(57)【要約】【課題】車載用電圧変換装置において、デッドタイム期間をより適切に設定し得る技術を実現する。【解決手段】車載用電圧変換装置は、第１導電路７１に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部１０と、電圧変換部１０を制御する制御部３０とを備える。制御部３０は、電流検出部で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくする変更制御、又は電圧変換部１０での変換効率が小さいほどデッドタイムを小さくする変更制御を行う。【選択図】図１
2020171093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電路に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部と、
前記電圧変換部を制御する制御部と、
を備え、
前記電圧変換部は、前記第１導電路に電気的に接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続される第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間の導電路に電気的に接続されるインダクタと、を有し、
前記制御部は、前記第１スイッチング素子をオン状態とし前記第２スイッチング素子をオフ状態とする第１制御と前記第１スイッチング素子をオフ状態とし前記第２スイッチング素子をオン状態とする第２制御とを交互に行い、前記第１制御と前記第２制御とを切り替える際に前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をいずれもオフ状態とするデッドタイムを設定する車載用電圧変換装置であって、
前記第１導電路を流れる電流又は前記第２導電路を流れる電流を検出する電流検出部を備え、
前記制御部は、前記電流検出部で検出される検出値が大きいほど前記デッドタイムを小さくする変更制御を行う車載用電圧変換装置。
【請求項２】
第１導電路に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部と、
前記電圧変換部を制御する制御部と、
を備え、
前記電圧変換部は、前記第１導電路に電気的に接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続される第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間の導電路に電気的に接続されるインダクタと、を有し、
前記制御部は、前記第１スイッチング素子をオン状態とし前記第２スイッチング素子をオフ状態とする第１制御と前記第１スイッチング素子をオフ状態とし前記第２スイッチング素子をオン状態とする第２制御とを交互に行い、前記第１制御と前記第２制御とを切り替える際に前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をいずれもオフ状態とするデッドタイムを設定する車載用電圧変換装置であって、
前記第１導電路に印加される前記第１電圧を検出する第１電圧検出部と、
前記第２導電路に印加される前記第２電圧を検出する第２電圧検出部と
前記第１導電路を流れる第１電流を検出する第１電流検出部と、
前記第２導電路を流れる第２電流を検出する第２電流検出部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１電圧と前記第２電圧と前記第１電流と前記第２電流とに基づく前記電圧変換部の変換効率が所定値以下になった場合に前記所定値を超えるときよりも前記デッドタイムを大きくする変更制御を行う
車載用電圧変換装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第１導電路を流れる電流の変化度合い又は前記第２導電路を流れる電流の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に前記変更制御を行う
請求項１又は請求項２に記載の車載用電圧変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、車載用電圧変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＧａＮ（窒化ガリウム）−ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＧａＮ−ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の半導体素子を用いたＤＣＤＣコンバータが提案されている。例えば、特許文献１で開示される駆動システムは、直流電源とグランドとの間にＧａＮ−ＦＥＴが直列に接続され、２つのＧａＮ−ＦＥＴの共通接続点に負荷が接続された構成をなす。そして、駆動回路は、デッドタイムを挟んで一方をオン、他方をオフするように２つのＧａＮ−ＦＥＴを駆動する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−９２８８４号公報
【特許文献２】特開２０１７−３８１８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＧａＮ−ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどの半導体素子は、一般的なシリコンによるＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と比較してゲート閾値電圧が低い。このため、スイッチング動作時に発生するノイズに起因する誤動作が発生しやすいという問題がある。そこで、この誤動作を防ぐ対策としては、半導体素子のオフ時にゲート−ソース間に負電圧を印加することが考えられる。しかし、この種の半導体素子は、ゲート−ソース間に負電圧を印加すると、スイッチング素子をソースからドレイン方向に逆導通させたときのオン電圧が高くなるという特性がある。そこで、特許文献１で開示される駆動システムでは、ＧａＮ−ＦＥＴのゲートに印加する駆動電圧として、正電圧、ゼロ電圧、負電圧の３レベルを設定可能とされている。具体的には、駆動回路が、２つの半導体素子をいずれもオフ状態とするデッドタイム期間中にゲートソース間電圧をゼロ電圧とするように制御を行い、デッドタイム期間中の逆導通損失を抑制する。
【０００５】
しかし、単に特許文献１の方法を採用しただけでは、負荷状態に変化に適切に対応しにくいという問題がある。例えば、半導体素子のスイッチング速度は、負荷状態が軽くなるほど速度が低下するため、デッドタイム期間は負荷が最も軽い状態に合わせて長めに設定する必要がある。しかし、このような設定方法を採用すると、スイッチングが速くなる重負荷時に必要以上にデッドタイム期間が確保されすぎてしまい、その分、逆導通損失が増大する懸念がある。
【０００６】
そこで、デッドタイム期間をより適切に設定し得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一つである車載用電圧変換装置は、
第１導電路に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部と、
前記電圧変換部を制御する制御部と、
を備え、
前記電圧変換部は、前記第１導電路に電気的に接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続される第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間の導電路に電気的に接続されるインダクタと、を有し、
前記制御部は、前記第１スイッチング素子をオン状態とし前記第２スイッチング素子をオフ状態とする第１制御と前記第１スイッチング素子をオフ状態とし前記第２スイッチング素子をオン状態とする第２制御とを交互に行い、前記第１制御と前記第２制御とを切り替える際に前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をいずれもオフ状態とするデッドタイムを設定する車載用電圧変換装置であって、
前記第１導電路を流れる電流又は前記第２導電路を流れる電流を検出する電流検出部を備え、
前記制御部は、前記電流検出部で検出される検出値が大きいほど前記デッドタイムを小さくする変更制御を行う。
【０００８】
本開示の一つである車載用電圧変換装置は、
第１導電路に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部と、
前記電圧変換部を制御する制御部と、
を備え、
前記電圧変換部は、前記第１導電路に電気的に接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に直列に接続される第２スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間の導電路に電気的に接続されるインダクタと、を有し、
前記制御部は、前記第１スイッチング素子をオン状態とし前記第２スイッチング素子をオフ状態とする第１制御と前記第１スイッチング素子をオフ状態とし前記第２スイッチング素子をオン状態とする第２制御とを交互に行い、前記第１制御と前記第２制御とを切り替える際に前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子をいずれもオフ状態とするデッドタイムを設定する車載用電圧変換装置であって、
前記第１導電路に印加される前記第１電圧を検出する第１電圧検出部と、
前記第２導電路に印加される前記第２電圧を検出する第２電圧検出部と
前記第１導電路を流れる第１電流を検出する第１電流検出部と、
前記第２導電路を流れる第２電流を検出する第２電流検出部と、
を備え、
前記制御部は、前記第１電圧と前記第２電圧と前記第１電流と前記第２電流とに基づく前記電圧変換部の変換効率が所定値以下になった場合に前記所定値を超えるときよりも前記デッドタイムを大きくする変更制御を行う。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、デッドタイム期間をより適切に設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本開示の１つである車載用電圧変換装置を備えた車載用電源システムを概略的に示す回路図である。
【図２】図２は、図１の車載用電圧変換装置において電圧変換動作中に第１スイッチング素子に与えられる第１信号及び第２スイッチング素子に与えられる第２信号を概念的に説明する説明図である。
【図３】図３は、図１の車載用電圧変換装置において電流の範囲毎にデューティを定める設定方法を例示する説明図である。
【図４】図４は、実施形態２の車載用電圧変換装置において電流の範囲毎にデューティを定める設定方法について図３とは異なる例を示す説明図である。
【図５】図５は、実施形態３の車載用電圧変換装置において効率の範囲毎にデューティを定める設定方法を例示する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本開示の実施形態の説明］
本開示の実施態様の一例を列記して説明する。
【００１２】
本開示の一つである車載用電圧変換装置は、第１導電路に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部と、電圧変換部を制御する制御部と、を備えた構成をとりうる。そして、電圧変換部は、第１導電路に電気的に接続される第１スイッチング素子と、第１スイッチング素子に直列に接続される第２スイッチング素子と、インダクタと、を有する構成をとりうる。そして、制御部は、第１スイッチング素子をオン状態とし第２スイッチング素子をオフ状態とする第１制御と第１スイッチング素子をオフ状態とし第２スイッチング素子をオン状態とする第２制御とを交互に行う動作を行い得る。更に、制御部は、第１制御と第２制御とを切り替える際に第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子をいずれもオフ状態とするデッドタイムを設定する動作を行い得る。そして、車載用電圧変換装置は、第１導電路を流れる電流又は第２導電路を流れる電流を検出する電流検出部を備え得る。そして、制御部は、電流検出部で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくする変更制御を行い得る。
このように構成された車載用電圧変換装置は入力電流又は出力電流が相対的に大きくなった場合には相対的にデッドタイムを小さく設定し、逆導通損失の増大を抑制することができる。また、上記車載用電圧変換装置は、入力電流又は出力電流が相対的に小さくなった場合には相対的にデッドタイムを大きく設定し、貫通電流の発生をより確実に防ぐことができる。
【００１３】
本開示の一つである車載用電圧変換装置は、第１導電路に印加された第１電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に第２電圧を印加する電圧変換部と、電圧変換部を制御する制御部と、を備えた構成をとりうる。そして、電圧変換部は、第１導電路に電気的に接続される第１スイッチング素子と、第１スイッチング素子に直列に接続される第２スイッチング素子と、インダクタと、を有する構成をとりうる。そして、制御部は、第１スイッチング素子をオン状態とし第２スイッチング素子をオフ状態とする第１制御と第１スイッチング素子をオフ状態とし第２スイッチング素子をオン状態とする第２制御とを交互に行う動作を行い得る。更に、制御部は、第１制御と第２制御とを切り替える際に第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子をいずれもオフ状態とするデッドタイムを設定する動作を行い得る。そして、車載用電圧変換装置は、第１導電路に印加される第１電圧を検出する第１電圧検出部と、第２導電路に印加される第２電圧を検出する第２電圧検出部とを備え得る。更に、車載用電圧変換装置は、第１導電路を流れる第１電流を検出する第１電流検出部と、第２導電路を流れる第２電流を検出する第２電流検出部とを備え得る。そして、制御部は、第１電圧と第２電圧と第１電流と第２電流とに基づく電圧変換部の変換効率が所定値以下になった場合に所定値を超えるときよりもデッドタイムを大きくする変更制御を行う。
このように構成された車載用電圧変換装置は電圧変換部での変換効率が相対的に小さくなった場合には相対的にデッドタイムを大きく設定し、貫通動作（第１スイッチング素子と第２スイッチング素子とがいずれもオン状態になる動作）を抑制又は防止することができる。また、上記車載用電圧変換装置は、電圧変換部での変換効率が相対的に大きい場合にはデッドタイムを小さく設定し、変換効率の低下を抑えることができる。
【００１４】
上記車載用電圧変換装置において、制御部は、第１導電路を流れる電流の変化度合い又は第２導電路を流れる電流の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に変更制御を行うように動作してもよい。このようにすれば、電流の変化が比較的少ない安定時にデッドタイムの調整を行うことができ、不安定時にデッドタイムが適正に調整されない事態を回避することができる。
【００１５】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の車載用電圧変換装置及びその関連部分の具体例を、以下において図面を参照しつつ説明する。
【００１６】
［実施形態１］
以下、実施形態１について説明する。
１−１．電源システム及び電圧変換装置の構成
図１で示す車載用の電源システム１００（以下、電源システム１００ともいう）は、車載用の電源部として構成される第１電源部９１及び第２電源部９２と、車載用電圧変換装置１（以下、電圧変換装置１ともいう）とを備える。電源システム１００は、車両に搭載された負荷９４に電力を供給するシステムとして構成されている。負荷９４は、車載用電気部品であり、その種類や数は限定されない。
【００１７】
第１電源部９１は、例えば、リチウムイオン電池、或いは電気二重層キャパシタ等の蓄電手段によって構成され、満充電時に第１の所定電圧を発生させるものである。例えば、第１電源部９１は、満充電時に高電位側の端子が４８Ｖに保たれ、低電位側の端子がグラウンド電位（０Ｖ）に保たれる。勿論、満充電時の電圧は、この例に限定されない。第１電源部９１の高電位側の端子は、車両内に設けられた配線部８１に電気的に接続されており、第１電源部９１は、配線部８１に対して所定電圧を印加する。第１電源部９１の低電位側の端子は、グラウンド８３に電気的に接続されている。配線部８１は、電圧変換装置１に設けられた端子Ｐ１を介して第１導電路７１と導通している。
【００１８】
第２電源部９２は、例えば、鉛蓄電池等の蓄電手段等によって構成され、第１電源部９１で発生する第１の所定電圧よりも低い第２の所定電圧を発生させるものである。例えば、第２電源部９２は、満充電時に高電位側の端子が１２Ｖに保たれ、低電位側の端子はグラウンド電位（０Ｖ）に保たれる。勿論、満充電時の電圧は、この例に限定されない。第２電源部９２の高電位側の端子は、車両内に設けられた配線部８２に電気的に接続されており、第２電源部９２は、配線部８２に対して所定電圧を印加する。第２電源部９２の低電位側の端子はグラウンド８３に電気的に接続されている。配線部８２は、電圧変換装置１に設けられた端子Ｐ２を介して第２導電路７２と導通している。
【００１９】
グラウンド８３は、車両のグラウンドとして構成され、一定のグラウンド電位（０Ｖ）に保たれている。グラウンド８３には、第１電源部９１の低電位側の端子と第２電源部９２の低電位側の端子とが導通し、更に、後述する第２スイッチング素子１２のソースやコンデンサ６１，６２などが基準導電路７３を介して電気的に接続されている。
【００２０】
電圧変換装置１は、車両内に搭載されて使用される車載用の降圧型ＤＣＤＣコンバータ（ＤＣ−ＤＣ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）として構成されており、入力側の導電路（第１導電路７１）に印加された直流電圧（入力電圧）を降圧し、出力側の導電路（第２導電路７２）に入力電圧よりも低い所望の出力電圧を印加する構成をなすものである。
【００２１】
電圧変換装置１は、主として、第１導電路７１、第２導電路７２、基準導電路７３、電圧変換部１０、制御部３０、第１電圧検出部４１、第２電圧検出部４２、第１電流検出部５１、第２電流検出部５２、入力側コンデンサ６１、出力側コンデンサ６２などを備える。
【００２２】
第１導電路７１は、相対的に高い電圧が印加される一次側（高圧側）の電源ラインとして構成されている。第１導電路７１は、配線部８１を介して第１電源部９１の高電位側の端子に導通するとともに、第１電源部９１から所定の直流電圧が印加される構成をなす。図１の例では、第１導電路７１の一部の導電路７１Ａ（第１電流検出部５１よりも第１電源部９１側の導電路）の電位が、第１電源部９１の高電位側端子の電位と同電位となる構成をなす。また、第１導電路７１の一部の導電路７１Ｂ（第１電流検出部５１よりも電圧変換部１０側の導電路）の電位が、第１スイッチング素子１１のドレインと同電位となる構成をなす。第１導電路７１の端部には端子Ｐ１が設けられ、端子Ｐ１に配線部８１が電気的に接続されている。
【００２３】
第２導電路７２は、相対的に低い電圧が印加される二次側（低圧側）の電源ラインとして構成されている。第２導電路７２は、配線部８２を介して第２電源部９２の高電位側の端子に導通するとともに、第２電源部９２から第１電源部９１の出力電圧よりも小さい直流電圧が印加される構成をなす。図１の例では、第２導電路７２の一部の導電路７２Ａ（第２電流検出部５２よりも第２電源部９２側の導電路）の電位が、第２電源部９２の高電位側端子の電位と同電位となる構成をなす。また、第２導電路７２の一部の導電路７２Ｂ（第２電流検出部５２よりも電圧変換部１０側の導電路）の電位が、インダクタ１４の一端と同電位となる構成をなす。第２導電路７２の端部には端子Ｐ２が設けられ、端子Ｐ２に配線部８２が電気的に接続されている。
【００２４】
基準導電路７３は、第１導電路７１よりも低い電位に保たれる導電路である。基準導電路７３は、グラウンド８３に電気的に接続され、一定のグラウンド電位（０Ｖ）に保たれている。第１導電路７１と基準導電路７３との間には入力側コンデンサ６１が設けられ、第２導電路７２と基準導電路７３との間には出力側コンデンサ６２が設けられている。
【００２５】
電圧変換部１０は、第１導電路７１と基準導電路７３との間に直列に接続される２つの半導体スイッチ（具体的には、第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２）と、第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２とを接続する接続部（接続導電路７４）と第２導電路７２との間に電気的に接続されるインダクタ１４とを備える。
【００２６】
第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２はいずれも、ＧａＮ（窒化ガリウム）−ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）として構成されている。
【００２７】
第１スイッチング素子１１は、第１導電路７１と第２導電路７２との間に設けられている。第１スイッチング素子１１のドレイン（一端）は、第１導電路７１における導電路７１Ｂに電気的に接続され、導電路７１Ｂと同電位とされる。第１スイッチング素子１１のソース（他端）は、接続導電路７４（接続部）を介して第２スイッチング素子１２のドレイン及びインダクタ１４の一端に電気的に接続されている。第１スイッチング素子１１のソースは、接続導電路７４、インダクタ１４の一端、及び第２スイッチング素子１２のドレインと同電位とされる。接続導電路７４は、第１スイッチング素子１１のソースと第２スイッチング素子１２のドレインとを電気的に接続する接続部である。第１スイッチング素子１１のゲートは、制御部３０からの信号線に電気的に接続されている。第１スイッチング素子１１のゲートには、制御部３０からの駆動信号（オン動作を指示するオン信号）及び非駆動信号（オフ動作を指示するオフ信号）が入力されるようになっており、制御部３０からの信号に応じて第１スイッチング素子１１がオン状態とオフ状態とに切り替わるようになっている。
【００２８】
第２スイッチング素子１２は、接続導電路７４と基準導電路７３との間に設けられている。第２スイッチング素子１２のドレイン（一端）は、接続導電路７４に電気的に接続され、接続導電路７４と同電位とされる。第２スイッチング素子１２のソース（他端）は、基準導電路７３に電気的に接続され、基準導電路７３と同電位（例えば、０Ｖ）とされる。第２スイッチング素子１２のゲートは、制御部３０からの信号線（第１スイッチング素子１１に接続される信号線とは異なる信号線）に電気的に接続されている。第２スイッチング素子１２のゲートには、制御部３０からの駆動信号（オン動作を指示するオン信号）及び非駆動信号（オフ動作を指示するオフ信号）が入力されるようになっており、制御部３０からの信号に応じて第２スイッチング素子１２がオン状態とオフ状態とに切り替わるようになっている。
【００２９】
インダクタ１４は、接続導電路７４に一端が電気的に接続され、その一端は接続導電路７４と同電位とされる。インダクタ１４の他端は、第２導電路７２の一部（導電路７２Ｂ）に電気的に接続され、導電路７２Ｂと同電位とされる。
【００３０】
このように構成された電圧変換部１０は、スイッチング方式のＤＣＤＣコンバータの要部をなし、第１スイッチング素子１１のオン動作とオフ動作との切り替え及び第２スイッチング素子１２のオン動作とオフ動作との切り替えによって第１導電路７１に印加された電圧を降圧して第２導電路７２に出力する降圧動作を行い得る。
【００３１】
第１電圧検出部４１は、第１導電路７１に印加される電圧（入力電圧）を検出する機能を有する。第１電圧検出部４１は、電圧検出回路として構成され、基準導電路７３の電位を基準電位とし、この基準電位と第１導電路７１の電位（具体的には導電路７１Ａの電位）との電位差を第１導電路７１の電圧値として検出する。第１電圧検出部４１は、第１導電路７１の電圧値を特定し得る値を制御部３０に入力し得る公知の電圧検出回路であればよい。例えば、第１電圧検出部４１は、第１導電路７１の電圧値そのものを制御部３０に入力する回路であってもよく、第１導電路７１と基準導電路７３の間の電圧を分圧した分圧値を制御部３０に入力するような分圧回路として構成されていてもよい。
【００３２】
第２電圧検出部４２は、第２導電路７２に印加される電圧（入力電圧）を検出する機能を有する。第２電圧検出部４２は、電圧検出回路として構成され、基準導電路７３の電位を基準電位とし、この基準電位と第２導電路７２の電位（具体的には導電路７２Ａの電位）との電位差を第２導電路７２の電圧値として検出する。第２電圧検出部４２は、第２導電路７２の電圧値を特定し得る値を制御部３０に入力し得る公知の電圧検出回路であればよい。例えば、第２電圧検出部４２は、第２導電路７２の電圧値そのものを制御部３０に入力する回路であってもよく、第２導電路７２と基準導電路７３の間の電圧を分圧した分圧値を制御部３０に入力するような分圧回路として構成されていてもよい。
【００３３】
第１電流検出部５１は、第１導電路７１を流れる電流（第１電流）を検出する機能を有する。第１電流検出部５１は、例えば、抵抗器及び差動増幅器を有し、第１導電路７１を流れる電流を示す値（具体的には、第１導電路７１を流れる電流の値に応じたアナログ電圧）を制御部３０に入力する。なお、第１電流検出部５１は、第１導電路７１を流れる電流を特定する値を制御部３０に入力し得る構成であれば公知の様々な回路を採用し得る。
【００３４】
第２電流検出部５２は、第２導電路７２を流れる電流（第２電流）を検出する機能を有する。第２電流検出部５２は、例えば、抵抗器及び差動増幅器を有し、第２導電路７２を流れる電流を示す値（具体的には、第２導電路７２を流れる電流の値に応じたアナログ電圧）を制御部３０に入力する。なお、第２電流検出部５２は、第２導電路７２を流れる電流を特定する値を制御部３０に入力し得る構成であれば公知の様々な回路を採用し得る。
【００３５】
制御部３０は、各種演算や各種処理を行う制御装置３２と駆動回路３４Ａ，３４Ｂとを有する。制御装置３２は、例えば、マイクロコンピュータなどの制御装置及び周辺回路によって構成されている。制御装置３２は、様々な演算処理を行うＣＰＵ、プログラム等の情報を記憶するＲＯＭ、一時的に発生した情報を記憶するＲＡＭ、入力されたアナログ電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器などを備える。駆動回路３４Ａは、制御装置３２から入力されるＰＷＭ信号を、第１スイッチング素子１１を駆動可能なレベルに増幅して出力する機能を有する。駆動回路３４Ｂは、制御装置３２から入力されるＰＷＭ信号を、第２スイッチング素子１２を駆動可能なレベルに増幅して出力する機能を有する。
【００３６】
１−２．電圧変換装置の制御の概要
次に、電圧変換装置１で行われる制御について説明する。
電圧変換装置１は、同期整流方式の降圧型ＤＣＤＣコンバータとして機能し、制御部３０は、所定の開始条件の成立に応じて電圧変換部１０を駆動し、降圧動作を行わせる。電源システム１００では、例えば、イグニッションスイッチがオン状態である場合に外部装置から制御部３０に対してイグニッションオン信号が与えられるようになっており、イグニッションスイッチがオフ状態である場合に外部装置から制御部３０に対してイグニッションオフ信号が与えられるようになっている。制御部３０は、例えばイグニッションスイッチがオフ状態からオン状態に切り替わったことを開始条件として電圧変換部１０に制御信号（ＰＷＭ信号）を与え、電圧変換部１０に上述の電圧変換動作を行わせる。
【００３７】
制御部３０は、電圧変換部１０に降圧動作を行わせる場合、図２のように、第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２に対してＰＷＭ信号を相補的に与える同期整流制御を行う。制御部３０は、同期整流制御中には、第２電圧検出部４２から検出値（第２導電路７２の電圧値を特定する値）を取得しながら第２導電路７２に印加される電圧を目標値に近づけるようにフィードバック演算を周期的に繰り返す。制御部３０は、同期整流制御中に第１スイッチング素子１１のゲートに対してデューティが調整されたＰＷＭ信号を与え、このＰＷＭ信号と相補的なＰＷＭ信号を第２スイッチング素子１２のゲートに対して与える。第２導電路７２の出力電圧は、第１スイッチング素子１１のゲートに与えるＰＷＭ信号のデューティに応じて定まる。
【００３８】
制御部３０は、同期整流制御中には、第１スイッチング素子１１のゲートに対して第１スイッチング素子１１をオンさせるオン信号（ハイレベル信号）と第１スイッチング素子１１をオフさせるオフ信号（ローレベル信号）とを交互に出力する。同様に、制御部３０は、同期整流制御中には、第２スイッチング素子１２のゲートに対して第２スイッチング素子１２をオンさせるオン信号（ハイレベル信号）と第２スイッチング素子１２をオフさせるオフ信号（ローレベル信号）とを交互に出力する。第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２のいずれに与える信号も、オン信号（ハイレベル信号）は０Ｖよりも大きい所定の正電圧であり、オフ信号（ローレベル信号）は０Ｖよりも小さい所定の負電圧である。具体的には、第１スイッチング素子１１にオン信号を出力しつつ第２スイッチング素子１２にオフ信号を出力する第１制御と、第１スイッチング素子１１にオフ信号を出力しつつ第２スイッチング素子１２にオン信号を出力する第２制御とを交互に行う。更に、制御部３０は、第１制御を行う期間と第２制御を行う期間の間に、第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２のいずれにもオフ信号を出力するデッドタイム期間を設ける。図２の例において、期間Ｔ１は第１制御期間であり、期間Ｔ２は第２制御期間であり、期間Ｔ３はデッドタイム期間である。
【００３９】
１−３．スイッチング素子の制御の詳細
次に、制御部３０によって第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２に対して行われる制御について詳述する。なお、以下の説明は、上述した同期整流制御が行われていることを前提とする。
【００４０】
図２のように、制御部３０は、同期整流制御中に周期ＴのＰＷＭ信号（第１信号）を第１スイッチング素子１１のゲートに対して継続的に出力し、このＰＷＭ信号（第１信号）のデューティを、フィードバック演算によってデューティが更新される毎に更新に合わせて変化させる。一方で、制御部３０は、第２スイッチング素子１２のゲートに対しても第１スイッチング素子１１に与えるＰＷＭ信号に合わせたＰＷＭ信号（第２信号）を出力する。第２スイッチング素子１２に与えるＰＷＭ信号のオン期間（期間Ｔ２）は、第１スイッチング素子１１のオン期間（期間Ｔ１）の終了時点ｔ２からデッドタイムＴ３が経過した時点ｔ３を開始時点とし、周期Ｔの終了時点ｔ５よりも期間Ｔ３だけ早い時点ｔ４を終了時点とする。
【００４１】
制御部３０は、上述したような同期整流制御を行う期間においてデッドタイムＴ３を動的に変化させる。具体的には、制御部３０は、電流検出部の一例に相当する第１電流検出部５１で検出される検出値（第１導電路を流れる入力電流（第１電流）の値）が大きいほどデッドタイムを小さくする変更制御を行う。制御部３０は、例えば、図３のような設定方法を採用しており、同期整流制御中において第１電流検出部５１で検出される検出値（入力電流（第１電流）の値）Ｉａが閾値Ｉｔｈよりも小さい場合には、デッドタイムをＤ２に設定する。また、制御部３０は、第１電流検出部５１で検出される検出値（入力電流（第１電流）の値）Ｉａが閾値Ｉｔｈ以上である場合には、デッドタイムをＤ２よりも小さいＤ１に設定する。Ｄ１、Ｄ２の値は、いずれも０よりも大きく、周期Ｔよりも小さい。
【００４２】
制御部３０は、上述したような変更制御（電流検出値に基づいてデッドタイムを更新する制御）を短い時間間隔で周期的に行ってもよく、所定条件が成立した場合にのみ行ってもよい。例えば、周期Ｔ毎に上記変更制御を行ってもよく、周期Ｔよりも短い周期又は長い周期で周期的に変更制御を行ってもよい。或いは、第１電流検出部５１で検出される検出値が閾値Ｉｔｈ未満の状態から閾値Ｉｔｈ以上の状態に変化した場合又は閾値Ｉｔｈ以上の状態から閾値Ｉｔｈ未満の状態に変化した場合に上記変更制御を行ってもよい。
【００４３】
また、制御部３０は、上述したいずれの例においても、所定条件下で上記変更制御を行わないようにすることができる。例えば、第１導電路７１を流れる電流（第１電流）の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に上記変更制御を行うようにしてもよい。具体的には、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間に微小時間Δｔ毎の第１電流の変化量ΔＩａを検出する処理を周期的に繰り返すようにしてもよい。そして、制御部３０は、同期整流制御中にΔＩａ／Δｔの絶対値が一定値以上となった場合に、ΔＩａ／Δｔが一定値未満となるまで上記変更制御を停止してもよい。或いは、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間に第１導電路７１を流れる第１電流の微分値を検出する処理を周期的に繰り返し、微分値の絶対値が一定値以上となった場合に、一定値未満となるまで上記変更制御を停止してもよい。
【００４４】
いずれの場合でも、制御部３０は、所定条件下で上記変更制御を停止する場合に、停止期間のデューティの値を、上記変更制御を停止する前の値で維持してもよく、変更可能なデューティの範囲のうちの最も大きい値で維持してもよい。
【００４５】
１−４．効果の例
以下、本構成の効果を例示する。
本構成の電圧変換装置１において制御部３０は、第１電流検出部５１（電流検出部）で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくする変更制御を行い得る。この電圧変換装置１は、入力電流が相対的に大きくなった場合に相対的にデッドタイムを小さく設定し、逆導通損失の増大を抑制することができる。また、この電圧変換装置１は、入力電流が相対的に小さくなった場合に相対的にデッドタイムを大きく設定し、貫通電流の発生をより確実に防ぐことができる。
【００４６】
電圧変換装置１において、制御部３０は、第１電流検出部５１（電流検出部）で検出される電流の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に変更制御を行うように動作することができる。このように構成されていれば、入力電流の変化が比較的少ない安定時にデッドタイムの調整を行うことができ、不安定時にデッドタイムが適正に調整されない事態を回避することができる。
【００４７】
［実施形態２］
次に、実施形態２について説明する。
実施形態２に係る車載用電圧変換装置１は、実施形態１と同様に図１のような構成をなす。具体的には、上述した「１−１．電源システム及び電圧変換装置の構成」の内容は、実施形態１と実施形態２のいずれにも共通する内容である。よって、以下では、実施形態２に係る車載用電圧変換装置１についても図１を参照することとする。更に、実施形態２に係る電圧変換装置１は、実施形態１と同様に電圧変換部１０の制御を行う。具体的には、上述した「２．電圧変換装置の制御の概要」の内容は、実施形態１と実施形態２のいずれにも共通する内容である。よって、以下では、適宜図２を参照する。
【００４８】
２−１．スイッチング素子の制御の詳細
次に、制御部３０によって第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２に対して行われる制御について詳述する。なお、以下の説明は、上述した同期整流制御が行われていることを前提とする。図２のように、制御部３０は、同期整流制御中に周期ＴのＰＷＭ信号（第１信号）を第１スイッチング素子１１のゲートに対して継続的に出力し、このＰＷＭ信号（第１信号）のデューティを、フィードバック演算によってデューティが更新される毎に更新に合わせて変化させる。一方で、制御部３０は、第２スイッチング素子１２のゲートに対しても第１スイッチング素子１１に与えるＰＷＭ信号に合わせたＰＷＭ信号（第２信号）を出力する。第２スイッチング素子１２に与えるＰＷＭ信号のオン期間（期間Ｔ２）は、第１スイッチング素子１１のオン期間（期間Ｔ１）の終了時点ｔ２からデッドタイムＴ３が経過した時点ｔ３を開始時点とし、周期Ｔの終了時点ｔ５よりも期間Ｔ３だけ早い時点ｔ４を終了時点とする。
【００４９】
制御部３０は、上述したような同期整流制御を行う期間においてデッドタイムＴ３を動的に変化させる。具体的には、制御部３０は、電流検出部の一例に相当する第１電流検出部５１で検出される検出値（第１導電路を流れる入力電流（第１電流）の値）が大きいほどデッドタイムを小さくする変更制御を行う。制御部３０は、例えば、図４のような設定方法を採用しており、同期整流制御中において第１電流検出部５１で検出される検出値（入力電流（第１電流）の値）Ｉａが閾値Ｉｔｈ１よりも小さい場合には、デッドタイムをＤ３に設定する。また、制御部３０は、第１電流検出部５１で検出される検出値（入力電流（第１電流）の値）Ｉａが閾値Ｉｔｈ１以上且つＩｔｈ２未満である場合には、デッドタイムをＤ３よりも小さいＤ２に設定する。更に、制御部３０は、第１電流検出部５１で検出される検出値（入力電流（第１電流）の値）Ｉａが閾値Ｉｔｈ２以上である場合には、デッドタイムをＤ２よりも小さいＤ１に設定する。Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の値は、いずれも０よりも大きく、周期Ｔよりも小さい。ここでは、入力電流の範囲を３段階に分け、各段階に対応させてデューティを定めた例を示したが、４段階以上に分け、各段階に対応させてデューティを定めてもよい。
［実施形態３］
次に、実施形態３について説明する。
実施形態３に係る車載用電圧変換装置１は、実施形態１と同様に図１のような構成をなす。具体的には、上述した「１−１．電源システム及び電圧変換装置の構成」の内容は、実施形態１と実施形態３のいずれにも共通する内容である。よって、以下では、実施形態３に係る車載用電圧変換装置１についても図１を参照することとする。更に、実施形態３に係る電圧変換装置１は、実施形態１と同様に電圧変換部１０の制御を行う。具体的には、上述した「２．電圧変換装置の制御の概要」の内容は、実施形態１と実施形態３のいずれにも共通する内容である。よって、以下では、適宜図２を参照する。
【００５０】
３−１．スイッチング素子の制御の詳細
実施形態３の電圧変換装置１において制御部３０によって第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２に対して行われる制御について詳述する。なお、以下の説明は、同期整流制御が行われていることを前提とする。図２のように、制御部３０は、同期整流制御中に周期ＴのＰＷＭ信号（第１信号）を第１スイッチング素子１１のゲートに対して継続的に出力し、このＰＷＭ信号（第１信号）のデューティを、フィードバック演算によってデューティが更新される毎に更新に合わせて変化させる。一方で、制御部３０は、第２スイッチング素子１２のゲートに対しても第１スイッチング素子１１に与えるＰＷＭ信号に合わせたＰＷＭ信号（第２信号）を出力する。第２スイッチング素子１２に与えるＰＷＭ信号のオン期間（期間Ｔ２）は、第１スイッチング素子１１のオン期間（期間Ｔ１）の終了時点ｔ２からデッドタイムＴ３が経過した時点ｔ３を開始時点とし、周期Ｔの終了時点ｔ５よりも期間Ｔ３だけ早い時点ｔ４を終了時点とする。
【００５１】
制御部３０は、同期整流制御を行う期間においてデッドタイムＴ３を動的に変化させる。具体的には、制御部３０は、電圧変換部１０でなされる変換効率ηを短い時間間隔で算出し、変換効率が小さいほどデッドタイムを小さくするように変更制御を行う。変換効率ηは、例えばη＝（Ｉａ×Ｖａ）／（Ｉｂ×Ｖｂ）の式で算出する。この式において、Ｉａは、第１導電路７１を流れる第１電流（入力電流）であり、第１電流検出部５１によって検出される値である。また、Ｖａは、第１導電路７１に印加される第１電圧（入力電圧）であり、第１電圧検出部４１によって検出される値である。Ｉｂは、第２導電路７２を流れる第２電流（出力電流）であり、第２電流検出部５２によって検出される値である。また、Ｖｂは、第２導電路７２に印加される第２電圧（出力電圧）であり、第２電圧検出部４２によって検出される値である。
【００５２】
制御部３０は、例えば、図５のような設定方法を採用しており、同期整流制御中に算出された変換効率ηが第１閾値ηｔｈ１以下であり第２閾値ηｔｈ２（所定値）よりも大きい場合には、デッドタイムをＤ１に設定する。また、制御部３０は、同期整流制御中に算出された変換効率ηが第２閾値ηｔｈ２（所定値）以下である場合には、デッドタイムをＤ１よりも大きいＤ２に設定する。Ｄ１、Ｄ２の値は、いずれも０よりも大きく、周期Ｔよりも小さい。この際、第１閾値ηｔｈ１及び第２閾値ηｔｈ２は、出力電流Ｉｂの値に応じ、異なる値(ηｔｈ１, ηｔｈ１´, ηｔｈ１´´….)と設定してもよい。例えば、出力電流Ｉｂの各値にそれぞれ対応付けて第１閾値と第２閾値とを定めておき、検出された出力電流Ｉｂに応じて、その出力電流Ｉｂに対応付けられた第１閾値及び第２閾値を決定してもよい。或いは、出力電流Ｉｂの範囲毎にそれぞれ対応付けて第１閾値と第２閾値とを定めておき、検出された出力電流Ｉｂに応じて、その出力電流Ｉｂが属する範囲に対応付けられた第１閾値及び第２閾値を決定してもよい。また、変換効率ηが閾値ηｔｈ１よりも大きい場合は、デッドタイムをＤ１にしてもよく、Ｄ１よりも更に小さい値にしてもよい。
【００５３】
制御部３０は、上述したような変更制御（変換効率に基づいてデッドタイムを更新する制御）を短い時間間隔で周期的に行ってもよく、所定条件が成立した場合にのみ行ってもよい。例えば、周期Ｔ毎に上記変更制御を行ってもよく、周期Ｔよりも短い周期又は長い周期で周期的に変更制御を行ってもよい。
【００５４】
制御部３０は、上述したいずれの例においても、所定条件下で上記変更制御を行わないようにすることができる。例えば、第１導電路７１を流れる第１電流の変化度合い又は第２導電路７２を流れる第２電流の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に上記変更制御を行うようにしてもよい。具体的には、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間に微小時間Δｔ毎の第１電流の変化量ΔＩａを検出する処理を周期的に繰り返すようにしてもよい。そして、制御部３０は、同期整流制御中にΔＩａ／Δｔの絶対値が一定値以上となった場合に、ΔＩａ／Δｔが一定値未満となるまで上記変更制御を停止してもよい。或いは、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間に第１導電路７１を流れる第１電流の微分値を検出する処理を周期的に繰り返し、微分値の絶対値が一定値以上となった場合に、一定値未満となるまで上記変更制御を停止してもよい。いずれの場合でも、制御部３０は、所定条件下で上記変更制御を停止する場合に、停止期間のデューティの値を、上記変更制御を停止する前の値で維持してもよく、変更可能なデューティの範囲のうちの最も大きい値で維持してもよい。
【００５５】
２−２．効果の例
本構成において制御部３０は、電圧変換部１０での変換効率ηが相対的に小さくなった場合にデッドタイムを相対的に大きく設定し、貫通動作（第１スイッチング素子１１と第２スイッチング素子１２とがいずれもオン状態になる動作）を抑制又は防止することができる。貫通動作が生じた場合には変換効率ηが急低下するため、このような制御が特に有効である。また、電圧変換部１０での変換効率が相対的に大きい場合にはデッドタイムを小さく設定し、変換効率の低下を抑えることができる。
【００５６】
［他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００５７】
上述した実施形態や後述する実施形態は、例示された２以上の特徴を矛盾しない範囲であらゆる組み合わせ方で組み合わせることが可能である。
【００５８】
上述した実施形態では、車載用電圧変換装置の例として少なくとも降圧動作を行う降圧型ＤＣＤＣコンバータを例示したが、第１導電路に印加された電圧を昇圧して第２導電路に印加する昇圧型ＤＣＤＣコンバータであってもよく、昇降圧型のＤＣＤＣコンバータであってもよい。また、第１導電路に印加された電圧を昇圧又は降圧して第２導電路に印加する電圧変換動作と、第２導電路に印加された電圧を昇圧又は降圧して第１導電路に印加する電圧変換動作とを行い得る双方向型のＤＣＤＣコンバータであってもよい。
【００５９】
上述した実施形態では、第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２がＧａＮ−ＦＥＴによって構成された例を示したがこの例に限定されない。第１スイッチング素子１１及び第２スイッチング素子１２は、ＧａＮ−ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの他の種類の半導体素子であってもよい。
【００６０】
実施形態１では、制御部３０による変更制御の例として、第１電流検出部５１で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくする例を説明したが、第２電流検出部５２で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくしてもよい。この場合でも、制御部３０は、例えば、図３と同様の設定方法を採用することができ、同期整流制御中において第２電流検出部５２で検出される検出値（出力電流（第２電流）の値）Ｉｂが閾値Ｉｔｈよりも小さい場合には、デッドタイムをＤ２に設定する。また、制御部３０は、第２電流検出部５２で検出される検出値（入力電流（第２電流）の値）Ｉｂが閾値Ｉｔｈ以上である場合には、デッドタイムをＤ２よりも小さいＤ１に設定する。Ｄ１、Ｄ２の値は、いずれも０よりも大きく、周期Ｔよりも小さい。なお、ここでは、第２電流（出力電流）の範囲を２段階に分け、各段階に対応させてデューティを定めた例を示したが、３段階以上に分け、各段階に対応させてデューティを定めてもよい。
以上のような例でも、制御部３０は、上述したような変更制御（電流検出値に基づいてデッドタイムを更新する制御）を短い時間間隔で周期的に行ってもよく、所定条件が成立した場合にのみ行ってもよい。例えば、周期Ｔ毎に上記変更制御を行ってもよく、周期Ｔよりも短い周期又は長い周期で周期的に変更制御を行ってもよい。或いは、第２電流検出部５２で検出される検出値が閾値Ｉｔｈ未満の状態から閾値Ｉｔｈ以上の状態に変化した場合又は閾値Ｉｔｈ以上の状態から閾値Ｉｔｈ未満の状態に変化した場合に上記変更制御を行ってもよい。
この例では、制御部３０は、第２導電路７２を流れる第２電流の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に上記変更制御を行うようにしてもよい。具体的には、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間に微小時間Δｔ毎の第２電流の変化量ΔＩｂを検出する処理を周期的に繰り返すようにしてもよい。そして、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間にΔＩｂ／Δｔの絶対値が一定値以上となった場合に、ΔＩｂ／Δｔが一定値未満となるまで上記変更制御を停止してもよい。或いは、制御部３０は、同期整流制御を行っている期間に第２導電路７２を流れる第２電流の微分値を検出する処理を周期的に繰り返し、微分値の絶対値が一定値以上となった場合に、一定値未満となるまで上記変更制御を停止してもよい。これらの例でも、制御部３０は、所定条件下で上記変更制御を停止する場合に、停止期間のデューティの値を、上記変更制御を停止する前の値で維持してもよく、変更可能なデューティの範囲のうちの最も大きい値で維持してもよい。
なお、このような制御方法（第２導電路７２を流れる第２電流の変化度合いが一定範囲内に収まっている場合に上記変更制御を行う方法）は、上述したいずれの例に適用してもよい。
【００６１】
実施形態１、２では、電流検出部（第１電流検出部５１又は第２電流検出部５２）で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくする変更制御を行う例として、電流の範囲毎にデッドタイムを定めたテーブルを用いた。しかし、この例に限定されず、例えば、制御部３０は、電流検出部で検出される検出値（電流値）を変数としてデッドタイムを決定する演算式によってデッドタイムを決定してもよい。演算式としては、電流検出部で検出される検出値が大きいほどデッドタイムを小さくする一次式、二次式などが挙げられる。例えば、実施形態１において、Ｄ＝ａ×Ｉ＋ｂの式によってデッドタイムを定めてもよい。この式を用いる場合、ａ＜０、ｂ＞０、Ｉは電流検出部で検出される検出値（電流値）、Ｄはデッドタイムである。この式を用いる場合、Ｉが所定の最大電流値以上になった場合に、Ｄは所定の最小値（周期Ｔ以下の所定最小値）に固定し、Ｉが所定の最小電流値以下になった場合に、Ｄは所定の最大値（周期Ｔ以下の所定最大値）に固定すればよい。
【００６２】
実施形態３では、変換効率ηが閾値ηｔｈ２よりも大きい場合にデッドタイムをＤ１とし、変換効率ηが閾値ηｔｈ２以下である場合にデッドタイムをＤ２とする例を示したが、実施形態１又は実施形態２の構成を前提とし、このような特徴を付加してもよい。
実施形態１に付加する構成としては、以下のような例が挙げられる。例えば、電圧変換部１０での同期整流制御中において、変換効率ηが閾値ηｔｈ２よりも大きい場合、第１電流検出部５１で検出される検出値（入力電流（第１電流）の値）Ｉａが閾値Ｉｔｈよりも小さい場合にはデッドタイムをＤ２に設定し、Ｉａが閾値Ｉｔｈ以上である場合にはデッドタイムをＤ２よりも小さいＤ１に設定してもよい。一方で、変換効率ηが閾値ηｔｈ２以下である場合には、Ｉａの値にかかわらず、デッドタイムをＤ２よりも更に大きいＤ３としてもよい。
また、実施形態２に付加する構成としては、以下のような例が挙げられる。例えば、電圧変換部１０での同期整流制御中において、変換効率ηが閾値ηｔｈ２よりも大きい場合、Ｉａが閾値Ｉｔｈ１よりも小さい場合にはデッドタイムをＤ３に設定し、Ｉａが閾値Ｉｔｈ１以上且つＩｔｈ２未満である場合にはデッドタイムをＤ３よりも小さいＤ２に設定し、Ｉａが閾値Ｉｔｈ２以上である場合にはデッドタイムをＤ２よりも小さいＤ１に設定するようにしてもよい。一方で、変換効率ηが閾値ηｔｈ２以下である場合には、Ｉａの値にかかわらず、デッドタイムをＤ３よりも更に大きいＤ４としてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１    ：車載用電圧変換装置
１０  ：電圧変換部
１１  ：第１スイッチング素子
１２  ：第２スイッチング素子
１４  ：インダクタ
３０  ：制御部
３２  ：制御装置
３４Ａ：駆動回路
３４Ｂ：駆動回路
４１  ：第１電圧検出部
４２  ：第２電圧検出部
５１  ：第１電流検出部
５２  ：第２電流検出部
６１  ：コンデンサ
６２  ：コンデンサ
７１  ：第１導電路
７１Ａ：導電路
７１Ｂ：導電路
７２  ：第２導電路
７２Ａ：導電路
７２Ｂ：導電路
７３  ：基準導電路
７４  ：接続導電路
８１  ：配線部
８２  ：配線部
８３  ：グラウンド
９１  ：第１電源部
９２  ：第２電源部
９４  ：負荷
１００：電源システム
Ｐ１  ：端子
Ｐ２  ：端子
【図１】
2020171093.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2020171093.tif 000007