(57)【要約】【課題】本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルムセット、ならびに、かかる封止用フィルムセットを用いた電子部品搭載基板の封止方法を提供すること。【解決手段】本発明の封止用フィルムセット１００は、電子部品搭載基板４５を封止するのに用いられ、絶縁層１２を備える絶縁フィルムと電磁波シールド層１３を備える電磁波シールドフィルムとを備えるものであり、絶縁層１２および電磁波シールド層１３はともに樹脂材料を含有し、絶縁フィルムは、電子部品搭載基板４５が備える少なくとも１つの電子部品４を覆う第１凹凸７を備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層を備える絶縁フィルムと、前記絶縁層の前記一方の面側に積層して配置され、電磁波シールド層を備える電磁波シールドフィルムとを有する封止用フィルムセットであって、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、
前記絶縁フィルムは、少なくとも１つの前記電子部品を覆う第１凹部を備えることを特徴とする封止用フィルムセット。
【請求項２】
前記第１凹部は、１つの前記電子部品を覆い、前記基板と前記絶縁フィルムとで画成される、該電子部品の形状に対応した内部空間を形成する請求項１に記載の封止用フィルムセット。
【請求項３】
前記電子部品の高さをＨ１［ｍｍ］とし、前記内部空間の高さをＨ２［ｍｍ］としたとき、１．０＜Ｈ１／Ｈ２＜１．４なる関係を満足する請求項２に記載の封止用フィルムセット。
【請求項４】
前記絶縁フィルムおよび前記電磁波シールドフィルムは、それぞれ、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の封止用フィルムセット。
【請求項５】
前記電磁波シールドフィルムは、前記絶縁フィルムの前記第１凹部を介して、少なくとも１つの前記電子部品を覆う第２凸部を備える請求項１ないし４のいずれか１項に記載の封止用フィルムセット。
【請求項６】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側または他方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された電極を備え、前記電磁波シールド層は、前記絶縁フィルムの前記一方の面側に前記電磁波シールドフィルムを積層した際に、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えており、
前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記電極に接触するよう構成されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の封止用フィルムセット。
【請求項７】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面の縁部、もしくは前記電子部品の周囲に、前記電極を備える請求項６に記載の封止用フィルムセット。
【請求項８】
前記電極は、グランド電極である請求項６または７に記載の封止用フィルムセット。
【請求項９】
前記絶縁フィルムおよび前記電磁波シールドフィルムは、それぞれ、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の封止用フィルムセット。
【請求項１０】
前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する請求項１ないし９のいずれか１項に記載の封止用フィルムセット。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の封止用フィルムセットを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記電子部品に、前記絶縁フィルムが備える前記第１凹部が対応するように前記絶縁フィルムを配置する第１配置工程と、
前記絶縁フィルムを介して、前記基板と前記電子部品とを覆うように前記電磁波シールドフィルムを配置する第２配置工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方を加熱する加熱工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方を冷却することで、前記基板と前記電子部品とを、前記絶縁フィルムおよび前記電磁波シールドフィルムで封止する冷却工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の封止用フィルムセットを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記電子部品に、前記絶縁フィルムが備える前記第１凹部が対応するように前記絶縁フィルムを配置する第１配置工程と、
前記絶縁フィルムを介して、前記基板と前記電子部品とを覆うように前記電磁波シールドフィルムを配置する第２配置工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方を、前記基板および前記電子部品に圧着する圧着工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方の前記基板および前記電子部品に対する圧着を解除する解除工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止用フィルムセットおよび電子部品搭載基板の封止方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、スマートフォン、電卓、電子新聞、タブレット端末、テレビ電話、パーソナルコンピュータのような電子機器には、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルのような電子部品が搭載された電子部品搭載基板が実装されるが、この電子部品搭載基板は、湿気や埃等の外部因子との接触を防止することを目的に、樹脂により封止がなされることがある。
【０００３】
このような樹脂による封止は、例えば、電子部品搭載基板を金属キャビティ内に配置した後に、流動性の高いウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂を注入して封止するポッティング法の他、熱可塑性樹脂を溶融状態で電子部品搭載基板に塗布した後に、固化させることで塗布した領域をコーティング（封止）するコーティング法が知られている。
【０００４】
しかしながら、ポッティング法では、熱硬化性樹脂の硬化に時間を要し、さらには、通常、封止に金属キャビティを要するため、得られる電子機器の重量化を招くと言う問題があった。また、コーティング法では、溶融状態とする熱可塑性樹脂の粘度管理、および、熱可塑性樹脂の塗布領域に対する塗り分けに時間と手間を要すると言う問題があった。
【０００５】
かかる問題点を解決することを目的に、ホットメルト性を有するバリアフィルムを電子部品搭載基板に貼付することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
ところが、この場合、電子部品搭載基板が電子部品を備えることに起因して形成される凹凸に対する追従性が十分に得られず、その結果、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を十分に向上させるには至っていない。
【０００７】
さらに、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を付与する他に、前記電子部品に対する電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を、バリアフィルム（封止用フィルムセット）に付与することが求められる。
【０００８】
さらに、例えば、電子部品搭載基板の全面をバリアフィルムで覆うと、電子部品搭載基板をその外部と電気的に接続するための電極を電子部品搭載基板が備える場合、この電極もバリアフィルムで覆われ、その結果、電極と外部との電気的な接続を確保することが困難となることもあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−９９４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルムセット、ならびに、かかる封止用フィルムセットを用いた電子部品搭載基板の封止方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層を備える絶縁フィルムと、前記絶縁層の前記一方の面側に積層して配置され、電磁波シールド層を備える電磁波シールドフィルムとを有する封止用フィルムセットであって、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、
前記絶縁フィルムは、少なくとも１つの前記電子部品を覆う第１凹部を備えることを特徴とする封止用フィルムセット。
【００１２】
（２）  前記第１凹部は、１つの前記電子部品を覆い、前記基板と前記絶縁フィルムとで画成される、該電子部品の形状に対応した内部空間を形成する上記（１）に記載の封止用フィルムセット。
【００１３】
（３）  前記電子部品の高さをＨ１［ｍｍ］とし、前記内部空間の高さをＨ２［ｍｍ］としたとき、１．０＜Ｈ１／Ｈ２＜１．４なる関係を満足する上記（２）に記載の封止用フィルムセット。
【００１４】
（４）  前記絶縁フィルムおよび前記電磁波シールドフィルムは、それぞれ、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の封止用フィルムセット。
【００１５】
（５）  前記電磁波シールドフィルムは、前記絶縁フィルムの前記第１凹部を介して、少なくとも１つの前記電子部品を覆う第２凸部を備える上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の封止用フィルムセット。
【００１６】
（６）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側または他方の面側に、前記電子部品に電気的に接続された電極を備え、前記電磁波シールド層は、前記絶縁フィルムの前記一方の面側に前記電磁波シールドフィルムを積層した際に、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えており、
前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記電極に接触するよう構成されている上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の封止用フィルムセット。
【００１７】
（７）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面の縁部、もしくは前記電子部品の周囲に、前記電極を備える上記（６）に記載の封止用フィルムセット。
【００１８】
（８）  前記電極は、グランド電極である上記（６）または（７）に記載の封止用フィルムセット。
【００１９】
（９）  前記絶縁フィルムおよび前記電磁波シールドフィルムは、それぞれ、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の封止用フィルムセット。
【００２０】
（１０）  前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の封止用フィルムセット。
【００２１】
（１１）  上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の封止用フィルムセットを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記電子部品に、前記絶縁フィルムが備える前記第１凹部が対応するように前記絶縁フィルムを配置する第１配置工程と、
前記絶縁フィルムを介して、前記基板と前記電子部品とを覆うように前記電磁波シールドフィルムを配置する第２配置工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方を加熱する加熱工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方を冷却することで、前記基板と前記電子部品とを、前記絶縁フィルムおよび前記電磁波シールドフィルムで封止する冷却工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【００２２】
（１２）  上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の封止用フィルムセットを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記電子部品に、前記絶縁フィルムが備える前記第１凹部が対応するように前記絶縁フィルムを配置する第１配置工程と、
前記絶縁フィルムを介して、前記基板と前記電子部品とを覆うように前記電磁波シールドフィルムを配置する第２配置工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方を、前記基板および前記電子部品に圧着する圧着工程と、
前記絶縁フィルムと前記電磁波シールドフィルムとの双方の前記基板および前記電子部品に対する圧着を解除する解除工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、封止用フィルムセットを構成する絶縁フィルムが有する絶縁層および電磁波シールドフィルムが有する電磁波シールド層がともに樹脂材料を主材料として構成され、かつ、絶縁フィルムは、少なくとも１つの電子部品を覆う第１凹部を備えている。そのため、基板と電子部品とを覆い、かつ、電子部品に、封止用フィルムセットが備える第１凹部が対応するように絶縁フィルムを配置し、さらに、絶縁フィルムを介して、基板と電子部品とを覆うように電磁波シールドフィルムを配置し、その後、絶縁フィルムと電磁波シールドフィルムとの双方を加熱した後に、絶縁フィルムと電磁波シールドフィルムとの双方を冷却することにより、電子部品搭載基板が備える電子部品により形成された凸部に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムセットを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。
【００２４】
また、封止用フィルムセット（絶縁フィルムと電磁波シールドフィルムとの双方）により、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層（絶縁フィルム）を介して電磁波シールド層（電磁波シールドフィルム）で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【００２５】
さらに、電磁波シールドフィルムが備える電磁波シールド層が、絶縁フィルムが備える絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、封止用フィルムセットにより、電子部品の他に、さらに、電極をも被覆する場合には、電極は、導電性を有する電磁波シールド層と接触して封止され、そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板おいて、この電磁波シールド層を介した電極と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の封止用フィルムセットの第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す封止用フィルムセットを製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図１に示す封止用フィルムセットを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図４】本発明の封止用フィルムセットの第２実施形態を示す縦断面図である。
【図５】図４に示す封止用フィルムセットを製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図６】図４に示す封止用フィルムセットを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図７】本発明の封止用フィルムセットの第３実施形態を示す縦断面図である。
【図８】図７に示す封止用フィルムセットを製造する製造方法を説明するための縦断面図である。
【図９】図７に示す封止用フィルムセットを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の封止用フィルムセットおよび電子部品搭載基板の封止方法を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。
【００２８】
本発明の封止用フィルムセットは、基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられ、絶縁層を備える絶縁フィルムと、前記絶縁層の前記一方の面側に積層して配置され、電磁波シールド層を備える電磁波シールドフィルムとを有する封止用フィルムセットであって、前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、前記絶縁フィルムは、少なくとも１つの前記電子部品を覆う第１凹部を備えることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、上記の封止用フィルムセットを用いて、基板と電子部品とを封止する封止方法であり、基板と電子部品とを覆い、かつ、電子部品に、絶縁フィルムが備える第１凹部が対応するように絶縁フィルムを配置する第１配置工程と、絶縁フィルムを介して、基板と電子部品とを覆うように電磁波シールドフィルムを配置する第２配置工程と、絶縁フィルムと電磁波シールドフィルムとの双方を加熱する加熱工程と、絶縁フィルムと電磁波シールドフィルムとの双方を冷却することで、基板と電子部品とを、絶縁フィルムおよび電磁波シールドフィルムで封止する冷却工程とを有することを特徴とする。
【００３０】
このような封止用フィルムセットを用いて、基板上に電子部品が搭載されることにより形成された凸部を被覆すると、前記冷却工程において、軟化された状態の封止用フィルムセットが、加熱された状態で冷却される。さらに、配置工程において、絶縁フィルムは、電子部品搭載基板が備える電子部品に対応して形成された凸部に、この絶縁フィルムセットが予め備える凹凸を対応させて配置される。これらのことから、封止用フィルムセットにより基板と電子部品とを優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルムセットを被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、基板上の電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を備える電子機器の信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】
また、封止用フィルムセット（絶縁フィルムと電磁波シールドフィルムとの双方）により、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層（電磁波シールドフィルム）で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【００３２】
さらに、電磁波シールドフィルムが備える電磁波シールド層が、絶縁フィルムが備える絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、封止用フィルムセットにより、電子部品の他に、さらに、電極をも被覆する場合には、電極は、突出部において導電性を有する電磁波シールド層（電磁波シールドフィルム）と接触して封止され、そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板おいて、この電磁波シールド層を介した電極と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【００３３】
＜封止用フィルムセット＞
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の封止用フィルムセット１００の第１実施形態について説明する。
【００３４】
図１は、本発明の封止用フィルムセットの第１実施形態を示す縦断面図、図２は、図１に示す封止用フィルムセットを製造する製造方法を説明するための縦断面図、図３は、図１に示す封止用フィルムセットを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１〜図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３５】
封止用フィルムセット１００は、本実施形態では、絶縁層１２で構成される絶縁フィルムと、この絶縁層１２（絶縁フィルム）の一方の面側（上面側）に積層して配置される電磁波シールド層１３で構成される電磁波シールドフィルムとを備え、絶縁層１２および電磁波シールド層１３が、ともに、樹脂材料を含有し、かつ、基板５に電子部品４が搭載されることで電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６が備える凸部６１に対応して予め形成された第１凹凸７が備える第１凹部７２を備えるものである。
【００３６】
この封止用フィルムセット１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、基板５と、基板５の上面（一方の面）の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面の端部に形成された電極３とを備えている（図３（ａ）参照）。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成され、この凹凸６が、封止用フィルムセット１００を用いて被覆される。
【００３７】
なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
【００３８】
このような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる、封止用フィルムセット１００は、本実施形態では、絶縁層１２で構成される絶縁フィルムと、絶縁層１２の上面側に積層して配置される電磁波シールド層１３で構成される電磁波シールドフィルムとを有しており、これら絶縁層１２および電磁波シールド層１３は、ともに、樹脂材料（熱可塑性樹脂材料）を含有する。
【００３９】
この樹脂材料（熱可塑性樹脂材料）としては、特に限定されないが、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体、延伸ポリプロピレン、未延伸ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートのようなポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６、ナイロン−６，１０、ヘキサメチレンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−６Ｔ、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸とからなるナイロン−６Ｉ、ノナンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−９Ｔ、メチルペンタジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−Ｍ５Ｔ、カプロラクタムとラウリルラクタムとからなるナイロン−６，１２、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とカプロラクタムとからなるナイロン−６−６，６のようなポリアミド系樹脂、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニルおよびポリビニルアルコール等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のそれぞれに含まれる樹脂材料は、同一のものであってもよいし、異なるものであっても良い。
【００４０】
また、樹脂材料を含有する絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち、絶縁層１２は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２および電磁波シールド層１３をかかる構成のものとすることで、絶縁層１２を、絶縁性を有し、電磁波シールド層１３を、導電性および電磁波シールド性の双方を有するものとし得る。
【００４１】
さらに、上記のような樹脂材料を含有する絶縁層１２で構成される絶縁フィルムと、電磁波シールド層１３で構成される電磁波シールドフィルムとは、ともに、後に詳述する通り、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることが好ましい。そのため、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうちの一方が樹脂材料としてポリオレフィン系樹脂を含有し、他方が樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有することが好ましい。絶縁層１２および電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料をこのような組み合わせとすることで、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の伸び率を、ともに、前記範囲内に比較的容易に設定することができる。
【００４２】
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層１２で構成された絶縁フィルムと、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層１３で構成された電磁波シールドフィルムとを備え、さらに、絶縁層１２に含まれる樹脂材料がポリオレフィン系樹脂であり、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料がアイオノマー樹脂である封止用フィルムセット１００を、一例として説明する。
【００４３】
絶縁フィルムは、絶縁層１２で構成され、図１、図３に示すように、基板５に電子部品４が搭載されることで電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応する第１凹凸７を予め備えている。すなわち、絶縁層１２は、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の凸部６１に対応して予め形成された、第１凹凸７の第１凹部７２と、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の凹部６２に対応して予め形成された、第１凹凸７の第１凸部７１とを備えている。このように、電子部品搭載基板４５の凹凸６の形状に対応した第１凹凸７を絶縁層１２が予め備えていることにより、絶縁層１２を有する封止用フィルムセット１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６を被覆する際に、基板５に搭載された電子部品４が、第１凹部７２により覆われ、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止された状態で絶縁層１２により被覆することができる。
【００４４】
この絶縁層１２は、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
【００４５】
また、絶縁層１２は、樹脂材料（ポリオレフィン系樹脂）としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルムセット１００で被覆する際に、電子部品４と導電性を有する電磁波シールド層１３との間に介在することで、電子部品４同士、さらには電子部品４と電極３との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。
【００４６】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、絶縁層１２を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、絶縁層１２に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、前記添加剤が電子部品搭載基板４５側に移行し、その結果、電子部品４の特性に不都合が生じるおそれがある。
【００４７】
また、絶縁層１２の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層１２の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【００４８】
なお、絶縁層１２に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよいし、さらには、ナイロン６、ナイロン６６のようなポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートのようなポリエステル系樹脂等であってもよい。
【００４９】
絶縁層１２に含まれる樹脂材料がこれらのもので構成される場合についても、絶縁層１２に含まれる樹脂材料がポリオレフィン系樹脂（エチレン−酢酸ビニル共重合体）である場合と、ほぼ同様の効果を得ることができる。
【００５０】
さらに、絶縁層１２に含まれる樹脂材料は、これらのもののうち１種で構成されるものであってもよいし、２種以上のもので構成されるものであってもよい。また、２種以上のもので構成される場合、絶縁層１２は、２種以上のものが任意に組み合わされた単層体または多層体であってもよい。
【００５１】
電磁波シールドフィルムは、電磁波シールド層１３で構成され、図１、図３に示すように、上述した絶縁層１２（絶縁フィルム）で被覆された凹凸６に対応する第２凹凸９を予め備えている。すなわち、電磁波シールド層１３は、第１凹部７２が対応するように絶縁層１２で被覆された凸部６１に対して予め形成された、第２凹凸９の第２凹部９２と、第１凸部７１が対応するように絶縁層１２で被覆された凹部６２に対して予め形成された、第２凹凸９の第２凸部９１とを備えている。このように、絶縁層１２（絶縁フィルム）で被覆された凹凸６の形状に対応した第２凹凸９を電磁波シールド層１３が予め備えていることにより、電磁波シールド層１３を有する封止用フィルムセット１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６を被覆する際に、基板５に搭載された電子部品４が、第１凹部７２により覆われ、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で電磁波シールド層１３により被覆することができる。
【００５２】
この電磁波シールド層１３は、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルムセット１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、この樹脂材料（アイオノマー）は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。
【００５３】
また、電磁波シールド層１３は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、導電性および電磁波シールド性を備える層である。そして、この電磁波シールド層１３は、本実施形態では、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【００５４】
このような電磁波シールド層１３により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルムセット１００で被覆する際に、その中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。そのため、電子部品搭載基板４５を封止用フィルムセット１００で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【００５５】
なお、突出部１５には、図１、図３に示すように、基板５に電極３が設けられることで電子部品搭載基板４５に形成された凸部６１に対応して第２凹部９２が予め形成されており、この第２凹部９２は、絶縁層１２を介在することなく、直接、凸部６１を封止した状態で被覆する。
【００５６】
ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００５７】
また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）、リチウムイオン（Ｌｉ＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）または亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した電磁波シールド層１３としての機能をより顕著に発揮させることができる。
【００５８】
さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。
【００５９】
また、導電性粒子は、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を付与し得るものであれば、特に限定されず、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ２Ｏ４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、導電性粒子は、このような金属および／または金属酸化物を含むものの他、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレンのような導電性高分子、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンブラックのような炭素系材料を含有するものであってもよい。
【００６０】
導電性粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上４０．０μｍ以下であるのが好ましく、３．０μｍ以上８．０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、導電性粒子を電磁波シールド層１３中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波シールド層１３を、このものとしての特性を均質に発揮するものとできる。
【００６１】
また、電磁波シールド層１３中における導電性粒子の含有量は、１０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与しつつ、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。
【００６２】
また、電磁波シールド層１３の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電磁波シールド層１３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルムセット１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。さらに、電磁波シールド層１３に、導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与することができる。
【００６３】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層１２に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよいし、ナイロン６、ナイロン６６のようなポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンサクシネート、ポリエチレン−２，６−ナフタレートのようなポリエステル系樹脂等であってもよい。
【００６４】
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料がこれらのもので構成される場合についても、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料がアイオノマー樹脂である場合と、ほぼ同様の効果を得ることができる。
【００６５】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料は、これらのもののうち１種で構成されるものであってもよいし、２種以上のもので構成されるものであってもよい。また、２種以上のもので構成される場合、電磁波シールド層１３は、２種以上のものが任意に組み合わされた単層体または多層体であってもよく、さらに、電磁波シールド層１３が多層体で構成される場合、多層体のうちの少なくとも１層に、導電性粒子が含まれていればよい。
【００６６】
また、電磁波シールド層１３は、上述したような樹脂材料と導電性材料とを含有する層を含む単層体または多層体である場合の他、金属材料で構成される金属層をさらに備える多層体であってもよい。なお、この金属層は、金、銀、アルミニウム、クロム、ジルコニウム、コバルト、ニッケルのうちの１種の金属材料で構成されるものであってもよいし、これら金属材料を２種以上含むステンレス鋼、コバルト系合金のような合金であってもよいし、さらに、これら金属材料の少なくも１種を含む金属酸化物、金属ハロゲン化物、金属窒化物、金属炭化物等で構成されるものであってもよい。また、この金属層は、金属箔または蒸着膜等のいずれであってもよい。
【００６７】
なお、封止用フィルムセット１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間において、接着性を付与したり、あるいはこれら同士の接着性を高めるために、絶縁層１２の電磁波シールド層１３側の表面、および、電磁波シールド層１３の絶縁層１２側の表面のうちの少なくとも一方に、接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の電磁波シールド層１３と反対側の表面に接着層を設けることもできる。
【００６８】
接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、ＥＶＡ、エチレン−無水マレイン酸共重合体、ＥＡＡ、ＥＥＡ、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化ＥＶＡ、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。
【００６９】
さらに、電磁波シールド層１３を保護すること、また、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性を確保することを目的に、必要に応じて電磁波シールド層１３の絶縁層１２と反対側の表面に被覆層を設けることもできる。この被覆層としては、絶縁層１２として説明したのと同様の構成のものを用いることができる。
【００７０】
ここで、絶縁層１２および電磁波シールド層１３を、それぞれ、上記のような構成のものとすることで、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定することができるが、この伸び率は、１５０％以上３５００％以下であればよいが、６００％以上３５００％以下であることが好ましく、２０００％以上３５００％以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルムセット１００を、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって、より確実に封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルムセット１００が途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。
【００７１】
また、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が１０ｍｍ以上のように段差が大きいものであったとしても、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を凹凸６の形状により確実に対応して追従させることができる。
【００７２】
なお、破断伸び（軟化点における伸び率）の測定は、オートグラフ装置（例えば、島津製作所製、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ  ＡＧＳ−Ｘ等）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に記載の方法に準拠して測定することができる。
【００７３】
また、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の軟化点は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分および角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。
【００７４】
さらに、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、それぞれ、３５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上４０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルムセット１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）の加熱時において、封止用フィルムセット１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルムセット１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）と、基板５、電子部品４さらには電極３との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルムセット１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて算出し得る。
【００７５】
また、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の８０℃における貯蔵弾性率は、それぞれ、１×１０５Ｐａ以上であることが好ましく、２×１０５Ｐａ以上９×１０８Ｐａ以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を凹凸６の形状に対応してより確実に追従させることができる。そのため、封止用フィルムセット１００を凹凸６に対してより優れた密着性（気密性）をもって、被覆し得ることから、封止用フィルムセット１００の被覆により、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性をより確実に向上させることができる。なお、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の８０℃における貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分及び角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。
【００７６】
さらに、本実施形態では、封止用フィルムセット１００では、前述のとおり、図１、図３に示すように、絶縁層１２（絶縁フィルム）は、基板５に電子部品４が搭載されることで電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応する第１凹凸７を備え、さらに、電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）は、前記絶縁層１２（絶縁フィルム）で被覆された凹凸６に対応する第２凹凸９を予め備えている。このような第１凹凸７を備える絶縁層１２と、第２凹凸９を備える電磁波シールド層１３とを有する封止用フィルムセット１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６を被覆することで、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で、封止用フィルムセット１００により凹凸６を被覆することができる。
【００７７】
また、電子部品搭載基板４５における凹凸６の凸部６１の高さ、すなわち電子部品４の高さをＨ１［ｍｍ］とし、絶縁層１２（絶縁フィルム）における第１凹凸７の第１凹部７２の深さ、すなわち内部空間の高さをＨ２［ｍｍ］としたとき、１．０＜Ｈ１／Ｈ２＜１．４なる関係を満足することが好ましく、１．０＜Ｈ１／Ｈ２＜１．２なる関係を満足することがより好ましい。かかる関係を満足することにより、絶縁層１２を備える封止用フィルムセット１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６を被覆する際に、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を加熱することで、予め第１凹凸７が形成された絶縁層１２において、たとえ収縮が生じたとしても、絶縁層１２の一部において、剥がれや、破断が生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【００７８】
さらに、封止用フィルムセット１００において、電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）は、図１、図３に示すように、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを積層した際に、本実施形態では、その面方向において、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。そのため、この封止用フィルムセット１００を用いた被覆の際に、基板５の上面側の端部に形成された電極３に、突出部１５を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１５は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。さらに、突出部１５には、基板５に電極３が設けられることで電子部品搭載基板４５に形成された凸部６１に対応して第２凹部９２が予め形成されており、この第２凹部９２により、絶縁層１２を介在させることなく、直接、凸部６１が封止した状態で被覆される。
【００７９】
また、この突出部１５の長さは、特に限定されないが、０．１ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上１．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側の端部に形成された電極３に到達させることができるため、突出部１５と電極３との電気的な接続をより確実に実現することができる。
【００８０】
また、封止用フィルムセット１００の全体としての平均厚さ、すなわち、絶縁層１２（絶縁フィルム）と電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）との合計の平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルムセット１００の全体としての平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルムセット１００の途中において、封止用フィルムセット１００が破断するのを的確に抑制または防止することができる。
【００８１】
（封止用フィルムセットの製造方法）
以上のような構成をなす、本実施形態の封止用フィルムセット１００は、例えば、以下に示すような封止用フィルムセットの製造方法により製造することができる。
【００８２】
封止用フィルムセットの製造方法は、ともに平板状（シート状）をなす絶縁層１２（絶縁フィルム）と電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）とで構成される封止用フィルムセット１００を用意した後に、この封止用フィルムセット１００を、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とをこの順で型取り用母型基板８５側から積層した状態で、型取り用母型基板８５が有する凹凸８を覆うように配置する配置工程と、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルムセット１００を冷却させるとともに、加圧することで、型取り用母型基板８５の凹凸８を封止用フィルムセット１００で被覆する冷却・加圧工程と、第１凹凸７および第２凹凸９を備える封止用フィルムセット１００を型取り用母型基板８５から離脱させる離脱工程とを有する。
【００８３】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、平板状（シート状）をなす封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）と、凹凸８を有する型取り用母型基板８５とを用意した後に、図２（ａ）に示すように、封止用フィルムセット１００が備える絶縁層１２（絶縁フィルム）および電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）のうち絶縁層１２を、型取り用母型基板８５側にして、この順で積層した状態で、型取り用母型基板８５の凹凸８を覆うように、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を型取り用母型基板８５上に配置する。
【００８４】
なお、本工程において、絶縁層１２および電磁波シールド層１３を型取り用母型基板８５上に配置する際には、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間には、フッ素系離型剤およびシリコーン系離型剤のような離型剤による表面処理が施された剥離シートが介在されていることが好ましい。これにより、後述する離脱工程において、封止用フィルムセット１００を型取り用母型基板８５から離脱させる際に、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とが接合することなく、絶縁層１２（絶縁フィルム）と電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）とを別体として確実に得ることができる。
【００８５】
また、平板状をなす絶縁層１２および電磁波シールド層１３を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法等を用いて、絶縁層１２および電磁波シールド層１３をそれぞれ成膜することにより、平板状をなす絶縁層１２および電磁波シールド層１３を得ることができる。
【００８６】
さらに、型取り用母型基板８５は、その凹凸８が、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより得られる電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に対応した形状をなしており、樹脂材料または金属材料等の構成材料で構成され、例えば、金型等の型を用いて形成することができる他、前記構成材料で構成される平板を凹凸８（凸部８１、凹部８２）の形状に対応してエッチングすること等により製造することができる。
【００８７】
（加熱・減圧工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【００８８】
このように、封止用フィルムセット１００を加熱することにより、封止用フィルムセット１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、型取り用母型基板８５が備える凹凸８（凸部８１、凹部８２）の形状に対して、追従し得る状態となる。
【００８９】
また、この際、型取り用母型基板８５および封止用フィルムセット１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルムセット１００の上側ばかりでなく、型取り用母型基板８５と封止用フィルムセット１００との間の気体（空気）が脱気される。
【００９０】
これにより、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）が伸展しながら、型取り用母型基板８５が備える凹凸８の形状に若干追従した状態となる。
【００９１】
本工程により、型取り用母型基板８５に形成された凹凸８の形状に対して、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を、追従し得る状態とすることができる。
【００９２】
なお、封止用フィルムセット１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルムセット１００を、凹凸８の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【００９３】
（冷却・加圧工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を冷却させるとともに、加圧する。
【００９４】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、型取り用母型基板８５と封止用フィルムセット１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルムセット１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸８の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルムセット１００により、型取り用母型基板８５が被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸８の形状に対応して封止用フィルムセット１００が十分に追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【００９５】
この際、本実施形態では、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の軟化点における伸び率がそれぞれ１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、絶縁層１２および電磁波シールド層１３は、この加圧時に、型取り用母型基板８５に形成された凹凸８（凸部８１、凹部８２）に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルムセット１００により、型取り用母型基板８５を優れた追従性をもって被覆することができる。
【００９６】
そして、封止用フィルムセット１００により、型取り用母型基板８５を、優れた追従性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルムセット１００が固化する。
【００９７】
また、型取り用母型基板８５は、前述の通り、１つの構成材料により構成され、凹凸８が一体的に形成されている。そのため、かかる観点からも、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより凹凸６が形成される電子部品搭載基板４５に、封止用フィルムセット１００を被覆する場合と比較して、型取り用母型基板８５に形成された凹凸８に対して、優れた追従性（気密性）をもって封止用フィルムセット１００を被覆することができる。
【００９８】
なお、封止用フィルムセット１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸８の形状に対応して、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）をより優れた追従性をもって被覆させることができる。
【００９９】
（離脱工程）
次に、図２（ｄ）に示すように、封止用フィルムセット１００を型取り用母型基板８５から離脱させる。
【０１００】
これにより、型取り用母型基板８５の凹凸８、すなわち、電子部品搭載基板４５が有する凹凸６の形状に対応した第１凹凸７（第１凸部７１、第１凹部７２）を備える絶縁層１２（絶縁フィルム）と、絶縁層１２により被覆された凹凸６の形状に対応した第２凹凸９（第２凸部９１、第２凹部９２）を備える電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）とを有する封止用フィルムセット１００が形成される。
【０１０１】
なお、前述した配置工程において、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間に、剥離シートを介在させた場合には、本工程において、この剥離シートを絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間から離脱させる。これにより、絶縁層１２（絶縁フィルム）と電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）とが別体として得られることとなる。
【０１０２】
また、型取り用母型基板８５が有する凹凸８には、配置工程に先立って、フッ素系離型剤およびシリコーン系離型剤のような離型剤による表面処理を施すようにしてもよい。これにより、本工程における、封止用フィルムセット１００の型取り用母型基板８５からの離脱をより円滑に実施することができる。
【０１０３】
上記の工程を経ることで、第１凹凸７を予め備える絶縁層１２と、第２凹凸９を予め備える電磁波シールド層１３とを有する封止用フィルムセット１００を得ることができる。
【０１０４】
（電子部品搭載基板の封止方法）
次に、上述した本実施形態の封止用フィルムセット１００を用いた電子部品搭載基板４５の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。
【０１０５】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、電子部品搭載基板４５に形成される凹凸６に、絶縁層１２が予め備える第１凹凸７が対応するように封止用フィルムセット１００が備える絶縁層１２（絶縁フィルム）を配置する第１配置工程と、絶縁層１２（絶縁フィルム）を介して、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、絶縁層１２で被覆された凹凸６に、電磁波シールド層１３が予め備える第２凹凸９が対応するように封止用フィルムセット１００が備える電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）を配置する第２配置工程と、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３の双方）を加熱する加熱工程と、封止用フィルムセット１００を冷却することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）で封止する冷却工程とを有する。
【０１０６】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（第１配置工程）
まず、図３（ａ）に示すように、封止用フィルムセット１００が備える電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）と絶縁層１２（絶縁フィルム）とを、絶縁層１２が電子部品搭載基板４５側となるように位置させ、その後、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０１０７】
この際、本発明では、絶縁層１２には、第１凹凸７が予め形成されており、この第１凹凸７を、基板５に電子部品４を搭載することで形成された電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対応させる。すなわち、電子部品搭載基板４５の凸部６１（電子部品４）に対応するように、封止用フィルムセット１００に予め形成された第１凹凸７の第１凹部７２を配置し、電子部品搭載基板４５の凹部６２に対応するように、封止用フィルムセット１００に予め形成された第１凹凸７の第１凸部７１を配置する（図３（ｂ）参照）。
【０１０８】
この絶縁層１２による基板５の被覆において、第１凹部７２は、電子部品４（凸部６１）を覆い、基板５と絶縁層１２（第１凹部７２）とで画成される内部空間が電子部品４の形状に対応して形成されることから、この内部空間内に電子部品４が収納される。
【０１０９】
（第２配置工程）
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁層１２で被覆された基板５と電子部品４とを覆い、さらに、本実施形態では、電極３をも覆うように、電磁波シールド層１３を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０１１０】
この際、本実施形態では、電磁波シールド層１３には、第２凹凸９が予め形成されており、この第２凹凸９を、絶縁層１２で被覆された凹凸６に対応させる。すなわち、絶縁層１２で被覆された凸部６１（電子部品４）に対応して、電磁波シールド層１３に予め形成された第２凹凸９の第２凹部９２を配置し、絶縁層１２で被覆された凹部６２に対応して、電磁波シールド層１３に予め形成された第２凹凸９の第２凸部９１を配置する。
【０１１１】
この電磁波シールド層１３による基板５の被覆において、電子部品４（凸部６１）を覆う第２凹部９２は、絶縁層１２を介して電子部品４を被覆し、これに対して、電極３（凸部６１）を覆う第２凹部９２は、絶縁層１２を介在させることなく、電極３を直接被覆する。
【０１１２】
（加熱工程）
次に、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３の双方）を加熱する。
【０１１３】
このように、封止用フィルムセット１００を加熱することにより、封止用フィルムセット１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４を搭載すること、さらに、本実施形態では、基板５上に電極３を設けることにより形成された凹凸６の形状に対して、密着し得る状態となる。
【０１１４】
また、この際、減圧雰囲気下に配置することが好ましい。これにより、封止用フィルムセット１００の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルムセット１００との間の気体（空気）をも脱気することができる。その結果、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）が軟化しながら、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４さらには、本実施形態では、電極３の形状に対して、絶縁層１２の第１凹部７２および電磁波シールド層１３の第２凹部９２が若干密着した状態となる。
【０１１５】
なお、減圧雰囲気下に配置する場合、封止用フィルムセット１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を、確実に凹凸６の形状に若干密着した状態とすることができる。
【０１１６】
（冷却工程）
次に、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を冷却させる。
【０１１７】
そして、この冷却とともに、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を加圧することが好ましい。
【０１１８】
前記加熱工程で、電子部品搭載基板４５および封止用フィルムセット１００を減圧雰囲気下に配置した場合、このように本工程において、封止用フィルムセット１００を減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルムセット１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、第１凹凸７を備える絶縁層１２および第２凹凸９を備える電磁波シールド層１３の双方がさらに伸展することとなる。その結果、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルムセット１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、本実施形態では、電極３をも被覆される（図３（ｃ）参照）。すなわち、電子部品搭載基板４５が備える凸部６１（電子部品４）が、これに対応して配置された絶縁層１２の第１凹部７２により、優れた密着度で追従した状態で被覆され、さらに、電子部品搭載基板４５が備える凸部６１（電極３）が、これに対応して配置された電磁波シールド層１３の第２凹部９２により、優れた密着度で追従した状態で被覆される。
【０１１９】
なお、前記加熱工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）が十分に追従している場合、すなわち、凸部６１（電子部品４）の形状に対応して絶縁層１２の第１凹部７２が十分に追従し、かつ、凸部６１（電極３）の形状に対応して電磁波シールド層１３の第２凹部９２が十分に追従している場合には、加圧工程を省略することができる。
【０１２０】
そして、軟化した封止用フィルムセット１００により、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従（被覆）した状態で、封止用フィルムセット１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルムセット１００が固化する。
【０１２１】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルムセット１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０１２２】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルムセット１００は、絶縁層１２（絶縁フィルム）および電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）の２つのフィルムで構成されるが、これらを厚さ方向において重ねたとき、本実施形態では、その面方向において、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【０１２３】
そのため、本工程において、電磁波シールド層１３の中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
【０１２４】
さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０１２５】
なお、本工程において、電子部品搭載基板４５および封止用フィルムセット１００を加圧雰囲気下に配置する場合、封止用フィルムセット１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルムセット１００をより優れた追従性をもって被覆させることができる。
【０１２６】
上記の工程を経ることで、封止用フィルムセット１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１２７】
さらに、本実施形態の封止用フィルムセット１００を用いた電子部品搭載基板４５の封止方法では、前述した第１配置工程と第２配置工程との後に実施される、加熱工程と、冷却工程とに代えて、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２と電磁波シールド層１３との双方）を、基板５および電子部品４に圧着する圧着工程と、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２と電磁波シールド層１３との双方）の基板５および電子部品４に対する圧着を解除する解除工程とを実施することによっても、封止用フィルムセット１００により電子部品搭載基板４５を封止（被覆）することができる。
【０１２８】
以下、これら圧着工程および解除工程について説明する。
（圧着工程）
まず、第１配置工程および第２配置工程を経ることで、電子部品搭載基板４５に配置された封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３の双方）に対して、圧着する。
【０１２９】
この圧着は、例えば、形成すべき封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の形状に対応する成形型を用いて行うことができ、具体的には、成形型として、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の上面側の形状に対応した第１の型と、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の下面側の形状に対応した第２の型とを有するものを用意し、これら第１の型と第２の型との間に、電子部品搭載基板４５に配置された封止用フィルムセット１００を設置した状態で、第１の型と第２の型との離間距離を接近させることにより実施することができる。
【０１３０】
このように、封止用フィルムセット１００を圧着することにより、封止用フィルムセット１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３の少なくとも表面が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４を搭載すること、さらに、本実施形態では、基板５上に電極３を設けることにより形成された凹凸６の形状に対して、絶縁層１２および電磁波シールド層１３が密着することとなる。
【０１３１】
（解除工程）
次に、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）の電子部品搭載基板４５に対する圧着を解除する。
【０１３２】
このように本工程において、電子部品搭載基板４５に対する圧着を解除することで、少なくとも表面が軟化している封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）が、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に密着（追従）した状態を維持したまま、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）が固化する。
【０１３３】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルムセット１００により、基板５と電子部品４と電極３とを被覆することができる。
【０１３４】
上記の工程を経ることによっても、封止用フィルムセット１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１３５】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の封止用フィルムセット１００の第２実施形態について説明する。
【０１３６】
図４は、本発明の封止用フィルムセットの第２実施形態を示す縦断面図、図５は、図４に示す封止用フィルムセットを製造する製造方法を説明するための縦断面図、図６は、図４に示す封止用フィルムセットを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１３７】
以下、第２実施形態の封止用フィルムセット１００について、前記第１実施形態の封止用フィルムセット１００との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１３８】
第２実施形態の封止用フィルムセット１００では、図４に示す通り、絶縁層１２は、図１に示す第１実施形態の封止用フィルムセット１００が備える絶縁層１２と同様の構成をなしているのに対して、電磁波シールド層１３は、第１実施形態の封止用フィルムセット１００が備える電磁波シールド層１３と比較して、第２凹凸９の形成が省略され平板状をなしていること以外は、図１に示す第１実施形態の封止用フィルムセット１００と同様である。このように第２凹凸９の形成が省略された電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）を備える第２実施形態の封止用フィルムセット１００によっても、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができる。
【０１３９】
（封止用フィルムセットの製造方法）
このような第２実施形態の封止用フィルムセット１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０１４０】
すなわち、図５（ａ）に示すように、配置工程において、絶縁層１２（絶縁フィルム）および電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）のうち絶縁層１２を、単独で、型取り用母型基板８５の凹凸８を覆うように、型取り用母型基板８５上に配置すること以外は、前記第１実施形態と同様にして、図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示す、加熱・減圧工程〜離脱工程を実施することにより、第２実施形態の封止用フィルムセット１００を得ることができる。
【０１４１】
（電子部品搭載基板の封止方法）
さらに、第２実施形態の封止用フィルムセット１００を用いた、基板５の上面側の端部に電極３を備える電子部品搭載基板４５の封止（被覆）は、以下のようにして実施することができる。
【０１４２】
すなわち、図６（ａ）に示すように、第１配置工程において、封止用フィルムセット１００が備える電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）と絶縁層１２（絶縁フィルム）とを、絶縁層１２が電子部品搭載基板４５側となるように位置させた後に、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５上に配置させ（図６（ｂ）参照）、その後、第２配置工程において、絶縁層１２で被覆された基板５と電子部品４とを覆い、さらに、本実施形態では、電極３をも覆うように、電磁波シールド層１３を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０１４３】
この際、本実施形態では、絶縁層１２には、第１凹凸７が予め形成されており、この第１凹凸７を、基板５に電子部品４を搭載することで形成された電子部品搭載基板４５が備える凹凸６に対応させる。これに対して、電磁波シールド層１３には、第２凹凸９の形成が省略されているため、電磁波シールド層１３は、単に、絶縁層１２を介して凹凸６を被覆するように、絶縁層１２を介在させた状態で、電子部品搭載基板４５上に配置される。
【０１４４】
そして、加熱工程において、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を加熱して軟化させた後に、電磁波シールド層１３を凹凸６の形状に追従させた状態とし、その後、冷却工程において軟化状態の封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を固化させることにより、図６（ｃ）に示すような封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１４５】
ここで、本実施形態では、電磁波シールド層１３は、封止用フィルムセット１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下に設定されている。そのため、電磁波シールド層１３が平板状をなし、第２凹凸９の形成が省略されていたとしても、前記加熱工程において、電磁波シールド層１３を電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の形状に確実に追従させることができる。
【０１４６】
＜＜第３実施形態＞＞
次に、本発明の封止用フィルムセット１００の第３実施形態について説明する。
【０１４７】
図７は、本発明の封止用フィルムセットの第３実施形態を示す縦断面図、図８は、図７に示す封止用フィルムセットを製造する製造方法を説明するための縦断面図、図９は、図７に示す封止用フィルムセットを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７〜図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４８】
以下、第３実施形態の封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）、および、この封止用フィルムセット１００で被覆する電子部品搭載基板４５について、前記第１実施形態の封止用フィルムセット１００、および、第１実施形態の封止用フィルムセット１００で被覆する電子部品搭載基板４５との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１４９】
第３実施形態の封止用フィルムセット１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、基板５の下面（他方の面）側の端部に電極３を備えている。したがって、本実施形態では、電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載および基板５の下面への電極３の形成により、基板５の上面および下面に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成されている。
【０１５０】
第３実施形態の封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）では、かかる構成の電子部品搭載基板４５が備える電極３を封止用フィルムセット１００により被覆し得るように、電磁波シールド層１３が備える突出部１５は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように、第１実施形態の封止用フィルムセット１００が備える電磁波シールド層１３と比較して、長さが長く設定され、その端部に電極３に対応して形成された凸部６１を被覆するための第２凹部９２が形成されていること以外は、図１に示す第１実施形態の封止用フィルムセット１００と同様である。第３実施形態の封止用フィルムセット１００が、かかる構成をなしていることにより、基板５の下面側の端部に形成された電極３に、この突出部１５を、その端部が備える第２凹部９２において接触させた状態とすることができる。
【０１５１】
具体的には、この突出部１５の長さは、特に限定されないが、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面側に位置する凸部６１（電極３）に到達させることができるため、突出部１５と電極３との電気的な接続を確実に実現することができる。
【０１５２】
（封止用フィルムセットの製造方法）
このような第３実施形態の封止用フィルムセット１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０１５３】
すなわち、図８（ａ）に示すように、配置工程において、第１実施形態の封止用フィルムセット１００と比較して、突出部１５の長さが長い、平板状をなす電磁波シールド層１３を用意し、さらに、第１実施形態の型取り用母型基板８５と比較して、電子部品４を覆うために絶縁層１２に第１凹部７２を形成するための凸部８１と、電極３を覆うために電磁波シールド層１３に第２凹部９２を形成するための凸部８１との離間距離が長い、型取り用母型基板８５を用意すること以外は、前記第１実施形態と同様にして、図８（ｂ）〜図（ｄ）に示す、加熱・減圧工程〜離脱工程を実施することにより、第３実施形態の封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を得ることができる。
【０１５４】
（電子部品搭載基板の封止方法）
さらに、第３実施形態の封止用フィルムセット１００を用いた、基板５の下面側の端部に電極３を備える電子部品搭載基板４５の封止（被覆）は、以下のようにして実施することができる。
【０１５５】
すなわち、図９（ａ）に示すように、封止用フィルムセット１００が備える電磁波シールド層１３（電磁波シールドフィルム）と絶縁層１２（絶縁フィルム）とを、絶縁層１２が電子部品搭載基板４５側となるように位置させ、その後、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５上に配置し（第１配置工程；図９（ｂ）参照）、さらに、絶縁層１２で被覆された基板５と電子部品４とを覆うように、電磁波シールド層１３を電子部品搭載基板４５上に配置する（第２配置工程；図９（ｃ）参照）。そして、加熱工程において、封止用フィルムセット１００を加熱して軟化させた後に、図９（ｃ）に示すように、電磁波シールド層１３が備える突出部１５を、基板５の下面側に折り込むことで、電磁波シールド層１３（突出部１５）の端部に形成された第２凹部９２により、基板５の下面の端部に設けられた電極３に対応して形成された凸部６１を被覆し、その後、冷却工程を施すこと以外は、前記第１実施形態と同様にすることにより、図９（ｄ）に示すような封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１５６】
以上、本発明の封止用フィルムセットおよび電子部品搭載基板の封止方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１５７】
例えば、本発明の封止用フィルムセットは、電子部品搭載基板が備える電極の封止用フィルムセットによる被覆を実施しない場合には、電磁波シールドフィルムが有する電磁波シールド層が備える突出部の形成、および、突出部における第２凹部の形成を省略してもよい。
【０１５８】
また、本発明の封止用フィルムセットが備える絶縁フィルムおよび電磁波シールドフィルムには、それぞれ、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。
【０１５９】
さらに、本発明の電子部品搭載基板の封止方法において、本発明の封止用フィルムセットが備える絶縁フィルムが有する第１凹部、および、電磁波シールドフィルムが有する第２凹部により、それぞれ、１つの電子部品を覆う場合について説明したが、かかる場合に限定されず、第１凹部および第２凹部で覆う電子部品は、少なくとも１つであればよく、第１凹部および第２凹部により、２つ以上（複数）の電子部品が覆われていてもよい。
【０１６０】
また、本発明の電子部品搭載基板の封止方法には、１または２以上の任意の工程が追加されていてもよい。
【実施例】
【０１６１】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１６２】
（実施例１）
＜平板状をなす封止用フィルムセットの製造＞
＜＜絶縁フィルムの製造＞＞
４層の多層体で構成される、平板状（シート状）をなす絶縁フィルムを得るために、形成すべき絶縁フィルムを構成する各層に含まれる樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。
【０１６３】
すなわち、最も外側に位置する第１の層を構成する樹脂として、ＥＶＯＨ（クラレ製、「エバールＳＰ２９５Ｂ」、密度１．１３ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス（ＭＦＲ）５．５ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点１６３℃、エチレン含有量４４モル％）を用意した。
【０１６４】
また、第１の層側の中間層としての第２の層を構成する樹脂として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」、密度０．９０５ｋｇ／ｍ３ 、ＭＦＲ３．５ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点１２０℃）を用意した。
【０１６５】
さらに、第１の層と反対側の中間層としての第３の層を構成する樹脂として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３ 、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。
【０１６６】
また、最も内側に位置する第４の層を構成する樹脂として、エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「エバフレックスＶ５７１４ＲＣ」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３ 、ＭＦＲ２．８ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点８９℃、酢酸ビニル含有量１６重量％）を用意した。
【０１６７】
次に、これら第１の層を構成する樹脂、第２の層を構成する樹脂、第３の層を構成する樹脂および第４の層を構成する樹脂を用いて、共押出法により、第１の層〜第４の層の順に積層された多層体で構成される実施例１の平板状をなす絶縁フィルムを得た。
【０１６８】
なお、得られた実施例１の平板状をなす絶縁フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、第１の層より順に１３／９／１３／６５μｍであり、合計厚さは、１００μｍであった。
【０１６９】
また、実施例１の平板状をなす絶縁フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ１２００％であった。
【０１７０】
さらに、実施例１の平板状をなす絶縁フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、２０ｐｐｍ／Ｋであった。
【０１７１】
また、実施例１の平板状をなす絶縁フィルムにおける、８０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、２×１０７Ｐａであった。
【０１７２】
＜＜電磁波シールドフィルムの製造＞＞
単層体で構成される、平板状（シート状）をなす電磁波シールドフィルムを得るために、樹脂材料および導電性粒子として、それぞれ、以下に示すものを用意した。
【０１７３】
まず、電磁波シールド層（第１の層）に含まれる樹脂材料として、ポリエステル系樹脂（ユニチカ社製、「ＵＥ−３５２０」）を用意した。
【０１７４】
また、電磁波シールド層（第１の層）に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。
【０１７５】
次に、電磁波シールド層（第１の層）に含まれる樹脂材料を７４ｖｏｌ％と導電性粒子を２６ｖｏｌ％との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層を塗工成膜することによって、電磁波シールド層で構成された単層体からなる実施例１の電磁波シールドフィルムを得た。
【０１７６】
なお、得られた電磁波シールドフィルムを構成する電磁波シールド層の平均厚さ（μｍ）は、４０μｍであった。
【０１７７】
また、実施例１の平板状をなす電磁波シールドフィルムの軟化点における伸び率を測定したところ１０６０％であった。
【０１７８】
さらに、実施例１の平板状をなす電磁波シールドフィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、３０ｐｐｍ／Ｋであった。
【０１７９】
また、実施例１の平板状をなす電磁波シールドフィルムにおける、８０℃における貯蔵弾性率を測定したところ、１．０×１０５未満Ｐａであった。
【０１８０】
＜凹凸を備える封止用フィルムセットの製造＞
まず、凹凸８を備える型取り用母型基板８５を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、型取り用母型基板８５が有する凹凸８を覆うように平板状をなす封止用フィルムセット１００（絶縁フィルム（絶縁層１２）および電磁波シールドフィルム（電磁波シールド層１３））を、絶縁フィルム（絶縁層１２）を型取り用母型基板８５側にして、厚さ方向において積層し、これら同士の間に剥離シートを介在させた状態で配置した。
【０１８１】
次に、平板状をなす封止用フィルムセット１００（絶縁フィルム（絶縁層１２）および電磁波シールドフィルム（電磁波シールド層１３））を加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムセット１００を加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。
【０１８２】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムセット１００を冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、型取り用母型基板８５が有する凹凸８を封止用フィルムセット１００により被覆させた。
【０１８３】
次に、封止用フィルムセット１００を型取り用母型基板８５から離脱させることで、第１凹凸７を備える絶縁フィルム（絶縁層１２）と、第２凹凸９を備える電磁波シールドフィルム（電磁波シールド層１３）とを備える実施例１の封止用フィルムセット１００を得た。
【０１８４】
＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、凹凸６を備える電子部品搭載基板４５を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板４５が有する基板５と電子部品４（凸部６１）とを覆うように、第１凹部７２を備える絶縁フィルム（絶縁層１２）を、第１凹部７２と凸部６１とを対応させて配置し、さらに、絶縁層１２を介在させた状態で基板５と電子部品４（凸部６１）とを覆うように、第２凹部９２を備える電磁波シールドフィルム（電磁波シールド層１３）を、第２凹部９２と絶縁層１２で覆われた凸部６１とに対応させて配置することで、実施例１の封止用フィルムセット１００を、電子部品搭載基板４５に対して配置させた。
【０１８５】
次に、封止用フィルムセット１００を加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムセット１００を加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。
【０１８６】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムセット１００（絶縁層１２および電磁波シールド層１３）を冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムセットで被覆された実施例１の封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
【０１８７】
（実施例２）
絶縁フィルムを得るために、形成すべき絶縁フィルムの層を構成する樹脂として、以下に示すものを用意した。
【０１８８】
アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３ 、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）
【０１８９】
そして、この層を構成する樹脂を用いて、押出法により、実施例２の平板状をなす絶縁フィルムを得たこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例２の封止用フィルムセットおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
なお、得られた実施例２の絶縁フィルムの平均厚さ（μｍ）は、１００μｍであった。
【０１９０】
（実施例３）
絶縁フィルムを得るために、形成すべき絶縁フィルムの層を構成する樹脂として、以下に示すものを用意した。
【０１９１】
ポリプロピレン樹脂（住友化学製、「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３ 、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）
【０１９２】
そして、この層を構成する樹脂を用いて、押出法により、実施例３の平板状をなす絶縁フィルムを得たこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例３の封止用フィルムセットおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
なお、得られた実施例３の絶縁フィルムの平均厚さ（μｍ）は、１００μｍであった。
【０１９３】
（実施例４）
絶縁フィルムを得るために、形成すべき絶縁フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。
【０１９４】
最も外側に位置する第１の層を構成する樹脂として、直鎖状低密度ポリエチレン（宇部丸善ポリエチレン製、「４０４０ＦＣ」、密度９３８ｇ／ｃｍ３ 、メルトインデックス３．５ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点１２６℃）を用意した。
【０１９５】
さらに、第１の層側の中間層としての第２の層を構成する樹脂として、ポリアミド樹脂（宇部興産製、「１０３０Ｂ２」、相対粘度４．１（９６％硫酸）、融点２２０℃）を用意した。
【０１９６】
また、第１の層と反対側の中間層としての第３の層を構成する樹脂として、ＥＶＯＨ（クラレ製、「エバールＪ１７１Ｂ」、密度１．１８ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス１．７ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点１８３℃、エチレン含有量３２モル％）を用意した。
【０１９７】
また、最も内側に位置する第４の層を構成する樹脂として、第１の層と同じ樹脂を用意した。
【０１９８】
そして、これらの樹脂を用いて、共押出法により、第１の層〜第４の層の順に積層された積層体で構成される実施例４の絶縁フィルムを得たこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例４の封止用フィルムセットおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
【０１９９】
なお、得られた実施例４の平板状をなす絶縁フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、第１の層より順に３０／５／１３／２４μｍであり、合計厚さは、７２μｍであった。
【０２００】
（実施例５）
絶縁フィルムを得るために、形成すべき絶縁フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。
【０２０１】
最も外側に位置する第１の層を構成する樹脂として、直鎖状低密度ポリエチレン（宇部丸善ポリエチレン製、「４０４０ＦＣ」、密度９３８ｇ／ｃｍ３ 、メルトインデックス３．５ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点１２６℃）を用意した。
【０２０２】
また、最も内側に位置する第２の層を構成する樹脂として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３ 、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。
【０２０３】
そして、これら第１の層を構成する樹脂、第２の層を構成する樹脂を用いて、共押出法により、第１の層、第２の層の順に積層された多層体で構成される実施例５の平板状をなす絶縁フィルムを得たこと以外は、前記実施例１と同様にして実施例５の封止用フィルムセットおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
【０２０４】
なお、得られた実施例５の平板状をなす絶縁フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、第１の層より順に６０／１０μｍであり、合計厚さは、７０μｍであった。
【０２０５】
（比較例１）
電磁波シールドフィルムとして、実施例１で用意した樹脂材料と導電性粒子とを用いて、樹脂材料を７４ｖｏｌ％と導電性粒子を２６ｖｏｌ％との溶剤混合物を調製した後に、この溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層を塗工成膜することによって、平板状をなす電磁波シールド層（第１の層）を形成した。その後、さらに、ラミネートにより、アルミニウムで構成される金属層（第２の層）を電磁波シールド層に形成して、平板状をなす比較例１の電磁波シールドフィルムを得た。
【０２０６】
そして、凹凸を備える封止用フィルムセットの製造を省略したこと以外は、前記実施例１と同様にして、比較例１の封止用フィルムセットおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
【０２０７】
なお、得られた実施例５の平板状をなす電磁波シールドフィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、第１の層より順に１０／１２μｍであり、合計厚さは、２２μｍであった。
【０２０８】
（比較例２）
比較例２の絶縁フィルムとして、市販の平均厚さ２５μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。
【０２０９】
そして、凹凸を備える封止用フィルムセットの製造を省略したこと以外は、前記実施例１と同様にして、比較例２の封止用フィルムセットおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。
【０２１０】
＜評価試験＞
各実施例および比較例で作製した封止用フィルムセットまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、形状追従性、シワの発生の有無、耐熱性、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。
【０２１１】
＜＜形状追従性＞＞
形状追従性は、以下のようにして評価した。
【０２１２】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した凹凸における空隙の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、空隙の有無は、顕微鏡を用いて観察した。
【０２１３】
各符号は以下のとおりであり、◎および○を合格とし、×を不合格とした。
◎  ：段差の底部にまで、充填された状態で被覆されている
○  ：段差の底部において若干の空隙が形成されているものの、
ほぼ全体に亘って充填された状態で被覆されている
×  ：段差の底部において明らかな空隙が形成された状態で被覆されている
【０２１４】
＜＜シワの有無＞＞
シワの有無は、以下のようにして評価した。
【０２１５】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した上面におけるシワの有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、シワの有無は、マイクロスコープを用いて観察した。
【０２１６】
各符号は以下のとおりであり、○を合格とし、×を不合格とした。
○：封止用フィルムセットの上面の全体にシワが認められない
×：封止用フィルムセットの上面の凸部に対応する位置に明らかなシワが認められる
【０２１７】
＜＜電磁波シールド性＞＞
電磁波シールド性は、以下のようにして評価した。
【０２１８】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムセットについて、ＫＥＣ法（電界）を用いて、周波数０．００１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。そして、求められた最小値を、以下の評価基準に基づいて判断した。
【０２１９】
各符号は以下のとおりであり、○を合格とし、×を不合格とした。
○：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ以上である
×：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ未満である
【０２２０】
なお、ＫＥＣ法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす封止用フィルムセットを介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるＫＥＣ法では、受信アンテナにおいて、封止用フィルムセットを通過（透過）した電磁波が測定される、すなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波シールド層により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定される。
【０２２１】
＜＜導電性＞＞
電磁波シールド層における導電性の有無は、以下のようにして評価した。
【０２２２】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、電磁波シールド層の突出部とグランド電極とを介して、電磁波シールド層とグランドとの間での導通の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。
【０２２３】
各符号は以下のとおりであり、○を合格とし、×を不合格とした。
○：導通が認められる
×：導通が認められない
【０２２４】
【表１】
2020009792.tif 000003
【０２２５】
表１から明らかなように、各実施例の封止用フィルムセットでは、電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を絶縁フィルム（絶縁層）および電磁波シールドフィルム（電磁波シールド層）が予め備えることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムセットの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールドフィルムにおける突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。
【０２２６】
これに対して、比較例の封止用フィルムセットでは、電子部品搭載基板に形成される凹凸に対応する凹凸を、絶縁フィルム（絶縁層）および電磁波シールドフィルム（電磁波シールド層）に形成したが、電子部品搭載基板に形成される凹凸に対して優れた追従性を有するものとすることができなかった。
【符号の説明】
【０２２７】
３        電極
４        電子部品
５        基板
６        凹凸
７        第１凹凸
８        凹凸
９        第２凹凸
１２      絶縁層
１３      電磁波シールド層
１５      突出部
４５      電子部品搭載基板
５０      封止用フィルム被覆電子部品搭載基板
６１      凸部
６２      凹部
７１      第１凸部
７２      第１凹部
８１      凸部
８２      凹部
８５      型取り用母型基板
９１      第２凸部
９２      第２凹部
１００    封止用フィルムセット
【図１】
2020009792.tif 000004
【図２】
2020009792.tif 000005
【図３】
2020009792.tif 000006
【図４】
2020009792.tif 000007
【図５】
2020009792.tif 000008
【図６】
2020009792.tif 000009
【図７】
2020009792.tif 000010
【図８】
2020009792.tif 000011
【図９】
2020009792.tif 000012