(57)【要約】【課題】基板の基準電位の変動を抑制可能な電力増幅回路を提供する。【解決手段】電力増幅回路１０は、基板３０１と、基板３０１に設けられる半導体チップ２０１と、を備え、半導体チップ２０１は、ＲＦ信号を増幅する電力増幅部２１１と、電力増幅部２１１のグランドが接続されるグランド端子２３１ａと、一端が、半導体チップ２０１の外部を経由せずに、グランド端子２３１ａと電気的に接続される回路素子４１１と、を有する。基板３０１は、一端が電力増幅部２１１の出力と電気的に接続され、他端が回路素子４１１の他端と電気的に接続される回路素子４１２と、を有する。回路素子４１１及び回路素子４１２が、高調波終端回路４１０を構成し、高調波終端回路４１０は、電力増幅部２１１からの増幅信号であるＲＦ信号ＲＦ２の高調波成分ＲＦ３を電力増幅部２１１へ反射させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力増幅回路であって、
基板と、
前記基板に設けられる半導体チップと、を備え、
前記半導体チップは、
無線周波数信号を増幅する電力増幅部と、
前記電力増幅部のグランドが接続される第１グランド端子と、
一端が、前記半導体チップの外部を経由せずに、前記第１グランド端子と電気的に接続される第１回路素子と、
を有し、
前記基板は、
一端が前記電力増幅部の出力と電気的に接続され、他端が前記第１回路素子の他端と電気的に接続される第２回路素子と、を有し、
前記第１回路素子及び前記第２回路素子が、高調波終端回路を構成し、
前記高調波終端回路は、前記電力増幅部からの増幅信号の高調波成分を前記電力増幅部へ反射させる、電力増幅回路。
【請求項２】
請求項１に記載の電力増幅回路であって、
前記電力増幅部は、並列接続される複数の増幅器を有し、
前記半導体チップ及び前記基板は、複数の前記高調波終端回路を有し、
前記複数の増幅器のそれぞれから、前記半導体チップの外部を経由して、前記複数の前記高調波終端回路のそれぞれに至る、前記高調波成分が流れる配線の長さの平均値が、前記複数の増幅器の間で同一となるように形成される、電力増幅回路。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電力増幅回路であって、
前記基板は、
前記電力増幅部に電源電圧を供給する電源回路と、
前記電力増幅部からの前記増幅信号が入力される出力整合回路と、
基準電位が供給されるグランド端子と、
前記グランド端子と接続されるグランド部と、を有し、
前記基板の前記グランド部は、前記半導体チップの前記第１グランド端子、前記電源回路、及び前記出力整合回路、と電気的に接続される電力増幅回路。
【請求項４】
請求項３に記載の電力増幅回路であって、
前記半導体チップは、
外部から入力される無線周波数信号を前記電力増幅部に供給する入力回路部と、
前記入力回路部のグランドが接続される第２グランド端子と、を有し、
前記基板は積層基板であって、
前記基板のグランド部は、前記基板の第１層に形成された第１グランド部と、前記基板の第２層に形成された第２グランド部と、を有し、
前記電力増幅部のグランドは、
前記第１グランド端子を通じて、前記第１グランド部と電気的に接続され、
前記第１グランド部から、前記第２グランド部及び前記第２グランド端子を通じて、前記入力回路部のグランドと電気的に接続される、電力増幅回路。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電力増幅回路であって、前記第２回路素子のインダクタンス成分には、前記基板に形成される配線のインダクタンス成分が含まれる、電力増幅回路。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電力増幅回路であって、前記基板と前記半導体チップとはフリップチップ接続される電力増幅回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力増幅回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線周波数信号を用いた通信において、無線周波数信号を増幅するために電力増幅回路が用いられる。無線周波数信号を増幅するにあたって、無線周波数信号の高調波成分を抑制することが電力増幅回路に求められる。
【０００３】
特許文献１には、電力増幅回路として、半導体チップにトランジスタ、インダクタ、及び容量を設け、半導体チップをモジュール基板に実装した高周波増幅器が示されている。特許文献１に記載の電力増幅回路では、半導体チップ上の集積化容量と、半導体チップとモジュール基板とを結ぶリードと、モジュール基板上の配線と、によって、高調波終端回路が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００３／００７６１７４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の電力増幅回路に設けられる高調波終端回路は、モジュール基板のグランドに接続されることで、接地される。モジュール基板のグランドは、半導体チップのグランドと接続されている。半導体チップに設けられるトランジスタは、半導体チップの基準電位を参照する。
【０００６】
高調波終端回路がモジュール基板のグランド端子に接続されている場合、高調波終端回路によってグランドへ終端された電流は、リターン電流としてモジュール基板のグランドから半導体チップのグランドへと流れる。
【０００７】
このリターン電流は、モジュール基板の基準電位を変動させる。モジュール基板の基準電位が変動すると、モジュール基板の基準電位を参照する他の回路の性能が劣化する。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、基板の基準電位の変動を抑制可能な電力増幅回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面に係る電力増幅回路は、基板と、基板に設けられる半導体チップと、を備える。半導体チップは、無線周波数信号を増幅する電力増幅部と、電力増幅部のグランドが接続される第１グランド端子と、一端が、半導体チップの外部を経由せずに、第１グランド端子と電気的に接続される第１回路素子と、を有する。基板は、一端が電力増幅部の出力と電気的に接続され、他端が第１回路素子の他端と電気的に接続される第２回路素子と、を有する。第１回路素子及び第２回路素子が、高調波終端回路を構成する。高調波終端回路は、電力増幅部からの増幅信号の高調波成分を電力増幅部へ反射させる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の基準電位の変動を抑制可能な電力増幅回路を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電力増幅回路のブロック図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る電力増幅回路のブロック図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係る電力増幅回路のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を極力省略する。
【００１３】
第１実施形態について説明する。図１に示されるように、第１実施形態に係る電力増幅回路１０は、半導体チップ２０１と、基板３０１と、高調波終端回路４１０を備える。
【００１４】
半導体チップ２０１は、電力増幅部２１１、入力回路部２２１、グランド端子２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、リード２４１、２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃ、２４３、回路素子４１１を備える。
【００１５】
電力増幅部２１１は、増幅器２１１１を有する。増幅器２１１１は、無線周波数（ＲＦ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号の電力を増幅するための増幅器であり、トランジスタを用いて構成される。トランジスタは、例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ：Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のバイポーラトランジスタや、電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００１６】
入力回路部２２１は、増幅器２２１１、整合回路２２１２、バイアス回路２２１３を有する。増幅器２２１１は電力増幅回路１０に入力されるＲＦ信号を増幅し、電力増幅部２１１へと出力する。整合回路２２１２は、増幅器２２１１と増幅器２１１１との間のインピーダンスを整合させるために設けられている。バイアス回路２２１３は、増幅器２２１１及び増幅器２１１１にバイアス電流又は電圧を供給する回路である。
【００１７】
グランド端子２３１ａは、電力増幅部２１１のグランドと接続される。グランド端子２３１ｂ、２３１ｃは入力回路部２２１のグランドと接続される。
【００１８】
リード２４１、２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃ、２４３は半導体チップ２０１と基板３０１とを接続するために設けられる。半導体チップ２０１と基板３０１の接続方法は、例えば、フリップチップ実装の場合はバンプ接続である。リード２４１は、半導体チップ２０１と基板３０１とを接続する。リード２４３は一端が回路素子４１１に接続され、他端が回路素子４１２に接続される。回路素子４１１、４１２については後述する。なお、ワイヤーボンディング接続であってもよく、このとき、リードはワイヤーで構成されていてもよい。
【００１９】
リード２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃは、それぞれ、一端がグランド端子２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃに接続される。リード２４２ａ、２４２ｂ、２４２ｃのそれぞれの他端は後述するグランド部３３１に接続される。
【００２０】
回路素子４１１は、高調波終端回路４１０を構成する回路素子である。回路素子４１１は、例えば、キャパシタやインダクタによって構成される。回路素子４１１の一端は、半導体チップ２０１の外部を経由せずに、グランド端子２３１ａに接続される。
【００２１】
基板３０１は、電源回路３１１、出力整合回路３２１、グランド部３３１、回路素子４１２、入力端子３４１１、３４１２、３４１３、出力端子３４１４、グランド端子３４１５を有する。入力端子３４１１には、制御信号が入力される。入力端子３４１２にはＲＦ信号が入力される。
【００２２】
電源回路３１１には、例えば、入力端子３４１３を通じて、例えば、バッテリー電圧が供給される。電源回路３１１は、例えば高周波遮断回路（ＲＦ  Ｃｈｏｋｅ）回路であり、電力増幅部２１１にＤＣバイアスを供給し、電力増幅部２１１からの高周波出力が入力端子３４１３に流れ出ないように、少なくとも一つのチョークインダクタを有する。なお、バッテリー電圧ではなく、ＤＣ−ＤＣコンバータを使用したＥＴ（Ｅｎｖｅｌｏｐｅ  Ｔｒａｃｋｉｎｇ）電源やＤＣ−ＤＣコンバータの電源が接続されてもよい。
【００２３】
出力整合回路３２１は、出力端子３４１４に接続される。出力整合回路は、増幅器２１１１に接続される。出力整合回路３２１は例えば、増幅器２１１１のトランジスタのコレクタ端子に接続される。出力整合回路３２１は、増幅器２１１１と、出力端子３４１４に接続される回路との間のインピーダンスを整合させる。
【００２４】
グランド部３３１は、グランド端子３４１５に接続される。グランド部３３１は、グランド端子３４１５を通じて基準電位を供給される。グランド部３３１は、グランド部３３１に接続される回路に基準電位を供給する。グランド部３３１には、電源回路３１１、出力整合回路３２１、グランド端子２３１ａ、グランド端子２３１ｂ、グランド端子２３１ｃが接続される。本発明の場合、基板３０１は、マザーボード（図示されず）のグランドとグランド端子が接続される。
【００２５】
回路素子４１２は一端が、リード２４１を通じて増幅器２１１１に接続される。回路素子４１２は、例えば、キャパシタやインダクタによって構成される。一端は、例えば、リード２４１を通じて増幅器２１１１のトランジスタのコレクタ端子に接続される。回路素子４１２の他端は、リード２４３を通じて、回路素子４１１と接続される。
【００２６】
回路素子４１１及び回路素子４１２は高調波終端回路４１０を構成する。高調波終端回路４１０は、電力増幅回路１０によって増幅されるＲＦ信号に含まれる高調波成分（基本周波数の整数倍となる高周波信号）を電力増幅回路１０の方向に反射させるために設けられる。すなわち、高調波終端回路４１０は、ＲＦ信号に含まれる高調波成分（例えば二倍波成分）に対して比較的低いインピーダンスを有しており、高調波成分をグランドに終端させる。
【００２７】
高調波終端回路４１０の、回路素子４１１及び回路素子４１２は、例えば、一方がインダクタであり、他方がキャパシタである。高調波終端回路４１０のインダクタンス成分及び増幅器２１１１から回路素子４１２に至る配線によるインダクタンス成分が、高調波終端のためのインピーダンスを決定するために用いられる。すなわち、回路素子４１２のインダクタンス成分には、基板３０１に形成される配線によるインダクタンス成分が含まれる。
【００２８】
高調波終端回路４１０では、インダクタ及び配線のインダクタンス成分と、キャパシタのキャパシタンス成分とにより、ＬＣ直列共振回路が構成される。高調波終端回路４１０は、対象の高調波成分の周波数において、ＬＣ共振回路のインピーダンスを小さくすることにより、インピーダンス不整合とさせて、出力端子３４１４に出力させないようにする。より具体的には、インピーダンスを小さくすることによってインピーダンス不整合とした場合、高調波終端回路４１０は、高調波成分を反射させるようにはたらく。高調波終端回路４１０が反射した高調波成分は、電力増幅回路１０から出力される高調波成分と合成されて、定在波を発生させる。これにより、高調波成分を出力端子３４１４に出力させないようにする。
【００２９】
電力増幅回路１０の動作について説明する。電力増幅回路１０に入力端子３４１２からＲＦ信号ＲＦｉｎが入力される場合を説明する。入力されたＲＦ信号ＲＦｉｎは、増幅器２２１１によって増幅される。
【００３０】
ＲＦ信号ＲＦｉｎは増幅されることで、ＲＦ信号ＲＦ１となる。ＲＦ信号ＲＦ１は、増幅器２２１１から、整合回路２２１２を通じて、電力増幅部２１１に供給される。電力増幅部２１１では、増幅器２１１１にＲＦ信号ＲＦ１が入力される。例えば、ＲＦ信号ＲＦ１は、増幅器２１１１を構成するトランジスタのベース端子に入力される。
【００３１】
増幅器２１１１はＲＦ信号ＲＦ１を増幅し、増幅信号であるＲＦ信号ＲＦ２を出力する。ＲＦ信号ＲＦ２は、リード２４１を通じて、半導体チップ２０１の外部へと出力される。
【００３２】
ＲＦ信号ＲＦ２に含まれる高調波成分ＲＦ３（例えば二倍波成分）は、高調波終端回路４１０により終端される。そして、高調波成分が減衰されたＲＦ信号ＲＦ４が、出力整合回路３２１を通じて、電力増幅回路１０の出力端子３４１４から出力される。
【００３３】
ＲＦ信号は、伝送線路を伝搬する電磁波として伝達される。ここで、任意の信号源により励起され伝送線路を伝搬する電磁波を考える場合、この電磁波により信号線路上に誘起される伝導電流とそれとは逆方向にグランド上に誘起されるリターン電流により、信号源を起点とするループ電流が流れることが知られている（Ralph Morrison，"Grounding and Shielding: Circuits and Interference"，第６版，（米），Wiley-IEEE Press，2016年3月，を参照）。電力増幅回路１０では、信号源に対応する電力増幅部２１１から出力された電流Ｉ１に対するリターン電流が、半導体チップ２０１のグランド又は基板３０１のグランド部を通じて電力増幅部２１１及び入力回路部２２１に戻ってくる。
【００３４】
電力増幅部２１１に戻るリターン電流は、電流Ｉ２と電流Ｉ３である。電流Ｉ２は、電力増幅部２１１から、高調波終端回路４１０を通り、再び電力増幅部２１１へと戻る閉回路を流れるループ電流である。電流Ｉ３は、電力増幅部２１１から、出力整合回路３２１又は電源回路３１１、グランド部３３１、及びグランド端子２３１ａを通じて、再び電力増幅部２１１へと戻る閉回路を流れるループ電流である。
【００３５】
電力増幅回路１０において、電流Ｉ２は、電流Ｉ３よりも値が大きく、主なリターン電流となる。電力増幅回路１０では、主なリターン電流である電流Ｉ２が、基板３０１のグランド部３３１を経由せずに流れる。よって、グランド部３３１の基準電位の変動が抑制される。入力回路部２２１は、リード２４２ｂ、２４２ｃ及びグランド端子２３１ｂ、２３１ｃを介してグランド部３３１に接続されている。したがって、上記基準電位の変動の抑制は入力回路部２２１の特性劣化を抑制する結果となる。
【００３６】
第１実施形態に係る電力増幅回路１０は、基板３０１と、基板３０１に設けられる半導体チップ２０１と、を備え、半導体チップ２０１は、ＲＦ信号を増幅する電力増幅部２１１と、電力増幅部２１１のグランドが接続されるグランド端子２３１ａと、一端が、半導体チップ２０１の外部を経由せずに、グランド端子２３１ａと電気的に接続される回路素子４１１と、を有する。基板３０１は、一端が電力増幅部２１１の出力と電気的に接続され、他端が回路素子４１１の他端と電気的に接続される回路素子４１２と、を有し、回路素子４１１及び回路素子４１２が、高調波終端回路４１０を構成し、高調波終端回路４１０は、電力増幅部２１１からの増幅信号であるＲＦ信号ＲＦ２の高調波成分ＲＦ３を電力増幅部２１１へ反射させる。言いかえると、高調波終端回路４１０は、電力増幅部２１１からの増幅信号であるＲＦ信号ＲＦ２の高調波成分ＲＦ３によるリターン電流である電流Ｉ２を電力増幅部２１１のグランドに伝導させる。
【００３７】
電力増幅回路１０では、リターン電流である電流Ｉ２を、基板３０１を経由せずに、半導体チップ２０１へ戻すことができる。よって、電流Ｉ２による、基板３０１の基準電位の変動が抑制される。
【００３８】
第１実施形態に係る電力増幅回路１０では、基板３０１は、電力増幅部２１１に電源電圧を供給する電源回路３１１と、電力増幅部２１１からＲＦ信号ＲＦ４が入力される出力整合回路３２１と、基準電位が供給されるグランド端子３４１５と、グランド端子３４１５と接続されるグランド部３３１と、を有し、基板３０１のグランド部３３１は、半導体チップ２０１のグランド端子２３１ａ、電源回路３１１、出力整合回路３２１、と電気的に接続される。
【００３９】
電力増幅回路１０は、グランド部３３１の基準電位を参照する入力回路部２２１、出力整合回路３２１、電源回路３１１の性能劣化を抑制し得る。
【００４０】
電力増幅回路１０では、回路素子４１２のインダクタンス成分には、基板３０１に形成される配線のインダクタンス成分が含まれる。よって、回路素子４２１を小型化することができるため、電力増幅回路１０を小型化できる。
【００４１】
電力増幅回路１０では基板３０１と半導体チップ２０１とはフリップチップ接続される。よって、半導体チップ２０１の各リードどうしの磁界結合を低減することができ、高調波成分の反射係数を高めることで、電力増幅回路１０の性能劣化を抑制し得る。
【００４２】
第２実施形態について説明する。第２実施形態以降では第１実施形態と共通の事柄についての記述を極力省略し、異なる点について主に説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００４３】
図２に示されるように、第２実施形態に係る電力増幅回路１０Ａは、第１実施形態に係る電力増幅回路１０に、増幅器２１１２と高調波終端回路４２０とを、さらに備える。
【００４４】
増幅器２１１２は、増幅器２１１１と並列に接続される。増幅器２１１２はバイアス回路２２１３からバイアス電流又は電圧を供給される。増幅器２１１２は増幅器２１１１と同様にトランジスタを用いて構成される。
【００４５】
高調波終端回路４２０は、回路素子４２１、４２２を有する。高調波終端回路４２０は高調波終端回路４１０と並列に接続されている。回路素子４２１は半導体チップ２０１に設けられる。回路素子４２２は基板３０１に設けられる。回路素子４２１、４２２は、例えば、キャパシタやインダクタによって構成される。
【００４６】
回路素子４２１の一端は、半導体チップ２０１の外部を経由せずに、グランド端子２３１ａに接続される。回路素子４２１の他端は、リード２４４を通じて、回路素子４２２と接続される。
【００４７】
増幅器２１１１及び増幅器２１１２は、半導体チップ２０１Ａの外部を経由するように、リード２４１を通じて、電源回路３１１、出力整合回路３２１、高調波終端回路４１０、４２０に接続される。
【００４８】
増幅器２１１１、２１１２それぞれの出力を合わせたＲＦ信号ＲＦ２Ａは、リード２４１を通じて、半導体チップ２０１の外部に出力される。
【００４９】
半導体チップ２０１Ａ及び基板３０１には、増幅器２１１１、２１１２と高調波終端回路４１０、４２０とを結び、半導体チップ２０１Ａの外部を経由してＲＦ信号ＲＦ２Ａの高調波成分ＲＦ３Ａが流れる配線が設けられる。なお、高調波成分ＲＦ３Ａは、増幅器２１１１、２１１２のそれぞれの出力に含まれている高調波成分を合わせたものである。
【００５０】
この配線は、増幅器２１１１から、高調波終端回路４１０に至る配線の長さと高調波終端回路４２０に至る配線の長さの平均値と、増幅器２１１２から、高調波終端回路４１０に至る配線の長さと高調波終端回路４２０に至る配線の長さの平均値と、が同一になるように形成される。
【００５１】
配線の平均値をそろえることによって、増幅器２１１１の高調波終端回路４１０、４２０に対するインピーダンスと、増幅器２１１２の高調波終端回路４１０、４２０に対するインピーダンスが均一になる。
【００５２】
電力増幅回路１０Ａでは、電力増幅部２１１Ａから出力されたＲＦ信号ＲＦ２Ａの高調波成分ＲＦ３Ａは、高調波終端回路４１０、４２０に流れ込む。高調波成分ＲＦ３Ａは、配線によるインピーダンスをそろえているため、高調波終端回路４１０、４２０へ均一に分配されて流れ込む。
【００５３】
第２実施形態に係る電力増幅回路１０Ａでは、電力増幅部２１１Ａは、並列接続される複数の増幅器２１１１、２１１２を有し、半導体チップ２０１Ａ及び基板３０１は、複数の高調波終端回路４１０、４２０を有し、複数の増幅器２１１１、２１１２のそれぞれから、半導体チップ２０１Ａの外部を経由して、複数の高調波終端回路４１０、４２０のそれぞれに至る、高調波成分ＲＦ３Ａが流れる配線の長さの平均値が、複数の増幅器２１１１、２１１２の間で同一となるように形成される。
【００５４】
電力増幅回路１０Ａは、配線によるインピーダンス成分を均一にする。よって、複数の増幅器２１１１、２１１２を並列に接続した場合であっても、高調波終端回路４１０と高調波終端回路４２０を同様の構成として、高調波終端を均一に行うことができる。増幅器２１１１、２１１２から出力される信号の高調波終端を均一に行うことができるため、電力増幅回路１０Ａの動作を均一化することができる。
【００５５】
なお、第２実施形態に係る電力増幅回路１０Ａでは、２つの増幅器２１１１、２１１２と、２つの高調波終端回路４１０、４２０を用いているが、増幅器及び高調波終端回路の個数は３つ以上であってもよい。その場合、各増幅器から各高調波終端回路に至る配線の距離の平均値が、各増幅器間で均一になるような構成であれば、本実施形態と同様の作用効果を持つ。
【００５６】
第３実施形態について説明する。図３に示されるように、第３実施形態に係る電力増幅回路１０Ｂは、積層基板である基板３０１Ｂを有する。
【００５７】
基板３０１Ｂには、グランド部３３１ａからグランド部３３１ｎまでのｎ層のグランド部３３１が設けられる。各層のグランド部は、ビア電極３３１２を通じて接続される。グランド部３３１ｎは、電力増幅回路１０Ｂのグランド端子３４１６に接続される。グランド部３３１ｎは、グランド端子３４１６を通じて基準電位を供給される。
【００５８】
半導体チップ２０１Ｂには、グランド端子２３１ａからグランド端子２３１ｎまでのｎ個のグランド端子が設けられる。半導体チップ２０１Ｂには、リード２４２ａからリード２４２ｎまでのｎ個のリードが設けられる。グランド端子２３１ａからグランド端子２３１ｎは、それぞれ、リード２４２ａからリード２４２ｎまでを通じて、グランド部３３１ａからグランド部３３１ｎとそれぞれ接続される。
【００５９】
グランド端子２３１ａは、回路素子４１１、４２１と接続される。グランド端子２３１ａは、電力増幅部２１１Ａのグランドに接続される。電力増幅部２１１Ａはグランド部３３１ａから基準電位を供給される。
【００６０】
グランド端子２３１ｂからグランド端子２３１ｎまでは、入力回路部２２１のグランドに接続される。入力回路部２２１には、グランド部３３１ｂからグランド部３３１ｎまでから基準電位が供給される。
【００６１】
電力増幅回路１０Ｂでは、２つの増幅器２１１１、２１１２及び２つの高調波終端回路４１０、４２０が設けられているが、増幅器及び高調波終端回路の個数はそれぞれ１つであってもよく、３つ以上であってもよい。
【００６２】
電力増幅回路１０Ｂが動作する場合、高調波終端回路４１０、４２０を通過するリターン電流を合わせた電流Ｉ４は、電力増幅部２１１Ａのグランドに流れこむ。電源回路３１１又は出力整合回路３２１からのリターン電流である電流Ｉ５は、グランド部３３１ａ、グランド端子２３１ａを通じて、電力増幅部２１１Ａのグランドに流れ込む。
【００６３】
グランド部３３１ｂからグランド部３３１ｎまでを通過して、入力回路部２２１のグランドへ流れ込むリターン電流は、電力増幅回路１０Ａの場合よりも少ない。したがって、入力回路部２２１の基準電位の変動が抑制される。
【００６４】
電力増幅回路１０Ｂでは、半導体チップ２０１Ｂは、外部から入力されるＲＦ信号を電力増幅部２１１Ａに供給する入力回路部２２１と、入力回路部２２１のグランドが接続されるグランド端子２３１ｂを有する。基板３０１Ｂは積層基板であって、基板３０１Ｂのグランド部３３１は、基板３０１Ｂの第１層に形成されたグランド部３３１ａと、基板３０１Ｂの第２層に形成されたグランド部３３１ｂと、を有する。電力増幅部２１１Ａのグランドは、グランド端子２３１ａを通じて、グランド部３３１ａと電気的に接続され、グランド部３３１ａから、グランド部３３１ｂ及びグランド端子２３１ｂを通じて、入力回路部２２１のグランドと電気的に接続される。
【００６５】
グランド部３３１を複数層設けることによって、リターン電流によって電位変動が生じにくいグランド部３３１ｂを設けることができる。入力回路部２２１を電位変動の生じにくいグランド部３３１ｂに接続することで、回路の基準電位の変動による影響を抑制することができる。
【００６６】
なお、以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るとともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素及びその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６７】
１０、１０Ａ、１０Ｂ  電力増幅回路
２０１、２０１Ａ、２０１Ｂ  半導体チップ
２１１、２１１Ａ  電力増幅部
２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、３４１５  グランド端子
３０１、３０１Ｂ  基板
３１１  電源回路
３２１  出力整合回路
３３１  グランド部
４１０、４２０  高調波終端回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
2020129712.tif 000005