(57)【要約】【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであって、トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインを有し、酸化物半導体の下方には、第１の絶縁体が形成され、ゲートと、酸化物半導体との間には、第２の絶縁体が形成され、第１の絶縁体、及び第２の絶縁体のいずれか一方または双方は、シリコンを含む層と、ガリウムを含む層と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであって、
前記トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインを有し、
前記酸化物半導体の下方には、第１の絶縁体が形成され、
前記ゲートと、前記酸化物半導体との間には、第２の絶縁体が形成され、
前記第１の絶縁体、及び前記第２の絶縁体のいずれか一方または双方は、
シリコンを含む層と、ガリウムを含む層と、を有する、
ことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであって、
前記トランジスタは、第１のゲート、第２のゲート、ソース、及びドレインを有し、
前記第２のゲートと、前記酸化物半導体との間には、第１の絶縁体が形成され、
前記第１のゲートと、前記酸化物半導体との間には、第２の絶縁体が形成され、
前記第１の絶縁体、及び前記第２の絶縁体のいずれか一方または双方は、
シリコンを含む層と、ガリウムを含む層と、を有する、
ことを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、およびガリウムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記酸化物半導体、およびガリウムを含む層は、結晶構造を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のトランジスタと、
容量素子と、を有する半導体装置であって、
前記容量素子は、
前記トランジスタに含まれる前記シリコンを含む層と、前記ガリウムを含む層と、を有する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記容量素子は、前記トランジスタの上方に形成される、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記容量素子は、前記トランジスタの下方に形成される、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のトランジスタと、
第３の絶縁体と、第４の絶縁体と、を有する半導体装置であって、
前記第３の絶縁体は、アルミニウムと、酸素と、を有し、
前記第４の絶縁体は、シリコンと、窒素と、を有し、
前記トランジスタの上面、下面、及び側面のいずれか一または複数は、
前記第３の絶縁体、及び前記第４の絶縁体によって覆われている、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の絶縁体は、前記第４の絶縁体よりも内側に位置する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタの作製方法であって、
前記トランジスタは、前記酸化物半導体、第１の絶縁体、ゲート、ソース、及びドレインを有し、
前記第１の絶縁体は、ガリウムを含む層と、シリコンを含む層と、を有し、
前記トランジスタの作製方法は、少なくとも、
前記酸化物半導体を形成するステップと、
前記酸化物半導体上に前記ソース、及び前記ドレインを形成するステップと、
前記酸化物半導体の上面、並びに前記ソース、及び前記ドレインの側面に前記第１の絶縁体を形成するステップと、
前記第１の絶縁体上に前記ゲートを形成するステップと、を有し、
前記第１の絶縁体を形成するステップにおいて、
前記ガリウムを含む層と、前記シリコンを含む層とを、減圧下において、連続で成膜することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記トランジスタは、さらに、第２の絶縁体、及び第２のゲートを有し、
前記トランジスタの作製方法は、少なくとも、
前記第２のゲートを形成するステップと、
前記第２のゲート上に前記第２の絶縁体を形成するステップと、
前記酸化物半導体を形成するステップと、
前記酸化物半導体上に前記ソース、及び前記ドレインを形成するステップと、
前記酸化物半導体の上面、並びに前記ソース、及び前記ドレインの側面に前記第１の絶縁体を形成するステップと、
前記第１の絶縁体上に前記ゲートを形成するステップと、を有し、
前記第１の絶縁体を形成するステップにおいて、
前記ガリウムを含む層と、前記シリコンを含む層とを、減圧下において、連続で成膜することを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１のいずれか一項において、
前記酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、およびガリウムを含み、
前記酸化物半導体は、スパッタリング法により形成される、
ことを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体、および前記ガリウムを含む層は、
結晶性を有するように形成される、
ことを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体、および前記ガリウムを含む層は、
１００℃以上の温度で加熱して形成される、
ことを特徴とするトランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１の絶縁体は、ＡＬＤ法により形成される、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置、ならびに半導体装置の作製方法に関する。または、本発明の一態様は、半導体ウエハ、モジュール、および電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、および電子機器などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
【０００３】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
【背景技術】
【０００４】
トランジスタに適用可能な半導体薄膜として、シリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。酸化物半導体としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛などの一元系金属の酸化物のみでなく、多元系金属の酸化物も知られている。多元系金属の酸化物の中でも、特に、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（以下、ＩＧＺＯとも呼ぶ。）に関する研究が盛んに行われている。
【０００５】
ＩＧＺＯに関する研究により、酸化物半導体において、単結晶でも非晶質でもない、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造およびｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出された（非特許文献１乃至非特許文献３参照。）。非特許文献１および非特許文献２では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術も開示されている。さらに、ＣＡＡＣ構造およびｎｃ構造よりも結晶性の低い酸化物半導体でさえも、微小な結晶を有することが、非特許文献４および非特許文献５に示されている。
【０００６】
さらに、ＩＧＺＯを活性層として用いたトランジスタは極めて低いオフ電流を持ち（非特許文献６参照。）、その特性を利用したＬＳＩおよびディスプレイが報告されている（非特許文献７および非特許文献８参照。）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ  ｅｔ  ａｌ．，  “ＳＩＤ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ”，  ２０１２，  ｖｏｌｕｍｅ  ４３，  ｉｓｓｕｅ  １，  ｐ．１８３−１８６
【非特許文献２】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ”，  ２０１４，  ｖｏｌｕｍｅ  ５３，  Ｎｕｍｂｅｒ  ４Ｓ，  ｐ．０４ＥＤ１８−１−０４ＥＤ１８−１０
【非特許文献３】Ｓ．  Ｉｔｏ  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｔｈｅ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ＡＭ−ＦＰＤ’１３  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ”，  ２０１３，  ｐ．１５１−１５４
【非特許文献４】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ  ｅｔ  ａｌ．，  “ＥＣＳ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”，  ２０１４，  ｖｏｌｕｍｅ  ３，  ｉｓｓｕｅ  ９，  ｐ．Ｑ３０１２−Ｑ３０２２
【非特許文献５】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ，  “ＥＣＳ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ”，２０１４，  ｖｏｌｕｍｅ  ６４，  ｉｓｓｕｅ  １０，  ｐ．１５５−１６４
【非特許文献６】Ｋ．  Ｋａｔｏ  ｅｔ  ａｌ．，  “Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ”，  ２０１２，  ｖｏｌｕｍｅ  ５１，  ｐ．０２１２０１−１−０２１２０１−７
【非特許文献７】Ｓ．  Ｍａｔｓｕｄａ  ｅｔ  ａｌ．，  “２０１５  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  ＶＬＳＩ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ”，  ２０１５，  ｐ．Ｔ２１６−Ｔ２１７
【非特許文献８】Ｓ．  Ａｍａｎｏ  ｅｔ  ａｌ．，  “ＳＩＤ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ  ｏｆ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｐａｐｅｒｓ”，  ２０１０，  ｖｏｌｕｍｅ  ４１，  ｉｓｓｕｅ  １，  ｐ．６２６−６２９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一態様は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性が良好な半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、オン電流が大きい半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高い周波数特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、生産性の高い半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【０００９】
本発明の一態様は、長期間においてデータの保持が可能な半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、データの書き込み速度が速い半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、設計自由度が高い半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、消費電力を抑えることができる半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであって、トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインを有し、酸化物半導体の下方には、第１の絶縁体が形成され、ゲートと、酸化物半導体との間には、第２の絶縁体が形成され、第１の絶縁体、及び第２の絶縁体のいずれか一方または双方は、シリコンを含む層と、ガリウムを含む層と、を有する。
【００１２】
本発明の一態様は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであって、トランジスタは、第１のゲート、第２のゲート、ソース、及びドレインを有し、第２のゲートと、酸化物半導体との間には、第１の絶縁体が形成され、第１のゲートと、酸化物半導体との間には、第２の絶縁体が形成され、第１の絶縁体、及び第２の絶縁体のいずれか一方または双方は、シリコンを含む層と、ガリウムを含む層と、を有する。
【００１３】
上記発明において、酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、およびガリウムを含む。
【００１４】
上記発明において、酸化物半導体、およびガリウムを含む層は、結晶構造を有している。
【００１５】
上記発明において、容量素子と、を有する半導体装置であって、容量素子は、トランジスタに含まれるシリコンを含む層と、ガリウムを含む層と、を有する。
【００１６】
上記発明において、容量素子は、トランジスタの上方に形成される。
【００１７】
上記発明において、容量素子は、トランジスタの下方に形成される。
【００１８】
上記記載のトランジスタと、第３の絶縁体と、第４の絶縁体と、を有する半導体装置であって、第３の絶縁体は、アルミニウムと、酸素と、を有し、第４の絶縁体は、シリコンと、窒素と、を有し、トランジスタの上面、下面、及び側面のいずれか一または複数は、第３の絶縁体、及び第４の絶縁体によって覆われている。
【００１９】
上記発明において、第４の絶縁体よりも内側に位置する。
【００２０】
本発明の一態様は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタの作製方法であって、トランジスタは、酸化物半導体、第１の絶縁体、ゲート、ソース、及びドレインを有し、第１の絶縁体は、ガリウムを含む層と、シリコンを含む層と、を有し、トランジスタの作製方法は、少なくとも、酸化物半導体を形成するステップと、酸化物半導体上にソース、及びドレインを形成するステップと、酸化物半導体の上面、並びにソース、及びドレインの側面に第１の絶縁体を形成するステップと、第１の絶縁体上にゲートを形成するステップと、を有し、第１の絶縁体を形成するステップにおいて、ガリウムを含む層と、シリコンを含む層とを、減圧下において、連続で成膜する。
【００２１】
本発明の一態様は、トランジスタは、さらに、第２の絶縁体、及び第２のゲートを有し、トランジスタの作製方法は、少なくとも、第２のゲートを形成するステップと、第２のゲート上に第２の絶縁体を形成するステップと、酸化物半導体を形成するステップと、酸化物半導体上にソース、及びドレインを形成するステップと、酸化物半導体の上面、並びにソース、及びドレインの側面に第１の絶縁体を形成するステップと、第１の絶縁体上にゲートを形成するステップと、を有し、第１の絶縁体を形成するステップにおいて、ガリウムを含む層と、シリコンを含む層とを、減圧下において、連続で成膜する。
【００２２】
上記発明において、酸化物半導体は、インジウム、亜鉛、およびガリウムを含み、酸化物半導体は、スパッタリング法により形成される。
【００２３】
上記発明において、酸化物半導体、およびガリウムを含む層は、結晶性を有するように形成される。
【００２４】
上記発明において、酸化物半導体、およびガリウムを含む層は、１００℃以上の温度で加熱して形成される。
【００２５】
上記発明において、第１の絶縁体は、ＡＬＤ法により形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オン電流が大きい半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高い周波数特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を提供することができる。
【００２７】
または、長期間においてデータの保持が可能な半導体装置を提供することができる。または、データの書き込み速度が速い半導体装置を提供することができる。または、設計自由度が高い半導体装置を提供することができる。または、消費電力を抑えることができる半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。
【００２８】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を示す上面図および断面図。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の上面図および断面図。
【図１１】本発明の一態様に係る成膜方法を説明する断面図。
【図１２】本発明の一態様に係る金属酸化物の断面図。
【図１３】本発明の一態様に係る成膜方法を説明する断面図。
【図１４】本発明の一態様に係る成膜装置を説明する上面図および断面図。
【図１５】本発明の一態様に係る成膜装置を説明する断面図。
【図１６】本発明の一態様に係る成膜方法を説明する図。
【図１７】本発明の一態様に係る金属酸化物の原子数比の範囲を説明する図。
【図１８】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図１９】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図２０】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図２１】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図２２】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図２３】本発明の一態様に係る記憶装置の構成を示す断面図。
【図２４】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示すブロック図。
【図２５】本発明の一態様に係る記憶装置の構成例を示す回路図。
【図２６】本発明の一態様に係る半導体装置の模式図。
【図２７】本発明の一態様に係る記憶装置の模式図。
【図２８】本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図２９】実施例のΔＶｓｈのストレス時間依存性を説明する図。
【図３０】実施例の書き換え耐性を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３１】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために図に反映しないことがある。また、図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００３２】
また、特に上面図（「平面図」ともいう。）や斜視図などにおいて、発明の理解を容易とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記載を省略する場合がある。
【００３３】
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００３４】
また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００３５】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、が、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。
【００３６】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００３７】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合がある。
【００３８】
なお、本明細書等において、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅（以下、「実効的なチャネル幅」ともいう。）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、「見かけ上のチャネル幅」ともいう。）と、が異なる場合がある。例えば、ゲート電極が半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつゲート電極が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャネル形成領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも、実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
【００３９】
このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
【００４０】
本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析することなどによって、値を決定することができる。
【００４１】
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、半導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｔａｔｅｓ）が高くなることや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の遷移金属などがあり、例えば、水素、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、水も不純物として機能する場合がある。また、酸化物半導体の場合、例えば不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
【００４２】
なお、本明細書等において、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものである。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものである。
【００４３】
また、本明細書等において、「絶縁体」という用語を、絶縁膜または絶縁層と言い換えることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えることができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることができる。
【００４４】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０度以上１０度以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５度以上５度以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０度以上３０度以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０度以上１００度以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５度以上９５度以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０度以上１２０度以下の角度で配置されている状態をいう。
【００４５】
なお、本明細書において、バリア膜とは、水、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する膜のことであり、当該バリア膜に導電性を有する場合は、導電性バリア膜と呼ぶことがある。
【００４６】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む。）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう。）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ  ＦＥＴあるいはＯＳトランジスタと記載する場合においては、酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００４７】
また、本明細書等において、ノーマリーオフとは、ゲートに電位を印加しない、またはゲートに接地電位を与えたときに、トランジスタに流れるチャネル幅１μｍあたりの電流が、室温において１×１０−２０Ａ以下、８５℃において１×１０−１８Ａ以下、または１２５℃において１×１０−１６Ａ以下であることをいう。
【００４８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図１乃至図１０を用いて説明する。
【００４９】
＜トランジスタの構造１＞
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の一例について説明する。図１（Ａ）、図１（Ｂ）、および図１（Ｃ）は、本発明の一態様に係るトランジスタ２００、およびトランジスタ２００周辺の上面図および断面図である。図１（Ａ）は上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２、図１（Ｃ）は、一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面図である。なお、図１（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【００５０】
本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ２００と、層間膜として機能する絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２１６、絶縁体２８０、絶縁体２８２、絶縁体２８４、および絶縁体２８４と、を有する。
【００５１】
［トランジスタ２００］
図１に示すように、トランジスタ２００は、基板（図示せず。）の上に配置され、絶縁体２１６に埋め込まれるように配置された導電体２０５と、絶縁体２１６の上および導電体２０５の上に配置された絶縁体２２２と、絶縁体２２２の上に配置された絶縁体２２４と、絶縁体２２４の上に配置された酸化物２３０（酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃ）と、酸化物２３０の上に配置された絶縁体２５０と、絶縁体２５０上に配置された絶縁体２５２と、絶縁体２５２上に配置された導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電体２６０ｂ）と、酸化物２３０ｂの上面の一部と接する導電体２４０ａおよび導電体２４０ｂと、絶縁体２２４の上面の一部、酸化物２３０ａの側面、酸化物２３０ｂの側面、導電体２４０ａの側面、導電体２４０ａの上面、導電体２４０ｂの側面、および導電体２４０ｂの上面に接して配置された絶縁体２７４と、を有する。
【００５２】
トランジスタ２００において、酸化物２３０は、半導体として機能する金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を用いることが好ましい。チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流（オフ電流）が小さいため、低消費電力の半導体装置が提供できる。また、酸化物半導体は、スパッタリング法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて成膜できるため、高集積型の半導体装置を構成するトランジスタ２００に用いることができる。
【００５３】
例えば、酸化物２３０に用いることができる酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、錫、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等がある。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または錫を用いるとよい。また、酸化物２３０に用いることができる酸化物半導体として、Ｉｎ−Ｍ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、またはＭ−Ｚｎ酸化物を用いてもよい。
【００５４】
一方で、酸化物半導体を用いたトランジスタは、酸化物半導体中の水素、窒素、金属元素などの不純物、および酸素欠損によって、その電気特性が変動しやすく、信頼性が悪くなる場合がある。
【００５５】
例えば、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。従って、酸素欠損が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の酸素欠損はできる限り低減されていることが好ましい。
【００５６】
また、酸化物半導体中の酸素欠損は、例えば、酸化物半導体に近接して設けられる構造体に金属を用いる場合に、該金属に酸化物半導体の酸素原子が吸収されることで、生じる場合がある。また、酸素原子を吸収した金属が、酸化し、高抵抗化する場合がある。また、酸化物半導体に近接して設けられる構造体中の水素が、酸化物半導体中に拡散することで、酸素欠損を生じる場合がある。
【００５７】
酸化物半導体中の酸素欠損を低減するためには、酸化物半導体の近傍に、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物を配置するとよい。例えば、絶縁体２５０、および絶縁体２８０には、化学量論的組成よりも酸素が過剰に存在する領域（以下、過剰酸素領域ともいう）が形成されていることが好ましい。当該過剰酸素が、酸化物半導体へと拡散することで、酸素欠損を補償することができる。
【００５８】
例えば、図１に示すトランジスタ２００において、ソース電極、およびドレイン電極として機能する導電体２４０と、酸化物２３０ｂが接する。例えば、導電体２４０に用いた導電性材料が、酸化物２３０の酸素を吸収する性質を有する場合、または酸化物２３０に水素、窒素、金属元素などの不純物を供給する性質を有する場合、酸化物２３０の導電体２４０と接する領域、または当該領域の近傍において、酸素が欠乏する、または不純物が拡散することにより、部分的に低抵抗化される。従って、酸化物２３０と導電体２４０とのコンタクト抵抗を低減することができる。
【００５９】
一方で、図１に示すトランジスタ２００において、ゲート電極として機能する導電体２６０は、ゲート絶縁体として機能する絶縁体２５０、および絶縁体２５２を介して、酸化物２３０と重畳する。例えば、導電体２６０が、酸化物２３０の酸素を吸収する性質を有する場合、または酸化物２３０に水素、窒素、金属元素などの不純物を供給する性質を有する場合、ゲート絶縁体を介して、酸化物２３０の酸素を奪う、または不純物が拡散する蓋然性が高い。
【００６０】
酸化物２３０の導電体２６０と重畳する領域は、チャネルが形成される領域を有するため、低抵抗化することで、トランジスタのノーマリーオン化、リーク電流の増大、またはストレス印加によるしきい値電圧のシフト等、トランジスタの電気特性の不良が生じる場合がある。特に、トランジスタ２００が微細化した場合、ソースとドレインとの間が短絡する蓋然性が高くなる。
【００６１】
つまり、酸化物半導体を用いたトランジスタは、酸化物半導体中のチャネルが形成される領域に不純物および酸素欠損が存在すると、電気特性が変動しやすく、信頼性が悪くなる場合がある。また、酸化物半導体中のチャネルが形成される領域に酸素欠損が含まれていると、トランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、酸化物２３０のチャネルが形成される領域中の不純物、および酸素欠損はできる限り低減されていることが好ましい。
【００６２】
そこで、ゲート絶縁体は、酸素、水素、または不純物に対してバリア性を有する膜を含むことが好ましい。具体的には、図１に示すトランジスタ２００は、少なくともゲート絶縁体として機能する絶縁体２５０、および絶縁体２５２を有する。ここで、導電体２６０と接する絶縁体２５２は、酸素、水素、または不純物に対しバリア性を有する膜を用いるとよい。
【００６３】
なお、本明細書において、不純物の拡散を抑制する機能を有する膜を、不純物が透過しにくい膜、不純物の透過性が低い膜、不純物に対してバリア性を有する膜、不純物に対するバリア膜などと呼ぶ場合がある。同様に、水素または酸素の拡散を抑制する機能を有する膜を、水素または酸素が透過しにくい膜、水素または酸素の透過性が低い膜、水素または酸素に対してバリア性を有する膜、水素または酸素に対するバリア膜などと呼ぶ場合がある。
【００６４】
特に、酸化物２３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、絶縁体２５２としてガリウム酸化物、酸化物２３０ｂよりもガリウムの含有量が多い、またはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の中で酸化物２３０ｂよりも絶縁性が高い材料を用いることが好ましい。絶縁体２５２を構成する元素と、酸化物２３０を構成する元素が共通であるため、例えば、絶縁体２５２を構成する元素が、酸化物２３０へと拡散したとしても、酸化物２３０の低抵抗化の要因とならない。
【００６５】
具体的には、酸化物２３０ｂとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いた場合、絶縁体２５２は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］近傍のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。なお、上記Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］近傍のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物としては、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：２．９７：２．６１［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物などが挙げられる。
【００６６】
特に、酸化ガリウムは、窒化シリコンよりも誘電率が高い高誘電率絶縁材料であり、いわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料である。トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保持したまま、ゲート絶縁体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。従って、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。
【００６７】
なお、絶縁体２５２は、酸化物２３０のチャネルが形成される領域上に形成される。後述するが、チャネル形成領域は、結晶性を有することが好ましい。そこで、絶縁体２５２の形成では、酸化物２３０への成膜ダメージが生じにくい成膜方法を用いることが好ましい。例えば、ＡＬＤ法は、被成膜面へのダメージが生じにくい成膜方法である。よって、絶縁体２５２をＡＬＤ法によって成膜することで、被成膜面である酸化物２３０への成膜ダメージを低減し、酸化物２３０の結晶性を保持することができる。
【００６８】
また、絶縁体２５２は、絶縁体２８０などに形成された開口の底部および側面に形成される。また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体２５２の膜厚は、当該開口の底部で均一であることが好ましい。ＡＬＤ法は、段差や凹凸を有する構造体に対して被覆性に優れた成膜方法である。よって、絶縁体２５２をＡＬＤ法によって成膜することで、当該開口の底部で絶縁体２５２の膜厚を均一にすることができる。
【００６９】
なお、酸化物２３０と絶縁体２５２との間に、絶縁体２５０を有していてもよい。酸化物２３０と近接する絶縁体２５０は、加熱により脱離する酸素（過剰酸素ともいう。）を含むことが好ましい。または、絶縁体２５０は、水素濃度が低く、化学量論的組成よりも酸素が過剰に存在する領域（以下、過剰酸素領域ともいう。）を有することが好ましい。絶縁体２５０が有する過剰酸素は、生産工程における加熱処理、または加熱を伴う処理により、酸化物２３０へと拡散し、酸化物２３０の酸素欠損を低減し、トランジスタのノーマリーオン化を抑制することができる。
【００７０】
例えば、水素濃度が低く、過剰酸素領域を有する絶縁体として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。特に、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対して安定であるため好ましい。具体的に、水素濃度が低く、過剰酸素領域または過剰酸素を有する絶縁体は、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度が、５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。また、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて、酸素分子に換算しての酸素の脱離量が２．０×１０１４ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ２以上、好ましくは１．０×１０１５ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ２以上である。なお、当該ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上５００℃以下の範囲が好ましい。
【００７１】
ゲート絶縁体として機能する絶縁体を、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、熱的に安定している材料との積層構造とすることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。また、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。
【００７２】
なお、絶縁体２５０は、絶縁体２５２と同様に、酸化物２３０のチャネルが形成される領域上に形成される。従って、絶縁体２５０の形成も、酸化物２３０への成膜ダメージが生じにくい成膜方法を用いることが好ましい。つまり、絶縁体２５０をＡＬＤ法によって成膜することで、被成膜面である酸化物２３０への成膜ダメージを低減し、酸化物２３０の結晶性を保持することができる。
【００７３】
また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体２５０の膜厚は、当該開口の底部で均一であることが好ましい。よって、絶縁体２５０をＡＬＤ法によって成膜することで、当該開口の底部で絶縁体２５０の膜厚を均一にすることができる。
【００７４】
さらに、絶縁体２５０と、絶縁体２５２は、大気環境にさらさずに、減圧状態を維持したまま、連続して成膜することが好ましい。大気開放せずに成膜することで、絶縁体２５０、および絶縁体２５２上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐことができ、絶縁体２５０と絶縁体２５２との界面または界面近傍を清浄に保つことができる。
【００７５】
また、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、および絶縁体２５２を、大気環境にさらさずに、減圧状態を維持したまま、連続して成膜してもよい。大気開放せずに成膜することで、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、および絶縁体２５２上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐことができ、酸化物２３０ｃと絶縁体２５０との界面または界面近傍、および絶縁体２５０と絶縁体２５２との界面または界面近傍を清浄に保つことができる。
【００７６】
上記構造と同様に、酸化物２３０と、ゲート電極として機能する導電体２０５との間に配置された、ゲート絶縁体として機能する絶縁体は、酸素、水素、または不純物に対してバリア性を有する膜を含むことが好ましい。具体的には、図１に示すトランジスタ２００は、少なくともゲート絶縁体として機能する絶縁体２２２、および絶縁体２２４を有する。
【００７７】
従って、導電体２０５と接する絶縁体２２２は、酸素、水素、または不純物に対しバリア性を有する膜を用いるとよい。一方、酸化物２３０と接する絶縁体２２４は、加熱により脱離する酸素（過剰酸素ともいう。）を含むことが好ましい。または、絶縁体２５０は、水素濃度が低く、化学量論的組成よりも酸素が過剰に存在する領域（以下、過剰酸素領域ともいう。）を有することが好ましい。また、熱的に安定している材料を用いるとよい。
【００７８】
ゲート絶縁体として機能する絶縁体を、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、熱的に安定している材料との積層構造とすることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。また、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。
【００７９】
以上より、安定した電気特性を有する半導体装置を提供することができる。また、信頼性が高い半導体装置を提供することができる。また、消費電力が小さい半導体装置を提供することができる。
【００８０】
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の詳細な構成について説明する。
【００８１】
まず、チャネル形成領域として機能する領域を有する酸化物２３０は、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃを有することが好ましい。具体的には、酸化物２３０ｂと絶縁体２２４との間には、酸化物２３０ａを配置する。また、酸化物２３０ｂと絶縁体２５０との間には、酸化物２３０ｃを配置する。
【００８２】
酸化物２３０ｂ下に酸化物２３０ａを有することで、酸化物２３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。また、酸化物２３０ｂ上に酸化物２３０ｃを有することで、酸化物２３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。
【００８３】
酸化物２３０は、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、チャネルが形成される領域の金属酸化物としては、バンドギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。このように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【００８４】
なお、図では酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃを単層で示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃを２層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。特に、酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ｂと接する第１の層と、絶縁体２５０と接する第２の層を有することが好ましい。
【００８５】
例えば、酸化物２３０ｃの第１の層に、酸化物２３０ｂと同じ組成の酸化物を用いる。一方、酸化物２３０ｃの第２の層には、第１の層よりも、不純物に対してバリア性が高い組成の酸化物を用いることが好ましい。酸化物２３０の第１の層に、酸化物２３０ｂと同じ組成の酸化物を用いることで、生産工程により、酸化物２３０ｂの表面に生じた欠損を補償することができる。また、第２の層に不純物に対してバリア性を有する膜を用いることで、酸化物２３０ｂに不純物が拡散することを抑制することができる。
【００８６】
さらに、酸化物２３０ｃを上記積層構造とすることで、詳細は後述するが、絶縁体２８０が有する過剰酸素領域の酸素が、酸化物２３０ｃの第１の層を介し、酸化物２３０のチャネルが形成される領域に生じた酸素欠損を低減することができる。一方で、酸化物２３０ｃの第２の層により、絶縁体２８０が有する過剰酸素領域の酸素が、導電体２６０へ拡散することを抑制することができる。
【００８７】
なお、トランジスタ２００では、チャネル形成領域およびその近傍において、酸化物２３０が、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの３層の積層構造を有する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、酸化物２３０は、酸化物２３０ｂの単層、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂの２層構造、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃの２層構造、または４層以上の積層構造を設ける構成としてもよい。
【００８８】
次に、導電体２６０は、第１のゲート（トップゲートともいう。）電極として機能する場合がある。また、導電体２０５は、第２のゲート（ボトムゲートともいう。）電極として機能する場合がある。
【００８９】
また、導電体２０５に印加する電位は、導電体２６０に印加する電位と、連動させず、独立して変化させてもよい。具体的には、導電体２０５に印加する電位により、トランジスタ２００の閾値電圧を制御することができる。特に、導電体２０５に負の電位を印加することにより、トランジスタ２００の閾値電圧を０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したがって、導電体２０５に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体２６０に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。
【００９０】
また、例えば、図１（Ａ）、および図１（Ｃ）に示すように、導電体２０５と、導電体２６０とを重畳して設けることで、導電体２６０、および導電体２０５に電位を印加した場合、導電体２６０から生じる電界と、導電体２０５から生じる電界と、がつながり、酸化物２３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。
【００９１】
つまり、第１のゲート電極としての機能を有する導電体２６０の電界と、第２のゲート電極としての機能を有する導電体２０５の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むことができる。本明細書において、第１のゲート電極、および第２のゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
【００９２】
なお、図１では、導電体２０５の第１の導電体および導電体２０５の第２の導電体を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２０５を単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に序数を付与し、区別する場合がある。
【００９３】
一例として、図１では、第２のゲートとして機能する導電体２０５は、絶縁体２１４および絶縁体２１６の開口の内壁に接して第１の導電体が形成され、さらに内側に第２の導電体が形成されている。ここで、第１の導電体および第２の導電体の上面の高さと、絶縁体２１６の上面の高さは同程度にすることが好ましい。
【００９４】
また、導電体２０５の第１の導電体は、水、酸素、または金属元素などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素の少なくとも一の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。
【００９５】
導電体２０５の第１の導電体が酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、導電体２０５の第２の導電体が酸化して導電率が低下することを抑制することができる。
【００９６】
また、導電体２０５が配線の機能を兼ねる場合、導電体２０５の第２の導電体は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする、導電性が高い導電性材料を用いることが好ましい。なお、導電体２０５の第２の導電体を単層で図示したが、積層構造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。
【００９７】
また、第１のゲート電極として機能する導電体２６０は、導電体２６０ａ、および導電体２６０ａ上の導電体２６０ｂを有する。導電体２６０ａは、導電体２０５の第１の導電体と同様に、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。
【００９８】
導電体２６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、酸化物２３０、および絶縁体２５０から導電体２６０ｂへの過剰酸素の拡散が抑制される。従って、絶縁体２５０が有する過剰酸素による導電体２６０ｂの酸化が抑制され、導電率が低下することを防止することができる。また、酸化物２３０へ供給する過剰酸素量の減少を抑制することができる。
【００９９】
酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウムまたは酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、導電体２６０ａとして、酸化物２３０として用いることができる酸化物半導体を用いることができる。その場合、導電体２６０ｂをスパッタリング法で成膜することで、導電体２６０ａの電気抵抗値を低下させて導電体とすることができる。これをＯＣ（Ｏｘｉｄｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電極と呼ぶことができる。
【０１００】
導電体２６０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体２６０は、配線として機能するため、導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体２６０ｂは積層構造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。
【０１０１】
続いて、絶縁体２５０、および絶縁体２５２は、第１のゲート絶縁体として機能する。また、絶縁体２２２、および絶縁体２２４は、第２のゲート絶縁体としての機能を有する。詳細は前述の記載を参照することができる。
【０１０２】
次に、導電体２４０（導電体２４０ａ、および導電体２４０ｂ）は、一方がソース電極として機能し、他方がドレイン電極として機能する場合がある。
【０１０３】
導電体２４０ａと、導電体２４０ｂとは、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を用いることができる。特に、窒化タンタルなどの金属窒化物膜は、水素または酸素に対するバリア性があり、また、耐酸化性が高いため、好ましい。
【０１０４】
また、図では単層構造を示したが、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、窒化タンタルとタングステン膜を積層するとよい。また、チタン膜とアルミニウム膜を積層してもよい。また、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造としてもよい。
【０１０５】
また、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。
【０１０６】
また、導電体２４０上に、バリア性を有する絶縁体２７４を設けてもよい。絶縁体２７４は、酸素、または水素に対してバリア性を有する物質を用いることが好ましい。当該構成により、詳細は後述するが、絶縁体２８０が有する過剰酸素領域の酸素が、導電体２４０と反応し、酸化することを防止することができる。
【０１０７】
絶縁体２７４には、例えば、窒化シリコンや金属酸化物を用いることができる。特に、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムなどの、酸素や水素に対してバリア性のある絶縁膜を用いることが好ましい。また、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いてもよい。
【０１０８】
絶縁体２７４を有することで、導電体２４０の材料選択の幅を広げることができる。例えば、導電体２４０に、タングステンや、アルミニウムなどの耐酸化性が低い一方で導電性が高い材料を用いることができる。また、例えば、成膜、または加工がしやすい導電体を用いることができる。
【０１０９】
また、導電体２４０の酸化を抑制し、絶縁体２２４、および絶縁体２８０から、脱離した酸素を効率的に酸化物２３０へと供給することができる。また、導電体２４０に導電性が高い導電体を用いることで、消費電力が小さいトランジスタ２００を提供することができる。
【０１１０】
続いて、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２１６、絶縁体２８０、絶縁体２８２、絶縁体２８３、および絶縁体２８４は、層間膜として機能する。
【０１１１】
層間膜としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などの絶縁体を単層または積層で用いることができる。またはこれらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。
【０１１２】
例えば、絶縁体２１６は、比誘電率が低い、いわゆるＬｏｗ−ｋ材料を用いることが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。
【０１１３】
また、絶縁体２８０、および絶縁体２８４は、絶縁体２１６と同様に、比誘電率が低い、いわゆるＬｏｗ−ｋ材料であること好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。
【０１１４】
特に、絶縁体２８０には、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物を用いることが好ましい。絶縁体２８０は、トランジスタ２００の酸化物２３０ｃと接するため、酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０においてチャネルが形成される領域に生じた酸素欠損を低減することができる。つまり、トランジスタ２００近傍の層間膜に、過剰酸素領域を有する絶縁体を設けることで、トランジスタ２００が有する酸化物２３０の酸素欠損を低減することで、信頼性を向上させることができる。
【０１１５】
絶縁体２８２は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有することが好ましい。絶縁体２８２が、酸素に対するバリア性を有することで、過剰酸素領域の酸素は、絶縁体２８４側へ拡散することなく、効率よく酸化物２３０へ供給することができる。
【０１１６】
また、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８２、および絶縁体２８３は、水または水素などの不純物、および酸素の拡散を抑制する機能を有する絶縁性材料を用い、トランジスタ２００と、過剰酸素領域を有する絶縁体２８０とを、封止する（取り囲む）構造を有する。
【０１１７】
例えば、図１０（Ａ）、および図１０（Ｂ）に示す。図１０（Ａ）は、本発明の一態様に係る基板１０上に設けられたトランジスタ２００、およびトランジスタ２００周辺の上面図である。また、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図である。なお、図１０では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０１１８】
図１０（Ａ）、および図１０（Ｂ）に示す半導体装置は、基板１０上に設けられたトランジスタ２００、およびトランジスタ２００を包む構造を有する絶縁体１２、絶縁体１２のさらに外側に絶縁体１４を有する。
【０１１９】
トランジスタ２００が有する酸化物２３０は、水素、水、または金属酸化物などの不純物により電気特性が変動する蓋然性が高くなるため、外部から不純物の侵入を遮断することが好ましい。そこで、バリア性を有する絶縁体を用いて、絶縁体１２、および絶縁体１４で示す積層構造により、トランジスタ２００を封止することが好ましい。
【０１２０】
絶縁体１２、および絶縁体１４として、例えば、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムなどを用いることができる。また、他にも、例えば、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジムまたは酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることができる。
【０１２１】
なお、絶縁体１２、および絶縁体１４は、異なる膜種を用いることが好ましい。異なる膜種を積層することで、外部から侵入する不純物に対し、より多くの種類の不純物の拡散を抑制することができる。具体的には、絶縁体１２には、酸化アルミニウムを用い、絶縁体１４には、窒化シリコンを用いるとよい。
【０１２２】
また、絶縁体１２、および絶縁体１４は、同じ膜種を異なる成膜方法を用いて形成してもよい。例えば、絶縁体１２をスパッタリング法で成膜し、絶縁体１４をＡＬＤ法により成膜してもよい。本構造とすることで、絶縁体１４よりも厚く成膜した絶縁体１２を、緻密な膜である絶縁体１４で被膜することで、歩留まりよく封止することが可能となる。
【０１２３】
また、図１０（Ｃ）、および図１０（Ｄ）に示すように、複数のトランジスタ２００を一括して包囲してもよい。また、トランジスタ２００の密度が異なる領域ごとに、包囲してもよい。
【０１２４】
具体的には、図１０（Ｃ）、および図１０（Ｄ）に示す半導体装置は、基板１０上にトランジスタ２００の密度が高い領域２０と、密度が低い領域３０を有する。トランジスタ密度が高い領域２０において、絶縁体２２、および絶縁体２４は、複数のトランジスタ２００の四方を取り囲む。また、トランジスタ密度が低い領域３０においては、絶縁体３２、および絶縁体３４が、トランジスタ２００の四方を取り囲む。ここで、絶縁体２２、および絶縁体２４が、取り囲むトランジスタ２００の個数は、絶縁体３２、および絶縁体３４が、取り囲むトランジスタ２００の個数よりも、多い。
【０１２５】
従って、基板１０上のトランジスタ密度が異なる領域ごとに、バリア性を有する絶縁体により封止することで、トランジスタ２００への不純物の拡散を抑制することができる。また、トランジスタ２００へ拡散する過剰酸素量のばらつきを低減することができる。従って、複数のトランジスタ２００間において、電気特性のバラツキを低減することができる。
【０１２６】
ここで、図１０に示す絶縁体１２、絶縁体１４、絶縁体２２、絶縁体２４、絶縁体３２、および絶縁体３４に対応する絶縁体として、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８２、および絶縁体２８３を用いることができる。
【０１２７】
例えば、絶縁体１２、絶縁体２２、および絶縁体３２として、絶縁体２１２、絶縁体２８３を配置することができる。また、絶縁体１４、絶縁体２４、および絶縁体３４として、絶縁体２１４、絶縁体２８２を配置することができる。また、絶縁体２１４と絶縁体２１６の積層構造は、絶縁体２８２と絶縁体２８３の積層構造帯と、基板上で接する領域を有する。
【０１２８】
従って、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８２、および絶縁体２８３は、水または水素などの不純物が、基板側からトランジスタ２００に混入するのを抑制するバリア膜として機能する。具体的には、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８２、および絶縁体２８３は、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい。）絶縁性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい。）絶縁性材料を用いることが好ましい。また、例えば、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８２、および絶縁体２８３として酸化アルミニウムや窒化シリコンなどを用いてもよい。当該構成により、水素、水などの不純物が、基板、基板端、または絶縁体２８４よりも上方からトランジスタ２００側に拡散するのを抑制することができる。
【０１２９】
また、トランジスタ２００を覆う絶縁体２８０は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。本構造とすることで、絶縁体２８０よりも上方に配置する膜の被膜性が向上する。従って、絶縁体２８２が、断膜することなく、トランジスタ２００と絶縁体２８０とを封止することができる。
【０１３０】
上記構造を有することで、オン電流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、オフ電流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、電気特性の変動を抑制し、安定した電気特性を有すると共に、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。
【０１３１】
＜トランジスタの構造２＞
図２には、トランジスタ２００を有する半導体装置の一例を示す。図２（Ａ）は半導体装置の上面を示す。なお、図の明瞭化のため、図２（Ａ）において一部の膜は省略されている。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図であり、図２（Ｃ）はＡ３−Ａ４に対応する断面図である。
【０１３２】
なお、図２に示す半導体装置において、図１に示した半導体装置を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する。
【０１３３】
図２に示すトランジスタ２００は、導電体２６０と絶縁体２５２との間に、絶縁体２５４を設けた構造である。また、絶縁体２５０は、必ずしも設ける必要はない。同様に、導電体２０５と絶縁体２２４との間に、絶縁体２２０を設けた構造である。また、絶縁体２５０、および絶縁体２２２は、必ずしも設ける必要はない。
【０１３４】
絶縁体２５４は、例えば、水素濃度が低く、熱に強い絶縁体であることが好ましい。絶縁体２５４として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。特に、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対して安定であるため好ましい。具体的に、水素濃度が低く、過剰酸素領域または過剰酸素を有する絶縁体は、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度が、５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。
【０１３５】
また、絶縁膜２５４Ａとして、ＡＬＤ法により酸化シリコン膜を成膜することが好ましい。なお、絶縁体２５２と、絶縁体２５４と、をＡＬＤ法により大気解放せずにＡＬＤ装置で連続して成膜するとよい。絶縁体２５２と、絶縁体２５４とを大気解放せずにＡＬＤ装置で連続して成膜することで、界面、または界面近傍に取り込まれる不純物（代表的には水分など）を低減することができる。また、ＡＬＤ法を用いて、絶縁体２５２と、絶縁体２５４とを形成することで、被覆性が高くカバレッジの良い膜を形成することができる。
【０１３６】
ゲート絶縁体として機能する絶縁体を、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、熱的に安定している材料との積層構造とすることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。また、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。
【０１３７】
また、酸化物２３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用い、絶縁体２５２としてガリウム酸化物など、酸化物２３０よりもガリウムの含有量が多い絶縁材料を用いる場合、酸化物２３０と絶縁体２５２とが接する構造とすることで、酸化物２３０と絶縁体２５２との界面における欠陥準位密度を低くすることができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ２００は高いオン電流、および高い周波数特性を得ることができる。
【０１３８】
また、絶縁体２７４上に、絶縁体２７５を配置してもよい。絶縁体２７５は、バリア性を有することが好ましい。絶縁体２７５を設ける場合、絶縁体２７４は、異なる膜種を用いるとよい。異なる膜種を積層することで、外部から侵入する不純物に対し、より多くの種類の不純物の拡散を抑制することができる。
【０１３９】
また、絶縁体２７５は、絶縁体２７４と、同じ膜種を異なる成膜方法を用いて形成してもよい。例えば、絶縁体２７４をスパッタリング法で成膜し、絶縁体２７５をＡＬＤ法により成膜してもよい。本構造とすることで、絶縁体２７５よりも厚く成膜した絶縁体２７４を、緻密な膜である絶縁体２７５で被膜することで、歩留まりよく封止することが可能となる。
【０１４０】
上記構造を有することで、オン電流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、オフ電流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、電気特性の変動を抑制し、安定した電気特性を有すると共に、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。
【０１４１】
＜トランジスタの構造３＞
図３には、トランジスタ２００を有する半導体装置の一例を示す。図３（Ａ）は半導体装置の上面を示す。なお、図の明瞭化のため、図３（Ａ）において一部の膜は省略されている。また、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面図であり、図３（Ｃ）はＡ３−Ａ４に対応する断面図である。
【０１４２】
なお、図３に示す半導体装置において、図１、または図２に示した半導体装置を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する。
【０１４３】
図３に示すトランジスタ２００は、第１のゲート絶縁体と、第２のゲート絶縁体の積層構造が異なる。特に、第１のゲート電極として機能する導電体２６０と、第２のゲート電極として機能する導電体２０５に異なる電位が印加される場合、第１のゲート絶縁体の構造、および第２のゲート絶縁体の構造は、各電位に対し適宜選択すればよい。
【０１４４】
例えば、図３に示すように、第１のゲート絶縁体は、絶縁体２５０、絶縁体２５２、および絶縁体２５４の積層構造を用いることができる。一方、第２のゲート絶縁体は、絶縁体２２１、絶縁体２２３、絶縁体２２５の積層構造を用いることができる。
【０１４５】
例えば、絶縁体２２１、および絶縁体２２５は、酸素、水素、または不純物に対してバリア性を有する膜を用いることが好ましい。
【０１４６】
特に、酸化物２３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、絶縁体２２１、および絶縁体２２５としてガリウム酸化物など、酸化物２３０よりもガリウムの含有量が多い絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁体２２１、および絶縁体２２５を構成する元素と、酸化物２３０を構成する元素が共通であるため、例えば、絶縁体２２１、および絶縁体２２５を構成する元素が、酸化物２３０へと拡散したとしても、酸化物２３０の低抵抗化の要因とならない。
【０１４７】
また、酸化ガリウムは、窒化シリコンよりも誘電率が高い高誘電率絶縁材料であり、いわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料である。トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保持したまま、ゲート絶縁体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。従って、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。
【０１４８】
一方で、酸化ガリウムなどいわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料は、結晶化しやすい傾向がある。また、ゲート絶縁体の結晶性が高いと、リーク電流が生じる蓋然性が高くなる。そこで、絶縁体２２１と絶縁体２２５との間に、非晶質である絶縁体２２３を配置することが好ましい。絶縁体２２３を有することで、絶縁体２２１と絶縁体２２５の結晶率が高い場合でも、リーク電流の発生を抑制することができる。
【０１４９】
上記構造を有することで、オン電流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、オフ電流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、電気特性の変動を抑制し、安定した電気特性を有すると共に、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。
【０１５０】
＜半導体装置の構成材料＞
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
【０１５１】
＜＜基板＞＞
トランジスタ２００を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
【０１５２】
＜＜絶縁体＞＞
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
【０１５３】
例えば、トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体に、ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時の低電圧化が可能となる。一方、層間膜として機能する絶縁体には、比誘電率が低い材料を用いることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応じて、材料を選択するとよい。
【０１５４】
また、比誘電率の高い絶縁体としては、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。
【０１５５】
また、比誘電率が低い絶縁体としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などがある。
【０１５６】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体（絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体８２、および絶縁体２８３など）で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウム、またはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムチタン、窒化チタン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンなどの金属窒化物を用いることができる。
【０１５７】
また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体は、加熱により脱離する酸素を含む領域を有する絶縁体であることが好ましい。例えば、加熱により脱離する酸素を含む領域を有する酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを酸化物２３０と接する構造とすることで、酸化物２３０が有する酸素欠損を補償することができる。
【０１５８】
＜＜導電体＞＞
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
【０１５９】
また、上記の材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。例えば、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。
【０１６０】
なお、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物を用いる場合において、ゲート電極として機能する導電体には、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造を用いることが好ましい。この場合は、酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けるとよい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けることで、当該導電性材料から離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
【０１６１】
特に、ゲート電極として機能する導電体として、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる金属元素および酸素を含む導電性材料を用いることが好ましい。また、前述した金属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタルなどの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。このような材料を用いることで、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる水素を捕獲することができる場合がある。または、外方の絶縁体などから混入する水素を捕獲することができる場合がある。
【０１６２】
＜半導体装置の作製方法＞
次に、図１に示す、本発明の一態様に係るトランジスタ２００を有する半導体装置の作製方法を、図４乃至図９を用いて説明する。
【０１６３】
図４乃至図９において、各図の（Ａ）は上面図を示す。また、各図の（Ｂ）は、（Ａ）に示すＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の（Ｃ）は、（Ａ）にＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、各図の（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０１６４】
まず、基板（図示しない。）を準備し、当該基板上に絶縁体２１２、および絶縁体２１４を成膜する。絶縁体２１２、および絶縁体２１４の成膜は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０１６５】
なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）法、光を利用する光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ  ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法に分けることができる。
【０１６６】
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱ＣＶＤ法は、プラズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
【０１６７】
ＣＶＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。
【０１６８】
ＣＶＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＣＶＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間を要さない分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。
【０１６９】
本実施の形態では、絶縁体２１２として、スパッタリング法、またはＣＶＤ法を用いて、窒化シリコンを成膜する。また、絶縁体２１４は、スパッタリング法、またはＣＶＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜する。また、例えば、絶縁体２１２として、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを成膜し、絶縁体２１４として、ＡＬＤ法によって酸化アルミニウムを成膜する構造としてもよい。または、絶縁体２１２として、ＡＬＤ法によって酸化アルミニウムを成膜し、絶縁体２１４として、スパッタリング法によって酸化アルミニウムを成膜する構造としてもよい。
【０１７０】
次に、絶縁体２１４上に絶縁体２１６を成膜する。絶縁体２１６の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２１６となる絶縁膜として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
【０１７１】
次に、絶縁体２１６に絶縁体２１４に達する開口を形成する。開口とは、例えば、溝やスリットなども含まれる。また、開口が形成された領域を指して開口部とする場合がある。開口の形成はウェットエッチングを用いてもよいが、ドライエッチングを用いるほうが微細加工には好ましい。また、絶縁体２１４は、絶縁体２１６をエッチングして溝を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択することが好ましい。例えば、溝を形成する絶縁体２１６に酸化シリコン膜を用いた場合は、絶縁体２１４は窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜を用いるとよい。
【０１７２】
ドライエッチング装置としては、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電圧を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電圧を印加する構成でもよい。または高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。
【０１７３】
開口の形成後に、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜を成膜する。該導電膜は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を含むことが望ましい。たとえば、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタンなどを用いることができる。または、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とすることができる。導電体２０５の第１の導電体となる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０１７４】
本実施の形態では、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜として、スパッタリング法によって窒化タンタル膜、または、窒化タンタルの上に窒化チタンを積層した膜を成膜する。導電体２０５の第１の導電体として金属窒化物を用いることにより、後述する導電体２０５の第２の導電体として銅などの拡散しやすい金属を用いても、当該金属が導電体２０５の第１の導電体から外に拡散するのを防ぐことができる。
【０１７５】
次に、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜上に、導電体２０５の第２の導電体となる導電膜を成膜する。該導電膜の成膜は、メッキ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、導電体２０５の第２の導電体となる導電膜として、タングステンを成膜する。
【０１７６】
次に、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を行うことで、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜、および導電体２０５の第２の導電体となる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。その結果、開口部のみに、導電体２０５の第１の導電体となる導電膜、および導電体２０５の第２の導電体となる導電膜が残存する。これにより、上面が平坦な、導電体２０５の第１の導電体および導電体２０５の第２の導電体を含む導電体２０５を形成することができる（図４参照。）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２１６の一部が除去される場合がある。
【０１７７】
なお、導電体２０５を形成した後に、導電体２０５の第２の導電体の一部を除去し、導電体２０５および絶縁体２１６上に導電膜を成膜し、ＣＭＰ処理を行う工程を行ってもよい。当該ＣＭＰ処理により、当該導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。なお、導電体２０５の第２の導電体の一部は、ドライエッチング法などを用いて除去するとよい。また、当該導電膜には、導電体２０５の第１の導電体または導電体２０５の第２の導電体と同様の材料を用いるとよい。
【０１７８】
上記工程により、上面が平坦な、上記導電膜を含む導電体２０５を形成することができる。絶縁体２１６と導電体２０５の上面の平坦性を向上させることにより、酸化物２３０ｂ、酸化物２３０ｃを形成するＣＡＡＣ−ＯＳの結晶性を向上させることができる。
【０１７９】
ここからは、上記と異なる導電体２０５の形成方法について以下に説明する。
【０１８０】
絶縁体２１４上に、導電体２０５となる導電膜を成膜する。該導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、該導電膜は、多層膜とすることができる。本実施の形態では、該導電膜としてタングステンを成膜する。
【０１８１】
次に、リソグラフィー法を用いて、上記導電膜を加工し、導電体２０５を形成する。
【０１８２】
なお、リソグラフィー法では、まず、マスクを介してレジストを露光する。次に、露光された領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。次に、当該レジストマスクを介してエッチング処理することで導電体、半導体、絶縁体などを所望の形状に加工することができる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などを用いて、レジストを露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズとの間に液体（例えば水）を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる場合には、マスクは不要となる。なお、レジストマスクは、アッシングなどのドライエッチング処理を行う、ウェットエッチング処理を行う、ドライエッチング処理後にウェットエッチング処理を行う、またはウェットエッチング処理後にドライエッチング処理を行うことで、除去することができる。
【０１８３】
また、レジストマスクの代わりに絶縁体や導電体からなるハードマスクを用いてもよい。ハードマスクを用いる場合、導電体２０５となる導電膜上にハードマスク材料となる絶縁膜や導電膜を形成し、その上にレジストマスクを形成し、ハードマスク材料をエッチングすることで所望の形状のハードマスクを形成することができる。導電体２０５となる導電膜のエッチングは、レジストマスクを除去してから行っても良いし、レジストマスクを残したまま行っても良い。後者の場合、エッチング中にレジストマスクが消失することがある。導電体２０５となる導電膜のエッチング後にハードマスクをエッチングにより除去しても良い。一方、ハードマスクの材料が後工程に影響が無い、あるいは後工程で利用できる場合、必ずしもハードマスクを除去する必要は無い。
【０１８４】
次に、絶縁体２１４、および導電体２０５上に絶縁体２１６となる絶縁膜を成膜する。当該絶縁膜は、導電体２０５の上面、および側面と接するように形成する。当該絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０１８５】
ここで、絶縁体２１６となる絶縁膜の膜厚は、導電体２０５の膜厚以上とすることが好ましい。例えば、導電体２０５の膜厚を１とすると、絶縁体２１６となる絶縁膜の膜厚は、１以上３以下とする。
【０１８６】
次に、絶縁体２１６となる絶縁膜にＣＭＰ処理を行うことで、絶縁体２１６となる絶縁膜の一部を除去し、導電体２０５の表面を露出させる。これにより、上面が平坦な、導電体２０５と、導電体２０５の側面と接する絶縁体２１６と、を形成することができる。以上が、導電体２０５の異なる形成方法である。
【０１８７】
次に、絶縁体２１６、および導電体２０５上に絶縁体２２２を成膜する。絶縁体２２２は、水素および水に対してバリア性を有する。絶縁体２２２が、水素および水に対してバリア性を有することで、トランジスタ２００の周辺に設けられた構造体に含まれる水素および水が、絶縁体２２２を通じてトランジスタ２００の内側へ拡散することが抑制され、酸化物２３０中の酸素欠損の生成を抑制することができる。
【０１８８】
また、絶縁体２２２として、酸化物２３０に含まれる元素と共通の金属元素を有する酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。
【０１８９】
特に、酸化物２３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、絶縁体２２２としてガリウム酸化物など、酸化物２３０よりもガリウムの含有量が多い絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁体２２２を構成する元素と、酸化物２３０を構成する元素が共通であるため、例えば、絶縁体２２２を構成する元素が、酸化物２３０へと拡散したとしても、酸化物２３０の低抵抗化の要因とならない。
【０１９０】
絶縁体２２２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０１９１】
なお、絶縁体２２２は、後述するＡＬＤ法によって成膜することが好ましい。
【０１９２】
例えば、絶縁体２２２として、ＡＬＤ法によって、酸化ガリウム膜を成膜する場合、ガリウムのプリカーサとして、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、三塩化ガリウム、トリス（ジメチルアミド）ガリウム、ガリウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、トリス（２、２、６、６−テトラメチル−３、５−ヘプタンジオン酸）ガリウム、ジメチルクロロガリウム、ジエチルクロロガリウムなどを用いることができる。
【０１９３】
なお、上記プリカーサには、金属元素の他に、炭素および塩素の一方または両方を含むものがある。炭素を含むプリカーサを用いて形成された酸化膜には炭素が含まれる場合がある。また、塩素を含むプリカーサを用いて形成された酸化膜には塩素が含まれる場合がある。
【０１９４】
続いて、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行えばよい。なお、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。また、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。
【０１９５】
本実施の形態では、加熱処理として、絶縁体２２２の成膜後に窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。当該加熱処理によって、絶縁体２２２に含まれる水、水素などの不純物を除去することなどができる。また、加熱処理は、絶縁体２２４の成膜後などのタイミングで行うこともできる。
【０１９６】
次に、絶縁体２２２上に絶縁体２２４を成膜する。絶縁体２２４の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２２４として、ＣＶＤ法によって酸化シリコンを成膜する。
【０１９７】
ここで、絶縁体２２４に過剰酸素領域を形成するために、減圧状態で酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。酸素を含むプラズマ処理は、例えばマイクロ波を用いた高密度プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、基板側にＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にＲＦを印加することで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率よく絶縁体２２４内に導くことができる。または、この装置を用いて不活性ガスを含むプラズマ処理を行った後に、脱離した酸素を補うために酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。なお、当該プラズマ処理の条件を適宜選択することにより、絶縁体２２４に含まれる水、水素などの不純物を除去することができる。その場合、加熱処理は行わなくてもよい。
【０１９８】
ここで、絶縁体２２４上に、例えば、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜し、該酸化アルミニウムを絶縁体２２４に達するまで、ＣＭＰ処理を行ってもよい。当該ＣＭＰ処理を行うことで絶縁体２２４表面の平坦化および平滑化を行うことができる。当該酸化アルミニウムを絶縁体２２４上に配置してＣＭＰ処理を行うことで、ＣＭＰ処理の終点検出が容易となる。また、ＣＭＰ処理によって、絶縁体２２４の一部が研磨されて、絶縁体２２４の膜厚が薄くなることがあるが、絶縁体２２４の成膜時に膜厚を調整すればよい。絶縁体２２４表面の平坦化および平滑化を行うことで、後に成膜する酸化物の被覆率の悪化を防止し、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことができる場合がある。また、絶縁体２２４上に、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜することにより、絶縁体２２４に酸素を添加することができるので好ましい。
【０１９９】
次に、絶縁体２２４上に、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂを順に成膜する（図４参照。）。なお、酸化膜２３０Ａおよび酸化膜２３０Ｂは、大気環境にさらさずに連続して成膜することが好ましい。大気開放せずに成膜することで、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐことができ、酸化膜２３０Ａと酸化膜２３０Ｂとの界面近傍を清浄に保つことができる。
【０２００】
酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。なお、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０ＢをＡＬＤ法によって成膜する場合、先の実施の形態で説明した内容を参酌することができる。
【０２０１】
例えば、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂとして、ＡＬＤ法によって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化膜を成膜する場合、インジウムのプリカーサとして、トリメチルインジウム、トリス（２、２、６、６−テトラメチル−３、５−ヘプタンジオン酸）インジウム、シクロペンタジエニルインジウムなどを用いる。また、ガリウムのプリカーサとして、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、三塩化ガリウム、トリス（ジメチルアミド）ガリウム、ガリウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、トリス（２、２、６、６−テトラメチル−３、５−ヘプタンジオン酸）ガリウム、ジメチルクロロガリウム、ジエチルクロロガリウムなどを用いる。また、亜鉛のプリカーサとして、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ビス（２、２、６、６−テトラメチル−３、５−ヘプタンジオン酸）亜鉛などを用いる。酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂに求める特性に合わせて、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化膜の成膜に用いるプリカーサの種類、導入量などを適宜組み合わせるとよい。
【０２０２】
なお、上記プリカーサには、金属元素の他に、炭素および塩素の一方または両方を含むものがある。炭素を含むプリカーサを用いて形成された酸化膜には炭素が含まれる場合がある。また、塩素を含むプリカーサを用いて形成された酸化膜には塩素が含まれる場合がある。
【０２０３】
また、例えば、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法によって成膜する場合は、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を高めることで、成膜される酸化膜中の過剰酸素を増やすことができる。また、上記の酸化膜をスパッタリング法によって成膜する場合は、上記のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物ターゲットなどを用いることができる。また、ターゲットには、直流（ＤＣ）電源または、高周波（ＲＦ）電源などの交流（ＡＣ）電源が接続され、ターゲットの電気伝導度に応じて、必要な電力を印加することができる。
【０２０４】
特に、酸化膜２３０Ａの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が絶縁体２２４に供給される場合がある。したがって、当該スパッタリングガスに含まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすればよい。
【０２０５】
また、酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を、３０％を超えて１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下として成膜すると、酸素過剰型の酸化物半導体が形成される。酸素過剰型の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、比較的高い信頼性が得られる。ただし、本発明の一態様はこれに限定されない。酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を１％以上３０％以下、好ましくは５％以上２０％以下として成膜すると、酸素欠乏型の酸化物半導体が形成される。酸素欠乏型の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られる。また、基板を加熱しながら成膜を行うことによって、当該酸化膜の結晶性を向上させることができる。
【０２０６】
本実施の形態では、酸化膜２３０Ａとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜する。また、酸化膜２３０Ｂとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いて成膜する。なお、各酸化膜は、成膜条件、および原子数比を適宜選択することで、酸化物２３０に求める特性に合わせて形成するとよい。
【０２０７】
ここで、絶縁体２２２、絶縁体２２４、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂを、大気に暴露することなく成膜することが好ましい。例えば、マルチチャンバー方式の成膜装置を用いればよい。
【０２０８】
次に、加熱処理を行ってもよい。当該加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることができる。当該加熱処理によって、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ中の水、水素などの不純物を除去することなどができる。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。
【０２０９】
次に、酸化膜２３０Ｂ上に導電膜２４０Ａを成膜する。導電膜２４０Ａの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる（図４参照。）。なお、導電膜２４０Ａの成膜前に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して導電膜２４０Ａを成膜してもよい。このような処理を行うことによって、酸化膜２３０Ｂの表面などに表面に吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化膜２３０Ａおよび酸化膜２３０Ｂ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。本実施の形態では、加熱処理の温度を２００℃とする。
【０２１０】
次に、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂ、および導電膜２４０Ａを島状に加工して、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂを形成する（図５参照。）。なお、当該工程において、絶縁体２２４の酸化物２３０ａと重ならない領域の膜厚が薄くなることがある。
【０２１１】
ここで、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂは、少なくとも一部が導電体２０５と重なるように形成する。また、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの側面は、絶縁体２２４の上面に対し、概略垂直であることが好ましい。酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの側面が、絶縁体２２４の上面に対し、概略垂直であることで、複数のトランジスタ２００を設ける際に、小面積化、高密度化が可能となる。または、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの側面と、絶縁体２２４の上面とのなす角が低い角度になる構成にしてもよい。その場合、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの側面と、絶縁体２２４の上面とのなす角は６０°以上７０°未満が好ましい。この様な形状とすることで、これより後の工程において、絶縁体２７４などの被覆性が向上し、鬆などの欠陥を低減することができる。
【０２１２】
なお、導電層２４０Ｂの側面と導電層２４０Ｂの上面との間に、湾曲面を有することが好ましい。つまり、当該側面の端部と当該上面の端部は、湾曲していることが好ましい。湾曲面は、例えば、導電層２４０Ｂの端部において、曲率半径が、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、５ｎｍ以上６ｎｍ以下とする。端部に角を有さないことで、以降の成膜工程における膜の被覆性が向上する。
【０２１３】
なお、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂ、および導電膜２４０Ａの加工はリソグラフィー法を用いて行えばよい。また、当該加工はドライエッチング法やウェットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング法による加工は微細加工に適している。また、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂ、および導電膜２４０Ａの加工は、それぞれ異なる条件で加工してもよい。
【０２１４】
次に、絶縁体２２４、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および導電層２４０Ｂの上に、絶縁体２７４となる絶縁膜２７４Ａを成膜する（図６参照）。
【０２１５】
絶縁膜２７４Ａの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。絶縁膜２７４Ａは、酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁膜を用いることが好ましい。例えば、スパッタリング法によって、窒化シリコン、酸化シリコン、または酸化アルミニウムを成膜する。また、絶縁体２７４として、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｃに用いることができる材料を用いることができる。例えば、絶縁体２７４として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］の金属酸化物を用いてもよい。
【０２１６】
また、絶縁膜２７４Ａは、２層の積層構造としてもよい。絶縁膜２７４Ａの下層、および絶縁膜２７４Ａの上層の成膜には、上記方法を用いて行うことができ、絶縁膜２７４Ａの下層、および絶縁膜２７４Ａの上層の成膜は、同じ方法を用いてもよいし、それぞれ異なる方法を用いてもよい。また、絶縁膜２７４Ａの下層、および絶縁膜２７４Ａの上層には上記材料を用いることができ、絶縁膜２７４Ａの下層、および絶縁膜２７４Ａの上層は同じ材料としてもよいし、それぞれ異なる材料としてもよい。例えば、絶縁膜２７４Ａの下層として、スパッタリング法によって、酸化アルミニウム膜を成膜し、絶縁膜２７４Ａの上層として、ＡＬＤ法によって、酸化アルミニウム膜を成膜してもよい。または、絶縁膜２７４Ａの下層として、スパッタリング法によって、酸化アルミニウム膜を成膜し、絶縁膜２７４Ａの上層として、ＡＬＤ法によって、窒化シリコン膜を成膜してもよい。
【０２１７】
次に、絶縁膜２７４Ａ上に、絶縁膜２８０Ａを成膜する。絶縁膜２８０Ａは同種の層を異なる成膜方法により、設けてもよい。具体的には、まず絶縁膜２８０Ａの第１の膜として、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁膜２８０Ａの第１の膜として、スパッタリング法によって酸化シリコン膜を成膜し、絶縁膜２８０Ａの第２の膜として、ＣＶＤ法によって酸化シリコン膜を成膜する。なお、絶縁膜２８０Ａの成膜前に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して当該絶縁膜を成膜してもよい。このような処理を行うことによって、絶縁膜２７４Ａの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および絶縁膜２７４Ａ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。上述した加熱処理条件を用いることができる。
【０２１８】
次に、絶縁膜２８０ＡにＣＭＰ処理を行い、絶縁膜２８０Ａの上面を平坦化する（図６参照。）。
【０２１９】
次に、絶縁膜２８０Ａの一部、絶縁膜２７４Ａの一部、および導電層２４０Ｂの一部を加工して、酸化物２３０ｂに達する開口を形成する。当該開口は、導電体２０５と重なるように形成することが好ましい。当該開口によって、導電体２４０ａ、導電体２４０ｂ、絶縁体２７４、絶縁体２８０を形成する（図７参照。）。
【０２２０】
また、絶縁膜２８０Ａの一部、絶縁膜２７４Ａの一部、および導電層２４０Ｂの一部の加工は、それぞれ異なる条件で加工してもよい。例えば、絶縁体２８０の一部をドライエッチング法で加工し、絶縁膜２７４Ａの一部をウェットエッチング法で加工し、導電層２４０Ｂの一部をドライエッチング法で加工してもよい。
【０２２１】
ここで、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂなどの表面に付着または内部に拡散した不純物を除去することが好ましい。当該不純物としては、絶縁体２８０、絶縁膜２７４Ａ、および導電層２４０Ｂに含まれる成分、上記開口を形成する際に用いられる装置に使われている部材に含まれる成分、エッチングに使用するガスまたは液体に含まれる成分などに起因したものが挙げられる。当該不純物としては、例えば、アルミニウム、シリコン、タンタル、フッ素、塩素などがある。
【０２２２】
上記の不純物などを除去するために、洗浄処理を行う。洗浄方法としては、洗浄液など用いたウェット洗浄、プラズマを用いたプラズマ処理、熱処理による洗浄などがあり、上記洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。
【０２２３】
ウェット洗浄としては、アンモニア水、シュウ酸、リン酸、フッ化水素酸などを炭酸水または純水で希釈した水溶液、純水、炭酸水などを用いて洗浄処理を行ってもよい。または、これらの水溶液、純水、または炭酸水を用いた超音波洗浄を行ってもよい。または、これらの洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。なお、超音波洗浄には、２００ｋＨｚ以上、好ましくは９００ｋＨｚ以上の周波数を用いることが好ましい。当該周波数を用いることで、酸化物２３０ｂなどへのダメージを低減することができる。
【０２２４】
上記洗浄処理として、本実施の形態では、希釈フッ化水素酸または希釈アンモニア水を用いてウェット洗浄を行い、続いて純水、または炭酸水を用いてウェット洗浄を行う。当該洗浄処理を行うことで、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂなどの表面に付着または内部に拡散した不純物を除去することができる。または、酸化物２３０ｂ上の酸化物２３０ｃの結晶性を高めることができる。
【０２２５】
次に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して酸化膜２３０Ｃを成膜してもよい。なお、酸化膜２３０Ｃは、単層構造、または複数の積層構造（例えばの第１の膜、および第２の膜との積層構造）としてもよい。本工程により、酸化物２３０ｂの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。本実施の形態では、加熱処理の温度を２００℃とする。
【０２２６】
酸化膜２３０Ｃの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。酸化膜２３０Ｃの成膜は、酸化膜２３０Ａ、または酸化膜２３０Ｂと同様の成膜方法を用いて行ってもよいし、異なる成膜方法を用いて行ってもよい。なお、酸化膜２３０ＣをＡＬＤ法によって成膜する場合、先の実施の形態で説明した内容を参酌することができる。
【０２２７】
例えば、本実施の形態では、酸化膜２３０Ｃの第１の膜として、ＡＬＤ法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化膜を成膜し、酸化膜２３０Ｃの第２の膜として、ＡＬＤ法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化膜を成膜する。または、酸化膜２３０Ｃを単層構造とする場合、酸化膜２３０Ｃとしては、酸化物２３０Ｂよりも、ガリウムの割合が高い酸化物をＡＬＤ法により形成すると好適である。
【０２２８】
酸化膜２３０Ｃの第１の膜および酸化膜２３０Ｃの第２の膜を、ＡＬＤ法を用いて形成することで、開口の底面、および側面で膜厚がほぼ等しい酸化膜を形成することができる。例えば、当該開口の底部における酸化膜２３０Ｃの第１の膜の膜厚に対する、当該開口の側面における酸化膜２３０Ｃの第１の膜の膜厚の比を０．５以上１以下、好ましくは０．７以上１以下、より好ましくは、０．９以上１以下とすることができる。また、当該開口の底部における酸化膜２３０Ｃの第２の膜の膜厚に対する、当該開口の側面における酸化膜２３０Ｃの第２の膜の膜厚の比を０．５以上１以下、好ましくは０．７以上１以下、より好ましくは、０．９以上１以下とすることができる。また、酸化物２３０ｂの上面における酸化膜２３０Ｃの第１の膜の膜厚に対する、酸化物２３０ｂの側面における酸化膜２３０Ｃの第１の膜の膜厚の比を０．５以上１以下、好ましくは０．７以上１以下、より好ましくは、０．９以上１以下とすることができる。また、酸化物２３０ｂの上面における酸化膜２３０Ｃの第２の膜の膜厚に対する、酸化物２３０ｂの側面における酸化膜２３０Ｃの第２の膜の膜厚の比を０．５以上１以下、好ましくは０．７以上１以下、より好ましくは、０．９以上１以下とすることができる。また、ＡＬＤ法を用いて形成された酸化膜が結晶構造を有する場合、そのｃ軸は、被成膜面の法線方向と概略平行とすることができる。
【０２２９】
酸化膜２３０Ｃの第１の膜および酸化膜２３０Ｃの第２の膜をスパッタリング法によって成膜する場合、酸化膜２３０Ｃの第１の膜および酸化膜２３０Ｃの第２の膜の成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂに供給される場合がある。したがって、酸化膜２３０Ｃの第１の膜および酸化膜２３０Ｃの第２の膜のスパッタリングガスに含まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすればよい。
【０２３０】
次に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して絶縁膜２５０Ａを成膜してもよい。このような処理を行うことによって、酸化膜２３０Ｃの表面などに表面に吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化膜２３０Ｃ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。
【０２３１】
絶縁膜２５０Ａは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて成膜することができる。本実施の形態では、絶縁膜２５０Ａとして、ＣＶＤ法により、酸化窒化シリコンを成膜する。なお、絶縁膜２５０Ａを成膜する際の成膜温度は、３５０℃以上４５０℃未満、特に４００℃前後とすることが好ましい。絶縁膜２５０Ａを、４００℃で成膜することで、不純物が少ない絶縁膜を成膜することができる。
【０２３２】
次に、絶縁膜２５０Ａ上に絶縁膜２５２Ａを成膜する。絶縁膜２５２Ａは、水素および水に対してバリア性を有する。絶縁膜２５２Ａが、水素および水に対してバリア性を有することで、トランジスタ２００の周辺に設けられた構造体に含まれる水素および水が、絶縁膜２５２Ａを通じてトランジスタ２００の内側へ拡散することが抑制され、酸化物２３０中の酸素欠損の生成を抑制することができる。
【０２３３】
また、絶縁膜２５２Ａとして、酸化物２３０に含まれる元素と共通の金属元素を有する酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。特に、酸化物２３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、絶縁膜２５２Ａとしてガリウム酸化物など、酸化物２３０よりもガリウムの含有量が多い絶縁材料を用いることが好ましい。絶縁膜２５２Ａを構成する元素と、酸化物２３０を構成する元素が共通であるため、例えば、絶縁膜２５２Ａを構成する元素が、酸化物２３０へと拡散したとしても、酸化物２３０の低抵抗化の要因とならない。
【０２３４】
絶縁膜２５２Ａの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。なお、絶縁膜２５２Ａは、絶縁体２２２と同様、ＡＬＤ法によって成膜することが好ましい。
【０２３５】
例えば、絶縁膜２５２Ａとして、ＡＬＤ法によって、酸化ガリウム膜を成膜する場合、ガリウムのプリカーサとして、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、三塩化ガリウム、トリス（ジメチルアミド）ガリウム、ガリウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、トリス（２、２、６、６−テトラメチル−３、５−ヘプタンジオン酸）ガリウム、ジメチルクロロガリウム、ジエチルクロロガリウムなどを用いることができる。
【０２３６】
なお、上記プリカーサには、金属元素の他に、炭素および塩素の一方または両方を含むものがある。炭素を含むプリカーサを用いて形成された酸化膜には炭素が含まれる場合がある。また、塩素を含むプリカーサを用いて形成された酸化膜には塩素が含まれる場合がある。
【０２３７】
次に、導電膜２６０Ａ、導電膜２６０Ｂを順に成膜する。導電膜２６０Ａおよび導電膜２６０Ｂの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。例えば、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。本実施の形態では、ＡＬＤ法を用いて、導電膜２６０Ａを成膜し、ＣＶＤ法を用いて導電膜２６０Ｂを成膜する（図８参照。）。
【０２３８】
次に、ＣＭＰ処理によって、酸化膜２３０Ｃの第１の膜および酸化膜２３０Ｃの第２の膜、絶縁膜２５０Ａ、絶縁膜２５２Ａ、導電膜２６０Ａ、および導電膜２６０Ｂを絶縁体２８０が露出するまで研磨することによって、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、絶縁体２５２、および導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電体２６０ｂ）を形成する（図９参照。）。これにより、酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ｂに達する開口の内壁（側壁、および底面）を覆うように配置される。また、絶縁体２５０、および絶縁体２５２は、酸化物２３０ｃを介して、上記開口の内壁を覆うように配置される。また、導電体２６０は、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、および絶縁体２５２を介して、上記開口を埋め込むように配置される。
【０２３９】
次に、加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。該加熱処理によって、絶縁体２５０、絶縁体２５２、および絶縁体２８０中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。
【０２４０】
次に、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、絶縁体２５２、導電体２６０、および絶縁体２８０上に、絶縁体２８２、および絶縁体２８３を成膜する。絶縁体２８２、および絶縁体２８３の成膜は、絶縁体２１２、および絶縁体２１４と同様に、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる。絶縁体２８２、および絶縁体２８３としては、例えば、スパッタリング法によって、酸化アルミニウム膜、または窒化シリコン膜を成膜することが好ましい。スパッタリング法によって、酸化アルミニウム膜、または窒化シリコン膜を成膜することによって、絶縁体２８２、および絶縁体２８３が有する水素を酸化物２３０へ拡散することを抑制することができる。また、導電体２６０と接するように絶縁体２８２を形成することで、導電体２６０の酸化を抑制することができ、好ましい。
【０２４１】
また、絶縁体２８２として、スパッタリング法によって、酸化アルミニウム膜を形成することで、絶縁体２８０に酸素を供給することができる。絶縁体２８０に供給された酸素は、酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０ｂが有するチャネル形成領域に供給される場合がある。また、絶縁体２８０に酸素が供給されることで、絶縁体２８２の形成前に絶縁体２８０に含まれていた酸素が、酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０ｂが有するチャネル形成領域に供給される場合がある。
【０２４２】
また、絶縁体２８２として、スパッタリング法によって酸化アルミニウム膜を成膜し、絶縁体２８３として、当該酸化アルミニウム膜上に、スパッタリング法によって窒化シリコンを成膜する構造としてもよい。
【０２４３】
次に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、前述の加熱処理条件を用いることができる。当該加熱処理によって、絶縁体２８０の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。また、絶縁体２８２が有する酸素を絶縁体２８０に注入することができる。
【０２４４】
なお、絶縁体２８２、および絶縁体２８３を成膜する方法として、はじめに、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０、絶縁体２５２、導電体２６０、および絶縁体２８０上に、スパッタリング法によって酸化アルミニウム膜を成膜し、次に、上述した加熱処理条件を用いて加熱処理を行い、次に、ＣＭＰ処理によって、当該酸化アルミニウム膜を除去し、次に、絶縁体２８２、および絶縁体２８３を成膜してもよい。当該方法により、絶縁体２８０に過剰酸素領域をより多く形成することができる。なお、当該酸化アルミニウム膜を除去する工程において、絶縁体２８０の一部、導電体２６０の一部、絶縁体２５０の一部、絶縁体２５２の一部、および酸化物２３０ｃの一部が除去される場合がある。
【０２４５】
また、絶縁体２８０と絶縁体２８２との間に、絶縁体を設けてもよい。当該絶縁体として、例えば、スパッタリング法を用いて成膜した酸化シリコンを用いればよい。当該絶縁体を設けることで、絶縁体２８０に過剰酸素領域を形成することができる。
【０２４６】
次に絶縁体２８２上に、絶縁体２８４を成膜してもよい。絶縁体２８４の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いて行うことができる（図１参照。）。
【０２４７】
本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オン電流の大きい半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高い周波数特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オフ電流の小さい半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、消費電力が低減された半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を提供することができる。
【０２４８】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０２４９】
（実施の形態２）
本発明の一態様は、先の実施の形態で説明した半導体装置の作製方法に用いることができる作成方法、およびその作製装置に関する。
【０２５０】
＜酸化物半導体、およびゲート絶縁体に適用可能な金属酸化物＞
以下に、本発明に係る金属酸化物について説明する。
【０２５１】
酸化物半導体は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０２５２】
ここでは、酸化物半導体が、インジウム、元素Ｍおよび亜鉛を有するＩｎＭＺｎＯである場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
【０２５３】
一方、ゲート絶縁体は、少なくとも元素Ｉを含む酸化物であることが好ましい。元素Ｉとしては、ガリウム、アルミニウム、ハフニウム、ホウ素、チタン、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、イットリウム、セリウム、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。なお、酸化物半導体がＩｎＭＺｎＯである場合、元素Ｉは、元素Ｍと同種であることが好ましい。
【０２５４】
なお、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【０２５５】
ここで、金属酸化物が、インジウム、元素Ｍ及び亜鉛を有する場合を考える。なお、金属酸化物が有するインジウム、元素Ｍ、及び亜鉛の原子数比のそれぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｍ］、および［Ｚｎ］とする。
【０２５６】
以下に、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、および図１７（Ｃ）を用いて、本発明の一態様に示す酸化物に用いることができる金属酸化物が有するインジウム、元素Ｍおよび亜鉛の原子数比の好ましい範囲について説明する。なお、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、および図１７（Ｃ）には、酸素の原子数比については記載しない。また、金属酸化物が有するインジウム、元素Ｍ、および亜鉛の原子数比のそれぞれの項を［Ｉｎ］、［Ｍ］、および［Ｚｎ］とする。
【０２５７】
図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、および図１７（Ｃ）において、破線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：１の原子数比（−１≦α≦１）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：２の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：３の原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：４の原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝（１＋α）：（１−α）：５の原子数比となるラインを表す。
【０２５８】
また、一点鎖線は、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：βの原子数比（β≧０）となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝２：１：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：１：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：２：βの原子数比となるライン、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：３：βの原子数比となるライン、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：４：βの原子数比となるラインを表す。
【０２５９】
また、図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）、および図１７（Ｃ）に示す、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の原子数比、およびその近傍値の金属酸化物は、スピネル型の結晶構造をとりやすい。
【０２６０】
また、金属酸化物中に複数の相が共存する場合がある（二相共存、三相共存など）。例えば、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：２：１の近傍値である場合、スピネル型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。また、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１：０：０の近傍値である場合、ビックスバイト型の結晶構造と層状の結晶構造との二相が共存しやすい。金属酸化物中に複数の相が共存する場合、異なる結晶構造の間において、結晶粒界が形成される場合がある。
【０２６１】
図１７（Ａ）に示す領域Ａは、金属酸化物が有する、インジウム、元素Ｍ、および亜鉛の原子数比の好ましい範囲の一例について示している。
【０２６２】
金属酸化物は、インジウムの含有率を高くすることで、金属酸化物のキャリア移動度（電子移動度）を高くすることができる。従って、インジウムの含有率が高い金属酸化物はインジウムの含有率が低い金属酸化物と比較してキャリア移動度が高くなる。
【０２６３】
一方、金属酸化物中のインジウムおよび亜鉛の含有率が低くなると、キャリア移動度が低くなる。従って、原子数比が［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝０：１：０、およびその近傍値である場合（例えば図１７（Ｃ）に示す領域Ｃ）は、絶縁性が高くなる。
【０２６４】
例えば、チャネル形成領域や、低抵抗領域に用いる金属酸化物は、キャリア移動度が高い、図１７（Ａ）の領域Ａで示される原子数比を有することが好ましい。チャネル形成領域や、低抵抗領域に用いる金属酸化物は、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３から４．１、およびその近傍値程度になるようにすればよい。一方、チャネル形成領域や、低抵抗領域を取り囲むように金属酸化物を設ける場合、絶縁性が比較的高い、図１７（Ｃ）の領域Ｃで示される原子数比を有することが好ましい。チャネル形成領域や、低抵抗領域を取り囲むように設けられる金属酸化物は、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４程度、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２程度になるようにすればよい。または、チャネル形成領域や、低抵抗領域を取り囲むように設けられる金属酸化物は、チャネル形成領域や、低抵抗領域に用いる金属酸化物と同等の金属酸化物を用いてもよい。
【０２６５】
特に、図１７（Ｂ）に示す領域Ｂでは、領域Ａの中でも、キャリア移動度が高く、信頼性が高い優れた金属酸化物が得られる。
【０２６６】
なお、領域Ｂは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝４：２：３から４．１、およびその近傍値を含む。近傍値には、例えば、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：３：４が含まれる。また、領域Ｂは、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：６、およびその近傍値、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝５：１：７、およびその近傍値を含む。
【０２６７】
また、金属酸化物の原子数比は、金属酸化物中の酸素の拡散のしやすさ、あるいは透過のしやすさにも影響を与える。
【０２６８】
インジウム含有率の高い領域Ａ、特に領域Ｂの金属酸化物（第１の金属酸化物とする）において、酸素は拡散しやすく、第１の金属酸化物に隣接する材料に含まれる酸素の吸収や、第１の金属酸化物に隣接する材料への酸素の放出が容易に行われる。すなわち、酸素を含む第１の材料と、第１の材料よりも酸素の含有量が少ない第２の材料の間に、第１の金属酸化物を設けた場合、第１の材料に含まれる酸素が、第１の金属酸化物を透過して、第２の材料に供給される場合がある。一方、領域Ｃの金属酸化物（第２の金属酸化物とする）では、酸素の拡散は起こりにくいため、第２の金属酸化物は、酸素の透過を抑制し、酸素に対するブロック層として機能する場合がある。すなわち、酸素を含む第３の材料と、第３の材料よりも酸素の含有量が少ない第４の材料の間に、第２の金属酸化物を設けることで、第３の材料に含まれる酸素は、第２の金属酸化物により拡散が抑制され、第４の材料への供給が抑制される場合がある。
【０２６９】
以上のように、金属酸化物における原子数比は、電気伝導特性の観点、および酸素拡散特性の観点から重要であり、金属酸化物に求められる特性に応じて制御されるべきである。
【０２７０】
金属酸化物をスパッタリング法により形成する場合、スパッタリングターゲットの原子数比が膜の原子数比に依存する。金属酸化物として、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、スパッタリングターゲットとしては、多結晶のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を含むターゲットを用いると好ましい。なお、成膜される金属酸化物の原子数比は、上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。例えば、金属酸化物に用いるスパッタリングターゲットの組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］の場合、成膜される金属酸化物の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の近傍となる場合がある。また、金属酸化物に用いるスパッタリングターゲットの組成がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：７［原子数比］の場合、成膜される金属酸化物の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６［原子数比］の近傍となる場合がある。
【０２７１】
なお、金属酸化物が有する性質は、原子数比によって一義的に定まらない。同じ原子数比であっても、形成条件により、金属酸化物の性質が異なる場合がある。例えば、金属酸化物をスパッタリング装置にて成膜する場合、ターゲットの原子数比からずれた原子数比の膜が形成される。また、成膜時の基板温度によっては、ターゲットの［Ｚｎ］よりも、膜の［Ｚｎ］が小さくなる場合がある。従って、図示する領域は、金属酸化物が特定の特性を有する傾向がある原子数比を示す領域であり、領域Ａ乃至領域Ｃの境界は厳密ではない。
【０２７２】
ここで、原子数比が異なる金属酸化物を複数積層する場合、それぞれの原子数比に対応する複数のスパッタリングターゲット、およびこれらを設置する複数のチャンバーが必要となる。
【０２７３】
また、スパッタリング法を用いた成膜では、成膜中の粒子が、被成膜面に入射するため、被成膜面に別途膜が形成されている場合、該膜に成膜ダメージを与える恐れがある。ここで、成膜ダメージとは、成膜中の粒子の該膜内への入射による、混合層の形成や、該膜が結晶を有する場合、該膜の結晶化率の低下などを含む。
【０２７４】
スパッタリング法を用いた成膜における上記課題を鑑みると、金属酸化物の原子数比は、金属酸化物の成膜条件で調整できることが好ましい。また、金属酸化物の形成には、成膜ダメージが低減された成膜方法を用いることが好ましい。
【０２７５】
上記課題に対し、金属酸化物の形成方法として、ＡＬＤ法を用いることができる。
【０２７６】
ＡＬＤ法は、プリカーサ分子、あるいはプリカーサに含まれる原子の自己制御性を利用し、一層ずつ原子を堆積することができるので、極薄の成膜が可能、アスペクト比の高い構造への成膜が可能、ピンホールなどの欠陥の少ない成膜が可能、被覆性に優れた成膜が可能、および低温での成膜が可能、などの効果がある。また、ＡＬＤ法には、プラズマを利用した成膜方法プラズマＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＡＬＤ）法も含まれる。プラズマを利用することで、より低温での成膜が可能となり好ましい場合がある。なお、ＡＬＤ法で用いるプリカーサには炭素や塩素などの元素を含むものがある。このため、ＡＬＤ法により設けられた膜は、他の成膜法により設けられた膜と比較して、炭素や塩素などの元素を多く含む場合がある。なお、これらの元素の定量は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて行うことができる。
【０２７７】
ＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。
【０２７８】
ＡＬＤ法は、原料ガスの導入量によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＡＬＤ法では、原料ガスの導入量や導入回数（パルス回数ともいう）によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＡＬＤ法では、成膜しながら原料ガスを変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスを変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間を要さない分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。
【０２７９】
＜ＡＬＤ装置およびＡＬＤ法を用いた成膜方法＞
ここで、本発明の一態様の金属酸化物の形成に用いることができるＡＬＤ装置、およびＡＬＤ法を用いた成膜方法について説明する。
【０２８０】
ＡＬＤ法を利用した成膜装置は、反応のための第１の原料ガス（前駆体、プリカーサ、金属プリカーサとも呼ぶ）と第２の原料ガス（反応剤、リアクタント、非金属プリカーサとも呼ぶ）を交互にチャンバーに導入し、これらの原料ガスの導入を繰り返すことで成膜を行う。なお、原料ガスの導入の切り替えは、例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて行うことができる。また、原料ガス導入の際、窒素（Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスをキャリアガスとして原料ガスと一緒にチャンバーに導入してもよい。キャリアガスを用いることで、原料ガスの揮発性が低い、あるいは蒸気圧が低い場合でも、原料ガスが配管内部やバルブ内部に吸着することを抑制し、原料ガスをチャンバーに導入することが可能になる。また、形成される膜の均一性も向上し、好ましい。
【０２８１】
ＡＬＤ法を用いた成膜方法の一例を、図１１を用いて説明する。まず、第１の原料ガスをチャンバーに導入し（図１１（Ａ）参照）、基板表面にプリカーサ６０１を吸着させる（第１ステップ）。ここで、プリカーサ６０１が基板表面に吸着することにより、表面化学反応の自己停止機構が作用し、基板上のプリカーサの層の上にさらにプリカーサが吸着することはない（図１１（Ｂ）参照）。なお、表面化学反応の自己停止機構が作用する基板温度の適正範囲をＡＬＤ  Ｗｉｎｄｏｗとも呼ぶ。ＡＬＤ  Ｗｉｎｄｏｗは、プリカーサの温度特性、蒸気圧、分解温度などによって決まるが、１００℃以上５００℃以下、好ましくは、２００℃以上４００℃以下とする。次に、真空排気によって、余剰なプリカーサや反応生成物などをチャンバーから排出する（第２ステップ）。また、真空排気を行う代わりに不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などをチャンバーに導入し、余剰なプリカーサや反応生成物などをチャンバーから排出してもよい。このステップは、パージとも呼ばれる。次に、第２の原料ガスとして、リアクタント６０２（例えば、酸化剤（オゾン（Ｏ３）、酸素（Ｏ２）、水（Ｈ２Ｏ）、およびこれらのプラズマ、ラジカル、イオンなど））をチャンバーに導入し（図１１（Ｃ）参照）、基板表面に吸着したプリカーサ６０１と反応させて、膜の構成分子を基板に吸着させたままプリカーサ６０１に含まれる成分の一部を離脱させる（第３ステップ）（図１１（Ｄ）参照）。次に、真空排気または不活性ガスの導入によって、余剰なリアクタント６０２や反応生成物などをチャンバーから排出する（第４ステップ）。
【０２８２】
なお、以降の本明細書の記載において、特段の記載がない限り、リアクタント、または酸化剤としてオゾン、酸素、水を用いる場合、これらは、ガスや分子の状態に限らず、プラズマ状態、ラジカル状態、およびイオン状態のものも含むものとする。プラズマ状態、ラジカル状態、あるいはイオン状態の酸化剤を用いて成膜する場合、後述するラジカルＡＬＤ装置や、プラズマＡＬＤ装置を用いれば良い。
【０２８３】
酸化剤として、プリカーサに含まれる炭素を除去するには水を用いることが好ましい。水に含まれる水素が、プリカーサに含まれる炭素と反応して、炭素を効率よくプリカーサから離脱させることができる。一方、形成される膜中に含まれる水素を極力減らしたい場合は、酸化剤として、水素を含まないオゾンや酸素を用いることが好ましい。また、第１の酸化剤として、水をチャンバーに導入することで、プリカーサに含まれる炭素を除去した後、真空排気を行い、第２の酸化剤として水素を含まないオゾンや酸素をチャンバーに導入して水素を除去し、真空排気を行ってもよい。その後、所望の膜厚が得られるまで第１ステップから第４ステップを繰り返し行う。
【０２８４】
なお、上記の説明では、第１の原料ガスをチャンバーに導入してから、第２の原料ガスをチャンバーに導入する例を示したが、本発明はこれに限らない。第２の原料ガスをチャンバーに導入してから、第１の原料ガスをチャンバーに導入してもよい。つまり、初めに上記第３ステップ、および第４ステップの後に、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップ、および第４ステップを行い、以降第１ステップ乃至第４ステップを繰り返し行うことで成膜を行ってもよい。さらに、上記第３ステップ、および第４ステップを複数回繰り返してから、第１ステップ乃至第４ステップを繰り返し行うことで成膜を行ってもよい。
【０２８５】
このように、第１のステップの前に、第３のステップ、および第４のステップを１回ずつ、あるいは複数回行うことは、チャンバー内の成膜雰囲気を制御できるため好ましい。例えば、第３のステップとして、酸化剤を導入することで、チャンバー内は酸素雰囲気とすることができる。酸素雰囲気で成膜を開始すると、形成される膜中の酸素濃度を高くでき、好ましい。さらに、当該膜の下地となる絶縁体や酸化物にも酸素を供給できる。このような方法を用いて形成された半導体装置は、良好な特性を有し、高い信頼性を得ることができる。
【０２８６】
また、第１ステップ、および第２ステップの後に、第３ステップにおける第２の原料ガスの導入と、第４ステップにおける真空排気または不活性ガスの導入を複数回繰り返し行ってもよい。つまり、第１ステップ、第２ステップ、第３ステップ、第４ステップ、第３ステップ、第４ステップ、と第３ステップと第４ステップを繰り返し行った後に、第１ステップ、および第２ステップを行ってもよい。
【０２８７】
例えば、第３ステップで酸化剤としてＯ３、およびＯ２を導入し、第４ステップで真空排気を行い、この工程を複数回繰り返してもよい。
【０２８８】
また、第３ステップと第４ステップを繰り返す場合、必ずしも同じ種類の原料ガスの導入を繰り返す必要はない。例えば、１回目の第３ステップで酸化剤としてＨ２Ｏを用い、２回目以降の第３ステップで酸化剤としてＯ３を用いてもよい。
【０２８９】
このようにして、チャンバー内で酸化剤の導入と真空排気（または不活性ガスの導入）を短時間で複数回繰り返すことで、基板表面に吸着したプリカーサから、余分な水素原子、炭素原子、塩素原子などをより確実に取り除き、チャンバーの外に排除することができる。また、酸化剤の種類を２種類に増やすことにより、基板表面に吸着したプリカーサから、余分な水素原子などをより多く取り除くことができる。このように、成膜中に水素原子が膜中に取り込まれないようにすることにより形成した膜に含まれる水、水素などを低減することができる。
【０２９０】
このような方法を用いることにより、ＴＤＳ分析にて１００℃以上７００℃以下または１００℃以上５００℃以下の表面温度の範囲で、水分子の脱離量が１．０×１０１３ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ２以上１．０×１０１６ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ２以下、さらに好ましくは１．０×１０１３ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ２以上３．０×１０１５ｍｏｌｅｃｕｌｅ／ｃｍ２以下となる膜を形成することができる。
【０２９１】
このようにして、基板表面に第１の単一層を成膜することができ、第１ステップ乃至第４ステップを再び行うことで、第１の単一層の上に第２の単一層を積層することができる。第１ステップ乃至第４ステップを、ガス導入を制御しつつ、膜が所望の厚さになるまで複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微細なトランジスタを作製する場合に適している。
【０２９２】
また、上記方法で形成された膜は層状の構造を有する場合がある。さらに、上記方法で形成された膜が結晶構造を有する場合、該膜のｃ軸は、被成膜面の法線方向と概略平行な方向に配向する。すなわち、該膜のｃ軸は、被成膜面に対して垂直に配向する。詳細は後述するが、本明細書では、このような結晶構造をＣＡＡＣ構造と称し、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体（金属酸化物）を、ＣＡＡＣ−ＯＳと称する場合がある。ＡＬＤ法を用いることで、ＣＡＡＣ構造を有する金属酸化物を形成することが可能である。
【０２９３】
ＡＬＤ法は、熱エネルギーを用いてプリカーサ、およびリアクタントを反応させて行う成膜方法である。プリカーサ、およびリアクタントの反応に必要な温度は、それらの温度特性、蒸気圧、分解温度などによって決まるが、１００℃以上５００℃以下、好ましくは、２００℃以上４００℃以下とする。さらに、上記のプリカーサ、およびリアクタントの反応に加え、第３の原料ガスとして、プラズマ励起されたリアクタントもチャンバーに導入することで処理を行うＡＬＤ法をプラズマＡＬＤ法と呼ぶことがある。この場合、第３の原料ガスの導入部には、プラズマ生成装置が設けられる。プラズマの生成には、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：  ＩＣＰ）を用いることができる。またこれに対して、プリカーサ及びリアクタントの反応を熱エネルギーで行うＡＬＤ法を熱ＡＬＤ法と呼ぶことがある。
【０２９４】
プラズマＡＬＤ法では、第３ステップにおいてプラズマ励起されたリアクタントを導入して成膜を行う。あるいは、上記第１ステップ乃至第４ステップを繰り返し行うと同時に、プラズマ励起されたリアクタント（第２のリアクタント）を導入することで、成膜が行われる。この場合、第３ステップで導入されるリアクタントを第１のリアクタントと呼ぶ。プラズマＡＬＤ法において、第３の原料ガスに用いる第２のリアクタントは、上記酸化剤と同様の材料を用いることができる。すなわち、第２のリアクタントとして、プラズマ励起されたオゾン、酸素、および水を用いることができる。また、第２のリアクタントとして、酸化剤の他に、窒化剤を用いてもよい。窒化剤としては、窒素（Ｎ２）やアンモニア（ＮＨ３）を用いることができる。また、窒素（Ｎ２）と水素（Ｈ２）の混合ガスを窒化剤として用いることができる。例えば、窒素（Ｎ２）５％、水素（Ｈ２）９５％の混合ガスを窒化剤として用いることができる。プラズマ励起された窒素やアンモニアを導入しながら成膜を行うことで、金属窒化膜などの窒化膜を形成することができる。
【０２９５】
また、第２のリアクタントのキャリアガスとして、アルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ２）を用いてもよい。アルゴンや窒素などのキャリアガスを用いることで、プラズマの放電が容易になり、プラズマ励起された第２のリアクタントが容易に生成されるため、好ましい。なお、プラズマＡＬＤ法を用いて金属酸化膜などの酸化膜を形成する場合、キャリアガスに窒素を用いると、膜中に窒素が混入し、所望の膜質が得られない場合がある。この場合キャリアガスとして、アルゴンを用いることが好ましい。
【０２９６】
ＡＬＤ法は、極めて薄い膜を均一な膜厚で成膜することができる。また、凹凸を有する面に対しても、表面被覆率が高い。
【０２９７】
また、プラズマＡＬＤ法により成膜することで、熱ＡＬＤ法に比べてさらに低温での成膜が可能となる。プラズマＡＬＤ法は、例えば、１００℃以下でも成膜速度を低下させずに成膜することができる。また、プラズマＡＬＤ法では、酸化剤だけでなく、窒化剤など多くのリアクタントを用いることができるので、酸化物だけでなく、窒化物、フッ化物、金属など多くの種類の膜を成膜することができる。
【０２９８】
また、プラズマＡＬＤ法を行う場合には、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）などのように基板から離れた状態でプラズマを発生させることもできる。このようにプラズマを発生させることにより、プラズマダメージを抑えることができる。
【０２９９】
以上の方法により、第１の原料ガスに含まれる原子を一成分とする膜、酸化膜、または窒化膜を形成することができる。
【０３００】
一方、金属酸化物として、複数の金属を含む膜を形成する場合、金属毎に複数のプリカーサを用意し、チャンバーに順次導入すればよい。
【０３０１】
金属酸化物として、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を形成する場合、インジウムを含む第１のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気（パージ）する。次に、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気する。次に、元素Ｍを含む第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気（パージ）する。次に、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気する。次に、亜鉛を含む第３のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気（パージ）する。次に、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気する。以上の工程を繰り返すことで、インジウムを含む単一層と、元素Ｍを含む単一層と、亜鉛を含む単一層を含む金属酸化物を形成することができる。なお、原料ガスの導入順序は、上記に限定されない。第１のプリカーサを含む原料ガスの導入後に、第３のプリカーサを含む原料ガスを導入し、その後第２のプリカーサを含む原料ガスを導入してもよく、求められる膜の性質に応じて実施者が適宜決めることができる。また、各原料ガスの導入後に、余分な原料ガスの排気、リアクタントの導入、および排気を適宜行うことができる。なお、金属酸化物は、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物に限らない。上述した通り、金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましく、特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、金属酸化物に含まれる金属の種類は２種類でもよいし、４種類以上でもよい。
【０３０２】
また、金属酸化物に含まれる金属の原子数比は、所望の金属を含むプリカーサを含む原料ガスのチャンバーへの導入回数や、成膜温度の調整により制御できる。例えば、インジウムや亜鉛に対して、元素Ｍの原子数比を大きくしたい場合は、元素Ｍを含む第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気し、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気した後、再度元素Ｍを含む第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気し、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気すればよい。
【０３０３】
また、複数のプリカーサをチャンバーに導入してもよく、例えば、第１のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気し、リアクタントをチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気し、第２のプリカーサ、および第３のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気し、リアクタントをチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気することで、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を含む金属酸化物を形成してもよい。なお、チャンバーに導入するプリカーサの組み合わせは上記に限定されない。第１のプリカーサ、および第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入してもよいし、第１のプリカーサ、および第３のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入してもよいし、第１のプリカーサ、第２のプリカーサ、および第３のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入してもよい。求められる膜の性質に応じて実施者が適宜決めることができる。
【０３０４】
また、異なるプリカーサを含む原料ガスを連続してチャンバーに導入してもよい。例えば、第１のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気し、リアクタントをチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気し、第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気した後、チャンバーへリアクタントの導入を行わず、続けて第３のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、余分な原料ガスを排気し、リアクタントをチャンバーに導入し、余分なリアクタントを排気することで、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を含む金属酸化物を形成してもよい。なお、チャンバーに連続して導入するプリカーサの順序、および組み合わせは上記に限定されない。第３のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入した後、第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入してもよいし、第１のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入した後、リアクタントの導入を行わずに、第２のプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入してもよい。求められる膜の性質に応じて実施者が適宜決めることができる。
【０３０５】
また、複数の金属を含むプリカーサを用いて金属酸化物を形成してもよい。例えば、１分子中にインジウムと元素Ｍを含むプリカーサ、１分子中にインジウムと亜鉛を含むプリカーサ、１分子中に元素Ｍと亜鉛を含むプリカーサなどを用いて金属酸化物を形成してもよい。
【０３０６】
＜金属酸化物の構成＞
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）−ＯＳの構成について説明する。
【０３０７】
なお、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
【０３０８】
ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０３０９】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０３１０】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０３１１】
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０３１２】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０３１３】
［金属酸化物の構造］
酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、および非晶質酸化物半導体などがある。
【０３１４】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。
【０３１５】
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
【０３１６】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層と表すこともできる。
【０３１７】
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
【０３１８】
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
【０３１９】
なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
【０３２０】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化物である。ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。
【０３２１】
酸化物半導体（金属酸化物）は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
【０３２２】
なお、本発明の一態様の半導体装置においては、酸化物半導体（金属酸化物）の構造に特に限定はないが、好ましくは結晶性を有すると好ましい。例えば、酸化物２３０をＣＡＡＣ−ＯＳ構造とし、酸化物２４３を六方晶の結晶構造とすることが出来る。酸化物２３０、及び酸化物２４３を上記の結晶構造とすることで、高い信頼性を有する半導体装置とすることができる。
【０３２３】
［不純物］
ここで、金属酸化物中における各不純物の影響について説明する。
【０３２４】
また、金属酸化物にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。したがって、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、金属酸化物中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる金属酸化物中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０３２５】
また、金属酸化物に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。当該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている金属酸化物を用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。
【０３２６】
このため、金属酸化物中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、金属酸化物において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
【０３２７】
トランジスタの半導体に用いる金属酸化物として、結晶性の高い薄膜を用いることが好ましい。該薄膜を用いることで、トランジスタの安定性または信頼性を向上させることができる。該薄膜として、例えば、単結晶金属酸化物の薄膜または多結晶金属酸化物の薄膜が挙げられる。しかしながら、単結晶金属酸化物の薄膜または多結晶金属酸化物の薄膜を基板上に形成するには、高温またはレーザー加熱の工程が必要とされる。よって、製造工程のコストが増加し、さらに、スループットも低下してしまう。
【０３２８】
２００９年に、ＣＡＡＣ構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯと呼ぶ。）が発見されたことが、非特許文献１および非特許文献２で報告されている。ここでは、ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯは、ｃ軸配向性を有する、結晶粒界が明確に確認されない、低温で基板上に形成可能である、ことが報告されている。さらに、ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯを用いたトランジスタは、優れた電気特性および信頼性を有することが報告されている。
【０３２９】
また、２０１３年には、ｎｃ構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物（ｎｃ−ＩＧＺＯと呼ぶ。）が発見された（非特許文献３参照。）。ここでは、ｎｃ−ＩＧＺＯは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有し、異なる該領域間で結晶方位に規則性が見られないことが報告されている。
【０３３０】
非特許文献４および非特許文献５では、上記のＣＡＡＣ−ＩＧＺＯ、ｎｃ−ＩＧＺＯ、および結晶性の低いＩＧＺＯのそれぞれの薄膜に対する電子線の照射による平均結晶サイズの推移が示されている。結晶性の低いＩＧＺＯの薄膜において、電子線が照射される前でさえ、１ｎｍ程度の結晶性ＩＧＺＯが観察されている。よって、ここでは、ＩＧＺＯにおいて、完全な非晶質構造（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の存在を確認できなかった、と報告されている。さらに、結晶性の低いＩＧＺＯの薄膜と比べて、ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯの薄膜およびｎｃ−ＩＧＺＯの薄膜は電子線照射に対する安定性が高いことが示されている。よって、トランジスタの半導体として、ＣＡＡＣ−ＩＧＺＯの薄膜またはｎｃ−ＩＧＺＯの薄膜を用いることが好ましい。
【０３３１】
金属酸化物を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さい、具体的には、トランジスタのチャネル幅１μｍあたりのオフ電流がｙＡ／μｍ（１０−２４Ａ／μｍ）オーダである、ことが非特許文献６に示されている。例えば、金属酸化物を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（非特許文献７参照。）。
【０３３２】
また、金属酸化物を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を利用した、該トランジスタの表示装置への応用が報告されている（非特許文献８参照。）。表示装置では、表示される画像が１秒間に数十回切り換っている。１秒間あたりの画像の切り換え回数はリフレッシュレートと呼ばれている。また、リフレッシュレートを駆動周波数と呼ぶこともある。このような人の目で知覚が困難である高速の画面の切り換えが、目の疲労の原因として考えられている。そこで、表示装置のリフレッシュレートを低下させて、画像の書き換え回数を減らすことが提案されている。また、リフレッシュレートを低下させた駆動により、表示装置の消費電力を低減することが可能である。このような駆動方法を、アイドリング・ストップ（ＩＤＳ）駆動と呼ぶ。
【０３３３】
ＣＡＡＣ構造およびｎｃ構造の発見は、ＣＡＡＣ構造またはｎｃ構造を有する金属酸化物を用いたトランジスタの電気特性および信頼性の向上、ならびに、製造工程のコスト低下およびスループットの向上に貢献している。また、該トランジスタのリーク電流が低いという特性を利用した、該トランジスタの表示装置およびＬＳＩへの応用研究が進められている。
【０３３４】
前述したとおり、ＡＬＤ法では、アスペクト比の高い構造への成膜が可能であり、構造体の側面に対しても被覆性に優れた成膜が可能である。ＡＬＤ法を用いることで、被成膜面の向きによらず、容易にＣＡＡＣ構造の金属酸化物を形成することができる。例えば、構造体が凸型形状や、凹型形状を有しているとしても、構造体の上面、底面、側面、および傾斜を有する面に対して被覆性よく金属酸化物を形成することができる。すなわち、それぞれの被成膜面において、法線方向に概略一定の膜厚を有する金属酸化物を形成することができる。構造体の上面、底面、側面、および傾斜を有する面それぞれに形成された金属酸化物において、最大膜厚に対する最小膜厚の比を０．５以上１以下、好ましくは０．７以上１以下、より好ましくは、０．９以上１以下とすることができる。このとき、金属酸化物が結晶構造を有する場合、そのｃ軸は、それぞれの被成膜面の法線方向と概略平行な方向に配向する。すなわち、ｃ軸は、それぞれの被成膜面に対して垂直に配向する。
【０３３５】
図１２は、構造体５０に形成されたＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を有する金属酸化物５１を示す図である。ここで、構造体とは、トランジスタなどの半導体装置を構成する要素を指す。構造体５０として、基板、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極などの導電体、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、下地絶縁膜等の絶縁体、金属酸化物やシリコンなどの半導体、などが含まれる。図１２（Ａ）では、構造体５０の被成膜面が基板（あるいは基体、図示しない。）に対して平行に配置される場合を示している。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）における金属酸化物５１の一部である領域５３の拡大図である。図１２（Ｂ）では、構造体５０の上面、あるいは底面にインジウムを含む層と、元素Ｍおよび亜鉛を含む層が積層されている様子を示している。Ｉｎを含む層は、構造体５０の被成膜面に平行に配置され、その上に元素Ｍおよび亜鉛を含む層が、構造体５０の被成膜面に平行に配置されている。すなわち、金属酸化物５１のａ−ｂ面は、構造体５０の被成膜面に対して概略平行であり、金属酸化物５１のｃ軸は、構造体５０の被成膜面の法線方向と概略平行である。
【０３３６】
図１２（Ｃ）では、構造体５０の被成膜面が基板（あるいは基体、図示しない。）に対して垂直に配置される場合を示している。図１２（Ｄ）は、図１２（Ｃ）における金属酸化物５１の一部である領域５４の拡大図である。図１２（Ｄ）では、構造体５０の側面にインジウムを含む層と、元素Ｍおよび亜鉛を含む層が積層されている様子を示している。Ｉｎを含む層は、構造体５０の被成膜面に平行に配置され、その上に元素Ｍおよび亜鉛を含む層が、構造体５０の被成膜面に平行に配置されている。すなわち、金属酸化物５１のａ−ｂ面は、構造体５０の被成膜面に対して概略平行であり、金属酸化物５１のｃ軸は、構造体５０の被成膜面の法線方向と概略平行である。
【０３３７】
ここで図１３を用いて、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を有する金属酸化物５１の形成方法の詳細を示す。なお、図１３では、インジウムを含む層としてＩｎＯ層を形成し、その上に元素Ｍおよび亜鉛を含む層として（Ｍ，Ｚｎ）Ｏ層を形成する例を示すが、本実施の形態はこれに限らない。まず、（Ｍ，Ｚｎ）Ｏ層を形成し、その上にＩｎＯ層を形成してもよい。また、ＩｎＯ層の上に、元素Ｍを含む層と亜鉛を含む層の一方を形成し、その上に元素Ｍを含む層と亜鉛を含む層の他方を形成してもよい。
【０３３８】
まず、インジウムを含むプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、構造体５０の表面にプリカーサを吸着させる（図１３（Ａ）参照。）。ここで、原料ガスには、プリカーサの他に、アルゴンや窒素などのキャリアガスが含まれる。インジウムを含むプリカーサとして、トリエチルインジウム、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン酸）インジウム、シクロペンタジエニルインジウムなどを用いることができる。次に、チャンバー内をパージして、余剰なプリカーサや反応生成物などをチャンバーから排出する。次に、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、吸着したプリカーサと反応させて、インジウムを基板に吸着させたままインジウム以外の成分を離脱させることで、インジウムと酸素が結合したＩｎＯ層を形成する（図１３（Ｂ）参照。）。酸化剤として、オゾン、酸素、水などを用いることができる。次に、チャンバー内をパージして、余分なリアクタントや反応生成物などをチャンバーから排出する。
【０３３９】
次に、元素Ｍを含むプリカーサ、および亜鉛を含むプリカーサを含む原料ガスをチャンバーに導入し、ＩｎＯ層上にプリカーサを吸着させる（図１３（Ｃ）参照。）。原料ガスには、プリカーサの他に、アルゴンや窒素などのキャリアガスが含まれる。元素Ｍとしてガリウムを用いる場合、ガリウムを含むプリカーサとして、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、三塩化ガリウム、トリス（ジメチルアミド）ガリウム、ガリウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン酸）ガリウム、ジメチルクロロガリウム、ジエチルクロロガリウムなどを用いることができる。また、亜鉛を含むプリカーサとして、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン酸）亜鉛などを用いることができる。次に、チャンバー内をパージして、余剰なプリカーサや反応生成物などをチャンバーから排出する。次に、リアクタントとして、酸化剤をチャンバーに導入し、吸着したプリカーサと反応させて、元素Ｍや亜鉛を基板に吸着させたまま元素Ｍおよび亜鉛以外の成分を離脱させることで、元素Ｍと酸素が結合した層、および亜鉛と酸素が結合した層（Ｍ，Ｚｎ）Ｏ層を形成する。次に、チャンバー内をパージして、余分なリアクタントや反応生成物などをチャンバーから排出する。（Ｍ，Ｚｎ）Ｏ層の形成を複数回繰り返すことで、所望の原子数、層数、および厚さを有する（Ｍ，Ｚｎ）Ｏ層を形成してもよい（図１３（Ｄ）参照。）。
【０３４０】
次に、（Ｍ，Ｚｎ）Ｏ層上に再度、上述した方法でＩｎＯ層を形成する（図１３（Ｅ）参照。）。以上の方法を繰り返すことで、基板、あるいは構造体上に金属酸化物５１を形成することができる。
【０３４１】
なお、上記プリカーサには、金属元素の他に、炭素および塩素の一方または両方を含むものがある。炭素を含むプリカーサを用いて形成された膜には炭素が含まれる場合がある。また、塩素を含むプリカーサを用いて形成された膜には塩素が含まれる場合がある。
【０３４２】
以上のように、ＡＬＤ法を用いて金属酸化物５１を形成することで、被成膜面の法線方向と概略平行にｃ軸が配向したＣＡＡＣ構造の金属酸化物を形成することができる。
【０３４３】
ここで、ＡＬＤ法を用いて成膜することが可能な装置の一例として、成膜装置４０００の構成について、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）を用いて説明する。図１４（Ａ）は、マルチチャンバー型の成膜装置４０００の模式図であり、図１４（Ｂ）は、成膜装置４０００に用いることができるＡＬＤ装置の断面図である。
【０３４４】
＜成膜装置の構成例＞
成膜装置４０００は、搬入搬出室４００２と、搬入搬出室４００４と、搬送室４００６と、成膜室４００８と、成膜室４００９と、成膜室４０１０と、搬送アーム４０１４と、を有する。ここで、搬入搬出室４００２、搬入搬出室４００４、及び成膜室４００８乃至４０１０は、搬送室４００６とそれぞれ独立に接続されている。これにより、成膜室４００８乃至４０１０において大気に曝すことなく、連続成膜を行うことができ、膜中に不純物が混入するのを防ぐことができる。また、基板と膜の界面、および各膜の界面の汚染は低減され、清浄な界面が得られる。
【０３４５】
なお、搬入搬出室４００２、搬入搬出室４００４、搬送室４００６、及び成膜室４００８乃至４０１０は、水分の付着などを防ぐため、露点が管理された不活性ガス（窒素ガス等）を充填させておくことが好ましく、減圧を維持させることが望ましい。
【０３４６】
また、成膜室４００８乃至４０１０には、ＡＬＤ装置を用いることができる。また、成膜室４００８乃至４０１０のいずれかにＡＬＤ装置以外の成膜装置を用いる構成としてもよい。成膜室４００８乃至４０１０に用いることができる成膜装置としては、例えば、スパッタリング装置、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）装置、熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）装置、光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ  ＣＶＤ）装置、金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  ＣＶＤ）装置、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）装置などがある。また、成膜室４００８乃至４０１０のいずれか１つまたは複数に、成膜装置以外の機能を有する装置を設けても構わない。当該装置としては、例えば、加熱装置（代表的には、真空加熱装置）、プラズマ発生装置（代表的には、μ波プラズマ発生装置）などが挙げられる。
【０３４７】
例えば、成膜室４００８をＡＬＤ装置とし、成膜室４００９をＰＥＣＶＤ装置とし、成膜室４０１０を金属ＣＶＤ装置とした場合、成膜室４００８で金属酸化物、成膜室４００９でゲート絶縁膜として機能する絶縁膜、成膜室４０１０でゲート電極として機能する導電膜を形成することができる。このとき、金属酸化物と、その上の絶縁膜と、その上の導電膜を、大気に曝すことなく、連続で形成することができる。
【０３４８】
また、成膜装置４０００は、搬入搬出室４００２、搬入搬出室４００４、成膜室４００８乃至４０１０を有する構成としているが、本発明はこれに限られるものではない。成膜装置４０００の成膜室を４個以上にする構成としてもよい。また、成膜装置４０００は枚葉式としてもよいし、複数の基板を一括で成膜するバッチ式にしてもよい。
【０３４９】
＜ＡＬＤ装置＞
次に、成膜装置４０００に用いることができるＡＬＤ装置の構成について、図１４（Ｂ）を用いて説明する。ＡＬＤ装置は、成膜室（チャンバー４０２０）と、原料供給部４０２１（原料供給部４０２１ａ、および４０２１ｂ）、原料供給部４０３１と、導入量制御器である高速バルブ４０２２ａ、４０２２ｂと、原料導入口４０２３（原料導入口４０２３ａ、および４０２３ｂ）、原料導入口４０３３と、原料排出口４０２４と、排気装置４０２５を有する。チャンバー４０２０内に設置される原料導入口４０２３ａ、４０２３ｂ、および４０３３は供給管やバルブを介して原料供給部４０２１ａ、４０２１ｂ、および４０３１とそれぞれ接続されており、原料排出口４０２４は、排出管やバルブや圧力調整器を介して排気装置４０２５と接続されている。
【０３５０】
また、図１４（Ｂ）に示すようにチャンバー４０２０にプラズマ発生装置４０２８を接続することにより、熱ＡＬＤ法に加えて、プラズマＡＬＤ法で成膜を行うことができる。プラズマ発生装置４０２８は、高周波電源に接続されたコイル４０２９を用いるＩＣＰ型のプラズマ発生装置とするのが好ましい。高周波電源は、１０ｋＨｚ以上１００ＭＨｚ以下、好ましくは１ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下、より好ましくは１０ＭＨｚ以上６０ＭＨｚ以下の周波数を持った電力を出力することができる。例えば、１３．５６ＭＨｚ、６０ＭＨｚの周波数を持った電力を出力することができる。プラズマＡＬＤ法では、低温でも成膜レートを落とさず成膜ができるので、成膜効率の低い枚葉式の成膜装置で用いるとよい。
【０３５１】
チャンバー内部には基板ホルダ４０２６があり、その基板ホルダ４０２６上に基板４０３０を配置する。基板ホルダ４０２６には、一定の電位、または高周波が印加される機構が設けられていてもよい。あるいは、基板ホルダ４０２６は、フローティングでもよいし、接地されていてもよい。また、チャンバー外壁には、ヒータ４０２７が設けられており、チャンバー４０２０内部、基板ホルダ４０２６、および基板４０３０表面などの温度を制御することができる。ヒータ４０２７は、基板４０３０表面の温度を１００℃以上５００℃以下、好ましくは、２００℃以上４００℃以下に制御できることが好ましく、ヒータ４０２７自体の温度は１００℃以上５００℃以下に設定できることが好ましい。
【０３５２】
原料供給部４０２１ａ、４０２１ｂ、および４０３１では、気化器や加熱手段などによって固体の原料や液体の原料から原料ガスを形成する。または、原料供給部４０２１ａ、４０２１ｂ、および４０３１は、気体の原料ガスを供給する構成としてもよい。
【０３５３】
また、図１４（Ｂ）では、原料供給部４０２１を２つ、原料供給部４０３１を１つ設けている例を示しているが本実施の形態はこれに限定されない。原料供給部４０２１を１つ、または３つ以上設けてもよい。また原料供給部４０３１を２つ以上設けてもよい。また、高速バルブ４０２２ａ、４０２２ｂは時間で精密に制御することができ、原料供給部４０２１ａから供給される原料ガスと原料供給部４０２１ｂから供給される原料ガスの供給を制御する構成となっている。
【０３５４】
図１４（Ｂ）に示す成膜装置では、基板４０３０を基板ホルダ４０２６上に搬入し、チャンバー４０２０を密閉状態とした後、ヒータ４０２７により基板４０３０を所望の温度（例えば、１００℃以上５００℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃以下）とし、原料供給部４０２１ａから供給される原料ガスの供給と、排気装置４０２５による排気と、原料供給部４０３１から供給される原料ガスの供給と、排気装置４０２５による排気とを繰り返すことで薄膜を基板表面に形成する。また、該薄膜の形成において、さらに原料供給部４０２１ｂから供給される原料ガスの供給と、排気装置４０２５による排気を行ってもよい。ヒータ４０２７の温度は、形成される膜種、原料ガス、所望の膜質、基板や、そこの設けられている膜や素子の耐熱性に応じて適宜決定すればよい。例えば、ヒータ４０２７の温度を２００℃以上３００℃以下に設定して成膜してもよいし、３００℃以上５００℃以下に設定して成膜してもよい。
【０３５５】
ヒータ４０２７を用いて基板４０３０を加熱しながら成膜することで、後工程で必要な基板４０３０の加熱処理を省略することができる。すなわち、ヒータ４０２７が設けられたチャンバー４０２０、または成膜装置４０００を用いることで、基板４０３０上の膜の形成と、基板４０３０の加熱処理を兼ねることができる。
【０３５６】
図１４（Ｂ）に示す成膜装置では、原料供給部４０２１、および原料供給部４０３１で用いる原料（揮発性有機金属化合物など）を適宜選択することにより、金属酸化物を形成することができる。金属酸化物として、インジウム、ガリウム、亜鉛を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成する場合、少なくとも３つの原料供給部４０２１と、少なくとも１つの原料供給部４０３１が設けられた成膜装置を用いることが好ましい。第１の原料供給部４０２１からインジウムを含むプリカーサが供給され、第２の原料供給部４０２１からガリウムを含むプリカーサが供給され、第３の原料供給部４０２１から亜鉛を含むプリカーサが供給されることが好ましい。金属酸化物の形成に、ガリウムおよび亜鉛を含むプリカーサを用いる場合、原料供給部４０２１は、少なくとも２つ設けられればよい。インジウムを含むプリカーサ、ガリウムを含むプリカーサ、および亜鉛を含むプリカーサとして、それぞれ前述したプリカーサを用いることができる。
【０３５７】
また、原料供給部４０３１からは、リアクタントが供給される。リアクタントとして、オゾン、酸素、水の少なくとも１つを含む酸化剤を用いることができる。
【０３５８】
また、原料供給部４０２１ａ、４０２１ｂ、および４０３１で用いる原料（揮発性有機金属化合物など）を適宜選択することにより、ハフニウム、アルミニウム、タンタル、ジルコニウム等から選択された一種以上の元素を含む酸化物（複合酸化物も含む）を含んで構成される絶縁層を成膜することができる。具体的には、酸化ハフニウムを含んで構成される絶縁層、酸化アルミニウムを含んで構成される絶縁層、ハフニウムシリケートを含んで構成される絶縁層、またはアルミニウムシリケートを含んで構成される絶縁層などを成膜することができる。また、原料供給部４０２１ａ、４０２１ｂ、および４０３１で用いる原料（揮発性有機金属化合物など）を適宜選択することにより、タングステン層、チタン層などの金属層や、窒化チタン層などの窒化物層などの薄膜を成膜することもできる。
【０３５９】
例えば、ＡＬＤ装置により酸化ハフニウム層を形成する場合には、溶媒とハフニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウムアルコキシドや、テトラキスジメチルアミドハフニウム（ＴＤＭＡＨｆ）などのハフニウムアミド）を気化させた第１の原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）および酸素（Ｏ２）の第２の原料ガスを用いる。この場合、原料供給部４０２１ａから供給する第１の原料ガスがＴＤＭＡＨｆであり、原料供給部４０３１から供給する第２の原料ガスがオゾンおよび酸素となる。なお、テトラキスジメチルアミドハフニウムの化学式はＨｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４である。また、他の材料液としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムなどがある。また、第２の原料ガスとして、水を用いることができる。
【０３６０】
ＡＬＤ装置により酸化アルミニウム層を形成する場合には、溶媒とアルミニウム前駆体化合物（ＴＭＡ：トリメチルアルミニウムなど）を含む液体を気化させた第１の原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）および酸素（Ｏ２）を含む第２の原料ガスを用いる。この場合、原料供給部４０２１ａから供給する第１の原料ガスがＴＭＡであり、原料供給部４０３１から供給する第２の原料ガスがオゾンおよび酸素となる。なお、トリメチルアルミニウムの化学式はＡｌ（ＣＨ３）３である。また、他の材料液としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）などがある。また、第２の原料ガスとして、水を用いることができる。
【０３６１】
図１５は、成膜装置４０００に用いることができるＡＬＤ装置の異なる構成について説明する。なお、図１４（Ｂ）に示したＡＬＤ装置と同様の構成や、その機能については詳細な説明を省略する場合がある。
【０３６２】
図１５（Ａ）はプラズマＡＬＤ装置の一態様を示す模式図である。プラズマＡＬＤ装置４１００は、反応室４１２０と反応室４１２０上部に、プラズマ生成室４１１１が設けられている。反応室４１２０は、チャンバーと呼ぶことができる。または、反応室４１２０とプラズマ生成室４１１１を合わせてチャンバーと呼ぶことができる。反応室４１２０は、原料導入口４１２３と、原料排出口４１２４を有し、プラズマ生成室４１１１は、原料導入口４１３３を有する。また、プラズマ生成装置４１２８によりＲＦ等の高周波や、マイクロ波をプラズマ生成室４１１１に導入されたガスに印加し、プラズマ生成室４１１１内にプラズマ４１３１を生成することができる。マイクロ波を用いてプラズマ４１３１を生成する場合、代表的には周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波が用いられる。このようなマイクロ波を用いて生成されたプラズマをＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマと呼ぶ場合がある。また、反応室４１２０は、基板ホルダ４１２６を有し、その上に基板４１３０が配置される。原料導入口４１２３から導入された原料ガスは、反応室４１２０に設けられたヒータからの熱により分解され、基板４１３０上に堆積する。また、原料導入口４１３３から導入された原料ガスは、プラズマ生成装置４１２８によりプラズマ状態となる。プラズマ状態となった原料ガスは、基板４１３０表面に到達するまでに電子や他の分子と再結合し、ラジカル状態となり基板４１３０に到達する。このように、ラジカルを利用して成膜を行うＡＬＤ装置を、ラジカルＡＬＤ（Ｒａｄｉｃａｌ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＡＬＤ）装置と呼ぶ場合もある。また、プラズマＡＬＤ装置４１００では、プラズマ生成室４１１１を反応室４１２０の上部に設ける構成を示しているが、本実施の形態はこれに限定されない。プラズマ生成室４１１１を反応室４１２０の側面に隣接して設けてもよい。
【０３６３】
図１５（Ｂ）はプラズマＡＬＤ装置の一態様を示す模式図である。プラズマＡＬＤ装置４２００は、チャンバー４２２０を有している。チャンバー４２２０は、電極４２１３、原料排出口４２２４、基板ホルダ４２２６を有し、その上に基板４２３０が配置される。電極４２１３は、原料導入口４２２３と、導入された原料ガスをチャンバー４２２０内に供給するシャワーヘッド４２１４を有している。また、電極４２１３には、コンデンサ４２１７を介して高周波を印加できる電源４２１５が接続されている。基板ホルダ４２２６には、一定の電位、または高周波が印加される機構が設けられていてもよい。あるいは、基板ホルダ４２２６は、フローティングでもよいし、接地されていてもよい。電極４２１３、および基板ホルダ４２２６は、それぞれプラズマ４２３１を生成するための上部電極、および下部電極として機能する。原料導入口４２２３から導入された原料ガスは、チャンバー４２２０に設けられたヒータからの熱により分解され、基板４２３０上に堆積する。または、原料導入口４２２３から導入された原料ガスは、電極４２１３、および基板ホルダ４２２６の間でプラズマ状態となる。プラズマ状態となった原料ガスは、プラズマ４２３１と基板４２３０の間に生じる電位差（イオンシースともいう）により基板４２３０に入射する。
【０３６４】
図１５（Ｃ）は、図１５（Ｂ）とは異なるプラズマＡＬＤ装置の一態様を示す模式図である。プラズマＡＬＤ装置４３００は、チャンバー４３２０を有している。チャンバー４３２０は、電極４３１３、原料排出口４３２４、基板ホルダ４３２６を有し、その上に基板４３３０が配置される。電極４３１３は、原料導入口４３２３と、導入された原料ガスをチャンバー４３２０内に供給するシャワーヘッド４３１４を有している。また、電極４３１３には、コンデンサ４３１７を介して高周波を印加できる電源４３１５が接続されている。基板ホルダ４３２６には、一定の電位、または高周波が印加される機構が設けられていてもよい。あるいは、基板ホルダ４３２６は、フローティングでもよいし、接地されていてもよい。電極４３１３、および基板ホルダ４３２６は、それぞれプラズマ４３３１を生成するための上部電極、および下部電極として機能する。プラズマＡＬＤ装置４３００は、電極４３１３と基板ホルダ４３２６の間に、コンデンサ４３２２を介して高周波を印加できる電源４３２１が接続されたメッシュ４３１９を有している点で、プラズマＡＬＤ装置４２００と異なる。メッシュ４３１９を設けることで、基板４１３０からプラズマ４２３１を離すことができる。原料導入口４３２３から導入された原料ガスは、チャンバー４３２０に設けられたヒータからの熱により分解され、基板４３３０上に堆積する。または、原料導入口４３２３から導入された原料ガスは、電極４３１３、および基板ホルダ４３２６の間でプラズマ状態となる。プラズマ状態となった原料ガスは、メッシュ４３１９により電荷が除去され、ラジカルなどの電気的に中性な状態で基板４１３０に到達する。このため、イオンの入射やプラズマによる損傷が抑制された成膜を行うことができる。
【０３６５】
＜成膜シーケンス＞
図１６（Ａ）に、図１４（Ｂ）に示すＡＬＤ装置を用いた成膜シーケンスを示す。まず、チャンバー４０２０内の基板ホルダ４０２６に基板４０３０をセットする（Ｓ１０１）。次に、ヒータ４０２７の温度調節を行う（Ｓ１０２）。次に、基板４０３０の温度が基板面内で一様になるように基板４０３０を基板ホルダ４０２６上で保持する（Ｓ１０３）。次に、前述の第１ステップ乃至第４ステップにより、成膜を行う。すなわち、チャンバー４０２０に第１の原料ガス、および第２の原料ガスを交互に導入し、基板４０３０上に成膜を行う（Ｓ１０４）。また、Ｓ１０３とＳ１０４の間に、チャンバー４０２０内部を酸素雰囲気にする処理を行ってもよい。基板４０３０のセット、および保持後に、チャンバー４０２０内部を酸素雰囲気とすることで、基板４０３０および基板４０３０上に設けられた膜に酸素を添加できる場合がある。また、成膜前の基板４０３０および基板４０３０上に設けられた膜から水素を脱離できる場合がある。基板４０３０中、または膜中の水素が、基板４０３０中、または膜中に添加された酸素と反応し、水（Ｈ２Ｏ）となって基板４０３０、または膜から離脱する場合がある。
【０３６６】
図１６（Ｂ）は、上記成膜シーケンスの具体例を示している。上記Ｓ１０１乃至Ｓ１０３に従って、基板４０３０を基板ホルダ４０２６にセットし、ヒータ４０２７の温度調整、および基板４０３０の保持を行う。
【０３６７】
次に、第１の原料ガス、および第２の原料ガスを交互に導入し、基板４０３０上に成膜を行う（Ｓ１０４）。第１の原料ガス、および第２の原料ガスの導入は、それぞれパルス状に行われる。図１６（Ｂ）では、第１の原料ガス、および第２の原料ガスの導入をそれぞれＯＮで示し、原料ガスが導入されていない期間をＯＦＦで示している。第１の原料ガス、および第２の原料ガスが、いずれも導入されていない期間では、チャンバー４０２０内を排気する。チャンバー４０２０に第１の原料ガスを導入するパルス時間は、０．１秒以上１秒以下、好ましくは、０．１秒以上０．５秒以下とするのが好ましい。また、第１の原料ガスが導入されていない期間、すなわちチャンバー４０２０内を排気する時間は、１秒以上１５秒以下、好ましくは、１秒以上５秒以下とする。チャンバー４０２０に第２の原料ガスを導入するパルス時間は、０．１秒以上３０秒以下、好ましくは、０．３秒以上１５秒以下とするのが好ましい。また、第２の原料ガスが導入されていない期間、すなわちチャンバー４０２０内を排気する時間は、１秒以上１５秒以下、好ましくは、１秒以上５秒以下とする。
【０３６８】
成膜は、第１の原料ガスの導入（上記第１ステップ）、第１の原料ガスの排気（上記第２ステップ）、第２の原料ガスの導入（上記第３ステップ）、第２の原料ガスの排気（上記第４ステップ）を１サイクルとし、これを繰り返すことで、所望の膜厚を有する膜が形成される。
【０３６９】
また、Ｓ１０３とＳ１０４の間に、チャンバー４０２０内部を酸素雰囲気にする処理を行う場合、チャンバー４０２０に第２の原料ガスを導入してもよい。第２の原料ガスとして、酸化剤として機能する、オゾン（Ｏ３）、酸素（Ｏ２）、および水（Ｈ２Ｏ）から選ばれた一、または複数を導入するのが好ましい。本実施の形態では、第２の原料ガスとして、オゾン（Ｏ３）、および酸素（Ｏ２）を用いる。このとき、第２の原料ガスは、Ｓ１０４に示す方法と同様にパルス状に導入されることが好ましいが、本発明はこれに限らない。第２の原料ガスは、連続的に導入されてもよい。第２の原料ガスが導入されていない期間では、チャンバー４０２０内を排気する。チャンバー４０２０に第２の原料ガスを導入するパルス時間は、０．１秒以上３０秒以下、好ましくは、０．３秒以上１５秒以下とするのが好ましい。また、第２の原料ガスが導入されていない期間、すなわちチャンバー４０２０内を排気する時間は、１秒以上１５秒以下、好ましくは、１秒以上５秒以下とする。チャンバー４０２０に酸化剤などの第２の原料ガスを導入することで、基板４０３０、または基板４０３０上に設けられた膜は、酸化剤などの第２の原料ガスに曝される。
【０３７０】
なお、基板４０３０のセット（Ｓ１０１）後に、ヒータ４０２７の温度調節が不要な場合は省略してもよい。また、基板４０３０の保持（Ｓ１０３）後に、チャンバー４０２０内部を酸素雰囲気にする必要が無い場合は、省略してもよい。
【０３７１】
図１６（Ｃ）は、プリカーサを含む原料ガスを複数種類用いて成膜する場合のシーケンスの例を示す。図１６（Ｃ）では、プリカーサを含む原料ガスを、第１の原料ガス、第３の原料ガス、および第４の原料ガスとし、酸化剤を含む原料ガスを第２の原料ガスとしている。上記Ｓ１０１乃至Ｓ１０３に従って、基板４０３０を基板ホルダ４０２６にセットし、ヒータ４０２７の温度調整、および基板４０３０の保持を行う。
【０３７２】
次に、第１の原料ガス、第２の原料ガス、第３の原料ガス、第２の原料ガス、第４の原料ガス、および第２の原料ガスを順次導入して、基板４０３０上に成膜を行う（Ｓ１０４）。第１の原料ガス乃至第４の原料ガスの導入は、それぞれパルス状に行われる。図１６（Ｃ）では、第１の原料ガス乃至第４の原料ガスの導入をそれぞれＯＮで示し、原料ガスが導入されていない期間をＯＦＦで示している。第１の原料ガス乃至第４の原料ガスが、いずれも導入されていない期間では、チャンバー４０２０内を排気する。チャンバー４０２０に第１の原料ガス、第３の原料ガス、および第４の原料ガスを導入するパルス時間は、０．１秒以上１秒以下、好ましくは、０．１秒以上０．５秒以下とするのが好ましい。また、第１の原料ガス、第３の原料ガス、および第４の原料ガスが導入されていない期間、すなわちチャンバー４０２０内を排気する時間は、１秒以上１５秒以下、好ましくは、１秒以上５秒以下とする。チャンバー４０２０に第２の原料ガスを導入するパルス時間は、０．１秒以上３０秒以下、好ましくは、０．３秒以上１５秒以下とするのが好ましい。また、第２の原料ガスが導入されていない期間、すなわちチャンバー４０２０内を排気する時間は、１秒以上１５秒以下、好ましくは、１秒以上５秒以下とする。
【０３７３】
成膜は、第１の原料ガスの導入、第１の原料ガスの排気、第２の原料ガスの導入、第２の原料ガスの排気、第３の原料ガスの導入、第３の原料ガスの排気、第２の原料ガスの導入、第２の原料ガスの排気、第４の原料ガスの導入、第４の原料ガスの排気、第２の原料ガスの導入、第２の原料ガスの排気を１サイクルとし、これを繰り返すことで、所望の膜厚を有する膜が形成される。
【０３７４】
例えば、第１の原料ガスがインジウムを含むプリカーサを含み、第３の原料ガスがガリウムを含むプリカーサを含み、第４の原料ガスが亜鉛を含むプリカーサを含む場合、図１６（Ｃ）に示すシーケンスによりＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を形成することができる。
【０３７５】
なお、図１６（Ｃ）に示すシーケンスにおいて、第１の原料ガス、第３の原料ガス、および第４の原料ガスの導入順序は、これに限定されない。また、１サイクル中の第１の原料ガス、第３の原料ガス、および第４の原料ガスの導入回数は１回とは限らない。ある原料ガスを、１サイクル中に複数回導入することで、その原料ガスに含まれる金属元素の濃度が高い膜を形成することができる。すなわち、それぞれのガスの導入回数を変えることで、形成される膜の原子数比を制御することができる。また、第１の原料ガス、第３の原料ガス、および第４の原料ガス、あるいはこれら原料ガスから選ばれた２種類の原料ガスを同時にチャンバー４０２０に導入してもよい。
【０３７６】
本実施の形態は、他の実施の形態および実施例などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０３７７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図１８乃至図２３を用いて説明する。
【０３７８】
［記憶装置１］
本発明の一態様である容量素子を使用した、半導体装置（記憶装置）の一例を図１８に示す。本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子１００はトランジスタ２００の上方に設けられている。容量素子１００、またはトランジスタ３００は、少なくとも一部がトランジスタ２００と重畳することが好ましい。これにより、容量素子１００、トランジスタ２００、およびトランジスタ３００の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）またはＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）に代表されるロジック回路、あるいはＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）またはＮＶＭ（Ｎｏｎ−Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｍｅｍｏｒｙ）に代表されるメモリ回路に適用することができる。
【０３７９】
なお、トランジスタ２００として、先の実施の形態で説明したトランジスタ２００を用いることができる。よって、トランジスタ２００、およびトランジスタ２００を含む層については、先の実施の形態の記載を参酌することができる。
【０３８０】
トランジスタ２００は、酸化物半導体を有する半導体層にチャネルが形成されるトランジスタである。トランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、これを記憶装置に用いることにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ないため、記憶装置の消費電力を十分に低減することができる。また、半導体層にシリコンを用いるトランジスタと比較して、トランジスタ２００は、高温における電気特性が良好である。例えば、トランジスタ２００は、１２５℃乃至１５０℃の温度範囲においても良好な電気特性を示す。また、１２５℃乃至１５０℃の温度範囲において、トランジスタ２００は、トランジスタのオン／オフ比が１０桁以上を有する。別言すると、半導体層にシリコンを用いるトランジスタと比較して、トランジスタ２００は、トランジスタ特性の一例であるオン電流、周波数特性などが高温になるほど優れた特性を有する。
【０３８１】
図１８に示す半導体装置において、配線１００１はトランジスタ３００のソースと電気的に接続され、配線１００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続され、配線１００７はトランジスタ３００のゲートと電気的に接続されている。また、配線１００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線１００４はトランジスタ２００の第１のゲートと電気的に接続され、配線１００６はトランジスタ２００の第２のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線１００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。
【０３８２】
図１８に示す半導体装置は、トランジスタ２００のスイッチングによって、容量素子１００の電極の一方に充電された電荷が保持可能という特性を有することで、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。また、トランジスタ２００は、ソース、第１のゲート、ドレインに加え、第２のゲートが設けられた素子である。すなわち、４端子素子であるため、ＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）特性を利用したＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ  ｍｅｍｏｒｙ）などに代表される２端子素子と比較して、入出力の独立制御が簡便に行うことができるといった特徴を有する。また、ＭＲＡＭ、ＲｅＲＡＭ、相変化メモリは、情報の書き換えの際に、原子レベルで構造変化が生じる場合がある。一方で図１８に示す半導体装置は、情報の書き換えの際にトランジスタ及び容量素子を利用した電子のチャージ、またはディスチャージにより動作するため、繰り返し書き換え耐性に優れ、構造変化も少ないといった特徴を有する。
【０３８３】
また、図１８に示す半導体装置は、マトリクス状に配置することで、メモリセルアレイを構成することができる。この場合、トランジスタ３００は、当該メモリセルアレイに接続される読み出し回路、または駆動回路などとして用いることができる。また、図１８に示す半導体装置は、上述のようにメモリセルアレイを構成している。図１８に示す半導体装置をメモリ素子として用いた場合、例えば、駆動電圧が２．５Ｖ、評価環境温度が−４０℃乃至８５℃の範囲において、２００ＭＨｚ以上の動作周波数を実現することができる。
【０３８４】
＜トランジスタ３００＞
トランジスタ３００は、基板３１１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電体３１６、ゲート絶縁体として機能する絶縁体３１５、基板３１１の一部からなる半導体領域３１３、ならびにソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂを有する。
【０３８５】
ここで、半導体領域３１３の上に絶縁体３１５が配置され、絶縁体３１５の上に導電体３１６が配置される。また、同じ層に形成されるトランジスタ３００は、素子分離絶縁層として機能する絶縁体３１２によって、電気的に分離されている。絶縁体３１２は、後述する絶縁体３２６などと同様の絶縁体を用いることができる。トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。
【０３８６】
基板３１１は、半導体領域３１３のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、またはドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。
【０３８７】
低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂは、半導体領域３１３に適用される半導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含む。
【０３８８】
ゲート電極として機能する導電体３１６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。
【０３８９】
なお、導電体の材料により、仕事関数が定まるため、導電体の材料を変更することで、しきい値電圧を調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。
【０３９０】
ここで、図１８に示すトランジスタ３００はチャネルが形成される半導体領域３１３（基板３１１の一部）が凸形状を有する。また、半導体領域３１３の側面および上面を、絶縁体３１５を介して、導電体３１６が覆うように設けられている。このようなトランジスタ３００は半導体基板の凸部を利用していることからＦＩＮ型トランジスタとも呼ばれる。なお、凸部の上部に接して、凸部を形成するためのマスクとして機能する絶縁体を有していてもよい。また、ここでは半導体基板の一部を加工して凸部を形成する場合を示したが、ＳＯＩ基板を加工して凸形状を有する半導体膜を形成してもよい。
【０３９１】
なお、図１８に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
【０３９２】
また、図１８に示すように半導体装置は、トランジスタ３００と、トランジスタ２００とを、積層して設けている。例えば、トランジスタ３００をシリコン系半導体材料で形成し、トランジスタ２００を酸化物半導体で形成することができる。このように、図１８に示す半導体装置は、シリコン系半導体材料と、酸化物半導体とを、異なるレイヤーに混載して形成することが可能である。また、図１８に示す半導体装置は、シリコン系半導体材料で用いる製造装置と同様のプロセスで作製することが可能であり、高集積化することも可能である。
【０３９３】
＜容量素子＞
容量素子１００は、絶縁体１６０上の絶縁体１１４と、絶縁体１１４上の絶縁体１４０と、絶縁体１１４および絶縁体１４０に形成された開口の中に配置された導電体１１０と、導電体１１０および絶縁体１４０上の絶縁体１３０と、絶縁体１３０上の導電体１２０と、導電体１２０および絶縁体１３０上の絶縁体１５０と、を有する。ここで、絶縁体１１４および絶縁体１４０に形成された開口の中に導電体１１０、絶縁体１３０、および導電体１２０の少なくとも一部が配置される。
【０３９４】
導電体１１０は容量素子１００の下部電極として機能し、導電体１２０は容量素子１００の上部電極として機能し、絶縁体１３０は、容量素子１００の誘電体として機能する。容量素子１００は、絶縁体１１４および絶縁体１４０の開口において、底面だけでなく、側面においても上部電極と下部電極とが誘電体を挟んで対向する構成となっており、単位面積当たりの静電容量を大きくすることができる。よって、当該開口の深さを深くするほど、容量素子１００の静電容量を大きくすることができる。このように容量素子１００の単位面積当たりの静電容量を大きくすることにより、半導体装置の微細化または高集積化を推し進めることができる。
【０３９５】
絶縁体１１４、および絶縁体１５０は、絶縁体２８０に用いることができる絶縁体を用いればよい。また、絶縁体１４０は、絶縁体１１４の開口を形成するときのエッチングストッパとして機能することが好ましく、絶縁体２１２に用いることができる絶縁体を用いればよい。
【０３９６】
絶縁体１１４および絶縁体１４０に形成された開口を上面から見た形状は、四角形としてもよいし、四角形以外の多角形状としてもよいし、多角形状において角部を湾曲させた形状としてもよいし、楕円を含む円形状としてもよい。ここで、上面視において、当該開口とトランジスタ２００の重なる面積が多い方が好ましい。このような構成にすることにより、容量素子１００とトランジスタ２００を有する半導体装置の占有面積を低減することができる。
【０３９７】
導電体１１０は、絶縁体１４０、および絶縁体１１４に形成された開口に接して配置される。導電体１１０の上面は、絶縁体１４０の上面と略一致することが好ましい。また、導電体１１０の下面には、絶縁体１６０上に設けられた導電体１５２が接する。導電体１１０は、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法などを用いて成膜することが好ましく、例えば、導電体２０５に用いることができる導電体を用いればよい。
【０３９８】
絶縁体１３０は、導電体１１０および絶縁体１４０を覆うように配置される。例えば、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法などを用いて絶縁体１３０を成膜することが好ましい。絶縁体１３０は、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化酸化ハフニウム、窒化ハフニウムなどを用いればよく、積層または単層で設けることができる。例えば、絶縁体１３０として、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムの順番で積層された絶縁膜を用いることができる。
【０３９９】
また、絶縁体１３０には、酸化窒化シリコンなどの絶縁耐力が大きい材料、または高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料を用いることが好ましい。または、絶縁耐力が大きい材料と高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料の積層構造を用いてもよい。
【０４００】
なお、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）材料（高い比誘電率の材料）の絶縁体としては、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。このようなｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、絶縁体１３０を厚くしても容量素子１００の静電容量を十分確保することができる。絶縁体１３０を厚くすることにより、導電体１１０と導電体１２０の間に生じるリーク電流を抑制することができる。
【０４０１】
一方、絶縁耐力が大きい材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、樹脂などがある。例えば、ＡＬＤ法を用いて成膜した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、プラズマＡＬＤ法を用いて成膜した酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、ＡＬＤ法を用いて成膜した窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の順番で積層された絶縁膜を用いることができる。このような、絶縁耐力が大きい絶縁体を用いることで、絶縁耐力が向上し、容量素子１００の静電破壊を抑制することができる。
【０４０２】
また、絶縁体１３０に、先の実施の形態で説明した第１のゲート絶縁体、または第２のゲート絶縁体と同様の構造を用いてもよい。
【０４０３】
具体的には、酸化物２３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる場合、絶縁体１３０としてガリウム酸化物、またはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の中で酸化物２３０ｂよりも絶縁性が高い材料を含むことが好ましい。絶縁体１３０を構成する元素と、酸化物２３０を構成する元素が共通であるため、万が一、絶縁体１３０を構成する元素が、酸化物２３０へと拡散したとしても、酸化物２３０の低抵抗化の要因とならない。
【０４０４】
特に、酸化ガリウムは、窒化シリコンよりも誘電率が高い高誘電率絶縁材料であり、いわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料である。半導体装置の微細化、および高集積化が進むと、誘電体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。誘電体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保持したまま、誘電体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。
【０４０５】
また、絶縁体１３０は、絶縁体１１４などに形成された開口の底部および側面に形成される。また、誘電体として機能する絶縁体１３０の膜厚は、当該開口の底部、および属面で均一であることが好ましい。ＡＬＤ法は、段差や凹凸を有する構造体に対して被覆性に優れた成膜方法である。よって、絶縁体１３０をＡＬＤ法によって成膜することで、当該開口の底部、および側面で絶縁体１３０の膜厚を均一にすることができる。
【０４０６】
導電体１２０は、絶縁体１４０および絶縁体１１４に形成された開口を埋めるように配置される。また、導電体１２０は、導電体１１２、および導電体１５３を介して配線１００５と電気的に接続している。導電体１２０は、ＡＬＤ法またはＣＶＤ法などを用いて成膜することが好ましく、例えば、導電体２０５に用いることができる導電体を用いればよい。
【０４０７】
また、トランジスタ２００は、酸化物半導体を用いる構成であるため、容量素子１００との相性が優れている。具体的には、酸化物半導体を用いるトランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、容量素子１００と組み合わせて用いることで長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。
【０４０８】
＜配線層＞
各構造体の間には、層間膜、配線、およびプラグ等が設けられた配線層が設けられていてもよい。また、配線層は、設計に応じて複数層設けることができる。ここで、プラグまたは配線として機能する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
【０４０９】
例えば、トランジスタ３００上には、層間膜として、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６が順に積層して設けられている。また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６には、端子として機能する導電体１５３と電気的に接続する導電体３２８、および導電体３３０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、および導電体３３０はプラグ、または配線として機能する。
【０４１０】
また、層間膜として機能する絶縁体は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ）法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
【０４１１】
絶縁体３２６、および導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１８において、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４には、導電体３５６が形成されている。導電体３５６は、プラグ、または配線として機能する。
【０４１２】
絶縁体３５４、および導電体３５６上には、絶縁体３６０、絶縁体３６２、絶縁体２１２、および絶縁体２１６が順に積層して設けられている。また、絶縁体３６０、絶縁体３６２、絶縁体２１２、および絶縁体２１６には、導電体３６６、及びトランジスタ２００を構成する導電体（導電体２０５）等が埋め込まれている。なお、導電体３６６は、トランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。
【０４１３】
また、絶縁体１１４、絶縁体１４０、絶縁体１３０、絶縁体１５０、および絶縁体１５４には、導電体１１２、および容量素子１００を構成する導電体（導電体１２０、導電体１１０）等が埋め込まれている。なお、導電体１１２は、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と、端子として機能する導電体１５３と、を電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。
【０４１４】
また、絶縁体１５４上に導電体１５３が設けられ、導電体１５３は、絶縁体１５６に覆われている。ここで、導電体１５３は導電体１１２の上面に接しており、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００の端子として機能する。
【０４１５】
なお、層間膜として用いることができる絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。例えば、層間膜として機能する絶縁体は、比誘電率が低い材料を用いることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応じて、材料を選択するとよい。
【０４１６】
例えば、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２６、絶縁体３５２、絶縁体３５４、絶縁体３６２、絶縁体１１４、絶縁体１５０、絶縁体１５６等は、比誘電率の低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、当該絶縁体は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、樹脂などを有することが好ましい。または、当該絶縁体は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコンまたは空孔を有する酸化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリルなどがある。
【０４１７】
また、導電体１５２または導電体１５３の上または下に設けられる絶縁体の抵抗率が１．０×１０１２Ωｃｍ以上１．０×１０１５Ωｃｍ以下、好ましくは５．０×１０１２Ωｃｍ以上１．０×１０１４Ωｃｍ以下、より好ましくは１．０×１０１３Ωｃｍ以上５．０×１０１３Ωｃｍ以下であることが好ましい。導電体１５２または導電体１５３の上または下に設けられる絶縁体の抵抗率を上記の範囲にすることで、当該絶縁体は、絶縁性を維持しつつ、トランジスタ２００、トランジスタ３００、容量素子１００、および導電体１５２等の配線間に蓄積される電荷を分散し、該電荷によるトランジスタ、該トランジスタを有する半導体装置の特性不良や静電破壊を抑制することができ、好ましい。このような絶縁体として、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンを用いることができる。例えば、絶縁体１６０または絶縁体１５４の抵抗率を上記の範囲にすればよい。
【０４１８】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。従って、絶縁体３２４、絶縁体３５０、絶縁体３６０等には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。
【０４１９】
水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることができる。
【０４２０】
配線、プラグに用いることができる導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウムなどから選ばれた金属元素を１種以上含む材料を用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
【０４２１】
例えば、導電体３２８、導電体３３０、導電体３５６、導電体３６６、導電体１１２、導電体１５２、導電体１５３等としては、上記の材料で形成される金属材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層または積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
【０４２２】
＜酸化物半導体が設けられた層の配線、またはプラグ＞
なお、トランジスタ２００に、酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体の近傍に過剰酸素領域を有する絶縁体が設けられることがある。その場合、該過剰酸素領域を有する絶縁体と、該過剰酸素領域を有する絶縁体近傍に設ける導電体との間に、バリア性を有する絶縁体を設けることが好ましい。
【０４２３】
例えば、図１８では、過剰酸素を有する絶縁体２８０（絶縁体２８０ａおよび絶縁体２８０ｂ）と、導電体２４６との間に、絶縁体２７８を設けるとよい。また、絶縁体２７８と、絶縁体２７４とが接して設けるとよい。導電体２４６、およびトランジスタ２００が、バリア性を有する絶縁体２７８よび絶縁体２７４によって、封止される構造とすることができる。
【０４２４】
つまり、絶縁体２７８を設けることで、絶縁体２８０が有する過剰酸素が、導電体２４６に吸収されることを抑制することができる。また、絶縁体２７８を有することで、不純物である水素が、導電体２４６を介して、トランジスタ２００へ拡散することを抑制することができる。
【０４２５】
ここで、導電体２４６は、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。
【０４２６】
以上が構成例についての説明である。本構成を用いることで、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置を微細化または高集積化させることができる。または、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。または、オン電流が大きい酸化物半導体を有するトランジスタを提供することができる。または、オフ電流が小さい酸化物半導体を有するトランジスタを提供することができる。または、消費電力が低減された半導体装置を提供することができる。
【０４２７】
なお、図１８において、容量素子１００をトランジスタ２００の上に設ける例について示しが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、図１９に示すように、隣接するメモリセルにおいて、容量素子１００ａがトランジスタ２００ａの上に配置され、容量素子１００ｂがトランジスタ２００ｂの下に配置される構成にしてもよい。
【０４２８】
図１９に示す記憶装置において、配線１００１はトランジスタ３００のソースと電気的に接続され、配線１００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続されている。また、配線１００３ａはトランジスタ２００ａのソースおよびドレインの一方と電気的に接続されている。また、トランジスタ２００ａのソースおよびドレインの他方は、容量素子１００ａの電極の一方と電気的に接続され、配線１００５ａは容量素子１００ａの電極の他方と電気的に接続されている。また、配線１００３ｂはトランジスタ２００ｂのソースおよびドレインの一方と電気的に接続されている。また、トランジスタ２００ｂのソースおよびドレインの他方は、容量素子１００ｂの電極の一方と電気的に接続され、配線１００５ｂは容量素子１００ｂの電極の他方と電気的に接続されている。
【０４２９】
図１９では、互いに隣接するメモリセルに含まれる、トランジスタ２００ａおよび容量素子１００ａと、トランジスタ２００ｂおよび容量素子１００ｂと、を示す。トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂは、トランジスタ２００と同様の構成を有する。なお、トランジスタ２００ｂは、導電体２４０ｃが、開口２４８を介して、導電体２４７の上面の少なくとも一部と接する点が、トランジスタ２００と異なる。以下では、トランジスタ２００と異なる点について説明する。
【０４３０】
トランジスタ２００ｂは、導電体２４０ｄと、開口２４８と、開口２４８の内部に配置された導電体２４０ｃを有する。また、導電体２４０ｃは、開口２４８を介して、導電体２４７の上面の少なくとも一部と接している。導電体２４０ｃと導電体２４７が接続することで、トランジスタ２００ｂのソースおよびドレインの他方と導電体２４７との間の電気抵抗を低減することができる。
【０４３１】
導電体２４７は、絶縁体１５０、絶縁体３６２、絶縁体２１２、絶縁体２１４および絶縁体２１６に形成された開口の中に配置されている。導電体２４７の上面の少なくとも一部は、絶縁体２１６から露出しており、導電体２４７の上面と絶縁体２１６の上面がほぼ一致することが好ましい。
【０４３２】
ここで、導電体２４７は、絶縁体３６２より下層に設けられた容量素子１００ｂの電極の一方と電気的に接続するためのプラグとして機能する。なお、導電体２４７は、絶縁体３６２より下層に設けられたトランジスタのゲートと電気的に接続する構成にしてもよいし、絶縁体３６２より下層に設けられた配線と電気的に接続する構成にしてもよい。なお、導電体２４７は延伸させて、配線としても機能してもよい。
【０４３３】
また、絶縁体２２２、絶縁体２２４、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂには、導電体２４７の少なくとも一部を露出する開口２４８が形成されている。
【０４３４】
また、図１９においては、導電体２４０ｃの下に導電体２４７を設ける構成にしたが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４０ｄの下に導電体２４７を設ける構成にしてもよいし、導電体２４０ｃと導電体２４０ｄの両方の下に導電体２４７を設ける構成にしてもよい。
【０４３５】
また、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂは、容量素子１００と同様の構成を有する。つまり、容量素子１００ａは、導電体１１０ａ、絶縁体１３０ａ、および導電体１２０ａを有し、容量素子１００ｂは、導電体１１０ｂ、絶縁体１３０ｂ、および導電体１２０ｂを有する。導電体１１０ａおよび導電体１１０ｂは、導電体１１０と同様の構成を有する。絶縁体１３０ａおよび絶縁体１３０ｂは、絶縁体１３０と同様の構成を有する。導電体１２０ａおよび導電体１２０ｂは、導電体１２０と同様の構成を有する。
【０４３６】
ここで、容量素子１００ａは、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂと重畳することが好ましく、例えば、容量素子１００ａは、トランジスタ２００ａのチャネル形成領域、およびトランジスタ２００ｂのチャネル形成領域と重なることが好ましい。また、容量素子１００ｂは、トランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂと重畳することが好ましく、例えば、容量素子１００ｂは、トランジスタ２００ａのチャネル形成領域、およびトランジスタ２００ｂのチャネル形成領域と重なることが好ましい。
【０４３７】
このように、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂを配置することで、容量素子１００ａ、容量素子１００ｂ、トランジスタ２００ａ、およびトランジスタ２００ｂの上面視における占有面積を増加させずに、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂの静電容量を大きくすることができる。よって、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。
【０４３８】
また、図２０に示すように、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂを設ける開口を複数設けてもよい。ここで、導電体１１０ａは、各開口で分離して設けてもよい。同様に、導電体１１０ｂは、各開口で分離して設けてもよい。これにより、各開口の側面において、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂを形成することができる。よって、図２０に示す容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂは、図１９に示す容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂと同程度の占有面積で、より静電容量を大きくすることができる。
【０４３９】
なお、図１９および図２０において、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂを、それぞれトランジスタ２００ａおよびトランジスタ２００ｂの上下に設ける例について示したが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、容量素子１００ａおよびトランジスタ２００ａを設けず、容量素子１００ｂおよびトランジスタ２００ｂを設ける構成にしてもよい。なお、容量素子１００ｂ、またはトランジスタ３００は、少なくとも一部がトランジスタ２００ｂと重畳することが好ましい。これにより、容量素子１００ｂ、トランジスタ２００ｂ、およびトランジスタ３００の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。
【０４４０】
なお、上記の容量素子１００ｂは作製工程において、７００℃を超える高温の熱処理が必要となる場合がある。このような高温の熱処理を、トランジスタ２００ｂの形成後に行うと、水素または水等の不純物、あるいは酸素の拡散によって、酸化物２３０が影響を受け、トランジスタ２００ｂの電気特性が劣化する恐れがある。
【０４４１】
しかしながら、本変形例に示すように、容量素子１００ｂの上にトランジスタ２００ｂを形成することにより、容量素子１００ｂの作製工程における熱履歴はトランジスタ２００ｂに影響しない。これにより、トランジスタ２００ｂの電気特性の劣化を防ぎ、安定した電気特性を有する半導体装置を提供することができる。
【０４４２】
［記憶装置２］
本発明の一態様である半導体装置を使用した、半導体装置（記憶装置）の一例を図２１に示す。図２１に示す半導体装置は、図１８で示した半導体装置と同様に、トランジスタ２００、トランジスタ３００、および容量素子１００を有する。ただし、図２１に示す半導体装置は、容量素子１００がプレーナ型である点、およびトランジスタ２００とトランジスタ３００が電気的に接続されている点において、図１８に示す半導体装置と異なる。
【０４４３】
本発明の一態様の半導体装置は、トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子１００はトランジスタ３００、およびトランジスタ２００の上方に設けられている。容量素子１００、またはトランジスタ３００は、少なくとも一部がトランジスタ２００と重畳することが好ましい。これにより、容量素子１００、トランジスタ２００、およびトランジスタ３００の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。
【０４４４】
なお、トランジスタ２００およびトランジスタ３００として、上記のトランジスタ２００およびトランジスタ３００を用いることができる。よって、トランジスタ２００、トランジスタ３００、およびこれらを含む層については、上記の記載を参酌することができる。
【０４４５】
図２１に示す半導体装置において、配線２００１はトランジスタ３００のソースと電気的に接続され、配線２００２はトランジスタ３００のドレインと電気的に接続されている。また、配線２００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線２００４はトランジスタ２００の第１のゲートと電気的に接続され、配線２００６はトランジスタ２００の第２のゲートと電気的に接続されている。そして、トランジスタ３００のゲート、およびトランジスタ２００のソースおよびドレインの他方は、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続され、配線２００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。なお、以下において、トランジスタ３００のゲートと、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方と、容量素子１００の電極の一方と、が接続されたノードをノードＦＧと呼ぶ場合がある。
【０４４６】
図２１に示す半導体装置は、トランジスタ２００のスイッチングによって、トランジスタ３００のゲート（ノードＦＧ）の電位が保持可能という特性を有することで、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【０４４７】
また、図２１に示す半導体装置は、マトリクス状に配置することで、メモリセルアレイを構成することができる。
【０４４８】
トランジスタ３００を含む層は、図１８に示す半導体装置と同様の構造を有するので、絶縁体３５４より下の構造は、上記の記載を参酌することができる。
【０４４９】
絶縁体３５４の上に、絶縁体３６０、絶縁体３６２、絶縁体２１２、絶縁体２１４および絶縁体２１６が配置される。ここで、絶縁体３６０は、絶縁体３５０などと同様に、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体を用いればよい。
【０４５０】
絶縁体３６０、絶縁体３６２、絶縁体２１２、絶縁体２１４および絶縁体２１６には、導電体３６６が埋め込まれている。導電体３６６は、容量素子１００、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。例えば、導電体３６６は、トランジスタ３００のゲート電極として機能する導電体３１６と電気的に接続されている。
【０４５１】
また、導電体２４６は、トランジスタ２００、またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線として機能する。例えば、導電体２４６は、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方として機能する導電体２４６ｂと、容量素子１００の電極の一方として機能する導電体１１０を、導電体２４６を介して電気的に接続している。
【０４５２】
また、プレーナ型の容量素子１００は、トランジスタ２００の上方に設けられる。容量素子１００は、第１の電極として機能する導電体１１０、第２の電極として機能する導電体１２０、および誘電体として機能する絶縁体１３０を有する。なお、導電体１１０、導電体１２０、および絶縁体１３０は、上述の記憶装置１で記載したものを用いることができる。
【０４５３】
導電体２４６の上面に接して導電体１５３および導電体１１０が設けられる。導電体１５３は、導電体２４６の上面に接しており、トランジスタ２００またはトランジスタ３００の端子として機能する。
【０４５４】
導電体１５３および導電体１１０は絶縁体１３０に覆われており、絶縁体１３０を介して導電体１１０と重なるように導電体１２０が配置される。さらに、導電体１２０、および絶縁体１３０上には、絶縁体１１４が配置されている。
【０４５５】
また、図２１において、容量素子１００として、プレーナ型の容量素子を用いる例について示したが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、図２２に示すように、容量素子１００として、図１８に示すようなシリンダ型の容量素子１００を用いてもよい。
【０４５６】
ここで、容量素子１００の詳細については、図１８に係る記載を参酌することができる。ただし、図２２に示すように、導電体２４６の上に導電体１５２を配置し、導電体１５２の上に導電体１１２を配置する構成が好ましい。このような構成にすることで、導電体２４６と導電体１１２の電気的な接続をより確実にすることができる。
【０４５７】
また、絶縁体１５０の上に絶縁体１５４を配置することが好ましい。絶縁体１５４は、絶縁体１６０に用いることができる絶縁体を用いればよい。また、導電体１１２の上面に接して導電体１５３が設けられる。導電体１５３は、導電体１１２の上面に接しており、容量素子１００、トランジスタ２００またはトランジスタ３００の端子として機能する。さらに、導電体１５３、および絶縁体１５４上には、絶縁体１５６が配置されている。
【０４５８】
また、図２２において、トランジスタ３００のゲートが、容量素子１００の電極の一方を介して、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方と電気的に接続されている例について示したが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、図２３に示すように、トランジスタ３００のゲートが、トランジスタ２００のソースおよびドレインの他方を介して、容量素子１００の電極の一方と電気的に接続してもよい。これにより、容量素子１００、トランジスタ２００、およびトランジスタ３００の上面視における占有面積を低減することができるので、本実施の形態に係る半導体装置を微細化または高集積化させることができる。
【０４５９】
本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０４６０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図２４および図２５を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導体に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと呼ぶ場合がある。）、および容量素子が適用されている記憶装置（以下、ＯＳメモリ装置と呼ぶ場合がある。）について説明する。ＯＳメモリ装置は、少なくとも容量素子と、容量素子の充放電を制御するＯＳトランジスタを有する記憶装置である。ＯＳトランジスタのオフ電流は極めて小さいので、ＯＳメモリ装置は優れた保持特性をもち、不揮発性メモリとして機能させることができる。
【０４６１】
＜記憶装置の構成例＞
図２４（Ａ）にＯＳメモリ装置の構成の一例を示す。記憶装置１４００は、周辺回路１４１１、およびメモリセルアレイ１４７０を有する。周辺回路１４１１は、行回路１４２０、列回路１４３０、出力回路１４４０、およびコントロールロジック回路１４６０を有する。
【０４６２】
列回路１４３０は、例えば、列デコーダ、プリチャージ回路、センスアンプ、書き込み回路等を有する。プリチャージ回路は、配線をプリチャージする機能を有する。センスアンプは、メモリセルから読み出されたデータ信号を増幅する機能を有する。なお、上記配線は、メモリセルアレイ１４７０が有するメモリセルに接続されている配線であり、詳しくは後述する。増幅されたデータ信号は、出力回路１４４０を介して、データ信号ＲＤＡＴＡとして記憶装置１４００の外部に出力される。また、行回路１４２０は、例えば、行デコーダ、ワード線ドライバ回路等を有し、アクセスする行を選択することができる。
【０４６３】
記憶装置１４００には、外部から電源電圧として低電源電圧（ＶＳＳ）、周辺回路１４１１用の高電源電圧（ＶＤＤ）、メモリセルアレイ１４７０用の高電源電圧（ＶＩＬ）が供給される。また、記憶装置１４００には、制御信号（ＣＥ、ＷＥ、ＲＥ）、アドレス信号ＡＤＤＲ、データ信号ＷＤＡＴＡが外部から入力される。アドレス信号ＡＤＤＲは、行デコーダおよび列デコーダに入力され、ＷＤＡＴＡは書き込み回路に入力される。
【０４６４】
コントロールロジック回路１４６０は、外部からの入力信号（ＣＥ、ＷＥ、ＲＥ）を処理して、行デコーダ、列デコーダの制御信号を生成する。ＣＥは、チップイネーブル信号であり、ＷＥは、書き込みイネーブル信号であり、ＲＥは、読み出しイネーブル信号である。コントロールロジック回路１４６０が処理する信号は、これに限定されるものではなく、必要に応じて、他の制御信号を入力すればよい。
【０４６５】
メモリセルアレイ１４７０は、行列状に配置された、複数個のメモリセルＭＣと、複数の配線を有する。なお、メモリセルアレイ１４７０と行回路１４２０とを接続している配線の数は、メモリセルＭＣの構成、一列に有するメモリセルＭＣの数などによって決まる。また、メモリセルアレイ１４７０と列回路１４３０とを接続している配線の数は、メモリセルＭＣの構成、一行に有するメモリセルＭＣの数などによって決まる。
【０４６６】
なお、図２４（Ａ）において、周辺回路１４１１とメモリセルアレイ１４７０を同一平面上に形成する例について示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。例えば、図２４（Ｂ）に示すように、周辺回路１４１１の一部の上に、メモリセルアレイ１４７０が重なるように設けられてもよい。例えば、メモリセルアレイ１４７０の下に重なるように、センスアンプを設ける構成にしてもよい。
【０４６７】
図２５に上述のメモリセルＭＣに適用できるメモリセルの構成例について説明する。
【０４６８】
［ＤＯＳＲＡＭ］
図２５（Ａ）乃至（Ｃ）に、ＤＲＡＭのメモリセルの回路構成例を示す。本明細書等において、１ＯＳトランジスタ１容量素子型のメモリセルを用いたＤＲＡＭを、ＤＯＳＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と呼ぶ場合がある。図２５（Ａ）に示す、メモリセル１４７１は、トランジスタＭ１と、容量素子ＣＡと、を有する。なお、トランジスタＭ１は、ゲート（トップゲートと呼ぶ場合がある。）、及びバックゲートを有する。
【０４６９】
トランジスタＭ１の第１端子は、容量素子ＣＡの第１端子と接続され、トランジスタＭ１の第２端子は、配線ＢＩＬと接続され、トランジスタＭ１のゲートは、配線ＷＯＬと接続され、トランジスタＭ１のバックゲートは、配線ＢＧＬと接続されている。容量素子ＣＡの第２端子は、配線ＣＡＬと接続されている。
【０４７０】
配線ＢＩＬは、ビット線として機能し、配線ＷＯＬは、ワード線として機能する。配線ＣＡＬは、容量素子ＣＡの第２端子に所定の電位を印加するための配線として機能する。データの書き込み時、及び読み出し時において、配線ＣＡＬには、低レベル電位を印加するのが好ましい。配線ＢＧＬは、トランジスタＭ１のバックゲートに電位を印加するための配線として機能する。配線ＢＧＬに任意の電位を印加することによって、トランジスタＭ１のしきい値電圧を増減することができる。
【０４７１】
ここで、図２５（Ａ）に示すメモリセル１４７１は、図１８に示す記憶装置に対応している。つまり、トランジスタＭ１はトランジスタ２００に、容量素子ＣＡは容量素子１００に、配線ＢＩＬは配線１００３に、配線ＷＯＬは配線１００４に、配線ＢＧＬは配線１００６に、配線ＣＡＬは配線１００５に対応している。なお、図１８に記載のトランジスタ３００は、図２４（Ｂ）に示す記憶装置１４００の周辺回路１４１１に設けられるトランジスタに対応する。
【０４７２】
また、メモリセルＭＣは、メモリセル１４７１に限定されず、回路構成の変更を行うことができる。例えば、メモリセルＭＣは、図２５（Ｂ）に示すメモリセル１４７２のように、トランジスタＭ１のバックゲートが、配線ＢＧＬでなく、配線ＷＯＬと接続される構成にしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２５（Ｃ）に示すメモリセル１４７３ように、シングルゲート構造のトランジスタ、つまりバックゲートを有さないトランジスタＭ１で構成されたメモリセルとしてもよい。
【０４７３】
上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７１等に用いる場合、トランジスタＭ１としてトランジスタ２００を用い、容量素子ＣＡとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ１としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ１のリーク電流を非常に低くすることができる。つまり、書き込んだデータをトランジスタＭ１によって長時間保持することができるため、メモリセルのリフレッシュの頻度を少なくすることができる。また、メモリセルのリフレッシュ動作を不要にすることができる。また、リーク電流が非常に低いため、メモリセル１４７１、メモリセル１４７２、メモリセル１４７３に対して多値データ、又はアナログデータを保持することができる。
【０４７４】
また、ＤＯＳＲＡＭにおいて、上記のように、メモリセルアレイ１４７０の下に重なるように、センスアンプを設ける構成にすると、ビット線を短くすることができる。これにより、ビット線容量が小さくなり、メモリセルの保持容量を低減することができる。
【０４７５】
［ＮＯＳＲＡＭ］
図２５（Ｄ）乃至（Ｇ）に、２トランジスタ１容量素子のゲインセル型のメモリセルの回路構成例を示す。図２５（Ｄ）に示す、メモリセル１４７４は、トランジスタＭ２と、トランジスタＭ３と、容量素子ＣＢと、を有する。なお、トランジスタＭ２は、トップゲート（単にゲートと呼ぶ場合がある。）、及びバックゲートを有する。本明細書等において、トランジスタＭ２にＯＳトランジスタを用いたゲインセル型のメモリセルを有する記憶装置を、ＮＯＳＲＡＭ（Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ＲＡＭ）と呼ぶ場合がある。
【０４７６】
トランジスタＭ２の第１端子は、容量素子ＣＢの第１端子と接続され、トランジスタＭ２の第２端子は、配線ＷＢＬと接続され、トランジスタＭ２のゲートは、配線ＷＯＬと接続され、トランジスタＭ２のバックゲートは、配線ＢＧＬと接続されている。容量素子ＣＢの第２端子は、配線ＣＡＬと接続されている。トランジスタＭ３の第１端子は、配線ＲＢＬと接続され、トランジスタＭ３の第２端子は、配線ＳＬと接続され、トランジスタＭ３のゲートは、容量素子ＣＢの第１端子と接続されている。
【０４７７】
配線ＷＢＬは、書き込みビット線として機能し、配線ＲＢＬは、読み出しビット線として機能し、配線ＷＯＬは、ワード線として機能する。配線ＣＡＬは、容量素子ＣＢの第２端子に所定の電位を印加するための配線として機能する。データの書き込み時、データ保持の最中、データの読み出し時において、配線ＣＡＬには、低レベル電位を印加するのが好ましい。配線ＢＧＬは、トランジスタＭ２のバックゲートに電位を印加するための配線として機能する。配線ＢＧＬに任意の電位を印加することによって、トランジスタＭ２のしきい値電圧を増減することができる。
【０４７８】
ここで、図２５（Ｄ）に示すメモリセル１４７４は、図２１に示す記憶装置に対応している。つまり、トランジスタＭ２はトランジスタ２００に、容量素子ＣＢは容量素子１００に、トランジスタＭ３はトランジスタ３００に、配線ＷＢＬは配線２００３に、配線ＷＯＬは配線２００４に、配線ＢＧＬは配線２００６に、配線ＣＡＬは配線２００５に、配線ＲＢＬは配線２００２に、配線ＳＬは配線２００１に対応している。
【０４７９】
また、メモリセルＭＣは、メモリセル１４７４に限定されず、回路の構成を適宜変更することができる。例えば、メモリセルＭＣは、図２５（Ｅ）に示すメモリセル１４７５のように、トランジスタＭ２のバックゲートが、配線ＢＧＬでなく、配線ＷＯＬと接続される構成にしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２５（Ｆ）に示すメモリセル１４７６のように、シングルゲート構造のトランジスタ、つまりバックゲートを有さないトランジスタＭ２で構成されたメモリセルとしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２５（Ｇ）に示すメモリセル１４７７のように、配線ＷＢＬと配線ＲＢＬを一本の配線ＢＩＬとしてまとめた構成であってもよい。
【０４８０】
上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７４等に用いる場合、トランジスタＭ２としてトランジスタ２００を用い、トランジスタＭ３としてトランジスタ３００を用い、容量素子ＣＢとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ２としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ２のリーク電流を非常に低くすることができる。これにより、書き込んだデータをトランジスタＭ２によって長時間保持することができるため、メモリセルのリフレッシュの頻度を少なくすることができる。また、メモリセルのリフレッシュ動作を不要にすることができる。また、リーク電流が非常に低いため、メモリセル１４７４に多値データ、又はアナログデータを保持することができる。メモリセル１４７５乃至メモリセル１４７７も同様である。
【０４８１】
なお、トランジスタＭ３は、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタと呼ぶ場合がある）であってもよい。Ｓｉトランジスタの導電型は、ｎチャネル型としてもよいし、ｐチャネル型としてもよい。Ｓｉトランジスタは、ＯＳトランジスタよりも電界効果移動度が高くなる場合がある。よって、読み出しトランジスタとして機能するトランジスタＭ３として、Ｓｉトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタＭ３にＳｉトランジスタを用いることで、トランジスタＭ３の上に積層してトランジスタＭ２を設けることができるので、メモリセルの占有面積を低減し、記憶装置の高集積化を図ることができる。
【０４８２】
また、トランジスタＭ３はＯＳトランジスタであってもよい。トランジスタＭ２およびトランジスタＭ３にＯＳトランジスタを用いた場合、メモリセルアレイ１４７０をｎ型トランジスタのみを用いて回路を構成することができる。
【０４８３】
また、図２５（Ｈ）に３トランジスタ１容量素子のゲインセル型のメモリセルの一例を示す。図２５（Ｈ）に示すメモリセル１４７８は、トランジスタＭ４乃至トランジスタＭ６、および容量素子ＣＣを有する。容量素子ＣＣは適宜設けられる。メモリセル１４７８は、配線ＢＩＬ、配線ＲＷＬ、配線ＷＷＬ、配線ＢＧＬ、および配線ＧＮＤＬに電気的に接続されている。配線ＧＮＤＬは低レベル電位を与える配線である。なお、メモリセル１４７８を、配線ＢＩＬに代えて、配線ＲＢＬ、配線ＷＢＬに電気的に接続してもよい。
【０４８４】
トランジスタＭ４は、バックゲートを有するＯＳトランジスタであり、バックゲートは配線ＢＧＬに電気的に接続されている。なお、トランジスタＭ４のバックゲートとゲートとを互いに電気的に接続してもよい。あるいは、トランジスタＭ４はバックゲートを有さなくてもよい。
【０４８５】
なお、トランジスタＭ５、トランジスタＭ６はそれぞれ、ｎチャネル型Ｓｉトランジスタまたはｐチャネル型Ｓｉトランジスタでもよい。或いは、トランジスタＭ４乃至トランジスタＭ６がＯＳトランジスタでもよい、この場合、メモリセルアレイ１４７０をｎ型トランジスタのみを用いて回路を構成することができる。
【０４８６】
上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７８に用いる場合、トランジスタＭ４としてトランジスタ２００を用い、トランジスタＭ５、トランジスタＭ６としてトランジスタ３００を用い、容量素子ＣＣとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ４としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ４のリーク電流を非常に低くすることができる。
【０４８７】
なお、本実施の形態に示す、周辺回路１４１１、メモリセルアレイ１４７０等の構成は、上記に限定されるものではない。これらの回路、および当該回路に接続される配線、回路素子等の、配置または機能は、必要に応じて、変更、削除、または追加してもよい。
【０４８８】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態などに示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０４８９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図２６を用いて、本発明の半導体装置が実装されたチップ１２００の一例を示す。チップ１２００には、複数の回路（システム）が実装されている。このように、複数の回路（システム）を一つのチップに集積する技術を、システムオンチップ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｃｈｉｐ：ＳｏＣ）と呼ぶ場合がある。
【０４９０】
図２６（Ａ）に示すように、チップ１２００は、ＣＰＵ１２１１、ＧＰＵ１２１２、一または複数のアナログ演算部１２１３、一または複数のメモリコントローラ１２１４、一または複数のインターフェース１２１５、一または複数のネットワーク回路１２１６等を有する。
【０４９１】
チップ１２００には、バンプ（図示しない）が設けられ、図２６（Ｂ）に示すように、プリント基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ：ＰＣＢ）１２０１の第１の面と接続する。また、ＰＣＢ１２０１の第１の面の裏面には、複数のバンプ１２０２が設けられており、マザーボード１２０３と接続する。
【０４９２】
マザーボード１２０３には、ＤＲＡＭ１２２１、フラッシュメモリ１２２２等の記憶装置が設けられていてもよい。例えば、ＤＲＡＭ１２２１に先の実施の形態に示すＤＯＳＲＡＭを用いることができる。また、例えば、フラッシュメモリ１２２２に先の実施の形態に示すＮＯＳＲＡＭを用いることができる。
【０４９３】
ＣＰＵ１２１１は、複数のＣＰＵコアを有することが好ましい。また、ＧＰＵ１２１２は、複数のＧＰＵコアを有することが好ましい。また、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２は、それぞれ一時的にデータを格納するメモリを有していてもよい。または、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２に共通のメモリが、チップ１２００に設けられていてもよい。該メモリには、前述したＮＯＳＲＡＭや、ＤＯＳＲＡＭを用いることができる。また、ＧＰＵ１２１２は、多数のデータの並列計算に適しており、画像処理や積和演算に用いることができる。ＧＰＵ１２１２に、本発明の酸化物半導体を用いた画像処理回路や、積和演算回路を設けることで、画像処理、および積和演算を低消費電力で実行することが可能になる。
【０４９４】
また、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２が同一チップに設けられていることで、ＣＰＵ１２１１およびＧＰＵ１２１２間の配線を短くすることができ、ＣＰＵ１２１１からＧＰＵ１２１２へのデータ転送、ＣＰＵ１２１１、およびＧＰＵ１２１２が有するメモリ間のデータ転送、およびＧＰＵ１２１２での演算後に、ＧＰＵ１２１２からＣＰＵ１２１１への演算結果の転送を高速に行うことができる。
【０４９５】
アナログ演算部１２１３はＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換回路、およびＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換回路の一、または両方を有する。また、アナログ演算部１２１３に上記積和演算回路を設けてもよい。
【０４９６】
メモリコントローラ１２１４は、ＤＲＡＭ１２２１のコントローラとして機能する回路、およびフラッシュメモリ１２２２のインターフェースとして機能する回路を有する。
【０４９７】
インターフェース１２１５は、表示装置、スピーカー、マイクロフォン、カメラ、コントローラなどの外部接続機器とのインターフェース回路を有する。コントローラとは、マウス、キーボード、ゲーム用コントローラなどを含む。このようなインターフェースとして、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）、ＨＤＭＩ（登録商標）（Ｈｉｇｈ−Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）などを用いることができる。
【０４９８】
ネットワーク回路１２１６は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）などのネットワーク回路を有する。また、ネットワークセキュリティー用の回路を有してもよい。
【０４９９】
チップ１２００には、上記回路（システム）を同一の製造プロセスで形成することが可能である。そのため、チップ１２００に必要な回路の数が増えても、製造プロセスを増やす必要が無く、チップ１２００を低コストで作製することができる。
【０５００】
ＧＰＵ１２１２を有するチップ１２００が設けられたＰＣＢ１２０１、ＤＲＡＭ１２２１、およびフラッシュメモリ１２２２が設けられたマザーボード１２０３は、ＧＰＵモジュール１２０４と呼ぶことができる。
【０５０１】
ＧＰＵモジュール１２０４は、ＳｏＣ技術を用いたチップ１２００を有しているため、そのサイズを小さくすることができる。また、画像処理に優れていることから、スマートフォン、タブレット端末、ラップトップＰＣ、携帯型（持ち出し可能な）ゲーム機などの携帯型電子機器に用いることが好適である。また、ＧＰＵ１２１２を用いた積和演算回路により、ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ）、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ）、再帰型ニューラルネットワーク（ＲＮＮ）、自己符号化器、深層ボルツマンマシン（ＤＢＭ）、深層信念ネットワーク（ＤＢＮ）などの手法を実行することができるため、チップ１２００をＡＩチップ、またはＧＰＵモジュール１２０４をＡＩシステムモジュールとして用いることができる。
【０５０２】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態などに示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０５０３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、先の実施の形態に示す半導体装置を用いた記憶装置の応用例について説明する。先の実施の形態に示す半導体装置は、例えば、各種電子機器（例えば、情報端末、コンピュータ、スマートフォン、電子書籍端末、デジタルカメラ（ビデオカメラも含む）、録画再生装置、ナビゲーションシステムなど）の記憶装置に適用できる。なお、ここで、コンピュータとは、タブレット型のコンピュータ、ノート型のコンピュータ、デスクトップ型のコンピュータの他、サーバシステムのような大型のコンピュータを含むものである。または、先の実施の形態に示す半導体装置は、メモリカード（例えば、ＳＤカード）、ＵＳＢメモリ、ＳＳＤ（ソリッド・ステート・ドライブ）等の各種のリムーバブル記憶装置に適用される。図２７にリムーバブル記憶装置の幾つかの構成例を模式的に示す。例えば、先の実施の形態に示す半導体装置は、パッケージングされたメモリチップに加工され、様々なストレージ装置、リムーバブルメモリに用いられる。
【０５０４】
図２７（Ａ）はＵＳＢメモリの模式図である。ＵＳＢメモリ１１００は、筐体１１０１、キャップ１１０２、ＵＳＢコネクタ１１０３および基板１１０４を有する。基板１１０４は、筐体１１０１に収納されている。例えば、基板１１０４には、メモリチップ１１０５、コントローラチップ１１０６が取り付けられている。基板１１０４のメモリチップ１１０５などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
【０５０５】
図２７（Ｂ）はＳＤカードの外観の模式図であり、図２７（Ｃ）は、ＳＤカードの内部構造の模式図である。ＳＤカード１１１０は、筐体１１１１、コネクタ１１１２および基板１１１３を有する。基板１１１３は筐体１１１１に収納されている。例えば、基板１１１３には、メモリチップ１１１４、コントローラチップ１１１５が取り付けられている。基板１１１３の裏面側にもメモリチップ１１１４を設けることで、ＳＤカード１１１０の容量を増やすことができる。また、無線通信機能を備えた無線チップを基板１１１３に設けてもよい。これによって、ホスト装置とＳＤカード１１１０間の無線通信によって、メモリチップ１１１４のデータの読み出し、書き込みが可能となる。基板１１１３のメモリチップ１１１４などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
【０５０６】
図２７（Ｄ）はＳＳＤの外観の模式図であり、図２７（Ｅ）は、ＳＳＤの内部構造の模式図である。ＳＳＤ１１５０は、筐体１１５１、コネクタ１１５２および基板１１５３を有する。基板１１５３は筐体１１５１に収納されている。例えば、基板１１５３には、メモリチップ１１５４、メモリチップ１１５５、コントローラチップ１１５６が取り付けられている。メモリチップ１１５５はコントローラチップ１１５６のワークメモリであり、例えばＤＯＳＲＡＭチップを用いればよい。基板１１５３の裏面側にもメモリチップ１１５４を設けることで、ＳＳＤ１１５０の容量を増やすことができる。基板１１５３のメモリチップ１１５４などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
【０５０７】
本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０５０８】
（実施の形態７）
本発明の一態様に係る半導体装置は、ＣＰＵやＧＰＵなどのプロセッサ、またはチップに用いることができる。図２８に、本発明の一態様に係るＣＰＵやＧＰＵなどのプロセッサ、またはチップを備えた電子機器の具体例を示す。
【０５０９】
＜電子機器・システム＞
本発明の一態様に係るＧＰＵまたはチップは、様々な電子機器に搭載することができる。電子機器の例としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型またはノート型の情報端末用などのモニタ、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、パチンコ機などの大型ゲーム機、などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、電子ブックリーダー、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。また、本発明の一態様に係るＧＰＵまたはチップを電子機器に設けることにより、電子機器に人工知能を搭載することができる。
【０５１０】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０５１１】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０５１２】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。図２８に、電子機器の例を示す。
【０５１３】
［情報端末］
図２８（Ａ）には、情報端末の一種である携帯電話（スマートフォン）が図示されている。情報端末５１００は、筐体５１０１と、表示部５１０２と、を有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部５１０２に備えられ、ボタンが筐体５１０１に備えられている。
【０５１４】
情報端末５１００は、本発明の一態様のチップを適用することで、人工知能を利用したアプリケーションを実行することができる。人工知能を利用したアプリケーションとしては、例えば、会話を認識してその会話内容を表示部５１０２に表示するアプリケーション、表示部５１０２に備えるタッチパネルに対してユーザが入力した文字、図形などを認識して、表示部５１０２に表示するアプリケーション、指紋や声紋などの生体認証を行うアプリケーションなどが挙げられる。
【０５１５】
図２８（Ｂ）には、ノート型情報端末５２００が図示されている。ノート型情報端末５２００は、情報端末の本体５２０１と、表示部５２０２と、キーボード５２０３と、を有する。
【０５１６】
ノート型情報端末５２００は、先述した情報端末５１００と同様に、本発明の一態様のチップを適用することで、人工知能を利用したアプリケーションを実行することができる。人工知能を利用したアプリケーションとしては、例えば、設計支援ソフトウェア、文章添削ソフトウェア、献立自動生成ソフトウェアなどが挙げられる。また、ノート型情報端末５２００を用いることで、新規の人工知能の開発を行うことができる。
【０５１７】
なお、上述では、電子機器としてスマートフォン、およびノート型情報端末を例として、それぞれ図２８（Ａ）、図２８（Ｂ）に図示したが、スマートフォン、およびノート型情報端末以外の情報端末を適用することができる。スマートフォン、およびノート型情報端末以外の情報端末としては、例えば、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デスクトップ型情報端末、ワークステーションなどが挙げられる。
【０５１８】
［ゲーム機］
図２８（Ｃ）は、ゲーム機の一例である携帯ゲーム機５３００を示している。携帯ゲーム機５３００は、筐体５３０１、筐体５３０２、筐体５３０３、表示部５３０４、接続部５３０５、操作キー５３０６等を有する。筐体５３０２、および筐体５３０３は、筐体５３０１から取り外すことが可能である。筐体５３０１に設けられている接続部５３０５を別の筐体（図示せず）に取り付けることで、表示部５３０４に出力される映像を、別の映像機器（図示せず）に出力することができる。このとき、筐体５３０２、および筐体５３０３は、それぞれ操作部として機能することができる。これにより、複数のプレイヤーが同時にゲームを行うことができる。筐体５３０１、筐体５３０２、および筐体５３０３の基板に設けられているチップなどに先の実施の形態に示すチップを組み込むことができる。
【０５１９】
また、図２８（Ｄ）は、ゲーム機の一例である据え置き型ゲーム機５４００を示している。据え置き型ゲーム機５４００には、無線または有線でコントローラ５４０２が接続されている。
【０５２０】
携帯ゲーム機５３００、据え置き型ゲーム機５４００などのゲーム機に本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用することによって、低消費電力のゲーム機を実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、およびモジュールへの影響を少なくすることができる。
【０５２１】
更に、携帯ゲーム機５３００に本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用することによって、人工知能を有する携帯ゲーム機５３００を実現することができる。
【０５２２】
本来、ゲームの進行、ゲーム上に登場する生物の言動、ゲーム上で発生する現象などの表現は、そのゲームが有するプログラムによって定められているが、携帯ゲーム機５３００に人工知能を適用することにより、ゲームのプログラムに限定されない表現が可能になる。例えば、プレイヤーが問いかける内容、ゲームの進行状況、時刻、ゲーム上に登場する人物の言動が変化するといった表現が可能となる。
【０５２３】
また、携帯ゲーム機５３００で複数のプレイヤーが必要なゲームを行う場合、人工知能によって擬人的にゲームプレイヤーを構成することができるため、対戦相手を人工知能によるゲームプレイヤーとすることによって、１人でもゲームを行うことができる。
【０５２４】
図２８（Ｃ）、図２８（Ｄ）では、ゲーム機の一例として携帯ゲーム機、および据え置き型ゲーム機を図示しているが、本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用するゲーム機はこれに限定されない。本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用するゲーム機としては、例えば、娯楽施設（ゲームセンター、遊園地など）に設置されるアーケードゲーム機、スポーツ施設に設置されるバッティング練習用の投球マシンなどが挙げられる。
【０５２５】
［大型コンピュータ］
本発明の一態様のＧＰＵまたはチップは、大型コンピュータに適用することができる。
【０５２６】
図２８（Ｅ）は、大型コンピュータの一例である、スーパーコンピュータ５５００を示す図である。図２８（Ｆ）は、スーパーコンピュータ５５００が有するラックマウント型の計算機５５０２を示す図である。
【０５２７】
スーパーコンピュータ５５００は、ラック５５０１と、複数のラックマウント型の計算機５５０２と、を有する。なお、複数の計算機５５０２は、ラック５５０１に格納されている。また、計算機５５０２には、複数の基板５５０４が設けられ、当該基板上に上記実施の形態で説明したＧＰＵまたはチップを搭載することができる。
【０５２８】
スーパーコンピュータ５５００は、主に科学技術計算に利用される大型コンピュータである。科学技術計算では、膨大な演算を高速に処理する必要があるため、消費電力が高く、チップの発熱が大きい。スーパーコンピュータ５５００に本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用することによって、低消費電力のスーパーコンピュータを実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、およびモジュールへの影響を少なくすることができる。
【０５２９】
図２８（Ｅ）、図２８（Ｆ）では、大型コンピュータの一例としてスーパーコンピュータを図示しているが、本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用する大型コンピュータはこれに限定されない。本発明の一態様のＧＰＵまたはチップを適用する大型コンピュータとしては、例えば、サービスを提供するコンピュータ（サーバー）、大型汎用コンピュータ（メインフレーム）などが挙げられる。
【０５３０】
［移動体］
本発明の一態様のＧＰＵまたはチップは、移動体である自動車、および自動車の運転席周辺に適用することができる。
【０５３１】
図２８（Ｇ）は、移動体の一例である自動車の室内におけるフロントガラス周辺を示す図である。図２８（Ｇ）では、ダッシュボードに取り付けられた表示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けられた表示パネル５７０４を図示している。
【０５３２】
表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能である。
【０５３３】
表示パネル５７０４には、自動車に設けられた撮像装置（図示しない。）からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像装置からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることもできる。
【０５３４】
本発明の一態様のＧＰＵまたはチップは人工知能の構成要素として適用できるため、例えば、当該チップを自動車の自動運転システムに用いることができる。また、当該チップを道路案内、危険予測などを行うシステムに用いることができる。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０４には、道路案内、危険予測などの情報を表示する構成としてもよい。
【０５３５】
なお、上述では、移動体の一例として自動車について説明しているが、移動体は自動車に限定されない。例えば、移動体としては、電車、モノレール、船、飛行体（ヘリコプター、無人航空機（ドローン）、飛行機、ロケット）なども挙げることができ、これらの移動体に本発明の一態様のチップを適用して、人工知能を利用したシステムを付与することができる。
【０５３６】
［電化製品］
図２８（Ｈ）は、電化製品の一例である電気冷凍冷蔵庫５８００を示している。電気冷凍冷蔵庫５８００は、筐体５８０１、冷蔵室用扉５８０２、冷凍室用扉５８０３等を有する。
【０５３７】
電気冷凍冷蔵庫５８００に本発明の一態様のチップを適用することによって、人工知能を有する電気冷凍冷蔵庫５８００を実現することができる。人工知能を利用することによって電気冷凍冷蔵庫５８００は、電気冷凍冷蔵庫５８００に保存されている食材、その食材の消費期限などを基に献立を自動生成する機能や、電気冷凍冷蔵庫５８００に保存されている食材に合わせた温度に自動的に調節する機能などを有することができる。
【０５３８】
電化製品の一例として電気冷凍冷蔵庫について説明したが、その他の電化製品としては、例えば、掃除機、電子レンジ、電子オーブン、炊飯器、湯沸かし器、ＩＨ調理器、ウォーターサーバ、エアーコンディショナーを含む冷暖房器具、洗濯機、乾燥機、オーディオビジュアル機器などが挙げられる。
【０５３９】
本実施の形態で説明した電子機器、その電子機器の機能、人工知能の応用例、その効果などは、他の電子機器の記載と適宜組み合わせることができる。
【０５４０】
本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【実施例１】
【０５４１】
本実施例では、試料１Ａとして、本発明の一態様である、図２に示すトランジスタ２００を有する半導体装置を作製し、トランジスタ２００の信頼性試験を行った。
【０５４２】
＜試料の作製方法＞
以下に、試料１Ａの作製方法を説明する。
【０５４３】
まず、トランジスタ２００のチャネル長は６０ｎｍ、チャネル幅は６０ｎｍとなるように設計した。また、試料１Ａは、同一工程にて、複数個のトランジスタ２００を形成した。なお、トランジスタの密度は２．０個／μｍ２とした。
【０５４４】
なお、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜した。酸化物２３０ａは、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて、５ｎｍ成膜した。酸化物２３０ｂは、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いて、１５ｎｍ成膜した。酸化物２３０ｃは、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いて、８ｎｍ成膜した。
【０５４５】
続いて、絶縁体２５２として、スパッタリング法によって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜した。絶縁体２５２は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて、８ｎｍ成膜した。
【０５４６】
以上より、試料１Ａを作製した。
【０５４７】
＜トランジスタの信頼性＞
次に、トランジスタの信頼性を調べるために、試料１Ａに対し、１個のトランジスタに対し、ＧＢＴ（Ｇａｔｅ  Ｂｉａｓ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験を行った。ＧＢＴストレス試験は信頼性試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化を、評価することができる。
【０５４８】
まず、試料１Ａの電気特性として、Ｉｄ−Ｖｇ特性を測定した。なお、Ｉｄ−Ｖｇ特性の測定では、トランジスタ２００の第１のゲート電極として機能する導電体２６０に印加する電位（以下、ゲート電位（Ｖｇ）ともいう）を、第１の値から第２の値まで変化させたときの、ソース電極として機能する導電体２４０ａとドレイン電極として機能する導電体２４０ｂとの間の電流（以下、ドレイン電流（Ｉｄ）ともいう）の変化を測定する。
【０５４９】
ここでは、導電体２４０ａと導電体２４０ｂとの間の電位（以下、ドレイン電位Ｖｄともいう）を＋０．１Ｖ、＋３．３Ｖとし、導電体２４０ａと導電体２６０との間の電位を−３．３Ｖから＋３．３Ｖまで変化させたときのドレイン電流（Ｉｄ）の変化を測定した。
【０５５０】
なお、本測定においては、第２のゲート電極（バックゲート電極）として機能する導電体２０５の電位（以下、バックゲート電位（Ｖｂｇ）ともいう）を、０．００Ｖ、−１．００Ｖ、または−３．００Ｖに設定し、それぞれの場合を測定した。
【０５５１】
ＧＢＴストレス試験では、トランジスタが形成されている基板を一定の温度に維持し、トランジスタのソース電位とドレイン電位を同電位とし、第１のゲート電位にはソース電位及びドレイン電位とは異なる電位を一定時間与える。本実施例では、試料１Ａ、および試料１Ｂが形成されている基板の温度を１５０度に維持することで、加速試験とした。また、トランジスタのソース電位とドレイン電位を０．００Ｖとし、第１のゲート電位を＋３．６３Ｖとした。
【０５５２】
なお、ＧＢＴストレス試験において、任意の時間が経過した際に、上述の条件にて、Ｉｄ−Ｖｇ特性を測定した。なお、バックゲート電位は、０．００Ｖに設定した。
【０５５３】
本実施例でのＧＢＴストレス試験の結果を図２９に示す。
【０５５４】
なお、トランジスタの電気特性の変動量の指標として、トランジスタのしきい値電圧（以下、Ｖｓｈともいう）の経時変化（以下、ΔＶｓｈともいう）を用いた。なお、Ｖｓｈとは、Ｉｄ−Ｖｇ特性において、Ｉｄ＝１．０×１０−１２［Ａ］の時のＶｇの値と定義する。ここで、ΔＶｓｈは、例えば、ストレス開始時のＶｓｈが＋０．５０Ｖであり、ストレス１００ｓｅｃ経過時のＶｓｈが、−０．５５Ｖであったとすると、ストレス１００ｓｅｃ経過時のΔＶｓｈは、−１．０５Ｖとなる。
【０５５５】
図２９より、試料１Ａのトランジスタのしきい値電圧の変化量｜ΔＶｓｈ｜は、３３６時間まで１００ｍＶ以下を達成した。
【０５５６】
以上より、本発明の一態様を用いたトランジスタは、優れた信頼性を有するトランジスタを有する半導体装置であることが確認できた。
【０５５７】
本実施例は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例２】
【０５５８】
本実施例では、試料２Ａとして、本発明の一態様にかかる酸化物半導体を有するトランジスタ２００、シリコンを有するトランジスタ３００、および容量素子１００を有する半導体装置を作製し、当該半導体装置の書き換え可能回数（以下、書き換え耐性ともいう）を測定した。以下では、当該測定方法、および結果について、図３０を参照して説明する。
【０５５９】
＜試料の作製方法＞
以下に、試料２Ａにおけるトランジスタ２００の作製方法を説明する。
【０５６０】
まず、トランジスタ２００のチャネル長は６０ｎｍ、チャネル幅は６０ｎｍとなるように設計した。また、試料２Ａは、同一工程にて、複数個のトランジスタ２００を形成した。
【０５６１】
なお、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜した。酸化物２３０ａは、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて、５ｎｍ成膜した。酸化物２３０ｂは、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いて、１５ｎｍ成膜した。酸化物２３０ｃは、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いて、８ｎｍ成膜した。
【０５６２】
続いて、絶縁体２５２として、スパッタリング法によって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜した。絶縁体２５２は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて、８ｎｍ成膜した。
【０５６３】
以上より、試料２Ａを作製した。
【０５６４】
＜試料の回路構成および測定方法＞
また、試料２Ａは、図３０（Ａ）に示す回路構成の半導体装置である。なお、容量値が２ｆＦである容量素子１００を用いた。
【０５６５】
情報の保持および情報の書き込みを所定回数繰り返した際のノードＳＮの電位（ＶＳＮ）の変化を調べることにより、試料２Ａの書き換え耐性を測定した。また、試料２Ａの基板の温度を８５度に維持することで、加速試験とした。
【０５６６】
まず、初期特性として、ＩＲＢＬ−ＶＳＮ（ＶＷＢＬ）特性を測定した。配線ＷＷＬに２．５Ｖの電圧、配線ＢＧ１に−３Ｖの電圧を印加し、トランジスタ２００を導通状態とし、配線ＷＢＬの電位を、トランジスタ３００のゲートに相当するノードＳＮに与えた。続いて、配線ＳＬに１．２Ｖの電圧、および配線ＲＢＬに０Ｖの電圧を印加した。そこで、配線ＷＢＬの電位を−０．３Ｖから＋１．５Ｖまで掃引したときのトランジスタ３００のドレイン電流（ＩＲＢＬ）の変化を測定することにより、ＩＲＢＬ−ＶＳＮ（ＶＷＢＬ）特性を得た。
【０５６７】
続いて、図３０（Ｂ）に示す入力信号パターンに従い、ノードＳＮにｄａｔａ０、またはｄａｔａ１を、繰り返し書き込んだ。
【０５６８】
なお、ｄａｔａ０、またはｄａｔａ１の書き込みは、図３０（Ａ）に示す配線ＷＢＬに０Ｖ、または１．２Ｖを、１０ｎｓｅｃ毎に印加し、配線ＷＷＬに、−０．８Ｖ、または２．５Ｖを、５ｎｓｅｃ毎に印加することにより行った。配線ＷＷＬに−０．８Ｖの電圧を印加した場合、トランジスタ２００は非導通状態であるため、ノードＳＮに与えられた電位を保持する。また、配線ＷＷＬの電位が２．５Ｖの場合には、トランジスタ２００は導通状態であるため、配線ＷＢＬの電位がノードＳＮに与えられる。
【０５６９】
ここで、ｄａｔａ０、またはｄａｔａ１の書き込み時に、ノードＳＮの電位ＶＳＮとして保持されている状態で、電流ＩＲＢＬを測定した。当該測定した電流ＩＲＢＬを用い、先に測定したＩＲＢＬ−ＶＳＮ（ＶＷＢＬ）特性カーブにより、ノードＳＮの電位ＶＳＮを求めた。
【０５７０】
図３０（Ｃ）に、書き換え回数に対するノードＳＮの電位ＶＳＮを示す。図３０（Ｃ）に示すグラフは、縦軸にノードＳＮの電位ＶＳＮ［Ｖ］、横軸に書き換え回数［回数］とした。図３０（Ｃ）から、試料２Ａは、１×１０１３回の書き込みを行うことが可能であることがわかった。従って、１×１０１３回の書き込み前後において、半導体装置が劣化しないと推測できる。
【０５７１】
上述のように、開示する発明の一態様に係る半導体装置は、保持および書き込みを１×１０１３回もの多数回繰り返しても特性が変化せず、書き換え耐性が極めて高いことがわかった。従って、本発明の一態様によって、極めて信頼性の高い半導体装置が実現できる。
【０５７２】
本実施例は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０５７３】
１０  基板、１２  絶縁体、１４  絶縁体、２０  領域、２２  絶縁体、２４  絶縁体、３０  領域、３２  絶縁体、３４  絶縁体、２００  トランジスタ、２０５  導電体、２１２  絶縁体、２１４  絶縁体、２１６  絶縁体、２２０  絶縁体、２２１  絶縁体、２２２  絶縁体、２２３  絶縁体、２２４  絶縁体、２２５  絶縁体、２３０  酸化物、２３０ａ  酸化物、２３０Ａ  酸化膜、２３０ｂ  酸化物、２３０Ｂ  酸化膜、２３０ｃ  酸化物、２３０Ｃ  酸化膜、２４０  導電体、２４０ａ  導電体、２４０Ａ  導電膜、２４０ｂ  導電体、２４０Ｂ  導電層、２５０  絶縁体、２５０Ａ  絶縁膜、２５２  絶縁体、２５２Ａ  絶縁膜、２６０  導電体、２６０ａ  導電体、２６０Ａ  導電膜、２６０ｂ  導電体、２６０Ｂ  導電膜、２７４  絶縁体、２７４Ａ  絶縁膜、２７５  絶縁体、２８０  絶縁体、２８０Ａ  絶縁膜、２８２  絶縁体、２８３  絶縁体、２８４  絶縁体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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