(57)【要約】      （修正有）【課題】陽極と発光層との間にそれらと接する態様で単一層として用いた場合でも、優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を実現できる薄膜を与える電荷輸送性ワニスに適したフッ素原子を含有する重合体の原料となる、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物の提供。【解決手段】式（９−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。2020040962.tif 000042（Ｚ2は、エーテル結合を含んでいてもよいＣ１〜Ｃ２０のアルコキシ基；但し、Ｚ2がアミノ基のパラ位に置換されたメトキシ基又はｎ−オクチルオキシ基の場合を除く。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（９−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物（ただし、式（９Ａ）で示される化合物および式（９Ｂ）で示される化合物を除く。）。
【化１】
2020040962.tif 000037
（式中、Ｚ2は、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。）
【請求項２】
式（９′−１）または（９′′−１）で示される請求項１記載のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。
【化２】
2020040962.tif 000038
（式中、Ｚ2は、上記と同じ意味を表す。）
【請求項３】
前記Ｚ2が、エーテル結合を含んでいてもよい、直鎖状の炭素数３〜２０のアルコキシ基である請求項１または２記載のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。
【請求項４】
前記Ｚ2が、エーテル結合を含んでいてもよい、直鎖状の炭素数５〜１０のアルコキシ基である請求項３記載のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。
【請求項５】
式（９−２）で示される請求項１記載のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。
【化３】
2020040962.tif 000039
（式中、ｒは、互いに独立して、１〜１０の整数を表す。）
【請求項６】
式（９′−２）または（９′′−２）で示される請求項５記載のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。
【化４】
2020040962.tif 000040
（式中、ｒは、上記と同じ意味を表す。）
【請求項７】
式（１０−１）〜式（１０−８）のいずれかで示される請求項６記載のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物。
【化５】
2020040962.tif 000041
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）素子には、電荷輸送性薄膜が用いられる。
この電荷輸送性薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスと、スピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。これらの方法は、形成する薄膜の面積や、薄膜化する物質の有機溶媒への溶解性に応じて、適宜使い分けられる。
一般的に、有機ＥＬ素子の陽極と発光層との間には、正孔注入層と言われる層と正孔輸送層と言われる層の２層がこの順序で陽極側から配置される。このような２層を設けることで効率的な電荷輸送を可能とし、高い輝度特性を有する有機ＥＬ素子を得ることができる（例えば非特許文献１参照）。
しかしその反面、有機ＥＬ素子の製造プロセスでは、通常、これら各層を形成するための独立した工程が必要となるという欠点もある。
【０００３】
近年の電子デバイス分野においては、高歩留で効率よく素子を製造するため、プロセスの簡略化や素子構造の単純化が求められている。
特に、素子における複数の膜を多積層化した機能性多層膜を単一膜とすることで、製造プロセスを簡略化できるだけでなく、素子構造を直接的に単純化できる。そのため、様々な電子デバイスの分野において、既存の機能性多層膜に代替可能な機能性単一膜を製造できる材料が求められている。
そして、有機ＥＬの分野においても、一般的な構造である正孔注入層と正孔輸送層とからなる機能性多層膜を、単一膜へと転換可能な材料への要求がますます高まっている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Adachi C. et al., Jpn. J. Appl. Phys., 1988, 27(2), p.p.L269-271
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、陽極と発光層との間にそれらと接する態様で単一層として用いた場合でも、優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を実現できる薄膜を与える電荷輸送性ワニスに適したフッ素原子を含有する重合体の原料となるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物を原料の１つとして得られたフッ素原子を含有する所定の電荷輸送性物質と、フッ素原子を含有しない所定の電荷輸送性物質と、ヘテロポリ酸からなるドーパント物質とを含む電荷輸送性ワニスから得られた薄膜が、陽極と発光層との間にそれらと接する態様で単一層として用いた場合でも、優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を与えることを見出し、本発明を完成させた。
【０００７】
すなわち、本発明は、
１．  式（９−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物（ただし、式（９Ａ）で示される化合物および式（９Ｂ）で示される化合物を除く。）。
【化１】
2020040962.tif 000002
（式中、Ｚ2は、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基を表す。）
２．  式（９′−１）または（９′′−１）で示される１のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物、
【化２】
2020040962.tif 000003
（式中、Ｚ2は、上記と同じ意味を表す。）
３．  前記Ｚ2が、エーテル結合を含んでいてもよい、直鎖状の炭素数３〜２０のアルコキシ基である１または２のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物、
４．  前記Ｚ2が、エーテル結合を含んでいてもよい、直鎖状の炭素数５〜１０のアルコキシ基である３のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物、
５．  式（９−２）で示される１のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物、
【化３】
2020040962.tif 000004
（式中、ｒは、互いに独立して、１〜１０の整数を表す。）
６．  式（９′−２）または（９′′−２）で示される５のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物、
【化４】
2020040962.tif 000005
（式中、ｒは、上記と同じ意味を表す。）
７．  式（１０−１）〜式（１０−８）のいずれかで示される６のＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物、
【化５】
2020040962.tif 000006
を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電荷輸送性ワニスは、陽極と発光層との間にそれらと接する態様で単一層として薄膜を形成した場合でも、優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子を与え得る。この理由は定かではないが、フッ素原子を含む電荷輸送性物質が薄膜の表面側（発光層側）に移行し易いため、フッ素原子を含む電荷輸送性物質が薄膜の表面側（発光層側）に、それを含まない電荷輸送性物質が薄膜の裏面側（陽極側）にそれぞれ偏在し、単一層内で正孔注入部位と正孔輸送部位に相分離し、陽極から発光層に向かって正孔注入性成分が減少し、かつ、正孔輸送性成分が増加する結果、それら２層が存在する場合と同様の正孔注入輸送層として機能するためであると推察される。
本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、素子中の機能性多層膜を単一膜化することができるため、製造プロセス条件の簡便化による高歩留化や低コスト化、あるいは素子の軽量化、コンパクト化等を図り得る。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法など、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも、電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
さらに、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜、有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質と、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質と、ヘテロポリ酸からなるドーパント物質と、有機溶媒とを含み、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質が、トリアリールアミン化合物およびＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物から選ばれる少なくとも１種と、その少なくとも１つのアリール基がエーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基で置換されたＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物と、フッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物と、カルボニル基を有するフルオレン誘導体とを縮合させて得られる重量平均分子量５００〜２００，０００の重合体であり、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質が、オリゴアニリン化合物であることを特徴とする。
本発明において、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。電荷輸送性物質とは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ドーパント物質と共に用いた際に電荷輸送性があるものでもよい。電荷輸送性ワニスとは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。
【００１０】
本発明において、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質の製造に用いられるトリアリールアミン化合物としては、特に限定されるものではないが、式（１）で示される化合物が好ましい。
【００１１】
【化６】
2020040962.tif 000007
【００１２】
式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ3は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、アルデヒド化合物やフルオレン誘導体との縮合反応に寄与する部位が必要であるため、Ａｒ1〜Ａｒ3のそれぞれにおいて環を構成する炭素原子の少なくとも１つは非置換（すなわち、炭素原子上が水素原子）である。
炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられるが、好ましくは、Ｚ1で置換されていてもよいフェニル基である。
置換基Ｚ1は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ5で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｚ5は、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。
【００１３】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。
【００１４】
炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。
【００１５】
炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル基、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。
中でも、置換基Ｚ1としては、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、Ａｒ1〜Ａｒ3が非置換のアリール基であること）が最適である。
また、置換基Ｚ5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００１６】
具体的なトリアリールアミン化合物としては、式（７）で示されるトリフェニルアミン誘導体が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００１７】
【化７】
2020040962.tif 000008
【００１８】
式（７）において、Ｒ11〜Ｒ22は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ5で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。ここで、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびＺ5としては、上記と同様のものが挙げられる。
Ｒ11〜Ｒ22としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
【００１９】
一方、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物としても、特に限定されるものではないが、式（２）で示されるものが好ましい。
【００２０】
【化８】
2020040962.tif 000009
【００２１】
式（２）において、Ａｒ4〜Ａｒ7は、互いに独立して、Ｚ1で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、この場合も、アルデヒド化合物やフルオレン誘導体との縮合反応に寄与する部位が必要であるため、Ａｒ4〜Ａｒ7のそれぞれにおいて環を構成する炭素原子の少なくとも１つは非置換（すなわち、炭素原子上が水素原子）である。
なお、アリール基としては、上記式（１）で例示した基と同様のものが挙げられるが、この場合も、Ｚ1で置換されていてもよいフェニル基が好ましい。
また、Ｚ1としても上記式（１）で例示した基と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、Ａｒ4〜Ａｒ7が非置換のアリール基であること）が最適であり、置換基Ｚ5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００２２】
具体的なＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物としては、式（８）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２３】
【化９】
2020040962.tif 000010
【００２４】
式（８）において、Ｒ23〜Ｒ38は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ5で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。ここで、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびＺ5としては、上記と同様のものが挙げられる。
Ｒ23〜Ｒ38としては、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
【００２５】
また、その少なくとも１つのアリール基がエーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基で置換されたＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物において、エーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基としては、特に限定されるものではないが、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基（置換基Ｚ2）が好ましく、したがって、当該アルコキシ基で置換されたＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物としては、式（３）で示されるものが好ましい。
【００２６】
【化１０】
2020040962.tif 000011
【００２７】
式（３）において、Ａｒ8〜Ａｒ11は、互いに独立して、Ｚ2で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表すが、この場合も上記と同様の理由から、Ａｒ8〜Ａｒ11のうち少なくとも２つにおいて環を構成する炭素原子の少なくとも１つは非置換であるとともに、Ａｒ8〜Ａｒ11の少なくとも１つはＺ2で置換されている。ここで、炭素数６〜２０のアリール基としては、上記と同様のものが挙げられるが、フェニル基が好ましい。
【００２８】
Ｚ2の具体例としては、ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）6ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）7ＣＨ3、ＯＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）8ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）9ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）10ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）11ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）12ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）13ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）14ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）16ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）17ＣＨ3、ＯＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）18ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）6ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）7ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）8ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）9ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）10ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）11ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）12ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）13ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）14ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）16ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）17ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ2��Ｈ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ2）2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣ（ＣＨ3）2ＣＨ（ＣＨ3）2、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）6ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）7ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）（ＣＨ2）3ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、
ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）8ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）9ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）10ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）11ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）12ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）13ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）14ＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＣＨ3、ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）16ＣＨ3基等が挙げられるが、中でも、エーテル結合を含んでいる炭素数２〜１５のアルコキシ基が好ましく、エーテル結合を含んでいる炭素数５〜１０のアルコキシ基がより好ましい。
【００２９】
上記エーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基の数は、１個以上であればよいが、有機溶媒に対する溶解性や得られる有機ＥＬ素子の輝度特性等を高めるという点から、２個以上が好ましい。
特に、２個の場合、別々の窒素原子上のアリール基に当該アルコキシ基が存在することが好ましく、例えば、式（９−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物が好適である。
【００３０】
【化１１】
2020040962.tif 000012
【００３１】
ここで、Ｚ2は、エーテル結合を含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、その具体例としては上記で例示したものが挙げられるが、特に、炭素数が３〜２０の直鎖状の基が好ましく、炭素数が５〜１０の直鎖状の基がより好ましい。それゆえ、例えば、式（９−２）で表されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物が好適である。
【００３２】
【化１２】
2020040962.tif 000013
【００３３】
上記各ｒは、互いに独立して１〜１０の整数を表すが、１〜５の整数が好ましい。
【００３４】
また、Ｚ2の置換位置は任意であるが、窒素原子に対してメタ位またはパラ位が好ましく、式（９′−１）、式（９′−２）、式（９′′−１）および式（９′′−２）で示されるように、２つのＺ2がメタ位同士またはパラ位同士であることがより好ましい。
【００３５】
【化１３】
2020040962.tif 000014
（式中、Ｚ2およびｒは、上記と同じ意味を表す。）
【００３６】
特に好適なＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物としては、式（１０−１）〜式（１０−８）で示されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
【化１４】
2020040962.tif 000015
【００３８】
さらに、フッ素原子を含有するアリールアルデヒド化合物としては、特に限定されるものではないが、式（４）で示される化合物が好ましい。
【００３９】
【化１５】
2020040962.tif 000016
【００４０】
式（４）において、Ａｒ12は、少なくとも１つのＺ3で置換されているとともに、Ｚ4で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基を表し、このアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
置換基Ｚ3は、フッ素原子、炭素数１〜２０のフッ化アルキル基、または炭素数６〜２０のフッ化アリール基を表し、Ｚ4は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ6で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｚ6は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ニトロ基、またはシアノ基を表す。
炭素数１〜２０のフッ化アルキル基および炭素数６〜２０のフッ化アリール基としては、例えば、上述した炭素数１〜２０のアルキル基および炭素数６〜２０のアリール基の炭素原子上の水素原子の少なくとも１つをフッ素原子に置換した基が挙げられる。
その他、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Ｚ3としては、フッ素原子、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜４のフッ化アルキル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基がより一層好ましい。
また、Ｚ4としては、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、Ｚ6で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより一層好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）がさらに好ましい。
そして、Ｚ6としては、塩素原子、臭素原子が好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。
【００４１】
フッ化アルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、ノナフルオロブチル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、ウンデカフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、トリデカフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６−ウンデカフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−デカフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル基等が挙げられる。
フッ化アリール基の具体例としては、４−フルオロフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、１−フルオロ−２−ナフチル基、１−フルオロ−３−ナフチル基、１−フルオロ−４−ナフチル基、１−フルオロ−５−ナフチル基、１−フルオロ−６−ナフチル基、１−フルオロ−７−ナフチル基、１−フルオロ−８−ナフチル基、２−フルオロ−１−ナフチル基、２−フルオロ−３−ナフチル基、２−フルオロ−４−ナフチル基、２−フルオロ−５−ナフチル基、２−フルオロ−６−ナフチル基、２−フルオロ−７−ナフチル基、２−フルオロ−８−ナフチル基、パーフルオロナフチル基等が挙げられる。
【００４２】
具体的なアリールアルデヒド化合物としては、式（１１）または式（１２）で示されるベンズアルデヒド誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４３】
【化１６】
2020040962.tif 000017
【００４４】
式（１１）において、Ｒ39は、フッ素原子または炭素数１〜２０のフッ化アルキル基を表し、Ｒ40〜Ｒ43は、互いに独立して、水素原子、ニトロ基、シアノ基、またはニトロ基もしくはシアノ基で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基を表し、これらフッ化アルキル基およびアルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Ｒ39としては、フッ素原子、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜４のフッ化アルキル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基がより一層好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基がさらに好ましい。
また、Ｒ40〜Ｒ43としては、水素原子、非置換の炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、非置換の炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、水素原子、非置換の炭素数１〜４のアルキル基がより一層好ましく、水素原子、メチル基がさらに好ましく、全て水素原子が最適である。
【００４５】
式（１２）において、Ｒ44〜Ｒ48は、互いに独立して、フッ素原子または炭素数１〜２０のフッ化アルキル基を表し、このフッ化アルキル基としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Ｒ44〜Ｒ48としては、フッ素原子、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜４のフッ化アルキル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基がより一層好ましく、フッ素原子、トリフルオロメチル基がさらに好ましく、全てフッ素原子が最適である。
【００４６】
また、カルボニル基を有するフルオレン誘導体としては、特に限定されるものではないが、式（５）または式（６）で示される化合物が好ましい。
【００４７】
【化１７】
2020040962.tif 000018
【００４８】
式（５）において、Ｒ1〜Ｒ8は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ5で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。ここで、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびＺ5としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Ｒ1〜Ｒ8としては、水素原子、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
【００４９】
また、式（６）において、Ｒ1〜Ｒ7は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはＺ5で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｒ9およびＲ10は、互いに独立して、水素原子、Ｚ5で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０の（ポリ）エチレンオキシド基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはエテニル基もしくはエチニル基で置換されているとともに、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基を表す。ここで、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびＺ5としては、上記と同様のものが挙げられる。
中でも、Ｒ1〜Ｒ7としては、水素原子、フッ素原子、Ｚ5で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
また、Ｒ9およびＲ10としては、水素原子、Ｚ5で置換されていてもよい、炭素数１〜１０のアルキル基もしくは炭素数２〜１０の（ポリ）エチレンオキシド基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、共に水素原子が最適である。
また、置換基Ｚ5としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００５０】
上述したトリアリールアミン化合物、テトラアリールベンジジン化合物、アリールアルデヒド化合物およびフルオレン誘導体の重合体は、酸触媒の存在下で縮合重合して得ることができる。
この反応では、トリアリールアミン化合物またはテトラアリールベンジジン化合物のアリール基１当量に対して、アルコキシ基を有するテトラアリールベンジジン化合物、アルデヒド化合物およびフルオレン誘導体を合計で０．０１〜１０当量程度の割合で用いることができるが、０．０５〜５当量が好ましく、０．１〜３当量がより好ましい。
この場合、アルデヒド化合物およびフルオレン誘導体の使用比率は、通常、アルデヒド化合物１当量に対して、フルオレン誘導体を０．１〜２０当量程度の割合で用いることができるが、１〜１５当量が好ましく、５〜１０当量がより好ましい。
また、アルコキシ基を有するテトラアリールベンジジン化合物およびアルデヒド化合物の使用比率は、通常、アルデヒド化合物１当量に対して、アルコキシ基を有するテトラアリールベンジジン化合物を０．１〜２０当量程度の割合で用いることができるが、１〜１５当量が好ましく、５〜１０当量がより好ましい。
酸触媒としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸などの鉱酸類；ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物などの有機スルホン酸類；ギ酸、シュウ酸などのカルボン酸類等を用いることができる。
酸触媒の使用量は、その種類によって種々選択されるが、通常、トリアリールアミン化合物またはテトラアリールベンジジン化合物１当量に対して、０．００１〜１０当量、好ましくは０．０１〜５当量、より好ましくは０．１〜１当量である。
【００５１】
上記の縮合反応は無溶媒でも行えるが、通常溶媒を用いて行われる。溶媒としては反応を阻害しないものであれば全て使用することができ、例えば、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の環状エーテル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド類；メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類などが挙げられる。これら溶媒は、それぞれ単独で、または２種以上混合して用いることができる。特に、環状エーテル類が好ましい。
また、使用する酸触媒が、例えばギ酸のような液状のものであるならば、酸触媒に溶媒としての役割を兼ねさせることもできる。
【００５２】
縮合時の反応温度は、通常４０〜２００℃である。反応時間は反応温度によって適宜設定されるが、通常３０分から５０時間程度である。
以上のようにして得られる重合体の重量平均分子量Ｍｗは、通常５００〜２００，０００、好ましくは１，０００〜２００，０００であり、より好ましくは１，０００〜１００，０００であり、より一層好ましくは１，５００〜５０，０００であり、さらに好ましくは２，０００〜３０，０００である。
【００５３】
本発明で用いる式（３）等で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物は、後述の合成例２に示されるように、ベンジジンまたはジフェニルベンジジン化合物と、エーテル結合を含んでいてもよいアルコキシ基を有するとともにハロゲン原子または擬ハロゲン基を有するアリール化合物とを、パラジウム触媒等の遷移金属触媒を用いた公知のカップリング反応により反応させることで、合成することができる。
なお、ハロゲン原子としては、ヨウ素、臭素、塩素等が挙げられ、擬ハロゲンとしてはメタンスルホニルオキシ、トリフルオロメタンスルホニルオキシ、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ等の（フルオロ）アルキルスルホニルオキシ；ベンゼンスルホニルオキシ、トルエンスルホニルオキシ等の芳香族スルホニルオキシなどが挙げられる。
【００５４】
例えば、式（９−１）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジンと式（１４）で表されるハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物とを、触媒の存在下でカップリング反応させて得ることができる。
また、式（９−２）で示されるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン化合物は、式（１４）で表されるハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物として、式（１４’）で表されるハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物を用いればよい。
【００５５】
【化１８】
2020040962.tif 000019
（式中、Ｚ2は、上記と同じ意味を示す。Ｈａｌは、ハロゲン原子または擬ハロゲン基を表す。）
【００５６】
【化１９】
2020040962.tif 000020
（式中、Ｈａｌおよびｒは、上記と同じ意味を示す。）
【００５７】
カップリング反応に用いられる触媒としては、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；［１，１′−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム(II)ジクロリド（PdCl2(dppf)）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Pd(PPh3)4）、ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム（Pd(PPh3)2Cl2）、ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム（Pd(dba)2）、トリス（ベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Pd2(dba)3）、ビス（トリｔ−ブチルホスフィン）パラジウム（Pd(P-t-Bu3)2）、酢酸パラジウム（Pd(OAc)2）等のパラジウム触媒などの金属錯体が挙げられる。
これらの触媒は、１種単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は公知の適切な配位子とともに使用してもよい。また、ｔ−ブトキシナトリウム等の塩基をともに使用してもよい。
【００５８】
触媒の使用量は、ハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物１ｍｏｌに対して、０．０００１〜０．５ｍｏｌとすることができるが、０．００１〜０．１ｍｏｌ程度が好適である。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し０．５〜５０当量とすることができるが、１〜１０当量が好適である。
【００５９】
Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジンと式（１４）で表されるハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物との仕込み比は、Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジンの全ＮＨ基の物質量に対し、ハロゲン化または擬ハロゲン化ベンゼン化合物の全「Ｈａｌ」基を当量以上となるようにすればよいが、１〜１．２当量程度が好適である。
【００６０】
上記カップリング反応は、通常、溶媒中で行われる。溶媒は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はなく、その具体例としては、脂肪族炭化水素（ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン等）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン等）、アミド（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、ラクタムおよびラクトン（Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等）、尿素誘導体（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）などが挙げられ、これらの溶媒は１種単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。
【００６１】
反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０〜２００℃程度が好ましく、２０〜１５０℃がより好ましい。
反応終了後は、常法にしたがって後処理をし、目的とするＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラアリールベンジジン化合物を得ることができる。
【００６２】
本発明の電荷輸送性ワニスでは、上述したフッ素原子を有する重合体からなる電荷輸送性物質とともに、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質としてオリゴアニリン化合物を用いる。
オリゴアニリン化合物としては、特に限定されるものではなく、従来公知のオリゴアニリン化合物から適宜選択して用いることができるが、本発明においては、式（１３）で示されるオリゴアニリン化合物を用いることが好ましい。
【００６３】
【化２０】
2020040962.tif 000021
【００６４】
式（１３）において、Ｒ49〜Ｒ54は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子（ただし、フッ素原子を除く）、ニトロ基、シアノ基、Ｚ7で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ8で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＮＨＹ2、−ＮＹ3Ｙ4、−Ｃ（Ｏ）Ｙ5、−ＯＹ6、−ＳＹ7、−ＳＯ3Ｙ8、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ9、−ＯＣ（Ｏ）Ｙ10、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＹ11、または−Ｃ（Ｏ）ＮＹ12Ｙ13基を表し、Ｙ2〜Ｙ13は、互いに独立して、Ｚ7で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ8で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｘ1は、−ＮＹ1−、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ55Ｒ56）l−または単結合を表し、Ｒ55およびＲ56は、上記Ｒ49と同じ意味を表し、ｌは、１〜２０の整数であり、Ｙ1は、互いに独立して、水素原子、Ｚ7で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ8で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ7は、ハロゲン原子（ただし、フッ素原子を除く）、ニトロ基、シアノ基、またはＺ9で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ8は、ハロゲン原子（ただし、フッ素原子を除く）、ニトロ基、シアノ基、またはＺ9で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｚ9は、ハロゲン原子（ただし、フッ素原子を除く）、ニトロ基、またはシアノ基を表し、ｍおよびｎは、互いに独立して、１〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≦１０を満たす。
【００６５】
炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。
その他、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。
【００６６】
式（１３）において、Ｘ1としては、−ＮＹ1−または単結合が好ましい。
Ｒ49〜Ｒ52としては、水素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、Ｚ7で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。
Ｒ53およびＲ54としては、水素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、Ｚ7で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、Ｙ3およびＹ4がＺ8で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ3Ｙ4基が好ましく、水素原子、炭素数１２〜２４のジアリールアミノ基がより好ましく、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。
Ｒ55およびＲ56としては、水素原子、Ｚ7で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ8で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、共に水素原子が最適である。
【００６７】
Ｙ1としては、水素原子、Ｚ7で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子、メチル基がより好ましく、水素原子が最適である。なお、複数のＹ1は、互いに異なっていても全て同一であってもよい。
特に、Ｒ49〜Ｒ52が、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ53およびＲ54が、水素原子、炭素数１２〜２４のジアリールアミノ基、Ｘ1が、−ＮＹ1−または単結合、かつ、Ｙ1が、水素原子、メチル基の組み合わせが好ましく、Ｒ49〜Ｒ52が、全て水素原子、Ｒ53およびＲ54が、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基、Ｘ1が、−ＮＹ1−または単結合、Ｙ1が、水素原子の組み合わせがより好ましい。
【００６８】
なお、Ｙ1〜Ｙ13およびＲ49〜Ｒ56において、置換基Ｚ7は、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ9で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、塩素原子、臭素原子、Ｚ9で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
また、置換基Ｚ8は、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、Ｚ9で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、塩素原子、臭素原子、Ｚ9で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
そして、Ｚ9は、塩素原子、臭素原子が好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
【００６９】
式（１３）において、ｍおよびｎは、互いに独立して、１〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≦１０を満たすが、得られる薄膜の電荷輸送性とオリゴアニリン化合物の溶解性とのバランスを考慮すると、２≦ｍ＋ｎ≦８を満たすことが好ましく、２≦ｍ＋ｎ≦６を満たすことがより好ましく、２≦ｍ＋ｎ≦４を満たすことがより一層好ましい。
【００７０】
上記フッ素原子を含有しないオリゴアニリン化合物の分子量は、通常３００〜５，０００であるが、溶解性を高める観点から、好ましくは４，０００以下、より好ましくは３，０００以下、より一層好ましくは２，０００以下である。
なお、本発明で用いられるオリゴアニリン化合物の合成法としては、特に限定されるものではないが、ブレティン・オブ・ケミカル・ソサエティ・オブ・ジャパン（Bulletin of Chemical Society of Japan）（１９９４年、第６７巻、ｐ．１７４９−１７５２）、シンセティック・メタルズ（Synthetic Metals）（１９９７年、第８４巻、ｐ．１１９−１２０）、国際公開２００８／０３２６１７号、国際公開２００８／０３２６１６号、国際公開２００８／１２９９４７号などに記載の方法が挙げられる。
【００７１】
式（１３）で示されるオリゴアニリン化合物の具体例として、下記式で示されるものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００７２】
【化２１】
2020040962.tif 000022
【００７３】
【化２２】
2020040962.tif 000023
【００７４】
本発明の電荷輸送性ワニスにおいて、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質と、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質との使用比率は特に限定されるものではないが、得られる有機ＥＬ素子の輝度特性をより高めることを考慮すると、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質を、質量比で、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質１に対して、０．１〜５程度とすることが好ましく、０．５〜３程度とすることがより好ましく、０．５〜１程度とすることがより一層好ましい。
【００７５】
さらに本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパント物質としてヘテロポリ酸を含む。
ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ａ）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ｂ）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）の酸素酸が挙げられる。
【００７６】
【化２３】
2020040962.tif 000024
【００７７】
ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
本発明においては、有機ＥＬ素子の輝度特性向上の点を考慮すると、リンモリブデン酸またはリンタングステン酸が好ましく、リンタングステン酸がより好ましい。
なお、本発明においては、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手し、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式Ｈ3（ＰＷ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ3（ＰＭｏ12Ｏ40）・ｎＨ2Ｏでそれぞれ示されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）またはＷ（タングステン）もしくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法に従い適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。
【００７８】
本発明においては、ヘテロポリ酸、好ましくはリンタングステン酸を、質量比で、オリゴアニリン化合物１に対して２〜１０程度、好ましくは２．５〜９．０程度とすることで、有機ＥＬ素子に用いた場合に高輝度を与える電荷輸送性薄膜を再現性よく得ることができる。
すなわち、そのような電荷輸送性ワニスは、オリゴアニリン化合物の質量（ＷH）に対するヘテロポリ酸の質量（ＷD）の比が、２≦ＷD／ＷH≦１０、好ましくは２．５≦ＷD／ＷH≦９．０を満たす。
【００７９】
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、当該ワニスから得られる薄膜の耐溶剤性を向上させることを目的として、硬化剤を含んでいてもよい。
このような硬化剤としては、特に限定されるものではなく、（メタ）アクリレート化合物、エポキシ化合物、ブロックイソシアネート基を有する化合物等の従来公知の種々の硬化剤が挙げられるが、（メタ）アクリレート化合物やそれを含む組成物などのアクリレート系硬化剤が好ましく、特に多官能（メタ）アクリレート化合物やそれを含む組成物などの多官能アクリレート系硬化剤がより好ましい。
アクリレート系硬化剤の具体例としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレートモノステアレート、ビスフェノールＡエチレングリコール付加物（メタ）アクリレート、ビスフェノールＦエチレングリコール付加物（メタ）アクリレート、トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカンメタノールジ（メタ）アクリレート、トリスヒドロキシエチルイソシアヌレートジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレングリコール付加物トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレングリコール付加物トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリス（メタ）アクリロイルオキシエチルフォスフェート、トリスヒドロキシエチルイソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、変性ε−カプロラクトントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、グリセリンプロピレングリコール付加物トリス（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエチレングリコール付加物テトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、不飽和ポリエステル、９，９−ビス[４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル]フルオレン、オグソールＥＡ−０２００，同ＥＡ−Ｆ５００３，同ＥＡ−Ｆ５５０３，同ＥＡ−Ｆ５５１０（以上、大阪ガスケミカル（株）製）、ＮＫエステルＡ−ＢＰＥＦ，同Ａ−ＢＰＥＦ／ＰＧＭＡＣ７０（以上、新中村化学工業（株）製）等が挙げられる。
【００８０】
硬化剤を用いる場合、その使用量は、得られる薄膜に目的とする耐溶剤性を付与するとともに、薄膜が有する電荷輸送性等の本来の特性に悪影響を及ぼさない限り任意であるが、フッ素原子を含有する電荷輸送性物質、フッ素原子を含有しない電荷輸送性物質およびヘテロポリ酸からなるドーパント物質の合計質量１に対して、質量比で、０．０１〜１０程度とすることが好ましく、０．０５〜５．０程度とすることがより好ましく、０．１０〜２．０程度とすることがより一層好ましい。
【００８１】
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる溶媒としては、電荷輸送性物質およびドーパント物質を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒を用いることができる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
なお、電荷輸送性物質およびドーパント物質は、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましい。
【００８２】
また、本発明の電荷輸送性ワニスに、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも一種類含有させることができる。このような溶媒を加えることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、平坦性の高い薄膜を再現性良く与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が容易になる。
高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％であることが好ましい。
【００８３】
さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。
【００８４】
本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓである。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１〜１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０．５〜５．０質量％、より好ましくは１．０〜３．０質量％である。
【００８５】
以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、焼成することで基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、スリットコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられるが、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。
【００８６】
また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることが可能であるが、より高い再現性で電荷輸送性に優れる薄膜を得ることを考慮すると、大気雰囲気が好ましい。
【００８７】
焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度等を勘案して、概ね１００〜２６０℃の範囲内で適宜設定されるものではあるが、有機ＥＬ素子の陽極と発光層との間にそれらと接する態様で設けて機能性単一膜（正孔注入輸送層）として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１５０〜２３０℃程度がより好ましい。この場合、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。
【００８８】
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されるものではなく、有機ＥＬ素子内で用いる場合、５〜２００ｎｍ程度とすることができるが、本発明で用いる２種類の電荷輸送性物質の相分離の程度を高めて有機ＥＬ素子の輝度特性や寿命特性をより高めることを考慮すると、１０〜１００ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍがより好ましく、２５〜４５ｎｍがより一層好ましい。
膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
【００８９】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。
【００９０】
本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる機能性単一膜（正孔注入輸送層）を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布し、上記の方法により焼成を行い、電極上に機能性単一膜を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
【００９１】
発光層を形成する材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）および４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料または正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、（２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
【００９２】
発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）3）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオナート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）3ｐｈｅｎ）等が挙げられる。
【００９３】
キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
【００９４】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、発光性高分子層を形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる機能性単一膜（正孔注入輸送層）を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により機能性単一膜を作製し、その上に発光性高分子層を形成し、さらに陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
【００９５】
使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
発光性高分子層の形成法としては、発光性高分子材料、またはそれにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、機能性単一膜の上に塗布した後、焼成することにより成膜する方法が挙げられる。
発光性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）などのポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【００９６】
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等が挙げられ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
焼成する方法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
【実施例】
【００９７】
以下、合成例、参考例および比較参考例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）ＮＭＲ：日本電子（株）製  ＥＣＸ−３００
（２）ＬＣ／ＭＳ：Ｗａｔｅｒｓ（株）製  ＺＱ ２０００
（３）基板洗浄：長州産業（株）製  基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（４）ワニスの塗布：ミカサ（株）製  スピンコーターＭＳ−Ａ１００
（５）膜厚測定：（株）小坂研究所製  微細形状測定機サーフコーダＥＴ−４０００
（６）高分子分子量測定：（株）島津製作所製（カラム：ＳＨＯＤＥＸ  ＧＰＣ  ＫＦ−８０３Ｌ＋ＧＰＣ  ＫＦ−８０４Ｌ，カラム温度：４０℃，検出器：ＵＶ検出器（２５４ｎｍ）およびＲＩ検出器，溶離液：ＴＨＦ，カラム流速：１．０ｍｌ／ｍｉｎ．）
（７）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製  多機能蒸着装置システムＣ−Ｅ２Ｌ１Ｇ１−Ｎ
（８）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製  Ｉ−Ｖ−Ｌ測定システム
【００９８】
［１］化合物の合成
［合成例１］化合物１の合成
【化２４】
2020040962.tif 000025
【００９９】
３−ブロモフェノール（８．６５ｇ，５０ｍｍｏｌ）のアセトニトリル溶液（１７０ｍＬ）に炭酸カリウム（７．６０ｇ，５５ｍｍｏｌ）、ジエチレングリコール２−ブロモエチルメチルエーテル（９５３５μＬ，５５ｍｍｏｌ）を加え、１８時間室温で撹拌した後、７時間加熱還流した。この懸濁液に炭酸カリウム（１．５０ｇ，１０ｍｍｏｌ）、ジエチレングリコール２−ブロモエチルメチルエーテル（１９００μＬ，１０ｍｍｏｌ）を加え、さらに４時間加熱還流した。反応終了後、不溶物をろ過により取り除き、ろ液を濃縮して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル）で精製し、無色液体の化合物１（１６．１３ｇ，１００％収率）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ３．３８（ｓ，３Ｈ），３．５３−３．５８（ｍ，２Ｈ），３．６４−３．７５（ｍ，６Ｈ），３．８４（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），４．１１（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），６．８３−６．８７（ｍ，１Ｈ），７．０５−７．１６（ｍ，３Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ+）ｍ／ｚ；３１９，３２１［Ｍ＋１］+
【０１００】
［合成例２］化合物２の合成
【化２５】
2020040962.tif 000026
【０１０１】
Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（４．８８ｇ，１４．５ｍｍｏｌ）、合成例１で得られた化合物１（１１．１５ｇ，３５ｍｍｏｌ）のトルエン懸濁液（７０ｍＬ）に、Ｐｄ（ｄｂａ）2（８３４ｍｇ，１．５ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ（４．１８ｇ，４３．５ｍｍｏｌ）、［（ｔ−Ｂｕ）3ＰＨ］ＢＦ4（８４１ｍｇ，２．９ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍＬ）を加え、窒素置換後、３時間加熱還流した。反応終了後、セライトろ過し、ろ液を濃縮して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル）で精製して茶色液体の化合物２（１２．０６ｇ，１００％収率）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ３．３６（ｓ，６Ｈ），３．５２−３．５５（ｍ，４Ｈ），３．６２−３．７３（ｍ，１２Ｈ），３．８０（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，４Ｈ），４．０４（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，４Ｈ），６．５７−６．５９（ｍ，２Ｈ），６．６８−６．７１（ｍ，４Ｈ），７．０２（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．１１−７．１７（ｍ，１０Ｈ），７．２３−７．２８（ｍ，４Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ+）ｍ／ｚ；８１３［Ｍ＋１］+
【０１０２】
［合成例３］化合物３の合成
【化２６】
2020040962.tif 000027
【０１０３】
４−ブロモフェノール（８．６５ｇ，５０ｍｍｏｌ）、Macromolecules 2001, 34, 931.に記載の方法で合成した２−（２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ）エチルｐ−トルエンスルホナート（１９．１ｇ，６０ｍｍｏｌ）のアセトニトリル溶液（１７３ｍＬ）に炭酸カリウム（８．２９ｇ，６０ｍｍｏｌ）を加え、２３時間加熱還流した。反応終了後、不溶物をろ過により除去し、ろ液を濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー［溶出液：ヘキサン／酢酸エチル（２／１→１／１（ｖ／ｖ））］で精製して無色液体の化合物３（１５．２４ｇ，９５％収率）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ３．３８（ｓ，３Ｈ），３．５３−３．５８（ｍ，２Ｈ），３．６３−３．７５（ｍ，６Ｈ），３．８４（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），４．０９（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），６．７９（ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ+）ｍ／ｚ；３１９，３２１［Ｍ＋１］+
【０１０４】
［合成例４］化合物４の合成
【化２７】
2020040962.tif 000028
【０１０５】
Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（４．７３ｇ，１４．１ｍｍｏｌ）、合成例３で得られた化合物３（１０．７７ｇ，３３．７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）2（８０８ｍｇ，１．４ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ（４．０５ｇ，４２ｍｍｏｌ）、ジ−ｔ−ブチルフェニルホスフィン（６７０μＬ，２．８ｍｍｏｌ）を用い、合成例２と同様の合成手順によって、茶色液体の化合物４（１１．３５ｇ，９９％収率）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ３．３８（ｓ，６Ｈ），３．５４−３．５７（ｍ，４Ｈ），３．６５−３．７７（ｍ，１２Ｈ），３．８６（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，４Ｈ），４．１２（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，４Ｈ），６．８６（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，４Ｈ），６．９６（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．０４−７．１０（ｍ，１２Ｈ），７．２０−７．２５（ｍ，４Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ+）ｍ／ｚ；８１３［Ｍ＋１］+
【０１０６】
［合成例５］化合物５の合成
【化２８】
2020040962.tif 000029
【０１０７】
３−ブロモフェノール（１ｇ，５．８ｍｍｏｌ）、Macromolecules 2001, 34, 931.に記載の方法で合成した２−（２−メトキシエトキシ）エチルｐ−トルエンスルホナート（２．５４ｇ，９．２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１．２８ｇ，９．２ｍｍｏｌ）を用い、合成例３と同様の合成手順によって、無色液体の化合物５（１．３８ｇ，８７％収率）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ３．３９（ｓ，３Ｈ），３．５６−３．５９（ｍ，２Ｈ），３．７０−３．７４（ｍ，２Ｈ），３．８５（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），４．１２（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），６．８４（ｄｄｄ，Ｊ＝１．５，２．４，７．８Ｈｚ，２Ｈ），７．０５−７．１５（ｍ，３Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ+）ｍ／ｚ；２７５，２７７［Ｍ＋１］+
【０１０８】
［合成例６］化合物６の合成
【化２９】
2020040962.tif 000030
【０１０９】
Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（７０３ｍｇ，２．１ｍｍｏｌ）、合成例５で得られた化合物５（１．３８ｇ，５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）2（１２１ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）、ｔ−ＢｕＯＮａ（６００ｍｇ，６．３ｍｍｏｌ）、ジ−ｔ−ブチルフェニルホスフィン（１００μＬ，０．４２ｍｍｏｌ）を用い、合成例２と同様の合成手順によって、茶色液体の化合物６（１．５２ｇ，１００％収率）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ３．３７（ｓ，６Ｈ），３．５４−３．５７（ｍ，４Ｈ），３．６７−３．７０（ｍ，４Ｈ），３．８０（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，４Ｈ），４．０５（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝４．５Ｈｚ，４Ｈ），６．５６−６．５９（ｍ，２Ｈ），６．６８−６．７１（ｍ，４Ｈ），７．０２（ａｐｐ ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．１０−７．１７（ｍ，１０Ｈ），７．２３−７．２８（ｍ，４Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ+）ｍ／ｚ；７２５［Ｍ＋１］+
【０１１０】
［合成例７］ポリマー１の合成
【化３０】
2020040962.tif 000031
【０１１１】
トリフェニルアミン（０．９６ｇ，３．９ｍｍｏｌ）、合成例２で得られた化合物２（１．０６ｇ，１．３ｍｍｏｌ）、４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド（０．０９ｇ，０．５２ｍｍｏｌ）、９−フルオレノン（０．８４ｇ，４．６８ｍｍｏｌ）およびｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．９９ｇ，５．２ｍｍｏｌ）に１，４−ジオキサン（４ｇ）を加え、８時間加熱還流した後、室温まで冷却した。冷却後、テトラヒドロフラン（１２ｍＬ）を加えて希釈し、メタノール（１００ｍＬ）／２８％アンモニア水（２０ｍＬ）に滴下して１時間撹拌した。析出した粉末を吸引ろ過で回収し、トルエン（１５ｍＬ）に溶解させた。この溶液をメタノール（１２０ｍＬ）に滴下して１時間撹拌した。析出した粉末を吸引ろ過で回収し、減圧乾燥してポリマー１（２．０４ｇ）を得た。
Ｍｗ（ＧＰＣ）＝３，４００
Ｍｎ（ＧＰＣ）＝１，４００
Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４
【０１１２】
［合成例８］ポリマー２の合成
【化３１】
2020040962.tif 000032
【０１１３】
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニルベンジジン（１．４７ｇ，３．０ｍｍｏｌ）、合成例２で得られた化合物２（０．８１ｇ，１．０ｍｍｏｌ）、４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド（０．１４ｇ，０．８ｍｍｏｌ）、９−フルオレノン（１．３０ｇ，７．２ｍｍｏｌ）およびｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．７６ｇ，４．０ｍｍｏｌ）を用い、合成例７と同様の合成手順によってポリマー２（２．１８ｇ）を得た。
Ｍｗ（ＧＰＣ）＝４，５００
Ｍｎ（ＧＰＣ）＝２，９００
Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６
【０１１４】
［合成例９］ポリマー３の合成
【化３２】
2020040962.tif 000033
【０１１５】
トリフェニルアミン（０．５９ｇ，２．４ｍｍｏｌ）、合成例４で得られた化合物４（０．６５ｇ，０．８ｍｍｏｌ）、４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド（５５．７ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）、９−フルオレノン（０．５２ｇ，２．９ｍｍｏｌ）およびｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．６１ｇ，３．２ｍｍｏｌ）を用い、合成例７と同様の合成手順によって、ポリマー３（１．２４ｇ）を得た。
Ｍｗ（ＧＰＣ）＝３，３００
Ｍｎ（ＧＰＣ）＝２，２００
Ｍｗ／Ｍｎ＝１．６
【０１１６】
［合成例１０］ポリマー４の合成
【化３３】
2020040962.tif 000034
【０１１７】
トリフェニルアミン（０．５９ｇ，２．４ｍｍｏｌ）、合成例６で得られた化合物６（０．５８ｇ，０．８ｍｍｏｌ）、４−トリフルオロメチルベンズアルデヒド（５５．７ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）、９−フルオレノン（０．５２ｇ，２．９ｍｍｏｌ）およびｐ−トルエンスルホン酸一水和物（０．４９ｇ，２．６ｍｍｏｌ）を用い、合成例７と同様の合成手順によって、ポリマー４（１．２０ｇ）を得た。
Ｍｗ（ＧＰＣ）＝４，３００
Ｍｎ（ＧＰＣ）＝２，２００
Ｍｗ／Ｍｎ＝２．０
【０１１８】
［２］電荷輸送性ワニスの調製
［参考例１］電荷輸送性ワニスＡ
合成例７で得られたポリマー１（９０ｍｇ）、国際公開２０１３／０８４６６４号記載の方法に従って合成したオリゴアニリン化合物１（２０ｍｇ）およびリンタングステン酸（関東化学（株）製）（１００ｍｇ）の混合物に、窒素循環型グローブボックス内で１，３−ジメチルイミダゾリジノン（２．５ｇ）を加え、５０℃で加熱撹拌して溶解させた。これにシクロヘキサノール（２．５ｇ）を加えて撹拌し、緑色溶液を得た。この溶液を孔径０．２μｍのシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスＡを得た。
【０１１９】
【化３４】
2020040962.tif 000035
【０１２０】
［参考例２］電荷輸送性ワニスＢ
ポリマー１の代わりに、合成例８で得られたポリマー２を９０ｍｇ用いた以外は、参考例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１２１】
［参考例３］電荷輸送性ワニスＣ
ポリマー１の代わりに、合成例９で得られたポリマー３を９０ｍｇ用いた以外は、参考例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１２２】
［参考例４］電荷輸送性ワニスＤ
ポリマー１の代わりに、合成例１０で得られたポリマー４を９０ｍｇ用いた以外は、参考例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１２３】
［比較参考例１］電荷輸送性ワニスＥ
ポリマー１を用いず、オリゴアニリン化合物１およびリンタングステン酸の使用量を２０ｍｇおよび１００ｍｇとした以外は、参考例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。
【０１２４】
［３］有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ素子）の作製およびその特性評価
電気特性を評価する際の基板には、インジウム錫酸化物が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板（以下、ＩＴＯ基板と略す）を用いた。ＩＴＯ基板は、Ｏ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）を用いて、表面上の不純物を除去してから使用した。
【０１２５】
［参考例５］電荷輸送性ワニスＡを用いたＯＬＥＤ素子の作製
参考例１で得られた電荷輸送性ワニスＡを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、８０℃で１分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３５ｎｍの均一な薄膜を形成した。
【０１２６】
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０-5Ｐａ）を用いてトリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ3）、フッ化リチウム、およびアルミニウムの薄膜を順次積層し、ＯＬＥＤ素子を得た。この際、蒸着レートは、Ａｌｑ3およびアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ４０ｎｍ、０．５ｎｍおよび１００ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、ＯＬＥＤ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（（株）ＭＯＲＥＳＣＯ製、モレスコモイスチャーカット  ＷＢ９０ＵＳ（Ｐ））により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製，ＨＤ−０７１０１０Ｗ−４０）をＯＬＥＤ素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。
【０１２７】
［参考例６］電荷輸送性ワニスＢを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに実施例２で得られた電荷輸送性ワニスＢを用いた以外は、参考例５と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。
【０１２８】
［参考例７］電荷輸送性ワニスＣを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに参考例３で得られた電荷輸送性ワニスＣを用いた以外は、参考例５と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。
【０１２９】
［参考例８］電荷輸送性ワニスＤを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに参考例４で得られた電荷輸送性ワニスＤを用いた以外は、参考例５と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。
【０１３０】
［比較参考例２］電荷輸送性ワニスＥを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに比較参考例１で得られた電荷輸送性ワニスＥを用いた以外は、参考例５と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。
【０１３１】
参考例５〜８および比較参考例２で得られたＯＬＥＤ素子の電気特性を測定した。駆動電圧７Ｖにおける電流密度、輝度および電流効率を表１に示す。
【０１３２】
【表１】
2020040962.tif 000036
【０１３３】
表１に示されるように、ポリマー１〜４のいずれも添加していない電荷輸送性ワニスＥを用いた比較参考例２では、電流効率が著しく低く、電流密度に対して輝度が低いことがわかる。
このように、ポリマー１〜４のいずれかを電荷輸送性ワニスに添加することにより、ＯＬＥＤ素子の電流効率および輝度を向上させることができることがわかる。