(57)【要約】【課題】簡易な手法で基材及びガラス材を接合可能にした複合物品製造方法及び複合物品を提供する。【解決手段】複合物品１は、金属又は金属窒化物からなる基材２と、基材２に接合されたガラス材３とを備える。基材２及びガラス材３は、レーザ照射装置８から照射される超短パルスレーザＬｋ１によって溶接されている。超短パルスレーザＬｋ１は、１つのパルスの幅（時間幅）が例えば数ピコ秒から数フェムト秒の非常に短いパルスのレーザである。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属又は金属窒化物からなる基材にガラス材を接合することで複合物品が形成される複合物品製造方法であって、
前記基材に前記ガラス材を接触させ、前記基材及び前記ガラス材の接触部に、前記ガラス材を透過させてレーザ光を照射することにより、前記基材と前記ガラス材とを接合する複合物品製造方法。
【請求項２】
前記レーザ光の焦点位置が、前記基材の内部に設定されている
請求項１に記載の複合物品製造方法。
【請求項３】
前記ガラス材は、前記基材に形成された開口部を気密状態で封着する
請求項１又は２に記載の複合物品製造方法。
【請求項４】
前記レーザ光は、パルス幅が０．１〜２０ｐｓに設定され、パルスエネルギーが０．１〜５０μＪに設定され、ピークエネルギーが０．０１〜１００ＭＷに設定されている
請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の複合物品製造方法。
【請求項５】
前記基材は、銅又は窒化アルミニウムからなる
請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の複合物品製造方法。
【請求項６】
前記ガラス材は、組成の重量パーセントにおいて、ＳｉＯ２が４０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３が０〜１５％、Ｂ２Ｏ３が３〜３０％、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ及びＬｉ２Ｏの少なくとも１つからなる組成が０〜２０％、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯの少なくとも１つからなる組成が０〜３０％に設定されている
請求項１〜５のうちいずれか一項に記載の複合物品製造方法。
【請求項７】
前記基材及び前記ガラス材の厚みは、０．１〜３ｍｍに設定されている
請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の複合物品製造方法。
【請求項８】
前記基材は、半導体素子が実装される半導体パッケージ用基材であり、
前記ガラス材は、前記半導体パッケージ用基材に蓋をするパッケージカバーである
請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の複合物品製造方法。
【請求項９】
金属又は金属窒化物からなる基材と、当該基材に接合されたガラス材とを備えた複合物品であって、
前記基材と前記ガラス材とが接合された溶接面には、一方が他方に係止した溶接部が設けられ、当該溶接部は、前記基材及び前記ガラス材のうち被溶接側を主成分とした混合組成からなる複合物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合物品を製造する際に用いられる複合物品製造方法及び複合物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複合物品としての気密パッケージの製造方法が周知である（特許文献１等参照）。気密パッケージは、例えばＬＥＤ素子が実装された基材の開口部が、ガラス材によって蓋がされた部材である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２３９６０９号公報
【特許文献２】特開２０１４−２３６２０２号公報
【特許文献３】特開２０１７−１９１８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基材は、基板上の素子群のハイパワー化に伴う放熱の課題から、基材の材料として、一般的なアルミナから、例えば熱伝導率が大きい窒化アルミニウムの使用が検討されている。また、ガラス材は、ＬＥＤ素子の光の波長領域（紫外波長領域）の光の透過性の観点から、同領域の光を透過させる材料の使用が検討されている。
【０００５】
窒化アルミニウムは、ガラス材と比較して熱伝導率が非常に大きい。このため、例えばフリットをレーザによって直接加熱しつつ軟化流動させて接合する手法の場合、フリットの熱が窒化アルミニウムによって放熱されてしまうので、フリットと窒化アルミニウムとを封着するのに必要な熱量を確保することができず、これらを接合できなかった。
【０００６】
そのため、従来は、窒化アルミニウムとガラス材とを接合するにあたり、例えば窒化アルミニウムの基板表面に、熱伝導率が比較的小さいガラス材料をコーティングする手法が考案されていた（特許文献１〜３等参照）。この手法では、レーザーシール用フリットを用いてガラス材を基材に接着し、気密性が確保された気密パッケージを作製している。
【０００７】
しかし、この手法の場合、予めガラス材を窒化アルミニウムの基板上にコーティングする工程が必要となるので、製造工程が煩雑になる問題があった。また、異種の界面数が増えることにもなるので、気密性に影響が生じる可能性もあった。
【０００８】
本発明の目的は、簡易な手法で基材及びガラス材を接合可能にした複合物品製造方法及び複合物品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記問題点を解決する複合物品製造方法は、金属又は金属窒化物からなる基材にガラス材を接合することで複合物品が形成される方法であって、前記基材に前記ガラス材を接触させ、前記基材及び前記ガラス材の接触部に、前記ガラス材を透過させてレーザ光を照射することにより、前記基材と前記ガラス材とを接合する。
【００１０】
本構成によれば、レーザ光によってフリットレスでガラス材を基材に接合することが可能となる。これにより、フリットを使用しない簡易な手法により、ガラス材を基材に接合することが可能となる。また、基材とガラス材とを接合するにあたり、異種界面層が増えることもない。
【００１１】
前記複合物品製造方法において、前記レーザ光の焦点位置が、前記基材の内部に設定されていることが好ましい。この構成によれば、レーザ光を基材に届かせて溶融することにより、基材とガラス材とを強固に溶接することが可能となる。
【００１２】
前記複合物品製造方法において、前記ガラス材は、前記基材に形成された開口部を気密状態で封着することが好ましい。この構成によれば、ガラス材を基材に隙間無く封着可能となるので、ガラス材によって閉じられる基材の開口部の気密性を確保することが可能となる。
【００１３】
前記複合物品製造方法において、前記レーザ光は、パルス幅が０．１〜２０ｐｓに設定され、パルスエネルギーが０．１〜５０μＪに設定され、ピークエネルギーが０．０１〜１００ＭＷに設定されていることが好ましい。この構成によれば、レーザ光の各パラメータを好適な値に設定することが可能となる。よって、基材とガラス材との強固な接合を確保するのに一層有利となる。
【００１４】
前記複合物品製造方法において、前記基材は、銅又は窒化アルミニウムからなることが好ましい。この構成によれば、銅又は窒化アルミニウムからなる基材に対し、ガラス材を強固に接合することが可能となる。
【００１５】
前記複合物品製造方法において、前記ガラス材は、組成の重量パーセントにおいて、ＳｉＯ２が４０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３が０〜１５％、Ｂ２Ｏ３が３〜３０％、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ及びＬｉ２Ｏの少なくとも１つからなる組成が０〜２０％、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯの少なくとも１つからなる組成が０〜３０％に設定されていることが好ましい。この構成によれば、ガラス材の組成を好適な組み合わせとすることが可能となる。
【００１６】
前記複合物品製造方法において、前記基材及び前記ガラス材の厚みは、０．１〜３ｍｍに設定されていることが好ましい。この構成によれば、基材及びガラス材を好適な厚みとしたので、レーザ光による基材やガラス材の溶接が好適に行われる。よって、これらを強固に接合するのに一層有利となる。
【００１７】
前記複合物品製造方法において、前記基材は、半導体素子が実装される半導体パッケージ用基材であり、前記ガラス材は、前記半導体パッケージ用基材に蓋をするパッケージカバーであることが好ましい。この構成によれば、パッケージカバーを半導体パッケージ用基材に対して強固に接合することが可能となる。
【００１８】
前記問題点を解決する複合物品は、金属又は金属窒化物からなる基材と、当該基材に接合されたガラス材とを備えた構成であって、前記基材と前記ガラス材とが接合された溶接面には、一方が他方に係止した溶接部が設けられ、当該溶接部は、前記基材及び前記ガラス材のうち被溶接側を主成分とした混合組成からなる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、簡易な手法で基材及びガラス材を接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】一実施形態の複合物品の断面図。
【図２】複合物品の平面図。
【図３】超短パルスレーザで溶接部の形成するときの概略図。
【図４】超短パルスレーザの波形図。
【図５】超短パルスレーザの焦点位置を示す説明図。
【図６】（ａ）は、図２のII−II線断面におけるレーザ顕微鏡画像図、（ｂ）は、同線断面におけるＳＥＭ画像図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、図２のII−II線断面における溶接部のＳＥＭ−ＥＤＸ画像図。
【図８】（ａ）は、図２のIII−III線断面におけるレーザ顕微鏡画像図、（ｂ）は、同線断面におけるＳＥＭ画像図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図２のIII−III線断面における溶接部のＳＥＭ−ＥＤＸ画像図。
【図１０】別例の複合物品の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、複合物品製造方法及び複合物品の一実施形態を図１〜図９に従って説明する。
図１に示すように、複合物品１は、金属又は金属窒化物からなる基材２と、基材２に接合されたガラス材３とを備える。基材２は、例えば半導体素子（紫外ＬＥＤ素子等）が実装される半導体パッケージ用基材（基板）である。本例の基材２は、例えば片側の面に開口部４が形成されることにより、周縁に枠部５を有した形状をなしている。
【００２２】
ガラス材３は、基材２に蓋をするパッケージカバーである。本例のガラス材３は、平板状に形成され、基材２の開口部４を封着するように接合されている。このように、本例の複合物品１は、基材２の開口部４を気密状態で封着することにより、内部の気密性がガラス材３によって確保された気密パッケージである。
【００２３】
基材２の周縁の枠部５とガラス材３とが接する面を溶接面６とした場合、この溶接面６には、基材２及びガラス材３の一方が他方に係止した溶接部７が設けられている。溶接部７の組成は、基材２及びガラス材３のうち基材２を被溶接側とした場合、基材２を主成分としたガラス材３との混合組成からなる。
【００２４】
図２に示すように、溶接部７は、基材２の開口部４の周縁に沿って環状に形成されている。本例の溶接部７は、基材２の内周側と外周側との計２箇所に形成されている。本例の場合、内周側の溶接部７を「７ａ」とし、外周側の溶接部７を「７ｂ」として図示されている。
【００２５】
図３に示すように、基材２及びガラス材３は、レーザ照射装置８のレーザ光Ｌｋによって溶接されている。本例のレーザ照射装置８は、レーザ光Ｌｋとして超短パルスレーザＬｋ１を照射する。超短パルスレーザＬｋ１は、１つのパルスの幅（時間幅）が例えば数ピコ秒から数フェムト秒の非常に短いパルスのレーザである。
【００２６】
次に、図３〜図９を用いて、本実施形態の複合物品製造方法及び複合物品１の作用及び効果について説明する。
図３に示すように、レーザ照射装置８は、開口部４を閉じるように枠部５に沿ってガラス材３がセットされた基材２に対し、ガラス材３の上方から超短パルスレーザＬｋ１を照射して、ガラス材３を基材２に溶接する。本例の場合、超短パルスレーザＬｋ１を基材２の枠部５に沿って走査しながら溶接していく加工を、枠部５の内周側と外周側とで各々行うことにより、基材２及びガラス材３の溶接面６に、内周側の溶接部７ａと外周側の溶接部７ｂとの２つを形成する。
【００２７】
図４に示すように、超短パルスレーザＬｋ１の波形のパラメータとしては、例えば「パルスエネルギーＥｐｌ」、「ピークエネルギーＥｐｋ」、「パルス幅Ｗｐ」などがある。パルスエネルギーＥｐｌは、１パルス分のエネルギーである。ピークエネルギーＥｐｋは、パルスエネルギーＥｐｌのピーク値である。パルス幅Ｗｐは、ピークエネルギーＥｐｋの半値におけるパルスの時間幅である。
【００２８】
図５に示すように、レーザ照射装置８は、レーザ光Ｌｋ（超短パルスレーザＬｋ１）の焦点位置Ｄｐが、基材２（枠部５）の内部に設定されている。すなわち、レーザ光Ｌｋの狙いの焦点が、界面（溶接面６）よりも下側（基材２側）にオフセットされている。これは、基材２側を主に溶かして、溶接部７の組成の主成分を基材２側の成分とするためである。
【００２９】
表１に、超短パルスレーザＬｋ１の照射パターンを変えて溶接を行ったときの比較例（サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．６）を示す。
【００３０】
【表１】
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本例の場合、表１に示されるように、第１基材２ａと第１ガラス材３ａとを溶接するパターンと、第２基材２ｂと第２ガラス材３ｂとを溶接するパターンとを実施した。なお、第１基材２ａは、銅（厚さ１．０ｍｍ）であり、第１ガラス材３ａは、紫外線透過率が高いホウ珪酸ガラス（厚さ０．５ｍｍ）である。第２基材２ｂは、窒化アルミニウム（厚さ０．５ｍｍ）であり、第２ガラス材３ｂは、紫外線透過率がさらに高いホウ珪酸ガラス（厚さ０．５ｍｍ）である。
【００３１】
第１ガラス材３ａの概略組成は、ＳｉＯ２が６９ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が１２ｗｔ％、ＣａＯが３ｗｔ％、Ｎａ２Ｏが１１ｗｔ％である。第２ガラス材３ｂの概略組成は、ＳｉＯ２が６７ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が５ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２２ｗｔ％、Ｎａ２Ｏが３ｗｔ％、Ｋ２Ｏが３ｗｔ％である。
【００３２】
また、超短パルスレーザＬｋ１で比較するパラメータは、例えば「平均出力Ｐａｖｅ」、「パルス幅Ｗｐ」、「繰り返し周期ｆ」、「パルスエネルギーＥｐｌ」、「ピークエネルギーＥｐｋ」、「焦点レンズＬｅ」、「焦点位置Ｄｐ」、「走査速度Ｖｓ」とする。平均出力Ｐａｖｅは、超短パルスレーザＬｋ１を生成するのに必要な出力である。繰り返し周期ｆは、単位時間当たりのパルスの出現回数である。焦点レンズＬｅは、超短パルスレーザＬｋ１を照射する際のレンズの絞り量である。走査速度Ｖｓは、超短パルスレーザＬｋ１を照射していく速度である。
【００３３】
なお、表１の結果欄の「◎」、「○」、「△」の評価基準について、表２に示す。なお、接合の有無は、例えばレーザ照射直後の試験片にて基材２とガラス材３とを相対移動を確認した結果である。クラック、剥離の有無は、例えば光学顕微鏡下（×５０）にて目視確認した結果である。加速試験は、例えばＰＣＴ（Pressure Cooker Test）試験であり、温度１２１℃、湿度１００％、圧力２気圧にて２４時間保持した試験である。
【００３４】
【表２】
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第１基材２ａ及び第１ガラス材３ａの組み合わせの場合、サンプルＮｏ．４で最もよい結果（十分な溶接強度）を得ることができた（表１の結果欄の「◎」）。サンプルＮｏ．４は、平均出力Ｐａｖｅが「１．４Ｗ」、パルス幅Ｗｐが「１０ｐｓ」、繰り返し周期ｆが「１００ｋＨｚ」、パルスエネルギーＥｐｌが「１４μＪ」、ピークエネルギーＥｐｋが「１．４ＭＷ」、焦点レンズＬｅが「×２０」、焦点位置Ｄｐが「−５μｍ」、走査速度Ｖｓが「１ｍｍ／ｓ」のパラメータ組み合わせからなる。
【００３５】
また、第１基材２ａ及び第１ガラス材３ａの組み合わせの場合、サンプルＮｏ．４の次に良い結果が得られたのは、サンプルＮｏ．２及びＮｏ．３であった（表１の結果欄の「○」）。サンプルＮｏ．２は、平均出力Ｐａｖｅが「１．４Ｗ」、パルス幅Ｗｐが「３５０ｆｓ」、繰り返し周期ｆが「１００ｋＨｚ」、パルスエネルギーＥｐｌが「１４μＪ」、ピークエネルギーＥｐｋが「４０ＭＷ」、焦点レンズＬｅが「×２０」、焦点位置Ｄｐが「−５μｍ」、走査速度Ｖｓが「１ｍｍ／ｓ」のパラメータ組み合わせからなる。サンプルＮｏ．３は、平均出力Ｐａｖｅが「１．４Ｗ」、パルス幅Ｗｐが「１ｐｓ」、繰り返し周期ｆが「１００ｋＨｚ」、パルスエネルギーＥｐｌが「１４μＪ」、ピークエネルギーＥｐｋが「１４ＭＷ」、焦点レンズＬｅが「×２０」、焦点位置Ｄｐが「−５μｍ」、走査速度Ｖｓが「１ｍｍ／ｓ」のパラメータ組み合わせからなる。
【００３６】
第２基材２ｂ及び第２ガラス材３ｂの組み合わせの場合、サンプルＮｏ．６で最もよい結果（十分な溶接強度）を得ることができた（表１の結果欄の「◎」）。サンプルＮｏ．６は、平均出力Ｐａｖｅが「１．４５Ｗ」、パルス幅Ｗｐが「１０ｐｓ」、繰り返し周期ｆが「１００ｋＨｚ」、パルスエネルギーＥｐｌが「１４．５μＪ」、ピークエネルギーＥｐｋが「１．４５ＭＷ」、焦点レンズＬｅが「×２０」、焦点位置Ｄｐが「−１０μｍ」、走査速度Ｖｓが「１ｍｍ／ｓ」のパラメータ組み合わせからなる。
【００３７】
また、第２基材２ｂ及び第２ガラス材３ｂの組み合わせの場合、サンプルＮｏ．６の次に良い結果が得られたのは、サンプルＮｏ．５であった（表１の結果欄の「○」）。サンプルＮｏ．５は、平均出力Ｐａｖｅが「１．４５Ｗ」、パルス幅Ｗｐが「１ｐｓ」、繰り返し周期ｆが「１００ｋＨｚ」、パルスエネルギーＥｐｌが「１４．５μＪ」、ピークエネルギーＥｐｋが「１４．５ＭＷ」、焦点レンズＬｅが「×２０」、焦点位置Ｄｐが「−１０μｍ」、走査速度Ｖｓが「１ｍｍ／ｓ」のパラメータ組み合わせからなる。
【００３８】
また、第２基材２ｂ及び第２ガラス材３ｂの組み合わせの場合、表１の傾向から、走査速度Ｖｓを低く設定しても、パルス幅Ｗｐを小さくし過ぎたり、ピークエネルギーＥｐｋを大きくし過ぎたりすると、十分な溶接強度を得られない可能性が高い。
【００３９】
図６（ａ）は、図２のII−II線断面におけるレーザ顕微鏡画像図であり、図６（ｂ）は、同線断面におけるＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）画像図である。また、図８（ａ）は、図２のIII−III線断面におけるレーザ顕微鏡画像図であり、図８（ｂ）は、同線断面におけるＳＥＭ画像図である。これら図から分かるように、溶接部７は、基材２側が溶け出してガラス材３の内部に入り込むことにより形成される。また、本例の溶接部７は、溶接面６の長手方向に対して直交する２方向において例えば５〜２００μｍの長さで延び、かつ円又は楕円の形状をなしている。
【００４０】
図７は、図２のII−II線断面における溶接部７の組成分析（ＳＥＭ−ＥＤＸ：走査電子顕微鏡）の画像図である。また、図９は、図２のIII−III線断面における溶接部７の組成分析（ＳＥＭ−ＥＤＸ）の画像図である。また、図７（ａ）及び図９（ａ）がＡｌＮの成分であるＡｌのＳＥＭ−ＥＤＸ画像図であり、図７（ｂ）及び図９（ｂ）がホウ珪酸ガラスの成分であるＳｉのＳＥＭ−ＥＤＸ画像図であり、図７（ｃ）及び図９（ｃ）がＡｌＮの成分であるＮのＳＥＭ−ＥＤＸ画像図である。
【００４１】
これら図に示されるように、溶接部７の組成には、Ａｌ、Ｓｉ及びＮが含有されていることが分かる。よって、溶接部７は、被溶接側である基材２を主成分とし、さらにガラス材３との混合組成からなることが分かる。
【００４２】
さて、本例の場合、レーザ光Ｌｋ（超短パルスレーザＬｋ１）によってフリットレスでガラス材３を基材２に接合することが可能となる。これにより、フリットを使用しない簡易な手法により、ガラス材３を基材２に接合することができる。また、基材２とガラス材３とを接合するにあたり、異種界面層が増えることもない。
【００４３】
レーザ光Ｌｋ（超短パルスレーザＬｋ１）の焦点位置Ｄｐは、基材２の内部に設定されている。よって、レーザ光Ｌｋを基材２に届かせて溶融することにより、基材２とガラス材３とを強固に溶接することができる。
【００４４】
ガラス材３は、基材２に形成された開口部４を気密状態で封着する。よって、ガラス材３を基材２に隙間無く封着可能となるので、ガラス材３によって閉じられる基材２の開口部４の気密性を確保することができる。
【００４５】
レーザ光Ｌｋ（超短パルスレーザＬｋ１）は、パルス幅Ｗｐが０．１〜２０ｐｓに設定され、パルスエネルギーＥｐｌが０．１〜５０μＪに設定され、ピークエネルギーＥｐｋが０．０１〜１００ＭＷに設定されている。このため、レーザ光Ｌｋ（超短パルスレーザＬｋ１）の各パラメータを好適な値に設定することができる。よって、基材２とガラス材３との強固な接合を確保するのに一層有利となる。
【００４６】
基材２は、銅又は窒化アルミニウムからなる。よって、銅又は窒化アルミニウムからなる基材２に対し、ガラス材３を強固に接合することができる。
ガラス材３は、組成の重量パーセントにおいて、ＳｉＯ２が４０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３が０〜１５％、Ｂ２Ｏ３が０〜３０％、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ及びＬｉ２Ｏの少なくとも１つからなる組成が０〜２０％、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯの少なくとも１つからなる組成が０〜３０％に設定されている。よって、ガラス材３の組成を好適な組み合わせをすることができる。
【００４７】
基材２及びガラス材３の厚みは、０．１〜３ｍｍに設定されている。このように、基材２及びガラス材３を好適な厚見としたので、レーザ光Ｌｋ（超短パルスレーザＬｋ１）による基材２やガラス材３の溶接が好適に行われる。よって、これらを強固に接合するのに一層有利となる。
【００４８】
基材２は、半導体素子が実装される半導体パッケージ用基材であり、ガラス材３は、半導体パッケージ用基材に蓋をするパッケージカバーである。よって、パッケージカバーを半導体パッケージ用基材に対して強固に接合することができる。
【００４９】
なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・レーザ光Ｌｋのパラメータは、実施例に挙げた種類に限定されず、他のパラメータを含んでもよいし、或いは実施例で挙げた中の特定のものに限定してもよい。
【００５０】
・レーザ光Ｌｋの照射のパラメータ範囲は、十分な溶接強度が確保できることが確認できれば、種々の範囲に設定可能である。
・レーザ光Ｌｋの照射のパラメータは、十分な溶接の強度を確保できれば、実施例で示した範囲内の種々の値に設定可能である。
【００５１】
・溶接部７は、２つ（７ａ，７ｂ）設けられることに限定されず、１つでもよいし、３つ以上としてもよい。
・溶接部７の形状は、断面が円形状や楕円形状に限定されず、例えば略三角形状などの他の形状でもよい。
【００５２】
・基材２に実装される半導体素子は、ＬＥＤ素子に限定されず、他の電子部品としてもよい。
・基材２は、開口部４を有する形状に限定されず、他の形状に変更してもよい。例えば、図１０に示すように、基材２を単なる平板状とし、いずれか一方の主面にガラス材３を積層した状態で、その一部又は前面を接合してもよい。さらに、基材２を複数のガラス材３で挟み、基材２の表裏両面においてガラス材３を接合してもよい。なお、このような形態において、基材２は、銅等の金属からなる回路パターン等であってもよい。
【００５３】
・ガラス材３の形状は、平板状に限定されず、他の形状に変更可能である。
・基材２及びガラス材３は、四角形状に限定されず、例えば円形等の他の形状に変更してもよい。
【００５４】
・レーザ光Ｌｋは、超短パルスレーザＬｋ１以外の種類のレーザを使用してもよい。
・基材２の材料である金属は、銅以外の金属材を用いてもよい。
・基材２の材料である金属窒化物は、窒化アルミニウム以外の部材を用いてもよい。
【００５５】
・基材２は、金属又は金属窒化物からなる部材であればよい。
・ガラス材３は、ホウ珪酸ガラスを主成分とするガラスに限定されず、どのような材料からなるガラスでもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１…複合物品、２…基材、２ａ…第１基材、２ｂ…第２基材、３…ガラス材、３ａ…第１ガラス材、３ｂ…第２ガラス材、４…開口部、６…溶接面、７（７ａ，７ｂ）…溶接部、Ｌｋ…レーザ光、Ｌｋ１…超短パルスレーザ、Ｄｐ…焦点位置、Ｗｐ…パルス幅、Ｅｐｌ…パルスエネルギー、Ｅｐｋ…ピークエネルギー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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