(57)【要約】      （修正有）【課題】サブマウントの固定時におけるフォトダイオードの位置ズレを抑制する。【解決手段】半導体発光装置１００は、光を放出する半導体発光素子１０３と、半導体発光素子１０３から放出される光の出力を検知するフォトダイオード１１１と、フォトダイオード１１１が第１の溶着材料１１２を介した溶着で固定されたステム１０１，１０２と、第１の溶着材料１１２よりも凝固開始温度が低い第２の溶着材料１１０を介した溶着でステム１０１，１０２に固定され、半導体発光素子１０３を搭載したサブマウント１０４と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放出する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から放出される光の出力を検知するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードが第１の溶着材料を介した溶着で固定されたステムと、
前記第１の溶着材料とは凝固開始温度が異なる第２の溶着材料を介した溶着で前記ステムに固定され、前記半導体発光素子を搭載したサブマウントと、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記第１の溶着材料の凝固開始温度が前記第２の溶着材料の凝固開始温度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記第１の溶着材料および前記第２の溶着材料が、互いに同等の材料を主材料とする合金からなるろう材であり、前記第１の溶着材料と前記第２の溶着材料とでは組成比が異なることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１の溶着材料および前記第２の溶着材料が、ＡｕとＳｎとを主材料とするＡｕ−Ｓｎ系合金からなる半田であり、前記第１の溶着材料に含まれるＡｕの比率が、前記第２の溶着材料に含まれるＡｕの比率とは異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子は、窒化物系の半導体が用いられたものであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
光を放出する半導体発光素子と、前記半導体発光素子から放出される光の出力を検知するフォトダイオードと、前記フォトダイオードが第１の溶着材料を介した溶着で固定されたステムと、前記第１の溶着材料とは凝固開始温度が異なる第２の溶着材料を介した溶着で前記ステムに固定され、前記半導体発光素子が搭載されたサブマウントと、を備えた半導体発光装置の製造方法であって、
前記第１の溶着材料および前記第２の溶着材料のうち、凝固開始温度が高い一方の溶着材料を加熱溶融させ、当該一方の溶着材料を介した溶着で、前記フォトダイオードおよび前記サブマウントのうち、当該一方の溶着材料に対応した一方の部品を前記ステムに固定する第１工程と、
前記第１の溶着材料および前記第２の溶着材料のうち、凝固開始温度が低い他方の溶着材料を加熱溶融させ、当該他方の溶着材料を介した溶着で、前記フォトダイオードおよび前記サブマウントのうち、当該他方の溶着材料に対応した他方の部品を前記ステムに固定する第２工程と、
を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程は、前記他方の溶着材料の方が前記一方の溶着材料に較べてより溶ける温度で当該他方の溶着材料を加熱溶融させる工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程は、前記他方の溶着材料の加熱溶融後に前記他方の部品に向けて冷却風を流す工程であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体発光装置において、レーザダイオードなどの半導体発光素子がサブマウントに搭載され、そのサブマウントがステムに固定された構造が知られている。
例えば特許文献１には、サブマウントが半田を介してステムに固定された半導体発光装置が開示されている。
また、特許文献２には、半導体発光素子から放出される光の出力を検知するフォトダイオードがステムに固定された半導体発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２２４８１号公報
【特許文献２】特開２０１７−６９３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ステム上にサブマウントとフォトダイオードが固定される半導体発光装置の組み立てプロセスにおいては、例えば以下のような工程によって組み立てが行われる。
（工程１）フォトダイオードをステム上に第１の半田を介して接合する。
（工程２）工程１の後に、サブマウントをステム上に第２の半田を介して接合する。
【０００５】
上記工程１および工程２の何れでも半田が加熱溶融されるが、工程２で、第２の半田が加熱溶融される際にステムが高温になるため、フォトダイオードを固定している第１の半田が再溶融してしまい、重力などの外力によってフォトダイオードが動く状態となる虞がある。
【０００６】
また、製造上、半田は、冷却される事により液相から固相になって対象物を固定する。サブマウントが固定される工程２でも、冷却ブローによりサブマウントや半田の温度を下げる動作が行われる場合がある。そのように冷却ブローが用いられる場合、第１の半田が再溶融していると、冷却ブローの風圧が大きな外力となるため、フォトダイオードが動く虞が増える。
このような重力や風圧でフォトダイオードが動いてしまうと、受光部が本来の位置からズレてモニタ感度が変動する原因となる。
このような事情は、サブマウントが先にステム上に接合された後でフォトダイオードがステム上に接合される場合にも同様に生じ、この場合にはサブマウントの位置ズレを生じる虞がある。
そこで、本発明は、サブマウントおよびフォトダイオードの一方に対する固定時における他方の位置ズレを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る半導体発光装置の一態様は、光を放出する半導体発光素子と、上記半導体発光素子から放出される光の出力を検知するフォトダイオードと、上記フォトダイオードが第１の溶着材料を介した溶着で固定されたステムと、上記第１の溶着材料とは凝固開始温度が異なる第２の溶着材料を介した溶着で上記ステムに固定され、上記半導体発光素子が搭載されたサブマウントと、を備える。
【０００８】
このような半導体発光装置によれば、第１の溶着材料と第２の溶着材料とで凝固開始温度が異なるため、凝固開始温度が高い一方の溶着材料による溶着の後で凝固開始温度が低い他方の溶着材料が加熱溶融される際に、溶着済みの一方の溶着材料の溶融が抑制される。この結果、上記他方の溶着材料に対する加熱溶融時における上記一方の溶着材料の固定力が向上し、上記一方の溶着材料で固定された部品の外力による位置ズレが抑制される。
上記半導体発光装置において、上記第１の溶着材料の凝固開始温度が上記第２の溶着材料の凝固開始温度よりも高くてもよい。この場合、上記第２の溶着材料に対する加熱溶融時における上記第１の溶着材料の固定力が向上し、フォトダイオードによるモニタ感度の安定化が図られる。
【０００９】
また、上記半導体発光装置において、上記第１の溶着材料および上記第２の溶着材料が、互いに同種の材料を主材料とする合金からなり、上記第１の溶着材料と上記第２の溶着材料とでは組成比が異なることが好ましい。凝固開始温度が異なる第１の溶着材料と第２の溶着材料は、組成比の相違によって容易に実現される。
【００１０】
また、上記半導体発光装置において、上記第１の溶着材料および上記第２の溶着材料が、ＡｕとＳｎとを主材料とするＡｕ−Ｓｎ系合金からなり、上記第１の溶着材料に含まれるＡｕの比率が、上記第２の溶着材料に含まれるＡｕの比率とは異なることが更に好ましい。Ａｕ−Ｓｎ系合金は半田材料として一般的であるため各相の組成比や温度条件がよく知られているので、Ａｕの比率変更によって凝固開始温度が容易に調整される。
【００１１】
また、上記半導体発光装置において、上記半導体発光素子は、窒化物系の半導体が用いられたものであってもよい。窒化物系の半導体発光素子は銀ペーストによってフォトダイオードが固定されると銀ペーストの溶剤によって支障を生じるので、窒化物系の半導体発光素子が用いられた半導体発光装置では、部品の位置ズレ抑制が図られた溶着固定が好適に適用される。
【００１２】
本発明に係る半導体発光装置の製造方法の一態様は、光を放出する半導体発光素子と、上記半導体発光素子から放出される光の出力を検知するフォトダイオードと、上記フォトダイオードが第１の溶着材料を介した溶着で固定されたステムと、上記第１の溶着材料とは凝固開始温度が異なる第２の溶着材料を介した溶着で上記ステムに固定され、上記半導体発光素子が搭載されたサブマウントと、を備えた半導体発光装置の製造方法であって、
上記第１の溶着材料および上記第２の溶着材料のうち、凝固開始温度が高い一方の溶着材料を加熱溶融させ、当該一方の溶着材料を介した溶着で、上記フォトダイオードおよび上記サブマウントのうち、当該一方の溶着材料に対応した一方の部品を上記ステムに固定する第１工程と、
上記第１の溶着材料および上記第２の溶着材料のうち、凝固開始温度が低い他方の溶着材料を加熱溶融させ、当該他方の溶着材料を介した溶着で、上記フォトダイオードおよび上記サブマウントのうち、当該他方の溶着材料に対応した他方の部品を上記ステムに固定する第２工程と、
を有する。
【００１３】
このような半導体発光装置の製造方法によれば、上記一方の溶着材料よりも上記他方の溶着材料の方が凝固開始温度が低いため、第２工程における上記他方の溶着材料の加熱溶融に際して上記一方の溶着材料の溶融が抑制される。この結果、第２工程における上記一方の溶着材料の固定力が向上し、外力による上記一方の部品の位置ズレが抑制され、安定的実装が実現される。
【００１４】
上記半導体発光装置の製造方法において、上記第２工程は、上記他方の溶着材料の方が上記一方の溶着材料に較べてより溶ける温度で当該他方の溶着材料を加熱溶融させる工程であることが好適である。このような加熱温度が第２工程で用いられることにより、第２工程における上記一方の溶着材料の固定力向上が図られる。
【００１５】
また、上記半導体発光装置の製造方法において、上記第２工程は、上記他方の溶着材料の加熱溶融後に上記他方の部品に向けて冷却風を流す工程であってもよい。冷却風による冷却で上記他方の溶着材料は上記他方の部品をステムに対して強固に固定する。また、冷却風による風圧が生じても上記一方の部品の位置ズレは抑制される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、サブマウントおよびフォトダイオードの一方に対する固定時における他方の位置ズレが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施形態に相当する半導体レーザ装置を示す図である。
【図２】Ａｕ−Ｓｎ系合金の半田における状態図である。
【図３】フォトダイオード取付工程を示す図である。
【図４】レーザチップ取付工程を示す図である。
【図５】サブマウント取付工程の加熱工程を示す図である。
【図６】サブマウント取付工程の冷却工程を示す図である。
【図７】ワイヤーボンディング工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の半導体発光装置の一実施形態に相当する半導体レーザ装置を示す図である。
【００１９】
半導体レーザ装置１００は、ステムベース１０１と、ステムブロック１０２と、レーザチップ１０３とを備えている。また、半導体レーザ装置１００は、図示が省略されたステムキャップも備えている。
【００２０】
ステムブロック１０２はステムベース１０１の上面１０１ａから突き出し、ステムキャップはステムベース１０１に固定されてステムブロック１０２を覆っている。ステムベース１０１とステムブロック１０２とステムキャップはいずれも金属製で、これらによってキャンパッケージが構成されている。ステムベース１０１とステムブロック１０２とを合わせたものが、本発明にいうステムの一例に相当する。ステムブロック１０２とステムベース１０１は同一材料で構成される必要はなく、各々別々の材料で構成されていてもよいし、ステムベースの一部がステムブロックの材料で構成されていてもよいし、その逆でもよいし、特に限定するものではない。
【００２１】
ステムブロック１０２は、ステムベース１０１の上面１０１ａから立ち上がった側面の一部にチップ搭載面１０２ａを有している。このチップ搭載面１０２ａには、レーザチップ１０３の搭載されたサブマウント１０４が第２の半田１１０を介して固定されている。サブマウント１０４を固定している第２の半田１１０は、本発明にいう第２の溶着材料の一例に相当するとともに、本発明にいう他方の溶着材料の一例にも相当する。本実施形態の場合、例えばＡｕ−Ｓｎ系合金の半田であり、組成比は例えば重量比でＡｕ／Ｓｎ＝８０％：２０％となっている。
【００２２】
レーザチップ１０３の発光点は、円形の外縁形状を有するステムベース１０１の中央に位置し、発光時にレーザチップ１０３が発する熱はステムブロック１０２に伝達される。なお、レーザチップ１０３は、複数スポットのレーザビームを発するマルチエミッタ型のものであってもよいし、単スポットのレーザビームを発するシングルエミッタ型でもよい。レーザチップ１０３は本発明にいう半導体発光素子の一例に相当する。本実施形態におけるレーザチップ１０３は例えば窒化物系の半導体が用いられたレーザチップであるが、本発明にいう半導体発光素子は、窒化物系以外の半導体が用いられたレーザチップであってもよく、あるいはＬＥＤであってもよい。
【００２３】
ステムベース１０１の上面１０１ａの一部には傾斜面１０１ｂが形成されており、この傾斜面１０１ｂには、出力モニタ用のフォトダイオード（ＰＤ）１１１が第１の半田１１２を介して固定されている。このフォトダイオード１１１は、レーザチップ１０３の後方から出る光を受光することで、レーザチップ１０３の出力をモニタするものである。フォトダイオード１１１を固定している第１の半田１１２は、本発明にいう第１の溶着材料の一例に相当するとともに、本発明にいう一方の溶着材料の一例にも相当する。本実施形態の場合、第１の半田１１２は第２の半田１１０と同様に例えばＡｕ−Ｓｎ系合金の半田である。また、本実施形態における第１の半田１１２の組成比は例えば重量比でＡｕ／Ｓｎ＝７０％：３０％となっている。
ここで、Ａｕ−Ｓｎ系合金の半田における熱溶融について説明する。
図２は、Ａｕ−Ｓｎ系合金の半田における状態図である。
【００２４】
図２には、Ａｕ−Ｓｎ系合金の状態図の一部が示されており、縦軸は摂氏温度、横軸は組成比を示している。横軸はＡｕ−Ｓｎ系合金中のＳｎ成分比を示しており、図の上側には重量比が１００分率で示され、図の下側には原子数比が１００分率で示されている。
【００２５】
図２には、液相の領域Ｒ１と、固相の領域Ｒ２と、半固相の領域Ｒ３が示されており、液相の領域Ｒ１と半固相の領域Ｒ３との境界線は液相線Ｌ１と称され、固相の領域Ｒ２と半固相の領域Ｒ３との境界線は固相線Ｌ２と称される。
【００２６】
上述した第１の半田１１２は、図２中でＳｎの成分比（重量比）が３０％であるラインに相当し、液相の領域Ｒ１に存在する高温の状態から温度が降下すると、約３９０度で液相線Ｌ１に達して凝固し始める。但し、液相線Ｌ１を越えて更に低温となっても半固相の領域Ｒ３に属するので、液相状態の成分と固相状態の成分とが混ざり合った状態となっている。このように一部でも凝固を開始する温度（即ち液相線Ｌ１に達する温度）のことを本明細書では「凝固開始温度」と称する。半固相の状態で更に温度が降下すると、温度降下に伴って固相状態の成分が増加し、融点である２８０度で固相線Ｌ２に達して全体が凝固する。
【００２７】
一方、上述した第２の半田１１０は、図２中でＳｎの成分比（重量比）が２０％であるラインに相当し、液相の領域Ｒ１に存在する高温の状態から温度が降下しても半固相の領域Ｒ３を経ず、融点である２８０度で固相線Ｌ２に達するまでは全体が液体状態のままである。そして、温度が２８０度以下に降下すると固相線Ｌ２に達して全体が凝固する。
【００２８】
このように、第１の半田１１２と第２の半田１１０とでは、液相から温度が降下した場合に凝固を開始する温度が異なり、第２の半田１１０の方が、Ａｕの比率が高いのでより低温で凝固を開始する。逆に言えば、第１の半田１１２と第２の半田１１０とでは、固相から温度が上昇した場合に、全体が溶融して液相に達する温度が異なり、第２の半田１１０の方が低温で液相に達する。このため、固相線Ｌ２の位置に相当する融点を超える同一温度条件（例えば３４０度など）で第１の半田１１２の状態と第２の半田１１０の状態とを比較すると、第２の半田１１０の方が第１の半田１１２に較べて液相成分の多い状態となっている。逆に言えば、上記同一温度条件では第１の半田１１２の方が第２の半田１１０に較べて固相成分の多い状態となっている。
【００２９】
つまり、第１の半田１１２と第２の半田１１０とでは、同一温度条件において第２の半田１１０の方が溶けやすくて第１の半田１１２の方が溶けにくい。このため、同一温度条件では第１の半田１１２の方が固定対象物の固定力が強いということになる。
【００３０】
第１の半田１１２と第２の半田１１０は、上述したように、本発明にいう第１の溶着材料と第２の溶着材料それぞれの一例に相当するとともに、本発明にいう一方の溶着材料と他方の溶着材料それぞれの一例にも相当する。ここで、「溶着材料」とは、溶融と母材間での再凝固によって複数の母材同士を接合する材料の意味であり、半田であってもよく、ろう材であってもよく、あるいは、単体材料であってもよい。
【００３１】
本発明にいう、第１の溶着材料と第２の溶着材料は、互いに同等な材料を主材料とする合金であると、組成比の調整によって溶融開始温度が容易に調整可能であるので望ましく、特にＡｕ−Ｓｎ系合金であると各相の組成や温度条件がよく知られていて調整が容易であるので更に望ましい。但し、本発明にいう第１の溶着材料と第２の溶着材料は、主材料が互いに異なる合金であってもよく、一方が合金で他方が単体材料であってもよい。また、Ａｕ−Ｓｎ系合金は、成分としてＡｕおよびＳｎ以外に、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｂｉなどが混じっていてもよく、ＡｕおよびＳｎ以外の成分の混合比率が０．１％程度以下であればＡｕ−Ｓｎ系合金と言える。
図１に戻って説明を続ける。
【００３２】
レーザチップ１０３とフォトダイオード１１１への給電のため、半導体レーザ装置１００には、給電用リードピン１０５と、ＰＤ用リードピン１０７と、コモンピン１０８が設けられている。給電用リードピン１０５とＰＤ用リードピン１０７は、ステムベース１０１を貫通して一端がステムベース１０１の上面１０１ａから突き出している。ＰＤ用リードピン１０７の背（上面１０１ａから突き出した長さ）は、給電用リードピン１０５の背よりも低い。
【００３３】
給電用リードピン１０５の、上面１０１ａから突き出した一端からレーザチップ１０３にワイヤ１０６が接続されている。上面１０１ａから立ち上がったステムブロック１０２の側面の一部には、チップ搭載面１０２ａと向きが揃ったワイヤ接続面１０２ｂが形成されている。このワイヤ接続面１０２ｂには、レーザチップ１０３から延びた給電用のワイヤ１０６が接続されている。
【００３４】
ＰＤ用リードピン１０７の、上面１０１ａから突き出した一端は、ワイヤ１１３でフォトダイオード１１１に接続され、コモンピン１０８はステムを介してフォトダイオード１１１とレーザチップ１０３に接続されている。ＰＤ用リードピン１０７とコモンピン１０８との間に逆電圧が印加された状態でフォトダイオード１１１がレーザチップ後方からの光を受光すると受光量に応じた電流が流れて出力がモニタされる。
次に、このような半導体レーザ装置１００の製造手順について説明する。
【００３５】
図３〜図７は、半導体レーザ装置１００の製造手順の一例を示す図である。図３〜図７に示す製造手順が、本発明の半導体発光装置の製造方法の一実施形態に相当する。
【００３６】
図３に示すフォトダイオード取付工程では、ステムベース１０１の傾斜面１０１ｂ上に第１の半田１１２が例えば半田箔の状態で載置され、その第１の半田１１２の上にフォトダイオード１１１が載置される。フォトダイオード１１１は、図示が省略された治具（コレット）によって第１の半田１１２に押し付けられる。そして、ステムベース１０１の上面１０１ａに対する裏面がヒートブロック（図示省略）に接触され、ヒートブロックから伝達される熱によってフォトダイオード１１１の近辺が例えば３４０度に加熱される。この熱により第１の半田１１２が溶融して液状となりフォトダイオード１１１と傾斜面１０１ｂの間に広がって隙間を埋める。
【００３７】
その後、ステムベース１０１はヒートブロックから離され、第１の半田１１２は冷却されて凝固し、第１の半田１１２がフォトダイオード１１１をステムベース１０１の傾斜面１０１ｂに固定した状態となる。このＰＤ固定工程が、本発明にいう第１工程の一例に相当する。なお、上記説明では加熱前に第１の半田１１２が傾斜面１０１ｂ上に半田箔の状態で載置されるが、本発明にいう第１工程で用いられる第１の半田は、フォトダイオード１１１に蒸着されてもよいし、半田ボールの状態で傾斜面１０１ｂ上やフォトダイオード１１１に配置されてもよいし、あるいは加熱によって溶かされながら供給されてもよい。
【００３８】
図４に示すレーザチップ取付工程では、表面に半田１１５が例えば蒸着で備えられたサブマウント１０４の表面上に、図４（Ａ）に示すようにレーザチップ１０３が載置され、加熱によって半田１１５が溶融される。サブマウント１０４の表面に蒸着された半田１１５としては、例えば第１の半田１１２と同じ組成比のＡｕ−Ｓｎ系合金の半田が用いられ、例えば３４０度に加熱される。溶融した半田１１５はレーザチップ１０３とサブマウント１０４との間に広がって隙間を埋める。その後、冷却によって半田１１５が凝固し、図４（Ｂ）に示すようにレーザチップ１０３とサブマウント１０４とが半田１１５によって固定された中間部品が得られる。この中間部品が、本発明にいうサブマウントの一例に相当する。以下でサブマウント１０４と称するときには、サブマウント１０４単独ではなくてこの中間部品を示す場合がある。
【００３９】
図５および図６に示すサブマウント取付工程の、図５に示す加熱工程では、ステムブロック１０２のチップ搭載面１０２ａが上を向くようにステムベース１０１の向きが変更され、チップ搭載面１０２ａ上に第２の半田１１０が、例えば半田箔の状態で載置される。また、第２の半田１１０上にサブマウント１０４が載置され、コレット１２０によってサブマウント１０４が第２の半田１１０に押し付けられる。そして、ステムベース１０１の上面１０１ａに対する裏面がヒートブロック（図示省略）に接触され、ヒートブロックから伝達される熱によってサブマウント１０４の近辺が例えば３２０度に加熱される。この熱により第２の半田１１０が溶融して液状となり、サブマウント１０４とチップ搭載面１０２ａとの間に広がって隙間を埋める。上述したように、第２の半田１１０に較べて第１の半田１１２は溶けにくく、３２０度では第２の半田１１０が液相の状態であるのに対して第１の半田１１２は半固相の状態となっている。言い換えると、この３２０度という温度は、第２の半田１１０の方が第１の半田１１２に較べてより溶ける温度となっている。このため、第１の半田１１２によって固定されているフォトダイオード１１１は、例えば重力による位置ズレが抑制される。
【００４０】
サブマウント取付工程の、図６に示す冷却工程では、コレット１２０で抑えられたサブマウント１０４に向けて冷却風１２１が流されて冷却される。このような冷却風１２１による冷却によって第２の半田１１０が凝固し、第２の半田１１０によってサブマウント１０４がチップ搭載面１０２ａに強固に固定される。また、冷却風１２１による冷却が用いられることで、ヒートブロックによる加熱継続中に第２の半田１１０の冷却が可能となる。ヒートブロックは熱容量が大きくて加熱の速やかな中断が難しいので、冷却風１２１による冷却が用いられることで速やかな冷却が実現される。
【００４１】
冷却風１２１による冷却に際しては、冷却風１２１の風圧がフォトダイオード１１１にも掛かるが、第１の半田１１２が半固相の状態であるためフォトダイオード１１１の位置ズレが抑制される。
【００４２】
本実施形態におけるサブマウント取付工程が、本発明にいう第２工程の一例に相当する。但し、本発明にいう第２工程では冷却風による冷却は必須ではない。また、上記説明では加熱前に第２の半田１１０がチップ搭載面１０２ａ上に半田箔の状態で載置されるが、本発明にいう第２工程で用いられる第２の半田は、サブマウント１０４に蒸着されてもよいし、半田ボールの状態でチップ搭載面１０２ａ上やサブマウント１０４に配置されてもよいし、あるいは加熱によって溶かされながら供給されてもよい。
【００４３】
図７に示すワイヤーボンディング工程では、レーザチップ１０３と給電用リードピン１０５との間が金線のワイヤ１０６によって接続され、レーザチップ１０３とステムブロック１０２のワイヤ接続面１０２ｂとの間が金線のワイヤ１０６によって接続される。また、フォトダイオード１１１とＰＤ用リードピン１０７との間が金線のワイヤ１１３によって接続される。これにより半導体レーザ装置１００が完成する。
なお、上記実施形態では、本発明にいう第１工程としてＰＤ固定工程が実行され、その後、本発明にいう第２工程としてサブマウント取付工程が実行される例が示されているが、本発明にいう第１工程としてサブマウント取付工程が実行され、その後、本発明にいう第２工程としてＰＤ固定工程が実行されてもよい。この場合には、サブマウント取付工程で、例えば上記第１の半田１１２が用いられ、レーザチップ取付工程で、例えば上記第２の半田１１０が用いられる。
【符号の説明】
【００４４】
１００…半導体レーザ装置、１０１…ステムベース、１０２…ステムブロック、１０３…レーザチップ、１０４…サブマウント、１１０…第２の半田、１１１…フォトダイオード、１１２…第１の半田
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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