(57)【要約】      （修正有）【課題】一種の製品に対しても、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができることが期待されるパワーデバイスの制御装置及び制御方法を提供する。【解決手段】制御装置１００は、入力回路１０１と、レベルシフト回路１０２と、高圧駆動回路１０３と、高圧切替回路１０４と、を備える。高圧切替回路は、少なくともひとつの高圧選択信号に基づき、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択する。それにより、高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができ、管理コストが抑えられるようになる。【選択図】図１
2020022356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーデバイスの制御装置であって、
高圧入力信号に基づき、高圧オンパルス信号及び／又は高圧オフパルス信号を発生する入力回路と、
前記高圧オンパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイスをオンにするための高圧オン信号を発生し、及び／又は、前記高圧オフパルス信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスをオフにするための高圧オフ信号を発生するレベルシフト回路と、
前記高圧オン信号または前記高圧オフ信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスを駆動する高圧駆動回路と、
前記レベルシフト回路を介して形成された少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように前記高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択する高圧切替回路と、
を備えたことを特徴とするパワーデバイスの制御装置。
【請求項２】
前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が前記入力回路に入力された場合、前記入力回路は、前記高圧オンパルス信号及び前記高圧オフパルス信号を同時に発生し、かつ、前記レベルシフト回路は前記高圧選択信号を出力し、
前記高圧切替回路は、前記高圧選択信号に基づき、２つの前記ゲート抵抗を選択して、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替える、ことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記入力回路は、電源信号及び／又は不足電圧ロックアウト信号に基づき、前記高圧オンパルス信号及び前記高圧オフパルス信号を同時に送信し、それにより、前記レベルシフト回路は前記高圧選択信号を出力する、ことを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記入力回路は、前記高圧駆動回路の駆動信号の立ち下がりエッジに基づき、前記高圧オンパルス信号及び前記高圧オフパルス信号を同時に送信し、それにより、前記レベルシフト回路は前記高圧選択信号を出力する、ことを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項５】
前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えるための前記選択入力信号が入力された場合に、少なくとも１つのラッチ信号を発生し、少なくとも１つの前記ラッチ信号と前記高圧オンパルス信号が前記レベルシフト回路を介して第１の変換信号として形成され、及び／又は、少なくとも１つの前記ラッチ信号と前記高圧オフパルス信号が前記レベルシフト回路を介して第２の変換信号として形成されるラッチ信号発生回路と、
前記第１の変換信号及び／又は前記第２の変換信号に基づき、少なくとも１つの前記高圧選択信号を生成する選択信号発生回路と、をさらに備え、
前記高圧切替回路は、少なくとも１つの前記高圧選択信号に基づき、少なくとも２つの前記ゲート抵抗を選択して、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替える、ことを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項６】
前記ラッチ信号発生回路は、前記選択入力信号の電圧を予め設定された閾値と比較するとともに、比較結果に基づいて少なくとも１つの前記ラッチ信号を生成する、少なくとも１つのコンパレータを含む、ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記選択信号発生回路は、前記第１の変換信号及び／又は前記第２の変換信号のうちの前記ラッチ信号の個数をカウントするとともに、カウントした結果に基づいて少なくとも１つの前記高圧選択信号を生成する、少なくとも１つのカウンターを含む、ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項８】
少なくとも１つの前記ラッチ信号の個数がＮであり、少なくとも１つの前記高圧選択信号の個数がＮであり、少なくとも２つの前記ゲート抵抗の個数がＮ＋１であり、Ｎが１以上となる正の整数である、ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項９】
前記ラッチ信号発生回路は、電源信号及び／又は不足電圧ロックアウト信号に基づき、少なくとも１つの前記ラッチ信号を発生し、前記レベルシフト回路は、少なくとも１つの前記ラッチ信号を含む前記第１の変換信号及び／又は前記第２の変換信号を出力する、ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記ラッチ信号発生回路は、前記高圧駆動回路の駆動信号の立ち下がりエッジに基づき、少なくとも１つの前記ラッチ信号を発生し、前記レベルシフト回路は、少なくとも１つの前記ラッチ信号を含む前記第１の変換信号及び／又は前記第２の変換信号を出力する、ことを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項１１】
前記高圧駆動回路は、複数の駆動回路を含み、前記高圧駆動回路は、単一の駆動回路を動作させ、あるいは、複数の駆動回路を並列に動作させるように選択することで、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替える、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１２】
前記入力回路からの低圧オン信号または低圧オフ信号に基づき、低圧側パワーデバイスを駆動する低圧駆動回路と、
少なくとも１つの低圧選択信号に基づき、前記低圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように前記低圧側パワーデバイスの少なくとも２つの前記ゲート抵抗を選択する低圧切替回路と、をさらに備えた、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１３】
前記入力回路は、前記低圧駆動回路の駆動信号の立ち下がりエッジに基づき、前記高圧オンパルス信号及び前記高圧オフパルス信号を同時に送信し、それにより、前記レベルシフト回路は前記高圧選択信号を出力する、ことを特徴とする請求項１２に記載の制御装置。
【請求項１４】
前記ラッチ信号発生回路は、前記低圧駆動回路の駆動信号の立ち下がりエッジに基づき、少なくとも１つの前記ラッチ信号を発生し、前記レベルシフト回路は、少なくとも１つの前記ラッチ信号を含む前記第１の変換信号及び／又は前記第２の変換信号を出力する、ことを特徴とする請求項１２に記載の制御装置。
【請求項１５】
少なくとも１組のハーフブリッジ回路と、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の制御装置と、を備えたことを特徴とする負荷装置。
【請求項１６】
インテリジェントパワーモジュールであり、前記ハーフブリッジ回路は、前記高圧側パワーデバイス及び／または低圧側パワーデバイスを含み、前記インテリジェントパワーモジュールは、前記高圧側パワーデバイス及び／又は前記低圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えるための前記選択入力信号を入力する入力端子をさらに備える、ことを特徴とする請求項１５に記載の負荷装置。
【請求項１７】
パワーデバイスの制御方法において、
高圧入力信号に基づき、高圧オンパルス信号及び／又は高圧オフパルス信号を発生すること、
前記高圧オンパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイスをオンにするための高圧オン信号を発生し、及び／又は、前記高圧オフパルス信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスをオフにするための高圧オフ信号を発生すること、
前記高圧オン信号または前記高圧オフ信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスを駆動すること、及び、レベルシフト回路を介して形成された少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように前記高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択すること、
を含むことを特徴とするパワーデバイスの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、半導体技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイス（Ｐｏｗｅｒ  Ｄｅｖｉｃｅ、「電源装置」とも称する）は、高圧側（Ｈ／Ｓ）パワーデバイス及び／又は低圧側（Ｌ／Ｓ）パワーデバイスを含むことができ、パワーデバイスを制御する制御装置において、高圧側駆動回路及び／又は低圧側駆動回路を備えることもできる。高圧側駆動回路は、高圧入力信号に基づき高圧駆動信号を発生し、高圧側パワーデバイスに対して、オン（ＯＮ、導通とも称する）、又はオフ（ＯＦＦ、遮断とも称する）の操作を行うことができ、低圧側駆動回路は、低圧入力信号に基づき低圧駆動信号を発生し、低圧側パワーデバイスに対して、オン（ＯＮ）又はオフ（ＯＦＦ）の操作を行うことができる。
【０００３】
例えば、高圧側には、入力回路やレベルシフト（Ｌｅｖｅｌ  Ｓｈｉｆｔとも称する）回路、高圧駆動回路等を設置することができる。当該入力回路は、高圧入力信号（例えば、ＨＩＮで示す）に基づき、パルス信号を発生することができ、当該パルス信号は、例えば、セット（ＳＥＴ）信号又はリセット（ＲＥＳＥＴ）信号とされる。当該レベルシフト回路は、当該ＳＥＴ信号又は当該ＲＥＳＥＴ信号に基づき、オン（ＯＮ）信号又はオフ（ＯＦＦ）信号を発生して、高圧側パワーデバイスを駆動することができる。
【０００４】
注意すべきのは、上記の背景技術は、本出願の技術案を明瞭、完全に説明するためのものだけであり、当業者の理解のために記述されたものであり、これらの方案は、本出願の背景技術の部分に記述されただけで、上記の技術案は、当業者にとって周知であると認めることができないことである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明者は、ある構造、例えばインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ，Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ  Ｐｏｗｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）では、パワーデバイスのスイッチング速度は、固定であり、パワーデバイスのスイッチング速度を変更したければ、異なるゲート（ｇａｔｅ）抵抗を使用した多種の製品を開発する必要があり、管理コストが大きくなることを発見した。
【０００６】
本願発明の実施例は、一種の製品に対しても、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができることが期待されるパワーデバイスの制御装置及び制御方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明の実施例の第１の形態では、パワーデバイスの制御装置であって、
高圧入力信号に基づき、高圧オンパルス信号及び／又は高圧オフパルス信号を発生する入力回路と、
前記高圧オンパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイスをオンにするための高圧オン信号を発生し、及び／又は、前記高圧オフパルス信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスをオフにするための高圧オフ信号を発生するレベルシフト回路と、
前記高圧オン信号または前記高圧オフ信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスを駆動する高圧駆動回路と、
前記レベルシフト回路を介して形成された少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように前記高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択する高圧切替回路と、
を備えたパワーデバイスの制御装置を提供する。
本願発明の実施例の第２の形態では、少なくとも１組のハーフブリッジ回路と、上記の制御装置と、を備えた負荷装置を提供する。
本願発明の実施例の第３の形態では、パワーデバイスの制御方法において、
高圧入力信号に基づき、高圧オンパルス信号及び／又は高圧オフパルス信号を発生すること、
前記高圧オンパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイスをオンにするための高圧オン信号を発生し、及び／又は、前記高圧オフパルス信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスをオフにするための高圧オフ信号を発生すること、
前記高圧オン信号または前記高圧オフ信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスを駆動すること、及び、
レベルシフト回路を介して形成された少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように前記高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択すること、
を含むパワーデバイスの制御方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明の実施例は、以下の有益な効果を有する。即ち、高圧切替回路は、少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択する。それにより、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができ、管理コストが抑えられるようになる。
後述の説明及び図を参照すると、詳細に本願発明の特定の実施形態を開示しており、本願発明の原理が採用される形態を明示した。本願発明の実施形態の範囲がそれによって制限されないことが理解されるべきである。添付の特許請求の範囲の主旨及び条項の範囲内において、本願発明の実施形態は、さまざまな変更、修正及び均等物を含む。
一種の実施形態に対して記述及び／又は示した特徴は、同一または類似する形態で一つ又は複数の他の実施形態において用いられ、他の実施形態における特徴と組み合わせ、又は他の実施形態における特徴に代わることができる。
強調すべきなのは、用語「備える／含む」は、本文に使用されるとき、特徴、部材全体、ステップ又はコンポーネントの存在を指すが、一つ又は複数の他の特徴、部材全体、ステップ又はコンポーネントの存在や付加を排除するものではないことである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の一つの模式図である。
【図２】本願発明の実施例の切替回路の一例を示す図である。
【図３】本願発明の実施例の切替回路の他の例を示す図である。
【図４】本願発明の実施例の切替回路の他の例を示す図である。
【図５】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の模式図である。
【図６】本願発明の実施例の入力回路の一例を示す図である。
【図７】本願発明の実施例のレベルシフト回路の一例を示す図である。
【図８】本願発明の実施例の各信号の一つのシーケンス模式図である。
【図９】本願発明の実施例の入力回路の他の例を示す図である。
【図１０】本願発明の実施例の各信号の他のシーケンス模式図である。
【図１１】本願発明の実施例の入力回路の他の例を示す図である。
【図１２】本願発明の実施例の各信号の他のシーケンス模式図である。
【図１３】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の一部部材の模式図である。
【図１４】本願発明の実施例の第１の変換信号及び第２の変換信号の模式図である。
【図１５】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の一部部材の模式図である。
【図１６】本願発明の実施例の各信号の他のシーケンス模式図である。
【図１７】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の一部部材の模式図である。
【図１８】本願発明の実施例の第１の変換信号及び第２の変換信号の他の模式図である。
【図１９】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の一部部材の模式図である。
【図２０】本願発明の実施例の、Ｌａｔｃｈ信号を発生する一例を示す図である。
【図２１】本願発明の実施例のパワーデバイスの制御方法の一つの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本願発明の実施例の一つの図または一種の実施形態に記述された要素及び特徴は、一つ又は複数の他の図または実施形態に示した要素及び特徴と組み合わせることができる。なお、図には、類似記号は、いくつかの図において対応する部材を示し、且つ、多種の実施形態に使用された対応する部材を指すために用いられることができる。
【００１１】
以下、図を参照して説明することにより、本願発明の上記及び他の特徴は、明らかになる。明細書及び図には、具体的に本願発明の特定の実施形態を開示しており、その中に本願発明の原則を採用できる一部の実施形態を明示している。本願発明は、記述された実施形態に限定されるものではなく、逆に、本願発明は、添付の特許請求の範囲内に入る全ての修正、変形及び均等物を含むことが理解されるべきである。
【００１２】
本願発明の実施例には、用語の「第１」、「第２」などは、異なる要素を呼称から区分するために用いられるが、これらの要素の空間的な配列又は時間的な順序などを表さなく、これらの要素は、これらの用語に制限されないものである。用語の「及び／又は」は、関連して書き出された用語の一種または複数個の中のいずれか一つ及び全ての組合せを含む。用語の「含む」、「備える」、「有する」などは、記述される特徴、要素、部品またはコンポーネントの存在を指すが、一つ又は複数の他の特徴、要素、部品またはコンポーネントの存在や付加を排除するものではない。
【００１３】
本願発明の実施例には、単数形の「一」、「当該」などは、複数形を含んでおり、広義的に「一種」又は「一類」と理解されるべきであり、「一つ」の意味に限定されるものではない。また、用語の「前記」は、文脈で明示的に述べられていないのであれば、単数形と複数形との両方を含むと理解されるべきである。また、文脈で明示的に述べられていないのであれば、用語の“に応じて”は、「少なくとも一部が、…に応じて」と理解されるべきであり、用語の「に基づき」は、「少なくとも一部が、…に基づき」と理解されるべきである。
【００１４】
本願発明の実施例では、一種の製品に対しても、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができることが期待される。一方、低圧側では、一般に、レベルシフト回路が存在しないので、ゲート抵抗を選択するための選択信号を伝送することが容易となるが、高圧側では、ゲート抵抗を選択するための選択信号を伝送する場合に、普通、ＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号を伝送する横方向拡散金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ，Ｌａｔｅｒａｌｌｙ２０  Ｄｉｆｆｕｓｅｄ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と異なるＬＤＭＯＳを使用する必要があり、即ち、特別のＬＤＭＯＳが必要となり、従って、回路面積が大きくなり、且つ、コストが増加するようになる。本願発明の実施例では、さらに、回路面積を大きくする必要がなく、且つ特別の部品を使用しない場合、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができることが期待される。
【００１５】
（第１の形態の実施例）
本願発明の実施例は、少なくとも高圧側のパワーデバイスを制御するパワーデバイスの制御装置を提供する。
図１は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の一つの模式図である。図１に示すように、制御装置１００は、高圧入力信号に基づき、少なくとも高圧オンパルス信号（例えば、以下、ＳＥＴで示す）及び／又は高圧オフパルス信号（例えば、以下、ＲＥＳＥＴで示す）を発生する入力回路１０１と、前記高圧オンパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイス１１０をオンにするための高圧オン信号（以下、ＯＮで示す）を発生し、及び／又は、前記高圧オフパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイス１１０をオフにするための高圧オフ信号（以下、ＯＦＦで示す）を発生するレベルシフト回路１０２と、前記高圧オン信号または前記高圧オフ信号に基づき、高圧側パワーデバイス１１０を駆動する高圧駆動回路１０３と、レベルシフト回路１０２を介して形成された少なくとも一つの高圧選択信号に基づき、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイス１１０の少なくとも二つのゲート抵抗を選択する高圧切替回路１０４とを備える。
【００１６】
いくつかの実施例では、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が入力回路１０１に入力された場合、入力回路  １０１は、高圧オンパルス信号（ＳＥＴ）及び高圧オフパルス信号（ＲＥＳＥＴ）を同時に発生し、且つ、レベルシフト回路１０２は、高圧選択信号を出力することで、高圧駆動回路１０３は、高圧切替回路１０４を介して、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えるようにする。
【００１７】
いくつかの実施例では、高圧側パワーデバイス１１０は、以下のようなトランジスター素子、例えば酸化金属半導体電界効果トランジスター（ＭＯＳＦＥＴ，  Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ１５  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、や絶縁ゲートバイポーラトランジスター（ＩＧＢＴ，Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などを含むことができるが、本願発明は、これに限定されるものではなく、例えば、他の半導体素子であってもよい。
【００１８】
本願発明の実施例では、制御装置１００において、それぞれ通常のＯＮ信号と通常のＯＦＦ信号を生成する二つのトランジスターしか設置しなくてもよく、入力回路１０１はＳＥＴ及びＲＥＳＥＴを同時に発生する場合に、レベルシフト回路１０２は、高圧選択信号を出力する。即ち、本願発明の実施例は、例えば二つのＬＤＭＯＳを使用しても、高圧側で、選択信号の伝送を実現することでスイッチング速度を切り替えることができるようになる。
【００１９】
これによって、高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が入力された場合に、入力回路１０１は、高圧オンパルス信号及び高圧オフパルス信号を同時に発生し、かつ、レベルシフト回路１０２は、高圧選択信号を出力することで、高圧駆動回路１０３は、高圧切替回路１０４を介して、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えるようにする。それにより、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができるだけではなく、管理コストも抑えられるようになる。且つ、回路面積を大きくする必要がなく、且つ特別の部品を使用しないようになり、従って、回路やチップのコストが増加することがなくなる。
【００２０】
いくつかの実施例では、高圧駆動回路１０３は、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗の抵抗値を切り替えることで、前記高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替える。
【００２１】
例えば、高圧切替回路１０４は、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイス１１０の少なくとも二つのゲート抵抗を切り替えるスイッチ素子（ＳＷ）を備えてもよい。第１の形態の実施例では、二つのゲート抵抗（即ち、スイッチング速度の切替準位は、２準位となる）を例として説明するが、本願発明は、これに限定されるものではない。
図２は、本願発明の実施例の切替回路の一例を示す図であり、高圧側を例として説明する。図２に示すように、高圧駆動回路１０３は、一つの駆動回路  Ｄｒ１を備えており、高圧切替回路１０４は、一つのスイッチ素子（ＳＷ）を備えている。なお、高圧側パワーデバイス１１０のゲートには、それぞれＲｇ１及びＲｇ２で示す二つのゲート抵抗が設置されている。
【００２２】
例えば、高圧選択信号の作用によって、スイッチ素子（ＳＷ）は、オン（ＯＮ）にされることができ、それにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗は、Ｒｇ１とＲｇ２が並列接続された抵抗値によって決定され、また、例えば、高圧選択信号の作用によって、スイッチ素子（ＳＷ）は、オフ（ＯＦＦ）にされることができ、それにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗は、Ｒｇ１の抵抗値によって決定される。これにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗を切り替えることができることで、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えることができるようになる。
【００２３】
図３は、本願発明の実施例の切替回路の他の例を示す図であり、図３に示すように、高圧駆動回路１０３は、一つの駆動回路Ｄｒ１を備えており、高圧切替回路１０４は、一つのスイッチ素子（ＳＷ）を備えている。なお、高圧側パワーデバイス１１０のゲートには、それぞれＲｇ１及びＲｇ２で示す二つのゲート抵抗が設置されている。
例えば、高圧選択信号の作用によって、スイッチ素子（ＳＷ）は、下にオン（ＯＮ）にされることができ、それにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗は、Ｒｇ１の抵抗値によって決定され、また、例えば、高圧選択信号の作用によって、スイッチ素子（ＳＷ）は、上にオン（ＯＮ）にされることができ、それにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗は、Ｒｇ２の抵抗値によって決定される。これにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗を切り替えることができることで、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えることができるようになる。
【００２４】
以上、例示的に、高圧駆動回路は、単一の駆動回路が動作することにより高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えることを説明したが、本願発明は、これに限定されるものではなく、前記高圧駆動回路は、複数の駆動回路を含んでも良い。前記高圧駆動回路は、一つの駆動回路を動作させ、或いは、複数の駆動回路を並列に動作させるように選択することで、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができる。
【００２５】
図４は、本願発明の実施例の切替回路の他の例を示す図であり、図４に示すように、高圧駆動回路１０３は、二つの駆動回路Ｄｒ１とＤｒ２を備えており、高圧切替回路１０４は、一つのスイッチ素子（ＳＷ）を備えている。なお、高圧側パワーデバイス１１０のゲートには、それぞれＲｇ１及びＲｇ２で示す二つのゲート抵抗が設置されている。
例えば、高圧選択信号の作用によって、スイッチ素子（ＳＷ）は、オン（ＯＮ）にされることができ、それにより、Ｄｒ２及びＲｇ２がＤｒ１及びＲｇ１と並列に動作するように選択され、また、例えば、高圧選択信号の作用によって、スイッチ素子（ＳＷ）は、オフ（ＯＦＦ）にされることができ、それにより、Ｄｒ２及びＲｇ２が選択されなくなり、Ｄｒ１及びＲｇ１だけで動作する。これにより、高圧側パワーデバイス１１０のゲート抵抗を切り替えることができることで、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えることができるようになる。
【００２６】
注意すべきのは、以上、図２ないし図４は、本願発明の実施例の切替回路を例示的に説明しただけであり、本願発明は、これに限定されるものではないことである。例えば、各モジュールや部材間の接続関係を適切に調整することができ、なお、他のいくつかのモジュールや部材を増加し、或いは、その中のいくつかのモジュールや部材を減少することもできる。当業者は、上記の内容に基づいて適切に変形することができ、上記の図２ないし図４の記載内容だけに限定されない。また、図２ないし図４の切替回路は、低圧側に用いられることもできる。
【００２７】
なお、高圧切替回路１０４は、高圧駆動回路１０３から独立してもよいが、本願発明の実施例は、これに限定されるものではなく、高圧切替回路１０４は、高圧駆動回路１０３に集積され、即ち、高圧切替回路１０４は、高圧駆動回路１０３の一部であってもよく、本願発明の実施例は、これに対して制限しない。
【００２８】
以上、高圧側の状況を説明した。パワーデバイスの制御装置は、低圧側を含んでもよい。
図５は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の模式図であり、図５に示すように、制御装置５００は、入力回路５０１と、レベルシフト回路５０２と、高圧駆動回路５０３と、高圧切替回路５０４とを備えており、上記のように、上記の部材は、高圧側パワーデバイス５１０を駆動することができる。
【００２９】
図５に示すように、制御装置５００は、入力回路５０１からの低圧オン信号（ＯＮ）または低圧オフ信号（ＯＦＦ）に基づき、低圧側パワーデバイス５２０を駆動する低圧駆動回路５０５と、少なくとも１つの低圧選択信号に基づき、低圧側パワーデバイス５２０のスイッチング速度が切り替えられるように低圧側パワーデバイス５２０の少なくとも２つのゲート抵抗を選択する低圧切替回路５０６と、をさらに備えてもよい。
【００３０】
いくつかの実施例では、低圧側パワーデバイス５２０のスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が入力回路５０１に入力されることで、入力回路５０１は、低圧選択信号を発生した場合に、低圧切替回路５０６によって、低圧駆動回路５０５は低圧側パワーデバイス５２０のスイッチング速度を切り替えるようにする。
【００３１】
いくつかの実施例では、低圧切替回路５０６は、低圧側パワーデバイス５２０のスイッチング速度が切り替えられるように低圧側パワーデバイス５２０の少なくとも二つのゲート抵抗を切り替えるスイッチ素子を備える。低圧切替回路５０６の構造は、高圧切替回路５０４と類似することができ、例えば、図２ないし図４を参照することができ、ここで、再度説明しない。
【００３２】
図５に示すように、通常の場合、入力回路５０１（例えば、パルス発生器を備えてもよい）は、高圧入力信号（例えば、図５に示したＨＩＮ１、ＨＩＮ２及びＨＩＮ３）に基づき、高圧オンパルス信号（例えば、図５に示したＳＥＴ信号）及び／又は高圧オフパルス信号（例えば、図５に示したＲＥＳＥＴ信号）を発生することができる。レベルシフト回路５０２は、当該ＳＥＴ信号またはＲＥＳＥＴ信号に基づき、高圧オン信号（以下、ＯＮ信号で示す）または高圧オフ信号（以下、ＯＦＦ信号で示す）を発生する。高圧駆動回路５０３は、高圧駆動信号（以下、ＨＯで示す）を発生して、当該高圧側パワーデバイス５１０を駆動する。
【００３３】
図５に示すように、高圧側パワーデバイス５１０のスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が入力回路５０１に入力された場合、入力回路５０１は、当該選択入力信号に基づき、ＳＥＴ信号及びＲＥＳＥＴ信号を同時に発生することもでき、さらに、当該レベルシフト回路５０２は、ＳＥＴ信号及びＲＥＳＥＴ信号に基づき前記高圧選択信号を発生する。
【００３４】
図５に示すように、制御装置５００は、低圧側パワーデバイス５２０を制御することもできる。入力回路５０１は、低圧入力信号（例えば、図５に示したＬＩＮ１、ＬＩＮ２及びＬＩＮ３）に基づき、少なくとも、低圧側パワーデバイス５２０をオン又はオフにするための低圧オン信号（ＯＮ）及び／又は低圧オフ信号（ＯＦＦ）を発生することもできる。低圧駆動回路５０５は、低圧駆動信号（以下、ＬＯで示す）を発生して、当該低圧側パワーデバイス５２０を駆動する。
【００３５】
なお、図５に示すように、低圧側パワーデバイス５２０のスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が入力回路５０１に入力された場合、入力回路５０１は、当該選択入力信号に基づき前記低圧選択信号を発生することもできる。
【００３６】
注意すべきのは、以上、図５は、本願発明の実施例を例示的に説明しただけであり、本願発明は、これに限定されるものではないことである。例えば、各モジュールや部材間の接続関係を適切に調整することができ、なお、他のいくつかのモジュールや部材を増加し、或いは、その中のいくつかのモジュールや部材を減少することもできる。当業者は、上記の内容に基づいて適切に変形することができ、上記の図５の記載内容だけに限定されない。
通常の場合、例えば、高圧側回路は、ＨＩＮコマンドが立ち上がりエッジとなったときＳＥＴ信号を生成し、立ち下がりエッジとなったときＲＥＳＥＴ信号を生成する。当該ＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号が高圧側回路に入力されることでＨＩＮコマンドに同期する信号に回復される。高圧側回路には、誤動作を防止するためのフィルタ回路を備えてもよく、ＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号のパルス幅は、フィルタ時定数以上である。
【００３７】
本願発明の実施例には、製品にゲート抵抗選択端子（入力端子）を加えることができる。なお、例えば、不足電圧ロックアウト（ＵＶＬＯ，Ｕｎｄｅｒ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｌｏｃｋ  Ｏｕｔ）信号が解除されたときのゲート抵抗選択端子の電圧に基づき、ＳＥＴ信号及びＲＥＳＥＴ信号を同時に出力することができる。ＳＥＴ信号及びＲＥＳＥＴ信号を同時に出力する場合に、高圧駆動回路にゲート抵抗選択信号を伝送するように設置されることで、ＬＤＭＯＳの数を三つから二つに減少することができる。これにより、回路面積を抑えることができ、集積回路（ＩＣ，ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）のコスト増加を抑えることができる。
【００３８】
また、従来技術では、ゲート抵抗によって、異なる製品を生産する必要があるので、必要となる集積回路の品種数が多くなる。本願発明の実施例によれば、同一の製品に対してスイッチング速度を切り替えることができるため、集積回路の品種数が少なくとも半減され、且つ管理コストが抑えられることもできる。
【００３９】
以上、本願発明の実施例の構造を例示的に説明した。以下、如何に高圧選択信号を生成するかについて例示的に説明する。
【００４０】
いくつかの実施例では、入力回路５０１は、電源信号及び／又は不足電圧ロックアウト信号（ＵＶＬＯ）に基づき、高圧オンパルス信号及び高圧オフパルス信号を同時に送信し、それにより、レベルシフト回路５０２は、高圧選択信号を出力することで、高圧駆動回路５０３が高圧側パワーデバイス５１０のスイッチング速度を切り替えるようにする。
【００４１】
図６は、本願発明の実施例の入力回路の一例を示す図であり、図７は、本願発明の実施例のレベルシフト回路の一例を示す図であり、図８は、本願発明の実施例の各信号の一つのシーケンス模式図である。
【００４２】
図６及び図７に示すように、入力回路は、ＳＥＴ信号生成回路、ＲＥＳＥＴ信号生成回路及びパルス発生回路などを備えてもよく、レベルシフト回路は、フィルタなどを備えてもよい。図６ないし図８に示すように、例えば、ＵＶＬＯが解除されたときだけに、パルスを発生する。選択入力信号のレベルが高レベルとなるときに、数ミリ秒（ｍｓ）のパルスを発生し、選択入力信号のレベルが低レベルとなるときに、数１００ナノ秒（ｎｓ）のパルスを発生する。
【００４３】
例えば、図８中のＡの箇所に示したように、当該期間内に、ＨＩＮ信号を受け付けなく、図８中のＢの箇所に示したように、選択入力信号のレベルが低いときに、ＵＶＬＯが解除された後に、通常のパルス幅（例えば、数１００ｎｓ）のＲＥＳＥＴ信号を出力し、図８中のＣの箇所に示したように、選択入力信号のレベルが高いときに、ＵＶＬＯが解除された後に、数ｍｓのＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号を同時に出力し、図８中のＤの箇所に示したように、ＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号を同時に出力するとき、高圧選択信号が高レベルに設置される。
【００４４】
他のいくつかの実施例では、入力回路５０１は、低圧駆動回路５０５の駆動信号の立ち下がり縁（ｄｏｗｎ  ｅｄｇｅ、又は、立ち下がりエッジとも称する）に基づき高圧オンパルス信号及び高圧オフパルス信号を同時に送信し、それにより、レベルシフト回路５０２は、高圧選択信号を出力することで、高圧駆動回路５０３が高圧側パワーデバイス５１０のスイッチング速度を切り替えるようにする。
【００４５】
図９は、本願発明の実施例の入力回路の他の例を示す図であり、図１０は、本願発明の実施例の各信号の他のシーケンス模式図である。図９及び図１０に示すように、ＬＩＮまたはＬＯの立ち下がりエッジに同期して、ＳＥＴ、ＲＥＳＥＴパルスの同時の出力を行うことができる。なお、パルス発生回路は、３００ｎｓ程度のパルスを発生し、ＬＩＮまたはＬＯの立ち下がりエッジ毎に、１ショット（ｓｈｏｔ）のパルスを出力することができる。
【００４６】
例えば、図１０中のＤの箇所に示したように、ＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号を同時に出力するときに、高圧選択信号が高レベルに設置される。
【００４７】
いくつかの実施例では、各キャリアのそれぞれに対してＳＥＴ、ＲＥＳＥＴパルスを同時に出力するため、ＳＥＴ、ＲＥＳＥＴ信号が同時に出力される期間内に、電源電圧が上昇しなくても、選択信号が高圧側に伝送されるようになる。なお、高圧側に選択信号を伝送した後に、高圧側の電源電圧がノイズによって信号伝送電圧以下に降下した場合でも、再度、電源電圧を上昇させる必要がない。従って、選択信号を、確実に伝送することができる。
【００４８】
他のいくつかの実施例では、入力回路５０１は、高圧駆動回路５０３の駆動信号の立ち下がり縁（ｄｏｗｎ  ｅｄｇｅ）に基づき、高圧オンパルス信号及び高圧オフパルス信号を同時に送信し、それにより、レベルシフト回路５０２は、高圧選択信号を出力することで、高圧駆動回路５０３が高圧側パワーデバイス５１０のスイッチング速度を切り替えるようにする。
【００４９】
図１１は、本願発明の実施例の入力回路の他の例を示す図であり、図１２は、本願発明の実施例の各信号の他のシーケンス模式図である。図１１及び図１２に示すように、ＨＩＮまたはＨＯの立ち下がりエッジに同期してＳＥＴ、ＲＥＳＥＴパルスの同時の出力を行うことができる。なお、パルス発生回路は、３００ｎｓ程度のパルスを発生し、ＨＩＮまたはＨＯの立ち下がりエッジ毎に１ｓｈｏｔのパルスを出力することができる。
【００５０】
例えば、図１１に示すように、通常のＲＥＳＥＴパルスと重ならないために、遅延回路を設置してもよく、図１２中のＥの箇所に示したように、遅延回路の遅延によって、高圧側信号が通常のＲＥＳＥＴパルスと重ならなくなる。低圧側について、図１２中のＦの箇所に示したように、ＬＩＮまたはＬＯがＳＥＴ、ＲＥＳＥＴパルスと重なっても、低圧側が単独で動作するため、影響が発生しない。図１２中のＤの箇所に示したように、ＳＥＴ信号、ＲＥＳＥＴ信号を同時に出力するときに、高圧選択信号が高レベルに設置される。
【００５１】
いくつかの実施例では、各キャリアのそれぞれに対してＳＥＴ、ＲＥＳＥＴパルスを同時に出力するため、ＳＥＴ、ＲＥＳＥＴ信号が同時に出力される期間内に、電源電圧が上昇しなくても、選択信号が高圧側に伝送されるようになる。なお、高圧側に選択信号を伝送した後に、高圧側の電源電圧がノイズによって信号伝送電圧以下に降下した場合でも、再度、電源電圧を上昇させる必要がない。従って、選択信号を、確実に伝送することができ、かつ、高圧側と低圧側とは、一つのモジュールまたはチップ内に設置されなくてもよい。
【００５２】
注意すべきは、以上、図６ないし図１２は、本願発明の実施例に対して例示的に説明しただけであり、本願発明は、これに限定されるものではないことである。例えば、各モジュールや部材間の接続関係を適切に調整することができ、なお、他のいくつかのモジュールや部材を増加し、或いは、その中のいくつかのモジュールや部材を減少することもできる。当業者は、上記の内容に基づいて適切に変形することができ、上記の図６ないし図１２の記載内容だけに限定されない。
【００５３】
なお、図９及び図１１における低圧信号は、低圧側のＯＮまたはＯＦＦ信号を指す。図６ないし図１２には、具体的に解釈する符号（例えば、Ｄ、Ｑ、ＣＫ、ＶＣＣ、ＵＶＬＯなど）や素子（例えば、ＡＮＤ、ＯＲなど）がなく、関連技術を参照することができ、本願発明の実施例は、詳細に説明しない。
【００５４】
上記の実施例から分かるように、高圧切替回路は、少なくとも一つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイスの少なくとも二つのゲート抵抗を選択する。それにより、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができ、管理コストが抑えられるようになる。
【００５５】
（第２の形態の実施例）
第１の形態的実施例では、２準位のスイッチング速度の切替を例として説明した。以下、これを基礎として、３準位、または、それ以上の状況を説明する。図１３は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の一部部材の模式図であり、図１３に示すように、例えば、制御装置１００は、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替えるための選択入力信号が入力された場合に、少なくとも一つのラッチ（Ｌａｔｃｈ）信号（または、Ｌａｔｃｈ信号、パルス信号などと称してもよい）を発生するラッチ信号発生回路１３００をさらに備えてもよい。図１３に示すように、当該選択入力信号は、選択端子の箇所から入力されることができるが、本願発明の実施例は、これに限定されるものではなく、例えば、当該選択端子を備えなくてもよい。
【００５６】
いくつかの実施例には、図１３に示すように、ラッチ信号発生回路１３００は、少なくとも一つのコンパレータ（図１３には、二つのコンパレータＣｏｍｐ１とＣｏｍｐ２を例とする）を備え、コンパレータは、選択入力信号の電圧を予め設定された閾値と比較し、比較結果に基づいて少なくとも一つのラッチ信号を生成する。
例えば、選択端子の箇所に、?値（Ｖｔｈで示す）が異なる二つのコンパレータを備えて、Ｌａｔｃｈ信号の付加の判定を行う。例えば、Ｖｔｈ１＝１Ｖ、Ｖｔｈ２＝４Ｖとなる場合に、選択入力信号の電圧が１Ｖ以下となるときに、Ｃｏｍｐ１は、Ｌを出力し、Ｃｏｍｐ２は、Ｌを出力する。選択入力信号の電圧が１Ｖ〜４Ｖ間にあるときに、Ｃｏｍｐ１は、Ｈを出力し、Ｃｏｍｐ２は、Ｌを出力し、選択入力信号の電圧が４Ｖ以上となるとき、Ｃｏｍｐ１は、Ｈを出力し、Ｃｏｍｐ２は、Ｈを出力する。
【００５７】
従って、Ｖｔｈが異なる二つのコンパレータを備える場合に、上記のＬＬ、ＨＬ、ＨＨの３準位を配置することができ、例えば、ＬＬの場合に、Ｌａｔｃｈ信号を出力しなく、ＨＬの場合に一つのＬａｔｃｈ信号を出力し、ＨＨの場合に二つのＬａｔｃｈ信号を出力する。
【００５８】
図１３に示すように、二つのＬａｔｃｈ信号（Ｌａｔｃｈ１及びＬａｔｃｈ２）を例とし、Ｌａｔｃｈ信号と高圧オンパルス信号（ＳＥＴ）がレベルシフト回路１０２を介して第１の変換信号（ＳＥＴ’で示す）として形成され、及び／又は、Ｌａｔｃｈ信号と高圧オフパルス信号（ＲＥＳＥＴ）がレベルシフト回路１０２を介して第２の変換信号（ＲＥＳＥＴ’で示す）として形成される。
【００５９】
図１４は、本願発明の実施例の第１の変換信号及び第２の変換信号の模式図であり、二つのＬａｔｃｈ信号を例とし、ＳＥＴ信号とＬａｔｃｈ信号とによって第１の変換信号ＳＥＴ’が形成され、ＲＥＳＥＴ信号とＬａｔｃｈ信号とによって第２の変換信号ＲＥＳＥＴ’が形成される状況を示している。
【００６０】
本願発明の実施例では、ラッチ信号は、パルス信号であってもよく、本願発明の実施例は、当該ラッチ信号の波形に対して制限しなく、適用される任意の波形であってもよい。なお、ラッチ信号発生回路１３００は、入力回路１０１の一部であってもよく、入力回路１０１から独立してもよく、本願発明の実施例は、これに対して制限しない。
【００６１】
図１５は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の一部部材の模式図であり、図１５に示すように、例えば、制御装置１００は、第１の変換信号（ＳＥＴ’で示す）及び／又は第２の変換信号（ＲＥＳＥＴ’で示す）に基づき、少なくとも一つの高圧選択信号を生成する選択信号発生回路１５００をさらに備えてもよい。高圧切替回路１０４は、少なくとも一つの高圧選択信号に基づき、少なくとも二つのゲート抵抗を選択して、高圧側パワーデバイス１１０のスイッチング速度を切り替える。
【００６２】
いくつかの実施例では、図１５に示すように、選択信号発生回路１５００は、少なくとも一つのカウンター（図１５には、二つのカウンターｃｏｕｎｔｅｒ１及びｃｏｕｎｔｅｒ２を例とする）を含み、カウンターは、第１の変換信号及び／又は第２の変換信号のうちのラッチ信号の個数をカウントするとともに、カウントした結果に基づいて、少なくとも一つの高圧選択信号を生成する。
【００６３】
なお、選択信号発生回路１５００は、高圧駆動回路１０３または高圧切替回路１０４の一部であってもよく、高圧駆動回路１０３または高圧切替回路１０４から独立してもよく、本願発明の実施例は、これに対して制限しない。
【００６４】
注意すべきは、以上、図１３及び図１５は、本願発明の実施例を例示的に説明したものだけであり、本願発明は、これに限定されるものではないことである。例えば、各モジュールや部材間の接続関係を適切に調整することができ、なお、他のいくつかのモジュールや部材を増加し、或いは、その中のいくつかのモジュールや部材を減少することもできる。当業者は、上記の内容に基づいて適切に変形することができ、上記の図１３及び図１５の記載内容だけに限定されない。
【００６５】
なお、図１３及び図１５に示すように、ラッチ信号発生回路１３００及び選択信号発生回路１５００は、遅延回路、パルス発生回路、信号発生器などの各種の素子や部材をさらに備えてもよく、関連技術を参照することができ、本願発明の実施例は、詳細に説明しない。
【００６６】
図１６は、本願発明の実施例の各信号の他のシーケンス模式図である。図１６に示すように、ＨＩＮまたはＨＯの立ち下がりエッジから遅延した後の一定時点にＬａｔｃｈ信号を発生することができる。Ａ’の箇所に示すように、選択入力信号が例えば、２．５Ｖ（１Ｖと４Ｖの間にある）となるため、一つのＬａｔｃｈ信号を発生することができ、Ｂ’の箇所に示すように、選択入力信号が例えば５Ｖ（４Ｖよりも大きい）となるため、二つのＬａｔｃｈ信号を発生することができる。これに応じて、高圧選択信号１及び高圧選択信号２を生成することができ、少なくとも三つのゲート抵抗を選択することができ（例えば、三つのゲート抵抗から一つ選択する）、それにより、さらに、ＳＷ速度の切替準位が増加する。
【００６７】
いくつかの実施例では、少なくとも１つのラッチ信号の個数がＮであり、少なくとも１つの高圧選択信号の個数がＮであり、少なくとも２つのゲート抵抗の個数がＮ＋１であり、Ｎが１以上となる正の整数である。以上、Ｎ＝２を例として説明し、Ｎ＝１であれば、二つのゲート抵抗を選択することができる。本願発明の実施例は、これに限定されるものではなく、Ｎが３以上となる場合は、類似に行うことができる。
【００６８】
図１７は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の一部部材の模式図である。図１８は、本願発明の実施例の第１の変換信号及び第２の変換信号の他の模式図である。図１９は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御装置の他の一部部材の模式図である。図１７ないし図１９は、Ｎが３以上である状況を示している。
【００６９】
いくつかの実施例では、ラッチ信号発生回路１３００は、電源信号及び／又は不足電圧ロックアウト信号に基づき、少なくとも１つのラッチ信号を発生し、それにより、レベルシフト回路１０２は、少なくとも１つのラッチ信号を含む第１の変換信号及び／又は第２の変換信号を出力する。
【００７０】
図２０は、本願発明の実施例の、Ｌａｔｃｈ信号を発生する一例を示す図である。図２０に示すように、例えば、パワーオンリセット（ＰＯＲ，Ｐｏｗｅｒ  Ｏｎ  Ｒｅｓｅｔ）回路を付加して、ＰＯＲ信号を発生することができ、電源がオンにされた際、ＯＳＣカウント（ｃｏｕｎｔｅｒ）信号によって、所定の時間を創立し、任意の信号の組合せによってＬａｔｃｈ信号を付加する。
【００７１】
いくつかの実施例では、ラッチ信号発生回路１３００は、高圧駆動回路１０３の駆動信号の立ち下がりエッジに基づき、少なくとも１つのラッチ信号を発生し、それにより、レベルシフト回路１０２は、少なくとも１つのラッチ信号を含む第１の変換信号及び／又は第２の変換信号を出力する。
【００７２】
いくつかの実施例では、ラッチ信号発生回路１３００は、低圧駆動回路５０５の駆動信号の立ち下がりエッジに基づき、少なくとも１つのラッチ信号を発生し、それにより、レベルシフト回路１０２は、少なくとも１つのラッチ信号を含む第１の変換信号及び／又は第２の変換信号を出力する。
【００７３】
上記の実施例から分かるように、高圧切替回路は、少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、前記高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択する。それにより、パワーデバイスのスイッチング速度を切り替えることができ、管理コストが抑えられるようになる。
【００７４】
（第３の形態の実施例）
本願発明の実施例は、負荷装置を提供しており、前記負荷装置は、少なくとも１組のハーフブリッジ回路を備えており、その他に、第１の形態及び／又は第２の形態の実施例に記載の制御装置をも備える。上記の実施例においてすでに当該制御装置の構造及び原理を詳細に説明したので、その内容がここに含まれ、ここで、再度説明しない。
【００７５】
本願発明の実施例では、前記負荷装置は、インテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）であってもよく、前記ハーフブリッジ回路は、高圧側パワーデバイス及び／又は低圧側パワーデバイスを備え、前記ＩＰＭは、選択入力信号が入力される入力端子をさらに備えており、当該選択入力信号は、パワーデバイス（高圧側パワーデバイス及び／又は低圧側パワーデバイス）のスイッチング速度を切り替えるために用いられる。しかし、本願発明は、これに限定されるものではなく、前記負荷装置は、パワーデバイス及びその制御回路を備える任意の装置であってもよい。
【００７６】
（第４の形態の実施例）
本願発明の実施例は、パワーデバイスの制御方法をさらに提供し、第１の形態及び／又は第２の形態の実施例に記載のパワーデバイスの制御装置に対応しており、同じ内容は、ここで、再度説明しない。図２１は、本願発明の実施例のパワーデバイスの制御方法の模式図である。
【００７７】
図２１に示すように、前記制御方法は、高圧入力信号に基づき、高圧オンパルス信号及び／又は高圧オフパルス信号を発生すること２１０１、高圧オンパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイスをオンにするための高圧オン信号を発生し、及び／又は、高圧オフパルス信号に基づき、高圧側パワーデバイスをオフにするための高圧オフ信号を発生すること２１０２、
高圧オン信号または高圧オフ信号に基づき、高圧側パワーデバイスを駆動すること２１０３、及び、レベルシフト回路を介して形成された少なくとも１つの高圧選択信号に基づき、高圧側パワーデバイスのスイッチング速度が切り替えられるように高圧側パワーデバイスの少なくとも２つのゲート抵抗を選択すること２１０４、を含む。
【００７８】
注意すべきのは、以上、図２１は、本願発明の実施例に対して、例示的に説明しただけであり、本願発明は、これに限定されるものではないことである。例えば、各操作間の実行順序を適切に調整することができ、なお、他のいくつかの操作を増加し、或いは、その中のいくつかの操作を減少ることもできる。当業者は、上記の内容に基づいて適切に変形することができ、上記の図２１の記載内容だけに限定されない。
【００７９】
本願発明の以上の装置及び方法は、ハードウェアにより実現されることができ、ハードウェアとソフトウェアとを結合して実現されてもよい。本願発明は、このようなコンピュータ可読のプログラムに関し、即ち、当該プログラムは、論理ユニットによって実行される場合、当該論理ユニットによって上記の装置や構成部材が実現され、または、当該論理ユニットによって上記の各種の方法やステップが実現されることができる。本願発明は、さらに、上記のプログラムを記憶するための記憶媒体、例えば、ハードディスク、磁気ディスク、光ディスク、ＤＶＤ、ｆｌａｓｈメモリなどに関する。
【００８０】
本願発明の実施例に記載の方法／装置に基づいて、に、ハードウェアで直接、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールで、または、二つの組合せで具現化されてもよい。例えば、図に示した機能ブロック図における一つまたは複数個及び／又は機能ブロック図の一つまたは複数個の組合せは、コンピュータプログラムフローチャートの各ソフトウェアモジュールに対応することができるし、そして、各ハードウェアモジュールに対応することもできる。これらのソフトウェアモジュールは、それぞれ、図に示した各ステップに対応することができる。これらのハードウェアモジュールは、例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）により、これらのソフトウェアモジュールを固定化して実現されることができる。
【００８１】
ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭあるいは当該技術分野で知られているその他の形態の任意の記憶媒体にて存在することができる。一種の記憶媒体をプロセッサに結合することで、プロセッサが当該記憶媒体から情報を読み取ることが可能となり、且つ、当該記憶媒体に情報を記入することが可能となるようにしてもよい。或いは、当該記憶媒体は、プロセッサの構成部分であってもよい。プロセッサ及び記憶媒体は、ＡＳＩＣに存在してもよい。当該ソフトウェアモジュールは、携帯端末のメモリに記憶されてもよく、携帯端末に挿入することが可能なメモリカードに記憶されてもよい。例えば、デバイス（例えば携帯端末）には、容量が大きいＭＥＧＡ−ＳＩＭカード或いは大容量のフラッシュ装置が採用されておれば、当該ソフトウェアモジュールは、当該ＭＥＧＡ−ＳＩＭカード或いは大容量のフラッシュ装置に記憶されることができる。
【００８２】
図面に記述された機能ブロックのうちの一つまたは複数個及び／又は機能ブロックの一つまたは複数個の組合せは、本願発明に記述された機能を実行するための汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、または他のプログラマブル論理デバイス、離散ゲートまたはトランジスタ論理回路、離散ハードウェアコンポーネント、あるいは、適切なその任意の組合せとして実現されてもよい。図面に記述された機能ブロックのうちの一つまたは複数個及び／又は機能ブロックの一つまたは複数個の組合せは、計算装置の組合せ、例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰと通信結合された一つまたは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実現されてもよい。
【００８３】
以上、具体的な実施形態と組み合わせて本願発明を説明したが、当業者は、これらの記述は、いずれも例示的なものであり、本願発明の保護範囲に対する制限とならないことが理解べきである。当業者は、本願発明の趣旨及び原理に基づいて、本願発明に対して各種の変形及び修正を行うことができ、これらの変形及び修正も、本願発明の範囲に属する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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