(57)【要約】【課題】  高い耐湿性を備えるとともに、外部電極が高い強度を備えた積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】  セラミック層１ａと内部電極２、３と有する容量素子１と、容量素子１に形成された外部電極４〜７と、を備え、外部電極４〜７は、Ｎｉを主成分とするＮｉ下地電極層８と、Ｃｕめっき電極層９と、少なくとも１層の第２めっき電極層（Ｎｉめっき電極層１０、Ｓｎめっき電極層１１）と、を有し、Ｃｕめっき電極層９が、Ｎｉ下地電極層側８に形成されたＮｉが拡散したＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａと、第２めっき電極層側に形成されたＮｉが拡散していないＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとで構成され、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸが、３μｍ以上、１２μｍ以下であり、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ａの厚さＴＹが、０．５μｍ以上であるものとする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層と複数の内部電極と有し、高さ方向において相互に対向する１対の主面と、前記高さ方向に直交する長さ方向において相互に対向する１対の端面と、前記高さ方向および前記長さ方向に直交する幅方向において相互に対向する１対の側面とを有する容量素子と、
前記容量素子の外表面に形成された少なくとも２つの外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は、前記端面および／または前記側面において前記容量素子の外表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
前記外部電極は、
前記容量素子の外表面に形成されたＮｉを主成分とするＮｉ下地電極層と、
前記Ｎｉ下地電極層の外表面に形成されたＣｕめっき電極層と、
前記Ｃｕめっき電極層の外表面に形成された少なくとも１層の第２めっき電極層と、を有し、
前記Ｃｕめっき電極層が、前記Ｎｉ下地電極層側に形成されたＮｉが拡散したＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層と、前記第２めっき電極層側に形成されたＮｉが拡散していないＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層とで構成され、
前記Ｃｕめっき電極層の厚さが、３μｍ以上、１２μｍ以下であり、
前記Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが、０．５μｍ以上である、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第２めっき電極層が、Ｓｎめっき電極層を含む、請求項１に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記第２めっき電極層が、
前記Ｃｕめっき電極層の外表面に形成されたＮｉめっき電極層と、
前記Ｎｉめっき電極層の外表面に形成された前記Ｓｎめっき電極層と、を含む、請求項２に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが、１μｍ以上である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが、２μｍ以上である、請求項４に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層に、ＣｕとＮｉとの合金が存在する、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記Ｎｉ下地電極層が、前記容量素子側に形成されたＣｕが拡散していないＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層と、前記Ｃｕめっき電極層側に形成されたＣｕが拡散したＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層とで構成された、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記内部電極が第１内部電極と第２内部電極とを有し、
前記第１内部電極が、両方の前記端面から前記容量素子の外表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
前記第２内部電極が、少なくとも一方の前記側面から前記容量素子の外表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
３端子型コンデンサが構成された、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
セラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記セラミックグリーンシートの主面に、必要に応じて、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
複数の前記セラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、未焼成容量素子を作製する工程と、
前記未焼成容量素子の外表面に、Ｎｉ下地電極層を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
前記未焼成容量素子を焼成し、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層され、かつ、外表面にＮｉ下地電極層が形成された容量素子を作製する工程と、
前記Ｎｉ下地電極層の外表面に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、
前記容量素子を熱処理し、前記Ｎｉ下地電極層に含まれるＮｉを前記Ｃｕめっき電極層に拡散させ、前記Ｃｕめっき電極層に、前記Ｎｉ下地電極層側に形成されたＮｉが拡散したＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層と、前記第２めっき電極層側に形成されたＮｉが拡散していないＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層とを形成する工程と、
前記Ｃｕめっき電極層の外表面に、少なくとも１層の第２めっき電極層を形成する工程と、を備え、
前記Ｃｕめっき電極層の厚さが、３μｍ以上、１２μｍ以下であり、
前記Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが、０．５μｍ以上である積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記第２めっき電極層が、Ｓｎめっき電極層を含む、請求項９に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１１】
前記第２めっき電極層が、
前記Ｃｕめっき電極層の外表面に形成されたＮｉめっき電極層と、
前記Ｎｉめっき電極層の外表面に形成された前記Ｓｎめっき電極層と、を含む、請求項１０に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、更に詳しくは、耐湿性の向上と、外部電極の強度の向上とをはかった積層セラミックコンデンサに関する。
【０００２】
また、本発明は、本発明の積層セラミックコンデンサを製造するのに適した積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般的な積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層された容量素子を備え、容量素子の外表面に外部電極が形成されている。内部電極は、容量素子の端面や側面に引出されて、外部電極と接続されている。
【０００４】
外部電極は、たとえば、導電性ペーストを塗布し、焼成して形成された下地電極層と、下地電極層の外表面に形成されためっき電極層とで構成される。めっき電極層は、必要に応じて、複数の層で構成される場合がある。
【０００５】
たとえば、特許文献１（特開２０１７-１６８４８８号公報）には、導電性ペーストを焼付けて形成したＮｉを主成分とする下地電極層と、下地電極層の外表面に形成されたＣｕめっき電極層と、Ｃｕめっき電極層の外表面に形成されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層の外表面に形成されたＳｎめっき電極層とで構成された外部電極を備えた積層セラミックコンデンサが開示されている。
【０００６】
特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサにおいて、Ｃｕめっき電極層は、主に耐湿性を向上させるために設けられているものと考えられる。
【０００７】
しかしながら、Ｎｉを主成分とする下地電極層とＣｕめっき電極層とは、材質および形成方法が異なるため、密着性（接合力）が高くない。そのため、特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサでは、Ｎｉを主成分とする下地電極層とＣｕめっき電極層の間に剥離が発生し、外部電極が破損する場合があった。また、Ｎｉを主成分とする下地電極層とＣｕめっき電極層との剥離によって形成された隙間を経由して水分が内部電極に到達するなどして、積層セラミックコンデンサの特性が耐湿性不良によって劣化する場合があった。
【０００８】
この問題に対する対応策が、特許文献２（特開２０１２-９８１３号公報）に開示されている。
【０００９】
特許文献２には、下地電極層の上にＣｕめっき電極層を形成した後に、熱処理をおこない、下地電極層に含まれる金属（たとえばＮｉ）をＣｕめっき電極層に拡散させた積層セラミックコンデンサ（以下において「特許文献２の第１の積層セラミックコンデンサ」という場合がある）が開示されている。特許文献２の第１の積層セラミックコンデンサにおいては、Ｃｕめっき電極層の下地電極層側の表層に金属（たとえばＮｉ）が拡散しているため、下地電極層とＣｕめっき電極層との密着性が向上していると記載されている。なお、上記の熱処理においては、Ｃｕめっき電極層に含まれるＣｕも、下地電極層に拡散しているものと考えられる。
【００１０】
また、特許文献２には、下地電極層の上に第１のＣｕめっき電極層を形成した後に、熱処理をおこない、下地電極層に含まれる金属（たとえばＮｉ）を第１のＣｕめっき電極層に拡散させ、続いて、第１のＣｕめっき電極層の上に第２のＣｕめっき電極層を形成した積層セラミックコンデンサ（以下において「特許文献２の第２の積層セラミックコンデンサ」という場合がある）が開示されている。特許文献２の第２の積層セラミックコンデンサにおいては、第１のＣｕめっき電極層の下地電極層側の表層に金属（たとえばＮｉ）が拡散しているため、下地電極層と第１のＣｕめっき電極層との密着性が向上していると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１７-１６８４８８号公報
【特許文献２】特開２０１２-９８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献２の第１の積層セラミックコンデンサは、Ｃｕめっき電極層の下地電極層側の表層に下地電極層に含まれる金属（たとえばＮｉ）を拡散させたため、下地電極層とＣｕめっき電極層との密着性が向上している。しかしながら、特許文献２には、下地電極層に含まれる金属をＣｕめっき電極層にどの程度、拡散させれば良いかが開示されていない。
【００１３】
下地電極層に含まれる金属をＣｕめっき電極層に拡散させる熱処理においては、下地電極層に含まれる金属がＣｕめっき電極層に拡散するだけではなく、Ｃｕめっき電極層に含まれるＣｕが下地電極層に拡散する。そして、Ｃｕが抜けたＣｕめっき電極層には、小孔が形成される。
【００１４】
そのため、特許文献２の第１の積層セラミックコンデンサには、下地電極層に含まれる金属をＣｕめっき電極層に拡散させる熱処理を過度におこなうと、Ｃｕめっき電極層の表裏間が小孔によって繋がってしまい、外部電極（Ｃｕめっき電極層）の耐湿性が低下してしまう虞があった。
【００１５】
一方、特許文献２の第２の積層セラミックコンデンサは、第１のＣｕめっき電極層の下地電極層側の表層に下地電極層に含まれる金属を拡散させたため、下地電極層と第１のＣｕめっき電極層との密着性が向上している。また、特許文献２の第２の積層セラミックコンデンサは、下地電極層に含まれる金属を第１のＣｕめっき電極層に拡散させる熱処理を過度におこなっても、第２のＣｕめっき電極層が存在しているため十分な耐湿性が維持される。
【００１６】
しかしながら、特許文献２の第２の積層セラミックコンデンサは、製造するにあたり、第１のＣｕめっき電極層を形成する工程と、第２のＣｕめっき電極層を形成する工程とが必要であり、製造が煩雑で生産性が低いという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数のセラミック層と複数の内部電極と有し、高さ方向において相互に対向する１対の主面と、高さ方向に直交する長さ方向において相互に対向する１対の端面と、高さ方向および長さ方向に直交する幅方向において相互に対向する１対の側面とを有する容量素子と、容量素子の外表面に形成された少なくとも２つの外部電極と、を備え、内部電極は、端面および／または側面において容量素子の外表面に引出されて、外部電極に接続され、外部電極は、容量素子の外表面に形成されたＮｉを主成分とするＮｉ下地電極層と、Ｎｉ下地電極層の外表面に形成されたＣｕめっき電極層と、Ｃｕめっき電極層の外表面に形成された少なくとも１層の第２めっき電極層と、を有し、Ｃｕめっき電極層が、Ｎｉ下地電極層側に形成されたＮｉが拡散したＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層と、第２めっき電極層側に形成されたＮｉが拡散していないＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層とで構成され、Ｃｕめっき電極層の厚さが、３μｍ以上、１２μｍ以下であり、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが、０．５μｍ以上であるものとする。
【００１８】
また、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、セラミックグリーンシートを作製する工程と、セラミックグリーンシートの主面に、必要に応じて、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、未焼成容量素子を作製する工程と、未焼成容量素子の外表面に、Ｎｉ下地電極層を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、未焼成容量素子を焼成し、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層され、かつ、外表面にＮｉ下地電極層が形成された容量素子を作製する工程と、Ｎｉ下地電極層の外表面に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、容量素子を熱処理し、Ｎｉ下地電極層に含まれるＮｉをＣｕめっき電極層に拡散させ、Ｃｕめっき電極層に、Ｎｉ下地電極層側に形成されたＮｉが拡散したＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層と、第２めっき電極層側に形成されたＮｉが拡散していないＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層とを形成する工程と、Ｃｕめっき電極層の外表面に、少なくとも１層の第２めっき電極層を形成する工程と、を備え、Ｃｕめっき電極層の厚さが、３μｍ以上、１２μｍ以下であり、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが、０．５μｍ以上であるものとする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の積層セラミックコンデンサは、高い耐湿性を備えるとともに、外部電極が高い強度を備えている。
【００２０】
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、本発明の積層セラミックコンデンサを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。
【図２】積層セラミックコンデンサ１００の断面図である。
【図３】積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。
【図４】積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。
【図５】第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の斜視図である。
【図６】積層セラミックコンデンサ２００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２３】
なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。
【００２４】
［第１実施形態］
図１〜図４に、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を示す。ただし、図１は、積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１００の断面図であり、図１に一点鎖線矢印で示したＸ-Ｘ部分を示している。図３は、積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。図４は、積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。なお、図中に積層セラミックコンデンサ１００の高さ方向Ｔ、長さ方向Ｌ、幅方向Ｗを示しており、以下の説明において、これらの方向に言及する場合がある。なお、本実施形態においては、後述するセラミック層１ａの積層方向を、積層セラミックコンデンサ１００の高さ方向Ｔと定義している。
【００２５】
積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状からなる容量素子１を備えている。容量素子１は、高さ方向Ｔにおいて相互に対向する１対の主面１Ａ、１Ｂと、高さ方向Ｔに直行する長さ方向Ｌにおいて相互に対向する１対の端面１Ｃ、１Ｄと、高さ方向Ｔおよび長さ方向Ｌの両方に直行する幅方向Ｗにおいて相互に対向する１対の側面１Ｅ、１Ｆを有している。
【００２６】
積層セラミックコンデンサ１００の寸法は任意である。ただし、高さ方向Ｔの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ〜２．５ｍｍ程度とすることができる。長さ方向Ｌの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ〜３．２ｍｍ程度とすることができる。幅方向Ｗの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ〜２．５ｍｍ程度とすることができる。
【００２７】
容量素子１は、複数のセラミック層１ａと複数の内部電極２、３が積層されたものからなる。なお、内部電極２が第１内部電極、内部電極３が第２内部電極に該当する。
【００２８】
容量素子１（セラミック層１ａ）の材質は任意であるが、たとえば、ＢａＴｉＯ３を主成分とする誘電体セラミックスを使用することができる。ただし、ＢａＴｉＯ３に代えて、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３など、他の材質を主成分とする誘電体セラミックスを使用してもよい。
【００２９】
セラミック層１ａの厚さは任意であるが、たとえば、内部電極２、３が形成された容量形成の実効領域において、０．３μｍ〜２．０μｍ程度とすることができる。
【００３０】
セラミック層１ａの層数は任意であるが、たとえば、内部電極２、３が形成された容量形成の実効領域において、１層〜６０００層とすることができる。
【００３１】
容量素子１の上下両側に、内部電極２、３が形成されず、セラミック層１ａのみで構成された外層（保護層）が設けられている。外層の厚さは任意であるが、たとえば、１５μｍ〜１５０μｍとすることができる。なお、外層領域のセラミック層１ａの厚さは、内部電極２、３が形成されている容量形成の実効領域のセラミック層１ａの厚さよりも大きくしてもよい（ただし、図２、図３においては、外層領域と実効領域とにおいてセラミック層１ａの厚さを同じ厚さに示している）。また、外層領域のセラミック層１ａの材質は、実効領域のセラミック層１ａの材質と異なっていてもよい。
【００３２】
図４の分解斜視図は、容量素子１の高さ方向Ｔにおける中央付近を、セラミック層１ａごとに分解して示したものである。図４から分かるように、内部電極２は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌに伸び、容量素子１の両方の端面１Ｃ、１Ｄに引出されている。内部電極３は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌに伸び、容量素子１の両方の側面１Ｅ、１Ｆに引出されている。なお、内部電極２と内部電極３は、原則として交互に積層されている。
【００３３】
内部電極２、３の主成分の材質は任意であるが、本実施形態においては、Ｎｉを使用した。ただし、Ｎｉに代えて、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどは、他の金属との合金であってもよい。
【００３４】
内部電極２、３の厚さは任意であるが、たとえば、０．３μｍ〜１．５μｍ程度とすることができる。
【００３５】
内部電極２、３と、容量素子１の側面１Ｅ、１Ｆとの間のギャップ寸法は任意であるが、たとえば、１０μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。また、内部電極３と、容量素子１の端面１Ｃ、１Ｄとの間のギャップ寸法は任意であるが、たとえば、０．５μｍ〜３００μｍ程度とすることができる。
【００３６】
容量素子１の外表面に、外部電極４、５、６、７が形成されている。
【００３７】
外部電極４は、容量素子１の端面１Ｃに形成されている。外部電極４は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｃから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。
【００３８】
外部電極５は、容量素子１の端面１Ｄに形成されている。外部電極５は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｄから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。
【００３９】
外部電極６は、容量素子１の側面１Ｅに形成されている。外部電極６は、Ｃ字形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の側面１Ｅから、主面１Ａ、１Ｂに延出して形成されている。
【００４０】
外部電極７は、容量素子１の側面１Ｆに形成されている。外部電極７は、Ｃ字形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の側面１Ｆから、主面１Ａ、１Ｂに延出して形成されている。
【００４１】
積層セラミックコンデンサ１００においては、容量素子１の端面１Ｃに引出された内部電極２が、外部電極４に接続されている。容量素子１の端面１Ｄに引出された内部電極２が、外部電極５に接続されている。容量素子１の側面１Ｅに引出された内部電極３が、外部電極６に接続されている。容量素子１の側面１Ｆに引出された内部電極３が、外部電極７に接続されている。
【００４２】
内部電極２が外部電極４、５に接続され、内部電極３が外部電極６、７に接続された積層セラミックコンデンサ１００は、３端子型コンデンサとして使用することができる。すなわち、積層セラミックコンデンサ１００は、回路において電源ラインまたは信号ラインを途中で分断し、分断した一方に外部電極４を接続し、分断した他方に外部電極５を接続し、かつ、外部電極６、７をグランドに接続することによって、３端子型コンデンサとして使用することができる。この場合、内部電極２がスルー電極になり、内部電極３がグランド電極になる。
【００４３】
外部電極４〜７は、いずれも、同一の多層構造を有している。具体的には、外部電極４〜７は、図２、図３に示すように、それぞれ、容量素子１の外表面に形成されたＮｉ下地電極層８と、Ｎｉ下地電極層８の外表面に形成されたＣｕめっき電極層９と、Ｃｕめっき電極層９の外表面に形成されたＮｉめっき電極層１０と、Ｎｉめっき電極層１０の外表面に形成されたＳｎめっき電極層１１とを有している。なお、Ｎｉめっき電極層１０とＳｎめっき電極層１１とを、Ｃｕめっき電極層９の外表面に付加した、第２めっき電極と呼ぶ場合がある。
【００４４】
そして、Ｎｉ下地電極層８は、容量素子１側に形成されたＣｕが拡散していないＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａと、Ｃｕめっき電極層９側に形成されたＣｕが拡散したＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂとで構成されている。また、Ｃｕめっき電極層９は、Ｎｉ下地電極層８側に形成されたＮｉが拡散したＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａと、第２めっき電極層側に形成されたＮｉが拡散していないＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとで構成されている。
【００４５】
Ｎｉ下地電極層８は、外部電極４〜７のベースとなる部分である。Ｎｉ下地電極層８は、Ｎｉを主成分にしている。ただし、Ｎｉ下地電極層８に、セラミックスが含まれることも好ましい。この場合には、容量素子１とＮｉ下地電極層８との密着性を向上させることができるからである。また、Ｎｉ下地電極層８に含まれるセラミックスの組成は、容量素子１を構成するセラミックスの組成と同じであることも好ましい。この場合には、容量素子１とＮｉ下地電極層８との密着性をより向上させることができるからである。
【００４６】
Ｎｉ下地電極層８の厚さは任意であるが、たとえば、９μｍ〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００４７】
上述したとおり、Ｎｉ下地電極層８は、容量素子１側に形成されたＣｕが拡散していないＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａと、Ｃｕめっき電極層９側に形成されたＣｕが拡散したＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂとで構成されている。Ｃｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａとＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂとの境界は、Ｎｉ下地電極層８の断面をＷＤＸ（Wavelength-Dispersive X-ray spectrometry；波長分散型Ｘ線分光法）によって分析したとき、Ｃｕが検出されるか否かで判断することができる。すなわち、Ｃｕが検出されない部分がＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａであり、Ｃｕが検出される部分がＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂである。
【００４８】
Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂに含まれるＣｕは、熱処理によって、Ｃｕめっき電極層９から拡散されたものである。Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂは、Ｎｉ下地電極層８（Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂ）とＣｕめっき電極層９（Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａ）との密着性を向上させることを目的として設けられたものである。
【００４９】
Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂは、熱処理によって、Ｃｕめっき電極層９からＣｕが拡散される部分であるとともに、Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａに拡散されるＮｉを供給する部分でもある。すなわち、Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂおよびＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａにおいては、ＮｉおよびＣｕが相互拡散している。
【００５０】
なお、Ｃｕめっき電極層９から多量のＣｕが拡散された場合には、Ｎｉ下地電極層８が、Ｃｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａを備えずに、Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂのみで構成される場合もある。
【００５１】
Ｃｕめっき電極層９は、主に耐湿性を向上させる機能を果たしている。
【００５２】
図３に示すＣｕめっき電極層９の厚さＴＸは、３μｍ以上、１２μｍ以下である。Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸが３μｍよりも小さいと、Ｃｕめっき電極層９の耐湿性の機能が低下してしまうからである。また、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸが１２μｍよりも大きいと、外部電極４〜７の厚さが必要以上に大きくなってしまい、その分だけ容量素子１の寸法を小さくしなければならず、内部電極２、３の面積を小さくしたり、セラミック層１ｂ、内部電極２、３の層数を減らしたりしなければならず、積層セラミックコンデンサ１００の静電容量が小さくなってしまう虞があるからである。
【００５３】
Ｃｕめっき電極層９の表面粗さＲＡは任意であるが、たとえば、０．１μｍ〜１．０μｍ程度とすることができる。
【００５４】
上述したとおり、Ｃｕめっき電極層９は、Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａとＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとで構成されている。Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａとＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとの境界は、Ｃｕめっき電極層９の断面をＷＤＸによって分析したとき、Ｎｉが検出されるか否かで判断することができる。すなわち、Ｎｉが検出される部分がＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａであり、Ｎｉが検出されない部分がＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂである。
【００５５】
Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａに含まれるＮｉは、熱処理によって、Ｎｉ下地電極層８から拡散されたものである。Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａは、Ｎｉ下地電極層８（Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂ）とＣｕめっき電極層９（Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａ）との密着性を上げ、固着性や耐湿信頼性を向上させることを目的として設けられたものである。
【００５６】
Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａは、熱処理によって、Ｎｉ下地電極層８からＮｉが拡散される部分であるとともに、Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂに拡散されるＣｕを供給する部分でもある。すなわち、上述したとおり、Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂおよびＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａにおいては、ＮｉおよびＣｕが相互拡散している。
【００５７】
Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａには、Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂに供給したＣｕが抜けたあとに、小孔が形成される。そのため、Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａは、耐湿性が低い。
【００５８】
Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａは、Ｎｉ拡散量が多いほど好ましい。この場合には、Ｎｉ下地電極層８（Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂ）とＣｕめっき電極層９（Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａ）との密着性が更に向上するからである。
【００５９】
Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂは、Ｃｕめっき電極層９において、熱処理をおこなっても、Ｎｉ下地電極層８からＮｉが拡散しなかった部分である。Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂは、熱処理後においても、高い耐湿性が維持される。
【００６０】
図３に示すＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹは、０．５μｍ以上である。熱処理後においても高い耐湿性が維持されるＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹが０．５μｍよりも小さくなると、主に耐湿性を向上させるためにＣｕめっき電極層９を設けたにもかかわらず、Ｃｕめっき電極層９の耐湿性が低下してしまうからである。
【００６１】
Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹは、１μｍ以上であることが好ましい。この場合には、Ｃｕめっき電極層９の高い耐湿性を確実に維持することができるからである。
【００６２】
Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹは、２μｍ以上であることが更に好ましい。この場合には、Ｃｕめっき電極層９の高い耐湿性を更に確実に維持することができるからである。
【００６３】
上述したとおり、本実施形態においては、Ｎｉめっき電極層１０とＳｎめっき電極層１１との２層が、Ｃｕめっき電極層９の外表面に形成された第２めっき電極層に該当する。ただし、第２めっき電極層の層数は任意であり、２層に代えて、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。また、第２めっき電極層の各層の材質も任意であり、Ｎｉ、Ｓｎ以外の金属からなるめっき電極層であってもよい。
【００６４】
Ｎｉめっき電極層１０は、主に、はんだ耐熱性を向上させるとともに、密着性を向上させる機能を果たしている。Ｓｎめっき電極層１１は、主にはんだ付け性を向上させる機能を果たしている。
【００６５】
Ｎｉめっき電極層１０の厚さは任意であるが、たとえば、２μｍ〜７μｍ程度とすることができる。
【００６６】
Ｓｎめっき電極層１１の厚さは任意であるが、たとえば、１μｍ〜８μｍ程度とすることができる。
【００６７】
Ｃｕめっき電極層９、Ｎｉめっき電極層１０、Ｓｎめっき電極層１１は、それぞれ、不純物を含んでいてもよい。また、Ｃｕめっき電極層９、Ｎｉめっき電極層１０、Ｓｎめっき電極層１１は、それぞれ、合金であってもよい。
【００６８】
以上の構造からなる積層セラミックコンデンサ１００は、Ｎｉ下地電極層８にＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂが形成され、Ｃｕめっき電極層９にＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａが形成されているため、Ｎｉ下地電極層８（Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂ）とＣｕめっき電極層９（Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａ）とが高い密着性で接合されている。したがって、積層セラミックコンデンサ１００は、Ｎｉ下地電極層８とＣｕめっき電極層９とが剥離しにくく、両者の間に隙間が形成されにくい。そのため、積層セラミックコンデンサ１００は、外部電極４〜７が高い強度を備えている。
【００６９】
また、積層セラミックコンデンサ１００は、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸが３μｍ以上であるため、Ｃｕめっき電極層９が高い耐湿性を備えている。
【００７０】
また、積層セラミックコンデンサ１００は、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸが１２μｍ以下であるため、外部電極４〜７の厚さが必要以上に大きくならず、容量素子１を十分に大きな寸法にすることができ、大きな静電容量を得ることができる。
【００７１】
また、積層セラミックコンデンサ１００は、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹが０．５μｍ以上であるため、熱処理後においても、Ｃｕめっき電極層９の耐湿性が低下することがない。
【００７２】
（耐湿負荷試験）
本発明の有効性を確認するために、以下の耐湿負荷試験をおこなった。
【００７３】
まず、実施例にかかる試料を作製した。実施例にかかる試料は、積層セラミックコンデンサ１００の構造において、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸを３μｍとし、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹを０．５μｍとした。
【００７４】
次に、比較例１にかかる試料を作製した。比較例１にかかる試料は、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸを３μｍとし、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹを３μｍとした。すなわち、比較例１にかかる試料は、Ｃｕめっき電極層９を形成した後に熱処をおこなわず、Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａを形成せず、Ｃｕめっき電極層９の全てをＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとした。
【００７５】
次に、比較例２にかかる試料を作製した。比較例２にかかる試料は、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸを３μｍとし、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹを０．４μｍとした。
【００７６】
次に、比較例３にかかる試料を作製した。比較例３にかかる試料は、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸを３μｍとし、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹを０μｍとした。すなわち、比較例３にかかる試料は、Ｃｕめっき電極層９を形成した後の熱処によって、Ｃｕめっき電極層９の全てをＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａとし、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂを形成しなかった。
【００７７】
次に、実施例にかかる試料と、比較例１〜３にかかる試料とを、各１０個ずつ、共晶半田を用いてガラスエポキシ基板に実装した。続いて、各試料の絶縁抵抗値を測定した。
【００７８】
次に、各ガラスエポキシ基板を高温高湿槽内に入れ、１２５℃、相対湿度９５％ＲＨの環境下において、各試料に対して、３．２Ｖの電圧を７２時間印加した。続いて、耐湿負荷試験後の各試料の絶縁抵抗値を測定した。
【００７９】
各試料において、耐湿負荷試験の前後において、１桁以上、絶縁抵抗値が低下したものを耐湿不良としてカウントした。
【００８０】
表１に、実施例および比較例１〜３それぞれについて、耐湿不良の発生数を示す。
【表１】
2020167231.tif 000003
【００８１】
比較例１においては、１０個のうち、１０個に耐湿不良が発生した。比較例１においては、Ｎｉ下地電極層８がＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂを備えておらず、Ｃｕめっき電極層９がＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａを備えていないため、Ｎｉ下地電極層８とＣｕめっき電極層９との密着性が低い。そのため、比較例１においては、Ｎｉ下地電極層８とＣｕめっき電極層９との間に隙間が発生し、その隙間を経由して水分が内部電極に到達するなどして、耐湿不良が発生してしまったものと考えられる。
【００８２】
一方、実施例においては、耐湿不良は発生しなかった。
【００８３】
また、比較例２においては、１０個のうち、１個に耐湿不良が発生した。Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹが０．４μｍであり、０．５μｍよりも小さかったため、Ｃｕめっき電極層９の耐湿性が低下してしまったものと考えられる。
【００８４】
また、比較例３においては、１０個のうち、５個に耐湿不良が発生した。Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹが０μｍであったため、Ｃｕめっき電極層９の耐湿性が更に低下してしまったものと考えられる。
【００８５】
以上の耐湿負荷試験により、本発明の有効性が確認できた。
【００８６】
（積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例）
第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例について説明する。
【００８７】
まず、内部に内部電極２、３が形成され、外表面に外部電極４〜７のＮｉ下地電極層８が形成された容量素子１を作製する。
【００８８】
具体的には、まず、誘電体セラミックスの粉末、バインダー樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してセラミックスラリーを作製する。
【００８９】
次に、キャリアフィルム上に、セラミックスラリーをダイコータ、グラビアコーター、マイクログラビアコーターなどを用いてシート状に塗布し、乾燥させて、セラミックグリーンシートを作製する。
【００９０】
次に、所定のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極２、３を形成するために、予め用意した導電性ペーストを所望のパターン形状に塗布（たとえば印刷）する。なお、外層となるセラミックグリーンシートには、導電性ペーストは塗布しない。なお、導電性ペーストには、たとえば、溶剤、バインダー樹脂、金属粉末（たとえばＮｉ粉末）などを混合したものを使用することができる。
【００９１】
次に、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、加熱圧着して一体化させ、未焼成容量素子を作製する。
【００９２】
次に、未焼成容量素子の外表面に、Ｎｉ下地電極層８を形成するために、導電性ペーストを所望の形状に塗布する。なお、導電性ペーストには、たとえば、溶剤、バインダー樹脂、Ｎｉ粉末、セラミックス粉末などを混合したものを使用することができる。
【００９３】
次に、未焼成容量素子を、所定のプロファイルで焼成して容量素子１を完成させる。このとき、セラミックグリーンシートが焼成されてセラミック層１ａになり、セラミックグリーンシートの主面に塗布された導電性ペーストが同時に焼成されて内部電極２、３になり、未焼成容量素子の外表面に塗布された導電性ペーストが同時に焼成されてＮｉ下地電極層８になる。
【００９４】
次に、外部電極４〜７のＮｉ下地電極層８の外表面に、Ｃｕめっき電極層９を形成する。Ｃｕめっき電極層９の厚さは、３μｍ以上、１２μｍ以下にする。
【００９５】
次に、外表面に外部電極４〜７のＮｉ下地電極層８、Ｃｕめっき電極層９が形成された容量素子１を熱処理する。この結果、Ｎｉ下地電極層８にＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａとＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂとが形成され、Ｃｕめっき電極層９にＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａとＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとが形成される。
【００９６】
熱処理の温度および時間は、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さが０．５μｍ以上となるように制御する。熱処理の温度は任意であるが、たとえば、３００℃〜１０００℃程度とすることができる。熱処理の時間も任意であるが、たとえば、１分〜２４０分程度とすることができる。時間が一定の場合、温度が高いほどＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さは小さくなり、温度が一定の場合、時間が長いほどＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さは小さくなる。
【００９７】
次に、外部電極４〜７のＣｕめっき電極層９の外表面に、Ｎｉめっき電極層１０を形成する。なお、Ｎｉめっき電極層１０を形成する際に、はんだボールをメディアとして使用すると、Ｃｕめっき電極層９とＮｉめっき電極層１０との界面に、Ｓｎの層が形成される場合がある。
【００９８】
最後に、Ｎｉめっき電極層１０の外表面に、Ｓｎめっき電極層１１を形成し、外部電極４〜７を完成させて、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を完成させる。
【００９９】
なお、Ｓｎめっき電極層１１を形成する際のめっき液には、多量の界面活性剤が混合される場合があり、めっき液が外部電極４〜７の内側に浸入しやすく、更にはめっき液が内部電極２、３に到達しやすい。そして、めっき液が内部電極２、３に到達することによって、特性不良（耐湿不良）を招くことがある。しかしながら、積層セラミックコンデンサ１００においては、外部電極４〜７のＣｕめっき電極層９の厚さＴＸが３μｍ以上であり、かつ、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹが０．５μｍ以上であり、Ｃｕめっき電極層９が高い耐湿性を備えているため、そのような特性不良が発生しにくい。
【０１００】
［第２実施形態］
図５、図６に、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を示す。ただし、図５は、積層セラミックコンデンサ２００の斜視図である。図６は、積層セラミックコンデンサ２００の断面図であり、図５に一点鎖線矢印で示したＹ-Ｙ部分を示している。
【０１０１】
第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００は３端子型コンデンサであったが、積層セラミックコンデンサ２００は２端子型コンデンサとした。
【０１０２】
積層セラミックコンデンサ２００は、容量素子１が、複数のセラミック層１ａと、複数の内部電極２２、２３とが積層されたものからなる。内部電極２２、２３は、いずれも、長さ方向Ｌに伸び、平面視において矩形形状をしている。そして、内部電極２２が容量素子１の端面１Ｃに引出され、内部電極２３が容量素子１の端面１Ｄに引出されている。
【０１０３】
容量素子１の外表面に、外部電極２４、２５が形成されている。
【０１０４】
外部電極２４は、容量素子１の端面１Ｃに形成されている。外部電極２４は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｃから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。
【０１０５】
外部電極２５は、容量素子１の端面１Ｄに形成されている。外部電極２５は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｄから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。
【０１０６】
積層セラミックコンデンサ２００においては、容量素子１の端面１Ｃに引出された内部電極２２が、外部電極２４に接続されている。また、容量素子１の端面１Ｄに引出された内部電極２３が、外部電極２５に接続されている。
【０１０７】
外部電極２４、２５は、それぞれ、容量素子１の外表面に形成されたＮｉ下地電極層８と、Ｎｉ下地電極層８の外表面に形成されたＣｕめっき電極層９と、Ｃｕめっき電極層９の外表面に形成されたＮｉめっき電極層１０と、Ｎｉめっき電極層１０の外表面に形成されたＳｎめっき電極層１１とを有している。
【０１０８】
積層セラミックコンデンサ２００においても、Ｎｉ下地電極層８がＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層８ａとＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層８ｂとで構成され、Ｃｕめっき電極層９がＮｉ拡散Ｃｕめっき電極層９ａとＮｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂとで構成されている。
【０１０９】
積層セラミックコンデンサ２００においても、Ｃｕめっき電極層９の厚さＴＸは３μｍ以上、１２μｍ以下であり、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層９ｂの厚さＴＹは０．５μｍ以上である。
【０１１０】
このように、本発明の積層セラミックコンデンサは、２端子型コンデンサとして構成してもよい。
【０１１１】
以上、第１実施形態、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００、２００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。
【０１１２】
たとえば、積層セラミックコンデンサ１００、２００では、第２めっき層として、Ｎｉめっき電極層１０とＳｎめっき電極層１１との２層を設けたが、第２めっき層の層数、材質などは任意であり、適宜、変更することができる。
【０１１３】
また、積層セラミックコンデンサ１００では、３端子型コンデンサを構成するにあたり、グランドに接続する電極として２つの外部電極６、７を形成したが、容量素子１の外表面において外部電極６と外部電極７とを繋ぎ、１つの共通外部電極としてもよい。この場合において、内部電極３は、容量素子１の両方の側面１Ｅ、１Ｆにおいて共通外部電極に接続されることが好ましいが、電気的には側面１Ｅ、１Ｆの少なくとも一方において共通外部電極に接続されていればよい。
【０１１４】
本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。
【０１１５】
この積層セラミックコンデンサにおいて、第２めっき電極層が、Ｓｎめっき電極層を含むことも好ましい。この場合には、Ｓｎめっき電極層によって外部電極のはんだ付け性を向上させることができる。
【０１１６】
また、第２めっき電極層が、Ｃｕめっき電極層の外表面に形成されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層の外表面に形成されたＳｎめっき電極層と、を含むことも好ましい。この場合には、Ｎｉめっき電極層によってはんだ耐熱性を付与するとともに密着性を向上させ、Ｓｎめっき電極層によってはんだ付け性を向上させることができる。
【０１１７】
また、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが１μｍ以上であることも好ましい。この場合には、Ｃｕめっき電極層の高い耐湿性を、確実に維持することができるからである。
【０１１８】
また、Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層の厚さが２μｍ以上であることも好ましい。この場合には、Ｃｕめっき電極層の高い耐湿性を、更に確実に維持することができるからである。
【０１１９】
また、Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層に、ＣｕとＮｉとの合金が存在することも好ましい。この場合には、Ｎｉ下地電極層とＣｕめっき電極層との密着性が更に向上するからである。
【０１２０】
また、Ｎｉ下地電極層が、容量素子側に形成されたＣｕが拡散していないＣｕ非拡散Ｎｉ下地電極層と、Ｃｕめっき電極層側に形成されたＣｕが拡散したＣｕ拡散Ｎｉ下地電極層とで構成されることも好ましい。この場合には、Ｎｉ下地電極層とＣｕめっき電極層との密着性が更に向上するからである。
【０１２１】
また、内部電極が第１内部電極と第２内部電極とを有し、第１内部電極が、両方の端面から容量素子の外表面に引出されて、外部電極に接続され、第２内部電極が、少なくとも一方の側面から容量素子の外表面に引出されて、外部電極に接続され、３端子型コンデンサが構成されることも好ましい。
【０１２２】
本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。
【０１２３】
この積層セラミックコンデンサの製造方法において、第２めっき電極層が、Ｓｎめっき電極層を含むことも好ましい。この場合には、Ｓｎめっき電極層によって外部電極のはんだ付け性を向上させることができる。
【０１２４】
また、第２めっき電極層が、Ｃｕめっき電極層の外表面に形成されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層の外表面に形成されたＳｎめっき電極層と、を含むことも好ましい。この場合には、Ｎｉめっき電極層によってはんだ耐熱性を付与するとともに密着性を向上させ、Ｓｎめっき電極層によってはんだ付け性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１２５】
１…容量素子
１ａ・・・セラミック層
１Ａ、１Ｂ・・・主面
１Ｃ、１Ｄ・・・端面
１Ｅ、１Ｆ・・・側面
２、３、２２、２３・・・内部電極
４、５、６、７・・・外部電極
８・・・Ｎｉ下地電極層
８ａ・・・Ｃｕ非拡散Ｎｉ下地電極層
８ｂ・・・Ｃｕ拡散Ｎｉ下地電極層
９・・・Ｃｕめっき電極層
９ａ・・・Ｎｉ拡散Ｃｕめっき電極層
９ｂ・・・Ｎｉ非拡散Ｃｕめっき電極層
１０・・・Ｎｉめっき電極層（第２めっき電極層）
１１・・・Ｓｎめっき電極層（第２めっき電極層）
【図１】
2020167231.tif 000004
【図２】
2020167231.tif 000005
【図３】
2020167231.tif 000006
【図４】
2020167231.tif 000007
【図５】
2020167231.tif 000008
【図６】
2020167231.tif 000009