(57)【要約】【課題】被判定装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を容易かつ高精度に実行することが可能な、情報処理装置を得る。【解決手段】真贋判定部５０は、メモリコントローラ３１が動作する第１の期間Ｐ１２において電流値測定回路１３によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間Ｐ１２に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、メモリコア３２が動作する第２の期間Ｐ１３において電流値測定回路１３によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間Ｐ１３に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路を有する被判定装置の真贋判定機能を備える、情報処理装置であって、
前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、
前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
を備え、
前記判定部は、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、情報処理装置。
【請求項２】
機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備える、情報処理装置であって、
前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
を備え、
前記判定部は、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、情報処理装置。
【請求項３】
自身を被判定装置とする真贋判定機能を備える、情報処理装置であって、
機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、
前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、
前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、
前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、
を備え、
前記判定部は、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、情報処理装置。
【請求項４】
前記判定部は、
複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成部と、
前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するパターン比較部と、
を有する、請求項１〜３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、
前記判定部は、全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、
前記判定部は、全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記判定部は、
前記パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び、前記パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理をＮ回（Ｎは複数）実行し、
前記パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、請求項４〜６のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記判定部は、
複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、
前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、所定の実測代表値を算出する代表値算出部と、
前記代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた代表値である基準代表値とを比較する代表値比較部と、
を有する、請求項１〜３のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記代表値算出部は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出する、請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記判定部は、前記第１の期間及び前記第２の期間を可変に設定する期間設定部をさらに有する、請求項１〜９のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記被判定装置は、前記第１の基準電流値及び前記第２の基準電流値を記憶する記憶部をさらに有し、
前記判定部は、当該記憶部から前記第１の基準電流値及び前記第２の基準電流値を読み出す、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の情報処理装置。
【請求項１２】
被判定装置が有する機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
前記判定手段は、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、プログラム。
【請求項１３】
機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
前記判定手段は、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、プログラム。
【請求項１４】
自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、
前記判定手段は、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、プログラム。
【請求項１５】
被判定装置が有する機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップを備える、被判定装置の真贋判定方法。
【請求項１６】
機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を備える情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップを備える、被判定装置の真贋判定方法。
【請求項１７】
自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、
前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、
前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、
に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップを備える、被判定装置の真贋判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報処理装置、プログラム、及び被判定装置の真贋判定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１には、ホスト装置とそれに接続されたメモリ装置とを備えるメモリシステムにおいて、ホスト装置からメモリ装置に流れる消費電流を測定し、当該消費電流の単位時間あたりの変化量を消費電流の変化率として算出し、上記メモリ装置に関して作成された消費電流の変化率パターンと、正規品に関する消費電流の変化率パターンとを比較することにより、上記メモリ装置が正規品であるか否かを判定するメモリシステムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６０６８８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
メモリ装置に格納されているコンテンツデータを保護するための技術としては、ＡＥＳ又はＲＳＡ等の現代暗号が一般的に使用されている。しかし、第三者の解析によって秘密鍵等の機密情報が割り出されてしまうと、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が容易に製造されてしまうという問題がある。
【０００５】
また、上記特許文献１には、ホスト装置によってメモリ装置の真贋判定を実行する態様についてのみ開示されている。しかし、不正使用の態様としては、非正規品のメモリ装置が使用される場合に限らず、正規品のメモリ装置に格納されたコンテンツデータを不正コピー等する目的で、非正規品のホスト装置が使用される場合もある。従って、不正コピー等からコンテンツデータを適切に保護するためには、ホスト装置が非正規品である場合にはメモリシステムの動作を停止させる必要がある。そのためには、メモリ装置において、ホスト装置が正規品であるか否かを判定する機能や、ホスト装置及びメモリ装置の各々において、自身が正規品であるか否かを自ら判定（自己真贋判定）する機能が望まれる。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みて成されたものであり、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を容易かつ高精度に実行することが可能な、情報処理装置、プログラム、及び被判定装置の真贋判定方法を得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様に係る情報処理装置は、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路を有する被判定装置の真贋判定機能を備える、情報処理装置であって、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【０００８】
第１の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、判定部によって被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、判定部によって被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【０００９】
本発明の第２の態様に係る情報処理装置は、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備える、情報処理装置であって、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１０】
第２の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、判定部によって被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、判定部によって被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００１１】
本発明の第３の態様に係る情報処理装置は、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備える、情報処理装置であって、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定部と、を備え、前記判定部は、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１２】
第３の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、判定部によって被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、判定部によって被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００１３】
本発明の第４の態様に係る情報処理装置は、第１〜第３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、実測電流値パターンを作成するパターン作成部と、前記パターン作成部によって作成された実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準電流値のパターンである基準電流値パターンとを比較するパターン比較部と、を有することを特徴とするものである。
【００１４】
第４の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。第４の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【００１５】
本発明の第５の態様に係る情報処理装置は、第４の態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、前記判定部は、全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１６】
第５の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、非正規品（又は正規品）の実測電流値パターンの一部のみが正規品（又は非正規品）の基準電流値パターンと異なる場合であっても、被判定装置の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【００１７】
本発明の第６の態様に係る情報処理装置は、第４の態様に係る情報処理装置において特に、前記パターン比較部は、実測電流値パターンを構成する複数の実測電流値と、基準電流値パターンを構成する複数の基準電流値とをそれぞれ比較し、前記判定部は、全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００１８】
第６の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、全ての実測電流値のうち、対応する基準電流値と一致する実測電流値の割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、突発的なノイズ等に起因して正規品（又は非正規品）の実測電流値が瞬間的に増減した場合であっても、正規品（又は非正規品）が誤って非正規品（又は正規品）と判定される事態を回避することが可能となる。
【００１９】
本発明の第７の態様に係る情報処理装置は、第４〜第６のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記パターン作成部による実測電流値パターンの作成処理、及び、前記パターン比較部による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理をＮ回（Ｎは複数）実行し、前記パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００２０】
第７の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、パターン作成部によるパターン作成処理、及び、パターン比較部によるパターン比較処理を複数Ｎ回実行し、パターン比較部によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、パターン作成部及びパターン比較部による一連の処理を複数Ｎ回繰り返して実行し、パターン比較部によるＮ回の比較結果に基づいて被判定装置の真贋判定を行うことにより、判定精度を向上することが可能となる。
【００２１】
本発明の第８の態様に係る情報処理装置は、第１〜第３のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、複数の測定タイミングで前記電流測定部によって測定された複数の実測電流値を、前記電流測定部から取得する電流値取得部と、前記電流値取得部によって取得された複数の実測電流値に基づいて、所定の実測代表値を算出する代表値算出部と、前記代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた代表値である基準代表値とを比較する代表値比較部と、を有することを特徴とするものである。
【００２２】
第８の態様に係る情報処理装置によれば、判定部は、代表値算出部によって算出された実測代表値と、正規品又は非正規品に関して予め求められた基準代表値との比較結果に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、実測電流値パターンを作成する必要がなく、また、基準電流値パターンを保持しておく必要もないため、被判定装置の真贋判定を簡易に実行することが可能となる。
【００２３】
本発明の第９の態様に係る情報処理装置は、第８の態様に係る情報処理装置において特に、前記代表値算出部は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出することを特徴とするものである。
【００２４】
第９の態様に係る情報処理装置によれば、代表値算出部は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出する。このように、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを実測代表値として使用することにより、実測代表値を簡易に算出することが可能となる。
【００２５】
本発明の第１０の態様に係る情報処理装置は、第１〜第９のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記判定部は、前記第１の期間及び前記第２の期間を可変に設定する期間設定部をさらに有することを特徴とするものである。
【００２６】
第１０の態様に係る情報処理装置によれば、期間設定部は、第１の期間及び第２の期間を可変に設定する。従って、被判定装置の真贋判定を実行する対象となる第１の期間及び第２の期間を期間設定部によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００２７】
本発明の第１１の態様に係る情報処理装置は、第１〜第１０のいずれか一つの態様に係る情報処理装置において特に、前記被判定装置は、前記第１の基準電流値及び前記第２の基準電流値を記憶する記憶部をさらに有し、前記判定部は、当該記憶部から前記第１の基準電流値及び前記第２の基準電流値を読み出すことを特徴とするものである。
【００２８】
第１１の態様に係る情報処理装置によれば、第１の基準電流値及び第２の基準電流値は、被判定装置の記憶部に記憶されている。被判定装置の基準電流値は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、ある被判定装置に関して求めた基準電流値を、その被判定装置の記憶部に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる基準電流値を簡易に管理することが可能となる。
【００２９】
本発明の第１２の態様に係るプログラムは、被判定装置が有する機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００３０】
第１２の態様に係るプログラムによれば、判定手段は、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、判定手段によって被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、判定手段によって被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００３１】
本発明の第１３の態様に係るプログラムは、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００３２】
第１３の態様に係るプログラムによれば、判定手段は、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、判定手段によって被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、判定手段によって被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００３３】
本発明の第１４の態様に係るプログラムは、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置に搭載されるコンピュータを、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する判定手段として機能させるためのプログラムであって、前記判定手段は、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定することを特徴とするものである。
【００３４】
第１４の態様に係るプログラムによれば、判定手段は、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、判定手段によって被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、判定手段によって被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００３５】
本発明の第１５の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、被判定装置が有する機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップを備えることを特徴とするものである。
【００３６】
第１５の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００３７】
本発明の第１６の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部とを有する被判定装置の真贋判定機能を備え、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部を備える情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップを備えることを特徴とするものである。
【００３８】
第１６の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００３９】
本発明の第１７の態様に係る被判定装置の真贋判定方法は、自身を被判定装置とする真贋判定機能を備え、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路と、前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に電源を供給する電源供給部と、前記電源供給部から前記第１の処理回路及び前記第２の処理回路に流れる電流を測定する電流測定部と、を備える情報処理装置において、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定する、被判定装置の真贋判定方法であって、前記第１の処理回路が動作する第１の期間において前記電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、前記第２の処理回路が動作する第２の期間において前記電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、前記被判定装置が正規品であるか非正規品であるかを判定するステップを備えることを特徴とするものである。
【００４０】
第１７の態様に係る被判定装置の真贋判定方法によれば、第１の処理回路が動作する第１の期間において電流測定部によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、第２の処理回路が動作する第２の期間において電流測定部によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかが判定される。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、被判定装置の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なる第１の処理回路及び第２の処理回路の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、被判定装置の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、被判定装置が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を容易かつ高精度に実行することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態に係るメモリシステムの構成を示す図である。
【図２】ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。
【図３】メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。
【図４】プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。
【図５】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図６】ホスト装置によるメモリ装置の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】実測電流値パターン及び基準電流値パターンの一例を示す図である。
【図８】実測電流値パターンの他の例を示す図である。
【図９】ホスト装置の他の構成例を示す図である。
【図１０】ホスト装置によるメモリ装置の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。
【図１１】プログラムをＣＰＵが実行することによって実現される機能を示す図である。
【図１２】メモリ装置の消費電流特性の一例を示す図である。
【図１３】ホスト装置によるメモリ装置の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。
【図１４】ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。
【図１５】メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。
【図１６】認証制御回路の構成を示す図である。
【図１７】ホスト装置の構成を簡略化して示す図である。
【図１８】メモリ装置の構成を簡略化して示す図である。
【図１９】認証制御回路の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、異なる図面において同一の符号を付した要素は、同一又は相応する要素を示すものとする。
【００４４】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係るメモリシステム１の構成を示す図である。図１に示すようにメモリシステム１は、ホスト装置２と、ホスト装置２に着脱自在に接続されたメモリ装置３とを備えて構成されている。ホスト装置２は、例えばパーソナルコンピュータ等の第１の情報処理装置であり、メモリ装置３は、ホスト装置２から電源供給を受けて動作する第２の情報処理装置、例えばフラッシュメモリのメモリカードである。他の例として、第１の情報処理装置はプリンタ又は複合機の本体であり、第２の情報処理装置はトナーカートリッジである。あるいは、第１の情報処理装置はゲーム機の本体であり、第２の情報処理装置はゲームプログラムが格納されたメモリカードである。
【００４５】
本実施の形態では、メモリ装置３の真贋判定をホスト装置２が実行する態様、つまり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が判定装置であり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が被判定装置である態様について説明する。
【００４６】
図２は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図２に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ（System on a Chip）１１、電源制御部１２、電流値測定回路１３、及びメモリインタフェース１４を備えて構成されている。ＳｏＣ１１及びメモリインタフェース１４は、それぞれがホスト装置２側の信号処理回路である。ＳｏＣ１１は、バス２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２２、復号器２３、期待値格納メモリ２４、ＧＰＩＯ（General Purpose Input/Output）２５、ＡＤＣ（Analog to Digital Converter）２６、コマンドバッファ２７、データバッファ２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部２９を備えて構成されている。記憶部２９には、プログラム１０１が格納されている。ホスト装置２は、自身に接続されたメモリ装置３を動作させるための電源を、電源ＶＣＣ１（電源供給部）から電源制御部１２及び抵抗素子Ｒを介してメモリ装置３（メモリコントローラ３１及びメモリコパ３２）に供給する。電流値測定回路１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３に流れる電流の電流値を測定する。
【００４７】
図３は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図３に示すようにメモリ装置３は、機能が互いに異なるメモリコントローラ３１とメモリコア３２とを備えて構成されている。メモリコントローラ３１及びメモリコア３２は、それぞれがメモリ装置３側の信号処理回路である。メモリコントローラ３１は、ホストインタフェース４１、デコーダ４２、及びメモリコアインタフェース４３を備えて構成されている。メモリコア３２の特定のアドレス領域には、後述する期待値データ２０１が格納されている。
【００４８】
図４は、図２に示したプログラム１０１をＣＰＵ２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図４に示すように、記憶部２９から読み出したプログラム１０１をＣＰＵ２２が実行することによって、ＣＰＵ２２は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部５０として機能する。換言すれば、プログラム１０１は、情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、真贋判定部５０として機能させるためのプログラムである。
【００４９】
図４に示すように真贋判定部１５０は、期間設定部５１、電流値取得部５２、パターン作成部５３、及びパターン比較部５４として機能する。なお、真贋判定部５０の機能は、ＣＰＵ２２によるソフトウェア処理によって実現する場合に限らず、専用回路等を用いたハードウェア処理によって実現しても良い。
【００５０】
メモリ装置３の正規品（純正品）と非正規品（偽造品）とでは、半導体デバイスの構造や製造プロセス等が異なるため、消費電流特性が顕著に相違する。本実施の形態に係るホスト装置２は、メモリ装置３の消費電流値（絶対値）を実測することによって実測電流値パターンを作成し、その実測電流値パターンと、正規品又は非正規品に関する既知の基準電流値パターンとを比較することによって、自身に接続されているメモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかの真贋判定を行う。以下、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００５１】
図５は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。図５には、メモリ装置３が、ホスト装置２から読み出しコマンドを受信し、読み出しコマンドによって指定されたコンテンツデータをメモリコア３２から読み出し、読み出したコンテンツデータをホスト装置２に送信する場合の消費電流特性を示している。
【００５２】
期間Ｐ１１，Ｐ１５は、メモリ装置３がホスト装置２からのコマンド受信を待機しているスタンバイ期間である。期間Ｐ１１，Ｐ１５では、メモリコントローラ３１及びメモリコア３２はいずれも動作をしていない。
【００５３】
期間Ｐ１２は、ホスト装置２が送信した読み出しコマンドをメモリ装置３が受信している期間である。期間Ｐ１２では、メモリコントローラ３１は動作をしており、メモリコア３２は動作をしていない。
【００５４】
期間Ｐ１３は、メモリコア３２からコンテンツデータを読み出すために、メモリコア３２へのアクセスを実行している期間である。期間Ｐ１３では、メモリコントローラ３１は動作をしておらず、メモリコア３２は動作をしている。
【００５５】
期間Ｐ１４は、読み出しコマンドによって指定されたコンテンツデータをメモリコア３２から読み出して、当該コンテンツデータをホスト装置２へ送信している期間である。期間Ｐ１４では、メモリコントローラ３１及びメモリコア３２はいずれも動作をしている。
【００５６】
本実施の形態に係る真贋判定部５０は、メモリコントローラ３１が単独で動作する期間Ｐ１２において電流値測定回路１３によって測定された第１の実測電流値パターンと、期間Ｐ１２に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとを比較する。また、真贋判定部５０は、メモリコア３２が単独で動作する期間Ｐ１３において電流値測定回路１３によって測定された第２の実測電流値パターンと、当該期間Ｐ１３に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとを比較する。そして、真贋判定部５０は、これらの比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。
【００５７】
正規品のメモリ装置３であれば、実装される半導体デバイスの種類や各デバイスの製造プロセスが厳密に管理されているため、各期間Ｐ１１〜Ｐ１５におけるメモリ装置３の消費電流特性はほぼ一定である。そこで、各期間Ｐ１１〜Ｐ１５の消費電流特性を示す情報が工場出荷前に作成されて、暗号化された期待値データ２０１（図３参照）として、メモリコア３２の特定のアドレス領域に格納されている。本実施の形態の例では、メモリコントローラ３１が単独で動作している期間Ｐ１２、及び、メモリコア３２が単独で動作している期間Ｐ１３の各々に関する、
・消費電流値を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって得られる消費電流値の遷移パターン（基準電流値パターン）
・消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）
が、期待値データ２０１としてメモリコア３２に格納されている。
【００５８】
なお、排除対象となる非正規品が既に特定されている場合には、正規品に関する基準電流値パターン及び基準代表値に代えて、非正規品に関する基準電流値パターン及び基準代表値をメモリコア３２に格納しても良い。例えば、正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測電流値パターン（詳細は後述する）と基準電流値パターンとが一致するか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか否かを判定できる。非正規品に関する基準電流値パターンを用いる場合には、実測電流値パターンと基準電流値パターンとが一致するか否かによって、メモリ装置３が非正規品であるか否かを判定できる。基準代表値についても同様である。本実施の形態及び後述の各変形例では、正規品に関する基準電流値パターン及び基準代表値を用いる例について説明する。
【００５９】
図６は、ホスト装置２によるメモリ装置３の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ２２（期間設定部５１）は、期間Ｐ１１〜Ｐ１５の中から、真贋判定の実行対象となる複数の判定対象期間を設定する。期間設定部５１は、予め定められた規則に従って判定対象期間を静的に変更することができ、あるいは、真贋判定の累積実行回数やメモリシステム１の稼働状況等に応じて判定対象期間を動的に変更することができる。本実施の形態の例では、メモリコントローラ３１が単独で動作している期間Ｐ１２が第１の判定対象期間として設定され、メモリコア３２が単独で動作している期間Ｐ１３が第２の判定対象期間として設定される。
【００６０】
また、期間設定部５１は、第１及び第２の判定対象期間に対してそれぞれ実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、第１及び第２の判定対象期間の双方に対して、「電流値パターン同士の比較処理」が真贋判定の処理内容として設定される。但し、電流値パターン同士の比較処理がデフォルト処理として実行される場合には、この設定は省略しても良い。
【００６１】
次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ２２は、メモリ装置３から所望の期待値データ２０１を読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ２７にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ２７からメモリインタフェース１４を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ４２に入力する。デコーダ４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ２０１の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース４３に入力する。当該読み出しアドレスはメモリコアインタフェース４３からメモリコア３２に入力され、これによって、所望の期待値データ２０１がメモリコア３２から読み出される。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「期間Ｐ１２，Ｐ１３を対象とする電流値パターン同士の比較処理」に設定されているため、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する基準電流値パターンと、それぞれに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ２０１としてメモリコア３２から読み出される。許容誤差値は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する基準電流値パターンにおける電流値の分布態様等に応じて、プラスマイナス数％からプラスマイナス１０数％の範囲内で最適な値が予め設定されている。読み出された期待値データ２０１は、暗号化された状態で、メモリコアインタフェース４３及びホストインタフェース４１を介してホスト装置２に送信される。メモリインタフェース１４は、メモリ装置３から受信した期待値データ２０１を、データバッファ２８を介して復号器２３に入力する。復号器２３は、暗号化されている期待値データ２０１を復号化する。復号化された期待値データ２０１は、期待値格納メモリ２４に格納される。本実施の形態の例では、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する基準電流値パターンと、それぞれに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、期待値格納メモリ２４に格納される。
【００６２】
次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ２２は、ＡＤＣ２６を駆動する。また、ＣＰＵ２２は期間Ｐ１２において、メモリ装置３から所望のコンテンツデータを読み出すための読み出しコマンドを、コマンドバッファ２７にセットする。当該読み出しコマンドは、コマンドバッファ２７からメモリインタフェース１４を介してメモリ装置３に送信される。ホストインタフェース４１は、ホスト装置２から受信した当該読み出しコマンドを、デコーダ４２に入力する。デコーダ４２は、入力された当該読み出しコマンドをデコードすることにより、所望の期待値データ２０１の読み出しアドレスをメモリコアインタフェース４３に入力する。期間Ｐ１２においては、電源ＶＣＣ１から電源制御部１２及び抵抗素子Ｒを介して、メモリコントローラ３１に電源が供給される。電源ＶＣＣ１からメモリコントローラ３１へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数（例えば１ＭＨｚ〜数ＭＨｚ）でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ１からメモリコントローラ３１へ流れる電流の電流値を実測する。期間Ｐ１２に関する実測電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部５２によってＣＰＵ２２に順次入力される。なお、ＡＤＣ２６によるＡＤ変換よりも前にプリアンプによって実測電流値を増幅する上記の構成に代えて、ＡＤＣ２６によるＡＤ変換よりも後に乗算器によって実測電流値を増幅する構成を採用しても良い（以下同様）。
【００６３】
また、期間Ｐ１２に引き続き、期間Ｐ１３において、メモリコアインタフェース４３からメモリコア３２に読み出しアドレスが入力されることによって、メモリコア３２に対するメモリアクセスが実行される。期間Ｐ１３においては、電源ＶＣＣ１から電源制御部１２及び抵抗素子Ｒを介して、メモリコア３２に電源が供給される。電源ＶＣＣ１からメモリコア３２へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ１からメモリコア３２へ流れる電流の電流値を実測する。期間Ｐ１３に関する実測電流値は、図示しないプリアンプによって増幅された後、ＡＤＣ２６によってＡＤ変換され、その後、電流値取得部５２によってＣＰＵ２２に順次入力される。
【００６４】
次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ２２（パターン作成部５３）は、電流値取得部５２によって順次取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、期間Ｐ１２に関するメモリコントローラ３１の実測電流値パターンと、期間Ｐ１３に関するメモリコア３２の実測電流値パターンとを作成する。
【００６５】
次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ２２（パターン比較部５４）は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の各々に関して、基準電流値パターンと許容誤差値を示すデータとを期待値格納メモリ２４から読み出して取得する。
【００６６】
次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ２２（パターン比較部５４）は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の各々に関して、パターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンと、期待値格納メモリ２４から読み出した基準電流値パターンとを比較する。
【００６７】
図７は、期間Ｐ１２に関して、実測電流値パターン及び基準電流値パターンの一例を示す図である。電流値測定回路１３のサンプリング周波数が１ＭＨｚ〜数ＭＨｚであり、期間Ｐ１２の長さが数ｍ秒〜数十ｍ秒である場合には、実際には実測電流値パターン及び基準電流値パターンはそれぞれ数十万個〜数百万個の実測電流値及び基準電流値によって構成される。しかし図７では説明の簡単化のため、実測電流値パターンＩＰ０１及び基準電流値パターンＩＰ０２がそれぞれ７個の実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７及び基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７によって構成された例を示している。パターン比較部５４は、それぞれ対応する実測電流値Ｘ０１〜Ｘ０７と基準電流値Ｙ０１〜Ｙ０７との差が、期待値格納メモリ２４から読み出した許容誤差値以下であるか否かを比較する。
【００６８】
次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ２２（真贋判定部５０）は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の各々に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部５０は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の双方に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下である場合（つまり完全一致する場合）には、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。図７に示した例では、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとは完全一致している。
【００６９】
一方、期間Ｐ１２，Ｐ１３の各々に関して、少なくとも一つの差が許容誤差値を超える場合（つまり完全一致しない場合）には、真贋判定部５０は、ホスト装置２に接続されているメモリ装置３は非正規品であると判定して、非正規品であるメモリ装置３を排除するための処理を開始する。例えば、電源制御部１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ２５にセットすることにより、電源ＶＣＣ１からメモリ装置３への電源供給を停止する。
【００７０】
図８は、実測電流値パターンの他の例を示す図である。実測電流値パターンＩＰ０１Ａを構成する７個の実測電流値の最大値、最小値、及び平均値は、基準電流値パターンＩＰ０２のそれらに一致している。しかし、実測電流値パターンＩＰ０１Ａの各実測電流値が基準電流値パターンＩＰ０２の各基準電流値と完全一致しないため、メモリ装置３は非正規品と判定される。また、実測電流値パターンＩＰ０１Ｂにおいて互いに隣接する実測電流値間の変化率は、基準電流値パターンＩＰ０２のそれらに一致している。しかし、実測電流値パターンＩＰ０１Ｂの各実測電流値が基準電流値パターンＩＰ０２の各基準電流値と完全一致しないため、メモリ装置３は非正規品と判定される。
【００７１】
なお、以上の説明では、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差を求める演算、及び、各電流値の差が許容誤差値以下であるか否かの演算を、ＣＰＵ２２のソフトウェア処理によって実行する例について述べた。しかし、電流値測定回路１３の膨大なサンプリング数に起因してＣＰＵ２２の処理負荷が増大することを回避すべく、これらの演算は、専用の演算器を用いたハードウェア処理によって実行しても良い。
【００７２】
図９は、ホスト装置２の他の構成例を示す図である。ＳｏＣ１１に演算器６０が実装されている。実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差を求める演算、及び、各電流値の差が許容誤差値以下であるか否かの演算は、演算器６０によって実行され、それらの演算の結果が演算器６０からＣＰＵ２２に入力される。
【００７３】
このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、真贋判定部５０は、メモリコントローラ３１（第１の処理回路）が動作する第１の期間Ｐ１２において電流値測定回路１３（電流測定部）によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の期間Ｐ１２に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、メモリコア３２（第２の処理回路）が動作する第２の期間Ｐ１３において電流値測定回路１３によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の期間Ｐ１３に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、メモリ装置３（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、真贋判定部５０によってメモリ装置３の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なるメモリコントローラ３１及びメモリコア３２の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、真贋判定部５０によってメモリ装置３の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【００７４】
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。非正規品は粗悪品であることが多いため、非正規品の消費電流の絶対値は正規品のそれより大きい場合が多い。本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、消費電流の変化率パターンではなく実測電流値パターンと基準電流値パターンとを比較するため、たとえ正規品と非正規品とで消費電流の変化率パターンが近似している場合であっても、メモリ装置３の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【００７５】
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、全ての実測電流値が、対応する基準電流値と一致しているか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、非正規品（又は正規品）の実測電流値パターンの一部のみが正規品（又は非正規品）の基準電流値パターンと異なる場合であっても、メモリ装置３の真贋判定を高精度に実行することが可能となる。
【００７６】
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、期間設定部５１は、第１及び第２の判定対象期間を可変に設定する。従って、メモリ装置３の真贋判定を実行する対象となる第１及び第２の判定対象期間を期間設定部５１によって静的又は動的に変更できるため、第三者による判定アルゴリズムの解析をより困難化することが可能となる。
【００７７】
また、本実施の形態に係るホスト装置２によれば、期待値データ２０１は、メモリ装置３のメモリコア３２に記憶されている。メモリ装置３の期待値データ２０１は、デバイスの構造や製造プロセス等に依存するため、デバイス毎に異なる。従って、あるメモリ装置３に関して求めた期待値データ２０１を、そのメモリ装置３のメモリコア３２に記憶しておくことにより、デバイス毎に異なる期待値データ２０１を簡易に管理することが可能となる。
【００７８】
以下、上記実施の形態１に対する様々な変形例について説明する。以下に述べる変形例は、変形例同士を任意に組み合わせて適用することが可能であり、また、後述する実施の形態２〜４と任意に組み合わせて適用することが可能である。
【００７９】
＜変形例１＞
上記実施の形態１では、真贋判定部５０は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する全ての実測電流値Ｘが、対応する基準電流値Ｙと完全一致している場合に、メモリ装置３が正規品であると判定した。
【００８０】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の双方において、全ての実測電流値Ｘのうち、対応する基準電流値Ｙと一致する実測電流値Ｘの割合が第１のしきい値以上である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、期間Ｐ１２，Ｐ１３の少なくとも一方において、当該割合が第１のしきい値未満である場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。第１のしきい値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定され、少なくとも５１％以上の値に設定される。
【００８１】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する全ての実測電流値Ｘのうち、対応する基準電流値Ｙと一致する実測電流値Ｘの割合が第１のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って例えば、突発的なノイズ等に起因して正規品の実測電流値Ｘが瞬間的に増減した場合であっても、正規品が誤って非正規品と判定される事態を回避することが可能となる。
【００８２】
＜変形例２＞
上記実施の形態１では、各期間Ｐ１２，Ｐ１３において、パターン作成部５３は実測電流値パターンを一回だけ作成し、パターン比較部５４は実測電流値パターンと基準電流値パターンとを一回だけ比較し、真贋判定部５０はパターン比較部５４による一回だけの比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行った。
【００８３】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、パターン比較部５４による複数回の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行う。
【００８４】
図１０は、ホスト装置２によるメモリ装置３の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。ステップＳＰ１０６に引き続き、ステップＳＰ２０１において真贋判定部５０は、パターン比較部５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理が、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して所定のＮ回（Ｎは複数）実行されたか否かを判定する。
【００８５】
各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関してＮ回の比較処理が実行されていない場合には、ＣＰＵ２２は、ステップＳＰ１０３〜ＳＰ１０６の処理を再度実行する。一方、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関してＮ回の比較処理が実行された場合には、ＣＰＵ２２は、ステップＳＰ１０７の処理に移行する。
【００８６】
ステップＳＰ１０７において真贋判定部５０は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の双方において、パターン比較部５４によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定し、一方、期間Ｐ１２，Ｐ１３の少なくとも一方において、当該割合が第２のしきい値未満である場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。所定回数Ｎの値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定される。また、第２のしきい値は、要求される判定精度等に応じて最適値がステップＳＰ１０１において併せて設定され、少なくとも５１％以上の値に設定される。
【００８７】
本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、パターン作成部５３による実測電流値パターンの作成処理、及び、パターン比較部５４による実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較処理を、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して複数Ｎ回実行する。そして、パターン比較部５４によるＮ回の比較処理のうち、実測電流値パターンが基準電流値パターンに一致していると判定された割合が第２のしきい値以上であるか否かによって、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、パターン作成部５３及びパターン比較部５４による一連の処理を各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して複数Ｎ回繰り返して実行し、パターン比較部５４によるＮ回の比較結果に基づいてメモリ装置３の真贋判定を行うことにより、判定精度を向上することが可能となる。
【００８８】
＜変形例３＞
上記実施の形態１では、真贋判定部５０は、各期間Ｐ１２，１３に関して、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行った。
【００８９】
これに対して本変形例に係る真贋判定部５０は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較結果に代えて、実測代表値と基準代表値との比較結果に基づいて、メモリ装置３の真贋判定を行う。上記実施の形態１で説明した通り、期間Ｐ１２，Ｐ１３の各々に関する消費電流値の最大値、最小値、及び平均値（基準代表値）が、期待値データ２０１の一部としてメモリコア３２に格納されている。
【００９０】
図１１は、図２に示したプログラム１０１をＣＰＵ２２が実行することによって実現される機能を示す図である。図１１に示すように真贋判定部５０は、期間設定部５１、電流値取得部５２、代表値算出部５５、及び代表値比較部５６として機能する。
【００９１】
本変形例に係る真贋判定部５０は、メモリコントローラ３１が単独で動作する期間Ｐ１２において電流値測定回路１３によって測定された第１の実測代表値と、期間Ｐ１２に関して予め求められた第１の基準代表値とを比較する。また、真贋判定部５０は、メモリコア３２が単独で動作する期間Ｐ１３において電流値測定回路１３によって測定された第２の実測代表値と、当該期間Ｐ１３に関して予め求められた第２の基準代表値とを比較する。そして、真贋判定部５０は、これらの比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。
【００９２】
図１２は、メモリ装置３の消費電流特性の一例を示す図である。上記実施の形態１と同様に、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、期間Ｐ１２，Ｐ１３を判定対象期間として設定する。また、ステップＳＰ１０１において期間設定部５１は、「最大値、最小値、及び平均値同士の比較処理」を、各期間Ｐ１２，Ｐ１３において実行する真贋判定の処理内容として設定する。
【００９３】
図１３は、ホスト装置２によるメモリ装置３の真贋判定処理の流れを示すフローチャートである。ステップＳＰ１０２では、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する基準代表値（基準最大値、基準最小値、及び基準平均値）と、それらに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ２０１としてメモリコア３２から読み出される。これらの情報は、メモリ装置３からホスト装置２に送信され、復号器２３によって復号化された後、期待値格納メモリ２４に格納される。
【００９４】
ステップＳＰ３０１において代表値算出部５５は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して、電流値取得部５２によって取得された実測電流値Ｘに基づいて、実測最大値、実測最小値、及び実測平均値を求める。
【００９５】
ステップＳＰ３０２において代表値比較部５６は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関する基準代表値を、期待値格納メモリ２４から取得する。
【００９６】
ステップＳＰ３０３において代表値比較部５６は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して、実測最大値と基準最大値との差が許容誤差値以下であるか否か、実測最小値と基準最小値との差が許容誤差値以下であるか否か、及び、実測平均値と基準平均値との差が許容誤差値以下であるか否か、を判定する。
【００９７】
真贋判定部５０は、期間Ｐ１２，Ｐ１３の双方に関して、上記３つの代表値の差がいずれも許容誤差値以下である場合に、メモリ装置３が正規品であると判定する。一方、期間Ｐ１２，Ｐ１３の少なくとも一方に関して、いずれかの代表値の差が許容誤差値を超える場合に、メモリ装置３が非正規品であると判定する。
【００９８】
なお、実測代表値を求める演算、実測代表値と基準代表値との差を求める演算、及び、実測代表値と基準代表値との差が許容誤差値以下であるか否かの演算は、図９に示した演算器６０によって実行しても良い。また、３つの実測代表値（最大値、最小値、及び平均値）の全てを使用するのではなく、一部の実測代表値を使用しても良い。
【００９９】
このように本変形例に係るホスト装置２によれば、真贋判定部５０は、各期間Ｐ１２，Ｐ１３に関して、代表値比較部５６による実測代表値と基準代表値との比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。このように、実測電流値パターンと基準電流値パターンとの比較に代えて、実測代表値と基準代表値との比較を行うことにより、実測電流値パターンを作成する必要がなく、また、基準電流値パターンを保持しておく必要もないため、メモリ装置３の真贋判定を簡易に実行することが可能となる。
【０１００】
また、本変形例に係るホスト装置２によれば、代表値算出部５５は、実測代表値として、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを算出する。このように、平均値、最大値、及び最小値の少なくとも一つを実測代表値として使用することにより、実測代表値を簡易に算出することが可能となる。
【０１０１】
＜実施の形態２＞
本実施の形態では、ホスト装置２の真贋判定をメモリ装置３が実行する態様、つまり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が判定装置であり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が被判定装置である態様について説明する。
【０１０２】
図１４は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図１４に示すようにホスト装置２は、機能が互いに異なるＳｏＣ１１とメモリインタフェース１２とを備えて構成されている。ＳｏＣ１１には、不揮発性の記憶部１５が接続されている。記憶部１５には、期待値データ２０２が格納されている。
【０１０３】
ＳｏＣ１１は、バス２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２２、コマンドバッファ２７、及びデータバッファ２８を備えて構成されている。ＳｏＣ１１及びメモリインタフェース１４には、電源ＶＣＣ２（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。
【０１０４】
図１５は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図１５に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ３１、メモリコア３２、電流値測定回路３３、及び認証制御回路３４を備えて構成されている。メモリコントローラ３１は、ホストインタフェース４１、デコーダ４２、及びメモリコアインタフェース４３を備えて構成されている。電流値測定回路３３は、ホスト装置２の抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ２からＳｏＣ２１１及びメモリインタフェース１４に流れる電流の電流値を測定する。
【０１０５】
図１６は、認証制御回路３４の構成を示す図である。図１６の接続関係で示すように、認証制御回路３４は、バス７１を介して相互に接続された、ＣＰＵ７２、復号器７３、期待値格納メモリ７４、ＧＰＩＯ７５、電源制御部７６、ＡＤＣ７７、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部７８を備えて構成されている。記憶部７８には、プログラム１０２が格納されている。
【０１０６】
記憶部７８から読み出したプログラム１０２をＣＰＵ７２が実行することによって、図４に示すようにＣＰＵ７２は、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部５０として機能する。換言すれば、プログラム１０２は、第２の情報処理装置としてのメモリ装置３に搭載されるコンピュータを、真贋判定部５０として機能させるためのプログラムである。
【０１０７】
本実施の形態に係る真贋判定部５０は、ＳｏＣ１１が単独で動作する第１の判定対象期間において電流値測定回路３３によって測定された第１の実測電流値パターンと、当該第１の判定対象期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとを比較する。また、真贋判定部５０は、メモリインタフェース１４が単独で動作する第２の判定対象期間において電流値測定回路３３によって測定された第２の実測電流値パターンと、当該第２の判定対象期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとを比較する。そして、真贋判定部５０は、これらの比較結果に基づいて、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する。
【０１０８】
図６を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ７２（期間設定部５１）は、真贋判定の実行対象となる複数の判定対象期間を設定する。本実施の形態の例では、ＳｏＣ１１が単独で動作している期間が第１の判定対象期間として設定され、メモリインタフェース１４が単独で動作している期間が第２の判定対象期間として設定される。また、期間設定部５１は、第１及び第２の判定対象期間に対してそれぞれ実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、第１及び第２の判定対象期間の双方に対して、「電流値パターン同士の比較処理」が真贋判定の処理内容として設定される。
【０１０９】
次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ７２は、所望の期待値データ２０２を記憶部１５から読み出し、その期待値データ２０２を期待値格納メモリ７４に格納する。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「第１及び第２の判定対象期間を対象とする電流値パターン同士の比較処理」に設定されているため、第１及び第２の判定対象期間に関する基準電流値パターンと、それぞれに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ２０２として記憶部１５から読み出され、期待値格納メモリ７４に格納される。
【０１１０】
次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ７２は、ＡＤＣ７７を駆動するとともに、第１の判定対象期間においてＳｏＣ１１を単独で動作させる。第１の判定対象期間においては、電源ＶＣＣ２から抵抗素子Ｒを介してＳｏＣ１１に電源が供給される。電源ＶＣＣ２からＳｏＣ１１へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ２からＳｏＣ１１へ流れる電流の電流値を実測する。
【０１１１】
また、ＣＰＵ７２は、第２の判定対象期間においてメモリインタフェース１４を単独で動作させる。第２の判定対象期間においては、電源ＶＣＣ２から抵抗素子Ｒを介してメモリインタフェース１４に電源が供給される。電源ＶＣＣ２からメモリインタフェース１４へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ２からメモリインタフェース１４へ流れる電流の電流値を実測する。
【０１１２】
次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ７２（パターン作成部５３）は、電流値取得部５２によって順次取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、第１の判定対象期間に関するＳｏＣ１１の実測電流値パターンと、第２の判定対象期間に関するメモリインタフェース１４の実測電流値パターンとを作成する。
【０１１３】
次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ７２（パターン比較部５４）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、基準電流値パターンと許容誤差値を示すデータとを期待値格納メモリ７４から読み出して取得する。
【０１１４】
次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ７２（パターン比較部５４）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、パターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンと、期待値格納メモリ７４から読み出した基準電流値パターンとを比較する。
【０１１５】
次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ７２（真贋判定部５０）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部５０は、第１及び第２の判定対象期間の双方に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下である場合（つまり完全一致する場合）には、ホスト装置２は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
【０１１６】
一方、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、少なくとも一つの差が許容誤差値を超える場合（つまり完全一致しない場合）には、真贋判定部５０は、ホスト装置２は非正規品であると判定して、メモリシステム１の動作を停止するための処理を開始する。例えば、電源制御部７６に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ７５にセットすることにより、メモリコントローラ３１への電源供給を停止する。
【０１１７】
このように本実施の形態に係るメモリ装置３（情報処理装置）によれば、真贋判定部５０は、ＳｏＣ１１（第１の処理回路）が動作する第１の判定対象期間において電流値測定回路３３（電流測定部）によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の判定対象期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、メモリインタフェース１４（第２の処理回路）が動作する第２の判定対象期間において電流値測定回路３３によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の判定対象期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、ホスト装置２（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、真贋判定部５０によってホスト装置２の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なるＳｏＣ１１及びメモリインタフェース１４の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、真贋判定部５０によってホスト装置２の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【０１１８】
＜実施の形態３＞
本実施の形態では、ホスト装置２の真贋判定をホスト装置２自身が実行する態様、つまり、ホスト装置２等の第１の情報処理装置が判定装置かつ被判定装置である態様について説明する。
【０１１９】
図１７は、ホスト装置２の構成を簡略化して示す図である。図１７に示すようにホスト装置２は、ＳｏＣ１１、電源制御部１２、電流値測定回路１６、メモリインタフェース１４、及び不揮発性の記憶部１５を備えて構成されている。記憶部１５には、期待値データ２０３が格納されている。
【０１２０】
ＳｏＣ１１は、バス２１を介して相互に接続された、ＣＰＵ２２、復号器２３、期待値格納メモリ２４、ＧＰＩＯ２５、ＡＤＣ２６、コマンドバッファ２７、データバッファ２８、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部２９を備えて構成されている。記憶部２９には、プログラム１０３が格納されている。ＳｏＣ１１及びメモリインタフェース１４には、電源ＶＣＣ３（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。電流値測定回路１６は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ３からＳｏＣ２１１及びメモリインタフェース１４に流れる電流の電流値を測定する。
【０１２１】
記憶部２９から読み出したプログラム１０３をＣＰＵ２２が実行することによって、図４に示すようにＣＰＵ２２は、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部５０として機能する。換言すれば、プログラム１０３は、第１の情報処理装置としてのホスト装置２に搭載されるコンピュータを、真贋判定部５０として機能させるためのプログラムである。
【０１２２】
本実施の形態に係る真贋判定部５０は、ＳｏＣ１１が単独で動作する第１の判定対象期間において電流値測定回路１６によって測定された第１の実測電流値パターンと、当該第１の判定対象期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとを比較する。また、真贋判定部５０は、メモリインタフェース１４が単独で動作する第２の判定対象期間において電流値測定回路１６によって測定された第２の実測電流値パターンと、当該第２の判定対象期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとを比較する。そして、真贋判定部５０は、これらの比較結果に基づいて、ホスト装置２が正規品であるか非正規品であるかを判定する。
【０１２３】
図６を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ２２（期間設定部５１）は、真贋判定の実行対象となる複数の判定対象期間を設定する。本実施の形態の例では、ＳｏＣ１１が単独で動作している期間が第１の判定対象期間として設定され、メモリインタフェース１４が単独で動作している期間が第２の判定対象期間として設定される。また、期間設定部５１は、第１及び第２の判定対象期間に対してそれぞれ実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、第１及び第２の判定対象期間の双方に対して、「電流値パターン同士の比較処理」が真贋判定の処理内容として設定される。
【０１２４】
次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ２２は、所望の期待値データ２０３を記憶部１５から読み出し、その期待値データ２０２を期待値格納メモリ２４に格納する。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「第１及び第２の判定対象期間を対象とする電流値パターン同士の比較処理」に設定されているため、第１及び第２の判定対象期間に関する基準電流値パターンと、それぞれに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ２０３として記憶部１５から読み出され、期待値格納メモリ２４に格納される。
【０１２５】
次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ２２は、ＡＤＣ２６を駆動するとともに、第１の判定対象期間においてＳｏＣ１１を単独で動作させる。第１の判定対象期間においては、電源ＶＣＣ３から抵抗素子Ｒを介してＳｏＣ１１に電源が供給される。電源ＶＣＣ３からＳｏＣ１１へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１６は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ３からＳｏＣ１１へ流れる電流の電流値を実測する。
【０１２６】
また、ＣＰＵ２２は、第２の判定対象期間においてメモリインタフェース１４を単独で動作させる。第２の判定対象期間においては、電源ＶＣＣ３から抵抗素子Ｒを介してメモリインタフェース１４に電源が供給される。電源ＶＣＣ３からメモリインタフェース１４へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路１６は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ３からメモリインタフェース１４へ流れる電流の電流値を実測する。
【０１２７】
次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ２２（パターン作成部５３）は、電流値取得部５２によって順次取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、第１の判定対象期間に関するＳｏＣ１１の実測電流値パターンと、第２の判定対象期間に関するメモリインタフェース１４の実測電流値パターンとを作成する。
【０１２８】
次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ２２（パターン比較部５４）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、基準電流値パターンと許容誤差値を示すデータとを期待値格納メモリ２４から読み出して取得する。
【０１２９】
次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ２２（パターン比較部５４）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、パターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンと、期待値格納メモリ２４から読み出した基準電流値パターンとを比較する。
【０１３０】
次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ２２（真贋判定部５０）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部５０は、第１及び第２の判定対象期間の双方に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下である場合（つまり完全一致する場合）には、ホスト装置２は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
【０１３１】
一方、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、少なくとも一つの差が許容誤差値を超える場合（つまり完全一致しない場合）には、真贋判定部５０は、ホスト装置２は非正規品であると判定して、メモリシステム１の動作を停止するための処理を開始する。例えば、電源制御部１２に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ２５にセットすることにより、メモリ装置３への電源供給を停止する。
【０１３２】
このように本実施の形態に係るホスト装置２（情報処理装置）によれば、真贋判定部５０は、ＳｏＣ１１（第１の処理回路）が動作する第１の判定対象期間において電流値測定回路１６（電流測定部）によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の判定対象期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、メモリインタフェース１４（第２の処理回路）が動作する第２の判定対象期間において電流値測定回路１６によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の判定対象期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、ホスト装置２（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、真贋判定部５０によってホスト装置２の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なるＳｏＣ１１及びメモリインタフェース１４の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、真贋判定部５０によってホスト装置２の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【０１３３】
＜実施の形態４＞
本実施の形態では、メモリ装置３の真贋判定をメモリ装置３自身が実行する態様、つまり、メモリ装置３等の第２の情報処理装置が判定装置かつ被判定装置である態様について説明する。
【０１３４】
図１８は、メモリ装置３の構成を簡略化して示す図である。図１８に示すようにメモリ装置３は、メモリコントローラ３１、メモリコア３２、電流値測定回路３３、及び認証制御回路３４を備えて構成されている。メモリコントローラ３１及びメモリコア３２には、電源ＶＣＣ４（電源供給部）から抵抗素子Ｒを介して駆動電源が供給される。電流値測定回路３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を測定することにより、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３１及びメモリコア３２に流れる電流の電流値を測定する。メモリコア３２には、期待値データ２０４が格納されている。
【０１３５】
図１９は、認証制御回路３４の構成を示す図である。図１９の接続関係で示すように、認証制御回路３４は、バス７１を介して相互に接続された、ＣＰＵ７２、復号器７３、期待値格納メモリ７４、ＧＰＩＯ７５、電源制御部７６、ＡＤＣ７７、及び、ＲＯＭ又はＲＡＭ等の記憶部７８を備えて構成されている。記憶部７８には、プログラム１０４が格納されている。
【０１３６】
記憶部７８から読み出したプログラム１０４をＣＰＵ７２が実行することによって、図４に示すようにＣＰＵ７２は、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する真贋判定部５０として機能する。換言すれば、プログラム１０４は、第２の情報処理装置としてのメモリ装置３に搭載されるコンピュータを、真贋判定部５０として機能させるためのプログラムである。
【０１３７】
本実施の形態に係る真贋判定部５０は、メモリコントローラ３１が単独で動作する第１の判定対象期間において電流値測定回路３３によって測定された第１の実測電流値パターンと、当該第１の判定対象期間に関して予め求められた第１の基準電流値パターンとを比較する。また、真贋判定部５０は、メモリコア３２が単独で動作する第２の判定対象期間において電流値測定回路３３によって測定された第２の実測電流値パターンと、当該第２の判定対象期間に関して予め求められた第２の基準電流値パターンとを比較する。そして、真贋判定部５０は、これらの比較結果に基づいて、メモリ装置３が正規品であるか非正規品であるかを判定する。
【０１３８】
図６を参照して、メモリ装置３がホスト装置２に接続されると、まずステップＳＰ１０１においてＣＰＵ７２（期間設定部５１）は、真贋判定の実行対象となる複数の判定対象期間を設定する。本実施の形態の例では、メモリコントローラ３１が単独で動作している期間が第１の判定対象期間として設定され、メモリコア３２が単独で動作している期間が第２の判定対象期間として設定される。また、期間設定部５１は、第１及び第２の判定対象期間に対してそれぞれ実行する真贋判定の処理内容を設定する。本実施の形態の例では、第１及び第２の判定対象期間の双方に対して、「電流値パターン同士の比較処理」が真贋判定の処理内容として設定される。
【０１３９】
次にステップＳＰ１０２においてＣＰＵ７２は、所望の期待値データ２０４をメモリコア３２から読み出し、その期待値データ２０４を期待値格納メモリ７４に格納する。本実施の形態の例では、真贋判定の処理内容が「第１及び第２の判定対象期間を対象とする電流値パターン同士の比較処理」に設定されているため、第１及び第２の判定対象期間に関する基準電流値パターンと、それぞれに対応する所定の許容誤差値を示すデータとが、所望の期待値データ２０４としてメモリコア３２から読み出され、期待値格納メモリ７４に格納される。
【０１４０】
次にステップＳＰ１０３においてＣＰＵ７２は、ＡＤＣ７７を駆動するとともに、第１の判定対象期間においてメモリコントローラ３１を単独で動作させる。第１の判定対象期間においては、電源ＶＣＣ４から抵抗素子Ｒを介してメモリコントローラ３１に電源が供給される。電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３１へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ４からメモリコントローラ３１へ流れる電流の電流値を実測する。
【０１４１】
また、ＣＰＵ７２は、第２の判定対象期間においてメモリコア３２を単独で動作させる。第２の判定対象期間においては、電源ＶＣＣ４から抵抗素子Ｒを介してメモリコア３２に電源が供給される。電源ＶＣＣ４からメモリコア３２へ電源が供給されたことにより、抵抗素子Ｒに電流が流れる。電流値測定回路３３は、抵抗素子Ｒの両端電圧を所定のサンプリング周波数でサンプリングすることによって、電源ＶＣＣ４からメモリコア３２へ流れる電流の電流値を実測する。
【０１４２】
次にステップＳＰ１０４においてＣＰＵ７２（パターン作成部５３）は、電流値取得部５２によって順次取得された複数の実測電流値を時系列順に配列することによって、第１の判定対象期間に関するメモリコントローラ３１の実測電流値パターンと、第２の判定対象期間に関するメモリコア３２の実測電流値パターンとを作成する。
【０１４３】
次にステップＳＰ１０５においてＣＰＵ７２（パターン比較部５４）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、基準電流値パターンと許容誤差値を示すデータとを期待値格納メモリ７４から読み出して取得する。
【０１４４】
次にステップＳＰ１０６においてＣＰＵ７２（パターン比較部５４）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、パターン作成部５３によって作成された実測電流値パターンと、期待値格納メモリ７４から読み出した基準電流値パターンとを比較する。
【０１４５】
次にステップＳＰ１０７においてＣＰＵ７２（真贋判定部５０）は、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下であるか否かを判定する。そして真贋判定部５０は、第１及び第２の判定対象期間の双方に関して、実測電流値Ｘと基準電流値Ｙとの差の全てが許容誤差値以下である場合（つまり完全一致する場合）には、メモリ装置３は正規品であると判定して、真贋判定処理を終了する。
【０１４６】
一方、第１及び第２の判定対象期間の各々に関して、少なくとも一つの差が許容誤差値を超える場合（つまり完全一致しない場合）には、真贋判定部５０は、メモリ装置３は非正規品であると判定して、メモリシステム１の動作を停止するための処理を開始する。例えば、電源制御部７６に電源供給を停止させるための制御コマンドをＧＰＩＯ７５にセットすることにより、メモリコントローラ３１への電源供給を停止する。
【０１４７】
このように本実施の形態に係るメモリ装置３（情報処理装置）によれば、真贋判定部５０は、メモリコントローラ３１（第１の処理回路）が動作する第１の判定対象期間において電流値測定回路３３（電流測定部）によって測定された第１の実測電流値と、当該第１の判定対象期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第１の基準電流値との第１の比較結果と、メモリコア３２（第２の処理回路）が動作する第２の判定対象期間において電流値測定回路３３によって測定された第２の実測電流値と、当該第２の判定対象期間に関して正規品又は非正規品を対象として予め求められた第２の基準電流値との第２の比較結果と、に基づいて、メモリ装置３（被判定装置）が正規品であるか非正規品であるかを判定する。従って、正規品の全てのファンクションを完全にコピーした非正規品が製造された場合であっても、デバイス構造や製造プロセスの相違等に起因して正規品と非正規品とでは消費電力特性が相違するため、非正規品（又は正規品）の実測電流値は正規品（又は非正規品）の基準電流値に一致しない。従って、真贋判定部５０によってメモリ装置３の真贋判定を容易に実行することが可能となる。しかも、機能が異なるメモリコントローラ３１及びメモリコア３２の双方の消費電流特性に基づいて真贋判定を行うため、真贋判定部５０によってメモリ装置３の真贋判定をより高精度に実行することが可能となる。
【符号の説明】
【０１４８】
２  ホスト装置
３  メモリ装置
１１  ＳｏＣ
１２  電源制御部
１３，３３  電流値測定回路
１４  メモリインタフェース
２２，７２  ＣＰＵ
３１  メモリコントローラ
３２  メモリコア
３４  認証制御回路
５０  真贋判定部
５１  期間設定部
５２  電流値取得部
５３  パターン作成部
５４  パターン比較部
５５  代表値算出部
５６  代表値比較部
１０１〜１０４  プログラム
２０１〜２０４  期待データ
【図１】
2020160801.tif 000003
【図２】
2020160801.tif 000004
【図３】
2020160801.tif 000005
【図４】
2020160801.tif 000006
【図５】
2020160801.tif 000007
【図６】
2020160801.tif 000008
【図７】
2020160801.tif 000009
【図８】
2020160801.tif 000010
【図９】
2020160801.tif 000011
【図１０】
2020160801.tif 000012
【図１１】
2020160801.tif 000013
【図１２】
2020160801.tif 000014
【図１３】
2020160801.tif 000015
【図１４】
2020160801.tif 000016
【図１５】
2020160801.tif 000017
【図１６】
2020160801.tif 000018
【図１７】
2020160801.tif 000019
【図１８】
2020160801.tif 000020
【図１９】
2020160801.tif 000021