(57)【要約】【課題】ＩＴＯ電極のガルバニック腐食を抑制できる電極構造および半導体発光装置を提供する。【解決手段】ｎ側電極５１は、ＩＴＯ電極５２と、ＩＴＯ電極５２を被覆するＡｌ電極６２と、ＴｉＮおよびＣｒのうちの少なくとも一方を含み、ＩＴＯ電極５２およびＡｌ電極６２の間の領域に介在するバリア電極６５と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯを含むＩＴＯ電極と、
Ａｌを含み、前記ＩＴＯ電極を被覆するＡｌ電極と、
ＴｉＮおよびＣｒのうちの少なくとも一方を含み、前記ＩＴＯ電極および前記Ａｌ電極の間の領域に介在するバリア電極と、を含む、電極構造。
【請求項２】
前記バリア電極は、前記ＩＴＯおよび前記Ａｌ電極の間の領域に介在する第１領域、ならびに、平面視において前記第１領域から前記Ａｌ電極外の領域に引き出された第２領域を含む、請求項１に記載の電極構造。
【請求項３】
前記バリア電極の前記第２領域は、平面視において前記Ａｌ電極の周縁を取り囲んでいる、請求項２に記載の電極構造。
【請求項４】
前記バリア電極の前記第２領域は、前記バリア電極の厚さを超える引き出し長さを有している、請求項２または３に記載の電極構造。
【請求項５】
前記バリア電極の前記第２領域は、前記Ａｌ電極の厚さを超える引き出し長さを有している、請求項２〜４のいずれか一項に記載の電極構造。
【請求項６】
前記Ａｌ電極は、断面視において台形状に形成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電極構造。
【請求項７】
前記バリア電極は、ＴｉＮまたはＣｒからなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電極構造。
【請求項８】
前記バリア電極は、ＴｉＮからなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電極構造。
【請求項９】
主面を有し、光を生成する半導体発光層と、
ＩＴＯを含み、前記半導体発光層の前記主面を被覆するＩＴＯ電極と、
Ａｌを含み、前記ＩＴＯ電極を被覆するＡｌ電極と、
ＴｉＮおよびＣｒのうちの少なくとも一方を含み、前記ＩＴＯ電極および前記Ａｌ電極の間の領域に介在するバリア電極と、を含む、半導体発光装置。
【請求項１０】
前記バリア電極は、前記ＩＴＯおよび前記Ａｌ電極の間の領域に介在する第１領域、ならびに、平面視において前記第１領域から前記Ａｌ電極外の領域に引き出された第２領域を含む、請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記バリア電極の前記第２領域は、平面視において前記Ａｌ電極の周縁を取り囲んでいる、請求項１０に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記バリア電極の前記第２領域は、前記バリア電極の厚さを超える引き出し長さを有している、請求項１０または１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
前記バリア電極の前記第２領域は、前記Ａｌ電極の厚さを超える引き出し長さを有している、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
前記Ａｌ電極は、断面視において台形状に形成されている、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記バリア電極は、ＴｉＮまたはＣｒからなる、請求項９〜１４のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記バリア電極は、ＴｉＮからなる、請求項９〜１５のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記ＩＴＯ電極は、前記半導体発光層で生成された光を透過させる光透過層であり、
前記Ａｌ電極は、前記半導体発光層で生成された光を反射させる光反射電極である、請求項９〜１６のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
前記半導体発光層は、４５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有する光を生成する、請求項９〜１７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【請求項１９】
前記半導体発光層は、５５０ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有する光を生成する、請求項９〜１７のいずれか一項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造および半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）電極と、ＩＴＯ電極に接するＡｌ（アルミニウム）電極を含む電極構造を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−３５２５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
Ａｌ電極がＩＴＯ電極に接する構造では、Ａｌ電極およびＩＴＯ電極のイオン化傾向の違いに起因して、ＩＴＯ電極においてガルバニック腐食が生じる。
本発明の一実施形態は、ＩＴＯ電極のガルバニック腐食を抑制できる電極構造および半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態は、ＩＴＯを含むＩＴＯ電極と、Ａｌを含み、前記ＩＴＯ電極を被覆するＡｌ電極と、ＴｉＮおよびＣｒのうちの少なくとも一方を含み、前記ＩＴＯ電極および前記Ａｌ電極の間の領域に介在するバリア電極と、を含む、電極構造を提供する。
この構造によれば、バリア電極によってＩＴＯ電極のガルバニック腐食を抑制できる電極構造を提供できる。
【０００６】
本発明の一実施形態は、主面を有し、光を生成する半導体発光層と、ＩＴＯを含み、前記半導体発光層の前記主面を被覆するＩＴＯ電極と、Ａｌを含み、前記ＩＴＯ電極を被覆するＡｌ電極と、ＴｉＮおよびＣｒのうちの少なくとも一方を含み、前記ＩＴＯ電極および前記Ａｌ電極の間の領域に介在するバリア電極と、を含む、半導体発光装置を提供する。
【０００７】
この構造によれば、バリア電極によってＩＴＯ電極のガルバニック腐食を抑制できる半導体発光装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。
【図３】図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。
【図４】図４は、図２に示す領域IVの拡大図である。
【図５】図５は、図３に示す領域Vの拡大図である。
【図６】図６は、図１に示すｎ側電極の配線電極の拡大平面図である。
【図７】図７は、図１に示すｐ側電極の配線電極の拡大平面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、図３に対応する領域の断面図であって、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図８Ａの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、図８Ｂの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｄは、図８Ｃの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｅ】図８Ｅは、図８Ｄの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｆ】図８Ｆは、図８Ｅの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｇ】図８Ｇは、図８Ｆの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｈ】図８Ｈは、図８Ｇの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｉ】図８Ｉは、図８Ｈの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｊ】図８Ｊは、図８Ｉの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｋ】図８Ｋは、図８Ｊの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｌ】図８Ｌは、図８Ｋの後の工程を示す断面図である。
【図８Ｍ】図８Ｍは、図８Ｌの後の工程を示す断面図である。
【図９】図９は、図２に対応する領域の断面図であって、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図３に対応する領域の断面図であって、図９に示す半導体発光装置を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１２】図１２は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示す領域XVの拡大図である。
【図１６】図１６は、図１４に対応する領域の断面図であり、本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置１を示す平面図である。図２は、図１に示すII-II線に沿う断面図である。図３は、図１に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図２に示す領域IVの拡大図である。図５は、図３に示す領域Vの拡大図である。図６は、図１に示すｎ側電極５１の配線電極５５の拡大平面図である。図７は、図１に示すｐ側電極７１の配線電極７５の拡大平面図である。
【００１０】
図１〜図３を参照して、半導体発光装置１は、チップ本体２を含む。チップ本体２は、一方側の第１チップ主面３、他方側の第２チップ主面４、ならびに、第１チップ主面３および第２チップ主面４を接続するチップ側面５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄを含む。チップ側面５Ａ〜５Ｄは、より具体的には、第１チップ側面５Ａ、第２チップ側面５Ｂ、第３チップ側面５Ｃおよび第４チップ側面５Ｄを含む。第１チップ主面３および第２チップ主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。
【００１１】
第１チップ側面５Ａおよび第２チップ側面５Ｂは、平面視において第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。第３チップ側面５Ｃおよび第４チップ側面５Ｄは、平面視において第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。チップ側面５Ａ〜５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。
【００１２】
チップ本体２は、より具体的には、基板６および半導体発光層７を含む積層構造を有している。基板６は、チップ本体２の第２チップ主面４およびチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部を形成している。半導体発光層７は、チップ本体２の第１チップ主面３およびチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部を形成している。
基板６は、一方側の第１基板主面８、他方側の第２基板主面９、ならびに、第１基板主面８および第２基板主面９を接続する基板側面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを含む。基板側面１０Ａ〜１０Ｄは、より具体的には、第１基板側面１０Ａ、第２基板側面１０Ｂ、第３基板側面１０Ｃおよび第４基板側面１０Ｄを含む。
【００１３】
第１基板主面８および第２基板主面９は、平面視において四角形状に形成されている。第２基板主面９は、第２チップ主面４を形成している。基板側面１０Ａ〜１０Ｄは、チップ本体２のチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
基板６は、光透過性基板からなる。基板６は、この形態では、光透過性基板の一例としての不純物無添加のサファイア基板からなる。基板６の厚さは、５０μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。基板６の厚さは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、２５０μｍ以上３００μｍ以下、または、３００μｍ以上３５０μｍ以下であってもよい。
【００１４】
基板６の第１基板主面８には、この形態では、凹凸構造（an uneven structure）１１が形成されている。凹凸構造１１は、半導体発光層７で生成された光をチップ本体２の第１チップ主面３に向けて乱反射させる。これにより、半導体発光層７で生成された光の取り出し効率が高められる。
凹凸構造１１は、この形態では、基板６の第１基板主面８との間で凹凸を形成する複数の突出部１２を含む。複数の突出部１２は、互いに間隔を空けて第１基板主面８の上に配置されている。複数の突出部１２は、平面視において行列状または千鳥状に配置されていてもよい。複数の突出部１２は、錐台形状、ドーム形状または半球形状に形成されている。複数の突出部１２は、錐台形状の一例として、円錐台形状またはｎ（ｎ≧３）角錐台形状に形成されていてもよい。
【００１５】
複数の突出部１２は、この形態では、絶縁体をそれぞれ含む。複数の突出部１２は、絶縁体の一例としての酸化シリコンまたは窒化シリコンをそれぞれ含んでいてもよい。複数の突出部１２は、この形態では、窒化シリコンからなる。
半導体発光層７は、基板６の第１基板主面８の上に積層されている。半導体発光層７は、この形態では、４５０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有する光を生成する。つまり、半導体発光層７は、青色光、青緑色光または緑色光を生成する。半導体発光層７で生成された光は、チップ本体２の第１チップ主面３から取り出される。
【００１６】
半導体発光層７は、半導体主面１３および半導体側面１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ，１４Ｄを含む。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、より具体的には、第１半導体側面１４Ａ、第２半導体側面１４Ｂ、第３半導体側面１４Ｃおよび第４半導体側面１４Ｄを含む。
半導体主面１３は、平面視において四角形状に形成されている。半導体主面１３は、光取り出し面である。半導体主面１３は、第１チップ主面３を形成している。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、基板側面１０Ａ〜１０Ｄに連なっている。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、基板側面１０Ａ〜１０Ｄに対して面一に形成されている。半導体側面１４Ａ〜１４Ｄは、チップ本体２のチップ側面５Ａ〜５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
【００１７】
半導体発光層７は、基板６の第１基板主面８側からこの順に積層されたバッファ層２１、ｎ型半導体層２２、活性層２３、ｐ型半導体層２４を含む積層構造を有している。
バッファ層２１は、不純物無添加のＧａＮを含む。基板６の第１基板主面８の上において、複数の突出部１２を被覆している。バッファ層２１の厚さは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。バッファ層２１の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、１．５μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
【００１８】
バッファ層２１は、この形態では、複数の空孔２５を含む。複数の空孔２５は、複数の突出部１２の頂部の上にそれぞれ形成されている。複数の空孔２５は、複数の突出部１２を起点にそれぞれ形成され、複数の突出部１２に対して、１対１対応の関係で形成されている。複数の空孔２５は、断面視において複数の突出部１２の頂部から半導体主面１３に向けて法線方向Ｚに沿って延びるライン状に形成されている。
【００１９】
バッファ層２１は、この形態では、基板６の第１基板主面８の上に積層された複数（２以上）のバッファ層を含む。バッファ層の積層数は任意であり、特定の積層数に限定されない。バッファ層２１は、この形態では、第１基板主面８側からこの順に積層された第１バッファ層２６、第２バッファ層２７および第３バッファ層２８を含む。第１バッファ層２６、第２バッファ層２７および第３バッファ層２８は、不純物無添加のＧａＮをそれぞれ含む。
【００２０】
第１バッファ層２６は、基板６の第１基板主面８を被覆している。第１バッファ層２６は、第１基板主面８の上に膜状に結晶成長されたＧａＮを含む。第１バッファ層２６は、複数の突出部１２の頂部に対して基板６の第１基板主面８側の領域に形成されている。
第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６の上に形成されている。第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６の上に３次元的に結晶成長されたＧａＮを含む。第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６から半導体主面１３に向かう先細り形状に形成されている。第２バッファ層２７は、基部および頂部を有している。
【００２１】
第２バッファ層２７の基部は、複数の突出部１２の頂部に対して基板６の第１基板主面８側に位している。第２バッファ層２７の頂部は、複数の突出部１２の頂部に対して半導体主面１３側に突出している。第２バッファ層２７は、少なくとも複数の突出部１２の頂部を露出させるように形成されている。第２バッファ層２７は、この形態では、複数の突出部１２の頂部および側壁の一部を露出させている。
【００２２】
第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７の上に形成されている。第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７の上に２次元的に結晶成長されたＧａＮを含む。第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７および複数の突出部１２を被覆している。第３バッファ層２８は、複数の突出部１２の頂部との間で複数の空孔２５を区画している。
ｎ型半導体層２２は、バッファ層２１の上に形成されている。ｎ型半導体層２２は、この形態では、ｎ型コンタクト層２９およびｎ型クラッド層３０を含む積層構造を有している。
【００２３】
ｎ型コンタクト層２９は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＮを含む。ｎ型コンタクト層２９は、ｎ型不純物の一例としてのシリコンを含んでいてもよい。ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下であってもよい。ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度は、この形態では、５×１０１８ｃｍ−３程度である。
【００２４】
ｎ型コンタクト層２９の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。ｎ型コンタクト層２９の厚さは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
ｎ型クラッド層３０は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＮを含む。ｎ型クラッド層３０は、ｎ型不純物の一例としてのシリコンを含んでいてもよい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、ｎ型コンタクト層２９のｎ型不純物濃度未満であることが好ましい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、５×１０１７ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０のｎ型不純物濃度は、この形態では、３×１０１８ｃｍ−３程度である。
【００２５】
ｎ型クラッド層３０の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０の厚さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、または、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｎ型クラッド層３０の厚さは、この形態では、２００ｎｍ程度である。
【００２６】
活性層２３は、ｎ型クラッド層３０の上に形成されている。活性層２３は、この形態では、多重量子井戸構造を有している。多重量子井戸構造は、ＭＱＷ（Multi Quantum Well）層とも称される。多重量子井戸構造は、交互に積層された複数のバリア層３２および複数のウェル層３３を含む。
複数のバリア層３２および複数のウェル層３３は、交互に５層〜２０層ずつ積層されていてもよい。バリア層３２およびウェル層３３の積層数および積層順序は任意である。多重量子井戸構造の最下層は、バリア層３２またはウェル層３３であってもよい。多重量子井戸構造の最上層は、バリア層３２またはウェル層３３であってもよい。
【００２７】
バリア層３２は、不純物が添加されたＡｌＧａＮ、または、不純物無添加のＡｌＧａＮを含む。バリア層３２は、この形態では、不純物が添加されたＡｌＧａＮを含む。バリア層３２は、不純物の一例としてのシリコンを含んでいてもよい。バリア層３２の不純物濃度は、５×１０１６ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であってもよい。
バリア層３２の厚さは、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア層３２の厚さは、０．１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下、０．５ｎｍ以上１ｎｍ以下、１ｎｍ以上１．５ｎｍ以下、または、１．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であってもよい。
【００２８】
ウェル層３３は、不純物無添加のＡｌＩｎＧａＮを含む。ウェル層３３は、バリア層３２の厚さを超える厚さを有していてもよい。ウェル層３３の厚さは、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。ウェル層３３の厚さは、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、または、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。
【００２９】
ｐ型半導体層２４は、活性層２３の上に形成されている。ｐ型半導体層２４は、この形態では、ｐ型クラッド層３４およびｐ型コンタクト層３５を含む積層構造を有している。
ｐ型クラッド層３４は、活性層２３の上に形成されている。ｐ型クラッド層３４は、この形態では、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＮを含む。ｐ型クラッド層３４は、ｐ型不純物の一例としてのマグネシウムを含んでいてもよい。ｐ型クラッド層３４のｐ型不純物濃度は、５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０２０ｃｍ−３以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４のｐ型不純物濃度は、この形態では、５×１０１９ｃｍ−３程度である。
【００３０】
ｐ型クラッド層３４の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、３０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、または、４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、この形態では、３０ｎｍ程度である。
ｐ型コンタクト層３５は、ｐ型クラッド層３４の上に形成されている。ｐ型コンタクト層３５は、この形態では、ｐ型不純物が添加されたＧａＮを含む。ｐ型コンタクト層３５は、ｐ型不純物の一例としてのマグネシウムを含んでいてもよい。ｐ型コンタクト層３５のｐ型不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以上１×１０２２ｃｍ−３以下であってもよい。ｐ型コンタクト層３５のｐ型不純物濃度は、この形態では、２×１０２０ｃｍ−３程度である。
【００３１】
ｐ型コンタクト層３５の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、１５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下、３５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、または、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ｐ型クラッド層３４の厚さは、この形態では、２００ｎｍ程度である。
【００３２】
半導体発光層７の半導体主面１３には、高域部４１、低域部４２および接続部４３が形成されている。高域部４１、低域部４２および接続部４３は、半導体発光層７を切り欠いて形成されている。高域部４１、低域部４２および接続部４３は、台地状のメサ構造４４を形成している。
高域部４１は、半導体発光層７の厚さ方向（積層方向）に関して相対的に高所に位置している。高域部４１は、ｐ型半導体層２４によって形成されている。高域部４１は、より具体的には、ｐ型コンタクト層３５によって形成されている。高域部４１は、この形態では、平面視において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄから間隔を空けて、半導体発光層７の中央部に形成されている。
【００３３】
高域部４１は、平面視において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄに沿って平行に延びる４つの辺を有している。高域部４１の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。高域部４１は、平面視において多角形状、円形状、楕円形状等に形成されていてもよい。
低域部４２は、半導体発光層７の厚さ方向（積層方向）に関して、高域部４１に対して低所に位置している。低域部４２は、ｎ型半導体層２２によって形成されている。低域部４２は、より具体的には、ｎ型コンタクト層２９によって形成されている。低域部４２は、平面視において高域部４１の周囲に沿って帯状に延びている。低域部４２は、この形態では、平面視において高域部４１を取り囲む無端状（環状）に形成されている。
【００３４】
接続部４３は、高域部４１および低域部４２を接続している。接続部４３は、ｎ型半導体層２２の一部（ｎ型コンタクト層２９）、活性層２３およびｐ型半導体層２４によって形成されている。接続部４３は、平面視において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄに沿って平行に延びる４つの辺を有している。接続部４３は、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。接続部４３は、高域部４１から低域部４２に向けて下り傾斜していてもよい。
【００３５】
半導体主面１３の上には、接続部４３を被覆する絶縁層４５が形成されている。絶縁層４５は、酸化シリコン層もしくは窒化シリコン層、または、酸化シリコン層および窒化シリコン層を含む積層構造を含んでいてもよい。絶縁層４５は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。
絶縁層４５は、平面視において高域部４１を取り囲んでいる。絶縁層４５は、接続部４３の全域を被覆している。絶縁層４５は、高域部４１および接続部４３を接続するエッジ部を介して高域部４１を被覆するオーバラップ部を含む。絶縁層４５は、低域部４２および接続部４３を接続するエッジ部を介して低域部４２を被覆するオーバラップ部を含む。
【００３６】
半導体主面１３の上には、電極構造の一例としてのｎ側電極５１が形成されている。ｎ側電極５１は、低域部４２において半導体側面１４Ａ〜１４Ｄのうちの少なくとも１つに沿う領域に形成されている。ｎ側電極５１は、この形態では、低域部４２における第１半導体側面１４Ａおよび第４半導体側面１４Ｄを接続する角部に沿う領域に配置されている。ｎ側電極５１は、ｎ型半導体層２２（ｎ型コンタクト層２９）に電気的に接続されている。
【００３７】
ｎ側電極５１は、より具体的には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を含むＩＴＯ電極５２を含む。ＩＴＯ電極５２は、半導体主面１３（低域部４２）を被覆し、半導体発光層７で生成された光を透過させる光透過電極として形成されている。ＩＴＯ電極５２は、ｎ型半導体層２２（ｎ型コンタクト層２９）の上に形成されている。ＩＴＯ電極５２は、ｎ型半導体層２２（ｎ型コンタクト層２９）に電気的に接続されている。
【００３８】
ＩＴＯ電極５２は、平面視において第１面積Ｓｎ１を有している。ＩＴＯ電極５２は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、ＩＴＯ電極５２は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
ＩＴＯ電極５２は、この形態では、本体部５３および配線部５４を含む。本体部５３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部５３の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。本体部５３は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
【００３９】
配線部５４は、本体部５３から帯状に引き出された部分である。配線部５４は、この形態では、本体部５３から低域部４２における第１半導体側面１４Ａに沿う領域に引き出されている。配線部５４は、平面視において高域部４１を２方向、３方向または４方向から区画するように半導体側面１４Ａ〜１４Ｄのうちの２つ、３つまたは４つに沿って形成されていてもよい。
【００４０】
ＩＴＯ電極５２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ＩＴＯ電極５２の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ＩＴＯ電極５２の厚さは、この形態では、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【００４１】
ｎ側電極５１は、ＩＴＯ電極５２の上に形成された配線電極５５を含む。配線電極５５は、外部接続される外部端子として形成されている。配線電極５５は、平面視においてＩＴＯ電極５２の第１面積Ｓｎ１未満の第２面積Ｓｎ２（Ｓｎ２＜Ｓｎ１）を有している。配線電極５５は、ＩＴＯ電極５２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。
配線電極５５の全域は、平面視において、ＩＴＯ電極５２に重なっている。配線電極５５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、配線電極５５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
【００４２】
配線電極５５は、本体部５６および配線部５７を含む。本体部５６は、ボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される部分である。本体部５６は、ＩＴＯ電極５２の本体部５３の上に配置されている。本体部５６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部５６の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。本体部５６は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
【００４３】
配線部５７は、本体部５６から帯状に引き出された部分である。配線部５７は、ＩＴＯ電極５２の配線部５４の上に配置されている。配線部５７の引き出し態様を調整することにより、半導体発光装置１の順方向電圧ＶＦ等が調節される。
配線部５７は、本体部５６から低域部４２における第１半導体側面１４Ａに沿う領域に引き出されている。配線部５７は、平面視において高域部４１を２方向、３方向または４方向から区画するように半導体側面１４Ａ〜１４Ｄのうちの２つ、３つまたは４つに沿って形成されていてもよい。
【００４４】
配線電極５５は、断面視において頂部５８、基部５９、および、頂部５８から基部５９に向けて下り傾斜した側壁６０を有する台形状に形成されている。配線電極５５は、頂部５８および側壁６０を接続するエッジ部において外側に張り出した膨出部６１を有している。
膨出部６１は、法線方向Ｚおよび頂部５８に沿う方向に向かって張り出している。膨出部６１は、平面視において頂部５８の周縁に沿って延びる環状に形成されている。膨出部６１は、本体部５６においてボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される領域を画定している。
【００４５】
配線電極５５は、この形態では、ＩＴＯ電極５２側からこの順に積層されたＡｌ電極６２、Ｔｉ電極６３およびＡｕ電極６４を含む積層構造を有している。
Ａｌ電極６２は、Ａｌ（アルミニウム）を含む。Ａｌ電極６２は、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる。Ａｌ合金は、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉ合金、ＡｌＳｉＣｕ合金等であってもよい。Ａｌ電極６２は、この形態では、純Ａｌからなる。
【００４６】
Ａｌ電極６２は、半導体発光層７で生成された光を反射させる光反射電極として形成されている。Ａｌ電極６２は、断面視において台形状に形成されている。Ａｌ電極６２の側壁は、第１傾斜角θｎ１を有している。第１傾斜角θｎ１は、Ａｌ電極６２の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｌ電極６２内で成す角度である。
Ａｌ電極６２の厚さは、１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極６２の厚さは、１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、７５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下、または、１２５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極６２の厚さは、この形態では、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。Ａｌ電極６２を厚くするほど、光の反射率を高めることができる。
【００４７】
Ｔｉ電極６３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極６３は、Ａｌ電極６２に対するＡｕ電極６４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極６３は、Ａｌ電極６２のほぼ全域を被覆している。Ｔｉ電極６３は、断面視において台形状に形成されている。Ｔｉ電極６３の側壁は、Ａｌ電極６２の側壁を被覆している。
Ｔｉ電極６３の側壁は、Ａｌ電極６２の第１傾斜角θｎ１を超える第２傾斜角θｎ２（θｎ１＜θｎ２）を有している。第２傾斜角θｎ２は、Ｔｉ電極６３の側壁が半導体主面１３を基準にしてＴｉ電極６３内で成す角度である。
【００４８】
Ｔｉ電極６３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極６３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極６３の厚さは、この形態では、１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。
Ａｕ電極６４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極６４は、Ｔｉ電極６３のほぼ全域を被覆している。Ａｕ電極６４は、断面視において台形状に形成されている。Ａｕ電極６４は、配線電極５５の外面を形成している。Ａｕ電極６４の側壁は、Ｔｉ電極６３の側壁を被覆している。
【００４９】
Ａｕ電極６４の側壁は、Ｔｉ電極６３の第２傾斜角θｎ２を超える第３傾斜角θｎ３（θｎ１＜θｎ２＜θｎ３）を有している。第３傾斜角θｎ３は、Ａｕ電極６４の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｕ電極６４内で成す角度である。
Ａｕ電極６４の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極６４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極６４の厚さは、この形態では、１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。
【００５０】
ｎ側電極５１は、ＩＴＯ電極５２および配線電極５５（Ａｌ電極６２）の間の領域に介在するバリア電極６５を含む。バリア電極６５は、Ａｌ電極６２のＡｌに起因してＩＴＯ電極５２で生じるガルバニック腐食を抑制する保護電極として形成されている。
バリア電極６５は、Ａｌ電極６２のイオン化傾向よりも小さいイオン化傾向を有する電極材料を含むことが好ましい。バリア電極６５は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。バリア電極６５は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、バリア電極６５は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。
【００５１】
バリア電極６５の厚さは、ＩＴＯ電極５２の厚さ未満である。バリア電極６５の厚さは、Ａｌ電極６２の厚さ未満である。バリア電極６５の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極６５の厚さは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、３ｎｍ以上４ｎｍ以下、または、４ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極６５の厚さは、この形態では、１．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。
【００５２】
バリア電極６５は、平面視においてＩＴＯ電極５２において配線電極５５が対向する領域の全域に形成されている。つまり、バリア電極６５は、本体部６６および配線部６７を含む。バリア電極６５の本体部６６は、ＩＴＯ電極５２の本体部５３および配線電極５５の本体部５６の間の領域に介在している。バリア電極６５の配線部６７は、ＩＴＯ電極５２の配線部５４および配線電極５５の配線部５７の間の領域に介在している。
【００５３】
バリア電極６５は、平面視において配線電極５５（Ａｌ電極６２）の第２面積Ｓｎ２を超える第３面積Ｓｎ３（Ｓｎ２＜Ｓｎ３）を有している。バリア電極６５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、バリア電極６５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
バリア電極６５は、より具体的には、第１領域６８および第２領域６９を含む。第１領域６８は、ＩＴＯ電極５２および配線電極５５の間の領域に介在している。第２領域６９は、平面視において第１領域６８から配線電極５５外の領域に引き出されている。
【００５４】
第１領域６８は、ＩＴＯ電極５２および配線電極５５の間の領域の全域に介在している。つまり、第１領域６８は、ＩＴＯ電極５２の本体部５３および配線電極５５の本体部５６の間の領域に介在している。また、第１領域６８は、ＩＴＯ電極５２の配線部５４および配線電極５５の配線部５７の間の領域に介在している。
第２領域６９は、平面視において配線電極５５の周縁に沿って延びる帯状に形成されている。第２領域６９は、より具体的には、平面視において配線電極５５の周縁に沿って延びる環状に形成されている。つまり、第２領域６９は、平面視において配線電極５５の本体部５６および配線部５７に沿って延びる帯状に形成され、本体部５６および配線部５７を一括して取り囲んでいる。
【００５５】
第２領域６９の周縁は、この形態では、ＩＴＯ電極５２の周縁から間隔を空けてＩＴＯ電極５２の周縁および配線電極５５の周縁の間の領域に位置している。これにより、第２領域６９は、ＩＴＯ電極５２の一部を露出させている。
第２領域６９は、バリア電極６５の厚さを超える引き出し長さＬｎを有している。引き出し長さＬｎは、バリア電極６５の厚さの１００倍以上であることが好ましい。引き出し長さＬｎは、ＩＴＯ電極５２の厚さを超えていることが好ましい。引き出し長さＬｎは、Ａｌ電極６２の厚さを超えていることが好ましい。引き出し長さＬｎは、Ａｌ電極６２の厚さの２倍以上であることがさらに好ましい。
【００５６】
引き出し長さＬｎは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。引き出し長さＬｎは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。引き出し長さＬｎは、この形態では、１μｍ以上３μｍ以下である。
半導体主面１３の上には、電極構造の一例としてのｐ側電極７１が形成されている。ｐ側電極７１は、高域部４１に配置されている。ｐ側電極７１は、ｐ型半導体層２４（ｐ型コンタクト層３５）に電気的に接続されている。
【００５７】
ｐ側電極７１は、より具体的には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を含むＩＴＯ電極７２を含む。ＩＴＯ電極７２は、半導体発光層７で生成された光を透過させる光透過電極として形成されている。ＩＴＯ電極７２は、ｐ型半導体層２４（ｐ型コンタクト層３５）の上に形成されている。ＩＴＯ電極７２は、ｐ型半導体層２４（ｐ型コンタクト層３５）に電気的に接続されている。
【００５８】
ＩＴＯ電極７２は、高域部４１の周縁から間隔を空けて高域部４１の内方領域を被覆している。ＩＴＯ電極７２の周縁は、高域部４１の周縁に沿って延びている。ＩＴＯ電極７２は、平面視において第１面積Ｓｐ１を有している。ＩＴＯ電極７２は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、ＩＴＯ電極７２は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
【００５９】
ＩＴＯ電極７２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ＩＴＯ電極７２の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
ＩＴＯ電極７２の厚さは、この形態では、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。ＩＴＯ電極７２の厚さは、ｎ側電極５１のＩＴＯ電極５２の厚さと等しいことが好ましい。ＩＴＯ電極７２の厚さがＩＴＯ電極５２の厚さと等しいとは、ＩＴＯ電極７２の厚さがＩＴＯ電極５２の厚さと等しくなる条件下でＩＴＯ電極７２が形成されていることを意味する。ＩＴＯ電極７２の厚さには、ＩＴＯ電極５２の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００６０】
ｐ側電極７１は、ＩＴＯ電極７２の上に形成された配線電極７５を含む。配線電極７５は、外部接続される外部端子として形成されている。配線電極７５は、平面視においてＩＴＯ電極７２の第１面積Ｓｐ１未満の第２面積Ｓｐ２（Ｓｐ２＜Ｓｐ１）を有している。配線電極７５は、ＩＴＯ電極７２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。
配線電極７５は、平面視においてＩＴＯ電極７２の露出部の面積がＩＴＯ電極７２の隠蔽部の面積以上となる態様で、ＩＴＯ電極７２の上に形成されている。これにより、配線電極７５の全域は、平面視において、ＩＴＯ電極７２に重なっている。配線電極７５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、配線電極７５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
【００６１】
配線電極７５は、本体部７６および配線部７７を含む。本体部７６は、ボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される部分である。本体部７６は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。本体部７６の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。本体部７６は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
【００６２】
配線部７７は、本体部７６から帯状に引き出された部分である。配線部７７の引き出し態様を調整することにより、半導体発光装置１の順方向電圧ＶＦ等が調節される。配線部７７は、この形態では、本体部７６においてｎ側電極５１に対向する部分から引き出されている。
配線部７７は、この形態では、平面視において本体部７６から離れる方向に湾曲した円弧状に形成され、本体部７６に外接されている。配線部７７は、より具体的には、異なる曲率半径を有する複数の部分を含む。複数の部分は、第１配線部７７ａおよび第２配線部７７ｂを含む。
【００６３】
第１配線部７７ａは、平面視においてｎ側電極５１（配線電極５５）の本体部５６を中心とする円弧状に延び、本体部７６に外接されている。第２配線部７７ｂは、平面視においてｎ側電極５１（配線電極５５）の配線部５７の先端部を中心とする円弧状に延び、第１配線部７７ａに接続されている。
配線電極７５は、断面視において頂部７８、基部７９、および、頂部７８から基部７９に向けて下り傾斜した側壁８０を有する台形状に形成されている。配線電極７５は、頂部７８および側壁８０を接続するエッジ部において膨出部８１を有している。
【００６４】
膨出部８１は、法線方向Ｚおよび頂部７８に沿う方向に向かって張り出している。膨出部８１は、平面視において頂部７８の周縁に沿って延びる環状に形成されている。膨出部８１は、本体部７６においてボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される領域を画定している。
配線電極７５は、この形態では、ＩＴＯ電極７２側からこの順に積層されたＡｌ電極８２、Ｔｉ電極８３およびＡｕ電極８４を含む積層構造を有している。
【００６５】
Ａｌ電極８２は、Ａｌ（アルミニウム）を含む。Ａｌ電極８２は、純ＡｌまたはＡｌ合金からなっていてもよい。Ａｌ合金は、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉ合金、ＡｌＳｉＣｕ合金等であってもよい。Ａｌ電極８２は、ｎ側電極５１のＡｌ電極６２と同一の電極材料からなることが好ましい。Ａｌ電極８２は、この形態では、純Ａｌからなる。
Ａｌ電極８２は、半導体発光層７で生成された光を反射させる光反射電極として形成されている。Ａｌ電極８２は、断面視において台形状に形成されている。Ａｌ電極８２の側壁は、第１傾斜角θｐ１を有している。第１傾斜角θｐ１は、Ａｌ電極８２の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｌ電極８２内で成す角度である。
【００６６】
Ａｌ電極８２の厚さは、１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極８２の厚さは、１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、２５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、５００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、７５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、１０００ｎｍ以上１２５０ｎｍ以下、または、１２５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下であってもよい。
Ａｌ電極８２の厚さは、この形態では、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。Ａｌ電極８２を厚くするほど、光の反射率を高めることができる。Ａｌ電極８２の厚さは、ｎ側電極５１のＡｌ電極６２の厚さと等しいことが好ましい。Ａｌ電極８２の厚さがＡｌ電極６２の厚さと等しいとは、Ａｌ電極８２の厚さがＡｌ電極６２の厚さと等しくなる条件下でＡｌ電極８２が形成されていることを意味する。Ａｌ電極８２の厚さには、Ａｌ電極６２の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００６７】
Ｔｉ電極８３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極８３は、Ａｌ電極８２に対するＡｕ電極８４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極８３は、Ａｌ電極８２のほぼ全域を被覆している。Ｔｉ電極８３は、断面視において台形状に形成されている。Ｔｉ電極８３の側壁は、Ａｌ電極８２の側壁を被覆している。
Ｔｉ電極８３の側壁は、Ａｌ電極８２の第１傾斜角θｐ１を超える第２傾斜角θｐ２（θｐ１＜θｐ２）を有している。第２傾斜角θｐ２は、Ｔｉ電極８３の側壁が半導体主面１３を基準にしてＴｉ電極８３内で成す角度である。
【００６８】
Ｔｉ電極８３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極８３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。
Ｔｉ電極８３の厚さは、この形態では、１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。Ａｌ電極８２の厚さは、ｎ側電極５１のＴｉ電極６３の厚さと等しいことが好ましい。Ｔｉ電極８３の厚さがＴｉ電極６３の厚さと等しいとは、Ｔｉ電極８３の厚さがＴｉ電極６３の厚さと等しくなる条件下でＴｉ電極８３が形成されていることを意味する。Ｔｉ電極８３の厚さには、Ｔｉ電極６３の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００６９】
Ａｕ電極８４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極８４は、Ｔｉ電極８３のほぼ全域を被覆している。Ａｕ電極８４は、断面視において台形状に形成されている。Ａｕ電極８４は、配線電極７５の外面を形成している。Ａｕ電極８４の側壁は、Ｔｉ電極８３の側壁を被覆している。
Ａｕ電極８４の側壁は、Ｔｉ電極８３の第２傾斜角θｐ２を超える第３傾斜角θｐ３（θｐ１＜θｐ２＜θｐ３）を有している。第３傾斜角θｐ３は、Ａｕ電極８４の側壁が半導体主面１３を基準にしてＡｕ電極８４内で成す角度である。
【００７０】
Ａｕ電極８４の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極８４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
Ａｕ電極８４の厚さは、この形態では、１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。Ａｕ電極８４の厚さは、ｎ側電極５１のＡｕ電極６４の厚さと等しいことが好ましい。Ａｕ電極８４の厚さがＡｕ電極６４の厚さと等しいとは、Ａｕ電極８４の厚さがＡｕ電極６４の厚さと等しくなる条件下でＡｕ電極８４が形成されていることを意味する。Ａｕ電極８４の厚さには、Ａｕ電極６４の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００７１】
ｐ側電極７１は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５（Ａｌ電極８２）の間の領域に介在するバリア電極８５を含む。バリア電極８５は、Ａｌ電極８２のＡｌに起因してＩＴＯ電極７２で生じるガルバニック腐食を抑制する保護電極として形成されている。
バリア電極８５は、Ａｌ電極８２のイオン化傾向よりも小さいイオン化傾向を有する電極材料を含むことが好ましい。バリア電極８５は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。バリア電極８５は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、バリア電極８５は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。
【００７２】
バリア電極８５の厚さは、ＩＴＯ電極７２の厚さ未満である。バリア電極８５の厚さは、Ａｌ電極８２の厚さ未満である。バリア電極８５の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極８５の厚さは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、３ｎｍ以上４ｎｍ以下、または、４ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。
バリア電極８５の厚さは、この形態では、１．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。バリア電極８５の厚さは、ｎ側電極５１のバリア電極６５の厚さと等しいことが好ましい。バリア電極８５の厚さがバリア電極６５の厚さと等しいとは、バリア電極８５の厚さがバリア電極６５の厚さと等しくなる条件下でバリア電極８５が形成されていることを意味する。バリア電極８５の厚さには、バリア電極６５の厚さの±１０％程度の誤差が生じていてもよい。
【００７３】
バリア電極８５は、平面視においてＩＴＯ電極７２において配線電極７５が対向する領域の全域に形成されている。つまり、バリア電極８５は、本体部８６および配線部８７を含む。バリア電極８５の本体部８６は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５の本体部７６の間の領域に介在している。バリア電極８５の配線部８７は、ＩＴＯ電極５２および配線電極７５の配線部７７の間の領域に介在している。
【００７４】
バリア電極８５は、平面視において配線電極７５（Ａｌ電極８２）の第２面積Ｓｐ２を超える第３面積Ｓｐ３（Ｓｐ２＜Ｓｐ３）を有している。バリア電極８５は、法線方向Ｚに沿って複数の突出部１２に対向している。また、バリア電極８５は、法線方向Ｚに沿ってバッファ層２１に形成された複数の空孔２５に対向している。
バリア電極８５は、より具体的には、第１領域８８および第２領域８９を含む。第１領域８８は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５の間の領域に介在している。第２領域８９は、平面視において第１領域８８から配線電極７５外の領域に引き出されている。
【００７５】
第１領域８８は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５の間の領域の全域に介在している。つまり、第１領域８８は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５の本体部７６の間の領域に介在している。また、第１領域８８は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５の配線部７７の間の領域に介在している。
第２領域８９は、平面視において配線電極７５の周縁に沿って延びる帯状に形成されている。第２領域８９は、より具体的には、平面視において配線電極７５の周縁に沿って延びる環状に形成されている。つまり、第２領域８９は、平面視において配線電極７５の本体部７６および配線部７７に沿って延びる帯状に形成され、本体部７６および配線部７７を一括して取り囲んでいる。
【００７６】
第２領域８９の周縁は、この形態では、ＩＴＯ電極７２の周縁から間隔を空けてＩＴＯ電極７２の周縁および配線電極７５の周縁の間の領域に位置している。これにより、第２領域８９は、ＩＴＯ電極７２の一部を露出させている。
第２領域８９は、バリア電極８５の厚さを超える引き出し長さＬｐを有している。引き出し長さＬｐは、バリア電極８５の厚さの１００倍以上であることが好ましい。引き出し長さＬｐは、ＩＴＯ電極７２の厚さを超えていることが好ましい。引き出し長さＬｐは、Ａｌ電極８２の厚さを超えていることが好ましい。引き出し長さＬｐは、Ａｌ電極８２の厚さの２倍以上であることがさらに好ましい。
【００７７】
引き出し長さＬｐは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。引き出し長さＬｐは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。引き出し長さＬｐは、この形態では、１μｍ以上３μｍ以下である。
ｎ側電極５１およびｐ側電極７１の間に順方向電圧ＶＦが印加されると、ｎ型半導体層２２から活性層２３に電子が供給され、ｐ型半導体層２４から活性層２３に正孔が供給される。活性層２３に供給された電子および正孔は、活性層２３において結合する。これにより、光が生成される。
【００７８】
以上、半導体発光装置１は、半導体発光層７の半導体主面１３（低域部４２）の上に形成されたｎ側電極５１を含む。ｎ側電極５１は、ＩＴＯ電極５２およびＡｌ電極６２の間の領域に介在するバリア電極６５を含む。これにより、Ａｌ電極６２のＡｌに起因してＩＴＯ電極５２で生じるガルバニック腐食をバリア電極６５によって抑制できる。
その結果、半導体発光層７において生成された光をＩＴＯ電極５２を介してＡｌ電極６２に適切に入射させ、Ａｌ電極６２によって反射された光をＩＴＯ電極５２を介して半導体発光層７に適切に入射させることができる。よって、光取り出し効率を高めることができる半導体発光装置１を提供できる。
【００７９】
特に、半導体発光装置１は、基板６の第１基板主面８に形成された凹凸構造１１を含む。これにより、半導体発光層７において生成された光およびＡｌ電極６２によって反射された光を半導体発光層７に向けて乱反射させることができる。その結果、光取り出し効率を適切に高めることができる。
また、バリア電極６５は、第１領域６８および第２領域６９を含む。第１領域６８は、ＩＴＯ電極５２およびＡｌ電極６２の間の領域に介在している。第２領域６９は、平面視において第１領域６８からＡｌ電極６２外の領域に引き出されている。
【００８０】
ガルバニック腐食は、Ａｌ電極６２の周縁を起点にＩＴＯ電極５２で生じる傾向がある。したがって、バリア電極６５をＡｌ電極６２外の領域に引き出すことにより、Ａｌ電極６２の周縁を起点とするＩＴＯ電極５２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。また、平面視においてＡｌ電極６２の周縁を取り囲むように第２領域６９を形成することにより、ガルバニック腐食の抑制効果を高めることができる。
【００８１】
また、Ａｌ電極６２は、断面視において台形状に形成されている。これにより、Ａｌ電極６２において周縁を形成する部分の体積を減じることができる。その結果、Ａｌ電極６２の構造を利用して、Ａｌ電極６２の周縁を起点とするＩＴＯ電極５２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
また、半導体発光装置１は、半導体発光層７の半導体主面１３（高域部４１）の上に形成されたｐ側電極７１を含む。ｐ側電極７１は、ＩＴＯ電極７２およびＡｌ電極８２の間の領域に介在するバリア電極８５を含む。これにより、Ａｌ電極８２のＡｌに起因してＩＴＯ電極７２で生じるガルバニック腐食をバリア電極８５によって抑制できる。
【００８２】
その結果、半導体発光層７において生成された光をＩＴＯ電極７２を介してＡｌ電極８２に適切に入射させ、Ａｌ電極８２によって反射された光をＩＴＯ電極７２を介して半導体発光層７に適切に入射させることができる。よって、光取り出し効率を高めることができる半導体発光装置１を提供できる。
特に、半導体発光装置１は、基板６の第１基板主面８に形成された凹凸構造１１を含む。これにより、半導体発光層７において生成された光およびＡｌ電極８２によって反射された光を半導体発光層７に向けて乱反射させることができる。その結果、光取り出し効率を適切に高めることができる。
【００８３】
また、バリア電極８５は、第１領域８８および第２領域８９を含む。第１領域８８は、ＩＴＯ電極７２およびＡｌ電極８２の間の領域に介在している。第２領域８９は、平面視において第１領域８８からＡｌ電極８２外の領域に引き出されている。
ガルバニック腐食は、Ａｌ電極８２の周縁を起点にＩＴＯ電極７２で生じ傾向がある。したがって、バリア電極８５をＡｌ電極８２外の領域に引き出すことにより、Ａｌ電極８２の周縁を起点とするＩＴＯ電極７２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。また、平面視においてＡｌ電極８２の周縁を取り囲むように第２領域８９を形成することにより、ガルバニック腐食の抑制効果を高めることができる。
【００８４】
また、Ａｌ電極８２は、断面視において台形状に形成されている。これにより、Ａｌ電極８２において周縁を形成する部分の体積を減じることができる。その結果、Ａｌ電極８２の構造を利用して、Ａｌ電極８２の周縁を起点とするＩＴＯ電極７２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
図８Ａ〜図８Ｍは、図３に対応する領域の断面図であって、図１に示す半導体発光装置１の製造方法の一例を説明するための断面図である。
【００８５】
図８Ａを参照して、まず、サファイア基板からなる基板６が用意される。次に、基板６の第１基板主面８の上に、複数の突出部１２のベースとなるベース絶縁層９１が形成される。ベース絶縁層９１は、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含む。ベース絶縁層９１は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成されてもよい。
次に、図８Ｂを参照して、所定パターンを有するマスク９２が、ベース絶縁層９１の上に形成される。マスク９２は、複数の突出部１２を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口９２ａを有している。
【００８６】
次に、マスク９２を介するエッチング法によって、ベース絶縁層９１の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、複数の突出部１２が形成される。マスク９２は、その後、除去される。
次に、図８Ｃを参照して、バッファ層２１の一部となる第１バッファ層２６が、基板６の第１基板主面８の上に形成される。第１バッファ層２６は、基板６の第１基板主面８からＧａＮをエピタキシャル成長することにより形成される。第１バッファ層２６は、複数の突出部１２の頂部に対して基板６の第１基板主面８側の領域に形成される。
【００８７】
次に、図８Ｄを参照して、バッファ層２１の一部となる第２バッファ層２７が、第１バッファ層２６の上に形成される。第２バッファ層２７は、第１バッファ層２６からＧａＮを３次元的にエピタキシャル成長することにより形成される。
第２バッファ層２７は、複数の突出部１２の頂部よりも上方に突出するように形成される。第２バッファ層２７は、少なくとも複数の突出部１２の頂部を露出させるように形成される。第２バッファ層２７は、この形態では、複数の突出部１２の頂部および側壁の一部を露出させている。
【００８８】
次に、図８Ｅを参照して、バッファ層２１の一部となる第３バッファ層２８が、第２バッファ層２７の上に形成される。第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７からＧａＮを２次元的にエピタキシャル成長することにより形成される。
第３バッファ層２８は、第２バッファ層２７および複数の突出部１２を被覆する。第３バッファ層２８は、複数の突出部１２の頂部との間で複数の空孔２５を区画する。これにより、第１バッファ層２６、第２バッファ層２７および第３バッファ層２８を含むバッファ層２１が、基板６の第１基板主面８の上に形成される。
【００８９】
次に、図８Ｆを参照して、ｎ型半導体層２２が、バッファ層２１の上に形成される。ｎ型半導体層２２の形成工程は、ｎ型コンタクト層２９の形成工程およびｎ型クラッド層３０の形成工程を含む。
ｎ型コンタクト層２９の形成工程は、バッファ層２１からＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｎ型コンタクト層２９の形成工程は、ｎ型不純物をＧａＮに添加する工程を含む。ｎ型コンタクト層２９の形成工程は、ＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＧａＮにｎ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。
【００９０】
ｎ型クラッド層３０の形成工程は、ｎ型コンタクト層２９からＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｎ型クラッド層３０の形成工程は、ｎ型不純物をＧａＮに添加する工程を含む。ｎ型クラッド層３０の形成工程は、ＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＧａＮにｎ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。
次に、活性層２３が、ｎ型半導体層２２の上に形成される。活性層２３の形成工程は、バリア層３２およびウェル層３３を交互に積層する工程を含む。バリア層３２の形成工程は、ＡｌＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。バリア層３２の形成工程は、シリコンをＡｌＧａＮに添加する工程を含んでいてもよい。バリア層３２の形成工程は、ＡｌＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＡｌＧａＮにシリコンを添加する工程を含んでいてもよい。ウェル層３３は、ＡｌＩｎＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。
【００９１】
次に、ｐ型半導体層２４が、活性層２３の上に形成される。ｐ型半導体層２４の形成工程は、ｐ型クラッド層３４の形成工程およびｐ型コンタクト層３５の形成工程を含む。ｐ型クラッド層３４の形成工程は、活性層２３からＡｌＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｐ型クラッド層３４の形成工程は、ｐ型不純物をＡｌＧａＮに添加する工程を含む。ｐ型クラッド層３４の形成工程は、ＡｌＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＡｌＧａＮにｐ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。
【００９２】
ｐ型コンタクト層３５の形成工程は、ｐ型クラッド層３４からＧａＮをエピタキシャル成長する工程を含む。ｐ型コンタクト層３５の形成工程は、ｐ型不純物をＧａＮに添加する工程を含む。ｐ型コンタクト層３５の形成工程は、ＧａＮのエピタキシャル成長と同時に、ＧａＮにｐ型不純物を添加する工程を含んでいてもよい。これにより、バッファ層２１、ｎ型半導体層２２、活性層２３およびｐ型半導体層２４を含む半導体発光層７が、基板６の第１基板主面８の上に形成される。
【００９３】
次に、図８Ｇを参照して、所定パターンを有するマスク９３が、半導体主面１３の上に形成される。マスク９３は、高域部４１を形成すべき領域を被覆し、低域部４２を形成すべき領域を露出させる開口９３ａを有している。
次に、マスク９３を介するエッチング法によって、半導体発光層７の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、半導体発光層７に高域部４１、低域部４２および接続部４３が形成される。マスク９３は、その後、除去される。
【００９４】
次に、図８Ｈを参照して、絶縁層４５のベースとなるベース絶縁層９４が、半導体主面１３の上に形成される。ベース絶縁層９４は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。ベース絶縁層９４は、高域部４１、低域部４２および接続部４３に沿って膜状に形成される。ベース絶縁層９４は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。
次に、図８Ｉを参照して、所定パターンを有するマスク９５が、ベース絶縁層９４の上に形成される。マスク９５は、絶縁層４５を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口９５ａを有している。
【００９５】
次に、マスク９５を介するエッチング法によって、ベース絶縁層９４の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、半導体主面１３の接続部４３を被覆する絶縁層４５が形成される。マスク９５は、その後、除去される。
次に、図８Ｊを参照して、ｎ側電極５１のＩＴＯ電極５２が低域部４２に形成され、ｐ側電極７１のＩＴＯ電極７２が高域部４１に形成される。ＩＴＯ電極５２およびＩＴＯ電極７２は、リフトオフ法によって形成されてもよい。
【００９６】
次に、図８Ｋを参照して、ｎ側電極５１のバリア電極６５およびｐ側電極７１のバリア電極８５のベースとなるベースバリア電極９６が、半導体主面１３の上に形成される。ベースバリア電極９６は、ＩＴＯ電極５２およびＩＴＯ電極７２を一括して被覆する膜状に形成される。
ベースバリア電極９６は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。ベースバリア電極９６は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、ベースバリア電極９６は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。ベースバリア電極９６は、スパッタ法によって形成されてもよい。
【００９７】
次に、図８Ｌを参照して、所定パターンを有するマスク９７が、ベースバリア電極９６の上に形成される。マスク９７は、バリア電極６５およびバリア電極８５を形成すべき領域を被覆し、それ以外の領域を露出させる開口９７ａを有している。
次に、マスク９７を介するエッチング法によって、ベースバリア電極９６の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、バリア電極６５がＩＴＯ電極５２の上に形成され、バリア電極８５がＩＴＯ電極７２の上に形成される。マスク９７は、その後、除去される。
【００９８】
次に、図８Ｍを参照して、ｎ側電極５１のＴｉ電極６３およびＡｕ電極６４がバリア電極６５の上に形成され、ｐ側電極７１のＴｉ電極８３およびＡｕ電極８４がバリア電極８５の上に形成される。
Ｔｉ電極６３およびＴｉ電極８３は、リフトオフ法によってバリア電極６５およびバリア電極８５の上にそれぞれ形成される。Ａｕ電極６４およびＡｕ電極８４は、リフトオフ法によってＴｉ電極６３およびＴｉ電極８３の上にそれぞれ形成される。
【００９９】
Ｔｉ電極６３およびＴｉ電極８３、ならびに、Ａｕ電極６４およびＡｕ電極８４は、共通のマスクを利用して形成されてもよい。以上を含む工程を経て、半導体発光装置１が製造される。
図９は、図２に対応する領域の断面図であって、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置１０１を示す断面図である。図１０は、図３に対応する領域の断面図であって、図９に示す半導体発光装置１０１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１００】
図９を参照して、半導体発光装置１０１に係るｎ側電極５１のバリア電極６５は、第２領域６９を有していない。バリア電極６５は、ＩＴＯ電極５２および配線電極５５の間の領域だけに介在している。バリア電極６５の周縁は、平面視において配線電極５５の周縁に対して配線電極５５の内方に位置していてもよい。バリア電極６５の周縁は、配線電極５５の周縁に対して面一に形成されていてもよい。
【０１０１】
図１０を参照して、半導体発光装置１０１に係るｐ側電極７１のバリア電極８５は、第２領域８９を有していない。バリア電極８５は、ＩＴＯ電極７２および配線電極７５の間の領域だけに介在している。バリア電極８５の周縁は、平面視において配線電極７５の周縁に対して配線電極７５の内方に位置していてもよい。バリア電極８５の周縁は、配線電極７５の周縁に対して面一に形成されていてもよい。
【０１０２】
以上、半導体発光装置１０１によれば、バリア電極６５の第２領域６９による効果およびバリア電極８５の第２領域８９による効果以外については、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図１１は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置１１１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１０３】
図１１を参照して、半導体発光装置１１１に係るバッファ層２１は、空孔２５を有していない。以上、半導体発光装置１１１によれば、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。第３実施形態に係るバッファ層２１は、前述の第２実施形態に係るバッファ層２１に適用することもできる。
図１２は、図３に対応する領域の断面図であって、本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置１２１を示す断面図である。以下では、半導体発光装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１０４】
図１２を参照して、半導体発光装置１２１に係る凹凸構造１１は、この形態では、複数の突出部１２に代えて、基板６の一部からなる複数の突出部１２２を含む。複数の突出部１２２は、エッチング法によって基板６の第１基板主面８を第２基板主面９に向けて選択的に掘り下げることによって形成されている。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。
【０１０５】
複数の突出部１２２は、錐台形状、ドーム形状または半球形状に形成されている。複数の突出部１２２は、錐台形状の一例として、円錐台形状またはｎ（ｎ≧３）角錐台形状に形成されていてもよい。複数の突出部１２２は、互いに間隔を空けて第１基板主面８に形成されている。複数の突出部１２２は、平面視において行列状または千鳥状に形成されていてもよい。
【０１０６】
以上、半導体発光装置１２１によれば、半導体発光装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。第４実施形態に係る凹凸構造１１は、前述の第２実施形態および第３実施形態に係る凹凸構造１１に適用することもできる。
図１３は、本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置１３１を示す平面図である。図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。図１５は、図１４に示す領域XVの拡大図である。
【０１０７】
図１３および図１４を参照して、半導体発光装置１３１は、チップ本体１３２を含む。チップ本体１３２は、一方側の第１チップ主面１３３、他方側の第２チップ主面１３４、ならびに、第１チップ主面１３３および第２チップ主面１３４を接続するチップ側面１３５Ａ，１３５Ｂ，１３５Ｃ，１３５Ｄを含む。
チップ側面１３５Ａ〜１３５Ｄは、より具体的には、第１チップ側面１３５Ａ、第２チップ側面１３５Ｂ、第３チップ側面１３５Ｃおよび第４チップ側面１３５Ｄを含む。第１チップ主面１３３および第２チップ主面１３４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。
【０１０８】
第１チップ側面１３５Ａおよび第２チップ側面１３５Ｂは、平面視において第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。第３チップ側面１３５Ｃおよび第４チップ側面１３５Ｄは、平面視において第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。チップ側面１３５Ａ〜１３５Ｄは、法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。
【０１０９】
チップ本体１３２は、より具体的には、基板１３６および半導体発光層１３７を含む積層構造を有している。基板１３６は、チップ本体１３２の第２チップ主面１３４およびチップ側面１３５Ａ〜１３５Ｄの一部を形成している。半導体発光層１３７は、チップ本体１３２の第１チップ主面１３３およびチップ側面１３５Ａ〜１３５Ｄの一部を形成している。
【０１１０】
半導体発光層１３７は、この形態では、５５０ｎｍ以上９００ｎｍ以下の範囲にピーク発光波長を有する光を生成する。つまり、半導体発光層１３７は、赤色光を生成する。半導体発光層１３７で生成された光は、チップ本体１３２の第１チップ主面１３３から取り出される。
基板１３６は、一方側の第１基板主面１３８、他方側の第２基板主面１３９、ならびに、第１基板主面１３８および第２基板主面１３９を接続する基板側面１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃ，１４０Ｄを含む。
【０１１１】
基板側面１４０Ａ〜１４０Ｄは、より具体的には、第１基板側面１４０Ａ、第２基板側面１４０Ｂ、第３基板側面１４０Ｃおよび第４基板側面１４０Ｄを含む。第１基板主面１３８および第２基板主面１３９は、平面視において四角形状に形成されている。第２基板主面１３９は、チップ本体１３２の第２チップ主面１３４を形成している。基板側面１４０Ａ〜１４０Ｄは、チップ本体１３２のチップ側面１３５Ａ〜１３５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
【０１１２】
基板１３６は、この形態では、ｎ型のＧａＡｓ基板からなる。基板１３６の厚さは、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。基板１３６の厚さは、５０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、または、１５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。
半導体発光層１３７は、基板１３６の第１基板主面１３８の上に積層されている。半導体発光層１３７は、半導体主面１４３および半導体側面１４４Ａ，１４４Ｂ，１４４Ｃ，１４４Ｄを含む。半導体側面１４４Ａ〜１４４Ｄは、より具体的には、第１半導体側面１４４Ａ、第２半導体側面１４４Ｂ、第３半導体側面１４４Ｃおよび第４半導体側面１４４Ｄを含む。
【０１１３】
半導体主面１４３は、チップ本体１３２の第１チップ主面１３３を形成している。半導体主面１４３は、平面視において四角形状に形成されている。半導体主面１４３は、光取り出し面である。半導体側面１４４Ａ〜１４４Ｄは、基板側面１４０Ａ〜１４０Ｄに連なっている。半導体側面１４４Ａ〜１４４Ｄは、基板側面１４０Ａ〜１４０Ｄに対して面一に形成されている。チップ本体１３２のチップ側面１３５Ａ〜１３５Ｄの一部をそれぞれ形成している。
【０１１４】
半導体発光層１３７は、基板１３６の第１基板主面１３８側からこの順に積層されたｎ型半導体層１５１、活性層１５２、ｐ型半導体層１５３を含む積層構造を有している。
ｎ型半導体層１５１は、ｎ型バッファ層１５４およびｎ型クラッド層１５５を含む積層構造を有している。ｎ型バッファ層１５４は、基板１３６の第１基板主面１３８の上に形成されている。ｎ型バッファ層１５４は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＧａＡｓを含む。ｎ型クラッド層１５５は、ｎ型バッファ層１５４の上に積層されている。ｎ型クラッド層１５５は、この形態では、ｎ型不純物が添加されたＡｌＧａＩｎＰを含む。
【０１１５】
活性層１５２は、ｎ型半導体層１５１の上に積層されている。活性層１５２は、この形態では、不純物無添加のＡｌＧａＩｎＰを含む。
ｐ型半導体層１５３は、ｐ型クラッド層１５６、ｐ型電流拡散層１５７およびｐ型コンタクト層１５８を含む積層構造を有している。ｐ型クラッド層１５６は、活性層１５２の上に形成されている。ｐ型クラッド層１５６は、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＩｎＰを含む。
【０１１６】
ｐ型電流拡散層１５７は、ｐ型クラッド層１５６の上に形成されている。ｐ型電流拡散層１５７は、ｐ型不純物が添加されたＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＰを含む。ｐ型電流拡散層１５７は、必要に応じて除かれてもよい。ｐ型コンタクト層１５８は、ｐ型電流拡散層１５７の上に形成されている。ｐ型コンタクト層１５８は、ｐ型不純物が添加されたＧａＰを含む。
【０１１７】
半導体主面１４３の上には、電極構造の一例としてのｐ側電極１６１が形成されている。ｐ側電極１６１は、ｐ型半導体層１５３（ｐ型コンタクト層１５８）に電気的に接続されている。
ｐ側電極１６１は、より具体的には、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を含むＩＴＯ電極１６２を含む。ＩＴＯ電極１６２は、半導体発光層１３７で生成された光を透過させる光透過電極として形成されている。ＩＴＯ電極１６２は、ｐ型半導体層１５３（ｐ型コンタクト層１５８）の上に形成されている。ＩＴＯ電極１６２は、ｐ型半導体層１５３（ｐ型コンタクト層１５８）に電気的に接続されている。
【０１１８】
ＩＴＯ電極１６２は、半導体発光層１３７の半導体側面１４４Ａ〜１４４Ｄから内方に間隔を空けて形成されている。ＩＴＯ電極１６２は、半導体主面１４３の一部を露出させている。ＩＴＯ電極１６２は、半導体主面１４３の全域を被覆していてもよい。ＩＴＯ電極１６２は、平面視において第１面積Ｓ１を有している。
ＩＴＯ電極１６２の厚さは、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ＩＴＯ電極１６２の厚さは、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。ＩＴＯ電極１６２の厚さは、この形態では、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【０１１９】
ｐ側電極１６１は、ＩＴＯ電極１６２の上に形成された配線電極１６３を含む。配線電極１６３は、平面視においてＩＴＯ電極１６２の第１面積Ｓ１未満の第２面積Ｓ２（Ｓ２＜Ｓ１）を有している。配線電極１６３は、ＩＴＯ電極１６２の周縁から内方に間隔を空けて形成されている。配線電極１６３は、平面視においてＩＴＯ電極１６２の露出部の面積がＩＴＯ電極１６２の隠蔽部の面積以上となる態様で、ＩＴＯ電極１６２の上に形成されている。これにより、配線電極１６３の全域は、平面視において、ＩＴＯ電極１６２に重なっている。
【０１２０】
配線電極１６３は、この形態では、平面視において円形状に形成されている。配線電極１６３の平面形状は任意であり、特定の形状に限定されない。配線電極１６３は、平面視において多角形状に形成されていてもよいし、楕円形状に形成されていてもよい。
配線電極１６３は、断面視において頂部１６４、基部１６５、および、頂部１６４から基部１６５に向けて下り傾斜した側壁１６６を有する台形状に形成されている。配線電極１６３は、頂部１６４および側壁１６６を接続するエッジ部において外側に張り出した膨出部１６７を有している。
【０１２１】
膨出部１６７は、法線方向Ｚおよび頂部１６４に沿う方向に向かって張り出している。膨出部１６７は、平面視において頂部１６４の周縁に沿って延びる環状に形成されている。膨出部１６７は、配線電極１６３においてボンディングワイヤ等の導電性接合部材が接続される領域を画定している。
配線電極１６３は、この形態では、ＩＴＯ電極１６２側からこの順に積層されたＡｌ電極１７２、Ｔｉ電極１７３およびＡｕ電極１７４を含む積層構造を有している。
【０１２２】
Ａｌ電極１７２は、Ａｌ（アルミニウム）を含む。Ａｌ電極１７２は、純ＡｌまたはＡｌ合金からなっていてもよい。Ａｌ合金は、ＡｌＣｕ合金、ＡｌＳｉ合金、ＡｌＳｉＣｕ合金等であってもよい。Ａｌ電極１７２は、この形態では、純Ａｌからなる。
Ａｌ電極１７２は、半導体発光層１３７で生成された光を反射させる光反射電極として形成されている。Ａｌ電極１７２は、断面視において台形状に形成されている。Ａｌ電極１７２の側壁は、第１傾斜角θ１を有している。第１傾斜角θ１は、半導体主面１４３を基準にしてＡｌ電極１７２の側壁がＡｌ電極１７２内で成す角度である。
【０１２３】
Ａｌ電極１７２の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極１７２の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ａｌ電極１７２の厚さは、この形態では、２５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。
Ｔｉ電極１７３は、Ｔｉ（チタン）を含む。Ｔｉ電極１７３は、Ａｌ電極１７２に対するＡｕ電極１７４の密着力を高める接着層として形成されている。Ｔｉ電極１７３は、Ａｌ電極１７２のほぼ全域を被覆している。Ｔｉ電極１７３は、断面視において台形状に形成されている。Ｔｉ電極１７３の側壁は、Ａｌ電極１７２の側壁を被覆している。
【０１２４】
Ｔｉ電極１７３の側壁は、Ａｌ電極１７２の第１傾斜角θ１を超える第２傾斜角θ２（θ１＜θ２）を有している。第２傾斜角θ２は、半導体主面１４３を基準にしてＴｉ電極１７３の側壁が、Ｔｉ電極１７３内で成す角度である。
Ｔｉ電極１７３の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極１７３の厚さは、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下、または、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよい。Ｔｉ電極１７３の厚さは、この形態では、１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である。
【０１２５】
Ａｕ電極１７４は、Ａｕ（金）を含む。Ａｕ電極１７４は、Ｔｉ電極１７３のほぼ全域を被覆している。Ａｕ電極１７４は、断面視において台形状に形成されている。Ａｕ電極１７４は、配線電極１６３の外面を形成している。Ａｕ電極１７４の側壁は、Ｔｉ電極１７３の側壁を被覆している。
Ａｕ電極１７４の側壁は、Ｔｉ電極１７３の第２傾斜角θ２を超える第３傾斜角θ３（θ１＜θ２＜θ３）を有している。第３傾斜角θ３は、半導体主面１４３を基準にしてＡｕ電極１７４の側壁が、Ａｕ電極１７４内で成す角度である。
【０１２６】
Ａｕ電極１７４の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極１７４の厚さは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。Ａｕ電極１７４の厚さは、この形態では、１．５μｍ以上２．５μｍ以下である。
ｐ側電極１６１は、ＩＴＯ電極１６２および配線電極１６３（Ａｌ電極１７２）の間の領域に介在するバリア電極１７５を含む。バリア電極１７５は、Ａｌ電極１７２のＡｌに起因してＩＴＯ電極１６２で生じるガルバニック腐食を抑制する保護電極として形成されている。
【０１２７】
バリア電極１７５は、ＴｉＮ層およびＣｒ層のうちの少なくとも一方を含む。バリア電極１７５は、ＴｉＮ層またはＣｒ層からなる単層構造を有していることが好ましい。Ｃｒ層は、ＴｉＮ層に比べて小さい光透過率を有している。したがって、バリア電極１７５は、比較的大きい光透過率を有するＴｉＮ層からなることが好ましい。
バリア電極１７５の厚さは、ＩＴＯ電極１６２の厚さ未満である。バリア電極１７５の厚さは、Ａｌ電極１７２の厚さ未満である。バリア電極１７５の厚さは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極１７５の厚さは、１ｎｍ以上２ｎｍ以下、２ｎｍ以上３ｎｍ以下、３ｎｍ以上４ｎｍ以下、または、４ｎｍ以上５ｎｍ以下であってもよい。バリア電極１７５の厚さは、この形態では、１．５ｎｍ以上２．５ｎｍ以下である。
【０１２８】
バリア電極１７５は、平面視において配線電極１６３（Ａｌ電極１７２）の第２面積Ｓ２を超える第３面積Ｓ３（Ｓ２＜Ｓ３）を有している。バリア電極１７５は、より具体的には、第１領域１７６および第２領域１７７を含む。第１領域１７６は、ＩＴＯ電極１６２および配線電極１６３の間の領域に介在している。第２領域１７７は、平面視において第１領域１７６から配線電極１６３外の領域に引き出されている。
【０１２９】
第１領域１７６は、ＩＴＯ電極１６２および配線電極１６３の間の領域の全域に介在している。第２領域１７７は、平面視において配線電極１６３の周縁に沿って延びる帯状に形成されている。第２領域１７７は、より具体的には、平面視において配線電極１６３の周縁に沿って延びる環状に形成されている。
第２領域１７７の周縁は、この形態では、ＩＴＯ電極１６２の周縁から間隔を空けてＩＴＯ電極１６２の周縁および配線電極１６３の周縁の間の領域に位置している。これにより、第２領域１７７は、ＩＴＯ電極１６２の一部を露出させている。
【０１３０】
第２領域１７７は、バリア電極１７５の厚さを超える引き出し長さＬを有している。引き出し長さＬは、バリア電極１７５の厚さの１００倍以上であることが好ましい。引き出し長さＬは、ＩＴＯ電極１６２の厚さを超えていることが好ましい。引き出し長さＬは、Ａｌ電極１７２の厚さを超えていることが好ましい。引き出し長さＬは、Ａｌ電極１７２の厚さの２倍以上であることがさらに好ましい。
【０１３１】
引き出し長さＬは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。引き出し長さＬは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。引き出し長さＬは、この形態では、１μｍ以上３μｍ以下である。
図１４を参照して、基板１３６の第２基板主面１３９の上には、ｎ側電極１８１が形成されている。ｎ側電極１８１は、基板１３６に電気的に接続されている。
【０１３２】
ｎ側電極１８１は、Ｇｅ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ａｇ層およびＡｌ層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。ｎ側電極１８１は、Ｇｅ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ａｇ層またはＡｌ層を含む単層構造を有していてもよい。ｎ側電極１８１は、Ｇｅ層、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層、Ａｇ層またはＡｌ層のうちの少なくとも２つを任意の態様で積層させた積層構造を有していてもよい。
【０１３３】
ｐ側電極１６１およびｎ側電極１８１の間に順方向電圧ＶＦが印加されると、ｎ型半導体層１５１から活性層１５２に電子が供給され、ｐ型半導体層１５３から活性層１５２に正孔が供給される。活性層１５２に供給された電子および正孔は、活性層１５２において結合する。これにより、光が生成される。
以上、半導体発光装置１３１は、半導体発光層１３７の半導体主面１４３の上に形成されたｐ側電極１６１を含む。ｐ側電極１６１は、ＩＴＯ電極１６２およびＡｌ電極１７２の間の領域に介在するバリア電極１７５を含む。これにより、Ａｌ電極１７２のＡｌに起因してＩＴＯ電極１６２で生じるガルバニック腐食をバリア電極１７５によって抑制できる。
【０１３４】
その結果、半導体発光層１３７において生成された光をＩＴＯ電極１６２を介してＡｌ電極１７２に適切に入射させ、Ａｌ電極１７２によって反射された光をＩＴＯ電極１６２を介して半導体発光層１３７に適切に入射させることができる。よって、光取り出し効率を高めることができる半導体発光装置１３１を提供できる。
また、バリア電極１７５は、ＩＴＯ電極１６２およびＡｌ電極１７２の間の領域に介在する第１領域１７６、ならびに、平面視において第１領域１７６からＡｌ電極１７２外の領域に引き出された第２領域１７７を含む。
【０１３５】
ガルバニック腐食は、Ａｌ電極１７２の周縁を起点にＩＴＯ電極１６２で生じる傾向がある。したがって、バリア電極１７５をＡｌ電極１７２外の領域に引き出すことにより、Ａｌ電極１７２の周縁を起点とするＩＴＯ電極１６２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。また、Ａｌ電極１７２の周縁を取り囲むように第２領域１７７を形成することにより、ガルバニック腐食の抑制効果を高めることができる。
【０１３６】
また、Ａｌ電極１７２は、断面視において台形状に形成されている。これにより、Ａｌ電極１７２においてＡｌ電極１７２の周縁を形成する部分の体積を減じることができる。その結果、Ａｌ電極１７２の構造を利用して、Ａｌ電極１７２の周縁を起点とするＩＴＯ電極１６２のガルバニック腐食を適切に抑制できる。
図１６は、図１４に対応する領域の断面図であり、本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置１９１を示す平面図である。以下では、半導体発光装置１３１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【０１３７】
半導体発光装置１９１に係るｐ側電極１６１のバリア電極１７５は、第２領域１７７を有していない。バリア電極１７５は、ＩＴＯ電極１６２および配線電極１６３の間の領域だけに介在している。バリア電極１７５の周縁は、平面視において配線電極１６３の周縁に対して配線電極１６３の内方に位置していてもよい。バリア電極１７５の周縁は、配線電極１６３の周縁に対して面一に形成されていてもよい。
【０１３８】
以上、半導体発光装置１９１によれば、バリア電極１７５の第２領域１７７による効果以外については、半導体発光装置１３１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施できる。
前述の第１〜第４実施形態では、ｎ側電極５１に係る配線電極５５が本体部５６および配線部５７を含む例について説明した。しかし、配線部５７を有さない配線電極５５が採用されてもよい。この場合、ＩＴＯ電極５２の配線部５４およびバリア電極６５の配線部６７は除かれてもよい。
【０１３９】
前述の第１〜第４実施形態では、ｐ側電極７１に係る配線電極７５が本体部７６および配線部７７を含む例について説明した。しかし、配線部７７を有さない配線電極７５が採用されてもよい。この場合、バリア電極８５の配線部８７は除かれてもよい。
前述の第１〜第４実施形態では、ｎ側電極５１に係る配線電極５５がＡｌ電極６２、Ｔｉ電極６３およびＡｕ電極６４を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、配線電極５５は、Ａｌ電極６２からなる単層構造を有していてもよい。
【０１４０】
前述の第１〜第４実施形態において、Ａｌ電極６２の上の構造は任意であり、必ずしもＴｉ電極６３およびＡｕ電極６４が積層されている必要はない。たとえば、Ａｌ電極６２の上には、Ｔｉ電極６３およびＡｕ電極６４に代えて、Ｐｔ（プラチナ）層や、Ｗ（タングステン）層が形成されていてもよい。
前述の第１〜第４実施形態では、ｐ側電極７１に係る配線電極７５がＡｌ電極８２、Ｔｉ電極８３およびＡｕ電極８４を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、配線電極７５は、Ａｌ電極８２からなる単層構造を有していてもよい。
【０１４１】
また、前述の第１〜第４実施形態において、Ａｌ電極８２の上の構造は任意であり、必ずしもＴｉ電極８３およびＡｕ電極８４が積層されている必要はない。たとえば、Ａｌ電極８２の上には、Ｔｉ電極８３およびＡｕ電極８４に代えて、Ｐｔ（プラチナ）層や、Ｗ（タングステン）層が形成されていてもよい。
前述の第１〜第４実施形態では、基板６の第１基板主面８に凹凸構造１１が形成された例について説明した。しかし、第１〜第４実施形態において基板６の第１基板主面８に凹凸構造１１を有さない形態が採用されてもよい。
【０１４２】
前述の第５実施形態および第６実施形態では、ｐ側電極１６１に係る配線電極１６３がＡｌ電極１７２、Ｔｉ電極１７３およびＡｕ電極１７４を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、配線電極１６３は、Ａｌ電極１７２からなる単層構造を有していてもよい。
前述の第５実施形態および第６実施形態では、Ａｌ電極１７２の上の構造は任意であり、必ずしもＴｉ電極１７３およびＡｕ電極１７４が積層されている必要はない。たとえば、Ａｌ電極１７２の上には、Ｔｉ電極１７３およびＡｕ電極１７４に代えて、Ｐｔ（プラチナ）層や、Ｗ（タングステン）層が形成されていてもよい。
【０１４３】
前述の各実施形態では、電極構造の一例として、ＩＴＯ電極５２，７２，１６２、Ａｌ電極６２，８２，１７２、ならびに、ＩＴＯ電極５２，７２，１６２およびＡｌ電極６２，８２，１７２の間の領域に介在するバリア電極６５，８５，１７５を含む電極５１，７１，１６１が、半導体発光装置１，１０１，１１１，１２１，１３１，１９１に組み込まれた例について説明した。
【０１４４】
しかし、ＩＴＯ電極、Ａｌ電極、ならびに、ＩＴＯ電極およびＡｌ電極の間の領域に介在するバリア電極を含む電極構造は、半導体発光装置のほか、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ダイオード等の半導体装置の分野や、液晶表示装置、プラズマ表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、フィールドエミッション表示装置等の薄型表示装置の分野で、配線膜、電極膜、反射電極膜、蓄積容量電極および共通電極の薄膜材料等に組み込むこともできる。この場合においても、ＩＴＯおよびＡｌ電極の間の領域に介在する第１領域、ならびに、平面視において第１領域からＡｌ電極外の領域に引き出された第２領域を含むバリア電極が形成されることが好ましい。
【０１４５】
前述各実施形態において、各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型に形成され、ｎ型の部分がｐ型に形成されてもよい。
この明細書は、第１〜第６実施形態に示された特徴の如何なる組み合わせ形態をも制限しない。第１〜第６実施形態は、それらの間で任意の態様および任意の形態において組み合わせられることができる。つまり、第１〜第６実施形態に示された特徴が任意の態様および任意の形態で組み合わされた形態が採用されてもよい。
【０１４６】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。以下、この明細書および図面から抽出される特徴の例を以下に示す。
［Ａ１］主面を有し、赤色光を生成する半導体発光層と、ＩＴＯを含み、前記半導体発光層の前記主面を被覆する光透過電極と、Ａｌを含み、前記光透過電極を被覆する光反射電極と、ＴｉＮおよびＣｒのうちの少なくとも一方を含み、前記光透過電極および前記光反射電極の間の領域に介在するバリア電極と、を含む、半導体発光装置。
【０１４７】
この構造によれば、バリア電極によって光透過電極のガルバニック腐食を抑制できる。これにより、半導体発光層において生成された光を光透過電極を介して光反射電極に適切に入射させ、光反射電極によって反射された光を光透過電極を介して半導体発光層に適切に入射させることができる。よって、光取り出し効率を高めることができる半導体発光装置を提供できる。
【０１４８】
［Ａ２］前記バリア電極の周縁は、平面視において前記光反射電極の周縁に対して前記光反射電極の内方に位置している、Ａ１に記載の半導体発光装置。
［Ａ３］前記バリア電極の周縁は、平面視において前記光反射電極の周縁に対して面一に形成されている、Ａ１に記載の半導体発光装置。
［Ａ４］前記バリア電極は、前記光透過電極および前記光反射電極の間の領域に介在する第１領域、ならびに、平面視において前記第１領域から前記光反射電極外の領域に引き出された第２領域を含む、Ａ１に記載の半導体発光装置。
【０１４９】
［Ａ５］前記バリア電極の前記第２領域は、平面視において前記光反射電極の周縁を取り囲んでいる、Ａ４に記載の半導体発光装置。
［Ａ６］前記バリア電極の前記第２領域は、前記バリア電極の厚さを超える引き出し長さを有している、Ａ４またはＡ５に記載の半導体発光装置。
［Ａ７］前記バリア電極の前記第２領域は、前記光反射電極の厚さを超える引き出し長さを有している、Ａ４〜Ａ６のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【０１５０】
［Ａ８］前記光反射電極は、断面視において台形状に形成されている、Ａ１〜Ａ７のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
［Ａ９］前記バリア電極は、ＴｉＮまたはＣｒからなる、Ａ１〜Ａ８のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
［Ａ１０］前記バリア電極は、ＴｉＮからなる、Ａ１〜Ａ９のいずれか一つに記載の半導体発光装置。
【符号の説明】
【０１５１】
１      半導体発光装置
７      半導体発光層
１３    半導体主面
５１    ｎ側電極（電極構造）
５２    ＩＴＯ電極
６２    Ａｌ電極
６５    バリア電極
６６    第１領域
６７    第２領域
７１    ｐ側電極（電極構造）
７２    ＩＴＯ電極
８２    Ａｌ電極
８５    バリア電極
８６    第１領域
８７    第２領域
１０１  半導体発光装置
１１１  半導体発光装置
１２１  半導体発光装置
１３１  半導体発光装置
１３７  半導体発光層
１４３  半導体主面
１６１  ｐ側電極（電極構造）
１６２  ＩＴＯ電極
１７１  Ａｌ電極
１７４  バリア電極
１７５  第１領域
１７６  第２領域
１９１  半導体発光装置
【図１】
2020140980.tif 000003
【図２】
2020140980.tif 000004
【図３】
2020140980.tif 000005
【図４】
2020140980.tif 000006
【図５】
2020140980.tif 000007
【図６】
2020140980.tif 000008
【図７】
2020140980.tif 000009
【図８Ａ】
2020140980.tif 000010
【図８Ｂ】
2020140980.tif 000011
【図８Ｃ】
2020140980.tif 000012
【図８Ｄ】
2020140980.tif 000013
【図８Ｅ】
2020140980.tif 000014
【図８Ｆ】
2020140980.tif 000015
【図８Ｇ】
2020140980.tif 000016
【図８Ｈ】
2020140980.tif 000017
【図８Ｉ】
2020140980.tif 000018
【図８Ｊ】
2020140980.tif 000019
【図８Ｋ】
2020140980.tif 000020
【図８Ｌ】
2020140980.tif 000021
【図８Ｍ】
2020140980.tif 000022
【図９】
2020140980.tif 000023
【図１０】
2020140980.tif 000024
【図１１】
2020140980.tif 000025
【図１２】
2020140980.tif 000026
【図１３】
2020140980.tif 000027
【図１４】
2020140980.tif 000028
【図１５】
2020140980.tif 000029
【図１６】
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