(57)【要約】【課題】プラズマ処理を実行する期間において、平均的にプラズマ密度を均一化することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、プラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内で基板を支持する基板ステージと、前記基板を処理するプラズマを、前記チャンバ内の前記基板上の空間で生成するプラズマ生成部と、を備える。また、プラズマ処理装置は、前記空間に磁場を印加する複数のコイルを有する電磁石と、向きおよびオン／オフをパルス化したパルス化電流を前記複数のコイルに流す電磁石制御部と、を備える。【選択図】図１
2020150220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内で基板を支持する基板ステージと、
前記基板を処理するプラズマを、前記チャンバ内の前記基板上の空間で生成するプラズマ生成部と、
前記空間に磁場を印加する複数のコイルを有する電磁石と、
向きおよびオン／オフをパルス化したパルス化電流を前記複数のコイルに流す電磁石制御部と、
を備えるプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記電磁石制御部は、前記パルス化電流を同期させて前記複数のコイルに流す請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記電磁石制御部は、所定の期間における前記パルス化電流の向きおよびオン／オフを前記コイルごとに定義したシーケンス制御情報にしたがって、前記所定の期間における開始時点が前記コイルで同期するように前記パルス化電流の制御を行う請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記電磁石制御部は、前記所定の期間における前記パルス化電流の制御を、前記所定の期間を一周期として繰り返し実行する請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記所定の期間は、第１期間と、前記第１期間に続く第２期間と、を含み、
前記シーケンス制御情報は、前記第１期間で、前記基板に出射される前記プラズマ中のイオンが前記基板の処理面に垂直でない第１方向に傾いているときに、前記第２期間では、前記イオンが前記第１方向と反対方向の第２方向に傾くように、前記パルス化電流の向きおよびオン／オフが定められる請求項３または４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記電磁石は、前記チャンバの上面に配置される請求項１から５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記電磁石は、リング状の複数の前記コイルが同心円状に配置される請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
チャンバ内で基板ステージ上に基板を支持させ、
前記チャンバ内の前記基板上の空間で、前記基板を処理するプラズマを生成させ、
向きおよびオン／オフをパルス化したパルス化電流を電磁石の複数のコイルに流して、前記基板をエッチング処理するエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プラズマ処理装置およびエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
２つの電極間に供給した処理ガスに電界と磁界とを印加してプラズマを生成し、このプラズマを用いて、一方の電極上に載置された加工対象に対して処理を行うプラズマ処理装置が知られている。
【０００３】
プラズマの密度は、均一であることが望まれるが、実際には、均一に制御することが困難である。例えば、プラズマを用いたエッチング処理では、プラズマ密度の不均一性によって、ホールが垂直な方向に対して傾いて形成されてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−２２８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、プラズマ処理を実行する期間において、平均的にプラズマ密度を均一化することができるプラズマ処理装置およびエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、プラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内で基板を支持する基板ステージと、前記基板を処理するプラズマを、前記チャンバ内の前記基板上の空間で生成するプラズマ生成部と、を備える。また、プラズマ処理装置は、前記空間に磁場を印加する複数のコイルを有する電磁石と、向きおよびオン／オフをパルス化したパルス化電流を前記複数のコイルに流す電磁石制御部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、電流制御部の動作の仕組みを模式的に示す図である。
【図３】図３は、シーケンス制御情報の一例を示す図である。
【図４】図４は、コイルに流れる電流と磁場との関係を模式的に示す図である。
【図５】図５は、実施形態によるエッチング処理の一例を模式的に示す図である。
【図６】図６は、実施形態によるホールの断面形状の一例を示す図である。
【図７】図７は、実施形態によるプラズマ処理装置の他の構成例を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、コイルの形状の一例を模式的に示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかるプラズマ処理装置およびエッチング方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００９】
図１は、実施形態によるプラズマ処理装置の構成の一例を模式的に示す断面図である。ここでは、プラズマ処理装置がプラズマエッチング装置である場合を例に挙げて説明する。
【００１０】
プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１と、基板ステージであるＥＳＣ（Electrostatic  Chuck：静電チャック）１２と、上部電極１３と、交流電源１４と、プロセスガス供給部１５と、冷却材供給部１６と、制御部１９と、を備える。ＥＳＣ１２、上部電極１３、交流電源１４およびプロセスガス供給部１５は、プラズマ生成部の例である。冷却材供給部１６は、ガス供給部の例である。ＥＳＣ１２は、ＨＶ（High  Voltage）電極（下部電極）２１と、絶縁膜２２と、ＥＳＣ基台２３と、ＨＶ電源２４と、ＥＳＣ電源２５とを備えている。
【００１１】
チャンバ１１は、例えば円筒状を有し、処理対象であるウェハなどの基板１００を収容する。ＥＳＣ１２は、チャンバ１１内の基板１００を保持する。上部電極１３がＥＳＣ１２外に設けられているのに対し、ＨＶ電極２１はＥＳＣ１２内に設けられている。ＨＶ電極２１は、絶縁膜２２で覆われており、ＥＳＣ基台２３上に設けられている。ＨＶ電源２４は、ＨＶ電極２１の電位を調整するための可変電圧源である。ＥＳＣ電源２５は、ＥＳＣ基台２３の電位を調整するための可変電圧源である。基板１００は、絶縁膜２２を介してＨＶ電極２１上に設置される。ＥＳＣ１２は、基板１００をＨＶ電極２１により静電的に吸着する。ＥＳＣ１２は、基板１００が設置される上面と、上面と対向する下面と、側面と、を備えている。ＥＳＣ１２は、ＥＳＣ１２の上面に設けられた図示しない複数本のピンにより基板１００を上下に移動させることができる。
【００１２】
上部電極１３は、ＨＶ電極２１の上方に設けられている。例えば上部電極１３は、ＨＶ電極２１と平行となるように配置される。プロセスガス供給部１５からのプロセスガスを上部電極１３とＨＶ電極２１との間の空間に供給できるように、上部電極１３には図示しない貫通孔が設けられている。例えば、上部電極１３は、厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を有する板状部材によって構成される。プラズマ処理装置１０は、上部電極１３とＨＶ電極２１との間にプラズマを発生させ、プラズマを基板１００の表面Ｓ１側に供給し、プラズマにより基板１００を処理する。具体的には、プラズマを用いたドライエッチングにより基板１００の表面Ｓ１がエッチングされる。
【００１３】
交流電源１４は、上部電極１３に交流電流を供給する。これにより、上部電極１３とＨＶ電極２１との間にプラズマが発生する。
【００１４】
プロセスガス供給部１５は、プラズマ生成用のプロセスガスをチャンバ１１内に供給する。上部電極１３およびＨＶ電極２１は、交流電源１４からの交流電流を用いてプロセスガスからプラズマを生成する。
【００１５】
冷却材供給部１６は、ＥＳＣ１２に設けられた複数の流路１２ａを介して基板１００に冷却材を供給する。冷却材は、希ガス等の不活性ガスであり、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガスである。
【００１６】
制御部１９は、プラズマ処理装置１０の動作を制御する。制御部１９は例えば、チャンバ１１の動作、ＥＳＣ１２の動作、交流電源１４のオン／オフまたは電流、プロセスガス供給部１５のオン／オフまたはプロセスガス供給量、冷却材供給部１６のオン／オフまたは冷却材供給量などを制御する。
【００１７】
また、プラズマ処理装置１０は、チャンバ１１の天板１１ａ上に電磁石３０を有する。電磁石３０は、コア部材３１と、複数のコイル３２−１〜３２−４と、を含む。ここでは、内側から４つのリング状のコイル３２−１〜３２−４が、中心を天板１１ａの中心と一致させて、同心円状に順に配置される例が示されている。なお、以下では、個々のコイル３２−１〜３２−４を区別する必要がない場合には、まとめてコイル３２と表記する。
【００１８】
また、コイル３２のそれぞれには電磁石制御部３４が接続される。電磁石制御部３４は、プラズマ制御部（Plasma  Control  Unit）３４１と、電流制御部３４２と、シーケンス制御部３４３と、を有する。プラズマ制御部３４１は、コイル３２で発生される磁場の強さを制御する。より具体的には、プラズマ制御部３４１は、シーケンス制御部３４３による制御にしたがって、１つのプラズマ処理において、コイル３２に所定の大きさの電流を供給する。また、プラズマ制御部３４１は、コイル３２に流す電流の向きを変えることができる。１つのコイル３２につき、１つのプラズマ制御部３４１が設けられてもよいし、複数のコイル３２につき、１つのプラズマ制御部３４１が設けられてもよい。後者の場合には、プラズマ制御部３４１は、各コイル３２に与える電流の向きおよび大きさを個別に制御可能な構成となる。
【００１９】
電流制御部３４２は、シーケンス制御部３４３による制御にしたがって、プラズマ制御部３４１からコイル３２に供給される電流のオンとオフとを切り替える。図２は、電流制御部の動作の仕組みを模式的に示す図である。電流制御部３４２は、例えば電源３４２１と、電源３４２１に接続される電極３４２２，３４２３と、を有する。
【００２０】
図２（ａ）に示されるように、コイル３２に一定の電流が流れている状態で、電源３４２１は、電極３４２３に対して電極３４２２の方が高くなるように、電極３４２２，３４２３間に正のバイアス電圧を印加する。このとき、プラズマ制御部３４１とコイル３２とを接続する配線３２１を流れる電子は、電流制御部３４２による正のバイアス電圧にひかれ、コイル３２に電流が流れる。その結果、コイル３２には磁場が発生する。
【００２１】
一方、図２（ｂ）に示されるように、コイル３２に一定の電流が流れている状態で、電源３４２１は、電極３４２３に対して電極３４２２の方が低くなるように、電極３４２２，３４２３に負のバイアス電圧を印加する。このとき、配線３２１を流れる電子は、電流制御部３４２による負のバイアス電圧によって反発力を受け、コイル３２に電流が流れなくなる。その結果、コイル３２で発生した磁場が消滅する。
【００２２】
このように、電流制御部３４２によって、コイル３２を流れる電流のオンとオフとを切り替えることができる。なお、プラズマ制御部３４１での電流の向きが変わった場合にも、電極３４２２，３４２３に印加する電圧の符号を反転させることで、同様に電流のオンとオフとを切り替えることができる。その結果、コイル３２にはパルス化されたパルス化電流が供給されることになる。
【００２３】
シーケンス制御部３４３は、シーケンス制御情報に従って、各コイル３２での電流のオン／オフおよび向きをパルス化し、各コイル３２間で同期させるように、プラズマ制御部３４１と電流制御部３４２とを制御する。図３は、シーケンス制御情報の一例を示す図である。シーケンス制御情報は、例えばコイル３２に流すパルス化電流のタイミングチャートである。この図で、横軸は時間であり、縦軸は電流の大きさを示している。また、この図では、上から順にコイル３２−１〜３２−４に与えるパルス化電流を示している。ここでは、１周期Ｔの間で、各コイル３２−１〜３２−４に流すパルス化電流を変えており、これを周期的に繰り返している。また、各コイル３２−１〜３２−４で周期Ｔの始まりを同期させるようにシーケンス制御部３４３が制御している。なお、Ｔは、プラズマ処理を行う総処理時間に比して極めて短い時間であり、例えば数秒以下の長さである。
【００２４】
コイル３２−１では、正の電流パルスが等間隔で生成される。周期Ｔの最初に正の電流パルスが立ち上がる。正の電流パルスはＴ／４の幅を有し、オフの期間もＴ／４の幅を有する。
【００２５】
コイル３２−２では、負の電流パルスが生成される。周期Ｔの最初に負の電流パルスが立ち上がる。負の電流パルスは３Ｔ／４の幅を有し、オフの期間はＴ／４の幅を有する。
【００２６】
コイル３２−３では、正の電流パルスが生成される。周期Ｔの最初に正の電流パルスが立ち上がる。正の電流パルスはＴ／２の幅を有し、オフの期間はＴ／２の幅を有する。
【００２７】
コイル３２−４では、負の電流パルスが等間隔で生成される。周期の最初では、オフであるが、Ｔ／４経過後に立ち上がる。オフの期間はＴ／４の幅を有する。負の電流パルスもＴ／４の幅を有する。
【００２８】
シーケンス制御部３４３は、このようなシーケンスにしたがって、各プラズマ制御部３４１またはこれに加えて電流制御部３４２を制御する。なお、図３に示されるように、隣接するコイル３２は、電流の向きが逆になるように電流を流すことが望ましい。
【００２９】
図４は、コイルに流れる電流と磁場との関係を模式的に示す図であり、（ａ）は電流の向きと磁場の向きとを模式的に示す図であり、（ｂ）は処理対象の処理面上での各コイルによる磁場の大きさの一例を示す図である。
【００３０】
図４（ａ）に示されるように、コイル３２−１〜３２−４にそれぞれ電流Ｉ１〜Ｉ４を流すと右ネジの法則に従った磁場Ｂｒ１〜Ｂｒ４がコイル３２−１〜３２−４の周りに発生する。図４（ｂ）に示されるように、各コイル３２−１〜３２−４に流す電流Ｉ１〜Ｉ４によって処理対象の処理面上には、磁場Ｂｒ１〜Ｂｒ４が形成される。そして、各コイル３２−１〜３２−４によって形成される磁場Ｂｒ１〜Ｂｒ４を加算したものが、処理面上の磁場となる。ここで、コイル３２−１〜３２−４に流す電流Ｉ１〜Ｉ４の大きさおよび／または向きを変えることで、各コイル３２−１〜３２−４の磁場Ｂｒ１〜Ｂｒ４の大きさが変化し、処理面上の磁場を変化させることができる。図３に示されるように、パルス化電流を各コイル３２−１〜３２−４に流すことで、処理面上に形成される磁場を動的に変化させることができる。なお、一般的に、磁場を強くすると、プラズマ密度が上昇する。
【００３１】
図３に示されるようなシーケンス制御情報は例えば以下のようにして得られる。まず、シミュレーションによって磁場とプラズマ密度との関係が求められる。ついで、シミュレーション結果を基に、実際のプラズマ処理装置１０で所望のプラズマ密度が得られるように電流の向き、大きさ、およびオン／オフのタイミングが実験によって求められる。そして、電流の向き、大きさ、およびオン／オフのタイミングをコイル３２ごとに集め、また同期タイミングが規定されたものが、シーケンス制御情報となる。
【００３２】
つぎに、このようなプラズマ処理装置１０を用いたエッチング方法について説明する。図５は、実施形態によるエッチング処理の一例を模式的に示す図であり、図６は、実施形態によるホールの断面形状の一例を示す図である。
【００３３】
まず、処理対象の基板１００を基板ステージであるＥＳＣ１２に載置する。ついで、プロセスガス供給部１５から基板１００と上部電極１３との間にプロセスガスを供給し、交流電源１４から上部電極１３に交流電流を供給する。また、シーケンス制御部３４３は、シーケンス制御情報にしたがって電磁石３０の各コイル３２−１〜３２−４にパルス化電流が同期して流れるように、プラズマ制御部３４１および電流制御部３４２のうち少なくとも一方を制御する。これによって、ＥＳＣ１２と上部電極１３との間に、所定の強さの磁場が発生し、上部電極１３とＨＶ電極２１との間にプラズマが生成される。プラズマが生成されると、基板１００がエッチング処理される。
【００３４】
このとき生成されるプラズマＰは、図５（ａ）に示される形を有しているものとする。一般的に、基板１００上で均一なプラズマが生成されることが望ましい。しかし、空間における磁場の違いによって基板１００上に均一なプラズマを生成することは難しい。例えば図５（ａ）では、プラズマＰが、基板１００の中心部に対応する領域よりも基板１００の周縁部に対応する領域で垂れ下がってしまっている。エッチング処理の場合には、プラズマＰの輪郭を示す面に垂直な方向にイオンが飛び出す。その結果、この例では、基板１００の中心部では基板１００の処理面に垂直なホール１１０が形成されるが、周縁部では処理面に対して垂直な方向から外側に向かって傾いたホール１１０が形成されてしまう。
【００３５】
図５（ａ）では、基板１００の周縁部でホール１１０が外側に傾いてしまっている。そこで、本実施形態では、このような第１条件で所定の時間、エッチングした後、基板１００の周縁部でホール１１０が反対側の内側に傾くようなプラズマＰを生成する第２条件で、エッチング処理を行う。
【００３６】
このとき生成されるプラズマＰは、図５（ｂ）に示される形を有しているものとする。例えば図５（ｂ）では、プラズマＰが、基板１００の周縁部に対応する領域よりも基板１００の中心部に対応する領域で垂れ下がってしまっている。その結果、この例では、基板１００の中心部では基板１００の処理面に垂直なホール１１０が形成されるが、周縁部では処理面に対して垂直な方向から内側に向かって傾いたホール１１０が形成される。
【００３７】
このような第２条件で所定の時間エッチングした後、基板１００の周縁部でホール１１０が反対側の外側に傾くようなプラズマＰを生成する第１条件で、エッチング処理を行う。以降、ホール１１０の底部が所望の深さに到達するまで、第１条件と第２条件とを繰り返し行う。ただし、例えば図３に示されるシーケンス制御情報に示されるように、オン／オフのタイミング、大きさおよび向きを含む個々のコイル３２−１〜３２−４のパルス化電流の条件を同期させないと、図５（ａ）に示されるプラズマＰおよび図５（ｂ）に示されるプラズマＰが交互に生成されなくなってしまう。そのため、各コイル３２−１〜３２−４に流すパルス電流を同期させることが重要となる。
【００３８】
基板１００の周縁部では、このようにエッチング方向が反対となるように交互にエッチングを行うと、図６（ａ）に示されるように、第１エッチング方向Ｄ１に削れる領域と、第１エッチング方向Ｄ１と反対の第２エッチング方向Ｄ２に削れる領域と、深さ方向に交互に形成されることになる。図３では、１周期Ｔの前半をΔＴ１とし、後半をΔＴ２としたときに、ΔＴ１で第１エッチング方向Ｄ１のエッチングが行われ、ΔＴ２で第２エッチング方向Ｄ２のエッチングが行われるものとする。
【００３９】
これによって、例えば１周期目のΔＴ１では、第１エッチング方向Ｄ１のエッチングが深さＤＥ１まで行われる。ただし、基板１００の上面の位置を深さ方向の基準とする。１周期目のΔＴ２では、第２エッチング方向Ｄ２のエッチングが深さＤＥ１からＤＥ２まで行われる。ついで、２周期目のΔＴ１では、第１エッチング方向Ｄ１のエッチングが深さＤＥ２からＤＥ３まで行われ、ΔＴ２では、第２エッチング方向Ｄ２のエッチングが深さＤＥ３からＤＥ４まで行われる。以下、繰り返して同様の処理が行われる。このように、第１エッチング方向Ｄ１のエッチングと第２エッチング方向Ｄ２のエッチングと、が交互に実行されてホール１１０が形成される。このようにしてできるホール１１０の側壁は、蛇腹状となる。
【００４０】
なお、１周期Ｔを数秒以下とすることで、１周期Ｔでのエッチング量が減少するため、図６（ｂ）に示されるように、基板１００の処理面に対して略垂直に立った側面を有するホール１１０となる。
【００４１】
所定の深さまでエッチングされると、エッチング処理が終了する。
【００４２】
なお、上記した説明では、電磁石３０がチャンバ１１の天板１１ａ上に配置される場合を示したが、本実施形態がこれに限定されるものではなく、チャンバ１１の任意の位置に電磁石３０を設けることができる。図７は、実施形態によるプラズマ処理装置の他の構成例を模式的に示す断面図である。図７では、電磁石３０がチャンバ１１の側面に設けられる場合が示されている。このような構成によっても、基板１００の上面における磁場の分布を変えることができる。なお、図１と同一の構成要素には、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４３】
また、上記した説明では、電磁石３０のコイル３２は、円形状に配置される場合を示したが、本実施形態がこれに限定されるものではない。図８は、コイルの形状の一例を模式的に示す上面図である。ｎを２以上の整数とした場合に、コイル３２がｎ個の円弧形状のコイル片に分割され、ｎ個のコイル片がリング状に配置される。図８の場合には、ｎが２の場合であり、コイル３２が２個のコイル片３２ａ，３２ｂに分割される。そして、２つのコイル片３２ａ，３２ｂがチャンバ１１の周囲に１つのリングとなるように配置される。なお、それぞれのコイル片３２ａ，３２ｂにプラズマ制御部３４１および電流制御部３４２が設けられてもよいし、すべてのコイル片３２ａ，３２ｂに１つのプラズマ制御部３４１および電流制御部３４２が設けられてもよい。後者の場合には、プラズマ制御部３４１および電流制御部３４２は、各コイル片３２ａ，３２ｂを独立して制御可能な構成を有する。
【００４４】
さらに、上記した説明では、平行平板型のプラズマ処理装置を例に挙げたが、ＩＣＰ（Inductive  Coupled  Plasma）型のプラズマ処理装置に上記の実施形態を適用してもよい。さらにまた、プラズマ処理装置として、プラズマエッチング装置を例に挙げて説明したが、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）装置などのプラズマを用いた成膜装置にも本実施形態を適用することができる。
【００４５】
実施形態では、プラズマ処理装置１０のチャンバ１１の任意の位置に配置された電磁石３０の複数のコイル３２に向きおよびオン／オフをパルス化したパルス化電流を流すように、電磁石制御部３４を制御する。このとき、電磁石制御部３４は、第１状態のプラズマと、第２状態のプラズマと、が交互に生成されるようにパルス化電流を流す。これによって、プラズマ処理を実行する期間において、平均的にプラズマ密度を均一化することができる。また、第１状態のプラズマでプラズマが均一でない位置で基板１００に対して行われるプラズマ処理の結果と、第２状態のプラズマでプラズマが均一でない位置で基板１００に対して行われるプラズマ処理の結果と、が逆向きになり、結果的に相殺される。その結果、プラズマ密度が均一化しない状態でも、基板１００に対して所望の結果を与えることができる。
【００４６】
例えば、プラズマエッチング処理の際に、第１状態のプラズマでは、基板１００の周縁部で処理面に対して外側に向かってホールが形成され、第２状態のプラズマでは、基板１００の周縁部で処理面に対して内側に向かってホールが形成されるように、パルス化電流を流す。エッチング処理の総時間に比して短い時間で、第１状態のプラズマと第２状態のプラズマとを切り替えることで、結果的に処理面に対して略垂直なホールを形成することができる。
【００４７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
１０  プラズマ処理装置、１１  チャンバ、１１ａ  天板、１２ａ  流路、１３  上部電極、１４  交流電源、１５  プロセスガス供給部、１６  冷却材供給部、１９  制御部、２１  ＨＶ電極、２２  絶縁膜、２３  ＥＳＣ基台、２４  ＨＶ電源、２５  ＥＳＣ電源、３０  電磁石、３１  コア部材、３２，３２−１〜３２−４  コイル、３２ａ，３２ｂ  コイル片、３４  電磁石制御部、１００  基板、１１０  ホール、３２１  配線、３４１  プラズマ制御部、３４２  電流制御部、３４３  シーケンス制御部、３４２１  電源、３４２２，３４２３  電極。
【図１】
2020150220.tif 000003
【図２】
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【図３】
2020150220.tif 000005
【図４】
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【図５】
2020150220.tif 000007
【図６】
2020150220.tif 000008
【図７】
2020150220.tif 000009
【図８】
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