(57)【要約】【課題】ブランキングプレートの寿命を延ばす。【解決手段】マルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の第１開口が形成され、複数の第１開口を荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャ部材と、放出部と成形アパーチャ部材との間に配置され、荷電粒子ビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うビーム停止用偏向器と、ビーム停止用偏向器と成形アパーチャ部材との間に配置され、開口が設けられており、ビーム停止用偏向器によりビームＯＮの状態になるように制御された荷電粒子ビームが第３開口を通過して成形アパーチャ部材に照射され、ビーム停止用偏向器によりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて第３開口から位置が外れた荷電粒子ビームを遮蔽するビーム停止用アパーチャ部材と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャ部材と、
前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う複数の個別ブランカが設けられたブランキングプレートと、
前記マルチビーム全体に対して一括してビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う共通ブランカと、
第２開口が設けられ、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮの状態になるように制御されたビームが該第２開口を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて該第２開口から位置が外れたビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、
前記放出部と前記成形アパーチャ部材との間に配置され、前記荷電粒子ビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うビーム停止用偏向器と、
前記ビーム停止用偏向器と前記成形アパーチャ部材との間に配置され、第３開口が設けられており、前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＮの状態になるように制御された前記荷電粒子ビームが該第３開口を通過して前記成形アパーチャ部材に照射され、前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて該第３開口から位置が外れた前記荷電粒子ビームを遮蔽するビーム停止用アパーチャ部材と、
を備えるマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記成形アパーチャ部材を加熱するヒータをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記ビーム停止用偏向器に印加される偏向電圧は、前記共通ブランカに印加される偏向電圧よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載のマルチ荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
放出部が荷電粒子ビームを放出する工程と、
前記荷電粒子ビームが成形アパーチャ部材に設けられた複数の第１開口を通過することでマルチビームを形成する工程と、
複数の個別ブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う工程と、
共通ブランカを用いて前記マルチビーム全体に対して一括してビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う工程と、
前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮに制御したビームを、制限アパーチャ部材に設けられた第２開口を通過させて基板に照射し、パターンを描画する工程と、
前記放出部と前記成形アパーチャ部材との間に配置されたビーム停止用偏向器を用いて、前記荷電粒子ビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う工程と、
前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＮに制御した前記荷電粒子ビームを、前記ビーム停止用偏向器と前記成形アパーチャ部材との間に配置されたビーム停止用アパーチャ部材に設けられた第３開口を通過させて前記成形アパーチャ部材を照射する工程と、
前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＦＦに制御した前記荷電粒子ビームを、前記ビーム停止用アパーチャ部材で遮蔽する工程と、
を備えるマルチ荷電粒子ビームブランキング方法。
【請求項５】
前記基板の描画領域は、複数のストライプ領域に仮想分割され、
前記複数のストライプ領域のうち少なくとも１つの描画が終了したときに、前記ビーム停止用偏向器が前記荷電粒子ビームをビームＯＦＦに制御することを特徴とする請求項４に記載のマルチ荷電粒子ビームブランキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビームブランキング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（ステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム描画技術が用いられている。
【０００３】
マルチビームを使った描画装置は、１本の電子ビームで描画する場合に比べて、一度（１回のショット）に多くのビームを照射できるので、スループットを大幅に向上させることができる。マルチビーム描画装置では、例えば、電子銃から下方へ放出された電子ビームが、複数の開口を持った成形アパーチャ部材を通過することでマルチビームが形成される。
【０００４】
この成形アパーチャ部材の下方には、成形アパーチャ部材の各開口の配置位置に合わせて通過孔が形成されたブランキングプレートが設けられている。ブランキングプレートの各通過孔には個別ブランカ（個別ブランキング偏向器）がそれぞれ配置され、各ビームのブランキング偏向が行われる。
【０００５】
ブランキングプレートの下方には、マルチビーム全体を一括してブランキング制御する共通ブランカ（共通ブランキング偏向器）が設けられている。共通ブランカの下方には、中心部に開口が形成された制限アパーチャ部材が設けられている。個別ブランカ又は共通ブランカによってビームＯＦＦの状態になるように偏向されたビームは、制限アパーチャ部材の中心の開口から位置がはずれ、制限アパーチャ部材によって遮蔽される。個別ブランカ及び共通ブランカによって偏向されなかったビームは、制限アパーチャ部材を通過し、偏向器で偏向されて基板上の所望の位置へと照射される。
【０００６】
ブランキングプレートは、個別ブランカの電極電位を独立制御するための回路素子を搭載する。このためブランキングプレートは回路素子を形成したＬＳＩチップをＭＥＭＳ加工して電極対や開口を形成することにより作製する。つまり、電極の直下、ビーム通過穴の周囲に回路素子を配置する。従来、成形アパーチャ部材でマルチビームを形成する際に開口エッジで散乱された散乱電子が、ブランキングプレートに搭載された回路素子に当たり、回路素子の動作不良を引き起こし、ブランキングプレートの長寿命化を妨げていると考えられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１８−９８２４２号公報
【特許文献２】特開２０１８−１０７３９３号公報
【特許文献３】特開２０１８−３２７９１号公報
【特許文献４】特開２０１３−９３５６７号公報
【特許文献５】特開２００５−１１６７４３号公報
【特許文献６】特開２０１１−１９９２７９号公報
【特許文献７】特開２０１４−１１２６３９号公報
【特許文献８】特開２０１７−１２６６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、ブランキングプレートの寿命を延ばすことができるマルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビームブランキング方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、複数の第１開口が形成され、前記複数の第１開口が含まれる領域に前記荷電粒子ビームの照射を受け、前記複数の第１開口を前記荷電粒子ビームの一部がそれぞれ通過することによりマルチビームを形成する成形アパーチャ部材と、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う複数の個別ブランカが設けられたブランキングプレートと、前記マルチビーム全体に対して一括してビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う共通ブランカと、第２開口が設けられ、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮの状態になるように制御されたビームが該第２開口を通過して基板に照射され、前記個別ブランカ又は前記共通ブランカによりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて該第２開口から位置が外れたビームを遮蔽する制限アパーチャ部材と、前記放出部と前記成形アパーチャ部材との間に配置され、前記荷電粒子ビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うビーム停止用偏向器と、前記ビーム停止用偏向器と前記成形アパーチャ部材との間に配置され、第３開口が設けられており、前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＮの状態になるように制御された前記荷電粒子ビームが該第３開口を通過して前記成形アパーチャ部材に照射され、前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＦＦの状態になるように偏向されて該第３開口から位置が外れた前記荷電粒子ビームを遮蔽するビーム停止用アパーチャ部材と、を備えるものである。
【００１０】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置は、前記成形アパーチャ部材を加熱するヒータをさらに備える。
【００１１】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビーム描画装置において、前記ビーム停止用偏向器に印加される偏向電圧は、前記共通ブランカに印加される偏向電圧よりも大きい。
【００１２】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビームブランキング方法は、放出部が荷電粒子ビームを放出する工程と、前記荷電粒子ビームが成形アパーチャ部材に設けられた複数の第１開口を通過することでマルチビームを形成する工程と、複数の個別ブランカを用いて、前記マルチビームのうち、それぞれ対応するビームに対して個別にビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う工程と、共通ブランカを用いて前記マルチビーム全体に対して一括してビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う工程と、前記個別ブランカ及び前記共通ブランカによりビームＯＮに制御したビームを、制限アパーチャ部材に設けられた第２開口を通過させて基板に照射し、パターンを描画する工程と、前記放出部と前記成形アパーチャ部材との間に配置されたビーム停止用偏向器を用いて、前記荷電粒子ビームのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う工程と、前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＮに制御した前記荷電粒子ビームを、前記ビーム停止用偏向器と前記成形アパーチャ部材との間に配置されたビーム停止用アパーチャ部材に設けられた第３開口を通過させて前記成形アパーチャ部材を照射する工程と、前記ビーム停止用偏向器によりビームＯＦＦに制御した前記荷電粒子ビームを、前記ビーム停止用アパーチャ部材で遮蔽する工程と、を備えるものである。
【００１３】
本発明の一態様によるマルチ荷電粒子ビームブランキング方法において、前記基板の描画領域は、複数のストライプ領域に仮想分割され、前記複数のストライプ領域のうち少なくとも１つの描画が終了したときに、前記ビーム停止用偏向器が前記荷電粒子ビームをビームＯＦＦに制御する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ブランキングプレートの寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る描画装置の概略構成図である。
【図２】成形アパーチャ部材の概略構成図である。
【図３】ブランキングプレートの概略構成図である。
【図４】描画動作の一例を説明する概念図である。
【図５】同実施形態に係る描画方法を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態による描画装置の構成を示す概念図である。描画装置１００は、マルチ荷電粒子ビーム描画装置の一例であり、描画部１５０と制御部１６０を備えている。
【００１８】
描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ビーム停止用偏向器２２０、ビーム停止用アパーチャ部材２３０、ヒータ２４０、成形アパーチャ部材２０３、ブランキングプレート２０４、投影レンズ２０５、偏向器２１２、制限アパーチャ部材２０６、対物レンズ２０７、及び偏向器２０８が配置されている。照明レンズ２０２、投影レンズ２０５、及び対物レンズ２０７は例えば静電レンズで構成されている。
【００１９】
描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画対象となるマスク基板１０１が載置される。マスク基板１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスク、或いは、半導体装置が製造される半導体基板（シリコンウェハ）等が含まれる。また、マスク基板１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。
【００２０】
制御部１６０は、制御計算機１１０、制御回路１１２、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０を有している。記憶装置１４０（記憶部）には、描画データが外部から入力され、格納されている。
【００２１】
電子銃２０１（放出部）は、電子ビーム２００を放出する。電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャ部材２０３全体を照明する。
【００２２】
本実施形態では、照明レンズ２０２と成形アパーチャ部材２０３との間にビーム停止用偏向器２２０及びビーム停止用アパーチャ部材２３０が設けられている。ビーム停止用アパーチャ部材２３０の中心部には開口２３２（第３開口）が形成されている。ビーム停止用偏向器２２０により偏向されなかった（ビームＯＮとなるように制御された）電子ビーム２００は、開口２３２を通過し、成形アパーチャ部材２０３を照明する。一方、ビーム停止用偏向器２２０により偏向された（ビームＯＦＦとなるように制御された）電子ビーム２００は、開口２３２から位置が外れ、ビーム停止用アパーチャ部材２３０によって遮蔽される。
【００２３】
図２は、成形アパーチャ部材２０３の構成を示す概念図である。成形アパーチャ部材２０３には、縦（ｙ方向）ｍ列×横（ｘ方向）ｎ列（ｍ，ｎ≧２）の開口２２（第１開口）が所定の配列ピッチでマトリクス状に形成されている。各開口２２は、同じ寸法形状の矩形で形成される。各開口２２は、同じ外径の円形であっても構わない。これらの複数の開口２２を電子ビーム２００の一部がそれぞれ通過することで、マルチビーム２０が形成される。
【００２４】
ここでは、縦横（ｘ，ｙ方向）が共に２列以上の開口２２が配置された例を示したが、これに限るものではない。例えば、縦横（ｘ，ｙ方向）どちらか一方が複数列で他方は１列だけであっても構わない。
【００２５】
図３は、ブランキングプレート２０４の構成を示す概念図である。ブランキングプレート２０４には、成形アパーチャ部材２０３の各開口２２の配置位置に合わせて通過孔が形成され、各通過孔には、対となる２つの電極２４，２６の組（ブランカ２８：ブランキング偏向器）が配置される。各ビーム用の２つの電極２４，２６の一方（例えば、電極２４）には、制御回路１１２により、電圧が印加される。２つの電極２４，２６の他方（例えば、電極２６）は、接地される。
【００２６】
各通過孔を通過する電子ビーム２０ａ〜ｅは、２つの電極２４，２６に印加される電圧によって、それぞれ独立に偏向される。このような偏向によってブランキング制御が行われる。複数のブランカ２８が、成形アパーチャ部材２０３の複数の開口２２を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う。以下、各ビーム用の２つの電極２４，２６の組を個別ブランカ２８ともいう。
【００２７】
偏向器２１２は、マルチビーム全体を一括してブランキング制御する。以下、偏向器２１２を共通ブランカ２１２ともいう。
【００２８】
制限アパーチャ部材２０６の中心部には開口２０６ａ（第２開口）が形成されている。ブランキングプレート２０４を通過したマルチビーム２０は、投影レンズ２０５によって縮小され、共通ブランカ２１２内を通過して、制限アパーチャ部材２０６の開口２０６ａに向かって進む。
【００２９】
個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２により偏向されなかった（ビームＯＮとなるように制御された）ビームは、開口２０６ａを通過する。一方、個別ブランカ２８又は共通ブランカ２１２により偏向された（ビームＯＦＦとなるように制御された）ビームは、開口２０６ａから位置が外れ、制限アパーチャ部材２０６によって遮蔽される。
【００３０】
複数の個別ブランカ２８と、共通ブランカ２１２とにより、描画中のショット時間を制御する。そのため、個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２はビームのＯＮ／ＯＦＦを高速に制御する。制限アパーチャ部材２０６を通過したマルチビーム２０のパターン像は、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、偏向器２０８によって偏向され、マスク基板１０１上の所望の照射位置に照射される。
【００３１】
描画装置１００は、ＸＹステージ１０５が移動しながらショットビームを連続して順に照射していくラスタースキャン方式で描画処理を行う。パターンを描画する際、パターンに応じて必要なビームが個別ブランカ２８によりビームＯＮに制御される。
【００３２】
図４は、描画動作の一例を説明する概念図である。図４に示すように、マスク基板１０１の描画領域３０は、例えば、ｙ方向に向かって所定の幅で短冊状の複数のストライプ領域３２に仮想分割される。
【００３３】
まず、ＸＹステージ１０５を移動させて、第１番目のストライプ領域３２の左端、或いはさらに左側の位置に一回のマルチビーム２０の照射で照射可能な照射領域３４が位置するように調整し、描画が開始される。第１番目のストライプ領域３２を描画する際には、ＸＹステージ１０５を例えば−ｘ方向に移動させることにより、相対的にｘ方向へと描画を進めていく。ＸＹステージ１０５は所定の速度で例えば連続移動させる。
【００３４】
第１番目のストライプ領域３２の描画終了後、ステージ位置を−ｙ方向に移動させて、第２番目のストライプ領域３２の右端、あるいはさらに右側の位置に照射領域３４が相対的にｙ方向に位置するように調整し、今度は、ＸＹステージ１０５を例えばｘ方向に移動させることにより、−ｘ方向にむかって同様に描画を行う。
【００３５】
第３番目のストライプ領域３２では、ｘ方向に向かって描画し、第４番目のストライプ領域３２では、−ｘ方向に向かって描画するといったように、交互に向きを変えながら描画することで描画時間を短縮できる。１回のショットでは、成形アパーチャ部材２０３の各開口２２を通過することによって形成されたマルチビームによって、最大で開口２２と同数の複数のショットパターンが一度に形成される。
【００３６】
成形アパーチャ部材２０３でマルチビーム２０を形成する際に、開口２２のエッジで散乱された散乱電子が、ブランキングプレート２０４に搭載された回路素子に当たる場合がある。そこで、本実施形態では、描画するストライプ領域の切り替え時、マスク基板の搬入／搬出時、装置アイドル時などのビームを使用しないときに、ビーム停止用偏向器２２０がビームをＯＮからＯＦＦに切り替えて、電子ビーム２００をビーム停止用アパーチャ部材２３０によって遮蔽し、成形アパーチャ部材２０３に電子ビーム２００が照射されないようにする。これにより、ビームを使用しない時の散乱電子発生を防止し、ブランキングプレート２０４への散乱電子照射量を低減し、ブランキングプレート２０４の寿命を延ばすことができる。
【００３７】
ビーム停止用偏向器２２０がビームをＯＮからＯＦＦに切り替えると、成形アパーチャ部材２０３に電子ビーム２００が照射されなくなる。ビーム停止用偏向器２２０がビームをＯＦＦからＯＮに切り替えると、成形アパーチャ部材２０３に電子ビーム２００が照射され、成形アパーチャ部材２０３は自己発熱する。このように成形アパーチャ部材２０３に対する電子ビーム２００の照射有無が切り替わると、成形アパーチャ部材２０３の温度が変わり、成形アパーチャ部材２０３の形状が安定しなくなる。
【００３８】
そこで、本実施形態では、ヒータ２４０を用いて成形アパーチャ部材２０３を加熱し、成形アパーチャ部材２０３の温度を一定に保ち、成形アパーチャ部材２０３の形状を安定させる。例えば、ビーム停止用偏向器２２０がビームをＯＮからＯＦＦに切り替え、電子ビーム２００がビーム停止用アパーチャ部材２３０によって遮蔽されると、ヒータ２４０が成形アパーチャ部材２０３の加熱を開始する。ビーム停止用偏向器２２０がビームをＯＦＦからＯＮに切り替え、電子ビーム２００がビーム停止用アパーチャ部材２３０の開口２３２を通過すると、ヒータ２４０が成形アパーチャ部材２０３の加熱を停止する。
【００３９】
温度センサで成形アパーチャ部材２０３の温度を測定し、成形アパーチャ部材２０３の温度が所定範囲内となるように、ヒータ２４０を制御してもよい。
【００４０】
ビーム停止用アパーチャ部材２３０での吸収電流量に基づいて、ヒータ２４０の発熱量を可変にしてもよい。例えば、ビーム停止用アパーチャ部材２３０での吸収電流量が所定値以上の場合、電子ビーム２００がビーム停止用アパーチャ部材２３０によって遮蔽されていると判定し、ヒータ２４０の加熱を開始する。ビーム停止用アパーチャ部材２３０での吸収電流量が所定値未満の場合、電子ビーム２００がビーム停止用アパーチャ部材２３０の開口２３２を通過していると判定し、ヒータ２４０の加熱を停止する。
【００４１】
ヒータ２４０の導線（抵抗発熱体）を折り返し、隣接する導線で電流の方向を逆向きにして、磁場がキャンセルされるようにすることが好ましい。
【００４２】
制御部１６０の制御計算機１１０は、記憶装置１４０から描画データを読み出し、複数段のデータ変換をおこなって、ショットデータを生成する。ショットデータには、例えば、マスク基板１０１の描画面を例えばビームサイズで格子状の複数の照射領域に分割した各照射領域への照射有無、及び照射時間等が定義される。制御計算機１１０は、ショットデータに基づいて、制御回路１１２に制御信号を出力する。制御回路１１２は、制御信号に基づいて描画部１５０を制御する。例えば、制御回路１１２は、ビーム停止用偏向器２２０、個別ブランカ２８及び共通ブランカ２１２の電極や、静電レンズ等への印加電圧を制御したり、ＸＹステージ１０５の移動を制御したりする。
【００４３】
次に、描画装置１００による描画方法を図５に示すフローチャートに沿って説明する。
【００４４】
ビーム停止用偏向器２２０がビームをオフにし（ステップＳ１）、ＸＹステージ１０５を移動させて、描画対象のストライプ領域３２の端部（描画開始位置）に照射領域３４が位置するように調整する（ステップＳ２）。
【００４５】
ビーム停止用偏向器２２０がビームをオンにし（ステップＳ３）、ＸＹステージ１０５を所定の速度で連続移動させて、マスク基板１０１にパターンを描画する（ステップＳ４）。
【００４６】
１つのストライプ領域３２の描画終了後、ドリフト補正を行わずに、次のストライプ領域の描画を行う場合は（ステップＳ５＿Ｎｏ，ステップＳ６＿Ｎｏ）、ビーム停止用偏向器２２０がビームをオフにし（ステップＳ１）、ＸＹステージ１０５を移動させて、次のストライプ領域３２の描画開始位置に照射領域３４が位置するように調整する（ステップＳ２）。
【００４７】
ドリフト補正を行う場合は（ステップＳ５＿Ｙｅｓ）、ビーム停止用偏向器２２０がビームをオフにし（ステップＳ８）、ＸＹステージ１０５を移動させて、ＸＹステージ１０５上に設けられたマーク部材（図示略）に照射領域３４が位置するように調整する（ステップＳ９）。
【００４８】
ビーム停止用偏向器２２０がビームをオンにし（ステップＳ１０）、マーク部材をマルチビーム（マルチビームの一部）でスキャンして、ビーム位置を測定する（ステップＳ１１）。例えば、マルチビームをマーク部材に照射し、ビーム毎に反射電子（又は二次電子）を検出器で検出する。検出器の検出結果からドリフト量を測定し、ビーム位置を補正する。
【００４９】
ドリフト補正後、ビーム停止用偏向器２２０がビームをオフにし（ステップＳ１）、ＸＹステージ１０５を移動させて、次のストライプ領域３２の描画開始位置に照射領域３４が位置するように調整する（ステップＳ２）。
【００５０】
全てのストライプ領域の描画が完了した場合は（ステップＳ６＿Ｙｅｓ）、ビーム停止用偏向器２２０がビームをオフにし（ステップＳ７）、描画処理を終了する。パターンが描画されたマスク基板１０１は、描画部１５０から搬出される。
【００５１】
このように、本実施形態では、描画するストライプ領域の切り替えに伴うＸＹステージ１０５の移動時やマスク基板搬送時などのパターンを描画しないときに、ビーム停止用偏向器２２０がビームをＯＮからＯＦＦに切り替えて、電子ビーム２００をビーム停止用アパーチャ部材２３０によって遮蔽する。成形アパーチャ部材２０３に電子ビーム２００が照射されないため、散乱電子の発生を防止し、ブランキングプレート２０４の寿命を延ばすことができる。
【００５２】
ビーム停止用偏向器２２０は、成形アパーチャ部材２０３よりも上方に配置されていればよく、照明レンズ２０２と成形アパーチャ部材２０３との間に配置されていてもよいし、電子銃２０１と照明レンズ２０２との間に配置されていてもよい。ビーム停止用アパーチャ２３０は、ビーム停止用偏向器２２０と成形アパーチャ部材２０３との間に配置される。
【００５３】
ビーム停止用偏向器２２０は、ショット時間の制御には使用しないため、ビームのＯＮ／ＯＦＦを高速に制御する必要はなく、偏向電圧やセトリング時間に制限は無い。ビーム停止用偏向器２２０は共通ブランカ２１２よりも偏向電圧を大きくすることができるため、ビーム停止用アパーチャ２３０の配置場所は、ビームのクロスオーバ位置でなくてもよい。
【００５４】
上記実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明したが、荷電粒子ビームは電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームでもよい。
【００５５】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
２０  マルチビーム
２２  開口
２４，２６  電極
２８  個別ブランカ
１００  描画装置
１０１  マスク基板
１０２  電子鏡筒
１０３  描画室
１０５  ＸＹステージ
１１０  制御計算機
１１２  制御回路
１４０  記憶装置
１５０  描画部
１６０  制御部
２００  電子ビーム
２０１  電子銃
２０２  照明レンズ
２０３  成形アパーチャ部材
２０４  ブランキングプレート
２０５  投影レンズ
２０６  制限アパーチャ部材
２０７  対物レンズ
２１２  偏向器（共通ブランカ）
２２０  ビーム停止用偏向器
２３０  ビーム停止用アパーチャ
２４０  ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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