(57)【要約】【課題】  一態様において、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物を提供する。【解決手段】  本開示は、一態様において、研磨材（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）及び水系媒体を含有し、前記成分Ｂが、主鎖又は側鎖にフェニルエーテル骨格を有する陽イオン性高分子である、研磨液組成物に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨材（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）及び水系媒体を含有し、
前記成分Ｂが、主鎖又は側鎖にフェニルエーテル骨格を有する陽イオン性高分子である、研磨液組成物。
【請求項２】
前記成分Ｂが、疎水性の構成単位と、陽イオン性基がエーテル結合したフェニルエーテル骨格を主鎖又は側鎖に有する構成単位と、を含む共重合体である、請求項１に記載の研磨液組成物。
【請求項３】
前記成分Ｂが、フェノール骨格を主鎖又は側鎖に有する構成単位と、陽イオン性基がエーテル結合したフェニルエーテル骨格を主鎖又は側鎖に有する構成単位と、を含む共重合体である、請求項１又は２に記載の研磨液組成物。
【請求項４】
前記成分Ｂが、下記式（Ｉ）で表される構成を有する化合物である、請求項１から３のいずれかに記載の研磨液組成物。
【化１】
2020084186.tif 000005
式（Ｉ）中、Ｘは、陽イオン性基を示し、ｍ／ｎは、２０/８０〜８０/２０である。
【請求項５】
成分Ｂの含有量が、０．０１質量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項６】
成分Ａがシリカである、請求項１から５のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項７】
酸化剤をさらに含む、請求項１から６のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項８】
複素環芳香族化合物、脂肪族アミン化合物及び脂環式アミン化合物から選ばれる少なくとも１種をさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項９】
前記研磨液組成物が磁気ディスク基板用研磨液組成物である、請求項１から８のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項１０】
ｐＨは６以下である、請求項１から９のいずれかに記載の研磨液組成物。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する研磨工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれかに記載の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、研磨液組成物、並びにこれを用いた基板の製造方法及び研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するために、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上するため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板には、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、表面粗さ、うねり、端面ダレ（ロールオフ）の低減に代表される平滑性・平坦性の向上とスクラッチ、突起、ピット等の低減に代表される欠陥低減に対する要求が厳しくなっている。
【０００３】
このような要求に対して、例えば、特許文献１には、研磨材、主鎖又は側鎖にフェノール骨格を有する水溶性高分子、及び水を含有する研磨液組成物が開示されている（同文献の実施例、表３）。
特許文献２には、（ａ）無機研磨材、（ｂ）アリールアミン、アミノアルコール、脂肪族アミン、複素環式アミン、ヒドロキサム酸、アミノカルボン酸、環状モノカルボン酸、不飽和モノカルボン酸、置換フェノール、スルホンアミド、チオール、これらの塩及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、かつｐＫａ約３〜９の官能基を有する研磨添加剤、及び（ｃ）液体キャリアを含む研磨液組成物が開示されている。
特許文献３には、酸化剤、酸化金属溶解剤、第１保護膜形成剤、第２保護膜形成剤及び水を含む金属用研磨液が開示されており、第２保護膜形成剤の好ましい例として、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド等が記載されている（同文献の段落［００３６］、実施例）。
特許文献４には、液状媒体と、４価金属元素の水酸化物を含む砥粒と、ポリオキシアルキレン化合物と、陽イオン性ポリマーとを含有し、ポリオキシアルキレン化合物の平均ＨＩ.Ｂ値が１７．０以下である研磨液が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特公平１０−１０２０４１号公報
【特許文献２】特表２００６−５２０５３０号公報
【特許文献３】特開２００７−１４２４６４号公報
【特許文献４】特開２０１４−２０７２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、基板表面のスクラッチをいっそう低減できる研磨液組成物の開発が求められている。また、一般的に、研磨速度とスクラッチとはトレードオフの関係にあり、一方が改善すれば一方が悪化するという問題がある。
【０００６】
そこで、本開示は、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物、並びにこれを用いた磁気ディスク基板の製造方法及び基板の研磨方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示は、一態様において、研磨材（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）及び水系媒体を含有し、前記成分Ｂが、主鎖又は側鎖にフェニルエーテル骨格を有する陽イオン性高分子である、研磨液組成物に関する。
【０００８】
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法に関する。
【０００９】
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含み、前記被研磨基板は、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である、基板の研磨方法に関する。
【発明の効果】
【００１０】
本開示の研磨組成物によれば、一又は複数の実施形態において、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという効果が奏されうる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示は、所定の陽イオン性高分子を含有する研磨液組成物を使用すれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できるという知見に基づく。
【００１２】
すなわち、本開示は、一態様において、研磨材（成分Ａ）、水溶性高分子（成分Ｂ）、酸（成分Ｃ）及び水系媒体を含有する研磨液組成物であって、前記成分Ｂが、主鎖又は側鎖にフェニルエーテル骨格を有する陽イオン性高分子である、研磨液組成物（以下、「本開示の研磨液組成物」ともいう）に関する。
【００１３】
本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
一般的に、陽イオン性高分子とシリカ砥粒等の研磨材との併用は行われていない。なぜなら、通常、陽イオン性高分子の正電荷とシリカ砥粒等の研磨材の負電荷との静電吸着により、陽イオン性高分子と研磨材とが架橋して凝集しやすいからである。
ところが、本開示の特定の陽イオン性高分子（成分Ｂ）は、分子運動性が低く、特殊な立体構造を取ることで研磨材との架橋による凝集を抑制できると考えられる。
そして、研磨時には、成分Ｂの疎水性の部分（フェニルエーテル骨格）が研磨パッドに吸着して研磨パッドが正に帯電化し、負に帯電している研磨材を引きつけ、研磨速度の向上に寄与すると考えられる。
すなわち、成分Ｂは、研磨に使用する前の研磨液組成物中の研磨材の凝集を抑制し、研磨液組成物を研磨に使用中は、研磨材の研磨パッドへの吸着を促進させる機構を有すると考えられる。
さらに、成分Ｂの芳香環が研磨パッドを軟質化させ、スクラッチ低減にも寄与すると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
【００１４】
本開示において、基板表面のスクラッチは、例えば、光学式欠陥検査装置により検出可能であり、スクラッチ数として定量評価できる。スクラッチ数は、具体的には実施例に記載した方法で評価できる。
【００１５】
［研磨材（成分Ａ）］
本開示の研磨液組成物に含まれる研磨材（以下、「成分Ａ」ともいう）としては、研磨用に一般的に使用されている研磨材を使用することができ、金属、金属若しくは半金属の炭化物、窒化物、酸化物、又はホウ化物、ダイヤモンド等が挙げられる。金属又は半金属元素は、周期律表（長周期型）の２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族由来のものである。成分Ａの具体例としては、酸化珪素（以下、シリカという）、酸化アルミニウム（以下、アルミナという）、炭化珪素、ダイヤモンド、酸化マンガン、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウム（以下、セリアという）、酸化ジルコニウム等が挙げられ、これらの１種以上を使用することは研磨速度を向上させる観点から好ましい。中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、成分Ａとしては、シリカ粒子が好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、粉砕シリカ、それらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、コロイダルシリカが好ましい。成分Ａは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１６】
成分Ａの平均粒径は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、１ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１００ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａの平均粒径は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以上７０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、「研磨材の平均粒径」とは、動的光散乱法において検出角９０°で測定される散乱強度分布に基づく平均粒径をいう。研磨材の平均粒径は、具体的には実施例に記載の方法により求めることができる。
【００１７】
本開示の研磨液組成物中における成分Ａの含有量は、研磨速度を向上させる観点から、０．１質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が更に好ましく、そして、スクラッチ低減の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。さらに、成分Ａの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．１質量％以上２０質量％以下が好ましく、１質量％以上１５質量％以下がより好ましく、３質量％以上１０質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の研磨材の組合せである場合、成分Ａの含有量は、それらの合計含有量をいう。なお、成分Ａがシリカの場合、成分Ａの含有量はＳｉＯ2換算した値である。
【００１８】
［水溶性高分子（成分Ｂ）］
本開示の研磨液組成物に用いられる水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、主鎖又は側鎖にフェニルエーテル骨格を有する陽イオン性高分子である。成分Ｂは単独で又は２種以上を混合して用いてもよい。
【００１９】
本開示において、「水溶性」とは、２０℃のｐＨ３の水溶液１００ｇに対する溶解度が０．０１ｇ以上であることをいう。
【００２０】
本開示において、陽イオン性高分子とは、繰り返し構成単位内に陽イオン性基を有するポリマーをいう。陽イオン性基とは、酸の存在下で陽イオンとなる官能基をいい、塩の形態も含むものとする。陽イオン性基としては、一又は複数の実施形態において、窒素原子を含む有機基が挙げられ、例えば、アミノ基、ニトロ基、イミノ基、アンモニウム基等を有する有機基が挙げられる。
【００２１】
本開示において、フェニルエーテル骨格とは、ベンゼン環の少なくとも１つの水素原子が−Ｏ−Ｘに置換された構造を示す。Ｘは、一又は複数の実施形態において、陽イオン性基である。
【００２２】
本開示において、「主鎖」とは、成分Ｂの水溶性高分子において、モノマー単位が結合して形成される直鎖構造のうち最も長い部分をいい、「側鎖」とは、前記直鎖から枝分かれしている部分をいう。
【００２３】
成分Ｂとしては、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、疎水性の構成単位と、陽イオン性基がエーテル結合したフェニルエーテル骨格を主鎖又は側鎖に有する構成単位と、を含む共重合体が好ましく、フェノールまたはフェニル骨格を主鎖又は側鎖に有する構成単位と、陽イオン性基がエーテル結合したフェニルエーテル骨格を主鎖又は側鎖に有する構成単位と、を含む共重合体がより好ましく、フェノール骨格を側鎖に有する構成単位と、陽イオン性基がエーテル結合したフェニルエーテル骨格を側鎖に有する構成単位と、を含む共重合体が更に好ましい。ここで、フェノール骨格とは、ベンゼン環の少なくとも１つの水素原子がヒドロキシ基で置換された構造を示す。
【００２４】
成分Ｂの一実施形態としては、例えば、下記式（Ｉ）で表される構成を有する化合物が挙げられる。
【００２５】
【化１】
2020084186.tif 000002
【００２６】
式（Ｉ）中、Ｘは、陽イオン性基を示す。Ｘは、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、窒素原子を含む陽イオン性基が好ましく、窒素原子を含み、炭素数１以上２０以下の陽イオン性基がより好ましく、アミノ基、ニトロ基、イミノ基及びアンモニウム基から選ばれる少なくとも１種を含み、炭素数１以上２０以下の陽イオン性基が更に好ましい。陽イオン性基の炭素数は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、１以上２０以下が好ましく、２以上１５以下がより好ましく、３以上１２以下が更に好ましい。
【００２７】
式（Ｉ）中のＸとしては、例えば、−Ｒ6Ｎ（Ｒ7)（Ｒ8）、−Ｒ6Ｎ+（Ｒ7）（Ｒ8）（Ｒ9）・Ｙ-が挙げられる。Ｒ6は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、炭素数１以上５以下の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基が好ましく、炭素数１以上５以下の直鎖アルキレン基がより好ましい。Ｒ7〜Ｒ9はそれぞれ独立に、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、水素原子または炭素数１以上５以下の直鎖又は分岐鎖の炭化水素基が好ましく、炭素数１以上５以下のアルキル基がより好ましく、メチル基及びエチル基の少なくとも一方が更に好ましく、メチル基がより更に好ましい。Ｙ-は、アニオンを示す。アニオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、フッ化物イオン等のハロゲン化物イオン；硫酸イオン；リン酸イオン；硝酸イオン；等が挙げられる。
【００２８】
式（Ｉ）中、ｍ／ｎは、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、２０/８０〜８０/２０が好ましく、２５/７５〜７０/３０がより好ましく、３５/６５〜７０/３０が更に好ましく、３５/６５〜５５/４５が更に好ましく、４０/６０〜５０/５０が更に好ましい。
【００２９】
成分Ｂを構成する全構成単位中に占める式（Ｉ）で表される構成の含有量は、一又は複数の実施形態において、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、５０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更に好ましく、１００モル％が最も好ましい。
【００３０】
本開示において、成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるある構成単位の含有量（モル％）として、合成条件によっては、成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた全構成単位を導入するための化合物中に占める前記反応槽に仕込まれた該構成単位を導入するための化合物量（モル％）を使用してもよい。また、本開示において、成分Ｂが２種以上の構成単位を含む場合、２つの構成単位の構成比（モル比）として、合成条件によっては、前記成分Ｂの合成の全工程で反応槽に仕込まれた該２つの構成単位を導入するための化合物量比（モル比）を使用してもよい。
【００３１】
成分Ｂは、式（Ｉ）に含まれないその他の構成単位を有していてもよい。成分Ｂを構成する全構成単位中に占めるその他の構成単位の含有率は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、１０モル％以下が好ましく、５モル％以下がより好ましく、３モル％以下が更に好ましく、１モル％以下が更に好ましく、実質的に０モル％が更に好ましい。
【００３２】
成分Ｂは、一実施形態において、ジアルキルアミンとホルムアルデヒドを用いるマンニッヒ反応により製造できる。成分Ｂは、その他の実施形態において、フェノール骨格を含むポリマーをアルキルアミンハロゲン化合物と高分子反応させることで製造できる。
【００３３】
成分Ｂを構成する各構成単位の配列は、ランダム、ブロック、又はグラフトのいずれでもよい。
【００３４】
成分Ｂの重量平均分子量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、５００以上が好ましく、１，０００以上がより好ましく、１，５００以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１，０００，０００以下が好ましく、７５０，０００以下がより好ましく、５００，０００以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂの重量平均分子量は、５００以上１，０００，０００以下が好ましく、１，０００以上７５０，０００以下がより好ましく、１，５００以上５００，０００以下が更に好ましい。本開示において、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて実施例に記載の条件で測定した値とする。
【００３５】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｂの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０００００１質量％以上が好ましく、０．００００１質量％以上がより好ましく、０．０００１質量％以上が更に好ましく、０．０００５質量％以上が更に好ましく、０．００１５質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．０１質量％以下が好ましく、０．０１質量％未満がより好ましく、０．００９質量％以下が更に好ましく、０．００６質量％以下が更に好ましく、０．００４質量％以下が更に好ましく、０．００２５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｂの含有量は、０．０００００１質量％以上０．０１質量％以下が好ましく、０．００００１質量％以上０．０１質量％以下がより好ましく、０．０００１質量％以上０．００９質量％以下が更に好ましく、０．０００５質量％以上０．００６質量％以下が更に好ましく、０．００１５質量％以上０．００４質量％以下が更に好ましい。
【００３６】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａに対する成分Ｂの質量比（成分Ｂの含有量／成分Ａの含有量）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、以上が好ましく、０．００００００２以上がより好ましく、０．０００００２以上が更に好ましく、０．０００１以上が更に好ましく、０．０００３以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．０２以下が好ましく、０．０１以下がより好ましく、０．００５以下が更に好ましく、０．００３以下が更に好ましく、０．０００８以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ａに対する成分Ｂの質量比は、０．００００００２以上０．０２以下が好ましく、０．０００００２以上０．０１以下がより好ましく、０．０００００２以上０．００５以下が更に好ましく、０．０００１以上０．００３以下が更に好ましく、０．０００３以上０．０００８以下が更に好ましい。
【００３７】
［酸（成分Ｃ）］
本開示の研磨液組成物は、酸（成分Ｃ）を含有する。本開示において、酸の使用は、酸及び／又はその塩の使用を含む。成分Ｃは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３８】
成分Ｃとしては、例えば、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸；有機リン酸、有機ホスホン酸、カルボン酸等の有機酸；等が挙げられる。中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、無機酸及び有機ホスホン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましい。無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸及びリン酸から選ばれる少なくとも１種が好ましく、リン酸及び硫酸の少なくとも一方がより好ましい。有機ホスホン酸としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ＨＥＤＰがより好ましい。これらの酸の塩としては、例えば、上記の酸と、金属、アンモニア及びアルキルアミンから選ばれる少なくとも１種との塩が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期表の１〜１１族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、上記の酸と、１Ａ族に属する金属又はアンモニアとの塩が好ましい。
【００３９】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｃの含有量は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．１質量％以上がより好ましく、０．４質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｃの含有量は、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．１質量％以上３質量％以下がより好ましく、０．４質量％以上２質量％以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の酸からなる場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００４０】
本開示の研磨液組成物中の成分Ａに対する成分Ｃの質量比Ｃ／Ａ（成分Ｃの含有量／成分Ａの含有量）は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、０．００２以上が好ましく、０．０２以上がより好ましく、０．０８以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１以下が好ましく、０．６以下がより好ましく、０．５以下が更に好ましい。より具体的には、質量比Ｃ／Ａは、０．００２以上１以下が好ましく、０．０２以上０．６以下がより好ましく、０．０８以上０．５以下が更に好ましい。
【００４１】
［水系媒体］
本開示の研磨液組成物に含まれる水系媒体としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水、又は、水と溶媒との混合溶媒等が挙げられる。上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が挙げられる。水系媒体が、水と溶媒との混合溶媒の場合、混合媒体全体に対する水の割合は、本開示の効果が妨げられない範囲であれば特に限定されなくてもよく、経済性の観点から、例えば、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。被研磨基板の表面清浄性の観点から、水系媒体としては、イオン交換水及び超純水が好ましい。本開示の研磨液組成物中の水系媒体の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、及び必要に応じて配合される後述する任意成分を除いた残余とすることができる。
【００４２】
［酸化剤（成分Ｄ）］
本開示の研磨液組成物は、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、酸化剤（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含有してもよい。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、ハロゲン原子を含まない酸化剤である。成分Ｄは、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
【００４３】
成分Ｄとしては、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、例えば、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、研磨速度向上の観点、被研磨基板の表面に金属イオンが付着しない観点及び入手容易性の観点から、過酸化水素がより好ましい。
【００４４】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｄの含有量は、研磨速度確保及びスクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、４質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１．５質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｄの含有量は、０．０１質量％以上４質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上２質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上１．５質量％以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の酸化剤からなる場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００４５】
［複素環芳香族化合物（成分Ｅ）］
本開示の研磨液組成物は、複素環芳香族化合物（その塩も含む）（成分Ｅ）をさらに含有してもよい。成分Ｅは１種類であってもよく、２種類以上であってもよい。
【００４６】
成分Ｅとしては、スクラッチ低減の観点から、複素環内に窒素原子を２個以上含む複素環芳香族化合物であることが好ましく、複素環内に窒素原子を３個以上有することがより好ましく、３個以上９個以下が更に好ましく、３個以上５個以下が更に好ましく、３又は４個が更に好ましい。
【００４７】
成分Ｅの具体例としては、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、５−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１Ｈ−テトラゾール、５−アミノテトラゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）、１Ｈ−トリルトリアゾール、２−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノベンゾトリアゾール、及びこれらのアルキル置換体若しくはアミン置換体が好ましい。前記アルキル置換体のアルキル基としては例えば、炭素数１〜４の低級アルキル基が挙げられ、より具体的にはメチル基、エチル基が挙げられる。前記アミン置換体としては１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチレン）アミノメチル］トリルトリアゾールが挙げられる。
【００４８】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｅの含有量は、スクラッチ低減の観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｅの含有量は、０．００５質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０１質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の複素環芳香族化合物からなる場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００４９】
［脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）］
本開示の研磨液組成物は、スクラッチ低減の観点から、脂肪族アミン化合物又は脂環式アミン化合物（成分Ｆ）をさらに含有してもよい。スクラッチ低減の観点から、成分Ｆの分子内の窒素原子数又はアミノ基若しくはイミノ基の併せた数は、２個以上４個以下が好ましい。成分Ｆは１種単独で用いてもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。
【００５０】
前記脂肪族アミン化合物としては、スクラッチ低減の観点から、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、３−（ジエチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジブチルアミノ）プロピルアミン、３−（メチルアミノ）プロピルアミン、３−（ジメチルアミノ）プロピルアミン、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルイソプロパノールアミン、及びＮ−アミノエチル−Ｎ−メチルエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、Ｎ−アミノエチルエタノールアミン（ＡＥＡ）が更に好ましい。
【００５１】
前記脂環式アミン化合物としては、スクラッチ低減の観点から、ピペラジン、２−メチルピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン、１−アミノ−４−メチルピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、及びヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）から選ばれる少なくとも１種が好ましく、ヒドロキシエチルピペラジン（ＨＥＰ）がより好ましい。
【００５２】
本開示の研磨液組成物中の成分Ｆの含有量は、スクラッチ低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、０．０２質量％以上がより好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。より具体的には、成分Ｆの含有量は、０．０１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．０２質量％以上５質量％以下がより好ましく、０．０２質量％以上１質量％以下が更に好ましい。成分Ｆが２種以上の脂肪族アミン化合物及び／又は脂環式アミン化合物からなる場合、成分Ｆの含有量はそれらの合計含有量をいう。
【００５３】
［その他の成分］
本開示の研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、必要に応じてさらにその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、成分Ｂ以外の水溶性高分子、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、可溶化剤等が挙げられる。本開示の研磨液組成物中の前記その他の成分の含有量は、０質量％以上が好ましく、０質量％超がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、そして、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。より具体的には、その他の成分の含有量は、０質量％以上１０質量％以下が好ましく、０質量％超１０質量％以下がより好ましく、０．１質量％以上５質量％以下が更に好ましい。
【００５４】
［研磨液組成物のｐＨ］
本開示の研磨液組成物のｐＨは、研磨速度の確保及びスクラッチ低減の観点から、６以下が好ましく、５以下がより好ましく、４以下が更に好ましく、３以下が更に好ましく、そして、同様の観点から、０．５以上が好ましく、０．８以上がより好ましく、１以上が更に好ましい。より具体的には、本開示の研磨液組成物のｐＨは、０．５以上６以下が好ましく、０．８以上５以下がより好ましく、１以上４以下が更に好ましい。ｐＨは、上述した酸（成分Ｃ）や公知のｐＨ調整剤等を用いて調整することができる。本開示において、上記ｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、例えば、ｐＨメータの電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値とすることができる。
【００５５】
［研磨液組成物の製造方法］
本開示の研磨液組成物は、例えば、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体と、さらに所望により、成分Ｄ〜Ｆ及びその他の成分とを公知の方法で配合することにより製造できる。すなわち、本開示は、その他の態様において、少なくとも成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体を配合する工程を含む、研磨液組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び水系媒体、並びに必要に応じて成分Ｄ〜Ｇ及びその他の成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。成分Ａの研磨材は、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。成分Ａが複数種類の研磨材からなる場合、複数種類の研磨材は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｂが複数種類の陽イオン性高分子からなる場合、複数種類の陽イオン性高分子は同時に又はそれぞれ別々に配合できる。成分Ｃが複数種類の酸からなる場合、複数種類の酸は、同時に又はそれぞれ別々に配合できる。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。研磨液組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の研磨液組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
【００５６】
本開示において「研磨液組成物中の各成分の含有量」とは、使用時、すなわち、研磨液組成物の研磨への使用を開始する時点における前記各成分の含有量をいう。本開示の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示の研磨液組成物の濃縮物は、使用時に、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して使用すればよい。希釈倍率は、希釈した後に上述した各成分の含有量（使用時）を確保できれば特に限定されるものではなく、例えば、１０〜１００倍とすることができる。
【００５７】
［研磨液キット］
本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を製造するためのキット（以下、「本開示の研磨液キット」ともいう）に関する。本開示の研磨液キットの一実施形態としては、例えば、成分Ａ及び水系媒体を含む研磨材分散液と、成分Ｂ及び成分Ｃを含む添加剤水溶液と、を相互に混合されない状態で含む、研磨液キット（２液型研磨液組成物）が挙げられる。前記研磨材分散液と前記添加剤水溶液とは、使用時に混合され、必要に応じて水系媒体を用いて希釈される。前記研磨材分散液に含まれる水系媒体は、研磨液組成物の調製に使用する水の全量でもよいし、一部でもよい。前記添加剤水溶液には、研磨液組成物の調製に使用する水系媒体の一部が含まれていてもよい。前記研磨材分散液及び前記添加剤水溶液にはそれぞれ必要に応じて、上述した任意成分（成分Ｄ〜Ｆ及びその他の成分）が含まれていてもよい。本開示の研磨液キットによれば、研磨速度を確保しつつ、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物が得られうる。
【００５８】
［被研磨基板］
被研磨基板は、一又は複数の実施形態において、磁気ディスク基板の製造に用いられる基板である。一又は複数の実施形態において、被研磨基板の表面を本開示の研磨液組成物を用いて研磨する工程の後、スパッタ等でその基板表面に磁性層を形成する工程を行うことにより磁気ディスク基板を製造できる。
【００５９】
本開示において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属及びこれらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板に好適である。被研磨基板としては、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、結晶化ガラス、強化ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等のガラス基板がより適しており、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が更に適している。本開示において「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」とは、アルミニウム合金基材の表面を研削後、無電解Ｎｉ−Ｐメッキ処理したものをいう。
【００６０】
被研磨基板の形状としては、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状が挙げられる。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．４〜２ｍｍ程度である。
【００６１】
［磁気ディスク基板の製造方法］
一般に、磁気ディスクは、研削工程を経た被研磨基板が、粗研磨工程、仕上げ研磨工程を経て研磨され、記録部形成工程にて磁気ディスク化されて製造される。本開示における研磨液組成物は、磁気ディスク基板の製造方法における、被研磨基板を研磨する研磨工程、好ましくは仕上げ研磨工程に使用されうる。すなわち、本開示は、その他の態様において、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨する工程（以下、「本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程」ともいう）を含む、磁気ディスク基板の製造方法（以下、「本開示の基板製造方法」ともいう）に関する。本開示の基板製造方法は、とりわけ、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造方法に適している。
【００６２】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨する工程である。また、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は、その他の一又は複数の実施形態において、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨する工程である。
【００６３】
被研磨基板の研磨工程が多段階で行われる場合は、本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程は２段階目以降に行われるのが好ましく、最終研磨工程又は仕上げ研磨工程で行われるのがより好ましい。その際、前工程の研磨材や研磨液組成物の混入を避けるために、それぞれ別の研磨機を使用してもよく、またそれぞれ別の研磨機を使用した場合では、研磨工程毎に被研磨基板を洗浄することが好ましい。さらに、使用した研磨液を再利用する循環研磨においても、本開示の研磨液組成物は使用できる。研磨機としては、特に限定されず、基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
【００６４】
本開示で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができ、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
【００６５】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における研磨荷重は、研磨速度の確保の観点から、好ましくは５．９ｋＰａ以上、より好ましくは６．９ｋＰａ以上、更に好ましくは７．５ｋＰａ以上であり、そして、スクラッチ低減の観点から、２０ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１８ｋＰａ以下、更に好ましくは１６ｋＰａ以下である。より具体的には、研磨荷重は、５．９〜２０ｋＰａが好ましく、６．９〜１８ｋＰａがより好ましく、７．５〜１６ｋＰａが更に好ましい。本開示の製造方法において研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。また、研磨荷重の調整は、定盤及び被研磨基板のうち少なくとも一方に空気圧や重りを負荷することにより行うことができる。
【００６６】
本開示の研磨液組成物を用いた研磨工程における本開示の研磨液組成物の供給速度は、スクラッチ低減の観点から、被研磨基板１ｃｍ2当たり、好ましくは０．０５ｍＬ／分以上１５ｍＬ／分以下であり、より好ましくは０．０６ｍＬ／分以上１０ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上１ｍＬ／分以下、更に好ましくは０．０７ｍＬ／分以上０．５ｍＬ／分以下である。
【００６７】
本開示の研磨液組成物を研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物を研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物の安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、本開示の研磨液組成物となる。
【００６８】
本開示の基板製造方法によれば、本開示における研磨液組成物を用いることで、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
【００６９】
［研磨方法］
本開示は、その他の態様として、本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することを含む、基板の研磨方法（以下、「本開示の研磨方法」ともいう）に関する。本開示の研磨方法を使用することにより、研磨後の基板表面のスクラッチが低減された、高品質の磁気ディスク基板を高収率で、生産性よく製造できるという効果が奏されうる。本開示の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。具体的な研磨の方法及び条件は、上述した本開示の基板製造方法と同じ方法及び条件とすることができる。
【００７０】
本開示の研磨液組成物を用いて被研磨基板を研磨することは、一又は複数の実施形態において、本開示の研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び前記被研磨基板の少なくとも一方を動かして研磨することであり、或いは、不織布状の有機高分子系研磨布等の研磨パッドを貼り付けた定盤で被研磨基板を挟み込み、本開示の研磨液組成物を研磨機に供給しながら、定盤や被研磨基板を動かして被研磨基板を研磨することである。
【実施例】
【００７１】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【００７２】
１．水溶性高分子
表１に示す水溶性高分子Ｂ１〜Ｂ１０には、以下のものを用いた。
Ｂ１：ポリ−ｐ−ビニルフェノール／ポリ［Ｎ,Ｎ−ジメチル−１−（４−ビニルフェノキシ）メタンアミン］（モル比４５／５５）［商品名：ＭＡＭ３ＭＥ、丸善石油化学社製、重量平均分子量  ５，０００］（式Ｉ中のＸ：ジメチルアミノメチル基）
Ｂ２：ポリ−ｐ−ビニルフェノール／ポリ［Ｎ,Ｎ−ジメチル−１−（４−ビニルフェノキシ）メタンアミン］（モル比３０／７０）（合成品）［丸善石油化学社製、重量平均分子量  ５，０００］（式Ｉ中のＸ：ジメチルアミノメチル基）
Ｂ３：ポリアリルアミン［商品名：ＰＡＡ−０５、ニットーボーメディカル社製、重量平均分子量  ５，０００］
Ｂ４：ポリＮ−メチルジアリルアミン塩酸塩［商品名：ＰＡＳ−Ｍ−１Ｌ、ニット―ボーメディカル社製、重量平均分子量  ５，０００］
Ｂ５：ポリ−ｐ−ビニルフェノール［日本曹達社製、重量平均分子量  ４，４００］
Ｂ６：ポリアクリル酸［東亜合成社製、重量平均分子量３，０００］
Ｂ７：芳香族アミノスルホン酸［商品名：フローリックＳＦ２００Ｓ、フローリック社製］
Ｂ８：ｐ−アミノフェノール（モノマー）［東京化成工業社製、分子量  １０９．１３］
Ｂ９：ポリ−ｐ−ビニルフェノール／ポリ［Ｎ,Ｎ−ジメチル−１−（４−ビニルフェノキシ）メタンアミン］（モル比４５／５５）［重量平均分子量  ２，５００］（式Ｉ中のＸ：ジメチルアミノメチル基）
Ｂ１０：ポリ−ｐ−ビニルフェノール／ポリ［Ｎ,Ｎ−ジメチル−１−（４−ビニルフェノキシ）メタンアミン］（モル比４５／５５）［重量平均分子量  １２，０００］（式Ｉ中のＸ：ジメチルアミノメチル基）
なお、２０℃のｐＨ３の水溶液１００ｇに対する溶解度は、Ｂ１〜Ｂ４及びＢ６〜Ｂ１０が０．０１ｇ以上であり、Ｂ５が０．０１ｇ未満である。
【００７３】
【表１】
2020084186.tif 000003
【００７４】
２．研磨液組成物の調製
（実施例１〜１０、比較例１〜７の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ又は非成分Ｂ（表１に示す水溶性高分子Ｂ１〜Ｂ１０）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１〜１０及び比較例１〜７の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、表２に示すとおりである。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ又は非成分Ｂ、成分Ｃ、及び成分Ｄを除いた残余である。
（実施例１１〜１２の研磨液組成物）
成分Ａ（コロイダルシリカ）、成分Ｂ（表１に示す水溶性高分子Ｂ１）、成分Ｃ（リン酸）、成分Ｄ（過酸化水素）、その他の添加剤（成分Ｅ：ＢＴＡ、又は、成分Ｆ：ＨＥＰ）、及びイオン交換水を配合して撹拌することにより、表２に示す実施例１１〜１２の研磨液組成物を調製した。各研磨液組成物中の各成分の含有量（有効量）は、成分Ａ〜Ｄが表２に示すとおりであり、成分Ｅ又は成分Ｆが０．０２質量％である。イオン交換水の含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、及びその他の添加剤（成分Ｅ又は成分Ｆ）を除いた残余である。
【００７５】
各研磨液組成物の調製において、成分Ｃ〜成分Ｆには以下のものを使用した。
リン酸［和光純薬工業社製、特級］（成分Ｃ）
過酸化水素水［濃度３５質量％、ADEKA社製］（成分Ｄ）
ＢＴＡ［１，２，３−ベンゾトリアゾール、東京化成工業社製］（成分Ｅ）
ＨＥＰ［Ｎ−ヒドロキシエチルピペラジン、和光純薬工業社製］（成分Ｆ）
【００７６】
２．各パラメータの測定
（１）コロイダルシリカ（成分Ａ）の平均粒径
研磨液組成物の調製に用いた成分Ａ（コロイダルシリカ）と、成分Ｃ（リン酸）とをイオン交換水に添加し、撹拌することにより、標準試料を作製した。標準試料中における成分Ａ及び成分Ｃの含有量はそれぞれ、１質量％、０．４５質量％とした。この標準試料を動的光散乱装置（大塚電子社製DLS-6500）により、同メーカーが添付した説明書に従って、２００回積算した際の検出角９０°におけるCumulant法によって得られる散乱強度分布の面積が全体の５０％となる粒径を求め、コロイダルシリカの平均粒径とした。結果を表２に示す。
【００７７】
（２）水溶性高分子（成分Ｂ及び非成分Ｂ）の重量平均分子量
成分Ｂ及び非成分Ｂの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により下記条件で測定した。結果を表１及び表２に示す。
＜測定条件＞
カラム：TSKgel GMPWXL+TSKgel GMPWXL（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／ＣＨ3ＣＮ＝７／３（体積比）
温度：４０℃
流速：１．０ｍＬ／分
試料サイズ：２ｍｇ／ｍＬ
検出器：ＲＩ
標準物質：ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（重量平均分子量：1,100、3,610、14,900、152,000、POLMER STANDARDS SERVICE社製）
【００７８】
（３）ｐＨの測定
研磨液組成物のｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー社製）を用いて２５℃にて測定し、電極を研磨液組成物へ浸漬して２分後の数値を採用した。結果を表２に示す。
【００７９】
３．研磨方法
前記のように調製した実施例１〜１２及び比較例１〜７の研磨液組成物を用いて、以下に示す研磨条件にて下記被研磨基板を研磨した。次いで、研磨速度及びスクラッチ数を測定した。その結果を表２に示す。
【００８０】
［被研磨基板］
被研磨基板として、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を予めアルミナ研磨材を含有する研磨液組成物で粗研磨した基板を用いた。この被研磨基板は、厚さが１．２７ｍｍ、外径が９５ｍｍ、内径が２５ｍｍであり、ＡＦＭ（Digital Instrument NanoScope IIIa Multi Mode AFM）により測定した中心線平均粗さＲａが１ｎｍであった。
【００８１】
［研磨条件］
研磨試験機：スピードファム社製「両面９Ｂ研磨機」
研磨パッド：フジボウ社製スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー、厚さ０．９ｍｍ、平均開孔径１０μｍ）
研磨液組成物供給量：１００ｍＬ／分（被研磨基板１ｃｍ2あたりの供給速度：０．０７６ｍＬ／分）
下定盤回転数：３２．５ｒｐｍ
研磨荷重：１３．０ｋＰａ
研磨時間：６分間
基板の枚数：１０枚
【００８２】
４．評価
［研磨速度の評価］
研磨前後の各基板１枚当たりの重さを計り（Ｓａｒｔｏｒｉｕｓ社製、「ＢＰ−２１０Ｓ」）を用いて測定し、各基板の質量変化から質量減少量を求めた。全１０枚の平均の質量減少量を研磨時間で割った値を研磨速度とし、下記式により算出した。研磨速度の測定結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
質量減少量（ｇ）＝｛研磨前の質量（ｇ）− 研磨後の質量（ｇ）｝
研磨速度（ｍｇ／ｍｉｎ）＝質量減少量（ｍｇ）／ 研磨時間（ｍｉｎ）
【００８３】
［スクラッチの評価］
測定機器：KLA ・テンコール社製、「Ｃａｎｄｅｌａ  ＯＳＡ７１００」
評価：研磨試験機に投入した基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を１０,０００ｒｐｍにてレーザーを照射してスクラッチ数を測定した。その４枚の基板の各々両面にあるスクラッチ数（本）の合計を８で除して、基板面当たりのスクラッチ数を算出した。スクラッチ数の評価結果を、比較例１を１００とした相対値として表２に示す。
【００８４】
【表２】
2020084186.tif 000004
【００８５】
上記表２に示すとおり、実施例１〜１２の研磨液組成物は、比較例１〜７の研磨液組成物に比べて、研磨速度を確保しつつ、スクラッチが効果的に低減されていた。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本開示によれば、例えば、高記録密度化に適した磁気ディスク基板を提供できる。