(57)【要約】      （修正有）【課題】基材の反りの増大を抑制しつつ遮光性に優れる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電気光学装置を備える電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、透光性の基材２１と、透光性の画素電極と、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する回路とを備え、前記基材２１は、第１凹部２１１と第２凹部２１２を有し、前記第１凹部２１１に配置され、前記基材２１の厚さ方向からの平面視において前記スイッチング素子と重なる第１遮光体３１と、前記第２凹部２１２に配置され、前記基材２１に接触し、前記平面視において前記回路と重なる第２遮光体３２と、を備え、前記第１遮光体３１の厚さと前記第２遮光体３２の厚さは、互いに異なる。【選択図】図８
2020134611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の基材と、
透光性の画素電極と、
前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を駆動する回路とを備え、
前記基材は、第１凹部と第２凹部を有し、前記第１凹部に配置され、前記基材の厚さ方向からの平面視において前記スイッチング素子と重なる第１遮光体と、前記第２凹部に配置され、前記基材前記平面視において前記回路と重なる第２遮光体と、を備え、
前記第１遮光体の厚さと前記第２遮光体の厚さは、互いに異なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１遮光体の厚さは、前記第２遮光体の厚さよりも厚い請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２遮光体の厚さは、前記第１遮光体の厚さよりも厚い請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記基材は、前記画素電極と前記スイッチング素子が配置される表示領域と、前記回路が配置される周辺領域を備え、
前記第１凹部は、前記平面視において前記スイッチング素子と重なる位置に配置され、
前記第２凹部は、前記平面視において前記回路と重なる位置に配置され、
前記第１遮光体は、前記第１凹部の内部に配置され、
前記第２遮光体は、前記第２凹部の内部に配置される請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１凹部の底面は、平坦である請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２凹部の底面は、平坦である請求項４または５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
透光性の基材を用意する工程と、
前記基材に、第１凹部と第２凹部を形成する工程と、
前記第１凹部に第１遮光体、および前記第２凹部に第２遮光体を形成する工程と、
前記基材上に、透光性の画素電極、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子、および前記スイッチング素子を駆動する回路を形成する工程と、を含み、
前記第１遮光体は、前記基材の厚さ方向からの平面視において前記スイッチング素子と重なり、
前記第２遮光体は、前記平面視において前記スイッチング素子と重なり、
前記第１遮光体の厚さと前記第２遮光体の厚さは、互いに異なることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１凹部および前記第２凹部は、ハードマスクを用いてエッチングにより形成される請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置が知られている。液晶装置は、例えばプロジェクターのライトバルブとして用いられる。特許文献１には、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶とを有する電気光学装置が開示される。当該素子基板は、石英基板と、石英基板と離間してマトリクス状に配置される複数の画素電極と、画素電極ごとに対応して配置されるＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備える。また、特許文献１に記載の素子基板は、ＴＦＴへの光の入射を抑制するため、金属等で構成される遮光膜を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５０２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＴＦＴに対する遮光性を高めるには、遮光膜の厚さを厚くすることが考えられる。また、ＴＦＴ以外に、例えばＴＦＴを駆動する回路等への光の入射を抑制することが望まれている。そのため、ＴＦＴに対応して配置される遮光膜の他に、回路等に対応して配置される遮光膜を設ける必要がある。しかし、遮光膜の厚さを厚くしたり、遮光膜の配置箇所を増やしたりする場合、遮光膜の厚さが一様であると、基材に生じる応力が過度に大きくなってしまう。その結果、基材の反りが増大してしまう。そのため、従来の素子基板では、基材の反りの増大を抑制しつつ、ＴＦＴ等に対する遮光性を高めることが難しいという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の電気光学装置の一態様は、透光性の基材と、透光性の画素電極と、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子を駆動する回路とを備え、前記基材に接触し、は、第１凹部と第２凹部を有し、前記第１凹部に配置され、前記基材の厚さ方向からの平面視において前記スイッチング素子と重なる第１遮光体と、前記第２凹部に配置され、前記基材に接触し、前記平面視において前記回路と重なる第２遮光体と、を備え、前記第１遮光体の厚さと前記第２遮光体の厚さは、互いに異なる。
【０００６】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様は、透光性の基材を用意する工程と、前記基材に、第１凹部と第２凹部を形成する工程と、前記第１凹部に基材に接触する第１遮光体、および前記第２凹部に基材に接触する第２遮光体を形成する工程と、前記基材上に、透光性の画素電極、前記画素電極に電気的に接続されるスイッチング素子、および前記スイッチング素子を駆動する回路を形成する工程と、を含み、前記第１遮光体は、前記基材の厚さ方向からの平面視において前記スイッチング素子と重なり、前記第２遮光体は、前記平面視において前記スイッチング素子と重なり、前記第１遮光体の厚さと前記第２遮光体の厚さは、互いに異なる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置の断面図である。
【図３】第１実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図４】第１実施形態における素子基板の部分断面図である。
【図５】第１実施形態における第１遮光体および第２遮光体の配置を示す断面図である。
【図６】第１実施形態における第１遮光体の配置を示す平面図である。
【図７】第１実施形態における第２遮光体の配置を示す平面図である。
【図８】第１実施形態における第１遮光体および第２遮光体を示す断面図である。
【図９】第１実施形態における素子基板の製造方法を示すフローである。
【図１０】第１実施形態における第２凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１１】第１実施形態における第２凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１２】第１実施形態における第１凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１３】第１実施形態における第１凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１４】第１実施形態における第１凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１５】第１実施形態における遮光体形成工程を説明するための断面図である。
【図１６】第２実施形態における素子基板の一部断面図である。
【図１７】第２実施形態における素子基板の製造方法を示すフローである。
【図１８】第２実施形態における第２凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１９】第１変形例における第１遮光体を示す平面図である。
【図２０】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【図２１】電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。
【図２２】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
【０００９】
１．電気光学装置
１−１．第１実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置を例に説明する。
【００１０】
１−１ａ．基本構成
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００の平面図である。図２は、第１実施形態における電気光学装置１００の断面図であって、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１および図２のそれぞれに示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸を適宜用いて説明する。
【００１１】
図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板２と、透光性を有する対向基板４と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。シール部材８は、素子基板２と対向基板４との間に配置される。液晶層９は、素子基板２、対向基板４およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。ここで、素子基板２、液晶層９および対向基板４の並ぶ方向がｚ方向であり、素子基板２の表面がｘ−ｙ平面に平行である。また、素子基板２が有する後述の第１基体２１の厚さ方向に平行なｚ方向からみることを「厚さ方向からの平面視」または単に「平面視」と言う。
【００１２】
本実施形態では、電気光学装置１００に対して光ＬＬが素子基板２から入射し、液晶層９を透過して対向基板４から出射される場合を例に説明する。なお、本明細書では、電気光学装置１００に入射する入射光、電気光学装置１００を透過する光、および電気光学装置１００から出射される出射光は、区別せずに光ＬＬとして示す。また、光ＬＬは可視光であり、本明細書において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。また、図１に示すように、電気光学装置１００は、平面視で、四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視での形状はこれに限定されず、例えば円形等であってもよい。
【００１３】
図１に示すように、素子基板２は、平面視で対向基板４を包含する大きさである。図２に示すように、素子基板２は、「基材」としての第１基体２１と、配線層２６と、複数の画素電極２８と、第１配向膜２９とを有する。第１基体２１、配線層２６、複数の画素電極２８および第１配向膜２９は、この順に並ぶ。第１配向膜２９が最も液晶層９側に位置する。また、第１基体２１には、複数の第１遮光体３１および複数の第２遮光体３２が配置される。第１基体２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第１基体２１は、例えばガラスまたは石英で構成される。画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。第１配向膜２９は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第１配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。なお、配線層２６、第１遮光体３１および第２遮光体３２については、後で説明する。
【００１４】
図２に示すように、対向基板４は、第２基体４１と、絶縁層４２と、対向電極４５と、第２配向膜４６と、を有する。第２基体４１、絶縁層４２、対向電極４５および第２配向膜４６は、この順に並ぶ。第２配向膜４６が最も液晶層９側に位置する。第２基体４１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。第２基体４１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。絶縁層４２は、例えば酸化ケイ素等の透光性および絶縁性を有するケイ素系の無機材料で形成される。対向電極４５は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。第２配向膜４６は、液晶層９の液晶分子を配向させる。第２配向膜４６の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。
【００１５】
シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板２および対向基板４のそれぞれに対して固着される。図１に示すように、シール部材８の一部には、液晶分子を含む液晶材を注入するための注入口８１が形成されている。注入口８１は、各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止されている。
【００１６】
図２に示す液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が第１配向膜２９および第２配向膜４６の双方に接するように素子基板２および対向基板４によって挟持される。液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。液晶層９は、印加される電圧に応じて光ＬＬを変調させることで階調表示を可能とする。
【００１７】
また、素子基板２の対向基板４側の面には、図１に示すように、「回路」としての駆動回路１１２が設けられる。駆動回路１１２は、複数の走査線駆動回路１１と、信号線駆動回路１２とを含む。また、素子基板２の対向基板４側の面には、複数の外部端子１４が配置される。外部端子１４には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２のそれぞれから引き回される引回し配線１５が接続される。
【００１８】
かかる構成の電気光学装置１００は、画像等を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２等が配置される。
【００１９】
１−１ｂ．電気的な構成
図３は、第１実施形態における素子基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板２には、ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とｎ本の容量線２６３とが設けられる。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２との各交差に対応して「スイッチング素子」としてのＴＦＴ２５が配置される。
【００２０】
ｎ本の走査線２６１は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。走査線２６１は、ＴＦＴ２５のゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２６１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。ｎ本の走査線２６１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。
【００２１】
図３に示すｍ本の信号線２６２は、それぞれｘ方向に延在し、ｙ方向に等間隔で並ぶ。信号線２６２は、ＴＦＴ２５のソースに電気的に接続される。また、ｍ本の信号線２６２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。ｍ本の信号線２６２には、図１に示す信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。
【００２２】
図３に示すｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２つの走査線２６１と隣り合う２つの信号線２６２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。１つの画素Ｐには、１つの画素電極２８が形成される。画素電極２８は、ＴＦＴ２５に電気的に接続される。
【００２３】
ｎ本の容量線２６３は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２６３は、複数の信号線２６２および複数の走査線２６１と絶縁され、これらに対して離間して形成される。容量線２６３には、グランド電位等の固定電位が印加される。また、容量線２６３と画素電極２８との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２６４が液晶容量と並列に配置される。
【００２４】
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２６１が順次選択されると、選択される走査線２６１に接続されるＴＦＴ２５がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２６２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２６１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板４が有する対向電極４５との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２６４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光ＬＬが変調され階調表示が可能となる。
【００２５】
１−１ｃ．素子基板２が有する配線層２６
図４は、第１実施形態における素子基板２の部分断面図である。なお、図４は、図２中の領域Ｂにおける拡大図である。
【００２６】
配線層２６は、光ＬＬが透過する複数の透光領域Ａ１１と、ＴＦＴ２５および各種配線が配置される配線領域Ａ１２とを有する。配線領域Ａ１２は、光ＬＬを遮断する。配線領域Ａ１２は、平面視で格子状をなす。配線領域Ａ１２は、平面視で透光領域Ａ１１を囲む。複数の透光領域Ａ１１は、平面視で行列状に配置される。透光領域Ａ１１は、平面視でほぼ四角形状をなす。
【００２７】
配線層２６は、ＴＦＴ２５、走査線２６１、容量線２６３、信号線２６２、蓄積容量２６４を有する。なお、図４に示すＴＦＴ２５、走査線２６１、容量線２６３、蓄積容量２６４および信号線２６２の並び順は一例であって、これらの並び順は図示の例に限定されない。また、配線層２６は、絶縁性および透光性を有する絶縁体２３を有する。絶縁体２３は、第１層間絶縁膜２３１、第２層間絶縁膜２３２、第３層間絶縁膜２３３、第４層間絶縁膜２３４、第５層間絶縁膜２３５、第６層間絶縁膜２３６、第７層間絶縁膜２３７および第８層間絶縁膜２３８を有する。
【００２８】
第１基体２１上には、第１層間絶縁膜２３１が配置される。第１層間絶縁膜２３１上にはＴＦＴ２５が配置される。ＴＦＴ２５は、半導体層２５０と、ゲート電極２５１と、ゲート絶縁膜２５２と、を有する。半導体層２５０は、第１層間絶縁膜２３１に接して第１層間絶縁膜２３１上に配置される。ゲート絶縁膜２５２は、半導体層２５０とゲート電極２５１との間に介在している。
【００２９】
半導体層２５０は、チャネル領域２５０１、ソース領域２５０２、ドレイン領域２５０３、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５を有する。チャネル領域２５０１は、ソース領域２５０２とドレイン領域２５０３との間に位置する。チャネル領域２５０１は、平面視でゲート電極２５１と重なる。第１ＬＤＤ領域２５０４は、チャネル領域２５０１とソース領域２５０２との間に位置する。第２ＬＤＤ領域２５０５は、チャネル領域２５０１とドレイン領域２５０３との間に位置する。なお、第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５のうちの少なくとも一方、特に第１ＬＤＤ領域２５０４は、省略してもよい。また、半導体層２５０は、例えばポリシリコンを成膜することにより形成される。半導体層２５０のチャネル領域２５０１を除く領域には、導電性を高める不純物がドープされる。第１ＬＤＤ領域２５０４および第２ＬＤＤ領域２５０５中の不純物濃度は、ソース領域２５０２およびドレイン領域２５０３中の各不純物濃度よりも低い。
【００３０】
半導体層２５０上には、第２層間絶縁膜２３２が配置される。第２層間絶縁膜２３２上には、ゲート電極２５１を覆うように第３層間絶縁膜２３３が配置される。第３層間絶縁膜２３３上には、走査線２６１が配置される。また、第３層間絶縁膜２３３には、走査線２６１とゲート電極２５１とを電気的に接続するコンタクト部２４１が配置される。走査線２６１上には、第４層間絶縁膜２３４が配置される。第４層間絶縁膜２３４上には、容量線２６３が配置される。容量線２６３上には第５層間絶縁膜２３５が配置される。
【００３１】
蓄積容量２６４は、第１容量２６４１と第２容量２６４２とを有する。第１容量２６４１は、第５層間絶縁膜２３５上に配置される。第１容量２６４１上には、第６層間絶縁膜２３６が配置される。第６層間絶縁膜２３６上には、第２容量２６４２が配置される。また、第６層間絶縁膜２３６には、第１容量２６４１と第２容量２６４２とを電気的に接続するコンタクト部２４２が配置される。第１容量２６４１および第２容量２６４２は、詳細な図示はしないが、それぞれ、２つの容量電極と、これら容量電極の間に配置される誘電体と、で構成される。
【００３２】
第５層間絶縁膜２３５には、第１容量２６４１と容量線２６３とを電気的に接続するためのコンタクト部２４３が配置される。第２〜第６層間絶縁膜２３２〜２３６には、第２容量２６４２とドレイン領域２５０３とを電気的に接続するコンタクト部２４４が配置される。また、ドレイン領域２５０３は、コンタクト部２４４、蓄積容量２６４、および図示しないコンタクト等を介して、画素電極２８に電気的に接続される。
【００３３】
第２容量２６４２上には、第７層間絶縁膜２３７が配置される。第７層間絶縁膜２３７上には、信号線２６２が配置される。また、詳細な図示がしないが、平面視で信号線２６２と走査線２６１とが交差する交差部は、ＴＦＴ２５と重なる。第２〜第７層間絶縁膜２３２〜２３７には、信号線２６２とソース領域２５０２とを電気的に接続するコンタクト部２４５が配置される。第７層間絶縁膜２３７上には、信号線２６２を覆うように第８層間絶縁膜２３８が配置される。第８層間絶縁膜２３８上には、画素電極２８が配置される。１つの画素電極２８と１つの透光領域Ａ１１とは、平面視で重なる。
【００３４】
第１〜第８層間絶縁膜２３１〜２３８は、例えば、ケイ素系の無機化合物を用いて形成される。具体的には、第１〜第８層間絶縁膜２３１〜２３８は、例えば、シリコン熱酸化膜、またはＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法で成膜される酸化ケイ素膜で構成される。また、ゲート電極２５１、走査線２６１、信号線２６２、容量線２６３、および蓄積容量２６４が有する容量電極の各構成材料としては、例えば、ポリシリコン、金属、金属シリサイドおよび金属化合物の導電性を有する材料が挙げられる。また、前述のコンタクト部２４１〜２４５の各構成材料も、導電性を有する材料で形成される。
【００３５】
１−１ｄ．素子基板２が有する第１遮光体３１および第２遮光体３２
図５は、第１実施形態における第１遮光体３１および第２遮光体３２の配置を示す断面図である。図５に示すように、第１基体２１には、第１遮光体３１と、第２遮光体３２とが設けられる。第１遮光体３１は、表示領域Ａ１０に配置される。一方、第２遮光体３２は、周辺領域Ａ２０に配置される。第１遮光体３１および第２遮光体３２は、それぞれ、遮光性を有する。遮光性とは、可視光に対する遮光性を意味し、具体的には、可視光の透過率が１０％以下であること、好ましくは５％以下であることをいう。また、第１遮光体３１および第２遮光体３２は、それぞれ、導電性を有する。なお、本実施形態では、第１遮光体３１および第２遮光体３２は、各種配線と絶縁される。また、第１遮光体３１と第２遮光体３２とは互いに絶縁される。
【００３６】
図６は、第１実施形態における第１遮光体３１の配置を示す平面図である。図６に示すように、第１遮光体３１は、平面視でＴＦＴ２５と重なる。１つのＴＦＴ２５に対して１つの第１遮光体３１が配置される。よって、第１基体２１には、複数の第１遮光体３１が配置される。また、ＴＦＴ２５が平面視でｘ方向およびｙ方向に行列状に配置されているため、複数の第１遮光体３１は、平面視でｘ方向およびｙ方向に行列状に配置される。また、図示では、第１遮光体３１は、平面視で、ｙ方向に延びる長手形状をなす。第１遮光体３１は、その長手方向の途中に、その長手方向における両端よりも幅が広い幅広部３１０を有する。幅広部３１０は、平面視でＴＦＴ２５のゲート電極２５１と重なる。なお、本実施形態では、ゲート電極２５１と前述の第１遮光体３１とは、絶縁されているが、これらは電気的に接続されてもよい。この場合、第１遮光体３１をバックゲートとして用いることができる。
【００３７】
図７は、第１実施形態における第２遮光体３２の配置を示す平面図である。図７に示すように、第２遮光体３２は、平面視で駆動回路１１２と重なる。具体的には、１つの走査線駆動回路１１に対して１つの第２遮光体３２が配置される。また、１つの信号線駆動回路１２に対して１つの第２遮光体３２が配置される。よって、第１基体２１には、複数の第２遮光体３２が配置される。なお、第２遮光体３２は、外部端子１４および引回し配線１５と平面視で重なるように配置されてもよい。
【００３８】
図８は、第１実施形態における第１遮光体３１および第２遮光体３２を示す断面図である。図８に示すように、第１基体２１には、表示領域Ａ１０に配置される第１凹部２１１と、周辺領域Ａ２０に配置される第２凹部２１２とが設けられる。第１凹部２１１および第２凹部２１２は、それぞれ、第１基体２１の＋ｚ側の表面に形成された窪みである。第１凹部２１１内には、第１遮光体３１が配置される。第２凹部２１２内には、第２遮光体３２が配置される。なお、第１凹部２１１は、第１遮光体３１ごとに形成されている。第２凹部２１２は、第２遮光体３２ごとに形成されている。
【００３９】
第１凹部２１１を形成する第１基体２１の内壁面は、底面２１１１と、側面２１１２とを有する。底面２１１１は、第１凹部２１１を形成する−ｚ軸側の面である。本実施形態では、底面２１１１は、ｘ−ｙ平面に沿った段差の無い連続的な平坦面である。側面２１１２は、底面２１１１と上面２１５とを繋ぐ。上面２１５は、第１基体２１の外周面のうちの＋ｚ側に位置し、第１層間絶縁膜２３１に接触する面である。また、本実施形態では、側面２１１２は、第１基体２１の厚さ方向に平行なｚ軸に沿った面である。また、底面２１１１と側面２１１２とのなす角度は、ほぼ９０°である。
【００４０】
同様に、第２凹部２１２を形成する第１基体２１の内壁面は、底面２１２１と、側面２１２２とを有する。底面２１２１は、第２凹部２１２を形成する−ｚ軸側の面である。本実施形態では、底面２１２１は、ｘ−ｙ平面に沿った段差の無い連続的な平坦面である。側面２１２２は、底面２１２１と上面２１５とを繋ぐ。上面２１５は、第１基体２１の外周面のうちの＋ｚ側に位置し、第１層間絶縁膜２３１に接触する面である。また、本実施形態では、側面２１２２は、第１基体２１の厚さ方向に平行なｚ軸に沿った面である。また、底面２１２１と側面２１２２とのなす角度は、ほぼ９０°である。
【００４１】
第１基体２１に形成された第１凹部２１１の深さは、第２凹部２１２の深さよりも深い。よって、第１遮光体３１の第１厚さＤ１０は、第２遮光体３２の第２厚さＤ２０よりも厚い。第１厚さＤ１０および第２厚さＤ２０は、それぞれｚ軸方向に沿った長さである。また、第１遮光体３１における第１厚さＤ１０は、一定である。同様に、第２遮光体３２における第２厚さＤ２０は、一定である。
【００４２】
第１遮光体３１および第２遮光体３２は、それぞれ、第１金属膜３０１と、第２金属膜３０２と、第３金属膜３０３とを有する。第３金属膜３０３は、第１基体２１上に配置される。第２金属膜３０２は、第３金属膜３０３上に配置される。第１金属膜３０１は、第２金属膜３０２上に配置される。すなわち、第３金属膜３０３と、第２金属膜３０２と、第１金属膜３０１とは、第１基体２１からこの順に積層される。なお、第１遮光体３１および第２遮光体３２が有する各膜は同様であるため、以下の第１金属膜３０１、第２金属膜３０２および第３金属膜３０３については、第１遮光体３１を代表的に説明する。
【００４３】
第３金属膜３０３は、例えばタングステンシリサイドを含んで構成される。第２金属膜３０２は、例えばタングステンナイトライド（ＷＮ）またはチタンナイトライド（ＴｉＮ）を含んで構成される。第１金属膜３０１は、例えばタングステンを含んで構成される。タングステンは、各種金属の中でも、耐熱性に優れ、かつ、例えば製造時の熱処理によってもＯＤ（Optical Density）値が低下し難い。よって、第１金属膜３０１がタングステンを含むことで、第１遮光体３１の遮光性を高めることができる。
【００４４】
また、第１遮光体３１が第２金属膜３０２および第３金属膜３０３を有することで、これらを有さない場合に比べ、第１基体２１と第１遮光体３１との密着性を高めることができる。特に、第３金属膜３０３は、ケイ素原子を含むため、ケイ素系の無機化合物で構成される第１基体２１との密着性に優れる。
【００４５】
また、タングステンに比べてタングステンシリサイドは、熱処理によりＯＤ値が低下し易い。そのため、第３金属膜３０３と第１金属膜３０１とが直接的に接触していると、第３金属膜３０３に含まれるタングステンシリサイドの影響で第１金属膜３０１のＯＤ値が低下するおそれがある。第１遮光体３１では、第３金属膜３０３と第１金属膜３０１との間に第２金属膜３０２が配置されるので、タングステンシリサイドの影響で第１金属膜３０１のＯＤ値の低下を抑制することができる。つまり、第２金属膜３０２は、第３金属膜３０３に含まれるタングステンシリサイドが第１金属膜３０１に拡散しないようにするバリア層として機能する。
【００４６】
なお、第２金属膜３０２は、タングステンナイトライドとチタンナイトライドの両方を含む構成、および、タングステンナイトライドを含む金属窒化膜とチタンナイトライドを含む金属窒化膜の積層構造のいずれであってもよい。また、第１金属膜３０１、第２金属膜３０２および第３金属膜３０３は、それぞれ、前述の金属以外の材料で構成されてもよい。第１金属膜３０１、第２金属膜３０２および第３金属膜３０３は、それぞれ、少なくとも遮光性を有すればよく、例えば、前述の金属以外の金属または樹脂材料を含んで構成されてもよい。
【００４７】
また、第３金属膜３０３の厚さｄ３は、第２金属膜３０２の厚さｄ２よりも厚く、かつ、第１金属膜３０１の厚さｄ１よりも薄い。厚さｄ１が最も厚いことで、第１遮光体３１の遮光性を高めることができる。また、第３金属膜３０３は、第１基体２１に対する密着性に特に優れるので、厚さｄ３が厚さｄ２よりも厚いことで、厚さｄ３が厚さｄ２よりも薄い場合に比べ、第１遮光体３１の第１基体２１に対する密着性を高めることができる。なお、厚さｄ１、ｄ２およびｄ３の大小関係は、前述した関係に限定されない。
【００４８】
厚さｄ１は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｄ２は、０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｄ３は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｄ１、ｄ２およびｄ３がそれぞれ前述の範囲を満足することで、第１遮光体３１の第１厚さＤ１０を抑えつつ、第１遮光体３１の密着性を高めるとともに第１遮光体３１の遮光性を高めるという効果を特に顕著に発揮できる。
【００４９】
また、第１金属膜３０１の厚さｄ１は、第１遮光体３１と第２遮光体３２とで異なる。なお、第２金属膜３０２の厚さｄ２および第３金属膜３０３の厚さｄ３は、それぞれ、第１遮光体３１と第２遮光体３２とでほぼ等しい。
【００５０】
以上説明したように、電気光学装置１００は、透光性の「基材」としての第１基体２１と、透光性の画素電極２８と、画素電極２８に電気的に接続される「スイッチング素子」としてのＴＦＴ２５と、ＴＦＴ２５を駆動する「回路」としての駆動回路１１２を備える。さらに、電気光学装置１００は、第１基体２１に接触し、第１基体２１の厚さ方向からの平面視においてＴＦＴ２５と重なる第１遮光体３１と、第１基体２１に接触し、平面視において駆動回路１１２と重なる第２遮光体３２と、を備える。そして、第１遮光体３１の厚さである第１厚さＤ１０と第２遮光体３２の厚さである第２厚さＤ２０は、互いに異なる。尚、第１基体２１と第１遮光体３１とは、絶縁膜等を介して配置する構成としてもよい。
【００５１】
第１遮光体３１がＴＦＴ２５と平面視で重なることで、第１遮光体３１で光ＬＬを遮断できるので、ＴＦＴ２５への光ＬＬの入射を防止または低減できる。そのため、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動の発生を抑制または防止することができる。さらに、第２遮光体３２が駆動回路１１２と平面視で重なることで、第２遮光体３２で光ＬＬを遮断できるので、駆動回路１１２への光ＬＬの入射を防止または低減できる。そのため、駆動回路１１２に光ＬＬが入射することにより生じるリーク電流による誤作動の発生を抑制または防止できる。そして、第１厚さＤ１０および第２厚さＤ２０の一方を他方よりも厚くすることで、双方を厚くする場合に比べ、第１基体２１に生じる応力が大きくなることを抑制することができる。そのため、電気光学装置１００によれば、第１基体２１の反りの増大を抑制することができる。また、第１遮光体３１および第２遮光体３２の各クラックの発生等を抑制することができる。
【００５２】
特に、前述のように、第１遮光体３１の第１厚さＤ１０は、第２遮光体３２の第２厚さＤ２０よりも厚い。そのため、第１厚さＤ１０が第２厚さＤ２０よりも薄い場合に比べ、ＴＦＴ２５に対する遮光性を高めることができる。表示領域Ａ１０は、周辺領域Ａ２０に比べ、光ＬＬの透過量が多い。そのため、第１厚さＤ１０を第２厚さＤ２０よりも厚くすることで、第１基体２１の反りの増大を抑制しつつ、ＴＦＴ２５に対する遮光性を高めることができる。このように、遮光性を高めたい箇所に応じて、厚さを調整することで、当該箇所に対する遮光性を高めつつ、第１基体２１の反りの増大を抑制することができる。
【００５３】
また、前述のように、第１基体２１には、平面視においてＴＦＴ２５と重なる第１凹部２１１、および平面視において駆動回路１１２と重なる第２凹部２１２が設けられている。そして、第１遮光体３１は、第１凹部２１１の内部に配置され、第２遮光体３２は、第２凹部２１２の内部に配置される。第１凹部２１１内に第１遮光体３１が配置されていることで、第１凹部２１１内に第１遮光体３１が配置されていない場合に比べ、成膜時における第１遮光体３１のクラック等を低減できる。同様に、第２凹部２１２内に第２遮光体３２が配置されていることで、第２凹部２１２内に第２遮光体３２が配置されていない場合に比べ、成膜時における第２遮光体３２のクラック等を低減できる。
【００５４】
特に、第１遮光体３１は、第１凹部２１１から突出していないことが好ましい。すなわち、第１遮光体３１の上面３１５と、第１基体２１の上面２１５とで、連続的で段差の無い平坦面が形成されていることが好ましい。当該平坦面が形成されていることで、第１遮光体３１のクラック等を特に低減できる。同様に、第２遮光体３２は、第２凹部２１２から突出していないことが好ましい。すなわち、第２遮光体３２の上面３２５と、第１基体２１の上面２１５とで、連続的で段差の無い平坦面が形成されていることが好ましい。
【００５５】
また、前述のように、第１凹部２１１の底面２１１１は、平坦である。すなわち、底面２１１１は、段差の無い連続的な面である。底面２１１１が平坦であることで、第１遮光体３１における第１厚さＤ１０を一定にし易い。第１厚さＤ１０が一定であることで、第１遮光体３１における遮光性能のバラつきを抑制することができる。また、底面２１１１に段差がないので、段差での光ＬＬの乱反射を抑制することができる。そのため、ＴＦＴ２５に光ＬＬが入射するおそれをより低減できる。
【００５６】
同様に、第２凹部２１２の底面２１２１は、平坦である。すなわち、底面２１２１は、ｘ−ｙ平面に沿った段差の無い連続的な面である。底面２１２１が平坦であることで、第２遮光体３２における第２厚さＤ２０を一定にし易い。第２厚さＤ２０が一定であることで、第２遮光体３２における遮光性能のバラつきを抑制することができる。また、底面２１２１に段差がないので、段差での光ＬＬの乱反射を抑制することができる。
【００５７】
また、第１遮光体３１は、平面視でＴＦＴ２５を包含している。そのため、第１遮光体３１がＴＦＴ２５の一部と重なっている場合に比べ、ＴＦＴ２５への光ＬＬの入射を好適に遮断できる。ただし、第１遮光体３１は、平面視でチャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５と少なくとも重なっていることが好ましい。チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５に光ＬＬが入射すると、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動が特に生じ易い。ゆえに、第１遮光体３１が、チャネル領域２５０１、第１ＬＤＤ領域２５０４、および第２ＬＤＤ領域２５０５と平面視で重なることで、ＴＦＴ２５のリーク電流による誤作動を特に効果的に防ぐことができる。また、第２遮光体３２は、平面視で駆動回路１１２を包含している。そのため、第２遮光体３２が駆動回路１１２の一部と重なっている場合に比べ、駆動回路１１２への光ＬＬの入射を好適に遮断できる。
【００５８】
なお、ＴＦＴ２５と第１遮光体３１とは、少なくとも互いの一部同士が重なっていればよい。同様に、駆動回路１１２と第２遮光体３２とは、少なくとも互いの一部同士が重なっていればよい。
【００５９】
１−１ｅ．電気光学装置１００の製造方法
次に、電気光学装置１００の製造方法について説明する。まず、電気光学装置１００が有する素子基板２の製造方法について説明する。図９は、第１実施形態における素子基板２の製造方法を示すフローである。
【００６０】
図９に示すように、素子基板２の製造方法は、第１基体用意工程Ｓ１０と、遮光体形成工程Ｓ１３と、配線層形成工程Ｓ１４と、画素電極形成工程Ｓ１５と、第１配向膜形成工程Ｓ１６と、回路等形成工程Ｓ１７とを有する。これら各工程を順に行うことにより素子基板２が製造される。また、第１基体用意工程Ｓ１０は、第２凹部形成工程Ｓ１１と、第１凹部形成工程Ｓ１２と、を有する。なお、回路等形成工程Ｓ１７は、配線層形成工程Ｓ１４と並列して行ってもよい。また、回路等形成工程Ｓ１７は、配線層形成工程Ｓ１４の後、画素電極形成工程Ｓ１５の前で行ってもよい。また、回路等形成工程Ｓ１７は、画素電極形成工程Ｓ１５の後、第１配向膜形成工程Ｓ１６の前で行ってもよい。
【００６１】
図１０および図１１は、第１実施形態における第２凹部形成工程Ｓ１１を説明するための断面図である。第２凹部形成工程Ｓ１１では、まず、図１０に示すように、例えば石英基板等で構成されるマザー基板２１ａ上に、ハードマスク５１が形成される。ハードマスク５１は、平面視で、第１凹部２１１に対応する開口５１１と、第２凹部２１２に対応する開口５１２とを有する。また、ハードマスク５１の構成材料としては、シリコン、タングステン等の金属、およびタングステンシリサイド等の金属シリサイド等が挙げられる。これらの中でも、ハードマスク５１はシリコンを含むことが好ましい。シリコンを含むことで、例えば異方性エッチングを利用して寸法精度の高いハードマスク５１を形成することができる。
【００６２】
次いで、第２凹部形成工程Ｓ１１では、図１０に示すように、ハードマスク５１を用いてエッチングにより、マザー基板２１ａに第２凹部２１２および凹部２１９が形成される。例えば、第１基体２１が石英基板またはガラス基板である場合、塩素系またはフッ素等のハロゲン系ガスに酸素または一酸化炭素が混入されるエッチングガスを用いることが好ましい。
【００６３】
図１２、図１３および図１４は、それぞれ、第１施形態における第１凹部形成工程Ｓ１２を説明するための断面図である。第１凹部形成工程Ｓ１２では、まず、図１２に示すように、ハードマスク５１上にレジストマスク５２が形成される。レジストマスク５２は、第２凹部２１２およびハードマスク５１の開口５１２を埋めるように形成される。また、レジストマスク５２は、平面視で凹部２１９とは重ならないように形成される。
【００６４】
次いで、第１凹部形成工程Ｓ１２では、図１３に示すように、ハードマスク５１およびレジストマスク５２を用いてエッチングにより、マザー基板２１ａに第２凹部２１２が形成される。例えば、第１基体２１が石英基板またはガラス基板である場合、塩素系またはフッ素等のハロゲン系ガスに酸素または一酸化炭素が混入されるエッチングガスを用いることが好ましい。その後、図１４に示すように、ハードマスク５１およびレジストマスク５２が除去される。このようにして、第１凹部２１１および第２凹部２１２を有する第１基体２１が得られる。
【００６５】
開口５１１および開口５１２を有するハードマスク５１と、開口５１２を埋めるレジストマスク５２とを用いてエッチングを行うことで、第２凹部２１２の形状は維持しつつ、凹部２１９の深さを深くすることができる。よって、第２凹部２１２の深さよりも深さが深い第１凹部２１１を簡単に形成することができる。また、第１凹部２１１の形成において、ハードマスク５１は、剥離せれずにそのまま用いられる。そのため、凹部２１９の深さを深くして第１凹部２１１を形成する際、ｘ−ｙ平面内における位置ズレが生じることを防ぐことができる。
【００６６】
図１５は、第１実施形態における遮光体形成工程Ｓ１３を説明するための断面図である。次に、遮光体形成工程Ｓ１３では、図１５に示す遮光層３０ａが形成される。具体的には、まず、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法により第１凹部２１１内および第２凹部２１２内に例えばタングステンシリサイドを含む組成物を堆積されることにより第３遮光層３０３ａが形成される。その後、同様な方法で第３遮光層３０３ａ上に例えばタングステンナイトライドまたはチタンナイトライドを含む組成物が堆積されることにより第２遮光層３０２ａが形成される。その後、同様な方法で第２遮光層３０２ａ上に例えばタングステンを含む組成物を堆積して第１遮光層３０１ａが形成される。第３遮光層３０３ａ、第２遮光層３０２ａおよび第１遮光層３０１ａが形成されることにより、図１５に示す遮光層３０ａが形成される。
【００６７】
次に、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）等の研磨による平坦化処理が遮光層３０ａに施されることにより、図８に示す第１遮光体３１および第２遮光体３２が形成される。ＣＭＰ等の研磨を施すことで、第１遮光体３１の上面３１５と第１基体２１の上面２１５とで構成される平坦面が、簡単に形成できる。第２遮光体３２の上面３２５についても同様である。
【００６８】
次に、配線層形成工程Ｓ１４では、図示はしないが、ＴＦＴ２５と、走査線２６１、容量線２６３、信号線２６２および蓄積容量２６４等の各種配線と、絶縁体２３とが形成される。具体的には、各種配線は、それぞれ、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜が形成された後、当該金属膜に対してエッチングが行なわれることにより形成される。絶縁体２３が有する各層は、それぞれ、ＣＶＤ法等の蒸着法、およびＣＭＰ等の研磨等による平坦化処理を用いて形成される。
【００６９】
次に、画素電極形成工程Ｓ１５では、図示はしないが、表示領域Ａ１０における配線層２６上に複数の画素電極２８が形成される。具体的には、画素電極２８は、例えば透明電極材料からなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成された後、当該層がマスクを用いてパターニングされることにより形成される。
【００７０】
次に、第１配向膜形成工程Ｓ１６では、例えば、ポリイミドからなる層がＣＶＤ法等の蒸着法により形成され、その後にラビング処理が施されることにより、第１配向膜２９が形成される。
【００７１】
次に、回路等形成工程Ｓ１７では、図示はしないが、周辺領域Ａ２０における配線層２６上に走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２が形成される。この際、引き回し配線１５および外部端子１４等も形成される。以上により、図２に示す素子基板２が形成される。
【００７２】
なお、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板４が形成され、素子基板２と対向基板４とがシール部材８を介して貼り合わされる。その後、素子基板２、対向基板４およびシール部材８との間に液晶材が注入されて液晶層９が形成され、その後、封止される。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００を製造することができる。
【００７３】
以上説明したように、電気光学装置１００の製造方法は、第１基体用意工程Ｓ１０と、遮光体形成工程Ｓ１３と、配線層形成工程Ｓ１４と、画素電極形成工程Ｓ１５と、回路等形成工程Ｓ１７と、を含む。第１基体用意工程Ｓ１０では、透光性の第１基体２１が用意される。配線層形成工程Ｓ１４では、ＴＦＴ２５が形成される。画素電極形成工程Ｓ１５では、第１基体２１上に、ＴＦＴ２５に電気的に接続される透光性の画素電極２８が形成される。回路等形成工程Ｓ１７では、ＴＦＴ２５を駆動する駆動回路１１２が形成される。遮光体形成工程Ｓ１３では、第１基体２１に接触する第１遮光体３１、第１基体２１に接触する第２遮光体３２が形成される。また、遮光体形成工程Ｓ１３では、第１基体２１の厚さ方向からの平面視においてＴＦＴ２５と重なるよう第１遮光体３１が形成される。また、平面視において駆動回路１１２と重なるよう第２遮光体３２が形成される。そして、遮光体形成工程Ｓ１３では、第１厚さＤ１０と第２厚さＤ２０とが互いに異なるよう、第１遮光体３１と第２遮光体３２とが形成される。
【００７４】
第１厚さＤ１０および第２厚さＤ２０の一方を他方よりも厚く形成することで、双方を厚く形成する場合に比べ、第１基体２１に生じる応力が大きくなることを抑制することができる。そのため、電気光学装置１００によれば、遮光性を高めたい箇所に応じて厚さを調整することで、当該箇所に対する遮光性を高めつつ、第１基体２１の反りの増大を抑制することができる。また、第１遮光体３１および第２遮光体３２の各クラックの発生等を抑制することができる。
【００７５】
また、前述のように、第１基体用意工程Ｓ１０は、第２凹部形成工程Ｓ１１と第１凹部形成工程Ｓ１２とを含む。具体的には、前述のように、開口５１１および開口５１２を有するハードマスク５１を用いて、エッチングにより、第２凹部２１２および凹部２１９が形成される。その後、ハードマスク５１上に、開口５１２および第２凹部２１２を埋めるレジストマスク５２が形成される。その後、ハードマスク５１およびレジストマスク５２を用いたエッチングにより凹部２１９の深さを深くすることによって、第１凹部２１１が形成される。かかる方法によれば、ハードマスク５１とレジストマスク５２とを用いてエッチングを行うことで、第２凹部２１２の形状は維持しつつ、凹部２１９の深さを深くすることができる。よって、第２凹部２１２の深さよりも深さが深い第１凹部２１１を簡単に形成することができる。また、第１凹部２１１の形成において、凹部２１９の形成の際に用いたハードマスク５１は、剥離せずにそのまま用いられる。そのため、凹部２１９の深さを深くして第１凹部２１１を形成する際、ｘ−ｙ平面内における位置ズレが生じることを防ぐことができる。
【００７６】
また、前述のように、第１凹部２１１の底面２１１１は、平坦である。前述のように、凹部２１９の形成の際に用いたハードマスク５１を剥離せずにそのまま用いることで、ｘ−ｙ平面内における位置ズレが生じることを防ぐことができる。そのため、平坦な底面２１１１を容易に形成することができる。
【００７７】
１−２．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図１６は、第２実施形態における素子基板２Ａの一部断面図である。図１７は、第２実施形態における素子基板２Ａの製造方法を示すフローである。図１８は、第２実施形態における第２凹部形成工程Ｓ１１を説明するための断面図である。本実施形態は、素子基板２Ａの構成が第１実施形態と異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明が適宜省略される。
【００７８】
図１６に示す素子基板２Ａが有する第１基体２１Ａでは、第２凹部２１２Ａの深さが、第１凹部２１１Ａの深さよりも深い。よって、第２遮光体３２Ａの第２厚さＤ２０は、第１遮光体３１Ａの第１厚さＤ１０よりも厚い。そのため、第２厚さＤ２０が第１厚さＤ１０よりも薄い場合に比べ、駆動回路１１２に対する遮光性を高めることができる。図示はしないが、例えば、任意の配線等が第１遮光体３１とＴＦＴ２５との間に配置されており、かつ、当該任意の配線等がＴＦＴ２５と平面視で重なる場合、当該任意の配線等と第１遮光体３１とによって、ＴＦＴ２５への光ＬＬの入射を遮断できる。よって、この場合には、例えば、第２厚さＤ２０を第１厚さＤ１０よりも厚くする。これにより、第２遮光体３２Ａによって駆動回路１１２に対する遮光性を高めるとともに、ＴＦＴ２５への光ＬＬの入射を好適に抑制することができる。このように、遮光性を高めたい箇所に応じて、厚さを調整することで、当該箇所に対する遮光性を高めつつ、第１基体２１の反りの増大を抑制することができる。
【００７９】
図１７に示すように、本実施形態における素子基板２Ａの製造方法は、第１凹部形成工程Ｓ１２の後に、第２凹部形成工程Ｓ１１を行う。また、本実施形態では、図１８に示すように、第２凹部形成工程Ｓ１１では、ハードマスク５１上に、第１凹部２１１および開口５１１を埋めるレジストマスク５２Ａが形成される。そして、ハードマスク５１およびレジストマスク５２Ａを用いてエッチングを行うことで、第１凹部２１１Ａの形状は維持しつつ、第１凹部２１１Ａの深さよりも深さが深い第２凹部２１２Ａを形成することができる。
【００８０】
１−３．変形例
以上に例示した各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
【００８１】
１−３ａ．第１変形例
図１９は、第１変形例における第１遮光体３１ａを示す平面図である。隣り合う第１遮光体３１ａ同士は、これらを連結する連結部３３によって連結されていてもよい。連結された複数の第１遮光体３１ａおよび複数の連結部３３を、走査線として用いることができる。なお、複数の第１遮光体３１ａおよび複数の連結部３３とで、１つの「第１遮光体」として捉えてもよい。なお、図示はしないが、複数の「第２遮光体」についても同様に、複数の連結部で連結されてもよい。
【００８２】
１−３ｂ．第２変形例
第１実施形態における第１凹部２１１および第２凹部２１２は、それぞれ、図８に示す形状に限定されない。例えば、第１凹部２１１および第２凹部２１２は、それぞれ、＋ｚ軸側に向かうについて連続的に幅が広がる形状、すなわちテーパー状であってもよい。よって、第１遮光体３１および第２遮光体３２は、それぞれテーパー状であってもよい。また、例えば、第１凹部２１１の底面２１１１および第２凹部２１２の底面２１２１は、それぞれ、段差を有してもよい。よって、第１遮光体３１の底面２１１１との接触面および第２遮光体３２の底面２１１１との接触面は、それぞれ、段差を有してもよい。また、例えば、第１遮光体３１および第２遮光体３２は、それぞれ、角部が丸みを帯びてもよい。なお、第２実施形態における第１凹部２１１Ａおよび第２凹部２１２Ａについても同様である。
【００８３】
１−３ｃ．第３変形例
第１凹部２１１および第２凹部２１２は、省略されてもよい。第１遮光体３１および第２遮光体３２は、第１基体２１の平坦な上面２１５から突出するように配置されてもよい。なお、第２実施形態における第１凹部２１１Ａおよび第２凹部２１２Ａについても同様である。
【００８４】
１−５ｄ．第４変形例
第１遮光体３１および第２遮光体３２は、それぞれ第１金属膜３０１、第２金属膜３０２および第３金属膜３０３を備えるが、第２金属膜３０２が省略されてもよい。また、第１遮光体３１および第２遮光体３２は、第３金属膜３０３が省略されてもよい。なお、第１遮光体３１Ａおよび第２遮光体３２Ａについても同様である。
【００８５】
１−５ｅ．第５変形例
前述の各実施形態において、「スイッチング素子」は、ＴＦＴ２６０であるが、これに限定されない。「スイッチング素子」は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。
【００８６】
１−５ｆ．第６変形例
前述の各実施形態では、光ＬＬは、素子基板２から入射するが、光ＬＬは、対向基板４から入射してもよい。
【００８７】
２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
【００８８】
図２０は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを有する。
【００８９】
図２１は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。
【００９０】
図２２は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。
【００９１】
照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【００９２】
前述のパーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００は、それぞれ、前述の電気光学装置１００を備える。電気光学装置１００を備えるため、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００および投射型表示装置４０００における各表示の品質を高めることができる。
【００９３】
以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【００９４】
なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【００９５】
また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。例えば、本発明の電気光学装置は、イメージセンサー等にも適用することができる。また、例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【符号の説明】
【００９６】
２…素子基板、４…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１４…外部端子、１５…引回し配線、２１…第１基体、２３…絶縁体、２６…配線層、２８…画素電極、２９…第１配向膜、３１…第１遮光体、３２…第２遮光体、３３…連結部、４１…第２基体、４２…絶縁層、４５…対向電極、４６…第２配向膜、５１…ハードマスク、５２…レジストマスク、８０…封止材、８１…注入口、１００…電気光学装置、１１２…駆動回路、２１１…第１凹部、２１１Ａ…第１凹部、２１２…第２凹部、２１２Ａ…第２凹部、２１５…上面、２１９…凹部、２３１…第１層間絶縁膜、２３２…第２層間絶縁膜、２３３…第３層間絶縁膜、２３４…第４層間絶縁膜、２３５…第５層間絶縁膜、２３６…第６層間絶縁膜、２３７…第７層間絶縁膜、２３８…第８層間絶縁膜、２４１…コンタクト部、２４２…コンタクト部、２４３…コンタクト部、２４４…コンタクト部、２４５…コンタクト部、２５０…半導体層、２５１…ゲート電極、２５２…ゲート絶縁膜、２６１…走査線、２６２…信号線、２６３…容量線、２６４…蓄積容量、３０１…第１金属膜、３０２…第２金属膜、３０３…第３金属膜、５１１…開口、５１２…開口、２１１１…底面、２１１２…側面、２１２１…底面、２１２２…側面、２５０１…チャネル領域、２５０２…ソース領域、２５０３…ドレイン領域、２５０４…第１ＬＤＤ領域、２５０５…第２ＬＤＤ領域、２６４１…第１容量、２６４２…第２容量、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透光領域、Ａ１２…配線領域、Ａ２０…周辺領域、ＬＬ…光、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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