(57)【要約】【課題】モールドと基板との間における気泡の残存を低減するために有利なインプリント装置を提供する。【解決手段】基板上の組成物に接触させる接触領域を有するモールドを用いて、当該組成物を成形する成形装置は、前記モールドに力を加えることにより、前記接触領域を前記基板に向けて撓むように変形させる変形部と、前記変形部による前記接触領域の変形を制御しながら前記接触領域と前記基板上の組成物とを接触させる処理を、前記基板における複数のショット領域の各々について行う制御部と、を含み、前記複数のショット領域は、前記接触領域の全体が接触し、且つ、前記処理中に前記モールドと前記基板とが対面する面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域を含み、前記制御部は、前記接触領域と前記基板上の組成物とを接触させるための処理条件を、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する。【選択図】図１
2020061446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の組成物に接触させる接触領域を有するモールドを用いて、当該組成物を成形する成形装置であって、
前記モールドに力を加えることにより、前記接触領域を前記基板に向けて撓むように変形させる変形部と、
前記変形部による前記接触領域の変形を制御しながら前記接触領域と前記基板上の組成物とを接触させる処理を、前記基板における複数のショット領域の各々について行う制御部と、
を含み、
前記複数のショット領域は、前記接触領域の全体が接触し、且つ、前記処理中に前記モールドと前記基板とが対面する面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域を含み、
前記制御部は、前記接触領域と前記基板上の組成物とを接触させるための処理条件を、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする成形装置。
【請求項２】
前記制御部は、
第１相対速度で前記モールドと前記基板とを近づけた後、前記第１相対速度より遅い第２相対速度で前記モールドと前記基板とを近づけるように前記処理を制御し、
前記第１相対速度から前記第２相対速度へ切り替えるときの前記モールドと前記基板との間隔を前記処理条件として、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする請求項１に記載の成形装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記面積が小さいほど、前記第１相対速度から前記第２相対速度へ切り替えるときの前記間隔を小さくするように前記処理条件を変更する、ことを特徴とする請求項２に記載の成形装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記モールドと前記基板とを近づけるときの相対速度を前記処理条件として、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項５】
前記制御部は、
第１相対速度で前記モールドと前記基板とを近づけた後、前記第１相対速度より遅い第２相対速度で前記モールドと前記基板とを近づけるように前記処理を制御し、
前記第１相対速度を前記処理条件として、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする請求項４に記載の成形装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記面積が小さいほど、前記モールドと前記基板とを近づけるときの相対速度が速くなるように前記処理条件を変更する、ことを特徴とする請求項４又は５に記載の成形装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記変形部により前記モールドに加える力を前記処理条件として、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記面積が小さいほど、前記変形部により前記モールドに加える力が大きくなるように前記処理条件を変更する、ことを特徴とする請求項７に記載の成形装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記接触領域を前記基板上のインプリント材に押圧するときの押圧力を前記処理条件として、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記面積が小さいほど前記押圧力が小さくなるように前記処理条件を変更する、ことを特徴とする請求項９に記載の成形装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とにおける前記処理中の前記接触領域の形状差が低減するように、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで前記処理条件を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項１２】
前記制御部は、前記面積に応じて前記処理条件を変更する、ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項１３】
前記接触領域は、前記基板上の組成物に転写すべきパターンを有し、
前記成形装置は、前記モールドの前記接触領域を前記基板上の組成物に接触させることにより、前記基板上に組成物のパターンを形成する、ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項１４】
前記接触領域は、平面であり、
前記成形装置は、前記モールドの前記接触領域を前記基板上の組成物に接触させることにより当該組成物を平坦にする、ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の成形装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の成形装置を用いて基板上の組成物を成形する成形工程と、
成形工程を経た前記基板を加工する工程と、を含み、
加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
凹凸のパターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置が、半導体デバイスなどの製造工程において基板上の組成物を成形する成形装置の１つとして注目されている。インプリント装置では、モールドと基板上のインプリント材とを接触させたときにモールドと基板との間に気泡が残存していると、基板上に形成されたインプリント材のパターンに欠損が生じうる。特許文献１には、モールド（パターン領域）を基板に向かって撓んだ形状に変形させ、モールドの変形を制御しながらモールドと基板上のインプリント材とを接触させる方法が開示されている。この方法によれば、モールドの中央部から外側に向かってモールドとインプリント材とを徐々に接触させ、モールドと基板との間の気体を外側に押し出すことができるため、モールドと基板との間に残存する気泡を低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願第２００７／０１１４６８６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板における複数のショット領域のうち、モールドとインプリント材との接触処理中におけるモールドと基板との対面面積が互いに異なるショット領域間では、モールドの下方空間の気圧に起因して、接触処理中にモールドが受ける圧力が互いに異なりうる。その結果、接触処理中におけるモールドの形状も互いに異なってしまうため、モールドと基板との間における気泡の残存傾向が変わり、ショット領域によっては気泡の残存を低減することが困難になりうる。
【０００５】
そこで、本発明は、モールドと基板との間における気泡の残存を低減するために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての成形装置は、基板上の組成物に接触させる接触領域を有するモールドを用いて、当該組成物を成形する成形装置であって、前記モールドに力を加えることにより、前記接触領域を前記基板に向けて撓むように変形させる変形部と、前記変形部による前記接触領域の変形を制御しながら前記接触領域と前記基板上の組成物とを接触させる処理を、前記基板における複数のショット領域の各々について行う制御部と、を含み、前記複数のショット領域は、前記接触領域の全体が接触し、且つ、前記処理中に前記モールドと前記基板とが対面する面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域を含み、前記制御部は、前記接触領域と前記基板上の組成物とを接触させるための処理条件を、前記第１ショット領域と前記第２ショット領域とで変更する、ことを特徴とする。
【０００７】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、モールドと基板との間における気泡の残存を低減するために有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】接触処理中におけるモールドと基板との位置関係を示す図である。
【図３】接触処理を経時的に示す概念図である。
【図４】接触処理中におけるモールドおよび基板を示す図である。
【図５】接触処理中におけるモールドと基板との位置関係、および、距離ｒと間隔ｈとの関係を示す図である。
【図６】距離ｒと第１相対速度ｖ１との関係を示す図である。
【図７】距離ｒと力ｑとの関係を示す図である。
【図８】押圧力Ｆの時間変化を示す図である。
【図９】物品の製造方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。本発明は、モールドを用いて基板上の組成物を成形する成形装置に適用されうる。成形装置としてはインプリント装置および平坦化装置が挙げられる。インプリント装置は、凹凸パターンを有するモールドを用いて基板上に組成物（インプリント材）のパターンを形成する装置である。また、平坦化装置は、平面形状を有するモールドを基板上の組成物に接触させることにより当該組成物を平坦にする装置である。以下の実施形態では、成形装置として、インプリント装置を例示して説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明に係る本実施形態のインプリント装置１について説明する。一般に、インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。本実施形態のインプリント装置１は、半導体デバイスなどの製造に使用され、凹凸パターンが形成されたモールド３を用いて、基板５のショット領域上に供給されたインプリント材に当該パターンを転写するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置１は、パターンが形成されたモールド３を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化する。そして、インプリント装置１は、モールド３と基板５との間隔を広げ、硬化したインプリント材からモールド３を剥離（離型）することによって、基板上にインプリント材のパターンを形成することができる。
【００１２】
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。
【００１３】
硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。
【００１４】
インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。
【００１５】
基板５としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板５としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるための密着層を設けてもよい。
【００１６】
インプリント装置の構成
図１は、本実施形態のインプリント装置１の構成を示す概略図である。本実施形態において、インプリント装置１は、光（紫外線）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図において、モールド３に対する光（紫外線）の照射軸と平行な方向にＸＹＺ座標系におけるＺ軸をとり、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直行する方向にＸ軸およびＹ軸をとるものとする。
【００１７】
インプリント装置１は、例えば、照明部２と、モールド３を保持するインプリントヘッド４と、基板５を保持して移動可能な基板ステージ６と、インプリント材を基板上に供給するディスペンサ７（供給部）と、変形部８と、制御部９とを含みうる。照明部２、インプリントヘッド４、およびディスペンサ７は、構造体１２によって支持されている。また、制御部９は、例えばＣＰＵ９ａやメモリ９ｂなどを有し、インプリント装置１の各部を統括的に制御する（インプリント処理を制御する）。
【００１８】
照明部２は、インプリント処理の際、構造体１２およびインプリントヘッドに形成された開口部１０を介して、モールド３および基板上のインプリント材に紫外線を照射する。照明部２は、例えば、光源と、光源から射出された紫外線をインプリント処理に最適な光に調整するための照明光学系とを含みうる。照明光学系は、レンズ等の光学素子、アパーチャ（開口）、照射と遮光とを切り替えるシャッタ等を含みうる。
【００１９】
インプリントヘッド４は、形状補正機構４ａ（倍率補正機構）と、モールドチャック４ｂと、水平駆動機構４ｃと、鉛直駆動機構４ｄとを含み、モールド３を保持して移動可能なモールド保持部として機能しうる。形状補正機構４ａは、モールド３の外周部側面の領域に対してそれぞれ対向するように設置された複数のフィンガを有し、これらのフィンガを駆動してモールド３に圧縮力を加えることにより、モールド３のパターン領域３１の形状を目標形状に補正する。ここで、形状補正機構４ａの構成は、これに限定されず、例えば、モールド３に対して引張力を加える構成としてもよい。または、モールドチャック４ｂ自体を駆動させることでモールド３とモールドチャック４ｂとの接触面にせん断力を与える構成としてもよい。
【００２０】
モールドチャック４ｂは、真空吸着力や静電吸着力などによりモールド３を引き付けて保持する。また、水平駆動機構４ｃは、モールドチャック４ｂ（即ちモールド３）をＸＹ方向に駆動する駆動系であり、鉛直駆動機構４ｄは、モールドチャック４ｂ（即ちモールド３）をＺ方向に駆動する駆動系である。水平駆動機構４ｃおよび鉛直駆動機構４ｄには、リニアモータやエアリンダ等のアクチュエータが採用されうる。鉛直駆動機構４ｄは、θ方向（Ｚ軸周りの回転方向）におけるモールド３の位置を調整する調整機能や、モールド３の傾きを調整するチルト機能などを有するように構成されてもよい。
【００２１】
インプリントヘッド４（モールドチャック４ｂ）により保持されるモールド３は、例えば外形が概略矩形であり、通常、石英など紫外線を透過することが可能な材料で作製されている。モールド３の基板側の面（パターン面）には、例えば数十μｍ程度の段差を有するメサ形状に構成され、基板上のインプリント材に接触させる接触領域が設けられる。本実施形態のインプリント装置１で使用されるモールド３では、当該接触領域は、デバイスパターン（回路パターン）として基板上のインプリント材に転写すべき凹凸パターンが形成されたパターン領域３１である。一方、平坦化装置に使用されるモールドでは、当該接触領域は、凹凸パターンが形成されていない平面でありうる。また、モールド３には、パターン領域３１を変形しやすくするため、パターン領域３１とその周辺の厚みが薄くなるように、パターン面の反対側の面にキャビティ３２（凹部）が形成される。このキャビティ３２は、インプリントヘッド４によってモールド３が保持されることで略密閉された空間となる。キャビティ３２は、配管８ａを介して変形部８に接続されている。
【００２２】
変形部８は、モールド３に力を加えることにより、モールド３のパターン領域３１を、基板５に向けて撓むように変形させる。具体的には、変形部８は、インプリントヘッド４によって保持されたモールド３のキャビティ３２の内部の圧力を変更することにより、モールド３のパターン領域３１を、その中心部が基板５に向けて突出するように撓んだ凸形状に変形させる。例えば、変形部８は、モールド３と基板５とを近づけてモールド３と基板上のインプリント材とを接触させる際、配管８ａを介してキャビティ３２の内部に圧縮空気を供給することにより、キャビティ３２の内部の圧力をその外部の圧力よりも高くする。これにより、モールド３のパターン領域３１が凸形状に変形し、モールド３とインプリント材とを当該中心部から外側に向けて徐々に接触させることができる。その結果、モールド３と基板５との間における気泡の残存を低減させ、インプリント処理によってインプリント材に形成されたパターンの欠損を低減させることができる。
【００２３】
基板ステージ６は、例えば基板チャック６ａと基板駆動部６ｂとを含み、基板５を保持して移動可能に構成される。基板チャック６ａは、例えば真空吸着力や静電吸着力などにより基板５を引き付けて保持する。基板駆動部６ｂは、定盤１３上で基板チャック６ａ（即ち基板５）をＸＹ方向に駆動する駆動系である。基板駆動部６ｂは、Ｚ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）における基板５の位置を調整する調整機能や、基板５の傾きを徴するチルト機能などを有するように構成されてもよい。
【００２４】
また、基板ステージ６のＸＹ方向の位置は計測部１１によって計測される。計測部１１は、例えば、構造体１２によって支持された干渉計を含み、基板チャック６ａの端部に設けられたミラー６ｃに向けて計測光を照射し、当該ミラー６ｃで反射された計測光を検出することで、基板ステージ６の位置を計測することができる。図１では、計測部１１が１つしか示されていないが、例えば、計測部１１は、基板ステージ６のＸＹ方向の位置、回転量およびチルト量を計測することができるように複数設けられうる。
【００２５】
ここで、インプリント装置１は、不図示のアライメント光学系によって、基板５（または基板チャック６ａ）に形成されたアライメントマークをモールド３を介して観察し、モールド３と基板５との位置ずれ情報を取得することができる。また、インプリント装置１は、高さ計測部１４によって、基板５の上面までの距離を計測することができる。モールド３のパターン面と高さ計測部１４との相対高さに関する情報は事前に取得されているため、高さ計測部１４による計測結果と当該情報とに基づいて、モールド３のパターン面と基板５の上面との距離を計算により求めることができる。
【００２６】
このように構成されたインプリント装置１は、基板５における複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行う。インプリント処理では、複数のショット領域のうち処理対象のショット領域（対象ショット領域）の上にディスペンサ７によりインプリント材を供給した後、モールド３と対象ショット領域上のインプリント材とを接触させる接触処理を行う。接触処理は、対象ショット領域上のインプリント材にモールド３を押圧する押圧処理ということもできる。
【００２７】
接触処理では、制御部９は、まず、変形部８により、モールド３のパターン領域３１を基板５に向けて撓むように凸形状に変形させる。そして、変形部８によるパターン領域３１の変形を制御しながら、モールド３と基板５との間隔が狭まるようにインプリントヘッド４にモールド３を駆動させる。このとき、制御部９は、パターン領域３１の全体がインプリント材に接触したときにパターン領域３１（パターン面）が平面形状になるように、変形部８によりモールド３に加えられる力（即ち、モールド３のキャビティ３２に加えられる圧力）を制御する。これにより、モールド３のパターン領域３１とインプリント材とを、パターン領域３１の中心部から外側に向けて徐々に接触させ、モールド３と基板５との間における気泡の残存を低減させることができる。
【００２８】
ここで、本実施形態のインプリント装置１では、固定された基板５に対し、インプリントヘッド４によりモールド３をＺ方向に駆動して、モールド３と基板上のインプリント材とを接触させる構成としているが、これとは反対の構成もありうる。即ち、固定されたモールド３に対し、基板ステージ６により基板５をＺ方向に駆動して、モールド３と基板上のインプリント材とを接触させる構成としてもよい。あるいは、インプリントヘッド４および基板ステージ６によりモールド３と基板５とを相対的にＺ方向に駆動して、モールド３と基板上のインプリント材とを接触させる構成としてもよい。つまり、モールド３と基板５との間隔を相対的に変化させる構成であればよい。
【００２９】
気泡の残存について
基板５における複数のショット領域のうち、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が互いに異なるショット領域間では、モールド３の下方空間の気圧に起因して、接触処理中にモールド３が受ける圧力が互いに異なりうる。その結果、接触処理中におけるモールドの形状も互いに異なってしまうため、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向が変わり、ショット領域によっては気泡の残存を低減することが困難になりうる。その理由について以下に説明する。
【００３０】
図２（ａ）は、基板５を上方から見た図であり、接触処理中におけるモールド３と基板５との位置関係を示している。図２（ａ）では、基板５における３つのショット領域５Ａ〜５Ｃが示されており、ショット領域５Ａ〜５Ｃへの接触処理中におけるモールド３の位置が破線３Ａ〜３Ｃによってそれぞれ示されている。ここで、図２（ａ）に示す３つのショット領域５Ａ〜５Ｃはそれぞれ、モールド３のパターン領域３１のパターン全体が転写されるショット領域（完全ショット領域とも呼ばれる）である。そして、当該３つのショット領域５Ａ〜５Ｃは、接触処理中にモールド３と基板５とが対面する面積（以下では、対面面積と呼ぶことがある）が互いに異なる。対面面積は、上方から見て接触処理中にモールド３と基板５とが重なり合う面積のことである。また、当該３つのショット領域５Ａ〜５Ｃは、別の観点では、上方から見て接触処理中に基板５の外側に配置されるモールド３の部分の面積が互いに異なるということもできる。
【００３１】
ショット領域５Ａは、接触処理中にモールド３の全体が基板５に対面するように、基板５の中央部分に配置されたショット領域である。一方、ショット領域５Ｂは、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に位置し、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積がショット領域５Ａより小さくなるショット領域である。また、ショット領域５Ｃは、ショット領域５Ｂと比べて、接触処理中に基板５の外側に配置されるモールド３の一部が更に大きい、即ち、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積がショット領域５Ｂより小さくなるショット領域である。
【００３２】
図２（ｂ）、（ｃ）は、接触処理中におけるモールド３および基板５を横方向から見た図である。図２（ｂ）は、ショット領域５Ａに対する接触処理中のモールド３と基板５との位置関係を示し、図２（ｃ）は、ショット領域５Ｃに対する接触処理中のモールド３と基板５との位置関係を示している。両図では、モールド３のパターン領域３１を凸形状に変形した状態を示しており、モールド３と基板５との間隔を同じにしている。
【００３３】
ショット領域５Ａに対する接触処理では、図２（ｂ）に示すように、モールド３の全体を基板５に対面（対向）させることができる。その一方、ショット領域５Ｃに対する接触処理では、図２（ｃ）に示すように、モールド３の一部が基板５の外側にはみ出し、基板５の外側の構造物１５（例えば基板ステージ６）に対面している。一般に、基板５の外側にある構造物１５は、接触処理にモールド３との干渉を避けるため、基板５の上面（モールド側の面）よりモールド３から離れた位置にある。そのため、ショット領域５Ｃに対する接触処理（図２（ｃ））では、ショット領域５Ａに対する接触処理（図２（ｂ））に比べ、斜線で示す体積分だけ、モールド３の下方空間が大きくなる。
【００３４】
ここで、ショット領域５Ａに対する接触処理（図２（ｂ））と、ショット領域５Ｃに対する接触処理（図２（ｃ））とで処理条件を同じとした場合を考える。処理条件とは、例えば、接触処理中に変形部８によってモールド３に加える力、モールド３と基板５とを近づけるときの相対速度、モールド３をインプリント材Ｒに押圧するときの押圧力などを含みうる。この場合、ショット領域５Ａに対する接触処理（図２（ｂ））より、ショット領域５Ｃに対する接触処理（図２（ｃ））の方が、モールド３の下方空間が大きい分だけ、モールド３と基板５とを近づけているときの当該下方空間の気圧が小さくなる。
【００３５】
また、ショット領域５Ｂとショット領域５Ｃとを対比しても同様の傾向となる。即ち、図２（ａ）に示すように、ショット領域５Ｃは、ショット領域５Ｂに比べ、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が小さい（換言すると、基板５の外側の構造物１５に対面するモールド３の一部の面積が大きい）。そのため、ショット領域５Ｃに対する接触処理では、ショット領域５Ｂに対する接触処理に比べ、モールド３の下方空間が大きくなる。したがって、接触処理の処理条件を同じとすると、ショット領域５Ｂに対する接触処理より、ショット領域５Ｃに対する接触処理の方が、モールド３の下方空間が大きい分だけ、モールド３と基板５とを近づけているときの当該下方空間の気圧が小さくなる。
【００３６】
次に、接触処理中におけるモールド３と基板５との間でのインプリント材Ｒの拡がり方について、図３を参照しながら説明する。図３は、接触処理中におけるインプリント材Ｒの拡がり方を経時的に示す概念図であり、モールド３のパターン領域３１、基板５、およびインプリント材Ｒを拡大して横方向から見た図である。図３（ａ）は、ショット領域５Ａに対する接触処理を示しており、図３（ｂ）は、ショット領域５Ｃに対する接触処理を示している。両図は、上述した処理条件を同じとした場合の接触処理を示すとともに、モールド３と基板５との間に生じた気泡１６も示している。
【００３７】
ショット領域５Ａに対する接触処理では、図３（ａ）に示すように、モールド３は、変形部８により凸形状に変形した状態でインプリント材Ｒとの接触が開始した後、インプリント材Ｒを外側に押し出しながら徐々に平面形状に戻っていく。この過程において、モールド３の下方空間の気圧は、モールド３が平面形状に戻ることを妨げるようにモールド３に作用するため、モールド３を凸形状に維持させながらインプリント材Ｒに接触させることができる。したがって、ショット領域５Ａに対する接触処理では、図３（ａ）および（ｃ）に示すように、モールド３と基板５との間に生じた気泡１６をショット領域５Ａの四隅に押し出すことができる。図３（ｃ）は、接触処理後におけるショット領域５Ａを上方から見たときの図を示している。
【００３８】
一方、ショット領域５Ｃに対する接触処理では、ショット領域５Ａに対する接触処理に比べ、モールド３の下方空間の気圧が低いため、図３（ｂ）に示すように、モールド３が平面形状に戻ることを妨げる力が弱い。その結果、モールド３と基板５との間に生じた気泡１６がショット領域５Ｃの四隅に押し出される前にモールド３が平面形状に戻り易くなり、図３（ｄ）に示すように、ショット領域５Ｃの内側に気泡１６が残ってしまうことがある。この場合、インプリント材Ｒに形成されたパターンに欠損が生じうる。図３（ｄ）は、接触処理後におけるショット領域５Ｃを上方から見たときの図を示している。
【００３９】
このように、ショット領域間で、接触処理中におけるモールド３の下方空間の気圧が互いに異なると、接触処理中にモールド３が受ける圧力が互いに異なり、接触処理中のモールド３の形状も互いに異なりうる。その結果、図３に示すように、ショット領域間において、モールド３と基板５との間における気泡１６の残存傾向が変わってしまう。
【００４０】
そこで、本実施形態のインプリント装置１（制御部９）は、モールド３のパターン領域３１のパターン全体が転写され、且つ、基板５との対面面積が互いに異なる第１ショット領域および前記第２ショット領域で、接触処理における処理条件を変更する。処理条件は、第１ショット領域と第２ショット領域とにおける接触処理中のパターン領域３１の形状差が低減するように（例えば、当該形状差が許容範囲に収まるように）変更されうる。本実施形態では、モールド３と基板５とを近づける相対速度を接触処理中に切り替える制御を行い、当該相対速度を切り替えるときのモールド３と基板５との間隔を処理条件として、第１ショット領域と第２ショット領域とで変更する例について説明する。ここで、図２〜図３に示す例では、第１ショット領域は、ショット領域５Ａ〜５Ｃのうちの１つであり、第２ショット領域は、ショット領域５Ａ〜５Ｃのうちの他の１つでありうる。
【００４１】
接触処理について
本実施形態におけるモールド３と基板上のインプリント材Ｒとの接触処理について、図４を参照しながら説明する。図４は、接触処理中におけるモールド３および基板５を横方向から見た図である。本実施形態の接触処理では、まず、制御部９は、図４（ａ）に示すように、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとが接触していない状態において、変形部８によりモールド３（パターン領域３１）を凸形状に変形させる。そして、インプリントヘッド４によりモールド３を下降させて、第１相対速度ｖ１でモールド３と基板５とを互いに近づける。次に、制御部９は、図４（ｂ）に示すように、モールド３と基板５とが所定の間隔ｈになったとき、モールド３と基板５とを近づける相対速度を第１相対速度ｖ１から第２相対速度ｖ２に切り替え、第２相対速度ｖ２でモールド３と基板５とを互いに近づける。その後、図４（ｃ）に示すように、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとを接触させる（即ち、モールド３をインプリント材Ｒに押圧する）。
【００４２】
ここで、以下では、第１相対速度ｖ１でモールド３と基板５とを互いに近づける処理を「第１処理」と呼び、その後に第２相対速度ｖ２でモールド３と基板５とを互いに近づける処理を「第２処理」と呼ぶことがある。また、第１相対速度ｖ１から第２相対速度ｖ２に切り替えるときのモールド３と基板５との間隔（距離）を「間隔ｈ」と呼ぶことがある。さらに、モールド３が基板５に衝突することを回避するため、モールド３と基板５とを近づけるための相対速度は、第１相対速度ｖ１より第２相対速度ｖ２の方が遅くなるように設定される。
【００４３】
接触処理では、モールド３の下方空間には空気やヘリウムなどの気体が存在し、モールド３と基板５とを近づけていくことにより、当該下方空間の気体は圧縮されて気圧（圧力）が上昇する。第２処理で適用される第２相対速度ｖ２は、第１処理で適用される第１相対速度ｖ１より遅い。そのため、第２処理におけるモールド３の下方空間での気圧変化は小さく、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとが接触する直前の当該下方空間の気圧は第１処理での気圧変化（気圧上昇）に依存することとなる。したがって、第１相対速度ｖ１から第２相対速度ｖ２へ切り替えるときのモールド３と基板５との間隔ｈが小さくなるほど、モールド３の下方空間の気体がより圧縮されて気圧が高くなりうる。
【００４４】
図５（ａ）は、基板５を上方から見た図であり、接触処理中におけるモールド３と基板５との位置関係を示している。図５（ａ）では、図２（ａ）と同様に、モールド３のパターン領域３１のパターン全体が転写され、且つ、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が互いに異なる３つのショット領域５Ａ〜５Ｃが示されている。また、図５（ａ）では、ショット領域５Ａ〜５Ｃへの接触処理中におけるモールド３の位置が破線３Ａ〜３Ｃによってそれぞれ示されている。ここで、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積は、基板上におけるショット領域の位置から決定することができる。図５（ａ）では、基板上におけるショット領域の位置（即ち対面面積）を、基板５の中心（重心）からショット領域の図心までの距離ｒで表している。
【００４５】
図５（ｂ）は、距離ｒ（即ち対面面積）と、相対速度を切り替えるときの間隔ｈとの関係を示す図である。また、図５（ｃ）は、距離ｒ（即ち対面面積）と、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとが接触する直前でのモールド３の下方空間の気圧ｐとの関係を示す図である。図５（ｂ）、（ｃ）に示す符号「５Ａ〜５Ｃ」は、図５（ａ）に示すショット領域５Ａ〜５Ｃにそれぞれ対応している。
【００４６】
図５（ｂ）の破線で示すように間隔ｈを一定とした場合、図５（ｃ）の破線で示すように、接触処理中にモールド３の全体が基板５に対面するショット領域（例えば５Ａ）では、圧力ｐをほぼ一定にすることができる。一方、同じく図５（ｃ）の破線で示すように、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に配置されるショット領域（例えば５Ｂ、５Ｃ）では、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、圧力ｐが小さくなる。したがって、図５（ｃ）の実線で示すように距離ｒ（即ち対面面積）が変わっても圧力ｐを一定とするには、相対速度を切り替えるときの間隔ｈを処理条件として、距離ｒに応じて変更するとよい。具体的には、図５（ｂ）の実線で示すように、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に配置されるショット領域において、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、相対速度を切り替えるときの間隔ｈを小さくする。
【００４７】
図５（ｂ）の実線で示される距離ｒと間隔ｈとの関係は、実験やシミュレーションなどによって取得されうる。制御部９は、当該関係を示す情報に基づいて、対象ショット領域の基板上の位置（距離ｒ、対面面積）から間隔ｈを求め、接触処理中にモールド３と基板５とが間隔ｈになったときに第１処理（第１相対速度ｖ１）から第２処理（第２相対速度ｖ２）に切り替える。これにより、複数のショット領域について、接触処理中におけるモールド３の下方空間の気圧を同様にし、接触処理中のパターン領域３１の形状差を低減することができる。つまり、複数のショット領域について、接触処理中にモールド３と基板５との間から気泡を押し出す効果を同様にし、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。
【００４８】
上述したように、本実施形態では、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域について、第１処理から第２処理に切り替えるときのモールド３と基板５との間隔ｈを処理条件として変更する。これにより、第１ショット領域と第２ショット領域とで、接触処理中のパターン領域３１の形状差を低減し、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。ここで、本実施形態では、モールド３のパターン領域３１をメサ形状とした例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、メサ形状を設けずにパターン領域３１を構成した場合であっても同様の効果を得ることができる。
【００４９】
＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態のインプリント装置について説明する。第１実施形態では、第１処理から第２処理に切り替えるときのモールド３と基板５との間隔ｈを処理条件として、第１ショット領域と第２ショット領域とで変更する例について説明した。本実施形態では、第１処理で適用される第１相対速度ｖ１を処理条件として、第１ショット領域と第２ショット領域とで変更する例について説明する。なお、以下の説明で特に言及されていない箇所については、第１実施形態と同様である。
【００５０】
図６（ａ）は、距離ｒ（即ち対面面積）と、第１処理で適用される第１相対速度ｖ１との関係を示す図である。また、図６（ｂ）は、図５（ｃ）と同様の図であり、距離ｒ（即ち対面面積）と、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとが接触する直前でのモールド３の下方空間の気圧ｐとの関係を示す図である。図６（ａ）、（ｂ）に示す符号「５Ａ〜５Ｃ」は、図５（ａ）に示すショット領域５Ａ〜５Ｃにそれぞれ対応している。
【００５１】
図６（ａ）の破線で示すように間隔ｈを一定とした場合、図６（ｂ）の破線で示すように、接触処理中にモールド３の全体が基板５に対面するショット領域（例えば５Ａ）では、距離ｒが変わっても圧力ｐをほぼ一定にすることができる。一方、同じく図６（ｂ）の破線で示すように、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に配置されるショット領域（例えば５Ｂ、５Ｃ）では、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、圧力ｐが小さくなる。したがって、図６（ｂ）の実線で示すように距離ｒ（即ち対面面積）が変わっても圧力ｐを一定とするには、第１処理で適用される第１相対速度ｖ１を処理条件として、距離ｒに応じて変更するとよい。具体的には、図６（ｂ）の実線で示すように、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に配置されるショット領域において、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、第１相対速度ｖ１を大きくする。
【００５２】
図６（ａ）の実線で示される距離ｒと第１相対速度ｖ１との関係は、実験やシミュレーションなどによって取得されうる。制御部９は、当該関係を示す情報に基づいて、対象ショット領域の基板上の位置（距離ｒ、対面面積）から第１相対速度ｖ１を求め、接触処理の第１処理において、第１相対速度ｖ１でモールド３と基板５とを互いに近づける。これにより、複数のショット領域について、接触処理中におけるモールド３の下方空間の気圧を同様にし、接触処理中のパターン領域３１の形状差を低減することができる。つまり、複数のショット領域について、接触処理中にモールド３と基板５との間から気泡を押し出す効果を同様にし、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。
【００５３】
上述したように、本実施形態では、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域について、モールド３と基板５とを近づけるときの相対速度（第１相対速度ｖ１）を処理条件として変更する。これにより、第１実施形態と同様に、第１ショット領域と第２ショット領域とで、接触処理中のパターン領域３１の形状差を低減し、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。
【００５４】
ここで、本実施形態では、第１処理（第１相対速度ｖ１）から第２処理（第２相対速度ｖ２）に切り替えるときのモールド３と基板５との間隔ｈを一定とし、第１処理に適用される第１相対速度ｖ１を対象ショット領域の距離ｒに応じて変更しうる。しかしながら、これに限定されるものではなく、第１実施形態を組み合わせてもよい。具体的には、第１相対速度ｖ１に加えて、間隔ｈも、対象ショット領域の距離ｒに応じて変更してもよい。また、本実施形態では、対象ショット領域の距離ｒに応じて第１相対速度ｖ１のみを変更したが、第２処理で適用される第２相対速度ｖ２も当該距離ｒに応じて変更してもよい。
【００５５】
＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態のインプリント装置について説明する。本実施形態では、変形部８によりモールド３に加えられる力ｑを処理条件として、第１ショット領域と第２ショット領域とで変更する例について説明する。力ｑとは、具体的には、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとの接触が開始される前に、モールド３のパターン領域３１を凸形状に変形させるために変形部８によりモールド３のキャビティ３２に加えられる圧力のことである。なお、以下の説明で特に言及されていない箇所については、第１実施形態と同様である。
【００５６】
図７は、距離ｒ（即ち対面面積）と、変形部８によりモールド３に加えられる力ｑとの関係を示す図である。図７に示す符号「５Ａ〜５Ｃ」は、図５（ａ）に示すショット領域５Ａ〜５Ｃにそれぞれ対応している。本実施形態では、図７の実線で示すように、接触処理中にモールド３の全体が基板５に対面するショット領域（例えば５Ａ）では、距離ｒが変わっても力ｑを一定とする。そして、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に配置されるショット領域（例えば５Ｂ、５Ｃ）では、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、力ｑを大きくする。
【００５７】
第１実施形態で説明したように、接触処理中にモールド３の一部が基板の外側に配置されるショット領域では、モールド３の全体が基板５に対面するショット領域に比べ、モールド３の下方空間の気圧が小さく、モールド３が平面形状に戻り易い。そのため、変形部８によりモールド３に加える力ｑを大きくすると、当該力ｑの増加分が、接触処理中にモールド３が凸形状から平面形状に戻ることを低減させる抵抗力として働き、モールド３が平面形状に戻り難くすることができる。
【００５８】
図７の実線で示される距離ｒと力ｑとの関係は、実験やシミュレーションなどによって取得されうる。制御部９は、当該関係を示す情報に基づいて、対象ショット領域の基板上の位置（距離ｒ、対面面積）から力ｑを求め、求めた力ｑをモールド３に加えてパターン領域３１を凸形状に変形するように変形部８を制御する。これにより、複数のショット領域について、接触処理中にモールド３と基板５との間から気泡を押し出す効果を同様にし、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。
【００５９】
上述したように、本実施形態では、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域について、変形部８によりモールド３に加えられる力ｑを処理条件として変更する。これにより、第１実施形態と同様に、第１ショット領域と第２ショット領域とで、接触処理中のパターン領域３１の形状差を低減し、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。ここで、本実施形態では、第１〜第２実施形態の少なくとも一方を組み合わせてもよい。具体的には、変形部８によりモールド３に加えられる力ｑに加えて、間隔ｈおよび相対速度（例えば第１相対速度ｖ１）の少なくとも１つを、対象ショット領域の距離ｒに応じて変更してもよい。
【００６０】
＜第４実施形態＞
本発明に係る第４実施形態のインプリント装置について説明する。本実施形態では、接触処理中においてモールド３（パターン領域３１）を基板上のインプリント材Ｒに押圧するときの押圧力を処理条件として、第１ショット領域と第２ショット領域とで変更する例について説明する。なお、以下の説明で特に言及されていない箇所については、第１実施形態と同様である。
【００６１】
図８は、接触処理中においてパターン領域３１を基板上のインプリント材Ｒに押圧するときの押圧力Ｆの時間変化を示す図である。図８では、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとの接触が開始してからの経過時間ｔを横軸とし、インプリントヘッド４で発生させる押圧力Ｆを縦軸としている。また、図８では、図５（ａ）に示すショット領域５Ａ〜５Ｃの各々について、モールド３と基板上のインプリント材Ｒとの接触が開始してからの押圧力Ｆの時間変化を示している。
【００６２】
本実施形態では、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、押圧力Ｆを小さくする。図８に示す例では、距離ｒが大きいほど、経過時間ｔに対する押圧力Ｆの変化率を小さくしている。具体的には、ショット領域５Ｂに対する接触処理中では、ショット領域５Ａに対する接触処理中より押圧力Ｆの変化率を小さくする。また、ショット領域５Ｃに対する接触処理中では、ショット領域５Ｂに対する接触処理中より押圧力Ｆの変化率を小さくする。
【００６３】
第１実施形態で説明したように、接触処理中にモールド３の一部が基板５の外側に配置されるショット領域では、モールド３の全体が基板５に対面するショット領域に比べ、モールド３の下方空間の気圧が小さく、モールド３が平面形状に戻り易い。そのため、モールド３と基板５との間に生じた気泡が外側に押し出される前にモールド３が平面形状に戻ってしまい、モールド３と基板５との間に気泡が残り易くなる。したがって、距離ｒが大きいほど（即ち、対面面積が小さいほど）、経過時間ｔに対する押圧力Ｆの変化率を小さくすることにより、モールド３が凸形状から平面形状に戻るのを遅くすることができる。ここで、図８では、経過時間ｔに対して押圧力Ｆが線形に変化しているが、これは一例であり、線形でなくとも、経過時間ｔに対して押圧力Ｆを単調増加させればよい。
【００６４】
図８に示される経過時間ｔと押圧力Ｆとの関係は、実験やシミュレーションなどにより、基板５における複数のショット領域の各々について取得されうる。制御部９は、対象ショット領域についての経過時間ｔと押圧力ｆとの関係を示す情報を選択し、選択した情報に従ってインプリントヘッド４を制御する。これにより、複数のショット領域について、接触処理中にモールド３と基板５との間から気泡を押し出す効果を同様にし、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。
【００６５】
上述したように、本実施形態では、接触処理中におけるモールド３と基板５との対面面積が互いに異なる第１ショット領域および第２ショット領域について、接触処理中における押圧力Ｆを処理条件として変更する。これにより、第１実施形態と同様に、第１ショット領域と第２ショット領域とで、接触処理中のパターン領域３１の形状差を低減し、モールド３と基板５との間における気泡の残存傾向を同様にすることができる。ここで、本実施形態では、第１〜第３実施形態の少なくとも一方を組み合わせてもよい。具体的には、押圧力Ｆに加えて、間隔ｈ、相対速度（例えば第１相対速度ｖ１）および力ｑの少なくとも１つを、対象ショット領域の距離ｒに応じて変更してもよい。
【００６６】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給（塗布）されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００６７】
インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
【００６８】
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
【００６９】
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。
【００７０】
図９（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを通して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。
【００７１】
図９（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。
【００７２】
図９（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図９（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
【００７３】
なお、型４ｚとして、凹凸パターンを設けた回路パターン転写用の型を用いた例について述べたが、凹凸パターンがない平面部を有する型（ブランクテンプレート）であってもよい。ブランクテンプレートは、平面部によって基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理（成形処理）を行う平坦化装置（成形装置）に用いられる。平坦化処理は、基板上に供給された組成物にブランクテンプレートの平坦部を接触させた状態で、光の照射によって、或いは、加熱によって組成物を硬化させる工程を含む。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【００７５】
成形装置の一例として、基板の上のインプリント材をモールド（型）により成形（成型）して、基板にパターン成形を行うインプリント装置について説明したが、インプリント装置に限定されるものではない。成形装置の一例として、型として凹凸パターンがない平面部を有するモールド（ブランクテンプレート）を用いて、基板上の組成物を平坦化するように成形する平坦化処理（成形処理）を行う平坦化装置であっても良い。
【符号の説明】
【００７６】
１：インプリント装置、２：照明部、３：モールド、４：インプリントヘッド、５：基板、６：基板ステージ、８：変形部、９：制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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