(57)【要約】【課題】ノイズの低減が図られたＭＥＭＳマイクロフォンを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳマイクロフォン１０においては、基板２０がガラスで構成されている。ガラス基板２０は、シリコン基板等の半導体基板に比べて高い絶縁抵抗を有する。ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、ガラス基板２０を用いることで浮遊容量を低減することができ、浮遊容量に起因するノイズを抑制することができる。また、ＭＥＭＳマイクロフォン１０によれば、ガラス基板２０と導体層との間に絶縁薄膜を設ける必要がない。さらに、ＭＥＭＳマイクロフォン１０によれば、ガラス基板２０を用いることで、上記の電位調整が不要となり、ＡＳＩＣでの信号処理や回路デザインなどがシリコン基板を用いた場合よりも簡素化することができる。【選択図】図２
2020022038.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有するガラス基板と、
前記ガラス基板の一方面側において前記貫通孔を覆うメンブレンと、
前記ガラス基板の一方面側において前記貫通孔を覆い、かつ、前記メンブレンとエアギャップを介して対面するバックプレートと、
前記メンブレンおよび前記バックプレートに設けられた一対の端子部と
を備える、ＭＥＭＳマイクロフォン。
【請求項２】
前記メンブレンおよび前記バックプレートの一方が、前記ガラス基板の一方面上に直接重ねられており、
前記ガラス基板の音速の縦波成分が、前記ガラス基板の一方面上に直接重ねられている前記メンブレンおよび前記バックプレートの一方の音速の縦波成分より３０００ｍ／ｓ以上小さい、請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン。
【請求項３】
前記ガラス基板の一方面上に直接重ねられている前記メンブレンおよび前記バックプレートの一方が複数層構造を有し、該複数層構造を構成する層における音速の縦波成分の差が１０００ｍ／ｓ以下である、請求項２に記載のＭＥＭＳマイクロフォン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳマイクロフォンに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳマイクロフォンを含む超小型のマイクロフォンモジュールの需要が高まっている。たとえば下記特許文献１〜３には、シリコン基板上に、エアギャップを介してメンブレンとバックプレートとが対向配置された構成のＭＥＭＳマイクロフォンが開示されている。このようなＭＥＭＳマイクロフォンでは、メンブレンとバックプレートとでキャパシタ構造が形成されており、音圧を受けてメンブレンが振動するとキャパシタ構造における容量が変化する。その容量変化が、ＡＳＩＣチップにおいて電気信号に変換されるとともに増幅処理される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−０５５０８７号公報
【特許文献２】特開２０１５−５０２６９３号公報
【特許文献３】特開２００７−２９５４８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したＭＥＭＳマイクロフォンは、絶縁層と導電層とを含む積層構造がシリコン基板上に形成された構成であるため、導体層とシリコン基板と間に意図しない浮遊容量が生じやすく、このような浮遊容量がノイズの原因となることがある。発明者らは、鋭意研究の末、浮遊容量を低減することによりノイズを抑制することができる技術を新たに見出した。
【０００５】
本発明は、ノイズの低減が図られたＭＥＭＳマイクロフォンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係るＭＥＭＳマイクロフォンは、貫通孔を有するガラス基板と、ガラス基板の一方面側において貫通孔を覆うメンブレンと、ガラス基板の一方面側において貫通孔を覆い、かつ、メンブレンとエアギャップを介して対面するバックプレートと、メンブレンおよびバックプレートに設けられた一対の端子部とを備える。
【０００７】
上記ＭＥＭＳマイクロフォンにおいては、基板がガラスで構成されている。ガラス基板は、シリコン基板に比べて高い絶縁抵抗を有し、基板において高い絶縁性が実現されているため、基板とメンブレンやバックプレートとの間に意図しない浮遊容量が生じにくくなっている。したがって、上記ＭＥＭＳマイクロフォンによれば、浮遊容量を低減することができ、浮遊容量に起因するノイズの抑制を図ることができる。
【０００８】
他の態様に係るＭＥＭＳマイクロフォンは、メンブレンおよびバックプレートの一方が、ガラス基板の一方面上に直接重ねられており、ガラス基板の音速の縦波成分が、ガラス基板の一方面上に直接重ねられているメンブレンおよびバックプレートの一方の音速の縦波成分より３０００ｍ／ｓ以上小さい。ガラス基板の音速の縦波成分と、ガラス基板の一方面上に直接重ねられているメンブレン（またはバックプレート）の縦波成分との差を３０００ｍ／ｓ以上にすることで、ガラス基板とメンブレン（またはバックプレート）との界面において振動が反射しやすくなり、外部からの振動がガラス基板を介してメンブレン（またはバックプレート）に伝播する事態が抑制される。
【０００９】
他の態様に係るＭＥＭＳマイクロフォンは、ガラス基板の一方面上に直接重ねられているメンブレンおよびバックプレートの一方が複数層構造を有し、該複数層構造を構成する層における音速の縦波成分の差が１０００ｍ／ｓ以下である。この場合、外部からの振動がガラス基板を介してメンブレン（またはバックプレート）に伝播したときに、複数層構造の全体が略均一に振動するため、大きな振動が局所的に生じる事態が抑制される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ノイズの低減が図られたＭＥＭＳマイクロフォンが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、一実施形態に係るマイクロフォンモジュールを示した概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示したＭＥＭＳマイクロフォンの断面図である。
【図３】図３は、図２に示したＭＥＭＳマイクロフォンの平面図である。
【図４】図４の（ａ）〜（ｃ）は、図２に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【図５】図５の（ａ）〜（ｃ）は、図２に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【図６】図２とは異なる態様のＭＥＭＳマイクロフォンを示した断面図である。
【図７】図７の（ａ）〜（ｃ）は、図６に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【図８】図８の（ａ）〜（ｃ）は、図６に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１３】
図１に示すように、実施形態に係るマイクロフォンモジュール１は、少なくともモジュール基板２と、制御回路チップ３（ＡＳＩＣ）と、キャップ６と、ＭＥＭＳマイクロフォン１０とを備えて構成されている。
【００１４】
モジュール基板２は、平板状の外形形状を有し、たとえばセラミック材料で構成されている。モジュール基板２は、単層構造であってもよく、内部配線を含む複数層構造であってもよい。モジュール基板２の一方面２ａおよび他方面２ｂにはそれぞれ端子電極４、５が設けられており、端子電極４、５同士は図示しない貫通導体や内部配線を介して互いに接続されている。
【００１５】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、モジュール基板２の一方面２ａ上に搭載されている。ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、音圧を受けるとその一部が振動する構成を有しており、具体的には図２および図３に示す構造を有する。すなわち、ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、少なくともガラス基板２０と、メンブレン３０と、バックプレート４０と、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂとを備えて構成されている。
【００１６】
ガラス基板２０は、ケイ酸塩を主成分とし、アルカリ金属酸化物を実質的に含有しないガラスで構成されている。ガラス基板２０は、矩形平板状の外形形状を有する。ガラス基板２０の厚さは、一例として５００μｍである。ガラス基板２０は、図３に示すように、平面視において略正方形状（一例として、１５００μｍ×１５００μｍ）を有することができる。ガラス基板２０は、ガラス基板２０の厚さ方向において貫通する貫通孔２１を有する。貫通孔２１は、平面視において、たとえば真円形状を有し、ガラス基板２０の中央領域に設けられている。貫通孔２１の直径は、一例として１０００μｍである。
【００１７】
メンブレン３０は、ダイヤフラムとも呼ばれ、音圧によって振動する膜である。メンブレン３０は、ガラス基板２０の一方面側である上面２０ａ側に位置しており、上面２０ａに直接重ねられている。メンブレン３０は、ガラス基板２０の貫通孔２１全体を覆うように設けられている。メンブレン３０は、複数層構造を有しており、本実施形態では２層構造を有する。
【００１８】
下側に位置するメンブレン３０の第１層３１は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）で構成されている。第１層３１の厚さは、一例として２００ｎｍである。第１層３１は、貫通孔２１を含むガラス基板２０の上面２０ａの全面に亘って設けられている。上側に位置するメンブレン３０の第２層３２は、導電体材料（本実施形態ではＣｒ）で構成されている。第２層３２の厚さは、一例として１００ｎｍである。第２層３２は、ガラス基板２０の貫通孔２１に対応する領域、および、貫通孔２１の縁領域であって一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの一方（本実施形態では端子部５０Ａ）の形成領域に、一体的に設けられている。
【００１９】
ガラス基板２０の貫通孔２１をメンブレン３０によって完全に塞ぐと、メンブレン３０の上側と下側とで気圧差が生じ得る。このような気圧差を低減するため、本実施形態では、メンブレン３０に小さな貫通孔３３を設けている。メンブレン３０に複数の貫通孔３３を設けることもできる。
【００２０】
バックプレート４０は、ガラス基板２０の上面２０ａ側に位置しており、かつ、メンブレン３０の上側に位置している。バックプレート４０は、メンブレン３０同様、ガラス基板２０の貫通孔２１全体を覆うように設けられている。バックプレート４０は、エアギャップＧを介してメンブレン３０と対面している。より詳しくは、バックプレート４０の対向面４０ａ（図２における下面）が、ガラス基板２０の貫通孔２１が形成された領域において、メンブレン３０の対向面３０ａ（図２における上面）と対面している。バックプレート４０は、メンブレン３０同様、複数層構造を有しており、本実施形態では２層構造を有する。
【００２１】
下側に位置するバックプレート４０の第１層４１は、導電体材料（本実施形態ではＣｒ）で構成されている。第１層４１の厚さは、一例として３００ｎｍである。上側に位置するバックプレート４０の第２層４２は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）で構成されている。第２層４２の厚さは、一例として５０ｎｍである。バックプレート４０の第１層４１および第２層４２は、ガラス基板２０の貫通孔２１に対応する領域、および、貫通孔２１の縁領域であって一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの他方（本実施形態では端子部５０Ｂ）の形成領域に、一体的に設けられている。バックプレート４０の第２層４２は、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの形成領域には設けられておらず、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの形成領域においてメンブレン３０の第２層３２およびバックプレート４０の第１層４１が露出している。バックプレート４０は、複数の孔４３を有する。複数の孔４３は、図３に示すように、いずれもたとえば真円状の開口形状を有し、規則的に配置（本実施形態では千鳥配置）されていることが好ましい。
【００２２】
一対の端子部５０Ａ、５０Ｂは、導電体材料で構成されており、本実施形態ではＣｕで構成されている。一対の端子部５０Ａ、５０Ｂのうち、一方の端子部５０Ａは、貫通孔２１の縁領域に設けられたメンブレン３０の第２層３２上に形成され、他方の端子部５０Ｂは、貫通孔２１の縁領域に設けられたバックプレート４０の第１層４１上に形成されている。
【００２３】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、上述したとおり、メンブレン３０が導電層として第２層３２を有し、かつ、バックプレート４０が導電層として第１層４１を有する。そのため、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０とバックプレート４０とで平行平板型のキャパシタ構造が形成されている。そして、メンブレン３０が音圧により振動すると、メンブレン３０とバックプレート４０との間のエアギャップＧの幅が変化し、キャパシタ構造における容量が変化する。ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、その容量変化を一対の端子部５０Ａ、５０Ｂから出力する静電容量型のマイクロフォンである。
【００２４】
制御回路チップ３は、ＭＥＭＳマイクロフォン１０に近接するようにして、モジュール基板２の一方面２ａ上に搭載されている。制御回路チップ３には、ＭＥＭＳマイクロフォン１０の一対の端子部５０Ａ、５０Ｂから上述した容量変化が入力される。本実施形態では、制御回路チップ３とＭＥＭＳマイクロフォン１０とはワイヤボンディングによって接続されている。制御回路チップ３は、ＭＥＭＳマイクロフォン１０のキャパシタ構造の容量変化を、アナログまたはデジタルの電気信号に変換する機能および増幅機能を有する。制御回路チップ３は、モジュール基板２の一方面２ａに設けられた端子電極４に接続されており、制御回路チップ３の信号は端子電極４、５を介して外部に出力される。
【００２５】
キャップ６は、ガラス基板２０の上面２０ａ側に中空構造を形成している。具体的には、キャップ６は、ガラス基板２０との間に空洞Ｈを画成しており、その空洞Ｈの内部にＭＥＭＳマイクロフォン１０や制御回路チップ３が収容されている。本実施形態では、キャップ６は、金属材料で構成されたメタルキャップである。キャップ６には、外部と空洞Ｈとをつなぐサウンドホール６ａが設けられている。
【００２６】
次に、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０を製造する手順について、図４および図５を参照しつつ説明する。
【００２７】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０を製造する際には、まず、図４（ａ）に示すように、貫通孔２１が形成されていない平板状のガラス基板２０の上面２０ａ上に、メンブレン３０の第１層３１および第２層３２を順次成膜する。第１層３１は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。第２層３２は、導電体材料（本実施形態ではＣｒ）のスパッタリングにより形成される。第１層３１および第２層３２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、メンブレン３０に貫通孔３３を設ける。貫通孔３３は、たとえば貫通孔３３の領域に開口が設けられたフォトレジストを用いたＲＩＥにより形成することができる。ＲＩＥに用いるガス種は、メンブレン３０を構成する層の材料に応じて適宜選択される。
【００２９】
さらに、図４（ｃ）に示すように、上述したエアギャップＧとなるべき領域に犠牲層６０を形成する。犠牲層６０は、たとえばＳｉＯ２のＣＶＤにより形成される。犠牲層６０の厚さは、一例として２μｍである。犠牲層６０は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００３０】
続いて、図５（ａ）に示すように、バックプレート４０の第１層４１および第２層４２を順次成膜する。第１層４１は、導電体材料（本実施形態ではＣｒ）のスパッタリングにより形成される。第２層４２は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。第１層４１および第２層４２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００３１】
また、図５（ｂ）に示すように、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂを形成する。具体的には、メンブレン３０の第２層３２上に端子部５０Ａを形成するとともに、バックプレート４０の第１層４１上に端子部５０Ｂを形成する。端子部５０Ａ、５０Ｂは、導電体材料（本実施形態ではＣｕ）のスパッタリングにより形成される。端子部５０Ａ、５０Ｂは、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００３２】
さらに、図５（ｃ）に示すように、ガラス基板２０に貫通孔２１をエッチングにより形成する。貫通孔２１は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチングにより形成される。貫通孔２１は、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いたドライエッチングにより形成することもできる。エッチングの際、ガラス基板２０の上面２０ａ全体および貫通孔２１が形成される領域以外の下面２０ｂは、フォトレジスト等によって被覆される。また、エッチングのストッパ膜として、５０ｎｍ厚さ程度のＳｉＮ層を、ガラス基板２０の上面２０ａ（メンブレン３０の下側）に形成してもよい。このＳｉＮ層は、貫通孔２１を形成した後、貫通孔２１から露出した部分がエッチング除去され得る。
【００３３】
そして、犠牲層６０をエッチングにより除去する。犠牲層６０は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチングにより除去される。犠牲層６０は、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いたドライエッチングにより除去することもできる。エッチングの際、犠牲層６０が形成された領域以外のガラス基板２０の上面２０ａおよび下面２０ｂ全体は、フォトレジスト等によって被覆される。
【００３４】
以上で説明した手順により、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０が製造される。
【００３５】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０においては、基板２０がガラスで構成されている。ガラス基板２０は、シリコン基板等の半導体基板に比べて高い絶縁抵抗を有する。すなわち、ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、ガラス基板２０によって高い絶縁性が実現されている。
【００３６】
ここで、ガラス基板に比べて絶縁性に劣るシリコン基板は、不完全な不導体であると捉えることができ、基板上に形成された導体層（メンブレン３０の第２層３２やバックプレート４０の第１層４１、端子部５０Ａ、５０Ｂ）との間に意図しない浮遊容量を生じさせ得る。また、シリコン基板と導体層との間に絶縁薄膜（シリコン基板の場合には、酸化シリコン薄膜）を設けて基板の絶縁性を高めた場合でも、その絶縁薄膜において浮遊容量が生じ得る。そのため、シリコン基板を用いる場合には、シリコン基板に端子を追加的に設け、ＡＳＩＣによりシリコン基板と導電層との間の電位調整が必要となることがあった。
【００３７】
一方、高い絶縁抵抗を有するガラス基板２０では、そのような浮遊容量の発生が効果的に抑制されている。したがって、ＭＥＭＳマイクロフォン１０によれば、ガラス基板２０を用いることで、浮遊容量を低減することができ、浮遊容量に起因するノイズを抑制することができる。また、ＭＥＭＳマイクロフォン１０によれば、ガラス基板２０と導体層との間に絶縁薄膜を設ける必要がない。さらに、ＭＥＭＳマイクロフォン１０によれば、ガラス基板２０を用いることで、上記の電位調整が不要となり、ＡＳＩＣでの信号処理や回路デザインなどがシリコン基板を用いた場合よりも簡素化することができる。
【００３８】
また、ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、メンブレン３０が、ガラス基板２０の上面２０ａ上に直接重ねられており、ガラス基板２０とメンブレン３０との界面においてガラス基板２０からメンブレン３０に向かう振動が反射しやすい。これは、ガラス基板２０の音速の縦波成分が、メンブレン３０の音速の縦波成分より小さく、音速の縦波成分の差が３０００ｍ／ｓ以上であるためである。ここで、ガラス基板２０の音速の縦波成分は５７７０ｍ／ｓであり、メンブレン３０の音速の縦波成分は１００００〜１１０００ｍ／ｓである。発明者らは、ガラス基板２０の音速の縦波成分がメンブレン３０の音速の縦波成分より３０００ｍ／ｓ以上小さい場合に、ガラス基板２０とメンブレン３０との界面において振動が反射しやすくなることを見出した。つまり、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、ガラス基板２０とメンブレン３０との界面において振動が反射しやすくなっているため、外部からの振動がガラス基板２０を介してメンブレン３０に伝播する事態が抑制されている。
【００３９】
なお、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０とバックプレート４０との上下位置を反対にして、ガラス基板２０の上面２０ａ上にバックプレート４０を直接重ねた構成にすることができる。この場合、ガラス基板２０の音速の縦波成分と、ガラス基板２０の上面２０ａ上に直接重ねられているバックプレート４０の縦波成分との差を３０００ｍ／ｓ以上にすることで、ガラス基板２０とバックプレート４０との界面において振動が反射しやすくなり、外部からの振動がガラス基板２０を介してバックプレート４０に伝播する事態が抑制される。
【００４０】
また、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０が複数層構造を有し、該複数層構造を構成する層における音速の縦波成分の差が１０００ｍ／ｓ以下となっている。それにより、外部からの振動がガラス基板２０を介してメンブレン３０に伝播したときであっても、複数層構造の全体が略均一に振動する。したがって、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０において大きな振動が局所的に生じる事態が抑制されている。
【００４１】
上述した実施形態では、１つのバックプレート４０を備えたＭＥＭＳマイクロフォン１０について説明したが、図６に示すように、ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａが２つのバックプレート４０Ａ、４０Ｂを備える態様であってもよい。
【００４２】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａにおいては、基板２０上に、第１のバックプレート４０Ａ、メンブレン３０、および、第２のバックプレート４０Ｂが設けられている。ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａにおける第１のバックプレート４０Ａおよびメンブレン３０は、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０におけるバックプレート４０およびメンブレン３０の構成および位置関係と同様である。ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａは、主に、基板２０とメンブレン３０との間に第２のバックプレート４０Ｂが介在する点においてＭＥＭＳマイクロフォン１０と異なる。第２のバックプレート４０Ｂは、第１のバックプレート４０Ａを上下逆さにした層構造を有する。すなわち、第２のバックプレート４０Ｂでは、下側に位置する第２層４２が絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）で構成されており、上側に位置する第１層４１が導電体材料（本実施形態ではＣｒ）で構成されている。そして、第２のバックプレート４０Ｂの第１層４１上に、端子部５０Ｃが形成されている。
【００４３】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａでは、メンブレン３０は、エアギャップＧ１を介して第２のバックプレート４０Ｂと対面しており、エアギャップＧ１を介して第１のバックプレート４０Ａと対面している。
【００４４】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａでは、メンブレン３０と、２つのバックプレート４０Ａ、４０Ｂとで平行平板型のキャパシタ構造が２つ形成されている。そして、メンブレン３０が音圧により振動すると、メンブレン３０と第１のバックプレート４０Ａとの間のエアギャップＧの幅が変化するとともに、メンブレン３０と第２のバックプレート４０Ｂとの間のエアギャップＧ１の幅が変化する。ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａでは、エアギャップＧ１、Ｇ２の幅の変化に伴うキャパシタ構造の容量変化を、３つの端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃから出力する。このようなＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａによれば、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０に比べて、高いＳＮ比を実現することができる。
【００４５】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａにおいても、ＭＥＭＳマイクロフォン１０同様、基板２０がガラスで構成されているため、ＭＥＭＳマイクロフォン１０の上述した効果と同様の効果を奏する。
【００４６】
次に、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａを製造する手順について、図７および図８を参照しつつ説明する。
【００４７】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａを製造する際には、まず、図７（ａ）に示すように、貫通孔２１が形成されていない平板状のガラス基板２０の上面２０ａ上に、第２のバックプレート４０Ｂの第２層４２および第１層４１を順次形成する。第１層４１は、導電体材料（本実施形態ではＣｒ）のスパッタリングにより形成される。第２層４２は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。第１層４１および第２層４２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。なお、表面平坦化のため、第２のバックプレート４０Ｂが形成された領域の残余領域には絶縁体膜３４が形成される。絶縁体膜３４は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。絶縁体膜３４についても、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００４８】
次に、図７（ｂ）に示すように、第２のバックプレート４０Ｂの各孔４３が、絶縁体６１（本実施形態ではＳｉＯ２）で埋められる。絶縁体６１は、ＳｉＯ２をＣＶＤにより堆積させた後、ＣＭＰにより表面研磨することで得られる。
【００４９】
さらに、図７（ｃ）に示すように、上述したエアギャップＧ１となるべき領域に犠牲層６２を形成する。犠牲層６２は、たとえばＳｉＯ２のＣＶＤにより形成される。犠牲層６２の厚さは、一例として３μｍである。犠牲層６２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。なお、表面平坦化のため、犠牲層６２が形成された領域の残余領域には絶縁体膜３５が形成される。絶縁体膜３５は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。絶縁体膜３５についても、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。犠牲層６２および絶縁体膜３５の表面平坦化のため、犠牲層６２および絶縁体膜３５を形成した後、ＣＭＰにより表面研磨することができる。
【００５０】
そして、犠牲層６２および絶縁体膜３５の上に、メンブレン３０および第１のバックプレート４０Ａを、ＭＥＭＳマイクロフォン１０のメンブレン３０およびバックプレート４０と同様に形成する。メンブレン３０および第１のバックプレート４０Ａを形成した後は、図８（ａ）に示すように、端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃが形成される領域のメンブレン３０の第２層３２およびバックプレート４０Ａ、４０Ｂの第１層４１を露出させる。
【００５１】
そして、図８（ｂ）に示すように、各端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃを形成する。具体的には、メンブレン３０の第２層３２上に端子部５０Ａを形成するとともに、バックプレート４０Ａ、４０Ｂの第１層４１上に端子部５０Ｂ、５０Ｃをそれぞれ形成する。端子部５０Ｃは、端子部５０Ａ、５０Ｂ同様、導電体材料（本実施形態ではＣｕ）のスパッタリングにより形成される。端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃは、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００５２】
さらに、図８（ｃ）に示すように、ガラス基板２０に貫通孔２１をエッチングにより形成するとともに、犠牲層６０、６２および絶縁体６１をエッチングにより除去する。犠牲層６０、６２および絶縁体６１は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチング、または、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いたドライエッチングにより除去され得る。
以上で説明した手順により、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａが製造される。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更をおこなうことができる。
【００５４】
たとえば、メンブレンは、複数層構造ではなく導体層の単層構造であってもよい。メンブレンが複数層構造である場合、メンブレンは導体層と非導体層（半導体層または金属層、絶縁体層）とを含む。バックプレートについても、複数層構造ではなく導体層の単層構造であってもよく、複数層構造である場合には導体層と非導体層とを含む。メンブレンおよびバックプレートにおける導体層と非導体層との積層順序は、ＭＥＭＳマイクロフォンに求める特性に応じて適宜変更することができる。
【００５５】
メンブレンおよびバックプレートの導体層を構成する導電体材料は、金属材料に限らず、その他の導電材料（たとえば、リンドープアモルファスシリコン）であってもよい。
【００５６】
ＭＥＭＳマイクロフォンのメンブレン、バックプレートおよび貫通孔の平面形状は、円形に限らず、多角形状であってもよく、角丸四角形であってもよい。
【００５７】
メンブレンとバックプレートとが接触して離れない現象（いわゆるスティッキング）を防止するため、バックプレートの対向面側に、メンブレンに向かって延びる突起を設けてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１…マイクロフォンモジュール、２…モジュール基板、３…制御回路チップ、６…キャップ、１０、１０Ａ…ＭＥＭＳマイクロフォン、２０…ガラス基板、２１…貫通孔、３０…メンブレン、４０、４０Ａ、４０Ｂ…バックプレート、５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ…端子部、６０、６２…犠牲層、Ｇ、Ｇ１、Ｇ２…エアギャップ、Ｈ…空洞。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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