(57)【要約】      （修正有）【課題】流体精製に要求されるステップの数を減らし、および／またはユニットを操作する構成要素の数を減らす、流体精製システム、装置、および方法の提供。【解決手段】（ａ）第１のフィルタ端部、第２のフィルタ端部、少なくとも１つのフィルタ側部、およびフィルタの長さに及び少なくとも１つの内部チャネルを有する、細長いセラミック膜フィルタ、（ｂ）反対の極性のイオンを可逆的に結合するように構成された、（例えば、本質的にまたは電流を流す際などに）第１の正味の極性を有する第１の基体を含む第１のイオン除去ユニット１７０、および（ｃ）反対の極性のイオンを可逆的に結合するように構成された、（例えば、本質的にまたは電流を流す際などに）第２の正味の極性を有する第２の基体を含む第２のイオン除去ユニット１８０、を含むクロスフロー流体セラミック要素。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
懸濁された汚染物質、少なくとも１つの溶解された汚染物質、及び極性汚染物質を含む汚染された媒体から汚染物質を除去するための方法であって、前記方法は、
（ａ）前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を凝集して複数の粒子を形成する段階と、
（ｂ）第１の精製モジュールにより、サイズに基づいて、前記汚染された媒体をろ過し、前記懸濁された汚染物質及び前記複数の粒子を除去して、第１の部分的に精製された媒体を生成する段階と、
（ｃ）前記第１の部分的に精製された媒体を、前記汚染物質が第１のセラミック膜要素に結合することを可能にする条件下で、第１の正味電荷を提供するように構成された第１のドーパントを含む前記第１のセラミック膜要素を有する第２の精製モジュールと接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成する段階と、
（ｄ）前記第１の部分的に精製された媒体を、前記溶解された極性汚染物質が第２のセラミック膜要素に結合することを可能にする条件下で、第２の正味電荷を提供するように構成された第２のドーパントを含む前記第２のセラミック膜要素を有する第３の精製モジュールと接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成する段階と、
を含み、
前記第２の部分的に精製された媒体は、前記汚染された媒体フィードより低い濃度の前記固体汚染物質およびより低い濃度の前記溶解された極性汚染物質を有し、
前記第１の正味電荷は、前記第２の正味電荷と反対である、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を複数の粒子へ凝集する段階が、
（ｉ）前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を酸化する段階、
（ｉｉ）前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を還元する段階、
（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を沈殿する段階、及び
（ｉｖ）前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を凝固する段階、
のうちの少なくとも１を更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの溶解された汚染物質を複数の粒子へ凝集する段階が、前記汚染された媒体を、凝固剤、塩基、空気、溶存酸素、及び沈殿剤のうちの少なくとも１つと接触させる段階を更に備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のドーパントが、ホウ素であり、前記第２のドーパントが、アルミニウムおよび窒素からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のドーパントが、アルミニウム及び窒素からなる群から選択され、前記第２のドーパントが、ホウ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のセラミック膜要素が、シリコンカーバイドを有し、
前記第２のセラミック膜要素が、シリコンカーバイドを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記溶解された極性汚染物質の少なくとも一部が、前記第１のセラミック膜要素へ吸収し、
前記方法が、
前記第１のセラミック膜要素の前記第１の正味電荷を反対にして、第２の極性を有する前記吸収された極性汚染物質を脱着させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記溶解された極性汚染物質の少なくとも一部が、前記第２のセラミック膜要素へ吸収し、
前記方法が、
前記第２のセラミック膜要素の前記第２の正味電荷を反対にして、第１の極性を有する前記吸収された極性汚染物質を脱着させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記溶解された極性汚染物質が、金属、イオン、塩、有機化合物、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の分野
本開示は、いくつかの態様において、セラミック膜により流体（例えば、水など）を浄化するためのシステム、装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
本開示の背景
生命のほとんど全ての形態は生存するのに水を必要とするため、浄化システムにおける水質の改善は、典型に顕著な興味の対象である。結果として、汚染された流体から汚染物質を除去するための処理システムおよび手法が、過去において開発されてきた。アプローチには、水中の種々の微生物（microorganism）、酵素および微生物のための栄養素を適用することによる水処理が含まれる。他のアプローチは、供給物（supplies）を浄化するために、汚染された流体中に例えば塩素などの化学物質を投入することを伴う。しかしながら、これらの添加剤は、それらが解決するものより多くの問題を創出し得る。いくつかのアプローチは、ろ過の方策（strategy）を使用することにより追加の化学物質または微生物の使用を回避する。かかるシステムは、失敗してきたかまたはそれらの可能性を実現することができていないかのいずれかであり、それにより課題が残っている。
【発明の概要】
【０００３】
要約
したがって、改善された流体精製についての必要性が生じてきた。例えば、流体精製に要求されるステップの数を減らし、および／またはユニットを操作する構成要素の数を減らす、流体精製システム、装置、および方法についての必要性が存在する。本開示は、いくつかの態様において、２つまたはそれ以上の細長いセラミック要素を含む精製ユニットに関し、ここで、少なくとも１つの細長いセラミック膜要素は、それらのサイズに基づいて汚染物質（例えば、粒子など）を分離、除外、および／または除去するように構成され、少なくとも１つの細長いセラミック膜要素は、それらの電荷（例えば、電荷全体、正味電荷など）に基づいて汚染物質（例えば、極性、イオン化された、およびイオン化可能な汚染物質など）を分離、除外、および／または除去するように構成される。
【０００４】
本開示は、いくつかの態様において、流体精製システムに関する。例えば、流体精製システムは、（ａ）サイズに基づいて汚染物質を分離、除外、および／または除去して、第１の部分的に精製された浸透物（permeate）を生成するように構成された第１の操作ユニット；（ｂ）第１のユニットから第１の浸透物を受容し、第１の浸透物から第１の極性を有する電荷を帯びた汚染物質を分離、除外、および／または除去して、第２の部分的に精製された浸透物を生成するように構成された第２の操作ユニット；および／または（ｃ）任意に、第２のユニットから第２の浸透物を受容し、第２の浸透物から第１の極性と反対の極性を有する電荷を帯びた汚染物質を分離、除外、および／または除去して、産生（output）流体を生成ための第３の操作ユニット、を含んでもよい。いくつかの態様において、各操作ユニットは、少なくとも１つのセラミック要素を含んでもよい。各セラミック要素は、約１００％までのシリコンカーバイドを含んでもよい。いくつかの態様によれば、第２および第３の操作ユニットは、少なくとも１つのセラミック要素をそれぞれ含み、これらのセラミック要素のそれぞれは、少なくとも１種のドーパント（例えば、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなど）を含む基体（substrate）を有する。いくつかの態様において、流体精製システムは、本願において記載されるもの以外のあらゆる他の操作要素を除外してもよい。
【０００５】
いくつかの態様によれば、本開示は、１種または２種以上の汚染物質を汚染された媒体から分離、除外、および／または除去する（「除去する」）ための方法に関する。方法は、例えば、（ａ）固体汚染物質の少なくとも１つの種（species）および溶解された塩の汚染物質の少なくとも１つの種を含む、汚染された媒体フィード（feed）を提供すること、（ｂ）溶解された汚染物質を粒子に凝集させること（aggregate）、（ｃ）粒子を除去して第１の部分的に精製された媒体を生成すること、（ｄ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性とは反対の第２の極性を有する反対の電荷を帯びた塩のイオンが第１の基体に結合することを可能にする条件下で第１の極性の正味電荷を有する第１の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、および／または（ｅ）任意に、第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性を有する反対の電荷を帯びた塩のイオンが第２の基体に結合することを可能にする条件下で第２の極性の正味電荷を有する第２の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、などを含んでもよく、ここで、第１のおよび／または第２の部分的に精製された媒体は、汚染された媒体フィードより低い固体汚染物質の少なくとも１つの種の濃度およびより低い溶解された塩の汚染物質の少なくとも１つの種の濃度を有する。いくつかの態様において、溶解された汚染物質を粒子に凝集させることは、汚染物質を酸化、還元、沈殿、および／または凝固させる（coagulate）ことをさらに含む。溶解された汚染物質を粒子に凝集させることは、いくつかの態様において、汚染された媒体を、凝固剤、塩基、空気、溶存酸素（dissolved  oxygen）、および／または他の化学物質と接触させて、金属酸化、還元、化学的沈殿、化学的凝固、またはそれらの組み合わせを許容することおよび／または促進することを含んでもよい。
【０００６】
本開示は、いくつかの態様において、１種または２種以上の汚染物質を、懸濁されたまたは溶解された汚染物質および溶解された塩の汚染物質を含む汚染された媒体から分離、除外、および／または除去する（「除去する」）ための方法に関する。方法は、例えば、（ａ）サイズに基づいて汚染された媒体をろ過し、懸濁されたまたは溶解された汚染物質を除去して第１の部分的に精製された媒体を形成すること、（ｂ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性とは反対の第２の極性を有する汚染物質の塩のイオンが第１の基体に結合することを可能にする条件下で第１の極性の正味電荷を有する第１の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、および／または（ｃ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性を有する汚染物質の塩のイオンが第２の基体に結合することを可能にする条件下で第２の極性の正味電荷を有する第２の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、などを含んでもよく、ここで、第２の部分的に精製された媒体は、汚染された媒体フィードより低い濃度の固体汚染物質およびより低い濃度の溶解された塩の汚染物質を有する。いくつかの態様において、第１の基体および／または第２の基体は、独立して、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなど）を含んでもよい。いくつかの態様において、溶解された塩の汚染物質の少なくとも一部（例えば、流体中のいくらかの汚染物質粒子または分子など）は、第１の基体および／または第２の基体へ吸収して（absorb  to）もよい。方法は、第１の基体の正味電荷を反対にして第２の極性を有し、第１の基体に結合する汚染物質の塩のイオンを脱着させること、および／または第２の基体の正味電荷を反対にして第１の極性を有し、第２の基体に結合する汚染物質の塩のイオンを脱着させること、をさらに含んでもよい。
【０００７】
いくつかの態様において、本開示は、流体精製モジュールに関する。流体精製モジュールは、例えば、（ａ）汚染媒体チャンバ（contaminated  media  chamber）；（ｂ）浸透チャンバ；および（ｃ）汚染媒体チャンバおよび浸透チャンバ間の少なくとも１つのセラミック要素、などを含んでもよい。各セラミック要素は、（ｉ）汚染媒体チャンバに面する第１の表面および浸透チャンバに面する第２の表面を有する多孔質セラミック基体、（ｉｉ）基体にわたって伸びる（extending  through）少なくとも１つのチャネルであって、各チャネルは、汚染媒体チャンバと流体連通しているチャネル、および（ｉｉｉ）汚染媒体チャンバおよび基体間に位置された膜であって、前記膜は、切り捨てられる（cut  off）サイズより下の粒子の通過を可能にし、より大きな粒子の通過を妨げるように構成された膜、を含んでもよく、ここで、セラミック基体は、流れる電流の非存在下の正味電荷（ｘ）または電流を流した際の正味電荷（ｙ）を有するように構成される。いくつかの態様において、各セラミック基体は、約１００％までのシリコンカーバイドを含んでもよい。いくつかの態様によれば、各セラミック基体は、少なくとも１種のドーパント（例えば、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなど）を含んでもよい。いくつかの態様において、セラミック要素は、正の正味電荷または負の正味電荷を有してもよい。
【０００８】
本開示は、いくつかの態様によれば、汚染物質除去システムに関する。例えば、汚染物質除去システムは、（ａ）汚染された媒体入口；（ｂ）汚染された媒体入口と流体連通している高固体接触リアクタ；（ｃ）クロスフロー精製モジュール、および（ｄ）デッドエンド（dead−end）精製モジュール、を含んでもよい。いくつかの態様において、クロスフロー精製モジュールを、（ｉ）切り捨てられるサイズより下の粒子の通過を可能にし、より大きな粒子の通過を妨げ、（ｉｉ）第１の極性の正味電荷を有する粒子の通過を妨げ、（ｉｉｉ）正味電荷を有しない粒子、第２の極性の正味電荷を有する粒子、またはそれらの組み合わせの通過を可能にする、ように構成されてもよい。デッドエンド精製モジュールは、いくつかの態様によれば、（ｉ）第２の極性の正味電荷を有する粒子の通過を妨げるように構成されてもよい。いくつかの態様によれば、第１の極性は、正であってもよい。
【０００９】
いくつかの態様において、汚染物質除去システムは、（ａ）汚染された媒体ソース；および（ｂ）一連のセラミック要素、を含んでもよい。セラミック要素は、（１）（ｉ）汚染された媒体ソースと流体連通して、（ｉｉ）第１の基体および基体の少なくとも一部を覆う第１の膜を含み、（ｉｉｉ）サイズに基づいて粒子を除去して第１の浸透物を生成するように構成された、第１のセラミック要素；（２）（ｉ）第２の基体および任意に第２の基体の少なくとも一部を覆う第２の膜を含み、（ｉｉ）第１のセラミック要素と流体連通して第１の浸透物を受容し、（ｉｉｉ）第１の正味電荷を有する汚染物質を除去して第２の浸透物を生成するように構成された、第２のセラミック要素；および（３）任意に、（ｉ）第３の基体および任意に第３の基体の少なくとも一部を覆う第３の膜を含み、（ｉｉ）第２のセラミック要素と流体連通して第２の浸透物を受容し、（ｉｉｉ）第２の正味電荷を有する汚染物質を除去して第３の浸透物を生成するように構成された、第３のセラミック要素、を含んでもよい。汚染物質除去システムのいくつかの態様において、第１の正味電荷は、正の電荷であってもよい。第２の要素は、例えば、第１の正味電荷と反対の極性などを有する電荷を帯びた材料を含んでもよい。第２の要素は、例えば、電流を流す際などに、第１の正味電荷と反対の極性を獲得する、電荷を帯びた材料を含んでもよい。第３の第２の（third  second）要素は、例えば、第２の正味電荷と反対の極性などを有する電荷を帯びた材料を含んでもよい。第３の要素は、例えば、電流を流す際などに、第２の正味電荷と反対の極性を獲得する、電荷を帯びた材料を含んでもよい。いくつかの態様において、任意の第２の膜は存在せず、任意の第３の膜は存在せず、第１の要素は、クロスフロー操作を支持するようにさらに構成され、第２の要素は、デッドエンド操作を支持するようにさらに構成され、および／または第３の要素は、デッドエンド操作を支持するようにさらに構成される。いくつかの汚染物質除去システムにおいて、第１の基体は、１００％（ｗ／ｗ）までのシリコンカーバイドを含んでもよく、第２の基体は、シリコンカーバイドおよびドーパント（例えば、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなど）を含んでもよく、および／または第３の基体は、シリコンカーバイドおよびドーパント（例えば、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなど）を含んでもよい。
【００１０】
本開示は、いくつかの態様において、流体精製システムに関する。流体精製システムは、例えば、（ａ）第１のセラミック要素を含む第１の精製モジュールであって、前記第１のセラミック要素は、第１の基体および基体の少なくとも一部を覆う第１の膜を含み、（ｉ）汚染物質粒子および汚染物質イオンを含む、汚染された媒体フィードを受容し、（ｉｉ）サイズに基づいて汚染された媒体粒子から除去し、（ｉｉｉ）第１の部分的に精製された浸透物を生成する、ように構成された、第１の精製モジュール、（ｂ）第２のセラミック要素を含む第２の精製モジュールであって、前記第２のセラミック要素は、第２の基体を含み、（ｉ）第１の要素から部分的に精製された浸透物を受容し、（ｉｉ）第１の部分的に精製された浸透物から第１の正味電荷を有する汚染物質を除去し、（ｉｉｉ）第２の部分的に精製された浸透物を生成する、ように構成された、第２の精製モジュール；および（ｃ）第３のセラミック要素を含む第３の精製モジュールであって、前記第３のセラミック要素は、第３の基体を含み、（ｉ）第２の要素から第２の部分的に精製された浸透物を受容し、（ｉｉ）第２の部分的に精製された浸透物から第２の正味電荷を有する汚染物質を除去し、（ｉｉｉ）汚染された媒体フィードより低い濃度の粒子およびより低い濃度のイオンを含む産生流体を生成する、ように構成された、第３の精製モジュール、などを含んでもよく、ここで、第１の正味電荷は、第２の正味電荷と反対の極性を有する。いくつかの態様において、第２の基体および／または第３の基体は、ドーパント（例えば、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなど）を含んでもよい。
【００１１】
いくつかの態様によれば、本開示は、汚染された媒体から汚染物質を除去するための方法に関する。方法は、例えば、懸濁されたもしくは溶解された汚染物質および極性汚染物質などを含む媒体または流体に対して操作するように構成されてもよく、その少なくとも一部は、第１の極性および／または第２の極性（例えば、第１の極性を有する部分および第２の極性を有する部分、または各粒子または分子が第１のおよび第２の両方の極性を有する両性イオン部分など）を有する。方法は、例えば、（ａ）サイズに基づいて汚染された媒体をろ過し、懸濁されたまたは溶解された汚染物質を除去して、第１の部分的に精製された媒体を生成すること；（ｂ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性とは反対の第２の極性を有する、あらゆる溶解された極性汚染物質が第１の基体に結合することを可能にする条件下で第１の極性の正味電荷を有してもよい第１の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること；（ｃ）第１の部分的に精製された媒体および／または第２の部分的に精製された媒体を、第１の極性を有する、溶解された極性汚染物質が第２の基体に結合することを可能にする条件下で第２の極性の正味電荷を有してもよい第２の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、などを含んでもよい。いくつかの態様において、第２の部分的に精製された媒体は、汚染された媒体フィードより低い濃度の１種または２種以上の固体汚染物質およびより低い濃度の１種または２種以上の溶解された極性汚染物質を有してもよい。
【００１２】
いくつかの態様において、第１の基体および／または第２の基体はそれぞれ（例えば、独立して）、ホウ素、アルミニウム、窒素、またはそれらの組み合わせなどを含んでもよい。いくつかの態様において、溶解された極性汚染物質の少なくとも一部は、第１の基体に吸収して（absorb  to）もよい。方法は、第１の基体の正味電荷を変更して（例えば、反対にするなどして）、第２の極性を有するあらゆる吸収された極性汚染物質を脱着することをさらに含んでもよい。溶解された極性汚染物質の少なくとも一部は、第２の基体に吸収して（absorb  to）もよい。方法は、第２の基体の正味電荷を変更して（例えば、反対にするなどして）、第１の極性を有するあらゆる吸収された極性汚染物質を脱着することをさらに含んでもよい。いくつかの態様において、溶解された極性汚染物質は、金属、イオン、塩、有機化合物、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。
【００１３】
図面の簡単な説明
本開示のいくつかの態様は、本開示および添付の図面を一部参照することにより理解され得、ここで：
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本開示の特定の例の態様による精製システムの概略図を例示し；
【図２】図２は、本開示の特定の例の態様による精製システムの概略図を例示し；
【図３】図３は、本開示の特定の例の態様による精製モジュールの透視図を例示し；
【図４】図４は、本開示の特定の例の態様による、係合されたセラミック要素を有する浸透チャンバの透視図を例示し；
【図５Ａ】図５Ａは、本開示の特定の例の態様によるセラミック要素の透視図を例示し；
【図５Ｂ】図５Ｂは、要素の長手軸に一般的に平行な断面を有する、図５Ａに示されるセラミック要素の断面図を例示し；
【図５Ｃ】図５Ｃは、要素の長手軸に一般的に垂直な断面を有する、図５Ａに示されるセラミック要素の断面図を例示し；
【図６】図６は、要素の長手軸に一般的に垂直な断面を有する、本開示の特定の例の態様によるセラミック要素の断面図を例示し；
【図７】図７は、要素の長手軸に一般的に垂直な断面を有する、本開示の特定の例の態様によるセラミック要素の断面図を例示する。
【００１５】
以下の表１には、本願で使用される参照符号が含まれる。千および百の桁（thousands  and  hundreds  digits）は、物品（item）が現れる図面に対応する一方で、十および一の桁（tens  and  ones  digits）は、示される特定の物品に対応する。同様の構造は、整合する（matching）十および一の桁を共有する。
【００１６】
【表１】
2020108889.tif 000003
【００１７】
詳細な説明
本開示は、いくつかの態様において、流体精製（例えば、化学物質を含まない精製など）のためのシステム、装置、および方法に関する。いくつかの態様において、本開示は、流体精製（例えば、水など）のためのシステム、装置、および方法に関する。例えば、流体精製のためのシステムは、汚染された媒体ストリーム、精製モジュール、浸透物ストリーム、およびそれらの組み合わせを含んでもよい。システムは、任意に、濃縮物ストリーム、１つまたは２つ以上のポンプ、１つまたは２つ以上のバルブ、１つまたは２つ以上の圧縮ガスソース、１つまたは２つ以上の貯蔵タンク、およびそれらの組み合わせを含んでもよい。濃縮物は、例えば、浸透物として失われた体積などにより、対応する汚染された媒体フィードより高い濃度の１種または２種以上の汚染物質を有し得る。いくつかの態様において、浸透物は、最終生成物として回収され得るか、さらなる精製手段に供され得る。濃縮物は、最終廃棄物（final  waste  product）として回収され得るか、さらなる精製手段に供され得る。追加の精製手段には、例えば、酸化、紫外線照射、光触媒作用、ろ過、およびそれらの組み合わせなどが含まれ得る。例えば、濃縮物は、同一のフィルタまたは異なるフィルタを使用して２回ろ過されてもよい。同一のフィルタによりリサイクルされる濃縮物は、未加工の（native）汚染された媒体と組み合わせても、または組み合わせなくてもよい。
【００１８】
本開示のシステムおよび方法は、種々の汚染された媒体の流体精製に好適であり得る。いくつかの態様において、汚染された媒体は、懸濁されたまたは溶解された汚染物質および極性汚染物質を含んでもよい。極性汚染物質は、正の極性および／または電荷を有する部分、および／または負の極性および／または電荷を有する部分（例えば、第１の極性を有する部分および第２の極性を有する部分、または各粒子または分子が第１のおよび第２の両方の極性を有する両性イオン部分など）を有してもよい。いくつかの態様において、汚染された媒体は、正の電荷を有するいくらかの汚染物質および負の電荷を有する汚染物質を含んでもよい。汚染された媒体は、正味の極性および／または電荷を有してもよく、または正味の負の極性および／または電荷を有してもよい。例えば、正の電荷を有する汚染物質および負の電荷を有する汚染物質の両方を含む汚染された媒体は、正味の正の電荷を有してもよい。別の例として、正の電荷を有する汚染物質および負の電荷を有する汚染物質の両方を含む汚染された媒体は、正味の負の電荷を有してもよい。電荷を有する基体（例えば、セラミック膜など）を含むシステム、装置および／または方法は、流体からの極性のおよび／または電荷を帯びた汚染物質の除去を促進してもよい。どちらか一方の（alternate）電荷を有することができる基体を含むシステム、装置および／または方法はまた、吸収されて電荷を帯びたおよび／または極性汚染物質の除去を促進して、基体のろ過容量を回復してもよい。いくつかの態様において、例えば、精製される対象の流体の含有物が、一方または他方の極性または電荷の汚染物質を一貫して示すなどの場合には、システム、装置および／または方法は、基体が正または負の電荷のいずれかを有するように調整されて、それにより、そうでない場合の存在しない汚染物質の除去に費やされる無駄な時間およびリソースを回避してもよい。いくつかの態様において、基体から吸収された汚染物質を脱着する場合には、脱着された汚染物質を含む廃水を、例えば、かかる廃水を別の回収タンクへ迂回させること、またはかかる廃水をシステムへリサイクルして、システムを通して再び通過させるフィーダー（feeder）流体と混合することなどにより、精製された流体と分離して回収してもよい。
【００１９】
いくつかの態様によれば、システムおよび方法は、逆浸透と比較して、低い（例えば、極めて低いなど）圧力降下により、電荷を帯びた粒子（例えば、塩など）の吸着（adsorption）を支持してもよい。いくつかの態様において、システムおよび方法は、サイズろ過および電荷吸着の両方を提供し得る、単一のセラミック要素を含んでもよい。逆浸透とは異なり、いくつかの態様によれば、セラミック膜を、強力な化学物質によりクリーニングしてもよく、および／または２５年より多い使用可能寿命を有してもよい。電荷を帯びた粒子を含む濃縮物（例えば、ブライン（brine）など）は、例えば存在するＴＤＳ除去技術などより濃縮されてもよい。いくつかの態様において、システムおよび方法（例えば、クロスフロー操作など）は、逆浸透膜より少ない（例えば、実質的に少ないなど）汚れ（fouling）を有するものであってもよい。いくつかの態様において、操作コストは、他の脱塩技術（例えば、逆浸透および／または反転型電気透析など）より低い（例えば、実質的により低いなど）ものであってもよい。精製基体の高い表面積（例えば、極めて高い表面積など）により、基体脱着が所望されるかまたは要求される前に、電荷除去のための高容量が提供されてもよい。他のタイプのセラミック基体は、増加したまたは減少した電気伝導性を有してもよく、より大きな電荷を提供することにより、より効率的であってもよい。
【００２０】
精製モジュール
本開示は、いくつかの態様において、精製モジュールに関する。例えば、精製モジュールは、（ａ）汚染された媒体およびエンドプレートを入れるための入口を有する汚染媒体チャンバであって、前記エンドプレートは、複数の円錐台状（frustoconical）開口部を含む汚染媒体チャンバ；（ｂ）円筒状本体および各端部にエンドプレートを有する浸透チャンバであって、前記浸透チャンバエンドプレートは複数の円錐台状開口部（例えば、汚染媒体チャンバエンドプレート中の円錐台状開口部に対応するものなど）を含む、浸透チャンバ、および／または（ｃ）汚染媒体チャンバおよび浸透チャンバの両方と流体連通しているセラミック要素、を含んでもよい。精製モジュールは、いくつかの態様によれば、汚染媒体チャンバ、セラミック要素（例えば、膜など）、浸透チャンバ、および／またはそれらの組み合わせを含んでもよい。例えば、汚染媒体チャンバは、内部キャビティ（cavity）、キャビティへ汚染された媒体が入るための入口、およびセラミック要素インターフェースを有してもよい。浸透チャンバは、セラミック要素インターフェース、内部浸透キャビティ、および内部浸透キャビティと流体連通している浸透出口を含んでもよい。
【００２１】
セラミック要素は、汚染媒体チャンバおよび／または浸透チャンバと流体連通していてもよい。いくつかの態様によれば、汚染媒体チャンバ（例えば、汚染媒体チャンバキャビティなど）は、セラミック要素を介して浸透チャンバ（例えば、浸透チャンバキャビティなど）と流体連通していてもよい。いくつかの態様によれば、セラミック要素は、汚染媒体チャンバインターフェースおよび／または浸透チャンバインターフェースに係合してもよい。いくつかの態様において、ガスケットが含まれて、セラミック要素によるものを除く、汚染媒体チャンバから浸透チャンバへの流体フローを制限するかまたは妨げる、流体密封（fluid−tight）（例えば、液体密封（liquid−tight）など）シール（例えば、三重シールなど）を形成してもよい。例えば、ガスケットは、汚染媒体チャンバおよび浸透チャンバ間で、汚染媒体チャンバおよび周囲間で、周囲および浸透チャンバ間で、汚染媒体チャンバおよびセラミック要素の浸透チャンバに面した表面間で、汚染媒体チャンバインターフェースおよび浸透チャンバインターフェース間で、汚染媒体チャンバエンドプレートおよび浸透チャンバエンドプレート間で、および／または汚染媒体チャンバエンドプレートの（例えば、各）円錐台状開口部および浸透チャンバエンドプレートの（例えば、各）円錐台状開口部間で、シールを形成してもよい。
【００２２】
汚染媒体チャンバ
汚染媒体チャンバは、いくつかの態様において、いくつかの態様によれば、入口およびセラミック要素インターフェースを含んでもよい。汚染媒体チャンバは、内部キャビティを含んでもよい。内部キャビティは、あらゆる所望のサイズおよび／またはあらゆる所望の形状を有してもよい。例えば、キャビティは、丸みを帯びたおよび／または一般的なドーム形状を有してもよい。汚染媒体チャンバは、外部境界線および／または外周（outer  perimeter  and／or  circumference）を有してもよい。いくつかの態様において、外部境界線および／または外周は、汚染媒体チャンバフランジとして構成され、および／または汚染媒体チャンバフランジを画定してもよい。汚染媒体チャンバフランジは、浸透チャンバ（例えば、類似のまたは噛み合う（mated）フランジを含む浸透チャンバなど）に係合するように構成されてもよい。いくつかの態様において、汚染媒体チャンバフランジは、ガスケット、Ｏリング、または他のシールのためのチャネルを含んでもよい。汚染媒体チャンバチャネルは、いくつかの態様において、フランジの一方の面上に、および／または外部境界線および／または外周に平行に位置されてもよい。
【００２３】
いくつかの態様によれば、汚染媒体チャンバは、１つまたは２つ以上の入口および／または１つまたは２つ以上の出口を有してもよい。例えば、汚染媒体チャンバは、１つまたは２つ以上の出口を含むセラミック要素インターフェースを有してもよい。各出口は、例えば、実質的な流体密封シールなどにより、セラミック要素に係合するように構成されてもよい。いくつかの態様において、出口は、あらゆる所望の形状（例えば、円筒状、円錐状、円錐台状など）を有してもよい。全ての汚染媒体チャンバ出口は、インターフェースにおよび／または汚染媒体チャンバチャネルの内側に位置されてもよい。
【００２４】
濃縮チャンバは、汚染媒体チャンバに対応する構造を有してもよく、各セラミック要素から流れ出す濃縮物を受容するように構成されてもよい。例えば、濃縮チャンバは、キャビティ、出口、および／または少なくとも１つの開口部（例えば、少なくとも１つの円錐台状開口部など）を含むセラミック要素インターフェースを有してもよい。
【００２５】
汚染媒体チャンバおよび／または濃縮チャンバは、あらゆる所望の寸法を有してもよい。いくつかの態様によれば、汚染媒体チャンバおよび／または濃縮チャンバは、約１０ｃｍ−約１５０ｃｍ、約２０ｃｍ〜約１００ｃｍ、約１５ｃｍ−約７５ｃｍ、および／またはそれらの組み合わせの長さを有してもよい。チャンバの長手軸に垂直にとられた（taken）セクションが、直径約２ｃｍ−約３０ｃｍの、直径約２ｃｍ−約２０ｃｍの、直径約５ｃｍ−約２０ｃｍの、直径約５ｃｍ−約１５ｃｍの、直径約１０ｃｍ−約４５ｃｍの、および／またはそれらの組み合わせの最も長い寸法（例えば、斜方向（diagonal）または直径など）を有してもよい。汚染媒体チャンバおよび濃縮チャンバの形状および／または寸法は、同一または異なっていてもよい。
【００２６】
浸透チャンバ
本開示は、いくつかの態様において、セラミック要素インターフェース、内部浸透キャビティ、および内部浸透キャビティと流体連通している浸透物出口を含む浸透チャンバに関する。浸透チャンバは、あらゆる所望の形状を有してもよい。いくつかの態様において、浸透チャンバは、中心長手軸を画定する一般的な円筒形状およびその長さに及ぶキャビティを有してもよい。例えば、中心浸透チャンバ軸に垂直な全てのセクションまで、一般的な環形状を有してもよい。浸透チャンバは、いくつかの態様によれば、中空で、一般的な円筒形状の、第１の端部および第２の端部を有してもよい。各端部は、セラミック要素インターフェースを受容するサイズになった、および／または形状になった開口部を画定してもよい。
【００２７】
浸透チャンバは、あらゆる所望の寸法を有してもよい。いくつかの態様によれば、浸透チャンバは、約１０ｃｍ−約５ｍの長さ、約５０ｃｍ−約５ｍの長さ、約１ｍ−約３ｍの長さ、および／またはそれらの組み合わせであってもよい。長手軸に垂直にとられたセクションが、直径約２ｃｍ−約３０ｃｍの、直径約２ｃｍ−約２０ｃｍの、直径約５ｃｍ−約２０ｃｍの、直径約５ｃｍ−約１５ｃｍの、直径約１０ｃｍ−約４５ｃｍの、および／またはそれらの組み合わせの最も長い寸法（例えば、斜方向または直径など）を有してもよい。
【００２８】
セラミック要素
汚染媒体チャンバおよび浸透チャンバ間の流体連通を、セラミック要素により媒介してもよい。例えば、少なくともいくらかの流体は、入口を通って汚染媒体チャンバキャビティ中に、汚染媒体チャンバキャビティを通ってセラミック要素中に、セラミック要素を通って浸透キャビティ中に、および／または浸透キャビティを通って浸透出口から流れてもよい。セラミック要素は、いくつかの態様によれば、フィルタおよび少なくとも１つのシールガスケットを含んでもよい。シールガスケットは、フィルタを通る通路（バイパス）への、汚染媒体チャンバおよび浸透チャンバ間の流体の動きを制限するように構成されてもよい。例えば、セラミック要素は、部分的に、実質的に完全に、または完全に流体バイパスを妨げるシールを含んでもよい。
【００２９】
セラミック要素は、あらゆる所望の方式で操作するように構成されてもよい。例えば、セラミック要素は、デッドエンドまたはクロスフロー操作のために構成されてもよい。細長い要素は、いくつかの態様において、長手軸により内部チャネルを画定してもよい。クロスフロー精製モジュールは、要素の長手軸が汚染媒体フローの方向に一般的に平行であり、浸透フローが長手軸から一般的に放射状に外側に向かうように構成された細長いチャネルを含むセラミック要素を含んでもよい。
【００３０】
いくつかの態様において、要素は、少なくとも１つの内部チャネルを有する細長い本体を画定する壁部を有してもよい。要素は、いくつかの態様において、汚染された媒体に面した表面および浸透物に面した表面を含んでもよい。例えば、要素は、少なくとも１つの内部表面（例えば、汚染された媒体に面した表面など）、少なくとも１つの内部チャネル、および外部表面（例えば、浸透チャンバに面した表面など）を有する細長い本体を画定してもよい。汚染された流体は、一方の端部で少なくとも１つの内部チャネルに進入し、要素の長さを流れてもよい。チャネルに沿って移動しながら、いくらかの流体は要素壁部を横切り、浸透物を生成してもよい。いくらかの流体（例えば、排出物（reject）ストリームなど）は、内部チャネルの長手軸にわたって通過し、末端部から出てもよい。
【００３１】
セラミック膜
セラミック要素（要素、とも称される）は、いくつかの態様によれば、あらゆる所望のサイズ、形状または組成のフィルタを含んでもよい。例えば、セラミック要素は、一般的なチューブ状フィルタ（例えば、セラミックフィルタなど）を含んでもよい。セラミック要素は、あらゆる所望のフィルタまたはフィルタ材料を含んでもよい。例えば、セラミック要素は、１種または２種以上の有機ポリマーおよび／または１種または２種以上のセラミック材料を有するフィルタを含んでもよい。フィルタ（例えば、セラミック膜など）の例には、マイクロろ過フィルタ、限外ろ過フィルタ、ナノろ過フィルタ、抗菌フィルタ、保守不要フィルタ、およびそれらの組み合わせが含まれてもよい。フィルタは、抗菌剤を含んでもよい。例えば、セラミックフィルタは、銀（例えば、含浸された、非溶脱性銀など）を含んでもよい。いくつかの態様において、セラミック要素は、（例えば、要素がイオンを吸着するなどの場合には）フィルタを除外してもよい。
【００３２】
いくつかの態様において、セラミックフィルタは、耐久性（例えば、有機ポリマーフィルタより耐久性を有するなど）であってもよい。例えば、セラミックフィルタは、機械的損傷、溶媒、および／または細菌（microbe）に対して耐性を有してもよい。性能および／または耐性の例の測定基準は、１種または２種以上の汚染物質、伝導性、使用可能寿命、および／またはそれらの組み合わせに提供されるろ過の程度であってもよい。所望の性能および／または耐性を、別の膜への相対として、または閾値もしくはターゲット値に対して、課題の存在または非存在と比較して、画分（例えば、パーセンテージなど）として表してもよい。
【００３３】
いくつかの態様において、セラミック膜は、セラミック要素およびフィルタ層を含んでもよい。例えば、セラミック膜は、より小さな孔を有するろ過層（例えば、膜など）およびより大きな孔を有する下のベースまたは基体を含んでもよい。セラミック膜は、チャネルの内部のみのろ過層およびエンド面（end  face）をシールするエポキシコーティングを含んでもよい。いくつかの態様によれば、ろ過層は、代わりに、内部表面、エンド面、および／または外部表面を覆ってもよい。例えば、ろ過層は、要素の汚染された媒体に面した表面を画定し、前記表面に同一に広がり、および／または前記表面を覆ってもよい。セラミックろ過層は、内部表面に沿って並び（line）（例えば、チャネルなど）、要素の面の周りをくるみ、（各端部で）要素の外側へ向かって一部が伸びていてもよい。ベースは、浸透物に面した表面を画定し、前記表面に同一に広がり、および／または前記表面を覆ってもよい。
【００３４】
細長いセラミック要素は、あらゆる所望の規則的または不規則な幾何学形状を有する断面（例えば、中心長手軸に垂直なセクションなど）を有してもよい。例えば、要素の断面は、一般的な円状の、一般的な楕円状の、一般的な多角形状（例えば、六角形状など）の、および／またはそれらの組み合わせから選択される形状を有してもよい。細長い要素は、要素の長さに沿って中心軸に一般的に平行な、１つまたは２つ以上のチャネルを有する中心軸を有してもよい。
【００３５】
セラミック要素は、あらゆる所望の寸法を有してもよい。いくつかの態様によれば、細長い要素は、長さ約１０ｃｍ−約５ｍの、長さ約５０ｃｍ−約５ｍの、長さ約１ｍ−約３ｍの、および／またはそれらの組み合わせであってもよい。長手軸に垂直にとられたセクション（例えば、「直径」など）が、直径約２ｃｍ−約３０ｃｍの、直径約２ｃｍ−約２０ｃｍの、直径約５ｃｍ−約２０ｃｍの、直径約５ｃｍ−約１５ｃｍの、直径約１０ｃｍ−約４５ｃｍの、および／またはそれらの組み合わせであってもよい。要素は、１つまたは２つ以上の長手方向のチャネルを含んでもよい。例えば、要素は、各行に４−７チャネルを有する、７つの行に配列された約３７個のチャネルを有してもよい。要素は、各行に３−５チャネルを有する、５つの行に配列された約１９個のチャネルを有してもよい。各チャネルは、独立して、あらゆる所望の形状および／または寸法を有してもよい。いくつかの態様において、チャネルは、約１ｍｍ−約１５ｃｍの、約２ｍｍ−約１０ｃｍの、約５ｍｍ−約５ｃｍの、約１ｃｍ−約５ｃｍの、および／またはそれらの組み合わせの半径を有する、一般的な円形状を有してもよい。
【００３６】
要素チャネルおよび孔は、いくつかの態様によれば、サイズ、幾何学的形態（geometry）、および／または機能に基づいて区別されてもよい。例えば、孔は、チャネルより１または２以上の小さなオーダーの大きさであってもよく（例えば、２−１０のオーダーでより小さいなど）、不規則な（例えば、回旋状（convoluted）など）フロー経路を画定してもよく、および／または閾値サイズより下の分子のみを許容してもよい。チャネルは、孔より１または２以上の大きなオーダーの大きさであってもよく、規則的なフロー経路を画定してもよく、および／または全てのもしくは実質的に全ての汚染された媒体（例えば、流体、懸濁された粒子、および溶解された材料など）を許容してもよい。
【００３７】
セラミック要素は、いくつかの態様によれば、フィルタおよび基体を含んでもよい。膜フィルタが基体に適用されて、その各チャネルに沿って並んでもよい。各チャネル中に流れ込む流体の一部は、背圧の影響下で膜を通過して通る。図５Ｃに示すとおり、汚染物質はチャネルの内部に残留し、クリーニングされた流体は膜を通って流れ、次いで基体を通る。いくつかの態様において、セラミック要素の大部分は、基体材料を含んでもよい。
【００３８】
セラミック要素（例えば、基体など）は、約１００％（ｗ／ｗ）までのシリコンカーバイドを含んでもよい。シリコンカーバイド（ＳｉＣ）は、半導体材料であり、これは、絶縁体および金属間の電気伝導性をランク付けする（rank）電気伝導性を有することを意味する。半導体は、その電気コンダクタンスをドーパントの添加により変化させる。ＳｉＣについては、電気伝導性を増加させるドーパントは、例えば、ホウ素、アルミニウムおよび窒素などを含んでもよい。
【００３９】
セラミック要素は、いくつかの態様において、存在する固体（例えば、溶解された固体、懸濁された固体など）のサイズに関して選択的に流体をフィルタするように構成されてもよい。例えば、セラミック要素は、それらのサイズに基づいて汚染物質（例えば、粒子など）を分離、除外、および／または除去するサイズになった孔を有する膜を含んでもよい。いくつかの態様によれば、セラミック要素は、それらの電荷に関して、汚染物質を分離、除外、および／または除去するように構成されてもよい。例えば、セラミック要素は、流体（例えば、汚染された媒体、前の精製ステップにおいて生成した浸透物など）中の電荷を帯びた汚染物質の数を減らすように構成されてもよい。セラミック要素は、さらに１つの（one  more）極性および／または電荷を帯びた構成要素を含んでもよい。セラミック要素は、いくつかの態様において、電流を流した際に電荷を帯び得る、１種または２種以上の構成要素を含んでもよい。いくつかの態様によれば、電荷を帯びた汚染物質を、流体が要素を連続して通る際に、反対の電荷を帯びた基体材料への吸着により、分離、除外、および／または除去してもよい。
【００４０】
セラミック要素は、流体中の極性（例えば、電荷を帯びたなど）汚染物質（例えば、汚染された媒体など）が、セラミック要素内で反対の電荷を帯びた構成要素に付着するように構成されて操作されてもよい。これらの汚染物質およびセラミック要素間での付着は、少なくともいくらかの電荷を帯びた粒子の浸透物中への通過を妨げるのに十分に強いものであってもよい。例えば、膜表面で正味の負の電荷を注入するのに十分な電流および／または電圧を、セラミック要素に印加してもよい。かかる電荷を帯びた要素を通過して通る汚染された媒体中の正の極性および／または電荷（例えば、カチオン、両性イオンなど）を有する汚染物質は、それらが浸透物中に連続して流れ込まない、十分な親和力（avidity）を有する要素に吸着してもよい。代替的に、例えば、膜表面で正味の正の電荷を注入するのに十分な電流を、セラミック要素に流してもよい。かかる電荷を帯びた要素を通過して通る汚染された媒体中の負の極性および／または電荷（例えば、アニオン、両性イオンなど）を有する汚染物質は、それらが浸透物中に流れ込まない、十分な親和力を有する要素に吸着してもよい。反対の極性を有する２つまたは３つ以上のセラミック要素を、一連で配列して、正の極性を与えられておよび／または正の電荷を帯びた種、ならびに負の極性を与えられておよび／または負の電荷を帯びた種の両方の低減された濃度を有する浸透物を形成してもよい。例えば、第１の電荷を帯びたセラミック要素からの浸透物を、第２の電荷を帯びた（例えば、反対の電荷を帯びたなど）セラミック要素と流体的に（fluidically）連結してもよい。所望の時刻（例えば、規則的なまたは不規則な間隔など）で、基体に印加された電流および／または電圧を反対にして、あらゆる吸着された極性および／または電荷を帯びた種を脱着させてもよい。１つより多い、電荷を帯びた基体が一連で配列される場合には、交互の電荷を調和させて下流の基体に所望されずに結合するものから脱着された材料を最小化してもよい。
【００４１】
セラミック要素は、いくつかの態様において、高い表面積（例えば、極めて高い表面積など）を有してもよい。電荷を帯びた汚染物質を吸収するためのセラミック要素の容量は、表面積と相関してもよい。例えば、高い表面積により、セラミック要素が、有意の質量のイオンを吸着することが可能となってもよい。電荷に基づいて選択的に汚染物質を除去するように構成された要素の表面積は、経時的に、吸着されたイオンで飽和されるようになってもよい。流れる電流の極性を反対にして、マトリクスから吸着されたイオンを効率的に分離（例えば、脱着など）してもよい。脱着から得られた流体を回収してもよく、従来のＴＤＳ除去技術に対するもの（フローの１％未満）よりずっと大きな濃度を有するブラインを生成してもよい。反対の極性の脱着ステップからのブラインを混合することにより、濃縮された塩の溶液を提供してもよい。
【００４２】
いくつかの態様において、汚染された流体が曝露された、電荷を帯びたセラミック要素の順序は、正であり、次が負であり、または負であり、次が正であってもよい。例えば、１つの要素は、自身に適用された正の電荷を有して、負の電荷を帯びるイオン（例えば、塩化物など）を吸着してもよい。一連の次の要素またはモジュールは、正の電荷を帯びるイオン（例えば、ナトリウムなど）を吸着するために自身に適用された負の電荷を有してもよい。各極性が繰り返される回数は、その場合に（if  at  all）、汚染された媒体中に存在するかまたは潜在的に存在する、電荷を帯びた汚染物質（例えば、種類、濃度、ｐＨ、ｐＩ、またはそれらの組み合わせなど）により変化してもよい。セラミック要素中の電荷を帯びた汚染物質の濃度、および／または流れる電流の強さは、所望または必要に応じて変化させて、汚染された媒体中に存在するかまたは潜在的に存在する、電荷を帯びた汚染物質の十分な結合を達成してもよい。電荷を帯びた基体に結合し得る汚染物質は、塩のイオン、塩基のカチオン、酸のアニオン、アンモニア、硝酸塩、亜硝酸塩、有機物、およびそれらの組み合わせを含んでもよい。溶解された極性汚染物質は、金属、イオン、塩、有機化合物、およびそれらの組み合わせを含んでもよい。いくつかの態様によれば、一連の連続する正および負の電荷を帯びた要素／モジュールの各セットは、イオン除去のための単一の段階を含む。追加の段階を加えて、全ての総溶存固体（ＴＤＳ）までの除去を可能にしてもよい。
【００４３】
いくつかの態様において、吸着（例えば、種および／または容量など）は、要素上に存在する電荷の極性および／または振幅（amplitude）による影響を受けてもよい。要素上の電荷は、ドーパントの固有の電荷および／またはあらゆる所望の他の手段により生じてもよい。例えば、極性を、磁気的に誘起してもよく、または電流を流すことにより生じさせてもよい。吸着（例えば、種および／または容量など）を、いくつかの態様によれば、電荷全体、正味電荷、電荷の比に対する質量、および／または、基体および／または汚染物質の表面積比への電荷により生じさせてもよい。吸着（例えば、種および／または容量など）は、流体が要素の浸透側に到達するために通過する基体の距離による影響を受けてもよい。例えば、狭い直径のチャネルを有する要素の吸着容量は、より広いチャネルを有する要素より大きいものであってもよい（例えば、２つの要素が、同一のまたは実質的に同一の外部寸法およびチャネルの数を有することを想定してなど）。一方がより少ないチャネルを有し、他方がより多いチャネルを有する場合には同一の直径のチャネルを有する要素の吸着容量は、異なるものであり得、前者はより高い吸着容量を有する。いくつかの態様によれば、同一の極性の他の種と比較して、１種（例えば、選択的吸着など）または２種以上（例えば、準選択的（semi−selective）吸着など）の種の要素へ優先的な吸着を達成するために、１つまたは２つ以上のパラメータを変化させてもよい。選択的および／または準選択的吸着を行うように構成された精製モジュールを併せて、結合されたイオンの脱着の際に、１種または２種以上の所望の塩を生成してもよい。例えば、ナトリウムイオンを選択的に結合させるように構成され、操作された精製モジュールからの脱着ストリームを、塩化物イオンを選択的に結合させるように構成され、操作された精製モジュールからの脱着ストリームと併せて、溶解された塩化ナトリウムを含む溶液を生成してもよい。
【００４４】
正味電荷により操作するように構成されたセラミック要素は、任意に、サイズに基づいて粒子の除去のための膜を除外しても、または含んでもよい。要素チャネルは、あらゆる所望のサイズまたは配列を有してもよい。例えば、要素中の全てのチャネルは、同一のサイズを有してもよく、行および列の規則的なパターンに配列されてもよい。いくつかの態様において、各チャネルは、同一の要素中の他のチャネルと独立した直径を有してもよい。チャネルは、いくつかの態様において、不規則な配列を有してもよい。フィルタに沿って並ぶチャネルは、操作の際に、要素にわたる潜在的圧力の降下を管理する目的で、サイズが決められて配列されてもよい。ろ過層のないチャネルは、所望の吸着容量を達成する目的で、サイズが決められて配列されてもよい。
【００４５】
セラミック膜システム
いくつかの態様において、システムは、（ａ）サイズに基づいて粒子を除去するように構成されたフィルタを有する第１のセラミック要素、（ｂ）任意にフィルタを除く、第１の要素から浸透物を受容し、負の電荷を帯びた汚染物質を除去するように操作および／または構成された、第２のセラミック要素、および（ｃ）任意にフィルタを除く、第２の要素から浸透物を受容し、正の電荷を帯びた汚染物質を除去するように操作および／または構成された、第３のセラミック要素、を含んでもよい。各セラミック要素は、クロスフローまたはデッドエンド精製を行うように操作されてもよい。例えば、第１の要素は、クロスフローろ過を行うように構成および／または操作されてもよく、続く要素は、デッドエンド精製を行うように構成および／または操作されてもよい。
【００４６】
いくつかの態様において、システムは、２つ以下の操作ユニットを含んでもよく、ここで、第１の操作ユニットは、サイズに基づいて汚染物質を除去して、第１の極性を有する、電荷を帯びた汚染物質を除去するように構成された少なくとも１つのセラミック膜を含み、ここで、第２の操作ユニットは、第１のユニットから流体（例えば、浸透物など）を受容して、第１の極性と反対の極性を有する、電荷を帯びた汚染物質を除去するように構成されている。システムは、いくつかの態様において、３つ以下の操作ユニットを含んでもよい。例えば、システムは、サイズに基づいて汚染物質を除去するように構成された第１の操作ユニット、第１のユニットから流体（例えば、浸透物など）を受容して、第１の極性を有する、電荷を帯びた汚染物質を除去するように構成された第２の操作ユニット、および第２のユニットから流体（例えば、浸透物など）を受容して、第１の極性と反対の極性を有する、電荷を帯びた汚染物質を除去するための第３の操作ユニット、を含んでもよい。システムが他の構成要素（例えば、特にポンプ、バルブ、モニタ、コントローラ、タンクおよびパイプなど）を含んでもよい一方で、あらゆるさらなる操作ユニット（例えば、ホスト流体から汚染物質を分離、除外、および／または除去するユニットなど）を除外してもよい。
【００４７】
使用方法
本開示は、いくつかの態様によれば、精製システムおよび／または装置を使用するための方法に関する。例えば、精製および／またはろ過方法は、（ａ）汚染物質固体、溶解された塩のアニオン、および溶解された塩のカチオンを含む媒体を提供すること、（ｂ）汚染物質固体を粒子に凝集させること、（ｃ）粒子を除去して第１の部分的に精製された媒体を生成すること、（ｄ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性とは反対の第２
の極性を有する反対の電荷を帯びた塩のイオンが第１の基体に結合することを可能にする条件下で第１の極性の正味電荷を有する第１の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、および／または（ｅ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性を有する反対の電荷を帯びた塩のイオンが第２の基体に結合することを可能にする条件下で第２の極性の正味電荷を有する第２の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、を含んでもよい。溶解された汚染物質を粒子に凝集させることは、いくつかの態様によれば、例えば、高固体接触リアクタ中などで、汚染物質を酸化、還元、沈殿、および／または凝固させることを含んでもよい。溶解された汚染物質を凝集させることは、汚染された媒体を、凝固剤、塩基、空気（例えば、通気ユニットなどにより）、溶存酸素（例えば、溶存酸素ユニットなどにより）、および／または他の化学物質と接触させて、金属酸化、還元、化学的沈殿、化学的凝固、またはそれらの組み合わせを許容することおよび／または促進することを含んでもよい。いくつかの態様において、例えば１つの極性の電荷を帯びた種（例えば、アンモニアなど）のみが除去されなければならない場合には、最終ステップであるステップ（ｅ）を省略してもよい。
【００４８】
いくつかの態様において、本開示は、精製システムおよび／または装置の使用のための方法に関する。例えば、精製および／またはろ過方法は、（ａ）懸濁されたまたは溶解された汚染物質、および溶解された塩を含む媒体を提供すること、（ｂ）サイズに基づいて媒体をろ過して、懸濁されたまたは溶解された汚染物質を除去して、第１の部分的に精製された媒体を生成すること、（ｃ）第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性とは反対の第２の極性を有する反対の電荷を帯びた塩のイオンが第１の基体に結合することを可能にする条件下で第１の極性の正味電荷を有する第１の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、および／または（ｄ）任意に、第１の部分的に精製された媒体を、第１の極性を有する反対の電荷を帯びた塩のイオンが第２の基体に結合することを可能にする条件下で第２の極性の正味電荷を有する第２の基体と接触させて、第２の部分的に精製された媒体を形成すること、を含んでもよい。
【００４９】
いくつかの態様によれば、本開示は、精製システムおよび／または装置の使用のための方法に関する。例えば、精製および／またはろ過方法は、汚染された流体をフィルタ（例えば、セラミックろ過膜など）に接触させることを含んでもよい。いくつかの態様によれば、汚染された流体をフィルタ（例えば、セラミックろ過膜など）に接触させることには、浸透物（例えば、フィルタの孔を通って通過する流体など）および濃縮物（例えば、フィルタの孔を通って通過しない流体など）を生成することが含まれてもよい。
【００５０】
いくつかの態様において、精製システム、装置、および／または方法は、いくつかの態様によれば、連続的に、実質的に連続的に（例えば、連続的だが短い保守作業があるなど）、準連続的に（例えば、１日つき２４時間未満など）、周期的に（例えば、規則的なおよび／または不規則な間隔など）、要求に応じて、またはそれらの組み合わせで操作されるように構成されてもよい。いくつかの態様において、精製システム、装置、および／または方法を操作して、対象の流体のマイクロろ過、限外ろ過、および／またはナノろ過を提供してもよい。
【００５１】
いくつかの態様によれば、より少ない回数の周期的試験（例えば、ＱＡ／ＱＣ試験など）でまたは周期的試験（例えば、ＱＡ／ＱＣ試験など）なしでろ過を行ってもよい（例えば、ろ過モジュールを操作してもよいなど）。例えば、存在する水ろ過システムは、毎日試験されて、膜完全性（integrity）およびリーク（leak）なしのろ過を評価および／または保証する必要があり得る。いくつかの態様によるセラミック要素の配置により、頻繁に試験する必要なしに、少なくとも同レベルの確実性を単独で提供してもよい。
【００５２】
方法は、いくつかの態様において、あらゆる所望のスループット（例えば、汚染された媒体取り込み（intake）、浸透産生物、濃縮産生物、および／またはそれらの組み合わせなど）により流体精製システムを操作することを含んでもよい。例えば、方法は、膜要素の数を変化させること、および／または使用されるモジュールの数を変化させることにより、所望のプロセシング体積を達成するのに大規模に実現可能（scalable）であってもよい。
【００５３】
いくつかの態様において、流体精製および／またはろ過方法は、サイズに基づいて少なくともいくらかの粒子（例えば、溶解された固体など）を除去すること、および／または
電荷に基づいて少なくともいくらかの汚染物質（例えば、溶解された塩など）を除去することを含んでもよい。例えば、方法は、汚染された媒体を、膜を含むセラミック要素と接触させて第１の浸透物を生成すること、任意に、第１の浸透物を、第１の極性の正味電荷を含むセラミック要素と接触させて第２の浸透物を生成すること、および任意に、第２の浸透物を、第２の極性の正味電荷を含むセラミック要素と接触させて第３の浸透物を生成すること、を含んでもよい。いくつかの態様において、第１の極性は、第２の極性と反対であってもよい。第１のおよび／または第２の極性は、流れる電流、１種または２種以上の化学的に電荷を帯びた基（chemical  charge  group）、またはそれらの組み合わせにより生じてもよい。第１のセラミック要素は、サイズに基づいて粒子を選択的に除去するように構成されてもよい。任意の第２のおよび第３のセラミック要素は、独立して、電荷に基づいて汚染物質を選択的に除去するように構成されてもよい。
【００５４】
いくつかの態様において、流体が要素を通って通過する際に、負のイオンはＳｉＣ基体上に吸着する。浸透物は、次いで負の電荷を有する第２の要素／モジュールへ移送されてカチオンを除去してもよい。サイズに基づいくろ過（例えば、限外ろ過など）を提供する第１の要素により、膜の層は、後続の要素またはモジュールのいずれにおいて要求されなくてもよい。膜の省略により、圧力降下を大幅に減少し得る。
【００５５】
第１のものの後の後続の要素／モジュールは、デッドエンドモードで操作されてもよい。クロスフローが、ろ過用途のために所望および／または必要とされ得；例えば、せん断が提供されて汚れを減少させ得るなどである。いったんろ過が（例えば、第１の要素／モジュールなどで）行われると、クロスフローは必要とされなくてもよい。デッドエンドモードの後続の要素を操作することは、ポンプのエネルギー要件を減少させ得る。いくつかの態様において、（膜の汚れを減少または排除するための）動的衝撃を、存在する場合には膜に適用してもよい。例えば、最初のろ過要素中の固体、ならびに第２のおよび第３の要素中の粒子（例えば、溶解された塩など）を減少／除去するように構成されたシステム中で、動的衝撃を第１の要素に適用してもよい。いくつかの態様において、マルチ要素システム中の全ての要素に動的衝撃を適用することにより、相乗効果を提供してもよい。
【００５６】
いくつかの態様において、濃縮タンクは、金属酸化、凝固、硬度除去（hardness  removal）、および／またはそれらの組み合わせのための反応容器として構成されてもよい。この機能性を、膜の濃縮側に位置させてもよい。
【００５７】
具体例の態様
精製システムの具体例の態様を、図１に例示する。精製システム１００は、高固体接触リアクタ１１０、高固体接触リアクタ１１０と流体連通している任意ポンプ１１２、高固体接触リアクタ１１０および／またはポンプ１１２と流体連通しているアニオン除去ユニット１７０、およびアニオン除去ユニット１７０と流体連通しているカチオン除去ユニット１８０を含み、ここで、ポンプ１１２は、高固体接触リアクタ１１０からアニオン除去ユニット１７０へ流体を輸送するように構成されている。高固体接触リアクタ１１０は、硬度を減少させるように、および／または汚染物質を除去するように構成されてもよい。例えば、高固体接触リアクタ１１０は、汚染された媒体を、（ａ）溶存酸素（例えば、サブミクロンサイズの泡など）および／または（ｂ）１種または２種以上の他の材料もしくは沈殿剤と接触させる（またはそれらの間での接触を可能にする）ように構成されてもよい。
【００５８】
アニオン除去ユニット１７０は、示されるとおりクロスフロー要素（例えば、ナノフィルタなど）またはデッドエンド要素として構成されてもよい。アニオン除去ユニット１７０はまた、（例えば、本質的にまたは電流を流す際などに）正味の正の電荷を有する１種または２種以上の材料を含んで、アニオン（例えば、正味の負の電荷を有する分子および／または粒子など）の除去のための正の電荷１７１を生成してもよい。アニオン除去ユニット１７０は、高固体接触リアクタ１１０からの固体１１９を有する媒体を受容して、排出物ストリーム１７８および浸透物ストリーム１７９を生成してもよい。排出物ストリーム１７８は、流体１１９より高濃度の固体および／またはより低濃度のアニオンを有してもよい。浸透物ストリーム１７９は、流体１１９より低濃度のアニオンを有してもよい。
【００５９】
カチオン除去ユニット１８０は、デッドエンド要素として構成されてもよく、（例えば、本質的にまたは電流を流す際などに）正味の負の電荷を有する１種または２種以上の材料を含んで、カチオン（例えば、正味の正の電荷を有する分子および／または粒子など）の除去のための負の電荷１８１を生成してもよい。カチオン除去ユニット１８０は、アニオン除去ユニット１７０からの浸透物１７９を受容して、少なくとも部分的に精製された媒体ストリーム１８９を生成してもよい。ストリーム１８９は、流体１７９より低濃度のカチオンを有してもよい。
【００６０】
操作において、汚染された媒体１０１は、固体が（例えば、沈殿などにより）生成される高固体接触リアクタ１１０へ入る。固体１１９を有する媒体は、ポンプによりアニオン除去ユニット１７０へ搬送され、ここで、切り捨てられるサイズ／分子量より上の固体が（正味電荷と独立して）ろ過（例えば、膜によるものなど）により除去され、正の電荷１７１への吸着によりアニオンが除去される。媒体１１９は、高固体接触リアクタに戻される排出物ストリーム１７８および浸透物１７９に分離される。浸透物１７９は、カチオン除去ユニット１８０へ入り、ここで、カチオンは、負の電荷１８１への吸着により除去されて少なくとも部分的に精製された媒体ストリーム１８９を生成する。
【００６１】
精製システムの具体例の態様を、図２に例示する。精製システム２００は、精製モジュール２２０、精製モジュール２２０と流体連通しているアニオン除去ユニット２７０、およびアニオン除去ユニット２７０と流体連通しているカチオン除去ユニット２８０を含む。精製モジュール２２０は、粒子サイズに基づいて汚染物質を除去して、少なくとも部分的に精製された浸透物である浸透物２６９を生成するように構成されてもよい。精製モジュール２２０は、汚染された媒体２０１を受容して、排出物ストリーム２６８および浸透物２６９を生成してもよい。排出物ストリーム２６８は、媒体２０１より高濃度の固体を有してもよい。浸透物２６９は、媒体２０１より低濃度の固体を有してもよい。例えば、浸透物２６９は、固体を含まないものまたは実質的に固体を含まないものであってもよい。
【００６２】
アニオン除去ユニット２７０は、示されるとおりデッドエンド要素またはクロスフロー要素として構成されてもよい。アニオン除去ユニット２７０はまた、（例えば、本質的にまたは電流を流す際などに）正味の正の電荷を有する１種または２種以上の材料を含んで、アニオン（例えば、正味の負の電荷を有する分子および／または粒子など）の除去のための正の電荷２７１を生成してもよい。アニオン除去ユニット２７０は、精製モジュール２２０からの浸透物２６９を受容して、浸透物ストリーム２７９を生成してもよい。浸透物２７９は、媒体２６９より低濃度のアニオンを有してもよい。例えば、浸透物２７９は、アニオンを含まないものまたは実質的にアニオンを含まないものであってもよい。
【００６３】
カチオン除去ユニット２８０は、示されるとおりデッドエンド要素またはクロスフロー要素として構成されてもよく、（例えば、本質的にまたは電流を流す際などに）正味の負の電荷を有する１種または２種以上の材料を含んで、カチオン（例えば、正味の正の電荷を有する分子および／または粒子など）の除去のための負の電荷２８１を生成してもよい。カチオン除去ユニット２８０は、アニオン除去ユニット２７０からの浸透物２７９を受容して、少なくとも部分的に精製された媒体ストリーム２８９を生成してもよい。ストリーム２８９は、流体２７９より低濃度のカチオンを有してもよい。例えば、浸透物２８９は、カチオンを含まないものまたは実質的にカチオンを含まないものであってもよい。
【００６４】
示されるとおり、精製モジュール２２０、アニオン除去ユニット２７０、およびカチオン除去ユニット２８０は、互いに分離されていてもよい。例えば、精製モジュール２２０、アニオン除去ユニット２７０、およびカチオン除去ユニット２８０は、相互に連結されたパイプにより、互いに流体連通しているものであってもよい。第１のおよび第２の極性を与えられたまたは極性を与えられ得る材料を、互いに反対の極性を有するように選択してもよい。いくつかの態様において、システムは、所望により１つまたは２つ以上のバルブ、ポンプ、および／またはコントローラ（例えば、温度、圧力、流速など）を含んでもよい。
【００６５】
操作において、汚染された媒体２０１は、精製モジュール２２０へ入り、ここで、切り捨てられるサイズ／分子量より上の固体（例えば、沈殿物など）が（正味電荷と独立して）ろ過（例えば、膜によるものなど）により除去される。得られた浸透物２６９は、精製モジュール２２０を出て、アニオン交換（exchange）ユニット２７０へ入る。アニオンは、正の電荷２７１への吸着により除去される。得られた浸透物２７９は、アニオン除去ユニットを出て、カチオン除去ユニット２８０へ入り、ここで、カチオンは、負の電荷２８１への吸着により除去される。
【００６６】
精製モジュールの具体例の態様を、図３に例示する。精製モジュール３２０は、汚染媒体チャンバ３２２、浸透チャンバ３３０、および濃縮チャンバ３６０を含む。示されるとおり、汚染媒体チャンバ３２２および浸透チャンバ３３０は、複数のボルトおよびナットにより互いに固定されている。濃縮チャンバ３６０は、浸透チャンバ３３０の末端部に同様に固定されている。汚染媒体チャンバ３２２は、入口３２４、汚染媒体チャンバ本体３２６、およびフランジ３２８を含む。示されるとおり、浸透チャンバ３３０は、フランジ３３１、浸透チャンバ本体３３２、および出口３３３を含む。
【００６７】
操作において、流体密封シールにより、入口３２４を通って本体３２６により画定されるキャビティ中へ、および浸透チャンバ中に位置されたクロスフローフィルタ中を通って移動する汚染された媒体がもたらされる。フィルタに浸透する流体は、浸透出口３３３を通って通過する。フィルタに浸透しない流体は、濃縮チャンバ３６０へ入る。
【００６８】
取り付けられたフィルタアセンブリを有する浸透チャンバの具体例の態様を、図４に例示する。示されるとおり、複数のろ過アセンブリ４４０が、浸透チャンバ４３０のエンドプレート中の開口部において挿入される。各セラミック要素アセンブリは、各端部において、ガスケット４４１を有する細長いセラミック要素を含む。セラミック要素アセンブリ４４０は、浸透チャンバ４３０のエンドプレート中の開口部に位置されており、それにより、ガスケット４４１は、浸透チャンバ４３０の各端部で流体密封シールを形成する。
【００６９】
セラミック膜の具体例の態様を、図５Ａ−５Ｃに例示する。セラミック要素５５０は、チャネル５５１、ろ過層５５２、基体５５３、面５５４、および側面５５５を含む。示されるとおり、セラミック要素５５０は、一般的に円状チャネル５５１を有する、一般的に六角形の断面を有する。チャネル５５１は、その長さに沿ってセラミック要素５５０を通って伸びている。ろ過層５５２は、基体５５３にわたって位置され、外部ろ過層５５２ａ、面ろ過層５５２ｂ、および内部ろ過層５５２ｃを含む。外部ろ過層５５２ａは、面５５４から側部５５５の一部に沿って伸びている。各チャネル５５１の内部表面は、内部ろ過層５５２ｃにより完全に覆われている。面ろ過層５５２ｂは、面５５４を覆い、外部ろ過層５５２ａおよび内部ろ過層５５２ｃとつながっている。ろ過層５５１は、両方の面の周りをくるんでいてもよく、フィルタの各端部で側面を部分的に覆っていてもよい。図５Ｃは、セラミック要素の断面図を例示する。汚染された流体はチャネル５５１へ流れ、浸透物（矢印）は、汚染された媒体フロー経路に一般的に垂直なろ過層５５２ｃを通って通過する。
【００７０】
セラミック膜の具体例の態様を、図６に例示する。セラミック要素６５０は、チャネル６５１、基体６５３、面６５４、および側部６５５を含む。セラミック要素６５０は、ろ過層を含まない。示されるとおり、セラミック要素６５０は、一般的に円状チャネル６５１を有する、一般的に六角形の断面を有する。チャネル６５１は、その長さに沿ってセラミック要素５５０を通って伸びている。図６は要素６５０の断面図を例示し、断面は、要素の長手軸に一般的に垂直である。チャネル６５１は、例示するとおり、流体が要素の浸透側へ到達する前に通って通過する基体６５３のより大きな距離を与える、比較的小さな（例えば、チャネル５５１より小さいなど）直径を有してもよい。図７は要素７５０の断面図を例示し、断面は、要素の長手軸に一般的に垂直である。チャネル７５１は、例示するとおり、流体が要素の浸透側へ到達する前に通って通過する基体７５３のより大きな距離を可能にする、少ない数（例えば、チャネル５５１より少ないなど）であってもよい。
【００７１】
本開示の利益を有する当業者により理解されるであろうとおり、流体ろ過のための他の均等のまたは代替の組成物、デバイス、方法、およびシステムは、本願に含まれる開示から逸脱することなく想到されることができる。したがって、示されて記載されるとおり、本開示を実行する方式は、例示のみとして解釈されるべきである。
【００７２】
当業者は、本開示の範囲から逸脱することなく、形状、サイズ、数、および／または部品の配置について種々の変更をしてもよい。例えば、入口、開口部、フィルタ、ガスケット、バルブ、ポンプ、センサ、および／または出口の位置および数を変更してもよい。いくつかの態様において、フィルタ、シールガスケット、および／またはろ過アセンブリは、交換可能であってもよい。交換可能性は、汚染物質のサイズおよび／または種類が、（例えば、使用されるフィルタの孔サイズおよび／または種類を変化させるかまたは選択することなどにより）カスタムで調節される（custom  adjusted）ことを可能にしてもよい。さらに、デバイスおよび／またはシステムのサイズは、スケールアップ（例えば、ハイスループットの商業的または公の（municipal）流体ろ過用途に使用されるなど）またはスケールダウン（例えば、より低いスループットの家庭または研究用途に使用されるなど）されて、実施者の必要性および／または所望に合わせてもよい。各開示された方法および方法ステップを、いくつかの態様によれば、あらゆる他の開示された方法または方法ステップと関連して、またはあらゆる順番で行ってもよい。動詞「してもよい、し得る（may）」が現れるところでは、任意および／または許可条件が示唆されることが意図されるが、その使用は、特に述べない限り、いかなる操作可能性の欠如も示唆することを意図しない。当業者は、本開示の組成物、デバイス、および／またはシステムを調製し、使用する方法における種々の変更をしてもよい。例えば、（例えば、衛生、伝染性、安全性、毒性、生物測定学（biometric）、および他の考察などに関して）組成物、デバイス、および／またはシステムを動物および／またはヒトに適切なものとして、調製および／または使用してもよい。記載されない要素、組成物、デバイス、システム、方法、および方法ステップは、所望または必要に応じて含まれてもよく、または除外されてもよい。
【００７３】
また、範囲が提供された場合には、開示された終点は、特定の態様により所望および／または要求されるとおりの正確なものおよび／またはおよそのものとして扱われてもよい。終点がおよそのものである場合には、柔軟性の程度は、範囲の大きさのオーダーに比例して変化してもよい。例えば、一方では、約５−約５０の範囲の意味における範囲の終点である約５０は、５２．５または５５ではない５０．５を含んでもよく、他方では、約０．５−約５０の範囲の意味における範囲の終点である約５０は、６０または７５ではない５５を含んでもよい。さらに、いくつかの態様において、範囲の終点を混合して合わせることが所望され得る。また、いくつかの態様において、（例えば、１つまたは２つ以上の例、表、および／または図面などにおいて）開示される各数値は、範囲（例えば、描かれた（depicted）値＋／−約１０％、描かれた値＋／−約５０％、描かれた値＋／−約１００％など）および／または範囲の終点の基礎を形成してもよい。前者については、例、表、および／または図面において描かれた値である５０は、例えば、約４５−約５５、約２５−約１００、および／または約０−約１００などの範囲の基礎を形成してもよい。開示されるパーセンテージは、特に述べる場合を除いて重量パーセンテージである。
【００７４】
流体ろ過のためのデバイスおよび／またはシステムの全てまたは一部を、使い捨て可能に、実用的に、交換可能に、および／または置き換え可能に構成して、配列してもよい。自明の変化および変更に沿ったこれらの均等物および／または代替物は、本開示の範囲内に含まれることが意図される。したがって、上記の開示は、添付の特許請求の範囲により例示されるとおり、本開示の範囲を、限定するものではなく例示するものであることが意図される。
【００７５】
発明の名称、要約、背景、および見出しは、規則に準拠しておよび／または読み手の便宜のために提供される。それらは、従来技術の特許請求の範囲および内容についての容認ならびに開示された全ての態様に適用可能な制限を含まない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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