(57)【要約】【課題】額縁部分からの水分侵入に伴う表示不良が発生し得る表示パネルを精度良く検出可能な表示パネルおよびそれを備えた電子機器を提供する。【解決手段】本開示の一実施形態に係る表示パネルは、第１開口部と、第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する平坦化層と、平坦化層の表面側に形成された自発光素子とを備えている。この表示パネルは、さらに、自発光素子の第１電極層と同一の層内、自発光素子の第２電極層に接続された第２配線と同一の層内、および第１電極層と第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、第１電極層と、平坦化層の第２開口部との間の領域に、１または複数の検出用配線を備えている。【選択図】図３
2020115406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１開口部と、前記第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する平坦化層と、
前記平坦化層の表面側に形成され、第１電極層、発光層および第２電極層を前記平坦化層側からこの順に含む複数の自発光素子と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第１開口部を介して前記第１電極層に接続された第１配線と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第２開口部を介して前記第２電極層に接続された第２配線と、
前記第１電極層と同一の層内、前記第２配線と同一の層内、および前記第１電極層と前記第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、前記第１電極層と前記第２開口部との間の領域に形成され、前記第１電極層、前記第２電極層、前記第１配線および前記第２配線とは電気的に分離された１または複数の検出用配線と
を備えた
表示パネル。
【請求項２】
前記１または複数の検出用配線は、前記第１電極層と同一の層内に、前記第１電極層と同一の材料で形成されている
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記複数の自発光素子を駆動する駆動回路と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記駆動回路、前記第１配線および前記第２配線を全体的にまたは部分的に覆う保護層と
を更に備え、
前記１または複数の検出用配線は、前記保護層と前記平坦化層との間に形成されている
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記複数の自発光素子を駆動する駆動回路と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記駆動回路、前記第１配線および前記第２配線を全体的にまたは部分的に覆う保護層と
を更に備え、
前記１または複数の検出用配線は、前記第２配線と同一の層内に形成されている
請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記１または複数の検出用配線は、前記第２配線と同一の材料で形成されている
請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記１または複数の検出用配線は、水分による腐食によって抵抗値の変化する構成となっている
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記１または複数の検出用配線は、アルミニウムを含む金属材料によって形成されている
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記１または複数の検出用配線は、当該表示パネルの外縁に沿って形成されている
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第２開口部は、前記複数の自発光素子を含む領域を取り囲むように設けられ、
前記第２電極層の一部は、前記第２開口部の内面を覆っている
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の表示パネル。
【請求項１０】
表示面に表示パネルを備え、
前記表示パネルは、
第１開口部と、前記第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する平坦化層と、
前記平坦化層の表面側に形成され、第１電極層、発光層および第２電極層を前記平坦化層側からこの順に含む複数の自発光素子と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第１開口部を介して前記第１電極層に接続された第１配線と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第２開口部を介して前記第２電極層に接続された第２配線と、
前記第１電極層と同一の層内、前記第２配線と同一の層内、および前記第１電極層と前記第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、前記第１電極層と前記第２開口部との間の領域に形成され、前記第１電極層、前記第２電極層、前記第１配線および前記第２配線とは電気的に分離された１または複数の検出用配線と
を有する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示パネルおよび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子などの自発光素子を用いた表示パネルでは、表示パネルの額縁部分からの水分侵入により、自発光素子の劣化が生じ、自発光素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になったりする問題がある。表示パネルの額縁部分から自発光素子への水分侵入には、数百〜数千時間を要することが多いため、表示パネルの出荷前に表示不良を検出することは極めて難しく、出荷後に表示不良が発生する懸念がある。そこで、従来から、表示パネルの額縁部分から侵入する水分を検出する機構を表示パネルに搭載し、出荷後に表示不良が発生し得る表示パネルを検出することが提案されている（例えば、下記の特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１１０８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の発明では、表示不良が実際には発生し得ない場合にも、機構が水分を検出する可能性がある。従って、額縁部分からの水分侵入に伴う表示不良が発生し得る表示パネルを精度良く検出可能な表示パネルおよびそれを備えた電子機器を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施形態に係る表示パネルは、平坦化層と、自発光素子と、第１配線と、第２配線と、１または複数の検出用配線とを備えている。平坦化層は、第１開口部と、第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する。自発光素子は、平坦化層の表面側に形成され、第１電極層、発光層および第２電極層を平坦化層側からこの順に含んで構成されている。第１配線は、平坦化層の裏面側に形成され、第１開口部を介して第１電極層に接続されている。第２配線は、平坦化層の裏面側に形成され、第２開口部を介して第２電極層に接続されている。１または複数の検出用配線は、第１電極層と同一の層内、第２配線と同一の層内、および第１電極層と第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、第１電極層と第２開口部との間の領域に形成され、第１電極層、第２電極層、第１配線および第２配線とは電気的に分離されている。
【０００６】
本開示の一実施形態に係る電子機器は、表示面に、本開示の一実施形態に係る表示パネルを備えている。
【０００７】
本開示の一実施形態に係る表示パネルおよび電子機器では、１または複数の検出用配線が、第１電極層と同一の層内、第２配線と同一の層内、および第１電極層と第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、第１電極層と第２開口部との間の領域に形成されている。これにより、例えば、自発光素子を覆う無機絶縁膜に亀裂や穴などの欠損が存在する場合に、無機絶縁膜の欠損を経由して第２開口部から水分が侵入したときに、その水分が、自発光素子よりも第２開口部寄りに設けられた１または複数の検出用配線によって検出される。
【０００８】
本開示の一実施形態に係る表示パネルおよび電子機器によれば、１または複数の検出用配線を、第１電極層と同一の層内、第２配線と同一の層内、および第１電極層と第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、第１電極層と第２開口部との間の領域に形成するようにしたので、自発光素子の周囲の構造とは全く異なる構造内に検出用配線を設けた場合と比べて、無機絶縁膜の欠損を経由して第２開口部から侵入した水分が自発光素子に到達して表示不良が発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す図である。
【図２】図１の画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１の表示領域の平面構成の一例を表す図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面構成の一例を表す図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線における断面構成の一例を表す図である。
【図６】図１の表示領域の平面構成の一変形例を表す図である。
【図７】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面構成の一変形例を表す図である。
【図８】図３のＶ−Ｖ線における断面構成の一変形例を表す図である。
【図９】図３のＩＶ−ＩＶ線における断面構成の一変形例を表す図である。
【図１０】図３のＶ−Ｖ線における断面構成の一変形例を表す図である。
【図１１】図１の表示領域の平面構成の一変形例を表す図である。
【図１２】図１の表示領域の平面構成の一変形例を表す図である。
【図１３】図１の表示領域の平面構成の一変形例を表す図である。
【図１４】図１の表示領域の平面構成の一変形例を表す図である。
【図１５】表示装置の一適用例としての電子機器の外観を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の概要
２．実施の形態（表示装置）
３．変形例（表示装置）
４．適用例（電子機器）
【００１１】
＜１．本開示の概要＞
本開示の一実施の形態に係る表示パネルは、平坦化層と、自発光素子と、第１配線と、第２配線と、１または複数の検出用配線とを備えている。平坦化層は、第１開口部と、第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する。自発光素子は、平坦化層の表面側に形成され、第１電極層、発光層および第２電極層を平坦化層側からこの順に含んで構成されている。第１配線は、平坦化層の裏面側に形成され、第１開口部を介して第１電極層に接続されている。第２配線は、平坦化層の裏面側に形成され、第２開口部を介して第２電極層に接続されている。
【００１２】
１または複数の検出用配線は、第１電極層と同一の層内、第２配線と同一の層内、および第１電極層と第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、第１電極層と第２開口部との間の領域に形成され、第１電極層、第２電極層、第１配線および第２配線とは電気的に分離されている。
【００１３】
本開示の一実施の形態に係る表示パネルにおいて、１または複数の検出用配線が、第１電極層と同一の層内に設けられていてもよい。この場合、１または複数の検出用配線は、第１電極層と同一の材料で形成されていてもよい。
【００１４】
本開示の一実施の形態に係る表示パネルは、さらに、平坦化層の裏面側に形成され、自発光素子を駆動する駆動回路と、平坦化層の裏面側に形成され、駆動回路、第１配線および第２配線を全体的にまたは部分的に覆う保護層とを備えていてもよい。この場合、１または複数の検出用配線は、保護層と平坦化層との間に形成されていてもよいし、第２配線と同一の層内に形成されていてもよい。１または複数の検出用配線が第２配線と同一の層内に形成されている場合、１または複数の検出用配線は、第２配線と同一の材料で形成されていてもよい。
【００１５】
本開示の一実施の形態に係る表示パネルにおいて、１または複数の検出用配線は、水分によって抵抗値の変化する構成となっていてもよい。この場合、１または複数の検出用配線は、アルミニウムを含む金属材料によって形成されていてもよい。本開示の一実施の形態に係る表示において、１または複数の検出用配線は、表示パネルの外縁に沿って形成されていてもよい。
【００１６】
＜２．実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置１００の全体構成例を表すものである。表示装置１００は、表示パネル１１０、ドライバ１２０およびコントローラ１３０を備えている。表示パネル１１０には、複数のサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されている。サブ画素１０Ｒは赤色を表示し、サブ画素１０Ｇは緑色を表示し、サブ画素１０Ｂは青色を表示する。同色の複数のサブ画素がＹ方向に一列に並べられ、Ｙ方向に一列に並べられた赤色の複数のサブ画素１０Ｒと、Ｙ方向に一列に並べられた緑色の複数のサブ画素１０Ｇと、Ｙ方向に一列に並べられた青色の複数のサブ画素１０ＢとがＸ方向に順に繰り返し配置されている。したがって、Ｘ方向に並ぶ３つのサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂによって、一つの画素（表示画素）が構成されている。ドライバ１２０は、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２１および走査線駆動回路１２２を有している。
【００１７】
信号線駆動回路１２１は、コントローラ１３０から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して、走査線駆動回路１２２によって選択されたサブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給する。走査線駆動回路１２２は、コントローラ１３０から供給されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１２２は、各走査線１２０Ｂに走査信号を順次供給することにより、各サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを行単位で走査する。
【００１８】
表示パネル１１０には、画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、この画素駆動回路１４０の一例（サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの画素回路の一例）を表したものである。画素駆動回路１４０は、アクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、後述するアノード電極層１３の下層（後述の画素駆動回路形成層１１２）に形成されており、具体的には、平坦化層２１８の裏面側に形成されている。この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、それらの間に設けられたキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素駆動回路１４０はまた、電源線Ｖｃｃおよび電源線ＧＮＤの間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０ｒ、有機ＥＬ素子１０ｇもしくは有機ＥＬ素子１０ｂを有している。有機ＥＬ素子１０ｒは赤色光を発し、有機ＥＬ素子１０ｇは緑色光を発し、有機ＥＬ素子１０ｂは青色光を発する。なお、以下では、有機ＥＬ素子１０ｒ、有機ＥＬ素子１０ｇおよび有機ＥＬ素子１０ｂを、有機ＥＬ素子１０と総称するものとする。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成される。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、例えば、逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）のトランジスタであってもよいし、スタガ構造（トップゲート型）のトランジスタであってもよく、特に限定されない。
【００１９】
画素駆動回路１４０において、複数の信号線１２０Ａが列方向には延在し、複数の走査線１２０Ｂが行方向に延在している。各信号線１２０Ａと各走査線１２０Ｂとの交差点に対応して、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つが設けられている。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２１に接続され、信号線駆動回路１２１は、信号線１２０Ａを介して書込トランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。各走査線１２０Ｂは走査線駆動回路１２２に接続され、走査線駆動回路１２２は、走査線１２０Ｂを介して書込トランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を供給する。
【００２０】
［表示パネル１１０の平面構成例］
図３は、表示パネル１１０の平面構成例を表したものである。図３には、カソード電極層１６、無機絶縁層１７、有機絶縁層１８および無機絶縁層１９（いずれも後述）が取り去られた状態の平面構成が模式的に表されている。無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、本開示の「保護層」の一具体例に相当する。図３に示したように、表示領域１１０Ａには、複数の有機ＥＬ素子１０がＸ方向およびＹ方向に並び、全体としてマトリックス状に配列されている。より詳細には、後述の開口規定絶縁膜２４（図４参照）によって相互に分離され、輪郭が規定された複数の発光部２０が、サブ画素１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して１つずつ設けられている。
【００２１】
表示パネル１１０の周辺領域の一辺には、複数の実装端子１２９が設けられている。複数の実装端子１２９は、複数のサブ画素１０と、ＦＰＣ（ Flexible Printed Circuits）１３２とに電気的に接続されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、制御基板１３１に実装されており、ＦＰＣ１３２を介して、表示パネル１１０（複数のサブ画素１０）と電気的に接続されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号に基づいて、表示パネル１１０（複数のサブ画素１０）を駆動する。
【００２２】
図３において、発光部２０を取り囲む矩形状の破線は、有機層１４（図４参照）が形成された領域を表す。さらに、有機層１４が形成された領域を取り囲む矩形状の実線は、アノード電極層１３が形成された領域を表す。アノード電極層１３の一部は、例えば駆動トランジスタＴｒ１のソース電極である金属層２１６Ｓ（第１配線）との導通を図るコンタクト部１２４（開口部）内に設けられている。さらに、表示領域１１０Ａを取り囲む矩形状の実線は、カソード電極層１６が形成された領域を表す。カソード電極層１６の一部は、例えば電源線ＧＮＤ（第２配線）との導通を図るコンタクト部１２５（開口部）内に設けられている。コンタクト部１２５や、カソード電極層１６の外縁は、表示領域１１０Ａの周囲にある周辺領域１１０Ｂに形成されている。なお、Ｘ方向およびＹ方向に並ぶサブ画素の数は任意に設定されるものであり、図３に示した数に限定されるものではない。また、例えば黄色および白色を表示するサブ画素をさらに設け、１つの画素（表示画素）が４以上の有機ＥＬ素子１０を含んでいてもよい。
【００２３】
［表示パネル１１０の断面構成］
図４は、表示領域１１０Ａと周辺領域１１０Ｂとの境界近傍における、図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＹＺ断面の概略構成を示すものである。また、図５は、図３に示した表示領域１１０Ａの、Ｖ−Ｖ線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものである。
【００２４】
図４に示したように、表示領域１１０Ａでは、基板１１１に画素駆動回路形成層１１２が設けられた基体１１の上に、複数の有機ＥＬ素子１０を含む発光素子形成層１２が形成されている。各有機ＥＬ素子１０の上には、無機絶縁層１７、有機絶縁層１８および無機絶縁層１９が基体１１側からこの順に設けられている。複数の有機ＥＬ素子１０は、画素駆動回路形成層１１２の最上層である平坦化層２１８の表面側に形成されており、平坦化層２１８の表面に接して形成されている。複数の有機ＥＬ素子１０は、アノード電極層１３、有機層１４、およびカソード電極層１６を平坦化層２１８側からこの順に含んで構成されている。有機層１４およびアノード電極層１３は、開口規定絶縁膜２４によって有機ＥＬ素子１０ごとに分離されている。平坦化層２１８および開口規定絶縁膜２４は、いずれも、例えばポリイミド、アクリルまたはシロキサン等のパターン精度が良い樹脂材料により構成されている。一方、カソード電極層１６は、全ての有機ＥＬ素子１０に共通して設けられている。なお、図４では、画素駆動回路形成層１１２における駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２などの詳細な構成については図示を省略した。
【００２５】
基体１１は、基板１１１に、画素駆動回路１４０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１は、複数の有機ＥＬ素子１０が配列形成される支持体であって、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどによって形成されている。基板１１１の材料としては、石英やガラスが好ましい。基板１１１に用いられる樹脂材料としては、その材質として、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられる。基板１１１を樹脂製のフィルムやシートで構成する場合には、樹脂製のフィルムやシートが、透水性や透ガス性を抑える積層構造となっているか、樹脂製のフィルムやシートに対して、透水性や透ガス性を抑える表面処理がなされていることが好ましい。基板１１１の表面には、例えば、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇ（図５）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。
【００２６】
ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられている。おり、チャネル保護膜２１４，２２４の両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓが設けられている。これらドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、ドレイン配線としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよびソース配線としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えば、チタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有している。金属層２１６Ｓは、周辺領域１１０ＢにおいてＦＰＣなどの外部との接続配線と接続されている。
【００２７】
画素駆動回路１４０は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、水分透過性が低い無機材料からなる保護層（パッシベーション膜）２１７によって全体的に覆われている。保護層２１７は、平坦化層２１８の裏面側に形成されており、画素駆動回路１４０、金属層２１６Ｓおよび電源線ＧＮＤを覆っている。保護層２１７の上には、絶縁性を有する平坦化層２１８が設けられている。平坦化層２１８は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望まれる。また、平坦化層２１８および保護層２１７には、微細なコンタクト部１２４，１２５（開口部）が設けられている（図４）。コンタクト部１２５は、コンタクト部１２４よりも表示パネル１１０の端縁側に形成されている。コンタクト部１２４（第１開口部）にはアノード電極層１３の一部が充填されており、アノード電極層１３は、コンタクト部１２４を介して、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極を構成する金属層２１６Ｓ（第１配線）と電気的に接続されている。コンタクト部１２５（第２開口部）にはカソード電極層１６の一部が充填されており、カソード電極層１６は、コンタクト部１２５を介して、電源線ＧＮＤ（第２配線）と電気的に接続されている。電源線ＧＮＤは、周辺領域１１０ＢにおいてＦＰＣなどの外部との接続配線と接続されている。
【００２８】
平坦化層２１８の表面側に形成されたアノード電極層１３は、反射層としての機能も兼ねている。従って、アノード電極層１３ができるだけ高い反射率を有する材料によって構成されていることが、発光効率を高める上で望ましい。そのため、アノード電極層１３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）によって構成されていてもよいし、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料によって構成されていてもよい。アノード電極層１３に用いられる金属材料としては、例えば、アルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウムニッケル合金（ＡｌＮｉ）、アルミニウムインジウム合金（ＡｌＩｎ）などが挙げられる。アノード電極層１３は、例えば、アルミニウム層およびネオジウム層を平坦化層２１８側からこの順に積層してなる積層体や、アルミニウム層およびニッケル層を平坦化層２１８側からこの順に積層してなる積層体、または、アルミニウム層およびインジウム層を平坦化層２１８側からこの順に積層してなる積層体によって構成されていてもよい。
【００２９】
また、周辺領域１１０Ｂには、表示領域１１０Ａを取り囲むように水分遮断部１２８が設けられている。水分遮断部１２８は、表示領域１１０Ａを取り囲むように平坦化層２１８が除去された開口部２１８Ａと、開口部２１８Ａの内面（平坦化層２１８のうち開口部２１８Ａに露出している端面）を覆うカソード電極層１６の一部とを含んで構成されている。水分遮断部２１９により、周辺領域１１０Ｂの外縁部から平坦化層２１８を通して水分が表示領域１１０Ａに侵入することを防止することができる。ここで、コンタクト部１２５のうち、平坦化層２１８に設けられた開口部が、開口部２１８Ａに相当する。従って、コンタクト部１２５および電源線ＧＮＤも、開口部２１８Ａと同様に、表示領域１１０Ａを取り囲むように設けられており、カソード電極層１６は、周辺領域１１０Ｂにおいて、表示領域１１０Ａを取り囲むように電源線ＧＮＤに接している。
【００３０】
アノード電極層１３の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は、例えば、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となっている。アノード電極層１３の材料は、上記の材料に限られない。アノード電極層１３は、例えば、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金によって構成されていてもよい。アノード電極層１３は、例えば、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）、ＩｎＺｎＯ（インジウム亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との化合物などの透明導電膜との積層構造を有していてもよい。
【００３１】
開口規定絶縁膜２４は、隣り合う有機ＥＬ素子１０におけるアノード電極層１３および有機層１４同士の隙間、すなわち、発光部２０同士の隙間を埋めるように設けられている。また、開口規定絶縁膜２４は隔壁とも呼ばれ、アノード電極層１３と、カソード電極層１６との絶縁性を確保すると共に、有機ＥＬ素子１０の発光部２０の輪郭を正確に画定するものでもある。すなわち、開口規定絶縁膜２４によって発光領域が規定される。
【００３２】
有機層１４は、開口規定絶縁膜２４によって画定された発光部２０に全面に亘って隙間無く形成されている。有機層１４は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が平坦化層２１８側からこの順に積層された構成となっている。ただし、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、または、電子注入層発光層は、必要に応じて省略されてもよい。
【００３３】
カソード電極層１６は、全ての有機ＥＬ素子１０に共通に設けられた共通電極であり、各有機ＥＬ素子１０におけるアノード電極層１３と対向配置されている。カソード電極層１６は、有機層１４のみならず、開口規定絶縁膜２４をも覆うように形成されており、例えば、２ｎｍ以上１５ｎｍ以下の厚さを有する。カソード電極層１６は、有機層１４で発生した光に対して透光性を有する導電性材料により構成された透明電極である。したがって、その構成材料としては、例えば、ＩＴＯ、インジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物（例えばＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などが好ましい。また、カソード電極層１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成された半透過性反射膜であってもよい。カソード電極層１６は、例えば、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）で構成されていてもよい。
【００３４】
表示パネル１１０では、アノード電極層１３と同一の層内であって、かつ、アノード電極層１３とコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）との間の領域に、１または複数の検出用配線１２６が設けられている。なお、図３、図４、図５には、アノード電極層１３と同一の層内であって、かつ、アノード電極層１３とコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）との間の領域に、１つの検出用配線１２６が設けられている場合が例示されている。１または複数の検出用配線１２６は、表示パネル１１０の外縁に沿って形成されており、例えば、表示パネル１の表示領域１１０Ａを囲むように形成されている。１または複数の検出用配線１２６の両端には、表示パネル１１０の周辺領域１１０Ｂに形成されたパッド電極１２７が１つずつ接続されている。１または複数の検出用配線１２６は、アノード電極層１３、カソード電極層１６、金属層２１６Ｓおよび電源線ＧＮＤとは電気的に分離されている。
【００３５】
本実施形態においては、検出用配線１２６は、実装端子１２９の両端部から表示パネル１１０の外縁に沿って形成されている。なお、検出用配線１２６は、実装端子１２９が配された辺には沿わせず、それ以外の３辺のみに形成されていてもよい。表示パネル１１０を曲げる可能性がある方向が予め決まっている場合には、その曲げる方向に直交した辺に応力が加わって無機絶縁層１７，１９に欠損が生じやすい。そこで、この場合には、表示パネル１１０を曲げる可能性がある方向に直交する辺のみに検出用配線１２６が形成されていてもよい。表示パネル１１０を曲げる可能性がある方向が、例えば、実装端子１２９の設けられた辺と平行な方向となっている場合、検出用配線１２６は、例えば、図６に示したように、実装端子１２９の設けられていない辺であって、かつ、実装端子１２９の設けられた辺と平行な辺に設けられていてもよい。
【００３６】
本実施の形態では、１または複数の検出用配線１２６は、アノード電極層１３と同一の層内に形成されており、例えば、アノード電極層１３と同一の材料で形成されている。１または複数の検出用配線１２６は、水分による腐食によって抵抗値の変化する構成となっている。水分による腐食によって抵抗値の変化する構成には、アルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料が用いられる。１または複数の検出用配線１２６は、例えば、アルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）、アルミニウムニッケル合金（ＡｌＮｉ）、アルミニウムインジウム合樹（ＡｌＩｎ）などによって形成されている。１または複数の検出用配線１２６は、例えば、アルミニウム層およびネオジウム層を平坦化層２１８側からこの順に積層してなる積層体によって構成されている。１または複数の検出用配線１２６は、例えば、アルミニウム層およびニッケル層を平坦化層２１８側からこの順に積層してなる積層体によって構成されていてもよい。１または複数の検出用配線１２６は、例えば、アルミニウム層およびインジウム層を平坦化層２１８側からこの順に積層してなる積層体によって構成されていてもよい。
【００３７】
有機ＥＬ素子１０を覆う無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）または酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）などの、吸湿性が低い無機材料からなる。無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、アルミニウムなどの金属材料によって形成されていてもよい。無機絶縁層１７および無機絶縁層１９を設けることにより、有機ＥＬ素子１０が外気と遮断され、外部環境から有機ＥＬ素子１０の内部への水分浸入が防止される。無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、カソード電極層１６だけでなく、開口規定絶縁膜２４および平坦化層２１８をも覆うようにほぼ一様に形成されている。すなわち、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、表示領域１１０Ａから周辺領域１１０Ｂに至るまで連続的に有機ＥＬ素子１０、開口規定絶縁膜２４および平坦化層２１８を覆っている。但し、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、周辺領域１１０Ｂにおいて少なくとも開口規定絶縁膜２４および平坦化層２１８を覆っていればよい。上述したように、開口規定絶縁膜２４および平坦化層２１８は、いずれも吸湿性の高い有機材料により構成されているので、これらを通じて有機ＥＬ素子１０の内部へ水分が浸入するのを防ぐ必要があるからである。なお、開口規定絶縁膜２４が周辺領域１１０Ｂに存在しない場合、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は平坦化層２１８を覆っていればよい。また、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９は、それぞれ、単層構造であってもよいが、厚さを大きくする場合には多層構造となっていてもよい。これは、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９における内部応力を緩和するためである。
【００３８】
有機絶縁層１８は、無機絶縁層１７の上にほぼ一様に形成された透明な樹脂層であり、例えば、無機絶縁層１７と無機絶縁層１９とによって挟まれている。有機絶縁層１８は、例えば、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂などからなり、好ましくは、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などからなる。
【００３９】
なお、有機絶縁層１８の上に、例えば接着層などを介して、封止基板が設けられていてもよい。封止基板は、有機ＥＬ素子１０を封止する。封止基板は、サブ画素１０Ｒ，サブ画素１０Ｇ，サブ画素１０Ｂから出射される各色光に対して高い透過性を有する透明ガラスなどの材料により構成されている。
【００４０】
[効果]
次に、本実施の形態に係る表示パネル１の効果について説明する。
【００４１】
一般に、有機ＥＬ素子を用いた表示パネルでは、表示パネルの額縁部分からの水分侵入により、有機ＥＬ素子の劣化が生じ、有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり発光が不安定になったりする問題がある。表示パネルの額縁部分から有機ＥＬ素子への水分侵入には、数百〜数千時間を要することが多いため、表示パネルの出荷前に表示不良を検出することは極めて難しく、出荷後に表示不良が発生する懸念がある。そこで、従来から、表示パネルの額縁部分から侵入する水分を検出する機構を表示パネルに搭載し、出荷後に表示不良が発生し得る表示パネルを検出することが提案されている（例えば、上記の特許文献１参照）。しかし、特許文献１に記載の発明では、表示不良が実際には発生し得ない場合にも、機構が水分を検出する可能性がある。
【００４２】
一方、本実施の形態では、１または複数の検出用配線１２６が、アノード電極層１３と同一の層内であって、かつ、アノード電極層１３とコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）との間の領域に形成されている。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１０を覆う無機絶縁層１７および無機絶縁層１９に亀裂や穴などの欠損が存在する場合に、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９の欠損を経由し、さらに、コンタクト部１２５（水分遮断部１２８）を経由して水分が侵入したときに、その水分が、有機ＥＬ素子１０よりもコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）寄りに設けられた１または複数の検出用配線１２６によって検出される。例えば、図３に示したように、１本の検出用配線１２６が表示パネル１の表示領域１１０Ａの周囲に配置されている場合、検出用配線１２６が水分により溶け出すことにより、検出用配線１２６が断線したときには、２つのパッド電極１２７間の抵抗が、検出用配線１２６が断線していないときよりも大幅に大きくなる。これにより、水分の侵入を検知することができる。その結果、有機ＥＬ素子１０の周囲の構造とは全く異なる構造内に検出用配線を設けた場合と比べて、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９の欠損を経由し、さらに、コンタクト部１２５（水分遮断部１２８）を経由した水分が有機ＥＬ素子１０に到達して表示不良が発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。
【００４３】
また、本実施の形態において、１または複数の検出用配線１２６が、アノード電極層１３と同一の層内に、アノード電極層１３と同一の材料で形成されている場合には、製造過程において、１または複数の検出用配線１２６と、アノード電極層１３とを一括して形成することができる。これにより、製造コストを増加させることなく、表示不良を発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。
【００４４】
また、本実施の形態において、１または複数の検出用配線１２６が、水分によって抵抗値の変化する構成となっており、具体的には、アルミニウムを含む金属材料によって形成されている場合には、１または複数の検出用配線１２６に水分が触れたときに、その水分によって、１または複数の検出用配線１２６に含まれるアルミニウムが水分内に溶け出す。これにより、１または複数の検出用配線１２６の抵抗が変化するので、その抵抗変化を検知することにより、表示不良を発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、１または複数の検出用配線１２６は、表示パネル１の外縁に沿って形成されている。これにより、表示パネル１の端部から侵入した水分を精度良く検出することができる。
【００４６】
＜３．変形例＞
[変形例Ａ]
上記実施の形態において、１または複数の検出用配線１２６が、例えば、図７、図８に示したように、保護層２１７と平坦化層２１８との間に形成されていてもよい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１０を覆う無機絶縁層１７および無機絶縁層１９に亀裂や穴などの欠損が存在する場合に、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９の欠損を経由し、さらにコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）を経由して水分が侵入したときに、その水分が、有機ＥＬ素子１０よりもコンタクト部１２５寄りに設けられた１または複数の検出用配線１２６によって検出される。その結果、有機ＥＬ素子１０の周囲の構造とは全く異なる構造内に検出用配線を設けた場合と比べて、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９の欠損を経由し、さらにコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）を経由した水分が有機ＥＬ素子１０に到達して表示不良が発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。
【００４７】
[変形例Ｂ]
上記実施の形態において、１または複数の検出用配線１２６が、例えば、図９、図１０に示したように、電源線ＧＮＤと同一の層内に形成されていてもよい。これにより、例えば、有機ＥＬ素子１０を覆う無機絶縁層１７および無機絶縁層１９に亀裂や穴などの欠損が存在する場合に、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９の欠損を経由、さらにコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）を経由して水分が侵入したときに、その水分が、有機ＥＬ素子１０よりもコンタクト部１２５寄りに設けられた１または複数の検出用配線１２６によって検出される。その結果、有機ＥＬ素子１０の周囲の構造とは全く異なる構造内に検出用配線を設けた場合と比べて、無機絶縁層１７および無機絶縁層１９の欠損を経由し、さらにコンタクト部１２５（水分遮断部１２８）を経由した水分が有機ＥＬ素子１０に到達して表示不良が発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。
【００４８】
また、本変形例において、１または複数の検出用配線１２６が、電源線ＧＮＤと同一の層内に、電源線ＧＮＤと同一の材料で形成されている場合には、製造過程において、１または複数の検出用配線１２６と、電源線ＧＮＤとを一括して形成することができる。これにより、製造コストを増加させることなく、表示不良を発生する可能性の高い表示パネルを精度良く検出することができる。
【００４９】
[変形例Ｃ]
上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂにおいて、互いに並列に配置された複数の検出用配線１２６が設けられていてもよい。この場合、例えば、図１１に示したように、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６において、一方の端部には、パッド電極１２７が１つずつ接続されており、他方の端部同士が互いに接続されていてもよい。このとき、検出用配線１２６が水分により溶け出すことにより、検出用配線１２６が断線したときには、２つのパッド電極１２７間の抵抗が、検出用配線１２６が断線していないときよりも大幅に大きくなる。これにより、水分の侵入を検知することができる。
【００５０】
なお、本変形例において、表示パネル１１０を曲げる可能性がある方向が予め決まっている場合には、その曲げる方向に直交した辺に応力が加わって無機絶縁層１７，１９に欠損が生じやすい。そこで、この場合には、表示パネル１１０を曲げる可能性がある方向に直交する辺のみに検出用配線１２６が形成されていてもよい。表示パネル１１０を曲げる可能性がある方向が、例えば、実装端子１２９の設けられた辺と平行な方向となっている場合、検出用配線１２６は、例えば、図１２に示したように、実装端子１２９の設けられていない辺であって、かつ、実装端子１２９の設けられた辺と平行な辺に設けられていてもよい。
【００５１】
また、例えば、図１３に示したように、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６において、両端部には、パッド電極１２７が１つずつ接続されていてもよい。このとき、検出用配線１２６が水分により溶け出すことにより、溶けだした配線材料（例えばアルミニウム）によって、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６同士が短絡したときには、２つのパッド電極１２７間の抵抗が、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６同士が短絡していないときよりも大幅に小さくなる。これにより、水分の侵入を検知することができる。
【００５２】
また、例えば、図１４に示したように、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６において、一方の端部が、オープンになっており、他方の端部には、パッド電極１２７が１つずつ接続されていてもよい。このとき、検出用配線１２６が水分により溶け出すことにより、溶けだした配線材料（例えばアルミニウム）によって、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６同士が短絡したときには、２つのパッド電極１２７間の抵抗が、互いに並列に配置された２本の検出用配線１２６同士が短絡していないときよりも大幅に小さくなる。これにより、水分の侵入を検知することができる。
【００５３】
[変形例Ｄ]
上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ，Ｃにおいて、有機層１４の代わりに、自発光の発光層が設けられ、有機ＥＬ素子１０の代わりに、自発光素子が設けられていてもよい。このようにした場合であっても、上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ，Ｃと同様の効果が得られる。
【００５４】
＜４．適用例＞
以下では、上記実施の形態およびその変形例に係る表示パネル１の適用例について説明する。上記実施の形態およびその変形例に係る表示パネル１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００５５】
図１５は、本適用例に係る電子機器２００の外観を斜視的に表したものである。電子機器２００は、例えば、筐体２１０の主面に表示面２２０を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器２００は、電子機器２００の表示面２２０に、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１００を備えている。上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１００は、映像表示面が外側を向くように配置されている。本適用例では、上記実施の形態およびその変形例に係る表示装置１００が表示面２２０に設けられているので、表示装置１００に滅点が生じ難い電子機器２００を実現することができる。
【００５６】
以上、複数の実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００５７】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
第１開口部と、前記第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する平坦化層と、
前記平坦化層の表面側に形成され、第１電極層、発光層および第２電極層を前記平坦化層側からこの順に含む複数の自発光素子と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第１開口部を介して前記第１電極層に接続された第１配線と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第２開口部を介して前記第２電極層に接続された第２配線と、
前記第１電極層と同一の層内、前記第２配線と同一の層内、および前記第１電極層と前記第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、前記第１電極層と前記第２開口部との間の領域に形成され、前記第１電極層、前記第２電極層、前記第１配線および前記第２配線とは電気的に分離された１または複数の検出用配線と
を備えた
表示パネル。
（２）
前記１または複数の検出用配線は、前記第１電極層と同一の層内に、前記第１電極層と同一の材料で形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（３）
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記複数の自発光素子を駆動する駆動回路と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記駆動回路、前記第１配線および前記第２配線を全体的にまたは部分的に覆う保護層と
を更に備え、
前記１または複数の検出用配線は、前記保護層と前記平坦化層との間に形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（４）
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記複数の自発光素子を駆動する駆動回路と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記駆動回路、前記第１配線および前記第２配線を全体的にまたは部分的に覆う保護層と
を更に備え、
前記１または複数の検出用配線は、前記第２配線と同一の層内に形成されている
（１）に記載の表示パネル。
（５）
前記１または複数の検出用配線は、前記第２配線と同一の材料で形成されている
（４）に記載の表示パネル。
（６）
前記１または複数の検出用配線は、水分によって抵抗値の変化する構成となっている
（１）から（５）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（７）
前記１または複数の検出用配線は、アルミニウムを含む金属材料によって形成されている
（１）から（６）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（８）
前記１または複数の検出用配線は、当該表示パネルの外縁に沿って形成されている
（１）から（７）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（９）
前記第２開口部は、前記複数の自発光素子を含む領域を取り囲むように設けられ、
前記第２電極層の一部は、前記第２開口部の内面を覆っている
（１）から（８）のいずれか１つに記載の表示パネル。
（１０）
表示面に表示パネルを備え、
前記表示パネルは、
第１開口部と、前記第１開口部よりも端縁側に形成された第２開口部とを有する平坦化層と、
前記平坦化層の表面側に形成され、第１電極層、発光層および第２電極層を前記平坦化層側からこの順に含む複数の自発光素子と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第１開口部を介して前記第１電極層に接続された第１配線と、
前記平坦化層の裏面側に形成され、前記第２開口部を介して前記第２電極層に接続された第２配線と、
前記第１電極層と同一の層内、前記第２配線と同一の層内、および前記第１電極層と前記第２配線との間の層内のいずれかの層内であって、かつ、前記第１電極層と前記第２開口部との間の領域に形成され、前記第１電極層、前記第２電極層、前記第１配線および前記第２配線とは電気的に分離された１または複数の検出用配線と
を有する
電子機器。
【符号の説明】
【００５８】
１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…サブ画素、１０，１０ｒ，１０ｇ，１０ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基体、１３…アノード電極層、１４…有機層、１６…カソード電極層、１７…無機絶縁層、１８…有機絶縁層、１９…無機絶縁層、２０…発光部、２４…開口規定絶縁膜、１００…表示装置、１１０…表示パネル、１１０Ａ…表示領域、１１０Ｂ…周辺領域、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２０…ドライバ、１２１…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１２０Ｂ…走査線、１２２…走査線駆動回路、１２４，１２５…コンタクト部、１２６…検出用配線、１２７…パッド電極、１２８…水分遮断部、１２８Ａ…開口部、１３０…コントローラ、１３１…制御基板、１３２…実装端子、１４０…画素駆動回路、２００…電子機器、２１１Ｇ，２２１Ｇ，２１６Ｄ，２２６Ｄ，２１６Ｓ，２２６Ｓ…金属層、２１２…ゲート絶縁膜、２１３，２２３…チャネル層、２１３Ｒ，２２３Ｒ…チャネル領域、２１４，２２４…チャネル保護膜、２１５Ｄ，２２５Ｄ…ドレイン電極、２１５Ｓ，２２５Ｓ…ソース電極、２１７…保護層、２１８…平坦化層、２１８Ａ…開口部、Ｃｓ…キャパシタ、ＧＮＤ，Ｖｃｃ…電源線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。
【図１】
2020115406.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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