(57)【要約】【課題】基板の温度を高精度に調整する基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理システムは、基板が載置される載置台と、電力が供給されることにより基板を加熱するヒータと、ヒータに電力を供給する電力供給部と、ヒータの抵抗値を測定するセンサと、制御装置とを備えている。制御装置は、複数の抵抗値を複数の温度に対応付ける変換テーブルを記録し、ヒータの温度がリファレンス温度であるときにセンサにより測定されるリファレンス抵抗値を取得する。制御装置は、さらに、ヒータにより基板が加熱されているときにセンサにより測定される温調用抵抗値を取得し、変換テーブルとリファレンス温度とリファレンス抵抗値と温調用抵抗値とに基づいて電力供給部を制御する。【選択図】図１
2020009795.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される載置台と、
電力が供給されることにより前記基板を加熱するヒータと、
前記ヒータに電力を供給する電力供給部と、
前記ヒータの抵抗値を測定するセンサと、
制御装置とを備え、
前記制御装置は、
複数の抵抗値を複数の温度に対応付ける変換テーブルを記録し、
前記ヒータの温度がリファレンス温度であるときに前記センサにより測定されるリファレンス抵抗値を取得し、
前記ヒータにより前記基板が加熱されているときに前記センサにより測定される温調用抵抗値を取得し、
前記変換テーブルと前記リファレンス温度と前記リファレンス抵抗値と前記温調用抵抗値とに基づいて前記電力供給部を制御する
基板処理システム。
【請求項２】
電力が供給されることにより前記基板を加熱する複数のヒータと、
前記複数のヒータに電力をそれぞれ供給する複数の電力供給部と、
前記複数のヒータに対応する複数のセンサとをさらに備え、
前記制御装置は、
前記複数のヒータに対応する複数の変換テーブルをさらに記録し、
前記リファレンス抵抗値が測定されているときに前記複数のセンサのうちの第１ヒータに対応する第１センサにより測定される第１リファレンス抵抗値を取得し、
前記第１ヒータにより前記基板が加熱されているときに前記第１センサにより測定される第１温調用抵抗値を取得し、
前記複数の変換テーブルのうちの前記第１ヒータに対応する第１変換テーブルと前記リファレンス温度と前記第１リファレンス抵抗値と前記第１温調用抵抗値に基づいて前記複数の電力供給部のうちの前記第１ヒータに電力を供給する第１電力供給部を制御する
請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記載置台のうちの前記基板に対向する載置面は、前記ヒータと前記複数のヒータとに対応する複数の領域に分割され、
前記ヒータは、前記複数の領域のうちの前記ヒータに対応する領域を加熱することにより前記基板を加熱し、
前記第１ヒータは、前記複数の領域のうちの前記第１ヒータに対応する第１領域を加熱することにより前記基板を加熱し、
前記第１領域は、前記領域に隣接しないように配置される
請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記複数のセンサは、複数の測定期間のうちのいずれかの測定期間に前記複数のヒータに対応する複数のリファレンス抵抗値をそれぞれ測定し、
前記複数のリファレンス抵抗値のうちの第２ヒータに対応する第２リファレンス抵抗値は、前記複数の測定期間のうちの前記リファレンス抵抗値と前記第１リファレンス抵抗値とが測定された第１測定期間の次の第２測定期間に測定され、
前記複数の領域のうちの前記第２ヒータに対応する第２領域は、前記領域に隣接しないように、かつ、前記第１領域に隣接しないように、配置される
請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項５】
基板が載置される載置台と、
電力が供給されることにより前記基板を加熱するヒータと、
前記ヒータに電力を供給する電力供給部と、
前記ヒータの抵抗値を測定するセンサ
とを備える基板処理装置
を用いて実行される基板処理方法であり、
前記ヒータの温度がリファレンス温度であるときに前記センサにより測定されるリファレンス抵抗値を取得することと、
前記ヒータにより前記基板が加熱されているときに前記センサにより測定される温調用抵抗値を取得することと、
複数の抵抗値を複数の温度に対応付ける変換テーブルと前記リファレンス温度と前記リファレンス抵抗値と前記温調用抵抗値とに基づいて前記電力供給部を制御すること
とを備える基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理システムおよび基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のヒータが設けられ、被処理基板である半導体ウェハが載置される載置台の複数の領域を独立に温度調整する基板処理装置が知られている（特許文献１参照）。このような基板処理装置を用いた半導体の製造プロセスでは、半導体ウェハの温度が高精度に調整されることにより、半導体を適切に処理することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−２２８２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の温度を高精度に調整する基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理システムは、基板が載置される載置台と、電力が供給されることにより基板を加熱するヒータと、ヒータに電力を供給する電力供給部と、ヒータの抵抗値を測定するセンサと、制御装置とを備えている。制御装置は、複数の抵抗値を複数の温度に対応付ける変換テーブルを記録し、ヒータの温度がリファレンス温度であるときにセンサにより測定されるリファレンス抵抗値を取得する。制御装置は、さらに、ヒータにより基板が加熱されているときにセンサにより測定される温調用抵抗値を取得し、変換テーブルとリファレンス温度とリファレンス抵抗値と温調用抵抗値とに基づいて電力供給部を制御する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板の温度を高精度に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態の基板処理システムに設けられる基板処理装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】図２は、実施形態の基板処理装置が備える静電チャックの一例を示す上面図である。
【図３】図３は、実施形態の基板処理装置が備える複数の電力供給部のうちの１つのヒータに対応する１つの電力供給部の一例を示す回路図である。
【図４】図４は、実施形態の基板処理システムが備える制御装置の一例を示す図である。
【図５】図５は、実施形態の基板処理装置に電力を供給する交流電源から出力される交流電圧の波形の一例を示し、ヒータに流れる電流の波形の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施形態の基板処理システムが備える制御装置に記録される複数の変換テーブルの一例を示す図である。
【図７】図７は、実施形態の基板処理方法によるオフセット調整において交流電源から複数のヒータのいずれかに交流電力が供給される複数の測定期間の一例を示し、交流電力と温度変化との一例を示す図である。
【図８】図８は、実施形態の基板処理装置が備えるヒータの抵抗値とヒータの温度との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、第１の抵抗値測定試験における比較例の複数の温度差と実施例の複数の温度差とを示すグラフである。
【図１０】図１０は、第２の抵抗値測定試験における比較例の複数の温度と実施例の複数の温度とを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、開示する基板処理システムおよび基板処理方法の実施例について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施例により開示される技術が限定されるものではない。また、各実施例は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
【０００９】
［基板処理装置１０の構成］
図１は、実施形態の基板処理システムに設けられる基板処理装置１０の一例を示す縦断面図である。基板処理装置１０は、図１に示されているように、チャンバー１と排気装置２とゲートバルブ３とを備えている。チャンバー１は、アルミニウムで形成され、略円筒状に形成されている。チャンバー１の表面は、陽極酸化被膜で被覆されている。チャンバー１の内部には、処理空間５が形成されている。チャンバー１は、処理空間５を外部の雰囲気から隔離している。チャンバー１には、排気口６と開口部７とが形成されている。排気口６は、チャンバー１の底部に形成されている。開口部７は、チャンバー１の側壁に形成されている。排気装置２は、排気口６を介してチャンバー１の処理空間５に接続されている。排気装置２は、排気口６を介して処理空間５から気体を排気し、処理空間５を所定の真空度まで減圧する。ゲートバルブ３は、開口部７を開放したり、開口部７を閉鎖したりする。
【００１０】
［載置台１１の構成］
基板処理装置１０は、載置台１１をさらに備えている。載置台１１は、処理空間５のうちの下部に配置されている。載置台１１は、絶縁板１４と支持台１５と基材１６と静電チャック１７と内壁部材１８とフォーカスリング１９と電極２２と複数のヒータ２３−１〜２３−ｎ（ｎ＝２，３，４，…）と温度センサ２４とを備えている。絶縁板１４は、絶縁体で形成され、チャンバー１の底部に支持されている。支持台１５は、導体で形成されている。支持台１５は、絶縁板１４の上に配置され、支持台１５とチャンバー１とが電気的に絶縁されるように、絶縁板１４を介してチャンバー１の底部に支持されている。
【００１１】
基材１６は、アルミニウムに例示される導体で形成されている。基材１６は、支持台１５の上に配置され、支持台１５を介してチャンバー１の底部に支持されている。静電チャック１７は、基材１６の上に配置され、基材１６を介してチャンバー１の底部に支持されている。静電チャック１７は、絶縁体で形成されている。電極２２と複数のヒータ２３−１〜２３−ｎとは、静電チャック１７の内部に埋め込まれている。温度センサ２４は、静電チャック１７の温度を測定することにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎを間接的に測定する。
【００１２】
内壁部材１８は、石英に例示される絶縁体で形成され、円筒状に形成されている。内壁部材１８は、基材１６と支持台１５とが内壁部材１８の内側に配置されるように、基材１６と支持台１５との周囲に配置され、基材１６と支持台１５とを囲んでいる。フォーカスリング１９は、単結晶シリコンで形成され、リング状に形成されている。フォーカスリング１９は、静電チャック１７がフォーカスリング１９の内部に配置されるように、静電チャック１７の外周に配置され、静電チャック１７を囲んでいる。載置台１１には、さらに、冷媒循環流路２５と伝熱ガス供給流路２６とが形成されている。冷媒循環流路２５は、基材１６の内部に形成されている。伝熱ガス供給流路２６は、静電チャック１７を貫通するように形成され、伝熱ガス供給流路２６の一端は、静電チャック１７の上面に形成されている。
【００１３】
基板処理装置１０は、直流電源３１と複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎとチラーユニット３３と伝熱ガス供給部３４とをさらに備えている。直流電源３１は、静電チャック１７の電極２２に電気的に接続されている。直流電源３１は、電極２２に直流電圧を印加する。複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応している。チラーユニット３３は、冷媒循環流路２５に接続されている。チラーユニット３３は、冷媒を所定の温度に冷却し、その冷却された冷媒を基材１６の内部の冷媒循環流路２５に循環させる。伝熱ガス供給部３４は、伝熱ガス供給流路２６に接続されている。伝熱ガス供給部３４は、Ｈｅガスに例示される伝熱ガスを伝熱ガス供給流路２６に供給する。
【００１４】
基板処理装置１０は、第１高周波電源３７と第２高周波電源３８とをさらに備えている。第１高周波電源３７は、第１整合器３５を介して基材１６に接続されている。第２高周波電源３８は、第２整合器３６を介して基材１６に接続されている。第１高周波電源３７は、所定の周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力を基材１６に供給する。第２高周波電源３８は、第１高周波電源３７が基材１６に供給する高周波電力の周波数より低い周波数（例えば、１３ＭＨｚ）の高周波電力を基材１６に供給する。
【００１５】
［シャワーヘッド４１の構成］
基板処理装置１０は、シャワーヘッド４１をさらに備えている。シャワーヘッド４１は、シャワーヘッド４１の下面が載置台１１に対向するように、かつ、シャワーヘッド４１の下面に沿う平面が載置台１１の上面に沿う平面に対して概ね平行であるように、処理空間５のうちの載置台１１の上方に配置されている。シャワーヘッド４１は、絶縁性部材４２と本体部４３と上部天板４４とを備えている。絶縁性部材４２は、絶縁体で形成され、チャンバー１の上部に支持されている。本体部４３は、例えば表面に陽極酸化処理が施されたアルミニウムに例示される導体で形成されている。本体部４３は、本体部４３とチャンバー１とが電気的に絶縁されるように、絶縁性部材４２を介してチャンバー１に支持されている。本体部４３と基材１６とは、一対の上部電極と下部電極として利用される。上部天板４４は、石英に例示されるシリコン含有物質で形成されている。上部天板４４は、本体部４３の下部に配置され、本体部４３に対して着脱自在に本体部４３に支持されている。
【００１６】
本体部４３には、ガス拡散室４５とガス導入口４６と複数のガス流出口４７とが形成されている。ガス拡散室４５は、本体部４３の内部に形成されている。ガス導入口４６は、本体部４３のうちのガス拡散室４５より上側に形成され、ガス拡散室４５に連通している。複数のガス流出口４７は、本体部４３のうちのガス拡散室４５より上部天板４４の側に形成され、ガス拡散室４５に連通している。上部天板４４には、複数のガス導入口４８が形成されている。複数のガス導入口４８は、上部天板４４の上面と下面とを貫通するように形成され、複数のガス流出口４７にそれぞれ連通している。
【００１７】
基板処理装置１０は、処理ガス供給源５１と弁５２とマスフローコントローラ５３（ＭＦＣ）とをさらに備えている。処理ガス供給源５１は、配管５４を介してシャワーヘッド４１の本体部４３のガス導入口４６に接続されている。マスフローコントローラ５３は、配管５４の途中に設けられている。弁５２は、配管５４のうちのマスフローコントローラ５３とガス導入口４６との間に設けられている。弁５２は、開閉されることにより、処理ガス供給源５１からガス導入口４６に処理ガスを供給したり、処理ガスが処理ガス供給源５１からガス導入口４６に供給されることを遮断したりする。
【００１８】
基板処理装置１０は、可変直流電源５５とローパスフィルタ５６（ＬＰＦ）とスイッチ５７とをさらに備えている。可変直流電源５５は、電路５８を介してシャワーヘッド４１の本体部４３に電気的に接続されている。ローパスフィルタ５６とスイッチ５７とは、電路５８の途中に設けられている。スイッチ５７は、開閉されることにより、直流電圧をシャワーヘッド４１に印加したり、直流電圧がシャワーヘッド４１に印加されることを遮断したりする。
【００１９】
基板処理装置１０は、リング磁石６１をさらに備えている。リング磁石６１は、永久磁石から形成され、リング状に形成されている。リング磁石６１は、チャンバー１がリング磁石６１の内側に配置されるように、チャンバー１と同心円状に配置されている。リング磁石６１は、図示されていない回転機構を介して回転自在にチャンバー１に支持されている。リング磁石６１は、処理空間５のうちのシャワーヘッド４１と載置台１１との間の領域に磁場を形成する。
【００２０】
基板処理装置１０は、デポシールド６２とデポシールド６３と導電性部材６４とをさらに備えている。デポシールド６２は、チャンバー１の内壁面を覆うように配置され、チャンバー１に対して着脱自在にチャンバー１に支持されている。デポシールド６２は、チャンバー１の内壁面にエッチング副生物（デポ）が付着することを防止する。デポシールド６３は、内壁部材１８の外周面を覆うように配置されている。デポシールド６３は、内壁部材１８の外周面にエッチング副生物が付着することを防止する。導電性部材６４は、導電性部材６４が配置される高さが、載置台１１に載置されたウェハ６５が配置される高さと略同じになるように、処理空間５に配置され、デポシールド６２に支持されている。導電性部材６４は、導体で形成され、グランドに電気的に接続されている。導電性部材６４は、チャンバー１内の異常放電を抑制する。
【００２１】
［静電チャック１７］
図２は、実施形態の基板処理装置１０が備える静電チャック１７の一例を示す上面図である。静電チャック１７のうちの載置台１１に載置されたウェハ６５に対向する載置面は、図２に示されているように、複数の領域６６−１〜６６−ｎに分割されている。なお、複数の領域６６−１〜６６−ｎの形状は、図２に示されている例に限られず、載置面は、複数の領域６６−１〜６６−ｎの形状と異なる他の形状の複数の領域に分割されていてもよい。複数の領域６６−１〜６６−ｎは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応している。複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちの１つの領域６６−１に対応する１つのヒータ２３−１は、静電チャック１７のうちの領域６６−１の近傍に埋め込まれている。ヒータ２３−１は、交流電力が供給されることにより領域６６−１を中心に静電チャック１７を加熱する。複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちのヒータ２３−１と異なる他のヒータも、ヒータ２３−１と同様に、交流電力が供給されたときに、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちのそのヒータに対応する領域を中心に静電チャック１７を加熱する。
【００２２】
［複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎの構成］
複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応している。図３は、実施形態の基板処理装置１０が備える複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのうちの１つのヒータ２３−１に対応する１つの電力供給部３２−１の一例を示す回路図である。電力供給部３２−１は、スイッチ７１と抵抗値センサ７２とを備えている。スイッチ７１は、交流電源７３とヒータ２３−１とを接続するヒータ電力供給用電路７４の途中に設けられている。交流電源７３は、基板処理装置１０が設置される工場に設けられ、基板処理装置１０に交流電力を供給するとともに、基板処理装置１０と異なる他の機器にも交流電力を供給する。スイッチ７１は、閉鎖されることにより交流電源７３から電力をヒータ２３−１に供給し、開放されることにより交流電源７３からヒータ２３−１に電力が供給されることを遮断する。
【００２３】
抵抗値センサ７２は、電圧計７５と電流計７６とを備えている。電圧計７５は、ヒータ２３−１に印加される電圧を測定する。電流計７６は、シャント抵抗器７７と電圧計７８とを備えている。シャント抵抗器７７は、ヒータ電力供給用電路７４の途中に設けられている。シャント抵抗器７７の抵抗値としては、１０ｍΩが例示される。電圧計７８は、シャント抵抗器７７に印加される電圧を測定する。電流計７６は、電圧計７８により測定された電圧に基づいて、ヒータ２３−１を流れる電流を測定する。抵抗値センサ７２は、電圧計７５により測定された電圧と電流計７６により測定された電流値とに基づいて、ヒータ２３−１の抵抗値を測定する。ヒータ２３−１の抵抗値は、電圧計７５により測定された電圧を電流計７６により測定された電流値で除算した値に等しい。複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのうちの電力供給部３２−１と異なる他の電力供給部も、電力供給部３２−１と同様に、スイッチと抵抗値センサとを備えている。すなわち、基板処理装置１０は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数の抵抗値センサを備えている。その電力供給部も、電力供給部３２−１と同様に、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちのその電力供給部に対応するヒータに交流電源７３から交流電力を供給し、そのヒータの抵抗値を測定する。
【００２４】
［制御装置８０の構成］
基板処理システムは、図４に示されているように、制御装置８０をさらに備えている。図４は、実施形態の基板処理システムが備える制御装置８０の一例を示す図である。制御装置８０は、コンピュータ９０により実現されている。コンピュータ９０は、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）９１とＲＡＭ（Random  Access  Memory）９２とＲＯＭ（Read  Only  Memory）９３とを備えている。ＣＰＵ９１は、コンピュータ９０にインストールされているプログラムに基づいて動作し、コンピュータ９０の各部を制御し、基板処理装置１０の各部を制御する。ＲＯＭ９３は、コンピュータ９０の起動時にＣＰＵ９１によって実行されるブートプログラムや、コンピュータ９０のハードウェアに依存するプログラムを記録している。
【００２５】
コンピュータ９０は、補助記憶装置９４と通信Ｉ／Ｆ９５と入出力Ｉ／Ｆ９６とメディアＩ／Ｆ９７とをさらに備えている。補助記憶装置９４は、ＣＰＵ９１により実行されるプログラムと、当該プログラムにより使用されるデータとを記録する。補助記憶装置９４としては、ＨＤＤ（Hard  Disk  Drive）、ＳＳＤ（Solid  State  Drive）が例示される。ＣＰＵ９１は、当該プログラムを、補助記憶装置９４から読み出してＲＡＭ９２にロードし、そのロードされたプログラムを実行する。
【００２６】
通信Ｉ／Ｆ９５は、ＬＡＮ（Local  Area  Network）に例示される通信回線を介して基板処理装置１０との間で通信を行う。通信Ｉ／Ｆ９５は、通信回線を介して基板処理装置１０から受信した情報をＣＰＵ９１へ送り、ＣＰＵ９１が生成したデータを基板処理装置１０に通信回線を介して送信する。
【００２７】
コンピュータ９０は、キーボードに例示される入力装置と、ディスプレイに例示される出力装置とをさらに備えている。ＣＰＵ９１は、入出力Ｉ／Ｆ９６を介して、入力装置と出力装置とを制御する。入出力Ｉ／Ｆ９６は、入力装置を介して入力された信号をＣＰＵ９１に送信し、ＣＰＵ９１により生成されたデータを出力装置に出力する。
【００２８】
メディアＩ／Ｆ９７は、一時的でない有形の記録媒体９８に記録されたプログラムまたはデータを読み取る。記録媒体９８としては、光学記録媒体、光磁気記録媒体、テープ媒体、磁気記録媒体、または、半導体メモリが例示される。光学記録媒体としては、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disc）、ＰＤ（Phase  change  rewritable  Disk）が例示される。光磁気記録媒体としては、ＭＯ（Magneto-Optical  disk）が例示される。
【００２９】
ＣＰＵ９１は、メディアＩ／Ｆ９７を介して記録媒体９８から読み取られたプログラムを補助記憶装置９４に記録するが、他の例として、通信回線を介して他の装置から取得されたプログラムを補助記憶装置９４に記録してもよい。
【００３０】
図５は、実施形態の基板処理装置１０に電力を供給する交流電源７３から出力される交流電圧の波形１０１の一例を示し、ヒータ２３−１に流れる電流の波形１０２の一例を示す図である。交流電圧の波形１０１は、正弦曲線に沿い、交流電源７３が所定周波数（例えば５０Ｈｚ）の交流電圧を出力していることを示している。電流の波形１０２は、交流電圧が負であるすべての期間に交流電源７３からヒータ２３−１に電力が供給されていないことを示している。電流の波形１０２は、さらに、交流電圧が正である複数の期間のうちの所定の複数の通電期間１０３に交流電源７３からヒータ２３−１に電力が供給されることを示している。すなわち、複数の通電期間１０３の各々の長さは、交流電源７３から出力される交流電圧の周期の半分に等しい。
【００３１】
すなわち、制御装置８０は、交流電源７３が出力する交流電圧が負であるときに、交流電圧がヒータ２３−１に印加されないように、電力供給部３２−１のスイッチ７１を開放する。制御装置８０は、さらに、交流電圧が正である複数の期間に対する複数の通電期間１０３の比率が所定の比率に等しくなるように、複数の通電期間１０３を設定する。制御装置８０は、さらに、複数の通電期間１０３に交流電圧がヒータ２３−１に印加されるように、複数の通電期間１０３に電力供給部３２−１のスイッチ７１を閉鎖する。
【００３２】
制御装置８０は、図６に示されているように、複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎを補助記憶装置９４に記録している。図６は、実施形態の基板処理システムが備える制御装置８０に記録される複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎの一例を示す図である。複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応している。複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎのうちのヒータ２３−１に対応する変換テーブル１１１−１は、複数の温度１１２を複数の抵抗値１１３に対応付けている。複数の温度１１２としては、２０℃から１２０℃まで１０℃ステップで設定される１１通りの設定温度が例示される。複数の抵抗値１１３のうちのある温度に対応する抵抗値は、ヒータ２３−１の温度がその温度に等しいときに、ヒータ２３−１の抵抗値に等しい。
【００３３】
変換テーブル１１１−１は、静電チャック１７が基板処理装置１０に取り付けられる前に、作成される。たとえば、ユーザは、赤外線カメラを用いて、静電チャック１７の上面から放射される赤外線の放射量の分布を測定し、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度をそれぞれ取得する。ユーザは、ヒータ２３−１の温度が所定の温度に等しい期間に、ヒータ２３−１に所定の電力を供給し、ヒータ２３−１に印加される電圧とヒータ２３−１に流れる電流とを測定し、その電圧と電流とに基づいてヒータ２３−１の抵抗値を算出する。ユーザは、その取得されたヒータ２３−１の温度と、その取得されたヒータ２３−１の抵抗値とが対応するように、変換テーブル１１１−１を作成する。
【００３４】
複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎのうちの変換テーブル１１１−１と異なる他の変換テーブルも、変換テーブル１１１−１と同様に、形成されている。すなわち、複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎのうちの変換テーブルは、複数のヒータのうちのその変換テーブルに対応するヒータの温度をそのヒータの抵抗値に対応付けている。
【００３５】
［基板処理方法］
実施形態の基板処理方法は、基板処理システムを用いて実行され、オフセット調整とプラズマエッチング方法とを備えている。
【００３６】
オフセット調整は、たとえば、基板処理装置１０が工場に設置されたときに、実行される。制御装置８０は、チラーユニット３３を制御することにより、所定のチラー温度に冷却された冷媒を冷媒循環流路２５に循環させ、静電チャック１７を冷却する。制御装置８０は、静電チャック１７が冷却されているときに、温度センサ２４を制御することにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を測定する。静電チャック１７は、チラーユニット３３により十分に冷却されることにより、たとえば、１２０分以上冷却されることにより、温度が一定になり、温度分布が一様になる。さらに、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度は、静電チャック１７が十分に冷却されることにより、静電チャック１７の温度に等しくなり、互いに温度が等しくなる。制御装置８０は、静電チャック１７が十分に冷却された後に、補助記憶装置９４を制御することにより、温度センサ２４により測定されたリファレンス温度を補助記憶装置９４に記録する。
【００３７】
制御装置８０は、静電チャック１７が十分に冷却された後に、さらに、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのスイッチ７１を開閉することにより、所定のタイミングに複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに交流電力を供給する。図７は、実施形態の基板処理方法によるオフセット調整において交流電源７３から複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのいずれかに交流電力が供給される複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍの一例を示し、交流電力と温度変化との一例を示す図である。複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍの長さは、図７に示されているように、互いに等しく、交流電源７３から出力される交流電圧の周期の半分の時間に等しい。さらに、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍの間隔１２２は、所定の長さ（たとえば、５秒）に等しい。すなわち、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍは、等間隔に間欠的に形成されている。
【００３８】
制御装置８０は、測定期間１２１−１に、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのスイッチ７１を開閉することにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちの複数（たとえば、４つ）の第１ヒータに交流電力１２４−１を供給する。このとき、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちの複数の第１ヒータに対応する複数の第１領域は、互いに隣接していない。すなわち、複数の第１領域から選択された任意の２つの第１領域の輪郭は、重なっている部分がない。また、その２つの第１領域の輪郭は、１つの点を共有していてもよい。制御装置８０は、測定期間１２１−１に複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎの抵抗値センサ７２を制御することにより、複数の第１ヒータの抵抗値をそれぞれ測定する。
【００３９】
温度変化１２５−１は、複数の第１ヒータのうちの１つの第１ヒータの温度の変化を示している。温度変化１２５−１は、測定期間１２１−１に交流電力１２４−１が第１ヒータに供給されることにより、測定期間１２１−１に第１ヒータの温度が上昇することを示している。温度変化１２５−１は、さらに、測定期間１２１−１の終了後に交流電力が第１ヒータに供給されないことにより、第１ヒータの温度が低下することを示している。温度変化１２５−１は、さらに、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍのうちの測定期間１２１−１の次の測定期間１２１−２に第１ヒータの温度がチラー温度１２６に概ね等しくなることを示している。すなわち、間隔１２２の長さは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちの１つのヒータが測定期間１２１−１に電力が供給されたときに、測定期間１２１−２にそのヒータの温度がチラー温度に概ね等しくなるまで低下するように、設定されている。
【００４０】
制御装置８０は、測定期間１２１−２に、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのスイッチ７１を開閉することにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちの複数の第１ヒータと異なる複数の第２ヒータに交流電力を供給する。このとき、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちの複数の第２ヒータに対応する複数の第２領域は、互いに隣接していない。複数の第２領域は、さらに、複数の第１領域のいずれにも隣接していない。制御装置８０は、測定期間１２１−２に複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎの抵抗値センサ７２を制御することにより、複数の第２ヒータの抵抗値をそれぞれ測定する。
【００４１】
複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍの各々で抵抗値が測定される複数のヒータの組み合わせは、複数の第２ヒータと同様に、設定されている。たとえば、測定期間１２１−３で抵抗値が測定される複数の第３ヒータは、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちの複数の第３ヒータに対応する複数の第３領域が互いに隣接しないように、かつ、複数の第３領域が複数の第２領域に隣接しないように設定されている。その組み合わせは、さらに、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍの全部が経過したときに、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの各々の抵抗値が所定の回数（たとえば、５０回）測定されるように、設定されている。
【００４２】
制御装置８０は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの各々の抵抗値が所定の回数測定された後に、補助記憶装置９４を制御することにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数のリファレンス抵抗値を補助記憶装置９４に記録する。複数のリファレンス抵抗値のうちのヒータ２３−１に対応するリファレンス抵抗値は、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定された複数の抵抗値の平均を示している。制御装置８０は、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのいずれかの抵抗値センサ７２により測定された複数の抵抗値のばらつきが所定の値より大きいときに、オフセット調整を再度最初から実行する。
【００４３】
制御装置８０は、複数のリファレンス抵抗値が取得された後に、複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎとリファレンス温度と複数のリファレンス抵抗値とに基づいて複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数の補正後変換テーブルを作成する。複数の補正後変換テーブルのうちのヒータ２３−１に対応する補正後変換テーブルは、変換テーブル１１１−１とリファレンス温度と複数のリファレンス抵抗値のうちのヒータ２３−１に対応するリファレンス抵抗値とに基づいて作成される。補正後変換テーブルは、複数の抵抗値を変換テーブル１１１−１の複数の温度１１２に対応付けている。その複数の抵抗値は、補正後変換テーブルがリファレンス抵抗値をリファレンス温度に対応付けるように、変換テーブル１１１−１の複数の抵抗値１１３に所定の値がそれぞれ加算されたものに等しい。制御装置８０は、複数の補正後変換テーブルが作成された後に、補助記憶装置９４を制御することにより、複数の補正後変換テーブルを補助記憶装置９４に記録する。
【００４４】
［プラズマエッチング方法］
プラズマエッチング方法は、オフセット調整が実行された後に実行される。プラズマエッチング方法では、まず、制御装置８０は、ゲートバルブ３を制御することにより、開口部７を開放する。被処理体となるウェハ６５は、開口部７が開放されているときに、開口部７を介してチャンバー１の処理空間５に搬入され、載置台１１に載置される。制御装置８０は、ウェハ６５が載置台１１に載置された後に、直流電源３１を制御することにより、電極２２に直流電圧を印加し、クーロン力によりウェハ６５を静電チャック１７に保持する。制御装置８０は、ウェハ６５が載置台１１に保持された後に、ゲートバルブ３を制御することにより、開口部７を閉鎖する。
【００４５】
制御装置８０は、開口部７が閉鎖されているときに、排気装置２を制御することにより、処理空間５の雰囲気が所定の真空度になるように真空引きする。制御装置８０は、さらに、弁５２を制御することにより、所定量の処理ガスを処理ガス供給源５１からガス導入口４６に供給する。処理ガス供給源５１からガス導入口４６に供給された処理ガスは、ガス拡散室４５に供給された後に、複数のガス流出口４７と複数のガス導入口４８とを介してチャンバー１の処理空間５にシャワー状に供給される。
【００４６】
制御装置８０は、ウェハ６５が静電チャック１７に保持されているときに、伝熱ガス供給部３４を制御することにより、伝熱ガスを伝熱ガス供給流路２６に供給し、伝熱ガスを静電チャック１７とウェハ６５との間に供給する。制御装置８０は、さらに、チラーユニット３３を制御することにより、所定の温度に冷却された冷媒を冷媒循環流路２５に循環させ、静電チャック１７を冷却する。
【００４７】
制御装置８０は、ウェハ６５が静電チャック１７に保持されているときに、さらに、電力供給部３２−１のスイッチ７１を開閉することにより、複数の通電期間１０３に交流電源７３からヒータ２３−１に交流電力を供給する。制御装置８０は、さらに、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２を制御することにより、複数の通電期間１０３毎にヒータ２３−１の抵抗値を測定する。制御装置８０は、複数の補正後変換テーブルのうちのヒータ２３−１に対応する補正後変換テーブルを参照して、その測定された抵抗値に基づいてヒータ２３−１の温度を算出する。その算出された温度は、補正後変換テーブルにより、その測定された抵抗値に対応付けられた温度に等しい。制御装置８０は、その算出された温度が目標温度より小さいときに、交流電源７３から出力される交流電圧が正である複数の期間に対する複数の通電期間１０３の比率が大きくなるように、複数の通電期間１０３を変更する。制御装置８０は、その算出された温度が目標温度より大きいときに、交流電圧が正である複数の期間に対する複数の通電期間１０３の比率が小さくなるように、複数の通電期間１０３を変更する。制御装置８０は、電力供給部３２−１のスイッチ７１を開閉することにより、その変更された複数の通電期間１０３に交流電源７３からヒータ２３−１に交流電力を供給する。
【００４８】
制御装置８０は、このように複数の通電期間１０３の比率を変更することにより、ヒータ２３−１の温度が目標温度になるように、ヒータ２３−１の温度を高精度に調整することができる。制御装置８０は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちのヒータ２３−１と異なる他のヒータに関しても、ヒータ２３−１と同様に、複数の補正後変換テーブルのうちのそのヒータに対応する補正後変換テーブルを用いて温度を調整する。このとき、ウェハ６５は、静電チャック１７とウェハ６５との間に供給される伝熱ガスを介して、静電チャック１７からウェハ６５に伝熱されることにより、ウェハ６５の温度が目標温度になるように、温度調整される。
【００４９】
制御装置８０は、ウェハ６５の温度が所定の温度に調整されているときに、第１高周波電源３７と第２高周波電源３８とを制御することにより、載置台１１の基材１６に高周波電力を供給する。処理空間５のうちの載置台１１とシャワーヘッド４１との間の領域には、載置台１１の基材１６に高周波電力が供給されることにより、プラズマが発生する。制御装置８０は、可変直流電源５５とスイッチ５７とを制御することにより、可変直流電源５５から所定の大きさの直流電圧をシャワーヘッド４１に印加する。このとき、ウェハ６５は、処理空間５に発生したプラズマによりエッチングされる。
【００５０】
制御装置８０は、ウェハ６５が適切にエッチングされた後に、第１高周波電源３７と第２高周波電源３８とを制御することにより、載置台１１の基材１６に高周波電力が供給されることを停止する。制御装置８０は、さらに、可変直流電源５５とスイッチ５７とを制御することにより、直流電圧がシャワーヘッド４１に印加されないようにする。制御装置８０は、さらに、ゲートバルブ３を制御することにより、開口部７を開放する。制御装置８０は、さらに、直流電源３１を制御することにより、ウェハ６５が静電チャック１７に保持されることを解除する。ウェハ６５は、静電チャック１７に保持されていない場合で、開口部７が開放されているときに、開口部７を介してチャンバー１の処理空間５から搬出される。このようなプラズマエッチング方法によれば、ウェハ６５の温度が所定の温度に適切に調整され、ウェハ６５は、適切にエッチングされることができる。
【００５１】
図８は、実施形態の基板処理装置１０が備えるヒータ２３−１の抵抗値とヒータ２３−１の温度との関係を示すグラフである。図８のグラフの線１３１は、ヒータ２３−１の抵抗値とヒータ２３−１の温度との関係を示している。線１３１は、ヒータ２３−１の温度が高くなるにつれ、ヒータ２３−１の抵抗値が大きくなることを示している。図８のグラフの線１３２は、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定された抵抗値とヒータ２３−１の温度との関係を示している。線１３２は、ヒータ２３−１の温度が高くなるにつれ、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定される抵抗値が大きくなることを示している。
【００５２】
電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定された抵抗値は、ヒータ２３−１と抵抗値センサ７２とを含む電気回路に設けられる電気的要素により、ヒータ２３−１の抵抗値と異なることがある。その電気的要素としては、配線、端子、フィルタが例示される。図８のグラフは、線１３１と線１３２とが概ね同形であることを示し、線１３１を横軸に平行に平行移動させることにより線１３２に概ね重なることを示している。図８のグラフは、オフセット調整により変換テーブル１１１−１から作成された補正後変換テーブルが、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定された抵抗値を、ヒータ２３−１の温度に適切に対応付けることができることを示している。制御装置８０は、このような補正後変換テーブルを参照することにより、ヒータ２３−１の温度を高精度に算出することができ、ヒータ２３−１の温度を高精度に調整することができる。制御装置８０は、このような補正後変換テーブルと同様に、複数の補正後変換テーブルを参照することにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができ、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に調整することができる。
【００５３】
図９は、第１の抵抗値測定試験における比較例の複数の温度差と実施例の複数の温度差とを示すグラフである。第１の抵抗値測定試験では、抵抗値センサ７２を用いて複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの抵抗値が複数回測定され、複数の補正後変換テーブルを参照して、その測定された複数の抵抗値から複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度がそれぞれ算出されている。図９のグラフの複数の測定ゾーン番号は、複数の領域６６−１〜６６−ｎをそれぞれ識別し、すなわち、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎをそれぞれ識別し、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎの抵抗値センサ７２をそれぞれ識別している。複数の温度差は、複数の測定ゾーン番号に対応し、すなわち、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応している。たとえば、複数の温度差のうちのヒータ２３−１に対応する温度差は、ヒータ２３−１の１０回目の温度からヒータ２３−１の１回目の温度を減算した値を示している。ヒータ２３−１の１０回目の温度は、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により１０回目に測定された抵抗値に基づいて算出された温度を示している。ヒータ２３−１の１回目の温度は、電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により１回目に測定された抵抗値に基づいて算出された温度を示している。
【００５４】
図９のグラフの折れ線１４２は、比較例の複数の温度差を示し、複数回の抵抗値の測定の間隔の長さが１秒であるときの、すなわち、複数回の抵抗値の測定の間隔の長さが間隔１２２の長さより短いときの、複数の温度差を示している。折れ線１４２は、複数の温度差が比較的大きいことを示し、複数の温度差のばらつきが０．２６℃であることを示している。折れ線１４１は、実施例の複数の温度差を示し、複数回の抵抗値の測定の間隔の長さが５秒であるときの、すなわち、複数回の抵抗値の測定の間隔の長さが間隔１２２の長さと等しいときの複数の温度差を示している。折れ線１４１は、実施例の複数の温度差が比較例の複数の温度差より小さいことを示している。折れ線１４１は、さらに、実施例の複数の温度差のばらつきが０．０４℃であることを示し、実施例の複数の温度差のばらつきが比較例の複数の温度差のばらつきより小さいことを示している。
【００５５】
図９のグラフは、抵抗値の測定の間隔の長さが十分に長いときに、抵抗値の測定時の電力供給が次回の抵抗値の測定時の複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの昇温を抑制し、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができることを示している。すなわち、図９のグラフは、既述の基板処理方法のオフセット調整で、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができることを示している。基板処理システムは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度が高精度に算出されることにより、ウェハ６５の温度を高精度に調整することができ、ウェハ６５を適切に処理することができる。
【００５６】
図１０は、第２の抵抗値測定試験における比較例の複数の温度と実施例の複数の温度とを示すグラフである。第２の抵抗値測定試験では、抵抗値センサ７２を用いてヒータ２３−１の抵抗値を複数回測定し、補正後変換テーブルを参照して、その測定された複数の抵抗値からヒータ２３−１の温度が算出されている。折れ線１５２は、比較例の複数の温度を示している。比較例の複数の温度は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちのヒータ２３−１と異なる他の隣接ヒータがヒータ２３−１と並行して電力供給されたときのヒータ２３−１の温度をそれぞれ示している。複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちのその隣接ヒータに対応する領域は、領域６６−１に隣接している。折れ線１５２は、比較例の複数の温度のばらつきが０．１９℃であることを示し、比較例の複数の温度のばらつきが比較的大きいことを示している。
【００５７】
折れ線１５１は、実施例の複数の温度を示している。実施例の複数の温度は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちのヒータ２３−１と異なる他の非隣接ヒータがヒータ２３−１と並行して電力供給されたときのヒータ２３−１の温度をそれぞれ示している。複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちのその非隣接ヒータに対応する領域は、領域６６−１に隣接していない。折れ線１５１は、実施例の複数の温度のばらつきが０．０４℃であることを示し、実施例の複数の温度のばらつきが比較例の複数の温度のばらつきより小さいことを示している。
【００５８】
図１０のグラフは、ヒータ２３−１の抵抗値が測定されるときに、領域６６−１に隣接する領域を加熱するヒータの抵抗値が測定されないことにより、ヒータ２３−１の抵抗値がより高精度に測定されることを示している。すなわち、図１０のグラフは、既述の基板処理方法のオフセット調整で、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができることを示している。基板処理システムは、オフセット調整で複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することにより、複数の補正後変換テーブルを適切に作成することができる。基板処理システムは、複数の補正後変換テーブルが適切に作成されることにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができる。基板処理システムは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度が高精度に算出されることにより、ウェハ６５の温度を高精度に調整することができ、ウェハ６５を適切に処理することができる。
【００５９】
［実施形態の基板処理システムの効果］
実施形態の基板処理システムは、載置台１１とヒータ２３−１と電力供給部３２−１と抵抗値センサ７２と制御装置８０とを備えている。載置台１１には、ウェハ６５が載置される。ヒータ２３−１は、電力が供給されることによりウェハ６５を加熱する。電力供給部３２−１は、ヒータ２３−１に電力を供給する。電力供給部３２−１に設けられる抵抗値センサ７２は、ヒータ２３−１の抵抗値を測定する。制御装置８０は、複数の抵抗値を複数の温度に対応付ける変換テーブル１１１−１を記録し、ヒータ２３−１の温度がリファレンス温度であるときに電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定される第１リファレンス抵抗値を取得する。制御装置８０は、ヒータ２３−１によりウェハ６５が加熱されているときに電力供給部３２−１の抵抗値センサ７２により測定される第１温調用抵抗値を取得する。制御装置８０は、変換テーブル１１１−１とリファレンス温度と第１リファレンス抵抗値と第１温調用抵抗値とに基づいて電力供給部３２−１を制御する。
【００６０】
このような基板処理システムは、変換テーブル１１１−１による抵抗値と温度との対応関係が、抵抗値の測定値とヒータ２３−１の温度との対応関係に対してシフトしている場合でも、抵抗値の測定値からヒータ２３−１の温度を高精度に算出することができる。基板処理システムは、ヒータ２３−１の温度が高精度に算出されることにより、ヒータ２３−１の温度を高精度に調整することができ、ウェハ６５の温度を高精度に調整することができ、ウェハ６５を適切に処理することができる。
【００６１】
また、実施形態の基板処理システムは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎと複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎと複数の抵抗値センサとをさらに備えている。制御装置８０は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎをさらに記録している。制御装置８０は、第１リファレンス抵抗値が測定されているときに、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのうちのヒータ２３−２に対応する電力供給部３２−２の抵抗値センサ７２により測定される第２リファレンス抵抗値を取得する。制御装置８０は、ヒータ２３−２によりウェハ６５が加熱されているときに、電力供給部３２−２の抵抗値センサ７２により測定される第２温調用抵抗値を取得する。制御装置８０は、リファレンス温度と第２リファレンス抵抗値とに基づいて複数の変換テーブル１１１−１〜１１１−ｎのうちのヒータ２３−２に対応する変換テーブル１１１−２をオフセット調整することにより、補正後変換テーブルを作成する。制御装置８０は、補正後変換テーブルを参照して第２温調用抵抗値に基づいて算出される温度に基づいて、複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎのうちのヒータ２３−２に電力を供給する電力供給部３２−２を制御する。
【００６２】
このような基板処理システムは、複数のヒータ２３−１、２３−２の抵抗値が並行して測定されることにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの全部の抵抗値を短時間に測定することができる。基板処理システムは、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの全部の抵抗値が短時間に測定されことにより、短時間にセットアップされることができる。
【００６３】
また、実施形態の基板処理システムの載置台１１のうちのウェハ６５に対向する載置面は、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数の領域６６−１〜６６−ｎに分割されている。たとえば、ヒータ２３−１は、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちのヒータ２３−１に対応する領域６６−１を加熱することによりウェハ６５を加熱する。ヒータ２３−２は、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちのヒータ２３−２に対応する領域６６−２を加熱することによりウェハ６５を加熱する。このとき、領域６６−２は、領域６６−１に隣接しないように配置されている。
【００６４】
このような基板処理システムは、ヒータ２３−２の抵抗値の測定時にヒータ２３−１が加熱される熱干渉を抑制することができ、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数のリファレンス抵抗値を高精度に測定することができる。基板処理システムは、複数のリファレンス抵抗値が高精度に測定されることにより、複数の補正後変換テーブルを高精度に作成することができ、抵抗値の測定値から複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができる。
【００６５】
また、実施形態の基板処理システムの複数の電力供給部３２−１〜３２−ｎの抵抗値センサ７２は、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍのうちのいずれかの測定期間に複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数のリファレンス抵抗値をそれぞれ測定する。たとえば、複数のリファレンス抵抗値のうちのヒータ２３−３に対応する第３リファレンス抵抗値は、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍのうちの第１、第２リファレンス抵抗値が測定された測定期間１２１−１の次の測定期間１２１−２に測定される。このとき、複数の領域６６−１〜６６−ｎのうちのヒータ２３−３に対応する領域６６−３は、領域６６−１に隣接しないように、かつ、領域６６−２に隣接しないように、配置されている。
【００６６】
このような基板処理システムは、ヒータ２３−１、２３−２の熱がヒータ２３−３の抵抗値の測定に及ぼす熱干渉を抑制することができ、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数のリファレンス抵抗値を高精度に測定することができる。基板処理システムは、複数のリファレンス抵抗値が高精度に測定されることにより、複数の補正後変換テーブルを高精度に作成することができ、抵抗値の測定値から複数のヒータ２３−１〜２３−ｎの温度を高精度に算出することができる。
【００６７】
ところで、既述の基板処理方法のオフセット調整では、測定期間１２１−２に加熱される複数の第２領域が測定期間１２１−１に加熱される複数の第１領域に隣接しないが、複数の第１領域に隣接していてもよい。この場合も、基板処理システムは、複数の第１領域が互いに隣接しないことにより、熱干渉を抑制することができ、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちの複数の第１領域に対応するヒータのリファレンス抵抗値を高精度に測定することができる。基板処理システムは、さらに、測定期間１２１−１に複数の第ヒータのリファレンス抵抗値が測定されることにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数のリファレンス抵抗値を短時間に取得することができる。基板処理システムは、さらに、変換テーブル１１１−１による抵抗値と温度との対応関係が、抵抗値の測定値とヒータ２３−１の温度との対応関係に対してシフトしていても、抵抗値の測定値からヒータ２３−１の温度を高精度に算出することができる。
【００６８】
ところで、既述の基板処理方法のオフセット調整では、測定期間１２１−１に加熱される複数の第１領域が互いに隣接しないが、互いに隣接していてもよい。この場合も、基板処理システムは、１つの測定期間１２１−１に複数の第ヒータのリファレンス抵抗値が測定されることにより、複数のヒータ２３−１〜２３−ｎに対応する複数のリファレンス抵抗値を短時間に取得することができる。基板処理システムは、さらに、変換テーブル１１１−１による抵抗値と温度との対応関係が、抵抗値の測定値とヒータ２３−１の温度との対応関係に対してシフトしていても、抵抗値の測定値からヒータ２３−１の温度を高精度に算出することができる。
【００６９】
ところで、既述の基板処理方法のオフセット調整では、複数の測定期間１２１−１〜１２１−ｍの各々で複数のヒータ２３−１〜２３−ｎのうちの２つ以上のヒータの抵抗値が測定されているが、１つのヒータの抵抗値のみが測定されてもよい。この場合も、基板処理システムは、変換テーブル１１１−１による抵抗値と温度との対応関係が、抵抗値の測定値とヒータ２３−１の温度との対応関係に対してシフトしていても、抵抗値の測定値からヒータ２３−１の温度を高精度に算出することができる。
【００７０】
なお、既述の基板処理装置１０では、プラズマが用いられてウェハ６５がエッチングされるが、そのプラズマとしては、様々なものが用いられることができる。そのプラズマとしては、ＣＣＰ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）、Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａが例示される。そのプラズマとしては、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  Ｐｌａｓｍａ）、ＨＷＰ（Ｈｅｌｉｃｏｎ  Ｗａｖｅ  Ｐｌａｓｍａ）がさらに例示される。
【符号の説明】
【００７１】
１０    ：基板処理装置
１１    ：載置台
２３−１〜２３−ｎ：複数のヒータ
３２−１〜３２−ｎ：複数の電力供給部
３３    ：チラーユニット
６５    ：ウェハ
６６−１〜６６−ｎ：複数の領域
７１    ：スイッチ
７２    ：抵抗値センサ
８０    ：制御装置
１１１−１〜１１１−ｎ：複数の変換テーブル
１２１−１〜１２１−ｍ：複数の測定期間
【図１】
2020009795.tif 000003
【図２】
2020009795.tif 000004
【図３】
2020009795.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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