(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性を向上させることができる積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１００は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層１１と、複数の内部電極層１２と、が積層され、積層された複数の内部電極層が対向する２端面の少なくとも一方に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、２端面に形成された１対の外部電極２０ａ、２０ｂと、積層チップの表面の外部電極が形成されていない領域および外部電極の表面の少なくとも一部に付着し、３８０℃以上のいずれかの温度で放出されるフッ素化合物１４と、を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層され、積層された複数の前記内部電極層が対向する２端面の少なくとも一方に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、
前記２端面に形成された１対の外部電極と、
前記積層チップの表面の前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に付着し、３８０℃以上のいずれかの温度で放出されるフッ素化合物と、を備えることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記フッ素化合物は、ＧＣ−ＭＳ分析において質量電荷比としてｍ／ｚ＝１９の化合物であることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記フッ素化合物は、３８０℃以上のいずれかの温度に放出ピークをもつことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記フッ素化合物は、前記積層チップの表面において、前記１対の外部電極の間に付着していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記外部電極は、金属成分を含有する導電性樹脂層を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記フッ素化合物は、３８０℃未満では放出されないことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
セラミックを主成分とする複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層され、積層された複数の前記内部電極層が対向する２端面の少なくとも一方に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、前記２端面に形成された１対の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサを用意する工程と、
前記積層チップの表面の前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に、加熱したフッ素ゴムを接触させることで、３８０℃以上のいずれかの温度で放出されるフッ素化合物を付着させる工程と、を含むことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記フッ素化合物を付着させる前の前記積層セラミックコンデンサを基板に実装し、加熱したフッ素ゴムのシートを前記積層セラミックコンデンサに押し付けることで、前記積層チップの表面の前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に、前記フッ素化合物を付着させることを特徴とする請求項７に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記積層チップの前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に、１５０℃以上に加熱した前記フッ素ゴムを接触させることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品を基板に実装する際に、応力緩和の目的で、金属成分を樹脂に混ぜた導電性樹脂層を外部電極に設ける構造が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−６３００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このようなセラミック電子部品を高温多湿環境で使用すると、セラミック電子部品表面に付着する水分を原因として、導電性樹脂層に含まれる金属成分が拡散し、信頼性が低下するおそれがある。外部電極に導電性樹脂層が含まれていなくても、外部電極に含まれる金属成分が拡散し、信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を向上させることができる積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と、複数の内部電極層と、が積層され、積層された複数の前記内部電極層が対向する２端面の少なくとも一方に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、前記２端面に形成された１対の外部電極と、前記積層チップの表面の前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に付着し、３８０℃以上のいずれかの温度で放出されるフッ素化合物と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記フッ素化合物は、ＧＣ−ＭＳ分析において質量電荷比としてｍ／ｚ＝１９の化合物としてもよい。
【０００８】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記フッ素化合物は、３８０℃以上のいずれかの温度に放出ピークをもっていてもよい。
【０００９】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記フッ素化合物は、前記積層チップの表面において、前記１対の外部電極の間に付着していてもよい。
【００１０】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記外部電極は、金属成分を含有する導電性樹脂層を含んでいてもよい。
【００１１】
上記積層セラミックコンデンサにおいて、前記フッ素化合物は、３８０℃未満では放出されなくてもよい。
【００１２】
本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミックを主成分とする複数の誘電体層と複数の内部電極層とが積層され、積層された複数の前記内部電極層が対向する２端面の少なくとも一方に露出するように形成され、略直方体形状を有する積層チップと、前記２端面に形成された１対の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサを用意する工程と、前記積層チップの表面の前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に、加熱したフッ素ゴムを接触させることで、３８０℃以上のいずれかの温度で放出されるフッ素化合物を付着させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
上記積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記フッ素化合物を付着させる前の前記積層セラミックコンデンサを基板に実装し、加熱したフッ素ゴムのシートを前記積層セラミックコンデンサに押し付けることで、前記積層チップの表面の前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に、前記フッ素化合物を付着させてもよい。
【００１４】
上記積層セラミックコンデンサの製造方法において、前記積層チップの前記外部電極が形成されていない領域および前記外部電極の表面の少なくとも一部に、１５０℃以上に加熱した前記フッ素ゴムを接触させてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、信頼性を向上させることができる積層セラミックコンデンサおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。
【図２】外部電極の断面図であり、図１のＡ−Ａ線の部分断面図である。
【図３】積層セラミックコンデンサにフッ素化合物が付着した構造を例示する図である。
【図４】積層セラミックコンデンサにフッ素化合物が付着した構造を例示する図である。
【図５】積層セラミックコンデンサにフッ素化合物が付着した構造を例示する図である。
【図６】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。
【図７】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。
【図８】フッ素シートを押し付ける場合を例示する図である。
【図９】（ａ）は実施例１のＧＣ−ＭＳ分析結果を示す図であり、（ｂ）は実施例４のＧＣ−ＭＳ分析結果を示す図である。
【図１０】ｍ／ｚ＝１９の分析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。
【００１８】
（実施形態）
まず、積層セラミックコンデンサの概要について説明する。図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図１で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。
【００１９】
積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、内部電極層１２とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層１２の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた端面と、外部電極２０ｂが設けられた端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層１２との積層体において、積層方向の最外層には内部電極層１２が配置され、当該積層体の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３の材料は、誘電体層１１とセラミック材料の主成分が同じである。
【００２０】
積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。
【００２１】
内部電極層１２は、Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（スズ）等の卑金属を主成分とする。内部電極層１２として、Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム），Ａｇ（銀），Ａｕ（金）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３−αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム），ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム），ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム），ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム），ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ−ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１−ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等を用いることができる。
【００２２】
図２は、外部電極２０ｂの断面図であり、図１のＡ−Ａ線の部分断面図である。なお、図２では断面を表すハッチを省略している。図２で例示するように、外部電極２０ｂは、下地層２１上に、Ｃｕなどの第１めっき層２２、導電性樹脂層２３、Ｎｉなどの第２めっき層２４、およびＳｎなどの第３めっき層２５が形成された構造を有する。下地層２１、第１めっき層２２、導電性樹脂層２３、第２めっき層２４および第３めっき層２５は、積層チップ１０の両端面から２つの側面および積層方向の上下の面に延在している。
【００２３】
下地層２１は、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ（アルミニウム），Ｚｎ（亜鉛）などの金属を主成分とし、下地層２１の緻密化のためのガラス成分や、下地層２１の焼結性を制御するための共材が含まれている。これらのセラミック成分が多く含まれる下地層２１は、セラミック材料を主成分とするカバー層１３と良好な密着性を有する。導電性樹脂層２３は、Ａｇなどの金属成分を含む樹脂層である。導電性樹脂層２３は、柔軟であるため、積層セラミックコンデンサ１００が実装される基板のたわみによって生じる応力を緩和する。第１めっき層２２は、下地層２１と導電性樹脂層２３との密着性を高めるために設けられている。外部電極２０ａも、外部電極２０ｂと同様の積層構造を有する。なお、導電性樹脂層２３は、必ずしも設けられていなくてもよい。
【００２４】
外部電極２０ａ，２０ｂが図２のような構造を有している場合に、積層セラミックコンデンサ１００が高温多湿の環境で用いられると、積層セラミックコンデンサ１００の表面に付着した水分を原因として、導電性樹脂層２３に含まれる金属成分が溶出し、拡散して、信頼性が低下するおそれがある。例えば、積層チップ１０の表面における外部電極２０ａと外部電極２０ｂとの間に、導電性樹脂層２３に含まれる金属成分が拡散するおそれがある（マイグレーション）。外部電極２０ａ，２０ｂに導電性樹脂層２３が含まれていなくても、外部電極２０ａ，２０ｂに含まれる金属成分が拡散するおそれがある。
【００２５】
そこで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００は、図３で例示するように、表面の少なくとも一部に、フッ素化合物１４が付着した構造を有している。フッ素化合物１４は、積層チップ１０の表面の外部電極２０ａ，２０ｂが形成されていない領域および外部電極２０ａ，２０ｂの表面の少なくとも一部に付着している。例えば、図４で例示するように、フッ素化合物１４は、積層チップ１０の表面の外部電極２０ａ，２０ｂが形成されていない領域の一部だけに付着していてもよい。または、図５で例示するように、フッ素化合物１４は、外部電極２０ａ，２０ｂの表面の一部だけに付着していてもよい。
【００２６】
なお、ここでの「表面に付着している」とは、表面に直接付着している場合と、表面に他の膜などを介して付着している場合とを含む。以下の説明においても、同様である。
【００２７】
本実施形態においては、フッ素化合物１４は、３８０℃以上のいずれかの温度で積層セラミックコンデンサ１００の表面から放出されるフッ素化合物である。フッ素化合物１４は、３８０℃以上のいずれかの温度で放出されるため、積層セラミックコンデンサ１００をハンダ付け実装した後にも残存する傾向にある。フッ素化合物１４は、撥水性を有することから、積層セラミックコンデンサ１００を高温多湿環境で用いても、積層セラミックコンデンサ１００の表面への水分の付着が抑制される。その結果、積層セラミックコンデンサ１００の信頼性を向上させることができる。なお、フッ素化合物１４は、積層チップ１０の表面の外部電極２０ａ，２０ｂが形成されていない領域および外部電極２０ａ，２０ｂの表面のどちらに付着していても、信頼性向上に寄与する。また、フッ素化合物１４は、３８０℃未満では積層セラミックコンデンサ１００の表面から放出されないことが好ましい。
【００２８】
フッ素化合物１４は、例えば、ＧＣ−ＭＳ（Gas Chromatography Mass Spectrometry）分析において、質量電荷比としてｍ／ｚ＝１９の化合物である。フッ素化合物１４は、３００℃以上のいずれかの温度において、少なくとも１つの放出ピーク（放出量の極大値）を持つことが好ましい。
【００２９】
なお、フッ素化合物１４が外部電極２０ａ，２０ｂの表面に付着していても、ハンダの濡れ性の低下は抑制される。付着しているフッ素化合物１４の量が微量だからである。例えば、フッ素化合物１４の厚さは、１ｎｍ〜８０ｎｍの範囲である。したがって、フッ素化合物１４が外部電極２０ａ，２０ｂの表面に付着していても、実装性を維持することができる。
【００３０】
フッ素化合物１４が積層セラミックコンデンサ１００の表面において付着する箇所は、特に限定されるものではないが、積層チップ１０の上面、下面、および２側面において、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとの間の少なくとも一部に付着していることが好ましい。積層チップ１０の表面における外部電極２０ａと外部電極２０ｂとの間に対する水分の付着が抑制され、マイグレーションが抑制されるからである。
【００３１】
または、フッ素化合物１４は、積層セラミックコンデンサ１００の全体を覆っていることが好ましい。積層セラミックコンデンサ１００の全体に対する水分の付着が抑制されるからである。
【００３２】
続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図６は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。
【００３３】
（原料粉末作製工程）
まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１を構成するセラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル−ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
【００３４】
得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｍｎ（マンガン），Ｖ（バナジウム），Ｃｒ（クロム），希土類元素(Ｙ（イットリウム）,Ｓｍ（サマリウム），Ｅｕ（ユウロピウム），Ｇｄ（ガドリニウム），Ｔｂ（テルビウム），Ｄｙ（ジスプロシウム）,Ｈｏ（ホロミウム）,Ｅｒ(エルビウム)，Ｔｍ（ツリウム）およびＹｂ（イッテルビウム）)の酸化物、並びに、Ｃｏ（コバルト），Ｎｉ，Ｌｉ（リチウム），Ｂ（ホウ素），Ｎａ（ナトリウム），Ｋ（カリウム）およびＳｉ（シリコン）の酸化物もしくはガラスが挙げられる。
【００３５】
本実施形態においては、好ましくは、まず誘電体層１１を構成するセラミックの粒子に添加化合物を含む化合物を混合して８２０〜１１５０℃で仮焼を行う。続いて、得られたセラミック粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック粉末を調製する。例えば、セラミック粉末の平均粒子径は、誘電体層１１の薄層化の観点から、好ましくは５０〜３００ｎｍである。例えば、上記のようにして得られたセラミック粉末について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。
【００３６】
（積層工程）
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリーを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み０．８μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
【００３７】
次に、誘電体グリーンシートの表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層用のパターンを配置する。金属導電ペーストには、共材としてセラミック粒子を添加する。セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。
【００３８】
その後、基材から剥離した状態で、内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、誘電体グリーンシートを交互に積層する。例えば、合計の積層数を１００〜５００層とする。
【００３９】
その後、積層した誘電体グリーンシートの積層体の上下にカバー層１３となるカバーシートを圧着することで、セラミック積層体を得る。その後、得られたセラミック積層体（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）に対して、２５０〜５００℃のＮ２雰囲気中で脱バインダ処理する。
【００４０】
（焼成工程）
このようにして得られた成型体を酸素分圧１０−７〜１０−１０ａｔｍの還元雰囲気中で１１００〜１３００℃で１０分〜２時間焼成する。
【００４１】
（再酸化処理工程）
その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃〜１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。
【００４２】
（外部電極形成工程）
次に、金属フィラー、ガラスフリット、バインダ、および溶剤を含む金属ペーストを積層チップ１０の両端面にディップ法で塗布し、乾燥させ、焼き付ける。それにより、下地層２１が形成される。なお、バインダおよび溶剤は、焼き付けによって揮発する。この手法の金属フィラーには、Ｃｕ等が好適である。なお、焼き付けは、７００℃〜９００℃で約３分〜３０分、特に７６０℃〜８４０℃で５分〜１５分行うことが好ましい。その後、めっきによって、第１めっき層２２を下地層２１上に形成してもよい。
【００４３】
次に、導電性樹脂層２３を形成する。導電性樹脂層２３は、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等の導電性フィラーを混練したエポキシ樹脂やフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を第１めっき層２２の表面に浸漬塗布し、熱処理して硬化させることで形成される。導電性樹脂層２３の厚みは特に限定されず、例えば、約１０〜５０μｍであり、加工中の製品の大きさに応じて適宜設定される。その後、電解めっき等によって、導電性樹脂層２３上に、第２めっき層２４および第３めっき層２５を形成する。
【００４４】
（加熱接触工程）
次に、フッ素ゴムを１５０℃以上に加熱し、加工中の製品の表面に接触させる。それにより、積層チップ１０の表面の外部電極２０ａ，２０ｂが形成されていない領域および外部電極２０ａ，２０ｂの表面の少なくとも一部に、フッ素化合物１４を付着させることができる。このようにして、積層セラミックコンデンサ１００が得られる。
【００４５】
本実施形態に係る製造方法によれば、フッ素ゴムを１５０℃以上に加熱して積層セラミックコンデンサ１００の表面に接触させることで、積層チップ１０の表面の外部電極２０ａ，２０ｂが形成されていない領域および外部電極２０ａ，２０ｂの表面の少なくとも一部に、３８０℃以上のいずれかの温度で積層セラミックコンデンサ１００の表面から放出されるフッ素化合物を付着させることができる。それにより、フッ素化合物１４は、積層セラミックコンデンサ１００をハンダ付け実装した後にも残存する傾向にある。フッ素化合物１４は、撥水性を有することから、積層セラミックコンデンサ１００を高温多湿環境で用いても、積層セラミックコンデンサ１００の表面への水分の付着が抑制される。その結果、積層セラミックコンデンサ１００の信頼性を向上させることができる。
【００４６】
下地層２１は、積層チップ１０の焼成時に同時に焼成してもよい。この場合、図７で例示するように、積層工程で得られたセラミック積層体を、２５０〜５００℃のＮ２雰囲気中で脱バインダした後に、セラミック積層体の両端面に、金属フィラー、共材、バインダ、および溶剤を含む金属ペーストをディップ法で塗布し、乾燥させる。その後、金属ペーストをセラミック積層体と同時に焼成する。焼成の条件は、例えば、上述した焼成工程で例示されている。その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃〜１０００℃で再酸化処理を行ってもよい。その後、めっきによって、第１めっき層２２を下地層２１上に形成する。次に、第１めっき層２２の表面に導電性樹脂層２３を形成する。その後、電解めっき等によって、導電性樹脂層２３上に、第２めっき層２４および第３めっき層２５を形成する。
【００４７】
なお、図８で例示するように、フッ素化合物１４を付着させる前の積層セラミックコンデンサ１００を基板１６に実装し、フッ素ゴムのシート１７を加熱し、当該加熱したフッ素ゴムのシート１７を積層セラミックコンデンサ１００に押し付けることで、フッ素化合物１４を積層チップ１０の表面の外部電極２０ａ，２０ｂが形成されていない領域および外部電極２０ａ，２０ｂの表面の少なくとも一部に付着させてもよい。この場合、基板１６にもフッ素化合物１４を付着させることができるため、基板１６の表面に生じる結露由来の故障を抑制することができる。また、フッ素ゴムのシート１７を押し当てる前に積層セラミックコンデンサ１００が実装されているため、実装不良を抑制することができる。フッ素ゴムのシート１７の見掛け密度は、０．７５ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。フッ素ゴムの見掛け密度が大きいとシート１７が硬くなり、シート１７を押し当てた際にチップを十分に覆うことができず、チップを覆うように見掛け密度が大きいシート１７を押し付けると無理な力が加わってチップにダメージを与えてしまう可能性があるためである。なお、見掛け密度とは、シート１７の体積に対する質量のことである。
【００４８】
なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。
【実施例】
【００４９】
以下、実施形態に係る積層セラミックコンデンサを作製し、特性について調べた。
【００５０】
（実施例１〜４）
チタン酸バリウムを主成分とする耐還元性を有するセラミック粉末を有機バインダと混練してスラリーを調製し、これをドクターブレード等でシート状に形成して誘電体グリーンシートを作製した。この誘電体グリーンシートにスクリーン印刷法によってＮｉの金属導電ペーストを所定のパターンで塗布して内部電極パターンを形成した。内部電極パターンを形成した誘電体グリーンシートを所定の形状に裁断し、所定枚数積み重ねた後、熱圧着してセラミック積層体を作製した。
【００５１】
次に、上記セラミック積層体を所定のチップサイズに切断、分割した。得られたセラミック積層体の電極露出面（両端面）に、所定の電極幅（Ｅ寸法）となるように、共材を含む金属ペーストを浸漬法により塗布した。
【００５２】
続いて、得られたセラミック積層体を窒素あるいは水素雰囲気下、１２５０℃で焼成および所定の熱処理を行い、積層チップ１０およびその両端面を被覆する下地層２１を作製した。そして、研磨剤に「ホワイトモランダム」（登録商標）を用いて下地層２１表面の乾式研磨を行った後、Ｃｕめっきを施して第１めっき層２２を形成した。次に、第１めっき層２２の表面に、所定の粘度（１０〜３０Ｐａ・ｓ）に調整した導電性樹脂ペーストを浸漬法により塗布した。導電性樹脂ペーストには、Ａｇフィラーを混練したエポキシ樹脂を用いた。その後、熱処理により導電性樹脂ペーストを硬化させ、導電性樹脂層２３を形成した。そして、導電性樹脂層２３の上に、ＮｉめっきおよびＳｎめっきを順次施して、第２めっき層２４および第３めっき層２５を形成した。得られた積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、長さ３．２ｍｍ、幅２．５ｍｍ、高さ２．５ｍｍであった。
【００５３】
積層セラミックコンデンサ１００と共にフッ素ゴムを加熱し、フッ素ゴムを積層セラミックコンデンサ１００の表面に接触させた。それにより、積層セラミックコンデンサ１００の表面にフッ素化合物１４を付着させた。実施例１では、フッ素ゴムの加熱温度を１５０℃とした。実施例２では、フッ素ゴムの加熱温度を１７０℃とした。実施例３では、フッ素ゴムの加熱温度を１９０℃とした。実施例４では、フッ素ゴムの加熱温度を２１０℃とした。
【００５４】
比較例では、フッ素化合物を付着させなかった（撥水処理無し）。
【００５５】
実施例１，４に係る積層セラミックコンデンサ１００に対して、フッ素化合物の放出確認を行った。ガスクロマトグラフ質量分析計：ＧＣ−ＭＳ（Gas Chromatography Mass Spectrometry）(フロンティア・ラボ製 EGA／Py-3030D／Agilent社製 GC7980A/JEOL製 JMS1050GC)によって、６０℃から８００℃まで加熱し、放出されるガスの質量からその成分および放出量を分析した。
【００５６】
分析条件は、以下のとおりである。
熱分解条件        ：熱分解温度  ６０℃〜８００℃
：昇温レート  ２０℃／ｍｉｎ
カラム            ：カラム内径  ０．２５ｍｍ
：カラム長さ  ５ｍ
オーブン温度条件  ：温度領域  ２５０℃
：保持時間  ３７分
【００５７】
図９（ａ）は、実施例１のＧＣ−ＭＳ分析結果を示す図である。図９（ｂ）は、実施例４のＧＣ−ＭＳ分析結果を示す図である。図９（ａ）および図９（ｂ）において、横軸は質量電荷比（ｍ／ｚ値）を示し、縦軸はピーク強度を示す。図９（ａ）および図９（ｂ）は、加熱温度が４５０℃の時点での結果を示している。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、加熱温度が４５０℃の時点において、ｍ／ｚ＝１９であるフッ素の放出が確認された。
【００５８】
図１０は、実施例１，４のＧＣ−ＭＳ分析結果について、ｍ／ｚ＝１９に着目し、横軸を温度としたものである。図１０に示すように、実施例１，４では、３８０℃未満の温度ではフッ素化合物の放出が確認されず、３８０℃以上の高温でフッ素化合物の放出が確認された。これは、フッ素ゴムを加熱接触させることで、低温でのフッ素化合物の放出が抑制されたからであると考えられる。なお、図１０の結果では、３８０℃以上において、フッ素化合物の放出ピークが確認された。
【００５９】
次に、実施例１〜４および比較例について、他の４００個ずつのサンプルに対して、耐湿試験を行った。耐湿試験では、温度が１２０℃、相対湿度が８５％の環境にサンプルを投入し、定格の１．５倍の電圧を印加して１００時間後の電気的測定（実装電極間の絶縁抵抗）を確認した。絶縁抵抗値×容量値が１００ＭΩ・μＦを満たしていれば合格、これを満たさなければ不合格とした。４００個のサンプルに対して、不合格となったサンプルの比率を調べた。
【００６０】
次に、実施例１〜４および比較例について、他の４００個のサンプルに対して、結露試験を行った。サンプルを信頼性基板（ＣＥＭ３）に実装し、電圧１６Ｖを印加しながら恒温恒湿槽に投入し、ＪＩＳ６００６８−２−３０の結露試験プログラム(１サイクルの条件：（１）湿度９８％を維持し、温度２５℃→５５℃へ３時間かけて変更、（２）温度５５℃を維持し、湿度９８％→９３％へ１５分かけて変更、（３）温度５５℃湿度９３％で９時間２５分保持、（４）湿度９３％を維持し、温度５５→２５℃へ３時間かけて変更、（５）温度２５℃湿度９３％で３時間保持、（６）温度２５℃を維持し、湿度９３％→９８％へ５時間３０分かけて変更)を６サイクル経過後において、マイグレーションの発生を確認した。マイグレーションは外部電極間に析出物があるかないかを４０倍の実体顕微鏡を使用した外観で判断し、析出物があればマイグレーション発生と判断した。４００個のサンプルに対して、マイグレーションが発生したサンプルの比率を調べた。
【００６１】
表１に、耐湿試験結果および結露試験結果を示す。表１に示すように、比較例では耐湿試験の不合格率が高くなったのに対して、実施例１〜４では耐湿試験の不合格率が低くなった。これは、フッ素化合物１４を形成したことで、撥水性が得られたからであると考えられる。
【表１】
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【００６２】
次に、比較例では結露試験の不合格率が高くなったのに対して、実施例１〜４では結露試験の不合格率が低くなった。これは、フッ素化合物１４を形成したことで、撥水性が得られたからであると考えられる。
【００６３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６４】
１０  積層チップ
１１  誘電体層
１２  内部電極層
１３  カバー層
１４  フッ素化合物
２０ａ，２０ｂ  外部電極
１００  積層セラミックコンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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