(57)【要約】【課題】セラミックス基板の割れを抑制できる絶縁回路基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、セラミックス基板の他方の面に金属層が形成された絶縁回路基板であって、回路層は、セラミックス基板に形成された第１アルミニウム層と、第１アルミニウム層に固相拡散接合された第１銅層と、を有し、セラミックス基板は、第１分割溝により複数のセラミックス片に分割されるとともに、回路層は、第２分割溝により複数の回路パターンに分割され、セラミックス基板の第１分割溝は、回路層の第２分割溝と重なって配置される重複部分と、第２分割溝とは異なる部位に重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、単独部分においては、その分割溝に沿って第１アルミニウム層が分割され、第１銅層は、該分割溝上にまたがって配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面に金属層が形成された絶縁回路基板であって、
前記回路層は、前記セラミックス基板に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１アルミニウム層と、前記第１アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第１銅層と、を有し、
前記セラミックス基板は、第１分割溝により複数のセラミックス片に分割されるとともに、前記回路層は、第２分割溝により複数の回路パターンに分割され、
前記セラミックス基板の第１分割溝は、前記回路層の第２分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第２分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、
前記単独部分においては、その分割溝に沿って前記第１アルミニウム層が分割され、前記第１銅層は、該分割溝上にまたがって配置されていることを特徴とする絶縁回路基板。
【請求項２】
前記第１分割溝は、前記セラミックス基板の辺に平行に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁回路基板。
【請求項３】
前記第１銅層の厚さは、０．８ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の絶縁回路基板。
【請求項４】
セラミックス基板の一方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１アルミニウム層と、前記第１アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第１銅層とからなる回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２アルミニウム層と、前記第２アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第２銅層とからなる金属層が形成された絶縁回路基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板の一方の面に前記第１アルミニウム層を接合するとともに、前記セラミックス基板の他方の面に前記第２アルミニウム層を接合した後、前記セラミックス基板を第１分割溝により分割して複数のセラミックス片を形成するとともに、前記第１分割溝の一部と重なって配置される第２分割溝により前記第１アルミニウム層を分割して複数のパターンを形成する分割工程と、
前記分割工程後に、複数の前記セラミックス片のそれぞれを前記第２銅層上に間隔を開けて配置するとともに、複数の前記セラミックス片の上面に前記第１銅層を重ねて積層体を形成し、前記積層体を加圧及び加熱することにより前記第１アルミニウム層及び前記第１銅層、並びに前記第２アルミニウム層及び前記第２銅層を固相拡散接合させる接合工程と、を備え、
前記分割工程における前記セラミックス基板を分割する前記第１分割溝は、前記第２分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第２分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、
前記接合工程における前記第１銅層は、前記第１アルミニウム層の複数のパターンと同じ複数のパターンに分断されており、その少なくとも一つは、前記単独部分において、その分割溝上にまたがって配置されて接合されることを特徴とする絶縁回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュール用基板等の絶縁回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁回路基板として、窒化アルミニウムを始めとするセラミックス基板からなる絶縁基板の一方の面に回路層が接合されるとともに、他方の面に金属層が接合されたパワーモジュール用基板が知られている。このようなパワーモジュール用基板において、回路層にはアルミニウム又は銅が用いられており、例えば、特許文献１に開示されているパワーモジュール用基板では、絶縁基板に接合された回路層及び金属層のそれぞれは、純度が９９．９９％以上の純銅で構成されている。このような銅は、熱的特性、電気的特性がアルミニウムより優れるが、変形抵抗が高い。このため、冷熱サイクルが負荷された際に、セラミックス基板と銅の回路層との間に大きな熱応力が生じ、セラミックス基板に割れを生じやすい。
【０００３】
近年、セラミックス基板の表面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層が接合され、その上面に銅又は銅合金からなる銅層が固相拡散接合された絶縁回路基板が用いられており、例えば、特許文献２では、パワーモジュール用基板の絶縁層（セラミックス基板）の一方の面に形成された回路層を、絶縁層の一方の面に配設されたアルミニウム層と、このアルミニウム層の一方側（絶縁層とは接合されていない面側）に積層された銅層との二重構造とし、銅に比べて変形抵抗の小さいアルミニウム層を絶縁層との間に介在させて熱応力を緩和している。このため、銅層の厚さを例えば、１．０ｍｍ以上とすることができ、低熱抵抗の絶縁回路基板とすることが可能となる。また、特許文献２の構成では、回路層の銅層の上に半導体素子が搭載されることから、回路層を二重構造とすることで、半導体素子で発生する熱を伝熱する際に、銅層において面方向に拡げて効率的に放散している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２１５４７号公報
【特許文献２】国際公開第２０１３／１４７１４４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、応力緩衝機能を有するアルミニウム層を介して銅層を接合した場合であっても、銅層の厚さや銅層に形成されるパターンの形状によっては、銅層のパターン間に残留応力（引張応力）が生じるため、加熱時の反り変化によってセラミックス基板が割れることがある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、セラミックス基板の割れを抑制できる絶縁回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板の一方の面に回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面に金属層が形成された絶縁回路基板であって、前記回路層は、前記セラミックス基板に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１アルミニウム層と、前記第１アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第１銅層と、を有し、前記セラミックス基板は、第１分割溝により複数のセラミックス片に分割されるとともに、前記回路層は、第２分割溝により複数の回路パターンに分割され、前記セラミックス基板の第１分割溝は、前記回路層の第２分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第２分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、前記単独部分においては、その分割溝に沿って前記第１アルミニウム層が分割され、前記第１銅層は、該分割溝上にまたがって配置されている。
【０００８】
本発明では、回路層を複数の回路パターンに分割する第２分割溝とは異なる部位に第１分割溝の単独部分が形成され、当該単独部分においては第１アルミニウム層が分断されているので、複数の回路パターンに熱伸縮が生じても、セラミックス基板に熱応力が生じにくい。したがって、加熱時の反り変化によってセラミックス基板が割れることを抑制できる。
【０００９】
本発明の絶縁回路基板の好ましい態様としては、前記第１分割溝は、前記セラミックス基板の辺に平行に形成されているとよい。
【００１０】
上記態様では、第１分割溝がセラミックス基板の辺に平行に形成されているので、当該絶縁回路基板を製造するのが容易となる。
【００１１】
本発明の絶縁回路基板の好ましい態様としては、前記第１銅層の厚さは、０．８ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であるとよい。
【００１２】
第１銅層の厚さが０．８ｍｍ未満であると、第２分割溝により分断された回路層の複数の回路パターンに生じる熱応力が小さいため、上記対策を施す必要性が乏しい。一方、第１銅層の厚さが３．０ｍｍを超えると、複数の回路パターンに生じる熱応力が大きいため、第１アルミニウム層を介してセラミックス基板に固定されたとしても、各回路パターンの略中央においてセラミックス基板に割れが生じる可能性がある。
【００１３】
本発明の絶縁回路基板の製造方法は、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１アルミニウム層と、前記第１アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第１銅層とからなる回路層が形成され、前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２アルミニウム層と、前記第２アルミニウム層に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第２銅層とからなる金属層が形成された絶縁回路基板の製造方法であって、前記セラミックス基板の一方の面に前記第１アルミニウム層を接合するとともに、前記セラミックス基板の他方の面に前記第２アルミニウム層を接合した後、前記セラミックス基板を第１分割溝により分割して複数のセラミックス片を形成するとともに、前記第１分割溝の一部と重なって配置される第２分割溝により前記第１アルミニウム層を分割して複数のパターンを形成する分割工程と、前記分割工程後に、複数の前記セラミックス片のそれぞれを前記第２銅層上に間隔を開けて配置するとともに、複数の前記セラミックス片の上面に前記第１銅層を重ねて積層体を形成し、前記積層体を加圧及び加熱することにより前記第１アルミニウム層及び前記第１銅層、並びに前記第２アルミニウム層及び前記第２銅層を固相拡散接合させる接合工程と、を備え、前記分割工程における前記セラミックス基板を分割する前記第１分割溝は、前記第２分割溝と重なって配置される重複部分と、前記第２分割溝とは異なる部位に前記重複部分を延長して形成される単独部分と、を有し、前記接合工程における前記第１銅層は、前記第１アルミニウム層の複数のパターンと同じ複数のパターンに分断されており、その少なくとも一つは、前記単独部分において、その分割溝上にまたがって配置されて接合される。
【００１４】
本発明では、第２分割溝により複数のパターンに分断された第１アルミニウム層及び第２アルミニウム層が接合されたセラミックス片を第２銅層上に配置し、その上に第１銅層を配置して、加圧及び加熱する方法で、これらを一体化できる。この場合、分割溝の配置のみ工夫すればよく、接合工程自体は、通常のアルミニウム及び銅の二層積層構造のものと同様であり、特別の設備を必要としない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、回路層の回路パターンに熱応力が生じることにより発生するセラミックス基板の割れを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る複数の回路パターンが形成された絶縁回路基板を回路層側から見た図である。
【図２】図１に示す絶縁回路基板のＡ１−Ａ１線に沿う矢視断面図である。
【図３】図１に示す絶縁回路基板のＢ１−Ｂ１線に沿う矢視断面図である。
【図４】図１に示す絶縁回路基板のＣ１−Ｃ１線に沿う矢視断面図である。
【図５】上記実施形態における絶縁回路基板の製造方法を示す図である。
【図６】上記実施形態の第１変形例における絶縁回路基板を回路層側から見た図である。
【図７】上記実施形態の第２変形例における絶縁回路基板を回路層側から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。
【００１８】
［絶縁回路基板の概略構成］
図１は、本実施形態の複数の回路パターンが形成された絶縁回路基板１を回路層１２側から見た平面図であり、図２は、絶縁回路基板１のＡ１−Ａ１線に沿う矢視断面図であり、図３は絶縁回路基板１のＢ１−Ｂ１線に沿う矢視断面図であり、図４は、絶縁回路基板１のＣ１−Ｃ１線に沿う矢視断面図である。
【００１９】
絶縁回路基板１は、図１に示すように、平面視で縦寸法７０ｍｍ及び横寸法３６ｍｍの矩形状に形成されている。このような絶縁回路基板１は、図２〜４に示すように、セラミックス基板１１と、セラミックス基板１１の一方の面に形成された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面に形成された金属層１３とを備えている。これら回路層１２及び金属層１３は、セラミックス基板１１よりも若干小さい矩形板状に形成されている。
【００２０】
セラミックス基板１１は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなるセラミックス材料により形成され、厚さが０．３ｍｍ〜１．０ｍｍとされている。また、セラミックス基板１１は、平面視で矩形板状に形成され、回路層１２及び金属層１３のそれぞれよりも若干大きく形成されている。また、セラミックス基板１１は、複数の第１分割溝Ｌ１により３つのセラミックス片１０１〜１０３に分割されている。これら第１分割溝Ｌ１は、絶縁回路基板１の幅方向に沿って横断するように形成され、各第１分割溝Ｌ１は、相互に平行に形成されている。
【００２１】
回路層１２は、セラミックス基板１１に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１アルミニウム層１２１と、第１アルミニウム層１２１に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第１銅層１２２と、を有している。この回路層１２は、第２分割溝Ｌ２により複数（３つ）の回路パターンＰ１〜Ｐ３に分割されている。例えば、図１に示すように、矩形状の回路パターンＰ２と、回路パターンＰ２の三方を囲む回路パターンＰ１と、回路パターンＰ１の端部と間隔をあけて配置される矩形状の回路パターンＰ３とに、第２分割溝Ｌ２により分割されている。
【００２２】
金属層１３は、セラミックス基板１１に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２アルミニウム層１３１と、第２アルミニウム層１３１に固相拡散接合された銅又は銅合金からなる第２銅層１３２と、を有している。これらのうち、第２アルミニウム層１３１は、セラミックス基板１１とともに第１分割溝Ｌ１により分割されている。一方、第２銅層１３２は、第１分割溝Ｌ１及び第２分割溝Ｌ２のいずれにも分割されることがない。すなわち、１枚の銅板として存在している。
【００２３】
また、第１アルミニウム層１２１及び第２アルミニウム層１３１の厚さは、０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定され、第１銅層１２２及び第２銅層１３２の厚さは、０．８ｍｍ以上３．０ｍｍ以下に設定されている。これらのうち、第１銅層１２２の厚さが０．８ｍｍ未満であると、第２分割溝Ｌ２により分断された回路層１２の複数の回路パターンＰ１〜Ｐ３に生じる熱応力が小さいため、上記対策を施す必要性が乏しい。一方、第１銅層１２２の厚さが３．０ｍｍを超えると、複数の回路パターンＰ１〜Ｐ３に生じる熱応力が大きいため、第１アルミニウム層１２１を介してセラミックス基板１１に固定されたとしても、各回路パターンＰ１〜Ｐ３の略中央においてセラミックス基板１１に割れが生じる可能性がある。
【００２４】
［第１分割溝の構成］
第１分割溝Ｌ１は、セラミックス基板１１の辺に平行に形成されている。この第１分割溝Ｌ１は、例えば、図１の破線に示す位置に形成され、セラミックス基板１１を３つのセラミックス片１０１〜１０３に分割する。この第１分割溝Ｌ１は、回路層１２を回路パターンＰ１と回路パターンＰ２とに分割する第２分割溝Ｌ２の一部と重なって配置されるとともに、回路層１２を回路パターンＰ２と回路パターンＰ３とに分割する第２分割溝Ｌ２と重なっている。これらのうち、回路層１２の第２分割溝Ｌ２と重なって配置される部分を重複部分Ｌ１１とし、第２分割溝Ｌ２と重なっていない部分を単独部分Ｌ１２とする。単独部分Ｌ１２は、第２分割溝Ｌ２とは異なる部位に重複部分Ｌ１１を延長して形成される。本実施形態では、図１〜図３に示すように、回路層１２を回路パターンＰ１と回路パターンＰ２とに分割する第２分割溝Ｌ２の一部は、セラミックス基板１１をセラミックス片１０１とセラミックス片１０２とに分割する第１分割溝Ｌ１の重複部分Ｌ１１に重なって配置され、回路層１２を回路パターンＰ１と回路パターンＰ３とに分割する第２分割溝Ｌ２は、セラミックス基板１１をセラミックス片１０２とセラミックス片１０３とに分割する第１分割溝Ｌ１の重複部分Ｌ１１に重なって配置されている。
【００２５】
また、第１分割溝Ｌ１の単独部分Ｌ１２においては、図３に示すように、その分割溝に沿って第１アルミニウム層１２１が分割され、第１銅層１２２は、該分割溝上にまたがって配置されている。すなわち、セラミックス基板１１におけるセラミックス片１０１とセラミックス片１０２とを分割する第１分割溝Ｌ１上では、図３に示すように、セラミックス基板１１、第１アルミニウム層１２１及び第２アルミニウム層１３１は、第１分割溝Ｌ１の単独部分Ｌ１２により分割されているが、回路パターンＰ１を構成する第１銅層１２２は、単独部分Ｌ１２において、分割されていない。
【００２６】
［絶縁回路基板の製造方法］
次に、以上のように構成される絶縁回路基板１の製造方法について説明する。この製造方法は、セラミックス基板１１にスクライブライン１１１を形成し、そのセラミックス基板１１に各アルミニウム板１２１Ａ，１３１Ａを接合した後、複数のセラミックス片１０１〜１０３に分割する分割工程と、分割工程後に第２銅板１３２Ａ上に各セラミックス片１０１〜１０３を配置し、その上に第１銅板１２２Ａを重ねて積層体とし、この積層体を加圧加熱することにより接合する接合工程と、を備える（図５参照）。また、接合工程は、スクライブライン形成工程、アルミニウム層形成工程及び個片化工程と、を有している。
以下、各工程のそれぞれについて、工程順に説明する。
【００２７】
［スクライブライン形成工程］
まず、図５（ａ）に示すように、セラミックス基板１１（縦７０ｍｍ×横３６ｍｍ）の一方の面（回路層１２が形成される側の面）に、各セラミックス片１０１〜１０３を分割するためのスクライブライン１１１を形成する。このスクライブライン１１１は、例えば、レーザ光を照射することにより、セラミックス基板１１の一方の面を線状に除去して形成される。これらスクライブライン１１１は、セラミックス基板１１に形成される溝部であり、セラミックス基板１１の分割の起点となる。なお、スクライブライン１１１の加工は、例えばＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ等によっても加工可能である。
【００２８】
［アルミニウム層形成工程］
次に、スクライブライン１１１が形成されたセラミックス基板１１の一方の面に第１アルミニウム層１２１を形成し、他方の面に第２アルミニウム層１３１を形成する。具体的には、セラミックス基板１１を洗浄液等により洗浄した後、第１アルミニウム層１２１となる第１アルミニウム板１２１Ａを配置し、他方の面に第２アルミニウム層１３１となる第２アルミニウム板１３１Ａを配置し、ろう材を介して接合した後、これらの積層体をカーボン板により挟持し、積層方向に荷重をかけながら真空中で加熱することにより、セラミックス基板１１と各アルミニウム板１２１Ａ，１３１Ａを接合する。
【００２９】
［個片化工程］
そして、図５（ｂ）に示すように、セラミックス基板１１をスクライブライン１１１により分割して複数のセラミックス片１０１〜１０３とする。また、この際、第１分割溝Ｌ１の一部と重なって配置される第２分割溝Ｌ２により第１アルミニウム層１２１を分割して複数のパターンを、例えば、エッチング等により形成する。
なお、これら複数のパターン形成は、エッチングにより行うこととしたが、第２分割溝Ｌ２により予め複数のパターンに分断された第１アルミニウム板１２１Ａを接合することにより形成してもよい。
【００３０】
［接合工程］
分割工程後、複数のセラミックス片１０１〜１０３を図５（ｃ）に示すように、第２銅層１３２となる第２銅板１３２Ａ上に間隔を開けて配置する。そして、複数のセラミックス片１０１〜１０３の上面に第２分割溝Ｌ２により分割されて第１アルミニウム層１２１の複数のパターンと同形状の複数のパターンに分断された第１銅層１２２となる第１銅板１２２Ａを配置する。この際、第１分割溝Ｌ１の単独部分Ｌ１２においては、第１銅板１２２Ａは、分割溝Ｌ１上にまたがって配置される。そして、この積層体を加圧及び加熱することにより第１アルミニウム板１２１Ａ及び第１銅板１２２Ａ、並びに第２アルミニウム板１３１Ａ及び第２銅板１３２Ａを固相拡散接合させて、絶縁回路基板１を製造する。
【００３１】
本実施形態では、回路層１２を複数の回路パターンに分割する第２分割溝Ｌ２とは異なる部位に第１分割溝Ｌ１の単独部分Ｌ１２が形成され、当該単独部分Ｌ１２においては第１アルミニウム層１２１が分断されているので、複数の回路パターンに熱伸縮が生じても、セラミックス基板１１に熱応力が生じにくい。したがって、加熱時の反り変化によってセラミックス基板１１が割れることを抑制できる。また、第１分割溝Ｌ１がセラミックス基板１１の辺に平行に形成されているので、当該絶縁回路基板１を製造するのが容易となる。さらに、第１銅層の厚さが０．８ｍｍ以上３．０ｍｍ以下とされているので、セラミックス基板１１に割れが生じる可能性を抑制できる。
【００３２】
なお、本発明は上記実施形態に限定されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、第２分割溝Ｌ２により３つの回路パターンＰ１〜Ｐ３に分割されることとしたが、これに限らず、回路パターンは、適宜変更できる。図６は、上記実施形態の第１変形例に係る絶縁回路基板１Ａを回路層１２Ａ側から見た平面図である。
この絶縁回路基板１Ａの回路層１２Ａは、図６に示すように、第２分割溝Ｌ２により複数（５つ）の回路パターンＰ４〜Ｐ８に分割されている。例えば、図６に示すように、第２分割溝Ｌ２は、絶縁回路基板１Ａの幅方向を直線で横断するものではなく、複数回屈曲したり、枠状に各回路パターンＰ６〜Ｐ８を囲んだりする形状である。これら第２分割溝Ｌ２は、回路層１２Ａ（セラミックス基板１１）の辺に平行に延びるとともに、複雑に入り組んでいる。このような第２分割溝Ｌ２により分断された回路パターンＰ６，Ｐ７，Ｐ８は、矩形状に形成されている。
【００３３】
なお、第１分割溝Ｌ１は、第１実施形態の第１分割溝Ｌ１と同じ位置に配置され、これらの一部は、第２分割溝Ｌ２と重なっている。具体的には、回路層１２Ａを回路パターンＰ４と回路パターンＰ５とに分割する第２分割溝Ｌ２の一部と、セラミックス基板１１をセラミックス片１０１とセラミックス片１０２とに分割する第１分割溝Ｌ１の重複部分Ｌ１１とが重なって配置されている。また、回路層１２Ａを回路パターンＰ６，Ｐ７と回路パターンＰ５，Ｐ８とに分割する第２分割溝Ｌ２の一部と、セラミックス基板１１をセラミック片１０２とセラミックス片１０３とに分割する第１分割溝Ｌ１の重複部分Ｌ１１とが重なって配置されている。
【００３４】
図７は、上記実施形態の第２変形例に係る絶縁回路基板１Ｂを回路層１２Ｂ側から見た平面図である。
この絶縁回路基板１Ｂの回路層１２Ｂは、図７に示すように、第２分割溝Ｌ２により複数（２つ）の回路パターンＰ９，Ｐ１０に分割されている。例えば、図７に示すように、回路層１２ＢにＬ字状に形成され、回路層１２Ｂを矩形状の回路パターンＰ１０と、矩形状の回路層１２Ｂの一部を矩形状に切欠いた形状の回路パターンＰ９とに分割する第２分割溝Ｌ２が形成されている。この第２分割溝Ｌ２は、回路層１２Ｂ（セラミックス基板１１）の辺に平行に延びている。
【００３５】
この第１分割溝Ｌ１は、セラミックス基板１１を横方向に分断する直線状に形成され、その一部が、第２分割溝Ｌ２と重なっている。具体的には、回路層１２Ｂを回路パターンＰ９と回路パターンＰ１０とに分割する第２分割溝Ｌ２の横方向に延びる部分と、セラミックス基板１１をセラミックス片１０１Ｂとセラミックス片１０２Ｂとに分割する第１分割溝Ｌ１の重複部分Ｌ１１とが重なって配置されている。
【００３６】
上述した第１変形例及び第２変形例のいずれにおいても、セラミックス基板１１が分割されているので、回路層１２Ａ，１２Ｂを複数の回路パターンに分割する第２分割溝Ｌ２とは異なる部位に第１分割溝Ｌ１の単独部分Ｌ１２が形成され、当該単独部分Ｌ１２においては第１アルミニウム層１２１が分断されているので、複数の回路パターンに熱伸縮が生じても、セラミックス基板１１に熱応力が生じにくい。したがって、加熱時の反り変化によってセラミックス基板１１が割れることを抑制できる。
【００３７】
上記実施形態では、第１分割溝Ｌ１は、セラミックス基板１１の辺に平行に形成されていることとしたが、これに限らない。セラミックス基板１１の辺に交差する方向に形成されていてもよい。すなわち、セラミックス基板１１の割れを抑制できれば、いずれの位置に形成されていてもよい。
【００３８】
上記実施形態では、第１分割溝Ｌ１により、セラミックス基板１１、第１アルミニウム層１２１及び第２アルミニウム層１３１が分割されていることとしたが、これに限らず、第２アルミニウム層１３１は、分割されていなくてもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１  １Ａ  １Ｂ  絶縁回路基板
１１  セラミックス基板
１２  １２Ａ  １２Ｂ  回路層
１２１  第１アルミニウム層
１２２  第１銅層
１３  金属層
１３１  第２アルミニウム層
１３２  第２アルミニウム層
１０１  １０２  １０３  １０１Ａ  １０２Ｂ  セラミックス片
Ｐ１  Ｐ２  Ｐ３  Ｐ４  Ｐ５  Ｐ６  Ｐ７  Ｐ８  Ｐ９  Ｐ１０  回路パターン
Ｌ１  第１分割溝
Ｌ１１  重複部分
Ｌ１２  単独部分
Ｌ２  第２分割溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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