(57)【要約】【課題】つなぎ領域に発生する露光スジを緩和することができる描画装置、及び描画方法を提供する。【解決手段】描画装置１は、光学ユニット４０と、制御部６０とを備える。光学ユニット４０が多重露光処理を行うように、制御部６０が光学ユニット４０を制御する。多重露光処理は、複数の露光処理を含む。露光処理は、基板Ｗの所定領域Ｗ１に対して光学ユニット４０により描画光を照射する処理を示す。複数の露光処理の各々は、つなぎ領域Ｇ３が形成されるように光学ユニット４０により描画光を並列に照射する処理を含む。つなぎ領域Ｇ３は、並列に照射された描画光の照射領域の一部同士が重なる領域を示す。【選択図】図８
2020046460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に描画光を照射することで前記基板にパターンを描画する描画装置であって、
前記描画光を照射する照射部と、
前記照射部を制御する制御部と
を備え、
前記照射部が多重露光処理を行うように、前記制御部が前記照射部を制御し、
前記多重露光処理は、前記基板の所定領域に対して前記照射部により前記描画光を照射する露光処理を複数含み、
前記複数の露光処理の各々は、つなぎ領域が形成されるように前記照射部により前記描画光を並列に照射する処理を含み、
前記つなぎ領域は、前記並列に照射された前記描画光の照射領域の一部同士が重なる領域を示す、描画装置。
【請求項２】
前記多重露光処理により形成された複数の前記つなぎ領域が、互いに重ならない場所に位置する、請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記複数の露光処理のうちの少なくとも２つの露光処理では前記基板に同一のパターンが描画されるように、前記制御部が前記照射部を制御する、請求項１、又は請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記つなぎ領域はパターンが描画される領域である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記多重露光処理により前記基板に所定パターンが描画される場合、前記露光処理毎に前記基板に照射された前記描画光の露光量の各々の合計が、前記所定パターンを描画するために必要な必要露光量と略等しくなるように、前記制御部が前記照射部を制御する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記基板を保持するステージと、
前記照射部に対して前記ステージを移動させる駆動機構と
をさらに備え、
前記照射部に対する前記ステージの移動速度が速くなる程、前記基板に対する前記描画光の露光量が減少するように、前記制御部が前記駆動機構を制御することで前記描画光の露光量を調整する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記基板に対する前記描画光の照射位置と、前記描画光の露光量との関係を示すグラフは、台形状に形成される部分を有し、
前記台形状の部分は、前記露光量が一定の中央部と、前記中央部に連なり、前記中央部から離間するのに伴って前記露光量が逓減する一対の端部とを有し、
前記一対の端部の間には前記中央部が位置する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記複数の露光処理は、第１の露光処理と、第２の露光処理とを含み、
前記第１の露光処理時に前記基板に照射された前記描画光の第１露光量が、前記第２の露光処理時に前記基板に照射された前記描画光の第２露光量と等しく、又は、前記第１露光量が前記第２露光量と異なる、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
基板に描画光を照射することで前記基板にパターンを描画する描画方法であって、
多重露光処理を行う多重露光工程を含み、
前記多重露光処理は、前記基板の所定領域に対して前記描画光を照射する露光処理を複数含み、
前記複数の露光処理の各々は、つなぎ領域が形成されるように前記描画光を並列に照射する処理を含み、
前記つなぎ領域は、前記並列に照射された前記描画光の照射領域の一部同士が重なる領域を示す、描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、描画装置、及び描画方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載の描画装置は、露光すべき領域を複数のフィールドに分離すると共に、フィールドを複数のサブフィールドに分離する。そして、特許文献１に記載の描画装置は、分離したフィールド毎に可変成形の電子ビームを用いて逐次露光処理を施し、かつ隣接するフィールドの境界部で多重露光処理を行って基板上に所望のパターンを露光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２６０６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、パターン現像後に、境界部（つなぎ領域）に露光スジが発生するおそれがあった。境界部の露光スジは、境界部におけるパターンの不連続性（例えば、パターンの途切れ、太り、又は細り）の原因とも成り得る。露光スジは、所望のパターンではないため、外観検査時にＮＧとなるおそれがあった。また、感光性絶縁膜が用いられる場合、露光スジが発生すると、露光スジが製品中に残る。この場合、露光スジが製品の電気的特性に直接に影響しなくても許容されない。
【０００５】
本発明は、つなぎ領域に発生する露光スジを緩和することができる描画装置、及び描画方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の局面によれば、描画装置は、基板に描画光を照射することで前記基板にパターンを描画する。描画装置は、照射部と、制御部とを備える。照射部は、前記描画光を照射する。制御部は、前記照射部を制御する。前記照射部が多重露光処理を行うように、前記制御部が前記照射部を制御する。前記多重露光処理は、複数の露光処理を含む。露光処理は、前記基板の所定領域に対して前記照射部により前記描画光を照射する処理を示す。前記複数の露光処理の各々は、つなぎ領域が形成されるように前記照射部により前記描画光を並列に照射する処理を含む。前記つなぎ領域は、前記並列に照射された前記描画光の照射領域の一部同士が重なる領域を示す。
【０００７】
本発明の描画装置において、前記多重露光処理により形成された複数の前記つなぎ領域が、互いに重ならない場所に位置する。
【０００８】
本発明の描画装置において、前記複数の露光処理のうちの少なくとも２つの露光処理では前記基板に同一のパターンが描画されるように、前記制御部が前記照射部を制御する。
【０００９】
本発明の描画装置において、前記つなぎ領域はパターンが描画される領域である。
【００１０】
本発明の描画装置において、前記多重露光処理により前記基板に所定パターンが描画される場合、前記露光処理毎に前記基板に照射された複数の前記描画光の露光量の合計が、前記所定パターンを描画するために必要な必要露光量と略等しくなるように、前記制御部が前記照射部を制御する。
【００１１】
本発明の描画装置は、ステージと、駆動機構とをさらに備える。ステージは、前記基板を保持する。駆動機構は、前記照射部に対して前記ステージを移動させる。前記照射部に対する前記ステージの移動速度が速くなる程、前記基板に対する前記描画光の露光量が減少するように、前記制御部が前記駆動機構を制御することで、前記描画光の露光量を調整する。
【００１２】
本発明の描画装置において、前記基板に対する前記描画光の照射位置と、前記描画光の露光量との関係を示すグラフは、台形状に形成される部分を有する。前記台形状の部分は、中央部と、一対の端部とを有する。中央部では、前記露光量が一定である。一対の端部は、前記中央部に連なる。一対の端部では、前記中央部から離間するのに伴って前記露光量が逓減する。前記一対の端部の間には前記中央部が位置する。
【００１３】
本発明の描画装置において、前記複数の露光処理は、第１の露光処理と、第２の露光処理とを含む。前記第１の露光処理時に前記基板に照射された前記描画光の第１露光量が、前記第２の露光処理時に前記基板に照射された前記描画光の第２露光量と等しく、又は、前記第１露光量が前記第２露光量と異なる。
【００１４】
本発明の第２の局面によれば、描画方法は、基板に描画光を照射することで前記基板にパターンを描画する。描画方法は、多重露光処理を行う多重露光工程を含む。前記多重露光処理は、複数の露光処理を含む。露光処理は、前記基板の所定領域に対して前記描画光を照射する処理を示す。前記複数の露光処理の各々は、つなぎ領域が形成されるように前記描画光を並列に照射する処理を含む。前記つなぎ領域は、前記並列に照射された前記描画光の照射領域の一部同士が重なる領域を示す。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の描画装置、及び描画方法によれば、つなぎ領域に発生する露光スジを緩和することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る描画装置の構成を模式的に示す側面図である。
【図２】描画装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図３】描画装置の構成を示すブロック図である。
【図４】描画装置が基板にパターンを描画する手順を示すブロック図である。
【図５】第１の露光処理が行われている状態を示す模式図である。
【図６】第１グラフの一部拡大図である。
【図７】第２の露光処理が行われている状態を示す模式図である。
【図８】基板に描画された所定パターンを示す模式図である。
【図９】（ａ）は基板に露光量１００％の描画光が照射された状態を模式的に示す側面図である。（ｂ）は従来のパターン現像後の基板を示す平面図である。
【図１０】（ａ）は基板に対して第１の露光処理と第２の露光処理とが行われた状態を模式的に示す側面図である。（ｂ）は本願のパターン現像後の基板を示す平面図である。
【図１１】合成グラフの第１変形例を示す図である。
【図１２】合成グラフの第２変形例を示す図である。
【図１３】合成グラフの第３変形例を示す図である。
【図１４】合成グラフの第４変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
【００１８】
図１及び図２を参照して、本発明の実施形態に係る描画装置１について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る描画装置１の構成を模式的に示す側面図である。図２は、描画装置１の構成を模式的に示す平面図である。
【００１９】
図１及び図２に示すように、描画装置１は、レジストのような感光材料の層が形成された基板Ｗに、所定のデータに応じて変調した描画光を照射することで、回路パターンのようなパターンを露光（描画）する。所定のデータは、ＣＡＤデータのようなパターンを示すデータである。本実施形態では、マスクを用いずに、描画光により基板Ｗ上の感光材料を走査することで、感光材料に直接にパターンを描画するマスクレス露光が行われる。
【００２０】
基板Ｗは、例えば、シリコンウエハ、樹脂基板、又は、ガラス・石英基板である。基板Ｗは、例えば、半導体基板、プリント基板、カラーフィルタ用基板、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、又は、太陽電池用パネルである。カラーフィルタ用基板は、例えば、液晶表示装置等に具備される。フラットパネルディスプレイ用ガラス基板は、例えば、液晶表示装置、又はプラズマ表示装置に具備される。図１及び図２には、基板Ｗとして、円形の半導体基板が例示されている。なお、基板Ｗの形状は特に限定されない。基板Ｗは、例えば、矩形状に形成されていてもよい。
【００２１】
描画装置１は、本体フレーム２を備える。本体フレーム２は、描画装置１の筐体を構成する。本体フレーム２の内部には、処理領域３と、受渡し領域４とが形成される。処理領域３と、受渡し領域４とは、互いに区分されている。
【００２２】
描画装置１は、基台５と、支持フレーム６と、カセット載置部７と、ステージ１０と、駆動機構２０と、ステージ位置計測部３０と、光学ユニット４０と、搬送装置５０と、制御部６０とをさらに備える。
【００２３】
基台５、支持フレーム６、ステージ１０、駆動機構２０、ステージ位置計測部３０、及び光学ユニット４０は、処理領域３に設置される。搬送装置５０は、受渡し領域４に設置される。カセット載置部７は、本体フレーム２の外部に設置される。
【００２４】
以下では、描画装置１が備える各部の構成について説明する。
【００２５】
基台５は、ステージ１０を支持する。支持フレーム６は、基台５に設置される。支持フレーム６は、光学ユニット４０を支持する。
【００２６】
ステージ１０は、基板Ｗを保持する。ステージ１０は、平板状の形状を有する。ステージ１０の上面には、基板Ｗを載置可能な載置面１１が形成される。ステージ１０の載置面１１には、複数の吸引孔（図示省略）が形成されている。ステージ１０の吸引孔に負圧（吸引圧）が形成されることによって、ステージ１０の載置面１１に載置された基板Ｗがステージ１０に固定される。その結果、ステージ１０は、基板Ｗを保持する。
【００２７】
駆動機構２０は、ステージ１０を移動させる。駆動機構２０は、ステージ１０を主走査方向Ｙ、副走査方向Ｘ、及び回転方向θに沿って移動させる。主走査方向Ｙは、図１及び図２に示すＹ軸の＋側方向である。副走査方向Ｘは、図１及び図２に示すＸ軸の＋側方向である。回転方向θは、図１及び図２に示すＺ軸周りの回転方向である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、互いに垂直な軸である。本実施形態では、Ｚ軸の＋側方向は、鉛直方向の上方を示す。また、本実施形態では、ステージ１０の載置面１１は、Ｘ軸及びＹ軸の各々に対して平行である。
【００２８】
駆動機構２０は、回転機構２１と、支持プレート２２と、副走査機構２３と、ベースプレート２４と、主走査機構２５とを有する。回転機構２１は、ステージ１０を回転させる。支持プレート２２は、回転機構２１を介してステージ１０を支持する。副走査機構２３は、支持プレート２２を副走査方向Ｘに沿って移動させる。ベースプレート２４は、副走査機構２３を介して支持プレート２２を支持する。主走査機構２５は、ベースプレート２４を主走査方向Ｙに沿って移動させる。
【００２９】
回転機構２１は、回転軸Ａを中心にしてステージ１０を回転させる。回転軸Ａは、ステージ１０の中心を通ると共に、Ｚ軸に対して平行な軸である。
【００３０】
回転機構２１は、例えば、回転軸部２１１と、回転駆動部２１２とを含む。回転軸部２１１は、載置面１１の裏側に固定され、Ｚ軸に沿って延びる。回転駆動部２１２は、例えば、モータを含む。回転駆動部２１２は、回転軸部２１１の下端に設けられ、回転軸部２１１を回転させる。回転駆動部２１２が回転軸部２１１を回転させることにより、ステージ１０が回転軸Ａを中心として回転する。
【００３１】
副走査機構２３は、リニアモータ２３１を有する。リニアモータ２３１は、移動子と、固定子とで構成される。移動子は、支持プレート２２の下面に取り付けられる。固定子は、ベースプレート２４の上面に敷設される。
【００３２】
ベースプレート２４には、副走査方向Ｘに延びる一対のガイド部材２３２が敷設される。各ガイド部材２３２と支持プレート２２との間には、ボールベアリングが設置されている。ボールベアリングは、ガイド部材２３２に沿って摺動する。
【００３３】
支持プレート２２は、ボールベアリングを介して一対のガイド部材２３２に支持される。リニアモータ２３１が動作すると、支持プレート２２はガイド部材２３２に案内されつつ、副走査方向Ｘに沿って移動する。
【００３４】
主走査機構２５は、リニアモータ２５１を有する。リニアモータ２５１は、移動子と、固定子とにより構成される。移動子は、ベースプレート２４の下面に取り付けられる。固定子は、描画装置１の基台５上に敷設される。
【００３５】
基台５には、主走査方向Ｙに延びる一対のガイド部材２５２が敷設されている。各ガイド部材２５２とベースプレート２４との間には、例えば、エアベアリングが設置されている。エアベアリングには、ユーティリティ設備からエアが供給される。ベースプレート２４は、エアベアリングによってガイド部材２５２上に浮上する。その結果、ベースプレート２４は、ガイド部材２５２に対して非接触の状態で支持される。
【００３６】
リニアモータ２５１が動作すると、ベースプレート２４はガイド部材２５２に案内されつつ、主走査方向Ｙに沿って移動する。このとき、ベースプレート２４とガイド部材２５２との間に摩擦が生じることが回避される。
【００３７】
ステージ位置計測部３０は、ステージ１０の位置を計測する。ステージ位置計測部３０は、例えば、干渉式のレーザ測長器により構成される。ステージ位置計測部３０は、例えば、ステージ１０外からステージ１０に向けてレーザ光を出射すると共に、ステージ１０で反射したレーザ光を受光する。そして、ステージ位置計測部３０は、ステージ１０に向けて出射したレーザ光と、ステージ１０で反射したレーザ光との干渉からステージ１０の位置を計測する。ステージ１０の位置は、主走査方向Ｙの位置と、回転方向θの位置とを示す。
【００３８】
光学ユニット４０は、ステージ１０上に保持された基板Ｗに描画光を照射することで、基板Ｗにパターンを描画する。パターンは、例えば、Ｈｏｌｅ、Ｔｒｅｎｃｈ、及びＧａｔｅなど一般的なパターンである。
【００３９】
光学ユニット４０は、本発明の照射部の一例である。
【００４０】
光学ユニット４０は、光源部４０１と、ヘッド部４０２とを有する。光源部４０１は、支持フレーム６に設置される。ヘッド部４０２は、支持フレーム６に取り付けられた付設ボックスの内部に収容される。
【００４１】
光源部４０１は、Ｉ線を出射するレーザ光源として機能する。光源部４０１は、レーザ駆動部４１と、レーザ発振器４２と、照明光学系４３とを有する。
【００４２】
レーザ発振器４２は、レーザ駆動部４１からの駆動を受けて、出力ミラー（図示省略）からレーザ光であるスポットビームを出射する。スポットビームは、照明光学系４３に入射する。照明光学系４３は、スポットビームから線状の光を生成する。線状の光は、強度分布が略均一であり、光束断面が帯状のラインビームである。ラインビームは、ヘッド部４０２に入射する。以下では、ヘッド部４０２に入射したラインビームを、入射光と記載することがある。
【００４３】
なお、入射光がヘッド部４０２に入射する前の段階で入射光に絞りをかけることで、入射光の光量を調整する構成としてもよい。
【００４４】
入射光は、ヘッド部４０２において、パターンデータＰＤに応じた空間変調を施される。
【００４５】
パターンデータＰＤは、基板Ｗに対する描画光の照射位置を示す情報が画素単位で記録された情報である。
【００４６】
描画装置１は、パターンデータＰＤを示す情報を、予め取得している。描画装置１は、例えば、外部端末装置からネットワークを介してパターンデータＰＤを示す情報を受信することによって取得する。また、描画装置１は、例えば、描画装置１に接続された記録媒体からパターンデータＰＤを示す情報を読み取ることによって取得する。
【００４７】
入射光を空間変調させることは、入射光の空間分布を変化させることを示す。入射光の空間分布は、例えば、光の振幅、光の位相、及び／又は、偏光を示す。入射光の空間分布は、例えば、ＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｎｇ）を用いて生成されたパターンの設計データをラスタライズすることにより生成される。
【００４８】
ヘッド部４０２は、空間光変調ユニット４４と、投影光学系４５と、ミラー４６とを有する。
【００４９】
ヘッド部４０２に入射した入射光は、ミラー４６を介して、予め定められた角度で空間光変調ユニット４４に入射する。
【００５０】
空間光変調ユニット４４は、空間光変調器４４１を有する。空間光変調器４４１は、入射光を空間変調させることで、入射光を描画光と不要光とに分別する。そして、空間光変調器４４１は、副走査方向Ｘに沿った複数画素分の描画光を出射する。描画光は、パターンの描画に寄与する光を示す。不要光は、パターンの描画に寄与しない光を示す。
【００５１】
空間光変調器４４１は、例えば、光変調素子である固定リボンと可撓リボンとが配設された回折格子型の空間変調器で構成される。回折格子型の空間変調器は、例えば、ＧＬＶ（Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ：グレーチング・ライト・バルブ）（「ＧＬＶ」は登録商標）である。本実施形態では、ＧＬＶの最大露光幅は、レンズ交換により変更可能である。
【００５２】
回折格子型の空間変調器は、格子の深さを変更することができる回折格子であり、例えば、半導体装置製造技術を用いて製造される。
【００５３】
空間光変調器４４１は、複数の変調単位４４２（図５参照）と、ドライバ回路ユニット４４３とを有する。複数の変調単位４４２は、副走査方向Ｘに沿って並べられる。ドライバ回路ユニット４４３は、複数の変調単位４４２の各々に対して電圧を印加する。ドライバ回路ユニット４４３は、複数の変調単位４４２の各々に印加する電圧を、独立して制御することができる。
【００５４】
ドライバ回路ユニット４４３は、変調単位４４２の状態を、オフ状態、及びオン状態のうちのいずれかの状態に切り替えることができる。オフ状態は、変調単位４４２に電圧が印加されていない状態を示す。オン状態は、変調単位４４２に電圧が印加されている状態を示す。
【００５５】
変調単位４４２がオフ状態にされると、可撓リボンが撓まないので、変調単位４４２の表面は、平面となる。変調単位４４２の平面に入射光が入射すると、入射光は回折せずに正反射する。入射光は、正反射することで、０次回析光である描画光になる。描画光は、変調単位４４２から出射すると、基板Ｗに到達する。
【００５６】
変調単位４４２がオン状態にされると、可撓リボンが撓むことで、変調単位４４２の表面には溝が形成される。変調単位４４２の溝に入射光が入射すると、入射光は回析する。入射光は、回析することで、非０次回折光である不要光になる。不要光は、変調単位４４２から出射すると、基板Ｗに到達しない。
【００５７】
以下では、変調単位４４２の表面に形成される溝を、表面溝を記載することがある。
【００５８】
ドライバ回路ユニット４４３は、変調単位４４２に印加する電圧を変更することで、表面溝の深さを変更できる。表面溝の深さが変更されることで描画光の光量が調整される。
【００５９】
制御部６０は、ドライバ回路ユニット４４３を制御することで、変調単位４４２毎に描画光の出射率を調整する。描画光の出射率は、入射光量に対する出射光量の比（出射光量／入射光量）を示す。入射光量は、変調単位４４２に入射する入射光の光量を示す。出射光量は、変調単位４４２から出射する描画光の光量を示す。
【００６０】
変調単位４４２がオフ状態のとき、つまり、変調単位４４２の表面が平面のとき、描画光の出射率は出射率１００％になる。変調単位４４２の表面に表面溝が形成されると、出射率が低下する。表面溝が深くなる程、出射率が小さくなる。制御部６０は、ドライバ回路ユニット４４３を制御して、表面溝の深さを変更することで、描画光の出射率を、出射率０％から出射率１００％までの間の任意の値に調整できる。
【００６１】
変調単位４４２から出射した描画光は、投影光学系４５に入射する。
【００６２】
投影光学系４５は、空間光変調器４４１から入射する光のうち、描画光を基板Ｗに導く。投影光学系４５は、例えば、遮断板を有する。遮断板は、貫通孔が形成された板状の部材である。
【００６３】
描画光は、貫通孔を通過する。その結果、描画光は、基板Ｗに到達する。これに対し、不要光は、貫通孔を通過せず、遮断板に到達する。その結果、不要光は、遮断板により、基板Ｗに到達することが遮られる。
【００６４】
描画光が基板Ｗに到達することで、基板Ｗにパターンが描画される。１個の変調単位４４２から出射された描画光は、基板Ｗに描画されるパターンの１画素を形成する。
【００６５】
投影光学系４５は、ズームレンズ、及び／又は、対物レンズをさらに有していてもよい。ズームレンズは、描画光の幅を調整するズーム部を構成する。描画光の幅を調整することは、描画光の幅を広げること、及び／又は、描画光の幅を狭めることを示す。対物レンズは、描画光を所定の倍率で基板Ｗ上に結像させる。
【００６６】
搬送装置５０は、処理領域３への基板Ｗの搬入、及び処理領域３からの基板Ｗの搬出を行う。搬送装置５０は、複数のハンド５１と、ハンド駆動機構５２とを有する。ハンド５１は、基板Ｗを搬送する。ハンド駆動機構５２は、ハンド５１を駆動させる。
【００６７】
カセット載置部７には、未処理の基板Ｗが収容される。搬送装置５０は、カセット載置部７から基板Ｗを取り出して処理領域３に搬入すると共に、処理領域３から処理済みの基板Ｗを搬出してカセットＣに収容する。
【００６８】
次に、図３を参照して、描画装置１についてさらに説明する。図３は、描画装置１の構成を示すブロック図である。
【００６９】
図３に示すように、描画装置１は、入力部７０と、記憶部８０とをさらに備える。
【００７０】
入力部７０は、描画装置１に対する指示を受け付ける。ユーザーは、例えば、基板Ｗにパターンを描画する指示を入力部７０から入力する。入力部７０は、例えば、描画装置１の筐体に設けられた操作キー、又は、描画装置１と通信可能に接続されたＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）のような端末である。
【００７１】
記憶部８０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）のような主記憶装置（例えば、半導体メモリー）を含み、補助記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）をさらに含んでもよい。主記憶装置、及び／又は，補助記憶装置は、制御部６０によって実行される種々のコンピュータープログラムを記憶する。
【００７２】
制御部６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）及びＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。制御部６０は、描画装置１の各要素を制御する。具体的には、制御部６０のプロセッサーは、記憶部８０に記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、駆動機構２０と、ステージ位置計測部３０と、光学ユニット４０と、搬送装置５０と、入力部７０と、記憶部８０とを制御する。
【００７３】
本実施形態では、制御部６０は、基板Ｗに対する描画光の露光量を調整する場合、描画光のエネルギーを変更せず、ステージ１０の移動速度を変更する。具体的には、制御部６０は、基板Ｗに対する描画光の露光量を減少させる場合、駆動機構２０を制御して、光学ユニット４０に対するステージ１０の移動速度を速くする。その結果、基板Ｗに対する描画光の照射時間が短くなるので、基板Ｗに対する描画光の露光量が減少する。これに対し、制御部６０は、基板Ｗに対する描画光の露光量を増加させる場合、駆動機構２０を制御して、光学ユニット４０に対するステージ１０の移動速度を遅くする。その結果、基板Ｗに対する描画光の照射時間が長くなるので、基板Ｗに対する描画光の露光量が増加する。露光量は、描画光の単位面積当たりのエネルギーと、描画光の照射時間との積である。
【００７４】
次に、図４から図８を参照して、描画装置１が基板Ｗにパターンを描画する手順について説明する。図４は、描画装置１が基板Ｗにパターンを描画する手順を示すブロック図である。
【００７５】
図４に示すように、ステップＳ１０において、入力部７０は、基板Ｗの所定領域Ｗ１に対して所定パターンＱ（図８参照）を描画する指示を受け付ける。所定パターンＱは、所望のパターンを示す。
【００７６】
本実施形態では、所定領域Ｗ１は、基板Ｗの表面の全域を示す。また、本実施形態では、所定パターンＱは、露光量１００％の描画光で描画されるパターンを示す。
【００７７】
本実施形態では、露光量は、基準の露光量１００％に対する割合で表される。本実施形態では、露光量１００％は、例えば、描画光がＴ秒間照射されたときの露光量を示す。Ｔは、０よりも大きい実数である。
【００７８】
露光量は、描画光の照射時間に比例する。従って、描画光が（Ｔ／２）秒間照射された場合、露光量は、露光量５０％になる。
【００７９】
本実施形態では、所定領域Ｗ１に対して露光量１００％の描画光が一度に照射されず、多重露光処理が行われる。多重露光処理は、描画光を多重に照射する処理を示す。
【００８０】
多重露光処理では、露光処理が重複して行われる。露光処理は、基板Ｗの所定領域Ｗ１に描画光を照射する処理を示す。本実施形態では、多重露光処理において、第１の露光処理と、第２の露光処理とが行われる。
【００８１】
ステップＳ２０において、制御部６０は、第１の露光処理を行う。本実施形態では、第１の露光処理が行われることで、所定領域Ｗ１に第１パターンＱ１が描画される。第１パターンＱ１は、露光量５０％の描画光で描画されるパターンを示す。
【００８２】
第１の露光処理は、多重露光処理のうちの１回目に行われる露光処理を示す。
【００８３】
図５は、第１の露光処理が行われている状態を示す模式図である。
【００８４】
図５に示すように、第１の露光処理は、ステージ１０により基板Ｗが保持された状態で、駆動機構２０によりステージ１０が移動されつつ、光学ユニット４０により基板Ｗに対して描画光が出射されることによって行われる。
【００８５】
以下では、第１の露光処理について具体的に説明する。
【００８６】
まず、ステージ１０により基板Ｗが保持された状態で、駆動機構２０は、ステージ１０を主走査方向Ｙに沿って移動させる。その結果、基板Ｗが、光学ユニット４０に対して主走査方向Ｙに移動する。基板Ｗから見ると、矢印ＡＲ１１に示すように、光学ユニット４０は、主走査方向Ｙに沿って基板Ｗを横断する。
【００８７】
光学ユニット４０が基板Ｗを横断する間、光学ユニット４０は、パターンデータＰＤに応じた空間変調が形成された描画光を、基板Ｗに向けて照射する。この場合、光学ユニット４０は、副走査方向Ｘに沿った複数画素分の描画光を照射しながら、主走査方向Ｙに沿って基板Ｗを横断する。
【００８８】
以下では、光学ユニット４０が主走査方向Ｙに沿って基板Ｗを横断しつつ、基板Ｗに対してパターンデータＰＤに応じた描画光を照射する処理を、主走査処理と記載することがある。
【００８９】
光学ユニット４０が主走査処理を行うと、矢印ＡＲ１１に沿った照射領域Ｇ１が基板Ｗ上に形成される。照射領域Ｇ１は、光学ユニット４０が描画光を照射する領域を示す。
【００９０】
光学ユニット４０が主走査処理を１回行うと、基板Ｗ上に１つの照射領域Ｇ１が形成される。
【００９１】
１回の主走査処理が終了すると、駆動機構２０は、ステージ１０を副走査方向Ｘに沿って所定距離だけ移動させる。その結果、基板Ｗが、光学ユニット４０に対して副走査方向Ｘに沿って所定距離だけ移動する。基板Ｗからみると、矢印ＡＲ１２に示すように、光学ユニット４０は副走査方向Ｘに沿って所定距離だけ移動する。所定距離は、照射領域Ｇ１の副走査方向Ｘの寸法よりも小さい。
【００９２】
以下では、光学ユニット４０が副走査方向Ｘに沿って所定距離だけ移動することを、副走査処理と記載することがある。
【００９３】
副走査処理が終了すると、矢印ＡＲ１３に示すように、主走査処理が行われる。その結果、矢印ＡＲ１３に沿った照射領域Ｇ１が基板Ｗ上に形成される。主走査処理が終了すると、矢印ＡＲ１４に示すように、副走査処理が行われる。
【００９４】
第１の露光処理において、主走査処理と副走査処理とが交互に行われる。その結果、所定領域Ｗ１に対して描画光が並列に照射される。
【００９５】
主走査処理と副走査処理とが交互に行われることで、所定領域Ｗ１に第１パターンＱ１が描画される。基板Ｗの所定領域Ｗ１に第１パターンＱ１が描画されると、第１の露光処理が終了する。
【００９６】
照射領域Ｇ１について説明する。
【００９７】
主走査処理と副走査処理とが交互に行われることで、基板Ｗの所定領域Ｗ１には、複数の照射領域Ｇ１が形成される。複数の照射領域Ｇ１の各々は、主走査方向Ｙに沿って延びる。複数の照射領域Ｇ１は、並列に配置され、副走査方向Ｘに沿って並ぶ。
【００９８】
照射領域Ｇ１は、一重照射領域Ｇ２と、つなぎ領域Ｇ３とを含む。一重照射領域Ｇ２は、隣り合う照射領域Ｇ１同士が重ならない領域を示す。第１の露光処理が行われる際に、一重照射領域Ｇ２に対しては、描画光が一重に照射される。
【００９９】
つなぎ領域Ｇ３は、隣り合う照射領域Ｇ１の一部同士が重なる領域を示す。第１の露光処理が行われる際に、つなぎ領域Ｇ３に対しては、描画光が２重に照射される。つなぎ領域Ｇ３は、例えば、２０μｍの幅を有する。
【０１００】
以下では、第１の露光処理が行われる際に、基板Ｗ上に形成されるつなぎ領域Ｇ３を、第１つなぎ領域Ｇ３１と記載することがある。
【０１０１】
図５は、第１グラフＪ１をさらに示す。図５を参照して第１グラフＪ１について説明する。
【０１０２】
図５に示すように、第１グラフＪ１は、第１の露光処理が行われたときの、描画光の露光量と、副走査方向Ｘの位置との関係を示したグラフである。第１グラフＪ１の縦軸は、第１の露光処理時の描画光の露光量を示す。第１グラフＪ１の横軸は、主走査方向Ｙの位置が位置Ｙ１のときの、副走査方向Ｘの位置を示す。位置Ｙ１は、主走査方向Ｙにおいて、基板Ｗの中心Ｗ２が位置する場所を示す。
【０１０３】
第１の露光処理が行われると、位置Ｙ１において、一重照射領域Ｇ２と、第１つなぎ領域Ｇ３１とが、副走査方向Ｘに沿って交互に配置される。
【０１０４】
一重照射領域Ｇ２には、露光量５０％の描画光が照射される。その結果、一重照射領域Ｇ２に第１パターンＱ１が描画される。
【０１０５】
第１グラフＪ１は、台形状に変化する部分を有する。台形状の部分は、第１中央部Ｊ１１と、一対の第１端部Ｊ１２とを有する。第１中央部Ｊ１１は、露光量が露光量５０％で一定の部分である。一対の第１端部Ｊ１２の各々は、第１中央部Ｊ１１に連なり、第１中央部Ｊ１１から離間するのに伴って露光量が逓減する。本実施形態では、一対の第１端部Ｊ１２の各々において、第１中央部Ｊ１１から離間するのに伴って描画光の出射率が逓減されることで、露光量が逓減する。一対の第１端部Ｊ１２の間には第１中央部Ｊ１１が位置する。
【０１０６】
次に、図５及び図６を参照して、第１つなぎ領域Ｇ３１に照射される描画光の露光量について説明する。図６は、第１グラフＪ１の一部拡大図である。
【０１０７】
図５及び図６に示すように、第１つなぎ領域Ｇ３１において、描画光Ｈ１の露光量と、描画光Ｈ２の露光量とは、副走査方向Ｘの位置に応じて、露光量０％から露光量５０％の間で変化する。描画光Ｈ１は、第１つなぎ領域Ｇ３１に重ねて照射される２つの描画光のうちの一方の描画光を示す。描画光Ｈ２は、第１つなぎ領域Ｇ３１に重ねて照射される２つの描画光のうちの他方の描画光を示す。
【０１０８】
図６は、任意位置Ｘαと、露光量α１％と、露光量α２％とを示す。任意位置Ｘαは、第１つなぎ領域Ｇ３１内の副走査方向Ｘの任意の位置を示す。露光量α１％は、任意位置Ｘαに照射される描画光Ｈ１の露光量を示す。露光量α２％は、任意位置Ｘαに照射される描画光Ｈ２の露光量を示す。
【０１０９】
露光量α１％と、露光量α２％との和は、露光量５０％である。その結果、第１つなぎ領域Ｇ３１に露光量５０％の描画光が照射されたことに相当するので、第１つなぎ領域Ｇ３１に第１パターンＱ１を描画することが可能になる。
【０１１０】
全ての一重照射領域Ｇ２と、全ての第１つなぎ領域Ｇ３１とに第１パターンＱ１が描画されることで、所定領域Ｗ１の全域に第１パターンＱ１が描画される。
【０１１１】
図３に示すように、所定領域Ｗ１に第１パターンＱ１が描画されると、ステップＳ２０に示す第１の露光処理が終了する。その結果、処理がステップＳ３０に移行する。
【０１１２】
ステップＳ３０において、制御部６０は、第２の露光処理を行う。本実施形態では、第２の露光処理が行われることで、所定領域Ｗ１の第１パターンＱ１上に第２パターンＱ２が描画される。第２パターンＱ２は、露光量５０％の描画光で描画されるパターンを示す。
【０１１３】
第２の露光処理では、所定領域Ｗ１に対して多重露光のうちの２回目の露光処理が行われる。
【０１１４】
図７は、第２の露光処理が行われている状態を示す模式図である。
【０１１５】
図７に示すように、第２の露光処理において、主走査処理と副走査処理とが交互に行われる。その結果、基板Ｗの所定領域Ｗ１に第２パターンＱ２が描画される。
【０１１６】
基板Ｗの所定領域Ｗ１に第２パターンＱ２が描画されると、処理が終了する。
【０１１７】
図７は、第２グラフＪ２をさらに示す。図７を参照して第２グラフＪ２について説明する。
【０１１８】
図７に示すように、第２グラフＪ２は、第２の露光処理が行われたときの、描画光の露光量と、副走査方向Ｘの位置との関係を示したグラフである。第２グラフＪ２の縦軸は、第２の露光処理時の描画光の露光量を示す。第２グラフＪ２の横軸は、主走査方向Ｙの位置が位置Ｙ１のときの、副走査方向Ｘの位置を示す。
【０１１９】
第２の露光処理が行われると、位置Ｙ１において、一重照射領域Ｇ２と、つなぎ領域Ｇ３とが、副走査方向Ｘに沿って交互に配置される。
【０１２０】
第２グラフＪ２は、台形状に変化する部分を有する。台形状の部分は、第２中央部Ｊ２１と、一対の第２端部Ｊ２２とを有する。第２中央部Ｊ２１は、露光量が露光量５０％で一定の部分である。一対の第２端部Ｊ２２の各々は、第２中央部Ｊ２１に連なり、第２中央部Ｊ２１から離間するのに伴って露光量が逓減する。本実施形態では、一対の第２端部Ｊ２２の各々において、第２中央部Ｊ２１から離間するのに伴って描画光の出射率が逓減されることで、露光量が逓減する。一対の第２端部Ｊ２２の間には第２中央部Ｊ２１が位置する。
【０１２１】
以下では、第２の露光処理が行われる際に、基板Ｗ上に形成されるつなぎ領域Ｇ３を、第２つなぎ領域Ｇ３２と記載することがある。
【０１２２】
一重照射領域Ｇ２には、露光量５０％の描画光が照射される。その結果、一重照射領域Ｇ２に第２パターンＱ２が描画される。
【０１２３】
図６に示すように、第２つなぎ領域Ｇ３２に対しても、第１つなぎ領域Ｇ３１と同様に、露光量の和が露光量５０％になるように描画光が２重に照射される。その結果、第２つなぎ領域Ｇ３２に第２パターンＱ２が描画される。
【０１２４】
次に、図８を参照して、基板Ｗに描画された所定パターンＱについて説明する。図８は、基板Ｗに描画された所定パターンＱを示す模式図である。
【０１２５】
図８に示すように、第１の露光処理と第２の露光処理とが行われることで、基板Ｗの所定領域Ｗ１には、第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２とが形成される。第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２とは、主走査方向Ｙに沿って延びる。第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２とは、副走査方向Ｘに沿って交互に配置される。第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２とは、互いに重ならない場所に配置される。なお、重なることは、Ｚ軸の延びる方向に重なることを示す。また、重ならないことは、Ｚ軸の延びる方向に重ならないことを示す。
【０１２６】
図８は、合成グラフＪをさらに示す。図８を参照して、合成グラフＪについてさらに説明する。
【０１２７】
図８に示すように、合成グラフＪは、露光処理毎に、描画光の露光量と、副走査方向Ｘの位置との関係を示したグラフである。本実施形態の合成グラフＪは、図５に示す第１グラフＪ１と、図７に示す第２グラフＪ２とを組み合わせたグラフである。合成グラフＪの縦軸は、第１の露光処理時の描画光の露光量と、第２の露光処理時の描画光の露光量とを示す。合成グラフＪの横軸は、主走査方向Ｙの位置が位置Ｙ１のときの、副走査方向Ｘの位置を示す。
【０１２８】
第１の露光処理と、第２の露光処理とが行われることで、基板Ｗの所定領域Ｗ１には、露光量５０％の描画光が二重に照射される。従って、所定領域Ｗ１に対して２重に照射された描画光の露光量の和が、露光量１００％になる。その結果、所定領域Ｗ１に露光量１００％の描画光が照射されたことに相当するので、所定領域Ｗ１に所定パターンＱを描画することが可能になる。
【０１２９】
次に、図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照して、基板Ｗに露光量１００％の描画光が照射されたときの基板Ｗの状態について説明する。図９（ａ）は、基板Ｗに露光量１００％の描画光が照射された状態を模式的に示す側面図である。図９（ｂ）は、従来のパターン現像後の基板Ｗを示す平面図である。
【０１３０】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、従来は、基板Ｗに所定パターンＱを描画する場合、基板Ｗに対して露光量１００％の描画光が照射されていた。つまり、露光処理が一度で済まされていた。その結果、基板Ｗのレジストの表層には、所定パターンＱの現像後に、露光スジＲが発生していた。露光スジＲは、つなぎ領域Ｇ３に発生していた。
【０１３１】
次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）を参照して、図４のステップＳ２０に示す第１の露光処理と、ステップＳ３０に示す第２の露光処理とが行われたときの基板Ｗの状態について説明する。図１０（ａ）は、基板Ｗに対して第１の露光処理と第２の露光処理とが行われた状態を模式的に示す側面図である。図１０（ｂ）は、本願のパターン現像後の基板Ｗを示す平面図である。
【０１３２】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、本願発明者は、描画装置１に第１の露光処理と第２の露光処理とを行わせることで、基板Ｗに所定パターンＱを描画した。つまり、本願発明者は、露光処理を複数行った。その結果、所定パターンＱの現像後に、つなぎ領域Ｇ３に発生する露光スジＲが緩和された。
【０１３３】
以下では、露光スジＲが緩和される原理について説明する。本願発明者は、つなぎ領域Ｇ３の露光量が多くなる程、露光スジＲが濃くなることを発見した。つなぎ領域Ｇ３の露光量は、つなぎ領域Ｇ３に重ねて照射される描画光の露光量の合計を示す。図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す従来の露光処理では、つなぎ領域Ｇ３の露光量は、露光量１００％である。これに対し、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す本願の露光処理では、つなぎ領域Ｇ３の露光量は、露光量５０％である。従って、本願のように、所定領域Ｗ１に対する露光処理を複数行うことで、つなぎ領域Ｇ３の露光量を少なくすることができる。その結果、つなぎ領域Ｇ３に発生する露光スジＲが薄くなるので、露光スジＲが緩和される。
【０１３４】
以上、図４から図１０（ｂ）を参照して説明したように、多重露光処理が行われる。本実施形態の多重露光処理は、ステップＳ２０に示す第１の露光処理と、ステップＳ３０に示す第２の露光処理とを含む。制御部６０は、駆動機構２０と光学ユニット４０とを制御することで、多重露光処理を行う。第１の露光処理では、第１つなぎ領域Ｇ３１が形成されるように、光学ユニット４０により描画光が並列に照射される。第２の露光処理では、第２つなぎ領域Ｇ３２が形成されるように、光学ユニット４０により描画光が並列に照射される。従って、露光処理を複数行うことで、露光処理を一度で済ます場合に比べて、第１つなぎ領域Ｇ３１の露光量と、第２つなぎ領域Ｇ３２の露光量とを少なくすることができる。その結果、露光スジＲを緩和することができる。
【０１３５】
また、図８に示すように、露光処理毎に形成された第１つなぎ領域Ｇ３１と第２つなぎ領域Ｇ３１とが、互いに重ならない場所に位置する。従って、露光スジＲを効果的に緩和することができる。
【０１３６】
以上、図面（図１〜図１０）を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、（１）〜（１０））。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の個数等は、図面作成の都合から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【０１３７】
（１）図８に示すように、本実施形態では、第１の露光処理では露光量５０％の描画光が照射され、第２の露光処理でも露光量５０％の描画光が照射される。つまり、第１の露光処理と、第２露光処理とでは、同一のパターンが描画される。しかし、本発明はこれに限定されない。第１の露光処理で照射される描画光の露光量と、第２の露光処理で照射される描画光の露光量との和が必要露光量と略等しければよい。必要露光量は、所定パターンＱを描画するために必要な露光量を示す。本実施形態では、必要露光量は、露光量１００％である。
【０１３８】
図１１を参照して、露光処理の第１変形例について説明する。図１１は、合成グラフＪの第１変形例ＪＡを示す図である。図１１に示すように、必要露光量が露光量１００％である場合、例えば、第１の露光処理で照射される描画光の露光量を露光量３０％とし、第２の露光処理で照射される描画光の露光量を露光量７０％としてもよい。従って、基板Ｗに露光量１００％の描画光が照射される（３０％＋７０％＝１００％）。その結果、必要露光量と等しい露光量の描画光が基板Ｗに照射されるので、基板Ｗに所定パターンＱを描画することが可能になる。
【０１３９】
（２）本実施形態では、必要露光量は、露光量１００％である。しかし、本発明は、これに限定されない。必要露光量は、露光量０％よりも大きければよい。また、必要露光量は、露光量１００％よりも大きくてもよい。
【０１４０】
図１２を参照して、露光処理の第２変形例について説明する。図１２は、合成グラフＪの第２変形例ＪＢを示す図である。図１２に示すように、必要露光量が露光量７０％である場合、例えば、第１の露光処理で照射される描画光の露光量を露光量３５％とし、第２の露光処理で照射される描画光の露光量を露光量３５％としてもよい。従って、基板Ｗに露光量７０％の描画光が照射される（３５％＋３５％＝７０％）。その結果、必要露光量と等しい露光量の描画光が基板Ｗに照射されるので、基板Ｗに所定パターンＱを描画することが可能になる。
【０１４１】
（３）本実施形態では、必要露光量は、所定領域Ｗ１の全ての位置において一定の露光量１００％である。しかし、本発明はこれに限定されない。必要露光量は、所定領域Ｗ１のうち描画光が照射される場所毎（画素毎）に異なっていてもよい。
【０１４２】
（４）本実施形態では、基板Ｗに所定パターンＱを描画する際、露光処理が２回行われる。具体的には、第１の露光処理と、第２の露光処理とが行われる。しかし、本発明はこれに限定されない。露光処理は３回以上行われてもよい。例えば、露光処理は、４回行われてもよい。
【０１４３】
図１３を参照して、露光処理が４回行われた場合の描画光の露光量について説明する。図１３は、合成グラフＪの第３変形例ＪＣを示す図である。図１３に示すように、第１の露光処理と、第２の露光処理と、第３の露光処理と、第４の露光処理とが行われてもよい。この場合、必要露光量を露光量１００％とすると、第１の露光処理〜第４の露光処理の各々において、例えば、露光量２５％の描画光が照射される。従って、基板Ｗに露光量１００％の描画光が照射される（２５％＋２５％＋２５％＋２５％＝１００％）。その結果、必要露光量と等しい露光量の描画光が基板Ｗに照射されるので、基板Ｗに所定パターンＱを描画することが可能になる。
【０１４４】
（５）図１４を参照して、第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２との位置関係の変形例について説明する。図１４は、合成グラフＪの第４変形例ＪＤを示す図である。
【０１４５】
本実施形態では、第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２とは、互いに重ならない場所に配置される（図８参照）。しかし、本発明は、これに限定されない。露光処理毎に形成されるつなぎ領域Ｇ３の位置は、特に限定されない。図１４に示すように、第１つなぎ領域Ｇ３１と、第２つなぎ領域Ｇ３２とが、互いに重なる場所に配置されてもよい。その結果、所定パターンＱの現像後に、つなぎ領域Ｇ３に発生する露光スジＲを緩和することができる。
【０１４６】
以下では、第１つなぎ領域Ｇ３１と第２つなぎ領域Ｇ３２とが互いに重なる場所に配置される場合も、露光スジＲを緩和することができる原理について説明する。本願発明者は、つなぎ領域Ｇ３の露光量が所定の閾値を超えると、露光スジＲの濃さが急に増すことを発見した。つまり、つなぎ領域Ｇ３の露光量が所定の閾値よりも少ないうちは、露光スジＲが緩和されている。従って、本願のように所定領域Ｗ１に対する露光処理を複数行うことで、つなぎ領域Ｇ３の露光量を所定の閾値よりも少なくできるので、つなぎ領域Ｇ３に形成される露光スジＲが緩和された状態を確保できる。その結果、第１つなぎ領域Ｇ３１と第２つなぎ領域Ｇ３２とが互いに重なる場所でも、露光処理を一度で済ます場合に比べて、露光スジＲを緩和することができる。
【０１４７】
（６）光学ユニット４０の光変調素子は、ＧＬＶに限定されない。光学ユニット４０の光変調素子は、描画光の出射率を変更できる構造を有していればよい。光変調素子は、例えば、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）でもよい。
【０１４８】
（７）本実施形態では、１つの光学ユニット４０が設けられる。しかし、本発明はこれに限定されない。光学ユニット４０は、例えば、２個以上設けられていてもよい。光学ユニット４０が２個設けられる場合、例えば、一方の光学ユニット４０が基板Ｗの所定領域Ｗ１のうちの半分の領域の露光を担当し、他方の光学ユニット４０が所定領域Ｗ１のうちの残り半分の露光を担当する。
【０１４９】
（８）本実施形態では、露光処理が行われる際、基板Ｗが移動する。しかし、本発明はこれに限定されない。露光処理が行われる際、光学ユニット４０が移動してもよく、基板Ｗ及び光学ユニット４０の両方が移動してもよい。なお、基板Ｗが移動することは、基板Ｗがステージ１０に保持されている状態で、ステージ１０が移動することを示す。
【０１５０】
（９）図４に示すステップＳ２０及びステップＳ３０が行われる際の、基板Ｗの移動速度について説明する。
【０１５１】
本実施形態では、ステップＳ２０及びステップＳ３０の各々において、基板Ｗの所定領域Ｗ１に対して露光量５０％の描画光を照射する場合（図５及び図７参照）、所定領域Ｗ１に対して露光量１００％の描画光を一度に照射する場合（図９（ａ）参照）と比べて、描画光のエネルギーは同じにしつつ、基板Ｗの移動速度は２倍の速さにする。その結果、所定領域Ｗ１に対して露光量１００％の描画光を一度に照射する場合と比べて、露光処理に要する時間が長くなることを抑制できる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【０１５２】
ステップＳ２０及びステップＳ３０の各々において、基板Ｗの所定領域Ｗ１に対して露光量５０％の描画光を照射する場合、露光量１００％の描画光を一度に照射する場合と比べて、描画光のエネルギーは半減させつつ、基板Ｗの移動速度は同じにしてもよい。
【０１５３】
（１０）本実施形態では、基板Ｗに描画されるパターンは、露光処理後の現像により、露光された領域が最終的に画像パターンとして残るネガパターンである。しかし、本発明はこれに限定されない。基板Ｗに描画されるパターンは、露光処理後の現像により、露光されなかった領域が残るポジパターンでもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明は、描画装置、及び描画方法の分野に利用可能である。
【符号の説明】
【０１５５】
Ｗ      基板
１      描画装置
１０    ステージ
２０    駆動機構
４０    光学ユニット（照射部）
６０    制御部
Ｇ３    つなぎ領域
Ｗ１    所定領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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