(57)【要約】      （修正有）【課題】下地電極層の連続性が高く、めっき付き性が良好な外部電極を有する積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層体１０は、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２が誘電体セラミック層を介して交互に積層される内層部と、内層部を積層方向に挟むように配置される外層部３１、３２と、内層部及び外層部を幅方向に挟むように配置されるサイドマージン部４１、４２と、を有する。積層体の主面上に配置された第１の外部電極の長さ方向の中央部において、幅方向及び積層方向に平行な断面で上記積層体及び第１の外部電極を見たとき、サイドマージン部の幅方向の寸法の最大値をＷ１、外層部の積層方向の寸法の最大値をＴ１、積層体の主面に最も近い内部電極層の幅方向の端部から積層体のコーナー部までの距離をＲ１とすると、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たす。【選択図】図５
2020167200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層方向に積層される、誘電体セラミック層及び内部電極層を含む積層体と、
前記内部電極層に接続される外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記積層体は、前記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、を有し、
前記内部電極層は、前記第１の端面に引き出される第１の内部電極層と、前記誘電体セラミック層を介して前記第１の内部電極層と対向するように前記第２の端面に引き出される第２の内部電極層と、を含み、
前記外部電極は、前記第１の端面上に配置され、かつ、前記第１の内部電極層と接続される第１の外部電極と、前記第２の端面上に配置され、かつ、前記第２の内部電極層と接続される第２の外部電極と、を含み、
前記積層体は、前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層が前記誘電体セラミック層を介して交互に積層される内層部と、前記内層部を前記積層方向に挟むように配置される外層部と、前記内層部及び前記外層部を前記幅方向に挟むように配置されるサイドマージン部と、を有し、
前記第１の外部電極は、前記積層体の前記第１の端面から、前記第１の主面及び前記第２の主面の各々の一部に亘って配置されており、
前記積層体の前記第１の主面上又は前記第２の主面上に配置された前記第１の外部電極の前記長さ方向の中央部において、前記幅方向及び前記積層方向に平行な断面で前記積層体及び前記第１の外部電極を見たとき、
前記積層体の前記第１の主面又は前記第２の主面と前記第１の側面又は前記第２の側面とが交わる領域をコーナー部と定義して、
前記サイドマージン部の前記幅方向の寸法の最大値をＷ１、前記外層部の前記積層方向の寸法の最大値をＴ１、前記積層体の前記第１の主面又は前記第２の主面に最も近い前記内部電極層の前記幅方向の端部から前記積層体の前記コーナー部までの距離をＲ１とすると、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たす、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記積層体の前記コーナー部の少なくとも１箇所において、前記積層体の前記第１の主面又は前記第２の主面に最も近い前記第１の内部電極層が前記第１の外部電極と接続されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記積層体の前記長さ方向の中央部において、前記幅方向及び前記積層方向に平行な断面で前記積層体を見たとき、
前記サイドマージン部の前記幅方向の寸法の最大値をＷ０とすると、Ｗ０＞Ｗ１を満たす、請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記サイドマージン部の前記幅方向の寸法の最大値Ｗ１は、２５μｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記サイドマージン部は、前記幅方向の最も内側のインナー層と、前記幅方向の最も外側のアウター層と、を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層の厚みは、各々、０．４μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層の厚みは、各々、０．３８μｍ以下である、請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記誘電体セラミック層の厚みは、０．５５μｍ以下である、請求項１〜７のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極は、各々、Ｎｉ及びセラミック材料を含有するＮｉ層を含み、
前記Ｎｉ層中の前記セラミック材料の含有量は、２５面積％以上４０面積％以下である、請求項１〜８のいずれかに記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサを製造する方法として、例えば、特許文献１には、グリーンシートと焼成前の内部電極層とを交互に積層してグリーンチップを作製し、グリーンチップを焼成した後、得られたコンデンサ素子本体の端面に外部電極を形成する方法が記載されている。特許文献１には、外部電極用ペーストを印刷又は転写して焼成することにより外部電極を形成すること、及び、必要に応じて、外部電極の表面に、めっき等により被覆層を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−７３６２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、大容量かつ小型の積層セラミックコンデンサが求められている。このような積層セラミックコンデンサを実現するためには、外部電極の薄膜化が有効である。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、外部電極が薄くなると、コンデンサ素子本体の主面、側面及び端面が交わるコーナー部に外部電極の下地電極層が形成されない領域が生じやすくなる。その結果、外部電極のめっき付き性が悪化するおそれがある。
【０００６】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、下地電極層の連続性が高く、めっき付き性が良好な外部電極を形成することができる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の積層セラミックコンデンサは、積層方向に積層される、誘電体セラミック層及び内部電極層を含む積層体と、上記内部電極層に接続される外部電極と、を備える。上記積層体は、上記積層方向において相対する第１の主面及び第２の主面と、上記積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面と、上記積層方向及び上記幅方向に直交する長さ方向において相対する第１の端面及び第２の端面と、を有する。上記内部電極層は、上記第１の端面に引き出される第１の内部電極層と、上記誘電体セラミック層を介して上記第１の内部電極層と対向するように上記第２の端面に引き出される第２の内部電極層と、を含む。上記外部電極は、上記第１の端面上に配置され、かつ、上記第１の内部電極層と接続される第１の外部電極と、上記第２の端面上に配置され、かつ、上記第２の内部電極層と接続される第２の外部電極と、を含む。上記積層体は、上記第１の内部電極層及び上記第２の内部電極層が上記誘電体セラミック層を介して交互に積層される内層部と、上記内層部を上記積層方向に挟むように配置される外層部と、上記内層部及び上記外層部を上記幅方向に挟むように配置されるサイドマージン部と、を有する。上記第１の外部電極は、上記積層体の上記第１の端面から、上記第１の主面及び上記第２の主面の各々の一部に亘って配置されている。上記積層体の上記第１の主面上又は上記第２の主面上に配置された上記第１の外部電極の上記長さ方向の中央部において、上記幅方向及び上記積層方向に平行な断面で上記積層体及び上記第１の外部電極を見たとき、上記積層体の上記第１の主面又は上記第２の主面と上記第１の側面又は上記第２の側面とが交わる領域をコーナー部と定義して、上記サイドマージン部の上記幅方向の寸法の最大値をＷ１、上記外層部の上記積層方向の寸法の最大値をＴ１、上記積層体の上記第１の主面又は上記第２の主面に最も近い上記内部電極層の上記幅方向の端部から上記積層体の上記コーナー部までの距離をＲ１とすると、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たす。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の積層セラミックコンデンサによれば、下地電極層の連続性が高く、めっき付き性が良好な外部電極を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサを第１の主面側から見た平面図である。
【図３】図３は、図２に示す積層セラミックコンデンサのＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図４は、図２に示す積層セラミックコンデンサのＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図５は、図４に示す積層セラミックコンデンサのＷＴ断面における各部の寸法及び距離を説明するための模式図である。
【図６】図６は、距離Ｒ１を測定する際のコーナー部の位置を説明するための模式図である。
【図７】図７は、本発明の積層セラミックコンデンサの別の一例を模式的に示すＷＴ断面図である。
【図８】図８は、誘電体セラミック層及び内部電極層の厚みを定める方法を説明するための模式図である。
【図９】図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃは、セラミックグリーンシートの一例を模式的に示す平面図である。
【図１０】図１０は、マザーブロックの一例を模式的に示す分解斜視図である。
【図１１】図１１は、グリーンチップの一例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［積層セラミックコンデンサ］
図１は、本発明の積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサを第１の主面側から見た平面図である。
【００１１】
本明細書中、積層セラミックコンデンサ及び積層体の「積層方向」、「幅方向」、及び、「長さ方向」を、図１中の積層セラミックコンデンサ１及び積層体１０において示すように、各々、矢印Ｔ、Ｗ、及び、Ｌで定められる方向とする。ここで、積層（Ｔ）方向と幅（Ｗ）方向と長さ（Ｌ）方向とは、互いに直交している。
【００１２】
図１及び図２に示す積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０と、積層体１０の両端面上に各々配置される第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２とを備えている。
【００１３】
図１に示すように、積層体１０は、直方体状又は略直方体状をなしており、積層（Ｔ）方向において相対する第１の主面１１及び第２の主面１２と、積層（Ｔ）方向に直交する幅（Ｗ）方向において相対する第１の側面１３及び第２の側面１４と、積層（Ｔ）方向及び幅（Ｗ）方向に直交する長さ（Ｌ）方向において相対する第１の端面１５及び第２の端面１６と、を有している。
【００１４】
積層体１０は、コーナー部に丸みが付けられている。積層体１０は、稜線部にも丸みが付けられていることが好ましい。積層体１０のコーナー部は、積層体１０の３面が交わる部分である。積層体１０の稜線部は、積層体１０の２面が交わる部分である。
【００１５】
図３は、図２に示す積層セラミックコンデンサのＡ−Ａ線断面図である。図４は、図２に示す積層セラミックコンデンサのＢ−Ｂ線断面図である。
【００１６】
本明細書中、第１の端面１５及び第２の端面１６と直交し、かつ、積層（Ｔ）方向と平行な積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の断面を、長さ（Ｌ）方向及び積層（Ｔ）方向の断面であるＬＴ断面と言う。また、第１の側面１３及び第２の側面１４と直交し、かつ、積層（Ｔ）方向と平行な積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の断面を、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向の断面であるＷＴ断面と言う。また、第１の側面１３、第２の側面１４、第１の端面１５、及び、第２の端面１６と直交し、かつ、積層（Ｔ）方向に直交する積層セラミックコンデンサ１又は積層体１０の断面を、長さ（Ｌ）方向及び幅（Ｗ）方向の断面であるＬＷ断面と言う。したがって、図３は積層セラミックコンデンサ１のＬＴ断面であり、図４は積層セラミックコンデンサ１のＷＴ断面である。
【００１７】
図３及び図４に示すように、積層体１０は、積層（Ｔ）方向に積層される、複数の誘電体セラミック層２０と、複数の第１の内部電極層２１と、複数の第２の内部電極層２２と、を含んでいる。
【００１８】
誘電体セラミック層２０は、幅（Ｗ）方向及び長さ（Ｌ）方向に沿って延びている。
【００１９】
第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２は、各々、誘電体セラミック層２０間の界面に沿って配置されている。第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２は、各々、誘電体セラミック層２０に沿って平板状に延びている、とも言える。
【００２０】
第１の内部電極層２１は、積層体１０の第１の端面１５に引き出されている。第２の内部電極層２２は、誘電体セラミック層２０を介して第１の内部電極層２１と対向するように積層体１０の第２の端面１６に引き出されている。より具体的には、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２は、積層（Ｔ）方向において、誘電体セラミック層２０を介して対向している。第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２が誘電体セラミック層２０を介して対向している部分により、静電容量が発生する。
【００２１】
第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２は、各々、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金、等の金属を含有することが好ましい。第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２は、各々、上述した金属に加えて、誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料を含有していてもよい。
【００２２】
第１の外部電極５１は、積層体１０の第１の端面１５上に配置されている。第１の外部電極５１は、図３に示すように、積層体１０の第１の端面１５から、第１の主面１１、及び、第２の主面１２の各々の一部に亘って配置されていることが好ましく、図１に示すように、積層体１０の第１の端面１５から、第１の主面１１、第２の主面１２、第１の側面１３、及び、第２の側面１４の各々の一部に亘って配置されていることがより好ましい。第１の外部電極５１は、第１の端面１５において、第１の内部電極層２１に接続されている。
【００２３】
第２の外部電極５２は、積層体１０の第２の端面１６上に配置されている。第２の外部電極５２は、図３に示すように、積層体１０の第２の端面１６から、第１の主面１１、及び、第２の主面１２の各々の一部に亘って配置されていることが好ましく、図１に示すように、積層体１０の第２の端面１６から、第１の主面１１、第２の主面１２、第１の側面１３、及び、第２の側面１４の各々の一部に亘って配置されていることがより好ましい。第２の外部電極５２は、第２の端面１６において、第２の内部電極層２２に接続されている。
【００２４】
第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２は、各々、Ｎｉ及びセラミック材料を含有するＮｉ層を含むことが好ましい。Ｎｉ層は、下地電極層である。このようなＮｉ層は、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２と同時に焼成される、いわゆるコファイア法によって形成できる。Ｎｉ層は、積層体１０に直接配置されていることが好ましい。
【００２５】
第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２に含有される元素の種類については、透過型電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で元素分析を行うことによって確認できる。
【００２６】
Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量は、２５面積％以上４０面積％以下であることが好ましい。この場合、コファイア法によってＮｉ層を容易に形成することができる。
【００２７】
また、Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量は、３５面積％以下であることが好ましい。
【００２８】
Ｎｉ層中のセラミック材料の含有量は、波長分散型Ｘ線分析装置（ＷＤＸ）を用いた以下の方法により測定される。まず、積層セラミックコンデンサ１の幅（Ｗ）方向の中央部の断面を露出させ、積層体１０の積層（Ｔ）方向の中央部におけるＮｉ層の厚さ寸法の中央部を１００００倍に拡大する。拡大した領域の視野は６μｍ×８μｍとする。そして、拡大した領域をＷＤＸによりマッピングし、マッピングによって得られた画像から面積比率を測定する。
【００２９】
第１の外部電極５１は、積層体１０の第１の端面１５側から順に、Ｎｉ層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含むことが好ましい。同様に、第２の外部電極５２は、積層体１０の第２の端面１６側から順に、Ｎｉ層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含むことが好ましい。第１のめっき層は、Ｎｉめっきにより形成されることが好ましく、第２のめっき層は、Ｓｎめっきにより形成されることが好ましい。第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２は、各々、Ｎｉ層と第１のめっき層との間に、導電性粒子及び樹脂を含有する導電性樹脂層を含んでもよい。導電性樹脂層中の導電性粒子としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ等の金属粒子が挙げられる。
【００３０】
なお、Ｎｉ層は、導電性ペーストを塗布して焼き付けられる、いわゆるポストファイア法によって形成されてもよい。この場合、Ｎｉ層は、セラミック材料を含有していなくてもよい。
【００３１】
あるいは、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２は、各々、Ｃｕ等の金属を含有する下地電極層を含んでもよい。下地電極層は、コファイア法によって形成されてもよいし、ポストファイア法によって形成されてもよい。また、下地電極層は、複数層であってもよい。
【００３２】
例えば、第１の外部電極５１は、積層体１０の第１の端面１５側から順に、下地電極層であるＣｕ層と、導電性粒子及び樹脂を含有する導電性樹脂層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含む４層構造であってもよい。同様に、第２の外部電極５２は、積層体１０の第２の端面１６側から順に、下地電極層であるＣｕ層と、導電性粒子及び樹脂を含有する導電性樹脂層と、第１のめっき層と、第２のめっき層と、を含む４層構造であってもよい。
【００３３】
図３及び図４に示すように、積層体１０は、内層部３０と、外層部３１及び３２と、サイドマージン部４１及び４２と、を有している。
【００３４】
内層部３０においては、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２が誘電体セラミック層２０を介して交互に積層されている。図３及び図４では、内層部３０は、積層（Ｔ）方向に沿って、第１の主面１１に最も近い第１の内部電極層２１と、第２の主面１２に最も近い第１の内部電極層２１に挟まれる領域を含んでいる。
【００３５】
内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０は、例えば、Ｂａ及びＴｉを含有するペロブスカイト型化合物を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。このようなペロブスカイト型化合物としては、例えば、ＢａＴｉＯ３等が挙げられる。内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０に含有される誘電体セラミック材料は、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｏ、及び、Ｚｎからなる群より選択される少なくとも１種の添加剤を含有していてもよい。
【００３６】
本明細書中、「主成分」は、誘電体セラミック材料などのセラミック材料中の含有量が最も多い成分を意味する。また、「添加剤」は、誘電体セラミック材料などのセラミック材料中の含有量が、主成分のＴｉ１００モルに対して５モル以下である成分を意味する。セラミック材料中の主成分の含有量とセラミック材料中の添加剤の含有量とについては、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光法で定量分析を行うことによって確認できる。
【００３７】
外層部３１及び３２は、内層部３０を積層（Ｔ）方向に挟むように配置されている。外層部３１は、積層体１０の第１の主面１１側に配置されている。外層部３２は、積層体１０の第２の主面１２側に配置されている。
【００３８】
外層部３１及び３２は、各々、セラミック材料で構成されている。
【００３９】
外層部３１及び３２は、例えば、Ｂａ及びＴｉを含有するペロブスカイト型化合物（例えば、ＢａＴｉＯ３等）を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。外層部３１及び３２に含有される誘電体セラミック材料は、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｏ、及び、Ｚｎからなる群より選択される少なくとも１種の添加剤を含有していてもよい。
【００４０】
外層部３１及び３２は、各々、積層（Ｔ）方向に積層される複数の誘電体セラミック層２０で構成されていることが好ましい。外層部３１及び３２は、各々、このような複層構造ではなく、１つの誘電体セラミック層２０で構成される単層構造であってもよい。
【００４１】
外層部３１及び３２が誘電体セラミック層２０で構成される場合、外層部３１及び３２を構成する誘電体セラミック層２０は、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料から構成されていてもよいが、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。
【００４２】
サイドマージン部４１及び４２は、内層部３０、外層部３１、及び、外層部３２を幅（Ｗ）方向に挟むように配置されている。サイドマージン部４１は、積層体１０の第１の側面１３側に配置されている。サイドマージン部４２は、積層体１０の第２の側面１４側に配置されている。図４では、サイドマージン部４１は、幅（Ｗ）方向の最も内側のインナー層４１ａと、幅（Ｗ）方向の最も外側のアウター層４１ｂと、の２層構造であり、サイドマージン部４２は、幅（Ｗ）方向の最も内側のインナー層４２ａと、幅（Ｗ）方向の最も外側のアウター層４２ｂと、の２層構造である。
【００４３】
図５は、図４に示す積層セラミックコンデンサのＷＴ断面における各部の寸法及び距離を説明するための模式図である。
図４及び図５では、積層体１０の第１の主面１１上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部における、積層体１０及び第１の外部電極５１のＷＴ断面を示している。具体的には、積層体１０の第１の主面１１上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部まで積層セラミックコンデンサ１を研磨することによって、積層体１０及び第１の外部電極５１のＷＴ断面を露出させる。この位置は、図２において両矢印Ｌ０で示す幅の半分の位置であり、積層体１０の第１の端面１５から、第１の外部電極５１が第１の主面１１上に配置されている端部までの中間点に相当する。必要に応じて、研磨で引き伸ばされた第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２を除去するために、研磨面に対してエッチング処理を行う。そして、露出させたＷＴ断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。
【００４４】
図５に示すように、積層体１０の第１の主面１１上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０及び第１の外部電極５１を見たとき、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２と第１の側面１３又は第２の側面１４とが交わる領域をコーナー部と定義して、サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値をＷ１、外層部３１又は３２の積層（Ｔ）方向の寸法の最大値をＴ１、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い内部電極層（図５では第１の内部電極層２１）の幅（Ｗ）方向の端部から積層体１０のコーナー部までの距離をＲ１とすると、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たす。
【００４５】
図６は、距離Ｒ１を測定する際のコーナー部の位置を説明するための模式図である。
図６に示すように、積層体１０の幅（Ｗ）方向の中央部において、第１の主面１１の表面に平行な仮想線ＩＬ１１、及び、第２の主面１２の表面に平行な仮想線ＩＬ１２を引くとともに、積層体１０の積層（Ｔ）方向の中央部において、第１の側面１３の表面に平行な仮想線ＩＬ１３、及び、第２の側面１４の表面に平行な仮想線ＩＬ１４を引く。仮想線ＩＬ１１及び仮想線ＩＬ１３が交わる点をＰ１１、仮想線ＩＬ１１及び仮想線ＩＬ１４が交わる点をＰ１２、仮想線ＩＬ１２及び仮想線ＩＬ１３が交わる点をＱ１１、仮想線ＩＬ１２及び仮想線ＩＬ１４が交わる点をＱ１２とする。点Ｐ１１及び点Ｑ１２を通る直線、又は、点Ｐ１２及び点Ｑ１１を通る直線に交わる積層体１０の表面をコーナー部Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３及びＣ１４とする。そして、積層体１０の第１の主面１１に最も近い内部電極層の幅（Ｗ）方向の端部からコーナー部Ｃ１１又はＣ１３までの距離、及び、積層体１０の第２の主面１２に最も近い内部電極層の幅（Ｗ）方向の端部からコーナー部Ｃ１２又はＣ１４までの距離がＲ１となる。
【００４６】
Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たすということは、コーナー部の厚みが小さいことを意味する。コーナー部の厚みが小さくなることで、コーナー部の丸みを大きくすることができる。その結果、外部電極が薄くなった場合であっても、積層体のコーナー部に外部電極の下地電極層が形成されやすくなるため、下地電極層の連続性が向上する。したがって、外部電極のめっき付き性が向上する。
【００４７】
なお、図５では、全てのコーナー部において、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たしている。しかし、少なくとも１箇所のコーナー部において、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たしていれば、Ｗ１＞Ｒ１を満たさないか、又は、Ｔ１＞Ｒ１を満たさないコーナー部が存在していてもよい。
【００４８】
なお、図４及び図５では、積層体１０の第１の主面１１上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０及び第１の外部電極５１を見ているが、積層体１０の第２の主面１２上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０及び第１の外部電極５１を見てもよい。
【００４９】
図２に示すように、積層体１０の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０を見たとき、サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値をＷ０とすると、Ｗ０＞Ｗ１を満たすことが好ましい。
この場合、積層体の第１の端面付近の稜線部が薄くなることで、稜線部の丸みが大きくなり、外部電極のめっき付き性がさらに向上する。
【００５０】
サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値Ｗ１は、２５μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。
後述するように、積層体１０に対してバレル研磨等の研磨を行うことにより、コーナー部を薄くすることができる。サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値Ｗ１が２５μｍ以下であると、研磨によってコーナー部の厚みを小さくすることができる。
【００５１】
また、サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値Ｗ１は、５μｍ以上であることが好ましい。サイドマージン部４１及び４２の幅（Ｗ）方向の寸法は、互いに同じであることが好ましい。
【００５２】
外層部３１又は３２の積層（Ｔ）方向の寸法の最大値Ｔ１は、４０μｍ以下であることが好ましい。外層部３１及び３２の積層（Ｔ）方向の寸法は、互いに同じであることが好ましい。
【００５３】
積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い内部電極層（第１の内部電極層２１又は第２の内部電極層２２）の幅（Ｗ）方向の端部から積層体１０のコーナー部までの距離Ｒ１は、２０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましい。また、積層体１０のコーナー部までの距離Ｒ１は、０μｍであってもよい。
【００５４】
図７は、本発明の積層セラミックコンデンサの別の一例を模式的に示すＷＴ断面図である。
図７は、図４及び図５と同様、積層体１０の第１の主面１１上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部における、積層体１０及び第１の外部電極５１のＷＴ断面である。
【００５５】
図７に示す積層セラミックコンデンサ１Ａでは、積層体１０のコーナー部において、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い第１の内部電極層２１が第１の外部電極５１と接続されている。すなわち、積層体１０のコーナー部までの距離Ｒ１は、０μｍである。
【００５６】
図７に示すように、積層体１０のコーナー部の少なくとも１箇所において、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い第１の内部電極層２１が第１の外部電極５１と接続されていてもよい。
この場合、積層体１０の第１の端面１５以外の領域において、第１の内部電極層２１が第１の外部電極５１と接続されるため、電気的接続性が向上する。
【００５７】
なお、積層セラミックコンデンサ１Ａでは、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い第１の内部電極層２１は、図６において定義したコーナー部Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３及びＣ１４の位置で接続されていなくても許容される。具体的には、第１の内部電極層２１が接続されているコーナー部の位置が、コーナー部Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３及びＣ１４の位置から積層体１０の幅（Ｗ）方向の寸法の５％以内、及び、積層体１０の積層（Ｔ）方向の寸法の５％以内に収まっていればより好ましい。
【００５８】
これまでは、積層体１０の第１の主面１１上又は第２の主面１２上に配置された第１の外部電極５１の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０及び第１の外部電極５１を見ていた。一方、積層体１０の第１の主面１１上又は第２の主面１２上に配置された第２の外部電極５２の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０及び第２の外部電極５２を見る場合においても、上記の関係を満たすことが好ましい。
【００５９】
すなわち、積層セラミックコンデンサ１又は１Ａでは、積層体１０の第１の主面１１上又は第２の主面１２上に配置された第２の外部電極５２の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０及び第２の外部電極５２を見たとき、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２と第１の側面１３又は第２の側面１４とが交わる領域をコーナー部と定義して、サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値をＷ２、外層部３１又は３２の積層（Ｔ）方向の寸法の最大値をＴ２、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い内部電極層（図５では第１の内部電極層２１）の幅（Ｗ）方向の端部から積層体１０のコーナー部までの距離をＲ２とすると、Ｗ２＞Ｒ２を満たし、かつ、Ｔ２＞Ｒ２を満たすことが好ましい。
【００６０】
この場合、少なくとも１箇所のコーナー部において、Ｗ２＞Ｒ２を満たし、かつ、Ｔ２＞Ｒ２を満たしていれば、Ｗ２＞Ｒ２を満たさないか、又は、Ｔ２＞Ｒ２を満たさないコーナー部が存在していてもよい。
【００６１】
図２に示すように、積層体１０の長さ（Ｌ）方向の中央部において、幅（Ｗ）方向及び積層（Ｔ）方向に平行な断面で積層体１０を見たとき、サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値をＷ０とすると、Ｗ０＞Ｗ２を満たすことが好ましい。
【００６２】
サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値Ｗ２は、２５μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましい。また、サイドマージン部４１又は４２の幅（Ｗ）方向の寸法の最大値Ｗ２は、５μｍ以上であることが好ましい。
【００６３】
外層部３１又は３２の積層（Ｔ）方向の寸法の最大値Ｔ２は、４０μｍ以下であることが好ましい。
【００６４】
積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い内部電極層（第１の内部電極層２１又は第２の内部電極層２２）の幅（Ｗ）方向の端部から積層体１０のコーナー部までの距離Ｒ２は、２０μｍ以下であることが好ましく、１５μｍ以下であることがより好ましい。また、積層体１０のコーナー部までの距離Ｒ２は、０μｍであってもよい。
【００６５】
積層体１０のコーナー部の少なくとも１箇所において、積層体１０の第１の主面１１又は第２の主面１２に最も近い第２の内部電極層２２が第２の外部電極５２と接続されていてもよい。
【００６６】
サイドマージン部４１は、幅（Ｗ）方向に積層される複数のセラミック層で構成されていることが好ましい。具体的には、サイドマージン部４１は、幅（Ｗ）方向の最も内側のインナー層４１ａと、幅（Ｗ）方向の最も外側のアウター層４１ｂと、を含むことが好ましい。サイドマージン部４１は、２層構造ではなく、３層以上の構造であってもよい。サイドマージン部４１が３層以上のセラミック層を含む場合、幅（Ｗ）方向の最も内側に配置されるセラミック層をインナー層４１ａとし、幅（Ｗ）方向の最も外側に配置されるセラミック層を含む他のセラミック層をアウター層４１ｂとする。
【００６７】
同様に、サイドマージン部４２は、幅（Ｗ）方向に積層される複数のセラミック層で構成されていることが好ましい。具体的には、サイドマージン部４２は、幅（Ｗ）方向の最も内側のインナー層４２ａと、幅（Ｗ）方向の最も外側のアウター層４２ｂと、を含むことが好ましい。サイドマージン部４２は、２層構造ではなく、３層以上の構造であってもよい。サイドマージン部４２が３層以上のセラミック層を含む場合、幅（Ｗ）方向の最も内側に配置されるセラミック層をインナー層４２ａとし、幅（Ｗ）方向の最も外側に配置されるセラミック層を含む他のセラミック層をアウター層４２ｂとする。
【００６８】
サイドマージン部がインナー層及びアウター層を含む場合、例えば、インナー層によって外層部及び内層部との接着性を確保しつつ、アウター層によって積層体の機械的強度を向上させることができる。
【００６９】
サイドマージン部がインナー層及びアウター層を含む２層構造である場合、インナー層及びアウター層における焼結性の違いから、光学顕微鏡を用いて暗視野で観察することによって、２層構造であることを確認できる。サイドマージン部が３層以上の構造である場合も同様である。
【００７０】
サイドマージン部４１及び４２を構成するセラミック層の層数は、互いに同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。また、サイドマージン部４１及び４２は、各々、１層のセラミック層のみを含む構造であってもよい。
【００７１】
サイドマージン部４１及び４２は、各々、セラミック材料で構成されている。
【００７２】
インナー層４１ａ及び４２ａは、例えば、Ｂａ及びＴｉを含有するペロブスカイト型化合物（例えば、ＢａＴｉＯ３等）を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。インナー層４１ａ及び４２ａに含有される誘電体セラミック材料は、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｏ、及び、Ｚｎからなる群より選択される少なくとも１種の添加剤を含有していてもよい。
【００７３】
インナー層４１ａ及び４２ａは、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料から構成されることが好ましく、外層部３１及び３２を構成する誘電体セラミック層２０とも同じ誘電体セラミック材料から構成されることがより好ましい。しかし、インナー層４１ａ及び４２ａは、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよく、外層部３１及び３２を構成する誘電体セラミック層２０とも異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。
【００７４】
アウター層４１ｂ及び４２ｂは、例えば、Ｂａ及びＴｉを含有するペロブスカイト型化合物（例えば、ＢａＴｉＯ３等）を主成分とする誘電体セラミック材料から構成される。アウター層４１ｂ及び４２ｂに含有される誘電体セラミック材料は、例えば、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｏ、及び、Ｚｎからなる群より選択される少なくとも１種の添加剤を含有していてもよい。
【００７５】
アウター層４１ｂ及び４２ｂは、インナー層４１ａ及び４２ａと同じ誘電体セラミック材料から構成されていてもよいし、インナー層４１ａ及び４２ａと異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。
【００７６】
アウター層４１ｂ及び４２ｂは、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と同じ誘電体セラミック材料から構成されていてもよいし、外層部３１及び３２を構成する誘電体セラミック層２０とも同じ誘電体セラミック材料から構成されていてもよい。しかし、アウター層４１ｂ及び４２ｂは、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０と異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよく、外層部３１及び３２を構成する誘電体セラミック層２０とも異なる誘電体セラミック材料から構成されてもよい。
【００７７】
セラミック材料に含まれる元素の種類については、積層セラミックコンデンサ１の長さ（Ｌ）方向の中央部におけるＷＴ断面を研磨等によって露出させた後、透過型電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＴＥＭ−ＥＤＸ）で元素分析を行うことによって確認できる。
【００７８】
積層セラミックコンデンサ１における各層及び各部の好ましい厚みについて、以下に説明する。
【００７９】
誘電体セラミック層２０の厚み（積層（Ｔ）方向の厚み）は、好ましくは０．５５μｍ以下である。また、誘電体セラミック層２０の厚みは、好ましくは０．４μｍ以上である。ここで、誘電体セラミック層２０の厚みとは、具体的には、内層部３０を構成する誘電体セラミック層２０の厚みを意味する。
【００８０】
第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の厚み（積層（Ｔ）方向の厚み）は、各々、好ましくは０．４μｍ以下であり、より好ましくは０．３８μｍ以下である。また、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の厚みは、各々、好ましくは０．２５μｍ以上である。
【００８１】
誘電体セラミック層２０、第１の内部電極層２１、及び、第２の内部電極層２２の厚みは、以下のようにして定められる。
【００８２】
図８は、誘電体セラミック層及び内部電極層の厚みを定める方法を説明するための模式図である。図８は、積層セラミックコンデンサ１の長さ（Ｌ）方向の中央部におけるＷＴ断面の一部であり、図２におけるＣ−Ｃ線断面図の一部に相当する。
【００８３】
まず、積層セラミックコンデンサ１の長さ（Ｌ）方向の中央部におけるＷＴ断面を研磨によって露出させる。必要に応じて、研磨で引き伸ばされた第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２を除去するために、研磨面に対してエッチング処理を行う。そして、露出させたＷＴ断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する。
【００８４】
次に、観察された拡大像において、積層体１０の積層（Ｔ）方向に延び、かつ、積層体１０の中央を通る直線Ｌｃを引く。そして、直線Ｌｃと平行な複数の直線を、ピッチＳで等間隔に引く。ピッチＳについては、測定対象の誘電体セラミック層２０、又は、第１の内部電極層２１若しくは第２の内部電極層２２の厚みの５倍以上、１０倍以下程度で決めればよく、例えば、厚みが約１μｍの誘電体セラミック層２０を測定対象とする場合、ピッチＳを５μｍとする。ここで、直線Ｌｃと平行な複数の直線を引く際には、直線Ｌｃの両側に同じ本数の直線を引く。すなわち、直線Ｌｃを合わせて奇数本の直線を引く。図８では、直線Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｅの５本の直線が示されている。
【００８５】
直線Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｅの各直線上において、誘電体セラミック層２０、第１の内部電極層２１、及び、第２の内部電極層２２の厚みを測定する。ただし、直線Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｅの各直線上において、第１の内部電極層２１又は第２の内部電極層２２が欠損し、欠損した内部電極層を挟む誘電体セラミック層２０同士がつながっている場合、又は、測定位置の拡大像が不明瞭である場合は、直線Ｌｃから更に離れた位置に引いた別の直線上において、誘電体セラミック層２０、第１の内部電極層２１、及び、第２の内部電極層２２の厚みを測定する。
【００８６】
例えば、誘電体セラミック層２０の厚みを定める際には、図８に示すように、直線Ｌａ上の厚みＤａと、直線Ｌｂ上の厚みＤｂと、直線Ｌｃ上の厚みＤｃと、直線Ｌｄ上の厚みＤｄと、直線Ｌｅ上の厚みＤｅと、を測定し、これらの平均値を誘電体セラミック層２０の厚みと定める。
【００８７】
また、第１の内部電極層２１の厚みを定める際には、図８に示すように、直線Ｌａ上の厚みＥａと、直線Ｌｂ上の厚みＥｂと、直線Ｌｃ上の厚みＥｃと、直線Ｌｄ上の厚みＥｄと、直線Ｌｅ上の厚みＥｅと、を測定し、これらの平均値を第１の内部電極層２１の厚みと定める。第２の内部電極層２２の厚みを定める際も同様である。
【００８８】
複数の誘電体セラミック層２０の平均厚みを算出する際には、積層（Ｔ）方向の略中央に位置する誘電体セラミック層２０と、その両側に各々位置する２層ずつの誘電体セラミック層２０と、を合わせた５層の誘電体セラミック層２０の各々について上述した方法で厚みを定め、これらの平均値を複数の誘電体セラミック層２０の平均厚みとする。なお、誘電体セラミック層２０の積層数が５層未満である場合、すべての誘電体セラミック層２０について上述した方法で厚みを定め、これらの平均値を複数の誘電体セラミック層２０の平均厚みとする。複数の第１の内部電極層２１の平均厚みを算出する際、及び、複数の第２の内部電極層２２の平均厚みを算出する際も同様である。
【００８９】
サイドマージン部４１がインナー層４１ａ及びアウター層４１ｂを含む場合、積層セラミックコンデンサ１の形状及び性能を維持する観点から、インナー層４１ａは、アウター層４１ｂよりも薄いことが好ましい。同様の観点から、サイドマージン部４２がインナー層４２ａ及びアウター層４２ｂを含む場合、インナー層４２ａは、アウター層４２ｂよりも薄いことが好ましい。
【００９０】
インナー層４１ａ及び４２ａの厚み（幅（Ｗ）方向の厚み）は、各々、好ましくは０．１μｍ以上、２０μｍ以下である。インナー層４１ａ及び４２ａの厚みは、互いに同じであることが好ましい。
【００９１】
アウター層４１ｂ及び４２ｂの厚み（幅（Ｗ）方向の厚み）は、各々、好ましくは５μｍ以上、２０μｍ以下である。アウター層４１ｂ及び４２ｂの厚みは、互いに同じであることが好ましい。ただし、インナー層４１ａ及びアウター層４１ｂが上記の範囲を満たしながら、アウター層４１ｂがインナー層４１ａより厚いことが好ましい。同様に、インナー層４２ａ及びアウター層４２ｂが上記の範囲を満たしながら、アウター層４２ｂがインナー層４２ａより厚いことが好ましい。
【００９２】
サイドマージン部４１及び４２を構成する各セラミック層（例えば、インナー層４１ａ、インナー層４２ａ、アウター層４１ｂ、及び、アウター層４２ｂ）の厚みは、以下のようにして定められる。
【００９３】
まず、積層セラミックコンデンサ１の長さ（Ｌ）方向の中央部におけるＷＴ断面を研磨によって露出させる。そして、露出させたＷＴ断面における第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の幅（Ｗ）方向の端部と、これらの端部に近い方のサイドマージン部４１及び４２の一方とが同一視野に収まるように、光学顕微鏡又は電子顕微鏡を用いて撮像する。撮像箇所としては、積層（Ｔ）方向における、上部、中央部、及び、下部の３箇所を選択する。そして、撮像された上部、中央部、及び、下部において、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の幅（Ｗ）方向の端部から積層体１０の側面（サイドマージン部４１及び４２のうちで撮像された方の幅（Ｗ）方向の外側の端部）に向かって、幅（Ｗ）方向に平行な複数の線分を引き、各セラミック層に対応する各々の線分の長さを測定する。その後、測定された線分の長さについて、上部、中央部、及び、下部の各々における平均値を算出する。更に、各々の平均値を平均化することによって、サイドマージン部４１及び４２のうちで撮像された方を構成する各セラミック層の厚みが定められる。
【００９４】
積層セラミックコンデンサ１の好ましい寸法としては、例えば、下記のものが挙げられる。
（品種１）
長さ（Ｌ）方向の寸法：０．３２ｍｍ以上、０．３６ｍｍ以下
幅（Ｗ）方向の寸法：０．２５ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下
積層（Ｔ）方向の寸法：０．２５ｍｍ以上、０．３０ｍｍ以下
誘電体セラミック層２０の厚み：４．７μｍ以上、５．７μｍ以下
第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の厚み：０．９μｍ以上、１．１μｍ以下
（品種２）
長さ（Ｌ）方向の寸法：０．１ｍｍ以上、０．１２ｍｍ以下
幅（Ｗ）方向の寸法：０．６３ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下
積層（Ｔ）方向の寸法：０．６２ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下
誘電体セラミック層２０の厚み：１．１μｍ以上、１．５μｍ以下
第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の厚み：０．６３μｍ以上、０．７５μｍ以下
【００９５】
上述したいずれの品種においても、誘電体セラミック層２０の厚みを大きくすることによって耐電圧性が向上する。一方、サイドマージン部４１及び４２を極小化することによって、静電容量を発生させる有効領域を極大化できる。また、Ｌギャップでは、通常、誘電体セラミック層２０と第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２との間の厚みの差によって段差が生じ、各層を積層させる際に第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２が積層（Ｔ）方向に湾曲し、湾曲部に電界が集中することで信頼性が低下する。これに対して、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２との間の厚みの差を補完するように誘電体セラミック層２０を形成することによって、第１の内部電極層２１及び第２の内部電極層２２の湾曲を抑制できるため、信頼性が向上する。
【００９６】
［積層セラミックコンデンサの製造方法］
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、好ましくは、
未焼成の状態にある複数の誘電体セラミック層と複数対の第１の内部電極層及び第２の内部電極層とをもって構成された積層構造を有し、積層方向に直交する幅方向において相対する第１の側面及び第２の側面に前記第１の内部電極層及び前記第２の内部電極層が露出した、グリーンチップを準備する工程と、
前記グリーンチップの前記第１の側面及び前記第２の側面に、未焼成のサイドマージン部を形成することにより、未焼成の積層体を作製する工程と、
前記未焼成の積層体を焼成する工程と、を備える。
前記未焼成の積層体を作製する工程では、前記第１の側面及び前記第２の側面に未焼成のインナー層を形成し、最も外側に未焼成のアウター層を形成することにより、前記未焼成のサイドマージン部が形成されることが好ましい。
【００９７】
以下、図１に示す積層セラミックコンデンサ１の製造方法の一例について説明する。
【００９８】
まず、誘電体セラミック層２０となるべきセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートには、上述した誘電体セラミック材料を含むセラミック原料に加えて、バインダ、溶剤、等が含有される。セラミックグリーンシートは、例えば、キャリアフィルム上で、ダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ、等を用いて成形される。
【００９９】
図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃは、セラミックグリーンシートの一例を模式的に示す平面図である。
図９Ａでは、内層部３０を形成するための第１のセラミックグリーンシート１０１が示されている。図９Ｂでは、内層部３０を形成するための第２のセラミックグリーンシート１０２が示されている。図９Ｃでは、外層部３１又は３２を形成するための第３のセラミックグリーンシート１０３が示されている。
【０１００】
図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃでは、第１のセラミックグリーンシート１０１と、第２のセラミックグリーンシート１０２と、第３のセラミックグリーンシート１０３とは、積層セラミックコンデンサ１ごとに切り分けられていない。図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃには、積層セラミックコンデンサ１ごとに切り分ける際の切断線Ｘ及びＹが示されている。切断線Ｘは、長さ（Ｌ）方向に平行である。切断線Ｙは、幅（Ｗ）方向に平行である。
【０１０１】
図９Ａに示すように、第１のセラミックグリーンシート１０１には、第１の内部電極層２１に対応する未焼成の第１の内部電極層１２１が形成されている。図９Ｂに示すように、第２のセラミックグリーンシート１０２には、第２の内部電極層２２に対応する未焼成の第２の内部電極層１２２が形成されている。図９Ｃに示すように、外層部３１又は３２に対応する第３のセラミックグリーンシート１０３には、未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２が形成されていない。
【０１０２】
未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２は、各々、例えば、任意の内部電極層用導電性ペーストを用いて形成される。内部電極層用導電性ペーストを用いて未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２を形成する際には、例えば、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、等の印刷方法が用いられる。
【０１０３】
未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２は、長さ（Ｌ）方向では切断線Ｙで仕切られて隣接する２つの領域にわたって、かつ、幅（Ｗ）方向では帯状に延びるように形成されている。未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２は、切断線Ｙで仕切られた各領域が１列ずつ長さ（Ｌ）方向にずれた位置関係にある。つまり、未焼成の第１の内部電極層１２１の中央を通る切断線Ｙは、未焼成の第２の内部電極層１２２の間の領域（未焼成の第２の内部電極層１２２が形成されていない領域）を通っている。また、未焼成の第２の内部電極層１２２の中央を通る切断線Ｙは、未焼成の第１の内部電極層１２１の間の領域（未焼成の第１の内部電極層１２１が形成されていない領域）を通っている。
【０１０４】
次に、第１のセラミックグリーンシート１０１と、第２のセラミックグリーンシート１０２と、第３のセラミックグリーンシート１０３と、を積層させることによって、マザーブロックを作製する。
【０１０５】
図１０は、マザーブロックの一例を模式的に示す分解斜視図である。
図１０では、マザーブロック１０４において、第１のセラミックグリーンシート１０１と、第２のセラミックグリーンシート１０２と、第３のセラミックグリーンシート１０３とが、分解された状態で示されている。実際のマザーブロック１０４では、第１のセラミックグリーンシート１０１と、第２のセラミックグリーンシート１０２と、第３のセラミックグリーンシート１０３とが、静水圧プレス等の手段によって圧着され、一体化されている。
【０１０６】
マザーブロック１０４では、内層部３０に対応する第１のセラミックグリーンシート１０１及び第２のセラミックグリーンシート１０２が、積層（Ｔ）方向に交互に積層されている。さらに、交互に積層された第１のセラミックグリーンシート１０１及び第２のセラミックグリーンシート１０２の積層（Ｔ）方向の上面及び下面に、各々、外層部３１及び３２に対応する第３のセラミックグリーンシート１０３が積層されている。なお、図１０では、第３のセラミックグリーンシート１０３が、上面及び下面の各々に３枚ずつ積層されているが、その枚数は適宜変更されてもよい。
【０１０７】
次に、マザーブロック１０４を切断線Ｘ及びＹ（図９Ａ、図９Ｂ及び図９Ｃ参照）に沿って切断することによって、複数のグリーンチップを作製する。マザーブロック１０４を切断する際には、例えば、ダイシング、押切り、レーザカット、等の切断方法が用いられる。
【０１０８】
図１１は、グリーンチップの一例を模式的に示す斜視図である。
図１１に示すグリーンチップ１１０は、未焼成の誘電体セラミック層１２０と、未焼成の第１の内部電極層１２１と、未焼成の第２の内部電極層１２２と、を各々複数含む積層構造である。
【０１０９】
グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４は、マザーブロック１０４を切断線Ｘに沿って切断することによって現れた面である。第１の側面１１３及び第２の側面１１４の各々には、未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２の両方が露出している。
【０１１０】
グリーンチップ１１０の第１の端面１１５及び第２の端面１１６は、マザーブロック１０４を切断線Ｙに沿って切断することによって現れた面である。未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２のうち、第１の端面１１５には未焼成の第１の内部電極層１２１のみが露出し、第２の端面１１６には未焼成の第２の内部電極層１２２のみが露出している。
【０１１１】
次に、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４の各側面上に、未焼成のサイドマージン部を形成することによって、未焼成の積層体を作製する。
【０１１２】
未焼成のサイドマージン部は、例えば、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４に、サイドマージン部用セラミックグリーンシートを貼り付けることによって形成される。
【０１１３】
サイドマージン部がインナー層及びアウター層の２層から構成される場合、例えば、以下のようにして未焼成のサイドマージン部を形成する。
【０１１４】
まず、インナー層用セラミックグリーンシートを作製するため、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料を含むセラミック原料に加えて、バインダ、溶剤、等を含有するインナー層用セラミックスラリーを作製する。インナー層用セラミックスラリーには、焼結助剤であるＳｉが添加されてもよい。インナー層は、グリーンチップ１１０と接着するための役割を有する。
【０１１５】
次に、アウター層用セラミックグリーンシートを作製するため、ＢａＴｉＯ３等を主成分とする誘電体セラミック材料を含むセラミック原料に加えて、バインダ、溶剤、等を含有するアウター層用セラミックスラリーを作製する。また、アウター層用セラミックスラリーには、焼結助剤であるＳｉが添加されてもよい。また、インナー層用セラミックグリーンシートに含まれるＳｉは、アウター層用セラミックグリーンシートに含まれるＳｉより多いことが好ましい。含有量の多さは、断面をＷＤＸにより撮像し、Ｓｉが検出された領域の面積の大小により判断される。
【０１１６】
次に、樹脂フィルムの表面上に、アウター層用セラミックスラリーを塗布し、乾燥させることによって、アウター層用セラミックグリーンシートを作製する。そして、アウター層用セラミックグリーンシートの樹脂フィルムとは反対側の表面上に、インナー層用セラミックスラリーを塗布し、乾燥させることによって、インナー層用セラミックグリーンシートを作製する。その後、インナー層用セラミックグリーンシート及びアウター層用セラミックグリーンシートの積層シートを、樹脂フィルムから剥離することによって、２層構造を有するサイドマージン部用セラミックグリーンシートが得られる。
【０１１７】
なお、２層構造を有するサイドマージン部用セラミックグリーンシートは、例えば、インナー層用セラミックグリーンシートとアウター層用セラミックグリーンシートとを別々に予め作製しておき、各々を貼り合わせることによっても得られる。また、サイドマージン部用セラミックグリーンシートは、上述した２層構造ではなく、３層以上の構造であってもよい。
【０１１８】
次に、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３を、サイドマージン部用セラミックグリーンシートのインナー層用セラミックグリーンシート側に押し付けて打ち抜くことによって、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３上に未焼成のサイドマージン部を形成する。さらに、グリーンチップ１１０の第２の側面１１４を、サイドマージン部用セラミックグリーンシートのインナー層用セラミックグリーンシート側に押し付けて打ち抜くことによって、グリーンチップ１１０の第２の側面１１４上に未焼成のサイドマージン部を形成する。この際、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４の各側面上に、接着剤として機能する有機溶剤を予め塗布しておくことが好ましい。以上により、未焼成の積層体が得られる。
【０１１９】
あるいは、未焼成のサイドマージン部は、例えば、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４に、サイドマージン部用セラミックスラリーを塗布することによって形成されてもよい。
【０１２０】
サイドマージン部がインナー層及びアウター層の２層から構成される場合、まず、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４の各側面上に、インナー層用セラミックスラリーを塗布し、乾燥させることによって、未焼成のインナー層を形成する。そして、未焼成のインナー層のグリーンチップ１１０とは反対側の表面上に、アウター層用セラミックスラリーを塗布し、乾燥させることによって、未焼成のアウター層を形成する。これにより、未焼成のサイドマージン部が形成される。
【０１２１】
また、サイドマージン部用セラミックスラリーは、下記のような方法で塗布されてもよい。サイドマージン部がインナー層及びアウター層の２層から構成される場合、まず、グリーンチップ１１０の第１の端面１１５及び第２の端面１１６の各端面を樹脂等で被覆（マスク）する。そして、各端面が樹脂等で被覆された状態のグリーンチップ１１０を、インナー層用セラミックスラリー中に丸ごと浸漬（ディッピング）し、乾燥させることによって、未焼成のインナー層を形成する。その後、未焼成のインナー層が形成された状態のグリーンチップ１１０を、アウター層用セラミックスラリー中に丸ごと浸漬（ディッピング）し、乾燥させることによって、未焼成のアウター層を形成する。この場合、未焼成の外層部上にも未焼成のインナー層及び未焼成のアウター層が形成されることになる。
【０１２２】
上記の方法によって得られた未焼成の積層体に対して、バレル研磨等を施す。未焼成の積層体を研磨することにより、焼成後の積層体１０のコーナー部及び稜線部に丸みが付けられる。この際、研磨時間を長くすることにより、未焼成の積層体のコーナー部を過剰に研磨するができる。その結果、焼成後の積層体１０のコーナー部の厚みが小さくなるため、Ｗ１＞Ｒ１を満たし、かつ、Ｔ１＞Ｒ１を満たすことができる。
【０１２３】
その後、未焼成の積層体において、グリーンチップ１１０の第１の端面１１５及び第２の端面１１６の各端面上に、Ｎｉ及びセラミック材料を含有する外部電極用導電性ペーストを塗布する。
【０１２４】
外部電極用導電性ペーストは、セラミック材料として、アウター層用セラミックグリーンシート又はアウター層用セラミックスラリーと同じ誘電体セラミック材料を含有することが好ましい。外部電極用導電性ペースト中のセラミック材料の含有量は、好ましくは１５重量％以上である。また、外部電極用導電性ペースト中のセラミック材料の含有量は、好ましくは２５重量％以下である。
【０１２５】
次に、外部電極用導電性ペーストが塗布された未焼成の積層体に対して、例えば、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理を行った後、窒素−水素−水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成する。これにより、未焼成の積層体及び外部電極用導電性ペーストが同時に焼成され、いわゆるコファイア法によって、積層体１０と、第１の内部電極層２１に接続されるＮｉ層と、第２の内部電極層２２に接続されるＮｉ層とが同時に形成される。その後、各々のＮｉ層の表面上に、Ｎｉめっきによる第１のめっき層と、Ｓｎめっきによる第２のめっき層とを順に積層させる。これにより、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２が形成される。
【０１２６】
なお、積層体１０と、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２とは、いわゆるポストファイア法によって別々のタイミングで形成されてもよい。具体的には、まず、未焼成の積層体に対して、例えば、窒素雰囲気中、所定の条件で脱脂処理を行った後、窒素−水素−水蒸気混合雰囲気中、所定の温度で焼成することによって、積層体１０を形成する。そして、積層体１０の第１の端面１５及び第２の端面１６の各端面上に、Ｃｕ粉を含有する導電性ペーストを塗布して焼き付ける。これにより、第１の内部電極層２１に接続される下地電極層と、第２の内部電極層２２に接続される下地電極層とが形成される。そして、各々の下地電極層の表面上に、導電性粒子（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、等の金属粒子）及び樹脂を含有する導電性樹脂層と、Ｎｉめっきによる第１のめっき層と、Ｓｎめっきによる第２のめっき層とを順に積層させる。これにより、第１の外部電極５１及び第２の外部電極５２が形成される。
【０１２７】
以上により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
【０１２８】
上述した積層セラミックコンデンサ１の製造方法では、マザーブロック１０４を切断線Ｘ及びＹに沿って切断して複数のグリーンチップ１１０を作製した後、グリーンチップ１１０の第１の側面１１３及び第２の側面１１４の両側面上に未焼成のサイドマージン部を形成することによって、未焼成の積層体を作製していたが、以下のように変更することも可能である。
【０１２９】
すなわち、まず、マザーブロック１０４を切断線Ｘに沿って切断することによって、切断面である両側面に未焼成の第１の内部電極層１２１及び未焼成の第２の内部電極層１２２が露出した、複数の棒状のグリーンブロックを作製する。そして、グリーンブロックの両側面上に未焼成のサイドマージン部を形成した後、切断線Ｙに沿って切断することによって、複数の未焼成の積層体を作製する。その後は、上述した方法と同様にすれば、積層セラミックコンデンサ１が製造される。
【符号の説明】
【０１３０】
１、１Ａ  積層セラミックコンデンサ
１０  積層体
１１  積層体の第１の主面
１２  積層体の第２の主面
１３  積層体の第１の側面
１４  積層体の第２の側面
１５  積層体の第１の端面
１６  積層体の第２の端面
２０  誘電体セラミック層
２１  第１の内部電極層
２２  第２の内部電極層
３０  内層部
３１、３２  外層部
４１、４２  サイドマージン部
４１ａ、４２ａ  インナー層
４１ｂ、４２ｂ  アウター層
５１  第１の外部電極
５２  第２の外部電極
１０１  第１のセラミックグリーンシート
１０２  第２のセラミックグリーンシート
１０３  第３のセラミックグリーンシート
１０４  マザーブロック
１１０  グリーンチップ
１１３  グリーンチップの第１の側面
１１４  グリーンチップの第２の側面
１１５  グリーンチップの第１の端面
１１６  グリーンチップの第２の端面
１２０  未焼成の誘電体セラミック層
１２１  未焼成の第１の内部電極層
１２２  未焼成の第２の内部電極層
Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４  コーナー部
Ｒ１、Ｒ２  内部電極層の幅方向の端部から積層体のコーナー部までの距離
Ｔ１、Ｔ２  外層部の積層方向の寸法の最大値
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ０  サイドマージン部の幅方向の寸法の最大値
ＩＬ１１、ＩＬ１２、ＩＬ１３、ＩＬ１４  仮想線
Ｐ１１  仮想線ＩＬ１１及び仮想線ＩＬ１３が交わる点
Ｐ１２  仮想線ＩＬ１１及び仮想線ＩＬ１４が交わる点
Ｑ１１  仮想線ＩＬ１２及び仮想線ＩＬ１３が交わる点
Ｑ１２  仮想線ＩＬ１２及び仮想線ＩＬ１４が交わる点
Ｌａ、Ｌｂ、Ｌｃ、Ｌｄ、Ｌｅ  直線
Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ、Ｄｄ、Ｄｅ、Ｅａ、Ｅｂ、Ｅｃ、Ｅｄ、Ｅｅ  厚み
Ｘ，Ｙ  切断線
【図１】
2020167200.tif 000003
【図２】
2020167200.tif 000004
【図３】
2020167200.tif 000005
【図４】
2020167200.tif 000006
【図５】
2020167200.tif 000007
【図６】
2020167200.tif 000008
【図７】
2020167200.tif 000009
【図８】
2020167200.tif 000010
【図９】
2020167200.tif 000011
【図１０】
2020167200.tif 000012
【図１１】
2020167200.tif 000013