(57)【要約】【課題】  裸眼立体画像表示装置に用いられる視差バリアパネルとしては、表示領域内において上層の透明電極と下層の透明電極とを交互に配列する形態がある。この場合、表示領域外においては、共通配線と信号配線との間の絶縁耐圧を強化する必要があることが判明した。この解決のために共通配線と信号配線との間の絶縁膜を厚くすると、透明電極間の絶縁膜も厚くなってしまい、透明電極の設計裕度が狭くなり、断線が増大する。【解決手段】  表示領域内の下層透明電極と上層透明電極との間の絶縁膜の膜厚よりも、表示領域外の共通配線と信号配線との間の絶縁膜の膜厚を厚くする。【選択図】  図６
2020134917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる画像を表示する２つのサブ画素から構成されるサブ画素ペアが予め定められたピッチで横方向に複数配置された表示パネルと、
第１透明基板と第２透明基板との間に保持された液晶層を縦方向に延びる複数の透明電極で駆動することにより光透過状態と遮光状態とを切り変え可能なサブ開口が横方向に複数配置された視差バリアシャッタパネルと、
が積層配置された画像表示装置において、
前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板は、
表示領域に、前記複数の透明電極として、第１の層間絶縁膜の下に配置された複数の下層透明電極と、前記第１の層間絶縁膜の上に配置された複数の上層透明電極と、を備え、
前記表示領域に隣接する領域に、前記視差バリアシャッタパネルを制御するバリア制御信号を出力する駆動回路からの前記バリア制御信号を、前記複数の透明電極へ入力するための配線と、
前記複数の透明電極のうち同一の前記バリア制御信号が入力される透明電極同士を電気的に接続する共通配線と、を備え、
前記表示領域における前記第１の層間絶縁膜の膜厚に対して、前記表示領域に隣接する領域において前記透明電極へ入力する為の前記配線と前記共通配線とに挟まれる第２の層間絶縁膜の膜厚が厚い事を特徴とする、画像表示装置。
【請求項２】
前記第２の層間絶縁膜は少なくとも２層以上の膜で形成されている事を特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記第１の層間絶縁膜の膜厚と、前記第２の層間絶縁膜の上層を構成する絶縁膜の膜厚が等しい事を特徴とする、請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の上層を構成する絶縁膜とに挟まれて、前記下層透明電極と同層である導電膜を備える事を特徴とする、請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板の前記表示領域において前記下層透明電極の下層に前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜と同層の絶縁膜を備える事を特徴とする、請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記配線の少なくとも一部は、前記第１透明基板と前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜との間に形成され、
前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜に形成された開口を介して前記下層透明電極または前記下層透明電極と同層の導電膜と接していることを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記配線の少なくとも一部は、前記第１透明基板と前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜との間に形成され、
前記第２の層間絶縁膜に形成された開口を介して、少なくとも前記上層配線または前記上層透明電極で形成された接続配線によって、前記下層透明電極または前記下層透明電極と同層の導電膜と電気的に接続していることを特徴とする請求項４に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記第１の層間絶縁膜の膜厚と、前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜の膜厚が等しい事を特徴とする、請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記第２の層間絶縁膜の下層を構成する絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の上層を構成する絶縁膜の構成元素が少なくとも１種以上異なる事を特徴とする、請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記第２の層間絶縁膜の上層を構成する絶縁膜の上層に半導体層を備えた事を特徴とする請求項４から７のいずれか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記共通配線と前記配線とが交差するクロス部を上面視で覆うように、前記半導体層と同層の半導体膜パターンが形成されている事を特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記半導体層を有する薄膜トランジスタにより構成された高抵抗素子を備えた事を特徴とする請求項１０または１１に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記薄膜トランジスタの前記半導体層と、前記上層透明電極とが同層で形成されており、前記半導体層は酸化物半導体膜で前記上層透明電極は前記酸化物半導体膜を導電性化した膜で形成されている事を特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタのゲート電極は前記下層透明電極と同層の導電膜で形成されている事を特徴とする請求項１２または１３に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記高抵抗素子や前記配線と電気的に接続するショートリング配線をさらに備え、前記ショートリング配線は、下層配線・下層透明電極・上層配線・上層透明電極のいずれかと同層の導電膜で形成されている事を特徴とする請求項１２から１４のいずれか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板において、前記視差バリアシャッタパネルを制御するバリア制御信号を出力する前記駆動回路からの前記バリア制御信号を、前記複数の透明電極へ入力するための各々の前記配線と、前記高抵抗素子とを接続する配線の少なくとも一部が、前記上層透明電極または前記下層透明電極と同層の導電膜で形成されている事を特徴とする請求項１２から１５のいずれか一項に記載の画像表示装置。
【請求項１７】
それぞれ異なる画像を表示する２つのサブ画素から構成されるサブ画素ペアが予め定められたピッチで横方向に複数配置された表示パネルと積層配置されることにより画像表示装置を構成する視差バリアシャッタパネルの製造方法であって、
前記視差バリアシャッタパネルは、
第１透明基板と第２透明基板との間に保持された液晶層を縦方向に延びる複数の透明電極で駆動することにより光透過状態と遮光状態とを切り変え可能なサブ開口が横方向に複数配置されており、
前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板は、
表示領域に、前記複数の透明電極として、第１の層間絶縁膜の下に配置された複数の下層透明電極と、前記第１の層間絶縁膜の上に配置された複数の上層透明電極と、を備え、
前記表示領域に隣接する領域に、前記視差バリアシャッタパネルを制御するバリア制御信号を出力する駆動回路からの前記バリア制御信号を、前記複数の透明電極へ入力するための配線と、
前記複数の透明電極のうち同一の前記バリア制御信号が入力される透明電極同士を接続する共通配線と、を備えており、
前記表示領域における前記第１の層間絶縁膜の膜厚に対して、前記表示領域に隣接する領域における前記透明電極へ入力する為の前記配線と前記共通配線に挟まれる第２の層間絶縁膜の膜厚を厚く形成する事を特徴とする、視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項１８】
前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板上に下層配線及び前記下層透明電極を形成する工程と、
前記下層配線及び前記下層透明電極を覆う第１の絶縁膜を成膜し、前記表示領域において前記第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記表示領域に隣接する領域を除き、かつ、前記表示領域を含む領域において、前記第１の絶縁膜の膜厚を減じて前記第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の上層に上層配線及び上層透明電極を形成する工程とを
備えた、請求項１７に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項１９】
前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板上に下層配線及び前記下層透明電極を形成する工程と、
前記下層配線及び前記下層透明電極を覆う第１の絶縁膜を成膜する工程と、
前記表示領域に隣接する領域を除き、かつ、前記表示領域を含む領域において、前記第１の絶縁膜を除去する工程と、
前記第１透明基板上に第２の絶縁膜を成膜することにより、前記表示領域においては前記第２の絶縁膜を含む前記第１の層間絶縁膜を形成し、前記表示領域に隣接する領域においては前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを含む前記第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の上層に上層配線及び前記上層透明電極を形成する工程と、を
備えた、請求項１７に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２０】
前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板上に下層配線及び前記下層透明電極を形成する工程と、
前記下層配線及び前記下層透明電極を覆う第１の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１の絶縁膜を覆う第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記表示領域に隣接する領域を除き、かつ、前記表示領域を含む領域において、前記第２の絶縁膜を除去することにより、前記表示領域においては前記第１の絶縁膜を含む前記第１の層間絶縁膜を形成し、前記表示領域に隣接する領域においては前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを含む前記第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜の上層に上層配線及び前記上層透明電極を形成する工程と、を
備えた、請求項１７に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２１】
前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板上に下層配線を形成する工程と、
前記下層配線を覆う第１の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第１の絶縁膜の上層に前記下層透明電極を形成する工程と、
前記下層透明電極を覆う第２の絶縁膜を成膜することにより、前記表示領域においては前記第２の絶縁膜を含む前記第１の層間絶縁膜を形成し、前記表示領域に隣接する領域においては前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを含む前記第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の上層に上層配線及び前記上層透明電極を形成する工程と、を
備えた、請求項１７に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２２】
前記下層配線を覆う前記第１の絶縁膜を成膜する工程の後であって、前記下層透明電極を形成する工程の前に、さらに、
前記第１の絶縁膜を除去して、前記下層透明電極へ信号を供給する前記配線と前記下層透明電極とを接続する開口部を形成する工程を備えた
請求項２１に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２３】
前記開口部を形成する工程において、
前記表示領域に隣接する領域を除き、かつ、前記表示領域を含む領域における前記第１の層間絶縁膜も除去することを特徴とする、請求項２１に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２４】
前記第２の絶縁膜を成膜する工程の後であって、前記上層配線及び前記上層透明電極を形成する工程の前に、さらに、
前記上層配線または前記上層透明電極と前記上層透明電極へ信号を供給する前記配線とを接続する第１開口と、前記下層透明電極へ信号を供給する前記配線と前記下層透明電極とを接続する第２開口とを形成する工程を備え、
前記上層配線及び前記上層透明電極を形成する工程においては、前記上層配線または前記上層透明電極と前記上層透明電極へ信号を供給する前記配線と接続する第１の接続配線と、前記第２開口を介して前記下層透明電極へ信号を供給する前記配線と前記下層透明電極を接続する第２の接続配線と、を形成する事を特徴とする、請求項２１に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２５】
前記下層透明電極と、ゲート電極となるパターンと、を形成する工程と、
前記下層透明電極と前記ゲート電極とを覆う前記第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜の上層に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜をパターニングして前記ゲート電極と対向するチャネル領域と、前記チャネル領域に隣接するソース領域とドレイン領域と、を形成する工程と、を備え、
上層配線及び上層透明電極を形成する工程にて前記半導体膜で形成された前記ソース領域に接続するソース電極と、前記ドレイン領域に接続するドレイン電極とを形成する事を特徴とする、請求項２１から２４のいずれか一項に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【請求項２６】
前記下層透明電極を覆う前記第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜の上層に前記上層配線を形成すると共に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及びドレイン電極を形成する工程の後に酸化物半導体膜を成膜する工程と
前記酸化物半導体膜をパターニングして、前記ソース電極と接続するソース領域となる領域と、前記ドレイン電極と接続するドレイン領域となる領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれたチャネル領域となる領域と、前記上層透明電極となる領域と、を含むパターンを形成する工程と、
少なくとも前記チャネル領域となる領域を除いた領域の酸化物半導体層に水素を供給し前記酸化物半導体膜を酸化物導電膜とする工程と
を備えることを特徴とする、請求項２１から２４のいずれか一項に記載の視差バリアシャッタパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、視差バリア方式の裸眼立体画像表示装置または２画面表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特殊な眼鏡を必要とせずに立体視が可能な裸眼立体画像表示装置が提案されている。例えば下記の特許文献１には、透過形表示素子を用いてパララックスバリア・ストライプを電子制御により発生するバリア発生手段と、パララックスバリア・ストライプの発生位置から後方に離間して配置された表示画面と、立体画像表示の際に、パララックスバリア・ストライプに対応して、左画像と右画像のストリップが交互に配列された多方向画像を該表示画面に出力表示する画像表示手段と、を備えた立体画像表示装置が開示されている。
【０００３】
特許文献１の立体画像表示装置では、パララックスバリア・ストライプを電子式に発生させると共に、発生したパララックスバリア・ストライプの形状（ストライプの数、幅、間隔）や位置（位相）、濃度などを自由に可変制御できる。そのため、当該立体画像表示装置は、２次元画像表示装置としても使用することができる。つまり、立体画像表示機能と２次元画像表示機能との両方を備える画像表示装置が実現される。
【０００４】
さらに、特許文献２には、それぞれストライプ状の左眼画像と右眼画像とを交互に配置して表示する画像表示手段と、両眼視差効果を生じさせる遮光部の位置を遮光部ピッチの１／４ピッチで移動できるように構成された遮光手段と、観察者の頭の位置を検出するセンサとを備え、遮光手段を左右方向に領域分割し、観察者の頭の位置に応じて、分割された領域ごとに遮光手段の遮光部の移動制御を行う領域分割移動制御手段と、を備えた裸眼立体画像表示装置が開示されている。
【０００５】
特許文献２の立体画像表示装置は、観察者の頭が適視位置からずれた位置へ移動した場合であっても、遮光部の移動制御と、左眼画像および右眼画像の表示位置を制御する表示制御を行うことで、観察者の右眼に右眼画像、左眼に左眼画像をそれぞれ供給できる。それにより、観察者は、適視位置から離れても、その位置で立体画像を認識できる。
【０００６】
しかし、特許文献１、２の立体画像表示装置では、観察者の頭の動きに応じて、遮光部（パララックスバリア・ストライプ）の移動制御ならびに左眼画像および右眼画像の表示制御が行われる際に、観察者は画面の輝度の変化を感じる。特に、観察者の頭の動きが多く、遮光部ならびに左眼画像および右眼画像の位置の切り替えが頻繁に行われると、観察者に不快感を与えてしまう。
【０００７】
その問題を解決する技術として、特許文献３には、観察者が移動しても、輝線や暗線として視認される局所的な輝度のチラツキを抑えつつ、観察者に立体画像を視認させ続けることができる立体画像表示装置が提案されている。特許文献３の立体画像表示装置は、左右の眼用の画像をそれぞれ表示する２つのサブ画素から構成されるサブ画素ペアが横方向に複数配置される表示パネルと、２枚の透明基板間に保持された液晶層を縦方向に延びる透明電極で駆動することにより光透過状態と遮光状態とを切り変え可能な複数のサブ開口を有する視差バリアシャッタパネルとを備える。視差バリアシャッタパネルのサブ開口は、予め定められた設計観察距離とサブ画素ペアのピッチとから決まる基準視差バリアピッチをＮ（Ｎ：４以上の偶数）で分割したピッチで、横方向に並べて配置される。視差バリアシャッタパネルには、表示領域を横方向に分割してなる複数の共通駆動エリアが設けられ、共通駆動エリア内に配置される（Ｎ・Ｍ＋Ｎ／２）本（Ｍ：正の整数）の透明電極は、Ｎ本おきに電気的に接続される。共通駆動エリア内の端に配置されるＮ本の透明電極のうちの一の群である（Ｎ／２）本の透明電極は、その各々が他のＭ本の透明電極と電気的に接続される。また、共通駆動エリア内の端に配置されるＮ本の透明電極のうちの他の群である（Ｎ／２）本の透明電極は、その各々が他の（Ｍ−１）本の透明電極と電気的に接続される。
【０００８】
また、特許文献４には、視差バリアシャッタパネルにおいて、縦方向に延びる透明電極を２層に分けて設けた構造が開示されている。
【０００９】
特許文献５には、視差バリアシャッタパネルの制御信号（バリア制御信号）を出力するＩＣ（Integrated Circuit）が、視差バリアシャッタパネルを駆動する透明電極の両端からバリア制御信号を供給する構造が開示されている。さらに、特許文献６、７には、表示領域の周辺における配線の引き回し構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平３−１１９８８９号公報
【特許文献２】特開２００１−１６６２５９号公報
【特許文献３】特開２０１７−５８６８２号公報
【特許文献４】特開２０１４−６６９５６号公報
【特許文献５】特開２０１５−２２７９９１号公報
【特許文献６】特開２０１６−１９１８９４号公報
【特許文献７】特開２０１９−８０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献３，４の様に視差バリアシャッタ用の電極は、伸延する方向に長い電極が複数本電気的に接続されている為、大きな容量を形成することになる。一方、特許文献６に示されるように複数の電極を電気的に接続する配線（共通配線）と、隣接する電極へ信号を供給する配線（伝搬配線）は立体的に交差する必要がある。視差バリアシャッタを製造する工程においてAM-LCD（アクティブマトリクス液晶ディスプレイ）と同等の帯電量（電圧）が帯電した場合、AM-LCDに比べ大きな電荷量が蓄積されるためESD（Electro-Static  Discharge）により前記配線交差部で配線間のショートが発生し、所望のシャッター動作ができなくなるという課題がある。  
【００１２】
また、バリアシャッタの表示領域においては上層電極と対向電極間の電界分布と下層電極と対向電極間の電界分布の違いを調整する為に電極幅差の最適化、上層電極上の電界強度と下層電極上の電界強度の差、上層電極と下層電極との反射光路長の違いによる色度差、等の観点から上側電極と下側電極の間に形成する絶縁膜の膜質・膜厚の変更が容易ではないという課題がある。
【００１３】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、バリアシャッタ領域の表示・動作性能を保持しつつ、製造工程でのESDによる歩留まり低下を抑制する事が出来る画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る画像表示装置は、それぞれ異なる画像を表示する２つのサブ画素から構成されるサブ画素ペアが予め定められたピッチで横方向に複数配置された表示パネルと、第１透明基板と第２透明基板との間に保持された液晶層を縦方向に延びる複数の透明電極で駆動することにより光透過状態と遮光状態とを切り変え可能なサブ開口が横方向に複数配置された視差バリアシャッタパネルと、が積層配置された画像表示装置において、前記視差バリアシャッタパネルの前記第１透明基板は、表示領域に、前記複数の透明電極として、第１の層間絶縁膜の下に配置された複数の下層透明電極と、前記第１の層間絶縁膜の上に配置された複数の上層透明電極とを備え、前記表示領域に隣接する周辺領域に、前記視差バリアシャッタパネルを制御するバリア制御信号を出力する駆動回路からの前記バリア制御信号を、前記複数の透明電極へ入力するための伝搬配線と、前記複数の透明電極のうち同一の前記バリア制御信号が入力される透明電極同士を互いに前記伝搬配線を介して電気的に接続する共通配線と、を備え、前記表示領域における前記第１の層間絶縁膜の膜厚に対して、前記表示領域に隣接する周辺領域において前記透明電極へ入力する為の前記配線と前記共通配線とに挟まれる第２の層間絶縁膜の膜厚が厚い事を特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、バリアシャッタの表示領域では従来設計と同じ第１の層間絶縁膜の膜厚で形成できるのでバリアシャッタの表示領域の表示・動作性能を保持できる。一方、前記表示領域に隣接する周辺領域における第２の層間絶縁膜の膜厚はより厚いので共通配線と伝搬配線の交差部での絶縁耐圧が向上し製造工程でのESDによる歩留まり低下を抑制する事が出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】前提技術に係る画像表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】前提技術に係る視差バリアシャッタパネルの第１透明基板の全体構成を示す平面図である。
【図３】前提技術に係る視差バリアシャッタパネルのサブ画素を示す平面図である。
【図４】前提技術に係る視差バリアシャッタパネルの総合開口を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの第１透明基板の全体構成を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの第１透明基板の全体構成を示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの表示領域の平面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの表示領域の断面図である。
【図９】下層電極に電圧印加・上層電極は対向電極と同電位時の電界イメージ図である。
【図１０】上層電極に電圧印加・下層電極は対向電極と同電位時の電界イメージ図である。
【図１１】上層電極に電圧印加・下層電極は対向電極と同電位時に層間膜が厚くなった場合の電界イメージ図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図１２のＡ−Ａ線に沿った断面図）である。
【図１４】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図１２のＢ−Ｂ線に沿った断面図）である。
【図１５】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図１２のＣ−Ｃ線に沿った断面図）である。
【図１６】本発明の実施の形態１に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の変形例を示す断面図（図１２のＤ−Ｄ線に沿った断面図）である。
【図１７】本発明の実施の形態２に係る視差バリアシャッタパネルの表示領域の断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図１２のＣ-Ｃ線に沿った断面図）である。
【図１９】本発明の実施の形態２に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図１２のＤ-Ｄ線に沿った断面図）である。
【図２０】本発明の実施の形態３に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３に係る視差バリアシャッタパネルの表示領域の断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態３に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２０のＡ-Ａ線に沿った断面図）である。
【図２３】本発明の実施の形態３に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２０のＢ-Ｂ線に沿った断面図）である。
【図２４】本発明の実施の形態３に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２０のＣ-Ｃ線に沿った断面図）である。
【図２５】本発明の実施の形態３の派生形態に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２０のＢ-Ｂ線に沿った断面図）である。
【図２６】本発明の実施の形態３の派生形態に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２０のＢ-Ｂ線に沿った断面図）である。
【図２７】本発明の実施の形態４に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の平面図である。
【図２８】本発明の実施の形態４に係る視差バリアシャッタパネルの表示領域の断面図である。
【図２９】本発明の実施の形態４に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２７のＡ-Ａ線に沿った断面図）である。
【図３０】本発明の実施の形態４に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２７のＢ-Ｂ線に沿った断面図）である。
【図３１】本発明の実施の形態４に係る視差バリアシャッタパネルの入力側接続部の断面図（図２７のＣ-Ｃ線に沿った断面図）である。
【図３２】本発明の実施の形態５に係るマザーガラス上の視差バリアパネルとショートリング配線の配置を示す平面図である。
【図３３】本発明の実施の形態５に係る非線形素子の回路図である。
【図３４】本発明の実施の形態５に係る非線形素子の平面図である。
【図３５】図３４のＥ−Ｅ断面図である。
【図３６】図３４のＦ−Ｆ断面図である。
【図３７】図３４のＧ−Ｇ断面図である。
【図３８】図３４のＨ−Ｈ断面図である。
【図３９】引き出し配線が異なる場合の図３４のＨ−Ｈ断面図である。
【図４０】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４１】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４２】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４３】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４４】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４５】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４６】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４７】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４８】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図４９】本発明の実施の形態５の変形例に係る非線形素子の平面図である。
【図５０】本発明の実施の形態５の非線形素子配置箇所の変形例に係る平面図である。
【図５１】非線形素子に酸化物半導体を用いた場合のＧ−Ｇ断面図である。
【図５２】本発明の配線領域から接続領域に係る平面図である。
【図５３】本発明に係る端子の平面図である。
【図５４】本発明に係る端子の断面図である。
【図５５】本発明の実施の形態５の図５２のＪ−Ｊ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、まずはその前提となる技術（前提技術）について説明する。
【００１８】
＜前提技術＞
図１は、前提技術に係る画像表示装置１の構成を示す断面図である。画像表示装置１は、右用画像（観察者の右眼に対する視差画像、または、第１の観察方向用の画像）、および、左用画像（観察者の左眼に対する視差画像、または、第２の観察方向用の画像）の２画像を同時に表示可能である。画像表示装置１によれば、観察者が特殊な眼鏡を用いずに裸眼で立体画像を視認でき、あるいは、異なる観察方向のそれぞれに異なる画像を表示できる。つまり、画像表示装置１は、裸眼立体画像表示装置にも、２画面表示装置（デュアルビュー表示装置）にも、応用できるが、以下では主に、画像表示装置１が裸眼立体画像表示装置として利用される場合について説明する。
【００１９】
図１には、画像表示装置１の断面構造が示されている。また、図１に示すように、画像表示装置１には、観察者の頭などの位置（動き）を検出する検出部３１と、検出部３１の検出結果や映像信号等に基づいて、画像表示装置１および検出部３１を統括的に制御する制御部３２とが接続されている。
【００２０】
なお、前提技術の説明においては、図１の紙面における上下方向を、画像表示装置１の前後方向と呼び、図１の紙面における左右方向を画像表示装置１の横方向（左右方向）と呼び、図１の紙面における奥行方向を画像表示装置１の縦方向（上下方向）と呼ぶ。なお、横方向は、観察者である人間の左右の眼の配置方向と関連する方向であり、本願明細書における第１の方向でもある。
【００２１】
図１に示すように、画像表示装置１は、表示パネル１０と、当該表示パネル１０の前方（図１において上側）に配置された視差バリアシャッタパネル２０（光学誘導部材）とを備えている。
【００２２】
表示パネル１０は、マトリクス型表示パネルであり、例えば、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、液晶ディスプレイパネルが適用される。なお、表示パネル１０に液晶ディスプレイパネルが適用される場合には、視差バリアシャッタパネル２０は表示パネル１０の後方（図１において下側）に配置されてもよい。
【００２３】
図１には、表示パネル１０が液晶ディスプレイパネルである例を示している。すなわち、表示パネル１０は、２枚の透明基板１１、１２と、その間に挟持された電気光学材料として液晶層１３とを備えている。前方側の透明基板１１には、サブ画素透明電極１４が形成されている。サブ画素透明電極１４は縦方向（図１の奥行方向）に延伸されたストリップ状（縦長状）に形成されている。後方側の透明基板１２には、対向透明電極１５が形成されている。対向透明電極１５は、透明基板１２の横方向に延伸したストライプ状に形成されている。液晶層１３は、それを挟むサブ画素透明電極１４と対向透明電極１５とによって駆動される。具体的には、サブ画素透明電極１４と対向透明電極１５を介して液晶層１３に電圧が印加される。
【００２４】
透明基板１１の前方には中間偏光板１６が設けられ、透明基板１２の後方には裏面偏光板１７が設けられる。さらに、裏面偏光板１７の後方にはバックライト３０が設けられる。また、図示は省略するが、透明基板１１、１２における液晶層１３側の表面には、液晶層１３を一定方向に配向させる配向膜が形成される。
【００２５】
表示パネル１０の構成は、図１に示した構成に限られない。例えば、図１ではサブ画素透明電極１４及び対向透明電極１５をストライプ形状としたパッシブマトリクスの液晶表示パネルについて説明したが、基板１１を遮光壁18にてサブ画素領域を規定し各々のサブ画素には割り当てた色材が形成され色材の液晶１３側に例えば全面の透明電極が形成されたカラーフィルタ基板とし、基板１２側を横及び縦方向の2次元の配線が形成されており各配線に囲まれた領域に配線の一方を駆動配線もう一方を信号配線としたスイッチング素子とスイッチング素子に繋がる透明導電膜が形成されたアレイ基板としたアクティブマトリクスの液晶表示パネルとしても良く、更には2次元に配列された有機発光素子にて作成したアクティブマトリクス有機発光パネル等でもよい。
【００２６】
表示パネル１０には、複数のサブ画素４０が配置されている。以下、サブ画素４０のうち、右用画像を表示するサブ画素４０を「サブ画素４０ａ」と呼び、左用画像を表示するサブ画素４０を「サブ画素４０ｂ」と呼ぶ。サブ画素４０ａおよびサブ画素４０ｂは、横方向（図１の左右方向）に交互に配置され、サブ画素４０ａとサブ画素４０ｂとの間にはそれぞれ遮光壁１８が設けられている。言い換えれば、サブ画素４０ａ，４０ｂのそれぞれは、遮光壁１８に挟まれている。
【００２７】
サブ画素４０ａ，４０ｂの横幅は、互いに同一またはほぼ同一である。ここでは、隣り合う一対のサブ画素４０ａおよびサブ画素４０ｂは、左右に異なる２画像（右用画像および左用画像）を表示するサブ画素ペア４１を構成している。サブ画素ペア４１は、表示パネル１０において横方向に均一なピッチで配列されている。また、サブ画素ペア４１は、横方向だけでなく縦方向にも配列されている。
【００２８】
図１の画像表示装置１では、サブ画素ペア４１の横幅に相当する横方向の基準ピッチである基準視差バリアピッチＰが規定されている。基準視差バリアピッチＰは、サブ画素ペア４１を構成するサブ画素４０ａとサブ画素４０ｂとの間にある遮光壁１８の中央から出て、当該サブ画素ペア４１に対応する基準視差バリアピッチＰの中央を通過する仮想の光線ＬＯが、画像表示装置１から正面前方に設計観察距離Ｄだけ離れた設計視認点ＤＯに集まるように、設定される。ただし、本明細書では、説明の簡単のため、基準視差バリアピッチＰはサブ画素４０ａの幅とサブ画素４０ｂの幅との和とみなす。設計観察距離Ｄの最適化に関しては本明細書で述べるべき内容ではないためその説明を省略する。
【００２９】
視差バリアシャッタパネル２０は、２枚の透明基板２１，２２と、その間に保持された液晶層２３とを備えている。以下、前方側の透明基板２１を「第１透明基板２１」と呼び、後方側の透明基板２２を「第２透明基板２２」と呼ぶ。
【００３０】
第１透明基板２１の液晶層２３側の面には、縦方向に延在するストライプ状の第１透明電極２４が複数の形成されている。個々の第１透明電極２４は、サブ画素ペア４１の基準視差バリアピッチＰ内の透明電極を偶数個（ここでは８つ）に分割したものに相当している。つまり、第１透明電極２４は、基準視差バリアピッチＰ内に偶数個（ここでは８つ）配列されている。
【００３１】
図２は、前提技術における第１透明基板２１の構成を示す図であり、第１透明基板２１上に配設された複数の第１透明電極２４の接続関係が示されている。図２には、第１透明基板２１上の２つの共通駆動エリア２５１が示されている。１つの共通駆動エリア２５１には４つの基準視差バリアピッチＰが含まれているものとする。ここでは１つの基準視差バリアピッチＰ内の第１透明電極２４の数を８本としているので、１つの共通駆動エリア２５１には３２本の第１透明電極２４が配設されている。
【００３２】
図２に示す複数の第１透明電極２４には、バリア制御信号Ｌａ１〜Ｌａ１６が入力される。また、共通駆動エリア２５１内において、同一のバリア制御信号が複数（図２では４本）の第１透明電極２４に共通して入力される。そのため、第１透明基板２１には、同一のバリア制御信号が入力される第１透明電極２４同士を接続するための共通配線２０１が設けられている。また、第１透明電極２４と共通配線２０１との間は接続部２０２によって接続されている。なお、共通配線２０１を通して繋がっていない第１透明電極２４同士の間は、特に言及しない限り、互いに電気的に絶縁されているものとする。
【００３３】
図１に戻り、第２透明基板２２の液晶層２３側の面には、横方向に延在する第２透明電極２５が形成されている。第２透明電極２５は、第２透明基板２２の全面に配置される。なお、第２透明電極２５は、サブ画素ペア４１の縦方向ピッチで縦方向（図１の奥行方向）に複数並べて配置されても良い。
【００３４】
第１透明電極２４および第２透明電極２５は、液晶層２３に電界を印加することにより、液晶層２３を駆動する。液晶層２３の駆動モードとしては、ツイストネマティック（ＴＮ）、スーパーツイストネマティック（ＳＴＮ）、インプレインスイッチング（In Plane Switching）、オプティカリーコンペンセイティッドベンド（ＯＣＢ）などが利用可能である。
【００３５】
第１透明基板２１の前方には表示面偏光板２６が設けられる。また、第２透明基板２２の後方にも偏光板が設けられるが、ここでは、その偏光板として、表示パネル１０の中間偏光板１６が兼用されている。図１では、バリア制御信号が入力される第1透明電極２４が第１透明基板２１側に配置されているが、バリア制御信号が入力される第1透明電極２４が第２透明基板２２側に配置されてもよい。
【００３６】
さて、第１透明電極２４および第２透明電極２５のそれぞれには、電圧が選択的に印加される。したがって、視差バリアシャッタパネル２０は、第１透明電極２４の幅単位で、光透過状態と遮光状態とを切り替え可能となっている。以下の説明においては、電気的な制御により第１透明電極２４の幅単位で光透過状態および遮光状態を切り替え可能な、視差バリアシャッタパネル２０における光学的な開口を、「サブ開口」と呼ぶ。
【００３７】
サブ開口は、複数の第１透明電極２４のそれぞれに対応する位置に形成される。図１の画像表示装置１の視差バリアシャッタパネル２０には、基準視差バリアピッチＰ内に８つの第１透明電極２４が第１の方向に沿って配列されているため、基準視差バリアピッチＰ内に８つのサブ開口が第１の方向に沿って配列することになる。ここで、視差バリアシャッタパネル２０におけるサブ開口の光透過状態と遮光状態をわかりやすく明示するという観点に基づいた図として図３、図４を示す。図３においては、第１透明電極２４と対応するサブ開口２００が全て透過状態で第１の方向に沿って配列している状況を示している。また、図４において、８つのサブ開口２００の前半４つ（１〜４）が透過状態で後半４つ（５〜８）が遮光状態を示している。なお、図３、図４においてドットパターンで描かれているサブ開口２００は遮光状態であることを示しており、ドットパターンが無いサブ開口２００は光透過状態であることを示している。
【００３８】
図３、図４のサブ開口２００の光透過状態（開口状態）は、各々の第１透明電極２４の電圧を制御することで、光透過状態と遮光状態とに切り替えることができる。以下、基準視差バリアピッチＰ内で光透過状態となっている一群のサブ開口２００を、「総合開口３００」と呼ぶ。総合開口３００（光透過状態のサブ開口２００）は、左用画像のサブ画素４０ｂから放出された光と、右用画像のサブ画素４０ａから放出された光とを、互いに異なる方向に誘導する働きをする。図４では、基準視差バリアピッチＰの左半分に、光透過状態の４つのサブ開口２００からなる総合開口３００が形成されているが、光透過状態にするサブ開口２００を変更することによって、総合開口３００の位置を変化させることができる。
【００３９】
次に、画像表示装置１の動作を簡単に説明する。画像表示装置１に接続された検出部３１は、観察者の位置（動き）を検出する。制御部３２は、検出部３１の検出結果に基づき、視差バリアシャッタパネル２０の各サブ開口２００の状態（光透過状態／遮光状態）を制御することで、総合開口３００の位置を制御する。つまり、制御部３２は、観察者の位置が左右に移動すると、それに合わせて総合開口３００を第１の方向に沿って移動させる。その結果、観察者は、左右方向に移動しても継続して立体画像を見ることができる。
【００４０】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１に係る画像表示装置１の全体構成は図１と同様である。図１には現れていないが、実施の形態１の画像表示装置１は、視差バリアシャッタパネル２０の第１透明基板２１の構造に、上記の前提技術とは異なる特徴を有している。そのため、本実施の形態では、特に第１透明基板２１の構成を説明する。第２透明基板２２の構成は前提技術と同じでよく、ここでは第２透明電極２５が第２透明基板２２の全面に形成されているものとする。
【００４１】
また、本実施の形態では、基準視差バリアピッチＰ内に設けられるサブ開口２００の数、すなわち第１透明電極２４の数は８本とする。ただし、基準視差バリアピッチＰ内に設けられるサブ開口２００の数は、８本に限られず、複数であればよい。
【００４２】
図５は、視差バリアシャッタパネル２０の第１透明基板２１の全体構成を示す平面図であり、図６は、図５に示す各領域に設けられる配線の接続関係を示している。なお、前提技術にて説明した配線接続関係の図２に対し、図５では駆動ＩＣ５４及び反入力側接続領域５６を追加している。反入力側接続領域５６は第１透明電極２４の断線によるシャッター動作不良の防止策として冗長の観点で形成されているが必ずしも必要ではなく、額縁領域の制約で反入力側接続領域５６が形成されない場合もある。入力側接続領域５２と反入力側接続領域５６の構成は配線領域５３からの接続が無い以外は同等である事より以下の説明では反入力側接続領域５６の説明は省略する。
【００４３】
図５のように、第１透明基板２１の中央部には表示領域５１が規定されている。また、図６のように、表示領域５１には、サブ開口２００を構成するストリップ状の第１透明電極２４が第１の方向に沿って並べて配置されている。
【００４４】
表示領域５１に隣接するように、同一のバリア制御信号を複数の第１透明電極２４に接続させるための電気経路を形成する領域である入力側接続領域５２（第１領域）が設けられている。入力側接続領域５２は、同一のバリア制御信号が入力される第１透明電極２４同士を電気的に接続するための共通配線２０１と、第１透明電極２４と共通配線２０１とを接続する接続部２０２によって形成されている。
【００４５】
さらに、入力側接続領域５２の外側には、視差バリアシャッタパネル２０を制御するバリア制御信号を出力する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）５４からのバリア制御信号を供給するための伝搬配線である制御信号配線５７と、入力側接続領域５２の共通配線２０１と、を電気的に接続させる配線領域５３が設けられている。
【００４６】
つまり、第１透明電極２４は、入力側接続領域５２および配線領域５３内の配線を通して駆動ＩＣ５４と電気的に接続される。これにより、駆動ＩＣ５４が出力する信号（電圧）を、表示領域５１内の第１透明電極２４に印加することができる。なお、駆動ＩＣ５４には、外部（例えば図１に示した制御部３２）から、総合開口３００の位置を制御するための信号が入力される。
【００４７】
また、図５に示すように、表示領域５１の外側には、第１透明基板２１に第２透明基板２２が対向配置されたときに、第２透明基板２２の第２透明電極２５へ電圧を供給するための対向基板接続電極５５（図６では不図示）が配置される。これにより、第２透明基板２２の第２透明電極２５と第１透明基板２１の個々の第１透明電極２４との間に任意の電圧を印加でき、各サブ開口２００の状態（光透過状態／遮光状態）を制御することが可能となる。図５では、対向基板接続電極５５が、第１透明基板２１の一辺にのみ配置されているが、より広い範囲に配置されていてもよい。また、対向基板接続電極５５の一部のみが、第２透明電極２５と電気的に接続されてもよい。
【００４８】
なお、本実施の形態では、図６に示す各種の配線は、第１透明基板２１の液晶層２３側の面に形成されているものとする。すなわち、第１透明電極２４、共通配線２０１などは、第１透明基板２１と第２透明基板２２の間に形成されている。
【００４９】
ここで、表示領域５１の外側の領域は「額縁領域」と呼ばれる。入力側接続領域５２、配線領域５３や、駆動ＩＣ５４および対向基板接続電極５５が配設された領域は、額縁領域に含まれる。
【００５０】
図７は、第１透明基板２１の表示領域５１の一部を拡大した平面図であり、図８は、図７に示した領域の一部の左右方向の断面図である。図７および図８に示すように、第１透明基板２１上には、複数の第１透明電極２４が２層に分けて設けられている。すなわち、実施の形態１の視差バリアシャッタパネル２０には、第１透明電極２４として、互いに異なる層に形成された下層透明電極２４ａと上層透明電極２４ｂとが設けられている。
【００５１】
下層透明電極２４ａは、第１透明基板２１上に形成されており、下層透明電極２４ａ上には第１の層間絶縁膜６１が形成されている。上層透明電極２４ｂは、第１の層間絶縁膜６１の上に形成されており、上層透明電極２４ｂ上には保護絶縁膜６２が形成されている。このように、下層透明電極２４ａは第１の層間絶縁膜６１の下に配置されており、上層透明電極２４ｂは第１の層間絶縁膜６１の上に配置されている。第１の層間絶縁膜６１の厚みｄ１は、上層透明電極２４ｂの下面から下層透明電極２４ａの上面までの高さの差ｈ１としても表される。なお、上層透明電極２４ｂの上の保護絶縁膜６２は省略されてもよい。
【００５２】
図示は省略するが、第１透明基板２１の最上層（液晶層２３側の表面）には、配向膜が形成される。また、配向膜は、第２透明基板２２の最上層にも設けられる。
【００５３】
図７および図８では、第１の方向の下層透明電極２４ａの端部と上層透明電極２４ｂの端部とが互いに重なり合っており、平面視では、下層透明電極２４ａと上層透明電極２４ｂとの間に隙間が存在しない。それにより、視差バリアシャッタパネル２０に形成されるサブ開口２００間の隙間を無くすことができる。ただし、下層透明電極２４ａおよび上層透明電極２４ｂの幅を狭くできる場合には、両者が互いに重なりを持たないように配置されてもよい。
【００５４】
下層透明電極２４ａにより制御されるサブ開口２００の幅と、上層透明電極２４ｂにより制御されるサブ開口２００の幅とは同じであることが望ましい。そのためには、下層透明電極２４ａが駆動する液晶層２３の幅と、上層透明電極２４ｂが駆動する液晶層２３の幅とを等しくすればよい。上層透明電極２４ｂが第２透明電極２５と同電位の場合、図９に示すように下層透明電極２４ａと第２透明電極２５との間に生じる電界Ｅ１、Ｅ１ａにおいて上層透明電極２４ｂ領域に広がる電界Ｅ１ａは上層透明電極２４ｂに遮蔽されるので、駆動する液晶層幅は上層透明電極２４ｂの間隔によって決まる。
【００５５】
一方下層透明電極２４ａが第２透明電極２５と同電位の場合、図１０に示すように上層透明電極２４ｂと第２透明電極２５との間に生じる電界Ｅ２、Ｅ２ａのうち、Ｅ２ａは、下層透明電極２４ａに遮蔽されないでエッジ効果により下層透明電極２４ａ上の領域に広がるので、駆動する液晶層幅は上層透明電極２４ｂの幅より若干広くなる。そのため、下層透明電極２４ａが駆動する液晶層２３の幅と、上層透明電極２４ｂが駆動する液晶層２３の幅とを等しくするためには、上層透明電極２４ｂの幅を当該上層透明電極２４ｂ同士の間隔よりも若干狭くする必要がある。こうすることで、下層透明電極２４ａが駆動する液晶層２３の幅と、上層透明電極２４ｂが駆動する液晶層２３の幅とをほぼ等しくすることができる。
【００５６】
ただし、下層透明電極２４ａが第２透明電極２５と同電位の場合、図１１に示すように上層透明電極２４ｂと下層透明電極２４ａとの間の電界分布の変化によって上層透明電極２４ｂと第２透明電極２５との間に生じる電界分布が変化するので第１の層間絶縁膜６１の厚みｄ１が極端に厚い場合、上層透明電極２４ｂの幅を著しく小さくする必要があり、上層透明電極２４ｂの断線を増大させる可能性がある。そのため、第１の層間絶縁膜６１の厚みｄ１は過大に設定することは困難である。第１の層間絶縁膜６１をたとえば、酸化珪素膜や窒化珪素膜で形成する場合、その厚みは０．２〜１．０μｍ程度の範囲内とする必要がある。
【００５７】
また、第２透明電極２５から下層透明電極２４ａまでの距離は、第２透明電極２５から上層透明電極２４ｂまでの距離よりも長い。そのため液晶を駆動する為に下層透明電極２４ａと上層透明電極２４ｂに印加する電圧を同じとした場合、液晶を駆動する電界は下層透明電極２４ａ上の方が上層透明電極２４ｂ上より小さくなり、下層透明電極２４ａ上の液晶が完全透過状態に至らない場合や上層透明電極２４ｂ上の液晶が完全透過状態を超えて透過率が低下する場合が発生する。そのため、上層透明電極２４ｂへ電圧印加時の電界と下層透明電極２４ａへ電圧印加時の電界の差は液晶材料によるが通常のTN液晶で１０％未満が望ましく第１の層間絶縁膜６１をたとえば、窒化珪素膜で形成する場合、その厚みは最大でも０．４μｍ程度に抑える必要がある。
【００５８】
このように、第１透明電極２４を、下層透明電極２４ａと上層透明電極２４ｂとに分けて配置することで、第１透明電極２４同士を部分的に重ねて配置できる。これにより、各第１透明電極２４の実効的な幅を小さくできるため、サブ開口２００の幅を狭くすることが可能になる。
【００５９】
次に、第１透明基板２１の入力側接続領域５２の構造について説明する。図１２は、入力側接続領域５２の一部を拡大した平面図である。また、図１３、図１４、図１５および図１６は、それぞれ図１２に示すＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿った断面図である。なお、図１２において下層透明電極２４ａと上層透明電極２４ｂとが描かれている上側は表示領域５１と繋がっている。
【００６０】
図１２および図１３に示すように、表示領域５１から入力側接続領域５２へと引き出された下層透明電極２４ａは、第１透明基板２１上（第２の層間絶縁膜６３の下）に形成された金属配線である下層配線７１に直接接続する。すなわち、下層透明電極２４ａと下層配線７１との積層構造を第２の層間絶縁膜６３が覆う構造となっている。
【００６１】
また、表示領域５１から入力側接続領域５２へと引き出された上層透明電極２４ｂは、第２の層間絶縁膜６３上（保護絶縁膜６２の下）に形成された金属配線である上層配線７２と直接接続する。なお、第１の層間絶縁膜６１と第２の層間絶縁膜６３との関係については後述する。
【００６２】
図１２および図１３に示すように、下層透明電極２４ａと下層配線７１との電気的接続、ならびに、上層透明電極２４ｂと上層配線７２との電気的接続は直接接続であり、コンタクトホールを介した接続を用いていない。一般に、コンタクトホールを設ける場合、コンタクトホールのサイズの精度および各層の位置合わせ精度に応じて、コンタクトホールの形成領域の左右幅を広めにとる必要がある。また、コンタクトホールの形成領域を上下方向に互い違いに（千鳥状に）配置しても、入力側接続領域５２の左右幅の拡大は防止できるが、上下幅を広くとる必要がある。
【００６３】
しかし、本実施の形態のように、下層透明電極２４ａと下層配線７１との接続、ならびに、上層透明電極２４ｂと上層配線７２との接続にコンタクトホールを介した接続を用いないことにより、下層透明電極２４ａのピッチおよび上層透明電極２４ｂのピッチを狭くでき、入力側接続領域５２の左右幅が広がることも防止できる。このように、画像表示装置１の小型化および設計の自由度の向上に寄与できる。
【００６４】
ここで、下層透明電極２４ａ、上層透明電極２４ｂ、下層配線７１および上層配線７２の幅および間隔の一例を示す。例えば、上層透明電極２４ｂの幅を８．４μｍ、上層透明電極２４ｂの間隔を８．６μｍ、上層配線７２の幅を４．０μｍ、下層透明電極２４ａの幅を１２．４μｍ、下層配線７１の幅を４．０μｍとすることができる。この場合、共通駆動電極数（基準視差バリアピッチＰ内の第１透明電極２４の数）を１４本とすると、基準視差バリアピッチＰは１１９μｍとなり、基準視差バリアピッチＰが狭いときにも共通駆動電極数を多くすることが可能となる。
【００６５】
実施の形態１では、基準視差バリアピッチＰ内に設けられる第１透明電極２４（下層透明電極２４ａおよび上層透明電極２４ｂ）の数は８本であり、第１透明電極２４は８本周期に共通で駆動される（電気的に共通とされる）ものとする。電気的に共通の第１透明電極２４には、同一のバリア制御信号が入力される。よって、本実施の形態では、同一のバリア制御信号が入力される第１透明電極２４が、８本周期に配置される。
【００６６】
図１２のように、電気的に共通となる下層透明電極２４ａまたは上層透明電極２４ｂは、左右方向に延在する同一の共通配線２０１と電気的に接続される。共通配線２０１は上層配線７２と同層の金属膜からなり、バリア制御信号のそれぞれに対応して設けられる。つまり、１つの共通駆動エリアに設けられる共通配線２０１の本数は、バリア制御信号の数と同じになる。また、異なる共通配線２０１に接続した下層透明電極２４ａまたは上層透明電極２４ｂには、それぞれ異なるバリア制御信号が入力される。
【００６７】
図１４および図１５に示すように、下層透明電極２４ａおよび下層配線７１は第２の層間絶縁膜６３の下に形成され、上層透明電極２４ｂ、上層配線７２および共通配線２０１は第２の層間絶縁膜６３の上に形成されるが、共通配線２０１と各透明電極２４との間の電気的接続は、第２の層間絶縁膜６３に形成された第１の開口７３を通して成される。具体的には、まず、第２の層間絶縁膜６３に、下層配線７１または下層透明電極２４ａの上面に達するように第１の開口７３が形成される。図１４、１５においては第１の開口７３が下層配線７１の上面に達している形態を示しているが、第１の開口７３は下層透明電極２４ａの上面に達していてもよい。
【００６８】
そして、第１の開口７３を通して第２の層間絶縁膜６３の上の配線（上層配線７２または共通配線２０１）と第２の層間絶縁膜６３の下の配線（下層配線７１または下層透明電極２４ａ）との間を接続するように、接続配線７４が形成される。接続配線７４は、上層透明電極２４ｂと同層の透明導電膜により形成されている。なお、図１４、１５では接続配線７４を上層透明電極２４ｂと同層の導電膜としたが、本実施の形態においては接続配線７４を上層配線７２と同層の導電膜で形成してもよい。図１４および図１５に示されている下層配線７１と共通配線２０１との間を接続する第１の開口７３および接続配線７４は、図６に示した接続部２０２に相当する。
【００６９】
図１６においては、下層配線７１が第２の層間絶縁膜６３を介して、共通配線２０１と交差する領域の断面を示している。ここで、下層配線７１と共通配線２０１との間の短絡不良を低減するためには、第２の層間絶縁膜６３の厚みｄ２を第１の層間絶縁膜６１の厚みｈ１より大きくする必要がある。なお、クロス部の下層の配線を下層配線７１のみ上層の配線を上層配線７２と同層の金属膜のみとしたが、下層配線７１と下層透明電極２４ａの積層でもよく、共通配線２０１は上層配線７２と同層の導電膜と上層透明電極２４ｂの積層でもよい。
【００７０】
その際、第２の層間絶縁膜６３を第１の層間絶縁膜６１と同時に形成した場合、第２の層間絶縁膜６３の厚みを大きくすると、第１の層間絶縁膜６１の厚みも増大してしまうことになる。そうなると、前述の通り、上層透明電極の幅を小さくする必要が生じることにより上層透明電極の断線を引き起こすという問題や、上層電極のサブ開口２００と下層電極のサブ開口２００との輝度差が視認されるという問題が生じる。
【００７１】
＜効果＞
本実施の形態１においては、第２の層間絶縁膜６３の厚みを第１の層間絶縁膜６１の厚みよりも大きくすることを特徴とする。この構造により、表示領域内において上層透明電極の幅を極度に小さくすることなく、周辺領域における共通配線と下層配線７１との交差部における短絡を低減することができ、製造工程での歩留まりの向上を図ることが可能となる。
【００７２】
この構造の製造方法としては、たとえば、スパッタ法等により成膜された酸化インジウムや酸化亜鉛インジウム等の透明導電膜からなる下層透明電極２４ａと、スパッタ法等により成膜された金属膜からなる下層配線７１とを形成後、第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜となる絶縁膜を形成するために、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンオングラス等の成膜法により、酸化珪素膜や窒化珪素膜や酸化窒化珪素膜等の絶縁膜を第１の層間膜の膜厚ｈ１より厚く成膜する。
【００７３】
次に、当該絶縁膜を表示領域のみ薄くする加工を行う。たとえば、写真製版工程にて、少なくとも共通配線と下層配線との交差部を含み、表示領域以外の領域（第２の層間絶縁膜とする領域）に感光性レジストのパターンを形成し、露出する当該絶縁膜をエッチングして膜厚ｈ１としてもよい。このようにして、第１の層間絶縁膜の膜厚ｈ１よりも第２の層間絶縁膜の膜厚ｄ２を厚くする構造を得ることができる。
【００７４】
他にも、例えば、感光性レジストのパターンの厚みを表示領域内よりも周辺領域の方を厚く残しておき、エッチバックを行う方法でも良い。この場合、表示領域内の第１の層間絶縁膜も若干エッチングされて薄くなる可能性があるが、第１の層間絶縁膜と第２の層間絶縁膜との厚みの大小関係は維持される。例えば、感光性有機平坦化膜（感光性の塗布型絶縁膜）を塗布し、表示領域内をハーフ露光し現像することで表示領域内の膜厚を薄くする方法でも良い。
【００７５】
さらに、他にも、具体的には、第１の層間絶縁膜の厚みは、０．１〜０．４μｍ、第２の層間絶縁膜の厚みは、０．４μｍ以上が望ましいが、その限りではない。後は、上層透明電極２４ｂ、上層配線７２、共通配線２０１と、を形成し、それら電極や配線を覆うようにして保護絶縁膜６２を形成する。
【００７６】
なお、図５および図６に示した反入力側接続領域５６および配線領域５３の説明は省略するが、それらも入力側接続領域５２と同様に、第１透明基板２１上に形成される下層配線と、第２の層間絶縁膜６３上に形成される上層配線と、第２の層間絶縁膜６３に形成されるコンタクトホールと、上層透明電極２４ｂと同層の透明導電膜からなる接続配線と、上層配線７２と同層の金属膜からなる共通配線（図６に示した共通配線２０４）と、を用いて構成することができる。そのため、入力側接続領域５２、配線領域５３および反入力側接続領域５６は、同一の製造プロセスによって同時に形成することができる。ただし、断線に対する冗長の効果が不要であれば、反入力側接続領域５６における共通配線２０４による接続は必ずしも必要ではない。
【００７７】
＜実施の形態２＞
実施の形態１においては、第１の層間絶縁膜よりも第２の層間絶縁膜を厚くする構造を得る方法として、一旦成膜した絶縁膜の厚みを表示領域と周辺領域とで変える方法について説明した。これ以外の方法でも当該大小関係を形成することは可能であり、本実施の形態２においては形態１と異なる製造方法について説明する。
【００７８】
図１７は、実施の形態１において図７で示した部位における断面図に相当する。実施の形態１における断面図８とほぼ同一である。このときの周辺領域における断面図を図１８、１９に示す。これらは、各々、実施の形態１において図１２で示したＣ−Ｃ部、Ｄ−Ｄ部に相当する位置での断面図である。実施の形態１における断面図１５、１６との相違点は、第２の層間絶縁膜６３が下層６３ａと上層６３ｂとの積層構造となっている点であり、それが本実施の形態２の特徴でもある。なお、実施の形態２についての平面図は実施の形態１において示した図１２と同様である。
【００７９】
この構造の製造方法としては、たとえば、下層配線７１と下層透明電極２４ａとを形成した後、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンオングラス等の成膜法により、酸化珪素膜や窒化珪素膜や酸化窒化珪素膜等の第１の絶縁膜を成膜する。次に、少なくとも表示領域における当該第１の絶縁膜を除去する加工を行う。たとえば、写真製版工程にて、少なくとも共通配線と下層配線との交差部を含む領域であって表示領域以外の領域に感光性レジストのパターンを形成し、露出する当該絶縁膜をエッチング除去する。この時点で、周辺領域に残存する第１の絶縁膜は第２層間絶縁膜の下層６３ａを構成する。
【００８０】
その後、第１の絶縁膜と同様に、第２の絶縁膜を成膜する。このようにして当該第２の絶縁膜が、第１の層間絶縁膜６１と第２層間絶縁膜の上層６３ｂに相当する。このようにして、第１の層間絶縁膜６１の膜厚ｈ１よりも第２の層間絶縁膜６３の膜厚ｄ２を厚くする構造を得ることができる。後は、上層透明電極２４ｂ、上層配線７２、共通配線２０１と、を形成し、それら電極や配線を覆うようにして保護絶縁膜６２を形成する。
【００８１】
＜効果＞
実施の形態１の製造方法においては、表示領域内の第１層間絶縁膜の厚みを薄くする工程を有するが、このような製造方法だと一般には、第１層間絶縁膜の厚みの面内均一性の向上が困難となる。すなわち、絶縁膜を成膜する際の膜厚の面内分布と、絶縁膜を薄くする膜減り量の面内分布の両方が重畳されるためである。一方で、本実施の形態２においては、厚みを薄くするような工程はなく、第１層間絶縁膜の厚みの面内均一性は第２の絶縁膜の面内分布のみで決まる。
【００８２】
＜実施の形態２の変形例＞
本実施の形態２では表示領域の第１の絶縁膜を除去の後に第２の絶縁膜を形成する製造方法、すなわち第１の層間絶縁膜６１と第２の層間絶縁膜の上層膜６３ｂが同じ膜厚の構造の場合を示したが、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜にエッチング選択率が十分取れる場合、以下の製造方法・構造にて実現することも可能である。
【００８３】
たとえば、下層配線７１と下層透明電極２４ａとを形成した後、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンオングラス等の成膜法により、酸化珪素膜や酸化窒化珪素膜等の第１の絶縁膜を成膜する。その後第１の絶縁膜とエッチング選択性のある窒化珪素膜等の第２の絶縁膜を成膜する。次に、少なくとも表示領域における当該第２の絶縁膜を除去する加工を行う。たとえば、写真製版工程にて、少なくとも共通配線と下層配線との交差部を含む領域であって表示領域以外の領域に感光性レジストのパターンを形成し、露出する第２の絶縁膜をエッチング除去する。
【００８４】
この時点で、周辺領域には第１の絶縁膜と第２の絶縁膜が残存し第２の層間絶縁膜６３となり、表示領域には第１の絶縁膜が残存し第１の層間絶縁膜６１となり第１の層間絶縁膜の膜厚ｈ１よりも第２の層間絶縁膜の膜厚ｄ２を厚くする構造を得ることができる。すなわち、第１の絶縁膜が第１の層間絶縁膜６１及び第２の層間絶縁膜の下層膜６３ａに相当し、第２の絶縁膜が第２の層間絶縁膜の上層膜６３ｂに相当する。以降の製造方法は実施の形態２と同様なので省略する。
【００８５】
＜効果＞
本実施の形態２の変形例においては、表示領域の第２の絶縁膜は完全にエッチングにより除去するがエッチング選択性が有り第１の絶縁膜の厚みはほぼ変化しないので、第１層間絶縁膜６１の厚みの面内均一性は第１の絶縁膜の面内分布のみで決まる。また、表示領域内の第２の絶縁膜を除去する際に、下層透明電極２４ａがエッチングに曝されないのでエッチングプロセスの選択の幅を広くとることができるという効果を奏する。
【００８６】
＜実施の形態３＞
本実施の形態２に示したように、共通配線と下層配線との交差部において第２層間絶縁膜が積層を有する構造は他の製造方法によっても形成することが可能である。以下、さらなる別の構造と製造方法について説明する。
【００８７】
本実施の形態３における実施の形態２との相違点は、第１の絶縁膜を成膜する工程が、下層透明電極２４ａを形成した後ではなく、下層透明電極２４ａを形成する前である点である。それに伴い、構造においても、下層配線７１と下層透明電極２４ａとが、第１の絶縁膜を介して異なるレイヤーとして隔てられるため、両者を電気的に接続するために第１の絶縁膜の一部を開口する必要が生じるという相違点が生じる。以下、詳細に説明する。
【００８８】
図２０は、実施の形態３において図１２で示した部位における平面図に相当する。  図２１は、実施の形態１において図７で示した部位における断面図に相当する。このときの周辺領域における断面図を図２２、２３、２４に示す。これらは、各々、実施の形態１において図１２で示したＡ−Ａ部、Ｂ−Ｂ部、Ｃ−Ｃ部に相当する位置での断面図である。
【００８９】
共通配線と下層配線との交差部において第２の層間絶縁膜６３が下層６３ａと上層６３ｂとの積層構造となっている点は実施の形態２と共通する。実施の形態２と異なるのは、下層透明電極２４ａが第２の層間絶縁膜６３の下層６３ａよりも上層にある点である。そのため、図２２、２３に示すように、下層配線７１と下層透明電極２４ａとが第２の層間絶縁膜６３の下層６３ａにより異なるレイヤーとして形成されることになる。下層配線７１と下層透明電極２４ａとは電気的に接続される必要があるため、図２２、２３に示すように第２の層間絶縁膜６３ａに設けられた第２の開口７８を介して接続されている。
【００９０】
この構造の製造方法としては、たとえば、下層配線７１を形成後、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンオングラス等の成膜法により、酸化珪素膜や窒化珪素膜や酸化窒化珪素膜等の第１の絶縁膜を成膜する。次に、少なくとも表示領域における当該第１の絶縁膜を除去する加工を行う。たとえば、写真製版工程にて、少なくとも共通配線２０１と下層配線７１との交差部を含む領域であって表示領域以外の領域に感光性レジストのパターンを形成し、露出する当該絶縁膜をエッチング除去する。また、後に下層配線７１と下層透明電極２４ａとを接続するための第２の開口７８も形成しておく。この時点で、周辺領域に残存する第１の絶縁膜は第２層間絶縁膜の下層６３ａを構成する。
【００９１】
この後、スパッタ法等により成膜された酸化インジウムや酸化亜鉛インジウム等を含む透明導電膜をパターニングして下層透明電極２４ａを形成する。その後、第１の絶縁膜と同様に、第２の絶縁膜を成膜する。このようにして当該第２の絶縁膜が、第１の層間絶縁膜６１と第２層間絶縁膜の上層６３ｂを構成する。このようにして、第１の層間絶縁膜の膜厚ｈ１よりも第２の層間絶縁膜の膜厚ｄ２を厚くする構造を得ることができる。後は、上層透明電極２４ｂ、上層配線７２、共通配線２０１と、を形成し、それら電極や配線を覆うようにして保護絶縁膜６２を形成する。
【００９２】
なお、下層配線７１と下層透明電極２４ａの電気的導通を形成する為に第２の開口７８を形成する形態について説明したが、図２３における表示領域の第１の絶縁膜を除去するパターンの広さをさらに拡大してもよい。このような派生の形態を図２５、２６に示す。図２５と図２６との違いは、下層透明電極２４ａが下層６３ａの上層に積層する領域の有無である。
【００９３】
図２５、２６においては、第２の開口７８以外の領域で下層配線７１と下層透明電極２４ａとが積層する領域が生じており、その点が図２３とは異なる。このような構造により、下層配線７１と下層透明電極２４ａとの間の電気的抵抗を低減することができる。
【００９４】
＜効果＞
実施の形態２の製造方法においては、表示領域内の第１の絶縁膜を除去する際に、下層透明電極２４ａが晒されるため、下層透明電極２４ａにダメージや変質を与えないようなエッチングプロセスを選定する必要がある。一方、本実施の形態３においては、当該エッチングの時点においてまだ下層透明電極２４ａが形成されていない。したがって、エッチングプロセスの選択の幅を広くとることができるという効果を奏する。
【００９５】
＜実施の形態４＞
本実施の形態３に示したように、共通配線と下層配線との交差部において第２層間絶縁膜が積層を有し、下層配線と下層透明電極とが異なるレイヤーに形成されるような構造は他の製造方法によっても形成することが可能である。以下、さらなる別の構造と製造方法について説明する。
【００９６】
本実施の形態４における実施の形態３との相違点は、第１の絶縁膜を成膜する工程の後において表示領域内の当該絶縁膜を除去しない点にある。それに伴い、構造においても、表示領域内において下層透明電極２４ａの下層に絶縁膜が残存する、という相違点が生じる。この相違点はさらなる別の相違点を派生することもできる。すなわち、表示領域内の第１の絶縁膜を除去しないだけでなく、第３の実施形態における開口７８を設ける工程すら無くすことも可能となる。以下、詳細に説明する。
【００９７】
図２７は、実施の形態４において図１２で示した部位における平面図に相当する。図２８は、実施の形態１において図７で示した部位における断面図に相当する。このときの周辺領域における断面図を図２９、３０、３１に示す。これらは、各々、実施の形態１において図９で示したＡ−Ａ部、Ｂ−Ｂ部、Ｃ−Ｃ部に相当する位置での断面図である。
【００９８】
なお、図３０において下層配線７１と下層透明電極２４ａと接続配線７９とを接続する第３の開口８０を示したが下層配線７１のみ開口する開口と下層透明電極２４ａのみ開口する開口とを別々に設けてもよい。この場合、開口の総面積は増大しうるが、下層透明電極２４ａのパターン縁の直下で下層６３ａがえぐれることにより生じうる接続配線７９の被覆不良を抑制することができる。
【００９９】
共通配線２０１と下層配線７１との交差部において第２の層間絶縁膜６３が下層６３ａと上層６３ｂとの積層構造となっている点は実施の形態２または３と共通する。一方、実施の形態１〜３との相違点は、表示領域の断面図  図２８に示すように下層透明電極２４ａの下層に下層絶縁膜６４が形成されている点である。
【０１００】
さらに、実施の形態３と異なる点として、図２９、３０を参照されたい。図２９、３０において、下層配線７１と下層透明電極２４ａとは第３の開口８０を介して第２の接続配線７９により互いに電気的に接続されている。第１の開口７３と第３の開口８０とは同時に形成することが可能なので、このように接続パターン７９を介して両者が互いに接続するような構造とすることにより、下層透明電極２４ａを形成する前に第１の絶縁膜をパターニングする工程を不要とすることができ、製造工期を短縮し、コストを下げる効果を奏する。
【０１０１】
以下、製造方法について説明する。この構造の製造方法としては、たとえば、下層配線７１を形成後、スパッタ法、ＣＶＤ法、スピンオングラス等の成膜法により、酸化珪素膜や窒化珪素膜や酸化窒化珪素膜等の第１の絶縁膜を成膜する。次に、第１の絶縁膜上にスパッタ法等により成膜された酸化インジウムや酸化亜鉛インジウム等を含む透明導電膜をパターニングして下層透明電極２４ａを形成する。当該第１の絶縁膜が、下層絶縁膜６４と第２の層間絶縁膜の下層６３ａに相当する。
【０１０２】
その後、第１の絶縁膜と同様に、第２の絶縁膜を成膜する。実施の形態２、３と同様に、当該第２の絶縁膜が、第１の層間絶縁膜６１と第２層間絶縁膜の上層６３ｂに相当する。このようにして、第１の層間絶縁膜よりも第２の層間絶縁膜を厚くする構造を得ることができる。
【０１０３】
後は、第２の絶縁膜に第１の開口７３と第３の開口８０とを設けるパターニングを行った後、上層透明電極２４ｂ、上層配線７２、共通配線２０１、第１の接続配線７４、第２の接続配線７９と、を形成する。この時点で、下層透明電極２４ａと下層配線７１とは第２の接続配線７９により電気的に接続される。それらの電極や配線を覆うようにして保護絶縁膜６２を形成する。
【０１０４】
＜効果＞
実施の形態３の製造方法においては、表示領域内の第１の絶縁膜を除去する際に、下層配線７１が晒されるため、下層配線７１にダメージや変質を与えないようなエッチングプロセスを選定する必要がある。一方、本実施の形態４においては、当該エッチング自体を行わないため、エッチングプロセスの選択の幅を広げることができる。さらに、工程数を削減することにより、工期が短縮されコストが低減する効果を奏する。
【０１０５】
＜変形例＞
本実施の形態４においては、第１の絶縁膜を成膜する工程の後において表示領域内の当該絶縁膜を除去しない形態に加えて、第２の接続配線７９を介して下層透明電極２４ａと下層配線７１とを電気的に接続する形態も説明した。しかし、表示領域内の第１の絶縁膜を除去しない形態のみでもよい。すなわち、実施の形態３において第１の絶縁膜を成膜後に、周辺部の接続形成の為に第２の開口７８のみを形成する。この場合においても、実施の形態３と同様の効果が得られる。
【０１０６】
＜実施の形態５＞  
本実施の形態３，４に記載の視差バリア液晶パネルにおいては、ＬＣＤのアレイ基板と同様に静電気損傷を抑制するためにショートリングを形成することがある。視差バリア基板２１の外側にショートリングを形成した場合の一例を図３２に示す。
【０１０７】
平面図３２ではマザーガラス１００に視差バリア基板２１が４パネル配置されている形態を示している。視差バリア基板２１の各共通駆動配線からショートリング引き出し配線５８により引き出された配線が高抵抗素子９０ａを介してショートリング配線９０と接続している。
【０１０８】
視差バリア基板２１の外側にショートリングを形成しているので液晶注入・スリミング等の加工工程を経た後に、基板の切断によりショートリング引き出し配線５８はショートリング部と視差バリア基板２１とに分断される。また、図３２の中ではパネル毎にショートリング配線９０を独立して配置しているが、各ショートリング配線９０を互いに電気的に導通する様に繋げてもよい。
【０１０９】
高抵抗素子９０ａは非線形素子でもよく、例えば、複数の薄膜トランジスタを互いにダイオード接続することにより形成される。また、当該薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極は、前述の下層透明電極２４ａ、上層透明電極２４ｂ、下層配線７１、上層配線７２と同層の導電膜により適宜形成されてもよい。当該薄膜トランジスタの半導体層の成膜やパターニングの工程を除いて、成膜やパターニングの工程数を増大させずに高抵抗素子９０ａを形成できるという効果を奏する。
【０１１０】
薄膜トランジスタの半導体膜は、多結晶や非結晶の珪素系半導体膜により形成してもよいし、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏなどの酸化物半導体膜により形成してもよい。酸化物半導体膜により形成する場合は、下層透明電極２４ａ、上層透明電極２４ｂに相当する領域にも酸化物半導体膜を形成した後に、下層透明電極２４ａ、上層透明電極２４ｂに相当する領域のみ導電率を向上させて形成してもよい。また、同様にして当該酸化物半導体膜により、当該薄膜トランジスタのソース電極やドレイン電極を形成してもよい。いずれも成膜やパターニングの工程数を増大させずに高抵抗素子９０ａを形成できるという効果を奏する。
【０１１１】
また、当該薄膜トランジスタのゲート絶縁膜（図示せず）を第１の層間絶縁膜と同じ層の絶縁膜、あるいは、第２の層間絶縁膜の上層と同じ層の絶縁膜で形成してもよい。
【０１１２】
以下、図面を用いて詳細に説明する。図３３に複数の薄膜トランジスタをお互いにダイオード接続した回路図を示す。当該回路をアレイ基板上に形成した一例の平面図を図３４に示す。図３５、３６、３７、３８は、各々、平面図３４においてＥ−Ｅ、Ｆ−Ｆ、Ｇ−Ｇ、Ｈ−Ｈの線で示す範囲における断面図である。なお、これらの図においては薄膜トランジスタを２個使用する形態を示しており、一方の薄膜トランジスタの部位の付番にはａ、他方の薄膜トランジスタの対応する部位の付番にはｂを付している。また、実施の形態３，４で示した各レイヤーと対比できるように、たとえばソース電極において、９４ｂ（７２）というような付番を図中で付すことがある。
【０１１３】
図３４，３７に示すように、薄膜トランジスタは、基板２１上に形成された第１の絶縁膜６３ａと、第１の絶縁膜６３ａの上層に形成された下層透明電極２４ａと同層膜よりなるゲート電極部９１ａ、９１ｂと、それらを覆うゲート絶縁膜９２（６３ｂ）と、ゲート絶縁膜９２上にゲート電極部９１ａ、９１ｂと重畳するように形成された半導体層９３ａ、９３ｂと、半導体層９３ａ、９３ｂと各々電気的に接続し互いに各々対向する上層配線と同層膜よりなるソース電極９４ａ、９４ｂとドレイン電極９５ａ、９５ｂで形成されている。
【０１１４】
ソース電極９４ａとドレイン電極９５ｂとショートリング引き出し配線５８、ドレイン電極９５ａとソース電極９４ｂとショートリング配線９０は、各々電気的に導通している。
【０１１５】
ゲート絶縁膜９２（６３ｂ）にはゲート電極部９１ａ及びゲート電極部９１ｂに達する開口８１、８２が形成されている。上層透明電極２４ｂと同層膜よりなる第３の接続配線８３により開口８１を介してゲート電極部９１ａとソース電極９４ａ、開口８２を介してゲート電極部９１ｂとソース電極９４ｂが各々電気的に接続されている。
【０１１６】
下層配線７１と同層膜よりなるショートリング配線９０に達する開口７３が形成されており、第３の接続配線８３により開口７３を介してドレイン電極９５ａとショートリング配線９０、ソース電極９４ｂとショートリング配線９０が各々電気的に接続されている。
【０１１７】
ショートリング引き出し配線５８のパネル側部が下層配線７１であって、薄膜トランジスタ側が上層配線７２の場合、下層配線７１に達する開口７３ａが形成されている。そして、第３の接続配線８３ａにより開口７３ａを介して下層配線７１と上層配線７２が各々電気的に接続されたショートリング引き出し配線５８を形成する。前述のように、基板の切断によりショートリング引き出し配線５８をショートリング部と視差バリア基板２１とに分断する場合、切断線９６において切断されて断面が露出する導電膜は第３の接続配線８３ａのみとなる。なお、接続配線８３ａは接続配線８３と同じレイヤーでもよく、開口７３ａは開口７３と同時に開口されたものでもよい。
【０１１８】
図３４で示す構造においては、視差バリア基板２１の切断部を透明導電膜で形成しているため、金属膜で形成する構造に比べれば腐食防止の効果が高いが、他の構造でも同様の効果を得ることが可能である。たとえば、図３９に示すように他の構造で引き出し配線５８を形成しても良い。図３９においては、もしも腐食防止の効果を考慮していなければ、上層配線７２をそのまま延在して形成すればよいところ、敢えて透明導電膜からなる第３の接続配線８３ａを介在させて上層配線７２同士を接続している形態を示している。
【０１１９】
（変形例１）
また、ゲート電極部９１ｂとショートリング配線９０の電気的接続をソース電極９４ｂと第３の接続配線８３を介して行う形態を示したが、図４０に示すように第３の接続配線８３を変形させた形態で接続しても良い。図３４においては、図３５、３６で各々示される第３の接続配線８３（２４ｂ）のパターンは分離して形成されていたが、図４０における第３の接続配線８３（２４ｂ）のパターンは一体として形成されている。このように一体化した第３の接続配線８３（２４ｂ）をたとえば、さらにドレイン電極にまで兼用することも可能であり、以下このような構造についても説明する。
【０１２０】
（変形例２）
図３４ではソース電極９４ａ、９４ｂとドレイン電極９５ａ、９５ｂを上層配線７２と同層の膜で形成する場合を示したが、図４１に示すようにこれらの電極を上層透明電極２４ｂと同層の膜で形成しても良い。この場合、半導体層９３と、ソース電極を構成する透明電極と、は直接積層するが、電気的接続の観点から両者が接する界面での両者の仕事関数の差は低い方が望ましい。すなわち、界面においては半導体層９３の仕事関数と、透明電極の仕事関数との差が低い方がよい。仕事関数の差を低くするためには、透明電極の膜が半導体層と接する側の領域における当該膜中の酸素組成比等を適宜調整することが望ましい。
【０１２１】
（変形例３）
また、図３４、図４１ではショートリング配線９０を下層配線７１と同層の膜で形成する場合を示したが、下層透明電極２４ａと同層の膜で形成しても良い。たとえば、ゲート電極部９１ｂとショートリング配線９０が直接繋がっていても良い。このような構造においても、薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極とを変形例１，２と同様に形成することができる。
【０１２２】
具体的には、ソース電極とドレイン電極とは、上層配線７２と同層の膜、または上層透明電極２４ｂと同層の膜により形成することができる。このような形態を図４２、４３に示す。図４２，４３ともゲート電極部９１ｂとショートリング配線９０とは直接繋がっている。図４２におけるソース電極とドレイン電極とは上層配線７２と同層の膜により形成され、図４３におけるソース電極とドレイン電極とは上層透明電極２４ｂと同層の膜により形成される。
【０１２３】
（変形例４）
図３４、図４１ではショートリング配線９０を下層配線７１と同層の膜で形成する場合を示したが、図４４、４５に示すように上層配線７２と同層の膜で形成しても良い。ソース電極やドレイン電極がショートリング９０とコンタクトホールを介さずに直接接続する場合、ソース電極やドレイン電極は、上層配線７２と同層の膜か、上層透明電極２４ｂと同層の膜により形成される。上層配線７２と同層の膜によりソース電極やドレイン電極を形成した例を図４４に示し、上層透明電極２４ｂと同層の膜によりソース電極やドレイン電極を形成した例を図４５に示す。薄膜トランジスタがボトムゲート型の場合、ゲート電極９１は下層透明電極２４ａまたは下層配線７１で形成することになるが、図では下層透明電極２４ａにより形成した例を示している。
【０１２４】
（変形例５）
図３４、図４１ではショートリング配線９０を下層配線７１と同層の膜で形成する場合を示したが、上層透明電極２４ｂと同層の導電層で形成しても良い。ソース電極やドレイン電極がショートリング９０とコンタクトホールを介さずに直接接続する場合、ソース電極やドレイン電極は、上層配線７２と同層の膜か、上層透明電極２４ｂと同層の膜により形成される。
【０１２５】
上層配線７２と同層の膜によりソース電極やドレイン電極を形成した例を各々、図４６、４７、４８に示し、上層透明電極２４ｂと同層の膜によりソース電極やドレイン電極を形成した例を図４９に示す。なお、図４６、４７、４８の違いは、ショートリング９０とゲート電極９１ｂ（２４ａ）との接続方法の違いである。図４６の場合、ショートリング９０とゲート電極９１ｂ（２４ａ）との間は金属膜である上層配線７２により接続される部位を有するため、開口部８０とショートリング９０との距離が長い場合は、両者の間の抵抗を低減できるため有利である。
【０１２６】
（変形例６）
上記では面外にショートリング配線を形成した場合を説明したが、図５０の様に面内にショートリングを形成してもよい。図３４での引き出し配線５８に相当する配線は制御信号配線５７をそのまま用いても良い。面内にショートリングを形成した場合、最終的に製品に形成されたままとなるため、表示装置などに組み込まれた最終製品においてもESDの抑制効果を奏する。また、この場合、切断線９６を跨ぐ引き出し配線５８は不要となる。
【０１２７】
（変形例７）
図５１に薄膜トランジスタの半導体膜に前記酸化物半導体を用い、かつ上層透明電極２４の同層として形成した場合の図３４におけるＧ−Ｇに相当する領域での断面を示す。図３７ではゲート絶縁膜として寄与する層間絶縁膜６３ｂ上に半導体層９３を形成したが、図５１においてはゲート絶縁膜として寄与する層間絶縁膜６３ｂ上に上層配線７２と同層の膜よりなるソース電極９４とドレイン電極９５を形成しソース電極・ドレイン電極間をチャネル領域とするように各電極の上層に、上層透明電極２４ｂと同層の酸化物半導体膜からなる半導体膜９３が形成されている。
【０１２８】
このように酸化物半導体膜を上層透明電極２４ｂと共用する構造を取ることで、新たに半導体層の成膜・パターニングのプロセスを追加することなく非線形素子９０ａを形成することが可能となる。
【０１２９】
（変形例８）
図５２は配線領域から接続領域にかけての平面図であり、特開２０１９−８０５５号公報の図７に相当する図である。図５２では共通配線２０１から接続される制御信号配線５７を上層配線７２と同層の膜で形成した場合を示しているが、制御信号配線５７を下層配線７１と同層の膜で形成しても良い。
【０１３０】
なお、駆動ＩＣ５４と接続する端子や駆動ＩＣへの外部からの入力を行う端子の構造と製造方法については詳細な説明を行っていないが、下層配線７１と同層の膜で形成された信号配線の端子を形成した一例を図５３、図５４に示す。図５４は図５３においてＫ−Ｋで示す領域における断面図である。図からわかるように下層配線７１に到達する開口７３ｂを上層透明導電膜２４ｂが覆っており、上層透明導電膜２４ｂ上に形成された保護膜６２には端子部にて当該上層透明導電膜２４ｂに到達する開口８４が形成されている。
【０１３１】
（実施の形態５における効果）
第２層間絶縁膜６３が厚い周辺領域に帯電による電荷の偏りを防止する為にショートリング接続を形成した場合、ゲート絶縁膜として寄与する層間絶縁膜６３の膜厚が厚い為トランジスタ特性の閾値電圧が高くなり静電破壊防止機能が低下するが、実施の形態５で説明したように下層透明電極２４ａをゲート電極、上層層間絶縁膜６３ｂをゲート絶縁膜として機能させることで閾値電圧を低く抑えることができ静電破壊防止効果をさらに向上することが可能となる。
【０１３２】
実施の形態１から５において上層配線７２は上層透明電極２４ｂの下層に配置する場合で説明したが、上層配線７２が上層透明電極２４ｂの上層に配置されても良い。
【０１３３】
また、下層配線７１や下層透明電極２４ａへの接続は上層透明電極２４ｂを用いて行ったが、上層配線７２の膜や上層配線７２と上層透明電極２４ｂとの積層膜を用いて行っても良い。
【０１３４】
ここで、今まで説明してきたような絶縁膜の大小関係に依存せずに絶縁耐圧の効果を奏する構造についても説明する。図５２に示す配線領域から接続領域においてＪ−Ｊで示す領域の断面を示したのが図５５である。図５２、５５に示すように、共通配線２０１と下層配線７１とのクロス部と重なるように半導体層９３のパターンを共通配線２０１の下層に残した構造とすることで、共通配線２０１と下層配線７１との間の絶縁耐圧を向上させる効果を奏する。
【０１３５】
これ自体は半導体層９３を追加するだけでも得られる効果であり、第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜との膜厚の大小関係に依存しない効果でもあるが、実施の形態１〜５と組み合せることにより、さらに絶縁耐圧の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１  画像表示装置、１０  表示パネル、１１  透明基板、１２  透明基板、
１３  液晶層、１４  サブ画素透明電極、１５  対向透明電極、
１６  中間偏光板、１７  裏面偏光板、１８  遮光壁、
２０  視差バリアシャッタパネル、２１  第１透明基板、２２  第２透明基板、
２３  液晶層、２４  第１透明電極、２４ａ  下層透明電極、２４ｂ  上層透明電極、
２５  第２透明電極、２６  表示面偏光板、３０  バックライト、３１  検出部、
３２  制御部、４０，４０１，４０ａ，４０ｂ  サブ画素、４１  サブ画素ペア、
５１  表示領域、５２  入力側接続領域、５３  配線領域、５４  駆動ＩＣ、
５５  対向基板接続電極、５６  反入力側接続領域、５７  制御信号配線、
５８  ショートリング引き出し配線、
６１  第１の層間絶縁膜、６２  保護絶縁膜、６３  第２の層間絶縁膜、
６４  下層絶縁膜、７１  下層配線、７２  上層配線、７３  第１の開口、
７４  接続配線、７６  金属膜、７７  金属膜、７８  第２の開口、
７９  第２の接続配線、８０  第３の開口、
８１  開口、８２  開口、８３  第３の接続配線、８４開口、
９０  ショートリング配線、９０ａ  高抵抗素子、
９１  ゲート電極、９２  ゲート絶縁膜、９３  半導体層、９４  ソース電極、
９５  ドレイン電極、９６  切断線、
１００  マザーガラス、２００  サブ開口、２０１  共通配線、２０２  接続部、
２０３  接続部、２０４  共通配線、２５１  共通駆動エリア、３００  総合開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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