(57)【要約】      （修正有）【課題】表面構造の高さを短時間で測定可能な検査装置および検査方法を提供する。【解決手段】表面に突出部Ｂを有する基板Ｗを搭載可能なステージ２０を備える。リング部材３０が、ステージ上において基板の外周を押圧する。液体供給部４０は、基板の表面上に表面から第１高さＨ１まで液体Ｌを供給する。撮像部６０は、液体の表面ＦＬおよび突出部を基板の表面の上方から撮像する。演算部は、撮像部からの画像を用いて、液体の表面から露出している突出部の露出部分の大きさを判断し、露出部分の大きさに基づいて突出部の高さを判断する。【選択図】図１
2020134407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に突出部を有する基板を搭載可能なステージと、
前記ステージ上において前記基板の外周を押圧するリング部材と、
前記基板の表面上に該表面から第１高さまで液体を供給する液体供給部と、
前記液体の表面および前記突出部を前記基板の表面の上方から撮像する撮像部と、
前記撮像部からの画像を用いて、前記液体の表面から露出している前記突出部の露出部分の大きさを判断し、該露出部分の大きさに基づいて前記突出部の高さを判断する演算部とを備えた検査装置。
【請求項２】
前記撮像部からの画像は、前記液体の表面および前記突出部の二次元画像であり、
前記演算部は、前記液体と前記突出部との間の色の属性の相違に基づいて、前記画像における前記露出部分の大きさを判断する、請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記液体は、前記基板の表面および前記突出部に対して色の属性が異なる、請求項１または請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記演算部は、前記突出部を撮像した前記撮像部の画素数によって、前記画像における前記露出部分の面積を判断する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の検査装置。
【請求項５】
表面に突出部を有する基板の表面上に該表面から第１高さまでの厚みを有するフィルムを貼付する貼付部と、
前記基板を搭載可能なステージと、
前記フィルムの表面および前記突出部を前記基板の表面の上方から撮像する撮像部と、
前記撮像部からの画像を用いて、前記フィルムの表面から露出している前記突出部の露出部分の大きさを判断し、該露出部分の大きさに基づいて前記突出部の高さを判断する演算部とを備えた検査装置。
【請求項６】
表面に突出部を有する基板の表面から第１高さまで液体を供給し、あるいは、該基板の表面から前記第１高さまでの厚みを有するフィルムを貼付し、
前記液体または前記フィルムの表面および前記突出部の画像を前記基板の表面の上方から撮像し、
前記画像を用いて、前記フィルムの表面から露出している前記突出部の露出部分の大きさを判断し、該露出部分の大きさに基づいて前記突出部の高さを判断することを具備した検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、検査装置および検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程において、バンプ等の表面構造の凹凸の高さを測定する半導体検査装置は、共焦点方式、三角測量方式、白色干渉方式等の手法を用いている。しかし、これらの方式では、焦点位置または照射光の位置をずらしながら反射光を検出する必要があり、多数のバンプ等の高さを測定するためには長時間掛かっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−１１８５９６号公報
【特許文献２】特開２０００−０４０８６７号公報
【特許文献３】特開平１０−２４２２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
表面構造の高さを短時間で測定可能な検査装置および検査方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態による検査装置は、表面に突出部を有する基板を搭載可能なステージを備える。リング部材が、ステージ上において基板の外周を押圧する。液体供給部は、基板の表面上に該表面から第１高さまで液体を供給する。撮像部は、液体の表面および突出部を基板の表面の上方から撮像する。演算部は、撮像部からの画像を用いて、液体の表面から露出している突出部の露出部分の大きさを判断し、該露出部分の大きさに基づいて突出部の高さを判断する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態による検査装置の構成例を示す概略図。
【図２】バンプの露出部分とバンプの高さとの関係を示す概念図。
【図３】バンプの露出部分とバンプの高さとの関係を示す概念図。
【図４】バンプの露出部分とバンプの高さとの関係を示す概念図。
【図５】第１実施形態による検査方法の一例を示す概念図。
【図６】図５に続く、検査方法の一例を示す概念図。
【図７】図５に続く、検査方法の一例を示す概念図。
【図８】図５に続く、検査方法の一例を示す概念図。
【図９】バンプの高さの判断手法を示すフロー図。
【図１０】第２実施形態による検査装置の構成例を示す概略図。
【図１１】フィルム貼付機構の構成例を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による検査装置の構成例を示す概略図である。本実施形態による検査装置１は、半導体基板Ｗ上に形成された多数のバンプＢの高さを測定する半導体検査装置である。検査装置１は、チャンバ１０と、ステージ２０と、シールリング３０と、液体ノズル４０と、洗浄ノズル５０と、カメラ６０と、制御部７０と、駆動部８０と、演算部９０とを備えている。
【０００９】
チャンバ１０は、ステージ２０、シールリング３０、ノズル４０、５０およびカメラ６０を収容しており、その内部は真空ポンプ９５で真空引きされていてもよい。ステージ２０は、基板Ｗを略水平に搭載可能であり、静電チャックまたは真空チャックによって基板Ｗを吸着することができる。例えば、ステージ２０内に設けられた吸引経路２２が、基板Ｗとステージ２０の表面との間を吸引することによって、基板Ｗをステージ２０の表面に吸着すればよい。ステージ２０が基板Ｗを吸着することによって、基板Ｗは、或る程度歪んでいても、ステージ２０上において略平坦に矯正され得る。ステージ２０は、軸２１によって支持されており、軸２１を中心に回転可能に構成されている。
【００１０】
リング部材としてのシールリング３０は、ステージ２０の表面上において略鉛直方向（Ｚ方向）に移動可能に構成されている。基板Ｗがステージ２０上に搭載された後、シールリング３０が基板Ｗに向かって下降し、基板Ｗの外周を押圧する。シールリング３０が基板Ｗの外周を押圧することによって、シールリング３０と基板Ｗとの間が液密状態にシールされ、シールリング３０の内側の基板Ｗの表面上に液体を溜めることができる。シールリング３０のＺ方向の高さ（厚み）は、バンプＢよりもＺ方向に高い。シールリング３０には、例えば、シリコーンのような液体を通過させずかつ基板Ｗに密着可能な樹脂等を用いている。尚、シールリング３０と基板Ｗとを密着させる際、ステージ２０をＺ方向に上昇させ、基板Ｗをシールリング３０へ密着させてもよい。
【００１１】
基板Ｗは、例えば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の半導体素子を有する半導体ウェハである。半導体ウェハの表面には一つの半導体チップが複数個形成されている。一つの半導体チップは、その表面に突出部として多数のバンプＢを有する。バンプＢは、他の半導体チップにフリップチップ接続するときや、実装基板に実装されるときに、他の半導体チップや実装基板の対応する電極（図示せず）にそれぞれ接続される。従って、バンプＢの高さは、基板Ｗの表面から所定範囲にあることが好ましい。バンプＢの高さが所定範囲内にない場合、バンプＢは、他の半導体チップや実装基板の電極に対して接続不良（オープンまたはショート）を引き起こすおそれがあるからである。従って、バンプＢの高さを測定し、所定範囲内にあるか否かを判定することは重要である。
【００１２】
液体供給部としての液体ノズル４０は、シールリング３０で押圧された状態の基板Ｗの表面に液体Ｌを供給する。シールリング３０は基板Ｗの外縁に密着しているので、液体Ｌは、シールリング３０の内側において基板Ｗ上に溜まる。液体ノズル４０は、液体Ｌの液面ＦＬが基板Ｗの表面から所定の第１高さＨ１になるように所定量の液体を供給する。第１高さＨ１は、基板Ｗの表面上方にあり、かつ、正常なバンプＢの上端およびシールリング３０の上端の高さよりも低い位置に設定される。液体ノズル４０から供給される液体Ｌの量は、液面ＦＬが第１高さＨ１になるように予め設定されており、演算部９０内のメモリ９１に格納されている。液体ノズル４０は、この所定量の液体を、基板Ｗを測定するごとに供給する。このとき、第１高さＨ１はバンプＢの先端よりも低いので、バンプＢの先端部は、液体Ｌの液面ＦＬから突出する。また、バンプＢは、その先端にはんだボールを有し、略球状あるいは尖鋭状になっている。バンプＢが所望の高さであるとき、バンプＢの先端の略球状あるいは尖鋭状の部分に、液体Ｌの液面ＦＬがあるように液体Ｌの所定量が調整されている。従って、基板Ｗの表面上方から見たときに液体Ｌの液面ＦＬから露出しているバンプＢの二次元的な大きさ（面積）は、バンプＢの高さに応じて変化する。本実施形態による検査装置１は、液体Ｌの液面ＦＬを基準面として、その液面ＦＬから露出しているバンプＢの面積を測定することによって、バンプＢの高さを判断する。バンプＢの高さの判断については、後でより詳細に説明する。
【００１３】
液体Ｌは、基板Ｗ、バンプＢおよびシールリング３０と反応しない液体であり、例えば、水、有機溶媒等でよい。チャンバ１０が真空引きされているときは、高沸点の有機溶媒等が好ましい。また、カメラ６０および演算部９０が液体Ｌ、バンプＢおよび基板Ｗの表面を識別することができるように、液体Ｌは、バンプＢおよび基板Ｗの表面に対して色の属性が異なる。色の属性は、演算部９０がカメラ６０による画像で識別可能であれば、色相、彩度、明度のいずれでもよい。例えば、液体Ｌは、バンプＢおよび基板Ｗの表面に対して明度の低い液体でよい。この場合、演算部９０は、液体ＬとバンプＢのコントラスト差を用いてバンプＢを液体Ｌから識別することができる。これにより、演算部９０は、カメラ６０からの二次元画像を用いて、液体Ｌから露出されているバンプＢの部分（露出部分）のの二次元的な面積を演算することができる。
【００１４】
バンプＢは、液体Ｌに対して撥液性であることが好ましい。これにより、液体Ｌが表面張力によって第１高さＨ１よりも高い位置までバンプＢの側面を被覆することを抑制し、液体Ｌの液面ＦＬ（基準面）を第１高さＨ１に維持する。液面ＦＬが第１高さＨ１に維持されることによって、演算部９０がバンプＢの露出部分の大きさを正確に判断することを可能にする。
【００１５】
撮像部としてのカメラ６０は、液体Ｌの液面ＦＬおよびバンプＢを基板Ｗの表面の上方（Ｚ方向）から撮像する。これにより、カメラ６０は、液体Ｌの液面ＦＬおよびバンプＢの平面画像（二次元画像）を撮像することができる。カメラ６０は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）センサ、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）センサ等でよい。カメラ６０からの画像データは、演算部９０へ送られる。
【００１６】
演算部９０は、カメラ６０からの画像データを用いて、液体Ｌの液面ＦＬから露出しているバンプＢの露出部分の大きさを判断する。露出部分の大きさは、基板Ｗの上方から見たときに、露出部分の平面画像における二次元的な領域の面積あるいはその径でもよい。尚、本実施形態では、露出部分の大きさは、平面画像の面積で判断している。演算部９０は、例えば、画像の明度に基づいて液体ＬとバンプＢとを識別し、バンプＢを検出したカメラ６０の画素数を計算する。この画素数は、平面画像において面積に対応するので、演算部９０は、バンプＢを検出した画素数を計算することによって、バンプＢの露出部分の面積を判断することができる。
【００１７】
さらに、バンプＢの露出部分の面積は、上述の通り、バンプＢの高さに対応する。従って、結果的に、バンプＢを撮像した画素数は、バンプＢの高さに対応しており、バンプＢの画素数を求めることによって、バンプＢの高さの適否を判断することができる。バンプＢの先端部にあるはんだボールの形状や大きさは、バンプの高さに比べて安定しており、バンプＢの画素数は、バンプＢの高さに対応していると言ってよい。従って、演算部９０は、バンプＢの画素数が所定範囲内であるか否かに基づいて判断してよい。画素数の上限値と下限値は、予め設定されメモリ９１に格納されている。
【００１８】
洗浄ノズル５０は、バンプＢの検査後、洗浄液を基板Ｗに供給し、基板Ｗの表面を洗浄する。バンプＢの検査後、シールリング３０は基板Ｗの表面から外される。そして、ステージ２０が基板Ｗを回転させつつ、洗浄ノズル５０が洗浄液を基板Ｗに供給する。これにより、検査装置１は、バンプＢの検査後に、基板Ｗを洗浄することができる。基板Ｗの洗浄後、ステージ２０が基板Ｗを高速スピンさせ、スピン乾燥させる。
【００１９】
制御部７０は、駆動部８０やその他の構成要素を制御する。駆動部８０は、制御部７０の制御を受けて、ステージ２０、シールリング３０、液体ノズル４０、洗浄ノズル５０、及び、カメラ６０を駆動させる。例えば、駆動部８０は、ステージ２０の真空チャックや静電チャックを駆動させたり、ステージ２０を回転、及び、上下移動させる。あるいは、駆動部８０は、シールリング３０をＺ方向に上下移動させる。あるいは、駆動部８０は、液体ノズル４０および洗浄ノズル５０から液体または洗浄剤を吐出させる。尚、制御部７０および駆動部８０は、まとめて図示しているが、ステージ２０、シールリング３０、液体ノズル４０、洗浄ノズル５０、及び、カメラ６０のそれぞれに対して個別に設けられていてもよい。
【００２０】
図２（Ａ）〜図４（Ｂ）は、バンプＢの露出部分とバンプＢの高さとの関係を示す概念図である。図２〜図４の（Ａ）は、検査装置１において基板Ｗの表面に液体Ｌを溜めた状態で、基板Ｗの表面上方（Ｚ方向）からバンプＢを見た平面図である。即ち、図２〜図４の（Ａ）は、カメラ６０で撮像されたバンプＢの平面画像である。図２〜図４の（Ｂ）は、同様の状態で、基板Ｗの側方から見たバンプＢの側面図である。尚、図２（Ａ）〜図４（Ｂ）は、１つのバンプＢのみ図示しているが、基板Ｗには、より多くのバンプＢが設けられている。
【００２１】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）では、バンプＢの高さが高く、バンプＢの先端が液体Ｌの液面ＦＬ（基準面）から大きく突出している。この場合、図２（Ａ）に示すように、バンプＢの露出部分Ｂｅｘの外縁は、バンプＢの底面部分Ｂｂの外縁に近い。バンプＢの露出部分Ｂｅｘが大きいので、カメラ６０からの平面画像において、露出部分Ｂｅｘの画素数は比較的多い。例えば、露出部分Ｂｅｘの画素数が予め設定された上限値を超えていた場合、演算部９０は、バンプＢが高すぎると判断し、そのバンプＢを不良と判断する。
【００２２】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）では、バンプＢの高さが適切であり、バンプＢの先端が液体Ｌの液面ＦＬから或る程度突出している。この場合、図３（Ａ）に示すように、バンプＢの露出部分Ｂｅｘの外縁は、バンプＢの底面部分Ｂｂの内側にあり、底面部分Ｂｂに対して余裕がある。バンプＢの露出部分Ｂｅｘが適切な大きさなので、カメラ６０からの平面画像において、露出部分Ｂｅｘの画素数も所定範囲内となる。この場合、演算部９０は、バンプＢの高さが適切と判断し、そのバンプＢを良品と判断する。
【００２３】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）では、バンプＢの高さが低く、バンプＢの先端が液体Ｌの液面ＦＬからほとんど出ていない。この場合、図４（Ａ）に示すように、バンプＢの露出部分Ｂｅｘが非常に小さいか無いので、カメラ６０からの平面画像において、露出部分Ｂｅｘの画素数は小さすぎる。例えば、露出部分Ｂｅｘの画素数が予め設定された下限値を下回っている場合、演算部９０は、バンプＢが低すぎると判断し、そのバンプＢを不良と判断する。
【００２４】
このように、演算部９０は、カメラ６０からの平面画像を用いて、バンプＢの露出部分Ｂｅｘの画素数が予め設定された所定範囲内に入るか否かで、バンプＢの高さを判断する。露出部分Ｂｅｘの画素数が所定範囲内である場合、演算部９０は、バンプＢの高さが適切である判断する。露出部分Ｂｅｘの画素数が所定範囲内でない場合、演算部９０は、バンプＢの高さが高すぎる、あるいは、低すぎると判断する。この場合、そのバンプＢは、不良と判断される。バンプＢの良否を決定する画素数の所定範囲は、液体Ｌの供給量、即ち、液面ＦＬ（基準面）の高さＨ１の設定に応じて変更可能である。
【００２５】
本実施形態によれば、シールリング３０で基板Ｗを押圧する工程および液体Ｌを供給する工程が追加となる。しかし、カメラ６０は、基板Ｗの平面画像を一度撮像すれば足り、焦点位置を振る必要も無く、撮像位置をずらしながら画像を連続的に撮像する必要もない。例えば、共焦点方式、三角測量方式、白色干渉方式等の手法でバンプＢの高さを測定するためには、１時間から数１０時間掛かっていた。これに対し、本実施形態による検査装置１によれば、バンプＢの高さを判断するために、約５分で足りる。従って、本実施形態による検査装置１は、バンプＢの検査時間を全体として大きく短縮させることができる。
【００２６】
次に、本実施形態による検査方法について説明する。
【００２７】
図５（Ａ）〜図８は、第１実施形態による検査方法の一例を示す概念図である。まず、図５（Ａ）に示すように、基板Ｗをステージ２０上に搭載する。ステージ２０は、基板Ｗをバキュームチャックまたは静電チャックにより吸着する。
【００２８】
次に、図５（Ｂ）に示すように、シールリング３０を基板Ｗの外縁に接触させる。図６（Ａ）に示すように、シールリング３０で基板Ｗの外縁を押圧する。これにより、シールリング３０と基板Ｗとの間を液密に密着させる。
【００２９】
次に、図６（Ｂ）に示すように、液体ノズル４０がシールリング３０の内側に液体Ｌを供給し、液体Ｌを基板Ｗの表面上に溜める。液体ノズル４０は、所定量の液体Ｌを吐出する。これにより、液体Ｌを基板Ｗの表面から第１高さＨ１まで溜める。このように、基板Ｗ上のバンプＢの上端部を露出させるように、液体Ｌの液面ＦＬが第１高さＨ１に設定される。このときの液体Ｌの液面ＦＬは、バンプＢの露出部分を検出するための基準面となる。尚、図５（Ａ）〜図８において、バンプＢの図示は省略されている。
【００３０】
次に、図７（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面の上方（Ｚ方向）からカメラ６０で基板Ｗの表面を撮像する。これにより、基準面としての液体Ｌの液面ＦＬから露出しているバンプＢの上端部が撮像される。演算部９０は、カメラ６０からの画像からバンプＢの高さを判断し、そのバンプＢの良否を判断する。バンプＢの高さの判断手法は、図９を参照して後で説明する。
【００３１】
次に、図７（Ｂ）に示すように、シールリング３０を基板Ｗの端部から取り外す。次に、図８に示すように、洗浄ノズル５０が基板Ｗ上に洗浄液を供給する。洗浄液は、基板Ｗ上の液体Ｌを洗い流す。洗浄液は、例えば、透明な純水等でよい。このとき、ステージ２０は基板Ｗを回転させ、洗浄液をふるい落とす。基板Ｗの洗浄後、ステージ２０は、基板Ｗをさらに回転させ、スピン乾燥させる。
【００３２】
その後、基板Ｗをチャンバ１０から搬出する。これにより、基板Ｗの検査処理が終了する。
【００３３】
図９は、バンプＢの高さの判断手法を示すフロー図である。演算部９０は、カメラ６０からの平面画像を取得する（Ｓ１０）。次に、演算部９０は、例えば、画像のコントラストに基づいて、液体Ｌの液面ＦＬとバンプＢの表面とを識別する（Ｓ２０）。識別は、色の属性（色相、彩度、または明度）の相違に基づいて実行される。例えば、演算部９０は、液体ＬとバンプＢのコントラスト差を用いてバンプＢを液体Ｌから識別する。
【００３４】
さらに、画像のコントラストに基づいて液体ＬとバンプＢとを識別した後、演算部９０は、バンプＢを検出したカメラ６０の画素数を計算する（Ｓ３０）。演算部９０は、バンプＢを検出した画素数を計算することによって、バンプＢの露出部分の面積を判断することができる。
【００３５】
次に、演算部９０は、バンプＢの画素数が所定範囲内であるか否かを判断する（Ｓ４０）。画素数が所定範囲内である場合（Ｓ４０のＹＥＳ）、演算部９０は、バンプＢの高さが適切と判断し、そのバンプＢを良品と判断する（Ｓ５０）。画素数が所定範囲内でない場合（Ｓ４０のＮＯ）、演算部９０は、バンプＢが高すぎる、あるいは、低すぎると判断し、そのバンプＢを不良と判断する（Ｓ６０）。
【００３６】
多数のバンプＢのうち１つでも不良がある場合、他の半導体チップや実装基板と接続不良を引き起こす可能性が高い。従って、そのような半導体チップは不良と判断する。
【００３７】
このように、本実施形態によれば、１枚の静止平面画像でバンプＢの高さを検査することができる。これにより、バンプＢの検査時間を短縮させることができる。図９のバンプＢの検査は、基板Ｗ全体を１度で行ってもよく、あるいは、基板Ｗの一部ごと（例えば、半導体チップごと）に行ってもよい。基板Ｗを１度で検査する場合には、カメラ６０により撮像が１度で済むので、検査時間の短縮に繋がる。一方、半導体チップごとに検査する場合には、１つのバンプＢを撮像する画素数が多くなるので、検査装置１は、バンプＢの高さをより正確に判断することができる。あるいは、半導体チップのさらに一部分ごとにバンプＢを撮像し、検査してもよい。この場合、検査装置１はさらにバンプＢの高さをより正確に判断することができる。
基板Ｗの複数個所を検査する場合、基板Ｗを静止させカメラ６０を移動させてもよいし、カメラ６０を停止させ基板Ｗを移動させてもよいし、基板Ｗとカメラ６０とを同時に移動させてもよい。
【００３８】
尚、チャンバ１０が真空引きされていると、空気の揺らぎ等の影響がないためより正確に検査可能である。
【００３９】
（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態による検査装置２の構成例を示す概略図である。第１実施形態においては、液体Ｌの液面ＦＬを基準面としてバンプＢの高さを判断している。これに対し、第２実施形態においては、基板Ｗの表面上にフィルムＦＭを貼付し、フィルムＦＭの上面ＦＦを基準面としてバンプＢの高さを判断する。
【００４０】
図１０の検査装置２は、図１の検査装置１の他、フィルム貼付機構１００と、搬送ロボット２００とをさらに備えている。フィルム貼付機構１００の構成については、後で図１１を参照して説明する。搬送ロボット２００は、検査装置１とフィルム貼付機構１００との間で基板Ｗを搬送するロボットアームである。また、搬送ロボット２００は、検査装置１とウェハカセットとの間、あるいは、フィルム貼付機構１００とウェハカセットとの間で基板Ｗを搬送する。
【００４１】
図１１は、フィルム貼付機構１００の構成例を示す概略図である。貼付部としてのフィルム貼付機構１００は、チャンバ１１０と、真空ポンプ１２０と、ダイヤフラム１３０と、ステージ１４０とを備えている。
【００４２】
チャンバ１１０は、真空ポンプ１２０によって真空引きされ、その内部にステージ１４０、ダイヤフラム１３０を収容している。また、チャンバ１１０内において、ステージ１４０上に基板Ｗを載置し、基板Ｗ上にフィルムＦＭを貼付することができる。
【００４３】
ダイヤフラム１３０は、図１１の矢印で示すように、チャンバ１１０内の真空引きとともに基板Ｗとは反対側に気体が流入して基板Ｗ側へ膨らむ。チャンバ１１０内の真空引きをさらに継続することによって、ダイヤフラム１３０は、フィルムＦＭを基板Ｗの表面へ向かって押し付け、フィルムＦＭを基板Ｗの表面に密着させるとともに、バンプＢの上端をフィルムＦＭから突出させる。フィルムＦＭは、フィルムＦＭと基板Ｗとの間に気体（ボイド）が残らないように、フィルムＦＭを基板Ｗの表面に充分に密着させる。その後、真空ポンプ１２０の動作を停止し、ダイヤフラム１３０をフィルムＦＭおよび基板Ｗから離す。このとき、基板Ｗとは反対側のダイヤフラム１３０の気体を真空ポンプ１２０で抜いてもよい。ダイヤフラム１３０を離間させた後、基板Ｗの表面上のフィルムＦＭの上面ＦＦは、基板Ｗの表面から第１高さＨ１に設定される。即ち、第２実施形態では、フィルムＦＭがチャンバ１０内において基板Ｗの表面に貼付され、バンプＢがフィルムＦＭを突き抜けるように加圧される。フィルムＦＭを加圧した後、フィルムＦＭの上面ＦＦが第１高さＨ１となるように、フィルムＦＭの厚みは設定される。
【００４４】
フィルムＦＭには、バンプＢで突き破ることができる柔軟性のある樹脂材料（例えば、エポキシ系樹脂フィルム）を用いている。フィルムＦＭは、基板Ｗの表面から第１高さＨ１までの厚みを有する。また、カメラ６０および演算部９０がフィルムＦＭ、バンプＢおよび基板Ｗの表面を識別することができるように、フィルムＦＭは、バンプＢおよび基板Ｗの表面に対して色の属性（例えば、色相、彩度または明度）が異なる。例えば、フィルムＦＭは、バンプＢおよび基板Ｗの表面に対して明度の低い樹脂でよい。
【００４５】
その後、フィルムＦＭを貼付した基板Ｗは、図１０に示すフィルム貼付機構１００から検査装置１へ搬送される。即ち、搬送ロボット２００は、フィルム貼付機構１００のチャンバ１１０から検査装置１のチャンバ１０へ基板Ｗを搬送する。
【００４６】
第２実施形態によるバンプＢの高さの判断手法は、第１実施形態と同様でよい。即ち、検査装置１は、第１実施形態と同様に、カメラ６０からの二次元画像を用いて、フィルムＦＭの表面から露出しているバンプＢの露出部分の大きさを判断し、該露出部分の大きさに基づいてバンプＢの高さを判断する。演算部９０は、フィルムＦＭとバンプＢとの間の色の属性（例えば、色相、再度、明度）の相違に基づいて、バンプＢの露出部分の面積を判断する。このとき、演算部９０は、バンプＢを撮像しているカメラ６０の画素数によって露出部分の面積を判断する。バンプＢの露出部分の面積はバンプＢの高さに対応するので、演算部９０は、バンプＢの露出部分の画素数からバンプＢの高さの適否を判断することができる。その後、フィルムＦＭは、チャンバ１０内あるいはその外にて剥がされる。このように、液体Ｌに代えてフィルムＦＭを用いても、バンプＢの高さを判断することができる。即ち、第２実施形態は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４７】
第２実施形態において、液体Ｌに代えてフィルムＦＭを用いているので、図１に示す検査装置１の液体ノズル４０および洗浄ノズル５０は省略してもよい。
【００４８】
また、第２実施形態において、フィルム貼付機構１００のチャンバ１１０は、検査装置１のチャンバ１０と別体に設けられている。しかし、チャンバ１１０とチャンバ１０とは共通化してもよい。この場合、ダイヤフラム１３０とカメラ６０を同一チャンバ内に配置する必要がある。このため、ダイヤフラム１３０とカメラ６０が互いに邪魔にならないように、ステージ２０がチャンバ内において基板Ｗを移動可能してもよい。あるいは、駆動部８０がダイヤフラム１３０またはカメラ６０を移動可能にしてもよい。これにより、ダイヤフラム１３０とカメラ６０が、フィルムＦＭの貼付工程と、バンプＢの撮像工程とにおいて、互いに接触することを回避できる。
【００４９】
また、バンプ計測後のフィルムＦＭは有機溶剤により溶解して剥離してもよい。あるいは、一部分をつまみ引き剥がすように剥離してもよい。その後、基板Ｗを洗浄してもよい。この場合、検査装置１が洗浄ノズル５０を有していても良い。
【００５０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５１】
１  検査装置、１０  チャンバ、２０  ステージ、３０  シールリング、４０  液体ノズル、５０  洗浄ノズル、６０  カメラ、７０  制御部、８０  駆動部、９０  演算部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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