(57)【要約】【課題】デバイスパッケージの形成においてウェーハに反りが発生するのを防ぐこと。【解決手段】分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハを加工して個々のデバイスパッケージを形成するデバイスパッケージ形成において、ウェーハの表面にチップの仕上げ厚みに至る深さの第１の溝を形成する第１溝形成ステップと、ウェーハの表面及び第１の溝を封止する封止ステップと、第１の溝よりも狭い溝幅の第２の溝を形成する第２溝形成ステップと、表面保護部材をウェーハの表面に配設する表面保護ステップと、ウェーハの裏面を研削する裏面研削ステップと、裏面保護シートを配設する裏面保護シート配設ステップと、裏面保護シートを切断して個々のデバイスパッケージに分割する裏面保護シート切断ステップと、を順に行うことで、ウェーハに反りが生じるのを防止する。【選択図】図７
2020129639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハからデバイスパッケージを形成するデバイスパッケージ形成方法であって、
ウェーハが分割されて形成されるチップの仕上げ厚みに至る深さの第１の溝をウェーハの該表面から該分割予定ラインに沿って形成する第１溝形成ステップと、
該第１溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面を封止材で封止するとともに該第１の溝に該封止材を充填する封止ステップと、
該封止ステップを実施した後、ウェーハの表面から該第１の溝に沿って該仕上げ厚みに至る深さ且つ該第１の溝の幅よりも狭い幅の第２の溝を形成する第２溝形成ステップと、
該第２溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護ステップと、
該表面保護ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化することで該裏面に該第２の溝を露出させウェーハを複数の該チップへと分割する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップを実施した後、ウェーハの該裏面に裏面保護シートを配設する裏面保護シート配設ステップと、
該裏面保護シート配設ステップを実施した後、該第２の溝に沿って該裏面保護シートを切断することで裏面が該裏面保護シートで保護されると共に表面及び側面が該封止材で封止されたデバイスパッケージを形成する裏面保護シート切断ステップと、を備えたデバイスパッケージ形成方法。
【請求項２】
該封止ステップを実施した後、該表面保護ステップを実施する前に、ウェーハの該表面の該封止材を平坦化する平坦化ステップを更に備えた、請求項１に記載のデバイスパッケージ形成方法。
【請求項３】
該裏面保護シート配設ステップでは、ウェーハの該裏面に該裏面保護シートを貼着するとともに、該裏面保護シート上にエキスパンドシートを貼着し、
該裏面保護シート配設ステップを実施した後、該裏面保護シート切断ステップを実施する前に該表面保護部材を除去する除去ステップと、
該裏面保護シート切断ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張して隣接するデバイスパッケージ間に間隔を形成するエキスパンドステップと、を更に備えた、請求項１または２に記載のデバイスパッケージ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスパッケージ形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩやＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等の各種デバイスの小型化及び高密度実装化を目的として、例えばデバイスチップをチップサイズでパッケージ化したチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）が実用に供され、携帯電話やスマートフォン等に広く使用されている。さらに、チップの表面のみならず四側面が封止材で封止されたＣＳＰ、いわゆる５Ｓモールドパッケージが開発され実用化されている（特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００３】
一般的な５Ｓモールドパッケージの製造においては、半導体ウェーハの表面にデバイス及び外部接続端子（バンプ）を形成し、デバイス及びバンプが形成された半導体ウェーハの表面に備える分割予定ラインに沿ってウェーハを切削して仕上げ厚みに至る深さの切削溝を形成した後、ウェーハの表面にエポキシ樹脂等の封止材を供給してウェーハの表面及び形成された切削溝を封止する。次いで、ウェーハの表面にＢＧテープを貼着して、ウェーハがＢＧテープを介してチャックテーブルで吸引保持された状態にし、ウェーハの裏面を研削して仕上げ厚みへと薄化する。そして、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにウェーハの表面に貼着されているＢＧテープを剥離するいわゆる転写作業を行い、最後に、分割予定ラインに沿ってウェーハを再び切削することで複数の５Ｓモールドパッケージが形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１２７２０６号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９４６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の製造方法によって製造される表面が封止されたウェーハには反りが生じ易く、特にウェーハが薄化されるとウェーハに生じる反りの程度が顕著になる。ウェーハに反りが生じると、吸引源に接続された搬送パッド等を用いてウェーハを吸引保持して洗浄機構へと搬送する際に、吸引源等が発揮する吸引力を十分にウェーハに伝えることができず、ウェーハを搬送パッドで吸引保持することができなくなり、その結果、ウェーハを搬送することができなくなる。そして、ウェーハに反りが発生すると、ウェーハを洗浄する際に、ウェーハをスピンナテーブルで吸引保持することができなくなる。さらには、反りが発生したウェーハの転写作業を行うことは難しく、反りが発生したウェーハの転写作業を行うと、ウェーハを破損させてしまうおそれがある。その上、デバイスパッケージの形成においては、デバイスパッケージの強度を上げるためにウェーハの裏面側を封止したいという要望があるにもかかわらず、反りが発生したウェーハの裏面側を封止することは難しいという問題もある。本発明が解決すべき課題は、デバイスパッケージの形成において、ウェーハに反りが生じるのを防止して吸着不良や破損のリスクを抑えるとともに、裏面側も保護することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハからデバイスパッケージを形成するデバイスパッケージ形成方法であって、ウェーハが分割されて形成されるチップの仕上げ厚みに至る深さの第１の溝をウェーハの該表面から該分割予定ラインに沿って形成する第１溝形成ステップと、該第１溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面を封止材で封止するとともに該第１の溝に該封止材を充填する封止ステップと、該封止ステップを実施した後、ウェーハの表面から該第１の溝に沿って該仕上げ厚みに至る深さ且つ該第１の溝の幅よりも狭い幅の第２の溝を形成する第２溝形成ステップと、該第２溝形成ステップを実施した後、ウェーハの表面に表面保護部材を配設する表面保護ステップと、該表面保護ステップを実施した後、ウェーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化することで該裏面に該第２の溝を露出させウェーハを複数の該チップへと分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップを実施した後、ウェーハの該裏面に裏面保護シートを配設する裏面保護シート配設ステップと、該裏面保護シート配設ステップを実施した後、該第２の溝に沿って該裏面保護シートを切断することで裏面が該裏面保護シートで保護されると共に表面及び側面が該封止材で封止されたデバイスパッケージを形成する裏面保護シート切断ステップと、を備えたデバイスパッケージ形成方法である。
【０００７】
上記のデバイスパッケージ形成方法においては、該封止ステップを実施した後、該表面保護ステップを実施する前に、ウェーハの該表面の該封止材を平坦化する平坦化ステップを更に備えていることが望ましい。
【０００８】
上記のデバイスパッケージ形成方法に備える該裏面保護シート配設ステップでは、ウェーハの該裏面に該裏面保護シートを貼着するとともに、該裏面保護シート上にエキスパンドシートを貼着し、該裏面保護シート配設ステップを実施した後、該裏面保護シート切断ステップを実施する前に該表面保護部材を除去する除去ステップと、該保護シート切断ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張して隣接するデバイスパッケージ間に間隔を形成するエキスパンドステップと、を更に備えていることが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、第１溝形成ステップで仕上げ厚みに至る深さを有する第１の溝を形成し、封止材によってウェーハの表面および第１の溝を封止した後、ウェーハを研削薄化する前に第２溝形成ステップを実施する。研削前のウェーハは十分な厚みを有するため、封止材によってウェーハを封止しても反りは発生しにくい。反りが発生したとしても、封止ステップの後に、第２の溝を形成することでウェーハの反りが解消されるため、その後、ウェーハを研削薄化した際に大きな反りが発生するのを防止することができ、これによって、ウェーハの反りによる吸着不良や破損のリスクを減ずることができる。更に、裏面研削ステップ後、裏面保護シートを配設することによってデバイスパッケージの裏面側を封止するため、封止材で封止するよりも容易に裏面側を保護できる。また、ウェーハに反りが生じていないので裏面保護シートの配設も容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ウェーハＷの斜視図である。
【図２】切削装置の一例を示す斜視図である。
【図３】レーザー加工装置の一例を示す斜視図である。
【図４】レーザー光線照射手段の一例を示す説明図である。
【図５】（ａ）は、第１溝形成ステップにおいて、ウェーハに第１の切削ブレードを切り込ませて第１の溝を形成する様子を表す断面図であり、（ｂ）は、ウェーハにレーザー光線を照射して第１の溝を形成する様子を表す断面図であり、（ｃ）は、第１の溝が形成されたウェーハの断面図である。
【図６】封止ステップにおいてウェーハの表面を封止材で封止するとともに第１の溝に封止材を充填した状態を表す断面図である。
【図７】（ａ）は、第２溝形成ステップにおいて、ウェーハに第２の切削ブレードを切り込ませて第２の溝を形成する様子を表す断面図であり、（ｂ）は、ウェーハにレーザー光線を照射して第２の溝を形成する様子を表す断面図であり、（ｃ）は、第２の溝が形成されたウェーハの断面図である。
【図８】表面保護部材が配設されたウェーハの断面図である。
【図９】（ａ）は、裏面研削ステップにおいてウェーハの裏面を研削する様子を表し、（ｂ）は、裏面が研削されたウェーハの断面図である。
【図１０】裏面保護シートが裏面に貼着されたウェーハの断面図である。
【図１１】（ａ）は、裏面保護シートを切断する様子を表す断面図であり、（ｂ）は、形成されたデバイスパッケージの断面図である。
【図１２】（ａ）は、ウェーハの平坦化を目的としてウェーハの表面を研削する様子を表す断面図であり、（ｂ）は、平坦化されたウェーハを表す断面図である。
【図１３】裏面保護シート上にエキスパンドシートが貼着されたウェーハの断面図である。
【図１４】表面保護部材を除去する様子を表す断面図である。
【図１５】裏面保護シートを切断する様子を表す断面図である。
【図１６】エキスパンダーの斜視図である。
【図１７】（ａ）は、エキスパンドシートが貼着されたウェーハをエキスパンダーにセットした状態を示す断面図であり、（ｂ）は、ウェーハに貼着されたエキスパンドシートを拡張して隣接するデバイスパッケージの間隔を広げる様子を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
第１実施形態  デバイスパッケージ形成方法
以下に、図１に示すような、表面Ｗａに備えられた交差する複数の分割予定ラインＬによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤ及びバンプＢが形成されたウェーハＷを加工して、デバイスパッケージを形成するデバイスパッケージ形成方法を記す。
【００１２】
［第１溝形成ステップ］
まず、図２に示す切削装置１、又は図３に示すレーザー加工装置２を用いてウェーハＷに第１の溝を形成する。以下に、切削装置１及びレーザー加工装置２の構成を示し、第１の溝を形成する際の切削装置１及び、レーザー加工装置２の動作をそれぞれ説明するとともに、第１溝形成ステップについて詳述する。
（切削装置による第１溝形成）
図２に示す切削装置１は、切削ブレード１１３をウェーハＷの表面Ｗａに切り込ませてウェーハＷの切削加工を行う切削装置である。切削装置１はウェーハＷを保持するチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷを切削する切削手段１１とを備えている。
【００１３】
切削装置１の基台１Ａの前部（−Ｙ方向側）には、チャックテーブル１０をＸ軸方向に往復移動させる切削送り手段１２が備えられている。切削送り手段１２は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ１２０と、ボールネジ１２０に対して平行に配設された一対のガイドレール１２１と、ボールネジ１２０を回動させるモータ１２２と、内部のナットがボールネジ１２０に螺合し底部がガイドレール１２１に摺接する可動板１２３とから構成される。モータ１２２がボールネジ１２０を回動させると、これに伴い可動板１２３がガイドレール１２１に案内されてＸ軸方向に移動し、可動板１２３の上に配設されたチャックテーブル１０が可動板１２３とともにＸ軸方向に移動してチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷが切削送りされる。
【００１４】
図２に示すチャックテーブル１０は、ポーラス部材等からなる吸着部１００と、吸着部１００を支持する枠体１０１とを備える。吸着部１００はバルブ１０５を介して吸引源１０４に接続されており、バルブ１０５が開いた状態では、吸引源１０４と吸着部１００とは連通している。吸着部１００の露出面である保持面１００ａの上にウェーハＷを載置して、吸引源１０４により生み出される吸引力を、吸引路１０６を通じて保持面１００ａに伝達することで、ウェーハＷを保持面１００ａで吸引保持することができる。また、チャックテーブル１０は、切削送りテーブル１０２によって周囲から囲まれており、チャックテーブル１０の下方に配設された回転手段１０３の駆動力によって、Ｚ軸方向の回転軸１０７のまわりに回転可能となっている。
【００１５】
切削装置１の基台１Ａ上には、Ｙ軸方向に切削手段１１を往復移動させる割り出し送り手段１３が備えられている。割り出し送り手段１３は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ１３０と、ボールネジ１３０と平行に配設された一対のガイドレール１３１と、ボールネジ１３０を回動させるモータ１３２と、内部のナットがボールネジ１３０に螺合し底部がガイドレール１３１に摺接する可動板１３３とから構成される。モータ１３２によって駆動されてボールネジ１３０が回動すると、これに伴い可動板１３３がガイドレール１３１に案内されてＹ軸方向に移動して、可動板１３３の上に配設された切削手段１１がＹ軸方向に割り出し送りされる構成となっている。
【００１６】
可動板１３３の上には、可動板１３３と一体のものとして壁部１４５が立設されており、壁部１４５の−Ｘ方向側の側面にはＺ軸方向に切削手段１１を往復移動させる切り込み送り手段１４が備えられている。切り込み送り手段１４は、Ｚ方向の軸心を有するボールネジ１４０と、ボールネジ１４０と平行に配設された一対のガイドレール１４１と、ボールネジ１４０を回動させるモータ１４２と、内部のナットがボールネジ１４０に螺合し側部がガイドレール１４１に摺接するホルダー１４３とから構成される。モータ１４２がボールネジ１４０を回動させると、これに伴いホルダー１４３がガイドレール１４１にガイドされてＺ軸方向に移動し、ホルダー１４３にハウジング１１０を介して支持されている切削手段１１がホルダー１４３の移動に伴いＺ軸方向に切込み送りされる。
【００１７】
切削手段１１は、ホルダー１４３によって支持されたハウジング１１０と、ハウジング１１０によって回転可能に支持されたスピンドル１１１と、スピンドル１１１を回転駆動するモータ１１２と、スピンドル１１１の先端部に装着された切削ブレード１１３とを備える。
【００１８】
図２に示す切削ブレード１１３は、例えば、外形が環状のワッシャー型ブレードであってもよいし、円盤状に形成され中央に装着孔を備えるアルミニウム製の基台と基台の外周部に形成した切り刃とを備えるハブブレードであってもよい。
【００１９】
スピンドル１１１の後端側（＋Ｙ方向側の端側）は、モータ１１２の回転力を伝達するシャフトに連結されており、スピンドル１１１の前端側に切削ブレード１１３が装着されている。モータ１１２によってスピンドル１１１がＹ軸方向の回転軸１１６のまわりに回転駆動されると、それに伴い、切削ブレード１１３が同じく回転軸１１６のまわりに高速回転することとなる。
【００２０】
ハウジング１１０には、ブレードカバー１１４が取り付けられている。ブレードカバー１１４は、その中央部に切削ブレード１１３を取り付けるための開口部を備えており、開口部に切削ブレード１１３を位置付け、切削ブレード１１３を上方から覆っている。また、ブレードカバー１１４には、ウェーハＷに対して切削ブレード１１３が接触する加工点に切削水を供給する切削水供給ノズル１１５が取り付けられている。例えば、Ｙ軸方向から見てＬ字型に形成された切削水供給ノズル１１５は、切削ブレード１１３をＹ軸方向両側から挟むように２本配設されており、切削ブレード１１３の側面に向く噴射口を備えており、図示しない切削水供給源に接続されている。
【００２１】
本実施形態では、後述する第１溝形成ステップにおいて図５（ａ）に示す第１の切削ブレード１１３Ａが用いられ、また、第２溝形成ステップにおいて第１の切削ブレード１１３Ａよりもブレード幅が小さい図７（ａ）に示す第２の切削ブレード１１３Ｂが用いられる。第１の切削ブレード１１３Ａと第２の切削ブレード１１３Ｂとは、所定のタイミングで交換される。
【００２２】
ハウジング１１０の側面にはアライメント手段１９が配設されている。アライメント手段１９は、ウェーハＷを撮像する撮像手段１９０を備えており、撮像手段１９０は、例えば、ウェーハＷに光を照射する光照射部と、ウェーハＷからの反射光を捕らえる光学系及び反射光に対応した電気信号を出力する撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されたカメラとを備えている。アライメント手段１９は、撮像手段１９０により取得した画像に基づいて、ウェーハＷの切削すべき分割予定ラインＬを検出することができる。アライメント手段１９と切削手段１１とは一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向に移動する。
【００２３】
切削装置１は、ＣＰＵ及びメモリ等の記憶素子で構成され装置全体の制御を行う制御手段１７を備えている。制御手段１７は、配線によって切削送り手段１２及び切り込み送り手段１４等の各装置構成要素に接続されており、制御手段１７による制御の下で、切削送り手段１２によるチャックテーブル１０のＸ軸方向への切削送り動作や、切り込み送り手段１４による切削手段１１のＺ軸方向への切り込み送り動作等が行われる。
【００２４】
以下では、上記の切削装置１を用いてウェーハＷを切削し、ウェーハＷに第１の溝を形成する場合における切削装置１の動作及び、ウェーハＷに第１の溝を形成する溝形成方法について説明する。まず、オペレータにより、図示しない操作手段が操作されることで、チャックテーブル１０の切削送り速度、ウェーハＷの大きさ、隣り合う分割予定ラインＬの間の間隔、第１の切削ブレード１１３Ａの切り込み深さ等の加工条件が制御手段１７に入力される。
【００２５】
ウェーハＷは、図２に示したチャックテーブル１０の中心とウェーハＷの中心とが合致するように、保持面１００ａ上に載置される。そして吸引源１０４により生み出される吸引力を保持面１００ａに作用させることにより、ウェーハＷがチャックテーブル１０の保持面１００ａで吸引保持される。
【００２６】
次いで、切削送り手段１２に備えるモータ１２２によりボールネジ１２０を回転駆動させることで、ガイドレール１２１に沿って可動板１２３を−Ｘ方向に移動させる。これにより、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷを−Ｘ方向に送り、第１の切削ブレード１１３Ａを切り込ませるべき分割予定ラインＬがアライメント手段１９により検出される。すなわち、撮像手段１９０によって撮像されたウェーハＷの表面Ｗａの画像により、アライメント手段１９がパターンマッチング等の画像処理を実行し、第１の切削ブレード１１３Ａを切り込ませるべき分割予定ラインＬが検出される。分割予定ラインＬが検出されるのに伴って、切削手段１１が割り出し送り手段１３によってＹ軸方向に駆動され、切削すべき分割予定ラインＬと切削ブレード１１３とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。
【００２７】
切削手段１１を構成するモータ１１２には電力が供給され、スピンドル１１１及び第１の切削ブレード１１３Ａは、Ｙ軸方向の回転軸１１６のまわりに高速回転している。その状態で、切り込み送り手段１４に備えるモータ１４２によりボールネジ１４０を回転駆動させ、ホルダー１４３をガイドレール１４１に沿って−Ｚ方向に下降させることで、切削手段１１を−Ｚ方向に切り込み送りし、第１の切削ブレード１１３Ａを切削のための所定の高さ位置に位置付ける。例えば、チップＣの仕上げ厚みに至る深さがウェーハＷの表面Ｗａから距離Ｓだけ下方に下がった深さであるとき、所定の高さ位置は、図５（ａ）に示すように、第１の切削ブレード１１３Ａの下端がウェーハＷの表面Ｗａから距離Ｓだけ下がった位置となる。
【００２８】
上記のような第１の切削ブレード１１３Ａと検出されたウェーハＷの分割予定ラインＬとのＹ軸方向の位置合わせ、及び第１の切削ブレード１１３ＡとウェーハＷとの高さ位置の位置合わせがなされた状態で、ウェーハＷを保持するチャックテーブル１０が所定の切削送り速度でさらに−Ｘ方向に送り出されることで、チャックテーブル１０と切削ブレード１１３とが相対的に所定速度で切削送り方向（Ｘ軸方向）に移動し、切削ブレード１１３が高速回転しながらウェーハＷの分割予定ラインＬに切り込み、その分割予定ラインＬが切削される。なお、切削中は、切削水供給ノズル１１５から第１の切削ブレード１１３Ａに対して切削水が供給されている。
【００２９】
次に、割り出し送り手段１３により切削手段１１を移動制御して、隣り合う分割予定ラインＬの間隔だけ切削手段１１をＹ軸方向にインデックス送りし、同様の切削を行うことにより、切削済みの分割予定ラインＬの隣の分割予定ラインＬを切削する。このようにして、インデックス送りと切削とを繰り返し行うことにより、同方向の分割予定ラインＬがすべて切削される。さらに、チャックテーブル１０を回転手段１０３により駆動させ、９０度回転させてから同様の切削を行うことにより、すべての分割予定ラインＬが縦横に切削され、図５（ｃ）に示すように、チップＣの仕上げ厚みに至る深さＳを有する第１の溝Ｇ１をウェーハＷの表面Ｗａから分割予定ラインＬに沿って形成することができる。
【００３０】
（レーザー加工装置による第１溝形成）
第１の溝Ｇ１は、上記の切削装置１に代えて、図３に示すレーザー加工装置２を用いて形成することもできる。図３に示すレーザー加工装置２は、レーザー光線照射手段３によってウェーハＷに対してレーザー光線を照射してウェーハＷの加工を行う加工装置である。
【００３１】
レーザー加工装置２は、基台２Ａと、基台２Ａの＋Ｙ側の上に立設された壁部２８と、壁部２８の＋Ｘ側の側面に配設された支持板２９とを備えている。基台２Ａの上には、ウェーハＷを保持するチャックテーブル２０、チャックテーブル２０をＸ軸方向に移動させる加工送り手段２５、及びチャックテーブル２０をＹ軸方向に移動させるインデックス送り手段２４が配設されており、また、支持板２９の内部には、レーザー光線照射手段３が備えられている。
【００３２】
チャックテーブル２０は、切削装置１のチャックテーブル１０と同様にウェーハＷを吸着するポーラス部材等からなる吸着部２００と、吸着部２００を支持する枠体２０１とを備える。吸着部２００はバルブ２０５を介して吸引源２０４に接続されており、バルブ２０５が開いた状態では、吸着部２００と吸引源２０４とが連通している。吸着部２００の露出面である保持面２００ａにウェーハＷを載置し、吸引源２０４により生み出される吸引力を、吸引路２０６を通じて保持面２００ａに伝達することで、保持面２００ａでウェーハＷを吸引保持することができる。また、チャックテーブル２０の下方には、吸着部２００及び枠体２０１を回転駆動する回転手段２０３が配設されている。
【００３３】
チャックテーブル２０は、インデックス送り手段２４及び加工送り手段２５によって駆動されてＹ軸方向及びＸ軸方向に移動可能となっている。
【００３４】
インデックス送り手段２４は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ２４０と、ボールネジ２４０と平行に配設された一対のガイドレール２４１と、ボールネジ２４０を回動させるモータ２４２と、内部のナットがボールネジ２４０に螺合し底部がガイドレール２４１に摺接する可動板２４３とから構成されており、モータ２４２がボールネジ２４０を回動させると、これに伴い可動板２４３がガイドレール２４１にガイドされてＹ軸方向に移動し、可動板２４３の上に配設されたチャックテーブル２０が可動板２４３の移動に伴って、Ｙ軸方向に移動する構成となっている。
【００３５】
加工送り手段２５は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ２５０と、ボールネジ２５０と平行に配設された一対のガイドレール２５１と、ボールネジ２５０を回動させるモータ２５２と、内部のナットがボールネジ２５０に螺合し底部がガイドレール２５１に摺接する可動板２５３とから構成されている。モータ２５２がボールネジ２５０を回動させると、これに伴い可動板２５３がガイドレール２５１にガイドされてＸ軸方向に移動し、可動板２５３の上に配設されたインデックス送り手段２４及びチャックテーブル２０がＸ軸方向に移動する構成となっている。
【００３６】
壁部２８に配設された支持板２９には、ウェーハＷを撮像し加工すべき分割予定ラインＬを検出するアライメント手段２６が配設されている。アライメント手段２６は、撮像部２６０を備えており、撮像部２６０によって撮像された画像に対して画像処理を施すことで、ウェーハＷの分割予定ラインＬを検出することができる。
【００３７】
また、支持板２９には、レーザー光線照射手段３が配設されている。レーザー光線照射手段３は、図４に示すように、レーザー光線発生ユニット３５とレーザー光線照射ユニット３７とを備えている。
【００３８】
図４に示すように、レーザー光線発生ユニット３５には、レーザー光線ＬＢを発振するレーザー発振器３５０と、レーザー光線ＬＢの出力を調整するパワー調整手段３５１と、レーザー光線ＬＢのパルス幅を調整するパルス幅調整手段３５２と、レーザー光線ＬＢの発信周波数を設定する繰り返し周波数設定手段３５３とが備えられている。繰り返し周波数設定手段３５３によってレーザーの発信周波数が所定の値に設定され、さらにパルス幅調整手段３５２によってレーザー光線ＬＢのパルス幅が所定の値に調整された後、レーザー光線ＬＢがレーザー発振器３５０から発信される。発信されたレーザー光線ＬＢは、パワー調整手段３５１により出力レベル（振幅）が調整されて、レーザー光線照射ユニット３７の方向に発射されることとなる。
【００３９】
レーザー光線照射ユニット３７には、レーザー光線ＬＢを反射させるミラー３７０と、ミラー３７０において反射したレーザー光線ＬＢをウェーハＷに集光するレンズ３７１と、集光されたレーザー光線ＬＢが出射される照射部３７２とが備えられている。レーザー光線発生ユニット３５から放射されたレーザー光線ＬＢは、レーザー光線照射ユニット３７のミラー３７０に適宜の入射角度で入射してミラー３０において反射し、−Ｚ方向に方向転換される。例えば、図４に示すように、レーザー光線発生ユニット３５から放射されてから−Ｙ方向に進行してレーザー光線照射ユニット３７の内部に進入したレーザー光線ＬＢが、水平方向に対して４５度傾いて載置されたミラー３０の表面に入射し、ミラー３０の表面で反射した結果、−Ｚ方向に進行するというような構成が挙げられる。−Ｚ方向に進行したレーザー光線ＬＢは、レンズ３７１によって集光させられて所定のレーザー幅に調節された後、照射部３７２から出射されてチャックテーブル２０に載置されたウェーハＷの表面Ｗａに向かって照射されることとなる。
【００４０】
以下では、レーザー加工装置２を用いてウェーハＷに第１の溝Ｇ１を形成する場合のレーザー加工装置２の動作及び、ウェーハＷに第１の溝Ｇ１を形成する溝形成方法について説明する。なお、説明の便宜上、第１溝形成ステップにおいてウェーハＷに向けて照射されるレーザー光線を、特に第１のレーザー光線ＬＢ１とする。
【００４１】
まず、図３に示すようにウェーハＷをチャックテーブル２０に保持する。そして、加工送り手段２５のモータ２５２によりボールネジ２５０を回転駆動させて、ガイドレール２５１に沿って可動板２５３をＸ軸方向に移動させることで、チャックテーブル２０をＸ軸方向に加工送りして撮像部６０の下方に移動させる。そして、撮像部６０によってウェーハＷの表面Ｗａに備える分割予定ラインＬを撮像し、撮像された撮像画像を解析することにより、加工すべき分割予定ラインＬが検出される。検出された分割予定ラインＬに基づいてインデックス送り手段２４が制御され、インデックス送り手段２４に備えるモータ２４２によってボールネジ２４０が回転駆動されて、ガイドレール２４１に沿ってチャックテーブル２０がＹ軸方向に移動させられることで、チャックテーブル２０に保持されたウェーハＷの分割予定ラインＬとレーザー光線照射手段３とのＹ軸方向の位置合わせが行われる。
【００４２】
分割予定ラインＬとレーザー光線照射手段３とのＹ軸方向の位置合わせが完了した後、繰り返し周波数設定手段３５３により所定の発信周波数に、また、パルス幅調整手段３５２により所定のパルス幅に、それぞれ調整された第１のレーザー光線ＬＢ１を、レーザー発振器３５０から放射する。放射されたレーザー光線ＬＢは、パワー調整手段３５１により出力レベル（振幅）が調整されて、レーザー光線照射ユニット３７の方向に発射される。レーザー光線照射ユニット３７の内部に進入した第１のレーザー光線ＬＢ１は、ミラー３７０において反射し、−Ｚ方向に方向を変化させた後、レンズ３７１によって集光されて所定のレーザー幅に調節され、照射部３７２から出射される。
【００４３】
照射部３７２からウェーハＷに対して第１のレーザー光線ＬＢ１が照射されるとともに、チャックテーブル２０が−Ｘ方向に送られることで、図５（ｂ）に示すように、ウェーハＷの分割予定ラインＬに沿って、チップＣの仕上げ厚みに至る深さＳを有し、且つ溝幅Ｋ１を有する第１の溝Ｇ１を形成する。
【００４４】
そして、隣り合う分割予定ラインＬの間隔分だけインデックス送り手段２４がチャックテーブル２０をＹ軸方向にインデックス送りし、同様にレーザー光線ＬＢを照射することで、次の分割予定ラインＬに第１の溝が形成される。こうしてインデックス送りと第１のレーザー光線ＬＢ１の照射とを繰り返すことにより、同方向の分割予定ラインＬがすべて加工される。その後、チャックテーブル２０を９０度回転させてから同様の加工を行うことによって、図５（ｃ）に示すように、全ての分割予定ラインＬに第１の溝Ｇ１が形成される。
【００４５】
［封止ステップ］
上記の第１溝形成ステップを実施し、ウェーハＷに第１の溝Ｇ１を形成した後、周知のコンプレッションモールド技術等を用いてウェーハＷの表面Ｗａに対して封止材Ｅを供給し、ウェーハＷの表面Ｗａを封止するとともに、ウェーハＷに形成された第１の溝Ｇ１に封止材Ｅを充填する。これにより、図６に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに封止材層を形成することができる。
【００４６】
［第２溝形成ステップ］
上記の封止ステップを実施した後、上述した切削装置１又はレーザー加工装置２を用いて、仕上げ厚みに至る深さＳ且つ、第１の溝Ｇ１の溝幅Ｋ１よりも狭い溝幅を有する第２の溝を形成する。第２の溝形成においては、第１の溝Ｇ１を形成する際と同様に切削装置１やレーザー加工装置２を作動させることで、第２の溝を形成することができる。ただし、第２溝形成ステップにおいて、切削装置１を用いて第２の溝を形成する際は、前もって、切削ブレード１１３を第１溝形成ステップで用いた第１の切削ブレード１１３Ａから図７（ａ）に示す第２の切削ブレード１１３Ｂに交換する。第２の切削ブレード１１３Ｂのブレード幅は、第１の切削ブレード１１３Ａのブレード幅よりも小さいものとする。
【００４７】
第２の切削ブレード１１３Ｂを切削装置１に取り付けた後、図７（ａ）に示すように、第２の切削ブレード１１３ＢをウェーハＷに形成された第１の溝Ｇ１に沿って、第１溝形成ステップと同様の構成で切り込ませる。これにより、図７（ｃ）に示すような、仕上げ厚みに至る深さＳを有し、且つ第１の溝Ｇ１の溝幅Ｋ１よりも狭い溝幅Ｋ２を有する第２の溝Ｇ２を形成する。
【００４８】
一方、レーザー加工装置２を用いた第２の溝の形成については、図７（ｂ）に示すように、第1溝形成ステップと同様の構成でレーザー光線発生ユニット３５からレーザー光線照射ユニット３７に向けて第２のレーザー光線ＬＢ２を放射する。放射された第２のレーザー光線ＬＢ２は、レーザー光線照射ユニット３７の内部へと進入し、ミラー３７０によって−Ｚ方向へと反射した後、レンズ３７１により集光されレーザー幅が所定の幅に調節されて照射部３７２からウェーハＷに向けて照射される。第２溝形成ステップにおいてウェーハＷに照射される第２のレーザー光線ＬＢ２のスポット径は、上記の第１の溝形成においてウェーハＷに照射された第１のレーザー光線ＬＢ１のスポット径よりも小さくする。このようにして、図７（ｃ）に示すように、仕上げ厚みに至る深さＳ且つ、第1の溝Ｇ１の溝幅Ｋ１よりも狭い溝幅Ｋ２を有する第２の溝Ｇ２が形成される。第２の溝Ｇ２の深さは、仕上げ厚みに至る深さＳ以上の深さであればよく、上記の第１の溝Ｇ１の深さＳを超えるものであってもよい。なお、第２の溝Ｇ２は、封止材Ｅによって側方から覆われている。
【００４９】
［表面保護ステップ］
第２溝形成ステップを実施して第２の溝Ｇ２を形成した後、図８に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａに表面保護部材Ｔ１を配設する。表面保護部材Ｔ１には、例えば、ＢＧテープ（表面保護テープ）やシリコン等のハードプレートが用いられるが、ウェーハＷに貼着される表面保護部材Ｔ１の種類はこれらに限定されるものではない。また、表面保護の一様態として、ウェーハＷに貼着された表面保護テープ等をフレームで支持してハンドリング性能を向上させるいわゆるフレームマウント方式も採られ得る。
【００５０】
［裏面研削ステップ］
上記の表面保護ステップでウェーハＷの表面Ｗａに表面保護部材Ｔ１を配設した後、ウェーハＷの裏面Ｗｂを研削して仕上げ厚みへと薄化することで、裏面Ｗｂ側に第２の溝Ｇ２を露出させ、ウェーハＷを複数のチップＣへと分割する。
【００５１】
ウェーハＷの裏面Ｗｂの研削は、例えば図９（ａ）に示す研削装置４によって行われる。研削装置４は、略Ｚ軸方向の軸心を有するスピンドル４２と、スピンドル４２の下端に装着されたマウント４３と、マウント４３の下面側に固定された研削ホイール４４とを備えている。研削ホイール４４は、マウント４３に固定される基台４４０と、基台４４０の下面の環状に固着された研削砥石４４１とから構成されている。
【００５２】
ウェーハＷの裏面Ｗｂの研削においては、まず、研削砥石４４１をウェーハＷに当接させたときに研削砥石４４１がウェーハＷの回転中心を通るように、ウェーハＷと研削砥石４４１との位置合わせを行う。
【００５３】
そして、図示しないモータによりチャックテーブル４０を回転駆動させ、チャックテーブル２０の上に保持されたウェーハＷを回転させる。さらに、研削装置４に備える図示しないモータによりスピンドル４２に回転駆動させることで、スピンドル４２の下端に接続された研削ホイール４４の基台４４０及び研削砥石４４１が回転する。研削砥石４４１が回転している状態で、図示しない研削送り手段によりスピンドル４２が移動制御されて研削砥石４４１が−Ｚ方向に降下することで、研削砥石４４１がウェーハＷの全面に当接されてウェーハＷが研削される。これにより、図９（ｂ）に示すように、ウェーハＷが個々のチップＣに分割される。
【００５４】
［裏面保護シート配設ステップ］
裏面研削ステップの実施後、図１０に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗｂに裏面保護シートＴ２を配設する。
【００５５】
［裏面保護シート切断ステップ］
図１１（ａ）に示すように、例えば上述のレーザー加工装置２に備えるレーザー光線照射ユニット３７の照射部３７２から、レーザー光線ＬＢをウェーハＷの裏面Ｗｂに配設された裏面保護シートＴ２に照射して、第２の溝Ｇ２に沿って裏面保護シートＴ２を切断する。これにより、図１１（ｂ）に示すような、表面Ｗａ及び側面が封止材Ｅで封止されるとともに裏面Ｗｂが裏面保護シートＴ２で保護されたデバイスパッケージＰを形成する。その後、表面保護部材Ｔ１をウェーハＷから剥離し、図示しないピックアップ手段等により表面Ｗａ側を吸引保持して、個々のデバイスパッケージＰをピックアップする。なお、裏面保護シートＴ２の切断においては、レーザー加工装置２によるレーザー加工に代えて、上述の切削装置１に備える切削ブレード１１３を裏面保護シートＴ２に対して切り込ませて行うこともできる。
【００５６】
ウェーハＷの厚みが厚い段階で、第２溝形成ステップを実施してハーフカットを行うことで、ウェーハＷに反りが生じるのを防止することができる。そして、ウェーハＷに反りが生じるのを防止することで、例えば、次工程であるウェーハＷの洗浄工程に吸着不良を引き起こすのを防ぐことができ、また、搬送時にウェーハＷが破損するリスクを抑えることができる。
【００５７】
第２実施形態  デバイスパッケージ形成方法２
［平坦化ステップ］
第２実施形態におけるデバイスパッケージの形成においては、第１溝形成ステップ及び封止ステップを、第１実施形態と同様に実施した後、表面保護ステップを実施する前に、ウェーハＷの表面Ｗａに供給された封止材Ｅによって形成された封止材層を平坦化する平坦化ステップが備えられている。
【００５８】
平坦化ステップにおいては、図１２（ａ）に示すように、上述の研削装置４に備える研削砥石４４１がウェーハＷの回転中心を通るように位置合わせをした後、ウェーハＷが吸引保持されたチャックテーブル４０を回転させるとともに、研削砥石４４１を回転させる。次いで、図示しない研削送り手段によってスピンドル４２を移動制御して研削砥石４４１を−Ｚ方向に降下させることで、研削砥石４４１をウェーハＷの表面Ｗａに形成された封止材層の全面に当接させる。これにより、封止材Ｅを研削して封止材層を平坦化する。
【００５９】
なお、平坦化ステップにおけるウェーハＷの表面Ｗａに形成された封止材層の平坦化は、上記の研削装置４だけでなく、例えば、図示しないバイト研削装置や研磨装置によって行ってもよい。
【００６０】
上記の平坦化ステップについて、封止ステップにおけるウェーハＷの表面Ｗａへの封止材Ｅの供給のみでは、薄く平坦な封止材層を形成するのは困難であるという実情がある。これに対して、デバイスパッケージＰの形成において、封止ステップの次工程として平坦化ステップが備えられていれば、封止ステップで十分な量の封止材ＥをウェーハＷの表面Ｗａに供給して十分に厚い封止材層を形成した後、平坦化ステップで封止材層を研削することによって、ボイド等のない薄く平坦な封止材層を形成することができ、封止材層の厚みを均一にすることもできる。
【００６１】
平坦化ステップを実施した後は、第１実施形態と同様に、第２溝形成ステップ、表面保護ステップ及び裏面研削ステップを実施する。
【００６２】
［裏面保護シート配設ステップ  エキスパンドシートの貼着］
次に、第１実施形態の裏面保護シート配設ステップと同様に裏面保護シートＴ２をウェーハＷの裏面Ｗｂに配設した後、図１３に示すように、裏面保護シートＴ２の上にエキスパンドシートＴ３を貼着する。図１３においては、ウェーハＷの裏面Ｗｂが下側に向いた状態で、ウェーハＷの裏面Ｗｂに配設されている裏面保護シートＴ２にエキスパンドシートＴ３が貼着されており、エキスパンドシートＴ３が環状フレームＦに支持されている。
【００６３】
上記のように、ウェーハＷの裏面Ｗｂに裏面保護シートＴ２を配設した後、さらに裏面保護シートＴ２にエキスパンドシートＴ３を貼着するという構成に代えて、裏面保護シートＴ２とエキスパンドシートＴ３とが一体となったいわゆる２ｉｎ１タイプのシートをウェーハＷの裏面Ｗｂに配設するという構成でもよい。
【００６４】
［除去ステップ］
上記のように、裏面保護シート配設ステップで裏面保護シートＴ２の上にエキスパンドシートＴ３を貼着した後、裏面保護シート切断ステップを実施する前に表面保護部材Ｔ１を除去する。図１４に示すように、例えば表面保護部材Ｔ１の−Ｘ側の端部Ｔ１ａをヒートシール等の剥離手段６に固着させ、剥離手段６を所定の高さまで上側に引き上げて表面保護部材Ｔ１の−Ｘ側の端部Ｔ１ａをウェーハＷから引き剥がした後、剥離手段６をウェーハＷに対して相対的に左側に移動させることで、ウェーハＷから表面保護部材Ｔ１を除去する。
【００６５】
［裏面保護シート切断ステップ］
上記の除去ステップを実施した後、第２の溝Ｇ２に沿って裏面保護シートＴ２を切断することでデバイスパッケージＰを形成する。ただし、第１実施形態における裏面保護シート切断ステップとは異なり、図１５に示すように、ウェーハＷに配設された裏面保護シートＴ２にはエキスパンドシートＴ３が貼着されており、エキスパンドシートＴ３が環状フレームＦに支持されている。その状態で環状フレームＦがクランプ５２によって挟持されて、環状フレームＦがチャックテーブル２０の上に固定されている。
【００６６】
裏面保護シートＴ２の切断は、図１５に示すように、レーザー加工装置のレーザー照射ユニット３７に備える照射部３７２から照射されるレーザー光線ＬＢによって行うことができる他、上述した切削装置１の切削ブレード１１３をウェーハＷに切り込ませて行うこともできる。
【００６７】
また、図１５においては、ウェーハＷの表面Ｗａ側が上に向けられた状態で、レーザー光線ＬＢがウェーハＷに向かって照射されているが、これは、前工程の除去ステップにて表面Ｗａを上にして表面保護部材Ｔ１を引き剥がして表面保護部材Ｔ１を除去した後、環状フレームＦとともにウェーハＷをハンドリングしてレーザー加工装置２等の下方に位置付けて、裏面保護シートＴ２の切断を実施するという一連の工程が効率的であり、好適であるという理由による。一方、本工程においてウェーハＷは、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側が上に向けられてチャックテーブル２０に載置されるという構成であってもよく、かかる場合には、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側にレーザー光線ＬＢが照射されて裏面保護シートＴ２が切断される。
【００６８】
［エキスパンドステップ］
上記の裏面保護シート切断ステップを実施した後、図１６に示すエキスパンダー５を用いてエキスパンドシートＴ３を拡張して隣接するデバイスパッケージＰの間に間隔を形成する。
【００６９】
エキスパンダー５は、支持フランジ５４と、下部が支持フランジ５４の内側に密着して上方向に延びるように配設された円筒状の拡張ドラム５３と、拡張ドラム５３の上部を囲繞する環状テーブル５０とを備えており、拡張ドラム５３と環状テーブル５０との間には開口５０ｃが設けられている。拡張ドラム５３は高さ位置が固定されており、拡張ドラム５３の上面５３ａと環状テーブル５０の上面５０ａとが同じ高さ位置に位置付けられている状態では、環状テーブル５０の中心と拡張ドラム５３の中心とは合致している。拡張ドラム５３の外径は、エキスパンドシートＴ３の外径より小さく、且つ、ウェーハＷの外径よりも大きいものとする。
【００７０】
図１６及び図１７（ａ）に示すように、環状テーブル５０の上面５０ａに環状フレームＦを載置し、環状テーブル５０の側面の四方に等間隔に配設された４つのクランプ５２によって環状フレームＦを把持することで、エキスパンドシートＴ３に貼着されたウェーハＷを固定することができる。環状フレームＦを環状テーブル５０の上に載置させたとき、エキスパンドシートＴ３の露出部Ｔ３ａが開口５０ｃにおいて露出している。
【００７１】
また、環状テーブル５０は、支持フランジ５４の上に環状テーブル昇降手段５５によって上下動可能となっている。環状テーブル昇降手段５５は、例えばエアシリンダであり、内部に図示しないピストンを備える有底円筒状のシリンダチューブ５５０と、シリンダチューブ５５０に挿入され一端がピストンに取り付けられたピストンロッド５５１とを備えており、ピストンロッド５５１のもう一端は、環状テーブル５０の下面に固定されている。シリンダチューブ５５０に図示しないエア源からエアが供給（または、排出）されて、シリンダチューブ５５０の内部圧力が変化することで、ピストンロッド５５１がＺ軸方向に移動し、環状テーブル５０がＺ軸方向に移動する構成となっている。
【００７２】
以下では、上記の構成のエキスパンダー５を用いてエキスパンドシートＴ３を拡張して隣接するデバイスパッケージＰ間に間隔を形成する方法について説明する。まず、図１７（ａ）に示すように、環状テーブル５０の上面５０ａに環状フレームＦを載置し、クランプ５２によってフレームＦを把持することで、フレームＦに支持されているウェーハＷを環状テーブル５０の上に固定する。
【００７３】
次いで、図示しないエア源からエアが供給されて、シリンダチューブ５５０の内部圧力が変化すると、ピストンロッド５５１が−Ｚ方向に下降移動し、これに伴い環状テーブル５０が下降する。環状テーブル５０が下降すると、拡張ドラム５３の上面５３ａが環状テーブル５０に対して相対的に上昇し、その結果拡張ドラム５３の上面５３ａがエキスパンドシートＴ３に接触する。さらに環状テーブル５０が相対的に上昇させられて、エキスパンドシートＴ３が拡張ドラム５３によって押し上げられて放射状に拡張される。これにより、エキスパンドシートＴ３が貼着されたウェーハＷの隣接するデバイスパッケージＰの間に間隔を形成することができる。
【００７４】
デバイスパッケージＰの間に間隔が形成されると、例えば、個々のデバイスパッケージＰをピックアップするのが容易になる。
【符号の説明】
【００７５】
Ｗ：ウェーハ  Ｗａ：ウェーハの表面  Ｗｂ：ウェーハの裏面
Ｌ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス  Ｂ：バンプ  Ｃ：チップ  Ｅ：封止材
Ｐ：デバイスパッケージ  Ｓ：チップの仕上げ厚みに至る深さ
Ｋ１：第１の溝の溝幅  Ｋ２：第２の溝の溝幅  Ｇ１：第１の溝  Ｇ２：第２の溝
Ｔ１：表面保護テープ  Ｔ１ａ：表面保護テープの端部  Ｔ２：裏面保護シート
Ｔ３：エキスパンドシート  Ｔ３ａ：エキスパンドシートの露出部
ＬＢ：レーザー光線  Ｆ：環状フレーム
１：切削装置  １Ａ：基台
１０：チャックテーブル  １００：吸着部  １００ａ：保持面
１０１：枠体  １０２：切削送りテーブル  １０３：回転手段  １０４：吸引源
１０５：バルブ  １０６：吸引路  １０７：回転軸
１１：切削手段  １１０：ハウジング  １１１：スピンドル  １１２：モータ
１１３：切削ブレード
１１３Ａ：第１の切削ブレード  １１３Ｂ：第２の切削ブレード
１１４：ブレードカバー  １１５：削水供給ノズル  １１６：回転軸
１２：切削送り手段  １２０：ボールネジ  １２１：ガイドレール  １２２：モータ
１２３：可動板
１３：割り出し送り手段  １３０：ボールネジ  １３１：ガイドレール
１３２：モータ  １３３：可動板
１４：切込み送り手段  １４０：ボールネジ  １４１：ガイドレール  １４２：モータ
１４３：ホルダー  １４５：壁部    １７：制御手段
１９：アライメント手段  １９０：撮像手段
２：レーザー加工装置  ２Ａ：基台  ２０：チャックテーブル  ２００：吸着部
２００ａ：保持面  ２０１：枠体  ２０３：回転手段
２０４：吸引源  ２０５：バルブ  ２０６：吸引路  ２０７：回転軸
２４：インデックス送り手段  ２４０：ボールネジ
２４１：ガイドレール  ２４２：モータ  ２４３：可動板  ２４４：スケール
２５：加工送り手段  ２５０：ボールネジ  ２５１：ガイドレール
２５２：モータ  ２５３：可動板  ２５４：スケール
２６：アライメント手段  ２６０：撮像部  ２７：制御手段
２８：壁部  ２９：支持板
３：レーザー光線照射手段
３５：レーザー光線発生ユニット  ３５０：レーザー発振器  ３５１：パワー調整手段
３５２：パルス幅調整手段  ３５３：繰り返し周波数設定手段
３７：レーザー光線照射ユニット  ３７０：ミラー  ３７１：レンズ  ３７２：照射部
４：研削装置  ４０：チャックテーブル  ４００：吸引部  ４００ａ：保持面
４０１：枠体  ４１：バルブ４２：スピンドル
４３：マウント  ４４：研削ホイール  ４４０：基台  ４４１：研削砥石
４５：吸引路  ４６：吸引源
５：エキスパンダー  ５０：環状テーブル  ５０ａ  環状テーブルの上面
５０ｃ：環状テーブルの開口
５２：固定クランプ  ５３：拡張ドラム  ５３ａ：拡張ドラムの上面
５４：支持フランジ  ５５：環状テーブル昇降手段  ５５０：シリンダチューブ
５５１：ピストンロッド
６：剥離手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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