(57)【要約】【課題】端子領域を折り曲げて使用されるフレキシブル表示装置において、折り曲げ部における端子配線の断線を防止する。【解決手段】湾曲可能な基板１００に表示領域と端子領域が形成された表示装置であって、前記端子領域は他の配線基板と接続する端部を有し、前記端子領域には、端子配線２０が前記表示領域から前記端部に向かう第１の方向に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向に配列し、前記端子配線２０を覆って第１有機パッシベーション膜３０が形成され、前記第１有機パッシベーション膜３０の上には、第２有機パッシベーション膜４０が形成され、前記第２有機パッシベーション膜４０は、前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に配列するようにパターニングされていることを特徴とする表示装置。【選択図】図１１
2020160305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
湾曲可能な基板に表示領域と端子領域が形成されたフレキシブルパネル装置であって、
前記端子領域は他の配線基板と接続する端部を有し、
前記端子領域には、端子配線が、前記表示領域から前記端部に向かう第１の方向に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向に複数配列し、
前記端子配線を覆って第１有機パッシベーション膜が形成され、前記第１有機パッシベーション膜の上には、第２有機パッシベーション膜が形成され、
前記第２有機パッシベーション膜は、前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に複数配列するように形成されていることを特徴とするフレキシブルパネル装置。
【請求項２】
前記第２有機パッシベーション膜は、平面で視て、前記端子配線を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項３】
複数の前記第２有機パッシベーション膜の前記第２の方向の間隔は、複数の前記端子配線の前記第２の方向の間隔と同じであることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項４】
前記第２有機パッシベーション膜の前記第２の方向の幅は、前記端子配線の前記第２の方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項５】
前記第２有機パッシベーション膜は、平面で視て、前記端子配線間の前記第２の方向の間隔と重複するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項６】
前記第２有機パッシベーション膜の前記第２の方向の幅は、平面で視て、前記端子配線間の前記第２の方向の間隔よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項７】
前記第２有機パッシベーション膜はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項８】
前記第１有機パッシベーション膜はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項９】
前記フレキシブルパネル装置は有機ＥＬ表示装置であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項１０】
前記フレキシブルパネル装置は液晶表示装置であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項１１】
湾曲可能な基板に表示領域と端子領域が形成されたフレキシブルパネル装置であって、
前記端子領域は他の配線基板と接続する端部を有し、
前記端子領域には、端子配線が、前記表示領域から前記端部に向かう第１の方向にジグザグ状に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する方向の第２の方向に複数配列し、
前記端子配線を覆って第１有機パッシベーション膜が形成され、前記第１有機パッシベーション膜の上には、第２有機パッシベーション膜が形成され、
前記第２有機パッシベーション膜は、平面で視て、前記第１の方向にジグザグ状に延在し、前記第２の方向に複数配列するように形成されていることを特徴とするフレキシブルパネル装置。
【請求項１２】
前記第２有機パッシベーション膜は、平面で視て、前記端子配線を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項１３】
前記第２有機パッシベーション膜の前記第２方向の幅は、前記端子配線の前記第２の方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項１４】
前記第２有機パッシベーション膜は、平面で視て、前記端子配線間の前記第２の方向の間隔と重複するように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のフレキシブルパネル装置。
【請求項１５】
湾曲可能な基板に表示領域と端子領域が形成されたフレキシブルパネル装置であって、
前記端子領域は他の配線基板と接続する端部を有し、
前記端子領域には、端子配線が前記表示領域から前記端部に向かう第１の方向にジグザグ状に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する方向の第２の方向に複数配列し、
前記端子配線を覆って第１有機パッシベーション膜が形成され、前記第１有機パッシベーション膜の上には、第２有機パッシベーション膜が形成され、
前記第２の有機パッシベーション膜は、前記ジグザク状に形成された端子配線の屈曲部と重畳する位置に、前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に複数配列されていることを特徴とするフレキシブルパネル装置。
【請求項１６】
前記第２の有機パッシベーション膜は、前記第２の方向に直線状に延在し、前記第１の方向に複数平行に配列していることを特徴とする請求項１５に記載のフレキシブルパネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置やセンサ装置に係り、特に基板を湾曲させることができるフレキシブルパネル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの表示装置、および、指紋や静脈、或いは触覚などを２次元的にセンシングするセンサ装置などは、フレキシブルに湾曲させて使用するものがある。この場合、パネルを形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。特にポリイミド等の樹脂を基板に用いることによって、よりフレキシブルなパネルを実現することが出来る。
【０００３】
フレキシブルパネル装置には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、配線、これらを保護する保護絶縁膜等、種々の素子が存在する。パネルを湾曲すると、これらの素子にも応力が加わり、固い素子の場合は、割れる恐れがある。これを防止するためには、パネルを湾曲した場合に、各素子に加わる曲げ応力を抑制することが望ましい。
【０００４】
特許文献１には、表示装置を湾曲して使用する場合、これらの素子に曲げ応力が加わることを抑制するために、フィルム状の基板表面に形成される配線等を覆って、他のフィルムを形成し、応力のバランスが取れた位置となる、いわゆる中立面を移動させることによって、湾曲した場合に、配線等に引っ張り応力あるいは、圧縮応力のいずれもかからないようにする構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開公報ＵＳ２０１４／０３５４５５８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
表示装置やセンサ装置では、薄くすることとともに、外形を大きくしないことが求められている。これらの装置は、表示領域または検出領域と、外部と信号をやり取りするための端子が形成される端子領域に分かれている。フレキシブルパネル装置では、表示領域または検出領域を最大化するため、一般的には、背面に端子が来るように、端子領域で基板を折り曲げる。基板をポリイミド等による樹脂基板で形成することによって、小さな半径で折り曲げることが出来る。しかし、端子領域には、表示領域や検出領域から延設された端子配線が形成されており、端子配線に曲げによる大きな応力が加わると断線する危険がある。
【０００７】
本発明の目的は、基板を端子領域において折り曲げた場合にも、端子配線に断線が生じない、信頼性の高い表示装置を実現することである。本発明の他の目的は、端子配線を覆う、有機絶縁膜等で形成された保護層に傷等が生じた場合にも、この傷が内部に伝搬して端子配線の断線を生じさせることを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、湾曲可能な基板に表示領域と端子領域が形成された表示装置であって、前記端子領域は他の配線基板と接続する端部を有し、前記端子領域には、端子配線が前記表示領域から前記端部に向かう第１の方向に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向に配列し、前記端子配線を覆って第１有機パッシベーション膜が形成され、前記第１有機パッシベーション膜の上には、第２有機パッシベーション膜が形成され、前記第２有機パッシベーション膜は、前記第１の方向に延在し、前記第２の方向に配列するようにパターニングされていることを特徴とする表示装置、である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】有機ＥＬ表示装置の展開図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。
【図３】有機ＥＬ表示装置の端子領域を折り曲げた状態の断面図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の端子領域の断面図である。
【図５】中立面とストレスの関係を示す断面図である。
【図６】図４に示す端子領域を湾曲させた場合の断面図である。
【図７】端子領域に第２有機パッシベーション膜を形成した場合の端子領域の断面図である。
【図８】図７の端子領域を湾曲させた場合の断面図である。
【図９】端子領域を拡大して示す有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図１０】実施例１の端子配線の平面図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ断面図である。
【図１２】実施例１の他の例を示す、端子配線を含む断面図である。
【図１３】実施例１のさらに他の例を示す、端子配線を含む断面図である。
【図１４】比較例としての評価サンプルの断面図である。
【図１５】端子配線の構成の例を示す断面図である。
【図１６】実施例１に対応する評価サンプルの断面図である。
【図１７】ストレスとクラック発生の結果を示すグラフである。
【図１８】図１７のＡ１に対応する状態を示す断面図である。
【図１９】図１７のＢ１に対応する状態を示す断面図である。
【図２０】実施例２及び実施例３に対応する有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２１】実施例２の端子配線の平面図である。
【図２２】図２１のＣ−Ｃ断面図である。
【図２３】実施例３の端子配線の平面図である。
【図２４】図２３のＤ−Ｄ断面図ある。
【図２５】図２３のＥ−Ｅ断面図ある。
【図２６】端子領域におけるクラックあるいは傷の影響を説明する断面図である。
【図２７】実施例４の端子配線の平面図である。
【図２８】図２７のＦ−Ｆ断面図である。
【図２９】本発明の効果を示す端子領域の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。以下の説明では、主に、有機ＥＬ表示装置を例にとって本発明を説明するが、本発明は、液晶表示装置等、他の表示装置や、指紋や静脈などを２次元的に検出するセンサ装置にも適用することが出来る。
【実施例１】
【００１１】
図１は本発明が適用されるフレキシブル基板１００を有する有機ＥＬ表示装置の平面図である。本発明のフレキシブルパネル装置は、端子領域９５において湾曲することを想定しているが、図１は、端子領域９５を湾曲する前の展開図となっている。図１のフレキシブルパネル装置は、端子領域９５で湾曲するので端子領域１５０の長さｄｔが通常より長い構成となっている。
【００１２】
図１において、表示領域９０には、走査線１１が横方向（ｘ方向）に延在し、縦方向（ｙ方向）に配列している。映像信号線１２が縦方向に延在し、横方向に配列している。また、電源線１３が縦方向に延在し、横方向に配列している。映像信号線１２と走査線１１、あるいは、電源線１３と走査線１１で囲まれた領域に画素１４が形成されている。表示領域９０の両サイドには走査線駆動回路１８がＴＦＴによって形成されている。
【００１３】
端子領域９５には、表示領域９０から延設された端子配線が縦方向に延在し、端子領域の端部において、フレキシブル配線基板９６と接続している。映像信号線１２等を駆動するドライバＩＣはフレキシブル配線基板９６に搭載されている。例えば、ドライバＩＣからの映像信号は、端子領域９５の端子配線を経由して、映像信号線１２に伝達される。したがって、端子領域９５には、映像信号線１２から引き出された非常に多くの端子配線が縦方向（ｙ方向）に延在している。表示領域９０が高精細になると、この端子配線の密度も増大する。
【００１４】
端子配線の密度を減らすために、表示領域９０と端子領域９５との間に、選択スイッチング回路を設けて、引出し線の数を例えば、表示領域の映像信号線の数の１／３程度に低減する構成がとられる。それでも、表示領域９０における横方向（ｘ方向）の画素間隔が例えば３０μｍとすると、端子領域９５の横方向の配線間隔は、９０μｍ程度と非常に小さいものとなる。そうすると、配線幅も小さくなり、端子領域９５を折り曲げると断線の危険が生ずる。なお、端子配線は、一般には、映像信号線と同じ材料で形成される。
【００１５】
図２は、有機ＥＬ表示装置の表示領域における画素部分の断面構成を示す断面図である。図２において、例えばポリイミド等の樹脂で形成されたＴＦＴ基板１００の上に、やはりポリイミドで形成された有機下地膜１０１を形成する。表面を平坦化するためである。ＴＦＴ基板１００の厚さは例えば２０μｍ、有機下地膜１０１の厚さは例えば２μｍである。
【００１６】
有機下地膜１０１の上に無機下地膜１０２が形成される。無機下地膜１０２の役割は、樹脂で形成されたＴＦＴ基板１００あるいは、有機下地膜１０１からの水分や不純物が、無機下地膜１０２の上に形成される半導体層１０３あるいは、その上に形成される有機ＥＬ層１１３に対して伝わらないようにするためである。無機下地膜１０２は、酸化シリコン（以後ＳｉＯと呼ぶ）膜と窒化シリコン（以後ＳｉＮと呼ぶ）膜の積層構造が用いられる。
【００１７】
無機下地膜１０２の上にＴＦＴを構成する酸化物半導体１０３が形成されている。酸化物半導体１０３は例であって、ポリシリコン半導体を用いたＴＦＴでも良い。酸化物半導体１０３のドレイン領域及びソース領域には、接続電極１０４が金属によって形成されている。酸化物半導体１０３を覆って、ゲート絶縁膜１０５が形成され、その上にゲート電極１０６が形成されている。
【００１８】
ゲート電極１０６を覆って層間絶縁膜１０７が形成される。層間絶縁膜１０７及びゲート絶縁膜１０５にスルーホールを形成し、このスルーホールを介して酸化物半導体１０３とドレイン電極１０８及びソース電極１０９を接続する。ドレイン電極１０８は図１に示す映像信号線１２が兼ねている場合が多い。
【００１９】
ドレイン電極１０８及びソース電極１０９を覆ってポリイミド等で形成された有機パッシベーション膜１１０が形成される。有機パッシベーション膜１１０は、端子領域に延在し、端子配線２０を保護する第１有機パッシベーション膜３０になる。有機パッシベーション膜１１０の上に有機ＥＬ層に対するアノードとなる下部電極１１１が形成される。ソース電極１０９は有機パッシベーション膜１１０に形成されたスルーホール１１０１を介して下部電極１１１と接続する。
【００２０】
下部電極１１１の周辺を覆うようにポリイミドによるバンク１１２を形成する。バンク１１２は、まず、ポリイミドを全面に形成した後、フォトリソグラフィによって、パターニングし、ホール１１２１を形成することによって形成する。そして、このホール１１２１内に有機ＥＬによる発光層１１３が形成される。ホール１１２１以外の部分がバンク１１２になる。なお、本発明では、ポリイミドによるバンク１１２を形成すると同時に、端子領域９５において端子配線２０を保護するける第２有機パッシベーション膜４０を形成する。
【００２１】
バンク１１２の役割は、下部電極１１１の端部によって有機ＥＬ層１１３が段切れを生ずることを防止することである。したがって、バンク１１２は下部電極１１１の端部を覆っている。ホール１１２１内において、下部電極１１１の上に有機ＥＬ層１１３が形成され、その上にカソードとなる上部電極１１４が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ、Ｔｉｎ、Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜によって形成される。有機ＥＬ層１１３を外部からの水分等から保護するための、保護膜１１５が形成される。保護膜１１５は、例えば、ＳｉＮ等の無機膜及びポリイミドあるいはアクリル等の有機膜の積層膜によって形成される。保護膜１１２を覆って円偏光板１１７が粘着材１１６を介して貼り付けられている。円偏光板１１７の役割は、外光の反射を防止することである。
【００２２】
図２で説明した構成において、有機下地膜１０１は端子領域９５に延在し、映像信号線１２は端子領域９５に延在して、端子配線２０となる。そして、有機パッシベーション膜１１０は端子領域９５に延在して第１有機パッシベーション膜１１０となり、端子配線２０を保護する。また、本発明においては、バンク１１２を構成するポリイミドも端子領域９５に延在し、端子配線２０を保護するための第２有機パッシベーション膜４０となる。
【００２３】
図３は、図１の有機ＥＬ表示装置を端子領域９５において折り曲げた状態を示す断面図である。図３において、表示領域９０には、図１、図２で説明した、画素を構成するＴＦＴ、有機ＥＬ発光素子、映像信号線１２、走査線１１、電源線１３等が形成されている。端子領域９５、表示領域９０とも、同じＴＦＴ基板１００に形成されている。端子領域端部には、フレキシブル配線基板９６が接続している。ドライバＩＣはフレキシブル配線基板９６に搭載されている。
【００２４】
ＴＦＴ基板１００は、厚さが２０μｍ程度のポリイミド等の樹脂で形成されているので、非常に小さな曲率半径Ｒで湾曲することが可能である。Ｒの値は、例えば、１００μｍ以下とすることが出来る。このような小さな曲率半径で湾曲させると、ＴＦＴ基板１００の外側には大きな引っ張り応力が生じ、内側には大きな圧縮応力が生じる。
【００２５】
図４は、折り曲げる前の端子領域９５の断面図の例である。すなわち、図４は、図１の端子領域９５のＹ−Ｙ断面図に相当する。図４において、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の上に、ポリイミドによる有機下地膜１０１が形成されている。有機下地膜１０１の上に端子配線２０が形成されている、端子配線２０は、表示領域９０の映像信号線１２と同じ材料によって同時に形成される。端子配線２０を覆って第１有機パッシベーション膜３０が、表示領域９５における有機パッシベーション膜１１０と同じポリイミドによって形成されている。端子配線２０を保護するためである。
【００２６】
図５は、板状の構造を湾曲させた場合のストレスを説明する断面図である。図５のサンプルは、厚さｔの板が、θラジアンで湾曲している例である。図５において、いわゆる中立面ＭＮの曲率半径はＲｍである。中立面ＭＮは、板を湾曲した場合に、圧縮応力も引張り応力もかからない面である。図５において、内表面ＡＢからλの位置が中立面となっている。サンプルが１枚の均一な材料であれば、中立面ＭＮは、ほぼ板厚方向の中央部になる。
【００２７】
図５において、面ＰＱは中立面ＭＮよりも外表面ＣＤにｙだけ近づいているので、ＰＱ面には引っ張り応力が加わることになる。この時のＰＱ面における歪εの値は、ε＝ｙ／Ｒｍである。なお、歪は無単位である。
【００２８】
数式１は、板状構造が複数層、ｎ層で構成されている場合の中立面を求める式である。
【００２９】
【数１】
2020160305.tif 000003
【００３０】
数式１において、λは内表面から中立面までの距離である。Ｅｉはｉ層のヤング率、ｈｉは内表面からｉ層までの距離、ｔｉはｉ層の膜厚である。
【００３１】
端子領域９５における最も深刻な問題は、端子領域９５を折り曲げることによって、端子配線２０が断線することである。これを防ぐためには、端子配線２０はできるだけ応力が加わらない構成とするのが良い。つまり、端子配線２０が中立面に近くなるように、配置するのが良い。
【００３２】
図６は、図４に示す端子領域９５を内表面がＲの曲率半径で湾曲させた場合の断面図である。図６において、中立面は点線Ｍで表している。中立面Ｍは、基板１００内に存在している。図６において、ＴＦＴ基板１００の厚さは２０μｍ、端子配線２０を覆う第１有機パッシベーション膜３０の厚さは約２μｍなので、図６におけるｙ１１は比較的大きな値となり、端子配線２０には比較的大きな引っ張り応力が加わっている。このため、図６では、端子配線２０にクラック５０が発生している。
【００３３】
図７は、これを対策するために、端子領域において、第１有機パッシベーション膜３０の上に、表示領域９０におけるバンク１１２と同じ材料、例えばポリイミドによって第２有機パッシベーション膜４０を形成した構成を示す断面図である。なお、図７は、図１の端子領域９５のＹ−Ｙ断面図に相当する。第２有機パッシベーション膜４０は表示領域９０のバンク１１２を形成すると同時に形成できるので、プロセス負荷になることは無い。これによって端子領域９５を湾曲させた際に、端子配線２０の位置を、中立面Ｍに、より近づけることが出来る。
【００３４】
図８は、図７の構成の端子領域を内表面が曲率半径Ｒになるように湾曲させた状態を示す断面図である。図８において、中立面Ｍと、端子配線２０の距離は、ｙ２１であり、図６の場合のｙ１１よりも小さくなっている。したがって、端子配線２０がクラックの起点となる確率は低下する。
【００３５】
しかしながら、第２有機パッシベーション膜４０の外表面と中立線Ｍとの距離ｙ２２が図６の場合における、第１有機パッシベーション膜３０の外表面と中立線Ｍとの距離ｙ１２よりも大きくなっている。したがって、図７の構成では、湾曲した場合に第２有機パッシベーション膜４０に引張り応力によるクラックが発生する危険が生ずる。
【００３６】
図８は、第２有機パッシベーション膜４０に引張り応力によってクラック５０が発生した状態を示す断面図である。クラック５０が第２有機パッシベーション膜４０にて止まっていれば、大きな問題にならないが、このクラックは、第１有機パッシベーション膜３０、さらには、端子配線２０に伝搬する場合がある。その場合、端子配線２０に断線が発生することになる。
【００３７】
図９は、本発明の実施例１を説明するための有機ＥＬ表示装置の平面図である。図９では、図１の場合に比較して、端子領域９５を拡大して記載している。図９において、端子領域９５に複数の端子配線２０が縦方向に延在し、表示領域９０とフレキシブル配線基板９６とを接続している。図９における一点鎖線で囲った領域は、折り曲げ領域ＢＡを示す。実際の製品においては、端子領域９５には多数の端子配線２０が延在しているが、図９では、わかり易くするために、わずかの端子配線２０しか記載していない。
【００３８】
図１０は、実施例１における、図９の端子領域９５の端子配線２０部分の拡大平面図である。図１０において、端子配線２０が所定のピッチで配列し、端子配線２０を覆うように、第２有機パッシベーション膜４０がストライプ状に形成されている。つまり、実施例１の特徴は、第２有機パッシベーション膜４０は、端子領域９５全面に形成されているのではなく、端子配線２０を覆うように、端子配線に沿って形成されていることである。
【００３９】
図１１は図１０のＢ−Ｂ断面図である。図１１において、ＴＦＴ基板１００の上に有機下地膜１０１が形成され、その上に端子配線２０が形成され、これを覆って第１有機パッシベーション膜３０が形成されていることは、図７と同じである。図１１の特徴は、第２有機パッシベーション膜４０を、端子領域全面に形成するのではなく、端子配線２０に沿ってパターニングしていることである。第２有機パッシベーション膜４０をパターニングすることによって、第２有機パッシベーション膜４０に係る引張り応力を軽減することができる。これによって、第２有機パッシベーション膜４０に生ずるクラックを防止することが出来、ひいては、端子配線２０の断線も防止することが出来る。
【００４０】
図１０及び図１１においては、端子配線２０の上に形成する第２有機パッシベーション膜４０の幅は、端子配線２０の幅よりも大きくなっている。製造誤差が生じても、第２有機パッシベーション膜４０が端子配線２０の上に存在させるようにするためである。端子配線２０に対する引っ張り応力を緩和させる意味では、端子配線２０の上に有機パッシベーション膜４０が形成されていたほうが、より好ましいからである。
【００４１】
図１１は、第２有機パッシベーション膜４０を端子配線２０に沿って形成した例であるが、第２有機パッシベーション膜４０に発生するストレスを軽減するという意味では、図１１の構成に限らず、図１２等の構成でもよい。図１２は、第２有機パッシベーション膜４０のストライプ状のパターン間の間隔は、端子配線２０間の間隔と合わせているが、第２有機パッシベーション膜４０の配置位置は、端子配線２０上ではない例である。また、図１２における第１有機パッシベーション膜４０の幅は、端子配線２０の幅と同じになっているが、端子配線２０の幅より広い場合でも、狭い場合でも、所定の効果は期待することが出来る。
【００４２】
図１３は、第２有機パッシベーション膜４０のストライプ状のパターンの他の例である。図１３は、第２有機パッシベーション膜４０間の間隔も幅も、端子配線２０の間隔や幅と同期をとっているわけではない。第２有機パッシベーション膜４０をパターニングするということが、端子配線２０に掛かる引張り応力を軽減することになるので、第２有機パッシベーション膜４０のストライプパターンの間隔、位置、幅等は、端子配線２０のストレスを最も軽減する形状にすればよい。
【００４３】
図１４乃至図１９は、実施例１のように、最上層の層をパターニングすることが、実際に最上層のストレスの緩和になることを実証するための説明図である。実験及びシミュレーションでは、最上層は、有機膜の代わりに、ＳｉＮ膜６０を用いている。ＳｉＮ膜６０は硬いので、有機膜よりもクラックし易く、効果の確認が容易だからである。
【００４４】
図１４は比較例としてのサンプルであり、ＴＦＴ基板１００の上に有機下地膜１０１を形成し、有機下地膜１０１の上に端子配線２０を形成している。最上層は、図１１等とは異なり、無機膜であるＳｉＮ膜６０を使用している。ＴＦＴ基板１００は２０μｍ、有機下地膜１０１は２μｍ、第１有機パッシベーション膜３０は２μｍ、ＳｉＮ膜６０は２００ｎｍである。端子配線２０の構成は、図１５に示すように、アルミ合金膜２２をＴｉ膜２１及びＴｉ膜２３でサンドイッチする構成となっている。アルミ合金膜２２の厚さは５００ｎｍ、Ｔｉ膜２１の厚さは１００ｎｍ、Ｔｉ膜２３の厚さは１００ｎｍである。図１６における最上層であるＳｉＮ膜６０は平面状に形成されている。
【００４５】
図１６は、最上層のＳｉＮ膜６０を端子配線２０に沿ってパターニングした例である。図８において、ＳｉＮ膜６０を除く各層の断面構成は、図１４、図１５と同じである。図１６において、ＳｉＮ膜６０は端子配線２０と同じ幅、同じ間隔で形成されている。
【００４６】
図１７は、図１４乃至図１６のサンプルを湾曲させた場合に、曲げ半径の大きさに対して、ＳｉＮ膜６０に発生する歪を評価した結果である。図１７において、横軸は曲げ半径（μｍ）であり、縦軸は歪（％）である。
【００４７】
図１７において、点線で示す直線Ａ１は、図１４に示すサンプルにおいて、最上層であるＳｉＮ膜６０にクラックが発生した曲率半径を示している。この状態は、図１８に示すように、ＳｉＮ膜６０にのみクラック５０が発生した状態の位置である。この場合の曲げ半径は、約１０００μｍであり、ＳｉＮ膜６０には、約１．０％の歪が発生している。
【００４８】
図１７において、点線で示す直線Ｂ１は、図１６に示すサンプルにおいて、最上層であるＳｉＮ膜６０にクラックが発生した曲率半径を示している。この状態は、図１９に示すように、ＳｉＮ膜６０にのみクラックが発生した状態の位置である。この場合の曲げ半径は、約６００μｍであり、ＳｉＮ膜６０には、約１．０％の歪が発生している。このように、図１７の結果から、ＳｉＮ膜６０には、形状に寄らず、約１．０％の歪がかかる状態になると、ＳｉＮ膜６０にクラックが入ることが分かる。また、ＳｉＮ膜６０を図１４のようなベタ膜から図１６のような端子配線２０に沿ってパターニング形状に代えると、ＳｉＮ膜６０に歪が掛かりづらくなり、クラックが入らない曲げ半径を、約１０００μｍから約６００μｍまで小さくすることができる。
【００４９】
以上のように、最上層の保護膜を端子配線２０に沿ってパターニングすることによって、最上層の保護膜のクラックを起こしづらくし、ひいては、保護層から発生したクラックが伝播して信号線まで破損してしまう確率を大幅に低減することが出来る。図１７に示すデータは、最上層の保護膜がＳｉＮ膜の場合であるが、最上層が有機膜であっても、同様な傾向になる。
【実施例２】
【００５０】
図２０は、実施例２における有機ＥＬ表示装置の平面図である。図２０が図９と異なる点は、端子領域９５における端子配線２０がジグザグ形状になっていることである。端子配線２０をジグザク形状にすることによって、端子配線２０に生ずる応力を緩和することが出来、端子配線２０の断線の確率を低下させることが出来る。本発明は、図２０のような構成についても適用することが出来、端子配線２０の断線の確率をさらに低下させることが出来る。
【００５１】
図２１は、図２０の端子領域９５における端子配線２０の拡大平面図である。図２１において、端子配線２０がジグザグに縦方向（ｙ方向）に延在し、横方向（ｘ方向）に配列している。端子配線２０を覆って第２有機パッシベーション膜４０が端子配線２０に沿ってジグザグに縦方向（ｙ方向）に延在し、横方向（ｘ方向）に配列している。
【００５２】
図２２は、図２１のＣ−Ｃ断面図である。図２２の形状は実施例１の図１１と同様であり、端子配線２０の間隔ｐｒ、端子配線２０の幅ｗｍと、第２有機パッシベーション膜４０の幅ｗｒ、間隔ｐｒの関係が図１１と同じである。
【００５３】
したがって、端子配線２０がジグザグ配線の場合であっても、本発明を適用することによって、端子配線２０の断線の確率を大幅に低下させることが出来る。
【実施例３】
【００５４】
実施例３における端子配線２０の平面拡大図を図２３に示す。実施例３では、端子領域９５における第２有機パッシベーション膜４０のパターンが、実施例２とは異なっている。図２３において、第２有機パッシベーション膜４０が、ジグザグ形状の端子配線２０の屈曲部を覆うように、横方向（ｘ方向）に延在し、ジグザク形状となっている端子配線２０の屈曲部の間隔ｐｖに合わせて、縦方向（ｙ方向）に配列している。
【００５５】
図２４は、図２３のＤ−Ｄ断面図である。図２４は端子配線２０の屈曲部の断面図であるが、この部分は、全て第２有機パッシベーション膜４０によって覆われている。図２５は、図２３のＥ−Ｅ断面図である。この部分は、第２有機パッシベーション膜４０によって覆われていない。
端子領域９５を湾曲させた場合、ジグザグパターンとなっている端子配線２０の屈曲部分において最も大きなストレスが生ずる。したがって、この屈曲部分を第２有機パッシベーション膜４０で覆うことによって、この部分の中立面位置を引き上げ、結果として、端子配線２０の断線の確率を低下させることが出来る。
【実施例４】
【００５６】
端子領域９５に生ずる問題は、湾曲した場合のストレスのみでなく、基板の移送といったハンドリング等における傷５１あるいはクラック５０が発生し、この部分における傷５１、あるいは、クラック５０が進行し、端子配線２０の断線に至る場合がある。図２６はこの様子を示す断面図である。図２６において、端子配線２０を覆って第１有機パッシベーション膜３０が形成され、その上に第２有機パッシベーション膜４０が形成されている。
【００５７】
図２６では、ハンドリング等によって傷５１、あるいは、クラック５０が発生し、これが、端子領域を湾曲後に端子配線２０に伝搬し、端子配線２０を断線させることを表している。このようなハンドリング等による傷５１、あるいは、クラック５０はどの場所で発生するかはわからない。図２６では、これらが端子配線２０の上に生じたので、これが伝搬して、端子配線２０の断線に至る例である。一方、第２有機パッシベーション膜における傷５１、あるいは、クラック５０が、平面で視て、端子配線２０の無いところで生ずれば、端子配線２０への直接の影響は無く、端子配線２０が断線することもない。
【００５８】
図２７は、実施例４における端子領域９５の拡大平面図である。なお、実施例４における有機ＥＬ表示装置の平面図は、図９と同様な形状である。図２７において、端子配線２０が縦方向（ｙ方向）に延在して横方向（ｘ方向）に配列している。図２７では、第２有機パッシベーション膜４０が端子配線２０と端子配線２０の間に形成され、端子配線２０を覆っていない。
【００５９】
図２８は、図２７のＦ−Ｆ断面図である。図２８において、第２有機パッシベーション膜４０は端子配線２０の上には形成されておらず、端子配線２０の存在しないところに形成されている。例えば、第２有機パッシベーション膜４０の間隔ｐｒは０．１ｍｍ程度であり、端子配線２０の間隔が、間隔ｐｒの半分の０．０５ｍｍで形成される。すなわち、端子配線２０の配線間に有機パッシベーション膜４０を形成することができる。
【００６０】
ハンドリング等による傷５１あるいはクラック５０は、殆どが第２有機パッシベーション膜４０の表面に生ずる。この様子を図２９に示す。図２９に示すように、第２有機パッシベーション膜４０の表面に傷５１あるいはクラック５０が生じ、それらが伝搬したとしても、この部分には、端子配線２０が存在しないために、端子配線２０が直接影響を受け、断線をするということは無い。
【００６１】
なお、第２有機パッシベーション膜４０と端子配線２０との間に、平面で視て、多少の重複が生じても、あるいは、多少の隙間が生じても、作用効果に大きな差は生じない。
【００６２】
実施例１乃至４では、有機ＥＬ表示装置について本発明を説明した。しかし、本発明は、液晶表示装置や、指紋や静脈、触覚等を２次元的にセンシングするセンサ装置でも、フレキシブル基板を用いる場合は、同様に適用することが出来る。
【符号の説明】
【００６３】
１１…走査線、  １２…映像信号線、  １３…電源線、  １４…画素、  １８…走査線駆動回路、  ２０…端子配線、  ３０…第１有機パッシベーション膜、  ４０…第２有機パッシベーション膜、  ５０…クラック、  ５１…傷、  ６０…ＳｉＮ膜、    ９０…表示領域、  ９５…端子領域、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…有機下地膜、  １０２…無機下地膜、  １０３…半導体層、  １０４…接続電極、  １０５…ゲート絶縁膜、  １０６…ゲート電極、  １０７…層間絶縁膜、  １０８…ドレイン電極、  １０９…ソース電極、  １１０…有機パッシベーション膜、  １１１…下部電極、  １１２…バンク、  １１３…有機ＥＬ層、  １１４…上部電極、  １１５…保護膜、  １１６…粘着材、  １１７…円偏光板、  １１０１…スルーホール、  １１２１…ホール、  ＢＡ…曲げ領域、  Ｍ…中立面
【図１】
2020160305.tif 000004
【図２】
2020160305.tif 000005
【図３】
2020160305.tif 000006
【図４】
2020160305.tif 000007
【図５】
2020160305.tif 000008
【図６】
2020160305.tif 000009
【図７】
2020160305.tif 000010
【図８】
2020160305.tif 000011
【図９】
2020160305.tif 000012
【図１０】
2020160305.tif 000013
【図１１】
2020160305.tif 000014
【図１２】
2020160305.tif 000015
【図１３】
2020160305.tif 000016
【図１４】
2020160305.tif 000017
【図１５】
2020160305.tif 000018
【図１６】
2020160305.tif 000019
【図１７】
2020160305.tif 000020
【図１８】
2020160305.tif 000021
【図１９】
2020160305.tif 000022
【図２０】
2020160305.tif 000023
【図２１】
2020160305.tif 000024
【図２２】
2020160305.tif 000025
【図２３】
2020160305.tif 000026
【図２４】
2020160305.tif 000027
【図２５】
2020160305.tif 000028
【図２６】
2020160305.tif 000029
【図２７】
2020160305.tif 000030
【図２８】
2020160305.tif 000031
【図２９】
2020160305.tif 000032