(57)【要約】【課題】コンタクトホール形成時のエッチングの制御を容易に行う半導体装置を作製する技術を提案する。【解決手段】少なくとも絶縁表面上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形成された第２の絶縁層と、を有し、少なくとも半導体層及び第２の絶縁層に開口部が形成されて絶縁表面が部分的に露出されており、開口部を介して第２の絶縁層上に形成された導電層と、を有する。なお、ここで導電層は半導体層に形成された開口の側面において半導体層と電気的に接続している。【選択図】図１
2020039006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化シリコンを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、酸化シリコンを有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置し、トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に位置し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電層と、を有し、
前記第３の絶縁層、ゲート絶縁層、及び前記半導体層は、前記導電層が前記半導体層と電気的に接続されるための開口部を有し、
前記第１の絶縁層は、前記開口部と重なり且つ前記導電層と接する領域、を有し、
前記導電層は、前記半導体層と接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
窒化シリコンを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、酸化シリコンを有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置し、トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に位置し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電層と、を有し、
前記第３の絶縁層、ゲート絶縁層、及び前記半導体層は、前記導電層が前記半導体層と電気的に接続されるための開口部を有し、
前記第１の絶縁層は、前記開口部と重なり且つ前記導電層と接する領域、を有し、
前記導電層は、前記半導体層の上面と接する領域を有する半導体装置。
【請求項３】
窒化シリコンを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、酸化シリコンを有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置し、トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に位置し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電層と、を有し、
前記第３の絶縁層及び前記半導体層は、前記導電層が前記半導体層と電気的に接続されるための開口部を有し、
前記第１の絶縁層は、前記開口部と重なり且つ前記導電層と接する領域、を有し、
前記導電層は、前記半導体層と接する領域を有する半導体装置。
【請求項４】
窒化シリコンを有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に位置し、酸化シリコンを有する第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に位置し、トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に位置し、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電層と、を有し、
前記第３の絶縁層及び前記半導体層は、前記導電層が前記半導体層と電気的に接続されるための開口部を有し、
前記第１の絶縁層は、前記開口部と重なり、且つ前記導電層と接する領域を有し、
前記導電層は、前記半導体層の上面と接する領域を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記導電層は、前記半導体層の側面と接する領域を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記半導体層は、シリコンを有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその作製方法に関する。なお、本明細書中において半導体装置
とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を示す。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラス等の絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成し、当該
薄膜トランジスタをスイッチング素子等として利用する半導体装置の作製が盛んに行われ
ている。当該薄膜トランジスタは、絶縁表面を有する基板上にＣＶＤ法、フォトリソグラ
フィ工程等を用いて島状の半導体膜を形成し、当該島状の半導体膜の一部をトランジスタ
のチャネル形成領域として利用するように設けられている（例えば特許文献１）。
【０００３】
薄膜トランジスタの断面の模式図を図２１に示す。図２１に示すように、薄膜トランジス
タは、基板３０上に、下地膜として機能する絶縁層３１が形成され、絶縁層３１上に、チ
ャネル形成領域３２ａ、ソース領域及びドレイン領域として機能する不純物領域３２ｂ、
３２ｃを有する半導体層３２が形成され、半導体層３２及び絶縁層３１上にゲート絶縁層
として機能する絶縁層３３が形成され、絶縁層３３上にゲート電極として機能する導電層
３４が形成され、導電層３４上に絶縁層２０３が形成され、絶縁層２０３上に不純物領域
３２ｂ、３２ｃと電気的に接続する配線２０４が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−０１８０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図２１の構造では、配線をソース領域又はドレイン領域の表面と電気的に接続させるため
、開口部の底部にはソース領域又はドレイン領域となる半導体層を形成する必要が考えら
れていた。そのため絶縁層に開口部を設ける際のエッチングの制御が困難であった。これ
は半導体層を５０ｎｍ以下の薄膜で形成する場合に特に顕著な問題である。
【０００６】
本願発明はこのような課題を解決するための技術であり、コンタクトホール形成時のエッ
チングの制御を容易に行うことができる半導体装置を作製する技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体装置は、少なくとも絶縁表面上に形成された半導体層と、半導体層上に形
成された第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に形
成された第２の絶縁層と、を有し、少なくとも半導体層及び第２の絶縁層に開口部が形成
されて絶縁表面が部分的に露出されており、開口部を介して第２の絶縁層上に形成された
導電層と、を有する。なお、ここで導電層は半導体層に形成されたコンタクトホールの側
面において半導体層と電気的に接続している。また、半導体層の表面の一部が露出するよ
うにコンタクトホールを形成してもよい。つまり、半導体層に形成された開口の上面積は
、第２の絶縁層に形成された開口の上面積に比べて小く形成されており、導電層と半導体
層とが、半導体層に形成されたコンタクトホールの側面及び半導体層の表面において電気
的に接続されていてもよい。
【０００８】
本発明の半導体装置は、絶縁表面上に半導体層を形成し、半導体層上に第１の絶縁層を形
成し、第１の絶縁層上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に第２の絶縁層を形成し、少
なくとも前記半導体層及び前記第２の絶縁層に、前記絶縁表面を部分的に露出する開口部
を形成し、開口部を介して絶縁表面及び前記第２の絶縁層上に導電層を形成することによ
り作製することができる。
【０００９】
また、本発明の半導体装置は、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の
絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上に第３の絶縁層を形成
し、第３の絶縁層上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に第４の絶縁層を形成し、少な
くとも第２の絶縁層、半導体層及び第４の絶縁層に、第１の絶縁層表面を部分的に露出す
る開口部を形成し、開口部を介して前記第１の絶縁層表面及び第４の絶縁層上に導電層を
形成することにより作製することができる。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の
絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上に第３の絶縁層を形成
し、第３の絶縁層上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に第４の絶縁層を形成し、第４
の絶縁層上にレジストを形成し、レジストをマスクとして少なくとも第４の絶縁層に、半
導体層表面を部分的に露出する第１の開口部を形成し、レジストをマスクとして少なくと
も前記第２の絶縁層、半導体層及び第４の絶縁層をエッチングして、第１の絶縁層表面及
び半導体層表面を部分的に露出する第２の開口部を形成し、第２の開口部を介して第１の
絶縁層表面、半導体層表面、及び第４の絶縁層上に導電層を形成することにより作製する
ことができる。なお、第１の開口部は、ウェットエッチングにより形成し、第２の開口部
はドライエッチングにより形成することができる。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、基板上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の
絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上に第３の絶縁層を形成
し、第３の絶縁層上にゲート電極を形成し、ゲート電極上に第４の絶縁層を形成し、第４
の絶縁層上にレジストを形成し、レジストをマスクとして少なくとも第４の絶縁層に、半
導体層表面を部分的に露出する第１の開口部を形成し、レジストをエッチングして前記レ
ジストを後退させ、レジストをマスクとして少なくとも第２の絶縁層、半導体層及び第４
の絶縁層をエッチングして、第１の絶縁層表面及び半導体層表面を部分的に露出する第２
の開口部を形成し、第２の開口部を介して第１の絶縁層表面、半導体層表面、及び第４の
絶縁層上に導電層を形成することにより作製することができる。なお、第１の開口部及び
第２の開口部はドライエッチングにより形成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明において、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタクトホー
ル形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成されたコ
ンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとることが
できるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図及び断面図。
【図２】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図３】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図４】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図５】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図及び断面図。
【図６】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図７】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図及び断面図。
【図８】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図９】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１０】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１１】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図及び断面図。
【図１２】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１３】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図。
【図１４】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図。
【図１５】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図。
【図１６】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１７】本発明の半導体装置の作製工程を説明する断面図。
【図１８】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図。
【図１９】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図。
【図２０】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図と断面図。
【図２１】従来の半導体装置の構成を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる場合がある。
【００１５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、コンタクトホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができ
る半導体装置の構造及び作製方法について説明する。
【００１６】
図１は本発明に係る半導体装置の主要な構成を説明するための上面図及び断面図である。
図１（Ａ）は、特に薄膜トランジスタの上面図を示し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡとＢ
とを結ぶ破線における断面図を示し、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線にお
ける断面図を示している。
【００１７】
本実施の形態に示す半導体装置は、基板３０上に絶縁層３１を介して島状に設けられた半
導体層３２と、半導体層３２上に形成されたゲート絶縁層３３と、半導体層３２の上方に
ゲート絶縁層３３を介して設けられたゲート電極として機能する導電層３４と、を含む薄
膜トランジスタ２０５と、ゲート絶縁層３３及び導電層３４を覆って設けられた絶縁層２
０３と、絶縁層２０３上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層
２０４とを有している（図１（Ａ）〜（Ｃ））。なお、半導体層３２は、チャネル形成領
域３２ａとソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域３２ｂ、３２ｃとに加
えて、半導体層３２の端部、ここでは導電層３４の下方のチャネル形成領域３２ａに接し
た部分に形成された絶縁層３６とを有している。
【００１８】
本実施の形態に示す半導体装置は、絶縁層２０３及び半導体層３２の不純物領域３２ｂ、
３２ｃをエッチングして、絶縁層３１ｂに達するコンタクトホール（開口部ともいう）を
形成し、該コンタクトホールを充填するように導電層２０４を形成している。つまり、本
実施の形態において、導電層２０４と不純物領域３２ｂ、３２ｃとは、不純物領域３２ｂ
、３２ｃに形成されたコンタクトホールの側面において電気的に接続されている。
【００１９】
本実施の形態において、半導体層の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタク
トホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成さ
れたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとる
ことができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。
【００２０】
ここで、半導体層の端部に形成された絶縁層３６は必ずしも形成する必要はないが、半導
体層３２の端部とゲート電極として機能する導電層３４が短絡してリーク電流が流れるの
を防止するために設けることが好ましい。従って、絶縁層３６を設ける場合、少なくとも
半導体層３２のチャネル形成領域３２ａの側面（露出している部分）に形成されていれば
よい。ただし、それ以外の部分に形成されていてももちろん構わない。なお、本実施の形
態において、絶縁層３６はゲート絶縁層３３の下側（基板側）の領域にゲート絶縁層３３
と接して形成されている。
【００２１】
次に、図１に示した半導体装置の作製方法の一例に関して図面を参照して説明する。なお
、図１（Ａ）のＡとＢとを結ぶ破線での断面における作製工程を図２（Ａ）〜（Ｄ）、図
３（Ａ）〜（Ｃ）、図４（Ａ）〜（Ｂ）を用いて、図１（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線での
断面における作製工程を図２（Ｅ）〜（Ｈ）、図３（Ｄ）〜（Ｆ）、図４（Ｃ）〜（Ｄ）
を用いて説明する。
【００２２】
まず、基板３０上に絶縁層３１を形成する（図２（Ａ）、（Ｅ））。本実施の形態では、
絶縁層３１は、基板３０上に形成された第１の絶縁層３１ａ及び第１の絶縁層３１ａ上に
形成された第２の絶縁層３１ｂの２層構造とする。
【００２３】
基板３０は、ガラス基板、石英基板、金属基板（例えばセラミック基板またはステンレス
基板など）、Ｓｉ基板等の半導体基板などを用いることができる。また、他にもプラスチ
ック基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（
ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリルなどの基板を選択することもで
きる。
【００２４】
絶縁層３１は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮ
ｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）等の絶縁材料を用いて形成することができる。例えば、第１の絶
縁層３１ａとして窒化酸化シリコン膜を形成し、第２の絶縁層３１ｂとして酸化窒化シリ
コン膜を形成するとよい。また、第１の絶縁層３１ａとして窒化シリコン膜を形成し、第
２の絶縁層３１ｂとして酸化シリコン膜を形成してもよい。絶縁層３１を設けることによ
り基板３０からアルカリ金属などの不純物が拡散して、上に形成される素子の汚染を防ぐ
ことができる。
【００２５】
続いて、絶縁層３１上に半導体膜２０１を形成する。半導体膜２０１は、非晶質半導体膜
又は結晶質半導体膜で形成することができる。結晶性半導体膜としては、絶縁層３１上に
形成した非晶質半導体膜を熱処理やレーザー光の照射によって結晶化させたものなどを用
いることができる。なお、半導体材料としては、シリコンが好ましく、その他にシリコン
ゲルマニウム半導体等を用いることもできる。
【００２６】
半導体膜２０１は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度、更に好
ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成するとよい。なお、５０ｎｍ以下の半導体
膜を形成する場合、５０ｎｍ以上の膜厚で半導体膜を形成した後で、半導体膜の表面をド
ライエッチング処理することにより１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の膜厚の半導体膜を形成して
もよい。このときのエッチングの際のエッチングガスとしては、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、Ｓｉ
Ｃｌ４等の塩素系のガス、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３、等のフッ素系のガス、又
はフッ素系ガスにＯ２ガス、Ｈ２ガス、ＨｅやＡｒ等の不活性ガスを適宜加えた混合ガス
等を用いることができる。なお、ドライエッチングの前に、半導体膜表面を希フッ酸処理
して半導体表面に形成される自然酸化膜を除去し、その後半導体膜表面をオゾン水などで
処理して半導体膜表面に酸化膜を形成しておいてもよい。
【００２７】
半導体膜２０１を５０ｎｍ以下程度の薄膜で形成することにより、半導体膜表面に形成さ
れるゲート絶縁層の被覆不良を低減することができる。また、半導体膜を薄膜で形成する
ことにより、ＴＦＴをより小型化することができる。また、ＴＦＴのしきい値電圧を制御
するためにチャネル形成領域への不純物元素のドープ量を増加させた場合でも、半導体膜
を薄膜で形成することにより完全空乏型のＴＦＴを作製しやすくなるため、良好なＳ値の
状態でしきい値電圧が制御されたＴＦＴを作製することができる。
【００２８】
また、非結晶半導体膜をレーザー光の照射によって結晶化若しくは再結晶化した膜を半導
体膜２０１として用いる場合、レーザー光の光源としてＬＤ励起の連続発振（ＣＷ）レー
ザー（ＹＶＯ４、第２高調波（波長５３２ｎｍ））を用いることができる。特に第２高調
波に限定する必要はないが、第２高調波はエネルギー効率の点で、さらに高次の高調波よ
り優れている。ＣＷレーザーを半導体膜に照射すると、連続的に半導体膜にエネルギーが
与えられるため、一旦半導体膜を溶融状態にすると、溶融状態を継続させることができる
。さらに、ＣＷレーザーを走査することによって半導体膜の固液界面を移動させ、この移
動の方向に沿って一方向に長い結晶粒を形成することができる。また、固体レーザーを用
いるのは、気体レーザー等と比較して、出力の安定性が高く、安定した処理が見込まれる
ためである。なお、ＣＷレーザーに限らず、繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレ
ーザを用いることも可能である。繰り返し周波数が高いパルスレーザを用いると、半導体
膜が溶融してから固化するまでの時間よりもレーザーのパルス間隔が短ければ、常に半導
体膜を溶融状態にとどめることができ、固液界面の移動により一方向に長い結晶粒で構成
される半導体膜を形成することができる。その他のＣＷレーザー及び繰り返し周波数が１
０ＭＨｚ以上のパルスレーザを使用することもできる。例えば、気体レーザーとしては、
Ａｒレーザー、Ｋｒレーザー、ＣＯ２レーザー等がある。固体レーザーとして、ＹＡＧレ
ーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ＧｄＶＯ４レーザー、ＫＧＷレーザー、
ＫＹＷレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイアレーザー、Ｙ２Ｏ３レ
ーザー、ＹＶＯ４レーザー等がある。また、ＹＡＧレーザー、Ｙ２Ｏ３レーザー、ＧｄＶ
Ｏ４レーザー、ＹＶＯ４レーザーなどのセラミックスレーザがある。金属蒸気レーザーと
してはヘリウムカドミウムレーザ等が挙げられる。また、レーザー発振器において、レー
ザー光をＴＥＭ００（シングル横モード）で発振して射出すると、被照射面において得ら
れる線状のビームスポットのエネルギー均一性を上げることができるので好ましい。その
他にも、パルス発振のエキシマレーザーを用いても良い。
【００２９】
次に、半導体膜２０１上にレジスト２０２を選択的に形成する（図２（Ａ）、（Ｅ））。
そして、レジスト２０２をマスクとして半導体膜２０１をドライエッチングして、島状の
半導体層３２を形成する（図２（Ｂ）、（Ｆ））。なお、レジスト２０２は、エッチング
の際のマスクとして用いるものであり、ポジ型のフォトレジストやネガ型のフォトレジス
ト等を適宜選択して用いることができる。
【００３０】
なお、ドライエッチングのときのエッチングガスとしては、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、Ｃ
ＨＦ３等のフッ素系のガス、又は該フッ素系ガスにＯ２ガス、Ｈ２ガス、ＨｅやＡｒ等の
不活性ガスを適宜加えた混合ガス等を用いることができる。好ましくは、ＣＦ４とＯ２と
の混合ガス、ＳＦ６とＯ２との混合ガス、ＣＨＦ３とＨｅとの混合ガス、又はＣＦ４とＨ
２との混合ガスを用いるとよい。また、エッチングはドライエッチングに限られずウェッ
トエッチングで行ってもよい。その場合、半導体膜２０１に対してＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ
ｍｅｔｈｙｌａｎｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、テトラメチルアンモニウムヒド
ロキシド）に代表される有機アルカリ系水溶液を用いたウェットエッチングを行うことに
より島状の半導体層３２を形成することができる。なお、エッチング液としてＴＭＡＨ等
を用いた場合、半導体膜２０１のみが選択的にエッチングされるため、下地の絶縁層３１
にダメージを与えずにエッチングすることができる。このように、絶縁表面に形成された
半導体層を島状に分離形成することで、同一基板上に複数の薄膜トランジスタと周辺回路
を形成した場合に、それぞれの素子を分離をすることができる。
【００３１】
また、半導体層３２は、端部が垂直形状となるように形成してもよいし、端部がテーパ形
状となるように形成してもよい。半導体層３２の端部の形状は、エッチング条件等を変化
させることにより、適宜選択することができる。好ましくは、半導体層３２の端部をテー
パ角が４５°以上９５°未満、より好ましくはテーパ角が６０°以上９５°未満となるよ
うに形成するとよい。半導体層３２の端部を垂直に近い形状とすることで寄生チャネルを
低減することができる。
【００３２】
続いて、半導体層３２上に形成されたレジスト２０２を除去する。
【００３３】
次に、半導体層３２を覆うように絶縁層１０７（以下、第３の絶縁層１０７ともいう）を
形成する（図２（Ｃ）、（Ｇ））。第３の絶縁層１０７は、ＣＶＤ法やスパッタリング法
を用いて、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、ＳｉＯ
Ｆ、ＳｉＯＣ、ＤＬＣ、ポーラスシリカ等の材料を用いて形成することができる。
【００３４】
また、第３の絶縁層１０７は、半導体層３２の端部を十分に被覆できる膜厚で形成する。
第３の絶縁層１０７の膜厚は、下層に形成される半導体層３２の膜厚の１．５倍乃至３倍
の範囲の厚さで形成するのが好ましい。
【００３５】
次に、第３の絶縁層１０７を、垂直方向を主体とした異方性エッチングを行うことにより
選択的にエッチングし、半導体層３２の側面と接する絶縁層３６（以下、第４の絶縁層３
６ともいう）を形成する（図２（Ｄ）、（Ｈ））。
【００３６】
第３の絶縁層１０７を、垂直方向を主体として異方性のエッチングを行っていくと、半導
体層３２の一表面上および絶縁層３１ｂ上に形成されている第３の絶縁層１０７から徐々
にエッチングされていく。なお、半導体層３２の一表面上及び絶縁層３１ｂ上には、ほぼ
同じ膜厚の第３の絶縁層１０７が形成されている。よって、半導体層１０６の一表面が露
出したところでエッチングを停止させることにより、半導体層３２の側面と接する領域及
びその付近のみに第３の絶縁層１０７を残すことができる。残存する第３の絶縁層１０７
は、第４の絶縁層３６に相当する。なお、半導体層３２の端部を垂直形状に近い形状とし
ておくことで、半導体層３２の側面と接する領域及びその付近のみに第３の絶縁層１０７
を残すことが容易になる。つまり、第４の絶縁層３６を容易に形成することができる。
【００３７】
第３の絶縁層１０７のエッチング方法は、垂直方向を主体とした異方性エッチングを行え
るものであれば特に限定されない。例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃ
ｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を利用することができる。また、反応性イオンエッ
チングは、プラズマ発生法により、平行平板方式、マグネトロン方式、２周波方式、ＥＣ
Ｒ方式、ヘリコン方式、ＩＣＰ方式などに分類される。このとき用いるエッチングガスは
、第３の絶縁層１０７と、それ以外の層（半導体層３２）とでエッチング選択比が取れる
ものを選択すればよい。絶縁膜を選択的にエッチングする際には、例えば、ＣＨＦ３、Ｃ
Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３等のフッ素系のガスを用いることができる。その他、
ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、キセノン（Ｘｅ）などの不活性ガス、又はＯ２ガ
ス、Ｈ２ガスを適宜加えてもよい。
【００３８】
第４の絶縁層３６の形状は、薄膜を形成する材料、エッチング条件等を適宜選択すること
により変更することができる。本実施の形態では、第４の絶縁層３６は、底面（絶縁層３
１ｂと接する面）からの垂直方向の高さが半導体層３２と略一致するように形成している
。また、第４の絶縁層３６は、半導体層の側面と接しない面を湾曲状に形成している。具
体的には、任意の曲率を有し、接する半導体層３２の側面に対して凸形状に湾曲するよう
に形成している。もちろん、本発明は特に限定されず、第４の絶縁層３６は丸みを帯びた
形状でなく、角を有する形状としてもよい。好ましくは、第４の絶縁層３６のコーナー部
を緩やかな形状とすると、上層に積層される層（ここでは、絶縁層３３）の被覆性を良好
にすることができる。なお、エッチング条件は、エッチングガスの種類、各ガスの流量比
の他、基板を載置した電極に印加される電力量、基板が載置した電極の電極温度、チャン
バー内圧力等を示す。
【００３９】
次に、半導体層３２及び第４の絶縁層３６上に絶縁層３３（以下、第５の絶縁層３３とも
いう）を形成する（図３（Ａ）、（Ｄ））。第５の絶縁層３３は、ＣＶＤ法やスパッタリ
ング法により、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化アルミニウム等の材料を用いて形成する。また、第５の絶縁層３３は、これらの材料の
うち１つ又は複数を用いて、単層構造又は積層構造で形成する。第５の絶縁層３３は、膜
厚１ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは膜厚１ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ乃至
１０ｎｍの範囲で形成する。
【００４０】
なお、絶縁層３６の形成方法は本実施の形態に示すものに限られるものではなく、半導体
層３２の端部をウェット酸化又は酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理することにより形成
してもよい。その場合、半導体層３２上に絶縁層３３を形成した後、半導体層３２の端部
を覆う絶縁層３３を除去し、半導体層３２の露出した部分にプラズマ処理又はウェット酸
化することにより絶縁層３６を形成することが好ましい。
【００４１】
なお、ウェット酸化の場合、オゾンを含む水溶液、過酸化水素を含む水溶液、硫酸を含む
水溶液、ヨウ素酸を含む水溶液、又は硝酸を含む水溶液を用いて半導体層３２の表面を処
理することにより、半導体層３２の露出している部分に形成された酸化膜を絶縁層３６と
して用いることができる。オゾンを含む水溶液、過酸化水素を含む水溶液、前記硫酸を含
む水溶液、前記ヨウ素酸を含む水溶液、又は前記硝酸を含む水溶液は、酢酸又はしゅう酸
を含んでいてもよい。
【００４２】
また、酸素を含む雰囲気下として例えば、酸素（Ｏ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）との混合ガス雰囲気下、酸素と水素（Ｈ２）と希ガス
との混合ガス雰囲気下、一酸化二窒素と希ガスとの混合ガス雰囲気下、または一酸化二窒
素と水素と希ガスとの混合ガス雰囲気下で行うことができる。例えば、酸素（Ｏ２）、水
素（Ｈ２）とアルゴン（Ａｒ）との混合ガスを用いることができる。その場合の流量は、
酸素を０．１〜１００ｓｃｃｍ、水素を０．１〜１００ｓｃｃｍ、アルゴンを１００〜５
０００ｓｃｃｍとすればよい。なお、酸素：水素：アルゴン＝１：１：１００の比率で混
合ガスを導入することが好ましい。例えば、酸素を５ｓｃｃｍ、水素を５ｓｃｃｍ、アル
ゴンを５００ｓｃｃｍとして導入すればよい。
【００４３】
また、窒素を含む雰囲気下として例えば、窒素（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋ
ｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）との混合ガス雰囲気下、窒素と水素と希ガスとの混合
ガス雰囲気下、またはアンモニア（ＮＨ３）と希ガスとの混合ガス雰囲気下で行うことが
できる。
【００４４】
なお、プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３
以上であり、電子温度が１．５ｅＶ以下のプラズマを用いて行う。より詳しくいうと、電
子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下で、電子温度が０．５ｅＶ
以上１．５ｅＶ以下のプラズマで行う。上記プラズマはプラズマの電子密度が高密度であ
り、基板３０上に形成された被処理物（ここでは、半導体層３２）付近での電子温度が低
いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また、プラズマ
の電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を用いて、被
照射物を酸化または窒化することによって形成される酸化膜または窒化膜は、ＣＶＤ法や
スパッタ法等により形成された膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成
することができる。また、プラズマの電子温度が１．５ｅＶ以下と低いため、従来のプラ
ズマ処理や熱酸化法と比較して低い温度で酸化または窒化処理を行うことができる。例え
ば、ガラス基板の歪点よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十分に酸化
を行うことができる。また、プラズマを形成するための周波数としては、マイクロ波（２
．４５ＧＨｚ）等の高周波を用いることができる。
【００４５】
次に、ゲート絶縁層３３上にゲート電極として機能する導電層３４を形成する（図３（Ｂ
）、（Ｅ））。ここでは、導電層３４は単層で形成した例を示しているが、もちろん導電
性材料を２層又は３層以上の積層で設けた構造としてもよい。なお、ここでは図示しない
が、導電層３４は、ゲート絶縁層３３上を覆って形成された導電層を選択的にエッチング
することにより形成することができる。
【００４６】
また、導電層３４は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニオブ（Ｎｂ）等
から選択された元素またはこれらの元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形
成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素に代表され
る半導体材料により形成することもできる。例えば、導電層３４を第１の導電膜と第２の
導電膜との積層構造とする場合、第１の導電膜として窒化タンタルを用い、第２の導電膜
としてタングステンを用いて形成するとよい。なお、この組み合わせに限られず、導電層
３４を積層して形成する場合には、上記材料を自由に組み合わせて設けることができる。
【００４７】
続いて、導電層３４をマスクとして半導体層３２に不純物元素１２１を導入することによ
って、半導体層３２に不純物領域３２ｂ、３２ｃ及び不純物元素１２１が導入されないチ
ャネル形成領域３２ａを形成する（図３（Ｂ）、（Ｅ））。なお、ここでは、導電層３４
を島状の半導体層３２を横断するように形成した後に不純物元素を導入するため、導電層
３４に覆われていない半導体層３２の領域に不純物が導入されて不純物領域３２ｂ、３２
ｃが形成され、導電層３４に覆われた半導体層３２の領域には不純物元素１２１が導入さ
れないチャネル形成領域３２ａが形成される。
【００４８】
ここで、不純物元素１２１としては、ｎ型を付与する不純物元素又はｐ型を付与する不純
物元素を用いることができる。ｎ型を示す不純物元素としては、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ
）等を用いることができる。ｐ型を示す不純物元素としては、ボロン（Ｂ）やアルミニウ
ム（Ａｌ）やガリウム（Ｇａ）等を用いることができる。例えば、不純物元素１２１とし
て、リン（Ｐ）を１×１０１８〜１×１０２１／ｃｍ３の濃度で含まれるように半導体層
３２に導入し、ｎ型を示す不純物領域３２ｂ、３２ｃを形成すればよい。なお、チャネル
形成領域３２ａとソース領域又はドレイン領域である不純物領域３２ｂ、３２ｃとの間に
、ソース領域又はドレイン領域である不純物領域３２ｂ、３２ｃより低濃度に不純物が添
加された低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）を形成してもよい。低濃度不純物領域を設ける
ことにより、ドレイン端の電界を緩和して、書き込み及び消去の繰り返しによる劣化を抑
制することができる。
【００４９】
また、チャネル形成領域３２ａ中に、不純物領域３２ｂ、３２ｃに添加した不純物とは逆
の導電型を有する不純物元素（例えばｎ型ＴＦＴに対してはボロン）を添加してもよい。
チャネル形成領域３２ａ中に逆導電型の不純物を添加することにより、ＴＦＴのしきい値
電圧を制御することができる。なお、この不純物元素はゲート電極を介してドープするこ
とによって添加してもよいし、ゲート電極形成前に予め添加しておいてもよい。
【００５０】
次に、導電層３４、ゲート絶縁層３３を覆うように絶縁層２０３を形成する（図３（Ｃ）
、（Ｆ））。続いて、絶縁層２０３上に選択的にレジスト２０７を形成する。
【００５１】
その後、ドライエッチングにより絶縁層２０３、ゲート絶縁層３３、及び半導体層３２に
コンタクトホールを形成する（図４（Ａ）、（Ｃ））。次に、絶縁層２０３上にソース電
極又はドレイン電極として機能する導電層２０４を選択的に形成する（図４（Ｂ）、（Ｄ
））。ここで、導電層２０４は、絶縁層２０３、ゲート絶縁層３３、及び半導体層３２に
形成されたコンタクトホールを充填するように形成されている。従って、導電層２０４と
ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域３２ｂ、３２ｃとは、不純物領域
３２ｂ、３２ｃに形成されたコンタクトホールの側面において電気的に接続されるように
設けられている。
【００５２】
ここで、絶縁層２０３は、ＣＶＤ法やスパッタリング法等で形成した、酸化シリコン、酸
化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）（
ｘ＞ｙ＞０）などを用いることができる。また、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフ
ェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料、またはシロキサン樹
脂等のシロキサン材料、オキサゾール樹脂などからなる単層または積層構造で設けること
ができる。なお、シロキサン材料とは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロ
キサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基とし
て、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。
置換基として、フルオロ基を用いることもできる。オキサゾール樹脂は、例えば、感光性
ポリベンゾオキサゾール等である。感光性ポリベンゾオキサゾールは、誘電率が低く（常
温１ＭＨｚで誘電率２．９）、耐熱性が高く（示差熱熱重量同時測定（ＴＧ／ＤＴＡ：Ｔ
ｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎａ
ｌｙｓｉｓ）で昇温５℃／ｍｉｎで熱分解温度５５０℃）、吸水率が低い（常温２４時間
で０．３％）材料である。オキサゾール樹脂は、ポリイミド等の比誘電率（３．２〜３．
４程度）と比較すると、比誘電率が低いため（２．９程度）、寄生容量の発生を抑制し、
高速動作を行うことができる。ここでは、絶縁層２０３として、ＣＶＤ法で形成した酸化
シリコン、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ＞０）又は窒化酸化シリコン（Ｓ
ｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ＞０）を単層又は積層して形成する。また、さらに、ポリイミド、
ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機
材料、シロキサン樹脂等のシロキサン材料、又はオキサゾール樹脂を積層して形成しても
よい。
【００５３】
また、導電層２０４は、アルミニウム、タングステン、チタン、タンタル、モリブデン、
ニッケル、ネオジムから選ばれた一種の元素または当該元素を複数含む合金からなる単層
構造または積層構造を用いることができる。例えば、当該元素を複数含む合金からなる導
電膜として、チタンを含有したアルミニウム合金、ネオジムを含有したアルミニウム合金
などで形成することができる。また、積層構造で設ける場合、例えば、アルミニウム層若
しくは前記したようなアルミニウム合金層を、チタン層で挟んで積層させた構造としても
良い。
【００５４】
以上の工程により、薄膜トランジスタ２０５を含む半導体装置を作製することができる。
【００５５】
本実施の形態において、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタク
トホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成さ
れたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとる
ことができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。
【００５６】
また、半導体層のチャネル形成領域の端部に選択的に厚く絶縁層を設けてもよい。そうす
ることで、半導体層のチャネル形成領域の端部における電界集中を緩和することができる
。従って、ゲートリーク不良を低減し、ゲート電極の耐圧を向上させることが可能となる
。
【００５７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１とは異なる半導体装置の構成及び作製方法について説明する。
【００５８】
図５は本実施の形態に係る半導体装置の構成を説明するための上面図及び断面図である。
図５（Ａ）は、薄膜トランジスタの上面図を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡとＢとを
結ぶ破線における断面図を示し、図５（Ｃ）は図５（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線における
断面図を示している。
【００５９】
本実施の形態に示す半導体装置は、基板３０上に絶縁層３１を介して島状に設けられた半
導体層３２と、半導体層３２上に形成されたゲート絶縁層３３と、半導体層３２の上方に
ゲート絶縁層３３を介して設けられたゲート電極として機能する導電層３４と、を含む薄
膜トランジスタ２０５と、ゲート絶縁層３３及び導電層３４を覆って設けられた絶縁層２
０３と、絶縁層２０３上に設けられたソース電極又はドレイン電極として機能する導電層
２０４とを有している（図５（Ａ）〜（Ｃ））。なお、半導体層３２は、チャネル形成領
域３２ａとソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域３２ｂ、３２ｃとに加
えて、半導体層３２の端部、ここでは導電層３４の下方のチャネル形成領域３２ａに接し
た部分に形成された絶縁層３６とを有している。なお、チャネル形成領域３２ａ中に、不
純物領域３２ｂ、３２ｃに添加した不純物とは逆の導電型の不純物が添加されていてもよ
い。
【００６０】
本実施の形態に示す半導体装置は、絶縁層２０３及び半導体層３２の不純物領域３２ｂ、
３２ｃ、絶縁層３１ｂをエッチングして、絶縁層３１ａに達するコンタクトホールを形成
し、該コンタクトホールを充填するように導電層２０４を形成している。つまり、本実施
の形態において、導電層２０４と不純物領域３２ｂ、３２ｃとは、不純物領域３２ｂ、３
２ｃに形成されたコンタクトホールの側面において電気的に接続されている。
【００６１】
次に、図５（Ａ）のＡとＢとを結ぶ破線での断面における作製工程を図６（Ａ）〜（Ｂ）
を用いて、図５（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線での断面における作製工程を図６（Ｃ）〜（
Ｄ）を用いて説明する。
【００６２】
まず、実施の形態１と同様に、基板３０上に絶縁層３１ａ、３１ｂを形成し、絶縁層３１
ｂ上に半導体層３２、絶縁層３６及びゲート絶縁層３３を形成し、ゲート絶縁層３３上に
ゲート電極として機能する導電層３４を形成し、導電層３４上に絶縁層２０３を形成する
（図６（Ａ）、（Ｃ））。ここで、絶縁層２０３上にはレジスト２０７が形成されている
。
【００６３】
続いて、レジスト２０７をマスクとして絶縁層２０３、ゲート絶縁層３３、半導体層３２
、及び絶縁層３１ｂをエッチングして、絶縁層３１ａに達するコンタクトホールを形成す
る（図６（Ｂ）、（Ｄ））。
【００６４】
続いて、レジスト２０７を除去する。以降の工程は、実施の形態１と同様にコンタクトホ
ールを充填するように導電層２０４を形成することによって図５に示す半導体装置を作製
することができる。
【００６５】
本実施の形態において、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタク
トホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成さ
れたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとる
ことができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。
【００６６】
また、半導体層のチャネル形成領域の端部に選択的に厚く絶縁層を設けてもよい。そうす
ることで、半導体層のチャネル形成領域の端部における電界集中を緩和することができる
。従って、ゲートリーク不良を低減し、ゲート電極の耐圧を向上させることが可能となる
。
【００６７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図１又は図５とは異なる半導体装置の構成及び作製方法について説明
する。
【００６８】
図７は本実施の形態に係る半導体装置の構成を説明するための上面図及び断面図である。
図７（Ａ）は、薄膜トランジスタの上面図を示し、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡとＢとを
結ぶ破線における断面図を示し、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線における
断面図を示している。
【００６９】
本実施の形態の半導体装置は図７に示すように、図５に示す構成と導電層２０４が充填さ
れるコンタクトホールの形状が異なっている。つまり、本実施の形態に示す半導体装置に
おいて、絶縁層２０３、半導体層３２の不純物領域３２ｂ、３２ｃ、絶縁層３１ｂをエッ
チングして形成された絶縁層３１ａに達するコンタクトホールは、半導体層３２の表面の
一部（不純物領域３２ｂ、３２ｃ）も露出するように形成されている。従って、本実施の
形態において、導電層２０４と不純物領域３２ｂ、３２ｃとは、不純物領域３２ｂ、３２
ｃに形成されたコンタクトホールの側面及び不純物領域３２ｂ、３２ｃの表面において電
気的に接続されている。なお、本実施の形態において、絶縁層３１ｂにもコンタクトホー
ルを形成しているが、絶縁層３１ｂにはコンタクトホールを形成せず、絶縁層３１ｂの表
面が露出するようにコンタクトホールを形成してもよい。
【００７０】
次に、図７（Ａ）のＡとＢとを結ぶ破線での断面における作製工程を図８（Ａ）〜（Ｃ）
、図９（Ａ）〜（Ｂ）を用いて、図７（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線での断面における作製
工程を図８（Ｄ）〜（Ｆ）、図９（Ｃ）〜（Ｄ）を用いて説明する。
【００７１】
まず、実施の形態１と同様に、基板３０上に絶縁層３１ａ、３１ｂを形成し、絶縁層３１
ｂ上に半導体層３２、絶縁層３６及びゲート絶縁層３３を形成し、ゲート絶縁層３３上に
ゲート電極として機能する導電層３４を形成し、導電層３４上に絶縁層２０３を形成する
（図８（Ａ）、（Ｄ））。ここで、絶縁層２０３上にはレジスト２０７が形成されている
。
【００７２】
次に、レジスト２０７をマスクとして絶縁層２０３、ゲート絶縁層３３をドライエッチン
グして、半導体層３２に達するコンタクトホールを形成する（図８（Ｂ）、（Ｅ））。
【００７３】
次に、レジスト２０７をマスクとして、絶縁層２０３、ゲート絶縁層３３をウェットエッ
チングして、絶縁層２０３、ゲート絶縁層３３を外側に後退させる。
【００７４】
次に、レジスト２０７をマスクとして半導体層３２及び絶縁層３１ｂをドライエッチング
して、絶縁層３１ａに達するコンタクトホールを形成する。これにより、不純物領域３２
ｂ、３２ｃの側面及び不純物領域３２ｂ、３２ｃの表面の一部が露出するコンタクトホー
ルを形成することができる。
【００７５】
以降の工程は、実施の形態１又は実施の形態２と同様にコンタクトホールを充填するよう
に導電層２０４を形成することによって図７に示す半導体装置を作製することができる。
【００７６】
次に、図８〜９に示した方法とは異なる作製方法について図１０を用いて説明する。図７
（Ａ）のＡとＢとを結ぶ破線での断面における作製工程を図１０（Ａ）〜（Ｃ）を用いて
、図７（Ａ）のＣとＤとを結ぶ破線での断面における作製工程を図１０（Ｄ）〜（Ｆ）を
用いて説明する。
【００７７】
まず、図８（Ｂ）、（Ｅ）と同様に、基板３０上に絶縁層３１ａ、３１ｂを形成し、絶縁
層３１ｂ上に半導体層３２、絶縁層３６及びゲート絶縁層３３を形成し、ゲート絶縁層３
３上にゲート電極として機能する導電層３４を形成し、導電層３４上に絶縁層２０３を形
成し、絶縁層２０３上に形成されたレジスト２０７をマスクとして絶縁層２０３及びゲー
ト絶縁層３３をドライエッチングしてコンタクトホールを形成する（図１０（Ａ）、（Ｄ
））。
【００７８】
次に、レジスト２０７をドライエッチングしてレジスト２０７を外側に後退させる（図１
０（Ｂ）、（Ｅ））。次に、レジスト２０７をマスクとして、絶縁層２０３、ゲート絶縁
層３３、半導体層３２、絶縁層３１ｂをドライエッチングして、絶縁層３１ａを露出させ
るコンタクトホールを形成する（図１０（Ｃ）、（Ｆ））。これにより、不純物領域３２
ｂ、３２ｃの側面及び不純物領域３２ｂ、３２ｃの表面の一部が露出するコンタクトホー
ルを形成することができる。
【００７９】
以降の工程は、実施の形態１と同様にコンタクトホールを充填するように導電層２０４を
形成することによって図７に示す半導体装置を作製することができる。
【００８０】
本実施の形態において、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタク
トホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、絶縁層２０３と半
導体層３２とによって段差が形成されるため、コンタクトホールの側面における導電層２
０４の被覆性が向上し、導電層２０４の膜厚のばらつきや導電層２０４の断線を防止する
ことができ、コンタクト抵抗のばらつきを抑えることが可能となる。また、半導体層に形
成されたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続を
とることができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができ
る。
【００８１】
また、半導体層のチャネル形成領域の端部に選択的に厚く絶縁層を設けてもよい。そうす
ることで、半導体層のチャネル形成領域の端部における電界集中を緩和することができる
。従って、ゲートリーク不良を低減し、ゲート電極の耐圧を向上させることが可能となる
。
【００８２】
（実施の形態４）
本発明に係る半導体装置は、実施の形態１〜３に示した構成に限らず様々な形状をとるこ
とができる。本実施の形態では、半導体層を部分的にシリサイド化させた薄膜トランジス
タの構成及び作製方法について説明する。図１１に本実施の形態の半導体装置の構成を示
す。図１１（Ａ）は上面図であり、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）の破線ＡＢでの断面図を
示し、図１１（Ｃ）は図１１（Ａ）の破線ＣＤでの断面図を示す。
【００８３】
本実施の形態の半導体装置は、図１１に示すように図１に示す構成に加えて半導体層３２
の表面の一部にシリサイド領域１１０２が形成されている。また、ゲート電極として機能
する導電層３４は、第１の導電層３４ａと第２の導電層３４ｂとの積層構造で形成されて
おり、導電層３４の側壁に絶縁層（サイドウォール絶縁層ともいう）１１０１が形成され
ている。さらに、ソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域（高濃度不純物
領域ともいう）３２ｂ、３２ｃとチャネル形成領域３２ａとの間に、不純物領域３２ｂ、
３２ｃよりも低濃度に不純物が添加された領域（低濃度不純物領域ともいう）３２ｄ、３
２ｅが形成されている。
【００８４】
次に、図１１に示す半導体装置の作製方法を説明する。
【００８５】
まず、実施の形態１と同様に、基板３０上に絶縁層３１ａ、３１ｂを形成し、絶縁層３１
ｂ上に半導体層３２、絶縁層３６及びゲート絶縁層３３を形成し、ゲート絶縁層３３上に
ゲート電極として機能する第１の導電層３４ａ、第２の導電層３４ｂを形成する（図１２
（Ａ））。次に、導電層３４ｂをマスクとした第１の濃度の一導電型を付与する不純物元
素を添加した後、導電層３４ａ及び導電層３４ｂをマスクとした第２の濃度の不純物元素
の添加を行って、自己整合的に一対の高濃度不純物領域３２ｂ、３２ｃと、一対の低濃度
不純物領域３２ｄ、３２ｅと、チャネル形成領域３２ａを形成する。ここで、第１の濃度
の不純物元素及び第２の濃度の不純物元素は、同じ導電型の不純物元素を添加し、例えば
ｐ型を付与する不純物元素であるボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ
）、ｎ型を付与する不純物元素であるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等を添加することができ
る。
【００８６】
なお、チャネル形成領域３２ａにトランジスタの閾値電圧を制御するための一導電型を付
与する不純物元素を添加してもよい。チャネル形成領域３２ａに対する不純物元素の添加
は、導電層３４を形成する前に行うことができる。また、一導電型を付与する不純物元素
を添加した後、熱処理を行って添加した不純物元素を活性化してもよい。熱処理は、レー
ザビームの照射、又はＲＴＡ若しくはファーネスアニール炉を用いて行うことができ、４
００℃乃至７００℃、好ましくは５００℃乃至６５０℃の温度範囲で行えばよい。また、
熱処理は窒素雰囲気下で行うことが好ましい。
【００８７】
次に、導電層３４ａ及び導電層３４ｂの側面と接するサイドウォール絶縁層１１０１を形
成する（図１２（Ｂ））。
【００８８】
サイドウォール絶縁層１１０１は、導電層３４ａ及び導電層３４ｂ上に絶縁層を形成し、
当該絶縁層を垂直方向を主体とした異方性エッチングにより選択的にエッチングすること
により形成することができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法により、酸化シリコ
ン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン等の無機材料、有機樹脂などの
有機材料を用いて単層構造又は積層構造の絶縁層を形成し、当該絶縁層を選択的にエッチ
ングして形成することができる。サイドウォール絶縁層１１０１は、後にシリサイド領域
を形成する際のシリサイド用マスクとして用いる。また、ここでは、サイドウォール絶縁
層１１０１は、導電層３４ａ、３４ｂの側面と接しない面を湾曲状に形成している。なお
、サイドウォール絶縁層１１０１は、ゲート電極を形成する導電層３４ａ及び導電層３４
ｂの側面を完全に覆うように形成されている。
【００８９】
また、本実施の形態において、サイドウォール絶縁層１１０１を形成する際のエッチング
により下層の絶縁層３３もエッチングして、半導体層３２の一部を選択的に露出させてい
る。具体的にはサイドウォール絶縁層１１０１と重ならない領域の高濃度不純物領域３２
ｂ、３２ｃを露出させる。なお、エッチング条件によっては高濃度不純物領域３２ｂ、３
２ｃの上層もエッチングされて膜厚が減少する（膜減りといわれる）ことがある。
【００９０】
次に、半導体層３２の露出した面上に金属層１１０３を形成する（図１２（Ｃ））。
【００９１】
金属層１１０３は、少なくとも露出させた半導体層３２上に形成すればよい。つまり、半
導体層３２においてサイドウォール絶縁層１１０１と重ならない領域に形成する。本実施
の形態では、金属層１１０３は半導体層３２の露出した面のみではなくサイドウォール絶
縁層１１０１や導電層３４も覆うように形成する。金属層１１０３は、半導体層と反応し
てシリサイドを形成する材料を用いて形成する。例えば、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔ
ｉ）、コバルト（Ｃｏ）、又は白金（Ｐｔ）等の金属元素、又は当該金属元素を含む合金
材料を用いることができる。金属層１１０３は、これらの材料を用いてスパッタリング法
、蒸着法、めっき法等により形成する。なお、金属層１１０３の膜厚は、形成したいシリ
サイド領域の膜厚により適宜選択する必要がある。本実施の形態では、金属層１１０３と
して、膜厚１０ｎｍのニッケル層を形成する。なお、金属層１１０３を形成する際に、露
出させた半導体層３２上に自然酸化膜が形成されている場合は、自然酸化膜を除去してか
ら金属層１１０３を形成するとよい。
【００９２】
次に、半導体層３２の一部にシリサイド領域１１０２を形成する（図１２（Ｄ））。
【００９３】
シリサイド領域１１０２は、熱処理を行うことにより、半導体層３２及び金属層１１０３
が接する領域が反応して形成される。また、シリサイド領域１１０２は、金属層１１０３
が接する領域の半導体層３２の一部がシリサイド化して形成される。このとき、半導体層
３２に形成された高濃度不純物領域３２ｂ、３２ｃは、その一部がシリサイド化されて領
域が減少する。なお、高濃度不純物領域の一部にシリサイド領域が形成されるともいえる
。例えば、金属層１１０３としてニッケルを形成した場合はシリサイド領域１１０２とし
てニッケルシリサイドが形成される。同様に、金属層１１０３としてチタン、コバルト、
又は白金を形成した場合は、それぞれシリサイド領域１１０２としてチタンシリサイド、
コバルトシリサイド、白金シリサイドが形成される。
【００９４】
熱処理は、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いて行うことができる。具体的には、３
００℃乃至７００℃の温度範囲で、１０秒乃至１時間、好ましくは２０秒乃至３０分の範
囲で行うとよい。本実施の形態では、５５０℃３０秒の熱処理を行って、ニッケルシリサ
イドでなるシリサイド領域１１０２を形成する。
【００９５】
図１２（Ｄ）では、シリサイド領域１１０２を、半導体層３２においてチャネル形成領域
３２ａが形成されている領域の膜厚未満となるように形成する。つまり、サイドウォール
絶縁層１１０１と重ならない領域の半導体層３２において、該領域における半導体層３２
の絶縁層３１ｂと接する側に高濃度不純物３２ｂ、３２ｃが形成され、高濃度不純物３２
ｂ、３２ｃの上層に接してシリサイド領域１１０２が形成される。
【００９６】
なお、シリサイド領域１１０２の形状、膜厚等は、反応させる金属層１１０３の膜厚、熱
処理の温度、熱処理の時間等を適宜制御することにより、選択することができる。例えば
、図１３（Ｂ）に示すように、サイドウォール絶縁層１１０１と重ならない領域の半導体
層３２において、該領域における半導体層３２の一部又は全体に、上面から下面までの全
体をシリサイド化したシリサイド領域１１０２を形成してもよい。ここで上面とは半導体
層３２においてシリサイド化のための金属層が形成される面側であり、下面とは絶縁層３
１ｂと接する面側である。なお、上面から下面までの全体をシリサイド化する場合、サイ
ドウォール絶縁層１１０１の下には高濃度不純物領域が形成されるようにする。なお、本
発明は特に限定されず、シリサイド領域の一部が、サイドウォール絶縁層１１０１下の半
導体層３２（但し、チャネル形成領域３２ａは除く）まで形成されていてもよい。
【００９７】
なお、半導体層３２と金属層１１０３とを反応させた後に未反応の金属層が残存する場合
は未反応の金属層を除去する。ここでは、図示しないが絶縁層３６、サイドウォール絶縁
層１１０１、導電層３４ｂ及び絶縁層３１ｂ上に形成された金属層１１０３を除去する。
また、形成されたシリサイド領域１１０２上に未反応の金属層が残存する場合は、その残
存する金属層も除去する。未反応の金属層除去は、ウェットエッチングやドライエッチン
グを用いることができる。このとき、エッチングガス又はエッチング溶液としては、未反
応の金属層と他の層（例えば、絶縁層３６、サイドウォール絶縁層１１０１、導電層３４
ｂ、絶縁層３１ｂ及びシリサイド領域１１０２）とのエッチング選択比が十分にとれるも
のを用いる。つまり、金属層に対するエッチングレートが高く、他の層に対するエッチン
グレートが低いものを用いればよい。例えば、金属層１１０３としてニッケルを用いて形
成した場合、塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ３）及び純水（Ｈ２Ｏ）の混合溶液を用いた
ウェットエッチングにより除去することができる。例えば、溶液の混合比は、ＨＣｌ：Ｈ
ＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝３：２：１とすることができる。
【００９８】
なお、本実施の形態において、半導体層３２端部の側面と接して絶縁層３６が形成されて
いるため、未反応の金属層をエッチング除去する際に、半導体層３２の側面がエッチング
されるのを防ぐことができる。
【００９９】
なお、シリサイド領域を形成する場合には、シリサイド領域及びゲート電極を形成する導
電層とが接しないようにする必要がある。これは、シリサイド領域及びゲート電極が接し
てしまうと、ゲート電極と、ソース領域又はドレイン領域がショートしてスイッチング特
性（オンオフ比）が取れなくなり、半導体装置として動作することができなくなるからで
ある。したがって、本実施の形態では、ゲート電極を形成する導電層３４ａ、３４ｂの幅
をゲート絶縁層として機能する絶縁層３３よりも狭くし、サイドウォール絶縁層１１０１
の端部を絶縁層３３の端部と略一致するようにする。
【０１００】
次に、基板３０上に設けられた絶縁層や導電層等を覆うように絶縁層２０３を形成する（
図１３（Ａ））。
【０１０１】
以降の工程は、実施の形態１と同様に絶縁層２０３及び半導体層３２に、絶縁層３１ｂに
達するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを充填するように導電層２０４を形
成することにより、図１１又は図１３（Ａ）に示す半導体装置を作製することができる。
【０１０２】
本実施の形態の半導体装置は、図１１〜図１３に示すものに限られず、図１４〜図１５に
示すような形状としてもよい。
【０１０３】
図１４（Ａ）に示す半導体装置は、図１３（Ａ）に示す構成と導電層２０４が充填される
コンタクトホールの形状が異なっている。つまり、図１４（Ａ）に示す半導体装置におい
て、導電層２０４が充填されるコンタクトホールは、絶縁層２０３、半導体層３２の不純
物領域３２ｂ、３２ｃ、絶縁層３１ｂをエッチングして形成された絶縁層３１ａに達する
ように形成されている。従って、本実施の形態において、導電層２０４と不純物領域３２
ｂ、３２ｃとは、不純物領域３２ｂ、３２ｃに形成されたコンタクトホールの側面におい
て電気的に接続されている。図１４（Ａ）に示すコンタクトホールは、実施の形態３と同
様に行うことにより形成することができる。なお、図１４（Ａ）に示すものに限られず、
図１４（Ｂ）に示すように半導体層３２の一部又は全体に、上面から下面までの全体をシ
リサイド化したシリサイド領域１１０２を形成してもよい。
【０１０４】
また、図１５（Ａ）に示す半導体装置は、図１３（Ａ）に示す構成と導電層２０４が充填
されるコンタクトホールの形状が異なっている。つまり、本実施の形態に示す半導体装置
において、絶縁層２０３、半導体層３２の不純物領域３２ｂ、３２ｃ、絶縁層３１ｂをエ
ッチングして形成された絶縁層３１ａに達するコンタクトホールは、半導体層３２の表面
の一部（不純物領域３２ｂ、３１ｃ）も露出するように形成されている。従って、本実施
の形態において、導電層２０４と不純物領域３２ｂ、３２ｃとは、不純物領域３２ｂ、３
２ｃに形成されたコンタクトホールの側面及び不純物領域３２ｂ、３２ｃの表面において
電気的に接続されている。なお、本実施の形態において、絶縁層３１ｂにもコンタクトホ
ールを形成しているが、絶縁層３１ｂにはコンタクトホールを形成せず、絶縁層３１ｂの
表面が露出するようにコンタクトホールを形成してもよい。図１５（Ａ）に示すコンタク
トホールは、実施の形態３と同様に行うことにより形成することができる。なお、図１５
（Ａ）に示すものに限られず、図１５（Ｂ）に示すように半導体層３２の一部又は全体に
、上面から下面までの全体をシリサイド化したシリサイド領域１１０２を形成してもよい
。
【０１０５】
本実施の形態において、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタク
トホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成さ
れたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとる
ことができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。
【０１０６】
（実施の形態５）
実施の形態１〜４で説明した半導体装置は、単結晶シリコン基板上に酸化シリコンでなる
酸化膜を形成し、酸化膜上に形成された単結晶半導体薄膜を活性層として用いることがで
きる。本実施の形態では、ＳＩＭＯＸと呼ばれるＳＯＩ技術を用いた半導体装置について
説明する。
【０１０７】
まず、単結晶シリコン層の形成材料となる単結晶シリコン基板６０１を用意する（図１６
（Ａ））。ここではＰ型の単結晶シリコン基板を用いる場合を説明するがＮ型の単結晶シ
リコン基板であってもよい。もちろん、単結晶シリコンゲルマニウム基板を用いることも
できる。
【０１０８】
続いて、単結晶シリコン基板６０１に対して酸素イオンを添加し、所定の深さに酸素含有
層６０２を形成する（図１６（Ｂ））。酸素イオンは、例えば１×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ２程度のドーズ量で添加すれば良い。なお、酸素含有層６０２が形成される深さ（単
結晶シリコン基板６０１の主表面と酸素含有層６０２との間の距離）は、後に形成される
ＴＦＴの活性層として機能する単結晶シリコン層の膜厚となる。
【０１０９】
次に、８００〜１２００℃の温度で熱処理を行い、酸素含有層６０２を埋め込み絶縁層６
０３に変化させる。酸素含有層６０２の深さ方向の幅は、イオン添加時の酸素イオンの分
布で決まっている。酸素イオンの濃度が単結晶シリコン基板６０１から酸素含有層６０２
に向かって減少していくため、単結晶シリコン基板６０１と埋め込み絶縁層６０３との界
面は不明確であるが、この熱処理工程により単結晶シリコン基板６０１と埋め込み絶縁層
６０３との界面は明確なものとなる（図１６（Ｂ）、（Ｃ））。
【０１１０】
この埋め込み絶縁層６０３の膜厚は１０〜５００ｎｍ（代表的には２０〜５０ｎｍ）とす
る。本実施の形態では、単結晶シリコン基板６０１と埋め込み絶縁層６０３の界面が安定
に接合されているため、２０〜５０ｎｍといった薄い埋め込み絶縁層を形成することがで
きる。
【０１１１】
こうして埋め込み絶縁層６０３が形成されると、埋め込み絶縁層６０３の上には部分的に
単結晶シリコン基板の一部が残存し、単結晶シリコン層６０４が形成される。なお、単結
晶シリコン層６０４の膜厚は１０〜２００ｎｍ（好ましくは１０〜５０ｎｍ、更に好まし
くは１０ｎｍ〜３０ｎｍ）となる様に、酸素含有層６０２が形成される深さを調節すれば
よい。
【０１１２】
次に、単結晶シリコン層６０４上に選択的にレジストを形成して、単結晶シリコン層６０
４を選択的にエッチングすることにより、後に形成されるＴＦＴの活性層となる島状の単
結晶シリコン層６０５を形成する。なお、本実施の形態では一つの島状の単結晶シリコン
層しか記載していないが、同一基板上に複数個が形成されていてもよい。（図１６（Ｄ）
）
【０１１３】
以降の工程は、実施の形態１〜４と同様に行うことにより、本発明に係る半導体装置を作
製することができる。
【０１１４】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため
、コンタクトホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体
層に形成されたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な
接続をとることができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製すること
ができる。また、本実施の形態に係る半導体装置は、活性層として単結晶半導体層を用い
るため、更に特性を向上させることができる。
【０１１５】
（実施の形態６）
本実施の形態では、単結晶シリコン基板上に酸化シリコンでなる酸化膜を形成し、酸化膜
上に形成された単結晶半導体薄膜を活性層として用いる半導体装置について説明する。本
実施の形態では、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ法を用いて形成されるＳＯＩ基板を用いた半導体装
置について説明する。
【０１１６】
まず、単結晶シリコン層の形成材料となる単結晶シリコン基板８０１を用意する。ここで
はＰ型の単結晶シリコン基板を用いる場合を説明するがＮ型の単結晶シリコン基板であっ
てもよい。もちろん、単結晶シリコンゲルマニウム基板を用いることもできる。
【０１１７】
次いで熱酸化処理を行い、その主表面（素子形成面に相当する）に酸化シリコン膜８０２
を形成する。膜厚は実施者が適宜決定すれば良いが、１０〜５００ｎｍ（代表的には２０
〜５０ｎｍ）とすれば良い。この酸化シリコン膜８０２は後にＳＯＩ基板の埋め込み絶縁
層の一部として機能する（図１７（Ａ））。
【０１１８】
次に、単結晶シリコン基板８０１の主表面側から酸化シリコン膜８０２を通して水素イオ
ンを添加して水素含有層８０３を形成する（図１７（Ｂ））。なお、水素含有層８０３が
形成される深さ（単結晶シリコン基板８０１の主表面と水素含有層８０３との間の距離）
は、後にＴＦＴの活性層として機能する単結晶シリコン層の膜厚となる。例えば、単結晶
シリコン基板８０１の主表面と水素含有層８０３との間に５０ｎｍ厚の単結晶シリコン層
が残る様に、イオンインプランテーション法を用いて水素イオンを１×１０１６〜１×１
０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量で添加することができる。
【０１１９】
次に、単結晶シリコン基板８０１と支持基板とを貼り合わせる。本実施の形態では支持基
板として単結晶シリコン基板８０４を用い、その表面には貼り合わせ用の酸化シリコン膜
８０５を設けておく（図１７（Ｃ））。なお、単結晶シリコン基板８０４のかわりに、Ｆ
Ｚ法で形成されたシリコン基板、多結晶シリコン基板等を用いてもよい。また、石英基板
、セラミックス基板、結晶化ガラス基板などの高耐熱性基板を用いてもよい。
【０１２０】
この時、貼り合わせ界面は親水性の高い酸化シリコン膜同士となるので、両表面に含まれ
た水分の反応により接着される。
【０１２１】
次に、４００〜６００℃（例えば５００℃）の熱処理（第１熱処理）を行う。この熱処理
により水素含有層８０３では微小空孔の体積変化が起こり、水素含有層８０３に沿って破
断面が発生する。これにより単結晶シリコン基板８０１は分断され、支持基板の上には酸
化シリコン膜８０２と単結晶シリコン層８０６が残される（図１７（Ｄ））。
【０１２２】
次に、第２熱処理工程として１０５０〜１１５０℃（例えば１１００℃）の温度範囲でフ
ァーネスアニール工程を行う。この工程では貼り合わせ界面において、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結
合の応力緩和が起こり、貼り合わせ界面が安定化する。即ち、単結晶シリコン層８０６を
支持基板上に完全に接着させるための工程となる。こうして貼り合わせ界面が安定化する
ことで埋め込み絶縁層８０７が形成される（図１７（Ｅ））。なお、本実施の形態では、
水素含有層８０３を形成し、水素含有層８０３に沿って破断面を発生させて薄膜の単結晶
シリコン層８０６を形成しているが、これに限られるものではなく、水素含有層８０３を
設けずに単結晶シリコン基板８０１を研磨することにより薄膜の単結晶シリコン層８０６
を形成してもよい。
【０１２３】
次に、単結晶シリコン層８０６の表面を平坦化する処理を行ってもよい。平坦化にはＣＭ
Ｐ（ケミカルメカニカルポリッシング）と呼ばれる研磨工程や還元雰囲気中で高温（９０
０〜１２００℃程度）のファーネスアニール処理を行えば良い。
【０１２４】
最終的な単結晶シリコン層８０６の膜厚は１０〜２００ｎｍ（好ましくは１０〜５０ｎｍ
、更に好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍ）とすれば良い。
【０１２５】
次に、単結晶シリコン層８０６上に選択的にレジストを形成して、単結晶シリコン層８０
６を選択的にエッチングすることにより、後に形成されるＴＦＴの活性層となる島状の単
結晶シリコン層８０８を形成する。なお、本実施の形態では一つの島状の単結晶シリコン
層しか記載していないが、同一基板上に複数の島状の単結晶シリコン層が形成されていて
もよい。（図１７（Ｆ））
【０１２６】
以降の工程は、実施の形態１〜４と同様に行うことにより、本発明に係る半導体装置を作
製することができる。
【０１２７】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため
、コンタクトホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体
層に形成されたコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な
接続をとることができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製すること
ができる。また、本実施の形態に係る半導体装置は、活性層として単結晶半導体層を用い
るため、更に特性を向上させることができる。
【０１２８】
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した半導体装置とエレクトロルミネッセンス素子
（以下、「ＥＬ素子」ともいう。）を有する表示装置（ＥＬ表示装置）を作製する方法に
ついて説明する。なお、本実施の形態において用いることが可能な半導体装置は実施の形
態１に示すものに限られず、実施の形態２〜６で説明した半導体装置を用いてもよい。
【０１２９】
本実施の形態では、エレクトロルミネッセンス素子からの光を第１の電極１１０側から取
り出す構造にするため、透光性を有する膜を用いて第１の電極１１０を形成する。本実施
の形態では、酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）を第１の電極１１０として
用いる。
【０１３０】
まず、図１８に示すように、実施の形態１と同様にＴＦＴ１７０１〜１７０３と、ＴＦＴ
１７０１〜１７０３を覆う絶縁層１７１０と、ＴＦＴ１７０１〜１７０３のソース領域又
はドレイン領域と電気的に接続する配線１７０４〜１７０９を形成する。次に、配線１７
０４〜１７０９を覆うように絶縁層１０９を形成し、絶縁層１０９上に配線１７０９と電
気的に接続する第１の電極１１０を形成する。次に、第１の電極１１０の端部及び絶縁層
１０９を覆うように絶縁膜１１１（バンク、隔壁、障壁、土手などとも呼ばれる。）を形
成する。
【０１３１】
絶縁膜１１１としては、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化ア
ルミニウム、酸窒化アルミニウムその他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、メタクリル
酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、芳香族ポリアミド、ポ
リベンゾイミダゾール（ｐｏｌｙｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）などの耐熱性高分子、又
は珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサン、珪
素に結合されている水素がメチルやフェニルのような有機基に置換された有機シロキサン
系の絶縁性材料を用いることができる。アクリル、ポリイミド等の感光性、非感光性の材
料を用いて形成してもよい。本実施の形態では、感光性ポリイミドを用いて、平坦な領域
で膜厚が１．５μｍとなるように絶縁膜１１１を形成する。
【０１３２】
また、絶縁膜１１１は曲率半径が連続的に変化する形状が好ましく、絶縁膜１１１上に形
成される電界発光層１１２（有機化合物を含む層）、第２の電極１１３の被覆性を向上さ
せることができる。
【０１３３】
また、信頼性をさらに向上させるために、電界発光層１１２を形成する前に第１の電極１
１０及び絶縁膜１１１に対して、高密度プラズマ装置を用いて窒化処理又は酸化処理を行
うとよい。第１の電極１１０を高密度プラズマ装置を用いて窒化又は酸化することで、電
極の表面改質の際のプラズマダメージが少なく、より欠陥の少ない表面を得ることができ
るため、本実施の形態の発光素子による表示は高精細で表示ムラが少ない。さらに、絶縁
膜１１１を窒化した場合、絶縁膜１１１の表面が改質され、絶縁膜内部への水分の吸収を
抑えることができる。また、絶縁膜１１１を酸化した場合、膜が強固になり、有機ガスの
放出を抑えることができる。本実施の形態では、高密度プラズマ装置を用いることでプラ
ズマダメージの少ない処理を行うことが可能である。ここで、絶縁膜１１１表面に対して
、酸化処理を行うか、窒化処理を行うかは絶縁膜の材料及び効果を考えて適宜選択すれば
よい。
【０１３４】
次に、第１の電極１１０上に電界発光層１１２を形成する。なお、図１８では１画素しか
図示していないが、本実施の形態では赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に対応した電
界発光層を作り分けている。本実施の形態では電界発光層１１２として、赤（Ｒ）、緑（
Ｇ）、青（Ｂ）の発光を示す材料を、蒸着マスクを用いた蒸着法によって、それぞれ選択
的に形成する。赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光を示す材料は、蒸着マスクを
用いた蒸着法によってそれぞれ選択的に形成する方法や、液滴吐出法により形成すること
ができる。液滴吐出法の場合、マスクを用いずにＲＧＢの塗り分けを行うことができると
いう利点がある。本実施の形態では、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を示す材料を
蒸着法によってそれぞれ形成する。
【０１３５】
なお、ＥＬの蒸着前に、不活性ガスを主成分とし、酸素の濃度が５％以下且つ水の濃度が
１％以下とする雰囲気で加熱処理を行い、水分などを除去することが好ましい。本実施の
形態では、３００℃で１時間加熱処理を行う。
【０１３６】
次に、電界発光層１１２の上に導電膜からなる第２の電極１１３を形成する。第２の電極
１１３としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金
ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いればよい。こ
うして第１の電極１１０、電界発光層１１２及び第２の電極１１３からなる発光素子が形
成される。
【０１３７】
図１８に示す表示装置において、発光素子から発した光は、基板１０１と第１の電極１１
０の間に形成された膜を透過して第１の電極１１０側から矢印の方向に射出される。
【０１３８】
また、第２の電極１１３を覆うようにしてパッシベーション膜を設けることは有効である
。パッシベーション膜としては、窒化珪素、酸化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）、窒化
酸化珪素（ＳｉＮＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ
）、窒素含有量が酸素含有量よりも多い窒化酸化アルミニウム（ＡｌＮＯ）または酸化ア
ルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、窒素含有炭素膜（ＣＮ）を含む絶
縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層を用いることができる。また、
シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成されるシロキサンを用いてもよ
い。シロキサンは、置換基として少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香
族炭化水素）が用いられる。また、置換基としてフルオロ基、又は少なくとも水素を含む
有機基とフルオロ基とを用いてもよい。
【０１３９】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜
、特にＤＬＣ膜を用いることは有効である。ＤＬＣ膜は室温から１００℃以下の温度範囲
で成膜可能であるため、耐熱性の低い電界発光層１１２の上方にも容易に成膜することが
できる。また、ＤＬＣ膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、電界発光層１１２の酸
化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に電界発光層
１１２が酸化するといった問題を防止することができる。
【０１４０】
次に、発光素子が形成された基板１０１と、封止基板とをシール材によって固着し、発光
素子を封止する。断面からの水分の侵入がシール材によって遮断されるので、発光素子の
劣化が防止でき、表示装置の信頼性が向上する。なお、シール材で囲まれた領域には充填
材を充填してもよく、窒素雰囲気下で封止することによって、窒素等を封入してもよい。
また充填材は、液状の状態で滴下し、表示装置内に充填することもできる。本実施の形態
は、下面射出型のため、透光性を有する充填材を使用する必要はないが、充填材を透過し
て光を取り出す構造の場合は、透光性を有す材料を用いて充填材を形成する必要がある。
充填材の一例としては、可視光硬化、紫外線硬化または熱硬化のエポキシ樹脂が挙げられ
る。以上の工程において、発光素子を有する表示装置が完成する。
【０１４１】
また、素子の水分による劣化を防ぐためにＥＬ表示パネル内に乾燥剤を設置することが好
ましい。本実施の形態では、画素領域を取り囲むように封止基板に形成された凹部に乾燥
剤を設置し、薄型化を妨げない構成とする。また、ゲート配線層に対応する領域にも乾燥
剤を設置することにより吸水面積を広く取ることができ、吸水効果が高い。また、直接発
光しないゲート配線層上に乾燥剤を形成しているので、光取り出し効率を低下させること
もない。
【０１４２】
なお、発光素子を封止する処理とは、発光素子を水分から保護するための処理であり、カ
バー材で機械的に封入する方法、熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂で封入する方法、金
属酸化物や窒化物等のバリア能力が高い薄膜により封止する方法のいずれかを用いる。封
止基板又はカバー材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用い
ることができるが、カバー材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また
、カバー材と上記発光素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂等の
シール材を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて
密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けること
も有効である。この吸湿材は、シール材の上に接して設けても良いし、発光素子よりの光
を妨げないような、隔壁の上や周辺部に設けても良い。さらに、カバー材と発光素子の形
成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能で
ある。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表され
る吸湿材を添加しておくことは有効である。
【０１４３】
本実施の形態で示すＴＦＴ１７０１〜１７０３は実施の形態１〜６のいずれかの方法で作
製されており、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタクトホール
形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成されたコン
タクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとることがで
きるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。従って、
特性のよいＥＬ表示装置を容易に作製することができる。
【０１４４】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態１で作製した半導体装置を用いて、透過型液晶表示装置を
作製する方法について説明する。もちろん、実施の形態２〜６で作製した半導体装置を用
いることもできる。
【０１４５】
まず、実施の形態１と同様にＴＦＴ１７０１〜１７０３と、ＴＦＴ１７０１〜１７０３を
覆う絶縁層１７１０と、ＴＦＴ１７０１〜１７０３のソース領域又はドレイン領域と電気
的に接続する配線１７０４〜１７０９を形成する（図１９）。次に、配線１７０４〜１７
０９を覆うように絶縁層１０９を形成し、絶縁層１０９上に配線１７０９と電気的に接続
する第１の電極１１０を形成する。本実施の形態では、第１の電極１１０の材料として、
酸化珪素を含む酸化インジウムスズ（ＩＴＳＯ）を用いる。次に、図１９に示すように、
絶縁層１０９及び第１の電極１１０上に配向膜１８０１を形成する。本実施の形態では、
配向膜１８０１にポリイミドを用いた。次に対向基板１８０２を用意する。対向基板１８
０２は、ガラス基板１８０３、透明導電膜からなる対向電極１８０４、配向膜１８０５と
で構成される。
【０１４６】
次に、上記工程により得たＴＦＴ基板１８０６と対向基板１８０２とをシール材を介して
貼り合わせる。ここで、両基板の間隔を一定に保つために、配向膜１８０１と配向膜１８
０５との間にスペーサを設けても良い。その後、両基板の間に液晶１８０７を注入し、封
止材によって封止することで図１９に示すような透過型液晶表示装置が完成する。
【０１４７】
なお、本実施の形態においては透過型の液晶表示装置について説明したが、本発明の液晶
表示装置はこれに限定されない。第１の電極１１０として反射性を有する電極を用いたり
、第１の電極１１０の上面又は下面に反射膜を設けることで、反射型液晶表示装置に用い
ることができる。また、半透過型液晶表示装置に用いてもよい。
【０１４８】
本実施の形態で示すＴＦＴ１７０１〜１７０３は実施の形態１〜６のいずれかの方法で作
製されており、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタクトホール
形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成されたコン
タクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとることがで
きるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。従って、
特性のよい液晶表示装置を容易に作製することができる。
【０１４９】
（実施の形態９）
本実施の形態では、実施の形態１〜６で説明した薄膜トランジスタ、記憶素子およびアン
テナを含む本発明の半導体装置の作製方法について、図面を参照して説明する。
【０１５０】
本実施の形態で示す半導体装置を図２０に示す。なお、図２０（Ａ）は本実施の形態で示
す半導体装置の上面構造の一例を示し、図２０（Ａ）の断面構造の一部を図２０（Ｂ）に
示している。
【０１５１】
本実施の形態において、半導体装置１２００は集積回路部１２０１、メモリ部１２０２、
アンテナ１２０３を有している（図２０（Ａ））。なお、図２０（Ｂ）において、領域１
２０４は図２０（Ａ）の集積回路部１２０１の断面構造の一部に対応し、領域１２０５は
図２０（Ａ）のメモリ部１２０２の断面構造の一部に対応し、領域１２０６は図２０（Ａ
）のアンテナ１２０３の断面構造の一部に対応している。
【０１５２】
本実施の形態の半導体装置は、図２０（Ｂ）に示すように第１の基体７７５上に絶縁層７
０３を介して設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７４４〜７４８と、薄膜トランジス
タ７４４〜７４８上に設けられた絶縁膜７５０と、当該絶縁膜７５０上に設けられたソー
ス電極又はドレイン電極として機能する導電膜７５２〜７６１とを有する。また、絶縁膜
７５０及び導電膜７５２〜７６１上に設けられた絶縁膜７６２と、絶縁膜７６２上に設け
られた導電膜７６３〜７６５と、絶縁膜７６２及び導電膜７６３〜７６４の一部を覆うよ
うに設けられた絶縁膜７６６と、絶縁膜７６６上に設けられた記憶素子部７８９、７９０
と、導電膜７６５上に設けられたアンテナとして機能する導電層７８６と、絶縁膜７６６
、導電膜７７１及びアンテナとして機能する導電層７８６を覆うように設けられた絶縁膜
７７２と、絶縁膜７７２上に設けられた第２の基体７７６を有している。なお、第１の基
体７７５及び第２の基体７７６とによって、半導体装置の集積回路部１２０１、メモリ部
１２０２、アンテナ１２０３は封止されている。
【０１５３】
本実施の形態で示す薄膜トランジスタ７４４〜７４８は実施の形態１〜６のいずれかの方
法で作製されており、半導体膜の表面でエッチングを止める必要がないため、コンタクト
ホール形成時のエッチングの制御を容易に行うことができる。また、半導体層に形成され
たコンタクトホールの側面においてソース電極又はドレイン電極と電気的な接続をとるこ
とができるため、特性の劣化が抑えられた半導体装置を容易に作製することができる。従
って、特性のよい無線通信可能な半導体装置を容易に作製することができる。
【符号の説明】
【０１５４】
３０    基板
３１    絶縁層
３２    半導体層
３３    ゲート絶縁層
３４    導電層
３６    絶縁層
２０３    絶縁層
２０４    導電層
２０５    薄膜トランジスタ
３２ａ    チャネル形成領域
３２ｂ    不純物領域
３２ｃ    不純物領域
【図１】
2020039006.tif 000003
【図２】
2020039006.tif 000004
【図３】
2020039006.tif 000005
【図４】
2020039006.tif 000006
【図５】
2020039006.tif 000007
【図６】
2020039006.tif 000008
【図７】
2020039006.tif 000009
【図８】
2020039006.tif 000010
【図９】
2020039006.tif 000011
【図１０】
2020039006.tif 000012
【図１１】
2020039006.tif 000013
【図１２】
2020039006.tif 000014
【図１３】
2020039006.tif 000015
【図１４】
2020039006.tif 000016
【図１５】
2020039006.tif 000017
【図１６】
2020039006.tif 000018
【図１７】
2020039006.tif 000019
【図１８】
2020039006.tif 000020
【図１９】
2020039006.tif 000021
【図２０】
2020039006.tif 000022
【図２１】
2020039006.tif 000023