(57)【要約】【課題】異方性エッチングによってシリコン基板に形成される複数の凸部の各高さ寸法のばらつきを抑えることができる電解用電極及び電解用電極の製造方法を提供する。【解決手段】  電解用電極１は、板状のシリコン基板２と、シリコン基板２の表面２４に直接的又は間接的に形成された触媒層３と、を備える。シリコン基板２の表面２４の少なくとも一部を含む領域２０の不純物濃度は、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下である。【選択図】図１
2020033633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、前記シリコン基板に直接的又は間接的に形成された触媒層と、を備え、
前記シリコン基板の一面の少なくとも一部を含む領域の不純物濃度は、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下であり、
前記シリコン基板の前記一面の少なくとも一部には、前記触媒層が直接的又は間接的に形成される、
電解用電極。
【請求項２】
前記領域の少なくとも一部の前記不純物濃度は、１×１０１９／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下である、
請求項１記載の電解用電極。
【請求項３】
前記一面の少なくとも一部には、複数の錐体状の凸部が形成されている、
請求項１又は２記載の電解用電極。
【請求項４】
前記一面は、前記シリコン基板の（１１１）面を含む、
請求項３記載の電解用電極。
【請求項５】
前記シリコン基板は、前記領域として、前記複数の凸部と、前記複数の凸部が形成された基部とを備え、
前記凸部の前記不純物濃度は、前記基部の前記不純物濃度の１／１０００倍以上、かつ、１／１００倍以下である、
請求項３又は４記載の電解用電極。
【請求項６】
前記基部の前記不純物濃度は、１×１０１９／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下である、
請求項５記載の電解用電極。
【請求項７】
前記触媒層は、中間層を介して前記一面の少なくとも一部に形成されている、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電解用電極。
【請求項８】
シリコン基板の一面の少なくとも一部を含む領域の不純物濃度を１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下にするドーピング工程と、
前記一面の少なくとも一部にアルカリ系溶液を用いた結晶面方位異方性エッチングを施すエッチング工程と、
前記結晶面方位異方性エッチングが施された後の前記シリコン基板の前記一面の少なくとも一部に直接的又は間接的に触媒層を形成する触媒形成工程と、を備える、
電解用電極の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電解用電極、及び電解用電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、導電性ダイヤモンド膜等の導電性炭素膜により検知部を形成した電気化学センサアレイを開示している。電気化学センサアレイは、高抵抗シリコン基板などの絶縁性基板を有する。そして、絶縁性基板の表面に異方性エッチングが施された後、絶縁性基板の表面上には、センサ部として、相互に分離された複数の導電性炭素膜がマトリクス状に形成される。さらに、導電性炭素膜の表面は金及び白金等の触媒作用がある金属により化学修飾される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３２２８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
シリコン基板の表面に異方性エッチングを施すと、シリコン基板の表面には、シリコンの結晶面による複数の凸部がテクスチャ構造として形成される。しかしながら、複数の凸部の各高さ寸法のばらつきを抑えることは困難であった。
【０００５】
そこで、本開示の目的は、異方性エッチングによってシリコン基板に形成される複数の凸部の各高さ寸法のばらつきを抑えることができる電解用電極及び電解用電極の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る電解用電極は、シリコン基板と、前記シリコン基板に直接的又は間接的に形成された触媒層と、を備える。前記シリコン基板の一面の少なくとも一部を含む領域の不純物濃度は、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下である。前記シリコン基板の前記一面の少なくとも一部には、前記触媒層が直接的又は間接的に形成される。
【０００７】
本開示の一態様に係る電解用電極の製造方法は、ドーピング工程と、エッチング工程と、触媒形成工程と、を備える。前記ドーピング工程は、シリコン基板の一面の少なくとも一部を含む領域の不純物濃度を１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下にする。前記エッチング工程は、前記一面の少なくとも一部にアルカリ系溶液を用いた結晶面方位異方性エッチングを施す。前記触媒形成工程は、前記結晶面方位異方性エッチングが施された後の前記シリコン基板の前記一面の少なくとも一部に直接的又は間接的に触媒層を形成する。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本開示では、異方性エッチングによってシリコン基板に形成される複数の凸部の各高さ寸法のばらつきを抑えることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態における電解用電極の構成を示す断面図である。
【図２】図２は、同上の電解用電極の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは、同上の電解用電極の製造方法の各工程を示す図である。
【図４】図４は、同上の電解用電極が有するシリコン基板のエッチング後の状態を示す斜視図である。
【図５】図５は、同上の電解用電極の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の実施形態は、一般に、電解用電極、及び電解用電極の製造方法に関する。より詳細には、シリコン基板を備えた電解用電極、及び電解用電極の製造方法に関する。以下の実施形態において説明する各図は模式的な図であり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。なお、以下の実施形態で説明する構成は本開示の一例にすぎない。本開示は、以下の実施形態に限定されず、本開示の効果を奏することができれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【００１１】
以下では、本実施形態の電解用電極１について、図１〜４に基づいて説明する。電解用電極１は、液体を電気分解するために使用され、例えば水と塩を電気分解することで次亜塩素酸を生成する。次亜塩素酸は、空間の除菌、又は脱臭などに用いられる。なお、電解用電極が電気分解の対象とする液体は、特定の液体に限定されない。
【００１２】
図１に示すように、電解用電極１は、シリコン基板２と、シリコン基板２の表面（一面）２４に形成された触媒層３と、を備える。表面２４は、シリコン基板２の（１００）面に後述の異方性エッチングを施すことで形成される。電解用電極１は、板状に形成されている。厚み方向から見た電解用電極１の平面視形状は、三角形状、矩形状、５角形以上の多角形状、又は円形状などであり、電解用電極１の平面視形状は特定の形状に限定されない。電解用電極１の平面視形状は、シリコン基板２の平面視形状と略同じである。本実施形態の電解用電極１では、シリコン基板２の厚みが０．５ｍｍ程度であることが好ましい。また、触媒層の厚みは、膜質、及び使用環境等によって適宜決められるが、一般に厚みをできるだけ薄くしたほうが、材料コストの点で有利である。
【００１３】
図２は、電解用電極１の製造方法を示すフローチャートである。電解用電極１の製造方法は、まず、シリコンウェハを準備し、その後、ドーピング工程Ｓ１、エッチング工程Ｓ２、及び触媒形成工程Ｓ３を順次行う。図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃは、電解用電極１の製造方法の各工程を示す。
【００１４】
本実施形態のシリコン基板２は、単結晶のｐ型シリコン基板である。シリコン基板２は板状に形成されており、シリコン基板２の（１００）面が表面（一面）２５になる。
【００１５】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図３Ｃでは、電解用電極１（又はシリコン基板２）の厚みに沿った仮想的な厚み軸Ｘ１を図示している。厚み軸Ｘ１は、表面２５に直交（又は略直交）する。シリコン基板２では、表面２５から離れた深い領域を第１領域２１、及び表面２５の少なくとも一部から連続する浅い領域を第２領域２２とする。第１領域２１は、表面２５から厚み軸Ｘ１に沿った深さが寸法Ｄ１より深い領域である。第２領域２２は、表面２５から厚み軸Ｘ１に沿った深さが寸法Ｄ１より浅い領域である。また、第１領域２１は、表面２５から厚み軸Ｘ１に沿った深さが寸法Ｄ１より深く、かつ、寸法Ｄ２より浅い領域であってもよい。すなわち、第１領域Ｄ１は、表面２５から厚み軸Ｘ１に沿った深さが寸法Ｄ１より深い全領域でもよいし、又は寸法Ｄ１より深い全領域のうち、深さが寸法Ｄ１〜Ｄ２に収まる一部の領域であってもよい。そして、図３Ａでは、第１領域２１及び第２領域２２で構成される領域を領域２０と呼ぶ。寸法Ｄ１は、第２領域２２の厚み寸法であり、本実施形態では、寸法Ｄ１は１μｍ程度であることが好ましい。
【００１６】
図３Ａは、ドーピング工程Ｓ１を示す。ドーピング工程Ｓ１において、シリコン基板２に不純物として例えばボロン（Ｂ）を添加する。ドーピング工程Ｓ１では、例えばイオン注入法によってシリコン基板２の表面２５からボロンを注入する。ボロンを注入されたシリコン基板２において、不純物濃度、及び注入深さはイオンビームのドーズ量又は加速電圧などによって決まる。なお、不純物は、ボロンに限定されず、例えばガリウム（Ｇａ）であってもよい。また、シリコン基板２は単結晶のｎ型シリコン基板であってもよく、この場合の不純物には、リン（Ｐ）、又はヒ素（Ａｓ）などが用いられる。表面２５においてイオンビームの照射領域は、表面２５の全領域が好ましいが、表面２５の一部であってもよい。なお、ドーピング工程Ｓ１では、イオン注入法以外の方法で不純物が添加されてもよい。
【００１７】
そして、ドーピング工程Ｓ１では、第２領域２２の不純物濃度を第１領域２１の不純物濃度よりも低くする。具体的に、第１領域２１の不純物濃度Ｎ１は、１×１０１９／ｃｍ３ ≦Ｎ１ ≦ １×１０２０／ｃｍ３の範囲に収まるように、イオンビームのドーズ量又は加速電圧などが調整される（１×１０１９／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下）。一方、第２領域２２の不純物濃度Ｎ２は、不純物濃度Ｎ１の１／１０００以上、かつ、１／１００以下となるように、イオンビームのドーズ量又は加速電圧などが調整される（Ｎ１／１０００ ≦Ｎ２ ≦Ｎ１／１００）。すなわち、シリコン基板２では、第１領域２１と第２領域２２とを合わせた領域２０の不純物濃度は、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下になる。なお、不純物濃度Ｎ１が第１上限値と第１下限値との間に収まる場合、第１上限値及び第１下限値のそれぞれに対して、１／１０００以上、かつ、１／１００以下の係数を掛け合わせることで、不純物濃度Ｎ２の第２上限値及び第２下限値がそれぞれ求められる。
【００１８】
また、第２領域２２から第１領域２１にかけて、表面２５から厚み軸Ｘ１に沿った深さが大きくなるにつれて、連続的に又は段階的に不純物濃度が大きくなってもよい。
【００１９】
次に、図３Ｂは、エッチング工程Ｓ２を示す。エッチング工程Ｓ２では、アルカリ系溶液を用いた結晶面方位異方性エッチング（以降では、単に異方性エッチングと呼ぶ）を施す。シリコン基板２の（１００）面である表面２５に異方性エッチングが施されると、第２領域２２には、多数（複数）の錐体状（四角錐状）の凸部２３がテクスチャ構造として形成される（図４参照）。多数の錐体状の凸部２３の表面は、シリコン基板２の（１１１）面で形成される。エッチング工程Ｓ２の後では、多数の凸部２３が第１領域２１に形成されており、シリコン基板２の表面２４には多数の凸部２３の各表面が含まれる。
【００２０】
上述のように、不純物濃度Ｎ２は、不純物濃度Ｎ１の１／１０００以上、かつ、１／１００以下である。すなわち、第１領域２１の不純物濃度Ｎ１は、第２領域２２の不純物濃度Ｎ２の１００〜１０００倍程度である。シリコン基板２は、不純物濃度が高いほど、エッチング速度が遅くなり、不純物濃度が低いほど、エッチング速度が速くなる。したがって、第２領域２２でのエッチング速度は、第１領域２１でのエッチング速度よりも速くなる。すなわち、エッチング工程Ｓ２では、第２領域２２に凸部２３を比較的短時間で形成し、第１領域２１にエッチングが及ぶとエッチング速度が低下する。
【００２１】
そこで、エッチングが開始されてから第１領域２１にエッチングが及ぶまでの時間のデータを実測またはシミュレーションなどによって予め取得し、取得したデータに基づいてエッチングの実行時間を予め決定しておく。そして、エッチング工程Ｓ２では、エッチングが開始されてからの経過時間を計測し、経過時間が実行時間に達した時点で、人又は機械がシリコン基板２をエッチング液から取り出す。この場合、第１領域２１にエッチングが及ぶとエッチング速度が低下するので、エッチング速度のばらつきを考慮して実行時間を長い目に設定しても、エッチングが進み過ぎることを抑制できる。この結果、多数の錐体状の凸部２３の各高さ寸法（厚み軸Ｘ１に沿った寸法）が揃いやすくなり、シリコン基板２の表面２４に精度の良いテクスチャ構造を形成することができる。異方性エッチングによってシリコン基板２に形成される複数の凸部２３の各高さ寸法は、第２領域２２の厚み寸法Ｄ１（例えば１μｍ程度）とほぼ同じになる。すなわち、多数の錐体状の凸部２３は、互いに略同一形状（高さ寸法、及び幅寸法などが略同一）に形成される。
【００２２】
なお、以降の説明では、エッチング工程Ｓ２後の第１領域２１を基部２１と呼ぶ。すなわち、複数の凸部２３は、基部２１上に形成されている。そして、エッチング工程Ｓ２では、第２領域２２をエッチングすることで凸部２３を形成しており、領域２０は基部２１と凸部２３とで構成される。
【００２３】
次に、図３Ｃは、触媒形成工程Ｓ３を示す。触媒形成工程Ｓ３では、シリコン基板２の表面２４に触媒層３を形成する。本実施形態では、表面２４に触媒の溶液を塗布することで、触媒層３を形成することが好ましい。触媒は、例えば白金（Ｐｔ）イリジウム（Ｉｒ）、又はルテニウム（Ｒｕ）などである。この場合、触媒層３は、例えば白金、イリジウム、又はルテニウムで形成される。なお、触媒形成工程Ｓ３は、スパッタ、真空蒸着、及びイオンプレーティングなどのＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)、並びに電着（メッキ）のいずれかによって行われてもよい。
【００２４】
上述のように、電解用電極１の製造方法では、シリコン基板２に対して、ドーピング工程Ｓ１、エッチング工程Ｓ２、及び触媒形成工程Ｓ３を順次施すことによって、電解用電極１を形成する（図１参照）。
【００２５】
電解用電極１は、シリコン基板２と、シリコン基板２の表面２４に直接的に形成された触媒層３と、を備える。シリコン基板２の基部２１の不純物濃度Ｎ１は、１×１０１９／ｃｍ３ ≦Ｎ１ ≦ １×１０２０／ｃｍ３である。シリコン基板２の凸部２３の不純物濃度Ｎ２は、第２領域２２（図３Ａ参照）と同様に、Ｎ１／１０００ ≦Ｎ２ ≦Ｎ１／１００である。電解用電極１のシリコン基板２では、第２領域２２から凸部２３が形成されており、基部２１と凸部２３とで領域２０が構成される。そして、領域２０の不純物濃度は、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０個／ｃｍ３以下になる。
【００２６】
上述の電解用電極１は、領域２０の不純物濃度を、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下にする。この結果、複数の凸部２３の各高さ寸法のばらつきを抑えることができる。
【００２７】
また、上述の電解用電極１は、領域２０の不純物濃度を、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下にすることで、互いに相反する関係にあるエッチング速度と抵抗率とを両立させることができる。この結果、電解用電極１の製造時間が長くなり過ぎず、かつ、電解用電極１の電極抵抗が高くなり過ぎないようなエッチング速度及び抵抗率が得られる。このようなエッチング速度及び抵抗率を得られるということが、エッチング速度と抵抗率とを両立させることに相当する。例えば、本実施形態では、シリコン基板２の抵抗率が０．２Ω・ｃｍ以上、かつ、１Ω・ｃｍ以下の範囲にある。
【００２８】
ここで、チタン基板の表面にエッチング又はブラスト加工を施し、この表面に触媒層を形成することでも、電解用電極を作成することができる。しかしながら、チタン基板の表面の凸部の高さ寸法はシリコン基板２の凸部２３の高さ寸法よりも大きく、チタン基板の表面の凸部の高さ寸法のばらつきは、凸部２３の高さ寸法のばらつきよりも大きい。この結果、チタン基板の表面に形成された触媒層の厚み寸法のばらつきは、電解用電極１の触媒層３の厚み寸法のばらつきよりも大きくなる。この結果、チタン基板の表面に形成された触媒層は、触媒層の厚みが過度に薄くなる箇所が発生し、触媒層にクラックが発生しやすくなる。触媒層にクラックが発生すると、電解用電極の内部に塩素などが浸入し、導電性の低下などによって電解用電極の性能が劣化する可能性がある。
【００２９】
一方、本実施形態の電解用電極１の製造方法では、シリコン基板２に異方性エッチングを施すことで、シリコン基板２の第２領域２２に多数の凸部２３を形成する。多数の凸部２３の表面はシリコン基板２の（１１１）面であり、多数の凸部２３は、上述のチタン基板の表面に比べて狭ピッチで浅い凹凸のテクスチャ構造を構成することができる。したがって、シリコン基板２の表面２４に形成される触媒層３の厚みは、均一になりやすい。すなわち、触媒層３の厚みが過度に薄くなる箇所が発生しにくくなり、触媒層３の耐久性が向上する。さらには、シリコン基板２の表面２４と触媒層３とのアンカー効果がより高まり、シリコン基板２と触媒層３との密着性を向上させることができる。
【００３０】
なお、エッチング工程Ｓ２後に、凸部２３にドーピングを施して、凸部２３の不純物濃度Ｎ２を、第１領域２１の不純物濃度Ｎ１と同程度にまで大きくしてもよい。この場合、電解用電極１の抵抗率はさらに小さくなる。
【００３１】
また、電解用電極１は、領域２０の全領域において、不純物濃度を１×１０１９／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下にしてもよい。この場合、ドーピング工程Ｓ１におけるイオンビームのドーズ量又は加速電圧などの調整を簡略化することができる。
【００３２】
図５は、変形例の電解用電極１Ａを示す。
【００３３】
電解用電極１Ａは、シリコン基板２と、シリコン基板２の表面２４に間接的に形成された触媒層３と、を備える。
【００３４】
上述のエッチング工程Ｓ２の後に、シリコン基板２の表面２４に、塗布、ＰＶＤ、ＣＶＤ、並びに電着のいずれかによって中間層４を形成する。中間層４を形成すると、上述の触媒形成工程Ｓ３によって、中間層４の表面に触媒層３を形成する。シリコン基板２の表面２４と触媒層３とは、中間層４を介してつながっている。中間層４は、例えば白金からなり、シリコン基板２の表面２４と触媒層３との間で接着層として機能する。すなわち、中間層４は、シリコン基板２の表面２４と触媒層３との結合度を、上述の実施形態に比べて大きくしている。なお、中間層４は、白金以外の材料であってもよい。
【００３５】
以上のように、実施形態に係る第１の態様の電解用電極（１、１Ａ）は、シリコン基板（２）と、シリコン基板（２）に直接的又は間接的に形成された触媒層（３）と、を備える。シリコン基板（２）の表面（２４）の少なくとも一部を含む領域（２０）の不純物濃度（Ｎ１，Ｎ２）は、１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下である。シリコン基板（２）の表面（２４）の少なくとも一部には、触媒層（３）が直接的又は間接的に形成される。
【００３６】
上述の電解用電極（１、１Ａ）は、異方性エッチングによってシリコン基板２に形成される複数の凸部２３の各高さ寸法（厚み軸Ｘ１に沿った寸法）のばらつきを抑えることができる。
【００３７】
また、実施形態に係る第２の態様の電解用電極（１、１Ａ）では、第１の態様において、領域（２０）の少なくとも一部の不純物濃度（Ｎ１）は、１×１０１９／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下であることが好ましい。
【００３８】
上述の電解用電極（１、１Ａ）は、異方性エッチングによってシリコン基板２に形成される複数の凸部２３の各高さ寸法のばらつきを抑えることができる。
【００３９】
また、実施形態に係る第３の態様の電解用電極（１、１Ａ）では、第１又は第２の態様において、表面（２４）の少なくとも一部には、複数の錐体状の凸部（２３）が形成されていることが好ましい。
【００４０】
上述の電解用電極（１、１Ａ）は、シリコン基板（２）の表面（２４）と触媒層（３）との結合度をより大きくすることができる。
【００４１】
また、実施形態に係る第４の態様の電解用電極（１、１Ａ）では、第３の態様において、表面（２４）は、シリコン基板（２）の（１１１）面を含むことが好ましい。
【００４２】
上述の電解用電極（１、１Ａ）は、触媒層（３）の厚みが過度に薄くなる箇所が発生しにくくなり、触媒層（３）の耐久性が向上する。
【００４３】
また、実施形態に係る第５の態様の電解用電極（１、１Ａ）では、第３又は第４の態様において、シリコン基板（２）は、領域（２０）として、複数の凸部（２３）と、複数の凸部（２３）が形成された基部（２１）とを備える。そして、凸部（２３）の不純物濃度（Ｎ２）は、基部（２１）の不純物濃度（Ｎ１）の１／１０００倍以上、かつ、１／１００倍以下であることが好ましい。
【００４４】
上述の電解用電極（１、１Ａ）は、複数の凸部（２３）の各高さ寸法を揃えることが容易になり、シリコン基板（２）の表面（２４）に精度の良いテクスチャ構造を形成することができる。
【００４５】
また、実施形態に係る第６の態様の電解用電極（１、１Ａ）では、第５の態様において、基部（２１）の不純物濃度（Ｎ１）は、１×１０１９／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下であることが好ましい。
【００４６】
上述の電解用電極（１、１Ａ）は、異方性エッチングによってシリコン基板２に形成される複数の凸部２３の各高さ寸法のばらつきを抑えることができる。
【００４７】
また、実施形態に係る第７の態様の電解用電極（１Ａ）では、第１乃至第６の態様のいずれか一つにおいて、触媒層（３）は、中間層（４）を介して表面（２４）の少なくとも一部に形成されることが好ましい。
【００４８】
上述の電解用電極（１Ａ）は、シリコン基板（２）の表面（２４）と触媒層（３）との結合度をより大きくすることができる。
【００４９】
また、実施形態に係る第８の態様の電解用電極（１、１Ａ）の製造方法）は、ドーピング工程（Ｓ１）と、エッチング工程（Ｓ２）と、触媒形成工程（Ｓ３）と、を備える。ドーピング工程（Ｓ１）は、シリコン基板（２）の表面（２５）の少なくとも一部を含む領域（２０）の不純物濃度（Ｎ１，Ｎ２）を１×１０１６／ｃｍ３以上、かつ、１×１０２０／ｃｍ３以下にする。エッチング工程（Ｓ２）は、表面（２５）の少なくとも一部にアルカリ系溶液を用いた結晶面方位異方性エッチングを施す。触媒形成工程（Ｓ３）は、結晶面方位異方性エッチングが施された後のシリコン基板（２）の表面（２４）の少なくとも一部に直接的又は間接的に触媒層（３）を形成する。
【００５０】
上述の電解用電極（１、１Ａ）の製造方法は、異方性エッチングによってシリコン基板２に形成される複数の凸部２３の各高さ寸法のばらつきを抑えることができる。
【符号の説明】
【００５１】
１、１Ａ  電解用電極
２  シリコン基板
２０  領域
２１  基部（第１領域）
２２  第２領域
２３  凸部
２４  表面（一面）
２５  表面（一面）
３  触媒層
４  中間層
Ｎ１，Ｎ２  不純物濃度
Ｓ１  ドーピング工程
Ｓ２  エッチング工程
Ｓ３  触媒形成工程
【図１】
2020033633.tif 000003
【図２】
2020033633.tif 000004
【図３】
2020033633.tif 000005
【図４】
2020033633.tif 000006
【図５】
2020033633.tif 000007