(57)【要約】      （修正有）【課題】対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができるマスク修正装置を提供すること。【解決手段】マスク修正装置は、反射層と、反射層の上に配置される第１層と、第１層の上に配置される第２層と、第２層の上に配置される第３層とを有するＥＵＶＬ（Extreme  Ultra  Violet  Lithography）マスクである対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するＥＵＶＬマスク修正装置であって、第１エッチング方法によって第３層のエッチングを行い、第１エッチング方法による第３層のエッチングを行った後に、第１エッチング方法と異なる第２エッチング方法によって第２層のエッチングを行う。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層と、前記反射層の上に配置される第１層と、前記第１層の上に配置される第２層と、前記第２層の上に配置される第３層とを有するＥＵＶＬ（Extreme  Ultra  Violet  Lithography）マスクである対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するマスク修正装置であって、
第１エッチング方法によって前記第３層のエッチングを行い、
前記第１エッチング方法による前記第３層のエッチングを行った後に、前記第１エッチング方法と異なる第２エッチング方法によって前記第２層のエッチングを行う、
マスク修正装置。
【請求項２】
前記第１層は、キャップ層であり、
前記第２層は、吸収層である、
請求項１に記載のマスク修正装置。
【請求項３】
前記第３層の材質は、アルミニウム、クロム、ルテニウムのうちのいずれかである、
請求項１又は２に記載のマスク修正装置。
【請求項４】
前記第１エッチング方法は、重イオンビームによって前記第３層のエッチングを行う方法で有り、
前記第２エッチング方法は、ガスアシストエッチングである、
請求項１から３のうちいずれか一項に記載のマスク修正装置。
【請求項５】
前記第１エッチング方法は、第１の種類のガスを用いたガスアシストエッチングであり、
前記第２エッチング方法は、前記第１の種類と異なる第２の種類のガスを用いたガスアシストエッチングである、
請求項１から３のうちいずれか一項に記載のマスク修正装置。
【請求項６】
前記第２エッチング方法による前記第２層のエッチングが終わった後、又は、前記第２エッチング方法による前記第２層のエッチングを行っている間、前記対象ＥＵＶＬマスクが配置された空間内に酸化剤を入れる、
請求項１から５のうちいずれか一項に記載のマスク修正装置。
【請求項７】
反射層と、前記反射層の上に配置される第１層と、前記第１層の上に配置される第２層と、前記第２層の上に配置される第３層とを有するＥＵＶＬマスクである対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するマスク修正方法であって、
第１エッチング方法によって前記第３層のエッチングを行う第１ステップと、
前記第１ステップを行った後に、前記第１エッチング方法と異なる第２エッチング方法によって前記第２層のエッチングを行う第２ステップと、
を有するマスク修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マスク修正装置、及びマスク修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビームを用いてＥＵＶＬ（Extreme  Ultra  Violet  Lithography）マスクの欠陥を修正するマスク修正装置についての研究や開発が行われている。
【０００３】
ＥＵＶＬは、光源に極端紫外光（Extreme  Ultra  Violet：ＥＵＶ）を用いたリソグラフィのことである。すなわち、ＥＵＶＬマスクは、ＥＵＶＬにおいて用いられるフォトマスクのことである。ＥＵＶＬマスクは、極薄膜の多層構造から構成される反射層と、パターン形状の吸収層とから成っている。本明細書において、前述のＥＵＶＬマスクの欠陥は、ＥＵＶＬマスクの吸収層のパターン形状の欠陥のことを意味する。ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するマスク修正装置は、当該欠陥に対して荷電粒子ビームを照射し、エッチング加工やデポジション加工によって欠陥を修正する（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−０６４６０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、近年、吸収層の上に新たな層が重ねられたＥＵＶＬマスクが開発されている。当該ＥＵＶＬマスクは、例えば、吸収層に対する洗浄耐性等が高く、吸収層に意図しない傷が付いてしまうことを抑制することができる。本明細書では、当該新たな層を、付加層と称して説明する。また、本明細書では、吸収層の上に付加層が重ねられたＥＵＶＬマスクを、対象ＥＵＶＬマスクと称して説明する。
【０００６】
このような対象ＥＵＶＬマスクの付加層は、吸収層を加工する方法と同じ方法によってエッチングすることが困難な場合がある。例えば、ガスアシストエッチング（Gas  Assist  Etching：ＧＡＥ）において吸収層をエッチングするために用いられるエッチングガスは、吸収層の材質に対して増殖性を有するが、付加層の材質に対して増殖性を有さない場合がある。このような場合、当該エッチングガスは、吸収層のエッチングを行うことができるが、付加層のエッチングを行うことができない。その結果、マスク修正装置は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率的に行うことができない場合があった。
【０００７】
そこで本発明は、上記従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができるマスク修正装置、及びマスク修正方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、反射層と、前記反射層の上に配置される第１層と、前記第１層の上に配置される第２層と、前記第２層の上に配置される第３層とを有するＥＵＶＬマスクである対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するマスク修正装置であって、第１エッチング方法によって前記第３層のエッチングを行い、前記第１エッチング方法による前記第３層のエッチングを行った後に、前記第１エッチング方法と異なる第２エッチング方法によって前記第２層のエッチングを行う、マスク修正装置である。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、反射層と、前記反射層の上に配置される第１層と、前記第１層の上に配置される第２層と、前記第２層の上に配置される第３層とを有するＥＵＶＬマスクである対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するマスク修正方法であって、第１エッチング方法によって前記第３層のエッチングを行う第１ステップと、前記第１ステップを行った後に、前記第１エッチング方法と異なる第２エッチング方法によって前記第２層のエッチングを行う第２ステップと、を有するマスク修正方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができるマスク修正装置、及びマスク修正方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係るマスク修正装置１００の構成の一例を示す図である。
【図２】イオン源１２の構成の一例を示す図である。
【図３】対象ＥＵＶＬマスクの上面と直交する面に沿って対象ＥＵＶＬマスクを切断した場合における対象ＥＵＶＬマスクの断面の一例を示す図である。
【図４】制御装置１０の機能構成の一例を示す図である。
【図５】対象ＥＵＶＬマスクの欠陥をマスク修正装置１００が修正する処理の流れの一例を示す図である。
【図６】対象ＥＵＶＬマスクの欠陥をマスク修正装置１００が修正する処理の流れの他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜第１実施形態＞
以下、本発明の第１実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１３】
＜マスク修正装置の構成＞
まず、第１実施形態に係るマスク修正装置１００の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係るマスク修正装置１００の構成の一例を示す図である。
【００１４】
マスク修正装置１００は、対象ＥＵＶＬ（Extreme  Ultra  Violet  Lithography）マスクの欠陥を修正する。対象ＥＵＶＬマスクは、マスク修正装置１００が欠陥を修正する対象となるＥＵＶＬマスクである。ＥＵＶＬマスクの種類は、複数存在する。マスク修正装置１００は、このようなＥＵＶＬマスクのうちのある種類のＥＵＶＬマスクの欠陥を、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥として修正する。対象ＥＵＶＬマスクの詳細については、後述する。なお、マスク修正装置１００は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正することと、対象ＥＵＶＬマスクと種類が異なる他のＥＵＶＬマスクの欠陥を修正することとのそれぞれを行うことが可能な構成であってもよい。
【００１５】
マスク修正装置１００は、例えば、対象となる物体に集束したイオンビームを照射する集束イオンビーム装置であり、イオンビーム鏡筒１と、二次電子検出器５と、ガス供給系６と、試料ホルダ７と、試料ステージ８とを備えている。
【００１６】
イオンビーム鏡筒１は、イオン光学系を備える。イオンビーム鏡筒１が備えるイオン光学系は、イオン源１２で発生したイオンを真空試料室１１内に載置された試料３上に集束させる集束レンズ電極１６と対物レンズ電極１７とを備える。図１に示した例では、イオンビーム鏡筒１から照射されるイオンビームとして、イオンビーム２が示されている。二次電子検出器５は、イオンビーム鏡筒１からのイオンビーム（例えば、イオンビーム２）を試料３に照射することにより発生した二次電子４を検出する。ガス供給系６は、試料３の表面にガスを供給する。試料ホルダ７は、試料３を固定する。試料ステージ８は、試料３を移動させる。なお、前述の対象ＥＵＶＬマスクは、試料３の一例である。
【００１７】
なお、マスク修正装置１００は、イオンビーム鏡筒１に代えて、荷電粒子ビーム鏡筒を備える構成であってもよい。荷電粒子ビーム鏡筒は、荷電粒子光学系を備える。荷電粒子光学系は、イオンと異なる荷電粒子を荷電粒子源から真空試料室１１内に載置された試料３上に集束させる集束レンズ電極と対物レンズ電極とを備える。また、マスク修正装置１００は、二次電子検出器５に代えて、又は、二次電子検出器５に加えて、イオンビーム鏡筒１からのイオンビームを試料３に照射することにより発生した二次荷電粒子のうち二次電子４以外の他の荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器を備える構成であってもよい。例えば、マスク修正装置１００は、試料３から発生した二次イオンを検出する場合、二次荷電粒子検出器として二次イオン検出器を備える。また、例えば、マスク修正装置１００は、試料３から発生した反射イオンを検出する場合、二次荷電粒子検出器として反射イオン検出器を備える。また、マスク修正装置１００では、試料ホルダ７と試料ステージ８とは、一体に構成されてもよい。
【００１８】
また、マスク修正装置１００は更に、像形成部９と、制御装置１０を備えている。
【００１９】
像形成部９は、イオンビームの走査信号と二次電子検出器５の検出信号から観察像を形成する。
【００２０】
制御装置１０は、マスク修正装置１００の全体を制御する。制御装置１０は、図示しないＣＰＵ（Central  Processing  Unit）と、記憶部Ｒと、入力受付部Ｋと、表示部Ｄを備える。
【００２１】
記憶部Ｒは、例えば、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）やＳＳＤ（Solid  State  Drive）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically  Erasable  Programmable  Read−Only  Memory）、ＲＯＭ（Read−Only  Memory）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）等を含む。なお、記憶部Ｒは、制御装置１０に内蔵されるものに代えて、ＵＳＢ等のデジタル入出力ポート等によって接続された外付け型の記憶装置であってもよい。記憶部Ｒは、制御装置１０が処理する各種の情報、各種の画像、各種のプログラム等を記憶する。
【００２２】
入力受付部Ｋは、例えば、キーボード、マウス、タッチパッド等の入力装置である。なお、入力受付部Ｋは、表示部Ｄと一体に構成されたタッチパネルであってもよい。
【００２３】
表示部Ｄは、例えば、液晶ディスプレイパネル、有機ＥＬ（ElectroLuminescence）ディスプレイパネル等を備えた表示装置である。表示部Ｄは、例えば、像形成部９により形成された観察像を表示する。
【００２４】
＜イオン源の構成＞
以下、図２を参照し、イオン源１２の構成について説明する。図２は、イオン源１２の構成の一例を示す図である。
【００２５】
イオン源１２は、電界電離型イオン源である。イオン源１２は、例えば、イオン発生室２１と、エミッタ２２と、引出電極２３と、冷却装置２４を備える。
【００２６】
イオン発生室２１の壁部には、冷却装置２４が配設されている。冷却装置２４のイオン発生室２１に臨む面には、針状のエミッタ２２が装着されている。冷却装置２４は、内部に収容された液体窒素、液体ヘリウム等の冷媒によってエミッタ２２を冷却する。また、イオン源１２は、冷却装置２４として、ＧＭ型、パルスチューブ型等のクローズドサイクル式冷凍機、ガスフロー型の冷凍機等を備える構成であってもよい。そして、イオン発生室２１の開口端近傍には、エミッタ２２の先端２２ａと対向する位置に開口部を有する引出電極２３が配設されている。
【００２７】
イオン発生室２１は、図示しない排気装置によって内部が所望の高真空状態に保持される。第１実施形態では、イオン発生室２１には、２種類のガスが供給される。具体的には、イオン発生室２１には、ガス導入管４３、ガス導入管４４、ガス導入管４５を介して窒素ガス供給源４０が接続されている。これにより、イオン発生室２１内には、微量の窒素ガスが供給される。また、イオン発生室２１には、ガス導入管５３、ガス導入管５４、ガス導入管５５を介して水素ガス供給源５０が接続されている。これにより、イオン発生室２１内には、微量の水素ガスが供給される。イオン発生室２１内における窒素ガスと水素ガスの濃度比は、例えば、窒素ガス：水素ガス＝１：１であるが、これに限られるわけではない。当該濃度比は、イオンビーム鏡筒１から照射される窒素イオンビームと、イオンビーム鏡筒１から照射される水素イオンビームとのそれぞれの電流値が所望の電流値となるように調整される。
【００２８】
エミッタ２２は、タングステンやモリブデンからなる針状の基材に、白金、パラジウム、イリジウム、ロジウム、金等の貴金属を被覆したものからなる部材である。エミッタ２２の先端２２ａの形状は、原子レベルで尖鋭化されたピラミッド形状（すなわち、四角錐形状）である。なお、エミッタ２２には、タングステンやモリブデンからなる針状の基材を、図示しない窒素ガスや酸素ガスを導入することにより、先端２２ａのように原子レベルで尖鋭化したものを使用する構成であってもよい。また、エミッタ２２は、イオン源１２の動作時において、冷却装置２４によって１００Ｋ程度以下の低温に保持される。エミッタ２２と引出電極２３との間には、電源２７によって電圧が印加される。以下では、説明の便宜上、当該電圧を引出電圧と称して説明する。
【００２９】
エミッタ２２と引出電極２３との間に第１の引出電圧が印加された場合、鋭く尖った先端２２ａには、第１の引出電圧に応じた電界が形成される。当該電界により分極してエミッタ２２に引き寄せられた窒素分子２５は、先端２２ａのうちでも電界の高い位置で電子をトンネリングにより失って窒素イオンとなる。ここで、前述した通り、窒素分子２５を電離させるために必要なエネルギーと、窒素分子２５を電離させるために必要なエネルギーには、差がある。このため、当該場合、水素分子２６も当該電界により分極してエミッタ２２に引き寄せられるが、イオン発生室２１内における水素分子２６のほとんどは、電離しない。
【００３０】
イオン発生室２１内において発生した窒素イオンは、負電位に保持されているエミッタ２２と反発して引出電極２３側へ飛び出す。そして、当該窒素イオンは、引出電極２３の開口部からイオンビーム鏡筒１が備えるイオン光学系へ射出されて窒素イオンビームを構成する。当該窒素イオンビームには、イオン源１２が電界電離型イオン源である場合、窒素分子イオンと窒素原子イオンが含まれる。そして、当該窒素イオンビーム内における窒素分子イオンと窒素原子イオンとの存在比は、第１の引出電圧により変化する。
【００３１】
一方、エミッタ２２と引出電極２３との間に第２の引出電圧が印加された場合、鋭く尖った先端２２ａには、第２の引出電圧に応じた電界が形成される。当該電界により分極してエミッタ２２に引き寄せられた水素分子２６は、先端２２ａのうちでも電界の高い位置で電子をトンネリングにより失って水素イオンとなる。ここで、前述した通り、窒素分子２５を電離させるために必要なエネルギーと、水素分子２６を電離させるために必要なエネルギーには、差がある。このため、当該場合、窒素分子２５も当該電界により分極してエミッタ２２に引き寄せられるが、イオン発生室２１内における窒素分子２５のほとんどは、電離しない。
【００３２】
イオン発生室２１内において発生した水素イオンは、正電位に保持されているエミッタ２２と反発して引出電極２３側へ飛び出す。そして、当該水素イオンは、引出電極２３の開口部からイオンビーム鏡筒１が備えるイオン光学系へ射出されて水素イオンビームを構成する。当該水素イオンビームには、電界電離型イオン源の場合、水素分子イオンと水素原子イオンが含まれる。そして、当該水素イオンビーム内における水素分子イオンと水素原子イオンとの存在比は、第２の引出電圧により変化する。
【００３３】
なお、図１に示したイオンビーム２は、窒素イオンビーム又は水素イオンビームの一例を示している。
【００３４】
エミッタ２２の先端２２ａは、極めて尖鋭な形状である。窒素イオン、水素イオンのそれぞれは、この先端２２ａから飛び出す。このため、イオン源１２から放出されるイオンビーム（窒素イオンビーム、水素イオンビームのそれぞれ）のエネルギー分布幅は、極めて狭い。例えば、イオン源１２は、プラズマ型ガスイオン源や液体金属イオン源と比較して、ビーム径が小さく且つ高輝度のイオンビームを放出することができる。
【００３５】
ここで、イオン発生室２１に供給される水素ガス及び窒素ガスに水分子が含まれている場合、エミッタ２２には、水が吸着して突起となる。この場合、エミッタ２２の先端２２ａにおいて発生するイオン（すなわち、窒素イオン、水素イオンのそれぞれ）は、イオンビームの光軸とは別方向に放出される。このような水分子の吸着は、ランダムに起こる。このため、イオン源１２から光軸方向に放出されるイオンビームの電流量が大きく変化してしまうことがある。それを避けるために、イオン発生室２１に供給される窒素ガス及び水素ガスのそれぞれは、純化される。
【００３６】
ガス導入管４３、ガス導入管４４、ガス導入管４５のそれぞれは、金属配管である。ガス導入管４３、ガス導入管４４、ガス導入管４５のそれぞれには、例えば、電界研磨により表面粗さを小さくしたＳＵＳ−ＥＰ管を用いることが好ましい。そして、イオン源１２では、事前にガス導入管４３、ガス導入管４４、ガス導入管４５のそれぞれを数百℃まで加熱することにより、ガス導入管４３、ガス導入管４４、ガス導入管４５それぞれの内面への水の吸着を軽減する。
【００３７】
また、イオン源１２には、窒素ガス供給源４０から供給する窒素ガスを純化する純化器が設置される。第１の純化器４１は、複数の活性金属で構成されるゲッター材に不純物ガスを吸着させる、又は、加熱したパラジウム薄膜を透過させることで水素ガスを純化する。第２の純化器４２は、液体窒素を用いたコールドトラップにより不純物を取り除く。
【００３８】
これにより、イオン源１２には、９Ｎ（９９．９９９９９９９％）以上の高純度窒素ガスが供給される。ここで、イオン源１２は、純化器として、第１の純化器４１と第２の純化器４２とのうちのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。また、イオン源１２では、このような純化器が窒素ガス供給源４０に組み込まれる構成であってもよい。
【００３９】
また、イオン源１２には、水素ガス供給源５０から供給する水素ガスを純化する純化器が設置される。第１の純化器５１は、複数の活性金属で構成されるゲッター材に不純物ガスを吸着させる、又は、加熱したパラジウム薄膜を透過させることで水素ガスを純化する。第２の純化器５２は、液体窒素を用いたコールドトラップにより不純物を取り除く。
【００４０】
これにより、イオン源１２には、９Ｎ（９９．９９９９９９９％）以上の高純度水素ガスが供給される。ここで、イオン源１２は、純化器として、第１の純化器５１と第２の純化器５２とのうちのいずれか一方のみを備える構成であってもよい。また、イオン源１２では、このような純化器が水素ガス供給源５０に組み込まれる構成であってもよい。
【００４１】
更に、イオンビーム鏡筒１内には、真空試料室１１からイオン発生室２１への不純物ガスの流入を軽減するために、真空状態の中間室１３が設置される。中間室１３内は、イオン発生室２１を排気するための排気装置とは異なる排気ポンプ１４により排気される。そして、イオン発生室２１において発生したイオンビーム（例えば、水素イオンビーム、窒素イオンビーム等）は、真空室間の小さい径の穴を通過し、真空試料室１１に照射される。イオン発生室２１と中間室１３との間には、穴１１１が形成されている。中間室１３と真空試料室１１との間には、穴１１２が形成されている。ここで、イオンビーム鏡筒１では、中間室１３が対物レンズ電極１７を収容し、穴１１２の位置が対物レンズ電極１７よりも真空試料室１１側にある構成であってもよい。これにより、デポジション膜の原料ガスやエッチングガスを真空試料室１１で用いた場合、原料ガスやエッチングガスの不純物ガスのイオン発生室２１への流入を軽減することができる。
【００４２】
＜イオンビーム鏡筒が備えるイオン光学系の構成＞
以下、イオンビーム鏡筒１が備えるイオン光学系の構成について説明する。
【００４３】
イオン光学系は、イオン源１２側から真空試料室１１側に向けて順に、イオン発生室２１において発生したイオンビーム（例えば、水素イオンビーム、窒素イオンビーム等）を集束させる集束レンズ電極１６と、当該イオンビームを試料３上に集束させる対物レンズ電極１７を備える。
【００４４】
このような構成により、イオンビーム鏡筒１は、ソースサイズを１ｎｍ以下、イオンビームのエネルギー広がりを１ｅＶ以下にできる。その結果、イオンビーム鏡筒１は、ビーム径を５ｎｍ以下に絞ることができる。なお、イオンビーム鏡筒１は、イオンの原子番号を選別するためのＥｘＢ等の図示しないマスフィルターを備える構成であってもよい。
【００４５】
また、このような構成により、イオンビーム鏡筒１は、集束レンズ電極１６に印加する電圧と、対物レンズ電極１７に印加する電圧とのそれぞれを調整することにより、イオンビーム鏡筒１から照射されるイオンビームの照射位置を調整することができる。
【００４６】
＜イオンビームの電流測定＞
イオンビーム鏡筒１は、イオン源１２と集束レンズ電極１６との間に設けられた電流測定用電極１８を備える。電流測定用電極１８は、イオンビーム（例えば、水素イオンビーム、窒素イオンビーム等）の電流量を測定する。電流測定用電極１８には、電流計１９が接続される。そして、電流計１９は、電流測定用電極１８に照射されたイオンビームの電流量を測定する。マスク修正装置１００は、電流計１９によって測定される電流量が一定になるように、イオン源１２の引出電極２３を制御する。これにより、マスク修正装置１００は、安定した電流量のイオンビームを試料３に照射することができる。
【００４７】
＜ガス供給系の構成＞
ガス供給系６は、試料３の表面にデポジション膜の原料ガス（例えば、フェナントレン、ナフタレン等のカーボン系ガス、プラチナやタングステン等の金属を含有する金属化合物ガス等）を、原料容器からガスノズルを通して供給する。
【００４８】
また、ガス供給系６は、エッチング加工を行う場合、エッチングガス（例えば、フッ化キセノン、塩素、ヨウ素、三フッ化塩素、一酸化フッ素、水等）を原料容器からガスノズルを通して供給する。
【００４９】
＜対象ＥＵＶＬマスクの構成＞
ここで、図３を参照し、対象ＥＵＶＬマスクの構成について説明する。図３は、対象ＥＵＶＬマスクの上面と直交する面に沿って対象ＥＵＶＬマスクを切断した場合における対象ＥＵＶＬマスクの断面の一例を示す図である。
【００５０】
試料３として用いる対象ＥＵＶＬマスクは、図３に示すように、ガラス基板３４上にＭｏ／Ｓｉの多層構造の反射層３３と、反射層３３の上に配置される第１層３２と、第１層３２の上に配置される第２層３１と、第２層３１の上に配置される第３層３０を有する。
【００５１】
第１層３２は、対象ＥＵＶＬマスクのキャップ層である。以下では、一例として、第１層３２の材質が、ルテニウムである場合について説明する。なお、第１層３２の材質は、ルテニウムに代えて、他の材質であってもよい。
【００５２】
第２層３１は、対象ＥＵＶＬマスクの吸収層である。以下では、一例として、第２層３１の材質が、ＴａＮ（タンタル）である場合について説明する。なお、第２層３１の材質は、ＴａＮに代えて、他の材質であってもよい。
【００５３】
第３層３０は、付加層である。第３層３０は、例えば、第２層３１を保護する。第３層３０の材質は、例えば、アルミニウム、クロム、ルテニウム等である。なお、第３層３０の材質は、これらに代えて、他の材質であってもよい。以下では、一例として、第３層３０の材質が、アルミニウムである場合について説明する。
【００５４】
ここで、ＥＵＶＬでは、ＥＵＶＬマスクに極端紫外光が照射され、反射した光を用いてマスクパターンが転写される。ここで、ＥＵＶＬでは、ＥＵＶＬマスクの吸収層のパターン形状に欠陥が存在した場合、欠陥ごと転写してしまうため、欠陥修正が必要となる。このようなＥＵＶＬマスクの問題は、対象ＥＵＶＬマスクについても同様に存在する。このため、マスク修正装置１００は、このような対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正する。
【００５５】
＜制御装置の機能構成＞
以下、図４を参照し、制御装置１０の機能構成について説明する。図４は、制御装置１０の機能構成の一例を示す図である。
【００５６】
制御装置１０は、記憶部Ｒと、入力受付部Ｋと、表示部Ｄと、制御部Ｃを備える。
【００５７】
制御部Ｃは、制御装置１０の全体を制御する。制御部Ｃは、装置制御部Ｃ１と、表示制御部Ｃ２を備える。制御部Ｃが備えるこれらの機能部は、例えば、制御装置１０が備える図示しないＣＰＵが、記憶部Ｒに記憶された各種のプログラムを実行することにより実現される。また、当該機能部のうち一部又は全部は、ＬＳＩ（Large  Scale  Integration）やＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）等のハードウェア機能部であってもよい。
【００５８】
装置制御部Ｃ１は、入力受付部Ｋを介してユーザーから受け付けられた操作、動作プログラム等に基づいて、マスク修正装置１００の全体を制御する。
【００５９】
表示制御部Ｃ２は、表示部Ｄに表示させる各種の画像を生成する。表示制御部Ｃ２は、生成した画像を表示部Ｄに出力し、表示部Ｄに表示させる。例えば、表示制御部Ｃ２は、像形成部９により形成された観察像を含む画像を生成し、生成した当該画像を表示部Ｄに表示させる。
【００６０】
＜対象ＥＵＶＬマスクの欠陥をマスク修正装置が修正する処理＞
以下、図５を参照し、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥をマスク修正装置１００が修正する処理について説明する。図５は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥をマスク修正装置１００が修正する処理の流れの一例を示す図である。なお、第１実施形態においてマスク修正装置１００が修正する対象となる対象ＥＵＶＬマスクの欠陥は、余剰欠陥である。余剰欠陥は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥のうちエッチング加工によって除去することが可能な欠陥である。
【００６１】
装置制御部Ｃ１は、図５に示したステップＳ１１０の処理が行われるよりも前のタイミングにおいて、各種の設定を行う。
【００６２】
装置制御部Ｃ１は、エミッタ２２と引出電極２３との間に印加する引出電圧として、前述の第１の引出電圧をイオンビーム鏡筒１に設定する。
【００６３】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第１観察条件情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第１観察条件情報が示す各種の観察条件を、イオンビーム鏡筒１に設定する。ここで、第１観察条件情報は、マスク修正装置１００が窒素イオンビームを照射する場合における各種の観察条件を示す情報のことである。当該各種の観察条件には、窒素イオンビームを加速させる加速電圧、窒素イオンビームのビーム電流、窒素イオンビームを集束させる対物レンズの動作モードであるレンズモード、試料３を保持させる試料ホルダ７の種類、試料３の材質、試料３を載置する試料ステージ８の位置等が含まれる。なお、当該観察条件には、これらの一部又は全部に代えて、又は、これらの一部又は全部に加えて、他の条件が含まれる構成であってもよい。なお、当該加速電圧については、対象ＥＵＶＬマスクの第３層３０の厚さに応じて決められる。例えば、当該厚さが１０ｎｍ程度である場合、当該加速電圧は、窒素イオンビームのエネルギーが１５ｋｅＶ程度となるように決められた電圧である。これにより、マスク修正装置１００は、反射層３３にダメージを与えることなく、窒素イオンビームの照射によって第３層３０のエッチングを行うことができる。
【００６４】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第１レンズパラメーター情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第１レンズパラメーター情報が示す各種のパラメーターを、イオンビーム鏡筒１に設定する。ここで、第１レンズパラメーター情報は、マスク修正装置１００が窒素イオンビームを照射する場合においてイオンビーム鏡筒１に設定する各種のパラメーターを示す情報のことである。当該各種のパラメーターは、例えば、前述の集束レンズ電極１６と対物レンズ電極１７とのそれぞれに印加する電圧等のことである。なお、当該各種のパラメーターには、これらの一部又は全部に代えて、又は、これらの一部又は全部に加えて、他のパラメーターが含まれる構成であってもよい。また、当該各種のパラメーターは、マスク修正装置１００によって事前に実験を行うことにより、イオンビーム鏡筒１によって所望の位置に窒素イオンビームが照射されるように決定される。
【００６５】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第１検出条件情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第１検出条件情報が示す各種の検出条件を、イオンビーム鏡筒１に設定する。ここで、第１検出条件情報は、マスク修正装置１００が窒素イオンビームを照射する場合においてイオンビーム鏡筒１に設定する各種の検出条件を示す情報のことである。当該各種の検出条件は、例えば、コントラスト値、ブライト値等のことである。なお、当該各種の検出条件には、これらの一部又は全部に代えて、又は、これらの一部又は全部に加えて、他の条件が含まれる構成であってもよい。
【００６６】
このような設定が行われた後、装置制御部Ｃ１は、ユーザーから受け付けた操作に応じて、ステップＳ１１０の処理を開始する。
【００６７】
装置制御部Ｃ１は、試料ホルダ７上に載置された試料３である対象ＥＵＶＬマスクの欠陥位置を、試料ステージ８を移動させ、イオンビームの照射領域に移動させる。装置制御部Ｃ１は、イオンビーム鏡筒１を制御し、イオンビーム鏡筒１から窒素イオンビームを対象ＥＵＶＬマスクに走査照射して、対象ＥＵＶＬマスクから発生する二次電子４を二次電子検出器５で検出する。装置制御部Ｃ１は、窒素イオンビームの走査信号と二次電子検出器５の検出信号から像形成部９において対象ＥＵＶＬマスクの観察像を取得する（ステップＳ１１０）。
【００６８】
次に、装置制御部Ｃ１は、取得した観察像を表示部Ｄに表示し、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥部分にイオンビーム照射領域を設定する修正位置設定を行う（ステップＳ１２０）。これにより、マスク修正装置１００は、イオンビーム照射位置を決定する。
【００６９】
次に、装置制御部Ｃ１は、第１エッチング加工を行う（ステップＳ１３０）。ここで、ステップＳ１３０の処理について説明する。
【００７０】
ステップＳ１３０において、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第１照射量情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第１照射量情報が示す照射量を、イオンビーム鏡筒１に設定する。そして、装置制御部Ｃ１は、ステップＳ１２０において設定されたイオンビーム照射領域に窒素イオンビームを照射し、当該イオンビーム照射領域上の第３層３０についてのエッチング加工を、前述の第１エッチング加工として行う。装置制御部Ｃ１は、イオンビーム鏡筒１に設定した当該照射量の窒素イオンビームを当該第３層３０に照射した後、第１エッチング加工を終了する。このように、第１エッチング加工において当該第３層３０をエッチングする方法は、第１エッチング方法の一例である。なお、第１照射量情報が示す照射量は、マスク修正装置１００によって事前に実験を行うことにより、可能な限りにおいて当該第３層３０のみが窒素イオンビームによってエッチングされるように（可能な限りにおいて当該イオンビーム照射領域上の第２層３１が窒素イオンビームによってエッチングされないように）決定される。
【００７１】
ステップＳ１３０の処理が行われた後、装置制御部Ｃ１は、ステップＳ１２０において設定されたイオンビーム照射領域を確認し、第１エッチング加工による第３層３０のエッチングが完了したか否かを判定する（ステップＳ１４０）。
【００７２】
装置制御部Ｃ１は、第１エッチング加工による第３層３０のエッチングが完了していない場合（ステップＳ１４０−ＮＯ）、ステップＳ１３０に遷移し、再度第１エッチング加工を行う。ただし、再度第１エッチング加工を行う場合、装置制御部Ｃ１は、ユーザーから操作を受け付け、第１エッチング加工における窒素イオンビームの照射量を調整する。
【００７３】
一方、装置制御部Ｃ１は、第１エッチング加工による第３層３０のエッチングが完了している場合（ステップＳ１４０−ＹＥＳ）、設定変更を行う（ステップＳ１５０）。
【００７４】
ここで、ステップＳ１５０の処理について説明する。ステップＳ１５０において、装置制御部Ｃ１は、エミッタ２２と引出電極２３との間に印加する引出電圧として、前述の第２の引出電圧をイオンビーム鏡筒１に設定する。
【００７５】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２観察条件情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２観察条件情報が示す各種の観察条件を、イオンビーム鏡筒１に設定する。ここで、第２観察条件情報は、マスク修正装置１００が水素イオンビームを照射する場合における各種の観察条件を示す情報のことである。当該各種の観察条件には、水素イオンビームを加速させる加速電圧、水素イオンビームのビーム電流、水素イオンビームを集束させる対物レンズの動作モードであるレンズモード、試料３を保持させる試料ホルダ７の種類、試料３の材質、試料３を載置する試料ステージ８の位置等が含まれる。なお、当該観察条件には、これらの一部又は全部に代えて、又は、これらの一部又は全部に加えて、他の条件が含まれる構成であってもよい。
【００７６】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２レンズパラメーター情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２レンズパラメーター情報が示す各種のパラメーターを、イオンビーム鏡筒１に設定する。ここで、第２レンズパラメーター情報は、マスク修正装置１００が水素イオンビームを照射する場合においてイオンビーム鏡筒１に設定する各種のパラメーターを示す情報のことである。当該各種のパラメーターは、例えば、前述の集束レンズ電極１６と対物レンズ電極１７とのそれぞれに印加する電圧等のことである。なお、当該各種のパラメーターには、これらの一部又は全部に代えて、又は、これらの一部又は全部に加えて、他のパラメーターが含まれる構成であってもよい。なお、当該各種のパラメーターは、マスク修正装置１００によって事前に実験を行うことにより、イオンビーム鏡筒１によって所望の位置に水素イオンビームが照射されるように決定される。ここで、当該所望の位置は、窒素イオンビームが照射される位置と同じ位置である。窒素イオンビームは、重イオンビームの一例である。なお、本明細書において、重イオンビームは、水素よりも重い元素のイオンビームのことを意味する。
【００７７】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２検出条件情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２検出条件情報が示す各種の検出条件を、イオンビーム鏡筒１に設定する。ここで、第２検出条件情報は、マスク修正装置１００が水素イオンビームを照射する場合においてイオンビーム鏡筒１に設定する各種の検出条件を示す情報のことである。当該各種の検出条件は、例えば、コントラスト値、ブライト値等のことである。なお、当該各種の検出条件には、これらの一部又は全部に代えて、又は、これらの一部又は全部に加えて、他の条件が含まれる構成であってもよい。
【００７８】
ステップＳ１５０の処理が行われた後、装置制御部Ｃ１は、第２エッチング加工を開始する（ステップＳ１６０）。ここで、ステップＳ１６０の処理について説明する。
【００７９】
ステップＳ１６０において、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２照射量情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２照射量情報が示す照射量を、イオンビーム鏡筒１に設定する。そして、装置制御部Ｃ１は、ガス供給系６からエッチングガスとして、フッ化キセノンを試料３の表面に供給するとともに、イオンビーム照射領域に水素イオンビームを照射し、当該イオンビーム照射領域上の第２層３１についてのエッチング加工を、前述の第２エッチング加工として行う。すなわち、装置制御部Ｃ１は、フッ化キセノンを用いたガスアシストエッチングを、第２エッチング加工として行う。装置制御部Ｃ１は、イオンビーム鏡筒１に設定した当該照射量の水素イオンビームを当該第２層３１に照射した後、第２エッチング加工を終了する。このように、第２エッチング加工において当該第２層３１をエッチングする方法（この一例において、当該ガスアシストエッチング）は、第２エッチング方法の一例である。なお、第２照射量情報が示す照射量は、マスク修正装置１００によって事前に実験を行うことにより決定される。
【００８０】
ここで、このような第２エッチング加工では、イオンビーム照射領域上の第３層３０をエッチングすることが困難な場合がある。例えば、この一例のように第３層３０の材質がアルミニウムである場合、フッ化キセノンをエッチングガスとして用いるガスアシストエッチングでは、第３層３０をエッチングすることが困難である。そこで、このような場合において、マスク修正装置１００は、第１エッチング加工によってイオンビーム照射領域上の第３層３０をエッチングした後、第２エッチング加工によってイオンビーム照射領域上の第２層３１をエッチングする。これにより、マスク修正装置１００は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができる。
【００８１】
ステップＳ１６０の処理が行われた後、装置制御部Ｃ１は、ステップＳ１６０において設定されたイオンビーム照射領域を確認し、第２エッチング加工による第２層３１のエッチングが完了したか否かを判定する（ステップＳ１７０）。
【００８２】
装置制御部Ｃ１は、第２エッチング加工による第２層３１のエッチングが完了していない場合（ステップＳ１７０−ＮＯ）、ステップＳ１６０に遷移し、再度第２エッチング加工を行う。ここで、第２エッチング加工では、第１層３２は、エッチングされない。このため、再度第２エッチング加工を行う場合、装置制御部Ｃ１は、ユーザーから操作を受け付けて第２エッチング加工における水素イオンビームの照射量を調整する構成であってもよく、当該操作を受け付けて当該照射量を調整しない構成であってもよい。
【００８３】
一方、装置制御部Ｃ１は、第２エッチング加工による第２層３１のエッチングが完了している場合（ステップＳ１７０−ＹＥＳ）、処理を終了する。
【００８４】
なお、装置制御部Ｃ１は、ステップＳ１６０の処理において第２エッチング加工による第２層３１のエッチングが終わった後、又は、ステップＳ１６０の処理において第２エッチング加工による第２層３１のエッチングを行っている間、真空試料室１１に酸化剤を入れ、第２エッチング加工によって第２層３１に形成された溝の側面（サイドウォール）を酸化させる構成であってもよい。なお、真空試料室１１は、ＥＵＶＬマスクが配置された空間の一例である。また、酸化剤は、如何なる酸化剤であってもよい。
【００８５】
以上のように、第１実施形態では、マスク修正装置１００は、第１エッチング加工によって第３層３０のエッチングを行い、第１エッチング加工による第３層３０のエッチングを行った後に、第１エッチング加工と異なる第２エッチング加工によって第２層３１のエッチングを行う。これにより、マスク修正装置１００は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができる。
【００８６】
また、第１実施形態では、第１エッチング方法として、第１エッチング加工において当該第３層３０をエッチングする方法、すなわち、重イオンビームの一例である窒素イオンビームによって第３層３０のエッチングを行う方法を用いて、第３層３０のエッチングを行う。また、第１実施形態では、第２エッチング方法として、フッ化キセノンを用いたガスアシストエッチングによって第２層３１のエッチングを行う方法を用いて、第２層３１のエッチングを行う。これらにより、マスク修正装置１００は、イオン種が互いに異なる２種類のイオンビームを用いて、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができる。
【００８７】
＜第２実施形態＞
以下、本発明の第２実施形態について説明する。なお、第２実施形態では、第１実施形態と同様な構成部に対して同じ符号を付して説明を省略する。
【００８８】
第２実施形態では、マスク修正装置１００は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正する処理として、図５に示したフローチャートの処理に代えて、図６に示したフローチャートの処理を行う。図６は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥をマスク修正装置１００が修正する処理の流れの他の例を示す図である。なお、図６に示したステップＳ１１０〜ステップＳ１２０の処理は、図５に示したステップＳ１１０〜ステップＳ１２０の処理と同様の処理であるため、説明を省略する。また、図６に示したステップＳ１６０〜ステップＳ１７０の処理は、図５に示したステップＳ１６０〜ステップＳ１７０の処理と同様の処理であるため、説明を省略する。
【００８９】
装置制御部Ｃ１は、図６に示したステップＳ１１０の処理が行われるよりも前のタイミングにおいて、各種の設定を行う。
【００９０】
装置制御部Ｃ１は、エミッタ２２と引出電極２３との間に印加する引出電圧として、前述の第２の引出電圧をイオンビーム鏡筒１に設定する。
【００９１】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２観察条件情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２観察条件情報が示す各種の観察条件を、イオンビーム鏡筒１に設定する。
【００９２】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２レンズパラメーター情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２レンズパラメーター情報が示す各種のパラメーターを、イオンビーム鏡筒１に設定する。
【００９３】
また、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第２検出条件情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第２検出条件情報が示す各種の検出条件を、イオンビーム鏡筒１に設定する。
【００９４】
このような設定が行われた後、装置制御部Ｃ１は、ユーザーから受け付けた操作に応じて、図６に示したステップＳ１１０の処理を開始する。
【００９５】
そして、図６に示したステップＳ１２０の処理が行われた後、装置制御部Ｃ１は、第３エッチング加工を行う（ステップＳ２１０）。ここで、ステップＳ２１０の処理について説明する。
【００９６】
ステップＳ２１０において、装置制御部Ｃ１は、記憶部Ｒに予め記憶された第３照射量情報を記憶部Ｒから読み出す。装置制御部Ｃ１は、読み出した第３照射量情報が示す照射量を、イオンビーム鏡筒１に設定する。そして、装置制御部Ｃ１は、ガス供給系６からエッチングガスとして、１−２ジヨウドエタンを試料３の表面に供給するとともに、イオンビーム照射領域に水素イオンビームを照射し、当該イオンビーム照射領域上の第３層３０についてのエッチング加工を、前述の第３エッチング加工として行う。すなわち、装置制御部Ｃ１は、１−２ジヨウドエタンを用いたガスアシストエッチングを、第３エッチング加工として行う。装置制御部Ｃ１は、イオンビーム鏡筒１に設定した当該照射量の水素イオンビームを当該第３層３０に照射した後、第３エッチング加工を終了する。このように、第３エッチング加工において当該第３層３０をエッチングする方法（この一例において、当該ガスアシストエッチング）は、第１エッチング方法の一例である。また、１−２ジヨウドエタンは、第１の種類のガスの一例である。なお、第３照射量情報が示す照射量は、マスク修正装置１００によって事前に実験を行うことにより決定される。
【００９７】
ステップＳ２１０の処理が行われた後、装置制御部Ｃ１は、ステップＳ２１０において設定されたイオンビーム照射領域を確認し、第３エッチング加工による第３層３０のエッチングが完了したか否かを判定する（ステップＳ２２０）。
【００９８】
装置制御部Ｃ１は、第３エッチング加工による第３層３０のエッチングが完了していない場合（ステップＳ２２０−ＮＯ）、ステップＳ２１０に遷移し、再度第３エッチング加工を行う。ここで、第３エッチング加工では、第２層３１は、エッチングされない。このため、再度第３エッチング加工を行う場合、装置制御部Ｃ１は、ユーザーから操作を受け付けて第３エッチング加工における水素イオンビームの照射量を調整する構成であってもよく、当該操作を受け付けて当該照射量を調整しない構成であってもよい。
【００９９】
一方、装置制御部Ｃ１は、第３エッチング加工による第３層３０のエッチングが完了している場合（ステップＳ２２０−ＹＥＳ）、図６に示したステップＳ１６０に遷移する。なお、図６に示したステップＳ１６０において行われる第２エッチング加工において当該第２層３１をエッチングする方法（この一例において、エッチングガスとしてフッ化キセノンを用いたガスアシストエッチング）は、第２エッチング方法の一例である。また、フッ化キセノンは、第２の種類のガスの一例である。
【０１００】
なお、装置制御部Ｃ１は、図６に示したステップＳ１６０の処理において第２エッチング加工による第２層３１のエッチングが終わった後、又は、当該ステップＳ１６０の処理において第２エッチング加工による第２層３１のエッチングを行っている間、真空試料室１１に酸化剤を入れ、第２エッチング加工によって第２層３１に形成された溝の側面（サイドウォール）を酸化させる構成であってもよい。
【０１０１】
以上のように、第２実施形態では、第１エッチング方法として、第３エッチング加工において当該第３層３０をエッチングする方法、すなわち、第１の種類のガスの一例である１−２ジヨウドエタンを用いたガスアシストエッチングによって第３層３０のエッチングを行う方法を用いて、第３層３０のエッチングを行う。また、第１実施形態では、第２エッチング方法として、第２の種類のガスの一例であるフッ化キセノンを用いたガスアシストエッチングによって第２層３１のエッチングを行う方法を用いて、第２層３１のエッチングを行う。これらにより、マスク修正装置１００は、１種類のイオンビームを用いて、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができる。
【０１０２】
以上説明したように、上記の実施形態に係るマスク修正装置は、反射層と、反射層の上に配置される第１層と、第１層の上に配置される第２層と、第２層の上に配置される第３層とを有するＥＵＶＬマスクである対象ＥＵＶＬマスクの欠陥を修正するマスク修正装置であって、第１エッチング方法によって第３層のエッチングを行い、第１エッチング方法による第３層のエッチングを行った後に、第１エッチング方法と異なる第２エッチング方法によって第２層のエッチングを行う。これにより、マスク修正装置は、対象ＥＵＶＬマスクの欠陥の修正を効率よく行うことができる。
【０１０３】
以上、この発明の実施形態を、図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない限り、変更、置換、削除等されてもよい。
【０１０４】
また、以上に説明した装置（例えば、制御装置１０）における任意の構成部の機能を実現するためのプログラムを、コンピューター読み取り可能な記録媒体に記録し、そのプログラムをコンピューターシステムに読み込ませて実行するようにしてもよい。なお、ここでいう「コンピューターシステム」とは、ＯＳ（Operating  System）や周辺機器等のハードウェアを含むものとする。また、「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＲＯＭ、ＣＤ（Compact  Disk）−ＲＯＭ等の可搬媒体、コンピューターシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。さらに「コンピューター読み取り可能な記録媒体」とは、インターネット等のネットワークや電話回線等の通信回線を介してプログラムが送信された場合のサーバーやクライアントとなるコンピューターシステム内部の揮発性メモリー（ＲＡＭ）のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。
【０１０５】
また、上記のプログラムは、このプログラムを記憶装置等に格納したコンピューターシステムから、伝送媒体を介して、あるいは、伝送媒体中の伝送波により他のコンピューターシステムに伝送されてもよい。ここで、プログラムを伝送する「伝送媒体」は、インターネット等のネットワーク（通信網）や電話回線等の通信回線（通信線）のように情報を伝送する機能を有する媒体のことをいう。
また、上記のプログラムは、前述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上記のプログラムは、前述した機能をコンピューターシステムにすでに記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル（差分プログラム）であってもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
１…イオンビーム鏡筒、２…イオンビーム、３…試料、４…二次電子、５…二次電子検出器、６…ガス供給系、７…試料ホルダ、８…試料ステージ、９…像形成部、１０…制御装置、１１…真空試料室、１２…イオン源、１３…中間室、１４…排気ポンプ、１６…集束レンズ電極、１７…対物レンズ電極、１８…電流測定用電極、１９…電流計、２１…イオン発生室、２２…エミッタ、２２ａ…先端、２３…引出電極、２４…冷却装置、２５…窒素分子、２６…水素分子、２７…電源、３０…第３層、３１…第２層、３２…第１層、３３…反射層、３４…ガラス基板、４０…窒素ガス供給源、４１、５１…第１の純化器、４２、５２…第２の純化器、４３、４４、４５、５３、５４、５５…ガス導入管、５０…水素ガス供給源、１００…マスク修正装置、１１１、１１２…穴、Ｃ…制御部、Ｃ１…装置制御部、Ｃ２…表示制御部、Ｄ…表示部、Ｋ…入力受付部、Ｒ…記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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