(57)【要約】【課題】外部導電体と接合部との密着性の向上のために外部導電体にＣを含めつつ、外部導電体に含まれるＣに起因してセラミックス部材と金属部材との接合強度が低下することを抑制する。【解決手段】接合体は、セラミックス部材と、セラミックス部材の表面側に配置され、第１の金属成分を主成分とする外部導電体と、金属部材と、ロウ材を含み、外部導電体と金属部材とを接合する接合部と、を備える。接合体の少なくとも１つの特定断面において、外部導電体における第１の金属成分に対するＣの原子数比率は、０より大きく、かつ、０．５以下である。【選択図】図４
2020033236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス部材と、
前記セラミックス部材の表面側に配置され、第１の金属成分を主成分とする外部導電体と、
金属部材と、
ロウ材を含み、前記外部導電体と前記金属部材とを接合する接合部と、を備える接合体において、
前記接合体の少なくとも１つの特定断面において、前記外部導電体における前記第１の金属成分に対するＣの原子数比率は、０より大きく、かつ、０．５以下である、
ことを特徴とする接合体。
【請求項２】
請求項１に記載の接合体において、
前記外部導電体における前記第１の金属成分に対するＣの原子数比率は、０．０６以上である、
ことを特徴とする接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、セラミックス部材と外部導電体と金属部材と接合部と、を備える接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
対象物（例えば、半導体ウェハ）を保持しつつ所定の処理温度（例えば、４００〜６５０℃程度）に加熱する加熱装置（「サセプタ」とも呼ばれる）が知られている。加熱装置は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置やスパッタリング成膜装置等）やエッチング装置（プラズマエッチング装置等）といった半導体製造装置の一部として使用される。
【０００３】
一般に、加熱装置は、所定の方向（以下、「第１の方向」という）に略直交する保持面および裏面を有し、セラミックスにより形成された板状の保持体と、第１の方向に延びる柱状であり、保持体の裏面に接合された柱状支持体とを備える。保持体の内部には、抵抗発熱体が配置されており、保持体の裏面側には、抵抗発熱体に電気的に接続された複数の受電電極（電極パッド）が配置されている。また、柱状支持体内には、各受電電極に接合された電極端子が収容されている。電極端子および受電電極を介して抵抗発熱体に電圧が印加されると、抵抗発熱体が発熱し、保持体の保持面上に保持された対象物（例えば、半導体ウェハ）が例えば４００〜６５０℃程度に加熱される。保持体の受電電極と電極端子（金属部材）とは、金およびニッケルを含むロウ材により形成された接合部により接合される。従来、接合部の気孔率を０．１〜１５％とすることにより、セラミックス部材と電極端子との接合強度の向上を図る技術が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−９１６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
接合部の気孔率を０．１〜１５％とする従来の技術では、特に外部導電体（受電電極）と接合部との密着性が十分に確保されず、その結果、セラミックス部材と金属部材（電極端子）との接合強度の向上を十分に図ることができないことがあり、改善の余地があった。
【０００６】
なお、このような課題は、加熱装置に限らず、例えば、静電チャック、真空チャック等の保持装置、サセプタ等の加熱装置、シャワーヘッド等の半導体製造装置用部品など、セラミックス部材と外部導電体と金属部材と接合部とを備える接合体であれば共通の課題である。
【０００７】
本明細書では、上述した課題の少なくとも一部を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書に開示される技術は、以下の形態として実現することが可能である。
【０００９】
（１）本明細書に開示される接合体は、セラミックス部材と、前記セラミックス部材の表面側に配置され、第１の金属成分を主成分とする外部導電体と、金属部材と、ロウ材を含み、前記外部導電体と前記金属部材とを接合する接合部と、を備える接合体において、前記接合体の少なくとも１つの特定断面において、前記外部導電体における前記第１の金属成分に対するＣの原子数比率は、０より大きく、かつ、０．５以下である。本接合体では、外部導電体における第１の金属成分に対するＣ（カーボン）の原子数比率が０である構成に比べて、外部導電体の第１の金属成分の接合部への浸入度合いが高いため、外部導電体と接合部との密着性が高い。また、本接合体では、外部導電体における第１の金属成分に対するＣの原子数比率が０．５より高い構成に比べて、外部導電体の第１の金属成分が接合部内に移動しすぎることが抑制されるため、外部導電体の欠陥によりセラミックス部材と接合部との間に隙間が形成されることが抑制される。すなわち、本接合体によれば、外部導電体と接合部との密着性の向上のために外部導電体にＣを含めつつ、外部導電体に含まれるＣに起因してセラミックス部材と金属部材との接合強度が低下することを抑制することができる。
【００１０】
（２）上記接合体において、前記外部導電体における前記第１の金属成分に対するＣの原子数比率は、０．０６以上である構成としてもよい。本接合体では、外部導電体における第１の金属成分に対するＣの原子数比率が０．０６未満である構成に比べて、外部導電体と接合部との密着性を、さらに向上させることができる。
【００１１】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、ＣＶＤヒータ等のヒータ装置、真空チャック、シャワーヘッドなど、セラミックス部材と外部導電体と金属部材と接合部とを備える接合体、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態における加熱装置１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】実施形態における加熱装置１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】性能評価結果を示す説明図である。
【図４】各サンプルにおける受電電極付近のＸＺ断面構成を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
Ａ．本実施形態：
Ａ−１．加熱装置１００の構成：
図１は、本実施形態における加熱装置１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における加熱装置１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。なお、図２には、後述する受電電極５４付近の一部分が拡大して示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、加熱装置１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００１４】
加熱装置１００は、対象物（例えば、半導体ウェハＷ）を保持しつつ所定の処理温度（例えば、４００〜６５０℃程度）に加熱する装置であり、サセプタとも呼ばれる。加熱装置１００は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置やスパッタリング成膜装置等）やエッチング装置（プラズマエッチング装置等）といった半導体製造装置の一部として使用される。
【００１５】
図１および図２に示すように、加熱装置１００は、保持体１０と柱状支持体２０とを備える。
【００１６】
（保持体１０）
保持体１０は、所定の方向（本実施形態では上下方向）に略直交する保持面Ｓ１および裏面Ｓ２を有する略円板状の部材である。保持体１０は、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）やＡｌ２Ｏ３（アルミナ）を主成分とするセラミックスにより形成されている。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。保持体１０の直径は、例えば１００ｍｍ以上、５００ｍｍ以下程度であり、保持体１０の厚さ（上下方向における長さ）は、例えば３ｍｍ以上、２０ｍｍ以下程度である。
【００１７】
図２に示すように、保持体１０の内部には、保持体１０を加熱するヒータとしての抵抗発熱体５０が配置されている。抵抗発熱体５０は、例えば、タングステンやモリブデン等の導電性材料により形成されている。本実施形態では、抵抗発熱体５０は、Ｚ軸方向視で略同心円状に延びる線状のパターンを構成している。抵抗発熱体５０の線状パターンの両端部は、保持体１０の中心部近傍に配置されており、各端部にはビア導体５２の上端部が接続されている。また、保持体１０の裏面Ｓ２側には、一対の凹部１２が形成されており、各凹部１２内には受電電極（電極パッド）５４が設けられている。ビア導体５２の下端部は、受電電極５４に接続されている。その結果、抵抗発熱体５０と受電電極５４とがビア導体５２を介して電気的に接続された状態となっている。
【００１８】
（柱状支持体２０）
柱状支持体２０は、上記所定の方向（上下方向）に延びる略円柱状部材である。柱状支持体２０は、保持体１０と同様に、例えばＡｌＮやＡｌ２Ｏ３を主成分とするセラミックスにより形成されている。柱状支持体２０の外径は、例えば３０ｍｍ以上、９０ｍｍ以下程度であり、柱状支持体２０の高さ（上下方向における長さ）は、例えば１００ｍｍ以上、３００ｍｍ以下程度である。
【００１９】
保持体１０と柱状支持体２０とは、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ３とが上下方向に対向するように配置されている。柱状支持体２０は、保持体１０の裏面Ｓ２の中心部付近に、公知の接合材料により形成された接合層３０を介して接合されている。
【００２０】
図２に示すように、柱状支持体２０には、保持体１０の裏面Ｓ２側に開口する貫通孔２２が形成されている。貫通孔２２は、上下方向と略同一方向に延び、延伸方向にわたって略一定の内径を有する断面略円形の孔である。貫通孔２２には、複数（本実施形態では２つ）の電極端子７０が収容されている。各電極端子７０の上端部は、ロウ材を含む接合部５６を介して受電電極５４に接合されている。なお、接合部５６は、ロウ材以外の物質を含んでいてもよい。図示しない電源から各電極端子７０、各受電電極５４、ビア導体５２を介して抵抗発熱体５０に電圧が印加されると、抵抗発熱体５０が発熱し、保持体１０の保持面Ｓ１上に保持された対象物（例えば、半導体ウェハＷ）が所定の温度（例えば、４００〜６５０℃程度）に加熱される。なお、接合部５６の主成分は、次述する受電電極５４の主成分である第１の金属成分と同じでもよいが、第１の金属成分とは異なる金属成分、例えばＮｉ系、Ａｕ系の金属（活性金属以外）であることが好ましい。受電電極５４の構成については、次に詳述する。
【００２１】
Ａ−２．受電電極５４の詳細構成：
受電電極５４の主成分は、第１の金属成分である。第１の金属成分は、例えば、タングステンやモリブデンである。なお、受電電極５４は、主成分としての第１の金属成分以外に、他の種類の金属成分を含んでいてもよい。例えば、受電電極５４は、タングステンおよびモリブデンを含み、かつ、タングステンおよびモリブデンの一方を主成分とする構成であってもよい。また、受電電極５４は、金属成分以外の成分を含んでいてもよい。例えば、保持体１０と受電電極５４との熱膨張差の低減のため、受電電極５４は、保持体１０の主成分であるセラミックスと同じセラミックスを含んでいることが好ましい。
【００２２】
また、受電電極５４は、第１の金属成分に加えて、Ｃ（カーボン）を含んでおり、少なくとも次の第１の要件を満たす。
＜第１の要件＞
加熱装置１００の少なくとも１つの特定断面において、受電電極５４における第１の金属成分に対するＣの原子数比率（以下、「カーボン比率」という）は、０より大きく、かつ、０．５以下である。
カーボン比率は、受電電極５４の所定の領域内に含まれる第１の金属成分とＣとについて、第１の金属成分の原子数に対する、Ｃの原子数の割合である。
【００２３】
また、受電電極５４は、さらに、次の第２の要件を満たすことが好ましい。
＜第２の要件＞
加熱装置１００の少なくとも１つの特定断面において、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．０６以上である。
なお、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．２以下であることが、より好ましい。
【００２４】
なお、加熱装置１００は、特許請求の範囲における接合体に相当し、保持体１０は、特許請求の範囲におけるセラミックス部材に相当する。受電電極５４は、特許請求の範囲における外部導電体に相当し、電極端子７０は、特許請求の範囲における金属部材に相当する。タングステンやモリブデンは、特許請求の範囲における第１の金属成分に相当する。
【００２５】
Ａ−３．加熱装置１００の製造方法：
加熱装置１００の製造方法は、例えば以下の通りである。初めに、保持体１０と柱状支持体２０とを作製する。
【００２６】
保持体１０の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末１００重量部に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）粉末１重量部と、アクリル系バインダ２０重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、トルエン等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、グリーンシート用スラリーを作製する。このグリーンシート用スラリーをキャスティング装置でシート状に成形した後に乾燥させ、グリーンシートを複数枚作製する。
【００２７】
また、窒化アルミニウム粉末、アクリル系バインダ、テルピネオール等の有機溶剤の混合物に、タングステンやモリブデン等の導電性粉末を添加して混練することにより、メタライズペーストを作製する。このメタライズペーストを例えばスクリーン印刷装置を用いて印刷することにより、特定のグリーンシートに、後に抵抗発熱体５０や受電電極５４等となる未焼結導体層を形成する。また、グリーンシートにあらかじめビア孔を設けた状態で印刷することにより、後にビア導体５２となる未焼結導体部を形成する。
【００２８】
次に、これらのグリーンシートを複数枚（例えば２０枚）熱圧着し、必要に応じて外周を切断して、グリーンシート積層体を作製する。このグリーンシート積層体をマシニングによって切削加工して円板状の成形体を作製し、この成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成して焼成体を作製する。ここで、成形体の脱脂時において、還元雰囲気下で、温度を低くするほど、後に受電電極５４となる未焼結導体層における残炭が多くなるため、この残炭が多い状態で成形体を焼成すると、カーボン比率が高い受電電極５４を備える焼成体を形成することができる。すなわち、還元雰囲気下で脱脂時における温度を調整することにより、受電電極５４におけるカーボン比率を調整することができる。その後、この焼成体の表面を研磨加工する。以上の工程により、保持体１０が作製される。
【００２９】
また、柱状支持体２０の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末１００重量部に、酸化イットリウム粉末１重量部と、ＰＶＡバインダ３重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、メタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、スラリーを得る。このスラリーをスプレードライヤーにて顆粒化し、原料粉末を作製する。次に、貫通孔２２に対応する中子が配置されたゴム型に原料粉末を充填し、冷間静水圧プレスして成形体を得る。得られた成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成する。以上の工程により、柱状支持体２０が作製される。
【００３０】
次に、保持体１０と柱状支持体２０とを接合する。保持体１０の裏面Ｓ２および柱状支持体２０の上面Ｓ３に対して必要によりラッピング加工を行った後、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ３との少なくとも一方に、例えば希土類や有機溶剤等を混合してペースト状にした公知の接合剤を均一に塗布した後、脱脂処理する。次いで、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ３とを重ね合わせ、ホットプレス焼成を行うことにより、保持体１０と柱状支持体２０とを接合する。
【００３１】
保持体１０と柱状支持体２０との接合の後、各電極端子７０を各貫通孔２２内に挿入し、各電極端子７０の上端部を各受電電極５４に、例えば９５０℃〜１２００℃程度の真空中で箔状のロウ材によりロウ付けすることにより接合部５６を形成した。以上の製造方法により、上述した構成の加熱装置１００が製造される。
【００３２】
Ａ−４．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の加熱装置１００では、受電電極５４（外部導電体）におけるカーボン比率が０である構成に比べて、受電電極５４の第１の金属成分が接合部５６内に浸入する度合いが高くなるため、受電電極５４と接合部５６との密着性が高くなる。また、本実施形態では、受電電極５４におけるカーボン比率が０．５より高い構成に比べて、受電電極５４に含まれる第１の金属成分が接合部５６内に移動しすぎることが抑制されるため、受電電極５４の欠陥により保持体１０と接合部５６との間に隙間が形成されることが抑制される。すなわち、本接合体によれば、受電電極５４と接合部５６との密着性の向上のために受電電極５４にＣを含めつつ、受電電極５４に含まれるＣに起因して保持体１０と電極端子７０との接合強度が低下することを抑制することができる。
【００３３】
本実施形態において、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．０６以上である、本実施形態によれば、受電電極５４におけるカーボン比率が０．０６未満である構成に比べて、受電電極５４と接合部５６との密着性を、さらに向上させることができる。
【００３４】
Ａ−５．性能評価：
複数の加熱装置（加熱装置１００）のサンプルを作製し、作製された複数の加熱装置のサンプルを用いて性能評価を行った。図３は、性能評価結果を示す説明図であり、図４は、各サンプルにおける受電電極付近のＸＺ断面構成を模式的に示す説明図である。
【００３５】
Ａ−５−１．各サンプルについて：
図３に示すように、性能評価は、加熱装置のサンプル１〜３を対象として行った。サンプル１〜３は、いずれも、接合部（ロウ材）が、主成分（第１の金属成分）としてのＷ（タングステン）と、Ｃ（カーボン）と、を含む点で共通するが、受電電極（外部導電体）におけるカーボン比率が互いに異なる。カーボン比率は、次の方法により特定することができる。まず、各サンプルにおける受電電極付近の特定断面（例えばＸＺ断面）について、受電電極に含まれる各成分元素の濃度（タングステン濃度、カーボン濃度）を特定する。タングステン濃度は、受電電極５４に含まれる成分元素におけるＷの原子数割合（ａｔｍ％）であり、カーボン濃度は、受電電極５４に含まれる成分元素におけるＣの原子数割合（ａｔｍ％）である。次に、カーボン濃度をタングステン濃度で除算することにより、カーボン比率を特定することができる。なお、各サンプルにおける各成分元素の濃度（ａｔｍ％）は、ＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）の定量分析により特定することができる。
【００３６】
サンプル１では、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．６以上、１以下である。図４（Ａ）には、サンプル１における受電電極付近のＸＺ断面構成が示されており、同図中のＸＡ付近では、タングステン濃度は５４．８９（ａｔｍ％）であり、カーボン濃度は３６．０７（ａｔｍ％）であった。サンプル２では、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．２５以上、０．２以下である。図４（Ｂ）には、サンプル２における受電電極付近のＸＺ断面構成が示されており、同図中のＸＢ付近では、タングステン濃度は７２．４５（ａｔｍ％）であり、カーボン濃度は１７．９８（ａｔｍ％）であった。サンプル３では、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．０６以上、０．１２以下である。図４（Ｃ）には、サンプル３２における受電電極付近のＸＺ断面構成が示されており、同図中のＸＣ付近では、タングステン濃度は５８．６０（ａｔｍ％）であり、カーボン濃度は１６．４９４（ａｔｍ％）であった。すなわち、サンプル１は、第１の要件を満たしておらず、サンプル２，３は、いずれも、第１の要件および第２の要件を満たしている。
【００３７】
Ａ−５−２．評価方法について：
図３中の「Ｎｉ移動」は、接合部の形成材料であるＮｉの、受電電極内への移動の有無を意味する。Ｎｉ移動の有無は、受電電極の一の断面に対するＥＰＭＡの定量分析により特定することができる。「接合強度試験」は、接合部に所定の引っ張り荷重を加えたときに保持体１０と受電電極５４と接合部５６とのいずれかにクラック（亀裂）が発生したか否かを意味する。具体的には、公知の精密万能試験機を用いて、サンプル（加熱装置）に対して、保持体と電極端子（電極端子７０）とを離間させる方向に引っ張り荷重を加え、その後に、サンプルの一の断面において接合部５６付近にクラックが発生したか否かを視認により判定した。
【００３８】
Ａ−５−３．評価結果について：
サンプル１では、図４（Ａ）に示すように、受電電極５４がＣ（カーボン）を含むことにより、受電電極５４の形成材料のぬれ性が高くなり、受電電極５４の第１の金属成分（半導体ウェハＷ）が接合部５６内に浸入する度合いが高くなるため、受電電極５４と接合部５６との密着性が高くなっている。しかし、多くの第１の金属成分（Ｗ）が接合部５６内に移動し拡散することによって、保持体１０と受電電極５４との間に隙間Ｈが形成されている。上述したように、サンプル１では、受電電極５４におけるカーボン比率が０．０６以上であるため、受電電極５４の第１の金属成分が、接合部５６内に移動し過ぎる。その結果、保持体１０と接合部５６との間に、受電電極５４が存在しない部分が生じる。保持体１０を形成するセラミックスと接合部５６を形成するロウ材とは、互いの接合性が低いため、保持体１０と受電電極５４との間に隙間Ｈが形成されている、と考えられる。また、図３に示すように、サンプル１では、接合部５６の主成分であるＮｉが受電電極５４内に移動していた。また、サンプル１では、接合強度試験において、クラックの発生が確認された。
【００３９】
これに対して、サンプル２，３では、図４（Ｂ）（Ｃ）に示すように、受電電極５４がＣ（カーボン）を含むことにより、やはり、受電電極５４と接合部５６との密着性が高くなっている。また、サンプル２，３では、保持体１０と受電電極５４との間に隙間は形成されていない。また、図３に示すように、サンプル２，３では、接合部５６の主成分であるＮｉの、受電電極５４内への移動はほとんど無かった。また、サンプル２，３では、接合強度試験において、クラックの発生は確認されなかった。これらの結果からも、上述したように、加熱装置１００が第１の要件を満たすことにより、受電電極５４と接合部５６との密着性の向上のために受電電極５４にＣを含めつつ、受電電極５４に含まれるＣに起因して保持体１０と電極端子７０との接合強度が低下することを抑制することができる、ことがわかる。
【００４０】
Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００４１】
上記実施形態における加熱装置１００の構成は、あくまで例示であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、保持体１０および柱状支持体２０のＺ軸方向視の外形が略円形であるとしているが、他の形状であってもよい。また、柱状支持体２０に形成された貫通孔２２に収容される電極端子は、抵抗発熱体５０に電気的に接続された端子に限らず、例えば、プラズマを発生させる高周波（ＲＦ）電極に電気的に接続された端子や、静電吸着のための吸着電極に電気的に接続された端子でもよい。また、上記実施形態では、受電電極５４は、保持体１０の裏面Ｓ２に形成された凹部１２内に配置されているが、保持体１０の裏面Ｓ２上に配置されているとしてもよい。要するに、受電電極は、保持体の第２の表面側に配置されていればよい。また、外部導電体は、受電電極５４に限られず、要するに、セラミックス部材の表面側に配置された導電体であればよい。また、金属部材は、電極端子７０に限られず、要するに、第１の方向において外部導電体に対向して配置された金属製の部材であればよい。
【００４２】
また、上記実施形態における加熱装置１００を構成する各部材の形成材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。例えば、上記実施形態における加熱装置１００では、保持体１０および柱状支持体２０は、窒化アルミニウムまたはアルミナを主成分とするセラミックス製であるとしているが、保持体１０と柱状支持体２０との少なくとも一方が、他のセラミックス製であるとしてもよい。柱状支持体２０は、セラミックス以外の材料製（例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等の金属製）であるとしてもよい。同様に、電極端子７０等の形成材料も、他の材料であってよい。また、受電電極５４は、タングステンやモリブデン以外の金属成分を主成分としていてもよい。また、受電電極５４は、金属成分に加えて、例えば硝子など、金属成分以外の成分を含んでもいてもよい。上記実施形態では、外部導電体として、受電電極５４を例示したが、これに限らず、保持体１０に埋設されつつ一部が外部に露出した導電体であってもよい。
【００４３】
上記実施形態において、受電電極５４は、第２の要件を満たさない構成であってもよい。また、受電電極５４におけるカーボン比率は、０．２より高くてもよい。また、上記特定断面は、加熱装置１００のＸＺ断面に限らず、例えば、加熱装置１００のＸＹ断面など、他の断面でもよい。
【００４４】
本発明は、加熱装置に限らず、静電チャック、真空チャック等の保持装置、サセプタ等の加熱装置、シャワーヘッド等の半導体製造装置用部品にも適用可能である。要するに、本発明は、セラミックスにより形成されたセラミックス部材と外部導電体と金属部材と接合部とを備える接合体に適用可能である。
【００４５】
また、上記実施形態における加熱装置１００の製造方法はあくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、保持体１０は、プレス成形法により形成してもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１０：保持体  １２：凹部  ２０：柱状支持体  ２２：貫通孔  ３０：接合層  ３２：サンプル  ５０：抵抗発熱体  ５２：ビア導体  ５４：受電電極  ５６：接合部  ７０：電極端子  １００：加熱装置  Ｈ：隙間  Ｓ１：保持面  Ｓ２：裏面  Ｓ３：上面  Ｗ：半導体ウェハ
【図１】
2020033236.tif 000003
【図２】
2020033236.tif 000004
【図３】
2020033236.tif 000005
【図４】
2020033236.tif 000006