(57)【要約】【課題】表面にＮｉＯを主とする酸化被膜を有するニッケル粉末において、酸素含有量の低いニッケル粉末を提供する。【解決手段】Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定された表面の成分組成が、Ｎｉは１５モル％を超えて３５モル％以下であり、ＮｉＯは５０モル％以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２は０モル％を超えて３０モル％以下であり、酸素含有量が１．３質量％以下であることを特徴とするニッケル粉末。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定された表面の成分組成が、Ｎｉは１５モル％を超えて３５モル％以下であり、ＮｉＯは５０モル％以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２は０モル％を超えて３０モル％以下であり、
酸素含有量が１．３質量％以下であることを特徴とするニッケル粉末。
【請求項２】
硫黄含有量が０．５質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のニッケル粉末。
【請求項３】
平均粒径が０．０３μｍ〜０．４μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のニッケル粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック部品の電極材として用いられる高性能なニッケル粉末に関する。
【背景技術】
【０００２】
ニッケル粉末は、電子回路のコンデンサの材料として、特に、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ  ｃｅｒａｍｉｃ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）や多層セラミック基板等の積層セラミック部品の内部電極等を構成する厚膜導電体の材料として利用されている。
【０００３】
近年、積層セラミックコンデンサの大容量化が進み、積層セラミックコンデンサの内部電極の形成に用いられる内部電極ペーストの使用量も大幅に増加している。このため、厚膜導電体を構成する内部電極ペースト用の金属粉末として、高価な貴金属の使用に代替して、主としてニッケル等の安価な卑金属が使用されている。
【０００４】
積層セラミックコンデンサを製造する工程では、例えばニッケル粉末、エチルセルロース等のバインダー樹脂およびターピネオール等の有機溶剤を混練した内部電極ペーストを、誘電体グリーンシート上にスクリーン印刷する。そして、内部電極ペーストが印刷され、乾燥された誘電体グリーンシートは、内部電極ペースト印刷層と誘電体グリーンシートとが交互に重なるように積層され、さらに圧着されて、積層体が得られる。
【０００５】
この積層体を、所定の大きさにカットし、次に、バインダー樹脂を加熱処理により除去し（脱バインダー処理）、さらに、脱バインダー処理後の積層体を１３００℃程度の高温で焼成することにより、セラミック成形体が得られる。
【０００６】
そして、得られたセラミック成形体に外部電極が取り付けられ、積層セラミックコンデンサが得られる。内部電極となる内部電極ペースト中の金属粉末として、ニッケル等の卑金属が使用されていることから、積層体の脱バインダー処理は、これらの卑金属が酸化しないように、不活性雰囲気等の酸素濃度がきわめて低い雰囲気下にて行われる。また、脱バインダー処理後の焼成は還元雰囲気下にて行われる。
【０００７】
積層セラミックコンデンサの小型化および大容量化に伴い、内部電極や誘電体はともに薄層化が進められている。これに伴って、内部電極ペーストに使用されるニッケル粉末の粒径も微細化が進行し、平均粒径０．４μｍ以下のニッケル粉末が必要とされ、特に平均粒径０．３μｍ以下のニッケル粉末の使用が主流となっている。
【０００８】
このような微細なニッケル粉末は活性が高く、焼結開始温度が低下して、例えば４００℃程度から焼結することがある。一方、誘電体グリーンシートを構成するセラミックス粒子の焼結開始温度は、この温度よりも高く、誘電体グリーンシートと内部電極ペーストを同時焼成した場合、焼結した内部電極膜が収縮して空隙が生じ、内部電極膜が不連続化して積層セラミックコンデンサの静電容量が低下することがあった。
【０００９】
上記問題を解決するために、特許文献１には、表面に実質的にニッケル酸化物からなる薄い酸化層が存在するニッケル粉末が開示されている。この表面の酸化層は極めて強固であり、粉末の活性を効果的に低下させ焼結開始温度を上昇させるとされている。また、特許文献２には、表面に緻密で厚い酸化被膜が形成されたニッケル粉末であって、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）におけるＮｉ２ｐ３／２スペクトルピークに関して、金属ニッケルに帰属されるピーク（以降、「Ｎｉピーク」とすることもある。）とニッケルと酸素の結合状態に帰属されるピーク（以降、「ＮｉＯピーク」とすることもある）とニッケルと水酸基の結合状態に帰属されるピーク（以降、「Ｎｉ（ＯＨ）２ピーク」とすることもある。）の各面積比が、Ｎｉピークは５．０〜１５．０％であり、ＮｉＯピークは５５．０〜８０．０％であり、Ｎｉ（ＯＨ）２ピークは５．０〜４０．０％であることを開示している。このような酸化被膜によりニッケル粉末表面から内部への酸化の進行が抑制されるため、焼結開始温度が従来のニッケル粉末に比べてより高く、誘電体の焼結開始温度により近くなるとされている。さらに表面の組成はＮｉＯを主としＮｉ（ＯＨ）２の比率が低いことから、積層セラミックコンデンサ製造の脱バインダー処理時において、Ｎｉ（ＯＨ）２の熱分解により発生するガスが抑制され、クラックやデラミネーションの発生が低減されるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−２２３０６８号公報
【特許文献２】国際公開ＷＯ２０１７／１２２６８９号パンフレット
【特許文献３】国際公開ＷＯ２０１７／０６９０６７号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、微細なニッケル粉末になるほど比表面積が増大するため、このような表面に酸化被膜を有するニッケル粉末では、どうしても含有する酸素量が増大する傾向があった。ニッケル粉末の酸素含有量が増大すると、積層セラミックコンデンサ製造時の還元雰囲気下での焼成において、ニッケル酸化物の還元によるガス発生と体積変化が大きくなるため、緻密な電極膜が得られにくくなるとともに焼成時のクラックやデラミネーションを引き起こす原因となる。
【００１２】
そこで本発明では、表面にＮｉＯを主とする酸化被膜を有するニッケル粉末において、酸素含有量の低いニッケル粉末を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、ニッケル粉末表面におけるＮｉとＮｉＯとＮｉ（ＯＨ）２の成分組成が、特定の範囲となるように制御することで上記課題を解決できることを見出した。
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明のニッケル粉末は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定された表面の成分組成が、Ｎｉは１５モル％を超えて３５モル％以下であり、ＮｉＯは５０モル％以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２は０モル％を超えて３０モル％以下であり、酸素含有量が１．３質量％以下であることを特徴とする。
【００１５】
本発明のニッケル粉末は、硫黄含有量が０．５質量％以下であってもよい。
【００１６】
本発明のニッケル粉末は、平均粒径が０．０３μｍ〜０．４μｍであってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るニッケル粉末は、その表面の組成がＮｉＯを主成分としつつＮｉの比率も比較的高く制御されているため、酸素含有量が低く、積層セラミックコンデンサの製造時にクラックやデラミネーションの発生が抑制される。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係るニッケル粉末について説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能である。
【００１９】
＜１．ニッケル粉末＞
本発明に係るニッケル粉末は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定された表面の成分組成が、Ｎｉは１５モル％を超えて３５モル％以下であり、ＮｉＯは５０モル％以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２は０モル％を超えて３０モル％以下である。また酸素含有量が１．３質量％以下である。このように表面の成分組成がＮｉＯを主成分とし、酸素含有量も低く抑えられているため、積層セラミックコンデンサの製造時にクラックやデラミネーションの発生が抑制され、積層セラミックコンデンサの内部電極の用途に好適である。
【００２０】
表面の成分組成についてさらに詳しく説明する。ＸＰＳによりニッケル粉末表面のＮｉ２ｐスペクトルを解析すると、Ｎｉピーク、ＮｉＯピークおよびＮｉ（ＯＨ）２ピークが観察される。表面の成分組成としては、Ｎｉピークに対応するのがＮｉであり、ＮｉＯピークに対応するのがＮｉＯであり、Ｎｉ（ＯＨ）２ピークに対応するのがＮｉ（ＯＨ）２である。この３成分のピーク面積全量に対する各ピークの面積比から成分組成比が求められ、各成分組成の好ましい範囲は、Ｎｉは１５モル％を超えて３５モル％以下であり、ＮｉＯは５０モル％以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２は０モル％を超えて３０モル％以下（Ｎｉ＋ＮｉＯ＋Ｎｉ（ＯＨ）２＝１００モル％）である。
【００２１】
表面の成分組成のうち、Ｎｉの比率が１５モル％以下になると、ニッケル粉末の酸素含有量が高くなり、積層セラミックコンデンサの製造時に還元雰囲気下の焼成においてクラックやデラミネーションが発生することがある。Ｎｉの比率が３５モル％を超えると、表面の酸化被膜が不安定となり、耐酸化性が低下することがある。Ｎｉの比率のより好ましい範囲は２０モル％を超えて３０モル％以下である。
【００２２】
表面の成分組成のうち、ＮｉＯの比率が５０モル％未満になると、Ｎｉ（ＯＨ）２の比率が高くなることを意味するので、積層セラミックコンデンサの製造時に焼結開始温度が低下したり、脱バインダー処理においてクラックやデラミネーションが発生することがある。ＮｉＯの比率のより好ましい範囲は６０モル％以上である。
【００２３】
本発明に係るニッケル粉末の酸素含有量は、ニッケル粉末全体に対して１．３質量％以下であることが好ましい。酸素含有量が１．３質量％を超えると、積層セラミックコンデンサの製造時に還元雰囲気下の焼成において、還元によるガス発生と体積変化によりクラックやデラミネーションが発生することがある。酸素含有量の下限については特に限定されないが、上記表面の成分組成で説明したとおり、表面にＮｉＯを主とする酸化被膜を有するニッケル粉末であるので、０．５質量％程度が実質的な下限となる。なお、酸素含有量は、例えば不活性ガス溶融法による酸素分析装置にて測定することができる。
【００２４】
本発明に係るニッケル粉末の平均粒径は、近年の積層セラミックコンデンサの内部電極の薄層化に対応するという観点から、０．０３μｍ〜０．４μｍとするのが好ましい。もちろん平均粒径が０．４μｍを超えるニッケル粉末にも適用することを妨げるものではない。なお平均粒径は、ニッケル粉末を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、その写真像における全様が確認できる粒子の径を求め、その数平均の粒径である。
【００２５】
本発明のニッケル粉末のように、積層セラミックコンデンサの内部電極に適用可能なニッケル粉末は、その触媒活性を抑制するため、通常、微量の硫黄を含有している場合がある。これは、ニッケル粒子の表面は触媒活性が高く、例えば硫黄等を含有させずにそのまま使用すると、積層セラミックコンデンサ製造時の脱バインダー処理において、内部電極ペーストに含まれるエチルセルロース樹脂等のバインダー樹脂の熱分解を促進し、低温からバインダー樹脂が分解されて、積層体としての強度が大幅に低下すると同時に、分解ガスが多量に発生して積層体にクラックが発生しやすくなる場合があるためである。
【００２６】
上記のように、ニッケル粉末に硫黄を含有させるには、ニッケル粒子の表面に硫黄を付着させる表面処理を行い、ニッケル粒子表面全体が、薄く、かつ均一に硫黄で修飾（コーティング）していることが、上記バインダー樹脂の分解抑制効果の発現や不純物としての硫黄の積層セラミックコンデンサ特性への影響低減の観点からすると、最も好ましい。ただし、上記バインダー樹脂の分解抑制の効果が発揮できれば、ニッケル粒子の一部を修飾（コーティング）している修飾（コーティング）状態であってもよい。本発明では、このようなニッケル粒子の全体の修飾（コーティング）、および一部の修飾（コーティング）を包括する概念として、“表面処理”を用いている。
【００２７】
ニッケル粉末に対する硫黄含有量は、０．５質量％以下が好ましい。硫黄含有量が０．５質量％を超えると硫黄に起因する内部電極欠陥が発生することがあり、好ましくは０．３質量％以下、さらに好ましくは０．２５質量％以下がよい。硫黄含有量の下限は特に限定されることはなく、含有量の分析で用いられる分析機器、例えば燃焼法による硫黄分析装置で検出限界以下でもよい。
【００２８】
＜２．ニッケル粉末の製造方法＞
本発明に係るニッケル粉末は、例えば湿式法にて水溶液中で還元反応により晶析させたニッケル粒子等、スラリー状態のニッケル粒子をろ過し、低酸素分圧下で乾燥させることで製造される。
【００２９】
ここで用いられるニッケル粒子は、表面に水酸化ニッケル等は存在するものの、粒子生成後、大気に暴露されていない状態であることが好ましく、ろ過する前の湿式法で生成されたニッケル粒子が好適である。もちろん気相還元法やプラズマ法等の乾式法や噴霧熱分解法により生成されたニッケル粒子を洗浄でスラリー状態として、以下に説明する方法を適用することもできるが、乾式法等これらの方法で生成されたニッケル粒子は大気に暴露されて、表面はある程度酸化している。従って、ニッケル粒子を含むスラリー（以降、「ニッケルスラリー」とすることもある）にニッケル酸化物を溶解することができる酸や錯化剤を添加して、表面の酸化物を除去することが好ましい。
【００３０】
ニッケルスラリーは、ニッケル粒子や溶媒に含まれる不純物成分を除去するために、洗浄液や溶媒を追加して洗浄を行ってもよい。洗浄方法は公知の方法を用いることができるが、スラリー中のニッケル粒子が大気に暴露されることがない方法を用いればよく、例えば、洗浄液や溶媒の追加とデカンテーションを繰り返す等が好適である。
【００３１】
ニッケルスラリーはろ過してニッケルケーキとし、これを乾燥処理してニッケル粉末を得ることができる。ろ過の方法は特に限定されることはなく公知の方法を用いることができるが、ニッケル粒子が直接大気に暴露しないように、湿潤状態のニッケルケーキが乾燥処理に供されることが好ましい。
【００３２】
乾燥処理としては、公知の雰囲気を調整可能な加熱乾燥や減圧下での加熱乾燥を用いることができるが、条件として少なくとも酸素分圧を０．３ｋＰａ〜１０ｋＰａ、好ましくは０．５ｋＰａ〜５ｋＰａに制御された低酸素雰囲気下で加熱乾燥させる。このような低酸素雰囲気下で加熱乾燥されることで、酸化の進行が遅くなり、表面の成分組成としてＮｉの比率が１５モル％を超えて３５モル％以下のニッケル粉末を得ることができる。好ましくは、乾燥処理の大部分の時間を酸素分圧が０．１ｋＰａ以下の極めて低酸素雰囲気下としてニッケル粉末の表面の酸化を抑制し、一部の時間を上記酸素分圧（１０ｋＰａ以下）まで酸素分圧を上げて、所望のニッケル粉末表面の成分組成に調整する。
【００３３】
また、乾燥処理の乾燥温度は４０℃〜２５０℃とすればよい。乾燥温度を４０℃未満としてもよいが、乾燥時間が長くなり生産性が低下してしまうおそれがある。乾燥温度が高くなるほど表面の成分組成のうちＮｉ（ＯＨ）２が加熱分解されてＮｉＯに転換されるので好ましく、特に乾燥温度を１００℃以上とするのがより好ましい。しかしながら、乾燥温度を高くするほど乾燥凝集が激しく、ニッケル粒子同士の固着も強固となり、後述する解砕処理を行っても凝集したニッケル粒子が解きほぐれないことがある。乾燥凝集については乾燥温度だけでなく、乾燥時間や雰囲気条件も影響するが、乾燥温度としては２５０℃以下とするのが好ましい。
【００３４】
乾燥処理の乾燥時間については、特に限定されることはないが、１０分〜２４時間とするのが好ましい。これらの乾燥処理条件を調整することで、ＸＰＳを用いて測定された表面の成分組成が、Ｎｉは１５モル％を超えて３５モル％以下であり、ＮｉＯは５０モル％以上であり、Ｎｉ（ＯＨ）２は０モル％を超えて３０モル％以下となる酸化被膜がニッケル粉末に形成される。
【００３５】
乾燥処理を経たニッケル粉末は、乾燥凝集により粒子同士が結合していることもあるので、解砕処理を行って凝集したニッケル粒子を解きほぐすのが好ましい。解砕処理では、スパイラルジェット解砕処理、カウンタージェットミル解砕処理等の乾式解砕方法や、高圧流体衝突解砕処理等の湿式解砕方法、その他の汎用の解砕方法を適用することが可能である。
【００３６】
上記説明したニッケル粉末を製造するに当たって好適な、湿式法にて水溶液中で還元反応により晶析させたニッケル粒子の一例として、特許文献３に記載されたニッケル粒子の晶析方法を説明する。
【００３７】
このニッケル粒子を湿式法で析出させる方法では、少なくとも水溶性のニッケル塩、ニッケルよりも貴な金属の塩、還元剤であるヒドラジン、及び水酸化アルカリと水とを混合した反応液に、アミン化合物を添加して、ニッケル塩をヒドラジンで還元することでニッケル粒子を晶析させる。さらにスルフィド化合物も反応液に添加してもよい。
【００３８】
ニッケル塩は、水に易溶であるニッケル塩であれば特に限定されることはなく、塩化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケルから選ばれる１種以上を用いることができる。
【００３９】
ニッケルよりも貴な金属をニッケル塩溶液に含有させることで、ニッケルを還元晶析させる際に、ニッケルよりも貴な金属が先に還元されて初期核となる核剤として作用しており、この初期核から粒子成長することで微細なニッケル粒子を作製することができる。ニッケルよりも貴な金属の金属塩としては、水溶性の銅塩や、金塩、銀塩、プラチナ塩、パラジウム塩、ロジウム塩、イリジウム塩等の水溶性の貴金属塩を用いることができ、特にパラジウム塩が好ましい。パラジウム塩を用いた場合の、パラジウム塩とニッケルの割合［モルｐｐｍ］（パラジウム塩のモル数／ニッケルのモル数×１０６）は、０．２モルｐｐｍ〜１００モルｐｐｍの範囲とするのが好ましい。
【００４０】
還元剤はヒドラジンを用いるのが好ましく、無水のヒドラジンの他にヒドラジン水和物である包水ヒドラジンを用いてもかまわない。
【００４１】
水酸化アルカリは、ヒドラジンの還元力は反応液のｐＨが高いほど大きくなるため、アルカリ性を高めるｐＨ調整剤として用いられる。水酸化アルカリとしては、アルカリ金属の水酸化物を用いるのが好ましく、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムから選ばれる１種以上とするのがより好ましい。水酸化アルカリの配合量は、反応液のｐＨを９．５以上、好ましくは１０以上となるようにするのがよい。
【００４２】
アミン化合物は、錯化剤としての還元反応促進効果がよく知られているが、特定のアミン化合物を用いると、ヒドラジンの自己分解抑制やニッケル粒子同士の連結抑制の効果を有しているので、反応液に配合させるのが好ましい。このようなヒドラジンの自己分解抑制効果等をもつアミン化合物は、分子内に第１級アミノ基（−ＮＨ２）または第２級アミノ基（−ＮＨ−）のいずれかを合わせて２個以上含有する化合物である。具体的には、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、プロピレンジアミン等を用いるのが好ましい。アミン化合物の配合量は、アミン化合物のモル数の割合[モル％]（アミン化合物のモル数／ニッケルのモル数×１００）として、０．０１モル％〜５モル％の範囲、より好ましくは０．０３モル％〜２モル％の範囲とする。
【００４３】
スルフィド化合物は、分子内にスルフィド基（−Ｓ−）を１個以上含有する化合物であるが、上記特定のアミン化合物と併用すると、ヒドラジンの自己分解抑制作用が大幅に強化され、かつニッケル粒子同士の連結抑制の効果も有している。スルフィド化合物の中で、これらの効果が顕著な化合物は、分子内にさらにカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）または水酸基（−ＯＨ）を少なくとも１個以上含有する化合物であり、具体的には、Ｌ−メチオニン、Ｌ−エチオニン、チオジグリコール酸等を用いるのが好ましい。スルフィド化合物の配合量は、スルフィド化合物のモル数の割合[モル％]（スルフィド化合物のモル数／ニッケルのモル数×１００）として、０．０１モル％〜５モル％の範囲、より好ましくは０．０３モル％〜２モル％の範囲とする。
【００４４】
晶析の手順としては、水溶性のニッケル塩、ニッケルよりも貴な金属の塩、ヒドラジン、及び水酸化アルカリの各水溶液がすべて配合されて反応液が調合された時点で還元反応が開始される。反応液を調合するまでの各水溶液の配合の順番は特に限定されることはなく、どの順番で配合してもよい。アミン化合物やスルフィド化合物は、還元反応が開始される前、つまり上記各水溶液の少なくとも1つに添加しておくか調合途中で添加する、または還元反応開始後の反応液に添加する、のいずれでもかまわない。
【００４５】
晶析時の温度は、反応液が調合された時点、つまり還元反応が開始する時点の反応液の温度を４０℃〜９０℃の範囲、より好ましくは５０℃〜８０℃とする。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明について、実施例を用いてさらに具体的に説明するが、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。なお、ニッケル粉末の特性として、平均粒径、表面の成分組成、酸素含有量を、以下の通り評価している。
【００４７】
（平均粒径）
ニッケル粉末の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、ＪＥＯＬ  Ｌｔｄ.製、ＪＳＭ−７１００Ｆ）を用いた観察像（ＳＥＭ像）で観察し、その写真像から画像解析により全様が確認できる粒子の径を求め、その数平均の粒径を平均粒径とした。
【００４８】
（表面の成分組成）
ニッケル粉末の表面組成は、ＸＰＳ（アルバック・ファイ社製、Ｖｅｒｓａ ＰｒｏｂｅII）を用い、ニッケルのＮｉ２ｐスペクトルからピークフィッティング法による波形分離を行うことで、Ｎｉピークの面積、ＮｉＯピークの面積、Ｎｉ（ＯＨ）２の面積を算出し、それらの面積比からＮｉ、ＮｉＯ、Ｎｉ（ＯＨ）２のモル％を求めた。
【００４９】
（酸素含有量）
不活性ガス溶融法による酸素分析装置（ＬＥＣＯ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、ＴＣ４３６）を用いて、測定した。
【００５０】
（硫黄含有量）
燃焼法による硫黄分析装置（ＬＥＣＯ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製、ＣＳ６００）を用いて、測定した。
【００５１】
（実施例１）
［晶析工程］
特許文献３に記載の方法を用いて、還元反応によりニッケル粒子を晶析させた。具体的には、純水１００Ｌにニッケル質量で５ｋｇの塩化ニッケル６水和物を溶解させ、ニッケル塩溶液を作製した。このニッケル塩溶液にニッケルに対して０．５モル％のＬ−メチオニン水溶液、ニッケルに対して０．５質量ｐｐｍの塩化パラジウム（ＩＩ）アンモニウム水溶液、６０％抱水ヒドラジン、２５質量％の水酸化ナトリウム水溶液の順に添加して反応液を調合し、還元反応による晶析を開始した。その後反応液にニッケルに対して１．０モル％のエチレンジアミン水溶液を添加し、ニッケル粒子を晶析させた。液中のニッケル成分はすべて金属ニッケルに還元されていることを確認した。
【００５２】
［洗浄・ろ過工程］
晶析工程により得たスラリー状のニッケルスラリーを、まず静置してニッケル粒子を沈降させ、デカンテーションで上澄み液を除去し、純水と硫酸水溶液を除去した上澄み液と同量程度添加して、ｐＨ８．３のニッケルスラリーとした。このニッケルスラリーにチオグリコール酸を添加し、ニッケル粒子の表面処理を施した後、静置してニッケル粒子を沈降させデカンテーションで上澄み液を除去した。なお、デカンテーション時にはニッケル粒子が大気に暴露されない程度に液を残した。
【００５３】
その後、タナベウィルテック製遠心分離機（型式ＣＯ−２４）にニッケルスラリーを移送し、常にニッケル粒子が大気に暴露されないように純水流量を調整してろ過洗浄し、固液分離して湿潤状態のニッケルケーキを得た。
【００５４】
［乾燥工程］
湿潤状態のニッケルケーキを、ＥＹＥＬＡ製定置式真空乾燥機（型式ＶＯＳ−４５１ＳＤ）を用いて乾燥を行った。条件としては、乾燥温度１１０℃とし、乾燥温度に昇温するまでは乾燥室内を０．５ｋＰａ以下（酸素分圧としては０．１ｋＰａ以下）となるように減圧した。昇温開始から４０分で乾燥温度に到達後、乾燥室内に空気を１５ｋＰａ（酸素分圧としては３ｋＰａ）になるまで導入し、この圧力を維持して昇温開始から２４時間乾燥した。２４時間経過後、炉冷して温度が５０℃に到達後に空気導入量を徐々に増加させて大気圧に戻して乾燥を終え、ニッケル粉末を得た。
【００５５】
［評価］
得られたニッケル粉末の平均粒径、表面の成分組成、酸素含有量を測定した。結果を表１にまとめて示す。
【００５６】
（実施例２）
乾燥工程において、乾燥温度に到達後の乾燥室内の空気の圧力を５ｋＰａ（酸素分圧としては１ｋＰａ）とした以外は、実施例１と同様にしてニッケル粉末を得た。得られたニッケル粉末の平均粒径、表面の成分組成、酸素含有量を測定した。結果を表１にまとめて示す。
【００５７】
（実施例３）
洗浄・ろ過工程において、チオグリコール酸を添加する前（表面処理前）に硫酸水溶液を添加せず純水のみの添加とした以外は実施例１と同様にしてニッケル粉末を得た。なおチオグリコール酸を添加する前のｐＨは１１．５であった。得られたニッケル粉末の平均粒径、表面の成分組成、酸素含有量を測定した。結果を表１にまとめて示す。
【００５８】
（比較例１）
乾燥工程において、乾燥温度に到達後も空気の導入は行わず、到達後の乾燥室内の空気の圧力を０．５ｋＰａ以下（酸素分圧としては０．１ｋＰａ以下）を維持し、炉冷して温度が５０℃に到達後に空気導入量を徐々に増加させて大気圧に戻して乾燥を終えたこと以外は、実施例１と同様にしてニッケル粉末を得た。得られたニッケル粉末の平均粒径、表面の成分組成、酸素含有量を測定した。結果を表１にまとめて示す。
【００５９】
（比較例２）
乾燥工程において、乾燥温度に到達後も空気の導入は行わず、到達後の乾燥室内の空気の圧力を０．５ｋＰａ以下（酸素分圧としては０．１ｋＰａ以下）を維持し、炉冷して温度が５０℃に到達後に空気導入量を徐々に増加させて大気圧に戻して乾燥を終えたこと以外は、実施例３と同様にしてニッケル粉末を得た。得られたニッケル粉末の平均粒径、表面の成分組成、酸素含有量を測定した。結果を表１にまとめて示す。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
乾燥温度である１１０℃に到達後の乾燥室内酸素分圧を３ｋＰａもしくは１ｋＰａとした実施例１〜３では、ニッケル粉末の表面の成分組成でＮｉＯが５０モル％を超え、酸素含有量も１．１質量％と高い数値は示さなかった。一方、乾燥温度に到達後も乾燥室内酸素分圧を０．１ｋＰａ以下を維持した比較例１と比較例２は、表面の成分組成でＮｉ（ＯＨ）２の比率が高くなっていることが分かる。
【００６２】
また、実施例３は、実施例１とは異なる洗浄・ろ過工程を実施し、チオグリコール酸を添加する前（表面処理前）に硫酸水溶液を添加せず純水のみの添加としたものであるが、このような条件を変更しても、ニッケル粉末の表面の成分組成や酸素含有量にはほとんど影響がなかった。
【００６３】
［まとめ］
以上の結果より、本発明のニッケル粉末は、その表面の組成がＮｉＯを主成分としつつＮｉの比率も比較的高く制御されており、また、酸素含有量が低い。そのため、本発明のニッケル粉末であれば、積層セラミックコンデンサの製造時において、クラックやデラミネーションの発生を抑制することができる。