(57)【要約】【課題】信頼性の向上が可能な表示装置及び有機絶縁層を備える基板を提供する。【解決手段】表示領域を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域及び前記第２領域にわたって形成された有機絶縁層と、を備えた第１基板と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を備え、前記第１領域に重畳する第２基板と、を備え、前記第１領域は前記第１基板が前記第２基板に重なる領域であり、前記第２領域は前記第１基板が前記第２基板から露出された領域であり、前記有機絶縁層は、前記表示領域を囲み、前記第１基板の外形に沿って環状に形成された第１溝部を有し、前記第１溝部は、前記有機絶縁層により形成された前記表示領域側の第１側壁と、前記有機絶縁層により形成され前記第１側壁の反対側に位置し前記第１基板の前記外形側の第２側壁とから形成され、前記第１溝部を形成する前記第１側壁及び前記第２側壁は、平面視において、前記基板端と交差している表示装置。【選択図】  図５
2020134811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域及び前記第２領域にわたって形成された有機絶縁層と、を備えた第１基板と、
前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を備え、前記第１領域に重畳する第２基板と、を備え、
前記第１領域は前記第１基板が前記第２基板に重なる領域であり、
前記第２領域は前記第１基板が前記第２基板から露出された領域であり、
前記有機絶縁層は、前記表示領域を囲み、前記第１基板の外形に沿って環状に形成された第１溝部を有し、
前記第１溝部は、前記有機絶縁層により形成された前記表示領域側の第１側壁と、前記有機絶縁層により形成され前記第１側壁の反対側に位置し前記第１基板の前記外形側の第２側壁とから形成され、
前記第１溝部を形成する前記第１側壁及び前記第２側壁は、平面視において、前記基板端と交差している表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、さらに、前記第２領域に位置し信号源に接続される複数の端子を備え、
前記第１溝部は、前記複数の端子に重畳し前記有機絶縁層から露出された端子部を有している請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１基板は、さらに、前記複数の端子に接続された複数の配線を備え、
前記複数の配線は、前記第１基板の前記外形に最も近い最外配線を有し、平面視において、前記最外配線は前記第１溝部より内側に位置している請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、さらに、第１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層の上方に位置する前記配線と、前記有機絶縁層を覆う第２無機絶縁層とを備え、
前記有機絶縁層は、前記配線を覆い、前記第１溝部において前記第１無機絶縁層を露出し、
前記第２無機絶縁層は、前記第１溝部において、前記第１無機絶縁層に接している請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２無機絶縁層は、前記第１溝部において、前記第１無機絶縁層の全域に接している請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２無機絶縁層は、前記第１領域及び前記第２領域にわたって形成され、前記第１領域において、前記第１溝部に重畳する第２溝部を有している請求項４又は５に記載の表示装置。
【請求項７】
さらに、前記第１領域において、前記第１基板と前記第２基板とを接着するシールを備え、
前記第１溝部は、平面視において、前記シールに重畳している請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２基板は、さらに、前記基板端に位置するスペーサを備え、
前記スペーサは、平面視において、前記第１溝部と交差している請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、有する絶縁基板と、
前記第２領域に位置し信号源に接続される複数の端子と、
前記複数の端子に接続し、前記第１領域に延出する複数の配線と、
前記第１領域及び前記第２領域にわたって形成された有機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層は、前記絶縁基板の外形に沿って環状に形成された溝部を有し、
前記溝部は前記有機絶縁層により形成された前記表示領域側の第１側壁と、前記有機絶縁層により形成され前記第１側壁の反対側に位置し前記外形側の第２側壁とから形成され
前記複数の配線は、前記外形に最も近い最外配線を有し、
前記最外配線は、平面視において、前記溝部より内側に位置している基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置及び有機絶縁層を備える基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向する対向基板と、を備え、二つの基板と平行方向の電界によって液晶分子を回転させる液晶表示装置が種々検討されている。一例では、有機絶縁層が、二つの基板が重畳する領域において、液晶を挟持した領域を囲むように形成された溝状スルーホールを有している液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２２５２２７号公報
【特許文献２】特開２０１６−９９４９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、信頼性の向上が可能な表示装置及び有機絶縁層を備える基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
表示領域を含む第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、前記第１領域及び前記第２領域にわたって形成された有機絶縁層と、を備えた第１基板と、前記第１領域と前記第２領域との境界に位置する基板端を備え、前記第１領域に重畳する第２基板と、を備え、前記第１領域は前記第１基板が前記第２基板に重なる領域であり、前記第２領域は前記第１基板が前記第２基板から露出された領域であり、前記有機絶縁層は、前記表示領域を囲み、前記第１基板の外形に沿って環状に形成された第１溝部を有し、前記第１溝部は、前記有機絶縁層により形成された前記表示領域側の第１側壁と、前記有機絶縁層により形成され前記第１側壁の反対側に位置し前記第１基板の前記外形側の第２側壁とから形成され、前記第１溝部を形成する前記第１側壁及び前記第２側壁は、平面視において、前記基板端と交差している表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、有する絶縁基板と、前記第２領域に位置し信号源に接続される複数の端子と、前記複数の端子に接続し、前記第１領域に延出する複数の配線と、前記第１領域及び前記第２領域にわたって形成された有機絶縁層と、を備え、前記有機絶縁層は、前記絶縁基板の外形に沿って環状に形成された溝部を有し、前記溝部は前記有機絶縁層により形成された前記表示領域側の第１側壁と、前記有機絶縁層により形成され前記第１側壁の反対側に位置し前記外形側の第２側壁とから形成され、前記複数の配線は、前記外形に最も近い最外配線を有し、前記最外配線は、平面視において、前記溝部より内側に位置している基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、一実施形態の表示装置を示す平面図である。
【図２】図２は、画素の基本構成及び等価回路を示す図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルの第１構成例を示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示した端子の断面図である。
【図５】図５は、表示パネルが有する溝部を示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示したラウンド部を拡大した平面図である。
【図７】図７は、図６に示したＣ１−Ｃ２線に沿った表示パネルの断面図である。
【図８】図８は、図７に示した第１構成例の変形例を示す断面図である。
【図９】図９は、表示パネルの第２構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、図９に示した第２構成例の第１変形例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、図９に示した第２構成例の第２変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
図１は、一実施形態の表示装置ＤＳＰを示す平面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端側の位置を上と称し、矢印の先端とは逆側の位置を下と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【０００９】
図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、ＩＣチップ１と、配線基板Ｆ１と、を備えている。
【００１０】
表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、液晶層ＬＣと、シールＳＥとを備えている。図１において、液晶層ＬＣ及びシールＳＥは、異なる斜線で示している。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡとを備えている。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するとともに、液晶層ＬＣを封止している。
【００１１】
第１基板ＳＵＢ１は、その外形として、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ１１及びＥ１２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ１３及びＥ１４と、端部Ｅ１１と端部Ｅ１３との間に位置するラウンド部Ｒ１１と、端部Ｅ１１と端部Ｅ１４との間に位置するラウンド部Ｒ１２と、を有している。第２基板ＳＵＢ２は、その外形として、第１方向Ｘに沿って延出した端部Ｅ２１及びＥ２２と、第２方向Ｙに沿って延出した端部Ｅ２３及びＥ２４と、を有している。第１基板ＳＵＢ１は、第２方向Ｙに並んだ第１領域Ａ１及び第２領域Ａ２を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、平面視で、第１領域Ａ１において第１基板ＳＵＢ１に重畳し、第２領域Ａ２において第１基板ＳＵＢ１に重畳していない。端部Ｅ２１は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との境界に位置する基板端に相当する。つまり、第１領域Ａ１は、平面視で、端部Ｅ２１、端部Ｅ１２、端部Ｅ１３、端部Ｅ１４によって囲まれた領域に相当する。第２領域Ａ２は、平面視で、端部Ｅ１１、端部Ｅ２１、ラウンド部Ｒ１１、ラウンド部Ｒ１２によって囲まれた領域に相当する。また、第１領域Ａ１において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが重なりあう表示パネルＰＮＬの２枚部分、第２領域Ａ２は第１基板ＳＵＢ１が第２基板ＳＵＢ２から露出される表示パネルＰＮＬの１枚部分ということも出来る。
【００１２】
表示領域ＤＡは、第１領域Ａ１に含まれる。表示領域ＤＡは、第１方向（列方向）Ｘ及び第２方向（行方向）Ｙにマトリクス状（行列状）に複数の画素ＰＸが配置された領域に相当する。ここでの画素ＰＸとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。画素ＰＸは、例えば、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、青色を表示する青画素、または、白色を表示する白画素のいずれかである。
【００１３】
第１領域Ａ１における表示領域ＤＡの外側、及び、第２領域Ａ２は、非表示領域ＮＤＡに相当する。第１基板ＳＵＢ１は、第２領域Ａ２において、複数の端子ＴＡを備えている。各端子ＴＡは、第１方向Ｘに並んで配置されている。ＩＣチップ１は、表示パネルＰＮＬからの信号を読み出す場合もあるが、主として表示パネルＰＮＬに信号を供給する信号源として機能する。これらの信号源は、第２領域Ａ２に実装されている。配線基板Ｆ１は、複数の端子ＴＡに重畳し、それぞれと電気的に接続されている。また、ＩＣチップは図１に示すような配線基板Ｆ１に実装されるＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）と言われる構造でもよく、第２領域Ａ２に直接実装されるＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）と言われる構造であっても良い。図１に示すようにＣＯＦ構造であれば、第２領域Ａ２をＣＯＧ構造に比べより狭めることができる。
【００１４】
図２は、画素ＰＸの基本構成及び等価回路を示す図である。  
図２に示すように、複数本の走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、複数本の信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。走査線Ｇ及び信号線Ｓは、それぞれ、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Ｓは、その一部が屈曲していたとしても、第２方向Ｙに延出しているものとする。  
共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸにわたって配置されている。共通電極ＣＥは、電圧供給部ＣＤに接続されている。画像表示モードにおいては、電圧供給部ＣＤは、共通電極ＣＥにコモン電圧（Ｖｃｏｍ）を供給する。
【００１５】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えばＴＦＴによって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。走査線Ｇには、スイッチング素子ＳＷを制御するための制御信号が供給される。信号線Ｓには、制御信号とは異なる信号として、映像信号が供給される。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。液晶層ＬＣは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって駆動されている。容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００１６】
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードが適用された例に相当する。  
図３に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁層１１乃至１６、半導体層ＳＣ、信号線Ｓ、金属配線ＭＬ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、配向膜ＡＬ１などを備えている。絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。絶縁層１１は、絶縁基板１０の上に位置している。半導体層ＳＣは、絶縁層１１の上に位置し、絶縁層１２によって覆われている。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されていてもよい。絶縁層１２は、絶縁層１３によって覆われている。図２に示した走査線Ｇは、絶縁層１２と絶縁層１３との間に位置している。信号線Ｓは、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１４によって覆われている。金属配線ＭＬは、絶縁層１４の上に位置し、絶縁層１５によって覆われている。金属配線ＭＬは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成されている。金属配線ＭＬは、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。金属配線ＭＬは、それぞれ信号線Ｓと平行に延出し、信号線Ｓの直上に位置している。
【００１７】
共通電極ＣＥは、絶縁層１５の上に位置し、絶縁層１６によって覆われている。画素電極ＰＥは、絶縁層１６の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥの各々は、絶縁層１６を介して、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、線状電極であり、共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸにわたって共通に設けられた平板状の電極である。なお、画素電極ＰＥを平板状の電極とし、画素電極ＰＥと液晶層ＬＣとの間に線状の共通電極を設ける構造であってもよい。
【００１８】
絶縁層１１、絶縁層１２、絶縁層１３及び１６は、シリコン酸化物（ＳｉＯ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層である。絶縁層１６は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。絶縁層１１、絶縁層１２、絶縁層１３及び１６は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁層１４及び１５は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁層である。
【００１９】
第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０と、カラーフィルタＣＦと、遮光層ＢＭと、透明層ＯＣと、配向膜ＡＬ２とを備えている。絶縁基板２０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの透明基板である。カラーフィルタＣＦ、遮光層ＢＭ、及び、透明層ＯＣは、絶縁基板２０と液晶層ＬＣとの間に位置している。配向膜ＡＬ２は、液晶層ＬＣに接している。配向膜ＡＬ１及びＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。透明層ＯＣは、カラーフィルタＣＦ及び遮光層ＢＭを覆っている。透明層ＯＣは、例えば、透明な有機絶縁層である。なお、図示した例では、カラーフィルタＣＦは、第２基板ＳＵＢ２に設けられたが、第１基板ＳＵＢ１に設けられてもよい。カラーフィルタＣＦは、赤カラーフィルタＣＦＲ、緑カラーフィルタＣＦＧ、及び、青カラーフィルタＣＦＢを含んでいる。緑カラーフィルタＣＦＧは、画素電極ＰＥと対向している。赤カラーフィルタＣＦＲ及び青カラーフィルタＣＦＢも、それぞれ図示しない他の画素電極ＰＥと対向している。
【００２０】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。
【００２１】
偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０に接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０に接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。照明装置ＩＬは、白色の照明光で表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１を照明する。
【００２２】
このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された照明光は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの照明光の一部は、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００２３】
本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の表示パネルＰＮＬに限らず、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の表示パネルＰＮＬ、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の表示パネルＰＮＬいずれであってもよい。
【００２４】
また、本実施形態では、基板主面に沿った横電界を利用する表示モードに対応した表示パネルＰＮＬについて説明したが、これに限らず、表示パネルＰＮＬは、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。
【００２５】
図４は、図１に示した端子ＴＡの断面図である。  
図４に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、さらに、金属層４１、金属層４２、透明導電層５１及び透明導電層５２を備えている。金属層４１は、絶縁層１３の上に位置している。金属層４２は金属層４１に接し、覆っている。透明導電層５１は金属層４２に接し、覆っている。絶縁層１６は、透明導電層５１まで貫通したコンタクトホールＣＨ１を有し、縁層１３に接している。透明導電層５２は、絶縁層１６の上に位置し、コンタクトホールＣＨ１において透明導電層５１に接している。端子ＴＡは、例えば、金属層４１、金属層４２、透明導電層５１、透明導電層５２の何れか若しくはこれら２層以上の積層部に相当するものとする。図示した例では、第１基板ＳＵＢ１は、端子ＴＡが設けられる領域において、絶縁層１４及び１５を備えていない。
【００２６】
金属層４１は、例えば、チタン（Ｔｉ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、チタン（Ｔｉ）を含む層がこの順に積層された積層体である。金属層４２は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）を含む層、アルミニウム（Ａｌ）を含む層、及び、モリブデン（Ｍｏ）を含む層がこの順に積層された積層体である。透明導電層５１及び５２は、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。
【００２７】
図５は、表示パネルＰＮＬが有する溝部ＧＲ１を示す平面図である。  
図５に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、複数の配線ＷＬを備えている。複数の配線は、例えば配線ＷＬ１と配線ＷＬ２を含くんでいる。配線ＷＬ１は、例えば第１基板ＳＵＢ１に形成される複数の配線ＷＬの中で、最も外形側（表示パネルＰＮＬの外形側）、つまり第１基板ＳＵＢ１の外形（端部Ｅ１１乃至Ｅ１４、ラウンド部Ｒ１１及びＲ１２）に最も近い最外配線である。図示した例では、配線ＷＬ２は複数であり、それぞれ端部Ｅ１３と表示領域ＤＡとの間及び端部Ｅ１４と表示領域ＤＡとの間に位置している。配線ＷＬ２は、最外配線ＷＬ１の内側（表示領域ＤＡ側）に位置する複数の配線である。各配線ＷＬは、例えば、信号線Ｓと同一層に信号線Ｓと同一材料によって形成され、各端子ＴＡにそれぞれ接続されている。図示した例では、各配線ＷＬは、端部Ｅ２１と交差し、第２領域Ａ２から第１領域Ａ１に向かって延出している。なお、複数の配線ＷＬは、第２領域Ａ２において、検査パッドや接地パッドに接続される配線も含んでいる。また、配線ＷＬは、例えば走査線Ｇと同一層に走査線Ｇと同一材料によって形成されていても良く、さらには、走査線Ｇ及び信号線Ｓ及び金属層４１と同一層に形成された配線をそれぞれ組合せた配線であっても良い。
【００２８】
表示パネルＰＮＬは、溝部ＧＲ１を備えている。溝部ＧＲ１は、上記の絶縁層１４を貫通して形成されている。溝部ＧＲ１は、表示領域ＤＡ側の側壁ＧＳＷ１と、側壁ＧＳＷ１の反対側に位置し第１基板ＳＵＢ１の外形側の側壁ＧＳＷ２とから形成されている。溝部ＧＲ１は、主部ＧＭ１と、端子部ＧＴ１とを有している。端子部ＧＴ１は、端子ＴＡに重畳する領域で、図４に示すように絶縁層１４が設けられておらず、絶縁層１４から露出された領域に相当する。主部ＧＭ１は、非表示領域ＮＤＡに位置している。主部ＧＭ１は、第１領域Ａ１において、端部Ｅ１３と表示領域ＤＡとの間では第２方向Ｙに延出し、端部Ｅ１２と表示領域ＤＡとの間では第１方向Ｘに延出し、端部Ｅ１４と表示領域ＤＡとの間では第２方向Ｙに延出している。主部ＧＭ１は、平面視で、端部Ｅ２１と交差し、第２領域Ａ２において、ラウンド部Ｒ１１及びＲ１２に沿って延出し、端部Ｅ２１と端部Ｅ１１との間では第１方向Ｘに沿って延出し、端子部ＧＴ１に連続している。図示した例では、溝部ＧＲ１は、表示領域ＤＡを囲み第１基板ＳＵＢ１の外形に沿って環状に形成され、端部Ｅ２１と交差し、各端子ＴＡに重畳している。第１基板ＳＵＢ１に設けられたすべての配線ＷＬは、平面視で、溝部ＧＲ１より内側（表示領域ＤＡ側）に位置している。
【００２９】
図６は、図５に示したラウンド部Ｒ１１を拡大した平面図である。なお、表示パネルＰＮＬは、ラウンド部Ｒ１２においてもラウンド部Ｒ１１と同様の構造を有している。  
図６に示すように、第２基板ＳＵＢ２は、さらに、スペーサＳＰ１と、スペーサＳＰ２とを備えている。図６において、スペーサＳＰ１及びＳＰ２は斜線で示している。スペーサＳＰ１は、端部Ｅ２１に沿って第１方向Ｘに延出し、溝部ＧＲ１と交差している。スペーサＳＰ１は、第２基板ＳＵＢ２の基板端Ｅ２１に沿って配置されている。スペーサＳＰ１に沿ってスクライビングをいれ破断することによって、第２基板ＳＵＢ２の基板端Ｅ２１が形成される。スペーサＳＰ２は、部分ＳＰ２１と、部分ＳＰ２１に連続した部分ＳＰ２２とを有している。部分ＳＰ２１は第１方向Ｘに延出し、部分ＳＰ２２はラウンド部Ｒ１１に沿って延出している。部分ＳＰ２１とスペーサＳＰ１とは、第２方向Ｙにおいて、離間している。部分ＳＰ２２は、例えば、表示パネルＰＮＬが複数形成されたマザー基板において、隣接する表示パネルＰＮＬの境界に配置されたスクライビング用のスペーサの一部分である。
【００３０】
溝部ＧＲ１は、直線部ＧＭ２を有している。直線部ＧＭ２は、主部ＧＭ１に連続し、端部Ｅ２１に沿って第１方向Ｘに延出している。直線部ＧＭ２は、スペーサＳＰ１と部分ＳＰ２１との間に位置している。表示パネルＰＮＬは、さらに、溝部ＧＲ２を有している。溝部ＧＲ２は、上記の絶縁層１６を貫通して形成されている。図示した例では、溝部ＧＲ２は、第１領域Ａ１の非表示領域ＮＤＡに位置している。溝部ＧＲ２は、平面視で、溝部ＧＲ１に重畳している。溝部ＧＲ２の幅は溝部ＧＲ１の幅より小さい。ここでの幅は、各溝部の延出方向に対して垂直方向の長さに相当する。溝部ＧＲ２は、平面視で、溝部ＧＲ１の内側に位置している。
【００３１】
シールＳＥは、平面視で、主部ＧＭ１、溝部ＧＲ２及び部分ＳＰ２１のそれぞれに重畳している。図示した例では、シールＳＥは部分ＳＰ２１から離間しているが、シールＳＥは部分ＳＰ２１に重畳してもよい。
【００３２】
図７は、図６に示したＣ１−Ｃ２線に沿った表示パネルＰＮＬの断面図である。図７において、配向膜ＡＬ１及びＡＬ２の図示を省略している。  
図７に示すように、スペーサＳＰ１及びＳＰ２は、透明層ＯＣの下側に配置され、第１基板ＳＵＢ１側に突出している。図示した例では、スペーサＳＰ１は第１基板ＳＵＢ１に接しているが、接していなくてもよい。スペーサＳＰ２は、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２をシールＳＥで接着する際、シールＳＥが第２領域Ａ２まで延伸するのを抑制するためのものである。
【００３３】
配線ＷＬは、絶縁層１３の上に位置し、絶縁層１４によって覆われている。絶縁層１４は、主部ＧＭ１において、絶縁層１３を露出している。絶縁層１６は、主部ＧＭ１において、絶縁層１３及び１４のそれぞれを覆っている。図示した例では、絶縁層１６は、主部ＧＭ１において、絶縁層１３の全域に接している。溝部ＧＲ１より内側（表示領域ＤＡ側）に位置する絶縁層１４は絶縁層１６に覆われている。
【００３４】
絶縁層１４は、溝部ＧＭ２において、絶縁層１３を露出している。絶縁層１６は、溝部ＧＭ２において、絶縁層１４を覆い、絶縁層１３に接している。絶縁層１６は、溝部ＧＲ２において、絶縁層１３を露出している。絶縁層１３は、溝部ＧＲ２において、気中にさらされている。
【００３５】
本実施形態によれば、有機絶縁層１４は、表示領域ＤＡを囲むように形成された環状の溝部ＧＲ１を有している。より具体的には環状の溝部ＧＲ１は、有機絶縁層１４に形成された溝であり、内側（表示領域ＤＡ側）の側壁ＧＳＷ１と、外側（第１基板ＳＵＢ１の外形側）の側壁ＧＳＷ２とから形成され、線状に表示領域ＤＡを囲い、第１基板の第１端部Ｅ１１において端子部ＧＴ１を有している。外側の側壁ＧＳＷ２から第１基板ＳＵＢ１の端部（Ｅ１１の一部、Ｅ１２、Ｅ１３、Ｅ１４）及びラウンド部（Ｒ１１、Ｒ１２）にかけては有機絶縁層１４があるが、端子部ＧＴ１における第１基板の端部Ｅ１１側には有機絶縁層１４は無い。溝部ＧＲ１の主部ＧＭ１より内側に位置する有機絶縁層１４は無機絶縁層１６に覆われている。無機絶縁層１６は、水を通しにくいシリコン窒化物で形成されている。これにより、主部ＧＭ１（側壁ＧＳＷ２）より外側（第１基板ＳＵＢ１の外形側）に位置する有機絶縁層１４に水分が浸入したとしても、浸入した水分が主部ＧＭ１（側壁ＧＳＷ１）より内側（表示領域ＤＡ側）に向かって浸入していくことを抑制でき、水分由来の例えば膜剥がれなどを抑制することができる。さらに、第１基板ＳＵＢ１に設けられたすべての配線ＷＬは、主部ＧＭ１より内側に位置している。本実施形態によれば、水分は主部ＧＭ１より内側に浸入しにくいため、浸入した水分による配線ＷＬの腐食を抑制することができ、表示装置ＤＳＰの信頼性の向上が可能である。  
上記した構成例において、溝部ＧＲ１は第１溝部に相当し、溝部ＧＲ２は第２溝部に相当し、絶縁層１４は有機絶縁層に相当し、絶縁層１３は第１無機絶縁層に相当し、絶縁層１６は第２無機絶縁層に相当し、側壁ＧＳＷ１は第１側壁に相当し、側壁ＧＳＷ２は第２側壁に相当する。
【００３６】
図８は、図７に示した第１構成例の変形例を示す断面図である。  
図８に示すように、第１構成例の変形例は、第１構成例と比較して、主部ＧＭ１において、絶縁層１６が溝部ＧＲ２を有している点で相違している。溝部ＧＲ２は、側壁ＧＳＷ１と側壁ＧＳＷ２との間に位置している。絶縁層１６は、溝部ＧＲ２において、絶縁層１３を露出している。絶縁層１６は、主部ＧＭ１において、絶縁層１４を覆い、絶縁層１３に接している。絶縁層１３は、溝部ＧＲ２において、気中にさらされている。
【００３７】
このような変形例においても、上記第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、絶縁層１３は、溝部ＧＲ２において、気中にさらされている。このため、溝部ＧＲ１より外側に位置する有機絶縁層１４から浸入した水分が、溝部ＧＲ１において絶縁層１３と絶縁層１６との界面を伝わって溝部ＧＲ１の外側から内側に向かって浸入してきても、浸入してきた水分は溝部ＧＲ２において気中に抜けていく。これにより、溝部ＧＲ１より外側に位置する有機絶縁層１４に浸入した水分が、溝部ＧＲ１より外側から内側に向かって浸入していくことをさらに抑制できる。
【００３８】
図９は、表示パネルＰＮＬの第２構成例を示す断面図である。  
図９に示すように、第２構成例は、第１構成例と比較して、絶縁層１２及び１３のそれぞれが、ラウンド部Ｒ１１まで延出していない点で相違している。図示した例では、主部ＧＭ１は、ラウンド部Ｒ１１と絶縁層１２及び１３それぞれとの間に位置している。絶縁層１４は、主部ＧＭ１において、絶縁層１１を露出している。絶縁層１６は、主部ＧＭ１において、絶縁層１１及び１４のそれぞれを覆っている。図示した例では、絶縁層１６は、主部ＧＭ１において、絶縁層１１の全域に接している。また、絶縁層１６は、絶縁層１２及び１３を覆っている。
【００３９】
このような第２構成例においても、上記第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、溝部ＧＲ１より外側に絶縁層１２及び１３が設けられていない。このため、絶縁層１２及び１３が水分にさらされる可能性を抑制でき、絶縁層１２と絶縁層１３との間における膜剥がれを抑制することができる。  
上記した構成例において、絶縁層１１は第１無機絶縁層に相当する。
【００４０】
次に、図１０及び図１１を参照しながら、第２構成例の変形例を説明する。  
図１０は、図９に示した第２構成例の第１変形例を示す断面図である。  
図１０に示すように、第２構成例の第１変形例は、第２構成例と比較して、絶縁層１６が、主部ＧＭ１において、溝部ＧＲ２を有している点で相違している。絶縁層１６は、溝部ＧＲ２において、絶縁層１１を露出している。絶縁層１６は、主部ＧＭ１において、絶縁層１４を覆い、絶縁層１１に接している。絶縁層１１は、溝部ＧＲ２において、気中にさらされている。
【００４１】
このような第１変形例においても、上記第２構成例と同様の効果が得られる。加えて、絶縁層１１は、溝部ＧＲ２において、気中にさらされている。このため、溝部ＧＲ１より外側に位置する有機絶縁層１４に浸入した水分が、溝部ＧＲ１において絶縁層１１と絶縁層１６との界面を伝わって溝部ＧＲ１の内側に向かって浸入してきても、浸入してきた水分は溝部ＧＲ２において気中に抜けていく。これにより、溝部ＧＲ１より外側に位置する有機絶縁層１４に浸入した水分が、溝部ＧＲ１より外側から内側に向かって浸入していくことをさらに抑制できる。
【００４２】
図１１は、図９に示した第２構成例の第２変形例を示す断面図である。  
図１１に示すように、第２構成例の第２変形例は、第２構成例と比較して、溝部ＧＲ１より外側に位置する絶縁層１４が設けられていない点で相違している。つまり、絶縁層１４がラウンド部Ｒ１１まで延出していない。また、溝部ＧＲ１は内側の側壁ＧＳＷ１を有し、外側の側壁ＧＳＷ２を有していない。図示した例では、絶縁層１６は、絶縁層１２乃至１４のそれぞれを覆い、絶縁層１１に接している。
【００４３】
このような第２変形例においても、上記構成例と同様の効果が得られる。
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の向上が可能な表示装置を提供することができる。
【００４４】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。実施形態で説明した表示装置は液晶表示装置に限らず、マイクロＬＥＤ表示装置や有機ＥＬ表示装置といった自発光型の表示装置、さらには電気泳動表示装置であってもよい。また、表示装置に限らず環状の溝部が形成された有機絶縁層を備えた基板であればよく、センサ基板であってもよい。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４５】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＤＡ…表示領域  ＮＤＡ…非表示領域
Ｆ１…配線基板  １…ＩＣチップ  ＴＡ…端子  ＷＬ…配線  ＳＵＢ１…第１基板
Ａ１…第１領域  Ａ２…第２領域  ＳＵＢ２…第２基板  ＳＥ…シール
ＳＰ…スペーサ  ＧＲ…溝部  ＧＳＷ…側壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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