(57)【要約】【課題】石英ガラスに比べて耐熱性の低い物体を熱により変形させることなく、この物体に薄膜を形成する。【解決手段】被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法であって、接着層を介して光学薄膜が形成された基板を準備する基板準備ステップと、基板準備ステップの後、基板の光学薄膜側に石英ガラスに比べて耐熱性の低い被着体を貼り付ける貼り付けステップと、貼り付けステップの後、基板の光学薄膜が形成された面とは反対側の面から、基板に対しては透過性を有し、且つ、接着層に対しては吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、接着層を破壊する接着層破壊ステップと、接着層破壊ステップの後、光学薄膜が貼り付けられた被着体と基板とを分離する分離ステップと、を備える被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法が提供される。【選択図】図４
2020049698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法であって、
接着層を介して該光学薄膜が形成された基板を準備する基板準備ステップと、
該基板準備ステップの後、該基板の光学薄膜側に石英ガラスに比べて耐熱性の低い該被着体を貼り付ける貼り付けステップと、
該貼り付けステップの後、該基板の該光学薄膜が形成された面とは反対側の面から、該基板に対しては透過性を有し、且つ、該接着層に対しては吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、該接着層を破壊する接着層破壊ステップと、
該接着層破壊ステップの後、該光学薄膜が貼り付けられた該被着体と該基板とを分離する分離ステップと、を備えることを特徴とする被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法。
【請求項２】
該被着体は樹脂で形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被着体の表面に光学薄膜を貼り付けて形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に金属薄膜を形成する場合、スパッタリング法（特許文献１参照）又は蒸着法（特許文献２参照）等の方法で、金属薄膜を形成することが一般的である。また、金属薄膜が形成された基板が光学素子として利用される場合、この基板は、石英ガラスで構成されていることが一般的である。しかしながら、軽量化及びコスト削減のために、石英ガラスよりも比重の小さい材料（例えば、樹脂材料）を使用したいという要望がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３０４８５号公報
【特許文献２】特開平８−１２２５０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
石英ガラスよりも比重の小さい材料は、石英ガラスに比べて一般的に融点が低いので、石英ガラスに比べて耐熱性が低い。このような耐熱性が低い材料で形成された基板に薄膜を形成する場合、スパッタリング等の工程中に印加される熱又は工程中に生じる熱により、基板そのものが変形してしまうので、基板に薄膜を適切に形成できないという問題がある。
【０００５】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、石英ガラスに比べて耐熱性の低い材料で形成された物体を熱により変形させることなく、この物体に薄膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法であって、接着層を介して該光学薄膜が形成された基板を準備する基板準備ステップと、該基板準備ステップの後、該基板の光学薄膜側に石英ガラスに比べて耐熱性の低い該被着体を貼り付ける貼り付けステップと、該貼り付けステップの後、該基板の該光学薄膜が形成された面とは反対側の面から、該基板に対しては透過性を有し、且つ、該接着層に対しては吸収性を有する波長のレーザービームを照射し、該接着層を破壊する接着層破壊ステップと、該接着層破壊ステップの後、該光学薄膜が貼り付けられた該被着体と該基板とを分離する分離ステップと、を備える被着体に光学薄膜を貼り付けて形成する方法が提供される。
【０００７】
好ましくは、該被着体は樹脂で形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る、被着体に光学薄膜を形成する方法では、接着層を介して光学薄膜が形成された基板の光学薄膜側を被着体に貼り付けた後、レーザービームを照射して接着層を破壊する。これにより、光学薄膜と基板との結合が解除されるので、光学薄膜は被着体に転写される。
【０００９】
接着層破壊ステップでは、レーザービームが接着層に集光されるので、接着層のみが破壊され、更に、被着体にはほとんど熱が印加されない。それゆえ、接着層破壊ステップでは、石英ガラスに比べて耐熱性の低い物体であっても熱により変形することが無い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（Ａ）は、光学薄膜が貼り付けられる被着体の一例を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、基板準備ステップ（Ｓ１０）で準備した積層体の斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、プリズムに基板の光学薄膜側を貼り付ける貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図２（Ｂ）は、貼り付けステップ（Ｓ２０）後のプリズムユニット等の斜視図である。
【図３】レーザー加工装置の斜視図である。
【図４】接着層破壊ステップ（Ｓ３０）を示す一部断面側面図である。
【図５】図５（Ａ）は、プリズムと基板とを分離する分離ステップ（Ｓ４０）を示す図であり、図５（Ｂ）は、分離ステップ（Ｓ４０）後におけるプリズムの斜視図である。
【図６】プリズムに光学薄膜を貼り付けて形成する方法を示す第１実施形態のフロー図である。
【図７】第２実施形態に係る保持治具を用いた接着層破壊ステップ（Ｓ３０）を示す一部断面側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１（Ａ）は、光学薄膜が貼り付けられる被着体の一例を示す斜視図である。本実施形態の被着体は、石英ガラスに比べて耐熱性の低い材料で成る。石英ガラスは、一般的に、約１７００℃で軟化し、２０００℃以上で溶融するが、これに対して、本実施形態の被着体は、例えば、１７００℃以下の所定の温度で軟化又は溶融する。
【００１２】
本実施形態の被着体は、約８０℃から約２５０℃までの所定の温度で溶融する、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等の樹脂で形成されている。但し、被着体の材質は、ＰＥ、ＰＰ及びＰＶＣに限定されず、他の樹脂で形成されてもよい。
【００１３】
被着体を樹脂で形成することにより、石英ガラスで形成する場合に比べて、光学薄膜が貼り付けられた被着体（即ち、光学素子）の重さを約半分以下にできる。この光学素子は、例えば、カメラ内部の部品に使用されるので、樹脂製の被着体を用いることにより、カメラ自体を軽量化できる。更に、樹脂材料及びその加工等に要する費用は石英ガラスの場合に比べて一般的に安価であるので、樹脂製の被着体は石英ガラスの被着体に比べて安価に製造される。
【００１４】
図１（Ａ）に示す様に、本実施形態の被着体はプリズム１１であるが、被着体はプリズム１１に限定されない。被着体は、光学薄膜が貼り付けられた場合に、ミラー、ハーフミラー、ダイクロイックミラー等となる透明な板材であってもよい。また、被着体は、ＣＭＯＳ（Complementary MOS）等の回路が形成された半導体基板であってもよい。
【００１５】
プリズム１１の一面１１ａには、基板１３ｃに設けられた光学薄膜１３ａが貼り付けられる（図１（Ｂ）参照）。本実施形態の光学薄膜１３ａは、プリズム１１の一面１１ａよりも大きな面積を有する円形の薄膜である。本実施形態の光学薄膜１３ａの厚さは１μｍであるが、光学薄膜１３ａは、１μｍ未満、又は、１μｍを超える所定の厚さを有してもよい。
【００１６】
光学薄膜１３ａは、例えば、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成された薄膜である。この場合、光学薄膜１３ａがプリズム１１の一面１１ａに貼り付けられると、プリズム１１の一面１１ａはミラーとして機能する。
【００１７】
また、光学薄膜１３ａは、例えば、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）で形成された薄膜である。ＭｇＦ２薄膜の表面での反射光と、ＭｇＦ２薄膜とプリズム１１との界面からの反射光とが干渉して弱め合う所定の光学的厚さをＭｇＦ２薄膜が有する場合、プリズム１１の一面１１ａに貼り付けられたＭｇＦ２薄膜は反射防止膜として機能する。
【００１８】
また、光学薄膜１３ａは、例えば、錫（Ｓｎ）又は銀（Ａｇ）で形成され、上述のミラーとして用いられる場合よりも薄い所定の厚さの薄膜である。この場合、光学薄膜１３ａがプリズム１１の一面１１ａに貼り付けられると、プリズム１１の一面１１ａは、ハーフミラー又はビームスプリッターとして機能する。その他、種々の材料が光学薄膜１３ａとして用いられてよい。
【００１９】
光学薄膜１３ａは、接着層１３ｂを介して基板１３ｃに接着されている。接着層１３ｂは、光学薄膜１３ａの形成工程中に印加される熱又は生じる熱に耐え得る高耐熱性の材料で形成されている。
【００２０】
本実施形態の接着層１３ｂは、５００℃以上の温度になっても溶融しない熱硬化性のポリイミド（ＰＩ）で形成されているが、接着層１３ｂの材料は、ポリイミドに限定されず他の材料で形成されてもよい。接着層１３ｂは、１μｍから２０μｍ程度の厚さ、より好ましくは、１μｍ以上５μｍ以下の厚さを有する。
【００２１】
光学薄膜１３ａは、接着層１３ｂを介して円盤状の基板１３ｃ上に形成されており、基板１３ｃにより支持及び固定されている。光学薄膜１３ａ、接着層１３ｂ及び基板１３ｃは積層体１３を形成している。本実施形態の基板１３ｃは、光学薄膜１３ａと略同径のサファイアで形成されており、後述する紫外線帯域のレーザービームを透過させる透明部材である。図１（Ｂ）は、基板準備ステップ（Ｓ１０）で準備した積層体１３の斜視図である。
【００２２】
基板準備ステップ（Ｓ１０）では、まず、塗布装置（不図示）等を用いて、基板１３ｃの平坦な表面に接着層１３ｂを形成する。次に、スパッタリング装置（不図示）等を用いて、接着層１３ｂの基板１３ｃとは反対側に光学薄膜１３ａを形成する。これにより、基板１３ｃ、接着層１３ｂ及び光学薄膜１３ａがこの順で積層された積層体１３が形成される。
【００２３】
基板準備ステップ（Ｓ１０）の後、積層体１３の光学薄膜１３ａとプリズム１１の一面１１ａとを貼り付ける（貼り付けステップ（Ｓ２０））。本実施形態の貼り付けステップ（Ｓ２０）では、プリズム１１の一面１１ａに樹脂等で形成された糊剤を塗布する。
【００２４】
糊剤は、プリズム１１に入射する光を吸収しない透明な材料で構成されており、極めて薄くプリズム１１の一面１１ａに塗布される。糊剤は、例えば、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン等の熱硬化性樹脂から選択され、数ｎｍから数μｍの厚さとなるように塗布される。
【００２５】
そして、糊剤が塗布されたプリズム１１の一面１１ａを積層体１３の光学薄膜１３ａ側に貼り付ける。これにより、プリズム１１の一面１１ａが、接着層１３ｂ及び光学薄膜１３ａを介して基板１３ｃに貼り付けられたプリズムユニット１５が形成される。図２（Ａ）は、プリズム１１に基板１３ｃの光学薄膜１３ａ側を貼り付ける貼り付けステップ（Ｓ２０）を示す図であり、図２（Ｂ）は、貼り付けステップ（Ｓ２０）後のプリズムユニット１５の斜視図である。
【００２６】
貼り付けステップ（Ｓ２０）の後、レーザー加工装置２を用いて積層体１３にレーザービームを照射して、積層体１３の接着層１３ｂを破壊する（接着層破壊ステップ（Ｓ３０））。図３は、接着層破壊ステップで用いられるレーザー加工装置２の斜視図である。
【００２７】
図３に示す様に、レーザー加工装置２は、各構造を支持する基台４を備えている。基台４は、直方体状の基部６と、基部６の後端において上方に伸びる壁部８とを含む。基部６の上面には、チャックテーブル１０が配置されている。
【００２８】
チャックテーブル１０の下方には、チャックテーブル１０をＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動させるＹ軸移動ユニット１６が設けられている。Ｙ軸移動ユニット１６は、基部６の上面に固定されＹ軸方向に平行な一対のＹ軸ガイドレール１８を備える。
【００２９】
Ｙ軸ガイドレール１８には、Ｙ軸移動テーブル２０がスライド可能に設置されている。Ｙ軸移動テーブル２０の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｙ軸ガイドレール１８と平行なＹ軸ボールネジ２２が回転可能な態様で結合されている。
【００３０】
Ｙ軸ボールネジ２２の一端部には、Ｙ軸パルスモータ２４が連結されている。Ｙ軸パルスモータ２４でＹ軸ボールネジ２２を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル２０は、Ｙ軸ガイドレール１８に沿ってＹ軸方向に移動する。
【００３１】
Ｙ軸移動テーブル２０の表面側（上面側）には、チャックテーブル１０をＹ軸方向と直交するＸ軸方向（加工送り方向）に移動させるＸ軸移動ユニット２６が設けられている。Ｘ軸移動ユニット２６は、Ｙ軸移動テーブル２０の上面に固定されＸ軸方向に平行な一対のＸ軸ガイドレール２８を備える。
【００３２】
Ｘ軸ガイドレール２８には、Ｘ軸移動テーブル３０がスライド可能に設置されている。Ｘ軸移動テーブル３０の裏面側（下面側）には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール２８と平行なＸ軸ボールネジ３２が回転可能な態様で結合されている。
【００３３】
Ｘ軸ボールネジ３２の一端部には、Ｘ軸パルスモータ３４が連結されている。Ｘ軸パルスモータ３４でＸ軸ボールネジ３２を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル３０は、Ｘ軸ガイドレール２８に沿ってＸ軸方向に移動する。
【００３４】
Ｘ軸移動テーブル３０の表面側（上面側）には、支持台３６が設けられている。支持台３６の上部には、チャックテーブル１０が配置されている。チャックテーブル１０は、下方に設けられた回転駆動源（不図示）と連結されており、Ｚ軸の周りに回転できる。
【００３５】
チャックテーブル１０の表面には保持治具４２が配置される。チャックテーブル１０の表面は、保持治具４２を吸引して保持する保持面１０ａとなっている。この保持面１０ａには、チャックテーブル１０の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、保持治具４２の裏面４２ｂを吸引する吸引力が発生する。
【００３６】
保持治具４２は、ステンレス鋼又は樹脂等で形成される。保持治具４２を樹脂で形成する場合には、例えば、３Ｄプリンターを用いることができる。３Ｄプリンターを用いれば、ステンレス鋼を切削して保持治具４２を製造する場合に比べて短期間で保持治具４２を製造できる。保持治具４２は、裏面４２ｂとは反対側の表面４２ａに１つのプリズム１１に対応した形状の１つの凹部４２ｃを有する。
【００３７】
プリズムユニット１５の光学薄膜１３ａが保持治具４２の表面４２ａに接する様にプリズムユニット１５を保持治具４２に配置した場合に、プリズム１１は保持治具４２の凹部４２ｃ内に収まり、プリズム１１の一面１１ａは保持治具４２の表面４２ａと面一となる。このようにして、プリズムユニット１５は、保持治具４２により保持される。
【００３８】
なお、保持治具４２の表面４２ａには、プリズムユニット１５の移動を規制し、プリズムユニット１５の位置を精度よく決める位置決め部（例えば、位置決めピン）が設けられてもよい。例えば、位置決め部は、表面４２ａにおける二箇所、又は、表面４２ａにおける同一直線上には位置していない三箇所に設けられる。
【００３９】
壁部８の上部前面には、前方に向かって伸びる支持アーム４０が設けられており、この支持アーム４０の先端部には、チャックテーブル１０の上方に位置し保持面１０ａと対向する態様で、レーザービーム照射ユニット１２の加工ヘッド１２ａが設けられている。レーザービーム照射ユニット１２は、加工ヘッド１２ａから保持面１０ａで保持された保持治具４２上のプリズムユニット１５に向けて略垂直にレーザービームＬを照射できる。
【００４０】
なお、レーザービーム照射ユニット１２は、保持面１０ａに対して略垂直にレーザービームＬを照射する加工ヘッド１２ａに代えて、レーザー発振器から入射するレーザービームＬをＸ軸及びＹ軸方向に走査するガルバノスキャナと、ガルバノスキャナからレーザービームＬが出射される側に設けられたテレセントリックｆθレンズとを有してもよい。
【００４１】
ガルバノスキャナは、レーザービームＬをＸ軸方向に沿って走査するためのＸスキャンミラーと、レーザービームＬをＹ軸方向に沿って走査するためのＹスキャンミラーとを有する。また、ガルバノスキャナから出射されるレーザービームＬは、テレセントリックｆθレンズを介して保持面１０ａに対して略垂直に入射する。
【００４２】
レーザービームＬは、基板１３ｃの光学薄膜１３ａが形成された面とは反対側の面１３ｄからプリズムユニット１５に照射される（図４参照）。レーザービームＬは、基板１３ｃに対しては透過性を有し、且つ、接着層１３ｂに対しては吸収性を有する波長を有する。本実施形態のレーザービームＬは、２５７ｎｍから３５５ｎｍまでの間の所定の波長を有する。なお、光学薄膜１３ａに対するダメージを軽減又は無くすべく、レーザービームＬは、光学薄膜１３ａに対して透過する波長であることが好ましい。
【００４３】
なお、レーザービーム照射ユニット１２に隣接する位置には、保持面１０ａに保持されたプリズムユニット１５を撮像する撮像ユニット１４の撮像ヘッド１４ａが配置されている。撮像ユニット１４は、例えば、可視光線をプリズムユニット１５へ照射する光源ユニットと、プリズムユニット１５からの反射光等を検出する撮像素子とを有する。
【００４４】
撮像ユニット１４は、上方から可視光線が照射されたプリズムユニット１５を、同様に上方から撮像することにより、保持治具４２上に位置するプリズム１１を撮像する。撮像ユニット１４によって撮像される画像は、例えば、プリズムユニット１５と加工ヘッド１２ａとの位置合わせに利用される。
【００４５】
なお、基板１３ｃの材質に応じて基板１３ｃを透過できる光の波長が異なるので、基板１３ｃの材質に応じて、赤外線等の可視光線以外の光が利用されてもよい。例えば、光源ユニットは可視光線以外の光を照射し、撮像素子は、この可視光線以外の光の反射光を検出してもよい。
【００４６】
次に、図４を用いて接着層破壊ステップ（Ｓ３０）について説明する。図４は、接着層破壊ステップ（Ｓ３０）を示す一部断面側面図である。接着層破壊ステップ（Ｓ３０）では、まず、保持治具４２の凹部４２ｃにプリズム１１が収まる様にプリズムユニット１５の光学薄膜１３ａと保持治具４２の表面４２ａとを密着させ、保持治具４２を保持面１０ａに配置する。
【００４７】
次に、吸引源を作動させて、保持治具４２の裏面４２ｂ側を吸引保持する。これにより、プリズムユニット１５が保持治具４２を介してチャックテーブル１０で固定される。そして、加工ヘッド１２ａからレーザービームＬを照射しつつ、加工ヘッド１２ａとチャックテーブル１０とを相対的に移動させて、プリズム１１の一面１１ａに対応する接着層１３ｂの領域をアブレーションにより破壊する。プリズム１１の一面１１ａに対応する接着層１３ｂの領域は、例えば、プリズム１１の一面１１ａと同じ形状及び同じ面積の領域である。
【００４８】
なお、上述のように、加工ヘッド１２ａに代えてガルバノスキャナ及びテレセントリックｆθレンズを用いて、プリズム１１の一面１１ａに対応する接着層１３ｂの領域をアブレーションにより破壊してもよい。
【００４９】
レーザービームＬの集光点ＳのＺ軸方向の位置は、加工ヘッド１２ａ中の集光レンズ（不図示）等により調節される。本実施形態では、集光点ＳのＺ軸方向の位置は、接着層１３ｂの位置に調節される。
【００５０】
集光点ＳのＺ軸方向の位置を接着層１３ｂの位置に維持した状態で、Ｘ軸方向に沿って加工ヘッド１２ａとチャックテーブル１０とを相対的に動かすことで、レーザービームＬの集光点ＳがＸ軸方向に沿うように接着層１３ｂ内を移動する。
【００５１】
このとき、プリズム１１の一面１１ａにおける一辺１１ｂから、この一辺１１ｂに対してＸ軸方向に対向する他の一辺１１ｃまで、集光点Ｓが移動する。なお、Ｘ軸方向で隣接する２つの集光点Ｓが部分的に重なる様に、レーザービームＬの各種条件が調整される。
【００５２】
Ｘ軸方向の１つの直線に沿ってレーザービームＬの照射が終了した後、チャックテーブル１０を割り出し送り方向に移動し、再び同様にＸ軸方向の他の１つの直線に沿って一辺１１ｂから一辺１１ｃまでの範囲に対応する接着層１３ｂにレーザービームＬを照射する。このとき、上述の他の１つの直線に沿って照射される集光点Ｓが、上述の１つの直線に沿って照射された集光点Ｓと、割り出し送り方向で部分的に重なることが望ましい。
【００５３】
続いて、チャックテーブル１０を割り出し送り方向及び加工送り方向に順次移動しながらレーザービームＬを照射することにより、一面１１ａに対応する範囲の接着層１３ｂはアブレーションされる。
【００５４】
本実施形態では、プリズム１１の一面１１ａと同じ形状及び同じ面積の接着層１３ｂの範囲を上述の手順でアブレーションするが、プリズム１１の一面１１ａよりも１ｍｍから２ｍｍ程度大きい面積の接着層１３ｂの範囲をアブレーションしてもよい。プリズム１１の一面１１ａよりも広い範囲の接着層１３ｂをアブレーションすることで、後述の分離ステップ（Ｓ４０）で一面１１ａ内における光学薄膜１３ａの欠け等を低減できる。
【００５５】
なお、接着層破壊ステップ（Ｓ３０）でのレーザー加工条件は、例えば、以下の様に設定される。
繰り返し周波数  ：５０ｋＨｚから２００ｋＨｚ
平均出力        ：０．１Ｗから２Ｗ
パルス幅        ：１ｐｓから２０ｐｓ
パルスエネルギー：０．５μＪから１０μＪ
スポット径      ：１０μｍから５０μｍ
加工送り速度    ：５０ｍｍ／ｓから１００ｍｍ／ｓ
【００５６】
本実施形態に係る接着層破壊ステップ（Ｓ３０）では、接着層１３ｂのみが破壊され、プリズム１１にはほとんど熱が印加されない。それゆえ、プリズム１１が石英ガラスに比べて耐熱性の低い材料で形成されていても、プリズム１１が熱で変形しない。
【００５７】
接着層破壊ステップ（Ｓ３０）の後、光学薄膜１３ａが貼り付けられたプリズム１１と基板１３ｃとを分離する（分離ステップ（Ｓ４０））。本実施形態の分離ステップ（Ｓ４０）では、まず、吸引源の動作を止めて、チャックテーブル１０による保持治具４２の吸引保持を解除する。
【００５８】
その後、オペレータが、保持治具４２及びプリズムユニット１５をチャックテーブル１０から取り出して、保持治具４２及びプリズムユニット１５を上下逆様にして、積層体１３で保持治具４２を支持した状態にする。更にその後、保持治具４２を積層体１３から取り除き、次いで、積層体１３からプリズム１１を取り出す。
【００５９】
プリズム１１の一面１１ａと対向している範囲の接着層１３ｂは破壊されているが、一面１１ａと対向していない範囲の接着層１３ｂは、破壊されておらず、光学薄膜１３ａ及び基板１３ｃと密着したままである。それゆえ、プリズム１１を取り出すと、一面１１ａの外周を境に光学薄膜１３ａは、光学薄膜１３ａの他の領域から切り離される。図５（Ａ）は、プリズム１１と基板１３ｃとを分離する分離ステップ（Ｓ４０）を示す図である。
【００６０】
分離ステップ（Ｓ４０）の後、光学薄膜１３ａ付きプリズム１１を洗浄する（洗浄ステップ（Ｓ５０））。本実施形態では、洗浄容器（不図示）に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（PGMEA：PropyleneglycolMonomethyl Ether Acetate）等の溶液を注ぎ、光学薄膜１３ａ付きプリズム１１を約２０分間この溶液に浸す。
【００６１】
これにより、光学薄膜１３ａ付きプリズム１１は洗浄されて、プリズム１１の一面１１ａとは反対側に位置する光学薄膜１３ａの表面における、接着層１３ｂの残渣等は除去される。
【００６２】
このようにして、積層体１３から一面１１ａに光学薄膜１３ａが転写されたプリズム１１を得ることができる。図５（Ｂ）は、分離ステップ（Ｓ４０）後におけるプリズム１１の斜視図である。図６は、プリズム１１に光学薄膜１３ａを貼り付けて形成する方法を示す第１実施形態のフロー図である。
【００６３】
なお、基板準備ステップ（Ｓ１０）で基板１３ｃに光学薄膜１３ａを形成した後、接着層破壊ステップ（Ｓ３０）及び分離ステップ（Ｓ４０）を経てこの光学薄膜１３ａをプリズム１１に転写することで、光学薄膜１３ａの露出する面は入れ替わる。
【００６４】
一般に、スパッタリング法で接着層１３ｂに接する光学薄膜１３ａを形成する場合に、光学薄膜１３ａの接着層１３ｂ側の面は、接着層１３ｂとは反対側に位置する光学薄膜１３ａの表面に比べて平坦である（例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さい）。
【００６５】
それゆえ、本実施形態では、基板準備ステップ（Ｓ１０）で光学薄膜１３ａをスパッタリング法により形成した後に、光学薄膜１３ａの表面を研磨して平坦化する工程が省略されている。これにより、作業工程を簡略化でき、作業時間を短縮できる。
【００６６】
また、上述の分離ステップ（Ｓ４０）を他の手順で実行してもよい。例えば、吸引源の動作を止めた後に、保持治具４２をチャックテーブル１０上に置いたままで、保持治具４２から積層体１３を取り除き、その後、保持治具４２の凹部４２ｃに残った光学薄膜１３ａ付きのプリズム１１を取り出してもよい。
【００６７】
次に、第２実施形態について説明する。図７は、第２実施形態に係る保持治具４２を用いた接着層破壊ステップ（Ｓ３０）を示す一部断面側面図である。第２実施形態では、光学薄膜１３ａに接して複数のプリズム１１−１、１１−２及び１１−３が所定方向に沿って並ぶように貼り付けられており、保持治具４２は、所定方向に沿って並ぶように設けられた、プリズム１１と同数の凹部４２ｃ１、４２ｃ２及び４２ｃ３を有する。
【００６８】
第２実施形態では、第１実施形態の基板準備ステップ（Ｓ１０）及び貼り付けステップ（Ｓ２０）と同じ手順で、複数のプリズム１１−１、１１−２及び１１−３付きプリズムユニット１５を形成してよい。
【００６９】
但し、第２実施形態の接着層破壊ステップ（Ｓ３０）では、複数のプリズム１１−１、１１−２及び１１−３と複数の凹部４２ｃ１、４２ｃ２及び４２ｃ３とが、Ｘ軸方向に沿うように保持治具４２の位置が調整された上で、接着層１３ｂにレーザービームＬが照射される。
【００７０】
特に、第２実施形態の接着層破壊ステップ（Ｓ３０）では、Ｘ軸方向に沿ってレーザービームＬを照射するときに、プリズム１１−１の一辺１１ｂ１から一辺１１ｃ１まで、プリズム１１−２の一辺１１ｂ２から一辺１１ｃ２まで、プリズム１１−３の一辺１１ｂ３から一辺１１ｃ３までの各範囲に対してレーザービームＬを順次照射する。
【００７１】
これにより、１回のＸ軸方向に沿ったレーザービームＬの照射で、複数のプリズム１１−１、１１−２及び１１−３の各一面１１ａに対応する範囲の接着層１３ｂを破壊できる。それゆえ、光学薄膜１３ａ付きプリズム１１の単位時間当たりの生産数を第１実施形態に比べて向上させることができる。
【００７２】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７３】
２  レーザー加工装置
４  基台
６  基部
８  壁部
１０  チャックテーブル
１０ａ  保持面
１１、１１−１、１１−２、１１−３、  プリズム（被着体）
１１ａ  一面
１１ｂ、１１ｂ１、１１ｂ２、１１ｂ３  一辺
１１ｃ、１１ｃ１、１１ｃ２、１１ｃ３  一辺
１２  レーザービーム照射ユニット
１２ａ  加工ヘッド
１３  積層体
１３ａ  光学薄膜
１３ｂ  接着層
１３ｃ  基板
１３ｄ  面
１４  撮像ユニット
１４ａ  撮像ヘッド
１５  プリズムユニット
１６  Ｙ軸移動ユニット
１８  Ｙ軸ガイドレール
２０  Ｙ軸移動テーブル
２２  Ｙ軸ボールネジ
２４  Ｙ軸パルスモータ
２６  Ｘ軸移動ユニット
２８  Ｘ軸ガイドレール
３０  Ｘ軸移動テーブル
３２  Ｘ軸ボールネジ
３４  Ｘ軸パルスモータ
３６  支持台
４０  支持アーム
４２  保持治具
４２ａ  表面
４２ｂ  裏面
４２ｃ、４２ｃ１、４２ｃ２、４２ｃ３  凹部
Ｌ  レーザービーム
Ｓ  集光点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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