(57)【要約】【課題】静電チャックの耐電圧特性が低下することを抑制しつつ、かつ、静電チャックに保持される対象物の温度分布の制御性が低下することを抑制しつつ、セラミックス板の第１の表面に形成された変質層が除去された静電チャックを再生・製造する。【解決手段】静電チャックの製造方法は、マスク工程と、ショットブラスト工程と、鏡面研磨工程とを備える再生工程を有する。マスク工程は、セラミックス板の第１の表面に、複数の凸部の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部を有するマスクを配置する工程である。ショットブラスト工程は、マスクが配置されたセラミックス板の第１の表面に対してショットブラストを行うことにより、複数の凸部の間の凹部の表面を研削する工程である。鏡面研磨工程は、セラミックス板の第１の表面に対して鏡面研磨を行うことにより、複数の凸部の頂面を研削する工程である。【選択図】図５
2020006501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の凸部が形成された第１の表面を有するセラミックス板と、
前記セラミックス板の内部に配置され、静電引力を発生させるチャック電極と、
を備え、前記セラミックス板の前記第１の表面上に対象物を保持する静電チャックの製造方法において、
前記セラミックス板の前記第１の表面に、前記複数の凸部の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部を有するマスクを配置するマスク工程と、
前記マスクが配置された前記セラミックス板の前記第１の表面に対してショットブラストを行うことにより、前記複数の凸部の間の凹部の表面を研削するショットブラスト工程と、
前記ショットブラスト工程の後に、前記セラミックス板の前記第１の表面に対して鏡面研磨を行うことにより、前記複数の凸部の頂面を研削する鏡面研磨工程と、
を備える再生工程を有する、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の静電チャックの製造方法において、
前記ショットブラスト工程における前記凹部の底面の研削深さと、前記鏡面研磨工程における前記凸部の頂面の研削深さとは、略同一である、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の静電チャックの製造方法において、
前記マスクの各前記遮蔽部の大きさは、対応する前記凸部の頂面より大きい、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の静電チャックの製造方法において、
前記マスクの各前記遮蔽部の大きさは、対応する前記凸部の頂面より小さい、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の静電チャックの製造方法において、
前記再生工程は、さらに、前記マスク工程の前に、前記セラミックス板の前記第１の表面に対してショットブラストを行うマスク前ショットブラスト工程を備える、
ことを特徴とする静電チャックの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、静電チャックの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、セラミックス板と、セラミックス板の内部に配置されたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス板の表面（以下、「吸着面」という）にウェハを吸着して保持する。
【０００３】
静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、例えば、セラミックス板に配置されたヒータ電極による加熱や、セラミックス板に接合されたベース部材に形成された冷媒流路に冷媒を供給することによる冷却によって、セラミックス板の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が行われる。
【０００４】
また、静電チャックでは、セラミックス板の吸着面における外縁付近に、連続的な壁状の凸部（以下、「壁状凸部」という）が形成されており、また、セラミックス板の吸着面における壁状凸部より内側の領域に、複数の独立した柱状の凸部（以下、「柱状凸部」という）が形成されている。セラミックス板の吸着面における壁状凸部より内側の領域の内、柱状凸部が形成されていない部分は、凹部となっている。壁状凸部および各柱状凸部は、例えば、セラミックス板の平面状の表面に、壁状凸部および各柱状凸部に対応する部分を遮蔽するマスクを配置し、例えばセラミックス等の粒体を投射するショットブラストを行うことにより形成される。
【０００５】
ウェハは、セラミックス板の吸着面における壁状凸部と複数の柱状凸部とに支持される。この状態では、ウェハの表面とセラミックス板の吸着面（より詳細には吸着面の凹部）との間に、空間が存在することとなる。該空間には、ウェハとセラミックス板との間の伝熱特性を高めてウェハの温度分布の制御性を向上させるため、ヘリウムガス等の不活性ガスが供給される。
【０００６】
静電チャックが繰り返し使用されると、セラミックス板の吸着面に、ウェハの洗浄液残滓等の汚染物質が付着したり、微細な凹凸が形成されたりする。以下、セラミックス板の吸着面における、汚染物質が付着したり微細な凹凸が形成されたりした層を、変質層という。セラミックス板の吸着面にある程度の厚さの変質層が形成されると、ウェハを吸着する吸着力が低下したり、壁状凸部とウェハとの間の密着性が低下して不活性ガスが漏洩したりする。そのため、そのような場合には、変質層を取り除くことによって静電チャックを再生して製造する処理が実行される。静電チャックを再生して製造する処理としては、従来、グラインダ等を用いた平面研磨により壁状凸部および各柱状凸部を完全に除去し、その後、マスクを使用したショットブラストを行うことによって新たに壁状凸部および各柱状凸部を形成する処理（以下、「第１の従来の処理」という）や、マスクを使用せずに吸着面に対するショットブラストを行うことによって変質層を除去し、その後、壁状凸部および各柱状凸部の頂面を鏡面研磨する処理（以下、「第２の従来の処理」という）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−１６２０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記第１の従来の処理では、平面研磨により、セラミックス板の吸着面側の比較的厚い部分が削り取られる。特に、セラミックス板にはある程度の反りが存在するため、厳密に壁状凸部および各柱状凸部の高さ分だけを削り取ることは困難であり、削り取られる部分の厚さが、壁状凸部および各柱状凸部の高さより大きくなる。そのため、上記第１の従来の処理を１回または数回行うだけで、誘電体層の厚さ（チャック電極から吸着面までの距離）が過度に薄くなり、耐電圧特性が低下して静電チャックが使用不可となるおそれがある。
【０００９】
また、上記第２の従来の処理では、セラミックス板の吸着面における凹部（壁状凸部より内側の領域の内の柱状凸部が形成されていない部分）に対してはショットブラストのみが行われる一方、壁状凸部や各柱状凸部に対してはショットブラストと鏡面研磨との両方が行われるため、壁状凸部や各柱状凸部の高さが低くなってしまう。このとき、壁状凸部や各柱状凸部の高さが均等に低くならない場合がある。そのため、上記第２の従来の処理を行うと、不活性ガスが滞留する空間の容積が、面方向（吸着面に略平行な方向）において不均一になり、セラミックス板とウェハとの間の伝熱特性の均一性が低下して、ウェハの温度分布の制御性が低下するおそれがある。
【００１０】
このように、従来の方法では、静電チャックの耐電圧特性が低下することを抑制しつつ、かつ、静電チャックに保持される対象物の温度分布の制御性が低下することを抑制しつつ、セラミックス板の吸着面に形成された変質層が除去された静電チャックを再生・製造することができない、という課題がある。
【００１１】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【００１３】
（１）本明細書に開示される静電チャックの製造方法は、複数の凸部が形成された第１の表面を有するセラミックス板と、前記セラミックス板の内部に配置され、静電引力を発生させるチャック電極と、を備え、前記セラミックス板の前記第１の表面上に対象物を保持する静電チャックの製造方法において、前記セラミックス板の前記第１の表面に、前記複数の凸部の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部を有するマスクを配置するマスク工程と、前記マスクが配置された前記セラミックス板の前記第１の表面に対してショットブラストを行うことにより、前記複数の凸部の間の凹部の表面を研削するショットブラスト工程と、前記ショットブラスト工程の後に、前記セラミックス板の前記第１の表面に対して鏡面研磨を行うことにより、前記複数の凸部の頂面を研削する鏡面研磨工程と、を備える再生工程を有する。このように、本静電チャックの製造方法では、再生工程におけるショットブラスト工程を行う際に、セラミックス板の第１の表面における複数の凸部の頂面が、マスクの遮蔽部により遮蔽されている。そのため、ショットブラスト工程では、第１の表面における複数の凸部の間の凹部の表面は研削されて変質層が除去されるが、複数の凸部の頂面は研削されない。また、本静電チャックの製造方法では、再生工程におけるショットブラスト工程の後に、鏡面研磨工程が行われる。鏡面研磨工程では、複数の凸部の頂面は研削されて変質層が除去されるが、複数の凸部の間の凹部の表面は研削されない。従って、本静電チャックの製造方法によれば、複数の凸部を完全に除去することなく、第１の表面の表面（複数の凸部の頂面および凹部の表面）に形成された変質層を除去することができるため、誘電体層の厚さ（チャック電極から第１の表面までの距離）が過度に薄くなって静電チャックの耐電圧特性が低下することを抑制することができる。また、本静電チャックの製造方法によれば、再生工程において、第１の表面における凹部の表面に対してはショットブラストが行われる一方、複数の凸部の頂面に対しては、ショットブラストは行われず、鏡面研磨が行われる。従って、本静電チャックの製造方法によれば、複数の凸部の高さが不均一に低くなって不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になることを抑制することができ、その結果、セラミックス板とセラミックス板の第１の表面に保持される対象物との間の伝熱特性の均一性が低下して該対象物の温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。このように、本静電チャックの製造方法によれば、静電チャックの耐電圧特性が低下することを抑制しつつ、かつ、静電チャックに保持される対象物の温度分布の制御性が低下することを抑制しつつ、セラミックス板の第１の表面に形成された変質層が除去された静電チャックを再生・製造することができる。
【００１４】
（２）上記静電チャックの製造方法において、前記ショットブラスト工程における前記凹部の底面の研削深さと、前記鏡面研磨工程における前記凸部の頂面の研削深さとは、略同一である構成としてもよい。本静電チャックの製造方法によれば、該方法の実行に伴う複数の凸部の高さの変化を効果的に抑制することができる。従って、本静電チャックの製造方法によれば、複数の凸部の高さが不均一に低くなって不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になることを効果的に抑制することができ、その結果、セラミックス板と対象物との間の伝熱特性の均一性が低下して対象物の温度分布の制御性が低下することを効果的に抑制することができる。また、本静電チャックの製造方法によれば、複数の凸部の高さが高くなって対象物を吸着する吸着力が低下することを抑制することができる。
【００１５】
（３）上記静電チャックの製造方法において、前記マスクの各前記遮蔽部の大きさは、対応する前記凸部の頂面より大きい構成としてもよい。本静電チャックの製造方法によれば、再生工程におけるマスク工程において、マスクの各遮蔽部と複数の凸部の頂面との位置ずれを抑制することができる。従って、本静電チャックの製造方法によれば、ショットブラスト工程において複数の凸部の頂面が研削されて複数の凸部の高さが不均一に低くなることを効果的に抑制することができ、その結果、不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になって対象物の温度分布の制御性が低下することを効果的に抑制することができる。
【００１６】
（４）上記静電チャックの製造方法において、前記マスクの各前記遮蔽部の大きさは、対応する前記凸部の頂面より小さい、ことを特徴とする構成としてもよい。本静電チャックの製造方法によれば、再生工程におけるショットブラスト工程において、凹部の側面を良好に研削することができ、セラミックス板の第１の表面における変質層をより確実に除去することができる。
【００１７】
（５）上記静電チャックの製造方法において、前記再生工程は、さらに、前記マスク工程の前に、前記セラミックス板の前記第１の表面に対してショットブラストを行うマスク前ショットブラスト工程を備える構成としてもよい。本静電チャックの製造方法では、マスク前ショットブラスト工程により、セラミックス板の第１の表面に形成された変質層を確実に除去することができる。そのため、本静電チャックの製造方法によれば、静電チャックの耐電圧特性が低下することを抑制しつつ、かつ、静電チャックに保持される対象物の温度分布の制御性が低下することを抑制しつつ、セラミックス板の第１の表面に形成された変質層が確実に除去された静電チャックを再生・製造することができる。
【００１８】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、静電チャックの製造方法、静電チャックの再生方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面構成を概略的に示す説明図である。
【図４】第１実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の流れを示すフローチャートである。
【図５】第１実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。
【図６】第１実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。
【図７】第２実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の流れを示すフローチャートである。
【図８】第２実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。
【図９】第２実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
Ａ．第１実施形態：
Ａ−１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ平面（上面）構成を概略的に示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。
【００２１】
静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス板１０およびベース部材２０を備える。セラミックス板１０とベース部材２０とは、セラミックス板１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。
【００２２】
セラミックス板１０は、略円板状部材であり、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。より詳細には、セラミックス板１０は、外周に沿って上側に切り欠きが形成された部分である外周部ＯＰと、外周部ＯＰの内側に位置する内側部ＩＰとから構成されている。セラミックス板１０における内側部ＩＰの厚さ（Ｚ軸方向における厚さであり、以下同様）は、外周部ＯＰに形成された切り欠きの分だけ、外周部ＯＰの厚さより厚くなっている。すなわち、セラミックス板１０の外周部ＯＰと内側部ＩＰとの境界の位置で、セラミックス板１０の厚さが変化している。
【００２３】
セラミックス板１０の内側部ＩＰの直径は例えば５０ｍｍ〜５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス板１０の外周部ＯＰの直径は例えば６０ｍｍ〜５１０ｍｍ程度（通常は２１０ｍｍ〜３６０ｍｍ程度）である（ただし、外周部ＯＰの直径は内側部ＩＰの直径より大きい）。また、セラミックス板１０の内側部ＩＰの厚さは例えば１ｍｍ〜１０ｍｍ程度であり、セラミックス板１０の外周部ＯＰの厚さは例えば０．５ｍｍ〜９．５ｍｍ程度である（ただし、外周部ＯＰの厚さは内側部ＩＰの厚さより薄い）。
【００２４】
セラミックス板１０の上面Ｓ１の内、内側部ＩＰにおける上面（以下、「吸着面」ともいう）Ｓ１１は、Ｚ軸方向に略直交する略円形の表面である。吸着面Ｓ１１は、対象物（例えばウェハＷ）を保持する吸着面として機能する。吸着面Ｓ１１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当する。
【００２５】
セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における外縁付近には、連続的な壁状の凸部（以下、「壁状凸部」という）１２が形成されている。壁状凸部１２は、シールバンドとも呼ばれる。図３に示すように、Ｚ軸方向視での壁状凸部１２の形状は、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１の中心Ｐ０を中心とした略円環状である。また、図２に示すように、壁状凸部１２の断面（Ｚ軸に平行で、かつ、上記中心Ｐ０を通る断面）の形状は、略矩形である。壁状凸部１２の高さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度である。また、壁状凸部１２の幅（Ｚ軸方向視での壁状凸部１２の延伸方向に直交する方向の大きさ）は、例えば、０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ程度である。
【００２６】
また、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における壁状凸部１２より内側の領域には、複数の独立した柱状の凸部（以下、「柱状凸部」という）１４が形成されている。図３に示すように、Ｚ軸方向視での各柱状凸部１４の形状は、略円形である。また、Ｚ軸方向視で、複数の柱状凸部１４は、略均等間隔で配置されている。また、図２に示すように、各柱状凸部１４の断面（Ｚ軸に平行な断面）の形状は、略矩形である。柱状凸部１４の高さは、凸部１２の高さと略同一であり、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度である。また、柱状凸部１４の幅（Ｚ軸方向視での柱状凸部１４の最大径）は、例えば、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度である。なお、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における壁状凸部１２より内側の領域の内、柱状凸部１４が形成されていない部分は、凹部１６となっている。
【００２７】
ウェハＷは、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における壁状凸部１２と複数の柱状凸部１４とに支持される。ウェハＷが壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４に支持された状態では、ウェハＷの表面（下面）と、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１（より詳細には吸着面Ｓ１１の凹部１６）との間に、空間が存在することとなる。後述すように、この空間には、不活性ガス（例えば、ヘリウムガス）が供給される。壁状凸部１２および柱状凸部１４は、特許請求の範囲における凸部に相当する。
【００２８】
セラミックス板１０の上面Ｓ１の内、外周部ＯＰにおける上面（以下、「外周上面」ともいう）Ｓ１２は、Ｚ軸方向に略直交する略円環状の表面である。セラミックス板１０の外周上面Ｓ１２には、例えば、静電チャック１００を固定するための治具（不図示）が係合する。
【００２９】
図２に示すように、セラミックス板１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０に電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に吸着固定される。
【００３０】
また、セラミックス板１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）を含む抵抗発熱体により構成されたヒータ電極５０が配置されている。ヒータ電極５０に電源（図示せず）から電圧が印加されると、ヒータ電極５０が発熱することによってセラミックス板１０が温められ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷが温められる。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。
【００３１】
ベース部材２０は、例えばセラミックス板１０の外周部ＯＰと同径の、または、セラミックス板１０の外周部ＯＰより径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ〜５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ〜３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ〜４０ｍｍ程度である。
【００３２】
ベース部材２０は、セラミックス板１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着層３０によって、セラミックス板１０に接合されている。接着層３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接着層３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００３３】
ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接着層３０を介したベース部材２０とセラミックス板１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス板１０が冷却され、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。
【００３４】
また、図２に示すように、静電チャック１００は、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱性を高めてウェハＷの温度分布の制御性をさらに高めるため、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１とウェハＷの表面との間に存在する空間に不活性ガス（例えば、ヘリウムガス）を供給する構成を備えている。すなわち、静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ４から接着層３０の上面にわたって上下方向に延びる第１のガス流路孔１３１と、第１のガス流路孔１３１に連通すると共にセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に開口する第２のガス流路孔１３２とが形成されている。また、セラミックス板１０の内部には、第２のガス流路孔１３２と連通すると共に面方向に環状に延びる横流路１３３が形成されており、セラミックス板１０の下面Ｓ２には、第２のガス流路孔１３２に連通する凹部１３４が形成されている。凹部１３４には、通気性を有する充填部材（通気性プラグ）１６０が充填されている。ヘリウムガス源（図示しない）から供給されたヘリウムガスが、第１のガス流路孔１３１内に流入すると、流入したヘリウムガスは、第１のガス流路孔１３１から凹部１３４内に充填された通気性を有する充填部材１６０の内部を通過してセラミックス板１０内部の第２のガス流路孔１３２内に流入し、横流路１３３を介して面方向に流れつつ、吸着面Ｓ１１に形成されたガス噴出孔から噴出する。このようにして、吸着面Ｓ１１とウェハＷの表面との間に存在する空間に、ヘリウムガスが供給される。
【００３５】
Ａ−２．静電チャック１００の製造方法：
本実施形態の静電チャック１００を新たに製造する製造方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、チャック電極４０やヒータ電極５０等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、セラミックス焼成体を作製する。
【００３６】
次に、セラミックス焼成体の平面状の表面（吸着面Ｓ１１）に、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４に対応する部分を遮蔽するマスクを配置し、例えばセラミックス等の粒体を投射するショットブラストを行うことにより、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４を形成する。その後、例えばシート状の接着層３０を用いて、セラミックス板１０とベース部材２０とを接合する。主として以上の工程により、本実施形態の静電チャック１００が製造される。
【００３７】
Ａ−３．静電チャック１００の再生・製造方法：
静電チャック１００が繰り返し使用されると、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に、ウェハＷの洗浄液残滓等の汚染物質が付着したり、微細な凹凸が形成されたりする。以下、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における、汚染物質が付着したり微細な凹凸が形成されたりした層を、変質層ＴＬという。セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１にある程度の厚さの変質層ＴＬが形成されると、ウェハＷを吸着する吸着力が低下したり、壁状凸部１２とウェハＷとの間の密着性が低下して不活性ガスが漏洩したりする。そのため、そのような場合には、変質層ＴＬを取り除くことによって静電チャック１００を再生して製造する処理が実行される。
【００３８】
図４は、第１実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の流れを示すフローチャートである。また、図５および図６は、第１実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。図５のＡ欄には、静電チャック１００のセラミックス板１０の上面Ｓ１（吸着面Ｓ１１および外周上面Ｓ１２）に変質層ＴＬが形成された状態が示されている。
【００３９】
はじめに、壁状凸部１２の頂面および複数の柱状凸部１４の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部２１０を有するマスク２００を、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に配置する（Ｓ１１０）。図５のＢ欄に示すように、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に配置されるマスク２００は、複数の遮蔽部２１０と、複数の遮蔽部２１０の上側に位置する補助遮蔽部２２０とが、２枚の離型フィルム（上側離型フィルム２３０および下側離型フィルム２４０）により挟持された構成である。セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１へのマスク２００の配置の際には、まず、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に接着剤を塗布する。次に、マスク２００の複数の遮蔽部２１０の位置を、吸着面Ｓ１１の壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の位置に合わせた状態で、マスク２００をセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に配置する。そして、下側離型フィルム２４０を剥がす。なお、下側離型フィルム２４０は、パターンの中心を通る線で切断されており、該線を挟んで半分ずつ浮かして剥がすことができるようになっている。次に、マスク２００の複数の遮蔽部２１０が、吸着面Ｓ１１の壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面に接着されるように、マスク２００の上からローラーで押さえつける。次に、上側離型フィルム２３０を剥がす。最後に、補助遮蔽部２２０をエアーにより飛ばす。なお、補助遮蔽部２２０は、極めて薄く、後述のショットブラスが開始されると飛び散ってしまうため、この時点で完全に除去できていなくてもよい。以上の手順により、吸着面Ｓ１１の壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面に遮蔽部２１０が接着された状態（すなわち、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面がマスクされた状態）が形成される。なお、第１実施形態では、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさ（幅）は、対応する壁状凸部１２または柱状凸部１４の頂面の大きさ（幅）より大きい。より具体的には、壁状凸部１２を遮蔽する遮蔽部２１０については、遮蔽部２１０の幅（Ｚ軸方向視での遮蔽部２１０の延伸方向に直交する方向の大きさ）は、壁状凸部１２の幅より、例えば１００μｍ程度大きい。また、柱状凸部１４を遮蔽する遮蔽部２１０については、遮蔽部２１０の幅（Ｚ軸方向視での遮蔽部２１０の最大径）は、柱状凸部１４の幅より、例えば１００μｍ程度大きい。Ｓ１１０の工程は、特許請求の範囲におけるマスク工程に相当する。
【００４０】
次に、マスク２００の遮蔽部２１０が配置されたセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行う（Ｓ１２０）。図５のＣ欄には、ショットブラスト装置ＢＤにより、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に向けてブラスト材ＢＭが投射されている様子が示されている。ショットブラストにおけるブラスト材ＢＭ（投射材）としては、例えば、炭化ケイ素等のセラミックスの粒体（粒径：１０μｍ〜１００μｍ程度）を用いることができる。このショットブラストにより、吸着面Ｓ１１の内、遮蔽部２１０に覆われていない凹部１６の表面（凹部１６の底面および側面）が研削され、凹部１６の表面に形成された変質層ＴＬが取り除かれる。このショットブラストによる凹部１６の底面の研削深さは、例えば、５μｍ〜１５μｍ程度である。なお、このショットブラストの際には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２が保護カバーＰＣにより覆われる。また、ショットブラスト完了後、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１をイオン交換水により洗い流すことにより、マスク２００の遮蔽部２１０が除去される。Ｓ１２０の工程は、特許請求の範囲におけるショットブラスト工程に相当する。
【００４１】
次に、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２に対して、平面研磨およびマシニング加工を行う（Ｓ１３０）。図６のＤ欄には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２に対して、グラインダＧＲを用いた平面研磨およびマシニング装置ＭＤを用いたマシニング加工が行われている様子が示されている。この平面研磨およびマシニング加工により、セラミックス板１０の外周上面Ｓ１２に形成された変質層ＴＬが取り除かれる。
【００４２】
次に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対して鏡面研磨を行う（Ｓ１４０）。図６のＥ欄には、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対して、研磨液ＰＳを供給しつつ研磨パッドＰＰを用いて鏡面研磨が行われている様子が示されている。この鏡面研磨により、壁状凸部１２および各柱状凸部１４の頂面が研削され、壁状凸部１２および各柱状凸部１４の頂面に形成された変質層ＴＬが取り除かれる。この鏡面研磨による壁状凸部１２および各柱状凸部１４の頂面の研削深さは、Ｓ１２０のショットブラストによる凹部１６の底面の研削深さと略同一であり、例えば、５μｍ〜１５μｍ程度である。なお、鏡面研磨の際には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２が保護カバーＰＣにより覆われる。Ｓ１４０の工程は、特許請求の範囲における鏡面研磨工程に相当する。また、Ｓ１１０とＳ１２０とＳ１４０とを合わせた工程は、特許請求の範囲における再生工程に相当する。
【００４３】
以上の工程により、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に存在していた変質層ＴＬが取り除かれ、かつ、吸着面Ｓ１１に壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４が形成された静電チャック１００が、再生・製造される。
【００４４】
Ａ−４．第１実施形態の効果：
以上説明したように、第１実施形態の静電チャック１００は、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４が形成された吸着面Ｓ１１を有するセラミックス板１０と、セラミックス板１０の内部に配置され、静電引力を発生させるチャック電極４０とを備え、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１上に対象物（例えばウェハＷ）を保持する装置である。また、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法は、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部２１０を有するマスク２００を配置するマスク工程（Ｓ１１０）と、マスク２００が配置されたセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行うことにより、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の間の凹部１６の表面を研削するショットブラスト工程（Ｓ１２０）と、ショットブラスト工程の後に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対して鏡面研磨を行うことにより、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面を研削する鏡面研磨工程（Ｓ１４０）とを備える再生工程（Ｓ１１０，Ｓ１２０，Ｓ１４０）を有する。
【００４５】
このように、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）を行う際に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面が、マスク２００の遮蔽部２１０により遮蔽されている。そのため、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）では、吸着面Ｓ１１における凹部１６の表面は研削されて変質層ＴＬが除去されるが、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面は研削されない。また、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）の後に、鏡面研磨工程（Ｓ１４０）が行われる。鏡面研磨工程（Ｓ１４０）では、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面は研削されて変質層ＴＬが除去されるが、凹部１６の表面は研削されない。従って、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４を完全に除去することなく、吸着面Ｓ１１の表面（壁状凸部１２の頂面、複数の柱状凸部１４の頂面、および、凹部１６の表面）に形成された変質層ＴＬを除去することができるため、誘電体層の厚さ（チャック電極４０から吸着面Ｓ１１までの距離）が過度に薄くなって静電チャック１００の耐電圧特性が低下することを抑制することができる。また、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、吸着面Ｓ１１における凹部１６の表面に対してはショットブラストが行われる一方、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面に対しては、ショットブラストは行われず、鏡面研磨が行われる。従って、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが不均一に低くなって不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向（吸着面Ｓ１１に略平行な方向）において不均一になることを抑制することができ、その結果、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱特性の均一性が低下してウェハＷの温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。このように、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、静電チャック１００の耐電圧特性が低下することを抑制しつつ、かつ、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱特性の均一性が低下してウェハＷの温度分布の制御性が低下することを抑制しつつ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に形成された変質層ＴＬが除去された静電チャック１００を再生・製造することができる。
【００４６】
また、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）における凹部１６の底面の研削深さと、鏡面研磨工程（Ｓ１４０）における壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面の研削深さとは、略同一である。そのため、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、該方法の実行に伴う壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さの変化を効果的に抑制することができる。従って、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが不均一に低くなって不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になることを効果的に抑制することができ、その結果、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱特性の均一性が低下してウェハＷの温度分布の制御性が低下することを効果的に抑制することができる。また、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが高くなってウェハＷを吸着する吸着力が低下することを抑制することができる。
【００４７】
また、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさは、対応する壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面より大きい。そのため、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、マスク工程（Ｓ１１０）において、マスク２００の各遮蔽部２１０と壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面との位置ずれを抑制することができる。従って、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）において壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面が研削されて壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが不均一に低くなることを効果的に抑制することができ、その結果、不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になってウェハＷの温度分布の制御性が低下することを効果的に抑制することができる。
【００４８】
Ｂ．第２実施形態：
図７は、第２実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の流れを示すフローチャートである。また、図８および図９は、第２実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。以下では、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法の各工程の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法の工程と同様の内容の工程については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。
【００４９】
第２実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法では、はじめに、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行う（Ｓ１０２）。図８のＡ欄には、ショットブラスト装置ＢＤにより、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に向けてブラスト材ＢＭが投射されている様子が示されている。Ｓ１０２のショットブラストにおけるブラスト材ＢＭ（投射材）としては、第１実施形態におけるＳ１２０のショットブラストに使用されたものと同様のものを用いることができる。このショットブラストによる研削深さは、例えば、５μｍ〜１０μｍ程度である。このショットブラストにより、吸着面Ｓ１１全面（柱状凸部１４、壁状凸部１２および凹部１６の表面）が研削され、吸着面Ｓ１１に形成された変質層ＴＬが取り除かれる。ただし、柱状凸部１４および壁状凸部１２の頂面には、ブラストによる破砕層（比較的粗い表面の層）が形成される。なお、このショットブラストの際には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２が保護カバーＰＣにより覆われる。Ｓ１０２の工程は、特許請求の範囲におけるマスク前ショットブラスト工程に相当する。
【００５０】
次に、第１実施形態におけるＳ１１０と同様に、壁状凸部１２の頂面および複数の柱状凸部１４の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部２１０を有するマスク２００を、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に配置する（Ｓ１１０）。図８のＢ欄には、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１にマスク２００が配置された様子が示されている。なお、第２実施形態では、第１実施形態と同様に、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさ（幅）は、対応する壁状凸部１２または柱状凸部１４の頂面の大きさ（幅）より大きい。Ｓ１１０の工程は、特許請求の範囲におけるマスク工程に相当する。
【００５１】
次に、第１実施形態におけるＳ１２０と同様に、マスク２００の遮蔽部２１０が配置されたセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行う（Ｓ１２０）。図８のＣ欄には、ショットブラスト装置ＢＤにより、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に向けてブラスト材ＢＭが投射されている様子が示されている。このショットブラストによる凹部１６の底面の研削深さは、例えば、５μｍ〜１５μｍ程度である。このショットブラストにより、吸着面Ｓ１１の内、遮蔽部２１０に覆われていない凹部１６の表面（凹部１６の底面および側面）が研削される。その結果、柱状凸部１４および壁状凸部１２の高さが高くなる。なお、このショットブラストの際には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２が保護カバーＰＣにより覆われる。また、ショットブラスト完了後、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１をイオン交換水により洗い流すことにより、マスク２００の遮蔽部２１０が除去される。Ｓ１２０の工程は、特許請求の範囲におけるショットブラスト工程に相当する。
【００５２】
次に、第１実施形態におけるＳ１３０と同様に、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２に対して、平面研磨およびマシニング加工を行う（Ｓ１３０）。図９のＤ欄には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２に対して、グラインダＧＲを用いた平面研磨およびマシニング装置ＭＤを用いたマシニング加工が行われている様子が示されている。この平面研磨およびマシニング加工により、セラミックス板１０の外周上面Ｓ１２に形成された変質層ＴＬが取り除かれる。
【００５３】
次に、第１実施形態におけるＳ１４０と同様に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対して鏡面研磨を行う（Ｓ１４０）。図９のＥ欄には、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対して、研磨液ＰＳを供給しつつ研磨パッドＰＰを用いて鏡面研磨が行われている様子が示されている。この鏡面研磨による壁状凸部１２および各柱状凸部１４の頂面の研削高さは、Ｓ１２０のショットブラストによる凹部１６の底面の研削深さと略同一であり、例えば、５μｍ〜１５μｍ程度である。この鏡面研磨により、壁状凸部１２および各柱状凸部１４の頂面が研削される。その結果、壁状凸部１２および各柱状凸部１４の頂面に形成された破砕層が取り除かれると共に、Ｓ１２０のショットブラストによって高くなった柱状凸部１４および壁状凸部１２の高さが元の高さと略同一に戻る。なお、鏡面研磨の際には、セラミックス板１０の外周部ＯＰの外周上面Ｓ１２が保護カバーＰＣにより覆われる。Ｓ１４０の工程は、特許請求の範囲における鏡面研磨工程に相当する。また、Ｓ１０２とＳ１１０とＳ１２０とＳ１４０とを合わせた工程は、特許請求の範囲における再生工程に相当する。
【００５４】
以上の工程により、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に存在していた変質層ＴＬが取り除かれ、かつ、吸着面Ｓ１１に壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４が形成された静電チャック１００が、再生・製造される。
【００５５】
以上説明したように、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法は、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法と同様に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面を遮蔽する複数の遮蔽部２１０を有するマスク２００を配置するマスク工程（Ｓ１１０）と、マスク２００が配置されたセラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行うことにより、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の間の凹部１６の表面を研削するショットブラスト工程（Ｓ１２０）と、ショットブラスト工程の後に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対して鏡面研磨を行うことにより、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面を研削する鏡面研磨工程（Ｓ１４０）とを備える再生工程（Ｓ１１０，Ｓ１２０，Ｓ１４０）を有する。
【００５６】
また、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、再生工程が、さらに、Ｓ１１０のマスク工程の前に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行うマスク前ショットブラスト工程（Ｓ１０２）を備える。
【００５７】
このように、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、Ｓ１１０のマスク工程の前に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に対してショットブラストを行うマスク前ショットブラスト工程（Ｓ１０２）が行われる。そのため、マスク前ショットブラスト工程（Ｓ１０２）により、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に形成された変質層ＴＬを確実に除去することができる。また、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法と同様に、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）を行う際に、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面が、マスク２００の遮蔽部２１０により遮蔽されている。そのため、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）では、吸着面Ｓ１１における凹部１６の表面は研削されるが、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面は研削されない。また、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法と同様に、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）の後に、鏡面研磨工程（Ｓ１４０）が行われる。鏡面研磨工程（Ｓ１４０）では、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面は研削されるが、凹部１６の表面は研削されない。従って、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４を完全に除去することなく、吸着面Ｓ１１の表面（壁状凸部１２の頂面、複数の柱状凸部１４の頂面、および、凹部１６の表面）に形成された変質層ＴＬを除去することができるため、誘電体層の厚さ（チャック電極４０から吸着面Ｓ１１までの距離）が過度に薄くなって静電チャック１００の耐電圧特性が低下することを抑制することができる。また、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、マスク前ショットブラスト工程（Ｓ１０２）およびマスク工程（Ｓ１１０）の実行後には、吸着面Ｓ１１における凹部１６の表面に対してはショットブラストが行われる一方、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面に対しては、ショットブラストは行われず、鏡面研磨が行われる。従って、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが不均一に低くなって不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向（吸着面Ｓ１１に略平行な方向）において不均一になることを抑制することができ、その結果、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱特性の均一性が低下してウェハＷの温度分布の制御性が低下することを抑制することができる。このように、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、静電チャック１００の耐電圧特性が低下することを抑制しつつ、かつ、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱特性の均一性が低下してウェハＷの温度分布の制御性が低下することを抑制しつつ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に形成された変質層ＴＬが確実に除去された静電チャック１００を再生・製造することができる。
【００５８】
また、第２実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法と同様に、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）における凹部１６の底面の研削深さと、鏡面研磨工程（Ｓ１４０）における壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面の研削深さとは、略同一である。そのため、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、該方法の実行に伴う壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さの変化を効果的に抑制することができる。従って、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが不均一に低くなって不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になることを効果的に抑制することができ、その結果、セラミックス板１０とウェハＷとの間の伝熱特性の均一性が低下してウェハＷの温度分布の制御性が低下することを効果的に抑制することができる。また、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが高くなってウェハＷを吸着する吸着力が低下することを抑制することができる。
【００５９】
また、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、第１実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法と同様に、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさは、対応する壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面より大きい。そのため、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、マスク工程（Ｓ１１０）において、マスク２００の各遮蔽部２１０と壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面との位置ずれを抑制することができる。従って、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法によれば、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）において壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面が研削されて壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の高さが不均一に低くなることを効果的に抑制することができ、その結果、不活性ガスが滞留する空間の容積が面方向において不均一になってウェハＷの温度分布の制御性が低下することを効果的に抑制することができる。なお、第2実施形態の静電チャック１００を再生して製造する方法では、マスク工程（Ｓ１１０）の前に実行されるマスク前ショットブラスト工程（Ｓ１０２）により、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に形成された変質層ＴＬを除去することができるため、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさを、対応する壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面より大きくしても、それによって変質層ＴＬの除去が阻害されることはない。
【００６０】
Ｃ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００６１】
上記実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさは、対応する壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面より大きいとしているが、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさは、対応する壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面と同じ大きさであるとしてもよい。また、マスク２００の各遮蔽部２１０の大きさは、対応する壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面より小さいとしてもよい。このようにすれば、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）において、凹部１６の側面を良好に研削することができ、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１における変質層ＴＬをより確実に除去することができる。
【００６２】
また、上記実施形態では、ショットブラスト工程（Ｓ１２０）における凹部１６の底面の研削深さと、鏡面研磨工程（Ｓ１４０）における壁状凸部１２および複数の柱状凸部１４の頂面の研削深さとは、略同一であるとしているが、両者が互いに異なるとしてもよい。
【００６３】
また、上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、セラミックス板１０が、外周に沿って上側に切り欠きが形成された部分である外周部ＯＰと、外周部ＯＰの内側に位置する内側部ＩＰとから構成されているが、セラミックス板１０に切り欠きが形成されておらず、セラミックス板１０のＺ軸方向の厚さが全体にわたって一様であるとしてもよい。また、上記実施形態では、セラミックス板１０の吸着面Ｓ１１に、壁状凸部１２と柱状凸部１４とが形成されているが、壁状凸部１２と柱状凸部１４とのいずれか一方が形成されていなくてもよい。また、上記実施形態では、セラミックス板１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス板１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック１００における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１０：セラミックス板  １２：壁状凸部  １４：柱状凸部  １６：凹部  ２０：ベース部材  ２１：冷媒流路  ３０：接着層  ４０：チャック電極  ５０：ヒータ電極  １００：静電チャック  １３１：第１のガス流路孔  １３２：第２のガス流路孔  １３３：横流路  １３４：凹部  １６０：充填部材  ２００：マスク  ２１０：遮蔽部  ２２０：補助遮蔽部  ２３０：上側離型フィルム  ２４０：下側離型フィルム  ＢＤ：ショットブラスト装置  ＢＭ：ブラスト材  ＧＲ：グラインダ  ＩＰ：内側部  ＭＤ：マシニング装置  ＯＰ：外周部  Ｐ０：中心  ＰＣ：保護カバー  ＰＰ：研磨パッド  ＰＳ：研磨液  Ｓ１１：吸着面  Ｓ１２：外周上面  Ｓ１：上面  Ｓ２：下面  Ｓ３：上面  Ｓ４：下面  ＴＬ：変質層  Ｗ：ウェハ
【図１】
2020006501.tif 000003
【図２】
2020006501.tif 000004
【図３】
2020006501.tif 000005
【図４】
2020006501.tif 000006
【図５】
2020006501.tif 000007
【図６】
2020006501.tif 000008
【図７】
2020006501.tif 000009
【図８】
2020006501.tif 000010
【図９】
2020006501.tif 000011