(57)【要約】【課題】特性の安定化が図られたＭＥＭＳマイクロフォンを提供する。【解決手段】  ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、その使用時に温度が上昇し、メンブレン３０の対向面３０ａおよびバックプレート４０の対向面４０ａが酸化されやすい状況下になり得る。ただし、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０の対向面３０ａおよびバックプレート４０の対向面４０ａにおける酸化が不動態膜により抑制されるため、酸化に起因するメンブレン３０およびバックプレート４０の物性変化が抑制されており、その結果、特性の安定化が実現されている。【選択図】図６
2020022042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する基板と、
前記基板の一方面側において前記貫通孔を覆うメンブレンと、
前記基板の一方面側において前記貫通孔を覆い、かつ、前記メンブレンとエアギャップを介して対面するバックプレートと、
前記メンブレンおよび前記バックプレートに設けられた一対の端子部と
を備え、
前記メンブレンが、前記バックプレートに対して対向する対向面に露出する第１の不動態化金属層を含む複数層構造を有し、
前記バックプレートが、前記メンブレンに対して対向する対向面に露出する第２の不動態化金属層を含む複数層構造を有し、
前記メンブレンの対向面および前記バックプレートの対向面に不動態膜が形成されている、ＭＥＭＳマイクロフォン。
【請求項２】
前記第１の不動態化金属層および前記第２の不動態化金属層が、アルミニウム、クロム、チタンおよびタンタルからなる群から選ばれる金属、または、前記群から選ばれる少なくとも１種を含む合金で構成されている、請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳマイクロフォンに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳマイクロフォンを含む超小型のマイクロフォンモジュールの需要が高まっている。たとえば下記特許文献１〜３には、シリコン基板上に、エアギャップを介してメンブレンとバックプレートとが対向配置された構成のＭＥＭＳマイクロフォンが開示されている。このようなＭＥＭＳマイクロフォンでは、メンブレンとバックプレートとでキャパシタ構造が形成されており、音圧を受けてメンブレンが振動するとキャパシタ構造における容量が変化する。その容量変化が、ＡＳＩＣチップにおいて電気信号に変換されるとともに増幅処理される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−０５５０８７号公報
【特許文献２】特開２０１５−５０２６９３号公報
【特許文献３】特開２００７−２９５４８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したＭＥＭＳマイクロフォンでは、ＭＥＭＳマイクロフォンの使用時（特に、継続的な使用時）の温度上昇に伴い、メンブレンやバックプレートの表面が酸化し得る。そのような酸化によりメンブレンやバックプレートの物性が変わり、ＭＥＭＳマイクロフォンの特性が変化し得る。特に、メンブレンやバックプレートの対向領域が酸化した場合には、ＭＥＭＳマイクロフォンの特性が顕著に変化する。
【０００５】
本発明は、特性の安定化が図られたＭＥＭＳマイクロフォンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係るＭＥＭＳマイクロフォンは、貫通孔を有する基板と、基板の一方面側において貫通孔を覆うメンブレンと、基板の一方面側において貫通孔を覆い、かつ、メンブレンとエアギャップを介して対面するバックプレートと、メンブレンおよびバックプレートに設けられた一対の端子部とを備え、メンブレンが、バックプレートに対して対向する対向面に露出する第１の不動態化金属層を含む複数層構造を有し、バックプレートが、メンブレンに対して対向する対向面に露出する第２の不動態化金属層を含む複数層構造を有し、メンブレンの対向面およびバックプレートの対向面に不動態膜が形成されている。
【０００７】
上記ＭＥＭＳマイクロフォンにおいては、第１の不動態化金属層で構成されたメンブレンの対向面に不動態膜が形成されており、かつ、第２の不動態化金属層で構成されたバックプレートの対向面に不動態膜が形成されている。そのため、ＭＥＭＳマイクロフォンを使用して温度が上昇した場合であっても、メンブレンの対向面およびバックプレートの対向面が酸化される事態が抑制される。上記ＭＥＭＳマイクロフォンでは、メンブレンの対向面およびバックプレートの対向面における酸化が抑制されることで、特性の安定化が図られている。
【０００８】
他の態様に係るＭＥＭＳマイクロフォンは、第１の不動態化金属層および第２の不動態化金属層が、アルミニウム、クロム、チタンおよびタンタルからなる群から選ばれる金属、または、群から選ばれる少なくとも１種を含む合金で構成されている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、特性の安定化が図られたＭＥＭＳマイクロフォンが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、一実施形態に係るマイクロフォンモジュールを示した概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示したＭＥＭＳマイクロフォンの断面図である。
【図３】図３は、図２に示したＭＥＭＳマイクロフォンの平面図である。
【図４】図４の（ａ）〜（ｃ）は、図２に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【図５】図５の（ａ）〜（ｃ）は、図２に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【図６】図６は、メンブレンの表面に形成された不動態膜を示した図である。
【図７】図２とは異なる態様のＭＥＭＳマイクロフォンを示した断面図である。
【図８】図８の（ａ）〜（ｃ）は、図７に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【図９】図９の（ａ）〜（ｃ）は、図７に示したＭＥＭＳマイクロフォンを製造する際の各工程を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１２】
図１に示すように、実施形態に係るマイクロフォンモジュール１は、少なくともモジュール基板２と、制御回路チップ３（ＡＳＩＣ）と、キャップ６と、ＭＥＭＳマイクロフォン１０とを備えて構成されている。
【００１３】
モジュール基板２は、平板状の外形形状を有し、たとえばセラミック材料で構成されている。モジュール基板２は、単層構造であってもよく、内部配線を含む複数層構造であってもよい。モジュール基板２の一方面２ａおよび他方面２ｂにはそれぞれ端子電極４、５が設けられており、端子電極４、５同士は図示しない貫通導体や内部配線を介して互いに接続されている。
【００１４】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、モジュール基板２の一方面２ａ上に搭載されている。ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、音圧を受けるとその一部が振動する構成を有しており、具体的には図２および図３に示す構造を有する。すなわち、ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、少なくとも基板２０と、メンブレン３０と、バックプレート４０と、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂとを備えて構成されている。
【００１５】
基板２０は、矩形平板状の外形形状を有し、たとえばＳｉや石英ガラス（ＳｉＯ２）で構成されている。基板２０の厚さは、一例として５００μｍである。基板２０は、図３に示すように、平面視において略正方形状（一例として、１５００μｍ×１５００μｍ）を有することができる。基板２０は、基板２０の厚さ方向において貫通する貫通孔２１を有する。貫通孔２１は、平面視において、たとえば真円形状を有し、基板２０の中央領域に設けられている。貫通孔２１の直径は、一例として１０００μｍである。
【００１６】
メンブレン３０は、ダイヤフラムとも呼ばれ、音圧によって振動する膜である。メンブレン３０は、基板２０の一方面側である上面２０ａ側に位置しており、上面２０ａに直接重ねられている。メンブレン３０は、基板２０の貫通孔２１全体を覆うように設けられている。メンブレン３０は、複数層構造を有しており、本実施形態では２層構造を有する。
【００１７】
下側に位置するメンブレン３０の第１層３１は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）で構成されている。第１層３１の厚さは、一例として２００ｎｍである。第１層３１は、貫通孔２１を含む基板２０の上面２０ａの全面に亘って設けられている。上側に位置するメンブレン３０の第２層３２は、不動態化金属（本実施形態ではＣｒ）で構成されている。第２層３２の厚さは、一例として１００ｎｍである。第２層３２は、基板２０の貫通孔２１に対応する領域、および、貫通孔２１の縁領域であって一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの一方（本実施形態では端子部５０Ａ）の形成領域に、一体的に設けられている。
【００１８】
基板２０の貫通孔２１をメンブレン３０によって完全に塞ぐと、メンブレン３０の上側と下側とで気圧差が生じ得る。このような気圧差を低減するため、本実施形態では、メンブレン３０に小さな貫通孔３３を設けている。メンブレン３０に複数の貫通孔３３を設けることもできる。
【００１９】
バックプレート４０は、基板２０の上面２０ａ側に位置しており、かつ、メンブレン３０の上側に位置している。バックプレート４０は、メンブレン３０同様、基板２０の貫通孔２１全体を覆うように設けられている。バックプレート４０は、エアギャップＧを介してメンブレン３０と対面している。より詳しくは、バックプレート４０の対向面４０ａ（図２における下面）が、基板２０の貫通孔２１が形成された領域において、メンブレン３０の対向面３０ａ（図２における上面）と対面している。バックプレート４０は、メンブレン３０同様、複数層構造を有しており、本実施形態では２層構造を有する。
【００２０】
下側に位置するバックプレート４０の第１層４１は、不動態化金属（本実施形態ではＣｒ）で構成されている。第１層４１の厚さは、一例として３００ｎｍである。上側に位置するバックプレート４０の第２層４２は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）で構成されている。第２層４２の厚さは、一例として５０ｎｍである。バックプレート４０の第１層４１および第２層４２は、基板２０の貫通孔２１に対応する領域、および、貫通孔２１の縁領域であって一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの他方（本実施形態では端子部５０Ｂ）の形成領域に、一体的に設けられている。バックプレート４０の第２層４２は、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの形成領域には設けられておらず、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂの形成領域においてメンブレン３０の第２層３２およびバックプレート４０の第１層４１が露出している。バックプレート４０は、複数の孔４３を有する。複数の孔４３は、図３に示すように、いずれもたとえば真円状の開口形状を有し、規則的に配置（本実施形態では千鳥配置）されていることが好ましい。
【００２１】
一対の端子部５０Ａ、５０Ｂは、導電体材料で構成されており、本実施形態ではＣｕで構成されている。一対の端子部５０Ａ、５０Ｂのうち、一方の端子部５０Ａは、貫通孔２１の縁領域に設けられたメンブレン３０の第２層３２上に形成され、他方の端子部５０Ｂは、貫通孔２１の縁領域に設けられたバックプレート４０の第１層４１上に形成されている。
【００２２】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、上述したとおり、メンブレン３０が導電層として第２層３２を有し、かつ、バックプレート４０が導電層として第１層４１を有する。そのため、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０とバックプレート４０とで平行平板型のキャパシタ構造が形成されている。そして、メンブレン３０が音圧により振動すると、メンブレン３０とバックプレート４０との間のエアギャップＧの幅が変化し、キャパシタ構造における容量が変化する。ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、その容量変化を一対の端子部５０Ａ、５０Ｂから出力する静電容量型のマイクロフォンである。
【００２３】
制御回路チップ３は、ＭＥＭＳマイクロフォン１０に近接するようにして、モジュール基板２の一方面２ａ上に搭載されている。制御回路チップ３には、ＭＥＭＳマイクロフォン１０の一対の端子部５０Ａ、５０Ｂから上述した容量変化が入力される。本実施形態では、制御回路チップ３とＭＥＭＳマイクロフォン１０とはワイヤボンディングによって接続されている。制御回路チップ３は、ＭＥＭＳマイクロフォン１０のキャパシタ構造の容量変化を、アナログまたはデジタルの電気信号に変換する機能および増幅機能を有する。制御回路チップ３は、モジュール基板２の一方面２ａに設けられた端子電極４に接続されており、制御回路チップ３の信号は端子電極４、５を介して外部に出力される。
【００２４】
キャップ６は、基板２０の上面２０ａ側に中空構造を形成している。具体的には、キャップ６は、基板２０との間に空洞Ｈを画成しており、その空洞Ｈの内部にＭＥＭＳマイクロフォン１０や制御回路チップ３が収容されている。本実施形態では、キャップ６は、金属材料で構成されたメタルキャップである。キャップ６には、外部と空洞Ｈとをつなぐサウンドホール６ａが設けられている。
【００２５】
次に、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０を製造する手順について、図４および図５を参照しつつ説明する。
【００２６】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０を製造する際には、まず、図４（ａ）に示すように、貫通孔２１が形成されていない平板状の基板２０の上面２０ａ上に、メンブレン３０の第１層３１および第２層３２を順次成膜する。第１層３１は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。第２層３２は、不動態化金属（本実施形態ではＣｒ）のスパッタリングにより形成される。第１層３１および第２層３２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００２７】
次に、図４（ｂ）に示すように、メンブレン３０に貫通孔３３を設ける。貫通孔３３は、たとえば貫通孔３３の領域に開口が設けられたフォトレジストを用いたＲＩＥにより形成することができる。ＲＩＥに用いるガス種は、メンブレン３０を構成する層の材料に応じて適宜選択される。このあと、全体を酸素プラズマ中に、所定時間の間、放置し、酸素プラズマ処理することで、メンブレン３０の第２層３２の表面が不動態化される。
【００２８】
さらに、図４（ｃ）に示すように、上述したエアギャップＧとなるべき領域に犠牲層６０を形成する。犠牲層６０は、たとえばＳｉＯ２のＣＶＤにより形成される。犠牲層６０の厚さは、一例として２μｍである。犠牲層６０は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００２９】
続いて、図５（ａ）に示すように、バックプレート４０の第１層４１および第２層４２を順次成膜する。第１層４１は、不動態化金属（本実施形態ではＣｒ）のスパッタリングにより形成される。第２層４２は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。第１層４１および第２層４２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００３０】
また、図５（ｂ）に示すように、一対の端子部５０Ａ、５０Ｂを形成する。具体的には、メンブレン３０の第２層３２上に端子部５０Ａを形成するとともに、バックプレート４０の第１層４１上に端子部５０Ｂを形成する。端子部５０Ａ、５０Ｂは、導電体材料（本実施形態ではＣｕ）のスパッタリングにより形成される。端子部５０Ａ、５０Ｂは、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００３１】
さらに、図５（ｃ）に示すように、基板２０に貫通孔２１をエッチングにより形成する。貫通孔２１は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチングにより形成される。貫通孔２１は、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いたドライエッチングにより形成することもできる。エッチングの際、基板２０の上面２０ａ全体および貫通孔２１が形成される領域以外の下面２０ｂは、フォトレジスト等によって被覆される。また、エッチングのストッパ膜として、５０ｎｍ厚さ程度のＳｉＮ層を、基板２０の上面２０ａ（メンブレン３０の下側）に形成してもよい。このＳｉＮ層は、貫通孔２１を形成した後、貫通孔２１から露出した部分がエッチング除去され得る。
【００３２】
そして、犠牲層６０をエッチングにより除去する。犠牲層６０は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチングにより除去される。犠牲層６０は、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いたドライエッチングにより除去することもできる。エッチングの際、犠牲層６０が形成された領域以外の基板２０の上面２０ａおよび下面２０ｂ全体は、フォトレジスト等によって被覆される。このあと、全体を酸素プラズマ中に、所定時間の間、放置し、酸素プラズマ処理することで、バックプレート４０の第１層４１の表面が不動態化される。
【００３３】
以上で説明した手順により、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０が製造される。
【００３４】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０においては、メンブレン３０が、バックプレート４０に対して対向する対向面３０ａに露出する第２層（第１の不動態化金属層）３２を含む２層構造を有し、図６に示すように対向面３０ａ側に不動態膜３２ａが形成されている。また、バックプレート４０が、メンブレン３０に対して対向する対向面４０ａに露出する第１層（第２の不動態化金属層）４１を含む２層構造を有し、かつ、対向面４０ａ側に不動態膜３２ａと同様の不動態膜が形成されている。
【００３５】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０は、その使用時に温度が上昇し、メンブレン３０の対向面３０ａおよびバックプレート４０の対向面４０ａが酸化されやすい状況下になり得る。ただし、ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０の対向面３０ａおよびバックプレート４０の対向面４０ａにおける酸化が上述の不動態膜により抑制されるため、酸化に起因するメンブレン３０およびバックプレート４０の物性変化が抑制されており、その結果、特性の安定化が実現されている。
【００３６】
なお、不動態化金属層（すなわち、メンブレン３０の第２層３２およびバックプレート４０の第１層）を構成する不動態化金属としては、クロムの他に、アルミニウム、チタン、タンタル、または、これらの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。
【００３７】
また、本実施形態では、メンブレン３０の第２層３２およびバックプレート４０の第１層４１が、キャパシタ構造を構成する導電層として機能するため、酸化を抑制する層を別途に設けた構成に比べて、メンブレン３０やバックプレート４０の薄型化が図られている。
【００３８】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０とバックプレート４０との上下位置を反対にして、基板２０の上面２０ａ上にバックプレート４０を直接重ねた構成にすることができる。
【００３９】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０では、メンブレン３０とバックプレート４０との上下位置を反対にして、基板２０の上面２０ａ上にバックプレート４０を直接重ねた構成にすることができる。
【００４０】
上述した実施形態では、１つのバックプレート４０を備えたＭＥＭＳマイクロフォン１０について説明したが、図７に示すように、ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａが２つのバックプレート４０Ａ、４０Ｂを備える態様であってもよい。
【００４１】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａにおいては、基板２０上に、第１のバックプレート４０Ａ、メンブレン３０、および、第２のバックプレート４０Ｂが設けられている。ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａにおける第１のバックプレート４０Ａおよびメンブレン３０は、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０におけるバックプレート４０およびメンブレン３０の構成および位置関係と同様である。ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａは、主に、基板２０とメンブレン３０との間に第２のバックプレート４０Ｂが介在する点においてＭＥＭＳマイクロフォン１０と異なる。第２のバックプレート４０Ｂは、第１のバックプレート４０Ａを上下逆さにした層構造を有する。すなわち、第２のバックプレート４０Ｂでは、下側に位置する第２層４２が絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）で構成されており、上側に位置する第１層４１が不動態化金属（本実施形態ではＣｒ）で構成されている。そして、第２のバックプレート４０Ｂの第１層４１上に、端子部５０Ｃが形成されている。
【００４２】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａでは、メンブレン３０は、エアギャップＧ１を介して第２のバックプレート４０Ｂと対面しており、エアギャップＧ１を介して第１のバックプレート４０Ａと対面している。
【００４３】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａでは、メンブレン３０と、２つのバックプレート４０Ａ、４０Ｂとで平行平板型のキャパシタ構造が２つ形成されている。そして、メンブレン３０が音圧により振動すると、メンブレン３０と第１のバックプレート４０Ａとの間のエアギャップＧの幅が変化するとともに、メンブレン３０と第２のバックプレート４０Ｂとの間のエアギャップＧ１の幅が変化する。ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａでは、エアギャップＧ１、Ｇ２の幅の変化に伴うキャパシタ構造の容量変化を、３つの端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃから出力する。このようなＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａによれば、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０に比べて、高いＳＮ比を実現することができる。
【００４４】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａにおいても、ＭＥＭＳマイクロフォン１０同様、メンブレン３０の対向面３０ａに露出する第２層３２およびバックプレート４０Ａの対向面４０ａに露出する第１層４１が不動態化金属で構成されているため、ＭＥＭＳマイクロフォン１０の上述した効果と同様の効果を奏する。
【００４５】
次に、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａを製造する手順について、図８および図９を参照しつつ説明する。
【００４６】
ＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａを製造する際には、まず、図８（ａ）に示すように、貫通孔２１が形成されていない平板状の基板２０の上面２０ａ上に、第２のバックプレート４０Ｂの第２層４２および第１層４１を順次形成する。第１層４１は、不動態化金属（本実施形態ではＣｒ）のスパッタリングにより形成される。第２層４２は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。第１層４１および第２層４２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。このあと、全体を酸素プラズマ中に、所定時間の間、放置し、酸素プラズマ処理することで、第２のバックプレート４０Ｂの第１層４１の表面が不動態化される。なお、表面平坦化のため、第２のバックプレート４０Ｂが形成された領域の残余領域には絶縁体膜３４が形成される。絶縁体膜３４は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。絶縁体膜３４についても、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００４７】
次に、図８（ｂ）に示すように、第２のバックプレート４０Ｂの各孔４３が、絶縁体６１（本実施形態ではＳｉＯ２）で埋められる。絶縁体６１は、ＳｉＯ２をＣＶＤにより堆積させた後、ＣＭＰにより表面研磨することで得られる。
【００４８】
さらに、図８（ｃ）に示すように、上述したエアギャップＧ１となるべき領域に犠牲層６２を形成する。犠牲層６２は、たとえばＳｉＯ２のＣＶＤにより形成される。犠牲層６２の厚さは、一例として３μｍである。犠牲層６２は、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。なお、表面平坦化のため、犠牲層６２が形成された領域の残余領域には絶縁体膜３５が形成される。絶縁体膜３５は、絶縁体材料（本実施形態ではＳｉＮ）のＣＶＤにより形成される。絶縁体膜３５についても、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。犠牲層６２および絶縁体膜３５の表面平坦化のため、犠牲層６２および絶縁体膜３５を形成した後、ＣＭＰにより表面研磨することができる。
【００４９】
そして、犠牲層６２および絶縁体膜３５の上に、メンブレン３０および第１のバックプレート４０Ａを、ＭＥＭＳマイクロフォン１０のメンブレン３０およびバックプレート４０と同様に形成する。メンブレン３０および第１のバックプレート４０Ａを形成した後は、図９（ａ）に示すように、端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃが形成される領域のメンブレン３０の第２層３２およびバックプレート４０Ａ、４０Ｂの第１層４１を露出させる。
【００５０】
そして、図９（ｂ）に示すように、各端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃを形成する。具体的には、メンブレン３０の第２層３２上に端子部５０Ａを形成するとともに、バックプレート４０Ａ、４０Ｂの第１層４１上に端子部５０Ｂ、５０Ｃをそれぞれ形成する。端子部５０Ｃは、端子部５０Ａ、５０Ｂ同様、導電体材料（本実施形態ではＣｕ）のスパッタリングにより形成される。端子部５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃは、図示しないフォトレジストおよびＲＩＥによりパターニングされ得る。
【００５１】
さらに、図９（ｃ）に示すように、基板２０に貫通孔２１をエッチングにより形成するとともに、犠牲層６０、６２および絶縁体６１をエッチングにより除去する。犠牲層６０、６２および絶縁体６１は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたウェットエッチング、または、フッ化水素（ＨＦ）の蒸気を用いたドライエッチングにより除去され得る。このあと、全体を酸素プラズマ中に、所定時間の間、放置し、酸素プラズマ処理することで、メンブレン３０の第２層３２の表面と第１のバックプレート４０Ａの第１層４１の表面とが不動態化される。
【００５２】
以上で説明した手順により、上述したＭＥＭＳマイクロフォン１０Ａが製造される。
【００５３】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に限定されず、種々の変更をおこなうことができる。
【００５４】
たとえば、メンブレンは、不動態化金属層と絶縁体層とを含む２層構造に限らず、導体層や非導体層（半導体層、絶縁体層）を含む３層以上の複数層構造であってもよい。バックプレートについても、導体層や非導体層を含む３層以上の複数層構造であってもよい。メンブレンおよびバックプレートにおける導体層と非導体層との積層順序は、対向面に不動態化金属層が露出する限りにおいて、ＭＥＭＳマイクロフォンに求める特性に応じて適宜変更することができる。
【００５５】
ＭＥＭＳマイクロフォンのメンブレン、バックプレートおよび貫通孔の平面形状は、円形に限らず、多角形状であってもよく、角丸四角形であってもよい。
【００５６】
メンブレンとバックプレートとが接触して離れない現象（いわゆるスティッキング）を防止するため、バックプレートの対向面側に、メンブレンに向かって延びる突起を設けてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１…マイクロフォンモジュール、２…モジュール基板、３…制御回路チップ、６…キャップ、１０、１０Ａ…ＭＥＭＳマイクロフォン、２０…基板、２１…貫通孔、３０…メンブレン、３１…第１層、３２…第２層、４０、４０Ａ、４０Ｂ…バックプレート、４１…第１層、４２…第２層、５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ…端子部、６０、６２…犠牲層、Ｇ、Ｇ１、Ｇ２…エアギャップ、Ｈ…空洞。
【図１】
2020022042.tif 000003
【図２】
2020022042.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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