(57)【要約】【課題】第１基板に対して画素電極とは反対側から入射した光に対する遮光性を高めた電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００では、トランジスター３０の半導体層３１ａと第１基板１９との間に、半導体層３１ａに平面視で重なる導電性の第１遮光層１ａと、第１遮光層１ａと第１基板１９との間で半導体層に平面視で重なる導電性の第２遮光層２ａとが設けられている。第２遮光層２ａは保持容量５５を構成し、第１遮光層１ａは、ゲート電極３３ａと電気的に接続されてバックゲートとして機能する。第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａは各々、層間絶縁層４３の凹部４３ｈ、および絶縁層４０の凹部４０ｈを埋める金属材料によって構成され、層間絶縁層４３の画素電極９ａ側の面、および絶縁層４０の画素電極９ａ側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に設けられた画素電極と、
前記第１基板と前記画素電極との間に設けられ半導体層、および前記半導体層と前記画素電極との間に設けられたゲート電極を有するトランジスターと、
前記半導体層と前記第１基板との間に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる導電性の第１遮光層と、
前記第１遮光層と前記第１基板との間に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる導電性の第２遮光層と、
前記第１遮光層と前記第１基板との間に設けられ、前記第２遮光層に誘電体層を介して対向する容量電極と、
が設けられ、
前記第１遮光層および前記第２遮光層のうちの少なくとも一方の遮光層は、絶縁層に形成された凹部を埋める金属材料によって構成され、
前記遮光層は、前記絶縁層の前記画素電極側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層および前記第２遮光層の各々が、前記埋め込み層になっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層と前記ゲート電極とを電気的に接続するための第１コンタクトホールが設けられ、
前記第１コンタクトホールは、前記半導体層の幅方向の両側を通って前記ゲート電極から前記第１遮光層に到達し、
前記第１コンタクトホールの内側には、遮光性の第１導電部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電気光学装置において、
前記第１導電部は、金属材料であって、前記第１コンタクトホールが貫通する絶縁層の前記画素電極側の面と連続した面を形成するプラグを構成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電気光学装置において、
前記ゲート電極と前記画素電極との間に走査線が設けられ、
前記第１コンタクトホールは、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するように構成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記半導体層と前記画素電極との間に前記半導体層と平面視で重なるように設けられ、前記画素電極に電気的に接続された遮光性の中継電極と、
前記第２遮光層と前記中継電極とを電気的に接続するための第２コンタクトホールと、
が設けられ、
前記第２コンタクトホールの内側には、遮光性の第２導電部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記第２導電部は、金属材料であって、前記第２コンタクトホールが貫通する絶縁層の前記画素電極側の面と連続した面を形成するプラグを構成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記半導体層と前記中継電極とを電気的に接続するための第３コンタクトホールが設けられ、
前記第３コンタクトホールの内側には、遮光性の第３導電部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置において、
前記第３導電部は、金属材料であって、前記第３コンタクトホールが貫通する絶縁層の前記画素電極側の面と連続した面を形成するプラグを構成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項６または７に記載の電気光学装置において、
前記第２コンタクトホールは、前記第２導電部が前記半導体層と前記中継電極とを電気的に接続するように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項６から１０までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記中継電極と前記半導体層との間の絶縁層に穴が設けられ、
前記穴の内部に遮光性材料からなる遮光部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１、２、５、７、または９に記載の電気光学装置において、
前記金属材料はタングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかであることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１から１２までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記画素電極と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
を有し、
光源光が前記第１基板の側から入射することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスターが設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置においては、画素電極およびトランジスターが形成された第１基板と、共通電極が形成された第２基板との間に電気光学層が設けられている。かかる電気光学装置において、トランジスターと第１基板との間に走査線および保持容量を設け、第１基板の側から入射した光がトランジスターの半導体層に入射することを抑制する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−９４８８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の態様では、トランジスターと第１基板との間に走査線および容量電極を形成する際、遮光性の導電膜を成膜した後、エッチングにより導電膜をパターニングした構成になっている。このため、走査線および容量電極については、エッチングによりパターニング可能な材料や膜厚に限定されるため、第１基板に対して画素電極とは反対側から入射した光に対する遮光性が低いという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、第１基板と、前記第１基板に設けられた画素電極と、前記第１基板と前記画素電極との間に設けられ半導体層、および前記半導体層と前記画素電極との間に設けられたゲート電極を有するトランジスターと、前記半導体層と前記第１基板との間に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる導電性の第１遮光層と、前記第１遮光層と前記第１基板との間に設けられ、前記半導体層に平面視で重なる導電性の第２遮光層と、前記第１遮光層と前記第１基板との間に設けられ、前記第２遮光層に誘電体層を介して対向する容量電極と、が設けられ、前記第１遮光層および前記第２遮光層のうちの少なくとも一方の遮光層は、絶縁層に形成された凹部を埋める金属材料によって構成され、前記遮光層は、前記絶縁層の前記画素電極側の面と連続した面を構成していることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。本発明では、電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態１に係る電気光学装置の一態様を示す平面図。
【図２】図１に示す電気光学装置の断面図。
【図３】図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。
【図４】図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。
【図５】図４に示すトランジスター周辺を拡大して示す平面図。
【図６】図５に示すトランジスターのＡ−Ａ′断面図。
【図７】図５に示すトランジスターのＢ−Ｂ′断面図。
【図８】図５に示す画素電極９ａと中継電極７ｄとの接続構造を示すＣ−Ｃ′断面図。
【図９】図５に示す半導体層、第２遮光層、および容量線等の平面図。
【図１０】図５に示す第１遮光層１ａ等の平面図。
【図１１】図５に示すゲート電極および走査線等の平面図。
【図１２】図５に示す第１中継電極等の平面図。
【図１３】図５に示すデータ線等の平面図。
【図１４】図５に示す定電位線等の平面図。
【図１５】本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００のＡ−Ａ′断面に相当する説明図。
【図１６】本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００のＢ−Ｂ′断面に相当する説明図。
【図１７】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１９の面内方向で、互いに交差する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向として説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは基板が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは基板が位置する側を意味する。
【０００９】
［実施形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の一態様を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１９と第２基板２９とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１９と第２基板２９とが対向している。シール材１０７は第２基板２９の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１９と第２基板２９との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。第１基板１９および第２基板２９はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
【００１０】
第１基板１９は、素子基板１０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。第１基板１９の第２基板２９側の一方面１９ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１９の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１９には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００１１】
第１基板１９の一方面１９ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続するトランジスター（図１および図２には図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２９側には第１配向膜１８が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１８によって覆われている。
【００１２】
第２基板２９は、対向基板２０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板からなる。第２基板２９において第１基板１９と対向する一方面２９ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１９側には第２配向膜２８が形成されている。共通電極２１は、第２基板２９の略全面に形成されており、第２配向膜２８によって覆われている。第２基板２９の一方面２９ｓ側には、共通電極２１に対して第１基板１９とは反対側に、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層２７が形成され、遮光層２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２６が形成されている。遮光層２７は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。第１基板１９の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なるダミー画素領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｄが形成されている。
【００１３】
第１配向膜１８および第２配向膜２８は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１９および第２基板２９に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置として構成されている。
【００１４】
第１基板１９には、シール材１０７より外側において第２基板２９の角部分と重なる領域に、第１基板１９と第２基板２９との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２９の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１９側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１９の側から共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。
【００１５】
本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１９および第２基板２９のうち、一方の基板から電気光学層８０に入射した光が他方の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、第１基板１９の側から入射した光が第２基板２９を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。かかる構成によれば、第２基板２９にブラックマトリクス等を設ける必要がない等、構成の簡素化を図ることができる。なお、電気光学装置１００は、第１基板１９から入射した光が第２基板２９を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調されるように用いることも可能である。
【００１６】
（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１９では、表示領域１０ａの内側に、Ｘ軸方向に延在する複数の走査線３ａと、Ｙ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとが形成されており、複数の走査線３ａと複数のデータ線６ａとの各交差に対応して複数の画素１００ａが構成されている。複数の走査線３ａは、走査線駆動回路１０４に電気的に接続され、複数のデータ線６ａは、データ線駆動回路１０１に接続されている。また、複数のデータ線６ａには、Ｙ軸方向においてデータ線駆動回路１０１とは反対側で検査回路１０５が電気的に接続している。
【００１７】
複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素スイッチング用のトランジスター３０、およびトランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。本形態では、走査線駆動回路１０４は、表示領域１０ａに対してＸ軸方向の一方側Ｘ１および他方側Ｘ２に走査線駆動回路１０４ｓ、１０４ｔとして構成されており、Ｘ軸方向の一方側Ｘ１の走査線駆動回路１０４ｓは、奇数番目の走査線３ａを駆動し、Ｘ軸方向の他方側Ｘ２の走査線駆動回路１０４ｔは、偶数番目の走査線３ａを駆動する。
【００１８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２９の共通電極２１と電気光学層８０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１９には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ａが形成されており、容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが供給されている。図３では、１本の容量線５ａがＸ軸方向に延在するように示されているが、容量線５ａは、Ｙ軸方向に延在する構成が採用される他、Ｘ軸方向およびＹ軸方向の双方に延在する構成が採用される場合もある。
【００１９】
（画素１００ａの概略構成）
図４は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素１００ａの平面図である。図５は、図４に示すトランジスター３０周辺を拡大して示す平面図である。図６は、図５に示すトランジスター３０のＡ−Ａ′断面図であり、半導体層３１ａに沿って切断したときの様子を模式的に示す断面図である。図７は、図５に示すトランジスター３０のＢ−Ｂ′断面図であり、走査線３ａに沿って切断した様子を模式的に示す断面図である。図８は、図５に示す画素電極９ａと中継電極７ｄとの接続構造を示すＣ−Ｃ′断面図である。なお、図４および図５および後述する図９〜図１４では、各層を以下の線で表してある。また、図４、図５および後述する図９〜図１４では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
第１遮光層１ａ＝極細の長い破線
第２遮光層２ａ＝中位の太さの一点鎖線
容量線５ａ（容量電極５ｃ）＝極太の短い破線
半導体層３１ａ＝極細の短い破線
ゲート電極３３ａ＝極細の二点鎖線
走査線３ａ＝極細の実線
第１中継電極４ｄ、第２中継電極４ｓ＝極太の一点鎖線
データ線６ａ＝中位の太さの長い破線
定電位線７ａ＝中位の太さの二点鎖線
画素電極９ａ＝極太の実線
【００２０】
図４および図５に示すように、第１基板１９において第２基板２９と対向する面には、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿って、容量線５ａ、走査線３ａ、データ線６ａ、および定電位線７ａが延在している。より具体的には、容量線５ａおよび走査線３ａは、Ｘ軸方向に延在する第１画素間領域９ｂと重なってＸ軸方向に延在し、データ線６ａおよび定電位線７ａは、Ｙ軸方向に延在する第２画素間領域９ｃと重なってＹ軸方向に延在している。データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されている。容量線５ａ、走査線３ａ、データ線６ａ、および定電位線７ａは遮光性を有している。従って、容量線５ａ、走査線３ａ、データ線６ａ、定電位線７ａ、およびこれらの配線と同層の導電膜が形成された領域は、光が通過しない遮光領域であり、遮光領域で囲まれた領域は、光が透過する開口領域である。
【００２１】
図６、図７および図８に示すように、第１基板１９において、第１基板１９の一方面１９ｓ側には、絶縁層４０、層間絶縁層４１〜４９が順に形成されており、絶縁層４０、および層間絶縁層４２、４３、４４、４６〜４９の表面は、化学的機械研磨（ＣｈｅｍｉｃａｌＭｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）等によって連続した平面になっている。
【００２２】
（各層の詳細説明）
図６、図７および図８を参照するとともに、以下の図９〜図１４を適宜、参照して、第１基板１９の詳細構成を説明する。図９は、図５に示す半導体層３１ａ、第２遮光層２ａ、および容量線５ａ等の平面図である。図１０は、図５に示す第１遮光層１ａ等の平面図である。図１１は、図５に示すゲート電極３３ａおよび走査線３ａ等の平面図である。図１２は、図５に示す第１中継電極４ｄ等の平面図である。図１３は、図５に示すデータ線６ａ等の平面図である。図１４は、図５に示す定電位線７ａ等の平面図である。なお、図９〜図１４には、それらの図に示す電極等の電気的な接続に関連するコンタクトホールを示すとともに、基準となる位置を示すために半導体層３１ａ、および画素電極９ａを示してある。
【００２３】
図６、図７、図８および図９に示すように、第１基板１９において、第１基板１９と画素電極９ａとの間のうち、層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との間には、半導体層３１ａが形成されている。半導体層３１ａは、第２画素間領域９ｃと平面的に重なるようにＹ軸方向に延在しており、半導体層３１ａと第１基板１９との間には、後述する第１遮光層１ａと第１基板１９との間に導電性の第２遮光層２ａ、および絶縁層４０が。第２遮光層２ａは、半導体層３１ａの中央部分に重なる四角形の本体部分２ａ０と、本体部分２ａ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部２ａ１と、本体部分２ａ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出した凸部２ａ２とを有しており、半導体層３１ａの全体に平面視で重なっている。凸部２ａ１は、半導体層３１ａよりＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出している。第２遮光層２ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００２４】
本形態において、第２遮光層２ａは、絶縁層４０に形成された凹部４０ｈを埋める金属材料によって構成され、第２遮光層２ａは、絶縁層４０の画素電極９ａ側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっている。より具体的には、第２遮光層２ａは、タングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかの金属材料によって構成されており、本形態において、第２遮光層２ａは、タングステンからなる。かかる構成は、絶縁層４０に凹部４０ｈを形成した後、遮光膜を形成し、その後、絶縁層４０が露出するまで化学的機械研磨等の平坦化処理を行うことによって実現することができる。
【００２５】
層間絶縁層４１には、貫通穴４１ｃが形成されており、貫通穴４１ｃの内部、および貫通穴４１ｃの外側の絶縁層４０の画素電極９ａ側の面には誘電体層５５０および容量線５ａが順に積層されている。容量線５ａは、第１画素間領域９ｂに重なるように延在いる。容量線５ａのうち、誘電体層５５０を介して第２遮光層２ａと対向する部分が容量電極５ｃであり、容量電極５ｃ、誘電体層５５０および第２遮光層２ａによって保持容量５５が形成されている。容量線５ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、容量線５ａは、導電性ポリシリコン膜からなる。
【００２６】
容量線５ａのうち、容量電極５ｃに相当する部分は、第２遮光層２ａの本体部分２ａ０に平面視で重なる四角形の本体部分５ｃ０と、本体部分５ｃ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部５ｃ１と、本体部分５ｃ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出した凸部５ｃ２とを有しており、半導体層３１ａの全体に平面視で重なっている。かかる形状に対応して、貫通穴４１ｃは、第２遮光層２ａの本体部分２ａ０に平面視で重なる四角形の本体部分４１ｃ０と、本体部分４１ｃ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部４１ｃ１と、本体部分４１ｃ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出した凸部４１ｃ２とを有している。
【００２７】
図６、図７、図８および図１０に示すように、容量線５ａと半導体層３１ａとの間の層（層間絶縁層４２と層間絶縁層４４との間）には、層間絶縁層４３、第１遮光層１ａ、および中継電極１ｃが形成されている。第１遮光層１ａは、第２遮光層２ａの本体部分２ａ０に平面視で重なる略四角形の本体部分１ａ０と、本体部分１ａ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部１ａ１と、本体部分１ａ０から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出した凸部１ａ２とを有しており、半導体層３１ａの全体に平面視で重なっている。また、第１遮光層１ａは、本体部分１ａ０から第１画素間領域９ｂに沿ってＸ軸方向の一方側Ｘ１に突出した凸部１ａ３と、本体部分１ａ０から第１画素間領域９ｂに沿ってＸ軸方向の他方側Ｘ２に突出した凸部１ａ４とを有している。中継電極１ｃは、第１遮光層１ａからＹ軸方向の一方側Ｙ１に離間する位置で第２遮光層２ａの端部に平面視で重なっている。第１遮光層１ａおよび中継電極１ｃは同一の導電部から構成されており、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。
【００２８】
本形態において、第１遮光層１ａおよび中継電極１ｃは、層間絶縁層４３に形成された凹部４３ｈ、４３ｉを埋める金属材料によって構成され、第１遮光層１ａおよび中継電極１ｃは、層間絶縁層４３の画素電極９ａ側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっている。より具体的には、第１遮光層１ａおよび中継電極１ｃは、タングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかの金属材料によって構成されており、本形態において、第１遮光層１ａおよび中継電極１ｃは、タングステンからなる。かかる構成は、層間絶縁層４３に凹部４３ｈ、４３ｉを形成した後、遮光膜を形成し、その後、層間絶縁層４３が露出するまで化学的機械研磨等の平坦化処理を行うことによって実現することができる。
【００２９】
ここで、中継電極１ｃと第２遮光層２ａとが重なる領域には、層間絶縁層４１、４２を貫通する第２コンタクトホール４２ｃが形成されており、第２コンタクトホール４２ｃの内部には遮光性の第２導電部８ａが設けられている。本形態において、第２導電部８ａは、金属材料であって、第２コンタクトホール４２ｃが貫通する層間絶縁層４２の画素電極９ａ側の面と連続した面を形成するプラグを構成している。より具体的には、第２導電部８ａは、タングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかの金属材料によって構成されており、本形態において、第２導電部８ａは、タングステンからなる。かかる構成は、層間絶縁層４１、４２に第２コンタクトホール４２ｃを形成した後、金属膜を形成し、その後、層間絶縁層４２が露出するまで化学的機械研磨等の平坦化処理を行うことによって実現することができる。
【００３０】
図６、図７、図８および図１１に示すように、第１遮光層１ａと画素電極９ａとの間のうち、層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との間には、トランジスター３０が形成されている。トランジスター３０は、層間絶縁層４４の画素電極９ａ側の面に形成された半導体層３１ａと、半導体層３１ａの画素電極９ａ側に積層されたゲート絶縁層３２と、ゲート絶縁層３２の画素電極９ａ側で半導体層３１ａの延在方向の途中部分に平面的に重なるゲート電極３３ａとを備えている。半導体層３１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されており、ゲート絶縁層３２は、半導体層３１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３３ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなり、本形態において、ゲート電極３３ａは、アルミニウム膜の表面に窒化チタン膜が積層された積層膜からなる。
【００３１】
ゲート電極３３ａは、半導体層３１ａの一部と平面的に重なる四角形の本体部分３３ａ５と、本体部分３３ａ５から半導体層３１ａに沿ってＹ軸方向の他方側Ｙ２に突出した凸部３３ａ２とを有している。
【００３２】
半導体層３１ａは、ゲート電極３３ａと平面的に重なるチャネル領域３１ｇと、チャネル領域３１ｇに対してＹ軸方向の一方側Ｙ１で隣接する第１領域３１ｄと、チャネル領域３１ｇに対してＹ軸方向の他方側Ｙ２で隣接する第２領域３１ｓとを備えている。本形態において、トランジスター３０は、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）構造を有している。従って、第１領域３１ｄは、チャネル領域３１ｇから離間する位置に高濃度の不純物が導入された高濃度不純物領域３１ｄ１と、チャネル領域３１ｇと高濃度不純物領域３１ｄ１との間で高濃度不純物領域３１ｄ１より不純物濃度が低い低濃度不純物領域３１ｄ２とを含んでおり、後述するように、高濃度不純物領域３１ｄ１は、画素電極９ａに電気的に接続されている。従って、低濃度不純物領域３１ｄ２は、画素電極側低濃度不純物領域に相当する。第２領域３１ｓは、チャネル領域３１ｇから離間する位置に高濃度の不純物が導入された高濃度不純物領域３１ｓ１と、チャネル領域３１ｇと高濃度不純物領域３１ｓ１との間で高濃度不純物領域３１ｓ１より不純物濃度が低い低濃度不純物領域３１ｓ２とを含んでおり、後述するように、高濃度不純物領域３１ｓ１は、データ線６ａに電気的に接続されている。
【００３３】
ゲート電極３３ａと画素電極９ａとの間のうち、層間絶縁層４５と層間絶縁層４６との間には、第１画素間領域９ｂと重なるようにＸ軸方向に延在する走査線３ａが形成されている。走査線３ａは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなり、本形態において、ゲート電極３３ａは、アルミニウム膜の表面に窒化チタン膜が積層された積層膜からなる。
【００３４】
走査線３ａは、半導体層３１ａと交差するようにＸ軸方向に延在する本体部分３ａ０と、本体部分３ａ０からゲート電極３３ａの本体部分３３ａ５と平面的に重なるようにＹ軸方向の他方側Ｙ２に屈曲した屈曲部３ａ５と、本体部分３ａ０から半導体層３１ａのＸ軸方向の一方側Ｘ１で半導体層３１ａに沿うようにＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部３ａ６と、本体部分３ａ０から半導体層３１ａのＸ軸方向の他方側Ｘ２で半導体層３１ａに沿うようにＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部３ａ７とを有している。
【００３５】
走査線３ａとゲート電極３３ａとは第１コンタクトホール４５ｇを介して電気的に接続し、さらに、ゲート電極３３ａと第１遮光層１ａとは第１コンタクトホール４５ｇを介して電気的に接続している。従って、第１遮光層１ａはバックゲートとして機能する。
本形態において、第１コンタクトホール４５ｇは、平面視で、走査線３ａの屈曲部３ａ５、およびゲート電極３３ａの本体部分３３ａ５と平面視で重なる第１部分４５ｇ５と、第１部分４５ｇ５の両端から走査線３ａの凸部３ａ６、３ａ７と重なるようにＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した第２部分４５ｇ６、４５ｇ７とを有しており、第２部分４５ｇ６、４５ｇ７は、低濃度不純物領域３１ｄ２の幅方向の両側で第１遮光層１ａに到達している。また、第１部分４５ｇ５は、ゲート電極３３ａに到達している。
【００３６】
第１コンタクトホール４５ｇの内部には、走査線３ａの一部からなる遮光性の第１導電部３ｇが位置する。従って、走査線３ａの第２部分４５ｇ６、４５ｇ７の内部に位置する走査線３ａの構成材料は、低濃度不純物領域３１ｄ２を幅方向の両側から覆う遮光壁を構成している。
【００３７】
図６、図７、図８および図１２に示すように、層間絶縁層４６と層間絶縁層４７との間には、少なくとも半導体層３１ａの第１領域３１ｄに平面的に重なる遮光性の第１中継電極４ｄと、第１中継電極４ｄからＹ軸方向の他方側Ｙ２に離間する位置で半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｓ１と平面視で重なる第２中継電極４ｓとが同一の導電材料によって構成されている。第１中継電極４ｄおよび第２中継電極４ｓは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、第１中継電極４ｄおよび第２中継電極４ｓは、アルミニウム膜の表面に窒化チタン膜が積層された積層膜からなる。
【００３８】
第２中継電極４ｓは半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｓ１と平面視で重なっており、第２中継電極４ｓと高濃度不純物領域３１ｓ１との間には、層間絶縁層４５、４６およびゲート絶縁層３２を貫通する第４コンタクトホール４６ｓが形成されている。
【００３９】
第１中継電極４ｄは、半導体層３１ａの第１領域３１ｄおよびチャネル領域３１ｇと平面視で重なる本体部分４ｄ０と、本体部分４ｄ０から第１画素間領域９ｂに沿ってＹ軸方向の一方側Ｙ１に延在して半導体層３１ａよりＹ軸方向の一方側Ｙ１に突出した凸部４ｄ１と、本体部分４ｄ０から第２画素間領域９ｃに沿ってＸ軸方向の他方側Ｘ１に突出した凸部４ｄ４とを有している。凸部４ｄ１は、中継電極１ｃと重なっており、凸部４ｄ１と中継電極１ｃとの間には、層間絶縁層４４、４５、４６およびゲート絶縁層３２を貫通する第２コンタクトホール４６ｃが形成されている。従って、凸部４ｄ１は、中継電極１ｃと電気的に接続されている。また、凸部４ｄ１は、半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｄ１と重なっており、凸部４ｄ１と高濃度不純物領域３１ｄ１との間には、層間絶縁層４５、４６およびゲート絶縁層３２を貫通する第３コンタクトホール４６ｄが形成されている。従って、凸部４ｄ１は、半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｄ１と電気的に接続されている。また、本体部分４ｄ０のうち、低濃度不純物領域３１ｄ２と重なる領域には、層間絶縁層４６を貫通する穴４６ｅが形成されている。
【００４０】
ここで、第２コンタクトホール４６ｃ、第３コンタクトホール４６ｄ、第４コンタクトホール４６ｓ、および穴４６ｅの内部には遮光性の第２導電部８ｃ、遮光性の第３導電部８ｄ、遮光性の第４導電部８ｓ、および遮光部８ｅが設けられている。本形態において、第２導電部８ｃ、第３導電部８ｄ、第４導電部８ｓ、および遮光部８ｅは、金属材料であって、第２コンタクトホール４６ｃ、第３コンタクトホール４６ｄ、第４コンタクトホール４６ｓ、および穴４６ｅが貫通する層間絶縁層４６の画素電極９ａ側の面と連続した面を形成するプラグを構成している。より具体的には、第２導電部８ｃ、第３導電部８ｄ、第４導電部８ｓ、および遮光部８ｅは、タングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかの金属材料によって構成されており、本形態において、第２導電部８ｃ、第３導電部８ｄ、第４導電部８ｓ、および遮光部８ｅは、タングステンからなる。かかる構成は、層間絶縁層４６等に第２コンタクトホール４６ｃ、第３コンタクトホール４６ｄ、第４コンタクトホール４６ｓ、および穴４６ｅを形成した後、金属膜を形成し、その後、層間絶縁層４６が露出するまで化学的機械研磨等の平坦化処理を行うことによって実現することができる。
【００４１】
図６、図７、図８および図１３に示すように、層間絶縁層４７と層間絶縁層４８との間には、第２画素間領域９ｃと重なるようにＹ軸方向に延在するデータ線６ａと、データ線６ａに対してＸ軸方向の他方側Ｘ２に離間する中継電極６ｄと、データ線６ａに対してＸ軸方向の他方側Ｘ２に離間する中継電極６ｄとが同一の導電部によって形成されている。データ線６ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなり、本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｄは、アルミニウム膜の表面に窒化チタン膜が積層された積層膜からなる。
【００４２】
データ線６ａは、層間絶縁層４７を貫通するコンタクトホール４７ｓを介して第２中継電極４ｓに電気的に接続している。従って、データ線６ａは、第２中継電極４ｓを介して半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｓ１に電気的に接続し、第２領域３１ｓに画像信号を印加する。中継電極６ｄは、層間絶縁層４７を貫通するコンタクトホール４７ｄを介して第１中継電極４ｄに電気的に接続している。
【００４３】
図６、図７、図８および図１４に示すように、層間絶縁層４８と層間絶縁層４９との間には、第２画素間領域９ｃと重なるようにＹ軸方向に延在する定電位線７ａと、定電位線７ａに対してＸ軸方向の他方側Ｘ２に離間する中継電極７ｄとが同一の導電部によって形成されている。定電位線７ａには、共通電位Ｖｃｏｍ等の定電位が印加されている。定電位線７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなり、本形態において、定電位線７ａおよび中継電極７ｄは、アルミニウム膜の表面に窒化チタン膜が積層された積層膜からなる。中継電極７ｄは、層間絶縁層４８を貫通するコンタクトホール４８ｄを介して中継電極６ｄに電気的に接続している。
【００４４】
層間絶縁層４９のトランジスター３０とは反対側の面には画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、層間絶縁層４９を貫通するコンタクトホール４９ｄを介して中継電極７ｄに電気的に接続されている。従って、画素電極９ａは、中継電極７ｄ、６ｄ、３ｃ、および第１中継電極４ｄを介して第２遮光層２ａに電気的に接続され、画素電極９ａは、さらに、中継電極７ｄ、６ｄ、および第１中継電極４ｄを介して半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｄ１に電気的に接続している。従って、トランジスター３０がオンすると、データ線６ａから供給された画像信号は、保持容量５５を構成する第２遮光層２ａおよび画素電極９ａに電気的に接続される。ここで、定電位線７ａは、データ線６ａと画素電極９ａとの間に介在し、データ線６ａから画素電極９ａへの電位的な影響を抑制している。
【００４５】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、トランジスター３０と第１基板１９との間には、半導体層３１ａと重なる第１遮光層１ａが設けられ、第１遮光層１ａと第１基板１９との間には、半導体層３１ａと重なる第２遮光層２ａが設けられている。このため、電気光学装置１００に対して、第１基板１９の側から光源光が入射した際に、光源光が半導体層３１ａに向かって進行しようとしたときでも、かかる光を第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａによって遮ることができる。それ故、トランジスター３０では光電流に起因する誤動作等が発生しにくい。よって、電気光学装置１００において、光源光が第１基板１９の側から入射するようにしても、電気光学装置１００は優れた信頼性を有する。
【００４６】
また、第１遮光層１ａはバックゲートして機能し、第２遮光層２ａは、誘電体層５５０を介して容量電極５ｃと対向し、保持容量５５を構成している。従って、遮光だけの目的に第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａを形成した場合と違って、第１基板１９に形成する層の数が増大を抑制することができる。
【００４７】
また、第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａは各々、層間絶縁層４３の凹部４３ｈ、および絶縁層４０の凹部４０ｈを埋める金属材料によって構成され、層間絶縁層４３の画素電極９ａ側の面、および絶縁層４０の画素電極９ａ側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっている。従って、第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａは、エッチングによってパターングしなくても、化学的機械研磨を利用してパターニングすることができる。それ故、第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａには、エッチングが困難でも遮光層に優れたタングステン、タンタル、およびモリブデン等の金属材料を用いることができるので、半導体層３１ａへの光の入射を適正に遮ることができる。
【００４８】
また、第１遮光層１ａとゲート電極３３ａとを電気的に接続する第１コンタクトホール４５ｇは、半導体層３１ａの幅方向の両側を通っているため、第１コンタクトホール４５ｇ内の遮光性の第１導電部３ｇが半導体層３１ａに対する遮光壁として機能する。半導体層３１ａに対して幅方向から入射することを第１導電部３ｇに抑制することができる。
【００４９】
また、半導体層３１ａと画素電極９ａとの間に設けられた遮光性の第１中継電極４ｄと、第２遮光層２ａとを電気的に接続する第２コンタクトホール４２ｃ、４６ｃの内部に設けられた遮光性の第２導電部８ａ、８ｃによって、第１基板１９に入射した光源光や反射光が半導体層３１ａに入射することを抑制することができる。また、半導体層３１ａと第１中継電極４ｄとを電気的に接続するための第３コンタクトホール４６ｄの内部に設けられた遮光性の第３導電部８ｄによって、第１基板１９に入射した光源光の反射光が半導体層３１ａに入射することを抑制することができる。さらに、第２導電部８ａ、８ｃ、および第３導電部８ｄが層間絶縁層４６の画素電極９ａ側の面と連続した面を形成するプラグであるため、エッチングが困難でも遮光層に優れたタングステン、タンタル、およびモリブデン等の金属材料を第２導電部８ａ、８ｃ、および第３導電部８ｄに用いることができる。このため、第２導電部８ａ、８ｃ、および第３導電部８ｄは遮光性に優れている。
【００５０】
また、第１中継電極４ｄと半導体層３１ａとの間の層間絶縁層４６に穴４６ｅが設けられ、穴４６ｅの内部に遮光性材料からなる遮光部８ｅが設けられている。このため、第１基板１９に入射した光源光の反射光が半導体層３１ａに入射することを遮光部８ｅによって抑制することができる。
【００５１】
［実施形態２］
図１５および図１６を参照して、本発明の実施形態２を説明する。なお、本形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分に同一の符号を付してそれらの説明を省略する。図１５は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００のＡ−Ａ′断面に相当する説明図であり、図１６は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００のＢ−Ｂ′断面に相当する説明図である。図１５および図１６に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、層間絶縁層４４と層間絶縁層４５との間には、半導体層３１ａが形成されている。半導体層３１ａと第１基板１９との間には導電性の第１遮光層１ａが設けられている。第１遮光層１ａと第１基板１９との間に導電性の第２遮光層２ａが設けられており、第２遮光層２ａは、誘電体層５５０および容量電極５ｃ（容量線５ａ）とともに、保持容量５５を構成している。第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａは、タングステン、タンタル、およびモリブデン等の金属材料によって構成されており、層間絶縁層４３の画素電極９ａ側の面、および絶縁層４０の画素電極９ａ側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっている。
【００５２】
本形態では、半導体層３１ａと第１基板１９との間には、半導体層３１ａの第２領域３１ｓと平面視で重なる導電性の第３遮光層２ｂが設けられており、第３遮光層２ｂは、第２遮光層２ａと同一の導電材料から構成されている。より具体的には、第３遮光層２ｂは、絶縁層４０の凹部４０ｉを埋めるタングステン、タンタル、およびモリブデン等の金属材料によって構成されており、絶縁層４０の画素電極９ａ側の面と連続した面を構成する埋め込み層になっている。また、本形態では、半導体層３１ａの端部と層間絶縁層４４との間には、窒化シリコン等からなるエッチングストッパー層３５ｄ、３５ｓが設けられている。
【００５３】
本形態では、第１中継電極４ｄと第２遮光層２ａとを電気的に接続するにあたって、層間絶縁層４１、４２、４３、４４、４５、４６およびゲート絶縁層３２を貫通する第２コンタクトホール４６ｆが形成されている。また、第２コンタクトホール４６ｆの内部には遮光性の第２導電部８ｆが設けられている。第２導電部８ｆは、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、第２導電部８ｆは、タングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかの金属材料によって構成されており、第２コンタクトホール４６ｆが貫通する層間絶縁層４６の画素電極９ａ側の面と連続した面を形成するプラグを構成している。かかる構成は、層間絶縁層４６等に第２コンタクトホール４６ｆ等を形成した後、金属膜を形成し、その後、層間絶縁層４６が露出するまで化学的機械研磨等の平坦化処理を行うことによって実現することができる。
【００５４】
ここで、第２コンタクトホール４６ｆおよび第２導電部８ｆは、半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｄ１と第１中継電極４ｄとを電気的に接続するように設けられている。従って、第２コンタクトホール４６ｆおよび第２導電部８ｆを実施形態１より半導体層３１ａに接近させることができるので、遮光性が高い。
【００５５】
走査線３ａとゲート電極３３ａとは第１コンタクトホール４５ｇを介して電気的に接続し、さらに、ゲート電極３３ａと第１遮光層１ａとは第１コンタクトホール４５ｇを介して電気的に接続している。従って、第１遮光層１ａはバックゲートとして機能する。本形態では、第１コンタクトホール４５ｇの内部には遮光性の第１導電部８ｇが設けられており、第１導電部８ｇは、低濃度不純物領域３１ｄ２を幅方向の両側から覆う遮光壁を構成している。
【００５６】
ここで、第１導電部８ｇは、タングステン、タンタル、およびモリブデンのうちのいずれかの金属材料によって構成されており、第１コンタクトホール４５ｇが貫通する層間絶縁層４５の画素電極９ａ側の面と連続した面を形成するプラグを構成している。かかる構成は、層間絶縁層４５等に第１コンタクトホール４５ｇを形成した後、金属膜を形成し、その後、層間絶縁層４５が露出するまで化学的機械研磨等の平坦化処理を行うことによって実現することができる。それ故、第１導電部８ｇには、エッチングが困難でも遮光層に優れたタングステン、タンタル、およびモリブデン等の金属材料を用いることができるので、半導体層３１ａへの光の入射を適正に遮ることができる。
【００５７】
第２中継電極４ｓは、層間絶縁層４５、４６およびゲート絶縁層３２を貫通する第４コンタクトホール４６ｓを介して半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｓ１と電気的に接続されている。ここで、第４コンタクトホール４６ｓは、さらに、層間絶縁層４４、４３、４２、４１を貫通して第３遮光層２ｂに到達している。従って、第４導電部８ｓは、第２中継電極４ｓと高濃度不純物領域３１ｓ１と電気的に接続するとともに、半導体層３１ａに対する遮光壁を構成している。それ故、第４導電部８ｓによって半導体層３１ａへの光の入射を抑制することができる。
【００５８】
［他の実施形態］
上記実施形態においては、第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａの双方が埋め込み層となっていたが、第１遮光層１ａおよび第２遮光層２ａの一方のみが埋め込み層となっている態様であってもよい。また、上記実施形態では、第１基板１９に形成した絶縁層４０に第２遮光層２ａを配置する凹部４０ｈを設けたが、絶縁層４０を設けず、第１基板１９を絶縁層として凹部４０ｈ、４０ｉを設けてもよい。
【００５９】
上記実施形態において、第２遮光層２ａを半導体層３１ａの高濃度不純物領域３１ｄ１および画素電極９ａに電気的に接続したが、第２遮光層２ａに共通電位Ｖｃｏｍを印加した態様であってもよい。
【００６０】
上記実施形態では、第２遮光層２ａ、誘電体層５５０、および容量電極５ｃによって保持容量を形成したが、例えば、第２遮光層２ａ、誘電体層５５０、容量電極５ｃ、別の誘電体層、および別の容量電極を順に積層し、第２遮光層２ａ、誘電体層５５０、容量電極５ｃからなる容量素子と、容量電極５ｃ、別の誘電体層、および別の容量電極からなる容量素子を電気的に接続して保持容量を構成してもよい。
【００６１】
上記実施形態では、トランジスター３０がＬＤＤ構造を有している場合を説明したが、高濃度不純物領域３１ｄ１、３１ｓ１がゲート電極３３ａの端部から離間したオフセットゲート構造の場合に本発明を適用してもよい。この場合、高濃度不純物領域３１ｄ１、３１ｓ１とゲート電極３３ａの端部との間で不純物が導入されていない領域が低濃度不純物領域３１ｄ２、３１ｓ２となる。
【００６２】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図１７は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１７には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１７に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。
【００６３】
図１７に示す投射型表示装置２１００において、上記実施形態に係る電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。図１７に示すように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６４】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
【００６５】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００６６】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１ａ…第１遮光層、２ａ…第２遮光層、２ｂ…第３遮光層、３ａ…走査線、３ｇ、８ｇ…第１導電部、４ｄ…第１中継電極、４ｓ…第２中継電極、５ａ…容量線、５ｃ…容量電極、６ａ…データ線、７ａ…定電位線、８ａ、８ｃ、８ｆ…第２導電部、８ｄ…第３導電部、８ｅ…遮光部、８ｓ…第４導電部、９ａ…画素電極、９ｂ…第１画素間領域、９ｃ…第２画素間領域、１０…素子基板、１０ａ…表示領域、１９…第１基板、２０…対向基板、２１…共通電極、２９…第２基板、３０…トランジスター、３１ａ…半導体層、３１ｄ…第１領域、３１ｄ１、３１ｓ１…高濃度不純物領域、３１ｄ２、３１ｓ２…低濃度不純物領域、３１ｇ…チャネル領域、３１ｓ…第２領域、３２…ゲート絶縁層、３３ａ…ゲート電極、４０…絶縁層、４０ｈ、４０ｉ、４３ｈ、４３ｉ…凹部、４１〜４９、４２ｃ、４６ｃ、４６ｆ…第２コンタクトホール、４５ｇ…第１コンタクトホール、４６ｄ…第３コンタクトホール、４６ｅ…穴、４６ｓ…第４コンタクトホール、５５…保持容量、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１００ａ…画素、１００ｐ…液晶パネル、５５０…誘電体層、２１００…投射型表示装置（電子機器）、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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