紫外線波長領域のレーザ光５９を採用する。一例として、波長３５５（ｎｍ）のＹＡＧレーザ光である。
【０３００】
レーザ光５９の波長は、ゲスト材料の光吸収率が高くなる波長を選定する。また、ゲスト材料に比較してホスト材料の吸収率が少なくなる波長を選定する。また、下層の正孔輸送層(ＨＴＬ)の吸収率が少なくなる波長を選定する。したがって、レーザ光５９の波長は紫外線の波長に限定されるものではなく、例えば、青色光の波長、緑色光の波長、赤色光の波長のレーザ光５９であってもよい。
【０３０１】
紫外線を発生するレーザ装置は、光子の持つエネルギーが大きいため、結合の弱い部分を持つ材料（主に有機物）に照射すると、分子結合を直接解離する光分解加工が行える。
光分解加工はワークに当たったエネルギーが加熱ではなく、分解に主に使われるので加工面が極めてシャープとなる。
【０３０２】
紫外線領域の波長の光を発生するレーザ装置として、紫外線レーザ（ＹＡＧレーザの３倍波、４倍波）、固体紫外線レーザ、エキシマレーザ、アルゴンイオンレーザ、半導体レーザ等が例示される。
【０３０３】
レーザ光５９を集光させて加工位置に照射することができるため、加工位置の有機材料等を容易に蒸発あるいは改質させることができる。有機材料等を蒸発させる際は、真空中で行うため、有機材料は炭化することがなく、レーザ光を照射した位置の周辺部に影響を与えない。
【０３０４】
紫外線領域の波長のレーザ光５９は波長が短いため、レーザ光５９のスポット径を小さくできる。また、加工に用いるエネルギー量を、高精細の画素に集光できるため、超高精細のＥＬ表示パネルの画素の上方の有機材料の加工（光分解加工等）を行うことができる。
【０３０５】
本明細書において、理解を容易にするため、レーザ光５９は主として４１０（ｎｍ）以下の紫外線領域の波長の光を使用するとして説明するが、これに限定するものではない。例えば、４１０（ｎｍ）以上４９０（ｎｍ）以下の青（Ｂ）色領域の波長の光もレーザ光５９として使用できる。
【０３０６】
レーザ装置５８はフェムト（femto）秒レーザ装置を用いてもよい。フェムト秒レーザ装置はパルスレーザで、そのパルス幅がフェムト秒レベルのレーザ装置である。
レーザ強度はＩ ＝ E ／ Ｓｔ で表される。Ｅはパルスエネルギー、Ｓはビームスポットの面積、ｔ はレーザパルスの時間幅である。
【０３０７】
フェムト秒レーザ装置は、通常の加工に用いられるＣＯ２レーザ装置やＹＡＧレーザ装置等と違い、非熱加工であることに特徴がある。加工対象物にＣＯ２レーザ光やＹＡＧレーザ光を当てると、分子が光エネルギーを吸収して振動し、熱エネルギーに変換されて溶融・蒸発することで加工される。
【０３０８】
フェムト秒レーザの場合は光エネルギーで分子結合を切断し、周辺部分に熱拡散せずに分子を除去する「アブレーション」という現象で加工することができる。したがって、レーザ光５９を照射した箇所のみを改質し、周辺部には熱的影響等を与えない。
蒸着室５７の上部には移動ステージ５１が配置される。移動ステージ５１は５μｍ以下の精度でＴＦＴ基板５２を位置決めすることができる。
【０３０９】
ＴＦＴ基板５２は移動ステージ５１に積載され、移動ステージ５１は、レーザ光５９ｂが所定の位置に照射されるように移動する。あるいは、移動ステージは、レーザ光の位置にあわせて移動し、ＴＦＴ基板５２の位置を移動させる。
【０３１０】
光量調整フィルタ６０として、偏光ビームスプリッターを用いたバリアブルアッテネータが例示される。偏光ビームスプリッターの手前でλ／２波長板を回転させる事により、透過率(反射率)を変化させる。キューブタイプの偏光ビームスプリッターを使用する為、光軸のシフトも最小限に抑えることができる。改質させる発光層１７の色に対応させて光量を調整する。
【０３１１】
レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は必要に応じて、シリンドリカルレンズ６１で矩形あるいは楕円形に整形する。また、スリットマスクで画素形状に略一致させるように略矩形あるいは円形状に整形する。例えば、図３の画素構成では、画素は矩形であるため、スリットマスクの各穴は矩形に構成する。図２の画素構成ではスリットマスクの穴は円形に構成する。
【０３１２】
光量調整フィルタ６０で強度が調整されたレーザ光５９は、ガルバノミラー６２に入射する。ガルバノミラー６２は、ＸＹの２次元エリア（ＴＦＴ基板５２等）にレーザ光５９を走査させる。ガルバノミラー６２ではＸおよびＹ軸方向にレーザ光５９を走査させる２つのモーター（ロータリーエンコーダー）を使用している。
【０３１３】
レーザ光５９は、蒸着室５７に配置されたレーザ窓６３ａを介して、蒸着室５７に入射する。レーザ光５９ｂは、高真空状態でＴＦＴ基板５２を照射される。レーザ窓６３ａは石英ガラスで形成されている。
【０３１４】
レーザ光５９はレーザ窓６３ａから、蒸着室５７の真空中に入射させる。レーザ装置５８は蒸着室５７外部の大気中に配置されているため、レーザ装置５８の操作、保守が容易である。レーザ光５９は真空中で減衰しない。レーザ窓６３にはレーザ光の反射防止膜が形成されている。
【０３１５】
レーザ光５９をＴＦＴ基板５２に結像するためのレンズとして、ｆθ（エフシータ）レンズ６４を具備している。ｆθレンズ６４は、レンズのレンズ面の曲率をかえることにより、レンズ周辺部と中心部で走査速度が一定になるように設計されている。
【０３１６】
ｆθレンズ６４は、材質にベリリウムを使用したベリリウムミラーを用いている。ベリリウムはアルミニウムより軽く、鉄より丈夫な金属で研磨すると紫外光から赤外線を非常によく反射するのでレーザの波長にもマッチしている。
【０３１７】
レーザ装置５８が発生したレーザ光５９は、ガルバノミラー６２でレーザ光５９ｂの方向を変化させられ、ｆθレンズ６４により、ＴＦＴ基板５２の表面に照射される。
ＴＦＴ基板５２に形成された発光層１７には、レーザ光５９ｂが照射され、レーザ光５９ｂにより励起されて発光層１７を構成する材料が発光７１を放射する。
【０３１８】
本発明は説明を容易にするため、発光層１７の材料を問わず、例えばＴＡＤＦ材料が発する光であっても、蛍光材料が発する光であっても、発光７１として説明をする。また、特に必要でない場合は、一重項励起光であっても、三重項励起光であっても発光７１として記載する。
図２０は、本発明のレーザ装置および改質状態を制御する動作または方法を説明する説明図である。
【０３１９】
レーザ光５９ａの照射により発光層１７から発生した発光７１は、レーザ窓６３ｂを通過し、波長フィルタ７５を所定の波長の光が通過して、光強度検出回路７６ｃに入射する。
【０３２０】
図２０（ａ）において、レーザ窓６３ｂを透過する光は、発光７１だけでなく、レーザ光５９ａも透過する。光分離ミラー７２ａはレーザ光５９ａを透過し、発光７１を反射させる。光分離ミラー７２ａを反射した光は、ミラー７３ａで反射され、リレーレンズ７４ｂで中継される。光バンドパスミラー７２は、所定の帯域の波長の光を反射する光学的ミラーである。
【０３２１】
波長フィルタ７５は所定範囲の帯域の発光７１を透過させる。発光７１の波長帯域は、レーザ光５９ａの照射による発光層１７の改質状態により変化する。したがって、改質状態を把握するためには、波長フィルタ７５により一定の帯域を透過する光の強度を測定することが有効である。
波長フィルタ７５を透過した発光７１は、光強度検出回路７６ａのホトダイオード（ＰＤ）で、発光層１７からの発光７１を光−電気変換する。
なお、レーザ窓６３ｂを波長フィルタ７５としてもよい。レーザ窓６３ｂとなる波長フィルタ７５でレーザ光５９ｃが遮光され、発光７１が透過する。
【０３２２】
なお、本明細書、図面において、パネルはＴＦＴ基板５２（画素にＴＦＴが形成されているパネル）を例示して説明する。パネルはＴＦＴ基板に限定されるものではない。表示部に複数の発光層が重ねられて形成されたＥＬパネルであればいずれの形態のパネルでもよい。
【０３２３】
例えば、キャラクタ表示の単純ＥＬ表示パネル、画素にＴＦＴが形成されていないグラフィックＥＬ表示パネル、単純なパターンあるいは形状を表示するＥＬ表示パネルであってもよい。したがって、ＴＦＴ基板５２とは説明を容易にするために用いており、ＴＦＴの形成されたパネルに限定されるものではない。
【０３２４】
光強度検出回路７６ａは入射した発光７１を電気信号に変換して増幅する。増幅した電気信号Ｖ１はＡ／Ｄ変換回路８０ａに印加される。Ａ／Ｄ変換回路８０ａはＶ１電圧の大きさ、Ｖ１強度の変化状態、Ｖ１電圧の発生期間に対応してレーザ制御回路７９を制御する。レーザ制御回路７９は、レーザ装置５８を制御してレーザ光を調整する。
【０３２５】
光強度検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ａを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きく、レーザ光５９ａで発光層１７改質されていくと発生する発光７１の強度が低下していく。また、発光７１の波長も変化する。
【０３２６】
発光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ａの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ａの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ａのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
【０３２７】
発光７１の強度等が所定値以下となると、レーザ光５９ａは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ａの照射を停止する。移動は、ガルバノミラー６２を制御することにより行う。
【０３２８】
図２０（ａ）において、レーザ装置５８から出射された光５９ａはハーフミラー７２ｂで反射する。ハーフミラー７２ｂはレーザ光５９ａのほとんどを透過し、レーザ光５９ａのモニター用として一部のレーザ光をレーザ光５９ｂとして反射する。
【０３２９】
反射したレーザ光５９ｂはミラー７３ｂで反射し、リレーレンズ７４ｃで中継されて、光強度検出回路７６ｂに入射する。光強度検出回路７６ｂは、ホトダイオード（ＰＤ）で、発光７１を光−電気変換する。
【０３３０】
光強度検出回路７６ｂは入射した発光７１を電気信号に変換して増幅する。増幅した電気信号Ｖ２はＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換回路８０ｂに印加される。Ａ／Ｄ変換回路８０ｂはＶ２電圧の大きさ、Ｖ２強度の変化状態、Ｖ２電圧の発生期間に対応してレーザ制御回路７９を制御する。レーザ制御回路７９は、レーザ装置５８を制御してレーザ光を調整する。
【０３３１】
なお、本明細書、図面において、パネルはＴＦＴ基板５２（画素にＴＦＴが形成されているパネル）を例示して説明するが、パネルはＴＦＴ基板に限定されるものではない。表示部に複数の発光層が重ねられて形成されたＥＬパネルであればいずれの形態のパネルでもよい。例えば、キャラクタ表示のＥＬ表示パネル、画素にＴＦＴが形成されていないグラフィックＥＬ表示パネル、単純なパターンあるいは形状を表示するＥＬ表示パネルであってもよい。
【０３３２】
光強度検出回路７６ａは入射した発光７１を電気信号に変換して増幅する。増幅した電気信号Ｖ１はＡ／Ｄ変換回路８０ａに印加される。Ａ／Ｄ変換回路８０ａはＶ１電圧の大きさ、Ｖ１強度の変化状態、Ｖ１電圧の発生期間を加味してレーザ装置５８を制御する。
【０３３３】
光強度検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ａを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きく、レーザ光５９ａで発光層１７改質されていく発生する発光７１の強度が低下していく。発光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ａの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ａの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ａのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
発光７１の強度等が所定値以下となると、レーザ光５９ａは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ａの照射を停止する。
【０３３４】
図２０（ｂ）は、光強度検出回路７６の回路図である。光強度検出回路７６は、ホトダイオード（ＰＤ）、オペアンプ８４、抵抗Ｒ、コンデンサＣ等で構成する。光強度検出回路７６は、ホトダイオード（ＰＤ）で、レーザ光５９ｂを光−電気変換する。光−電気変換されたレーザ光は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖとなる。アナログ信号電圧ＶはＡ／Ｄ変換回路８０ｂでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。
【０３３５】
レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱等を検出あるいは測定し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８にフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定あるいは調整される。
【０３３６】
図１９に図示するように、レーザ装置５８からのレーザ光５９は、光量調整フィルタ６０、シリンドルカルレンズ６１でレーザ光５９形状を整えられ、蒸着室５７のレーザ窓６３から、蒸着室５７に導光され、改質対象の発光層１７に入射する。
【０３３７】
光検出装置７７は、図２０（ｃ）に図示するように、発光７１を検出あるいは集光するレンズ７４の角度θを可変できるように構成する。角度θは、蒸着室５７外に設置した制御装置で行う。角度θは、発光７１が最も強く検出できる角度に自動調整される。
発光７１の強度を最も強く検出できるように、レンズ７４ａ〜７４ｂの角度、光検出装置７７ａ〜７７ｂの位置を変更あるいは設定して実施する。
【０３３８】
光検出装置７７は、発光７１の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。例えば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化した割合、あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、赤色の発光波長は「消光」状態となり、非発光になったと検出できる。
【０３３９】
また、ＴＡＤＦ材料の発光の波長帯域はブロードであるが、蛍光材料の発光の波長帯域は狭帯域である。波長帯域を測定あるいは観察することにより、レーザ光の照射によるＴＡＤＦ材料あるいは蛍光材料の変化状態を把握することができる。
【０３４０】
なお、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７を励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７に照射させてもよい。例えば、蛍光発光用のレーザ光の発生装置を別途設置し、前記レーザ光５９を改質する発光層１７に照射する構成が例示される。
【０３４１】
発生する発光７１の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態あるいは、略非発光状態になると、発光層１７の改質が完了あるいは所定目標値内に到達したと判断し、レーザ光５９ａの照射位置を、次の画素に移動させる。また、改質に要する時間を計測あるいはモニターし、レーザ光５９ａの強度を制御する。
【０３４２】
発光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。
【０３４３】
光制御装置７８でレーザ装置５８が出力するレーザ光５９の強度をモニターすることにより、発光層１７に照射するレーザ光強度を、安定した一定値にすることができるため、改質対象の画素の発光層１７を精度よく消光状態にすることができる。
【０３４４】
一例として、レーザ装置５８は、Ａ紫外線（ＵＶ−Ａ)近傍の３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の波長の光を発生し、発生した光を所定の画素電極１５上に照射する機能を有する。
【０３４５】
レーザ光５９ａがＴＦＴ基板５２に順次照射できるように、移動ステージ５１を動作させてＴＦＴ基板５２の位置を変化させる。もしくは、ガルバノミラー６２等を用いて、レーザ光５９aをＴＦＴ基板５２上に走査する。
【０３４６】
光分離ミラー７２ａは、波長分離ミラーとして機能する。光分離ミラー７２ａは表面に光学的多層膜が形成され、特定の帯域の波長を透過し、特定の帯域の波長を反射する機能を有する。光分離ミラー７２ａはレーザ光５９ａを透過し、発光層１７で励起された発光長の光７１を反射する。
【０３４７】
例えば、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）とし、発光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）〜６００（ｎｍ）の場合、光分離ミラー７２ａは、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）を透過させ、発光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）〜６００（ｎｍ）を反射させる。
【０３４８】
発光波長の光７１はレンズ７４ａで集光され、ミラー７３ａで方向を曲げられ、リレーレンズ７４ｂで集光される。波長フィルタ７５は、集光された光７１のうち、一定の波長範囲内の光を透過させる。波長フィルタ７５は、レーザ光５９ａで励起され、発生した所定帯域範囲内の波長の光強度を検出するために使用される。
波長フィルタ７５で、所定の波長範囲内に制限することにより、発光層１７の改質状態を適切にモニターでき、また、外乱によるノイズの影響も受けなくなる。
【０３４９】
レーザ制御回路７９は、発光波長の光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９ａの照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９ａの強度を変化させる。また、発光層１７の改質状態をモニター制御する。
【０３５０】
レーザ光５９ｂが蒸着された発光層１７に照射され、発光層１７は励起されて発光７１を発光する。レーザ光５９ａは照射された発光層１７を改質させる。発光層１７が改質されると、発光層１７が発生する発光７１の強度は低下する。
【０３５１】
したがって、レーザ光５９ａは、発光層１７を励起される機能と、発光層１７を改質する機能の２つを有する。特に、レーザ光５９ａが紫外線領域の光である場合に、発光層１７を励起しやすい。
【０３５２】
レーザ光５９ａは波長が固定波長のため、発生する発光７１の波長と分離しやすい。したがって、発光７１の波長検出が容易である。また、図２０で図示するように、光検出装置７７は、発光７１を分離する波長フィルタ７５、光分離ミラー７２ａを具備するため、検出は容易である。
【０３５３】
波長フィルタ７５の透過波長は、発光層１７が発生する発光７１の波長に対応させて切り替える。あるいは波長フィルタ７５を取り替える。あるいはレーザ光の波長を切り替える。光強度検出回路７６ａの増幅率は、発光層１７が発光する発光７１の波長・強度で異なるからである。
【０３５４】
発光層、発光層１７Ｒが発光する発光７１の波長・強度と、発光層１７Ｇが発光する発光７１の波長・強度と、発光層１７Ｂが発光する発光７１の波長・強度とは異なるので、それぞれの発光層１７の発光７１に対応して最適値に制御する。
【０３５５】
発光７１の強度を測定あるいは検出することにより、発光層１７の改質状態を把握できる。改質状態が所定の設定値を越えた場合、レーザ光５９ａの照射対象の画素３７の改質が完了したと判断し、改質させる次の画素にレーザ光５９ａを位置決め動作させる。あるいは、連続してレーザ光５９ａの照射位置を移動させる。
【０３５６】
光検出装置７７と光制御装置７８は、同一の部材に取り付けられている。したがって、レーザ光５９の照射位置の移動に伴い光検出装置７７も、同時に移動する。そのため、光検出装置７７と光制御装置７８との位置精度は高精度に維持される。
【０３５７】
なお、光検出装置７７を蒸着室５７内に設置し、光制御装置７８は蒸着室５７外に設置してもよいことは言うまでもない。また、光検出装置７７と光制御装置７８とは、分離して配置しても良いことはいうまでもない。
【０３５８】
光検出装置７７は、発光７１の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。例えば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化した割合、あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、赤色の発光波長は「消光」状態となり、非発光あるいは発光強度が所定値以下になったことを検出できる。
【０３５９】
なお、発光層１７に照射するレーザ光５９ａとは別に、発光層１７を励起させる光を別途発生させ、前記光を発光層１７Ｇに照射させてもよい。例えば、蛍光発光用のレーザ光５９の発生装置を別途、設置し、前記レーザ光５９を改質する発光層１７に照射する構成が例示される。
【０３６０】
発生する発光７１の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態になると、発光層１７Ｇの改質が完了したと判断し、レーザ光５９ａの照射位置を、次の画素に移動させる。また、改質に要する時間を計測あるいはモニターし、レーザ光５９ａの強度を制御する。
【０３６１】
発光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。
【０３６２】
光制御装置７８でレーザ装置５８が出力するレーザ光５９の強度をモニターすることにより、発光層１７に照射するレーザ光強度を、安定して所定値にすることができるため、改質対象の画素の発光層１７を精度よく、消光状態にすることができる。
【０３６３】
レーザ光５９ａがＴＦＴ基板５２に順次、照射できるように、移動ステージ５１を動作させてＴＦＴ基板５２の位置を変化させる。もしくは、ガルバノミラー６２等を用いて、レーザ光５９aをＴＦＴ基板５２上に走査する。ガルバノミラー６２の制御速度は非常に高速である。
【０３６４】
ＴＦＴ基板５２の画素３７にレーザ光５９ａを照射する際は、ＴＦＴ基板５２は移動ステージ５１に配置される。移動ステージ５１は、レーザ光５９ａの照射と同期して滑らかに移動する。移動は一例として、リニアモータにより行われる。
【０３６５】
レーザ光５９ａは画素３７に結像される。レーザ光５９ａは、ガルバノミラー６２で、画素列方向に走査される。レーザ光５９の移動と同時にあるいは同期を取って、移動ステージ５１が移動する。
【０３６６】
レーザ光５９ａの強度分布はガウス分布となる。改質する箇所の全体にレーザ光５９ａを照射する場合、図２４（ｂ）に図示するように、レーザ光５９ａのガウス分布の強度６３％の範囲Ｗ１を改質させる発光層１７の幅にすることが好ましい。さらに好ましくは、レーザ光５９ａのガウス分布の強度８０％の範囲Ｗ２を改質させる発光層１７の幅に設定することが好ましい。
【０３６７】
発光層１７のゲスト材料を改質させるか、蒸発させるかは、ＴＦＴ基板５２に照射するレーザ光５９ａの強度を制御することにより容易に変更できる。レーザ光５９の強度の可変は光量調整フィルタ６０で行う。
【０３６８】
図２４（ａ）のレーザスポット９１ａは円状である。各画素１５に円状のレーザスポット９１ａの位置を移動させることにより、各画素１５の発光層１７を改質する。
【０３６９】
図２４（ａ）のレーザスポット９１ｂ、レーザスポット９１ｃのように、画素電極１５の全体を囲うように楕円形あるいは矩形としてもよい。レーザ光５９ａを楕円形あるいは矩形にするは、シリンドルカルレンズ６１を使用することにより容易に実現できる。
【０３７０】
レーザスポット９１ｂは１つの画素電極１５に全範囲に照射する形状である。レーザスポット９１ｃは複数の画素電極１５を同時に照射する形状である。レーザスポット９１ｂ、レーザスポット９１ｃは、同一色の画素列上を順次移動させて該当画素の発光層１７を改質させる。
【０３７１】
図２４のレーザスポット９１ｄのように、ストライプ状のレーザスポット９１とし、ＴＦＴ基板５２に、ライン状のレーザ光５９ａを照射してもよい。レーザスポット９１ｄは、画素列端子で画素の発光層１７を改質させる。
【０３７２】
レーザ光５９のレーザスポット９１は、改質させる画素３７に照射され、レーザスポット９１位置を移動させて、画素３７の発光層のゲスト材料、あるいはホスト材料を改質（ＨＯＭＯ電位、ＬＵＭＯ電位、イオン化ポテンシャル等を変化）させる。もしくは、発光層１７を形成するホスト材料とゲスト材料を蒸発させる。
【０３７３】
画素３７の横幅が３０μｍ以下と狭く、レーザ光５９のレーザスポット９１を画素３７に照射すると隣接した画素３７列にレーザ光５９が照射される場合がある。この場合は、図２５に図示するように、スリットマスク９２を使用して、隣接した画素列にレーザ光５９が照射されないようにする。
【０３７４】
図２０（ａ１）（ａ２）の平面図および断面図に図示するように、レーザスポット９１ａは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。レーザスポット９１ａはＡ方向に走査され、画素列方向の画素が順次、改質される。
【０３７５】
図２５（ｂ１）（ｂ２）の平面図および断面図に図示するように、レーザスポット９１ｂは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。レーザスポット９１ａはＡ方向に走査され、画素列方向の画素が順次、改質される。
【０３７６】
図２５（ｃ１）（ｃ２）の平面図および断面図に図示するように、矩形状のレーザスポット９１ｃは、スリットマスク９２のスリットから、レーザ光５９が発光層１７に照射される。
【０３７７】
矩形状のレーザスポット９１ｃは、表示画面３６の１画素列に同時に照明する。レーザ光５９が照射された画素例の発光層１７は、１画素列の発光層１７が同時に改質される。
【０３７８】
スリットマスク９２は、レーザスポット９１の移動に合わせて、移動し、表示画面３６の所定の色の画素の発光層１７を改質させる。もしくは、レーザスポット９１は、スリットマスクの穴位置に合わせて移動し、表示画面３６の所定の色の画素の発光層１７を改質させる。
【０３７９】
スリットマスク９２は、薄い金属膜あるいは樹脂膜で形成されている。そのため、画素３７位置に対応させて配置するため、スリットマスク９２は張力をかけて平面状に保持する必要がある。
【０３８０】
図２６に図示するように、透明基板９４に金属材料等でスリットパターン９３を形成したものを使用してもよい。透明基板９４は、レーザ光５９等の紫外線領域の波長の光を、透過する基板を使用する。透明基板９４として、石英ガラス、ソーダライムガラス等が例示される。
【０３８１】
図２６（ａ）（ｂ）の平面図および断面図に図示するように、レーザ光５９は、スリットパターン９３のスリット穴から、発光層１７に照射される。スリット穴を透過したレーザ光５９は、矩形状であり、表示画面３６の１画素列に同時に照明する。レーザ光５９が照射された画素例の発光層１７は、１画素列の発光層１７が同時に改質される。
【０３８２】
スリットマスク９２をＥＬ表示パネルの全体にわたり、スリットマスク９２のスリット（溝）を画素列位置に位置合わせすることは困難を伴う場合がある。特に、ＥＬ表示パネルが大画面でかつ、高精細画素の場合である。
【０３８３】
図１９の本発明の製造装置の構成は、ＴＦＴ基板５２の画素が反射型（反射膜１２を有する）の場合に適する。レーザ光５９ｂの照射により発生する発光７１が反射膜１２で反射され、反射された発光７１を光強度検出回路７６で容易に検出できるからである。
【０３８４】
光強度検出回路７６、波長フィルタ７５等をＴＦＴ基板５２の裏面に配置してもよい。発光７１をＴＦＴ基板５２の裏面に配置した光強度検出回路７６で検出する。
【０３８５】
光強度検出回路７６、波長フィルタ７５等をＴＦＴ基板５２の裏面に配置する構成は、ＴＦＴ基板５２の画素３７が透過型の場合に適する。あるいは画素３７に光透過性を有する場合に適する。あるいは画素３７に光透過性を有するように画素を構成した場合に適用する。
レーザ光５９の照射により発生する発光７１が反射膜１２あるいは画素部等を透過し、透過した発光７１を光強度検出回路７６で検出する。
【０３８６】
図３１の実施例は、ＴＦＴ基板５２の裏面から放射される発光７１を検出し、検出した発光７１強度から、発光層１７等の改質状態をモニターし、あるいは、発光層１７へのレーザ光５９ｂの強度等を変化させる。発光７１は開口部２９１あるいは光透過部２９２を通過等して、Ａ／Ｄ変換回路８０に入射する。
【０３８７】
ＴＦＴ基板５２の画素が反射型（反射膜１２等を有する）の場合であっても、図２９で説明するＴＦＴ基板５２の構成を採用することにより、ＴＦＴ基板５２の裏面から、レーザ光５９の照射により発生する発光７１を検出し、検出した発光７１を光強度検出回路７６に入射させることができる。
【０３８８】
図２９は本発明のＴＦＴ基板５２の説明図である。赤（Ｒ）色の反射膜１２Ｒ、緑（Ｇ）色の反射膜１２Ｇ、青（Ｂ）色の反射膜１２Ｂには開口部（光透過部）８１が形成されている。開口部２９１のサイズは、反射膜１２の面積の１／２００〜１／２０に設定される。つまり、反射膜１２の面積に対して開口部２９１は０．５％〜５％に設定されている。
【０３８９】
開口部２９１は、反射膜１２に形成された光透過部であり、一例として反射膜１２が除去されている。開口部２９１を介して、発光７１がＴＦＴ基板５２の裏面に出射される。赤（Ｒ）色の反射膜１２Ｒ、緑（Ｇ）色の反射膜１２Ｇ、青（Ｂ）色の反射膜１２の組で１ドットである。
【０３９０】
赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素の開口部２９１を異ならせることが好ましい。開口部２９１位置で赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青（Ｂ）色の画素が判断できるからである。以上の事項は、光透過部２９２に対しても同様である。
反射膜１２の膜厚は、５０（ｎｍ）から３００（ｎｍ）である。図２９において開口部の形状は円形に限定されない。例えば、矩形、多角形であってもよい。
【０３９１】
反射膜１２の上層には発光層１７が形成される。発光層１７にレーザ光５９ｂが照射されると、発光層１７のゲスト材料は前記レーザ光５９ｂを吸収し、改質される。改質の状態に応じて発光７１が発生する。
【０３９２】
発光７１は、開口部２９１からＴＦＴ基板５２の裏面から出射される。図２０と同様に、図３１に図示するように光検出装置７７、光制御装置７８を配置する。発光７１の強度が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ｂの照射を停止する。
【０３９３】
図３１はＴＦＴ基板５２の表面から発生する発光７１を検出して発光層１７等の改質方法を説明する説明図である。図３１に図示するように、改質を実施する装置は、光検出装置７７と光制御装置７８を有する。
【０３９４】
図３１において、レーザ装置５８はレーザ光５９ｂを発生する。レーザ光５９ｂは発光層１７に入射する。レーザ光５９ｂにより発光層１７から発光７１が発生する。
レーザ光５９ｂ、発光７１は反射膜１２（光遮蔽層）の開口部２９１を介して、ＴＦＴ基板５２の裏面から出射される。
【０３９５】
光分離ミラー７２ａは、レーザ光５９ｂと発光７１とを分離する。一例として、レーザ光５９ｂの３５５（ｎｍ）を透過させ、発光７１の青色から緑色の波長の光を反射する。
【０３９６】
光分離ミラー７２ａを透過してレーザ光５９ｂは、ミラー７３ｂで反射し、レンズ７４ｃで集光されて光強度検出回路７６ｂに入射する。光強度検出回路７６は、レーザ光５９ｂを光−電気変換する。光−電気変換されたレーザ光５９ｂは、増幅され、アナログ信号電圧Ｖとなる。アナログ信号電圧ＶはＡ／Ｄ変換回路８０ｂでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。
【０３９７】
レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８にフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定あるいは調整される。
光分離ミラー７２ａはレーザ光５９ａを透過し、発光層１７で励起された発光波長の光７１を反射する。
【０３９８】
例えば、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）とし、発光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）〜６００（ｎｍ）の場合、光分離ミラー７２ａは、レーザ光５９ａの波長が３５５（ｎｍ）を透過させ、発光波長の光７１が青色から緑色の波長４００（ｎｍ）〜６００（ｎｍ）を反射させる。
【０３９９】
発光波長の光７１は、レンズ７４ａで集光され、ミラー７３ａで方向を曲げられ、リレーレンズ７４ｂで集光される。波長フィルタ７５は、集光された光７１のうち、一定の波長範囲内の光を透過させる。波長フィルタ７５は、レーザ光５９ａで励起され、発生した所定帯域範囲内の波長の光強度を検出するために使用される。
【０４００】
波長フィルタ７５を透過した発光波長の光７１は、光強度検出回路７６ａに入射する。光強度検出回路７６ａは、発光７１を光−電気変換する。光−電気変換された光７１は、増幅され、アナログ信号電圧Ｖとなる。アナログ信号電圧ＶはＡ／Ｄ変換回路８０ａでデジタル信号に変換され、レーザ制御回路７９に入力される。
【０４０１】
レーザ制御回路７９は、燐光・発光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合に、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９ａの照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９ａの強度を変化させる。また、発光層１７の改質状態をモニター制御する。
【０４０２】
発光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。
【０４０３】
本発明の実施例は、開口部２９１の反射膜１２が除去された構成を例示した。本発明はこれに限定するものではない。例えば、反射膜１２の一部あるいは全部が、光透過性を有するよう構成してもよい。
【０４０４】
図２９において、赤（Ｒ）色の反射膜１２Ｒ、緑（Ｇ）色の反射膜１２Ｇ、青（Ｂ）色の反射膜１２Ｂには反射膜１２が薄い領域である光透過部２９２が形成されている。光透過部２９２の形成面積は、光透過部２９２の光透過率に依存する。反射膜１２が形成されていない場合であって、反射膜１２の形成領域での透過率を１００％としたとき、０．５％〜５％の光透過率となるように、光透過部２９２が形成されている。光透過部２９２の膜厚は１０（ｎｍ）以上５０（ｎｍ）に形成される。
【０４０５】
以上のように構成することにより、ＴＦＴ基板５２の裏面から、レーザ光５９ｂの照射により発生する発光７１を検出し、検出した発光７１を光強度検出回路７６に入射させることができる。ＴＦＴ基板５２の裏面に向けて発生した発光７１の反射膜１２の面積に対して開口部２９１は０．５％〜５％がＴＦＴ基板５２の裏面に出射される。
【０４０６】
以上の実施例では、反射膜１２の中央部等の一部に開口部２９１、光透過部２９２が形成された構成であった。本発明はこれに限定するものではない。また、反射膜１２に開口部２９１等を形成する。
【０４０７】
本発明の技術的思想は、レーザ光５９等の照射により発光層１７から発生した発光７１を検出あるいは測定し、発光層１７の改質状態を制御するものである。したがって、発光７１の発生方向（ＴＦＴ基板の表面あるいは裏面）に限定されるものでない。また、発光７１の検出方法、測定方法あるいは制御方法に限定されるものではない。また、反射膜１２等画素構造に限定されるものではない。例えば、画素電極に開口部２９１等を形成してもよいし、明示的に画素領域に光透過部等を形成せずともよい。
【０４０８】
図２９（ａ）は、反射膜１２の４辺または画像表示に寄与しない箇所に開口部２９１を形成した構成である。開口部２９１を介してＴＦＴ基板５２の裏面に発光７１が放射される。図２９（ｂ）は、反射膜１２の端部の画像表示に寄与しない箇所に光透過部２９２を形成した構成である。光透過部２９２を介してＴＦＴ基板５２の裏面に発光７１が放射される。
【０４０９】
図２９（ａ）では開口部２９１、図２９（ｂ）では光透過部２９２を赤色画素３７Ｒ、緑色画素３７Ｇ、青色画素３７Ｂのそれぞれに形成すると図示したが、これに限定されるものではない。レーザ光５９の照射により発生する発光７１を検出する必要がない画素には形成する必要はない。例えば、図１７のパネル構造では、赤色画素３７Ｒ（発光層１７Ｒ、１７Ｇ、１７Ｂ）は改質しないため、開口部２９１または光透過部２９２を形成または配置する必要はない。
【０４１０】
図２９（ａ）では開口部２９１、図２９（ｂ）に光透過部２９２を形成するとしたが、図２９のそれぞれの構成に、開口部２９１と光透過部２９２の両方を形成しても良いことは言うまでもない。
【０４１１】
図３０は、ＴＦＴ基板５２の裏面から出射された発光７１を検出する方法の説明図である。図３０では、作図を容易にするため、また、理解を容易にするため説明に不要な箇所は省略している。
図３０において、レーザ装置５８が出射するレーザ光５９ｂは、ＴＦＴ基板５２に蒸着された発光層１７に照射される。
【０４１２】
図３０に示すように、レーザ光５９ｂの走査方向は、ガルバノミラー６２を制御することにより、高速かつ精度よく制御できる。また、レーザ装置５８は、蒸着室５７外に配置しているため、メンテナンスが容易である。
レーザ光５９は蒸着室５７外で発生させ、発生したレーザ光５９は、レーザ窓６３を介して、蒸着室５７内の真空中に導光させる。
【０４１３】
図３１において、レーザ装置５８から出射されたレーザ光５９ｂは、画素３７の発光層１７に照射される。レーザ光５９ｂの照射により発光層１７は改質される。改質の際、発光層１７は、発光７１を発生させる。
【０４１４】
発光７１は、ＴＦＴ基板５２の画素３７の開口部２９１または光透過部２９２を通過する。透過した発光７１は、光検出装置７７に入射し、波長分離ミラー７２ａで反射して光強度検出回路７６ａに入射する。
【０４１５】
光強度検出回路７６ａは入射した発光７１を電気信号に変換して増幅する。増幅した電気信号Ｖ１はＡ／Ｄ変換回路８０ａに印加される。Ａ／Ｄ変換回路８０ａはＶ１電圧の大きさ、Ｖ１強度の変化状態、Ｖ１電圧の発生期間に対応してレーザ制御回路７９を制御する。レーザ制御回路７９は、レーザ装置５８を制御してレーザ光を調整する。
【０４１６】
光強度検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ｂを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きく、レーザ光５９ｂで発光層１７改質されると発生する発光７１の強度が低下していく。また、発光７１の光波長も変化する。
【０４１７】
発光７１の強度が所定値以下となった場合、あるいは波長が所定範囲内になった場合に、レーザ光５９ｂの照射を停止、あるいはレーザ光５９ｂの照射位置を移動するように構成あるいは制御する。
【０４１８】
以上の動作あるいは制御により、発光層１７の改質状態を所定状態にすることができる。また、改質状態を所定の範囲内とするために、照射するレーザ光５９ｂの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ａのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
発光７１の強度等が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ａの照射を停止する。
【０４１９】
図３１において、レーザ装置５８から出射されたレーザ光５９ｂは光分離ミラー７２ａを透過する。レーザ光５９ａはミラー７３ｃで反射し、反射したレーザ光５９ｂはミラー７３ｂで反射し、リレーレンズ７４ｃで中継されて、光強度検出回路７６ｂに入射する。光強度検出回路７６ｂは、ホトダイオード（Ｐ、Ｄ）で、発光７１を光−電気変換する。
【０４２０】
光強度検出回路７６ａに入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ｂを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きく、レーザ光５９ｂで発光層１７改質されると発生する発光７１の強度が低下していく。
【０４２１】
発光７１の強度が所定値以下となった場合、あるいは発光７１の波長が所定帯域になった場合、あるいは波長の主波長が所定値になった場合等の1つ以上の条件を満足する時、レーザ光５９ｂの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、変化に合わせて照射するレーザ光５９ｂの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ｂのパルスの照射期間、照射するエネルギーの強度あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
【０４２２】
本発明は、少なくとも、一つの色の発光層１７を形成する工程では、従来の製造方法のように、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。そのため、ファイン蒸着マスク２５１の位置ずれによる発光色の混色問題は発生しない。
【０４２３】
したがって、混色による歩留まり低下を防止できる。ファイン蒸着マスク２５１の位置決め装置が不要であるから蒸着製造装置のコストを低減できる。ファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めが不要であるから、製造タクトを短縮することができる。
【０４２４】
レーザ光５９ｂを発光層１７に照射することにより発生した発光７１は、ＴＦＴ基板５２の裏面から放射され、波長フィルタ７５により所定の波長の光が通過して、光強度検出回路７６に入射する。
【０４２５】
ＴＦＴ基板５２を透過する光は、発光７１だけでなく、レーザ光５９ｂも透過する。波長フィルタ７５は、発光７１を透過させ、レーザ光５９ｂを遮光する。波長フィルタ７５を透過した発光７１は、光強度検出回路７６ｃのホトダイオード（ＰＤ）で、発光７１を光−電気変換する。
【０４２６】
光強度検出回路７６に入射する発光７１の強度は、ＴＦＴ基板５２の発光層１７の改質状態で変化する。レーザ光５９ｂを照射された発光層１７から発生する発光７１は初期では大きい。レーザ光５９ｂで発光層１７改質されると発生する発光７１の強度が低下していく。
【０４２７】
発光７１の強度が所定値以下となった場合に、レーザ光５９ｂの照射を停止するように構成することにより、発光層１７の改質状態を一定にすることができる。また、照射するレーザ光５９ｂの強度を変化あるいは変更する。もしくは、レーザ光５９ｂのパルスの照射期間あるいはパルス幅を変化あるいは変更する。
発光７１の強度が所定値以下となると、レーザ光５９ｂは次の画素の発光層１７に照射される。あるいはレーザ光５９ｂの照射を停止する。
【０４２８】
レーザ制御回路７９は、レーザ光５９の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内となるように、レーザ装置５８にフィードバック制御する。フィードバック制御により、レーザ光５９の強度は所定値範囲内に設定あるいは調整される。
【０４２９】
レーザ制御回路７９は、発光波長の光７１の強弱を検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内かを検出し、所定の強度値あるいは強度範囲内である場合、レーザ装置５８が照射するレーザ光５９の照射位置を変化あるいは移動させる。また、レーザ光５９の強度を変化させる。また、発光層１７の改質状態をモニター制御する。
【０４３０】
光検出装置７７は、発光７１の強度だけでなく、波長も判別できるように構成しておくことが好ましい。例えば、赤色の発光波長が、緑色の発光波長に変化した割合、あるいは変化量を検出する。緑色の発光波長に変化すれば、結果的に、赤色の発光波長は所定の「消光」状態となり、非発光状態になったと判断できる。
【０４３１】
発生する発光７１の強度が所定値以下となれば、発光層１７が消光状態となる。消光状態になると、発光層１７の改質が完了したと判断し、レーザ光５９の照射位置を、次の画素に移動させる。また、改質に要する時間を計測し、レーザ光５９の強度を制御する。
【０４３２】
改質のためのレーザ光５９の波長を、改質状態をモニターするレーザ光５９の波長と異ならせても良い。レーザ光５９は発光層１７を改質するに最適な波長を選択する。レーザ光５９は発光層１７の改質状態を検出するのに最適な波長を選択する。
【０４３３】
例えば、レーザ装置５８ａが発生するレーザ光５９は、３５５（ｎｍ）のＵＶ光レーザを選択する。レーザ装置５８ｂが発生するレーザ光５９は、４４１．６（ｎｍ）のヘリウムカドミウムレーザ、４５８、４８８（ｎｍ）のアルゴンイオンレーザ３５５（ｎｍ）を選択する。波長フィルタ７５も透過帯域も発光７１の波長にあわせて選択する。
【０４３４】
以上のように、発光層１７等を改質させるレーザ光５９と、改質状態を検出あるいは測定するレーザ光５９とを異ならせることは、本発明の他の実施例でも適用できることは言うまでもない。異ならせるとは光の波長、強度、パルス周期、パルス幅のいずれか１つ以上を異ならせることを言う。
【０４３５】
なお、本発明において発光層１７あるいは正孔輸送層１６等のＥＬ素子２２を構成する層に、レーザ光５９を照射して改質させるとして説明するが、改質に作用するレーザ光５９はレーザ光に限定されるものではなく、例えば、ＬＥＤ素子が発生する光、水銀灯が発生する光等を使用してもよいことは言うまでもない。
【０４３６】
発光７１の強度・波長を、光検出装置７７でモニターすることにより、改質対象の画素の発光層１７の改質状態を精度よく検出あるいは測定でき、最短の期間で、最適な消光状態にすることができる。
【０４３７】
図１９、図３０等で、ガルバノミラー６２でレーザ光５９の角度を変化させて発光層１７に照射する場合、発生する発光７１の波長も変化する。したがって、発光層１７に照射するレーザ光５９の角度によって、光検出装置７７が検出する発光７１の波長帯域、検出強度、判定強度を異ならせる。
以上の事項は本発明の他の実施例に適用できることは言うまでもない。また、他の実施例と組み合わせできることも言うまでもない。
【０４３８】
図２０の実施例では、光検出装置７７は１個として図示したが、これに限定するものではない。例えば、光検出装置７７は２個以上でもよい。また、線状あるいは面状に多数個の光検出素子を配置して光検出装置７７を構成してもよい。
【０４３９】
多数個の光検出素子のいずれかに発光７１が照射され、照射された光検出素子が電気出力をして発光層１７の改質状態を判断する。光検出装置７７として、光検出素子が線状あるいは面状に配置されているため、光検出装置７７を移動させる必要がない。
【０４４０】
図３０は、ガルバノミラー６２を走査して、レーザ光５９ｂを照射する位置を変化あるいは変更する構成である。本発明はこれに限定するものではない。例えば、図３２に図示するように、ミラー７３ａ、ミラー７３ｂをＡ、Ｂ方向に移動させ、レーザ光５９ｂを照射する位置を変化あるいは変更してもよい。
【０４４１】
レーザ装置５８はレーザ光５９を発生させ、発生したレーザ光５９は光量調整フィルタ６０で調整され、ミラー７３ａで反射されてレーザ光５９ｂとなり、画素３７のＥＬ素子２２の構成層に照射される。
レーザ光５９ｂは発光層１７を改質させる。改質時に発生した発光７１は、ミラー７３ｂで反射されて波長フィルタ７５を透過して光検出装置７７に入射する。
【０４４２】
レーザ光５９ｂの照射位置は、ミラー７３ａを移動させることにより移動される。ミラー７３に移動はリニアモータにより実施される。また、Ａ、Ｂの方向（紙面の左右方向）以外の方向（紙面の前後方向）はガルバノミラーまたはリニアモータで移動させてもよい。
【０４４３】
なお、図３２のミラー７３ａは、ガルバノミラー６２に置き換えてもよいことは言うまでもない。また、ガルバノミラー６２とミラー７３とを組み合わせて構成しても良いことは言うまでもない。
【０４４４】
以上の実施例では、発光層１７を改質には、レーザ装置５８を使用するとして説明をした。しかし、本発明は、これに限定するものではない。例えば、改質させる光として、紫外線光、青色光、緑色光、赤色光等を発生するＬＥＤ（light‐emitting diode）を使用してもよい。ＬＥＤは、発光素子が小さいため狭指向性の光を発生することができる。
【０４４５】
なお、高圧水銀灯から発生する紫外線光等も使用することができる。例えば、高圧水銀灯を使用する場合は、高圧水銀灯の光出射面に、図２７の光吸収材１２１の形状のような矩形の穴が形成されたスリットを配置する。
図２７は、ＬＥＤ１２２を用いた光発生器の説明図である。また、図２８は、図２７の光発生器を用いた発光層１７の改質方法の説明図である。
【０４４６】
光発生器の基板１２３は、ＬＥＤ１２２が発生する熱を放熱するため、金属板またはセラミック板を基材として使用されている。基板の裏面には、放熱板（図示せず）を取り付ける。
【０４４７】
基板１２３には、紫外線光を発生するＬＥＤ１２２が取り付けられている。ＬＥＤ１２２の発光部のサイズ（縦長さＣ、横長さＢ）は、画素３７の改質させる領域のサイズと略一致させている。あるいは、発光部のサイズ（縦長さＣ、横長さＢ）は、画素３７の改質させる領域のサイズよりも小さくしている。
【０４４８】
また、ＬＥＤ１２２の発光部の前にレンズ（図示せず）等を配置し、ＬＥＤ１２２が発生した紫外線光を画素３７の略全体に照射できるように構成してもよい。ＬＥＤ１２２が発光すると、画素３７の所定色の画素電極１５の上方に形成された発光層１７を改質できる。
【０４４９】
ＬＥＤ１２２の縦方向の実装位置Ｅは、画素３７のピッチと一致させている。ＬＥＤ１２２の横方向の実装位置Ｄは、画素３７の列ピッチと略一致させている。あるいは、ＬＥＤ１２２の縦方向の実装位置Ｅ、ＬＥＤの横方向の実装位置Ｄは、画素ピッチのＮ倍（Ｎは１以上の正数）としている。
【０４５０】
ＬＥＤの実装されている長さＦは、ＥＬ表示パネルの第１行目から最終画素行目の長さである。したがって、長さＦに実装させているＬＥＤ個数は、ＥＬ表示パネルの画素行数と一致する。あるいは、長さＦは、ＥＬ表示パネルの第１行目から最終画素行目の長さの１／Ｎ（Ｎは１以上の正数）にしている。
【０４５１】
図２７では、図示を容易にするため、ＬＥＤ１２２の実装列は２列としたが、本発明はこれに限定するものではない。例えば、ＬＥＤ１２２の実装列を３列以上にしてもよい。また、ＬＥＤ１２２の実装列または実装行数は、表示パネルの画素列または画素行数としてもよい。この場合は、図２８に図示するように、光発生器はＡ方向に移動させる必要はない。ＥＬ表示パネルに光発生器を位置決めして、ＬＥＤ１２２を発光させればよい。
【０４５２】
また、表示パネルの全画素数に一致するＬＥＤ１２２を配置してもよい。例えば、画素数が４８０ＲＧＢ×７２０であれば、４８０×７２０個のＬＥＤをマトリックス状に配置する。
図２７に図示するように、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂが発生する光の波長を異ならせてもよい。
【０４５３】
図２７（ｂ）は、図２４（ａ）のＡＡ’線での断面図である。ＬＥＤ１２２の周囲には、ＬＥＤ１２２が発生した紫外線光を吸収する光吸収材１２１が形成されている。ＬＥＤ１２２ａは、紫外線光１４１ａを発生させ、ＬＥＤ１２２ｂは、紫外線光１４１ｂを発生させる。光吸収材１２１として、アクリルあるいはエポキシ樹脂にカーボンを添加したものが例示される。
【０４５４】
図２８（ａ）（ｂ）に図示するように、光発生器はＴＦＴ基板５２の画素電極１５位置に一致させて配置される。また、光発生器は、画素列または画素行ピッチで移動し、移動した位置で、ＬＥＤ１２２が発光し、画素３７の発光層１７を改質させる。ＴＦＴ基板５２の移動および位置決めはリニアモータステージ、ステッピングモータステージで行う。
【０４５５】
２画素列または２画素行を同時に改質させる場合は、ＬＥＤ１２２ａとＬＥＤ１２２ｂの両方が発光する。１画素列または１画素行を改質させる場合は、ＬＥＤ１２２ａまたはＬＥＤ１２２ｂの一方が発光する。３画素行以上の場合は、対応するＬＥＤの列を画素行数に対応して配置する。
【０４５６】
光の照射は、画素の色に応じて行う。例えば、赤色の画素の発光層１７Ｒを画素列単位で改質し、次に、緑色の画素の発光層１７Ｇを画素列単位で改質し、次に、青色の画素の発光層１７Ｂを画素列単位で改質する。画素の発光層１７の色に応じて、ＬＥＤ１２２が出射する光強度を設定する。
【０４５７】
以上のように、本発明は、紫外線光５９を発生する光発生手段は、レーザ装置５８に限定するものではない。ファイン蒸着マスク２５１を介さず、画素３７位置に対応させて、
紫外線光等の光を照射できる光発生手段であればいずれの手段であってもよい。
また、光発生手段を、赤外光を発生する手段とすることにより、熱転写装置の光発生源としても適用できることは言うまでもない。
【０４５８】
ＬＥＤ１２２が発生する光は、レーザ光のように単一波長ではなく一定の波長帯域を有している。例えば、ＬＥＤ１２２が発生する光は、主波長が３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の紫外線光を発生するものを採用する。
なお、発光層１７の光吸収性が、紫外線以外の場合は、紫外線以外の波長で発光するＬＥＤを使用することは言うまでもない。
【０４５９】
レーザ光の照射による改質の程度は、ＥＬ素子２２の構造を考慮し、また、ＥＬ素子２２を試作し、また、マイクロキャビティ効果等の影響を考慮して決定する。また、レーザ光の単位面積あたりの強度、照射時間と改質効果を検討してレーザ装置５８を制御する。
【０４６０】
図１７は本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面図である。以下、図面を参照しながら、本発明の第１の実施例について説明をする。また、図１８は本発明の第１の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面構成図および製造方法の説明図である。
【０４６１】
図１７において、赤色の画素電極１５Ｒ、緑色の画素電極１５Ｇおよび青色の画素電極１５Ｂの上方には、それぞれ発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔが順次積層されて形成されている。
【０４６２】
緑色の画素電極１５Ｇの発光層１７Ｒはレーザ光５９等の照射により改質されて改質層９６ａとなっている。また、青色の画素電極１５Ｂの発光層１７Ｒは改質されて改質層９６ａとなり、青色の画素電極１５Ｂの発光層１７Ｇはレーザ光５９等の照射により改質されて、改質層９６ｂとなっている。
【０４６３】
図２２は、本発明のＥＬ表示パネルの製造装置の説明図である。図２２に図示するように、本発明の製造方法は、蒸着室５７のような真空状態中にＴＦＴ基板５２を配置する。ＥＬ素子２２を構成する各有機膜は、蒸着により形成する。
【０４６４】
図２２において、ＴＦＴ基板５２は搬入室１１３から成膜室１１６に搬入される。成膜室１１６内は、超真空状態に維持されている。成膜室１１６の中央部には中央室１１５がある。ＴＦＴ基板５２は移動ステージ５１に搭載あるいは積載されている。中央室１１５内には、各チャンバー室１１１にＴＦＴ基板５２を搬入、あるいは、各チャンバー室１１１から搬出する搬送ロボット（図示せず）が設置されている。
【０４６５】
搬送ロボットは、チャンバー室１１１から移動ステージ５１等を搬出し、方向を変更して、次の工程のチャンバー室１１１に搬入する。チャンバー室１１１は蒸着室５７である。
【０４６６】
発光層１７等を改質させるレーザ装置５８は、レーザ装置室１１８内に設置されており、ＴＦＴ基板５２はロードロック室（ＬＬ：load lock chamber）を経由してレーザ装置室１１８に搬入される。ＴＦＴ基板５２は、カソード電極１９を形成後、あるいは、封止層２０、封止フィルム２７による封止後、搬出室１１４から搬出される。
【０４６７】
搬入室１１３からＴＦＴ基板５２は搬入され、正孔輸送層１６を蒸着するチャンバー（ＨＴＬ）１１１ｃに搬入される。チャンバー室１１１ｃで、図１８（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【０４６８】
次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。図１８（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料と赤色のゲスト材料を共蒸着させて形成する。
発光層１７Ｒは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３８Ｂに共通に形成される。あるいは連続して形成される。
【０４６９】
発光層１７Ｒの形成工程では、従来の製造方法のように、画素３７Ｒに対応した位置に開口が設けられたファイン蒸着マスク２５１Ｒ（図示せず）は使用しない。発光層１７Ｒは、表示画面３６全体に、蒸着工法を使用して、連続膜として形成される。
【０４７０】
つまり、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂに共通に、かつ連続して発光層１７Ｒが形成される。発光層１７Ｒの形成には、発光層１７Ｒが表示画面３６内に蒸着されるように、表示画面３６に開口部を有するラフ蒸着マスク（図示せず）を使用する。
【０４７１】
図１８の本発明の実施例において、ＥＬ表示パネルに、土手９５を図示しているが、土手９５は必ずしも必要な構成物ではない。土手９５は、ソース信号線３５上、ゲート信号線３４上、画素電極１５の周辺部に形成され、電界の遮蔽効果を発揮する。土手９５は可視光を吸収する色素、染料を添加した材料で形成する。
図２２において、ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。
【０４７２】
レーザ装置室１１８では、図１８（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７にレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒに照射する。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒには照射されない。レーザ光５９ａの照射部で、発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなる。
【０４７３】
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａを吸収し、共有結合鎖等が切断される。酸素の無い蒸着室５７で共有結合鎖が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合、他の共有結合鎖と架橋構造の生成等の材料構造に変化が生じる。
画素電極１５Ｒに対応した発光層１７Ｒのゲスト材料は、レーザ光５９ａが照射されていない。したがって、発光するゲスト材料としての性能を維持する。
【０４７４】
本発明の実施例では、ＥＬ素子２２を形成する各有機膜は、蒸着工法で形成するとして説明するが、これに限定するものではない。インクジェット方式、レーザ転写方式あるいは印刷方式により、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８等を形成してもよいことは言うまでもない。
なお、本発明は、ＱＤ−ＯＬＥＤ（ＱＤ  量子ドット:Quantum Dot）方式の有機ＥＬパネルにも適用することができる。
【０４７５】
サムスンディスプレイが開発しているＱＤ−ＯＬＥＤは、ＬＥＤバックライトの代わりに青色の有機ＥＬを光源として使用する。ＲＧＢ画素を実現するために、青色画素は、有機ＥＬの青色発光はそのまま、赤色画素と緑色画素は量子ドットを適用した別のカラーフィルタ（ＣＦ）を製作し、青色画素上に配置したパネルである。
【０４７６】
例えば、インクジェット方式では、発光層１７はホスト材料とゲスト材料とが溶剤に溶解されて、画素電極１５の上方に発光層１７として形成される。インクジェット方式で発光層１７Ｒを形成し、発光層１７Ｒにレーザ光５９ａを照射して改質させてもよい。
【０４７７】
ＥＬ素子２２を形成する各有機膜は、レーザ転写技術で形成してもよい。レーザ転写装置は、ドナーフィルムに照射する赤外線レーザ光を発生させるレーザ装置を具備する。ベースフィルムに有機ＥＬ素子を構成する発光材料が形成され、赤外線レーザ光の照射によりベースフィルムから発光材料が剥離し、画素３７に発光層１７が形成される。
【０４７８】
本発明は、理解を容易にするため、主としてゲスト材料が光を吸収し、発光層１７が改質するとしたが、これに限定するものではない。例えば、発光層１７が、Ａlｑ3のような単一の有機膜で形成されている場合、この単一の有機膜に光を照射し、単一の有機膜を改質させる方式も本発明の技術的範疇である。
【０４７９】
一例として、レーザ光５９は、波長λが３００（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の紫外光である。さらに好ましくは、レーザ光５９は、波長λが３２０（ｎｍ）以上３８０（ｎｍ）以下の紫外光である。
【０４８０】
次に、ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２を経由して中央室１１５に搬入され、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図１８（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層１７Ｇを蒸着工法等により積層させる。
【０４８１】
発光層１７Ｇの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１は使用しない。発光層１７Ｇはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に、または連続して発光層１７Ｇが形成される。
ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５で搬送ロボットにより、方向転換され、ロードロック室１１２を経由して、レーザ装置室１１８に搬入される。
【０４８２】
レーザ装置室１１８では、図１８（ｄ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂの照射を行う。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに照射する。レーザ光５９ｂは、画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇには照射されない。レーザ光５９ｂの照射部で、発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなる。
【０４８３】
発光層１７Ｇのゲスト材料は、発光層１７Ｒのゲスト材料に比較して励起エネルギーが大きい場合が多い。励起エネルギーが大きいゲスト材料は、吸収する波長が短波長になる場合がある。その場合は、レーザ光５９ｂの波長は、レーザ光５９ａより波長が短いレーザ光を選定する。
【０４８４】
例えば、レーザ光５９ｂは、波長λが３００（ｎｍ）以上約３８０（ｎｍ）以下の紫外光である。レーザ光５９ａは、波長λが３１０（ｎｍ）以上４００（ｎｍ）以下の紫外光である。
【０４８５】
なお、赤色の発光層１７Ｒのゲスト材料が、緑色のレーザ光を吸収する場合は、緑色のレーザ光を発生するＹＡＧレーザ装置等も用いることができる。また、赤色のレーザ光を吸収する場合は、赤色のレーザ光を発生するネオンヘリウムレーザ装置等も用いることができる。
レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂの波長を同一とし、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂとの単位面積あたりの強度を異ならせてもよい。
【０４８６】
画素３７Ｂ（画素電極１５Ｂ）の上方の発光層１７Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し、共有結合鎖等が切断される。共有結合鎖等が切断されると、共有結合鎖のラジカルは二重結合を生成、他の共有結合鎖の原子を引き抜き結合、他の共有結合鎖と架橋構造を生成等の構造の変化が生じる。
【０４８７】
画素３７Ｂ（画素電極１５Ｂ）の上方の発光層１７Ｇは改質層９６ｂとなる。したがって、前記発光層１７Ｇのゲスト材料は改質されて励起できない。発光層１７Ｇはホスト材料として機能する。
【０４８８】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒは改質層９６ａとし、画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質層９６ｂと図示している。改質層９６ａと改質層９６ｂはゲスト材料等が異なり、物理的あるいは物性的性質が異なることが多い。しかし、改質層９６ａと改質層９６ｂは物性的性質が同一である、あるいは類似することも多い。したがって、その場合は改質層９６ａと改質層９６ｂは、同一あるいは類似として改質層９６と表現してもよい。
【０４８９】
図２２に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、中央室１１５を経由して、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｂ）  ＥＴＬ）１１１ｅに搬入される。図１８（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂを、発光層１７Ｇの上方に積層させる。発光層１７Ｂ材料の蒸着は、ホスト材料と青色発光のゲスト材料を真空中で、真空蒸着により発光層１７Ｇ上に共蒸着させて積層させる。
【０４９０】
発光層１７Ｂの真空蒸着工程は、ファイン蒸着マスク２５１（図示せず）は使用しない。発光層１７Ｂはラフ蒸着マスク（図示せず）を用いて、表示パネルの表示画面３６の全体に蒸着する。したがって、画素電極１５Ｒ、画素電極１５Ｇ、画素電極１５Ｂの上方に、共通に発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔが形成される。
【０４９１】
次に、図１８（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層（図示せず）としてのＬｉＦあるいはＬｉｑ等を形成し、カソード電極１９の電子輸送層１８上に積層する。カソード電極１９には、アルミニウム、銀、銀・マグネシウム（ＭｇＡｇ）合金、カルシウム等を用いる。
【０４９２】
カソード電極１９は、例えば真空蒸着により発光層１７Ｂｔの上方に積層させる。この真空蒸着では、ＥＬ表示パネルの表示領域のみにカソード電極材料が蒸着されるように、ラフ蒸着マスクを使用する。カソード電極１９は、表示領域全体に連続膜として形成される。
【０４９３】
次に、図１８（ｆ）に図示するように、カソード電極（陰極）１９を形成したのち、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば、蒸着法やＣＶＤ法により、封止層２０を形成する。
【０４９４】
アモルファス窒化シリコンからなる封止層２０を形成する場合には、ＣＶＤ法によって２〜３μｍの膜厚に形成する。この際、有機層の劣化による輝度の低下を防止するため、成膜温度を常温に近い、摂氏１５℃以上２５℃の範囲に設定する。
【０４９５】
ＳｉＯＮ等をＣＶＤで形成した後、アクリル系、エポキシ系の有機材料等を形成して、封止層２０としてもよい。封止層２０上には、封止フィルム（図示せず）を貼り付け、防湿対策をすることが好ましい。次に、ＥＬ表示素子がＴＦＴ基板５２と封止基板とシール層とによって取り囲まれるように、ＴＦＴ基板５２と封止基板とをシール層を介して貼り合わせる。
【０４９６】
ＴＦＴ基板５２は薄膜封止技術で封止する。薄膜封止技術は、ＴＦＴ基板５２上に極めて薄い無機膜と有機膜を多層に積層して形成する。無機膜（通常厚さ１μｍ未満）と有機膜（通常厚さ６μｍ以上）が交互に重なったマルチレイヤー構造を持つ。無機膜は主に酸素や水分の侵入を防いでＥＬ素子２２を保護する。
【０４９７】
図２２において、ＴＦＴ基板５２は搬出室１１４を経由して、成膜室１１６から搬出される。なお、ＥＬ表示パネルの光出射側には、表示コントラストを良好なものとするため、円偏光板（円偏光フィルム）（図示せず）を貼り付け、あるいは配置する。
【０４９８】
図１８の実施例では、レーザ光５９ａを発生するレーザ装置、レーザ光５９ｂを発生するレーザ装置５８を使用するとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。
【０４９９】
可変波長の光を発生させる１台のレーザ装置５８で、レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂを発生させてもよい。また、レーザ光５９ａまたはレーザ光５９ｂのいずれかのレーザ光を発生するレーザ装置５８を複数台、使用してもよいことは言うまでもない。レーザ光５９ａとレーザ光５９ｂとは波長を異ならせても良い。
【０５００】
以上の実施例では、発光層１７を形成後、レーザ光５９を照射して発光層１７を改質するとして説明したが、本発明はこれに限定するものではない。例えば、蒸着により発光層１７を形成しつつ、レーザ光５９を照射して、前記発光層１７を改質または除去してもよい。
【０５０１】
本発明のＥＬ表示パネルは、複数色の画素３７がマトリックス状に配置されている。ＥＬ表示パネルは、少なくも一色の画素に、第１の色の発光層１７ａが成膜され、その上に第２の色の発光層１７ｂが成膜されている。第１の色の発光層１７ａの発光波長は、第２の色の発光層１７ｂの発光波長よりも長い。前記第１の色の発光層１７ａのゲスト材料は、前記第２の色の発光層１７ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。
【０５０２】
本発明のＥＬ表示パネルは、少なくも一色の画素に、第１の色の発光層１７ａが成膜され、その上に第２の色の発光層１７ｂが成膜されている。前記第１の色の発光層１７ａに、レーザ光５９等の狭指向性の光を照射し、前記第１の色の発光層１７ａを改質させて非発光層にする。前記第２の色の発光層１７ｂが発光する。
【０５０３】
本発明は、複数色の画素３７がマトリックス状に配置されたＥＬ表示パネルに限定されるものではない。本発明の表示パネルは、表示部あるいは表示画面３６に複数個所の発光する部分が形成されており、前記発光する部分に複数の発光層１７が積層されている。前記複数の発光層１７のうち、長波長の発光層１７に、ファイン蒸着マスク２５１等を使用せず、レーザ光５９等の狭指向性の光が照射され、前記長波長の発光層１７が改質されていることを特徴とするものである。
【０５０４】
本発明の製造方法では、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂを形成するために、少なくともいずれかの発光層１７の形成時に、ファイン蒸着マスクを使用しない。本発明では、発光する発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂを形成するために、少なくともいずれかの発光層１７にレーザ光５９等の光を照射する。
レーザ光５９の照射位置の制御は、ガルバノミラー６２あるいは、移動ステージ（リニアステージ等）により高精度に位置決めを行うことができる。
位置決めは、ＴＦＴ基板５２の画素３７位置に対応させて容易に設定することができる。
【０５０５】
したがって、画素３７形状、画素３７配置、画素３７数が異なるＥＬ表示パネルを、容易に品種変更して製造することができる。また、製造装置の設備コストも非常に安価である。
【０５０６】
ファイン蒸着マスク２５１を使用する製造方式では、画素３７が高精細の場合は、ファイン蒸着マスク２５１の蒸着穴（マスク開口部）が小さくなるため、ファイン蒸着マスク２５１の蒸着穴の加工が困難である。
また、ファイン蒸着マスク２５１を、ＥＬ表示パネルの画素３７位置に合わせて位置決めすることが困難であるという課題があった。
【０５０７】
また、テレビ用の大型ＥＬ表示パネルの製造に使用するファイン蒸着マスク２５１は、大面積となり、重量が重い。したがって、ファイン蒸着マスク２５１を位置決めする搬送ロボットも大型になるという課題があった。
【０５０８】
本発明の製造方式では、レーザ光５９を画素３７に照射することにより、発光層１７の発光色を決定する。紫外線波長のレーザ光５９のスポットサイズは、直径１０μ以下が実現可能である。
【０５０９】
レーザ光５９は、ガルバノミラー６２の制御により、高速に位置決めできる。また、ＥＬ表示パネルサイズが広面積であっても、レーザ光５９は、ガルバノミラー６２の制御により、ＥＬ表示パネルの周辺部から中央部のいずれの位置にでも、高速に位置決めできる。
【０５１０】
本発明はファイン蒸着マスク２５１を使用しないため、ファイン蒸着マスク２５１の位置決めが不要である。したがって、レーザ光５９の制御だけであるので、製造設備は安価であり、製造タクトも短くすることができる。
【０５１１】
以上の事項から、本発明の製造方式では、画素３７が高精細であっても、ＥＬ表示パネルサイズが広面積であっても、ＥＬ表示パネルを低コストで製造することができる。また、優れた表示品位と高い製造歩留まりとを実現できる。
図９は、図１７、図１８で説明した本発明の第１の実施例のＥＬ表示パネルの動作の説明図である。
【０５１２】
画素３７Ｇの発光層１７Ｒ、画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇが改質されている。改質層９６ａ、改質層９６ｂは主としてゲスト材料が改質しているため、発光あるいは励起エネルギーが移動しない。ホスト材料は変化していらず、正孔輸送性能を維持している。
【０５１３】
画素３７Ｒにおいて、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｔ１に変換される。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。
【０５１４】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。
【０５１５】
発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。
【０５１６】
発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動することができる。
発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒ１から準位Ｓｒ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
以上の励磁エネルギーの移動は、発光層１７Ｂから、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｒに移動し、発光層１７Ｒで赤色の発光が発生するものである。
【０５１７】
図１０に図示するように、発光層１７Ｒの発光は、発光層１７Ｒ内でも発生する。画素３７Ｒにおいて、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｒｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｒｔ１に変換される。発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒｔ１）から一重項励起状態（Ｓｒｔ１）に励起する。
【０５１８】
発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｔ１）は、蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｆ１）より、少し高い材料を選定している。
【０５１９】
発光層１７ＲのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｒｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５２０】
発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｔ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）より、少し高くなる関係の材料を選定している。
【０５２１】
したがって、図１０に図示するように、発光層１７Ｇのエネルギーは、ＦＲＥＴｇプロセスにより発光層１７Ｒに移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
また、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料のＲＩＳＣで三重項励起状態（Ｔｒｔ１）からエネルギーは、一重項励起状態（Ｓｒｔ１）に移動する。
【０５２２】
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｔ１）は、蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）より、少し高い関係のある材料を選定している。
【０５２３】
図１０に図示するように、発光層１７Ｒのエネルギーは、ＦＲＥＴｒプロセスによりＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励磁状態（Ｓｒｔ１）から、蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５２４】
上記の関係にない場合は、ＦＲＥＴプロセスは発生しないか、わずかである。本明細書で説明するＲＩＳＣプロセス、ＦＲＥＴプロセスはすべてが発生するものではない。各層での正孔輸送性能と電子輸送性能、印加電圧の関係で、どの層でＲＩＳＣプロセス、ＦＲＥＴプロセスが発生するかが決定され、どの層で電子と正孔の結合が発生するかが決定される。
以上の事項は本発明の他の実施例においても同様である。
発光層１７Ｇの励起エネルギーの移動は、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料から、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料にも移動しうる。
【０５２５】
図１１の上記の説明図である。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料は、電荷再結合がＴＡＤＦ分子上で生じることにより、三重項励起子の準位Ｔｒｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｒｔ１に変換される。
【０５２６】
発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｇｔ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）より、高い関係の材料を選定している。
【０５２７】
発光層１７ＧのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｇｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５２８】
図１２は、発光層１７Ｂから発光層１７Ｒにエネルギー移動する場合の説明図である。発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｒのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が一致している。また、好ましくは、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｒのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が一致している。また、発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）よりも高い準位となる関係になるように各材料が選定されている。また、発光層１７Ｂの蛍光の一重項励起準位（Ｓｂｆ１）は、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）よりも高い準位となる関係になるように各材料が選定されている。
【０５２９】
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｒｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｂｔ１に変換される。
【０５３０】
発光層１７ＲのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５３１】
また、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５３２】
図９において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質され改質層９６ａとなっている。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料、蛍光のゲスト材料の発光は発生しない。画素３７Ｇの上層の発光層１７Ｂの励起エネルギーは、発光層１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇが発光する。
【０５３３】
画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。
【０５３４】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。
【０５３５】
発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。
【０５３６】
画素３７Ｇは、正孔が改質された発光層１７Ｒのホスト材料中を移動し、発光層１７Ｇで電子と結合する。発光層１７Ｇにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇ１から準位Ｓｇ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
画素３７Ｇは、図１３に図示するように、発光層１７Ｇ中でもＲＩＳＣプロセスが発生して、発光する。通常は、図１３で図示する発光プロセスが主である。
【０５３７】
図１３に図示するように、発光層１７ＧにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高い材料を選定する。
【０５３８】
発光層１７ＧにＴＡＤＦのゲスト材料を含有する場合は、好ましくは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルが、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定する。
【０５３９】
ＴＡＤＦのゲスト材料の一重項エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項エネルギーよりも高い材料を選定する。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴにより、発光層１７Ｇ蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇｆ１）に移動する。
【０５４０】
画素３７Ｇは、正孔が改質された発光層１７Ｒのホスト材料中を移動し、発光層１７Ｇで電子と結合する。発光層１７Ｇにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇ１から準位Ｓｇ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
図９の画素３７Ｇは、発光層１７ＢのＴＡＤＦ材料のエネルギーを吸収して発光層１７Ｇが発光する場合もある。図１４は、その説明図である。
【０５４１】
発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｂｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＴＡＤＦ分子内でのＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｂｔ１に変換される。
【０５４２】
発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは、少なくとも一部が重なっている。また、発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の一重項励起準位（Ｓｂｆ１）より、高い関係の材料を選定している。
【０５４３】
発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｇｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇｆ１）に移動する。発光層１７Ｇにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇｆ１から準位Ｓｇｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０５４４】
発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）に移動する。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｂｆ１）にエネルギー移動した一重項励起子は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の準位Ｓｇｆ１から準位Ｓｇｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０５４５】
図１２は、発光層１７Ｂから発光層１７Ｒにエネルギー移動する場合の説明図である。発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｒのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が一致している。また、好ましくは、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｒのゲスト材料の吸収スペクトルと少なくとも一部が一致している。
【０５４６】
また、発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項励起準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）よりも高い準位となる関係になるように各材料が選定されている。また、発光層１７Ｂの蛍光の一重項励起準位（Ｓｂｆ１）は、発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起準位（Ｓｒｆ１）よりも高い準位となる関係になるように各材料が選定されている。
【０５４７】
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｒｔ１を生成する。生成された三重項励起子は、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起状態の準位Ｓｂｔ１に変換される。
【０５４８】
発光層１７ＲのＴＡＤＦの一重項励起状態（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５４９】
発光層１７Ｒの蛍光の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒｆ１）に移動する。発光層１７Ｒにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｒｆ１から準位Ｓｒｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０５５０】
図９において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質され改質層９６ａとなっている。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料および蛍光のゲスト材料の発光は発生しない。画素３７Ｇの発光層１７Ｂの励起エネルギーは、発光層１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇが発光する。
【０５５１】
画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｔ１を生成する。発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｒ１）から一重項励起状態（Ｓｔ１）に励起する。
【０５５２】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦ分子の一重項励起状態（Ｓｔ１）の一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂ１）に移動する。
【０５５３】
発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）よりも高い材料を選定する。
【０５５４】
したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｇ）により、発光層１７Ｂｆの一重項準位（Ｓｂ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｇ１）に移動することができる。
【０５５５】
発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）は、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｒ）により、発光層１７Ｇの一重項準位（Ｓｇ１）の一重項励起エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｒ１）に移動することができる。
【０５５６】
図９において、画素３７Ｂの発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなっている。また、画素３７Ｂの発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなっている。したがって、画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、および発光層ＴＡＤＦのゲスト材料および蛍光のゲスト材料は改質されて発光しない（消光）。
【０５５７】
図１５は画素３７Ｂの励起エネルギー移動に関する説明図である。画素３７Ｂの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料は、三重項励起子の準位Ｔｂｔ１を生成する。発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態（Ｔｂｒ１）から一重項励起状態（Ｓｂｔ１）に励起する。
【０５５８】
発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の発光スペクトルと、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料の吸収スペクトルとは少なくとも一部が重なるようにゲスト材料を選定している。発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項準位（Ｓｂｔ１）は、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）よりも高い材料を選定する。したがって、ＦＲＥＴプロセス（ＦＲＥＴｂ）により、発光層１７ＢのＴＡＤＦの一重項準位（Ｓｂｔ１）の一重項励起エネルギーは、蛍光のゲスト材料の一重項励起状態（Ｓｂｆ１）に移動することができる。
【０５５９】
画素３７Ｂは、正孔は、主として改質された発光層１７Ｒのホスト材料、発光層１７Ｇのホスト材料中を移動し、発光層１７Ｂで電子と結合する。発光層１７Ｂにエネルギー移動した一重項励起子は蛍光のゲスト材料の準位Ｓｂｆ１から準位Ｓｂｆ０へと輻射遷移し、発光層１７Ｂは青（Ｂ）色の光を発生する。
【０５６０】
本発明の実施例において、発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料としてＡＣＲＳＡが例示され、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料としてＴＢＰｅが例示される。
発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料としてＰＸＺ−ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＴＴＰＡが例示される。
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料としてｔｒｉ−ＰＸＺ−ＴＲＺが例示され、蛍光のゲスト材料としてＤＢＰが例示される。
【０５６１】
本発明の明細書および図面では、ゲスト材料を３８とし、ホスト材料を３９としている。発光層１７Ｂｔはゲスト材料３８Ｂｔとホスト材料３９Ｂｔで構成されている。発光層１７Ｂｆはゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆで構成されている。発光層１７Ｇはゲスト材料３８Ｇとホスト材料３９Ｇで構成されている。発光層１７Ｒはゲスト材料３８Ｒとホスト材料３９Ｒで構成されている。
【０５６２】
図４では、それぞれの発光層１７には異なるホスト材料が使用されている。発光層１７Ｂｔはホスト材料３９Ｂｔが使用されている。発光層１７Ｂｆはホスト材料３９Ｂｆが使用されている。発光層１７Ｇはホスト材料３９Ｇが使用されている。発光層１７Ｒはホスト材料３９Ｒが使用されている。
【０５６３】
図４のように、各発光層１７に異なるホスト材料３９を使用することにより、発光効率、電子移動、正孔移動が最も適切となるように、各ゲスト材料に対するホスト材料を適正に選定することができる。電子および正孔の移動量を調整することができ、適正の発光層で電子および正孔を結合させて発光させることができる。
【０５６４】
図１７の本発明の実施例では、発光層１７ＲはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光材料３８Ｒｆとホスト材料３９Ｒとが共蒸着されている。発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光材料３８Ｇｆとホスト材料３９Ｇとが共蒸着されている。発光層１７Ｂｆは蛍光材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆとが共蒸着され、発光層１７ＢｔはＴＡＤＦ材料３８Ｂｔとホスト材料３９Ｂｔとが共蒸着されている。
図１７において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒが改質され、画素３７Ｂの発光層１７Ｒと発光層１７Ｇが改質されている。
図３３は、本発明の第２の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面および構成図である。図３４は図３３のＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【０５６５】
図３３の実施例と図１７の第１の実施例との差異は、図１７の実施例では、青（Ｂ）色の発光層が、発光層１７Ｂｆと発光層１７Ｂｔで構成されるのに対して、図３３の実施例では、青（Ｂ）色の発光層が発光層１７Ｂで構成され、発光層１７ＢはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと蛍光材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂとが共蒸着されている点である。
【０５６６】
図３３の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、赤色で発光する。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒは改質されているため発光しない。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、緑色で発光する。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇは改質されているため発光しない。画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｂが発光する。
【０５６７】
図３３の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、発光層１７Ｒが改質されていないため、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒと比較して、発光するゲスト材料をより高い濃度で含有している。
【０５６８】
改質プロセスにより、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒはゲスト材料の励起準位、励起エネルギーが変化し、ゲスト材料としての発光特性が消滅している。
【０５６９】
図３３において、赤色の画素電極（１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）の上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂが画素３７間を連続して（共通に）形成されている。
緑色の画素電極１５Ｇ上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されて改質されている。
【０５７０】
青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒにはレーザ光５９ａが照射されて改質されている。また、発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂが照射されて改質されている。
以下、図３４を参照しながら、本発明の第２の実施例の製造方法について説明をする。
【０５７１】
図２２の搬入室１１３からＴＦＴ基板５２は搬入され、チャンバー（ＨＴＬ）１１１ｃに搬入される。図３４（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【０５７２】
次に、ＴＦＴ基板５２は、発光層Ｒを蒸着するチャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。図３４（ｂ）に図示するように、発光層１７Ｒを、蒸着工法により、正孔輸送層１６上に積層させる。
【０５７３】
発光層１７Ｒは、ホスト材料３９Ｒと、赤色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、赤色の蛍光のゲスト材料３８Ｒｆとを共蒸着させて形成する。発光層１７Ｒは、表示画面３６全体に、連続膜として（共通に）形成される。
【０５７４】
次に、ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入される。レーザ装置室１１８では、図３４（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２の緑色の画素３７Ｇの発光層１７Ｒ、青色の画素Ｂの発光層１７Ｒにレーザ光５９ａの照射を行う。レーザ光５９ａは、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒには照射しない。
【０５７５】
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆとは、レーザ光Ａ波長を吸収する、図２１（ａ）の「ゲスト材料Ｂ」になる材料を選定する。また、発光層１７Ｒのホスト材料３９Ｒは、レーザ光Ａ波長を吸収しない、図２１（ａ）の「ホスト材料」になる材料を選定する。また、正孔輸送層１６は図２１（ｂ）の「正孔輸送層材料」になる材料を選定する。なお、レーザ光５９ａは、レーザ光Ａとしている。
【０５７６】
発光層１７Ｒにレーザ光５９ａを照射すると、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆは改質される。発光層１７Ｒのホスト材料３９Ｒはレーザ光５９ａを吸収しないか、ほとんど吸収しないため、改質されない。
【０５７７】
レーザ光５９ａの照射部で、画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｒは改質され、改質層９６ａとなる。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射されていないため、発光するゲスト材料としての性能を維持する。
画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｒは主としてホスト材料が正孔輸送層として機能する。
【０５７８】
次に、ＴＦＴ基板５２は、ロードロック室１１２を経由して中央室１１５に搬入され、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｇ））１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図３４（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｒの上方に、発光層１７Ｇを積層させる。
発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦの緑色のゲスト材料３８Ｇｔと蛍光の緑色のゲスト材料３８Ｇｆと緑色のホスト材料３９Ｇとが共蒸着されて形成される。
【０５７９】
発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとは、レーザ光Ａ波長を吸収する、図２１（ａ）の「ゲスト材料Ｂ」になる材料を選定する。また、発光層１７Ｇのホスト材料３９Ｇは、レーザ光Ａ波長を吸収しない、図２１（ａ）の「ホスト材料」になる材料を選定する。また、正孔輸送層１６は図２１（ｂ）の「正孔輸送層材料」になる材料を選定する。なお、レーザ光５９ａは、レーザ光Ａとしている。
【０５８０】
画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂを照射すると、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆは改質される。発光層１７Ｇのホスト材料３９Ｇはレーザ光５９ｂを吸収しないか、ほとんど吸収しないため、改質されない。
【０５８１】
画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｒは、すでに改質されているから、レーザ光５９ｂでされに改質される。したがって、画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｒと発光層１７Ｇに同時にレーザ光５９ｂを照射して改質させても良いことは言うまでもない。
【０５８２】
レーザ光５９ｂの照射部で、画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなる。画素電極１５Ｒおよび画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、レーザ光５９ｂが照射されていないため、発光するゲスト材料としての性能を維持する。
画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは主としてホスト材料が正孔輸送層として機能する。
【０５８３】
画素電極１５Ｒの発光層１７Ｒは、発光層１７Ｒ内でＲＩＳＣ、ＦＲＥＴプロセスが発生して発光する。また、画素電極１５Ｒ上の発光層１７Ｒは発光層１７Ｇの励磁エネルギーが移動することにより発光する。
【０５８４】
発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦの赤色のゲスト材料３８Ｒｔと蛍光の赤色のゲスト材料３８Ｒｆと赤色のホスト材料３９Ｒとが共蒸着されて形成される。発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦの緑色のゲスト材料３８Ｇｔと蛍光の緑色のゲスト材料３８Ｇｆと緑色のホスト材料３９Ｇとが共蒸着されて形成される。
【０５８５】
発光層１７ＧのＴＡＤＦの緑色のゲスト材料３８Ｇｔの発光スペクトルは、発光層１７Ｒの蛍光の赤色のゲスト材料３８Ｒｆの吸収スペクトルと少なくとも一部が重なる材料が選定されている。
【０５８６】
発光層１７Ｇの蛍光の緑色のゲスト材料３８Ｇｆの発光スペクトルは、発光層１７Ｒの蛍光の赤色のゲスト材料３８Ｒｆ、またはＴＡＤＦの赤色のゲスト材料３８Ｒｔの吸収スペクトルと少なくとも一部が重なる材料が選定されている。
発光スペクトル波長と吸収スペクトル波長の重なりが大きいほどＦＲＥＴプロセスが発生し易い。
【０５８７】
ＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルは、蛍光のゲスト材料の発光スペクトルに対して広い。そのため、ＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルのエネルギーは、蛍光のゲスト材料の発光スペクトルのエネルギーに移動しやすい。蛍光のゲスト材料の発光スペクトルは狭いため、ＴＡＤＦ材料の広い発光スペクトルが狭帯域の発光スペクトルに変換することができる。
【０５８８】
画素電極１５Ｒの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔは、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励磁エネルギーは一重項励磁エネルギーに変換される。一重項励磁エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに容易にエネルギー移動する。発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆは、一重項励磁準位Ｓｒｆ１からＳｒｆ０に移行して赤色の発光が発生する。
【０５８９】
したがって、画素電極１５Ｒの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生したエネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移行することなく、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移行する方が、発光効率は向上する場合がある。
発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦの緑色のゲスト材料３８Ｇｔと蛍光の緑色のゲスト材料３８Ｇｆと緑色のホスト材料３９Ｇとが共蒸着されて形成される。
【０５９０】
図３４（ｄ）において、画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂを照射すると、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔが改質する。
【０５９１】
画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｇにレーザ光５９ｂを照射すると、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆは改質される。発光層１７Ｇのホスト材料３９Ｇはレーザ光５９ｂを吸収しないか、ほとんど吸収しないため、改質されない。
【０５９２】
レーザ光５９ｂの照射により、画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｇは改質され、改質層９６ｂとなる。画素電極１５Ｒおよび画素電極１７Ｇの上方の発光層１７Ｇは、レーザ光５９ｂが照射されていないため、発光するゲスト材料としての性能を維持する。画素電極１５Ｂ上の発光層１７Ｇは主としてホスト材料が正孔輸送層として機能する。
【０５９３】
当該材料がレーザ光等の光を「吸収しにくい」という概念は、当該材料が前記光を吸収しないことの他、前記レーザ光等の光を反射すること、あるいは前記レーザ光等の光を透過することをも含む。また、レーザ光等の光を吸収しても、当該材料あるいはその構成物が変化しないことをも含む。
【０５９４】
図３４（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｇに、各画素間に連続して（共通に）発光層１７Ｂが形成される。発光層１７Ｂは、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、ホスト材料が共蒸着される。
【０５９５】
次に、図３４（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層としてのＬｉＦまたはＬｉｑを形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。また、電子輸送層１８上にカソード電極１９を形成する。
【０５９６】
図３４の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルは、青色のゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【０５９７】
画素電極１５ＲのＲ上方の発光層１７Ｒが含んでいるゲスト材料の多くは発光可能である。画素電極１５Ｇおよび画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤色のゲスト材料Ｒはほとんど消光するか、または励起されない。
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇが含んでいる緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂの照射により、ほとんど消光するか、または励起されない。
【０５９８】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤色のゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇおよび発光層１７Ｇの青色のゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【０５９９】
すなわち、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｇでは、緑色のゲスト材料Ｇも励起することが可能である。また、画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｇでは、青色のゲスト材料Ｇも励起することが可能である。
【０６００】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｒでは、含有する赤色のゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されているため励起しない。画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇは、緑で発光する。
【０６０１】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｂでは、ゲスト材料Ｂが励起される。発光層１７Ｇが含んでいる緑色のゲスト材料Ｇは、青色のゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収して発光する。したがって、発光層１７Ｇは、緑で発光する。
【０６０２】
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｒでは、含有する赤色のゲスト材料Ｒは、レーザ光５９ａが照射されているため励起しない。また、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇはレーザ光５９ｂが照射されているため励起しない。発光層１７Ｂは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７Ｂは、青で発光する。
【０６０３】
以下、図面を参照しながら、本発明の第３の実施例について説明をする。図３５、図３６は本発明の第３の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面図、構成図および製造方法の説明図である。
【０６０４】
図３５において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、正孔輸送層１６ａ（ＨＴＬ１）、正孔輸送層１６ｂ（ＨＴＬ２）、発光層１７Ｒ（ホスト材料３８Ｒ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ）、発光層１７Ｇ（ホスト材料３８Ｇ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）、発光層１７Ｂ（ホスト材料３８Ｂ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ）が形成されている。
【０６０５】
緑色の画素電極１５Ｇの上方には、正孔輸送層１６ａ（ＨＴＬ１）、発光層１７Ｇ（ホスト材料３８Ｇ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）、発光層１７Ｂ（ホスト材料３８Ｂ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ）が形成されている。
【０６０６】
青色の画素電極１５Ｂの上方には、正孔輸送層１６ａ（ＨＴＬ１）、発光層１７Ｇ（ホスト材料３８Ｇ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）、発光層１７Ｂ（ホスト材料３８Ｂ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ）が形成されている。
【０６０７】
青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇには、レーザ光が照射されて、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料（ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）が改質されている。
【０６０８】
以下、図面を参照しながら、本発明の第３の実施例の製造方法について説明をする。図３６（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６ａが形成される。正孔輸送層１６ａは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに共通に（連続して）形成される。
次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室（ＥＭＬ（Ｒ））１１１ｄに搬入される。
【０６０９】
図３６（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、ファイン蒸着マスク２５１Ｒを配置する。ファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤の画素位置に開口部を有するマスクである。
【０６１０】
次に、赤の画素３７Ｒに正孔輸送層１６ｂが蒸着される。赤の画素３７Ｒに正孔輸送層１６ａ、正孔輸送層１６ｂが形成され、緑の画素３７Ｇ、青の画素３７Ｂには正孔輸送層１６ｂは形成されない。
【０６１１】
赤の画素３７Ｒは、正孔輸送層ＨＴＬ２、赤の発光層１７Ｒが形成されているため、他の色の画素（緑の画素３７Ｇ、青の画素３７Ｂ）に比較して、光学的距離Ｌが長い。
【０６１２】
光学的距離（Optical Path Length）は光路長とも呼ぶ。実際に光が進む距離（物理的距離）に屈折率をかけたものである。物質中での光の速さは屈折率に反比例するため、光学的距離が等しければ光は進むのに同じ時間がかかる。
【０６１３】
各色のＥＬ素子を構成する各層の物質の屈折率は大きくは差がないため、各色のＥＬ素子の光学的距離Ｌと物理的距離は相対的に比例する。したがって、光学的距離Ｌを物理的距離に置き換えても良い。反射膜１２とカソード電極１９間の距離ＬがＥＬ素子２２の光学的距離である。
【０６１４】
複数色を発光するＥＬ表示パネルにおいて、少なくも１つの色のＥＬ素子に、複数の発光層を形成し、他の色のＥＬ素子の発光層１７と異ならせ、光学的距離Ｌを異ならせることが好ましい。
【０６１５】
発光層１７Ｒ（第１の発光層）が放出する光の主波長λ１（ｎｍ）は、発光層１７Ｇ（第２の発光層）が放出する光の主波長λ２（ｎｍ）に比較してより長い。この主波長λ２は、発光層１７Ｂ（第３の発光層）が放出する光の主波長λ３（ｎｍ）に比較してより長い。一例として、発光層１７Ｒの発光色は赤色であり、発光層１７Ｇの発光色は緑色であり、発光層１７Ｂの発光色は青色であるとする。
【０６１６】
赤色は波長が最も長く、青色は波長が最も短く、緑色は、赤色と青色の波長の中間である。したがって、各色で適正な光学的距離Ｌは、赤色の光学的距離Ｌ１  ＞  緑色の光学的距離Ｌ２  ＞  青色の光学的距離Ｌ３となる。ただし、干渉次数は、赤色、緑色、青色で同一次数とした場合である。
【０６１７】
本発明のＥＬ表示パネルは、光取り出し側の電極には、光透過性の金属膜（ＭｇＡｇ１９）を形成し、光取り出し側と逆側には反射膜１２を形成する。反射膜として高反射金属である銀（Ａｇ）を用いる。
反射膜１２の上面および下面にはＩＴＯ膜が形成される。ＩＴＯ膜の形成により正孔が正孔輸送層１６に移動しやすくなる。
【０６１８】
光学的距離Ｌに関して、Ｌ＝（２ｍ−（φ／π））×（λ／４）を満たすことで、取り出したい波長λの光を正面方向に集光させている。φは反射膜における反射時の位相シフト［ｒａｄ］、干渉次数ｍは０又は正の整数であり、ｍ＝０の時に光学的距離Ｌは式を満足する正の最小値をとる。λは発光波長である。
【０６１９】
干渉次数ｍは、０又は１を選択する。干渉次数０の場合は、ＥＬ素子を構成する膜厚が薄く、使用する有機材料量を削減できるため、低コスト化を実現できる。また、視角方向による色変わりが発生しにくい。
【０６２０】
赤色の画素３７Ｒに、発光層１７Ｒを正孔輸送層１６ｂ上に積層させる。発光層１７Ｒはホスト材料３９Ｒと赤色のゲスト材料（３８Ｒｔ、３８Ｒｆ）を共蒸着させて形成する。共蒸着は真空工程で実施される。
なお、共蒸着工法に限定するものではなく、インクジェット工法、熱転写工法、印刷工法で実施してもよい。
【０６２１】
次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図３６（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇには、緑色のゲスト材料（３８Ｇｔ、３８Ｇｆ）が含有されている。
【０６２２】
次に、ＴＦＴ基板５２は、図２２で示すレーザ装置室１１８に搬入される。図３６（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９ｂが照射される。レーザ光５９ｂを照射すると、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し改質される。
緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９ｂが照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。
【０６２３】
次に、図３６（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂが形成される。発光層１７Ｂは、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態を維持されるため、発光層１７Ｂは、青色の発光する発光層となる。
【０６２４】
次に、図３６（ｆ）に図示するように、発光層１７ＧＢの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
【０６２５】
図３５の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤色のゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【０６２６】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤色のゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇおよび発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【０６２７】
発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤色のゲスト材料Ｒは、緑色のゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図３５の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７は、赤色で発光する。
【０６２８】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂの青色のゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【０６２９】
発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図３５の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層１７は、緑色で発光する。
【０６３０】
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇでは、含有する緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂが照射されて励起しない。発光層１７Ｂは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青で発光する。
【０６３１】
各発光層でのＲＩＳＣプロセス、ＦＲＥＴプロセス、エネルギーの移動等については、図４、図５、図９、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４等で説明しているので説明を省略する。以上の事項は本発明の他の実施例においても同様である。
【０６３２】
図３６の本発明の製造方法では、ファイン蒸着マスク２５１で、発光層１７Ｒを形成することを例示して説明したが、これに限定するものではない。例えば、発光層１７Ｒをインクジェット方式で形成してもよい。
【０６３３】
発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂ等の他の発光層をファイン蒸着マスクで形成することも、本発明の技術的範疇である。また、発光層１７に限定されるものでなく、例えば、正孔輸送層１６を形成してもよい。ファイン蒸着マスク２５１を使用して正孔輸送層１６を形成することにより、例えば、正孔輸送層１６ａ、１６ｂ、電子輸送層１８の膜厚を容易に設定できる。
【０６３４】
以下、図面を参照しながら、本発明の第４の実施例について説明をする。図３７、図３８は本発明の第４の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面図、構成図、およびＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
【０６３５】
図３７において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、正孔輸送層１６ａ（ＨＴＬ１）、正孔輸送層１６ｂ（ＨＴＬ２）、発光層１７Ｒ（ホスト材料３８Ｒ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆ）、発光層１７Ｇ（ホスト材料３８Ｇ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）、発光層１７Ｂ（ホスト材料３８Ｂ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ）が形成されている。
【０６３６】
緑色の画素電極１５Ｇの上方には、正孔輸送層１６ａ（ＨＴＬ１）、発光層１７Ｇ（ホスト材料３８Ｇ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）、発光層１７Ｂ（ホスト材料３８Ｂ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ）が形成されている。
【０６３７】
青色の画素電極１５Ｂの上方には、正孔輸送層１６ａ（ＨＴＬ１）、正孔輸送層１６ｂ（ＨＴＬ２）、発光層１７Ｇ（ホスト材料３８Ｇ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）、発光層１７Ｂ（ホスト材料３８Ｂ、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆ）が形成されている。
【０６３８】
青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇには、レーザ光５９ｂが照射されて、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料（ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔ、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ）が改質され、改質層９６ｂとなっている。
【０６３９】
以下、図３８を参照しながら、本発明の第４の実施例の製造方法について説明をする。図３８（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６ａが形成される。正孔輸送層１６ａは、赤色の画素３７Ｒ、緑色の画素３７Ｇ、青色の画素３７Ｂに共通に形成される。
【０６４０】
次に、図３８（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、ファイン蒸着マスク２５１ｂを配置する。ファイン蒸着マスク２５１ｂは、青の画素位置に開口部を有するマスクである。
次に、青の画素３７Ｂに正孔輸送層１６ｂが蒸着される。赤の画素３７Ｒ、緑の画素３７Ｇには正孔輸送層１６ｂは形成されない。
【０６４１】
次に、図３８（ｃ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、ファイン蒸着マスク２５１Ｒを配置する。ファイン蒸着マスク２５１Ｒは、赤の画素位置に開口部を有するマスクである。
【０６４２】
赤の画素３７Ｒに赤の発光層１７Ｒが蒸着される。発光層１７Ｒには、赤色のゲスト材料（３８Ｒｔ、３８Ｒｆ）が含有されている。緑の画素３７Ｇ、青の画素３７Ｂには赤の発光層１７Ｒは形成されない。
【０６４３】
次に、ＴＦＴ基板５２は、チャンバー室１１１ｂに搬入される。チャンバー室１１１ｂでは、図３８（ｄ）に図示するように、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇには、緑色のゲスト材料（３８Ｇｔ、３８Ｇｆ）が含有されている。
【０６４４】
次に、ＴＦＴ基板５２は、図２２で示すレーザ装置室１１８に搬入される。図３８（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９ｂが照射される。レーザ光５９ｂを照射すると、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収して改質され、改質層９６ｂとなる。
【０６４５】
赤色の画素電極１５Ｒおよび緑色の画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇにはレーザ光５９ｂが照射されていないため、発光層１７Ｇのゲスト材料Ｇが発光可能な状態が維持されている。
【０６４６】
次に、図３８（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂが形成される。発光層１７Ｂは、ゲスト材料Ｂが発光可能な状態を維持されるため、発光層１７Ｂは、青色の発光する発光層となる。
【０６４７】
次に、図３８（ｆ）に図示するように、発光層１７ＧＢの上方に電子輸送層１８を形成し、続いて、電子注入層を形成し、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。
【０６４８】
図３７の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤色のゲスト材料Ｒの吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルは、発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【０６４９】
画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｒの赤色のゲスト材料Ｒにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇおよび発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【０６５０】
発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤色のゲスト材料Ｒは、緑色のゲスト材料Ｇが励起されるエネルギーを吸収して発光する。図３７の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｒの発光層１７は、赤色で発光する。
【０６５１】
画素電極１５Ｇの上方の発光層１７Ｇでは、電子と正孔との再結合は主に発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇにおいて生じるが、再結合は発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂの青色のゲスト材料Ｂにおいても生じる可能性がある。
【０６５２】
発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料Ｇは、発光層１７Ｂの青色のゲスト材料Ｂが励起されるエネルギーを吸収する。図３７の本発明のＥＬ表示パネルの画素電極１５Ｇの発光層１７は、緑色で発光する。
【０６５３】
画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇでは、含有する緑色のゲスト材料Ｇは、レーザ光５９ｂが照射されて励起しない。発光層１７Ｂは、青で発光する。したがって、画素電極１５Ｂの画素３７は、青で発光する。
【０６５４】
図３８の本発明の製造方法では、ファイン蒸着マスク２５１ａで、正孔輸送層１６ｂ、発光層１７Ｒを形成することを例示して説明したが、これに限定するものではない。例えば、正孔輸送層１６ｂ、発光層１７Ｒをインクジェット方式で形成してもよい。
図３９、図４０は本発明の第５の実施例におけるＥＬ表示パネルの断面図、構成図、およびＥＬ表示パネルの製造方法の説明図である。
図３９において、赤色の画素電極１５Ｒの上方には、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂｆ、発光層１７Ｂｔが形成されている。
赤色の発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光のゲスト材料３８Ｒｆとホスト材料３８Ｒが共蒸着されて形成されている。
緑色の発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとホスト材料３８Ｇが共蒸着されて形成されている。
青色の発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３８Ｂｆ共蒸着されて形成されている。
青色の発光層１７Ｂｔは、蛍光のゲスト材料３８Ｂｔとホスト材料３８Ｂｔが共蒸着されて形成されている。
緑色の画素１５の上方および青色の画素１５の上方も、赤色の画素１５と同様な発光層１７が形成されている。
【０６５５】
赤色の画素３７Ｒの発光層１７Ｂｆは改質されている。緑色の画素３７Ｇの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｂｆは改質されている。青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは改質されている。
以下、図４０を参照しながら、本発明の第５の実施例の製造方法について説明をする。
図４０（ａ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２は、画素電極１５の上方に正孔輸送層１６が形成される。
【０６５６】
次に、図４０（ｂ）に図示するように、ＴＦＴ基板５２に、赤色の発光層１７Ｒを形成する。赤色の発光層１７Ｒはファイン蒸着マスクを用いず、表示領域に開口部を有するラフ蒸着マスクを使用して、赤色、緑色、青色の画素間に連続して形成する。赤色の発光層１７Ｒはインクジェット方式、熱転写方式、印刷方式を用いて形成してもよい。
【０６５７】
本発明の実施例において、正孔輸送層１６、電子輸送層１８等の薄膜は、蒸着方式で形成するとして説明するが、これに限定するものではない。例えば、インクジェット方式で形成してもよいし、熱転写方式、印刷方式で形成してもよい。以上の事項は本発明の他の実施例に適用されることは言うまでもない。
赤色の発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光のゲスト材料３８Ｒｆとホスト材料３９Ｒが共蒸着されて形成されている。
【０６５８】
図２１（ａ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ａ）を吸収しにくく、ゲスト材料は、レーザ光Ａを吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光Ａの波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト（ドーパント）材料が吸収しやすい波長を選定する。
【０６５９】
レーザ光Ａの波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）も考慮する必要がある。正孔輸送層１６の上方に発光層１７が形成され、発光層１７にレーザ光Ａ（レーザ光５９ａ）を照射する。その際、発光層１７を透過したレーザ光Ａが正孔輸送層１６に照射される場合がある。正孔輸送層１６がレーザ光Ａを吸収すると正孔輸送層１６が特性変化する可能性がある。
【０６６０】
したがって、図２１（ｂ）に図示するように、正孔輸送層１６材料は、ホスト材料と同様に、ゲスト材料のレーザ光Ａの吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料のレーザ光Ａの吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層１６材料を選定することが好ましい。あるいは、吸収率の倍率が５倍以上となるように選定することが好ましい。
【０６６１】
レーザ光５９ａの照射により、緑色の画素３７Ｇおよび青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｒのゲスト材料は改質され、改質層９６ａとなる。そのため、画素３７Ｇと画素３７Ｂの発光層１７Ｒは発光しない。画素３７Ｇと画素３７Ｂの発光層１７Ｒは主として正孔輸送の機能として動作する。
【０６６２】
次に、図４０（ｃ）に図示するように、発光層１７Ｇを積層させる。発光層１７Ｇは、ファイン蒸着マスクを用いず、表示領域に開口部を有するラフ蒸着マスクを使用して、画素間を連続して形成する。
緑色の発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとホスト材料３９Ｇが共蒸着されて形成されている。
【０６６３】
ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図４０（ｄ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂの上方の発光層１７Ｇに、レーザ光５９ｂが照射される。レーザ光５９ｂを照射すると、発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇは、レーザ光５９ｂを吸収し、改質層９６ｂとなる。
【０６６４】
図２１（ａ）に図示するように、ホスト材料は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ｂ）を吸収しにくく、ゲスト材料は、レーザ光Ａを吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光Ａの波長は、ホスト材料が吸収しにくく、ゲスト（ドーパント）材料が吸収しやすい波長を選定する。
【０６６５】
レーザ光Ａの波長は、正孔輸送層の光吸収率（％）も考慮する必要がある。正孔輸送層１６の上方に発光層１７が形成され、発光層１７にレーザ光Ａ（レーザ光５９ｂ）を照射する。その際、発光層１７を透過したレーザ光Ａが正孔輸送層１６に照射される場合がある。正孔輸送層１６がレーザ光Ａを吸収すると正孔輸送層１６が特性変化する可能性がある。
【０６６６】
図２１（ｂ）に図示するように、正孔輸送層１６材料は、ホスト材料と同様に、ゲスト材料のレーザ光Ａの吸収率が、７５％以上の時、ホスト材料のレーザ光Ａの吸収率が２５％以下の関係となるような正孔輸送層１６材料を選定することが好ましい。あるいは、吸収率の倍率が５倍以上となるように選定することが好ましい。
【０６６７】
レーザ光５９ｂの照射により、青色の画素３７Ｂの発光層１７Ｇのゲスト材料は改質され、改質層９６ｂとなる。そのため、画素３７Ｂの発光層１７Ｇは発光しない。
【０６６８】
次に、図４０（ｅ）に図示するように、発光層１７Ｂｆを積層させる。発光層１７Ｂｆは、ファイン蒸着マスクを用いず、表示領域に開口部を有するラフ蒸着マスクを使用して、画素間を連続して形成する。発光層１７Ｂｆは、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂに共通に形成される。
青色の発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆが共蒸着されて形成されている。
【０６６９】
なお、本発明の実施例において、発光層は、ＴＡＤＦ材料のゲスト材料と蛍光材料のゲスト材料の両方を含有するとして説明を行うが、本発明はこれに限定するものではない。本発明は、ＴＡＤＦ材料のゲスト材料と蛍光材料のゲスト材料のうち少なくとも一方のゲスト材料またはホスト材料を改質させるものである。
【０６７０】
本発明は、ＴＡＤＦ材料のゲスト材料と蛍光材料のゲスト材料あるいはホスト材料のうち１つを改質させることにより、ＲＩＳＣプロセスとＦＲＥＴプロセスのうち少なくとも一方のプロセスが発生することを、停止または抑制できるのであれば、いずれの構成であっても良い。たとえば、発光層１７にＴＡＤＦ材料からなるゲスト材料が含有される場合が例示され、発光層１７に蛍光材料からなるゲスト材料が含有される場合が例示される。
以上の事項は、本明細書の他の実施例に適用できることは言うまでもない。
【０６７１】
ＴＦＴ基板５２は、レーザ装置室１１８に搬入され、図４０（ｅ）に図示するように、青色の画素電極１５Ｂ以外の発光層１７Ｂｆに、レーザ光５９ｃが照射される。レーザ光５９ｃを照射すると、発光層１７Ｂのゲスト材料３８Ｂｆは、レーザ光５９ｃを吸収し、改質層９６ｃとなる。
【０６７２】
図２１（ａ）に図示するように、ホスト材料３９Ｂｆは、レーザ光Ａ（レーザ光５９ｃ）を吸収しにくく、ゲスト材料Ｂｆは、レーザ光Ａを吸収しやすい材料を選定する。もしくは、レーザ光Ａの波長は、ホスト材料３９Ｂｆが吸収しにくく、ゲスト材料３８Ｂｆが吸収しやすい波長を選定する。
【０６７３】
レーザ光Ａの波長は、ゲスト材料３８Ｇの光吸収率（％）も考慮する必要がある。発光層１７Ｇの上方に発光層１７Ｂｆが形成され、発光層１７Ｂｆにレーザ光Ａ（レーザ光５９ｃ）を照射する。その際、発光層１７Ｂｆを透過したレーザ光Ａが発光層１７Ｇに照射される場合がある。発光層１７Ｇがレーザ光Ａを吸収すると発光層１７Ｇの特性変化する可能性がある。
【０６７４】
したがって、図２１（ｃ）に図示するように、ゲスト材料Ｂ（ゲスト材料３８Ｇ）は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ｃ）波長を吸収し難く、ゲスト材料Ａ（ゲスト材料３８Ｂｆ）は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ｃ）波長を吸収しやすい材料を選定する。また、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂｆのホスト材料は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ａ、５９ｂ、５９ｃ）波長を吸収しにくい材料を選定する。
【０６７５】
赤色の画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂｆの下層に。発光層１７Ｇ、発光層１７Ｒが形成されている。レーザ光５９ｃの照射により、発光層１７Ｂｆは改質するが、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｒは改質されないようにする。
【０６７６】
したがって、図２１（ｄ）に図示するように、ゲスト材料Ｂ（例えば、ゲスト材料３８Ｇ）、ゲスト材料Ｃ（例えば、ゲスト材料３８Ｒ）は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ｃ）波長を吸収し難く、ゲスト材料Ａ（ゲスト材料３８Ｂｆ）は、レーザ光Ａ（レーザ光５９ｃ）波長を吸収しやすい材料を選定する。また、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇおよび発光層１７Ｂｆのホスト材料は、レーザ光（レーザ光５９ａ、５９ｂ、５９ｃ）波長を吸収しにくい材料を選定する。
【０６７７】
レーザ光５９ｃの照射により、青色の画素３７Ｂ以外の発光層１７Ｂｆのゲスト材料は改質され、改質層９６ｃとなる。そのため、青色の画素３７Ｂ以外の発光層１７Ｂｆは発光しない。
【０６７８】
次に、図４０（ｆ）に図示するように、発光層１７Ｂｆの上方に発光層１７Ｂｔと、電子輸送層１８を形成し、さらに、電子注入層（図示せず）、カソード電極１９を電子輸送層１８上に積層する。また、封止層２０、封止フィルム２７を形成する。
【０６７９】
図３９の画素電極１５Ｒの上方の発光層１７Ｒが含んでいる赤色のゲスト材料３８Ｒｆの吸収スペクトルは、発光層１７Ｇの緑色のゲスト材料の発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７Ｂｔの青色のゲスト材料３８Ｂｆの発光スペクトルは、発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇと発光層１７Ｒのゲスト材料３８Ｒｆの吸収スペクトルと少なくとも一部が重なっている。
【０６８０】
赤色の画素３７の発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより三重項励起エネルギーは、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料に移動する。また、一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７ＧのＴＡＤＦまたは蛍光のゲスト材料の一重項励起状態の準位に移動する。
【０６８１】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの発光スペクトルは蛍光のゲスト材料に比較して広い。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料３８の発光スペクトルは、他の発光層１７のゲスト材料の吸収スペクトルと重なる波長が大きいため、ＦＲＥＴプロセスが発生しやすくなる。
【０６８２】
ＴＡＤＦのゲスト材料の発光スペクトルと吸収スペクトルは蛍光材料３８の発光スペクトルと吸収スペクトルよりも広い。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料とＴＡＤＦのゲスト材料とのＦＲＥＴプロセスは効率よく発生しやすい。また、ＴＡＤＦのゲスト材料と蛍光のゲスト材料とのＦＲＥＴプロセスへのエネルギー移動は効率よく発生する。
【０６８３】
図３９の実施例では、赤色の画素３７Ｒでは、発光層１７Ｂｆが改質されている。発光層１７Ｂｔの発光スペクトルは広いため、発光層１７Ｇの吸収スペクトルとの重なりが広い。発光層１７Ｂｔの一重項励磁エネルギーは、発光層１７Ｇに移動する。
【０６８４】
発光層１７Ｇの発光スペクトルと、発光層１７Ｒｆの吸収スペクトルは少なくともその一部が重なっている。したがって、発光層１７Ｇの励磁エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
【０６８５】
発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔの発光スペクトルと、発光層１７の蛍光のゲスト材料Ｒｆの吸収スペクトルは少なくともその一部が重なっている。したがって、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔの励磁エネルギーは、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動しエネルギーは、Ｓｒ１準位からＳｒ０準位に移動して赤（Ｒ）の波長帯域の光が発生する。
【０６８６】
図３９の画素３７Ｇの発光層１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射され改質されている（改質層９６ａ）。また、画素３７Ｇの発光層１７Ｂｆは、レーザ光５９ｃが照射され改質されている（改質層９６ｃ）。したがって、画素３７Ｇの発光層１７Ｒは発光しない。
【０６８７】
図３９の画素３７Ｇの発光層１７Ｇが含んでいる緑色のゲスト材料３８Ｇｆの吸収スペクトルは、発光層１７Ｂｔの青色のゲスト材料Ｂｔの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。また、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの発光スペクトルは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆの吸収スペクトルと少なくとも一部が重なっている。
緑色の画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより三重項励起エネルギーは、一重項励起エネルギーに変換される。
一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７ＧのＴＡＤＦまたは蛍光のゲスト材料の一重項励起状態の準位に移動する。
【０６８８】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの発光スペクトルは蛍光のゲスト材料に比較して広い。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料３８の発光スペクトルは、他の発光層１７のゲスト材料の吸収スペクトルと重なる波長が大きいため、ＦＲＥＴプロセスが発生しやすくなる。
【０６８９】
図３９の実施例では、緑色の画素３７Ｇでは、発光層１７Ｂｆが改質されている。発光層１７Ｂｔの発光スペクトルは広いため、発光層１７Ｇの吸収スペクトルとの重なりが広い。したがって、効率よく、発光層１７Ｂｆの一重項励磁エネルギーは、発光層１７Ｇに移動する。
発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０６９０】
発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの発光スペクトルと、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料Ｇｆの吸収スペクトルは少なくともその一部が重なっている。したがって、発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの励磁エネルギーは、発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動しエネルギーは、Ｓｇ１準位からＳｇ０準位に移動して緑（Ｇ）の波長帯域の光が発生する。
【０６９１】
図３９の画素３７Ｂの発光層１７Ｒは、レーザ光５９ａが照射され改質されている（改質層９６ａ）。また、画素３７Ｇの発光層１７Ｇは、レーザ光５９ｂが照射され改質されている（改質層９６ｂ）。
【０６９２】
図３９の画素３７Ｂの発光層１７Ｂｆが含んでいる緑色のＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｆの吸収スペクトルは、発光層１７Ｂｔの青色のゲスト材料Ｂｔの発光スペクトルと少なくとも部分的に重なり合っている。
【０６９３】
青色の画素３７Ｂの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料は、ＲＩＳＣプロセスにより三重項励起エネルギーは、一重項励起エネルギーに変換される。一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｔの蛍光のゲスト材料の一重項励起状態の準位に移動する。
【０６９４】
発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの発光スペクトルは蛍光のゲスト材料に比較して広い。したがって、ＴＡＤＦのゲスト材料３８の発光スペクトルは、他の発光層１７のゲスト材料の吸収スペクトルと重なる波長が大きいため、ＦＲＥＴプロセスが発生しやすくなる。
発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーは、Ｓｂ１準位からＳｂ０準位に移動して青（Ｂ）の波長帯域の光が発生する。
【０６９５】
以上の実施例では、発光層１７にＴＡＤＦのゲスト材料と蛍光のゲスト材料の両方を含有する例を主として説明した。あるいは、１つの色の発光層が、ＴＡＤＦのゲスト材料と含有する第１の発光層と、蛍光のゲスト材料と含有する第２の発光層とが形成された実施例であった。
本発明は多くの実施例がある。以下、図４１、図４２を参照しながら、他の実施例について説明をする。
図４１は、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの各発光層にＴＡＤＦと蛍光のゲスト材料のいずれか一方を含有している実施例である。
【０６９６】
図４１は、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの３色の発光層を形成した場合を例示しているがこれに限定するものではない。少なくとも複数の色の発光層を有していれば良い。例えば、青色の発光層と、黄色の発光層を有するＥＬ表示パネルが例示される。また、発光層が、赤発光材料と緑発光材料と青発光材料とを含有し、光出射側にカラーフィルタを有する表示パネル、青色発光等の発光層を有し、光出射側にＱＤ (量子ドット：Quantum Dot)からなるフィルタを有する表示パネルにも適用される。
【０６９７】
図４１、図４２等の本発明の実施例において、各発光層１７は蒸着技術で形成するとして説明するが、これに限定するものではない。例えば、ゲスト材料とホスト材料とを含有する溶液をインクジェット技術で塗付することにより発光層１７を形成してもよい。また、スクリーン印刷、レーザ転写方式等の印刷技術で形成してよい。これらの技術でも、ファイン蒸着マスクを使用せず、かつ、発光層を画素３７間で連続して（共通に）形成することができる。
【０６９８】
本発明は、複数の色の画素を有し、その内の１つの画素の発光層１７が改質されていることを特徴とする。改質される発光層は、複数の画素３７に連続するように形成され、かつ、画素３７の発光色より、長波長の発光層１７が改質される。
【０６９９】
例えば、図４１（ａ）では、複数の画素３７（画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂ）に連続するように形成されている。画素３７Ｇは緑色で発光するとし、画素３７Ｂは青色色で発光するとする。画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質されている。発光層１７Ｒは、改質前は赤色の発光であり、赤色の波長は画素３７Ｇの緑色の発光の波長よりも長い。画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは改質されている。発光層１７Ｒは、改質前は赤色の発光であり、赤色の波長は画素３７Ｂの青色の発光の波長よりも長い。また、発光層１７Ｇは、改質前は緑色の発光であり、緑色の波長は画素３７Ｂの青色の発光の波長よりも長い。
【０７００】
図４１（ａ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒ、緑の発光層１７Ｇおよび青の発光層１７Ｂが形成されている。各発光層１７は、ＴＡＤＦのゲスト材料と蛍光のゲスト材料を含有している。画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質され、画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは改質されている。
【０７０１】
図４１（ａ）の画素３７Ｒは、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒ、緑の発光層１７Ｇおよび青の発光層１７Ｂが形成されている。
【０７０２】
本発明の一実施例としての構造は、複数の色の画素３７に蒸着マスク等を使用せず、連続して、あるいは共通に、発光層１７が形成されていることに特徴ある。また、複数の画素３７の発光層１７において、改質された発光層１７の上層で、励磁エネルギーがＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移することを特徴とするものである。改質層は、輻射遷移が発生する発光層１７の下層に実施される。改質される発光層１７は、改質されない場合は、輻射遷移が発生する発光層１７よりも長波長のスペクトルを発生する発光層１７である。
【０７０３】
改質は、レーザ光等の狭指向性の光で実施され、レーザ光を発生するレーザ装置は蒸着真空室５７の外部に配置され、レーザ光は、蒸着真空室５７のレーザ窓６３から、蒸着真空室５７内のＴＦＴ基板５２に照射される。
【０７０４】
画素３７Ｒの発光層１７Ｂ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有し、蛍光のゲスト材料は含有しない。他の発光層１７は、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔと、蛍光のゲスト材料の両方を含有する。
【０７０５】
図４１（ａ）において、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光のゲスト材料３８Ｒｆとホスト材料３９Ｒ（図示せず）を含有している。
【０７０６】
画素３７Ｒの発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７０７】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｇでも発生しうる。画素３７Ｇの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーはＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｒにエネルギー移動する。発光層１７Ｇの蛍光のＴＡＤＦ材料３８Ｇｔの励磁エネルギーに発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒにエネルギー移動する場合もある。
【０７０８】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｂでも発生しうる。画素３７Ｒの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｇにエネルギー移動する。さらに蛍光のゲスト材料３８Ｇに移動した励磁エネルギーは、発光層１７Ｒに移動する。発光層１７Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動した励磁エネルギーが、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料に移動する場合もある。
【０７０９】
以上のように励磁エネルギーの移動は、図４、図５、図９、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４、図１５等で説明しているため、説明を省略するが、以上の図を使用して説明した事項が本発明の実施例において適用できることは言うまでもない。
【０７１０】
図４１（ａ）において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒは、レーザ光が照射され改質されている。発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとホスト材料３９Ｇ（図示せず）を含有している。
【０７１１】
画素３７Ｇの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７１２】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｇの発光層１７Ｂでも発生しうる。画素３７Ｇの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇにエネルギー移動する。発光層１７Ｇに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７１３】
図４１（ａ）において、画素３７Ｂの発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、レーザ光５９が照射され改質されている。発光層１７ＢはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂ（図示せず）を含有している。
【０７１４】
画素３７Ｂの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｂの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは青（Ｂ）色の光を発生する。
【０７１５】
以上のように、本発明は、発光する発光層１７より下層の発光層１７が改質されている。また、発光する発光層１７より下層の発光層１７が、改質されていない場合は、発光する発光層１７よりも長波長の発光が発生することを特徴とする。
図４１（ｂ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒ、緑の発光層１７Ｇおよび青の発光層１７Ｂが形成されている。
【０７１６】
画素３７Ｒの発光層１７Ｂ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有し、蛍光のゲスト材料は含有しない。他の発光層１７は、ＴＡＤＦのゲスト材料と、蛍光のゲスト材料の両方を含有する。
【０７１７】
本発明の一実施例としての構造は、複数の色の画素３７にファイン蒸着マスク等を使用せず、連続して共通に発光層１７が形成されていることに特徴ある。しかし、すべての発光１７が画素間に連続して形成されていることを必要としない。図４１（ｂ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂにおいて、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇは、連続して形成されている（ファイン蒸着マスクを使用しないで発光層を形成できる）。発光層１７Ｂは、画素３７Ｒと画素３７Ｇで連続であるが、画素３７Ｂは発光層１７にはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとを含有し、他の色の画素３７と非連続である。
【０７１８】
図４１（ｂ）の画素３７Ｂの発光層１７Ｂは、ゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは青（Ｂ）色の光を発生する。画素３７Ｒは発光層１７Ｒが発光層であり、画素３７Ｇは発光層１７Ｇが発光層である。
【０７１９】
画素３７Ｇの上層の発光層１７Ｂは、励磁エネルギーは発生する可能性はあるが、発光せず、励磁エネルギーはＦＲＥＴプロセスにより発光層１７Ｇに移動し、発光層１７Ｇが発光する。
【０７２０】
画素３７Ｇの上層の発光層１７Ｂの励磁エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより発光層１７Ｇに効率よく移動できるようにすることが好ましい。ＴＡＤＦのゲスト材料は、発光スペクトルが広い。また、吸収スペクトルも広い。吸収スペクトルと発光スペクトルの重なりが広い方がＦＲＥＴプロセスは発生しやすく、励磁エネルギーの移動も発生しやすい。
【０７２１】
図４１（ｂ）の実施例では、画素３７Ｒ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔを含有しているため、発光スペクトルが広い。発光層１７Ｂに隣接した下層の発光層１７Ｇは、少なくともＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔを含有しているため、吸収スペクトルの波長範囲が広い。そのため、発光層１７Ｂの発光スペクトルは、発光層１７Ｇの吸収スペクトルの重なりが広く設計でき、効率よくＦＲＥＴプロセスが発生し、良好に励磁エネルギーを移動できる。
【０７２２】
なお、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔおよび蛍光のゲスト材料３８Ｂｆを含有しているため、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔ分子でＲＩＳＣプロセスが発生して、三重項励磁エネルギーが一重項励磁エネルギーに変換される。三重項励磁エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動し、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆが発光する。
【０７２３】
本発明は複数の画素３７の発光層１７において、改質された発光層１７の上層で、励磁エネルギーがＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移することを特徴とするものである。改質層は、輻射遷移が発生する発光層１７の下層に実施される。改質される発光層１７は、改質されない場合は、輻射遷移が発生する発光層１７よりも長波長のスペクトルを発生する発光層１７である。
【０７２４】
改質は、レーザ光等の狭指向性の光で実施され、レーザ光を発生するレーザ装置は蒸着真空室５７の外部に配置され、レーザ光は、蒸着真空室５７のレーザ窓６３から、蒸着真空室５７内のＴＦＴ基板５２に照射される。
【０７２５】
ＦＲＥＴ（蛍光共鳴エネルギー移動）プロセスは、発光スペクトルと他の発光層の吸収スペクトルとの重なりが大きい方が、効率よくエネルギー移動する。図４１（ｂ）で画素３７Ｇの発光層１７Ｂはゲスト材料がＴＡＤＦであるため、発光スペクトルが広い。したがって、発光層１７Ｇに、ＦＲＥＴプロセスにより良好に励磁エネルギーが移動する。画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質されているため、発光層１７Ｇに移動した励磁エネルギーは発光層１７Ｒには移動せず、発光層１７ＧのＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７２６】
また、画素３７Ｇの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８ＧｔはＲＩＳＣプロセスにより三重励起エネルギーは、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。
以上のように、発光スペクトルが広い方が、励起エネルギーの移動先の吸収スペクトルと重なりやすく、ＦＲＥＴプロセスが良好となる。
【０７２７】
ＴＡＤＦのゲスト材料３８の発光スペクトルは広いため、ＥＬ表示パネルとしての色再現性が悪い。蛍光のゲスト材料３８の発光スペクトルは狭いため、ＥＬ表示パネルとしての色再現性は良好である。また、蛍光のゲスト材料３８は安定しており、寿命劣化も小さい。
【０７２８】
図４１（ｂ）の画素３７Ｇでは、発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆを含有しているため、ゲスト材料３８Ｇｔにおいて、ＲＩＳＣにより一重項励起エネルギーに変換される。一重項励起エネルギーは蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動して、緑（Ｇ）色で発光する。発光層１７Ｇの上層の発光層１７Ｂでも、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの三重項励起エネルギーが発生する可能性がある。発生した三重項励起エネルギーは、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起エネルギーに変換される。一重項励起エネルギーはまたはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔまたは蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動して、発光層１７Ｇが発光する。
【０７２９】
以上のように、発光層１７Ｇより下層にある発光層１７Ｒは改質され、発光層１７Ｒは発光しない。発光層１７Ｇの下層である発光層１７Ｒは、改質されていなければ発光層１７Ｇの発光スペクトルより長波長の発光スペクトルで発光するものである。発光層１７Ｇの上層の発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有し、発光スペクトルが広くなるように構成しており、発光層１７Ｇに励磁エネルギーが移動しやすいように構成されている。
図４１（ｃ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒ、緑の発光層１７Ｇおよび青の発光層１７Ｂが形成されている。
画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂの発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆの両方を含有する。
画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂの発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｇｔを含有する。
【０７３０】
画素３７Ｒ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆの両方を含有する。
ＦＲＥＴ（蛍光共鳴エネルギー移動）プロセスは、発光スペクトルと他の発光層の吸収スペクトルとの重なりが大きい方が、効率よくエネルギー移動する。
【０７３１】
図４１（ｃ）の画素３７Ｒでは、発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光のゲスト材料３８Ｒｆを含有している。ゲスト材料３８Ｒｔにおいて、ＲＩＳＣにより一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７３２】
画素３７Ｒの発光層１７Ｒが含有するゲスト材料３８ＲｔがＴＡＤＦであるため、発光スペクトルが広い。したがって、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに、ＦＲＥＴプロセスにより良好に励磁エネルギーが移動する。
【０７３３】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｇでも発生しうる。画素３７Ｇの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒにエネルギー移動する。発光層１７Ｒのゲスト材料３８Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７３４】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｂでも発生しうる。画素３７Ｒの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇまたは発光層１７Ｒにエネルギー移動する。発光層１７Ｇに移動した励磁エネルギーは、発光層１７Ｒに移動し、発光層１７Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７３５】
図４１（ｃ）の画素３７Ｒにおいて、発光層１７Ｒの上層の発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔを含有する。ＴＡＤＦの発光スペクトルは、発光波長が広い。発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔまたは蛍光のゲスト材料３８Ｒｆの吸収スペクトルとの重なりが多い。したがって、発光層１７Ｇで発生した励磁エネルギーは、ＦＲＥＴにより効率よく発光層１７Ｒにエネルギー移動が行われる。
【０７３６】
図４１（ｃ）の画素３７Ｒにおいて、発光層１７Ｒの上方の発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔを含有する。ＴＡＤＦの発光スペクトルは、発光波長が広い。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇの吸収スペクトルも広い。したがって、発光層１７Ｂの発光スペクトルと発光層１７Ｇの吸収スペクトルとの重なりが広い。発光層１７Ｂで発生した励磁エネルギーは、ＦＲＥＴにより効率よく発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔにエネルギー移動が行われる。また、発光層１７Ｇに移動した励磁エネルギーは、発光１７Ｒに移動する。発光層１７Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７３７】
図４１（ｃ）の画素３７Ｇにおいて、発光層１７Ｇの上方の発光層１７ＢはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔを含有する。ＴＡＤＦの発光スペクトルは、発光波長が広い。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇの吸収スペクトルも広い。したがって、発光層１７Ｂの発光スペクトルと発光層１７Ｇの吸収スペクトルとの重なりが広い。発光層１７Ｂで発生した励磁エネルギーは、ＦＲＥＴにより効率よく発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔにエネルギー移動が行われる。画素３７Ｇの発光層１７Ｒは改質されている。発光層１７Ｒは正孔輸送の機能を有する。発光層１７Ｇに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７３８】
図４１（ｃ）の画素３７Ｂにおいて、発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆの両方を含有する。発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの三重項励起エネルギーが発生する。発生した三重項励起エネルギーは、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起エネルギーに変換される。一重項励起エネルギーは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動して、発光層１７Ｂが発光する。したがって、高効率かつ発光波長スペクトルが狭い発光光を得ることができる。画素３７Ｂの発光層１７Ｇは改質されているため、発光層１７Ｂの励磁エネルギーは発光層１７Ｇに移行しないが、移行しても実用上は発光に影響しない。
【０７３９】
図４１（ａ）（ｂ）（ｃ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒ、緑の発光層１７Ｇおよび青の発光層１７Ｂが形成されている。本発明はこれに限定するものではない。
【０７４０】
図４１（ｄ）は、画素３７Ｒは発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの３つの層が形成されている。画素３７Ｇは発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの２つの層が形成されている。画素３７Ｂは発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの２つの層が形成されている。
画素３７Ｒ、画素３７Ｇの発光層１７は改質されておらず、画素３７Ｂの発光層１７Ｇが改質されている。
【０７４１】
図４１（ｄ）において、画素３７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆの両方を含有する。画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂの発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｇｆの両方を含有する。画素３７Ｒ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆの両方を含有する。
画素３７Ｒは、ファイン蒸着マスクを使用して、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆの両方を含有する発光層１７Ｒが形成される。
発光層１７Ｇは、ファイン蒸着マスクを使用せず、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂ間に連続して（共通に）形成される。
【０７４２】
画素３７Ｒと画素３７Ｇの発光層１７Ｂは画素間に連続して（共通に）形成されている。画素３７Ｂの発光層１７Ｂはファイン蒸着マスクを使用して形成される。
画素３７Ｒの発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆの両方を含有する。
画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂの発光層１７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆの両方を含有する。
【０７４３】
画素３７Ｒ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料Ｂｔを含有し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆの両方を含有する。
【０７４４】
図４１（ｄ）の画素３７Ｒでは、発光層１７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔと蛍光のゲスト材料３８Ｒｆを含有している。ゲスト材料３８Ｒｔにおいて、ＲＩＳＣにより一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７４５】
画素３７Ｒの発光層１７Ｒが含有するゲスト材料３８ＲｔがＴＡＤＦであるため、発光スペクトルが広い。したがって、発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに、ＦＲＥＴプロセスにより良好に励磁エネルギーが移動する。発光層１７Ｒの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７４６】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｇでも発生しうる。画素３７Ｇの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒにエネルギー移動する。発光層１７Ｒのゲスト材料３８Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７４７】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｂでも発生しうる。画素３７Ｒの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇにエネルギー移動する。発光層１７Ｇに移動した励磁エネルギーは、発光層１７Ｒに移動し、発光層１７Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７４８】
図４１（ｄ）の画素３７Ｒにおいて、発光層１７Ｒの上層の発光層１７ＧはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔと蛍光のゲスト材料３８Ｇｆを含有する。ＴＡＤＦの発光スペクトルは、発光波長が広い。発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆ、発光層１７ＲのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔまたは蛍光のゲスト材料３８Ｒｆの吸収スペクトルとの重なりが多い。したがって、発光層１７Ｇで発生した励磁エネルギーは、ＦＲＥＴにより効率よく発光層１７Ｒにエネルギー移動が行われる。発光層１７Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７４９】
図４１（ｄ）の画素３７Ｇにおいて、発光層１７Ｇの上方の発光層１７ＢはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔを含有する。ＴＡＤＦの発光スペクトルは、発光波長が広い。発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇの吸収スペクトルも広い。したがって、発光層１７Ｂの発光スペクトルと発光層１７Ｇの吸収スペクトルとの重なりが広い。発光層１７Ｂで発生した励磁エネルギーは、ＦＲＥＴにより効率よく発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔにエネルギー移動が行われる。もしくは、ＦＲＥＴにより発光層１７Ｇの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動が行われる。
【０７５０】
図４１（ｄ）の画素３７Ｇにおいて、発光層１７Ｇに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｇは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７５１】
図４１（ｄ）の画素３７Ｂにおいて、発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔと、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆの両方を含有する。発光層１７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの三重項励起エネルギーが発生する。発生した三重項励起エネルギーは、ＲＩＳＣプロセスにより一重項励起エネルギーに変換される。一重項励起エネルギーは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動して、発光層１７Ｂが発光する。発光層１７Ｇは改質されているため、画素３７Ｂの発光層１７Ｂの励磁エネルギーは発光層１７Ｇに移動しない。
【０７５２】
図４１の実施例は、ホスト材料３９、ＴＡＤＦのゲスト材料と蛍光のゲスト材料が共蒸着されて発光層１７を有するＥＬ表示パネルの構成図または説明図である。
【０７５３】
図４２は、各発光層１７に１つのゲスト材料３８とホスト材料３９とが共蒸着された実施例である。各発光層は、１５ｎｍ好ましくは１０ｎｍ以下の膜厚に形成されている。そのため、各発光層間でＦＲＥＴプロセスにより励磁エネルギーを移動できる。  なお、図４１は発光層１７に複数のゲスト材料を含有する実施例であり、図４２は発光層１７に１種類のゲスト材料を含有する実施例であるが、本発明はこれに限定するものではない。例えば、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂにおいて、複数のゲスト材料を含有する発光層１７と、１種類のゲスト材料を含有する発光層が、混在してもよいことは言うまでもない。
【０７５４】
図４２は、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの３色の発光層を形成、各発光層が複数の層で形成した場合を例示しているがこれに限定するものではない。少なくとも複数の色の発光層を有していれば良い。例えば、青色の発光層と、黄色の発光層を有するＥＬ表示パネルが例示される。
【０７５５】
また、本発明は、複数の色の画素を有し、その内の１つの画素の発光層１７が改質されていることを特徴とする。改質される発光層は、複数の画素３７に連続するように形成され、かつ、画素３７の発光色より、長波長の発光層１７が改質される。ただし、図４２（ｄ）のように、改質されていない画素３７が存在してもよい。
【０７５６】
図４２（ａ）では、複数の画素３７（画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂ）に発光層１７が連続するように形成されている。画素３７Ｇは緑色で発光するとし、画素３７Ｂは青色色で発光するとする。各発光層１７は、ホスト材料とＴＡＤＦのゲスト材料または蛍光のゲスト材料とが共蒸着されて形成されている。
【０７５７】
画素３７Ｇの発光層１７Ｒｔおよび発光層１７Ｒｆは改質されている。画素３７Ｇの発光層１７Ｒｔおよび発光層１７Ｒｆは、改質前は赤色の発光であり、赤色の波長は画素３７Ｇの緑色の発光の波長よりも長い。
【０７５８】
画素３７Ｂの発光層１７Ｒｔおよび発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｇｔおよび発光層１７Ｇｆは改質されている。発光層１７Ｒｔおよび発光層１７Ｒｆは、改質前は赤色の発光であり、赤色の波長は画素３７Ｂの青色の発光の波長よりも長い。また、発光層１７Ｇｔおよび発光層１７Ｇｆは、改質前は緑色の発光であり、緑色の波長は画素３７Ｂの青色の発光の波長よりも長い。
本発明は以上のように、下層の発光層の発光波長が、上層の発光層の発光波長よりも長く、下層の発光層が、改質されていることを特徴とする。
【０７５９】
図４２（ａ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｆ、緑の発光層１７Ｇｔと発光層１７Ｇｆ、および青の発光層１７Ｂｔと発光層１７Ｂｆが形成されている。
【０７６０】
本発明の一実施例としての構造は、複数の色の画素３７に蒸着マスク等を使用せず、連続して共通に発光層１７が形成されていることに特徴ある。また、複数の画素３７の発光層１７において、改質された発光層１７の上層で、励磁エネルギーがＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移することを特徴とするものである。
【０７６１】
改質層は、輻射遷移が発生する発光層１７の下層に実施される。改質される発光層１７は、改質されない場合は、輻射遷移が発生する発光層１７よりも長波長のスペクトルを発生する発光層１７である。
【０７６２】
また、発光する発光層は蛍光のゲスト材料を含有する発光層が発光する。ＴＡＤＦのゲスト材料を有する発光層ＲＩＳＣプロセスにより、三重項励起状態が一重項励起状態に変換され、一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより隣接して積層された発光層に移動する。
【０７６３】
改質は、レーザ光等の狭指向性の光で実施され、レーザ光を発生するレーザ装置は蒸着真空室５７の外部に配置され、レーザ光は、蒸着真空室５７のレーザ窓から、蒸着真空室５７内のＴＦＴ基板５２に照射される。また、改質状態は、図２０、図３１等で説明するように、ゲスト材料あるいはホスト材料等の変化状態をモニターして制御される。
画素３７Ｒの発光層１７Ｂｔ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂｔ、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔを含有する。
画素３７Ｒの発光層１７Ｂｆ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂｆ、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆを含有する。
画素３７Ｒの発光層１７Ｇｔ、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｔ、画素３７Ｂの発光層１７Ｇｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔを含有する。
画素３７Ｒの発光層１７Ｂｆ、画素３７Ｇの発光層１７Ｂｆ、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｂｆを含有する。
画素３７Ｒの発光層１７Ｒｔ、画素３７Ｇの発光層１７Ｒｔ、画素３７Ｂの発光層１７Ｒｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔを含有する。
画素３７Ｒの発光層１７Ｒｆ、画素３７Ｇの発光層１７Ｒｆ、画素３７Ｂの発光層１７Ｒｆは、蛍光のゲスト材料３８Ｒｆを含有する。
【０７６４】
図４２（ａ）において、画素３７Ｒの発光層１７Ｒｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔとホスト材料３９Ｒｔ（図示せず）を含有している。画素３７Ｒの発光層１７Ｒｆは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｆとホスト材料３９Ｒｆ（図示せず）を含有している。
【０７６５】
画素３７Ｒの発光層１７ＲｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｒｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒｆは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７６６】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｒｆ以外でも発生する可能性がある。例えば、画素３７Ｒの発光層１７ＧのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される可能性がある。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する可能性がある。発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーはＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｒｔまたは発光層１７Ｒｆの蛍光のゲスト材料３８Ｒｆにエネルギー移動する可能性がある。最終的に励磁エネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する可能性がある。
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｒの発光層１７Ｂｔでも発生する可能性がある。画素３７Ｒの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される可能性がある。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する可能性がある。発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＦＲＥＴプロセスにより、蛍光のゲスト材料３８Ｇにエネルギー移動する可能性がある。さらに蛍光のゲスト材料３８Ｇに移動した励磁エネルギーは、発光層１７Ｒに移動する可能性がある。発光層１７Ｒに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒは赤（Ｒ）色の光を発生する可能性がある。
図４２（ａ）において、画素３７Ｇの発光層１７Ｒｔおよび発光層１７Ｒｆは、レーザ光が照射され改質されている。
【０７６７】
発光層１７ＧｔはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔとホスト材料３９Ｇｔ（図示せず）を含有する。発光層１７Ｇｆは蛍光のゲスト材料３８Ｇｆとホスト材料３９Ｇｆ（図示せず）を含有する。
【０７６８】
画素３７Ｇの発光層１７ＧｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｆは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７６９】
励起エネルギーの発生は、画素３７Ｇの発光層１７Ｂｔ、発光層１７Ｂｆでも発生する可能性がある。画素３７Ｇの発光層１７ＢのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される可能性がある。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する可能性がある。発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｆにエネルギー移動する可能性がある。発光層１７Ｇｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｆは緑（Ｇ）色の光を発生する可能性がある。
【０７７０】
図４２（ａ）において、画素３７Ｂの発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｇｔと発光層１７Ｇｆは、レーザ光が照射され改質されている。発光層１７ＢｔはＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔとホスト材料３９Ｂｔ（図示せず）を含有している。発光層１７Ｂｆは蛍光のゲスト材料３８Ｂｆとホスト材料３９Ｂｆ（図示せず）を含有している。
【０７７１】
画素３７Ｂの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される可能性がある。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する可能性がある。発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂは青（Ｂ）色の光を発生する可能性がある。
【０７７２】
以上のように、本発明は、発光する発光層１７より下層の発光層１７が改質されている。また、発光する発光層１７より下層の発光層１７が、改質されていない場合は、発光する発光層１７よりも長波長の発光が発生することを特徴とする。
図４２（ｂ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇおよび画素３７Ｂにはそれぞれ、赤の発光層１７Ｒ、緑の発光層１７Ｇおよび青の発光層１７Ｂが形成されている。
【０７７３】
画素３７Ｂの各発光層は、ＴＡＤＦのゲスト材料３８とホスト材料３９が共蒸着された発光層と、蛍光のゲスト材料３８とホスト材料３９が共蒸着された発光層とがある。
【０７７４】
画素３７Ｒと画素３７Ｇの青の発光層は、ＴＡＤＦのゲスト材料３８とホスト材料３９が共蒸着された発光層１７があるが、画素３７Ｂと異なり、蛍光のゲスト材料３８とホスト材料３９が共蒸着された発光層１７はない。
【０７７５】
本発明の一実施例としての構造は、発光層の少なくとも１つの層において、複数の色の画素３７にファイン蒸着マスク等を使用せず、連続して共通に発光層１７が形成されていることに特徴ある。
【０７７６】
しかし、すべての発光１７が画素間に連続して形成されていることを必要としない。図４１（ｂ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂにおいて、発光層１７Ｒｆ、発光層１７Ｒｔ、発光層１７Ｇｆ、発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｂｔは、連続して形成されている（ファイン蒸着マスクを使用しないで形成できる）。画素３７Ｂにおいて、発光層１７Ｂｆは、ファイン蒸着マスクを使用して形成されている。あるいはインクジェット方式等により形成されている。
【０７７７】
図４２（ｂ）の画素３７Ｂの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｂｆの蛍光のゲスト材料３８Ｂｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｆは青（Ｂ）色の光を発生する。
画素３７Ｒは発光層１７Ｒｆが発光層であり、画素３７Ｇは発光層１７Ｇｆが発光層である。
【０７７８】
画素３７Ｇの上層の発光層１７Ｂｔ、発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｇｆは、励磁エネルギーは発生する可能性がある。画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７ＧｆのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔまたは蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。
【０７７９】
発光層１７ＧｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｇｔに移動したエネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｇｆの蛍光のゲスト材料３８Ｇｆに移動したエネルギーはＳ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｆは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７８０】
発光層１７Ｂｔは、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂ間に連続して形成される。発光層１７Ｂｔは、ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔを含有する。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの発光スペクトルは広いため、発光層１７Ｇｔまたは発光層１７Ｇｆのゲスト材料の吸収スペクトルと良好に重なっている。したがって、ＦＲＥＴプロセスで良好に励磁エネルギーが移動する。
【０７８１】
図４２（ｂ）の画素３７Ｒは、発光層１７Ｒｆが発光する。励起エネルギーの発生は、発光層１７Ｂｔ、発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｇｆ、発光層１７Ｒｔでも発生する。
【０７８２】
図４２（ｂ）の画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｔまたは発光層１７Ｇｆのゲスト材料３８にエネルギー移動する。発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｆは緑（Ｇ）色の光を発生する。発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｆは改質されている。
【０７８３】
以上のように、発光する発光層１７は、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有する発光層と、蛍光のゲスト材料を含有する発光層の両方を形成する。ＴＡＤＦのゲスト材料は光変換効率が高い。また、発光する光波長帯域が広い。一方、蛍光のゲスト材料は、発光効率は低いが、光波長は狭帯域のため、赤または緑または青の色純度の高い光波長で発光する。ＴＡＤＦのゲスト材料の発光波長は広いため、蛍光のゲスト材料の吸収波長と重なりが大きく、ＦＲＥＴプロセスが良好に実現される。また、ＴＡＤＦは光発光エネルギーが大きく、このエネルギーが蛍光材料に移動するため、結果として、該当の発光層の発光効率が良好になる。
以上の事項は本発明の実施例に共通、あるいは適時に適用されることは言うまでもない。
【０７８４】
図４２の画素３７Ｒは、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有する発光層１７Ｒｔと、蛍光のゲスト材料を含有する発光層１７Ｒｆの両方を形成する。画素３７Ｇは、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有する発光層１７Ｇｔを形成する。画素３７Ｂは、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有する発光層１７Ｂｔを形成する。
【０７８５】
図４２（ｂ）の画素３７Ｒの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｔのゲスト材料３８にエネルギー移動する。発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇｔに移動した励磁エネルギーは、発光層１７Ｒｔまたは発光層１７Ｒｆに移動する。発光層Ｒｆでは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒｆは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７８６】
以上のように、発光する発光層１７（実発光層）は、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有する発光層と、蛍光のゲスト材料を含有する発光層の両方を形成する。しかし、他の発光層（励起発光層）は、発光層で発生した励磁エネルギーを発光する発光層（実発光層）にエネルギー移動させる機能を有すれはよい。
【０７８７】
励起発光層は、発光スペクトルの波長範囲が広い方が、実発光層の吸収スペクトルとの重なりが大きくなる。ＴＡＤＦは発光スペクトルおよび吸収スペクトルが広く、実発光層の吸収スペクトルと重なりが大きい。そのため、実際の発光層以外は、ＴＡＤＦのゲスト材料を含有する励起発光層で形成することが好ましい。
【０７８８】
図４２（ｃ）は、画素３７Ｒは発光層１７Ｒｆ（実発光層）が発光する。発光層１７Ｒｔ（励起発光層）は、ＲＩＳＣプロセスとＦＲＥＴプロセスにより発光効率の向上と、発光スペクトルの狭帯域化を実現に寄与する。発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｒｔでも励起される可能性があるが、基本的には発光しなし。発光層１７Ｇｔ、発光層１７Ｒｔは、励起発光層として機能し、発光層１７Ｒｆ（実発光層）の吸収スペクトルと良好に重なる発光スペクトルの層に構成すればよい。  図４２（ｃ）の画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｔのゲスト材料３８にエネルギー移動する。発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇｔに移動した励磁エネルギーは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｆは緑（Ｇ）色の光を発生する。発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｆは改質されている。
【０７８９】
図４２（ｃ）の画素３７Ｂの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｔのゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｂｆのゲスト材料３８Ｂｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｆは青（Ｂ）色の光を発生する。発光層１７Ｒｔと発光層１７Ｒｆは改質されている。
以上の実施例は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂのいずれかの画素に、改質された発光層を有する構成であった。
【０７９０】
しかし、本発明はこれに限定されるものでない。第１の色の発光層（励磁発光層）からの励磁エネルギーを、第１の色の波長よりも長い第２の色の発光層にＦＲＥＴプロセスにより励磁エネルギーを移動できることを技術的思想としている。
図４２（ｄ）は、画素３７Ｒ、画素３７Ｇ、画素３７Ｂのいずれかの画素にも改質された発光層がない実施例である。
【０７９１】
図４２（ｄ）の画素３７Ｒの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｔのゲスト材料３８にエネルギー移動する。発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇｔに移動した励磁エネルギーは、発光層１７Ｒｔまたは発光層１７Ｒｆに移動する。発光層Ｒｆでは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｒの発光層１７Ｒｆは赤（Ｒ）色の光を発生する。
【０７９２】
図４２（ｄ）の画素３７Ｇの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｇｔのゲスト材料３８にエネルギー移動する。発光層１７Ｇのゲスト材料３８Ｇｔに移動した励磁エネルギーは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｇの発光層１７Ｇｆは緑（Ｇ）色の光を発生する。
【０７９３】
図４２（ｄ）の画素３７Ｂの発光層１７ＢｔのＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔで発生した三重励起エネルギーはＲＩＳＣプロセスにより、一重項励起エネルギーに変換される。ＴＡＤＦのゲスト材料３８Ｂｔの一重項励起エネルギーは、ＦＲＥＴプロセスにより、発光層１７Ｂｔのゲスト材料３８Ｂｆにエネルギー移動する。発光層１７Ｂｆのゲスト材料３８Ｂｆに移動した励磁エネルギーは、Ｓ１準位から準位Ｓ０へと輻射遷移し、画素３７Ｂの発光層１７Ｂｆは青（Ｂ）色の光を発生する。
実施の形態の各々の図で述べた内容（一部でもよい）を様々な電子機器に適用することができる。具体的には、電子機器の表示部に適用することができる。
【０７９４】
そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａl  Ｖｉｄｅｏ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示するディスプレイを備えた装置）等が例示される。
【０７９５】
図４３（ａ）は、本発明のＥＬ表示パネル３４１を用いたディスプレイの斜視図である。ＥＬ表示パネル３４１は筐体３４２に取り付けられている。図４３（ａ）に示すディスプレイは様々な情報（静止画、動画、テキスト画像等）を表示部に表示する機能を有する。
図４３（ｂ）は、本発明のＥＬ表示パネル３４１を用いたスマートフォンの斜視図である。ＥＬ表示パネル３４１は筐体３４２に取り付けられている。
【０７９６】
本実施の形態に係るＥＬ表示パネルを用いたＥＬ表示装置とは、情報機器等のシステム機器を含む概念である。表示装置の概念は、情報機器等のシステム機器を含む。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面および詳細な説明を提供した。
【０７９７】
本明細書の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略等を行うことができる。
【０７９８】
本発明は、ＴＡＤＦのような発光スペクトルがブロードな第１の発光材料を、蛍光材料のような第１の発光材料よりも発光スペクトルが狭い第２の発光材料にＦＲＥＴすることを用いる方式を利用するものである。したがって、ＴＡＤＦ材料、蛍光材料に限定されるものではない。
本発明は、ＱＤ−ＯＬＥＤ（ＱＤ  量子ドット:Quantum Dot）方式の有機ＥＬパネルにも適用することができる。
【０７９９】
本明細書では、ＴＦＴ基板５２に発光層１７等を形成されたアクティブマトリックス型表示パネルを例示して説明したが、本発明は、ＴＦＴ基板５２を用いたＥＬ表示パネルに限定するものではない。例えば、ＴＦＴが形成されていない単純マトリックス型ＥＬ表示パネルであっても良いし、固定の文字を表示するキャラクタ表示のＥＬ表示パネルであっても良い。
本発明のおける発光層等の形成は、共蒸着工法に限定するものではなく、インクジェット工法、熱転写工法、印刷工法で実施してもよい。
【０８００】
本発明は、発光層１７Ｒ、発光層１７Ｇ、発光層１７Ｂの３色の発光層を形成した場合を例示しているがこれに限定するものではない。少なくとも複数の色の発光層を有していれば良い。例えば、青色の発光層と、黄色の発光層を有するＥＬ表示パネルが例示される。また、光出射側にカラーフィルタ等の光波長を狭帯域化するフィルタを設けても良いことは言うまでもない。
【０８０１】
本発明は、第１の発光材料のゲスト材料と第２の発光材料のゲスト材料あるいはホスト材料のうち１つを改質させることにより、ＲＩＳＣプロセスとＦＲＥＴプロセスのうち少なくとも一方のプロセスが発生することを、停止または抑制できるのであれば、いずれの構成であっても良い。
【産業上の利用可能性】
【０８０２】
本開示は、ＥＬ表示装置、ＥＬ表示パネルに有用である。特に、アクティブ型の有機ＥＬフラットパネルディスプレイ等に有用である。また、本発明のＥＬ表示パネルの製造方法、製造装置として有用である。
【符号の説明】
【０８０３】
１２  反射膜
１５  画素電極
１６  正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７  発光層
１８  電子輸送層（ＥＴＬ）
１９  カソード電極
２０  封止層
２１  ＴＦＴ（トランジスタ）
２２  ＥＬ素子
２３  コンデンサ
２７  封止フィルム
２８  平坦化膜
３１  ゲートドライバＩＣ（回路）
３２  ソースドライバＩＣ（回路）
３４  ゲート信号線
３５  ソース信号線
３６  表示画面
３７  画素
３８  ゲスト（ドーパント）材料
３９  ホスト材料
５１  移動ステージ
５２  ＴＦＴ基板
５４  真空ポンプ
５５  排気ダクト
５６  蒸着室
５８  レーザ装置
５９  レーザ光
６０  光量調整フィルタ
６１  シリンドリカルレンズ
６２  ガルバノミラー  
６３  レーザ窓
６４  ｆθレンズ
６５  金属蒸発源
６６  有機蒸発源
６７  スリットマスク
７１  蛍光
７２  光分離ミラー
７３  ミラー
７４  レンズ
７５  フィルタ
７６  光強度検出回路
７７  光検出装置
７８  光制御装置
７９  レーザ制御回路
８０  ホトダイオード（光センサ）
８１  光開口部
８２  光透過部
８４  オペアンプ
９１  レーザスポット
９２  スリットマスク
９４  透明基板
９５  土手
９６  改質層
１１１  チャンバー室
１１２  ロードロック室
１１３  搬入室
１１４  搬出室
１１５  中央室
１１６  チャンバー室
１１８  レーザ装置室
１２１  黒色樹脂
１２２  ＬＥＤ
１２３  ベース基板
１４１  出射光
３４１  ＥＬ表示パネル
３４２  筐体
【図１】
2020140956.tif 000003
【図２】
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【図３】
2020140956.tif 000005
【図４】
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【図５】
2020140956.tif 000007
【図６】
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【図７】
2020140956.tif 000009
【図８】
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【図９】
2020140956.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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