(57)【要約】      （修正有）【課題】ドライフィルムのレジストの分光感度に適合するための線量計プローブを提供する。【解決手段】線量計プローブは、光プローブ及び該光プローブに接続されたフィルタ−ディフューザアセンブリ２００を含む。フィルタ−ディフューザアセンブリは、フィルタ１５０に配置された光ディフューザ１３５を受けるように構成されたフィルタハウジング１６０を含む。光ディフューザ及びフィルタはスペーサ１４０により分離されている。【選択図】図１Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライフィルムの分光感度に適合するためのプロセス線量計プローブであって、
光プローブと、
前記光プローブに接続されたフィルタ−ディフューザアセンブリとを備え、
前記フィルタ−ディフューザアセンブリは、フィルタに配置された光ディフューザを受けるように構成されたフィルタハウジングを含み、
前記光ディフューザと前記フィルタとは、前記線量計プローブが少なくとも１セットの隣接する構造同士間の１２μｍ未満である間隙を形成するために前記ドライフィルムのレジスト上にパターンを露光可能に構成されるように、スペーサにより分離されている、線量計プローブ。
【請求項２】
前記光プローブは、国際的な光プローブを含む、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項３】
前記光ディフューザは、標的の線形範囲内に露光の強度を減衰するように構成されたクオーツコサインディフューザを含む、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項４】
前記光ディフューザは、１８０°視野から信号を回収するためにファイバ及び分光計に結合された少なくとも１つのオパリンガラス、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はスペクトラロンを含む、請求項３に記載の線量計プローブ。
【請求項５】
前記光ディフューザは、上側及び反対の下側を含み、前記光ディフューザの上側はエッチングされた窪みを含む、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項６】
前記光ディフューザは、前記フィルタ及び前記スペーサと反対側に前記エッチングされた窪みを配置して前記フィルタハウジング内に固定されている、請求項５に記載の線量計プローブ。
【請求項７】
前記フィルタは、第１側に金属コーティングを含み、その反対の第２側に絶縁コーティングを含む、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項８】
前記フィルタは、波長が３６５ｎｍで１００％、波長が４０５ｎｍで４０％又は波長が４３５ｎｍで７％の少なくとも１つの透過値を含む線形範囲を標的とするように構成されている、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項９】
前記フィルタは、前記絶縁コーティングが前記光ディフューザ及び前記スペーサに対向するように、前記フィルタハウジング内に配置されている、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項１０】
前記スペーサは、前記光プローブと前記フィルタとの間の空隙により起こる干渉を防止するように構成されたテフロン（登録商標）シムを含む、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項１１】
前記スペーサは、前記光プローブと前記フィルタとの間の空隙により起こる干渉を防止するように構成されたＰＴＦＥシムを含む、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項１２】
前記フィルタ−ディフューザアセンブリは、ねじ止め接着剤を用いてねじ山を介して光プローブに接続されている、請求項１に記載の線量計プローブ。
【請求項１３】
線量計プローブを較正するための方法であって、
光プローブ及び該光プローブに接続されたフィルタ−ディフューザアセンブリを含む線量計プローブを用いることと、
光源を照射させることと、
前記光源の下に前記線量計プローブを配置し、放射照度を測定することと、
前記測定された放射照度を基準の放射照度と比較することと、
前記線量計プローブが少なくとも１セットの隣接する構造同士間の１２μｍ未満である間隙を形成するために前記ドライフィルムのレジスト上にパターンを露光可能に構成されるように、前記測定された放射照度と前記基準の放射照度との比較に基づいて、前記線量計プローブを較正することとを含み、
前記フィルタ−ディフューザアセンブリは、フィルタに配置された光ディフューザを受けるように構成されたフィルタハウジングを含み、
前記光ディフューザと前記フィルタとは、スペーサにより分離されている、方法。
【請求項１４】
前記光プローブは、国際的な光プローブを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記光ディフューザは、標的の線形範囲内に露光の強度を減衰するように構成されたクオーツコサインディフューザを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記光ディフューザは、１８０°視野から信号を回収するためにファイバ及び分光計に結合された少なくとも１つのオパリンガラス、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はスペクトラロンを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記光ディフューザは、上側及び反対の下側を含み、前記光ディフューザの上側はエッチングされた窪みを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記光ディフューザは、前記フィルタ及び前記スペーサと反対側に前記エッチングされた窪みを配置して前記フィルタハウジング内に固定されている、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記フィルタは、第１側に金属コーティングを含み、その反対の第２側に絶縁コーティングを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記フィルタは、第１側に金属コーティングを含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願のクロスリファレンス）
本願は２０１９年６月１９日に出願された米国出願番号１６／４４６５０６からの優先権を主張するものであり、当該米国出願は２０１８年６月２５日に出願された米国仮出願番号６２／６８９７１２からの優先権を主張するものであり、それらの全ては参照として本願明細書に組み込まれる。
【０００２】
（技術分野）
本実施形態は、一般に、ドライフィルムレジストの分光感度に適合するように構成された線量計プローブに関する。さらに、本実施形態は、一般に、フォトレジストの感度に線量計プローブを較正することに関する。
【背景技術】
【０００３】
フォトレジスト組成物は、フレキシブル回路、プリント回路、コンピュータチップ及び集積回路の製作等において電子部品を小型化させるためのマイクロリソグラフィプロセスに用いられる。一般に、これらのプロセスにおいて、フォトレジスト組成物の薄膜コーティングはまず基板材料に適用される。その後、コーティングされた基板は、フォトレジスト組成物中の溶媒を蒸発させるために焼成され、基板上にコーティングを定着させる。基板にコーティングされたフォトレジストは、次に、放射による像様の露光を受ける。
【０００４】
放射露光は、コーティング表面の露光領域における化学的変換を引き起こす。可視光、紫外（ＵＶ）光、電子ビーム及びＸ線放射エネルギーは、今日マイクロリソグラフィプロセスに一般に用いられる放射タイプである。この像様露光の後、コーティングされた基板は、フォトレジストの放射露光された又はされていない領域のいずれかを溶解及び除去するために現像液により処理される。
【０００５】
デバイスの小型化への傾向は、ますます低い波長の放射に感受性がある新規のフォトレジストの使用に導いており、また、そのような小型化に関連する困難性を克服するための高性能マルチレベルシステムの使用に導いている。ネガティブワーキングとポジティブワーキングとの２つのタイプのフォトレジスト組成物がある。ネガティブワーキングフォトレジスト組成物が放射に像様露光されると、放射に露光されたレジスト組成物の領域は現像液に難溶性となり（例えば架橋反応が起こる）、一方、露光されていないフォトレジストコーティング領域は比較的にそのような溶液に可溶性を維持する。従って、露光されたネガティブワーキングレジストに対する現像液の処理は、フォトレジストコーティングの露光されていない領域の除去を引き起こし、コーティングにおけるネガティブ像を生成し、それにより、フォトレジスト組成物が堆積されていた下層の基板表面の所望の部分を露出する。
【０００６】
フォトレジスト組成物を用いて形成された構造のより小さい寸法は、形成された構造の寸法におけるばらつきに影響を受けやすい構造が増加され得る。従って、形成された構造におけるばらつきを低減する必要性がある。
【発明の概要】
【０００７】
以下に、本技術の基本的な理解を提供するために一つ以上の本実施形態の簡単な概要を示す。この概要は、本技術の全ての考えられる実施形態の広い概要ではなく、重要又は重大な要素を識別したり、本技術のいずれか又は全ての態様の範囲の輪郭を示したりすることを意図するものでない。その唯一の目的は、後に示すより詳細な説明の前置きとして、単純化された形態で１つ以上の実施例のいくつかの概念を示すことである。
【０００８】
ドライフィルムレジストの分光感度に適合するための線量計プローブ及び関連する方法が提供される。線量計プローブは、光プローブ及び該光プローブに接続されたフィルタ−ディフューザアセンブリを含む。フィルタ−ディフューザアセンブリは、フィルタ上に配置された光ディフューザを受けるように構成されたフィルタハウジングを含む。光ディフューザ及びフィルタはスペーサにより分離されている。
【０００９】
本開示のいくつかの実施形態において、光プローブは国際的な光プローブである。さらに、光ディフューザは、標的とする線形範囲内に露光の強度を減衰するように構成されたクオーツコサインディフューザを含み得る。いくつかの実施形態において、光ディフューザは、１８０°視野から信号を回収するためにファイバ及び分光計に結合するオパリンガラス、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はスペクトラロンを含む。本開示のいくつかの実施形態において、光ディフューザは、上側及び反対の下側を含む。光ディフューザの上側はエッチングされた窪みを含み得る。
【００１０】
線量計プローブのいくつかの実施形態において、光ディフューザは、フィルタ及びスペーサと反対側にエッチングされた窪みを配置してフィルタハウジング内に固定されている。いくつかの実施形態において、フィルタは、第１側に金属コーティングを含み、その反対の第２側に絶縁コーティングを含む。さらに、フィルタは、第１側に金属コーティングを含み、その反対の第２側に絶縁コーティングを含み得る。いくつかの実施形態において、フィルタは、波長が３６５ｎｍで１００％、波長が４０５ｎｍで４０％又は波長が４３５ｎｍで７％の少なくとも１つの透過値を含む線形範囲を標的とするように構成され得る。
【００１１】
線量計プローブのいくつかの実施形態において、フィルタは、絶縁コーティングが光ディフューザ及びスペーサに対向するように、フィルタハウジング内に配置され得る。いくつかの実施形態において、スペーサは、光プローブとフィルタとの間の空隙により起こる干渉を防止するように構成されたテフロン（登録商標）シムを含み得る。代替的実施形態において、スペーサは、光プローブとフィルタとの間の空隙により起こる干渉を防止するように構成されたＰＴＦＥシムを含み得る。いくつかの実施形態において、フィルタ−ディフューザアセンブリは、ねじ止め接着剤を用いてねじ山を介して光プローブに接続され得る。
【００１２】
線量計プローブを較正するための方法もここで提供され得る。その方法は、線量計プローブを用いることを含む。線量計プローブは、光プローブ及び該光プローブ上に接続されたフィルタ−ディフューザアセンブリを含み得る。フィルタ−ディフューザアセンブリは、フィルタ上に配置された光ディフューザを受けるように構成されたフィルタハウジングを含み得る。さらに、光ディフューザ及びフィルタは、スペーサにより分離され得る。その方法は、光源を照射させることも含み得る。光源は、３６５ｎｍで作動するＬＥＤ光源を含み得る。その方法は、線量計プローブを光源の下に配置し、放射照度を測定することも含み得る。放射照度は、保存された至適基準の放射照度と比較され得る。その比較に基づいて、その方法は、測定された放射照度と保存された至適基準の放射照度との比較に基づいて線量計プローブを較正することも含み得る。
【００１３】
本開示の上記の及び他の利点及び特徴が得られる方法で説明するために、上記原理のより具体的な説明が、添付された図面に示された特定の実施例を参照することによってなされる。これらの図面は、本開示の単なる例示的態様を示し、従ってその範囲を限定するとみなされるものではない。それらの原理は、以下の図面を用いることで追加の特定及び詳細と共に、示され、説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａは、本開示の一実施形態に係る線量計プローブを例示している。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本開示の一実施形態に係る図１の線量計プローブのフィルタ−ディフューザアセンブリを例示している。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本開示の一実施形態に係る光プローブ上に接続される前の図１Ｂのフィルタ−ディフューザアセンブリを例示している。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本開示の一実施形態に係る図１Ｂのフィルタ−ディフューザアセンブリに固定される機械的ガスケットを例示している。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本開示の一実施形態に係る線量計プローブに固定されるステンレス鋼（ＳＳＴ）重りを例示している。
【図２】図２は、本開示の一実施形態に係るドライフィルムの波長感度を決定するためのプロセスを示している。
【図３】図３は、線量計プローブのための本開示の一実施形態に係る較正プロセスを示している。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態は、添付された図面を参照して説明され、図面を通して類似又は同等の要素を示すために同一の符号が用いられる。図面は、寸法通りに示されておらず、本発明の実施形態を説明するためにのみ提供される。本発明の実施形態のいくつかの態様は、説明のための例の適用を参照して以下に説明される。多くの特定の詳細、関係及び方法は、本発明の実施形態の完全な理解を提供するために示されることが理解されるべきである。しかしながら、当業者は、本発明の実施形態が１つ以上の特定の詳細なく、又は他の方法を用いて実施され得ることを容易に認識するであろう。他の例において、周知の構造又は操作は、本発明の実施形態を不明瞭にすることを避けるために詳細に示されない。本発明の実施形態は、いくつかの行為が異なる順序で起こり得る及び／又は他の行為若しくは事象と同時に起こり得るため、説明された行為又は事象の順序に限定されない。さらに、全ての説明された行為又は事象が、本発明の実施形態に係る方法を行うのに必要というわけではない。
【００１６】
線量計及びそれらのフォトレジストへの適用は、広帯域源でのリソグラフィに通常用いられる。例えば、通常の水銀電球等の広帯域源は、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ及び４３５ｎｍでのスペクトルピーク出力を含み得る。これらのスペクトルピークの強度は、電球によって変わり、また電球の古さによって変わり得る。従って、技術者がフォトレジストに到達する量を安定させるようにする際に問題が生じる。
【００１７】
いくつかのリソグラフィプロセスは、狭帯域又は単一帯域の線量計が用いられ得る。例えば、線量計プローブは、ｉライン（３６５ｎｍ）放射のみに感受性があるように構成され得る。フォトレジストがｉライン放射の外側の波長に感受性があってもよいので、ｉライン放射に調整された線量計プローブは、機械間のシャッター時間を適切に較正できない。
【００１８】
広帯域源で線量計プローブを用いる場合、線量計プローブの分光感度は、広帯域源のスペクトル放射よりも狭くできる。しかしながら、ドライフィルムフォトレジストの分光感度は、リソグラフィで用いられる線量計よりも広くなり得るため、フォトレジストと広帯域源を用いたリソグラフィにおけるこれらの線量計の使用は、望まれない効果が生じ得る。従って、そのプロセスでばらつきが起こり、所望の誤差範囲内での製品の製造を妨げ得る。結果として、ドライフィルムレジストの感度に合うように線量計プローブを改変する必要がある。さらに、同一の線量パラメータをもつ露光間でのばらつきを低減するように線量計プローブを改変する必要がある。
【００１９】
本開示の実施形態は、線量計プローブを提供し、それは光プローブ及びフィルタ−ディフューザアセンブリを含む。フィルタ−ディフューザアセンブリは、光ディフューザ、フィルタ、スペーサ及びフィルタハウジングを含み得る。線量計プローブは、多くの波長にわたってフォトレジストの感度に適合するように構成され得る。これは、パターン形成されたフォトレジストの寸法に矛盾がない結果を可能にするようなフォトレジストの感度に、より良好に適合するプローブを提供する。
【００２０】
図１Ａは、本明細書に開示されるような線量計プローブ１００を例示する。上記のように、線量計プローブ１００は、同一の露光量を受けるパターン形成されたフォトレジストにおけるばらつきを低減するように構成されている。線量計プローブ１００は、光プローブ１３０及びフィルタ−ディフューザアセンブリ２００を含み得る。いくつかの実施形態において、光プローブ１３０は、International Light Technologies社により製造された光プローブを含み得る。いくつかの実施形態において、フィルタ−ディフューザアセンブリ２００は、光プローブ１３０に接続されるように構成されている。これは、以下により詳細に説明される。
【００２１】
図１Ｂは、本明細書において開示されるようなフィルタ−ディフューザアセンブリ２００を例示する。フィルタ−ディフューザアセンブリ２００は、ディフューザ１３５、フィルタ１５０、スペーサ１４０及びフィルタハウジング１６０を含み得る。いくつかの実施形態において、光ディフューザ１３５は、クオーツコサインディフューザを含み得る。コサインコレクタは、１８０°視野から光を回収するためにファイバ及び分光計に結合する光ディフューザ（例えばオパリンガラス、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はスペクトラロン）である。光ディフューザ１３５は、上側及びその反対側の下側を含み得る。光ディフューザ１３５の上側は、エッチングされた窪み１３６を含み得る。さらに、いくつかの実施形態によるとシールリング１３７が、光ディフューザ１３５と光プローブ１３０との間に配置されるように構成されている。光ディフューザ１３５は、標的とされた線形範囲内に露光強度を減衰するように構成され得る。
【００２２】
本開示のいくつかの実施形態において、フィルタ１５０は、Ocean Thin Films社により製造された薄膜であってもよい。いくつかの実施形態において、フィルタ１５０は、第１側に金属コーティングを有し、その反対の第２側に絶縁コーティングを有することができる。いくつかの実施形態において、フィルタの反応性は、一側に１つ以上の金属コーティング、及び他側に１つ以上の絶縁コーティングを用いることにより構成される。しかしながら、他の実施形態は、各金属コーティング及び／又は各絶縁膜の反応性の合計は、フィルタにおける所望の反応性の合計となるように、フィルタの１つ又は両方の側に１つ以上の金属コーティング及び１つ以上の絶縁膜のいずれかを用いることを含む。さらに、フィルタ１５０は、特定のフォトレジストにおいて感受性がある１つ以上の波長に基づく所望の波長反応性を有するように構成され得る。例えば、フィルタは、３６５ｎｍの波長では１００％透過する、４０５ｎｍでは４０％透過する、又は４３５ｎｍでは７％透過するように構成される。
【００２３】
いくつかの実施形態において、フィルタ−ディフューザアセンブリ２００内に組み立てるとき、フィルタ１５０の絶縁コーティングは、光ディフューザ１３５に対向する金属コーティングに対して外側を向いていてもよい。フィルタ−ディフューザアセンブリ２００は、フィルタハウジング１６０も含み得る。フィルタ１５０は、絶縁膜側を下にしてフィルタハウジング１６０内に配置され得る。スペーサ１４０は、フィルタ１５０の金属側に配置され得る。いくつかの実施形態において、スペーサ１４０は、テフロン（登録商標）シムを含み得る。他の実施形態において、スペーサ１４０は、ＰＴＦＥシム又はスペーサを含み得る。スペーサ１４０は、光プローブ１３０とフィルタ１５０との間の空隙により引き起こされる干渉を防止するために導入され得る。
【００２４】
光ディフューザ１３５は、フィルタハウジング１６０内に固定され得る。具体的に、光ディフューザ１３５は、スペーサ１４０に固定され得る。その後、光ディフューザ１３５は、スペーサ１４０により分離されたフィルタ１５０の金属側に固定される。光ディフューザ１３５は、エッチングされた窪み１３６及びシールリング１３７が上を向くようにフィルタハウジング１６０内に固定され得る。言い換えると、光ディフューザ１３５は、下側がスペーサ１４０に接触するようにフィルタハウジング１６０内に配置され得る。
【００２５】
図１Ｃを参照して、フィルタ−ディフューザアセンブリ２００が組み立てられると、フィルタ−ディフューザアセンブリ２００は、線量計プローブを生成するために光プローブ（図示せず）に接続され得る。フィルタ−ディフューザアセンブリ２００は、ねじ止め接着剤２０１を用いて光プローブ１３０に固定され得る。例えば、中強度で中粘度のチキソトロピー性ねじ止め接着剤であるＬＯＣＴＩＴＥ（登録商標）  ２４２が２つの部分を固定するのに用いられ得る。
【００２６】
図１Ｄを参照して、線量計プローブ１００が組み立てられると、機械的ガスケット１０１は、フィルタ−ディフューザアセンブリ２００に取り付けられ得る。機械的ガスケット１０１は、フィルタ−ディフューザアセンブリ２００の溝に配置され、組み立てられた際に２つ以上の部分の間で境界面をシールするように圧縮されるように設計された円形断面を有するエラストマーのループであってもよい。
【００２７】
図１Ｅを参照して、ステンレス鋼（ＳＳＴ）重り１１０は、光プローブ１３０において線量計プローブ１００に組み立てられ得る。ＳＳＴ重り１１０は、複数の開口を有し得る。さらに、光プローブ１３０は、接続受け要素１０２を含み得る。複数のボルトは、光プローブ１３０の接続受け要素１０２内にＳＳＴ重り１１０の開口１１１を通るように用いられ得る。
【００２８】
フィルタ−ディフューザアセンブリ２００を用いることにより、線量計プローブ１００は、異なる電球及び所定の電球の寿命に対するより厳密な絶対量の制御を可能とする。これは、最終製品の寸法におけるより小さいばらつきを生じるパターン形成されたフォトレジストにおいてより良い寸法の制御を可能にする。例えば、回路トレースを形成するのに用いられたフォトレジストの波長感度に適合された線量計プローブを利用した露光を用いたフォトレジストパターンを用いて回路基板又は湾曲部に形成された回路トレースの寸法は、バッチにわたってより低いばらつきを有する回路トレースを生成する。従って、インピーダンス特性及び他の特性の詳細は、他の技術を用いて形成された場合よりもより厳密な範囲内に維持される。例えば、本明細書において説明された技術を含む技術を用いてフォトレジストの波長感度に適合された線量計プローブを利用した露光は、セットにおける１つの構造と隣の構造との間に１２μｍ未満のスペースを有する少なくとも１セットの構造を形成するためのパターンフォトレジストに構成される。さらに、フォトレジストの波長感度に適合された線量計プローブを利用した露光の使用は、フォトレジストを用いて形成された構造の加工寸法又は限界寸法においてわずかに１０％程度のばらつきがあるように構造をパターン化するためのフォトレジストの使用を可能にする。
【００２９】
図２は、一実施形態に係るドライフィルムの波長感度を決定するためのプロセスを示す。フォトレジスト等のドライフィルムの波長感度を決定するためのプロセスは、フォトレジスト（２０２）に対する露光のために用いられる放射源の１つ以上のスペクトルピークを決定することを含む。例えば、そのプロセスは、その源のピーク出力を検出するために広帯域分光計を用いることができる。放射源のピーク出力がわかると、単波長発光ダイオード（ＬＥＤ）等の単波長放射源が、放射源（２０３）のピーク出力のそれぞれに対する１つ以上のフォトレジストの感度を測定するために用いられ得る。例えば、フォトレジストの多数のサンプルは、各サンプルが線量レベルの範囲にわたる異なるレベルの放射源に露光される。種々の実施形態において、このプロセスは、それぞれのピーク出力波長で繰り返される。フォトレジストが完全に現像されない最も低い線量レベルは、各ピーク出力波長における線量計の感度プロファイルを生成するのに用いられる。例えば、感度プロファイルは、本明細書において説明されたもの（２０４）等のフィルタ−ディフューザアセンブリのフィルタを構成するのに用いられ得る。
【００３０】
典型的な水銀電球は、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ及び４３５ｎｍの出力を有し得る。電球寿命は、３６５ｎｍのものが４０５ｎｍのものよりも速く劣化する。露光が３６５ｎｍのピークで較正されるのみの場合、フォトレジストは、電球寿命と同様に過剰に露光されることになるであろう。これは、フォトレジストが４０５ｎｍの露光により感受性があるためである。しかしながら、露光されるフォトレジストの感度プロファイルにより構成されたフィルタを含む線量計プローブを用いることは、製造プロセスにわたって、また、異なる露光ユニットであってもより一貫した結果をもたらす。
【００３１】
図３は、特注のフィルタを用いる際に正確な放射測定をするために線量計プローブを較正するためのプロセスを示す。本明細書に記載された実施形態において、従来の線量計プローブは、線量計プローブがフォトレジストのために適切に較正されることを確実にするための較正基準として用いられる。較正は、較正される各波長の単波長放射源を用いて行われ得る。代替的に、線量計プローブは、水銀電球等の広帯域放射源を用いて較正される。ステップ２１０において、プロセスが開示される。放射源は、リソグラフィプロセスで用いられる放射源の少なくとも１つのスペクトルピーク出力を生成するために用いられる。例えば、ＬＥＤは、フォトレジストが、例えば３６５ｎｍでの出力等のリソグラフィプロセスの際に露光されるであろう少なくとも１つのスペクトルピーク出力に合わせられた波長での出力を生成するために用いられる。ステップ２１５において、ＬＥＤ源等の放射源の電源が入れられる。いくつかの実施形態において、ＬＥＤ源は、ＬＥＤが平衡温度に達し、安定した出力を提供するまで電源が入ったままにされ得る。ステップ２２０において、較正基準として用いられる従来の線量計プローブはＬＥＤ源の下に配置され、放射照度が記録される。ステップ２２５において、較正されるための線量計プローブは、ＬＥＤ源の下に配置され、放射照度が記録される。ステップ２３０において、従来の線量計及び線量計プローブの両方の照射照度が比較される。線量計プローブの較正係数は、従来の線量計に合うように、又は従来の線量計の範囲内に変更され得る。そのプロセスは、１つ以上の波長で線量計プローブを較正するために用いられ得る。いくつかの実施形態において、較正プロセスは、テストアセンブリにおいて行われる。他の実施形態において、較正プロセスは、線量計プローブが較正後に用いられるであろう露光において行われる。
【００３２】
本開示の上記説明は、当業者が本開示の作製又は使用を可能とするために提供される。本開示の種々の改変は、当業者には容易に明らかとなり、本明細書で定義された一般的な原理は、本開示の範囲から逸脱しない範囲で他の変更に適用され得る。従って、本開示は、本明細書で述べられた実施例及びデザインに限定することを意図するものでないが、本開示は、本明細書で開示された原理及び新規の特徴に矛盾しない最も広い範囲に一致する。
【図１Ａ】
2020012818.tif 000003
【図１Ｂ】
2020012818.tif 000004
【図１Ｃ】
2020012818.tif 000005
【図１Ｄ】
2020012818.tif 000006
【図１Ｅ】
2020012818.tif 000007
【図２】
2020012818.tif 000008
【図３】
2020012818.tif 000009
【外国語明細書】
2020012818000001.pdf
2020012818000002.pdf
2020012818000003.pdf
2020012818000004.pdf