(57)【要約】      （修正有）【課題】発熱抵抗素子が高密度で配置されている構成であっても、低コストである記録素子基板を提供する。【解決手段】記録素子基板４００は、給電されて発熱することで、液体を収容する圧力室の内部の液体にエネルギーを与えて圧力室から液体を吐出させる発熱抵抗層１０３と、発熱抵抗層に接続され、発熱抵抗層に給電する複数の電極と、を備え、複数の電極のうちの、発熱抵抗層における圧力室側の面と反対側の面に接続された第１の電極１４０はビアであり、複数の電極のうちの、発熱抵抗層における圧力室側の面に接続された第２の電極１１０ａは、第２の電極の端部へ向かって厚みが徐々に薄くなるように、第２の電極の圧力室側の面が傾斜していることを特徴とする。【選択図】図４
2020006632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電されて発熱することで、液体を収容する圧力室の内部の液体にエネルギーを与えて前記圧力室から液体を吐出させる発熱抵抗層と、
前記発熱抵抗層に接続され、前記発熱抵抗層に給電する複数の電極と、を備え、
前記複数の電極のうちの、前記発熱抵抗層における前記圧力室側の面と反対側の面に接続された第１の電極はビアであり、前記複数の電極のうちの、前記発熱抵抗層における前記圧力室側の面に接続された第２の電極は、前記第２の電極の端部へ向かって厚みが徐々に薄くなるように、前記第２の電極の前記圧力室側の面が傾斜していることを特徴とする記録素子基板。
【請求項２】
前記第２の電極は、前記第１の電極の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
【請求項３】
前記複数の電極により形成される複数の発熱領域を発熱させるために前記複数の発熱領域の各々に給電する複数の駆動回路を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の記録素子基板。
【請求項４】
前記複数の駆動回路は、前記複数の電極のうちの少なくとも１つの電極を共通電極として回路を形成していることを特徴とする請求項３に記載の記録素子基板。
【請求項５】
前記１つの電極は、前記複数の電極のうちの中央に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の記録素子基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の記録素子基板と、
前記記録素子基板が吐出する液体を着弾させる媒体を液体の着弾位置に搬送させる搬送装置と、を備えることを特徴とする液体吐出装置。
【請求項７】
給電されて発熱することで、液体を収容する圧力室の内部の液体にエネルギーを与えて前記圧力室から液体を吐出させる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に接続され、前記発熱抵抗層に給電する複数の電極と、を備える記録素子基板の製造方法において、
絶縁膜の内部に配線層が埋め込まれた基板を用意する工程と、
前記絶縁膜を平坦化する工程と、
前記絶縁膜に貫通孔を形成し、前記貫通孔の内部をビア材料で埋めて、前記複数の電極のうちの第１の電極を形成する工程と、
前記ビアに接するように前記発熱抵抗層を成膜する工程と、
前記発熱抵抗層に接するように配線層を形成する工程と、
前記配線層をエッチングして一部を除去し、前記複数の電極のうちの第２の電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする記録素子基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板を平面視した際に前記第１の電極の外側に前記第２の電極が配置されるように前記第２の電極を形成することを特徴とする請求項７に記載の記録素子基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録素子基板、液体吐出装置及び記録素子基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
所望の文字や画像等の情報を紙やフィルム等の媒体に記録する情報出力装置の１つとして液体吐出装置が知られている。液体吐出装置は、液体を吐出する液体吐出ヘッドから吐出された液体を媒体に着弾させることで記録動作を行う。
近年、液体吐出装置の更なる高画質化、高速化に伴い、吐出する液体の微細化や液体吐出ヘッドの構成要素である発熱抵抗素子の高密度化が求められている。
【０００３】
図１は、従来の液体吐出ヘッドに搭載されている記録素子基板４０１の一例を示す斜視図である。記録素子基板４０１には、基板１００上に複数の発熱抵抗素子１０３が配置されている。基板１００には、液体を供給するための液体供給路１０２が形成されている。また、基板１００には、流路形成部材３００ｂと、吐出口形成部材３００ａとが設けられている。部材３００ａの各吐出口３０１は、各発熱抵抗素子１０３に対応するように形成されている。さらに、基板１００には、外部から給電する又は信号を受信するための端子１０１が設けられている。
【０００４】
上記のような構成の場合に発熱抵抗素子１０３の増加に伴う基板サイズの大型化を抑制するために、特許文献１には、単一の発熱抵抗素子に対して複数の電極を設ける構成が開示されている。特許文献１の構成は、発熱領域の形成範囲を変化させ、１つの吐出口から異なる吐出量の液体を吐出させることができる。そして、複数種類の発熱抵抗素子を１つにまとめることで、発熱抵抗素子の数量を削減し、基板サイズの大型化を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−２０２６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、図２（ａ）は、特許文献１の構成をベースとする、複数の発熱領域を有する液体吐出装置の記録素子基板４００ａにおける発熱抵抗素子１０３ｃの周辺の平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図２（ｂ）に示すように、発熱抵抗素子１０３ｃにおける発熱領域の形成範囲を変更するために、発熱抵抗素子１０３ｃの両端部側及び中央側には、それぞれ、電極領域１３０ａ、電極領域１３１ａが配列されている。電極領域１３０ａにはビア１４０ｂが接続され、電極領域１３１ａにはビア１４０ｂが接続されている。ビア１４０ａ及び電極領域１３０ａに接続されたビア１４０ｂは、それぞれ、発熱抵抗層１２２における圧力室１５０側（圧力室側）と反対側（下側）に形成されている配線層１１０、１１１に接続されている。特許文献１の構成をベースとした上記の形態では、以上のようにして、発熱領域の形成範囲を設定している。また、上記構成において、例えば１２００ｄｐｉといった高密度で複数の発熱抵抗素子１０３ｃを配列する場合、隣接する発熱抵抗素子１０３ｃ同士や発熱抵抗素子１０３ｃと配線層１１０、１１１とのクリアランスを設ける必要がある。そのため、同一平面上に複数の配線層１１０、１１１をレイアウトすることに制約が生じる。
そこで、上記構成において複数の発熱抵抗素子１０３ｃを高密度に配列する場合、複数の電極（この場合は、ビア１４０ａ、１４０ｂ）をそれぞれ異なる配線層１１０、１１１に接続する必要がある。すなわち、上記構成を実現するためには、各配線層１１０、１１１に接続される複数のビア１４０ａ、１４０ｂを形成するための平坦化プロセスが必要となり、これに伴いコストが増加する。
【０００７】
本発明は、発熱抵抗素子が高密度で配置されている構成であっても、低コストである記録素子基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の記録素子基板は、給電されて発熱することで、液体を収容する圧力室の内部の液体にエネルギーを与えて前記圧力室から液体を吐出させる発熱抵抗層と、前記発熱抵抗層に接続され、前記発熱抵抗層に給電する複数の電極と、を備え、前記複数の電極のうちの、前記発熱抵抗層における前記圧力室側の面と反対側の面に接続された第１の電極はビアであり、前記複数の電極のうちの、前記発熱抵抗層における前記圧力室側の面に接続された第２の電極は、前記第２の電極の端部へ向かって厚みが徐々に薄くなるように、前記第２の電極の前記圧力室側の面が傾斜していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
以上の構成によれば、本発明の記録素子基板は、複数の配線層に接続されているすべての電極を発熱抵抗層における圧力室側の面と反対側の面に接続させる構成に比べて、製造コストが低い。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】従来技術の記録素子基板の斜視図である。
【図２】第１比較形態の記録素子基板の発熱抵抗素子及びその周辺の図である。
【図３】第１実施形態の記録素子基板の平面図である。
【図４】第１実施形態の記録素子基板の発熱抵抗素子及びその周辺の図である。
【図５】第１実施形態の記録素子基板の製造プロセスのプロセスチャートである。
【図６】第１実施形態の記録素子基板の等価回路及び選択結果を説明する図である。
【図７】第２実施形態の記録素子基板の平面図である。
【図８】第２実施形態の記録素子基板の発熱抵抗素子及びその周辺の図である。
【図９】第２実施形態の記録素子基板の等価回路及び選択結果を説明する図である。
【図１０】第１実施形態の記録素子基板を搭載した液体吐出装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜第１実施形態＞
以下、第１実施形態について、図面を用いて説明する。
まず、本実施形態の記録素子基板４００の構成について説明する。図３は、本実施形態における記録素子基板４００の平面図である。図４（ａ）は１つの発熱抵抗素子１０３及びその周辺の拡大図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
本実施形態では、長尺な液体供給路１０２の短手方向の一方側に、一例として解像度１２００ｄｐｉとなるよう、複数（１０２４個）の発熱抵抗素子１０３が２１．０μｍ又は２１．５μｍのピッチで配列されている。発熱抵抗素子１０３は後述するように発熱抵抗層１２２が電極に接続されることで構成されており、電極から給電されて発熱抵抗層１２２が発熱し、この発熱によって液体が吐出される。１つの発熱抵抗素子１０３は、平面視にて、その幅が１０μｍ、長さが３０μｍとされている。各発熱抵抗素子１０３の両端部側には、後述する電極領域１３０が位置している。電極領域１３０には、配線層１１０が接続されている。配線層１１０は、各発熱抵抗素子１０３と同一幅で駆動回路１０４側に延びている。これに対して、駆動回路１０４側と反対側の配線層１１０は、液体供給路１０２の手前まで延び、一例として４．０μｍの幅で駆動回路１０４側へ折り返している（図４（ａ）参照）。なお、折り返している配線層１１０は、発熱抵抗素子１０３及び駆動回路１０４側に延びている配線層１１０に対して、一例として３．５μｍのクリアランスを設けて、発熱抵抗素子１０３及び駆動回路１０４側に延びている配線層１１０との干渉を回避している。
【００１２】
各発熱抵抗素子１０３の領域内に設けられている一対の電極領域１３１ａは、ビア１４０（電極及び複数の電極のうちの一部の電極の一例）を介して発熱抵抗層１２２の下層に設けられた配線層１１１と電気的に接続されている。配線層１１１の面方向のレイアウトは、配線層１１０と実質的に同一のレイアウトとなるよう、配線層１１０の厚み方向で重なっている。一対の電極領域１３１ａは、発熱抵抗素子１０３の中心位置からそれぞれ１０μｍ離れた箇所に位置している。
本実施形態では、熱酸化層及び駆動素子が形成された基板１２０上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、ＢＰＳＧ（Boron Phospho Silicate Glass）及び層間絶縁膜が形成されている。ＢＰＳＧ１２１ａ及び層間絶縁膜１２１ｂは、シリコン化合物から構成されている。層間絶縁膜１２１ｂは、一例として、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ等の絶縁性材料とされている。
【００１３】
基板１２０上には、さらに、配線層１１０、１１１、一対のビア１４０、発熱抵抗層１２２、電極領域１３０、パシベーション層１２３及び耐キャビテーション層１２４が形成されている。配線層１１０、１１１は、一例として、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ化合物から構成されている。配線層１１０には、その厚みが徐々に薄くなっている部分、より具体的には、その厚みが徐々に薄くなって端部となる部分を有しており、この部分の圧力室側の面は傾斜している。本明細書では、当該部分を配線端部１１０ａ（複数の電極のうちの残りの電極の一例）という。また、ビア１４０を第１の電極、配線端部１１０ａを第２の電極ともいう。配線端部１１０ａは、一例として、配線層１１０をエッチングすることで形成されている。記録素子基板４００を平面視すると、一対の配線端部１１０ａは、一対のビア１４０の外側に配置されている。電極領域１３１ａ及び電極領域１３０は、それぞれ駆動回路１０４と電気的に接続されている。各ビア１４０は、一例として、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属から構成されている。
なお、配線層１１１は、基板１２０上に形成されている。具体的には、配線層１１１は、スパッタリング法を用いてＡｌ−Ｓｉ膜を成膜し、リソグラフィー工程やドライエッチング工程により形成される。
以上が、本実施形態の記録素子基板４００の構成についての説明である。
【００１４】
次に、本実施形態の記録素子基板４００の製造プロセスについて図面を用いて説明する。図５（ａ）は、本実施形態の記録素子基板４００の製造プロセスのうちのビア１４０を用いた電極形成のプロセスチャートである。
まず、本プロセスでは、配線層１１１を形成する（Ｓ１００参照）。
次いで、本プロセスでは、ＣＶＤ法を用いて層間絶縁膜１２１ｂを成膜する（Ｓ１１０参照）。すなわち、Ｓ１００とＳ１１０とにおいて、層間絶縁膜１２１ｂの内部に配線層１１０が内部に埋め込まれた基板を用意する。
次いで、本プロセスでは、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて層間絶縁膜１２１ｂを平坦に加工する（Ｓ１２０参照）。
次いで、本プロセスでは、リソグラフィー工程及びドライエッチング工程を行うことで、層間絶縁膜１２１ｂにビア１４０用のパターン、すなわち、平坦化された層間絶縁膜１２１ｂの表面と配線層１１１の表面とを繋ぐ貫通孔を形成する（Ｓ１３０参照）。
次いで、本プロセスでは、スパッタリング法を用いてＴｉＮ膜（電極材）を成膜し、その後、ＣＶＤ法を用いてＷ（タングステン）膜（電極材）を成膜し、上記貫通孔の内部をビア材料で埋める（Ｓ１４０参照）。そして、ＣＭＰ法を用いて余剰のＷとＴｉＮを除去し、層間絶縁膜１２１ｂの表面を平坦化する。その結果、Ｗが充てんされたビア１４０が形成される（Ｓ１５０参照）。
次に、本実施形態の記録素子基板４００の製造プロセスのうち、ビア１４０の形成の後のプロセスについて説明する。図５（ｂ）は、発熱抵抗層１２２の成膜以降のプロセスを説明するためのプロセスチャートである。
本プロセスでは、Ｓ１５０までに形成されたビア１４０の上に、ＴａＳｉＮなどで発熱抵抗層１２２を成膜し（Ｓ１６０参照）、さらにその上にＡ１−Ｃｕ膜で配線層１１０を成膜する（Ｓ１７０）。そして、リソグラフィー工程やドライエッチング工程を行い、配線層１１０及び発熱抵抗層１２２を一括でパターニングする（Ｓ１８０参照）。
【００１５】
Ｓ１８０の後、本プロセスでは、Ａｌ−Ｃｕ膜で成膜された配線層１１０に対し、エッチング工程を行うことで、発熱抵抗素子１０３上の配線層１１０の一部を除去し、その厚みが徐々に薄くなる部分が形成される（Ｓ１９０参照）。本実施形態では、この厚みが徐々に薄くなる部分が電極領域１３０となる。
次いで、本プロセスでは、ＳｉＮ、ＳｉＣのシリコン化合物等の絶縁性材料から構成されるパシベーション層１２３、その上にＴａ等から構成される耐キャビテーション層１２４を形成する（Ｓ２００参照）。パシベーション層１２３及び耐キャビテーション層１２４といった保護層が発熱抵抗素子１０３を被覆することで、発熱抵抗素子１０３とインク（不図示、液体の一例）との絶縁性と、インクの吐出時のキャビテーションへの耐性が確保される。液体の一例は、インクでなくてもよい。
次いで、本プロセスでは、耐キャビテーション層１２４上に流路形成部材３００ｂ及び吐出口形成部材３００ａを設ける。その後、吐出口形成部材３００ａに穴を貫通させて吐出口３０１を形成する。その結果、発熱抵抗素子１０３、流路形成部材３００ｂ及び吐出口形成部材３００ａに囲まれた圧力室１５０が形成される（Ｓ２１０参照）。
以上が、本実施形態の記録素子基板４００の製造プロセスについての説明である
なお、記録素子基板４００を液体吐出ヘッドとして用いる場合、圧力室１５０内にインクを収容し、発熱抵抗素子１０３を加熱して圧力室１５０の内部のインクにエネルギーを与えてインクを吐出口３０１から吐出させるようになっている。
【００１６】
ここで、図６（ａ）は、本実施形態の記録素子基板４００の等価回路図である。本実施形態では、駆動回路１０４ａを選択することで電極領域１３０間とされる発熱領域１０３ａを発熱させ（図６（ａ）参照）、駆動回路１０４ｂを選択することで電極領域１３１ａ間とされる発熱領域１０３ｂを発熱させる（図６（ｂ）参照）。
【００１７】
次に、本実施形態の作用効果について図面を用いて説明する。以下、本実施形態を後述する第１比較形態（図２参照）と比較して、本実施形態の作用効果を説明する。なお、第１比較形態の説明及び図２において、本実施形態と同じ構成要素については本実施形態の構成要素と同じ符号を用いる。
第１比較形態の記録素子基板４００ａの構成については前述のとおりである。すなわち、一対のビア１４０ａ及び一対のビア１４０ｂは、それぞれ、発熱抵抗層１２２における圧力室１５０側（圧力室側）と反対側（下側）に形成されている配線層１１０、１１１に接続されている。そして、第１比較形態の場合、特に、１２００ｄｐｉといった高密度で複数の発熱抵抗素子１０３ｃを配列する場合、前述のとおり、同一平面上に複数の配線層１１０、１１１をレイアウトすることに制約が生じる。そのため、各配線層１１０、１１１を上下配置するため、各配線層１１０、１１１に接続される複数のビア１４０ａ、１４０ｂを形成する平坦化プロセスが必要となり、これに伴いコストが増加する。
【００１８】
本実施形態の場合、発熱抵抗層１２２に接続される電極のうち一部の電極が発熱抵抗層１２２の圧力室１５０側に配置されている（図４（ｂ）参照）。すなわち、配線層１１０が発熱抵抗層１２２の圧力室１５０側の面で接続されている。したがって、本実施形態の記録素子基板４００は、第１比較形態の記録素子基板４００ａに比べて、発熱抵抗層１２２の下側の電極数（ビアの数）を少なくすることができる。そのため、本実施形態の記録素子基板４００によれば、第１比較形態の記録素子基板４００ａよりも発熱抵抗素子１０３の配置密度を高くすることができる。これに伴い、本実施形態の記録素子基板４００を用いた液体吐出ヘッド１８０（図１０参照）は、第１比較形態の記録素子基板４００ａを用いた場合に比べて、複数の吐出口３０１の配置密度を高くすることができる。また、本実施形態の液体吐出ヘッド１８０を備えた液体吐出装置１７０（図１０参照）は、第１比較形態の液体吐出ヘッドを備えた液体吐出装置に比べて、高解像度の画像を記録することができる。なお、液体吐出装置１７０は、液体吐出ヘッド１８０（記録素子基板４００）から吐出されるインクが着弾する着弾位置に用紙Ｐ（図１０参照、媒体の一例）を搬送する搬送装置１９０を備えている。
【００１９】
本実施形態の記録素子基板４００は、第１比較形態の記録素子基板４００ａと異なり、一部の電極が配線層１１０の一部（配線端部１１０ａ）となっている（図４（ｂ）参照）。別の見方をすれば、本実施形態では、第１比較形態の一対のビア１４０ｂが配線端部１１０ａとなっており、かつ、第１比較形態の配線層１１１が発熱抵抗層１２２上に形成されている配線層１１０となっている。したがって、本実施形態の記録素子基板４００は、第１比較形態の記録素子基板４００ａに比べて、薄くすることができる。また、本実施形態の記録素子基板４００は、第１比較形態の記録素子基板４００ａに比べて、平坦化プロセスを配線層１層分削減する、すなわち、製造時間を短縮することができる。これに伴い、本実施形態の記録素子基板４００は、第１比較形態の記録素子基板４００ａに比べて、製造コストを低くすることができる。
本実施形態の記録素子基板４００の場合、発熱抵抗層１２２に接続されている複数の電極のうちの一部が配線層１１０の一部（配線端部１１０ａ）とされている。そして、配線端部１１０ａは、その厚みが徐々に薄くなっている（図４（ｂ）参照）。したがって、本実施形態の記録素子基板４００は、配線端部の厚みが配線層１１０の厚みと同じまま徐々に薄くなっていない場合に比べて、圧力室１５０の容積を大きくすることができる。
以上が、第１実施形態についての説明である。
【００２０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の記録素子基板４００ｂについて図面を用いて説明する。本実施形態の説明及び図７、図８（ａ）及び（ｂ）並びに図９（ａ）〜（ｃ）において、第１実施形態と同じ構成要素については第１実施形態の構成要素と同じ符号を用いる。
図７は、本実施形態における記録素子基板４００ｂの平面図である。図８（ａ）は１つの発熱抵抗素子１０３及びその周辺の拡大図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
本実施形態が前述の第１実施形態と異なる点は、以下のとおりである。すなわち、本実施形態の記録素子基板４００ｂは、図７に示すように、液体供給路１０２が２つの構成となっており、発熱抵抗層１２２の下層にビア１４０ａ及びビア１４０ｂ並びに配線層１１２が追加されている。なお、液体供給路１０２の短手方向の一方側の発熱抵抗素子１０３の数は、一例として１５３６個である。
【００２１】
発熱抵抗素子１０３の中央部に追加された電極領域１３２ａは、配線１１２と電気的に接続されている。また、本実施形態の発熱抵抗素子１０３は、その中央部に位置している電極領域１３２ａを基準として、発熱領域１０３ａ及び発熱領域１０３ｂを選択的に発熱させることができるようになっている（図９（ｂ）及び（ｃ）参照）。そのため、電極領域１３２ａと電極領域１３１ａとが対を成して接続され、電極領域１３２ａと電極領域１３０とが対を成して接続されている。すなわち、本実施形態では、電極領域１３２ａは、異なる２つの発熱領域１０３ａ、１０３ｂを発熱させるための対を成す電極のうちの一方の電極であるとともに共通電極である。
また、配線端部１１０ａに接続されている配線層１１０と、電極領域１３１ａに接続されている配線層１１１とは、後述する図９（ａ）の等価回路図になるように、それぞれ、短絡して形成されている。電極領域１３２ａは、図８（ｂ）に示したように、ビア１４０ｂを介して新たに追加した配線１１２と電気的に接続されている。
図９（ａ）は、本実施形態の記録素子基板４００ｂの等価回路図である。本実施形態では、駆動回路１０４ａを選択することで電極領域１３０間とされる発熱領域１０３ａを発熱させ（図９（ｂ）参照）、駆動回路１０４ｂを選択することで電極領域１３１ａ間とされる発熱領域１０３ｂを発熱させる（図９（ｃ）参照）。
本実施形態が第１実施形態と異なる点は、以上のとおりである。
【００２２】
次に、本実施形態の作用効果について図面を用いて説明する。以下、本実施形態を後述する第２比較形態（図示省略）と比較して、本実施形態の作用効果を説明する。なお、第２比較形態の説明において、本実施形態と同じ構成要素については本実施形態の構成要素と同じ符号を用いる。
第２比較形態の記録素子基板は、第１比較形態の記録素子基板４００ａ（図２（ａ）及び（ｂ）参照）を、液体供給路１０２を２つとして、液体供給路１０２の短手方向の一方側の複数の発熱抵抗素子１０３の数を１５３６個としたものである。そのため、第２比較形態の記録素子基板の平面図は、本実施形態の記録素子基板４００ｂの平面図（図７参照）と実質的に同等である。
【００２３】
本実施形態の記録素子基板４００ｂと第２比較形態の記録素子基板とを比較すると、以下のことがいえる。すなわち、本実施形態の場合、第１比較形態及び第２比較形態に比べて、発熱抵抗層１２２の上層に配線層１１０及び配線層１１０の端部の配線端部１１０ａを形成する工程分のプロセス数が増える。しかしながら、本実施形態の場合、第２比較形態の場合に比べて、基板サイズ（記録素子基板自体の大きさ）を小さくできる。そして、複数の発熱抵抗素子１０３を並べて配置するような構成では、配線層１１０の配線端部１１０ａを形成するエッチングの工程の増加よりも、基板サイズを小さくできることの方がコストを低減させることができる。したがって、本実施形態の記録素子基板４００ｂは、第２比較形態の記録素子基板に比べて、製造コストが低い。
本実施形態の記録素子基板４００ｂの場合、電極領域１３２ａは、異なる２つの発熱領域１０３ａ、１０３ｂを発熱させるための対を成す電極のうちの一方の電極であるとともに共通電極となっている。そのため、第２比較形態の場合に発熱領域毎に２個必要とされる駆動回路１０４ａ、１０４ｂを、本実施形態の場合はそれぞれ１個に削減することができる（図９（ａ）参照）。これに伴い、本実施形態の場合、駆動回路１０４ａ、１０４ｂをそれぞれ面方向に並べて配置したとすれば、第２比較形態の場合に比べて、発熱抵抗素子１０３が１個あたりの駆動回路部の面積を約半分の大きさに低減することができる。以上より、本実施形態の記録素子基板４００ｂは、共通電極１３２ａが設けられていることによっても、基板サイズを小さくすることができる。
本実施形態のその他の効果は、第１実施形態の場合と同様である。
以上が、本実施形態についての説明である。
【００２４】
以上のとおり、本発明について第１実施形態及び第２実施形態を例として説明したが、本発明の技術的範囲はこれらの実施形態に限定されるものではない。
例えば、各実施形態では、ビア１４０の電極領域を複数のビア１４０により形成していた。しかしながら、平面上のレイアウトが長方形となる単一のビア、すなわち複数のビア１４０の配列方向に延びた一つのビアにより形成してもよい。この変形例の場合であっても、前述した各実施形態の場合と同様の効果が得られる。
各実施形態では、１つの発熱抵抗素子１０３（１つの圧力室１５０）ごとに、発熱領域を２種類としたが、発熱領域は３種類以上であってもよい。この場合、電極を追加すればよい。この変形例の場合であっても、前述した各実施形態の場合と同様の効果が得られる。
第２実施形態では、直線方向に並べられている複数の発熱抵抗素子１０３の群が２つあり、２つの群が液体供給路１０２を挟むように配置されている。しかしながら、この実施形態の関係と反対の関係、すなわち、複数の発熱抵抗素子１０３で構成される２つの群が２つの液体供給路１０２を挟むように配置されているようにしてもよい。この変形例の場合であっても、前述した各実施形態の場合と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００２５】
１５０      圧力室
１２２      発熱抵抗層
１３０ａ    複数の電極（残りの電極の一例）
１４０      複数の電極（一部の電極の一例）
４００      記録素子基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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