(57)【要約】【課題】吐出用のチップに保護部材が設けられている吐出装置において、吐出が適切に行われているかを光学的に検出する際の精度が低下することを抑制すること。【解決手段】吐出装置１０は、吐出材１１４を吐出方向に吐出する吐出口２０６が複数配された吐出口面を有する吐出チップ２０１と、吐出口２０６に対応する領域に開口を有し吐出口面よりも吐出方向に突出しているフェイスガード３０３と、を備えた吐出ヘッド２００と、吐出口２０６から吐出方向に吐出された吐出材１１４を、吐出方向と交差する方向から光学的に検出する検出器２１０と、を備え、フェイスガード３０３は、検出器２１０による検出に用いられる光軸上に空間を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出材を吐出方向に吐出する吐出口が複数配された吐出口面を有する吐出チップと、前記吐出口面に対応する領域に開口を有し前記吐出口面よりも前記吐出方向に突出している保護部材と、を備えた吐出ヘッドと、
前記吐出口から吐出方向に吐出された吐出材を、前記吐出方向と交差する方向から光学的に検出する検出手段と、
を備えた吐出材吐出装置であって、
前記保護部材は、前記検出手段による検出に用いられる光軸上に空間を有することを特徴とする吐出材吐出装置。
【請求項２】
前記保護部材は、前記吐出口面に隣接している領域が凹部を形成していることで前記空間を形成している、請求項１に記載の吐出材吐出装置。
【請求項３】
前記保護部材は、前記吐出方向において高さの異なる第１面と第２面とを少なくも有することで前記凹部を形成している、請求項２に記載の吐出材吐出装置。
【請求項４】
前記第２面は、前記吐出口面と前記吐出方向において高さが同じである、請求項３に記載の吐出材吐出装置。
【請求項５】
前記吐出口面に第１撥水コートが施され、かつ、前記第２面には、第２撥水コートが施されており、
前記吐出材に対する前記第１撥水コートの接触角は、前記第２撥水コートの接触角よりも大きい、請求項４に記載の吐出材吐出装置。
【請求項６】
前記第２面は、前記吐出方向において前記吐出口面よりも高い位置に形成されている、請求項３に記載の吐出材吐出装置。
【請求項７】
前記第２面は、曲面である、請求項６に記載の吐出材吐出装置。
【請求項８】
前記検出手段は、前記第２面に沿って走査して前記検出を行う、請求項３から７のいずれか一項に記載の吐出材吐出装置。
【請求項９】
前記検出手段は、発光部および受光部を有する光量検出器である、請求項１から８のいずれか一項に記載の吐出材吐出装置。
【請求項１０】
前記検出手段は、画像センサを有する画像検出器である、請求項１から８のいずれか一項に記載の吐出材吐出装置。
【請求項１１】
前記吐出材は、インプリント材であり、
前記吐出材吐出装置は、基板上に吐出されたインプリント材にモールドを押し付けてパターンを形成するインプリント装置に用いられる、請求項１から１０のいずれか一項に記載の吐出材吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、吐出材吐出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
収容容器に収容された液体または液状の吐出材を吐出ヘッドから吐出する吐出装置がある。例えば、半導体デバイスまたはＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などを製造する際に、樹脂を基板上に吐出する吐出装置が知られている。ここで、吐出ヘッドと基板とが近接すると、吐出ヘッドに搭載されている吐出用のチップと基板とが接触して、そのいずれか或いは両者が破損する可能性がある。
【０００３】
特許文献１には、インクジェットヘッドの吐出口をガードする吐出口ガードを吐出口周辺に設ける技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１３６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
吐出装置には、吐出ヘッドから吐出された液滴の有無を光学的に検出することで、吐出口から吐出材が適切に吐出されているかを検出する機能を備えているものがある。特許文献１に記載されているような吐出口を保護する保護部材が吐出ヘッドに設けられている場合、保護部材により計測光が遮られてしまい、検出精度が低下してしまう虞がある。
【０００６】
本開示は、吐出用のチップに保護部材が設けられている吐出装置において、吐出が適切に行われているかを光学的に検出する際の精度が低下することを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係る吐出材吐出装置は、吐出材を吐出方向に吐出する吐出口が複数配された吐出口面を有する吐出チップと、前記吐出口面に対応する領域に開口を有し前記吐出口面よりも前記吐出方向に突出している保護部材と、を備えた吐出ヘッドと、前記吐出口から吐出方向に吐出された吐出材を、前記吐出方向と交差する方向から光学的に検出する検出手段と、を備えた吐出材吐出装置であって、前記保護部材は、前記検出手段による検出に用いられる光軸上に空間を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、吐出用のチップに保護部材が設けられている吐出装置において、吐出が適切に行われているかを光学的に検出する際の精度が低下することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】インプリント装置の構成図。
【図２】吐出ヘッドの一例を示す概略図。
【図３】吐出ヘッドの一例を示す概略図。
【図４】吐出ヘッドの一例を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して実施形態を説明する。尚、同一の構成については、同じ符号を付して説明する。また、実施形態に記載されている構成要素の相対配置、形状などは、あくまで例示である。
【００１１】
＜＜実施形態１＞＞
実施形態１では、インプリント装置に適用される吐出材を吐出する吐出材吐出装置（以下、単に「吐出装置」ともいう）を説明する。そして、吐出装置が備えている吐出ヘッドの吐出用のチップに保護部材が設けられている形態を説明する。以下では、まずインプリント装置の全体構成を説明し、その後に吐出装置の説明をする。
【００１２】
＜インプリント装置＞
図１は、本実施形態に適用可能なインプリント装置１０１の構成を示す概略図である。インプリント装置１０１は、半導体デバイスなどの各種のデバイスの製造に使用される。インプリント装置１０１は、吐出装置１０を備える。吐出装置１０は、吐出材１１４（レジスト）を基板１１１上に吐出する。吐出材１１４は、紫外線１０８等を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性の樹脂である。吐出材１１４は、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。光硬化性の材料の他に、例えば熱硬化性のレジストである吐出材を用いてもよく、インプリント装置は、熱でレジストを硬化させてインプリント処理を行う装置でもよい。インプリント装置においては、吐出材１１４はインプリント材となる。
【００１３】
インプリント装置１０１は、次の一連の処理を含むインプリント処理を行う。即ち、インプリント装置１０１は、吐出装置１０に吐出材１１４を基板１１１上に吐出させる。そして、基板１１１上に吐出された吐出材１１４に、成型用のパターンを有するモールド１０７を押し付け、その状態において、光（紫外線）の照射によって吐出材１１４を硬化させる。その後、硬化後の吐出材１１４からモールド１０７を引き離すことによって、モールド１０７のパターンを基板１１１上に転写する。
【００１４】
インプリント装置１０１は、光照射部１０２と、モールド保持機構１０３と、基板ステージ１０４と、吐出装置１０と、制御部１０６と、計測部１２２と、筺体１２３と、を有する。
【００１５】
光照射部１０２は、光源１０９と、光源１０９から照射された紫外線１０８を補正するための光学素子１１０とを有する。光源１０９は、例えばｉ線またはｇ線を発生するハロゲンランプである。紫外線１０８は、モールド（型）１０７を介して吐出材１１４に照射される。紫外線１０８の波長は、硬化させる吐出材１１４に応じた波長である。尚、レジストとして熱硬化性レジストを用いるインプリント装置の場合は、光照射部１０２に代えて、熱硬化性レジストを硬化させるための熱源部が設置される。
【００１６】
モールド保持機構１０３は、モールドチャック１１５と、モールド駆動機構１１６とを有する。モールド保持機構１０３によって保持されるモールド１０７は、外周形状が矩形であり、基板１１１に対向する面には転写すべき回路パターンなどの凹凸パターンが３次元で形成されたパターン部１０７ａを有する。本実施形態におけるモールド１０７の材質は、紫外線１０８が透過することができる材質であり、例えば石英が用いられる。
【００１７】
モールドチャック１１５は、真空吸着または静電力によりモールド１０７を保持する。モールド駆動機構１１６は、モールドチャック１１５を保持して移動することによりモールド１０７を移動させる。モールド駆動機構１１６は、モールド１０７を−Ｚ方向に移動させてモールド１０７を吐出材１１４に押し付けることができる。また、モールド駆動機構１１６は、モールド１０７をＺ方向に移動させてモールド１０７を吐出材１１４から引き離すことができる。尚、モールド１０７を吐出材１１４に押し付ける動作、または吐出材１１４からモールド１０７を引き離す動作は、基板ステージ１０４がＺ方向に移動することで実現してもよい。または、モールド１０７および基板ステージ１０４の双方が相対的に移動することで実現してもよい。
【００１８】
基板ステージ１０４は、基板チャック１１９と、基板ステージ筐体１２０と、ステージ基準マーク１２１とを有する。基板ステージに保持される基板１１１は、単結晶シリコン基板またはＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、基板１１１の被処理面には、吐出材１１４によってパターンが成形される。
【００１９】
基板チャック１１９は、基板１１１を真空吸着により保持する。基板ステージ筐体１２０は、基板チャック１１９を機械的手段により保持しながらＸ方向およびＹ方向に移動することで基板１１１を移動させる。ステージ基準マーク１２１は、基板１１１とモールド１０７とのアライメントにおいて、基板１１１の基準位置を設定するために使用される。
【００２０】
基板ステージ筐体１２０のアクチュエータには、例えばリニアモータが用いられる。他にも、基板ステージ筐体１２０のアクチュエータは、粗動駆動系または微動駆動系などの複数の駆動系を含む構成でもよい。
【００２１】
吐出装置１０は、吐出ユニット１００と、吐出ユニット１００の筐体内の圧力を制御する圧力制御部１５０とを有する。吐出ユニット１００は、吐出ヘッド２００を備える。吐出装置１０の構成の詳細については後述する。
【００２２】
計測部１２２は、アライメント計測器１２７と、観察用計測器１２８と、を有する。アライメント計測器１２７は、基板１１１上に形成されたアライメントマークと、モールド１０７に形成されたアライメントマークとのＸ方向およびＹ方向の位置ずれを計測する。観察用計測器１２８は、例えばＣＣＤカメラなどの撮像装置であり、基板１１１に吐出された吐出材１１４のパターンを撮像して、画像情報として制御部１０６に出力する。
【００２３】
制御部１０６は、インプリント装置１０１の各構成要素の動作などを制御する。制御部１０６は、例えば、ＣＰＵ、ＲＯＭ、およびＲＡＭを有するコンピュータで構成される。制御部１０６は、インプリント装置１０１の各構成要素に回線を介して接続され、ＣＰＵは、ＲＯＭに記憶された制御プログラムに従って各構成要素の制御をする。
【００２４】
制御部１０６は、計測部１２２の計測情報を基に、モールド保持機構１０３、基板ステージ１０４、および吐出装置１０の動作を制御する。尚、制御部１０６は、インプリント装置１０１の他の部分と一体で構成してもよいし、インプリント装置とは別の他の装置として実現されてもよい。また、制御部１０６は、１台のコンピュータではなく複数台のコンピュータで構成されていてもよい。
【００２５】
筺体１２３は、基板ステージ１０４を載置するベース定盤１２４と、モールド保持機構１０３を固定するブリッジ定盤１２５と、ベース定盤１２４から延設されブリッジ定盤１２５を支持する支柱１２６と、を備える。
【００２６】
インプリント装置１０１は、モールド１０７を装置外部からモールド保持機構１０３へ搬送するモールド搬送機構（不図示）と、基板１１１を装置外部から基板ステージ１０４へ搬送する基板搬送機構（不図示）と、を備える。
【００２７】
以上説明したインプリント装置１０１の吐出装置１０は、吐出ヘッド２００を基板１１１に近接させて吐出材１１４を吐出する。例えば、吐出ヘッド２００において吐出口が設けられている吐出チップ２０１の表面（吐出口面）と基板１１１との距離を数百μｍにまで接近させて吐出材１１４の吐出を行う。吐出チップ２０１の表面と基板１１１との距離を短くすることで、吐出材１１４が基板１１１に着弾するまでの空気の抵抗による外乱を抑えることができ、基板１１１上の吐出材１１４の着弾精度を向上させることができる。
【００２８】
しかしながら、吐出チップ２０１と基板１１１とが近接することで両者が接触する可能性が高まる。仮に両者が接触した場合には、基板１１１および吐出チップ２０１が破損する可能性がある。例えば、吐出チップ２０１の表面には撥水膜を塗布しており、接触によりその撥水膜がはがれてしまうと、吐出口に形成される吐出材のメニスカスの状態が安定せず、吐出性能を維持できなくなることがある。本実施形態では、吐出チップ２０１と基板１１１との接触を避けるために、保護部材を設けている。以下、保護部材について説明する。
【００２９】
＜保護部材＞
本実施形態では、吐出チップ２０１と基板１１１との接触を避ける保護部材のことをフェイスガードと呼ぶ。フェイスガードは、吐出ヘッド２００に設けられた一種の保護板である。フェイスガードは、吐出チップ２０１の表面よりも基板１１１側に突出した構造を有する部材である。仮に吐出ヘッド２００と基板１１１とが近接したとき、吐出チップ２０１よりも先にフェイスガードが基板１１１と接触することになる。このようにフェイスガードは、吐出チップ２０１と基板１１１との接触を保護する役割を果たすものである。
【００３０】
以下では、本実施形態の吐出チップ２０１を含む吐出ヘッド２００の説明と、比較例のフェイスガードの構成とを説明し、比較例のフェイスガードでは、吐出が適切に行われているかを光学的に検出する際の精度が低下することを説明する。その後に本実施形態のフェイスガードを説明する。
【００３１】
図２は、吐出ヘッド２００（ディスペンサともいう）の一例を示す概略図である。図２では、吐出チップ２０１およびフェイスガード３の部分に着目して説明を行う。尚、図２に描かれている座標は、図１で説明した座標に準じている。図２（ａ）は、吐出ヘッド２００を−Ｚ方向から見た図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩＩＢ線断面を−Ｙ方向から見た図である。図２（ｃ）は、吐出ヘッド２００を＋Ｘ方向から見た図である。尚、図２は、比較例を示す図であるが、フェイスガード３を比較例として説明するものであり、フェイスガード３を除いた吐出チップ２０１などの他の構成は、本実施形態の構成である。
【００３２】
吐出ヘッド２００は、吐出チップ２０１、本体２０５、タイル２０４、およびフェイスガード３を備えている。尚、他の構成も含み得るが、ここではそれらの説明は省略する。吐出チップ２０１、本体２０５、タイル２０４、およびフェイスガード３は、接着材などで固定されている。図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、吐出ヘッド２００は、吐出時の姿勢において鉛直方向（吐出方向）の上方から、本体２０５、タイル２０４、およびフェイスガード３の順に固定されている。フェイスガード３は、吐出チップ２０１よりも鉛直方向の下方（図１の基板１１１側）に突出しており、吐出チップ２０１に相当する領域が開口した形状を有している。また、フェイスガード３は、吐出チップ２０１の周囲の突出部が、鉛直方向において均一な長さとなるような面を有している。本体２０５内部には吐出材１１４が充填されている。本体２０５内の圧力は、圧力制御部１５０（図１参照）によって制御されている。
【００３３】
吐出チップ２０１は、吐出口２０６を複数備えており、１インチ当たり５００から１０００個の高密度で配置されている。吐出口２０６に対向する位置には、ピエゾ素子２０７が備えられている。ピエゾ素子２０７を振動させることによって本体２０５内部に充填された吐出材１１４を吐出させることができる。尚、ピエゾ素子を用いない形態として、例えば発熱素子をエネルギー発生素子として用いて吐出を行う形態を採用してもよい。吐出チップ２０１の表面２０９には、撥水膜による撥水コートが施されており、液状の吐出材１１４がチップ表面に残留しにくくなっている。
【００３４】
インプリント装置１０１の吐出装置１０においては、吐出口２０６から液滴が適切に吐出されるかを検出する検出器２１０を備えている。検出器２１０は、制御部１０６によって制御される。本実施形態の検出器２１０は、発光部２１２および受光部２１３によって構成されている光量検出器である。制御部１０６は、検出器２１０において発光部２１２から受光部２１３に対して光線２１４を照射した状態において、この光線２１４に交差（直交）する方向に吐出チップ２０１から吐出材１１４を吐出させる。すると、吐出された液滴は、光線２１４を遮ることになる。つまり、液滴が検出されない場合には、光線２１４を遮るものがないので、発光部２１２が発光した光量（第１光量ともいう）が受光部２１３で検出される。一方、液滴が検出された場合には、第１光量よりも光量が少ない（暗い）第２光量が受光部２１３で検出される。このように、検出器２１０においては、受光部２１３で検出した光量変化に応じて、吐出の有無を検出することができる。制御部１０６の制御により、検出器２１０は、Ｙ軸方向に走査（移動）する。そして、各吐出口２０６の吐出状況を検出することができる。受光部２１３として、例えばフォトセンサを用いることができる。発光部２１２として、例えばＬＥＤのような光源を使用することができる。尚、光学的な検出器２１０として画像センサを有する画像検出器を使用し、画像センサで得られた画像に液滴に相当する領域が含まれているか否かに応じて、吐出状況の検出が行われてもよい。
【００３５】
インプリント装置１０１では、前述のように、吐出チップ２０１の表面から基板１１１までの距離が数百μｍとなるように接近させて吐出材１１４の吐出を行う。本実施形態では、基板１１１とは別に検出用のステージ（不図示）を用意し、吐出装置１０から検出用のステージ上に吐出をする際の液滴を検出器２１０によって検出する。このときも、吐出チップ２０１の表面から検出用のステージまでの距離が数百μｍとなるように接近させて吐出材１１４の吐出を行う。尚、検出器２１０による検出は、基板１１１に吐出材１１４を吐出させる際に行ってもよい。
【００３６】
インプリント処理では、吐出チップ２０１の表面から基板１１１までの距離が数百μｍとなるように接近させて吐出材１１４の吐出を行うことから、本実施形態では、吐出チップ２０１の表面から数百μｍの位置の吐出状況を検出器２１０によって検出する。検出器２１０は、光量の変化を計測することで吐出の有無を検出することから、吐出が適切に行われたかを検出するためには、所定の光量が必要となる。この場合、本比較例のフェイスガード３を用いると、図２（ｃ）に示すように、光線２１４の一部がフェイスガード３に照射されて遮断されてしまう。フェイスガード３は、吐出チップ２０１の周囲の突出部が、鉛直方向において均一な長さとなるような面を有しているからである。このように光線２１４がフェイスガード３によって干渉されてしまうことで、受光部２１３で受光する光量が低下して、ＳＮ比が低下してしまい、検出器２１０による検出精度が低下してしまう。
【００３７】
図３は、本実施形態のフェイスガード３０３を有する吐出ヘッド２００の一例を示す概略図である。図３（ａ）は、吐出ヘッド２００を−Ｚ方向から見た図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＩＩＩＢ線断面を−Ｙ方向から見た図である。図３（ｃ）は、吐出ヘッド２００を＋Ｘ方向から見た図である。図３は、図２のフェイスガード３の代わりにフェイスガード３０３が吐出ヘッド２００に備えられている例を示している。
【００３８】
フェイスガード３０３は、フェイスガード３とは異なる形状を有している。図３（ｃ）に示すように、フェイスガード３０３は、基板１１１または不図示の検出用のステージからの高さ（以下、単に基板１１１からの高さという）がそれぞれ異なる第１面Ｆ１と第２面Ｆ２とを有する。より詳細には、第１面Ｆ１と基板１１１との距離は、第２面Ｆ２と基板１１１との距離よりも短い。つまり、第１面Ｆ１が、第２面Ｆ２よりも基板１１１側に突出した形状となっている。換言すれば、第２面Ｆ２は、第１面Ｆ１よりも吐出口２０６側（吐出口面側）に窪んだ形状となっている。また、フェイスガード３０３において、フェイスガード３と同様に、吐出チップ２０１に対応する領域には開口が形成されている。
【００３９】
第２面Ｆ２は、検出器２１０による光軸方向において、吐出チップ２０１の表面２０９を挟み込むように形成されている面である。第１面Ｆ１は、検出器２１０による検出が行われる走査範囲には形成されていない。図３の例では、第１面Ｆ１は、検出器２１０による光軸方向（図ではＸ方向）と交差する方向（この例では直交する方向）である吐出チップ２０１の幅方向（Ｙ方向）において、検出器２１０の走査範囲外に形成されており、第２面Ｆ２と隣接している面である。
【００４０】
即ち、フェイスガード３０３は、検出器２１０による光軸方向において吐出チップ２０１の周囲の面が、他の面（第１面Ｆ１）よりも吐出チップ２０１側に窪んだ第２面Ｆ２を有している。また、この第２面Ｆ２は、検出器２１０による光軸方向と直交する方向（Ｙ方向）において、吐出チップ２０１が配されている領域（吐出チップ２０１の幅領域）を包含する位置まで形成されている。また、フェイスガード３０３は、第１面Ｆ１が基板１１１側に突出した形状を有する。このように、フェイスガード３０３は、検出器２１０による光軸方向と直交する方向（Ｙ方向）において、第１面Ｆ１および第２面Ｆ２を含む凹部形状を有する。即ち、フェイスガード３０３は、検出器２１０による光軸上に空間を有する形状となっている。
【００４１】
以上説明したような構成とすることで、図３（ｃ）に示すように、光線２１４がフェイスガード３０３によって干渉されてしまうことを抑制することができる。即ち、光線２１４の一部がフェイスガード３０３によって遮断されてしまうことを抑制することができる。この結果、検出器２１０による検出精度が低下してしまうことを抑制することができる。尚、フェイスガード３０３は、第１面Ｆ１を含む突出部を有しているので、基板１１１と吐出ヘッド２００とが接触するような場合があっても、第１面Ｆ１により吐出チップ２０１を保護することができる。
【００４２】
尚、フェイスガード３０３の凹部形状の説明では、検出器２１０による光軸方向の観点から説明したが、フェイスガード３０３の凹部と検出器２１０の光軸方向とは、相対的な関係が保たれていればよい。即ち、図３では、フェイスガード３０３は、検出器２１０による光軸方向と直交する方向（Ｙ方向）において凹部形状を有する例を説明したが、Ｘ方向において凹部形状を有してもよい。この場合、検出器２１０を、光軸方向がＹ方向となるように配置すればよい。
【００４３】
また、図３（ａ）の例では、吐出チップ２０１の幅方向（Ｙ方向）には、第２面Ｆ２を挟んで第１面Ｆ１が形成されている形態を説明したが、これに限られない。検出器２１０による検出が妨げられなければよい。例えば、吐出チップ２０１の幅方向（Ｙ方向）には、第２面Ｆ２を挟まずに第１面Ｆ１が形成されていてもよい。
【００４４】
また、本実施形態では、第２面Ｆ２と基板１１１との距離は、吐出チップ２０１の表面２０９と基板１１１との距離と等しくなるように構成している。この場合、吐出チップ２０１の表面２０９と同様に、第２面Ｆ２にも撥水膜による撥水コートを施してもよい。第２面Ｆ２に撥水コートを施す場合、吐出チップ２０１の表面２０９に施す第１撥水コートに比べて、吐出材に対する接触角が小さい第２撥水コートを第２面Ｆ２に施すことが好ましい。尚、接触角が高いほど、濡れ広がりにくく、接触角が小さいほど濡れ広がりやすい。
【００４５】
撥水性を異ならせる理由の一つとして、吐出チップ２０１の表面２０９からフェイスガード３０３の第２面Ｆ２に吐出材が流れやすくなるようにすることが挙げられる。例えば、吐出ヘッド２００において本体２０５内の内圧を高くして、吐出材１１４を吐出口２０６から放出させるパージと呼ばれるクリーニング動作を行うことがある。このクリーニング動作は、何らかの要因で吐出口２０６内に残ってしまった泡またはごみを吐出口２０６外に押し出すために行われる。このクリーニング動作を行うと、複数の吐出口２０６から吐出材１１４が外側に出て、吐出チップ２０１の表面２０９に数ｍｌ程度の液滴として残留することがある。吐出チップ２０１の表面（吐出口面）２０９と第２面Ｆ２との高さが同じであり、かつ吐出材１１４に対する撥水性に差をつけることで、接触角の低いフェイスガード３０３側に吐出チップ２０１の表面２０９に残留する吐出材１１４を流すことができる。このため、吐出チップ２０１の表面２０９に残留する吐出材１１４を最小限に抑制することができる。尚、吐出チップ２０１の表面（吐出口面）２０９と第２面Ｆ２との高さが同じとは、吐出材の吐出方向における高さが同じという意味である。また、製造誤差等による高さの微小な差があっても、それらは同じ高さとみなす。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態によれば、吐出チップ２０１にフェイスガード３０３が設けられている吐出装置１０において、吐出が適切に行われているかを検出器２１０によって光学的に検出する際の精度が低下することを抑制することができる。また、フェイスガード３０３によって吐出チップ２０１を保護する機能を維持することができる。
【００４７】
＜＜実施形態２＞＞
実施形態１では、フェイスガード３０３が第１面Ｆ１と第２面Ｆ２とを有する形態を説明した。また、第２面Ｆ２が吐出チップ２０１の高さと同じ高さとなり得ることを説明した。本実施形態では、第２面は、吐出チップ２０１の高さと同じでなくてもよい形態を説明する。また、第２面は、平面でなくてもよい形態を説明する。
【００４８】
図４は、本実施形態のフェイスガード４０３を有する吐出ヘッド２００の一例を示す概略図である。図４（ａ）は、吐出ヘッド２００を−Ｚ方向から見た図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＩＶＢ線断面を−Ｙ方向から見た図である。図４（ｃ）は、吐出ヘッド２００を＋Ｘ方向から見た図である。図４は、図２のフェイスガード３の代わりにフェイスガード４０３が吐出ヘッド２００に備えられている例を示している。
【００４９】
フェイスガード４０３は、フェイスガード３とは異なる形状を有している。図４（ｃ）に示すように、フェイスガード４０３は、基板１１１からの高さがそれぞれ異なる第１面Ｆ１と第２面Ｆ４とを有する。本実施形態では、第２面Ｆ４は、実施形態１と異なり曲面で構成されている。また、第２面Ｆ４と基板１１１との距離は、吐出チップ２０１と基板１１１との距離よりも長い。即ち、吐出チップ２０１は、第２面Ｆ４との関係では、基板１１１側に露出した状態になっている。尚、第１面Ｆ１は、実施形態１で説明したものと同様であり、フェイスガード４０３においても吐出チップ２０１を保護する機能は、維持されている。
【００５０】
フェイスガード４０３の第２面Ｆ４は、検出器２１０による光軸方向において、吐出チップ２０１を挟み込むように形成されている面である。より詳細には、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、第２面Ｆ４は平面視では吐出チップ２０１に隣接しておらず、第２面Ｆ４と吐出チップ２０１との間には空間が形成されている。フェイスガード４０３の第２面Ｆ４は、検出器２１０による光軸方向と直交する方向（Ｙ方向）に向けて、鉛直方向において吐出チップ２０１側に窪んでいる曲面を形成している。即ち、フェイスガード４０３は、検出器２１０による光軸方向と直交する方向（Ｙ方向）において第２面Ｆ４が曲面で構成されている凹型形状となっている。本実施形態に示すフェイスガード４０３においても、検出器２１０による光軸上に空間が形成されているので、検出器２１０の光線２１４とフェイスガード４０３との干渉を抑制することができる。従って、吐出が適切に行われているかを検出する検出精度の低下を抑制することができる。また、フェイスガード４０３によって、吐出チップ２０１を保護する機能も維持することができる。
【００５１】
本実施形態では、第２面Ｆ４を吐出チップ２０１の表面の位置と合わせなくて済むので、フェイスガード４０３を作成する際の加工工程を簡略化することができる。尚、本実施形態では、第２面Ｆ２が平面ではない形態を説明したが、第１面Ｆ１もまた平面でない形態としてもよい。
【００５２】
＜＜その他の実施形態＞＞
実施形態１および実施形態２では、フェイスガードとして高さの異なる２つの面を有する形態を説明したが、これに限られない。フェイスガードは、高さの異なる面を３つ以上有していてもよく、その際に検出器２１０による光線２１４と干渉しない高さとしていればよい。また、フェイスガードは、第１面のみを有する構成としてもよい。第１面のみを有する形態であっても、吐出チップ２０１の表面を保護することができる。また、光線２１４とフェイスガードとの干渉を抑制することができる。
【００５３】
また、実施形態１および２においては、吐出口２０６が複数配されている吐出チップ２０１は、一枚のチップである例を示したが、吐出口２０６が複数配されている複数のチップが並んで配列されることによって、吐出チップ２０１が構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１０１  インプリント装置
２００  吐出ヘッド
２０１  吐出チップ
３０３、４０３  フェイスガード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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