(57)【要約】【課題】複数種のインク組成物を用いて、一括乾燥により膜を製造する場合であっても、平坦性に優れた複数種の膜を製造することができる膜の製造方法を提供する。【解決手段】膜の製造方法であって、互いに異なる固形分種を含み、試験膜の平坦度Ｒがともに６０％以上である、第１インク組成物と第２インク組成物とを準備するインク準備工程と、前記基板の第１領域に前記第１インク組成物を塗布して第１塗布層を形成する第１塗布工程と、前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域に前記第２インク組成物を塗布して第２塗布層を形成する第２塗布工程と、前記第１塗布工程と前記第２塗布工程の後、前記基板を乾燥炉内に入れて、前記第１塗布層と前記第２塗布層とを乾燥させて、第１膜と第２膜とを形成する乾燥工程と、を備え、前記インク準備工程において、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを、第１主溶媒と、第２主溶媒とが、種類において同一となるように準備する。【選択図】図２
2020009757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に第１膜と第２膜とを製造する、膜の製造方法であって、
互いに異なる固形分種を含み、試験膜の平坦度Ｒがともに６０％以上である、第１インク組成物と第２インク組成物とを準備するインク準備工程と、
前記基板の第１領域に前記第１インク組成物を塗布して第１塗布層を形成する第１塗布工程と、
前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域に前記第２インク組成物を塗布して第２塗布層を形成する第２塗布工程と、
前記第１塗布工程と前記第２塗布工程の後、前記基板を乾燥機内に入れて、前記第１塗布層と前記第２塗布層とを乾燥させて、第１膜と第２膜とを形成する乾燥工程と、を備え、
前記インク準備工程において、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを、前記第１インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第１主溶媒と、前記第２インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第２主溶媒とが、種類において同一となるように準備し、
前記試験膜は、試験基板にインク組成物を塗布して試験塗布層を形成し、前記試験基板を前記乾燥機内に入れて、前記乾燥工程での乾燥条件にて前記試験塗布層を乾燥させて得られた膜であり、
前記平坦度Ｒ（％）は、前記試験膜において、全領域の面積をＡ（μｍ２）、最小膜厚をＴｍｉｎ（ｎｍ）としたときに膜厚がＴｍｉｎ＋１０ｎｍ以下である領域の面積をＢ（μｍ２）、とすると、以下の式：
Ｒ＝（Ｂ／Ａ）×１００
で算出される、膜の製造方法。
【請求項２】
前記インク準備工程において、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを、前記第１主溶媒と、前記第２主溶媒とが、種類において同一でありかつ各成分の含有比率において異なるように準備する、請求項１に記載の膜の製造方法。
【請求項３】
前記第１主溶媒及び前記第２主溶媒は、式（１）で表される化合物を含む、請求項１又は２に記載の膜の製造方法。
2020009757.tif 000077
［式（１）中、Ｒ１は、炭素原子数が１０〜１２のアルキル基を表す。］
【請求項４】
前記第１主溶媒及び前記第２主溶媒は、式（１）で表される化合物を除く芳香族炭化水素を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
2020009757.tif 000078
［式（１）中、Ｒ１は、炭素原子数が１０〜１２のアルキル基を表す。］
【請求項５】
前記芳香族炭化水素は、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、及びテトラリンからなる群より選択される、請求項４に記載の膜の製造方法。
【請求項６】
前記第１主溶媒及び前記第２主溶媒は、芳香族エーテルを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
【請求項７】
前記芳香族エーテルは、メチルアニソール、ジメチルアニソール、エチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ブチルアニソール、ペンチルアニソール、ヘキシルアニソール、ヘプチルアニソール、オクチルアニソール、及びフェノキシトルエンからなる群より選択される、請求項６に記載の膜の製造方法。
【請求項８】
前記第１インク組成物及び前記第２インク組成物は、互いに異なる高分子化合物を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
【請求項９】
前記高分子化合物が発光性化合物である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の膜の製造方法により膜を製造する工程を含む、有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の膜の製造方法に用いられるインク組成物セットであって、
前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを少なくとも含む、インク組成物セット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜の製造方法及び有機ＥＬ素子の製造方法に関し、膜製造用のインク組成物セットにも関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）は、発光効率が高く、駆動電圧が低いことから、ディスプレイおよび照明の用途に好適に使用することが可能である。有機ＥＬ素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。有機層は、溶媒中に、有機ＥＬ材料（有機エレクトロルミネッセンス材料）等の高分子化合物を溶解させた有機ＥＬ素子用組成物を用いることで、インクジェット印刷法に代表される吐出型の塗布法を用いて形成することができる。
【０００３】
国際公開２０１３／０８８７４４号（特許文献１）には、複数種のインクの塗布のタイミングを調整することにより、画素間での断面形状のばらつきを抑制できることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２０１３／０８８７４４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者らは、複数種のインク組成物を用いて膜を製造する際に、一括乾燥を行うと、インク組成物の種類によって膜の平坦性に違いが生じるとの知見を得た。しかしながら、複数種のインク組成物を用いて膜を製造する際に、インク組成物の種類に応じて異なる乾燥条件を採用すると乾燥工程が煩雑化する。
【０００６】
本発明は、複数種のインク組成物を用いて、一括乾燥により膜を製造する場合であっても、平坦性に優れた複数種の膜を製造することができる膜の製造方法、有機ＥＬ素子の製造方法、及び膜製造用のインク組成物セットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下に示す膜の製造方法、有機ＥＬ素子の製造方法、及び膜製造用のインク組成物セットを提供する。
【０００８】
〔１〕  基板の表面に第１膜と第２膜とを製造する、膜の製造方法であって、
互いに異なる固形分種を含み、試験膜の平坦度Ｒがともに６０％以上である、第１インク組成物と第２インク組成物とを準備するインク準備工程と、
前記基板の第１領域に前記第１インク組成物を塗布して第１塗布層を形成する第１塗布工程と、
前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域に前記第２インク組成物を塗布して第２塗布層を形成する第２塗布工程と、
前記第１塗布工程と前記第２塗布工程の後、前記基板を乾燥機内に入れて、前記第１塗布層と前記第２塗布層とを乾燥させて、第１膜と第２膜とを形成する乾燥工程と、を備え、
前記インク準備工程において、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを、前記第１インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第１主溶媒と、前記第２インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第２主溶媒とが、種類において同一となるように準備し、
前記試験膜は、試験基板にインク組成物を塗布して試験塗布層を形成し、前記試験基板を前記乾燥機内に入れて、前記乾燥工程での乾燥条件にて前記試験塗布層を乾燥させて得られた膜であり、
前記平坦度Ｒ（％）は、前記試験膜において、全領域の面積をＡ（μｍ２）、最小膜厚をＴｍｉｎ（ｎｍ）としたときに膜厚がＴｍｉｎ＋１０ｎｍ以下である領域の面積をＢ（μｍ２）、とすると、以下の式：
Ｒ＝（Ｂ／Ａ）×１００
で算出される、膜の製造方法。
〔２〕  前記インク準備工程において、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを、前記第１主溶媒と、前記第２主溶媒とが、種類において同一でありかつ各成分の含有比率において異なるように準備する、〔１〕に記載の膜の製造方法。
〔３〕  前記第１主溶媒及び前記第２主溶媒は、式（１）で表される化合物を含む、〔１〕又は〔２〕に記載の膜の製造方法。
2020009757.tif 000003
［式（１）中、Ｒ１は、炭素原子数が１０〜１２のアルキル基を表す。］
〔４〕  前記第１主溶媒及び前記第２主溶媒は、式（１）で表される化合物を除く芳香族炭化水素を含む、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
2020009757.tif 000004
［式（１）中、Ｒ１は、炭素原子数が１０〜１２のアルキル基を表す。］
〔５〕  前記芳香族炭化水素は、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、及びテトラリンからなる群より選択される、〔４〕に記載の膜の製造方法。
〔６〕  前記第１主溶媒及び前記第２主溶媒は、芳香族エーテルを含む、〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
〔７〕  前記芳香族エーテルは、メチルアニソール、ジメチルアニソール、エチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ブチルアニソール、ペンチルアニソール、ヘキシルアニソール、ヘプチルアニソール、オクチルアニソール、及びフェノキシトルエンからなる群より選択される、〔６〕に記載の膜の製造方法。
〔８〕  前記第１インク組成物及び前記第２インク組成物は、互いに異なる高分子化合物を含む、〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
〔９〕  前記高分子化合物が発光性化合物である、〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の膜の製造方法。
〔１０〕  〔１〕〜〔９〕のいずれか１項に記載の膜の製造方法により膜を製造する工程を含む、有機ＥＬ素子の製造方法。
〔１１〕  〔１〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載の膜の製造方法に用いられるインク組成物セットであって、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを少なくとも含む、インク組成物セット。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の膜の製造方法によると、複数種のインク組成物を用いて複数種の膜を形成する場合であっても、煩雑な乾燥工程によることなく、平坦性に優れた複数種の膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る製造方法の塗布工程を模式的に示す図である。
【図２】本発明に係る製造方法の塗布工程後の基板の一例を示す上面図である。
【図３】（ａ）実施例１の第１膜の断面形状と、（ｂ）試験膜の断面形状と、を示す図である。
【図４】（ａ）実施例１の第２膜の断面形状と、（ｂ）試験膜の断面形状と、を示す図である。
【図５】（ａ）実施例２の第１膜の断面形状と、（ｂ）試験膜の断面形状と、を示す図である。
【図６】（ａ）実施例２の第２膜の断面形状と、（ｂ）試験膜の断面形状と、を示す図である。
【図７】（ａ）比較例１の第１膜の断面形状と、（ｂ）試験膜の断面形状と、を示す図である。
【図８】（ａ）比較例１の第２膜の断面形状と、（ｂ）試験膜の断面形状と、を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［膜の製造方法］
本発明は、基板の表面に第１膜と第２膜とを製造する、膜の製造方法であって、
互いに異なる固形分種を含み、試験膜の平坦度Ｒがともに６０％以上である、第１インク組成物と第２インク組成物とを準備するインク準備工程と、
前記基板の第１領域に前記第１インク組成物を塗布して第１塗布層を形成する第１塗布工程と、
前記基板の前記第１領域とは異なる第２領域に前記第２インク組成物を塗布して第２塗布層を形成する第２塗布工程と、
前記第１塗布工程と前記第２塗布工程の後、前記基板を乾燥機内に入れて、前記第１塗布層と前記第２塗布層とを乾燥させて、第１膜と第２膜とを形成する乾燥工程と、を備える。
【００１２】
本発明に係る膜の製造方法は、基板の表面に少なくとも２種の膜（第１膜と第２膜）を有する膜の製造方法に係るものであり、基板の表面に３種以上の膜を有する膜の製造方法も含むものである。
【００１３】
前記インク準備工程において、前記第１インク組成物と前記第２インク組成物とを、前記第１インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第１主溶媒と、前記第２インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第２主溶媒とが、種類において同一となるように準備する。
【００１４】
〔基板〕
基板は、第１領域と第１領域とは異なる第２領域とを有する。本発明に係る製造方法によって製造される膜が、有機ＥＬ素子の要素として用いられる場合は、第１領域は有機ＥＬ素子の第１画素に対応し、第２領域は有機ＥＬ素子の第２画素に対応する。この場合、一態様として、基板上において、第１領域と第２領域とは、隔壁によって区画されており、各領域の平面形状は、円、楕円、長円又は矩形等である。基板は、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。
【００１５】
〔第１塗布工程及び第２塗布工程〕
インクジェット印刷装置を用いて行う第１塗布工程及び第２塗布工程の一例を、図面を参照しながら説明する。図１に、第１塗布工程の一例を示す。図１では、互いに交互に配置された第１領域４１と第２領域４２とを有する基板１を用いて、第１領域４１に第１インク組成物を用いて第１塗布層を形成する第１塗布工程を行う。第１塗布工程及び第２塗布工程で用いられるインクジェット印刷装置は、第１インク組成物を吐出する第１ヘッドと、第２インク組成物を吐出する第２ヘッドを有する。第１インク組成物を吐出する第１ヘッドを有する第１インクジェット印刷装置を用いて第１塗布工程を行い、第２インク組成物を吐出する第２ヘッドを有する第２インクジェット印刷装置を用いて第２塗布工程を行うようにしてもよい。
【００１６】
図１に示すように、第１塗布工程では、第１ヘッド２１の下に基板１が搬送され、第１ヘッド２１の第１領域４１に対応する位置の複数の吐出用ノズルから第１インク組成物の液滴が吐出されて、これが第１領域４１に滴下され、第１塗布層が形成される。図１に示す装置では、基板１を第１ヘッド２１の配列方向に直交する方向Ｄｄに搬送しながら、第１インク組成物を第１列目（第１ヘッド２１の配列方向に平行方向）の第１領域４１に必要液滴数だけ滴下して第１塗布層が形成され、引き続き次の列の第１領域４１に必要液滴数だけ滴下して次の第１塗布層が形成される。このような作業を連続して行うことにより、第１領域４１に第１塗布層を形成する第１塗布工程が実施される。なお、基板１上の一つの列にある塗布が必要な画素数が、第１ヘッドの吐出用ノズルの数より多い場合には、第１ヘッド２１を配列方向に移動させる、又は基板１を第１ヘッド２１の配列方向に移動させる等の方法により、塗布が必要な全ての画素への塗布を行う。第１ヘッド２１の配列方向に直交する方向Ｄｄへの基板１の搬送は、方向Ｄｄとは反対方向への搬送を伴い、往復移動させるものであってもよい。この際、第１ヘッド２１からの吐出は、往復移動の往き戻り両方で行われてもよいし、往きのみ、もしくは戻りのみで行なわれてもよい。
【００１７】
第１塗布工程の後に、第２塗布工程が行われる。第２塗布工程についても、第１塗布工程と同様に、第２ヘッドの第２領域４２に対応する位置の複数の吐出用ノズルから第２インク組成物の液滴が吐出されて、これが第２領域４２に滴下され、第２塗布層が形成される。
【００１８】
図２は、第１塗布工程と第２塗布工程とが完了した後の、基板１の上面を模式的に示す。図２に示すように、第１領域４１に第１塗布層が形成され、第２領域４２に第２塗布層が形成されている。本実施形態では、２種のインク組成物を用いる場合のみについて説明したが、３種以上のインク組成物を用いる場合であっても、同様の塗布工程を繰り返すことにより、３種以上の塗布層を形成することができる。
【００１９】
第１塗布工程及び第２塗布工程で用いられるインクを塗布する装置としては、図１に示されるインクジェット印刷装置などが挙げられる。第１塗布工程及び第２塗布工程は、インクジェット印刷装置を用いたインクジェット印刷法に限定されることはなく、ノズルプリンティング法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等を用いることができる。
【００２０】
〔乾燥工程〕
乾燥工程では、第１塗布層及び第２塗布層が形成された基板を、乾燥機内に入れて、所定の雰囲気下に置くことにより、第１塗布層を乾燥させて第１膜を形成するとともに第２塗布層を乾燥させて第２膜を形成する。
【００２１】
乾燥工程では、第１塗布層を形成する第１インク組成物及び第２塗布層を形成する第２インク組成物から溶媒が蒸発し硬化して第１膜と第２膜とが形成される。
【００２２】
乾燥工程は、乾燥工程の時間を短縮する観点から、減圧下で乾燥を行うことが好ましい。乾燥工程での圧力調整は、乾燥機内に基板を載置した後に、乾燥機内の圧力を大気圧から徐々に又は段階的に低下させることによる。大気圧から１０００Ｐａまでの減圧速度は、例えば、１０００Ｐａ／秒〜３００００Ｐａ／秒であることが好ましい。乾燥機内（より具体的には、基板１を載置するステージ上）の温度は、例えば、２０℃以上１００℃以下の範囲で維持する制御を行うことが好ましい。
【００２３】
〔インク準備工程〕
インク準備工程において、第１インク組成物と第２インク組成物とを準備する。第１インク組成物と第２インク組成物とは、互いに異なる固形分種を含み、試験膜の平坦度Ｒがともに６０％以上である。
【００２４】
試験膜は、試験基板にインク組成物を塗布して試験塗布層を形成し、試験基板を乾燥工程と同じ乾燥機内に入れて、乾燥工程での乾燥条件にて試験塗布層を乾燥させて得られた膜とする。
【００２５】
平坦度Ｒ（％）は、試験膜において、全領域の面積をＡ（μｍ２）、最小膜厚をＴｍｉｎ（ｎｍ）としたときに膜厚がＴｍｉｎ＋１０ｎｍ以下である領域の面積をＢ（μｍ２）、とすると、以下の式：
Ｒ＝（Ｂ／Ａ）×１００
で算出されるものとする。なお、第１膜及び第２膜の平坦度Ｒ（％）についても、試験膜の平坦度Ｒ（％）と同様に算出されるものとする。
【００２６】
本発明者らは、インク準備工程において、試験膜の平坦度Ｒが６０％以上となるインク組成物を準備した場合であっても、乾燥工程において複数種のインク組成物を用いて一括乾燥を行った場合には、膜によっては平坦度Ｒが低下し６０％未満となる場合があるとの課題を知見し、かかる課題を解決するために鋭意検討を重ねて本発明に至ったものである。
【００２７】
本発明者らは、インク準備工程において、第１インク組成物と第２インク組成物とを、第１インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第１主溶媒と、第２インク組成物の溶媒の全量に対して５質量％以上含まれる第２主溶媒とが、種類において同一となるように準備することにより、乾燥工程において一括乾燥を行った場合にも、第１膜及び第２膜ともに優れた平坦度Ｒを有するとの知見を見出し本発明に至ったものである。本発明によると、乾燥工程において一括乾燥を行った場合にも、第１膜及び第２膜ともに平坦度Ｒが６０％以上を有するように製造することができる。
【００２８】
また、インク準備工程においては、第１インク組成物と第２インク組成物とを、第１主溶媒と、第２主溶媒とが、種類において同一でありかつ各成分の含有比率において異なるように準備することが好ましい。第１主溶媒と第２主溶媒とが、種類において同一とは、例えば、ともに、溶媒ａ、溶媒ｂ及び溶媒ｃのみからなる場合が該当する。第１主溶媒と第２主溶媒とが、各成分の含有比率において異なるとは、例えば、比率「溶媒ａの含有量：溶媒ｂの含有量：溶媒ｃの含有量」が、第１主溶媒と第２主溶媒とで異なる場合が該当する。
【００２９】
第１インク組成物及び第２インク組成物は、「固形分（Ａ）」と「溶媒（Ｂ）」とを含む。本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００３０】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１×
１０３〜１×１０８である重合体を意味する。高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性または輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
【００３１】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０４以下の化合物を意味する。
【００３２】
「主溶媒」とは、溶媒（Ｂ）の全量に対して５質量％以上含まれる溶媒を意味する。「主溶媒」は、第１インク組成物における主溶媒である「第１主溶媒」と、第２インク組成物における主溶媒である「第２主溶媒」とを含む総称である。
【００３３】
「インク組成物」は、「第１インク組成物」と「第２インク組成物」とを含む総称である。
【００３４】
＜溶媒（Ｂ）＞
各インク組成物に含有される溶媒（Ｂ）は、主溶媒を少なくとも２種含むことが好ましい。主溶媒としては、式（１）で表される化合物である溶媒（ｂ１）、式（１）で表される化合物を除く芳香族炭化水素である溶媒（ｂ２）、芳香族エーテルである溶媒（ｂ３）、が好適である。ここでいう「少なくとも２種」の「種」は、化合物としての種類を意味し、溶媒（ｂ１）、溶媒（ｂ２）、溶媒（ｂ３）のそれぞれをカテゴリーとした場合のカテゴリーの種類を意味するものではない。したがって、例えば、溶媒（Ｂ）中に、主溶媒として溶媒（ｂ１）に属する異なる２種の化合物のみを含む場合も、主溶媒を少なくとも２種含むことになる。なお、溶媒（ｂ１）、溶媒（ｂ２）、溶媒（ｂ３）は、溶媒（Ｂ）中に、主溶媒として含まれていてもよく、主溶媒以外として、すなわち５質量％未満含まれる溶媒として含まれていてもよい。なお、各インク組成物に含有される溶媒（Ｂ）は、主溶媒を１種のみ含むものであってもよい。
【００３５】
≪溶媒（ｂ１）≫
溶媒（ｂ１）は、式（１）で表される。
2020009757.tif 000005
［式（１）中、Ｒ１は、炭素原子数が１０〜１２のアルキル基を表す。］
【００３６】
Ｒ１で表される炭素原子数が１０〜１２のアルキル基は、直鎖のアルキル基であっても分岐のアルキル基であってもよいが、直鎖のアルキル基であることが好ましい。
【００３７】
Ｒ１は、炭素原子数が１０のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数が１０の直鎖のアルキル基であることが好ましい。
【００３８】
Ｒ１で表される炭素原子数が１０〜１２のアルキル基としては、例えば、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の直鎖のアルキル基；メチルノニル基、メチルデシル基、メチルウンデシル基、ジメチルオクチル基、ジメチルノニル基、ジメチルデシル基、トリメチルヘプチル基、トリメチルオクチル基、トリメチルノニル基、テトラメチルヘキシル基、
テトラメチルヘプチル基、テトラメチルオクチル基、ペンタメチルヘキシル基、ペンタメチルヘプチル基、ヘキサメチルヘキシル基等の分岐のアルキル基が挙げられ、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、テトラメチルオクチル基、ペンタメチルヘプチル基またはヘキサメチルヘキシル基が好ましく、デシル基、ウンデシル基またはドデシル基がより好ましく、１−デシル基、２−デシル基、３−デシル基、４−デシル基、５−デシル基、１−ウンデシル基、２−ウンデシル基、３−ウンデシル基、１−ドデシル基、２−ドデシル基または３−ドデシル基が更に好ましく、１−デシル基、２−デシル基または３−デシル基が特に好ましい。
【００３９】
溶媒（ｂ１）としては、例えば、デシルベンゼン（沸点：２９３℃）、ドデシルベンゼン（沸点：３３１℃）が挙げられる。
【００４０】
各インク組成物には、溶媒（ｂ１）が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【００４１】
≪溶媒（ｂ２）≫
溶媒（ｂ２）は、式（１）で表される化合物を除く芳香族炭化水素である。
溶媒（ｂ２）は、全炭素原子数が６〜１５であることが好ましく、７〜１５であることがより好ましい。
溶媒（ｂ２）は、ベンゼン環を１個含むものであることが好ましく、全炭素原子数７〜１５の、アルキル基またはシクロアルキル基で置換されているベンゼンであることがより好ましい。
溶媒（ｂ２）としては、例えば、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、エチルメチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、ジプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリンが挙げられ、本発明の組成物を用いて形成される膜の平坦性がより優れるので、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼンまたはテトラリンが好ましく、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼンまたはテトラリンがより好ましく、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼンまたはシクロヘキシルベンゼンが更に好ましく、１−へプチルベンゼン、１−オクチルベンゼン、１−ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼンが特に好ましい。
【００４２】
各インク組成物には、溶媒（ｂ２）が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【００４３】
≪溶媒（ｂ３）≫
溶媒（ｂ３）は、芳香族エーテルである。
溶媒（ｂ３）は、全炭素原子数が７〜１５であることが好ましい。
溶媒（ｂ３）としては、全炭素原子数が７〜１５の、アリール部位がアルキル基で置換されていてもよいアルキルアリールエーテル、全炭素原子数が１２〜１５の、アルキル基で置換されていてもよいジアリールエーテルが挙げられ、全炭素原子数が７〜１５の、フェニル部位がアルキル基で置換されていてもよいアルキルフェニルエーテル、全炭素原子数が１２〜１５の、アルキル基で置換されていてもよいジフェニルエーテルが好ましい。
溶媒（ｂ３）としては、例えば、アニソール、エチルフェニルエーテル、メチルアニソール、ジメチルアニソール、エチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ブチルアニソール、ペンチルアニソール、ヘキシルアニソール、ヘプチルアニソール、オクチルアニソール、１−メトキシナフタレン、ジフェニルエーテル、フェノキシトルエンが挙げられ、この中でも、メチルアニソール、ジメチルアニソール、エチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ブチルアニソール、ペンチルアニソール、ヘキシルアニソール、ヘプチルアニソール、オクチルアニソールまたはフェノキシトルエンが好ましく、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２，５―ジメチルアニソール、２−エチルアニソール、４−エチルアニソールまたは３−フェノキシトルエンがより好ましく、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソールまたは３−フェノキシトルエンが更に好ましい。
【００４４】
インク組成物には、溶媒（ｂ３）が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【００４５】
≪その他の溶媒≫
各インク組成物には、溶媒（ｂ１）、溶媒（ｂ２）、溶媒（ｂ３）以外の溶媒（以下、「溶媒（ｂ４）」とも称する。）が含まれていてもよい。溶媒（ｂ４）は、溶媒（Ｂ）の全量に対して５質量％以上含まれる主溶媒として含まれていてもよいし、溶媒（Ｂ）の全量に対して５質量％未満含まれる主溶媒以外の溶媒として含まれていてもよい。
【００４６】
溶媒（ｂ４）としては、例えば、脂肪族炭化水素溶媒、単価アルコール溶媒、多価アルコール溶媒、エステル溶媒、ケトン溶媒、脂肪族エーテル溶媒、窒素原子を含む溶媒、硫黄原子を含む溶媒が挙げられる。
【００４７】
各インク組成物には、溶媒（ｂ４）が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【００４８】
≪最高沸点溶媒≫
各インク組成物において、主溶媒の中で沸点が最も高い最高沸点溶媒は、大気圧での沸点が２００℃以上であることが好ましい。また、最高沸点溶媒は、大気圧での沸点が３５０℃以下であることが好ましい。最高沸点溶媒は、上記した溶媒（ｂ１）であることが好ましい。最高沸点溶媒の大気圧での沸点は、主溶媒の中で大気圧での沸点が２番目に高い溶媒の大気圧での沸点との差が、１０℃以上であることが好ましく、２０℃以上であることがより好ましく、３０℃以上であることがさらに好ましい。最高沸点溶媒の濃度は、主溶媒の全量に対して５質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１０質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。
【００４９】
≪溶媒の組成比≫
溶媒（Ｂ）の一例において、主溶媒は、溶媒（ｂ１）、溶媒（ｂ２）、及び溶媒（ｂ３）を含み、溶媒（ｂ１）の含有量：ｍ１（質量）と、溶媒（ｂ２）の含有量：ｍ２（質量）と、溶媒（ｂ３）の含有量：ｍ３（質量）について、インク組成物を用いて形成される試験膜の平坦度を高くすることができるので、以下の関係式（１）及び（２）を満たすことが好ましい。
０．０５≦ｍ１／（ｍ１＋ｍ２＋ｍ３）≦０．６０      （１）
０．１０≦ｍ２／（ｍ２＋ｍ３）≦０．９０    （２）
ｍ１は、溶媒（ｂ１）が２種以上含有されている場合、溶媒（ｂ１）の合計含有量を示す。ｍ２は、溶媒（ｂ２）が２種以上含有されている場合、溶媒（ｂ２）の合計含有量を示す。ｍ３は、溶媒（ｂ３）が２種以上含有されている場合、溶媒（ｂ３）の合計含有量を示す。
【００５０】
溶媒（Ｂ）は、溶媒（Ｂ）の全量に対して５質量％未満の含有量であれば、最高沸点溶媒より沸点が高い溶媒を含んでいてもよい。なお、最高沸点溶媒より沸点が高い溶媒は、溶媒（Ｂ）の全量に対して、単独で１質量％未満であることが好ましく、合計で５質量％未満であることが好ましい。
【００５１】
＜固形分（Ａ）＞
各インク組成物に含有される固形分（Ａ）は、高分子化合物を含むことが好ましく、低分子化合物を含んでいてもよい。固形分（Ａ）が低分子化合物を含む場合は、低分子化合物は発光材料であってもよい。低分子化合物が発光材料である場合は、優れた発光特性を有する観点から、イリジウム錯体であることが好ましい。なお、イリジウム錯体は、低分子化合物としてではなく、イリジウム錯体の構造を有する構成単位（すなわち、イリジウム錯体を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位。以下、「イリジウム錯体構成単位」ともいう）を含む高分子化合物として含まれていてもよい。
【００５２】
≪共通する用語の説明≫
以下で共通して用いられる用語は、特記しない限り、次の意味である。
【００５３】
Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
【００５４】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００５５】
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
【００５６】
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
【００５７】
「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【００５８】
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−ブチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
【００５９】
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【００６０】
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
【００６１】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
【００６２】
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００６３】
「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは４〜１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。
【００６４】
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブ
チルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００６５】
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００６６】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００６７】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
【００６８】
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００６９】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
【００７０】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
【００７１】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(４−メチルフェニル)アミノ基、ビス(４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)アミノ基、ビス(３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル)アミノ基が挙げられる。
【００７２】
「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
【００７３】
アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００７４】
「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
【００７５】
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。
【００７６】
アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００７７】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【００７８】
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００７９】
2020009757.tif 000006
【００８０】
2020009757.tif 000007
【００８１】
2020009757.tif 000008
【００８２】
2020009757.tif 000009
［式中、ＲおよびＲａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
【００８３】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは、３〜２０であり、より好ましくは、４〜１５である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００８４】
2020009757.tif 000010
【００８５】
2020009757.tif 000011
【００８６】
2020009757.tif 000012
【００８７】
2020009757.tif 000013
【００８８】
2020009757.tif 000014
【００８９】
2020009757.tif 000015
【００９０】
2020009757.tif 000016
［式中、ＲおよびＲａは、前記と同じ意味を表す。］
【００９１】
「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、近紫外線照射処理、可視光照射処理、赤外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式（Ｂ−１）−（Ｂ−１７）のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。
【００９２】
2020009757.tif 000017
【００９３】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００９４】
≪高分子化合物≫
各インク組成物は、固形分（Ａ）として、互いに異なる高分子化合物を含むことが好ましい。各インク組成物において、固形分（Ａ）に含まれる高分子化合物としては、発光性化合物が例示される。発光性化合物は、それ自体が発光する化合物（発光材料）であってもよく、発光材料へ電荷を輸送することにより発光材料を発光させる化合物（ホスト材料）であってもよい。高分子化合物は、発光材料であることが好ましい。発光性化合物である場合は、優れた発光特性を有する観点から、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。
【００９５】
本発明の組成物には、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【００９６】
（式（Ｘ）で表される構成単位）
2020009757.tif 000018
［式中、
ａＸ１およびａＸ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＡｒＸ１およびＡｒＸ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＸ２およびＡｒＸ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＸ２およびＡｒＸ４が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲＸ１、ＲＸ２およびＲＸ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＸ２およびＲＸ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００９７】
ａＸ１は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは１である。
【００９８】
ａＸ２は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する発光素子の発光効率が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは０である。
【００９９】
ＲＸ１、ＲＸ２およびＲＸ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１００】
ＡｒＸ１およびＡｒＸ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０１】
ＡｒＸ１およびＡｒＸ３で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）または式（ＡＡ−７）−（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０２】
ＡｒＸ１およびＡｒＸ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０１０３】
ＡｒＸ２およびＡｒＸ４で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）−（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０４】
ＡｒＸ２およびＡｒＸ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒＸ１およびＡｒＸ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
【０１０５】
ＡｒＸ２およびＡｒＸ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒＸ１およびＡｒＸ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０１０６】
ＡｒＸ２およびＡｒＸ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【０１０７】
2020009757.tif 000019
［式中、ＲＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１０８】
ＲＸＸは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０９】
ＡｒＸ２およびＡｒＸ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０１１０】
ＡｒＸ１〜ＡｒＸ４およびＲＸ１〜ＲＸ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１１１】
式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式（Ｘ−１）−（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−１）−（Ｘ−６）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）−（Ｘ−６）で表される構成単位である。
【０１１２】
2020009757.tif 000020
【０１１３】
2020009757.tif 000021
【０１１４】
2020009757.tif 000022
【０１１５】
2020009757.tif 000023
【０１１６】
［式中、Ｒｘ４およびＲｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１１７】
式(Ｘ)で表される構成単位は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する有機ＥＬ素子の正孔輸送性が優れる観点から、高分子化合物中に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜４０モル％であり、更に好ましくは５〜３０モル％である。
【０１１８】
式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）−（Ｘ１−１１）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−３）−（Ｘ１−１０）で表される構成単位である。
【０１１９】
2020009757.tif 000024
【０１２０】
2020009757.tif 000025
【０１２１】
2020009757.tif 000026
【０１２２】
2020009757.tif 000027
【０１２３】
2020009757.tif 000028
【０１２４】
式(Ｘ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１２５】
（式（Ｙ）で表される構成単位）
2020009757.tif 000029
［式中、ＡｒＹ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１２６】
ＡｒＹ１で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）−（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２７】
ＡｒＹ１で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式（ＡＡ−１）−（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）−（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）−（ＡＡ−２１）、式（ＡＡ−３３）または式（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）、式（ＡＡ−１４）または式（ＡＡ−３３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２８】
ＡｒＹ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒＹ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０１２９】
ＡｒＹ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｘ)のＡｒＸ２およびＡｒＸ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
【０１３０】
ＡｒＹ１で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１３１】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）−（Ｙ−１０）で表される構成単位が挙げられ、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）−（Ｙ−３）で表される構成単位であり、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する発光素子の電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−４）−（Ｙ−７）で表される構成単位であり、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する発光素子の発光効率又は正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−８）−（Ｙ−１０）で表される構成単位である。
【０１３２】
2020009757.tif 000030
［式中、ＲＹ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲＹ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１３３】
ＲＹ１は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３４】
式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。
【０１３５】
2020009757.tif 000031
［式中、ＲＹ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ１１は、同一でも異なっていてもよい。］
【０１３６】
ＲＹ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３７】
2020009757.tif 000032
［式中、
ＲＹ１は、前記と同じ意味を表す。
ＸＹ１は、−Ｃ(ＲＹ２)２−、−Ｃ(ＲＹ２)＝Ｃ(ＲＹ２)−または−Ｃ(ＲＹ２)２−Ｃ(ＲＹ２)２−で表される基を表す。ＲＹ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＹ２は、同一でも異なっていてもよく、ＲＹ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１３８】
ＲＹ２は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３９】
ＸＹ１において、−Ｃ(ＲＹ２)２−で表される基中の２個のＲＹ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲＹ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲＹ２が環を形成する場合、−Ｃ(ＲＹ２)２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）−（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１４０】
2020009757.tif 000033
【０１４１】
ＸＹ１において、−Ｃ(ＲＹ２)＝Ｃ(ＲＹ２)−で表される基中の２個のＲＹ２の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１４２】
ＸＹ１において、−Ｃ(ＲＹ２)２−Ｃ(ＲＹ２)２−で表される基中の４個のＲＹ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲＹ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲＹ２が環を形成する場合、−Ｃ(ＲＹ２)２−Ｃ(ＲＹ２)２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）−（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１４３】
2020009757.tif 000034
［式中、ＲＹ２は前記と同じ意味を表す。］
【０１４４】
式（Ｙ−２）で表される構成単位は、式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。
【０１４５】
2020009757.tif 000035
［式中、ＲＹ１およびＸＹ１は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４６】
2020009757.tif 000036
［式中、ＲＹ１およびＸＹ１は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４７】
式（Ｙ−３）で表される構成単位は、式（Ｙ−３’）で表される構成単位であることが好ましい。
【０１４８】
2020009757.tif 000037
［式中、ＲＹ１１およびＸＹ１は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４９】
2020009757.tif 000038
【０１５０】
2020009757.tif 000039
［式中、
ＲＹ１は、前記と同じ意味を表す。
ＲＹ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１５１】
ＲＹ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１５２】
式（Ｙ−４）で表される構成単位は、式（Ｙ−４’）で表される構成単位であることが好ましく、式（Ｙ−６）で表される構成単位は、式（Ｙ−６’）で表される構成単位であることが好ましい。
【０１５３】
2020009757.tif 000040
［式中、ＲＹ１およびＲＹ３は、前記と同じ意味を表す。］
【０１５４】
2020009757.tif 000041
［式中、
ＲＹ１は、前記を同じ意味を表す。
ＲＹ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１５５】
ＲＹ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１５６】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１０１）−（Ｙ−１２１）で表されるアリーレン基からなる構成単位、式（Ｙ−２０１）−（Ｙ−２０６）で表される２価の複素環基からなる構成単位、式（Ｙ−３０１）−（Ｙ−３０４）で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【０１５７】
2020009757.tif 000042
【０１５８】
2020009757.tif 000043
【０１５９】
2020009757.tif 000044
【０１６０】
2020009757.tif 000045
【０１６１】
2020009757.tif 000046
【０１６２】
2020009757.tif 000047
【０１６３】
2020009757.tif 000048
【０１６４】
2020009757.tif 000049
【０１６５】
2020009757.tif 000050
【０１６６】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒＹ１がアリーレン基である構成単位は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する有機ＥＬ素子の輝度寿命が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜９０モル％であり、より好ましくは３０〜８０モル％である。
【０１６７】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒＹ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する有機ＥＬ素子の発光効率、正孔輸送性または電子輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％である。
【０１６８】
式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１６９】
高分子化合物としては、例えば、表１の高分子化合物（Ｐ−１０１）〜（Ｐ−１０７）が挙げられる。
【０１７０】
【表１】
2020009757.tif 000051
［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓおよびｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１００であり、かつ、１００≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧７０である。その他の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
【０１７１】
式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物のみを発光材料として用いる場合（すなわち、後述するイリジウム錯体等、他の発光材料を併用しない場合）、
高分子化合物としては、
式（Ｙ−８）で表される構成単位、式（Ｙ−９）で表される構成単位および式（Ｙ−１０）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−８）で表される構成単位および式（Ｙ−９）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−８）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましい。
【０１７２】
また、高分子化合物としては、式（Ｙ−８）で表される構成単位、式（Ｙ−９）で表される構成単位および式（Ｙ−１０）で表される構成単位以外の構成単位として、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位、式（Ｙ−３）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましく、
式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが特に好ましい。
【０１７３】
≪高分子化合物の製造方法≫
式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物は、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応およびKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。
【０１７４】
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。
【０１７５】
遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。
【０１７６】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿をろ過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０１７７】
≪イリジウム錯体≫
イリジウム錯体は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する有機ＥＬ素子の発光効率がより優れるので、式（Ｉｒ−１）で表されるイリジウム錯体、式（Ｉｒ−２）で表されるイリジウム錯体、式（Ｉｒ−３）で表されるイリジウム錯体、式（Ｉｒ−４）で表されるイリジウム錯体または式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体であることが好ましく、式（Ｉｒ−１）で表されるイリジウム錯体、式（Ｉｒ−２）で表されるイリジウム錯体または式（Ｉｒ−３）で表されるイリジウム錯体であることがより好ましい。
【０１７８】
2020009757.tif 000052
【０１７９】
2020009757.tif 000053
【０１８０】
2020009757.tif 000054
［式中、
ｎＤ１は、１、２または３を表す。ｎＤ２は、１または２を表す。
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９、ＲＤ２０、ＲＤ２１、ＲＤ２２、ＲＤ２３、ＲＤ２４、ＲＤ２５、ＲＤ２６、ＲＤ３１、ＲＤ３２、ＲＤ３３、ＲＤ３４、ＲＤ３５、ＲＤ３６およびＲＤ３７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９、ＲＤ２０、ＲＤ２１、ＲＤ２２、ＲＤ２３、ＲＤ２４、ＲＤ２５、ＲＤ２６、ＲＤ３１、ＲＤ３２、ＲＤ３３、ＲＤ３４、ＲＤ３５、ＲＤ３６およびＲＤ３７が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−ＡＤ１---ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表す。ＡＤ１およびＡＤ２は、そ
れぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−ＡＤ１---ＡＤ２−が複数存在する場
合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１８１】
式（Ｉｒ−１）で表されるイリジウム錯体において、ＲＤ１〜ＲＤ８の少なくとも１つは、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１８２】
式（Ｉｒ−２）で表されるイリジウム錯体において、好ましくはＲＤ１１〜ＲＤ２０の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１８３】
式（Ｉｒ−３）で表されるイリジウム錯体において、好ましくはＲＤ１〜ＲＤ８およびＲＤ１１〜ＲＤ２０の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１８４】
式（Ｉｒ−４）で表されるイリジウム錯体において、好ましくはＲＤ２１〜ＲＤ２６の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１８５】
式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体において、好ましくはＲＤ３１〜ＲＤ３７の少なくとも１つは式（Ｄ−Ａ）で表される基である。
【０１８６】
2020009757.tif 000055
［式中、
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２およびｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
【０１８７】
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２およびｍＤＡ３は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍＤＡ１、ｍＤＡ２およびｍＤＡ３は、同一の整数であることが好ましい。
【０１８８】
ＧＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１８９】
2020009757.tif 000056
［式中、
＊、＊＊および＊＊＊は、各々、ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３との結合を表す。
ＲＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。ＲＤＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１９０】
ＲＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１９１】
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。
【０１９２】
2020009757.tif 000057
［式中、
ＲＤＡは、前記と同じ意味を表す。
ＲＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤＢが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１９３】
ＴＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）〜（ＴＤＡ−３）で表される基である。
【０１９４】
2020009757.tif 000058
［式中、ＲＤＡおよびＲＤＢは、前記と同じ意味を表す。］
【０１９５】
式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）〜（Ｄ−Ａ３）で表される基である。
【０１９６】
2020009757.tif 000059
［式中、
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数存在するｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。
Ｒｐ１、Ｒｐ２およびＲｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒｐ１およびＲｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。］
【０１９７】
ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
【０１９８】
Ｒｐ１、Ｒｐ２およびＲｐ３は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
【０１９９】
−ＡＤ１---ＡＤ２−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で
表される配位子が挙げられる。
【０２００】
2020009757.tif 000060
［式中、＊は、イリジウム原子と結合する部位を表す。］
【０２０１】
式（Ｉｒ−１）で表されるイリジウム錯体としては、好ましくは式（Ｉｒ−１１）〜式（Ｉｒ−１３）で表されるイリジウム錯体である。式（Ｉｒ−２）で表されるイリジウム錯体としては、好ましくは式（Ｉｒ−２１）で表されるイリジウム錯体である。式（Ｉｒ−３）で表されるイリジウム錯体としては、好ましくは式（Ｉｒ−３１）〜式（Ｉｒ−３３）で表されるイリジウム錯体である。式（Ｉｒ−４）で表されるイリジウム錯体としては、好ましくは式（Ｉｒ−４１）〜式（Ｉｒ−４３）で表されるイリジウム錯体である。式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体としては、好ましくは式（Ｉｒ−５１）〜式（Ｉｒ−５３）で表されるイリジウム錯体である。
【０２０２】
2020009757.tif 000061
【０２０３】
2020009757.tif 000062
【０２０４】
2020009757.tif 000063
【０２０５】
2020009757.tif 000064
【０２０６】
2020009757.tif 000065
［式中、
ｎＤ２は、１または２を表す。
Ｄは、式（Ｄ−Ａ）で表される基を表す。複数存在するＤは、同一でも異なっていてもよい。
ＲＤＣは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＤＣは、同一でも異なっていてもよい。
ＲＤＤは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲＤＤは、同一でも異なっていてもよい。］
【０２０７】
イリジウム錯体としては、例えば、下記式で表されるイリジウム錯体が挙げられる。
【０２０８】
2020009757.tif 000066
【０２０９】
2020009757.tif 000067
【０２１０】
2020009757.tif 000068
【０２１１】
2020009757.tif 000069
【０２１２】
2020009757.tif 000070
【０２１３】
イリジウム錯体は、例えば、特表２００４−５３０２５４号公報、特開２００８−１７９６１７号公報、特開２０１１−１０５７０１号公報、特表２００７−５０４２７２号公報、特開２０１３−１４７４４９号公報、特開２０１３−１４７４５０号公報に記載されている方法に従って合成することができる。
【０２１４】
固形分（Ａ）は、イリジウム錯体構成単位を含む高分子化合物を含んでいてもよい。イリジウム錯体構成単位は、式（Ｉｒ−１）、式（Ｉｒ−２）、式（Ｉｒ−３）、式（Ｉｒ−４）または式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体の構造を有する構成単位である。式（Ｉｒ−１）、式（Ｉｒ−２）、式（Ｉｒ−３）、式（Ｉｒ−４）または式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体の構造を有する構成単位としては、好ましくは、式（Ｉｒ−１）、式（Ｉｒ−２）、式（Ｉｒ−３）、式（Ｉｒ−４）または式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体から、該錯体を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合する１個以上３個以下の水素原子を取り除いてなる基を有する構成単位であり、より好ましくは、式（Ｉｒ−１）、式（Ｉｒ−２）、式（Ｉｒ−３）、式（Ｉｒ−４）または式（Ｉｒ−５）で表されるイリジウム錯体から、該錯体を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合する２個の水素原子を取り除いてなる基を有する構成単位である。
【０２１５】
イリジウム錯体構成単位を含む高分子化合物としては、更に、前述した式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が好ましい。
【０２１６】
これらの中でも、イリジウム錯体構成単位を含む高分子化合物としては、
式（Ｙ−４）で表される構成単位、式（Ｙ−５）で表される構成単位、式（Ｙ−６）で表される構成単位および式（Ｙ−７）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−４）で表される構成単位および式（Ｙ−６）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−４）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましい。
【０２１７】
また、イリジウム錯体構成単位を含む高分子化合物としては、式（Ｙ−４）で表される構成単位、式（Ｙ−５）で表される構成単位、式（Ｙ−６）で表される構成単位および式（Ｙ−７）で表される構成単位以外の構成単位として、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位、式（Ｙ−３）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましい。
【０２１８】
イリジウム錯体構成単位は、高分子化合物中に、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２１９】
≪ホスト材料≫
各インク組成物において、固形分（Ａ）が、発光材料を含む場合、特に発光材料としてイリジウム錯体を含む場合、正孔輸送性、正孔注入性、電子輸送性および電子注入性からなる群より選ばれる少なくとも１つの機能を有するホスト材料と併用することで、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する有機ＥＬ素子の発光効率がより優れたものとなる。すなわち、本発明の組成物は、発光性材料としてイリジウム錯体を含む場合、さらにホスト材料を含むことが好ましい。本発明の組成物にホスト材料が含有される場合、ホスト材料は、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【０２２０】
各インク組成物が、イリジウム錯体とホスト材料とを含有する場合、イリジウム錯体の含有量は、イリジウム錯体とホスト材料との合計含有量を１００質量部とした場合、通常、０．０５〜８０質量部であり、好ましくは０．１〜６０質量部であり、より好ましくは０．５〜５０質量部である。
【０２２１】
ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ１）は、本発明の組成物を用いて形成される膜を有する有機ＥＬ素子の発光効率が優れるので、イリジウム錯体の有するＴ１と同等のエネルギー準位、または、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
【０２２２】
ホスト材料は、低分子化合物（以下、「低分子ホスト」とも称する。）と高分子化合物（以下、「高分子ホスト」とも称する。）に分類され、低分子ホストおよび高分子ホストのいずれであってもよいが、高分子ホストであることが好ましい。
【０２２３】
低分子ホストとしては、例えば、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物、フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物等が挙げられる。
【０２２４】
低分子ホストの具体例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。
【０２２５】
2020009757.tif 000071
【０２２６】
2020009757.tif 000072
【０２２７】
2020009757.tif 000073
【０２２８】
2020009757.tif 000074
【０２２９】
高分子ホストとしては、前述した式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が好ましい。
【０２３０】
これらの中でも、高分子ホストとしては、
式（Ｙ−４）で表される構成単位、式（Ｙ−５）で表される構成単位、式（Ｙ−６）で表される構成単位および式（Ｙ−７）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−４）で表される構成単位および式（Ｙ−６）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましく、
式（Ｙ−４）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが更に好ましい。
【０２３１】
また、高分子ホストとしては、式（Ｙ−４）で表される構成単位、式（Ｙ−５）で表される構成単位、式（Ｙ−６）で表される構成単位および式（Ｙ−７）で表される構成単位以外の構成単位として、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位、式（Ｙ−３）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、
式（Ｙ−１）で表される構成単位、式（Ｙ−２）で表される構成単位および式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましい。
【０２３２】
≪低分子化合物≫
各インク組成物において、固形分（Ａ）に含有される低分子化合物としては、特に限定されることはなく、上記のイリジウム錯体等の発光材料、上記のホスト材料、下記の正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、酸化防止剤等が例示される。
【０２３３】
≪その他の固形分≫
各インク組成物に含有される固形分（Ａ）は、下記の正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料および発光性化合物を含んでいてもよい。
【０２３４】
（正孔輸送材料）
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
【０２３５】
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、
トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
【０２３６】
本発明の組成物には、正孔輸送材料が、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【０２３７】
（電子輸送材料）
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２３８】
低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
【０２３９】
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
【０２４０】
インク組成物には、電子輸送材料が、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【０２４１】
（正孔注入材料および電子注入材料）
正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
【０２４２】
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
【０２４３】
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
各インク組成物には、正孔注入材料および電子注入材料が、各々、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【０２４４】
正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０−５Ｓ／ｃｍ〜１×１０３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
【０２４５】
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
【０２４６】
ドープするイオンは、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【０２４７】
（発光性化合物）
各インク組成物において、固形分（Ａ）は、発光性化合物として例示した、上記の高分子化合物又は低分子化合物以外の発光性化合物（以下、「その他の発光性化合物」とも称する。）を含んでいてもよい。その他の発光性化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、並びに、ペリレンおよびその誘導体が挙げられる。
【０２４８】
各インク組成物には、その他の発光性化合物が、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【０２４９】
（酸化防止剤）
各インク組成物は、溶媒（Ｂ）に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない酸化防止剤を含有していてもよい。酸化防止剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
【０２５０】
各インク組成物には、酸化防止剤が、１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
【０２５１】
＜組成比＞
各インク組成物は、固形分（Ａ）と溶媒（Ｂ）とを含む。各インク組成物において、固形分（Ａ）の含有量は、溶媒（Ｂ）の含有量を１００質量部とした場合、通常、０．１〜１０．０質量部であり、インクジェット印刷法での吐出性が優れるので、好ましくは０．２〜７．０質量部であり、より好ましくは０．３〜５．０質量部である。
【０２５２】
＜粘度＞
各インク組成物は、塗布性の観点から、温度２３℃における粘度が１ｃＰ以上１０ｃＰ以下であることが好ましく、２ｃＰ以上８ｃＰ以下であることがより好ましい。
【０２５３】
［インク組成物の製造方法］
各インク組成物は、例えば、固形分（Ａ）、溶媒（Ｂ）及びその他の成分を混合することにより調製できる。各成分の混合順は限定されることはなく、固形分（Ａ）の一部又は全部は、予め溶媒（Ｂ）の一部と混合した後に、残りの成分を、所定の濃度となるように混合することにより、目的のインク組成物を調製してもよい。
【０２５４】
［膜］
第１膜及び第２膜は、それぞれ第１インク組成物及び第２インク組成物を用いて形成された膜である。各膜には、各インク組成物に含まれる固形分がそのまま含有されていてもよいし、固形分が、分子内又は分子間、もしくは、分子内及び分子間で架橋した状態（架橋体）で含有されていてもよい。固形分の架橋体を含有する膜は、固形分を含有する塗布層を、加熱、光照射等の外部刺激により架橋させて得られる膜である。固形分の架橋体を含有する膜は、溶媒に対して実質的に不溶化されているため、積層化に好適に使用することができる。
【０２５５】
固形分を架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
【０２５６】
固形分を架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外線、近紫外線、可視光、赤外線である。
【０２５７】
各膜は、発光素子における発光層、正孔輸送層または正孔注入層として好適である。各膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍである。膜の平坦度Ｒは６０％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。
本明細書における膜の平坦度Ｒは、後述の算出方法により算出された値とする。
【０２５８】
＜用途＞
本発明に係る製造方法により得られる膜は、有機ＥＬ素子の要素、カラーフィルターの要素等として有用である。有機ＥＬ素子は、基板上に設けられた複数種の画素を備え、通常、各画素に対応する、陽極及び陰極からなる一対の電極を有する。複数種の画素は、少なくとも第１画素と第２画素とを含む。第１画素は、第１インク組成物を用いて形成される第１膜を有する。第２画素は、第２インク組成物を用いて形成される第２膜を有する。複数種の画素は、２種に限定されることはなく、例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂの３種の画素であってもよい。有機ＥＬ素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。有機ＥＬ素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源に用いることもできる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源および表示装置としても使用できる。
【０２５９】
［有機ＥＬ素子の製造方法］
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、上記した膜の製造方法により膜を製造する工程を含む。
【０２６０】
＜有機ＥＬ素子＞
≪層構成≫
第１インク組成物を用いて形成される第１膜と、第２インク組成物を用いて形成される第２膜とは、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、発光層である。これらの層は、各々、発光性化合物、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。
【０２６１】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。有機ＥＬ素子は、正孔注入性および正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層および正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性および電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
【０２６２】
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料および発光層の材料は、有機ＥＬ素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層および発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を溶媒に対して実質的に不溶化させることができる。
【０２６３】
有機ＥＬ素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、少なくとも、第１塗布層を形成する第１塗布工程と、第２塗布層を形成する第２塗布工程と、第１塗布層及び第２塗布層を乾燥させて第１膜と第２膜を形成する乾燥工程とを有する。
【０２６４】
積層する層の順番、数および厚さは、発光効率および輝度寿命を勘案して調整する。
【０２６５】
≪電極≫
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、イ
ンジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；N
ESA、金、白金、銀、銅である。
【０２６６】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。陽極および陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
【０２６７】
［インク組成物セット］
本発明に係るインク組成物セットは、上述の第１インク組成物と第２インク組成物とを少なくとも含む膜製造用のインク組成物セットである。本発明に係るインク組成物セットを用いて複数種の膜を含む膜を製造することにより、複数種の膜を形成する場合であっても、煩雑な乾燥工程によることなく、優れた平坦性を有する複数種の膜を製造することができる。本発明に係るインク組成物セットは、有機ＥＬ素子の製造用にも有用である。
【実施例】
【０２６８】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。
【０２６９】
＜インク組成物１、２、４＞
固形分として、ポリマー１（重量平均分子量：１．２５×１０５）と低分子化合物１（分子量：１．６８×１０３）を表２に示す比率で用い、溶媒として、デシルベンゼン（東京化成社製、大気圧での沸点：２９３℃、表２において「Ｄ」と称する。）と、シクロヘキシルベンゼン（東京化成社製、大気圧での沸点：２３８℃、表２において「ＣＨＢ」と称する。）と、４−メチルアニソール（東京化成社製、大気圧での沸点：１７５℃、表２において「ＭＴ」と称する。）とを表２に示す比率で用い、固形分を表２に示す固形分濃度となるようにして溶媒中に溶解させて、緑色発光インクであるインク組成物１、２、４を調整した。
【０２７０】
＜インク組成物３＞
固形分として、ポリマー３（重量平均分子量：１．７×１０５）とポリマー４（重量平均分子量：７．０×１０４）とを表２に示す比率で用い、溶媒として、デシルベンゼン（東京化成社製、大気圧での沸点：２９３℃、表２において「Ｄ」と称する。）と、シクロヘキシルベンゼン（東京化成社製、大気圧での沸点：２３８℃、表２において「ＣＨＢ」と称する。）と、４−メチルアニソール（東京化成社製、大気圧での沸点：１７５℃、表２において「ＭＴ」と称する。）とを表２に示す比率で用い、固形分を表２に示す固形分濃度となるようにして溶媒中に溶解させて、青色発光インクであるインク組成物３を調整した。
【０２７１】
＜透明電極基板の準備＞
３７０ｍｍ×４７０ｍｍ×０．５ｍｍのサイズのガラス基板（コーニング社製イーグルＸＧ）に、ジオマテック株式会社製の透明導電膜ＦＬＡＴ−ＩＴＯを所定のパターンで５０ｎｍ形成した。
【０２７２】
＜撥液性隔壁付基板の作製＞
上記にて作製した透明導電膜付基板に対して、ＵＶ−Ｏ３洗浄装置（日立ハイテクノロジ―社製；ＰＬ３−２００−１５）を用い、積算光量４００ｍＪ/ｃｍ２下で親水化処理を実施し、純水にて洗浄、エアーにて乾燥を実施した。この基板に対して、調製済みの感光性樹脂組成物を３０ｇ滴下し、スピンコータにて９００ｒｐｍにて７秒回転させ、感光性樹脂組成物からなる薄膜を塗布形成した。その後、真空乾燥装置（東京応化工業株式会社製；ＴＲ２８３４０ＣＰＤ−ＣＬＴ）にて６６Ｐａまで減圧乾燥を行い、ホットプレートにて１１０℃、１１０秒コンタクトしプリベークを実施した。次に、露光装置（日立ハイテクノロジ―社製；ＬＥ４０００Ａ）を用いて、露光を実施した。露光量は２００ｍＪ／ｃｍ２、Ｇａｐは１００μｍとした。フォトマスクには、パターン（遮光部の形状が、長軸方向２００μｍ、短軸方向５０μｍの長方形から、その四隅を円弧状にカットした形（長丸））が同一平面上に形成されたものを用いた。その後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（トクヤマ（株）製、トクソーＳＤ２５）を濃度が２．３８％となるように純水で希釈して調製した現像液を使用し、前記塗膜をシャワー現像機（セファテクノロジー株式会社製）にて、２３℃で８０秒間現像し、水洗およびエアー乾燥後、オーブン（エスペック社製：ＨＳＣ−４）中、２３０℃で２０分間ポストベークを行い、パターンを得た。
【０２７３】
＜塗布用基板の作製＞
上記で得られた透明電極上に撥液性隔壁がパターニングされた基板を、ＬＣＤ  Ｇｌａｓｓ分断装置（ＭＳ５００、三星ダイヤモンド工業株式会社製）を用いて、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ×０．５ｍｍのサイズから５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．５ｍｍのサイズへと分断した。
【０２７４】
＜正孔注入層の形成＞
正孔注入材料（ＮＤ−３２０２、日産化学工業株式会社製）を、インクジェット印刷装置（１４２Ｐ、Ｌｉｔｒｅｘ社製）に導入した。次に塗布前の前処理として、５０ｍｍ角のサイズに分断した基板を、２３０℃、１５分間ベークした。その後、ガラス基板上に形成され、撥液性の隔壁で囲まれたＩＴＯ膜上（ＩＴＯ膜厚：５０ｎｍ）に、インクジェット印刷法により、正孔注入材料を塗布し、ステージ温度１３℃、減圧速度２５７９０Ｐａ／秒の条件下で、溶媒が蒸発するまで減圧乾燥させ、６５ｎｍの平均厚さの正孔注入層を成膜した。得られた膜を、大気雰囲気下において、ホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより、正孔注入層を形成した。
【０２７５】
＜正孔輸送層の形成＞
混合溶媒（デシルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／４−メチルアニソール＝１８．４質量％／４０．２質量％／４１．４質量％）に、正孔輸送材料（高分子化合物）を、固形分濃度として０．５質量％溶解させた正孔輸送材料組成物を調製した。得られた正孔輸送材料組成物を、インクジェット印刷装置（Ｌｉｔｒｅｘ社製、１４２Ｐ）に導入した。次に、正孔注入層上に、正孔輸送材料組成物をインクジェット印刷法により塗布し、ステージ温度２３℃、減圧速度３７０００Ｐａ／秒の条件下で、溶媒が蒸発するまで減圧乾燥させ、膜を２０ｎｍの平均厚さで成膜した。得られた膜を、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で２００℃、３０分間加熱することにより、正孔輸送層を形成した。
【０２７６】
＜試験膜の形成＞
上記で調製したいずれかのインク組成物（インク組成物１、２、４）を用い、これをインクジェット印刷装置（Ｌｉｔｒｅｘ社製、１４２Ｐ）に導入した。次に、正孔輸送層上に、インク組成物をインクジェット印刷法により塗布し、乾燥機内に入れて、乾燥機内の温度を２５℃、乾燥機内を大気圧（１０１３２５Ｐａ）から１０００Ｐａまで、減圧速度２５７９０Ｐａ／秒で減圧させて、溶媒が蒸発するまで減圧乾燥させ、狙い膜厚８０ｎｍの厚さで成膜した。得られた膜を、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、１０分間加熱することにより、発光層（試験膜）を形成した。同様の方法でインク組成物３を用い、狙い膜厚６０ｎｍの厚さで成膜し、発光層（試験膜）を形成した。
【０２７７】
（測定用反射膜の形成）
「正孔注入層／正孔輸送層」の２層、もしくは「正孔注入層／正孔輸送層／発光層」の３層を形成したガラス基板を蒸着機内において、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、正孔輸送層又は発光層の上にアルミニウムを約２０ｎｍ蒸着することで測定用反射膜を形成し、膜形状測定素子を作製した。
【０２７８】
（膜形状の評価）
「正孔注入層／正孔輸送層／測定用反射膜」の層構成の基板Ｘ１と、「正孔注入層／正孔輸送層／発光層／測定用反射膜」の層構成の基板Ｘ２の２種類の基板の膜厚を、非接触３次元表面形状測定装置（Ｚｙｇｏ社製）により測定した。基板Ｘ１の３次元膜厚をＤ１、基板Ｘ２の３次元膜厚をＤ２とし、評価対象となる発光層（試験膜）単層の膜厚Ｔを下記式から得た。
Ｔ＝Ｄ２−Ｄ１
【０２７９】
膜厚Ｔ（ｎｍ）に関して、撥液性隔壁で囲まれた１つの画素の全領域の面積をＡ（μｍ２）、画素内の最小膜厚をＴｍｉｎ（ｎｍ）としたときに膜厚がＴｍｉｎ＋１０ｎｍ以下である領域の面積をＢ（μｍ２）、とすると、平坦度Ｒ（％）は下記式から得られる値とする。
Ｒ＝（Ｂ／Ａ）×１００
【０２８０】
インク組成物１〜４により得られた試験膜の平坦度Ｒを表２に示す。
【０２８１】
【表２】
2020009757.tif 000075
【０２８２】
＜実施例１，２及び比較例１＞
実施例１，２及び比較例１において、表３に示す上記で調製したインク組成物（インク組成物１〜４）の２種を用いて、乾燥工程（一括乾燥）を経て、２種類の発光層（第１膜及び第２膜）を形成した点以外は、上記した試験膜と同様に発光層を形成し、上記した試験膜と同様の方法により膜形状の評価を行った。発光層の形成の際の乾燥工程の乾燥条件は、試験膜の形成時に採用した乾燥条件と同じものとした。表３に、実施例１，２及び比較例１により得られた第１膜及び第２膜それぞれについて１つの画素の平坦度（一括乾燥後の平坦度）と、同じインク組成物を用いて上記にて得られた試験膜の平坦度（単独乾燥後の平坦度）とを示す。
【０２８３】
【表３】
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【０２８４】
図３に、実施例１でインク組成物１により得られた第１膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図３（a））と、イン
ク組成物１により得られた試験膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図３（ｂ））とを対比して示す。
【０２８５】
図４に、実施例１でインク組成物２により得られた第２膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図４（ａ））と、インク組成物２により得られた試験膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図４（ｂ））とを対比して示す。
【０２８６】
図５に、実施例３でインク組成物１により得られた第１膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図５（ａ））と、インク組成物１により得られた試験膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図５（ｂ））とを対比して示す。
【０２８７】
図６に、実施例３でインク組成物３により得られた第２膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図６（ａ））と、インク組成物３により得られた試験膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図６（ｂ））とを対比して示す。
【０２８８】
図７に、比較例１でインク組成物４により得られた第１膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図７（ａ））と、インク組成物４により得られた試験膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図７（ｂ））とを対比して示す。
【０２８９】
図８に、比較例１でインク組成物１により得られた第２膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図８（ａ））と、インク組成物１により得られた試験膜の画素短軸５０μｍの中心である画素端部から２５μｍの位置を通過する長軸方向の断面形状（図８（ｂ））とを対比して示す。
【０２９０】
表３及び図３〜図８に示す結果からわかるように、二つのインク組成物において、溶媒の種類が同じであった実施例１，２では、一括乾燥によっても、第１膜及び第２膜ともに優れた平坦度が得られ、一方、溶媒の種類が異なっていた比較例１では、一括乾燥によって、第１膜について平坦度が低い結果となった。
【符号の説明】
【０２９１】
１  基板、２１  第１ヘッド、４１  第１領域、４２  第２領域、４３  隔壁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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