(57)【要約】【課題】結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を成長させることが可能な半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法を提供する。【解決手段】ｒ面を主面とするサファイア基板（１）と、主面上に形成されたＡｌＮバッファ層（２）を備え、ＡｌＮバッファ層（２）の表面には、ａ面を傾けた半極性面のファセットが複数形成されている半導体成長用基板。半極性面のファセットにより結晶グレイン（２ａ）が形成される。【選択図】図１
2020061510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｒ面を主面とするサファイア基板と、
前記主面上に形成されたＡｌＮバッファ層を備え、
前記ＡｌＮバッファ層の表面には、ａ面を傾けた半極性面のファセットが複数形成されていることを特徴とする半導体成長用基板。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体成長用基板であって、
前記半極性面は、｛１１−２２｝面または｛１１−２−２｝面であることを特徴とする半導体成長用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体成長用基板であって、
前記ＡｌＮバッファ層上にａ面ＧａＮ層を備えることを特徴とする半導体成長用基板。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一つに記載の半導体成長用基板であって、
前記ＡｌＮバッファ層の表面には、前記ファセットを有する複数の結晶グレインが形成されており、
前記結晶グレインのｍ軸方向の長さＬｍは、ｃ軸方向の長さＬｃよりも大きいことを特徴とする半導体成長用基板。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体成長用基板であって、
前記結晶グレインにおいて、Ｌｃ／Ｌｍが０．０５以上０．５０以下の範囲であることを特徴とする半導体成長用基板。
【請求項６】
請求項１から５の何れか一つに記載の半導体成長用基板を用い、
前記半導体成長用基板上に機能層を備えることを特徴とする半導体素子。
【請求項７】
請求項１から５の何れか一つに記載の半導体成長用基板を用い、
前記半導体成長用基板上に活性層を備えることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項８】
ｒ面を主面とするサファイア基板上にスパッタ法を用いてＡｌＮバッファ層を形成するスパッタ工程と、
前記ＡｌＮバッファ層をアニールして、前記ＡｌＮバッファ層の表面にａ面を傾けた半極性面のファセットを複数形成するアニール工程と、
前記ＡｌＮバッファ層上にａ面ＧａＮ層を成長する半導体層成長工程と備えることを特徴とする半導体素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法に関し、特にａ面ＧａＮ結晶層を成長させる半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明用途に用いられる紫色から青色を発光するＬＥＤとしては、窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料の化合物半導体が一般的に用いられている。近年になって、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた照明装置等が普及するにつれ、ＬＥＤチップの高輝度化が望まれるようになってきた。ＬＥＤを高輝度化するためには、電流密度を高くしても効率的に電子と正孔が発光再結合できるように、発光層の膜厚を厚くして発光層内部でのキャリア密度を下げる必要がある。
【０００３】
しかし、一般的に用いられているｃ面を主面とするＧａＮ系半導体材料では、ｃ軸方向にピエゾ電界が生じるため、厚膜化した発光層内に電位差が生じ電子と正孔が空間的に分離してしまい、発光再結合の効率が著しく低下してしまうドループ特性が問題となっている。
【０００４】
この問題を解決するため、非極性や半極性の面方位を主面としたＧａＮ系材料で発光層を形成することで、積層方向へのピエゾ電界の影響を無くして厚膜化を図り、大電流での発光を可能にする技術も提案されている。ＧａＮ系半導体層では、ａ面やｍ面が非極性面であり、半極性面の代表例としてｒ面がある。
【０００５】
特許文献１には、サファイア基板のｒ面上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いてａ面ＧａＮ層を成長させる技術が開示されている。ｒ面サファイア基板上に形成されたａ面ＧａＮ層を下地層として用い、ｎ型層と発光層とｐ型層とを順次成長させることで、発光層の主面をａ面として厚膜化とＬＥＤのドループ特性の改善を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２１４１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ｒ面サファイア上に形成されるａ面ＧａＮでは、成長面内に＋ｃ軸方向、?ｃ軸方向、ｍ軸方向が存在して面内異方性が大きく、結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を得ることが困難であった。
【０００８】
そこで本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を成長させることが可能な半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の半導体成長用基板は、ｒ面を主面とするサファイア基板と、前記主面上に形成されたＡｌＮバッファ層を備え、前記ＡｌＮバッファ層の表面には、ａ面を傾けた半極性面のファセットが複数形成されていることを特徴とする。
【００１０】
このような本発明の半導体成長用基板では、ＡｌＮバッファ層の表面には、ａ面を傾けた半極性面のファセットが複数形成されていることで、異常成長を抑制し結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を成長させることが可能となる。
【００１１】
また本発明の一態様では、前記半極性面は、｛１１−２２｝面または｛１１−２−２｝面である。
【００１２】
また本発明の一態様では、前記ＡｌＮバッファ層上にａ面ＧａＮ層を備える。
【００１３】
また本発明の一態様では、前記ＡｌＮバッファ層の表面には、前記ファセットを有する複数の結晶グレインが形成されており、前記結晶グレインのｍ軸方向の長さＬｍは、ｃ軸方向の長さＬｃよりも大きい。
【００１４】
また本発明の一態様では、前記結晶グレインにおいて、Ｌｃ／Ｌｍが０．０５以上０．５０以下の範囲である。
【００１５】
また上記課題を解決するために本発明の半導体素子は、上記何れか一つに記載の半導体成長用基板を用い、前記半導体成長用基板上に機能層を備えることを特徴とする。
【００１６】
また上記課題を解決するために本発明の半導体発光素子は、上記何れか一つに記載の半導体成長用基板を用い、前記半導体成長用基板上に活性層を備えることを特徴とする。
【００１７】
また上記課題を解決するために本発明の半導体素子製造方法は、ｒ面を主面とするサファイア基板上にスパッタ法を用いてＡｌＮバッファ層を形成するスパッタ工程と、前記ＡｌＮバッファ層をアニールして、前記ＡｌＮバッファ層の表面にａ面を傾けた半極性面のファセットを複数形成するアニール工程と、前記ＡｌＮバッファ層上にａ面ＧａＮ層を成長する半導体層成長工程と備えることを特徴とする。
【００１８】
このような本発明の半導体素子製造方法では、ＡｌＮバッファ層の表面には、ａ面を傾けた半極性面のファセットが複数形成されるため、異常成長を抑制し結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を成長させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を成長させることが可能な半導体成長用基板、半導体素子、半導体発光素子および半導体素子製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態における半導体成長用基板を示す模式断面図である。
【図２】スパッタ条件の違いによるＡｌＮバッファ層２中の不純物濃度と、ａ面ＧａＮ層３の結晶性を示す表である。
【図３】ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によるＡｌＮバッファ層２の表面モフォロジ評価結果を示す表であり、（ａ）〜（ｃ）は比較例１−３を示し、（ｄ）〜（ｆ）は実施例１−３を示し、（ｇ）〜（ｉ）は比較例５−７を示している。
【図４】ＡｌＮバッファ層２の＜１−１００＞方向から観察した明視野断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像と、電子回折パターンを示す表であり、（ａ）〜（ｃ）は実施例１−３を示し、（ｄ）は比較例７を示している。
【図５】ａ面ＧａＮ層３のＸＲＣ（Ｘ−ｒａｙ  Ｒｏｃｋｉｎｇ  Ｃｕｒｖｅ）測定の回折スペクトルを示すグラフであり、（Ａ）はａ面内のｃ軸方向での結果を示し、（Ｂ）はａ面内のｍ軸方向での結果を示し、（Ｃ）は｛１０−１１｝面内での結果を示している。
【図６】ａ面ＧａＮ層３の表面モフォロジを示す図であり、図６（ａ）は実施例２のＳＥＭ像であり、図６（ｂ）は実施例１のＡＦＭ像である。
【図７】第２実施形態の半導体装置であるＬＥＤ１０を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１実施形態）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。各図面に示される同一または同等の構成要素、部材、処理には、同一の符号を付すものとし、適宜重複した説明は省略する。図１は、本発明の第１実施形態における半導体成長用基板を示す模式断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態の半導体成長用基板は、六方晶のｒ面を主面とするサファイア基板１と、サファイア基板１上に形成されたＡｌＮバッファ層２と、ＡｌＮバッファ層２の表面に形成された複数の結晶グレイン２ａと、ＡｌＮバッファ層２上に形成されたａ面を主面とするａ面ＧａＮ層３を備えている。ここではサファイア基板１として傾斜角度が０度のジャスト基板を示したが、ｒ面を所定の面方位に数度傾斜させたオフ基板としてもよい。
【００２３】
ＡｌＮバッファ層２はサファイア基板１とａ面ＧａＮ層３との格子定数の相違を緩和するための層である。ＡｌＮバッファ層２の厚みとしては、厚くしすぎるとａ面ＧａＮ層３の結晶品質が低下するため５〜３００ｎｍの範囲が好ましく、５〜９０ｎｍの範囲がより好ましく、５〜３０ｎｍの範囲がさらに好ましい。また、ＡｌＮバッファ層２中に含まれる不純物濃度は、炭素が２．５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であり、酸素が７．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満であることが好ましい。ＡｌＮバッファ層２中に含まれる不純物濃度がこれらの範囲以上であると、単結晶のａ面ＧａＮ層３をエピタキシャル成長できない。
【００２４】
結晶グレイン２ａは、ＡｌＮバッファ層２の表面に形成された微小な結晶の突起であり、ＡｌＮのａ面を傾けた半極性面のファセットを有している。半極性面のファセットとしては、｛１１−２２｝面または｛１１−２−２｝面が挙げられる。また結晶グレイン２ａは、｛１１−２２｝面と｛１１−２−２｝面のファセットを有することで、ｃ軸方向に沿った断面形状が三角状の突起となる。また、一つの結晶グレイン１２ａにおけるｍ軸方向の長さＬｍは、ｃ軸方向の長さＬｃよりも大きい。
【００２５】
ａ面ＧａＮ層３は、ＡｌＮバッファ層２上において、主面がａ面となるように成長された下地層であり、その上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長するための層である。ａ面ＧａＮ層３の形成方法としては、ＭＯＣＶＤ法やＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法：Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）などの公知の方法を用いることができるが、ＭＯＣＶＤ法を用いることが好ましい。ａ面ＧａＮ層３の膜厚は特に限定されないが、１μｍ以上形成することが好ましい。
【００２６】
次に、図１に示した半導体成長用基板の製造方法について説明する。
【００２７】
（スパッタ工程）
はじめに、ｒ面を主面とするサファイア基板１上に、スパッタ法を用いてＡｌＮバッファ層２を形成する。ＡｌＮバッファ層２を形成するスパッタ法としては、Ａｌをターゲット材としてＮ２およびＡｒガスを用いる反応性スパッタ法を採用してもよいが、ＡｌＮをターゲット材としてＡｒガスを用いることがより好ましい。ターゲット材となるＡｌＮとしては単結晶基板であっても粉末焼体であってもよく、その状態や形態は限定されない。
【００２８】
反応性スパッタ法によりＡｌをターゲット材としてＮ２およびＡｒガスを用いてＡｌＮバッファ層２を形成する場合には、ＡｌＮ膜の物理的な堆積プロセスに加えて、Ａｌターゲット材とＮ２ガスの反応プロセスを考慮する必要がある。そのため反応性スパッタ法では、所望のＡｌＮバッファ層２を得るための成膜条件を適切に設定して制御する難易度が高くなる。特に、半導体基板の大面積化が進むと、基板表面の面内分布も考慮する必要があるためさらに難易度が高くなる。
【００２９】
一方、ＡｌＮをターゲット材としてＡｒガスを用いるスパッタ法によりＡｌＮバッファ層２を形成する場合には、Ａｌターゲット材とＮ２の反応プロセスを考慮する必要が無く、Ａｒガス流量やチャンバー内の真空度等のパラメータを最適化するだけでよい。したがって、反応性スパッタ法でＡｌＮバッファ層２を形成するよりも、ＡｌＮをターゲット材としてＡｒガスを用いるスパッタ法を用いるほうが、ＡｌＮバッファ層２を形成する際の成膜条件の設定や制御が容易であり、大面積化にも対応が容易となる。
【００３０】
ＡｌＮバッファ層２を形成する反応性スパッタの条件としては、基板温度は２００℃以上５００℃未満の範囲が好ましい。基板温度を５００℃よりも高温にすると、成膜後にＡｌＮバッファ層２に含まれる酸素や炭素の不純物濃度が高くなり、ＡｌＮバッファ層２上にａ面ＧａＮ層３をエピタキシャル成長できないため、好ましくない。本実施形態の半導体素子成長方法では、高品質なＡｌＮ結晶が得られる１５００℃程度よりも低温の２００〜５００℃でスパッタ工程を実施するため、成膜直後のＡｌＮバッファ層２はアモルファスライクな結晶性であると思われる。
【００３１】
（アニール工程）
次に、スパッタ工程で成膜したＡｌＮバッファ層２のアニール処理を実施し、ＡｌＮバッファ層２の再結晶化を促進して、表面に半極性面のファセットを複数形成する。アニール処理としては、例えば高周波誘導加熱方式による熱処理装置を用いることができる。アニール条件としては、不活性ガス（例えば窒素やＡｒ）雰囲気中において１３００℃以上１７００℃未満の基板温度を０．５〜３．０時間継続することが好ましい。より好ましくは１３００℃以上１６００℃以下である。アニール温度が１７００℃以上であると、サファイア基板１が熱分解して劣化するため好ましくない。また、アニール温度が１３００℃未満であると、ＡｌＮバッファ層２の再結晶化が不十分であり、ＡｌＮバッファ層２の表面に半極性面のファセットを形成しにくい。
【００３２】
（半導体層成長工程）
次に、ＡｌＮバッファ層２の表面を洗浄した後に、キャリアガスとして水素、窒素を用い、Ｖ族原料としてアンモニア（ＮＨ３）を用い、ＩＩＩ族原料としてＴＭＧ（ＴｒｉｍｅｔｈｙｌＧａｌｌｉｕｍ）を用いて、ＭＯＣＶＤ法でａ面ＧａＮ層３を成長させる。このとき、成長シーケンスは２段階で構成し、昇温した後に成長温度を一定とし、リアクタ圧力とＶ／ＩＩＩ比および成長時間を変更している。例えば、昇温直後の第１ステップではＶ／ＩＩＩ比を４０００〜５０００程度とし、圧力を９００〜１０００ｈＰａとして１０〜２０分程度維持する。第２ステップでは例えばＶ／ＩＩＩ比を１００〜２００程度とし、圧力を１００〜１５０ｈＰａとして９０〜１２０分維持する。ａ面ＧａＮ層３を成長した後に室温まで冷却して取り出すことで、図１に示した本実施形態の半導体成長用基板を得ることができる。
【００３３】
（実施例１−３）
スパッタ工程で、ＲＦ出力４５０Ｗ、１０ｒｐｍ、Ａｒ流量５．０ｓｃｃｍ、Ｎ２流量５．０ｓｃｃｍ、基板温度を３００℃、到達真空度１．５３×１０-５Ｐａの条件で、ＡｌＮバッファ層２を形成した。その後にアニール工程で、熱処理装置のカーボンサセプタ内に基板をセットし、減圧した後にＮ２封入して３８０ｔｏｒｒにし、昇温レート２０℃／ｍｉｎで１６００℃まで昇温して一時間アニールした。次に半導体素子成長工程で、温度を１０１０℃まで昇温した後に成長温度を１０１０℃で一定とし、第１段階ではＶ／ＩＩＩ比４４００、圧力９３３ｈＰａ、成長時間を１０分とし、第２段階ではＶ／ＩＩＩ比１００、圧力１００ｈＰａ、成長時間を９０分でａ面ＧａＮ層３を成長させて半導体成長用基板を得た。ＡｌＮバッファ層２の膜厚が３０ｎｍ、９０ｎｍ、１８０ｎｍのものをそれぞれ実施例１−３とした。
【００３４】
（比較例１−３）
スパッタ工程の後にアニール工程を実施せず、半導体素子成長工程を実施した他は実施例１と同様の条件で半導体成長用基板を得た。ＡｌＮバッファ層２の膜厚が３０ｎｍ、９０ｎｍ、１８０ｎｍのものをそれぞれ比較例１−３とした。
【００３５】
（比較例４）
スパッタ工程での基板温度を５００℃とし、到達真空度が４．４７×１０-４Ｐａである他は比較例１と同様の条件で比較例４の半導体成長用基板を得た。
【００３６】
（比較例５−７）
スパッタ工程を用いず、ｒ面を主面とするサファイア基板１上に、ＭＯＣＶＤ法を用いてＡｌＮバッファ層２をエピタキシャル成長させた他は、比較例１−３と同様にして半導体成長用基板を得た。成長条件は、成長温度１３４０℃、Ｖ／ＩＩＩ比６３００、であった。ＡｌＮバッファ層２の膜厚が３０ｎｍ、９０ｎｍ、１８０ｎｍのものをそれぞれ比較例５−７とした。
【００３７】
（スパッタ条件）
図２は、スパッタ条件の違いによるＡｌＮバッファ層２中の不純物濃度と、ａ面ＧａＮ層３の結晶性を示す表である。ＡｌＮバッファ層２中の不純物濃度はＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定し、ａ面ＧａＮ層３の結晶性はＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像とＸ線回折により評価した。図中左側に比較例１の結果を示し、図中右側に比較例４の結果を示している。
【００３８】
図２に示したように、ＡｌＮバッファ層２に含まれる不純物濃度は、比較例１では酸素濃度が６．５８×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、炭素濃度が２．１９×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。また、比較例４では酸素濃度が２．６６×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、炭素が９．７２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。ＳＥＭ像およびＸ線回折の結果から、比較例１ではＡｌＮバッファ層２上に単結晶のａ面ＧａＮ層３を成長できているが、比較例４では単結晶のａ面ＧａＮ層３を成長できていないことわかる。したがって、スパッタ条件が５００℃以上であると、到達真空度が低いため不純物濃度が高くなり、単結晶のａ面ＧａＮ層を成長できないことがわかる。
【００３９】
（ＡｌＮバッファ層２の表面モフォロジ）
図３は、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によるＡｌＮバッファ層２の表面モフォロジ評価結果を示す表であり、（ａ）〜（ｃ）は比較例１−３を示し、（ｄ）〜（ｆ）は実施例１−３を示し、（ｇ）〜（ｉ）は比較例５−７を示している。図中左右方向はＡｌＮバッファ層２のｍ軸方向を示し、上下方向はｃ軸方向を示している。
【００４０】
図３中の（ａ）〜（ｃ）に示すように、比較例１ではＡｌＮバッファ層２の表面は平坦であり、比較例２では柱状の結晶グレイン２ａが形成されており、比較例３では異方的な結晶グレイン２ａが形成されていることがわかる。
【００４１】
図３中の（ｄ）〜（ｆ）に示すように、実施例１−３ではＡｌＮバッファ層２の表面には複数の結晶グレイン２ａが形成されており、それぞれの結晶グレイン２ａはｍ軸方向の長さＬｍがｃ軸方向の長さＬｃよりも大きくなっている。また、Ｌｃ／Ｌｍが０．０５以上０．５０以下の範囲であった。また、ＡｌＮバッファ層２の膜厚が大きくなるにつれ、結晶グレイン２ａの規則性が乱れることがわかる。
【００４２】
図３中の（ｇ）〜（ｉ）に示すように、実施例５−７ではＡｌＮバッファ層２の表面にはランダムな形状の結晶グレイン２ａが形成されており、膜厚の増加に伴い結晶グレイン２ａのサイズが大きくなることがわかる。
【００４３】
（ＡｌＮバッファ層２の評価）
図４は、ＡｌＮバッファ層２の＜１−１００＞方向から観察した明視野断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像と、電子回折パターンを示す表であり、（ａ）〜（ｃ）は実施例１−３を示し、（ｄ）は比較例７を示している。図４中に挿入した電子回折パターンでは、（Ｉ）で示した位置では＜１−１００＞ＡｌＮのみが確認され、（ＩＩ）で示した位置では＜１−１００＞ＡｌＮと＜１１−２１＞ＡｌＮが確認された。
【００４４】
図４に示したように実施例１および比較例７では、ＡｌＮバッファ層２の膜厚方向全域において、＜１−１００＞ＡｌＮの電子回折パターンが確認できる。また、明視野断面ＴＥＭ像では、ＡｌＮバッファ層２の表面に断面三角形状の結晶グレイン２ａが形成されていることがわかる。この結晶グレイン２ａに含まれるファセットは、ａ面を傾けた半極性面の｛１１−２２｝面または｛１１−２−２｝面であった。
【００４５】
それに対して、図４に示したように実施例２，３では、ＡｌＮバッファ層２の膜厚が大きい領域において、＜１−１００＞ＡｌＮと＜１１−２１＞ＡｌＮの電子回折パターンが確認できる。また、明視野断面ＴＥＭ像では、｛１１−２２｝面または｛１１−２−２｝面のファセットが形成されていないことが確認できる。これは、膜厚が大きくなるにつれてＡｌＮバッファ層２の配向性が低下していることを示している。
【００４６】
（ａ面ＧａＮ層３の結晶性評価）
図５は、ａ面ＧａＮ層３のＸＲＣ（Ｘ−ｒａｙ  Ｒｏｃｋｉｎｇ  Ｃｕｒｖｅ）測定の回折スペクトルを示すグラフであり、（Ａ）はａ面内のｃ軸方向での結果を示し、（Ｂ）はａ面内のｍ軸方向での結果を示し、（Ｃ）は｛１０−１１｝面内での結果を示している。図５（Ａ）〜（Ｃ）では、ＡｌＮバッファ層２の膜厚を３０ｎｍとした実施例１、比較例１、比較例５の測定結果を示している。
【００４７】
図５（Ａ）に示した測定結果における半値幅（単位：ａｒｃｓｅｃ）は、実施例１が５０５、比較例１が６０９、比較例５が５６２であった。図５（Ｂ）では、実施例１が７２９、比較例１が７５８、比較例５が９９５であった。図５（Ｃ）では、実施例１が１０７１、比較例１が１４７２、比較例５が１４０４であった。図５（Ａ）〜（Ｃ）に示したように、ａ面ＧａＮ層３の結晶性は実施例１が比較例１，５よりも高いことがわかる。
【００４８】
（ａ面ＧａＮ層３の表面モフォロジ）
図６は、ａ面ＧａＮ層３の表面モフォロジを示す図であり、図６（ａ）は実施例２のＳＥＭ像であり、図６（ｂ）は実施例１のＡＦＭ像である。図６（ａ）に示したように、実施例２ではａ面ＧａＮ層３は多結晶化して平坦面が得られていない。実施例３および比較例２，３でも同様であった。一方で図６（ｂ）に示したように、実施例１ではａ面ＧａＮ層３は平坦な表面の単結晶が得られた。比較例１および比較例５−７も同様であった。
【００４９】
以上に述べたように、本実施形態の半導体成長用基板では、ＡｌＮバッファ層２の表面に、ａ面を傾けた半極性面の｛１１−２２｝面または｛１１−２−２｝面のファセットを有する結晶グレイン２ａを形成することで、結晶性が良好で表面平坦性に優れた高品質なａ面ＧａＮ層を成長させることができる。
【００５０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図７を用いて説明する。図７は第２実施形態の半導体装置であるＬＥＤ１０を示す模式断面図である。図７に示すようにＬＥＤ１０は、ｒ面を主面とするサファイア基板１１、ＡｌＮバッファ層１２、結晶グレイン１２ａ、ａ面ＧａＮ層１３、ｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６、ｎ側電極１７、ｐ側電極１８を有している。
【００５１】
第１実施形態と同様に、ｒ面を主面とするサファイア基板１１を用意し、スパッタ工程でＡｌＮバッファ層１２をサファイア基板１１上に形成する。次に、アニール工程でＡｌＮバッファ層１２をアニールして表面に半極性面のファセットを備える結晶グレイン１２ａを複数形成する。次に、半導体層成長工程でａ面ＧａＮ層１３をＡｌＮバッファ層１２上にエピタキシャル成長し、続けてＭＯＣＶＤ法でｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６を順次成長して半導体基板を得る。
【００５２】
次に、所定のパターンを用いてフォトリソグラフィーとエッチングによりｐ型半導体層１６と発光層１５の一部を除去してｎ型半導体層１４の一部を露出させる。次に、ｎ型半導体層１４とｐ型半導体層１６の露出面に蒸着等により電極材料を形成し、ダイシングして個別チップ化することでＬＥＤ１０を得る。
【００５３】
ここではｎ型半導体層１４、ｐ型半導体層１６をそれぞれ単層で説明したが、それぞれ材料や組成の異なる複数の層を含んでいるとしてもよく、例えば、ｎ型半導体層１４とｐ型半導体層１６にクラッド層、コンタクト層、電流拡散層、電子ブロック層、導波路層などを含めてもよい。また、発光層１５も単層で説明したが、多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｗｅｌｌ）などの複数層で構成してもよい。
【００５４】
ｎ型半導体層１４は、ａ面ＧａＮ層１３上にエピタキシャル成長され、ａ面を主面とするｎ型不純物がドープされた半導体層であり、ｎ側電極１７から電子が注入されて発光層１５に電子を供給する層である。ｎ型半導体層１４を構成する材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層としては、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどが挙げられ、ｎ型不純物としてはＳｉなどが挙げられる。
【００５５】
発光層１５は、ｎ型半導体層１４上にエピタキシャル成長され、ａ面を主面とする半導体層であり、層内で電子と正孔が発光再結合することでＬＥＤ１０が発光する。発光層１５は、ｎ型半導体層１４とｐ型半導体層１６よりもバンドギャップが小さい材料で構成されており、例えばＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどが挙げられる。発光層１５は意図的に不純物を含まないノンドープとしてもよく、ｎ型不純物を含むｎ型やｐ型不純物を含むｐ型としてもよい。発光層１５は、ａ面を主面とする半導体層なので、厚膜化してもピエゾ電界による電子と正孔の空間的な分離は生じにくく、電流密度を高くしても効率的に電子と正孔が発光再結合できる。
【００５６】
ｐ型半導体層１６は、発光層１５上にエピタキシャル成長され、ａ面を主面とする半導体層であり、ｐ側電極１８から正孔が注入されて発光層１５に正孔を供給する層である。ｐ型半導体層１６を構成する材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層としては、例えばＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどが挙げられ、ｐ型不純物としてはＺｎやＭｇなどが挙げられる。
【００５７】
本実施の形態でも、半極性面のファセットを備える結晶グレイン１２ａが表面に複数形成されたＡｌＮバッファ層１２上に、ａ面ＧａＮ層１３を下地層としてｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６をエピタキシャル成長している。したがって、第１実施形態で述べたようにａ面ＧａＮ層１３は結晶性も表面平坦性も良好であり、その上に成長されたｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６も結晶性と表面平坦性が良好となる。これにより、ｎ型半導体層１４、発光層１５、ｐ型半導体層１６の特性も良好になり、ＬＥＤ１０の外部量子効率の向上などが見込まれる。
【００５８】
（第３実施形態）
本発明の半導体装置であるＬＥＤ１０は、上述したようにピエゾ電界によるドループが少なく、且つａ面内での異方性が小さく良好な結晶品質であることから高輝度化を実現できるので、車両用灯具などの灯具に用いることでチップ数の低減や高出力化を図ることが可能となる。
【００５９】
さらに、半導体装置はＬＥＤに限定されず、半導体レーザや高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の他の用途であってもよい。
【００６０】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
１０…ＬＥＤ
１，１１…サファイア基板
２，１２…ＡｌＮバッファ層
２ａ，１２ａ…結晶グレイン
３，１３…ａ面ＧａＮ層
１４…ｎ型半導体層
１５…発光層
１６…ｐ型半導体層
１７…ｎ側電極
１８…ｐ側電極
【図１】
2020061510.tif 000003
【図２】
2020061510.tif 000004
【図３】
2020061510.tif 000005
【図４】
2020061510.tif 000006
【図５】
2020061510.tif 000007
【図６】
2020061510.tif 000008
【図７】
2020061510.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月8日(2019.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（比較例４）
スパッタ工程での基板温度を６００℃とし、到達真空度が４．４７×１０-４Ｐａである他は比較例１と同様の条件で比較例４の半導体成長用基板を得た。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（スパッタ条件）
図２は、スパッタ条件の違いによるＡｌＮバッファ層２中の不純物濃度と、ａ面ＧａＮ層３の結晶性を示す表である。ＡｌＮバッファ層２中の不純物濃度はＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定し、ａ面ＧａＮ層３の結晶性はＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像とＸ線回折により評価した。図中左側に実施例１の結果を示し、図中右側に比較例４の結果を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図２に示したように、ＡｌＮバッファ層２に含まれる不純物濃度は、実施例１では酸素濃度が６．５８×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、炭素濃度が２．１９×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。また、比較例４では酸素濃度が２．６６×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、炭素が９．７２×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。ＳＥＭ像およびＸ線回折の結果から、実施例１ではＡｌＮバッファ層２上に単結晶のａ面ＧａＮ層３を成長できているが、比較例４では単結晶のａ面ＧａＮ層３を成長できていないことわかる。したがって、スパッタ条件が５００℃以上であると、到達真空度が低いため不純物濃度が高くなり、単結晶のａ面ＧａＮ層を成長できないことがわかる。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図３中の（ｇ）〜（ｉ）に示すように、比較例５−７ではＡｌＮバッファ層２の表面にはランダムな形状の結晶グレイン２ａが形成されており、膜厚の増加に伴い結晶グレイン２ａのサイズが大きくなることがわかる。