(57)【要約】【課題】定着器の消費電力を低減することができる画像形成装置、その制御方法およびプログラムを提供する。【解決手段】画像形成装置は、加熱ローラ、加圧ローラおよびヒータを有し、シートに現像剤像を定着させる定着器と、加熱ローラの温度を検知する温度検知部と、所定の制御デューティ比に基づいてヒータへの通電を行う通電処理を実行する制御部とを備える。制御部は、温度検知部の検知温度が第１温度ＴＴに到達したことを条件として、制御デューティ比を、第２温度ＴＬの場合の基準値である第２デューティ比ＤＬから第３温度ＴＨの場合の基準値である第３デューティ比ＤＳの範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、検知温度が第１温度ＴＴに維持される安定デューティ比を探索する探索処理を実行する。そして、制御部は、探索処理により安定デューティ比が決定された場合、制御デューティ比を、安定デューティ比として通電処理を実行する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱部、前記加熱部を加熱するヒータ、および、前記加熱部との間でシートを挟む加圧部を有し、シートに現像剤像を定着させる定着器と、
前記加熱部の温度を検知する温度検知部と、
所定の制御デューティ比に基づいて前記ヒータへの通電を行う通電処理を実行する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記温度検知部の検知温度が第１温度の場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比とし、
前記検知温度が前記温度検知部で検知可能な温度のうち前記第１温度より１段階低い第２温度の場合のデューティ比の基準値を前記第１デューティ比より大きい第２デューティ比とし、
前記検知温度が前記温度検知部で検知可能な温度のうち前記第１温度より１段階高い第３温度の場合のデューティ比の基準値を前記第１デューティ比より小さい第３デューティ比として、
前記検知温度が前記第１温度に到達したことを条件として、前記制御デューティ比を、前記第２デューティ比から前記第３デューティ比の範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、前記検知温度が前記第１温度に維持される安定デューティ比を探索する探索処理を実行し、
前記探索処理により前記安定デューティ比が決定された場合、前記制御デューティ比を、前記安定デューティ比として前記通電処理を実行することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記探索処理において、前記探索処理を開始してから前記検知温度が前記第１温度から最初に変化するまでの間、前記制御デューティ比を、前記第３デューティ比以上かつ前記第１デューティ比以下の所定のデューティ比を下限値として、前記第１デューティ比から徐々に減少させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記探索処理において、前記検知温度が前記第１温度から最初に変化してから前記第１温度に戻るまでの間、前記制御デューティ比を、前記第２デューティ比を上限値として、前記第１デューティ比より１段階大きいデューティ比から徐々に増加させることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記検知温度が前記第１温度に到達した場合に前記制御デューティ比を前記第１デューティ比とし、その後、前記検知温度が前記第２温度に下がった場合に前記探索処理を開始し、
また、
前記検知温度が前記第１温度に到達した場合に前記制御デューティ比を前記第１デューティ比とし、その後、前記検知温度が前記第３温度に上がった場合に前記探索処理を開始することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記検知温度が前記第１温度に到達した場合に前記制御デューティ比を前記第１デューティ比とし、その後、前記検知温度が前記第１温度に到達した時点から所定時間が経過するまでの間に前記検知温度が前記第２温度または前記第３温度に変化した場合に、前記探索処理を開始することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記探索処理において、
前記検知温度が前記第１温度から前記第２温度に下がったことを条件として前記探索処理を開始した場合、前記制御デューティ比を前記第２デューティ比から徐々に減少させ、
前記検知温度が前記第１温度から前記第３温度に上がったことを条件として前記探索処理を開始した場合、前記制御デューティ比を前記第３デューティ比から徐々に増加させることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記探索処理において、
前記制御デューティ比を前記第２デューティ比から徐々に減少させる場合の前記制御デューティ比の下限値の初期値を、前記第１デューティ比より１段階大きいデューティ比に設定し、
前記制御デューティ比を前記第３デューティ比から徐々に増加させる場合の前記制御デューティ比の上限値の初期値を、前記第１デューティ比より１段階小さいデューティ比に設定することを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記探索処理において、
前記検知温度が下がった場合、前記検知温度が下がった時点のデューティ比より１段階大きいデューティ比を前記制御デューティ比の下限値に設定し、
前記検知温度が上がった場合、前記検知温度が上がった時点のデューティ比より１段階小さいデューティ比を前記制御デューティ比の上限値に設定することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記制御デューティ比に基づいて、前記ヒータへの通電を行う通電期間と、前記ヒータへの通電を行わない非通電期間との割合を変更することで前記ヒータへの通電を行うデューティ制御により前記通電処理を実行し、
前記探索処理において、前記通電期間を変化させず、前記非通電期間を増加または減少させることで、デューティ比を変化させることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記通電期間の前および後の少なくとも一方で、交流電源の電圧波形の位相に基づく位相制御であって、前記通電期間に近いほど位相角を大きくして前記ヒータへの通電を行う位相制御を実行することを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
加熱部、前記加熱部を加熱するヒータ、および、前記加熱部との間でシートを挟む加圧部を有し、シートに現像剤像を定着させる定着器と、
前記加熱部の温度を検知する温度検知部と、を備え、
所定の制御デューティ比に基づいて前記ヒータへの通電を行う通電処理を実行する画像形成装置の制御方法であって、
前記温度検知部の検知温度が第１温度の場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比とし、
前記検知温度が前記温度検知部で検知可能な温度のうち前記第１温度より１段階低い第２温度の場合のデューティ比の基準値を前記第１デューティ比より大きい第２デューティ比とし、
前記検知温度が前記温度検知部で検知可能な温度のうち前記第１温度より１段階高い第３温度の場合のデューティ比の基準値を前記第１デューティ比より小さい第３デューティ比として、
前記検知温度が前記第１温度に到達したことを条件として、前記制御デューティ比を、前記第２デューティ比から前記第３デューティ比の範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、前記検知温度が前記第１温度に維持される安定デューティ比を探索する探索処理を実行し、
前記探索処理により前記安定デューティ比が決定された場合、前記制御デューティ比を、前記安定デューティ比として前記通電処理を実行することを特徴とする制御方法。
【請求項１２】
加熱部、前記加熱部を加熱するヒータ、および、前記加熱部との間でシートを挟む加圧部を有し、シートに現像剤像を定着させる定着器と、
前記加熱部の温度を検知する温度検知部と、を備える画像形成装置を制御するコンピュータに、
所定の制御デューティ比に基づいて前記ヒータへの通電を行う通電処理を実行させるプログラムであって、
前記温度検知部の検知温度が第１温度の場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比とし、
前記検知温度が前記温度検知部で検知可能な温度のうち前記第１温度より１段階低い第２温度の場合のデューティ比の基準値を前記第１デューティ比より大きい第２デューティ比とし、
前記検知温度が前記温度検知部で検知可能な温度のうち前記第１温度より１段階高い第３温度の場合のデューティ比の基準値を前記第１デューティ比より小さい第３デューティ比として、
前記検知温度が前記第１温度に到達したことを条件として、前記制御デューティ比を、前記第２デューティ比から前記第３デューティ比の範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、前記検知温度が前記第１温度に維持される安定デューティ比を探索する探索処理を実行させ、
前記探索処理により前記安定デューティ比が決定された場合、前記制御デューティ比を、前記安定デューティ比として前記通電処理を実行させることを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、定着器を備える画像形成装置、画像形成装置の制御方法、および、画像形成装置を制御するコンピュータに適用されるプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、加熱部、加熱部を加熱するヒータ、および、加圧部を有し、シートに現像剤像を定着させる定着器と、加熱部の温度を検知する温度検知部とを備える画像形成装置が知られている（例えば、特許文献１）。この技術では、温度検知部の検知温度に基づいて加熱部の温度が目標定着温度となるようにヒータへ供給する電力を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−０６３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、省エネの観点から、定着器の消費電力、特に加熱部の温度を目標定着温度などの所望の温度に維持するための消費電力は、必要最小限であることが望ましい。
【０００５】
そこで、本発明は、定着器の消費電力を低減することができる画像形成装置、その制御方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した目的を達成するため、本発明の画像形成装置は、加熱部、加熱部を加熱するヒータおよび加熱部との間でシートを挟む加圧部を有し、シートに現像剤像を定着させる定着器と、加熱部の温度を検知する温度検知部と、所定の制御デューティ比に基づいてヒータへの通電を行う通電処理を実行する制御部と、を備える。
温度検知部の検知温度が第１温度の場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比とし、検知温度が温度検知部で検知可能な温度のうち第１温度より１段階低い第２温度の場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比より大きい第２デューティ比とし、検知温度が温度検知部で検知可能な温度のうち第１温度より１段階高い第３温度の場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比より小さい第３デューティ比とする。
制御部は、検知温度が第１温度に到達したことを条件として、制御デューティ比を、第２デューティ比から第３デューティ比の範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、検知温度が第１温度に維持される安定デューティ比を探索する探索処理を実行する。
制御部は、探索処理により安定デューティ比が決定された場合、制御デューティ比を、安定デューティ比として通電処理を実行する。
【０００７】
このような構成によれば、検知温度を第１温度に維持する、すなわち、加熱部の温度を所望の温度に維持するのに最適な最小の制御デューティ比を決定することができるので、定着器における電力消費を抑制することができる。
【０００８】
前記した画像形成装置において、制御部は、探索処理において、探索処理を開始してから検知温度が第１温度から最初に変化するまでの間、制御デューティ比を、第３デューティ比以上かつ第１デューティ比以下の所定のデューティ比を下限値として、第１デューティ比から徐々に減少させる構成とすることができる。
【０００９】
これによれば、安定デューティ比を第１デューティ比から徐々に増加させて探索する場合と比較して、探索中の制御デューティ比を小さくできるので、定着器における電力消費を抑制することができる。
【００１０】
前記した画像形成装置において、制御部は、探索処理において、検知温度が第１温度から最初に変化してから第１温度に戻るまでの間、制御デューティ比を、第２デューティ比を上限値として、第１デューティ比より１段階大きいデューティ比から徐々に増加させる構成とすることができる。
【００１１】
前記した画像形成装置において、制御部は、検知温度が第１温度に到達した場合に制御デューティ比を第１デューティ比とし、その後、検知温度が第２温度に下がった場合に探索処理を開始し、また、検知温度が第１温度に到達した場合に制御デューティ比を第１デューティ比とし、その後、検知温度が第３温度に上がった場合に探索処理を開始する構成とすることができる。
【００１２】
これによれば、検知温度が第１温度に到達した後に第２温度や第３温度に変化しない場合、すなわち、検知温度が第１温度に維持されている場合に不要に探索処理が開始されるのを抑制することができる。
【００１３】
前記した画像形成装置において、制御部は、検知温度が第１温度に到達した場合に制御デューティ比を第１デューティ比とし、その後、検知温度が第１温度に到達した時点から所定時間が経過するまでの間に検知温度が第２温度または第３温度に変化した場合に、探索処理を開始する構成とすることができる。
【００１４】
これによれば、検知温度が第１温度に維持されている場合に不要に探索処理が開始されるのを抑制することができる。
【００１５】
前記した画像形成装置において、制御部は、探索処理において、検知温度が第１温度から第２温度に下がったことを条件として探索処理を開始した場合、制御デューティ比を第２デューティ比から徐々に減少させ、検知温度が第１温度から第３温度に上がったことを条件として探索処理を開始した場合、制御デューティ比を第３デューティ比から徐々に増加させる構成とすることができる。
【００１６】
これによれば、検知温度が第１温度から第２温度に下がった場合には、下がった時点の制御デューティ比が小さかったことが分かるので、制御デューティ比を、大きい第２デューティ比から徐々に減少させることで、検知温度のそれ以上の低下を抑えつつ、安定デューティ比を早期に決定することができる。また、検知温度が第１温度から第３温度に上がった場合には、上がった時点の制御デューティ比が大きかったことが分かるので、制御デューティ比を、小さい第３デューティ比から徐々に増加させることで、検知温度のそれ以上の上昇を抑えつつ、安定デューティ比を早期に決定することができる。
【００１７】
前記した画像形成装置において、制御部は、探索処理において、制御デューティ比を第２デューティ比から徐々に減少させる場合の制御デューティ比の下限値の初期値を、第１デューティ比より１段階大きいデューティ比に設定し、制御デューティ比を第３デューティ比から徐々に増加させる場合の制御デューティ比の上限値の初期値を、第１デューティ比より１段階小さいデューティ比に設定する構成とすることができる。
【００１８】
これによれば、検知温度が第１温度から第２温度に下がった場合には、制御デューティ比としての第１デューティ比が小さかったことが分かるので、第１デューティ比より１段階大きいデューティ比を制御デューティ比の下限値の初期値に設定することで、第１デューティ比を安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。また、検知温度が第１温度から第３温度に上がった場合には、制御デューティ比としての第１デューティ比が大きかったことが分かるので、第１デューティ比より１段階小さいデューティ比を制御デューティ比の上限値の初期値に設定することで、第１デューティ比を安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。これにより、安定デューティ比を早期に決定することができる。
【００１９】
前記した画像形成装置において、制御部は、探索処理において、検知温度が下がった場合、検知温度が下がった時点のデューティ比より１段階大きいデューティ比を制御デューティ比の下限値に設定し、検知温度が上がった場合、検知温度が上がった時点のデューティ比より１段階小さいデューティ比を制御デューティ比の上限値に設定する構成とすることができる。
【００２０】
これによれば、検知温度が下がった時点のデューティ比では、制御デューティ比が小さかったことが分かるので、それより１段階大きいデューティ比を制御デューティ比の下限値に設定することで、検知温度が下がった時点のデューティ比を安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。検知温度が上がった時点のデューティ比では、制御デューティ比が大きかったことが分かるので、それより１段階小さいデューティ比を制御デューティ比の上限値に設定することで、検知温度が上がった時点のデューティ比を安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。これにより、安定デューティ比を早期に決定することができる。
【００２１】
前記した画像形成装置において、制御部は、制御デューティ比に基づいて、ヒータへの通電を行う通電期間と、ヒータへの通電を行わない非通電期間との割合を変更することでヒータへの通電を行うデューティ制御により通電処理を実行し、探索処理において、通電期間を変化させず、非通電期間を増加または減少させることで、デューティ比を変化させる構成とすることができる。
【００２２】
前記した画像形成装置において、制御部は、通電期間の前および後の少なくとも一方で、交流電源の電圧波形の位相に基づく位相制御であって、通電期間に近いほど位相角を大きくしてヒータへの通電を行う位相制御を実行する構成とすることができる。
【００２３】
これによれば、デューティ制御における通電期間の開始時や終了時に電源電圧が急激に変動するのを抑制することができる。これにより、同じ電源電圧から電力が供給される機器への影響を抑制することができる。
【００２４】
また、前記した目的を達成するため、本発明の制御方法は、前記定着器と、前記温度検知部と、を備え、所定の制御デューティ比に基づいてヒータへの通電を行う通電処理を実行する画像形成装置の制御方法であって、検知温度が第１温度に到達したことを条件として、制御デューティ比を、第２デューティ比から第３デューティ比の範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、安定デューティ比を探索する探索処理を実行し、探索処理により安定デューティ比が決定された場合、制御デューティ比を、安定デューティ比として通電処理を実行する。
【００２５】
このような方法によれば、定着器における電力消費を抑制することができる。
【００２６】
また、前記した目的を達成するため、本発明のプログラムは、前記定着器と、前記温度検知部と、を備える画像形成装置を制御するコンピュータに、所定の制御デューティ比に基づいてヒータへの通電を行う通電処理を実行させるプログラムであって、検知温度が第１温度に到達したことを条件として、制御デューティ比を、第２デューティ比から第３デューティ比の範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、安定デューティ比を探索する探索処理を実行させ、探索処理により安定デューティ比が決定された場合、制御デューティ比を、安定デューティ比として通電処理を実行させる。
【００２７】
このようなプログラムによれば、定着器における電力消費を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、定着器の消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施形態に係る画像形成装置の概略構成を示す図である。
【図２】ヒータを制御するための構成を示す図である。
【図３】デューティ制御における通電パターンを示す図である。
【図４】デューティ制御に位相制御を加えた通電パターンを示す図である。
【図５】制御部の動作を示すフローチャートである。
【図６】第１実施形態に係る制御部の動作を示す、図５に続くフローチャートである。
【図７】制御部の動作を示す、図６に続くフローチャートである。
【図８】制御部の動作を示す、図７に続くフローチャートである。
【図９】第１実施形態の第１の例に係る制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【図１０】第１実施形態の第２の例に係る制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【図１１】第１実施形態の第３の例に係る制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【図１２】第２実施形態に係る制御部の動作を示す、図５に続くフローチャートである。
【図１３】制御部の動作を示す、図１２に続くフローチャートである。
【図１４】制御部の動作を示す、図１２に続くフローチャートである。
【図１５】第２実施形態の第１の例に係る制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【図１６】第２実施形態の第２の例に係る制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【図１７】第２実施形態の第３の例に係る制御部の動作を説明するタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
次に、第１実施形態について適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
図１に示すように、画像形成装置の一例としてのレーザプリンタ１は、本体筐体２と、シート供給部３と、露光装置４と、現像剤像形成部５と、定着器８と、温度検知部９と、制御部１００とを備えている。
【００３１】
シート供給部３は、本体筐体２内の下部に設けられ、紙などのシートＳが収容されるシートトレイ３１と、圧板３２と、搬送部３３とを備えている。シート供給部３は、シートトレイ３１内のシートＳを圧板３２により上に寄せ、搬送部３３により現像剤像形成部５に向けて搬送する。
【００３２】
露光装置４は、本体筐体２内の上部に配置され、図示しない光源装置や、符号を省略して示すポリゴンミラー、レンズ、反射鏡などを備えている。露光装置４は、光源装置から出射された画像データに基づく光ビーム（一点鎖線参照）を感光体６１の表面で高速走査することで、感光体６１の表面を露光する。
【００３３】
現像剤像形成部５は、シートＳに現像剤像を形成する機器であり、露光装置４の下方に配置されている。現像剤像形成部５は、プロセスカートリッジとして、本体筐体２の前部に設けられたフロントカバー２１を開いたときにできる開口から本体筐体２に対して着脱可能に装着される。現像剤像形成部５は、感光体カートリッジ６と、現像カートリッジ７とから構成されている。
【００３４】
感光体カートリッジ６は、円筒状の感光体ドラムである感光体６１と、コロナ帯電器である帯電器６２と、転写ローラ６３とを備えている。現像カートリッジ７は、感光体カートリッジ６に対して着脱自在であり、現像ローラ７１と、供給ローラ７２と、層厚規制ブレード７３と、乾式トナーからなる現像剤を収容する収容部７４と、アジテータ７５とを備えている。
【００３５】
現像剤像形成部５は、感光体６１の表面を帯電器６２により一様に帯電する。その後、感光体６１の表面が露光装置４から出射された光ビームにより露光されることで、感光体６１上に画像データに基づく静電潜像が形成される。また、収容部７４内の現像剤は、アジテータ７５により攪拌されながら、供給ローラ７２に供給され、供給ローラ７２から現像ローラ７１に供給される。そして、現像剤は、現像ローラ７１の回転に伴って、現像ローラ７１と層厚規制ブレード７３の間に進入して一定厚さの薄層として現像ローラ７１上に担持される。
【００３６】
現像剤像形成部５は、現像ローラ７１上に担持された現像剤を、現像ローラ７１から感光体６１上に形成された静電潜像に供給する。これにより、静電潜像が可視像化され、感光体６１上に現像剤像が形成される。その後、シートＳが感光体６１と転写ローラ６３との間を通過することで、感光体６１上の現像剤像がシートＳ上に転写される。
【００３７】
定着器８は、シートＳに現像剤像を定着させる機器であり、現像剤像形成部５の後方に配置されている。定着器８は、加熱部８１と、加圧部８２と、ヒータ８３とを有している。
加熱部８１は、金属からなる円筒状の加熱ローラである。加熱部８１は、加圧部８２との間を搬送されるシートＳに接してシートＳを加熱するように構成されている。
【００３８】
加圧部８２は、芯金の周囲に弾性層を有する加圧ローラである。加圧部８２は、加熱部８１に接触して押圧された状態で配置され、加熱部８１との間でシートＳを挟む。
ヒータ８３は、加熱部８１を加熱する熱源である。ヒータ８３は、フィラメント８３Ａ（図２参照）を有するハロゲンヒータとして構成されており、輻射熱によって加熱部８１を加熱する。ヒータ８３は、加熱部８１の内側に配置されている。
【００３９】
定着器８は、本体筐体２内に設けられた図示しないモータを駆動させることで回転駆動する。一例として、定着器８は、モータから駆動力が入力されることで、加熱部８１が回転駆動するとともに、加熱部８１の回転駆動に伴って加圧部８２が従動回転する。
【００４０】
定着器８は、シートＳを加熱部８１と加圧部８２との間を通過させることにより、シートＳ上に転写された現像剤像をシートＳに定着する。現像剤像が定着されたシートＳは、搬送ローラ２３と排出ローラ２４により排出トレイ２２上に排出される。
【００４１】
制御部１００は、定着器８などレーザプリンタ１の各部を制御するコンピュータの一例である。制御部１００は、レーザプリンタ１の各部に制御信号や駆動電圧を出力することで、各部の制御を実行する。図２に示すように、制御部１００は、ＣＰＵ１１０、ＲＯＭ１２０、ＲＡＭ１３０、ヒータコントローラ１４０、スイッチング回路１５０などを備えている。
【００４２】
ＣＰＵ１１０は、レーザプリンタ１の各部の動作タイミングを指令したり、ヒータコントローラ１４０に定着器８の目標温度としての指令値を送ったりする処理を行う。
ＲＯＭ１２０には、レーザプリンタ１の各部を制御するためのプログラムや各種設定情報などのデータが記憶されている。プログラムは、制御部１００に、後述するデューティ制御や探索処理、通電処理などを実行させるプログラムを含む。
ＲＡＭ１３０は、ＣＰＵ１１０が各種のプログラムを実行する際の作業領域や、データの一時的な記憶領域として利用される。
【００４３】
ヒータコントローラ１４０は、スイッチング回路１５０のデューティ比を設定する。制御部１００は、制御デューティ比に基づいて、ヒータ８３への通電を行う通電期間（以下、ＯＮ期間という。）と、ヒータ８３への通電を行わない非通電期間（以下、ＯＦＦ期間という。）との割合を変更することでヒータ８３への通電を行うデューティ制御により後述する通電処理を実行する。
【００４４】
スイッチング回路１５０は、設定されたデューティ比で交流電圧をスイッチングすることで、ヒータ８３に通電する。一例として、図３に示すように、制御部１００は、デューティ比が４０％の場合には、デューティ制御の周期５００ｍｓのうちＯＮ期間を２００ｍｓとし、ＯＦＦ期間を３００ｍｓとする。また、制御部１００は、デューティ比が３０％の場合には、デューティ制御の周期５００ｍｓのうちＯＮ期間を１５０ｍｓとし、ＯＦＦ期間を３５０ｍｓとする。また、制御部１００は、デューティ比が２０％の場合には、デューティ制御の周期５００ｍｓのうちＯＮ期間を１００ｍｓとし、ＯＦＦ期間を４００ｍｓとする。
【００４５】
図２に戻り、温度検知部９は、加熱部８１の温度を検知するセンサである。本実施形態において、温度検知部９は、加熱部８１の表面との間に所定の間隔をあけた状態で加熱部８１の表面に対向して配置されている。温度検知部９は、加熱部８１の温度に応じた信号を制御部１００に出力する。制御部１００は、温度検知部９から出力された信号から、加熱部８１の温度としての検知温度Ｔを取得する。温度検知部９としては、例えば、温度に応じて電気抵抗が変化するサーミスタを用いることができる。
【００４６】
本実施形態において、制御部１００は、昇温制御と、維持制御とを実行する。
昇温制御は、加熱部８１の温度を目標温度まで上昇させる制御である。一例として、制御部１００は、昇温制御において、目標温度と、温度検知部９が検知した検知温度Ｔとの差からＰＩ制御やＰＩＤ制御などによりヒータ８３の操作量（制御デューティ比）を設定する。なお、ＰＩ制御やＰＩＤ制御については公知であるため、本明細書では詳細な説明を省略する。
【００４７】
維持制御は、昇温制御の後に実行され、加熱部８１の温度を目標温度に維持する制御である。なお、維持制御における目標温度と、昇温制御における目標温度は、同じ温度であってもよいし、異なる温度であってもよい。制御部１００は、維持制御において、主に、探索処理と、通電処理とを実行する。
【００４８】
ここで、以下の説明においては、維持制御における目標温度を第１温度ＴＴとし、温度検知部９で検知可能な温度のうち第１温度ＴＴより１段階低い温度を第２温度ＴＬとし、温度検知部９で検知可能な温度のうち第１温度ＴＴより１段階高い温度を第３温度ＴＨとする。具体的には、例えば、温度検知部９が１℃刻みで加熱部８１の温度を検知可能である場合、第１温度ＴＴを２００℃とすると、第２温度ＴＬは１９９℃であり、第３温度ＴＨは２０１℃である。また、温度検知部９が０．１℃刻みで加熱部８１の温度を検知可能である場合、第１温度ＴＴを２００．０℃とすると、第２温度ＴＬは１９９．９℃であり、第３温度ＴＨは２００．１℃である。
【００４９】
また、以下の説明においては、温度検知部９の検知温度Ｔが第１温度ＴＴの場合のデューティ比の基準値を第１デューティ比ＤＢとし、検知温度Ｔが第２温度ＴＬの場合のデューティ比の基準値を第２デューティ比ＤＬとし、検知温度Ｔが第３温度ＴＨの場合のデューティ比の基準値を第３デューティ比ＤＳとする。第２デューティ比ＤＬは、第１デューティ比ＤＢより大きく、第３デューティ比ＤＳは、第１デューティ比ＤＢより小さい（ＤＳ＜ＤＢ＜ＤＬ）。本実施形態においては、第１デューティ比ＤＢを３０％とし、第２デューティ比ＤＬを４０％とし、第３デューティ比ＤＳを２０％とする。なお、本明細書で示したデューティ比や温度などの具体的な値はいずれも一例である。
【００５０】
探索処理は、昇温制御により検知温度Ｔが第２温度ＴＬから上昇し、第１温度ＴＴに到達したことを条件として開始され、制御サイクルごとに制御デューティ比を設定しつつ、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持される安定デューティ比を探索する処理である。具体的には、制御部１００は、制御デューティ比を、第２デューティ比ＤＬから第３デューティ比ＤＳの範囲で徐々に減少させ、または、徐々に増加させて、安定デューティ比を探索する。
【００５１】
また、制御部１００は、探索処理における制御サイクルごとに、制御デューティ比を４０％（第２デューティ比ＤＬ）、３６％、３３％、３１％、３０％（第１デューティ比ＤＢ）、２７％、２５％、２３％、２１％および２０％（第３デューティ比ＤＳ）のいずれかに設定する。図３に示すように、制御部１００は、探索処理において制御デューティ比が設定された場合、ＯＮ期間を変化させず、ＯＦＦ期間を増加させることで、デューティ比を変化させる。
【００５２】
具体的には、制御部１００は、設定された制御デューティ比が３１〜３６％の場合、ＯＮ期間を４０％の場合と同じ２００ｍｓに固定し、ＯＦＦ期間を３００ｍｓから５０ｍｓずつ増加させることで、デューティ比を変化させる。すなわち、３６％の場合には、ＯＮ期間を２００ｍｓとし、ＯＦＦ期間を３５０ｍｓとする。また、３３％の場合には、ＯＮ期間を２００ｍｓとし、ＯＦＦ期間を４００ｍｓとする。また、３１％の場合には、ＯＮ期間を２００ｍｓとし、ＯＦＦ期間を４５０ｍｓとする。
【００５３】
また、制御部１００は、設定された制御デューティ比が２１〜２７％の場合、ＯＮ期間を３０％の場合と同じ１５０ｍｓに固定し、ＯＦＦ期間を３５０ｍｓから５０ｍｓずつ増加させることで、デューティ比を変化させる。すなわち、２７％の場合には、ＯＮ期間を１５０ｍｓとし、ＯＦＦ期間を４００ｍｓとする。また、２５％の場合には、ＯＮ期間を１５０ｍｓとし、ＯＦＦ期間を４５０ｍｓとする。また、２３％の場合には、ＯＮ期間を１５０ｍｓとし、ＯＦＦ期間を５００ｍｓとする。また、２１％の場合には、ＯＮ期間を１５０ｍｓとし、ＯＦＦ期間を５５０ｍｓとする。
【００５４】
本実施形態において、制御部１００は、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した場合に探索処理を開始する。
【００５５】
制御部１００は、探索処理において、探索処理を開始してから検知温度Ｔが第１温度ＴＴから最初に変化するまでの間、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢ（３０％）から徐々に減少させる。このとき、制御部１００は、第３デューティ比ＤＳ（２０％）以上かつ第１デューティ比ＤＢ（３０％）以下の所定のデューティ比を、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎの初期値とする。本実施形態において、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎの初期値は２１％である。すなわち、制御部１００は、探索処理において、探索処理を開始してから検知温度Ｔが第１温度ＴＴから他の温度に最初に変化するまでの間、制御デューティ比を３０％から下限値２１％に向けて、例えば、３０％、２７％、２５％、２３％、２１％と段階的に減少させる。
【００５６】
また、制御部１００は、探索処理において、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから最初に変化してから第１温度ＴＴに戻るまでの間、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢ（３０％）より１段階大きいデューティ比である３１％から徐々に増加させる。このとき、制御部１００は、第２デューティ比ＤＬ（４０％）を、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘの初期値とする。すなわち、制御部１００は、探索処理において、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから最初に変化してから再び第１温度ＴＴに戻るまでの間、制御デューティ比を、上限値４０％に向けて、例えば、３１％、３３％、３６％、４０％と段階的に増加させる。
【００５７】
また、制御部１００は、探索処理において、検知温度Ｔが下がった場合、検知温度Ｔが下がった時点のデューティ比より１段階大きいデューティ比を制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎに設定する。例えば、制御部１００は、検知温度Ｔが下がった時点の制御デューティ比が２１％であった場合、これより１段階大きいデューティ比２３％を制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎに設定する。
【００５８】
また、制御部１００は、探索処理において、検知温度Ｔが上がった場合、検知温度Ｔが上がった時点のデューティ比より１段階小さいデューティ比を制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘに設定する。例えば、制御部１００は、検知温度Ｔが上がった時点の制御デューティ比が４０％であった場合、これより１段階小さいデューティ比３６％を制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘに設定する。
【００５９】
通電処理は、所定の制御デューティ比に基づいてヒータ８３への通電を行う処理である。制御部１００は、探索処理により制御デューティ比（安定デューティ比を含む）が新たに決定された場合、制御デューティ比を、新たに設定された制御デューティ比として通電処理を実行する。制御部１００は、今回の制御サイクルで決定した制御デューティ比に基づくヒータ８３への通電を次回の制御サイクルで実行する。
【００６０】
なお、図４に示すように、本実施形態において、制御部１００は、デューティ制御のＯＮ期間の前および後で、交流電源の電圧波形の位相に基づく位相制御を実行する。制御部１００は、位相制御において、ＯＮ期間に近いほど位相角（位相制御における通電時間）を大きくしてヒータ８３への通電を行う。具体的には、制御部１００は、ＯＮ期間の前においては時間が経過するのに伴って（ＯＮ期間に近づくほど）通電時間を大きくしてヒータ８３への通電を行い、ＯＮ期間の後においては時間が経過するのに伴って（ＯＮ期間から離れるほど）通電時間を小さくしてヒータ８３への通電を行う。本発明において、デューティ制御のＯＮ期間は、位相制御によってヒータ８３に通電される期間を含まない。
【００６１】
次に、本実施形態における制御部１００の動作（レーザプリンタ１の制御方法）について、図５〜図８に示すフローチャートを参照して説明する。
図５に示すように、制御部１００は、印刷の指令や画像データを含む印刷ジョブを受信してヒータ８３の制御を開始した場合、まず、検知温度Ｔが第１温度ＴＴ未満であるか否かを判定する（Ｓ１）。検知温度Ｔが第１温度ＴＴ未満である場合（Ｓ１，Ｙｅｓ）、制御部１００は、昇温制御を実行する（Ｓ２）。具体的には、制御部１００は、第１温度ＴＴと検知温度Ｔとの差に応じてＰＩ制御やＰＩＤ制御などによって設定した制御デューティ比でヒータ８３を制御する。そして、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達したか否かを判定し（Ｓ３）、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達していない場合（Ｓ３，Ｎｏ）、昇温制御（Ｓ２）を継続する。
【００６２】
なお、ステップＳ１で検知温度Ｔが第１温度ＴＴ未満でない場合（Ｓ１，Ｎｏ）、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴであるか否かを判定する（Ｓ４）。そして、検知温度Ｔが第１温度ＴＴでない場合（Ｓ４，Ｎｏ）、すなわち、検知温度Ｔが第１温度ＴＴより高い場合、制御デューティ比（Ｄｕｔｙ）を０％にしてヒータ８３への通電をＯＦＦとし（Ｓ５）、ステップＳ１からの処理を繰り返す。
【００６３】
ステップＳ４で検知温度Ｔが第１温度ＴＴである場合（Ｓ４，Ｙｅｓ）、または、ステップＳ３で検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した場合（Ｓ３，Ｙｅｓ）、制御部１００は、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢにしてヒータ８３を制御する（Ｓ６）。
【００６４】
次に、図６に示すように、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比にしてヒータ８３を制御する（Ｓ１０１）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続するか否か、具体的には、受信した印刷ジョブの処理を継続するか否かを判定する（Ｓ１０２）。ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ１０２，Ｙｅｓ）、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから他の温度に変化したか否かを判定する（Ｓ１０３）。
【００６５】
そして、検知温度Ｔが変化しない場合（Ｓ１０３，Ｎｏ）、制御部１００は、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達しているか否かを判定し（Ｓ１０４）、下限値Ｄｍｉｎに到達していない場合（Ｓ１０４，Ｎｏ）、ステップＳ１０１からの処理を繰り返す。一方、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達している場合（Ｓ１０４，Ｙｅｓ）、制御部１００は、制御デューティ比を下限値Ｄｍｉｎに維持してヒータ８３を制御し（Ｓ１０５）、ステップＳ１０２からの処理を繰り返す。
【００６６】
ステップＳ１０３で検知温度Ｔが第１温度ＴＴから他の温度に変化した場合（Ｙｅｓ）、図７に示すように、制御部１００は、検知温度Ｔが下降したか否かを判定する（Ｓ１１０）。そして、検知温度Ｔが下降した場合（Ｓ１１０，Ｙｅｓ）、制御部１００は、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎを、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下降した時点の制御デューティ比より１段階大きいデューティ比に設定する（Ｓ１２１）。また、制御部１００は、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きいデューティ比、または、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘのうち、小さい方にしてヒータ８３を制御する（Ｓ１２２）。
【００６７】
その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ったか否かを判定し（Ｓ１２３）、第１温度ＴＴに戻った場合（Ｓ１２３，Ｙｅｓ）、ステップＳ１１０からの処理を繰り返す。一方、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻っていない場合（Ｓ１２３，Ｎｏ）、制御デューティ比が上限値Ｄｍａｘに到達しているか否かを判定する（Ｓ１２４）。そして、制御部１００は、制御デューティ比が上限値Ｄｍａｘに到達していない場合（Ｓ１２４，Ｎｏ）、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比にしてヒータ８３を制御し（Ｓ１２５）、制御デューティ比が上限値Ｄｍａｘに到達している場合（Ｓ１２４，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を上限値Ｄｍａｘに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ１２６）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ１２７，Ｙｅｓ）、ステップＳ１２３からの処理を繰り返す。
【００６８】
一方、ステップＳ１１０で検知温度Ｔが下降しなかった場合（Ｓ１１０，Ｎｏ）、すなわち、検知温度Ｔが上昇した場合、図８に示すように、制御部１００は、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘを、検知温度Ｔが第３温度ＴＨに上昇した時点の制御デューティ比より１段階小さいデューティ比に設定する（Ｓ１３１）。また、制御部１００は、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢ、または、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎのうち、大きい方にしてヒータ８３を制御する（Ｓ１３２）。
【００６９】
その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ったか否かを判定し（Ｓ１３３）、第１温度ＴＴに戻った場合（Ｓ１３３，Ｙｅｓ）、図７のステップＳ１１０からの処理を繰り返す。一方、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻っていない場合（Ｓ１３３，Ｎｏ）、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達しているか否かを判定する（Ｓ１３４）。そして、制御部１００は、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達していない場合（Ｓ１３４，Ｎｏ）、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比にしてヒータ８３を制御し（Ｓ１３５）、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達している場合（Ｓ１３４，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を下限値Ｄｍｉｎに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ１３６）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ１３７，Ｙｅｓ）、ステップＳ１３３からの処理を繰り返す。
【００７０】
なお、制御部１００は、受信した印刷ジョブの処理が終了した場合には、図６のステップＳ１０２、図７のステップＳ１２７、図８のステップＳ１３７においてヒータ８３の制御を継続しないと判定し（Ｎｏ）、ヒータ８３の制御の処理を終了する。
【００７１】
次に、本実施形態における制御部１００の動作について、図９〜図１１に示すタイミングチャートを参照して説明する。なお、図９〜図１１および後で参照する図１５〜図１７において、上のタイミングチャートに太い実線で示した温度は、温度検知部９の検知温度Ｔではなく、加熱部８１の実際の温度（温度傾向）を示している。いわば、温度検知部９よりも分解能の高い温度センサ用いて測定した加熱部８１の温度である。
【００７２】
また、Ｄｕｔｙの黒い点は、１つがデューティ制御の１周期を示しており、本実施形態では、黒い点４つ分がヒータ制御の１制御サイクルを示している。また、右上がりのハッチングを付した制御デューティ比は、その時点の上限値Ｄｍａｘを示しており、右下がりのハッチングを付した制御デューティ比は、その時点の下限値Ｄｍｉｎ値を示している。また、ドットのハッチングを付した制御デューティ比は、安定デューティ比を示している。
【００７３】
図９に示す第１の例では、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達すると（ｔ１０）、制御部１００は、制御デューティ比を、直前の昇温制御による４０％から、第１デューティ比ＤＢ（３０％）とする。その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比に２７％、２５％、２３％、２１％と段階的に減少させていき、下限値Ｄｍｉｎ（初期値２１％）に到達すると、制御デューティ比を２１％に維持する。
【００７４】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第２温度ＴＬに下降すると（ｔ１１）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の２１％より１段階大きい２３％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きいデューティ比である３１％、または、上限値Ｄｍａｘ（初期値４０％）のうち、小さい方である３１％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比（３３％）に増加させる。
【００７５】
その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬから第１温度ＴＴに上昇すると（ｔ１２）、制御部１００は、上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の３３％より１段階小さい３１％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢ（３０％）、または、下限値Ｄｍｉｎ（２３％）のうち、大きい方である３０％とする。
【００７６】
その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比に２７％、２５％、２３％と段階的に減少させていき、下限値Ｄｍｉｎ（２３％）に到達すると、制御デューティ比を２３％に維持する。
【００７７】
この例では、制御デューティ比が２３％に維持されると、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持される。すなわち、この例では、２３％が安定デューティ比である。
【００７８】
図１０に示す第２の例では、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達すると（ｔ２０）、制御部１００は、制御デューティ比を３０％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比（２７％）に減少させる。
【００７９】
その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下降すると（ｔ２１）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の２７％より１段階大きい３０％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きい３１％、または、上限値Ｄｍａｘ（初期値４０％）のうち、小さい方である３１％とする。その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比に３３％、３６％、４０％と段階的に上昇させていく。
【００８０】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに上昇すると（ｔ２２）、制御部１００は、上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の４０％より１段階小さい３６％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢであり、かつ、下限値Ｄｍｉｎでもある３０％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎが３０％であるので、制御デューティ比を３０％に維持する。
【００８１】
その後、検知温度Ｔが再び第２温度ＴＬに下降すると（ｔ２３）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の３０％より１段階大きい３１％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きい３１％、または、上限値３６％のうち、小さい方である３１％とする。その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比に３３％、３６％と段階的に上昇させていき、上限値Ｄｍａｘ（３６％）に到達すると、制御デューティ比を３６％に維持する。
【００８２】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに上昇すると（ｔ２４）、制御部１００は、上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の３６％より１段階小さい３３％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比３０％または下限値３１％のうち、大きい方である３１％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎが３１％であるので、制御デューティ比を３１％に維持する。
【００８３】
その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬになると（ｔ２５）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の３１％より１段階大きい３３％に設定するとともに、制御デューティ比を、下限値Ｄｍｉｎであり、かつ、上限値Ｄｍａｘでもある３３％とする。
【００８４】
この例では、制御デューティ比が３３％に維持されると、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻り（ｔ２５以降）、そのまま第１温度ＴＴに維持される。すなわち、この例では、３３％が安定デューティ比である。
【００８５】
図１１に示す第３の例では、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達すると（ｔ３０）、制御部１００は、制御デューティ比を３０％とする。その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比に２７％、２５％、２３％と段階的に減少させていく。
【００８６】
その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下降すると（ｔ３１）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎ（初期値２１％）を温度下降時の２３％より１段階大きい２５％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きい３１％、または、上限値Ｄｍａｘ（初期値４０％）のうち、小さい方である３１％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、制御デューティ比を３１％より１段階大きい３３％とする。
【００８７】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに上昇すると（ｔ３２）、制御部１００は、上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の３３％より１段階小さい３１％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比３０％または下限値２５％のうち、大きい方である３０％とする。その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比に２７％、２５％と段階的に減少させていき、下限値Ｄｍｉｎ（２５％）に到達すると、制御デューティ比を２５％に維持する。
【００８８】
その後、検知温度Ｔが再び第２温度ＴＬに下降すると（ｔ３３）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の２５％より１段階大きい２７％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きいデューティ比であり、かつ、上限値Ｄｍａｘでもある３１％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、このときの上限値Ｄｍａｘが３１％であるので、制御デューティ比を３１％に維持する。
【００８９】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに上昇すると（ｔ３４）、制御部１００は、上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の３１％より１段階小さい３０％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比３０％または下限値２７％のうち、大きい方である３０％とする。次の制御サイクルで、制御部１００は、制御デューティ比を３０％より１段階小さい２７％とし、その後、下限値Ｄｍｉｎが２７％であるので、制御デューティ比を２７％に維持する。
【００９０】
その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下降すると（ｔ３５）、制御部１００は、下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の２７％より１段階大きい３０％に設定するとともに、制御デューティ比を、第１デューティ比ＤＢより１段階大きい３１％、または、上限値３０％のうち、小さい方である３０％とする。その後は、制御部１００は、３０％が上限値Ｄｍａｘであり、かつ、下限値Ｄｍｉｎでもあるので、制御デューティ比を３０％に維持する。
【００９１】
この例では、制御デューティ比が３０％に維持されると、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻り（ｔ３６）、そのまま第１温度ＴＴに維持される。すなわち、この例では、３０％が安定デューティ比である。
【００９２】
以上説明した本実施形態によれば、探索処理により、検知温度Ｔを第１温度ＴＴに維持する、すなわち、加熱部８１の温度を所望の温度に維持するのに最適な最小の制御デューティ比（安定デューティ比）を決定することができるので、定着器８における電力消費を抑制することができる。
【００９３】
また、例えば、図９のｔ１０〜ｔ１１に示したように、探索処理において、探索処理を開始してから検知温度Ｔが第１温度ＴＴから最初に変化するまでの間は、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢ（３０％）から下限値Ｄｍｉｎ（２１％）に向けて徐々に減少させるので、安定デューティ比を第１デューティ比ＤＢから徐々に増加させて探索する場合と比較して、探索中の制御デューティ比を小さくすることができる。これにより、定着器８における電力消費を抑制することができる。
【００９４】
また、検知温度Ｔが下がった時点のデューティ比では、制御デューティ比が小さかったことが分かるので、それより１段階大きいデューティ比を制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎに設定することで、検知温度Ｔが下がった時点のデューティ比を安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。同様に、検知温度Ｔが上がった時点のデューティ比では、制御デューティ比が大きかったことが分かるので、それより１段階小さいデューティ比を制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘに設定することで、検知温度Ｔが上がった時点のデューティ比を安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。これにより、安定デューティ比を早期に決定することができる。
【００９５】
また、図４に示したように、デューティ制御のＯＮ期間の前後で位相制御を実行するので、デューティ制御におけるＯＮ期間の開始時や終了時に電源電圧が急激に変動するのを抑制することができる。これにより、同じ電源電圧から電力が供給される機器への影響、例えば、蛍光灯のちらつき（いわゆるフリッカー）などを抑制することができる。
【００９６】
次に、第２実施形態について説明する。なお、本実施形態では、前記した第１実施形態と同様の点については同一の符号を付すなどして適宜説明を省略し、第１実施形態と異なる点について詳細に説明する。
【００９７】
本実施形態において、制御部１００は、昇温制御により検知温度Ｔが第２温度ＴＬから上昇し、第１温度ＴＴに到達した場合に、まず、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢとする。
【００９８】
その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した時点から所定時間ＴＰが経過するまでの間に、検知温度Ｔが第２温度ＴＬまたは第３温度ＴＨに変化した場合に、探索処理を開始する。言い換えると、本実施形態において、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した時点から所定時間ＴＰが経過するまでの間に、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから変化しない場合には、第１デューティ比ＤＢがすでに安定デューティ比であるとみなし、探索処理を実行しない。所定時間ＴＰは、例えば、５秒である。
【００９９】
また、本実施形態において、制御部１００は、探索処理を実行する場合において、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第２温度ＴＬに下がったことを条件として探索処理を開始した場合、制御デューティ比を第２デューティ比ＤＬ（４０％）から徐々に減少させる。このとき、制御部１００は、制御デューティ比を第２デューティ比ＤＬから徐々に減少させる場合の制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎの初期値を、第１デューティ比ＤＢ（３０％）より１段階大きいデューティ比である３１％に設定する。すなわち、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第２温度ＴＬに下がって探索処理を開始した場合、制御デューティ比を、４０％から下限値３１％に向けて、４０％、３６％、３３％、３１％と段階的に減少させる。
【０１００】
制御部１００は、検知温度Ｔが再び第２温度ＴＬに下がった場合、検知温度Ｔが下がった時点のデューティ比より１段階大きいデューティ比を制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎに設定する。例えば、制御部１００は、検知温度Ｔが下がった時点の制御デューティ比が３１％であった場合、これより１段階大きいデューティ比３３％を制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎに設定する。
【０１０１】
また、制御部１００は、探索処理において、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第３温度ＴＨに上がったことを条件として探索処理を開始した場合、制御デューティ比を第３デューティ比ＤＳ（２０％）から徐々に増加させる。このとき、制御部１００は、制御デューティ比を第３デューティ比ＤＳから徐々に増加させる場合の制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘの初期値を、第１デューティ比ＤＢ（３０％）より１段階小さいデューティ比である２７％に設定する。すなわち、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第３温度ＴＨに上がって探索処理を開始した場合、制御デューティ比を、２０％から上限値２７％に向けて、２０％、２１％、２３％、２５％、２７％と段階的に増加させる。
【０１０２】
制御部１００は、検知温度Ｔが再び第３温度ＴＨに上がった場合、検知温度Ｔが上がった時点のデューティ比より１段階小さいデューティ比を制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘに設定する。例えば、制御部１００は、検知温度Ｔが上がった時点の制御デューティ比が２７％であった場合、これより１段階小さいデューティ比２５％を制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘに設定する。
【０１０３】
次に、本実施形態における制御部１００の動作について、図５および図１２〜図１４に示すフローチャートを参照して説明する。
図５に示すように、制御部１００は、昇温制御（Ｓ２）により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した場合（Ｓ３，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢにしてヒータ８３を制御する（Ｓ６）。
【０１０４】
その後、図１２に示すように、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから、第２温度ＴＬまたは第３温度ＴＨに変化したか否かを判定する（Ｓ２０１）。検知温度Ｔが第１温度ＴＴから変化しない場合（Ｓ２０１，Ｎｏ）、制御部１００は、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ２０３）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ２０４，Ｙｅｓ）、ステップＳ２０１からの処理を繰り返す。
【０１０５】
検知温度Ｔが第１温度ＴＴから、第２温度ＴＬまたは第３温度ＴＨに変化した場合（Ｓ２０１，Ｙｅｓ）、制御部１００は、検知温度Ｔが昇温制御により第１温度ＴＴに到達してから所定時間ＴＰが経過しているか否かを判定する（Ｓ２０２）。所定時間ＴＰが経過している場合（Ｓ２０２，Ｙｅｓ）、制御部１００は、ステップＳ２０３からの処理を繰り返す。一方、検知温度Ｔが変化したのが所定時間ＴＰが経過する前であった場合（Ｓ２０２，Ｎｏ）、制御部１００は、第１温度ＴＴからの変化後の検知温度Ｔが第２温度ＴＬであるか否かを判定する（Ｓ２１０）。
【０１０６】
変化後の検知温度Ｔが第２温度ＴＬである場合（Ｓ２１０，Ｙｅｓ）、図１３に示すように、制御部１００は、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎを、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下降した時点の制御デューティ比より１段階大きいデューティ比に設定する（Ｓ２２１）。また、制御部１００は、制御デューティ比を第２デューティ比ＤＬにしてヒータ８３を制御する（Ｓ２２２）。
【０１０７】
その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第２温度ＴＬから第１温度ＴＴに戻ったか否かを判定し（Ｓ２２３）、検知温度Ｔが第２温度ＴＬのままである場合（Ｓ２２３，Ｎｏ）、制御デューティ比を第２デューティ比ＤＬに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ２２４）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ２２５，Ｙｅｓ）、ステップＳ２２３からの処理を繰り返す。
【０１０８】
そして、制御部１００は、検知温度Ｔが第２温度ＴＬから第１温度ＴＴに戻った場合（Ｓ２２３，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比にしてヒータ８３を制御する（Ｓ２２６）。その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから再び第２温度ＴＬに下降したか否かを判定し（Ｓ２２７）、検知温度Ｔが再び第２温度ＴＬに下降した場合（Ｓ２２７，Ｙｅｓ）、ステップＳ２２１からの処理を繰り返す。
【０１０９】
一方、検知温度Ｔが第１温度ＴＴのままである場合（Ｓ２２７，Ｎｏ）、制御部１００は、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達しているか否かを判定する（Ｓ２２８）。そして、制御部１００は、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達していない場合（Ｓ２２８，Ｎｏ）、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比にしてヒータ８３を制御し（Ｓ２２９）、制御デューティ比が下限値Ｄｍｉｎに到達している場合（Ｓ２２８，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を下限値Ｄｍｉｎに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ２３０）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ２３１，Ｙｅｓ）、ステップＳ２２７からの処理を繰り返す。
【０１１０】
一方、図１２のステップＳ２１０で第１温度ＴＴからの変化後の検知温度Ｔが第２温度ＴＬでない場合（Ｓ２１０，Ｎｏ）、すなわち、第３温度ＴＨである場合、図１４に示すように、制御部１００は、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘを、検知温度Ｔが第３温度ＴＨに上昇した時点の制御デューティ比より１段階小さいデューティ比に設定する（Ｓ２４１）。また、制御部１００は、制御デューティ比を第３デューティ比ＤＳにしてヒータ８３を制御する（Ｓ２４２）。
【０１１１】
その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第３温度ＴＨから第１温度ＴＴに戻ったか否かを判定し（Ｓ２４３）、検知温度Ｔが第３温度ＴＨのままである場合（Ｓ２４３，Ｎｏ）、制御デューティ比を第３デューティ比ＤＳに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ２４４）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ２４５，Ｙｅｓ）、ステップＳ２４３からの処理を繰り返す。
【０１１２】
そして、制御部１００は、検知温度Ｔが第３温度ＴＨから第１温度ＴＴに戻った場合（Ｓ２４３，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比にしてヒータ８３を制御する（Ｓ２４６）。その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから再び第３温度ＴＨに上昇したか否かを判定し（Ｓ２４７）、検知温度Ｔが再び第３温度ＴＨに上昇した場合（Ｓ２４７，Ｙｅｓ）、ステップＳ２４１からの処理を繰り返す。
【０１１３】
一方、検知温度Ｔが第１温度ＴＴのままである場合（Ｓ２４７，Ｎｏ）、制御部１００は、制御デューティ比が上限値Ｄｍａｘに到達しているか否かを判定する（Ｓ２４８）。そして、制御部１００は、制御デューティ比が上限値Ｄｍａｘに到達していない場合（Ｓ２４８，Ｎｏ）、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比にしてヒータ８３を制御し（Ｓ２４９）、制御デューティ比が上限値Ｄｍａｘに到達している場合（Ｓ２４８，Ｙｅｓ）、制御デューティ比を上限値Ｄｍａｘに維持してヒータ８３を制御する（Ｓ２５０）。その後、制御部１００は、ヒータ８３の制御を継続する場合（Ｓ２５１，Ｙｅｓ）、ステップＳ２４７からの処理を繰り返す。
【０１１４】
なお、制御部１００は、図１２のステップＳ２０４、図１３のステップＳ２２５，Ｓ２３１、図１４のステップＳ２４５，Ｓ２５１においてヒータ８３の制御を継続しないと判定した場合（Ｎｏ）、ヒータ８３の制御の処理を終了する。
【０１１５】
次に、本実施形態における制御部１００の動作について、図１５〜図１７に示すタイミングチャートを参照して説明する。
図１５に示す第１の例では、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達すると（ｔ４０）、制御部１００は、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢ（３０％）とする。その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した時点から所定時間ＴＰが経過せず、かつ、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから他の温度に変化しない間は、制御デューティ比を３０％に維持する。
【０１１６】
そして、所定時間ＴＰが経過する前に、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第３温度ＴＨに上昇した場合（ｔ４１）、制御部１００は、探索処理を開始する。そして、この場合、制御部１００は、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘの初期値を温度上昇時の３０％より１段階小さい２７％に設定するとともに、制御デューティ比を、第３デューティ比ＤＳ（２０％）とする。
【０１１７】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ると（ｔ４２）、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比（２１％）に増加させる。その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持されている間は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比に２３％、２５％、２７％と段階的に増加させていき、上限値Ｄｍａｘ（２７％）に到達すると、制御デューティ比を２７％に維持する。
【０１１８】
その後、検知温度Ｔが第３温度ＴＨに上昇すると（ｔ４３）、制御部１００は、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の２７％より１段階小さい２５％に設定するとともに、制御デューティ比を、第３デューティ比ＤＳ（２０％）とする。その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ると（ｔ４４）、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比（２１％）に増加させる。その後、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比に２３％、２５％と段階的に増加させていき、上限値Ｄｍａｘ（２５％）に到達すると、制御デューティ比を２５％に維持する。
【０１１９】
その後、検知温度Ｔが第３温度ＴＨに上昇すると（ｔ４５）、制御部１００は、制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘを温度上昇時の２５％より１段階小さい２３％に設定するとともに、制御デューティ比を、第３デューティ比ＤＳ（２０％）とする。その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ると（ｔ４６）、制御部１００は、制御デューティ比を１段階大きいデューティ比（２１％）に増加させる。次の制御サイクルで、制御部１００は、制御デューティ比を２１％より１段階大きい２３％とし、その後、上限値Ｄｍａｘが２３％であるので、制御デューティ比を２３％に維持する。
【０１２０】
この例では、制御デューティ比が２３％に維持されると、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持される。すなわち、この例では、２３％が安定デューティ比である。
【０１２１】
図１６に示す第２の例では、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達すると（ｔ５０）、制御部１００は、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢ（３０％）とする。次の制御サイクルでも、制御部１００は、制御デューティ比を３０％とする。
【０１２２】
その後、所定時間ＴＰが経過する前に、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第２温度ＴＬに下降した場合（ｔ５１）、制御部１００は、探索処理を開始する。そして、この場合、制御部１００は、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎの初期値を温度下降時の３０％より１段階大きい３１％に設定するとともに、制御デューティ比を、第２デューティ比ＤＬ（４０％）とする。次の制御サイクルでも、制御部１００は、制御デューティ比を４０％とする。
【０１２３】
その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ると（ｔ５２）、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比（３６％）に減少させる。その後、制御部１００は、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持されている間は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比に３３％、３１％と段階的に減少させていき、下限値Ｄｍｉｎ（３１％）に到達すると、制御デューティ比を３１％に維持する。
【０１２４】
その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下降すると（ｔ５３）、制御部１００は、制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎを温度下降時の３１％より１段階大きい３３％に設定するとともに、制御デューティ比を、第２デューティ比ＤＬ（４０％）とする。その後、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに戻ると（ｔ５４）、制御部１００は、制御デューティ比を１段階小さいデューティ比（３６％）に減少させる。次の制御サイクルで、制御部１００は、制御デューティ比を３６％より１段階小さい３３％とし、その後、下限値Ｄｍｉｎが３３％であるので、制御デューティ比を３３％に維持する。
【０１２５】
この例では、制御デューティ比が３３％に維持されると、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持される。すなわち、この例では、３３％が安定デューティ比である。
【０１２６】
図１７に示す第３の例では、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達すると（ｔ６０）、制御部１００は、制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢ（３０％）とする。その後、所定時間ＴＰが経過する前に、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから他の温度に変化しなかったため、制御部１００は、探索処理を開始せず、制御デューティ比を３０％に維持する。この例では、維持制御が開始されて最初に設定された第１デューティ比ＤＢ（３０％）が安定デューティ比であるということなので、不要に探索処理が開始されることはない。
【０１２７】
以上説明した本実施形態によれば、前記した第１実施形態と同様に、探索処理により、最適な最小の制御デューティ比（安定デューティ比）を決定することができるので、定着器８における電力消費を抑制することができる。
【０１２８】
また、図１５に示したように、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第３温度ＴＨに上がった場合には、上がった時点の制御デューティ比が大きかったことが分かるので、制御デューティ比を、小さい第３デューティ比ＤＳ（２０％）から徐々に増加させることで、検知温度Ｔのそれ以上の上昇を抑えつつ、第１デューティ比ＤＢ（３０％）から増減させる場合よりも安定デューティ比を早期に決定することができる。
【０１２９】
また、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第３温度ＴＨに上がった場合には、制御デューティ比としての第１デューティ比ＤＢ（３０％）が大きかったことが分かるので、第１デューティ比ＤＢより１段階小さいデューティ比（２７％）を制御デューティ比の上限値Ｄｍａｘの初期値に設定することで、第１デューティ比ＤＢを安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。これにより、安定デューティ比を早期に決定することができる。
【０１３０】
また、図１６に示したように、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第２温度ＴＬに下がった場合には、下がった時点の制御デューティ比が小さかったことが分かるので、制御デューティ比を、大きい第２デューティ比ＤＬ（４０％）から徐々に減少させることで、検知温度Ｔのそれ以上の低下を抑えつつ、第１デューティ比ＤＢ（３０％）から増減させる場合よりも安定デューティ比を早期に決定することができる。
【０１３１】
また、検知温度Ｔが第１温度ＴＴから第２温度ＴＬに下がった場合には、制御デューティ比としての第１デューティ比ＤＢ（３０％）が小さかったことが分かるので、第１デューティ比ＤＢより１段階大きいデューティ比（３１％）を制御デューティ比の下限値Ｄｍｉｎの初期値に設定することで、第１デューティ比ＤＢを安定デューティ比の選択肢から排除して、安定デューティ比を絞り込むことができる。これにより、安定デューティ比を早期に決定することができる。
【０１３２】
また、図１７に示したように、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した場合に制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢとし、その後、検知温度Ｔが所定時間ＴＰ内に変化しない場合には、探索処理を開始しないので、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持されている場合に不要に探索処理が開始されるのを抑制することができる。
【０１３３】
以上に発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではない。具体的な構成については発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
【０１３４】
例えば、制御部１００は、前記した第２実施形態における所定時間ＴＰに関わらず、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した場合に制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢとし、その後、検知温度Ｔが第２温度ＴＬに下がった場合に探索処理を開始するようにしてもよい。また、制御部１００は、所定時間ＴＰに関わらず、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した場合に制御デューティ比を第１デューティ比ＤＢとし、その後、検知温度Ｔが第３温度ＴＨに上がった場合に探索処理を開始するようにしてもよい。すなわち、本発明は、図１２のステップＳ２０２の処理を省略して実施することもできる。これによれば、昇温制御により検知温度Ｔが第１温度ＴＴに到達した後に第２温度ＴＬや第３温度ＴＨに変化しない場合、すなわち、検知温度Ｔが第１温度ＴＴに維持されている場合に不要に探索処理が開始されるのを抑制することができる。
【０１３５】
また、前記実施形態では、制御部１００は、探索処理において、ＯＮ期間を変化させず、ＯＦＦ期間を増加させることで、デューティ比を変化させたが、ＯＮ期間を変化させず、ＯＦＦ期間を減少させることで、デューティ比を変化させてもよい。また、ＯＮ期間を固定せずに増加または減少させてもよい。
【０１３６】
また、前記実施形態では、制御部１００は、ＯＮ期間の前および後の両方で位相制御を実行したが、ＯＮ期間の前だけで位相制御を実行してもよいし、ＯＮ期間の後だけで位相制御を実行してもよい。また、ＯＮ期間の前後で位相制御を実行しない構成であってもよい。
【０１３７】
また、前記実施形態では、検知温度Ｔが昇温制御により第２温度ＴＬから上昇し、第１温度ＴＴに到達したことを条件として探索処理を開始したが、これに限定されない。例えば、検知温度Ｔが昇温制御により第１温度ＴＴより高い温度となった後、制御デューティ比を０％にするなどしたことで検知温度Ｔが第３温度ＴＨから下降し、第１温度ＴＴに到達したことを条件として探索処理を開始してもよい。
【０１３８】
また、前記実施形態では、制御デューティ比に基づくヒータ８３への通電の方法としてデューティ制御を例示したが、位相制御や波数制御などであってもよい。そして、位相制御の場合には、一定の周期ごとに、制御デューティ比に応じて位相角を変更すればよい。また、波数制御の場合には、制御デューティ比に応じて波数および／または周期を変更すればよい。
【０１３９】
また、前記実施形態では、温度検知部９が、加熱部８１の温度を検知するように設けられていたが、温度検知部９は、加圧部８２やヒータ８３などの温度を検知するように設けられていてもよい。また、温度検知部は、サーミスタ以外の温度センサであってもよい。また、前記実施形態では、温度検知部９が、非接触式の温度センサであったが、接触式の温度センサであってもよい。
【０１４０】
また、前記実施形態では、加熱部８１として加熱ローラを例示したが、加熱部は、無端状の加熱ベルトを含む加熱ユニットなどであってもよい。また、前記実施形態では、加圧部８２として加圧ローラを例示したが、加圧部は、無端状の加圧ベルトを含む加圧ユニットなどであってもよい。
【０１４１】
また、前記実施形態では、定着器８が１つのヒータ８３を有する構成であったが、複数のヒータ８３を有する構成であってもよい。また、前記実施形態では、ヒータ８３として、輻射熱を利用するハロゲンヒータを例示したが、ヒータは、抵抗体の発熱を利用するセラミックヒータやカーボンヒータ、誘導加熱を利用するＩＨヒータなどであってもよい。また、ヒータは、加熱部の内側ではなく、加熱部の外側に配置されていてもよい。
【０１４２】
また、前記実施形態では、画像形成装置として、シートＳにモノクロの画像を形成するレーザプリンタ１を例示したが、画像形成装置は、シートにカラーの画像を形成可能なプリンタであってもよい。また、画像形成装置は、プリンタに限定されず、例えば、フラットベッドスキャナなどの原稿読取装置を備える複写機や複合機などであってもよい。
【０１４３】
また、前記した実施形態および変形例で説明した各要素は、適宜組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０１４４】
１      レーザプリンタ
８      定着器
９      温度検知部
８１    加熱部
８２    加圧部
８３    ヒータ
１００  制御部
Ｓ      シート
【図１】
2020160407.tif 000003
【図２】
2020160407.tif 000004
【図３】
2020160407.tif 000005
【図４】
2020160407.tif 000006
【図５】
2020160407.tif 000007
【図６】
2020160407.tif 000008
【図７】
2020160407.tif 000009
【図８】
2020160407.tif 000010
【図９】
2020160407.tif 000011
【図１０】
2020160407.tif 000012
【図１１】
2020160407.tif 000013
【図１２】
2020160407.tif 000014
【図１３】
2020160407.tif 000015
【図１４】
2020160407.tif 000016
【図１５】
2020160407.tif 000017
【図１６】
2020160407.tif 000018
【図１７】
2020160407.tif 000019