(57)【要約】【課題】開口を介する透湿を防止する構造の表示パネルを提供する。【解決手段】本発明の表示パネルは、開口を取り囲む表示領域上に配置され、画素電極、画素電極上の発光層、及び発光層上の対向電極をそれぞれ具備する複数の表示素子と、開口と表示領域との間に位置するグルーブと、を備え、グルーブは、第１層及び第１層上の第２層を含む多層膜の厚み方向に沿って凹状のアンダーカット断面を有し、第２層は、グルーブの中心に向けて突出する一対の先端部を含み、先端部のそれぞれの長さは、２μｍよりも短い。【選択図】図８Ａ
2020061354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を取り囲む表示領域上に配置され、画素電極、前記画素電極上の発光層、及び前記発光層上の対向電極をそれぞれ具備する複数の表示素子と、
前記開口と前記表示領域との間に位置するグルーブと、を備え、
前記グルーブは、第１層及び前記第１層上の第２層を含む多層膜の厚み方向に沿って凹状のアンダーカット断面を有し、
前記第２層は、前記グルーブの中心に向けて突出する一対の先端部を含み、
前記先端部のそれぞれの長さは、２μｍよりも短いことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記先端部のそれぞれの長さは、０．３μｍであるか又はそれよりも長く、２μｍよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第１層は、有機物を含み、
前記第２層は、無機物を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第２層は、無機絶縁層又は金属を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記グルーブは、
前記第１層の第１ホール又は第１リセスと、
前記第２層の第２ホールと、を含み、
前記第２ホールは、前記第１ホール又は前記第１リセスに連結されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記一対の先端部間の距離は、前記第１ホール又は前記第１リセスの深さよりも長いことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記先端部のそれぞれの長さよりも深いことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さに対する前記先端部のそれぞれの長さは、０．０５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０である（ここで、ｌは前記先端部のそれぞれの長さを示し、ｄｐは前記第１ホール又は前記第１リセスの深さを示す）ことを特徴とする請求項７に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記第１層の厚みと同じであるか又はそれよりも浅いことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記画素電極と前記発光層との間の第１機能層、及び前記発光層と前記対向電極との間の第２機能層のうちの少なくともいずれか１層を更に含み、
前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層と前記対向電極とは、それぞれ前記一対の先端部を中心に断絶され、
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚みと前記対向電極の厚みとの和よりも深いことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記対向電極上のキャッピング層を更に含み、
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚み、前記対向電極の厚み、及び前記キャッピング層の厚みの和よりも深いことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項１２】
基板、及び前記基板上に配置されて前記画素電極に電気的に連結される薄膜トランジスタを具備する画素回路を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記基板は、前記多層膜を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項１４】
前記多層膜は、前記基板上に位置することを特徴とする請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項１５】
開口を取り囲む表示領域に位置し、それぞれ画素電極、発光層、及び対向電極を含む複数の表示素子と、
前記開口と前記表示領域との間に位置してアンダーカット断面を有するグルーブと、を備え、
前記グルーブは、第１層及び前記第１層上の第２層を含む多層膜の厚み方向に沿って形成され、
前記第２層は、前記グルーブの中心に向けて突出する一対の先端部を含み、
前記グルーブのうちの前記第１層を通過する部分の深さは、前記先端部のそれぞれの長さよりも深いことを特徴とする表示パネル。
【請求項１６】
前記先端部のそれぞれの長さは、０．３μｍであるか又はそれよりも長く、２μｍよりも短いことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記第１層を通過する部分の深さは、前記第１層の厚みと同じであるか又はそれよりも浅いことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記一対の先端部間の距離は、前記第１層を通過する部分の深さよりも長いことを特徴とする請求項１７に記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記第１層を通過する部分の深さに対する前記先端部のそれぞれの長さは、０．０５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０である（ここで、ｌは前記先端部のそれぞれの長さを示し、ｄｐは前記第１層を通過する部分の深さを示す）ことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項２０】
前記画素電極と前記発光層との間の第１機能層、及び前記発光層と前記対向電極との間の第２機能層のうちの少なくともいずれか１層を更に含み、
前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層と前記対向電極とは、それぞれ前記一対の先端部を中心に断絶され、
前記第１層を通過する部分の深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚みと前記対向電極の厚みとの和よりも深いことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項２１】
前記対向電極上のキャッピング層を更に含み、
前記第１層を通過する部分の深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚み、前記対向電極の厚み、及び前記キャッピング層の厚みの和よりも深いことを特徴とする請求項２０に記載の表示パネル。
【請求項２２】
前記第１層を通過する部分の深さは、２μｍであるか又はそれよりも深いことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項２３】
基板、及び前記基板上に位置して前記画素電極に電気的に連結される薄膜トランジスタを具備する画素回路を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項２４】
前記基板は、前記多層膜を含むことを特徴とする請求項２３に記載の表示パネル。
【請求項２５】
前記多層膜は、前記基板上に位置することを特徴とする請求項２３に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、グルーブを含む表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置は、その用途が多様になっている。また、表示装置の厚みが薄くなり、重さが軽く、その使用範囲が広範囲になっている。
【０００３】
表示装置において、表示領域が占める面積が拡大されながら、表示装置に組み合わせたり連繋させたりする多様な機能が追加されている。面積を拡大させながら、多様な機能を追加するための方案として、表示領域に開口が形成された表示装置の研究が続けられている。
【０００４】
従来の開口を具備する表示装置の場合、開口の側面から水分のような異物が浸透すると、開口を取り囲む表示素子を損傷させてしまうという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第９６３２４８７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、開口を介する透湿を防止する構造の表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示パネルは、開口を取り囲む表示領域上に配置され、画素電極、前記画素電極上の発光層、及び前記発光層上の対向電極をそれぞれ具備する複数の表示素子と、前記開口と前記表示領域との間に位置するグルーブと、を備え、前記グルーブは、第１層及び前記第１層上の第２層を含む多層膜の厚み方向に沿って凹状のアンダーカット断面を有し、前記第２層は、前記グルーブの中心に向けて突出する一対の先端部を含み、前記先端部のそれぞれの長さは、２μｍよりも短い。
【０００８】
前記先端部のそれぞれの長さは、０．３μｍであるか又はそれよりも長く、２μｍよりも短くあり得る。
前記第１層は、有機物を含み、前記第２層は、無機物を含み得る。
前記第２層は、無機絶縁層又は金属を含み得る。
前記グルーブは、前記第１層の第１ホール又は第１リセスと、前記第２層の第２ホールと、を含み、前記第２ホールは、前記第１ホール又は前記第１リセスに連結され得る。
前記一対の先端部間の距離は、前記第１ホール又は前記第１リセスの深さよりも長くあり得る。
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記先端部のそれぞれの長さよりも深くあり得る。
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さに対する前記先端部のそれぞれの長さは、０．０５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０であり得る（ここで、ｌは前記先端部のそれぞれの長さを示し、ｄｐは前記第１ホール又は前記第１リセスの深さを示す）。
前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記第１層の厚みと同じであるか又はそれよりも浅くあり得る。
前記表示パネルは、前記画素電極と前記発光層との間の第１機能層、及び前記発光層と前記対向電極との間の第２機能層のうちの少なくともいずれか１層を更に含み、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層と前記対向電極とは、それぞれ前記一対の先端部を中心に断絶され、前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚みと前記対向電極の厚みとの和よりも深くあり得る。
前記対向電極上のキャッピング層を更に含み、前記第１ホール又は前記第１リセスの深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚み、前記対向電極の厚み、及び前記キャッピング層の厚みの和よりも深くあり得る。
前記表示パネルは、基板、及び前記基板上に配置されて前記画素電極に電気的に連結される薄膜トランジスタを具備する画素回路を更に含み得る。
前記基板は、前記多層膜を含み得る。前記多層膜は、前記基板上に位置し得る。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による表示パネルは、開口を取り囲む表示領域に位置し、それぞれ画素電極、発光層、及び対向電極を含む複数の表示素子と、前記開口と前記表示領域との間に位置してアンダーカット断面を有するグルーブと、を備え、前記グルーブは、第１層及び前記第１層上の第２層を含む多層膜の厚み方向に沿って形成され、前記第２層は、前記グルーブの中心に向けて突出する一対の先端部を含み、前記グルーブのうちの前記第１層を通過する部分の深さは、前記先端部のそれぞれの長さよりも深い。
【００１０】
前記先端部のそれぞれの長さは、０．３μｍであるか又はそれよりも長く、２μｍよりも短くあり得る。
前記第１層を通過する部分の深さは、前記第１層の厚みと同じであるか又はそれよりも浅くあり得る。
前記一対の先端部間の距離は、前記第１層を通過する部分の深さよりも長くあり得る。
前記第１層を通過する部分の深さに対する前記先端部のそれぞれの長さは、０．０５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５であり得る（ここで、ｌは前記先端部のそれぞれの長さを示し、ｄｐは前記第１層を通過する部分の深さを示す）。
前記表示パネルは、前記画素電極と前記発光層との間の第１機能層、及び前記発光層と前記対向電極との間の第２機能層のうちの少なくともいずれか１層を更に含み、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層と前記対向電極とは、それぞれ前記一対の先端部を中心に断絶され、前記第１層を通過する部分の深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚みと前記対向電極の厚みとの和よりも深くあり得る。
前記表示パネルは、前記対向電極上のキャッピング層を更に含み、前記第１層を通過する部分の深さは、前記第１機能層及び前記第２機能層のうちの少なくともいずれか１層の厚み、前記対向電極の厚み、及び前記キャッピング層の厚みの和よりも深くあり得る。
前記第１層を通過する部分の深さは、２μｍであるか又はそれよりも深くあり得る。
前記表示パネルは、基板、及び前記基板上に位置して前記画素電極に電気的に連結される薄膜トランジスタを具備する画素回路を更に含み得る。
前記基板は、前記多層膜を含み得る。前記多層膜は、前記基板上に位置し得る。
【００１１】
上述の構成以外の他の側面、特徴、利点は、図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示パネルによれば、アンダーカット断面によってグルーブが損傷されることを防止することができ、従って、表示素子が外部の水気のような異物によって損傷されることを防止することができる。しかし、そのような効果は、例示的なものであり、それにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置を簡略に示した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示パネルを概略的に示した平面図である。
【図４】表示パネルのいずれか１画素を概略的に示した等価回路図である。
【図５】本発明の一実施形態による表示パネルにおける第１非表示領域に位置する信号ラインを示す図である。
【図６】本発明の一実施形態による表示パネルにおける第１非表示領域に位置するグルーブを示す図である。
【図７】本発明の一実施形態による表示パネルに具備されたいずれか１画素の断面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による表示パネルに具備されたグルーブの第１例の断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態による表示パネルに具備されたグルーブの第２例の断面図である。
【図８Ｃ】本発明の一実施形態による表示パネルに具備されたグルーブの第３例の断面図である。
【図８Ｄ】本発明の一実施形態による表示パネルに具備されたグルーブの第４例の断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による表示パネルにおけるグルーブの第１例を抜粋して示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態による表示パネルにおけるグルーブの第２例を抜粋して示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による表示パネルにおけるグルーブの第３例を抜粋して示した断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの一例を抜粋して示した断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの他の例を抜粋して示した断面図である。
【図１５】本発明の更に他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの一例を抜粋して示した断面図である。
【図１６】本発明の更に他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの他の例を抜粋して示した断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態による表示パネルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、多様な変更を加えることができ、様々な実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、本明細書において詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に説明する実施形態を参照すると、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態によって具現される。
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図面を参照して説明する際、同一であるか又は対応する構成要素には同一図面符号を付し、それに対する重複説明を省略する。
【００１６】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的に使用される。
【００１７】
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１８】
以下の実施形態において、「含む」又は「有する」という用語は、明細書上に記載された特徴又は構成要素が存在することを意味するものであり、１以上の他の特徴又は構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。
【００１９】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分上又は上部にあるとする場合、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在する場合も含む。
【００２０】
図面において、説明の便宜のために、構成要素はその大きさが誇張されたり縮小されたりする。例えば、図面に示した各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示すものであり、本発明は、必ずしも図示したものに限定されるものではない。
【００２１】
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明する順序と異なるようにも遂行される。例えば、連続して説明する２つの工程が実質的に同時に遂行され、また説明する順序と反対の順序に進められる。
【００２２】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されるとする場合、膜、領域、構成要素が直接に連結される場合だけではなく、膜、領域、構成要素の中間に、他の膜、領域、構成要素が介在して間接的に連結される場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されるとする場合、膜、領域、構成要素などが直接電気的に連結される場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在して間接的に電気的連結される場合も含む。
【００２３】
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示した斜視図である。
【００２４】
図１を参照すると、表示装置１は、光を放出する表示領域ＤＡと、光を放出しない非表示領域ＮＤＡと、を含む。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡに隣接するように配置される。表示装置１は、表示領域ＤＡに配置された複数の画素のそれぞれから放出される光を利用して、所定イメージを提供する。
【００２５】
表示装置１は、表示領域ＤＡによって少なくとも部分的に取り囲まれた開口領域ＯＡを含む。本実施形態において、図１は、開口領域ＯＡが表示領域ＤＡによって全体的に取り囲まれたものを示す。非表示領域ＮＤＡは、開口領域ＯＡを取り囲む第１非表示領域ＮＤＡ１、及び表示領域ＤＡの外郭を取り囲む第２非表示領域ＮＤＡ２を含む。第１非表示領域ＮＤＡ１は、開口領域ＯＡを全体的に取り囲み、表示領域ＤＡは、第１非表示領域ＮＤＡ１を全体的に取り囲み、第２非表示領域ＮＤＡ２は、表示領域ＤＡを全体的に取り囲む。
【００２６】
以下、本発明の一実施形態による表示装置１として、有機発光表示装置を例にして説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではない。他の実施形態として、無機発光表示装置（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）、量子点発光表示装置（ｑｕａｎｔｕｍ  ｄｏｔ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）のように、多様な方式の表示装置が使用される。
【００２７】
図２は、本発明の一実施形態による表示装置を簡略に示した断面図であり、図１のＩＩ−ＩＩ’線による断面に対応する。
【００２８】
図２を参照すると、表示装置１は、表示パネル１０、表示パネル１０上に配置される入力感知部材２０、及び光学的機能部材３０を含み、それらはウィンドウ４０によってカバーされる。表示装置１は、携帯電話（ｍｏｂｉｌｅ  ｐｈｏｎｅ）、ノート型パソコン、スマートウォッチのような多様な電子機器である。
【００２９】
表示パネル１０はイメージを表示する。表示パネル１０は、表示領域ＤＡに配置された画素を含む。画素は、表示素子、及びそれに連結された画素回路を含む。表示素子は、有機発光ダイオード、無機発光ダイオード、量子点発光ダイオードなどを含む。
【００３０】
入力感知部材２０は、外部の入力、例えばタッチイベントによる座標情報を獲得する。入力感知部材２０は、感知電極（ｓｅｎｓｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ又はｔｏｕｃｈ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）及び感知電極に連結された信号ライン（ｔｒａｃｅ  ｌｉｎｅ）を含む。入力感知部材２０は表示パネル１０上に配置される。
【００３１】
入力感知部材２０は、表示パネル１０上に直接形成されるか、或いは別途に形成された後、光学透明粘着剤（ＯＣＡ）のような粘着層を介して結合される。例えば、入力感知部材２０は、表示パネル１０を形成する工程後に連続して形成される。その場合、粘着層は入力感知部材２０と表示パネル１０との間に介在しない。図２には、入力感知部材２０が表示パネル１０と光学的機能部材３０との間に介在するものを示すが、他の実施形態として、入力感知部材２０は光学的機能部材３０上に配置される。
【００３２】
光学的機能部材３０は反射防止層を含む。反射防止層は、ウィンドウ４０を介して外部から表示パネル１０に向けて入射する光（外部光）の反射率を低減させる。反射防止層は位相遅延子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）及び偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を含む。位相遅延子は、フィルムタイプ又は液晶コーティングタイプであり、λ／２位相遅延子及び／又はλ／４位相遅延子を含む。偏光子もフィルムタイプ又は液晶コーティングタイプである。フィルムタイプは延伸型合成樹脂フィルムであり、液晶コーティングタイプは所定配列に配列された液晶を含む。それぞれの位相遅延子及び偏光子は保護フィルムを更に含む。位相遅延子及び偏光子自体又は保護フィルムが反射防止層のベース層として定義される。
【００３３】
他の実施形態において、反射防止層はブラックマトリックスとカラーフィルタとを含む。カラーフィルタは、表示パネル１０の画素のそれぞれから放出される光の色相を考慮して配列される。更に他の実施形態において、反射防止層は相殺干渉構造物を含む。相殺干渉構造物は、互いに異なる層上に配置された第１反射層と第２反射層とを含む。第１反射層及び第２反射層でそれぞれ反射された第１反射光及び第２反射光は相殺干渉され、それにより外部光反射率が低減する。
【００３４】
光学的機能部材３０はレンズ層を含む。レンズ層は、表示パネル１０から放出される光の出光効率を向上させるか又は色偏差を低減させる。レンズ層は、凹状であるか又は凸状であるレンズ形状を有する層を含み、且つ／又は屈折率が互いに異なる複数の層を含む。光学的機能部材３０は、上述の反射防止層及びレンズ層の両方を含むか又ははそれらのうちのいずれか１層を含む。
【００３５】
表示パネル１０、入力感知部材２０、及び光学的機能部材３０は、それぞれ開口を含む。それに関して、図２には、表示パネル１０、入力感知部材２０、及び光学的機能部材３０がそれぞれ第１開口１０Ｈ、第２開口２０Ｈ、及び第３開口３０Ｈを含み、第１開口１０Ｈ、第２開口２０Ｈ、及び第３開口３０Ｈが互いに重畳するように示す。第１開口１０Ｈ、第２開口２０Ｈ、及び第３開口３０Ｈは、開口領域ＯＡに対応するように位置する。他の実施形態において、表示パネル１０、入力感知部材２０、及び光学的機能部材３０のうちの少なくとも一つは開口を含まない。例えば、表示パネル１０、入力感知部材２０、及び光学的機能部材３０のうちから選択されるいずれか１又は２の構成要素は開口を含まない。
【００３６】
コンポーネント５０は開口領域ＯＡに対応する。コンポーネント５０は、図２に実線で示すように、第１開口１０Ｈ、第２開口２０Ｈ、及び第３開口３０Ｈ内に位置するか又は点線で示すように、表示パネル１０の下に配置される。
【００３７】
コンポーネント５０は電子素子を含む。例えば、コンポーネント５０は、光や音響を利用する電子素子である。例えば、電子素子は、赤外線センサのように光を受光して利用するセンサ、光を受光してイメージを撮像するカメラ、光や音響を出力して感知し、距離を測定したり指紋などを認識したりするセンサ、光を出力する小型ランプ、音を出力するスピーカなどを含む。光を利用する電子素子の場合、可視光、赤外線光、紫外線光のように多様な波長帯域の光を利用する。一実施形態において、開口領域ＯＡは、コンポーネント５０から外部に出力されるか又は外部から電子素子に向けて進む光又は／及び音響が透過する透過領域（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ａｒｅａ）と理解される。
【００３８】
他の実施形態において、表示装置１がスマートウォッチや車両用計器盤に利用される場合、コンポーネント５０は、時計針や所定情報（例：車両速度など）を指示する針などを含む部材である。表示装置１が時計針や車両用計器盤を含む場合、コンポーネント５０がウィンドウ４０を貫通して外部に露出し、ウィンドウ４０は開口領域ＯＡに対応する開口を含む。
【００３９】
コンポーネント５０は、上述のように、表示パネル１０の機能に関する構成要素を含むか、或いは表示パネル１０の審美感を上昇させるアクセサリのような構成要素などを含む。
【００４０】
図３は、本発明の一実施形態による表示パネルを概略的に示した平面図であり、図４は、表示パネルのいずれか１画素を概略的に示した等価回路図である。
【００４１】
図３を参照すると、表示パネル１０は、表示領域ＤＡ、並びに第１非表示領域ＮＤＡ１及び第２非表示領域ＮＤＡ２を含む。図３は、表示パネル１０における基板１００の様子と理解される。例えば、基板１００が開口領域ＯＡ、表示領域ＤＡ、第１非表示領域ＮＤＡ１、及び第２非表示領域ＮＤＡ２を有すると理解される。
【００４２】
表示パネル１０は、表示領域ＤＡに配置された複数の画素Ｐを含む。各画素Ｐは、図４に示すように、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに連結された表示素子として有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。画素回路ＰＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。各画素Ｐは、有機発光ダイオードＯＬＥＤを介して、例えば赤色、緑色、青色、又は白色の光を放出する。
【００４３】
第２薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング薄膜トランジスタであり、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに連結され、スキャンラインＳＬから入力されるスイッチング電圧により、データラインＤＬから入力されたデータ電圧を第１薄膜トランジスタＴ１に伝達する。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２と駆動電圧線ＰＬとに連結され、第２薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存する。
【００４４】
第１薄膜トランジスタＴ１は、駆動薄膜トランジスタであり、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに連結され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応して、駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤを流れる駆動電流を制御する。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流により所定輝度を有する光を放出する。有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極（例：カソード）は、第２電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する。
【００４５】
図４は、画素回路ＰＣが、２個の薄膜トランジスタと１個のストレージキャパシタとを含むものとして説明しているが、本発明は、それに限定されるものではない。薄膜トランジスタの個数及びストレージキャパシタの個数は、画素回路ＰＣの設計により、多様に変更されるということは言うまでもない。
【００４６】
再び図３を参照すると、第１非表示領域ＮＤＡ１は開口領域ＯＡを取り囲む。第１非表示領域ＮＤＡ１は、光を放出する有機発光ダイオードのような表示素子が配置されない領域であり、第１非表示領域ＮＤＡ１には、開口領域ＯＡの周辺に具備された画素Ｐに信号を提供する信号ラインが通過するか又は後述するグルーブが配置される。第２非表示領域ＮＤＡ２には、各画素Ｐにスキャン信号を提供するスキャンドライバ１１００、各画素Ｐにデータ信号を提供するデータドライバ１２００、第１電源電圧及び第２電源電圧を提供するためのメイン電源配線（図示せず）などが配置される。図４には、データドライバ１２００が基板１００の一側辺に隣接して配置されるように示しているが、他の実施形態によると、データドライバ１２００は、表示パネル１０の一側に配置されたパッドに電気的に接続されるＦＰＣＢ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）上に配置される。
【００４７】
図５は、本発明の一実施形態による表示パネルの一部を示した平面図であり、第１非表示領域に位置する信号ラインを示す。
【００４８】
図５を参照すると、開口領域ＯＡを中心に画素Ｐが表示領域ＤＡに配置され、開口領域ＯＡと表示領域ＤＡとの間には第１非表示領域ＮＤＡ１が位置する。
【００４９】
画素Ｐは、開口領域ＯＡを中心に相互に離隔される。画素Ｐは、開口領域ＯＡを中心に上下に離隔され、且つ／又は開口領域ＯＡを中心に左右に離隔されて配置される。
【００５０】
画素Ｐに信号を供給する信号ラインのうち、開口領域ＯＡに隣接する信号ラインは、開口領域ＯＡを迂回する。表示領域ＤＡを通るデータラインのうちの一部のデータラインＤＬは、開口領域ＯＡを挟んで上下に配置された画素Ｐにデータ信号を提供するようにｙ方向に延長されるが、第１非表示領域ＮＤＡ１で、開口領域ＯＡのエッジに沿って迂回する。表示領域ＤＡを通るスキャンラインのうちの一部のスキャンラインＳＬは、開口領域ＯＡを挟んで左右に配置された画素Ｐにスキャン信号を提供するようにｘ方向に延長されるが、第１非表示領域ＮＤＡ１で、開口領域ＯＡのエッジに沿って迂回する。
【００５１】
図６は、本発明の一実施形態による表示パネルの一部を示した平面図であり、第１非表示領域ＮＤＡ１に位置するグルーブを示す。
【００５２】
開口領域ＯＡと表示領域ＤＡとの間には、１又はそれ以上のグルーブが位置する。それに関して、図６には、開口領域ＯＡと表示領域ＤＡとの間に３個のグルーブＧが位置するように示すが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、第１非表示領域ＮＤＡ１には、１個、２個、又は４個以上のグルーブが配置される。
【００５３】
グルーブＧは、第１非表示領域ＮＤＡ１で、開口領域ＯＡを全体的に取り囲む環形状である。グルーブＧのそれぞれの直径は、開口領域ＯＡの直径よりも大きく形成される。平面上で開口領域ＯＡを取り囲むグルーブＧは、所定間隔で離隔される。
【００５４】
図５及び図６を共に参照すると、グルーブＧは、開口領域ＯＡのエッジを迂回するデータライン又は／及びスキャンラインの迂回部分よりも開口領域ＯＡに更に隣接するように位置する。
【００５５】
図７は、本発明の一実施形態による表示パネルに具備された画素の断面図であり、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ’線による断面に対応する。
【００５６】
図７を参照すると、表示領域ＤＡには、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに電気的に連結される有機発光ダイオードＯＬＥＤが配置される。
【００５７】
基板１００上に位置する薄膜トランジスタＴＦＴ、ストレージキャパシタＣｓｔ、及びそれらに電気的に連結される画素電極２２１が形成される。画素回路ＰＣは基板１００上に配置され、画素回路ＰＣ上には有機発光ダイオードＯＬＥＤが位置する。
【００５８】
基板１００は高分子樹脂又はガラスを含む。一実施形態において、基板１００は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、又は／及びセルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のような高分子樹脂を含み、フレキシブルな性質を有する。基板１００は、ＳｉＯ２を主成分にするガラス材を含むか又は強化プラスチックのような樹脂を含み、リジッド（ｒｉｇｉｄ）な性質を有する。
【００５９】
基板１００上には、不純物が薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層Ａｃｔに浸透することを防止するために形成されたバッファ層２０１が形成される。バッファ層２０１は、シリコンナイトライド又はシリコンオキサイドのような無機絶縁物を含み、上述の無機絶縁物を含む単層又は多層である。
【００６０】
バッファ層２０１上には画素回路ＰＣが配置される。画素回路ＰＣは薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。薄膜トランジスタＴＦＴは、半導体層Ａｃｔ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを含む。図７に示す薄膜トランジスタＴＦＴは、図４を参照して説明した駆動薄膜トランジスタに対応する。本実施形態では、ゲート電極ＧＥがゲート絶縁層２０３を挟んで半導体層Ａｃｔ上に配置されるトップゲートタイプを図示したが、他の実施形態によると、薄膜トランジスタＴＦＴは、ボトムゲートタイプである。
【００６１】
半導体層Ａｃｔはポリシリコンを含む。或いは、半導体層Ａｃｔは、非晶質シリコン、酸化物半導体、有機半導体などを含む。ゲート電極ＧＥは低抵抗金属物質を含む。ゲート電極ＧＥは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、上述の材料を含む多層又は単層に形成される。
【００６２】
半導体層Ａｃｔとゲート電極ＧＥとの間のゲート絶縁層２０３は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイドのような無機絶縁物を含む。ゲート絶縁層２０３は、上述の物質を含む単層又は多層である。
【００６３】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは導電性が良好な材料を含む。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、上述の材料を含む多層又は単層に形成される。一実施形態において、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層に形成される。
【００６４】
ストレージキャパシタＣｓｔは、第１層間絶縁層２０５を挟んで重畳する下部電極ＣＥ１と上部電極ＣＥ２とを含む。ストレージキャパシタＣｓｔは薄膜トランジスタＴＦＴに重畳する。それに関して、図７には、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＥがストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１であるように示す。他の実施形態として、ストレージキャパシタＣｓｔは、薄膜トランジスタＴＦＴに重畳しない。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２層間絶縁層２０７によってカバーされる。
【００６５】
第１層間絶縁層２０５及び第２層間絶縁層２０７は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイドのような無機絶縁物を含む。第１層間絶縁層２０５及び第２層間絶縁層２０７は、上述の物質を含む単層又は多層である。
【００６６】
薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔを含む画素回路ＰＣは、第１絶縁層２０９によってカバーされる。第１絶縁層２０９は、平坦化絶縁層であり、上面が略偏平な面を含む。第１絶縁層２０９は、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）やＰＳ（ｐｏｌｙｓｔｙｌｅｎｅ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニールアルコール系高分子、及びそれらのブレンドのような有機絶縁物を含む。一実施形態において、第１絶縁層２０９はポリイミドを含む。或いは、第１絶縁層２０９は、無機絶縁物を含むか、又は無機絶縁物及び有機絶縁物を含む。
【００６７】
画素電極２２１は第１絶縁層２０９上に形成される。画素電極２２１は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、インジウムオキサイド（Ｉｎ２Ｏ３）、インジウムガリウムオキサイド（ＩＧＯ）、又はＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）のような導電性酸化物を含む。他の実施形態として、画素電極２２１は、銀、（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロミウム（Ｃｒ）、又はそれらの化合物を含む反射膜を含む。更に他の実施形態として、画素電極２２１は、上述の反射膜の上下にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ２Ｏ３で形成された膜を更に含む。
【００６８】
画素電極２２１上には第２絶縁層２１１が形成される。第２絶縁層２１１は画素定義膜である。第２絶縁層２１１は、画素電極２２１の上面を露出させる開口を含むが、画素電極２２１のエッジをカバーする。第２絶縁層２１１は有機絶縁物を含む。或いは、第２絶縁層２１１は、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）、シリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、又はシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）のような無機絶縁物を含む。或いは、第２絶縁層２１１は有機絶縁物及び無機絶縁物を含む。
【００６９】
中間層２２２は発光層２２２ｂを含む。中間層２２２は、発光層２２２ｂの下に配置された第１機能層２２２ａ、及び／又は発光層２２２ｂ上に配置された第２機能層２２２ｃを含む。発光層２２２ｂは、所定色相の光を放出する高分子有機物又は低分子有機物を含む。
【００７０】
第１機能層２２２ａは単層又は多層である。例えば、第１機能層２２２ａが高分子物質で形成される場合、第１機能層２２２ａは、単層構造であるホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）であり、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）によって形成される。第１機能層２２２ａが低分子物質で形成される場合、第１機能層２２２ａはホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）とホール輸送層（ＨＴＬ）とを含む。
【００７１】
第２機能層２２２ｃは常に具備されるものではない。例えば、第１機能層２２２ａと発光層２２２ｂとを高分子物質によって形成する場合、第２機能層２２２ｃを形成することが望ましい。第２機能層２２２ｃは単層又は多層である。第２機能層２２２ｃは、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）及び／又は電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を含む。
【００７２】
中間層２２２における発光層２２２ｂは、表示領域ＤＡで、画素毎に配置される。発光層２２２ｂは、第２絶縁層２１１の開口を介して露出された画素電極２２１の上面に接触する。中間層２２２において、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃは、図７の表示領域ＤＡだけではなく、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明する第１非表示領域ＮＤＡ１上にも形成される。
【００７３】
対向電極２２３は仕事関数が低い導電性物質からなる。例えば、対向電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、それらの合金などを含む（半）透明層を含む。或いは、対向電極２２３は、上述の物質を含む（半）透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ２Ｏ３のような層を更に含む。対向電極２２３は、表示領域ＤＡだけではなく、第１非表示領域ＮＤＡ１上にも形成される。中間層２２２及び対向電極２２３は熱蒸着法によって形成される。
【００７４】
第２絶縁層２１１上にはスペーサ２１３が形成される。スペーサ２１３はポリイミドのような有機絶縁物を含む。或いは、スペーサ２１３は、シリコンナイトライドやシリコンオキサイドのような無機絶縁物を含むか、又は有機絶縁物及び無機絶縁物を含む。
【００７５】
スペーサ２１３は第２絶縁層２１１とは異なる物質を含む。或いは、スペーサ２１３は第２絶縁層２１１と同一の物質を含み、その場合、第２絶縁層２１１及びスペーサ２１３は、ハーフトーンマスクなどを利用したマスク工程によって共に形成される。一実施形態として、第２絶縁層２１１及びスペーサ２１３はポリイミドを含む。
【００７６】
キャッピング層２３０は対向電極２２３上に配置される。キャッピング層２３０は、ＬｉＦ、無機物、及び／又は有機物を含む。一実施形態において、キャッピング層２３０は省略される。
【００７７】
図８Ａ〜図８Ｄは、本発明の一実施形態による表示パネルに具備されたグルーブの多様な例の断面図であり、図８Ａ〜図８Ｄは、それぞれ図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ’線による断面に対応する。
【００７８】
図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、グルーブＧは多層膜ＭＬで形成される。多層膜ＭＬは、互いに異なる物質を有する少なくとも２層の層を含む。それに関して、図８Ａ及び図８Ｂは、有機物を含む第１層Ｌ１及び無機物を含む第２層Ｌ２を含む多層膜ＭＬを示す。第１層Ｌ１は有機絶縁物を含む。例えば、第１層Ｌ１はポリイミドのような高分子樹脂を含む。第２層Ｌ２は、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、シリコンオキサイドのような無機絶縁物を含む。或いは、第２層Ｌ２は金属を含む。
【００７９】
図８Ａ及び図８Ｂの多層膜ＭＬは、図７を参照して説明した表示パネルの構成要素の一部に該当する。例えば、多層膜ＭＬは、図７を参照して説明した基板１００のサブ層である。或いは、多層膜ＭＬは、表示パネルを構成する層、例えば基板１００上の層の一部に該当する。
【００８０】
グルーブＧは、多層膜ＭＬの深さ方向に沿って形成される。図８Ａに示すように、第２層Ｌ２をエッチングして第２層Ｌ２を貫通する第２ホールＨ２を形成し、第１層Ｌ１をエッチングして、第１層Ｌ１の厚み方向に凹状の第１リセスＲ１を形成する。第１リセスＲ１及び第２ホールＨ２は、空間的に連結されてグルーブＧをなす。或いは、図８Ｂに示すように、第２層Ｌ２をエッチングして第２層Ｌ２を貫通する第２ホールＨ２を形成し、第１層Ｌ１をエッチングして第１層Ｌ１を貫通する第１ホールＨ１を形成する。第１ホールＨ１と第２ホールＨ２とは、空間的に連結されてグルーブＧをなす。上述のエッチングは等方性エッチング及び／又は異方性エッチングである。
【００８１】
グルーブＧにおいて、第２層Ｌ２を通る部分の幅は、第１層Ｌ１を通る部分の幅よりも狭く形成される。例えば、第２ホールＨ２の幅（又は直径）Ｗ２は、第１リセスＲ１又は第１ホールＨ１の幅（又は直径）Ｗ１よりも狭く形成される。
【００８２】
グルーブＧはアンダーカット断面を有する。第２ホールＨ２を定義する第２層Ｌ２の側面は、基板１００の上面（又は、下面）に平行な方向（例：ｘ方向）に沿って、第１リセスＲ１又は第１ホールＨ１を定義する第１層Ｌ１の側面よりも更に突出する。グルーブＧの中心に向けて突出する第２層Ｌ２の部分は、一対の庇（一対の突出する先端部（チップ：ｔｉｐ）、又は単に先端部という）ＰＴを形成する。
【００８３】
グルーブＧは、上記図７を参照して説明した中間層２２２を形成する工程の前に形成されるが、キャッピング層２３０はＬｉＦを含み、ＬｉＦは、サブ層２２２’及び対向電極２２３と同様に、熱蒸着法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって形成される。中間層のサブ層２２２’、対向電極２２３、及びキャッピング層２３０は、グルーブＧによって断絶される。それに関連して、図８Ａ及び図８Ｂは、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０がグルーブＧの先端部ＰＴを中心に断絶されることを示す。図８Ａ及び図８Ｂには、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０がグルーブＧ又は先端部ＰＴを中心に断絶されるように示すが、本発明は、それに限定されるものではない。他の例として、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃのうちのいずれか一つ及び／又はキャッピング層２３０は省略される。
【００８４】
一対の先端部ＰＴのそれぞれの長さｌは２．０μｍよりも短い。ここで、先端部ＰＴの長さｌは、断面上で、先端部ＰＴを具備する第２層Ｌ２の真下に位置する第１層Ｌ１の側面と上面とが出合う地点からグルーブＧの中心に向けて水平方向（又は、基板の上面又は下面に垂直な方向、ｘ方向）に沿って測定される。先端部ＰＴの長さｌが２μｍよりも短いということは、０μｍである場合を含むものではない。先端部ＰＴの長さｌは、０μｍよりも長く、２μｍよりも短い範囲のうちから選択される。例えば、先端部ＰＴの長さｌは、０．３μｍ≦ｌ＜２．０μｍであるか、０．５μｍ≦ｌ＜２．０μｍであるか、０．８μｍ≦ｌ＜２．０μｍであるか、又は１．０μｍ≦ｌ＜２．０μｍである。先端部ＰＴの長さｌが０．３μｍよりも短い場合、サブ層２２２’及び対向電極２２３が先端部ＰＴを中心に断絶されず、断絶されないサブ層２２２’などを介して水分が表示領域の有機発光ダイオードに向けて浸透する問題が発生してしまう。
【００８５】
先端部ＰＴの長さｌが上述の上限を外れる場合、表示パネルの製造工程中や製造後に、先端部ＰＴにクラックが発生したり、先端部ＰＴが割れたりしてしまう。本発明の実験例として、それぞれ異なる長さの先端部を有する表示パネルのサンプルを作製した。サンプルは、それぞれ０．８μｍ〜２．０μｍの長さの先端部を有するように作製され、作製されたサンプルを、湿度が８５％であり温度が８５℃であるチャンバ内部に所定時間（例えば、２４０ｈｒ以上）放置した後、先端部が損傷されているか否かということを測定した。測定した結果、先端部ＰＴの長さｌが２．０μｍよりも短い場合には、損傷された先端部がないのに比べ、先端部ＰＴの長さｌが２．０μｍ以上である場合、損傷された先端部が発見され始め、先端部ＰＴの長さｌが２．０μｍ以上である場合、先端部の損傷率（損傷された先端部の個数／全体先端部の個数）は、約４６．７％程であるということが確認された。
【００８６】
グルーブＧは所定の深さｄｐを有する。ここで、グルーブＧの深さｄｐは、グルーブＧにおいて、第１層Ｌ１を通る部分の深さを示す。例えば、グルーブＧの深さｄｐは、先端部ＰＴの真下にある第１層の上面からグルーブＧの底面までの垂直距離に該当する。
【００８７】
グルーブＧの深さｄｐは、上述の先端部ＰＴの長さｌよりも深くなる。一実施形態において、グルーブＧの深さｄｐと上述の先端部ＰＴの長さｌは、例えば０．０５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０であるか、０．１＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０であるか、０．１５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０であるか、０．２＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０であるか、０．２５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．５０であるか、０．２５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．４５であるか、０．２５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．４０であるか、又は０．２５＜（ｌ／ｄｐ）＜０．３５である。
【００８８】
グルーブＧの深さｄｐは、グルーブＧを中心に断絶された第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０の厚みの和ｔｓよりも深くなる。一実施形態において、グルーブＧの深さｄｐは２．０μｍであるか又はそれよりも深い。或いは、グルーブＧの深さｄｐは３．０μｍであるか又はそれよりも深い。
【００８９】
図８Ａを参照すると、グルーブＧの深さｄｐは第１層Ｌ１の厚みｔよりも浅く、グルーブＧの底面は第１層Ｌ１の上面と下面との間に置かれる。或いは、図８Ｂに示すように、グルーブＧの深さｄｐは第１層Ｌ１の厚みｔと同一である。従って、グルーブＧの底面は、第１層Ｌ１の下面、又は第１層Ｌ１の下にある下部層ＬＬの上面上に置かれる。下部層ＬＬは、絶縁物、例えば有機絶縁物又は無機絶縁物を含む。一実施形態において、グルーブＧの深さｄｐは６．０μｍであるか又はそれよりも浅い。グルーブＧの深さｄｐは、例えば２．０μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、２．５μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、３．０μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、３．５μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、４．０μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、４．５μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、５．０μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍであるか、又は５．５μｍ≦ｄｐ≦６．０μｍである。
【００９０】
一対の先端部ＰＴ間の距離、即ち第２幅Ｗ２は先端部ＰＴの長さｌよりも長く、一実施形態において、第２幅Ｗ２は、例えば先端部ＰＴの長さｌの３倍〜１００倍の範囲であるか、５倍〜７０倍の範囲であるか、５倍〜５０倍の範囲であるか、５倍〜３０倍の範囲であるか、５倍〜２０倍の範囲であるか、又は７倍〜２０倍の範囲である。第２幅Ｗ２は、グルーブＧの深さｄｐよりも長い。例えば、第２幅Ｗ２は、グルーブＧの深さｄｐの１．５倍以上であるか、２倍以上であるか、又はは２．５倍以上である。
【００９１】
図８Ａ及び図８Ｂは、グルーブＧ又は一対の先端部ＰＴを中心に断絶された第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０を示したが、本発明は、それに限定されるものではない。他の例（第３例）として、図８Ｃに示すように、キャッピング層は省略される。その場合、グルーブＧによって断絶された層は、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、並びに対向電極２２３である。他の実施形態として、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃのうちの１層は省略される。グルーブＧの深さｄｐは、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、並びに対向電極２２３の積層体の厚みｔｓ’よりも深いという点は、上述の通りである。また、先端部ＰＴの長さｌ、グルーブＧの深さｄｐに関する特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した通りである。図８Ｃで説明したキャッピング層が省略された構造は、図８Ｂを参照して説明した実施形態にも適用されるということは言うまでもない。
【００９２】
更に他の例（第４例）として、キャッピング層２３０は、図８Ｄに示すように、グルーブＧを中心に断絶されない。キャッピング層２３０は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドのような無機絶縁物を含み、上述の無機絶縁物は化学気相蒸着法（ＣＶＤ）によって形成される。無機絶縁物であるキャッピング層２３０は、熱蒸着法によって形成される第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、並びに対向電極２２３よりも相対的にステップカバレッジに優れるため、図８Ｄに示すように、グルーブＧの内部表面を全体的且つ連続的にカバーすることができる。キャッピング層２３０がグルーブＧの内部表面を連続してカバーする点を除いた他の特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した通りである。
【００９３】
他の実施形態として、キャッピング層２３０が有機物を含む場合、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明したように、グルーブＧ周辺で断絶される。
【００９４】
図９は、本発明の一実施形態による表示パネルの断面図であり、図１０は、本発明の一実施形態による表示パネルにおけるグルーブの第１例を抜粋して示した断面図であり、図１１は、本発明の一実施形態による表示パネルにおけるグルーブの第２例を抜粋して示した断面図である。図９は、図６のＩＸ−ＩＸ’線による断面に対応し、図１０は、図９のグルーブを抜粋して拡大した断面図に該当する。
【００９５】
図９を参照すると、表示パネル１０は、開口領域ＯＡ、表示領域ＤＡ、及びその間の第１非表示領域ＮＤＡ１を含む。表示パネル１０は、開口領域ＯＡに該当する第１開口１０Ｈを含む。
【００９６】
図９の表示領域ＤＡを参照すると、表示領域ＤＡには、基板１００上の薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔが配置される。
【００９７】
基板１００は多層である。例えば、基板１００は、順次に積層された第１ベース層１０１、第１バリア層１０２、第２ベース層１０３、及び第２バリア層１０４を含む。
【００９８】
第１ベース層１０１及び第２ベース層１０３は、それぞれ高分子樹脂を含む。例えば、第１ベース層１０１及び第２ベース層１０３は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）のような高分子樹脂を含む。上述の高分子樹脂は透明である。
【００９９】
第１バリア層１０２及び第２バリア層１０４は、それぞれ外部異物の浸透を防止するバリア層であり、シリコンナイトライド（ＳｉＮｘ）及び／又はシリコンオキサイド（ＳｉＯｘ）のような無機物を含む単層又は多層である。
【０１００】
薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層と電極との間、及びストレージキャパシタＣｓｔの電極間には、絶縁層２０１〜２０９が介在する。表示領域ＤＡには、薄膜トランジスタＴＦＴに電気的に連結される画素電極２２１、中間層２２２、対向電極２２３、及びキャッピング層２３０が配置され、上述の構成は、上記図７を参照して説明した通りである。
【０１０１】
画素電極２２１、中間層２２２、及び対向電極２２３を含む表示素子は、薄膜封止層３００によってカバーされる。薄膜封止層３００は、少なくとも１層の有機封止層、及び少なくとも１層の無機封止層を含む。図９は、薄膜封止層３００が、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０、及びその間に介在する有機封止層３２０を含むものを示す。他の実施形態において、有機封止層の層数及び無機封止層の層数、並びに積層順序は変更される。
【０１０２】
第１無機封止層３１０は、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイド、ジンクオキサイド、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、又はシリコンオキシナイトライドのような１以上の無機絶縁物を含み、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）などによって形成される。有機封止層３２０はポリマー系の素材を含む。ポリマー系の素材としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド、及びポリエチレンなどを含む。
【０１０３】
図９の第１非表示領域ＮＤＡ１を参照すると、第１非表示領域ＮＤＡ１は、相対的に表示領域ＤＡに隣接する第１サブ非表示領域ＳＮＤＡ１、及び相対的に開口領域ＯＡ又は第１開口１０Ｈに隣接する第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２を含む。
【０１０４】
第１サブ非表示領域ＳＮＤＡ１は、信号ライン、例えば図５を参照して説明したデータラインＤＬが通る領域である。図９に示したデータラインＤＬは、開口領域ＯＡを迂回するデータラインに該当する。第１サブ非表示領域ＳＮＤＡ１は、データラインＤＬが通る配線領域又は迂回領域である。
【０１０５】
データラインＤＬは、図９に示すように、絶縁層を挟んで交互に配置される。或いは、図示していないが、データラインＤＬは、同一絶縁層上に配置される。隣接するデータラインＤＬが絶縁層（例えば、第２層間絶縁層２０７）を挟んで上下にそれぞれ配置される場合、隣接するデータラインＤＬ間のギャップ（ピッチ）を狭めることができ、第１非表示領域ＮＤＡ１の幅を縮めることができる。図９は、第１サブ非表示領域ＳＮＤＡ１にデータラインＤＬが位置するものを示しているが、上記図５を参照して説明した開口領域ＯＡを迂回するスキャンラインも、第１サブ非表示領域ＳＮＤＡ１に位置する。
【０１０６】
第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２はグルーブが配置される一種のグルーブ領域であり、図９は、第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２に位置する３個のグルーブを示す。グルーブＧは、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明したように、互いに異なる物質を含む第１層及び第２層を具備する多層膜によって形成されるが、一実施形態として、図９は、グルーブＧが基板１００に具備されたサブ層に形成されたものを示す。
【０１０７】
図９の第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２及び図１０を参照すると、グルーブＧは、第２バリア層１０４の一部、及び第２ベース層１０３の一部を除去して形成される。例えば、第２バリア層１０４とバッファ層２０１とを貫通するホール、及び第２ベース層１０３に形成されたリセスは、空間的に連結されてグルーブＧを形成する。第２ベース層１０３は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した多層膜ＭＬの第１層Ｌ１に対応し、第２バリア層１０４は、多層膜ＭＬの第２層Ｌ２に対応する。
【０１０８】
上述のように、グルーブＧを形成する工程において、第２バリア層１０４上のバッファ層２０１は、第２バリア層１０４と共に除去されてグルーブＧを形成する。本明細書では、バッファ層２０１と第２バリア層１０４とを別途の構成要素として説明するが、基板１００のバッファ層２０１は、多層構造を有する第２バリア層１０４のサブ層である。
【０１０９】
グルーブＧの先端部ＰＴは所定の長さｌを有し、先端部ＰＴの長さｌに関する特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した通りである。例えば、先端部ＰＴの長さｌは２．０μｍよりも短い。
【０１１０】
グルーブＧの深さｄｐは、図１０に示すように、第２ベース層１０３の厚みｔよりも浅い。或いは、グルーブＧの深さｄｐは、図１１に示すように、第２ベース層１０３の厚みｔと同一であり、深さｄｐに関する特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明したものと同一である。
【０１１１】
第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２のグルーブＧにより、中間層のサブ層２２２’に該当する第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０が断絶されることは、上述の通りである。
【０１１２】
薄膜封止層３００の第１無機封止層３１０は、中間層のサブ層２２２’、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０よりもステップカバレッジに相対的に優れる。従って、第１無機封止層３１０は、グルーブＧの周辺で、断絶されないまま連続して形成される。
【０１１３】
第１無機封止層３１０は、図９に示すように、表示領域ＤＡ及び第１非表示領域ＮＤＡ１を全体的にカバーする。第１非表示領域ＮＤＡ１において、第１無機封止層３１０は、グルーブＧの内部表面を全体的且つ連続的にカバーする。グルーブＧの底面上には、一対の先端部ＰＴを中心に断絶された第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０のスタックが配置され、第１無機封止層３１０は、上述のスタックをカバーしながら、第２ベース層１０３の下の層、例えば第１バリア層１０２に接触する。
【０１１４】
有機封止層３２０は、モノマーを塗布した後、それを硬化させて形成される。モノマーの流れは、隔壁、例えば第１隔壁５１０及び第２隔壁５２０によって制御される。それに関して、図９〜図１１には、有機封止層３２０の端部が第１隔壁５１０の一側に位置するものを示す。有機封止層３２０は、いずれか１層のグルーブＧを充填する。例えば、非表示領域ＮＤＡと第１隔壁５１０との間に位置するグルーブＧの第１無機封止層３１０上の空間は、有機封止層３２０で充填される。
【０１１５】
第２無機封止層３３０は、第１無機封止層３１０と同様に、グルーブＧの内部表面を全体的且つ連続的にカバーする。第２無機封止層３３０の一部は、第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２で、第１無機封止層３１０に直接接触する。複数のグルーブＧのうちの少なくとも１つのグルーブＧ上で、第２無機封止層３３０は、第１無機封止層３１０に直接接触する。第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、第１隔壁５１０及び第２隔壁５２０の上面上で互いに接触する。
【０１１６】
図１２は、本発明の一実施形態による表示パネルにおけるグルーブの第３例を抜粋して示した断面図である。
【０１１７】
図１２を参照すると、上記図１０を参照して説明した表示パネルと異なり、キャッピング層２３０が省略される。キャッピング層２３０が省略された特徴を除いた特徴は、上記図１０を参照して説明した通りである。例えば、グルーブＧの先端部ＰＴの長さｌに関する特徴は、上記図８Ａ〜図８Ｃを参照して説明した通りである。例えば、先端部ＰＴの長さｌは２．０μｍよりも短い。同時に、グルーブＧの深さｄｐは、図１０に示したように、第２ベース層１０３の厚みｔよりも薄い。或いは、グルーブＧの深さｄｐは、図１１に示したように、第２ベース層１０３の厚みｔと同一であり、深さｄｐに関する特徴は、上記図８Ａ〜図８Ｃを参照して説明したものと同一である。図１２を参照して説明したキャッピング層２３０が省略された構造は、図１４〜図１７を参照して説明する実施形態、及びそれらから派生する実施形態にも適用されることは言うまでもない。
【０１１８】
図９〜図１１を参照して説明したキャッピング層２３０は、ＬｉＦのように、ステップカバレッジが相対的に低い物質を含む。従って、図９〜図１１は、グルーブＧを中心に断絶された構造を示すが、本発明は、それらに限定されるものではない。
【０１１９】
図１３は、本発明の他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの一例を抜粋して示した断面図である。
【０１２０】
図１３を参照すると、キャッピング層２３０は無機絶縁物を含む。化学気相蒸着法のような工程を介して形成される無機絶縁物のキャッピング層２３０は、ステップカバレッジが相対的に優れるため、グルーブＧを中心に断絶されずに、グルーブＧの内部表面を連続してカバーすることができる。
【０１２１】
キャッピング層２３０は、シリコンナイトライド、シリコンオキサイド、又はシリコンオキシナイトライドのような無機物を含み、キャッピング層２３０上には第１無機封止層３１０が配置される。第１無機封止層３１０も上述の無機絶縁物を含む。一実施形態において、無機絶縁物を含むキャッピング層２３０は、多層である第１無機封止層３１０のサブ層である。一実施形態において、膜質が互いに異なる少なくとも２層のシリコンオキシナイトライドを含む第１無機封止層３１０のうちのいずれか１層の層がキャッピング層２３０である。
【０１２２】
図１３を参照して説明したキャッピング層２３０の構造は、図１４〜図１７を参照して説明する実施形態、及びそれらから派生する実施形態にも適用されることは言うまでもない。
【０１２３】
図１４は、本発明の他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの他の例を抜粋して示した断面図である。
【０１２４】
図１４を参照すると、グルーブＧは、深さ方向（又は、基板の厚み方向）に沿って重畳された複数のアンダーカット断面を有する。例えば、第１ベース層１０１と第１バリア層１０２とが、アンダーカット断面（以下、第１アンダーカット断面とする）を有し、第２ベース層１０３と第２バリア層１０４とが、アンダーカット断面（以下、第２アンダーカット断面とする）を有する。グルーブＧは、上述の第１アンダーカット断面及び第２アンダーカット断面が重畳された構造である。
【０１２５】
第１バリア層１０２及び第２バリア層１０４のそれぞれの先端部ＰＴは、第１長さｌ１及び第２長さｌ２を有する。第１長さｌ１及び第２長さｌ２に関する特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した長さｌに関する特徴と同一である。例えば、第１長さｌ１及び第２長さｌ２のそれぞれは２．０μｍよりも短い。
【０１２６】
第１ベース層１０１及び第２ベース層１０３のそれぞれは、第１深さｄｐ１及び第２深さｄｐ２を有する。第２ベース層１０３の第２深さｄｐ２は第２ベース層１０３の厚みｔ２と同一でもあり、第１ベース層１０１の第１深さｄｐ１は第１ベース層１０１の厚みｔ１よりも薄い。上述の特徴を満足する場合、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した深さｄｐに関する特徴は、図１４に示す第１深さｄｐ１及び第２深さｄｐ２についても同一に適用される。第１深さｄｐ１及び第２深さｄｐ２は、先端部ＰＴの長さｌよりも深い。また、第１深さｄｐ１及び第２深さｄｐ２は、それぞれ対応する先端部ＰＴの第１長さｌ１及び第２長さｌ２よりも深い。一方、第１深さｄｐ１は、グルーブＧを中心に断絶される第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０の厚みの和ｔｓよりも深い。一実施形態において、第１深さｄｐ１は、例えば２．０μｍ以上であるか、又は３．０μｍ以上である。
【０１２７】
図９〜図１４は、グルーブＧが形成される多層膜が基板１００のサブ層に形成されるものを図示したが、本発明は、それに限定されるものではない。図１５及び図１６を参照して説明するように、グルーブＧは基板１００上に位置することができる。
【０１２８】
図１５は、本発明の更に他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの一例を示した断面図である。
【０１２９】
図１５を参照すると、複数のグルーブＧのうちの１つのグルーブＧ（以下、第１グルーブＧ１とする）は基板１００上に位置し、他の１つのグルーブＧ（以下、第２グルーブＧ２とする）は、基板１００のサブ層の一部を除去して形成される。第２グルーブＧ２に関する特徴は、上記図８Ａ〜図１１を参照して説明したものと同一であるため、以下、第１グルーブＧ１を中心に説明する。
【０１３０】
第１グルーブＧ１は、第１絶縁層２０９上、及び第１絶縁層２０９上の第２絶縁層２１１’を除去して形成される。第１絶縁層２０９は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した多層膜ＭＬの第１層Ｌ１に対応し、第２絶縁層２１１’は多層膜ＭＬの第２層Ｌ２に対応する。第１絶縁層２０９はポリイミドのような有機物を含み、第２絶縁層２１１’はシリコンナイトライドやシリコンオキサイドのような無機物を含む。
【０１３１】
第１グルーブＧ１はアンダーカット断面を有する。例えば、図１５に示すように、第２絶縁層２１１’のホールと第１絶縁層２０９のリセスとが第１グルーブＧ１をなす。他の実施形態として、図示していないが、第２絶縁層２１１’のホールと第１絶縁層２０９のホールとが第１グルーブＧ１をなすことができることは言うまでもない。
【０１３２】
第２絶縁層２１１’に具備された先端部ＰＴの長さｌ’に関する特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した長さｌに関する特徴と同一である。例えば、先端部ＰＴの長さｌ’は２．０μｍよりも短い。
【０１３３】
第１グルーブＧ１の深さｄｐ’、即ち第１絶縁層２０９のリセス又はホールの深さに関する特徴は、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した深さｄｐに関する特徴と同一である。例えば、第１グルーブＧ１の深さｄｐ’は先端部ＰＴの長さｌ’よりも深い。第１グルーブＧ１の深さｄｐ’は、第１絶縁層２０９の厚みｔ’と同一であるか又はそれよりも浅く、例えば２．０μｍ以上であるか、又は３．０μｍ以上である。
【０１３４】
ここで、第１絶縁層２０９の厚みは、第１グルーブＧ１が配置された領域で、第１絶縁層２０９の上面と下面との間の垂直距離であり、図１５は、第２層間絶縁層２０７の上面が第１絶縁層２０９の下面である。
【０１３５】
第１グルーブＧ１及び第２グルーブＧ２を中心に、第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０が断絶され、第１グルーブＧ１の深さｄｐ’及び第２グルーブＧ２の深さｄｐは、上述の第１機能層２２２ａ及び第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、並びにキャッピング層２３０のスタックの厚みｔｓよりも深いことは、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した通りである。
【０１３６】
第１グルーブＧ１及び第２グルーブＧ２は、それぞれの内部表面が第１無機封止層３１０によって連続してカバーされる。第１グルーブＧ１で、第１無機封止層３１０上の空間は有機封止層３２０で充填される。第１グルーブＧ１及び第２グルーブＧ２の間には第１隔壁５１０が位置し、有機封止層３２０の端部は第１隔壁５１０の一側に位置する。
【０１３７】
図１５では、第２グルーブＧ２が図１０に示したグルーブと同一構造であるとして説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、第２グルーブＧ２は、図１１〜図１４を参照して説明したグルーブと同一構造を有する。
【０１３８】
図１５を参照して説明した特徴、例えば第１非表示領域ＮＤＡ１のグルーブ、例えば第１グルーブＧ１及び第２グルーブＧ２が互いに異なる多層膜に形成された特徴は、他の実施形態にも適用される。例えば、上述の特徴は、上記図１０〜図１４を参照して説明した実施形態、図１６を参照して説明する実施形態、及び／又はそれらから派生する実施形態にも適用されることは言うまでもない。
【０１３９】
図１６は、本発明の更に他の実施形態による表示パネルにおけるグルーブの他の例を示した断面図である。
【０１４０】
図１６を参照すると、１又はそれ以上のグルーブＧは、基板１００上に位置する多層膜、例えば絶縁層２００とバッファ層２０１との多層膜によって形成される。絶縁層２００は、バッファ層２０１と異なる物質、例えばポリイミドのような有機物を含む。バッファ層２０１は、図７を参照して説明したように、無機物を含む。図示していないが、絶縁層２００は、図１６に示すように、第１非表示領域ＮＤＡ１だけでなく表示領域にも存在し、表示領域においても、絶縁層２００は、基板１００とバッファ層２０１との間に位置する。
【０１４１】
グルーブＧはアンダーカット断面を有する。グルーブＧは、バッファ層２０１のホールと、絶縁層２００のリセス又はホールとが空間的に連結されて形成される。グルーブＧの中心に向けて延長されたバッファ層２０１の先端部ＰＴの長さｌは、上記図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した内容の通りである。例えば、先端部ＰＴの長さｌは２．０μｍよりも短い。グルーブＧの深さｄｐは、絶縁層２００の厚みｔと同じであるか又はそれよりも浅い。深さｄｐに関する他の特徴は、図８Ａ及び図８Ｂを参照して説明した内容と同一であるため、上述の内容で代替される。
【０１４２】
基板１００上に配置された絶縁層２００とバッファ層２０１との多層膜にグルーブＧが形成されるため、基板１００は多種の素材を含む。例えば、基板１００は、無機物を含むか、有機物を含むか、又はそれらの両方を含む。例えば、基板１００は、ガラス、金属、樹脂のように多種の物質を含む。
【０１４３】
図１７は、本発明の他の実施形態による表示パネルの断面図である。
【０１４４】
図１７に示す表示パネル１０’は、上記図９を参照して説明した表示パネル１０と異なり、平坦化層４１０を更に含む点に違いがある。以下、説明の便宜のために、違いを中心に説明する。
【０１４５】
平坦化層４１０は有機絶縁物を含む。一実施形態として、平坦化層４１０は、薄膜封止層３００上に、フォトレジスト（ネガティブ又はポジティブ）系やポリマー系の有機物を塗布し、それをパターニングして形成される。平坦化層４１０の端４１０Ｅは、図１７に示すように、いずれか１つのグルーブＧを通る垂直線上に置かれる。他の実施形態として、平坦化層４１０の端４１０Ｅは、基板１００の端１００Ｅと同一垂直線上に置かれる。
【０１４６】
平坦化層４１０は、第２サブ非表示領域ＳＮＤＡ２で、有機封止層３２０が存在しない領域をカバーすることにより、表示パネル１０の扁平度を向上させることができる。従って、表示パネル１０上に直接形成されるか又は粘着層によって結合される入力感知部材や光学的機能部材などが、表示パネル１０からの分離又は離脱を防止することができる。
【０１４７】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４８】
本発明の表示パネルは、例えばディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０１４９】
１    表示装置
１０、１０’    表示パネル
１０Ｈ、２０Ｈ、３０Ｈ    第１、第２、第３開口
２０    入力感知部材
３０    光学的機能部材
４０    ウィンドウ
５０    コンポーネント
１００    基板
１０１、１０３    第１、第２ベース層
１０２、１０４    第１、第２バリア層
２００    絶縁層
２０１    バッファ層
２０３    ゲート絶縁層
２０５、２０７    第１、第２層間絶縁層
２０９    第１絶縁層
２１１、２１１’    第２絶縁層
２１３    スペーサ
２２１    画素電極
２２２    中間層
２２２’    中間層のサブ層
２２２ａ、２２２ｃ    第１、第２機能層
２２２ｂ    発光層
２２３    対向電極
２３０    キャッピング層
３００    薄膜封止層
３１０、３３０    第１、第２無機封止層
３２０    有機封止層
４１０    平坦化層
４１０Ｅ    平坦化層の端
５１０、５２０    第１、第２隔壁
１１００    スキャンドライバ
１２００    データドライバ
Ａｃｔ    半導体層
ＣＥ１、ＣＥ２    下部、上部電極
Ｃｓｔ    ストレージキャパシタ
ＤＡ    表示領域
ＤＥ    ドレイン電極
ＤＬ    データライン
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ    第１、第２電源電圧
Ｇ    グルーブ
ＧＥ    ゲート電極
Ｈ２    第２ホール
Ｌ１、Ｌ２    第１、第２層
ＬＬ    下部層
ＭＬ    多層膜
ＮＤＡ    非表示領域
ＮＤＡ１    第１非表示領域
ＮＤＡ２    第２非表示領域
ＯＡ    開口領域
ＯＬＥＤ    有機発光ダイオード
Ｐ    画素
ＰＣ    画素回路
ＰＬ    駆動電圧線
ＰＴ    一対の先端部（庇）
Ｒ１    第１リセス
ＳＥ    ソース電極
ＳＬ    スキャンライン
ＳＮＤＡ１    第１サブ非表示領域
ＳＮＤＡ２    第２サブ非表示領域
Ｔ１    第１薄膜トランジスタ
Ｔ２    第２薄膜トランジスタ
ＴＦＴ    薄膜トランジスタ
【図１】
2020061354.tif 000003
【図２】
2020061354.tif 000004
【図３】
2020061354.tif 000005
【図４】
2020061354.tif 000006
【図５】
2020061354.tif 000007
【図６】
2020061354.tif 000008
【図７】
2020061354.tif 000009
【図８Ａ】
2020061354.tif 000010
【図８Ｂ】
2020061354.tif 000011
【図８Ｃ】
2020061354.tif 000012
【図８Ｄ】
2020061354.tif 000013
【図９】
2020061354.tif 000014
【図１０】
2020061354.tif 000015
【図１１】
2020061354.tif 000016
【図１２】
2020061354.tif 000017
【図１３】
2020061354.tif 000018
【図１４】
2020061354.tif 000019
【図１５】
2020061354.tif 000020
【図１６】
2020061354.tif 000021
【図１７】
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