(57)【要約】【課題】新規のＰＬＬを提供する。【解決手段】発振回路は、第１乃至第ｎのインバータと、第１の回路と、第２の回路と、を有する。第１及び第２の回路の第１の端子は、第ｉのインバータの出力端子と電気的に接続される。第１及び第２の回路の第２の端子は、第ｉ＋１のインバータの入力端子と電気的に接続される。第１の回路は、第１のデータを格納する機能を有する。第１の回路は、第１の端子と第２の端子とを非導通にするか、第１の端子と第２の端子との間の抵抗値を第１のデータに基づいた値にするかを切り替える機能を有し、第２の回路は、第２のデータを格納する機能を有する。第２の回路は、第１の端子と第２の端子とを非導通にするか、第１の端子と第２の端子との間の抵抗値を第２のデータに基づいた値にするかを切り替える機能を有する。【選択図】図１
2020010388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振回路を有し、
前記発振回路は、第１乃至第ｎ（ｎは３以上の奇数）のインバータと、第１の回路と、第２の回路と、を有し、
前記第１の回路の第１の端子は、前記第ｉ（ｉは１乃至ｎのいずれか一）のインバータの出力端子と電気的に接続され、
前記第１の回路の第２の端子は、前記第ｉ＋１のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第２の回路の第１の端子は、前記第ｉのインバータの出力端子と電気的に接続され、
前記第２の回路の第２の端子は、前記第ｉ＋１のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第１の回路は、第１のデータを格納する機能を有し、
前記第１の回路は、第１の端子と第２の端子とを非導通にするか、第１の端子と第２の端子との間の抵抗値を前記第１のデータに基づいた値にするかを切り替える機能を有し、
前記第２の回路は、第２のデータを格納する機能を有し、
前記第２の回路は、第１の端子と第２の端子とを非導通にするか、第１の端子と第２の端子との間の抵抗値を前記第２のデータに基づいた値にするかを切り替える機能を有し、
前記第１のデータ、及び前記第２のデータは、アナログ電位である半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の回路は、第１のトランジスタと、第１の容量素子と、を有し、
前記第２の回路は、第２のトランジスタと、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のデータは、前記第１のトランジスタを介して前記第１の容量素子に入力され、
前記第２のデータは、前記第２のトランジスタを介して前記第２の容量素子に入力され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置等の装置又はその駆動方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として
挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）の開発が活発に進められている（非特許
文献１参照）。ＰＬＬは、ＣＰＵ、又はプログラマブルロジックデバイス等の回路におい
て、回路を所望の動作速度で動作させるために用いられる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｘ．  Ｇａｏ，  Ａ．  Ｍ．  Ｋｌｕｍｐｅｒｉｎｋ，  Ｐ．  Ｆ．  Ｊ．  Ｇｅｒａｅｄｔｓ，  Ｂ．  Ｎａｕｔａ，  ”Ｊｉｔｔｅｒ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ａｎｄ  ａ  Ｂｅｎｃｈｍａｒｋｉｎｇ  Ｆｉｇｕｒｅ−ｏｆ−Ｍｅｒｉｔ  ｆｏｒ  Ｐｈａｓｅ−Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐｓ”  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｏｎ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ−ＩＩ，  ｖｏｌ．  ５６，  ｎｏ．  ２，  ｐｐ．  １１７−１２１，  Ｆｅｂ．  ２００９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のＰＬＬ回路では、発振周波数を瞬時に切り替えることが困難であった。
【０００６】
本発明の一態様は、新規の回路構成を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は
、発振周波数を切り替えること、又はそれを実現可能な回路構成を提供すること課題の一
とする。
【０００７】
なお、本発明の一態様は、新規な半導体装置などの提供を、課題の一つとする。なお、こ
れらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、
必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細
書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求
項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、発振回路を有する装置である。発振回路は、第１乃至第ｎ（ｎは３以
上の奇数）のインバータと、第１の回路と、第２の回路と、を有する。第１の回路の第１
の端子は、第ｉ（ｉは１乃至ｎ−１のいずれか一）のインバータの出力端子と電気的に接
続される。第１の回路の第２の端子は、第ｉ＋１のインバータの入力端子と電気的に接続
される。第２の回路の第１の端子は、第ｉのインバータの出力端子と電気的に接続される
。第２の回路の第２の端子は、第ｉ＋１のインバータの入力端子と電気的に接続される。
第１の回路は、第１のデータを格納する機能を有する。第１の回路は、第１の端子と第２
の端子とを非導通にするか、第１の端子と第２の端子との間の抵抗値を第１のデータに基
づいた値にするかを切り替える機能を有し、第２の回路は、第２のデータを格納する機能
を有する。第２の回路は、第１の端子と第２の端子とを非導通にするか、第１の端子と第
２の端子との間の抵抗値を第２のデータに基づいた値にするかを切り替える機能を有する
。
【０００９】
上記装置において、前記第１のデータ及び前記第２のデータは、アナログ電位であっても
よい。
【００１０】
上記装置において、第１の回路は、第１のトランジスタと、第１の容量素子と、を有して
いてもよい。第２の回路は、第２のトランジスタと、第２の容量素子と、を有していても
よい。第１のデータは、第１のトランジスタを介して第１の容量素子に入力される。第２
のデータは、第２のトランジスタを介して第２の容量素子に入力される。第１のトランジ
スタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。第２のトランジスタは、チャネル形
成領域に酸化物半導体を有する。
【００１１】
上記装置において、第１の回路は、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有
していてもよい。第２の回路は、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し
ていてもよい。第３のトランジスタ及び第４のトランジスタは、第１の回路の第１の端子
と第１の回路の第２の端子との間に直列に電気的に接続される。第５のトランジスタ及び
第６のトランジスタは、第２の回路の第１の端子と第２の回路の第２の端子との間に直列
に電気的に接続される。第３のトランジスタのソースとドレインとの間の抵抗値は、第１
のデータに基づいた値を有する。第４のトランジスタは、第１の回路の第１の端子と第１
の回路の第２の端子との導通又は非導通を制御する機能を有する。第５のトランジスタの
ソースとドレインとの間の抵抗値は、第１のデータに基づいた値を有する。第６のトラン
ジスタは、第２の回路の第１の端子と第２の回路の第２の端子との導通又は非導通を制御
する機能を有する。
【００１２】
上記装置において、ＰＬＬを有していてもよい。ＰＬＬは、発振回路と、分周器と、位相
比較器と、ループフィルタと、を有する。
【００１３】
本発明の一態様は、発振回路を有する装置の駆動方法である。発振回路は、第１乃至第ｎ
（ｎは３以上の奇数）のインバータと、第１の回路と、第２の回路と、を有する。第１の
回路の第１の端子は、第ｉ（ｉは１乃至ｎ−１のいずれか一）のインバータの出力端子と
電気的に接続される。第１の回路の第２の端子は、第ｉ＋１のインバータの入力端子と電
気的に接続される。第２の回路の第１の端子は、第ｉのインバータの出力端子と電気的に
接続される。第２の回路の第２の端子は、第ｉ＋１のインバータの入力端子と電気的に接
続される。第１の回路に第１のデータを格納することにより、発振回路の発振周波数を第
１の値に設定する。第２の回路に第２のデータを格納することにより、発振回路の発振周
波数を第２の値に設定する。第１の回路に第３のデータを格納することにより、発振回路
の発振周波数を第１の値と概ね等しい値に設定する。第２の回路に第４のデータを格納す
ることにより、発振回路の発振周波数を第２の値と概ね等しい値に設定する。第３のデー
タは、第１のデータよりも大きい値である。第４のデータは、第２のデータよりも大きい
値である。
【００１４】
上記装置において、第１のデータ、第２のデータ、第３のデータ及び第４のデータは、ア
ナログ電位であってもよい。
【００１５】
上記装置において、第１の回路は、第１のトランジスタと、第１の容量素子と、を有して
いてもよい。第２の回路は、第２のトランジスタと、第２の容量素子と、を有していても
よい。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。第２のトラン
ジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。第１のトランジスタを介して第１
のデータ又は第３のデータを第１の容量素子に入力する。第２のトランジスタを介して第
２のデータ又は第４のデータを第２の容量素子に入力する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一態様により、新規の回路構成を提供することができる。本発明の一態様により
、発振周波数を切り替えること、又はそれを実現可能な回路構成を提供することができる
。
【００１７】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】装置の構成を示す図。
【図２】装置の構成を示す図。
【図３】装置の動作を示す図。
【図４】装置の動作を示す図。
【図５】装置の動作を示す図。
【図６】装置の動作を示す図。
【図７】ＰＬＬの構成を示す図。
【図８】装置の断面構造を示す図。
【図９】トランジスタの構造を示す図。
【図１０】トランジスタの構造を示す図。
【図１１】半導体装置の断面構造を示す図。
【図１２】電子機器の図。
【図１３】装置の動作を説明するグラフ。
【図１４】装置の動作を説明するグラフ。
【図１５】装置の動作を説明するグラフ。
【図１６】装置の動作を説明するグラフ。
【図１７】実施例に係る装置の構成を示す図。
【図１８】実施例に係る装置の写真。
【図１９】実施例に係る装置の構成を示す模式図。
【図２０】装置の動作を説明するグラフ。
【図２１】装置の動作を説明するグラフ。
【図２２】装置の動作を説明するグラフ。
【図２３】装置の動作を説明するグラフ。
【図２４】装置の動作を説明するグラフ。
【図２５】装置の動作を説明するグラフ。
【図２６】装置の動作を説明するグラフ。
【図２７】装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は
以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び
詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明
は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２０】
本発明の一態様は、集積回路、ＲＦタグ、半導体表示装置など、トランジスタを用いたあ
らゆる半導体装置を、その範疇に含む。なお、集積回路には、マイクロプロセッサ、画像
処理回路、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、マイクロコ
ントローラを含むＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕ
ｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）や
ＣＰＬＤ（Ｃｏｍｐｌｅｘ  ＰＬＤ）などのプログラマブル論理回路（ＰＬＤ：Ｐｒｏｇ
ｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）が、その範疇に含まれる。また、半導体
表示装置には、液晶表示装置、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に代表される発光素子を各画素
に備えた発光装置、電子ペーパー、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  
Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆｉ
ｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）など、半導体膜を用いた回路素子を駆動回
路に有している半導体表示装置が、その範疇に含まれる。
【００２１】
本明細書において半導体表示装置とは、液晶素子や発光素子などの表示素子が各画素に形
成されたパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュー
ルとを、その範疇に含む。
【００２２】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、
ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、
ＸとＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、
例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関
係以外のものも含むものとする。
【００２３】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
【００２４】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。
【００２５】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
【００２６】
なお、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続
されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている
場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を
挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、
ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとす
る。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されてい
る、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
【００２７】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【００２８】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、こ
れらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置
、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００２９】
なお、本明細書において、トランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の
一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に
、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半
導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。
【００３０】
トランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの導電型及び各端子に与えられ
る電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタ
では、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレイ
ンと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレ
インと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、
ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明す
る場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わ
る。
【００３１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る装置について説明する。本発明の一態様に係る
装置にトランジスタ等の半導体素子を用いる場合、本発明の一態様に係る装置を半導体装
置と呼んでもよい。
【００３２】
本発明の一態様に係る装置の構成の一例を図１に示す。図１に例示する装置は、発振する
ことにより、クロック信号等の交流信号を生成する機能を有し、発振器（発振回路ともい
う）と呼んでもよい。特に、図１に例示する装置は、入力電圧に基づいて信号の周波数（
発振周波数ともいう）を変更する機能を有し、電圧制御発振器（電圧制御発振回路ともい
う）とも呼んでもよい。
【００３３】
図１に例示する装置は、回路１０１［１］乃至［ｎ］（ｎは３以上の奇数）を有する。回
路１０１［１］乃至［ｎ］は、リング状に接続される。具体的には、回路１０１［１］乃
至［ｎ−１］のそれぞれは、出力端子が次段の回路の入力端子と接続される。回路１０１
［ｎ］は、出力端子が回路１０１［１］の入力端子と接続される。また、回路１０１［ｎ
］の出力端子は、端子ＯＵＴと接続される。端子ＯＵＴからは、図１に例示する装置が発
振することによって生成される信号が出力される。
【００３４】
なお、図１に例示する装置が発振することによって生成される信号は、バッファ等を介し
て出力されてもよい。
【００３５】
回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれは、入力信号に対し反転した信号を出力する機能
を有する。また、回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれは、複数のデータを格納する機
能を有し、格納した複数のデータに基づいて遅延時間を設定する機能を有する。遅延時間
とは、入力信号に対する出力信号の遅延時間である。回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれ
ぞれは、複数のデータを格納することができるため、遅延時間を切り替えることができる
。
【００３６】
図１に例示する装置は、回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれの遅延時間を切り替える
ことによって、発振周波数を変更することができる。
【００３７】
回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれは、回路１０２及びインバータ１０３を有する。
回路１０２は、端子Ａがインバータ１０３の出力端子と接続され、端子Ｂが次段のインバ
ータ１０３の入力端子と接続される。即ち、ｎ個のインバータ１０３がリング状に接続さ
れ、インバータリングを構成する。そして、各インバータ１０３の間に回路１０２が接続
される。また、回路１０２は、配線ＢＬ、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］（ｍは２
以上の自然数）、及び配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］と接続される。
【００３８】
なお、ｎ個のインバータ１０３のうち少なくとも２つの間に回路１０２を接続してもよい
。
【００３９】
回路１０２は、複数のデータを記憶する機能を有し、格納した複数のデータに基づいて端
子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を設定する機能を有する。回路１０２は、複数のデータを格
納することができるため、端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を切り替えることができる。
【００４０】
インバータ１０３は、入力信号に対し反転した信号を出力する機能を有する。
【００４１】
なお、インバータ１０３の代わりに、入力信号に対し反転した信号を出力する機能を有す
る回路を採用してもよい。そのような回路としては、ＮＡＮＤ回路又はＮＯＲ回路などが
ある。
【００４２】
図１に例示する装置は、回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれにおいて、回路１０２の
端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を切り替えることにより、発振周波数を変更することがで
きる。具体的には、回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を切り替えると、インバ
ータ１０３の負荷が変化する。よって、回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれにおいて
遅延時間が変化するため、発振周波数も変化する。
【００４３】
回路１０２の具体例について図２を参照して説明する。
【００４４】
図２に例示する回路１０２は、回路１０４［１］乃至［ｍ］を有する。回路１０４［１］
乃至［ｍ］のそれぞれは、端子Ｃが回路１０２の端子Ａと接続され、端子Ｄが回路１０２
の端子Ｂと接続される。また、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、配線ＢＬ、配
線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線、配線ＷＬ［１］乃至［ｍ
］のうち対応する１本の配線と接続される。配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１
本の配線とは、回路１０４［ｊ］（ｊは１乃至ｍのいずれか一）においては配線ＷＬ［ｊ
］である。また、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線とは、
回路１０４［ｊ］においては配線ＣＯＮＴＥＸＴ［ｊ］である。
【００４５】
回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、トランジスタ１０５、トランジスタ１０６、
トランジスタ１０７及び容量素子１０８を有する。トランジスタ１０５の第１の端子は配
線ＢＬと接続され、トランジスタ１０５の第２の端子はトランジスタ１０６のゲートと接
続され、トランジスタ１０５のゲートは配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の
配線と接続される。トランジスタ１０６の第１の端子は端子Ｃと接続される。トランジス
タ１０７の第１の端子はトランジスタ１０６の第２の端子と接続され、第２の端子は端子
Ｄと接続され、ゲートは配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線
と接続される。容量素子１０８の第１の端子はトランジスタ１０６のゲートと接続され、
容量素子１０８の第２の端子は所定の電位が供給される配線と接続される。
【００４６】
なお、トランジスタ１０６及びトランジスタ１０７は端子Ｃと端子Ｄとの間に直列に接続
されていればよく、トランジスタ１０６及びトランジスタ１０７の位置は反対であっても
よい。
【００４７】
回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの抵抗値は、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれの端
子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値の合成抵抗と概ね等しくなる。よって、回路１０２の端子Ａ
と端子Ｂとの間の抵抗値の切り替えは、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいて
端子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値を制御することによって行うことができる。
【００４８】
回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、ノードＳＮに電位を格納し、その電位に基づ
いてトランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値を設定する機能を有する。ノ
ードＳＮへの電位の格納は、トランジスタ１０５をオンにすることにより、配線ＢＬの電
位をノードＳＮに入力するとともに、配線ＢＬの電位に基づいた電荷を容量素子１０８に
蓄積することによって行うことができる。また、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれ
は、ノードＳＮにアナログ電位を格納することができる。よって、回路１０４［１］乃至
［ｍ］のそれぞれにおいて、ノードＳＮに異なる電位を格納し、トランジスタ１０６のソ
ースとドレインとの間の抵抗値を異ならせることができる。トランジスタ１０６がＮチャ
ネル型であれば、ノードＳＮの電位が高いほど、トランジスタ１０６のソースとドレイン
との間の抵抗値が小さくなる。また、トランジスタ１０６がＰチャネル型であれば、ノー
ドＳＮの電位が低いほど、トランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値が小さ
くなる。
【００４９】
トランジスタ１０５としては、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを
採用することが好ましい。後述するとおり、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するト
ランジスタはオフ電流が小さいため、容量素子１０８からの電荷の漏れを少なくすること
ができる。特に、アナログ電位に基づいた電荷を容量素子１０８に蓄積する場合、トラン
ジスタ１０５としてチャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを採用する効
果がより顕著に表れる。
【００５０】
なお、ノードＳＮに格納する電位は、トランジスタ１０６がオンになる電位であることが
好ましい。よって、トランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値はトランジス
タ１０６のオン抵抗と言い換えることもできる。
【００５１】
なお、トランジスタ１０６のゲート容量等のノードＳＮの寄生容量に配線ＢＬの電位に基
づいた電荷を蓄積することができれば、容量素子１０８を省略してもよい。
【００５２】
回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、端子Ｃと端子Ｄとの導通又は非導通を切り替
える機能を有する。端子Ｃと端子Ｄとの間の導通又は非導通の切り替えは、トランジスタ
１０７のオン又はオフを制御して行うことができる。トランジスタ１０７がオンであれば
、端子Ｃと端子Ｄとは導通するため、端子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値はトランジスタ１０
６のソースとドレインとの間の抵抗値に依存した値になる。具体的には、端子Ｃと端子Ｄ
との間の抵抗値は、トランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値とトランジス
タ１０７がオンであるときのソースとドレインとの間の抵抗値との和と概ね等しくなる。
一方、トランジスタ１０７がオフであれば、端子Ｃと端子Ｄとは非導通になるため、トラ
ンジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値に係らず、端子Ｃと端子Ｄとはハイイ
ンピーダンスになる。
【００５３】
回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、端子Ｃと端子Ｄとを非導通にするか、端子Ｃ
と端子Ｄとの間の抵抗値を格納したデータに基づいた値にするかを切り替える機能を有す
る。
【００５４】
回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値の切り替えは様々な方法を用いることが可能
である。
【００５５】
回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値の切り替えは、回路１０４［１］乃至［ｍ］
の中から端子Ｃと端子Ｄとを導通にする回路を１つ以上選択し、その数を制御することに
よって行うことができる。回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれに同じデータが格納さ
れている場合、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいてトランジスタ１０６のソ
ースとドレインとの間の抵抗値は同じである。そこで、回路１０４［１］乃至［ｍ］のう
ち端子Ｃと端子Ｄとを導通にする回路の数を制御することにより、回路１０２の端子Ａと
端子Ｂとの間の抵抗値を制御することができる。
【００５６】
回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値の切り替えは、回路１０４［１］乃至［ｍ］
の中から端子Ｃと端子Ｄとを導通にする回路を１つ選択し、その回路に格納されているデ
ータに基づいて行うことができる。回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれに異なるデー
タが格納されている場合、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいてトランジスタ
１０６のソースとドレインとの間の抵抗値は異なる。そこで、回路１０４［１］乃至［ｍ
］のうちどれを選択するかによって、回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を制御
することができる。
【００５７】
なお、上記２つの例を適宜組み合わせてもよい。即ち、回路１０４［１］乃至［ｍ］のう
ち少なくとも２以上に異なるデータを格納するとともに、回路１０４［１］乃至［ｍ］の
中から端子Ｃと端子Ｄとを導通にする回路を１つ以上選択することによって、回路１０２
の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を切り替えてもよい。
【００５８】
なお、端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値のうちトランジスタ１０６の抵抗値が占める割合が
大きいほど、トランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値に対する発振周波数
の変化量を大きくすることができる。よって、トランジスタ１０６のＷ（チャネル幅）／
Ｌ（チャネル長）は、トランジスタ１０７のＷ／Ｌよりも小さいことが好ましい。言い換
えると、トランジスタ１０７のＷ／Ｌは、トランジスタ１０６のＷ／Ｌよりも大きいこと
が好ましい。または、トランジスタ１０６のＷ／Ｌは、インバータ１０３又はインバータ
１０３の代わりに採用可能な回路を構成するトランジスタのいずれか一又は全てのトラン
ジスタのＷ／Ｌよりも小さいことが好ましい。言い換えると、インバータ１０３又はイン
バータ１０３の代わりに採用可能な回路を構成するトランジスタのいずれか一又は全ての
トランジスタのＷ／Ｌは、トランジスタ１０６のＷ／Ｌよりも大きいことが好ましい。
【００５９】
なお、上述したとおり、インバータ１０３の代わりにＮＡＮＤ回路又はＮＯＲ回路などを
採用してもよい。ＮＡＮＤ回路又はＮＯＲ回路において、出力端子がインバータ１０３の
出力端子に対応し、第１の入力端子がインバータ１０３の入力端子に対応する。つまり、
ＮＡＮＤ回路又はＮＯＲ回路の出力端子は回路１０２の端子Ａと接続され、入力端子は前
段の回路１０２の端子Ｂと接続される。また、回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれに
おいて、ＮＡＮＤ回路又はＮＯＲ回路の第２の入力端子は同じ配線に接続されることが好
ましい。そして、ＮＡＮＤ回路又はＮＯＲ回路の第２の入力端子が接続される配線の電位
を制御することにより、回路１０２の端子Ａの電位を固定することができる。よって、ト
ランジスタ１０６の第１の端子の電位を固定した状態でトランジスタ１０６のゲートに配
線ＢＬの電位を入力することができるため、トランジスタ１０６のゲートとソースとの間
の電位差を正確に設定することができる。そのため、トランジスタ１０６のソースとドレ
インとの間の抵抗値を正確に設定することができる。
【００６０】
なお、図２７には、インバータ１０３の代わりにＮＡＮＤ回路１０３Ａを採用した場合の
構成を例示する。ＮＡＮＤ回路１０３Ａの出力端子はインバータ１０３の出力端子に対応
し端子Ａと接続される。ＮＡＮＤ回路１０３Ａの第１の入力端子はインバータ１０３の入
力端子に対応し前段の回路１０２の端子Ｂと接続される。ＮＡＮＤ回路１０３Ａの第２の
入力端子は図示しない配線と接続される。回路１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれにおい
てＮＡＮＤ回路１０３Ａの第２の入力端子は同じ配線と接続されることが好ましい。
【００６１】
次に、図１に例示する装置の動作の一例について図３のタイミングチャートを参照して説
明する。図３には、配線ＢＬ、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］、配線ＷＬ［１］乃
至［ｍ］、回路１０４［１］乃至［ｍ］のノードＳＮの電位、出力端子ＯＵＴの電位の一
例を示す。
【００６２】
なお、回路１０１［１］乃至［ｎ］の動作は同じであるため、回路１０１［１］乃至［ｎ
］のいずれか一の動作のみを説明する。
【００６３】
まず、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにデータを格納し、そのデータに基づいて
トランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値を設定する。
【００６４】
時刻ｔ０において、配線ＷＬ［１］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖ１にする。これ
により、回路１０４［１］は次のように動作する。トランジスタ１０５がオンになるため
、トランジスタ１０５を介して配線ＢＬの電位Ｖ１がノードＳＮに入力されるとともに、
電位Ｖ１に基づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。その後、配線ＷＬ［１］をロー
レベルにすることにより、トランジスタ１０５がオフになるため、容量素子１０８に蓄積
された電荷によってノードＳＮが電位Ｖ１に維持される。こうして、電位Ｖ１に基づいた
データが回路１０４［１］に格納される。
【００６５】
時刻ｔ１において、配線ＷＬ［２］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖ２にする。これ
により、回路１０４［２］は次のように動作する。トランジスタ１０５がオンになるため
、トランジスタ１０５を介して配線ＢＬの電位Ｖ２がノードＳＮに入力されるとともに、
電位Ｖ２に基づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。その後、配線ＷＬ［２］をロー
レベルにすることにより、トランジスタ１０５がオフになるため、容量素子１０８に蓄積
された電荷によってノードＳＮが電位Ｖ２に維持される。こうして、電位Ｖ２に基づいた
データが回路１０４［２］に格納される。
【００６６】
時刻ｔ２以降でも、配線ＷＬ［３］乃至［ｍ−１］を順次ハイレベルにし、それに合わせ
て配線ＢＬの電位を適宜設定することにより、回路１０４［３］乃至［ｍ−１］に配線Ｂ
Ｌの電位に基づいたデータが格納される。
【００６７】
時刻ｔ３において、配線ＷＬ［ｍ］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖｍにする。これ
により、回路１０４［ｍ］は次のように動作する。トランジスタ１０５がオンになるため
、トランジスタ１０５を介して配線ＢＬの電位ＶｍがノードＳＮに入力されるとともに、
電位Ｖｍに基づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。その後、配線ＷＬ［ｍ］をロー
レベルにすることにより、トランジスタ１０５がオフになるため、容量素子１０８に蓄積
された電荷によってノードＳＮが電位Ｖｍに維持される。こうして、電位Ｖｍに基づいた
データが回路１０４［ｍ］に格納される。
【００６８】
以上のとおり、配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］を順次ハイレベルにし、配線ＢＬの電位を適宜
設定することにより、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれに配線ＢＬの電位に基づい
たデータを順次格納することができる。
【００６９】
なお、時刻ｔ０乃至ｔ４において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］をハイレベルに
してもよいしローレベルにしてもよい。つまり、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれ
においてトランジスタ１０７はオンでもよいしオフでもよい。図３には、時刻ｔ０乃至ｔ
４において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］をローレベルにすることにより、回路
１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいてトランジスタ１０７をオフにしている場合を
例示する。よって、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいて端子Ｃと端子Ｄとが
非導通になるため、回路１０２の端子Ａと端子Ｂとはハイインピーダンスになる。そのた
め、時刻ｔ０乃至ｔ４においては、図１に例示する装置は発振しない。また、回路１０４
［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいて、トランジスタ１０７をオフにすることにより、端
子Ｂが浮遊状態になる。そのため、端子Ｂの電位は徐々にグランド等の所定に電位になる
。例えば、端子Ｂの電位がローレベルに相当する電位である場合には、次段のインバータ
１０３の出力はハイレベルになる。つまり、端子Ａの電位を固定することができる。よっ
て、トランジスタ１０６の第１の端子の電位を固定した状態でトランジスタ１０６のゲー
トに配線ＢＬの電位を入力することができるため、トランジスタ１０６のゲートとソース
との間の電位差を正確に設定することができる。そのため、トランジスタ１０６のソース
とドレインとの間の抵抗値を正確に設定することができる。
【００７０】
なお、図３には、電位Ｖ１乃至Ｖｍが同じ値である場合を例示する。ただし、これに限定
されない。
【００７１】
なお、回路１０４［ｊ］に格納される配線ＢＬの電位を電位Ｖｊと示す。
【００７２】
なお、図３には、配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］を順次ハイレベルにする場合を例示したが、
これに限定されない。配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］を任意の順番でハイレベルにしてもよい
。配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］のうち２つ以上の配線を同時にハイレベルにしてもよい。配
線ＷＬ［１］乃至［ｍ］にハイレベルにしない配線があってもよい。また、前述した事項
を組み合わせてもよい。
【００７３】
なお、図３には、配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］をハイレベルにすることによって、トランジ
スタ１０５がオンになる場合を例示しているが、これに限定されない。配線ＷＬ［１］乃
至［ｍ］をローレベルにすることによって、トランジスタ１０５がオンになってもよい。
トランジスタ１０５がオンになる配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］の電位をアクティブと呼び、
トランジスタ１０５がオフにする配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］の電位を非アクティブ（イン
アクティブともいう）と呼んでもよい。同様に、トランジスタ１０７がオンになる配線Ｃ
ＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］の電位をアクティブと呼び、トランジスタ１０７がオフに
する配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］の電位を非アクティブと呼んでもよい。
【００７４】
次に、回路１０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれにおいて、端子Ｃと端子Ｄとの導通又は非
導通を制御することによって、回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値を切り替える
。そして、回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値に基づいて端子ＯＵＴの信号の周
波数を変更する。
【００７５】
時刻ｔ４において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をハイレベルにするとともに、配線ＣＯＮ
ＴＥＸＴ［２］乃至［ｍ］をローレベルにする。これにより、回路１０４［１］において
は、トランジスタ１０７がオンになるため、端子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値はトランジス
タ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値に基づいた値になる。つまり、回路１０４［
１］の端子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値は格納されたデータに基づいた値になる。また、回
路１０４［２］乃至［ｍ］においては、トランジスタ１０７がオフになるため、端子Ｃと
端子Ｄとが非導通になる。よって、端子ＯＵＴの信号の周波数は、回路１０４［１］に格
納されたデータに基づいて決定される。
【００７６】
時刻ｔ５において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［２］をハイレベルにするとともに、
配線ＣＯＮＴＥＸＴ［３］乃至［ｍ］をローレベルにする。これにより、回路１０４［１
］乃至［２］においては、トランジスタ１０７がオンになるため、端子Ｃと端子Ｄとの間
の抵抗値はトランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値に基づいた値になる。
つまり、回路１０４［１］乃至［２］の端子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値は格納されたデー
タに基づいた値になる。また、回路１０４［３］乃至［ｍ］においては、トランジスタ１
０７がオフになるため、端子Ｃと端子Ｄとが非導通になる。よって、端子ＯＵＴの信号の
周波数は、回路１０４［１］乃至［２］に格納されたデータに基づいて決定される。
【００７７】
時刻ｔ５においては回路１０４［１］乃至［ｍ］のうち２つの回路において端子Ｃと端子
Ｄとが導通するのに対し、時刻ｔ４においては回路１０４［１］乃至［ｍ］のうち１つの
回路において端子Ｃと端子Ｄとが導通する。よって、時刻ｔ５において設定される回路１
０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値は時刻ｔ４において設定される回路１０２の端子Ａ
と端子Ｂとの間の抵抗値よりも小さくなるため、時刻ｔ５において決定される端子ＯＵＴ
の信号の周波数は時刻ｔ４において決定される端子ＯＵＴの信号の周波数よりも高くなる
。
【００７８】
時刻ｔ６において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］をハイレベルにする。これによ
り、回路１０４［１］乃至［ｍ］において、トランジスタ１０７がオンになるため、端子
Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値はトランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値に基
づいた値になる。つまり、回路１０４［１］乃至［ｍ］の端子Ｃと端子Ｄとの間の抵抗値
は格納されたデータに基づいた値になる。よって、端子ＯＵＴの信号の周波数は、回路１
０４［１］乃至［ｍ］に格納されたデータに基づいて決定される。
【００７９】
時刻ｔ６においては回路１０４［１］乃至［ｍ］のうちｍ個の回路において端子Ｃと端子
Ｄとが導通するのに対し、時刻ｔ４においては回路１０４［１］乃至［ｍ］のうち１つの
回路において端子Ｃと端子Ｄとが導通し、時刻ｔ５においては回路１０４［１］乃至［ｍ
］のうち２つの回路において端子Ｃと端子Ｄとが導通する。よって、時刻ｔ６において設
定される回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値は時刻ｔ４及びｔ５において設定さ
れる回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値よりも小さくなるため、時刻ｔ６におい
て決定される端子ＯＵＴの信号の周波数は時刻ｔ４及びｔ５において決定される端子ＯＵ
Ｔの信号の周波数よりも高くなる。
【００８０】
以上のとおり、回路１０４［１］乃至［ｍ］のうち端子Ｃと端子Ｄとが導通する回路の数
に基づいて、端子ＯＵＴの信号の周波数を変更することができる。
【００８１】
なお、図３では、配線ＢＬの電位Ｖ１乃至Ｖｍが同じ値である場合、即ち回路１０４［１
］乃至［ｍ］のそれぞれに同じデータを格納する場合を例示しているが、これに限定され
ない。例えば、配線ＢＬの電位Ｖ１乃至Ｖｍは互いに異なる値でもよい。即ち、回路１０
４［１］乃至［ｍ］のそれぞれに異なるデータを格納してもよい。または、配線ＢＬの電
位Ｖ１乃至Ｖｍのうち少なくとも２つを異なる値としてもよい。即ち、回路１０４［１］
乃至［ｍ］のうち少なくとも２つに異なるデータを格納してもよい。
【００８２】
図４は、配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］がハイレベルになる毎に、配線ＢＬの電位が高くなる
場合を例示する。電位Ｖ１乃至Ｖｍは、電位Ｖ２が電位Ｖ１よりも高く、電位Ｖｍが電位
Ｖｍ−１よりも高いといったように、電位Ｖｊが電位Ｖｊ−１よりも高く且つ電位Ｖｊ＋
１よりも低いといった関係にある。
【００８３】
図４では、時刻ｔ４において配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をハイレベルにし、時刻ｔ５にお
いて配線ＣＯＮＴＥＸＴ［２］をハイレベルにし、時刻ｔ６において配線ＣＯＮＴＥＸＴ
［ｍ］をハイレベルにする場合を例示する。即ち、端子ＯＵＴの信号の周波数は、時刻ｔ
４においては回路１０４［１］に格納されたデータに基づいて決定され、時刻ｔ５におい
ては回路１０４［２］に格納されたデータに基づいて決定され、時刻ｔ６においては回路
１０４［ｍ］に格納されたデータに基づいて決定される。
【００８４】
電位Ｖ２は電位Ｖ１よりも高いため、回路１０４［２］のトランジスタ１０６のソースと
ドレインとの間の抵抗値は回路１０４［１］のトランジスタ１０６のソースとドレインと
の間の抵抗値よりも小さくなる。よって、時刻ｔ５において設定される回路１０２の端子
Ａと端子Ｂとの間の抵抗値は時刻ｔ４において設定される回路１０２の端子Ａと端子Ｂと
の間の抵抗値よりも小さくなるため、時刻ｔ５において決定される端子ＯＵＴの信号の周
波数は時刻ｔ４において決定される端子ＯＵＴの信号の周波数よりも高くなる。
【００８５】
電位Ｖｍは電位Ｖ１及び電位Ｖ２よりも高いため、回路１０４［ｍ］のトランジスタ１０
６のソースとドレインとの間の抵抗値は回路１０４［１］及び［２］のトランジスタ１０
６のソースとドレインとの間の抵抗値よりも小さくなる。よって、時刻ｔ６において設定
される回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値は時刻ｔ４及びｔ５において設定され
る回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値よりも小さくなるため、時刻ｔ６において
決定される端子ＯＵＴの信号の周波数は時刻ｔ４及びｔ５において決定される端子ＯＵＴ
の信号の周波数よりも高くなる。
【００８６】
以上のとおり、回路１０４［１］乃至［ｍ］のうち端子Ｃと端子Ｄとが導通する回路に格
納されているデータに基づいて、端子ＯＵＴの信号の周波数を変更することができる。
【００８７】
図５は、電位Ｖ１乃至Ｖｍ−１を同じ値とし、電位Ｖｍを電位Ｖ１乃至Ｖｍ−１よりも低
くした場合を例示する。
【００８８】
図５では、時刻ｔ４において配線ＣＯＮＴＥＸＴ［ｍ］をハイレベルにし、時刻ｔ５にお
いて配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をハイレベルにし、時刻ｔ６において配線ＣＯＮＴＥＸＴ
［１］乃至［２］をハイレベルにする場合を例示する。即ち、端子ＯＵＴの信号の周波数
は、時刻ｔ４においては回路１０４［ｍ］に格納されたデータに基づいて決定され、時刻
ｔ５においては回路１０４［１］に格納されたデータに基づいて決定され、時刻ｔ６にお
いては回路１０４［１］乃至［２］に格納されたデータに基づいて決定される。
【００８９】
電位Ｖ１は電位Ｖｍよりも高いため、回路１０４［１］のトランジスタ１０６のソースと
ドレインとの間の抵抗値は回路１０４［ｍ］のトランジスタ１０６のソースとドレインと
の間の抵抗値よりも小さくなる。よって、時刻ｔ５において設定される回路１０２の端子
Ａと端子Ｂとの間の抵抗値は時刻ｔ４において設定される回路１０２の端子Ａと端子Ｂと
の間の抵抗値よりも小さくなるため、時刻ｔ５において決定される端子ＯＵＴの信号の周
波数は時刻ｔ４において決定される端子ＯＵＴの信号の周波数よりも高くなる。
【００９０】
時刻ｔ６においては回路１０４［１］乃至［２］の端子Ｃと端子Ｄとが導通するのに対し
、時刻ｔ５においては回路１０４［１］端子Ｃと端子Ｄとが導通する。よって、時刻ｔ６
において設定される回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値は時刻ｔ５において設定
される回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の抵抗値よりも小さくなるため、時刻ｔ６にお
いて決定される端子ＯＵＴの信号の周波数は時刻ｔ５において決定される端子ＯＵＴの信
号の周波数よりも高くなる。
【００９１】
以上のように、図３及び図４に例示する動作を組み合わせてもよい。
【００９２】
次に、端子ＯＵＴの信号の周波数を正確に設定するための回路１０４［１］乃至［ｍ］の
それぞれへのデータの格納方法について図６を参照して説明する。
【００９３】
なお、便宜上、ｍが２である場合について説明する。つまり、回路１０２は、回路１０４
［１］及び回路１０４［２］を有する。
【００９４】
なお、初期状態として、回路１０４［１］及び回路１０４［２］にデータは格納されてい
ないものとする。つまり、回路１０４［１］及び回路１０４［２］のそれぞれにおいて、
ノードＳＮの電位はトランジスタ１０６がオフになる電位であるものとする。
【００９５】
時刻ｔ０において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をハイレベルにする。これにより、回路１
０４［１］において、トランジスタ１０７がオンになる。ただし、トランジスタ１０６が
オフであるため、端子Ｃと端子Ｄが非導通になる。よって、図１に例示する装置は発振し
ない。
【００９６】
時刻ｔ１において、配線ＷＬ［１］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖ１にする。これ
により、回路１０４［１］において、トランジスタ１０５がオンになるため、トランジス
タ１０５を介して配線ＢＬの電位Ｖ１がノードＳＮに入力されるとともに、電位Ｖ１に基
づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。そして、トランジスタ１０６のソースとドレ
インとの間の抵抗値は電位Ｖ１に基づいた値になる。また、回路１０４［１］において、
トランジスタ１０７がオンであるため、図１に例示する装置が発振し、端子ＯＵＴの信号
の周波数がｆ（Ｖ１）になる。
【００９７】
時刻ｔ２において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をローレベルにする。これにより、回路１
０４［１］において、トランジスタ１０７がオフになる。よって、図１に例示する装置が
発振しなくなる。
【００９８】
時刻ｔ３において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［２］をハイレベルにする。これにより、回路１
０４［２］において、トランジスタ１０７がオンになる。ただし、トランジスタ１０６が
オフであるため、端子Ｃと端子Ｄとが非導通になる。よって、図１に例示する装置は発振
しない。
【００９９】
時刻ｔ４において、配線ＷＬ［２］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖ２にする。これ
により、回路１０４［２］において、トランジスタ１０５がオンになるため、トランジス
タ１０５を介して配線ＢＬの電位Ｖ２がノードＳＮに入力されるとともに、電位Ｖ２に基
づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。そして、トランジスタ１０６のソースとドレ
インとの間の抵抗値は電位Ｖ２に基づいた値になる。また、回路１０４［２］において、
トランジスタ１０７がオンであるため、図１に例示する装置が発振し、端子ＯＵＴの信号
の周波数がｆ（Ｖ２）になる。
【０１００】
時刻ｔ５において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［２］をローレベルにする。これにより、回路１
０４［２］において、トランジスタ１０７がオフになる。よって、図１に例示する装置が
発振しなくなる。
【０１０１】
時刻ｔ６において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をハイレベルにする。これにより、回路１
０４［１］において、トランジスタ１０７がオンになる。よって、図１に例示する装置が
発振する。ただし、時刻ｔ６では回路１０４［２］においてトランジスタ１０６がオンで
あるため、時刻ｔ１時点と比較して、回路１０２の端子Ａと端子Ｂとの間の負荷が増加し
ている。そのため、時刻ｔ６における端子ＯＵＴの信号の周波数は、時刻ｔ１における端
子ＯＵＴの信号の周波数ｆ（Ｖ１）よりも低くなる。
【０１０２】
時刻ｔ７において、配線ＷＬ［１］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖ１’にする。こ
れにより、回路１０４［１］において、トランジスタ１０５がオンになるため、トランジ
スタ１０５を介して配線ＢＬの電位Ｖ１’がノードＳＮに入力されるとともに、電位Ｖ１
’に基づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。そして、トランジスタ１０６のソース
とドレインとの間の抵抗値は電位Ｖ１’に基づいた値になる。また、回路１０４［１］に
おいて、トランジスタ１０７がオンであるため、図１に例示する装置が発振する。ここで
、電位Ｖ１’は、時刻ｔ７における端子ＯＵＴの信号の周波数をｆ（Ｖ１）にする値であ
り、電位Ｖ１よりも高い値である。よって、端子ＯＵＴの信号の周波数がｆ（Ｖ１）と概
ね等しくなる。
【０１０３】
時刻ｔ８において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］をローレベルにする。これにより、回路１
０４［１］において、トランジスタ１０７がオフになる。よって、図１に例示する装置が
発振しなくなる。
【０１０４】
時刻ｔ９において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［２］をハイレベルにする。これにより、回路１
０４［２］において、トランジスタ１０７がオンになる。よって、図１に例示する装置が
発振する。ただし、時刻ｔ９における回路１０４［１］のノードＳＮの電位は、時刻ｔ４
時点における回路１０４［１］のノードＳＮの電位よりも高くなっている。つまり、時刻
ｔ９における回路１０４［１］のトランジスタ１０６のソースとドレインとの間の抵抗値
は時刻ｔ４における回路１０４［１］のトランジスタ１０６のソースとドレインとの間の
抵抗値よりも小さくなっている。或いは、時刻ｔ９における回路１０４［１］のトランジ
スタ１０６のゲート容量は時刻ｔ４における回路１０４［１］のトランジスタ１０６のゲ
ート容量よりも大きくなっている。よって、時刻ｔ９における回路１０２の端子Ａと端子
Ｂとの間の負荷は、時刻ｔ４時点と比較して増加している。そのため、時刻ｔ９における
端子ＯＵＴの信号の周波数は、時刻ｔ４における端子ＯＵＴの信号の周波数ｆ（Ｖ２）よ
りも低くなる。
【０１０５】
時刻ｔ１０において、配線ＷＬ［２］をハイレベルにし、配線ＢＬを電位Ｖ２’にする。
これにより、回路１０４［２］において、トランジスタ１０５がオンになるため、トラン
ジスタ１０５を介して配線ＢＬの電位Ｖ２’がノードＳＮに入力されるとともに、電位Ｖ
２’に基づいた電荷が容量素子１０８に蓄積される。そして、トランジスタ１０６のソー
スとドレインとの間の抵抗値は電位Ｖ２’に基づいた値になる。また、回路１０４［２］
において、トランジスタ１０７がオンであるため、図１に例示する装置が発振する。ここ
で、電位Ｖ２’は、時刻ｔ７における端子ＯＵＴの信号の周波数をｆ（Ｖ２）にする値で
あり、電位Ｖ２よりも高い値である。よって、端子ＯＵＴの信号の周波数がｆ（Ｖ２）と
概ね等しくなる。
【０１０６】
時刻ｔ１１において、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［２］をローレベルにする。これにより、回路
１０４［２］において、トランジスタ１０７がオフになる。よって、図１に例示する装置
が発振しなくなる。
【０１０７】
その後、時刻ｔ６乃至ｔ１１までの動作を繰り返すことにより、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１
］をハイレベルにしたときの端子ＯＵＴの信号の周波数をｆ（Ｖ１）に収束させ、配線Ｃ
ＯＮＴＥＸＴ［２］をハイレベルにしたときの端子ＯＵＴの信号の周波数をｆ（Ｖ２）に
収束させることができる。
【０１０８】
本実施の形態は、他の実施の形態等の本明細書等において開示する構成と適宜組み合わせ
て実施することができる。
【０１０９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１において説明した装置を用いたＰＬＬについて説明す
る。
【０１１０】
図７に例示するＰＬＬは、位相比較器２０１、ループフィルタ２０２、電圧制御発振器２
０３、及び分周器２０４を有する。
【０１１１】
位相比較器２０１は、２つの入力信号の位相差を検出し、検出結果を電圧信号として出力
する機能を有する。即ち、ｆｉｎの周波数の信号とｆｏｕｔ／Ｎの周波数の信号との位相
差を電圧信号として出力する機能を有する。
【０１１２】
ループフィルタ２０２は、電圧制御発振器２０３に入力するための直流電圧信号ＤＡＴＡ
を生成する機能を有する。また、ループフィルタ２０２は、位相比較器２０１の出力信号
に含まれる高周波成分を取り除く機能を有する。ループフィルタ２０２としては、ローパ
スフィルタがある。
【０１１３】
電圧制御発振器２０３は、ＤＡＴＡに依存して特定の発振周波数を示すクロック信号を出
力する機能を有する。電圧制御発振器２０３としては、図１に例示する装置を採用するこ
とができる。なお、ＤＡＴＡが配線ＢＬの電位に対応する。なお、図１に例示する装置は
、図７に示すようにバッファを介して信号を出力してもよい。
【０１１４】
分周器２０４は、電圧制御発振器２０３から出力された特定の発振周波数を示すクロック
信号を１／Ｎ倍に変化させたクロック信号を生成する機能を有する。
【０１１５】
なお、ＤＡＴＡが配線ＢＬの電位に対応する。また、ＤＡＴＡは、分周器２０４において
Ｎを変化させることによって制御することができる。即ち、電圧制御発振器２０３の回路
１０１［１］乃至［ｎ］のそれぞれに格納するデータは、分周器２０４においてＮを変化
させることによって制御することができる。
【０１１６】
本実施の形態は、他の実施の形態等の本明細書等において開示する構成と適宜組み合わせ
て実施することができる。
【０１１７】
（実施の形態３）
〈半導体装置の断面構造の例〉
図８に、図１に例示する装置の断面構造を、一例として示す。トランジスタ２２はトラン
ジスタ１０５に対応し、トランジスタ２３はトランジスタ１０６に対応する。なお、破線
Ａ１−Ａ２で示す領域では、トランジスタ２２及びトランジスタ２３のチャネル長方向に
おける構造を示しており、破線Ａ３−Ａ４で示す領域では、トランジスタ２２及びトラン
ジスタ２３のチャネル幅方向における構造を示している。ただし、本発明の一態様では、
トランジスタ２２のチャネル長方向とトランジスタ２３のチャネル長方向とが、必ずしも
一致していなくともよい。
【０１１８】
なお、チャネル長方向とは、ソース（ソース領域またはソース電極）及びドレイン（ドレ
イン領域またはドレイン電極）間において、キャリアが移動する方向を意味し、チャネル
幅方向は、基板と水平な面内において、チャネル長方向に対して垂直の方向を意味する。
【０１１９】
また、図８では、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ２２が、単結
晶のシリコン基板にチャネル形成領域を有するトランジスタ２３上に形成されている場合
を例示している。
【０１２０】
トランジスタ２３は、非晶質、微結晶、多結晶または単結晶である、シリコン又はゲルマ
ニウムなどの半導体膜または半導体基板に、チャネル形成領域を有していても良い。或い
は、トランジスタ２３は、酸化物半導体膜または酸化物半導体基板に、チャネル形成領域
を有していても良い。全てのトランジスタが酸化物半導体膜または酸化物半導体基板に、
チャネル形成領域を有している場合、トランジスタ２２はトランジスタ２３上に積層され
ていなくとも良く、トランジスタ２２とトランジスタ２３とは、同一の層に形成されてい
ても良い。
【０１２１】
シリコンの薄膜を用いてトランジスタ２３を形成する場合、当該薄膜には、プラズマＣＶ
Ｄ法などの気相成長法若しくはスパッタリング法で作製された非晶質シリコン、非晶質シ
リコンをレーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコン、単結晶シリコ
ンウェハに水素イオン等を注入して表層部を剥離した単結晶シリコンなどを用いることが
できる。
【０１２２】
トランジスタ２３が形成される基板４００は、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板
、シリコンゲルマニウム基板等を用いることができる。図８では、単結晶シリコン基板を
基板４００として用いる場合を例示している。
【０１２３】
また、トランジスタ２３は、素子分離法により電気的に分離されている。素子分離法とし
て、トレンチ分離法（ＳＴＩ法：Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）
等を用いることができる。図８では、トレンチ分離法を用いてトランジスタ２３を電気的
に分離する場合を例示している。具体的に、図８では、エッチング等により基板４００に
形成されたトレンチに、酸化珪素などが含まれる絶縁物を埋め込んだ後、当該絶縁物をエ
ッチング等により部分的に除去することで形成される素子分離領域４０１により、トラン
ジスタ２３を素子分離させる場合を例示している。
【０１２４】
また、トレンチ以外の領域に存在する基板４００の凸部には、トランジスタ２３の不純物
領域４０２及び不純物領域４０３と、不純物領域４０２及び不純物領域４０３に挟まれた
チャネル形成領域４０４とが設けられている。さらに、トランジスタ２３は、チャネル形
成領域４０４を覆う絶縁膜４０５と、絶縁膜４０５を間に挟んでチャネル形成領域４０４
と重なるゲート電極４０６とを有する。
【０１２５】
トランジスタ２３では、チャネル形成領域４０４における凸部の側部及び上部と、ゲート
電極４０６とが絶縁膜４０５を間に挟んで重なることで、チャネル形成領域４０４の側部
と上部を含めた広い範囲においてキャリアが流れる。そのため、トランジスタ２３の基板
上における占有面積を小さく抑えつつ、トランジスタ２３におけるキャリアの移動量を増
加させることができる。その結果、トランジスタ２３は、オン電流が大きくなると共に、
電界効果移動度が高められる。特に、チャネル形成領域４０４における凸部のチャネル幅
方向の長さ（チャネル幅）をＷ、チャネル形成領域４０４における凸部の膜厚をＴとする
と、チャネル幅Ｗに対する膜厚Ｔの比に相当するアスペクト比が高い場合、キャリアが流
れる範囲はより広くなるため、トランジスタ２３のオン電流をより大きくすることができ
、電界効果移動度もより高められる。
【０１２６】
なお、バルクの半導体基板を用いたトランジスタ２３の場合、アスペクト比は０．５以上
であることが望ましく、１以上であることがより望ましい。
【０１２７】
トランジスタ２３上には、絶縁膜４１１が設けられている。絶縁膜４１１には開口部が形
成されている。そして、上記開口部には、不純物領域４０２、不純物領域４０３にそれぞ
れ電気的に接続されている導電膜４１２、導電膜４１３と、ゲート電極４０６に電気的に
接続されている導電膜４１４とが、形成されている。
【０１２８】
そして、導電膜４１２は、絶縁膜４１１上に形成された導電膜４１６に電気的に接続され
ており、導電膜４１３は、絶縁膜４１１上に形成された導電膜４１７に電気的に接続され
ており、導電膜４１４は、絶縁膜４１１上に形成された導電膜４１８に電気的に接続され
ている。
【０１２９】
導電膜４１６乃至導電膜４１８上には、絶縁膜４２０が設けられている。そして、絶縁膜
４２０上には、酸素、水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を有する絶縁膜４２１が設
けられている。絶縁膜４２１は、密度が高くて緻密である程、また未結合手が少なく化学
的に安定である程、より高いブロッキング効果を示す。酸素、水素、水の拡散を防ぐブロ
ッキング効果を示す絶縁膜４２１として、例えば、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニ
ウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸
化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等を用いることができる。水素、水の拡散を防ぐブロ
ッキング効果を示す絶縁膜４２１として、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を
用いることができる。
【０１３０】
絶縁膜４２１上には絶縁膜４２２が設けられており、絶縁膜４２２上には、トランジスタ
２２が設けられている。
【０１３１】
トランジスタ２２は、絶縁膜４２２上に、酸化物半導体を含む半導体膜４３０と、半導体
膜４３０に電気的に接続された、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜４
３２及び導電膜４３３と、半導体膜４３０を覆っているゲート絶縁膜４３１と、ゲート絶
縁膜４３１を間に挟んで半導体膜４３０と重なるゲート電極４３４と、を有する。なお、
絶縁膜４２０乃至絶縁膜４２２には開口部が設けられており、導電膜４３３は、上記開口
部において導電膜４１８に接続されている。
【０１３２】
なお、図８において、トランジスタ２２は、ゲート電極４３４を半導体膜４３０の片側に
おいて少なくとも有していれば良いが、絶縁膜４２２を間に挟んで半導体膜４３０と重な
るゲート電極を、さらに有していても良い。
【０１３３】
トランジスタ２２が、一対のゲート電極を有している場合、一方のゲート電極には導通状
態または非導通状態を制御するための信号が与えられ、他方のゲート電極は、電位が他か
ら与えられている状態であっても良い。この場合、一対のゲート電極に、同じ高さの電位
が与えられていても良いし、他方のゲート電極にのみ接地電位などの固定の電位が与えら
れていても良い。他方のゲート電極に与える電位の高さを制御することで、トランジスタ
の閾値電圧を制御することができる。
【０１３４】
また、図８では、トランジスタ２２が、一のゲート電極４３４に対応した一のチャネル形
成領域を有する、シングルゲート構造である場合を例示している。しかし、トランジスタ
２２は、電気的に接続された複数のゲート電極を有することで、一の活性層にチャネル形
成領域を複数有する、マルチゲート構造であっても良い。
【０１３５】
また、図８に示すように、トランジスタ２２は、半導体膜４３０が、絶縁膜４２２上にお
いて順に積層された酸化物半導体膜４３０ａ乃至酸化物半導体膜４３０ｃを有する場合を
例示している。ただし、本発明の一態様では、トランジスタ２２が有する半導体膜４３０
が、単膜の金属酸化物膜で構成されていても良い。
【０１３６】
〈トランジスタについて〉
次いで、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ９０の構成例について
説明する。
【０１３７】
図９に、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ９０の構成を、一例と
して示す。図９（Ａ）には、トランジスタ９０の上面図を示す。なお、図９（Ａ）では、
トランジスタ９０のレイアウトを明確にするために、各種の絶縁膜を省略している。また
、図９（Ａ）に示した上面図の、破線Ａ１−Ａ２における断面図を図９（Ｂ）に示し、破
線Ａ３−Ａ４における断面図を図９（Ｃ）に示す。
【０１３８】
図９に示すように、トランジスタ９０は、基板９７に形成された絶縁膜９１上において順
に積層された酸化物半導体膜９２ａ及び酸化物半導体膜９２ｂと、酸化物半導体膜９２ｂ
に電気的に接続され、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電膜９３及
び導電膜９４と、酸化物半導体膜９２ｂ、導電膜９３及び導電膜９４上の酸化物半導体膜
９２ｃと、ゲート絶縁膜としての機能を有し、なおかつ酸化物半導体膜９２ｃ上に位置す
る絶縁膜９５と、ゲート電極としての機能を有し、なおかつ絶縁膜９５上において酸化物
半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９２ｃと重なる導電膜９６とを有する。なお、基板９
７は、ガラス基板や半導体基板などであってもよいし、ガラス基板や半導体基板上に半導
体素子が形成された素子基板であってもよい。
【０１３９】
また、トランジスタ９０の、具体的な構成の別の一例を、図１０に示す。図１０（Ａ）に
は、トランジスタ９０の上面図を示す。なお、図１０（Ａ）では、トランジスタ９０のレ
イアウトを明確にするために、各種の絶縁膜を省略している。また、図１０（Ａ）に示し
た上面図の、破線Ａ１−Ａ２における断面図を図１０（Ｂ）に示し、破線Ａ３−Ａ４にお
ける断面図を図１０（Ｃ）に示す。
【０１４０】
図１０に示すように、トランジスタ９０は、絶縁膜９１上において順に積層された酸化物
半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９２ｃと、酸化物半導体膜９２ｃに電気的に接続され
、ソース電極またはドレイン電極としての機能を有する導電膜９３及び導電膜９４と、ゲ
ート絶縁膜としての機能を有し、なおかつ酸化物半導体膜９２ｃ、導電膜９３及び導電膜
９４上に位置する絶縁膜９５と、ゲート電極としての機能を有し、なおかつ絶縁膜９５上
において酸化物半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９２ｃと重なる導電膜９６とを有する
。
【０１４１】
なお、図９及び図１０では、積層された酸化物半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９２ｃ
を用いるトランジスタ９０の構成を例示している。トランジスタ９０が有する酸化物半導
体膜は、積層された複数の酸化物半導体膜で構成されているとは限らず、単膜の酸化物半
導体膜で構成されていても良い。
【０１４２】
酸化物半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９２ｃが順に積層されている半導体膜をトラン
ジスタ９０が有する場合、酸化物半導体膜９２ａ及び酸化物半導体膜９２ｃは、酸化物半
導体膜９２ｂを構成する金属元素の少なくとも１つを、その構成要素に含み、伝導帯下端
のエネルギーが酸化物半導体膜９２ｂよりも０．０５ｅＶ以上、０．０７ｅＶ以上、０．
１ｅＶ以上または０．１５ｅＶ以上、かつ２ｅＶ以下、１ｅＶ以下、０．５ｅＶ以下また
は０．４ｅＶ以下、真空準位に近い酸化物膜である。さらに、酸化物半導体膜９２ｂは、
少なくともインジウムを含むと、キャリア移動度が高くなるため好ましい。
【０１４３】
上記構成の半導体膜をトランジスタ９０が有する場合、ゲート電極に電圧を印加すること
で、半導体膜に電界が加わると、半導体膜のうち、伝導帯下端のエネルギーが小さい酸化
物半導体膜９２ｂにチャネル領域が形成される。即ち、酸化物半導体膜９２ｂと絶縁膜９
５との間に酸化物半導体膜９２ｃが設けられていることによって、絶縁膜９５と離隔して
いる酸化物半導体膜９２ｂに、チャネル領域を形成することができる。
【０１４４】
また、酸化物半導体膜９２ｃは、酸化物半導体膜９２ｂを構成する金属元素の少なくとも
１つをその構成要素に含むため、酸化物半導体膜９２ｂと酸化物半導体膜９２ｃの界面で
は、界面散乱が起こりにくい。従って、当該界面においてキャリアの動きが阻害されにく
いため、トランジスタ９０の電界効果移動度が高くなる。
【０１４５】
また、酸化物半導体膜９２ｂと酸化物半導体膜９２ａの界面に界面準位が形成されると、
界面近傍の領域にもチャネル領域が形成されるために、トランジスタ９０の閾値電圧が変
動してしまう。しかし、酸化物半導体膜９２ａは、酸化物半導体膜９２ｂを構成する金属
元素の少なくとも１つをその構成要素に含むため、酸化物半導体膜９２ｂと酸化物半導体
膜９２ａの界面には、界面準位が形成されにくい。よって、上記構成により、トランジス
タ９０の閾値電圧等の電気的特性のばらつきを、低減することができる。
【０１４６】
また、酸化物半導体膜間に不純物が存在することによって、各膜の界面にキャリアの流れ
を阻害する界面準位が形成されることがないよう、複数の酸化物半導体膜を積層させるこ
とが望ましい。積層された酸化物半導体膜の膜間に不純物が存在していると、酸化物半導
体膜間における伝導帯下端のエネルギーの連続性が失われ、界面近傍において、キャリア
がトラップされるか、あるいは再結合により消滅してしまうからである。膜間における不
純物を低減させることで、主成分である一の金属を少なくとも共に有する複数の酸化物半
導体膜を、単に積層させるよりも、連続接合（ここでは特に伝導帯下端のエネルギーが各
膜の間で連続的に変化するＵ字型の井戸構造を有している状態）が形成されやすくなる。
【０１４７】
連続接合を形成するためには、ロードロック室を備えたマルチチャンバー方式の成膜装置
（スパッタリング装置）を用いて各膜を大気に触れさせることなく連続して積層すること
が必要となる。スパッタリング装置における各チャンバーは、酸化物半導体にとって不純
物となる水等を可能な限り除去すべくクライオポンプのような吸着式の真空排気ポンプを
用いて高真空排気（５×１０−７Ｐａ乃至１×１０−４Ｐａ程度まで）することが好まし
い。または、ターボ分子ポンプとコールドトラップを組み合わせて排気系からチャンバー
内に気体が逆流しないようにしておくことが好ましい。
【０１４８】
高純度の真性な酸化物半導体を得るためには、各チャンバー内を高真空排気するのみなら
ず、スパッタリングに用いるガスの高純度化も重要である。上記ガスとして用いる酸素ガ
スやアルゴンガスの露点を、−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−
１００℃以下とし、使用するガスの高純度化を図ることで、酸化物半導体膜に水分等が取
り込まれることを可能な限り防ぐことができる。具体的に、酸化物半導体膜９２ｂがＩｎ
−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）の場合、酸化物半
導体膜９２ｂを成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：
Ｍ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１とすると、ｘ１／ｙ１は、１／３以上６以下、さらには１以
上６以下であって、ｚ１／ｙ１は、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であること
が好ましい。なお、ｚ１／ｙ１を１以上６以下とすることで、酸化物半導体膜９２ｂとし
てＣＡＡＣ−ＯＳ膜が形成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例と
しては、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２等がある。
【０１４９】
具体的に、酸化物半導体膜９２ａ、酸化物半導体膜９２ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは
、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）の場合、酸化物半導体膜９２ａ、酸化物半
導体膜９２ｃを成膜するために用いるターゲットにおいて、金属元素の原子数比をＩｎ：
Ｍ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２とすると、ｘ２／ｙ２＜ｘ１／ｙ１であって、ｚ２／ｙ２は
、１／３以上６以下、さらには１以上６以下であることが好ましい。なお、ｚ２／ｙ２を
１以上６以下とすることで、酸化物半導体膜９２ａ、酸化物半導体膜９２ｃとしてＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜が形成されやすくなる。ターゲットの金属元素の原子数比の代表例としては、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：
６、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：８等がある。
【０１５０】
なお、酸化物半導体膜９２ａ及び酸化物半導体膜９２ｃの厚さは、３ｎｍ以上１００ｎｍ
以下、好ましくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする。また、酸化物半導体膜９２ｂの厚さは
、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは３ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、さらに好ま
しくは３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【０１５１】
３層構造の半導体膜において、酸化物半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９２ｃは、非晶
質または結晶質の両方の形態を取りうる。ただし、チャネル領域が形成される酸化物半導
体膜９２ｂが結晶質であることにより、トランジスタ９０に安定した電気的特性を付与す
ることができるため、酸化物半導体膜９２ｂは結晶質であることが好ましい。
【０１５２】
なお、チャネル形成領域とは、トランジスタ９０の半導体膜のうち、ゲート電極と重なり
、かつソース電極とドレイン電極に挟まれる領域を意味する。また、チャネル領域とは、
チャネル形成領域において、電流が主として流れる領域をいう。
【０１５３】
例えば、酸化物半導体膜９２ａ及び酸化物半導体膜９２ｃとして、スパッタリング法によ
り形成したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜を用いる場合、酸化物半導体膜９２ａ及び酸化物半
導体膜９２ｃの成膜には、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２［原
子数比］）であるターゲットを用いることができる。成膜条件は、例えば、成膜ガスとし
てアルゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力０．４Ｐａとし、基
板温度を２００℃とし、ＤＣ電力０．５ｋＷとすればよい。
【０１５４】
また、酸化物半導体膜９２ｂをＣＡＡＣ−ＯＳ膜とする場合、酸化物半導体膜９２ｂの成
膜には、多結晶のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］
）を含むターゲットを用いることが好ましい。成膜条件は、例えば、成膜ガスとしてアル
ゴンガスを３０ｓｃｃｍ、酸素ガスを１５ｓｃｃｍ用い、圧力を０．４Ｐａとし、基板の
温度３００℃とし、ＤＣ電力０．５ｋＷとすることができる。
【０１５５】
なお、酸化物半導体膜９２ａ乃至９２ｃは、スパッタリング法により形成することができ
るが、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ法により形成してもよい。熱ＣＶＤ法の例としてＭＯ
ＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を使っても
良い。
【０１５６】
なお、電子供与体（ドナー）となる水分または水素などの不純物が低減され、なおかつ酸
素欠損が低減されることにより高純度化された酸化物半導体（ｐｕｒｉｆｉｅｄ  Ｏｘｉ
ｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）は、キャリア発生源が少ないため、ｉ型（真性半導
体）又はｉ型に限りなく近くすることができる。そのため、高純度化された酸化物半導体
膜にチャネル形成領域を有するトランジスタは、オフ電流が著しく小さく、信頼性が高い
。そして、当該酸化物半導体膜にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、閾値電
圧がプラスとなる電気的特性（ノーマリーオフ特性ともいう。）になりやすい。
【０１５７】
具体的に、高純度化された酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタのオ
フ電流が小さいことは、いろいろな実験により証明できる。例えば、チャネル幅が１×１
０６μｍでチャネル長が１０μｍの素子であっても、ソース電極とドレイン電極間の電圧
（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲において、オフ電流が、半導体パラメータアナ
ライザの測定限界以下、すなわち１×１０−１３Ａ以下という特性を得ることができる。
この場合、トランジスタのチャネル幅で規格化したオフ電流は、１００ｚＡ／μｍ以下で
あることが分かる。また、容量素子とトランジスタとを接続して、容量素子に流入または
容量素子から流出する電荷を当該トランジスタで制御する回路を用いて、オフ電流の測定
を行った。当該測定では、高純度化された酸化物半導体膜を上記トランジスタのチャネル
形成領域に用い、容量素子の単位時間あたりの電荷量の推移から当該トランジスタのオフ
電流を測定した。その結果、トランジスタのソース電極とドレイン電極間の電圧が３Ｖの
場合に、数十ｙＡ／μｍという、さらに小さいオフ電流が得られることが分かった。従っ
て、高純度化された酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、オフ電
流が、結晶性を有するシリコンを用いたトランジスタに比べて著しく小さい。
【０１５８】
なお、半導体膜として酸化物半導体膜を用いる場合、酸化物半導体膜としては、少なくと
もインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。また、該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタの電気的特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして
、それらに加えてガリウム（Ｇａ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとし
てスズ（Ｓｎ）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム（Ｈｆ
）を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム（Ａｌ）を有する
ことが好ましい。また、スタビライザーとしてジルコニウム（Ｚｒ）を含むことが好まし
い。
【０１５９】
酸化物半導体の中でもＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物などは、炭化シ
リコン、窒化ガリウム、または酸化ガリウムとは異なり、スパッタリング法や湿式法によ
り電気的特性の優れたトランジスタを作製することが可能であり、量産性に優れるといっ
た利点がある。また、炭化シリコン、窒化ガリウム、または酸化ガリウムとは異なり、上
記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、ガラス基板上に、電気的特性の優れたトランジスタを作製
することが可能である。また、基板の大型化にも対応が可能である。
【０１６０】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（
Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム
（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホル
ミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ル
テチウム（Ｌｕ）のいずれか一種または複数種を含んでいてもよい。
【０１６１】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉ
ｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ
酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（ＩＧＺＯとも
表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化
物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ
−Ｌａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−
Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ酸化
物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ
−Ｅｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−
Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａ
ｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物
、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。
【０１６２】
なお、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを含む酸化物という意味
であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素を
含んでいてもよい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、無電界時の抵抗が十分に高くオフ電流を
十分に小さくすることが可能であり、また、移動度も高い。
【０１６３】
例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしながら
、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物でも、バルク内欠陥密度を低減することにより移動度を上げる
ことができる。
【０１６４】
また、トランジスタ９０において、ソース電極及びドレイン電極に用いられる導電性材料
によっては、ソース電極及びドレイン電極中の金属が、酸化物半導体膜から酸素を引き抜
くことがある。この場合、酸化物半導体膜のうち、ソース電極及びドレイン電極に接する
領域が、酸素欠損の形成によりｎ型化される。ｎ型化された領域は、ソース領域またはド
レイン領域として機能するため、酸化物半導体膜とソース電極及びドレイン電極との間に
おけるコンタクト抵抗を下げることができる。よって、ｎ型化された領域が形成されるこ
とで、トランジスタ９０の移動度及びオン電流を高めることができ、それにより、トラン
ジスタ９０を用いた半導体装置の高速動作を実現することができる。
【０１６５】
なお、ソース電極及びドレイン電極中の金属による酸素の引き抜きは、ソース電極及びド
レイン電極をスパッタリング法などにより形成する際に起こりうるし、ソース電極及びド
レイン電極を形成した後に行われる加熱処理によっても起こりうる。また、ｎ型化される
領域は、酸素と結合し易い導電性材料をソース電極及びドレイン電極に用いることで、よ
り形成されやすくなる。上記導電性材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｗなどが挙げられる。
【０１６６】
複数の積層された酸化物半導体膜を有する半導体膜をトランジスタ９０に用いる場合、ｎ
型化される領域は、チャネル領域となる酸化物半導体膜９２ｂにまで達していることが、
トランジスタ９０の移動度及びオン電流を高め、半導体装置の高速動作を実現する上で好
ましい。
【０１６７】
絶縁膜９１は、加熱により上記酸素の一部を酸化物半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９
２ｃに供給する機能を有する絶縁膜であることが望ましい。また、絶縁膜９１は、欠陥が
少ないことが好ましく、代表的には、ＥＳＲ測定により得られる、シリコンのダングリン
グボンドに由来するｇ＝２．００１を持つスピンの密度が１×１０１８ｓｐｉｎｓ／ｃｍ
３以下であることが好ましい。
【０１６８】
絶縁膜９１は、加熱により上記酸素の一部を酸化物半導体膜９２ａ乃至酸化物半導体膜９
２ｃに供給する機能を有するため、酸化物であることが望ましく、例えば、酸化アルミニ
ウム、酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化ガリウム、酸化
ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸
化ハフニウムおよび酸化タンタルなどを用いることができる。絶縁膜９１は、プラズマＣ
ＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはスパッタリング
法等により、形成することができる。
【０１６９】
なお、本明細書中において、酸化窒化物は、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が
多い材料を指し、窒化酸化物は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を
指す。
【０１７０】
なお、図９及び図１０に示すトランジスタ９０は、チャネル領域が形成される酸化物半導
体膜９２ｂの端部のうち、導電膜９３及び導電膜９４とは重ならない端部、言い換えると
、導電膜９３及び導電膜９４が位置する領域とは異なる領域に位置する端部と、導電膜９
６とが、重なる構成を有する。酸化物半導体膜９２ｂの端部は、当該端部を形成するため
のエッチングでプラズマに曝されるときに、エッチングガスから生じた塩素ラジカル、フ
ッ素ラジカル等が、酸化物半導体を構成する金属元素と結合しやすい。よって、酸化物半
導体膜の端部では、当該金属元素と結合していた酸素が脱離しやすい状態にあるため、酸
素欠損が形成され、ｎ型化しやすいと考えられる。しかし、図９及び図１０に示すトラン
ジスタ９０では、導電膜９３及び導電膜９４とは重ならない酸化物半導体膜９２ｂの端部
と、導電膜９６とが重なるため、導電膜９６の電位を制御することにより、当該端部にか
かる電界を制御することができる。よって、酸化物半導体膜９２ｂの端部を介して導電膜
９３と導電膜９４の間に流れる電流を、導電膜９６に与える電位によって制御することが
できる。このようなトランジスタ９０の構造を、Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  Ｃｈａｎｎｅｌ
（Ｓ−Ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
【０１７１】
具体的に、Ｓ−Ｃｈａｎｎｅｌ構造の場合、トランジスタ９０がオフとなるような電位を
導電膜９６に与えたときは、当該端部を介して導電膜９３と導電膜９４の間に流れるオフ
電流を小さく抑えることができる。そのため、トランジスタ９０では、大きなオン電流を
得るためにチャネル長を短くし、その結果、酸化物半導体膜９２ｂの端部における導電膜
９３と導電膜９４の間の長さが短くなっても、トランジスタ９０のオフ電流を小さく抑え
ることができる。よって、トランジスタ９０は、チャネル長を短くすることで、オンのと
きには大きいオン電流を得ることができ、オフのときにはオフ電流を小さく抑えることが
できる。
【０１７２】
また、具体的に、Ｓ−Ｃｈａｎｎｅｌ構造の場合、トランジスタ９０がオンとなるような
電位を導電膜９６に与えたときは、当該端部を介して導電膜９３と導電膜９４の間に流れ
る電流を大きくすることができる。当該電流は、トランジスタ９０の電界効果移動度とオ
ン電流の増大に寄与する。そして、酸化物半導体膜９２ｂの端部と、導電膜９６とが重な
ることで、酸化物半導体膜９２ｂにおいてキャリアの流れる領域が、絶縁膜９５に近い酸
化物半導体膜９２ｂの界面近傍のみでなく、酸化物半導体膜９２ｂの広い範囲においてキ
ャリアが流れるため、トランジスタ９０におけるキャリアの移動量が増加する。この結果
、トランジスタ９０のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなり、代表的
には電界効果移動度が１０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上となる
。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の近似値で
はなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の電界効果
移動度である。
【０１７３】
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
【０１７４】
酸化物半導体膜は、非単結晶酸化物半導体膜と単結晶酸化物半導体膜とに分けられる。ま
たは、酸化物半導体は、例えば、結晶性酸化物半導体と非晶質酸化物半導体とに分けられ
る。
【０１７５】
なお、非単結晶酸化物半導体としては、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物
半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質酸化物半導体などがある。また、結晶性酸化物半導
体としては、単結晶酸化物半導体、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物
半導体などがある。
【０１７６】
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について説明する。
【０１７７】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。
【０１７８】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の明視野像および回折パターンの複合解析像（
高分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数の結晶部を確認することができる。
一方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバ
ウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、結
晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０１７９】
試料面と略平行な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の断面の高分解能ＴＥＭ像を観察すると、
結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した
形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
【０１８０】
一方、試料面と略垂直な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の平面の高分解能ＴＥＭ像を観察す
ると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認で
きる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
【０１８１】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装
置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜
のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが
現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略
垂直な方向を向いていることが確認できる。
【０１８２】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法
による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れ
る場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性
を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍に
ピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【０１８３】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素、
シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコ
ンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化
物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる
要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径
（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の
原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純
物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
【０１８４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化物
半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによって
キャリア発生源となることがある。
【０１８５】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性または
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜
は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、
当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（
ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純
度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導
体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとな
る。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要す
る時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が
高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定と
なる場合がある。
【０１８６】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性
の変動が小さい。
【０１８７】
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
【０１８８】
微結晶酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領
域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体膜
に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大き
さであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微
結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ
−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確
認できない場合がある。
【０１８９】
ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上
３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる
結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。し
たがって、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かな
い場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲ
Ｄ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面
を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ
径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を
行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し
、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子
回折を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を
行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、
ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが
観測される場合がある。
【０１９０】
ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも規則性の高い酸化物半導体膜である。その
ため、ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、
ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−Ｏ
Ｓ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０１９１】
次に、非晶質酸化物半導体膜について説明する。
【０１９２】
非晶質酸化物半導体膜は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸化
物半導体膜である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体膜が一例である。
【０１９３】
非晶質酸化物半導体膜は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。
【０１９４】
非晶質酸化物半導体膜に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐ
ｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半
導体膜に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが
観測される。
【０１９５】
なお、酸化物半導体膜は、ｎｃ−ＯＳ膜と非晶質酸化物半導体膜との間の物性を示す構造
を有する場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体膜を、特に非晶質ライク酸化
物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。
【０１９６】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ膜は、高分解能ＴＥＭ像において鬆（ボイドともいう。）が観察され
る場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる
領域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ膜は、
ＴＥＭによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見ら
れる場合がある。一方、良質なｎｃ−ＯＳ膜であれば、ＴＥＭによる観察程度の微量な電
子照射による結晶化はほとんど見られない。
【０１９７】
なお、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ膜およびｎｃ−ＯＳ膜の結晶部の大きさの計測は、高分解能Ｔ
ＥＭ像を用いて行うことができる。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は層状構造を有し、
Ｉｎ−Ｏ層の間に、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を２層有する。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子
は、Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層
状に重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、（００９）面の
格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍ
と求められている。そのため、高分解能ＴＥＭ像における格子縞に着目し、格子縞の間隔
が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所においては、それぞれの格子縞がＩｎＧ
ａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
【０１９８】
また、酸化物半導体膜は、構造ごとに密度が異なる場合がある。例えば、ある酸化物半導
体膜の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、
その酸化物半導体膜の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、ａ−
ｌｉｋｅ  ＯＳ膜の密度は７８．６％以上９２．３％未満となる。また、例えば、単結晶
の密度に対し、ｎｃ−ＯＳ膜の密度およびＣＡＡＣ−ＯＳ膜の密度は９２．３％以上１０
０％未満となる。なお、単結晶の密度に対し密度が７８％未満となる酸化物半導体膜は、
成膜すること自体が困難である。
【０１９９】
上記について、具体例を用いて説明する。例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子
数比］を満たす酸化物半導体膜において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４
の密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１
［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ膜の密度は５．０ｇ
／ｃｍ３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：
１［原子数比］を満たす酸化物半導体膜において、ｎｃ−ＯＳ膜の密度およびＣＡＡＣ−
ＯＳ膜の密度は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
【０２００】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することが
できる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて算出することが好ましい。
【０２０１】
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ膜、微結
晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【０２０２】
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で配置さ
れている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略平
行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。ま
た、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態を
いう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二
つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
【０２０３】
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
【０２０４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【０２０５】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制でき
る。例えば、処理室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素、及び窒素など）を
低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が
−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【０２０６】
また、成膜時の基板加熱温度を高めることで、基板到達後にスパッタリング粒子のマイグ
レーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を１００℃以上７４０℃以下、好ましく
は２００℃以上５００℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平
板状又はペレット状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーシ
ョンが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
【０２０７】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージ
を軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００体
積％とする。
【０２０８】
ターゲットの一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットについて以下に示す。
【０２０９】
ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末及びＺｎＯＺ粉末を所定のｍｏｌ数比で混合し、加圧処理後
、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ酸化物ターゲットとする。なお、Ｘ、Ｙ及びＺは任意の正数である。ここで、所定
のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末及びＺｎＯＺ粉末が、２：２：１
、８：４：３、３：１：１、１：１：１、４：２：３、２：１：３または３：１：２であ
る。なお、粉末の種類、及びその混合するｍｏｌ数比は、作製するターゲットによって適
宜変更すればよい。特に、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎのｍｏｌ数比が２：１：３のターゲットを用
いて作製されたＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、一定の範囲におけるＣＡＡＣ−ＯＳの回折パターン
が観測される領域の割合（ＣＡＡＣ化率ともいう）を高くすることができるので、当該Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳ膜にチャネル形成領域を有するトランジスタの周波数特性（ｆ特）を高める
ことができる。
【０２１０】
なお、アルカリ金属は酸化物半導体を構成する元素ではないため、不純物である。アルカ
リ土類金属も、酸化物半導体を構成する元素ではない場合において、不純物となる。特に
、アルカリ金属のうちＮａは、酸化物半導体膜に接する絶縁膜が酸化物である場合、当該
絶縁膜中に拡散してＮａ＋となる。また、Ｎａは、酸化物半導体膜内において、酸化物半
導体を構成する金属と酸素の結合を分断する、或いは、その結合中に割り込む。その結果
、例えば、閾値電圧がマイナス方向にシフトすることによるノーマリオン化、移動度の低
下等の、トランジスタの電気的特性の劣化が起こり、加えて、特性のばらつきも生じる。
具体的に、二次イオン質量分析法によるＮａ濃度の測定値は、５×１０１６／ｃｍ３以下
、好ましくは１×１０１６／ｃｍ３以下、更に好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下とす
るとよい。同様に、Ｌｉ濃度の測定値は、５×１０１５／ｃｍ３以下、好ましくは１×１
０１５／ｃｍ３以下とするとよい。同様に、Ｋ濃度の測定値は、５×１０１５／ｃｍ３以
下、好ましくは１×１０１５／ｃｍ３以下とするとよい。
【０２１１】
また、インジウムを含む金属酸化物が用いられている場合に、酸素との結合エネルギーが
インジウムよりも大きいシリコンや炭素が、インジウムと酸素の結合を切断し、酸素欠損
を形成することがある。そのため、シリコンや炭素が酸化物半導体膜に混入していると、
アルカリ金属やアルカリ土類金属の場合と同様に、トランジスタの電気的特性の劣化が起
こりやすい。よって、酸化物半導体膜中におけるシリコンや炭素の濃度は低いことが望ま
しい。具体的に、二次イオン質量分析法によるＣ濃度の測定値、またはＳｉ濃度の測定値
は、１×１０１８／ｃｍ３以下とするとよい。上記構成により、トランジスタの電気的特
性の劣化を防ぐことができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０２１２】
〈半導体装置の断面構造の例〉
図１１に、図１に例示する装置の断面構造を、一例として示す。
【０２１３】
なお、図１１では、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ２２が、単
結晶のシリコン基板にチャネル形成領域を有するトランジスタ２３上に形成されている場
合を例示している。
【０２１４】
トランジスタ２３は、非晶質、微結晶、多結晶または単結晶である、シリコン又はゲルマ
ニウムなどの半導体膜または半導体基板に、チャネル形成領域を有していても良い。或い
は、トランジスタ２３は、酸化物半導体膜または酸化物半導体基板に、チャネル形成領域
を有していても良い。全てのトランジスタが酸化物半導体膜または酸化物半導体基板に、
チャネル形成領域を有している場合、トランジスタ２２はトランジスタ２３上に積層され
ていなくとも良く、トランジスタ２２とトランジスタ２３とは、同一の層に形成されてい
ても良い。
【０２１５】
シリコンの薄膜を用いてトランジスタ２３を形成する場合、当該薄膜には、プラズマＣＶ
Ｄ法などの気相成長法若しくはスパッタリング法で作製された非晶質シリコン、非晶質シ
リコンをレーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコン、単結晶シリコ
ンウェハに水素イオン等を注入して表層部を剥離した単結晶シリコンなどを用いることが
できる。
【０２１６】
トランジスタ２３が形成される半導体基板６０１は、例えば、シリコン基板、ゲルマニウ
ム基板、シリコンゲルマニウム基板等を用いることができる。図１１では、単結晶シリコ
ン基板を半導体基板６０１として用いる場合を例示している。
【０２１７】
また、トランジスタ２３は、素子分離法により電気的に分離されている。素子分離法とし
て、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ法：Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏ
ｎ法）、トレンチ分離法（ＳＴＩ法：Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏ
ｎ）等を用いることができる。図１１では、トレンチ分離法を用いてトランジスタ２３を
電気的に分離する場合を例示している。具体的に、図１１では、半導体基板６０１にエッ
チング等によりトレンチを形成した後、酸化珪素などを含む絶縁物を当該トレンチに埋め
込むことで形成される素子分離領域６１０により、トランジスタ２３を素子分離させる場
合を例示している。
【０２１８】
トランジスタ２３上には、絶縁膜６１１が設けられている。絶縁膜６１１には開口部が形
成されている。そして、上記開口部には、トランジスタ２３のソース及びドレインにそれ
ぞれ電気的に接続されている導電膜６２５及び導電膜６２６と、トランジスタ２３のゲー
トに電気的に接続されている導電膜６２７とが、形成されている。
【０２１９】
そして、導電膜６２５は、絶縁膜６１１上に形成された導電膜６３４に電気的に接続され
ており、導電膜６２６は、絶縁膜６１１上に形成された導電膜６３５に電気的に接続され
ており、導電膜６２７は、絶縁膜６１１上に形成された導電膜６３６に電気的に接続され
ている。
【０２２０】
導電膜６３４乃至導電膜６３５上には、絶縁膜６１２が形成されている。絶縁膜６１２に
は開口部が形成されており、上記開口部に、導電膜６３６に電気的に接続された導電膜６
３７が形成されている。そして、導電膜６３７は、絶縁膜６１２上に形成された導電膜６
５１に、電気的に接続されている。
【０２２１】
また、導電膜６５１上には、絶縁膜６１３が形成されている。絶縁膜６１３には開口部が
形成されており、上記開口部に、導電膜６５１に電気的に接続された導電膜６５２が形成
されている。そして、導電膜６５２は、絶縁膜６１３上に形成された導電膜６５３に、電
気的に接続されている。また、絶縁膜６１３上には、導電膜６４４が形成されている。
【０２２２】
導電膜６５３及び導電膜６４４上には絶縁膜６６１が形成されている。そして、図１１で
は、絶縁膜６６１上にトランジスタ２２が形成されている。
【０２２３】
トランジスタ２２は、絶縁膜６６１上に、酸化物半導体を含む半導体膜７０１と、半導体
膜７０１上の、ソースまたはドレインとして機能する導電膜７２１及び導電膜７２２と、
半導体膜７０１、導電膜７２１及び導電膜７２２上のゲート絶縁膜６６２と、ゲート絶縁
膜６６２上に位置し、導電膜７２１と導電膜７２２の間において半導体膜７０１と重なっ
ているゲート電極７３１と、を有する。なお、導電膜７２２は、絶縁膜６６１に設けられ
た開口部において、導電膜６５３に電気的に接続されている。
【０２２４】
そして、トランジスタ２２では、半導体膜７０１において、導電膜７２１に重なる領域と
、ゲート電極７３１に重なる領域との間に、領域７１０が存在する。また、トランジスタ
２２では、半導体膜７０１において、導電膜７２２に重なる領域と、ゲート電極７３１に
重なる領域との間に、領域７１１が存在する。領域７１０及び領域７１１に、導電膜７２
１、導電膜７２２、及びゲート電極７３１をマスクとしてアルゴン等の希ガス、ｐ型の導
電型を半導体膜７０１に付与する不純物、或いは、ｎ型の導電型を半導体膜７０１に付与
する不純物を添加することで、半導体膜７０１のうちゲート電極７３１に重なる領域より
も、領域７１０及び領域７１１の抵抗率を下げることができる。
【０２２５】
そして、トランジスタ２２上に、絶縁膜６６３が設けられている。
【０２２６】
なお、図１１において、トランジスタ２２は、ゲート電極７３１を半導体膜７０１の片側
において少なくとも有していれば良いが、半導体膜７０１を間に挟んで存在する一対のゲ
ート電極を有していても良い。
【０２２７】
トランジスタ２２が、半導体膜７０１を間に挟んで存在する一対のゲート電極を有してい
る場合、一方のゲート電極には導通状態または非導通状態を制御するための信号が与えら
れ、他方のゲート電極は、電位が他から与えられている状態であっても良い。この場合、
一対のゲート電極に、同じ高さの電位が与えられていても良いし、他方のゲート電極にの
み接地電位などの固定の電位が与えられていても良い。他方のゲート電極に与える電位の
高さを制御することで、トランジスタの閾値電圧を制御することができる。
【０２２８】
また、図１１では、トランジスタ２２が、一のゲート電極７３１に対応した一のチャネル
形成領域を有する、シングルゲート構造である場合を例示している。しかし、トランジス
タ２２は、電気的に接続された複数のゲート電極を有することで、一の活性層にチャネル
形成領域を複数有する、マルチゲート構造であっても良い。
【０２２９】
本実施の形態は、他の実施の形態等の本明細書等において開示する構成と適宜組み合わせ
て実施することができる。
【０２３０】
（実施の形態４）
〈電子機器の例〉
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備
えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いること
ができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器と
して、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジ
タルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）
、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレイ
ヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ払い機
（ＡＴＭ）、自動販売機、医療機器などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図１２
に示す。
【０２３１】
図１２（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体５００１、筐体５００２、表示部５００３、
表示部５００４、マイクロホン５００５、スピーカー５００６、操作キー５００７、スタ
イラス５００８等を有する。本発明の一態様にかかる半導体装置は、携帯型ゲーム機の各
種集積回路に用いることができる。なお、図１２（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つ
の表示部５００３と表示部５００４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の
数は、これに限定されない。
【０２３２】
図１２（Ｂ）は携帯情報端末であり、第１筐体５６０１、第２筐体５６０２、第１表示部
５６０３、第２表示部５６０４、接続部５６０５、操作キー５６０６等を有する。本発明
の一態様にかかる半導体装置は、携帯情報端末の各種集積回路に用いることができる。第
１表示部５６０３は第１筐体５６０１に設けられており、第２表示部５６０４は第２筐体
５６０２に設けられている。そして、第１筐体５６０１と第２筐体５６０２とは、接続部
５６０５により接続されており、第１筐体５６０１と第２筐体５６０２の間の角度は、接
続部５６０５により変更が可能である。第１表示部５６０３における映像を、接続部５６
０５における第１筐体５６０１と第２筐体５６０２との間の角度に従って、切り替える構
成としても良い。また、第１表示部５６０３及び第２表示部５６０４の少なくとも一方に
、位置入力装置としての機能が付加された表示装置を用いるようにしても良い。なお、位
置入力装置としての機能は、表示装置にタッチパネルを設けることで付加することができ
る。或いは、位置入力装置としての機能は、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表
示装置の画素部に設けることでも、付加することができる。
【０２３３】
図１２（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体５４０１、表示部５４０２
、キーボード５４０３、ポインティングデバイス５４０４等を有する。本発明の一態様に
かかる半導体装置は、ノート型パーソナルコンピュータの各種集積回路に用いることがで
きる。
【０２３４】
図１２（Ｄ）は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体５３０１、冷蔵室用扉５３０２、冷凍室用扉
５３０３等を有する。本発明の一態様にかかる半導体装置は、電気冷凍冷蔵庫の各種集積
回路に用いることができる。
【０２３５】
図１２（Ｅ）はビデオカメラであり、第１筐体５８０１、第２筐体５８０２、表示部５８
０３、操作キー５８０４、レンズ５８０５、接続部５８０６等を有する。本発明の一態様
にかかる半導体装置は、ビデオカメラの各種集積回路に用いることができる。操作キー５
８０４及びレンズ５８０５は第１筐体５８０１に設けられており、表示部５８０３は第２
筐体５８０２に設けられている。そして、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２とは、接
続部５８０６により接続されており、第１筐体５８０１と第２筐体５８０２の間の角度は
、接続部５８０６により変更が可能である。表示部５８０３における映像を、接続部５８
０６における第１筐体５８０１と第２筐体５８０２との間の角度に従って切り替える構成
としても良い。
【０２３６】
図１２（Ｆ）は普通自動車であり、車体５１０１、車輪５１０２、ダッシュボード５１０
３、ライト５１０４等を有する。本発明の一態様にかかる半導体装置は、普通自動車の各
種集積回路に用いることができる。
【０２３７】
なお、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、Ｘ
とＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、Ｘ
とＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例
えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係
以外のものも含むものとする。
【０２３８】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。
【０２３９】
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。
【０２４０】
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
【０２４１】
なお、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気的に接続
されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている
場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を
挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、
ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとす
る。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続されてい
る、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
【０２４２】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【０２４３】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、こ
れらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置
、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【０２４４】
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されてい
る場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もあ
る。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び
電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電
気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場
合も、その範疇に含める。
【０２４５】
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。
【０２４６】
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
【０２４７】
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。
【０２４８】
なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除く
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。
【０２４９】
具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。
【０２５０】
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であ
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ
以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても
、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」など
と記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。
【０２５１】
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ以上１Ｖ以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
【０２５２】
別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。
【０２５３】
別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。
【０２５４】
なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施すること
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および
販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。
【０２５５】
このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明
の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。
【０２５６】
なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子な
ど）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。
【０２５７】
なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
【０２５８】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、
抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、また
は、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、
ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、
または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。
【０２５９】
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。
【０２６０】
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。
【実施例１】
【０２６１】
本実施例では、試作した電圧制御発振器（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓ
ｉｌｌａｔｏｒ：以下、ＶＣＯ）について説明する。ＶＣＯは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物
であるＣＡＡＣ−ＯＳ膜にチャネル形成領域を有するトランジスタ（ＯＳＦＥＴ）を用い
て試作した。
【０２６２】
試作したＶＣＯは、図１、図２の回路構成で作製した。試作したＶＣＯは、回路１０１［
１］乃至［ｎ］をｎ＝１０１として作製した。また、回路１０２内にある、回路１０４［
１］乃至［ｍ］をｍ＝４として作製した。
【０２６３】
回路１０４［１］乃至［ｍ］において、ＯＳＦＥＴは、チャネル幅を４μｍ、ＳｉＦＥＴ
は、チャネル幅を１６μｍとして試作した。ＯＳＦＥＴはトランジスタ１０５に適用し、
ＳｉＦＥＴはトランジスタ１０６，１０７に適用した。
【０２６４】
ＶＣＯが有するインバータ１０３の駆動電圧は、１．０Ｖ，１．５Ｖ、２．５Ｖと切り替
えて測定をおこなった。トランジスタ１０７の駆動電圧は、２．５Ｖとした。またトラン
ジスタ１０５にバックゲートを設け、バックゲートに−９．０Ｖの電圧を与えた。トラン
ジスタ１０５への書き込み時間は、５００μｓに設定した。
【０２６５】
図１３（Ａ）、（Ｂ）は、配線ＢＬを介してノードＳＮに与えた電圧（ＶＤＡＴＡ）と、
ＶＣＯの発振周波数の関係を示すグラフである。図１３（Ａ）は、リニアスケールのグラ
フであり、図１３（Ｂ）はＬｏｇスケールのグラフである。
【０２６６】
回路１０４［１］のみを選択し、ＶＤＡＴＡを切り替えて発振周波数を測定した。図１３
（Ａ）、（Ｂ）から、ＶＤＡＴＡを変更するだけで発振周波数を制御可能であることがわ
かった。
【０２６７】
発振周波数の測定は、インバータ１０３の駆動電圧を１．５Ｖとした条件で、ＶＤＡＴＡ
を０．７Ｖで発振周波数７．２０Ｈｚ，２．５Ｖで発振周波数７．８３ＭＨｚであった。
このことから、ＶＤＡＴＡを０．７Ｖ乃至２．５Ｖの範囲とすることで、約６桁の可変周
波数帯域を持つことがわかった。
【０２６８】
なおＶＤＡＴＡが高い領域、言い換えれば１．３Ｖより大きい領域では、インバータ１０
３の遅延が支配的と考えられ、発振周波数のＶＤＡＴＡ依存性は小さかった。一方で、Ｖ
ＤＡＴＡが低い領域、言い換えれば１．３Ｖ以下の領域では、発振周波数のＶＤＡＴＡ依
存性が大きかった。
【０２６９】
発振周波数は、インバータ１０３の駆動電圧を１．０Ｖ、２．５Ｖとする場合、最大発振
周波数はそれぞれ２．３０ＭＨｚ、９．０９ＭＨｚであった。また、インバータ１０３の
駆動電圧を１．０Ｖ、２．５Ｖとする場合、ＶＤＡＴＡに対する発振周波数の最大増加率
は、それぞれ０．４７ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍＶ、１．０８ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍ
Ｖであった。
【０２７０】
インバータ１０３の駆動電圧は、ＶＣＯが求められる用途によって切り替える構成が好適
である。広い周波数帯域が求められる用途では、インバータ１０３の駆動電圧を高く設定
し、小刻みな周波数制御が求められる用途では、インバータ１０３の駆動電圧を低く設定
する例を挙げることができる。
【０２７１】
図１４（Ａ）、（Ｂ）は、インバータ１０３の駆動電圧を１．５Ｖとし、ＶＤＡＴＡを２
．５Ｖ又は１．５Ｖと設定した際の、ＶＣＯの発振周波数のスペクトルとその時間変化を
示すグラフである。言い換えれば、図１４（Ａ）、（Ｂ）は、ＶＣＯによって切り替えら
れる発振周波数の保持特性を示すグラフである。
【０２７２】
図１４（Ａ）はＶＤＡＴＡを２．５Ｖと設定した際のグラフである。図１４（Ａ）に示す
３つのスペクトルは、配線ＢＬを介してノードＳＮにＶＤＡＴＡを与えた直後を０ｍｉｎ
としたスペクトル、９０ｍｉｎ後のスペクトル、１８０ｍｉｎ後のスペクトルである。
【０２７３】
図１４（Ｂ）はＶＤＡＴＡを１．５Ｖと設定した際のグラフである。図１４（Ｂ）に示す
３つのスペクトルは、配線ＢＬを介してノードＳＮにＶＤＡＴＡを与えた直後を０ｍｉｎ
としたスペクトル、５ｍｉｎ後のスペクトル、１０ｍｉｎ後のスペクトルである。
【０２７４】
ＶＤＡＴＡを２．５Ｖ又は１．５Ｖと設定した際の、ＶＣＯの消費電力は、それぞれ７９
５μＷ、３３６μＷであった。この消費電力から、ＦＯＭ（ｆｉｇｕｒｅ  ｏｆ  ｍｅｒ
ｉｔ）は、それぞれ−１２７．７ｄＢｃ／Ｈｚ、−１３４．３ｄＢｃ／Ｈｚであると見積
もられた。
【０２７５】
図１４（Ａ）に示す、ＶＤＡＴＡを２．５Ｖとした場合、９０ｍｉｎ経過時においても発
振周波数のピーク位置の変化は、−１．２％に留まった。一方、図１４（Ｂ）に示す、Ｖ
ＤＡＴＡを１．５Ｖとした場合、５ｍｉｎ経過時においても発振周波数のピーク位置の変
化は、−４．０％であった。
【０２７６】
ＶＤＡＴＡを１．５Ｖ近傍では、ＶＤＡＴＡを２．５Ｖ近傍とする場合と比べて、ＶＤＡ
ＴＡの変動に対する発振周波数の増加率が大きい。そのため、ノードＳＮに与えたＶＤＡ
ＴＡのわずかな変動は、発振周波数のピーク位置の変化に影響する。
【０２７７】
以上の結果から、ＶＤＡＴＡを低頻度で定期的にリフレッシュ動作を行い再設定すること
で、ＶＣＯの発振周波数を一定に保つことができる。また、ＶＤＡＴＡに対応させて、リ
フレッシュ動作を行う間隔を変更することも有効である。
【０２７８】
試作したＶＣＯは、アナログ電位をノードＳＮに保持でき、電源遮断後の再起動時も発振
周波数を維持できる。図１５には、一例として、ＶＤＡＴＡを２．５Ｖとした場合の、電
源遮断状態から再起動させた際のＶＣＯの端子ＯＵＴで得られる波形図を示す。
【０２７９】
図１５に示す波形図から、時刻（α＋１．０）μｓにおいて、電源遮断状態から再起動さ
せたところ、３０ｎｓ以下で発振が再開されていることがわかった。なお図１５において
、αは１５ｍｉｎである。すなわち、図１５から、１５ｍｉｎ経過後であっても良好な発
振が再開されていることがわかった。
【０２８０】
また試作したＶＣＯは、回路１０４［１］乃至［ｍ］毎に異なるアナログ電位のＶＤＡＴ
Ａを設定しておくことで、瞬時に発振周波数を切り替えることができた。図１６は、一例
として、インバータ１０３の駆動電圧を１．５Ｖとし、回路１０４［１］にＶＤＡＴＡ＝
２．５Ｖ、回路１０４［２］にＶＤＡＴＡ＝１．８Ｖを設定し、回路１０４［１］と回路
１０４［２］とを切り替えた際のＶＣＯの端子ＯＵＴで得られる波形図を示す。
【０２８１】
図１６に示す波形図から、１００ｎｓ以下での発振周波数の切り替えが可能であることが
わかった。
【０２８２】
試作したＶＣＯをＰＬＬに適用する場合、発振周波数の維持に要する低頻度のリフレッシ
ュ動作を行う以外の期間、ＶＣＯ以外の構成回路への電源をオフにできる。そのため、試
作したＶＣＯを適用したＰＬＬは、消費電力を抑制できた。
【０２８３】
また、試作したＶＣＯをＰＬＬに適用する場合、電源遮断状態から再起動させた場合にお
いても、以前の発振周波数を出力するためのＶＤＡＴＡを保持しておくことができる。そ
のため、瞬時の再起動を行うことができる。
【実施例２】
【０２８４】
本実施例においては、本発明の一態様に係る電圧制御発振器（ＶＣＯ：Ｖｏｌｔａｇｅ−
Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）を作製し、評価した結果について説明す
る。本実施例に係るＶＣＯの回路構成を図１７に示す。図１７に示すＶＣＯは、上記実施
の形態で図１に示す装置において回路１０１を１０１段にしたものとほぼ同様の構成であ
る。
【０２８５】
図１７に示すＶＣＯは、回路８０１［１］乃至［１０１］を有し、回路８０１［１］乃至
［１０１］は、リング状に接続される。具体的には、回路８０１［１］乃至［１００］の
それぞれは、出力端子が次段の回路の入力端子と接続される。回路８０１［１０１］は、
出力端子が回路８０１［１］の入力端子と接続される。また、回路８０１［１０１］の出
力端子は、端子ＯＵＴと接続される。端子ＯＵＴからは、図１７に示すＶＣＯが発振する
ことによって生成される信号が出力される。
【０２８６】
回路８０１［１］乃至［１０１］のそれぞれは、回路８０２及びインバータ８０３を有す
る。回路８０２は、端子Ａがインバータ８０３の出力端子と接続され、端子Ｂが次段のイ
ンバータ８０３の入力端子と接続される。即ち、１０１個のインバータ８０３がリング状
に接続され、インバータリングを構成する。そして、各インバータ８０３の間に回路８０
２が接続される。また、回路８０２は、配線ＢＬ、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］
及び配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］と接続される。本実施例では、ｍ＝２と、ｍ＝８の２種類
のＶＣＯを作製した。
【０２８７】
ここで、インバータ８０３は、低電源電位として接地電位ＧＮＤを、高電源電位として電
位ＶＲＯを与える。また、配線ＢＬは、低電源電位として接地電位ＧＮＤを、高電源電位
として電位ＶＤＡＴＡを与える。なお、以下で配線ＢＬから入力する信号をＡＶＤ（ａｎ
ａｌｏｇ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｄａｔａ）と呼ぶ場合もある。また、配線ＷＬ［１］乃至［
ｍ］は、低電源電位として電位ＶＳＳを、高電源電位として電位ＶＤＡＴＡを与える。ま
た、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］は、低電源電位として接地電位ＧＮＤを、高電
源電位として電位ＶＣＯＮＴＥＸＴを与える。
【０２８８】
回路８０２は、回路８０４［１］乃至［ｍ］を有する。回路８０４［１］乃至［ｍ］のそ
れぞれは、端子Ｃが回路８０２の端子Ａと接続され、端子Ｄが回路８０２の端子Ｂと接続
される。また、回路８０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、配線ＢＬ、配線ＣＯＮＴＥＸ
Ｔ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線、配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］のうち対応す
る１本の配線と接続される。配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線とは、
回路８０４［ｊ］（ｊは１乃至ｍのいずれか一）においては配線ＷＬ［ｊ］である。また
、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線とは、回路８０４［ｊ
］においては配線ＣＯＮＴＥＸＴ［ｊ］である。
【０２８９】
回路８０４［１］乃至［ｍ］のそれぞれは、トランジスタ８０５、トランジスタ８０６、
トランジスタ８０７及び容量素子８０８を有する。トランジスタ８０５の第１の端子は配
線ＢＬと接続され、トランジスタ８０５の第２の端子はトランジスタ８０６のゲートと接
続され、トランジスタ８０５のゲートは配線ＷＬ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の
配線と接続される。トランジスタ８０６の第１の端子は端子Ｃと接続される。トランジス
タ８０７の第１の端子はトランジスタ８０６の第２の端子と接続され、第２の端子は端子
Ｄと接続され、ゲートは配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］乃至［ｍ］のうち対応する１本の配線
と接続される。容量素子８０８の第１の端子はトランジスタ８０６のゲートと接続され、
容量素子８０８の第２の端子は所定の電位が供給される配線と接続される。
【０２９０】
トランジスタ８０５は、チャネル長を１μｍ、チャネル幅を４μｍとし、トランジスタ８
０６およびトランジスタ８０７は、チャネル長を０．５μｍ、チャネル幅を１６μｍとし
た。また、トランジスタ８０６およびトランジスタ８０７は、チャネル形成領域にシリコ
ンを用いている。
【０２９１】
トランジスタ８０５は、チャネル形成領域にＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であるＣＡＡＣ−Ｏ
Ｓ膜を用いている。これにより、トランジスタ８０５はオフ電流が非常に小さくなってお
り、容量素子８０８に貯めた電荷の漏れを少なくすることができる。さらに、トランジス
タ８０５をオフ状態とするときは、トランジスタ８０５のゲートに接地電位ＧＮＤより低
い電位ＶＳＳを印加して非導通状態とすることで、トランジスタ８０５のオフ電流をより
低減し、容量素子８０８の電荷保持特性を向上させている。
【０２９２】
また、トランジスタ８０５は、バックゲートを有しており、バックゲートの電圧ＶＢＧを
変えることでトランジスタ８０５の閾値を制御させることができる。
【０２９３】
なお、トランジスタ８０６のゲート容量は１６ｆＦ、保持容量は２ｆＦとしており、ノー
ドＳＮ全体でゲート容量と保持容量の合成容量は１８ｆＦとしている。
【０２９４】
次にｍ＝２の構成としたＶＣＯのチップの写真を図１８に示す。また、図１８に示すＶＣ
Ｏのチップのレイアウトの簡略図を図１９に示す。図１８に示すＶＣＯは、バッファ８０
９ａ、バッファ８０９ｂ、バッファ８１０、回路８１２ａ、回路８１２ｂ、インバータ８
１３ａ、インバータ８１３ｂおよびインバータ８１３ｃを含んで構成される。また、図１
９において、回路８０２の端子Ａと回路８０４［１］の端子Ｃ１の間の配線長をａ、回路
８０２の端子Ａと回路８０４［２］の端子Ｃ２の間の配線長をｂ、回路８０４［１］の端
子Ｄ１と回路８０２の端子Ｂの間の配線長をｃ、回路８０４［２］の端子Ｄ２と回路８０
２の端子Ｂの間の配線長をｄ、とする。
【０２９５】
バッファ８０９ａおよびバッファ８０９ｂは、配線ＢＬと、配線ＢＬに電位を与えるため
のバッファと、当該バッファ周辺の配線から構成されている。バッファ８１０は、配線Ｗ
Ｌ［１］および［２］と、配線ＣＯＮＴＥＸＴ［１］および［２］と、これらの配線に電
位を与えるためのバッファと、当該バッファ周辺の配線から構成されている。
【０２９６】
回路８１２ａは、１段目から５１段目までの回路８０２から構成されており、回路８１２
ｂは、５２段目から１０１段目までの回路８０２から構成されている。また、インバータ
８１３ａは、２ｉ１段目（ｉ１は１以上２５以下の自然数）のインバータ８０３から構成
される。インバータ８１３ｂは、２ｉ２−１段目（ｉ２は１以上２６以下の自然数）のイ
ンバータ８０３と、２ｉ３段目（ｉ３は２６以上５０以下の自然数）のインバータ８０３
と、から構成される。インバータ８１３ｃは、２ｉ４＋１段目（ｉ４は２６以上５０以下
の自然数）のインバータ８０３から構成される。
【０２９７】
図１９に示すように、１段目の回路８０２においては、端子Ａがインバータ８１３ｂに含
まれる１段目のインバータ８０３の出力端子に接続され、端子Ｂがインバータ８１３ａに
含まれる２段目のインバータ８０３の入力端子に接続される。このような構成とすること
により、回路８０４［１］が選択された時の配線長ａ＋ｃと、回路８０４［２］が選択さ
れた時の配線長ｂ＋ｄが、概略均一になる。このように、選択する回路８０４に依らず配
線長を概略均一にすることができるので、選択する回路８０４の違いによって信号の遅延
が発生することを防ぐことができる。
【０２９８】
ｍ＝２のＶＣＯについて、配線ＢＬから入力する電位ＶＤＡＴＡ（ＡＶＤ）に対する出力
の発振周波数を評価した結果について図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）に示す。図２０（
Ａ）は、横軸に電位ＶＤＡＴＡ［Ｖ］を、縦軸に出力の発振周波数［ＭＨｚ］をリニアス
ケールでとる。図２０（Ｂ）は、横軸に電位ＶＤＡＴＡ［Ｖ］を、縦軸に出力の発振周波
数［ＭＨｚ］をｌｏｇスケールでとる。
【０２９９】
電位ＶＲＯ＝１．０Ｖ、１．２Ｖおよび１．５Ｖの３条件について発振周波数を測定した
。ここでは、回路８０４［１］のみを選択した。他の条件については、ＶＣＯＮＴＥＸＴ
＝３．０Ｖ、ＶＢＧ＝０Ｖ、ＶＳＳ＝−０．２Ｖとし、書き込み時間を１．０ｍｓとした
。
【０３００】
図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）から、ＡＶＤを変更するだけで発振周波数を制御可能で
あることがわかった。ＶＲＯ＝１．５Ｖとした条件で、電位ＶＤＡＴＡ＝１．０以上３．
０Ｖ以下の範囲で発振周波数は１９７ｍＨｚ以上９．６５ＭＨｚ以下であり、７桁を超え
る可変発振周波数帯域を持つことがわかった。
【０３０１】
なお、ＡＶＤの変化に対して、発振周波数の変化率は異なる。例えば、ＶＤＡＴＡが２．
５Ｖ以上３．０Ｖ以下では、０．０６ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍＶとなり、ＶＤＡＴＡが
１．０Ｖ以上１．５Ｖ以下では、１．２４ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍＶである。これは、
ＶＤＡＴＡが２．５Ｖ以上３．０Ｖ以下では、トランジスタ８０６の導電率は相対的に高
く、インバータ８０３による遅延が支配的になり、ＡＶＤの変化に対するトランジスタ８
０６を介した遅延の変化は小さいためである。一方、ＶＤＡＴＡが１．０Ｖ以上１．５Ｖ
以下では、トランジスタ８０６の導電率は相対的に低く、トランジスタ８０６による遅延
が支配的になり、発振周波数のＡＶＤ依存は大きいためである。
【０３０２】
ＡＶＤが高い領域では、インバータ８０３による遅延が支配的になるため、電位ＶＲＯを
変化させたときの、発振周波数の変化量は大きい。ＶＤＡＴＡが１．０Ｖ以上１．５Ｖ以
下における発振周波数の平均増加率は、ＶＲＯ＝１．０Ｖ、１．２Ｖ、１．５Ｖとしたと
き、各々０．８２ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍＶ，１．１０ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍＶ，
１．２４ｄｅｃａｄｅｓ／１００ｍＶである。従って、広い周波数帯域が求められる用途
では、インバータ８０３の駆動電圧を高く設定し、小刻みな周波数制御が求められる用途
では、インバータ８０３の駆動電圧を低く設定する例を挙げることができる。
【０３０３】
次に、図２０（Ａ）および図２０（Ｂ）に示す各点における消費電力を図２１に示す。図
２１は、横軸に電位ＶＤＡＴＡ［Ｖ］を、縦軸に消費電力［ｍＷ］をとる。
【０３０４】
各条件において、消費電力のＶＲＯおよびＶＤＡＴＡへの依存性は、おおよそ図２０（Ａ
）に示した発振周波数のＶＲＯおよびＶＤＡＴＡへの依存と相関があることが分かる。従
って、目的とする発振周波数と消費電力を考慮して、ＶＲＯおよびＶＤＡＴＡを設定する
ことが有効である。また、ＶＤＡＴＡがＶＲＯに対して相対的に小さくなると、回路８０
４を介して電圧降下が起こり、次段のインバータに中間電位が印加され、電力効率が悪く
なる領域も存在する。
【０３０５】
次に、回路８０４［１］にＶＤＡＴＡ＝２．５Ｖを格納し、ＶＲＯ＝１．５ＶでＶＣＯを
発振させたときの時間経過に伴う発振周波数の推移を図２２に示す。図２２は、横軸に経
過時間［ｈｏｕｒ］を、縦軸に発振周波数［ＭＨｚ］をとる。
【０３０６】
図２２では、ＶＳＳ＝０Ｖ、−０．２Ｖの２条件での測定結果について示している。初期
状態では両条件とも発振周波数は９．１０ＭＨｚであったが、ＶＳＳ＝０Ｖの条件では、
時間の経過に伴って発振周波数が減衰し、５時間経過後には発振周波数が約７．７％低下
し、それ以降急激に発振周波数が低下した。
【０３０７】
一方、ＶＳＳ＝−０．２Ｖの条件では、時間経過に伴う発振周波数の低下はほとんどなか
った。２４時間経過後も発振周波数は９．０２ＭＨＺであり、０．８７％しか低下しなか
った。図２０（Ａ）のグラフと対応させると、ＶＤＡＴＡが一様に減少した場合、２４時
間経過後のＶＤＡＴＡの減衰は、約３０ｍＶと見積もられる。
【０３０８】
ここで、時間をｔ（ｓ）、保持容量Ｃ（Ｆ）、電圧変化量ΔＶ（Ｖ）とするとき、リーク
電流Ｉｌｅａｋは以下の式（１）で表される。
【０３０９】
【数１】
2020010388.tif 000003
【０３１０】
ｔ＝８６４００（ｓ）、Ｃ＝１８（ｆＦ）、ΔＶ＝０．０３Ｖなので、式（１）よりリー
ク電流Ｉｌｅａｋ＝６Ｅ−２１（Ａ）と見積もられる。よって、極めて低頻度のリフレッ
シュを行うことで、ＡＶＤを長期間保持することが可能であることがわかる。以下の評価
は、２４時間経過時の発振周波数の減衰が１％未満となる条件、すなわち、ＶＳＳ＝−０
．２Ｖに設定した。
【０３１１】
次に、ＶＲＯ＝１．５ＶでＶＣＯを発振させたときの発振周波数のスペクトル変化を図２
３（Ａ）および図２３（Ｂ）に示す。図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）は、横軸に発振周
波数［ＭＨｚ］を、縦軸に出力［ｄＢｍ］をとる。
【０３１２】
図２３（Ａ）はＡＶＤを２．５Ｖと設定した際のグラフである。図２３（Ａ）に示す３つ
のスペクトルは、配線ＢＬを介してノードＳＮにＶＤＡＴＡを与えた直後を０ｍｉｎとし
たスペクトル、９０ｍｉｎ後のスペクトル、１８０ｍｉｎ後のスペクトルである。
【０３１３】
図２３（Ｂ）はＡＶＤを２．０Ｖと設定した際のグラフである。図２３（Ｂ）に示す３つ
のスペクトルは、配線ＢＬを介してノードＳＮにＶＤＡＴＡを与えた直後を０ｍｉｎとし
たスペクトル、９０ｍｉｎ後のスペクトル、１８０ｍｉｎ後のスペクトルである。
【０３１４】
図２３（Ａ）より、ＡＶＤ＝２．５Ｖの場合、０ｍｉｎのスペクトルにおけるピーク周波
数は９．１０ＭＨｚであり、１８０ｍｉｎ経過時のピーク周波数は９．０７ＭＨｚである
。すなわち、発振周波数は０．３４％減衰したことを示している。一方、図２３（Ｂ）よ
り、ＡＶＤ＝２．０Ｖの場合、０ｍｉｎのスペクトルにおけるピーク周波数は６．６３Ｍ
Ｈｚであり、１８０ｍｉｎ経過時のピーク周波数は６．５８ＭＨｚである。すなわち、発
振周波数は０．７４％減衰したことを示している。
【０３１５】
これにより、ＶＳＳ＝−０．２Ｖの条件下においては、ＡＶＤによらず発振周波数の変化
量は非常に小さい、すなわち、ＡＶＤのデータ保持特性が極めて良好であることが分かっ
た。
【０３１６】
さらに、図２３（Ａ）のスペクトルからＡＶＤを２．５Ｖと設定した際のｔ＝０ｍｉｎに
おけるＦＯＭ（ｆｉｇｕｒｅ  ｏｆ  ｍｅｒｉｔ）を、式（２）を用いて算出した。
【０３１７】
【数２】
2020010388.tif 000004
【０３１８】
ここで、Ｐｈｎはｐｈａｓｅ  ｎｏｉｓｅ、Ｆｃは中心周波数、Ｐは消費電力を示す。
【０３１９】
表１に本実施例と、リングオシレータ型ＶＣＯの比較例１、比較例２のＦＯＭを示す。な
お、比較例１は文献１（Ｓ．  Ｂ．  Ａｎａｎｄ  ａｎｄ  Ｂ．  Ｒａｚａｖｉ，  ”Ａ
ＣＭＯＳ  ｃｌｏｃｋ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｏｒ  ２．５−Ｇｂ／
ｓ  ＮＲＺ  ｄａｔａ，”  ＩＥＥＥ．  Ｊ．  Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉ
ｔｓ，  ｖｏｌ．  ３６，  ｎｏ．  ３，  ｐｐ．  ４３２−４３９，  Ｍａｒ．  ２０
０１．）を、比較例２は文献２（Ｃ．  Ｚｈａｉ  ｅｔ  ａｌ．，  ”Ａｎ  Ｎ−ｐａｔ
ｈ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｌｏｗ  Ｐｈａｓｅ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒｉｎｇ  Ｖ
ＣＯ，”  ｉｎ  Ｐｒｏｃ．  ＶＬＳＩ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｓｙｍｐ．，  ２０１４，
ｐｐ．  １８７−１８８．）を参照した。
【０３２０】
【表１】
2020010388.tif 000005
【０３２１】
表１に示すように、本実施例に示すＶＣＯは、他のリングオシレータ型のＶＣＯのＦＯＭ
と比較して、同等または同等以上の性能である。
【０３２２】
本実施例に示すＶＣＯは、アナログ電位をノードＳＮに保持でき、電源遮断後の再起動時
も発振周波数を維持できる。図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）には、一例として、ＶＤＡ
ＴＡを２．５Ｖとしたときの、電源遮断状態から再起動させた際の端子ＯＵＴで得られる
波形図を示す。ここでは、ＶＲＯ  ＝１．５Ｖ、ＶＳＳ＝−０．２Ｖ、ＶＢＧ＝０Ｖの条
件にて評価を行った。なお、図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）の再起動時付近の拡大図であ
る。
【０３２３】
図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）に示す波形図から、時刻（α＋１．０）μｓにおいて、
電源遮断状態から再起動させたところ、１００ｎｓ以下で発振が再開されていることがわ
かった。なお図２４（Ａ）において、αは１ｈｏｕｒである。すなわち、図２４（Ａ）お
よび図２４（Ｂ）から、１時間経過後であっても良好な発振が再開されていることがわか
った。
【０３２４】
以上より、本実施例に係るＶＣＯをＰＬＬに適用する場合、発振周波数の維持に要する低
頻度のリフレッシュ動作を行う以外の期間、ＶＣＯ以外の構成回路への電源をオフにでき
る。そのため、本実施例に係るＶＣＯを適用したＰＬＬは、消費電力を抑制できる。
【０３２５】
また、本実施例に係るＶＣＯをＰＬＬに適用する場合、電源遮断状態から再起動させた場
合においても、以前の発振周波数を出力するためのＶＤＡＴＡを保持しておくことができ
る。そのため、瞬時の再起動を行うことができる。
【０３２６】
また本実施例に示すＶＣＯは、回路８０４［１］乃至［ｍ］毎に異なるアナログ電位のＶ
ＤＡＴＡを設定しておき、回路８０４［１］乃至［ｍ］の選択を切り替えることで、短時
間に発振周波数を変更することができる。図２５は、ＶＲＯ＝１．５Ｖとし、回路８０４
［１］にＶＤＡＴＡ＝１．８Ｖ、回路８０４［２］にＶＤＡＴＡ＝２．５Ｖを設定し、回
路８０４［１］と回路８０４［２］とを切り替えた際のＶＣＯの端子ＯＵＴで得られる波
形図を示す。
【０３２７】
図２５では、時刻ｔが０μｓｅｃ以上１．０μｓｅｃ未満の期間において、回路８０４［
１］が選択されており、１．８ＶのＡＶＤに従った発振周波数４．０ＭＨｚの信号が出力
されている。ｔ＝１．０μｓｅｃにて、選択する回路を回路８０４［２］に変更すると、
出力される信号の発振周波数が９．１ＭＨｚに瞬間的に変化する。
【０３２８】
このように、図２５に示す波形図から、本実施例に係るＶＣＯは１００ｎｓ以下での発振
周波数の切り替えが可能であることがわかった。
【０３２９】
次に、ｍ＝８のＶＣＯにおいて、回路８０４［１］乃至［８］にＶＤＡＴＡ＝２．５Ｖを
設定して、選択する回路８０４の個数を、１、２、３、４として、発振周波数の測定を行
った。ここでは、ＶＲＯ  ＝３．０Ｖ、ＶＳＳ＝−０．２Ｖ、ＶＢＧ＝０Ｖの条件にて評
価を行った。図２６に選択する回路８０４の個数と発振周波数の関係のグラフを示す。
【０３３０】
選択する回路８０４が１つの時の発振周波数は６．９７ＭＨｚであるのに対して、選択す
る回路８０４の数を２、３、４にすることで発振周波数は９．９３ＭＨｚ、１０．８０Ｍ
Ｈｚ、１１．１０ＭＨｚへ増大する。これは、選択する回路８０４の数を増やす事で、回
路８０２の導電率が向上し、遅延が低減するためである。すなわち、選択する回路８０４
の個数による発振周波数の制御が可能であることを示している。
【０３３１】
なお、選択する回路８０４の数が増大し、導電率が向上すると、ＶＣＯの発振周波数にお
いて、相対的にインバータにおける遅延時間の寄与が増大する。したがって、選択する回
路８０４の個数を増やす程、選択する回路８０４の数の増加に対するＶＣＯの発振周波数
の増加率は低下する。
【０３３２】
複数のアナログメモリセットを持つＶＣＯを用いた場合、各回路８０４には異なるＡＶＤ
を保持させることが可能である。従って、上記の選択する回路８０４の個数を変えるデジ
タル的な制御とＡＶＤの値を変えるアナログ的な制御を行うことで、より広い発振周波数
帯を細かく制御することが可能となる。
【符号の説明】
【０３３３】
２２    トランジスタ
２３    トランジスタ
９０    トランジスタ
９１    絶縁膜
９２ａ    酸化物半導体膜
９２ｂ    酸化物半導体膜
９２ｃ    酸化物半導体膜
９３    導電膜
９４    導電膜
９５    絶縁膜
９６    導電膜
９７    基板
１０１    回路
１０２    回路
１０３    インバータ
１０３Ａ    ＮＡＮＤ回路
１０４    回路
１０５    トランジスタ
１０６    トランジスタ
１０７    トランジスタ
１０８    容量素子
２０１    位相比較器
２０２    ループフィルタ
２０３    電圧制御発振器
２０４    分周器
４００    基板
４０１    素子分離領域
４０２    不純物領域
４０３    不純物領域
４０４    チャネル形成領域
４０５    絶縁膜
４０６    ゲート電極
４１１    絶縁膜
４１２    導電膜
４１３    導電膜
４１４    導電膜
４１６    導電膜
４１７    導電膜
４１８    導電膜
４２０    絶縁膜
４２１    絶縁膜
４２２    絶縁膜
４３０    半導体膜
４３０ａ    酸化物半導体膜
４３０ｃ    酸化物半導体膜
４３１    ゲート絶縁膜
４３２    導電膜
４３３    導電膜
４３４    ゲート電極
６０１    半導体基板
６１０    素子分離領域
６１１    絶縁膜
６１２    絶縁膜
６１３    絶縁膜
６２５    導電膜
６２６    導電膜
６２７    導電膜
６３４    導電膜
６３５    導電膜
６３６    導電膜
６３７    導電膜
６４４    導電膜
６５１    導電膜
６５２    導電膜
６５３    導電膜
６６１    絶縁膜
６６２    ゲート絶縁膜
６６３    絶縁膜
７０１    半導体膜
７１０    領域
７１１    領域
７２１    導電膜
７２２    導電膜
７３１    ゲート電極
８０１    回路
８０２    回路
８０３    インバータ
８０４    回路
８０５    トランジスタ
８０６    トランジスタ
８０７    トランジスタ
８０８    容量素子
８０９ａ    バッファ
８０９ｂ    バッファ
８１０    バッファ
８１２ａ    回路
８１２ｂ    回路
８１３ａ    インバータ
８１３ｂ    インバータ
８１３ｃ    インバータ
５００１    筐体
５００２    筐体
５００３    表示部
５００４    表示部
５００５    マイクロホン
５００６    スピーカー
５００７    操作キー
５００８    スタイラス
５１０１    車体
５１０２    車輪
５１０３    ダッシュボード
５１０４    ライト
５３０１    筐体
５３０２    冷蔵室用扉
５３０３    冷凍室用扉
５４０１    筐体
５４０２    表示部
５４０３    キーボード
５４０４    ポインティングデバイス
５６０１    筐体
５６０２    筐体
５６０３    表示部
５６０４    表示部
５６０５    接続部
５６０６    操作キー
５８０１    筐体
５８０２    筐体
５８０３    表示部
５８０４    操作キー
５８０５    レンズ
５８０６    接続部
【図１】
2020010388.tif 000006
【図２】
2020010388.tif 000007
【図３】
2020010388.tif 000008
【図４】
2020010388.tif 000009
【図５】
2020010388.tif 000010
【図６】
2020010388.tif 000011
【図７】
2020010388.tif 000012
【図８】
2020010388.tif 000013
【図９】
2020010388.tif 000014
【図１０】
2020010388.tif 000015
【図１１】
2020010388.tif 000016
【図１２】
2020010388.tif 000017
【図１３】
2020010388.tif 000018
【図１４】
2020010388.tif 000019
【図１５】
2020010388.tif 000020
【図１６】
2020010388.tif 000021
【図１７】
2020010388.tif 000022
【図１８】
2020010388.tif 000023
【図１９】
2020010388.tif 000024
【図２０】
2020010388.tif 000025
【図２１】
2020010388.tif 000026
【図２２】
2020010388.tif 000027
【図２３】
2020010388.tif 000028
【図２４】
2020010388.tif 000029
【図２５】
2020010388.tif 000030
【図２６】
2020010388.tif 000031
【図２７】
2020010388.tif 000032