(57)【要約】【課題】積層セラミックコンデンサの電歪効果に起因して発生する配線基板の振動音（音鳴き）を低減することが可能な配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１は、実装面に表面実装された積層セラミックコンデンサ１０と、実装面に、積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサ１０の周囲に配設された樹脂部材２０とを備えている。【選択図】  図１
2020150106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面に表面実装された積層セラミックコンデンサと、
前記実装面に、前記積層セラミックコンデンサと接触することなく所定の間隔を空けて、前記積層セラミックコンデンサの周囲に配設された樹脂部材と、を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記積層セラミックコンデンサは、直方体状に形成されており、
前記樹脂部材は、前記積層セラミックコンデンサの矩形状の底面の少なくとも２辺に沿って配設されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記樹脂部材は、前記積層セラミックコンデンサの矩形状の底面の全周に沿って環状に配設されていることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記積層セラミックコンデンサの底面の各辺と、前記樹脂部材との間隔は、５０μｍ以上、かつ、前記積層セラミックコンデンサの底面の最も短い辺の長さ以下に設定されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記樹脂部材のヤング率は、０．１ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記樹脂部材は、硬化されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記実装面に実装された集積回路をさらに備え、
前記積層セラミックコンデンサは、前記集積回路の周辺に配置され、
前記樹脂部材は、前記集積回路と前記配線基板との間に充填されたアンダフィル材であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
実装面に表面実装された複数の積層セラミックコンデンサと、
前記実装面に、前記複数の積層セラミックコンデンサと接触することなく所定の間隔を空けて、前記複数の積層セラミックコンデンサの周囲に配設された樹脂部材と、を備えることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
配線基板と、
前記配線基板の実装面に表面実装された積層セラミックコンデンサと、
前記配線基板の実装面に、前記積層セラミックコンデンサと接触することなく所定の間隔を空けて、前記積層セラミックコンデンサの周囲に配設された樹脂部材と、を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの基板実装構造。
【請求項１０】
配線基板の実装面に積層セラミックコンデンサを表面実装する実装ステップと、
前記配線基板の実装面に、前記積層セラミックコンデンサと接触することなく所定の間隔を空けて、前記積層セラミックコンデンサの周囲に樹脂部材を配設する配設ステップと、を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサの基板実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサが実装された配線基板、積層セラミックコンデンサの基板実装構造、及び、積層セラミックコンデンサの基板実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器（電子回路）では、主要な電子部品の一つとして、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ  ｃｅｒａｍｉｃ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）が広く用いられている（例えば、特許文献１参照）。積層セラミックコンデンサは、誘電体層と、内部電極とが多層積層された構造を有している。積層セラミックコンデンサは、小型かつ大容量であり、外部電極を形成したＳＭＤ（表面実装部品）とすることで、配線基板（回路基板）の高密度実装化に寄与している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２４３６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、一般的に、積層セラミックコンデンサの素材には、例えば、酸化チタンやチタン酸バリウムなどの誘電率の高い強誘電体材料が用いられる。強誘電体材料は電歪性を有しているため、積層セラミックコンデンサは、印加される電圧の変化に応じて、電歪効果による機械的な歪を生じる。そのため、積層セラミックコンデンサが半田によって配線基板に表面実装され、外部電極に可聴帯域（例えば、２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ）の交流電圧が印加されると、積層セラミックコンデンサが伸縮振動し、その伸縮振動が配線基板に伝搬されることにより、該配線基板が振動して振動音を発生する現象（所謂音鳴き）を生じるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、積層セラミックコンデンサの電歪効果に起因して発生する配線基板の振動音（音鳴き）を低減することが可能な配線基板、積層セラミックコンデンサの基板実装構造、及び、積層セラミックコンデンサの基板実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る配線基板は、実装面に表面実装された積層セラミックコンデンサと、実装面に、積層セラミックコンデンサと接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサの周囲に配設された樹脂部材とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る配線基板によれば、積層セラミックコンデンサが表面実装された配線基板の実装面に、樹脂部材が、積層セラミックコンデンサと接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサの周囲に配設されている。そのため、配線基板の積層セラミックコンデンサ周辺の剛性が増し、配線基板が歪み（撓み）難くなり、配線基板の振動が抑制され、音鳴きが低減される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、積層セラミックコンデンサの電歪効果に起因して発生する配線基板の振動音（音鳴き）を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る配線基板の構成を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る配線基板の構成を示す平面図及び断面図である。
【図３】第１変形例に係る配線基板の構成を示す平面図及び断面図である。
【図４】第２変形例に係る配線基板の構成を示す平面図及び断面図である。
【図５】第３変形例に係る配線基板の構成を示す平面図及び断面図である。
【図６】第１実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための工程図である。
【図７】第１実施形態に係る配線基板の製造工程に含まれるマスキング工程（樹脂部材の形成方法）を説明するための断面図である。
【図８】第１実施形態に係る配線基板の音鳴き低減効果を示すシミュレーション結果（音圧スペクトラム）である。
【図９】第１実施形態に係る配線基板の音鳴き低減効果を示すシミュレーション結果（オーバオール値）である。
【図１０】音鳴きの測定（実験）で用いた配線基板（第１実施形態及び比較例）を示す図である。
【図１１】第１実施形態及び比較例に係る配線基板の音鳴きの測定結果（音圧スペクトラム）である。
【図１２】第１実施形態及び比較例に係る配線基板の音鳴きの測定結果（オーバオール値）である。
【図１３】第２実施形態に係る配線基板の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図において、同一要素には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、図１及び図２を併せて用いて、第１実施形態に係る配線基板１の構成について説明する。図１は、配線基板１の構成を示す斜視図である。図２は、配線基板１の構成を示す平面図及び断面図である。
【００１２】
配線基板１は、主として、実装面に表面実装された積層セラミックコンデンサ１０と、実装面に、積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサ１０の周囲に配設された樹脂部材２０とを備えている。
【００１３】
配線基板１は、例えば、矩形の薄板状に形成されたプリント基板である。配線基板１には、例えば、ＦＲ４（Ｆｌａｍｅ  Ｒｅｔａｒｄａｎｔ  Ｔｙｐｅ  ４）等の絶縁性の樹脂やセラミックスを好適に用いることができる。また、配線基板１の実装面には、銅箔などからなる配線パターン（図示省略）がエッチングなどの方法によって形成されている。なお、配線基板１は単層構造のものでも多層構造のものでもよい。
【００１４】
配線基板１の実装面には、積層セラミックコンデンサ１０等の電子部品がはんだ付けによって表面実装されている。積層セラミックコンデンサ１０の他、実装される電子部品としては、例えば、抵抗や、インダクタ、ダイオード、トランジスタ、ＩＣ（集積回路）等が挙げられるが、図１では、積層セラミックコンデンサ１０以外の電子部品の図示を省略した。また、図１では、複数の積層セラミックコンデンサのうち、１つの積層セラミックコンデンサ１０のみを図示した。
【００１５】
積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状に形成されたチップ型の積層セラミックコンデンサである。積層セラミックコンデンサ１０は、矩形に形成された複数の誘電体層と、複数の内部電極とが交互に積層されることにより構成された直方体状の積層体１０ａと、該積層体１０ａの両端部に形成された一対の外部電極１０ｂ，１０ｃとを備えて構成されている。
【００１６】
誘電体層は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などを主成分とする誘電体セラミックから形成されている。なお、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分が添加されていてもよい。また、内部電極は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどから形成される。
【００１７】
積層セラミックコンデンサ１０（積層体１０ａ）の両端部を覆うように形成された外部電極１０ｂ，１０ｃそれぞれは、積層体１０ａの端面から、該端面と直交する側面、下面、及び、上面それぞれにかけて回り込むように形成されている。なお、外部電極１０ｂ，１０ｃは、例えば、金属メッキや金属ペーストの焼付け等により形成することができる。
【００１８】
配線基板１の剛性を増して、積層セラミックコンデンサ１０に可聴帯域の交流電圧が印加されることにより生じ得る配線基板１の音鳴きを低減するため、配線基板１の実装面には、樹脂部材２０が、積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサ１０の周囲に配設されている。その際に、配線基板１の剛性を増す観点から、樹脂部材２０は、積層セラミックコンデンサ１０の矩形状の底面の全周に沿って環状に配設されていることが好ましい。
【００１９】
積層セラミックコンデンサ１０の底面の各辺と樹脂部材２０との間隔（隙間）は、変位量が数ｎｍ〜数十ｎｍであることを考慮すると、１００ｎｍ以上離れていれば、狭いほどよい。ただし、後述するマスキングの寸法精度や実装精度などを考慮した場合、下限値が５０μｍ以上で、上限値が積層セラミックコンデンサ１０の底面の最も短い辺の長さ（すなわち、音鳴きの低減効果が失われる距離）以下に設定されることが好ましい。また、樹脂部材２０の樹脂の量は多いほど好ましく、樹脂部材２０の幅は広い方が好ましい。
【００２０】
さらに、剛性を増す観点から、樹脂部材２０のヤング率（弾性率）は、高いほど（すなわち硬いほど）好ましく、特に、０．１ＧＰａ以上であることが好ましい。そのために、樹脂部材２０は、硬化されていること、例えば、硬化処理が施されていることが好ましい。よって、樹脂部材２０の素材としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂などが好適に用いられる。
【００２１】
（第１変形例）
なお、樹脂部材２０が積層セラミックコンデンサ１０の矩形状の底面の少なくとも２辺に沿って配設されていれば、音鳴きの低減効果を得ることができる。そのため、例えば、図３に示される樹脂部材２０Ｂのように、Ｌ字状に形成され、配設されていてもよい。ここで、図３は、第１変形例に係る配線基板１Ｂの構成を示す平面図及び断面図である。
【００２２】
（第２変形例）
また、樹脂部材２０は、必ずしも連続して形成されていなくてもよく、途切れていてもよい。そのため、例えば、図４に示される樹脂部材２０Ｃのように、積層セラミックコンデンサ１０の矩形状の底面それぞれと対向するように、４分割されて配設されていてもよい。ここで、図４は、第２変形例に係る配線基板１Ｃの構成を示す平面図及び断面図である。
【００２３】
（第３変形例）
さらに、複数の積層セラミックコンデンサ１０（積層セラミックコンデンサ群）が実装面に表面実装されている場合には、図５に示される樹脂部材２０Ｄのように、複数の積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、複数の積層セラミックコンデンサ１０の周囲に配設されていてもよい。すなわち、複数の積層セラミックコンデンサ１０（積層セラミックコンデンサ群）をまとめて樹脂部材２０Ｄで囲う構成としてもよい。このような構成は、複数の積層セラミックコンデンサ１０が密集して実装されている場合に適している。なお、図５は、第３変形例に係る配線基板１Ｄの構成を示す平面図及び断面図である。
【００２４】
次に、図６、図７を併せて参照しつつ、配線基板１の製造方法について説明する。図６は、配線基板１の製造工程を説明するための工程図である。図７は、配線基板１の製造工程に含まれるマスキング工程（樹脂部材２０の形成方法）を説明するための図である。図６に示されるように、配線基板１の製造工程は、実装工程Ｓ１１０、マスキング工程Ｓ１２０、樹脂塗布工程Ｓ１３０、及び、樹脂硬化工程Ｓ１４０からなっている。以下、各工程について説明する。
【００２５】
（実装工程）
実装工程Ｓ１１０（特許請求の範囲に記載の実装ステップに相当）では、配線基板１の実装面に、積層セラミックコンデンサ１０が半田付けにより表面実装される。
【００２６】
（マスキング工程）
次に、マスキング工程Ｓ１２０では、図７に示されるように、配線基板１の実装面に実装された積層セラミックコンデンサ１０にマスク部材５０が覆い被せられてマスキング処理が施される。マスク部材５０は、積層セラミックコンデンサ１０と樹脂部材２０との間に所定の間隔が保たれるように、積層セラミックコンデンサ１０よりも大きく形成されている。また、マスク部材５０は、例えば、金属などの樹脂がくっつき難い材質からなることが好ましい。
【００２７】
（樹脂塗布工程）
続いて、樹脂塗布工程Ｓ１３０（特許請求の範囲に記載の配設ステップに相当）では、配線基板１上に実装されマスキングされた積層セラミックコンデンサ１０に、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂が塗布される。
【００２８】
（樹脂硬化工程）
そして、樹脂硬化工程Ｓ１４０（特許請求の範囲に記載の配設ステップに相当）では、塗布されたエポキシ系の熱硬化型樹脂に熱が加えられ、樹脂部材２０が熱硬化される。その際に、樹脂がある程度固まっとき、すなわち、樹脂が完全に硬化してしまう前に、上記マスク部材５０が取り除かれる。以上により、配線基板１の実装面に、積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサ１０の周囲に形成された樹脂部材２０が得られる。
【００２９】
ここで、樹脂部材２０の音鳴きの低減効果を評価するために、樹脂部材２０を有する配線基板１と、樹脂部材２０を有しない配線基板それぞれについて、圧電・音波解析（シミュレーション）を行った。続いて、図８，図９を併せて参照しつつ、樹脂部材２０の有無による音鳴き（低減効果）の違いについて、シミュレーション結果を示して説明する。シミュレーション（圧電・音波解析）では、ムラタソフトウェア株式会社の解析シミュレーションソフトであるＦｅｍｔｅｔ（登録商標）を用いた。また、シミュレーションの条件としては、樹脂部材２０のヤング率を２０Ｇｐａとし、樹脂部材２０の厚みを１ｍｍとし、樹脂部材２０の高さを１ｍｍとし、樹脂部材２０と積層セラミックコンデンサ１０との間隔を１．５ｍｍとし、印加電圧の周波数を０〜１００００Ｈｚとした。
【００３０】
配線基板１（樹脂部材２０）の音鳴き低減効果を示すシミュレーション結果（音圧スペクトラム）を図８に示す。図８に示されたグラフにおいて、横軸は印加電圧の周波数（Ｈｚ）であり、縦軸は音鳴きの音圧レベル（ＳＰＬ：Ｓｏｕｎｄ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ）（ｄＢ）である。図８に示されるように、樹脂部材２０を有する配線基板１では、樹脂部材２０を有しない配線基板に対し、０〜１００００Ｈｚの全域で音鳴きの音圧レベルが低減されることが確認された。
【００３１】
次に、配線基板１（樹脂部材２０）の音鳴き低減効果を示すシミュレーション結果（オーバオールレベル）を図９に示す。図９の縦軸は、音鳴きのオーバオールレベル（ｄＢ）である。図９に示されるように、樹脂部材２０を有する配線基板１のオーバオールレベルは４４．６ｄＢであり、樹脂部材２０を有しない配線基板のオーバオールレベルは５３．８ｄＢであった。よって、樹脂部材２０を有する配線基板１では、樹脂部材２０を有しない配線基板に対し、音鳴きが、オーバオールレベルで９．２ｄＢ低減されことが確認された。
【００３２】
また、配線基板１の樹脂部材２０による音鳴きの低減効果を確認するために、樹脂部材２０を有する配線基板１、樹脂部材２０を有しない配線基板（比較例１）、樹脂部材を有しているが該樹脂部材と積層セラミックコンデンサ１０とが接触している配線基板（比較例２）それぞれについて、音鳴きの音圧レベル（ＳＰＬ）（ｄＢ）を測定した。さらに、樹脂部材２０の樹脂の量の違いによる音鳴きの低減効果を確認するために、樹脂部材２０の樹脂の量を変えて音鳴きの音圧レベル（ｄＢ）を測定した。そこで、図１０〜図１２を併せて参照しつつ、樹脂部材２０の有無、樹脂部材２０と積層セラミックコンデンサ１０との接触の有無、及び、樹脂部材２０の樹脂の量それぞれと音鳴き低減効果との関係について、測定結果（実験結果）を示して説明する。
【００３３】
ここで、図１０（ａ）〜（ｄ）に、測定（実験）で用いた配線基板、すなわち、第１実施形態に係る配線基板１及び比較例に係る配線基板を示す。図１０（ａ）は樹脂部材２０を有しない配線基板（比較例１）である。図１０（ｂ）は樹脂部材を有しているが該樹脂部材と積層セラミックコンデンサ１０とが接触している配線基板（比較例２）である。なお、樹脂部材のサイズは、５．１５×５．１５×１．５（ｍｍ）とした。図１０（ｃ）は樹脂部材２０を有する配線基板１（１）である。なお、樹脂部材２０の外側のサイズを、７．１０×８．１２×０．６８（ｍｍ）とし、樹脂部材２０の幅を、３．８０／２〜４．８２／２とした。すなわち、図１０（ｄ）に示される配線基板１（２）よりも樹脂の量を少なくした。図１０（ｄ）は樹脂部材２０を有する配線基板１（２）である。なお、樹脂部材２０の外側のサイズを、１１．０×１３．０×１．３０（ｍｍ）とし、樹脂部材２０の幅を、８．６／２〜９．６／２とした。すなわち、図１０（ｃ）に示される配線基板１（１）よりも樹脂の量を多くした。なお、測定では、樹脂として、パナソニック株式会社の「ＡＤＥ５１０Ｄ」を用いた。
【００３４】
上述した配線基板１（１）、配線基板１（２）、配線基板（比較例１）、配線基板（比較例２）それぞれの音鳴きの測定結果（音圧スペクトラム）を図１１に示す。図１１に示されたグラフにおいて、横軸は印加電圧の周波数（Ｈｚ）であり、縦軸は音鳴きの音圧レベル（ＳＰＬ）（ｄＢ）である。図１１に示されるように、０〜１００００Ｈｚの全域で、「配線基板（比較例２：樹脂部材あり、接触あり）＞配線基板（比較例１：樹脂部材なし）＞配線基板１（１：樹脂少量）＞配線基板１（２：樹脂多量）」の順に音鳴きの音圧レベルが低減されることが確認された。
【００３５】
次に、上述した配線基板１（１）、配線基板１（２）、配線基板（比較例１）、配線基板（比較例２）それぞれの音鳴きの測定結果（オーバオールレベル）を図１２に示す。図１２の縦軸は、音鳴きのオーバオールレベル（ｄＢ）である。図１２に示されるように、配線基板（比較例１：樹脂部材なし）のオーバオールレベルは７０．１ｄＢであり、配線基板（比較例２：樹脂部材あり、接触あり）のオーバオールレベルは７５．０ｄＢであり、配線基板１（１：樹脂少量）のオーバオールレベルは６７．６ｄＢであり、配線基板１（２：樹脂多量）のオーバオールレベルは５９．５ｄＢであった。なお、図１２中の「Ｆｌｏｏｒ」は、電圧を印加していないときの音圧レベルである。
【００３６】
よって、オーバオールレベルで、「配線基板（比較例２：樹脂部材あり、接触あり）＞配線基板（比較例１：樹脂部材なし）＞配線基板１（１：樹脂少量）＞配線基板１（２：樹脂多量）」の順に音鳴きが低減されることが確認された。より詳細には、配線基板１（１：樹脂少量）では、配線基板（比較例１：樹脂部材なし）に対し、音鳴きが、オーバオールレベルで２．５ｄＢ低減されことが確認された。同様に、配線基板１（２：樹脂多量）では、配線基板（比較例１：樹脂部材なし）に対し、音鳴きが、オーバオールレベルで１０．６ｄＢ低減されことが確認された。また、配線基板１（２：樹脂多量）では、配線基板１（１：樹脂少量）に対し、音鳴きが、オーバオールレベルで８．１ｄＢ低減されことが確認された。なお、配線基板（比較例２：樹脂部材あり、接触あり）では、配線基板（比較例１：樹脂部材なし）に対し、音鳴きが、オーバオールレベルで４．９ｄＢ増大（悪化）することが確認された。
【００３７】
上述したように、配線基板（比較例１：樹脂部材なし）よりも配線基板（比較例２：樹脂部材あり、接触あり）の方が音鳴きの音圧レベルが高く、すなわち、音鳴きレベルが悪化しているが、その理由は、樹脂部材が積層セラミックコンデンサ１０と接触することにより、積層セラミックコンデンサ１０の振動が樹脂部材に伝導し、配線基板を持ち上げてしまうためである。このように、樹脂部材２０と積層セラミックコンデンサ１０とを接触させないことが音鳴きの低減に非常に効果的であることが確認された。
【００３８】
以上、詳細に説明したように、本実施形態によれば、積層セラミックコンデンサ１０が表面実装された配線基板１の実装面に、樹脂部材２０が、積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、積層セラミックコンデンサ１０の周囲に配設されている。そのため、配線基板１の積層セラミックコンデンサ１０周辺の剛性が増し、配線基板１が歪み（撓み）難くなり、配線基板１の振動が抑制される。その結果、積層セラミックコンデンサ１０の電歪効果に起因して発生する配線基板１の振動音（音鳴き）を低減することが可能となる。
【００３９】
本実施形態によれば、樹脂部材２０が、積層セラミックコンデンサ１０の矩形状の底面の全周に沿って配設されているため、配線基板１の剛性を効果的に増大することができ、音鳴きの低減効果を高めることができる。
【００４０】
なお、樹脂部材２０を、積層セラミックコンデンサ１０の矩形状の底面の少なくとも２辺に沿って配設することにより、塗布する（用いる）樹脂の量を減少しつつ、一定の音鳴き低減効果を得ることができる。
【００４１】
本実施形態によれば、積層セラミックコンデンサ１０の底面の各辺と、樹脂部材２０との間隔が、５０μｍ以上、かつ、積層セラミックコンデンサ１０の底面の最も短い辺の長さ以下に設定されるため、製造時の寸法精度や実装精度などを考慮して、樹脂部材２０と積層セラミックコンデンサ１０との間に適切に隙間をあけることができる。
【００４２】
本実施形態によれば、樹脂部材２０のヤング率が０．１ＧＰａ以上に設定されるため、配線基板１の剛性をより増すことができ、音鳴きの低減効果をより高めることができる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、樹脂部材２０が、硬化されている（硬化処理が施されている）ため、配線基板１の剛性をさらに増すことができ、音鳴きの低減効果をさらに高めることができる。
【００４４】
なお、本実施形態によれば、複数の積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく所定の間隔を空けて、複数の積層セラミックコンデンサ１０の周囲に樹脂部材２０を配設することにより複数の積層セラミックコンデンサ１０が密集して実装されていても適用することができる。
【００４５】
（第２実施形態）
次に、図１３を用いて、第２実施形態に係る配線基板２の構成について説明する。図１３は、配線基板２の構成を示す断面図である。なお、図１３において第１実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号が付されている。
【００４６】
配線基板２には、実装面に、ＩＣ４０（特許請求の範囲に記載の集積回路に相当）が実装されている。なお、ＩＣ４０は、例えば、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージのＩＣであり、ボール状電極（バンプ）を用いたフェースダウン実装によって、配線基板２の実装面に実装されている。ＩＣ４０の周辺には、積層セラミックコンデンサ１０が配置され、半田付けにより表面実装されている。
【００４７】
ＩＣ４０と配線基板２との間にはアンダフィル材２０Ｅが充填されている。アンダフィル材２０Ｅは、ＩＣ４０の周囲に実装された積層セラミックコンデンサ１０に及び、積層セラミックコンデンサ１０と接触することなく、所定の間隔をあけて積層セラミックコンデンサ１０の周囲に形成されている。よって、この場合、アンダフィル材２０Ｅが、特許請求の範囲に記載の樹脂部材として機能する。なお、その他の構成は、上述した第１実施形態に係る配線基板１と同一又は同様であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００４８】
本実施形態によれば、積層セラミックコンデンサ１０がＩＣ４０の周辺に配置され、ＩＣ４０と配線基板２との間に充填されたアンダフィル材２０Ｅが樹脂部材として機能する。そのため、ＩＣ４０が実装された配線基板２において、アンダフィル材２０Ｅを利用して音鳴きを低減することが可能となる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、２端子の積層セラミックコンデンサ１０を例にして説明したが、３端子の積層セラミックコンデンサにも適用することができる。
【００５０】
また、樹脂部材２０の素材（材料）、形状、大きさ、幅、高さ、硬さ、配置などは、上記実施形態及び変形例に限られることなく、要件等に応じて任意に設定することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，２  配線基板
１０  積層セラミックコンデンサ
１０ａ  積層体
１０ｂ，１０ｃ  外部電極
２０，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ  樹脂部材
２０Ｅ  アンダフィル材（樹脂部材）
４０  ＩＣ（集積回路）
５０  マスク部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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