(57)【要約】【課題】より高いレベルで抵抗特性の安定化が実現可能な抵抗器を提供すること。【解決手段】本発明の一態様としての抵抗器は、絶縁基板と、抵抗体材料から形成された抵抗体層と、前記絶縁基板と前記抵抗体層とを接合する接合層とを備え、前記抵抗体層のシート抵抗に対する前記接合層のシート抵抗の比が１００以上になるように形成されている。【選択図】図１
2020010004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
抵抗体材料から形成された抵抗体層と、
前記絶縁基板と前記抵抗体層とを接合する接合層と、
を備え、
前記抵抗体層のシート抵抗に対する前記接合層のシート抵抗の比が１００以上になるように形成された、抵抗器。
【請求項２】
請求項１に記載の抵抗器であって、
前記接合層は、チタン、アルミニウム、ニッケル及びクロムからなる群から選択される少なくとも１つの金属材料を含んで形成された、抵抗器。
【請求項３】
請求項２に記載の抵抗器であって、
前記抵抗体材料は、マンガニン合金である、抵抗器。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の抵抗器であって、
前記抵抗体層の厚みが、２０μｍ以上１０００μｍ以下である、抵抗器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の抵抗値であって、
前記接合層の厚みが、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、抵抗器。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の抵抗器であって、
前記接合層がチタンを含んで形成される、抵抗器。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の抵抗器であって、
前記抵抗体層の一部に重ねられて前記接合層の表面に形成された導体層を備える、抵抗器。
【請求項８】
請求項７に記載の抵抗器であって、
前記導体層と前記抵抗体層との重複部分において、
前記接合層、前記抵抗体層、前記導体層がこの順番に前記セラミックス基板に積層された、抵抗器。
【請求項９】
請求項７に記載の抵抗器であって、
前記導体層と前記抵抗体層との重複部分において、
前記接合層、前記導体層、前記抵抗体層がこの順番に前記セラミックス基板に積層された、抵抗器。
【請求項１０】
絶縁基板に回路パターンが形成された回路基板であって、
抵抗体材料から形成された抵抗体層と、
前記絶縁基板と前記抵抗体層とを接合する接合層と、
を備え、
前記抵抗体層のシート抵抗に対する前記接合層のシート抵抗の比が１００以上になるように形成された、回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗器及び回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化に伴って、電子部品を実装するための回路基板に対する高電力要求及び高耐熱要求が高まっている。これに対して、セラミックス基板上に、活性化処理された銅箔をロウ材等を用いて直接接合した基板を作製し、この上に、シート状に形成した抵抗器（シャント抵抗素子）をロウ付けして得られる回路基板が提案されている（特許文献１参照）。この回路基板では、抵抗体がシート状に形成されているので、抵抗体から発生した熱は基板を介して放熱されやすくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−０９７２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のような回路基板では、抵抗器と基板との接合に活性化金属法が用いられており、使用されるロウ材は、導電性材料であって一般に厚く形成される。このため、上述のような回路基板では、放熱性が高まるものの、ロウ材が抵抗特性を不安定にさせる要因となっている。電子機器の高機能化に伴って、より高いレベルで抵抗特性の安定化が望まれる状況下においては、回路基板への抵抗器の実装には、更なる改良の余地があった。
【０００５】
本発明は、より高いレベルで抵抗特性の安定化が実現可能な抵抗器及び当該抵抗器が形成された回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様としての抵抗器は、セラミックス基板と、抵抗体材料から形成された抵抗体層と、チタン、アルミニウム、ニッケル、クロムから選択される１以上の材料を含んで形成されており前記セラミックス基板と前記抵抗体層とを接合する接合層とを備え、前記抵抗体層のシート抵抗に対する前記接合層のシート抵抗の比が１００以上になるように形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
この態様によれば、抵抗体層が接合層を介してセラミックス基板に接合されていることにより、抵抗体層からの発熱が熱伝導度の高いセラミックス基板から放熱されやすくなる。さらに、抵抗体層のシート抵抗に対する接合層のシート抵抗の比（抵抗比率）が１００以上になるように形成することにより、抵抗体の温度抵抗特性の変動量を所定範囲以下に抑えることができるため、安定した抵抗特性が得られる。
【０００８】
したがって、より高いレベルで抵抗特性の安定化が実現可能な抵抗器、及び当該抵抗器が形成された回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る抵抗器を説明する平面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る抵抗器を説明する断面図である。
【図３】図３は、抵抗器の変形例を説明する断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係る回路基板を説明する平面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来のシャント抵抗器を説明する平面図であり、図５（ｂ）は、従来のシャント抵抗器を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［抵抗器の説明］
本発明の実施形態に係る抵抗器１について、図面を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る抵抗器１の平面図である。図２は、図１に示すＩＩ−ＩＩ線における抵抗器１の断面図である。
【００１１】
抵抗器１は、絶縁基板１１、抵抗体材料から形成された抵抗体層１２、及び絶縁基板１１と抵抗体層１２とを接合する接合層１３を備える。接合層１３は、チタン、アルミニウム、ニッケル及びクロムからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含んで形成されている。
【００１２】
抵抗器１では、抵抗体層１２のシート抵抗に対する接合層１３のシート抵抗の比が１００以上になるように形成されている。また、抵抗器１は、接合層１３の表面に、一部が抵抗体層１２に重複して配置された２つの導体層１４を備える。抵抗器１は、導体層１４の各々が図１には図示されていない回路パターンに接続されて使用される。
【００１３】
また、図２に示すように、本実施形態に係る抵抗器１は、抵抗器１の表裏面にかかる熱応力の均衡をとるために、接合層１３及び導体層１４は、絶縁基板１１の両面に形成されている。
【００１４】
抵抗器１の抵抗値は、絶縁基板１１上に形成された抵抗体層１２の厚みと、抵抗体層１２の幅Ｗと、抵抗体層１２の両端部にそれぞれ配置された導体層１４の間隔Ｌとによって設定することができる。
【００１５】
続いて、本実施形態に係る抵抗器１の各構成について、積層順に説明する。
【００１６】
＜絶縁基板＞
絶縁基板１１は、絶縁性及び耐熱性に優れ、高電力用途及び高発熱用途に適用される基板である。絶縁基板１１は、酸化アルミニウム、窒化ケイ素及び窒化アルミからなる群から選択される少なくとも１つのセラミックス材料を用いて形成されたものである。これらの材料のなかでは、放熱性とヒートサイクル耐久性の観点から、酸化アルミニウム（以下、アルミナと記す場合がある）を用いることが好ましい。また、より高い放熱性が要求される用途では、熱伝導度の大きい窒化アルミを選択することが好ましく、高いヒートサイクル耐久性が要求される用途では、窒化ケイ素を選択することが好ましい。
【００１７】
絶縁基板１１の厚みは、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下のものを使用することができる。基板としての強度の観点から、絶縁基板１１の厚みは、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。また、放熱性の観点から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
＜接合層＞
接合層１３は、絶縁基板１１と抵抗体層１２とを接合するものであり、絶縁基板１１上に配置されている。
【００１９】
本実施形態では、接合層１３を形成する材料は、チタン、アルミニウム、ニッケル及びクロムからなる群から選択される少なくとも１つの金属材料であり、これらを単体で、または合金で用いることができる。またこれら各金属材料の酸化物を用いることもできる。接合層１３を形成する金属材料としては、絶縁基板１１との密着強度を高める観点から、チタン或いはアルミニウムを用いることが好ましく、チタンを用いることが、より好ましい。
【００２０】
本実施形態に係る抵抗器１においては、接合層１３の厚みは、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。接合層１３の厚みは、絶縁基板１１と抵抗体層１２との密着強度を得るために、５０ｎｍ以上であることが好ましい。また、抵抗特性及び費用対効果の観点から、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。接合層１３の厚みは、密着強度及び抵抗特性の観点から、上記範囲のうち５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが、より好ましい。
【００２１】
絶縁基板１１の表面に、接合層１３を形成する方法としては、めっき法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、気相成長法、コールドスプレー法等が挙げられる。
【００２２】
＜抵抗体層＞
抵抗体層１２は、抵抗体材料から形成されるものであり、接合層１３の所定位置に配置されている。本実施形態において、抵抗体層１２を構成する抵抗体材料として、銅、ニッケル及びマンガンからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む合金を用いることができる。また、抵抗体材料としては、上記金属材料以外にも、通常、抵抗体を構成することが可能な金属材料であれば適用可能である。
【００２３】
抵抗体層１２の厚みは、回路基板に組み込まれた際の、抵抗器全体の厚みに応じて、２０μｍ以上１０００μｍ以下とすることができる。抵抗器１の抵抗値は、当該厚みと、絶縁基板１１上に形成された抵抗体層１２の幅Ｗと、抵抗体層１２の端部に配置された導体層１４の間隔Ｌと、によって設定することができる。抵抗体層１２の厚みは、回路基板のサイズ及び抵抗値に基づいて、上記範囲のうち、５０μｍ以上５００μｍとすることが、より好ましい。
【００２４】
抵抗器１を、例えば、電流検出用の抵抗体（いわゆるシャント抵抗）として使用する場合には、抵抗体層１２を構成可能な抵抗体材料のうち、マンガニン合金、ゼラニン合金、ニクロム等の抵抗体材料を主成分とすることができる。
【００２５】
また、抵抗体として良好な性能が得られる観点から、マンガニン合金、ゼラニン合金を用いることができる。さらに、接合層１３上に、上述した厚みで形成する際における加工性の観点からマンガニン合金を用いることが好ましい。
【００２６】
接合層１３の表面に抵抗体層１２を形成する方法としては、めっき法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、気相成長法、コールドスプレー法等が挙げられる。
【００２７】
＜導体層＞
導体層１４は、接合層１３の上に、抵抗体層１２を挟むように配置されている。本実施形態において、導体層１４を形成する導体材料としては、銅が用いられる。また、銅のほか、通常、回路パターンに使用可能な材料であれば使用可能である。
【００２８】
導体層１４の厚みは、数十μｍ〜数百μｍとすることができ、大電流用途に対応した形状を適宜適用することができる。
【００２９】
導体層１４を形成する方法としては、めっき法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、気相成長法、コールドスプレー法等が挙げられる。
【００３０】
＜層構造＞
図１に示すように、抵抗器１は、導体層１４と抵抗体層１２との重複部分において、接合層１３、抵抗体層１２、導体層１４がこの順番により絶縁基板１１に積層されている。この積層構造は、絶縁基板１１に、上述した方法により、接合層１３を形成し、続いて、抵抗体層１２の形成領域以外をマスクした状態で上述した方法により接合層１３の上に抵抗体層１２を形成し、さらに、導体層１４の形成領域以外をマスクした状態で上述した方法により導体層１４を形成することにより実現可能である。
【００３１】
図３は、抵抗器１の変形例を説明する断面図である。図３に示すように、抵抗器１は、導体層１４と抵抗体層１２との重複部分において、接合層１３、導体層１４、抵抗体層１２がこの順番により絶縁基板１１に積層されている。この積層構造は、絶縁基板１１に、上述した方法により、接合層１３を形成し、続いて、導体層１４の形成領域以外をマスクした状態で上述した方法により接合層１３の上に導体層１４を形成し、さらに、抵抗体層１２の形成領域以外をマスクした状態で上述した方法により抵抗体層１２を形成することにより実現可能である。
【００３２】
［回路基板］
本実施形態に係る回路基板について説明する。図４は、本実施形態に係る回路基板を説明する平面図である。
【００３３】
図４に示す回路基板１００は、絶縁基板１０１に回路パターン１１０が形成されており、絶縁基板１０１には、接合層１０２を介して抵抗体層１０３が形成されている。接合層１０２は、チタン、アルミニウム、ニッケル、クロムからなる群から選択される少なくとも１つの金属材料から形成されている。また、抵抗体層１０３は、抵抗体材料から形成されており、回路パターン１１０は、抵抗体層１０３の一部に重ねられて接合層１０２の表面に形成されている。
【００３４】
回路基板１００では、抵抗体層１０３のシート抵抗に対する接合層１０２のシート抵抗の比が１００以上になるように形成されている。
【００３５】
図４に示す回路基板１００は、絶縁基板１０１の表面に、めっき法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、気相成長法、コールドスプレー法等により、接合層１０２を形成し、続いて、抵抗体層１０３の形成領域以外をマスクした状態で、上述した方法により接合層１０２の上に抵抗体層１０３を形成し、さらに、回路パターン１１０の形成領域以外をマスクした状態で、上述した方法により回路パターン１１０を形成することにより実現可能である。
【００３６】
一般的な回路基板では、回路パターンが形成された基板の所定箇所に、抵抗体が、ロウ材により接合されていた。これに対して、本実施形態に係る回路基板１００によれば、絶縁基板１０１への回路パターンの形成プロセスのなかで絶縁基板１０１上に抵抗体層１０３を形成することができる。このため、一般的な回路基板において抵抗体を実装する際に課題となっていた、基板と抵抗体との接合強度の問題、或いは熱応力による接合部のクラック等の問題が生じない。
【００３７】
また、上述のように回路基板１００に抵抗体層１０３が密着した構造としたことにより、抵抗体層１０３の発熱が絶縁基板１０１を通して放熱されやすくなる。また、抵抗体層１０３を回路パターン１１０の形成過程で一体的に形成することができるため、回路設計の自由度が高められる。
【実施例】
【００３８】
本発明の実施形態に係る抵抗器１に基づく供試体を作製し、各種測定を行って、抵抗器１としての評価を行った。以下、供試体の作製方法及びその評価について説明する。
【００３９】
［供試体の作製］
絶縁基板として酸化アルミニウム（アルミナ）を用いた。抵抗体材料としてマンガニンを用いた。また、接合層のための金属材料としてチタン及びアルミニウムのそれぞれを用いた。
【００４０】
縦３０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み１ｍｍのアルミナ基板に、チタン又はアルミニウムを用いたスパッタ法を施して、厚み１００ｎｍの接合層を形成した。
【００４１】
スパッタリング条件は下記のとおりである。
・ターゲット：チタン
・放電ガス：アルゴンガス
・ガス流量：５０ｓｃｃｍ
・ガス圧力：０．７Ｐａ
・ＤＣ電力：１０００Ｗ
【００４２】
接合層を構成する金属材料として、チタンを用い、それぞれについて、厚み５０ｎｍ、１００ｎｍ、１０００ｎｍのものを用意した。なお、接合層をアルミニウムとした供試体についても同様に用意した。
【００４３】
続いて、スパッタ法を施して形成された接合層に、抵抗体材料としてマンガニン合金を用いたコールドスプレー法を施して抵抗体層（マスクサイズ１０ｍｍ×４０ｍｍ）を形成した。
【００４４】
コールドスプレー法の条件は下記のとおりである。
・作動ガス：圧縮窒素
・ガス圧：１〜６ＭＰａ
・ガス温度：４００〜４５０℃
・溶射距離：１５ｍｍ
・トラバース速度：２０〜８０ｍｍ／ｓｅｃ
・溶射用粉末供給速度：マンガニン：１０〜３０ｇ／ｍｉｎ
【００４５】
コールドスプレーの条件を変更することによって、抵抗体層の厚みを２０μｍ、２００μｍ、１０００μｍとしたものを用意した。
【００４６】
抵抗体層の厚みと、接合層の種類及び厚みの組み合わせを変更して複数の供試体を作製した。
【００４７】
［評価方法］
＜放熱性試験＞
比較モデルとして、抵抗体の両端部がセラミックス基板に、半田実装された一般的なシャント抵抗器２００を用いた。図５（ａ）は、シャント抵抗器２００を説明する平面図であり、図５（ｂ）は、シャント抵抗器２００を説明する断面図である。
【００４８】
図５に示すシャント抵抗器２００は、セラミックス基板２０１の両面に離間した２つの接合層２０２が形成されており、さらに、接合層２０２の各々に導体パターン２０３が形成されたものである。導体パターン２０３の所定位置に、半田２０４により、抵抗体２０５が接合されたものである。
【００４９】
シャント抵抗器２００において、セラミックス基板２０１は、縦３０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚み１ｍｍのアルミナ基板であり、抵抗体２０５は、マンガニン合金を用いて、縦６．３５μｍ×横３．１８ｍｍ×厚み０．６ｍｍのサイズに形成されている。
【００５０】
シャント抵抗器２００において、抵抗体２０５は、その両端部においてセラミックス基板２０１と半田実装されているが、端部以外はセラミックス基板２０１に接触しておらず、空気絶縁構造となっている。
【００５１】
また、本実施形態に係る抵抗器１として、上述した方法によって作製された供試体Ｔ１を用いた（構造は、図３参照）。
【００５２】
シャント抵抗器２００及び供試体Ｔ１の裏面温度を２５℃に設定した状態で、電力２Ｗを印加した。
【００５３】
シャント抵抗器２００について、抵抗体２０５の中央部分に現れるホットスポットの温度と、抵抗体２０５がセラミックス基板２０１に接続される端子部の温度とを測定した。
【００５４】
また、供試体Ｔ１について、抵抗体層の中央部分に現れるホットスポットの温度と、抵抗体層の端部近傍における絶縁基板の温度とを測定した。結果については、後述する。
【００５５】
＜抵抗体構造と抵抗温度特性＞
上述のようにして得られた供試体について、以下の評価試験を行った。
・抵抗比率の算出
抵抗体層のシート抵抗に対する接合層のシート抵抗の比を、以下のように計算した。シート抵抗は以下のように計算される。
【００５６】
シート抵抗＝体積抵抗率（μΩ・ｃｍ）／厚み（ｃｍ）
抵抗比率＝｛接合層のシート抵抗（μΩ／□）｝／｛抵抗体層のシート抵抗（μΩ／□）｝
ここで、マンガニンの体積抵抗率は、４３μΩ・ｃｍであり、チタンの体積抵抗率は、４２．７μΩ・ｃｍであり、アルミニウムの体積抵抗率は、２．８μΩ・ｃｍである。
【００５７】
・抵抗体の抵抗温度特性の測定
抵抗体の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を測定し、標準値に対する変化率を算出した。すなわち、抵抗体のみの抵抗温度係数と、抵抗体と導体である接合層とを合わせた積層体を実質的な抵抗体として見立てたときの、この積層体の抵抗温度係数について、前者に対する後者の変化率を算出した。
【００５８】
抵抗温度係数（ＴＣＲ）とは、抵抗器の温度変化による内部抵抗値の変化の割合を表すものであり、下記式により表される。
抵抗温度係数（ｐｐｍ／℃）＝（Ｒ−Ｒａ）／Ｒａ÷（Ｔ−Ｔａ）×１００００００  
ここで、Ｒａ：基準温度における抵抗値、Ｔａ：基準温度、Ｒ：定常状態における抵抗値、Ｔ：定常状態になる温度である。
【００５９】
また、抵抗温度特性（ＴＣＲ）の変化率は以下の式で求めることができる。
ＴＣＲ変化率（％）＝｛（ＴＣＲｂ−ＴＣＲａ）／ＴＣＲａ｝×１００
ここで、ＴＣＲａは、抵抗体のみの抵抗温度係数であり、ＴＣＲｂは、抵抗体と接合層とを合わせた積層体を抵抗体として扱ったときの抵抗温度係数である。
【００６０】
ＴＣＲ変化率（％）の値が小さければ、抵抗体そのものの特性に近いことになるため、抵抗体としての特性に対する接合層の寄与率が小さいことを表す。この観点から、ＴＣＲ変化率（％）は２０％以下であることが好ましい。以下の評価では、ＴＣＲ変化率（％）が２０％以下を「良」、２０％を超えたものを「不可」と判断した。
【００６１】
［評価結果］
＜放熱性試験結果＞
従来の抵抗器では、抵抗体中央のホットスポットの温度が７４．２℃であり、端子部の温度が２７．８℃であり、温度差が４６．４℃あった。一方、供試体Ｔ１では、抵抗体層の中央のホットスポットの温度が２８．６℃であり、抵抗体層の端部近傍におけるセラミックス基板の温度は２７．３℃であり、温度差は、１．３℃であった。
【００６２】
この結果から、本実施形態に示す抵抗器１では、抵抗体層１２は、接合層１３を介して絶縁基板１１に密着していることにより、抵抗体層１２からの発熱が熱伝導度の高い絶縁基板１１から放熱されやすくなることがわかった。
【００６３】
＜抵抗体構造と抵抗温度特性＞
供試体の抵抗体構造に対する評価結果を第１表及び第２表に示す。
【００６４】
【表１】
2020010004.tif 000003
【００６５】
【表２】
2020010004.tif 000004
【００６６】
＜結果＞
第１表に示す結果によれば、マンガニンから形成された厚さ２０μｍの抵抗体層と、チタンからなる厚みが１０００ｎｍの接合層とを組み合わせた供試体Ｔ３は、ＴＣＲ変化率（％）が２０％を超えたため「不可」と判断した。この供試体Ｔ３の抵抗比率は、１９．９であった。
【００６７】
また、第２表に示す結果によれば、マンガニンから形成された厚さ２０μｍの抵抗体層に対して、接合層材料としてアルミニウムを用いた場合には、接合層の厚みに依らず、抵抗比率が１００を下回っており、ＴＣＲに対するアルミニウムの寄与が大きいため、「不可」と判断された。このときの抵抗比率は、２６．２、１３．１、１．０であった。
【００６８】
以上の結果から、アルミナ基板と、マンガニンから形成された抵抗体層と、チタン又はアルミニウムを含んで形成された接合層と、を備え、抵抗体層のシート抵抗に対する接合層のシート抵抗の比（抵抗比率）が１００以上になるように形成された抵抗器は、ＴＣＲ変化率が許容範囲としての２０％以下に収められて、安定した抵抗特性が得られることがわかる。
【００６９】
つまり、接合層のシート抵抗の比を、抵抗体のシート抵抗の１００倍以上にすることにより、抵抗器全体の特性に対する接合層の寄与率が１％以下になる。接合層に用いるチタン、アルミニウム、クロム、ニッケル等の抵抗温度特性は３０００〜４０００ｐｐｍ／℃であるから、抵抗器のＴＣＲへの影響分は３０〜４０ｐｐｍ／℃に抑えることができ、シャント抵抗器として必要な特性を確保することができる。また、第１表及び第２表の結果から、抵抗体の各層が同じ構成である場合には、接合層材料としてチタンを用いる方が安定した抵抗特性が得られることがわかる。
【００７０】
抵抗器１の構造によれば、半田による接合部が無いため、抵抗体層１２と絶縁基板１１との熱応力差により接合部分が破損することがなく、抵抗器１の耐久性を高めることができる。
【００７１】
絶縁基板の熱膨張係数と、絶縁基板に実装される抵抗体等の部品の熱膨張係数と、導体パターンの熱膨張係数との間には差があるため、抵抗器が熱膨張と熱収縮を繰り返すことによって、絶縁基板と抵抗体等の部品との接合部分、或いは、絶縁基板と導体パターンとの接合部分に疲労が蓄積される。このため、一般的に、セラミックス基板は耐熱性に優れるものの、抵抗器全体としてみれば、耐久性が低下することが懸念される。
【００７２】
一方で、抵抗体を絶縁基板に密着させる構造として、抵抗体からの発熱をセラミックス基板を介して放熱しやすくするとともに、セラミックス基板にポリイミドやエポキシなどの樹脂材料を介して抵抗体をセラミックス基板に接着させる方法もある。
【００７３】
この場合には、熱応力を緩和することができるものの、抵抗体の熱が樹脂材料に妨げられてセラミックス基板に伝わりにくくなり、発熱量が多くなる場合には、十分な放熱性得られないことがあった。また、抵抗器としての耐用温度が樹脂材料の耐熱性に依存するため、高温下での使用に耐え得るものではなかった。
【００７４】
これに対して、本実施形態に係る抵抗器１は、上記構造を備えることにより、より高いレベルでの放熱特性を備える。また、抵抗温度係数の変化率を所定範囲に収めることができるため、抵抗特性の安定化が実現可能である。
【００７５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は、本発明の適用例の一部を示したに過ぎず、本発明の技術的範囲を上記実施形態の具体的構成に限定する趣旨ではない。
【符号の説明】
【００７６】
１    抵抗器
１１    セラミックス基板
１２    抵抗体層
１３    接合層
１４    導体層
１００    回路基板
１０１    セラミックス基板
１０２    接合層
１０３    抵抗体層
１１０    回路パターン
【図１】
2020010004.tif 000005
【図２】
2020010004.tif 000006
【図３】
2020010004.tif 000007
【図４】
2020010004.tif 000008
【図５】
2020010004.tif 000009