(57)【要約】      （修正有）【課題】ＳｉＣデバイスの欠陥の原因となりうる箇所を特定できるＳｉＣ基板の評価方法を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるＳｉＣ基板の評価方法は、ＳｉＣインゴットから切り出したＳｉＣ基板の第１面に、エピタキシャル膜を積層する前にＳｉＣのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光をＳｉＣ基板に照射し、ＳｉＣ基板から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定する。ＳｉＣ基板の第１面を評価した後に、第１面にエピタキシャル膜を積層しＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する。【選択図】図１
2020040853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣインゴットから切り出したＳｉＣ基板の第１面に、エピタキシャル膜を積層する前に励起光を照射して、フォトルミネッセンス測定する、ＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項２】
前記フォトルミネッセンス測定において、前記第１面にスポット照射した前記励起光をスキャンする、請求項１に記載のＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項３】
前記フォトルミネッセンス測定は、ＳｉＣのバンドギャップより大きなエネルギーを有する前記励起光を前記ＳｉＣ基板に照射し、前記ＳｉＣ基板から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定する、請求項１又は２に記載のＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項４】
前記ＳｉＣ基板の総転位密度は１００００個／ｃｍ２以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項５】
前記ＳｉＣ基板に含まれる不純物の合計密度が１．０×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のＳｉＣ基板の評価方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のＳｉＣ基板の評価方法を用いて前記ＳｉＣ基板の前記第１面を評価した後に、前記第１面にエピタキシャル膜を積層する、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項７】
ＳｉＣ基板と、
前記ＳｉＣ基板の第１面に積層されたエピタキシャル膜と、を有し、
前記ＳｉＣ基板の前記第１面において、不純物に起因したフォトルミネッセンスの強度がＳｉＣバンド端に起因したフォトルミネッセンスの強度より強くなる領域が、前記第１面の総面積の５０％以下である、ＳｉＣエピタキシャルウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ基板の評価方法、ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて絶縁破壊電界が１桁大きく、バンドギャップが３倍大きい。また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、シリコン（Ｓｉ）に比べて熱伝導率が３倍程度高い等の特性を有する。炭化珪素（ＳｉＣ）は、パワーデバイス、高周波デバイス、高温動作デバイス等への応用が期待されている。
【０００３】
ＳｉＣを用いた半導体等のデバイス（以下、ＳｉＣデバイスという。）は、ＳｉＣ基板上にエピタキシャル膜を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハに形成される。以下、エピタキシャル膜を形成する前のウェハをＳｉＣ基板と言い、エピタキシャル膜を形成した後のウェハをＳｉＣエピタキシャルウェハという。
【０００４】
ＳｉＣ基板は、ＳｉＣインゴットをスライスして得られる。ＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板とエピタキシャル膜とを有する。エピタキシャル膜は、ＳｉＣ基板の一面に化学的気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）等によって積層される。エピタキシャル膜は、ＳｉＣデバイスの活性領域となる。
【０００５】
半導体デバイスに広く用いられているＳｉ基板は、高品質に作製でき、エピタキシャル膜が不要である。これに対し、ＳｉＣ基板は、Ｓｉ基板と比較して欠陥が多い。エピタキシャル膜は、ＳｉＣデバイスの高品質化のために形成されている。
【０００６】
特許文献１は、エピタキシャル膜を形成後のＳｉＣエピタキシャルウェハの表面をフォトルミネッセンス法で評価することが記載されている。
【０００７】
特許文献２は、Ｓｉ基板の表面をフォトルミネッセンス法で評価することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１６−２５２４１号公報
【特許文献２】特開２０１８−１４３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＳｉＣデバイスは、順方向に電圧を印加した際に、特性が低下する（バイポーラ劣化が生じる）場合がある。バイポーラ劣化は、ＳｉＣデバイスの順方向に電圧を印加することで、拡張した欠陥が原因と言われている。
【００１０】
バイポーラ劣化の原因となる欠陥の多くは、ＳｉＣエピタキシャルウェハをフォトルミネッセンス測定により特定できる。しかしながら、ＳｉＣエピタキシャルウェハをフォトルミネッセンス測定した履歴を確認しても、原因となる欠陥が確認されない場合がある。
【００１１】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、ＳｉＣデバイスの欠陥の原因となりうる箇所を特定できるＳｉＣ基板の評価方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
フォトルミネッセンス法は、物質に励起光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発光する光を測定する方法である。励起光は、物質表面近傍の電子を励起する。換言すると、フォトルミネッセンス法は、励起光が届かないＳｉＣエピタキシャルウェハの表面から深い位置の欠陥は特定できない。例えば、エピタキシャル膜を形成前のＳｉＣ基板に原因があった場合、エピタキシャル膜を形成後のＳｉＣエピタキシャルウェハを評価しても、欠陥を特定することができない。そこで、本発明者は、鋭意検討の結果、欠陥の原因をＳｉＣ基板まで遡ることを検討した。
【００１３】
ＳｉＣ基板の分析は、例えば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で行うことができる。ＳＩＭＳは、ＳｉＣ基板中の不純物濃度を測定できる。不純物が凝集した箇所は、局所的に電気抵抗が低く又は高くなる。不純物がドナーの場合は電気抵抗が低くなり、アクセプタの場合は電気抵抗が高くなる。ＳＩＭＳは、ＳｉＣ基板の不純物凝集等を特定できる。一方で、ＳＩＭＳは、破壊検査であり、サンプルを非破壊で測定できない。またＳＩＭＳは、破壊した特定の部分を測定する。ＳＩＭＳは、測定した箇所以外の部分に不純物が局所的に集中していた場合、欠陥の原因箇所を見逃す場合がある。
【００１４】
本発明者は、欠陥数が多いＳｉＣ基板に対しては不向きと考えられていたフォトルミネッセンス法を適用すると、ＳｉＣデバイスの欠陥の原因となりうる箇所を非破壊で特定できることを見出した。
すなわち、本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を提供する。
【００１５】
（１）第１の態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法は、ＳｉＣインゴットから切り出したＳｉＣ基板の第１面に、エピタキシャル膜を積層する前に励起光を照射して、フォトルミネッセンス測定する。
【００１６】
（２）上記態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法は、前記フォトルミネッセンス測定において、前記第１面にスポット照射した前記励起光をスキャンしてもよい。
【００１７】
（３）上記態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法において、前記フォトルミネッセンス測定は、ＳｉＣのバンドギャップより大きなエネルギーを有する前記励起光を前記ＳｉＣ基板に照射し、前記ＳｉＣ基板から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定する。
【００１８】
（４）上記態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法において、前記ＳｉＣ基板の総転位密度は１００００個／ｃｍ２以下であってもよい。
【００１９】
（５）上記態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法において、前記ＳｉＣ基板に含まれる不純物の合計密度が１．０×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３未満であってもよい。
【００２０】
（６）第２の態様にかかるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、上記態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法を用いて前記ＳｉＣ基板の前記第１面を評価した後に、前記第１面にエピタキシャル膜を積層する。
【００２１】
（７）第３の態様にかかるＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板と、前記ＳｉＣ基板の第１面に積層されたエピタキシャル膜と、を有し、前記ＳｉＣ基板の前記第１面において、不純物に起因したフォトルミネッセンスの強度がＳｉＣバンド端に起因したフォトルミネッセンスの強度より強くなる領域が、前記第１面の総面積の５０％以下である。
【発明の効果】
【００２２】
上記態様にかかるＳｉＣ基板の評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、ＳｉＣデバイスの欠陥の原因となりうる箇所を特定できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】ＳｉＣ基板の第１面のフォトルミネッセンス像である。
【図２】図１における測定点ｐ１における発光強度の波長依存性を測定した結果である。
【図３】図１における測定点ｐ２における発光強度の波長依存性を測定した結果である。
【図４】図１における測定点ｐ１〜ｐ６における発光強度の波長依存性を測定した結果である。
【図５】ＳｉＣ基板の第１面のフォトルミネッセンス像である。
【図６】図５における測定点ｐ７〜ｐ１０における発光強度の波長依存性を測定した結果である。
【図７】図１における測定点ｐ１の発光スペクトルと、図５における測定点ｐ１０の発光スペクトルと、を３９０ｎｍの発光強度で規格化したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本実施形態について、図を適宜参照しながら詳細に説明する。以下の説明で用いる図面は、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際とは異なっていることがある。以下の説明において例示される材質、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００２５】
「ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法」
本実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法は、ＳｉＣインゴット作製工程と、ＳｉＣ基板作製工程と、ＳｉＣ基板の評価工程と、エピタキシャル膜積層工程と、を有する。
【００２６】
ＳｉＣインゴットは、ＳｉＣのバルクの単結晶である。ＳｉＣインゴットは、昇華再結晶法等で作製できる。
【００２７】
作製されたＳｉＣインゴットからＳｉＣ基板を作製する。ＳｉＣ基板は、ＳｉＣインゴットをスライスして得られる。ＳｉＣ基板の表面は研磨することが好ましい。
【００２８】
次いで、ＳｉＣ基板の第１面を評価する。第１面は、後述の工程でエピタキシャル膜が積層される面である。第１面は、フォトルミネッセンス法で評価する。
【００２９】
フォトルミネッセンス法は、物質に励起光を照射し、励起された電子が基底状態に戻る際に発光する光を測定する方法である。ＳｉＣ基板の第１面に、ＳｉＣのバンドギャップより大きなエネルギーを有する励起光を照射し、ＳｉＣ基板から発光されるフォトルミネッセンスの強度を測定する。フォトルミネッセンス法をＳｉＣ基板に適用することで、ＳｉＣ基板の欠陥、不純物の凝集箇所等を特定する。
【００３０】
図１は、ＳｉＣ基板の第１面のフォトルミネッセンス像である。図１のフォトルミネッセンス像は、１０ｍｍ×１０ｍｍのＳｉＣ基板の第１面に、励起波長３５５ｎｍ、スポット径１μｍの励起光を５０μｍ間隔で照射し、ＳｉＣ基板から発光される４４０±２０ｎｍの波長の光を検出したものである。励起光は、半導体励起固体（ＤＰＳＳ）レーザを用いて照射した。励起レーザの励起パワー密度は、１μｍのスポット径に対し６５０μＷとした。測定温度は室温（２５℃）とした。ＳｉＣ基板は、１×１０１8ａｔｍ／ｃｍ３程度の窒素がドープされている。図１において黒色が強い部分は、発光強度が強い部分である。
【００３１】
図２は、図１における測定点ｐ１における発光強度の波長依存性を測定した結果である。図３は、図１における測定点ｐ２における発光強度の波長依存性を測定した結果である。図２は、３９０ｎｍ近傍に強い発光ピークを有する。図３は、３９０ｎｍ、４１０ｎｍ及び４３０ｎｍの近傍に強い発光ピークを有する。図３において４３０ｎｍ近傍に発光ピークを有することは、図１において測定点ｐ２が測定点ｐ１より強く発光していることと対応している。
【００３２】
３９０ｎｍ近傍の発光ピークは、４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光に由来する。測定点ｐ１は、４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光に由来するピークが強くみられ正常部とみなせる。これに対し、測定点ｐ２は、４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光以外の４１０ｎｍ近傍及び４３０ｎｍ近傍に発光ピークを有する。これらの発光ピークは、欠陥（意図してドープした不純物以外の不純物を含む）由来と考えられる。例えば、４３０ｎｍ近傍の発光ピークは、窒素とボロンがドープされたものに由来するピークと考えられる。測定点ｐ２は、非正常部とみなせる。
【００３３】
図４は、図１における測定点ｐ１〜ｐ６における発光強度の波長依存性を測定した結果である。図１において、黒点が観測された測定点ｐ２〜ｐ６は、いずれも４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光に由来する３９０ｎｍ近傍以外の発光ピークを有する。
【００３４】
図４において、測定点ｐ１〜ｐ６のそれぞれの発光強度の違いは、測定条件等に伴うブレによる。一方で、各測定点ｐ１〜ｐ６における発光ピークごとの強度比は、ＳｉＣ基板が含有する欠陥の存在比に対応する。例えば、測定点ｐ４において、４３０ｎｍ近傍の不純物に伴う発光ピークの発光強度は、３９０ｎｍ近傍の４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光に伴う発光ピークの発光強度より強い。測定点ｐ４は、ドープされた不純物以外の意図しない不純物が多いことを示す。各波長における発光ピークを３９０ｎｍ近傍の発光ピークで規格化することで、特定の欠陥の存在量を概算できる。
【００３５】
フォトルミネッセンス法は、欠陥数が少ない基板の表面状態の測定に有用である。欠陥数が多いと、励起により形成された電子正孔対が欠陥にトラップされ、十分な発光が得られないためである。
【００３６】
ＳｉＣ基板の表面の欠陥は、１０００個から１００００個／ｃｍ２程度である。これに対して、ＳｉＣエピタキシャルウェハのエピタキシャル膜の表面の欠陥数は、１０個／ｃｍ２程度である。エピタキシャル膜を積層することで、欠陥数は数桁オーダーで減少する。フォトルミネッセンス法は、欠陥の少ないＳｉ基板又はＳｉＣエピタキシャルウェハに対しては有用であるが、欠陥数の多いＳｉＣ基板に対しては有用ではないと考えられていた。
【００３７】
しかしながら、図１〜図４に示すように、ＳｉＣ基板においてもフォトルミネッセンス法を用いることで、欠陥が存在する箇所を特定できることが確認された。
【００３８】
ＳｉＣ基板は、年々、高品質化している。ＳｉＣ基板から発光されるフォトルミネッセンス光は、高品質なＳｉＣ基板ほど強く生じる。ＳｉＣ基板の品質が悪いと、フォトルミネッセンス光が弱くなり、十分な発光が得られにくくなる。ＳｉＣ基板の総転位密度は、１００００個／ｃｍ２以下であることが好ましく、８０００個／ｃｍ２以下であることがより好ましく、５０００個／ｃｍ２以下であることがさらに好ましい。またＳｉＣ基板に含まれる不純物の合計密度は、１．０×１０２０ａｔｏｍ／ｃｍ３未満であることが好ましく、５．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３未満であることがより好ましく、１．０×１０１９ａｔｏｍ／ｃｍ３未満であることがさらに好ましい。ここでの不純物はＮやＢなどドーパントとして意図的にドープしたものを含み、不純物の合計密度とは、ＳｉＣ基板全体の平均密度を意味し、ＳｉＣ基板に局所的に不純物濃度が高い部分が存在してもよい。
【００３９】
また図５は、ＳｉＣ基板の第１面のフォトルミネッセンス像である。図５のフォトルミネッセンス像は、不純物濃度が異なるＳｉＣ基板を用いた点が、図１のフォトルミネッセンス像を得たときの条件と異なる。意図的にドープされた窒素の不純物濃度は、１×１０１８ａｔｍ／ｃｍ３程度であり、図１のフォトルミネッセンス像を得たときの条件と類似する。
【００４０】
図６は、図５における測定点ｐ７〜ｐ１０における発光強度の波長依存性を測定した結果である。図１に示すＳｉＣ基板より窒素濃度が高いため、３９０ｎｍ近傍の４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光に伴う発光ピークは、確認しづらくなった。一方で、図５において黒点を有する箇所（測定点ｐ８〜ｐ１０）は、４１０ｎｍ、４２０ｎｍ、４３０ｎｍ、４４０ｎｍ、４７０ｎｍ近傍に発光ピークを有した。これらの発光ピークは、欠陥（ドープされた不純物以外の意図しない不純物を含む）に由来する。すなわち、不純物濃度が高いＳｉＣ基板においても、フォトルミネッセンス法により、欠陥が存在する箇所を特定できた。
【００４１】
また図７は、図１における測定点ｐ１の発光スペクトルと、図５における測定点ｐ１０の発光スペクトルと、を３９０ｎｍの発光強度で規格化したグラフである。３９０ｎｍ近傍の発光ピークは、４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光に伴う発光ピークである。フォトルミネッセンス光の発光強度の違いは、測定条件等に伴うブレにより変動する。共通する４Ｈ−ＳｉＣのバンド端発光の発光ピークで規格化し、測定条件のブレの影響を除いた。
【００４２】
図７に示すように、測定点ｐ１０は、４１０ｎｍ及び４３０ｎｍに発光ピークを有する。これらの発光ピークの原因を特定するために、図１及び図５の測定に用いた試料をＳＩＭＳで分析し、窒素濃度、ボロン濃度、アルミニウム濃度を測定した。
【００４３】
測定点ｐ１は、窒素濃度が５×１０１８ａｔｍ／ｃｍ３、ボロン濃度が８×１０１４ａｔｍ／ｃｍ３、アルミニウム濃度は検出下限以下であった。これに対し、測定点ｐ１０は、窒素濃度が６×１０１８ａｔｍ／ｃｍ３、ボロン濃度が３×１０１７ａｔｍ／ｃｍ３、アルミニウム濃度は５×１０１６ａｔｍ／ｃｍ３あった。測定点ｐ１０は、ボロン及びアルミニウム濃度が、測定点ｐ１より高かった。
【００４４】
４１０ｎｍ及び４３０ｎｍに発光ピークは、意図してドープしていないボロン及びアルミニウムに起因することが確認された。測定点ｐ１０では、ボロン又はアルミニウムが凝集している。不純物が凝集した箇所は、局所的に電気抵抗が低く又は高くなり、ＳｉＣデバイスの欠陥の原因となりうる。
【００４５】
フォトルミネッセンス測定において、ＳｉＣ基板の第１面に励起光をスポット照射することが好ましい。スポット照射は、例えば、励起レーザ等を用いて行う。励起光をスポット照射すると、励起光の照射面の励起パワー密度を高めることができる。励起パワー密度が高いと、ＳｉＣ基板から得られる発光強度も高まる。上述のようにＳｉＣ基板は、欠陥が多く、発光が得られにくい。励起光の励起パワー密度を高めることで、欠陥数の多いＳｉＣ基板においても不純物の検出精度を高めることができる。ＳｉＣ基板の第１面を全面評価する場合は、スポット照射した励起光をスキャンする。
【００４６】
励起光の励起パワー密度は、１．０×１０３Ｗ／ｃｍ２以上３．０×１０５Ｗ／ｃｍ２以下とすることが好ましく、３．０×１０３Ｗ／ｃｍ２以上１．０×１０５Ｗ／ｃｍ２以下とすることがより好ましく、３．０×１０４Ｗ／ｃｍ２以上８．０×１０４Ｗ／ｃｍ２以下とすることがさらに好ましい。励起パワー密度が高すぎると基板に内在した積層欠陥を拡張させてしまう危険性があり、低すぎると評価に十分な発光強度が得られなくなる。また励起光のスポット径は、１００μｍ以下とすることが好ましく、５０μｍ以下とすることがより好ましく、１０μｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００４７】
フォトルミネッセンス測定を行う温度は、例えば室温である。フォトルミネッセンス測定を行う温度は３０℃以下が好ましく、０°以下がより好ましい。例えば、液体窒素温度（−１９６℃）等で行ってもよい。フォトルミネッセンス測定を低温環境下で行うと、得られる発光強度が増し、ピークがシャープになるため、より精密な評価を行うことができる。
【００４８】
上述のように、本実施形態にかかるＳｉＣ基板の評価方法により、ＳｉＣ基板の表面の欠陥が存在する箇所をマッピングすることができる。欠陥のマッピングをすることで、ＳｉＣ基板の良否又はグレードを設定できる。
【００４９】
ＳｉＣ基板は、欠陥が少ない方が高品質である。ＳｉＣ基板の第１面において、不純物に起因したフォトルミネッセンスの強度がＳｉＣバンド端に起因したフォトルミネッセンスの強度より強くなる領域は、第１面の総面積の５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。ここで「不純物に起因したフォトルミネッセンスの強度がＳｉＣバンド端に起因したフォトルミネッセンスの強度より強くなる領域」とは、バンド端発光に起因した３９０ｎｍ近傍の発光強度より不純物に起因した３９０ｎｍ近傍以外のいずれかのピークの発光強度が強く観測される部分である。
【００５０】
最後に、評価を行ったＳｉＣ基板の第１面にエピタキシャル膜を積層する。エピタキシャル膜は、ＳｉＣからなる。エピタキシャル膜は、ＣＶＤ等を用いて積層する。エピタキシャル膜は、不純物に起因したフォトルミネッセンスの強度がＳｉＣバンド端に起因したフォトルミネッセンスの強度より強くなる領域が、第１面の総面積の５０％以下であるＳｉＣ基板上に積層することが好ましい。得られるＳｉＣエピタキシャルウェハは、ＳｉＣ基板の欠陥が少なく、ＳｉＣデバイスにおける不良の発生確率を低減できる。
【００５１】
上述のように、本実施形態にかかるＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法によれば、ＳｉＣ基板の段階での欠陥のマッピングを作成できる。ＳｉＣデバイスに不良が生じた場合、その原因を特定することは、将来の歩留まり向上のために重要である。ＳｉＣ基板の欠陥マッピングを有することで、ＳｉＣ基板まで遡ることができる。
【符号の説明】
【００５２】
ｐ１〜ｐ１０  測定点
【図１】
2020040853.tif 000003
【図２】
2020040853.tif 000004
【図３】
2020040853.tif 000005
【図４】
2020040853.tif 000006
【図５】
2020040853.tif 000007
【図６】
2020040853.tif 000008
【図７】
2020040853.tif 000009