(57)【要約】【課題】タッチ検出を行う検出領域内の任意の位置において指紋検出を行うことができる検出装置を提供する。【解決手段】検出装置１は、少なくとも、第１タッチ検出を行う第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと指紋検出を行なう指紋検出期間（第２期間）ＦＰとを有する。タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２に設けられた複数の第２電極Ｔｘが同時に選択され、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第１電極Ｒｘが同時に選択され、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間の静電容量変化に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１が順次出力される。指紋検出期間（第２期間）ＦＰにおいて、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を分割した複数の分割領域（第３領域）ＤＲ３内の第２電極Ｔｘが順次選択され、分割領域（第３領域）ＤＲ３内の第１電極Ｒｘが順次選択され、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間の静電容量変化に応じた第２検出信号Ｖｄｅｔ２が出力される。【選択図】図１
2020160995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域に設けられ、第１方向に並んで配置された複数の第１電極と、
前記第１領域に設けられ、前記第１方向と交差する第２方向に並んで配置された複数の第２電極と、
前記第１電極を選択する第１電極選択回路と、
前記第２電極を選択する第２電極選択回路と、
前記第１電極又は前記第２電極に生じる静電容量を検出する検出部と、
前記第１電極選択回路、前記第２電極選択回路、及び前記検出部を制御する制御部と、
を備え、
前記第２電極選択回路は、
第１期間に、前記第１領域内に設けられた複数の前記第２電極を、同時に選択し、
第２期間に、前記第１領域内の第２領域を分割した複数の第３領域のうちの１つに設けられた前記第２電極を、順次選択し、
前記第１電極選択回路は、
前記第１期間に、前記第１領域内の複数の前記第１電極を同時に選択して、前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量変化に応じた第１検出信号を順次出力し、
前記第２期間に、前記第３領域内の前記第１電極を順次選択して、前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量変化に応じた第２検出信号を出力し、
前記制御部は、
少なくとも、前記第１期間と前記第２期間とを交互に有する、
検出装置。
【請求項２】
前記制御部は、
第３期間に、前記第１領域において、前記第１電極に生じる自己静電容量変化を検出し、
前記第１電極選択回路は、
前記第１領域内の前記第１電極に同時に第３駆動信号を前記第３期間に供給すると共に、前記第１領域内の前記第１電極から同時に第３検出信号を前記第３期間に出力し、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に、前記第１期間が設けられる、
請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記制御部は、
第３期間に、前記第１領域において、前記第２電極に生じる自己静電容量変化を検出し、
前記第２電極選択回路は、
前記第１領域内の前記第２電極に同時に第３駆動信号を前記第３期間に供給すると共に、前記第１領域内の前記第２電極から同時に第３検出信号を前記第３期間に出力し、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に、前記第１期間が設けられる、
請求項１に記載の検出装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記第１領域内に複数の前記第２領域を設定し、複数の前記第２領域のうち、１つの第２領域の前記第２検出信号の出力の終了後、別の第２領域の第２検出信号の出力を行う、
請求項１乃至３の何れか１項に記載の検出装置。
【請求項５】
前記制御部は、
少なくとも、前記第１期間と前記第２期間とが交互に設けられる第１モードと、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に前記第１期間が設けられる第２モードと、
を有する、
請求項２又は３に記載の検出装置。
【請求項６】
前記検出部は、
前記第２モードの第１期間における検出値を、前記第１モードの第１期間における基準値として設定する、
請求項５に記載の検出装置。
【請求項７】
前記検出部は、
前記第２モードの第１期間における検出値に基づき、前記第１モードの第２期間における基準値を推定する、
請求項５に記載の検出装置。
【請求項８】
前記制御部は、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に前記第１期間及び前記第２期間が設けられる第３モードを有する、
請求項５乃至７の何れか一項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記検出部は、
前記第３モードの第１期間における検出値を、前記第１モードの第１期間における基準値として設定する、
請求項８に記載の検出装置。
【請求項１０】
前記検出部は、
前記第３モードの第２期間における検出値を、前記第１モードの第２期間における基準値として設定する、
請求項８又は９に記載の検出装置。
【請求項１１】
前記検出部は、
前記第２モード又は前記第３モードの第１期間における検出値を、前記第１モードの第１期間における基準値として設定し、
前記第２モードの第１期間における検出値と前記基準値との差分値が所定の閾値を超えた場合に、前記第３モードの第２期間における検出値を、前記第１モードの第２期間における基準値として設定する、
請求項８に記載の検出装置。
【請求項１２】
前記検出部は、
少なくとも前記第２モードの第１期間における検出値と前記基準値との差分値が所定の閾値を超えた領域を含み、前記第３モードの第２期間における第２領域及び第３領域を設定する、
請求項１１に記載の検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置に指紋センサが設けられることがある。指紋センサは、指紋の凹凸に応じた容量変化を検出することで、検出装置に接触した指の指紋の形状を検出する。例えば、タッチ検出を行うタッチ領域と、タッチ検出と指紋検出の双方を行う指紋＆タッチ領域とを有する構成が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−７３４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、タッチ検出を行う検出領域内の任意の位置において指紋検出を行うことができる構成が望まれている。
【０００５】
本発明は、タッチ検出を行う検出領域内の任意の位置において指紋検出を行うことができる検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る検出装置は、第１領域に設けられ、第１方向に並んで配置された複数の第１電極と、前記第１領域に設けられ、前記第１方向と交差する第２方向に並んで配置された複数の第２電極と、前記第１電極を選択する第１電極選択回路と、前記第２電極を選択する第２電極選択回路と、前記第１電極又は前記第２電極に生じる静電容量を検出する検出部と、前記第１電極選択回路、前記第２電極選択回路、及び前記検出部を制御する制御部と、を備え、前記第２電極選択回路は、第１期間に、前記第１領域内に設けられた複数の前記第２電極を、同時に選択し、第２期間に、前記第１領域内の第２領域を分割した複数の第３領域のうちの１つに設けられた前記第２電極を、順次選択し、前記第１電極選択回路は、前記第１期間に、前記第１領域内の複数の前記第１電極を同時に選択して、前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量変化に応じた第１検出信号を順次出力し、前記第２期間に、前記第３領域内の前記第１電極を順次選択して、前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量変化に応じた第２検出信号を出力し、前記制御部は、少なくとも、前記第１期間と前記第２期間とを交互に有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態１に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る検出装置の平面図である。
【図３】図３は、センサ部の構成例を示す平面図である。
【図４】図４は、センサ部の構成例を示す断面図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る検出装置の第１検出領域を示す模式図である。
【図６】図６は、タッチ検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図７】図７は、タッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図８】図８は、実施形態１に係る検出装置のタッチ／指紋検出モードにおける第２検出領域を示す模式図である。
【図９】図９は、図８に示す第２検出領域を拡大した第１分割例を示す模式図である。
【図１０】図１０は、図９に示す第２検出領域の第１分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図１１】図１１は、図８に示す第２検出領域を拡大した第２分割例を示す模式図である。
【図１２】図１２は、図１１に示す第２検出領域の第２分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図１３】図１３は、図８に示す第２検出領域を拡大した第３分割例を示す模式図である。
【図１４】図１４は、図１３に示す第２検出領域の第３分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図１５】図１５は、第１タッチ検出を行う第１検出領域の第４分割例を示す模式図である。
【図１６】図１６は、図１５に示す第１検出領域の第４分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図１７】図１７は、実施形態２に係る検出装置のタッチ／指紋検出モードにおける第２検出領域を示す模式図である。
【図１８】図１８は、実施形態３に係る検出装置の第１検出領域を示す模式図である。
【図１９】図１９は、相互静電容量方式の検出の基本原理を説明するための説明図である。
【図２０】図２０は、相互静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。
【図２１】図２１は、実施形態３の変形例１に係る検出装置の第１省電力モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図２２】図２２は、実施形態３の変形例２に係る検出装置の第２省電力モードにおける第２検出領域の分割例を示す模式図である。
【図２３】図２３は、実施形態３の変形例２に係る検出装置の第２省電力モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図２４】図２４は、実施形態３の変形例４に係る検出装置の第２省電力モードにおける第２検出領域の分割例を示す模式図である。
【図２５】図２５は、図２４に示す第２検出領域を拡大した分割例を示す模式図である。
【図２６】図２６は、実施形態３の変形例４に係る検出装置の第２省電力モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【図２７】図２７は、実施形態３の変形例４における処理の一例を示すフローチャートである。
【図２８】図２８は、実施形態４に係るセンサ部の構成例を示す平面図である。
【図２９】図２９は、実施形態４に係るセンサ部の構成例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る検出装置の構成例を示すブロック図である。ここでは、まず、実施形態１に係る検出装置１の構成及び各構成部の概略動作について説明する。
【００１０】
図１に示すように、検出装置１は、センサ部１０と、検出制御部（制御部）１１と、第２電極選択回路１５と、第１電極選択回路１６と、検出部４０とを備える。
【００１１】
検出装置１は、相互静電容量方式の検出原理に基づいて、センサ部１０に接触又は近接する指等の被検出体を検出する（以下、「第１タッチ検出」と称する）。また、検出装置１は、自己静電容量方式の検出原理に基づいて、センサ部１０に接触又は近接する指等の被検出体を検出する（以下、「第２タッチ検出」と称する）。また、検出装置１は、相互静電容量方式の検出原理に基づいて、センサ部１０に指等の被検出体の表面の凹凸を検出することで指紋を検出する（以下、「指紋検出」と称する）。
【００１２】
なお、相互静電容量方式又は自己静電容量方式のタッチ検出動作において、接触又は近接する被検出体による容量変化が生じている状態を、以下「タッチ状態」と称する。また、接触又は近接する被検出体による容量変化が生じていない状態を、以下「非タッチ状態」と称する。
【００１３】
検出制御部１１は、第２電極選択回路１５、第１電極選択回路１６及び検出部４０に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらの動作を制御する回路である。
【００１４】
第２電極選択回路１５は、検出制御部１１から供給される第２電極選択信号ＳＥＬ２に基づいて第２電極Ｔｘ（図２参照）を選択するスイッチ回路（マルチプレクサ）である。第２電極選択回路１５は、選択した第２電極Ｔｘに第１駆動信号Ｖｔｘ１、又は第２駆動信号Ｖｔｘ２を供給する。
【００１５】
第１電極選択回路１６は、検出制御部１１から供給される第１電極選択信号ＳＥＬ１に基づいて第１電極Ｒｘ（図２参照）を選択するスイッチ回路（マルチプレクサ）である。第１電極選択回路１６は、選択した第１電極Ｒｘに第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給する。また、第１電極選択回路１６は、選択した第１電極Ｒｘからの第１検出信号Ｖｄｅｔ１、第２検出信号Ｖｄｅｔ２、又は第３検出信号Ｖｄｅｔ３を検出部４０に出力する。
【００１６】
なお、相互静電容量方式のタッチ検出動作、相互静電容量方式の指紋検出動作、自己静電容量方式のタッチ検出動作の詳細については、図５〜図１４を用いて後述する。また、第２電極選択回路１５が選択した第２電極Ｔｘに第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給し、選択した第２電極Ｔｘからの第３検出信号Ｖｄｅｔ３を検出部４０に出力する態様であっても良い。
【００１７】
検出部４０は、検出制御部１１から供給される制御信号と、センサ部１０から供給される第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第３検出信号Ｖｄｅｔ３に基づき、第１電極Ｒｘ又は第２電極Ｔｘに生じる静電容量を検出することによりタッチ検出を行う回路である。また、検出部４０は、検出制御部１１から供給される制御信号と、センサ部１０から供給される第２検出信号Ｖｄｅｔ２に基づき、第１電極Ｒｘに生じる静電容量を検出することにより指紋検出を行なう回路である。
【００１８】
検出部４０は、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、記憶部４６と、検出タイミング制御部４７と、を備える。検出タイミング制御部４７は、検出制御部１１から供給される制御信号に基づいて、検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、が同期して動作するように制御する。なお、以下の説明において、第１検出信号Ｖｄｅｔ１、第２検出信号Ｖｄｅｔ２、及び第３検出信号Ｖｄｅｔ３を区別して説明する必要がない場合には、単に検出信号Ｖｄｅｔと表す。
【００１９】
検出信号増幅部４２は、検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１、第２検出信号Ｖｄｅｔ２、第３検出信号Ｖｄｅｔ３）を増幅する。検出信号増幅部４２は、例えば、積分回路や、駆動信号に応じて第１電極Ｒｘに生じる電流の変動を電圧の変動に変換する電圧検出器等を含む。Ａ／Ｄ変換部４３は、検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換し、検出データＶｄ（検出値）を生成する。
【００２０】
記憶部４６は、センサ部１０の各部への非タッチ状態におけるＡ／Ｄ変換部４３の検出データＶｄをベースラインデータ（基準値）Ｖｂとして記憶する。ベースラインデータＶｂは、信号処理部４４によって適宜更新される。記憶部４６は、例えばＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、レジスタ回路等であってもよい。
【００２１】
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、センサ部１０に対するタッチの有無又は指紋を検出する論理回路である。信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３から取得した検出データＶｄと、記憶部４６に記憶されたベースラインデータＶｂとに基づいて、検出データＶｄに含まれるセンサ部１０の各部へのタッチ状態及び非タッチ状態に起因する信号成分である差分データＶｓを算出する。具体的には、Ａ／Ｄ変換部４３から取得した検出データＶｄと、記憶部４６に記憶されたベースラインデータＶｂとの差分データＶｓ（＝Ｖｄ−Ｖｂ）を算出する。
【００２２】
信号処理部４４は、センサ部１０の各部へのタッチ状態及び非タッチ状態を判定する閾値Ｖｔを保持している。信号処理部４４は、センサ部１０の各部毎に、算出した差分データＶｓを閾値Ｖｔと比較する。信号処理部４４は、差分データＶｓが閾値Ｖｔ以下（Ｖｓ＜Ｖｔ）であれば、センサ部１０の当該部は非タッチ状態であると判定する。また、信号処理部４４は、差分データＶｓが閾値Ｖｔを超えていれば、センサ部１０の当該部はタッチ状態であると判定する。
【００２３】
また、信号処理部４４は、タッチ状態であると判定したセンサ部１０の当該部を含むエリアを、タッチ状態検出エリアとする。そして、信号処理部４４は、当該タッチ状態検出エリアを、後段の座標抽出部４５におけるタッチ座標計算処理の対象とする座標計算対象エリアとして、座標計算対象エリアと、この座標計算対象エリアに含まれるセンサ部１０の各部における差分データＶｓを、座標抽出部４５に出力する。
【００２４】
また、信号処理部４４は、センサ部１０の各部が非タッチ状態であると判定したときは、このときのセンサ部１０の当該部における検出データ（検出値）Ｖｄの値でセンサ部１０におけるベースラインデータ（基準値）Ｖｂを更新する。ベースラインデータ（基準値）Ｖｂを適宜更新することによって、動作環境の変化などによって非タッチ状態におけるベースラインデータ（基準値）Ｖｂがずれてしまった場合にも対応が可能であり、正確なタッチ検出又は指紋検出を行うことができる。
【００２５】
座標抽出部４５は、信号処理部４４の演算処理結果に基づき、タッチ位置又は指紋の検出座標を求める論理回路である。
【００２６】
座標抽出部４５は、信号処理部４４から出力された座標計算対象エリアに含まれるセンサ部１０の各部における差分データＶｓを用いて、タッチ状態を示すセンサ部１０の各部の分布状況を解析し、タッチ位置又は指紋の検出座標を決定する。そして、座標抽出部４５は、算出したタッチの有無と、タッチ位置又は指紋の検出座標とを、出力Ｖｏとして出力する。
【００２７】
次に、検出装置１の第１電極Ｒｘ及び第２電極Ｔｘの構成について説明する。図２は、実施形態１に係る検出装置の平面図である。図３は、センサ部の構成例を示す平面図である。図４は、センサ部の構成例を示す断面図である。
【００２８】
図２に示すように、検出装置１は、センサ基板２１（第１基板）と、センサ基板２１に設けられた複数の第１電極Ｒｘ及び第２電極Ｔｘと、を含む。センサ基板２１は、可視光を透過可能な透光性を有する基板であって、例えば、ガラス基板である。なお、センサ基板２１は、ポリイミド等の樹脂で構成された透光性の樹脂基板又は樹脂フィルムであってもよい。センサ部１０は、透光性を有するセンサである。
【００２９】
第２電極Ｔｘは、第１方向Ｄｘに延びており、第２方向Ｄｙに複数配列される。第１電極Ｒｘは、第２方向Ｄｙに延びており、第１方向Ｄｘに複数配列される。第１電極Ｒｘは、平面視で、第２電極Ｔｘと交差する方向に延びている。各第１電極Ｒｘは、額縁配線（図示せず）を介して、センサ基板２１の額縁領域ＧＡに設けられたフレキシブルプリント基板７６に接続される。第１電極Ｒｘ及び第２電極Ｔｘは、検出領域ＤＲに設けられている。第２電極Ｔｘは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性の導電材料で構成されている。第１電極Ｒｘは、アルミニウム又はアルミニウム合金などの金属材料で構成されている。なお、第２電極Ｔｘを金属材料で構成し、第１電極ＲｘをＩＴＯで形成してもよい。ただし、第１電極Ｒｘを金属材料とすることで、検出信号Ｖｄｅｔに係る抵抗を低減することができる。
【００３０】
なお、第１方向Ｄｘは、センサ基板２１と平行な面内の一方向であり、例えば、検出領域ＤＲの一辺と平行な方向である。また、第２方向Ｄｙは、センサ基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。また、本明細書において、「平面視」とは、センサ基板２１に垂直な方向から見た場合を示す。また、図２において、検出領域ＤＲは、第１方向Ｄｘに延びる一辺の長さが第２方向Ｄｙに延びる一辺の長さよりも長い構成を示したが、第１方向Ｄｘに延びる一辺の長さが第２方向Ｄｙに延びる一辺の長さよりも短い構成であってもよい。
【００３１】
第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの交差部分に、それぞれ静電容量が形成される。
【００３２】
センサ部１０において、相互静電容量方式の第１タッチ検出動作を行う際、第２電極選択回路１５は、複数の第２電極Ｔｘを選択し、選択された複数の第２電極Ｔｘに同時に第１駆動信号Ｖｔｘ１を供給する。また、第１電極選択回路１６は、複数の第１電極Ｒｘを選択し、選択された複数の第１電極Ｒｘから、接触又は近接する被検出体による容量変化に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１が検出部４０に出力される。これにより、相互静電容量方式の第１タッチ検出が行われる。詳細は後述するが、選択された複数の第２電極Ｔｘは、第１タッチ検出において、束ねて１つの第２電極群ＴＴｘとして駆動される。同様に、選択された複数の第１電極Ｒｘは、第１タッチ検出において、束ねて１つの第１電極群ＲＲｘとして駆動される。
【００３３】
また、センサ部１０において、相互静電容量方式の指紋検出動作を行う際、第２電極選択回路１５は、第２電極Ｔｘを選択し、選択された第２電極Ｔｘに同時に第２駆動信号Ｖｔｘ２を供給する。また、第１電極選択回路１６は、第１電極Ｒｘを選択し、選択された第１電極Ｒｘから、被検出体の表面の凹凸による容量変化に応じた第２検出信号Ｖｄｅｔ２が検出部４０に出力される。これにより、相互静電容量方式の指紋検出が行われる。
【００３４】
また、センサ部１０において、自己静電容量方式の第２タッチ検出動作を行う際、第１電極選択回路１６は、センサ部１０の全ての第１電極Ｒｘに同時に第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給する。また、第１電極選択回路１６は、センサ部１０の全ての第１電極Ｒｘから、接触又は近接する被検出体による容量変化に応じた第３検出信号Ｖｄｅｔ３を同時に出力する。これにより、自己静電容量方式の第２タッチ検出が行われる。
【００３５】
図２では、第２電極選択回路１５及び第１電極選択回路１６は、センサ基板２１の額縁領域ＧＡに設けられているが、これはあくまで一例である。第２電極選択回路１５及び第１電極選択回路１６は、センサ基板２１に含まれていなくても良く、これら第２電極選択回路１５及び第１電極選択回路１６を含む各種回路の少なくとも一部は、フレキシブルプリント基板７６に実装された検出用ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）に含まれていてもよい。或いは、各種回路の少なくとも一部は、外部の制御基板に設けられていてもよい。また、第２電極選択回路１５は、１つの半導体集積回路（ＩＣ）であってもよい。
【００３６】
次に、第２電極Ｔｘ及び第１電極Ｒｘの構成について説明する。図３に示すように、第１電極Ｒｘは、ジグザグ状の線であり、全体として第２方向Ｄｙに長手を有する。例えば、第１電極Ｒｘは、複数の第１直線部２６ａと、複数の第２直線部２６ｂと、複数の屈曲部２６ｘと、を有する。第２直線部２６ｂは、第１直線部２６ａと交差する方向に延びている。また、屈曲部２６ｘは、第１直線部２６ａと第２直線部２６ｂとを接続している。
【００３７】
第１直線部２６ａは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する方向に延びている。第２直線部２６ｂも、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと交差する方向に延びている。第１直線部２６ａと第２直線部２６ｂは、第１方向Ｄｘに平行な仮想線（図示せず）を軸に、対称となるように配置されている。第１電極Ｒｘは、第１直線部２６ａと第２直線部２６ｂとが第２方向Ｄｙに交互に接続される。
【００３８】
複数の第１電極Ｒｘの各々において、第２方向Ｄｙにおける屈曲部２６ｘの配置間隔をＰｒｙとする。また、隣り合う第１電極Ｒｘ間において、第１方向Ｄｘにおける屈曲部２６ｘの配置間隔をＰｒｘとする。本実施形態では、例えば、Ｐｒｘ＜Ｐｒｙであることが好ましい。なお、第１電極Ｒｘは、波線状、直線状など他の形状であってもよい。
【００３９】
図３に示すように、複数の第２電極Ｔｘ＿１、Ｔｘ＿２、Ｔｘ＿３、Ｔｘ＿４…は、複数の電極部２３と、複数の接続部２４とをそれぞれ有する。なお、以下の説明において、第２電極Ｔｘ＿１、Ｔｘ＿２、Ｔｘ＿３、Ｔｘ＿４、…を区別して説明する必要がない場合には、単に第２電極Ｔｘと表す。
【００４０】
第１電極Ｒｘの第２直線部２６ｂと交差する第２電極Ｔｘ＿１、Ｔｘ＿２は、電極部２３として、第２直線部２６ｂと平行な２辺を有する第１電極部２３ａを備える。また、第１電極Ｒｘの第１直線部２６ａと交差する第２電極Ｔｘ＿３、Ｔｘ＿４は、電極部２３として、第１直線部２６ａと平行な２辺を有する第２電極部２３ｂを備える。つまり、電極部２３は、第１電極Ｒｘに沿って複数配置されている。言い換えると、第１電極Ｒｘ及び電極部２３は、平面視で、第１電極Ｒｘと、電極部２３との離隔距離が一定の大きさになるように配置されている。なお、１つの第１直線部２６ａ又は第２直線部２６ｂに対応する第１電極部２３ａ又は第２電極部２３ｂの数は、１つでも３以上の整数であってもよい。
【００４１】
複数の第２電極Ｔｘ＿１、Ｔｘ＿２において、複数の電極部２３は第１方向Ｄｘに並んでおり、互いに離れて配置されている。また、複数の第２電極Ｔｘの各々において、接続部２４は、複数の電極部２３のうち隣り合う電極部２３を接続している。また、平面視で、複数の第１電極Ｒｘの各々は、隣り合う電極部２３の間を通って接続部２４と交差している。第２電極Ｔｘ＿３、Ｔｘ＿４も同様の構成である。第１電極Ｒｘは、金属細線であり、第１電極Ｒｘの第１方向Ｄｘの幅は、電極部２３の第１方向Ｄｘの幅よりも小さい。このような構成により、第２電極Ｔｘと第１電極Ｒｘとが重なり合う面積が小さくなり、寄生容量を抑制することができる。また、１つの第２電極Ｔｘを構成する接続部２４は、第１接続部２４ａと、第２接続部２４ｂとを有する。第２接続部２４ｂの第２方向Ｄｙにおける位置は、第１接続部２４ａの第２方向Ｄｙにおける位置と異なる。第１接続部２４ａと第２接続部２４ｂは交互に配置されている。
【００４２】
また、第２方向Ｄｙにおける第２電極Ｔｘの配置間隔をＰｔとする。配置間隔Ｐｔは、第１電極Ｒｘの屈曲部２６ｘの配置間隔Ｐｒｙの１／２程度である。なお、これに限定されず、配置間隔Ｐｔは、配置間隔Ｐｒｙの１／ｎ（ｎは１以上の整数である）であってもよい。配置間隔Ｐｔは、例えば５０μｍ以上、１００μｍ以下である。また、１つの第２電極Ｔｘにおいて、第１方向Ｄｘに隣り合う接続部２４は、第２方向Ｄｙでの配置間隔Ｐｂを有して、互い違いに配置される。なお、第１電極部２３ａ及び第２電極部２３ｂは、それぞれ平行四辺形状であるが、矩形状、多角形状、異形状であってもよい。例えば、隣接する屈曲部２６ｘ間に配置され、第１直線部２６ａと平行な２辺を有する第１部分と、第２直線部２６ｂと平行な２辺を有する第２部分が結合した多角形状からなる第３電極部を有してもよい。言い換えると、１つの第１直線部２６ａと１つの第２直線部２６ｂとこれらとつなぐ屈曲部２６ｘとからなる部分構造に隣接する電極部２３の個数は偶数に限らず、奇数であってもよい。
【００４３】
次に、図４を参照しつつ、検出装置１の層構造について説明する。なお、図４において、額縁領域ＧＡの断面は、第２電極選択回路１５に含まれる薄膜トランジスタＴｒを含む部分を切断した断面である。図４では、検出領域ＤＲの層構造と額縁領域ＧＡの層構造との関係を示すために、検出領域ＤＲのＶＩ−ＶＩ’線に沿う断面と、額縁領域ＧＡの薄膜トランジスタＴｒを含む部分の断面とを、模式的に繋げて示している。
【００４４】
図４に示すように、検出装置１は、額縁領域ＧＡに薄膜トランジスタＴｒが設けられている。薄膜トランジスタＴｒは、半導体層６１と、ソース電極６２と、ドレイン電極６３と、ゲート電極６４と、を含む。ゲート電極６４は、センサ基板２１上に設けられる。第１層間絶縁膜８１は、センサ基板２１上に設けられてゲート電極６４を覆う。ゲート電極６４の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）又はこれらの合金が用いられる。第１層間絶縁膜８１の材料としては、シリコン酸化膜（ＳｉＯ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）又はシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）が用いられる。また、第１層間絶縁膜８１は単層に限定されず、積層構造の膜でもよい。例えば、第１層間絶縁膜８１は、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜が形成された、積層構造の膜であってもよい。
【００４５】
また、半導体層６１は、第１層間絶縁膜８１上に設けられる。第２層間絶縁膜８２は、第１層間絶縁膜８１上に設けられて半導体層６１を覆う。第２層間絶縁膜８２に設けられたコンタクトホールの底部では、半導体層６１が露出している。半導体層６１の材料としては、例えば、ポリシリコン又は酸化物半導体が用いられる。第２層間絶縁膜８２の材料としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はシリコン酸化窒化膜が用いられる。また、第２層間絶縁膜８２は単層に限定されず、積層構造の膜でもよい。例えば、第２層間絶縁膜８２は、シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜が形成された、積層構造の膜であってもよい。
【００４６】
また、ソース電極６２と、ドレイン電極６３とは、第２層間絶縁膜８２上に設けられる。ソース電極６２と、ドレイン電極６３とは、それぞれ第２層間絶縁膜８２に設けられたコンタクトホールを介して半導体層６１に接続される。ソース電極６２と、ドレイン電極６３及び接続部２４の材料としては、チタンとアルミニウムとの合金である、チタンアルミニウム（ＴｉＡｌ）が用いられる。
【００４７】
さらに、第２層間絶縁膜８２上には、絶縁性の樹脂層２７と、第２電極Ｔｘの第２電極部２３ｂ及び接続部２４が設けられている。額縁領域ＧＡに設けられた樹脂層２７は、ソース電極６２及びドレイン電極６３を覆っている。また、額縁領域ＧＡに設けられた樹脂層２７に設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極６３は、第２電極Ｔｘと電気的に接続される。
【００４８】
一方、検出領域ＤＲに設けられた樹脂層２７は、第１樹脂層２７Ａと、第１樹脂層２７Ａよりも薄膜の第２樹脂層２７Ｂとを有する。第１樹脂層２７Ａは、接続部２４において、第１電極Ｒｘの直下に位置する部位を覆っている。また、検出領域ＤＲに設けられた第２樹脂層２７Ｂは、接続部２４において、電極部２３の直下に位置する部位を覆っている。
【００４９】
第２樹脂層２７ＢにはコンタクトホールＨ１、Ｈ２が設けられている。検出領域ＤＲにおいて、電極部２３の周縁部は、コンタクトホールＨ１、Ｈ２を介して接続部２４に接続されている。なお、この例では、電極部２３は第２層間絶縁膜８２に接している。
【００５０】
第１電極Ｒｘは、第１樹脂層２７Ａ上に設けられている。第１電極Ｒｘは、例えば、第１金属層１４１、第２金属層１４２及び第３金属層１４３を有する。第３金属層１４３上に第２金属層１４２が設けられており、第２金属層１４２上に第１金属層１４１が設けられている。例えば、第１金属層１４１、第３金属層１４３の材料には、モリブデン又はモリブデン合金が用いられている。第２金属層１４２の材料には、アルミニウム又はアルミニウム合金が用いられる。第１金属層１４１を構成するモリブデン又はモリブデン合金は、第２金属層１４２を構成するアルミニウム又はアルミニウム合金よりも可視光の反射率が低い。これにより、第１電極Ｒｘの不可視化を図ることができる。
【００５１】
樹脂層２７、電極部２３及び第１電極Ｒｘ上に絶縁膜８３が設けられている。絶縁膜８３によって、第１電極Ｒｘの上面及び側面は覆われている。絶縁膜８３には、シリコン窒化膜など、高屈折率で低反射率の膜が用いられる。
【００５２】
以上のような構成により、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとは、同一のセンサ基板２１の上に形成される。そして、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとは、絶縁層である樹脂層２７を介して異なる層に設けられる。なお、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘは、同一の導電層に形成され、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘが交差する領域のみ絶縁層を介して異なる導電層で接続されてもよい。
【００５３】
次に、検出装置１における検出領域と各種検出モードについて説明する。図５は、実施形態１に係る検出装置の第１検出領域を示す平面図である。図５において、検出領域ＤＲは、第１方向Ｄｘに１０２４の第１電極Ｒｘが並び、第２方向Ｄｙに２０４８の第２電極Ｔｘが並ぶ例を示している。なお、図５において、格子の一升は、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの交差部を示している。
【００５４】
本実施形態では、検出領域ＤＲの全領域を第１検出領域（第１領域）ＤＲ１として、相互静電容量方式の第１タッチ検出を行ない、検出領域ＤＲの少なくとも一部を第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として、相互静電容量方式の指紋検出を行なう。
【００５５】
具体的に、第２電極選択回路１５は、第１タッチ検出を行なう際、検出制御部１１から供給される第２電極選択信号ＳＥＬ２に基づき、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第２電極Ｔｘを選択し、選択された複数の第２電極Ｔｘに同時に第１駆動信号Ｖｔｘ１を供給する。図５に示す例では、第１検出領域ＤＲ１が第２方向Ｄｙに３２分割された６４本の第２電極Ｔｘを１つの第２電極群ＴＴｘとして束ね、これら複数の第２電極群ＴＴｘ１，ＴＴｘ２，・・・，ＴＴｘ３２に対し、所定の順序、例えば、第２電極群ＴＴｘ１から第２電極群ＴＴｘ３２の順に、第１駆動信号Ｖｔｘ１を順次供給する。
【００５６】
第１電極選択回路１６は、第１タッチ検出を行なう際、検出制御部１１から供給される第１電極選択信号ＳＥＬ１に基づき、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第１電極Ｒｘを選択し、選択された複数の第１電極Ｒｘから出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１を同時に出力する。図５に示す例では、第１検出領域ＤＲ１が第１方向Ｄｘに１６分割された６４本の第１電極Ｒｘを１つの第１電極群ＲＲｘとして束ね、これら複数の第１電極群ＲＲｘ１，ＲＲｘ２，・・・，ＲＲｘ１６から出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１を、所定の順序、例えば、第１電極群ＲＲｘ１から第１電極群ＲＲｘ１６の順に順次出力する。
【００５７】
なお、図５では、隣り合う複数の第２電極Ｔｘを１つの第２電極群ＴＴｘとして束ねた例を示したが、これに限るものではなく、例えば、複数本おきに配置された複数の第２電極Ｔｘを１つの第２電極群ＴＴｘとして束ねても良い。また、隣り合う複数の第１電極Ｒｘを１つの第１電極群ＲＲｘとして束ねた例を示したが、これに限るものではなく、例えば、複数本おきに配置された複数の第１電極Ｒｘを１つの第１電極群ＲＲｘとして束ねても良い。
【００５８】
また、具体的に、第２電極選択回路１５は、相互静電容量方式の指紋検出を行なう際、検出制御部１１から供給される第２電極選択信号ＳＥＬ２に基づき、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２内の１つの第２電極Ｔｘを選択し、選択された第２電極Ｔｘに第２駆動信号Ｖｔｘ２を供給する。図５に示す例では、第２電極Ｔｘ＿１，Ｔｘ＿２，・・・，Ｔｘ＿２０４８に対し、所定の順序、例えば、第２電極Ｔｘ＿１から第２電極Ｔｘ＿２０４８の順に、第２駆動信号Ｖｔｘ２を順次供給する。
【００５９】
第１電極選択回路１６は、相互静電容量方式の指紋検出を行なう際、検出制御部１１から供給される第１電極選択信号ＳＥＬ１に基づき、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２内の１つの第１電極Ｒｘを選択し、選択された第１電極Ｒｘから出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。図５に示す例では、第１電極Ｒｘ＿１，Ｒｘ＿２，・・・，Ｒｘ＿１０２４から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２を、所定の順序、例えば、第１電極ＲＲｘ＿１から第１電極Ｒｘ＿１０２４の順に順次出力する。
【００６０】
ここで、本実施形態に係る検出装置１の検出モードについて説明する。
【００６１】
本実施形態に係る検出装置１において、検出制御部１１は、第１タッチ検出のみを行うタッチ検出モードと、上位システム（図示せず）あるいは検出制御部１１からの指紋検出指令に基づき、第１タッチ検出及び指紋検出を行なうタッチ／指紋検出モード（第１モード）と、を有している。
【００６２】
図６は、タッチ検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。図６に示すように、タッチ検出モード時には、第１タッチ検出を行う第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰが連続して設けられる。
【００６３】
図７は、タッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。図７に示すように、タッチ／指紋検出モード時には、第１タッチ検出を行う第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと指紋検出を行なう指紋検出期間（第２期間）ＦＰとが交互に設けられる。
【００６４】
このように、本実施形態では、第１タッチ検出を行う第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと指紋検出を行なう指紋検出期間（第２期間）ＦＰとを交互に設け、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて、第２電極選択回路１５は、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第２電極Ｔｘを同時に選択し、第１電極選択回路１６は、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第１電極Ｒｘを同時に選択して、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間の静電容量変化に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１を順次出力する。また、指紋検出期間（第２期間）ＦＰにおいて、第２電極選択回路１５は、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２内の第２電極Ｔｘを順次選択し、第１電極選択回路１６は、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２内の第１電極Ｒｘを順次選択して、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間の静電容量変化に応じた第２検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。これにより、タッチ検出を行う第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の任意の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において指紋検出を行うことができる。
【００６５】
以下、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を複数の分割領域（第３領域）ＤＲ３に分割し、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に、第１電極Ｒｘに生じる静電容量を検出することにより指紋検出を行なう構成について説明する。
【００６６】
（第１分割例）
図８は、実施形態１に係る検出装置のタッチ／指紋検出モードにおける第２検出領域を示す模式図である。図９は、図８に示す第２検出領域を拡大した第１分割例を示す模式図である。第１分割例では、第２検出領域ＤＲ２を、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙの両方で分割する。
【００６７】
本実施形態において、指紋検出を行なう第２検出領域（第２領域）ＤＲ２は、図８に示すように、第１タッチ検出を行なう第１検出領域（第１領域）ＤＲ１（ここでは、検出領域ＤＲ）内の所定領域に設けられる。第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の情報は、上位システム（図示せず）からの指紋検出指令に含まれる。
【００６８】
検出制御部１１は、指紋検出指令に基づき、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を設定する。図８に示す例では、第１方向Ｄｘに並ぶ２５６本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ２５６本の第２電極Ｔｘとが重なる領域が、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定されている。なお、第２検出領域ＤＲ２の大きさや形状、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の分割領域の大きさや形状は、図８及び図９に示した態様に限るものではない。例えば、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２と第１検出領域（第１領域）ＤＲ１が一致していてもよい。すなわち、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２は、検出領域ＤＲ全体であってもよい。
【００６９】
また、本実施形態において、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２は、図９に示すように、複数の分割領域（第３領域）ＤＲ３に分割されている。検出制御部１１は、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を複数の領域に分割して、分割領域（第３領域）ＤＲ３を設定する。検出制御部１１は、タッチ／指紋検出モード（第１モード）において、指紋検出指令に含まれる第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の情報及び分割領域（第３領域）ＤＲ３の情報に基づき、第１電極選択信号ＳＥＬ１及び第２電極選択信号ＳＥＬ２を出力する。
【００７０】
図９に示す第１分割例では、第１方向Ｄｘに並ぶ６４本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ６４本の第２電極Ｔｘとが重なる領域を１つの分割領域（第３領域）ＤＲ３として、１６個の分割領域（第３領域）１−１，１−２，１−３，１−４，２−１，２−２，２−３，２−４，３−１，３−２，３−３，３−４，４−１，４−２，４−３，４−４に分割した例を示している。
【００７１】
第２電極選択回路１５は、指紋検出を行なう際、検出制御部１１から供給される第２電極選択信号ＳＥＬ２に基づき、各分割領域（第３領域）ＤＲ３内の１つの第２電極Ｔｘを選択し、選択された第２電極Ｔｘに第２駆動信号Ｖｔｘ２を供給する。
【００７２】
具体的に、図９に示す第１分割例において、第２電極選択回路１５は、例えば分割領域（第３領域）１−１の第２電極Ｔｘ＿ｎ＋１，・・・，Ｔｘ＿ｎ＋６４に対し、所定の順序、例えば、第２電極Ｔｘ＿ｎ＋１から第２電極Ｔｘ＿ｎ＋６４の順に、第２駆動信号Ｖｔｘ２を順次供給する。
【００７３】
また、第１電極選択回路１６は、指紋検出を行なう際、検出制御部１１から供給される第１電極選択信号ＳＥＬ１に基づき、各分割領域（第３領域）ＤＲ３内の第１電極Ｒｘを選択し、選択された第１電極Ｒｘから出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。
【００７４】
具体的に、図９に示す第１分割例において、第１電極選択回路１６は、例えば分割領域（第３領域）１−１の第１電極Ｒｘ＿ｍ＋１，・・・，Ｒｘ＿ｍ＋６４から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２を、所定の順序、例えば、第１電極Ｒｘ＿ｍ＋１から第１電極Ｒｘ＿ｍ＋６４の順に順次出力する。
【００７５】
図１０は、図９に示す第２検出領域の第１分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【００７６】
本実施形態では、タッチ／指紋検出モード（第１モード）において、図１０に示すように、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に、第１電極Ｒｘに生じる静電容量を検出することにより指紋検出を行なう。具体的には、図１０に示すように、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，ＦＰ２−３，ＦＰ２−４，ＦＰ３−１，ＦＰ３−２，ＦＰ３−３，ＦＰ３−４，ＦＰ４−１，ＦＰ４−２，ＦＰ４−３，ＦＰ４−４が設けられ、これら各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，ＦＰ２−３，ＦＰ２−４，ＦＰ３−１，ＦＰ３−２，ＦＰ３−３，ＦＰ３−４，ＦＰ４−１，ＦＰ４−２，ＦＰ４−３，ＦＰ４−４の間に、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１においてタッチ検出を行なう第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰを設けている。換言すれば、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１においてタッチ検出を行なうタッチ検出期間（第１期間）ＴＰと、各分割領域（第３領域）ＤＲ３において指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，ＦＰ２−３，ＦＰ２−４，ＦＰ３−１，ＦＰ３−２，ＦＰ３−３，ＦＰ３−４，ＦＰ４−１，ＦＰ４−２，ＦＰ４−３，ＦＰ４−４とが交互に設けられている。これにより、指紋検出を行なう第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を各分割領域（第３領域）ＤＲ３に分割せず、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１において第１タッチ検出を行なう第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において指紋検出を行なう指紋検出期間（第２期間）ＦＰとを交互に設けた場合（図７参照）よりも、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１における第１タッチ検出のレポートレートを高くすることができる。
【００７７】
（第２分割例）
図１１は、図８に示す第２検出領域を拡大した第２分割例を示す模式図である。
【００７８】
図１１に示す第２分割例では、第２検出領域ＤＲ２を、第１方向Ｄｘで分割する。具体的には、第１方向Ｄｘに並ぶ６４本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ２５６本の第２電極Ｔｘとが重なる領域を１つの分割領域（第３領域）ＤＲ３として、４個の分割領域（第３領域）１−１，１−２，１−３，１−４に分割した例を示している。
【００７９】
図１１に示す第２分割例において、第２電極選択回路１５は、例えば分割領域（第３領域）１−１の第２電極Ｔｘ＿ｎ＋１，・・・，Ｔｘ＿ｎ＋２５６に対し、所定の順序、例えば、第２電極Ｔｘ＿ｎ＋１から第２電極Ｔｘ＿ｎ＋２５６の順に、第２駆動信号Ｖｔｘ２を順次供給する。
【００８０】
また、図１１に示す第２分割例において、第１電極選択回路１６は、例えば分割領域（第３領域）１−１の第１電極Ｒｘ＿ｍ＋１，・・・，Ｒｘ＿ｍ＋６４から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２を、所定の順序、例えば、第１電極Ｒｘ＿ｍ＋１から第１電極Ｒｘ＿ｍ＋６４の順に順次出力する。
【００８１】
図１２は、図１１に示す第２検出領域の第２分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【００８２】
図１１に示す第２分割例では、図１２に示すように、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４の間に、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１において第１タッチ検出を行なうタッチ検出期間（第１期間）ＴＰを設けている。換言すれば、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１においてタッチ検出を行なうタッチ検出期間（第１期間）ＴＰと、各分割領域（第３領域）において指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４とが交互に設けられている。これにより、図１０に示す第１分割例よりも、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１における第１タッチ検出のレポートレートは低くなるものの、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２における指紋検出のレポートレートを高くすることができる。
【００８３】
（第３分割例）
図１３は、図８に示す第２検出領域を拡大した第３分割例を示す模式図である。
【００８４】
図１３に示す第３分割例では、第２検出領域ＤＲ２を、第２方向Ｄｙで分割する。具体的には、第１方向Ｄｘに並ぶ２５６本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ６４本の第２電極Ｔｘとが重なる領域を１つの分割領域（第３領域）ＤＲ３として、４の分割領域（第３領域）１−１，２−１，３−１，４−１に分割した例を示している。
【００８５】
図１３に示す第３分割例において、第２電極選択回路１５は、例えば分割領域（第３領域）１−１の第２電極Ｔｘ＿ｎ＋１，・・・，Ｔｘ＿ｎ＋６４に対し、所定の順序、例えば、第２電極Ｔｘ＿ｎ＋１から第２電極Ｔｘ＿ｎ＋６４の順に、第２駆動信号Ｖｔｘ２を順次供給する。
【００８６】
また、図１３に示す第３分割例において、第１電極選択回路１６は、例えば分割領域（第３領域）１−１の第１電極Ｒｘ＿ｍ＋１，・・・，Ｒｘ＿ｍ＋２５６から出力される第２検出信号Ｖｄｅｔ２を、所定の順序、例えば、第１電極Ｒｘ＿ｍ＋１から第１電極Ｒｘ＿ｍ＋２５６の順に順次出力する。
【００８７】
図１４は、図１３に示す第２検出領域の第３分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【００８８】
図１３に示す第３分割例では、図１４に示すように、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ２−１，ＦＰ３−１，ＦＰ４−１の間に、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１においてタッチ検出を行なうタッチ検出期間（第１期間）ＴＰを設けている。換言すれば、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１においてタッチ検出を行なうタッチ検出期間（第１期間）ＴＰと、各分割領域（第３領域）ＤＲ３において指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ２−１，ＦＰ３−１，ＦＰ４−１とが交互に設けられている。これにより、図１２に示す第２分割例と同様に、図１０に示す第１分割例よりも、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１における第１タッチ検出のレポートレートは低くなるものの、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２における指紋検出のレポートレートを高くすることができる。
【００８９】
そして、実施形態１に係る検出装置１は、上位システム（図示せず）からの指紋検出終了指令に基づき、タッチ検出モードに移行する。
【００９０】
以上説明したように、実施形態１に係る検出装置１は、検出領域ＤＲ内に設けられる第１検出領域（第１領域）ＤＲ１と、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内に設けられる第２検出領域（第２領域）ＤＲ２と、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２が分割された複数の分割領域（第３領域）ＤＲ３と、を有する。検出装置１は、検出領域ＤＲ内の第１検出領域（第１領域）ＤＲ１に複数の第１電極Ｒｘが第１方向Ｄｘに並んで配置されている。また、検出装置１は、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１に複数の第２電極Ｔｘが第１方向Ｄｘと交差する第２方向Ｄｙに並んで配置されている。
【００９１】
検出装置１は、第１電極Ｒｘを選択する第１電極選択回路１６と、第２電極Ｔｘを選択する第２電極選択回路１５と、を有する。検出装置１は、第１電極Ｒｘ又は第２電極Ｔｘに生じる静電容量を検出する検出部４０と、第１電極選択回路１６、第２電極選択回路１５、及び検出部４０を制御する検出制御部（制御部）１１と、を備える。
【００９２】
検出制御部（制御部）１１は、少なくとも、第１タッチ検出を行う第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと指紋検出を行なう指紋検出期間（第２期間）ＦＰとを有する。
【００９３】
第２電極選択回路１５は、タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２に設けられた複数の第２電極Ｔｘを、同時に選択する。また、第２電極選択回路１５は、指紋検出期間（第２期間）ＦＰにおいて、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を分割した複数の分割領域（第３領域）ＤＲ３内の第２電極Ｔｘを、順次選択する。
【００９４】
第１電極選択回路１６は、タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第１電極Ｒｘを同時に選択して、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間の静電容量変化に応じた第１検出信号Ｖｄｅｔ１を順次出力する。また、第１電極選択回路１６は、指紋検出期間（第２期間）ＦＰにおいて、分割領域（第３領域）ＤＲ３内の第１電極Ｒｘを順次選択して、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間の静電容量変化に応じた第２検出信号Ｖｄｅｔ２を出力する。
【００９５】
上記構成において、検出装置１は、少なくとも、第１タッチ検出を行う第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと指紋検出を行なう指紋検出期間（第２期間）ＦＰとを交互に設ける。これにより、タッチ検出を行う第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の任意の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において指紋検出を行うことができる。
【００９６】
また、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を複数の分割領域（第３領域）ＤＲ３に分割し、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に、第１電極Ｒｘに生じる静電容量を検出して指紋検出を行なうことにより、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１における第１タッチ検出のレポートレートを高くすることができ、タッチ検出精度の低下を抑制することができる。
【００９７】
（第４分割例）
第１分割例乃至第３分割例では、第１タッチ検出を行う第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の所定領域に設けた第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を複数の領域に分割して、分割領域（第３領域）ＤＲ３を設定し、分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に指紋検出を行う各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰを設け、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰの間にタッチ検出を行なう第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰを設けた例について説明したが、第４分割例では、第１タッチ検出を行う第１検出領域（第１領域）ＤＲ１を複数の領域に分割して、分割領域（第４領域）ＤＲ４を設定し、分割領域（第４領域）ＤＲ４毎に第１タッチ検出を行う各分割タッチ検出期間ＴＰを設ける例について説明する。
【００９８】
図１５は、第１タッチ検出を行う第１検出領域の第４分割例を示す模式図である。第４分割例では、第１タッチ検出を行う第１検出領域ＤＲ１を、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙの両方で分割する。なお、第４分割例において、指紋検出を行なう第２検出領域（第２領域）ＤＲ２については、第２検出領域（ＤＲ２）として図８に示す例を適用し、第２検出領域（ＤＲ２）の分割例として図９に示す第１分割例を適用して説明する。
【００９９】
第４分割例において、第１タッチ検出を行う第１検出領域（第１領域）ＤＲ１は、図１５に示すように、複数の分割領域（第４領域）ＤＲ４に分割されている。
【０１００】
図１５に示す第４分割例では、第１方向Ｄｘに並ぶ２５６本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ２５６本の第２電極Ｔｘとが重なる領域を１つの分割領域（第４領域）ＤＲ４として、３２個の分割領域（第４領域）１−１，１−２，１−３，１−４，２−１，２−２，２−３，２−４，３−１，３−２，３−３，３−４，４−１，４−２，４−３，４−４，５−１，５−２，５−３，５−４，６−１，６−２，６−３，６−４，７−１，７−２，７−３，７−４，８−１，８−２，８−３，８−４に分割した例を示している。
【０１０１】
図１６は、図１５に示す第１検出領域の第４分割例のタッチ／指紋検出モードにおける検出タイミングチャートの一例である。
【０１０２】
本実施形態では、タッチ／指紋検出モード（第１モード）において、図１６に示すように、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１の各分割領域（第４領域）ＤＲ４毎に第１タッチ検出を行なう。具体的には、図１６に示すように、各分割領域（第４領域）ＤＲ４毎に第１タッチ検出を行なう各分割タッチ検出期間ＴＰ１−１，ＴＰ１−２，ＴＰ１−３，ＴＰ１−４，ＴＰ２−１，ＴＰ２−２，・・・が設けられ、これら各分割タッチ検出期間ＴＰ１−１，ＴＰ１−２，ＴＰ１−３，ＴＰ１−４，ＴＰ２−１，ＴＰ２−２，・・・の間に、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・を設けている。換言すれば、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１において各分割領域（第４領域）ＤＲ４毎に第１タッチ検出を行なう各分割タッチ検出期間ＴＰ１−１，ＴＰ１−２，ＴＰ１−３，ＴＰ１−４，ＴＰ２−１，ＴＰ２−２，・・・と、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ１−３，ＦＰ１−４，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・とが交互に設けられている。
【０１０３】
より具体的に、まず、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−１において、分割領域（第４領域）１−１（図１６参照）の第１タッチ検出を行う。次の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１において、分割領域（第３領域）１−１（図９参照）の指紋検出を行う。
【０１０４】
次いで、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−２において、分割領域（第４領域）１−２（図１６参照）の第１タッチ検出を行う。次の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−２において、分割領域（第３領域）１−２（図９参照）の指紋検出を行う。
【０１０５】
次いで、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−３において、分割領域（第４領域）１−３（図１６参照）の第１タッチ検出を行う。次の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−３において、分割領域（第３領域）１−３（図９参照）の指紋検出を行う。
【０１０６】
以下、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−３、分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−３、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−４、分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−４、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ２−１、分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ２−１、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ２−２、分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ２−２、・・・の順で、それぞれ対応する分割領域（第４領域）ＤＲ４の第１タッチ検出を行い、それぞれ対応する分割領域（第３領域）ＤＲ３の指紋検出を行う。
【０１０７】
そして、分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ４−４において分割領域（第３領域）４−４の指紋検出を行うと、次の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１において分割領域（第３領域）１−１の指紋検出を行う。以下、各分割指紋検出期間（第２期間）において、分割領域（第３領域）１−１乃至分割領域（第３領域）４−４までの指紋検出を繰り返し行う。
【０１０８】
また、分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ８−４において分割領域（第４領域）８−４の第１タッチ検出を行うと、次の分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−１において分割領域（第４領域）１−１の第１タッチ検出を行う。以下、各分割タッチ検出期間（第１期間）において、分割領域（第４領域）１−１乃至分割領域（第４領域）８−４までの第１タッチ検出を繰り返し行う。
【０１０９】
以上のように、分割領域（第４領域）１−１乃至８−４（図１６参照）における分割タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ１−１乃至ＴＰ８−４と、分割領域（第３領域）１−１乃至４−４（図９参照）における分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１乃至ＦＰ４−４とを交互に設けることで、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２における指紋検出のレポートレートを高くすることができる。
【０１１０】
なお、第１タッチ検出を行う分割領域（第４領域）ＤＲ４の１つと、指紋検出を行う第２検出領域（第２領域）ＤＲ２とは、重なっていても良いし、複数の分割領域（第４領域）ＤＲ４と１つの第２検出領域（第２領域）ＤＲ２とが重なっていても良い。また、指紋検出を行う第２検出領域（第２領域）ＤＲ２とは関係なく第１タッチ検出を行う分割領域（第４領域）ＤＲ４が設けられていても良い。
【０１１１】
また、指紋検出を行う第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の分割例として、図９に示す第１分割例を適用した例について説明したが、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の分割例としては、例えば、図１１に示す第２分割例や、図１３に示す第３分割例を適用する態様であっても良い。さらには、第１タッチ検出を行う第１検出領域（第１領域）ＤＲ１を、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙの両方で分割する例について説明したが、例えば、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１を、第１方向Ｄｘで分割する態様であっても良いし、第２方向Ｄｙで分割する態様であっても良い。これら第１検出領域（第１領域）ＤＲ１及び第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の分割態様により本開示が限定されるものではない。
【０１１２】
また本分割例では、分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ４−４において分割領域（第３領域）４−４の指紋検出を行った後、次の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１において分割領域（第３領域）１−１の指紋検出に戻る例について述べたが、本開示例はこれに限定されない。分割領域（第３領域）４−４の指紋検出が終了したら、第１タッチ検出のみを行うタッチ検出モードに移行して、指紋検出を行わない、すなわち分割指紋検出期間（第２期間）を設けず、タッチ検出期間ＴＰのみとしてもよい。
【０１１３】
本実施形態により、タッチ検出を行う検出領域内の任意の位置において指紋検出を行うことができる検出装置１を得ることができる。
【０１１４】
（実施形態２）
実施形態１では、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内に設けられた１つの第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において指紋検出を行う構成について説明したが、実施形態２では、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内に複数の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を設ける構成について説明する。図１７は、実施形態２に係る検出装置のタッチ／指紋検出モードにおける第２検出領域を示す模式図である。なお、実施形態２に係る検出装置１の構成は、実施形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。また、実施形態２に係る検出装置１の第１検出領域（第１領域）ＤＲ１は、実施形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【０１１５】
検出制御部１１は、指紋検出指令に基づき、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を設定する。図１７に示す例では、第１方向Ｄｘに並ぶ２５６本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ２５６本の第２電極Ｔｘとが重なる領域１−１，１−２，１−３，１−４，２−１，２−２，２−３，２−４，３−１，３−２，３−３，３−４，４−１，４−２，４−３，４−４，５−１，５−２，５−３，５−４，６−１，６−２，６−３，６−４，７−１，７−２，７−３，７−４，８−１，８−２，８−３，８−４が、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定されている。なお、第２検出領域ＤＲ２の大きさや形状は、図１７に示した態様に限るものではない。また、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２内の分割領域（第３領域）ＤＲ３の態様は、上述した実施形態１の第１分割例、第２分割例、又は第３分割例等の態様とすることができる。
【０１１６】
検出制御部１１は、複数の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２のうち、１つの第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力の終了後、別の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。
【０１１７】
具体的に、図１７に示す例において、検出制御部１１は、第２検出領域（第２領域）１−１において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。続いて、検出制御部１１は、第２検出領域（第２領域）１−２において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。続いて、検出制御部１１は、第２検出領域（第２領域）１−３において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。続いて、検出制御部１１は、第２検出領域（第２領域）１−４において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。続いて、検出制御部１１は、第２検出領域（第２領域）５−１において、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。そして、第２検出領域（第２領域）８−４まで、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行った後に、第２検出領域（第２領域）１−１に戻り、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。以降、領域１−１，１−２，１−３，１−４，２−１，２−２，２−３，２−４，３−１，３−２，３−３，３−４，４−１，４−２，４−３，４−４，５−１，５−２，５−３，５−４，６−１，６−２，６−３，６−４，７−１，７−２，７−３，７−４，８−１，８−２，８−３，８−４の順に、各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎の第２検出信号Ｖｄｅｔ２の出力を行う。
【０１１８】
これにより、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内に設けられた複数の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２において指紋検出を行うことができる。
【０１１９】
（実施形態３）
実施形態１，２では、タッチ／指紋検出モード（第１モード）において、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の各分割領域（第３領域）ＤＲ３毎に、第１電極Ｒｘに生じる静電容量を検出することにより指紋検出を行なう例について説明したが、実施形態３では、実施形態１において説明したタッチ／指紋検出モード（第１モード）の他に、相互静電容量方式の第１タッチ検出及び指紋検出を停止した省電力モードを有する構成、さらには、省電力モードにおいて非タッチ状態である場合に、第１タッチ検出の際に用いる第１ベースラインデータＶｂ１及び指紋検出の際に用いる第２ベースラインデータＶｂ２を更新する例について説明する。なお、実施形態３に係る検出装置１の構成は、実施形態１，２と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。また、実施形態３に係る検出装置１の第１検出領域（第１領域）ＤＲ１は、実施形態１，２と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。
【０１２０】
本実施形態において、検出装置１は、実施形態１において説明したタッチ検出モード及びタッチ／指紋検出モード（第１モード）に加えて、省電力モードを有している。具体的に、例えば、検出装置１は、タッチ／指紋検出モード（第１モード）での動作中において、例えば所定時間連続して非タッチ状態と判定された場合に、省電力モードに移行する。また、省電力モードでの動作中においてタッチ状態が検出されると、検出装置１は、タッチ検出モード又はタッチ／指紋検出モード（第１モード）に移行する。本実施形態では、検出領域ＤＲの全領域を第１検出領域（第１領域）ＤＲ１とし、当該第１検出領域（第１領域）ＤＲ１において、第１電極Ｒｘに生じる静電容量を検出することにより自己静電容量方式のタッチ検出を行なう第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦを設けている。
【０１２１】
図１８は、実施形態３に係る検出装置の第１検出領域を示す模式図である。図１８において、検出領域ＤＲは、第１方向Ｄｘに１０２４の第１電極Ｒｘが並び、第２方向Ｄｙに２０４８の第２電極Ｔｘが並ぶ例を示している。なお、図１８において、格子の一升は、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの交差部を示している。
【０１２２】
本実施形態では、検出領域ＤＲの全領域を第１検出領域（第１領域）ＤＲ１として、自己静電容量方式のタッチ検出を行なう。
【０１２３】
具体的に、自己静電容量方式のタッチ検出を行なう際、第１電極選択回路１６は、検出制御部１１から供給される第１電極選択信号ＳＥＬ１に基づき、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第１電極Ｒｘを選択し、選択した第１電極Ｒｘに第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給する。また、選択された複数の第１電極Ｒｘから出力される第３検出信号Ｖｄｅｔ３を同時に出力する。図１８に示す例では、第１検出領域ＤＲ１が第１方向Ｄｘに１６分割された６４本の第１電極Ｒｘを１つの第１電極群ＲＲｘとして束ね、これら複数の第１電極群ＲＲｘ１，ＲＲｘ２，・・・，ＲＲｘ１６から出力される第１検出信号Ｖｄｅｔ１を、所定の順序、例えば、第１電極群ＲＲｘ１から第１電極群ＲＲｘ１６の順に順次出力する。
【０１２４】
なお、図１８では、隣り合う複数の第１電極Ｒｘを１つの第１電極群ＲＲｘとして束ねた例を示したが、これに限るものではなく、例えば、複数本おきに配置された複数の第１電極Ｒｘを１つの第１電極群ＲＲｘとして束ねても良いし、全ての第１電極Ｒｘを束ねても良い。
【０１２５】
あるいは、自己静電容量方式のタッチ検出を行なう際、第２電極選択回路１５は、検出制御部１１から供給される第２電極選択信号ＳＥＬ２に基づき、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の複数の第２電極Ｔｘを選択し、選択した第２電極Ｔｘに第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給する。また、選択された複数の第２電極Ｔｘから出力される第３検出信号Ｖｄｅｔ３を同時に出力する。図１８に示す例では、第１検出領域ＤＲ１が第２方向Ｄｙに３２分割された６４本の第２電極Ｔｘを１つの第２電極群ＴＴｘとして束ね、これら複数の第２電極群ＴＴｘ１，ＴＴｘ２，・・・，ＴＴｘ３２に対し、所定の順序、例えば、第２電極群ＴＴｘ１から第２電極群ＴＴｘ３２の順に、第１駆動信号Ｖｔｘ１を順次供給する。
【０１２６】
なお、図１８では、隣り合う複数の第２電極Ｔｘを１つの第２電極群ＴＴｘとして束ねた例を示したが、これに限るものではなく、例えば、複数本おきに配置された複数の第２電極Ｔｘを１つの第２電極群ＴＴｘとして束ねても良いし、全ての第２電極Ｔｘを束ねても良い。
【０１２７】
（変形例１）
本変形例では、省電力モードとして、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰが設けられた第１省電力モード（第２モード）を有する構成について説明する。第１省電力モード（第２モード）では、第１省電力モード（第２モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて非タッチ状態であると判定されているとき、タッチ検出モード又はタッチ／指紋検出モード（第１モード）で用いる第１ベースラインデータＶｂ１及び第２ベースラインデータＶｂ２を更新する。第１ベースラインデータＶｂ１は、相互静電容量方式の第１タッチ検出を行う際の基準値であり、第２ベースラインデータＶｂ２は、相互静電容量方式の指紋検出を行う際の基準値である。
【０１２８】
ここで、相互静電容量方式によるベースラインの概念について、図１９及び図２０を参照して説明する。
【０１２９】
図１９は、相互静電容量方式の検出の基本原理を説明するための説明図である。図２０は、相互静電容量方式の検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等の導体を含む物体であってもよい。また、ここでは、指が接触又は近接していない状態を、「非接触状態」と称し、指が接触又は近接した状態を、「接触状態」と称する。
【０１３０】
相互静電容量方式では、図１９に示すように、第２電極Ｔｘと第１電極Ｒｘとが誘電体Ｄ（図４の樹脂層２７）を挟んで互いに対向配置され、容量素子Ｃ１が構成される。
【０１３１】
第２電極Ｔｘに所定の周波数の交流矩形波Ｓｇ（第１駆動信号Ｖｔｘ１又は第２駆動信号Ｖｔｘ２）が印加されると、容量素子Ｃ１に対する充放電に伴って、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。この電流に応じた検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）が、第１電極Ｒｘから出力される（図２０参照）。
【０１３２】
図２０では、非接触状態での検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）を実線で示し、接触状態での検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）を破線で示している。
【０１３３】
接触状態では、図１９に示すように、指によって形成される静電容量Ｃ２が生じるため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。このため、図２０に示すように、接触状態での検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）の波高値Ｖ２は、非接触状態における検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）の波高値Ｖ１よりも小さくなる。
【０１３４】
非接触状態における検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）の波高値Ｖ１をベースラインＶｂとし、接触状態における検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）の波高値Ｖ２を検出値Ｖｄとして、ベースラインＶｂと検出値Ｖｄとの差分の絶対値｜Ｖ｜に基づき相互静電容量方式の検出が行われる。
【０１３５】
具体的に、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜を所定の閾値電圧Ｖｔｈと比較し、絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧Ｖｔｈ未満であれば、指が非接触状態であると判断する。一方、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜が閾値電圧Ｖｔｈ以上であれば、指が接触又は近接状態であると判断する。また、指が接触又は近接状態であると判断されると、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜の差異に基づいて、指の表面の凹凸による容量変化を検出する。
【０１３６】
ここで、検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）の波高値は、容量素子Ｃ１に寄生容量が付加することにより変動する。具体的に、容量素子Ｃ１の容量値は、寄生容量によって時間変動し、これに伴い、検出信号Ｖｄｅｔ（第１検出信号Ｖｄｅｔ１又は第２検出信号Ｖｄｅｔ２）の波高値、すなわち、相互静電容量方式における検出値Ｖｄが変動する。このため、相互静電容量方式の検出を行う際の基準値であるベースラインＶｂを随時更新する必要がある。
【０１３７】
本実施形態において、ベースラインＶｂは、相互静電容量方式の第１タッチ検出を行う際の基準値である第１ベースラインデータＶｂ１、相互静電容量方式の指紋検出を行う際の基準値である第２ベースラインデータＶｂ２に対応する。また、検出値Ｖｄは、相互静電容量方式の第１タッチ検出における第１検出データＶｄ１、相互静電容量方式の指紋検出における第２検出データＶｄ２に対応する。また、閾値電圧Ｖｔｈは、相互静電容量方式の第１タッチ検出を行う際の第１閾値電圧Ｖｔｈ１、相互静電容量方式の指紋検出を行う際の第２閾値電圧Ｖｔｈ２に対応する。
【０１３８】
図２１は、実施形態３の変形例１に係る検出装置の第１省電力モードにおける検出タイミングチャートの一例である。図２１に示す変形例１では、第１省電力モード（第２モード）において、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰが設けられている。本変形例では、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて検出した第１検出データＶｄ１を、相互静電容量方式の第１タッチ検出を行う際の基準値である第１ベースラインデータＶｂ１として更新する。
【０１３９】
検出装置１は、タッチ／指紋検出モード（第１モード）での動作中において、例えば所定時間連続して非タッチ状態と判定された場合に、第１省電力モード（第２モード）に移行する。また、第１省電力モード（第２モード）での動作中においてタッチ状態が検出されると、検出装置１は、タッチ検出モード又はタッチ／指紋検出モード（第１モード）に移行する。
【０１４０】
第１省電力モード（第２モード）において、第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにタッチ状態（接触状態）が検出されていない場合、すなわち、非タッチ状態において、検出部４０の信号処理部４４は、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１を第１タッチ検出用の第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１として更新し、記憶部４６に記憶する。
【０１４１】
なお、変形例１において、検出部４０の信号処理部４４は、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１に対して、例えば所定の係数を乗じることで、相互静電容量方式の指紋検出における第２検出データＶｄ２を推定する。そして、検出部４０の信号処理部４４は、当該推定した第２検出データＶｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新し、記憶部４６に記憶する。
【０１４２】
これにより、第１省電力モード（第２モード）での動作中において時間変動する第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１及び第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２を更新することができる。
【０１４３】
（変形例２）
変形例１では、相互静電容量方式の指紋検出における第２検出データＶｄ２を推定する例について説明したが、変形例２では、相互静電容量方式の指紋検出における第２検出データＶｄ２を検出する例について説明する。
【０１４４】
具体的に、変形例２では、省電力モードとして、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ及び指紋検出期間（第２期間）が設けられた第２省電力モード（第３モード）を有し、第２省電力モード（第３モード）の分割指紋検出期間（第２期間）において、相互静電容量方式の指紋検出における第２検出データＶｄ２を検出する。
【０１４５】
図２２は、実施形態３の変形例２に係る検出装置の第２省電力モードにおける第２検出領域の分割例を示す模式図である。図２３は、実施形態３の変形例２に係る検出装置の第２省電力モードにおける検出タイミングチャートの一例である。なお、以下の説明では、自己静電容量方式のタッチ検出を行なう第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにおいて、全ての第１電極Ｒｘ（又は第２電極Ｔｘ）を束ねてタッチ検出を行なう例について説明する。
【０１４６】
本実施形態の変形例２において、第２省電力モード（第３モード）では、図２２に示すように、検出領域ＤＲの全領域を第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として指紋検出を行なう。また、図２３に示すように、変形例２では、第２省電力モード（第３モード）において、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰ及び指紋検出期間（第２期間）ＦＰが設けられている。本変形例では、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて検出した第１検出データＶｄ１を、相互静電容量方式の第１タッチ検出を行う際の基準値である第１ベースラインデータＶｂ１として更新し、指紋検出期間（第２期間）ＦＰ（各分割指紋検出期間ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２）において検出した第２検出データＶｄ２を、相互静電容量方式の指紋検出を行う際の基準値である第２ベースラインデータＶｂ２として更新する。
【０１４７】
検出装置１は、タッチ／指紋検出モード（第１モード）での動作中において、例えば所定時間連続して非タッチ状態と判定された場合に、第２省電力モード（第３モード）に移行する。また、第２省電力モード（第３モード）での動作中においてタッチ状態が検出されると、検出装置１は、タッチ検出モード又はタッチ／指紋検出モード（第１モード）に移行する。
【０１４８】
具体的に、第１電極選択回路１６は、第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにおいて、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の第１電極Ｒｘに第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給する。また、第１電極選択回路１６は、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の第１電極Ｒｘから出力される第３検出信号Ｖｄｅｔ３を出力する。この第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにおいてタッチ状態が検出されると、検出装置１は、実施形態１において説明したタッチ検出モード又はタッチ検出／指紋検出モード（第１モード）に移行する。
【０１４９】
あるいは、第２電極選択回路１５は、第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにおいて、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の第２電極Ｔｘに第３駆動信号Ｖｔｘ３を供給する。また、第２電極選択回路１５は、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１内の第２電極Ｔｘから出力される第３検出信号Ｖｄｅｔ３を出力する。この第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにおいてタッチ状態が検出されると、検出装置１は、実施形態１において説明したタッチ検出モード又はタッチ検出／指紋検出モード（第１モード）に移行する。
【０１５０】
また、変形例２の第２省電力モード（第３モード）では、図２３に示すように、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の各分割領域毎に時分割して指紋検出を行なう。
【０１５１】
具体的には、図２３に示すように、図２２に示す各分割領域において指紋検出を行なう各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２が設けられている。変形例２の第２省電力モード（第３モード）では、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、各分割指紋検出期間（第２期間）が設けられている。また、本実施形態の変形例２において、第２省電力モード（第３モード）では、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰが設けられている。図２３では、複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦが設けられている所定期間毎に、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２が設けられ、これら各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２の直後に、それぞれ第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰが設けられた例を示している。なお、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２及び第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰを設ける位置はこれに限るものではなく、例えば、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰの直後に、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２が設けられていても良いし、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２との間に１つあるいは複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦを設けた態様であっても良い。
【０１５２】
第２省電力モード（第３モード）において、第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにタッチ状態（接触状態）が検出されていない場合、すなわち、非タッチ状態において、検出部４０の信号処理部４４は、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１を第１タッチ検出用の第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１として更新し、記憶部４６に記憶する。
【０１５３】
また、第２省電力モード（第３モード）において、第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにタッチ状態（接触状態）が検出されていない場合、すなわち、非タッチ状態において、検出部４０の信号処理部４４は、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２に検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新し、記憶部４６に記憶する。
【０１５４】
これにより、タッチ検出モード及びタッチ／指紋検出モード（第１モード）におけるタッチ検出精度及び指紋検出精度を高精度に保つことができる。
【０１５５】
（変形例３）
変形例１において説明した第１省電力モード（第３モード）において、第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにタッチ状態が検出されない場合でも、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１が大きく変動する場合がある。この場合、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１から推定される第２検出データＶｄ２の精度が低下し、この結果として、指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２の精度が低下する可能性がある。
【０１５６】
変形例３では、図２１（変形例１）に示す第１省電力モード（第２モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１が所定のベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した場合に、図２３（変形例２）に示す第２省電力モード（第３モード）に移行して、指紋検出期間（第２期間）ＦＰに検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新し、記憶部４６に記憶する。このようにすれば、第１省電力モード（第３モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１が大きく変動した場合でも、第２省電力モード（第３モード）の指紋検出期間（第２期間）ＦＰに検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新することができ、指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２の精度を高めることができる。
【０１５７】
具体的に、変形例３では、第１省電力モード（第２モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した場合に、図２２に示すように、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１（ここでは、検出領域ＤＲ）を第２検出領域（第２領域）ＤＲ２とし、当該第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を複数の分割領域１−１，１−２，２−１，２−２，・・・，３２−１，３２−２に分割して第２省電力モード（第３モード）に移行する。そして、第２省電力モード（第３モード）の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２に検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新し、記憶部４６に記憶する。
【０１５８】
より具体的に、検出部４０の信号処理部４４は、図２１に示す第１省電力モード（第２モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と、記憶部４６に記憶された第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈ以下である場合には（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜≦Ｖｂｔｈ）、当該第１検出データ（検出値）Ｖｄ１に基づいて、指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２を推定する。
【０１５９】
一方、検出部４０の信号処理部４４は、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した場合には（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜＞Ｖｂｔｈ）、当該情報を検出制御部１１に出力する。検出制御部１１は、当該情報に基づいて、図２３に示す第２省電力モード（第３モード）に移行し、検出装置１の各部を制御する。検出部４０の信号処理部４４は、第２省電力モード（第３モード）の分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１−１，ＦＰ１−２，ＦＰ２−１，ＦＰ２−２，・・・，ＦＰ３２−１，ＦＰ３２−２において検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新し、記憶部４６に記憶する。
【０１６０】
これにより、第１省電力モード（第３モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１が大きく変動した場合でも、第２省電力モード（第３モード）の指紋検出期間（第２期間）ＦＰに検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新することができ、指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２の精度を高めることができる。
【０１６１】
（変形例４）
変形例３では、第１省電力モード（第２モード）において、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した場合に（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜＞Ｖｂｔｈ）、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１（ここでは、検出領域ＤＲ）の全域を第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として第２省電力モード（第３モード）に移行する例について説明したが、変形例４では、第１省電力モード（第２モード）において、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した領域を、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定し、第２省電力モード（第３モード）に移行する例について説明する。
【０１６２】
図２４は、実施形態３の変形例４に係る検出装置の第２省電力モードにおける第２検出領域の分割例を示す模式図である。図２５は、図２４に示す第２検出領域を拡大した分割例を示す模式図である。図２６は、実施形態３の変形例４に係る検出装置の第２省電力モードにおける検出タイミングチャートの一例である。図２７は、実施形態３の変形例４における処理の一例を示すフローチャートである。
【０１６３】
図２４及び図２５に示す例では、第１検出領域（第１領域）ＤＲ１（ここでは、検出領域ＤＲ）内において、第１方向Ｄｘに並ぶ５１２本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ５１２本の第２電極Ｔｘとが重なる領域が第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定され、第１方向Ｄｘに並ぶ６４本の第１電極Ｒｘと、第２方向Ｄｙに並ぶ５１２本の第２電極Ｔｘとが重なる８個の分割領域ＤＲ３（領域１，２，３，・・・，７，８）に分割した例を示している。なお、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の大きさや形状、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２の分割領域の大きさや形状は、図２４及び図２５に示した態様に限るものではない。
【０１６４】
また、図２６において、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１，ＦＰ２，ＦＰ３，・・・，ＦＰ７，ＦＰ８及び第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰを設ける位置はこれに限るものではなく、例えば、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１，ＦＰ２，ＦＰ３，・・・，ＦＰ７，ＦＰ８の直後に、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰが設けられていても良いし、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰと各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１，ＦＰ２，ＦＰ３，・・・，ＦＰ７，ＦＰ８との間に１つあるいは複数の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦを設けた態様であっても良い。
【０１６５】
変形例４では、図２１（変形例１）に示す第１省電力モード（第２モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と、記憶部４６に記憶された第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した場合に（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜＞Ｖｂｔｈ）、図２６に示す第２省電力モード（第３モード）に移行する。本変形例では、上述したように、第１省電力モード（第２モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰにおいて検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と、記憶部４６に記憶された第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した領域を、第２省電力モード（第３モード）において、相互静電容量方式の指紋検出における第２検出データＶｄ２を検出する際の第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定する。以下、変形例４における具体的な処理について説明する。
【０１６６】
図２７に示す処理の前提条件として、第１タッチ検出用の第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１及び指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２が予め記憶部４６に記憶され、非タッチ状態において、図２１に示す第１省電力モード（第２モード）で動作しているものとする。
【０１６７】
検出装置１の信号処理部４４は、図２１に示す第１省電力モード（第２モード）の第２タッチ検出期間（第３期間）ＳＥＬＦにおいて、非タッチ状態であるか否かを判定する（ステップＳ１００）。非タッチ状態でなければ（ステップＳ１００；Ｎｏ）、タッチ／指紋検出モード（第１モード）に移行する（ステップＳ１００−１）。タッチ／指紋検出モード（第１モード）に移行後、所定時間非タッチ状態が継続すると第１省電力モード（第２モード）に移行し（ステップＳ１００−２）、ステップＳ１００の処理に戻る。非タッチ状態であれば（ステップＳ１００；Ｙｅｓ）、第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１を取得し（ステップＳ１０１）、当該第１検出データ（検出値）Ｖｄ１を第１タッチ検出用の第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１として更新し、記憶部４６に記憶する（ステップＳ１０２）。
【０１６８】
信号処理部４４は、取得した第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と、記憶部４６に記憶された第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えたか否か（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜＞Ｖｂｔｈ）を判定する（ステップＳ１０３）。
【０１６９】
第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈ以下である（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜≦Ｖｂｔｈ）場合（ステップＳ１０３；Ｎｏ）、信号処理部４４は、指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２を推定して記憶部４６に記憶し（ステップＳ１０４）、ステップＳ１００の処理に戻る。指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２は、変形例１において説明したように、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１に対して、例えば所定の係数を乗じることで推定することができる。なお、ステップＳ１００の処理は、第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２の推定処理（本処理のステップＳ１０４に相当）を含む第１省電力モード（第２モード）で行われるため、ステップＳ１０４の処理を行わずにステップＳ１００の処理に戻る態様であっても良い。
【０１７０】
第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えた（｜Ｖｄ１−Ｖｂ１｜＞Ｖｂｔｈ）場合（ステップＳ１０３；Ｙｅｓ）、信号処理部４４は、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えた領域を、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定すると共に、当該第２検出領域（第２領域）ＤＲ２内の分割領域（例えば、図２５に示す分割領域ＤＲ３（領域１，２，３，・・・，７，８））を設定し（ステップＳ１０５）、当該設定された情報を検出制御部１１に出力する。
【０１７１】
検出制御部１１は、図２６に示す第２省電力モード（第３モード）に移行し、検出装置１の各部を制御する。
【０１７２】
信号処理部４４は、第２省電力モード（第３モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１、及び、各分割指紋検出期間（第２期間）ＦＰ１，ＦＰ２，・・・，ＦＰ８に検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を取得し（ステップＳ１０６）、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１を第１タッチ検出用の第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１として更新して記憶部４６に記憶すると共に、第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新して記憶部４６に記憶し（ステップＳ１０７）、ステップＳ１００の処理に戻る。
【０１７３】
これにより、変形例３と同様に、第１省電力モード（第３モード）の第１タッチ検出期間（第１期間）ＴＰに検出される第１検出データ（検出値）Ｖｄ１が大きく変動した場合でも、第２省電力モード（第３モード）の指紋検出期間（第２期間）ＦＰに検出される第２検出データ（検出値）Ｖｄ２を指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２として更新することができ、指紋検出用の第２ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ２の精度を高めることができる。また、第１省電力モード（第２モード）において、第１検出データ（検出値）Ｖｄ１と第１ベースラインデータ（基準値）Ｖｂ１との差分値がベースライン閾値Ｖｂｔｈを超えて変動した領域を、第２検出領域（第２領域）ＤＲ２として設定することで、変形例３よりも第２省電力モード（第３モード）における第２検出領域（第２領域）ＤＲ２を狭くすることができる。
【０１７４】
本実施形態により、タッチ検出を行う検出領域内の任意の位置において指紋検出を行うことができる検出装置１を得ることができる。
【０１７５】
（実施形態４）
図２８は、実施形態４に係るセンサ部の構成例を示す平面図である。図２９は、実施形態４に係るセンサ部の構成例を示す断面図である。図２８に示すように、実施形態４に係るセンサ部１０では、第２電極Ｔｘは、１本の金属細線で構成されている。第２電極Ｔｘを構成する金属細線の材料としては、アルミニウム、銅、銀、モリブデン又はこれらの合金が用いられる。また、図２９に示すように、第２電極Ｔｘと第１電極Ｒｘとの間には、絶縁性の樹脂層２７が設けられている。これにより、第１電極Ｒｘと第２電極Ｔｘとの間が絶縁されている。
【０１７６】
このような構成であれば、センサ部１０は、第２電極Ｔｘの抵抗を小さくすることができる。また、センサ部１０は、第２電極Ｔｘの容量を小さくすることができる。
【０１７７】
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
【０１７８】
また、本発明は、以下の構成を取ることもできる。
（１）第１領域に設けられ、第１方向に並んで配置された複数の第１電極と、
前記第１領域に設けられ、前記第１方向と交差する第２方向に並んで配置された複数の第２電極と、
前記第１電極を選択する第１電極選択回路と、
前記第２電極を選択する第２電極選択回路と、
前記第１電極又は前記第２電極に生じる静電容量を検出する検出部と、
前記第１電極選択回路、前記第２電極選択回路、及び前記検出部を制御する制御部と、
を備え、 
前記第２電極選択回路は、
第１期間に、前記第１領域内に設けられた複数の前記第２電極を、同時に選択し、
第２期間に、前記第１領域内の第２領域を分割した複数の第３領域のうちの１つに設けられた前記第２電極を、順次選択し、
前記第１電極選択回路は、
前記第１期間に、前記第１領域内の複数の前記第１電極を同時に選択して、前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量変化に応じた第１検出信号を順次出力し、
前記第２期間に、前記第３領域内の前記第１電極を順次選択して、前記第１電極と前記第２電極との間の静電容量変化に応じた第２検出信号を出力し、前記制御部は、少なくとも、前記第１期間と前記第２期間とを交互に有する、検出装置。
（２）前記制御部は、
第３期間に、前記第１領域において、前記第１電極に生じる自己静電容量変化を検出し、
前記第１電極選択回路は、
前記第１領域内の前記第１電極に同時に第３駆動信号を前記第３期間に供給すると共に、前記第１領域内の前記第１電極から同時に  第３検出信号を前記第３期間に出力し、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に、前記第１期間が設けられる、上記（１）に記載の検出装置。
（３）前記制御部は、
第３期間に、前記第１領域において、前記第２電極に生じる自己静電容量変化を検出し、
前記第２電極選択回路は、
前記第１領域内の前記第２電極に同時に第３駆動信号を前記第３期間に供給すると共に、前記第１領域内の前記第２電極から同時に第３検出信号を前記第３期間に出力し、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に、前記第１期間が設けられる、上記（１）に記載の検出装置。
（４）前記制御部は、
前記第１領域内に複数の前記第２領域を設定し、複数の前記第２領域のうち、１つの第２領域の前記第２検出信号の出力の終了後、別の第２領域の第２検出信号の出力を行う、上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の検出装置。
（５）前記制御部は、
少なくとも、前記第１期間と前記第２期間とが交互に設けられる第１モードと、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に前記第１期間が設けられる第２モードと、
を有する、上記（２）又は（３）に記載の検出装置。
（６）前記検出部は、
前記第２モードの第１期間における検出値を、前記第１モードの第１期間における基準値として設定する、上記（５）に記載の検出装置。
（７）前記検出部は、
前記第２モードの第１期間における検出値に基づき、前記第１モードの第２期間における基準値を推定する、上記（５）に記載の検出装置。
（８）前記制御部は、
複数の前記第３期間が設けられている所定期間毎に前記第１期間及び前記第２期間が設けられる第３モードを有する、上記（５）乃至（７）の何れか一項に記載の検出装置。
（９）前記検出部は、
前記第３モードの第１期間における検出値を、前記第１モードの第１期間における基準値として設定する、上記（８）に記載の検出装置。
（１０）前記検出部は、
前記第３モードの第２期間における検出値を、前記第１モードの第２期間における基準値として設定する、上記（８）又は（９）に記載の検出装置。
（１１）前記検出部は、
前記第２モード又は前記第３モードの第１期間における検出値を、前記第１モードの第１期間における基準値として設定し、
前記第２モードの第１期間における検出値と前記基準値との差分値が所定の閾値を超えた場合に、前記第３モードの第２期間における検出値を、前記第１モードの第２期間における基準値として設定する、上記（８）に記載の検出装置。
（１２）前記検出部は、
少なくとも前記第２モードの第１期間における検出値と前記基準値との差分値が所定の閾値を超えた領域を含み、前記第３モードの第２期間における第２領域及び第３領域を設定する、上記（１１）に記載の検出装置。
【符号の説明】
【０１７９】
１  検出装置
１０  センサ部
１１  検出制御部（制御部）
１５  第２電極選択回路
１６  第１電極選択回路
２１  センサ基板
２３  電極部
２３ａ  第１電極部
２３ｂ  第２電極部
２４  接続部
２６ａ  第１直線部
２６ｂ  第２直線部
２６ｘ  屈曲部
４０  検出部
４２  検出信号増幅部
４３  Ａ／Ｄ変換部
４４  信号処理部
４５  座標抽出部
４６  記憶部
４７  検出タイミング制御部
ＤＲ  検出領域
ＤＲ１  第１検出領域（第１領域）
ＤＲ２  第２検出領域（第２領域）
ＤＲ３  分割領域（第３領域）
Ｒｘ  第１電極
Ｔｘ  第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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