(57)【要約】【課題】省エネルギ化と電力の安定供給を同時に実現可能な構成を提供することにある。【解決手段】工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、一側面に排熱部が接触するよう取り付けられ、反対側面に冷却装置が設置されるように構成されている補助発電システムで発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、第１電力供給ラインと第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を有する構成が提供される。【選択図】図１
2020150045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、
一側面に排熱部が接触するよう取り付けられ、反対側面に冷却装置が設置されるように構成されている補助発電システムで発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、
前記第１電力供給ラインと前記第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を有する
基板処理装置。
【請求項２】
更に、電装品を格納する格納ボックスの内部を冷却する冷却ユニットを備え、
前記冷却ユニットは、前記格納ボックス内の雰囲気を排気する排気口と、前記格納ボックス内に冷媒を供給する吸気口と、を有し、前記排気口にはファンが設けられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、一側面に排熱部が接触するよう取り付けられ、反対側面に冷却装置が設置されるように構成されている補助発電システムで発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、前記第１電力供給ラインと前記第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を有する基板処理装置の処理室にウエハを搬入する工程と、
前記ウエハを処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境変動や気候変動等の問題により、半導体製造工場においても環境負荷の低減が求められており、省エネルギ対策が進められている。このため、例えば、特許文献１では、水素含有ガスと酸素含有ガスを燃焼させる燃料電池により電力を発電すると共に、燃料電池で生じた水および排熱（水蒸気）を利用してガスタービンや蒸気タービンにより発電を行い、省エネルギ化を図ることが考えられている。また、特許文献２では、反応容器からの排熱を利用して蒸気タービンにより発電を行い、省エネルギ化を図ることが考えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２５３３１４号公報
【特許文献２】特開２０１４−５５５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体製造装置など加熱機構がある基板処理装置において、排熱を利用する補助発電システムを用いる場合、排熱が無い状態では電力を供給することができない。また、上記電力を蓄積するバッテリーがある場合においても、起動時や充電量が不十分な状態では安定的に電力を供給することができない。
【０００５】
本開示の課題は、省エネルギ化と電力の安定供給を同時に実現可能な構成を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様によれば、
工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、
一側面に排熱部が接触するよう取り付けられ、反対側面に冷却装置が設置されるように構成されている補助発電システムで発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、
前記第１電力供給ラインと前記第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を有する構成が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、省エネルギ化と電力の安定供給を同時に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本開示の実施形態に係る熱電発電ユニット部の構成図である。
【図３】本開示の実施形態に係る電源切替制御部のブロック図である。
【図４】本開示の実施形態に係る電源切替制御のフローチャートである。
【図５】本開示の実施形態に係る冷却システムの概略構成図である。
【図６】本開示の実施形態に係る冷却システムのブロック図である。
【図７】本開示の実施形態に係る冷却システムのフローチャートである。
【図８】本開示の実施形態の変形例に係る冷却システムの概略構成図である。
【図９】本開示の実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。
【００１０】
（基板処理装置）
本開示の実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を用いて説明する。
【００１１】
図１に示すように、実施形態に係る基板処理装置１００は、基板を加熱して処理する処理炉２０２と、処理炉２０２の廃熱を利用するための排熱部３１０と、供給される電力を切り替える切替制御部３３０と、交流電力を直流に変換して切替制御部３３０に直流電力を供給する電源ユニット３４０と、切替制御部３３０から直流電力が供給される電装品を格納する格納ボックス３５０と、を備える。基板処理装置１００は、さらに、格納ボックス３５０を冷却する冷却ユニット３６０が設けられている。
【００１２】
排熱部３１０は、処理炉２０２に導入されるガスを加熱して熱を吸収する供給配管や処理炉２０２内の処理済みのガス等を排出する排気配管等で構成されている。排熱部３１０は処理炉２０２内に導入するガスを加熱する加熱部の熱を排出する高温部でもよいし、処理炉２０２内の処理済みのガス等を排出する排気配管を加熱する加熱部の熱を排出する高温部でもよい。排熱部３１０には補助発電システムである熱電発電ユニット３２０が接触するように設けられている。
【００１３】
熱電発電ユニット３２０で発生された直流電力(図ではＤＣ電源の記載)は第２電力供給ライン３８２を介して切替制御部３３０に供給される。また、例えば、半導体製造工場の設備電源４００から供給される交流電力(図ではＡＣ電源の記載)は第１電力供給ライン３７１を介して切替制御部３３０に供給される。第１電力供給ライン３８１では基板処理装置１００内の電源ユニット３４０でＡＣ電源をＤＣ電源に変換される。切替制御部３３０はＤＣ電源を電装品３５１および冷却ユニット３６０に供給する。
【００１４】
格納ボックス３５０はステンレス等のパネルで構成した直方体形状であり、一面には扉が設けられ、後述する基板処理装置用コントローラ２４０（図５参照）を構成する電子部品やＰＬＣ（programmable logic controller）が格納されるコントローラボックス、後述する圧力センサを含む各種センサ等が格納されるガスボックスや排気ボックス等を含む。そして、それぞれの格納ボックス３５０内に設けられるＰＬＣ等の複数の電装品３５１を格納する。また、格納ボックス３５０は必要に応じて吸気口３６３および排気ファン３６６を有する冷却ユニット３６０により冷却される。
【００１５】
（熱電発電ユニット）
図２に示すように、熱電発電ユニット３２０は、その一側面を排熱部３１０の配管等の高温部に接触するように設けられ、複数接続される熱電発電モジュール３２１と、熱電発電モジュール３２１の反対側面に接触するように設けられる冷却装置３２２と、を備える。熱電発電モジュール３２１は物質の一端と他端に温度差を与えることで起電力が発生するゼーベック効果を利用した熱電発電素子で構成される。冷却装置３２２は、例えばラジエータ用冷却水を循環させるヒートシンク、熱電発電ユニット３２０で発電した電力を用いたファン、圧縮による液化・放熱、及び気化・吸熱を繰り返して冷却する冷媒である。このように、熱電発電ユニット３２０は、熱電発電モジュール３２１の両側面間の温度勾配を大きくし、熱電発電モジュール３２１の発電量を大きくすることが可能である。
【００１６】
（切替制御部）
切替制御部の構成および動作について図３、４を用いて説明する。
【００１７】
図３に示すように、切替制御部３３０は電源切替モジュール３３１と昇圧器３３２と制御部３３３とを備える。昇圧器３３２は熱電発電ユニット３２０の出力電圧を電装品３５１の使用電圧まで昇圧する。昇圧器３３２で昇圧されたＤＣ電源（ＤＣ電源１）及び電源ユニット３４０で変換されたＤＣ電源（ＤＣ電源２）は電源切替モジュール３３１に入力される。昇圧器３３２の前段に熱電発電ユニット３２０で発生された電力を充電するバッテリーを組み込んでもよい。ここで、電源切替モジュール３３１はＭＯＳＦＥＴリレー等で構成され、ＤＣ電源１とＤＣ電源２を選択的にＤＣ電源３に導通させる。なおＭＯＳＦＥＴの特性上、ＤＣ電源１やＤＣ電源２の電位がＤＣ電源３よりも高いときは、導通しうる。
【００１８】
制御部３３３は熱電発電ユニット３２０の出力電圧を監視し、図４に示すように、監視電圧に基づいて電装品３５１に供給する電源を切り替えるよう電源切替モジュール３３１を制御する。なお、制御部３３３は昇圧器３３２の出力電圧を監視してもよい。
具体的には、基板処理装置１００が起動され（ステップＳ１１）、電源ユニット３４０からＤＣ電源が供給される（ステップＳ１２）。制御部３３３は熱電発電ユニット３２０の出力電圧の監視を開始し（ステップＳ１３）、監視電圧が閾値以上かどうかを判断する（ステップＳ１４）。監視電圧が閾値以上の場合（Ｙ）、電源切替モジュール３３１は熱電発電ユニット３２０からのＤＣ電源を昇圧したＤＣ電源１をＤＣ電源３として出力する。監視電圧が閾値未満の場合（Ｎ）、電源切替モジュール３３１は電源ユニット３４０からのＤＣ電源２をＤＣ電源３として出力する。
このように本実施形態によれば、廃熱を基板処理装置１００内で有効活用することができるだけでなく、廃熱が無いあるいは少ない状態でも各種電装品３５１に安定してＤＣ電源３を供給することができる。
【００１９】
（冷却システム）
冷却システムの構成について図５、６を用いて説明する。
【００２０】
図５に示すように、基板処理装置完成後でも設置できるよう格納ボックス３５０の外部（図５では格納ボックス３５０の上）に冷却ユニット３６０が設けられる。冷却ユニット３６０はステンレス等のパネルで構成した直方体形状であり、パネル３６２側にダクト３７１，３７２の一端がそれぞれ接続される。格納ボックス３５０のパネル３５２側にダクト３７１，３７２の他端がそれぞれ接続される。冷却ユニット３６０、ダクト３７１，３７２および格納ボックス３５０により冷却システムが構成される。このように、冷却ユニット３６０を格納ボックス３５０本体と分離型とすることで、組み立て後に格納ボックス３５０内の温度が問題になった場合でも、あとから冷却ユニット３６０を取り付けて格納ボックス３５０内の温度を下げ、電装品３５１の寿命を延ばすことができる。
【００２１】
図６に示すように、格納ボックス３５０のパネル３５２には吸気口（給気口）３５３および排気口３５４が設けられ、吸気口３５３および排気口３５４にはそれぞれダクト３７１，３７２が接続される。格納ボックス３５０には格納ボックス内の温度を検知する温度センサ３５７が設けられている。  
冷却ユニット３６０のパネル３６１には吸気口３６３および排気口３６４が設置され、パネル３６２には開口３６５ａ，３６５ｂが設けられる。冷却ユニット３６０は、排気口３６４に設置される排気ファン３６６と、吸気口３６３から供給された空気を開口３６５ａに導く冷却エリア部３６７と、冷却エリア部を冷却する冷却装置３６８と、冷却装置３６８および排気ファン３６６を制御する制御部３６９と、を備える。冷却エリア部３６７の開口３６５ａ側はダクト３７１に接続され、排気ファン３６６の開口３６５ｂ側はダクト３７２に接続される。
【００２２】
排気ファン３６６は制御部３６９により制御され、ダクト３７２を介して強制的に格納ボックス３５０内の空気を格納ボックス３５０の外部に排出する。  
冷却エリア部３６７は、例えば吸気口３６３とダクト３７１とに接続されるパイプであり、冷却装置３６８は冷却エリア部３６７の少なくとも一部を覆っている。冷却装置３６８は制御部３６９により制御され、例えばペルチェ素子を備え、格納ボックス３５０に導入する空気を冷却エリア部３６７であらかじめ冷却する。冷却装置３６８は冷却装置３２２と同様なものであってもよい。  
なお、格納ボックス３５０の吸気口３５３側のダクト３７１は冷却ユニット３６０ではなく、格納ボックス３５０内部より温度の低い雰囲気部に設置し、温度の低い空気を導入できる構成でもよい。
【００２３】
格納ボックス３５０の吸気口３５３および排気口３５４の内側に風向調整板３５５，３５６を取り付けてもよい。例えば、風向調整板３５５，３５６を手動で動かすことにより、格納ボックス３５０の内部の気流を調整することが可能であり、熱の滞留を低減すること可能である。
【００２４】
なお、冷却ユニット３６０に設けるファンは排気ファンではなく給気ファンでもよいし、排気ファンおよび給気ファン両方を設けてもよい。給気ファンは冷却装置の代わりに設けてもよいし、冷却装置と共に設けてもよい。
【００２５】
冷却システムの動作について図７を用いて説明する。  
格納ボックス３５０内に温度センサ３５７を設置し、格納ボックス３５０内の温度を監視し、図７に示すように監視温度によって排気ファン３６６及び冷却装置３６８を制御する。  
具体的には、基板処理装置１００が起動され（ステップＳ２１）、制御部３６９は温度センサ３５７によって格納ボックス３５０内の温度の監視を開始する（ステップＳ２２。制御部３６９は監視温度が第一閾値以上かどうかを判断し（ステップＳ２３）、監視温度が第一閾値以上の場合（Ｙ）、制御部３６９は排気ファン３６６の動作を開始して温度センサ３５７の検知結果に基づいて例えば排気ファン３６６の回転数を制御する（ステップＳ２４）。ステップＳ２３において、監視温度が第一閾値未満の場合（Ｎ）、制御部３６９は排気ファン３６６を停止状態にする（ステップＳ２５）。  
ステップＳ２４の後、制御部３６９は監視温度が第二閾値以上かどうかを判断し（ステップＳ２６）、監視温度が第二閾値以上の場合（Ｙ）、制御部３６９は冷却装置３６８の動作を開始して温度センサ３５７の検知結果に基づいて例えばペルチェ素子に供給する電流量を制御する（ステップＳ２７）。ステップＳ２６において、監視温度が第二閾値未満の場合（Ｎ）、制御部３６９は冷却装置３６８を停止状態にする（ステップＳ２５）。  
また、格納ボックス３５０内温度を監視して排気ファン３６６、冷却装置３６８を制御することで、格納ボックス３５０内温度が低い状態では制御を停止させ、消費電力を抑えることができる。
【００２６】
次に、実施形態の変形例に係る冷却システムについて図８を用いて説明する。  
図８に示すように、冷却ユニット３６０は、格納ボックス３５０のパネル３５２に直接設置するパネル一体型としてもよい。この場合、ダクト３７１，３７２は不要となる。
【００２７】
（処理炉の構成）
本実施形態にかかる処理炉２０２の構成について、図９を用いて説明する。
【００２８】
図９に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１はボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。
【００２９】
プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００３０】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００３１】
シールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１に連通するように接続されている。ノズル２３０の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続されている。ガス供給管２３２の上流側（ノズル２３０との接続側と反対側）には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して、図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源等が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するように構成されている。
【００３２】
マニホールド２０９には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）として構成された圧力調整装置２４２、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が上流側から順に接続されている。圧力調整装置２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力調整装置２４２を制御するように構成されている。
【００３３】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１の反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能なように構成されている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、メカ制御部２３８が電気的に接続されている。メカ制御部２３８は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するように構成されている。
【００３４】
上述したように、基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるように構成されている。
【００３５】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、電気的に温度制御部２３７が接続されている。温度制御部２３７は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するように構成されている。
【００３６】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、メカ制御部２３８、温度制御部２３７は、基板処理装置全体を制御する主制御部としての表示装置制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、メカ制御部２３８、温度制御部２３７、及び主制御部としての表示装置制御部２３９は、基板処理装置用コントローラ２４０として構成されている。
【００３７】
（処理炉の動作）
続いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、上記構成に係る処理炉２０２を用いてＣＶＤ法によりウエハ２００上に薄膜を形成する方法について、図５を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。
【００３８】
［基板搬入工程］
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、図５に示すように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００３９】
［圧力・温度調整工程］
処理室２０１が所望の圧力（真空度）となるように、真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、圧力調整装置２４２（の弁の開度）がフィードバック制御される。また、処理室２０１が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって加熱される。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００が回転させられる。
【００４０】
［成膜工程］
次いで、処理ガス供給源から供給されてＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２内を流通してノズル２３０から処理室２０１に導入される。導入されたガスは処理室２０１を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。ガスは、処理室２０１を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。
【００４１】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１の圧力が常圧に復帰される。
【００４２】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７がマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取り出され、ポッド（不図示）内へ格納される（ウエハディスチャージ）。
【００４３】
本実施形態によれば、熱処理炉、導入ガス加熱部、排気ガス加熱部の排熱を利用して発電し、発電した電力を基板処理装置内部で再利用することが可能である。また、排熱が無いまたは少ない状態でも、電源の切替制御により、電装品に安定して電源を供給することが可能である。
本実施形態によれば、冷却ユニットを装置本体と分離型とすることで、装置完成後に装置内部の温度が想定より高いことが判明し問題になった場合であっても、後から冷却ユニットを設置することで、電装品を格納する格納ボックス内温度を下げることができ、電装品の寿命を延ばすことができる。また、格納ボックス内温度を監視して排気ファンや冷却装置を制御することで、格納ボックス内温度が低い状態では冷却ユニットの動作を停止させ、消費電力を抑えることができる。
【００４４】
上述の実施形態では、ウエハ上に膜を堆積させる例について説明した。しかしながら、本開示は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハやウエハ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
【００４５】
本開示は、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置でも適用できる。
【００４６】
以上、本件開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
【００４７】
＜本開示の好ましい態様＞
以下、本開示の好ましい態様について付記する。
【００４８】
（付記１）
本開示の一態様によれば、
工場設備から電力が供給される第１電力供給ラインと、
一側面に排熱部（高温側）が接触するように取り付けられ、反対側面に冷却装置（ヒートシンク、冷媒等）が設置されるように構成されている補助発電システム（熱電発電ユニット）で発生された電力が供給される第２電力供給ラインと、
前記第１電力供給ラインと前記第２電力供給ラインを切り替える切替制御部と、を備え、
前記補助発電システム（熱電発電ユニット）の基板処理装置が提供される。
【００４９】
（付記２）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
更に、電装品を格納する格納ボックスの内部を冷却する冷却ユニットを備え、
前記冷却ユニットは、前記格納ボックス内の雰囲気を排気する排気口と、前記格納ボックス内に冷媒を供給する吸気口と、を有し、前記排気口にはファンが設けられる。
【００５０】
（付記３）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記補助発電システムから得られた電圧を昇圧する回路を設け、
昇圧した電力を前記格納ボックス内の電装品に供給するよう構成されている。
【００５１】
（付記４）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
前記切替制御部は、前記補助発電システムから得られた電圧を監視し、電圧によって各種電装品に供給する電源を切り替えるよう構成されている。
【００５２】
（付記５）
付記１の基板処理装置において、好ましくは、
前記第１電力供給ラインは、交流電力を直流電力に変換する電源ユニットを有する。
【００５３】
（付記６）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
前記冷却ユニットには、ペルチェ素子を用いた冷却装置が設けられ、格納ボックスに導入される空気を冷却するように構成されている。
【００５４】
（付記７）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記格納ボックスに温度センサが設けられ、前記格納ボックス内の温度を監視し、該温度によってファンの制御を行うように構成されている。
【００５５】
（付記８）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記格納ボックスに温度センサが設けられ、前記格納ボックス内の温度を監視し、該温度によって前記ペルチェ素子の制御を行うように構成されている。
【００５６】
（付記９）
付記２の基板処理装置において、好ましくは、
更に、前記格納ボックスの前記排気口、及び前記吸気口のボックスの内側に風向調整板が設けられる。
【符号の説明】
【００５７】
１００・・・基板処理装置
３１０・・・排熱部
３２０・・・熱電発電ユニット（補助発電システム）
３２２・・・冷却装置
３３０・・・切替制御部
３８１・・・第１電力供給ライン
３８２・・・第２電力供給ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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