(57)【要約】      （修正有）【課題】高電圧系統の電磁ノイズの影響が低電圧系統に及ぶのを防ぐとともに装置を低背化することができる電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置１は、半導体モジュール１０と、制御回路基板１９と、高電圧コネクタ６、７と、低電圧コネクタ８と、半導体モジュール１０及び制御回路基板１９を収容するケース２と、を備える。ケース２は、制御回路基板１９の延在方向Ｙについて互いに対向する２つの外壁部２ａ、２ｂを有し、２つの外壁部２ａ、２ｂのうちの一方の第１外壁部２ａに前記高電圧コネクタ６、７が設けられ、且つ、他方の第２外壁部２ｂに低電圧コネクタ８が設けられる。ケース２の第１外壁部２ａと第２外壁部２ｂとの間には、高電圧コネクタ６，７から低電圧コネクタ８に向けて放射される電磁ノイズを遮蔽するための仕切壁部４ａ、４ｂが設けられている。【選択図】図１
2020010561.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（１４）を内蔵した半導体モジュール（１０）と、
上記半導体モジュールを制御するための制御回路基板（１９）と、
上記半導体モジュールに電気的に接続された高電圧コネクタ（６，７）と、
上記制御回路基板に電気的に接続された低電圧コネクタ（８）と、
上記半導体モジュール及び上記制御回路基板を収容するケース（２）と、
を備え、
上記ケースは、上記制御回路基板の延在方向（Ｙ）について互いに対向する２つの外壁部（２ａ，２ｂ）を有し、上記２つの外壁部のうちの一方の第１外壁部（２ａ）に上記高電圧コネクタが設けられ且つ他方の第２外壁部（２ｂ）に上記低電圧コネクタが設けられており、
上記ケースの上記第１外壁部と上記第２外壁部との間には、上記高電圧コネクタから上記低電圧コネクタに向けて放射される電磁ノイズを遮蔽するための仕切壁部（４ａ，４ｂ）が設けられている、電力変換装置（１，１０１）。
【請求項２】
上記半導体モジュール及び上記高電圧コネクタのそれぞれにバスバ（１６，１７）を介して電気的に接続されたコンデンサ（５，１０５）を備え、
上記コンデンサは、上記ケースにおいて上記半導体モジュールと上記低電圧コネクタとの間に収容されており、
上記仕切壁部は、上記半導体モジュールと上記コンデンサとの間に介在する第１仕切壁部（４ａ）と、上記コンデンサと上記低電圧コネクタとの間に介在する第２仕切壁部（４ｂ）と、を有する、請求項１に記載の電力変換装置。
【請求項３】
上記コンデンサは、コンデンサ素子（５ａ）と、収容開口（５ｃ）を有するコンデンサケース（５ｂ）と、を備え、上記収容開口を通じて上記コンデンサ素子を上記コンデンサケースに収容してなり、上記収容開口が上記ケースの上記第１外壁部に向かうように配置されている、請求項１または２に記載の電力変換装置。
【請求項４】
上記仕切壁部は、上記コンデンサケースの上記収容開口を塞ぐように配置されている、請求項３に記載の電力変換装置。
【請求項５】
上記コンデンサの上記コンデンサケースの内壁面が導電性のコーティング層（５ｅ）によって被覆されている、請求項３または４に記載の電力変換装置。
【請求項６】
上記仕切壁部は上記ケースの一部によって構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、電気自動車、ハイブリッド自動車等の車両に搭載される電力変換装置としてのインバータ装置が開示されている。このインバータ装置は、走行用のモータに交流電力を供給するための装置であり、半導体素子を内蔵したパワーモジュールと、直流電源から供給された電力を交流電力に変換するためにパワーモジュールを制御する制御ユニットと、パワーモジュールを挟んで制御ユニットとは反対側に配置されたコンデンサモジュールと、を備えている。
【０００３】
また、このインバータ装置は、直流電源コネクタと制御ユニットとの間にシールド部材を備えている。このシールド部材は、パワーモジュールの電気的に接続された高電圧側の直流電源コネクタから放射された電磁ノイズを遮蔽する機能を有する。このシールド部材によれば、低電圧側の制御ユニットに電磁ノイズが伝播して影響を及ぼすのを抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１２３２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、この種の電力変換装置の設計においては、電磁ノイズを遮蔽するための構造に加えて、車両への搭載性を向上させるのに有効な低背化構造が求められている。この低背化構造とは、制御ユニットを構成する制御回路基板の板面に直交する方向を高さ方向としたとき、この高さ方向について電力変換装置の寸法を小さく抑えた構造をいう。
【０００６】
ここで、特許文献１に開示のインバータ装置は、上記の高さ方向についてケースの外面に設けられた直流電源コネクタから順に、シールド部材、制御ユニット、パワーモジュール、仕切壁部、コンデンサモジュールが配置されるように構成されている。このような配置を採用した場合には、インバータ装置の高さ方向の寸法を小さく抑えるのが難しいとい問題がある。
【０００７】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、高電圧系統の電磁ノイズの影響が低電圧系統に及ぶのを防ぐとともに装置を低背化することができる電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、
半導体素子（１４）を内蔵した半導体モジュール（１０）と、
上記半導体モジュールを制御するための制御回路基板（１９）と、
上記半導体モジュールに電気的に接続された高電圧コネクタ（６，７）と、
上記制御回路基板に電気的に接続された低電圧コネクタ（８）と、
上記半導体モジュール及び上記制御回路基板を収容するケース（２）と、
を備え、
上記ケースは、上記制御回路基板の延在方向（Ｙ）について互いに対向する２つの外壁部（２ａ，２ｂ）を有し、上記２つの外壁部のうちの一方の第１外壁部（２ａ）に上記高電圧コネクタが設けられ且つ他方の第２外壁部（２ｂ）に上記低電圧コネクタが設けられており、
上記ケースの上記第１外壁部と上記第２外壁部との間には、上記高電圧コネクタから上記低電圧コネクタに向けて放射される電磁ノイズを遮蔽するための仕切壁部（４ａ，４ｂ）が設けられている、電力変換装置（１，１０１）、
にある。
【発明の効果】
【０００９】
上記の電力変換装置において、半導体モジュールに電気的に接続された高電圧コネクタは、ケースの第１外壁部に設けられる一方で、制御回路基板に電気的に接続された低電圧コネクタは、ケースのうち制御回路基板の延在方向について第１外壁部に対向する第２外壁部に設けられている。また、ケースの第１外壁部と第２外壁部との間に仕切壁部が設けられている。
【００１０】
ここで、高電圧コネクタには半導体モジュールをはじめとする高電圧機器が接続されており高電圧機器で発生した電磁ノイズがこの高電圧コネクタから放射されるが、この電磁ノイズが低電圧コネクタに伝播するのを仕切壁部によって防ぐことができる。
【００１１】
また、高電圧コネクタと低電圧コネクタは、ケースの外壁部に制御回路基板の延在方向について互いに対向した状態で設けられている。これにより、高電圧コネクタに電気的に接続された高電圧機器と、低電圧コネクタに電気的に接続された低電圧機器のいずれも、制御回路基板の延在方向に沿って配置することができる。このような配置によれば、制御回路基板に直交する方向の高さが大きくなるのを抑えた低背化構造を実現することが可能になる。
【００１２】
以上のごとく、上記態様によれば、高電圧系統の電磁ノイズの影響が低電圧系統に及ぶのを防ぐとともに装置を低背化することができる電力変換装置を提供できる。
【００１３】
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態１の電力変換装置の全体構造を示す図。
【図２】図１のII-II線矢視断面図。
【図３】図１のIII-III線矢視断面図。
【図４】実施形態１の電力変換装置のインバータ回路図。
【図５】実施形態２の電力変換装置について図２に対応した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、電力変換装置に係る実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１６】
なお、本明細書の図面では、特に断わらない限り、電力変換装置を構成する複数の半導体モジュール及び複数の冷却管の積層方向である第１方向を矢印Ｘで示し、その第１方向Ｘと直交し且つ制御回路基板が延在する第２方向を矢印Ｙで示し、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの両方に直交する第３方向を矢印Ｚで示すものとする。
【００１７】
（実施形態１）
図１，２に示されるように、実施形態１の電力変換装置１は、ケース２にいずれも収容された、コンデンサ５と、複数（図１では３つ）の半導体モジュール１０と、制御回路基板１９と、冷却器２０と、を有する。ケース２は、熱伝導の良い材料、所謂「熱引き」の良い金属材料によって構成されている。
【００１８】
この電力変換装置１は、例えば、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載され、直流の電源電力を駆動用モータの駆動に必要な交流電力に変換するインバータとして用いられる。従って、この電力変換装置１は、「インバータ１」或いは「インバータ装置１」とも称呼される。
【００１９】
半導体モジュール１０は、直流電源である電源Ｂと交流モータであるモータ３との間の通電経路に設けられている。また、この通電経路には、コンデンサ５、半導体モジュール１０及び制御回路基板１９の他に、電源Ｂに電気的に接続されたＰＮコネクタ６と、モータ３に電気的に接続された三相コネクタ７と、低電圧コネクタ８と、電流センサ９が設けられている。
【００２０】
半導体モジュール１０は、スイッチング素子である半導体素子１４（図２参照）を内蔵した本体部１１と、高電圧系統である３つのパワー端子１２と、制御回路基板１９に電気的に接続された低電圧系統である複数の制御端子１３（図２参照）と、放熱部１５（図２参照）と、を有する。３つのパワー端子１２は、本体部１１から第３方向Ｚの一方向に互いに平行に突出しており、複数の制御端子１３は、本体部１１からパワー端子１２とは逆方向に互いに平行に突出している。
【００２１】
半導体モジュール１０の３つのパワー端子１２は、正極端子１２Ｐと、負極端子１２Ｎと、出力端子１２Ａと、に分類される。正極端子１２Ｐ及び負極端子１２Ｎは、金属製のバスバ１６を介してコンデンサ５のコンデンサ素子（図示省略）に電気的に接続されている。
【００２２】
バスバ１６は、正極バスバ１６Ｐと、負極バスバ１６Ｎと、に分類される。このため、コンデンサ５は、バスバ１６を介して半導体モジュール１０に電気的に接続されており、その接続については、正極バスバ１６Ｐを介して正極端子１２Ｐに接続され、且つ負極バスバ１６Ｎを介して負極端子１２Ｎに接続されている。
【００２３】
なお、図１では、コンデンサ５から３つの正極バスバ１６Ｐ及び３つの負極バスバ１６Ｎが突出した構造が記載されているが、３つの正極バスバ１６Ｐ同士は同電位であり、３つの負極バスバ１６Ｎ同士も同電位である。このため、３つの正極バスバ１６Ｐが一体化された１つのバスバとして構成され、また３つの負極バスバ１６Ｎが一体化された１つのバスバとして構成されてもよい。
【００２４】
３つの半導体モジュール１０の３つの出力端子１２Ａのそれぞれは、金属製のバスバ１８を介して三相コネクタ７に電気的に接続されている。この三相コネクタ７は、高電圧機器である半導体モジュール１０に電気的に接続された高電圧コネクタとして構成されている。
【００２５】
３つのバスバ１８のそれぞれを流れる電流は、３つの電流センサ９のそれぞれによって検出されるようになっている。この場合、電流センサ９は、半導体モジュール１０にバスバ１８を介して電気的に接続された接続機器として構成されている。図２に示されるように、電流センサ９は、制御回路基板１９に接続されており、その検出情報が制御回路基板１９に伝送されるようになっている。
【００２６】
制御回路基板１９は、半導体モジュール１０を制御するためのものである。この制御回路基板１９は、半導体モジュール１０に供給された直流電力を交流電力に変換するために、この半導体モジュール１０の本体部１１に内蔵されている半導体素子１４のスイッチング動作（オンオフ動作）を制御するように構成されている。半導体素子１４として典型的には、ＩＧＢＴ（すなわち、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、ＭＯＳＦＥＴ（すなわち、ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）等の任意の半導体素子が使用される。
【００２７】
コンデンサ５は、ケース２において半導体モジュール１０と低電圧コネクタ８との間に収容されている。また、このコンデンサ５は、金属製のバスバ１６を介して半導体モジュール１０に電気的に接続され、且つ金属製のバスバ１７を介して高電圧コネクタであるＰＮコネクタ６に電気的に接続されている。ＰＮコネクタ６は、２つのバスバ１６，１７及びコンデンサ５を介して高電圧機器である半導体モジュール１０に電気的に接続された高電圧コネクタとして構成されている。
【００２８】
バスバ１７は、正極バスバ１７Ｐと、負極バスバ１７Ｎと、に分類される。このため、コンデンサ５は、ＰＮコネクタ６との接続については、正極バスバ１７Ｐを介して正極端子（図示省略）に電気的に接続され、且つ負極バスバ１７Ｎを介して負極端子（図示省略）に電気的に接続されている。
【００２９】
冷却器２０は、いずれも冷媒ｗが流れる複数（図１では４つ）の冷却管２３を有し、これら複数の冷却管２３が積層方向である第１方向Ｘに積層配置された積層型冷却器として構成されている。複数の冷却管２３のうちの互いに隣り合う２つの冷却管２３が対向空間Ｓを隔てて配置されている。この冷却器２０において、流入管２１を通じて流入した冷媒ｗは、複数の冷却管２３を第２方向Ｙに並列的に流れた後に合流し、流出管２２を通じて流出する。
【００３０】
図２に示されるように、低電圧コネクタ８は、低電圧系統である制御回路基板１９に接続配線１９ａを通じて電気的に接続されている。
【００３１】
ケース２は、制御回路基板１９の延在方向である第２方向Ｙ（「延在方向Ｙ」ともいう。）について互いに対向する２つの外壁部２ａ，２ｂと、外壁部２ａ，２ｂを接続する底板部２ｃと、を有する。２つの外壁部２ａ，２ｂはいずれも、第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって定まる平面上に延在している。底板部２ｃは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって定まる平面上に延在している
【００３２】
ケース２の２つの外壁部２ａ，２ｂのうちの一方の第１外壁部２ａの外面に高電圧コネクタであるＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７が設けられている。また、ケース２の２つの外壁部２ａ，２ｂのうちの他方の第２外壁部２ｂの外面に低電圧コネクタ８が設けられている。
【００３３】
ケース２は、その内壁面から延出して設けられた区画壁４を備えている。この区画壁４は、ケース２に収容されたコンデンサ５を区画するように構成されている。この区画壁４は、金属材料からなるケース２の一部によって構成された２つの仕切壁部４ａ，４ｂを有する。
【００３４】
図１及び図２に示されるように、２つの仕切壁部４ａ，４ｂは、ケース２の第１外壁部２ａと第２外壁部２ｂとの間に設けられており、これら２つの外壁部２ａ，２ｂと同様に第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって定まる平面上に延在している。
【００３５】
このため、区画壁４の２つの仕切壁部４ａ，４ｂはいずれも、ＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７（高電圧コネクタ）から低電圧コネクタ８に向けて放射される電磁ノイズを遮蔽する機能を備えている。即ち、低電圧コネクタ８は、２つの仕切壁部４ａ，４ｂによって電磁ノイズから保護されている。この場合、これらの２つの仕切壁部４ａ，４ｂが設けられていない場合に比べて、低電圧コネクタ８に伝播する電磁ノイズを遮蔽することができればよい。
【００３６】
２つの仕切壁部４ａ，４ｂのうちの一方の第１仕切壁部４ａは、半導体モジュール１０とコンデンサ５との間に介在するように構成されている。また、２つの仕切壁部４ａ，４ｂのうちの他方の第２仕切壁部４ｂは、コンデンサ５と低電圧コネクタ８との間に介在するように構成されている。
【００３７】
図２に示されるように、コンデンサ５は、コンデンサ素子５ａと、収容開口５ｃを有する樹脂製のコンデンサケース５ｂと、を備えている。コンデンサ５は、収容開口５ｃを通じてコンデンサ素子５ａをコンデンサケース５ｂに収容してポッティング樹脂５ｄで固めることによってモジュール化されている。このため、コンデンサ５は、「コンデンサモジュール」とも称呼される。
【００３８】
コンデンサ５と半導体モジュール１０を電気的に接続しているバスバ１６は、コンデンサケース５ｂから収容開口５ｃを通じて露出している。そして、本実施形態では、コンデンサ５は、コンデンサケース５ｂの収容開口５ｃがケース２の第１外壁部２ａに向かうように配置されている。また、コンデンサケース５ｂは、第２方向Ｙについて収容開口５ｃとは反対側の底壁がケース２の第２外壁部２ｂに向かうように配置されている。更に、区画壁４の第１仕切壁部４ａは、第３方向Ｚについてバスバ１６に近接した位置まで延在しており、コンデンサケース５ｂの収容開口５ｃを塞ぐように配置されている。
【００３９】
図３に示されるように、半導体モジュール１０と冷却器２０によって半導体積層ユニットが形成されている。この半導体積層ユニットにおいて、３つの半導体モジュール１０と複数の冷却管２３とが第１方向Ｘに交互に積層配置されている。従って、各半導体モジュール１０は、対応する対向空間Ｓに配置されて２つの冷却管２３によって第１方向Ｘの両側面から挟み込まれている。また、特に図示しないものの、半導体モジュール１０は、本体部１１の放熱部１５（図２参照）が電気絶縁体（図示省略）を介して冷却管２３に接するように構成されている。
【００４０】
図４に示されるように、電力変換装置１のインバータ回路は、３相のレグを備える。すなわち、３相のレグは、電源Ｂの正極側と負極側に互いに並列に接続されている。
【００４１】
各レグは、互いに直列接続された上アーム半導体素子１４ｕと下アーム半導体素子１４ｄとによって形成されている。これらの上アーム半導体素子１４ｕ及び下アーム半導体素子１４ｄが、一つの半導体モジュール１０の本体部１１に内蔵されている。
【００４２】
そして、各レグにおける、上アーム半導体素子１４ｕと下アーム半導体素子１４ｄとの接続点が、バスバ１８及び三相コネクタ７（図１参照）を介してモータ３の３つの電極に接続されている。また、各半導体素子１４には、フライホイールダイオードが逆並列接続されている。
【００４３】
次に、上述の実施形態１の作用効果について説明する。
【００４４】
上記の電力変換装置１において、半導体モジュール１０に電気的に接続された高電圧コネクタであるＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７はいずれもケース２の第１外壁部２ａに設けられる一方で、制御回路基板１９に電気的に接続された低電圧コネクタ８は、ケース２のうち制御回路基板１９の延在方向である第２方向Ｙについて第１外壁部２ａに対向する第２外壁部２ｂに設けられている。また、ケース２の第１外壁部２ａと第２外壁部２ｂとの間に２つの仕切壁部４ａ，４ｂが設けられている。
【００４５】
ここで、ＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７には半導体モジュール１０をはじめとする高電圧機器が接続されており高電圧機器で発生した電磁ノイズがこれらのＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７から放射されるが、この電磁ノイズが低電圧コネクタ８に伝播するのを２つの仕切壁部４ａ，４ｂによって防ぐことができる。特に、これら２つの仕切壁部４ａ，４ｂを金属材料によって構成することによって、電磁ノイズの遮蔽効果を高めることができる。
【００４６】
また、ＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７と低電圧コネクタ８は、ケース２の外壁部２ａ，２ｂに互いに対向した状態で設けられている。これにより、ＰＮコネクタ６及び三相コネクタ７に接続された高電圧機器と、低電圧コネクタ８に電気的に接続された低電圧機器のいずれも、制御回路基板１９の延在方向である第２方向Ｙに沿って配置することができる。このような配置によれば、制御回路基板１９の板面に直交する方向を高さ方向としたとき、この高さ方向の電力変換装置１の寸法を小さく抑えた低背化構造を実現することが可能になる。
【００４７】
従って、実施形態１によれば、高電圧機器に接続されている高電圧系統の電磁ノイズの影響が低電圧機器に接続されている低電圧系統に及ぶのを防ぐとともに装置を低背化することができる電力変換装置１を提供できる。
【００４８】
上記の電力変換装置１によれば、半導体モジュール１０とコンデンサ５との間に介在する第１仕切壁部４ａと、コンデンサ５と低電圧コネクタ８との間に介在する第２仕切壁部４ｂと、によってコンデンサ５が区画される。これにより、高電圧機器であるコンデンサ５自体から放射された電磁ノイズが伝播するのを２つの仕切壁部４ａ，４ｂによって防ぐことができる。
【００４９】
上記の電力変換装置１によれば、コンデンサ５は、コンデンサケース５ｂの収容開口５ｃがケース２の第１外壁部２ａに向かうように配置されている。即ち、コンデンサケース５ｂの収容開口５ｃが低電圧コネクタ８に対向しないようになっている。これにより、高電圧機器であるコンデンサ５のコンデンサ素子５ａから放射された電磁ノイズがコンデンサケース５ｂの収容開口５ｃを通じて低電圧コネクタ８に直接的に伝播するのを防ぐことができる。
【００５０】
上記の電力変換装置１によれば、第１外壁部２ａをコンデンサケース５ｂの収容開口５ｃを塞ぐように配置することによって、高電圧機器であるコンデンサ５のコンデンサ素子５ａから放射された電磁ノイズがコンデンサケース５ｂの収容開口５ｃを通じて伝播するのを第１外壁部２ａによって防ぐことができる。
【００５１】
上記の電力変換装置１によれば、２つの仕切壁部４ａ，４ｂをケース２の一部によって構成することによって、部品点数を少なく抑えることができる。
【００５２】
以下、上記の実施形態１に関連する他の実施形態について図面を参照しつつ説明する。他の実施形態において、実施形態１の要素と同一の要素には同一の符号を付しており、当該同一の要素についての説明を省略する。
【００５３】
（実施形態２）
図５に示されるように、実施形態２の電力変換装置１０１は、コンデンサ１０５の構造が実施形態１の電力変換装置１のコンデンサ５の構造と相違している。
その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００５４】
コンデンサ１０５は、コンデンサケース５ｂの内壁面が導電性のコーティング層５ｅによって被覆されている。このコーティング層５ｅは、ニッケル合金や銅銀合金などのように、電磁ノイズの遮蔽効果の高い金属材料によって構成されるのが好ましい。
【００５５】
実施形態２の電力変換装置１０１によれば、コンデンサケース５ｂのコーティング層５ｅによって、コンデンサ５の外部に電磁ノイズが伝播するのを防ぐことができる高い遮蔽効果を得ることができる。
その他、実施形態１と同様の作用効果を奏する。
【００５６】
本発明は、上述の典型的な実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の目的を逸脱しない限りにおいて種々の応用や変更が考えられる。例えば、上述の実施形態を応用した次の各形態を実施することもできる。
【００５７】
上述の実施形態では、ケース２の第１外壁部２ａと第２外壁部２ｂとの間に２つの仕切壁部４ａ，４ｂを設ける場合について例示したが、２つの仕切壁部４ａ，４ｂのような仕切壁部の数は２つに限定されるものではなく、仕切壁部の数を必要に応じて１つ或いは３つ以上に変更することもできる。例えば、２つの仕切壁部４ａ，４ｂのうちの一方が省略された構造を採用することもできる。
【００５８】
上述の実施形態では、２つの仕切壁部４ａ，４ｂをケース２の一部である区画壁４によって構成する場合について例示したが、これに代えて、２つの仕切壁部４ａ，４ｂに相当する部位をケース２とは別体の別部材によって構成することもできる。この場合、別部材を電磁ノイズの遮蔽効果の高い金属材料によって構成するのが好ましい。
【００５９】
上述の実施形態では、コンデンサケース５ｂの収容開口５ｃがケース２の第１外壁部２ａに向かうようにコンデンサ５が配置される場合について例示したが、コンデンサケース５ｂの収容開口５ｃが低電圧コネクタ８に対向しないような配置であれば、収容開口５ｃの向きはこれに限定されるものではなく、必要に応じて変更が可能である。
【００６０】
上述の実施形態では、ケース２の第１外壁部２ａに２つの高電圧コネクタが設けられ、ケース２の第２外壁部２ｂに１つの低電圧コネクタが設けられる場合について例示したが、第１外壁部２ａに設けられる高電圧コネクタの数や、第２外壁部２ｂに設けられる低電圧コネクタの数を必要に応じて適宜に変更することもできる。
【００６１】
上述の実施形態では、３つの半導体モジュール１０を有する電力変換装置１，１０１について例示したが、半導体モジュール１０の数は例示的なものであり、必要に応じて適宜に変更可能である。この場合、半導体モジュール１０の数に応じて、冷却器２０の冷却管２３の数を定めることができる。
【００６２】
上述の実施形態では、半導体モジュール１０の両側面を２つの冷却管２３で挟み込んで冷却する積層型の冷却器２０について例示したが、冷却器はこの冷却器２０のみに限定されるものではない。例えば、この冷却器２０に代えて、半導体モジュール１０の片面を冷却する構造の冷却器を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６３】
１，１０１  電力変換装置
２  ケース
２ａ  第１外壁部（外壁部）
２ｂ  第２外壁部（外壁部）
４ａ  第１仕切壁部（仕切壁部）
４ｂ  第２仕切壁部（仕切壁部）
５，１０５  コンデンサ
５ａ  コンデンサ素子
５ｂ  コンデンサケース
５ｃ  収容開口
５ｅ  コーティング層
６  ＰＮコネクタ（高電圧コネクタ）
７  三相コネクタ（高電圧コネクタ）
８  低電圧コネクタ
１０  半導体モジュール
１４  半導体素子
１６，１７  バスバ
１９  制御回路基板
Ｙ  第２方向（制御回路基板の延在方向）
【図１】
2020010561.tif 000003
【図２】
2020010561.tif 000004
【図３】
2020010561.tif 000005
【図４】
2020010561.tif 000006
【図５】
2020010561.tif 000007