(57)【要約】【課題】ノイズが４０ｄＢ以上減衰する減衰帯域幅を理論値に応じて広くできるノイズフィルターを提供すること。【解決手段】ノイズフィルター２０は、磁気コア４０と接地導体５０と２つのコイル６０とを備えている。コイル６０の夫々は、磁気コア４０に巻回されたコイル部６２と、コイル部６２から引き出された２つの端子６６，６８とを有している。接地導体５０は、コイル部６２から離間配置された導体主部５２と、導体主部５２から引き出された接地端子５８とを有している。回路基板８０には、端子６６，６８に夫々接続された４つの電極８２，８４と、接地端子５８に接続された接地電極８８とが設けられている。電極８２，８４の間のパターン容量Ｃｐとコイル６０の巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗは、接地導体５０とコイル６０との間の接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下である。【選択図】図２
2020009900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に取り付けられるノイズフィルターの製造方法であって、
前記ノイズフィルターは、磁気コアと、接地導体と、２つのコイルとを備えており、
前記コイルの夫々は、前記磁気コアに巻回されたコイル部と、前記コイル部から引き出された２つの端子とを有しており、
前記接地導体は、前記コイル部から離間配置された導体主部と、前記導体主部から引き出された接地端子とを有しており、
前記回路基板には、前記コイルの前記端子に夫々接続される４つの電極と、前記接地導体の前記接地端子に接続される接地電極とが設けられており、
前記製造方法は、調整工程を含んでおり、
前記調整工程において、前記回路基板の前記電極の間のパターン容量Ｃｐと前記コイルの巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗが、前記接地導体と前記コイルとの間の接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下の第１所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第１所定範囲に含まれるように、Ｃｐ、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも１つを調整する
製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法であって、
前記製造方法は、測定工程を含んでおり、
前記測定工程において、前記回路基板の前記パターン容量Ｃｐを測定し、
前記調整工程において、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、前記第１所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第１所定範囲に含まれるように、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも一方を調整する
製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の製造方法であって、
前記調整工程において、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、０．２９×Ｃｇ−１．８６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋０．９５以下の第２所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第２所定範囲に含まれるように、Ｃｐ、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも１つを調整する
製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の製造方法であって、
前記製造方法は、測定工程を含んでおり、
前記測定工程において、前記回路基板の前記パターン容量Ｃｐを測定し、
前記調整工程において、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、前記第２所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第２所定範囲に含まれるように、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも一方を調整する
製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の製造方法であって、
前記コイルの夫々における前記２つの端子は、第１端子と第２端子とからなり、
前記回路基板の前記４つの電極は、前記２つのコイルの前記第１端子に夫々対応する２つの第１電極と、前記２つのコイルの前記第２端子に夫々対応する２つの第２電極とからなり、
前記接地容量Ｃｇは、前記２つの第１端子及び前記２つの第２端子を短絡させた端子短絡点と、前記接地端子との間の静電容量であり、
前記パターン容量Ｃｐは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けていない状態における、前記２つの第１電極を短絡させた第１電極短絡点と、前記２つの第２電極を短絡させた第２電極短絡点との間の静電容量であり、
前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けた状態における、前記２つの第１端子を短絡させた第１端子短絡点と、前記２つの第２端子を短絡させた第２端子短絡点との間の静電容量である
製造方法。
【請求項６】
回路基板に取り付けられるノイズフィルターであって、
前記ノイズフィルターは、磁気コアと、接地導体と、２つのコイルとを備えており、
前記コイルの夫々は、前記磁気コアに巻回されたコイル部と、前記コイル部から引き出された２つの端子とを有しており、
前記接地導体は、前記コイル部から離間配置された導体主部と、前記導体主部から引き出された接地端子とを有しており、
前記回路基板には、前記コイルの前記端子に夫々接続される４つの電極と、前記接地導体の前記接地端子に接続される接地電極とが設けられており、
前記回路基板の前記電極の間のパターン容量Ｃｐと前記コイルの巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗは、前記接地導体と前記コイルとの間の接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下である
ノイズフィルター。
【請求項７】
請求項６記載のノイズフィルターであって、
前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、０．２９×Ｃｇ−１．８６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋０．９５以下である
ノイズフィルター。
【請求項８】
請求項６又は請求項７記載のノイズフィルターであって、
前記ノイズフィルターは、誘電部材を備えており、
前記誘電部材は、少なくとも部分的に前記導体主部と前記コイル部との間に位置している
ノイズフィルター。
【請求項９】
請求項６から請求項８までのいずれかに記載のノイズフィルターであって、
前記コイルの夫々における前記２つの端子は、第１端子と第２端子とからなり、
前記回路基板の前記４つの電極は、前記２つのコイルの前記第１端子に夫々対応する２つの第１電極と、前記２つのコイルの前記第２端子に夫々対応する２つの第２電極とからなり、
前記接地容量Ｃｇは、前記２つの第１端子及び前記２つの第２端子を短絡させた端子短絡点と、前記接地端子との間の静電容量であり、
前記パターン容量Ｃｐは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けていない状態における、前記２つの第１電極を短絡させた第１電極短絡点と、前記２つの第２電極を短絡させた第２電極短絡点との間の静電容量であり、
前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けた状態における、前記２つの第１端子を短絡させた第１端子短絡点と、前記２つの第２端子を短絡させた第２端子短絡点との間の静電容量である
ノイズフィルター。
【請求項１０】
請求項６から請求項９までのいずれかに記載のノイズフィルターと回路基板とを備えた装置であって、
前記回路基板には、前記コイルの前記端子に夫々接続された４つの電極と、前記接地導体の前記接地端子に接続された接地電極とが設けられている
装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接地導体を備えたノイズフィルターに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、非特許文献１には、このタイプのノイズフィルターである疑似分布定数型ラインフィルタが開示されている。
【０００３】
非特許文献１のノイズフィルターは、トロイダル形状の磁芯と、磁芯を収容する絶縁ケースと、絶縁ケースに夫々巻回された２つの巻線（コイル）と、接地導体とを備えている。接地導体の一部は、磁芯と共に絶縁ケースに収容されており、磁芯とコイルとの間に位置している。接地導体の他の一部は、絶縁ケースの外部に引き出されており、接地端が形成されている。コイルの夫々は、２つの端部（第１端子及び第２端子）を有している。コイルの第１端子と第２端子との間には、巻線容量Ｃｗが生じ、コイルと接地導体との間には、接地容量Ｃｇが生じる。例えば、コイルの巻回数を調整して、接地容量Ｃｇと巻線容量Ｃｗとの間の比率を３．０よりも大きく４．３よりも小さな値とすると、コイルを流れるノイズは、広帯域に亘って４０ｄＢ以上減衰する。即ち、広い減衰帯域幅が得られる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】原田，外４名，「疑似分布定数型構造によるラインフィルタの広帯域化」，電子情報通信学会技術研究報告，一般社団法人電子情報通信学会，２０１６年４月８日，第１１６巻，第４号，ｐ．２３−２７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
非特許文献１のノイズフィルターは、使用時に回路基板に取り付けられる。ノイズが４０ｄＢ以上減衰する減衰帯域幅をノイズフィルターを回路基板に取り付けた状態で実測すると、減衰帯域幅の実測値は、理論値に比べてかなり小さい。
【０００６】
そこで、本発明は、ノイズが４０ｄＢ以上減衰する減衰帯域幅を理論値に応じて広くできるノイズフィルターを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
非特許文献１の発明について考察すると、ノイズフィルターを取付ける回路基板には、コイルの夫々について、第１端子を接続する第１電極と、第２端子を接続する第２電極とが設けられている。回路基板の第１電極と第２電極との間には、所定の容量（パターン容量Ｃｐ）が生じる。そこで、本願の発明者は、非特許文献１に開示された発明において、パターン容量Ｃｐを加味することを考察した。具体的には、パターン容量Ｃｐと巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗと接地容量Ｃｇとの間の比率を３．０よりも大きく４．３よりも小さな値とすることで、ノイズの減衰帯域幅を広くできると考えた。しかしながら、この考察に基づく減衰帯域幅の理論値も、実測値に比べてかなり異なっていた。
【０００８】
本願の発明者による更なる研究の結果、合成容量Ｃｐ＋ＣｗとＣｇとの間の関係を比例関係として捉えてはいけないことが分かった。より具体的には、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを、所定の実数ａ、ｂ１、ｂ２（ａ＞０、ｂ１≠０、且つ、ｂ２≠０）について、ａ×Ｃｇ＋ｂ１以上とし、且つ、ａ×Ｃｇ＋ｂ２以下とすることで、１０ＭＨｚのノイズを４０ｄＢ程度減衰させることができ、これによりノイズの減衰帯域幅を広くできることが分かった。本発明は、以上の知見に基づき、以下の製造方法によって製造されたノイズフィルターを提供する。
【０００９】
本発明は、ノイズフィルターの第１の製造方法として、
回路基板に取り付けられるノイズフィルターの製造方法であって、
前記ノイズフィルターは、磁気コアと、接地導体と、２つのコイルとを備えており、
前記コイルの夫々は、前記磁気コアに巻回されたコイル部と、前記コイル部から引き出された２つの端子とを有しており、
前記接地導体は、前記コイル部から離間配置された導体主部と、前記導体主部から引き出された接地端子とを有しており、
前記回路基板には、前記コイルの前記端子に夫々接続される４つの電極と、前記接地導体の前記接地端子に接続される接地電極とが設けられており、
前記製造方法は、調整工程を含んでおり、
前記調整工程において、前記回路基板の前記電極の間のパターン容量Ｃｐと前記コイルの巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗが、前記接地導体と前記コイルとの間の接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下の第１所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第１所定範囲に含まれるように、Ｃｐ、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも１つを調整する
製造方法を提供する。
【００１０】
また、本発明は、ノイズフィルターの第２の製造方法として、第１の製造方法であって、
前記製造方法は、測定工程を含んでおり、
前記測定工程において、前記回路基板の前記パターン容量Ｃｐを測定し、
前記調整工程において、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、前記第１所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第１所定範囲に含まれるように、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも一方を調整する
製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、ノイズフィルターの第３の製造方法として、第１の製造方法であって、
前記調整工程において、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、０．２９×Ｃｇ−１．８６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋０．９５以下の第２所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第２所定範囲に含まれるように、Ｃｐ、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも１つを調整する
製造方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、ノイズフィルターの第４の製造方法として、第３の製造方法であって、
前記製造方法は、測定工程を含んでおり、
前記測定工程において、前記回路基板の前記パターン容量Ｃｐを測定し、
前記調整工程において、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、前記第２所定範囲にない場合、前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが前記第２所定範囲に含まれるように、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも一方を調整する
製造方法を提供する。
【００１３】
また、本発明は、ノイズフィルターの第５の製造方法として、第１から第４までのいずれかの製造方法であって、
前記コイルの夫々における前記２つの端子は、第１端子と第２端子とからなり、
前記回路基板の前記４つの電極は、前記２つのコイルの前記第１端子に夫々対応する２つの第１電極と、前記２つのコイルの前記第２端子に夫々対応する２つの第２電極とからなり、
前記接地容量Ｃｇは、前記２つの第１端子及び前記２つの第２端子を短絡させた端子短絡点と、前記接地端子との間の静電容量であり、
前記パターン容量Ｃｐは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けていない状態における、前記２つの第１電極を短絡させた第１電極短絡点と、前記２つの第２電極を短絡させた第２電極短絡点との間の静電容量であり、
前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けた状態における、前記２つの第１端子を短絡させた第１端子短絡点と、前記２つの第２端子を短絡させた第２端子短絡点との間の静電容量である
製造方法を提供する。
【００１４】
また、本発明は、第１のノイズフィルターとして、
回路基板に取り付けられるノイズフィルターであって、
前記ノイズフィルターは、磁気コアと、接地導体と、２つのコイルとを備えており、
前記コイルの夫々は、前記磁気コアに巻回されたコイル部と、前記コイル部から引き出された２つの端子とを有しており、
前記接地導体は、前記コイル部から離間配置された導体主部と、前記導体主部から引き出された接地端子とを有しており、
前記回路基板には、前記コイルの前記端子に夫々接続される４つの電極と、前記接地導体の前記接地端子に接続される接地電極とが設けられており、
前記回路基板の前記電極の間のパターン容量Ｃｐと前記コイルの巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗは、前記接地導体と前記コイルとの間の接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下である
ノイズフィルターを提供する。
【００１５】
また、本発明は、第２のノイズフィルターとして、第１のノイズフィルターであって、
前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、０．２９×Ｃｇ−１．８６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋０．９５以下である
ノイズフィルターを提供する。
【００１６】
また、本発明は、第３のノイズフィルターとして、第１又は第２のノイズフィルターであって、
前記ノイズフィルターは、誘電部材を備えており、
前記誘電部材は、少なくとも部分的に前記導体主部と前記コイル部との間に位置している
ノイズフィルターを提供する。
【００１７】
また、本発明は、第４のノイズフィルターとして、第１から第３までのいずれかのノイズフィルターであって、
前記コイルの夫々における前記２つの端子は、第１端子と第２端子とからなり、
前記回路基板の前記４つの電極は、前記２つのコイルの前記第１端子に夫々対応する２つの第１電極と、前記２つのコイルの前記第２端子に夫々対応する２つの第２電極とからなり、
前記接地容量Ｃｇは、前記２つの第１端子及び前記２つの第２端子を短絡させた端子短絡点と、前記接地端子との間の静電容量であり、
前記パターン容量Ｃｐは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けていない状態における、前記２つの第１電極を短絡させた第１電極短絡点と、前記２つの第２電極を短絡させた第２電極短絡点との間の静電容量であり、
前記合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、前記ノイズフィルターを前記回路基板に取り付けた状態における、前記２つの第１端子を短絡させた第１端子短絡点と、前記２つの第２端子を短絡させた第２端子短絡点との間の静電容量である
ノイズフィルターを提供する。
【００１８】
また、本発明は、第１の装置として、
第１から第４までのいずれかのノイズフィルターと回路基板とを備えた装置であって、
前記回路基板には、前記コイルの前記端子に夫々接続された４つの電極と、前記接地導体の前記接地端子に接続された接地電極とが設けられている
装置を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の製造方法によれば、回路基板のパターン容量Ｃｐとコイルの巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗは、接地導体の接地容量Ｃｇとの関係で、少なくとも０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下の第１所定範囲に含まれるように調整される。この調整によって、１０ＭＨｚのノイズを４０ｄＢ程度減衰することができ、これにより、ノイズの減衰帯域幅を広くできる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態におけるノイズフィルター及び回路基板を示す斜視図である。
【図２】図１のノイズフィルター及び回路基板を示す上面図である。ノイズフィルターのコイルの輪郭を模式的に破線で描画している。ノイズフィルターは、１点鎖線で示したケースの外周部及び突出部の輪郭を除き、描画していない。
【図３】図１のノイズフィルター及び回路基板の等価回路を示す図である。
【図４】図１のノイズフィルターの巻線容量Ｃｗを示す図である。
【図５】図１の回路基板のパターン容量Ｃｐを示す図である。
【図６】図１のノイズフィルター及び回路基板におけるパターン容量Ｃｐと巻線容量Ｃｗとの合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを示す図である。
【図７】図１のノイズフィルターの接地容量Ｃｇを示す図である。
【図８】接地容量Ｃｇと合成容量Ｃｐ＋Ｃｗとの間の関係を示す図である。
【図９】図１のノイズフィルターの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図１０】図９の製造方法の変形例を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の実施例１〜６のノイズフィルターを示す図である。
【図１２】実施例１のノイズフィルターにおける周波数と減衰量との間の関係を示す図である
【図１３】実施例２のノイズフィルターにおける周波数と減衰量との間の関係を示す図である
【図１４】実施例３のノイズフィルターにおける周波数と減衰量との間の関係を示す図である
【図１５】実施例４のノイズフィルターにおける周波数と減衰量との間の関係を示す図である
【図１６】実施例５のノイズフィルターにおける周波数と減衰量との間の関係を示す図である
【図１７】実施例６のノイズフィルターにおける周波数と減衰量との間の関係を示す図である
【図１８】実施例１〜６のノイズフィルターの夫々について、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗと１０ＭＨｚのノイズに対する減衰量との間の関係を示す図である。
【図１９】実施例１〜６のノイズフィルターについて、接地容量Ｃｇと合成容量Ｃｐ＋Ｃｗとの間の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１及び図２を参照すると、本発明の実施の形態による装置１０は、ノイズフィルター２０と、回路基板８０とを備えている。ノイズフィルター２０は、装置１０の回路基板８０に取り付けて使用される。装置１０は、例えば、電力変換装置の一部であり、電源ラインに生じるコモンモードノイズをノイズフィルター２０によって減衰する。即ち、本実施の形態のノイズフィルター２０は、コモンモードノイズを減衰するコモンモードチョークコイルである。但し、本発明は、ノーマルモードノイズを減衰するノーマルモードチョークコイルにも適用可能である。
【００２２】
本実施の形態において、回路基板８０の上面（＋Ｚ側の面）には、２つの第１電極（電極）８２と、２つの第２電極（電極）８４と、接地電極８８とが形成されている。第１電極８２及び第２電極８４は、装置１０の回路（図示せず）に接続されている。接地電極８８は、グランドされている。本実施の形態の回路基板８０は、装置１０（例えば、電力変換装置）の回路基板（図示せず）の一部であり、図示した形状及びサイズを有している。但し、回路基板８０に４つの電極８２，８４及び接地電極８８が設けられている限り、回路基板８０の形状及びサイズは、特に限定されない。
【００２３】
本実施の形態のノイズフィルター２０は、絶縁体からなるケース３０と、軟磁性体からなる磁気コア４０と、導電体からなる接地導体５０と、２つのコイル６０とを備えている。但し、本発明はこれに限られない。例えば、ケース３０は、必要に応じて設ければよい。また、ノイズフィルター２０は、上述の部材に加えて、別の部材を更に備えていてもよい。
【００２４】
図２を参照すると、本実施の形態の磁気コア４０は、例えば、軟磁性金属粉末と樹脂等の結合剤とからなる圧粉磁芯である。また、磁気コア４０は、トロイダル形状を有している。詳しくは、磁気コア４０には、中心孔４２が形成されている。中心孔４２は、磁気コア４０を上下方向（Ｚ方向）に貫通している。磁気コア４０は、Ｚ方向と直交する水平面（ＸＹ平面）において、中心孔４２を中心とする円環形状を有している。但し、本発明は、これに限られない。例えば、磁気コア４０は、圧粉磁芯に限られない。また、ＸＹ平面における磁気コア４０の形状は、円環形状に限られない。例えば、磁気コア４０は、ＸＹ平面において、矩形のフレーム形状を有していてもよいし、磁気ギャップを有していてもよい。
【００２５】
接地導体５０は、導体主部５２と、接地端子５８とを有している。本実施の形態の接地導体５０は、例えば銅からなる１枚の薄い金属板であり、導体主部５２及び接地端子５８は、互いに一体に形成されている。換言すれば、導体主部５２及び接地端子５８の夫々は、１つの接地導体５０の一部である。導体主部５２は、ＸＹ平面における磁気コア４０の外周から多少の距離をあけつつ、磁気コア４０の外周に沿って延びている。接地端子５８は、導体主部５２から前後方向（Ｘ方向）における前方（＋Ｘ方向）に引き出されており、ノイズフィルター２０の使用時に回路基板８０の接地電極８８に接続され固定される。但し、本発明はこれに限られない。例えば、導体主部５２は、磁気コア４０の上面（＋Ｚ側の面）及び下面（−Ｚ側の面）を覆っていてもよい。また、接地端子５８は、導体主部５２と別体に形成された部材であり、導体主部５２に溶接されていてもよい。
【００２６】
図１を参照すると、本実施の形態のケース３０は、基部３２と、本体部３４とを有している。本体部３４は、基部３２の上（＋Ｚ側）に位置している。基部３２は、ノイズフィルター２０の使用時に回路基板８０の上面に固定される。基部３２には、回路基板８０の４つの電極８２，８４に夫々対応する４つの通過孔３２２が形成されている。通過孔３２２の夫々は、基部３２をＺ方向に貫通しており、ノイズフィルター２０の使用時に、対応する電極８２，８４の上に位置する。
【００２７】
図１及び図２を参照すると、ケース３０の本体部３４は、磁気コア４０及び接地導体５０からなる内部構造体に対応した形状を有しており、内部構造体（磁気コア４０及び接地導体５０）は、本体部３４の内部に収容されている。詳しくは、本体部３４は、外周部（誘電部材）３６と突出部３８とを有している。図２を参照すると、外周部３６は、ＸＹ平面において、接地導体５０の導体主部５２を外側から覆っており、これにより、ＸＹ平面において、導体主部５２を間に挟みつつ磁気コア４０の外周を外側から覆っている。換言すれば、導体主部５２は、ＸＹ平面において、磁気コア４０の外周とケース３０の外周部３６との間に位置している。また、突出部３８は、ＸＹ平面において、接地導体５０の接地端子５８を外側から覆っている。即ち、接地端子５８は、ケース３０の内部において、回路基板８０の接地電極８８に接続される。
【００２８】
本実施の形態のケース３０は、上述の構造を有している。但し、ケース３０の構造は、内部構造体（磁気コア４０及び接地導体５０）の構造に合わせて様々に変形可能である。また、内部構造体は、ケース３０の外部に部分的に露出していてもよい。例えば、接地端子５８は、ケース３０の外部において接地電極８８に接続されてもよい。
【００２９】
図１及び図２を参照すると、コイル６０の夫々は、コイル部６２と、第１端子（端子）６６と、第２端子（端子）６８とを有している。本実施の形態のコイル６０の夫々は、例えば、絶縁被覆された銅からなる被覆導線である。また、コイル６０の夫々において、コイル部６２、第１端子６６及び第２端子６８の夫々は、１本の被覆導線の一部である。但し、本発明は、これに限られない。例えば、コイル６０の夫々において、第１端子６６及び第２端子６８の夫々は、コイル部６２と別体に形成された部材であり、コイル部６２の端に溶接されていてもよい。また、コイル６０は、丸型導線であってもよいし、平型導線であってもよい。
【００３０】
本実施の形態によれば、２つのコイル６０は、ケース３０の本体部３４のＹ方向（横方向）における両側に互いに離れて夫々巻回されている。詳しくは、一方のコイル６０のコイル部６２は、本体部３４の＋Ｙ側に１ターン以上巻回されており、他方のコイル６０のコイル部６２は、本体部３４の−Ｙ側に１ターン以上巻回されている。
【００３１】
本実施の形態によれば、コイル部６２の夫々は、ケース３０の本体部３４に巻回されており、これにより、本体部３４を間に挟んで、磁気コア４０に間接的に巻回されている。即ち、コイル部６２は、ケース３０の外部に配置されている。図２を参照すると、ケース３０の外周部３６は、ＸＹ平面において、コイル部６２と、接地導体５０の導体主部５２との間に位置している。即ち、導体主部５２は、コイル部６２から離間配置されている。
【００３２】
本発明におけるコイル部６２の配置及び導体主部５２の配置は、上述の配置に限られない。例えば、コイル部６２の夫々は、ケース３０の内部に配置されていてもよい。より具体的には、コイル部６２の夫々は、磁気コア４０に直接的に巻回されていてもよい。この場合、導体主部５２は、ＸＹ平面において、ケース３０の外周部３６を間に挟んでコイル部６２を外側から覆うようにして、コイル部６２から離間配置されていてもよい。但し、ノイズフィルター２０を一旦作製した後でコイル部６２の夫々の巻回数（ターン数）を調整する必要がある場合、本実施の形態が好ましい。
【００３３】
本実施の形態によれば、コイル部６２の夫々は、各ターンが互いに重ならないように巻回されている。換言すれば、コイル部６２の夫々は、磁気コア４０の中心孔４２を中心とするＸＹ平面上の周方向において一定の方向に一層巻きされている。但し、本発明によるコイル部６２の巻回方法は、特に限定されない。例えば、コイル部６２の夫々は、周方向において時計方向に巻回した後に反時計方向に巻回するといった方法で多層巻きされていてもよい。
【００３４】
図１及び図２を参照すると、２つのコイル６０の第１端子６６は、回路基板８０の２つの第１電極８２と夫々対応しており、２つのコイル６０の第２端子６８は、回路基板８０の２つの第２電極８４と夫々対応している。コイル６０の夫々において、２つの端子６６，６８は、コイル部６２の両端から夫々引き出されている。詳しくは、第１端子６６の夫々は、Ｘ方向における前方（＋Ｘ方向）に引き出されており、ノイズフィルター２０の使用時に、ケース３０の通過孔３２２を通過して、対応する第１電極８２に接続され固定される。第２端子６８の夫々は、Ｘ方向における後方（−Ｘ方向）に引き出されており、ノイズフィルター２０の使用時に、ケース３０の通過孔３２２を通過して、対応する第２電極８４に接続され固定される。
【００３５】
上述したように、回路基板８０には、２つのコイル６０の４つの端子６６，６８に夫々接続される４つの電極８２，８４と、接地導体５０の接地端子５８に接続される接地電極８８とが設けられている。本実施の形態によれば、コイル６０の夫々における２つの端子６６，６８は、第１端子６６と第２端子６８とからなる。また、回路基板８０の４つの電極８２，８４は、２つのコイル６０の第１端子６６に夫々対応する２つの第１電極８２と、２つのコイル６０の第２端子６８に夫々対応する２つの第２電極８４とからなる。
【００３６】
図２及び図３を参照すると、本実施の形態のノイズフィルター２０は、接地導体５０を備えた擬似分布定数型ラインフィルタであり、低周波数帯域のノイズだけでなく、高周波数帯域のノイズを効果的に減衰させる。換言すれば、ノイズフィルター２０は、高周波数帯域において優れた減衰特性を有している。ノイズフィルター２０は、回路基板８０と共に、図３に示す等価回路を形成する。
【００３７】
図３を参照すると、コイル６０の夫々は、自己インダクタンスＬｗと、等価直列抵抗Ｒｗを有している。加えて、コイル６０の夫々において、第１端子６６と、第２端子６８との間には、部分的巻線容量Ｃｗｘが形成されており、第１端子６６が接続された第１電極８２と第２端子６８が接続された第２電極８４との間には、部分的パターン容量Ｃｐｘが形成されている。また、コイル６０と接地導体５０との間には、分散接地容量Ｃｇｘが形成されている。分散接地容量Ｃｇｘは、コイル部６２の夫々と接地導体５０の導体主部５２との間に分散して寄生している。但し、図３においては、分散接地容量Ｃｇｘを、コイル部６２の夫々の両端に集約して描画している。
【００３８】
図３及び図４から理解されるように、ノイズフィルター２０には、図３に描画した部分的巻線容量Ｃｗｘに起因する巻線容量Ｃｗ（図４参照）が形成される。巻線容量Ｃｗは、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けていない状態における、２つの第１端子６６を短絡させた第１端子短絡点ＳＴ１と、２つの第２端子６８を短絡させた第２端子短絡点ＳＴ２との間の静電容量である。一般的に、巻線容量Ｃｗは、ノイズフィルター２０の自己共振周波数を低下させ、ノイズフィルター２０の周波数特性を劣化させる。より具体的には、ノイズを４０ｄＢ以上減衰可能な周波数範囲（減衰帯域幅）を狭くする。
【００３９】
加えて、図３及び図５から理解されるように、回路基板８０には、図３に描画した部分的パターン容量Ｃｐｘに起因するパターン容量Ｃｐ（図５参照）が形成される。パターン容量Ｃｐは、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けていない状態における、２つの第１電極８２を短絡させた第１電極短絡点ＳＥ１と、２つの第２電極８４を短絡させた第２電極短絡点ＳＥ２との間の静電容量である。即ち、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けていない状態において、第１電極短絡点ＳＥ１と第２電極短絡点ＳＥ２との間の静電容量を測定することにより、パターン容量Ｃｐを測定できる。パターン容量Ｃｐ等の静電容量は、例えば、インピーダンスアナライザやＬＣＲメータによって測定すればよい。
【００４０】
図２及び図３を参照すると、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けた状態において、パターン容量Ｃｐは、ノイズフィルター２０と並列に形成される。詳しくは、第１電極８２と第２電極８４との間の容量結合に起因して、ノイズが通過する経路がノイズフィルター２０と平行に形成される。ノイズの周波数が高くなるにつれて、この経路を通過するノイズの割合が増大し、これにより、ノイズフィルター２０は、ノイズを殆ど減衰できなくなる。特に、擬似分布定数型ラインフィルタであるノイズフィルター２０は、高周波数帯域において優れた減衰特性を有しているため、接地導体５０を備えていないノイズフィルター（図示せず）に比べて、パターン容量Ｃｐの影響を受け易い。
【００４１】
本発明において、パターン容量Ｃｐは、巻線容量Ｃｗと共に、ノイズフィルター２０の周波数特性に対して無視できない影響を与える。換言すれば、図３及び図６を参照すると、ノイズフィルター２０の周波数特性は、パターン容量Ｃｐとコイル６０の巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗによって劣化するおそれがある。
【００４２】
本実施の形態における合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けた状態における、２つの第１端子６６を短絡させた第１端子短絡点ＳＴ１と、２つの第２端子６８を短絡させた第２端子短絡点ＳＴ２との間の静電容量である。即ち、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けた状態において、第１端子短絡点ＳＴ１と第２端子短絡点ＳＴ２との間の静電容量を測定することにより、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを測定できる。
【００４３】
上述したように、ノイズフィルター２０の周波数特性は、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗによって劣化するおそれがある。一方、図３及び図７を参照すると、ノイズフィルター２０には、分散接地容量Ｃｇｘに起因する接地容量Ｃｇが形成される。接地容量Ｃｇは、２つの第１端子６６及び２つの第２端子６８を短絡させた端子短絡点ＳＴと、接地端子５８との間の静電容量である。即ち、端子短絡点ＳＴと接地端子５８との間の静電容量を測定することにより、接地容量Ｃｇを測定できる。
【００４４】
本発明によれば、接地容量Ｃｇは、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを一定量だけキャンセルするかのように機能する。より具体的には、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが接地容量Ｃｇに対して好適な関係を満たすようにしてノイズフィルター２０を調整することで、ノイズフィルター２０の周波数特性を向上できる。例えば、コイル６０の夫々におけるコイル部６２の巻回数の調整や、接地導体５０の導体主部５２のサイズの調整によって、ノイズフィルター２０の周波数特性を向上できる。
【００４５】
一般的に、接地容量Ｃｇの測定値は、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けない状態で測定した場合と、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けた状態で測定した場合とで多少異なる。但し、ノイズフィルター２０を調整する場合、どちらの値を使用しても、実際上の問題は殆ど生じない。また、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの測定値（測定合成容量：図６参照）は、パターン容量Ｃｐの測定値（測定Ｃｐ：図５参照）と巻線容量Ｃｗの測定値（測定Ｃｗ：図４参照）との単純和とは多少異なる場合がある。以下の説明における「合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ」は、測定合成容量である。但し、ノイズフィルター２０を調整する場合、測定合成容量及び測定Ｃｐ＋測定Ｃｗのいずれを使用しても、実際上の問題は殆ど生じない。
【００４６】
図３及び図８を参照すると、後述するように、本願の発明者は、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗと接地容量Ｃｇとの間の好適な関係について、様々な実施例を使用した測定及び考察を行った。その結果、この好適な関係を特定できた。より具体的には、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが接地容量Ｃｇに対して所定の範囲に含まれる場合に、ノイズフィルター２０の周波数特性を向上できることが分かった。
【００４７】
合成容量Ｃｐ＋Ｃｗについての上述の所定範囲は、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≧０．２９×Ｃｇ−３．０６（第１下限式）、且つ、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≦０．２９×Ｃｇ＋２．１５（第１上限式）を満たす第１所定範囲である。即ち、パターン容量Ｃｐとコイル６０の巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗは、第１所定範囲において、接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下である。合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲にあるとき、１０ＭＨｚのノイズを３５ｄＢ以上減衰することができ、これにより、ノイズを４０ｄＢ以上減衰可能な減衰帯域幅を広くできる。即ち、ノイズフィルター２０の周波数特性を向上できる。
【００４８】
また、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗについてのより好ましい所定範囲は、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≧０．２９×Ｃｇ−１．８６（第２下限式）、且つ、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≦０．２９×Ｃｇ＋０．９５（第２上限式）を満たす第２所定範囲である。即ち、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗは、第１所定範囲に含まれる第２所定範囲において、接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×Ｃｇ−１．８６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋０．９５以下である。合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第２所定範囲にあるとき、１０ＭＨｚのノイズを４０ｄＢ以上減衰することができ、これにより、ノイズを４０ｄＢ以上減衰可能な減衰帯域幅を更に広くできる。即ち、ノイズフィルター２０の周波数特性を更に向上できる。
【００４９】
後述するように、様々な実施例を使用した測定及び考察によれば、接地容量Ｃｇに対する合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの好適値は、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ−０．４５との式（好適式）を満たす値である。この好適式は、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗと接地容量Ｃｇとの間の比例関係式ではなく、切片（−０．４５）を有する一次関係式である。ノイズフィルター２０の減衰特性は、接地容量Ｃｇ及び合成容量Ｃｐ＋Ｃｗに加えて、様々な要素（例えば、磁気コア４０、コイル６０及び接地導体５０の寄生インダクタ成分）によって影響される。好適式における切片は、これらの要素に起因して生ずると考えられる。また、好適式が切片を有するため、第１下限式、第１上限式、第２下限式、及び、第２上限式の夫々も、切片を有する一次関係式になる。
【００５０】
図２及び図３を参照すると、例えば、コイル６０の夫々のターン数を増やすことで合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが増加し、コイル６０の夫々のターン数を減らすことで合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが減少する。従って、コイル６０の夫々のターン数を調整することで、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲又は第２所定範囲に含まれるように調整可能である。加えて、接地導体５０の導体主部５２のＸＹ平面における中心孔４２を中心とするサイズ（厚さ）やＺ方向におけるサイズ（高さ）を大きくすることで接地容量Ｃｇが増加し、導体主部５２の厚さや高さを小さくすることで接地容量Ｃｇが減少する。従って、導体主部５２の厚さや高さを調整することで、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲又は第２所定範囲に含まれるように調整可能である。
【００５１】
本実施の形態のノイズフィルター２０は、既に説明したように、図１及び図２に示す物理的構造を有している。但し、ノイズフィルター２０及び回路基板８０が接地容量Ｃｇ及び合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを有している限り、即ち、ノイズフィルター２０が回路基板８０に接続された際に図３に示した等価回路を形成する限り、ノイズフィルター２０の物理的構造は、特に限定されない。例えば、本実施の形態のノイズフィルター２０は、外周部（誘電部材）３６を備えており、これにより、誘電部材３６を備えない場合に比べて、接地容量Ｃｇが増加している。但し、誘電部材３６は、必要に応じて設ければよい。一方、誘電部材３６に加えて更に誘電率の高い誘電体からなる誘電部材（図示せず）を設けてもよい。誘電部材３６を含む誘電部材は、少なくとも部分的に導体主部５２とコイル部６２との間に位置していてもよい。
【００５２】
図９を図１、図２及び図８と併せて参照すると、本実施の形態のノイズフィルター２０は、例えば、図９に示すように製造可能である。図９に示す製造工程は、調整工程を含んでいる。
【００５３】
まず、調整対象のノイズフィルター２０及び回路基板８０を準備する。調整対象のノイズフィルター２０及び回路基板８０は、例えば、調整工程の前に一次製造工程（図示せず）において作製すればよい。次に、調整工程において、準備したノイズフィルター２０及び回路基板８０を使用して、パターン容量Ｃｐと巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗを測定する（ＳＴＥＰ１）。詳しくは、ノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けた状態で合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを測定する。
【００５４】
調整工程において、次に、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、接地容量Ｃｇとの関係で、０．２９×接地容量Ｃｇ＋Ｂｍｉｎ（Ｂｍｉｎは、−３．０６又は−１．８６）以上、且つ、０．２９×接地容量Ｃｇ＋Ｂｍａｘ（Ｂｍａｘは、２．１５又は０．９５）以下の所定範囲（第１所定範囲又は第２所定範囲）にあるか否か確認する（ＳＴＥＰ２の前半）。所定範囲（第１所定範囲又は第２所定範囲）にある場合、一次製造工程（図示せず）において作製したノイズフィルター２０及び回路基板８０を、そのまま使用する。一方、所定範囲（第１所定範囲又は第２所定範囲）にない場合、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが所定範囲に含まれるように、パターン容量Ｃｐ、巻線容量Ｃｗ及び接地容量Ｃｇのうちの少なくとも１つを調整する（ＳＴＥＰ２の後半）。以上の調整工程を経て、回路基板８０に適したノイズフィルター２０が製造可能である。
【００５５】
上述の製造方法によれば、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲に含まれるノイズフィルター２０を製造したい場合には、調整工程において合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲に含まれるように調整すればよい。一方、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第２所定範囲に含まれるノイズフィルター２０を製造したい場合には、調整工程において合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第２所定範囲に含まれるように調整すればよい。
【００５６】
より具体的には、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＞０．２９×Ｃｇ＋Ｂｍａｘ（Ｂｍａｘは、２．１５又は０．９５）の場合、パターン容量Ｃｐ及び巻線容量Ｃｗのうちの少なくとも一方を低くするか、又は、接地容量Ｃｇを高くすればよい。一方、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＜０．２９×Ｃｇ＋Ｂｍｉｎ（Ｂｍｉｎは、−３．０６又は−１．８６）の場合、パターン容量Ｃｐ及び巻線容量Ｃｗのうちの少なくとも一方を高くするか、又は、接地容量Ｃｇを低くすればよい。
【００５７】
巻線容量Ｃｗ及び接地容量Ｃｇの夫々は、前述したように、ノイズフィルター２０の構造を変更することによって調整できる。例えば、巻線容量Ｃｗは、コイル部６２のターン数を減らすことによって低くでき、ターン数を増やすことによって高くできる。巻線容量Ｃｗは、加えて、１層巻き、多層巻き等の巻回方法を変更することで調整できる。接地容量Ｃｇは、例えば、導体主部５２の面積を大きくすることや、導体主部５２とコイル部６２との間に誘電率の高い誘電部材（図示せず）を挿入することによって高くできる。一方、接地容量Ｃｇは、例えば、導体主部５２の面積を小さくすることによって低くできる。
【００５８】
巻線容量Ｃｗ又は接地容量Ｃｇを調整するとき、巻線容量Ｃｗを調整すると接地容量Ｃｇも多少変わり、接地容量Ｃｇを調整すると巻線容量Ｃｗも多少変わる。但し、一般的に、巻線容量Ｃｗ及び接地容量Ｃｇのうちの調整した方が大きく変わる。従って、高々数回の調整によって、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲又は第２所定範囲に含まれるようにできる。
【００５９】
巻線容量Ｃｗや接地容量Ｃｇの調整に加え、回路基板８０の構造を変更することによってパターン容量Ｃｐを調整できる。パターン容量Ｃｐは、例えば、回路基板８０の電極８２，８４のＸＹ平面上のサイズ（面積）を小さくすることによって低くできる。特に、パターン容量Ｃｐは、Ｘ方向においてノイズフィルター２０を挟んでいる電極８２，８４のエッジのＹ方向におけるサイズ（エッジサイズ）を小さくすることや、第１電極８２のエッジと第２電極８４のエッジとの間のＸ方向における距離（エッジ間距離）を大きくすることによって低くできる。一方、パターン容量Ｃｐは、例えば、電極８２，８４の面積（特に、エッジサイズ）を大きくすることやエッジ間距離を小さくすることによって高くできる。
【００６０】
上述したように、パターン容量Ｃｐ、巻線容量Ｃｗ及び接地容量Ｃｇの少なくとも一つを調整することで、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲又は第２所定範囲に含まれるノイズフィルター２０を製造できる。但し、既に準備した回路基板８０の電極８２，８４の変更は容易ではない。加えて、既に準備したノイズフィルター２０の内部に配置された導体主部５２の変更は容易ではない。特に、作製済みの導体主部５２のサイズを大きくすることは困難である。また、コイル部６２のターン数を減らすことは比較的容易である一方、コイル部６２のターン数を増やすことは困難である。加えて、コイル部６２のターン数の調整は、自己インダクタンスＬｗに影響を与える。以上の点を考慮しつつ、パターン容量Ｃｐ、巻線容量Ｃｗ及び接地容量Ｃｇの少なくとも一つを調整すればよい。
【００６１】
一般的に、回路基板８０は、ノイズフィルター２０以外の様々な電子部品（図示せず）が搭載された回路基板の一部であり、ノイズフィルター２０を製造する際に既に準備されていることが多い。このような場合、回路基板８０の構造をノイズフィルター２０に合わせて変更するのは困難である。従って、ノイズフィルター２０の構造を多少変更することで調整を行うことが好ましい。即ち、調整工程において、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが、第１所定範囲（第２所定範囲）にない場合、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲（第２所定範囲）に含まれるように、Ｃｗ及びＣｇのうちの少なくとも一方を調整することが好ましい。
【００６２】
上述の製造方法によれば、回路基板８０のパターン容量Ｃｐとコイル６０の巻線容量Ｃｗとの合成容量であるＣｐ＋Ｃｗは、接地導体５０の接地容量Ｃｇとの関係で、少なくとも０．２９×Ｃｇ−３．０６以上、且つ、０．２９×Ｃｇ＋２．１５以下の第１所定範囲に含まれるように調整される。この調整によって、１０ＭＨｚのノイズを４０ｄＢ程度減衰することができ、これにより、ノイズの減衰帯域幅を広くできる。
【００６３】
上述の調整工程を備える製造方法によって製造されたノイズフィルター２０を回路基板８０に取り付けることで、優れた周波数特性を有するノイズフィルター２０及び装置１０が得られる。また、このノイズフィルター２０と同じ構造を有するノイズフィルター２０を製造することで、直接的には調整工程を経ることなく、但し、間接的には調整工程を経て製造されたノイズフィルター２０及び装置１０が得られる。
【００６４】
図９に示す製造方法は、様々に変形可能である。例えば、図１０を図１、図２、図８及び図９と併せて参照すると、図１０に示す製造方法は、測定工程と、準備工程と、調整工程とを含んでいる。図１０の調整工程のＳＴＥＰＭ３及びＳＴＥＰＭ４は、図９の調整工程のＳＴＥＰ１及びＳＴＥＰ２と夫々同じステップである。図９に示す製造方法によれば、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲から大きく外れている場合、調整工程における調整が困難になるおそれがある。以下に説明するように、図１０に示す製造方法によれば、調整工程における調整が容易になる。
【００６５】
図１０に示す製造方法によれば、まず、測定工程において、ノイズフィルター２０を取付ける回路基板８０を準備し、準備した回路基板８０のパターン容量Ｃｐを測定する（ＳＴＥＰＭ１）。
【００６６】
次に、準備工程において、測定したパターン容量Ｃｐ＜０．２９×Ｃｇ＋Ｃｍａｘとの条件式を満たす接地容量Ｃｇを有するノイズフィルター２０を準備する（ＳＴＥＰＭ２）。この条件式におけるＣｍａｘは、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第１所定範囲に含まれるノイズフィルター２０を製造したい場合には２．１５であり、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが第２所定範囲に含まれるノイズフィルター２０を製造したい場合には０．９５である。
【００６７】
より具体的には、図８を参照すると、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝測定したパターン容量Ｃｐとの式を満たす直線と、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９×Ｃｇ＋Ｃｍａｘ（Ｃｍａｘは、２．１５又は０．９５）との式（第１上限式又は第２上限式）を満たす直線との交点を求める。例えば、図８に示す交点１又は交点２を求める。次に、この交点における接地容量Ｃｇよりも高い接地容量Ｃｇを有するノイズフィルター２０を準備する。例えば、測定工程の前の一次製造工程（図示せず）において、様々な接地容量Ｃｇを有する複数のノイズフィルター２０を予め作製してもよい。この場合、準備工程において、測定したパターン容量Ｃｐに応じて、条件を満たすノイズフィルター２０を選択してもよい。一方、準備工程において、測定したパターン容量Ｃｐに応じて、条件を満たすノイズフィルター２０を作製してもよい。
【００６８】
前述したように、一次製造工程（図示せず）において作製済みのノイズフィルター２０の接地容量Ｃｇを高くすることは困難である。従って、上述の交点における接地容量Ｃｇよりも低い接地容量Ｃｇを有するノイズフィルター２０を使用して、第１所定範囲又は第２所定範囲に含まれるノイズフィルター２０を製造することは困難である。図１０の製造方法によれば、準備工程において比較的高い接地容量Ｃｇを有するノイズフィルター２０を準備するため、調整工程における調整が容易になる。
【実施例】
【００６９】
本発明は、以下に説明する実施例１〜６を含む様々な実施例を使用した測定及び考察によって得ることができた。
【００７０】
図１１を参照すると、実施例１〜６の６つのノイズフィルターを準備した。実施例１〜６の特徴を表１に示す。実施例１〜６のノイズフィルターは、図１及び図２に示したノイズフィルター２０と同じ基本構造を有していた。特に、実施例３と実施例５とは、接地導体の幅が異なることを除き同じ形状及びサイズを有していた。
【００７１】
【表１】
2020009900.tif 000003
【００７２】
実施例１〜６の夫々を回路基板に取り付けた状態で、実施例１〜６の夫々の周波数特性を測定した。詳しくは、実施例１〜６の夫々について、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの値を様々に変更しつつ、様々な周波数のノイズの減衰量（ｄＢ）を測定した。特に、実施例１については、初期状態における巻線容量Ｃｗである１．６５ｐＦと、調整後の巻線容量Ｃｗである０．５５ｐＦとの２つの巻線容量Ｃｗについて、パターン容量Ｃｐを様々に変更しつつ測定した。同様に、実施例２については、初期状態における巻線容量Ｃｗである２．２５ｐＦと、調整後の巻線容量Ｃｗである２．１５ｐＦとの２つの巻線容量Ｃｗについて、パターン容量Ｃｐを様々に変更しつつ測定した。一方、実施例３〜６の夫々については、巻線容量Ｃｗを表１に示した値に維持しつつ、パターン容量Ｃｐを様々に変更しつつ測定した。
【００７３】
図１２から図１７までに、実施例１〜６についての測定結果を夫々示す。図１２から図１７までから理解されるように、１０ＭＨｚのノイズの減衰量が最大となるように合成容量Ｃｐ＋Ｃｗを調整することで、広い周波数帯域のノイズを４０ｄＢ以上減衰できることが分かった。
【００７４】
図１２から図１７までに示される測定結果に基づき、実施例１〜６の夫々について、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗに対する１０ＭＨｚのノイズの減衰量のグラフを作成した。図１８に、作成したグラフを示す。
【００７５】
表２に、実施例１〜６の夫々について、上述した周波数特性の測定における合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの変更範囲（測定範囲）を、測定結果と共に示す。測定結果として、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの好適値、第１所定範囲（第１下限値以上かつ第１上限値以下の範囲）及び第２所定範囲（第２下限値以上かつ第２上限値以下の範囲）を減衰量と共に示す。合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの好適値は、１０ＭＨｚのノイズを最も大きく減衰できたときの値である。合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの第１所定範囲は、１０ＭＨｚのノイズを３５ｄＢ以上減衰できたときの下限値（第１下限値）以上かつ上限値（第１上限値）以下の範囲である。合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの第２所定範囲は、１０ＭＨｚのノイズを４０ｄＢ以上減衰できたときの下限値（第２下限値）以上かつ上限値（第２上限値）以下の範囲である。
【００７６】
【表２】
2020009900.tif 000004
【００７７】
図１９に、表２の測定結果をプロットして示す。表２の好適値を、図１９の二重白丸にプロットしており、表２の第２上限値及び第２下限値を、図１９の黒丸にプロットしており、表２の第１上限値及び第１下限値を、図１９の白丸にプロットしている。表２及び図１９を参照すると、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの好適値を基準として、＋１．６〜−１．６ｐＦの範囲において、１０ＭＨｚのノイズに対して４０ｄＢ以上の減衰量が得られている。また、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの好適値を基準として、＋２．８〜−２．９ｐＦの範囲において、１０ＭＨｚのノイズに対して３５ｄＢ以上の減衰量が得られている。
【００７８】
接地容量Ｃｇに対する合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの好適値の値の関係を最小二乗法によって一次式に近似し、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９０４Ｃｇ−０．４５１９との式（暫定好適式）を得た。暫定好適式の有効桁数を２桁として、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ−０．４５との式（好適式）を得た。また、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの第１上限値、第１下限値、第２上限値及び第２下限値の夫々について、接地容量Ｃｇに対する関係を、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ＋ｘとの一次式によって近似した。この結果、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗの第１上限値、第１下限値、第２上限値及び第２下限値の夫々について、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ＋２．１５との第１上限式、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ−３．０６との第１下限式、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ＋０．９５との第２上限式、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ＝０．２９Ｃｇ−１．８６との第２下限式が得られた。
【００７９】
上述したように、様々な実施例の測定結果及び考察から、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≧０．２９×Ｃｇ−１．８６、且つ、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≦０．２９×Ｃｇ＋０．９５との第２所定範囲が得られた。また、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≧０．２９×Ｃｇ−３．０６、且つ、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗ≦０．２９×Ｃｇ＋２．１５との第１所定範囲が得られた。以上の測定及び考察によれば、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが接地容量Ｃｇとの関係で、第１所定範囲に含まれるとき、広い周波数帯域のノイズを４０ｄＢ以上減衰できる。また、合成容量Ｃｐ＋Ｃｗが接地容量Ｃｇとの関係で、第２所定範囲に含まれるとき、更に広い周波数帯域のノイズを４０ｄＢ以上減衰できる。
【符号の説明】
【００８０】
１０                          装置
２０                          ノイズフィルター
３０                          ケース
３２                          基部
３２２                        通過孔
３４                          本体部
３６                          外周部（誘電部材）
３８                          突出部
４０                          磁気コア
４２                          中心孔
５０                          接地導体
５２                          導体主部
５８                          接地端子
６０                          コイル
６２                          コイル部
６６                          第１端子（端子）
６８                          第２端子（端子）
８０                          回路基板
８２                          第１電極（電極）
８４                          第２電極（電極）
８８                          接地電極
ＳＴ                          端子短絡点
ＳＴ１                        第１端子短絡点
ＳＴ２                        第２端子短絡点
ＳＥ１                        第１電極短絡点
ＳＥ２                        第２電極短絡点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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