(57)【要約】【課題】画素としてマイクロＬＥＤを用い、製造コストが低い表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示装置１の製造方法は、サブピクセル１１が設定され、サブピクセル１１毎に第１配線２１が設けられた基板２０、及び、下面に第１電極３５が設けられ相互に交差する少なくとも２つの側面に第２電極３３が設けられた発光素子３０を準備する工程と、基板２０上に、発光素子３０を搭載し、第１電極３５を第１配線２１に電気的に接続する工程と、基板２０上に、発光素子３０を覆う樹脂部材２３を形成する工程と、樹脂部材２３の上部を除去することにより、第２電極３３の一部を樹脂部材２３の上面２３ａから露出させる工程と、樹脂部材２３上に、一部が発光素子３０上に配置されるように網目状の第２配線２４を形成し、第２配線２４を第２電極３３に電気的に接続する工程と、を備える。【選択図】図１
2020134921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブピクセルが設定され、前記サブピクセル毎に第１配線が設けられた基板、及び、下面に第１電極が設けられ相互に交差する少なくとも２つの側面に第２電極が設けられた発光素子を準備する工程と、
前記基板上に、前記発光素子を搭載し、前記第１電極を前記第１配線に電気的に接続する工程と、
前記基板上に、前記発光素子を覆う樹脂部材を形成する工程と、
前記樹脂部材の上部を除去することにより、前記第２電極の一部を前記樹脂部材の上面から露出させる工程と、
前記樹脂部材上に、一部が前記発光素子上に配置されるように網目状の第２配線を形成し、前記第２配線を前記第２電極に電気的に接続する工程と、
を備えた表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記発光素子は半導体部材を含み、上方から見て、前記第２電極は前記半導体部材の周囲に設けられている請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記発光素子は半導体部材を含み、前記第２電極は前記半導体部材の上面の一部にも設けられている請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
上方から見たときに、前記発光素子の形状は矩形である請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２配線は、
第１方向に延びる第１直線部分と、
前記第１方向と交差する第２方向に延び、前記第１直線部分と連結された第２直線部分と、
を有する請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
少なくとも１つの前記サブピクセルに２つ以上の前記発光素子を搭載する請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
欠陥を有する１つの前記発光素子を前記第２配線から分離する工程をさらに備えた請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂部材を形成する工程において、前記樹脂部材は複数の前記サブピクセルに搭載された複数の前記発光素子を覆い、
前記露出させる工程において、前記樹脂部材を前記サブピクセル毎に区画する請求項１〜７のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
サブピクセルが設定された基板と、
前記基板上に前記サブピクセル毎に設けられた第１配線と、
前記基板に前記サブピクセル毎に搭載された発光素子と、
前記発光素子の下部及び前記第１配線を覆う樹脂部材と、
前記樹脂部材上に設けられ、一部が前記発光素子上に配置された網目状の第２配線と、
を備え、
前記発光素子は、
半導体部材と、
前記半導体部材の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続された第１電極と、
前記半導体部材の相互に交差する少なくとも２つの側面に設けられ、一部が前記樹脂部材の上面から露出した第２電極と、
有し、
前記第２配線は、前記第２電極における前記樹脂部材上に露出した部分に電気的に接続されている表示装置。
【請求項１０】
前記発光素子は、前記半導体部材の側面と前記第２電極との間に設けられた絶縁性の光反射層をさらに有し、
上方から見て、前記第２電極は前記半導体部材の周囲に設けられており、
前記第２電極は前記半導体部材の下面に電気的に接続されている請求項９記載の表示装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの前記サブピクセルに２つ以上の前記発光素子が設けられた請求項９または１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
欠陥を有する１つの前記発光素子が前記第２配線から分離されている請求項１１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に示されているように、近年、マイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を画素として用いた表示装置が提案されている。このような表示装置は、画素が自発光素子によって構成されるため、液晶パネルを用いた表示装置と比較して、解像度、コントラスト及び色再現性が高い。また、マイクロＬＥＤは主として無機の半導体材料により形成されるため、有機材料を用いる有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence）素子と比較して、寿命が長く、焼き付きが生じにくい。
【０００３】
しかしながら、マイクロＬＥＤを用いた表示装置においては、発光素子の上面から光を取り出すと共に、発光素子の下面及び上面を配線と接続する必要がある。このため、発光素子の上面においては、高い導通性と高い光透過性を両立させることが要求される。この結果、マイクロＬＥＤを用いた表示装置の製造工程において、基板に発光素子を実装する工程の難易度が高くなり、製造コストが高くなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１４０２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一実施形態は、上述の問題点に鑑みてなされたものであって、画素としてマイクロＬＥＤを用い、製造コストが低い表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、サブピクセルが設定され、前記サブピクセル毎に第１配線が設けられた基板、及び、下面に第１電極が設けられ相互に交差する少なくとも２つの側面に第２電極が設けられた発光素子を準備する工程と、前記基板上に、前記発光素子を搭載し、前記第１電極を前記第１配線に電気的に接続する工程と、前記基板上に、前記発光素子を覆う樹脂部材を形成する工程と、前記樹脂部材の上部を除去することにより、前記第２電極の一部を前記樹脂部材の上面から露出させる工程と、前記樹脂部材上に、一部が前記発光素子上に配置されるように網目状の第２配線を形成し、前記第２配線を前記第２電極に電気的に接続する工程と、を備える。
【０００７】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、サブピクセルが設定された基板と、前記基板上に前記サブピクセル毎に設けられた第１配線と、前記基板に前記サブピクセル毎に搭載された発光素子と、前記発光素子の下部及び前記第１配線を覆う樹脂部材と、前記樹脂部材上に設けられ、一部が前記発光素子上に配置された網目状の第２配線と、を備える。前記発光素子は、半導体部材と、前記半導体部材の下面に設けられ、前記第１配線に電気的に接続された第１電極と、前記半導体部材の相互に交差する少なくとも２つの側面に設けられ、一部が前記樹脂部材の上面から露出した第２電極と、有する。前記第２配線は、前記第２電極における前記樹脂部材上に露出した部分に電気的に接続されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、画素としてマイクロＬＥＤを用い、製造コストが低い表示装置及びその製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置を示す上面図である。
【図２Ａ】図１に示すＡ−Ａ’線による端面図である。
【図２Ｂ】図１に示すＢ−Ｂ’線による端面図である。
【図３Ａ】第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。
【図３Ｂ】第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。
【図４Ａ】第１の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示すＣ−Ｃ’線による端面図である。
【図５Ａ】第１の実施形態に係る表示装置の発光素子の第２電極を示す平面図である。
【図５Ｂ】第１の実施形態に係る表示装置の発光素子の第１電極を示す平面図である。
【図６Ａ】第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。
【図６Ｂ】第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。
【図７Ａ】第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。
【図７Ｂ】第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。
【図７Ｃ】第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。
【図８】第２の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。
【図９】第３の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。
【図１１】第５の実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜第１の実施形態＞
先ず、第１の実施形態について説明する。
【００１１】
本実施形態に係る表示装置１は、基板２０と、基板２０上にサブピクセル１１毎に設けられた第１配線２１と、基板２０にサブピクセル１１毎に搭載された発光素子３０と、発光素子３０の下部及び第１配線２１を覆う樹脂部材２３と、樹脂部材２３上に設けられ、一部が発光素子３０上に配置された網目状の第２配線２４と、を備える。発光素子３０は、半導体部材３１と、半導体部材３１の下面３１ａに設けられ、第１配線２１に電気的に接続された第１電極３５と、半導体部材３１の相互に交差する少なくとも２つの側面３１ｂに設けられ、一部が樹脂部材２３の上面２３ａから露出した第２電極３３と、を有する。第２配線２４は、第２電極３３における樹脂部材２３上に露出した部分に電気的に接続されている。
【００１２】
以下、表示装置１の構成を詳細に説明する。
図１、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、本実施形態に係る表示装置１においては、基板２０が設けられている。基板２０においては、絶縁性の母材中に配線が設けられている。また、基板２０上には、アクティブ・マトリクス・トランジスタが形成されている。アクティブ・マトリクス・トランジスタは、サブピクセル１１毎に、発光素子３０に電力を供給するか否かを切り替えるスイッチング素子である。
【００１３】
基板２０には複数のピクセル１０が設定されている。ピクセル１０は相互に直交する第１方向及び第２方向に沿ってマトリクス状に配列されている。各ピクセル１０には、１つ以上、例えば３つのサブピクセル１１が設定されている。一例では、各ピクセル１０に含まれる３つのサブピクセル１１は、赤色の光を出力するサブピクセル１１Ｒ、緑色の光を出力するサブピクセル１１Ｇ、及び、青色の光を出力するサブピクセル１１Ｂである。なお、各ピクセル１０に含まれるサブピクセル１１の数は３には限定されない。図１においては、１つのピクセル１０の外縁を二点鎖線で表し、１つのサブピクセル１１Ｒの外縁を破線で表している。
【００１４】
基板２０上には、第１配線２１が設けられている。上方から見て、第１配線２１の形状はサブピクセル１１毎に区画された島状であり、基板２０の配線に電気的に接続されている。第１配線２１の表面は、光の反射率が高いことが好ましい。これにより、発光素子３０から出射した光の一部を上方に向けて反射し、サブピクセル１１の明るさを向上させることができる。また、基板２０上には、サブピクセル１１間に、電極２２が設けられている。上方から見て、電極２２の形状は、例えば格子状である。第１配線２１及び電極２２は金属を含み、例えば、同じ導電性を有する金属材料からなり、例えば、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）からなる。例えば、第１配線２１の厚さは電極２２の厚さに略等しい。電極２２の表面における光の反射率は、第１配線２１の表面における光の反射率よりも低いことが好ましい。これにより、サブピクセル１１間の領域の明るさを低減し、画面のコントラストを向上させることができる。電極２２の表面には、光の反射率を低減するために、例えば、粗化処理が施されていてもよく、黒色皮膜が形成されていてもよい。
【００１５】
第１配線２１上には、発光素子３０が設けられている。発光素子３０は第１配線２１を介して基板２０に搭載されている。発光素子３０はマイクロＬＥＤである。上面視で、マイクロＬＥＤの形状は、例えば、一辺の長さが５μｍ〜１００μｍ程度であり、好ましくは１０μｍ〜５０μｍ程度の矩形である。各サブピクセル１１には１以上、好ましくは２以上、例えば２つの発光素子３０が配置されている。一例では、サブピクセル１１Ｒには赤色の光を出力する発光素子３０が配置され、サブピクセル１１Ｇには緑色の光を出力する発光素子３０が配置され、サブピクセル１１Ｂには青色の光を出力する発光素子３０が配置されている。発光素子３０は、各サブピクセル１１に１以上配置されていればよく、必ずしも一方向に沿って整列されていなくてもよい。
【００１６】
基板２０上には、サブピクセル１１毎に、樹脂部材２３が設けられている。樹脂部材２３は、絶縁性の樹脂材料からなる。樹脂部材２３の形状は、例えば、略直方体又は四角錘台形である。第１配線２１は全体が樹脂部材２３によって覆われている。発光素子３０の下部は樹脂部材２３によって覆われており、上部は樹脂部材２３の上面２３ａから露出している。電極２２の幅方向両端部は樹脂部材２３によって覆われており、電極２２の幅方向中央部は樹脂部材２３間で露出している。
【００１７】
樹脂部材２３の上面２３ａ上及び側面２３ｂ上には、網目状の第２配線２４が設けられている。第２配線２４は、第１方向に延びる複数の第１直線部分２４ａと、第２方向に延びる複数の第２直線部分２４ｂとを有する。第２直線部分２４ｂは第１直線部分２４ａに連結されている。第２配線２４の一部は、発光素子３０上に配置されており、発光素子３０の上面を通過している。このため、各発光素子３０の上面の一部又は側面の一部は、第２配線２４に接触している。第２配線２４の第１直線部分２４ａの両端部及び第２直線部分２４ｂの両端部は、電極２２に接続されている。これにより、全ての第２配線２４が電極２２を介して相互に接続されている。
【００１８】
次に、発光素子３０の構成を詳細に説明する。
図３Ａ及び図３Ｂ、図４Ａ及び図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、発光素子３０においては、半導体部材３１、光反射層３２、第２電極３３、絶縁層３４、第１電極３５、保護層３６、第１導電層３７及び第２導電層３８が設けられている。上方から見て、発光素子３０の形状は、例えば矩形である。なお、図３Ａ及び図３Ｂは概略図であり、半導体部材３１、第１電極３５、第２電極３３及び光反射層３２のみを単純化して示し、他の構成要素は省略している。後述する図１０及び図１１においても同様である。図４Ａ〜図５Ｂは発光素子３０の構成を詳細に示す図である。図を見やすくするために、図５Ａにおいては、第２電極３３にハッチングを付しており、図５Ｂにおいては、第１電極３５にハッチングを付している。また、図４Ａ、図５Ａ、図５Ｂにおいては、半導体部材３１を省略している。
【００１９】
半導体部材３１の形状は、例えば、図４Ｂに示すように、概ね逆四角錐台形であり、下面３１ａ、４つの側面３１ｂ、上面３１ｃを有している。例えば、上面３１ｃは粗面化されている。半導体部材３１においては、第１半導体層３１ｐ、発光層３１ｔ及び第２半導体層３１ｎが積層されている。第１半導体層３１ｐの下面には第１導電層３７が設けられており、第２半導体層３１ｎの下面の例えば中央部には第２導電層３８が設けられている。
【００２０】
半導体部材３１の下面３１ａ及び側面３１ｂには、絶縁性の光反射層３２が設けられている。光反射層３２は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射層）であり、例えば、酸化ニオブ層（ＮｂＯ）と酸化アルミニウム層（ＡｌＯ）が交互に積層された多層膜である。光反射層３２における半導体部材３１の下方に配置された部分には、開口部３２ａ及び３２ｂが形成されている。開口部３２ａは、例えば、下面３１ａの中心を含む領域に１ヶ所形成されており、その形状は例えば円形である。平面視で、開口部３２ａの内部には第２導電層３８が配置されている。開口部３２ｂは、例えば、下面３１ａの対角周辺に２ヶ所形成されており、その形状は例えば斜辺が凹状の円弧となった略直角二等辺三角形である。平面視で、半導体部材３１の第１半導体層３１ｐ及び発光層３１ｔ、並びに、第１導電層３７は、開口部３２ｂの内部のみに配置されている。これに対して、平面視で、半導体部材３１の第２半導体層３１ｎは、光反射層３２によって囲まれる領域の全体に配置されている。
【００２１】
光反射層３２の外側には、第２電極３３が設けられている。すなわち、第２電極３３は、光反射層３２を介して、半導体部材３１の下面３１ａ上及び側面３１ｂ上に配置されている。換言すれば、光反射層３２は、半導体部材３１の下面３１ａ及び側面３１ｂと第２電極３３との間に設けられている。第２電極３３は、半導体部材３１の側面３１ｂの上端まで到達しており、第２電極３３の一部は樹脂部材２３の上面２３ａから露出している。第２電極３３は金属材料からなり、例えば、銀又はアルミニウムからなる。
【００２２】
第２電極３３における光反射層３２の開口部３２ａに相当する部分は、開口部３２ａ内に進入するように上方に向けて突出している。第２電極３３は、光反射層３２の開口部３２ａを介して、第２導電層３８に電気的に接続されている。第２導電層３８は、半導体部材３１の下面３１ａにおいて、半導体部材３１の第２半導体層３１ｎに電気的に接続されている。一方、第２電極３３における光反射層３２の開口部３２ｂに相当する部分には、開口部３３ａが形成されている。すなわち、開口部３２ｂの直下域には、第２電極３３は設けられていない。
【００２３】
本実施形態においては、第２電極３３の形状は半導体部材３１の上面３１ｃ以外の表面を包むカップ状であり、上方から見て、第２電極３３は半導体部材３１の周囲に設けられている。すなわち、半導体部材３１の４つの側面３１ｂの全てに第２電極３３が設けられている。但し、後述するように、第２電極３３は、半導体部材３１の相互に交差する少なくとも２つの側面３１ｂに設けられていればよい。また、第２電極３３は、半導体部材３１の下面３１ａにおいて、光反射層３２の開口部３２ａに相当する領域に配置されており、第２電極３３における側面３１ｂに設けられた部分に接続されている。
【００２４】
第２電極３３の下部を覆うように、絶縁層３４が設けられている。絶縁層３４における光反射層３２の開口部３２ａに相当する部分は、開口部３２ａ内に進入するように、上方に向けて突出している。一方、絶縁層３４における光反射層３２の開口部３２ｂに相当する部分には、開口部３４ａが形成されている。すなわち、開口部３２ｂの直下域には、絶縁層３４は設けられていない。絶縁層３４の上端は、第２電極３３の上端よりも低い位置にある。このため、絶縁層３４は、第２電極３３の上部は覆っていない。絶縁層３４が第２電極３３の上部を覆っていないことにより、後述するように、第２電極３３は第２配線２４と電気的に接続可能となる。
【００２５】
絶縁層３４の下方には、第１電極３５が設けられている。第１電極３５は金属材料からなり、例えば、銀又は銅を含む金属であって、銀又は銅であってもよい。第１電極３５は、光反射層３２、第２電極３３及び絶縁層３４を介して、半導体部材３１の下面３１ａ上の略全体に設けられている。第１電極３５における光反射層４２の開口部３２ａ及び開口部３２ｂに相当する部分は、それぞれ、開口部３２ａ内及び開口部３２ｂ内に進入するように、上方に向けて突出している。第１電極３５は、絶縁層３４の開口部３４ａ、第２電極３３の開口部３３ａ及び光反射層３２の開口部３２ｂを介して、第１導電層３７に電気的に接続されている。第１導電層３７は、半導体部材３１の下面３１ａにおいて、半導体部材３１の第１半導体層３１ｐに電気的に接続されている。半導体部材３１の上面３１ｃには、保護層３６が設けられている。
【００２６】
そして、発光素子３０の下面において、第１電極３５が第１配線２１に電気的に接続されている。発光素子３０の半導体部材３１の第１半導体層３１ｐは、第１導電層３７、第１電極３５、第１配線２１、基板２０内に配線を介して、アクティブ・マトリクス・トランジスタに接続される。一方、第２半導体層３１ｎは、第２導電層３８を介して第２電極３３に接続されている。発光素子３０の上部において、第２電極３３における樹脂部材２３の上面２３ａから露出した部分の一部は、第２配線２４に電気的に接続されている。これにより、半導体部材３１の第１半導体層３１ｐと第２半導体層３１ｎとの間に電力が供給される。なお、図４Ｂにおいては、第２配線２４は二点鎖線で示している。
【００２７】
図１に示すように、表示装置１においては、第２配線２４に断線部２４ｃを形成することができる。これにより、欠陥を有する発光素子３０ｘを第２配線２４から分離することができる。発光素子３０ｘの欠陥とは、例えば、短絡、断線及び不安定な導通等である。
【００２８】
次に、本実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。
図６Ａ〜図７Ｃは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を示す端面図である。
【００２９】
（基板２０及び発光素子３０を準備する工程）
先ず、図６Ａに示すように、基板２０及び発光素子３０を準備する。基板２０には、ピクセル１０がマトリクス状に配列されており、各ピクセル１０には１以上のサブピクセル１１が含まれている。基板２０の上面２０ａには、サブピクセル１１毎に第１配線２１が設けられており、サブピクセル１１間に電極２２が設けられている。第１配線２１上には導電性ペースト層１０２が設けられている。
【００３０】
発光素子３０は、例えば、支持基板１００の下面１００ａに接着シート１０１によって接着されている。支持基板１００における各サブピクセル１１に相当する領域に、１つ以上、好ましくは２つ以上、例えば２つの発光素子３０が接着されている。発光素子３０の構成は上述のとおりである。すなわち、発光素子３０の下面には第１電極３５が設けられており、相互に交差する少なくとも２つの側面、例えば４つの側面には、第２電極３３が設けられている。
【００３１】
（基板２０に発光素子３０を搭載し、第１電極３５を第１配線２１に接続する工程）
次に、図６Ｂに示すように、発光素子３０が接着された支持基板１００の下面１００ａを基板２０の上面２０ａに対向させて、発光素子３０の第１電極３５を導電性ペースト層１０２に当接させる。次に、導電性ペースト層１０２を焼結させる。これにより、発光素子３０の第１電極３５が第１配線２１に電気的に接続されると共に、発光素子３０が基板２０に搭載される。以後、導電性ペースト層１０２は第１配線２１の一部として示す。
【００３２】
次に、接着シート１０１を例えば溶解させることにより除去する。これにより、支持基板１００を発光素子３０から剥離する。このようにして、発光素子３０が支持基板１００から基板２０に転写される。このとき、例えば、各サブピクセル１１には２つの発光素子３０が搭載される。また、上方から見て、発光素子３０の形状は例えば矩形である。
【００３３】
（樹脂部材２３を形成する工程）
次に、図７Ａに示すように、基板２０上に発光素子３０を覆う樹脂部材２３を形成する。例えば、基板２０の上面２０ａに感光性樹脂を塗布し、現像して硬化させる。又は、感光性樹脂からなるドライフィルムを基板２０の上面２０ａに貼付する。このようにして、樹脂部材２３が形成される。この時点では、樹脂部材２３は複数のサブピクセル１１に搭載された複数の発光素子３０を全て覆う。
【００３４】
（第２電極３３を樹脂部材２３から露出させる工程）
次に、図７Ｂに示すように、樹脂部材２３の上面２３ａに対してエッチング、例えば、酸素ガス（Ｏ２）を用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）を施すことにより、樹脂部材２３の上部を除去する。これにより、第２電極３３の上部を含む発光素子３０の上部が、樹脂部材２３の上面２３ａから露出する。また、このとき、樹脂部材２３をサブピクセル１１毎に区画して、電極２２を露出させる。これにより、樹脂部材２３の形状は、例えば、略直方体又は四角錘台形となる。
【００３５】
（樹脂部材２３上に第２配線２４を形成する工程）
次に、図１及び図７Ｃに示すように、樹脂部材２３上に網目状の第２配線２４を形成する。例えば、スピンコート法により導電性ペーストを全面に塗布し、焼結させた後、フォトリソグラフィ法により、網目状に加工する。これにより、樹脂部材２３の上面２３ａ及び側面２３ｂに、第１方向に延びる第１直線部分２４ａ及び第２方向に延びる第２直線部分２４ｂを含む第２配線２４が形成される。
【００３６】
例えば、第１方向及び第２方向は、ピクセル１０が配列された２方向であるが、これには限定されない。２本の第１直線部分２４ａ及び２本の第２直線部分２４ｂによって囲まれる図形は長方形には限定されず、平行四辺形であってもよい。また、第２配線２４は第３方向に延びる第３直線部分を有してもよく、例えば、上方から見た第２配線２４の形状は、三角形を配列させた形状であってもよく、六角形を配列させたハニカム形状であってもよい。本明細書においては、これらの形状も「網目状」に含むものとする。
【００３７】
上方から見て、第１直線部分２４ａの間隔、及び、第２直線部分２４ｂの間隔を、発光素子３０の一辺の長さ以下とすることにより、第２配線２４の一部は確実に発光素子３０上に配置される。上方から見て、発光素子３０の半導体部材３１の周囲には第２電極３３が設けられているため、第２配線２４は各発光素子３０の第２電極３３に接触し、電気的に接続される。また、第２配線２４は電極２２にも接触し、電気的に接続される。この結果、全ての発光素子３０の第２電極３３は、第２配線２４に共通接続される。このようにして、発光素子３０は、第１配線２１及び第２配線２４に接続される。
【００３８】
（欠陥を有する発光素子３０ｘを第２配線２４から分離する工程）
次に、図１に示すように、各発光素子３０を検査し、欠陥を有する発光素子３０ｘを検出したら、この発光素子３０ｘに接続された第２配線２４の第１直線部分２４ａ及び第２直線部分２４ｂを例えばレーザー加工によって切断し、発光素子３０ｘを第２配線２４から分離する。その後、電極２２及び第２配線２４の表面に対して粗化処理を施して、表面をマット状にしたり、黒化処理等を施して黒色被膜を形成することにより、電極２２及び第２配線２４における光の反射率を低下させる。これにより、画面のコントラストが向上する。このようにして、本実施形態に係る表示装置１が製造される。
【００３９】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態に係る表示装置１においては、各発光素子３０において、半導体部材３１の相互に交差する少なくとも２つの側面３１ｂに第２電極３３が設けられている。また、第２配線２４の形状は上面視において網目状である。このため、発光素子３０の位置及び角度が設計から多少ずれたとしても、各発光素子３０の第２電極３３は、いずれかの部分で第２配線２４に接触する。したがって、発光素子３０を基板２０に搭載するときの位置精度を過度に精密にしなくても、発光素子３０の第１電極３５が第１配線２１に当接する程度に精密であれば、発光素子３０を第１配線２１と第２配線２４に電気的に接続することができる。このため、発光素子３０を基板２０に搭載する際の位置及び角度のマージンが大きい。この結果、表示装置１は製造が容易であり、製造コストが低い。
【００４０】
また、本実施形態においては、第２電極３３を発光素子３０の側面に配置しているため、第２電極３３は半導体部材３１の上面を覆う必要がない。このため、半導体部材３１から上方に出射する光を、効率的に利用することができる。また、第２配線２４の形状を網目状とすることで、発光素子３０から側方に出射した光の一部を、第２配線２４によって上方に向けて反射することができる。これによっても、光の利用効率を向上させることができる。
【００４１】
更に、第２配線２４を金属により形成しているため、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide：酸化インジウムスズ）等の導電性透明材料により形成する場合と比較して、配線の電気抵抗が低い。このため、表示装置１は電力の利用効率が高い。
【００４２】
更にまた、表示装置１においては、各サブピクセル１１に２つの発光素子３０を設けている。この２つの発光素子３０は第１配線２１と第２配線２４との間に並列に接続される。あるサブピクセル１１に配置された２つの発光素子３０がいずれも正常であれば、この２つの発光素子３０には並列に電流が流れる。これに対して、２つの発光素子３０のうち一方が欠陥を有する場合は、第２配線２４に断線部２４ｃを形成することにより、欠陥を有する発光素子３０ｘを第２配線２４から分離する。これにより、発光素子３０の欠陥が、直ちにサブピクセル１１の欠陥、例えば、輝点又は暗点となることを防止できる。この場合は、欠陥を有する発光素子３０ｘが電流回路から切り離されるため、正常な１つの発光素子３０に通常の２倍の電流が流れ、約２倍の光を出力する。このため、サブピクセル１１に欠陥を有する発光素子３０が存在しない場合も、欠陥を有する発光素子３０が１つ存在する場合も、サブピクセル１１全体の輝度は略同じとなる。
【００４３】
このように、本実施形態によれば、サブピクセル１１に配置する発光素子３０に冗長性を持たせることができ、１つの発光素子３０に欠陥が発生した場合でも、サブピクセル１１を正常に機能させることができる。これにより、表示装置１の歩留まりが向上し、製造コストを低減することができる。なお、各サブピクセル１１には、３つ以上の発光素子３０を設けてもよい。
【００４４】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。
【００４５】
図８に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ａが設けられている。発光素子３０ａにおいては、第２電極３３が半導体部材３１の上面３１ｃにおける周辺部まで到達している。これにより、第２配線２４を第２電極３３に確実に接続することができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００４６】
＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態について説明する。
図９は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す端面図である。
【００４７】
図９に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ｂが設けられている。発光素子３０ｂにおいては、第２電極３３が第１部分３３ｂと第２部分３３ｃとに分かれている。第１部分３３ｂは半導体部材３１の下面３１ａ及び側面３１ｂに設けられており、第２部分３３ｃは半導体部材３１の上面３１ｃの周辺部に設けられている。第２部分３３ｃは第１部分３３ｂから離隔している。また、発光素子３０ｂにおいては、金属めっき層３９が設けられている。金属めっき層３９は、第２電極３３の第１部分３３ｂを第２部分３３ｃに電気的に接続している。金属めっき層３９は、例えば、電解めっき法により形成されたものである。
【００４８】
本実施形態によれば、第２電極３３を形成する際の成膜状態により、第２電極３３が第１部分３３ｂと第２部分３３ｃとに分離されてしまった場合でも、金属めっき層３９を形成することにより、第２部分３３ｃを第２電極３３の一部として機能させることができる。本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、第１の実施形態と同様である。
【００４９】
＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態について説明する。
図１０は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。
【００５０】
図１０に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ｃが設けられている。発光素子３０ｃにおいては、第２電極３３が半導体部材３１の３つの側面３１ｂに設けられている。この場合でも第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００５１】
＜第５の実施形態＞
次に、第５の実施形態について説明する。
図１１は、本実施形態に係る表示装置の発光素子を示す上面図である。
【００５２】
図１１に示すように、本実施形態に係る表示装置においては、発光素子３０ｄが設けられている。発光素子３０ｄにおいては、第２電極３３が半導体部材３１の相互に交差する２つの側面３１ｂに設けられている。この場合でも第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、例えば、視覚的に情報を表示する装置に利用することができ、例えば、携帯用電子機器、テレビ受像器、多人数向けのディスプレイ等に利用することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１：表示装置
１０：ピクセル
１１、１１Ｂ、１１Ｇ、１１Ｒ：サブピクセル
２０：基板
２０ａ：上面
２１：第１配線
２２：電極
２３：樹脂部材
２３ａ：上面
２３ｂ：側面
２４：第２配線
２４ａ：第１直線部分
２４ｂ：第２直線部分
２４ｃ：断線部
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０ｘ：発光素子
３１：半導体部材
３１ａ：下面
３１ｂ：側面
３１ｃ：上面
３１ｎ：第２半導体層
３１ｔ：発光層
３１ｐ：第１半導体層
３２：光反射層
３２ａ、３２ｂ：開口部
３３：第２電極
３３ａ：開口部
３３ｂ：第１部分
３３ｃ：第２部分
３４：絶縁層
３４ａ：開口部
３５：第１電極
３６：保護層
３７：第１導電層
３８：第２導電層
３９：金属めっき層
１００：支持基板
１００ａ：下面
１０１：接着シート
１０２：導電性ペースト層
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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