(57)【要約】【課題】基板に複数の処理を行うシステムにおいて、基板処理の自由度を向上させる。【解決手段】基板を処理する基板処理システムは、基板を研削加工する加工装置と、基板をダイシングするダイシング装置と、前記加工装置で研削加工された基板に所定の処理を行う処理装置と、基板を搬送する搬送装置と、前記加工装置、前記ダイシング装置、前記処理装置及び前記搬送装置を制御する制御装置と、を有する。前記制御装置は、基板の搬送経路を指定した搬送レシピを有し、前記搬送レシピに従って、少なくとも前記加工装置、前記ダイシング装置又は前記処理装置に基板を搬送するように前記搬送装置を制御し、前記搬送レシピは、基板が搬送される装置の処理レシピを、当該基板の搬送順番に並ぶように画面上で選択して設定され、前記搬送レシピが設定されると、当該搬送レシピを表示する前記画面に、基板が搬送される装置の処理レシピが表示される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理システムであって、
基板を研削加工する加工装置と、
基板をダイシングするダイシング装置と、
前記加工装置で研削加工された基板に所定の処理を行う処理装置と、
基板を搬送する搬送装置と、
前記加工装置、前記ダイシング装置、前記処理装置及び前記搬送装置を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置は、
基板の搬送経路を指定した搬送レシピを有し、
前記搬送レシピに従って、少なくとも前記加工装置、前記ダイシング装置又は前記処理装置に基板を搬送するように前記搬送装置を制御し、
前記搬送レシピは、基板が搬送される装置の処理レシピを、当該基板の搬送順番に並ぶように画面上で選択して設定され、
前記搬送レシピが設定されると、当該搬送レシピを表示する前記画面に、基板が搬送される装置の処理レシピが表示される、基板処理システム。
【請求項２】
前記搬送装置は、異なる状態の基板を保持して搬送する複数の搬送部を有し、
前記制御装置は、前記搬送レシピに基づいて、各搬送経路で用いられる前記搬送部を自動選択する、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記制御装置は、前記加工装置、前記ダイシング装置及び前記処理装置のそれぞれの装置間の搬送経路と、前記複数の搬送部との対応情報を有する、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記搬送装置は複数設けられ、
前記制御装置は、前記搬送レシピに基づいて、各搬送経路で用いられる前記搬送装置を自動選択する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記制御装置は、前記搬送レシピに基づいて、前記搬送経路を自動選択する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記加工装置は、基板を処理する複数のユニットを有し、
前記加工装置の処理レシピは、前記複数のユニットに対応して複数種類作成されており、
前記搬送レシピは、所望の前記加工装置の処理レシピを選択して設定される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記搬送レシピが設定されると、当該搬送レシピを表示する前記画面に、前記加工装置の前記複数のユニットに対応した処理レシピが表示され、
前記搬送レシピは、前記画面内にて変更自在である、請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
基板処理システムを用いて基板を処理する基板処理方法であって、
前記基板処理システムは、
基板を研削加工する加工装置と、
基板をダイシングするダイシング装置と、
前記加工装置で研削加工された基板に所定の処理を行う処理装置と、
基板を搬送する搬送装置と、を有し、
前記基板処理方法は、
基板が搬送される装置の処理レシピを、基板の搬送順番に並ぶように画面上で選択して、当該基板の搬送経路を指定した搬送レシピを設定する設定工程と、
前記搬送レシピに従って前記搬送装置を制御し、少なくとも前記加工装置、前記ダイシング装置又は前記処理装置に基板を搬送する搬送工程と、
少なくとも前記加工装置、前記ダイシング装置又は前記処理装置において基板を処理する処理工程と、を有し、
前記設定工程において前記搬送レシピが設定されると、当該搬送レシピを表示する前記画面に、基板が搬送される装置の処理レシピが表示される、基板処理方法。
【請求項９】
前記搬送装置は、異なる状態の基板を保持して搬送する複数の搬送部を有し、
前記搬送工程では、前記搬送レシピに基づいて、各搬送経路で用いられる前記搬送部を自動選択する、請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記搬送工程では、前記加工装置、前記ダイシング装置及び前記処理装置のそれぞれの装置間の搬送経路と、前記複数の搬送部との対応情報に基づいて、前記搬送部を自動選択する、請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記加工装置は、複数の前記搬送装置を有し、
前記搬送工程では、前記搬送レシピに基づいて、各搬送経路で用いられる前記搬送装置を自動選択する、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記搬送工程では、前記搬送レシピに基づいて、前記搬送経路を自動選択する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記加工装置は、基板を処理する複数のユニットを有し、
前記加工装置の処理レシピは、前記複数のユニットに対応して複数種類作成されており、
前記設定工程では、所望の前記加工装置の処理レシピを選択して、前記搬送レシピを設定する、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記設定工程において前記搬送レシピが設定されると、当該搬送レシピを表示する前記画面に、前記加工装置の前記複数のユニットに対応した処理レシピが表示され、
前記設定工程では、前記画面内にて前記搬送レシピを変更自在である、請求項１３に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ウェハに加工を施すウェハ加工システムが開示されている。ウェハ加工システムは、レーザー加工装置、研削装置、テープ貼着装置、搬送ユニット、及び制御手段を備える。
レーザー加工装置は、ウェハにレーザー光線を照射して、ウェハの内部に改質層を形成する。研削装置は、ウェハの裏面を研削する。テープ貼着装置は、ウェハの裏面にダイシングテープを貼着するとともに、ダイシングテープの外周縁に環状フレームを固定し、さらにウェハの表面に貼着された保護テープを剥離する。制御手段は４つの加工プログラムを備え、各加工プログラムに従ってウェハを搬送し加工する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−２２０５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板に複数の処理を行うシステムにおいて、基板処理の自由度を向上させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板を処理する基板処理システムであって、基板を研削加工する加工装置と、基板をダイシングするダイシング装置と、前記加工装置で研削加工された基板に所定の処理を行う処理装置と、基板を搬送する搬送装置と、前記加工装置、前記ダイシング装置、前記処理装置及び前記搬送装置を制御する制御装置と、を有し、前記制御装置は、基板の搬送経路を指定した搬送レシピを有し、前記搬送レシピに従って、少なくとも前記加工装置、前記ダイシング装置又は前記処理装置に基板を搬送するように前記搬送装置を制御し、前記搬送レシピは、基板が搬送される装置の処理レシピを、当該基板の搬送順番に並ぶように画面上で選択して設定され、前記搬送レシピが設定されると、当該搬送レシピを表示する前記画面に、基板が搬送される装置の処理レシピが表示される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板に複数の処理を行うシステムにおいて、基板処理の自由度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。
【図２】第１の実施形態における搬送レシピを示す説明図である。
【図３】第１の実施形態におけるウェハの搬送経路を示す説明図である。
【図４】第１の実施形態における搬送レシピを設定する様子を示す説明図である。
【図５】第１の実施形態における搬送レシピ及び処理レシピを表示した画面を示す説明図である。
【図６】第２の実施形態における搬送レシピを示す説明図である。
【図７】第２の実施形態におけるウェハの搬送経路を示す説明図である。
【図８】第３の実施形態における搬送レシピを示す説明図である。
【図９】第３の実施形態におけるウェハの搬送経路を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、ウェハの裏面を研削加工する処理、ウェハをダイシングする処理、ウェハをダイシングフレームに固定する処理などの一連の処理が行われる。
【０００９】
このウェハに対する一連の処理は、例えば特許文献１に開示されたウェハ加工システムで行われる。このウェハ加工システムでは、上述したように加工プログラムに従って、各装置にウェハを搬送し、それぞれの装置による加工をウェハに順次施す。そして、制御手段には、この加工プログラムとして第１〜第４加工プログラムの４つが記憶されている。換言すれば、ウェハ加工システムでは、これら４つの加工プログラムに従った順番でしか、ウェハを搬送することができない。したがって、決まった順序以外でウェハを搬送して加工することができず、加工処理の自由度が低い。
【００１０】
そこで、本開示にかかる技術は、基板としてのウェハに複数の処理を行うシステムにおいて、ウェハ処理の自由度を向上させる。以下、本実施形態にかかるウェハ処理システム及びウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１１】
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理システムの構成について説明する。図１は、ウェハ処理システム１の構成の概略を模式的に示す平面図である。
【００１２】
本実施形態のウェハ処理システム１では、ウェハＷに対してダイシング処理、研削加工処理、後処理などを行う。ウェハＷは、例えばシリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体ウェハである。ウェハＷの表面にはデバイス（図示せず）が形成されており、さらに当該表面にはデバイスを保護するための保護材、例えば保護テープ（図示せず）が貼り付けられている。
【００１３】
なお、後述する処理装置６０で処理されたウェハＷは、ダイシングテープを介してダイシングフレームに固定される。以下の説明では、このダイシングフレームに固定された状態のウェハＷを、ウェハＷｄと称する場合がある。
【００１４】
ウェハ処理システム１は、カセット載置台１０、ウェハ搬送領域２０、ダイシング装置３０、加工装置４０、紫外線処理装置５０、処理装置６０、及び制御装置７０を有している。カセット載置台１０、ダイシング装置３０、加工装置４０、紫外線処理装置５０、及び処理装置６０は、ウェハ搬送領域２０の周囲に設けられている。具体的に、カセット載置台１０は、ウェハ搬送領域２０のＹ軸負方向側に配置されている。ダイシング装置３０は、ウェハ搬送領域２０のＸ軸負方向側に配置されている。加工装置４０と紫外線処理装置５０は、ウェハ搬送領域２０のＹ軸正方向側において、Ｘ軸方向にこの順で並べて配置されている。処理装置６０は、ウェハ搬送領域２０のＸ軸正方向側に配置されている。
【００１５】
カセット載置台１０は、例えばウェハ処理システム１の外部との間でカセットＣｗ、Ｃｄが搬入出されるロードポートである。カセットＣｗには、複数のウェハＷが収納される。カセットＣｄには、ダイシングフレームに固定されたウェハＷが複数収納される。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば２つのカセットＣｗと２つのカセットＣｄをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
【００１６】
ウェハ搬送領域２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、ウェハＷを保持して搬送する搬送部として、３つの搬送アーム２３、２４、２５を有している。３つの搬送アーム２３、２４、２５はそれぞれ、異なる状態のウェハＷを保持して搬送する。第１の搬送アーム２３は、その先端が２本に分岐し、ウェハＷを吸着保持する。第２の搬送アーム２４は、平面視においてウェハＷの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハＷを全面で吸着保持する。第３の搬送アーム２５は、ダイシングフレームの外周部を掴んで、当該ダイシングフレームに固定されたウェハＷｄを保持する。そして、これら搬送アーム２３、２４、２５はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
【００１７】
ダイシング装置３０は、ウェハＷをダイシングして複数のチップに分割する。ダイシング装置３０は、アライメントユニット３１とダイシングユニット３２を有している。アライメントユニット３１は、ダイシング前のウェハＷの水平方向の向きを調節する。ダイシングユニット３２は、ウェハＷの内部にレーザー光を照射し集光することで、当該ウェハＷの内部に改質層を形成する。そして、ウェハＷはこの改質層を基点に、複数のチップに分割される。なお、アライメントユニット３１とダイシングユニット３２にはそれぞれ、公知の装置が用いられる。
【００１８】
加工装置４０では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。この加工装置４０の構成は後述する。
【００１９】
紫外線処理装置５０は、ウェハＷの裏面を搬送アーム（図示せず）で保持して搬送しながら、当該ウェハＷの表面に貼り付けられた保護テープに紫外線を照射する。なお、紫外線処理装置５０には、公知の装置が用いられる。
【００２０】
処理装置６０では、加工装置４０で加工処理されたウェハＷに対して後処理が行われる。処理装置６０は、マウントユニット６１と剥離ユニット６２を有している。マウントユニット６１は、ウェハＷにダイシングテープを貼り付け、当該ウェハＷをダイシングフレームに固定する。剥離ユニット６２は、ウェハＷｄの表面に貼り付けられた保護テープを剥離する。なお、マウントユニット６１と剥離ユニット６２にはそれぞれ、公知の装置が用いられる。
【００２１】
制御装置７０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置７０にインストールされたものであってもよい。
【００２２】
次に、上述した加工装置４０の構成について説明する。加工装置４０は、回転テーブル１００、搬送ユニット１１０、アライメントユニット１２０、第１の洗浄ユニット１３０、第２の洗浄ユニット１４０、第３の洗浄ユニット１５０、粗研削ユニット１６０、中研削ユニット１７０、及び仕上研削ユニット１８０を有している。
【００２３】
回転テーブル１００は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル１００上には、ウェハＷを吸着保持するチャック１０１が４つ設けられている。チャック１０１は、回転テーブル１００と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック１０１は、回転テーブル１００が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１〜Ａ３に移動可能になっている。なお、チャック１０１はチャックベース（図示せず）に保持され、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
【００２４】
本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、第３の洗浄ユニット１５０が配置される。受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット１４０、アライメントユニット１２０及び第１の洗浄ユニット１３０が並べて配置される。アライメントユニット１２０と第１の洗浄ユニット１３０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル１００のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット１６０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１７０が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル１００のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１８０が配置される。
【００２５】
搬送ユニット１１０は、複数、例えば３つのアーム１１１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム１１１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム１１１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド１１２が取り付けられている。また、基端のアーム１１１は、アーム１１１を鉛直方向に昇降させる昇降機構１１３に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット１１０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット１２０、第１の洗浄ユニット１３０、及び第２の洗浄ユニット１４０に対して、ウェハＷを搬送できる。
【００２６】
アライメントユニット１２０では、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、検出部（図示せず）でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷの水平方向の向きを調節する。
【００２７】
第１の洗浄ユニット１３０では、研削処理後のウェハＷの裏面を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。
【００２８】
第２の洗浄ユニット１４０では、研削処理後のウェハＷが搬送パッド１１２に保持された状態のウェハＷの表面を洗浄するとともに、搬送パッド１１２を洗浄する。
【００２９】
第３の洗浄ユニット１５０では、研削処理後のウェハＷの裏面を洗浄するとともに、チャック１０１を洗浄する。
【００３０】
粗研削ユニット１６０では、ウェハＷの裏面を粗研削する。粗研削ユニット１６０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部１６１を有している。また、粗研削部１６１は、支柱１６２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック１０１に保持されたウェハＷの裏面を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と粗研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに粗研削砥石を下降させることによって、ウェハＷの裏面を粗研削する。
【００３１】
中研削ユニット１７０では、ウェハＷの裏面を中研削する。中研削ユニット１７０は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１７１を有している。また、中研削部１７１は、支柱１７２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持されたウェハＷの裏面を中研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と中研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに中研削砥石を下降させることによって、裏面を中研削する。
【００３２】
仕上研削ユニット１８０では、ウェハＷの裏面を仕上研削する。仕上研削ユニット１８０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１８１を有している。また、仕上研削部１８１は、支柱１８２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック１０１に保持されたウェハＷの裏面を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック１０１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに仕上研削砥石を下降させることによって、裏面を仕上研削する。
【００３３】
次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。第１の実施形態ではウェハ処理として、いわゆるＳＤＢＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ  Ｄｉｃｉｎｇ  Ｂｅｆｏｒｅ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）を行う場合について説明する。ＳＤＢＧでは、ダイシング装置３０におけるダイシング処理、加工装置４０における研削加工処理、紫外線処理装置５０における紫外線処理、処理装置６０における後処理が順次行われる。
【００３４】
ウェハ処理を行うにあたっては、先ず、ウェハ処理システム１内のウェハＷの搬送経路を指定した搬送レシピを設定する。図２は、第１の実施形態における搬送レシピを示す説明図である。図３は、第１の実施形態におけるウェハＷの搬送経路を示す説明図である。図３中、ウェハＷの搬送経路は矢印で示されている。
【００３５】
図２及び図３中、Ｓｔｅｐは順序を示し、アルファベット（ＬＰ等）は搬送レシピにおいて処理を行うユニットの略称を示し、数字（１−０１等）は当該ユニットの番号を示す。ＬＰ１−０１は、カセットＣｗである。ＳＷＡ２−０１は、アライメントユニット３１である。ＳＤ２−０２は、ダイシングユニット３２である。ＧＷＡ３−０１は、アライメントユニット１２０である。ＷＳＨ３−０２は、第３の洗浄ユニット１５０である。ＧＲＤ３−０３は、粗研削ユニット１６０である。ＧＲＤ３−０４は、中研削ユニット１７０である。ＧＲＤ３−０５は、仕上研削ユニット１８０である。ＣＬＮ３−０６は、第２の洗浄ユニット１４０である。ＳＰＮ３−０７は、第１の洗浄ユニット１３０である。ＵＶ４−０１は、紫外線処理装置５０である。ＭＮＴ５−０１は、マウントユニット６１である。ＰＥＬ５−０２は、剥離ユニット６２である。
【００３６】
搬送レシピを設定するに際しては、各装置の順序を設定する。具体的には、図４に示すようにウェハＷが搬送される装置の処理レシピを、当該ウェハＷの搬送順番に並ぶように、例えばオペレータが画面上で選択する。本実施形態では、カセット載置台１０、ダイシング装置３０、加工装置４０、紫外線処理装置５０、処理装置６０、カセット載置台１０をこの順で設定する。
【００３７】
カセット載置台１０、ダイシング装置３０、加工装置４０、紫外線処理装置５０、処理装置６０、カセット載置台１０の処理レシピを選択して指定すると、その各装置における搬送レシピが自動的に挿入される。例えば図２に示すように、ダイシング装置３０を選択すると、ステップ２のＳＷＡ２−０１とステップ３のＳＤ２−０２が自動的に挿入される。同様に加工装置４０を選択するとステップ４〜ステップ１１が自動挿入され、紫外線処理装置５０を選択するとステップ１２が自動挿入され、処理装置６０を選択するとステップ１３〜１４が自動挿入される。
【００３８】
さらに、搬送レシピを設定するに際しては、ステップ１においてウェハＷを取り出すカセットＣｗと、ステップ１５においてウェハＷｄを戻すカセットＣｄも設定する。
【００３９】
以上のように搬送レシピが設定されると、図５に示すように当該搬送レシピを表示する画面に、ウェハＷが搬送される装置の処理レシピが表示される。処理レシピは、各処理の諸条件を指定したものである。例えばＧＲＤ３−０３には、粗研削処理を行うための処理レシピ（ＧＲＩＮＤ  Ｒｅｃｉｐｅ  Ｂｏｄｙ）が設定され、具体的にはウェハＷの回転数や研削量などの諸条件が指定される。
【００４０】
また、以上のように搬送レシピが設定されると、制御装置７０では、各ステップ間でウェハＷを搬送する際の、ウェハ搬送装置２２の搬送アームを自動的に選択する。またこの際、制御装置７０では、選択された搬送アームによるウェハＷの表裏面反転の有無、ウェハＷの吸着方法などの搬送方法も自動的に設定される。制御装置７０には、例えば各装置間の搬送経路と搬送アームの対応情報が記憶されている。対応情報は、例えば一覧表の形式で記憶されている。具体的には、例えばカセット載置台１０のカセットＣｗからダイシング装置３０にウェハＷを搬送する際には第１の搬送アーム２３が用いられ、当該カセット載置台１０からダイシング装置３０への搬送経路と第１の搬送アーム２３が対応付けて記憶されている。同様に、ダイシング装置３０から加工装置４０への搬送経路と第２の搬送アーム２４が対応付けられ、処理装置６０からカセット載置台１０への搬送経路と第３の搬送アーム２５が対応付けられている。同様に、制御装置７０では、搬送レシピに基づいて、加工装置４０内でウェハＷを搬送する際の、当該ウェハＷの搬送経路で用いられる搬送ユニット１１０も自動的に選択する。さらに、制御装置７０では、搬送レシピに基づいて、ウェハＷの搬送経路自体も自動的に選択する。
【００４１】
そして、制御装置７０では、搬送レシピを設定した際に、各ステップ間のウェハＷの搬送経路と、ウェハ搬送装置２２の搬送アームや搬送ユニット１１０とが適切に対応付けられる場合には、その搬送レシピは適切であると判断される。そして、当該搬送レシピに基づいて、ウェハＷの搬送と処理が行われる。一方、搬送レシピに、搬送アームと対応付けられない搬送経路が含まれる場合、すなわち当該搬送経路においてウェハＷを搬送できない場合、制御装置７０から警告が発せられる。そして、そのような警告が発生られた搬送レシピは実行することができない。
【００４２】
次に、以上の搬送レシピに従ってウェハＷを搬送し、各装置においてウェハＷに所定の処理を施す。
【００４３】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣｗが、カセット載置台１０に載置される（ステップ１）。カセットＣｗには、保護テープが変形するのを抑制するため、ウェハＷの表面が上側を向くようにウェハＷが収納されている。
【００４４】
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３によりカセットＣｗ内のウェハＷが取り出され、ダイシング装置３０に搬送される。この際、第１の搬送アーム２３によりウェハＷの裏面が上側に向くように、表裏面が反転される。
【００４５】
ダイシング装置３０に搬送されたウェハＷは、アライメントユニット３１に受け渡される（ステップ２）。アライメントユニット３１では、ウェハＷの水平方向の向きが調節される。
【００４６】
次に、ウェハＷはダイシングユニット３２に搬送される（ステップ３）。ダイシングユニット３２では、ウェハＷの内部にレーザー光を照射し集光することで、改質層を形成する。
【００４７】
次に、ウェハＷはウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によって、加工装置４０に搬送される。加工装置４０に搬送されたウェハＷは、アライメントユニット１２０に受け渡される（ステップ４）。アライメントユニット１２０では、ウェハＷの水平方向の向きが調節される。
【００４８】
次に、ウェハＷは搬送ユニット１１０により、アライメントユニット１２０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック１０１に受け渡される（ステップ５）。その後、チャック１０１を第１の加工位置Ａ１に移動させる（ステップ６）。そして、粗研削ユニット１６０によって、ウェハＷの裏面が粗研削される。
【００４９】
次に、チャック１０１を第２の加工位置Ａ２に移動させる（ステップ７）。そして、中研削ユニット１７０によって、ウェハＷの裏面が中研削される。
【００５０】
次に、チャック１０１を第３の加工位置Ａ３に移動させる（ステップ８）。そして、仕上研削ユニット１８０によって、ウェハＷの裏面が仕上研削される。
【００５１】
次に、チャック１０１を受渡位置Ａ０に移動させる（ステップ９）。そして、第３の洗浄ユニット１５０によって、ウェハＷの裏面が洗浄液によって粗洗浄される。この工程では、裏面の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
【００５２】
次に、ウェハＷは搬送ユニット１１０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット１４０に搬送される（ステップ１０）。第２の洗浄ユニット１４０では、ウェハＷが搬送パッド１１２に保持された状態で、ウェハＷの表面が洗浄し、乾燥される。
【００５３】
次に、ウェハＷは搬送ユニット１１０によって、第２の洗浄ユニット１４０から第１の洗浄ユニット１３０に搬送される（ステップ１１）。第１の洗浄ユニット１３０では、ウェハＷの裏面が洗浄液によって仕上洗浄される。この工程では、裏面が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
【００５４】
次に、ウェハＷは紫外線処理装置５０の搬送アームによって、第１の洗浄ユニット１３０から紫外線処理装置５０を通って（ステップ１２）、処理装置６０に搬送される。この際、紫外線処理装置５０では、搬送アームで搬送中のウェハＷの表面（保護テープ）に対して、紫外線が照射される。そして、この紫外線処理で照射された紫外線によって、後述する処理装置６０の剥離ユニット６２においてウェハＷから保護テープを容易に剥離させることができる。
【００５５】
処理装置６０に搬送されたウェハＷは、マウントユニット６１に受け渡される（ステップ１３）。マウントユニット６１では、ウェハＷにダイシングテープが貼り付けられ、当該ウェハＷがダイシングフレームに固定される。
【００５６】
次に、ウェハＷｄは剥離ユニット６３に搬送される（ステップ１４）。剥離ユニット６３では、ウェハＷｄの表面に貼り付けられた保護テープが剥離される。
【００５７】
次に、ダイシングフレームに固定されたウェハＷｄは、ウェハ搬送装置２２の第３の搬送アーム２５によって、カセット載置台１０のカセットＣｄに搬送される（ステップ１５）。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。なお、処理装置６０からカセットＣｄへのウェハＷの搬送は、処理装置６０の内部の搬送アーム（図示せず）によって行われてもよい。
【００５８】
以上の第１の実施形態ではウェハ処理としてＳＤＢＧを行う場合を説明したが、搬送レシピを変更することで、同一のウェハ処理システム１において他のウェハ処理を行うことができる。以下、他のウェハ処理として、後述するＳＤＡＧを行う場合（第２の実施形態）と、研削加工処理のみを行う場合（第３の実施形態）とを説明する。
【００５９】
先ず、第２の実施形態のウェハ処理として、いわゆるＳＤＡＧ（Ｓｔｅａｌｔｈ  Ｄｉｃｉｎｇ  Ａｆｔｅｒ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ）を行う場合について説明する。ＳＤＡＧでは、加工装置４０における研削加工処理、ダイシング装置３０におけるダイシング処理、処理装置６０における後処理が順次行われる。図６は、第２の実施形態における搬送レシピを示す説明図である。図７は、第２の実施形態におけるウェハＷの搬送経路を示す説明図である。図７中、ウェハＷの搬送経路は矢印で示されている。
【００６０】
第２の実施形態のＳＤＡＧと第１の実施形態のＳＤＢＧでは、ダイシング処理と研削加工処理の順番が異なる。そこで、第２の実施形態の搬送レシピを設定する際には、第１の実施形態のダイシング処理（ステップ２〜３）と研削加工処理（ステップ４〜１１）の順番を入れ替える。
【００６１】
また、第２の実施形態の搬送レシピでは、紫外線処理は紫外線処理装置５０で行われない。紫外線処理装置５０は、加工装置４０と処理装置６０の間に配置されているためである。そこで、本実施形態では、ウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によってダイシング装置３０から処理装置６０にウェハＷを搬送中に紫外線処理を行う。なお、紫外線処理は、処理装置６０の内部で行ってもよい。
【００６２】
次に、以上の搬送レシピに従ってウェハＷを搬送し、各装置においてウェハＷに所定の処理を施す。
【００６３】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣｗが、カセット載置台１０に載置される（ステップ１）。
【００６４】
次に、ウェハ搬送装置２２の第１の搬送アーム２３によりカセットＣｗ内のウェハＷが取り出され、加工装置４０に搬送される。加工装置４０では、ウェハＷのアライメント（ステップ２）、粗研削（ステップ３〜４）、中研削（ステップ５）、仕上研削（ステップ６）、裏面粗洗浄（ステップ７）、表面洗浄（ステップ８）、裏面仕上洗浄（ステップ９）が順次行われる。
【００６５】
次に、ウェハＷはウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によって、ダイシング装置３０に搬送される。ダイシング装置３０では、ウェハＷのアライメント（ステップ１０）、ダイシング（ステップ１１）が順次行われる。
【００６６】
次に、ウェハＷはウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によって、処理装置６０に搬送される。この搬送中、ウェハＷの表面（保護テープ）に対して紫外線が照射される。
【００６７】
処理装置６０では、ウェハＷのダイシングフレームへのマウント（ステップ１２）、保護テープの剥離（ステップ１３）が行われる。
【００６８】
次に、ダイシングフレームに固定されたウェハＷｄは、ウェハ搬送装置２２の第３の搬送アーム２５によって、カセット載置台１０のカセットＣｄに搬送される（ステップ１４）。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。なお、処理装置６０からカセットＣｄへのウェハＷの搬送は、処理装置６０の内部の搬送アーム（図示せず）によって行われてもよい。
【００６９】
次に、第３の実施形態のウェハ処理として、研削加工処理のみを行う場合について説明する。このウェハ処理は、加工装置４０における研削加工処理のみが行われ、例えば加工装置４０の評価用に行われる。図８は、第３の実施形態における搬送レシピを示す説明図である。図９は、第３の実施形態におけるウェハＷの搬送経路を示す説明図である。図９中、ウェハＷの搬送経路は矢印で示されている。
【００７０】
第３の実施形態では、先ず、第２の実施形態のステップ１〜９と同様の工程を行う。そして、ウェハＷの裏面に研削加工処理が行われる。
【００７１】
次に、ウェハＷはウェハ搬送装置２２の第２の搬送アーム２４によって、カセット載置台１０のカセットＣｗに搬送される（ステップ１０）。こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。
【００７２】
なお、第２の搬送アーム２４の構造によっては、ステップ１０において第２の搬送アーム２４からカセットＣｗにウェハＷを受け渡せない場合があり得る。かかる場合、加工装置４０で研削加工されたウェハＷを、紫外線処理装置５０を介して処理装置６０に搬送し、当該処理装置６０からオペレータが回収してもよい。なお、この場合、紫外線処理装置５０と処理装置６０では、それぞれの装置における処理が行われない。
【００７３】
以上、第１〜第３の実施形態で説明したとおり、本開示のようのウェハＷの搬送レシピを変更して設定すれば、同一のウェハ処理システム１において、複数の処理を行うことができる。したがって、従来よりウェハ処理の自由度を向上させることができる。
【００７４】
しかも、上記実施形態では、カセット載置台１０、ダイシング装置３０、加工装置４０、紫外線処理装置５０、処理装置６０、カセット載置台１０の処理レシピを選択すると、その各装置における搬送レシピが自動的に挿入される。このため、搬送レシピを簡易的に設定することができる。さらに、搬送レシピを設定すると、ウェハＷの搬送経路に対する搬送アームが自動的に選択される。このため、搬送レシピの設定負担がさらに軽減される。
【００７５】
なお、ウェハ処理システム１で行われるウェハ処理は、上述した第１〜第３の実施形態に限定されるものではない。例えば搬送レシピを変更することで、ウェハ処理システム１において、ダイシング装置３０でのダイシング処理のみを行うこともできる。
【００７６】
また、以上の第１〜第３の実施形態では、搬送レシピを設定する際、カセット載置台１０、ダイシング装置３０、加工装置４０、紫外線処理装置５０、処理装置６０、カセット載置台１０の処理レシピを選択すると、その各装置における搬送レシピが自動的に挿入された。この処理レシピは、１つの装置に対して複数種類あってもよい。例えば加工装置４０では、粗研削、中研削及び仕上研削の３段階でウェハＷの裏面を研削するが、粗研削を省略し、中研削と仕上研削の２段階で裏面研削を行う場合もある。そこで、加工装置４０の処理レシピを複数種類用意しておき、オペレータが選択できるようにしてもよい。さらに、加工装置４０の各ステップの搬送経路（処理）を、図５に示した画面内で、オペレータが自由に変更して設定できるようにしてもよい。
【００７７】
以上の実施形態では、ウェハＷの表面にはデバイスを保護するために保護テープが貼り付けられていたが、デバイスの保護材はこれに限定されない。例えばウェハＷの表面には、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本開示を適用することができる。
【００７８】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１  ウェハ処理システム
２２  ウェハ搬送装置
３０  ダイシング装置
４０  加工装置
６０  処理装置
７０  制御装置
Ｗ（Ｗｄ）  ウェハ
【図１】
2020009849.tif 000003
【図２】
2020009849.tif 000004
【図３】
2020009849.tif 000005
【図４】
2020009849.tif 000006
【図５】
2020009849.tif 000007
【図６】
2020009849.tif 000008
【図７】
2020009849.tif 000009
【図８】
2020009849.tif 000010
【図９】
2020009849.tif 000011