(57)【要約】【課題】認識性の高いマーキングを容易に形成することができる。【解決手段】  同一面側に一対の電極を備えた発光素子と、一対の電極の表面の一部が露出するように発光素子を覆う被覆部材と、を備えた中間体を準備する工程と、第１レーザ光を、電極が露出された被覆部材の第１面上に照射して、マーキング及びデブリを形成する工程と、電極と、マーキング及びデブリを含む被覆部材の第１面と、を被覆する金属膜を形成する工程と、第２レーザ光を、マーキング上及びデブリ上の金属膜に照射し、マーキング上の前金属膜と、デブリ及びデブリ上の金属膜と、を除去する工程と、を有する、発光装置の製造方法。【選択図】図１Ａ
2020049511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一面側に一対の電極を備えた発光素子と、前記一対の電極の表面の一部が露出するように前記発光素子を覆う被覆部材と、を備えた中間体を準備する工程と、
第１レーザ光を、前記電極が露出された被覆部材の第１面上に照射して、マーキング及びデブリを形成する工程と、
前記電極と、前記マーキング及び前記デブリを含む前記被覆部材の第１面と、を被覆する金属膜を形成する工程と、
第２レーザ光を、前記マーキング上及び前記デブリ上の前記金属膜に照射し、前記マーキング上の前記金属膜と、前記デブリ及び前記デブリ上の金属膜と、を除去する工程と、
を有する、発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記電極上、前記マーキング上及び前記デブリ上を含む前記被覆部材の略全体に前記金属膜を形成し、前記金属膜の略全体に前記第２レーザ光を照射する、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記電極はＣｕを含み、前記金属膜はＮｉ及びＡｕを含む、請求項１又は請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記被覆部材の熱伝導率は、前記電極の熱伝導率の１／５００以下である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２レーザ光の単位体積当たりのレーザエネルギーは、前記第１レーザ光の単位体積当たりのレーザエネルギーより小さい、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置のパッケージ等にマーキングする方法として、レーザを用いたマーキング方法が知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０４−０９２４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
認識性の高いマーキングを容易に形成する方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の実施形態は、以下の構成を含む。
同一面側に一対の電極を備えた発光素子と、一対の電極の表面の一部が露出するように発光素子を覆う被覆部材と、を備えた中間体を準備する工程と、第１レーザ光を、電極が露出された被覆部材の第１面上に照射して、マーキング及びデブリを形成する工程と、電極と、マーキング及びデブリを含む被覆部材の第１面と、を被覆する金属膜を形成する工程と、第２レーザ光を、マーキング上及びデブリ上の金属膜に照射し、マーキング上の前金属膜と、デブリ及びデブリ上の金属膜と、を除去する工程と、を有する、発光装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、認識性の高いマーキングを容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】実施形態に係る発光装置の概略下面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩＢ−ＩＢ線における概略端面図である。
【図１Ｃ】図１Ａのマーキング部分を拡大した一部拡大下面図である。
【図１Ｄ】図１Ｃの１Ｄ−１Ｄ線における概略端面図である。
【図２Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における概略端面図である。
【図３Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における概略端面図である。
【図４Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＩＶＢ−ＩＶＢ線における概略端面図である。
【図５Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図５Ｂ】図５ＡのＶＢ−ＶＢ線における概略端面図である。
【図６Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図６Ｂ】図６Ａのマーキング部分を拡大した一部拡大下面図である。
【図６Ｃ】図６ＢのＶＩＣ−ＶＩＣ線における概略端面図である。
【図７Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における概略端面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂのマーキング部分を拡大した一部拡大下面図である。
【図７Ｄ】図７ＣのＶＩＩＤ−ＶＩＩＤ線における概略端面図である。
【図８Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図８Ｂ】図８ＡのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における概略端面図である。
【図９Ａ】実施形態に係る発光装置の製造方法を示す概略平面図である。
【図９Ｂ】図９ＡのＩＸＢ−ＩＸ線における概略端面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及び、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また、また、被覆部材等の樹脂部材については、成形、固化、硬化、個片化の前後を問わず、同じ名称を用いて説明する。すなわち、成形前は液状であり、成形後に固体となり、更に、成形後の固体を分割して形状を変化させた小片の固体とする場合など、工程の段階によって状態が変化する部材について、同じ名称で説明する。
【０００９】
＜発光装置の製造方法＞
図１Ａ及び図１Ｂは、本実施形態にかかる発光装置の製造方法で得られる発光装置１００の概略図である。発光装置１００は、発光素子１０と、発光素子１０を被覆する被覆部材２０と、を備える。発光素子１０は、半導体層１１と素子基板１２とを含む半導体積層体と、半導体積層体の同一面側（半導体層１１側）に備えられる一対の電極１３とを備えている。被覆部材２０から露出された一対の電極１３のそれぞれの下面は、金属膜５０で被覆されている。さらに、被覆部材２０は、電極１３が露出されている側の面（第１面２１）に、マーキング２０Ｍを備えている。ここでは、マーキング２０Ｍの一例として「１２３４５６７８」の８つの数字を示している。
【００１０】
このような発光装置１００は、以下の製造方法により得ることができる。
（１）同一面側に一対の電極１３を備えた発光素子１０と、一対の電極１３の表面の一部が露出するように発光素子１０を覆う被覆部材２０と、を備えた中間体１００Ａを準備する工程
（２）第１レーザ光を、電極１３が露出された被覆部材２０の第１面２１上に照射して、マーキング２０Ｍ及びデブリ２０Ｄを形成する工程
（３）電極１３と、マーキング２０Ｍ及びデブリ２０Ｄを含む被覆部材２０の第１面２１と、を被覆する金属膜５０を形成する工程
（４）第２レーザ光を、マーキング２０Ｍ上及びデブリ２０Ｄ上の金属膜５０に照射し、マーキング２０Ｍ上の金属膜５０と、デブリ２０Ｄ及びデブリ２０Ｄ上の金属膜５０と、を除去する工程
【００１１】
ここで、「デブリ」とは、発光装置にロット番号等のマーキングを形成するために、発光装置１００にレーザ光を照射した際に、照射された部分の一部がマーキングの周辺に飛散した物質を指す。このようなデブリがマーキングの周辺に付着することにより、マーキングの外縁が不明瞭となって認識しにくくなる場合がある。そのため、デブリを除去する方法として、デブリに直接レーザ光を照射して除去することが知られている。ただし、その際に新たなデブリが形成されることがある。
【００１２】
本実施形態による方法では、デブリの上に金属膜を形成し、その金属膜にレーザ光を照射することで、レーザアブレーションによりデブリ及び金属膜を除去している。レーザアブレーションは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ（閾値）以上になると、固体の表面が除去される現象である。レーザアブレーションが生じるためには、固体の表面及びその近傍がある温度以上になる必要がある。被覆部材上に付着したデブリは、被覆部材の一部がレーザ光照射により飛散して部材であるため、変質していない被覆部材との密着力は大きくはない。そのため、レーザ光をデブリ上の金属膜に照射することで、レーザアブレーションにより、デブリ及びその上の金属膜の両方を、被覆部材から除去することができる。
【００１３】
本実施形態による方法では、マーキングは、発光装置の外面の一部を構成する被覆部材に形成している。被覆部材は、樹脂材料主成分としている。デブリに直接レーザ光を照射するのではなく、樹脂よりも効率良くエネルギーを吸収することができる金属膜にレーザ光を照射することで、新たなデブリを形成することを抑制することができる。そのため、外縁が明瞭で、認識性の優れたマーキングを形成することができる。
【００１４】
また、本実施形態による方法では、上記のような金属膜を、デブリ上のみを被覆するのではなく、デブリと電極との両方を被覆するように形成してもよい。例えば、発光素子の電極が、酸化し易い材料や半田との接合性が低い材料である場合は、酸化しにくい金属膜や、半田との接合性が高い金属膜で、電極を被覆することが好ましい。そのため、電極を保護するための金属膜の形成と、デブリを除去するための金属膜とを同時に形成することで、新たな工程を増やすことなく効率よく金属膜を形成することができる。
【００１５】
また、レーザ光を照射することによりによるレーザアブレーションでは、デブリとそのデブリ上の金属膜を除去するだけでなく、デブリ上以外の金属膜も除去することができる。例えば、正負一対の電極と、その電極間の被覆部材とを連続して被覆する金属膜を形成した後、電極間の被覆部材にレーザ光を照射することで金属膜を除去することができる。  
【００１６】
例えば、一対の電極のそれぞれの上に、それぞれ離間した金属膜を形成する場合は、電極間をマスク等で被覆してから金属膜を形成した後、マスクを除去する方法がある。これに対し、レーザアブレーションを利用する場合は、一対の電極を連続して被覆する金属膜を形成した後に、電極間の被覆部材上の金属膜にレーザ光を照射することで、それぞれ離間する金属膜を形成することができる。つまり、レーザアブレーションを利用することで、マスクを用いずにそれぞれ離間する金属膜を形成することができる。
【００１７】
以下、本実施形態にかかる発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。この製造方法では、複数の発光装置１００を同時に製造することができる。
【００１８】
（１）中間体を準備する工程
まず、図５Ａ、５Ｂに示すような中間体１００Ａを準備する。ここでは、中間体１００Ａとして、発光素子１０と、被覆部材２０と、導光部材３０と、透光性部材４０と、を備えた中間体１００Ａを準備する。ここでは、複数の発光装置１００の中間体を小片化する前の状態のものを準備する。なお、１つの発光装置を得ることができる中間体を準備してもよい。また、導光部材３０は省略することができる。さらに、透光性部材４０も省略することができる。
【００１９】
このような中間体１００Ａは、購入等により準備してもよい。また、例えば以下の工程等を含む中間体１００Ａの製造工程の一部または全部を経ることで準備してもよい。図２Ａ〜図５Ｂは、中間体１００Ａの製造工程の一例を示すものである。
【００２０】
まず、シート状の透光性部材４０を準備する。ここでは、透光性部材４０として、透光性の樹脂材料と、波長変換物質として蛍光体と、を含む透光性部材４０を準備する。この透光性部材４０は、発光装置１００の光取り出し面を構成する部材である。
【００２１】
次に、図２Ａ、２Ｂに示すように、透光性部材４０上に、複数の導光部材３０を配置する。この導光部材３０は、透光性部材４０と発光素子１０とを接着する部材として機能するものである。そのため、この後の工程において導光部材３０は変形可能な状態であり、例えば、液状（ペースト状）である。
【００２２】
複数の導光部材３０は、例えば、液状の樹脂材料を、それぞれ分離した状態で複数配置する。導光部材３０の配置方法としては、印刷、ポッティング、転写、スプレー等の方法を挙げることができる。尚、透光性部材４０は、あらかじめ個片化されたもの（１つの発光装置１００に配置される大きさの小片）として準備される場合は、各小片の透光性部材４０のそれぞれに、導光部材３０を形成する。
【００２３】
導光部材３０は、平面視において、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形等とすることができる。図２Ａに示す例では、導光部材３０は平面視形状が円形である。平面視における導光部材の大きさは、例えば、発光素子１０と同等か、それよりも大きくすることが好ましい。隣接する導光部材３０の間隔は、発光装置１００の大きさ等に応じて、適宜設定することができる。
【００２４】
次に、図３Ａ、３Ｂに示すように、複数の導光部材３０上に、それぞれ発光素子１０を載置する。発光素子１０は、半導体層１１と素子基板１２とを備えており、半導体層１１側を上にして、つまり、半導体層１１に設けられた一対の電極１３を上にして載置する。このとき、液状の導光部材３０は発光素子１０の側面に這い上がる。換言すると、導光部材３０は、発光素子１０の側面の少なくとも一部を覆うように形成される。這い上がった導光部材３０の外面は、断面視において上方向に傾斜した傾斜面となる。発光素子１０を導光部材３０上に載置した後、必要に応じて、発光素子１０を上方向から押圧してもよい。発光素子１０を導光部材３０上に載置した後に、加熱等の工程を経ることで、導光部材３０を硬化することができる。
【００２５】
図３Ｂに示す例では、発光素子１０と透光性部材４０との間に、導光部材３０が配置されている。また、さらに発光素子１０を上方向から押圧することで、発光素子１０と透光性部材４０との間に、導光部材３０が配置されなくてもよい。つまり、発光素子１０と透光性部材４０とが接していてもよい。尚、図４Ｂ以降では、発光素子１０と透光性部材４０とが接している状態を例示している。
【００２６】
次に、図４Ａ、４Ｂに示すように、透光性部材４０の上面に被覆部材２０を形成する。このとき、発光素子１０及び導光部材３０を埋設するようにして被覆部材２０を形成する。ここでは、被覆部材２０は発光素子１０の電極１３の上面も埋設するような高さで形成している。ただし、電極１３の上面が露出するような高さで被覆部材２０を形成してもよい。
【００２７】
被覆部材２０を硬化させた後、図５Ａ、５Ｂに示すように、発光素子１０の電極１３が露出するように、砥石を用いた研削等の公知の加工方法により被覆部材２０の一部を除去して厚さを薄くする。これにより、発光装置１００の下面の一部となる被覆部材２０の第１面２１が形成される。この加工の際に、被覆部材２０の第１面２１に加工痕や汚れ等が付着する場合がある。このような加工痕や汚れ等についても、後述の金属膜５０除去工程において除去することが可能である。また、上述のように電極１３を埋設しないように被覆部材２０を形成する場合は、この工程は省略することができる。
【００２８】
以上のようにして、中間体１００Ａを得ることができる。尚、中間体は、このような形状に限られるものではなく、種々の形状の中間体を用いることができる。
【００２９】
次に、被覆部材２０の第１面２１上に第１レーザ光を照射し、図６Ａ，図６Ｂに示すようなマーキング２０Ｍを形成する。各マーキング２０Ｍは、被覆部材２０の一部を除去された凹部であり、図６Ｃに示すように被覆部材２０の第１面２１に開口部を備える。
【００３０】
マーキング２０Ｍ形成時に、デブリ２０Ｄが形成される。デブリ２０Ｄは、図６Ｂ、６Ｃに示すように、マーキング２０Ｍの内部（凹部の内部）、さらには、その周辺の被覆部材２０の第１面２１上に付着する。デブリ２０Ｄは、第１レーザ光を照射することにより加熱された被覆部材２０の一部又はその変性物質である。例えば、被覆部材２０が、母材としてシリコーンを用い、その母材中に反射物質としてＴｉＯ２を含む場合は、デブリ２０Ｄも、シリコーンとＴｉＯ２及びこれらの変性物質を主成分としている。また、第１レーザ光の強度、被覆部材２０の組成や性質等により、デブリ２０Ｄの大きさや数、形成領域等は一定ではない。デブリ２０Ｄが付着することで、マーキング２０Ｍの輪郭がぼやけて認識性が低下する。
【００３１】
マーキング２０Ｍを形成する位置は、１つの発光装置となる領域であればよい。さらに、被覆部材２０の第１面２１上、すなわち、電極１３が露出されている面上であれば、任意に選択することができる。例えば、図６Ａに示すように、１つの発光素子が備える一対の電極１３の外側に、一連のマーキング２０Ｍを形成することができる。あるいは、１つの発光素子が備える一対の電極１３の間にマーキング２０Ｍを形成してもよい。また、図６Ａに示すように、１か所にまとまった一連のマーキング２０Ｍのほか、数か所にマーキング２０Ｍを形成してもよい。また、マーキング２０Ｍは、文字、数字、記号、又は、バーコード、ＱＲコード（登録商標）などのコード化された形状とすることもできる。
【００３２】
第１レーザ光は、被覆部材２０の一部を除去し、認識可能なマーキング２０Ｍが形成可能な条件で照射される。例えば、第１レーザ光の主波長、出力（強度）、照射スポットの径、照射スポットの移動速度等を適切な設定とすることで、マーキング２０Ｍを形成することができる。
【００３３】
例えば、被覆部材２０がシリコーンを母材とし、ＴｉＯ２を含む樹脂材料の場合を一例に挙げる。この場合、第１レーザ光として主波長が５３２ｎｍである緑色レーザ光を用いることができる。第１レーザ光の出力は、１Ｗ〜４Ｗとすることが好ましく、好ましくは２Ｗ程度の出力のレーザ光を照射することが好ましい。第１レーザ光は、連続発振でもよく、パルス発振でもよい。第１レーザ光の照射スポット径は、例えば、１５μｍ〜３０μｍとすることができる。照射スポットの移動速度は、例えば１００ｍｍ／ｓ〜１０００ｍｍ／ｓとすることができる。このような第１レーザ光を出射可能なレーザ光源としては、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ等の第２高調波が挙げられる。
【００３４】
次に、図７Ａ〜７Ｄに示すように、デブリ２０Ｄ上に金属膜５０を形成する。このとき、マーキング２０Ｍの凹部の内部のデブリ２０Ｄ上にも金属膜５０を形成することが好ましい。さらに、電極１３と、デブリ２０Ｄが付着していない被覆部材２０の第１面２１の略全体に金属膜５０を形成することが好ましい。金属膜５０の形成方法としては、例えばスパッタ法、めっき法、ＣＶＤ法等が挙げられる。好ましくは、スパッタ法を用いる。
【００３５】
次に、被覆部材２０に形成されたマーキング２０Ｍ上及びデブリ２０Ｄ上の金属膜５０に、第２レーザ光を照射する。第２レーザ光を照射することで、レーザアブレーションによりデブリ２０Ｄ及びその上の金属膜５０が除去される。
【００３６】
第１レーザ光が、被覆部材２０の一部を除去して凹部を形成してマーキング２０Ｍを形成するのに対し、第２レーザ光は、デブリ２０Ｄを除去するものである。そのため、第２レーザ光の主波長、出力（強度）、照射スポットの径、照射スポットの移動速度等は、この目的に合った適切な設定とすることで、デブリ２０Ｄ及びその上の金属膜５０を除去することができる。例えば、第２レーザ光の単位体積当たりのレーザエネルギーは、第１レーザ光の単位体積当たりのレーザエネルギーより小さくすることが好ましい。また、第２レーザ光は、金属膜５０の反射率が低い、例えば９０％以下である波長を選択することが好ましい。
【００３７】
金属膜５０が一対の電極１３間の被覆部材２０上にも形成されている場合、第２レーザ光は、一対の電極１３間の被覆部材２０上にも照射する。詳細には、一対の電極１３のそれぞれを被覆する金属膜５０が、それぞれ電気的に離間するように、第２レーザ光を照射してレーザアブレーションにより金属膜５０を除去する。これにより、一対の電極１３のそれぞれを被覆し、電気的に離間された金属膜５０を形成することができる。
【００３８】
また、第２レーザ光は、電極１３上の金属膜５０にも照射してもよい。このとき、第２レーザ光の条件を、電極１３上の金属膜５０がレーザアブレーションにより除去することはできない条件で照射することが好ましい。
【００３９】
また、電極１３上及び被覆部材２０上（第１面上）を連続して被覆する金属膜５０を形成している場合、その金属膜５０の全面に第２レーザ光を照射してもよい。その場合、第２レーザ光を、被覆部材２０上の金属膜５０ではレーザアブレーションが生じ、電極１３上の金属膜５０上ではレーザアブレーションが生じないような条件で第２レーザ光を照射する。
【００４０】
レーザアブレーションが生じるレーザ光の照射強度の閾値は、表面の放熱特性、固体の熱伝導特性等により異なっている。つまり、同じ強度及び条件でレーザ光を照射した場合であっても、ある固体の表面ではレーザアブレーションが生じ、他の固体の表面ではレーザアブレーションが生じないようにできる。このような現象を利用することで、金属膜５０の全面に第２レーザ光を照射しても、被覆部材２０上の金属膜５０ではレーザアブレーションが生じ、電極１３上の金属膜５０上ではレーザアブレーションが生じないようにすることができる。
【００４１】
例えば、被覆部材２０が、シリコーンを母材としＴｉＯ２を含む樹脂材料であり、電極１３がＣｕであり、金属膜５０の最表面がＡｕである場合は、第２レーザ光は、主波長が１０６４ｎｍのレーザ光よりも、より短い主波長のレーザ光を用いることが好ましい。これにより、被覆部材２０上のアブレーションを効率よく発生させ、量産性を向上させることができる。
【００４２】
第２レーザ光は、連続発振でもよく、パルス発振でもよい。第２レーザ光の出力は、１Ｗ〜４Ｗとすることが好ましく、さらに２Ｗ程度とすることが好ましい。第２レーザ光の照射スポット径は、例えば、２０μｍ〜１００μｍとすることができる。照射スポットの移動速度は、例えば５００ｍｍ／ｓ〜３０００ｍｍ／ｓとすることができる。このような第２レーザ光を出射可能なレーザ光源としては、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ等の第２高調波が挙げられる。
【００４３】
次に、図９Ａ、９Ｂに示すように、隣接する発光素子１０の中間を通る破線Ｘ１、破線Ｘ２、破線Ｘ３及び破線Ｘ４に沿って、被覆部材２０と透光性部材４０をダイシングソー等の切断刃等で切断する。これにより、個片化された複数の発光装置１００を得ることができる。
【００４４】
以下に、発光装置１００の各構成部材について説明する。
（発光素子）
発光素子としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、例えば、素子基板と、その上に形成された半導体層と、を含む半導体積層体とすることができる。発光素子は、平面視において三角形、四角形、六角形等の多角形とすることができる。大きさは、例えば、平面視において１辺が１００μｍ〜３０００μｍ程度とすることができる。具体的には、一辺が６００μｍ程度、１４００μｍ程度、１７００μｍ程度の正方形とすることができる。また、発光素子１０は、平面視で長辺と短辺を有する長方形であってもよい。例えば、１１００μｍ×２００μｍの大きさとすることができる。
【００４５】
半導体積層体の素子基板としては、例えば、透光性を有するサファイア（Ａｌ２Ｏ３）のような絶縁性材料や、窒化物系半導体のような半導体材料を用いることができる。
【００４６】
半導体積層体は、複数の半導体層を含む。半導体層としては、第１導電型半導体層（例えばｎ型半導体層）、発光層（活性層）及び第２導電型半導体層（例えばｐ型半導体層）の３つの半導体層を含むことができる。半導体層には、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料（例えばＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等）を用いることができる。
【００４７】
発光素子の電極としては、電気良導体を用いることができ、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の金属が好適である。
【００４８】
（金属膜）
金属膜は、デブリ除去の際に用いられる部材であり、また、電極の表面の腐食や酸化防止可能な膜である。金属膜の材料としては、電極よりも耐腐食性や耐酸化性に優れたものを選択する。例えば、金属膜の最表面の層はＡｕ、Ｐｔ等の貴金属が好ましい。また、金属膜が発光装置のはんだ付けされる面を被覆するものである場合には、最表面にはんだ付け性の良好なＡｕを用いることが好ましい。
【００４９】
金属膜は単一の材料の一層のみで構成されてもよく、異なる材料の層が積層されて構成されていてもよい。積層構造の例としては、Ｎｉ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ，Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ等が挙げられる。ＮｉやＴｉ等の層を電極と最表面の層との間に設けることにより、最表面の層の密着性を高めることができる。また、Ｐｔ等の拡散防止層を電極と最表面の層との間に設けることにより、はんだ付けに用いられる、はんだに含まれるＳｎが電極や電極に近い層に拡散することを低減できる。
【００５０】
電極が、被覆部材から突出していている場合には、金属膜はその突出した電極の側面も覆う。これにより、電極の側面における劣化を低減することができる。
【００５１】
金属膜の厚みは、種々選択することができる。例えば、被覆部材上の金属膜はレーザアブレーションが生じ、電極上の金属膜はレーザアブレーションが生じないような、選択的なレーザアブレーションを行うには、金属膜の厚みは、例えば１μｍ以下であることが好ましく、１０００Å以下がより好ましい。なお、金属膜の厚みとは、金属膜が複数の層が積層されて構成されている場合には、該複数の層の合計の厚みを指す。
【００５２】
（被覆部材）
被覆部材は、発光素子の側面や電極形成面を被覆する部材である。被覆部材としては、樹脂材料が好ましい。
【００５３】
被覆部材は、発光素子からの光を遮光する部材が好ましく、より好ましくは、発光素子からの光を反射する部材が好ましい。光反射性物質としては、例えば、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等を挙げることができる。
【００５４】
被覆部材に使用できる樹脂材料としては、特に、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂が好ましい。被覆部材の熱伝導率は、電極の熱伝導率の１／５００以下であることが好ましい。これにより効率よくデブリを除去することができる。
【００５５】
被覆部材は、光反射性とすることができる。光反射性の被覆部材は、発光素子からの光に対する反射率が大きく、例えば、７０％以上の反射率を備えるものが好ましい。
【００５６】
光反射性の被覆部材としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものが使用できる。光反射性物質としては、例えば、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが好適である。光反射性物質は、例えば、３０ｗｔ％〜７０ｗｔ％含有することができる。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などが利用できる。特に、繊維状の光反射性物質は被覆部材の熱膨張率を低下させることができる。
【００５７】
例えば、母材としてシリコーン樹脂を用い、光反射性物質として酸化チタンを６０ｗｔ％含有する被覆部材の場合、熱伝導率は、約０．３Ｗ/(ｍ・Ｋ)である。
【００５８】
（透光性部材）
透光性部材は、発光素子の発光面側に配置される透光性の部材であり、発光装置１００の発光面となる。透光性部材は、発光素子からの光に励起されて異なる波長の光に変換する蛍光体や、各種のフィラー等を含有させてもよい。透光性部材は、透光性樹脂、ガラス等を使用することができる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。
【００５９】
蛍光体としては、例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（Ｃｅ：ＹＡＧ）；セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（Ｃｅ：ＬＡＧ）；ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２）；ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４）；βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）；硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置１００（例えば白色系の発光装置１００）とすることができる。
【符号の説明】
【００６０】
１００…発光装置
１００Ａ…発光装置の中間体
１０…発光素子
１１…半導体層
１２…素子基板
１３…電極
２０…被覆部材
２１…被覆部材の第１面
２０Ｍ…マーキング
２０Ｄ…デブリ
３０…導光部材
４０…透光性部材
５０…金属膜
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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