(57)【要約】【課題】多重描画のパス数によって描画パターンの寸法が変動することを抑制する。【解決手段】本実施形態に係る照射量補正量の取得方法は、荷電粒子ビーム描画装置を用いて、パス数の異なる多重描画で荷電粒子ビームを基板に照射して評価パターンを描画する工程と、前記評価パターンの寸法を測定する工程と、各パス数に対応する評価パターンの寸法測定結果から、１パスあたりの寸法変動量を算出する工程と、前記１パスあたりの寸法変動量と、荷電粒子ビームの照射量の変化量に対するパターン寸法の変化量の比を示す尤度とに基づいて、１パスあたりの照射量変動量を算出する工程と、を備える。【選択図】図１
2020009887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビーム描画装置を用いて、パス数の異なる多重描画で荷電粒子ビームを基板に照射して評価パターンを描画する工程と、
前記評価パターンの寸法を測定する工程と、
各パス数に対応する評価パターンの寸法測定結果から、１パスあたりの寸法変動量を算出する工程と、
前記１パスあたりの寸法変動量と、荷電粒子ビームの照射量の変化量に対するパターン寸法の変化量の比を示す尤度とに基づいて、１パスあたりの照射量変動量を算出する工程と、
を備える照射量補正量の取得方法。
【請求項２】
前記１パスあたりの照射量変動量及び前記評価パターン描画時の照射量に基づいて、不足照射量を算出する工程と、
前記不足照射量及び前記評価パターン描画時の荷電粒子ビームの電流密度に基づいて、荷電粒子ビームの照射時間の不足分であるショットタイムオフセットを算出する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の照射量補正量の取得方法。
【請求項３】
前記評価パターンは第１方向に沿った第１ラインアンドスペースパターン及び前記第１方向と直交する第２方向に沿った第２ラインアンドスペースパターンを含み、
前記第１ラインアンドスペースパターンの寸法測定結果を用いて算出された前記ショットタイムオフセットと、前記第２ラインアンドスペースパターンの寸法測定結果を用いて算出された前記ショットタイムオフセットとの平均値を算出することを特徴とする請求項２に記載の照射量補正量の取得方法。
【請求項４】
荷電粒子ビームを放出する工程と、
ブランキング偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ビームＯＮとビームＯＦＦのいずれかの状態になるようにブランキング制御する工程と、
描画データから、ショット毎のビームサイズ及びショット位置を含むショットデータを生成する工程と、
荷電粒子ビームの照射量、多重描画のパス数、及び電流密度から求まる１パスあたりの照射時間に、請求項２又は３に記載の方法で算出した前記ショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間を算出する工程と、
算出された照射時間を含む前記ショットデータに基づいて、前記ブランキング偏向器と、ビーム形状及びビームサイズを変化させる偏向器と、ビーム照射位置を調整する偏向器とを制御し、基板上にパターンを描画する工程と、
を備える荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームを放出する放出部と、
前記荷電粒子ビームを偏向して、ビームＯＮとビームＯＦＦのいずれかの状態になるようにブランキング制御するブランキング偏向器と、
描画データから、ショット毎のビームサイズ及びショット位置を含むショットデータを生成するショットデータ生成部と、
請求項２又は３に記載の方法で算出された前記ショットタイムオフセットの入力を受け付ける入力部と、
荷電粒子ビームの照射量、多重描画のパス数、及び電流密度から求まる１パスあたりの照射時間に、前記ショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間を算出する照射時間算出部と、
算出された照射時間を含む前記ショットデータに基づいて、前記ブランキング偏向器と、ビーム形状及びビームサイズを変化させる偏向器と、ビーム照射位置を調整する偏向器とを制御する偏向制御部と、
を備える荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスに要求される回路線幅は年々微細化されてきている。半導体デバイスへ所望の回路パターンを形成するためには、縮小投影型露光装置を用いて、石英上に形成された高精度の原画パターン（マスク、或いは特にステッパやスキャナで用いられるものはレチクルともいう。）をウェーハ上に縮小転写する手法が採用されている。高精度の原画パターンは、電子ビーム描画装置によって描画され、所謂、電子ビームリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
電子ビーム描画装置では、電子ビームを偏向器で偏向させて描画を行う。電子ビームの偏向にはＤＡＣ（デジタル・アナログコンバータ）アンプが用いられている。このようなＤＡＣアンプを用いたビーム偏向の役割としては、ビームショットの形状やサイズの制御、ショット位置の制御、及びビームのブランキング等が挙げられる。例えば、ブランキング偏向器を用いてビームを偏向し、アパーチャによりビームを遮蔽するか否かにより、ビームのＯＦＦとОＮを切り替え、照射時間を制御している。
【０００４】
光リソグラフィ技術の進展や、ＥＵＶによる短波長化に伴い、マスク描画に必要な電子ビームのショット数が増加している。一方で、微細化に必要な線幅精度を確保するために、レジストを低感度化し、照射量を上げることで、ショットノイズやパターンのエッジラフネスの低減を図っている。ショット数と照射量の増加に伴い、描画時間が増加している。そのため、電流密度を上げることで描画時間の短縮を図ることが検討されている。
【０００５】
しかし、増加した照射エネルギー量を、より高密度な電子ビームで短時間に照射しようとすると、基板温度が上昇してレジスト感度が変化し、線幅精度が劣化する、いわゆるレジストヒーティングと呼ばれる現象が生じるという問題があった。レジストヒーティングの影響を抑えるために、必要な照射量を複数回の描画（露光）に分ける多重描画が行われている。
【０００６】
ブランキング偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプは、電圧の立ち上がり又は立ち下がりに傾きを有する。そのため、所望の設定照射時間に対し、実際の照射時間（実効照射時間）が短くなることがあった。設定照射時間に対する実効照射時間の不足分は、ショットタイムオフセットとも呼ばれる。このショットタイムオフセットがあることで、多重描画では、パス数（多重度）を変えると、パターン寸法が変動するという問題があった。例えば、パス数が４の場合のショットタイムオフセット（の合計）は、パス数が１の場合のショットタイムオフセットの４倍になり、パス数が４の場合とパス数が１の場合とで実効照射時間が異なり、描画パターンの寸法が変動する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−２０９５９９号公報
【特許文献２】特開２０１５−５０４３９号公報
【特許文献３】特開２００７−１８８９４９号公報
【特許文献４】特開２０１２−９５８９号公報
【特許文献５】特開平１０−１８９４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、多重描画のパス数によって描画パターンの寸法が変動することを抑制する照射量補正量の取得方法、荷電粒子ビーム描画方法、及び荷電粒子ビーム描画装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様による照射量補正量の取得方法は、荷電粒子ビーム描画装置を用いて、パス数の異なる多重描画で荷電粒子ビームを基板に照射して評価パターンを描画する工程と、前記評価パターンの寸法を測定する工程と、各パス数に対応する評価パターンの寸法測定結果から、１パスあたりの寸法変動量を算出する工程と、前記１パスあたりの寸法変動量と、荷電粒子ビームの照射量の変化量に対するパターン寸法の変化量の比を示す尤度とに基づいて、１パスあたりの照射量変動量を算出する工程と、を備えるものである。
【００１０】
本発明の一態様による照射量補正量の取得方法において、前記１パスあたりの照射量変動量及び前記評価パターン描画時の照射量に基づいて、不足照射量を算出する工程と、前記不足照射量及び前記評価パターン描画時の荷電粒子ビームの電流密度に基づいて、荷電粒子ビームの照射時間の不足分であるショットタイムオフセットを算出する工程と、
をさらに備える。
【００１１】
本発明の一態様による照射量補正量の取得方法において、前記評価パターンは第１方向に沿った第１ラインアンドスペースパターン及び前記第１方向と直交する第２方向に沿った第２ラインアンドスペースパターンを含み、前記第１ラインアンドスペースパターンの寸法測定結果を用いて算出された前記ショットタイムオフセットと、前記第２ラインアンドスペースパターンの寸法測定結果を用いて算出された前記ショットタイムオフセットとの平均値を算出する。
【００１２】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子ビームを放出する工程と、ブランキング偏向器を用いて前記荷電粒子ビームを偏向し、ビームＯＮとビームＯＦＦのいずれかの状態になるようにブランキング制御する工程と、描画データから、ショット毎のビームサイズ及びショット位置を含むショットデータを生成する工程と、荷電粒子ビームの照射量、多重描画のパス数、及び電流密度から求まる１パスあたりの照射時間に、請求項２又は３に記載の方法で算出した前記ショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間を算出する工程と、算出された照射時間を含む前記ショットデータに基づいて、前記ブランキング偏向器と、ビーム形状及びビームサイズを変化させる偏向器と、ビーム照射位置を調整する偏向器とを制御し、基板上にパターンを描画する工程と、を備えるものである。
【００１３】
本発明の一態様による荷電粒子ビーム描画装置は、荷電粒子ビームを放出する放出部と、前記荷電粒子ビームを偏向して、ビームＯＮとビームＯＦＦのいずれかの状態になるようにブランキング制御するブランキング偏向器と、描画データから、ショット毎のビームサイズ及びショット位置を含むショットデータを生成するショットデータ生成部と、前記方法で算出された前記ショットタイムオフセットの入力を受け付ける入力部と、荷電粒子ビームの照射量、多重描画のパス数、及び電流密度から求まる１パスあたりの照射時間に、前記ショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間を算出する照射時間算出部と、算出された照射時間を含む前記ショットデータに基づいて、前記ブランキング偏向器と、ビーム形状及びビームサイズを変化させる偏向器と、ビーム照射位置を調整する偏向器とを制御する偏向制御部と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、多重描画のパス数によって描画パターンの寸法が変動することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態による描画装置の概略図である。
【図２】主偏向領域と副偏向領域とを示す概念図である。
【図３】（ａ）（ｂ）はショットタイムオフセットを説明する図である。
【図４】同実施形態に係る照射量補正量の取得方法を説明するフローチャートである。
【図５】評価パターンの一例を示す図である。
【図６】パス数と描画パターンの寸法との関係の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本実施形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る描画装置の概略構成図である。図１の通り、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、電子ビーム描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、ブランキング偏向器（ブランカ）２１２、ブランキングアパーチャ２１４、第１成形アパーチャ２０３、投影レンズ２０４、成形偏向器２０５、第２成形アパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。主偏向器２０８の下方に副副偏向器がさらに設けられていてもよい。
【００１８】
描画室１０３内には、少なくともＸＹ方向に移動可能なＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画対象となる基板１０１が配置される。基板１０１には、半導体装置を製造するための露光用のマスクやシリコンウェハ等が含まれる。マスクにはマスクブランクスが含まれる。
【００１９】
電子銃２０１（放出部）から放出された電子ビーム２００は、ブランキング偏向器２１２内を通過する際にブランキング偏向器２１２によって、ビームＯＮの状態では、ブランキングアパーチャ２１４を通過するように制御され、ビームＯＦＦの状態では、ビーム全体がブランキングアパーチャ２１４で遮蔽されるように偏向される。ビームＯＦＦの状態からビームＯＮとなり、その後ビームＯＦＦになるまでにブランキングアパーチャ２１４を通過した電子ビーム２００が１回の電子ビームのショットとなる。
【００２０】
ブランキング偏向器２１２は、通過する電子ビーム２００の向きを制御して、ビームＯＮの状態とビームＯＦＦの状態とを交互に生成する。各ショットの照射時間で基板１０１に照射される電子ビーム２００のショットあたりの照射量が調整されることになる。
【００２１】
ブランキング偏向器２１２とブランキングアパーチャ２１４を通過することによって生成された各ショットの電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１成形アパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。
【００２２】
そして、第１成形アパーチャ２０３を通過したアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２成形アパーチャ２０６上に投影される。成形偏向器２０５によって、第２成形アパーチャ２０６上でのアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させることができる。このような可変成形はショット毎に行われ、通常、ショット毎に異なるビーム形状と寸法に成形される。
【００２３】
第２成形アパーチャ２０６を通過した電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された基板１０１の所望する位置に照射される。以上のように、各偏向器によって、電子ビーム２００の複数のショットが順に基板１０１上へと偏向される。
【００２４】
図２は、主偏向領域と副偏向領域とを示す概念図である。図２に示すように、描画装置１００にて所望のパターンを描画する場合には、基板１０１の描画領域は、主偏向器２０８により偏向可能な幅で例えばＹ方向にストライプ状の複数の描画領域（ストライプ）１に分割される。そして、各ストライプ１においてＸ方向にもストライプのＹ方向の幅と同じ幅で区切られる。この区切られた領域が、主偏向器２０８により偏向可能な主偏向領域２となる。この主偏向領域２をさらに細分化した領域が副偏向領域３となる。
【００２５】
副偏向器２０９は、ショット毎の電子ビーム２００の位置を高速かつ高精度に制御するために用いられる。そのため、偏向範囲は副偏向領域３に限定され、その領域を超える偏向は主偏向器２０８で副偏向領域３の位置を移動することによって行う。一方、主偏向器２０８は、副偏向領域３の位置を制御するために用いられ、複数の副偏向領域３が含まれる範囲（主偏向領域２）内で移動する。また、描画中はＸＹステージ１０５がＸ方向に連続的に移動しているため、主偏向器２０８で副偏向領域３の描画原点を随時移動（トラッキング）することでＸＹステージ１０５の移動に追従させることができる。
【００２６】
制御部１６０は、制御計算機１１０、偏向制御回路１２０、デジタルアナログ変換（ＤＡＣ）アンプユニット１３２、１３４、１３６、１３８、記憶装置１４０等を有している。
【００２７】
制御計算機１１０は、ショットデータ生成部５０、照射時間算出部５２、及び描画制御部５４を備える。ショットデータ生成部５０、照射時間算出部５２、及び描画制御部５４の各機能は、ソフトウェアで構成されてもよいし、ハードウェアで構成されてもよい。
【００２８】
偏向制御回路１２０は各ＤＡＣアンプ１３２、１３４、１３６、１３８に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３２は副偏向器２０９に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３４は主偏向器２０８に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３６は成形偏向器２０５に接続されている。ＤＡＣアンプユニット１３８はブランキング偏向器２１２に接続されている。
【００２９】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３８に対して、ブランキング制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３８では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、ブランキング偏向器２１２に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのブランキング制御が行われる。
【００３０】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３６に対して、成形偏向用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３６では、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、偏向器２０５に印加する。この偏向電圧によって電子ビーム２００が第２成形アパーチャ２０６の特定の位置に偏向され、所望の寸法及び形状の電子ビームが形成される。
【００３１】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３４に対して、主偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３４は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、主偏向器２０８に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００が偏向させられ、各ショットのビームが副偏向領域３の描画原点に偏向される。また、ＸＹステージ１０５が連続移動しながら描画する場合には、かかる偏向電圧には、ステージ移動に追従するトラッキング用の偏向電圧も含まれる。
【００３２】
偏向制御回路１２０からＤＡＣアンプ１３２に対して、副偏向制御用のデジタル信号が出力される。ＤＡＣアンプ１３２は、デジタル信号をアナログ信号に変換し、増幅させた上で偏向電圧として、副偏向器２０９に印加する。この偏向電圧によって、電子ビーム２００は副偏向領域３内のショット位置に偏向される。
【００３３】
記憶装置１４０は、例えば磁気ディスク装置であり、基板１０１にパターンを描画するための描画データを記憶する。この描画データは、設計データ（レイアウトデータ）が描画装置１００用のフォーマットに変換されたデータであり、外部装置から記憶装置１４０に入力されて保存されている。
【００３４】
ショットデータ生成部５０が、記憶装置１４０に格納されている描画データに対して、複数段のデータ変換処理を行い、描画対象となる各図形パターンを１回のショットで照射可能なサイズのショット図形に分割し、描画装置固有のフォーマットとなるショットデータを生成する。ショットデータには、ショット毎に、例えば、各ショット図形の図形種を示す図形コード、図形サイズ、ショット位置、照射時間等が含まれる。生成されたショットデータはメモリ（図示略）に一時的に記憶される。
【００３５】
ショットデータに含まれる照射時間は、照射時間算出部５２により算出される。照射時間算出部５２は、近接効果、フォギング効果、ローディング効果といった、パターンの寸法変動を引き起こす要因を考慮して描画領域の各位置における電子ビームの照射量（ドーズ量）Ｑを算出し、算出した照射量Ｑを電流密度及び多重描画のパス数（多重度）ｎで割って得られた時間に、ショットタイムオフセットＴｓを加算して、照射時間を算出する。
【００３６】
ショットタイムオフセットＴｓについて図３（ａ）（ｂ）を用いて説明する。電子ビームの照射時間は、ブランキング偏向器２１２によるビームのＯＮ／ＯＦＦ切り替えにより制御される。ブランキング偏向器２１２は、ＤＡＣアンプ１３０から印加される電圧によって、電子ビーム２００を偏向し、ブランキング制御を行う。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、ＤＡＣアンプ１３０の出力電圧の立ち上がり、立ち下がりが垂直であれば所望の設定照射時間Ｔ１となるが、実際には、図３（ｂ）に示すように、ＤＡＣアンプは、電圧の立ち上がり又は立ち下がりに傾きを有する。そのため、所望の設定照射時間Ｔ１に対し、実際の照射時間（実効照射時間）Ｔ２が短くなる。設定照射時間Ｔ１に対する実効照射時間Ｔ２の不足分が、ショットタイムオフセットＴｓ（＝Ｔ１−Ｔ２）である。
【００３８】
本実施形態では、基板１０１としての評価用基板をＸＹステージ１０５上に載置し、後述する評価パターンを描画し、描画したパターンの寸法測定結果からショットタイムオフセットＴｓを算出する。そして、算出したショットタイムオフセットＴｓを、入力部（図示略）を介して制御計算機１１０に入力する。
【００３９】
照射量補正量となるショットタイムオフセットＴｓの取得方法を図４に示すフローチャートに沿って説明する。
【００４０】
描画装置１００を用いて、多重描画方式により、基板１０１にパス数を変えて評価パターンを描画する（ステップＳ１〜Ｓ３）。評価パターンは、例えば、ラインアンドスペースパターンである。例えば、図５に示すように、パス数を２、３、４と変えて、ｘ方向、ｙ方向に沿ったラインアンドスペースパターンＰ１〜Ｐ６を描画する。評価パターンを描画する際の照射量をＤとした場合、パス数が２の時は１パスあたりの照射量はＤ／２となり、パス数が３の時は１パスあたりの照射量はＤ／３となる。
【００４１】
評価パターンの描画後（ステップＳ３＿Ｙｅｓ）、現像、エッチング等の処理を行い、形成されたパターンの寸法（線幅）を測定する（ステップＳ４）。パターン寸法はパス数によって変動し、例えば図６に示すように、パス数が多い程、照射時間の不足分が大きくなり、寸法が小さくなる。
【００４２】
なお、評価パターンを描画する基板、露光装置、現像装置等は、実際の製品を製造する際と同じものを使用する。
【００４３】
寸法測定結果から、１パスあたりの寸法変動量Ｖｃｄを算出する。例えば、図６に示す３点のデータから最小二乗法で１パスあたりの寸法変動量（傾き）を求める。そして、以下の数式１に示すように、１パスあたりの寸法変動量Ｖｃｄを、事前に求めておいた尤度（Ｄｏｓｅ  Ｌａｔｉｔｕｄｅ、以下ＤＬと記載する）で除して、１パスあたりの照射量変動量Ｖｄを算出する（ステップＳ５）。
数式１：Ｖｄ＝Ｖｃｄ／ＤＬ
【００４４】
ＤＬは、ドーズ（照射量）の変化量に対する線幅（ＣＤ）の変化量の比であり、例えば、ドーズ量を１％変化させた場合の線幅の変化量である。ＤＬはパターン密度に依存するため、評価パターンと同程度のパターン密度のパターンを描画して算出する。ＤＬは、サイトごとに使用するレジストや遮光膜の材質、構成や、現像、エッチング等のマスクプロセス工程の違いによって変動する。そのため、本実施形態のようにＤＬを計算に用いることで、算出するショットタイムオフセットをより最適化することができる。
【００４５】
次に、以下の数式２に示すように、１パスあたりの照射量変動量Ｖｄに、評価パターンを描画した際の照射量Ｄを乗じて、不足している照射量Ｄｓを算出する（ステップＳ６）。
数式２：Ｄｓ＝Ｖｄ・Ｄ
【００４６】
以下の数式３に示すように、不足している照射量Ｄｓを、評価パターンを描画した際の電流密度Ｊで除して、ショットタイムオフセットＴｓを算出する（ステップＳ７）。
数式３：Ｔｓ＝Ｄｓ／Ｊ
【００４７】
ｘ方向に沿ったラインアンドスペースパターンＰ１、Ｐ３、Ｐ５の寸法測定結果から算出したショットタイムオフセットＴｓと、ｙ方向に沿ったラインアンドスペースパターンＰ２、Ｐ４、Ｐ６の寸法測定結果から算出したショットタイムオフセットＴｓを平均した値を制御計算機１１０に入力する。多重描画の各パスの照射量を電流密度で割った時間に、入力されたショットタイムオフセットを加算して、各ショットの照射時間が算出され、ショットデータに登録される。
【００４８】
描画工程では、ショットデータを用いて描画処理が行われる。描画制御部５４が、ショットデータを偏向制御回路１２０に転送する。偏向制御回路１２０は、ショットデータに設定された照射時間になる偏向データ（ブランキング信号）をブランキング偏向器２１２用のＤＡＣアンプ１３８に出力する。
【００４９】
本実施形態に係る手法で取得したショットタイムオフセットを考慮した照射時間にすることで、設定照射時間Ｔ１と実効照射時間Ｔ２との差を極めて小さくできる。そのため、多重描画のパス数によって描画パターンの寸法が変動することを抑制できる。
【００５０】
上記実施形態では、パス数を２、３、４とした３種類のパス数で評価パターンを描画する例について説明したが、１パスあたりの寸法変動量Ｖｃｄを算出するには、少なくとも２種類のパス数で評価パターンを描画すればよい。
【００５１】
上記実施形態では、外部装置で算出したショットタイムオフセットＴｓを制御計算機１１０に入力する例について説明したが、１パスあたりの照射量変動量Ｖｄを制御計算機１１０に入力し、不足している照射量Ｄｓ及びショットタイムオフセットＴｓの算出は制御計算機１１０が行ってもよい。不足している照射量Ｄｓを制御計算機１１０に入力し、ショットタイムオフセットＴｓの算出を制御計算機１１０が行ってもよい。
【００５２】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
５０  ショットデータ生成部
５２  照射時間算出部
５４  描画制御部
１００  描画装置
１１０  制御計算機
１５０  描画部
１６０  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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