(57)【要約】【課題】封止樹脂層の厚みが薄い半導体パッケージでも常温及びはんだ実装時のそりが１００μｍ以下となる簡便な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】熱硬化成分を含む接着層を一方の面に積層した複数の半導体チップを基板もしくはフレームに搭載し積層体を準備する工程と、前記積層体中の接着成分を熱処理によって硬化させる工程と、前記積層体を金型内に設置した後、エポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止する工程、もしくはタブレット状のエポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、トランスファー成形をして樹脂封止する工程と、前記樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる工程と、前記熱処理によって硬化させた樹脂封止積層体を個片化する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化成分を含む接着層を一方の面に積層した複数の半導体チップを基板もしくはフレームに搭載し積層体を準備する工程と、
前記積層体中の接着成分を熱処理によって硬化させる工程と、
前記積層体を金型内に設置した後、エポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止する工程、もしくはタブレット状のエポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、トランスファー成形をして樹脂封止する工程と、
前記樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる工程と、
前記熱処理によって硬化させた樹脂封止積層体を個片化する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記積層体を準備する工程において、半導体チップを基板もしくはフレームに搭載する温度は６０〜１５０℃である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着成分を熱処理によって硬化させる加熱温度は、１００〜２００℃である、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接着成分を熱処理によって硬化させる加熱時間は、１０〜１２０分である、請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記エポキシ樹脂組成物を樹脂封止する成形温度は、１１０〜２００℃である、請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂封止した樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる加熱温度は、１１０〜２００℃である、請求項１〜５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体チップの厚さは、５０〜２００μｍである、請求項１〜６の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板もしくはフレームの厚さは、５０〜１５０μｍである、請求項１〜７の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記接着層の厚さは、１０〜１００μｍである、請求項１〜８の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂封止の厚さは、２００〜４００μｍである、請求項１〜９の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂封止積層体の厚さは、３００〜５００μである、請求項１〜１０の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記個片化する工程が、樹脂封止積層体を複数に切断するもので切断種類が回転刃である、請求項１〜１１の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージは電子機器の小型化・高機能化に伴う多ピン化とパッケージサイズの小型化、軽量化、高密度化が求められ、従来の接続端子を利用したピン挿入型のＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎ−ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ)、周辺端子型のＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）での対応が困難となり、ワイヤボンド技術を利用した表面実装パッケージであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）等へと移行している。これら半導体パッケージの小型化、薄型化に伴い、部品実装時やパッケージ組立時の反りが問題となっている。
【０００３】
一般的にはんだ実装時の加熱によって、半導体パッケージを構成するチップ、基板、封止材等の部材の物性差から、半導体パッケージに反りが発生する。近年の半導体パッケージの薄型化に伴うそりの増加が電子機器の電気的接続の不安定化を引き起こすため、半導体パッケージにはマザーボード等の接続部と同様のそり挙動であることが必須であり、特に半導体パッケージを構成する各種部材にはそりの制御を求められている。
特許文献１には、反り抑制のため半導体パッケージの封止材の表面に反り矯正基板を仮固定し、半導体パッケージをリフロー実装してから反り矯正基板を除去する方法が開示されている。また、特許文献２には、フィラーを含む第一の樹脂フィルム層と、フィラー含有率が第一の樹脂フィルム層より低い第二の樹脂フィルム層とを積層して反り変形量を小さくする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−０７２２５４号公報
【特許文献２】特開２０１６−０１２７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献１、２は、反り低減には有効であるものの、より簡便な反り低減方法が求められている。
半導体封止パッケージのそりの許容量は常温及びはんだ実装時は１００μｍ程度であり、この値を超えると電気的接続の不安定化に繋がる。さらに封止樹脂層の厚みが薄い半導体パッケージはそり量が大きくなる傾向であるため、封止材組成にはそりの低減が求められている。
【０００６】
半導体封止パッケージは、半導体素子の上部側に封止樹脂層が形成されているパッケージ形態において、常温時に凸状のそり（以下、「クライ（ｃｒｙ）そり」ともいう。）が発生し、はんだ実装時には凹状のそり（以下、「スマイル（ｓｍｉｌｅ）そり」ともいう。）が発生する問題が生じている。
【０００７】
本発明は、封止樹脂層の厚みが薄い半導体パッケージでも常温及びはんだ実装時のそりが１００μｍ以下となる簡便な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、以下に関する。
本発明は、〔１〕  熱硬化成分を含む接着層を一方の面に積層した複数の半導体チップを基板もしくはフレームに搭載し積層体を準備する工程と、前記積層体中の接着成分を熱処理によって硬化させる工程と、前記積層体を金型内に設置した後、エポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止する工程、もしくはタブレット状のエポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、トランスファー成形をして樹脂封止する工程と、前記樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる工程と、前記熱処理によって硬化させた樹脂封止積層体を個片化する工程と、を備えた半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔２〕  前記積層体を準備する工程において、半導体チップを基板もしくはフレームに搭載する温度は６０〜１５０℃である、上記〔１〕に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔３〕  前記接着成分を熱処理によって硬化させる加熱温度は、１００〜２００℃である、上記〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔４〕  前記接着成分を熱処理によって硬化させる加熱時間は、１０〜１２０分である、上記〔１〕〜〔３〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔５〕  前記エポキシ樹脂組成物を樹脂封止する成形温度は、１１０〜２００℃である、上記〔１〕〜〔４〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔６〕  前記樹脂封止した樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる加熱温度は、１１０〜２００℃である、上記〔１〕〜〔５〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔７〕  前記半導体チップの厚さは、５０〜２００μｍである、上記〔１〕〜〔６〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔８〕  前記基板もしくはフレームの厚さは、５０〜１５０μｍである、上記〔１〕〜〔７〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔９〕  前記接着層の厚さは、１０〜１００μｍである、上記〔１〕〜〔８〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔１０〕  前記樹脂封止の厚さは、２００〜４００μｍである、上記〔１〕〜〔９〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔１１〕  前記樹脂封止積層体の厚さは、３００〜５００μである、上記〔１〕〜〔１０〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、〔１２〕  前記個片化する工程が、樹脂封止積層体を複数に切断するもので切断種類が回転刃である、上記〔１〕〜〔１１〕の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、封止樹脂層の厚みが薄い半導体パッケージでも３０℃やはんだ実装時の２６０℃でも成形品面内での反りを１００μｍ以下に抑えることが可能であり、半導体装置製造時の歩留まり向上が可能な半導体装置の製造方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係る半導体装置の一実施形態の断面図である。
【図２】接着層付き半導体チップの断面図である。
【図３】接着層を一方の面に積層した半導体チップを基板に搭載し積層体を準備する工程を示す断面図である。
【図４】樹脂封止積層体を複数に切断し、個片化する工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、場合により図面を参照して、本発明の一実施形態を説明する。ただし、以下の実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明を以下の内容に限定するものではない。
【００１２】
以下に、上述した構成を有する半導体装置の製造方法について説明する。
【００１３】
［熱硬化成分を含む接着層を一方の面に積層した半導体チップ］
本発明で用いる半導体チップは、特に制限はされないが、例えばシリコンチップである。半導体チップの厚さは、５０〜２００μｍであることが好ましい。また熱硬化成分を含む接着層は熱硬化成分を含む接着層を有する層であれば特に限定されず、例えば構成成分として、エポキシ樹脂、硬化剤および硬化促進剤を含む混合物（接着剤組成物）を含有することが好ましい。接着層の厚さは、１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００１４】
［基板もしくはフレーム］
基板もしくはフレームは、特に制限はされないが、例えば三層コアレス基板である。また、基板中に、配線を有していてもよい。フレームの厚さは、５０〜１５０μｍであることが好ましい。
【００１５】
（積層体を準備する工程）
熱硬化成分を含む接着層を一方の面に積層した半導体チップは支持基板（基板又はフレーム）上にマウントされる。そして、接着層付き半導体チップと支持基板（配線付き基板）とを、半導体チップの接着層を介して、６０〜１５０℃（搭載温度）で加熱圧着して積層体を得ることがきる。加熱温度が６０℃以上であれば、接着体との良好な密着性を確保することが出来、１５０℃以下であれば、圧着時の接着層のブリードアウト多過を抑制できる。このような観点から、本工程における加熱温度は７０〜１４０℃がより好ましく、８０〜１３０℃がさらに好ましい。
【００１６】
（積層体中の接着層を硬化させる工程）
積層体中の接着層は加熱によって半硬化状態又は硬化状態とする。その際の温度は１００〜２００℃が好ましい。硬化性の観点から１１０〜１３０℃が好ましい。また、基板と接着層間の気泡を除去する観点から加熱時に加圧環境下に置いてもよい。接着層を半硬化状態とした場合、次の工程の樹脂封止する工程、樹脂封止積層体の熱処理工程で更に硬化させ硬化状態とすることができる。
上記の工程により得られた積層体を加熱し、半導体チップにおける接着層を硬化してもよい。昇温及び保温には、例えば、一般的に市販されているクリーンオーブンのようなオーブンを用いることができる。昇温及び保温の温度及び時間は、接着層を硬化できれば特に制限されず、例えば昇温は、８０〜２００℃の温度まで１０分〜１時間をかけて昇温させることが好ましく、１００〜１５０℃の温度まで２０〜５０分をかけて昇温させることがより好ましい。また、保温は、１００〜２００℃で１０分〜１２０分の硬化が好ましく、１００〜１５０℃で５０〜９０分の硬化がより好ましい。
【００１７】
前記積層体中の接着成分を熱処理によって硬化させる工程の後に、積層体を金型内に設置し、エポキシ樹脂組成物を用いて減圧下に封止樹脂する。以下に、この時用いるエポキシ樹脂組成物を説明する。
【００１８】
［エポキシ樹脂組成物］
ここでのエポキシ樹脂組成物は、封止樹脂として用いるエポキシ樹脂組成物である。本実施形態のエポキシ樹脂組成物としては、パウダー状、顆粒状、フィルム状、または、液状のものを準備する。本実施形態の樹脂組成物は、各種成分を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できる。一般的な手法として、所定の配合量の成分をミキサー等によって十分混合した後、ミキシングロール、押出機等によって溶融混練した後、冷却、粉砕する方法を挙げることができる。たとえば、上述した成分の所定量を均一に攪拌、混合し、予め７０〜１４０℃に加熱してあるニーダー、ロール、エクストルーダーなどで混練、冷却し、粉砕するなどの方法で得ることができる。成形条件に合うような寸法及び質量でタブレット化すると使いやすい。
【００１９】
（エポキシ樹脂）
本実施形態のエポキシ樹脂は、２個以上のエポキシ基を有する化合物が好ましい。ここで用いられるエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので制限はなく、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン骨格を有するエポキシ樹脂をはじめとするフェノール、クレゾール、ビスフェノール、ビフェノール、チオジフェノール、アミノフェノール、ナフトールのフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなどのアルデヒド基を有する化合物とを縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したものが挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも流動性と硬化性の両立の観点からはアルキル置換、芳香環置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂を含有していることが好ましい。硬化性の観点からはノボラック型エポキシ樹脂を含有していることが好ましく、耐熱性及び低反り性の観点からはナフタレン型エポキシ樹脂及び、またはトリフェニルメタン型エポキシ樹脂を含有していることが好ましい。
【００２０】
（硬化剤）
本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、硬化剤を含んでいてもよい。ここで用いられる硬化剤は、エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので制限はなく、例えば、フェノール、クレゾール、ビスフェノール、ビフェノール、チオジフェノール、アミノフェノール、ナフトールのフェノール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなどのアルデヒド基を有する化合物とを縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、フェノールノボラック構造とフェノールアラルキル構造がランダム、ブロック又は交互に繰り返された共重合型フェノールアラルキル樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂が挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組合せて用いてもよい。
【００２１】
（シラン化合物）
本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、シラン化合物を含有してもよい。シラン化合物とは、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物である。これらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、シラン化合物以外でも、チタネート類、アルミニウムキレート類などのこれらの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２２】
（硬化促進剤）
本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、硬化促進剤を含有してもよい。本実施形態で用いられる硬化促進剤は、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので特に制限はなく、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５、５，６−ジブチルアミノ−１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等のシクロアミジン化合物及び、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の三級アミン類及びこれらの誘導体および、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及び、Ｎ−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体などが挙げられる。これらの１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
（フィラー、無機充填材）
本実施形態のエポキシ樹脂組成物は、フィラーを含有してもよい。本実施形態で用いられるフィラーは、封止用エポキシ樹脂組成物に一般に使用されているもので特に制限はなく、無機フィラーであることが好ましい。例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミニウムウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ及びアンチモン酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種の無機材料を含む無機フィラーが好ましい。これらの中でも、熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカが好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ及び非晶性シリカが好ましい。また、耐湿性を向上させるためには、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム及びアンチモン酸化物が好ましい。これらの１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
（エポキシ樹脂組成物による封止工程）
次に、モールド装置を用いて、減圧および加熱し溶融させたエポキシ樹脂組成物で上述した積層体を封止し樹脂封止積層体（封止基板）を得る。封止時の温度は１１０〜２００℃である。硬化性、成形時間短縮の観点から１５０〜１８０℃であることが好ましい。前記樹脂封止の厚さは、２００〜４００μｍであると好ましい。本発明の半導体装置の製造方法では、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止するか、又はタブレット状のエポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、トランスファー成形をして樹脂封止する。
【００２５】
本発明では、圧縮成形又はトランスファー成形で、金型内を減圧下にしつつ成形することが重要であり、減圧中に成形する。減圧は、最初は減圧速度が大きく、減圧するにつれて減圧速度は小さくなる。減圧速度は、下記の（１）式に示すように、定義することができる。減圧すると圧力は迅速に下がってくるが、ある程度減圧すると圧力の下がり方が少なくなる。この圧力の下がり方が、１秒間に５ｔｏｒｒ以下となったら減圧限界圧力に達したとみなしている。
（減圧速度）＝（初期圧力−減圧限界圧力）／（減圧限界圧力到達時間）    ……（１）式
初期圧力、減圧限界圧力の単位は、「ｔｏｒｒ」、減圧限界圧力到達時間の単位は「秒」である。
圧縮成形時又はトランスファー成形時の減圧速度は、１０〜３５０ｔｏｒｒ／秒であることが好ましく５０〜３３０ｔｏｒｒ／秒がより好ましく、１５０〜３１０ｔｏｒｒ／秒がさらに好ましい。
【００２６】
（樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる工程）
上記の工程によって得られた樹脂封止積層体（封止基板）を加熱し、封止基板におけるエポキシ樹脂組成物を硬化させる。昇温及び保温には、例えば、一般的に市販されているクリーンオーブンのようなオーブンを用いることが出来る。例えば保温（硬化温度）は、１１０〜２００℃で３０分〜７時間が好ましく、１５０〜１８０℃で１時間〜６時間がより好ましい。樹脂封止積層体（封止基板）の厚さは、３００〜５００μであると好ましい。
【００２７】
（硬化させた樹脂封止積層体（封止基板）を個片化する工程）
硬化させた樹脂封止積層体（封止基板）を切断する際に使用するダイサーや回転刃（ブレード）は、一般に市販されているものを使用することが出来る。ダイサーとしては、例えば、株式会社ディスコ製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズやセミオートマチックダイシングソー３０００シリーズなどが使用できる。ブレードとしては、株式会社ディスコ製のダイシングブレードＮＢＣ−ＺＨ０５シリーズやＮＢＣ−ＺＨシリーズなどが使用できる。
【００２８】
また、硬化させた樹脂封止積層体を切断する工程において、例えば、株式会社ディスコ製のフルオートマチックダイシングソー６０００シリーズなどの回転刃だけではなく、株式会社ディスコ製のフルオートマチックレーザソー７０００シリーズ等のレーザを用いて切断してもよい。
【００２９】
以上、本発明に係る半導体装置の製造方法の実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【実施例】
【００３０】
以下、本発明を実施例及び比較例により具体的に説明するが、本発明は、これらに制限されるものではない。
【００３１】
＜エポキシ樹脂組成物の作製＞
半導体装置用のエポキシ樹脂組成物を作製するための各材料を以下の通り準備した。
【００３２】
（ａ）エポキシ樹脂
・Ｅ１：ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、製品名：ＮＣ−３０００、エポキシ当量：２８０ｇ／ｅｑ）、
・Ｅ２：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱ケミカル株式会社製、製品名：ＹＸ−４０００、エポキシ当量：１９６ｇ／ｅｑ、融点：１０６℃）
【００３３】
（ｂ）硬化剤
・Ｈ１：ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（明和化成株式会社製、製品名：ＭＥＨＣ−７８００、水酸基当量：１０６ｇ／ｅｑ、軟化点：６６℃）
・Ｈ２：トリスフェニルメタン型フェノール樹脂（エア・ウォーター株式会社製、製品名：ＨＥ９１０−１０、水酸基当量：１００ｇ／ｅｑ、軟化点：８３℃）
【００３４】
（ｃ）硬化促進剤
・Ａ１：トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物
【００３５】
（ｄ）無機充填材
・Ｆ１：平均粒径１９．４μｍのシリカフィラー（デンカ株式会社製、製品名：ＦＢ−９４５４）
【００３６】
（ｅ）シランカップリング剤
・Ｃ１：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、製品名：ＫＢＭ−５７３）
・Ｃ２：３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学工業株式会社製、製品名：ＫＢＭ−４０３）
・Ｃ３：３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業株式会社製、製品名：ＫＢＭ−８０３）
【００３７】
（ｆ）顔料
・Ｐ１：カーボンブラック（三菱ケミカル株式会社製、製品名：ＭＡ６００ＭＪ）
【００３８】
上記エポキシ樹脂のＥ１を５質量部、Ｅ２を９５質量部、硬化剤のＨ１を５０質量部、Ｈ２を３０質量部、硬化促進剤のＡ１を２質量部、シランカップリング剤のＣ１を１４質量部、Ｃ２を１０質量部、Ｃ３を０．５質量部、顔料のＰ１を４質量部、無機充填材のＦ１を全体積に対して、７６、７８、８０体積％となるように配合した。その後、ミキサーによって十分混合した後、あらかじめ１１０℃に加熱してあるニーダーで混練し、冷却し、粉砕することでエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００３９】
＜実施例の半導体パッケージ（半導体装置）＞
基板面積２４０×７４ｍｍ２、基板厚み９０μｍの三層コアレス基板に、チップ、ダイアタッチフィルム面積１０×６ｍｍ２、チップ厚み２００μｍ、ダイアタッチフィルム厚み１０μｍのダイアタッチフィルム付きダミーチップをダイボンダー（ファスフォードテクノロジ株式会社製、製品名：ＤＢ８３０ｐｌｕｓ＋）を用いて搭載し、チップ搭載基板を作製した。
上記のように作製したチップ搭載基板にコンプレッション装置（ＴＯＷＡ株式会社製、製品名：ＰＭＣ１０４０−Ｓ）を用いてエポキシ樹脂組成物を圧縮成形し、封止基板を得た。成形条件は、封止厚み３５０μｍ、成形温度１７５℃、成形時間１２０秒と統一して、減圧速度を９０ｔｏｒｒ／秒とした。
なお、減圧速度は（１）式のように定義する。
（減圧速度）＝（初期圧力−減圧限界圧力）／（減圧限界圧力到達時間）    ……（１）式
初期圧力、減圧限界圧力の単位は、「ｔｏｒｒ」、減圧限界圧力到達時間の単位は「秒」であり、減圧限界圧力は、５ｔｏｒｒ／秒以内の変化とした。
その後、封止基板をフルオートダイサー（株式会社ディスコ製、ＤＡＤ３３５０）を用いて１５×１５ｍｍ２サイズ切断し、個片化することで半導体パッケージ（半導体装置）を得た。なお、１つの封止基板から半導体パッケージは６０個得ることが出来る。
【００４０】
＜比較例の半導体パッケージ（半導体装置）＞
基板面積２４０×７４ｍｍ２、基板厚み９０μｍの三層コアレス基板を準備し、ダイアタッチフィルム付きダミーチップを用いることなく、前記のチップ未搭載基板にコンプレッション装置（ＴＯＷＡ株式会社製、製品名：ＰＭＣ１０４０−Ｓ）を用いてエポキシ樹脂組成物を圧縮成形し、封止基板を得た。成形条件は、実施例と同じの封止厚み３５０μｍ、成形温度１７５℃、成形時間１２０秒と統一して、減圧速度を９０ｔｏｒｒ／秒とした。
なお、減圧速度は、上記と同じである。
その後、封止基板をフルオートダイサー（株式会社ディスコ製、ＤＡＤ３３５０）を用いて１５×１５ｍｍ２サイズ切断し、個片化することで半導体パッケージ（半導体装置）を得た。なお、１つの封止基板から半導体パッケージは６０個得ることが出来る。
【００４１】
＜そりの評価＞
個片化後の半導体パッケージ（半導体装置）を一基板から１６個選択し、そり測定装置Ｔｈｅｒｍｏｉｒｅ（ＡＫＲＯＭＥＴＲＩＸ社製、製品名：ＴｈｅｒＭｏｉｒｅ  ＡＸＰ）を用いて各パッケージを３０℃、２６０℃の温度でのそり量をそれぞれ測定した。そり量は１６個の平均値で比較とした。
【００４２】
＜線膨張係数及び貯蔵弾性率測定用試料の作製＞
各実施例及び各比較例のエポキシ樹脂組成物を、トランスファー成形機を用いて成形して硬化させ、線膨張係数及び貯蔵弾性率測定用の試験片を作製した。成形及び硬化は、成形温度１７５℃、成形時間９０秒の条件で行った。そして、１７５℃で５時間の条件で後硬化を行った。
【００４３】
＜線膨張係数（α１，α２）＞
ＴＭＡ高精度二試料熱分析（セイコーインスツルメンツ株式会社製、商品名：ＳＳ６１００）を用い、荷重１０ｇ、昇温速度５℃／ｍｉｎの条件で、試験片の線膨張係数（α）を測定した。２つの測定温度の間における線膨張係数（α）は次の式によって算出される。台形の試験片（２０ｍｍ×下辺５ｍｍ上辺４ｍｍ×３ｍｍ）で測定した。
α＝ｌ／（Ｌ・Δｔ）
Ｌ＝室温（２５℃）における試験片の長さ（ｍｍ）
ｌ＝伸び（ｍｍ）
Δｔ＝測定温度差（℃）
測定温度が８０℃と１００℃の２点の測定温度間における線膨張係数αをα１、２００℃と２３０℃の２点の測定温度間における線膨張係数αをα２とした。
【００４４】
＜貯蔵弾性率＞
レオメトリックス社製動的粘弾性測定装置ＲＤＳIIを用いて、周波数：１Ｈｚ、温度範囲：３０〜３００℃、昇温速度：５℃／ｍｉｎの条件にて測定した。
【００４５】
＜成形収縮率の測定＞
調製した硬化性樹脂組成物を用いて、下記の手順で成形収縮率（％）を測定した。
（１）室温（２５℃）で測定したときの寸法が長さ１２７ｍｍ×高さ６．４ｍｍ×幅１２．７ｍｍである金型を用いて、トランスファー成形により硬化性樹脂組成物から試験片を作製した。具体的には、所定の金型を用いて１８０℃、９０秒、６．９ＭＰａの条件で成形し、アズモールド試験片を作製した。このアズモールド試験片に対し、１７５℃、５時間の硬化を行って試験片を作製した。
（２）成形後の試験片を直ちに取り出し、室温（２５℃）まで冷却した、その後、試験片の寸法をノギスで測定した。測定は、同じ成形条件で作製した２個の試験片（試験片１及び試験片２）について行った。
（３）室温で測定した試験片の寸法と、室温で測定した金型の寸法とから、下記式により成形収縮率（％）を計算した。下記式においてＤ１は試験片１の成形に用いた金型の長さ方向の寸法（ｍｍ）であり、ｄ１は試験片１の長さ方向の寸法（ｍｍ）であり、Ｄ２は試験片２の成形に用いた金型の長さ方向の寸法（ｍｍ）であり、ｄ２は試験片２の長さ方向の寸法（ｍｍ）である。これらの結果を表１に示した。
【００４６】
【数１】
2020009946.tif 000003
【００４７】
【表１】
2020009946.tif 000004
（半導体素子の上部側に封止樹脂層が形成されているパッケージ形態において、スマイルそりは、基板が封止材側に反ることで、クライそりは、その反対に基板が封止材側と反対側に反ること。）
【００４８】
表１より実施例１、２、３はいずれも３０℃、２６０℃の温度ではそり量は１００μｍ以下であり、かつ３０℃はクライそり、２６０℃ではスマイルそりである。比較例１、２、３は、いずれも３０℃、２６０℃の温度ではそり量は１００μｍ以上であり、いずれの温度でもスマイルそりとなった。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・半導体装置、２・・・基板、３・・・接着層を一方の面に積層した半導体チップ、４・・・封止樹脂、５・・・半導体チップ、６・・・接着層、７・・・回転刃
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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