(57)【要約】【課題】透光性の保持容量を設けた場合でも、周辺領域での光の漏れを抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】透過型の電気光学装置１００において、第１基板１９の表示領域１０ａに第１画素電極９ａが設けられ、表示領域１０ａを囲む第１周辺領域１０ｃ１に第２画素電極９ｂが設けられている。第１基板１９と第１画素電極９ａとの間には、凹部４４０を備えた透光性の第１絶縁膜４４が設けられ、凹部４４０には、第１画素電極９ａと重なる透光性の第１保持容量５５ａと、第２画素電極９ｂと重なる透光性の第２保持容量５５ｂとが設けられている。第２基板２９には、第１周辺領域１０ｃ１に透光部２０ｄが設けられ、第１基板１９には、第２保持容量５５ｂと凹部４４０の底部との間に、表示領域１０ａの外縁に沿って延在する第１遮光層４ａが設けられている。【選択図】図７
2020160114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の第１基板と、
前記第１基板の表示領域に配置された第１画素電極と、
前記第１基板の前記表示領域を囲む第１周辺領域に配置された第２画素電極と、
前記第１基板と前記第１画素電極との間、および前記第１基板と前記第２画素電極との間に配置され、前記第１基板に向けて凹む凹部を備えた透光性の第１絶縁膜と、
前記凹部に配置され、平面視で前記第１画素電極と重なる透光性の第１保持容量と、
前記凹部に配置され、平面視で前記第２画素電極と重なる透光性の第２保持容量と、
前記第１周辺領域に設けられた前記第２保持容量と前記凹部の底部との間には、前記表示領域の外縁に沿って延在する第１遮光層が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１保持容量と前記第１画素電極との間、および前記第２保持容量と前記第２画素電極との間には第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜は、前記表示領域における厚さが前記第１周辺領域における厚さより厚いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記凹部の底部と前記第１保持容量との間、および前記第１遮光層と前記第２保持容量との間には第３絶縁膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層は、前記第１周辺領域から前記第１周辺領域の周りを囲む第２周辺領域まで連続して延在していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光層は、アルミニウムを主成分とする導電膜からなり、
前記第１基板と前記第２保持容量との間では、アルミニウムを主成分とする第１層、および前記第１層と前記第２保持容量との間に積層された光吸収性の導電膜からなる第２層を備えた配線が平面視で前記第２画素電極の端部に沿うように延在していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１基板と対向する透光性の第２基板を有し、
前記第２基板には、前記表示領域の外縁に沿って延在する第２遮光層を備えた見切りが設けられており、
前記見切りには、前記第２遮光層を貫通する開口部、または前記第２遮光層の途切れ部分からなる透光部が設けられている電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
透光性の第１基板に第１絶縁膜を形成する第１工程と、
前記第１絶縁膜に前記第１基板に向けて凹む凹部を形成する第２工程と、
前記凹部の底部に、透光性の第１容量電極、および前記第１容量電極に透光性の誘電体膜を介して重なる透光性の第２容量電極を備えた複数の保持容量を形成する第３工程と、
前記第１絶縁膜および前記複数の保持容量に重なる第２絶縁膜を形成する第４工程と、
前記第２絶縁膜において、前記複数の保持容量の各々に平面視で重なる位置に、透光性の複数の画素電極を形成する第５工程と、
を有し、
前記第２工程の後、前記第３工程の前に、表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域の外縁に沿って延在する第１遮光層を形成する第１遮光層形成工程を行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第１基板より大型の大型基板の状態で、前記第１工程、前記第２工程、前記第３工程、前記第４工程、前記第５工程、および前記遮光層形成工程を行い、
前記大型基板のうち、前記第１基板として分割される領域の外側に前記第１遮光層と同時形成された遮光層と平面視で重なる領域にアライメントマークを設けることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素電極に透光性の保持容量が電気的に接続された電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透過型の液晶装置等の電気光学装置においては、透光性の画素電極およびトランジスターが形成された透光性の第１基板と、透光性の共通電極が形成された透光性の第２基板との間に電気光学層が設けられており、第２基板の側から入射した光源光が第１基板の側から出射される際、電気光学層によって光源光を変調する。電気光学装置において、画素電極に電気的に接続された保持容量を各画素に設けるにあたって、画素電極と重なる領域に第１透光性電極、誘電体膜、および第２透光性電極を設けることにより、各画素において、保持容量の形成領域を広く確保しつつ、保持容量によって光が遮られることを抑制する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−７３０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電気光学装置では、表示領域の周りを囲む周辺領域についても表示領域と同様なダミー画素を設けることがあり、この場合、ダミー画素にも、透光性の保持容量が形成される。このため、隣り合う画素電極の間と重なる領域に設けた遮光性の導電層によって保持容量を形成した場合より、周辺領域の遮光性が低くなる。それ故、特許文献１に記載の技術のように、透光性の保持容量を設けた場合には、第２基板の側から周辺領域に光が入射した際に光の漏れが発生しやすいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の一態様は、透光性の第１基板と、前記第１基板の表示領域に配置された第１画素電極と、前記第１基板の前記表示領域を囲む第１周辺領域に配置された第２画素電極と、前記第１基板と前記第１画素電極との間、および前記第１基板と前記第２画素電極との間に配置され、前記第１基板に向けて凹む凹部を備えた透光性の第１絶縁膜と、前記凹部に配置され、平面視で前記第１画素電極と重なる透光性の第１保持容量と、前記凹部に配置され、平面視で前記第２画素電極と重なる透光性の第２保持容量と、前記第１周辺領域に設けられた前記第２保持容量と前記凹部の底部との間には、前記表示領域の外縁に沿って延在する第１遮光層が設けられていることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る電気光学装置の製造方法の一態様では、透光性の第１基板に第１絶縁膜を形成する第１工程と、前記第１絶縁膜に前記第１基板に向けて凹む凹部を形成する第２工程と、前記凹部の底部に、透光性の第１容量電極、および前記第１容量電極に透光性の誘電体膜を介して重なる透光性の第２容量電極を備えた複数の保持容量を形成する第３工程と、前記第１絶縁膜および前記複数の保持容量に重なる第２絶縁膜を形成する第４工程と、前記第２絶縁膜において、前記複数の保持容量の各々に平面視で重なる位置に、透光性の複数の画素電極を形成する第５工程と、を有し、前記第２工程の後、前記第３工程の前に、表示領域を囲む第１周辺領域に前記表示領域の外縁に沿って延在する第１遮光層を形成する第１遮光層形成工程を行うことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は、各種電子機器に用いられる。本発明では、電子機器のうち、投射型表示装置に電気光学装置を用いる場合、投射型表示装置には、電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の一態様を示す平面図。
【図２】図１に示す電気光学装置のＨ−Ｈ′断面図。
【図３】図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。
【図４】図１に示す電気光学装置の画素の平面図。
【図５】図４に示す画素のＦ−Ｆ′断面図。
【図６】図１に示す電気光学装置の遮光部における断面を示す説明図。
【図７】図１に示す電気光学装置の透光部における断面を示す説明図。
【図８】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１９の面内方向で、互いに交差する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向として説明する。また、第１基板１９に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板１９が位置する側とは反対側（第２基板２９が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板１９が位置する側を意味する。
【００１０】
（全体構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の一態様を示す平面図であり、電気光学装置１００を各構成要素と共に第２基板２９の側から見た様子を示してある。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＨ−Ｈ′断面図である。
【００１１】
図１および図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性の第１基板１９と透光性の第２基板２９とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル１００ｐを有している。本形態において、電気光学装置１００は、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有している。シール材１０７は第２基板２９の外縁に沿うように矩形枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。電気光学装置１００において、第１基板１９と第２基板２９との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には液晶層からなる電気光学層５０が保持されている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。なお、第１基板１９に対してシール材１０７を無端の枠状に形成した後、その内側に電気光学層５０を設け、しかる後に第２基板２９をシール材１０７によって第１基板１９と貼り合せてもよい。
【００１２】
第１基板１９および第２基板２９はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の周辺領域１０ｃになっている。周辺領域１０ｃは、表示領域１０ａの周りを囲む第１周辺領域１０ｃ１と、第１周辺領域１０ｃ１の周りを囲む第２周辺領域１０ｃ２とを含んでいる。
【００１３】
第１基板１９は、素子基板１０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板である。詳しくは後述するが、第１基板１９の第２基板２９と対向する一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１には、画素スイッチンング用のトランジスター（図示せず）、およびトランジスターに電気的に接続する画素電極９がマトリクス状に複数形成されており、画素電極９の上層側には第１配向膜１６が形成されている。
【００１４】
周辺領域１０ｃのうち、第２周辺領域１０ｃ２には、第１基板１９の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１９には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００１５】
第２基板２９は、対向基板２０の基板本体であり、石英基板やガラス基板等の透光性基板である。第２基板２９の電気光学層５０側の一方面２９ｓには、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１、および第２配向膜２６が形成されている。
【００１６】
第２基板２９において、第１周辺領域１０ｃ１には、共通電極２１の下層側に、見切り２７を構成する第２遮光層２７ａが形成されており、第２遮光層２７ａと共通電極２１との間には保護層２８が形成されている。本形態において、第２遮光層２７ａは、アルミニウムを主成分とする遮光層からなる。
【００１７】
本形態では、第１周辺領域１０ｃ１には、第２遮光層２７ａが形成された遮光部２０ｃと、第２遮光層２７ａが存在しない透光部２０ｄとが形成されている。透光部２０ｄは、第２遮光層２７ａを貫通する開口部、または第２遮光層２７ａの途切れ部分からなる。なお、第２基板２９の一方面２９ｓの側には、共通電極２１の下層側に、隣り合う画素電極９により挟まれた画素間領域１０ｆに平面視で重なるブラックマトリクス部が形成されることがある。その場合、ブラックマトリクス部は、第２遮光層２７ａと同一の遮光層から構成される。また、第２基板２９の一方面２９ｓの側は、画素電極９と平面視で重なるレンズが形成される場合もある。
【００１８】
電気光学装置１００において、シール材１０７より外側には、第２基板２９の一方面２９ｓの側の４つの角に基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、第１基板１９の一方面１０ｓの側には、第２基板２９の４つの角（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。本形態において、基板間導通用電極部２５ｔは、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位Ｖcomが印加された配線６ｓに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２９の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、第１基板１９側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１９の側から共通電位Ｖcomが印加される。
【００１９】
かかる構成の電気光学装置１００において、本形態では、画素電極９および共通電極２１がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は透過型の液晶装置である。かかる透過型の電気光学装置１００では、図２に矢印Ｌで示すように、第２基板２９の側から入射した光が第１基板１９を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００２０】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第１基板１９および第２基板２９には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する電気光学層５０の種類や配向方向、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２１】
（電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であり、配線や電極の形状や延在方向、レイアウト等を示しているものではない。図３に示すように、電気光学装置１００は、表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列されている。第１基板１９では、表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１の内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。
【００２２】
複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなるトランジスター３０、および画素電極９が形成されている。トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、トランジスター３０のドレインには、画素電極９が電気的に接続されている。
【００２３】
第１基板１９において、第２周辺領域１０ｃ２に形成されたデータ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。また、第１基板１９において、第２周辺領域１０ｃ２に形成された走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２４】
各画素１００ａにおいて、画素電極９は、第２基板２９（図２等を参照）に形成された共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１９には、複数の画素１００ａに跨る第１容量電極５１が形成されており、第１容量電極５１は、例えば、配線６ｓを介して共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２５】
（画素等の具体的構成）
図４は、図２に示す電気光学装置１００の画素１００ａの平面図である。図５は、図４に示す画素１００ａのＦ−Ｆ′断面図である。なお、図４では、各層を以下の線で示してある。また、図４では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
下層側の第１配線８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極５ａ＝太い二点鎖線
データ線６ａ＝細い一点鎖線
第２配線７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
第２容量電極５２＝細い実線
画素電極９＝太くて長い破線
【００２６】
図４に示すように、第１基板１９の一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９が形成されている。本形態において、画素電極９は略正方形の平面形状を有しており、第１基板１９において、隣り合う画素電極９の間で縦方向（Ｙ軸方向）および横方向（Ｘ軸方向）に延在する画素間領域１０ｆに沿って、第１配線８ａ、データ線６ａ、走査線３ａ、および第２配線７ａが形成されている。第１配線８ａ、および走査線３ａは、画素間領域１０ｆのうち、Ｘ軸方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに重なるように延在し、データ線６ａおよび第２配線７ａは、Ｙ軸方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに重なるように延在している。データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されており、トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第１配線８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００２７】
図５に示すように、第１基板１９の一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる第１配線８ａが形成されている。本形態において、第１配線８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光層からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光がトランジスター３０に入射することを抑制する。
【００２８】
第１基板１９において、第１配線８ａの上層側には、酸化シリコン等の透光性の層間絶縁膜４０が形成されており、層間絶縁膜４０の表面に、半導体層１ａを備えたトランジスター３０が形成されている。層間絶縁膜４０の表面は、ＣＭＰ処理（化学的機械的研磨（Chemical  Mechanical  Polishing）処理）によって平坦化されている。トランジスター３０は、データ線６ａに沿って延在する半導体層１ａと、半導体層１ａと直交する方向に延在して半導体層１ａの延在方向の一部に重なるゲート電極３ｃとを備えている。トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。
【００２９】
半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。トランジスター３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３０】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化した酸化シリコンからなる第１ゲート絶縁層２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、走査線３ａの一部からなり、走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。本形態において、走査線３ａは、半導体層１ａの両側でゲート絶縁層２および層間絶縁膜４０を貫通するコンタクトホール４０ａを介して第１配線８ａと電気的に接続されている。従って、第１配線８ａは、トランジスター３０に対するバックゲートとして機能する。また、コンタクトホール４０ａの内部に位置する遮光性の導電材料は、半導体層１ａに対する遮光壁を構成している。
【００３１】
ゲート電極３ｃおよび走査線３ａの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層にはドレイン電極５ａが形成されている。ドレイン電極５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。ドレイン電極５ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３２】
ドレイン電極５ａの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、層間絶縁膜４２の上層側にはデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４１、４２、およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂに導通している。
【００３３】
データ線６ａの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されており、層間絶縁膜４３の上層には、遮光性の第２配線７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４３の表面は平坦化されている。第２配線７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４２，４３を貫通するコンタクトホール４３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。第２配線７ａは、定電位が印加された定電位線であり、遮光層およびシールド層として機能している。
【００３４】
第２配線７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性の第１絶縁膜４４（層間絶縁膜）、および酸化シリコン等からなる透光性の第２絶縁膜４５（層間絶縁膜）が形成されており、第２絶縁膜４５の上層には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９が形成されている。第２絶縁膜４５の表面は、ＣＭＰ処理によって平坦化されている。画素電極９の表面側には第１配向膜１６が形成されている。
【００３５】
本形態において、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる柱状構造物（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。第１配向膜１６および第２配向膜２６は、配向規制力がアンチパラレルであり、電気光学層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を、実線Ｌ１で液晶分子５０ｂを模式的に示すように、第１基板１９に対する法線方向、および第２基板２９に対する法線方向から一定の方向（プレチルト方向）に傾いた姿勢に傾斜垂直配向させている。従って、液晶分子５０ｂは、画素電極９と共通電極２１との間の電界により点線Ｌ２のように傾斜する。このようにして、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードの液晶パネルとして構成されている。
【００３６】
（保持容量５５の構成）
第１絶縁膜４４と第２絶縁膜４５との間には、画素電極９と平面視で重なる領域に、ＩＴＯ膜等の透光性の導電膜からなる第１容量電極５１、透光性の誘電体膜５３、およびＩＴＯ膜等の透光性の導電膜からなる第２容量電極５２が順に積層された透光性の保持容量５５が構成されている。誘電体膜５３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル等の単層膜、またはそれらの積層膜であり、厚みは、２０ｎｍ〜４０ｎｍである。第１容量電極５１および第２容量電極５２の厚さは、例えば１００〜２００ｎｍである。
【００３７】
下層側の第１容量電極５１は、複数の画素電極９に平面視で重なるように形成されており、共通電位Ｖcomが印加される。第１容量電極５１は、例えば、表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１の略全面に形成される。上層側の第２容量電極５２は、画素電極９毎に分割されており、第２絶縁膜４５を貫通するコンタクトホール４５ａを介して画素電極９と電気的に接続されている。
【００３８】
第２容量電極５２は、誘電体膜５３および第１絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続されている。従って、画素電極９は、第２容量電極５２、中継電極７ｂおよびドレイン電極５ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。なお、第１容量電極５１には、コンタクトホール４４ａと第１容量電極５１との接触を避けるために開口部が形成されている。
【００３９】
本形態においては、図６および図７を参照して後述するように、第１絶縁膜４４の表面には、表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１の全域にわたって凹部４４０が形成されており、保持容量５５および画素電極９は、凹部４４０と平面視で重なる領域に設けられている。また、本形態では、凹部４４０の底部には酸化シリコン等からなる透光性の第３絶縁膜４９が設けられている。
【００４０】
（駆動回路の構成）
図示を省略するが、図１および図３を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、データ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている駆動用トランジスターは、図５に示すトランジスター３０の断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４１】
（液晶分子５０ｂの配向方向）
第１配向膜１６または第２配向膜２６は、例えば、図１に示す表示領域１０ａの各辺１０ａ６、１０ａ７、１０ａ８、１０ａ９に対して、４５度または１３５度の角度を成す方向に電気光学層５０の液晶分子５０ｂを配向させる。従って、液晶分子５０ｂは、表示領域１０ａの４つの角１０ａ１〜１０ａ４のうち、角１０ａ１と角１０ａ３とを結ぶ対角線に沿う方向に配向している。なお、液晶分子５０ｂのうち、第１基板１９の表面近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の一方端が第１基板１９の側に保持された状態にあり、第２基板２９の表面近くに位置する液晶分子５０ｂは、分子鎖の他方端が第２基板２９の側に保持された状態にある。
【００４２】
（見切り２７（第２遮光層２７ａ）の詳細構成）
再び図１において、第１周辺領域１０ｃ１には、第２遮光層２７ａが形成された遮光部２０ｃと、第２遮光層２７ａの途切れ部分または開口部からなる透光部２０ｄとが設けられている。本形態において、第１周辺領域１０ｃ１には、表示領域１０ａの辺１０ａ６〜１０ａ９に沿って遮光部２０ｃが設けられ、液晶分子５０ｂの配向方向に対応して、表示領域１０ａの角１０ａ１、１０ａ３の外側に透光部２０ｄが設けられている。本形態では、表示領域１０ａの角１０ａ２、１０ａ４の外側にも透光部２０ｄが設けられている。
【００４３】
本形態の電気光学装置１００においては、第２基板２９の側から光源光を入射させるとともに、画素電極９によって液晶分子５０ｂの姿勢を変えることにより画像を表示する。その際、液晶分子５０ｂの姿勢の変化に伴い、電気光学層５０の充填時に混入した不純物やシール材１０７から溶出した不純物が、表示領域１０ａにおいて液晶分子５０ｂが配向する側に向けて移動し、凝集する。ここで、不純物が最も集中しやすい個所は、表示領域１０ａにおいて液晶分子５０ｂが配向する方向（不純物が移動する方向）における距離が長い部分であると予想される。従って、不純物が最も集中しやすい個所は、液晶分子５０ｂが配向する側（矢印Ｐで示す側）に位置する２つの角１０ａ1、１０ａ3付近である。
【００４４】
ここで、第２基板２９の側から電気光学層５０に光が入射している場合、不純物が活性であるため、不純物は活性化した状態のまま、液晶分子５０ｂの配向方向に移動する。これに対して、第１周辺領域１０ｃ１の電気光学層５０のうち、遮光部２０ｃに位置する電気光学層５０では、第２遮光層２７ａによって光が到達しないため、不純物が不活性となり、表示領域１０ａにおいて遮光部２０ｃに向けて移動してきた不純物は、第１周辺領域１０ｃ１で停滞する。
【００４５】
しかるに本形態では、不純物が集中しやすい表示領域１０ａの角１０ａ１、１０ａ３の外側が透光部２０ｄになっているため、第１周辺領域１０ｃ１の電気光学層５０のうち、透光部２０ｄに位置する電気光学層５０には光が到達する。従って、透光部２０ｄに向けて移動してきた不純物は、活性状態のままで、第１周辺領域１０ｃ１より外側に移動する。従って、不純物が集中しやすい表示領域１０ａの角１０ａ１、１０ａ３であっても、表示領域１０ａの内部で不純物が大量に凝集することを抑制することができるので、凝集した不純物が原因で画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しにくい。
【００４６】
その一方で、第１周辺領域１０ｃ１に透光部２０ｄを設けると、表示領域１０ａの周りで透光部２０ｄに起因する光の漏れが発生することから、本形態では、図６および図７を参照して以下に説明する構成が採用されている。
【００４７】
（第１遮光層４ａの構成）
図６は、図１に示す電気光学装置１００の遮光部２０ｃにおける断面を示す説明図であり、図６には、図１のＣ−Ｃ′断面を模式的に示してある。図７は、図１に示す電気光学装置１００の透光部２０ｄにおける断面を示す説明図であり、図７には、図１のＤ−Ｄ′断面を模式的に示してある。
【００４８】
図３等を参照して説明したように、電気光学装置１００では、表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１には、画素電極９および保持容量５５を備えた複数の画素１００ａがマトリクス状に配置されている。以下の説明では、複数の画素１００ａのうち、表示領域１０ａの画素１００ａを第１画素１００ａ１とし、第１画素１００ａに設けられた画素電極９を第１画素電極９ａとし、第１画素１００ａ１に設けられた保持容量５５を第１保持容量５５ａとする。これに対して、複数の画素１００ａのうち、第１周辺領域１０ｃ１の画素１００ａを第２画素１００ａ２とし、第２画素１００ａ２に設けられた画素電極９を第２画素電極９ｂとし、第２画素１００ａ２に設けられた保持容量５５を第２保持容量５５ｂとする。画素電極９のうち、表示領域１０ａに形成されている第１画素電極９ａは、画像信号が印加され、表示に直接寄与する。第１周辺領域１０ｃ１に形成されている第２画素電極９ｂは、共通電位Ｖcom等の定電位が印加され、第２画素１００ａ２を黒表示とする。なお、隣り合う第２画素電極９ｂ同士が細幅の連結部で繋がっている構造とすることもある。また、第２画素電極９ｂに電位を印加せず、第２画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もある。
【００４９】
本形態では、図６および図７に示すように、透光性の第１基板１９の表示領域１０ａおよび第１周辺領域１０ｃ１において、第１基板１９と第１画素電極９ａとの間、および第１基板１９と第２画素電極９ｂとの間には、第１基板１９に向けて凹む凹部４４０を備えた透光性の第１絶縁膜４４が形成されている。また、凹部４４０には、平面視で第１画素電極９ａと重なる透光性の第１保持容量５５ａと、平面視で第２画素電極９ｂと重なる透光性の第２保持容量５５ｂとが設けられている。凹部４４０の深さは、例えば２００ｎｍ〜４００ｎｍである。なお、第２周辺領域１０ｃ２には、画素電極９と同層の透光性導電膜９ｃが形成されている。
【００５０】
本形態では、第１周辺領域１０ｃ１に設けられた第２保持容量５５ｂと凹部４４０の底部との間には、表示領域１０ａの外縁に沿って延在する第１遮光層４ａが設けられている。本形態において、第１遮光層４ａは共通電位Ｖcom等の定電位が印加されている。なお、第１遮光層４ａは電位的にフロート状態であってもよい。
【００５１】
本形態において、第１遮光層４ａは、第１周辺領域１０ｃ１から第２周辺領域１０ｃ２まで連続して延在しており、第２周辺領域１０ｃ２では、第１絶縁膜４４と第２絶縁膜４５との間に第１遮光層４ａが設けられている。第１遮光層４ａは、アルミニウムを主成分とする導電膜からなる。本形態では、第１周辺領域１０ｃ１の全域に第１遮光層４ａが設けられている。従って、隣り合う画素電極９の間と重なる領域に設けた遮光性の導電層によって保持容量を形成した場合より、第１周辺領域１０ｃ１の遮光性が低いが、第２基板２９の側から第１周辺領域１０ｃ１に光が入射した場合でも、光の漏れを第１遮光層４ａによって抑制することができる。
【００５２】
また、第１保持容量５５ａと第１画素電極９ａとの間、および第２保持容量５５ｂと第２画素電極９ｂとの間に介在する第２絶縁膜４５の表面は平面になっている。このため、第２絶縁膜４５は、表示領域１０ａにおける厚さが第１周辺領域１０ｃ１における厚さより厚い。
【００５３】
本形態では、第１絶縁膜４４の第１画素電極９ａおよび第２画素電極９ｂ側の面には第３絶縁膜４９が一定の厚さに形成されている。このため、第１遮光層４ａと第２保持容量５５ｂの第１容量電極５１との間、および凹部４４０の底部と第１保持容量５５ａの第１容量電極５１との間には、第３絶縁膜４９が設けられている。従って、第１遮光層４ａと第２保持容量５５ｂの第１容量電極５１とは、異なる電位が印加されていてもよい。
【００５４】
また、第１基板１９と第１保持容量５５ａとの間、および第１基板１９と第２保持容量５５ｂとの間には、遮光性の第２配線７ａ、遮光性の走査線３ａ、遮光性のデータ線６ａ、および遮光性の第１配線８ａが第１画素電極９ａの端部、および第２画素電極９ｂの端部に平面視で沿うように延在している。ここで、第２配線７ａ、走査線３ａ、データ線６ａ、および第１配線８ａの少なくとも１つは、アルミニウムを主成分とする第１層に対して上層側（第１層と第１保持容量５５ａとの間、および第１層と第２保持容量５５ｂとの間）に積層された第２層を備えている。
【００５５】
本形態においては、例えば、第２配線７ａ、走査線３ａ、およびデータ線６ａは、アルミニウムを主成分とする第１層と、第１層に対して上層側（第１層と第１保持容量５５ａとの間、および第１層と第２保持容量５５ｂとの間）に積層された第２層とを備えており、第２層は、窒化チタン等の光吸収性の導電膜からなる。従って、本形態では、隣り合う画素電極９の間と重なる領域に設けた遮光性の導電層によって保持容量を形成した場合より、第１周辺領域１０ｃ１の遮光性が低いが、第２基板２９の側から第１周辺領域１０ｃ１に光が入射した場合でも、光の漏れや不要な反射を第２配線７ａ、走査線３ａ、およびデータ線６ａ等によって抑制することができる。
【００５６】
（電気光学装置１００の製造方法）
図６および図７等を参照して説明した電気光学装置１００の製造工程では、第１工程において、第１基板１９に第１絶縁膜４４を形成した後、第１絶縁膜４４の表面をＣＭＰ処理によって平坦化する。次に、第２工程では、異方性ドライエッチング等によって、第１絶縁膜４４に第１基板１９に向けて凹む凹部４４０を形成する。
【００５７】
次に、第３工程では、凹部４４０の底部に重なるように、透光性の第１容量電極５１、透光性の誘電体膜５３、および透光性の第２容量電極５２を順次形成し、複数の透光性の保持容量５５を形成する。
【００５８】
次に、第４工程とでは、第１絶縁膜４４および複数の保持容量５５に重なる第２絶縁膜４５を形成した後、第２絶縁膜４５の表面をＣＭＰ処理によって平坦化する。次に、第５工程では、第２絶縁膜４５において複数の保持容量５５の各々に平面視で重なる位置に、透光性の複数の画素電極９を形成する。
【００５９】
このような製造方法において、第２工程の後、第３工程の前に、表示領域１０ａを囲む第１周辺領域１０ｃ１の全域に第１遮光層４ａを形成する第１遮光層形成工程を行った後、第１絶縁膜４４および第１遮光層４ａを覆う第３絶縁膜４９を形成する。その結果、第１周辺領域１０ｃ１には、表示領域１０ａの外縁に沿うように第１遮光層４ａが形成される。
【００６０】
このような構成は、第１基板１９より大型の大型基板の状態で、第１工程、第２工程、第３工程、第４工程、第５工程、および第１遮光層形成工程を行い、その後、大型基板を第１基板１９に分割する。その際、大型基板のうち、第１基板１９として分割される領域の外側に第１遮光層４ａと同時形成された遮光層と平面視で重なる領域にアライメントマークを設ける。かかる製造方法によれば、複数の遮光層のうち、最も上層側に設けた遮光層と重なる位置にアライメントマークを形成することができるので、アライメントマークの位置を検出しやすい。従って、第１遮光層４ａを形成した後、アライメントマークを利用すれば、保持容量５５および画素電極９等を形成する際のマスク等を大型基板と容易に位置合わせすることができる。
【００６１】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００においては、保持容量５５（第１保持容量５５ａ、および第２保持容量５５ｂ）が透光性であるため、第１画素電極９ａと第１保持容量５５ａとを平面的に重なる構成にして第１保持容量５５ａの形成領域を広くしても、表示光量が低下することを抑制することができる。この場合、遮光性の導電層によって保持容量５５を形成した場合より、遮光性が低くなるが、第１周辺領域１０ｃ１には、表示領域１０ａの外縁に沿って延在する第１遮光層４ａが設けられている。このため、第２基板２９に第２遮光層２７ａが設けられていない透光部２０ｄと平面視で重なる領域では、光が第２基板２９側から第１基板１９の側に入射した場合でも、かかる光を第１遮光層４ａによって遮ることができる。従って、光漏れが発生しにくい。それ故、第１周辺領域１０ｃ１に透光部２０ｄを設けることにより、表示領域１０ａ内での不純物の凝集を抑制した場合でも、光漏れが発生しにくいので、光漏れに起因する表示品位の低下を抑制することができる。
【００６２】
また、第１周辺領域１０ｃ１と表示領域１０ａとでは、第１遮光層４ａの有無に起因する高低差が発生しようとするが、第１保持容量５５ａと第１画素電極９ａとの間、および第２保持容量５５ｂと第２画素電極９ｂとの間に介在する第２絶縁膜４５の表面は、ＣＭＰ処理によって、平坦化されている。このため、第１画素電極９ａおよび第２画素電極９ｂを平坦な面上に設けることができる。従って、斜方蒸着等によって第１配向膜１６を形成した際、表示領域１０ａの外周側端部でも第１配向膜１６を適正に形成することができるので、液晶分子５０ｂを適正に配向させることができる。
【００６３】
さらに、第１保持容量５５ａおよび第２保持容量５５ｂを第１絶縁膜４４の凹部４４０と重なる領域に設けたため、第２絶縁膜４５を平坦化する前の状態で、表示領域１０ａ、第１周辺領域１０ｃ１、および第２周辺領域１０ｃ２における第２絶縁膜４５の表面の高低差が小さい。従って、第２絶縁膜４５に対するＣＭＰ処理を適正に行うことができる。
【００６４】
［他の実施の形態］
上記実施形態では、下層側の第１容量電極５１に共通電位Ｖcomを印加し，上層側の第２容量電極５２を画素電極９と電気的に接続したが、共通電位Ｖcomが印加される第１容量電極５１を、画素電極９に電気的に接続される第２容量電極５２の上層側に設けてもよい。上記実施形態では、第１周辺領域１０ｃ１の全域に第１遮光層４ａを設けたが、図１に示す遮光部２０ｃが第２基板２９に設けられている場合、透光部２０ｄに相当する領域に対して、第１遮光層４ａを表示領域１０ａの外縁に沿うように設けてもよい。
【００６５】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図８には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図８に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。
【００６６】
図８に示す投射型表示装置２１００において、上記実施形態に係る電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。図８に示すように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６７】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
【００６８】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００６９】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００７０】
１ａ…半導体層、１ｂ…ソース領域、１ｃ…ドレイン領域、１ｇ…チャネル領域、２…ゲート絶縁層、３ａ…走査線、３ｃ…ゲート電極、４ａ…第１遮光層、５ａ…ドレイン電極、６ａ…データ線、７ａ…第２配線、７ｂ…中継電極、８ａ…第１配線、９…画素電極、９ａ…第１画素電極、９ｂ…第２画素電極、１０…素子基板、１０ａ…表示領域、１０ｃ…周辺領域、１０ｃ１…第１周辺領域、１０ｃ２…第２周辺領域、１０ｆ…画素間領域、１０ｇ…第１画素間領域、１０ｈ…第２画素間領域、１６…第１配向膜、１９…第１基板、２０…対向基板、２０ｃ…遮光部、２０ｄ…透光部、２１…共通電極、２６…第２配向膜、２７…見切り、２７ａ…第２遮光層、２９…第２基板、３０…トランジスター、４４…第１絶縁膜、４５…第２絶縁膜、４９…第３絶縁膜、５０…電気光学層、５０ｂ…液晶分子、５１…第１容量電極、５２…第２容量電極、５３…誘電体膜、５５ａ…第１保持容量、５５ｂ…第２保持容量、１００…電気光学装置、１００Ｂ，１００Ｇ，１００Ｒ…ライトバルブ、１００ａ…画素、１００ａ１…第１画素、１００ａ２…第２画素、１００ｐ…液晶パネル、４４０…凹部、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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