(57)【要約】【課題】誘電正接（ＤＦ値）を充分に低減することができ、加熱時の流動性及び接着性に優れる接着フィルムを形成可能な接着剤組成物を提供すること。【解決手段】一般式（１）で表されるマレイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂を含有し、半導体素子と半導体素子を搭載する支持部材とを接着するために用いられる、接着剤組成物。 2020128500.tif 000013［式（１）中、Ｒは飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を示し、Ｒ１は４価の有機基を示し、ｎは１〜１０の整数を示す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるマレイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂を含有し、
半導体素子と前記半導体素子を搭載する支持部材とを接着するために用いられる、接着剤組成物。
【化１】
2020128500.tif 000012
［式（１）中、Ｒは飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を示し、Ｒ１は４価の有機基を示し、ｎは１〜１０の整数を示す。］
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂が一般式（１）で表されるマレイミド樹脂以外のイミド骨格を有する樹脂をさらに含む、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、接着フィルム。
【請求項４】
当該接着フィルムの硬化物の１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．０１以下である、請求項３に記載の接着フィルム。
【請求項５】
当該接着フィルムの２５〜２００℃における最低溶融粘度が２００〜５０００Ｐａ・ｓである、請求項３又は４に記載の接着フィルム。
【請求項６】
基材と、
前記基材の一方の面上に設けられた請求項４又は５に記載の接着フィルムと、
を備える、接着シート。
【請求項７】
前記基材が、ダイシングテープである、請求項６に記載の接着シート。
【請求項８】
半導体素子と、
前記半導体素子を搭載する支持部材と、
前記半導体素子及び前記支持部材の間に設けられ、前記半導体素子と前記支持部材とを接着する接着部材と、
を備え、
前記接着部材が、請求項４又は５に記載の接着フィルムの硬化物である、半導体装置。
【請求項９】
半導体ウェハに、請求項６又は７に記載の接着シートの前記接着フィルムを貼り付ける工程と、
前記接着フィルムを貼り付けた前記半導体ウェハを切断することによって、複数の個片化された接着フィルム付き半導体素子を作製する工程と、
前記接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接着する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物、接着フィルム、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多段に積層された複数個のチップを有するスタックパッケージ型の半導体装置がメモリー等の用途に使用されている。半導体装置の製造の際、半導体素子同士もしくは半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着するために接着フィルムが適用されている。
【０００３】
近年、高速伝送に伴う信号の高周波数化が進んでおり、伝送損失を抑制する観点から、適用される接着フィルムには、誘電正接（ＤＦ値）の低いものが望まれており、例えば、特許文献１〜３には、誘電正接の低い材料が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−０２９１４６号公報
【特許文献２】特開２０１８−０９０７０８号公報
【特許文献３】特開２０１８−１１１８２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の誘電正接の低い材料は、加熱時の流動性及び接着性が充分でなく、改善の余地がある。
【０００６】
そこで、本発明は、誘電正接（ＤＦ値）を充分に低減することができ、加熱時の流動性及び接着性に優れる接着フィルムを形成可能な接着剤組成物を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面は、一般式（１）で表されるマレイミド樹脂を含む熱硬化性樹脂を含有し、半導体素子と前記半導体素子を搭載する支持部材とを接着するために用いられる、接着剤組成物を提供する。
【化１】
2020128500.tif 000002
［式（１）中、Ｒは飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を示し、Ｒ１は４価の有機基を示し、ｎは１〜１０の整数を示す。］
【０００８】
熱硬化性樹脂は、一般式（１）で表されるマレイミド樹脂以外のイミド骨格を有する樹脂をさらに含んでいてよい。
【０００９】
別の側面において、本発明は、上述の接着剤組成物をフィルム状に形成してなる、接着フィルムを提供する。
【００１０】
接着フィルムの硬化物の１０ＧＨｚにおける誘電正接は、０．０１以下であってよい。接着フィルムの２５〜２００℃における最低溶融粘度は、２００〜５０００Ｐａ・ｓであってよい。
【００１１】
別の側面において、本発明は、基材と、基材の一方の面上に設けられた上述の接着フィルムと、を備える、接着シートを提供する。
【００１２】
基材は、ダイシングテープであってよい。
【００１３】
別の側面において、本発明は、半導体素子と、半導体素子を搭載する支持部材と、半導体素子及び支持部材の間に設けられ、半導体素子と支持部材とを接着する接着部材と、を備え、接着部材が、上述の接着フィルムの硬化物である、半導体装置を提供する。
【００１４】
別の側面において、本発明は、半導体ウェハに、上述の接着シートの接着フィルムを貼り付ける工程と、接着フィルムを貼り付けた半導体ウェハを切断することによって、複数の個片化された接着フィルム付き半導体素子を作製する工程と、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接着する工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、誘電正接（ＤＦ値）を充分に低減可能であり、加熱時の流動性及び接着性に優れる接着フィルムを形成可能な接着剤組成物が提供される。また、本発明によれば、このような接着剤組成物をフィルム状に形成してなる接着フィルムが提供される。さらに、本発明によれば、このような接着フィルムを用いた接着シート及び半導体装置が提供される。さらにいえば、本発明によれば、接着フィルム又は接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】接着シートの一実施形態を示す模式断面図である。
【図３】接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。
【図４】接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。
【図５】接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。
【図６】半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【図７】半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
【００１８】
本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
【００１９】
本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
【００２０】
［接着剤組成物］
一実施形態に係る接着剤組成物は、熱硬化性樹脂（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）を含有する。本実施形態に係る接着剤組成物は、半導体素子と前記半導体素子を搭載する支持部材とを接着するために用いられる。本実施形態に係る接着剤組成物は、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得る。
【００２１】
（Ａ）成分は、一般式（１）で表されるマレイミド樹脂（以下、「（Ａ１）成分」という場合がある。）を含む。（Ａ）成分が（Ａ１）成分を含むことによって、得られる接着剤組成物の硬化物において、誘電正接（ＤＦ値）を低減することができる。
【００２２】
【化２】
2020128500.tif 000003
【００２３】
式（１）中、Ｒは飽和又は不飽和の２価の炭化水素基を示し、Ｒ１は４価の有機基を示し、ｎは１〜１０の整数を示す。
【００２４】
Ｒで表される飽和又は不飽和の２価の炭化水素基は、鎖状又は環状のいずれであってもよく、鎖状の２価の炭化水素基は、直鎖状又は分岐状のいずれであってもよい。環状の不飽和炭化水素基は、芳香族炭化水素基であってよい。
【００２５】
２価の炭化水素基は、接着剤組成物の可とう性、並びに接着剤組成物から作製される接着フィルムの取り扱い性（タック性、割れ、粉落ち等）及び強度を高めることが可能となることから、好ましくは鎖状の炭化水素基を含み、より好ましくは炭素数４以上の主鎖を有する鎖状のアルキレン基を含む。
【００２６】
炭素数４以上の主鎖を有する鎖状のアルキレン基は、−（ＣＲａＲｂ）ｍ−で表される（ｍは４以上の整数を示し、Ｒａ及びＲｂはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数ｍ未満のアルキル基を示す。）。当該アルキレン基の主鎖の炭素数（ｍ）は、４以上又は６以上であってよく、２０以下、１５以下、又は１０以下であってよい。
【００２７】
２価の炭化水素基の炭素数は、（Ａ１）成分の分子構造を三次元化し易く、ポリマーの自由体積を増大させて低密度化、すなわち低誘電率化できる観点から、８以上、１０以上、又は１５以上であってよく、３００以下、２５０以下、２００以下、１００以下、７０以下、又は５０以下であってよい。２価の炭化水素基の炭素数は、同様の観点から、８〜３００、８〜２５０、８〜２００、又は８〜１００であってもよい。２価の炭化水素基は、炭素数８〜３００、８〜２５０、８〜２００又は８〜１００の分岐を有していてもよいアルキレン基、炭素数１０〜７０の分岐を有していてもよいアルキレン基、又は炭素数１５〜５０の分岐を有していてもよいアルキレン基であってもよい。
【００２８】
２価の炭化水素基は、一実施形態において、高周波特性をより効果的に高める観点から、下記式（２）で表される基を含む。
【００２９】
【化３】
2020128500.tif 000004
【００３０】
式（２）中、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立にアルキレン基を示し、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立にアルキル基を示す。
【００３１】
Ｒ２及びＲ３で表されるアルキレン基の炭素数は、柔軟性のさらなる向上及び合成の容易性の観点から、４〜５０、５〜２５、６〜１０、又は７〜１０であってよい。Ｒ２及びＲ３で表されるアルキレン基は、上述した炭素数４以上の主鎖を有する鎖状のアルキレン基であってもよい。
【００３２】
Ｒ４で表されるアルキル基の炭素数は、柔軟性のさらなる向上及び合成の容易性の観点から、４〜５０、５〜２５、６〜１０、又は７〜１０であってよい。Ｒ５で表されるアルキル基の炭素数は、柔軟性のさらなる向上及び合成の容易性の観点から、２〜５０、３〜２５、４〜１０、又は５〜８であってよい。
【００３３】
（Ａ１）成分は、高周波特性及び伸び率をより効果的に高める観点から、２価の炭化水素基を複数有していてもよい。この場合、複数の２価の炭化水素基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。（Ａ１）成分は、２〜４０個、２〜２０個、又は２〜１０個の２価の炭化水素基を有していてもよい。
【００３４】
２価の炭化水素基は、例えば、ノニレン基、デシレン基、ウンデシレン基、ドデシレン基、テトラデシレン基、ヘキサデシレン基、オクタデシレン基、ノナデシレン基、イコシレン基、ヘンイコシレン基、ドコシレン基、トリコシレン基、テトラコシレン基、ペンタコシレン基、ヘキサコシレン基、ヘプタコシレン基、オクタコシレン基、ノナコシレン基、トリアコンチレン基等のアルキレン基；ベンジレン基、フェニレン基、ナフチレン基等のアリーレン基；フェニレンメチレン基、フェニレンエチレン基、ベンジルプロピレン基、ナフチレンメチレン基、ナフチレンエチレン基等のアリーレンアルキレン基；フェニレンジメチレン基、フェニレンジエチレン基等のアリーレンジアルキレン基等であってもよい。
【００３５】
Ｒ１で表される４価の有機基は、取り扱い性の観点から、例えば、炭化水素基であってよい。当該炭化水素基の炭素数は、例えば、１〜１００、２〜５０、又は４〜３０であってよい。
【００３６】
当該炭化水素基は、置換基を有していてもよく、例えば、置換又は非置換のシロキサニル基を含んでいてもよい。シロキサニル基としては、例えば、ジメチルシロキサン、メチルフェニルシロキサン、ジフェニルシロキサン等に由来する基が挙げられる。
【００３７】
置換基は、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、水酸基、アルコキシ基、メルカプト基、シクロアルキル基、置換シクロアルキル基、ヘテロ環基、置換ヘテロ環基、アリール基、置換アリール基、ヘテロアリール基、置換ヘテロアリール基、アリールオキシ基、置換アリールオキシ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、ニトロソ基、アミノ基、アミド基、−Ｃ（＝Ｏ）Ｈ、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、−ＯＣ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲｃ、−ＮＲｃＣ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒｃ）２、−ＯＣ（＝Ｏ）−Ｎ（Ｒｃ）２、アシル基、オキシアシル基、カルボキシル基、カルバメート基、スルホニル基、スルホンアミド基、スルフリル基等であってもよい。ここで、Ｒｃは、水素原子又はアルキル基を示す。これらの置換基は、目的、用途等に合わせて、１種類又は２種類以上を選択できる。
【００３８】
Ｒ１で表される４価の有機基は、例えば、ベンゼン等の芳香族炭化水素から４個の水素原子を除いた４価の芳香族炭化水素基又はシクロヘキサン等の脂環式炭化水素から４個の水素原子を除いた４価の脂環式炭化水素基であってもよい。Ｒ１で表される４価の有機基は、高周波特性に優れる観点から、４価の芳香族炭化水素基であってよく、ベンゼンから４個の水素原子を除いた４価の基であってもよい。
【００３９】
（Ａ１）成分は、高周波特性に優れ、接着剤組成物がその他の樹脂をさらに含有する場合にその他の樹脂との相溶性に優れる観点から、少なくとも２つのイミド結合を有する２価の有機基を複数有していてもよい。この場合、複数の当該２価の有機基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。ビスマレイミド樹脂は、２〜４０個、２〜２０個、又は２〜１０個の当該２価の有機基を有していてもよい。
【００４０】
（Ａ１）成分の具体例としては、下記式（ａ）で表される樹脂等が挙げられる。なお、式（ａ）で表される樹脂は、ｎが１〜１０の混合物であってよい。
【００４１】
【化４】
2020128500.tif 000005
【００４２】
（Ａ１）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１００００以上である。（Ａ１）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、バンプ、パッド等の突起物がある半導体ウェハ、チップ、基板などへのラミネート性及びボイド発生の抑制の観点から、１２０００以上、１４０００以上、又は１６０００以上であってよく、１０００００以下、５００００以下、又は２００００以下であってよい。
【００４３】
本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値を意味する。
【００４４】
（Ａ１）成分のガラス転移点（Ｔｇ）は、バンプ、パッド等の突起物がある半導体ウェハ、チップ、基板などへのラミネート性及びボイド発生の抑制の観点から、１６０℃以下、１４０℃以下、１２０℃以下、又は１００℃以下であってよい。（Ａ１）成分のガラス転移点（Ｔｇ）は、フィルム形成性及びフィルム取り扱い性（フィルムタック性）の観点から、４０℃以上、５０℃以上、又は６０℃以上であってよい。ここでのガラス転移点（Ｔｇ）は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）（株式会社パーキンエルマージャパン製、ＤＳＣ−７型）を用いて、（Ａ１）成分１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、空気雰囲気下の条件で測定されるものである。
【００４５】
（Ａ１）成分は、１種単独で用いてもよく、例えば、重量平均分子量等の性状が異なる２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４６】
（Ａ１）成分の含有量は、（Ａ）成分全量を基準として、４０質量％以上、４５質量％以上、５０質量％以上、５５質量％以上、又は６０質量％以上であってよく、１００質量％以下、９５質量％以下、９０質量％以下、又は８５質量％以下であってよい。
【００４７】
（Ａ）成分は、一般式（１）で表されるマレイミド樹脂以外のイミド骨格を有する樹脂（以下、「（Ａ２）成分」という場合がある。）をさらに含んでいてよい。（Ａ）成分が（Ａ２）成分を含むことによって、得られる接着剤組成物の硬化物において、誘電正接（ＤＦ値）をより低減することができる。
【００４８】
（Ａ２）成分としては、例えば、一般式（１）で表されるマレイミド樹脂以外のマレイミド樹脂、ナジイミド樹脂等が挙げられる。一般式（１）で表されるマレイミド樹脂以外のマレイミド樹脂としては、例えば、ｏ−、ｍ−又はｐ−ビスマレイミドベンゼン、４−ビス（ｐ−マレイミドクミル）ベンゼン、１，４−ビス（ｍ−マレイミドクミル）ベンゼン、４，４−ビスマレイミドジフェニルエーテル、４，４−ビスマレイミドジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミド−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルホン、４，４−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、４，４−ビスマレイミドジフェニルケトン、２’−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン、４−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、及び１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−マレイミドフェニル）プロパン等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４９】
ナジイミド樹脂は、アルケニル置換ナジイミドであることが好ましい。アルケニル置換ナジイミドとしては、例えば、下記一般式（ｂ）で表される化合物等が挙げられる。
【００５０】
【化５】
2020128500.tif 000006
【００５１】
式（ｂ）中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、及びＲ９は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を示し、Ｒ１０は、炭素数１〜６のアルキレン基、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、又は下記一般式（ｂ１）若しくは一般式（ｂ２）で表される基を示す。
【００５２】
【化６】
2020128500.tif 000007
【００５３】
式（ｂ１）中、Ｒ１１は、メチレン基、イソプロピリデン基、又は−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、若しくは−Ｓ（Ｏ）２−で表される基を示す。
【００５４】
【化７】
2020128500.tif 000008
【００５５】
式（ｂ２）中、Ｒ１２は、それぞれ独立に炭素数１〜４のアルキレン基又は炭素数５〜８のシクロアルキレン基を示す。
【００５６】
（Ａ２）成分の含有量は、（Ａ）成分全量を基準として、１質量％以上、５質量％以上、８質量％以上、又は１０質量％以上であってよく、５０質量％以下、４０質量％以下、３５質量％以下、又は３０質量％以下であってよい。
【００５７】
（Ａ）成分は、（Ａ１）成分及び（Ａ２）成分以外の樹脂（以下、「（Ａ３）成分」という場合がある。）をさらに含んでいてもよい。
【００５８】
（Ａ３）成分としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、アクリルゴム等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（Ａ３）成分は、耐熱性及びフィルム形成性により優れることから、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、又はアクリルゴムを含んでいてもよい。
【００５９】
（Ａ３）成分の含有量は、（Ａ）成分全量を基準として、１質量％以上、５質量％以上、８質量％以上、又は１０質量％以上であってよく、５０質量％以下、４５質量％以下、４０質量％以下、又は３５質量％以下であってよい。
【００６０】
（Ａ）成分の含有量は、接着剤組成物の固形分全量を基準として、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、８５質量％以上、又は９０質量％以上であってよく、９９質量％以下、９８質量％以下、又は９５質量％以下であってよい。
【００６１】
本実施形態に係る接着剤組成物は、硬化促進剤（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）をさらに含有していてもよい。
【００６２】
（Ｂ）成分は、主に（Ａ）成分の硬化促進剤として作用するものであれば特に制限されない。（Ｂ）成分としては、例えば、熱ラジカル発生剤（熱によってラジカルを発生する化合物）、光ラジカル発生剤（光によってラジカルを発生する化合物）等が挙げられる。これらの中でも、取り扱い性の観点から、（Ｂ）成分は、熱ラジカル発生剤であってよい。
【００６３】
熱ラジカル発生剤としては、例えば、有機過酸化物、アゾ化合物等が挙げられる。これらの中でも、取り扱い性及び保存安定性の観点から、熱ラジカル発生剤は、有機過酸化物であってよい。
【００６４】
有機過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネイト、パーオキシエステル等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。有機過酸化物は、保存安定性の観点から、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、又はパーオキシエステルであってよい。さらに、有機過酸化物は、耐熱性の観点から、ハイドロパーオキサイド又はジアルキルパーオキサイドであってよい。ジアルキルパーオキサイドとしては、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
【００６５】
（Ａ）成分がエポキシ樹脂を含む場合、（Ｂ）成分は、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、フェノールアラルキル樹脂等のフェノール樹脂系硬化促進剤、メチルシクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸等の酸無水物系硬化促進剤、ジシアンジアミド等のアミン系硬化促進剤、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール系硬化促進剤、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラ（４−メチルフェニル）ボレート等のホスフィン系硬化促進剤などであってもよい。
【００６６】
（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分の全質量を基準として、０．１〜１０質量％又は０．１〜５質量％であってよい。（Ｂ）成分の含有量が０．１質量％以上であると、充分に硬化が促進される傾向にあり、（Ｂ）成分の含有量が１０質量％以下であると、硬化が急激に促進されて反応点が多くなって、分子鎖が短くなったり、未反応基が残存したりすることを抑制できる傾向にある。
【００６７】
本実施形態に係る接着剤組成物は、硬化促進剤（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）をさらに含有していてもよい。
【００６８】
（Ｃ）成分を含有することによって、接着剤組成物の粘度、接着剤組成物の硬化物の物性等を制御することができる。より具体的には、接続時のボイド発生の抑制、接着剤組成物の硬化物の吸湿率の低減等を図ることができる。（Ｃ）成分としては、例えば、無機フィラー、樹脂フィラー、ウィスカー等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｃ）成分は、絶縁性であってよい。
【００６９】
無機フィラーとしては、例えば、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、カーボンブラック、マイカ、窒化ホウ素等が挙げられる。これらの中でも、無機フィラーは、シリカ、アルミナ、酸化チタン、又は窒化ホウ素であってよく、シリカ、アルミナ、又は窒化ホウ素であってよい。無機フィラーは、後述の樹脂フィラーと比較して熱膨張率が小さいため、接着剤組成物の低熱膨張率化が可能となる。また、無機フィラーには汎用品で粒径制御されたものが多いため、粘度調整の点においても好ましい。
【００７０】
樹脂フィラーとしては、例えば、ポリウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるフィラーなどが挙げられる。樹脂フィラーは、有機成分（樹脂成分、熱架橋剤、硬化剤等）と比較して熱膨張率が小さいため接続信頼性の向上効果に優れる。また、樹脂フィラーを用いることによって、接着剤組成物の粘度調整を容易に行うことができる。また、樹脂フィラーは、無機フィラーと比較して応力を緩和する機能に優れる傾向にある。
【００７１】
ウィスカーとしては、例えば、ホウ酸アルミニウム、チタン酸アルミニウム、酸化亜鉛、珪酸カルシウム、硫酸マグネシウム、窒化ホウ素等が挙げられる。
【００７２】
これらの中でも、（Ｃ）成分は、無機フィラー又は樹脂フィラーであってよい。（ｅ）成分は、用途に応じていずれか一方を用いてもよく、両方を混合して用いてもよい。
【００７３】
（Ｃ）成分は、分散性及び接着力向上の観点から、表面処理剤で表面処理が施されていてもよい。表面処理剤は、例えば、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤の官能基としては、例えば、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基、フェニル基、フェニルアミノ基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。シランカップリング剤の官能基は、分散性、流動性、及び接着力の観点から、グリシジル基、フェニルアミノ基、又は（メタ）アクリロイル基であってよく、保存安定性の観点から、フェニル基又は（メタ）アクリロイル基であってよい。
【００７４】
（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分の全質量１００質量部に対して、０．１〜４０質量部又は１〜１５質量部であってよい。（Ｃ）成分の含有量が、（Ａ）成分の全質量１００質量部に対して、０．１質量部以上であると、フィルム形成性及び硬化物性（熱膨張率等）がより向上する傾向にある。（Ｃ）成分の含有量が、（Ａ）成分の全質量１００質量部に対して、４０質量部以下であると、樹脂流動性の低下等によるボイド等の不良発生をより充分に防ぐことができる傾向にある。
【００７５】
接着剤組成物は、イオン捕捉剤、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤をさらに含有していてもよい。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの含有量は、各添加剤の効果が発現する範囲で適宜設定することができる。
【００７６】
［接着フィルム］
図１は、接着フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図１に示す接着フィルム１は、接着剤組成物をフィルム状に成形したものである。接着フィルム１は、半硬化（Ｂステージ）状態であってよい。このような接着フィルム１は、接着剤組成物を支持フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物のワニス（接着剤ワニス）を用いる場合は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分、並びに必要に応じて添加される他の成分を溶剤中で混合し、混合液を混合又は混練して接着剤ワニスを調製し、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって接着フィルム１を形成することができる。
【００７７】
支持フィルムは、上記の加熱乾燥に耐えるものであれば特に限定されないが、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等であってよい。基材２は、２種以上を組み合わせた多層フィルムであってもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。支持フィルムの厚みは、例えば、５〜２００μｍ又は１０〜１７０μｍであってよい。
【００７８】
混合又は混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を用い、これらを適宜組み合わせて行うことができる。
【００７９】
接着剤ワニスの調製に用いられる溶剤は、各成分を均一に溶解、混練、又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎメチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。溶剤は、乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノン等であってよい。
【００８０】
接着剤ワニスを基材フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、５０〜１５０℃で、１〜３０分間加熱して行うことができる。
【００８１】
接着フィルムの厚みは、用途に合わせて適宜設定することができる。接着フィルムの厚みは、例えば、１〜５００μｍ又は５〜４００μｍであってよい。
【００８２】
接着フィルムは、６０〜２００℃で０．１〜３時間加熱することによって、完全硬化（Ｃステージ）状態に熱硬化することができる。
【００８３】
接着フィルムの硬化物の１０ＧＨｚにおける誘電正接は、伝送損失をより低減できる観点から０．０１以下であってよい。接着フィルムの硬化物の１０ＧＨｚにおける誘電正接は、配線長が長い場合においても伝送が可能となる観点からより好ましくは０．００８以下、配線幅が狭い場合においても伝送が可能となる観点からさらに好ましくは０．００５以下である。
【００８４】
接着フィルムの硬化物の１０ＧＨｚでの比誘電率は、配線層間のクロストークを抑制できる観点から好ましくは３．０以下、接着フィルムを薄くした場合においても伝送が可能となる観点からより好ましくは２．８以下、電気信号の信頼性をより向上できる観点からさらに好ましくは２．６以下である。
【００８５】
誘電正接及び比誘電率は、１８０℃で２時間熱硬化した厚さ３００μｍの接着フィルムを、縦６０ｍｍ、横２ｍｍに切断して３０℃で６時間真空乾燥した測定サンプルを用いて測定することができる。誘電正接及び比誘電率は、１０ＧＨｚにおいて得られる共振周波数及び無負荷Ｑ値から算出した。誘電正接及び比誘電率の測定は、ベクトル型ネットワークアナライザＥ８３６４Ｂ（キーサイト・テクノロジー社製）、１０ＧＨｚ共振器ＣＰ５３１（株式会社関東電子応用開発製）、及びプログラムＣＰＭＡ−Ｖ２を用い、温度２５℃で実施することができる。
【００８６】
接着フィルムの２５〜２００℃における最低溶融粘度は、２００〜５０００Ｐａ・ｓであってよい。なお、２５〜２００℃における最低溶融粘度は、当該温度範囲での溶融粘度の最低値を意味し、実施例に記載の方法によって求めることができる。接着フィルムの２５〜２００℃における最低溶融粘度は、圧着時の汚染を抑制できる観点からより好ましくは５００〜５０００Ｐａ・ｓ、圧着時のボイドを抑制できる観点からさらに好ましくは２００〜３０００Ｐａ・ｓである。
【００８７】
［接着シート］
図２は、接着シートの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示す接着シート１００は、基材２と、基材２上に設けられた接着フィルム１と、を備える。図３は、接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。図３に示す接着シート１１０は、基材２と、基材２上に設けられた接着フィルム１と、接着フィルム１の基材２とは反対側の面に設けられたカバーフィルム３と、を備える。
【００８８】
基材２は、特に制限されないが、基材フィルムであってよい。基材フィルムは、上述の支持フィルムと同様のものであってよい。
【００８９】
カバーフィルム３は、接着フィルムの損傷又は汚染を防ぐために用いられ、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、表面はく離剤処理フィルム等であってよい。カバーフィルム３の厚みは、例えば、１５〜２００μｍ又は７０〜１７０μｍであってよい。
【００９０】
接着シート１００、１１０は、上述の接着フィルムを形成する方法と同様に、接着剤組成物を基材フィルムに塗布することによって形成することができる。接着剤組成物を基材２に塗布する方法は、上述の接着剤組成物を支持フィルムに塗布する方法と同様であってよい。
【００９１】
接着シート１１０は、さらに接着フィルム１にカバーフィルム３を積層させることによって得ることができる。
【００９２】
接着シート１００、１１０は、予め作製した接着フィルムを用いて形成してもよい。この場合、接着シート１００は、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて所定条件（例えば、室温（２０℃）又は加熱状態）でラミネートすることによって形成することができる。接着シート１００は、連続的に製造ができ、効率に優れることから、加熱状態でロールラミネーターを用いて形成してもよい。
【００９３】
接着シートの他の実施形態は、基材２がダイシングテープであるダイシング・ダイボンディング一体型接着シートである。ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを用いると、半導体ウェハへのラミネート工程が１回となることから、作業の効率化が可能である。
【００９４】
ダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、ダイシングテープは、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が行われていてもよい。ダイシングテープは、粘着性を有するものであってもよい。このようなダイシングテープは、上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものであってよく、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けたものであってよい。粘着剤層は、感圧型又は放射線硬化型のいずれであってもよく、ダイシング時には半導体素子が飛散しない充分な粘着力を有し、その後の半導体素子のピックアップ工程においては半導体素子を傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されず、従来公知のものを使用することができる。
【００９５】
ダイシングテープの厚みは、経済性及びフィルムの取扱い性の観点から、６０〜１５０μｍ又は７０〜１３０μｍであってよい。
【００９６】
このようなダイシング・ダイボンディング一体型接着シートとしては、例えば、図４に示される構成を有するもの、図５に示される構成を有するもの等が挙げられる。図４は、接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。図５は、接着シートの他の一実施形態を示す模式断面図である。図４に示す接着シート１２０は、ダイシングテープ７、粘着剤層６、及び接着フィルム１をこの順に備える。図５に示す接着シート１３０は、ダイシングテープ７と、ダイシングテープ７上に設けられた接着フィルム１と、を備える。
【００９７】
接着シート１２０は、例えば、ダイシングテープ７上に粘着剤層６を設け、さらに粘着剤層６上に接着フィルム１を積層させることによって得ることができる。接着シート１３０は、例えば、ダイシングテープ７と接着フィルム１とを貼り合わせることによって得ることができる。
【００９８】
接着シートにおける接着フィルムの３０℃におけるタック力（表面タック力）は、ダイシングの容易さの観点から好ましくは１９．６ｋＰａ（２００ｇｆ／ｃｍ２）以下、ピックアップ性の観点からより好ましくは９．８ｋＰａ（１００ｇｆ／ｃｍ２）以下である。表面タック力は、レスカ社製のプローブタッキング試験機を用いて、プローブ直径５．１ｍｍ、引き剥がし速度１０ｍｍ／ｓ、接触荷重９．８ｋＰａ（１００ｇｆ／ｃｍ２）、接触時間１秒の条件で測定することができる。
【００９９】
接着フィルム及び接着シートは、半導体装置の製造に用いられるものであってよく、半導体ウェハ又はすでに小片化されている半導体素子（半導体チップ）に、接着フィルム及びダイシングテープを０℃〜９０℃で貼り合わせた後、回転刃、レーザー又は伸張による分断で接着フィルム付き半導体素子を得た後、当該接着フィルム付き半導体素子を、有機基板、リードフレーム、又は他の半導体素子上に接着する工程を含む半導体装置の製造に用いられるものであってよい。
【０１００】
半導体ウェハとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体などが挙げられる。
【０１０１】
接着フィルム及び接着シートは、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子と、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させたもの；アルミナ等のセラミックス等の半導体搭載用支持部材などと、を貼り合せるためのダイボンディング用接着剤として用いることができる。
【０１０２】
接着フィルム及び接着シートは、複数の半導体素子を積み重ねた構造のＳｔａｃｋｅｄ−ＰＫＧにおいて、半導体素子と半導体素子とを接着するための接着剤としても好適に用いられる。この場合、一方の半導体素子が、半導体素子を搭載する支持部材となる。
【０１０３】
接着フィルム及び接着シートは、例えば、フリップチップ型半導体装置の半導体素子の裏面を保護する保護シート、フリップチップ型半導体装置の半導体素子の表面と被着体との間を封止するための封止シート等としても用いることできる。
【０１０４】
接着フィルムを用いて製造された半導体装置について、図面を用いて具体的に説明する。なお、近年は様々な構造の半導体装置が提案されており、本実施形態に係る接着フィルムの用途は、以下に説明する構造の半導体装置に限定されるものではない。
【０１０５】
図６は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図６に示す半導体装置２００は、半導体素子９と、半導体素子９を搭載する支持部材１０と、半導体素子９及び支持部材１０間に設けられ、半導体素子９及び支持部材１０を接着する接着部材（接着フィルムの硬化物１ｃ）と、を備える。半導体素子９の接続端子（図示せず）はワイヤ１１を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続され、封止材１２によって封止されている。
【０１０６】
図７は、半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。図７に示す半導体装置２１０において、一段目の半導体素子９ａは、接着部材（接着フィルムの硬化物１ｃ）によって、端子１３が形成された支持部材１０に接着され、一段目の半導体素子９ａ上にさらに接着部材（接着フィルムの硬化物１ｃ）によって二段目の半導体素子９ｂが接着されている。一段目の半導体素子９ａ及び二段目の半導体素子９ｂの接続端子（図示せず）は、ワイヤ１１を介して外部接続端子と電気的に接続され、封止材１２によって封止されている。このように、本実施形態に係る接着フィルムは、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
【０１０７】
図６及び図７に示す半導体装置（半導体パッケージ）は、例えば、半導体素子と支持部材との間又は半導体素子と半導体素子との間に接着フィルムを介在させ、これらを加熱圧着して両者を接着させ、その後、必要に応じてワイヤーボンディング工程、封止材による封止工程、はんだによるリフローを含む加熱溶融工程等を経ることによって得られる。加熱圧着工程における加熱温度は、通常、２０〜２５０℃、荷重は、通常、０．１〜２００Ｎであり、加熱時間は、通常、０．１〜３００秒間である。
【０１０８】
半導体素子と支持部材との間又は半導体素子と半導体素子との間に接着フィルムを介在させる方法としては、上述したように、予め接着フィルム付半導体素子を作製した後、支持部材又は半導体素子に貼り付ける方法であってよい。
【０１０９】
次に、図４に示すダイシング・ダイボンディング一体型接着シートを用いた場合における半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。なお、ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートによる半導体装置の製造方法は、以下に説明する半導体装置の製造方法に限定されるものではない。
【０１１０】
まず、接着シート１２０（ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート）における接着フィルム１に半導体ウェハを圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段によって押圧しながら行ってもよい。
【０１１１】
次に、半導体ウェハのダイシングを行う。これにより、半導体ウェハを所定のサイズに切断して、複数の個片化された接着フィルム付き半導体素子（半導体チップ）を製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウェハの回路面側から常法に従って行うことができる。また、本工程では、例えば、ダイシングテープまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式、半導体ウェハに半分切込みを入れて冷却下で引っ張ることにより分断する方式、レーザーによる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては、特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。
【０１１２】
ダイシング・ダイボンディング一体型接着シートに接着固定された半導体素子を剥離するために、半導体素子のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体素子をダイシング・ダイボンディング一体型接着シート側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体素子をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１１３】
ここでピックアップは、粘着剤層が放射線（例えば、紫外線）硬化型の場合、該粘着剤層に放射線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層の接着フィルムに対する粘着力が低下し、半導体素子の剥離が容易になる。その結果、半導体素子を損傷させることなく、ピックアップが可能となる。
【０１１４】
次に、ダイシングによって形成された接着フィルム付き半導体素子を、接着フィルムを介して半導体素子を搭載するための支持部材に接着する。接着は圧着によって行われてよい。ダイボンドの条件としては、特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。具体的には、例えば、ダイボンド温度８０〜１６０℃、ボンディング荷重５〜１５Ｎ、ボンディング時間１〜１０秒の範囲内で行うことができる。
【０１１５】
必要に応じて、接着フィルムを熱硬化させる工程を設けてもよい。上記接着工程によって支持部材と半導体素子とを接着している接着フィルムを熱硬化させることによって、より強固に接着固定が可能となる。熱硬化を行う場合、圧力を同時に加えて硬化させてもよい。本工程における加熱温度は、接着フィルムに構成成分によって適宜変更することができる。加熱温度は、例えば、６０〜２００℃であってよい。なお、温度又は圧力は、段階的に変更しながら行ってもよい。
【０１１６】
次に、支持部材の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子上の電極パッドとをボンディングワイヤーで電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ボンディングワイヤーとしては、例えば、金線、アルミニウム線、銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃又は８０〜２２０℃の範囲内であってよい。加熱時間は数秒〜数分間であってよい。結線は、上記温度範囲内で加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧とによる圧着エネルギーの併用によって行われてもよい。
【０１１７】
次に、封止樹脂によって半導体素子を封止する封止工程を行う。本工程は、支持部材に搭載された半導体素子又はボンディングワイヤーを保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂であってよい。封止時の熱及び圧力によって基板及び残渣が埋め込まれ、接着界面での気泡による剥離を防止することができる。
【０１１８】
次に、後硬化工程において、封止工程で硬化不足の封止樹脂を完全に硬化させる。封止工程において、接着フィルムが熱硬化されない場合でも、本工程において、封止樹脂の硬化とともに接着フィルムを熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類よって適宜設定することができ、例えば、１６５〜１８５℃の範囲内であってよく、加熱時間は０．５〜８時間程度であってよい。
【０１１９】
次に、支持部材に接着された接着フィルム付き半導体素子に対して、リフロー炉を用いて加熱する。本工程では支持部材上に、樹脂封止した半導体装置を表面実装してもよい。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めはんだを供給した後、温風等によって加熱溶融し、はんだ付けを行うリフローはんだ付けなどが挙げられる。加熱方法としては、例えば、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、加熱方法は、全体を加熱するものであってもよく、局部を加熱するものであってもよい。加熱温度は、例えば、２４０〜２８０℃の範囲内であってよい。
【０１２０】
半導体素子を多層に積層する場合には、ワイヤーボンディング工程等の熱履歴が多くなり、接着フィルムと半導体素子との界面に存在する気泡による剥離への影響は大きなものとなり得る。しかしながら、本実施形態に係る接着フィルムは、特定のアクリルゴムを用いることによって、凝集力が低下し、埋込性が向上する傾向にある。そのため、半導体装置内に気泡を巻き込み難く、封止工程における気泡を容易に拡散させることができ、接着界面での気泡による剥離を防止することができる。
【実施例】
【０１２１】
以下に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２２】
（実施例１〜５）
＜接着フィルムの作製＞
表１に示す組成比（単位：質量部）で、各成分を配合し、均一になるように３０分間撹拌し、実施例１〜５の接着剤組成物（接着剤ワニス）を得た。なお、表１に示す数値は、固形分の質量部を意味する。得られた接着剤組成物を、卓上コータを用いて離型処理されたＰＥＴフィルム（商品名：Ａ−３１、帝人フィルムソリューション株式会社製）上に塗工した。塗工の厚みはアプリケータを使用して調整した。塗工した接着剤組成物を１２０℃、１０分間乾燥して、実施例１〜５の接着フィルムを得た。
【０１２３】
（Ａ）熱硬化性樹脂
（Ａ１）一般式（１）で表されるマレイミド樹脂
（Ａ１−１）ＢＭＩ−３０００（商品名、下記式（ａ）で表される樹脂（ｎ＝１〜１０の混合物）、Ｄｅｓｉｇｎｅｒ  Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  Ｉｎｃ．製）（固形分：７０質量％、トルエン溶液）
【０１２４】
【化８】
2020128500.tif 000009
【０１２５】
（Ａ２）一般式（１）で表されるマレイミド樹脂以外のイミド骨格を有する樹脂
（Ａ２−１）ＢＡＮＩ−Ｘ（商品名、ビスアリルナジイミド、丸善石油化学株式会社製）
（Ａ２−２）ＢＭＩ−３０００（（Ａ１−１）とは商品名は同じだが、異なるもの）（商品名、ｍ−フェニレンビスマレイミド、新中村化学株式会社製）
【０１２６】
（Ａ３）（Ａ１）及び（Ａ２）以外の熱硬化性樹脂
（Ａ３−１）Ａ−ＤＣＰ（商品名、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、新中村化学株式会社製）
（Ａ３−２）ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学株式会社製）
【０１２７】
（Ｂ）硬化促進剤
（Ｂ１）パークミルＤ（商品名、ジクミルパーオキサイド、日油株式会社製）
（Ｂ２）２Ｐ４ＭＨＺ（商品名、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成工業株式会社製）
【０１２８】
（Ｃ）フィラー
（Ｃ１）Ｒ−９７２（商品名、疎水性フュームドシリカ、日本アエロジル株式会社製）（固形分：１０質量％、シクロペンタノン溶液）
【０１２９】
（Ｄ）溶剤
（Ｄ１）シクロペンタノン
【０１３０】
【表１】
2020128500.tif 000010
【０１３１】
（比較例１）
＜接着剤組成物（接着剤ワニス）の調製＞
ＹＤＦ−８１７０Ｃ（商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学株式会社製）３０質量部、ＹＤＣＮ−７００−１０（商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学株式会社製）１０質量部、ＬＦ２８８２（商品名、フェノールノボラック樹脂、ＤＩＣ株式会社製）３０質量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（商品名、エポキシ基含有アクリル系共重合体、ナガセケムテックス株式会社製）３０質量部、２Ｐ４ＭＨＺ（商品名、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成工業株式会社製）１質量部、及びＳＯ−Ｃ２（商品名、シリカフィラー、アドマファイン株式会社製）１０質量部の混合物に、シクロヘキサノンを加えて均一になるように３０分間撹拌し、比較例１の接着剤組成物（接着剤ワニス）を得た。得られた接着剤組成物を、卓上コータを用いて離型処理されたＰＥＴフィルム（商品名：ＮＲ−１、厚み３８μｍ）上に塗工した。塗工の厚みはアプリケータを使用して調整した。塗工した接着剤組成物を１２０℃、１０分間乾燥して、比較例１の接着フィルムを得た。
【０１３２】
＜誘電正接（ＤＦ値）の測定＞
実施例及び比較例の接着フィルムを１８０℃で２時間加熱することによって硬化させ、所定のサイズ（６０ｍｍ（縦）×２ｍｍ（横）×３００μｍ（厚み））に切断し、３０℃で６時間真空乾燥することによって、測定サンプルを作製した。誘電正接は１０ＧＨｚにおいて得られる共振周波数及び無負荷Ｑ値から算出した。誘電正接の測定は、ベクトル型ネットワークアナライザＥ８３６４Ｂ（キーサイト・テクノロジー社製）、１０ＧＨｚ共振器ＣＰ５３１（株式会社関東電子応用開発製）、及びプログラムＣＰＭＡ−Ｖ２を用い、温度２５℃で実施した。結果を表２に示す。
【０１３３】
＜溶融粘度の測定＞
誘電正接（ＤＦ値）に優れていた実施例１〜５の接着フィルムについて、溶融粘度の測定を行った。溶融粘度は、低粘度粘弾性測定装置ＭＣＲ−３０１（株式会社アントンパール・ジャパン（ＡｎｔｏｎＰａａｒ社）製）を用いて測定した。直径４ｃｍ、深さ５ｍｍのアルミニウム製円形プレートＥＭＳ／ＣＴＤ６００（株式会社アントンパール・ジャパン製）の底部中央に、所定のサイズ（３０ｍｍ（縦）×３０ｍｍ（横）×３００μｍ（厚み））の実施例の接着フィルムを貼付し、円形プレートを装置のステージに固定した。測定セルＭｅｓｓｋｏｒｐｅｒａｃｈｓｅ  Ｄ−ＣＰ／ＰＰ７（株式会社アントンパール・ジャパン製）を装置に取り付けた後、セルの先端には治具ＳＰＰＹＵ０８−０７（株式会社アントンパール・ジャパン製）を装着した。治具の先端が円形プレートの底面から２００μｍの高さとなるように測定セルを下降し、治具の先端を接着フィルム内に埋没させた。測定条件を昇温１０℃／ｍｉｎ、周波数１Ｈｚに設定し、２５〜２００℃の範囲で溶融粘度を測定した。当該温度範囲での溶融粘度の最低値を、最低溶融粘度として求めた。結果を表２に示す。
【０１３４】
＜せん断接着力の測定＞
誘電正接（ＤＦ値）に優れていた実施例１〜５の接着フィルムについて、せん断接着力の測定を行った。半導体ウェハに、厚み２０μｍの実施例の接着フィルムを作製し、３×３ｍｍ角の半導体チップを切り出した。切り出した接着フィルム付きの半導体チップを、予め別に準備した５×５ｍｍ角の半導体チップに載せ、０．９８Ｎ（１００ｇｆ）で加圧しながら、１２０℃で２秒間圧着した。その後、１８０℃で３時間オーブンを用いて加熱し、半導体チップ同士が接着されたサンプルを得た。得られたサンプルについて、せん断接着力試験機Ｄａｇｅ−４０００（ノードソン・アドバンスト・テクノロジー株式会社）を用いて２６０℃のせん断接着力を測定した。２６０℃のせん断接着力が、１．０ＭＰａ以上であった場合を「Ａ」、０．５ＭＰａ以上１．０ＭＰａ未満であった場合を「Ｂ」、０．５ＭＰａ未満であった場合を「Ｃ」と評価した。結果を表２に示す。
【０１３５】
【表２】
2020128500.tif 000011
【０１３６】
表２に示すとおり、実施例１〜５の接着フィルムは、比較例１の接着フィルムに比べて、誘電正接（ＤＦ値）が充分に低減されていた。また、実施例１〜５の接着フィルムは、加熱時の流動性及び接着性にも優れていた。これらの結果より、本発明の接着剤組成物が、誘電正接（ＤＦ値）を充分に低減することができ、加熱時の流動性及び接着性に優れる接着フィルムを形成可能であることが確認された。
【符号の説明】
【０１３７】
１…接着フィルム、２…基材、３…カバーフィルム、６…粘着剤層、７…ダイシングテープ、９，９ａ，９ｂ…半導体素子、１０…支持部材、１１…ワイヤ、１２…封止材、１３…端子、１００，１１０，１２０，１３０…接着シート、２００，２１０…半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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