(57)【要約】【課題】四角形の基板を搬送する自動化された装置を提供する【解決手段】一実施形態によれば、四角形の基板を搬送するための基板搬送装置が提供され、かかる基板搬送装置は、基板の下面を支持するように構成される複数の搬送ローラと、前記複数の搬送ローラが取り付けられる複数のローラシャフトと、前記複数のローラシャフトを回転させるためのモータと、前記複数の搬送ローラの上にある基板を、前記複数の搬送ローラから離れるように持ち上げるためのプッシャと、を有し、前記プッシャは、前記複数のローラシャフトの間の隙間を通過することが可能なステージを有する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角形の基板を搬送するための基板搬送装置であって、
基板の下面を支持するように構成される複数の搬送ローラと、
前記複数の搬送ローラが取り付けられる複数のローラシャフトと、
前記複数のローラシャフトを回転させるためのモータと、
前記複数の搬送ローラの上にある基板を、前記複数の搬送ローラから離れるように持ち上げるためのプッシャと、を有し、
前記プッシャは、前記複数のローラシャフトの間の隙間を通過することが可能なステージを有する、
基板搬送装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板搬送装置であって、
前記複数の搬送ローラの間に支持部材が配置されている、
基板搬送装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板搬送装置であって、
基板の搬送方向に垂直である幅方向に基板を支持する複数のガイドローラを有する、
基板搬送装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、
基板は、デバイスとして使用されない非パターン領域を有し、
前記複数の搬送ローラは、基板の非パターン領域に接触可能に配置される、
基板搬送装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、
前記複数の搬送ローラの少なくとも一部は導電性ポリマーから形成されている、
基板搬送装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、さらに、
マグネットギアを有し、
前記マグネットギアを介して前記モータは前記ローラシャフトを回転させる、
基板搬送装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、さらに、
前記複数の搬送ローラ上で搬送され基板の搬送経路に進入し、搬送中の基板が接触可能に構成されるストッパを有する、
基板搬送装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、さらに、
前記複数の搬送ローラ上の所定の位置における基板の有無を検知するためのセンサを有する、
基板搬送装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、さらに、
前記複数の搬送ローラにより搬送されている基板の上面を支持するように構成される複数の支持ローラを有する、
基板搬送装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、
前記複数のローラシャフトを回転させるためのモータはサーボモータである、
基板搬送装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、
前記プッシャの前記ステージは複数の支持柱を有し、
前記プッシャは、前記ステージを上下方向へ昇降するための昇降機構を備え、前記昇降機構は、前記ステージが上昇した位置である上位置と、前記ステージが下降した位置である下位置との間で、前記ステージを移動可能であり、前記ステージが前記下位置から前記上位置に移動するときに、前記ステージの前記複数の支持柱の少なくとも一部が前記複数のローラシャフトの間の隙間を通過して、前記複数の搬送ローラ上にある基板を前記複数の支持柱で受け取るように構成される、
基板搬送装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、
前記プッシャは、前記ステージを水平面内に直線運動させるための直線移動機構を有する、
基板搬送装置。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の基板搬送装置であって、
前記プッシャは、前記ステージを水平面内で回転運動させるための回転移動機構を有する、
基板搬送装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の基板搬送装置であって、
前記プッシャは、前記ステージの直線運動を防止するための直線運動防止機構を有する、
基板搬送装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の基板搬送装置であって、
前記プッシャは、前記ステージの回転運動を防止するための回転運動防止機構を有する、
基板搬送装置。
【請求項１６】
基板処理装置であって、
基板を研磨するための研磨部と、
基板を洗浄するための洗浄部と、
基板を乾燥させるための乾燥部と、
前記研磨部、前記洗浄部、および前記乾燥部の間で基板を搬送する搬送部と、を有し、
前記搬送部は、請求項１から１５のいずれか一項に記載の基板搬送装置を有する、
基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理装置であって、
前記研磨部は、
研磨パッドを保持するためのテーブルと、
前記テーブルを回転駆動するためのテーブル駆動機構と、
基板を保持するためのトップリングと、
前記トップリングに保持された基板を、前記テーブル上に保持された研磨パッドに対して押し付けるための押圧機構と、を有し、
前記トップリングは、前記プッシャの前記ステージから基板を受け取ることが可能であり、且つ、前記トップリングが保持する基板を前記プッシャの前記ステージに受け渡すこ
とが可能に構成される、
基板処理装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板処理装置であって、
前記研磨部は、
前記テーブル上の前記研磨パッド上に研磨液を供給するための研磨液供給機構を有する、
基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の基板処理装置であって、
前記研磨液供給機構は、前記テーブル内に設けられた流路を有し、前記流路は前記テーブルの表面および前記研磨パッドに画定された開口部に連通する、
基板処理装置。
【請求項２０】
請求項１７から１９のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記トップリングはエアバッグを有し、前記エアバッグ内に供給される流体の圧力により、基板の前記研磨パッドへの押圧力を制御することが可能に構成される、
基板処理装置。
【請求項２１】
請求項１７から２０のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記テーブルの表面は、前記テーブルから前記研磨パッドの剥離を容易にするためのシリコーン層またはフッ素系樹脂層を有する、
基板処理装置。
【請求項２２】
請求項１７から２１のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記基板処理装置は、前記テーブル上に保持される前記研磨パッドを有し、
前記研磨パッドの表面には、前記研磨パッドの外周に連通する溝と、前記研磨パッドの外周に連通しない溝と、を有する、
基板処理装置。
【請求項２３】
請求項２２に記載の基板処理装置であって、
前記研磨パッドの前記溝は、同心円状のパターンを形成する溝と、放射状のパターンを形成する溝と、を有する、
基板処理装置。
【請求項２４】
請求項２２に記載の基板処理装置であって、
前記研磨パッドの前記溝は、格子状のパターンを形成する溝を有する、
基板処理装置。
【請求項２５】
請求項１６から２４のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記洗浄部は、
前記搬送ローラ上の基板に向けて洗浄液を噴射するための洗浄ノズルを有する、
基板処理装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の基板処理装置であって、
前記洗浄ノズルは、前記搬送ローラ上の基板から見て上面側および下面側の両方に配置される、
基板処理装置。
【請求項２７】
請求項１６から２６のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記乾燥部は、前記搬送ローラ上の基板に向けて気体を噴きつける乾燥ノズルを有する、
基板処理装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の基板処理装置であって、
前記乾燥ノズルは、前記搬送ローラ上の基板から見て上面側および下面側の両方に配置される、
基板処理装置。
【請求項２９】
請求項１６から２８のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記研磨部、前記洗浄部、前記乾燥部、および前記搬送部の少なくとも１つを収納する筐体を有し、前記筐体は外部から内部を観察するための窓を備え、前記窓は遮光部材を備える、
基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、基板搬送装置および基板搬送装置を備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造に、基板の表面を平坦化するために化学機械研磨（ＣＭＰ）装置が使用されている。半導体デバイスの製造に使用される基板は、多くの場合、円板形状である。また、半導体デバイスに限らず、ＣＣＬ基板（Copper Clad Laminate基板）やＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板、フォトマスク基板、ディスプレイパネルなどの四角形の基板の表面を平坦化する際の平坦度の要求も高まっている。また、ＰＣＢ基板などの電子デバイスが配置されたパッケージ基板の表面を平坦化することへの要求も高まっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１０３４５８号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７６９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
また、円形の半導体基板は規格（たとえばＳＥＭＩ規格）により寸法が定まっているが、上述のＣＣＬ基板（Copper Clad Laminate基板）やＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板、フォトマスク基板、ディスプレイパネルなどの四角形の基板は寸法が決まっていないので、様々な寸法の基板が存在し得る。デバイスの製造効率の点から基板の寸法が大きくなる傾向にあり、大きく重量のある基板はそりや変形が生じやすく、従来の円形の基板の搬送装置と同様の技術を適用できるとは限らない。そこで、四角形の基板を搬送する自動化された装置を提供することを１つの目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態によれば、四角形の基板を搬送するための基板搬送装置が提供され、かかる基板搬送装置は、基板の下面を支持するように構成される複数の搬送ローラと、前記複数の搬送ローラが取り付けられる複数のローラシャフトと、前記複数のローラシャフトを回転させるためのモータと、前記複数の搬送ローラの上にある基板を、前記複数の搬送ローラから離れるように持ち上げるためのプッシャと、を有し、前記プッシャは、前記複数のローラシャフトの間の隙間を通過することが可能なステージを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】一実施形態による、基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】一実施形態による、ロードユニットを模式的に示す側面図である。
【図３】一実施形態による、ロードユニットにおける搬送機構を示す斜視図である。
【図４】一実施形態による、処理対象物である基板を概略的に示す平面図である。
【図５】図３に示される搬送ローラの付近を拡大して示す図である。
【図６】一実施形態による、搬送ユニットを模式的に示す側面図である。
【図７】一実施形態による、搬送ユニットを示す斜視図である。
【図８】一実施形態による、プッシャを示す斜視図である。
【図９】図８に示されるプッシャを矢印９の方に見た部分断面図である。
【図１０】一実施形態による、第１ステージの支持柱の１つを示す側面図である。
【図１１】一実施形態による、第２ステージの支持柱の１つを示す側面図である。
【図１２】第１ステージおよび第２ステージが上位置にあるときを示す部分断面図である。
【図１３】第１ステージおよび第２ステージが上位置にあり、さらに第２ステージが、第１ステージに対して上昇した位置にあるときを示す部分断面図である。
【図１４】一実施形態による、中間プレートよびＸＹストッパの配置を示す上面図である。
【図１５】図８に示されるプッシャの回転ステージ付近を拡大して示す図である。
【図１６】一実施形態による、洗浄部における搬送ローラおよび押さえローラを示す斜視図である。
【図１７】一実施形態による、押さえローラを単独で示す斜視図である。
【図１８】図１７に示されるブロックおよびネジを、矢印１８の方からみた断面図である。
【図１９】一実施形態による、研磨ユニットを概略的に示す斜視図である。
【図２０】一実施形態による、トップリングの構造を模式的に示す側面断面図である。
【図２１】一実施形態による、乾燥ユニットを模式的に示す側面図である。
【図２２】一実施形態による、搬送ローラおよび上搬送ローラの駆動機構を示す斜視図である。
【図２３】図２２に示される駆動機構を説明する側面図である。
【図２４】一実施形態による、上搬送ローラの駆動機構を説明する図である。
【図２５】一実施形態による、アンロードユニットを模式的に示す側面図である。
【図２６】一例として搬送ユニットの筐体を示す図である。
【図２７Ａ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２７Ｂ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２７Ｃ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２７Ｄ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２７Ｅ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２７Ｆ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２８Ａ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２８Ｂ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２８Ｃ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２８Ｄ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２８Ｅ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【図２８Ｆ】一実施形態による、研磨パッドに形成される溝のパターンを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明に係る基板搬送装置および基板搬送装置を備える基板処理装置の実施形態を添付図面とともに説明する。添付図面において、同一または類似の要素には同一また
は類似の参照符号が付され、各実施形態の説明において同一または類似の要素に関する重複する説明は省略することがある。また、各実施形態で示される特徴は、互いに矛盾しない限り他の実施形態にも適用可能である。
【０００８】
図１は、一実施形態による基板処理装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、ロードユニット１００、搬送ユニット２００、研磨ユニット３００、乾燥ユニット５００、およびアンロードユニット６００を有する。図示の実施形態において、搬送ユニット２００は、２つの搬送ユニット２００Ａ、２００Ｂを有し、研磨ユニット３００は、２つの研磨ユニット３００Ａ、３００Ｂを有する。一実施形態において、これらの各ユニットは、独立に形成することができる。これらのユニットを独立して形成することで、各ユニットの数を任意に組み合わせることで異なる構成の基板処理装置１０００を簡易に形成することができる。また、基板処理装置１０００は、制御装置９００を備え、基板処理装置１０００の各構成要素は制御装置９００により制御される。一実施形態において、制御装置９００は、入出力装置、演算装置、記憶装置などを備える一般的なコンピュータから構成することができる。
【０００９】
＜ロードユニット＞
ロードユニット１００は、研磨および洗浄などの処理が行われる前の基板ＷＦを基板処理装置１０００内へ導入するためのユニットである。図２は、一実施形態によるロードユニット１００を模式的に示す側面図である。一実施形態において、ロードユニット１００は筐体１０２を備える。筐体１０２は基板ＷＦを受け入れる側に入口開口１０４を備える。図２に示される実施形態においては、右側が入口側である。ロードユニット１００は、入口開口１０４から処理対象である基板ＷＦを受け入れる。ロードユニット１００の上流（図２では右側）には、本開示による基板処理装置１０００による基板ＷＦの処理より前の処理工程が実施される処理装置が配置される。図２に示される実施形態において、ロードユニット１００は、ＩＤリーダー１０６を備える。ＩＤリーダー１０６は、入口開口１０４から受け入れられた基板のＩＤを読み取る。基板処理装置１０００は、読み取ったＩＤに応じて、基板ＷＦに対して各種処理を行う。一実施形態において、ＩＤリーダー１０６はなくてもよい。一実施形態において、ロードユニット１００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェー規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。
【００１０】
図２に示される実施形態において、ロードユニット１００は、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ２０２を備えている。搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを所定の方向（図２においては左方向）に搬送することができる。図示の実施形態において、ロードユニット１００の筐体１０２は、基板ＷＦの出口開口１０８を有する。ロードユニット１００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ１１２を有する。センサ１１２は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図２に示される実施形態においては、センサ１１２は筐体１０２内に３つ設けられており、１つは入口開口１０４付近に設けられるセンサ１１２ａであり、１つはロードユニット１００の中央付近に設けられるセンサ１１２ｂであり、もう１つは出口開口１０８付近に設けられるセンサ１１２ｃである。一実施形態において、これらのセンサ１１２による基板ＷＦの検知に応じて、ロードユニット１００の動作を制御することができる。たとえば、入口開口１０４付近のセンサ１１２ａが基板ＷＦの存在を検知したら、ロードユニット１００内の搬送ローラ２０２の回転を始動するようにしてもよいし、また、搬送ローラ２０２の回転速度を変更してもよい。また、出口開口１０８付近のセンサ１１２ｃが基板ＷＦの存在を検知したら、後続のユニットである搬送ユニット２００Ａの入口シャッタ２１８を開くようにしてもよい。
【００１１】
図３は、一実施形態による、ロードユニット１００における搬送機構を示す斜視図である。図示の実施形態において、ロードユニット１００の搬送機構は、複数の搬送ローラ２０２と、搬送ローラ２０２が取り付けられる複数のローラシャフト２０４とを有する。図示の実施形態においては、各ローラシャフト２０４には３つの搬送ローラ２０２が取り付けられている。基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上に配置され、搬送ローラ２０２が回転することで基板ＷＦが搬送される。ローラシャフト２０４上の搬送ローラ２０２の取り付け位置は、基板ＷＦを安定的に搬送することができる位置であれば任意とすることができる。ただし、搬送ローラ２０２は基板ＷＦに接触するので、処理対象である基板ＷＦに接触しても問題の無い領域に搬送ローラ２０２が接触するように配置すべきである。一実施形態において、ロードユニット１００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから構成することができる。一実施形態において、搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、ロードユニット１００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。
【００１２】
図４は、一実施形態による、処理対象物である基板ＷＦを概略的に示す平面図である。図４に示されるように、一実施形態において、基板ＷＦは略長方形（正方形を含む）の薄い板状の基板である。図４に示される基板ＷＦは、パターン領域１０および非パターン領域２０を備えている。「パターン領域」は、配線や機能性チップなどを備えた領域であり、基板上に形成されるデバイスとして使用される領域であり、デバイスの機能に意味のある配線や機能性チップなどが備えられている。また、「非パターン領域」とは、基板上のデバイスとして使用されない領域である。図４に示される実施形態においては、基板ＷＦは２つのパターン領域１０を備え、それぞれパターン領域１０が非パターン領域２０に囲まれている。また、一実施形態において、基板ＷＦは、非パターン領域２０に基板ＷＦのＩＤ情報を含むものとすることができ、たとえば、ＩＤタグ１２などを備えるものとすることができる。基板ＷＦのＩＤは、上述のＩＤリーダー１０６で読み取り可能とすることができる。
【００１３】
図２、３に示されるロードユニット１００は、図４に示される基板ＷＦのパターン領域１０が形成されている面が下面となるように基板ＷＦを受け入れ、搬送する。そのため、搬送ローラ２０２は、基板ＷＦの非パターン領域２０にのみ接触するように配置されている。具体的には、図３に示されるように、搬送ローラ２０２は、基板ＷＦの端部の非パターン領域２０に接触する位置、および基板ＷＦの中央の非パターン領域２０に接触する位置に設けられている。搬送ローラ２０２の位置は、処理対象である基板ＷＦに応じて変更することができる。そのため、図示の実施形態によれば、搬送ローラ２０２のローラシャフト２０４への取り付け位置を変更することで、異なる寸法や異なるパターンを備える基板ＷＦの搬送に用いることができる。四角形の基板は、円形の半導体基板のように規格により寸法が決まっていないので、本開示の実施形態による搬送機構は、わずかな変更で様々な寸法の基板を搬送できるようになるので有利である。
【００１４】
図３に示される実施形態において、ローラシャフト２０４は、ギア２０６を介してモータ２０８により回転駆動される。一実施形態において、モータ２０８は、サーボモータとすることができる。サーボモータを使用することで、ローラシャフト２０４および搬送ローラ２０２の回転速度、つまり基板ＷＦの搬送速度を制御することができる。また、一実施形態において、ギア２０６は、マグネットギアとすることができる。マグネットギアは非接触式の動力伝達機構なので、接触式のギアのように摩耗による微粒子の発生が生じず、また、給油などのメンテナンスも不要になる。
【００１５】
図５は、図３に示される搬送ローラ２０２の付近を拡大した図である。図５に示されるように、搬送方向に隣接する搬送ローラ２０２の間には、支持部材２１０が配置されてい
る。支持部材２１０は、搬送ローラ２０２により搬送される基板ＷＦが、搬送ローラ２０２の間の隙間に潜り込むことを防止する。支持部材２１０は、基板ＷＦが接触する搬送ローラ２０２の表面の高さよりもいくぶん低い位置に配置される。
【００１６】
図３、図５に示されるように、搬送される基板ＷＦの幅方向に関して基板ＷＦを支持するための複数のガイドローラ２１２を備える。なお、幅方向は、基板ＷＦの搬送方向に垂直であり、基板ＷＦの表面に平行な方向である。図３に示されるように、ガイドローラ２１２は、搬送中の基板ＷＦの側面を支持するように構成される。ガイドローラ２１２の位置は、搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。図示のガイドローラ２１２は、動力源に接続されておらず、自由に回転可能に構成される。一実施形態において、ガイドローラ２１２は、搬送する基板ＷＦの幅に応じて位置を変更することができる。
【００１７】
図２、図３に示されるように、ロードユニット１００は、入口開口１０４および出口開口１０８の付近に、補助ローラ２１４が設けられている。補助ローラ２１４は、搬送ローラ２０２と同程度の高さに配置される。補助ローラ２１４の位置は、搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。補助ローラ２１４は、ユニットと他のユニットとの間に搬送中の基板ＷＦが落ちないように基板ＷＦを支持する。補助ローラ２１４は、動力源に接続されておらず、自由に回転可能に構成される。
【００１８】
一実施形態において、ロードユニット１００は、受け入れた基板ＷＦを反転させるための反転機（図示せず）を備えてもよい。図示の実施形態においては、ロードユニット１００は、基板ＷＦのパターン領域１０が形成されている面が下面となるように基板ＷＦを受け入れて搬送するが、上流の処理装置の仕様により基板ＷＦのパターン領域１０が形成されている面が上面となるようにロードユニット１００に搬送された場合は、反転機により基板ＷＦを反転させて、基板ＷＦのパターン領域１０が形成されている面が下面となるようにしてから、基板処理装置１０００の後続の処理を行うようにしてもよい。
【００１９】
＜搬送ユニット＞
図６は一実施形態による、搬送ユニット２００を模式的に示す側面図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの搬送ユニット２００Ａ、２００Ｂを備えている。２つの搬送ユニット２００Ａ、２００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して搬送ユニット２００として説明する。
【００２０】
図７は、一実施形態による搬送ユニット２００を示す斜視図である。図示の搬送ユニット２００は、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ２０２を備えている。搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを所定の方向に搬送することができる。搬送ユニット２００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから形成されても、導電性のないポリマーから形成されてもよい。搬送ローラ２０２は、上述のロードユニット１００の搬送機構と同様に、ローラシャフト２０４に取り付けられており、ギア２０６を介して、モータ２０８により駆動される。一実施形態において、モータ２０８はサーボモータとすることができ、ギア２０６は、歯車式とすることができるが、ロードユニット１００と同様にマグネットギアとすることもできる。また、図示の搬送ユニット２００は、ロードユニット１００と同様に、搬送中の基板ＷＦの側面を支持するガイドローラ２１２を備える。図示の搬送ユニット２００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ２１６を有する。センサ２１６は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図６に示される実施形態においては、センサ２１６は搬送ユニット２００に７個（２１６ａ〜２１６ｇ）設けられている。一実施形態において、これらのセンサ２１６ａ〜２１６ｇによる基板ＷＦの検知に応じて、搬送ユニット２００の動作を制御することができる。これらのそれぞれのセンサ２１６ａ〜２１６ｇの位置および役割は後述する。図６に示されるよう
に、搬送ユニット２００は、搬送ユニット２００内に基板ＷＦを受け入れるために開閉可能な入口シャッタ２１８を有する。なお、一実施形態において、搬送ユニット２００は、ロードユニット１００と同様に、基板ＷＦが搬送方向に隣接する搬送ローラ２０２の間の隙間に潜り込むことを防止する支持部材２１０（図７に非図示）と搬送される基板ＷＦの幅方向両側に関して基板ＷＦを支持するための複数のガイドローラ２１２（図７に図示）も配置されている。
【００２１】
図６に示されるように、搬送ユニット２００は、ストッパ２２０を有する。ストッパ２２０は、ストッパ移動機構２２２に接続されており、ストッパ２２０は搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの搬送経路内に進入可能である。ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に位置しているときは、搬送ローラ２０２上を移動する基板ＷＦの側面が基板ＷＦに接触し、移動中の基板ＷＦをストッパ２２０の位置で停止させることができる。また、ストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路から退避した位置にあるときは、基板ＷＦは、搬送ローラ２０２上を移動することができる。ストッパ２２０による基板ＷＦの停止位置は、後述のプッシャ２３０が搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取ることができる位置（基板受け渡し位置）である。
【００２２】
図６、７に示されるように、搬送ユニット２００はプッシャ２３０を有する。プッシャ２３０は、複数の搬送ローラ２０２の上にある基板ＷＦを、複数の搬送ローラ２０２から離れるように持ち上げることができるように構成される。またプッシャ２３０は、保持している基板ＷＦを搬送ユニット２００の搬送ローラ２０２に受け渡すことができるように構成される。
【００２３】
図８は、一実施形態によるプッシャ２３０を示す斜視図である。図９は、図８に示されるプッシャ２３０を矢印９の方に見た部分断面図である。図９は、プッシャ２３０とともに、搬送ローラ２０２、搬送ローラ２０２上の基板受け渡し位置に配置された基板ＷＦ、および基板ＷＦを受け取るトップリング３０２を概略的に示している。図８、９に示される実施形態において、プッシャ２３０は、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０を備える。第１ステージ２３２は、基板ＷＦをプッシャ２３０から後述するトップリング３０２に受け渡す時に、トップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持するためのステージである。第１ステージ２３２は、複数の支持柱２３４を備える。図１０は、一実施形態による、第１ステージ２３２の支持柱の１つを示す側面図である。図１０に示されるように、支持柱２３４の一方の端部はトップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持する平坦な支持面２３４ａ、およびトップリング３０２を案内するための傾斜面２３４ｂを備える。一実施形態において、複数の支持柱２３４のうちの４つの角部にある支持柱２３４が図１０に示されるような支持面２３４ａおよび傾斜面２３４ｂを備えるようにしてもよい。４つの角部の支持柱２３４により形成される凹部でリテーナ部材３０８を位置合わせできる。４つの角部以外の支持柱２３４は支持面２３４ａのみを備えていてもよい。各支持柱２３４の他方の端部は、共通のベース２３６に連結されている。また、各支持柱２３４は、搬送ローラ２０２に干渉しない位置に設けられ、図９に示される実施形態においては、各支持柱２３４は、搬送ローラ２０２の間に配置されている。第２ステージ２７０は、搬送ローラ２０２上の基板ＷＦを受け取るように構成される。第２ステージ２７０は、複数の支持柱２７２を備える。図１１は、一実施形態による、第２ステージ２７０の支持柱２７２の１つを示す側面図である。図１に示されるように、支持柱２７２の一方の端部は、基板ＷＦを支持する平坦な支持面２７２ａを備える。各支持柱２７２の他方の端部は共通のベース２７４に連結されている。また、各支持柱２７２は、搬送ローラ２０２に干渉しない位置に設けられ、図９に示される実施形態においては、各支持柱２７２は、搬送ローラ２０２の間に配置されている。また、各支持柱２７２は、基板ＷＦの非パターン領域２０を支持するように配置される。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は、以下で詳述するように、それぞれ昇降機構に連結されており、それぞれ高さ方向（ｚ方向
）に移動可能である。
【００２４】
第１ステージ２３２は、高さ方向（ｚ方向）に移動可能に構成される。一実施形態において、プッシャ２３０は第１昇降機構２３１を有する。一実施形態において、図８、９に示されるように、プッシャ２３０の第１昇降機構２３１は、空圧式の昇降機構であり、シリンダ２４０およびピストン２４２を備える。ピストン２４２の端部は、可動台座２４４に連結されている。シリンダ２４０は、固定台座２４６に連結されている。固定台座２４６は、搬送ユニット２００の全体を覆う筐体２０１または搬送ユニット２００を設置する床面などに固定される。シリンダ２４０内の空気圧を調整することにより、ピストン２４２が移動し、可動台座２４４を高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。可動台座２４４が高さ方向に移動することで、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が高さ方向に移動することができる。図示の実施形態において、可動台座２４４の上には、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０を水平面内で移動させることが可能なＸＹステージ２４８が搭載されている。ＸＹステージ２４８は、直動ガイドなどにより直交する２方向に移動可能に構成される公知のＸＹステージとすることができる。図示の実施形態において、ＸＹステージ２４８の上には、回転ステージ２５０が搭載されている。回転ステージ２５０は、ＸＹ平面（水平面）において回転可能に構成される。換言すれば、回転ステージ２５０はｚ軸を中心に回転可能に構成される。回転ステージ２５０は、回転軸受などで構成される公知の回転ステージ２５０を採用することができる。回転ステージ２５０の上には、第２昇降機構２３３が搭載されている。第２昇降機構２３３は、シリンダ２５２およびピストン２５４を有する。シリンダ２５２は第１ステージ２３２のベース２３６が連結されている。また、シリンダ２５２には移動可能なピストン２５４が連結されており、シリンダ２５２内の空気圧を調整することで、ピストン２５４を移動することができる。ピストン２５４の端部には、第２ステージ２７０のベース２７４が連結されている。そのため、シリンダ２５２内の空気圧を調整することで、ピストン２５４および第２ステージ２７０を高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。また、上述の構成によれば、第１昇降機構２３１は、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０の両方を高さ方向（ｚ方向）に移動させ、第２昇降機構２３３は、第２ステージ２７０を第１ステージ２３２に対して高さ方向（ｚ方向）に移動させることができる。また、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は、ＸＹステージ２４８により、水平面内で直交する２方向（ｘｙ方向）に移動可能である。さらに、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は、回転ステージ２５０により、水平面内（ｚ軸を中心に）で回転可能である。そのため、プッシャ２３０と後述するトップリング３０２との間で基板ＷＦを授受するときに、プッシャ２３０とトップリング３０２との位置合わせを行うことができる。なお、図示の実施形態においては、第１昇降機構２３１および第２昇降機構２３３は、空圧式の昇降機構であるが、これらの昇降機構は液圧式でもよく、またモータおよびボールネジなどを使用した電動式の昇降機構としてもよい。
【００２５】
第１昇降機構２３１により、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は下位置および上位置の間を移動することができる。図９は、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が下位置にあるときを示している。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が下位置にあるときは、図９に示されるように第１ステージ２３２の支持柱２３４の端部および第２ステージ２７０の支持柱２７２の端部は、搬送ローラ２０２の基板ＷＦを支持する面より低い位置にある。図１２は、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあるときを示している。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあるときは、第１ステージ２３２の支持柱２３４の端部および第２ステージ２７０の支持柱２７２の端部は、搬送ローラ２０２の基板を支持する面より高い位置にある。すなわち、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が下位置から上位置に移動するときに、搬送ローラ２０２上に配置された基板ＷＦを第２ステージ２７０で持ち上げて受け取ることができる。図１３は、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあ
り、さらに第２ステージ２７０が、第１ステージ２３２に対して上昇した位置にあるときを示している。基板ＷＦをプッシャ２３０から後述するトップリング３０２に受け渡すときは、図１３に示されるように、基板ＷＦを保持する第２ステージ２７０を第１ステージ２３２に対して上昇させる。
【００２６】
上述のように、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は、ＸＹステージ２４８により水平面内で移動可能である。一実施形態においては、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあるときにだけＸＹステージ２４８により水平面内で移動可能であり、下位置にあるときには移動できないように構成することができる。一実施形態において、プッシャ２３０は、ＸＹステージ２４８による移動を拘束するためのＸＹストッパ２８０を備えることができる。図示の実施形態において回転ステージ２５０は、中間プレート２４９を介してＸＹステージ２４８に連結されている。図示の実施形態によるプッシャ２３０は、ＸＹストッパ２８０として、高さ方向に延びる４本の棒上のストッパ部材を備える。図１４は、中間プレート２４９よびＸＹストッパ２８０の配置を示す上面図である。図１４に示されるように、中間プレート２４９は、４つの円弧部２４９ａを備える。各ＸＹストッパ２８０は、中間プレート２４９の４つの円弧部２４９ａに係合する位置に配置されている。図示のＸＹストッパ２８０は、固定台座２４６に接続されている。また、棒状のＸＹストッパ２８０は、第１直径を備える基部２８０ａと、第１直径よりも小さな直径を備える先端部２８０ｂとを備える。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が下位置にあるときは、中間プレート２４９の４つの円弧部２４９ａのそれぞれに、各ＸＹストッパ２８０の基部２８０ａが係合する。基部２８０ａは、中間プレート２４９の円弧部２４９ａに接触するように位置決めされており、中間プレート２４９の４つの円弧部２４９ａのそれぞれに、各ＸＹストッパ２８０の基部２８０ａが接触すると、中間プレート２４９は水平面内で移動できなくなり、結果として、ＸＹステージ２４８による第１ステージ２３２および第２ステージの移動が禁止される。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあるときは、中間プレート２４９の４つの円弧部２４９ａのそれぞれは、各ＸＹストッパ２８０の先端部２８０ｂに緩く係合する。すなわち、先端部２８０ｂは基部２８０ａよりも直径が小さいので、先端部２８０ｂは中間プレート２４９の円弧部２４９ａから所定の距離だけ離れている。そのため、中間プレート２４９の４つの円弧部２４９ａが、各ＸＹストッパ２８０の先端部２８０ｂに緩く係合すると、中間プレート２４９は水平面内である程度の範囲でだけ移動することができる。
【００２７】
上述のように、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０は、回転ステージ２５０により水平面内で回転可能である。一実施形態においては、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあるときにだけ回転ステージ２５０により水平面内で回転可能であり、下位置にあるときには回転できないように構成することができる。一実施形態において、図８に示されるように、プッシャ２３０は、回転ステージ２５０による回転を拘束するための回転ストッパ２８２を備えることができる。また、図示の回転ステージ２５０は水平方向に延びる突起部２５０ａを備える。図示の実施形態によるプッシャ２３０は、回転ストッパ２８２として、高さ方向に延びる２本の棒上のストッパ部材を備える。図１５は、図８に示されるプッシャ２３０の回転ステージ２５０付近を拡大して示す図である。回転ストッパ２８２は、棒状の２本のストッパ部材の間で突起部２５０ａを挟むように配置されている。図８に示されるように、回転ストッパ２８２は、固定台座２４６に連結されている。また、棒状の回転ストッパ２８２は、第１直径を備える基部２８２ａと、第１直径よりも小さな直径を備える先端部２８２ｂとを備える。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が下位置にあるときは、２本の回転ストッパ２８２の基部２８２ａにより突起部２５０ａがぴったりと挟まれる。そのため、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が下位置にあるときは、２本の回転ストッパ２８２の基部２８２ａが回転ステージ２５０に設けられた突起部２５０ａの回転を制限し、結果として、回転ステージ２５０による第１ステージ２３２および第２ステージの回転が禁止される。第１ステー
ジ２３２および第２ステージ２７０が上位置にあるときは、回転ステージ２５０の突起部２５０ａは、２本の回転ストッパ２８２の先端部２８２ｂにより緩く挟まれる。先端部２８２ｂは基部２８２ａよりも直径が小さいので、先端部２８２ｂは、回転ステージ２５０の突起部２５０ａの回転を緩く制限する。そのため、２本の回転ストッパ２８２の先端部２８２ｂが突起部２５０ａに緩く係合すると、回転ステージ２５０は、２つの先端部２８２ｂの間である程度の範囲でだけ回転することができる。
【００２８】
図６、７に示される搬送ユニット２００は、洗浄部を有する。図６、７に示されるように、洗浄部は洗浄ノズル２８４を有する。洗浄ノズル２８４は、搬送ローラ２０２の上側に配置される上洗浄ノズル２８４ａと、下側に配置される下洗浄ノズル２８４ｂとを有する。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、図示しない洗浄液の供給源に接続される。上洗浄ノズル２８４ａは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの上面に洗浄液を供給するように構成される。下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの下面に洗浄液を供給するように構成される。上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの幅と同程度、またはそれ以上の幅を備え、基板ＷＦが搬送ローラ２０２上を搬送されることで、基板ＷＦの全面が洗浄されるように構成される。図６、図７に示されるように、洗浄部は、搬送ユニット２００のプッシャ２３０の基板受け渡し場所よりも下流側に位置している。
【００２９】
図６に示されるように、洗浄部において、搬送ローラ２０２の上には押さえローラ２９０が配置されている。図１６は、洗浄部における搬送ローラ２０２および押さえローラ２９０を示す斜視図である。図１７は、押さえローラ２９０を単独で示す斜視図である。図１７において、支持シャフト２９１およびブロック２９２は、破線で示している。図１６、図１７に示されるように、押さえローラ２９０は、支持シャフト２９１に自由に回転可能に取り付けられる。支持シャフト２９１はブロック２９２に固定されており、またはブロック２９２と一体的に形成されている。図１６、図１７に示されるようにブロック２９２は、高さ方向に貫通する３つの孔２９３ａ〜ｃが設けられており、それぞれネジ２９４ａ〜ｃが挿入されている。図１８は、図１７に示されるブロック２９２およびネジ２９４ａ〜ｃを、矢印１８の方からみた断面図である。図１８に示されるように、ブロック２９２は、２つのネジ２９４ａ、２９４ｃによりベース２９５に連結されている。２つのネジ２９４ａ、２９４ｃのそれぞれと、ブロック２９２との間にはバネなどの弾性部材２９６が設けられており、弾性部材２９６によりブロック２９２は、ベース２９５に向けて付勢されている。ベース２９５は、搬送ローラ２０２に対して固定された部材、たとえばローラシャフト２０４などを支持する部材に固定されている。ブロック２９２の中心のネジ２９４ｂの先端はベース２９５に接触しており、ネジ２９４ｂの挿入深さにより、ブロック２９２とベース２９５との間の距離を調整することができる。換言すれば、ネジ２９４ｂの挿入深さにより搬送ローラ２０２と押さえローラ２９０との間の距離を調整することができる。搬送ローラ２０２と押さえローラ２９０との間の距離は、搬送する基板ＷＦの厚さに応じて適宜決めればよい。また、押さえローラ２９０の位置は、搬送ローラ２０２とともに搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。
【００３０】
図６に示されるように、センサ２１６ｄは、洗浄部の入口付近に配置されている。一実施形態において、センサ２１６ｄにより基板ＷＦを検知したら、洗浄ノズル２８４から洗浄液を噴射して基板ＷＦの洗浄を開始することができる。また、基板ＷＦの洗浄中は、搬送ローラ２０２の回転数を洗浄用の速度にしてもよい。図６の実施形態において、センサ２１６ｆは洗浄部出口点付近に配置される。一実施形態において、センサ２１６ｆにより基板ＷＦを検知したら、洗浄ノズル２８４からの洗浄液の噴射を終了することができる。基板ＷＦの洗浄中は、搬送ローラ２０２および押さえローラ２９０により基板ＷＦが挟まれて搬送されるので、洗浄液の噴射中であっても基板ＷＦを安定的に搬送することができる。
【００３１】
図６に示されるように、搬送ユニット２００は、開閉可能な出口シャッタ２８６を有する。また、搬送ユニット２００は、出口付近にセンサ２１６ｇを備える。一実施形態において、センサ２１６ｇにより基板ＷＦを検知したら、出口シャッタ２８６を開き、次のユニットに基板ＷＦを搬送するようにしてもよい。一実施形態において、センサ２１６ｇにより基板ＷＦを検知したら、出口シャッタ２８６を開かずに、搬送ローラ２０２での基板ＷＦの搬送を停止し、次のユニットの処理を待ち、次のユニットの基板受け入れ準備が整った後に、出口シャッタ２８６を開き、基板ＷＦを次のユニットへ搬送するようにしてもよい。
【００３２】
＜研磨ユニット＞
図１９は一実施形態による、研磨ユニット３００を概略的に示す斜視図である。図１に示される基板処理装置１０００は、２つの研磨ユニット３００Ａ、３００Ｂを備えている。２つの研磨ユニット３００Ａ、３００Ｂは同一の構成とすることができるので、以下において、一括して研磨ユニット３００として説明する。
【００３３】
図１９に示されるように、研磨ユニット３００は、研磨テーブル３５０と、トップリング３０２と、を備える。研磨テーブル３５０は、図示していない駆動源によって回転駆動される。研磨テーブル３５０には、研磨パッド３５２が貼り付けられる。一実施形態において、研磨パッド３５２は、研磨テーブル３５０からの剥離を容易にするための層を介して貼り付けられてもよい。そのような層は、たとえばシリコーン層やフッ素系樹脂層などがあり、例えば特開２０１４−１７６９５０号公報などに記載されているものを使用してもよい。トップリング３０２は、基板ＷＦを保持して研磨パッド３５２に押圧する。トップリング３０２は、図示していない駆動源によって回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２に保持されて研磨パッド３５２に押圧されることによって研磨される。
【００３４】
一実施形態において、研磨パッド３５２の表面には溝が設けられる。かかる溝は、研磨パッド３５２の表面に供給された研磨液の流れを制御するためのものである。溝の大きさや深さ、断面形状、パターンは任意である。
【００３５】
図２７Ａ〜Ｆは、一実施形態による、研磨パッド３５２に形成される溝３５９のパターンを示す図である。図２７Ａ〜Ｆは、研磨パッド３５２の表面、つまり、研磨時に基板ＷＦに接触する表面を示す平面図である。図２７Ａ〜Ｃに示される実施形態において、研磨パッド３５２の溝３５９は、同心円状のパターンと、円形の研磨パッド３５２の中心から放射状に延びるパターンとを備えている。図示の実施形態においては、放射状の溝３５９は、研磨パッド３５２の最外周までは延びずに、研磨パッド３５２の途中で終端している。他の実施形態として、一部の溝３５９は、研磨パッド３５２の最外周までは延びるようにしてもよい。研磨時において、研磨パッド３５２は、研磨テーブル３５０とともに回転する。そのため、後述の研磨液供給ノズル３５４や研磨パッド３５２の略中心に位置する貫通孔３５７から供給される研磨液は遠心力により研磨パッド３５２の半径方向外側に力を受けて、半径方向外側に流れる。このとき、研磨液は図示のように放射状の溝３５９が研磨パッド３５２の途中で終端しているので、終端部で放射状の溝３５９から溢れてさらに同心円状の溝３５９に誘導されて研磨パッド３５２と基板との間に入り込みやすくなる。図示のように様々な長さの溝３５９が放射状に延びるとともに同心円状の溝に連通することで、研磨パッド３５２と基板との間に効率よく研磨液を供給することができる。図２７Ｄ〜Ｆに示される実施形態は、溝３５９が格子状に形成されている。図２７Ｄに示される溝３５９のパターンにおいては、同一のサイズの格子が形成されており、また溝３５９は最外周まで延びていない。図２７Ｅに示される溝３５９のパターンにおいては、異なるサイズの格子が形成されている。図２７Ｆに示される溝３５９のパターンにおいては、同一のサイズの格子が形成されており、また溝３５９は最外周まで延びずに終端している。
このような溝を備えた研磨パッドで基板ＷＦを研磨することで研磨液の使用量を抑制しながら、良好な研磨レートが得られる。
【００３６】
図２８Ａ〜Ｆは、一実施形態による、研磨パッド３５２に形成される溝３５９のパターンを示す図である。図２８Ａ〜Ｆは、研磨パッド３５２の表面、つまり、研磨時に基板ＷＦに接触する表面を示す平面図である。図２８Ａ〜Ｃに示される実施形態において、研磨パッド３５２の溝３５９は、同心円状のパターンと円形の研磨パッド３５２の中心から放射状に延びるパターンとを備えている。図示の実施形態において、放射状の溝３５９は研磨パッド３５２の最外周までは延びずに、研磨パッド３５２の途中で終端している。他の実施形態として、一部の放射状の溝３５９は、研磨パッド３５２の最外周までは延びるようにしてもよい。また、図２８Ａ〜Ｃに示される実施形態において、途中で終端している放射状の溝３５９の一部において、終端した放射状の溝３５９の半径方向外側から、一定の間隔を空けてさらに放射状の溝３５９が最外周まで形成されている。このような放射状の溝３５９は、終端部で溝３５９（供給用の溝）から溢れた研磨液が再び離間した外側にある溝３５９（排出用の溝）に入りこみ、研磨液の排出を促進する。排出用の溝により、研磨パッド上に凝集した使用済み研磨液や研磨屑が堆積されにくくなり、排出用の溝がない図２７の例と比べると研磨中に基板ＷＦにスクラッチが形成されるのをより一層防止可能である。排出溝は供給溝より断面積が大きくても良い。尚、同心円状の溝３５９の作用は上述の２７Ａ〜Ｃの説明と同様である。図２８Ｄ〜Ｆに示される実施形態は、溝３５９が格子状に形成されている。図２８Ｄ〜Ｆに示される実施形態においては、格子状のパターンの溝３５９（供給用の溝）が、最外周まで延びずに途中で終端しており、その外側に一定の間隔を空けてさらに溝３５９（排出用の溝）が最外周に向けて形成されている。図示および上述の溝３５９のパターンは一例であり、任意のパターンの溝を形成してもよい。図示の特徴を任意に組み合わせた溝のパターンを形成してもよい。このような溝を備えた研磨パッドで基板ＷＦを研磨することで研磨液の使用量を抑制しながら、良好な研磨レートが得られ、さらに研磨屑によるスクラッチを抑制できる。
【００３７】
図１９に示されるように、研磨ユニット３００は、研磨パッド３５２に研磨液又はドレッシング液を供給するための研磨液供給ノズル３５４を備える。研磨液は、例えば、スラリである。ドレッシング液は、例えば、純水である。また、図１９に示されるように、研磨テーブル３５０およびテーブルシャフト３５１には、研磨液を供給するための通路３５３が設けられている。通路３５３は、研磨テーブル３５０の表面の開口部３５５に連通している。研磨テーブル３５０の開口部３５５に対応する位置において研磨パッド３５２は貫通孔３５７が形成されており、通路３５３を通る研磨液は、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の表面に供給される。なお、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７は、１つであっても複数でもよい。また、研磨テーブル３５０の開口部３５５および研磨パッド３５２の貫通孔３５７の位置は任意であるが、一実施形態においては研磨テーブル３５０の中心付近に配置される。また、研磨ユニット３００は、研磨パッド３５２のコンディショニングを行うためのドレッサ３５６を備える。また、研磨ユニット３００は、液体、又は、液体と気体との混合流体、を研磨パッド３５２に向けて噴射するためのアトマイザ３５８を備える。アトマイザ３５８から噴射される液体は、例えば、純水であり、気体は、例えば、窒素ガスである。
【００３８】
トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４によって支持される。トップリング３０２は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＢで示すように、トップリングシャフト３０４の軸心周りに回転するようになっている。また、トップリングシャフト３０４は、図示しない駆動機構により、上下方向に移動可能である。研磨テーブル３５０は、テーブルシャフト３５１に支持される。研磨テーブル３５０は、図示していない駆動部によって、矢印ＡＣで示すように、テーブルシャフト３５１の軸心周りに回転するようになっ
ている。
【００３９】
基板ＷＦは、トップリング３０２の研磨パッド３５２と対向する面に真空吸着によって保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３５４から、および／または研磨パッド３５２の貫通孔３５７から研磨パッド３５２の研磨面に研磨液が供給される。また、研磨時には、研磨テーブル３５０及びトップリング３０２が回転駆動される。基板ＷＦは、トップリング３０２によって研磨パッド３５２の研磨面に押圧されることによって研磨される。
【００４０】
図１９に示されるように、トップリングシャフト３０４は、アーム３６０に連結されており、アーム３６０は、回転軸３６２を中心に揺動可能である。基板ＷＦの研磨中に、トップリング３０２が研磨パッド３５２の中心を通過するように、アーム３６０を固定あるいは揺動させてもよい。また、基板ＷＦの研磨中に、基板ＷＦが研磨パッド３５２の貫通孔３５７を覆うようにアーム３６０を固定または揺動させてもよい。図１に示されるように、揺動可能なアーム３６０により、トップリング３０２は、搬送ユニット２００の方へ移動可能である。トップリング３０２が、搬送ユニット２００の基板受け渡し位置に移動することで、図９、図１２、図１３などともに上述したように、トップリング３０２は、プッシャ２３０から基板ＷＦを受け取ることができる。また、研磨ユニット３００での基板ＷＦの研磨後に、基板ＷＦをトップリング３０２からプッシャ２３０に基板ＷＦを受け渡すことができる。なお、トップリング３０２は、不図示の回転角度検知器によりその回転角度が検出され、上述のプッシャ２３０との基板ＷＦの受け取り／受け渡しの際に４つの角部の支持柱２３４により形成される凹部でトップリング３０２のリテーナ部材３０８をプッシャ２３０と位置合わせできるように予め回転を停止するよう構成されている。
【００４１】
図２０は、一実施形態による、トップリング３０２の構造を模式的に示す側面断面図である。トップリング３０２は、トップリングシャフト３０４の下端に連結されている。トップリング３０２は、略四角形状のヘッド本体３０６と、ヘッド本体３０６の下部に配置されたリテーナ部材３０８と、を備えている。ヘッド本体３０６は金属やセラミックス等の強度および剛性が高い材料から形成することができる。また、リテーナ部材３０８は、剛性の高い樹脂材またはセラミックス等から形成することができる。
【００４２】
ヘッド本体３０６およびリテーナ部材３０８の内側に形成された空間内には、基板ＷＦに当接する弾性パッド３１０が収容されている。弾性パッド３１０とヘッド本体３０６との間には、圧力室（エアバッグ）Ｐ１が設けられている。圧力室Ｐ１は弾性パッド３１０とヘッド本体３０６とによって形成されている。圧力室Ｐ１には流体路３１２を介して加圧空気等の加圧流体が供給され、あるいは真空引きがされるようになっている。図２０に示される実施形態において、圧力室Ｐ１は保持する基板ＷＦの全面に渡って形成される。一実施形態として、弾性パッド３１０とヘッド本体３０６とにより、複数の圧力室を形成するように構成することができる。複数の圧力室を形成する場合、各圧力室に連絡する流体路を設け、各圧力室の圧力を独立に制御するように構成してもよい。
【００４３】
基板ＷＦの周端部はリテーナ部材３０８に囲まれており、研磨中に基板ＷＦがヘッド本体３０６から飛び出さないようになっている。リテーナ部材３０８とヘッド本体３０６との間には弾性バッグ３１４が配置されており、その弾性バッグ３１４の内部には圧力室Ｐｒが形成されている。リテーナ部材３０８は、弾性バッグ３１４の膨張／収縮によりヘッド本体３０６に対して相対的に上下動可能となっている。圧力室Ｐｒには流体路３１６が連通しており、加圧空気等の加圧流体が流体路３１６を通じて圧力室Ｐｒに供給されるようになっている。圧力室Ｐｒの内部圧力は調整可能となっている。したがって、基板ＷＦの研磨パッド３５２に対する押圧力とは独立してリテーナ部材３０８の研磨パッド３５２に対する押圧力を調整することができる。図２０に示される実施形態によるトップリング３０２において、複数のリテーナ部材３０８を備えるように構成し、各リテーナ部材３０
８を各弾性バッグにより、それぞれ独立して各リテーナ部材３０８の研磨パッド３５２に対する押圧力を調整することができる。また、一実施形態において、略四角のリング状の１つのリテーナ部材３０８、および１つの弾性バッグ３１４を採用してもよい。
【００４４】
＜乾燥ユニット＞
乾燥ユニットは、基板ＷＦを乾燥させるための装置である。図１に示される基板処理装置１０００においては、乾燥ユニット５００は、研磨ユニット３００で研磨された後に、搬送ユニット２００の洗浄部で洗浄された基板ＷＦを乾燥させる。図１に示されるように、乾燥ユニット５００は、搬送ユニット２００の下流に配置される。
【００４５】
図２１は、一実施形態による乾燥ユニット５００を模式的に示す側面図である。乾燥ユニット５００は、基板ＷＦを搬送するための搬送ローラ２０２を有する。一実施形態において、乾燥ユニット５００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから構成することができる。搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、乾燥ユニット５００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。乾燥ユニット５００の搬送ローラ２０２は、搬送ユニット２００の搬送ローラ２０２と同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動される。図２１に示されるように、乾燥ユニット５００の入口側には、入口シャッタ５０２を備える。入口シャッタ５０２は、開閉可能に構成される。図２１に示されるように、乾燥ユニット５００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ５０４を有する。センサ５０４は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図２１に示される実施形態においては、センサ５０４は乾燥ユニット５００に３個（５０４ａ〜５０４ｃ）設けられている。一実施形態において、これらのセンサ５０４ａ〜５０４ｃによる基板ＷＦの検知に応じて、乾燥ユニット５００の動作を制御することができる。これらのそれぞれのセンサ５０４ａ〜５０４ｃの位置および役割は後述する。
【００４６】
図２１に示される実施形態において、乾燥ユニット５００は、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦに向けて気体を噴射するためのノズル５３０を有する。気体は、たとえば圧縮された空気または窒素とすることができる。図示の実施形態において、ノズル５３０は、搬送ローラ２０２の下側に配置される下ノズル５３０ａと、搬送ローラ２０２の上側に配置される上ノズル５３０ｂと、を有する。下ノズル５３０ａは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの下面に気体を噴射するように配置される。また、上ノズル５３０ｂは、搬送ローラ２０２上を搬送される基板ＷＦの上面に気体を噴射するように配置される。下ノズル５３０ａおよび上ノズル５３０ｂは、搬送される基板ＷＦの幅と同程度あるいはそれ以上の幅を有する。そのため、下ノズル５３０ａおよび上ノズル５３０ｂにより搬送される基板ＷＦの全体に渡って気体を噴きつけることができる。乾燥ユニット５００は、下ノズル５３０ａおよび上ノズル５３０ｂにより搬送される基板ＷＦ上の水滴を吹き飛ばすことで、基板ＷＦを乾燥させることができる。なお、下ノズル５３０ａおよび上ノズル５３０ｂは、それぞれ１つ設けてもよいし、基板ＷＦの搬送方向に複数設けてもよい。図２１に示される実施形態では上ノズル５３０ｂと下ノズル５３０ａとをそれぞれ３個設けている。各ノズル５３０の形式としては気体供給口が基板ＷＦの幅程度に伸びるスリット状とすることができる。
【００４７】
図２１に示される乾燥ユニット５００は、搬送ローラ２０２の上に配置される上搬送ローラ５０６を有する。上搬送ローラ５０６は、動力源に接続されており、回転可能に構成されている。一実施形態において、上搬送ローラ５０６は、搬送ローラ２０２と同様にギア２０６およびモータ２０８により駆動されるように構成される。
【００４８】
図２２〜図２４は、一実施形態による、上搬送ローラ５０６の駆動機構を説明する図である。図２２は、搬送ローラ２０２および上搬送ローラ５０６の駆動機構を示す斜視図である。図２３は、図２２に示される駆動機構を説明する側面図である。図２４は、図２３に示される駆動機構を反対側から見た側面図である。上搬送ローラ５０６の駆動機構は、連結部材５０８を有する。図示のように、連結部材５０８は略Ｌ字形の部材である。図２３に示されるように、連結部材５０８の一方の端部には搬送ローラ２０２を回転させるローラシャフト２０４に係合する凹部５１０が設けられている。連結部材５０８の他方の端部は、上搬送ローラ５０６を回転させる上ローラシャフト５１２がベアリング等を介して連結される。図示の実施形態においては、Ｌ字形の連結部材５０８を介して、上搬送ローラ５０６を、隣接する搬送ローラ２０２の上に配置することができる。図示の実施形態において、連結部材５０８は、凹部５１０内のローラシャフト２０４を中心として自由に変位可能に構成されている。そのため、上搬送ローラ５０６は、上搬送ローラ５０６および上ローラシャフト５１２等の重さにより、下にある搬送ローラ２０２の方に付勢されるが、搬送する基板ＷＦの厚さに応じて上搬送ローラ５０６は上方向に移動することができる。なお、上搬送ローラ５０６の位置は、搬送ローラ２０２とともに搬送する基板ＷＦの寸法に応じて変更することができる。
【００４９】
図２２、２３に示されるように、ローラシャフト２０４には第１ギア５１４が連結されており、ローラシャフト２０４が回転すると、第１ギア５１４も回転するように構成される。第１ギア５１４には第２ギア５１６が連結されており、第１ギア５１４の回転は第２ギア５１６に伝達されるように構成される。第２ギア５１６にはベルト５１８が接続されており、第２ギア５１６の回転はベルト５１８に伝達される。ベルト５１８は、上ローラシャフト５１２に連結されており。ベルト５１８の回転が上ローラシャフト５１２を回転させる。このような構造により、搬送ローラ２０２の回転力を上搬送ローラ５０６に伝達することができる。なお、図示の実施形態において、第１ギア５１４および第２ギア５１６は機械的な歯車を備えるギアであるが、マグネットギアを使用してもよい。
【００５０】
また、上搬送ローラ５０６の駆動機構は、図２３に示されるように、連結部材５０８に接触するストッパ５２０を有する。ストッパ５２０の位置を調整することにより、ローラシャフト２０４を中心とする連結部材５０８の変位の下限を制限することができ、上搬送ローラ５０６と下にある搬送ローラ２０２との間の距離をストッパ５２０により調整することができる。上搬送ローラ５０６と搬送ローラ２０２との間の距離は、搬送する基板ＷＦの厚さに応じて変更してもよい。
【００５１】
一実施形態において、乾燥ユニット５００は、図２１に示されるように、出口側に出口シャッタ５４０が配置されている。出口シャッタ５４０は、開閉可能に構成される。乾燥ユニット５００により基板ＷＦが乾燥されると、出口シャッタ５４０を開いて乾燥後の基板ＷＦを乾燥ユニット５００の外へ搬送することができる。
【００５２】
上述の実施形態による乾燥ユニット５００は、搬送ローラ２０２および上搬送ローラ５０６により基板ＷＦを上下方向から挟んで搬送する。そのため、ノズル５３０により気体が基板ＷＦに噴きつけられても、基板ＷＦを安定して搬送することができる。
【００５３】
＜アンロードユニット＞
アンロードユニット６００は、研磨および洗浄などの処理が行われた後の基板ＷＦを基板処理装置１０００の外へ搬出するためのユニットである。図１に示される基板処理装置１０００においては、アンロードユニット６００は、乾燥ユニット５００で乾燥された後の基板を受け入れる。図１に示されるように、アンロードユニット６００は、乾燥ユニット５００の下流に配置される。
【００５４】
図２５は、一実施形態によるアンロードユニット６００を模式的に示す側面図である。一実施形態において、アンロードユニット６００は筐体６０２を備える。筐体６０２は基板ＷＦを受け入れる側に入口開口６０４を備える。図２５に示される実施形態においては、右側が入口側である。アンロードユニット６００は、入口開口６０４から基板ＷＦを受け入れる。一実施形態において、アンロードユニット６００は、ＳＭＥＭＡ（Surface Mount Equipment Manufacturers Association）の機械装置インタフェー規格（IPC-SMEMA-9851）に準拠するように構成される。
【００５５】
図２５に示される実施形態において、アンロードユニット６００は、基板ＷＦを搬送するための複数の搬送ローラ２０２を備えている。搬送ローラ２０２を回転させることで、搬送ローラ２０２上の基板を所定の方向に搬送することができる。一実施形態において、アンロードユニット６００の搬送ローラ２０２は、導電性ポリマーから構成することができる。一実施形態において、搬送ローラ２０２は、ローラシャフト２０４などを介して電気的に接地される。これは、基板ＷＦが帯電して基板ＷＦを損傷することを防止するためである。また、一実施形態において、アンロードユニット６００に、基板ＷＦの帯電を防止するためにイオナイザー（図示せず）を設けてもよい。
【００５６】
図示の実施形態において、アンロードユニット６００の筐体６０２は、基板ＷＦの出口開口６０８を有する。アンロードユニット６００は、搬送ローラ２０２上の所定の位置における基板ＷＦの存在の有無を検知するためのセンサ６１２を有する。センサ６１２は任意の形式のセンサとすることができ、たとえば光学式のセンサとすることができる。図２５に示される実施形態においては、センサ６１２は筐体６０２内に３つ設けられており、１つは入口開口６０４付近に設けられるセンサ６１２ａであり、１つはアンロードユニット６００の中央付近に設けられるセンサ６１２ｂであり、もう１つは出口開口６０８付近に設けられるセンサ６１２ｃである。一実施形態において、これらのセンサ６１２による基板ＷＦの検知に応じて、アンロードユニット６００の動作を制御することができる。たとえば、入口開口６０４付近のセンサ６１２ａが基板ＷＦの存在を検知したら、アンロードユニット６００内の搬送ローラ２０２の回転を始動するようにしてもよいし、また、搬送ローラ２０２の回転速度を変更してもよい。一実施形態において、ロードユニット１００で反転機が必要な場合は、アンロードユニット６００も、基板ＷＦを反転させるための反転機（図示せず）を備えてもよい。
【００５７】
以下において、上述した基板処理装置１０００による基板ＷＦの搬送経路を説明する。基板処理装置１０００の動作は、制御装置９００により制御される。基板処理装置１０００の上流には、他の処理装置が配置されている。上流側の他の処理装置にて処理された基板ＷＦは基板処理装置１０００のロードユニット１００の入口開口１０４から搬入される。上述の実施形態においては、基板ＷＦは、研磨ユニット３００により研磨される面が下向きで搬送される。一実施形態において、ロードユニット１００のセンサ１１２ａにより基板ＷＦを検知したら、ロードユニット１００の搬送ローラ２０２の動作を開始させるように構成することができる。また、ロードユニット１００に導入された基板ＷＦはリーダー１０６により基板ＷＦのＩＤが読み取られる。読み取られたＩＤに応じて基板処理装置１０００での処理を決定してもよい。また、読み取ったＩＤにより、導入された基板ＷＦが基板処理装置１０００による処理対象ではないと判断されたら、搬送ローラ２０２による搬送を停止してもよい。搬送ローラ２０２によりロードユニット１００内を基板ＷＦが搬送されると、センサ１１２ｃにより基板ＷＦが検知される。センサ１１２ｃにより基板ＷＦが検知され、且つ、搬送ユニット２００Ａで基板ＷＦの受け入れ準備ができている場合は、搬送ユニット２００Ａの入口シャッタ２１８が開き、搬送ローラ２０２により基板ＷＦがロードユニット１００から搬送ユニット２００Ａへ搬送される。搬送ユニット２００Ａで基板ＷＦの受け入れ準備ができていない場合は、ロードユニット１００の搬送ローラ２０２の動作を停止して、搬送ユニット２００Ａの受け入れ準備ができるのを待つ。
【００５８】
基板ＷＦが搬送ユニット２００Ａに搬送されると、搬送ユニット２００Ａの入口側に配置されたセンサ２１６ａが基板ＷＦを検知する。センサ２１６ａにより、基板ＷＦの後ろが通過したことが確認されると、入口シャッタ２１８を閉じる。その後、センサ２１６ｂにより基板ＷＦの位置を監視しながら、搬送ユニット２００Ａの搬送ローラ２０２で基板ＷＦが搬送される。このときストッパ移動機構２２２によりストッパ２２０が基板ＷＦの搬送経路内に移動されている。搬送ローラ２０２上を搬送されてきた基板ＷＦは、ストッパ２２０に接触して基板ＷＦが停止される。また、センサ２１６ｃはストッパ２２０の位置に配置されており、センサ２１６ｃにより基板ＷＦを検知すると搬送ローラ２０２の動作を停止する。ストッパ２２０の位置（基板受け渡し位置）で停止した基板ＷＦは、プッシャ２３０を介して、研磨ユニット３００Ａのトップリング３０２に受け渡される。
【００５９】
基板ＷＦが基板受け渡し位置で停止されると、研磨ユニット３００Ａのアーム３６０を揺動させて、トップリング３０２を搬送ユニット２００Ａの基板ＷＦの上に位置させる。図９は、プッシャ２３０が、プッシャ２３０による基板の受け渡しを開始するときの下位置にある状態を示している。図９に示される下位置から、第１昇降機構２３１により、第１ステージ２３２および第２ステージ２７０を上昇させる。第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上昇するときに、第１ステージ２３２の支持柱２３４および第２ステージ２７０の支持柱２７２が搬送ローラ２０２の間を通る。そのとき、第２ステージ２７０の支持柱２７２が基板ＷＦを下から持ち上げる。第１昇降機構２３１により第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上昇した位置にあるとき、上述のようにＸＹステージ２４８および回転ステージ２５０により、プッシャ２３０の水平面内での位置および角度向きを調整して、第１ステージ２３２の支持柱２３４が、トップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持するように位置合わせを行う。図１２は、第１昇降機構２３１により第１ステージ２３２および第２ステージ２７０が上昇した位置にあり、第１ステージ２３２の支持柱２３４が、トップリング３０２のリテーナ部材３０８を支持している状態を示している。この状態において、第２昇降機構２３３により第２ステージ２７０を第１ステージ２３２に対して上昇させる。この状態において、基板ＷＦは、トップリング３０２の弾性パッド３１０の下面に配置される。図１３は、基板ＷＦがトップリング３０２の弾性パッド３１０の下面に配置された状態を示している。次に、トップリング３０２は、真空吸着により基板ＷＦを弾性パッド３１０の下面に保持する。
【００６０】
トップリング３０２に基板ＷＦを保持させたら、アーム３６０を揺動させて、基板ＷＦを保持するトップリング３０２が研磨ユニット３００Ａの研磨パッド３５２に対向する位置にくるようにする。その後、研磨テーブル３５０およびトップリング３０２を回転させながら、基板ＷＦを研磨パッド３５２に押し当てて基板ＷＦを研磨する。基板ＷＦの研磨中は、研磨液供給ノズル３５４および通路３５３を通じて研磨液を研磨パッド３５２の表面に供給する。
【００６１】
研磨ユニット３００Ａでの基板ＷＦの研磨が終了すると、アーム３６０を揺動させて、基板ＷＦを保持するトップリング３０２を搬送ユニット２００Ａの基板受け渡し位置まで移動させる。図１２に示されるように、トップリング３０２のリテーナ部材３０８が第１ステージ２３２に支持されるようにトップリング３０２を移動させる。その後、トップリング３０２の真空吸着を開放し、基板ＷＦを第２ステージ２７０の支持柱２７２に支持させる。その後、図９に示されるようにプッシャ２３０を下降させて、基板ＷＦを搬送ローラ２０２上に受け渡す。
【００６２】
なお、研磨ユニット３００Ａで基板ＷＦの研磨が終了すると、研磨ユニット３００Ａでは、ドレッサ３５６およびアトマイザ３５８などを用いて研磨パッド３５２のドレッシング、洗浄などが行われる。
【００６３】
研磨ユニット３００Ａから搬送ユニット２００Ａに基板ＷＦが受け渡されると、搬送ローラ２０２を再び始動して基板ＷＦを搬送する。センサ２１６ｄは基板ＷＦの洗浄を開始する位置に設けられており、センサ２１６ｄにより基板ＷＦを検知すると基板ＷＦの洗浄を開始する。基板ＷＦの洗浄をするときは、搬送ローラ２０２の回転速度を洗浄用の速度に変更してもよい。搬送ローラ２０２で基板ＷＦを搬送しながら、上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂから洗浄液を基板ＷＦに向けて噴射して基板ＷＦを洗浄する。センサ２１６ｅは洗浄部内に配置されており、センサ２１６ｅにより基板ＷＦの位置を監視しながら、基板ＷＦを洗浄しながら基板ＷＦが搬送される。センサ２１６ｆは、基板ＷＦの洗浄を終了する位置に配置されており、センサ２１６ｆにより基板ＷＦを検知すると、上洗浄ノズル２８４ａおよび下洗浄ノズル２８４ｂからの洗浄液の噴射を停止する。また、基板ＷＦの洗浄を終了すると、搬送ローラ２０２の回転速度を搬送用の速度に変更する。センサ２１６ｇは、搬送ユニット２００Ａの出口付近に配置されている。センサ２１６ｇが基板ＷＦを検知し、次のユニットである搬送ユニット２００Ｂで基板ＷＦの受け入れ準備ができていれば、出口シャッタ２８６を開いて基板ＷＦを搬送ユニット２００Ａから搬送ユニット２００Ｂへ搬送する。なお、センサ２１６ｇで基板ＷＦを検知したときに、研磨ユニット３００Ｂで基板ＷＦの受け入れ準備が出来ていなければ、基板ＷＦの受け入れ準備ができるまで搬送ローラ２０２の回転を停止して基板ＷＦを待機させる。
【００６４】
一実施形態において、搬送ユニット２００Ｂでの基板ＷＦの処理は、上述した搬送ユニット２００Ａと同様とすることができる。この処理では、典型的には同一の基板ＷＦを研磨ユニット３００Ａと研磨ユニット３００Ｂとで２段研磨する場合を含む。また、一実施形態において、基板ＷＦの研磨は、研磨ユニット３００Ａまたは研磨ユニット３００Ｂの一方でのみ（１段研磨だけ）行ってもよい。たとえば、研磨ユニット３００Ａでのみ基板ＷＦの研磨およびを行い、研磨ユニット３００Ｂでは研磨を行わない場合、搬送ユニット２００Ｂでは、研磨ユニット３００Ｂへの基板ＷＦの受け渡しおよび洗浄は行わずに、搬送ローラ２０２で基板を搬送して次のユニットである乾燥ユニット５００へ基板ＷＦを受け渡す。また、研磨ユニット３００Ａでは研磨を行わずに研磨ユニット３００Ｂでのみ基板の研磨を行う場合、搬送ユニット２００Ａでは研磨ユニット３００Ａへの基板ＷＦの受け渡しおよび洗浄は行わずに、搬送ローラ２０２で基板を搬送して次のユニットである搬送ユニット２００Ｂへ基板ＷＦを受け渡す。
【００６５】
図１に示される基板処理装置１０００において、基板ＷＦは、搬送ユニット２００Ｂから乾燥ユニット５００に搬送される。乾燥ユニット５００に基板ＷＦを受け入れるときは、搬送ユニット２００Ｂの出口シャッタ２８６および乾燥ユニット５００の入口シャッタ５０２が開き、搬送ローラ２０２により基板ＷＦを搬送ユニット２００Ｂから乾燥ユニット５００に搬送する。基板ＷＦが乾燥ユニット５００の入口付近に配置されたセンサ５０４ａを通り過ぎたことが検知されると、乾燥ユニット５００の入口シャッタ５０２および搬送ユニット２００Ｂの出口シャッタ２８６を閉じる。センサ５０４ｂは、乾燥ユニット５００による基板ＷＦの乾燥を開始する位置に配置されており、搬送ローラ２０２により基板ＷＦが乾燥ユニット５００内を搬送されてセンサ５０４ｂが基板ＷＦを検知すると、下ノズル５３０ａおよび上ノズル５３０ｂから気体の噴射を開始する。センサ５０４ｃは、乾燥ユニット５００の出口付近に配置されており、センサ５０４ｃが基板ＷＦを検知すると、下ノズル５３０ａおよび上ノズル５３０ｂからの気体の噴射を停止する。また、センサ５０４ｃで基板ＷＦを検知すると、出口シャッタ５４０を開いて、基板ＷＦを乾燥ユニット５００からアンロードユニット６００に搬送する。
【００６６】
アンロードユニット６００に搬送された基板ＷＦは、センサ６１２ａ〜６１２ｃに監視されながら搬送ローラ２０２により出口まで搬送され、出口開口６０８から基板処理装置１０００の外へ搬送される。６００の出口側には、基板ＷＦの次の処理工程のための他の
処理装置が配置されており、アンロードユニット６００から次の処理工程の処理装置に引き渡される。
【００６７】
図１に示される基板処理装置１０００においては、搬送ユニット２００および研磨ユニット３００は、それぞれ２つ設けられているが、搬送ユニット２００および研磨ユニット３００はそれぞれ１つでもよいし、それぞれ３個以上でもよい。また、上述したように、ロードユニット１００、搬送ユニット２００、研磨ユニット３００、乾燥ユニット５００、およびアンロードユニット６００は、それぞれ独立したユニットとして構成することができる。これらのユニットの筐体は、内部を観察するための窓を備えることができる。図２６は、一例として搬送ユニット２００の筐体２０１を示す図である。図２６に示されるように、搬送ユニット２００の筐体２０１は、正面に開閉可能な扉２０３を備える。また、扉２０３には、搬送ユニット２００の内部を観察するための窓２０５が備えられている。窓２０５には、外部からの光を遮蔽する遮光部材、たとえば遮光シートが取り付けられてもよい。遮光部材は、基板ＷＦに光が到達した場合に基板ＷＦへのフォトコロージョンを防止できる程度の遮光性を備えたものであればよい。図２６は、一例として搬送ユニット２００の筐体２０１に設けられた扉２０３および窓２０５を示しているが、他のロードユニット１００、乾燥ユニット５００、およびアンロードユニット６００にも同様の扉および／または窓を設けることができる。
【００６８】
上述の実施形態から少なくとも以下の技術的思想が把握される。
［形態１］形態１によれば、四角形の基板を搬送するための基板搬送装置が提供され、かかる基板搬送装置は、基板の下面を支持するように構成される複数の搬送ローラと、前記複数の搬送ローラが取り付けられる複数のローラシャフトと、前記複数のローラシャフトを回転させるためのモータと、前記複数の搬送ローラの上にある基板を、前記複数の搬送ローラから離れるように持ち上げるためのプッシャと、を有し、前記プッシャは、前記複数のローラシャフトの間の隙間を通過することが可能なステージを有する。
【００６９】
［形態２］形態２によれば、形態１による基板搬送装置において、前記複数の搬送ローラの間に支持部材が配置されている。
【００７０】
［形態３］形態３によれば、形態１または２による基板搬送装置において、基板の搬送方向に垂直である幅方向に基板を支持する複数のガイドローラを有する。
【００７１】
［形態４］形態４によれば、形態１から形態３のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、基板は、デバイスとして使用されない非パターン領域を有し、前記複数の搬送ローラは、基板の非パターン領域に接触可能に配置される。
【００７２】
［形態５］形態５によれば、形態１から形態４のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、前記複数の搬送ローラの少なくとも一部は導電性ポリマーから形成されている。
【００７３】
［形態６］形態６によれば、形態１から形態５のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、さらに、マグネットギアを有し、前記マグネットギアを介して前記モータは前記ローラシャフトを回転させる。
【００７４】
［形態７］形態７によれば、形態１から形態６のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、さらに、前記複数の搬送ローラ上で搬送され基板の搬送経路に進入し、搬送中の基板が接触可能に構成されるストッパを有する。
【００７５】
［形態８］形態８によれば、形態１から形態７のいずれ１つの形態による基板搬送装置
において、さらに、前記複数の搬送ローラ上の所定の位置における基板の有無を検知するためのセンサを有する。
【００７６】
［形態９］形態９によれば、形態１から形態８のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、さらに、前記複数の搬送ローラにより搬送されている基板の上面を支持するように構成される複数の支持ローラを有する。
【００７７】
［形態１０］形態１０によれば、形態１から形態９のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、前記複数のローラシャフトを回転させるためのモータはサーボモータである。
【００７８】
［形態１１］形態１１によれば、形態１から形態１０のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、前記プッシャの前記ステージは複数の支持柱を有し、前記プッシャは、前記ステージを上下方向へ昇降するための昇降機構を備え、前記昇降機構は、前記ステージが上昇した位置である上位置と、前記ステージが下降した位置である下位置との間で、前記ステージを移動可能であり、前記ステージが前記下位置から前記上位置に移動するときに、前記ステージの前記複数の支持柱の少なくとも一部が前記複数のローラシャフトの間の隙間を通過して、前記複数の搬送ローラ上にある基板を前記複数の支持柱で受け取るように構成される。
【００７９】
［形態１２］形態１２によれば、形態１から形態１１のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、前記プッシャは、前記ステージを水平面内に直線運動させるための直線移動機構を有する。
【００８０】
［形態１３］形態１３によれば、形態１から形態１２のいずれ１つの形態による基板搬送装置において、前記プッシャは、前記ステージを水平面内で回転運動させるための回転移動機構を有する。
【００８１】
［形態１４］形態１４によれば、形態１２による基板搬送装置において、前記プッシャは、前記ステージの直線運動を防止するための直線運動防止機構を有する。
【００８２】
［形態１５］形態１５によれば、形態１３による基板搬送装置において、前記プッシャは、前記ステージの回転運動を防止するための回転運動防止機構を有する。
【００８３】
［形態１６］形態１６によれば、基板処理装置が提供され、かかる基板処理装置は、基板を研磨するための研磨部と、基板を洗浄するための洗浄部と、基板を乾燥させるための乾燥部と、前記研磨部、前記洗浄部、および前記乾燥部の間で基板を搬送する搬送部と、を有し、前記搬送部は、形態１から形態１５のいずれか１つの形態の基板搬送装置を有する。
【００８４】
［形態１７］形態１７によれば、形態１６による基板処理装置において、前記研磨部は、研磨パッドを保持するためのテーブルと、前記テーブルを回転駆動するためのテーブル駆動機構と、基板を保持するためのトップリングと、前記トップリングに保持された基板を、前記テーブル上に保持された研磨パッドに対して押し付けるための押圧機構と、を有し、前記トップリングは、前記プッシャの前記ステージから基板を受け取ることが可能であり、且つ、前記トップリングが保持する基板を前記プッシャの前記ステージに受け渡すことが可能に構成される。
【００８５】
［形態１８］形態１８によれば、形態１７による基板処理装置において、前記研磨部は、前記テーブル上の前記研磨パッド上に研磨液を供給するための研磨液供給機構を有する
。
【００８６】
［形態１９］形態１９によれば、形態１８による基板処理装置において、前記研磨液供給機構は、前記テーブル内に設けられた流路を有し、前記流路は前記テーブルの表面および前記研磨パッドに画定された開口部に連通する。
【００８７】
［形態２０］形態２０によれば、形態１７から形態１９のいずれか１つの形態による基板処理装置において、前記トップリングはエアバッグを有し、前記エアバッグ内に供給される流体の圧力により、基板の前記研磨パッドへの押圧力を制御することが可能に構成される。
【００８８】
［形態２１］形態２１によれば、形態１７から形態２０のいずれか１つの形態による基板処理装置において、前記テーブルの表面は、前記テーブルから前記研磨パッドの剥離を容易にするためのシリコーン層またはフッ素系樹脂層を有する。
【００８９】
［形態２２］形態２２によれば、形態１７から形態２１のいずれか１つの形態による基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記テーブル上に保持される前記研磨パッドを有し、前記研磨パッドの表面には、前記研磨パッドの外周に連通する溝と、前記研磨パッドの外周に連通しない溝と、を有する。
【００９０】
［形態２３］形態２３によれば、形態２２形態による基板処理装置において、前記研磨パッドの前記溝は、同心円状のパターンを形成する溝と、放射状のパターンを形成する溝と、を有する。
【００９１】
［形態２４］形態２４によれば、形態２２形態による基板処理装置において、前記研磨パッドの前記溝は、格子状のパターンを形成する溝を有する。
【００９２】
［形態２５］形態２５によれば、形態１６から形態２４のいずれか１つの形態による基板処理装置において、前記洗浄部は、前記搬送ローラ上の基板に向けて洗浄液を噴射するための洗浄ノズルを有する。
【００９３】
［形態２６］形態２６によれば、形態２５形態による基板処理装置において、前記洗浄ノズルは、前記搬送ローラ上の基板から見て上面側および下面側の両方に配置される。
【００９４】
［形態２７］形態２７によれば、形態１６から形態２６のいずれか１つの形態による基板処理装置において、前記乾燥部は、前記搬送ローラ上の基板に向けて気体を噴きつける乾燥ノズルを有する。
【００９５】
［形態２８］形態２８によれば、形態２７形態による基板処理装置において、前記乾燥ノズルは、前記搬送ローラ上の基板から見て上面側および下面側の両方に配置される。
【００９６】
［形態２９］形態２９によれば、形態１６から形態２８のいずれか１つの形態による基板処理装置において、前記研磨部、前記洗浄部、前記乾燥部、および前記搬送部の少なくとも１つを収納する筐体を有し、前記筐体は外部から内部を観察するための窓を備え、前記窓は遮光部材を備える。
【符号の説明】
【００９７】
１０…パターン領域
２０…非パターン領域
１００…ロードユニット
２００…搬送ユニット
２０２…搬送ローラ
２０４…ローラシャフト
２０６…ギア
２０８…モータ
２１０…支持部材
２１２…ガイドローラ
２１４…補助ローラ
２１６…センサ
２１８…入口シャッタ
２２０…ストッパ
２２２…ストッパ移動機構
２３０…プッシャ
２３１…第１昇降機構
２３２…第１ステージ
２３３…第２昇降機構
２３４…支持柱
２４４…可動台座
２４６…固定台座
２４９…中間プレート
２５０…回転ステージ
２７０…第２ステージ
２７２…支持柱
２８０…ＸＹストッパ
２８２…回転ストッパ
２８４…洗浄ノズル
２８６…出口シャッタ
２９０…押さえローラ
３００…研磨ユニット
３０２…トップリング
３０６…ヘッド本体
３０８…リテーナ部材
３１０…弾性パッド
３５０…研磨テーブル
３５２…研磨パッド
５００…乾燥ユニット
５０６…上搬送ローラ
５３０…ノズル
６００…アンロードユニット
９００…制御装置
１０００…基板処理装置
ＷＦ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２７Ｃ】
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【図２７Ｄ】
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【図２７Ｅ】
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【図２７Ｆ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【図２８Ｄ】
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【図２８Ｅ】
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【図２８Ｆ】
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