(57)【要約】      （修正有）【課題】従来の固定された電力グリッド割り当てがもたらす密度の問題、並びに局所的な低減された電力供給電圧の問題に対し、ハードマクロが複数の電力グリッド階層割り当てを受け取る、改善された電力グリッド階層設計処理を提供する。【解決手段】処理において、複数のタイルを含むハードマクロのための配置およびルートは、タイルのうちのいくつかが、よりロバスト性の高い電力グリッド階層を割り当てられるように、また、タイルのうちの他の複数のタイルがよりロバスト性の低い電力グリッド階層を割り当てられるように、修正される。【選択図】図３
2020129668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路モジュールであって、
第１の複数のタイルと、
第２の複数のタイルと、ここにおいて、前記集積回路モジュールは、半導体ダイ上のフットプリントを占有し、前記フットプリントは、前記第１の複数のタイルを含み、前記第２の複数のタイルの中にあり、
前記第１の複数のタイル中のタイルごとの第１の電力グリッド階層と、
前記第２の複数のタイル中のタイルごとの第２の電力グリッド階層と、ここにおいて、前記第１の電力グリッド階層は、前記集積回路モジュールのための電力レールおよび接地レールを定義する金属層間で拡張するビアに関して前記第２の電力グリッド階層よりも高いビア密度を有する、
を備える、集積回路。
【請求項２】
前記第１の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールは、前記第２の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールに関する幅よりも大きい幅を有する、請求項１に記載の集積回路モジュール。
【請求項３】
前記第１の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールは、前記第２の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールに関するピッチよりも小さいピッチを有する、請求項１に記載の集積回路モジュール。
【請求項４】
前記集積回路モジュールは、単一のハードマクロを備える、請求項１に記載の集積回路モジュール。
【請求項５】
前記第１の電力グリッド階層は、異なるビア密度を有する複数の電力グリッド階層を備える、請求項１に記載の集積回路モジュール。
【請求項６】
前記第１の電力グリッド階層は、前記第２の電力グリッド階層よりも多い数のパワースイッチを含む、請求項１に記載の集積回路モジュール。
【請求項７】
前記単一のハードマクロの大部分は、最低密度のビアを有する電力グリッド階層を有する、請求項４に記載の集積回路モジュール。
【請求項８】
集積回路に関するハードマクロのための物理的設計の方法であって、前記ハードマクロは、複数のタイルを含み、前記方法は、
前記複数のタイル中のタイルの第１のサブセットを第１の電力グリッド階層に割り当てることと、
前記ハードマクロのための配置およびルートステージ中に、クロックツリー合成の後に、電力供給電圧降下領域（ホットスポット）を有するタイルの前記第１のサブセット中の前記タイルのうちの第１の複数のタイルを識別することと、各第１のタイルが第１の修正されたホットスポットを有するように前記第１のタイルのためのクロックドライバをデクラスタリングすることと、ここにおいて、前記第１の修正されたホットスポットは、前記ホットスポットよりも小さい、
前記ハードマクロのための電力供給電圧の閾値パーセンテージよりも大きい電力供給電圧降下を有する前記第１のタイルのうちの複数のタイルを識別することと、各々が第２の修正されたホットスポットを有する第２のタイルを形成するために、前記第１の電力グリッド階層と比較して増加された数のパワースイッチを有する第２の電力グリッド階層を有するように、前記識別された第１のタイルを調整することと、ここにおいて、前記第２の修正されたホットスポットは、前記第１の修正されたホットスポットよりも小さい、
を備える、方法。
【請求項９】
第１の閾値よりも大きい電力供給電圧降下を有する前記第２のタイルのうちの複数のタイルを識別することと、第３の修正されたホットスポットを有する第３のタイルを形成するために、前記第２の電力グリッド階層と比較して低部金属層のセット中のその電力および接地レールに関してより大きい幅を有する第３の電力グリッド階層を有するように、前記識別された第２のタイルを調整することと、をさらに備え、ここにおいて、前記第３の修正されたホットスポットは、前記第２の修正されたホットスポットよりも小さい、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値よりも大きい電力供給電圧降下を有する、前記第３のタイルうちの複数のタイルを識別することと、第４の修正されたホットスポットを有する第４のタイルを形成するために、前記第３の電力グリッド階層と比較して上部金属層のセット中のその電力および接地レールに関してより大きい幅を有する第４の電力グリッド階層を有するように、前記識別された第３のタイルを調整することと、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
次にタイミング分析が続く前記ハードマクロ上の寄生抵抗および寄生キャパシタンス抽出を行うことをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
最終電力供給電圧降下分析を前記ハードマクロ上で行うことをさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記ホットスポットを有する前記第１のタイルを識別することは、前記ハードマクロのための電力供給電圧の１０％よりも大きい電力供給電圧降下を有する前記第１のタイルを識別することを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の閾値は、約１０ｍＶである、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の閾値は、約５ｍＶである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
低部金属層の前記セットは、最低部の第１の金属層から第４の金属層までを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
上部金属層の前記セットは、第５の金属層から最上部の第８の金属層までを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
集積回路モジュールであって、
少なくとも１つのクリティカルパスと、
非クリティカルパス部分と、
前記少なくとも１つのクリティカルパスのための第１の電力グリッド階層と、
前記非クリティカルパス部分のための第２の電力グリッド階層と
を備え、前記第１の電力グリッド階層および第２の電力グリッド階層の両方は、複数の金属層において定義された電力レールおよび接地レールを含み、前記第１の電力グリッド階層における前記電力レールおよび接地レールのための幅は、前記第２の電力グリッド階層における前記電力レールおよび接地レールのための幅よりも大きい、
集積回路モジュール。
【請求項１９】
前記集積回路モジュールは、単一のハードマクロを備える、請求項１８に記載の集積回路モジュール。
【請求項２０】
前記第２の電力グリッド階層は、複数の電力グリッド階層を備える、請求項１８に記載の集積回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
[0001]  本願は、２０１６年１１月１８日付で出願された、米国仮特許出願第６２／４２４，２８９号の利益を主張する、２０１７年２月１４日付で出願された、米国特許出願第１５／４３２，４３１号に対する優先権を主張する。
【技術分野】
【０００２】
[0002]  本願は、集積回路のための電力分配に関し、より具体的には、集積回路の適応的多階層電力分配グリッド（adaptive multi-tier power distribution grid）に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  電力分配は、集積回路設計における重要な要素である。例えば、システムオンチップ（ＳｏＣ）などのマイクロプロセッサ集積回路は、アイドル状態からアクティブに切り替えを行うようシフトし得る多数のトランジスタを含む。多数のトランジスタのアクティブ状態への急な移行は、トランジスタへの電力供給電圧を変動させる。このような変動のために、電力供給電圧降下が最小の要求値を下回った場合、システムは、リセットされるかまたはエラーを経験し得る。電力供給電圧を提供する電力グリッドの抵抗は、回路モジュールの急な起動に応答して電圧降下を最小化することに関して、重要な要素である。例えば、回路モジュール中の電力レールから様々なトランジスタへのビアの数（ビア密度）は、電力要求に応じて他のモジュールと比較して増加し得る。加えて、電力レールの幅および密度が増加され得る。同様に、１つの電力領域のレールをメインの電力レールに結合するヘッドスイッチ（head switch）の数は、所与の回路モジュールの電力要求に応じて変化し得る。最終的に、所与の電力領域の電力レールをサポートするデカプリングキャパシタの数および密度もまた変化し得る。
【０００４】
[0004]  よって、複数の電力グリッド階層（power-grid tier）を含むようにＳｏＣを設計することが従来から行われている。各階層は、ビア密度、電力レール幅および密度、ヘッドスイッチ密度、並びにデカプリングキャパシタ密度の要素などの、電力グリッド要素の特定のセットに対応する。これらの電力グリッド要素は、図１に示されるような集積回路の従来の物理的設計（ＰＤ：physical design）のための処理フローを参照して、より良く理解されるだろう。処理は、様々なハードマクロ（回路モジュール）のための論理機能が入力に基づいて所与の電力グリッド階層に割り当てられるロバストな電力グリッドプランを実行するために、所望されたネットリスト、ＵＰＦ（unified power format）、タイミング制約、マルチ電圧（ＭＶ）アイランド制約（multi-voltage island constraints）、およびピン選好（pin preferences）などの様々な入力を受け取るブロックフロアプランフロー１００から始まる。電力グリッドプランニングは、対応する電力グリッド階層に所与のハードマクロが割り当てられ、したがって、結果としてもたらされる電圧レールがハードマクロ全体を通じて同じビア密度および他の電力グリッド階層要素を有するという点で、「ロバスト」であるとみなされる。電力グリッド階層が割り当てられた状態で、従来のセル配置（cell placement）、クロックツリー合成、ルーティング、およびフィニッシング（設計変更指示（ＥＣＯ：engineering change order）並びに製造容易性設計（ＤＦＭ：design-for-manufacturing）サブステップを含む、配置およびルートステップ１０５が行われる。これら処理は、寄生抵抗およびキャパシタンス（ＲＣ：resistance and capacitance）抽出ステップ１１５を継続し、次にタイミング、ノイズ、および電力分析１２０が続く。最終的に、設計は、電力供給電圧が望ましくないほど降下した領域をハードマクロが有するかどうかを決定する、電流＊抵抗（ＩＲ）降下分析１２５を受ける（subjected to）。設計がＩＲ降下分析を満たさない場合、電力グリッドプランニングステップ１００、配置およびルートステップ１０５、ＲＣ抽出ステップ１１０、並びにタイミング、ノイズ、および電力分析ステップ１２０は、設計変更指示（ＥＣＯ）を通じて、必要な設計修正に適合させるために必要に応じて繰り返される。
【０００５】
[0005]  従来のＳｏＣ設計処理は、密度低減および関連するコスト問題もまた満たさなければならない。よって、適切な電力グリッド階層を所与の回路モジュールに割り当てることは、非常に難しい。電力グリッド階層が、対応する回路モジュールの電力要求に関してあまりにもロバストである場合、密度が損なわれる。反対に、電力グリッド階層が不適当である場合、回路モジュールは、不適当な電力供給電圧のためにリセットされるおよび／またはうまく機能しない可能性がある。加えて、非線形抵抗スケーリング、オンチップリソースの不足、増加されたパフォーマンス要件、密度、およびルータビリティなどの要素が、電力グリッドの設計を複雑にする。例えば、図２は、図１に関して説明された処理フローに従って設計された、従来のハードマクロに関する電力供給電圧降下（power supply voltage drops）（ＩＲ降下）を図示する。この例では、全体のハードマクロに関して第３の階層電力グリッド（ＰＧ３）が選択されている。この設計は、クリティカルパスの近くに大きいドライブ強度を有するクロック（ＣＬＫ）ドライバの様々なクラスタ２００をもたらし、それは、望ましくない局所的な電力供給電圧降下（localized power supply voltage drops）を引き起こす。しかし、ハードマクロのかなりの部分が領域２０５などのようにＰＧ３を用いており、それは、ルータビリティ（routability）を低くし、コストを増加させる。
【０００６】
[0006]  従って、集積回路のための改善された電力グリッドアーキテクチャに関する技術の必要性が存在する。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  ハードマクロが複数の電力グリッド階層割り当てを受け取る、改善された電力グリッド階層設計処理が提供される。本明細書で使用されるとき、「ハードマクロ」という用語は、ハードマクロを通じて実装された回路モジュールを含む半導体ダイの製造中に半導体マスキングステップにおいて実装される用意がある、十分にルーティングされた設計を指す。ハードマクロは、半導体ダイ上の全体のフットプリントを占有する。このフットプリントは、複数の回路タイルを含み、ここにおいて、各タイルは、そのフットプリント内の特定の量のダイ空間を占有する。ハードマクロのためのクリティカルパスの実例を示すものなどのタイルのうちのいくつかは、よりロバスト性の高い（more robust）電力グリッド階層を割り当てられるが、一方、ハードマクロ中のタイルの残りの部分（remainder）は、それらの予測される電力供給電圧降下に応じて、よりロバスト性の低い（less robust）電力グリッド階層を受け取る。特に、よりロバスト性の低い電力グリッド階層が与えられたときにタイルがあまりにも高い電力供給電圧降下を有すると決定された場合、タイルは、よりロバスト性の高い電力グリッド階層を割り当てられる。この方法において、ハードマクロへの従来の固定された電力グリッド割り当てがもたらす密度の問題、並びに局所的な低減された電力供給電圧の問題が解消される。
【０００８】
[0008]これらのおよびさらなる利点が、以下の詳細な説明を通じてより良く理解され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】[0009]  図１は、従来の物理的設計処理に関するフローチャートである。
【図２】[0010]  図２は、図１の処理に従って設計されたハードマクロのためのフロアプランを図示する。
【図３】[0011]  図３は、本開示の態様に従った、ハードマクロのための適応的電力グリッド階層割り当てを提供する物理的設計処理に関するフローチャートである。
【図４】[0012]  図４は、図３の処理に従って設計された、図２のハードマクロのためのフロアプランである。
【図５Ａ】[0013]  図５Ａは、ハードマクロの一部分のための電力グリッド階層ＰＧ２およびＰＧ３に関する金属層Ｍ１〜Ｍ４のビア密度の平面図である。
【図５Ｂ】[0014]  図５Ｂは、電力グリッド階層のＰＧ４へのアップグレードの後の、図５Ａのハードマクロ部分の平面図である。
【図６】[0015]  図６は、本開示の態様に従った、ハードマクロのための電力グリッド階層を割り当てる例示的な方法に関するフローチャートである。
【００１０】
[0016]  本発明の実施形態およびこれらの利点は、下記の詳細な説明を参照することによって、最も良く理解される。類似する参照番号が、図面の１つまたは複数に図示された類似する要素を識別するために使用されることが理解されるべきである。
【発明の詳細な説明】
【００１１】
[0017]  クロックドライバなどの回路素子内の抵抗損（ohmic loss）（電流＊抵抗（ＩＲ））によって引き起こされる電力供給電圧降下の局所的なエリアを適合させるために、およびダイ領域に関する追加の電力グリッドリソースを提供するために、設計段階中に、ハードマクロのための電力グリッドプランニングが緩和される（relaxed）、集積回路のための適応的多階層電力グリッドが提供される。ハードマクロは、そのフットプリントとして本明細書に表記されるその半導体ダイ上の特定の量のダイ空間を占有する。ハードマクロを形成するデバイスの機能的態様に応じて、フットプリントは、複数のタイルに分割される。タイルのサイズは、それらが実装している対応する機能の必要性に応じて変化し得る。本明細書で使用されるとき、タイル中の顕著な局所的な電力供給電圧降下の領域は、「ホットスポット」と表記される。電力グリッドプランニングの緩和は、異なる電力グリッド階層にフットプリント内の様々なタイルが割り当てられるように、個々のハードマクロが複数の電力グリッド階層を含むことを可能にする。比較的小さな局所的な電力供給電圧降下を有するこれらのタイルは、よりロバスト性の低い電力グリッド階層を割り当てられる。反対に、より顕著な電力供給電圧降下を有するタイルは、よりロバスト性の高い電力グリッド階層を割り当てられる。この方法では、電力グリッド割り当ては、ハードマクロ中にクリティカルパスを組み込むタイルがよりロバスト性の高い電力グリッド階層を受け取り得るが、一方、非クリティカルタイルは、よりロバスト性の低い電力グリッド階層を受け取り得るという点で最適化される。特定の領域における不適当な電力グリッド階層と、他の領域における過度にロバストな電力グリッド階層との両方を有する別個のハードマクロの問題が解消される。
【００１２】
[0018]  本明細書で使用されるとき、電力グリッド階層は、回路モジュール中の電力レールから様々なトランジスタへのビアの数（ビア密度）、回路モジュールのための電力レールの幅および密度、回路モジュールのための電力領域をメインの電力レールに結合するヘッドスイッチの数、および回路モジュールのための電力レールによる電力搬送をサポートするデカプリングキャパシタの数および密度、などの要素の各々への特定の割り当てを指す。特に、電力グリッド階層は、これらの要素のうちの少なくとも１つへの特定の割り当てを指す。１つの電力グリッド階層は次いで、これらのうちの少なくとも１つがより少ない電力供給電圧降下を生成するように変更された場合、別の電力グリッド階層と比較してロバスト性が高いと分類され得る。一般に、設計者は、その要素がそれらの最低値を有する最低階層から、その要素がそれらの最高値を有する最高階層に及ぶ、複数の電力グリッド階層からの選択を行い得る。
【００１３】
[0019]  特定の領域における不適当な電力グリッド階層と、他の領域における過度にロバストな電力グリッド階層との両方を有する別個のハードマクロの問題を解消するために、ハードマクロのためのクリティカルパスタイルが物理的設計処理中の配置およびルートのステップ中に識別される。クリティカルパスタイルは次いで、よりロバスト性の高い電力グリッド階層を割り当てられ得る。ハードマクロを形成するタイルの残りの部分についてのデフォルト状態は、より緩和された電力グリッド階層であり、それは、より高い密度をもたらす。クリティカルパスが識別された状態で、そのクロックドライバは、サイズ超過がなく、不必要に大きくないクロックドライバ（no oversized, unnecessarily large clock drivers）が配置およびルートステージ中に使用される必要があるように、配置およびルートステップ中にデクラスタリングされ（de-clustered）得る。クロックドライバのこのデクラスタリングは、ＩＲ降下（局所的なホットスポット）問題を改善する。
【００１４】
[0020]  これらの利点の結果を得るための、例となる物理的設計フロー３００が、図３に示される。図１のステージ１００に関して説明されるように、従来のネットリスト、ＵＰＦ（unified power format）、タイミング制約、マルチ電圧（ＭＶ）アイランド制約、およびピン選好の制約に応じた電力グリッドプランニングステージ３０５から処理が始まる。しかしながら、ステージ３０５がクリティカルパスタイルの識別を通じて所与のハードマクロのための電力グリッド階層の適応的割り当てを含むという点で、ステージ３０５は、ステージ１００と比較してより緩和される。よって、クリティカルパスタイルは、よりロバスト性の高い電力グリッド階層を割り当てられ、一方、ハードマクロの残りの部分を形成するタイルは、よりロバスト性の低い電力グリッド階層を割り当てられる。先に記載したように、各電力グリッド階層は、ビアサイズ、エンクロージャ（enclosure）、ビアピッチおよび密度、電力および接地レールの幅およびピッチ、パワースイッチ（power switch）の密度およびピッチ、並びに、デカプリングキャパシタの密度の、特定の割り当てを含む。
【００１５】
[0021]  後に続く配置およびルートステージ３１０は、従来のセル配置およびクロックツリー合成を含む。しかし、これらの従来の分析は、クロックツリー合成およびタイミング最適化の後、その後に、ＩＲボトルネック（ホットスポット）の識別を含む、電力供給電圧降下（ＩＲ）ホットスポット分析および電力グリッド調整ステップ３３０が続く。例えば、ホットスポットは、設計のシミュレーションで交差した（crossed）電力供給電圧降下閾値を通じて識別される。ホットスポットを有するタイルのためのクロックドライバは次いで、ステージ３３５においてデクラスタリングされる。ホットスポット領域内に電力供給電圧ドループの特定の残りの集中部分（certain remaining concentration）（例えば、電力供給電圧の１０パーセントよりも高い）が存在する場合、影響を受けるタイルに関する電力グリッド階層は、パワースイッチの増加した密度を有する電力グリッド階層を割り当てることによって、ステップ３４０において調整され得る。ホットスポットタイル内で結果として生じた電力供給電圧降下が、１０ｍＶよりも大きい偏差（deviation）のような、閾値ぶんのＶＤＤからのいくらかの偏差を引き起こす場合、影響を受けるホットスポットタイルのための電力グリッド階層は、動作３４５において電力および接地（ＰＧ）レールのためのより多くのロバストな低金属層ピッチおよび幅を有する電力グリッド階層を割り当てることによって、さらに調整され得る。それに関して、半導体処理は通常、半導体ダイの近傍の最低部金属層から、半導体ダイから最も遠い最上部金属層にわたって分布している（ranging）、複数の金属層を提供する。動作３４５は、ピッチを減少させること、および低部金属層中の電力および接地（ＰＧ）レールのための幅を増加させることに向けられる。ホットスポットタイル内で結果として生じた電力供給電圧降下が、５ｍＶよりも大きい電力供給電圧降下のような、動作３４５と比較して電力供給電圧からいくらか低減された閾値偏差を未だに有する場合、影響を受けるタイルは、動作３５０においてＰＧレールのための増加された幅および減少された上部金属層ピッチを有する、さらによりロバスト性の高い電力グリッド階層を割り当てられ得る。例えば、８つの金属層を有する実施形態では、４つ
の最低部金属層は動作３４５によって影響を受け得るが、一方、４つの最上部金属層は動作３５０によって影響を受け得る。従来のルーティングおよびフィニッシング動作は次いで、配置およびルートステージ３１０を完了するために、次に電力グリッド階層の任意の必要な日和見的調整（necessary opportunistic adjustment）が続いて行われ得る。
【００１６】
[0022]  従来のＲＣ抽出ステージ３２０、タイミング、ノイズ、および電力分析ステージ３２５、並びにＩＲ降下分析３３０は、配置およびルートステージ３１０に後続する。しかし、配置およびルートステージ３１０、並びに初期のプランニングステージ３０５における電力グリッド階層の調整のために、さらなる設計変更指示（ＥＣＯ）は、もはや必要ではない（処理が電力グリッドプランニングステージ３０５において新たに始まるような、ＩＲ降下分析３３０からのＥＣＯ）ことに留意されたい。図２で使用されたのと同じハードマクロに関する電力グリッド階層の結果としてもたらされた適応が図４中に示される。タイル４００に関する局所的なホットスポットは、サイズが著しく低減され、最もロバストな電力グリッド階層（ＰＧ４）を割り当てられている。タイル４００と比較してより低減された電力供給電圧降下を有するタイル４０５は、２番目に高い電力グリッド階層（ＰＧ３）を割り当てられている。しかしながら、ハードマクロの大部分が、より緩和された電力グリッド階層（ＰＧ２）を受け取っている。対照的に、図２に関して説明されたのと同じ従来の技法を使用して設計されたハードマクロは、全体のハードマクロにわたってより多くの発展型電力グリッド階層（advanced power-grid tier）ＰＧ３を使用し、それは、より多くの悪化したホットスポット２００をもたらし、密度をさらに低くする。対照的に、図４のハードマクロは、改善された金属層利用、より高い密度、および低減された製造コストを有する。
【００１７】
[0023]  いくつかの例示的な電力グリッド階層がここで説明される。１つの実施形態では、電力グリッド階層ＰＧ２およびＰＧ３は、低部金属層Ｍ１〜Ｍ４中のビアの同じ密度を共有する。例えば、ビア密度は、ＰＧ２またはＰＧ３電力グリッド階層割り当てのいずれかを有するハードマクロタイルのための金属層Ｍ１〜Ｍ４に関して、図５Ａ中に示されている。ビア５０５は、電力レールＶＤＤおよび接地レールＶＳＳの両方に関して金属層Ｍ３から金属層Ｍ１まで拡張し、金属シールド５１０に囲まれている。同様に、ビア５１５は、電力レールＶＤＤおよび接地レールＶＳＳの両方に関して金属層Ｍ４から金属層Ｍ２まで拡張し、金属シールド５２０に囲まれている。同じタイルが電力グリッド階層ＰＧ４にアップグレードされたとき、図５Ｂに示されるように、ビア５０５および５１５の密度は、（それぞれ、対応する金属シールド５１０および５２０の密度のように）効率的に二倍される。この方式では、タイルのための局所的なホットスポットは、よりロバスト性の高い電力グリッド階層の割り当てを通じてサイズが低減され得る。ハードマクロのための電力グリッド階層を割り当てる例示的な方法がここで説明される。
【００１８】
[0024]  図６は、本開示の態様に従った、ハードマクロのための電力グリッド階層を割り当てる方法に関するフローチャートである。方法は、第１の電力グリッド階層にハードマクロのための複数のタイル中のタイルの第１のサブセットを割り当てる動作６００を含む。動作３０５におけるクリティカルパスタイルへの電力グリッド階層の割り当ては、動作６００の例である。加えて、方法は、ハードマクロのための配置およびルートステージ中に、クロックツリー合成の後に、電力供給電圧降下領域（ホットスポット）を有するタイルの第１のサブセット中のタイルのうちの第１の複数のタイルを識別することと、各第１のタイルが第１の修正されたホットスポットを有するように、第１のタイルのためのクロックドライバをデクラスタリングすることと、ここにおいて、第１の修正されたホットスポットは、前記ホットスポットよりも小さい、６０５を含む。動作６０５のためのこのような識別の例は、図３に関して説明された電力グリッドプランニングステージ３０５において発生する。図３のステップ３３５に関して説明されるような、ホットスポットを含むタイル中のクロックドライバのデクラスタリングが、動作６０５の例である。最後に、方法は、ハードマクロのための電力供給電圧の閾値パーセンテージよりも大きい電力供給電圧降下を有する第１のタイルのうちの複数のタイルを識別することと、修正された第２のホットスポットを有する第２のタイルを形成するために、第１の電力グリッド階層と比較して増加された数のパワースイッチを有する第２の電力グリッド階層を有するように、識別された第１のタイルを調整することと、ここにおいて、第２の修正されたホットスポットは、第１の修正されたホットスポットよりも小さい、動作６１０を含む。ステップ３４０に関して説明されるような、顕著な電力供給電圧降下を有するそれらタイルへのさらなるパワースイッチの追加が、動作６１０の例である。
【００１９】
[0025]  当業者は、近い将来、特定のアプリケーションに依存して、多くの修正、置き換え、およびバリエーションが、その精神および範囲から逸脱することなく、本開示のデバイスの使用の材料、装置、構成および方法においておよびそれらのために作成され得ることを、今や理解するだろう。この観点から、本開示の範囲は、それらが単にそれらのいくつかの例であるとして本明細書で図示され説明された特定の実施形態のものに限定されるべきではなく、むしろ、以下に添付される特許請求の範囲およびそれらの機能的均等物のものと十分に一致するべきである。
【図１】
2020129668.tif 000003
【図２】
2020129668.tif 000004
【図３】
2020129668.tif 000005
【図４】
2020129668.tif 000006
【図５Ａ】
2020129668.tif 000007
【図５Ｂ】
2020129668.tif 000008
【図６】
2020129668.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月8日(2020.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイ上にフットプリントを有しているハードマクロであって、
前記フットプリントの第１の部分のための第１の電力グリッド階層と、前記第１の電力グリッド階層は各々第１の幅を有している第１の複数の電力レールおよび接地レールを含む、
前記フットプリントの第２の部分のための第２の電力グリッド階層と、前記第２の電力グリッド階層は、前記第１の幅より大きい第２の幅を各々有している、第２の複数の電力レールおよび接地レールを含む、を備える、ハードマクロ。
【請求項２】
前記第２の電力グリッド階層は前記ハードマクロのためのクリティカルパスを含んでおり、ここにおいて、前記第１の電力グリッド階層は、前記ハードマクロのためのクリティカルパスを含んでいない、請求項１に記載のハードマクロ。
【請求項３】
前記第１の電力グリッド階層は、第１の密度にしたがって配列された第１の複数のデカプリングキャパシタを含んでおり、第２の電力グリッド階層は第２の密度にしたがって配列された第２の複数のデカプリングキャパシタを含んでいる、ここにおいて、前記第２の密度は前記第１の密度より高い、請求項１に記載のハードマクロ。
【請求項４】
前記第１の電力グリッド階層は第１の数のデカプリングキャパシタを含んでおり、前記第２の電力グリッド階層が、第２の数のデカプリングキャパシタを含んでいる、ここにおいて、前記第２の数は前記第１の数より大きい、請求項１に記載のハードマクロ。
【請求項５】
前記第１の電力グリッド階層は第１の数の電力スイッチを含んでおり、前記第２の電力グリッド階層は第２の数の電力スイッチを含んでおり、ここにおいて、前記第２の数の電力スイッチの密度は、前記第１の数の電力スイッチの密度より高い、請求項１に記載のハードマクロ。
【請求項６】
前記第２の数は前記第１の数より大きい、請求項５に記載のハードマクロ。
【請求項７】
前記第１の複数の電力レールおよび接地レールのための第１の金属ピッチは、前記第２の複数の電力レールおよび接地レールのための第２の金属ピッチより大きい、請求項１に記載のハードマクロ。
【請求項８】
前記フットプリントの前記第１の部分は複数の第１のタイルを備え、前記フットプリントの前記第２の部分は、第２の複数のタイルを備える、請求項１に記載のハードマクロ。
【請求項９】
半導体ダイ上にフットプリントを有しているハードマクロであって、
前記フットプリントの第１の部分のための第１の電力グリッド階層と、前記第１の電力グリッド階層は第１の金属ピッチにしたがって配列された第１の複数の電力レールおよび接地レールを含む、
前記フットプリントの第２の部分ための第２の電力グリッド階層と、前記第１の電力グリッド階層は第２の金属ピッチにしたがって配列された第２の複数の電力レールおよび接地レールを含んでおり、前記第１の金属のピッチは前記第２の金属ピッチより大きい、を備える、ハードマクロ。
【請求項１０】
前記第２の電力グリッド階層は、前記ハードマクロのためのクリティカルパスを含んでおり、ここにおいて、前記第１の電力グリッド階層は、前記ハードマクロのためのクリティカルパスを含んでいない、請求項９に記載のハードマクロ。
【請求項１１】
前記フットプリントの前記第１の部分は複数の第１のタイルを備え、前記フットプリント前記の第２の部分は第２の複数のタイルを備える、請求項９に記載のハードマクロ。
【請求項１２】
半導体ダイ上にフットプリントを有しているハードマクロであって、
前記フットプリントの第１の部分のための第１の電力グリッド階層と、前記第１の電力グリッド階層は第１の複数の電力スイッチを含む；
前記フットプリントの第２の部分のための第２の電力グリッド階層と、前記第２の電力グリッド階層は第２の複数の電力スイッチを含み、ここにおいて、前記第２の複数の電力スイッチは前記第１の複数の電力スイッチより多い、を備える、ハードマクロ。
【請求項１３】
前記第２の電力グリッド階層は前記ハードマクロのためのクリティカルパスを含んでおり、ここにおいて、前記第１の電力グリッド階層は前記ハードマクロのためのクリティカルパスを含んでいない、請求項１２に記載のハードマクロ。
【請求項１４】
前記フットプリントの前記第１の部分は、複数の第１のタイルを備えており、前記フットプリントの前記第２の部分は、第２の複数のタイルを備える、請求項１２に記載のハードマクロ。
【請求項１５】
第１の電力グリッド階層は、第１の数のビアを含んでおり、第２の電力グリッド階層が、第２の数のビアを含んでおり、ここにおいて、第２の数のビアの密度は、第１の数のビアの密度より大きい、請求項１２に記載のハードマクロ。
【請求項１６】
前記第２の数は前記第１の数より大きい、請求項１４に記載のハードマクロ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
[0025]  当業者は、近い将来、特定のアプリケーションに依存して、多くの修正、置き換え、およびバリエーションが、その精神および範囲から逸脱することなく、本開示のデバイスの使用の材料、装置、構成および方法においておよびそれらのために作成され得ることを、今や理解するだろう。この観点から、本開示の範囲は、それらが単にそれらのいくつかの例であるとして本明細書で図示され説明された特定の実施形態のものに限定されるべきではなく、むしろ、以下に添付される特許請求の範囲およびそれらの機能的均等物のものと十分に一致するべきである。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
集積回路モジュールであって、
第１の複数のタイルと、
第２の複数のタイルと、ここにおいて、前記集積回路モジュールは、半導体ダイ上のフットプリントを占有し、前記フットプリントは、前記第１の複数のタイルを含み、前記第２の複数のタイルの中にあり、
前記第１の複数のタイル中のタイルごとの第１の電力グリッド階層と、
前記第２の複数のタイル中のタイルごとの第２の電力グリッド階層と、ここにおいて、前記第１の電力グリッド階層は、前記集積回路モジュールのための電力レールおよび接地レールを定義する金属層間で拡張するビアに関して前記第２の電力グリッド階層よりも高いビア密度を有する、
を備える、集積回路。
［Ｃ２］
前記第１の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールは、前記第２の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールに関する幅よりも大きい幅を有する、Ｃ１に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ３］
前記第１の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールは、前記第２の電力グリッド階層のための複数の電力レールおよび接地レールに関するピッチよりも小さいピッチを有する、Ｃ１に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ４］
前記集積回路モジュールは、単一のハードマクロを備える、Ｃ１に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ５］
前記第１の電力グリッド階層は、異なるビア密度を有する複数の電力グリッド階層を備える、Ｃ１に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ６］
前記第１の電力グリッド階層は、前記第２の電力グリッド階層よりも多い数のパワースイッチを含む、Ｃ１に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ７］
前記単一のハードマクロの大部分は、最低密度のビアを有する電力グリッド階層を有する、Ｃ４に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ８］
集積回路に関するハードマクロのための物理的設計の方法であって、前記ハードマクロは、複数のタイルを含み、前記方法は、
前記複数のタイル中のタイルの第１のサブセットを第１の電力グリッド階層に割り当てることと、
前記ハードマクロのための配置およびルートステージ中に、クロックツリー合成の後に、電力供給電圧降下領域（ホットスポット）を有するタイルの前記第１のサブセット中の前記タイルのうちの第１の複数のタイルを識別することと、各第１のタイルが第１の修正されたホットスポットを有するように前記第１のタイルのためのクロックドライバをデクラスタリングすることと、ここにおいて、前記第１の修正されたホットスポットは、前記ホットスポットよりも小さい、
前記ハードマクロのための電力供給電圧の閾値パーセンテージよりも大きい電力供給電圧降下を有する前記第１のタイルのうちの複数のタイルを識別することと、各々が第２の修正されたホットスポットを有する第２のタイルを形成するために、前記第１の電力グリッド階層と比較して増加された数のパワースイッチを有する第２の電力グリッド階層を有するように、前記識別された第１のタイルを調整することと、ここにおいて、前記第２の修正されたホットスポットは、前記第１の修正されたホットスポットよりも小さい、
を備える、方法。
［Ｃ９］
第１の閾値よりも大きい電力供給電圧降下を有する前記第２のタイルのうちの複数のタイルを識別することと、第３の修正されたホットスポットを有する第３のタイルを形成するために、前記第２の電力グリッド階層と比較して低部金属層のセット中のその電力および接地レールに関してより大きい幅を有する第３の電力グリッド階層を有するように、前記識別された第２のタイルを調整することと、をさらに備え、ここにおいて、前記第３の修正されたホットスポットは、前記第２の修正されたホットスポットよりも小さい、Ｃ８に記載の方法。
［Ｃ１０］
前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値よりも大きい電力供給電圧降下を有する、前記第３のタイルうちの複数のタイルを識別することと、第４の修正されたホットスポットを有する第４のタイルを形成するために、前記第３の電力グリッド階層と比較して上部金属層のセット中のその電力および接地レールに関してより大きい幅を有する第４の電力グリッド階層を有するように、前記識別された第３のタイルを調整することと、Ｃ９に記載の方法。
［Ｃ１１］
次にタイミング分析が続く前記ハードマクロ上の寄生抵抗および寄生キャパシタンス抽出を行うことをさらに備える、Ｃ８に記載の方法。
［Ｃ１２］
最終電力供給電圧降下分析を前記ハードマクロ上で行うことをさらに備える、Ｃ８に記載の方法。
［Ｃ１３］
前記ホットスポットを有する前記第１のタイルを識別することは、前記ハードマクロのための電力供給電圧の１０％よりも大きい電力供給電圧降下を有する前記第１のタイルを識別することを備える、Ｃ８に記載の方法。
［Ｃ１４］
前記第１の閾値は、約１０ｍＶである、Ｃ９に記載の方法。
［Ｃ１５］
前記第２の閾値は、約５ｍＶである、Ｃ１０に記載の方法。
［Ｃ１６］
低部金属層の前記セットは、最低部の第１の金属層から第４の金属層までを備える、Ｃ９に記載の方法。
［Ｃ１７］
上部金属層の前記セットは、第５の金属層から最上部の第８の金属層までを備える、Ｃ１０に記載の方法。
［Ｃ１８］
集積回路モジュールであって、
少なくとも１つのクリティカルパスと、
非クリティカルパス部分と、
前記少なくとも１つのクリティカルパスのための第１の電力グリッド階層と、
前記非クリティカルパス部分のための第２の電力グリッド階層と
を備え、前記第１の電力グリッド階層および第２の電力グリッド階層の両方は、複数の金属層において定義された電力レールおよび接地レールを含み、前記第１の電力グリッド階層における前記電力レールおよび接地レールのための幅は、前記第２の電力グリッド階層における前記電力レールおよび接地レールのための幅よりも大きい、
集積回路モジュール。
［Ｃ１９］
前記集積回路モジュールは、単一のハードマクロを備える、Ｃ１８に記載の集積回路モジュール。
［Ｃ２０］
前記第２の電力グリッド階層は、複数の電力グリッド階層を備える、Ｃ１８に記載の集積回路モジュール。
【外国語明細書】
2020129668000001.pdf