(57)【要約】【課題】耐湿性に優れた位相差素子の製造方法を提供すること。【解決手段】基板上に斜方蒸着による光学異方性層を形成した後に、原子層堆積法により無機化合物を堆積させた保護層によって当該光学異方性層を被覆する。具体的には、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、保護層と、を含む位相差素子の製造方法であって、斜方蒸着により複屈折膜を成膜して光学異方性層を形成する光学異方性層形成工程と、原子層堆積法により無機化合物を堆積させて保護層を形成する保護層形成工程と、を含む位相差素子の製造方法とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相差素子の製造方法であって、
前記位相差素子は、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、保護層と、を含み、
複屈折膜を成膜して光学異方性層を形成する光学異方性層形成工程と、
前記光学異方性層に接するように、原子層堆積法により無機化合物を堆積させて保護層を形成する保護層形成工程と、を含む位相差素子の製造方法。
【請求項２】
前記光学異方性層形成工程において、光学異方性層は斜方蒸着によって形成する、請求項１に記載の位相差素子の製造方法。
【請求項３】
前記光学異方性層は、少なくともＴａ２Ｏ５またはＨｆＯ２を含む、請求項１または２に記載の位相差素子の製造方法。
【請求項４】
前記光学異方性層は、Ｔａ２Ｏ５とＴｉＯ２との混合物からなり、
Ｔａ原子数とＴｉ原子数の合計に対するＴｉ原子数の割合（Ｔｉ/（Ｔａ+Ｔｉ）×１００）を、４．０％以上３０％以下とする請求項１〜３いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項５】
前記無機化合物は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、およびＨｆＯ２からなる群より選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜４いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項６】
前記保護層の厚みは、２ｎｍ以上である請求項１〜５いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項７】
前記保護層は、２層以上からなる請求項１〜６いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項８】
前記光学異方性層形成工程と、前記保護層形成工程とを、交互に複数回繰り返す、請求項１〜７に記載の位相差素子の製造方法。
【請求項９】
さらに、前記保護層の上に、ＳｉＯ２からなる層を形成するＳｉＯ２層形成工程を有する、請求項１〜８いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ＳｉＯ２層形成工程において、ＳｉＯ２からなる層はプラズマＣＶＤ法によって形成する、請求項９記載の位相差素子の製造方法。
【請求項１１】
屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層し、反射防止層を形成する反射防止層形成工程を有する請求項１〜１０いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項１２】
前記誘電体膜は、ＴiＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯ、Ｎｂ２Ｏ５、およびＨｆＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１１に記載の位相差素子の製造方法。
【請求項１３】
前記透明基板に接するようにマッチング層を形成するマッチング層形成工程を有する、請求項１〜１２いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項１４】
前記透明基板は、ガラス、石英、水晶、およびサファイアからなる群から選ばれる１種である請求項１〜１３いずれか記載の位相差素子の製造方法。
【請求項１５】
透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、前記光学異方性層に接する、無機化合物の原子層堆積層である保護層と、を含む、位相差素子。
【請求項１６】
前記複屈折膜は、斜方蒸着膜である、請求項１５に記載の位相差素子。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の位相差素子を備える投射型画像表示装置。
【請求項１８】
光を出射する光源と、
光変調装置と
変調された光を投射する投射光学系と、
前記光源と前記投射光学系との間の光路に配置された請求項１５または１６に記載の位相差素子と、を有する投射型画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１／２波長板や１／４波長板に代表される位相差素子の製造方法、位相差素子、および投射型画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透明基板表面に誘電体材料の斜方蒸着膜を成膜した光学素子が知られている。斜方蒸着は、蒸着材料の飛来方向に対して基板表面を傾斜させて成膜する方法であり、その蒸着膜の構造は、微細なコラムの集合体が基板表面に対して一定の角度で傾斜した柱状組織として観察される。このコラムの密度は、面内で異方性があり、屈折率も面内異方性を有する。その結果、斜方蒸着膜に複屈折現象が生じる。
【０００３】
このような斜方蒸着膜は、その複屈折現象により、１／４波長板、１／２波長板等の光学素子に用いられている。例えば、特許文献１には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）や二酸化チタン（ＴｉＯ２）を主成分とした斜方蒸着膜を有する位相差素子が記載されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、液晶表示装置において、コントラスト特性や視野角特性を改善するために、位相差補償素子を用いた光学補償技術が利用されている。このような位相差補償素子としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を斜方蒸着膜の成分として用いた位相差補償素子が提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
しかしながら、特許文献１および２に記載された斜方蒸着膜は、蒸着材料が斜め方向から蒸着される結果、傾斜した柱状部と、柱状部間の空気層からなる空隙部とを有する構造となる。そして、柱状部間の空隙部に水分が入り込むと、ヒビや膜剥がれが発生し、耐久性に問題が生じていた。
【０００６】
また、特許文献３には、ＣＶＤ法によって斜方蒸着膜上に保護層を形成することが記載されている。しかしながら、特許文献３の方法によっても、水分の浸入防止は、未だ十分ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３１００５２号公報
【特許文献２】特開２０１１−５９７１５号公報
【特許文献３】特開２０１５−０８２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記の背景技術に鑑みてなされたものであり、その目的は、耐湿性に優れた位相差素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、基板上に斜方蒸着による光学異方性層を形成した後に、原子層堆積法により無機化合物を堆積させた保護層によって当該光学異方性層を被覆すれば、耐湿性に優れた位相差素子が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
すなわち本発明は、位相差素子の製造方法であって、前記位相差素子は、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、保護層と、を含み、複屈折膜を成膜して光学異方性層を形成する光学異方性層形成工程と、前記光学異方性層に接するように、原子層堆積法により無機化合物を堆積させて保護層を形成する保護層形成工程と、を含む位相差素子の製造方法である。
【００１１】
前記光学異方性層形成工程において、光学異方性層は斜方蒸着によって形成してもよい。
【００１２】
前記光学異方性層は、少なくともＴａ２Ｏ５またはＨｆＯ２を含んでいてもよい。
【００１３】
前記光学異方性層は、Ｔａ２Ｏ５とＴｉＯ２との混合物からなり、  Ｔａ原子数とＴｉ原子数の合計に対するＴｉ原子数の割合（Ｔｉ/（Ｔａ+Ｔｉ）×１００）を、４．０％以上３０％以下としていてもよい。
【００１４】
前記無機化合物は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、およびＨｆＯ２からなる群より選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。
【００１５】
前記保護層の厚みは、２ｎｍ以上であってもよい。
【００１６】
前記保護層は、２層以上からなっていてもよい。
【００１７】
前記光学異方性層形成工程と、前記保護層形成工程とを、交互に複数回繰り返していてもよい。
【００１８】
さらに、前記保護層の上に、ＳｉＯ２からなる層を形成するＳｉＯ２層形成工程を有していてもよい。
【００１９】
前記ＳｉＯ２層形成工程において、ＳｉＯ２からなる層はプラズマＣＶＤ法によって形成してもよい。
【００２０】
屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層し、反射防止層を形成する反射防止層形成工程を有していてもよい。
【００２１】
前記誘電体膜は、ＴiＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯ、Ｎｂ２Ｏ５、およびＨｆＯ２からなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。
【００２２】
前記透明基板に接するようにマッチング層を形成するマッチング層形成工程を有していてもよい。
【００２３】
前記透明基板は、ガラス、石英、水晶、およびサファイアからなる群から選ばれる１種であってもよい。
【００２４】
また別の本発明は、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、前記光学異方性層に接する、無機化合物の原子層堆積層である保護層と、を含む、位相差素子である。
【００２５】
前記複屈折膜は、斜方蒸着膜であってもよい。
【００２６】
また別の本発明は、上記の位相差素子を備える投射型画像表示装置である。
【００２７】
また別の本発明は、光を出射する光源と、
光変調装置と変調された光を投射する投射光学系と、前記光源と前記投射光学系との間の光路に配置された上記の位相差素子と、を有する投射型画像表示装置である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、耐湿性に優れた位相差素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態に係る位相差素子の断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る反射防止層の断面模式図である。
【図３】本発明の複屈折膜の斜視模式図である。
【図４】複屈折膜の成膜方向を透明基板の表面に投影した線分の向きを示す図である。
【図５】実施例１の成膜方向を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
＜位相差素子の製造方法＞
本発明の位相差素子の製造方法は、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、保護層と、を少なくとも含む位相差素子の製造方法であって、複屈折膜を成膜して光学異方性層を形成する光学異方性層形成工程と、得られた光学異方性層に接するように、原子層堆積法により無機化合物を堆積させて保護層を形成する保護層形成工程と、を少なくとも含む。
【００３２】
図１は、本発明の製造方法で得られる一実施形態に係る位相差素子１０の断面模式図である。図１に示すように、本実施形態に係る位相差素子１０は、透明基板１１と、第１の反射防止層１２Ａと、光学異方性層１３と、保護層１４と、マッチング層１５と、ＳｉＯ２層１７と、第２の反射防止層１２Ｂと、を備える。なお、本発明による位相差素子は、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、保護層とを少なくとも備えていればよい。
【００３３】
［光学異方性層形成工程］
本発明の位相差素子の製造方法における光学異方性層形成工程は、複屈折膜を成膜して光学異方性層を形成する工程である。斜方蒸着による複屈折膜は、透明基板に直接成膜しても、または、透明基板上に他の層を積層し、当該他の層の上に成膜してもよい。
【００３４】
（透明基板）
位相差素子を構成する透明基板は、所望の使用波長帯域の光に対して透光性を有するものであれば、特に限定されるものではない。透明基板の材料としては、例えば、ガラス、石英、水晶、サファイア等が挙げられる。透明基板の形状としては、四角形が一般的であるが、目的に応じた形状を適宜選択してもよい。また、透明基板の厚みは、例えば０．１〜３．０ｍｍの範囲とすることが好ましい。
【００３５】
図１に示される位相差素子１０においては、透明基板１１は、第１の反射防止層１２Ａとマッチング層１５との間に配置される。
【００３６】
（光学異方性層）
光学異方性層形成工程で形成される光学異方性層は、複屈折膜を含む。複屈折膜は、単層膜であっても、複数の膜が堆積されていてもよい。光学異方性層は、本発明の位相差素子にあって、位相差を発現させる層となる。
【００３７】
図１に示される位相差素子１０においては、光学異方性層１３は、マッチング層１５と保護層１４との間に配置される。
【００３８】
図３は、光学異方性層に含まれる複屈折膜の一実施態様を示す斜視模式図である。図３に示すように、斜方蒸着により形成される光学異方性層１３に含まれる複屈折膜１３１は、透明基板１の表面に直交する方向（以下、基板法線方向という）である基板法線Ｓに対して、傾斜する方向に堆積して形成された膜である。
【００３９】
本発明の光学異方性層形成工程においては、このような膜からなる複屈折膜を１枚のみ形成しても、複数の複屈折膜を堆積して光学異方性層を形成しても、いずれであってもよい。
【００４０】
複屈折膜は、斜方蒸着により成膜することが好ましい。斜方蒸着により成膜する場合には、透明基板の基板法線に対して傾斜する方向に堆積して形成されるため、複屈折膜を構成する無機材料の成膜方向と透明基板の表面とのなす角の角度は９０度ではない。
【００４１】
なお、複数の複屈折膜を堆積させる場合には、複数回の斜方蒸着を、成膜方向を変えて繰り返し実施し、最終的な光学異方性層を得る。成膜方向を変える方法としては、例えば、透明基板を面内方向に所定の角度に回転させる方法が挙げられる。
【００４２】
図４は、複屈折膜の成膜方向を透明基板の表面に投影した線分の向きを示す図である。蒸着源から蒸着方向Ｄにて透明基板１１に向かって複屈折膜を成膜した場合には、複屈折膜の成膜方向を透明基板の表面に投影した線分の向きはｄで示される。
【００４３】
本発明の位相差素子の製造方法で形成される光学異方性層は、無機材料からなる。原料となる無機材料としては、誘電材料が好ましく、例えば、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｌａ、Ｔａ、Ａｌ、Ｈｆ、およびＣｅからなる群より選択される少なくとも１種を含有する酸化物が挙げられる。なかでも、Δｎ（屈折率差）が大きいことから、Ｔａ２Ｏ５またはＨｆＯ２を含むことが好ましい。
【００４４】
光学異方性層の材料としては、光学ロスを減らし、透過率を高くすることから、Ｔａ２Ｏ５とＴｉＯ２の混合物であり、混合物中のＴａ原子数とＴｉ原子数の合計に対するＴｉ原子数の割合（Ｔｉ/（Ｔａ+Ｔｉ）×１００）が、４．０％以上３０％以下の範囲であることが、特に好ましい。
【００４５】
なお、複数の複屈折膜の各々の位相差については、特に限定されるものではなく、所望とする位相差に応じて最適化することができる。
【００４６】
光学異方性層全体の厚みは、特に限定されるものではなく、所望とする位相差に応じて最適化することができる。
【００４７】
［保護層形成工程］
本発明の位相差素子の製造方法における保護層形成工程は、上記の光学異方性層形成工程で得られた光学異方性層に接するように、原子層堆積法（Atomic Layer Deposition、ＡＬＤ法）により無機化合物を堆積させて保護層を形成する工程である。
【００４８】
本発明で得られる位相差素子において、保護層は、斜方蒸着によって形成された柱状部間の空隙部を被覆するものである。保護層形成工程によって得られる保護層の存在により、柱状部間の空隙部に水分が入り込んだ場合にも、ヒビや膜剥がれを抑制し、耐湿性に優れた位相差素子を実現することができる。
【００４９】
図１に示される位相差素子１０においては、保護層１４は、光学異方性層１３に接して光学異方性層１３上に設けられる。
【００５０】
保護層の材料となる無機化合物としては、耐湿性を向上させる観点から、Ｔｉ０２、Ｓｉ０２、Ｔａ２０５、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、およびＨｆＯ２らなる群より選択される少なくとも１種を含んでいることが好ましい。
【００５１】
また、保護層の厚みは、耐湿性を向上させる観点から、２ｎｍ以上であることが好ましい。
【００５２】
また、保護層は、耐湿性を向上させる観点から、２層以上の多層膜としてもよい。
【００５３】
なお、本発明の位相差素子の製造方法においては、耐湿性を向上させる観点から、光学異方性層形成工程と、保護層形成工程とを、交互に複数回繰り返してもよい。
【００５４】
［ＳｉＯ２層形成工程］
本発明の位相差素子の製造方法においては、必要に応じて、上記の保護層形成工程で形成された保護層の上に、保護層に接するようにＳｉＯ２層を形成する、ＳｉＯ２層形成工程を有していてもよい。ＳｉＯ２層形成工程では、保護層上に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２層を形成してもよい。
【００５５】
図１における位相差素子１０においては、ＳｉＯ２層１７は、保護層１４に接して、保護層１４と反射防止層１６との間に配置されている。
【００５６】
［反射防止層形成工程］
本発明の位相差素子の製造方法においては、必要に応じて、位相差素子を構成する層の最外層に、反射防止層を形成する、反射防止層形成工程を有していてもよい。反射防止層形成工程においては、屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層して、反射防止層を形成する。
【００５７】
図２は、一実施形態に係る反射防止層の断面模式図である。図２に示す反射防止層１２は、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を積層することで形成された多層膜である。本実施形態では、反射防止層１２は、第１の誘電体膜１２１と、第２の誘電体膜１２２とが交互に積層された誘電体多層膜で構成される。層数としては特に限定されるものではないが、例えば、第１の誘電体膜１２１と第２の誘電体膜１２２が交互に積層された合計５〜４０層程度の誘電体多層膜とする。
【００５８】
反射防止層を構成する、屈折率の異なる２種以上の誘電体からなる誘電体膜を形成する材料としては、それぞれ、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＺｒＯ、Ｎｂ２Ｏ５、およびＨｆＯ２からなる群より選択される少なくとも１種を含む無機酸化物が挙げられる。例えば、図２に示す一実施形態に係る反射防止層１２においては、第１の誘電体膜１２１は、相対的に高屈折率のＮｂ２Ｏ５にて形成し、第２の誘電体膜１２２は、相対的に低屈折率のＳｉＯ２にて形成することが好ましい。
【００５９】
図１に示される位相差素子１０においては、第１の反射防止層１２Ａは、透明基板１１の複屈折層１３が存在する側とは逆の面に、透明基板１１に接して配置され、第２の反射防止層１２Ｂは、ＳｉＯ２層１７の保護層１４が存在する側とは逆の面に、ＳｉＯ２層１７に接して配置される。すなわち、第１の反射防止層１２Ａと第２の反射防止層１２Ｂはそれぞれ、位相差素子の最外層に設けられる。第１の反射防止層１２Ａおよび第２の反射防止層１２Ｂは、所望の使用波長帯域において反射防止の機能を有する。
【００６０】
［マッチング層形成工程］
本発明の位相差素子の製造方法においては、必要に応じて、透明基板に接するようにマッチング層を形成する、マッチング層形成工程を有していてもよい。マッチング層形成工程においては、透明基板に接するように、光学異方性層が設けられる面に、マッチング層を形成する。
【００６１】
マッチング層は、透明基板と光学異方性層との界面における反射を防止する層である。マッチング層は、透明基板と光学異方性層との間に設けられ、例えば、誘電体の多層膜である。マッチング層は、透明基板とマッチング層との界面反射光と、マッチング層と光学異方性層との界面反射光を、打ち消しあうように設計する。
【００６２】
図１における位相差素子１０においては、マッチング層１５は、透明基板１１と光学異方性層１３との間に配置されている。マッチング層１５の存在により、位相差素子１０は、より反射が防止された素子となる。
【００６３】
＜位相差素子＞
本発明の位相差素子は、１／２波長板や１／４波長板に代表される位相差素子であり、その他、光学補償素子等、位相差を制御することのできる各種の素子を含む。本発明の位相差素子は、透明基板と、複屈折膜を含む光学異方性層と、前記光学異方性層に接する、無機化合物の原子層堆積層である保護層と、を含む。
【００６４】
本発明の位相差素子は、上記の製造方法により、上記の材料を用いて製造することができる。
【００６５】
＜投射型画像表示装置＞
本発明の投射型画像表示装置は、上記の位相差素子を備える投射型画像表示装置である。さらには、本発明の投射型画像表示装置は、光を出射する光源と、光変調装置と、変調された光を投射する投射光学系と、光源と投射光学系との間の光路に配置された上記の位相差素子と、を有する。
【００６６】
光源は、光を出射するものであり、例えば、白色光を出射する超高圧水銀ランプ等が挙げられる。投射光学系は、変調された光を投射するものであり、例えば、変調された光をスクリーンに投射する投射レンズ等が挙げられる。
【００６７】
光変調装置としては、透過型液晶パネル等を有する液晶表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏ−ｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）等を有するマイクロミラー表示装置、反射型液晶パネル等を有する反射型液晶表示装置、１次元回析型光変調装置（ＧＬＶ）等を有する１次元回析型表示装置等が挙げられる。
【００６８】
投射光学系としては、変調された光を投射する部材であれば、特に制限されるものではなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、変調された光をスクリーンに投射する投射レンズ等が挙げられる。
【００６９】
すなわち、本発明の位相差素子は、耐湿性に優れた素子となるため、各種の画像表示装置に好適に用いることができ、例えば、液晶プロジェクタ、ＤＬＰ（登録商標）プロジェクタ、ＬＣＯＳプロジェクタ、ＧＬＶ（登録商標）プロジェクタ等のプロジェクタ用途として、好適に用いることができる。
【００７０】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良は本発明に含まれる。
【実施例】
【００７１】
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００７２】
＜実施例１＞
［位相差素子の作製］
（マッチング層の作製）
ガラス基板（平均厚み０．７ｍｍ）を準備し、一方の面上に、ＳｉＯ２／Ｎｂ２Ｏ５／ＳｉＯ２の３層をスパッタ法により積層することによって、マッチング層を形成した。
【００７３】
（第１の反射防止層の作製）
次いで、ガラス基板の他方の面上に、Ｎｂ２Ｏ５とＳｉＯ２とを用いて、１０層をスパッタ法により交互積層することによって、第１の反射防止層を形成した。
【００７４】
（光学異方性層の作製）
マッチング層の上に、Ｔａ２０５を蒸着材料として、基板法線方向に対して７０度傾斜した位置に蒸着源を配置して、斜方蒸着により複数の蒸着プロセスを実施し、複数の複屈折膜を成膜することにより光学異方性層を形成し、位相差素子を得た。
【００７５】
図５に、各蒸着プロセスの面内方向の角度を示す。蒸着プロセス１においては、図５に示すように、蒸着面にｘｙ軸を規定して中心から時計回りの方向を＋とした場合に、０°の方向から斜方蒸着を実施して、複屈折膜１を成膜した。次いで、蒸着プロセス２として、１８０°の方向から蒸着を実施して、複屈折膜２を成膜した。これを交互に繰り返した後、特性を安定化させるため、３００℃でアニール処理を行うことにより、複数の複屈折膜を有する光学異方性層を得た。
【００７６】
（保護層の作製）
得られた光学異方性層の上に、原子層堆積法により、厚さ２ｎｍのＳｉＯ２を堆積させることにより、保護層を形成した。
【００７７】
（第２の反射防止層の作製）
最後に、Ｎｂ２Ｏ５とＳｉＯ２とを用いて、７層をスパッタ法により交互積層することにより第２の反射防止層を形成し、位相差素子を得た。
【００７８】
＜比較例１＞
保護層となるＳｉＯ２層の作製を、原子層堆積法に替えて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスとＯ２とを用いたプラズマＣＶＤ法で実施した以外は、実施例１と同様にして位相差素子を作製した。
【００７９】
［耐湿性試験］
実施例１および比較例１の位相差素子を、それぞれ３０個作成し、８５℃８５％ＲＨ下で１０００時間静置後の、破損状況を比較した。破損は、光学異方性層の複屈折膜の剥離が存在しているか否かで判断した。
【００８０】
【表１】
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【００８１】
本発明の製造方法による位相差素子は、原子層堆積法によって形成された保護層を有するため、ＣＶＤ法によって形成された保護層による位相差素子と比較して、耐湿性が顕著に優れることが判る。
【符号の説明】
【００８２】
１０    位相差素子
１１    透明基板
１２Ａ  第１の反射防止層
１２Ｂ  第２の反射防止層
１２１  第１の誘電体膜
１２２  第２の誘電体膜
１３    光学異方性層
１３１  複屈折膜
１４    保護層
１５    マッチング層
１７    ＳｉＯ２層
Ｓ      基板法線
Ｄ      複屈折膜の成膜方向
ｄ      複屈折膜の成膜方向を透明基板の表面に投影した線分の向き
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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