(57)【要約】【課題】接続信頼性を向上することができる配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１００は、スルーホール１０３が形成されたコア基板１０２と、スルーホール１０３の壁面上に設けられた導電層１０３Ａと、樹脂を含有し、スルーホール１０３の導電層１０３Ａの内側の部分を充填する充填材１０３Ｂと、を有する。充填材１０３Ｂは、導電層１０３Ａに接触する緩衝部２０３と、スルーホール１０３内で緩衝部２０３の内側に設けられた主部２０５と、を有する。主部２０５は、緩衝部２０３よりも高い割合で無機フィラーを含有する。【選択図】図２
2020061449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールが形成されたコア基板と、
前記スルーホールの壁面上に設けられた導電層と、
樹脂を含有し、前記スルーホールの前記導電層の内側の部分を充填する充填材と、
を有し、
前記充填材は、
前記導電層に接触する緩衝部と、
前記スルーホール内で前記緩衝部の内側に設けられた主部と、
を有し、
前記主部は、前記緩衝部よりも高い割合で無機フィラーを含有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記緩衝部は無機フィラーを含有しないことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記緩衝部及び前記主部は同種の樹脂を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記樹脂はエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
コア基板にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールの壁面上に導電層を形成する工程と、
樹脂を含有する充填材で、前記スルーホールの前記導電層の内側の部分を充填する工程と、
を有し、
前記充填材を形成する工程は、
前記導電層に接触する緩衝部を形成する工程と、
前記スルーホール内で前記緩衝部の内側に主部を形成する工程と、
を有し、
前記主部は、前記緩衝部よりも高い割合で無機フィラーを含有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記緩衝部を形成する工程は、
前記緩衝部の原料で前記スルーホールを充填する工程と、
前記緩衝部の原料に孔を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記緩衝部を浸漬法により形成することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に含まれるコア基板にスルーホール（貫通孔）が形成される。スルーホールの壁面上にめっき層が形成され、その内側は樹脂及び無機フィラーを含有する充填材により充填される。コア基板の上下両面に配線層が設けられており、上記の壁面上のめっき層により、これら配線層の間の導通が可能となる。また、スルーホールの内側が充填材で充填されることにより、コア基板のスルーホールの上方及び下方にも配線層を形成することが可能となり、配線パターンの引き回しの自由度の向上及び配線密度の向上が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２７５９５９号公報
【特許文献２】特開２００６−２１６７１４号公報
【特許文献３】特開２００３−１３３６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、スルーホール内のめっき層とコア基板上の配線層との間で抵抗が上昇したり、断線が生じたりすることがある。抵抗の上昇及び断線は接続信頼性の低下につながる。
【０００５】
本発明は、接続信頼性を向上することができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
配線基板の一態様は、スルーホールが形成されたコア基板と、前記スルーホールの壁面上に設けられた導電層と、樹脂を含有し、前記スルーホールの前記導電層の内側の部分を充填する充填材と、を有する。前記充填材は、前記導電層に接触する緩衝部と、前記スルーホール内で前記緩衝部の内側に設けられた主部と、を有する。前記主部は、前記緩衝部よりも高い割合で無機フィラーを含有する。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、接続信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。
【図２】導電層、充填材及び第１の配線層を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図８】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図９】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１０】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１１】第１の実施例及び第２の実施例の走査型電子顕微鏡像を示す図である。
【図１２】参考例の走査型電子顕微鏡像を示す図である。
【図１３】第３の実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明者は、従来の配線基板において接続信頼性の低下が生じる原因を究明すべく鋭意検討を行った。この結果、充填材に含まれる無機フィラーがスルーホール内のめっき層に直接接触して、充填材とめっき層との間に剥離が生じやすい箇所が存在することが明らかになった。充填材に含まれる樹脂は、スルーホール内のめっき層に対して接着性を有しているのに対し、無機フィラーは実質的に接着性を有していない。このため、無機フィラーがスルーホール内のめっき層に直接接触していると、充填材とめっき層との間に剥離が生じやすくなるのである。また、このような剥離が生じると、めっき層が充填材の熱変形を拘束できなくなることがあることが明らかになった。熱変形により充填材が膨張すると、充填材はスルーホール内からコア基板の上下方向に向けて突出しようとする。このため、コア基板の、充填材の上下方向に位置する配線層に、充填材から押し上げられる方向の応力が作用する。そして、このような応力により、スルーホール内のめっき層とコア基板上の配線層との間に剥離が発生し、スルーホール内のめっき層とコア基板上の配線層との間で電気抵抗が上昇したり、断線が生じたりする。
【００１０】
そこで、本発明者は、充填材とめっき層との間の剥がれを抑制すべく更に鋭意検討を行い、以下のような実施形態に想到した。以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
【００１１】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は配線基板に関する。
【００１２】
［配線基板の構造］
先ず、配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。
【００１３】
図１に示すように、第１の実施形態に係る配線基板１００は、支持体としてコア配線基板１０１を含む。コア配線基板１０１はガラスエポキシ樹脂や、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料から形成されるコア基板１０２を含む。コア基板１０２の両面に銅等からなる第１の配線層１０４が形成されている。コア基板１０２には厚さ方向に貫通するスルーホール１０３が形成されており、スルーホール１０３の壁面上に導電層１０３Ａが設けられている。スルーホール１０３の導電層１０３Ａの内側の部分を充填する充填材１０３Ｂが設けられている。充填材１０３Ｂは樹脂を含有する。コア基板１０２の両側の第１の配線層１０４は導電層１０３Ａを介して相互に接続される。後述するように、導電層１０３Ａ及び第１の配線層１０４は同一の膜を共有する。
【００１４】
コア基板１０２の両側に第１の絶縁層１０５が形成されている。第１の絶縁層１０５には、第１の配線層１０４の接続部に到達するビアホール１０６が形成されており、第１の絶縁層１０５上に、ビアホール１０６内のビア導体を介して第１の配線層１０４に接続される第２の配線層１０７が形成されている。更に、コア基板１０２の両側において、第１の絶縁層１０５上に第２の絶縁層１０８が形成されている。第２の絶縁層１０８には、第２の配線層１０７の接続部に到達するビアホール１０９が形成されており、第２の絶縁層１０８上に、ビアホール１０９内のビア導体を介して第２の配線層１０７に接続される第３の配線層１１０が形成されている。
【００１５】
コア基板１０２の両側において、第２の絶縁層１０８上にソルダレジスト層１２０が形成されている。コア基板１０２の半導体チップと接続される側のソルダレジスト層１２０に第３の配線層１１０の接続部に達するビアホール１２１が形成されている。コア基板１０２の反対側のソルダレジスト層１２０には第３の配線層１１０の接続部に達する開口部１２５が形成されている。
【００１６】
コア基板１０２の半導体チップと接続される側において、第３の配線層１１０の接続部上に、ビアホール１２１を通じてソルダレジスト層１２０の上方まで突出する接続端子１２４が形成されている。接続端子１２４はポスト１２２及びその上のバンプ１２３を含む。
【００１７】
バンプ１２３の融点はポスト１２２の融点よりも低く、例えば、ポスト１２２は銅（Ｃｕ）若しくはニッケル（Ｎｉ）又はこれらの両方を含み、バンプ１２３は錫（Ｓｎ）又ははんだを含む。例えば、ポスト１２２は電解めっき法により形成された銅めっき膜を有し、その上にニッケルめっき膜が形成されていてもよい。はんだとしては、錫銀（ＳｎＡｇ）系合金、錫亜鉛（ＳｎＺｎ）系合金及び錫銅（ＳｎＣｕ）系合金等の無鉛はんだ、並びに鉛錫（ＰｂＳｎ）系合金の有鉛はんだが例示される。
【００１８】
ここで、スルーホール１０３、導電層１０３Ａ、充填材１０３Ｂ及び第１の配線層１０４の詳細について説明する。図２は、導電層１０３Ａ、充填材１０３Ｂ及び第１の配線層１０４を示す断面図である。
【００１９】
図２に示すように、コア基板１０２の両面に銅箔等の導電膜１０４Ａが形成されており、コア基板１０２及び導電膜１０４Ａにスルーホール１０３が形成されている。導電膜１０４Ａの表面上及びスルーホール１０３の壁面上に無電解銅めっき膜２０１が形成され、無電解銅めっき膜２０１上に電解銅めっき膜２０２が形成されている。電解銅めっき膜２０２は、コア基板１０２の厚さ方向に垂直な面２０２Ａ及びコア基板１０２の厚さ方向に平行な面２０２Ｂを有する。電解銅めっき膜２０２の面２０２Ｂ上に第１の充填材２０３が平面視で環状に形成されている。つまり、第１の充填材２０３の内側には、コア基板１０２の厚さ方向に延びる孔２０４が存在する。そして、孔２０４内に第２の充填材２０５が設けられている。また、電解銅めっき膜２０２の面２０２Ａの上、第１の充填材２０３の表面（端面）の上、及び第２の充填材２０５の表面の上に、無電解銅めっき膜２０６が形成されている。更に、無電解銅めっき膜２０６の表面の上に、電解銅めっき膜２０７が形成されている。導電膜１０４Ａは、例えば、コア基板１０２の表面に積層された銅箔である。
【００２０】
導電層１０３Ａには、無電解銅めっき膜２０１及び電解銅めっき膜２０２のうちコア基板１０２の両面の間の部分が含まれる。充填材１０３Ｂには、第１の充填材２０３及び第２の充填材２０５が含まれる。第１の配線層１０４には、無電解銅めっき膜２０１及び電解銅めっき膜２０２のうちコア基板１０２の両面から外側の部分、導電膜１０４Ａ、無電解銅めっき膜２０６並びに電解銅めっき膜２０７が含まれる。第１の充填材２０３は緩衝部の一例であり、第２の充填材２０５は主部の一例である。
【００２１】
例えば、スルーホール１０３の直径は２００μｍ〜５００μｍである。また、孔２０４の直径はスルーホール１０３の直径より小さく、例えば、１００μｍ〜４００μｍである。
【００２２】
第１の充填材２０３及び第２の充填材２０５は樹脂を含有する。第２の充填材２０５は更に無機フィラーを含有する。第１の充填材２０３は無機フィラーを含有しないか、第２の充填材２０５よりも低い割合で無機フィラーを含有する。
【００２３】
例えば、第２の充填材２０５は、（i）液状エポキシ樹脂、（ii）エポキシモノマー、（iii）硬化剤及び（iv）無機フィラーを含有する。
【００２４】
例えば、（i）液状エポキシ樹脂としては、常温で流動性をもつエポキシ樹脂を用いることができる。例えば、室温での粘度が２００００ｍＰａ・ｓ以下、特に１００００ｍＰａ・ｓ以下のエポキシ樹脂が好ましい。（i）液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００２５】
例えば、（ii）エポキシモノマーとしては、モノエポキシモノマー、ジエポキシモノマー及びトリエポキシモノマー等のポリエポキシモノマー等が挙げられる。（ii）エポキシモノマーは、第２の充填材２０５のマトリックス樹脂の構成成分であり、希釈剤として第２の充填材２０５の粘度を調整することができる。
【００２６】
例えば、（iii）硬化剤としては、アミン系硬化剤が挙げられる。アミン系硬化剤としては、脂肪族（ポリ）アミン等が挙げられる。脂肪族（ポリ）アミンとしては、例えば、鎖状脂肪族ポリアミン、環状脂肪族アミン及び脂肪族アミン等が挙げられる。（iii）硬化剤は、エポキシ基の重合触媒又は架橋剤として機能する。
【００２７】
例えば、（iv）無機フィラーは、第２の充填材２０５の熱膨張を抑制する機能を有する。例えば、粒径が５０μｍ以下、特に０．０１μｍ〜２５μｍの無機フィラーが好ましい。（iv）無機フィラーの材料としては、例えば、硫酸バリウム、シリカ（コロイダルシリカを含む。）、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、アルミナ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、珪酸ジルコニウム、炭酸カルシウム、タルク、マイカ、ガラスビーズ、クレー、銅粉及び長石粉等が挙げられる。これらが２種以上用いられてもよい。
【００２８】
例えば、第１の充填材２０３は、（i）液状エポキシ樹脂、（ii）エポキシモノマー及び（iii）硬化剤を含有し、（iv）無機フィラーを含有しない。
【００２９】
第１の実施形態では、第１の充填材２０３は無機フィラーを含有しないか、第２の充填材２０５よりも低い割合で無機フィラーを含有する。従って、第１の充填材２０３は第２の充填材２０５よりも強固に電解銅めっき膜２０２に密着することができる。また、第２の充填材２０５に含まれる無機フィラーは第１の充填材２０３に接触するものの、電解銅めっき膜２０２には接触しにくい。このため、充填材１０３Ｂと導電層１０３Ａとの間に優れた密着性を得ることができ、接続信頼性を向上することができる。
【００３０】
更に、第２の充填材２０５に高い割合で無機フィラーが含まれていても、優れた接続信頼性が得られるため、充填材１０３Ｂの硬化収縮を抑制することができ、充填材１０３Ｂの熱膨張係数をコア基板１０２の熱膨張係数と同程度に調整することができる。従って、配線基板１００に良好な安定性を確保することができる。
【００３１】
なお、第１の充填材２０３中の無機フィラーの割合は低いほど好ましく、第１の充填材２０３が無機フィラーを含まないことが特に好ましい。より優れた電解銅めっき膜２０２との密着性を得るためである。
【００３２】
［配線基板の製造方法］
次に、配線基板の製造方法について説明する。図３〜図８は、第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。図３〜図６には、主に、導電層１０３Ａ、充填材１０３Ｂ及び第１の配線層１０４の形成に関する工程を示す。図７〜図８には、主に、絶縁層、配線層及びソルダレジスト層を形成する工程を示す。
【００３３】
先ず、図３（ａ）に示すように、コア基板１０２及び導電膜１０４Ａを備えたコア配線基板１０１を準備する。例えば、導電膜１０４Ａは銅箔である。コア配線基板１０１としては、配線基板１００が複数個取れる大判の基板が使用される。つまり、コア配線基板１０１は、配線基板１００に対応する構造体が形成される複数の領域を有している。
【００３４】
次いで、図３（ｂ）に示すように、コア配線基板１０１に厚さ方向に貫通するスルーホール１０３を形成する。例えば、スルーホール１０３はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。例えば、スルーホール１０３の直径は２００μｍ〜５００μｍとする。
【００３５】
その後、導電膜１０４Ａの表面及びスルーホール１０３の壁面のデスミア処理を行い、図３（ｃ）に示すように、導電膜１０４Ａの表面上及びスルーホール１０３の壁面上に無電解銅めっき膜２０１を形成する。
【００３６】
続いて、図４（ａ）に示すように、無電解銅めっき膜２０１をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜２０１上に電解銅めっき膜２０２を形成する。
【００３７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、スルーホール１０３内に第１の充填材２０３を充填する。例えば、第１の充填材２０３はスクリーン印刷法により充填することができる。第１の充填材２０３はスルーホール１０３内で電解銅めっき膜２０２上に設けられる。
【００３８】
その後、第１の充填材２０３を硬化させ、図４（ｃ）に示すように、第１の充填材２０３のうち電解銅めっき膜２０２の表面から突出している部分を除去して、電解銅めっき膜２０２の表面と第１の充填材２０３の表面とを面一にする。第１の充填材２０３がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により第１の充填材２０３を硬化させることができる。例えば、第１の充填材２０３の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。
【００３９】
続いて、図５（ａ）に示すように、第１の充填材２０３に厚さ方向に貫通する孔２０４を形成する。孔２０４の直径はスルーホール１０３の直径より小さい。例えば、孔２０４はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。例えば、孔２０４の直径は１００μｍ〜４００μｍとする。
【００４０】
次いで、孔２０４の壁面のデスミア処理を行い、図５（ｂ）に示すように、孔２０４内に第２の充填材２０５を充填する。例えば、第２の充填材２０５はスクリーン印刷法により充填することができる。第２の充填材２０５はスルーホール１０３内で第１の充填材２０３上に形成される。なお、孔２０４の壁面のデスミア処理は必要に応じて行えばよい。
【００４１】
その後、第２の充填材２０５を硬化させ、図５（ｃ）に示すように、第２の充填材２０５のうち電解銅めっき膜２０２の表面から突出している部分を除去して、電解銅めっき膜２０２の表面と第２の充填材２０５の表面とを面一にする。第２の充填材２０５がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により第２の充填材２０５を硬化させることができる。例えば、第２の充填材２０５の突出している部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。
【００４２】
続いて、電解銅めっき膜２０２の表面、第１の充填材２０３の表面（端面）、及び第２の充填材２０５の表面のデスミア処理を行う。そして、図６（ａ）に示すように、電解銅めっき膜２０２の表面上、第１の充填材２０３の表面（端面）上、及び第２の充填材２０５の表面上に無電解銅めっき膜２０６を形成する。
【００４３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、無電解銅めっき膜２０６をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜２０６上に電解銅めっき膜２０７を形成する。
【００４４】
その後、図６（ｃ）に示すように、電解銅めっき膜２０７、無電解銅めっき膜２０６、電解銅めっき膜２０２、無電解銅めっき膜２０１及び導電膜１０４Ａを加工する。例えば、電解銅めっき膜２０７、無電解銅めっき膜２０６、電解銅めっき膜２０２、無電解銅めっき膜２０１及び導電膜１０４Ａの加工は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより行うことができる。このようにして、導電層１０３Ａ、充填材１０３Ｂ及び第１の配線層１０４が形成される。
【００４５】
上記のように、導電層１０３Ａには、無電解銅めっき膜２０１及び電解銅めっき膜２０２のうちコア基板１０２の両面の間の部分が含まれる。充填材１０３Ｂには、第１の充填材２０３及び第２の充填材２０５が含まれる。第１の配線層１０４には、導電膜１０４Ａ、無電解銅めっき膜２０１及び電解銅めっき膜２０２のうちコア基板１０２の両面から外側の部分、無電解銅めっき膜２０６並びに電解銅めっき膜２０７が含まれる。
【００４６】
導電層１０３Ａ、充填材１０３Ｂ及び第１の配線層１０４の形成後、図７（ａ）に示すように、コア基板１０２の両側に未硬化の樹脂フィルムを貼付し、加熱処理して硬化させることにより、第１の絶縁層１０５を形成する。第１の絶縁層１０５は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、第１の絶縁層１０５を形成してもよい。その後、コア基板１０２の両側の第１の絶縁層１０５をレーザで加工することにより、第１の配線層１０４の接続部に到達するビアホール１０６を第１の絶縁層１０５に形成する。
【００４７】
続いて、図７（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側において、ビアホール１０６内のビア導体を介して第１の配線層１０４に接続される第２の配線層１０７を第１の絶縁層１０５上に形成する。
【００４８】
第２の配線層１０７はセミアディティブ法によって形成することができる。ここで、第２の配線層１０７の形成方法について詳しく説明する。先ず、第１の絶縁層１０５上及びビアホール１０６の内面に無電解めっき法又はスパッタ法により、銅等からなるシード層（不図示）を形成する。次いで、シード層上に、第２の配線層１０７を形成する部分に開口部が設けられためっきレジスト層（不図示）を形成する。続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、めっきレジスト層の開口部に銅等からなる金属めっき層を形成する。その後、めっきレジスト層を除去する。次いで、金属めっき層をマスクにしてシード層をウェットエッチングにより除去する。このようにして、シード層及び金属めっき層を含む第２の配線層１０７を形成することができる。
【００４９】
第２の配線層１０７の形成後、図７（ｃ）に示すように、コア基板１０２の両側において、第１の絶縁層１０５上に、第２の配線層１０７の接続部上にビアホール１０９が設けられた第２の絶縁層１０８を形成する。第２の絶縁層１０８は、第１の絶縁層１０５と同様の方法で形成することができる。
【００５０】
更に、同じく図７（ｃ）に示すように、コア基板１０２の両側において、ビアホール１０９内のビア導体を介して第２の配線層１０７に接続される第３の配線層１１０を第２の絶縁層１０８上に形成する。第３の配線層１１０は、第２の配線層１０７と同様の方法で形成することができる。
【００５１】
次いで、図８（ａ）に示すように、コア基板１０２の両側において、第２の絶縁層１０８上にソルダレジスト層１２０を形成する。その後、コア基板１０２の半導体チップと接続される側のソルダレジスト層１２０に第３の配線層１１０の接続部に達するビアホール１２１を形成する。また、コア基板１０２の反対側のソルダレジスト層１２０に第３の配線層１１０の接続部に達する開口部１２５を形成する。
【００５２】
ソルダレジスト層１２０は、感光性のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の絶縁樹脂から形成される。樹脂フィルムの貼り付け又は液状樹脂の塗布により、ソルダレジスト層１２０を形成してもよい。ビアホール１２１及び開口部１２５は、露光及び現像により形成することができる。ソルダレジスト層１２０に非感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を用いてもよい。この場合、ビアホール１２１及び開口部１２５は、レーザ加工又はブラスト処理により形成することができる。
【００５３】
続いて、図８（ｂ）に示すように、コア基板１０２の半導体チップと接続される側において、第３の配線層１１０の接続部上に、ビアホール１２１を通じてソルダレジスト層１２０の上方まで突出する接続端子１２４を形成する。接続端子１２４はポスト１２２及びバンプ１２３を含む。
【００５４】
次いで、図８（ｂ）に示す構造体を切断線ＣＬに沿ってスライサー等により切断する。これにより、配線基板１００に対応する構造体が個片化され、大判のコア配線基板１０１から第１の実施形態に係る配線基板１００が複数得られる。このようにして、図１に示す第１の実施形態に係る配線基板１００を製造することができる。
【００５５】
このような方法によれば、導電層１０３Ａとの密着性が優れた充填材１０３Ｂを備えた配線基板１００を製造することができる。
【００５６】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、製造方法の点で第１の実施形態と相違する。図９〜図１０は、第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。
【００５７】
第２の実施形態では、まず、第１の実施形態と同様にして、電解銅めっき膜２０２の形成までの工程を実行する（図４（ａ）参照）。次いで、図９（ａ）に示すように、浸漬処理（ディップ処理）により電解銅めっき膜２０２の表面上に第１の充填材２０３を形成し、仮硬化させる。第１の充填材２０３としては、第１の実施形態で用いるものよりも低粘度の樹脂を含有するものを用いる。第１の実施形態では、一時的に第１の充填材２０３によってスルーホール１０３が充填されるが（図４（ｂ）〜（ｃ）参照）、第２の実施形態では、空間が残存し、孔２０４がスルーホール１０３内に形成される。
【００５８】
その後、孔２０４の壁面のデスミア処理を行い、図９（ｂ）に示すように、孔２０４内に第２の充填材２０５を充填する。例えば、第２の充填材２０５はスクリーン印刷法により充填することができる。第２の充填材２０５はスルーホール１０３内で第１の充填材２０３上に形成される。なお、孔２０４の壁面のデスミア処理は必要に応じて行えばよい。
【００５９】
続いて、第２の充填材２０５を硬化させ、図９（ｃ）に示すように、第２の充填材２０５のうち電解銅めっき膜２０２の表面から突出している部分、及び第１の充填材２０３のうち厚さ方向で電解銅めっき膜２０２上の部分を除去する。このようにして、電解銅めっき膜２０２の表面と、第１の充填材２０３の表面（端面）と、第２の充填材２０５の表面とを面一にする。第２の充填材２０５がエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含む場合、加熱処理により第２の充填材２０５を硬化させることができる。例えば、第２の充填材２０５の突出している部分及び第１の充填材２０３のうち厚さ方向で電解銅めっき膜２０２上の部分は、バフ研磨又はロール研磨により除去することができる。
【００６０】
次いで、電解銅めっき膜２０２の表面、第１の充填材２０３の表面（端面）、及び第２の充填材２０５の表面のデスミア処理を行い、図１０（ａ）に示すように、電解銅めっき膜２０２の表面上、第１の充填材２０３の表面（端面）上、及び第２の充填材２０５の表面上に無電解銅めっき膜２０６を形成する。
【００６１】
その後、図１０（ｂ）に示すように、無電解銅めっき膜２０６をめっき給電経路に利用する電解めっき法により、無電解銅めっき膜２０６上に電解銅めっき膜２０７を形成する。
【００６２】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、電解銅めっき膜２０７、無電解銅めっき膜２０６、電解銅めっき膜２０２、無電解銅めっき膜２０１及び導電膜１０４Ａを加工する。例えば、電解銅めっき膜２０７、無電解銅めっき膜２０６、電解銅めっき膜２０２、無電解銅めっき膜２０１及び導電膜１０４Ａの加工は、フォトリソグラフィ及びエッチングにより行うことができる。このようにして、導電層１０３Ａ、充填材１０３Ｂ及び第１の配線層１０４が形成される。
【００６３】
更に、第１の実施形態と同様にして、第１の絶縁層１０５の形成以降の工程を実行することにより、配線基板１００を完成させる（図８（ｂ））。
【００６４】
このような方法によっても、導電層１０３Ａとの密着性が優れた充填材１０３Ｂを備えた配線基板１００を製造することができる。
【００６５】
図１１に、第１の実施形態に倣った方法で製造した配線基板（第１の実施例）及び第２の実施形態に倣った方法で製造した配線基板（第２の実施例）の走査型電子顕微鏡（scanning electron microscope：ＳＥＭ）像を示す。また、比較のために、第１の充填材２０３を形成せずに製造した配線基板（参考例）のＳＥＭ像を図１２に示す。図１１（ａ）に示す第１の実施例及び図１１（ｂ）に示す第２の実施例では、電解銅めっき膜２と第２の充填材（主部）５との間に第１の充填材（緩衝部）３が存在し、第２の充填材５中の無機フィラー６は電解銅めっき膜２に接触していない。一方、図１２に示す参考例では、第２の充填材５中の一部の無機フィラー６が電解銅めっき膜２に接触している。
【００６６】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は半導体パッケージに関する。図１３は、第３の実施形態に係る半導体パッケージ５００を示す断面図である。
【００６７】
図１３に示すように、第３の実施形態に係る半導体パッケージ５００は、第１の実施形態に係る配線基板１００、半導体チップ３００、バンプ３１２、アンダーフィル樹脂３３０及び外部接続端子３３１を有する。
【００６８】
半導体チップ３００は、バンプ３１２を介して接続端子１２４に接続される接続端子３１１を含む。接続端子３１１は、例えば電極パッドである。バンプ３１２には、例えば、はんだボールが用いられる。はんだボールの材料としては、バンプ１２３と同様に、錫銀（ＳｎＡｇ）系合金、錫亜鉛（ＳｎＺｎ）系合金及び錫銅（ＳｎＣｕ）系合金等の無鉛はんだ、並びに鉛錫（ＰｂＳｎ）系合金の有鉛はんだが例示される。半導体チップ３００と配線基板１００のソルダレジスト層１２０との間に、エポキシ樹脂等のアンダーフィル樹脂３３０が充填されている。
【００６９】
配線基板１００の半導体チップ３００とは反対側の面において、第３の配線層１１０上に外部接続端子３３１が設けられている。外部接続端子３３１には、例えば、バンプ３１２と同様のはんだボールが用いられる。
【００７０】
このような半導体パッケージ５００を製造するには、個片化後の配線基板１００を準備し、バンプ３１２を用いて、半導体チップ３００を配線基板１００にフリップチップ実装する。半導体チップ３００の実装後、半導体チップ３００とソルダレジスト層１２０との間にアンダーフィル樹脂３３０を充填する。また、外部接続端子３３１を第３の配線層１１０上に形成する。
【００７１】
このようにして、半導体パッケージ５００を製造することができる。
【００７２】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００７３】
１００  配線基板
１０１  コア配線基板
１０２  コア基板
１０３  スルーホール
１０３Ａ  導電層
１０３Ｂ  充填材
１０４  第１の配線層
１０４Ａ  導電膜
２０１  無電解銅めっき膜
２０２  電解銅めっき膜
２０３  第１の充填材
２０４  孔
２０５  第２の充填材
２０６  無電解銅めっき膜
２０７  電解銅めっき膜
３００  半導体チップ
３３０  アンダーフィル樹脂
５００  半導体パッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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