(57)【要約】      （修正有）【課題】ゴースト量の少ない光学センサーモジュールを提供する。【解決手段】光学センサー５と、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過する光学フィルター３との間に、近赤外線吸収層を有する近赤外線吸収フィルター４を具備し、光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯMAX（ｎｍ）とした時、近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が２０〜８５％である、光学センサーモジュール１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学センサーと、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過する光学フィルターとの間に、近赤外線吸収層を有する近赤外線吸収フィルターを具備し、
前記光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯMAX（ｎｍ）とした時、
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が２０〜８５％である、
光学センサーモジュール。
【請求項２】
前記近赤外線吸収フィルターが下記要件（１）を満たす、請求項１に記載の光学センサーモジュール。
要件（１）：前記光学センサー側から、前記近赤外線吸収フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が７％以下
【請求項３】
前記光学フィルターが下記要件（３）を満たす、請求項１または２に記載の光学センサーモジュール。
要件（３）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長４００ｎｍ〜（λＯMAX−３０）ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
【請求項４】
前記光学フィルターが下記要件（４）を満たす、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
要件（４）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX＋４０）ｎｍ〜１２５０ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
【請求項５】
前記光学フィルターの前記光学センサー側に、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項６】
前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率の値をＴＯ（λＯMAX）［×１００％］とし、
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率をＴＡ（λＯMAX）［×１００％］とした時、
ＴＯ（λＯMAX）×ＴＡ（λＯMAX）が０．１５〜０．８５である、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項７】
前記光学センサーと前記近赤外線吸収フィルターとの間に空間を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項８】
前記波長λＯMAXが、８３０ｎｍ≦λＯMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯMAX≦１１５０ｎｍを満たす、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項９】
光学センサー、および、
誘電体多層膜と、基板と、近赤外線吸収層とを有する近赤外線吸収光学フィルター
を具備し、これらを、
誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、光学センサーの順、
誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、
基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、
基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、
誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、または、
誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順
で具備し、
前記近赤外線吸収光学フィルターは、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過し、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯＡMAX（ｎｍ）とした時、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯＡMAX［ｎｍ］における透過率ＴＯＡ（λＯＡMAX）［×１００％］が０．２〜０．８５である、
光学センサーモジュール。
【請求項１０】
前記近赤外線吸収光学フィルターが、前記近赤外線吸収層の前記光学センサー側に、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有する、請求項９に記載の光学センサーモジュール。
【請求項１１】
下記要件（２）を満たす、請求項９または１０に記載の光学センサーモジュール。
要件（２）：前記光学センサー側から、前記近赤外線吸収光学フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯＡMAX−１５）ｎｍ〜（λＯＡMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が８．２％以下
【請求項１２】
前記光学センサーと前記近赤外線吸収光学フィルターとの間に空間を有する、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項１３】
前記波長λＯＡMAXが、８３０ｎｍ≦λＯＡMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯＡMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯＡMAX≦１１５０ｎｍを満たす、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項１４】
前記近赤外線吸収層が、波長８５０〜１２００ｎｍに極大吸収波長を有する近赤外線吸収剤を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【請求項１５】
前記近赤外線吸収層の厚みが３〜１５０μｍである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光学センサーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学センサーモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル機器等のモバイル情報端末装置用途、先進運転支援システム用途、自動運転システム用途、航空機用途、無人航空機（ドローン）用途、ロボット用途、農機用途、医療器具用途などとして、人の眼に見えない利点を生かし、近赤外線を用いた、光学センサーモジュールを有する各種光学撮像装置などの光学センサー装置の開発が進められている。
【０００３】
このような光学センサー装置は、様々な用途への適用が検討されており、例えば、距離測定などの空間認識用途、モーション認識用途、個体識別、顔認証、虹彩認証、網膜認証、静脈認証などのセキュリティ用途、脈拍測定や血中酸素濃度測定、測定対象者のストレスチェックなどのヘルスケア用途、農作物や果実の品質検査、生育度合いの検出などの農業用途が挙げられる。
【０００４】
例えば、ガラス基板上に、高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に積層した誘電体多層膜を設けた光学フィルターにより、可視光線をカットし、特定波長の近赤外線を透過させることが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
前記特許文献１に記載されているような、誘電体多層膜による特定の波長の光を透過する光学フィルターは、阻止波長と透過波長間の遷移領域が狭く、急峻なカットが可能である。しかしながら、このような誘電体多層膜を形成した光学フィルターのみを、レンズと光学センサーとの間に組み込んだ光学撮像装置やセンサーでは、光学センサー側から光学フィルターに光が入射することがあり、この場合、該光学フィルターが高い反射率を有していることに起因し、このように光学フィルターに入射した光が光学フィルターにおいて反射し、図３（Ａ）に示すような光路１３によるゴーストが発生することが分かった。
【０００６】
また、図３（Ａ）に示すような光路１３によるゴーストは、光学センサー表面と光学フィルター間の反射、具体的には、光学フィルターを透過後、光学センサー表面で反射し、該光学フィルターを透過した際とは異なる角度で再度光学フィルターに入射し、反射した光に起因する。このため、入射角依存性の少ない特定波長の近赤外線を透過させる光学フィルターを用いることで、このようなゴーストを低減することが予想される。
【０００７】
このような入射角度依存性の少ない特定波長の近赤外線を透過させる光学フィルターとして、例えば、アモルファスシリコンを含む多層膜を有する光学フィルター（例えば、特許文献２参照）、誘電体多層膜における高屈折率層の割合を多くした設計による光学フィルター（例えば、特許文献３、４参照）、基板上に、干渉型フィルターと吸収型フィルターとを設けたフィルター構造（例えば、特許文献５参照）、特定化合物を含む樹脂層と誘電体多層膜とを有する光学フィルター（例えば、特許文献６）が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１５−１８４６２７号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１７／０３３６５４４号明細書
【特許文献３】特開２０１５−１１１２４１号公報
【特許文献４】国際公開第２０１３／０１５３０３号
【特許文献５】特開２０１８−１９４８０９号公報
【特許文献６】国際公開第２０１７／２１３０４７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年急速に小型化・軽量化が進むモバイル情報端末装置用途や、自動運転システム用途、航空機用途、無人航空機用途、ロボット用途などでは、屋外で使用される場合も多く、より距離の離れた物体を撮像および検出する場合があり、この場合、センサー感度を高感度に設定する必要がある場合がある。近赤外線に対するセンサー感度は可視光線に対するセンサー感度よりも高いことが多いうえに、このように、センサー感度を高感度に設定した場合、より小さなゴーストも検出されやすくなる。
【００１０】
前記従来の光学フィルターのみを光学センサーモジュールに用いた場合、ゴーストが起こりやすく、ゴースト強度が高かった。このようなゴーストの生じる光学センサーモジュールを用いると、正しい検出とは異なる誤認が発生するため、前記用途に好適に使用できない場合があった。
【００１１】
本発明は、以上のことに鑑みてなされたものであり、ゴースト量の少ない光学センサーモジュールを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、下記構成例によれば、前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明の構成例を以下に示す。
【００１３】
［１］  光学センサーと、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過する光学フィルターとの間に、近赤外線吸収層を有する近赤外線吸収フィルターを具備し、
前記光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯMAX（ｎｍ）とした時、
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が２０〜８５％である、
光学センサーモジュール。
【００１４】
［２］  前記近赤外線吸収フィルターが下記要件（１）を満たす、［１］に記載の光学センサーモジュール。
要件（１）：前記光学センサー側から、前記近赤外線吸収フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が７％以下
【００１５】
［３］  前記光学フィルターが下記要件（３）を満たす、［１］または［２］に記載の光学センサーモジュール。
要件（３）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長４００ｎｍ〜（λＯMAX−３０）ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
【００１６】
［４］  前記光学フィルターが下記要件（４）を満たす、［１］〜［３］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
要件（４）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX＋４０）ｎｍ〜１２５０ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
【００１７】
［５］  前記光学フィルターの前記光学センサー側に、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００１８】
［６］  前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率の値をＴＯ（λＯMAX）［×１００％］とし、
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率をＴＡ（λＯMAX）［×１００％］とした時、
ＴＯ（λＯMAX）×ＴＡ（λＯMAX）が０．１５〜０．８５である、
［１］〜［５］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００１９】
［７］  前記光学センサーと前記近赤外線吸収フィルターとの間に空間を有する、［１］〜［６］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００２０】
［８］  前記波長λＯMAXが、８３０ｎｍ≦λＯMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯMAX≦１１５０ｎｍを満たす、［１］〜［７］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００２１】
［９］  光学センサー、および、
誘電体多層膜と、基板と、近赤外線吸収層とを有する近赤外線吸収光学フィルター
を具備し、これらを、
誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、光学センサーの順、
誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、
基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、
基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、
誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、または、
誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順
で具備し、
前記近赤外線吸収光学フィルターは、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過し、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯＡMAX（ｎｍ）とした時、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯＡMAX［ｎｍ］における透過率ＴＯＡ（λＯＡMAX）［×１００％］が０．２〜０．８５である、
光学センサーモジュール。
【００２２】
［１０］  前記近赤外線吸収光学フィルターが、前記近赤外線吸収層の前記光学センサー側に、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有する、［９］に記載の光学センサーモジュール。
【００２３】
［１１］  下記要件（２）を満たす、［９］または［１０］に記載の光学センサーモジュール。
要件（２）：前記光学センサー側から、前記近赤外線吸収光学フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯＡMAX−１５）ｎｍ〜（λＯＡMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が８．２％以下
【００２４】
［１２］  前記光学センサーと前記近赤外線吸収光学フィルターとの間に空間を有する、［９］〜［１１］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００２５】
［１３］  前記波長λＯＡMAXが、８３０ｎｍ≦λＯＡMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯＡMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯＡMAX≦１１５０ｎｍを満たす、［９］〜［１２］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００２６】
［１４］  前記近赤外線吸収層が、波長８５０〜１２００ｎｍに極大吸収波長を有する近赤外線吸収剤を含む、［１］〜［１３］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【００２７】
［１５］  前記近赤外線吸収層の厚みが３〜１５０μｍである、［１］〜［１４］のいずれかに記載の光学センサーモジュール。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る光学センサーモジュールは、一部の近赤外線に感度を有しながらも、ゴースト量が少ない。従って、本発明に係る光学センサーモジュールは、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル機器等のモバイル情報端末装置用途、先進運転支援システム用途、自動運転システム用途、航空機用途、無人航空機（ドローン）用途、ロボット用途、農機用途、医療器具用途などに好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、本発明に係る光学センサーモジュールの一例の概略断面模式図である。
【図２】図２は、従来の光学センサーモジュールの概略断面模式図である。
【図３】図３は、ゴースト光路の概略説明図である。
【図４】図４は、光学フィルターの一例の概略断面模式図である。
【図５】図５は、近赤外線吸収フィルターの一例の概略断面模式図である。
【図６】図６は、近赤外線吸収光学フィルターの一例の概略断面模式図である。
【図７】図７は、光学センサーユニットの構成例である。
【図８】図８は、光学フィルターおよび近赤外線吸収フィルターの分光透過率または分光反射率の測定方法を示す概略断面模式図である。
【図９】図９は、光学フィルター１の分光透過スペクトル、分光反射スペクトルである。
【図１０】図１０は、光学フィルター２の分光透過スペクトル、分光反射スペクトルである。
【図１１】図１１は、光学フィルター３の分光透過スペクトル、分光反射スペクトルである。
【図１２】図１２は、実施例１における近赤外線吸収フィルター１の分光透過スペクトル、分光反射スペクトルである。
【図１３】図１３は、実施例１の光学センサーモジュール、および、光学フィルター１のみを用いた光学センサーモジュール（比較例１）における波長別ゴースト強度を示す図である。
【図１４】図１４は、実施例１１における近赤外線吸収光学フィルター２の分光透過スペクトルである。
【図１５】図１５は、実施例１１の光学センサーモジュール、および、光学フィルター１のみを用いた光学センサーモジュール（比較例１）における波長別ゴースト強度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明に係る光学センサーモジュールの実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、あくまで一例であって、説明をより明確にするため、各部の幅、厚さ、形状等が、実際の態様と異なる場合がある。
【００３１】
本明細書において、「波長（Ｖ）〜（Ｗ）ｎｍにおける最大透過率」は「波長（Ｖ）〜（Ｗ）ｎｍにおける透過率の最大値」と同義であり、「波長（Ｖ）〜（Ｗ）ｎｍにおける平均透過率」は「波長（Ｖ）〜（Ｗ）ｎｍにおける波長別透過率の平均値」と同義である。この場合、ＶとＷはそれぞれ異なる数値とする。
【００３２】
なお、本発明において、数値範囲を表す「Ａ〜Ｂ」等の記載は、「Ａ以上、Ｂ以下」と同義であり、ＡおよびＢをその数値範囲内に含む。また、本発明において、波長Ａ〜Ｂｎｍとは、波長Ａｎｍ以上、波長Ｂｎｍ以下の波長領域における波長分解能１ｎｍにおける特性を表す。
波長Ａ〜Ｂｎｍの平均透過率は、Ａｎｍ以上Ｂｎｍ以下の、１ｎｍ刻みの各波長における透過率を測定し、その透過率の合計を、測定した透過率の数（波長範囲、Ｂ−Ａ＋１）で除すことで算出した値である。平均反射率も同様である。
【００３３】
本明細書中における「透過する」は、分光光度計における透過率２０％以上であることと同義である。
【００３４】
≪光学センサーモジュール≫
本発明に係る光学センサーモジュールは、具体的には、下記本モジュール１と本モジュール２に関する。これらを併せて「本モジュール」ともいう。
本発明の一実施形態に係る光学センサーモジュール（以下「本モジュール１」ともいう。）は、
光学センサーと、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過する光学フィルターとの間に、近赤外線吸収層を有する近赤外線吸収フィルターを具備し、
前記光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯMAX（ｎｍ）とした時、
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が２０〜８５％であることを特徴とする。
【００３５】
また、本発明の他の実施形態に係る光学センサーモジュール（以下「本モジュール２」ともいう。）は、
光学センサー、および、
誘電体多層膜と、基板と、近赤外線吸収層とを有する近赤外線吸収光学フィルター
を具備し、これらを、
誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、光学センサーの順、
誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、
基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、
基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、
誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、または、
誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順
で具備し、
前記近赤外線吸収光学フィルターは、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過し、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯＡMAX（ｎｍ）とした時、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯＡMAX［ｎｍ］における透過率ＴＯＡ（λＯＡMAX）［×１００％］が０．２〜０．８５であることを特徴とする。
【００３６】
本モジュールは、このように、特定の近赤外線吸収フィルターまたは近赤外線吸収光学フィルターを具備することを特徴とし、これにより、ゴーストが非常に少ない。
従って、本モジュールは、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話、スピーカー、スマートスピーカー、ウェアラブルデバイス、自動車、テレビ、ゲーム機、航空機、無人航空機、エアーコンディショナー、ロボット、ロボット掃除機、農機、生体認証装置（例：指紋認証装置、静脈認証装置、顔認証装置、虹彩認証装置）、血流センサー、医療器具、農作物品質検査装置に好適に搭載される。
【００３７】
本明細書におけるゴーストとは、光学センサーモジュールの各部品表面による反射光が再度センサーに入射されること等で発生する、本来のセンシングとは異なる位置、距離、強度をもたらす検出異常のことをいう。
例えば、図３（Ｂ）の配置の光学センサーモジュールの場合、ゴーストとしては、１２や１３のような光路が考えられる。このうち、１３のような光路は、近赤外線吸収フィルターを３度通過することになる。このように光が近赤外線吸収フィルターを３度通過すると、該近赤外線吸収フィルターによる光の吸収により、正しいセンシングの光路１１に比べ、再度光学センサーに入射する光の強度が低下し、ゴースト強度も低下する。従って、このような近赤外線吸収フィルターを何度か通過する光路を確保することができる等の点から、光学センサーと近赤外線吸収フィルターとの間には、空間（空気界面）を有することが好ましい。
一方で、光学センサー内または光学センサーに接して近赤外線吸収フィルターを設けた場合、近赤外線吸収層を何度か通過する光路を確保することが困難となる場合や、光学センサーと近赤外線吸収層との界面による反射の発生を抑制することが困難となる場合がある。
図３（Ｂ）は、本モジュール１に関する場合の例であるが、本モジュール２においても、近赤外線吸収光学フィルターの光学センサー側とは反対側に、図１（Ｂ）における光学素子２などの部材が存在する場合、図３（Ｂ）と同様のゴースト光路が生じ得る。従って、光学センサーと近赤外線吸収光学フィルターとの間にも前記と同様の理由から、空間（空気界面）を有することが好ましい。
また、そもそも、異物の影響や屈折率のマッチングの困難性等により、光学センサーに直接近赤外線吸収フィルターや近赤外線吸収光学フィルターを設けることができないことも、前記空間を有することが好ましい理由の一つでもある。
【００３８】
本モジュールは、本モジュール１のように、近赤外線吸収フィルターと、光学フィルターとを別体（接していない）としたモジュールであってもよく、本モジュール２のように、近赤外線吸収光学フィルターを用いるモジュールであってもよいが、光学フィルターの光学センサー側での反射（光学フィルターと空気界面との反射）や、近赤外線吸収フィルターの光学センサー側とは反対側での反射を容易に抑制でき、効果的にゴーストを低減することができる等の点から、近赤外線吸収光学フィルターを用いることが好ましい。
【００３９】
＜光学フィルター＞
前記光学フィルターは、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過する光学フィルターであれば特に制限されない。
前記光学フィルターは、透過帯域を２つ以上有していてもよいが、本発明の効果がより発揮される等の点から、透過帯域を１つする光学フィルターであることが好ましい。
本モジュール１に用いる光学フィルターは、１つでもよく、２つ以上でもよい。２つ以上の場合、同一のフィルターを用いてもよく、異なるフィルターを用いてもよい。
【００４０】
前記光学フィルターは、基材Ａを有することが好ましく、遮蔽領域から近赤外線の一部の透過領域に急峻に変化する特性を有するフィルターを容易に得ることができる等の点から、該基材Ａの少なくとも一方の面に誘電体多層膜Ａを有することがより好ましい。また、得られる光学フィルターの反りを容易に抑制できる等の点から、基材Ａの両面に誘電体多層膜Ａを有することが特に好ましい。
【００４１】
前記光学フィルターの厚みは特に制限されず、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、近年の光学センサーモジュールの薄型化、軽量化等の流れによれば、該光学フィルターの厚みも薄いことが好ましい。
前記光学フィルターの厚みは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１８０μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下、特に好ましくは１２０μｍ以下であり、下限は特に制限されないが、好ましくは２０μｍ以上である。
【００４２】
〔光学フィルターの光学特性〕
前記光学フィルターが有する波長λＯMAXは、８３０ｎｍ≦λＯMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯMAX≦１１５０ｎｍを満たすことが好ましい。
８３０ｎｍ≦λＯMAX≦８６０ｎｍを満たす場合、人間の目に見えにくい光を用いて検出することができる等の点から好ましく、また、シリコンフォトダイオードセンサーはこの波長範囲の光に対し感度が高いため、λＯMAXがこの範囲にある光学フィルターは、前記光学センサーとしてシリコンフォトダイオードセンサーを用いる場合に好適に使用される。
９３０ｎｍ≦λＯMAX≦９６０ｎｍを満たす場合、太陽光によるノイズが少なく、高感度に検出を行うことができる等の点から好ましい。
１１００ｎｍ≦λＯMAX≦１１５０ｎｍを満たす場合、太陽光によるノイズが少なく、高感度に検出を行うことができる等の点から好ましい。
【００４３】
前記光学フィルターは、下記要件（３）を満たすことが好ましい。
要件（３）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長４００ｎｍ〜（λＯMAX−３０）ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
この要件（３）を満たす光学フィルターを用いることで、検出を行う近赤外線（透過する近赤外線）以外の可視光線〜近赤外線までの光を遮蔽することができ、得られる光学センサーモジュールのノイズを容易に低減することができ、より感度を向上することができる等の点から好ましい。
該要件（３）における透過率の平均値は、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下である。
【００４４】
前記光学フィルターは、下記要件（４）を満たすことが好ましい。
要件（４）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX＋４０）ｎｍ〜１２５０ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
この要件（４）を満たす光学フィルターを用いることで、検出を行う近赤外線より長波長の光を遮蔽することができ、得られる光学センサーモジュールのノイズを容易に低減することができ、より感度を向上することができる等の点から好ましい。
該要件（４）における透過率の平均値は、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下である。
【００４５】
近赤外線を利用する光学センサーモジュールにおいて、センシング機能を精度よく機能させるためには、不要となる波長の光をカットすることが重要である。
また、センシングに用いる近赤外線の波長によっては、センシングに用いる波長よりも短い波長の近赤外線と長い波長の近赤外線をカットする（例えば、波長９４０ｎｍ付近の近赤外線をセンシングに用いる場合は、可視光線に加えて、波長９１０ｎｍ付近までの近赤外線、および、波長９８０ｎｍ付近以降の近赤外線をカットする）ことで使用時のノイズを低減でき、光学センサーモジュールの特性を向上させることができる。
このため、前記光学フィルターは、前記要件（３）および（４）を満たすことが好ましい。
【００４６】
前記光学フィルターは、下記要件（５）を満たすことが好ましい。
要件（５）：前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が７０〜１００％
この要件（５）を満たす光学フィルターを用いることで、光学センサーの感度を高く保つことができる等の点から好ましい。
該要件（５）における透過率の平均値は、より好ましくは７５〜１００％、いっそう好ましくは８０〜１００％、特に好ましくは８５〜１００％である。
【００４７】
前記光学フィルターは、下記要件（６）を満たすことが好ましい。
要件（６）：前記光学センサー側から、前記光学フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が５０％以下
この要件（６）を満たす光学フィルターを用いることで、周囲の部材に反射したゴーストを低減することができる等の点から好ましい。
該要件（６）における透過率の平均値は、より好ましくは４０％以下、特に好ましくは３７％以下である。
【００４８】
〔基材Ａ〕
前記基材Ａとしては、本発明の効果を損なわない限り、材質、形状等は特に制限されないが、板状体であることが好ましい。
また、前記光学フィルターは、該基材Ａを１層有していてもよく（例えば、図４（Ａ）〜（Ｄ）、（Ｆ）および（Ｇ）参照）、２層以上有していてもよい（例えば、図４（Ｅ）参照）。
【００４９】
前記基材Ａの材質としては特に制限されず、例えば、ガラス、強化ガラス、リン酸ガラス、フツリン酸ガラス、アルミナ、アルミン酸イットリウム、酸化イットリウム、および、樹脂が挙げられる。
前記基材Ａは、これらから選ばれる１種の材質から構成されていてもよく、複数種から構成されていてもよい。
【００５０】
前記ガラスとしては、例えば、ケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスが挙げられる。
【００５１】
前記強化ガラスとしては、例えば、物理強化ガラス、強化合わせガラス、化学強化ガラスが挙げられる。これらの中では、圧縮層の厚みが薄く、基材厚みを薄く加工することができる化学強化ガラスが好ましい。
化学強化ガラスの具体例としては、ＡＧＣ（株）製の「Ｄｒａｇｏｎｔｒａｉｌ」、Ｃｏｒｎｉｎｇ社製の「Ｇｏｒｉｌｌａ  Ｇｌａｓｓ」が挙げられる。
【００５２】
前記リン酸ガラスや前記フツリン酸ガラスとしては、例えば、松浪硝子工業（株）製のＢＳ３、ＢＳ４、ＢＳ６、ＢＳ７、ＢＳ８、ＢＳ１０、ＢＳ１１、ＢＳ１２、ＢＳ１３、ＢＳ１６、ＢＳ１７、国際公開第２０１２／０１８０２６号に記載のフツリン酸塩系ガラスが挙げられる。
前記アルミナとしては、例えば、日本ガイシ（株）製の「ハイセラム」が挙げられる。
前記アルミン酸イットリウムや酸化イットリウムとしては、例えば、クアーズテック（株）製の「ＥＸＹＲＩＡ」が挙げられる。
【００５３】
［樹脂］
前記樹脂としては、本発明の効果を損なわない限り特に制限されないが、例えば、熱安定性および板状体への成形性等に優れ、かつ、１００℃以上程度の蒸着温度で行う高温蒸着により誘電体多層膜Ａを形成し得る板状体を容易に得ることができる等の点から、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、好ましくは１１０〜３８０℃、より好ましくは１１０〜３７０℃、特に好ましくは１２０〜３６０℃である樹脂が挙げられる。
また、前記樹脂のＴｇが１４０℃以上であると、誘電体多層膜Ａをより高温で蒸着形成し得る板状体が得られるため、特に好ましい。
【００５４】
前記樹脂としては、当該樹脂からなる厚さ０．１ｍｍの樹脂板の波長８００〜１２００ｎｍの光の透過率の平均値が、好ましくは７５〜９５％、より好ましくは７８〜９５％、特に好ましくは８０〜９５％となる樹脂を用いることができる。
前記波長域の光の透過率がこのような範囲となる樹脂を用いると、得られる基材Ａを含む光学フィルターを具備する光学センサーモジュールの感度確保に良好な特性を示す。
【００５５】
前記樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１５，０００〜３５０，０００、好ましくは３０，０００〜２５０，０００であり、数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１０，０００〜１５０，０００、好ましくは２０，０００〜１００，０００である。
【００５６】
前記樹脂としては、例えば、環状（ポリ）オレフィン系樹脂、芳香族ポリエーテル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド（アラミド）系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリサルホン系樹脂、ポリエーテルサルホン系樹脂、ポリパラフェニレン系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）系樹脂、フッ素化芳香族ポリマー系樹脂、（変性）アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アリルエステル系硬化型樹脂、シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂、アクリル系紫外線硬化型樹脂、ビニル系紫外線硬化型樹脂が挙げられる。
【００５７】
・環状（ポリ）オレフィン系樹脂
環状（ポリ）オレフィン系樹脂としては、下記式（Ｘ0）で表される単量体および下記式（Ｙ0）で表される単量体からなる群より選ばれる少なくとも１種の単量体を用いて得られる樹脂、および、当該樹脂を水素添加することで得られる樹脂が好ましい。
【００５８】
【化１】
2020140177.tif 000003
【００５９】
式（Ｘ0）中、Ｒx1〜Ｒx4はそれぞれ独立に、下記（i'）〜（ix'）より選ばれる原子または基を表し、ｋx、ｍxおよびｐxはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
（i'）水素原子
（ii'）ハロゲン原子
（iii'）トリアルキルシリル基
（iv'）酸素原子、硫黄原子、窒素原子またはケイ素原子を含む連結基を有する、置換または非置換の炭素数１〜３０の炭化水素基
（v'）置換または非置換の炭素数１〜３０の炭化水素基
（vi'）極性基（但し、（ii'）および（iv'）を除く。）
（vii'）Ｒx1とＲx2またはＲx3とＲx4とが、相互に結合して形成されたアルキリデン基（但し、前記結合に関与しないＲx1〜Ｒx4は、それぞれ独立に前記（ｉ'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表す。）
（viii'）Ｒx1とＲx2またはＲx3とＲx4とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲx1〜Ｒx4は、それぞれ独立に前記（i'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表す。）
（ix'）Ｒx2とＲx3とが、相互に結合して形成された単環の炭化水素環または複素環（但し、前記結合に関与しないＲx1とＲx4は、それぞれ独立に前記（i'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表す。）
【００６０】
【化２】
2020140177.tif 000004
【００６１】
式（Ｙ0）中、Ｒy1およびＲy2はそれぞれ独立に、前記（i'）〜（vi'）より選ばれる原子または基を表すか、Ｒy1とＲy2とが、相互に結合して形成された単環もしくは多環の脂環式炭化水素、芳香族炭化水素または複素環を表し、ｋyおよびｐyはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
【００６２】
・芳香族ポリエーテル系樹脂
芳香族ポリエーテル系樹脂は、下記式（１）で表される構造単位および下記式（２）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有することが好ましい。
【００６３】
【化３】
2020140177.tif 000005
【００６４】
式（１）中、Ｒ1〜Ｒ4はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、ａ〜ｄはそれぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
【００６５】
【化４】
2020140177.tif 000006
【００６６】
式（２）中、Ｒ1〜Ｒ4およびａ〜ｄはそれぞれ独立に、前記式（１）中のＲ1〜Ｒ4およびａ〜ｄと同義であり、Ｙは、単結合、−ＳＯ2−または−ＣＯ−を示し、Ｒ7およびＲ8はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の１価の有機基またはニトロ基を示し、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、０〜４の整数を示し、ｍは０または１を示す。但し、ｍが０のとき、Ｒ7はシアノ基ではない。
【００６７】
また、前記芳香族ポリエーテル系樹脂は、さらに下記式（３）で表される構造単位および下記式（４）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位を有していてもよい。
【００６８】
【化５】
2020140177.tif 000007
【００６９】
式（３）中、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立に、炭素数１〜１２の１価の有機基を示し、Ｚは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＯ−または炭素数１〜１２の２価の有機基を示し、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、０〜４の整数を示し、ｎは０または１を示す。
【００７０】
【化６】
2020140177.tif 000008
【００７１】
式（４）中、Ｒ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈはそれぞれ独立に、前記式（２）中のＲ7、Ｒ8、Ｙ、ｍ、ｇおよびｈと同義であり、Ｒ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆはそれぞれ独立に、前記式（３）中のＲ5、Ｒ6、Ｚ、ｎ、ｅおよびｆと同義である。
【００７２】
・ポリイミド系樹脂
ポリイミド系樹脂としては特に制限されず、繰り返し単位にイミド結合を含む高分子化合物であればよく、例えば、特開２００６−１９９９４５号公報や特開２００８−１６３１０７号公報に記載されている方法で合成することができる。
【００７３】
・ポリエステル系樹脂
ポリエステル系樹脂としては特に制限されず、例えば、特開２０１０−２８５５０５号公報や特開２０１１−１９７４５０号公報に記載されている方法で合成することができる。
【００７４】
・ポリカーボネート系樹脂
ポリカーボネート系樹脂としては特に制限さないが、ガラス転移温度が１４０℃以上である樹脂が好ましく、例えば、特開平６−３０６１５８号公報、特開２００４−３５９９３２号公報、特開２００８−１６３１９４号公報、特開２０１１−２４６５８３号公報に記載されている方法で合成することができる。
【００７５】
・フッ素化芳香族ポリマー系樹脂
フッ素化芳香族ポリマー系樹脂としては特に制限されないが、フッ素原子を少なくとも１つ有する芳香族環と、エーテル結合、ケトン結合、スルホン結合、アミド結合、イミド結合およびエステル結合からなる群より選ばれる少なくとも１つの結合を含む繰り返し単位とを含有するポリマーであることが好ましく、例えば、特開２００８−１８１１２１号公報に記載されている方法で合成することができる。
【００７６】
・アクリル系紫外線硬化型樹脂
アクリル系紫外線硬化型樹脂としては特に制限されないが、分子内に一つ以上のアクリル基もしくはメタクリル基を有する化合物と、紫外線によって分解して活性ラジカルを発生させる化合物を含有する樹脂組成物から合成されるものを挙げることができる。
【００７７】
・市販品
前記樹脂の市販品としては、以下の市販品等が挙げられる。環状（ポリ）オレフィン系樹脂の市販品としては、例えば、ＪＳＲ（株）製アートン、日本ゼオン（株）製ゼオノア、三井化学（株）製ＡＰＥＬ、ポリプラスチックス（株）製ＴＯＰＡＳが挙げられる。ポリエーテルサルホン系樹脂の市販品としては、例えば、住友化学（株）製スミカエクセルＰＥＳが挙げられる。ポリイミド系樹脂の市販品としては、例えば、三菱ガス化学（株）製ネオプリムＬが挙げられる。ポリカーボネート系樹脂の市販品としては、例えば、帝人（株）製ピュアエース、帝人（株）製パンライトＳＰ−３８１０、三菱ガス化学（株）製ユピゼータＥＰ−５０００が挙げられる。ポリエステル系樹脂の市販品としては、例えば、大阪ガスケミカル（株）製ＯＫＰ４ＨＴが挙げられる。アクリル系樹脂の市販品としては、例えば、（株）日本触媒製アクリビュアが挙げられる。シルセスキオキサン系紫外線硬化型樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵化学（株）製シルプラスが挙げられる。
【００７８】
［その他成分］
前記基材Ａは、本発明の効果を損なわない範囲において、その他成分として、さらに赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、離型剤、蛍光消光剤、金属錯体系化合物等の添加剤を含有してもよい。
前記その他成分はそれぞれ、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【００７９】
［基材Ａの製造方法］
前記基材Ａが、樹脂製基材である場合、該樹脂製基材は、例えば、溶融成形またはキャスト成形により形成することができ、さらに、必要により、成形後に、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤をコーティングすることで、オーバーコート層が積層された基材Ａを製造することができる。
【００８０】
〔誘電体多層膜Ａ〕
前記誘電体多層膜Ａとしては、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した積層体が挙げられる。
該誘電体多層膜Ａとしては、得られる光学フィルターが、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過するような膜であることが好ましく、得られる光学フィルターが、前記光学フィルターの光学特性を満たすような特性を有する膜であることがより好ましい。
ここで、誘電体多層膜Ａの条件を最適化するには、例えば、光学薄膜設計ソフト（例えば、Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ  Ｍａｃｌｅｏｄ、Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用い、パラメーターを設定すればよい。
【００８１】
高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．８以上の材料を用いることができ、通常は、屈折率が１．８〜４．４の材料が選択される。このような材料としては、例えば、シリコン、ダイヤモンド、酸化鉄、酸化銅、チタン酸バリウム、硫化バリウム、チタン酸ストロンチウム、テルル化カドミウム、硫化ストロンチウム、硫化水銀、酸化セシウム、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化インジウム、酸化アンチモンや硫化亜鉛または酸化インジウム等を主成分とし、酸化チタン、酸化錫および／または酸化セリウム等を少量（例えば、主成分に対して０〜１０質量％）含有させたものや、樹脂に前記屈折率１．８以上の材料粒子を分散させたものが挙げられる。
これらの中でも、波長８００〜１２００ｎｍにおける少なくとも一部の領域の光の透過率を高くする観点から、シリコン、チタン酸バリウム、テルル化カドミウム、酸化セシウム、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化アンチモン、酸化ランタン、酸化イットリウムが好ましい。
少ない層数においても波長８００〜１２００ｎｍにおける少なくとも一部の領域の光の高い透過率と、光学センサーに不要な波長の透過率を低い透過率を両立する急峻な光学特性が得られる等の点からシリコンまたは酸化チタンが好ましい。
【００８２】
なお、本明細書における屈折率は、波長５５０ｎｍの光の屈折率のことをいい、具体的には、下記実施例に記載の方法で測定することができる。
【００８３】
低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．８未満の材料を用いることができ、屈折率が通常は１．２以上１．８未満の材料が選択される。このような材料としては、例えば、樹脂、二酸化シリコン（シリカ）、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化バリウム、フッ化セシウム、フッ化アルミニウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウム（クリオライト）、フッ化イットリウムが挙げられる。これらの中でも、製造コスト、膜密着性および耐久性等の点から、シリカが好ましく、温度変化時の光学特性変化の観点から屈折率１．４６８以上のシリカがより好ましく、屈折率１．４７以上のシリカがさらに好ましい。
【００８４】
前記誘電体多層膜Ａは、屈折率０．１〜４．５の半導体層または導体層を有してもよい。このような層を形成する材料としては、例えば、グラファイト、タングステン、ゲルマニウム、シリコン、一酸化シリコン、鉄、マンガン、白金、金、銀、銅、マグネシウム、タングステン、ニッケル、アルミニウムが挙げられる。このような層を用いることで、高屈折率材料層と低屈折率材料層との屈折率差を大きくすることが可能となり、少ない層数で、特定波長の近赤外線を透過し、かつ不要となる波長の光を遮蔽することが容易となる。
【００８５】
前記誘電体多層膜Ａにおける高屈折率材料層および低屈折率材料層、必要に応じて用いられる半導体層および導体層の積層数の合計は、光学フィルター全体として、好ましくは１６〜１２０層、より好ましくは１８〜１１０層、特に好ましくは２０〜１００層である。
積層数の合計が前記範囲にあると、十分な製造マージンを確保できる上に、光学フィルターの反りや誘電体多層膜Ａのクラックを低減することができる。
【００８６】
誘電体多層膜Ａを構成する高屈折率材料層および低屈折率材料層、必要に応じて用いられる半導体層および導体層の各層の厚さ（物理膜厚）は、好ましくは１〜１３００ｎｍ、より好ましくは２〜１２００ｎｍ、特に好ましくは５〜１２００ｎｍである。
各層の厚さがこの範囲にあると、誘電体多層膜Ａを形成する際の制御が容易である他、反射・屈折の光学的特性の関係から、特定波長の遮断・透過を容易にコントロールできる傾向にある。
【００８７】
高屈折率材料層および低屈折率材料層、必要に応じて用いられる半導体層や導体層を積層する方法については、これらの材料層を積層した誘電体多層膜Ａが形成される限り特に制限されない。
例えば、前記基材Ａ上に、直接、ＣＶＤ法、ミストＣＶＤ法、スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ラジカルアシストスパッタ法、真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、ＡＬＤ法、プラズマＡＬＤ法またはイオンプレーティング蒸着法等により、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜Ａを形成することができる。これらの中では、温度変化時の光学特性の変化が少ない等の点から、ＣＶＤ法、マグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ラジカルアシストスパッタ法、イオンアシスト蒸着法、ＡＬＤ法、プラズマＡＬＤ法、イオンプレーティング蒸着法が好ましく、一部の波長を透過する光学フィルターに用いられる誘電体多層膜Ａを形成する際には、屈折率の高い膜を容易に得ることができる等の点からマグネトロンスパッタ法がより好ましく、反射防止機能を有する誘電体多層膜Ａを形成する際には、成膜レートの早さと湿度による光学特性変化の少なさ等の点からイオンアシスト蒸着法が好ましい。
【００８８】
・イオンアシスト蒸着法
イオンアシスト蒸着法は、真空蒸着における蒸着材の成膜中に、基材Ａに対して酸素イオンまたは不活性ガスのイオンを照射する手法である。照射するイオンのイオン電流密度を制御することで、基材Ａを過剰に加熱することなく成膜中の分子を高エネルギー化することが可能となり、基材Ａとして、樹脂製基材を用いた場合においても、膜密度が高い誘電体多層膜Ａを容易に得ることができる。
イオンアシスト蒸着を行うことができる装置としては、例えば、ビューラーライボルトオプティクス社製ＳＹＲＵＳｐｒｏシリーズ、（株）オプトラン製ＯＴＦＣシリーズ、（株）シンクロン製ＭＩＣシリーズ、ＥＰＤシリーズ、新明和工業（株）製ＶＣＤシリーズ、（株）昭和真空製Ｓａｐｉｏシリーズが挙げられる。
【００８９】
〔その他の機能層〕
前記光学フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基材Ａと誘電体多層膜Ａとの間、基材Ａの誘電体多層膜Ａが設けられた面と反対側の面、または誘電体多層膜Ａの基材Ａが設けられた面と反対側の面に、基材Ａや誘電体多層膜Ａの表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、反射防止層、ハードコート膜や帯電防止膜、密着補助膜、応力調整膜、導電膜、遮光層などの機能層を適宜有していてもよい。
特に、前記光学フィルターは、ゴーストをより低減できる等の点から、光学センサー側に、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有することが好ましい。
これらの機能層の詳細については、下記近赤外線吸収フィルターの欄に記載する。
前記光学フィルターは、これらの機能層を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。機能層を２層以上含む場合には、同様の層を２層以上含んでもよいし、異なる層を２層以上含んでもよい。
【００９０】
前記機能層の厚さは、好ましくは０．１〜２０μｍ、さらに好ましくは０．５〜１０μｍ、特に好ましくは０．７〜５μｍである。
【００９１】
＜近赤外線吸収フィルター＞
前記近赤外線吸収フィルターは、該近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が２０〜８５％であれば特に制限されない。
本モジュール１に用いる近赤外線吸収フィルターは、１つでもよく、２つ以上でもよい。２つ以上の場合、同一の近赤外線吸収フィルターを用いてもよく、異なる近赤外線吸収フィルターを用いてもよい。なお、近赤外線吸収フィルターを２つ以上用いる場合、本モジュール１は、前記透過率の平均値を満たす近赤外線吸収フィルターを少なくとも１つ、光学センサーと前記光学フィルターとの間に有すればよく、この近赤外線吸収フィルター以外の他の近赤外線吸収フィルターは、光学センサーと前記光学フィルターとの間に存在していなくてもよく、また、該他の近赤外線吸収フィルターは、前記透過率の平均値を満たさなくてもよい。
【００９２】
前記近赤外線吸収フィルターの構成としては、近赤外線吸収層を有していれば特に制限されないが、近赤外線吸収層と誘電体多層膜Ｂとを有することが好ましく、さらに、その他の機能層を有していてもよい。
このような近赤外線吸収フィルターの構成例を図５に示す。
なお、誘電体多層膜Ｂは、近赤外線吸収層の片面に設けてもよいが、得られる近赤外線吸収フィルターの反りを容易に抑制できる等の点から、近赤外線吸収層の両面に誘電体多層膜Ｂを有することが好ましい。
【００９３】
前記近赤外線吸収フィルターの厚みは特に制限されず、所望の用途に応じて適宜選択すればよいが、近年の光学センサーモジュールの薄型化、軽量化等の流れによれば、該近赤外線吸収フィルターの厚みも薄いことが好ましい。
前記近赤外線吸収フィルターの厚みは、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは１５０μｍ以下である。
近赤外線吸収フィルターの厚みが前記範囲の下限以上であると、近赤外線吸収剤を含有する近赤外線吸収フィルターを容易に形成することができ、吸収強度の弱い近赤外線吸収剤を用いた場合でも所望の吸収強度を確保することができ、また、前記範囲の上限以下であると、得られる光学センサーモジュールの低背化が容易となり、より小型の光学センサーモジュールを容易に得ることができる。
【００９４】
〔近赤外線吸収フィルターの光学特性〕
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値は、２０〜８５％である。
この透過率の平均値が２０％以上であれば、光学フィルターおよび近赤外線吸収フィルターを透過した光を光学センサーが十分に受光することができ、８５％以下であれば、光学センサー表面で反射した光を吸収することから、ゴースト低減効果が得られる。
より光学センサー感度を向上させることができる等の点から、前記透過率の平均値は、好ましくは３０％以上、特に好ましくは３５％以上である。また、よりゴーストを低減させることができる等の点から、前記透過率の平均値は、好ましくは８２％以下、特に好ましくは７９％以下である。
【００９５】
前記近赤外線吸収フィルターは、下記要件（１）を満たすことが好ましい。
要件（１）：前記光学センサー側から、前記近赤外線吸収フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が７％以下
反射率の平均値が前記範囲にあると、ゴーストをより低減できることが期待できる。
前記反射率の平均値は、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは４％以下、特に好ましくは３％以下である。
このような要件（１）を満たす近赤外線吸収フィルターは、例えば、反射防止層を形成することで得ることができる。
【００９６】
本モジュール１における、前記光学フィルターと近赤外線吸収フィルターとは、
前記光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率の値をＴＯ（λＯMAX）［×１００％］とし、
前記近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率をＴＡ（λＯMAX）［×１００％］とした時、
ＴＯ（λＯMAX）×ＴＡ（λＯMAX）は、好ましくは０．１５以上、より好ましくは０．２０以上、特に好ましくは０．２５以上であり、好ましくは０．８５以下、より好ましくは０．７９以下である。
この積が、前記範囲の下限以上であると、センシングに必要な感度を確保することが容易となり、前記範囲の上限以下であると、ゴースト強度を容易に低減することができる。
なお、例えば、光学フィルターの垂直方向から入射した光の前記λＯMAX［ｎｍ］における透過率が９０％である場合、前記ＴＯ（λＯMAX）［×１００％］の値は「０．９」である。
【００９７】
〔近赤外線吸収層〕
近赤外線吸収層は、近赤外線の少なくとも一部を吸収できる限り、材質、形状等は特に制限されない。
このような近赤外線吸収層としては、例えば、（ｉ）近赤外線吸収剤を含む基材Ｂ、（ｉｉ）基材Ｂと近赤外線吸収剤を含む層との積層構造体が挙げられるが、所定の特性を示す近赤外線吸収フィルターを容易に得ることができる等の点から、前記（ｉ）が好ましい。
前記（ｉ）の場合、基材Ｂが近赤外線吸収層であり、前記（ｉｉ）の場合、前記積層構造体が近赤外線吸収層である。
【００９８】
このような基材Ｂの材質としては、前記光学フィルターの欄の基材Ａの材質として挙げた材質と同様の材質が挙げられる。
これらの中でも、近赤外線吸収剤を含有する基材Ｂとする場合には、リン酸銅ガラス、フツリン酸銅ガラスまたは樹脂が好ましい。
基材Ｂは、これらから選ばれる１種の材質から構成されていてもよく、複数種から構成されていてもよい。
【００９９】
〔近赤外線吸収剤〕
前記近赤外線吸収剤としては、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍの透過率の平均値が２０〜８５％である吸収剤が好ましい。
このような吸収剤としては、例えば、スクアリリウム系化合物、クロコニウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、シアニン系化合物、テトラアザポルフィリン系化合物、ジイモニウム系化合物、ポルフィリン系化合物、トリアリールメタン系化合物、サブフタロシアニン系化合物、ペリレン系化合物、セミスクアリリウム系化合物、スチリル系化合物、フェナジン系化合物、ピリドメテン−ホウ素錯体系化合物、ピラジン−ホウ素錯体系化合物、ピリドンアゾ系化合物、キサンテン系化合物、ジピロメテン系化合物、環拡張ジピロメテン系化合物、ピロロピロール系化合物、ヘテロ環共役系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオラート系化合物、環拡張ＢＯＤＩＰＹ（ボロンジピロメテン）系化合物、イッテルビウム錯体系化合物、酸化銅系化合物、リン酸銅系化合物、ホスホン酸銅系化合物およびスルホン酸銅系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、スクアリリウム系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、シアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ピロロピロール系化合物、ジイモニウム系化合物、クロコニウム系化合物、ヘキサフィリン系化合物、金属ジチオラート系化合物、環拡張ＢＯＤＩＰＹ（ボロンジピロメテン）系化合物、ペリレン系化合物、ヘテロ環共役系化合物、イッテルビウム錯体系化合物、酸化銅系化合物、リン酸銅系化合物、ホスホン酸銅系化合物、スルホン酸銅系化合物および環拡張ジピロメテン系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。
【０１００】
前記（ｉ）において、前記基材Ｂの材質が樹脂である場合、該近赤外線吸収剤は、スクアリリウム系化合物、ポリメチン系化合物、ジイモニウム系化合物、ヘテロ環共役系化合物が好ましい。
また、前記（ｉ）において、前記基材Ｂの材質がリン酸ガラスまたはフツリン酸ガラスである場合、該近赤外線吸収剤は、酸化銅系化合物、またはリン酸銅系化合物が好ましい。
【０１０１】
前記近赤外線吸収剤の極大吸収波長は、好ましくは８５０〜１２００ｎｍ、より好ましくは８８０〜１１５０ｎｍ、特に好ましくは８８５〜１１３０ｎｍの範囲にある。
このような近赤外線吸収剤を用いると、波長λＯMAXが前記好ましい範囲、すなわち、８３０ｎｍ≦λＯMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯMAX≦１１５０ｎｍにある場合、近赤外線吸収層が効率的にゴースト光を吸収することができるため、ゴーストを効果的に低減できる傾向にある。
【０１０２】
前記近赤外線吸収剤は、一般的に知られている方法で合成すればよく、例えば、特開平１−２２８９６０号公報、特開２００１−４０２３４号公報、特許第３０９４０３７号公報、特許第３１９６３８３号公報、特開２００９−１０８２６７号公報に記載されている方法を参照して合成することができる。
【０１０３】
前記近赤外線吸収剤の含有量は、前記（ｉ）の場合、樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１〜２０．０質量部、より好ましくは０．０００２〜１５質量部、特に好ましくは０．０００３〜１０質量部であり、前記（ｉｉ）の場合、具体的には、近赤外線吸収剤を含まない基材Ｂと、硬化性樹脂等の樹脂と近赤外線吸収剤とを含有するオーバーコート層とが積層された積層構造体を用いる場合には、該オーバーコート層に含まれる樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０００１〜５０質量部、より好ましくは０．００５〜４０質量部、特に好ましくは０．００１〜３０質量部である。
近赤外線吸収剤の含有量が前記範囲にあると、良好な近赤外線吸収特性を有する近赤外線吸収層を容易に得ることができる。
【０１０４】
［スクアリリウム系化合物］
前記スクアリリウム系化合物としては特に制限されないが、極大吸収波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなスクアリリウム系化合物としては、例えば、下記式（Ｚ）で表される化合物が挙げられる。
【０１０５】
【化７】
2020140177.tif 000009
【０１０６】
式（Ｚ）中、ユニットＡおよびＢはそれぞれ独立に、下記式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されるユニットのいずれかを表す。
【０１０７】
【化８】
2020140177.tif 000010
【０１０８】
式（Ｉ）および（ＩＩ）中、波線で表した部分は前記式（Ｚ）の中央の四員環との結合部位を表し、
Ｘは独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、テルル原子または−ＮＲ8−を表し、
Ｒ1〜Ｒ7はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−ＮＲgＲh基、−ＳＲi基、−ＳＯ2Ｒi基、−ＯＳＯ2Ｒi基または下記Ｌa〜Ｌhのいずれかを表し、Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子またはＬa〜Ｌhのいずれかを表し、ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、Ｒiは、下記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、
（Ｌa）炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）炭素数３〜１４の複素環基
（Ｌf）炭素数１〜１２のアルコキシ基
（Ｌg）置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２のアシル基
（Ｌh）置換基Ｌを有してもよい炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基
置換基Ｌは、前記Ｌa〜Ｌeより選ばれる少なくとも１種である。
【０１０９】
前記Ｒ1としては、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、ニトロ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、水酸基である。
【０１１０】
前記Ｒ2〜Ｒ7としてはそれぞれ独立に、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ−メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基であり、より好ましくは水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、水酸基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、メチルチオ基、エチルチオ基である。
【０１１１】
前記Ｒ8としては、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、フェニル基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−デシル基である。
【０１１２】
前記Ｘとしては、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ8−であり、式（Ｉ）のＸとしては、特に好ましくは、酸素原子、硫黄原子であり、式（ＩＩ）のＸとしては、特に好ましくは、−ＮＲ8−である。
【０１１３】
スクアリリウム系化合物は、下記式（Ｚ１）のように表すことができるし、下記式（Ｚ２）のような共鳴構造として表すこともできる。つまり、下記式（Ｚ１）と下記式（Ｚ２）との違いは構造の記載方法のみであり、どちらも同一の化合物を表す。本明細書中では特に断りのない限り、下記式（Ｚ１）のような記載方法にてスクアリリウム系化合物の構造を表す。
【０１１４】
【化９】
2020140177.tif 000011
【０１１５】
【化１０】
2020140177.tif 000012
【０１１６】
さらに、例えば、下記式（Ｚ１）で表される化合物と下記式（Ｚ３）で表される化合物は、同一の化合物であると見なすことができる。
【０１１７】
【化１１】
2020140177.tif 000013
【０１１８】
式（Ｚ）で表される化合物において、中央の四員環に結合している左右のユニットは、それぞれ式（Ｉ）または式（ＩＩ）で表される構造であれば同一であっても異なっていてもよいが、ユニット中の置換基も含めて同一であった方が合成上容易であるため好ましい。つまり、式（Ｚ）で表される化合物としては、下記式（ＩＩＩ）または式（ＩＶ）で表される化合物が好ましい。
【０１１９】
【化１２】
2020140177.tif 000014
【０１２０】
式（Ｚ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記表１および表２に記載の化合物（ｚ−１）〜（ｚ−５８）を挙げることができる。
【０１２１】
【表１】
2020140177.tif 000015
【０１２２】
【表２】
2020140177.tif 000016
【０１２３】
［ポリメチン系化合物］
前記ポリメチン系化合物としては特に制限されないが、極大吸収波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなポリメチン系化合物としては、例えば、下記式（Ｓ−ａ）〜（Ｓ−ｄ）で表される化合物が挙げられる。
【０１２４】
【化１３】
2020140177.tif 000017
【０１２５】
前記Ａ-は１価の陰イオンを表す。該１価の陰イオンとしては特に限定されないが、例えば、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6-、ＣｌＯ4-、ＮＯ3-、ＢＦ4-、ＳＣＮ-、ＣＨ3ＣＯＯ-、ＣＨ3ＣＨ2ＣＯＯ-、メチルスルホン酸イオン、テトラフルオロメチルスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、アントラセンスルホン酸イオン、Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2-、Ｂ（Ｃ6Ｆ5）4-、Ｃ6Ｈ5ＳＯ3-、トルエンスルホン酸イオン、ＣＦ3ＣＯＯ-、ＣＦ3ＣＦ2ＣＯＯ-、ニッケルジチオラート系錯体イオン、銅ジチオラート系錯体イオンが挙げられる。
【０１２６】
前記複数あるＤはそれぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表す。
前記複数あるＸはそれぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、セレン原子または−ＮＲ8−を表し、Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子または前記Ｌa〜Ｌhのいずれかを表す。
【０１２７】
複数あるＲa〜Ｒiはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、−Ｌ1、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ2、−ＳＯ2−Ｌ3、−ＮＲgＲh基（ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、下記Ｌ2または−Ｃ（Ｏ）Ｒi基を表し、Ｒiは、下記Ｌ2を表す。）、−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4、または、ＲbとＲc、ＲdとＲe、ＲeとＲf、ＲfとＲg、ＲgとＲhおよびＲhとＲiのうち少なくとも１つの組み合わせが結合した、下記式（ａ）〜（ｈ）で表される基から選ばれる基を表す。
【０１２８】
なお、前記式（Ｓ−ａ）〜（Ｓ−ｄ）中のＤ−（Ｒb）（Ｒc）は、便宜的にこのように記載しているのであり、必ずしもＤにＲbおよびＲcが結合しているわけではない。例えば、Ｄが窒素原子の場合、ＲbおよびＲcの一方は存在せず、Ｄが酸素原子場合、ＲbおよびＲcは両方とも存在せず、Ｄが硫黄原子場合、ＲbおよびＲcは両方とも存在しないか、または、ＲbおよびＲcの合計が４個となる。
【０１２９】
前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基、炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基、炭素数３〜１４の複素環基、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基およびアミノ基からなる群より選ばれる少なくとも１種の置換基Ｌ'を有してもよい。
【０１３０】
前記Ｌ1は、下記Ｌa〜Ｌiのいずれかである。
（Ｌa）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数３〜１４の複素環基
（Ｌf）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１〜９のアルコキシ基
（Ｌg）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１〜９のアシル基
（Ｌh）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数２〜９のアルコキシカルボニル基
（Ｌi）前記置換基Ｌ'を有してもよい炭素数１〜１２のスルフィド基またはジスルフィド基
【０１３１】
前記Ｌ2は、水素原子または前記Ｌ1におけるＬa〜Ｌeのいずれかを表し、
前記Ｌ3は、水素原子または前記Ｌ1におけるＬa〜Ｌeのいずれかを表し、
前記Ｌ4は、前記Ｌ1におけるＬa〜Ｌeのいずれかを表す。
【０１３２】
【化１４】
2020140177.tif 000018
【０１３３】
式（ａ）〜（ｈ）中、ＲxおよびＲyは炭素原子を表し、
複数あるＲA〜ＲLはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、カルボキシ基、ニトロ基、アミノ基、アミド基、イミド基、シアノ基、シリル基、−Ｌ1、−Ｓ−Ｌ2、−ＳＳ−Ｌ2、−ＳＯ2−Ｌ3、−ＮＲgＲh基（ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、Ｌ2または−Ｃ（Ｏ）Ｒi基を表し、Ｒiは、Ｌ2を表す。）または−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4（Ｌ1〜Ｌ4は、前記Ｒa〜ＲiにおけるＬ1〜Ｌ4と同義である。）を表し、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌ'を有してもよい。
【０１３４】
Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdはそれぞれ独立に、水素原子；ハロゲン原子；水酸基；カルボキシ基；ニトロ基；アミノ基；アミド基；イミド基；シアノ基；シリル基；−Ｌ1；−Ｓ−Ｌ2；−ＳＳ−Ｌ2；−ＳＯ2−Ｌ3；−ＮＲgＲh基（ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、Ｌ2または−Ｃ（Ｏ）Ｒi基を表し、Ｒiは、Ｌ2を表す。）；−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4（Ｌ1〜Ｌ4は、前記Ｒa〜ＲiにおけるＬ1〜Ｌ4と同義である。）；Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基；Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでいてもよい５〜６員環の脂環式炭化水素基；または、Ｚ同士もしくはＹ同士のうち隣接した二つが相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含む、炭素数３〜１４の複素芳香族炭化水素基；を表し、これらの芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基および複素芳香族炭化水素基は、炭素数１〜９の脂肪族炭化水素基またはハロゲン原子を有してもよく、前記アミノ基、アミド基、イミド基およびシリル基は、前記置換基Ｌ'を有していてもよい。
【０１３５】
前記Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、アセナフチル基、フェナレニル基、テトラヒドロナフチル基、インダニル基、ビフェニリル基が挙げられる。
【０１３６】
前記Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、窒素原子、酸素原子もしくは硫黄原子を少なくとも１つ含んでもよい５〜６員環の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基およびシクロオクチル基等のシクロアルキル基；ノルボルナン基およびアダマンタン基等の多環脂環式基；テトラヒドロフラン、ピロリン、ピロリジン、イミダゾリン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリンからなる基等の複素環が挙げられる。
【０１３７】
前記Ｚa〜ＺcおよびＹa〜Ｙdにおける、Ｚ同士もしくはＹ同士が相互に結合して形成される、炭素数３〜１４の複素芳香族炭化水素基としては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、インドール、インドリン、インドレニン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、アクリジンまたはフェナジンからなる基が挙げられる。
【０１３８】
前記置換基Ｌ'を有してもよいアミノ基としては、例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基が挙げられる。
【０１３９】
前記置換基Ｌ'を有してもよいアミド基としては、例えば、アミド基、メチルアミド基、ジメチルアミド基、ジエチルアミド基、ジプロピルアミド基、プロピルトリフルオロメチルアミド基、ジイソプロピルアミド基、ジブチルアミド基、α−ラクタム基、β−ラクタム基、γ−ラクタム基、δ−ラクタム基が挙げられる。
【０１４０】
前記置換基Ｌ'を有してもよいイミド基としては、例えば、イミド基、メチルイミド基、エチルイミド基、ジエチルイミド基、ジプロピルイミド基、ジイソプロピルイミド基、ジブチルイミド基が挙げられる。
【０１４１】
前記置換基Ｌ'を有してもよいシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリエチルシリル基が挙げられる。
【０１４２】
前記−Ｓ−Ｌ2としては、例えば、チオール基、メチルスルフィド基、エチルスルフィド基、プロピルスルフィド基、ブチルスルフィド基、イソブチルスルフィド基、ｓｅｃ−ブチルスルフィド基、ｔｅｒｔ−ブチルスルフィド基、フェニルスルフィド基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルフィド基、２，６−ジフェニルフェニルスルフィド基、４−クミルフェニルスルフィド基が挙げられる。
【０１４３】
前記−ＳＳ−Ｌ2としては、例えば、ジスルフィド基、メチルジスルフィド基、エチルジスルフィド基、プロピルジスルフィド基、ブチルジスルフィド基、イソブチルジスルフィド基、ｓｅｃ−ブチルジスルフィド基、ｔｅｒｔ−ブチルジスルフィド基、フェニルジスルフィド基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジスルフィド基、２，６−ジフェニルフェニルジスルフィド基、４−クミルフェニルジスルフィド基が挙げられる。
【０１４４】
前記−ＳＯ2−Ｌ3としては、例えば、スルホ基、メシル基、エチルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基が挙げられる。
【０１４５】
前記−Ｎ＝Ｎ−Ｌ4としては、例えば、メチルアゾ基、フェニルアゾ基、ｐ−メチルフェニルアゾ基、ｐ−ジメチルアミノフェニルアゾ基が挙げられる。
【０１４６】
前記（Ｓ−ｃ）の中でも、下記式（Ｓ−ｅ）で表される化合物が、耐光性の等の点から好ましい。
【０１４７】
【化１５】
2020140177.tif 000019
【０１４８】
前記式（Ｓ−ｅ）で表される化合物の具体例としては、例えば、下記表３に記載の化合物（Ｓ−１）〜（Ｓ−２０）が挙げられる。
なお、表３中の波線で表した部分は、前記式（Ｓ−ｅ）の環との結合部位を表す。
【表３】
2020140177.tif 000020
【０１４９】
［ジイモニウム系化合物］
前記ジイモニウム系化合物としては特に制限されないが、極大吸収波長を前記範囲に有する化合物が好ましく、下記式（Ｄ１）で表される化合物がより好ましい。
【０１５０】
【化１６】
2020140177.tif 000021
【０１５１】
式（Ｄ１）中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−ＮＲgＲh基、−ＳＲi基、−ＳＯ2Ｒi基、−ＯＳＯ2Ｒi基または下記Ｌa〜Ｌhのいずれかを表し、ＲgおよびＲhは、それぞれ独立に水素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｒi基または下記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、Ｒiは下記Ｌa〜Ｌeのいずれかを表し、
（Ｌa）炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）炭素数３〜１４の複素環基
（Ｌf）炭素数１〜１２のアルコキシ基
（Ｌg）置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２のアシル基
（Ｌh）置換基Ｌを有してもよい炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｌは、前記Ｌa〜Ｌeより選ばれる少なくとも１種であり、ｎは０〜４の整数、Ｘは電荷を中和させるのに必要なアニオンを表す。
【０１５２】
前記Ｒ1は、好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基であり、より好ましくは、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基である。
【０１５３】
前記Ｒ2は、好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基フェニル基、水酸基、アミノ基、ジメチルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、Ｎ−メチルアセチルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基、ｎ−ブチルスルホニル基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基であり、より好ましくは、水素原子、塩素原子、フッ素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、水酸基、ジメチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、トリフルオロメタノイルアミノ基、ペンタフルオロエタノイルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブタノイルアミノ基、シクロヘキシノイルアミノ基であり、特に好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基である。
同じ芳香環に結合しているＲ2の数（ｎの値）は０〜４であれば特に制限されないが、０または１であることが好ましい。
【０１５４】
前記Ｘは電荷を中和するのに必要なアニオンであり、アニオンが２価である場合には１つ、アニオンが１価の場合には２つ必要となる。後者の場合は２つのアニオンが同一であっても異なっていてもよいが、合成上の観点から同一である方が好ましい。Ｘはこのようなアニオンであれば特に制限されないが、一例として、下記の表４に記載のアニオンが挙げられる。
【０１５５】
【表４】
2020140177.tif 000022
【０１５６】
前記Ｘは、酸とした際の酸性度が高いアニオンであると、ジイモニウム系化合物の耐熱性を向上できる傾向にある。このことから、前記Ｘとしては、前記表４中の（Ｘ−１０）、（Ｘ−１６）、（Ｘ−１７）、（Ｘ−２１）、（Ｘ−２２）、（Ｘ−２４）、（Ｘ−２８）が特に好ましい。
【０１５７】
［ヘテロ環共役系化合物］
前記ヘテロ環共役化合物としては特に制限されないが、極大吸収波長を前記範囲に有する化合物が好ましい。このようなヘテロ環共役化合物としては、例えば、下記式（Ｈ）で表される化合物が挙げられる。
【０１５８】
【化１７】
2020140177.tif 000023
【０１５９】
前記ＲH1〜ＲH4はそれぞれ独立に、水素原子、Ｌa〜Ｌhのいずれかを表し、
（Ｌa）炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基
（Ｌb）炭素数１〜１２のハロゲン置換アルキル基
（Ｌc）炭素数３〜１４の脂環式炭化水素基
（Ｌd）炭素数６〜１４の芳香族炭化水素基
（Ｌe）炭素数３〜１４の複素環基
（Ｌf）炭素数１〜１２のアルコキシ基
（Ｌg）置換基Ｌを有してもよい炭素数１〜１２のアシル基、
（Ｌh）置換基Ｌを有してもよい炭素数２〜１２のアルコキシカルボニル基
前記置換基Ｌは、前記Ｌa〜Ｌeより選ばれる少なくとも１種である。
【０１６０】
前記ＲH5〜ＲH8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、水酸基、シアノ基、ニトロ基、カルボキシ基、リン酸基、−ＮＲgＲh基、−ＳＲi基、−ＳＯ2Ｒi基、−ＯＳＯ2Ｒi基または前記ＲH1〜ＲH4におけるＬa〜Ｌhのいずれかを表し、ＲgおよびＲhはそれぞれ独立に、水素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｒi基または前記ＲH1〜ＲH4におけるＬa〜Ｌeのいずれかを表し、Ｒiは前記ＲH1〜ＲH4におけるＬa〜Ｌeのいずれかを表す。
【０１６１】
前記式（Ｈ）で表される化合物において、前記樹脂への溶解性が良好である等の点から、ＲH1〜ＲH4は炭素数３以上の前記Ｌa〜Ｌhのいずれかであることが好ましい。
前記式（Ｈ）で表される化合物において、ＲH5〜ＲH8は化合物が有する電子のエネルギー準位を適切に調整することが容易となる等の点から、臭素原子が好ましい。
【０１６２】
〔その他成分〕
前記近赤外線吸収層は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他成分として、さらに、紫外線吸収剤、酸化防止剤、離型剤、蛍光消光剤、金属錯体系化合物等の添加剤を含有していてもよい。
前記その他成分は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【０１６３】
前記紫外線吸収剤としては、例えば、アゾメチン系化合物、インドール系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、トリアジン系化合物が挙げられる。
【０１６４】
前記酸化防止剤としては、例えば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，２'−ジオキシ−３，３'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−５，５'−ジメチルジフェニルメタン、テトラキス［メチレン−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、トリス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトが挙げられる。
【０１６５】
なお、これらその他成分は、基材Ｂに配合する場合には、基材Ｂを構成する樹脂などとともに混合してもよいし、該樹脂を合成する際に添加してもよい。
また、樹脂を含む基材Ｂに前記その他成分を添加する場合の添加量は、所望の特性に応じて適宜選択すればよいが、樹脂１００質量部に対して、通常０．０１〜５．０質量部、好ましくは０．０５〜２．０質量部である。
【０１６６】
〔誘電体多層膜Ｂ〕
前記近赤外線吸収フィルターは、所望の光学特性を有する近赤外線吸収フィルターを容易に得ることができる等の点から、誘電体多層膜Ｂを有することが好ましい。
このような誘電体多層膜Ｂとしては、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止膜であることが好ましく、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した積層体が挙げられる。
高屈折率材料層および低屈折率材料層としては、それぞれ前述の層が挙げられるが、の反射を十分に抑制し、湿度変化や温度変化等によって光学特性が変化しにくい特性を有する近赤外線吸収フィルターを容易に得ることができる等の点から、高屈折率材料層としては、酸化チタン層が好ましく、低屈折率材料層としては、シリカ層が好ましい。
【０１６７】
〔その他の機能層〕
前記近赤外線吸収フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基材Ｂや誘電体多層膜Ｂの表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、誘電体多層膜Ｂ以外の反射防止層、ハードコート膜や帯電防止膜、密着補助膜、応力調整膜、導電膜、遮光層などの機能層を適宜有していてもよい。
前記近赤外線吸収フィルターは、前述の機能層を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。機能層を２層以上含む場合には、同様の層を２層以上含んでもよいし、異なる層を２層以上含んでもよい。
【０１６８】
前記機能層の厚さは、好ましくは０．１〜２０μｍ、さらに好ましくは０．５〜１０μｍ、特に好ましくは０．７〜５μｍである。
【０１６９】
・反射防止層
前記近赤外線吸収フィルターは、誘電体多層膜Ｂ以外の膜であればよく、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有することが好ましい。このような反射防止層は、前記近赤外線吸収フィルターの光学センサー側に設けることが好ましい。
【０１７０】
前記反射防止層としては、材質、形状等は特に制限されないが、波長（λＯMAX−１５）ｎｍ〜（λＯMAX＋１５）ｎｍにおける近赤外線の反射率が、反射防止層を設ける前よりも低減するような層であることが好ましく、近赤外線吸収フィルターが前記要件（１）を満たすような層であることがより好ましい。
このような反射防止層としては、例えば、前記誘電体多層膜Ｂからなる反射防止層、厚さ２μｍ未満の屈折率１．０〜１．４の低屈折率の層からなる反射防止層、直径１μｍ未満の円錐構造からなる反射防止層が挙げられる。
【０１７１】
・遮光層
前記光学フィルターや近赤外線吸収フィルターは、所望の用途に応じて、図４の（Ｆ）や（Ｇ）、図５の（Ｆ）や（Ｇ）に示すように、遮光層を有することが好ましい。
該遮光層は、波長４００〜１２００ｎｍのいずれかの波長における光の透過率が０．１％以下の層である。
遮光層の構成例としては、このような透過率を満たすような層であれば特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂と、顔料や染料、金属、金属酸化物、金属窒化物等とを混合し、必要により硬化させたものが挙げられる。また、光学フィルターや近赤外線吸収フィルター上に、波長４００〜１２００ｎｍのいずれかの波長における光の透過率が０．１％以下となるように、金属、金属酸化物、金属窒化物等からなる層を、前記誘電体多層膜Ａと同様の手段で形成してもよい。
前記光学フィルターや近赤外線吸収フィルターは、遮光層を複数有してもよく、複数の遮光層でフレネルゾーンプレート等を形成していてもよい。
【０１７２】
前記機能層を形成する方法としては特に制限されないが、例えば、反射防止剤、ハードコート剤および／または帯電防止剤等のコーティング剤などを基材や誘電体多層膜等に、溶融成形またはキャスト成形する方法が挙げられる。
また、コーティング剤などを含む硬化性組成物をバーコーター等で基材や誘電体多層膜上に塗布した後、紫外線照射等により硬化することによっても製造することができる。
【０１７３】
前記コーティング剤としては、紫外線（ＵＶ）／電子線（ＥＢ）硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などが挙げられ、具体的には、ビニル化合物類や、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系樹脂などが挙げられる。
これらのコーティング剤を含む硬化性組成物としては、ビニル系、ウレタン系、ウレタンアクリレート系、アクリレート系、エポキシ系およびエポキシアクリレート系硬化性組成物などが挙げられる。
【０１７４】
また、前記硬化性組成物は重合開始剤や有機溶剤を含んでいてもよい。重合開始剤や有機溶剤としては、公知のものを用いることができる。
これらはそれぞれ、１種単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。
【０１７５】
なお、基材と機能層および／または誘電体多層膜との密着性や、機能層と誘電体多層膜との密着性を上げる目的で、基材、機能層または誘電体多層膜の表面にコロナ処理やプラズマ処理等の表面処理をしてもよい。
【０１７６】
＜近赤外線吸収光学フィルター＞
前記近赤外線吸収光学フィルターは、誘電体多層膜と、基板と、近赤外線吸収層とを有する。
なお、本モジュール２において、これら誘電体多層膜と、基板と、近赤外線吸収層のうち、最も光学センサー側に具備されるのは、近赤外線吸収層または誘電体多層膜（但し、最も光学センサー側に具備されるのが誘電体多層膜の場合、該誘電体多層膜の光学センサーとは反対側は、近赤外線吸収層である）である。具体的には、例えば、（ａ）誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、光学センサーの順、（ｂ）誘電体多層膜、基板、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、（ｃ）基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、（ｄ）基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順、（ｅ）誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、光学センサーの順、または、（ｆ）誘電体多層膜、基板、誘電体多層膜、近赤外線吸収層、誘電体多層膜、光学センサーの順が挙げられる。
前記近赤外線吸収光学フィルターの構成例を図６に示す。
【０１７７】
前記近赤外線吸収光学フィルターは、具体的は、前記光学フィルターと前記近赤外線吸収フィルターとの積層体（前記近赤外線吸収フィルターを光学センサー側に有する）であることが好ましく、近赤外線吸収光学フィルターにおける誘電体多層膜のうち、前記（ａ）〜（ｆ）において基板に接する誘電体多層膜は、前記光学フィルターにおける誘電体多層膜Ａ、近赤外線吸収光学フィルターにおける誘電体多層膜のうち、前記（ｂ）、（ｅ）および（ｆ）において、光学センサー側に設けられる誘電体多層膜は、前記近赤外線吸収フィルターにおける誘電体多層膜Ｂ、近赤外線吸収光学フィルターにおける基板は前記光学フィルターにおける基材Ａ、近赤外線吸収光学フィルターにおける近赤外線吸収層は前記近赤外線吸収フィルターにおける近赤外線吸収層にそれぞれ対応し、前述した好ましい態様も同様である。
【０１７８】
前記近赤外線吸収光学フィルターは、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光を透過すればよいが、
前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光のうち、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、最も高い透過率の波長をλＯＡMAX（ｎｍ）とした時、
該波長λＯＡMAXは、前記光学フィルターの波長λＯMAXと同様に、８３０ｎｍ≦λＯＡMAX≦８６０ｎｍ、９３０ｎｍ≦λＯＡMAX≦９６０ｎｍ、または、１１００ｎｍ≦λＯＡMAX≦１１５０ｎｍを満たすことが好ましい。
【０１７９】
前記近赤外線吸収光学フィルターは、前記λＯＡMAX［ｎｍ］における透過率ＴＯＡ（λＯＡMAX）［×１００％］が、０．２〜０．８５であることを特徴とする。
該ＴＯＡ（λＯＡMAX）は、好ましくは０．２５以上であり、好ましくは０．８２以下である。
ＴＯＡ（λＯＡMAX）が、前記範囲の下限以上であると、センシングに必要な感度を確保することが容易となり、前記範囲の上限以下であると、ゴースト強度を容易に低減することができる。
【０１８０】
前記近赤外線吸収光学フィルターは、下記要件（２）を満たすことが好ましい。
要件（２）：前記光学センサー側から、前記近赤外線吸収光学フィルターに３０°の角度で入射した光の、波長（λＯＡMAX−１５）ｎｍ〜（λＯＡMAX＋１５）ｎｍにおける反射率の平均値が８．２％以下
反射率の平均値が前記範囲にあると、ゴーストをより低減できることが期待できる。
前記反射率の平均値は、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは４％以下、特に好ましくは３％以下である。
このような要件（２）を満たす近赤外線吸収光学フィルターは、例えば、反射防止層を形成することで得ることができる。
【０１８１】
前記近赤外線吸収光学フィルターは、前記と同様の理由から、下記要件（３'）および（４'）を満たすことが好ましい。
【０１８２】
要件（３'）：前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長４００ｎｍ〜（λＯＡMAX−３０）ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
この要件（３'）を満たす近赤外線吸収光学フィルターを用いることで、検出を行う近赤外線（透過する近赤外線）以外の可視光線〜近赤外線までの光を遮蔽することができ、得られる光学センサーモジュールのノイズを容易に低減することができ、より感度を向上することができる等の点から好ましい。
該要件（３'）における透過率の平均値は、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下である。
【０１８３】
要件（４'）：前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯＡMAX＋４０）ｎｍ〜１２５０ｎｍにおける透過率の平均値が５％以下
この要件（４'）を満たす近赤外線吸収光学フィルターを用いることで、検出を行う近赤外線より長波長の光を遮蔽することができ、得られる光学センサーモジュールのノイズを容易に低減することができ、より感度を向上することができる等の点から好ましい。
該要件（４'）における透過率の平均値は、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下である。
【０１８４】
前記近赤外線吸収光学フィルターは、下記要件（５’）を満たすことが好ましい。
要件（５’）：前記近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の、波長（λＯＡＭＡＸ−１５）ｎｍ〜（λＯＡＭＡＸ＋１５）ｎｍにおける透過率の平均値が２０〜９０％
この要件（５’）を満たす近赤外線吸収光学フィルターを用いることで、光学センサーの感度を高く保つことができ、また、ゴーストの低減等の点から好ましい。
該要件（５’）における透過率の平均値は、より好ましくは２０〜８５％、さらに好ましくは２５〜８５％、特に好ましくは２５〜８０％である。
センサー感度を容易に確保することができる等の点から前記範囲の下限以上であることが好ましい。また、近赤外線吸収光学フィルターのセンサー側に入射した光を吸収する強度が十分となり、ゴーストをより低減できる等の点から前記範囲の上限以下であることが好ましい。
【０１８５】
〔その他の機能層〕
前記近赤外線吸収光学フィルターは、本発明の効果を損なわない範囲において、基板、誘電体多層膜および／または近赤外線吸収層の表面硬度の向上、耐薬品性の向上、帯電防止および傷消しなどの目的で、反射防止層、ハードコート膜や帯電防止膜、密着補助膜、応力調整膜、導電膜、遮光層などの機能層を適宜有していてもよい。
これらの機能層の詳細については、前記近赤外線吸収フィルターの欄に記載したとおりである。
前記近赤外線吸収光学フィルターは、これらの機能層を１層含んでもよく、２層以上含んでもよい。機能層を２層以上含む場合には、同様の層を２層以上含んでもよいし、異なる層を２層以上含んでもよい。
【０１８６】
特に、前記近赤外線吸収光学フィルターは、光学センサー側に、波長８００〜１２００ｎｍのうち少なくとも一部の波長の光の反射を防止する反射防止層を有することが好ましい。このような反射防止層としては、前記誘電体多層膜Ｂが好ましい。
【０１８７】
また、前記近赤外線吸収光学フィルターは、所望の用途に応じて、図６の（Ｄ）に示すように、遮光層を有することが好ましい。
該遮光層は、波長４００〜１２００ｎｍのいずれかの波長における光の透過率が０．１％以下の層である。
遮光層の構成例としては、このような透過率を満たすような層であれば特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの樹脂と、顔料や染料、金属、金属酸化物、金属窒化物等とを混合し、必要により硬化させたものが挙げられる。また、近赤外線吸収光学フィルター上に、波長４００〜１２００ｎｍのいずれかの波長における光の透過率が０．１％以下となるように、金属、金属酸化物、金属窒化物等からなる層を、前記誘電体多層膜Ａと同様の手段で形成してもよい。
前記近赤外線吸収光学フィルターは、遮光層を複数有してもよく、複数の遮光層でフレネルゾーンプレート等を形成していてもよい。
【０１８８】
前記機能層の厚さは、好ましくは０．１〜２０μｍ、さらに好ましくは０．５〜１０μｍ、特に好ましくは０．７〜５μｍである。
【０１８９】
＜光学センサー＞
前記光学センサーとしては、近赤外線を利用する光学センサーであれば特に制限されず、従来公知の光学センサーを用いることができる。本発明は、このような近赤外線を利用する従来公知の光学センサーのゴーストを低減する方法を提供するともいえる。
前記光学センサーを構成する部材としては、シリコン製、ブラックシリコン製、ＩｎＧａＡｓ製等の部材、有機光電変換膜、レクテナ、グラフェンセンサー、メタマテリアルセンサーなどの特定の波長の光を電気信号に変換する光電変換素子を使用することができる。また、光学センサーは飛行時間型測距機構を有してもよい。
【０１９０】
前記光学センサーは、迷光抑制等の点から、偏光フィルター、ワイヤーグリッド等を有してもよい。
また、前記光学センサーとしては、ノイズを低減する等の点から、カラーフィルター等を介し、可視光領域の波長の感度を低減させた光学センサーが好ましい。カラーフィルターを介し、可視光領域の波長の感度を低減させた近赤外線光学センサーとしては、例えば、特開２０１７−２１６６７８号公報に記載の光学センサーが挙げられる。
【０１９１】
・ブラックシリコン
図７における、光学センサー５や、環境光センサー１１４としては、ブラックシリコン製の部材を用いることが好ましい。
ブラックシリコンとしては、例えば、シリコンウエハに特定の雰囲気下でレーザーを照射することにより、シリコン表面に微小スパイクを形成することで得ることができる。ブラックシリコン製の部材を用いた場合、シリコンフォトダイオードを用いた場合に比べ、近赤外線帯域の受光感度が高くなる等のため、より好適に用いられる。
ブラックシリコンを用いた光学センサーの市販品としては、ＳｉＯｎｙｘ社製のＸＱＥシリーズが挙げられる。
【０１９２】
≪光学センサーユニット≫
本モジュールを用いる場合の一例として、本モジュール１を用いた光学センサーユニットの構成例を図７に示す。
光学センサーユニットは、図７（Ａ）に示すように、光学フィルター３と近赤外線吸収フィルター４と光学センサー５とを有する光学センサーモジュール１に加え、光源１０２を内蔵した光源ユニット１０１を併設してもよい。図７（Ｂ）のように、レンズ（群）またはレンズ機能を有する光学素子２を有してもよく、撮像装置またはカメラモジュールとしてもよい。光源の走査のため、図７（Ｃ）や（Ｄ）のように、ポリゴンミラーやＭＥＭＳ、フェーズドアレイ等の走査光学素子１１２を含む光源走査ユニット１１１を有してもよい。光学センサーユニットに用いる、光源ユニット、光学センサーモジュール、レンズ（群）等は、それぞれ、一つでも複数でもよい。
【０１９３】
前記光学センサーユニットは、図７（Ｅ）のように環境光センサー１１４を含む環境光センサーユニット１１３を有してもよい。ノイズのオフセットが可能となり高感度化が可能となる等の点から、環境光センサーユニット１１３を有することがより好ましい。
また、得られた情報を元に、図７（Ａ）〜（Ｅ）のように信号処理装置を介し、固体認証装置、測距装置、生体認証装置等としてもよい。
【０１９４】
・光源
光源１０２としては、波長８００〜１１５０ｎｍに発光極大波長を有するＬＥＤ、有機ＬＥＤ、レーザーダイオード、Ｙｂレーザー、フォトニック結晶面発光レーザーダイオード（ＰＣＳＥＬ）、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）等を用いることができる。
発光波長の急峻さから、ＰＣＳＥＬまたはＶＣＳＥＬがより好ましい。ＰＣＳＥＬとしては、例えば、浜松ホトニクス（株）製のＬ１３３９５−０４が挙げられる。ＶＣＳＥＬとしては、例えば、オプトウェル社製のＨＶ９４−００１５Ｍ３が挙げられる。
【０１９５】
・光学素子
光学素子２や２'としては、例えば、ガラスレンズ、樹脂レンズ、フレネルゾーンプレート、回析光学素子、メタレンズ、メタサーフェスを用いることができる。これらの表面に誘電体多層膜Ｂからなる反射防止層を有してもよく、これらを構成する部品中に、近赤外線吸収剤や紫外線吸収剤、可視光吸収剤、離型剤、蛍光消光剤、金属錯体系化合物等の添加剤を含有する層を有してもよい。得られる光学センサーモジュールを低背化しやすい等の点から、フレネルゾーンプレート、回析光学素子またはメタレンズを有することが好ましい。
【実施例】
【０１９６】
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されない。
【０１９７】
＜分子量＞
樹脂の分子量は、各樹脂の溶剤への溶解性等を考慮し、下記の方法にて測定を行った。
東ソー（株）製ＧＰＣ装置（ＨＬＣ−８２２０型、カラム：ＴＳＫｇｅｌα−Ｍ、展開溶剤：ＴＨＦ）を用い、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）を測定した。
【０１９８】
＜ガラス転移温度（Ｔｇ）＞
樹脂のガラス転移温度は、（株）日立ハイテクサイエンス製の示差走査熱量計（ＤＳＣ６２００）を用いて、昇温速度：毎分２０℃、窒素気流下で測定した。
【０１９９】
＜屈折率＞
誘電体膜における屈折率は、以下の手順により算出した。
光源として波長５５０ｎｍの光を用いた反射率モニターを用いて反射率を測定しながら、ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、Ｄ２６３、厚み０．３ｍｍ）上に、膜が形成されるにつれ変化する反射率が７つの極大値と極小値とを示す膜厚になるまで誘電体膜を形成した。（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ−４１００）を用いて、得られた誘電体膜付き基材の面の垂直方向から５°の角度で入射させた光の、波長３００〜１９００ｎｍの波長別透過率および絶対反射率を室温２５℃、湿度５０％の環境下で測定した。得られた５°入射の波長別透過率、５°入射の波長別絶対反射率より、シミュレーションソフト Ｅｓｓｅｎｔｉａｌ  Ｍａｃｌｅｏｄ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｃｅｎｔｅｒ社製）を用いて、波長５５０ｎｍの光の屈折率を算出した。
【０２００】
誘電体多層膜中の各層およびガラス基材以外の基材に形成された誘電体膜を以上の方法における膜の形成条件と同一成膜条件にて形成する場合、これらの屈折率は、以上の方法を用いて得られる誘電体膜の屈折率と同一であると見なした。
【０２０１】
＜分光透過率＞
光学フィルターや近赤外線吸収フィルターの各波長域における透過率は、これらを、室温２５℃、湿度６０％の暗所の環境下に１週間静置後、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ−４１００）を用いて、室温２５℃、湿度５０％の環境下で測定した。
ここで、光学フィルターや近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の透過率は、図８（Ａ）のように、光学フィルター３または近赤外線吸収フィルター４に対して、垂直方向から光２０２を入射させ、次いで、光学フィルター３または近赤外線吸収フィルター４を透過した光を分光光度計２０１で測定し、光学フィルター３や近赤外線吸収フィルター４の垂直方向から３０°の角度で入射した光の透過率は、図８（Ｂ）のように、光学フィルター３または近赤外線吸収フィルター４の垂直方向から３０°の角度で光２０２'を入射させ、次いで、光学フィルター３または近赤外線吸収フィルター４を透過した光を分光光度計２０１で測定した。
近赤外線吸収光学フィルターの場合も同様にして測定した。
【０２０２】
＜分光反射率＞
光学フィルターや近赤外線吸収フィルターの各波長域における反射率は、これらを、室温２５℃、湿度６０％の暗所の環境下に１週間静置後、（株）日立ハイテクノロジーズ製の分光光度計（Ｕ−４１００）を用いて室温２５℃、湿度５０％の環境下で測定した。
ここで、光学フィルターや近赤外線吸収フィルターの垂直方向から３０°の角度から入射した光の反射率は、図８（Ｃ）のように、光学フィルター３または近赤外線吸収フィルター４の垂直方向から３０°の角度から光２０２'を入射させ、そこで反射した光を分光光度計２０１で測定した。
近赤外線吸収光学フィルターの場合も同様にして測定した。
【０２０３】
＜ゴースト量＞
波長３００〜１２００ｎｍにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の波長別透過率ＴＯ0（λ）［×１００％］、光学フィルターの光学センサー側の面の垂直方向から３０°の角度で入射した光の波長別反射率ＲＯ30（λ）［×１００％］、近赤外線吸収フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の波長別透過率ＴＡ0（λ）［×１００％］、近赤外線吸収フィルターの面の垂直方向から３０°の角度で入射した光の波長別透過率ＴＡ30（λ）［×１００％］、近赤外線吸収フィルターの光学センサー側の面の垂直方向から３０°の角度で入射した光の波長別反射率ＲＡ30（λ）［×１００％］、近赤外線吸収光学フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の波長別透過率ＴＯＡ0（λ）［×１００％］、近赤外線吸収光学フィルターの光学センサー側の面の垂直方向から３０°の角度で入射した光の波長別反射率ＲＯＡ30（λ）［×１００％］を用い、図１（Ａ）や（Ｃ）の配置の光学センサーモジュールの場合は、下記式１により、図１（Ｂ）の配置の光学センサーモジュールの場合は、下記式２により、ゴースト量を評価した。
例えば、波長３００ｎｍにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の波長別透過率をＴＯ0（３００）、波長１２００ｎｍにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の波長別透過率をＴＯ0（１２００）とした。
【０２０４】
【数１】
2020140177.tif 000024
【０２０５】
図１（Ａ）の配置の光学センサーモジュールの場合、ゴーストは、図３（Ｂ）に記載の１２および１３の光路が考えられ、どちらもセンシング不良を起こす。前記式１のゴースト量１は、これら二つのゴースト強度の和を見積もる式に相当する。
【０２０６】
【数２】
2020140177.tif 000025
【０２０７】
図１（Ｂ）の配置の光学センサーモジュールの場合、ゴーストは、図３（Ｃ）に記載の１４の光路が考えられ、センシング不良を起こす。前記式２のゴースト２は、このゴースト強度を見積もる式に相当する。
【０２０８】
図２の（Ａ）や（Ｂ）、図３の（Ａ）のように、光学フィルターのみを具備する（近赤外線吸収フィルターおよび近赤外線吸収光学フィルターを具備しない）光学センサーモジュールにおけるゴースト量３は、ゴースト量１におけるＴＡ0（λ）およびＴＡ30（λ）がいずれの波長においても１００％（ＴＡ0（λ）＝１、ＴＡ30（λ）＝１）であるとし、ＲＡ30（λ）がいずれの波長においても０％（ＲＡ30（λ）＝０）であるとして、下記式３より評価した。
【０２０９】
【数３】
2020140177.tif 000026
【０２１０】
図３の（Ｄ）のように、近赤外線吸収フィルターと光学センサーとの間に光学フィルターを具備した光学センサーモジュールにおけるゴースト量４は、下記式４より評価した。
なお、波長３００〜１２００ｎｍにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から３０°の角度で入射した光の波長別透過率をＴＯ30（λ）［×１００％］とした。
【０２１１】
【数４】
2020140177.tif 000027
【０２１２】
＜センサー感度＞
センサー感度は、下記式５より評価した。なお、式５におけるλＯMAXは、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、光学フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の透過率が最も高い波長である。
式５：
センサー感度＝｛（波長（λＯMAX−１５ｎｍ）〜（λＯMAX＋１５ｎｍ）において、光学フィルターの垂直方向から入射した光の透過率の平均値［×１００％］）×（波長（λＯMAX−１５ｎｍ）〜（λＯMAX＋１５ｎｍ）において、近赤外線吸収フィルターの垂直方向から入射した光の透過率の平均値［×１００％］）｝
【０２１３】
近赤外線吸収光学フィルターを用いた場合のセンサー感度は、下記式５'より評価した。なお、式５'におけるλＯＡMAXは、波長８００〜１２００ｎｍにおいて、近赤外線吸収光学フィルターの面に対して垂直方向から入射した光の透過率が最も高い波長である。
式５'：  センサー感度＝波長（λＯＡMAX−１５ｎｍ）〜（λＯＡMAX＋１５ｎｍ）において、光近赤外線吸収光学フィルターの垂直方向から入射した光の透過率の平均値［×１００％］
【０２１４】
また、光学フィルターのみを具備する（近赤外線吸収フィルターおよび近赤外線吸収光学フィルターを具備しない）光学センサーモジュールにおけるセンサー感度は、下記式５''より評価した。
式５''：  センサー感度＝波長（λＯMAX−１５ｎｍ）〜（λＯMAX＋１５ｎｍ）において、光学フィルターの垂直方向から入射した光の透過率の平均値［×１００％］
【０２１５】
＜相対ゴースト強度＞
センサー感度が低下した場合、センサーのゲインを上げ感度を補正する。この場合ゴースト強度も強く検出される。このため、センサー感度で除した値から得られる相対ゴースト強度を下記式６〜９に従い算出し、ゴースト強度の指標とした。
【０２１６】
式６：    相対ゴースト強度＝（ゴースト量１）／（センサー感度）
式７：    相対ゴースト強度＝（ゴースト量２）／（センサー感度）
式８：    相対ゴースト強度＝（ゴースト量３）／（センサー感度）
式９：    相対ゴースト強度＝（ゴースト量４）／（センサー感度）
【０２１７】
［合成例］
下記試験例で用いた近赤外線吸収剤は、一般的に知られている方法で合成した。一般的合成方法としては、例えば、特許第３３６６６９７号公報、特許第２８４６０９１号公報、特許第２８６４４７５号公報、特許第３７０３８６９号公報、特開昭６０−２２８４４８号公報、特開平１−１４６８４６号公報、特開平１−２２８９６０号公報、特許第４０８１１４９号公報、特開昭６３−１２４０５４号公報、「フタロシアニン−化学と機能−」（アイピーシー、１９９７年）、特開２００７−１６９３１５号公報、特開２００９−１０８２６７号公報、特開２０１０−２４１８７３号公報、特許第３６９９４６４号公報、特許第４７４０６３１号公報に記載されている方法が挙げられる。
【０２１８】
［樹脂合成例１］
下記式（Ｘ1）で表される８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン  １００質量部、１−ヘキセン（分子量調節剤）１８質量部およびトルエン（開環重合反応用溶媒）３００質量部を、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２質量部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９質量部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱攪拌することにより開環重合反応させて開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。
【０２１９】
【化１８】
2020140177.tif 000028
【０２２０】
このようにして得られた開環重合体溶液１，０００質量部をオートクレーブに仕込み、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ6Ｈ5）3］3を０．１２質量部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ2、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。この反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、水素添加重合体（以下「樹脂Ａ」ともいう。）を得た。得られた樹脂Ａは、数平均分子量（Ｍｎ）が３２，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１３７，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）が１６５℃であった。
【０２２１】
［実施例１］
ガラス基材（ＳＣＨＯＴＴ社製、Ｄ２６３、厚み０．１ｍｍ）に、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いて、シリコンを蒸着源とし、ＲＦパワー：３００Ｗ、（酸素／（アルゴン＋水素＋酸素））＝０．２の混合比のガスを２０ｓｃｃｍ供給しながら成膜することで得られるシリカ層（ＳｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．４７）と、（水素／（アルゴン＋水素））＝０．０５の混合比のガスを２０ｓｃｃｍ供給しながら成膜することで得られるシリコン層（ａ−Ｓｉ：波長５５０ｎｍの光の屈折率が４．１）とが交互に積層されてなる誘電体多層膜を設けた。具体的には、表５に記載の設計（Ｉ）の誘電体多層膜を基材の一方の面に設け、設計（ＩＩ）の誘電体多層膜を基材の他方の面に設け、厚み０．１０７ｍｍの光学フィルター１を得た。
得られた光学フィルター１の分光透過率、分光反射率を評価した。結果を表１４に示す。また、得られた分光透過率および分光反射率のスペクトルを、それぞれ図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示す。
光学フィルター１のλＯMAXは８５０ｎｍであった。
【０２２２】
【表５】
2020140177.tif 000029
【０２２３】
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ  １００質量部、表２の化合物（Ｚ−４５）［樹脂Ａ中の極大吸収波長８９８ｎｍ］０．０１５質量部、および、塩化メチレンを加えて樹脂濃度が２０質量％の溶液（Ａ１）を調製した。得られた溶液（Ａ１）を平滑なガラス板上にキャストし、２０℃で８時間乾燥した後、ガラス板から剥離した。剥離した塗膜をさらに減圧下１００℃で８時間乾燥することで、厚さ０．１ｍｍの近赤外線吸収層１を得た。
【０２２４】
イオンアシスト真空蒸着装置を用い、開始圧０．０００１Ｐａ、蒸着温度１２０℃、イオンガンへの供給ガスとして酸素とアルゴンとの混合ガスを用いて、単位面積あたりのイオン電流密度（μＡ／ｃｍ2）を成膜レート（Å／秒）で除した単位成膜レート・面積あたりのイオン電流密度が８μＡ・秒／Å・ｃｍ2の条件でイオンアシストを行うことで、シリカ層（ＳｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．４７）を形成し、単位成膜レート・面積あたりのイオン電流密度が２０μＡ・秒／Å・ｃｍ2の条件でイオンアシストを行うことで、酸化チタン層（ＴｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が２．４８）を形成し、これらの層が交互に積層されてなる、表６の設計（ＩＸ）の誘電体多層膜を、近赤外線吸収層１の両面に設けることで、厚み０．１０６ｍｍの近赤外線吸収フィルター１を得た。なお、この際、６０ｎｍ以下の物理膜厚の層は、水晶振動子を用いた膜厚モニターで膜厚を制御した。
得られた近赤外線吸収フィルター１の分光透過率および分光反射率を評価した。結果を表１４および図１２に示す。
【０２２５】
【表６】
2020140177.tif 000030
【０２２６】
得られた光学フィルター１と近赤外線吸収フィルター１とを、図１（Ａ）と同様の位置関係になるように具備した光学センサーモジュールを得た。得られた光学センサーモジュールのゴースト量１を、前記式１に従い算出した。また、前記式５に従い、センサー感度を算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．１であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
この実施例１で得られた光学センサーモジュールにおける波長別ゴースト強度を図１３に実線で示す。
【０２２７】
［実施例２］
実施例１において、化合物（Ｚ−４５）０．０１５質量部の代わりに、表１の化合物（Ｚ−３５）［樹脂Ａ中の極大吸収波長８８７ｎｍ］０．００８質量部を用いたこと以外は実施例１と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．９であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２２８】
［実施例３］
実施例２において、化合物（Ｚ−３５）の使用量を０．０１２質量部に変更したこと以外は実施例２と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は３．９であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２２９】
［実施例４］
実施例１において、化合物（Ｚ−４５）０．０１５質量部の代わりに、表３の化合物（Ｓ−５）［樹脂Ａ中の極大吸収波長９８９ｎｍ］０．０２３質量部を用いたこと以外は実施例１と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．０であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２３０】
［実施例５］
実施例４において、化合物（Ｓ−５）０．０２３質量部の代わりに、表３の化合物（Ｓ−３）［樹脂Ａ中の極大吸収波長９１２ｎｍ］０．１質量部を用いたこと以外は実施例４と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は１．３であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２３１】
［実施例６］
実施例１において、誘電体多層膜（Ｉ）および（ＩＩ）の代わりに、表７に記載の誘電体多層膜（ＩＩＩ）および（ＩＶ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして光学フィルター２を得た。得られた光学フィルター２の分光透過率および分光反射率を評価した。結果を表１４に示す。また、得られた分光透過率および分光反射率のスペクトルを、それぞれ図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示す。
光学フィルター２のλＯMAXは９４６ｎｍであった。
【０２３２】
【表７】
2020140177.tif 000031
【０２３３】
また、実施例４で得られた近赤外線吸収層（以下「近赤外線吸収層２」ともいう。）に、誘電体多層膜（ＩＸ）の代わりに、表８に記載の誘電体多層膜（ＸＩＩ）を設けたこと以外は実施例４と同様にして近赤外線吸収フィルター２を得た。
得られた光学フィルター２と近赤外線吸収フィルター２とを用いたこと以外は実施例１と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は２．０であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２３４】
【表８】
2020140177.tif 000032
【０２３５】
［実施例７］
実施例６において、化合物（Ｓ−５）０．０２３質量部の代わりに、前記式（Ｈ）におけるＲH1、ＲH2、ＲH3、ＲH4がイソブチル基であり、ＲH5、ＲH6、ＲH7、ＲH8が臭素原子である化合物（Ｈ１）［樹脂Ａ中の極大吸収波長１０００ｎｍ］０．０６６質量部を用いたこと以外は実施例６と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．１であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２３６】
［実施例８］
実施例６において、化合物（Ｓ−５）０．０２３質量部の代わりに、前記式（Ｄ１）におけるＲ1がイソブチル基、Ｒ2が水素原子、Ｘが表４の（Ｘ−２１）である化合物（Ｄ１−１）［樹脂Ａ中の極大吸収波長１０９５ｎｍ］０．０８質量部を用いたこと以外は実施例６と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は１．３であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２３７】
［実施例９］
実施例８において、誘電体多層膜（ＩＩＩ）および（ＩＶ）の代わりに、表９に記載の誘電体多層膜（Ｖ）および（ＶＩ）を用いたこと以外は実施例８と同様にして光学フィルター３を得た。得られた光学フィルター３の分光透過率および分光反射率を評価した。得られた分光透過率および分光反射率のスペクトルを、それぞれ図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示す。
光学フィルター３のλＯMAXは１１３８ｎｍであった。
【０２３８】
【表９】
2020140177.tif 000033
【０２３９】
また、実施例８において、前記化合物（Ｄ１−１）の使用量を０．０６３質量部に変更したこと以外は実施例８と同様にして近赤外線吸収層３を得た。得られた近赤外線吸収層３に、誘電体多層膜（ＸＩＩ）の代わりに、表１０に記載の誘電体多層膜（ＸＶ）を設けて近赤外線吸収フィルター３を得たこと以外は実施例８と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は０．９であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２４０】
【表１０】
2020140177.tif 000034
【０２４１】
［実施例１０］
容器に、樹脂合成例１で得られた樹脂Ａ  １００質量部、表２の化合物（Ｚ−４５）［樹脂Ａ中の極大吸収波長８９８ｎｍ］０．３質量部、および、塩化メチレンを加えて樹脂濃度が１３質量％の溶液（Ａ１０）を調製した。
【０２４２】
また、実施例１において、誘電体多層膜（Ｉ）および（ＩＩ）を、表１１に記載の誘電体多層膜（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）に変えた以外は実施例１と同様にして、ガラス基材（基板）の一方の面に誘電体多層膜（ＶＩＩ）を設け、他方の面に誘電体多層膜（ＶＩＩＩ）を設けることで、積層体１を得た。
【０２４３】
得られた積層体１の誘電体多層膜（ＶＩＩＩ）上に、下記硬化性組成物溶液（１）をスピンコートで塗布した後、ホットプレート上にて、８０℃で２分間加熱することで溶剤を揮発除去し、後述する樹脂層との接着層として機能する樹脂層を形成した。この際、該樹脂層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整した。
【０２４４】
硬化性組成物溶液（１）：イソシアヌル酸エチレンオキサイド変性トリアクリレート（商品名：アロニックスＭ−３１５、東亜合成（株）製）３０質量部、１，９−ノナンジオールジアクリレート２０質量部、メタクリル酸２０質量部、メタクリル酸グリシジル３０質量部、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５質量部、１−ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン（商品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製）５質量部、および、サンエイドＳＩ−１１０主剤（三新化学工業（株）製）１質量部を混合し、固形分濃度が５０質量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後、孔径０．２μｍのミリポアフィルタでろ過した溶液
【０２４５】
次に、前記樹脂層上に、アプリケーターを用いて前記溶液（Ａ１０）を乾燥後の膜厚が５μｍとなるような条件で塗布し、ホットプレート上にて、８０℃で５分間加熱し、溶剤を揮発除去することで近赤外線吸収層４を形成した。次いで、誘電体多層膜（ＶＩＩ）側からコンベア式露光機を用いて露光（露光量：１Ｊ／ｃｍ2、照度：２００ｍＷ）した後、オーブン中１８０℃で５分間焼成して積層体１と近赤外線吸収層４との積層構造体を得た。
【０２４６】
得られた積層構造体の近赤外線吸収層４上に、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、開始圧０．０００１Ｐａ、蒸着温度１２０℃、イオンガンへの供給ガスとして酸素とアルゴンとの混合ガスを用いて、単位面積あたりのイオン電流密度（μＡ／ｃｍ2）を成膜レート（Å／秒）で除した単位成膜レート・面積あたりのイオン電流密度が８μＡ・秒／Å・ｃｍ2の条件でイオンアシストを行うことで、シリカ層（ＳｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．４７）を形成し、単位成膜レート・面積あたりのイオン電流密度が２０μＡ・秒／Å・ｃｍ2の条件でイオンアシストを行うことで、酸化チタン層（ＴｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が２．４８）を形成し、これらの層が交互に積層されてなる、表１１の設計（ＩＸ）の誘電体多層膜を設け、厚みが０．１１４ｍｍである、近赤外線吸収光学フィルター１を得た。
得られた近赤外線吸収光学フィルター１の分光透過率、分光反射率を評価した。結果を表１５に示す。
【０２４７】
【表１１】
2020140177.tif 000035
【０２４８】
得られた近赤外線吸収光学フィルター１を図１（Ｂ）と同様の位置関係になるように具備した光学センサーモジュールを得た。得られた光学センサーモジュールのゴースト量２を、前記式２に従い算出した。また、前記式５'に従い、センサー感度を算出した。結果を表１５に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．２であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２４９】
［実施例１１］
実施例１０において、化合物（Ｚ−４５）０．３質量部の代わりに、表１の化合物（Ｚ−３５）０．１６質量部を用いた以外は実施例１０と同様にして近赤外線吸収光学フィルター２を得た。得られた近赤外線吸収光学フィルター２の分光透過率、分光反射率を評価した。結果を表１５に示す。また、得られた分光透過率および分光反射率スペクトルを図１４に示す。
【０２５０】
また、該近赤外線吸収光学フィルター２を用いた以外は実施例１０と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量２とセンサー感度とを算出した。結果を表１５に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は５．１であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
この実施例１１で得られた光学センサーモジュールにおける波長別ゴースト強度を図１５に実線で示す。
【０２５１】
［実施例１２］
実施例１１において、化合物（Ｚ−３５）の使用量を１．１８質量部に変更し、近赤外線吸収層の厚みを１０μｍに代えた以外は実施例１１と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量２とセンサー感度とを算出した。結果を表１５に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．１であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２５２】
［実施例１３］
実施例１０において、化合物（Ｚ−４５）０．３質量部の代わりに、表３の化合物（Ｓ−５）０．４６質量部を用いた以外は実施例１０と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量２とセンサー感度とを算出した。結果を表１５に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は４．２であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２５３】
［実施例１４］
実施例１３において、誘電体多層膜（ＶＩＩ）および（ＶＩＩＩ）の代わりに、表１２に記載の誘電体多層膜（Ｘ）および（ＸＩ）を設け、誘電体多層膜（ＩＸ）を誘電体多層膜（ＸＩＩ）に変更した以外は実施例１３と同様にして、厚み０．１１４ｍｍの近赤外線吸収光学フィルター３を得た。なおこの時の近赤外線吸収層を近赤外線吸収層５とした。
【０２５４】
また、近赤外線吸収光学フィルター３を用いた以外は実施例１０と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量２とセンサー感度とを算出した。結果を表１５に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は２．６であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２５５】
【表１２】
2020140177.tif 000036
【０２５６】
［実施例１５］
実施例１４において、化合物（Ｓ−５）０．４６質量部の代わりに、前記化合物（Ｈ１）１．１質量部を用い、基材の厚みを１０μｍに代えた以外は実施例１４と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量２とセンサー感度とを算出した。結果を表１５に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は２．８であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２５７】
［実施例１６］
実施例６と同様にして光学フィルター２を得た。
また、リン酸銅ガラス（松浪硝子工業（株）製、ＢＳ１１を厚み０．１ｍｍに研磨したもの、近赤外線吸収層に相当）の両面に、イオンアシスト真空蒸着装置を用い、開始圧０．０００１Ｐａ、蒸着温度１２０℃、イオンガンへの供給ガスとして酸素とアルゴンとの混合ガスを用いて、単位面積あたりのイオン電流密度（μＡ／ｃｍ2）を成膜レート（Å／秒）で除した単位成膜レート・面積あたりのイオン電流密度が８μＡ・秒／Å・ｃｍ2の条件でイオンアシストを行うことで、シリカ層（ＳｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が１．４７）を形成し、単位成膜レート・面積あたりのイオン電流密度が２０μＡ・秒／Å・ｃｍ2の条件でイオンアシストを行うことで、酸化チタン層（ＴｉＯ2：波長５５０ｎｍの光の屈折率が２．４８）を形成し、これらの層が交互に積層されてなる表１３の設計（ＸＩＩ）の誘電体多層膜を設け、厚み０．１０１ｍｍの近赤外線吸収フィルター４を得た。
【０２５８】
【表１３】
2020140177.tif 000037
【０２５９】
光学フィルター２と近赤外線吸収フィルター４とを用いたこと以外は実施例１と同様にして光学センサーモジュールを得、ゴースト量１とセンサー感度とを算出した。結果を表１４に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は３．５であり、ゴースト強度が低い光学センサーモジュールが得られた。
【０２６０】
［比較例１］
実施例１と同様にして光学フィルター１を得た。得られた光学フィルター１とセンサーとを用い、近赤外線吸収フィルター１を具備しない光学センサーモジュールを得た。得られた光学センサーモジュールのゴースト量３を、前記式３に従い算出し、また、前記式５''に従い、センサー感度を算出した。結果を表１６に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は１０．５であり、ゴースト強度が高い光学センサーモジュールであった。
この比較例１で得られた光学センサーモジュールにおける波長別ゴースト強度を図１３および１５に点線で示す。
【０２６１】
［比較例２］
実施例６と同様にして光学フィルター２を得た。得られた光学フィルター２とセンサーとを用い、近赤外線吸収フィルター２を具備しない光学センサーモジュールを得た。得られた光学センサーモジュールのゴースト量３を、前記式３に従い算出し、また、前記式５''に従い、センサー感度を算出した。結果を表１６に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は２１．２であり、ゴースト強度が高い光学センサーモジュールであった。
【０２６２】
［比較例３］
実施例９と同様にして光学フィルター３を得た。得られた光学フィルター３とセンサーとを用い、近赤外線吸収フィルター３を具備しない光学センサーモジュールを得た。得られた光学センサーモジュールのゴースト量３を、前記式３に従い算出し、また、前記式５''に従い、センサー感度を算出した。結果を表１６に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は１９．４であり、ゴースト強度が高い光学センサーモジュールであった。
【０２６３】
［比較例４］
実施例１と同様にして得られた光学フィルター１と近赤外線吸収フィルター１とを、図３（Ｄ）と同様の位置関係になるように具備した光学センサーモジュールを得た。得られた光学センサーモジュールのゴースト量４を、前記式４に従い算出した。また、前記式５に従い、センサー感度を算出した。結果を表１６に示す。
ゴースト量をセンサー感度で除した相対ゴースト強度は９．５であり、近赤外線吸収フィルター１を有しているが、ゴースト低減効果は少なく、ゴースト強度が高い光学センサーモジュールであった。
【０２６４】
【表１４】
2020140177.tif 000038
【０２６５】
【表１５】
2020140177.tif 000039
【０２６６】
【表１６】
2020140177.tif 000040
【符号の説明】
【０２６７】
１・・・光学センサーモジュール
２・・・レンズ（群）またはレンズ機能を有する光学素子
２’・・・レンズ機能を有するフレネルゾーンプレートやメタレンズ等のフラット光学素子
３・・・光学フィルター
４・・・近赤外線吸収フィルター
５・・・光学センサー
６・・・光学センサーフレーム
７・・・モジュール基板
８・・・近赤外線吸収光学フィルター
９・・・遮光層
１０・・・従来の光学センサーモジュール
１１・・・正しくセンシングされる光路
１２・・・近赤外線吸収フィルター表面で反射する光路によって発生するゴースト
１３・・・光学フィルター表面で反射する光路によって発生するゴースト
１４・・・近赤外線吸収光学フィルター表面で反射する光路によって発生するゴースト
２１、２１’・・・基材Ａ
２２、２２’・・・誘電体多層膜Ａ
２３、２３’・・・機能層
２４・・・遮光層
２５、２５’・・・近赤外線吸収層
２６、２６’・・・誘電体多層膜Ｂ
２７、２７’・・・機能層
３１・・・基板（基材Ａ）
３２、３２’・・・誘電体多層膜（誘電体多層膜Ａ）
３４・・・遮光層
３５、３５’・・・近赤外線吸収層
３６・・・誘電体多層膜（誘電体多層膜Ｂ）
１０１・・・光源ユニット
１０２・・・光源
１０３・・・光源用レンズ、光源用回折光学素子
１１１・・・光源走査ユニット
１１２・・・走査光学素子
１１３・・・環境光センサーユニット
１１４・・・環境光センサー
２０１・・・検出器（分光光度計）
２０２、２０２’・・・入射光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020140177.tif 000047
【図８】
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【図９】
2020140177.tif 000049
【図１０】
2020140177.tif 000050
【図１１】
2020140177.tif 000051
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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