(57)【要約】【課題】均一な層厚を有する層を基材の曲面上に形成する。【解決手段】本発明は、ディップコーティング装置に関する。ディップコーティング装置は、コーティング液から基材を引き上げ、コーティング液から基材を引き上げている間に引き上げ角度を変更する引き上げ機構を備える。本発明は、ディップコーティング装置を使用するコーティング付き基材の製造方法にも向けられる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティング液から基材を引き上げ、前記コーティング液から前記基材を引き上げている間に引き上げ角度を変更する引き上げ機構
を備えるディップコーティング装置。
【請求項２】
前記引き上げ機構は、前記引き上げ角度を変更する首振り機構を備える
請求項１のディップコーティング装置。
【請求項３】
前記引き上げ機構は、直動機構及び回転機構を兼ねるＺ−θアクチュエータを備える
請求項１のディップコーティング装置。
【請求項４】
前記引き上げ機構は、互いに異なる方向に延びる複数の軸の周りをそれぞれ周る複数の方向への回転を可能にする複軸アクチュエータを備える
請求項１のディップコーティング装置。
【請求項５】
前記コーティング液の液面と前記基材の表面とがなす角の検出を行う外部センサーと、
前記検出の結果にしたがって前記引き上げ機構を制御して前記コーティング液の液面と前記基材の表面とがなす角を一定に維持する制御コントローラーと、
をさらに備える請求項１から４までのいずれかのディップコーティング装置。
【請求項６】
前記基材の下端部への液溜まりの形成を抑制する機構
をさらに備える請求項１から５までのいずれかのディップコーティング装置。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれかのディップコーティング装置を使用して前記基材上にコーティングを形成する工程
を備えるコーティング付き基材の製造方法。
【請求項８】
前記コーティングは、反射防止層を備える
請求項７のコーティング付き基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディップコーティング装置及びコーティング付き基材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置（ＬＣＤ）等の画像表示装置においては、多くの場合は、外光の映り込み、反射光等により視認性が低下することを抑制するために、保護パネルの表面上に反射防止（ＡＲ）層が形成される。
【０００３】
ＡＲ層を形成する方法は、ドライプロセス及びウエットプロセスに大別される。ドライプロセスは、真空蒸着、スパッタリング等である。ウエットプロセスは、スピンコート、ロールコート、スプレーコート、ディップコート等である。
【０００４】
ウエットプロセスは、ＡＲ層を連続的に形成することができる、大きな面積を有するＡＲ層を形成することができる等の利点を有する。このため、現在では、ＡＲ層を形成する方法としては、主に、ウエットプロセスが採用される。
【０００５】
また、ディップコートは、均一な層厚を有するＡＲ層を形成することができる、様々な形状を有する基材上にＡＲ層を形成することができる、コーティング液を無駄なく塗着することができる、必要となる設備のコストが低い等の利点を有する。このため、ウエットプロセスの中では、ＡＲ層を形成する方法として、ディップコートが好適に採用される。
【０００６】
ＡＲ層がディップコートにより形成される際には、基材が、一軸方向に往復運動し、往復運動する。これにより、基材が、コーティング液に浸漬され、コーティング液から引き上げられる。また、基材がコーティング液から引き上げられている間は、引き上げ角度が一定に維持される。
【０００７】
例えば、特許文献１に記載された技術においては、オブジェクトを回転させるための装置が塗布液の中に浸漬される（段落００７４及び００７５）。次いで、当該装置が引き抜かれる（段落００７５）。また、当該装置が引き抜かれた後に、当該装置の垂直軸及び水平軸を中心にオブジェクトが回転させられる（段落００７４及び００７５）。これにより、オブジェクトの表面上に塗布液が均一に分散される（段落００７５）。
【０００８】
また、特許文献２に記載された技術においては、試料が、把持部に把持される（段落００１９）。また、把持部が有する回転ステージで角度が調整される（段落００１９）。また、試料の角度を保ったまま、試料が塗工液面に対して垂直に引上げられる（段落００１９）。これにより、試料の全体で違った膜厚形成が行われる（段落００１９）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第５９３１３０６号公報
【特許文献２】特開２０１１−３１２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
平板状の形状を有する基材上にディップコートにより層が形成される場合は、コーティング液の粘度、コーティング液の表面張力及び引き上げ速度を一定に維持することにより、均一な層厚を有する層を形成することができる。また、平板状の形状を有する基材上にディップコートにより形成される層の物理層厚ｄは、コーティング液の密度ρ（ｋｇ／ｍ３）、重力加速度ｇ（ｍ／ｓ２）、引き上げ速度Ｕ（ｍ／ｓ）、コーティング液の粘度η（Ｐａ・ｓ）、引き上げ角度α及び表面張力γ（Ｎ／ｍ）を用いて、式（１）により表される。
【００１１】
【数１】
2020179321.tif 000003
【００１２】
一方で、近年においては、平板状の形状を有するパネルを備える画像表示装置に加えて、湾曲板状の形状を有するパネルを備える画像表示装置も普及しつつある。このため、湾曲板状の形状を有する基材の曲面上にディップコートによりＡＲ層を形成することが望まれる。
【００１３】
しかし、基材の、曲率を有する曲面上にディップコートによりＡＲ層が形成される場合は、基材がコーティング液から引き上げられている間に、コーティング液の液面と基材の曲面とがなす角が一定に維持されない。このため、均一な層厚を有するＡＲ層を基材の曲面上に形成することができない。
【００１４】
この問題は、ＡＲ層以外の層が基材上に形成される場合にも生じる。
【００１５】
本発明は、この問題に鑑みてなされた。本発明が解決しようとする課題は、均一な層厚を有する層を基材の曲面上に形成することができるディップコーティング装置及びコーティング付き基材の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、ディップコーティング装置に関する。ディップコーティング装置は、コーティング液から基材を引き上げ、コーティング液から基材を引き上げている間に引き上げ角度を変更する引き上げ機構を備える。
【００１７】
本発明は、ディップコーティング装置を使用するコーティング付き基材の製造方法にも向けられる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基材が曲面を有する場合であっても、コーティング液の液面と当該曲面とがなす角を一定に維持したまま基材をコーティング液から引き上げることができる。このため、均一な膜厚を有するコーティングを当該曲面上に形成することができる。
【００１９】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】屈折率１．５９を有する基材上に形成され、屈折率１．４を有し、膜厚９０ｎｍ、１００ｎｍ及び１１０ｎｍを有するＡＲ層の、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長における分光反射率を示すグラフである。
【図２】実施の形態１から４までのディップコーティング装置を使用して製造されるコーティング付き基材を模式的に図示する断面図である。
【図３】実施の形態１から４までのディップコーティング装置によりコーティングが形成される基材を模式的に図示する斜視図である。
【図４】実施の形態１のディップコーティング装置を模式的に図示する斜視図である。
【図５】実施の形態１のディップコーティング装置に備えられる引き上げ機構を模式的に図示する図である。
【図６】実施の形態３のディップコーティング装置を模式的に図示する斜視図である。
【図７】実施の形態４のディップコーティング装置を模式的に図示する斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
１  反射防止層の層厚が均一であることが求められる理由
反射防止（ＡＲ）層は、ＡＲ層の一方の主面において反射した光、及びＡＲ層の他方の主面において反射した光が互いに打ち消しあうように前者の光及び後者の光を互いに干渉させることにより、光が反射することを防止する。このため、ＡＲ層の屈折率ｎ、ＡＲ層の物理層厚ｄ、及びＡＲ層が最小の反射率を有する中心波長λは、ｎｄ＝λ／４という関係を満たす。したがって、屈折率１．４を有するＡＲ層が屈折率１．５９を有する基材上に形成される場合は、概ね４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有する可視光線に対して反射防止効果を有するＡＲ層を形成するためには、概ね１００ｎｍの膜厚を有するＡＲ層を形成しなければならない。
【００２２】
図１は、屈折率１．５９を有する基材上に形成され、屈折率１．４を有し、層厚９０ｎｍ、１００ｎｍ及び１１０ｎｍを有するＡＲ層の、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長における分光反射率を示すグラフである。
【００２３】
図１からは、ＡＲ層の層厚が１００ｎｍから９０ｎｍ又は１１０ｎｍにずれた場合は、中心波長が約５６ｎｍずれることを把握することができる。この約５６ｎｍの中心波長のずれは、ＡＲ層の外観の色調を変化させる。したがって、ＡＲ層の層厚は、均一であることが求められる。
【００２４】
概ね１００ｎｍの薄い膜厚を有するＡＲ層がディップコーティングにより形成される場合は、ディップコーティングに使用されるコーティング液に含まれる固形成分及び希釈溶媒に占める希釈溶媒の比が大きくなる。このため、コーティング液から基材が引き上げられている間に希釈溶媒が揮発する。このため、特許文献１に記載された技術により均一な層厚を有するＡＲ層を形成することが困難である。
【００２５】
２  実施の形態１
２．１  コーティング付き基材
図２は、実施の形態１のディップコーティング装置を使用して製造されるコーティング付き基材を模式的に図示する断面図である。
【００２６】
図２に図示されるコーティング付き基材１０は、基材１１、一方のコーティング１２ａ及び他方のコーティング１２ｂを備える。一方のコーティング１２ａは、基材１１の一方の主面１１ａ上に形成される。他方のコーティング１２ｂは、基材１１の他方の主面１１ｂ上に形成される。
【００２７】
２．２  基材
図３は、実施の形態１のディップコーティング装置によりコーティングが形成される基材を模式的に図示する斜視図である。
【００２８】
基材１１は、湾曲板状の形状を有する。湾曲板状の形状は、図３（ａ）に図示されるように、凸形状であってもよいし、図３（ｂ）に図示されるように、凹形状であってもよいし、図３（ｃ）に図示されるように、Ｓ字状形状であってもよいし、図３（ｄ）に図示されるように、２方向カーブ形状であってもよい。基材１１が平板状の形状を有してもよい。基材１１の大きさ及び厚さは、制限されない。基材１１が湾曲板状の形状を有する場合は、基材１１の曲面の曲率Ｒは、制限されない。
【００２９】
基材１１は、望ましくは、可視光線を透過する透明基材である。基材１１は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長を有する可視光域において、望ましくは、８０％以上の平均の直線透過率を有し、さらに望ましくは、８５％以上の平均の直線透過率を有する。
【００３０】
基材１１は、ガラス、樹脂等からなる。樹脂は、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）等である。
【００３１】
基材１１は、望ましくは、低複屈折化された基材である。基材１１が低複屈折化された基材である場合は、基材１１に由来する複屈折が原因となってコーティング付き基材１０に色むらが発生することを抑制することができる。
【００３２】
２．３  反射防止膜
一方のコーティング１２ａ及び他方のコーティング１２ｂの各々である各コーティング１２は、図２に図示されるように、ＡＲ膜１３を備える。
【００３３】
ＡＲ膜１３に備えられるＡＲ層の数、組み合わせ等は、制限されない。このため、ＡＲ膜１３は、１個の層を備える単層ＡＲ膜、又は２個以上の層を備える多層ＡＲ膜である。多層ＡＲ膜は、単層ＡＲ膜の反射防止効果より高い反射防止効果を有する。
【００３４】
多層ＡＲ膜は、望ましくは、２個の層を備える２層ＡＲ膜、又は３個の層を備える３層ＡＲ膜であり、さらに望ましくは、３層ＡＲ膜である。３層ＡＲ膜は、２層ＡＲ膜の反射防止効果より高い反射防止効果を有する。４個以上の層を備える多層ＡＲ膜は、２層ＡＲ膜及び３層ＡＲ膜の反射防止効果より高い反射防止効果を有する。しかし、ＡＲ膜１３が２層ＡＲ膜又は３層ＡＲ膜である場合は、ＡＲ膜１３が４個以上の層を備える多層ＡＲ膜である場合と比較して、ウエットプロセスが採用されるときであっても、ＡＲ膜１３に備えられるＡＲ層の屈折率及び層厚を精密に設計することが容易になる。
【００３５】
ＡＲ膜１３に備えられるＡＲ層がディップコーティングにより形成される場合は、ＡＲ膜１３は、１．２８以上１．４０以下の屈折率を有する低屈折層１７を備える。
【００３６】
単層ＡＲ層は、図２（ａ）に図示される単層ＡＲ膜１４等である。図２（ａ）に図示される単層ＡＲ膜１４は、低屈折層１７からなる。
【００３７】
２層ＡＲ膜は、図２（ｂ）に図示される２層ＡＲ膜１５等である。図２（ｂ）に図示される２層ＡＲ膜１５は、低屈折層１７及び高屈折層１９からなる。低屈折層１７及び高屈折層１９は、積層される。低屈折層１７は、最表層に配置される。高屈折層１９は、基材１１と低屈折層１７との間に配置される。図２（ｂ）に図示される２層ＡＲ膜１５は、図２（ａ）に図示される単層ＡＲ膜１４の反射防止効果より高い反射防止効果を有する。低屈折層１７の光学層厚は、望ましくは、中心波長λの１／４であるλ／４に設定される。高屈折層１９の光学層厚は、望ましくは、中心波長λの１／４であるλ／４、又は中心波長λの１／２であるλ／２に設定される。これらにより、より高い反射防止効果を得ることができる。
【００３８】
３層ＡＲ膜は、図２（ｃ）に図示される３層ＡＲ膜１６等である。図２（ｃ）に図示される３層ＡＲ膜１６は、低屈折層１７、中屈折層１８及び高屈折層１９からなる。低屈折層１７、中屈折層１８及び高屈折層１９は、積層される。低屈折層１７は、最表層に配置される。高屈折層１９は、基材１１と低屈折層１７との間に配置される。中屈折層１８は、低屈折層１７と高屈折層１９との間に配置される。図２（ｃ）に図示される３層ＡＲ膜１６は、図２（ａ）に図示される単層ＡＲ膜１４、及び図２（ｂ）に図示される２層ＡＲ膜１５の反射防止効果より高い反射防止効果を有する。低屈折層１７及び高屈折層１９の光学層厚は、望ましくは、中心波長λの１／４であるλ／４に設定される。中屈折層１８の光学層厚は、望ましくは、中心波長λの１／２であるλ／２に設定される。これにより、より高い反射防止効果を得ることができる。
【００３９】
ＡＲ膜１３に備えられる、低屈折層１７、中屈折層１８、高屈折層１９等のＡＲ層は、有機材料、無機材料又は有機−無機ハイブリッド材料からなり、望ましくは、有機−無機ハイブリッド材料からなる。ＡＲ層が有機−無機ハイブリッド材料からなる場合は、ＡＲ層が有機材料又は無機材料からなる場合と比較して、ＡＲ層の硬化収縮を抑制することができる。また、ＡＲ層がハードコート層と接触する場合に、ＡＲ層とハードコート層との密着性を向上することができる。
【００４０】
２．４  低屈折層
画像表示装置の保護パネルモジュールがコーティング付き基材１０を備える場合は、低屈折層１７は、保護パネルモジュールの最表層に配置される。
【００４１】
低屈折層１７の屈折率は、基材１１の屈折率、又はＡＲ膜１３に備えられる低屈折層１７以外のＡＲ層の屈折率等に応じて調整される。
【００４２】
図２（ａ）に図示される単層ＡＲ膜１４においては、中心波長λにおける反射率を０にするための低屈折層１７の屈折率ｎＬは、基材１１の屈折率ｎＳ及び空気の屈折率ｎ０（＝１．００）を用いて、式（２）により表される。
【００４３】
【数２】
2020179321.tif 000004
【００４４】
式（２）によれば、中心波長λにおける反射率を０にするための低屈折層１７の屈折率ｎＬは、１．２２である。しかし、屈折率１．２２を有する材料は存在しないため、低屈折層１７の屈折率ｎＬは、概ね、１．２８以上１．４０以下である。
【００４５】
２．５  高屈折層
高屈折層１９の屈折率は、基材１１の屈折率、ＡＲ膜１３に備えられる高屈折層１９以外のＡＲ層の屈折率等に応じて調整される。
【００４６】
図２（ｂ）に図示される２層ＡＲ膜１５においては、中心波長λにおける反射率を小さくするための高屈折層１９の屈折率ｎＨは、基材１１の屈折率ｎＳ及び低屈折層１７の屈折率ｎＬを用いて、式（３）により表される。
【００４７】
【数３】
2020179321.tif 000005
【００４８】
有機材料及び有機−無機ハイブリッド材料は、概ね、１．２８以上１．７６以下の屈折率を有する。また、低屈折層１７の屈折率ｎＬは、上述したように、概ね、１．２８以上１．４０以下である。これらのこと、及び式（３）によれば、中心波長λにおける反射率を小さくするための高屈折層１９の屈折率ｎＨは、概ね、１．６１以上１．７６以下である。
【００４９】
２．６  中屈折層
中屈折層１８は、中心波長λにおける反射率を変化させることなく、中心波長λ以外の波長における反射率を変化させるために形成される。
【００５０】
２．７  反射防止層以外の層
各コーティング１２が、ＡＲ層以外の層を備えてもよい。例えば、各コーティング１２が、ハードコート層、防汚層、帯電防止層等を備えてもよい。ＡＲ層以外の層が、積層された複数の層を備える複合層であってもよい。
【００５１】
２．８  ハードコート層
ハードコート層は、各コーティング１２の表面硬度、耐傷性及び耐候性を向上するために形成される。
【００５２】
ハードコート層は、基材１１とＡＲ膜１３との間に配置される。
【００５３】
ハードコート層は、有機材料、無機材料又は有機−無機複合材料からなり、望ましくは、有機−無機複合材料からなる。ハードコート層が有機−無機複合材料からなる場合は、ハードコート層が有機材料又は無機材料からなる場合と比較して、ハードコート層の硬化収縮を抑制することができる。また、ハードコート層とＡＲ膜１３との密着性を向上することができる。有機材料は、多官能アクリレート、ウレタン硬化物等である。無機材料は、シリコーン系材料、シロキサン系材料等である。有機−無機複合材料は、有機材料からなるマトリックス及び無機材料からなる粒子を含む。無機材料からなるフィラー粒子は、有機材料からなるマトリックスに分散している。
【００５４】
ハードコート層の屈折率は、制限されない。基材１１の屈折率とハードコート層の屈折率との差Δｎは、望ましくは、０．１以下であり、さらに望ましくは、０．０５以下であり、特に望ましくは、０である。これにより、基材１１とハードコート層との界面における反射率を小さくすることができる。
【００５５】
ハードコート層は、望ましくは、ディップコート、ロールコート、バーコート、スピンコート、スプレーコート、ダイコート、ナイフコート、スロットコート等により形成される。
【００５６】
ハードコート層が形成されるのに先立って、ハードコート層が形成される面にプラズマ処理が行われてもよい。
【００５７】
ハードコート層は、望ましくは、１μｍ以上の層厚を有し、さらに望ましくは、５μｍ以上３０μｍ以下の層厚を有する。
【００５８】
マトリックスの屈折率と異なる屈折率を有するフィラー粒子がマトリックスに分散させられ、ハードコート層の表面に凹凸が形成されてもよい。これにより、アンチグレア（ＡＧ）層を形成することができる。フィラー粒子は、望ましくは、１．０μｍ以上１０μｍ以下の粒径を有する。フィラー粒子の粒径がこの範囲内である場合は、フィラー粒子の粒径が光の波長に近づき、光の散乱強度を大きくすることができる。また、ハードコート層が形成される際に使用されるコーティング液においてフィラー粒子の分散安定性が向上し、均一な層厚を有するハードコート層を形成することができる。しかし、フィラー粒子の粒径がこの範囲より小さい場合は、フィラー粒子の粒径が光の波長より著しく小さくなり、光の散乱強度を小さくすることが困難になる傾向が現れる。また、フィラー粒子の粒径がこの範囲より大きい場合は、ハードコート層が形成される際に使用されるコーティング液においてフィラー粒子の分散安定性が低下し、均一な層厚を有するハードコート層を形成することが困難になる傾向が現れる。
【００５９】
ＡＧ層が形成されたハードコート層、及び基材１１を備えるコーティング付き基材１０のヘイズ（Ｈａｚｅ）値は、必要な映り込み防止効果に応じて変更される。ただし、コーティング付き基材１０のＨａｚｅ値は、望ましくは、コーティング付き基材１０が可視光域において８５％以上の直線透過率を有するように設定される。コーティング付き基材１０のＨａｚｅ値は、式（４）により表される。
【００６０】
【数４】
2020179321.tif 000006
【００６１】
ＡＧ層及びＡＲ層が積層されたＡＧ／ＡＲ層が形成される場合は、コーティング付き基材１０は、望ましくは、１０％以下のＨａｚｅ値を有する。これにより、ＡＧ層とＡＲ層との界面において生じる拡散反射光の強度が弱くなり当該界面において生じる正反射光の強度が強くなり、反射率が小さくなる。
【００６２】
２．９  防汚層
防汚層は、ＡＲ膜１３に指紋、汚れ等が付着することを防止するために形成される。保護パネルがコーティング付き基材１０を備える場合は、防汚層は、指紋、汚れ等が付着することを防止する。
【００６３】
防汚層は、ＡＲ膜１３上に配置され、最表層に配置される。
【００６４】
防汚層は、防汚材及びバインダー成分を含む組成物からなる。防汚材は、小さな表面張力を有する材料である。小さな表面張力を有する材料は、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等である。
【００６５】
各コーティング１２に備えられる層が形成される際に使用されるコーティング液に小さな表面張力を有する材料が含まれる場合は、小さな表面張力しか有しない材料が表面調整剤として作用し、コーティング液の表面張力が変化する。このため、当該層が形成される際のレベリング性が向上し、均一な層厚を有する層を形成することができる。
【００６６】
低屈折層１７が小さな表面張力を有する材料を含み、低屈折層１７が防汚層を兼ねてもよい。これにより、低屈折層１７から独立した防汚層を形成する工程を省略することができ、各コーティング１２の形成に要する工程数を減らすことができる。
【００６７】
２．１０  帯電防止層
帯電防止層は、静電気が発生することを抑制し、静電気が発生することに起因するごみの付着、及び静電気障害を抑制するために形成される。
【００６８】
帯電防止層は、帯電防止剤及びバインダー成分を含む組成物の硬化物からなる。
【００６９】
帯電防止層の層厚は、制限されない。ただし、ＡＲ膜１３に備えられるＡＲ層が帯電防止膜を兼ねる場合は、帯電防止層は、ＡＲ層における光の干渉に影響を与えない層厚を有する。
【００７０】
２．１１  ディップコーティング装置
図４は、実施の形態１のディップコーティング装置を模式的に図示する斜視図である。図５は、実施の形態１のディップコーティング装置に備えられる引き上げ機構を模式的に図示する図である。図５（ａ）は、上面図である。図５（ｂ）は、側面図である。
【００７１】
図４に図示される実施の形態１のディップコーティング装置１には、ｘｙｚ直交座標系が定義される。定義されるｘｙｚ直交座標系におけるｚ軸方向は、基材１１の浸漬方向及び引き上げ方向と平行をなす。
【００７２】
ディップコーティング装置１は、各コーティング１２に含まれる層をディップコーティングにより形成するために使用される。
【００７３】
ディップコーティング装置１は、引き上げ機構１００及び浸漬槽１０１を備える。ディップコーティング装置１がこれらの要素以外の要素を備えてもよい。
【００７４】
引き上げ機構１００には、基材１１が取り付けられる。浸漬槽１０１には、コーティング液１０２が入れられる。
【００７５】
引き上げ機構１００は、浸漬方向に基材１１を動かし、コーティング液１０２に基材１１を浸漬する。また、引き上げ機構１００は、引き上げ方向に基材１１を動かし、コーティング液１０２から基材１１を引き上げる。
【００７６】
引き上げ機構１００は、コーティング液１０２から基材１１を引き上げている間に引き上げ角度を変更することができる。これにより、基材１１が曲面を有する場合であっても、コーティング液１０２の液面と基材１１の曲面とがなす角を一定に維持したままコーティング液１０２から基材１１を引き上げることができる。このため、均一な層厚を有する層を基材１１の曲面上に形成することができる。
【００７７】
２．１２  引き上げ機構
引き上げ機構１００は、図４及び図５に図示されるように、一軸アクチュエータ１１０、首振り機構１１１及び基材取り付け部１１２を備える。図４及び図５に図示される構成を有する引き上げ機構１００が、他の構成を有する引き上げ機構に置き換えられてもよい。
【００７８】
一軸アクチュエータ１１０は、駆動部１２０及び一軸運動スライダー１２１を備える。駆動部１２０は、浸漬方向及び引き上げ方向への一軸運動を一軸運動スライダー１２１に行わせる。これにより、一軸アクチュエータ１１０は、浸漬方向及び引き上げ方向への直動運動を一軸運動スライダー１２１に結合された要素に行わせる。
【００７９】
首振り機構１１１は、基部及び首振り運動部を備える。基部は、ｘｙ平面、ｙｚ平面及びｘｚ平面のいずれかの平面内における首振り運動を首振り運動部に行わせる。このため、首振り機構１１１は、ｘｙ平面、ｙｚ平面及びｘｚ平面のいずれかの平面内における回転運動を首振り運動部に結合された要素に行わせる。首振り機構１１１が、互いに異なる２個以上の平面内における回転運動をそれぞれ行わせる２個以上の首振り機構の組み合わせであってもよい。
【００８０】
首振り機構１１１の基部は、一軸運動スライダー１２１に結合される。首振り機構１１１の首振り運動部は、基材取り付け部１１２に結合される。基材取り付け部１１２には、基材１１が取り付けられる。これにより、一軸アクチュエータ１１０は、浸漬方向及び引き上げ方向への直線運動を基材１１に行わせ、浸漬方向及び引き上げ方向に基材１１を動かす。また、首振り機構１１１は、ｘｙ平面、ｙｚ平面及びｘｚ平面のいずれかの平面内における回転運動を基材１１に行わせ、引き上げ角度を変更する。
【００８１】
一軸アクチュエータ１１０及び首振り機構１１１がコントローラー等の外部装置により制御されてもよい。また、外部装置による制御により、運動開始位置、運動終了位置、速度、加速度、減速度、角速度、軌跡等のパラメータが調整されてもよい。
【００８２】
首振り機構１１１の動作パターンは、基材１１の形状、及び基材１１の曲面の曲率Ｒにより決まる。したがって、基材１１の形状が著しく複雑である場合、及び基材１１の曲面の曲率Ｒが著しく大きい場合は、首振り機構１１１が基材１１の形状に追従することができない場合がある。このため、基材１１の形状、及び基材１１の曲面の曲率Ｒは、望ましくは、首振り機構１１１が追従することができるように選択される。
【００８３】
基材取り付け部１１２は、基材保持板１３０及び把持機構１３１を備える。
【００８４】
把持機構１３１は、基材保持板１３０から突出し、基材１１を把持する。
【００８５】
２．１３  ディップコーティング装置が使用される環境
ディップコーティング装置１は、望ましくは、温度及び湿度を調整することができ、外界からの風の影響を防ぐための風防が設置された環境下で使用される。これにより、コーティング液１０２の温度が変化することを抑制することができ、コーティング液１０２の温度に依存するコーティング液１０２の粘度及び表面張力が変化することを抑制することができる。これにより、式（１）に示されるようにコーティング液１０２の粘度及び表面張力に依存する、ディップコーティング装置１を用いて形成される層の層厚が変化することを抑制することができる。
【００８６】
ディップコーティング装置１は、層を形成する環境によっては、除振台上に設置される。これにより、振動によりコーティング液１０２と空気との気液界面における表面張力が変化することを抑制することができ、当該表面張力が安定した状態で層を形成することができる。
【００８７】
２．１４  循環・ろ過機構の付加
ディップコーティング装置１は、望ましくは、図４に図示されるように、循環・ろ過機構１０３を備える。
【００８８】
循環・ろ過機構１０３は、コーティング液１０２を循環させ、コーティング液１０２を循環させる途上でコーティング液１０２からダストを除去しコーティング液１０２に含まれる固形成分の濃度を一定に維持する。これにより、コーティング付き基材の歩留まりを向上することができる。
【００８９】
循環・ろ過機構１０３は、ポンプ１４０、入口側パイプ１４１及び出口側パイプ１４２を備える。ポンプ１４０は、フィルターを内蔵する。入口側パイプ１４１及び出口側パイプ１４２の両方又は片方がホースに置き換えられてもよい。
【００９０】
入口側パイプ１４１の一端は、浸漬槽１０１に接続される。入口側パイプ１４１の他端は、ポンプ１４０に接続される。出口側パイプ１４２の一端は、ポンプ１４０に接続される。出口側パイプ１４２の他端は、浸漬槽１０１に接続される。
【００９１】
コーティング液１０２が循環させられる際には、ポンプ１４０が動作させられる。これにより、入口側パイプ１４１の一端から入り、入口側パイプ１４１、ポンプ１４０及び出口側パイプ１４２を通過して、出口側パイプ１４２の他端から出るコーティング液１０２の流れが生成される。コーティング液１０２は、ポンプ１４０を通過する際に、ポンプ１４０に内蔵されたフィルターを通過する。これにより、コーティング液１０２からダストが除去される。
【００９２】
２．１５  コーティング液
コーティング液１０２は、固形成分及び希釈溶媒を含む。固形成分は、希釈溶媒に分散している。
【００９３】
固形成分は、硬化性樹脂、開始剤等を含む。
【００９４】
希釈溶媒は、基材１１を侵さない溶媒である。
【００９５】
希釈溶媒は、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、ｎ−ブタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル等からなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含む。
【００９６】
希釈溶媒は、１種の溶媒からなる単一溶媒、又は互いに混合された２種以上の溶媒からなる混合溶媒であり、望ましくは、単一溶媒である。希釈溶媒が単一溶媒である場合は、希釈溶媒が混合溶媒である場合と比較して、２種以上の溶媒の沸点の差に起因する乾燥速度差がなくなり、乾燥速度差に起因する干渉縞が発生することを抑制することができる。
【００９７】
希釈溶媒は、望ましくは高い沸点を有する溶媒からなる。希釈溶媒が高い沸点を有する溶媒からなる場合は、希釈溶媒が低い沸点を有する溶媒からなる場合と比較して、希釈溶媒の乾燥速度が遅くなる。このため、基材１１が引き上げられている間に希釈溶媒が乾燥することに起因する干渉縞が発生することを抑制することができる。
【００９８】
これらのことから、希釈溶媒は、望ましくは、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、又はメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）からなる単一溶媒である。
【００９９】
２．１６  各コーティングに備えられる層を形成する方法
２．１６．１  前処理（洗浄）
まず、基材１１がコーティング液１０２に浸漬される前に、基材１１の表面の洗浄が行われる。これにより、基材１１の表面から汚れが除去される。これにより、汚れと各コーティング１２との間に弱い密着力を有する層（ＷＢＬ）が形成されることを抑制することができ、基材１１と各コーティング１２との密着不良を抑制することができ、コーティング付き基材１０の歩留まりを向上することができる。
【０１００】
基材１１の表面の洗浄は、望ましくは、汚れを溶解する溶剤、界面活性剤等を用いて基材１１の表面を脱脂することにより行われる。溶剤は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、ｎ−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、１−メトキシ−２−プロパノール（ＰＧＭＥ）、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルエーテル、酢酸エチル、酢酸ブチル、テトロヒドロフラン（ＴＨＦ）、塩化メチレン、テトラクロロエチレン、ベンゼン、トルエン、キシレン等からなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含む。基材１１が樹脂からなる場合は、溶剤は、当該樹脂を侵さない溶媒である。溶媒は、１種の溶媒からなる単一溶媒、又は互いに混合された２種以上の溶媒からなる混合溶媒であり、望ましくは、混合溶媒である。溶媒が混合溶媒である場合は、溶媒が単一溶媒である場合と比較して、溶媒の洗浄能力が向上する。界面活性剤は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、非イオン界面活性剤、両性イオン界面活性剤等である。界面活性剤を構成する分子の分子構造は、制限されない。
【０１０１】
基材１１の表面の洗浄は、望ましくは、攪拌、超音波、シャワー等により機械的外力を加えながら行われる。これにより、基材１１の表面に固着した高い粘度を有する汚れを除去することができる。
【０１０２】
基材１１の表面の洗浄は、１回だけでなく複数回行われてもよい。基材１１の表面が複数回行われる場合は、望ましくは、一次洗浄、二次洗浄、・・・においてそれぞれ使用される一次洗浄槽、二次洗浄槽、・・・が、互いに分離される。これにより、基材１１の表面の洗浄の効率を向上することができる。
【０１０３】
２．１６．２  前処理（改質）
続いて、望ましくは、基材１１の表面の改質が行われる。これにより、基材１１の表面に極性基が形成され、基材１１の表面エネルギーが高くなる。形成される極性基は、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基等である。これにより、基材１１の表面の濡れ性を向上することができる。基材１１の表面の改質は、大気圧プラズマ処理、コロナ処理等により行われる。
【０１０４】
基材１１の表面の改質が行われた後の基材１１の表面の水接触角は、望ましくは、３０°以下であり、さらに望ましくは、１５°以下であり、特に望ましくは、１０°以下である。これにより、基材１１の表面がコーティング液１０２をはじくことを抑制することができ、均一な層厚を有する層を形成することができる。
【０１０５】
基材１１の表面の改質が大気圧プラズマ処理により行われる場合は、望ましくは、大気圧プラズマ処理が３０秒以上５分以下の処理時間にわたって行われる。処理時間がこの範囲内である場合は、基材１１の表面に極性基が十分に生成され、基材１１の表面の濡れ性が均一になり、均一な層厚を有する層を形成することができる。また、基材１１が樹脂からなる場合に、基材１１が著しく変質することを抑制することができる。処理時間がこの範囲より短い場合は、基材１１の表面に極性基が十分に生成されず、基材１１の表面の濡れ性が均一にならず、均一な層厚を有する層を形成することが困難になる傾向が現れる。処理時間がこの範囲より長い場合は、基材１１が樹脂からなるときに、基材１１が著しく変質することを抑制することが困難になる傾向が現れる。基材１１が樹脂からなる場合の基材１１の変質は、当該樹脂の低分子化、黄変等である。当該樹脂の低分子化、黄変等は、樹脂の分解、樹脂中へのラジカルの発生等により発生する。
【０１０６】
基材１１の表面の改質の効果は、基材１１が樹脂である場合に顕著に現れる。これは、基材１１が樹脂である場合は、基材１１の表面が、２０ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下の小さい表面エネルギーしか有さず、当該表面エネルギーより大きな表面エネルギーを有するコーティング液１０２をはじき、均一な層厚を有する層を形成することが困難となりやすいからである。
【０１０７】
基材１１の表面の改質がプラズマ処理、コロナ処理等により行われる場合は、基材１１の表面に短い波長を有する光が照射され、基材１１の表面が大きなエネルギーに曝される。このため、基材１１の表面に付着している汚れが分解される。したがって、基材１１の表面の改質がプラズマ処理、コロナ処理等により行われる場合は、基材１１の表面の改質が基材１１の表面の洗浄を兼ねる。
【０１０８】
２．１６．３  浸漬及び引き上げ
続いて、基材１１がコーティング液１０２に浸漬され、コーティング液１０２に浸漬された基材１１がコーティング液１０２から引き上げられる。
【０１０９】
基材１１をコーティング液１０２に浸漬する浸漬時間は、制限されないが、望ましくは、短くされる。さらに望ましくは、基材１１がコーティング液１０２に浸漬された直後にコーティング液１０２に浸漬された基材１１がコーティング液１０２から引き上げられる。これにより、基材１１がコーティング液１０２に含まれる希釈溶媒に溶解する可能性がある場合に、基材１１が当該希釈溶液に著しく侵されることを抑制することができる。
【０１１０】
基材１１がコーティング液１０２から引き上げられる際の引き上げ速度は、コーティング液１０２の粘度及び表面張力に応じて変更される。式（１）に示されるように、形成される層の層厚は、引き上げ速度の１／２乗に比例し、引き上げ速度が速くなるほど厚くなり、引き上げ速度が遅くなるほど薄くなる。引き上げ速度は、望ましくは、１ｍｍ／ｓｅｃ以上５０ｍｍ／ｓｅｃ以下である。引き上げ速度がこの範囲内である場合は、基材１１がコーティング液１０２から引き上げられている間に基材１１の表面に付着したコーティング液１０２から揮発する希釈溶媒の量が多くなりすぎず、コーティング液１０２の表面張力が大きくなりすぎず、均一な層厚を有する層を形成することができる。また、コーティング付き基材１０の生産性を向上することができる。引き上げ速度がこの範囲より遅い場合は、基材１１がコーティング液１０２から引き上げられている間に基材１１の表面に付着したコーティング液１０２から揮発する希釈溶媒の量が多くなりすぎ、均一な層厚を有する層を形成することが困難になる傾向が現れる。また、コーティング付き基材１０の生産性を向上することが困難になる傾向が現れる。引き上げ速度がこの範囲より速い場合は、コーティング液１０２の表面張力が大きくなりすぎ、均一な層厚を有する層を形成することが困難になる傾向が現れる。
【０１１１】
基材１１がコーティング液１０２から引き上げられる際の引き上げ角度は、望ましくは、７０°以上１１０°以下であり、さらに望ましくは、８０°以上１００°以下である。引き上げ角度がこれらの範囲内である場合は、コーティング液１０２と空気との界面において基材１１の一方の主面１１ａ及び他方の主面１１ｂ上で発生する表面張力が互いに近づき、基材１１の一方の主面１１ａ及び他方の主面１１ｂ上に形成される層の層厚が互いに近づく。これにより、基材１１の一方の主面１１ａ及び他方の主面１１ｂ上に形成される層の層厚が互いに異なることに起因して反射防止効果が小さくなることを抑制することができる。
【０１１２】
基材１１がコーティング液１０２に浸漬され、コーティング液１０２に浸漬された基材１１がコーティング液１０２から引き上げられる際にディップコーティング装置１が設置される環境の温度は、望ましくは、１５℃以上２５℃以下である。当該温度がこの範囲内である場合は、コーティング液１０２の粘度が適切な粘度となり、適切な層厚を有する層を形成することができる。また、相対湿度が高くなることを抑制することができ、形成される層に外観不良が発生することを抑制することができる。当該温度が１５℃より低い場合は、コーティング液１０２の粘度が大きくなり、形成される層の層厚が大きくなる傾向が現れる。当該温度が３０℃より高い場合は、コーティング液１０２の粘度が小さくなり、形成される層の層厚が小さくなる傾向が現れる。また、相対湿度が高くなり、形成される層に外観不良が発生しやすくなる傾向が現れる。
【０１１３】
コーティング液１０２の温度とディップコーティング装置１が設置される環境の温度との温度差は、望ましくは、５℃以下である。当該温度差がこの範囲内である場合は、基材１１がコーティング液１０２に浸漬され、コーティング液１０２から引き上げられている間にコーティング液１０２の温度が変化しにくくなり、コーティング液１０２の粘度及び表面張力が変化しにくくなる。
【０１１４】
基材１１がコーティング液１０２に浸漬され、コーティング液１０２に浸漬された基材１１がコーティング液１０２から引き上げられる際にディップコーティング装置１が設置される環境の相対湿度は、望ましくは、５０％以下である。当該相対湿度がこの範囲内である場合は、基材１１がコーティング液１０２から引き上げられている間に、形成される層の表面に、コーティング液１０２からの希釈溶媒の揮発に伴う気化熱により液体の水分が発生することを抑制することができる。形成される層の表面に液体の水が発生することを抑制することは、コーティング液１０２が液体の水の影響を受ける成分を含む場合に特に有利に働く。例えば、コーティング液１０２が主にアクリレートからなるモノマー成分を含む場合に特に有利に働く。これは、アクリレートは、水の存在下では凝集し不透明な外観を有するようになるからである。
【０１１５】
基材１１がコーティング液１０２から引き上げられた後には、基材１１に付着したコーティング液１０２の乾燥が行われ、基材１１に付着したコーティング液１０２から希釈溶媒が除去される。これにより、コーティング液１０２に含まれる固形成分が付着した基材１１が得られる。コーティング液１０２の乾燥は、高周波誘導加熱装置、熱風乾燥炉等によりコーティング液１０２が付着した基材１１を加熱することにより行われる。
【０１１６】
２．１６．４  硬化
続いて、基材１１に付着した固形成分の硬化が行われる。固形成分の硬化の方法は、制限されない。ただし、固形成分の硬化は、望ましくは、熱硬化、紫外線（ＵＶ）硬化等により行われ、さらに望ましくは、ＵＶ硬化により行われる。固形成分の硬化がＵＶ硬化により行われる場合は、固形成分の硬化が熱硬化により行われる場合と比較して、基材１１が熱により変形することを抑制することができる。この効果は、基材１１が、１００℃未満のガラス転移点を有する一般的な樹脂、又は約１００℃のガラス転移点を有するエンジニアリングプラスチックからなり、熱硬化に用いられる際の熱により変形する可能性がある場合に特に顕著に現れる。
【０１１７】
ＵＶ硬化に用いられるＵＶを発するＵＶランプは、コーティング液１０２に含まれる開始剤の吸収波長のＵＶを含むランプである。ＵＶランプは、望ましくは、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、フュージョンＨランプ等である。ＵＶランプは、望ましくは、１００ｍＷ／ｃｍ２以上の出力を有する。これにより、ＵＶ硬化が行われている間の酸素阻害の影響を受けて形成される層の硬度が低下することを抑制することができる。これにより、形成される層がハードコート層である場合にその機能が損なわれることを抑制することができる。
【０１１８】
３  実施の形態２
図２は、実施の形態２のディップコーティング装置を使用して製造されるコーティング付き基材を模式的に図示する断面図でもある。図３は、実施の形態２のディップコーティング装置によりコーティングが形成される基材を模式的に図示する斜視図でもある。
【０１１９】
実施の形態２のディップコーティング装置は、図４に図示される実施の形態１のディップコーティング装置１と主に下記の点で相違する。説明されない点については、実施の形態１のディップコーティング装置１において採用される構成と同様の構成が実施の形態２のディップコーティング装置においても採用される。
【０１２０】
実施の形態１のディップコーティング装置１においては、引き上げ機構１００が、一軸アクチュエータ１１０及び首振り機構１１１を備え、一軸アクチュエータ１１０及び首振り機構１１１により、コーティング液１０２から基材１１が引き上げられている間に引き上げ角度が変更される。
【０１２１】
これに対して、実施の形態２のディップコーティング装置においては、引き上げ機構１００が、直動機構及び回転機構を兼ねるＺ−θアクチュエータを備え、Ｚ−θアクチュエータにより、コーティング液１０２から基材１１が引き上げられている間に引き上げ角度が変更される。
【０１２２】
又は、実施の形態２のディップコーティング装置においては、引き上げ機構１００が、互いに異なる複数の軸の周りをそれぞれ周る複数の方向への回転を可能にする複軸アクチュエータを備え、複軸アクチュエータにより、コーティング液１０２から基材１１が引き上げられている間に引き上げ角度が変更される。
【０１２３】
複数の軸の数は、制限されない。ただし、軸の数が増加するにつれて、基材１１が複雑な形状を有する場合に均一な層厚を有する層を形成することが容易になる。複数の軸は、例えば、互いに垂直をなすｘ軸、ｙ軸及びｚ軸であり、複数の方向は、例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸の周りをそれぞれ周るθｘ方向、θｙ方向及びθｚ方向である。
【０１２４】
４  実施の形態３
図２は、実施の形態３のディップコーティング装置を使用して製造されるコーティング付き基材を模式的に図示する断面図でもある。図３は、実施の形態３のディップコーティング装置によりコーティングが形成される基材を模式的に図示する斜視図でもある。図６は、実施の形態３のディップコーティング装置を模式的に図示する斜視図である。
【０１２５】
図６に図示される実施の形態３のディップコーティング装置３は、図４に図示される実施の形態１のディップコーティング装置１と主に下記の点で相違する。説明されない点については、実施の形態１のディップコーティング装置１において採用される構成と同様の構成が実施の形態３のディップコーティング装置３においても採用される。実施の形態２のディップコーティング装置において採用される構成と同様の構成が実施の形態３のディップコーティング装置３において採用されてもよい。
【０１２６】
実施の形態３のディップコーティング装置３は、外部センサー１０４、制御コントローラー１０５、制御コントローラー−外部センサー同期アダプタ１０６及び制御コントローラー接続アダプタ１０７をさらに備える。
【０１２７】
制御コントローラー−外部センサー同期アダプタ１０６は、外部センサー１０４及び制御コントローラー１０５を互いに通信可能に接続する。制御コントローラー接続アダプタ１０７は、引き上げ機構１００及び制御コントローラー１０５を互いに通信可能に接続する。外部センサー１０４は、コーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角の検出を行う。制御コントローラー１０５は、自らが設定した、コーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角が、外部センサー１０４により検出された、コーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角と異なる場合は、自らが設定したなす角及び外部センサー１０４により検出されたなす角が同期するように首振り機構１１１を動作させる。これにより、制御コントローラー１０５は、コーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角の検出の結果にしたがって首振り機構１１１を制御し、コーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角を一定に維持する。これにより、首振り機構１１１の動作パターンの入力を簡略化又は省略することができる。また、引き上げ角度をさらに厳密に制御することができ、さらに均一な層厚を有する層を形成することができる。また、基材１１が複雑な形状を有する場合でも首振り機構１１１が基材１１の形状に追従することができる。
【０１２８】
コーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角の検出は、どのようにおこなわれてもよい。例えば、外部センサー１０４がカメラを備える場合は、コーティング液１０２と空気との界面、及び基材１１を撮像し、撮像された界面を基準線として認識し、基準線と基材１１の像との関係からコーティング液１０２の液面と基材１１の表面とがなす角を検出することにより行われる。そして、制御コントローラー１０５は、基材１１の像が基準線と設定された角度をなす方向に移動するように首振り機構１１１を制御する。これにより、さらに均一な層厚を有する層を形成することができる。
【０１２９】
５  実施の形態４
図２は、実施の形態４のディップコーティング装置を使用して製造されるコーティング付き基材を模式的に図示する断面図でもある。図３は、実施の形態４のディップコーティング装置によりコーティングが形成される基材を模式的に図示する斜視図でもある。
【０１３０】
図７は、実施の形態４のディップコーティング装置を模式的に図示する斜視図である。
【０１３１】
図７に図示される実施の形態４のディップコーティング装置４は、図４に図示される実施の形態１のディップコーティング装置１と主に下記の点で相違する。説明されない点については、実施の形態１のディップコーティング装置１において採用される構成と同様の構成が実施の形態４のディップコーティング装置４においても採用される。実施の形態２のディップコーティング装置又は実施の形態３のディップコーティング装置３において採用される構成と同様の構成が実施の形態４のディップコーティング装置１において採用されてもよい。
【０１３２】
実施の形態４のディップコーティング装置４においては、引き上げ機構１００は、ふたつの一軸アクチュエータ１１０ｐ及び１１０ｑ、並びにふたつの首振り機構１１１ｐ及び１１１ｑを備える。一軸アクチュエータ１１０ｐ及び首振り機構１１１ｐの組は、一軸アクチュエータ１１０ｑ及び首振り機構１１１ｑの組から水平方向に離される。
【０１３３】
実施の形態４のディップコーティング装置４においては、基材取り付け部１１２は、基材保持板１５０ｐ、基材保持板１５０ｑ、ねじ１５１、板１５２及び液溜まりの形成を抑制する機構（冶具）１５３を備える。基材保持板１５０ｐ及び基材保持板１５０ｑは、溝１６０を有する。溝１６０の幅は、ねじ１５１により調整することができる。板１５２は、基材保持板１５０ｐ及び基材保持板１５０ｑの下端部に渡される。液溜まりの形成を抑制する機構１５３は、板１５２の上面上に配置される。基材１１は、基材１１の左右端部を溝１６０に収容し、基材１１の下端部を液溜まりの形成を抑制する機構１５３に当て、ねじ１５１により溝１６０の幅を狭めることにより、基材取り付け部１１２に取り付けられる。基材１１の下端部が液溜まりの形成を抑制する機構１５３に当てられることにより、基材１１の下端部への液溜まりの形成が抑制される。これにより、基材１１の表面に付着したコーティング液１０２が流れ落ちることにより基材１１の下端部に形成される液溜まりが抑制され、形成される層の層厚が基材１１の下端部において大きくなることを抑制することができ、均一な層厚を有する層を形成することができる。
【０１３４】
液溜まりの形成を抑制する機構１５３は、望ましくは、軟質部材からなる。これにより、液溜まりの形成を抑制する機構１５３が変形するため、様々な形状を有する基材１１への対応が可能になる。
【０１３５】
なお、基材１１の下端部に液溜まりが形成された後に、形成された液溜まりが切削により切り落とされてもよいが、この場合は、基材１１の形状に適合する形状を有する冶具が必要になり、層が形成された後に後加工が必要になるため工数が増加する。
【０１３６】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【０１３７】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【０１３８】
１０  コーティング付き基材、１１  基材、１２ａ  一方のコーティング、１２ｂ  他方のコーティング、１３  ＡＲ膜、１４  単層ＡＲ膜、１５  ２層ＡＲ膜、１６  ３層ＡＲ膜、１７  低屈折層、１８  中屈折層、１９  高屈折層、１，３，４  ディップコーティング装置、１００  引き上げ機構、１０１  浸漬槽、１０２  コーティング液、１０３  循環・ろ過機構、１０４  外部センサー、１０５  制御コントローラー、１１０，１１０ｐ，１１０ｑ  一軸アクチュエータ、１１１，１１１ｐ，１１１ｑ  首振り機構、１１２  基材取り付け部、１２０  駆動部、１２１  一軸運動スライダー、１３０  基材保持板、１３１  把持機構、１５０，１５０ｐ，１５０ｑ  基材保持板、１５３  液溜まりの形成を抑制する機構（冶具）。
【図１】
2020179321.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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