(57)【要約】      （修正有）【課題】低い伝送損失を有する導電材料として、回路板等に使用できる制御された表面特性を有する表面処理銅箔を提供する。【解決手段】０．４〜２．２μｍ３／μｍ２の範囲内にある空隙容積（Ｖｖ）及び０．４μｍ以下である算術平均うねり（Ｗａ）を有する銅箔は、そのドラム面１０４で処理され、ノジュール層１１２を含む処理層１０８を有する表面処理銅箔１００。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドラム面及び沈積面を含む電解銅箔と、
前記ドラム面に配置され、表面処理面を提供する処理層と
を含む表面処理銅箔であって、
前記処理層は、ノジュール層を含み、
前記表面処理面は、０．４〜２．２μｍ3／μｍ2の範囲内にある空隙容積（Ｖｖ）及び０．４μｍ以下である算術平均うねり（Ｗａ）を有する、
表面処理銅箔。
【請求項２】
前記表面処理面が、０．１〜０．４μｍの範囲内にある算術平均うねり（Ｗａ）を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記表面処理面が、０．４〜２μｍ3／μｍ2の範囲内にあるコア空隙容積（Ｖｖｃ）を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
前記表面処理面が、０．０１〜０．１μｍ3／μｍ2の範囲内にある谷部空隙容積（Ｖｖｖ）を有する、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項５】
前記表面処理面の光波長７００ｎｍにおける反射率は２８％〜７６％の範囲内にある、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項６】
前記表面処理面の光波長７００ｎｍにおける反射率は４０％を超える、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項７】
前記表面処理面の光波長７００ｎｍにおける反射率が４０％〜７０％の範囲内にある、請求項６に記載の表面処理銅箔。
【請求項８】
前記処理層は、バリア層、防錆層及びカップリング層の少なくとも一つをさらに含む、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項９】
前記バリア層は、金属又は前記金属を含む合金で製造されており、
前記金属は、ニッケル、亜鉛、クロム、コバルト、モリブデン、鉄、スズ及びバナジウムから選ばれる少なくとも一つである、請求項８に記載の表面処理銅箔。
【請求項１０】
前記カップリング層は、シリコンを含む、請求項８に記載の表面処理銅箔。
【請求項１１】
前記ノジュール層は、銅ノジュールを含む、請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項１２】
樹脂層と表面処理銅箔とを含むラミネート体であって、
前記表面処理銅箔は、
ドラム面及び沈積面を有する電解銅箔と、
前記ドラム面に配置され、前記樹脂層と接触させる表面処理面を提供する処理層とを含み、
前記処理層は、ノジュール層を含み、
前記表面処理面は、０．４〜２．２μｍ3／μｍ2の範囲内にある空隙容積（Ｖｖ）、０．１〜０．４μｍの範囲内にある算術平均うねり（Ｗａ）、０．４〜２μｍ3／μｍ2の範囲内にあるコア空隙容積（Ｖｖｃ）、０．０１〜０．１μｍ3／μｍ2の範囲内にある谷部空隙容積（Ｖｖｖ）、及び４０％〜７０％の範囲内にある光波長７００ｎｍにおける反射率を有する、
ラミネート体。
【請求項１３】
請求項１に記載の表面処理銅箔を有する回路板と、前記回路板に取り付けられた複数の素子とを含む装置であって、
前記複数の素子の少なくとも第一の素子及び第二の素子は、前記回路板の表面処理銅箔を介して互いに電気的に接続される、
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、制御された表面特性を有する電解銅箔に関する。本開示は、電気信号の低い伝送損失を示し、その素子として前記電解銅箔を含む回路板などにも関する。
【背景技術】
【０００２】
大量のデータを送信する需要が日々高まっており、回路板上の素子間の伝送速度を絶えず増加させる必要がある。このような速度を実現するために、周波数の範囲は、１ＭＨｚ未満から、１ＧＨｚ、１０ＧＨｚ又はそれ以上に増加する必要がある。このような高い範囲では、電流は、主に導体の表面に近いところで流れており、これは、周知の「表皮効果（ｓｋｉｎ  ｅｆｆｅｃｔ）」によるものであり、すなわち、高周波電流密度は、導体の表面では最も高く、中心に向かって指数関数的に減衰する傾向がある。表皮深度（ｓｋｉｎ  ｄｅｐｔｈ）は、約６７％の信号を載せ、周波数の平方根に反比例する。したがって、１ＭＨｚでの表皮深度は６５．２μｍであり、１ＧＨｚでの表皮深度は２．１μｍであり、１０ＧＨｚでの表皮深度はわずか０．７μｍである。表皮深度の程度又はそれ以上の粗度が信号伝送に影響するため、より高い周波数では、導体の表面トポグラフィ又は粗度がますます重要となる。
【０００３】
劣化を強める要因の一つは、通常、導体と回路板におけるラミネート構造に使用される樹脂層との接着特性を高めるために、プリント回路板における導体の表面が意図的に粗化されることにある。通常、粗化された表面の表面粗度Ｒｚは数μｍ程度であり、それはＧＨｚ範囲内の全ての伝送に影響を与える。したがって、設計は、高い粗度（十分な密着性を確保するため）と低い粗度（伝送損失を最小限に抑えるため）との間の矛盾する要求によって制約される。表面トポグラフィを制御しようとする１つのアプローチは、電解銅箔の沈積面又はドラム面を粗化することである。沈積面は、通常、ドラム面又は「光沢（ｓｈｉｎｙ）」面よりも粗い。通常の処理された箔では、沈積面が粗化され、その粗度が一般的に高いため、樹脂層との接着性が優れている。信号伝送の品質を維持するために、リバース処理箔（ｒｅｖｅｒｓｅ  ｔｒｅａｔｅｄ  ｆｏｉｌ、ＲＴＦ）が開発された。ＲＴＦは、その光沢面で粗化処理されているため、その粗度は、全く粗化処理されていない表面よりも高くなるが、粗化処理された沈積面の粗度よりも低く制御することができる。そのため、ＲＴＦは、良好な接続性を提供し、例えば、通常の処理された箔に相当するか、又は少なくとも回路板での適用に対しては許容できる。ＲＴＦは、通常の処理された箔に比べて、信号の伝送損失を理想的に減らすこともできる。
【０００４】
ＲＴＦ技術は、伝送損失に対する改善を提供するが、銅箔の平滑な表面により、それと樹脂層との剥離強度が悪くなるため、加工又はその後のプロセスでは銅箔が樹脂層から分離しやすくなる。
【０００５】
したがって、低い伝送損失及び良好な接着強度を有し、回路板の製造に用いられる銅箔は、依然として必要とされている。
【発明の概要】
【０００６】
総合的に、本発明は、銅箔に関し、例えば、回路板における導体として使用できる電解銅箔に関する。銅箔は、制御された表面特性を有するように製造され、高周波でも低い伝送損失を提供でき、回路板における樹脂層への高い接着性を有する。
【０００７】
第一の態様において、本開示は、電解銅箔と処理層とを含む表面処理銅箔を提供する。前記電解銅箔は、ドラム面と沈積面とを含む。前記処理層は、前記ドラム面に配置されることにより、表面処理面を提供し、また、前記処理層は、ノジュール層を含む。前記表面処理面は、０．４〜２．２μｍ3／μｍ2の範囲内にある空隙容積（ｖｏｉｄ  ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｖ）及び０．４μｍ以下である算術平均うねり（ｗａｖｉｎｅｓｓ、Ｗａ）を有する。
【０００８】
必要に応じて、表面処理面は、０．１〜０．４μｍの範囲内にある算術平均うねり（Ｗａ）を有する。必要に応じて、表面処理面は、０．４〜２μｍ3／μｍ2の範囲内にあるコア空隙容積（ｃｏｒｅ  ｖｏｉｄ  ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｖｃ）を有する。必要に応じて、表面処理面は０．０１〜０．１μｍ3／μｍ2の範囲内にある谷部空隙容積（ｄａｌｅ  ｖｏｉｄ  ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｖｖ）を有する。
【０００９】
いくつかの選択肢において、表面処理面は、光波長７００ｎｍにおいて２８％〜７６％の範囲内にある反射率を有する。必要に応じて、光波長７００ｎｍにおける反射率は４０％を超えるか、又は４０％〜７０％の範囲内にある。
【００１０】
いくつかの選択肢において、前記処理層は、バリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）、防錆層（ａｎｔｉ−ｔａｒｎｉｓｈ  ｌａｙｅｒ）及びカップリング層（ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）の少なくとも一つをさらに含む。必要に応じて、前記バリア層は、金属又は前記金属を含む合金で製造されており、前記金属は、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）及びバナジウム（Ｖ）から選ばれる少なくとも一つである。必要に応じて、前記カップリング層は、シリコンを含む。また、必要に応じて、前記ノジュール層は、銅ノジュールを含む。
【００１１】
第二の態様において、本開示は、樹脂層と表面処理銅箔とを含むラミネート体を提供する。前記表面処理銅箔は、電解銅箔と処理層とを含む。前記電解銅箔は、ドラム面と沈積面とを含む。前記処理層は、前記ドラム面に配置されることにより表面処理面を提供し、前記表面処理面は、前記樹脂層と接触しており、また、前記処理層は、ノジュール層を含む。前記表面処理面は、０．４〜２μｍ3／μｍ2の範囲内にある空隙容積（Ｖｖ）、０．１〜０．４μｍの範囲内にある算術平均うねり（Ｗａ）、０．４〜２μｍ3／μｍ2の範囲内にあるコア空隙容積（Ｖｖｃ）、０．０１〜０．１μｍ3／μｍ2の範囲内にある谷部空隙容積（Ｖｖｖ）、及び４０％〜７０％の範囲内にある光波長７００ｎｍにおける反射率を有する。
【００１２】
第三の態様において、本開示は、回路板と前記回路板に取り付けられた複数の素子とを含む装置を提供する。前記回路板は、前記第一の態様に係る表面処理銅箔を含む。前記複数の素子における少なくとも第一の素子と第二の素子は、前記回路板の表面処理銅箔を介して互いに電気的に接続される。
【００１３】
上記の総合的な内容は、本発明のすべての具体的な実施例又は実施態様を代表するためのものではない。むしろ、上記の総合的な内容は、単に本明細書に詳しく記載されている新規な態様及び特徴を示す例を提供するに過ぎない。添付の図面及び特許請求の範囲を組み合わせる際、以下の本発明を実施するための代表的な実施形態及び模式的な詳しい説明によれば、本発明の上記特徴及び利点並びに他の特徴及び利点は明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
本開示は、以下の例示的な実施形態の説明及び添付の図面の参照により、さらに理解される。
【図１】いくつかの実施例に係る表面処理銅箔を示す図である。
【図２】３Ｄ表面プロット及び負荷面積率（ａｒｅａｌ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｒａｔｉｏ）プロットを示す図である。
【図３】負荷面積率プロットの詳細を示す図である。
【図４】表面の粗度及びうねりを示す図である。
【００１５】
本開示は、様々な修飾及び代替形態を許容できる。図面の例示により、いくつかの代表的な実施形態を示し、本明細書において、それらについて詳細に説明する。ただし、本発明は、開示されている特定の形態によって限定されるものではないことが理解されるべきである。むしろ、本開示は、本発明の特許請求の範囲によって定義される精神及び範囲内に含まれるすべての修飾、均等物及び代替物を含む。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、低い伝送損失を有する表面処理銅箔が開示されている。表面処理銅箔は、制御された表面特性、例えば、空隙容積及びうねりを有する。このような表面処理銅箔は、低い電気信号の伝送損失を必要とする製品、例えば、プリント回路板又はいずれの絶縁体を覆う薄い銅箔の製造に有用である。
【００１７】
図１は、電解銅箔１０２及び処理層１０８を含む表面処理銅箔１００の具体的な実施形態の断面図を示す。電解銅箔１０２は、ドラム面１０４と沈積面１０６とを有する。処理層１０８は、ドラム面１０４に配置され、表面処理面１１０を提供する。
【００１８】
本発明に用いられる電解銅箔の「ドラム面」又は「光沢面」とは、電着過程に使用されるカソードドラムと接触する電解銅箔の表面であり、また、「沈積面」とは、前記ドラム面の反対側にある面であるか、あるいは、電解銅箔を形成する電着過程において電解液と接触する電解銅箔の表面である。これらの用語は、回転するカソードドラムの部品を部分的に銅イオン含有電解液に浸漬することを含む電解銅箔の製造方法に関する。このため、電流の作用下で、銅イオンがカソードドラムに吸引されて還元されることにより、カソードドラムの表面に銅金属をメッキさせて、カソードドラムの表面に電解銅箔を形成する。カソードドラムを回転させて、形成された銅箔がカソードドラムと共に電解液から出たときに、前記銅箔を剥離することにより、電解銅箔をカソードドラムから剥離して連続工程で形成する。例えば、当該電解銅箔は、形成時にカソードドラムから引き出して、連続工程においてローラーを横切る又は通過することができる。
【００１９】
電解銅箔１０２のドラム面１０４及び／又は沈積面１０６にて、さらに表面処理されることにより、処理層を形成する。図１に示されるように、ドラム面１０４は、処理層１０８で覆われることにより、処理層１０８の外面である表面処理面１１０を提供する。表面処理は、一つ以上の処理を含むことができ、例えば、ノジュール層１１２を提供する粗化処理、バリア層１１４を提供するパッシベーション処理、防錆層１１６を提供する防錆処理、及びカップリング層１１８を提供するカップリング処理などがある。したがって、図１に示される実施形態において、ノジュール層１１２、バリア層１１４、防錆層１１６及びカップリング層１１８は、処理層１０８のサブ層（ｓｕｂ−ｌａｙｅｒ）である。図に示される表面処理及び処理層１０８の特定のサブ層は一つ実施形態であり、他のいくつかの実施形態では、それ以外、又はその代替物として他の表面処理及び他のサブ層を使用することができる。したがって、処理層１０８は、異なる実施形態においては、一つ又は複数のサブ層が存在することができる。
【００２０】
表面処理面１１０の表面特性を制御することにより、高周波で良好な伝送損失を維持しながら、良好な接着を達成することができる。例えば、表面処理面１１０は、空隙容積パラメータ、うねり及び反射率を特徴とする制御された表面特性を有することができる。
【００２１】
本開示で定義される空隙容積パラメータは、図２を参照して例示的に説明されており、当該図２は、容積パラメータを取得するための３Ｄ表面と派生の負荷面積プロットの導出を示す。図２の左側は、例えば、ある表面（例えば、電解銅箔のドラム面又は沈積面）の表面幾何学的構造の３次元グラフィックを示す。図２の右側は、ＩＳＯ規格法ＩＳＯ  ２５１７８−２：２０１２により得られる負荷面積率曲線の導出図を示し、それは負荷率（ｍａｔｅｒｉａｌ  ｒａｔｉｏ、ｍｒ）が０％である最高ピーク２１０の頂部から、ｍｒが１００％である最低の谷２１２にわたる。空隙体積（Ｖｖ）は、表面の上方及び水平切断面の下方に囲まれる空隙の体積を積分することにより計算され、水平切断面は０％（ピーク２１０の頂部）と１００％（谷２１２の底部）の間にある特定の負荷率（ｍｒ）に対応する高さに設定される。例えば、負荷率が７０％である空隙体積（Ｖｖ）は、図２の右側のプロットにおける網掛け領域２１４として示されている。
【００２２】
図３は、負荷面積率プロット及び定義された様々な容積パラメータとの関係の更なる詳細を示す。コア部空隙容積（Ｖｖｃ）は、二つの負荷率（ｍｒ）の間の空隙容積の差であり、例えば、領域３１０に示すｍｒ１及びｍｒ２である。例えば、ｍｒ１が１０％であり、ｍｒ２が８０％であるコア部空隙容積（Ｖｖｃ）を選択することができる。谷部空隙容積（Ｖｖｖ）は、谷の空隙容積（ｖａｌｌｅｙ  ｖｏｉｄ  ｖｏｌｕｍｅ）とも呼ばれており、所定のｍｒ値の空隙容積であり、例えば、領域３１２に示されるｍｒが８０％での空隙容積である。ｍｒ１での空隙容積（Ｖｖ）は、ｍｒ１とｍｒ２との間のコア部空隙容積（Ｖｖｃ）（すなわち、領域３１０）と、ｍｒ２での谷部空隙容積（Ｖｖｖ）（すなわち、領域３１２）との総和である。他の領域は、突出山部実体体積（ｐｅａｋ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｖｏｌｕｍｅ、Ｖｍｐ）（領域３１４）及びコア部実体体積（ｃｏｒｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｒａｔｉｏ、Ｖｍｃ）（領域３１６）を含む。本開示に用いられる空隙容積（Ｖｖ）の値は、別途に明記されていない限り、ｍｒ＝１０％での空隙容積（Ｖｖ）である。本開示に用いられるコア空隙容積（Ｖｖｃ）での値は、別途に明記されていない限り、図３に示されるように、負荷率がｍｒ１＝１０％及びｍｒ２＝８０％で選択される場合の差値に基づいて計算される値である。本開示に用いられる谷部空隙容積（Ｖｖｖ）での値は、別途に明記されていない限り、ｍｒ＝８０％の値である。
【００２３】
本開示で使用される「うねり」は、その間隔が粗度よりも大きい不規則性に関する。これは、図４に示される銅箔のサンプル４１０を参照して説明される。当該サンプル４１０の表面プロファイルは、例えば、サンプルの表面にて、サンプリング方向４１４に沿って、プロファイル測定機器の機械探針４１２を引くことにより、探測することができる。サンプリング方向４１４に沿ったプロファイル４１８が示されており、うねりプロファイル（ｗａｖｉｎｅｓｓ  ｐｒｏｆｉｌｅ）４２０又は粗度プロファイル（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ  ｐｒｏｆｉｌｅ）４２２に区別されることができる。うねりプロファイルの波長λWaは、Ｒａプロファイルの波長λRaよりも大きい。図４では、うねりプロファイルの高さｈWaは、粗度プロファイルの高さｈRaよりも大きいと示されるが、これはうねりと粗度との間の区別には必要ではない。言い換えれば、ｈWaとｈRaが同じであってもよく、ｈWaがｈRaよりも大きくてもよく、又はｈWaがｈRaよりも小さくてもよい。うねりプロファイル４２０と粗度プロファイル４２２は、フィルター（λｃ）をプロファイル４１８に設定することによって区別できる。高域信号は、粗度プロファイル４２２と見なすことができ、低域信号は、うねりプロファイル４２０と見なすことができる。ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２０１３  ４．２．１に基づいて、通常、フィルター（λｃ）は０．８μｍに設定される。あるいは、測定方法自体は、例えば、測定探針の分解能の制限に依存して、うねり又は粗度プロファイルのみを提供する場合がある。本開示において、「算術平均うねり」（Ｗａ）は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２０１３  ４．２．１に従って定義される。
【００２４】
「反射率」とは、材料表面によって放射エネルギーが反射される有効性を指し、また、表面から反射される入射電磁力の割合、例えば、パーセンテージ（反射率％）として表すことができる。いくつかの波長では、エネルギーが特定の材料で反射されるのではなく吸収されるため、反射率は、入射放射線の波長又はエネルギーの関数である。例えば、銅は、波長が２００ｎｍ〜６５０ｎｍにある光を吸収するものの、波長が７００ｎｍである光を反射する。また、表面上、入射放射の波長に近い特徴は、放射を反射するのではなく放射を散乱させることができるため、反射率は、表面トポグラフィの関数である。したがって、反射率は、反射表面の測定可能な特性であり、表面を解析して定義できる。
【００２５】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００は、表面処理面１１０にＶｖを有し、当該Ｖｖは、低い値と高い値との間、例えば、約０．４μｍ3／μｍ2という低い値と約２．２μｍ3／μｍ2という高い値との間の制御範囲内にある。Ｖｖが小さすぎ、例えば、約０．４μｍ3／μｍ2未満であると、アンカー効果が弱いため、電解銅箔の樹脂層への接着性が不十分である。すなわち、材料が表面に非常にうまく固定できないため、接着性が悪い。Ｖｖが大きすぎ、例えば、約２．２μｍ3／μｍ2であると、伝送損失が高くなりすぎる。
【００２６】
表面処理銅箔１００の表面処理面１１０のＶｖ値が０．４〜２．２０μｍ3／μｍ2の範囲内にある実施態様において、これらの範囲は連続的であり、０．４０、０．４１、０．４２、０．４３、０．４４、０．４５、０．４６、０．４７、０．４８、０．４９、０．５０、０．５１、０．５２、０．５３、０．５４、０．５５、０．５６、０．５７、０．５８、０．５９、０．６０、０．６１、０．６２、０．６３、０．６４、０．６５、０．６６、０．６７、０．６８、０．６９、０．７０、０．７１、０．７２、０．７３、０．７４、０．７５、０．７６、０．７７、０．７８、０．７９、０．８０、０．８１、０．８２、０．８３、０．８４、０．８５、０．８６、０．８７、０．８８、０．８９、０．９０、０．９１、０．９２、０．９３、０．９４、０．９５、０．９６、０．９７、０．９８、０．９９、１．００、１．０１、１．０２、１．０３、１．０４、１．０５、１．０６、１．０７、１．０８、１．０９、１．１０、１．１１、１．１２、１．１３、１．１４、１．１５、１．１６、１．１７、１．１８、１．１９、１．２０、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４、１．２５、１．２６、１．２７、１．２８、１．２９、１．３０、１．３１、１．３２、１．３３、１．３４、１．３５、１．３６、１．３７、１．３８、１．３９、１．４０、１．４１、１．４２、１．４３、１．４４、１．４５、１．４６、１．４７、１．４８、１．４９、１．５０、１．５１、１．５２、１．５３、１．５４、１．５５、１．５６、１．５７、１．５８、１．５９、１．６０、１．６１、１．６２、１．６３、１．６４、１．６５、１．６６、１．６７、１．６８、１．６９、１．７０、１．７１、１．７２、１．７３、１．７４、１．７５、１．７６、１．７７、１．７８、１．７９、１．８０、１．８１、１．８２、１．８３、１．８４、１．８５、１．８６、１．８７、１．８８、１．８９、１．９０、１．９１、１．９２、１．９３、１．９４、１．９５、１．９６、１．９７、１．９８、１．９９、２．００、２．０１、２．０２、２．０３、２．０４、２．０５、２．０６、２．０７、２．０８、２．０９、２．１０、２．１１、２．１２、２．１３、２．１４、２．１５、２．１６、２．１７、２．１８、２．１９及び２．２０μｍ3／μｍ2と表すことができることを明確に理解されるべきであり、これらの値は、数値の範囲の端点をそれぞれ代表する。
【００２７】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００の表面処理面１１０のコア空隙容積の値（Ｖｖｃ）が０．４〜２μｍ3／μｍ2の範囲内にある。これらの範囲は連続的であり、０．４０、０．４１、０．４２、０．４３、０．４４、０．４５、０．４６、０．４７、０．４８、０．４９、０．５０、０．５１、０．５２、０．５３、０．５４、０．５５、０．５６、０．５７、０．５８、０．５９、０．６０、０．６１、０．６２、０．６３、０．６４、０．６５、０．６６、０．６７、０．６８、０．６９、０．７０、０．７１、０．７２、０．７３、０．７４、０．７５、０．７６、０．７７、０．７８、０．７９、０．８０、０．８１、０．８２、０．８３、０．８４、０．８５、０．８６、０．８７、０．８８、０．８９、０．９０、０．９１、０．９２、０．９３、０．９４、０．９５、０．９６、０．９７、０．９８、０．９９、１．００、１．０１、１．０２、１．０３、１．０４、１．０５、１．０６、１．０７、１．０８、１．０９、１．１０、１．１１、１．１２、１．１３、１．１４、１．１５、１．１６、１．１７、１．１８、１．１９、１．２０、１．２１、１．２２、１．２３、１．２４、１．２５、１．２６、１．２７、１．２８、１．２９、１．３０、１．３１、１．３２、１．３３、１．３４、１．３５、１．３６、１．３７、１．３８、１．３９、１．４０、１．４１、１．４２、１．４３、１．４４、１．４５、１．４６、１．４７、１．４８、１．４９、１．５０、１．５１、１．５２、１．５３、１．５４、１．５５、１．５６、１．５７、１．５８、１．５９、１．６０、１．６１、１．６２、１．６３、１．６４、１．６５、１．６６、１．６７、１．６８、１．６９、１．７０、１．７１、１．７２、１．７３、１．７４、１．７５、１．７６、１．７７、１．７８、１．７９、１．８０、１．８１、１．８２、１．８３、１．８４、１．８５、１．８６、１．８７、１．８８、１．８９、１．９０、１．９１、１．９２、１．９３、１．９４、１．９５、１．９６、１．９７、１．９８、１．９９及び２．００μｍ3／μｍ2と表すことができることを明確に理解されるべきであり、これらの値は、その値の範囲の端点をそれぞれ示す。
【００２８】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００の表面処理面１１０は、０．０１〜０．１０μｍ3／μｍ2の範囲内にあるの谷部空隙容積（Ｖｖｖ）を有する。これらの範囲は連続的であり、０．０１、０．０２、０．０３、０．０４、０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９及び０．１０μｍ3／μｍ2と表すことができることを明確に理解されるべきであり、これらの値は、その値の範囲の端点をそれぞれ示す。
【００２９】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００の表面処理面１１０は、低い値と高い値との間に制御される範囲にあるＷａを有し、例えば、０．１〜０．４μｍの間にある。Ｗａが高すぎ、例えば、０．４μｍを超えると、伝送損失が高くなりすぎる。これらの範囲は連続的であり、０．１０、０．１１、０．１２、０．１３、０．１４、０．１５、０．１６、０．１７、０．１８、０．１９、０．２０、０．２１、０．２２、０．２３、０．２４、０．２５、０．２６、０．２７、０．２８、０．２９、０．３０、０．３１、０．３２、０．３３、０．３４、０．３５、０．３６、０．３７、０．３８、０．３９及び０．４０μｍと表すことができることを明確に理解されるべきであり、これらの値は、その値の範囲の端点をそれぞれ示す。
【００３０】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００は、表面処理面１１０では、光波長７００ｎｍにおいて２８％〜７６％の範囲内にある反射率を有する。これらの範囲は連続的であり、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、４９％、５０％、５１％、５２％、５３％、５４％、５５％、５６％、５７％、５８％、５９％、６０％、６１％、６２％、６３％、６４％、６５％、６６％、６７％、６８％、６９％、７０％、７１％、７２％、７３％、７４％、７５％及び７６％と表すことができることを明確に理解されるべきであり、これらの値は、その値の範囲の端点をそれぞれ示す。
【００３１】
いくつかの実施態様において、ノジュール層（例えば、ノジュール層１１２）は、銅ノジュールのような金属ノジュールを含んでもよい。例えば、箔に金属を電気メッキすることにより、ノジュールを形成することができる。いくつかの実施態様において、銅ノジュールは、銅又は銅合金で形成されてもよい。いくつかの実施態様において、ノジュール層は約１μｍを超える厚さを有してもよい。いくつかの実施態様において、バリア層、防錆層及びカップリング層を合わせた厚さは、約０．１μｍ未満である。いくつかの実施態様において、ノジュール層は、金属ノジュール上の金属被覆物、例えば、銅ノジュール上に沈積された銅沈積を含む。例えば、金属被覆物は、金属ノジュールの剥離を防止することに寄与する。
【００３２】
本開示に用いられる「バリア層」は、金属又は前記金属を含む合金で製造される層である。いくつかの実施態様において、バリア層１１４のようなバリア層は、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、及びそれらの組み合わせから選ばれる少なくとも一つの金属で製造される。いくつかの実施態様において、バリア層はＮｉを含む。いくつかの実施態様において、バリア層はＺｎを含む。いくつかの実施態様において、バリア層はＮｉ層及びＺｎ層を含む。
【００３３】
本開示に用いられる「防錆塗布層」、例えば防錆層１１６とは、金属に施された塗布層であり、塗布された金属を腐食などによる劣化から保護できる。いくつかの実施態様において、防錆層は、金属又は有機化合物を含む。例えば、クロム又はクロム合金は、電解銅箔上の金属塗布層として使用されてもよい。防錆層がクロム合金で製造された場合、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）及びバナジウム（Ｖ）の中の一つ又はそれ以上をさらに含む。いくつかの防錆層が有機物で製造された実施態様において、それは、トリアゾール、チアゾール、イミダゾール、又はそれらの誘導体からなる群から選ばれる少なくとも一つを含んでもよい。トリアゾール基は、オルソトリアゾール（１，２，３−トリアゾール）、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、塩素置換ベンゾトリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−アミノ−１，３，４−トリアゾール、４−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−１，３，４−トリアゾール及びそれらの異性体、又はそれらの誘導物を含むが、これらに限らない。チアゾール基は、チアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド及びそれらの異性体、又はそれらの誘導物を含むが、これらに限らない。イミダゾール基は、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール及びそれらの異性体、又はそれらの誘導物を含むが、これらに限らない。
【００３４】
本開示に用いられる「カップリング層」、例えば、カップリング層１１８は、銅箔と樹脂層との間の結合力を向上するために添加される層であり、前記樹脂層は、例えば、回路板製造用の樹脂層である。いくつかの実施態様において、カップリング層は、シリコン及び酸素を含む層を提供するシラン処理で提供される。前記シランとしては、アミノ系シラン、エポキシ系シラン及びメルカプト系シランが挙げられるが、これらに限らない。前記シランは、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミンの部分加水分解物、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメトキシシラン、及び３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランから選ばれてもよいが、これらに限らない。
【００３５】
いくつかの実施態様において、ノジュール層１１２がバリア層１１４で覆われるように、サブ層（例えば、処理層１０８のサブ層）を提供し、当該バリア層１１４は防錆層１１６で覆われ、防錆層１１６はカップリング層１１８で覆われる。しかし、他の実施形態によれば、サブ層のラミネート順序又は数はこれに限定されない。このため、図１に示される実施形態において、表面処理面１１０の最終的な物理表面は、カップリング層１１８によって提供され、この後、前記カップリング層１１８はラミネート構造における樹脂層と結合する。いくつかの実施態様において、バリア層１１４、防錆層１１６及びカップリング層１１８の任意の組み合わせは、ノジュール層１１２よりもはるかに薄くなる可能性があるため、表面処理面１１０の表面粗度（例えば、Ｖｖ、Ｖｖｃ及びＶｖｖ）は、ノジュール層１１２によって制御される。
【００３６】
いくつかの実施態様において、１００のような表面処理銅箔と樹脂層とを組み合わせることにより、ラミネート構造が形成される。この構造は、銅箔と樹脂層とを交互に重ねた二つ以上の層を含むことができる。これらは、例えば、銅箔（その少なくとも一つは表面処理銅箔１００）と樹脂層シートとを交互に積み重ね、スタックを加熱しながらプレスを使用してスタックを一緒に圧縮することにより、形成することができる。いくつかの実施態様において、樹脂層は、表面処理銅箔１００の表面処理面１１０と接触する。三つより多い導電層（例えば、その少なくとも一つは表面処理銅箔１００）と樹脂層とを交互に積み重ねれば、ラミネート体は、例えば、多層ＰＣＢ（プリント回路板）の作成に使用できるような多層構造となる。
【００３７】
本開示に用いられる「樹脂」とは、表面処理銅箔のような基材上にシート又は層として形成され得る有機ポリマー材料を意味する。樹脂のいくつかの例には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート）、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ホルムアルデヒド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フルオロポリマー、ポリエーテルスルホン、セルロース系熱可塑性樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリプロピレン、ポリスルフィド及びポリウレタンを含む。樹脂は、アラミド、カーボン、ガラス、セルロース及び無機材料のような充填材料又は補強材料を含むこともでき、これらはすべて、必要に応じて、粒子、繊維、チョップド繊維（ｃｈｏｐｐｅｄ  ｆｉｂｅｒｓ）、織物材料（ｗｏｖｅｎ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ）又はウェビング（ｗｅｂｂｉｎｇ）の形をしている。いくつかの実施態様において、複合シートにおいて、一種類以上の樹脂及び一種類以上の充填材料を使用して、前記樹脂をシートとする。いくつかの実施態様において、一つ以上の樹脂層同士を交互に積み重ねて直接接触させることにより、多層板とも呼ばれる多層樹脂層を提供する。本開示に用いられる樹脂層は、多層樹脂層、例えば、多層板を意味することができる。
【００３８】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００は、回路板（例えば、プリント回路板又はＰＣＢ）を製造するために使用される。例えば、銅箔と樹脂層とのラミネート体を使用して、回路板を形成する。既知の処理方法、例えば、リソグラフィ（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）、銅エッチング、及び銅箔／樹脂のラミネート体への穴あけによって、導電線、トラック、コンタクトパッド、シールド領域及び導電ビアの製造のさらなる加工を実現できる。既知の方法により、例えば、バッテリー、抵抗器、ＬＥＤ、リレー、トランジスター、コンデンサー、インダクター、ダイオード、スイッチ、マイクロコントローラー、結晶及び発振器、並びに集積回路の素子を回路板に実装する（例えば、機械的な接続及び電気的な接続）ことができる。例えば、素子を取り付けるための表面実装方法又はスルーホール方法、及びアセンブリ用のピックアンドプレース（ｐｉｃｋ  ａｎｄ  ｐｌａｃｅ）技術が挙げられる。
【００３９】
いくつかの実施態様において、表面処理銅箔１００は、回路板上に実装された複数の素子を含む回路板を作成するために使用することができ、当該回路板は、装置に使用される。本開示に用いられる装置は、例えば、信号の電圧、電流、周波数又は電力を制御することによって、電気信号を処理するための任意の部品又は素子を含む。例えば、ラップトップ、デスクトップのようなコンピューター、車両、電話、測定及び監視装置（例えば、グルコースメーター、ｐＨメーター、空気監視装置）、データ出力装置（例えば、モニター、プリンター）、入力装置（例えば、タッチスクリーン、キーボード、マウス）、及びＷｉ−Ｆｉ、ジグビー（Ｚｉｇｂｅｅ）、ブルートゥースのようなワイヤレス送受信装置が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４０】
本開示の範囲内で、上記の技術的特徴及び以下に述べる技術的特徴（実施例など）を自由にかつ相互に組み合わせて、新規又は好ましい技術的解決策を形成することができることを理解されたい。
【００４１】
［実施例］
銅箔の製造
・ドラム研磨（Ｄｒｕｍ  ｂｕｆｆ）
電解銅箔を製造するためのシステムは、金属カソードドラム及び不溶性金属アノードを含む。前記金属カソードドラムは、回転可能であり、研磨面を有する。このシステムにおいて、不溶性金属アノードは、金属カソードドラムのほぼ下半部に配置され、当該金属カソードドラムを囲む。金属カソードドラムと不溶性金属アノードとの間に硫酸銅電解液を流させ、両者の間に電流を印加して、銅イオンを金属カソードドラムに吸引させて還元され、金属カソードドラムに銅を電着させることにより、電解銅箔を形成し、所定の厚さを得るとき、電解銅箔を金属カソードドラムから分離することにより、連続的な電着で電解銅箔を製造した。
【００４２】
チタンドラムの表面は、酸性溶液に浸されることにより、徐々に腐食（酸化）された結果として、不均一又は劣った表面となり、製造された銅箔の表面特性に影響を与える。したがって、チタンドラムの表面を研磨することは、粗度のような銅箔の特性を制御するための効果的な方法である。研磨は、銅箔のドラム面の表面特性を修飾することには効果的である。このため、ドラムに銅を電着する前に、円筒状バフを使用してドラムを研磨し、当該円筒状バフは、ドラム自体の回転につれて回転され、ドラムと接触する。ドラムの異なる表面仕上げを提供するために、条件を変化することができ、これにより、電解銅箔、特にそのドラム面に、異なる表面仕上げを提供できる。いくつかの例示的な条件としては、ドラム速度３ｍ／分の円周速度、バフ＃５００、＃１０００、＃１５００、＃２０００及び＃２５００（バフは日本特殊研砥株式会社から取得）、及び研磨速度１５０〜４５０ｍ／分の円周速度である。ドラムと円筒状バフの回転は、接触点での接線方向ベクトルが同じ方向になるように結合される。例えば、ドラムが反時計回りに回転する場合、円筒状バフは時計回りに回転することになり、ドラムが時計回りに回転する場合、円筒状バフは反時計回りに回転することになる。以下の表1に、例示的な条件を示す。
【００４３】
電解銅箔の製造
銅線を硫酸水溶液（５０重量％）に溶解させ、３２０ｇ／Ｌの硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ）と１００ｇ／Ｌの硫酸とを含む硫酸銅電解液を製造した。前記硫酸銅電解液に、２０ｍｇ／Ｌの塩素イオン濃度を提供するために、塩酸（ＲＣＩ  Ｌａｂｓｃａｎ会社から取得）を添加した。０．３５ｍｇ／Ｌのゼラチン（ＳＶ、ジャパン社）も添加した。
【００４４】
研磨工程及び銅含有電解質の製造の後、電着により電解銅箔を製造した。電着の過程において、硫酸銅電解液の液体温度を約５０℃に維持させ、電流密度を約７０Ａ／ｄｍ2に維持させた。厚さが約３５μｍの電解銅箔を製造した。
【００４５】
表面処理
粗面化処理の第１の工程において、上記のように電解銅箔を製造した後、酸性溶液を使用して電解銅箔を洗浄した。過程において、１３０ｇ／Ｌの硫酸銅と５０ｇ／Ｌの硫酸とを含む電解質が充填された酸洗浄容器を使用し、溶液の温度を約２７℃に維持した。電解銅箔を酸洗浄容器に入れ、前記電解質に３０秒間浸すことにより、表面の油、脂肪及び酸化物を除去した。その後、電解銅箔を水でリンスした。
【００４６】
次いで、電解銅箔のドラム面の表面を電気メッキすることにより、ノジュール層を形成した。ノジュール層をメッキするために、７０ｇ／Ｌの硫酸銅、１００ｇ／Ｌの硫酸、２５０ｍｇ／Ｌのタングステン酸ナトリウム（ＮａＷＯ4）、２０００ｍｇ／Ｌの硫酸第一鉄（ＦｅＳＯ4）及び１０ｍｇ／Ｌのサッカリン（１，１-ジオキソ-１，２-ベンゾチアゾール-３-オン、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を含む硫酸銅溶液をメッキ電解質として使用した。表１に示されるように、他の添加濃度を使用できた。硫酸銅溶液の温度は約２５℃に維持し、電解銅板は１０Ａ／ｄｍ2の電流密度で１０秒間電気メッキされた。処理の後、処理された銅箔を乾燥し、ロールに巻き取った。
【００４７】
ノジュール層の剥蝕を防止するために、銅被覆物をノジュール上に沈積させた。この被覆プロセスでは、硫酸銅と硫酸の濃度がそれぞれ３２０ｇ／Ｌと１００ｇ／Ｌである硫酸銅溶液を使用した。電解液の温度は約４０℃に維持され、電流密度は１５Ａ／ｄｍ2で１０秒間持続すると設定された。
【００４８】
被覆メッキプロセスの完了後、二つのバリア層を施した。まず、ノジュール層の表面にニッケルを沈積させた。ニッケルを沈積する電解条件は、濃度が１８８ｇ／Ｌである硫酸ニッケル、濃度が３２ｇ／Ｌであるホウ酸、濃度が４ｇ／Ｌである次亜リン酸、温度が２０℃であり、ｐＨが３．５であることであった。電流密度は０．７Ａ／ｄｍ2で３秒間持続すると設定された。次に、ニッケル層と電解銅箔の沈積面に亜鉛層を同時に沈積させた。亜鉛を沈積する電解条件は、濃度が１１ｇ／Ｌである硫酸亜鉛、濃度が０．２５ｇ／Ｌであるバナジン酸アンモニウム、ｐＨが１３であり、温度が１５℃であることであった。電流密度は、０．５Ａ／ｄｍ2で２秒間持続すると設定された。
【００４９】
バリア層を形成した後、水で洗浄を行い、メッキ浴での電気メッキにより、亜鉛層の上にクロム防錆層を形成した。５ｇ／Ｌのクロム酸を含むメッキ浴は、ｐＨ１２．５及び温度３５℃に維持された。１０Ａ／ｄｍ2の電流密度で５秒間メッキを行い、クロム層を形成した。
【００５０】
最後、ドラム面のクロム層にカップリング層を形成した。シラン溶液をクロム層に１０秒間スプレーした。シラン溶液は、０．２５重量％の３−アミノプロピルトリエトキシシランを含む水溶液であった。
【００５１】
シラン処理の後、箔をオーブン内で１分間１２０℃で加熱し、次いでロールに巻き取った。
【００５２】
・銅箔の特徴
表１には、上記のように特定の条件で作られた銅箔を示す。表１には、様々な条件で実行された１１つの実施例と８つの比較例が表記されており、表面処理銅箔のいくつかの実施形態を例示的に説明する。
【００５３】
【表１】
2020128589.tif 000003
【００５４】
試験方法
・算術平均うねり（Ｗａ）
算術平均うねり（Ｗａ）は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１-２０１３  ４．２．１に従って定義された。測定は、粗さ測定機（小坂研究所、ＳＥ６００シリーズ）を使用して行われた。探針先端の直径は２μｍであり、先端の錐角は９０°であった。
【００５５】
算術平均うねり（Ｗａ）は、表面処理面で測定された。評価長さは７．５ｍｍであり、輪郭曲線（ｃｏｎｔｏｕｒ  ｃｕｒｖｅ）のフィルタカットオフ値はｆｈ（λｃ）＝０．８ｍｍ、ｆｌ（λｆ）＝２．５ｍｍであった。
【００５６】
・粗度（Ｒz）
ＲｚはＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４に従って定義された。
【００５７】
Ｉ、接触方法。
算術平均うねり（Ｗａ）の測定に使用されたものと同じ表面粗さ測定機及び探針を使用して、表面処理面のプロファイルを検出した。評価長さは４．０ｍｍであり、輪郭曲線（ｃｏｎｔｏｕｒ  ｃｕｒｖｅ）のフィルタカットオフ値はｆｈ（λｃ）＝０．８ｍｍであった。
【００５８】
ＩＩ、非接触方法
レーザー顕微鏡（Ｏｌｙｍｐｕｓ製、ＬＥＸＴ  ＯＬＳ５０００−ＳＡＦ）の表面テクスチャ分析を使用して、表面処理面のプロファイルを検出した。試験条件は次のとおりであった。
【００５９】
光源：４０５ｎｍ波長
対物レンズ：１００×（ＭＰＬＡＰＯＮ−１００ｘＬＥＸＴ）
光学ズーム：１．０×
評価長さ：４．０ｍｍ
解像度：１０２４画素×１０２４画素
条件：自動チルト除去（Ａｕｔｏ  ｔｉｌｔ  ｒｅｍｏｖａｌ）
フィルター：フィルターなし
【００６０】
・反射率
反射率は、コニカミノルタの携帯式分光光度計ＣＭ−２５００ｃを使用して測定された。表面処理銅箔の表面処理面の反射率は、波長７００ｎｍの光を使用して測定された。光源はＤ６５であり、ディスプレイはＳＰＥＣＴ  ＧＲＡＰＨであった。
【００６１】
・容積パラメータ
表１における負荷率が１０％の空隙容積（Ｖｖ）は、ＩＳＯ  ２５１７８−２（２０１２）の工程に基づいて、実施例及び比較例から得られた。表面テクスチャ解析は、レーザー顕微鏡の画像で行った。レーザー顕微鏡は、Ｏｌｙｍｐｕｓ製のＬＥＸＴ  ＯＬＳ５０００−ＳＡＦであり、画像は、空気温度２４±３℃及び相対湿度６３±３％で作成された。フィルターは、フィルターなし（ｕｎｆｉｌｔｅｒｅｄ）と設定された。光源は４０５ｎｍ波長の光源であった。対物レンズは１００×拡大倍率（ＭＰＬＡＰＯＮ−１００ｘＬＥＸＴ）であった。光学ズームは１．０×と設定された。画像面積は、１２９μｍ×１２９μｍと設定された。解像度は１０２４画素×１０２４画素と設定された。条件はオートチルト除去（ａｕｔｏ  ｔｉｌｔ  ｒｅｍｏｖａｌ）と設定された。
【００６２】
表１に示されているコア空隙容積（Ｖｖｃ）の値は、１０％〜８０％の負荷率で計算された。表１に示されるように、谷部空隙容積（Ｖｖｖ）の値は、負荷率８０％で計算された。空隙体積の単位はμｍ3／μｍ2であった。ｍｒ＝１０％での空隙容積（Ｖｖ）は、これらのコア空隙容積（Ｖｖｃ）と谷部空隙容積（Ｖｖｖ）との総和であった。
【００６３】
・剥離強度
６枚の市販の樹脂シート（厚さが０．０７６ｍｍである。ＳｙＴｅｃｈ社のＳ７４３９Ｇから取得）を共に積み重ね、銅箔をそれらの上に放置した。銅箔と樹脂シートを２枚の平板（ステンレス板）の間に配置した。スタックを温度２００℃及び圧力４００ｐｓｉで１２０分間ホットプレスし、銅箔と樹脂層とのラミネート体を形成した。
【００６４】
剥離強度は、ＪＩＳ  Ｃ  ６４７１に基づいて、樹脂層を銅箔から垂直方向（９０°剥離方向）に剥離することで測定した。
【００６５】
・伝送損失
ストリップライン（ｓｔｒｉｐ−ｌｉｎｅ）を使用して伝送特性を評価した。樹脂に銅箔を貼り付け、さらにストリップラインとし、このストリップラインをソース電極として使用した。樹脂（ＳｙＴｅｃｈ社のＳ７４３９Ｇから取得）の厚さは１５２．４μｍであり、ＩＰＣ−ＴＭ６５０  Ｎｏ．２．５．５．５による１０ＧＨｚ信号試験でのＤｋ＝３．７４、Ｄｆ＝０．００６であった。前記ストリップラインは、長さが１００ｍｍであり、幅が１２０μｍであり、厚さが３５μｍであった。
【００６６】
ストリップラインを作成した後、二つの表面を二枚の他の樹脂（ＳｙＴｅｃｈ社のＳ７４３９Ｇから取得）でそれぞれ覆い、当該樹脂の上に二つの他の銅箔を接地電極として配置した。このアセンブリは、カバーレイフィルムを有しておらず、約５０Ωの特性インピーダンスを有した。ストリップラインと接地電極によって転送される信号の比較で伝送損失を得た。
【００６７】
ストリップラインと接地電極の測定は、Ａｇｉｌｅｎｔ  ＰＮＡ  Ｎ５２３０Ｃネットワークアナライザーを使用して行われた。使用した周波数範囲は２００ＭＨｚ〜１５ＧＨｚであり、掃引数は６４０１ポイントであり、キャリブレーションはＴＲＬであり、試験方法はＣｉｓｃｏ  Ｓ方法であった。
【００６８】
本開示に用いられる「含む」又は「含有する」という用語は、請求される発明に必要な組成物、方法、及びそれらのそれぞれの組み合わせに関するが、必要とされるか否かにかかわらず、指定されていない要素を含むことが許される。
【００６９】
本開示の明細書及び特許請求の範囲に用いられる単数形「一つの（ａ）」、「一つの（ａｎ」及び「前記（ｔｈｅ）」は、文脈がそうでないことを明確に示していない限り、複数形も含むことが意図される。例えば、「前記方法」について言及する場合は、１つ又は二つ以上の方法、及び／又は本開示の明細書に記載されている種類の工程、及び／又はこの開示を読めば当業者にとって明白であるものを含む。同様に、「又は」という用語は、文脈がそうでないことを明確に示していない限り、「及び」を含むことが意図される。
【００７０】
操作された実施例又は他に説明がある場合以外、本発明の明細書において成分の数量又は反応条件を表すための数字は、すべての場合においては、用語「約」によって修飾されていると理解されるべきである。用語「約」は、言及されている値の±５％（例えば、±４％、±３％、±２％、±１％）を意味することができる。
【００７１】
ある数値範囲が提供される場合、その範囲の上限と下限の間にある全ての数字の数値及びその範囲の上限と下限を含むものは、本発明に開示されたと見なされる。本発明の明細書に挙げられている任意の数字範囲は、その範囲に包含されるすべてのサブ範囲を含むことを理解されたい。例えば、「１〜１０」という範囲とは、引用されている最小値１と引用されている最大値１０との間にあるすべてのサブ範囲を含み、その最小値と最大値を含むことを意図している。言い換えれば、１以上の最小値及び１０以下の最大値を有する。開示されている数値範囲は連続的であるため、最小値と最大値の間にあるすべての値を含む。明確に排除しない限り、本発明の明細書に具体的に記載されている様々な数値範囲は近似値である。
【００７２】
本明細書において、別途で定義されていない限り、本出願に使用される科学的及び技術的用語は、当業者が一般的に理解する意味と同様の意味を有する。さらに、文脈上別段の排除の要求がない限り、単数形の用語は複数形を含み、複数形の用語は単数形を含む。
【００７３】
本発明は、本発明の明細書に記載されている特定の方法、方案及び試薬などに限定されるものではなく、変化してもよいことを理解されたい。本発明の明細書に用いられる用語は、特定の実施態様を説明することを目的とするに過ぎず、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲のみによって定義される。
【００７４】
本発明の明細書に開示されているＡＳＴＭ、ＪＩＳ方法を含むいずれの特許、特許出願及び刊行物は、説明及び開示を目的とするために明確に本発明に組み込まれ、例えば、これらの刊行物に記載されている方法は、本発明と組み合わせて使用できる。これらの刊行物を提供する原因は、それらが本出願の出願日前に公開されただけである。この点に関して、そのような従来技術により、又は他の何らかの理由により、本発明者らがそのような開示に先行する権利がないことを認めると解釈されるべきではない。日付に関するすべての記述又はこれらの文書の内容に関する表現は、出願人が入手可能な情報に基づいており、これらの文書の日付又は内容の正確性を認めると解釈されるべきではない。
【符号の説明】
【００７５】
１００  表面処理銅箔
１０２  電解銅箔
１０４  ドラム面
１０６  沈積面
１０８  処理層
１１０  表面処理面
１１２  ノジュール層
１１４  バリア層
１１６  防錆層
１１８  カップリング層
２１０  ピーク
２１２  谷
２１３  領域
２１４  領域
３１２  領域
３１４  領域
３１６  領域
４１０  サンプル
４１２  機械探針
４１４  サンプリング方向
４１８  プロファイル
４２０  うねりプロファイル
４２２  粗度プロファイル
ｈWa、ｈRa 高さ
λWa、λRa 波長
【図１】
2020128589.tif 000004
【図２】
2020128589.tif 000005
【図３】
2020128589.tif 000006
【図４】
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【外国語明細書】
2020128589000001.pdf