(57)【要約】【課題】保護用樹脂層を電子部品パッケージ最外層に形成し、ダイシングスピードの速い条件下で、半導体チップ封止樹脂のバリ、欠けを低減するための、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物、それを用いた半導体チップ保護バッファーコート用フィルムと電子部品パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）ゴム粒子を含有し、前記（Ｃ）無機フィラーの体積平均粒子径が、０．１〜１５μｍである半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）ゴム粒子を含有し、前記（Ｃ）無機フィラーの体積平均粒子径が、０．１〜１５μｍである半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
【請求項２】
前記（Ｄ）ゴム粒子の体積平均粒子径が、０．０５〜１０μｍである、請求項１に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
【請求項３】
前記（Ａ）エポキシ樹脂の少なくとも１つが、１分子中のエポキシ基の数が平均で２を超えて多い多官能型エポキシ樹脂であり、かつその配合量が、（Ａ）エポキシ樹脂全体１００質量部に対し、５〜５０質量部である請求項１又は請求項２に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）無機フィラーが、表面に化学修飾処理を施した球状溶融シリカであり、かつその配合量が、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物の合計１００質量部に対して、３０〜９５質量部である請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
【請求項５】
前記（Ｄ）ゴム粒子の配合量が、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、５〜５０質量部である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物をフィルム基材上に塗布し、乾燥して得られる、半導体チップ保護バッファーコート用フィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体チップ保護バッファーコート用フィルムの製造方法により得られた半導体チップ保護バッファーコート用フィルムを用いて半導体ウェハを被覆し、硬化し、個片化する工程を有する電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物、半導体チップ保護バッファーコート用フィルムの製造方法及びそれを用いた電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品パッケージは、電子部品を回路基板、例えば電子機器のメインボードに電気的に接続させ、外部の環境・衝撃等から電子部品を保護するためのパッケージ技術である。また、回路基板、例えばインターポーザ基板内に電子部品を内蔵する部品内蔵技術がある。一方、近年、電子部品に関する技術開発のトレンドは、部品サイズの縮小である。これに伴いパッケージ分野においても、小型電子部品の需要が急増しており、サイズが小型でありながらも多数の接続端子を配置できる電子部品パッケージが要求されている。
【０００３】
上記のような技術的要求に答えるために提案されたパッケージ技術の一つが、ウェハ上に形成されている電子部品の電極パッドの再配線を用いるウェハレベルパッケージである。ウェハレベルパッケージは、ファン−インとファン−アウトに分けられ、特にファンアウトウェハレベルパッケージが、小型でありながら多数の接続端子を配置できるため活発に開発されている。ウェハレベルパッケージは、現在直径３００ｍｍのウェハが最大サイズであり一回で作製できるパッケージが限られるためコストが高いという問題がある。そのため、コスト低減を目的にプリント配線板のプロセスを用いるファン−アウトパネルレベルパッケージの開発が注目を集めている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２１３４６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ファンアウトパネルレベルパッケージは製造最終工程において、パネルサイズからチップサイズに切断（ダイシング）されるが、ダイシング時に半導体チップ封止樹脂のバリ(樹脂の飛散物)、欠けが生じることがあり、電子部品パッケージの歩留まり及び信頼性を低下させる原因となっている。このため保護用樹脂層を電子部品パッケージ最外層に形成することが検討されている。また、部品内蔵基板においても同様の課題がある。ファンアウトパネルレベルパッケージの生産性を向上させるために、ダイシングスピードの速い条件下で、半導体チップ封止樹脂のバリ、欠けが生じない（切断面のバリ、欠けの少ない）半導体チップ保護バッファーコート材用組成物が求められている。
本発明の課題は、保護用樹脂層を電子部品パッケージ最外層に形成し、ダイシング工程時のバリ、欠けを低減するための、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物、及びそれを用いた半導体チップ保護バッファーコート用フィルムとそのフィルムを用いた電子部品パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は鋭意検討の結果、電子部品パッケージの最外層に、ゴム微粒子及び無機フィラーを高充填化した熱硬化性樹脂層を形成することで、上記目的を達成できることを見出し本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は以下のことを有することを特徴とする。
【０００７】
［１］  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）ゴム粒子を含有し、前記（Ｃ）無機フィラーの体積平均粒子径が、０．１〜１５μｍである半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
［２］  前記（Ｄ）ゴム粒子の体積平均粒子径が０．０５〜１０μｍである、上記［１］に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
［３］  前記（Ａ）エポキシ樹脂の少なくとも１つが、１分子中のエポキシ基の数が平均で２を超えて多い多官能型エポキシ樹脂であり、かつその配合量が、（Ａ）エポキシ樹脂全体１００質量部に対し、５〜５０質量部である上記［１］又は［２］に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
［４］  前記（Ｃ）無機フィラーが、表面に化学修飾処理を施した球状溶融シリカであり、かつその配合量が、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物の合計１００質量部に対して、３０〜９５質量部である上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
［５］  前記（Ｄ）ゴム粒子の配合量が、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対して、５〜５０質量部である上記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物。
［６］  上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物をフィルム基材上に塗布し、乾燥して得られる、半導体チップ保護バッファーコート用フィルムの製造方法。
［７］  上記［６］に記載の半導体チップ保護バッファーコート用フィルムの製造方法により得られた半導体チップ保護バッファーコート用フィルムを用いて半導体チップを被覆し、硬化し、個片化する工程を有する電子部品パッケージの製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ダイシング時の半導体チップ封止樹脂のバリ、欠けの少ない（切断面のバリ、欠けの少ない）、高信頼性の電子部品パッケージを歩留まり良く、効率的に提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）無機フィラー及び（Ｄ）ゴム粒子を含有し、前記（Ｃ）無機フィラーの体積平均粒子径が、０．１〜１５μｍである。
以下に本発明の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物で用いる各成分について説明する。
【００１０】
［（Ａ）エポキシ樹脂］
本発明に用いられる（Ａ）エポキシ樹脂は、半導体チップ保護バッファーコート用フィルムに絶縁性、耐熱性を付与する目的で使用される。その種類に特に制限はないが、１分子中のエポキシ基の数が二つである２官能型エポキシ樹脂と１分子中のエポキシ基の数が平均で２を超えて多い多官能型エポキシ樹脂を併用することが好ましい。多官能型エポキシ樹脂が硬化する際に発生する３次元的な架橋により、ポリマーネットワークが強固なものとなり、結果として半導体実装工程時の高温の熱処理に耐えうる耐熱性を得ることができる。
【００１１】
（２官能型エポキシ樹脂）
２官能型エポキシ樹脂の例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の汎用公知のエポキシ樹脂を用いることができる。このようなエポキシ樹脂の例としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱ケミカル株式会社製のエピコート８０６、８１５、８２８、８３４、１００１、１００９、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては新日鉄住金化学株式会社製のＹＤＦシリーズ、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ等を挙げることができる。
【００１２】
（多官能型エポキシ樹脂）
１分子中のエポキシ基の数が平均で２を超えて多い多官能型エポキシ樹脂の例としてはビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等の汎用公知のエポキシ樹脂を用いることができる。このようなエポキシ樹脂の例としてビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂としては日本化薬株式会社製のＮＣ−２０００シリーズ、ＮＣ−３０００シリーズ、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂の例としては日本化薬株式会社製のＮＣ−７０００シリーズ、ＤＩＣ株式会社製のＨＰ−５０００、ＨＰ−６０００、ＨＰ−４７１０、ノボラック型エポキシ樹脂としては日本化薬株式会社製ＥＰＰＮ−５００シリーズ、ＤＩＣ株式会社製のＮ−５００、Ｎ−７００、Ｎ−８００シリーズ、ＤＥＮ−４３８、住友化学株式会社製のＥＳＣＮ−１９５、株式会社ＡＤＥＫＡ製のＫＲＭ−２６５０等を挙げることができる。
【００１３】
その他、例えばビフェニル型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製：ＹＸ４０００）、ジシクロ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製：エピクロンＨＰ７２００）、グリシジルアミン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製：エピクロン４３０、住友化学株式会社製：ＥＬＭ１００、１２０、４３４）、グリシジルエステル型エポキシ樹脂（ナガセケムテックス株式会社製：デナコールＥＸ−７２１）等を挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００１４】
エポキシ樹脂の配合量は１分子中のエポキシ基の数が二つである２官能型エポキシ樹脂については、（Ａ）エポキシ樹脂全体１００質量部に対して、５０〜９５質量部が好ましく、更には６０〜８０質量部がより好ましい。配合量が９５質量部を超えると、後述する多官能型エポキシ樹脂の比率が少なくなってしまい、樹脂硬化物が十分な架橋を得ることができず、耐熱性等が低下する恐れがある。一方、配合量が５０質量部未満では接着性が低下する恐れがある。
１分子中のエポキシ基の数が平均で２を超えて多い多官能型エポキシ樹脂については、（Ａ）エポキシ樹脂全体１００質量部に対し、５〜５０質量部が好ましく、更には１０〜３０質量部がより好ましい。配合量が５質量部未満では樹脂硬化物が十分な架橋を得ることができず、耐熱性が低下する恐れがある。また５０質量部を超えた場合、接着機能等を付与するための２官能型エポキシ樹脂の比率が低下するため、接着性が低下する恐れがある。
【００１５】
［（Ｂ）フェノール樹脂］
本発明に用いられる（Ｂ）フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の架橋剤として用いられる。その種類に特に制限はないが、芳香環含有率が高く、かつ多官能であるものを使用することが好ましい。これによりエポキシ樹脂との３次元的な架橋をより強固なものとすることができる。
（Ｂ）フェノール樹脂は、１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定されず、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂などのアラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型フェノール樹脂などが挙げられる。
【００１６】
このようなフェノール樹脂の例として新日鉄住金化学株式会社製のナフタレンジオールアラルキル型フェノール樹脂、ＳＮ−３７５、ＳＮ−３９５等を挙げることができる。
また、その配合量は、エポキシ樹脂の総エポキシ１当量に対し、フェノール水酸基当量が１に近くなることが好ましい。エポキシ当量／フェノール水酸基当量の比は０．８〜１．３が好ましく、更には１．０５〜１．２程度がより好ましい。当量比が０．８未満では、フリーに残存するフェノール性水酸基の残基が多くなり、電気絶縁性等が低下する恐れがある。一方、当量比が１．３を超えた場合、フリーに残存するエポキシ残基が多くなることから、樹脂硬化物が十分な架橋を得ることができず、耐熱性が低下する恐れがある。
【００１７】
［（Ｃ）無機フィラー］
本発明に用いられる（Ｃ）無機フィラーは、樹脂硬化組成物表面に適切な硬さや機械強度を付与する目的で用いられる。（Ｃ）無機フィラーとしては、以下の例には限定されないが、例えば、各種のアルミナ、水酸化アルミニウム、シリカ、アルミノケイ酸塩、炭酸カルシウムが挙げられる。これらの中で半導体用途としては半導体実装工程時の材料の熱負荷を考慮したシリカフィラーを用いることが好ましい。また、その形状は球状溶融シリカであることが好ましく、更にはシリカ表面に化学修飾処理を施した、体積平均粒子径１５μｍ以下のもの、好ましくは１０μｍ以下のもの、より好ましくは５μｍ以下のものを使用することが好ましい。下限は、０．１μｍである。表面に化学修飾処理が施されていないシリカを用いた場合、シリカ粒子が二次凝集により大粒子化してしまい、ファンアウトパネルレベルパッケージをダイシングする際に、フィラーの欠落による欠け（欠陥）が発生し結果として歩留まりが低下する恐れがある。前記の問題は平均粒子径１５μｍを超える大粒子フィラーを用いた場合も同様である。
体積平均粒子径は、市販のレーザ回折・散乱法を測定原理とする粒度分布測定装置であるレーザ回折式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。
表面への化学修飾処理としては、表面処理のしやすさから、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、（メタ）アクリル系シラン等のシラン処理が好ましい。その他に、脂肪酸処理、界面活性剤、チタン系カップリング剤、アルミ系カップリング剤処理等を用いた処理が挙げられる。
【００１８】
（Ｃ）無機フィラーの配合量は、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物の合計１００質量部に対して、３０〜９５質量部が好ましく、更には５０〜９０質量部が好ましい。配合量が３０質量部未満では、バッファーコート材組成物の硬化物（熱硬化性樹脂）に十分な機械強度が付与されず、ヒートサイクル等の長期信頼性耐性等が低下する恐れがある。一方、配合量が９５質量部を超えた場合、熱硬化性樹脂組成物のワニス状態での粘度が著しく上昇し、バッファーコート材組成物製造時の作業性が大きく低下してしまう恐れがある。
【００１９】
［（Ｄ）ゴム粒子］
本発明に用いる（Ｄ）ゴム粒子は、半導体チップ保護バッファーコート材用組成物の硬化物中に、いわゆる海島構造（応力緩和構造）とよばれるゴム微粒子が分散した状態を発現するために用いられる。この海島構造の発現により電気絶縁性、長期信頼性等の特性を低下させることなく、ダイシング性を向上させることが可能となる。（Ｄ）ゴム粒子としては、各種のブタジエン系やアクリル系の架橋ゴム微粒子、シリコーン微粒子を用いることができ、体積平均粒子径が０．０５〜１０μｍであることが好ましい。より好ましくは、０．０５〜５μｍ、更に好ましくは、０．１〜３μｍである。
体積平均粒子径が、１０μｍを超えると半導体チップ保護バッファーコート材用組成物（熱硬化性樹脂組成物）を硬化した際に、硬化性が低下する箇所が生じ、ダイシング時のバリが大きくなってしまう。また、熱硬化性樹脂組成物中のゴム粒子成分に水分が局所的に集中し、電気絶縁性や吸湿条件下での信頼性が低下する可能性がある。体積平均粒子径が５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下が更に好ましく、更には体積平均粒子径が１μｍ以下のゴム微粒子を用いることが極めて好ましい。
体積平均粒子径は、前記と同様に市販のレーザ回折式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。
【００２０】
（Ｄ）ゴム粒子の配合量は、（Ａ）エポキシ樹脂全体１００質量部に対して、５〜５０質量部が好ましく、更には１５〜４０質量部であることがより好ましい。配合量が５質量部未満では海島構造が十分に発現されないため、ヒートサイクル等長期信頼性耐性等が低下する恐れがある。一方、配合量が５０質量部を超えると熱硬化性樹脂組成物の架橋が低下し、耐熱性が低下する可能性がある。
このようなゴム微粒子の例としては、ＪＳＲ株式会社製のＸＥＲ−９１、新日鉄住金化学株式会社のＹ５−５２８、ＹＲ−５９１、レジナス化成株式会社製のエポダインＲＢ−２０００等が挙げられる。また、ゴム微粒子の成分としてはスチレン系ゴム、イソプレンゴム、エチレン系ゴム、プロピレン系ゴム、ウレタンゴム、ブチルゴム、シリコーンゴム、ニトリル系ゴム、フッ素ゴム、エーテル系ゴム等が挙げられる。また、ゴム微粒子をエポキシ樹脂に分散し、マスタバッチ化したものを用いてもよい。マスタバッチ化したゴム微粒子の例としては、株式会社カネカ製のカネエースＭＸ−２１７、ＭＸ−２６７、ＭＸ−９３５等が挙げられる。
【００２１】
［その他の成分］
本発明の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物（熱硬化性樹脂組成物）には、必要に応じて、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ビスアゾイエロー、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラック等の公知の着色剤、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、カテコール、ピロガロール等の重合禁止剤、シリコーン系、フッ素系、ビニル樹脂系の消泡剤、シランカップリング剤、密着性付与剤等、公知慣用の各種添加剤を用いることができる。
【００２２】
また、本発明の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物（熱硬化性樹脂組成物）には、必要に応じて、エポキシ樹脂の硬化触媒を用いることができる。
エポキシ樹脂の硬化触媒としては汎用公知のアミン型硬化触媒、ジシアンジアミド、各種のイミダゾール類を用いることができる。例えば、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物及び、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン類及びこれらの誘導体および、２―フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及び、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。
その配合量はエポキシ樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部程度、更に好ましくは０．３〜３質量部である。これらは半導体チップ保護バッファーコート材用組成物の反応安定性等をふまえ、適宜その使用量を調整することができる。
【００２３】
半導体チップ保護バッファーコート材用組成物を用いて半導体チップ保護バッファーコート用フィルムを製造する際には、組成物に溶剤を加えてワニスとすることが好ましい。本発明に使用できる溶剤として、以下の例には限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、ブタノン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸プロピル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−エトキシエチルアセテート、ジメチルホルムアミド等の有機溶剤が挙げられる。
【００２４】
［半導体チップ保護バッファーコート用フィルムの製造方法］
半導体チップ保護バッファーコート材用組成物のワニスをＰＥＴ等のフィルム基材上に塗布し、乾燥してフィルム形状とすることもできる。
組成物の塗布方法としては、特に限定されず、例えば、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、スリットダイ塗布法、バー塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法を挙げることができる。
乾燥温度、乾燥時間は、溶剤を飛散させ、硬化が進行しない温度と時間で行なう。例えば、６０〜１５０℃の温度で、５〜５０分、好ましくは、８０〜１３０℃で、５〜３０分がより好ましい。
【００２５】
［電子部品パッケージの製造方法］
ファンアウトパネルレベルパッケージの生産性の観点からすると、材料を基板に直接塗布する方法もあるが、上記で作製した半導体チップ保護バッファーコート用フィルムを用いてラミネートによりフィルムを貼り合わせる方法がバッファーコート層への気泡、異物混入がなく有利である。半導体チップ保護バッファーコート用フィルムを用いて半導体ウェハを被覆し、硬化し、個片化する工程を通じて電子部品パッケージを製造方法することができる。
ラミネートは、真空プレス式ラミネータ等のラミネータを用いて、８０〜１５０℃、０．０５〜１ＭＰａ、１〜６０秒程度で行い、１３０〜２００℃、０．１〜２時間で硬化処理を行う。そして、ダイシングテープ等を用いて個片化を行い電子部品パッケージを得る。
【実施例】
【００２６】
以下、実施により本発明をより具体的に説明する。
【００２７】
（実施例１）
下記組成からなる熱硬化性樹脂組成物を配合した後、メチルエチルケトン１００質量部に溶解し、エア攪拌機を用い５０００回転／分、１２０分の条件において、分散、攪拌してワニスを得た。
【００２８】
（（Ａ）エポキシ樹脂）
・ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名  ＮＣ−３０００Ｈ、エポキシ当量  ２８０ｇ／ｅｑ）                  ６．５質量部
・ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製、商品名  ｊＥＲ−８０６、エポキシ当量  １７０ｇ／ｅｑ）                        １３質量部
（（Ｄ）ゴム粒子）
・コアシェルゴム微粒子分散ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（カネカ株式会社製、商品名  カネエース  ＭＸ−２６７、エポキシ当量  ２６９ｇ／ｅｑ、ゴム微粒子含有比率３７質量％、ゴム平均粒子径０．２μｍ）                    ４５質量部
（（Ｂ）フェノール樹脂）
・フェノール樹脂（新日鉄住金化学株式会社製、商品名  ＳＮ−３９５、フェノール水酸基当量  １０８ｇ／ｅｑ）                              ２９質量部
（硬化触媒）
・イミダゾール硬化触媒（四国化成工業株式会社製、商品名  ２Ｐ４ＭＺ）
０．３６質量部
（（Ｃ）無機フィラー）
・表面化学修飾処理（シリコーンオリゴマー処理）実施、球状溶融シリカ（アドマテックス株式会社製、商品名  ＳＣ−２０５０ＫＣ、シリカ平均粒子径 ０．５μｍ、スラリー分散の７０質量％溶液）
５００質量部
【００２９】
（実施例２）
実施例１の樹脂組成物において、表面化学修飾処理（シリコーンオリゴマー処理）実施、球状溶融シリカ（アドマテックス株式会社製、商品名  ＳＣ−２０５０ＫＣ、シリカ平均粒径０．５μｍ、スラリー分散７０質量％溶液）の配合量を２５０質量部とした以外は実施例１と同様にワニスを得た。
【００３０】
（実施例３）
実施例１の樹脂組成物において、表面化学修飾処理実施、球状溶融シリカの種類をデンカ株式会社製、商品名  ＦＢ３ＳＤＣＨ（アミノフェニルシラン処理）、シリカ平均粒径３μｍに変更し、メチルエチルケトン量を２５０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にワニスを得た。
【００３１】
（実施例４）
実施例１の樹脂組成物において、表面化学修飾処理実施、球状溶融シリカの種類をデンカ株式会社製、商品名  ＦＢ５ＳＤＣＨ（アミノフェニルシラン処理）、シリカ平均粒子径５μｍに変更し、メチルエチルケトン量を２５０質量部に変更した以外は、実施例１と同様にワニスを得た。
【００３２】
（比較例１）
実施例１の樹脂組成物において、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製、商品名  ｊＥＲ−８０６、エポキシ当量  １７０ｇ／ｅｑ）と、ゴム微粒子分散ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（カネカ株式会社製、商品名  ＭＸ−２６７、ゴム微粒子径０．２μｍ、ゴム微粒子含有比率３７質量％）の配合比率を、それぞれ４２質量部、０質量部に変更した以外は実施例１と同様にワニスを得た。
【００３３】
（比較例２）
実施例１の樹脂組成物において、球状溶融シリカに替えて、粒径を大径化したアルミナ（デンカ株式会社製  商品名ＤＡＷ−２０（表面化学修飾処理なし）、平均粒子径２０μｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にワニスを得た。
実施例１〜４及び比較例１〜２の配合を、表１に示した。
【００３４】
【表１】
2020009944.tif 000002
【００３５】
以上の様に作製したワニスについて、ダイシング性、鉛筆硬度（架橋度）を以下の方法で評価した。
結果を表２に示した。
【００３６】
［ダイシング性］
実施例１〜４及び比較例１〜２の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物（熱硬化性樹脂組成物）のワニスを、ＰＥＴフィルム（帝人フィルムソリューション株式会社製Ａ−３１（厚み３８μｍ））表面上に乾燥後の膜厚がそれぞれ１００μｍと２００μｍとなるように塗布し熱硬化性樹脂フィルムを作製した。
次いで、表面をジェットスクラブ研磨処理した銅箔厚み１２μｍの銅張積層板（日立化成株式会社製、ＭＣＬ−Ｅ−７７０Ｇ）に真空プレス式ラミネータ（株式会社名機製作所製、ＭＶＬＰ−５００）を用い、加熱温度１１０℃、圧力０．４ＭＰａ、加圧時間４０秒の条件でラミネートし、バッファーコート層を形成し、所定の条件（１７０℃、１時間）で熱硬化し、ダイシング性評価基板とした。
評価基板をダイシングテープ（ＵＨＰ１５２５（総厚１７５μｍ／ＵＶ  ｒｅｌｅａｓｅ  ｔｙｐｅ）、デンカ株式会社製）で固定後、ダイシング装置（株式会社ディスコ製、ＤｉＤＡＤ３３５０ｓｃｏ、粗さ♯３２０（ＮＢＣ−ＺＢ１１２０）ブレード、ブレード幅；０．３ｍｍ）に投入し、回転数３００００回転／分、ダイシングブレード高さ１４０μｍ、ダイシングスピード２０ｍｍ／ｓ、５０ｍｍ／ｓの条件で加工し、バリ(熱硬化性樹脂組成物の飛散物)および樹脂硬化組成物の欠けの大きさを観察した。
【００３７】
［鉛筆硬度］
実施例１〜４および比較例１〜２の半導体チップ保護バッファーコート材用組成物（熱硬化性樹脂組成物）を、ダイシング性評価基板と同様の方法で処理し、鉛筆硬度評価基板とした。鉛筆硬度の評価はＪＩＳ−Ｋ−５６００−５−４引っかき硬度（鉛筆法）に基づき実施した。評価は傷が付かない最低の値を読み取り、４Ｈ以上のものを架橋度十分、３Ｈ以下のものを架橋度不十分と判定し、架橋度十分なものを「○」、架橋度不十分なものを「×」として評価した。
【００３８】
【表２】
2020009944.tif 000003
【００３９】
体積平均粒子径２０μｍの無機フィラーを用いた比較例２は、ダイシングにおいてダイシング速度を速くしてもバリの発生は見られなかったが、欠けが発生した。比較例１は、（Ｄ）成分のゴム粒子を配合しない場合であるが、ダイシング時に欠けの発生が見られ、ダイシング速度が速くなると欠けが大きくなった。
（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、（Ｃ）成分の無機フィラーの体積平均粒子径が、０．１〜１５μｍの範囲内である実施例１〜４は、ダイシング速度による大きなバリ、欠けが見られずダイシング性に優れ、硬化性も充分であった。