(57)【要約】      （修正有）【課題】面取り品質に優れた基板の研削方法の提供を目的とする。【解決手段】円盤状基板の周端部の研磨方法であって、前記円盤状基板の周端部のうち、上下のコーナー部をＣ面取り研削するステップと、次に前記Ｃ面取り後の端部を凸曲面形状に研削するステップとを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状基板の周端部の研磨方法であって、
前記円盤状基板の周端部のうち、上下のコーナー部をＣ面取り研削するステップと、次に前記Ｃ面取り後の端部を凸曲面形状に研削するステップとを有することを特徴とする円盤状基板の面取り研削方法。
【請求項２】
前記円盤状基板は酸化物半導体材料からなることを特徴とする請求項１記載の円盤状基板の面取り研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスに用いられるウェハ等の円盤状基板の周端部の面取り研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに用いられるウェハ等の基板は、シリコン，炭化ケイ素，ＧａＮ，Ｇａ２Ｏ３等の脆性材料であり、基板の端部がシャープエッジのままでは取扱い時に割れたり、欠けたりする恐れが高く、特に酸化物半導体材料にあっては特定の結晶面に沿って、へき開しやすい性質を有するものがあり、基板の端部の面取り研削時にクラックが発生しやすい問題があった。
【０００３】
従来は、例えば図３（ａ）に示すように、回転制御されたターンテーブル１０１に対して基板１０２を芯出しした状態にて載置し、基板１０２の周端部をターンテーブル１０１の外周縁よりも少しオーバーハングさせた状態で回転させる。
これに対して、砥石の取付装置の駆動部１０３をＸ軸方向に反回転移動し、砥石に形成した溝部１０４ａの形状に合致させるように、基板の端部を研削していた。
これでは、砥石をＸ軸方向に即ち、基板の半径方向に押し付ける力が強くなり、へき開性の有する基板にあっては、研削時にクラックが発生しやすかった。
また、図３（ｂ）や特許文献１に開示するように、基板１０２の回転方向とは直交する方向に砥石１０５を回転させて研削する方法も提案されているが、基板にひびり振動が発生しやすく、この場合にも脆性材料やへき開性を有する材料からなる基板にあっては、クラックが発生しやすかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２４７２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、面取り品質に優れた基板の研削方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る円盤状基板の面取り研削方法は、円盤状基板の周端部の研磨方法であって、前記円盤状基板の周端部のうち、上下のコーナー部をＣ面取り研削するステップと、次に前記Ｃ面取り後の端部を凸曲面形状に研削するステップとを有することを特徴とする。
【０００７】
ここで、基板の端部の上下のエッジ状のコーナー部をそれぞれ削り取るように研削することで、円盤状基板の半径方向にそのまま砥石の押し付け力が加わらないように、上下のエッジ部をそれぞれＣ面取りする趣旨である。
よって、基板の上側のエッジ部と、下側のエッジ部とをそれぞれ個々にＣ面取りしてもよく、例えばＶ字形状の溝部を有する砥石を用いて、上下のエッジ部を同時にＣ面取りしてもよい。
【０００８】
本発明は、円盤状基板の周端部の上下のエッジ部を先にＣ面取りした後に、周端部全体を断面が凸曲面形状になるように面取り研削することで、研削面にクラックが発生するのを抑えた点に特徴がある。
従って、Ｃ面取り後の凸曲面面取り研削においても、円盤状基板の半径方向に大きな負荷がかからないようにするのが好ましい。
例えば、回転制御されたターンテーブルに、円盤状基板を周縁部からオーバーハング状態及び芯出しして載置した後に、ターンテーブルの回転軸と平行な上下方向のＺ軸方向、及び水平方向のＸ軸方向、また必要に応じてＺ軸廻りのＣ軸制御された水平方向の回転砥石を用いて、研削点を基板の端部の凸曲面形状に合せて移動軌跡をＮＣプログラム制御してもよい。
【０００９】
これまで、ウェハ等の円盤状基板には、シリコン，炭化ケイ素，ＧａＮ等が採用されている。
近年、Ｇａ２Ｏ３等の酸化物半導体材料が非常に大きなバンドギャップ（４．８〜４．９ｅＶ）を有し、しかも単結晶基板がエピタキシャル成長等の気相成長法にて得られることや、融液成長法により短時間にインゴットとして生成できることから、安価なバルク材として期待されている。
Ｇａ２Ｏ３は、α，β，γ，δ，εの５つの結晶形が知られている。
β型はβガリア構造と称され、単斜晶であり、結晶学的に最も安定である。
なお、α型は準安定な相といわれ、コランダム構造をとっている。
ここで、例えばβガリア構造は、（１００）面に沿ったへき開性を有していることが知られている。
このように、へき開性を有する酸化物半導体材料にあっては、へき開面に沿った方向に大きな負荷が加わらないようにできる点で、本発明に係る研削方法の適用効果が高い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る研削方法は、円盤状基板の周端部の面取り研削を行う際に、まず端部上下のコーナーエッジ部をＣ面取りした後に全体を凸曲面形状に研削するので、へき開面でのクラック発生を防止でき、面取り品質が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る面取り研削加工の流れの例を（ａ）〜（ｄ）に示す。
【図２】本発明に用いる研削装置の例を示す。
【図３】（ａ），（ｂ）に従来の研削の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、本発明に係る研削方法に用いる研削装置の構造例を図２にて説明する。
回転制御されたターンテーブル１と砥石４を装着し、ターンテーブル１との相対的位置がＮＣプログラムにより制御された駆動部３を有している。
ターンテーブル１には、ウェハ等の円盤状基板２を載置でき、この基板の周縁端部がターンテーブル１の外周縁１ａよりも少し飛び出したオーバーハング状態になっている。
砥石の取付装置である駆動部３は、ターンテーブル１の回転軸１Ｏと平行に、砥石４を水平回転させる砥石回転軸３Ｏを有している。
砥石４は、ターンテーブル１と相対的に上下方向に平行なＺ軸方向と、相対的な水平方向のＸ軸方向に移動制御され、Ｚ軸廻りのＣ軸制御されている。
【００１３】
図１に、円盤状基板（以下単に基板という。）２と、砥石４，１４の周縁端部の拡大図を部分断面図にて表現してある。
図１（ａ），（ｂ）に示すように、基板２の端部の上側コーナーエッジ２ａと、下側コーナーエッジ２ｂとをＣ面取りする。
これらのＣ面取りは、上側コーナーエッジ２ａと、下側コーナーエッジ２ｂとをそれぞれ個々に行ってもよいが、図１に示した実施例は砥石の外周面にＶ字形状の研削溝部４ａを形成することで、上下のエッジを同時にＣ面取り（２ｃ，２ｄ）した例になっている。
この状態では、端面に平坦部２ｅが残っている。
次に、ＮＣプログラム制御された砥石１４の周縁端部を断面半円状にした研削面１４ａに形成してあり、図１（ｄ）に移動軌跡ｄを示したように、砥石１４の研削点を移動させながら、基板２の端面を断面凸曲面形状２ｆに面取り研削する。
【００１４】
Ｇａ２Ｏ３基板を用いて、図１に示した本発明に係る研削と、図３（ａ）に示した従来の研削方向を比較したところ、本発明に係る研削方法では研削面に全くクラックが生じなかったのに対して、従来方法ではへき開面に沿ったクラックが発生していた。
【符号の説明】
【００１５】
１      ターンテーブル
２      基板
３      駆動部
４      砥石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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