(57)【要約】【課題】スループットの低下を低減しつつ、ステージの基板保持面の平面度を計測するために有利な技術を提供する。【解決手段】複数の基板の各々にパターンを形成するリソグラフィ装置は、基板を保持する基板保持面を有するステージと、前記基板保持面からの基板の搬出と前記基板保持面への基板の搬入とを行う基板搬送部と、前記基板保持面における複数の箇所の各々の高さを検出する検出部と、前記基板保持面の平面度を決定する処理部と、を含み、前記処理部は、前記基板保持面から基板が搬出されてから前記基板保持面に基板が搬入されるまでの期間において前記複数の箇所のうちの一部の箇所の高さを検出する処理を、前記期間ごとに検出対象箇所を変えて前記検出部に行わせることにより、前記複数の箇所の各々の高さを求め、求めた前記複数の箇所の各々の高さに基づいて前記基板保持面の平面度を決定する。【選択図】図４
2020115172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
基板を保持する基板保持面を有するステージと、
前記基板保持面からの基板の搬出と前記基板保持面への基板の搬入とを行う基板搬送部と、
前記基板保持面における複数の箇所の各々の高さを検出する検出部と、
前記基板保持面の平面度を決定する処理部と、
を含み、
前記処理部は、前記基板保持面から基板が搬出されてから前記基板保持面に基板が搬入されるまでの期間において前記複数の箇所のうちの一部の箇所の高さを検出する処理を、前記期間ごとに検出対象箇所を変えて前記検出部に行わせることにより、前記複数の箇所の各々の高さを求め、求めた前記複数の箇所の各々の高さに基づいて前記基板保持面の平面度を決定する、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記基板保持面は、高さを個別に調整可能な複数の部分領域に分割されており、
前記複数の部分領域の各々は、前記検出部に高さを検出させるべき少なくとも１つの箇所を含み、
前記処理部は、前記期間ごとに、１つの部分領域に含まれる前記少なくとも１つの箇所の高さを前記検出部に検出させる、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記期間ごとに、前記検出部に高さを検出させるべき部分領域を変更する、ことを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記処理部は、決定した前記基板保持面の平面度に基づいて、次に前記基板保持面の平面度を決定する際に高さを検出すべき前記複数の箇所の配置を設定する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記処理部は、決定した前記基板保持面の平面度に基づいて前記基板保持面の異常部分を特定し、当該異常部分において前記検出部に高さを検出させるべき箇所の数を増加させるように、次に前記基板保持面の平面度を決定する際に高さを検出すべき前記複数の箇所の配置を設定する、ことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記処理部は、決定した前記基板保持面の平面度に基づいて前記基板保持面の異常部分を特定し、前記基板保持面のうち当該異常部分以外の部分において前記検出部に高さを検出させるべき箇所の数を減少させるように、次に前記基板保持面の平面度を決定する際に高さを検出すべき前記複数の箇所の配置を設定する、ことを特徴とする請求項４又は５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記処理部は、決定した前記基板保持面の平面度に基づいて前記基板保持面の異常部分を特定し、当該異常部分に対して、前記複数の箇所より小さい間隔を有する複数の第２箇所を設定し、前記期間において前記複数の第２箇所の各々の高さを前記検出部に検出させた結果に基づいて、前記基板保持面の平面度を更新する、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記処理部は、前記期間において一部の第２箇所の高さを検出する処理を、前記期間ごとに検出対象箇所を変えて前記検出部に行わせる、ことを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記処理部は、決定した前記基板保持面の平面度を報知する、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記処理部は、前記基板保持面の平面度に基づいて前記基板保持面の異常部分を特定し、前記基板保持面の平面度を、当該異常部分と他の部分とを識別可能に報知する、ことを特徴とする請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
基板を保持するステージにおける基板保持面の平面度を計測する計測方法であって、
前記基板保持面から基板を搬出する搬出工程と、
前記基板保持面に基板を搬入する搬入工程と、
前記基板保持面の平面度を計測する計測工程と、
を含み、
前記計測工程は、前記搬出工程から前記搬入工程までの期間において、前記基板保持面における複数の箇所のうち一部の箇所の高さを検出する検出工程を含み、前記期間ごとに検出対象箇所を変えて前記検出工程を行うことで得られた前記複数の箇所の各々の高さに基づいて、前記基板保持面の平面度を決定する、ことを特徴とする計測方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンが形成された前記基板を加工する工程と、を含み、
加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、計測方法、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造には、半導体ウェハやガラスプレートなどの基板にパターンを形成するリソグラフィ装置が用いられる。リソグラフィ装置では、ステージによって保持された基板の平面度が、基板へのパターンの形成精度に影響を与えうる。特許文献１には、基板のショット領域内における複数の計測点で高さを計測し、その計測結果に基づいて、基板の表面が投影光学系の像面に位置するように基板の位置を制御する露光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−８６７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リソグラフィ装置では、基板を保持するステージの基板保持面の平面度が、例えば摩耗や歪みによって経時変化することがある。この場合、ステージの基板保持面の平面度に応じて、ステージによって保持された基板の平面度が変化してしまい、基板上における複数の計測点での高さの計測結果に基づいて基板の位置を制御しても、基板へのパターンの形成精度が不十分になりうる。したがって、リソグラフィ装置では、ステージの基板保持面の平面度を計測し、当該基板保持面のメンテナンス（調整）を行うことが好ましい。一方、ステージの基板保持面の平面度の計測は、ステージが基板を保持していない状態で行われる必要がある。つまり、基板保持面の平面度の計測中では、基板へのパターンの形成処理を行うことができないため、スループットの点で不利になりうる。
【０００５】
そこで、本発明は、スループットの低下を低減しつつ、ステージの基板保持面の平面度を計測するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、複数の基板の各々にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、基板を保持する基板保持面を有するステージと、前記基板保持面からの基板の搬出と前記基板保持面への基板の搬入とを行う基板搬送部と、前記基板保持面における複数の箇所の各々の高さを検出する検出部と、前記基板保持面の平面度を決定する処理部と、を含み、前記処理部は、前記基板保持面から基板が搬出されてから前記基板保持面に基板が搬入されるまでの期間において前記複数の箇所のうちの一部の箇所の高さを検出する処理を、前記期間ごとに検出対象箇所を変えて前記検出部に行わせることにより、前記複数の箇所の各々の高さを求め、求めた前記複数の箇所の各々の高さに基づいて前記基板保持面の平面度を決定する、ことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、スループットの低下を低減しつつ、ステージの基板保持面の平面度を計測するために有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】露光装置の構成を示す概略図
【図２】露光装置で行われる処理フローを示す図
【図３】露光装置で行われる処理を説明するための図
【図４】第１実施形態に係る基板保持面の平面度の計測処理についての処理フローを示す図
【図５】平面度情報の表示例を示す図
【図６】基板ステージ（基板保持面）を上方から見た図
【図７】第２実施形態に係る基板保持面の平面度の計測処理についての処理フローを示す図
【図８】第３実施形態に係る基板保持面の平面度の計測処理についての処理フローを示す図
【図９】基板ステージ（基板保持面）を上方から見た図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１１】
以下の実施形態では、複数の基板の各々にパターンを順次形成するリソグラフィ装置として、基板を露光する露光装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線（ビーム）を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。
【００１２】
＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１００について説明する。露光装置１００は、原版Ｍおよび投影光学系を通過した光で基板Ｗ（具体的には、基板上に塗布されたレジスト）を露光することにより、基板Ｗにおける複数のショット領域の各々に原版Ｍのパターンを転写する処理（露光処理）を行う。本実施形態の露光装置１００は、複数の基板Ｗの各々に対して露光処理を順次行うことができ、その露光方式としては、ステップ・アンド・スキャン方式であってもよいし、ステップ・アンド・リピート方式であってもよい。また、原版Ｍとしては、例えばマスクやレチクルなどが用いられ、基板Ｗとしては、例えばガラスプレートや半導体ウェハなどが用いられうる。
【００１３】
次に、露光装置１００の構成例について説明する。図１は、本実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、原版Ｍのパターンを基板Ｗに投影する投影光学系１０を備えている。また、投影光学系１０の物体面側には、原版ステージ２０が配置され、投影光学系１０の像面側には、基板ステージ３０が配置されている。原版ステージ２０と基板ステージ３０とはそれぞれ独立して駆動可能であり、これらの位置はレーザ干渉計５０で計測される。
【００１４】
原版ステージ２０は、原版チャック２１と原版駆動機構２２とを含み、原版Ｍを保持して移動可能に構成される。原版チャック２１は、例えば真空チャックや静電チャックなどにより原版Ｍを保持する。原版駆動機構２２は、原版チャック２１を支持するとともに、Ｘ軸方向およびＹ軸方向のそれぞれに移動可能に、且つ、ＸＹ平面内で回転可能に構成されうる。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、投影光学系１０から基板Ｗに照射される光の光軸と垂直な面内において互いに直行する２つの方向である。また、原版ステージ２０の上方には、原版Ｍおよび投影光学系１０を介して基板Ｗを観察する観察光学系４０が配置され、さらに、観察光学系４０の上方には、原版Ｍを照明する照明光学系４１が配置されている。
【００１５】
基板ステージ３０は、基板チャック３１と基板駆動機構３２とを含み、基板Ｗを保持して移動可能に構成される。基板チャック３１は、基板Ｗに接触して基板Ｗを保持する基板保持面を有し、例えば真空チャックや静電チャックなどにより基板Ｗを保持する。本実施形態の場合、基板チャック３１は、チャックベース３１ａとチャックアタッチメント３１ｂとを含み、チャックアタッチメント３１ｂの上面が基板保持面として機能しうる。チャックアタッチメント３１ｂは、例えば、複数の部分領域に分割（区分け）されており、部分領域ごとに平面度を調整可能に構成されている。平面度の調整は、例えばチャックアタッチメント３１ｂを部分領域ごとに交換や研磨を行ったり、チャックアタッチメント３１ｂの部分領域ごとにスペーサ（シム）を挿入したりすることによって行われうる。
【００１６】
また、基板駆動機構３２は、ステージ定盤３３の上に配置されたＹ軸ステージ３２ａ、Ｘ軸ステージ３２ｂおよびθＺステージ３２ｃを有し、基板チャック３１を支持するとともに、基板チャック３１（基板Ｗ）を６軸方向に移動可能に構成される。６軸方向とは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向（投影光学系１０から基板Ｗに照射される光の光軸と平行な方向）、および各軸周りの回転方向のことである。
【００１７】
レーザ干渉計５０は、レーザヘッド５１と、原版駆動機構２２に取り付けられた第１ミラー５２と、基板駆動機構３２（θＺステージ３２ｃ）に取り付けられた第２ミラー５３とを含み、原版Ｍと基板Ｗとの相対位置（相対変位）を計測する。具体的には、レーザヘッド５１から射出されたレーザ光はハーフミラー５４で分岐され、一部のレーザ光はミラー５５で反射されて第１ミラー５２に入射し、残りのレーザ光は第２ミラー５３に入射する。第１ミラー５２で反射されたレーザ光と第２ミラー５３で反射されたレーザ光とは再びハーフミラーを通ることで干渉し合うため、その干渉パターンに基づいて、原版駆動機構２２（原版Ｍ）と基板駆動機構３２（基板Ｗ）との相対位置を計測することができる。
【００１８】
制御部ＣＮＴは、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、装置全体の動作を統括して制御する（即ち、基板Ｗの露光処理を制御する。本実施形態の場合、制御部ＣＮＴは、後述するように基板ステージ３０の基板保持面の平面度を決定する処理部としての機能を有する。
【００１９】
また、露光装置１００は、基板搬送部６０と検出部７０とを含む。基板搬送部６０は、基板ステージ３０（基板保持面）から基板Ｗを搬出する搬出処理と、基板ステージ３０（基板保持面）に新たな基板Ｗを搬入する搬入処理とを行う。基板搬送部６０は、例えば、基板Ｗを保持するハンド６１と当該ハンド６１を駆動するアーム６２とを有する搬送ロボットを含みうる。検出部７０は、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所の各々の高さ（Ｚ軸方向の位置）を順次検出する。本実施形態の場合、検出部７０は、基板保持面における１つの箇所の高さを検出する処理を、基板ステージ３０をステップ移動させて基板保持面における複数の箇所の各々について行うことで、当該複数の箇所の各々の高さを検出することができる。検出部７０は、例えばレーザ干渉計を含みうる。ここで、本実施形態では、検出部７０が投影光学系１０に設けられているが、それに限られず、露光装置１００の内部であれば検出部７０を任意に配置してよい。
【００２０】
露光装置１００では、基板ステージ３０の基板保持面の平面度が、例えば摩耗や歪みによって経時変化することがある。この場合、基板ステージ３０の基板保持面の平面度に応じて、基板ステージ３０によって保持された基板Ｗの平面度が変化してしまうため、基板Ｗへのパターンの形成精度が不十分になりうる。したがって、露光装置１００では、基板ステージ３０の基板保持面の平面度を計測し、当該基板保持面のメンテナンス（調整）を行うことが好ましい。一方、基板保持面の平面度の計測は、基板ステージ３０が基板Ｗを保持していない状態、即ち、基板ステージ３０上に基板Ｗが搭載されていない状態で行われる必要がある。つまり、基板保持面の平面度の計測中では、基板Ｗへのパターンの形成処理を行うことができないため、スループットの点で不利になりうる。
【００２１】
そこで、本実施形態の露光装置１００は、基板搬送部６０により基板ステージ３０の基板保持面から基板Ｗが搬出されてから基板保持面に基板Ｗが搬入されるまでの期間において、基板保持面における複数の箇所のうち一部の箇所の高さを検出する（検出処理）。そして、このような検出処理を当該期間ごとに検出対象箇所を変えて行うことにより、基板保持面における複数の箇所の各々の高さを求め、求めた複数の箇所の各々の高さに基づいて基板保持面の平面度を決定する。つまり、本実施形態の露光装置１００は、基板ステージ３０上の基板Ｗを交換する期間、即ち、複数の基板Ｗに対するパターン形成の合間の期間を利用して、基板保持面における複数の箇所の高さ検出を分割して行う。これにより、スループットの低下を低減しつつ、基板保持面の平面度を計測することができる。
【００２２】
次に、本実施形態の露光装置１００で行われる処理フローについて、図２および図３を参照しながら説明する。図２は、本実施形態の露光装置１００で行われる処理フローを示す図である。図２に示す処理フローの各工程は、制御部ＣＮＴによる制御のもとで行われうる。また、図３は、本実施形態の露光装置１００で行われる処理を説明するための図である。図３では、説明を分かり易くするため、図１に比べて装置構成を簡略化している。
【００２３】
Ｓ１１では、制御部ＣＮＴは、図３（ａ）に示すように、基板ステージ３０を基板搬入位置に移動させ、基板搬送部６０により基板Ｗを基板ステージ３０（基板保持面）の上に搬入する。Ｓ１２では、制御部ＣＮＴは、図３（ｂ）に示すように、基板Ｗの対象ショット領域（露光処理を行うべきショット領域）が投影光学系１０の下方に配置されるように基板ステージ３０を移動させ、対象ショット領域に対して露光処理（パターン形成）を行う。Ｓ１３では、制御部ＣＮＴは、基板ステージ３０上の基板Ｗにおける複数のショット領域の全てに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていないショット領域がある場合にはＳ１２に戻り、露光処理を行っていないショット領域を対象ショット領域に設定して露光処理を行う。一方、全てのショット領域に対して露光処理を行った場合にはＳ１４に進む。
【００２４】
Ｓ１４では、制御部ＣＮＴは、図３（ｃ）に示すように、基板ステージ３０を基板搬出位置に移動させ、基板搬送部６０により基板Ｗを基板ステージ３０（基板保持面）の上から搬出する。本実施形態の場合、基板搬入位置と基板搬出位置とは同一の位置であるが、互いに異なる位置であってもよい。Ｓ１５では、制御部ＣＮＴは、次に露光処理を行うべき基板Ｗ（次の基板Ｗ）があるか否かを判定する。次の基板Ｗがない場合には終了する。一方、次の基板Ｗがある場合にはＳ１６に進む。Ｓ１６では、制御部ＣＮＴは、図３（ｄ）に示すように、検出部７０の下方に基板ステージ３０を移動させ、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所のうち一部の箇所について、検出部７０による高さ検出を行う（検出処理）。そして、新たな基板Ｗを基板ステージ３０上に搬入する際には、Ｓ１６の検出処理を終了し、Ｓ１１に戻る。
【００２５】
次に、基板保持面の平面度の計測処理（計測方法）について、図４を参照しながら説明する。図４は、基板保持面の平面度の計測処理についての処理フローを示す図である。図４に示す処理フローの各工程は、制御部ＣＮＴによる制御のもとで行われうる。
【００２６】
Ｓ２１〜Ｓ２４は、図２に示す処理フローのＳ１６で行われる検出処理である。Ｓ２１〜Ｓ２４の工程では、基板保持面における複数の箇所についての検出部７０による高さ検出が、基板保持面から基板Ｗが搬出されてから基板保持面に基板Ｗが搬入されるまでの期間ごとに、検出対象箇所を変えて分割して行われる。そして、Ｓ２１〜Ｓ２４の工程が終了したら、図２に示す処理フローのＳ１１を開始し、新たな基板Ｗの搬入処理が行われうる。なお、以下では、基板保持面から基板Ｗが搬出されてから基板保持面に基板Ｗが搬入されるまでの期間を、「基板Ｗの交換期間」と称することがある。
【００２７】
Ｓ２１では、制御部ＣＮＴは、基板搬送部６０による基板Ｗの搬出処理が行われ、基板ステージ３０の基板保持面から基板Ｗが搬出されたか否かを判定する。制御部ＣＮＴは、例えば、基板ステージ３０（基板保持面）上の基板Ｗが基板搬送部６０のハンド６１によって保持された場合に、基板保持面から基板Ｗが搬出されたと判定することができる。基板保持面から基板Ｗが搬出されていないと判定した場合にはＳ２１を繰り返し行い、基板保持面から基板Ｗが搬出されたと判定した場合にはＳ２２に進む。
【００２８】
Ｓ２２では、制御部ＣＮＴは、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所のうち、検出部７０による高さ検出が未実施である箇所（以下では、未実施個所と称することがある）を特定する。Ｓ２３では、制御部ＣＮＴは、Ｓ２２で特定された基板保持面の未実施箇所を検出対象箇所として、検出部７０による高さ検出を行う。Ｓ２４では、制御部ＣＮＴは、基板搬送部６０による基板Ｗの搬入処理が開始されるか否かを判定する。例えば、制御部ＣＮＴは、新たな基板Ｗを基板搬送部６０のハンド６１が保持した場合に、基板Ｗの搬入処理が開始されると判定することができる。基板Ｗの搬入処理がまだ開始されないと判定した場合にはＳ２２に戻り、基板Ｗの搬入処理が開始されると判定した場合にはＳ２５に進む。
【００２９】
Ｓ２５〜Ｓ２７は、基板ステージ３０の基板保持面の平面度を決定して報知する工程である。Ｓ２５〜Ｓ２７の工程は、制御部ＣＮＴ（処理部）によって行われうるが、露光装置１００の外部に設けられた情報処理装置（コンピュータ）によって行われてもよい。また、Ｓ２５〜Ｓ２７の工程は、図２に示す処理フローのＳ１１〜Ｓ１５の工程と並行して行われてもよい。
【００３０】
Ｓ２５では、制御部ＣＮＴは、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所の全てについて、検出部７０による高さ検出が行われたか否かを判定する。全ての箇所についての高さ検出が行われていない場合にはＳ２１に戻り、全ての箇所についての高さ検出が行われた場合にはＳ２６に進む。Ｓ２６では、制御部ＣＮＴは、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所の各々の高さに基づいて、基板保持面の平面度を決定する。例えば、制御部ＣＮＴは、基板保持面における複数の箇所の高さを近似計算することで得られる基板保持面の高さ分布、当該複数の箇所の高さから算出される平均値および標準偏差を、基板保持面の平面度として決定してもよい。
【００３１】
Ｓ２７では、制御部ＣＮＴは、Ｓ２６で決定された基板保持面の平面度に関する情報（以下では、平面度情報と称することがある）を報知する。平面度情報の報知は、例えば、露光装置１００に設けられた表示部（ディスプレイ）に平面度情報を表示することによって行われてもよい。また、露光装置１００の外部コンピュータに平面度情報を出力する（外部コンピュータの表示部に表示する）ことによって行われてもよい。ここで、制御部ＣＮＴは、基板保持面の平面度に基づいて基板保持面の異常部分を特定し、平面度情報を、当該異常部分と他の部分とを識別可能に報知（表示）することが好ましい。例えば、制御部ＣＮＴは、基板保持面の高さ分布のうち、平均高さに対する差異が許容範囲より大きな高さを有する部分を、異常箇所として特定することができる。また、異常部分を特定した場合、制御部ＣＮＴは、基板ステージ３０（基板保持面、チャックアタッチメント３１ｂ）のメンテナンスを促す表示を、平面度情報と共に表示するとよい。図５は、平面度情報の表示例を示す図である。図５に示す平面度情報の表示例では、基板保持面の平面度として、基板保持面の高さ分布３４が等高線によって表されており、基板保持面の異常部分３５がハッチングによって示されている。
【００３２】
ここで、制御部ＣＮＴは、Ｓ２６で決定された基板保持面の平面度に基づいて、次に基板保持面の平面度を決定する際（即ち、次回の計測処理の際）に高さ検出を行うべき複数の箇所の配置を設定（変更）してもよい。例えば、基板保持面に異常部分が特定された場合、制御部ＣＮＴは、基板保持面の異常部分において、検出部７０による高さ検出を行うべき箇所の数を増加させるように、基板保持面における複数の箇所の配置を設定してもよい。また、制御部ＣＮＴは、基板保持面のうち異常部分以外の部分において、検出部７０による高さ検出を行うべき箇所の数を減少させるように、基板保持面における複数の箇所の配置を設定してもよい。
【００３３】
上述したように、本実施形態の露光装置１００は、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所の高さ検出を、基板Ｗの交換期間ごとに分割して行う。これにより、スループットの低下を低減しつつ、基板保持面の平面度を計測（決定）することができる。
【００３４】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態について説明する。本実施形態では、基板保持面の平面度の計測処理に関する他の例について説明する。第１実施形態では、基板Ｗの交換期間に、検出部７０による高さ検出を可能な限り多くの箇所で行う例について説明した。本実施形態では、基板Ｗの交換期間に、予め設定された回数（即ち、予め設定された数の箇所について）高さ検出を行う例について説明する。なお、本実施形態は、基板保持面の平面度の計測処理以外は、第１実施形態を基本的に受け継ぐものであり、露光装置１００の構成、および、図２に示す露光装置１００の処理フローについては第１実施形態と同様である。
【００３５】
ここで、基板ステージ３０（チャックアタッチメント３１ｂ）の基板保持面は、図６に示すように、複数の部分領域３６に分割（区分け）されており、部分領域３６ごとに平面度を調整可能に構成されている。図６は、基板Ｗを保持していない状態の基板ステージ３０（基板保持面）を上方から見た図である。本実施形態では、図６に示すように、複数の部分領域３６の各々に、検出部７０による高さ検出を行うべき箇所Ｐが少なくとも１つ設定される（図６に示す例では、４つの箇所Ｐが設定される）。そして、１つの基板Ｗの交換期間において（交換期間ごとに）、基板保持面における複数の箇所のうち、１つの部分領域３６に含まれる箇所Ｐの高さ計測を行う。
【００３６】
図７は、本実施形態に係る基板保持面の平面度の計測処理についての処理フローを示す図である。図７に示す処理フローの各工程は、制御部ＣＮＴによる制御のもとで行われうる。
【００３７】
Ｓ３１〜Ｓ３４は、図２に示す処理フローのＳ１６で行われる検出処理である。Ｓ３１では、制御部ＣＮＴは、基板搬送部６０による基板Ｗの搬出処理が行われ、基板ステージ３０の基板保持面から基板Ｗが搬出されたか否かを判定する。基板保持面から基板Ｗが搬出されていないと判定した場合にはＳ３１を繰り返し行い、基板保持面から基板Ｗが搬出されたと判定した場合にはＳ３２に進む。Ｓ３２では、基板保持面における複数の部分領域のうち、検出部７０による高さ検出が未実施である１つの部分領域３６を特定する。Ｓ３３では、制御部ＣＮＴは、Ｓ３２で特定された１つの部分領域３６に含まれる箇所を検出対象箇所として、検出部７０による高さ検出を行う。Ｓ３４では、制御部ＣＮＴは、Ｓ３２で特定された１つの部分領域に含まれる全ての箇所について高さ検出を行ったか否かを判定する。全ての箇所について高さ検出を行っていない場合にはＳ３１に戻る。一方、全ての箇所について高さ検出を行った場合にはＳ３５に進むとともに、図２に示す処理フローのＳ１１を開始する。
【００３８】
図６に示す例では、１回目の検出処理では、部分領域３６ａに含まれる４つの箇所Ｐについて高さ検出が行われ、２回目の検出処理では、部分領域３６ｂに含まれる４つの箇所Ｐについて高さ検出が行われる。同様に、３回目の検出処理では、部分領域３６ｃに含まれる４つの箇所Ｐについての高さ検出が行われ、４回目の検出処理では、部分領域３６ｄに含まれる４つの箇所Ｐについての高さ検出が行われる。このように、検出処理ごと（即ち、基板Ｗの交換期間ごと）に、部分領域３６を変えて、検出部７０による高さ検出が順次行われる。
【００３９】
Ｓ３５〜Ｓ３６は、基板ステージ３０の基板保持面の平面度を決定して報知する工程である。Ｓ３５〜Ｓ３６の工程は、図４に示す処理フローのＳ２６〜Ｓ２７と同様の工程であるため、その説明を省略する。ここで、Ｓ３６において、制御部ＣＮＴは、基板保持面の異常部分を、基板保持面の部分領域３６ごとに特定するとよい。これにより、ユーザは、どの部分領域３６について高さ調整を行うべきかを容易に認識することができる。
【００４０】
このように、本実施形態では、基板ステージ３０の基板保持面における複数の箇所の各々の高さ検出を、個別に高さを調整可能な部分領域３６ごとに行う。これにより、第１実施形態と同様に、スループットの低下を低減しつつ、基板保持面の平面度を計測（決定）することができる。
【００４１】
＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。本実施形態では、基板保持面の平面度の計測処理に関する他の例について説明する。本実施形態では、基板保持面の平坦度に基づいて異常部分が特定された場合、当該異常部分に対し、より詳細に高さ検出を行う例について説明する。なお、本実施形態は、基板保持面の平面度の計測処理以外は、第１〜第２実施形態を基本的に受け継ぐものであり、露光装置１００の構成、および、図２に示す露光装置１００の処理フローについては第１実施形態と同様である。
【００４２】
図８は、本実施形態に係る基板保持面の平面度の計測処理についての処理フローを示す図である。図８に示す処理フローの各工程は、制御部ＣＮＴによる制御のもとで行われうる。なお、図８に示す処理フローのＳ４１〜Ｓ４６は、図４に示す処理フローのＳ２１〜Ｓ２６と同様の工程であるため、ここでの説明を省略する。
【００４３】
Ｓ４７では、制御部ＣＮＴは、Ｓ４６で決定した基板保持面の平面度に基づいて、基板保持面の異常部分があるか否かを判定する。制御部ＣＮＴは、上述したように、基板保持面の高さ分布のうち、平均高さに対する差異が許容範囲より大きな高さを有する部分を、異常部分として特定することができる。基板保持面に異常部分がある場合にはＳ４８に進み、異常部分がない場合にはＳ５０に進む。
【００４４】
Ｓ４８では、制御部ＣＮＴは、基板保持面の異常部分に対し、検出部７０による高さ検出を行うべき複数の第２箇所を設定する。複数の第２箇所は、予め設定された複数の箇所（第１箇所）より狭い間隔で設定されうる。図９は、基板Ｗを保持していない状態の基板ステージ３０（基板保持面）を上方から見た図であり、高さ検出を行うべき複数の箇所の配置例を示している。図９（ａ）は、予め設定された複数の第１箇所Ｐ１の配置例を示し、図９（ｂ）は、特定された異常部分３５において、Ｓ４８で新たに設定された複数の第２箇所Ｐ２の配置例を示している。
【００４５】
Ｓ４９では、制御部ＣＮＴは、Ｓ４８で設定された複数の第２箇所の各々について検出部７０による高さ検出を行い、基板保持面における複数の第１箇所の各々の高さと、複数の第２箇所の各々の高さとに基づいて、基板保持面の平面度を更新（決定）する。このＳ４９の工程は、複数の第２箇所についてＳ４１〜Ｓ４６と同様の工程を行うことが好ましい。つまり、基板Ｗの交換期間において一部の第２箇所の高さを検出する検出処理を、期間ごとに検出対象箇所を変えて行うことが好ましい。
【００４６】
Ｓ５０では、制御部ＣＮＴは、Ｓ４９で決定された基板保持面の平面度に関する情報（平面度情報）を報知する。Ｓ５０の工程は、図４に示す処理フローのＳ２７と同様の工程であるため、その詳細な説明を省略する。
【００４７】
上述したように、本実施形態では、基板保持面の平面度に基づいて異常部分が特定された場合、当該異常部分に対して複数の第２箇所を設定し、より詳細に高さ検出を行う。これにより、ユーザは、特定された基板保持面の異常部分について、どのような平面度であるのかを詳細に把握することができるため、基板ステージ３０（基板保持面）のメンテナンスを精度よく行うことができる。
【００４８】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置（露光装置）を用いて基板上にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４９】
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【００５０】
１０：投影光学系、２０：原版ステージ、３０：基板ステージ、６０：基板搬送部、７０：検出部、ＣＮＴ：制御部（処理部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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