(57)【要約】【課題】太陽電池セルの特性低下を抑制する太陽電池セル集合体を提供する。【解決手段】太陽電池セル集合体１は、複数の太陽電池セル１０と、複数の太陽電池セル１０のうちの隣り合う太陽電池セル１０の間に設けられたセル間領域５０と、を備える。太陽電池セル１０及びセル間領域５０のそれぞれは、互いに背向する一方主面２０ａ及び他方主面２０ｂを有する第１導電型の半導体基板２０と、半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられた第２導電型の第１非晶質半導体層２１ｐと、第１非晶質半導体層２１ｐ上の一部の領域に設けられた絶縁層５１と、絶縁層５１を覆うように第１非晶質半導体層２１ｐ上に設けられた第１透明導電膜２２と、を備える。絶縁層５１は、太陽電池セル集合体１を平面視した場合にセル間領域５０に沿って、かつ、一部がセル間領域５０と重なるように設けられている。【選択図】図２
2020167243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルのうちの隣り合う太陽電池セルの間に設けられたセル間領域と、を備える太陽電池セル集合体であって、
前記太陽電池セル及び前記セル間領域のそれぞれは、
互いに背向する一方主面及び他方主面を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記一方主面側に設けられた第２導電型の第１非晶質半導体層と、
前記第１非晶質半導体層上の一部の領域に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層を覆うように前記第１非晶質半導体層上に設けられた第１透明導電膜と、
を備え、
前記絶縁層は、前記太陽電池セル集合体を平面視した場合に前記セル間領域に沿って、かつ、一部が前記セル間領域と重なるように設けられている、
太陽電池セル集合体。
【請求項２】
さらに、前記太陽電池セル及び前記セル間領域のそれぞれは、
前記半導体基板の前記他方主面側に設けられた第１導電型の第２非晶質半導体層と、
前記第２非晶質半導体層上に設けられた第２透明導電膜と、
を備える、
請求項１に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記太陽電池セル集合体を平面視した場合に、帯状の形状を有している、
請求項１又は２に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項４】
帯状の前記絶縁層の幅は、前記セル間領域の幅よりも大きい、
請求項３に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項５】
帯状の前記絶縁層の長さは、前記第１透明導電膜の長さよりも長い、
請求項４に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項６】
前記第１透明導電膜は、前記絶縁層が帯状に延びている方向から見た場合に、前記絶縁層の全てを覆っている、
請求項３に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項７】
前記第１透明導電膜は、前記セル間領域に沿う帯状の開口部を有し、
前記絶縁層の一部は、前記開口部から露出している、
請求項３〜５のいずれか１項に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項８】
前記第１透明導電膜及び前記絶縁層のそれぞれは、前記セル間領域に沿う帯状の開口部を有している、
請求項３〜５のいずれか１項に記載の太陽電池セル集合体。
【請求項９】
複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルのうち隣り合う太陽電池セルの間に設けられたセル間領域と、を備える太陽電池セル集合体であって、
前記太陽電池セル及び前記セル間領域のそれぞれは、
互いに背向する一方主面及び他方主面を有する第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記一方主面側に設けられたトンネル酸化層と、
前記トンネル酸化層上の一部の領域に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層を覆うように前記トンネル酸化層上に設けられた第１導電型の多結晶シリコン層と、
を備え、
前記絶縁層は、前記太陽電池セル集合体を平面視した場合に前記セル間領域に沿って、かつ、一部が前記セル間領域と重なるように設けられている、
太陽電池セル集合体。
【請求項１０】
太陽電池セルの製造方法であって、
互いに背向する一方主面及び他方主面を有する第１導電型の半導体基板の前記一方主面側に第２導電型の第１非晶質半導体層を形成する工程と、
前記第１非晶質半導体層上に帯状の絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を覆うように前記第１非晶質半導体層上に第１透明導電膜を形成することで太陽電池セル集合体を形成する工程と、
前記太陽電池セル集合体を平面視した場合の前記絶縁層に沿って、前記太陽電池セル集合体に溝を形成する工程と、
前記溝に沿って前記太陽電池セル集合体を割断する工程と、
を含む太陽電池セルの製造方法。
【請求項１１】
前記溝を形成する工程において、前記溝はレーザを照射することによって形成される、
請求項１０に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１２】
前記溝を形成する工程において、前記溝は前記半導体基板の前記他方主面に形成される、
請求項１０又は１１に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層は、前記第１非晶質半導体層と前記第１透明導電膜との間でキャリアが移動することを抑制するキャリア移動抑制層である、
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の太陽電池セルを備える太陽電池セル集合体、及び、太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換装置として、太陽電池セルの開発が進められている。太陽電池セルは、無尽蔵の太陽光を直接電気に変換できることから、また、化石燃料による発電と比べて環境負荷が小さくクリーンであることから、新しいエネルギー源として期待されている。
【０００３】
太陽電池セルは、半導体基板と、半導体基板上に形成された非晶質半導体層と、非晶質半導体層上に形成された透明導電膜とを有している。太陽電池セルは、複数の太陽電池セルを備える太陽電池セル集合体を分断することで形成される。
【０００４】
特許文献１には、太陽電池セル集合体の透明導電膜の一部を除去し、透明導電膜を除去した領域にレーザを照射して非晶質半導体層及び半導体基板に分断用の溝を入れ、その後、太陽電池セル集合体を割断することで、太陽電池セルを作製する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１９８１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示されている技術では、透明導電膜の一部を除去する際に非晶質半導体層及び半導体基板がダメージを受け、太陽電池セルの特性が低下するという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、太陽電池セルの特性低下を抑制することができる太陽電池セル集合体、及び、太陽電池セルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池セル集合体は、複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルのうちの隣り合う太陽電池セルの間に設けられたセル間領域と、を備える太陽電池セル集合体であって、前記太陽電池セル及び前記セル間領域のそれぞれは、互いに背向する一方主面及び他方主面を有する第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記一方主面側に設けられた第２導電型の第１非晶質半導体層と、前記第１非晶質半導体層上の一部の領域に設けられた絶縁層と、前記絶縁層を覆うように前記第１非晶質半導体層上に設けられた第１透明導電膜と、を備え、前記絶縁層は、前記太陽電池セル集合体を平面視した場合に前記セル間領域に沿って、かつ、一部が前記セル間領域と重なるように設けられている。
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池セル集合体は、複数の太陽電池セルと、前記複数の太陽電池セルのうち隣り合う太陽電池セルの間に設けられたセル間領域と、を備える太陽電池セル集合体であって、前記太陽電池セル及び前記セル間領域のそれぞれは、互いに背向する一方主面及び他方主面を有する第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の前記一方主面側に設けられたトンネル酸化層と、前記トンネル酸化層上の一部の領域に設けられた絶縁層と、前記絶縁層を覆うように前記トンネル酸化層上に設けられた第１導電型の多結晶シリコン層と、を備え、前記絶縁層は、前記太陽電池セル集合体を平面視した場合に前記セル間領域に沿って、かつ、一部が前記セル間領域と重なるように設けられている。
【００１０】
また、上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る太陽電池セルの製造方法は、互いに背向する一方主面及び他方主面を有する第１導電型の半導体基板の前記一方主面側に第２導電型の第１非晶質半導体層を形成する工程と、前記第１非晶質半導体層上に帯状の絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を覆うように前記第１非晶質半導体層上に第１透明導電膜を形成することで太陽電池セル集合体を形成する工程と、前記太陽電池セル集合体を平面視した場合の前記絶縁層に沿って、前記太陽電池セル集合体に溝を形成する工程と、前記溝に沿って前記太陽電池セル集合体を割断する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、太陽電池セルの特性低下を抑制することができる太陽電池セル集合体、及び、太陽電池セルの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体の平面図である。
【図２】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体を図１のＩＩ−ＩＩ線で切断した場合の断面図である。
【図３】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体の断面図及び底面図である。
【図４】図１に示す太陽電池セル集合体を構成する複数の太陽電池セルの平面図である。
【図５】図４に示す太陽電池セルをＶ−Ｖ線で切断した場合の断面図である。
【図６】図４に示す太陽電池セルを備える太陽電池モジュールの平面図である。
【図７】図６に示す太陽電池モジュールをＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した場合の断面図である。
【図８】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体から太陽電池セルを製造する方法を示すフローチャートである。
【図１０】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体に溝が形成された状態の一例を示す断面図である。
【図１１】実施の形態１に係る太陽電池セル集合体に溝が形成された状態の他の一例を示す断面図である。
【図１２】実施の形態１の変形例１に係る太陽電池セル集合体を示す断面図である。
【図１３】実施の形態１の変形例２に係る太陽電池セル集合体を示す断面図である。
【図１４】実施の形態２に係る太陽電池セル集合体の断面図である。
【図１５】実施の形態２に係る太陽電池セル集合体の一部を構成する太陽電池セルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下では、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置、接続形態、工程、及び、工程の順序などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１４】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化される場合がある。
【００１５】
また、「略＊＊」との記載は、実質的に＊＊と認められるものを含む意図であり、例えば「略直交」を例に挙げて説明すると、完全に直交はもとより、実質的に直交と認められるものを含む意図である。本明細書において、「略」とは、製造誤差や寸法公差を含むという意味である。
【００１６】
また、各図において、Ｚ軸方向は、例えば、太陽電池セルの受光面に垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は互いに直交し、かつ、いずれもＺ軸方向に直交する方向である。例えば、以下の実施の形態において、「平面視」とは、Ｚ軸方向から見ることを意味する。また、以下の実施の形態において、「断面視」とは、太陽電池セルの受光面と直交する面（例えば、Ｚ軸とＸ軸とで規定される面）において当該太陽電池セルを切断した切断面を、当該切断面から略直交する方向から見ることを意味する。
【００１７】
（実施の形態１）
［１−１．太陽電池セル集合体の構成］
本実施の形態に係る太陽電池セル集合体について、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００１８】
図１は、実施の形態１に係る太陽電池セル集合体１の平面図である。図２は、太陽電池セル集合体１を図１のＩＩ−ＩＩ線で切断した場合の断面図である。
【００１９】
太陽電池セル集合体１は、インゴッドから切り出された半導体基板に、複数の薄膜が形成されたマザー基板である。図１に示すように、太陽電池セル集合体１の平面視形状は、略矩形状である。例えば、太陽電池セル集合体１は、１２５ｍｍ角の正方形の角が欠けた形状である。なお、太陽電池セル集合体１の形状は、略矩形状に限定されない。
【００２０】
図１及び図２に示すように、太陽電池セル集合体１は、複数の太陽電池セル１０と、複数の太陽電池セル１０のうちの隣り合う太陽電池セル１０の間に設けられたセル間領域５０と、を備えている。本実施の形態では、太陽電池セル集合体１は、２つの略矩形状の太陽電池セル１０を備えている。セル間領域５０は、２つの太陽電池セル１０の間、すなわち、太陽電池セル集合体１を２分割する境界線上に設けられている。
【００２１】
太陽電池セル１０は、例えば、ヘテロ接合型の太陽電池セルであり、半導体ｐｎ接合を基本構造としている。太陽電池セル１０は、セル間領域５０にて太陽電池セル集合体１を分断することで形成される。
【００２２】
セル間領域５０は、太陽電池セル集合体１を平面視した場合に、複数の太陽電池セル１０が並ぶ方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に延設されている。セル間領域５０の一部は、太陽電池セル集合体１が分断される過程において除去される。セル間領域５０の他の一部は、除去されず、太陽電池セル集合体１が分断された後に太陽電池セル１０の一部を構成する。
【００２３】
図２に示すように、太陽電池セル集合体１は、半導体基板２０と、半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられたｐ型半導体層２１と、ｐ型半導体層２１上の一部の領域に設けられた絶縁層５１と、絶縁層５１を覆うようにｐ型半導体層２１上に設けられた第１透明導電膜２２と、第１透明導電膜２２上に設けられた第１集電電極３０と、を備えている。また、太陽電池セル集合体１は、半導体基板２０の他方主面２０ｂ側に設けられたｎ型半導体層２３と、ｎ型半導体層２３上に設けられた第２透明導電膜２４と、第２透明導電膜２４上に設けられた第２集電電極４０と、を備えている。
【００２４】
絶縁層５１は、帯状であり、セル間領域５０に沿って延設されている（図１参照）。絶縁層５１は、太陽電池セル１０が光電変換装置として働いているときに、ｐ型半導体層２１の第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間でキャリアが移動することを抑制するキャリア移動抑制層である。この絶縁層５１については後で詳しく述べる。
【００２５】
半導体基板２０は、板状の形状であり、互いに背向する一方主面２０ａ及び他方主面２０ｂを有している。本実施の形態では、一方主面２０ａは、半導体基板２０の裏面１１側に位置し、他方主面２０ｂは、太陽電池セル１０の受光面１２側に位置している。なお、受光面１２とは、太陽電池セル１０を用いて太陽電池モジュールを構築したときに、太陽電池セル１０に入射する光のうち５０％より多い光が入射する面である。
【００２６】
半導体基板２０は、結晶系シリコン基板であり、一例としてｎ型の単結晶シリコン基板である。なお、半導体基板２０は、単結晶シリコン基板（ｎ型単結晶シリコン基板、又は、ｐ型単結晶シリコン基板）に限定されず、多結晶シリコン基板等の結晶系シリコン基板であってもよい。以降の説明において、半導体基板２０は、ｎ型単結晶シリコン基板である場合について説明する。なお、本明細書において、ｎ型を第１導電型、ｐ型を第２導電型とも記載する。例えば、半導体基板２０は、第１導電型を有する半導体基板である。
【００２７】
半導体基板２０の平面形状は略矩形状であり、厚みは、例えば３０μｍ〜３００μｍであり、望ましくは１５０μｍ以下である。半導体基板２０の一方主面２０ａ及び他方主面２０ｂの少なくとも一方には、複数の角錐が２次元状に配置されたテクスチャ構造と呼ばれる凹凸形状が形成されていてもよい。
【００２８】
ｐ型半導体層２１は、ｉ型非晶質半導体層２１ｉ（真性非晶質半導体層）と第１非晶質半導体層２１ｐとを有する。ｉ型非晶質半導体層２１ｉ及び第１非晶質半導体層２１ｐは、半導体基板２０の一方主面２０ａに、この順で積層されている。なお、ここでの積層とは、Ｚ軸マイナス方向に積層されていることを意味する。
【００２９】
ｉ型非晶質半導体層２１ｉは、半導体基板２０と第１非晶質半導体層２１ｐとの間に配置されるパッシベーション層である。ｉ型非晶質半導体層２１ｉは、ドーパントの含有率が１×１０１９ｃｍ−３未満であるアモルファスシリコンによって構成される。パッシベーション層は、ｉ非晶質半導体層に限定されず、酸化半導体層又は窒化半導体層等で形成されてもよい。
【００３０】
第１非晶質半導体層２１ｐは、半導体基板２０と異なる導電型を有する半導体層である。例えば、半導体基板２０が第１導電型である場合、第１非晶質半導体層２１ｐは第２導電型である。第１非晶質半導体層２１ｐは、例えば、ボロン（Ｂ）などのｐ型ドーパントの含有率が５×１０１９ｃｍ−３〜５×１０２２ｃｍ−３であり、望ましくは５×１０２０ｃｍ−３〜５×１０２１ｃｍ−３であるアモルファスシリコンなどによって構成される。
【００３１】
ｎ型半導体層２３は、ｉ型非晶質半導体層２３ｉ（真性非晶質半導体層）と第２非晶質半導体層２３ｎとを有する。ｉ型非晶質半導体層２３ｉ及び第２非晶質半導体層２３ｎは、半導体基板２０の他方主面２０ｂに、この順で積層されている。なお、ここでの積層とは、Ｚ軸プラス方向に積層されていることを意味する。
【００３２】
ｉ型非晶質半導体層２３ｉは、半導体基板２０と第２非晶質半導体層２３ｎとの間に配置されるパッシベーション層である。ｉ型非晶質半導体層２３ｉは、ドーパントの含有率が１×１０１９ｃｍ−３未満であるアモルファスシリコンによって構成される。
【００３３】
第２非晶質半導体層２３ｎは、半導体基板２０と同じ導電型を有する半導体層である。例えば、半導体基板２０が第１導電型である場合、第２非晶質半導体層２３ｎは第１導電型である。第２非晶質半導体層２３ｎは、例えば、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）などのｎ型ドーパントの含有率が５×１０１９ｃｍ−３以上であるアモルファスシリコンなどによって構成される。
【００３４】
第１透明導電膜２２及び第２透明導電膜２４は、例えば、透明な導電性材料から構成される透明導電層（ＴＣＯ膜）である。第１透明導電膜２２は、半導体基板２０の外周よりも内側の領域に設けられている（図３の（ｂ）参照）。また、第１透明導電膜２２は、絶縁層５１が帯状に延びている方向（Ｙ軸方向）から断面視した場合に、絶縁層５１の全てを覆っている。なお、図２では、絶縁層５１を覆う第１透明導電膜２２の表面が、平坦状に形成されているが、第１透明導電膜２２は、絶縁層５１に倣って一部が盛り上がるように形成されていてもよい（図３の（ａ）参照）。
【００３５】
透明導電膜は、例えば、多結晶構造を有する酸化インジウム(Ｉｎ２Ｏ３)、酸化亜鉛(ＺｎＯ)、酸化錫(ＳｎＯ２)、及び酸化チタン（ＴｉＯ２）等の金属酸化物のうち少なくとも１種を含んで構成されることが望ましい。これらの金属酸化物に、錫(Ｓｎ)、亜鉛(Ｚｎ)、タングステン(Ｗ)、アンチモン(Ｓｂ)、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、セリウム(Ｃｅ)、ガリウム(Ｇａ)などのドーパン卜がドープされていてもよく、例えば、Ｉｎ２Ｏ３にＳｎがドープされたＩＴＯが特に望ましい。ドーパン卜の濃度は、０〜２０質量％とすることができる。
【００３６】
第１集電電極３０は、ｐ型半導体層２１上に設けられ、半導体基板２０上の受光領域で発生した受光電荷（正孔）を集電する電極である。第１集電電極３０は、例えば、後述するタブ配線の延設方向と直交する方向に直線状に形成された複数本のフィンガー電極３１と、これらのフィンガー電極３１に接続されるとともにフィンガー電極３１に直交する方向に直線状に形成された複数本のバスバー電極３２とを有する。
【００３７】
第２集電電極４０は、ｎ型半導体層２３上に設けられ、半導体基板２０上の受光領域で発生した受光電荷（電子）を集電する電極である。第２集電電極４０は、例えば、タブ配線の延設方向と直交する方向に直線状に形成された複数本のフィンガー電極４１と、これらのフィンガー電極４１に接続されるとともにフィンガー電極４１に直交する方向に直線状に形成された複数本のバスバー電極４２とを有する。なお、バスバー電極３２および４２は、遮光性、割断性、材料削減の観点から、前述したセル間領域５０に形成されていないことが望ましい。
【００３８】
また、遮光性、割断性、材料削減の観点から、第１集電電極３０は、バスバー電極３２を有さず、複数本のフィンガー電極３１から構成されてもよい。同様に、第２集電電極４０は、バスバー電極４２を有さず、複数本のフィンガー電極４１から構成されてもよい。
【００３９】
ここで、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けられた絶縁層５１について、図１〜図３を参照しながら説明する。絶縁層５１は、太陽電池セル１０の側面端部（側方の端部）で、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間で発生しやすいキャリア移動を抑制し、キャリアの再結合を低減するために配置される。
【００４０】
図３は、太陽電池セル集合体１の断面図及び底面図である。図３の（ａ）は、図３の（ｂ）に示す太陽電池セル集合体１をＩＩＩａ−ＩＩＩａ線で切断した場合の断面図であり、図３の（ｂ）は、太陽電池セル集合体１の底面図であり、図３の（ｃ）は、図３の（ｂ）に示す太陽電池セル集合体１をＩＩＩｃ−ＩＩＩｃ線で切断した場合の断面図である。なお、図３では、ｐ型半導体層２１、ｎ型半導体層２３、第１集電電極３０及び第２集電電極４０の図示が省略されている。
【００４１】
図１及び図３の（ｂ）に示すように、絶縁層５１は、太陽電池セル集合体１を平面視した場合に、セル間領域５０に沿って設けられている。具体的には、絶縁層５１は、複数の太陽電池セル１０が並ぶ方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に直線状に延設されている。
【００４２】
また、絶縁層５１は、太陽電池セル集合体１を平面視した場合に、絶縁層５１の一部がセル間領域５０と重なるように設けられている。具体的には、帯状の絶縁層５１の幅ｗ２は、セル間領域５０の幅ｗ１よりも大きく、幅方向（Ｘ軸方向）において、絶縁層５１は、セル間領域５０を包含するように配置されている。すなわち幅方向において、絶縁層５１は、セル間領域５０の外側にはみ出している。
【００４３】
また、図３の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、複数の太陽電池セル１０が並ぶ方向と直交する方向（Ｙ軸方向）において、帯状の絶縁層５１の長さＬ２は、第１透明導電膜２２の長さＬ１よりも長い。長さＬ２を長さＬ１よりも長くすることで、第１透明導電膜２２に覆われている絶縁層５１の一部が、第１透明導電膜２２の外にはみ出す構造となっている。これにより、割断予定部において絶縁層５１を第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間全域に設けることができる。また、太陽電池セル集合体１を裏面１１側から見た場合に、絶縁層５１の位置をカメラ等によって認識することが可能となる。
【００４４】
絶縁層５１は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＡｌＯ３、又は、樹脂材料によって形成される。樹脂材料の例としては、エポキシ、ウレタン、シリコーン、アクリル、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、フッ素樹脂などが挙げられる。また、樹脂材料には絶縁顔料（例えば、絶縁性カーボンブラック、ＴｉＯ２、ＡｌＯ３など）が含まれる場合もある。
【００４５】
絶縁層５１の厚みは、絶縁層５１がＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２又はＡｌＯ３である場合、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、望ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、さらに望ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。絶縁層５１の厚みは、絶縁層５１が樹脂材料である場合、０．１μｍ以上１ｍｍ以下であり、望ましくは１μｍ以上５０μｍ以下であり、さらに望ましくは５μｍ以上３０μｍ以下である。
【００４６】
絶縁層５１の材料がＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２又はＡｌＯ３である場合、薄層である絶縁層５１は透明となる。本実施の形態では、絶縁層５１が一方主面２０ａ側に設けられているので、絶縁層５１を透過した光を裏面封止材１７２もしくは裏面保護部材１９０で反射させ、光電変換に利用することができる。
【００４７】
絶縁層５１の材料が樹脂である場合、絶縁層５１を着色することが可能となる。例えば、絶縁層５１が白色を含む着色樹脂である場合、絶縁層５１が認識されやすくなり生産性を向上することができる。また、絶縁層５１が白色の樹脂である場合、一方主面２０ａ側で光を反射させ、光電変換に利用することができる。
【００４８】
本実施の形態の太陽電池セル集合体１では、絶縁層５１が、セル間領域５０において、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けられている。この構成によれば、太陽電池セル集合体１を分断することで作製される太陽電池セル１０において、太陽電池セル１０の側面端部に、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、前述したキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００４９】
また、従来技術のように第１透明導電膜２２に除去領域を形成する必要がなくなり、第１非晶質半導体層２１ｐ及び半導体基板２０にダメージが付与されることを抑制することができる。これにより、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００５０】
なお、上記では、絶縁層５１が半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられている例を示したが、それに限られず、絶縁層５１は、他方主面２０ｂ側の第２非晶質半導体層２３ｎと第２透明導電膜２４との間に設けられていてもよい。例えば、絶縁層５１の材料がＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２又はＡｌＯ３である場合、薄層である絶縁層５１は透明となるので、入射光が絶縁層５１で遮光されることを抑制できる。また、絶縁層５１が樹脂材料であって着色されている場合は、絶縁層５１の直下におけるキャリアの移動を抑制することができる。
【００５１】
［１−２．太陽電池セルの構成］
次に、太陽電池セル集合体１を分断することによって得られる太陽電池セル１０の構成について説明する。
【００５２】
図４は、図１に示す太陽電池セル集合体１を構成する複数の太陽電池セル１０の平面図である。図５は、図４に示す太陽電池セル１０をＶ−Ｖ線で切断した場合の断面図である。なお、図４には、２つの太陽電池セル１０が示されている。
【００５３】
図４に示すように、太陽電池セル１０は、太陽電池セル集合体１を分断することによって形成される。太陽電池セル１０の平面視形状は、略長方形状である。
【００５４】
図５に示すように、太陽電池セル１０は、第１導電型の半導体基板２０と、半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられたｐ型半導体層２１と、ｐ型半導体層２１上の一部の領域に設けられた絶縁層５１と、絶縁層５１を覆うようにｐ型半導体層２１上に設けられた第１透明導電膜２２と、第１透明導電膜２２上に設けられた第１集電電極３０と、を備えている。ｐ型半導体層２１は、ｉ型非晶質半導体層２１ｉと第１非晶質半導体層２１ｐとを有する。
【００５５】
また、太陽電池セル１０は、半導体基板２０の他方主面２０ｂ側に設けられたｎ型半導体層２３と、ｎ型半導体層２３上に設けられた第２透明導電膜２４と、第２透明導電膜２４上に設けられた第２集電電極４０と、を備えている。ｎ型半導体層２３は、ｉ型非晶質半導体層２３ｉと第２非晶質半導体層２３ｎとを有する。
【００５６】
太陽電池セル１０は、太陽電池セル集合体１を分断することで形成された分断面８２を有している。分断面８２は、レーザによって形成された切込面８２ａと、割断によって形成された割断面８２ｂとを有する。
【００５７】
絶縁層５１は、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けられている。また、絶縁層５１は、太陽電池セル１０の四方端部のうち分断面８２が形成された一方端部１３に設けられ、割断面８２ｂに露出している。また、図４に示すように太陽電池セル１０を平面視した場合に、絶縁層５１は、太陽電池セル１０の分断面８２に沿って設けられている。絶縁層５１の幅（Ｘ軸方向の距離）は、第１非晶質半導体層２１ｐのＸ軸方向のキャリアの平均自由行程以上の距離が必要であり、例えば０．０１ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、望ましくは０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、さらに望ましくは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。
【００５８】
このように太陽電池セル１０では、絶縁層５１が、太陽電池セル１０の一方端部１３において、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けられている。この構成によれば、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間でキャリア移動を抑制できる。これにより、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。また、絶縁層５１がブロック層となっていることで、従来技術のように第１透明導電膜２２の一部が除去された形態に比べて、太陽電池セル１０の一方端部１３での汚染物の混入を抑制することができる。これにより、太陽電池セル１０の特性が低下することを抑制することができる。
【００５９】
［１−３．太陽電池モジュールの構成］
次に、複数の太陽電池セル１０を備える太陽電池モジュール９の構成について説明する。
【００６０】
図６は、図４に示す太陽電池セル１０を備える太陽電池モジュール９の平面図である。
【００６１】
図６に示すように、太陽電池モジュール９は、複数の太陽電池セル１０等を含むパネル６と、枠体７とを備えている。
【００６２】
パネル６は、板状であり、複数の太陽電池セル１０、タブ配線３及びわたり配線４を内包している。枠体７は、パネル６の外周部を囲う外枠部材である。太陽電池セル１０は、太陽電池モジュール９の受光面に行列状に配置されている。タブ配線３は、長尺状の導電性配線であり、列方向（Ｘ軸方向）に隣り合う太陽電池セル１０を電気的に接続している。タブ配線３によって列方向に接続された複数の太陽電池セル１０は、太陽電池ストリング５を構成する。わたり配線４は、太陽電池ストリング５同士を電気的に接続する配線部材である。
【００６３】
図７は、図６に示す太陽電池モジュール９をＶＩＩ−ＶＩＩ線で切断した場合の断面図である。なお、図７では、第１集電電極３０及び第２集電電極４０の図示が省略されている。
【００６４】
図７には、太陽電池セル１０及びタブ配線３と、パネル６に含まれる受光面封止材１７１、裏面封止材１７２、受光面保護部材１８０及び裏面保護部材１９０が示されている。図７に示すように、タブ配線３の一端部３ａの下面は、太陽電池セル１０の受光面１２側に設けられた第２集電電極４０（図示省略）に接合される。また、タブ配線３の他端部３ｂの上面は、太陽電池セル１０の裏面１１側に設けられた第１集電電極３０（図示省略）に接合される。太陽電池セル１０で発生した受光電荷は、第１集電電極３０及び第２集電電極４０、タブ配線３並びにわたり配線４を経由して外部に出力される。
【００６５】
前述したように、絶縁層５１は、太陽電池セル１０の一方端部１３に設けられている。太陽電池ストリング５では、絶縁層５１が設けられた一方端部１３がタブ配線３に近くなるように構成される。これにより、例えば、太陽電池セル１０の一方端部１３とタブ配線３との接触によって起きるリークを抑制することができる。
【００６６】
なお、絶縁層５１は、分断面８２が形成された一方端部１３に限られず、一方端部１３と反対側の他方端部に設けられていてもよい。この場合、図３の（ｂ）に示す太陽電池セル集合体１において、太陽電池セル１０のＸ軸方向の両端に絶縁層５１を設けることで、太陽電池セル１０の他方端部にも絶縁層５１を設けることができる。
【００６７】
［１−４．太陽電池セル集合体及び太陽電池セルの製造方法］
次に、本実施の形態に係る太陽電池セル１０の製造方法について、図８〜図１０を参照しながら説明する。ここでは、太陽電池セル集合体１から２つの太陽電池セル１０を作製する例について説明する。
【００６８】
図８は、太陽電池セル集合体１の製造方法を示すフローチャートである。
【００６９】
図８に示すように、まず、半導体基板２０を準備する工程（Ｓ１０）が行われる。本実施の形態では、半導体基板２０として、ｎ型単結晶半導体基板が準備される。
【００７０】
次に、半導体基板２０の一方主面２０ａに、ｐ型半導体層２１を形成する工程（Ｓ１１）が行われる。具体的には、半導体基板２０の一方主面２０ａに、薄膜形成法によってｉ型非晶質半導体層２１ｉを形成する。次に、ｉ型非晶質半導体層２１ｉ上に薄膜形成法によって第１非晶質半導体層２１ｐを形成する。薄膜形成法の例としては、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、Ｃａｔ−ＣＶＤ（Ｃａｔａｌｙｔｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、及びスパッタリング法などが挙げられる。
【００７１】
次に、第１非晶質半導体層２１ｐ上の一部の領域に絶縁層５１を形成する工程（Ｓ１２）が行われる。絶縁層５１は、２つの太陽電池セル１０の間に位置するセル間領域５０に沿って形成される。その際、絶縁層５１の幅ｗ２が、セル間領域５０の幅ｗ１よりも大きくなるように形成される。絶縁層５１が金属材料である場合、マスク等を用いた薄膜形成法が採用される。なお、絶縁層５１が樹脂材料である場合、絶縁層５１は、インクジェット、ジェットディスペンサ、スクリーン印刷、オフセット印刷等の方式が採用される。
【００７２】
次に、半導体基板２０の他方主面２０ｂにｎ型半導体層２３を形成する工程（Ｓ１３）が行われる。具体的には、半導体基板２０の他方主面２０ｂに薄膜形成法によってｉ型非晶質半導体層２３ｉを形成する。次に、ｉ型非晶質半導体層２３ｉ上に薄膜形成法によって第２非晶質半導体層２３ｎを形成する。なお、工程Ｓ１３は、工程Ｓ１２の前に実行されてもよい。
【００７３】
次に、第１透明導電膜２２及び第２透明導電膜２４を形成する工程（Ｓ１４）が行われる。具体的には、第１非晶質半導体層２１ｐの上に第１透明導電膜２２を形成し、第２非晶質半導体層２３ｎの上に、第２透明導電膜２４を形成する。より具体的には、第１非晶質半導体層２１ｐ及び第２非晶質半導体層２３ｎの上に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電性酸化物を、蒸着法及びスパッタリング法などにより成膜する。この第１透明導電膜２２を形成する際、マスク等によって、第１透明導電膜２２の長さＬ２が、絶縁層５１の長さＬ１よりも短くなるように形成される。
【００７４】
次に、第１集電電極３０及び第２集電電極４０を形成する工程（Ｓ１５）が行われる。第１集電電極３０及び第２集電電極４０は、銀（Ａｇ）等の低抵抗導電材料によって構成される。例えば、第１集電電極３０及び第２集電電極４０は、バインダ樹脂中に銀粒子等の導電性フィラーが分散した樹脂型導電性ペースト（銀ペースト等）を所定のパターンでスクリーン印刷することで形成される。
【００７５】
これらの工程Ｓ１０〜Ｓ１５によって、太陽電池セル集合体１が作製される。
【００７６】
次に、太陽電池セル１０の製造方法について、図９を参照しながら説明する。
【００７７】
図９は、太陽電池セル集合体１から太陽電池セル１０を製造する方法を示すフローチャートである。
【００７８】
まず、太陽電池セル集合体１に溝８１を形成する工程を行う（Ｓ２０）。この溝８１は、例えば、太陽電池セル集合体１の受光面１２側にレーザを照射することで形成される。
【００７９】
図１０は、太陽電池セル集合体１に溝８１が形成された状態の一例を示す断面図である。
【００８０】
図１０に示すように、溝８１は、セル間領域５０及び絶縁層５１に沿って形成される。また、レーザは、半導体基板２０のｐｎ接合が形成されていない他方主面２０ｂ側に照射される。これにより、半導体基板２０の他方主面２０ｂに溝８１が形成される。このように、他方主面２０ｂ側にレーザ加工を行うことで、ｐｎ接合側にレーザ加工の熱ダメージが付与されることを抑制できる。
【００８１】
溝８１は、第２透明導電膜２４及びｎ型半導体層２３を貫通し、半導体基板２０を貫通しない深さまで形成される。溝８１の深さは、半導体基板２０の厚みに対して、２５％以下、５０％以下、又は、７５％以下である。太陽電池セル集合体１を断面視した場合の溝８１の幅（Ｘ軸方向の長さ）は、セル間領域５０の幅ｗ１と等しく、絶縁層５１の幅ｗ２よりも小さい。
【００８２】
次に、半導体基板２０に曲げ応力を加え、半導体基板２０を溝８１に沿って割断する工程（Ｓ２１）を行う。この割断によって、２つの太陽電池セル１０が形成される。
【００８３】
これらの工程によれば、太陽電池セル１０の一方端部１３で、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐ及び第１透明導電膜２２の間に絶縁層５１を形成することができる。これにより、太陽電池セル１０の一方端部１３、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制することができ、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００８４】
なお、上記の例では、工程Ｓ２０において、他方主面２０ｂ側から溝８１が形成される例を示したが、溝８１は一方主面２０ａ側から形成されてもよい。
【００８５】
図１１は、太陽電池セル集合体１に溝８１が形成された状態の他の一例を示す断面図である。図１１には、溝８１が一方主面２０ａ側から形成されている例が示されている。このように一方主面２０ａ側からレーザ加工等によって溝８１を形成することで、受光面１２の損傷を低減し、また、受光面１２の有効面積が減少することを抑制できる。この方法によっても、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００８６】
［１−５．効果など］
以上のように、本実施の形態に係る太陽電池セル集合体１は、複数の太陽電池セル１０と、複数の太陽電池セル１０のうちの隣り合う太陽電池セル１０の間に設けられたセル間領域５０と、を備える。太陽電池セル１０及びセル間領域５０のそれぞれは、互いに背向する一方主面２０ａ及び他方主面２０ｂを有する第１導電型の半導体基板２０と、半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられた第２導電型の第１非晶質半導体層２１ｐと、第１非晶質半導体層２１ｐ上の一部の領域に設けられた絶縁層５１と、絶縁層５１を覆うように第１非晶質半導体層２１ｐ上に設けられた第１透明導電膜２２と、を備える。絶縁層５１は、太陽電池セル集合体１を平面視した場合にセル間領域５０に沿って、かつ、一部がセル間領域５０と重なるように設けられている。
【００８７】
この構成によれば、太陽電池セル集合体１を分断することで作製される太陽電池セル１０において、太陽電池セル１０の側面端部に、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００８８】
また、従来技術のように第１透明導電膜２２に除去領域を形成する必要がなくなり、第１非晶質半導体層２１ｐ及び半導体基板２０にダメージが付与されることを抑制することができる。これにより、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００８９】
また、さらに、太陽電池セル１０及びセル間領域５０のそれぞれは、半導体基板２０の他方主面２０ｂ側に設けられた第１導電型の第２非晶質半導体層２３ｎと、第２非晶質半導体層２３ｎ上に設けられた第２透明導電膜２４と、を備えていてもよい。
【００９０】
この構成によれば、太陽電池セル集合体１を分断することで作製される太陽電池セル１０において、太陽電池セル１０の一方主面２０ａ側及び他方主面２０ｂ側の両方にて受光電荷を発生させることが可能となる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００９１】
また、絶縁層５１は、太陽電池セル集合体１を平面視した場合に、帯状の形状を有していてもよい。
【００９２】
この構成によれば、セル間領域５０に沿って絶縁層５１を配置することができるので、太陽電池セル１０の側面端部に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００９３】
また、帯状の絶縁層５１の幅ｗ２は、セル間領域５０の幅ｗ１よりも大きくてもよい。
【００９４】
この構成によれば、太陽電池セル１０の側面端部にて確実に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００９５】
また、帯状の絶縁層５１の長さＬ２は、第１透明導電膜２２の長さＬ１よりも長くてもよい。
【００９６】
この構成によれば、第１透明導電膜２２に覆われている絶縁層５１の一部を第１透明導電膜２２の外にはみ出させることができる。これにより、セル間領域５０において絶縁層５１を第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けることができる。また、太陽電池セル集合体１を裏面１１側から見た場合に、絶縁層５１の位置をカメラ等によって認識することが可能となり、太陽電池セル１０の生産性を向上することができる。
【００９７】
また、第１透明導電膜２２は、絶縁層５１が帯状に延びている方向から見た場合に、絶縁層５１の全てを覆っていてもよい。
【００９８】
この構成によれば、太陽電池セル１０の側面端部において、絶縁層５１と第１透明導電膜２２とを密着させて設けることができる。これにより、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との密着性を高めることができ、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【００９９】
本実施の形態に係る太陽電池セル１０の製造方法は、互いに背向する一方主面２０ａ及び他方主面２０ｂを有する第１導電型の半導体基板２０の一方主面２０ａ側に第２導電型の第１非晶質半導体層２１ｐを形成する工程と、第１非晶質半導体層２１ｐ上に帯状の絶縁層５１を形成する工程と、絶縁層５１を覆うように第１非晶質半導体層２１ｐ上に第１透明導電膜２２を形成することで太陽電池セル集合体１を形成する工程と、太陽電池セル集合体１を平面視した場合の絶縁層５１に沿って、太陽電池セル集合体１に溝８１を形成する工程と、溝８１に沿って太陽電池セル集合体１を割断する工程と、を含む。
【０１００】
これらの工程によれば、太陽電池セル集合体１の割断によって形成される太陽電池セル１０の側面端部に、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【０１０１】
また、溝８１を形成する工程において、溝８１はレーザを照射することによって形成されてもよい。
【０１０２】
この工程によれば、溝８１を効率的に形成することができる。
【０１０３】
また、溝８１を形成する工程において、溝８１は半導体基板２０の他方主面２０ｂに形成されてもよい。
【０１０４】
この工程によれば、溝加工によって、半導体基板２０の一方主面２０ａ側の第１非晶質半導体層２１ｐ及び第１透明導電膜２２が受けるダメージを抑制することができる。これにより、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【０１０５】
また、絶縁層５１は、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間でキャリアが移動することを抑制するキャリア移動抑制層であってもよい。
【０１０６】
この構成によれば、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【０１０７】
［１−６．実施の形態１の変形例１］
次に、実施の形態１の変形例１に係る太陽電池セル集合体１について説明する。変形例１では、太陽電池セル集合体１の第１透明導電膜２２に開口部２２ａが設けられている例について説明する。
【０１０８】
図１２は、変形例１に係る太陽電池セル集合体１を示す断面図である。
【０１０９】
変形例１の太陽電池セル集合体１でも、絶縁層５１が、セル間領域５０において、ｐ型半導体層２１と第１透明導電膜２２との間に設けられている。より詳細には、絶縁層５１は、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けられている。
【０１１０】
また、第１透明導電膜２２は、セル間領域５０に沿う帯状の開口部２２ａを有している。開口部２２ａは、マスク等を用いた薄膜形成法もしくは、第１透明導電膜２２の形成時に絶縁層５１と密着させないことによって形成される。絶縁層５１の一部は、開口部２２ａから露出している。
【０１１１】
この構成によれば、太陽電池セル集合体１を分断することで作製される太陽電池セル１０において、太陽電池セル１０の側面端部に、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【０１１２】
また、絶縁層５１上に第１透明導電膜２２が形成されていない領域が存在することで、絶縁層５１のキャリア移動抑制機能を低く抑えることができ、絶縁層５１の厚みを薄くすることができる。これにより、絶縁層５１の形成時間を短くすることができ、生産性を向上することができる。
【０１１３】
［１−７．実施の形態１の変形例２］
次に、実施の形態１の変形例２に係る太陽電池セル集合体１について説明する。変形例２では、絶縁層５１及び第１透明導電膜２２のそれぞれが開口部を有している例について説明する。
【０１１４】
図１３は、変形例２に係る太陽電池セル集合体１を示す断面図である。
【０１１５】
変形例２の太陽電池セル集合体１でも、絶縁層５１が、セル間領域５０において、ｐ型半導体層２１と第１透明導電膜２２との間に設けられている。より詳細には、絶縁層５１は、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に設けられている。
【０１１６】
また、絶縁層５１は、セル間領域５０に沿う帯状の開口部５１ａを有し、第１透明導電膜２２は、開口部５１ａと同じ幅の開口部２２ａを有している。開口部５１ａ、２２ａのそれぞれは、マスク等を用いた薄膜形成法、もしくは第１透明導電膜２２の形成時に絶縁層５１の一部が該当部上にある第１透明導電膜２２もろとも第１非晶質半導体層２１ｐから脱離することによって形成される。第１非晶質半導体層２１ｐの一部は、開口部５１ａ及び開口部２２ａから露出している。
【０１１７】
この構成によれば、太陽電池セル集合体１を分断することで作製される太陽電池セル１０において、太陽電池セル１０の側面端部に、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０が光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の側面端部、かつ、第１非晶質半導体層２１ｐと第１透明導電膜２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０の特性低下を抑制することができる。
【０１１８】
また、絶縁層５１が形成されていない領域が存在することで、太陽電池セル集合体１を割断する際に、絶縁層５１を起因とする割れ不良が発生することを抑制できる。これにより、太陽電池セル１０の歩留まりを向上することができる。
【０１１９】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る太陽電池セル集合体１Ａについて説明する。実施の形態２では、太陽電池セル１０Ａが、ヘテロ接合型でなく、ＴＯＰＣＯＮ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｐａｓｓｉｖａｔｅｄ  Ｃｏｎｔａｃｔ  ｃｅｌｌ）型である例について説明する。
【０１２０】
図１４は、実施の形態２に係る太陽電池セル集合体１Ａの断面図である。
【０１２１】
実施の形態２の太陽電池セル集合体１Ａは、複数の太陽電池セル１０Ａと、複数の太陽電池セル１０Ａのうち隣り合う太陽電池セル１０Ａの間に設けられたセル間領域５０と、を備えている。
【０１２２】
太陽電池セル１０Ａ及びセル間領域５０のそれぞれは、互いに背向する一方主面２０ａ及び他方主面２０ｂを有する第１導電型の半導体基板２０と、半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられたトンネル酸化層１２１と、トンネル酸化層１２１上の一部の領域に設けられた絶縁層５１と、絶縁層５１を覆うようにトンネル酸化層１２１上に設けられた第１導電型の多結晶シリコン層１２２と、多結晶シリコン層１２２上に設けられた銀電極膜１２５とを備えている。多結晶シリコン層１２２は、例えば、Ｐ（リン）ドープポリシリコン層である。
【０１２３】
また、太陽電池セル集合体１Ａは、半導体基板２０の他方主面２０ｂ側に設けられた第２導電型のＢ（ボロン）ドープエミッタ層１２６と、Ｂドープエミッタ層１２６上に設けられたＡｌ２Ｏ３層１２７と、Ａｌ２Ｏ３層１２７上に設けられたＳｉＮｘ層１２８とを備えている。ＳｉＮｘ層１２８上の一部には、Ｂドープエミッタ層１２６に接続されるフロントグリッド１２９が設けられている。
【０１２４】
絶縁層５１は、太陽電池セル１０Ａが光電変換装置として働いているときに、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間でキャリアが移動することを抑制するキャリア移動抑制層である。
【０１２５】
絶縁層５１は、帯状であり、セル間領域５０に沿って延設されている。具体的には、絶縁層５１は、複数の太陽電池セル１０Ａが並ぶ方向と直交する方向（Ｙ軸方向）に直線状に延設されている。また、絶縁層５１は、太陽電池セル集合体１Ａを平面視した場合に、絶縁層５１の一部がセル間領域５０と重なるように設けられている。具体的には、帯状の絶縁層５１の幅ｗ２は、セル間領域５０の幅ｗ１よりも大きく、幅方向（Ｘ軸方向）において、絶縁層５１は、セル間領域５０を包含するように配置されている。
【０１２６】
実施の形態２の太陽電池セル集合体１Ａでは、絶縁層５１が、セル間領域５０において、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間に設けられている。この構成によれば、太陽電池セル１０Ａが光電変換装置として働いているときに、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間でキャリア移動を抑制できる。これにより、太陽電池セル１０Ａの特性低下を抑制することができる。
【０１２７】
次に、太陽電池セル集合体１Ａを分断することによって得られる太陽電池セル１０Ａの構成について説明する。
【０１２８】
図１５は、太陽電池セル集合体１Ａの一部を構成する太陽電池セル１０Ａの断面図である。
【０１２９】
図１５に示すように、太陽電池セル１０Ａは、第１導電型の半導体基板２０と、半導体基板２０の一方主面２０ａ側に設けられたトンネル酸化層１２１と、トンネル酸化層１２１上の一部の領域に設けられた絶縁層５１と、絶縁層５１を覆うようにトンネル酸化層１２１上に設けられた第１導電型の多結晶シリコン層１２２と、多結晶シリコン層１２２上に設けられた銀電極膜１２５とを備えている。多結晶シリコン層１２２は、例えば、Ｐ（リン）ドープポリシリコン層である。
【０１３０】
また、太陽電池セル１０Ａは、半導体基板２０の他方主面２０ｂ側に設けられたＢ（ボロン）ドープエミッタ層１２６と、Ｂドープエミッタ層１２６上に設けられたＡｌ２Ｏ３層１２７と、Ａｌ２Ｏ３層１２７上に設けられたＳｉＮｘ層１２８とを備えている。ＳｉＮｘ層１２８上の一部には、Ｂドープエミッタ層１２６に接続されるフロントグリッド１２９が設けられている。
【０１３１】
太陽電池セル１０Ａは、太陽電池セル集合体１Ａを分断することで形成された分断面８２を有している。分断面８２は、レーザによって形成された切込面８２ａと、割断によって形成された割断面８２ｂとを有する。
【０１３２】
絶縁層５１は、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間に設けられている。また、絶縁層５１は、太陽電池セル１０Ａの四方端部のうち分断面８２が形成された一方端部１３に設けられ、割断面８２ｂに露出している。
【０１３３】
このように太陽電池セル１０Ａでは、絶縁層５１が、太陽電池セル１０Ａの一方端部１３において、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間に設けられている。
この構成によれば、太陽電池セル１０Ａの一方端部１３に、かつ、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間に絶縁層５１を設けることができる。これにより、太陽電池セル１０Ａが光電変換装置として働くときに、太陽電池セル１０の一方端部１３、かつ、トンネル酸化層１２１と多結晶シリコン層１２２との間にてキャリア移動を抑制できる。そのため、太陽電池セル１０Ａの特性低下を抑制することができる。
【０１３４】
（他の実施の形態）
以上、本発明に係る太陽電池セル集合体等について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されない。
【０１３５】
例えば、絶縁層５１は、セル間領域５０に沿って連続的に設けられている例を示したが、それに限られず、破線状に断続的に設けられていてもよい。
【０１３６】
例えば、太陽電池セル集合体１は、２つの太陽電池セル１０を備える例を示したが、それに限られない。太陽電池セル集合体は、３つの太陽電池セルと２つのセル間領域とを備えていてもよい。また、太陽電池セル集合体は、４つの太陽電池セルと３つのセル間領域とを備えていてもよい。また、太陽電池セル集合体は、行列状に配置された複数の太陽電池セルと、隣り合う太陽電池セルの間に設けられた複数のセル間領域とを備えていてもよい。
【０１３７】
例えば、図３では、２つの太陽電池セル１０の間に位置するセル間領域５０に絶縁層５１が設けられている例を示したが、それに限られない。絶縁層５１は、太陽電池セル１０が並ぶ方向（Ｘ軸方向）において、太陽電池セル１０の両端に設けられていてもよい。
【０１３８】
例えば、上記実施の形態では、太陽電池セルの受光面側の面にｎ型半導体層が形成される例について説明したが、これに限定されず、太陽電池セルの受光面側の面にｐ型半導体層が形成されていてもよい。
【０１３９】
例えば、上記実施の形態では、半導体基板２０と第１非晶質半導体層２１ｐとの間に、パッシベーション層であるｉ型非晶質半導体層２１ｉが設けられている例を示したが、ｉ型非晶質半導体層２１ｉは必ずしも設けられていなくてもよい。また、半導体基板２０と第２非晶質半導体層２３ｎとの間に、パッシベーション層であるｉ型非晶質半導体層２３ｉが設けられている例を示したが、ｉ型非晶質半導体層２３ｉは必ずしも設けられていなくてもよい。
【０１４０】
例えば、上記実施の形態では、第１集電電極はフィンガー電極及びバスバー電極を有する例について説明したが、これに限定されない。第１集電電極は、少なくともフィンガー電極を有していればよい。また、第２集電電極はフィンガー電極及びバスバー電極を有する例について説明したが、これに限定されない。第２集電電極は、少なくともフィンガー電極を有していればよい。この場合、フィンガー電極が、タブ配線によって直接接続されていてもよい。
【０１４１】
例えば、上記実施の形態では、レーザによって溝８１を形成する例を示したが、それに限られず、溝８１は、ブレード加工等によって形成されてもよい。
【０１４２】
また、上記実施の形態で説明した太陽電池セルの製造方法における各工程の順序は一例であり、これに限定されない。各工程の順序は入れ替えられてもよいし、各工程の一部は行われなくてもよい。
【０１４３】
また、上記実施の形態で説明した太陽電池セルの製造方法における各工程は、１つの工程で実施されてもよいし、別々の工程で実施されてもよい。なお、１つの工程で実施されるとは、各工程が１つの装置を用いて実施される、各工程が連続して実施される、又は、各工程が同じ場所で実施されることを含む意図である。また、別々の工程とは、各工程が別々の装置を用いて実施される、各工程が異なる時間（例えば、異なる日）に実施される、又は、各工程が異なる場所で実施されることを含む意図である。
【０１４４】
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【０１４５】
１、１Ａ  太陽電池セル集合体
１０、１０Ａ  太陽電池セル
２０    半導体基板
２０ａ  一方主面
２０ｂ  他方主面
２１ｐ  第１非晶質半導体層
２２    第１透明導電膜
２２ａ  開口部
２３ｎ  第２非晶質半導体層
２４    第２透明導電膜
５０    セル間領域
５１    絶縁層
５１ａ  開口部
８１    溝
１２１  トンネル酸化層
１２２  多結晶シリコン層
Ｌ１、Ｌ２  長さ
ｗ１、ｗ２  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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