(57)【要約】【課題】基板に液晶性材料を含む塗布液を塗布し、液晶性材料の分子を適切に配向させて塗布膜を形成する。【解決手段】基板に液晶性材料を含む塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、基板を保持する保持部と塗布部を相対的に移動させながら、前記塗布部から前記液晶性材料を含む塗布液を吐出し、基板に前記塗布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、その後、前記液晶性材料の分子を配向させる伸張配向域と前記塗布膜の温度を調整する温調領域との境界において、前記塗布膜の表面に給気部から温調ガスを供給する工程と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に液晶性材料を含む塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
基板を保持する保持部と塗布部を相対的に移動させながら、前記塗布部から前記液晶性材料を含む塗布液を吐出し、基板に前記塗布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、
その後、前記液晶性材料の分子を配向させる伸張配向域と前記塗布膜の温度を調整する温調領域との境界において、前記塗布膜の表面に給気部から温調ガスを供給する工程と、を有する、塗布膜形成方法。
【請求項２】
前記温調ガスを供給する工程において、前記液晶性材料の分子の配向状態を検出し、検出結果に基づいて前記境界を把握する、請求項１に記載の塗布膜形成方法。
【請求項３】
前記液晶性材料の分子の配向状態を検出する際、照明部から前記塗布膜に光を照射しながら、撮像部で前記塗布膜を撮像する、請求項２に記載の塗布膜形成方法。
【請求項４】
前記液晶性材料はリオトロピック液晶であり、
前記塗布部から吐出される前記塗布液は加熱され、
前記保持部に保持された基板は加熱され、
前記給気部から供給される前記温調ガスは加熱される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
【請求項５】
前記塗布部から吐出される前記塗布液の温度と、前記保持部に保持された基板の温度と、前記給気部から供給される前記温調ガスの温度はそれぞれ同じである、請求項４に記載の塗布膜形成方法。
【請求項６】
前記液晶性材料はサーモトロピック液晶であり、
前記塗布部から吐出される前記塗布液は加熱され、
前記給気部から供給される前記温調ガスは冷却される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
【請求項７】
前記給気部は、前記塗布部に対する前記保持部の移動方向に、前記温調ガスを供給する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
【請求項８】
前記給気部から供給された前記温調ガスは排気部から排出される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の塗布膜形成方法。
【請求項９】
前記給気部と前記排気部はそれぞれ、交互に複数設けられる、請求項８に記載の塗布膜形成方法。
【請求項１０】
複数の前記給気部から供給される前記温調ガスの温度は同じである、請求項９に記載の塗布膜形成方法。
【請求項１１】
基板に液晶性材料を含む塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に前記液晶性材料を含む塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布部と、
前記保持部に保持された基板の前記塗布膜の表面に温調ガスを供給する給気部と、
前記保持部と前記塗布部を相対的に移動させる移動機構と、
前記保持部と前記塗布部を相対的に移動させながら、前記塗布部から前記塗布液を吐出して、前記塗布膜を形成する工程と、その後、前記液晶性材料の分子を配向させる伸張配向域と前記塗布膜の温度を調整する温調領域との境界において、前記塗布膜の表面に前記給気部から前記温調ガスを供給する工程と、を実行させるように、前記保持部、前記塗布部、前記給気部及び前記移動機構を制御する制御部と、を有する、塗布膜形成装置。
【請求項１２】
前記液晶性材料の分子の配向状態を検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記温調ガスを供給する工程において、前記検出部による検出結果に基づいて前記境界を把握する、請求項１１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１３】
前記検出部は、
前記塗布膜に光を照射する照明部と、
前記塗布膜を撮像する撮像部と、を有する、請求項１２に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１４】
前記液晶性材料はリオトロピック液晶であり、
前記塗布膜形成装置は、
前記塗布部から吐出される前記塗布液を加熱する塗布液温調部と、
前記保持部に保持された基板を加熱する基板温調部と、
前記給気部から供給される前記温調ガスを加熱するガス温調部と、を有する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１５】
前記塗布部から吐出される前記塗布液の温度と、前記保持部に保持された基板の温度と、前記給気部から供給される前記温調ガスの温度はそれぞれ同じである、請求項１４に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１６】
前記液晶性材料はサーモトロピック液晶であり、
前記塗布膜形成装置は、
前記塗布部から吐出される前記塗布液を加熱する塗布液温調部と、
前記給気部から供給される前記温調ガスを冷却するガス温調部と、を有する、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１７】
前記給気部は、前記塗布部に対する前記保持部の移動方向に、前記温調ガスを供給する、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１８】
前記給気部から供給された前記温調ガスを排出する排気部を有する、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１９】
前記給気部と前記排気部はそれぞれ、交互に複数設けられる、請求項１８に記載の塗布膜形成装置。
【請求項２０】
複数の前記給気部から供給される前記温調ガスの温度は同じである、請求項１９に記載の塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板に光学膜を形成する方法が開示されている。この方法では、基板に光学材料を含む塗布液を塗布して光学膜を形成した後、光学膜の周囲の雰囲気を減圧して、当該光学膜を乾燥させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−４８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板に液晶性材料を含む塗布液を塗布し、液晶性材料の分子を適切に配向させて塗布膜を形成する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板に液晶性材料を含む塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、基板を保持する保持部と塗布部を相対的に移動させながら、前記塗布部から前記液晶性材料を含む塗布液を吐出し、基板に前記塗布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、その後、前記液晶性材料の分子を配向させる伸張配向域と前記塗布膜の温度を調整する温調領域との境界において、前記塗布膜の表面に給気部から温調ガスを供給する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板に液晶性材料を含む塗布液を塗布し、液晶性材料の分子を適切に配向させて塗布膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成の概略を示す側面図である。
【図３】ステージと温調部の構成の概略を示す側面図である。
【図４】塗布ノズルの構成の概略を示す斜視図である。
【図５】本実施形態にかかる塗布膜形成処理の主な工程の説明図である。
【図６】基板に直線偏光膜を形成する様子を示す説明図である。
【図７】基板にλ／４波長膜を形成する様子を示す説明図である。
【図８】他の実施形態にかかる温調部の構成の概略を示す平面図である。
【図９】他の実施形態にかかる温調部の構成の概略を示す平面図である。
【図１０】他の実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成の概略を示す平面図である。
【図１１】他の実施形態にかかる塗布膜形成処理の主な工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic  Light  Emitting  Diode）には、外光の反射防止のために円偏光板が用いられている。円偏光板は、直線偏光板と波長板（位相差板）を、その偏光軸が４５度で交差するように積層して作製される。また、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）にも、表示における旋光性や複屈折性を制御するために、これら直線偏光板と波長板が用いられている。
【０００９】
従来、このような偏光板や波長板は、例えば延伸フィルムを用いて作製されている。延伸フィルムは、フィルムを一方向に延伸させて貼り付けることで、その材料中の分子を一方向に配向させたものである。しかしながら、近年のＯＬＥＤやＬＣＤの薄型化に伴い、偏光板や波長板における薄膜化が求められているが、延伸フィルム自体の膜厚を小さくするのには限界があり、十分な薄膜を得ることができない。
【００１０】
そこで、上述した特許文献１に開示された方法のように、基板に所望の材料（液晶性材料）を含む塗布液を塗布し、必要な膜厚の塗布膜を形成することで、薄膜化が図られている。具体的には、例えば液晶性材料を含む塗布液を基板に塗布し、流延・配向させる。液晶化合物は塗布液中で超分子会合体を形成しており、せん断応力を加えながら塗布液を流動させると超分子会合体が流動方向に配向する。
【００１１】
ここで、塗布液に含まれる液晶性材料によっては、例えば塗布後、数秒の短時間で分子の配向が乱れる場合がある。この点、特許文献１に開示された方法では、塗布処理装置で基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成した後、減圧乾燥装置で塗布膜の周囲の雰囲気を減圧して、当該塗布膜を乾燥させている。かかる場合、塗布処理装置から減圧乾燥装置に基板を搬送するのに時間がかかるため、塗布処理装置で液晶性材料の分子が配向されても、減圧乾燥装置に基板が搬送されるまでに、配向が乱れる場合がある。そして、このように配向状態が乱れると、偏光板や波長板における光学特性が劣化してしまう。したがって、従来の塗布膜形成方法には改善の余地がある。
【００１２】
本開示にかかる技術は、基板に液晶性材料を含む塗布膜を適切に形成する。すなわち、基板に塗布液を塗布した後、液晶性材料の分子の配向が乱れる前に、塗布膜を結晶化させる。本開示では液晶性材料として、リオトロピック液晶とサーモトロピック液晶が用いられる。
【００１３】
リオトロピック液晶は、水やその他の極性溶媒と混合した状態で液晶となる。具体的にリオトロピック液晶では、溶媒の量を増加させると、固体（結晶）→液晶→通常液体へと順次変化する。このようにリオトロピック液晶は、溶質（固形分）の濃度で液晶性が決まる。
【００１４】
サーモトロピック液晶は、液晶相となる条件から所望の温度範囲で液晶となる。具体的にサーモトロピック液晶では、温度を上げると、固体（結晶）→液晶→通常液体へと順次変化する。このようにサーモトロピック液晶は、温度で液晶性が決まる。
【００１５】
このようにリオトロピック液晶とサーモトロピック液晶では性質が異なり、結晶化させる方法も異なる。リオトロピック液晶を用いる場合、塗布膜中の液晶性材料の分子が配向された状態で、塗布膜の表面を乾燥させると、塗布膜が結晶化する。一方、サーモトロピック液晶を用いる場合、塗布膜中の液晶性材料の分子が配向された状態で、塗布膜を冷却すると、塗布膜が結晶化する。
【００１６】
以下、本実施形態にかかる塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
＜塗布膜形成装置の構成＞
先ず、本実施形態にかかる塗布膜形成装置の構成について説明する。図１は、塗布膜形成装置１０の構成の概略を示す平面図である。図２は、塗布膜形成装置１０の構成の概略を示す側面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１８】
本実施形態では、ＯＬＥＤに用いられる円偏光板を作製する場合において、塗布膜として、直線偏光膜（直線偏光板）とλ／４波長膜（λ／４波長板）を、例えばガラス基板などの基板（ワーク）に形成する場合を例にとって説明する。なお、直線偏光膜とλ／４波長膜が形成される前の基板上には、例えば複数の有機膜（図示せず）などが積層して形成されている。
【００１９】
塗布膜形成装置１０は、処理容器１１を有している。処理容器１１の側面には基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００２０】
処理容器１１の内部には、基板Ｗを保持する保持部としてのステージ２０が設けられている。ステージ２０は、基板Ｗに塗布液が塗布される表面が上方を向くように、その裏面を吸着保持する。また、ステージ２０は、平面視において基板Ｗよりも小さい形状を有している。なお、ステージ２０の大きさは本実施形態に限定されず、例えばステージ２０は、平面視において基板Ｗと同じ、あるいは基板Ｗよりも大きい形状を有していてもよい。
【００２１】
ステージ２０は、ステージ２０の下面側のフレーム３０に設けられている。ステージ２０は、例えば移動機構（図示せず）を内蔵し、フレーム３０上を水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）に移動自在に構成されている。なお、本実施形態では、移動機構はステージ２０に内蔵されたが、移動機構の構成はこれに限定されず、例えばステージ２０をレール上で走行させるなど、移動機構は任意の構成を取り得る。
【００２２】
図３に示すようにステージ２０の内部には、ステージ２０に保持された基板Ｗを加熱する、基板温調部としてのヒータ２１が設けられている。
【００２３】
図１及び図２に示すようにステージ２０の上方には、当該ステージ２０に保持された基板Ｗに塗布液を塗布する、塗布部としての塗布ノズル４０が設けられている。塗布ノズル４０は、水平方向には移動せず固定されているが、移動機構（図示せず）によって鉛直方向に移動自在に構成されている。また、塗布ノズル４０は、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に延伸する長尺状のスリットノズルである。図４に示すように塗布ノズル４０の下端面には、基板Ｗに塗布液を吐出する吐出口４１が形成されている。図１に示すように吐出口４１は、塗布ノズル４０の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って、基板Ｗの移動範囲より長い範囲で延伸するスリット状の吐出口である。
【００２４】
図２に示すように塗布ノズル４０には、塗布液供給源４２に連通する供給管４３が接続されている。塗布液供給源４２内には、塗布液が貯留されている。供給管４３には、塗布液の流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群４４が設けられている。また、供給管４３には、塗布液を加熱する塗布液温調部としての加熱器４５が設けられている。
【００２５】
なお、塗布ノズル４０から吐出される塗布液は、液晶性材料を含む塗布液である。具体的には、直線偏光膜を形成するための偏光膜用塗布液と、λ／４波長膜を形成するための波長膜用塗布液であり、それぞれ例えば液晶性材料としてリオトロピック液晶やサーモトロピック液晶などの液晶が含まれる。
【００２６】
図１及び図２に示すようにステージ２０の上方であって、塗布ノズル４０のＸ軸正方向側には、検出部５０と温調部６０が一体に設けられている。検出部５０と温調部６０には、移動機構７０が設けられている。移動機構７０は、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向（Ｘ軸方向）と同じ方向に、検出部５０と温調部６０を移動させる。なお、移動機構７０の構成は本実施形態に限定されず、移動機構は任意の構成を取り得る。
【００２７】
なお、ステージ２０及び塗布ノズル４０の下方には、例えばフレーム３０において、塗布液の回収部（図示せず）が設けられていてもよい。回収部は、塗布液を一時的に貯留する。また、回収部で回収された塗布液は、次以降に処理される基板Ｗに対して再利用してもよい。
【００２８】
検出部５０は、ステージ２０に保持された基板Ｗ上の塗布膜において、液晶性材料の分子の配向状態を検出する。検出部５０は、基板Ｗ上の塗布膜に光を照射する照明部５１と、塗布膜を撮像する撮像部５２を有している。照明部５１と撮像部５２はそれぞれ、Ｙ軸方向に沿って、基板Ｗの移動範囲より長い範囲で延伸している。
【００２９】
照明部５１には、例えば偏光照明が用いられる。撮像部５２には、例えば偏光カメラが用いられる。照明部５１から偏光された光を塗布膜に照射しながら、撮像部５２で当該塗布膜を撮像する。撮像部５２で撮像された画像は、後述する制御部８０に出力される。
【００３０】
制御部８０では、撮像された画像から画素の受光輝度に基づいて、塗布膜に照射する光の波長と、塗布膜から反射する光と波長の変化量、すなわち位相差を検出する。そして、測定された位相差と、正常に液晶性材料の分子が配向した状態の位相差とを比較して、測定時における液晶性材料の分子の配向状態（光学特性）を把握することができる。
【００３１】
なお、位相差は、反射光を用いずに透過光を用いて検出してもよい。すなわち、照明部５１をステージ２０側に設け、基板Ｗの下方から光を照射し、直線偏光板（図示せず）を介して撮像部５２で撮像してもよい。
【００３２】
温調部６０は、ステージ２０に保持された基板Ｗ上の塗布膜の表面に温調ガスを供給し、当該塗布膜の温度を調整する。温調部６０は、塗布膜の表面に温調ガスを供給する給気部６１と、給気部６１から供給された温調ガスを排出する排気部６２と、を有している。給気部６１と排気部６２はそれぞれ、Ｙ軸方向に沿って、基板Ｗの移動範囲より長い範囲で延伸している。また、排気部６２は、給気部６１に対して、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向の下流側（Ｘ軸正方向側）に設けられている。
【００３３】
給気部６１には、ガス供給源６３に連通する給気管６４が接続されている。ガス供給源６３内には、温調ガス、例えば不活性ガスが貯留されている。給気管６４には、温調ガスの流れを制御するバルブや流量調節部などを含む供給機器群６５が設けられている。また、給気管６４は、温調ガスの温度を調整する温度調整部としての温調器６６が設けられている。なお、後述するように、液晶性材料がリオトロピック液晶の場合、温調器６６は温調ガスを所望の温度に加熱する。一方、液晶性材料がサーモトロピック液晶の場合、温調器６６は温調ガスを所望の温度に冷却する。また、温調ガスの温度を調整する方法は、温調器６６に限定されず、例えば給気部６１の供給口に温調器（図示せず）を設けてもよい。
【００３４】
排気部６２には、例えば真空ポンプ６７に連通する排気管６８が接続されている。真空ポンプ６７は、温調ガスを真空引きする。
【００３５】
そして、図２及び図３に示すように温調部６０では、給気部６１から供給された温調ガスＧは、ステージ２０に保持された基板Ｗの移動方向（Ｘ軸正方向）に流れ、排気部６２から排出される。そして、この温調ガスＧにより、基板Ｗ上の塗布膜が所望の温度に調整される。この際、給気部６１と排気部６２が一対に設けられ、温調ガスＧは基板Ｗの移動方向下流側（後述する温調領域Ｒ２）に流れ、上流側（伸張配向域Ｒ１）に流れないので、液晶性材料の分子の配向が乱れるのを抑制することができる。
【００３６】
なお、図１及び図２に示すように温調部６０は、給気部６１と排気部６２を覆い、温調ガスＧが外部に流出するのを抑制するためのカバー６９を有している。
【００３７】
以上の塗布膜形成装置１０には、制御部８０が設けられている。制御部８０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、塗布膜形成装置１０における基板Ｗの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各構成部の動作を制御して、塗布膜形成装置１０における後述の基板Ｗの処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部８０にインストールされたものであってもよい。
【００３８】
＜リオトロピック液晶の塗布膜形成方法＞
次に、以上のように構成された塗布膜形成装置１０を用いて行われる塗布膜形成方法について説明する。液晶性材料としては、リオトロピック液晶とサーモトロピック液晶が用いられるが、先ず、リオトロピック液晶の塗布膜を形成する方法について説明する。
【００３９】
図５は、塗布膜形成処理の主な工程の説明図である。また、本実施形態では、上述したように塗布膜として、直線偏光膜とλ／４波長膜を、その偏光軸と進相軸が４５度で交差するように基板Ｗに積層して形成する。図６は、基板Ｗに直線偏光膜を形成する様子を示す説明図である。図７は、基板Ｗにλ／４波長膜を形成する様子を示す説明図である。
【００４０】
（直線偏光膜の形成方法）
先ず、基板Ｗに直線偏光膜を形成する。この場合に塗布ノズル４０から基板Ｗに塗布される塗布液は、直線偏光膜を形成するための偏光膜用塗布液である。そして、塗布膜形成装置１０では、図６に示すように基板Ｗを、Ｘ軸方向に沿って、塗布ノズル４０のＸ軸負方向側（基板位置Ａ１）から温調部６０のＸ軸正方向側（基板位置Ａ２）まで移動させる。
【００４１】
図６（ａ）に示すように基板位置Ａ１において、基板Ｗがステージ２０に保持される。この際、基板Ｗに対して、塗布ノズル４０は塗布液Ｐ１の目標膜厚に応じた高さに配置される。
【００４２】
次に、図５（ａ）及び図６（ｂ）に示すようにステージ２０に保持された基板ＷをＸ軸正方向側に移動させつつ、塗布ノズル４０から塗布液Ｐ１を吐出する。この際、基板Ｗ上では、塗布ノズル４０のＸ軸負方向側に塗布液Ｐ１の液だまりが形成され、Ｘ軸正方向側には液だまりは形成されない。そして、基板Ｗに塗布液Ｐ１が塗布され、塗布膜である直線偏光膜Ｐ２が形成される。なお、塗布液Ｐ１と直線偏光膜Ｐ２は、連続するものであり完全に区別されるものではないが、以下の説明においては、塗布ノズル４０から吐出された液を塗布液Ｐ１と称し、基板Ｗ上の膜を直線偏光膜Ｐ２と称する。
【００４３】
このように基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布する際、塗布液Ｐ１はせん断応力（図６中のブロック矢印）が加えられながら塗布される。塗布ノズル４０は移動せず、基板ＷがＸ軸正方向に移動するので、せん断応力はＸ軸負方向に加えられる。
【００４４】
また、せん断応力（シアレート）は、塗布速度（塗布ノズル４０に対するの基板Ｗ移動速度）を、基板Ｗと塗布ノズル４０の吐出口４１との距離（ギャップ）で割った値である。塗布ノズル４０にはスリットノズルが用いられるので、塗布ノズル４０は、基板Ｗを傷つけることなく、当該基板Ｗに十分に近接できる。このため、ギャップを小さくすることができる。そうすると、塗布ノズル４０の移動速度を制御することで、塗布液Ｐ１に十分なせん断応力を加えることができる。またその結果、塗布液Ｐ１中の分子を一方向（Ｘ軸方向）に配向させることができる。
【００４５】
なお、塗布ノズル４０には、スリットノズル以外の他のノズルを用いることもできるが、上述したようにギャップをできるだけ小さくできるという観点からは、スリットノズルが好適である。また、基板Ｗに塗布される塗布液Ｐ１の膜厚は小さく、かかる観点からもスリットノズルが好適である。
【００４６】
図５（ｂ）に示すように基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布する際、基板Ｗの移動方向下流側（Ｘ軸正方向側）では、検出部５０により、基板ＷのＸ軸正方向側の端部における直線偏光膜Ｐ２中の液晶性材料の分子の配向状態が検出される。具体的には、照明部５１から偏光された光を直線偏光膜Ｐ２に照射しながら、撮像部５２で直線偏光膜Ｐ２を撮像する。撮像部５２で撮像された画像は、制御部８０に出力される。制御部８０では、直線偏光膜Ｐ２に照射する光の波長と、塗布膜から反射する光と波長との位相差から、液晶性材料の分子の配向状態を把握する。
【００４７】
この際、基板Ｗの移動と共に、移動機構７０により検出部５０と温調部６０をＸ軸正方向に移動させながら、検出部５０による液晶性材料の分子の配向状態を検出する。そして、検出部５０により液晶性材料の分子が適切に配向されたと検出された際、検出部５０と温調部６０の移動を停止させる。
【００４８】
この検出部５０と温調部６０の停止位置は、液晶性材料の分子が適切に配向される境界である。すなわち、停止位置のＸ軸負方向側の領域は、液晶性材料の分子を配向させるための領域である。以下の説明においては、塗布ノズル４０から給気部６１までのＸ軸負方向側の領域を、伸張配向域Ｒ１という。また、停止位置のＸ軸正方向側の領域は、後述するように直線偏光膜Ｐ２の温度を調整するための領域である。以下の説明においては、給気部６１のＸ軸正方向側の領域を、温調領域Ｒ２という。さらに、給気部６１の位置、すなわち伸張配向域Ｒ１と温調領域Ｒ２の境界を境界Ｒ３と称する。
【００４９】
続いて、図５（ｃ）に示すように基板Ｗを移動させながら、塗布ノズル４０からの塗布液Ｐ１の吐出を継続しつつ、境界Ｒ３において、給気部６１から直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスＧを供給する。温調ガスＧは、直線偏光膜Ｐ２の表面をＸ軸正方向に流れ、排気部６２から排出される。なお、図５（ｄ）に示すように基板Ｗが塗布ノズル４０の下方を通過し、塗布ノズル４０からの塗布液Ｐ１の吐出を吐出した後も、境界Ｒ３を基板Ｗが移動する間は、給気部６１からの温調ガスＧの供給を継続して行う。
【００５０】
この際、給気部６１から供給される温調ガスＧは、温調器６６によって所望の温度、例えば４０℃〜６０℃に加熱されている。ここでリオトロピック液晶は、水やその他の極性溶媒と混合した状態で液晶となる。したがって、本実施形態のように４０℃〜６０℃の温調ガスＧを直線偏光膜Ｐ２の表面に供給することで、直線偏光膜Ｐ２の表面が乾燥し、溶媒が減少するので、当該直線偏光膜Ｐ２が液晶化（固形化）される。
【００５１】
また、直線偏光膜Ｐ２を結晶化させるため、給気部６１から供給される温調ガスＧは、適切な風量及び風速に制御されている。
【００５２】
なお、本実施形態では、温調ガスＧにより直線偏光膜Ｐ２の表面を液晶化しているが、このように表面を液晶化すれば、内部もこれに倣って液晶化する。したがって、直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスＧを供給すれば、直線偏光膜Ｐ２を厚み方向に液晶化することができる。
【００５３】
そして、本実施形態のように境界Ｒ３において、直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスＧを供給するので、直線偏光膜Ｐ２中の液晶性材料の分子が適切に配向された直後に、液晶化することができる。したがって、従来のように液晶性材料の分子の配向が乱れた状態で液晶化することを抑制し、直線偏光膜Ｐ２を適切に形成して、偏光板の所望の光学特性を得ることができる。
【００５４】
なお、本実施形態では、塗布ノズル４０から吐出される塗布液Ｐ１の温度と、ステージ２０に保持された基板Ｗの温度はそれぞれ、温調ガスＧの温度と同じであるのが好ましい。すなわち、塗布ノズル４０から吐出される塗布液Ｐ１は、加熱器４５によって４０℃〜６０℃に加熱されている。また、ステージ２０に保持された基板Ｗも、ヒータ２１によって４０℃〜６０℃に加熱されている。
【００５５】
このように塗布液Ｐ１を４０℃〜６０℃に加熱しておくと、直線偏光膜Ｐ２の溶媒が内部から表面に流動する。また、基板Ｗを４０℃〜６０℃に加熱しておくことで、この溶媒の流動をさらに促進させることができる。そして、溶媒が直線偏光膜Ｐ２の表面に流動した状態で当該表面に温調ガスＧを供給すると、溶媒が除去され（以下、界面剥離という場合がある）、表面が乾燥して結晶化する。換言すれば、加熱された温調ガスＧ、塗布液Ｐ１、基板Ｗの温度は、直線偏光膜Ｐ２の内部の溶媒分子を拡散させるように補助的に用いられ、温調ガスＧは、その溶媒を除去するために用いられる。
【００５６】
また、本実施形態では、温調ガスＧの温度、塗布液Ｐ１の温度、基板Ｗの温度は４０〜６０℃であるが、これは溶媒の種類によって決まる。例えば溶媒が水の場合、例えば１００℃まで上げてしまうと、水が沸騰し、液晶性材料の分子の配向を乱す恐れがある。そこで、上記温度によって分子がある程度拡散すればよく、上記温度は４０〜６０℃が好ましい。
【００５７】
さらに、本実施形態では、温調ガスＧの温度、塗布液Ｐ１の温度、基板Ｗの温度を同じにしているので、これら温度差に起因する溶媒の撹拌が抑制される。その結果、液晶性材料の分子の配向の乱れをさらに抑制することができる。
【００５８】
このように、基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布して直線偏光膜Ｐ２を形成した後、直線偏光膜Ｐ２を乾燥させて結晶化する。そして、図６（ｃ）に示すように基板Ｗを温調部６０のＸ軸正方向側（基板位置Ａ２）まで移動させて、基板Ｗの全面に直線偏光膜Ｐ２が形成される。なお、基板Ｗに直線偏光膜Ｐ２が形成されると、基板Ｗは塗布膜形成装置１０から搬出され、またステージ２０は元の基板位置Ａ１に戻る。
【００５９】
（λ／４波長膜の形成方法）
以上のように基板Ｗに直線偏光膜が形成されると、次に、λ／４波長膜をさらに形成する。この場合に塗布ノズル４０から基板Ｗに塗布される塗布液は、λ／４波長膜を形成するための波長膜用塗布液である。そして、塗布膜形成装置１０では、図７に示すように基板Ｗを、Ｘ軸正方向及びＹ軸負方向に斜め４５度方向に沿って、塗布ノズル４０のＸ軸負方向側（基板位置Ｂ１）から温調部６０のＸ軸正方向側（基板位置Ｂ２）に移動させる。
【００６０】
図７（ａ）に示すように基板位置Ｂ１において、基板Ｗがステージ２０に保持される。この際、基板Ｗに対して、塗布ノズル４０は塗布液Ｑ１の目標膜厚に応じた高さに配置される。
【００６１】
次に、図５（ａ）及び図７（ｂ）に示すようにステージ２０に保持された基板Ｗを、基板ＷをＸ軸正方向及びＴ軸負方向に斜め４５度方向に移動させつつ、塗布ノズル４０から塗布液Ｑ１を吐出する。そうすると、基板Ｗに塗布液Ｑ１が塗布され、塗布膜であるλ／４波長膜Ｑ２が形成される。なお、塗布液Ｑ１とλ／４波長膜Ｑ２は、連続するものであり完全に区別されるものではないが、以下の説明においては、塗布ノズル４０から吐出された液を塗布液Ｑ１と称し、基板Ｗ上の膜をλ／４波長膜Ｑ２と称する。
【００６２】
このように基板Ｗに塗布液Ｑ１を塗布する際、塗布液Ｑ１はせん断応力（図７中のブロック矢印）が加えられながら塗布される。すなわち、せん断応力はＸ軸負方向及びＹ軸正方向に斜め４５度方向に加えられる。
【００６３】
また、λ／４波長膜Ｑ２を形成する際にも、直線偏光膜Ｐ２を形成する場合と同様に、検出部５０により液晶性材料の分子の配向状態を検出し、温調部６０によりλ／４波長膜Ｑ２を結晶化させる。
【００６４】
すなわち、図５（ｂ）に示すように、検出部５０により液晶性材料の分子の配向状態を検出する。そして、その検出結果に基づいて、伸張配向域Ｒ１と温調領域Ｒ２の境界Ｒ３を把握し、給気部６１の位置を境界Ｒ３に決定する。
【００６５】
続いて、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示すように境界Ｒ３において、給気部６１からλ／４波長膜Ｑ２の表面に温調ガスＧを供給する。温調ガスＧは、λ／４波長膜Ｑ２の表面をＸ軸正方向に流れ、排気部６２から排出される。温調ガスＧは例えば４０℃〜６０℃に加熱され、λ／４波長膜Ｑ２が結晶化（固形化）される。
【００６６】
このように、基板Ｗに塗布液Ｑ１を塗布してλ／４波長膜Ｑ２を形成した後、λ／４波長膜Ｑ２を乾燥させて結晶化する。そして、図７（ｃ）に示すように基板Ｗを温調部６０のＸ軸正方向側（基板位置Ｂ２）まで移動させて、基板Ｗの全面にλ／４波長膜Ｑ２が形成される。
【００６７】
以上の実施形態によれば、基板Ｗに直線偏光膜Ｐ２又はλ／４波長膜Ｑ２のいずれを形成する場合でも、基板Ｗに塗布液Ｐ１、Ｑ１を塗布して塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成した後、境界Ｒ３において給気部６１から温調ガスＧを供給する。かかる場合、伸張配向域Ｒ１で液晶性材料の分子を適切に配向した直後に、温調ガスＧにより塗布膜Ｐ２、Ｑ２を結晶化することができる。したがって、従来のように液晶性材料の分子の配向が乱れた状態で液晶化することを抑制し、塗布膜Ｐ２、Ｑ２を適切に形成して、偏光板や波長板を所望の品質で製作することができる。
【００６８】
ここで従来、液晶性材料の分子を適切に配向させるため、基板に塗布膜を形成する前に、予め基板の表面に配向膜を形成しておく場合がある。かかる場合、配向膜を形成する工程が増え、基板処理のスループットが低下し、製造コストも増加する。また、配向膜から生じ得るパーティクルにより、製品の歩留まりが低下するおそれもある。さらに、本実施形態の塗布膜Ｐ２、Ｑ２は、光を制御する膜であり、配向膜のように本来不要な介在物は極力混入させないのが好ましい。この点、本実施形態によれば、配向膜のような不要な介在物を存在させることなく、基板Ｗに塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成することができる。
【００６９】
＜サーモトロピック液晶の塗布膜形成方法＞
次に、塗布膜形成装置１０において、サーモトロピック液晶の塗布膜を形成する方法について説明する。本実施形態においても、塗布膜として直線偏光膜Ｐ２とλ／４波長膜Ｑ２を、その偏光軸が４５度で交差するように基板Ｗに積層して形成する。
【００７０】
本実施形態においてサーモトロピック液晶の塗布膜を形成する場合においても、図６に示した方法と同様の方法で直線偏光膜Ｐ２を形成し、図７に示した方法と同様の方法でλ／４波長膜Ｑ２を形成する。すなわち、図６に示すように直線偏光膜Ｐ２を形成する場合、基板Ｗを、Ｘ軸方向に沿って、塗布ノズル４０のＸ軸負方向側（基板位置Ａ１）から温調部６０のＸ軸正方向側（基板位置Ａ２）まで移動させる。また、図７に示すようにλ／４波長膜Ｑ２を形成する場合、基板Ｗを、Ｘ軸正方向及びＹ軸負方向に斜め４５度方向に沿って、塗布ノズル４０のＸ軸負方向側（基板位置Ｂ１）から温調部６０のＸ軸正方向側（基板位置Ｂ２）に移動させる。
【００７１】
このように、リオトロピック液晶とサーモトロピック液晶では、基板に塗布液Ｐ１、Ｑ１を塗布して塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成した後、境界Ｒ３から温調ガスＧを供給するという点では共通している。しかしながら、上述したようにリオトロピック液晶とサーモトロピック液晶では、その性質が異なる。そこで、以下では図５を用いて、サーモトロピック液晶の塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成する場合について、主としてリオトロピック液晶の塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成する場合との相違点を説明する。また、直線偏光膜Ｐ２とλ／４波長膜Ｑ２を形成する方法は同様であるので、以下では直線偏光膜Ｐ２を形成する場合について説明する。
【００７２】
図５（ａ）に示すようにステージ２０に保持された基板ＷをＸ軸正方向側に移動させつつ、塗布ノズル４０から塗布液Ｐ１を吐出する。そうすると、基板Ｗに塗布液Ｐ１が塗布され、塗布膜である直線偏光膜Ｐ２が形成される。
【００７３】
この際、塗布ノズル４０から吐出される塗布液Ｐ１は、所望の温度に加熱されている。ここでサーモトロピック液晶は、液晶相となる条件から所望の温度範囲で液晶となる。基板Ｗに塗布される時点では塗布液Ｐ１は液体の必要があるため、当該塗布液Ｐ１を加熱する。なお、塗布液Ｐ１の加熱温度は、サーモトロピック液晶の種類によって決定される。
【００７４】
また、図５（ｂ）に示すように基板Ｗに塗布液Ｐ１を塗布する際、検出部５０により液晶性材料の分子の配向状態を検出する。そして、その検出結果に基づいて、伸張配向域Ｒ１と温調領域Ｒ２の境界Ｒ３を把握し、給気部６１の位置を境界Ｒ３に決定する。
【００７５】
続いて、図５（ｃ）及び図５（ｄ）に示すように境界Ｒ３において、給気部６１から直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスＧを供給する。温調ガスＧは、直線偏光膜Ｐ２の表面をＸ軸正方向に流れ、排気部６２から排出される。
【００７６】
この際、給気部６１から供給される温調ガスＧは、温調器６６によって所望の温度に冷却されている。ここでサーモトロピック液晶は、温度で液晶性が決まる。したがって、本実施形態のように冷却された温調ガスＧを直線偏光膜Ｐ２の表面に供給することで、当該表面が冷却され、直線偏光膜Ｐ２が液晶化（固形化）される。なお、温調ガスＧの冷却温度は、サーモトロピック液晶の種類によって決定される。
【００７７】
そして、本実施形態のように境界Ｒ３において、直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスＧを供給するので、直線偏光膜Ｐ２中の液晶性材料の分子が適切に配向された直後に、液晶化することができる。したがって、従来のように液晶性材料の分子の配向が乱れた状態で液晶化することを抑制し、直線偏光膜Ｐ２を適切に形成して、偏光板の所望の光学特性を得ることができる。
【００７８】
なお、本実施形態では、直線偏光膜Ｐ２を形成後に、温調ガスＧを用いて直線偏光膜Ｐ２を急冷しているが、この急冷方法は本実施形態に限定されない。例えば、ステージ２０に、例えばペルチェ素子などの冷却機構（図示せず）を設け、基板Ｗを所望の温度に冷却してもよい。
【００７９】
ここで従来、サーモトロピック液晶の塗布膜を形成する場合には、サーモトロピック液晶に紫外線硬化樹脂を混ぜる場合がある。かかる場合、塗布膜に紫外線を照射することで、当該塗布膜を硬化させて結晶化する。
【００８０】
本実施形態においても、塗布液Ｐ１に紫外線硬化樹脂を混ぜておき、直線偏光膜Ｐ２に温調ガスＧを供給した後、当該直線偏光膜Ｐ２に紫外線を照射してもよい。但し、液晶性材料を含む直線偏光膜Ｐ２を形成するに際しては、液晶の配向を乱すような介在物、例えば上記紫外線硬化樹脂や反応開始材などは、できるだけ混入させないのが好ましい。そこで、本実施形態のように温調ガスＧにより、直線偏光膜Ｐ２を冷却するのが良い。
【００８１】
以上のように、本実施形態の塗布膜形成装置１０を用いれば、液晶性材料がリオトロピック液晶又はサーモトロピック液晶のいずれであっても、基板Ｗに塗布液Ｐ１、Ｑ１を塗布して塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成した後、境界Ｒ３において給気部６１に温調ガスＧを供給する。かかる場合、伸張配向域Ｒ１で液晶性材料の分子を適切に配向した直後に、温調ガスＧにより塗布膜Ｐ２、Ｑ２を結晶化することができ、塗布膜Ｐ２、Ｑ２を適切に形成することができる。
【００８２】
以上の実施形態では、検出部５０により液晶性材料の分子の配向状態を検出して、境界Ｒ３を決定したが、境界Ｒ３の決定方法はこれに限定されず、例えば検出部５０と温調部６０は予め定められた位置に固定されてもよい。例えば、塗布膜形成装置１０の立ち上げ（初期設定）において境界Ｒ３を決定し、以後の処理では、検出部５０と温調部６０の水平方向の位置を固定してもよい。
【００８３】
また、以上の実施形態では、境界Ｒ３を決定後、移動機構７０により給気部６１を移動させていたが、例えば給気部６１の温調ガスＧの給気口を移動自在に構成してもよい。かかる場合、例えば移動距離が小さい場合、給気部６１の供給口を移動させて、当該供給口を境界Ｒ３に配置することが可能となる。
【００８４】
また、以上の実施形態では、温調部６０において一対の給気部６１と排気部６２が設けられていたが、例えば図８及び図９に示すように、これら給気部６１と排気部６２は複数対、例えば３対設けられていてもよい。具体的には、給気部６１ａと排気部６２ａの一対、給気部６１ｂと排気部６２ｂの一対、給気部６１ｃと排気部６２ｃの一対が、Ｘ軸正方向に向かって並べて配置されている。なお、各給気部６１ａ〜６１ｃはそれぞれ上述した給気部６１と同様の構成を有し、各排気部６２ａ〜６２ｃはそれぞれ上述した排気部６２と同様の構成を有する。
【００８５】
かかる場合、給気部６１ａと排気部６２ａにおいて、給気部６１ａから排気部６２ａに向かう温調ガスＧａの流れが形成される。同様に、給気部６１ｂと排気部６２ｂ、給気部６１ｃと排気部６２ｃのそれぞれにおいても、温調ガスＧｂ、Ｇｃの流れが形成される。すなわち、基板Ｗの表面（塗布膜の表面）では、Ｘ軸正方向に向かって、３つの温調ガスＧａ〜Ｇｃの流れが形成される。
【００８６】
例えば温調部６０において、給気部６１と排気部６２の距離が大きい場合には、温調ガスＧの均一な流れを形成するのが難しい場合がある。そこで、複数対の給気部６１ａ〜６１ｃと排気部６２ａ〜６２ｃを設けることで、それぞれの温調ガスＧａ〜Ｇｃの流れを均一にすることができる。その結果、液晶性材料の分子の配向が乱れるのをさらに抑制することができる。
【００８７】
また、リオトロピック液晶の塗布膜Ｐ２、Ｑ２を形成する場合、上述したように温調ガスＧによって塗布膜中の溶媒が除去される界面剥離が行われるが、各温調ガスＧａ〜Ｇｃによって、それぞれの領域の界面剥離を適切に行うことができる。したがって、塗布膜Ｐ２、Ｑ２を適切に結晶化することができる。
【００８８】
さらに、各給気部６１ａ〜６１ｃから供給される温調ガスＧａ〜Ｇｃの温度は、それぞれ同じであるのが好ましい。かかる場合、温度差に起因する塗布膜中の溶媒の撹拌が抑制される。その結果、液晶性材料の分子の配向の乱れをさらに抑制することができる。
【００８９】
なお、以上の実施形態では、給気部６１と排気部６２が一対に設けられていたが、例えば給気部６１からＸ軸正方向（一方向）に向かう流れが形成できれば、排気部６２を省略してもよい。但し、排気部６２を設けることで、温調ガスＧの一方向の流れを強制的に形成できるので、給気部６１と排気部６２は一対に設けられるのが好ましい。
【００９０】
＜他の実施形態＞
以上の実施形態の塗布膜形成装置１０では、ステージ２０に保持された基板Ｗを移動させ、塗布ノズル４０を固定していたが、基板Ｗと塗布ノズル４０を相対的に移動させればよい。
【００９１】
例えば図１０に示すようにステージ２０を移動させずに固定して、塗布ノズル４０をＸ軸方向に移動させてもよい。かかる場合、塗布ノズル４０には、移動機構１００が設けられる。移動機構１００は、ステージ２０を挟んでＸ軸方向に沿って塗布ノズル４０を移動させる。すなわち、塗布ノズル４０は、ステージ２０のＸ軸正方向側とＸ軸負方向側の間を移動する。なお、移動機構１００の構成は本実施形態に限定されず、移動機構は任意の構成を取り得る。また、塗布ノズル４０が鉛直方向に移動自在であるのは、上記実施形態と同様である。
【００９２】
また、移動機構７０により検出部５０と温調部６０も、塗布ノズル４０と共に移動する。すなわち、検出部５０と温調部６０は、ステージ２０のＸ軸正方向側とＸ軸負方向側の間を移動する。
【００９３】
本実施形態における塗布膜形成装置１０の他の構成は、図１及び図２に示した上記実施形態における塗布膜形成装置１０の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００９４】
次に、以上のように構成された塗布膜形成装置１０を用いて行われる塗布膜形成方法について説明する。図１１は、塗布膜形成処理の主な工程の説明図である。本実施形態においても基板Ｗに、リオトロピック液晶の直線偏光膜Ｐ２及びλ／４波長膜Ｑ２と、サーモトロピック液晶の直線偏光膜Ｐ２及びλ／４波長膜Ｑ２とが形成される。以下の説明では、基板Ｗにリオトロピック液晶の直線偏光膜Ｐ２を形成する場合について説明する。
【００９５】
図１１（ａ）に示すようにステージ２０に保持された基板Ｗを移動させない状態で、塗布ノズル４０をＸ軸負方向側に移動させつつ、塗布ノズル４０から塗布液Ｐ１を吐出する。そうすると、基板Ｗに塗布液Ｐ１が塗布され、直線偏光膜Ｐ２が形成される。この際、塗布ノズル４０の移動とともに、検出部５０と温調部６０もＸ軸負方向側に移動させる。具体的には、撮像部５２が基板ＷのＸ軸正方向側の端部の上方に位置するまで、検出部５０と温調部６０を移動させる。
【００９６】
その後、図１１（ｂ）に示すように検出部５０により、検出部５０により、基板ＷのＸ軸正方向側の端部における直線偏光膜Ｐ２中の液晶性材料の分子の配向状態を検出する。そして、検出部５０による検出結果に基づいて、伸張配向域Ｒ１と温調領域Ｒ２の境界Ｒ３を把握し、給気部６１の位置を境界Ｒ３に決定する。
【００９７】
その後、図１１（ｃ）に示すように塗布ノズル４０から給気部６１までの伸張配向域Ｒ１を維持するように、塗布ノズル４０と、検出部５０及び温調部６０とを、同じ速度でＸ軸負方向側に移動させる。そして、これら塗布ノズル４０、検出部５０及び温調部６０を移動させながら、塗布ノズル４０からの塗布液Ｐ１の吐出を継続しつつ、境界Ｒ３において、給気部６１から直線偏光膜Ｐ２の表面に温調ガスＧを供給する。なお、図１１（ｄ）に示すように塗布ノズル４０が基板Ｗの上方を通過し、塗布ノズル４０からの塗布液Ｐ１の吐出を吐出した後も、給気部６１が基板Ｗの上方を移動する間は、給気部６１からの温調ガスＧの供給を継続して行う。
【００９８】
給気部６１から供給された温調ガスＧは、直線偏光膜Ｐ２の表面をＸ軸正方向に流れ、排気部６２から排出される。温調ガスＧは例えば４０℃〜６０℃に加熱され、直線偏光膜Ｐ２が結晶化（固形化）される。そして、基板Ｗの全面に直線偏光膜Ｐ２が形成される。
【００９９】
なお、本実施形態の塗布膜形成装置１０では、リオトロピック液晶のλ／４波長膜Ｑ２も、上記直線偏光膜Ｐ２と同様に形成される。また、サーモトロピック液晶の直線偏光膜Ｐ２及びλ／４波長膜Ｑ２も、塗布液Ｐ１、Ｑ１の温度や温調ガスＧの温度が異なる以外は、上記直線偏光膜Ｐ２と同様に形成される。
【０１００】
本実施形態においても、上記実施形態と同様の効果を享受することができる。すなわち、伸張配向域Ｒ１で液晶性材料の分子を適切に配向した直後に、温調ガスＧにより塗布膜Ｐ２、Ｑ２を結晶化することができる。
【０１０１】
なお、図示はしないが、ステージ２０に保持された基板Ｗと塗布ノズル４０の両方を移動させてもよい。
【０１０２】
また、以上の実施形態では、基板Ｗをステージ２０に保持した状態で移動させたが、基板Ｗの移動方法はこれに限定されない。例えば浮上搬送方式を用いて、基板Ｗをステージ（図示せず）から浮上させた状態で搬送してもよい。またかかる場合、ステージを複数のエリアに区画し、例えば塗布ノズル４０による塗布エリア、温調部６０による温調エリアに区画してもよい。
【０１０３】
以上の実施形態では、ＯＬＥＤに用いられる円偏光板を作製する場合において、ガラス基板に塗布膜として、直線偏光膜（直線偏光板）とλ／４波長膜（λ／４波長板）を形成する場合を例にとって説明したが、本開示は他にも適用できる。例えばＬＣＤに用いられる偏光板や波長板にも、本開示を適用することができる。また、波長板もλ／４波長膜に限定されず、例えばλ／２波長膜などの他の波長板にも、本開示を適用することができる。
【０１０４】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【０１０５】
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板に液晶性材料を含む塗布膜を形成する塗布膜形成方法であって、
基板を保持する保持部と塗布部を相対的に移動させながら、前記塗布部から前記液晶性材料を含む塗布液を吐出し、基板に前記塗布液を塗布して塗布膜を形成する工程と、
その後、前記液晶性材料の分子を配向させる伸張配向域と前記塗布膜の温度を調整する温調領域との境界において、前記塗布膜の表面に給気部から温調ガスを供給する工程と、を有する、塗布膜形成方法。
前記（１）によれば、伸張配向域で液晶性材料の分子を適切に配向した直後に、温調ガスにより塗布膜を結晶化することができる。したがって、従来のように液晶性材料の分子の配向が乱れた状態で液晶化することを抑制し、塗布膜を適切に形成して、偏光板や波長板を所望の品質で製作することができる。
【０１０６】
（２）前記温調ガスを供給する工程において、前記液晶性材料の分子の配向状態を検出し、検出結果に基づいて前記境界を把握する、前記（１）に記載の塗布膜形成方法。
（３）前記液晶性材料の分子の配向状態を検出する際、照明部から前記塗布膜に光を照射しながら、撮像部で前記塗布膜を撮像する、前記（２）に記載の塗布膜形成方法。
（４）前記液晶性材料はリオトロピック液晶であり、
前記塗布部から吐出される前記塗布液は加熱され、
前記保持部に保持された基板は加熱され、
前記給気部から供給される前記温調ガスは加熱される、前記（１）〜（３）のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
（５）前記塗布部から吐出される前記塗布液の温度と、前記保持部に保持された基板の温度と、前記給気部から供給される前記温調ガスの温度はそれぞれ同じである、前記（４）に記載の塗布膜形成方法。
（６）前記液晶性材料はサーモトロピック液晶であり、
前記塗布部から吐出される前記塗布液は加熱され、
前記給気部から供給される前記温調ガスは冷却される、前記（１）〜（３）のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
（７）前記給気部は、前記塗布部に対する前記保持部の移動方向に、前記温調ガスを供給する、前記（１）〜（６）のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
（８）前記給気部から供給された前記温調ガスは排気部から排出される、前記（１）〜（７）のいずれかに記載の塗布膜形成方法。
（９）前記給気部と前記排気部はそれぞれ、交互に複数設けられる、前記（８）に記載の塗布膜形成方法。
（１０）複数の前記給気部から供給される前記温調ガスの温度は同じである、前記（９）に記載の塗布膜形成方法。
（１１）基板に液晶性材料を含む塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された基板に前記液晶性材料を含む塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布部と、
前記保持部に保持された基板の前記塗布膜の表面に温調ガスを供給する給気部と、
前記保持部と前記塗布部を相対的に移動させる移動機構と、
前記保持部と前記塗布部を相対的に移動させながら、前記塗布部から前記塗布液を吐出して、前記塗布膜を形成する工程と、その後、前記液晶性材料の分子を配向させる伸張配向域と前記塗布膜の温度を調整する温調領域との境界において、前記塗布膜の表面に前記給気部から前記温調ガスを供給する工程と、を実行させるように、前記保持部、前記塗布部、前記給気部及び前記移動機構を制御する制御部と、を有する、塗布膜形成装置。
（１２）前記液晶性材料の分子の配向状態を検出する検出部を有し、
前記制御部は、前記温調ガスを供給する工程において、前記検出部による検出結果に基づいて前記境界を把握する、前記（１１）に記載の塗布膜形成装置。
（１３）前記検出部は、
前記塗布膜に光を照射する照明部と、
前記塗布膜を撮像する撮像部と、を有する、前記（１２）に記載の塗布膜形成装置。
（１４）前記液晶性材料はリオトロピック液晶であり、
前記塗布膜形成装置は、
前記塗布部から吐出される前記塗布液を加熱する塗布液温調部と、
前記保持部に保持された基板を加熱する基板温調部と、
前記給気部から供給される前記温調ガスを加熱するガス温調部と、を有する、前記（１１）〜（１３）のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
（１５）前記塗布部から吐出される前記塗布液の温度と、前記保持部に保持された基板の温度と、前記給気部から供給される前記温調ガスの温度はそれぞれ同じである、前記（１４）に記載の塗布膜形成装置。
（１６）前記液晶性材料はサーモトロピック液晶であり、
前記塗布膜形成装置は、
前記塗布部から吐出される前記塗布液を加熱する塗布液温調部と、
前記給気部から供給される前記温調ガスを冷却するガス温調部と、を有する、前記（１１）〜（１３）のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
（１７）前記給気部は、前記塗布部に対する前記保持部の移動方向に、前記温調ガスを供給する、前記（１１）〜（１６）のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
（１８）前記給気部から供給された前記温調ガスを排出する排気部を有する、前記（１１）〜（１７）のいずれかに記載の塗布膜形成装置。
（１９）前記給気部と前記排気部はそれぞれ、交互に複数設けられる、前記（１８）に記載の塗布膜形成装置。
（２０）複数の前記給気部から供給される前記温調ガスの温度は同じである、前記（１９）に記載の塗布膜形成装置。
【符号の説明】
【０１０７】
１０    塗布膜形成装置
２０    ステージ
４０    塗布ノズル
６１    給気部
７０    移動機構
８０    制御部
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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