(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示パネルにおいて長尺状のバンクの一部分の欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を限定する。【解決手段】画素電極、複数の長尺状の列バンクと、長尺状の列バンクの一部が存在しない欠落部と、画素電極の上方において欠落部を有する列バンクの行方向両側に隣接する列バンクとの間の２つの間隙それぞれに形成された一対の補修用バンクと、列バンク間の間隙に形成された塗布膜からなる発光層と、発光層の上方に共通電極とを備え、補修用バンクは、２つの間隙内に存在し、欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に形成された一対の補修用行バンクと、列バンクと行方向に接続されていない補修用行バンクの端部と、欠落部を有する列バンクの最も近接する部分とを列方向に接続する補修用列バンクとを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板の上面に行列状に並んだ複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板上の少なくとも行方向に隣り合う前記画素電極の間に、列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の列バンクを形成する工程と、
長尺状の前記列バンクの一部が存在しない欠落部を検出する工程と、
前記画素電極の上方において、前記欠落部が検出された列バンクの行方向両側に隣接する列バンクとの間の２つの間隙それぞれに、各一対の補修用バンクを形成する工程と、
前記複数の列バンク間の間隙に有機発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に共通電極を形成する工程とを有し、
前記補修用バンクを形成する工程は、
前記２つの間隙内に存在し、前記欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである前記画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に、一対の補修用行バンクを形成する第１の工程と、
前記列バンクと行方向に接続されていない前記補修用行バンクの端部を、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分と列方向に接続する補修用列バンクを形成する第２の工程とを含む、
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１の工程では、前記一対の補修用行バンクは列方向における距離が最大となる位置に形成される
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記発光層を形成する工程において、前記２つの間隙内の何れかに塗布されたインクのうち、前記一対の補修用行バンクに挟まれた範囲に塗布されたインクは、前記欠落部を挟んで行方向に対向する間隙内へ前記欠落部を通して流出し、前記一対の補修用行バンクにより列方向には前記範囲内に堰き止められる
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項４】
さらに、前記基板上の少なくとも列方向に隣り合う前記画素電極の間に、行方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の行バンクを形成する工程を有し、
欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分は前記行バンクの上面に位置している
請求項１から３の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記画素電極の前記行バンクの下方に位置する部分に、前記画素電極の表面の一部が凹陥したコンタクトホールを形成する工程を有し、
前記補修用列バンクは、平面視において前記コンタクトホールと重ならない位置に形成される
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項６】
基板と、
前記基板の上面に行列状に並んだ複数の画素電極と、
前記基板上の少なくとも行方向に隣り合う前記画素電極の間に、列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の列バンクと、
長尺状の前記列バンクの一部が存在しない欠落部と、
前記画素電極の上方において、前記欠落部を有する列バンクの行方向両側に隣接する列バンクとの間の２つの間隙それぞれに形成された一対の補修用バンクと、
前記複数の列バンク間の間隙に形成された塗布膜からなる発光層と、
前記発光層の上方に共通電極とを備え、
前記補修用バンクは、
前記２つの間隙内に存在し、前記欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである前記画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に、形成された一対の補修用行バンクと、
前記列バンクと行方向に接続されていない前記補修用行バンクの端部と、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分とを列方向に接続する補修用列バンクとを含む、
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記一対の補修用行バンクは、列方向における距離が最大となる位置に形成されている
請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記２つの間隙内の一方に形成された前記発光層のうち、
前記一対の補修用行バンクに挟まれた範囲に形成された発光層の部分は、前記欠落部を挟んで行方向に対向する間隙内に形成された発光層に含まれる有機発光材料を含み、
前記一対の補修用行バンクに挟まれた範囲外に形成された発光層の部分は、前記対向する間隙内に形成された発光層に含まれる有機発光材料を含まない、
請求項６又は７に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
さらに、前記基板上の少なくとも列方向に隣り合う前記画素電極の間には、行方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の行バンクを備え、
欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分は前記行バンクの上面に位置する
請求項７から９の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記画素電極の前記行バンクの下方に位置する部分には、前記画素電極の表面の一部が凹陥したコンタクトホールを有し、
前記補修用列バンクは、平面視において前記コンタクトホールと重ならない位置に形成されている
請求項９に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子が行列状に配された有機ＥＬ表示パネルの製造方法に関し、特にバンクを形成する工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光型の表示装置として、有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。有機ＥＬ表示パネルにおいて、各有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発生する電流駆動型の発光素子である。カラー表示の有機ＥＬ表示パネルでは、有機ＥＬ素子がＲＧＢ各色のサブピクセルを形成し、隣り合うＲＧＢのサブピクセルが合わさって一画素が形成されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示パネルの製造において、基板上をバンクで区画し、各区画に発光層が形成される。バンクは、感光性の熱硬化性樹脂を用いてフォトリソグラフィー法でバンク形状にパターニングして、加熱焼成することによって形成される。
発光層の形成には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含む発光層形成用のインクを、インクジェット法等によりバンクで区画された凹空間に塗布するウェット方式が多く用いられている。このウェット方式によれば、大型のパネルにおいても発光層をはじめとする有機機能層を比較的容易に形成することができる。
【０００４】
このような有機ＥＬ表示パネルの製造過程においてバンクに部分的な決壊が生じていると、その後の工程で発光層を形成する際に、その欠陥部が存在するバンクを挟んで塗布される異なる色のインク同士が混合されて混色が生じることがある。その場合、混色が生じた範囲での発光色が本来の発光色と異なっていたり、暗点と認識されたりして、表示品質が低下することがある。特に、列方向に延伸するバンクを設ける構成では、混色がバンクに沿って複数画素に拡大し、重大な表示品質の低下を引き起こす可能性があった。
【０００５】
そこで、例えば、特許文献１及び２には、バンクに存在する欠陥部から所定距離離れた位置に熱硬化性のペースト状の補修材を塗布し、加熱焼成することによって堰を形成し、混色の拡大を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１６−７１９９２号公報
【特許文献２】特開２０１７−３３８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、製造工程において長尺状のバンクの一部分が欠落する態様の欠陥に対しては、特許文献１に記載された方法では混色の拡大を抑制することが難しい場合がある。
本開示は、上記課題に鑑み、有機ＥＬ表示パネルの製造過程において、有機ＥＬ表示パネルの製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落したときに、欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を限定することのできる有機ＥＬ表示パネルの製造方法、及び有機ＥＬ表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係る自発光表示パネルの製造方法及び有機ＥＬ表示パネルは、基板を準備する工程と、前記基板の上面に行列状に並んだ複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上の少なくとも行方向に隣り合う前記画素電極の間に、列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成する工程と、長尺状の前記バンクの一部が存在しない欠落部を検出する工程と、前記画素電極の上方において前記欠落部が検出されたバンクの行方向両側に隣接するバンクとの間の２つの間隙それぞれに、各一対の補修用バンクを形成する工程と、前記複数のバンク間の間隙に有機発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に共通電極を形成する工程とを有し、前記補修用バンクを形成する工程は、前記２つの間隙内に存在し、前記欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである前記画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に、一対の補修用行バンクを形成する第１の工程と、前記バンクと行方向に接続されていない前記補修用行バンクの端部を、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分と列方向に接続する補修用列バンクを形成する第２の工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上面に行列状に並んだ複数の画素電極と、前記基板上の少なくとも行方向に隣り合う前記画素電極の間に、列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の列バンクと、長尺状の前記列バンクの一部が存在しない欠落部と、前記画素電極の上方において前記欠落部を有する列バンクの行方向両側に隣接する列バンクとの間の２つの間隙それぞれに形成された一対の補修用バンクと、前記複数の列バンク間の間隙に形成された塗布膜からなる発光層と、前記発光層の上方に共通電極とを備え、前記補修用バンクは、前記２つの間隙内に存在し、前記欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである前記画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に、形成された一対の補修用行バンクと、前記列バンクと行方向に接続されていない前記補修用行バンクの端部と、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分とを列方向に接続する補修用列バンクとを含む。ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の一態様に係る表示パネル及び表示パネルの製造方法によると、製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落したときに、完成した有機ＥＬ表示パネルにおいて欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を、欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極を含むサブピクセルに限定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成例を示す模式ブロック図である。
【図２】実施形態に係る表示パネルを模式的に示す部分平面図である。
【図３】実施形態に係る表示パネルを図２のＡ−Ａ'線で切断した一部拡大断面図である。
【図４】（ａ）は、列バンク１４ａに生じる欠落部３ａの一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、一対の補修用バンク５Ｘ１、５Ｘ２が欠落部３ａをＹ方向に挟むように形成された様子を示す模式斜視図である。
【図５】（ａ）は、列バンク１４ａに生じる欠落部３ａよりも長い欠落部３ｂの一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、一対の補修用バンク５Ｘ１及び５Ｙ１、５Ｘ２及び５Ｙ２が欠落部３ｂをＹ方向に挟むように形成された様子を示す模式斜視図である。
【図６】実施形態に係る表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。
【図７】実施形態に係る表示パネルの製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図８】インクジェット法により間隙内にインクを塗布する方法を模式的に示す図である。
【図９】欠落部の検出とバンクの補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。
【図１０】（ａ）は、図７（ａ）の欠落部の周辺に設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図であり、（ｂ）は、堰部が形成された状態を示す模式平面図である。
【図１１】（ａ）は、図８（ａ）の欠落部の周辺に設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図であり、（ｂ）は、堰部が形成された状態を示す模式平面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｇ）は、ニードルディスペンサで補修材料を塗布することにより、堰部が形成される様子を示す模式断面図である。（ａ）は、補修材料を塗布する前の状態のタンク及びニードルの状態を示す模式断面図である。（ｂ）は、ニードルに付着した補修材を塗布点Ｐ１に塗布した状態を示す模式断面図である。（ｃ）は、ニードルを上方に移動させている途中の状態を示す模式断面図である。（ｄ）は、ニードルを上方に移動させた状態を示す模式断面図である。（ｅ）は、ニードル及びタンクを移動させて塗布点Ｐ２に補修材を塗布した状態を示す模式断面図である。（ｆ）は、塗布点Ｐ１に塗布された補修材と塗布点Ｐ２に塗布された補修材とがつながった状態を示す模式断面図である。（ｇ）は、ニードルを上方に移動させた状態を示す模式断面図である。
【図１３】（ａ）は、実施形態に係る表示パネルを図１１（ｂ）のＢ−Ｂ線で、（ｂ）はＣ−Ｃ線で、（ｃ）はＤ−Ｄ線で切断した一部拡大断面図である。
【図１４】（ａ）（ｂ）比較例として想定される堰部が形成された表示パネルの状態を示す模式平面図である。
【図１５】表示パネル１００にインク層が形成された状態を示す模式平面図である。
【図１６】比較例に係る表示パネルにインク層が形成された状態を示す模式平面図である。
【図１７】（ａ）は、バンクに生じる欠落部の一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、発明者が想起した堰部が欠落部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。
【図１８】（ａ）は、バンクに生じる欠落部の別の一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、発明者が想起した堰部が欠落部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。
【図１９】（ａ）は、図１７（ｂ）の堰部が形成された状態を示す模式平面図、（ａ）は、図１８（ｂ）の堰部が形成された状態を示す模式平面図、である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜本発明を実施するための形態に到った経緯＞
ラインバンク方式の有機ＥＬ表示パネルの製造方法では、基板上に列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状のバンクを形成し、複数のバンク間の間隙に有機発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する。ラインバンク方式によれば、インクがバンクに沿って間隙内で流動可能であるので、インク塗布時点での膜厚のバラつきがインクの流動により均一化され、均一な膜厚の発光層を形成することができる。その結果、輝度ムラの少ない有機ＥＬ表示パネルを製造することができる。しかしながら、バンクに欠陥が存在すると、間隙内に塗布されたインクが欠陥を通して隣の間隙内に侵入し、発光色の異なるインクが混合する混色領域が発生してしまう可能性がある。特に、ラインバンク方式では、混色したインクがバンクに沿って流動するため、複数画素にわたって表示品質の低下が発生する可能性がある。
【００１３】
ラインバンクの欠陥に対する補修方法として、例えば、特許文献１、２には、欠陥の行方向の両側の間隙内に、欠陥から列方向に所定の距離の位置に堰を形成することにより混色による表示品質の低下の発生を欠陥の行方向の両側のサブピクセルに限定する技術が開示されている。
しかしながら、製造工程において長尺状のバンクの一部分が欠落する態様の欠陥に対しては、欠落部分が長尺方向に所定の長さを有する場合には、特許文献１に記載された方法では混色の拡大を抑制することが難しい場合がある。
【００１４】
図１７（ａ）は、長尺状のバンクを備えた表示パネルのバンクに生じる欠落部の一例を示す模式斜視図である。
図１７に示すように、表示パネルは、その主な構成として、下地基板１１、ＸＹ方向に行列状に配された画素電極１２、ホール注入層１３、画素電極１２間に配されたＹ方向(列方向）に延伸する列バンク１４ａとＸ方向(行方向）に延伸する高さが低い行バンク２４、有機発光層、電子輸送層、共通電極、封止層を備える。そして、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層を有する発光素子をサブピクセルが画素電極１２に対応してマトリクス状に配設されている。なお、図１７（ａ）は、製造工程において電子輸送層、共通電極、封止層が形成される前の列バンク１４ａが焼成前の状態を示している。
【００１５】
図１７（ａ）にように、表示パネルは、列バンク１４ａの一部が下地基板１１の表面から欠落して長尺状の列バンク１４ａの一部が存在しない欠落部３ｃを有する。欠落部３ｃの両端３ｃ１、３ｃ２がそれぞれ画素電極１２ｃ１、１２ｃ２上の位置し、欠落部３ｃは２つの画素電極１２ｃ１、１２ｃ２とＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じである位置関係にある。そのため、欠陥部からＹ方向に所定距離離れた位置に堰を形成するといった特許文献１に記載された方法では混色の拡大を抑制することが難しい。
【００１６】
これに対し、図１７（ｂ）は、欠陥部３ｃに対し発明者が想起した堰部が形成された表示パネルの態様を示す模式斜視図である。図１９（ａ）は、図１７（ｂ）の堰部が形成された状態を示す模式平面図である。なお、図１７（ｂ）は、製造工程において電子輸送層、共通電極、封止層が形成される前であって、列バンク１４ａ焼成後の状態を示している。
【００１７】
図１７（ｂ）に示す表示パネルの態様では、欠落部３が存在する列バンク１４の行方向両側に隣接する列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれにおいて、画素電極１２ｃ１、１２ｃ２の上方であって、列方向に所定距離Ａ１〜Ａ２だけ離れた位置Ａ１、Ａ２に、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２を形成する。ここで、位置Ａ１、Ａ２は、画素電極１２ｃ１、１２ｃ２の上方であって、Ｙ方向における距離が最大となる位置としてもよい。この場合、補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２がそれぞれ形成されて堰５０１、５０２が構成され、この一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られる。これより、混色を第１空間ＳＡ内に留め、混色したインクが第２空間ＳＢに流出することを抑制できる。
【００１８】
一方、欠落部３ｃがＹ方向にさらに拡大して欠落部３ｄの両端３ｄ１、３ｄ２が第２の行バンク２４上に位置する図１８（ｂ）に示した方法では混色の拡大を抑制することができない。図１８（ａ）は、バンクに生じる欠落部の別の一例を示す模式斜視図であり、（ｂ）は、発明者が想起した堰部が欠落部の周囲に形成された様子を示す模式斜視図である。図１９（ｂ）は、図１８（ｂ）の堰部が形成された状態を示す模式平面図である。
【００１９】
図１８（ａ）にように、欠落部３ｄは２つの画素電極１２ｃ１、１２ｃ２とＹ方向の位置が同じであるとともに、Ｙ方向において画素電極１２ｃ１、１２ｃ２を挟む第２の行バンク２４の一部分とＹ方向の位置が重なる。
そのため、図１７（ｂ）に示すような、画素電極１２ｄ１、１２ｄ２の上方であって、列方向に所定距離Ａ１〜Ａ２だけ離れた位置Ａ１、Ａ２に、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２を形成するといった方法では、欠落部３のＸ方向両側に位置する間隙２０を堰き止めることはできず、上記した欠落部３に近接する第１空間ＳＡと近接しない第２空間ＳＢとを仕切ることができない。そのため、混色したインクが第１空間ＳＡ内から第２空間ＳＢに流出して混色が拡大する。
【００２０】
そこで、発明者は、欠落部が画素電極に加え、第２の行バンクの一部分とＹ方向の位置が重なる場合において、欠落部３を有する第１の列バンクのＸ方向両側に位置する間隙２０を堰き止めるための構造及びその製造方法について鋭意検討を重ね、本開示に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法及び有機ＥＬ表示パネルに想到するに至ったものである。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、基板と、前記基板の上面に行列状に並んだ複数の画素電極と、前記基板上の少なくとも行方向に隣り合う前記画素電極の間に、列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の列バンクと、長尺状の前記列バンクの一部が存在しない欠落部と、前記画素電極の上方において、前記欠落部を有する列バンクの行方向両側に隣接する列バンクとの間の２つの間隙それぞれに形成された一対の補修用バンクと、前記複数の列バンク間の間隙に形成された塗布膜からなる発光層と、前記発光層の上方に共通電極とを備え、前記補修用バンクは、前記２つの間隙内に存在し、前記欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである前記画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に、形成された一対の補修用行バンクと、前記列バンクと行方向に接続されていない前記補修用行バンクの端部と、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分とを列方向に接続する補修用列バンクとを含むことを特徴とする。
【００２１】
係る構成により、製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落したときに、完成した有機ＥＬ表示パネルにおいて欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を、欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極を含むサブピクセルに限定することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記一対の補修用行バンクは、列方向における距離が最大となる位置に形成されている構成としてもよい。
【００２２】
係る構成により、混色領域が欠落部とＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じであるサブピクセルに含まれる最大の範囲に補修用バンクを形成することでできる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記２つの間隙内の一方に形成された前記発光層のうち、前記一対の補修用行バンクに挟まれた範囲に形成された発光層の部分は、前記欠落部を挟んで行方向に対向する間隙内に形成された発光層に含まれる有機発光材料を含み、前記一対の補修用行バンクに挟まれた範囲外に形成された発光層の部分は、前記対向する間隙内に形成された発光層に含まれる有機発光材料を含まない構成としてもよい。
【００２３】
係る構成により、混色領域が欠落部とＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じであるサブピクセルの範囲に限定され、混色に伴う表示品質の低下を欠落部とＹ方向に一部が重なるサブピクセル内に限定することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記基板上の少なくとも列方向に隣り合う前記画素電極の間には、行方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の行バンクを備え、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分は前記行バンクの上面に位置する構成としてもよい。
【００２４】
係る構成により、製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落して欠落部３のＹ方向における端部が行バンク上面に位置する場合において、完成した表示パネルにおいて、上記欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を限定することができる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素電極の前記行バンクの下方に位置する部分には、前記画素電極の表面の一部が凹陥したコンタクトホールを有し、前記補修用列バンクは、平面視において前記コンタクトホールと重ならない位置に形成されている構成としてもよい。
【００２５】
係る構成により、コンタクトホールの上方に形成した補修用行バンクにおいて平坦化層の厚みに相当する高さの分だけ高さが不足することを抑止できる。
また、本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板の上面に行列状に並んだ複数の画素電極を形成する工程と、前記基板上の少なくとも行方向に隣り合う前記画素電極の間に、列方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の列バンクを形成する工程と、長尺状の前記列バンクの一部が存在しない欠落部を検出する工程と、前記画素電極の上方において、前記欠落部が検出された列バンクの行方向両側に隣接する列バンクとの間の２つの間隙それぞれに、各一対の補修用バンクを形成する工程と、前記複数の列バンク間の間隙に有機発光材料を含むインクを塗布することにより発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に共通電極を形成する工程とを有し、前記補修用バンクを形成する工程は、前記２つの間隙内に存在し、前記欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである前記画素電極の上方であって、列方向に所定距離以上、離れた位置に、一対の補修用行バンクを形成する第１の工程と、前記列バンクと行方向に接続されていない前記補修用行バンクの端部を、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分と列方向に接続する補修用列バンクを形成する第２の工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】
係る構成により、製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落したときに、欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を、欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極を含むサブピクセルに限定することができる有機ＥＬ表示パネルを製造できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記第１の工程では、前記一対の補修用行バンクは列方向における距離が最大となる位置に形成される構成としてもよい。
【００２７】
係る構成により、補助バンクの形成工程において、画素電極の上方に補修用行バンクを形成することにより、平坦化層の上面に形成した補修用行バンクは画素電極の厚みに相当する高さの分だけ高さが不足するといったデメリットや、補修用行バンクの材料が平坦化層や行バンク上に濡れ広がり硬化する前に流れてしまうといったデメリットを抑止することができる。
【００２８】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記発光層を形成する工程において、前記２つの間隙内の何れかに塗布されたインクのうち、前記一対の補修用行バンクに挟まれた範囲に塗布されたインクは、前記欠落部を挟んで行方向に対向する間隙内へ前記欠落部を通して流出し、前記一対の補修用行バンクにより列方向には前記範囲内に堰き止められる構成としてもよい。
【００２９】
係る構成により、混色領域が欠落部３とＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じであるサブピクセルの範囲に限定され、混色に伴う表示品質の低下を欠落部とＹ方向に一部が重なるサブピクセル内に限定する表示パネルを製造できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、さらに、前記基板上の少なくとも列方向に隣り合う前記画素電極の間に、行方向に延伸する互いに並列に形成された複数の長尺状の行バンクを形成する工程を有し、欠落部を有する前記列バンクの最も近接する部分は前記行バンクの上面に位置している構成としてもよい。
【００３０】
係る構成により、製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落して欠落部３のＹ方向における端部が行バンク上面に位置する場合において、欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を限定する表示パネルを製造できる。
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素電極の前記行バンクの下方に位置する部分に、前記画素電極の表面の一部が凹陥したコンタクトホールを形成する工程を有し、前記補修用列バンクは、平面視において前記コンタクトホールと重ならない位置に形成される構成としてもよい。
【００３１】
係る構成により、コンタクトホールの上方に形成した補修用行バンクにおいて平坦化層の厚みに相当する高さの分だけ高さが不足することを抑止できる表示パネルを製造できる。
≪実施の形態＞≫
＜有機ＥＬ表示装置の全体構成＞
図１は、実施形態に係る表示パネル１００を有する有機ＥＬ表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
【００３２】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部１０１とを有している。表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、図２に示すように、複数の発光素子（有機ＥＬ素子）１０が基板上にマトリクス状に配列されている。駆動制御部１０１は、４つの駆動回路１０２〜１０５と制御回路１０６とから構成されている。
【００３３】
なお、表示パネル１００に対する駆動制御部１０１の配置などは、これに限られない。
＜有機ＥＬ表示パネルの構成＞
図２は、表示パネル１００の表示面側から見た概略構成を模式的に示す平面図である。図３は、表示パネル１００を図２のＡ−Ａ線で切断した一部拡大断面図である。表示パネル１００は、いわゆるトップエミッション型であって、Ｚ方向側が表示面となっている。
【００３４】
表示パネル１００の構成について、図２、３を参照しながら説明する。
図３に示すように、表示パネル１００は、その主な構成として、下地基板１１、画素電極１２、ホール注入層１３、列バンク１４、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を備える。
ホール注入層１３、電子輸送層１６が、機能層に相当し、画素電極１２と共通電極１７によって、機能層が挟まれた構造となっている。
【００３５】
そして、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１５を有する発光素子１０Ｒ、１０Ｇ、１０Ｂをサブピクセルとし、図２に示すように、サブピクセルがマトリクス状に配設されている。
なお、図２においては、電子輸送層１６、共通電極１７、封止層１８を取り除いた状態を示している。
【００３６】
[下地基板]
下地基板１１は、基板本体部１１ａ、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層１１ｂ、平坦化層１１ｃを有する。
基板本体部１１ａは、表示パネル１００の基材となる部分であり、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。また、基板本体部１１ａは、ポリイミド材料を用いて形成してもよい。
【００３７】
ＴＦＴ層１１ｂは、基板本体部１１ａの表面にサブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。
平坦化層１１ｃは、ＴＦＴ層１１ｂ上に形成されている。平坦化層１１ｃは、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１１ｂと画素電極１２との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層１１ｂの上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１２を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。
【００３８】
[画素電極]
画素電極１２は、下地基板１１上に、サブピクセル毎に個別に設けられた画素電極であり、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等の光反射性導電材料からなる。本実施形態において、画素電極１２は、陽極である。
【００３９】
なお、画素電極１２の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。透明導電膜は、画素電極１２とホール注入層１３の間に介在し、各層間の接合性を良好にする機能を有する。
[ホール注入層]
ホール注入層１３は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなるホール注入層１３は、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１５に対しホールを注入および輸送する機能を有する。
【００４０】
[バンク]
ホール注入層１３の表面には、Ｙ方向（列方向）に沿って伸長する平面視にて短冊状の列バンク１４が複数本並列に設けられている。この列バンク１４は、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。
各列バンク１４の断面は、図３に示されるように台形であって、列バンク１４同士の間には、列バンク１４によって区画された間隙２０（２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）が形成され、各間隙２０の底部には、複数の画素電極１２がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６が形成されている。
【００４１】
列バンク１４は、Ｘ方向に隣接する発光素子１０どうしを区画すると共に、有機発光層１５をウェット法で形成するときに、塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物としても機能する。
行バンク２４は、列バンク１４よりも高さが低く（図７参照）、各間隙２０においてＹ方向に隣接する画素電極１２と画素電極１２との間に形成され、Ｙ方向に隣接する発光素子１０どうしを区画している。即ち、表示パネル１００は、所謂ラインバンクを有する有機ＥＬ表示パネルである。
【００４２】
複数の各間隙２０において、形成されている複数の行バンク２４のＹ方向の位置は同じである。各行バンク２４はＸ方向（行方向）に伸長し、列バンク１４の下を通り隣の行バンク２４につながってＸ方向に伸長する短冊状となっている。従って、下地基板１１上において、列バンク１４と行バンク２４の全体は格子状に形成されている（図２参照）。
[列バンクの欠落部について]
列バンク１４ａに存在する欠落部３について説明する。
【００４３】
表示パネル１００おいて、欠落部３は列バンク１４ａの一部が平坦化層１１ｃの表面から欠落して長尺状の列バンク１４ａの一部が存在しない状態になっている部分を指す。このような列バンク１４ａの欠落は、列バンク１４ａの製造において偶発的に生じる。例えば、バンク材料層に対する露光の工程で、露光が不十分で重合が十分になされなかった箇所が、次の現像工程で洗い流されることによって発生する。このように欠落部３が生じた場合、その欠落部３を介して隣り合う間隙に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる。そのため、列バンク１４ａにおいて欠落部３が生じている箇所は、発光色が異なるインクの混色が生じて発光色不良の原因となるので、この箇所は欠陥としている。
【００４４】
図４（ａ）は、列バンク１４ａに生じる欠落部３ａの一例を示す模式斜視図である。図４（ａ）では、欠落部３ａのＹ方向の一端３ａ１はＹ方向に隣り合う行バンク２４の間に位置し、欠落部３ａの他端３ａ２は行バンク２４上に位置する。
また、図５（ａ）は、列バンク１４ａに生じる欠落部３ａよりも長い欠落部３ｂの一例を示す模式斜視図である。図５（ａ）では、欠落部３ｂのＹ方向の一端３ｂ１は行バンク２４の間に位置し、欠落部３ｂの他端３ｂ２も別の行バンク２４上に位置する。なお、本明細書では欠落部３ａ、３ｂの区別しない場合は欠落部３とする。
【００４５】
なお、列バンク１４ａに発生する欠陥は上述した欠落部３に限られない。１本の列バンク１４ａの中に異物が入り込み、その異物が列バンク１４の壁面を隣の間隙２０まで貫通している場合にも欠陥となる。例えば、列バンク１４ａ上に異物が付着して欠陥となっている場合、列バンク１４ａの中や下に異物が存在する場合でも、異物とバンク材料との密着性が悪い場合には、隙間が生じてインクの流通路ができ欠陥となる。従って、異物を挟んで隣り合う間隙に形成されたインク層１５ａの間で混色が生じる原因となる。本開示は各種の欠陥のうち欠落部３を対象とした補修を目的とするものである。
【００４６】
[補修用バンク]
長尺状の列バンク１４の一部が欠落した欠落部３がある場合、欠落部３が存在する列バンク１４の行方向両側に隣接する列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれに形成された一対の補修用バンク５２を備えた構成を採る。
以下、補修用バンク５２の構成について説明する。
【００４７】
図４（ｂ）は、一対の補修用バンク５Ｘ１、５Ｘ２が欠落部３ａをＹ方向に挟むように形成された様子を示す模式斜視図である。図４（ｂ）に示すように、欠落部３ａとＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極１２ａ１、１２ａ２（区別しない場合には画素電極１２ａとする）の上方であって、列方向に所定距離Ａ１〜Ａ２以上、離れた位置Ａ１、Ａ２に、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２（区別しない場合には補修用行バンク５２Ｘとする）が形成される。ここで、位置Ａ１、Ａ２は、画素電極１２ａ１、１２ａ２の上方であって、Ｙ方向における距離が最大となる位置としてもよい。
【００４８】
このとき、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２を、画素電極１２ａ１、１２ａ２の上方に形成することにより、滅点化するサブピクセルの数を最小にすることができる。
また、補修用行バンク５２Ｘを、例えば、行バンク２４上に形成した場合には、両者は共に有機材料からなるために親和性が高く、補修用行バンク５２Ｘの材料が行バンク２４上で濡れ広がり易く、補修用行バンク５２Ｘの堰として十分な高さまで形成することができない場合がある。これに対し、図４（ｂ）に示すように、補修用行バンク５２Ｘを画素電極１２Ａの上方に形成することにより、必要な補修用行バンク５２Ｘの高さを確保することができる。
【００４９】
係る構成により、図４（ｂ）に示す例では、欠落部３ａを有する列バンク１４のＸ方向両側の列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれにおいて、画素電極１２ａ１の上方に形成された補修用行バンク５２Ｘ１はＸ方向の両側の端部が、それぞれＸ方向に隣接する列バンク１４と接続された構造となり、列バンク１４間をつなぐ堰５０１を構築することができる。
【００５０】
しかしながら、画素電極１２ａ２に形成された補修用行バンク５２Ｘ２はＸ方向の欠落部３ａ側の端部が、隣接する列バンク１４とＸ方向に接続されていない構造となり、列バンク１４間をつなぐ堰を構築することができない。そこで、列バンク１４とＸ方向に接続されていない補修用行バンク５２Ｘ２の端部と、当該端部に最も近接する列バンク１４とをＹ方向に接続する補修用列バンク５２Ｙ２を付加した構成を採る。すなわち、画素電極１２ａ２に形成された補修用バンク５２は、補修用行バンク５２Ｘ２と補修用列バンク５２Ｙ２からなる、平面視においてＬ字型の構成を採る。
【００５１】
係る構成により、欠落部３ａを有する列バンク１４のＸ方向両側の列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれにおいて、画素電極１２ａ２の上方に形成された補修用バンク５２は、両側の端部が、それぞれＸ方向に隣接する列バンク１４と接続された構造となる。
以上により、図４（ｂ）に示すように、欠落部３ａを有する列バンク１４の両側にある間隙２０に、補修用行バンク５２Ｘ１からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて堰５０１が構成され、補修用行バンク５２Ｘ２及び補修用列バンク５２Ｙ２からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて堰５０２が構成される。そして、この一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠落部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。
【００５２】
一方、図５（ｂ）は、一対の補修用バンク５Ｘ１及び５Ｙ１、５Ｘ２及び５Ｙ２が欠落部３ｂをＹ方向に挟むように形成された様子を示す模式斜視図である。図５（ｂ）に示すように、欠落部３ｂとＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極１２ｂ１、１２ｂ２（区別しない場合には画素電極１２ｂとする）の上方であって、列方向に所定距離Ａ１〜Ａ２以上、離れた位置Ａ１、Ａ２に、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２（区別しない場合には補修用行バンク５２Ｘとする）が形成される。ここで、位置Ａ１、Ａ２は、画素電極１２ｂ１、１２ｂ２の上方であって、Ｙ方向における距離が最大となる位置としてもよい。
【００５３】
しかしながら、図５（ｂ）に示す例では、画素電極１２ｂ１、ｂ２に形成された補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２は、共にＸ方向の欠落部３ｂ側の端部が、隣接する列バンク１４とＸ方向に接続されていない構造となり、列バンク１４間をつなぐ堰を構築することができない。そこで、列バンク１４とＸ方向に接続されていない補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２の端部と、当該端部に最も近接する列バンク１４とをＹ方向に接続する補修用列バンク５２Ｙ１、５２Ｙ２をそれぞれ付加した構成を採る。すなわち、画素電極１２ｂ１に形成された補修用バンク５２は、補修用行バンク５２Ｘ１と補修用列バンク５２Ｙ１からなり、画素電極１２ｂ２に形成された補修用バンク５２は、補修用行バンク５２Ｘ２と補修用列バンク５２Ｙ２からなり、それぞれ平面視においてＬ字型の構成を採る。
【００５４】
係る構成により、欠落部３ｂを有する列バンク１４のＸ方向両側の列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれにおいて、画素電極１２ｂ１、ｂ２の上方に形成された２つの一対の補修用バンク５２は、両側の端部が、それぞれＸ方向に隣接する列バンク１４と接続された構造となる。
以上により、図５（ｂ）に示すように、欠落部３ｂを有する列バンク１４のＸ方向両側にある間隙２０に、補修用行バンク５２Ｘ１及び補修用列バンク５２Ｙ１からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて堰５０１が構成され、補修用行バンク５２Ｘ２及び補修用列バンク５２Ｙ２からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて堰５０２が構成される。そして、この一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠落部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。
【００５５】
なお、補修用バンク５２の幅（平面視における太さ）は、例えば、５〜５０μｍである。
以上のとおり、本実施の形態では、欠落部３の存在する列バンク１４の両側の間隙２０では、一対の堰５０１、５０２により混色インクをせき止めて、混色領域が広がるのを防ぐことができる。
【００５６】
[有機発光層]
有機発光層１５は、キャリア（正孔と電子）が再結合して発光する部位であって、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含む。
この有機発光層１５は、上記の列バンク１４によって区画されたＹ方向に伸長する溝状の間隙（図７の間隙２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ参照）に形成されている。
【００５７】
なお、図７に示す間隙２０Ｒは赤色の発光層が形成されて赤色の発光素子１０Ｒが形成される間隙であり、間隙２０Ｇ、間隙２０Ｂは、それぞれ緑色、青色の発光層が形成されて、緑色、青色の発光素子１０Ｇ、１０Ｂが形成される間隙である。
従って、互いに色の異なる有機発光層１５が、列バンク１４を挟んで配置されていることになる。
【００５８】
有機発光層１５の材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレン、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【００５９】
表示パネル１００では、欠落部３を有する列バンク１４の両側の間隙２０には、それぞれ、一対の補修用バンク５２が形成されて、補修用バンク５２の両端はＸ方向に両側の列バンク１４と接続され堰５０１、５０２を形成している。そのため、Ｙ方向に対向する一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する第１空間ＳＡと、近接しない２つの第２空間ＳＢとに仕切られて、第１空間ＳＡに混色領域ができることがあっても、その混色領域は補修用バンク５２を超えて第２空間ＳＢに広がることはない。
【００６０】
その結果、欠落部３を挟んで行方向に対向する２つの間隙２０内の一方に形成された有機発光層１５のうち、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２に挟まれた範囲に形成された有機発光層１５の部分は、欠落部３を挟んで行方向に対向する間隙２０内に形成された有機発光層１５に含まれる有機発光材料を含み、一対の補修用行バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２に挟まれた範囲外に形成された有機発光層１５の部分は、対向する間隙２０内に形成された有機発光層１５に含まれる有機発光材料を含まない構成を実現することができる。
【００６１】
[電子輸送層]
電子輸送層１６は、共通電極１７から注入された電子を有機発光層１５へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などで形成されている。
[共通電極]
共通電極１７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性を有する光透過性材料で形成され全てのサブピクセルに亘って設けられている。
【００６２】
本実施形態において、共通電極１７は陰極である。
[封止層１８]
封止層１８は、ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６、共通電極１７を水分及び酸素から保護するために設けられている。
なお、図示はしないが、封止層１８の上に、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
【００６３】
＜表示パネルの製造方法＞
図６は、表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。
図７は、表示パネル１００の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
表示パネル１００の製造方法について、図６の工程図に基づいて、図３、５を参照しながら説明する。
【００６４】
まず、基板本体部１１ａ上にＴＦＴ層１１ｂを形成する（ステップＳ１）。
続いて、ＴＦＴ層１１ｂの上に、絶縁性に優れる有機材料を用いてフォトレジスト法で平坦化層１１ｃを形成して下地基板１１を作製する（ステップＳ２）。平坦化層１１ｃの厚みは例えば約４μｍである。なお、図３の断面図および図６の工程図には現れないが、平坦化層１１ｃを形成するときに、コンタクトホール２（図２参照）を形成する。
【００６５】
次に、下地基板１１上に、真空蒸着法またはスパッタ法によって、厚み２００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極を成膜する（ステップＳ３）。
続いて、スパッタ法などで酸化タングステンからなるホール注入層を、下地基板１１および画素電極上に一様に成膜する（ステップＳ４）。
続いて、フォトリソグラフィー法によりサブピクセル毎にパターニングして画素電極１２、ホール注入層１３を形成する（ステップＳ５）。
【００６６】
次に、行バンク２４と列バンク１４を以下のようにフォトリソグラフィー法で形成する。
まず行バンク２４を形成するためのバンク材料（例えば、感光性を有するフォトレジスト材料）を、ホール注入層１３上に一様に塗布する（ステップＳ６）。
その後、塗布されたバンク材料層に、行バンク２４のパターンに合わせた開口を有するフォトマスクを重ねて、ＵＶ照射して露光する。そして未硬化の余分なバンク材料を現像液で除去することによって未焼成の行バンク２４ａを形成する。その後、未焼成の行バンク２４を加熱焼成することにより、行バンク２４を形成する（ステップＳ７）。
【００６７】
次に、列バンク１４を形成するためのバンク材料（例えば、ネガ型感光性樹脂組成物を）を、行バンク２４を形成した基板上に一様に塗布する。
そのバンク材料層上に、形成しようとする列バンク１４のパターンに合わせた開口を有するマスクを重ねて、マスクの上から露光する。その後、余分なバンク材料をアルカリ現像液で洗い出すことによって、バンク材料をパターニングして、列バンクのパターンを形成する（ステップＳ６）。その後、未焼成の列バンク１４を加熱焼成することにより、行バンク１４を形成する（ステップＳ７）。この焼成は、例えば、未焼成の列バンク１４を、２００℃〜２４０℃の温度で６０分間加熱することによって行う。  図７（ａ）に示すように行バンク２４と、列バンク１４とがパターン形成される。そして隣接する列バンク１４同士の間に、間隙２０が形成されている。  次に、このパターン形成された列バンク１４における欠落部の発生を調べて（ステップＳ８）、欠落部があればその補修を行う。
【００６８】
このバンク補修については、後で詳しく説明するが、検出した欠落部の近傍において、列バンク１４の同士の間の間隙２０に補修材を塗布し乾燥して堰部を形成することによって行う。図７（ｂ）には、列バンク１４間の間隙２０に補修材が塗布され（ステップＳ９）、未焼成の補修用バンク５２ａが形成された状態を示している。
その後、未焼成の補修用バンク５２ａを、加熱焼成することによって、列バンク１４、行バンク２４に加えて、さらに、補修用バンク５２が出来上がり、欠落部３の補修が完了する（ステップＳ１０）。この焼成は、例えば、未焼成の補修用バンク５２ａを、２００℃〜２４０℃の温度で６０分間加熱することによって行う。
【００６９】
図７（ｃ）は、この焼成によって、列バンク１４が形成されると共に補修用バンク５２が形成された状態、すなわち、列バンク１４における欠落部３が補修された状態を示している。
このように形成された列バンク１４において、さらに、次の工程で塗布するインクに対する列バンク１４の接触角を調節する処理を施してもよい。あるいは、列バンク１４の表面に撥液性を付与するために、所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等による表面処理や、プラズマ処理等を施してもよい。なお、列バンクに撥液性を付与するために、列バンクのバンク材料として、撥液性を持たせた材料を使用してもよい。
【００７０】
なお、ここでは、列バンクと堰部はそれぞれ別々に焼成しているが、同時焼成してもよい。すなわち、ここでは、列バンクの形成、列バンクの焼成、欠落部の検出、堰部の形成、堰部の焼成の順番に処理を行っているが、列バンクの形成、欠落部の検出、堰部の形成、列バンク及び堰部の焼成の順番に処理を行ってもよい。
続いて、図７（ｄ）に示すように、隣り合う列バンク１４同士間の間隙２０に、有機発光層１５を形成するためのインクを塗布する。このインクは、有機発光層１５を構成する有機材料と溶媒を混合したものであって、各間隙２０内にインクジェット法により塗布する。インクジェット法により間隙２０内にインクを塗布する方法は詳細を後述する。
【００７１】
そして、塗布されたインク層１５ａに含まれる溶媒を蒸発させて乾燥し、必要に応じて加熱焼成することによって、図７（ｅ）に示すように、各間隙２０内に有機発光層１５が形成される（ステップＳ１１）。
次に、有機発光層１５および列バンク１４の上に、電子輸送層１６を構成する材料を真空蒸着法で成膜して、電子輸送層１６を形成する（ステップＳ１２）。
【００７２】
そして、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を、スパッタ法等で成膜して、共通電極１７を形成する（ステップＳ１３）。
そして、共通電極１７の表面に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法あるいはＣＶＤ法等で成膜して、封止層１８を形成する（ステップＳ１４）。
以上の工程を経て表示パネル１００が完成する。
【００７３】
[インクジェット法により間隙２０内にインクを塗布する方法]
インクジェット法を用いて、有機発光層１５のインクを間隙２０内に塗布する方法の詳細について説明する。
有機発光層１５の形成時には、有機発光層１５を形成するための溶液であるインク１５ａを用いて、赤色サブピクセル用の間隙２０Ｒ内に有機発光層１５Ｒ、緑色サブピクセル用の間隙２０Ｇ内に有機発光層１５Ｇ、及び青色サブピクセル用の間隙２０Ｂ内に有機発光層１５Ｂを、複数のラインバンク間の各領域に形成する。なお、有機発光層１５Ｒと、有機発光層１５Ｇ又は有機発光層１５Ｂとは厚みが異なっていてもよい。例えば、間隙２０Ｒ内に塗布するインクの量を、間隙２０Ｂ及び間隙２０Ｇ内に塗布するインクの量よりも多くすることにより、有機発光層１５Ｒの厚みを、有機発光層１５Ｂ及び有機発光層１５Ｇの厚みよりも大きく形成することができる。
【００７４】
説明を簡略にするため、ここでは、ノズルから吐出するインクの量を第１の条件に設定して基板上の複数の第１色目の間隙２０にインクを塗布し、次に、ノズルから吐出するインクの量を第２の条件に設定してその基板上の複数の第２色目の間隙２０にインクを塗布し、次にノズルから吐出するインクの量を第３の条件に設定してその基板上の複数の第３色目の間隙２０にインクを塗布する方法で、３色全部の間隙にインクを順次塗布する。基板に対して第１色目の間隙２０へのインクの塗布が終わると、次に、その基板の第２色目の間隙２０にインクを塗布し、さらに、その基板の第３色目の間隙２０にインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色の間隙２０用のインクを順次塗布する。なお、インクを吐出するノズルは、第１色目のインクを吐出するものと、第２色目のインクを吐出するものと、第３色目のインクを吐出するものと、それぞれ異なるノズルを使用してもよい。
【００７５】
（列バンク１４間の間隙２０に一様に塗布する方法）
次に、１色の間隙中にインク（例えば、赤色間隙用のインク）を塗布する方法について説明する。図８は、基板に対して発光層形成用のインクを塗布する工程を示す図であって、列バンク１４間の間隙２０に一様に塗布する場合の模式図である。
有機発光層１５は、発光領域（図２における列バンク１４と行バンク２４に囲まれた領域）だけでなく、隣接する非自己発光領域（図２における行バンク２４上の領域）まで連続して延伸されている。このようにすると、有機発光層１５の形成時に、発光領域に塗布されたインクが、非自己発光領域に塗布されたインクを通じて列方向に流動でき、列方向の画素間でその膜厚を平準化することができる。よって、列方向に大きな膜厚むらが発生しにくく画素毎の輝度むらや寿命低下が改善される。
【００７６】
本塗布方法では、基板は、列バンク１４がＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の作業テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数の吐出口３０３１がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に走査しながら、各吐出口３０３１から列バンク１４同士の間隙２０内に設定された着弾目標を狙ってインクを着弾させることによって行う。
なお、同一の塗布量にて有機発光層１５のインクを塗布する領域は、ｘ方向に隣接して並ぶ３つの領域の中の１つである。
【００７７】
有機発光層１５の形成方法はこれに限定されず、インクジェット法やグラビア印刷法以外の方法、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
[欠落部３の検出と補修用バンク５２の形成]
上記製造方法で説明したように、正確には、未焼成の列バンク１４ａ、未焼成の補修用バンク５２ａを形成した後、これら未焼成の列バンク１４ａ、補修用バンク５２ａを加熱焼成して硬化させることによって、最終的な列バンク１４、補修用バンク５２が形成される。しかし、未焼成の列バンク１４ａ、未焼成の補修用バンク５２ａは、ある程度固体化して安定なバンク形状、堰形状となっているので、本明細書では、未焼成の列バンク１４ａや未焼成の補修用バンク５２についても、単に列バンク１４ａ、補修用バンク５２と記載して説明する。
【００７８】
列バンク１４ａにおける欠落部３の検出は、例えば、下地基板１１上に形成した列バンク１４ａの表面画像を撮影し、その表面画像のパターン検査によって行う。
図９は、バンク欠落部の検出と、その補修に用いる補修装置の一例を示す概略構成図である。
この補修装置２００においては、ベース２０１上に、上記の下地基板１１を載置するテーブル２０２と、撮像素子２１１、ニードルディスペンサ２１３が取り付けられたヘッド部２１０とを有している。そして、テーブル２０２は、コントローラ２３０のＣＰＵ２３１の指示に基づいてＹ方向に移動でき、ヘッド部２１０は、ＣＰＵ２３１の指示によって、Ｘ方向及びＺ方向に移動できるようになっている。
【００７９】
従って、ヘッド部２１０に取り付けられているニードルディスペンサ２１３は、ＣＰＵ２３１の指示によって、テーブル２０２上に載置された下地基板１１の上方で、下地基板１１に対して、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に相対移動することができる。
なお、ここでは、下地基板１１上に画素電極１２、ホール注入層１３、列バンク１４ａ、行バンク２４が形成されたものを、下地基板１１として表す。
【００８０】
補修用バンク５２の形成は、間隙２０内において、補修用バンク５２を形成しようとするライン（補修用バンク形成ライン）に沿って設定された複数の位置に、ニードルディスペンサ２１３から補修材を塗布することによって行う。
（補修用バンク形成ラインの設定）
先ず、図４（ａ）に示した欠落部３ａのＹ方向の一端３ａ１Ｙ方向に隣り合う行バンク２４の間に位置し、他端３ａ２はともに行バンク２４上に位置する場合について説明する。図１０（ａ）は、図４（ａ）の欠落部３ａの周辺に設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図である。
【００８１】
図１０（ａ）に示すように、列バンク１４ａ上に欠落部３ａが存在する場合、欠落部３ａのＹ方向における両端３ａ１、３ａ２の座標位置を取得し、取得した座標位置に基づき、欠落部３ａとＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極１２ａ１、１２ａ２を特定する。そして、画素電極１２ａ１、１２ａ２の上方において、列方向に所定距離２×ａ以上、離れた位置Ａ１、Ａ２にＸ方向の補修用行バンク形成ラインＬＸ１、ＬＸ２（以後、ラインＬＸ１、ＬＸ２とする）を設定する。図１０（ａ）に示す点Ｐ１〜Ｐ４は、ラインＬＸ１、ＬＸ２に沿って設定されたニードルディスペンサによる塗布位置を表す。ここで、ラインＬＸ１、ＬＸ２は、画素電極１２ａ１、１２ａ２の上方において、ラインＬＸ１、ＬＸ２のＹ方向における距離が最大となる位置に設定される構成としてもよい。
【００８２】
次に、欠落部３ａのＹ方向における両端３ａ１、３ａ２の座標位置と、ラインＬＸ１、ＬＸ２とのＹ方向の位置関係を比較する。
図１０（ａ）の例では、欠落部３ａのＹ方向の一端３ａ１はＹ方向に隣り合う行バンク２４の間に位置する。そのため、画素電極１２ａ１では、ラインＬＸ１のＹ方向の位置が欠落部３ａのＹ方向の端３ａ１の座標よりも上方に位置する関係にある。したがって、ラインＬＸ１上に形成される補修用バンク５２Ｘ１の端部は列バンク１４ａに接続されると判定する。
【００８３】
これに対し、欠落部３ａの他端３ａ２は行バンク２４上に位置する。そのため、画素電極１２ａ２では、ラインＬＸ２のＹ方向の位置が欠落部３ａのＹ方向の端３ａ２の座標よりも上方に位置する関係にある。したがって、ラインＬＸ２上に形成される補修用バンク５２Ｘ２の端部は列バンク１４ａに接続されないと判定する。
この場合、点Ｐ１〜Ｐ４のうち欠落部３ａに最も近いＰ４から、少なくとも欠落部３ａのＹ方向の端３ａ２までＹ方向に補修用列バンク形成ラインＬＹ２（以後、ラインＬＹ２とする）を設定する。図１０（ａ）に示す点Ｐ５〜Ｐ７は、ラインＬＹ２に沿って設定されたニードルディスペンサによる塗布位置を表す。このとき、点Ｐ７は平面視において行バンク２４上に位置に設定されることが必要である。
【００８４】
次に、図５（ａ）に示した欠落部３ｂのＹ方向の両端３ｂ１、３ｂ２はともにＹ方向に隣り合う行バンク２４の間に位置する場合について説明する。図１１（ａ）は、欠落部３ｂの周辺に設定された、ニードルディスペンサによる補修材料の塗布位置を示す模式平面図である。
図１１（ａ）に示す例でも、同様に欠落部３ｂのＹ方向における両端３ｂ１、３ｂ２の座標位置に基づき、欠落部３ｂとＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極１２ｂ１、１２ｂ２を特定する。そして、画素電極１２ｂ１、１２ｂ２の上方において、位置Ａ１、Ａ２にＸ方向のラインＬＸ１、ＬＸ２を設定する。ラインＬＸ１、ＬＸ２に沿ってニードルディスペンサによる塗布点Ｐ１〜Ｐ４を設定する。
【００８５】
次に、欠落部３ｂのＹ方向の両端３ｂ１、３ｂ２の座標位置と、ラインＬＸ１、ＬＸ２とのＹ方向の位置関係を比較する。
図１１（ａ）の例では、欠落部３ｂのＹ方向の両端３ｂ１、３ｂ２はともにＹ方向に隣り合う行バンク２４の上面に位置する。そのため。ラインＬＸ１のＹ方向の位置が欠落部３ｂのＹ方向の端３ｂ１の座標よりも下方に位置し、ラインＬＸ２のＹ方向の位置が欠落部３ｂのＹ方向の端３ｂ２の座標よりも上方に位置する関係にある。したがって、画素電極１２ｂ１、１２ｂ２の両方においてラインＬＸ１、ＬＸ２上に形成される補修用バンク５２Ｘ１、５２Ｘ２の端部は列バンク１４ａに接続されないと判定する。
【００８６】
この場合、点Ｐ１〜Ｐ４のうち欠落部３ａに最も近いＰ４から、少なくとも欠落部３ａのＹ方向の両端３ｂ１、３ｂ２まで、それぞれＹ方向にラインＬＹ１、ＬＹ２を設定する。図１０（ａ）に示す点Ｐ５〜Ｐ７は、ラインＬＹ１、ＬＹ２に沿って設定されたニードルディスペンサによる塗布位置を表す。このとき、点Ｐ７は平面視において行バンク２４上に位置に設定されることが必要である。
【００８７】
（補修材の塗布及び焼成）
図１２（ａ）〜（ｇ）は、塗布点Ｐ１、Ｐ２…に、補修材を順次塗布することによって、補修用バンク５２が形成される様子を模式的に示す図である。
補修装置２００は、このように設定した塗布点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４あるいは、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７において、順次、ニードル２１３ａで補修材を塗布することによって補修用バンク５２を形成する。ニードルディスペンサ２１３は、その先端部分に補修材を収納するタンク２１３ｂが取り付けられ、タンク２１３ｂを貫通するようにニードル２１３ａが上下に移動することによって、ニードル２１３ａに付着させた補修材をマイクロリットル単位で塗布できるようになっている。
【００８８】
まず図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、ニードル２１３ａ、タンク２１３ｂを塗布点Ｐ1上方に位置させて、ニードル２１３ａを下方に移動してニードル２１３ａに補修材を付着させて、ニードル２１３ａを塗布点Ｐ1に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ1に塗布する。
補修材は、塗布されるまでは流動性を有するが、塗布後は山形状が維持され、図１２（ｃ）に示すように、塗布点Ｐ１に補修材の山が形成される。
【００８９】
続いて、図１２（ｄ）に示すように、ニードル２１３ａをタンク２１３ｂ内に引き上げて、ニードル２１３ａ、タンク２１３ｂを、塗布点Ｐ２に移動させる。そして、図１２（ｅ）に示すように、ニードル２１３ａを下方に移動して、補修材を付着させたニードル２１３ａを塗布点Ｐ２に近づけることによって補修材を塗布点Ｐ２に塗布する。
それによって図１２（ｆ）に示すように、塗布点Ｐ２に形成される補修材の山は、塗布点Ｐ１に形成されている補修材の山と繋がる。
【００９０】
続いて、図１２（ｇ）に示すように、ニードル２１３ａを引き上げて、塗布点Ｐ３に移動させる。
同様にして、塗布点Ｐ３、Ｐ４あるいは、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７に補修材の山を形成して、塗布点Ｐ２の補修材の山とつなげる。
このようにして、欠落部３を有する列バンク１４ａ上の点Ａ１から、隣の列バンク１４ａに亘る形状で、補修材の山が連なることになる。そして、この塗布された補修材の山を、乾燥させ、必要に応じて露光を行うことによって補修用バンク５２が形成される。
【００９１】
また、その後の同時焼成工程において、塗布された補修材が硬化するので、より安定した物性を有する補修用バンク５２が形成される。
（補修用バンク５２の形成）
図１０（ｂ）は、図４（ａ）の欠落部３ａの周辺に形成された、補修用バンク５２が形成された状態を示す模式平面図である。図１０（ｂ）に示すように、欠落部３ａを有する列バンク１４のＸ方向両側の列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれにおいて、図１０（ａ）に示したラインＬＸ１、ＬＸ２、ＬＹ２に沿って、それぞれ点Ｐ１〜Ｐ４、点Ｐ１〜Ｐ４、点Ｐ５〜Ｐ７の位置においてニードルディスペンサ２１３による補充材の塗布と、例えばレーザー等を用いた焼成とを行う。
【００９２】
これより、図１０（ｂ）に示すように、欠落部３ａを有する列バンク１４のＸ方向の両側にある間隙２０に、補修用行バンク５２Ｘ１からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて、両側の端部がＸ方向に隣接する列バンク１４に接続された堰５０１を形成する。また、補修用行バンク５２Ｘ２及び補修用列バンク５２Ｙ２からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて、両側の端部がＸ方向に隣接する列バンク１４に接続された堰５０２が形成される。
【００９３】
そして、Ｙ方向に対向する一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠落部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。
また、図１１（ｂ）は、図５（ａ）の欠落部３ｂの周辺に形成された、補修用バンク５２が形成された状態を示す模式平面図である。図１１（ｂ）に示す例では、欠落部３ｂを有する列バンク１４のＸ方向両側の列バンク１４との間の２つの間隙２０それぞれにおいて、図１１（ａ）に示したラインＬＸ１、ＬＸ２、ＬＹ１、ＬＹ２に沿って、それぞれ点Ｐ１〜Ｐ４、点Ｐ１〜Ｐ４、点Ｐ５〜Ｐ７、点Ｐ５〜Ｐ７の位置においてニードルディスペンサ２１３による補充材の塗布と、例えばレーザー等を用いた焼成とを行う。
【００９４】
これより、図５（ｂ）に示すように、欠落部３ｂを有する列バンク１４の両側にある間隙２０に、補修用行バンク５２Ｘ１及び補修用列バンク５２Ｙ１からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて、両側の端部がＸ方向に隣接する列バンク１４に接続された堰５０１が形成される。また、補修用行バンク５２Ｘ２及び補修用列バンク５２Ｙ２からなる補修用バンク５２がそれぞれ形成されて、両側の端部がＸ方向に隣接する列バンク１４に接続された堰５０２が形成される。そして、Ｙ方向に対向する一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠落部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。
【００９５】
以上のように各列バンク１４の欠落部３を補修した上で、次のステップＳ９（図６参照）の発光層形成工程を行うことによって、後述するように、インクの混色領域を制限するとともに、第１空間ＳＡ、第２空間ＳＢに、インクが塗布され、有機発光層１５が形成される。
このように、行バンク２４の内側の画素の発光領域に一対の堰５０１、５０２を設けることにより、一対の堰５０１、５０２の外側では、正常発光が望めるため、表示品質が低下するサブピクセルの面積を削減することができる。
【００９６】
なお、補修材としては、光や熱を加えることによって硬化する樹脂の組成物を用いることができる。
樹脂としては、例えば、（メタ）アクロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基などのエチレン性の二重結合を有する硬化性の樹脂が挙げられる。
また、樹脂に対して架橋する架橋剤、例えば、エポキシ化合物、ポリイソシアネート化合物を添加してもよい。
【００９７】
また、この樹脂構造の中に、フッ素が導入されているフッ化ポリマーを用いてもよい。補修材の樹脂にフッ素が導入されることによって、形成される補修用バンク５２に撥液性を付与することができる。あるいは、樹脂に各種溌液剤を添加してもよい。撥液剤の添加量は０．０１〜１０ｗｔ％とする。撥液剤の添加量をこの範囲にすることで、樹脂組成物の貯蔵安定性が良好で、且つ形成される補修用バンク５２の撥液性も良好となる。
【００９８】
なお、補修材として、列バンク１４ａを形成するバンク材料と同じものを用いてもよい。
上記補修材を構成する樹脂の組成物に、必要に応じて、溶剤、光重合開始剤を適宜添加してもよい。
溶剤は、樹脂に対する溶解性を有するもので、沸点が１５０〜２５０℃程度の溶剤を1種類以上用いてもよい。
【００９９】
光重合開始剤としては、市販の各種光重合開始剤を用いることができる。
補修材の塗布時において、補修材の固形分は、例えば２０〜９０ｗｔ％に調整し、粘度は例えば１０〜５０ｃＰ（センチポイズ）に調整する。
光重合開始剤の添加量は、焼成時における露光量に応じて調整するが、例えば全固形分に対して０．１〜５０重量％、好ましくは５重量％〜３０重量％である。
【０１００】
（補修用バンク５２の製造における効果）
次に、補修用バンク５２の製造方法における詳細について説明する。
図１３（ａ）は、実施形態に係る表示パネル１００を図１１（ｂ）のＢ−Ｂ線で、（ｂ）はＣ−Ｃ線で、（ｃ）はＤ−Ｄ線で切断した一部拡大断面図である。
図１３（ａ）において、平坦化層１１ｃの厚みは約４μｍ、列バンク１４の高さは約１μｍ、画素電極１２の厚みは約０．２μｍである。有機発光層１５の形成工程において、インク１５ａの流出を防止するために必要な堰の高さ５２１は概ね０．７〜０．８μｍであり、図１３（ａ）に示すように画素電極１２（ホール注入層１３が積層されている場合はホール注入層１３の上面）の上方に高さ５２１以上の補修用行バンク５２Ｘを形成することが好ましい。仮に、画素電極１２と画素電極１２との間の平坦化層１１ｃの上面に補修用バンク（５２）を形成した場合には、画素電極１２の厚みに相当する高さの分だけ補修用行バンク５２Ｘの高さが不足してインク１５ａが流出する場合がある。
【０１０１】
また、補修用バンク（５２）を、画素電極１２と画素電極１２との間の平坦化層１１ｃの上面に形成した場合には、両者は共に有機材料からなるために親和性が高く、補修用バンク（５２）の材料が平坦化層１１ｃ濡れ広がり易く、例えば、レーザーで硬化する前に流れてしまい、補修用バンク（５２）は堰として十分な高さまで形成することができない場合がある。これに対し、表示パネル１００では、補修用行バンク５２Ｘを画素電極１２Ａの上方に形成することにより、必要な補修用行バンク５２Ｘの高さを確保することができる。
【０１０２】
次に、図１３（ｂ）において、行バンク２４の高さは約０．５μｍである。図１３（ａ）に示すように、画素電極１２と画素電極１２との間隙の上方に位置する行バンク２４の上面には、最大、画素電極の厚み約０．２μｍに相当する深さの凹部が存在する。当該凹部を跨いで補修用列バンク５２Ｙを形成した場合には、補修用列バンク５２Ｙの上面にも同じ位置にも同等の深さの凹部が形成される。
【０１０３】
補修用列バンク５２Ｙを堰に必要な高さ５２４で形成したとき、行バンク２４の上面に形成される補修用列バンク５２Ｙの部分は行バンク２４の厚み約０．５μｍだけ、かさ上げされる。そのため、補修用列バンク５２Ｙの上面に、最大、画素電極の厚み約０．２μｍに相当する深さの凹部が存在しても、堰に必要な高さ５２４（約０．７〜０．８μｍ）を下回ることはない。
【０１０４】
一方、平坦化層１１ｃに形成されるコンタクトホール２の深さは平坦化層１１ｃの厚みと同じ約４μｍである。したがって、コンタクトホール２の上方の補修用列バンク５２Ｙの上面に補修用列バンク５２Ｙを形成した場合には、補修用列バンク５２Ｙの上面に平坦化層１１ｃ約４μｍに相当する深さの凹部が形成されるので、形成された補修用列バンク５２Ｙは堰として必要な高さ５２４を確保することができない。そのため、補修用列バンク５２Ｙはコンタクトホール２の上方を避けて形成することが必要となる。表示パネル１００ではコンタクトホール２の上方を避けて補修用列バンク５２Ｙが形成されているので、補修用列バンク５２Ｙは堰に必要な高さを確保でき、インクの流出を抑止できる。
【０１０５】
次に、図１３（ｃ）は、仮に、欠落部３と同じ位置に列バンク１４の欠落した部分を補うように補修用列バンク（５２）を形成することを想定したときの模式図である。この場合、画素電極１２と画素電極１２との間の平坦化層１１ｃの上面に補修用列バンク（５２）を形成することになるので、図１３（ａ）（ｂ）に示した例と同様の理由により、堰に必要な高さ５２４（約０．７〜０．８μｍ）を確保することができない。
【０１０６】
図１４（ａ）（ｂ）比較例として想定される堰部が形成された表示パネルの状態を示す模式平面図である。
先ず、図１４（ａ）は、仮に、欠落部３が存在する列バンク１４の行方向両側に隣接する列バンク１４との間の２つの間隙２０において、列方向に所定距離Ａ１〜Ａ２だけ離れた位置Ａ１、Ａ２に、２つの間隙２０を横断するような一対の補修用行バンク５２Ｉを形成することを想定したときの模式平面図である。
【０１０７】
この場合、補修用行バンク５２Ｉと欠落部３とが交差する位置Ａ１、Ａ２付近において、補修用行バンク５２Ｉが、画素電極１２と画素電極１２との間の平坦化層１１ｃの上面に形成される。したがって、上述したように、補修用行バンク５２Ｉは画素電極１２の厚みに相当する高さの分だけ補修用行バンク５２Ｘの高さが不足する。また、補修用バンク（５２）の材料が平坦化層１１ｃに濡れ広がり易く硬化する前に流れてしまう。そのため、補修用行バンク５２Ｉは堰として十分な高さまで形成することができない場合がある。
【０１０８】
また、補修用バンク５２は透光性を有する補修材からなるため、同じく透光性を有する平坦化層１１ｃ上に補修用バンク５２を形成することは、平面視したときの視認性が悪くバンクの補修工程における補修材を塗布する際の作業性が著しく低下する。そのため、補修用バンク５２は遮光性を有する画素電極１２が形成された領域の上方に形成することが好ましい。
【０１０９】
次に、図１４（ｂ）は、欠落部３のＹ方向における端部が行バンク２４上面に位置する場合に、欠落部３Ｙ方向における端部と、欠落部３ａを有する列バンク１４のＸ方向両側の列バンク１４とを接続する２つの補修用行バンク５２Ｊを行バンク２４上面に形成することを想定したときの模式平面図である。
この場合、上述したように補修用行バンク５２Ｊと行バンク２４とは共に有機材料からなるために親和性が高く、補修用行バンク５２Ｘの材料が行バンク２４上で濡れ広がり易く、補修用行バンク５２Ｘの堰として十分な高さまで形成することができない場合がある。
【０１１０】
また、平面視したときに行バンク２４の範囲にはコンタクトホール２が形成されているので、補修用行バンク５２Ｊはコンタクトホール２の上方を通過するように形成されることになる。そのため、上述したように補修用行バンク５２Ｊの上面に平坦化層１１ｃ約４μｍに相当する深さの凹部が形成されることになり、堰に必要な高さを確保することが難しい。
【０１１１】
これに対し、図４（ｂ）に示すように、補修用行バンク５２Ｘを画素電極１２Ａの上方に形成することにより、堰として必要な補修用行バンク５２Ｘの高さを確保することができる。
表示パネル１００では、補修用列バンク５２Ｙの一部分は行バンク２４の上面に形成される構成を採る。しかしながら、表示パネル１００では、補修用列バンク５２Ｙは、コンタクトホール２の上方を避けて形成されているので、コンタクトホール２に起因する高さの減少はない。また、補修用列バンク５２Ｙは、例えば、図１０（ｂ）、図１１（ｂ）に示すようにＹ方向の端部が、それぞれ列バンク１４及び画素電極１２の上方に形成された補修用列バンク５２Ｙと接続されているので、行バンク２４の上面と材料上の親和性が高い場合でも、補修用列バンク５２Ｙの材料が行バンク２４上で濡れ広がることを抑止できる。そのため、表示パネル１００では、補修用列バンク５２Ｙは行バンク２４の上面に形成される場合であっても、堰として必要な高さを確保でき、インクの流出を抑止できる。
【０１１２】
＜表示パネル１００の効果＞
次に、実施形態に係る表示パネル１００と比較例に係る表示パネルとを比較してインクの混色領域の広がりについて説明する。
図１５は、表示パネル１００にインク層が形成された状態を示す模式平面図である。本実施形態に係る表示パネル１００において、欠落部３を有する列バンク１４の周囲に一対の補修用バンク５２が形成された後、その列バンク１４に隣接する一方の間隙２０（Ｒ）に、赤の発光色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｒ）が、他方の間隙２０（Ｇ）に緑の発光色のインクが塗布されてインク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。図１６は、図８に示した比較例に係る表示パネルにおいて、同様に列バンク１４を挟んで隣接する間隙２０（Ｒ）にインク層１５ａ（Ｒ）が形成され、間隙２０（Ｇ）に）インク層１５ａ（Ｇ）が形成された状態を示す平面図である。
【０１１３】
比較例では、図１６に示すように、欠落部３により補修用バンク５２と列バンク１４とが接続されておらず、補修用バンク５２による堰が形成されていない。そのため、間隙２０（Ｒ）に塗布された赤色インクと間隙２０（Ｇ）に塗布された緑色インクとが、欠落部３を介して混ざり合ってできる混色領域は、補修用バンク５２と列バンク１４との隙間を通り抜けて流出し（ＦＬ１、ＦＬ２）、間隙２０（Ｒ）及び間隙２０（Ｇ）では赤色インクと緑色インクとが混色してＹ方向に広がる。この混色領域は、間隙２０に沿ってＹ方向に長く伸びて、その長さが数ｃｍ程度になることもある。そして、製造された表示パネル１００において、このような混色領域では、本来の発光色とは異なった発光色で発光する。なお、カラーフィルターを設置する場合には、余計な色がカットされるため、本来の発光色が観察されるが、カラーフィルター透過後の輝度が低下してしまう場合がある。また、混色領域は、製造後、発光層の膜厚が所望のものとは異なるものになり、発光効率や電圧が所望のものから変化する場合がある。
【０１１４】
これに対して、表示パネル１００では、図１５に示すように、欠落部３を有する列バンク１４の両側の間隙２０のうち、緑赤インクを塗布された間隙２０（Ｇ）内に一対の補修用バンク５２が形成されており、補修用バンク５２の両端はＸ方向に両側の列バンク１４と接続されＹ方向に対向する１対の堰５０１、５０２を形成している。また、緑色インクを塗布された間隙２０（Ｇ）内に一対の補修用バンク５２が形成されており、補修用バンク５２の両端はＸ方向に両側の列バンク１４と接続され同様に堰５０１、５０２を形成している。このＹ方向に対向する一対の堰５０１、５０２によって間隙２０は、欠落部３に近接する空間部分からなる第１空間ＳＡと、欠落部３に近接しない空間部分からなる２つの第２空間ＳＢとに仕切られている。そのため、図１５に示すように、第１空間ＳＡに混色領域ができることがあっても、その混色領域は補修用バンク５２を超えて第２空間ＳＢに広がることはない。すなわち、混色領域は、欠落部３とＹ方向の位置が少なくとも一部分において同じであるサブピクセルの範囲に限定され、本来の発光色とは異なった発光色で発光する、カラーフィルター透過後の輝度が低下する、あるいは、発光効率や電圧が所望のものから変化するといった、混色に伴う表示品質の低下や現象の発生を欠落部３とＹ方向に一部が重なるサブピクセル内に限定することができる。
【０１１５】
以上のとおり、実施の形態に係る表示パネル１００及び表示パネル１００の製造方法によると、製造過程において長尺状のバンクの一部分が欠落したときに、完成した有機ＥＬ表示パネルにおいて欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を、欠落部と列方向の位置が少なくとも一部分において同じである画素電極を含むサブピクセルに限定することができる。また、バンクの一部分が欠落して欠落部３のＹ方向における端部が行バンク２４上面に位置する場合において、欠落に伴い表示品質が低下するサブピクセルの範囲を限定することができる。
【０１１６】
＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１００を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１００の変形例を説明する。
【０１１７】
＜変形例１＞
上述の実施の形態において、補修用バンク５２を形成する位置は画素電極１２の上方であるとしたが、実施の形態に係る表示パネル１００における補修用列バンク５２Ｙに加えて、図１４（ａ）に示すような補修用行バンク５２と欠落部３とが交差する位置Ａ１、Ａ２付近において、補修用行バンク５２が、画素電極１２と画素電極１２との間の平坦化層１１ｃの上面に形成される構成を採ってもよい。平坦化層１１ｃの上面に形成した補修用行バンク５２は画素電極１２の厚みに相当する高さの分だけ高さが不足したり、補修用行バンク５２の材料が平坦化層１１ｃに濡れ広がり易く硬化する前に流れてしまうといったデメリットは、近傍に存在する画素電極１２の上方に形成された補修用バンク５２と接続されることにより抑制され、欠落部３のＹ方向の長さを減少することができる。その結果、表示パネル１００における補修用列バンク５２と比べてサブピクセル内において混色領域の面積を縮小できる。
【０１１８】
＜その他の変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１００では、画素には、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
また、上記実施の形態では、画素電極１２と共通電極１７の間に、ホール注入層１３、有機発光層１５、電子輸送層１６が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、画素電極１２と共通電極１７との間に有機発光層１５のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１１９】
上記実施形態及び各変形例においては、トップエミッション型有機ＥＬパネルを例にバンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ボトムエミッション型有機ＥＬパネルにおいてもこれらは適用可能である。
上記実施形態及び各変形例においては、有機ＥＬ表示パネルを例に、バンク補修方法及びバンク形態について説明したが、ラインバンク構造にウェット方式で自発光層を形成する表示パネルであれば有機ＥＬ表示パネルに限られるものではない。例えば、electroluminescence quantum dotを分散させた溶媒をラインバンク構造にウェット方式で形成する場合にも適用でき、同様の効果を奏する。
【０１２０】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１２１】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１２２】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本開示は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ表示パネル、有機ＥＬ表示装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０１２４】
１  有機ＥＬ表示装置
３  欠落部
１０  有機ＥＬ素子
１１  下地基板
１４、１４ａ  列バンク
１５  有機発光層
２０  間隙
２４、２４ａ  行バンク
５２  補修用バンク
５２Ｘ  補修用行バンク
５２Ｙ  補修用列バンク
５０１、５０２  堰
１００  表示パネル
２００  補修装置
２１３  ニードルディスペンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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