(57)【要約】【課題】固相電析法によるスズ成膜に用いることができるスズ溶液、及びその溶液を用いたスズ膜の形成方法を提供する。【解決手段】スズ溶液は、メタンスルホン酸スズ、メタンスルホン酸、水、イソプロピルアルコール、及びポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタンスルホン酸スズ、メタンスルホン酸、水、イソプロピルアルコール、及びポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）を含む、スズ膜形成用のスズ溶液。
【請求項２】
前記ポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）のエチレン単位数（ｍ）とエチレンオキシド単位数（ｎ）の合計（ｍ＋ｎ）が１５〜３４の範囲内である請求項１に記載のスズ溶液。
【請求項３】
ｎ／（ｍ＋ｎ）の値が０．６〜０．８２の範囲内である請求項２に記載のスズ溶液。
【請求項４】
前記ポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）が、ラウリルアルコールエチレンオキシド付加物である請求項１〜３のいずれか一項に記載のスズ溶液。
【請求項５】
前記ラウリルアルコールエチレンオキシド付加物のエチレンオキシド単位数（ｎ）が９〜２８である、請求項４に記載のスズ溶液。
【請求項６】
前記スズ溶液中の前記メタンスルホン酸の濃度が１〜２５Ｍである請求項１〜５のいずれか一項に記載のスズ溶液。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のスズ溶液をスルホ基を有する固体電解質膜に含浸することと、
陰極となる基材と陽極との間に、前記基材と前記固体電解質膜が接触するように前記固体電解質膜を配置することと、
前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記基材の表面にスズを析出させることと、
を含む、スズ膜の形成方法。
【請求項８】
前記含浸において、前記スズ溶液の温度を、前記スズ溶液の凝固点以上、且つ、３５℃未満とし、
前記電圧の印加において、前記基材の温度を、３５℃以上、且つ、前記固体電解質膜のガラス転移点以下とする、請求項７に記載のスズ膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スズ膜形成用のスズ溶液、及びそれを用いたスズ膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスの上部電極の形成にスズメッキが広く使用されてきた。例えばチップ型電子部品である積層セラミックコンデンサの分野では、積層セラミックコンデンサの外部電極の表面にスズメッキ層を形成することが一般的である。
【０００３】
スズメッキ層は、ウィスカが発生することが知られている。この問題を解決するために、スズと鉛の合金を用いることが提唱されてきた。しかし、スズ−鉛合金のメッキは環境負荷が大きい。そのため、鉛フリーのスズ材が求められている。特許文献１には、メタンスルホン酸スズ、硫酸ナトリウム、及び両性界面活性剤を含有するメッキ液を用いることで、耐ウィスカ特性を備える鉛フリーのスズ膜を形成できることが記載されている。
【０００４】
ところで、特許文献２において、ニッケル被膜の成膜方法として、固相電析法（ＳＥＤ）と呼ばれる手法が記載されている。特許文献２に記載の固相電析法では、陽極と陰極（基板）の間に固体電解質膜を配置し、陽極と固体電解質膜の間に金属イオンを含む水溶液を配し、固体電解質膜を基板に接触させ、陽極と陰極の間に電圧を印加し、水溶液を加圧することで水溶液の液圧にて固体電解質膜の内部から金属イオンを陰極側に析出させ、金属イオンの金属からなる金属被膜を基板の表面に成膜する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３９０７６号公報
【特許文献２】特開２０１８−０３５４２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者の検討によれば、特許文献１に記載のスズメッキ法では、スズが島状成長するため、下地がスズ膜に覆われずに表面に露出するという問題がある。一方、固相電析法は、穴や窪み等の未析出部のない金属被膜を形成できる成膜方法であるが、固相電析法によりスズ膜を形成するためには、スズイオンを含む水溶液として適切な組成の溶液を調製する必要がある。例えば、特許文献１に記載のメッキ液を固相電析法に使用する溶液として用いることはできない。なぜなら、メッキ液中の両性界面活性剤が固体電解質膜の表面のスルホ基と反応してしまうためである。
【０００７】
そこで本発明は、固相電析法によるスズ成膜に用いることができるスズ溶液、及びその溶液を用いたスズ膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一の態様に従えば、メタンスルホン酸スズ、メタンスルホン酸、水、イソプロピルアルコール、及びポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）を含む、スズ膜形成用のスズ溶液が提供される。
【０００９】
本発明の第二の態様に従えば、第一の態様のスズ溶液を、スルホ基を有する固体電解質膜に含浸することと、
陰極となる基材と陽極との間に、前記基材と前記固体電解質膜が接触するように、前記固体電解質膜を配置することと、
前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記基材の表面にスズを析出させることと、を含む、スズ膜の形成方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
第一の態様に従うスズ溶液は、界面活性剤として非イオン界面活性剤であるポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）を用いている。この非イオン界面活性剤は固体電解質膜のスルホ基と反応しない。そのため、第一の態様に従うスズ溶液を用いることにより、固相電析法によるスズ膜の形成が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明における固体電解質膜中のイオンチャネル構造を説明するための模式図である。
【図２】図２は、スズ膜形成方法のフローチャートである。
【図３】図３は、スズ膜形成方法に用いることができるスズ成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）−（ｃ）は、非イオン界面活性剤のエチレンオキシド単位数と電流効率の関係を示すグラフである。
【図５】図５は、スズ濃度と電流効率の関係を示すグラフである。
【図６】図６は、メタンスルホン酸濃度と電流効率の関係を示すグラフである。
【図７】図７は、非イオン界面活性剤濃度と電流効率の関係を示すグラフである。
【図８】図８は、ＩＰＡ濃度と電流効率の関係を示すグラフである。
【図９】図９は、基材温度と電流効率の関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は、固体電解質膜を基材に押し当てる圧力と電流効率の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜スズ溶液＞
実施形態に係るスズ溶液（スズ浴）は、メタンスルホン酸スズ、メタンスルホン酸、水、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、及び非イオン界面活性剤を含む。
【００１３】
メタンスルホン酸スズは、スズイオンの供給源である。スズ溶液中のスズ（スズイオン）の濃度は任意の値としてよいが、例えば８０〜４００ｇ／Ｌであってよい。
【００１４】
メタンスルホン酸は、スズの加水分解を防止して、スズ溶液の電導性を良くする。スズ溶液中のメタンスルホン酸の濃度は任意の値としてよいが、例えば１〜２５Ｍであってよい。
【００１５】
メタンスルホン酸塩及びメタンスルホン酸を用いたメタンスルホン酸浴は、硫酸浴に比べて金属の溶解度が高いためスズ濃度をより高くできるという特長と、二価のスズイオンから四価のスズイオンへの酸化反応が起こりにくいという特長がある。
【００１６】
非イオン界面活性剤として、ポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）が用いられ、例えばラウリルアルコールエチレンオキシド付加物を用いることができる。スズ溶液中の非イオン界面活性剤の濃度は任意の値としてよいが、例えば０．００３−０．１Ｍであってよい。ポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）のエチレン単位数（ｍ）とエチレンオキシド単位数（ｎ）は、後述するように、スズ成膜に用いる固体電解質膜に応じて適宜選択することができる。
【００１７】
スズ溶液中のＩＰＡの濃度は任意の値としてよいが、例えば０．０８〜２．４Ｍであってよい。ＩＰＡは、非イオン界面活性剤の臨界ミセル温度（非イオン界面活性剤がミセルを形成する最低温度）を低下させる働きを有する。
【００１８】
スズ溶液は、上述の成分に加えて他の成分をさらに含んでもよい。
【００１９】
実施形態に係るスズ溶液の固体電解質膜中での挙動を、図１を参照しながら説明する。
【００２０】
まず、固相電析法に用いられる固体電解質膜６０のイオンチャネル構造１について説明する。固体電解質膜６０は、疎水性の主鎖とスルホ基（スルホン酸基）６２を有する親水性の側鎖とを有する分子から構成される。例えば、固体電解質膜６０として、ＰＴＦＥ骨格からなる疎水性の主鎖とエーテル結合及びスルホ基を有する親水性の側鎖とを有する線状の分子から構成されるペルフルオロスルホン酸系のイオン交換膜（Ｄｕｐｏｎｔ社製のＮａｆｉｏｎ（商品名）、ＡＧＣ旭硝子社製のＦｅｌｍｉｏｎ（商品名）、旭化成社製のＡｃｉｐｌｅｘ（商品名）及びゴアテックス社製のＧｏｒｅ−Ｓｅｌｅｃｔ（商品名）等）を用いることができる。固体電解質膜６０は、疎水性の主鎖からなる疎水性部分と親水性の側鎖からなる親水性部分とに相分離した構造を有してよい。それにより、固体電解質膜６０は、球状の空間８４を内側に有するイオンクラスター６４、及び隣接するイオンクラスター６４内の空間８４同士を接続する流路８６を内側に有するネック部６６を有する。イオンクラスター６４内の空間８４とネック部６６内の流路８６は、イオンが通過するイオンチャネル８８を構成する。固体電解質膜６０は、イオンクラスター６４の内壁面において、スルホ基６２を有する。イオンクラスター６４内の空間８４の径（イオンクラスター径）ｄｃｌは一般的に１０〜３００Åであってよく、ネック部６６内の流路８６の径（イオンチャネル径）ｄｃｈは、一般的に０．５〜４０Åであってよい。なお、固体電解質膜６０のイオンチャネル構造１は電子顕微鏡により観察することができる。そのため、イオンクラスター径ｄｃｌ及びイオンチャネル径ｄｃｈは電子顕微鏡観察により測定できる。イオンクラスター径ｄｃｌは、小角Ｘ線散乱により測定することもできる。
【００２１】
固体電解質膜６０に実施形態に係るスズ溶液を非イオン界面活性剤１２の臨界ミセル温度未満の温度で含浸させ、次いで固体電解質膜６０を非イオン界面活性剤１２の臨界ミセル温度以上に加熱すると、イオンクラスター６４内の空間８４において非イオン界面活性剤１２の球状ミセル１７が形成される。非イオン界面活性剤１２の親水基１４はミセル１７の外側を、疎水基１６はミセル１７の内側を向いている。
【００２２】
イオンクラスター６４内の空間８４において非イオン界面活性剤１２がミセル１７を形成するために、非イオン界面活性剤１２が形成するミセル１７の径をイオンクラスター径ｄｃｌよりも小さくしてよい。そのため、使用する固体電解質膜６０のイオンクラスター径ｄｃｌに応じて、非イオン界面活性剤１２の分子鎖長を適宜選択してよい。例えば、イオンクラスター径ｄｃｌが約４０Åの場合、エチレン単位数（ｍ）とエチレンオキシド単位数（ｎ）の合計（ｍ＋ｎ）が３４以下、好ましくは１５〜３４の範囲内であるポリエチレン−ブロック−ポリ（エチレングリコール）を非イオン界面活性剤１２として用いてよい。また、ミセル１７の形成し易さという観点から、ＨＬＢ（＝ｎ／（ｍ＋ｎ））の値が０．６〜０．８２の範囲内であってよい。エチレン単位数が６であるラウリルアルコールエチレンオキシド付加物を非イオン界面活性剤１２として用いる場合、エチレンオキシド単位数（ｎ）が９〜２８であってよい。
【００２３】
固体電解質膜６０を陽極（不図示）と陰極（不図示）の間に配置し、陽極と陰極の間に電圧を印加すると、スズ溶液中のスズイオン１８が、陽極から陰極の方向にイオンチャネル８８を経由して移動する。イオンクラスター６４内の空間８４にミセル１７が存在しない場合、スズイオン１８がイオンクラスター６４の内壁面のスルホ基にトラップされ、複数のスズイオン１８が集まりやすい。そのためスズイオン１８の移動速度が小さくなる。一方、実施形態に係るスズ溶液を用いる場合、上述のようにイオンクラスター６４内の空間８４には非イオン界面活性剤１２のミセル１７が存在する。このとき、スズイオン１８はイオンクラスター６４の内壁面とミセル１７の間を移動するため、スズイオン１８は他のスズイオン１８と集合しにくく、単独でイオンチャネル８８中を高速で移動することができる。このように、非イオン界面活性剤１２のミセル１７がイオンチャネル８８中のスズイオン１８の移動を促進するメディエーター（化学的媒介物質）として機能するため、スズイオン１８の輸送効率が向上し、陰極電流密度が増加する。
【００２４】
＜スズ膜形成方法＞
次に、上述のスズ溶液を用いたスズ膜形成方法を説明する。図２に示すように、スズ膜形成方法は、上述のスズ溶液をスルホ基を有する固体電解質膜に含浸すること（ステップＳ１）と、陽極と陰極となる基材との間に、前記基材と前記固体電解質膜が接触するように前記固体電解質膜を配置すること（ステップＳ２）と、前記陽極と前記基材との間に電圧を印加して、前記基材の表面にスズを析出させること（ステップＳ３）と、を含む。スズ膜の形成は、例えば、図３に示すような成膜装置１００を用いて行うことができる。
【００２５】
（１）スズ溶液の含浸（Ｓ１）
上述したようなイオンチャネル構造を有する固体電解質膜にスズ溶液を含浸してイオンチャネル内にスズ溶液を流入させる。例えば、固体電解質膜をスズ溶液中に浸したり、固体電解質膜とスズ溶液を接触させたりすることによって、固体電解質膜にスズ溶液を含浸できる。含浸は、スズ溶液中で非イオン界面活性剤がミセルを形成しない温度範囲、例えば３５℃未満で行ってよい。それにより、非イオン界面活性剤が固体電解質膜のイオンクラスターに囲まれた空間に入ることができる。非イオン界面活性剤がミセルを形成する温度で含浸を行うと、ミセルがイオンチャネル径より大きいためにネック部が画成する流路を通過できず、非イオン界面活性剤がイオンクラスターに囲まれた空間に到達できないことがある。また、含浸はスズ溶液の凝固点以上の温度で行ってよい。
【００２６】
（２）固体電解質膜の配置（Ｓ２）
固体電解質膜を、陽極と陰極の間に配置する。例えば、図３に示す成膜装置１００のような配置が可能である。成膜装置１００は、陽極２０及び陰極３０と、陽極２０及び陰極３０の間に設けられたスズ溶液を含浸させた固体電解質膜６０と、陽極２０と陰極３０の間に電圧を印加する電源部４０と、陽極２０と固体電解質膜６０の間にスズ溶液Ｌを配置するための溶液収容部５０とを備える。溶液収容部５０は、通常、上部及び下部に開口を有する筒状の形状を有する。溶液収容部５０の下部の開口を覆うように固体電解質膜６０が配置され、溶液収容部５０の上部の開口を覆うように蓋部５２が配置されている。溶液収容部５０には、実施形態に係るスズ溶液Ｌが収容されるとともに、スズ溶液Ｌに接触するように陽極２０が収容されている。固体電解質膜６０は陰極３０から離間する位置と陰極３０に接触する位置の間で移動可能であるが、本工程において固体電解質膜６０を陰極３０に接触させる。
【００２７】
陽極２０としては、スズ箔を用いることができる。陰極３０としては、スズ膜をその上に形成するための基材を用いる。スズ溶液Ｌに対して耐食性を有し、所定の導電性を有する基材であれば、陰極３０として用いることができる。
【００２８】
なお、図示を省略するが、スズ溶液Ｌを溶液収容部５０に供給する供給タンクが溶液収容部５０に連通していてよい。
【００２９】
（３）電圧印加（Ｓ３）
陽極２０と陰極（基材）３０との間に電源部４０により電圧を印加する。すると、スズ溶液中のスズイオンが、陽極２０から陰極３０の方向に固体電解質膜６０を通って移動する。スズイオンは、固体電解質膜６０と基材３０の界面（基材３０の表面）３０ａに到達し、析出する。それにより基材３０上にスズ膜が形成される。
【００３０】
電圧印加時には、陰極３０を加熱してよい。陰極３０を加熱することにより、固体電解質膜のイオンクラスターが画成する空間内のスズ溶液も加熱されて、該空間内で界面活性剤のミセルが形成される。ミセルは固体電解質膜６０中のスズイオンの移動を促進するため、スズイオンが固体電解質膜６０中を高速で移動できる。その結果、高い陰極電流密度及び高い電流効率でのスズ膜の形成が可能となり、ピンホールのないスズ膜を形成できる。陰極３０の加熱温度は、固体電解質膜６０のガラス転移点以下であれば、スズ溶液中が含有する非イオン界面活性剤ミセルを形成する温度に適宜設定してよく、例えば３５℃以上としてよい。
【００３１】
固体電解質膜６０を陰極３０に所定の圧力で押し当てながら電圧を印加してもよい。それにより形成されるスズ膜の平坦性を向上できる。例えば０．５〜１．５ＭＰａの圧力を加えてよい。
【００３２】
その他、印加電圧等の各種成膜条件は、成膜面積、目標とする膜厚等に応じて適宜設定してよい。
【００３３】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３５】
実施例１−３７
（１）スズ溶液の調製
実施例１において、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）０．８ｍｏｌと非イオン界面活性剤０．０２ｍｏｌを混合して溶解物とした。この溶解物とメタンスルホン酸スズ（ＪＸ金属商事（株）製ＮＳＰ  Ｓ−２００、スズ含有量２０ｗｔ％）８０６ｍｌとを混和させ、純水で液量を１Ｌに調整し、十分に攪拌した。それにより、表１に記載のスズ（スズイオン）、メタンスルホン酸（遊離酸）、非イオン界面活性剤及びＩＰＡの濃度を有するスズ溶液（スズ浴）が得られた。非イオン界面活性剤としては、ラウリルアルコールエチレンオキシド付加物（アルドリッチ製）を用いた。同様に、実施例２−３７においても、各成分の量を調整して混合し、表１に記載のスズ、メタンスルホン酸、非イオン界面活性剤及びＩＰＡの濃度を有するスズ溶液を得た。なお、各実施例で用いたラウリルアルコールエチレンオキシド付加物のエチレンオキシド（ＥＯ）単位数（ＥＯ付加モル数）は、表１に記載のとおりである。実施例１７−２１においては、前記溶解物に適宜メタンスルホン酸（ＪＸ金属商事（株）製ＮＳＰ  Ａ−７００）を混入することにより、メタンスルホン酸濃度を表１に記載の値に調整した。
【００３６】
（２）ニッケルＳＥＤ基板の作製
ＡｌＳｉ基板上に銅スパッタ膜が形成されている銅スパッタ基板を用意した。この銅スパッタ基板上に固相電析法によりニッケル膜を形成した。固相電析の条件は以下のとおりとした。なお、ニッケル成膜領域は、銅スパッタ基板上に１０×１０ｍｍ角の開口部を設けたポリイミドテープ（カプトン粘着テープ：６５０Ｒ＃２５、（株）寺岡製作所製）を配置することによって画成した。固相電析法により銅スパッタ基板上に形成されたニッケル膜の厚さは４μｍであった。こうして、得たニッケル固相電析（ＳＥＤ）基板を、スズ膜を形成する基材として用いた。
【００３７】
陽極：スズ板（（株）ニラコ製ＳＮ４４３５１０、純度９９．９９９％）
陰極：ニッケル固相電析（ＳＥＤ）基板
固体電解質膜：Ｎａｆｉｏｎ  １１７（Ｄｕｐｏｎｔ社製）
電解液：塩化ニッケル水溶液と酢酸を混合して得たニッケル溶液（ｐＨ４．０、塩化ニッケル濃度１Ｍ）
銅スパッタ基板の温度：６０℃
固体電解質膜を銅スパッタ基板に押し当てる圧力：１ＭＰａ
電流密度：１００ｍＡ／ｃｍ２
ニッケル成膜領域：１０ｍｍ×１０ｍｍ
【００３８】
（３）スズ膜の形成
固体電解質膜としてイオン交換膜（Ｎ１１７、Ｄｕｐｏｎｔ社製）を用意し、固体電解質膜を２５℃のスズ溶液に浸すことにより、スズ溶液を固体電解質膜に含浸させた。
【００３９】
基材（ニッケルＳＥＤ基板）とスズ箔（ＳＮ−４４３２６１、（株）ニラコ製）が互いに対向し、これらの間に固体電解質膜が位置し、固体電解質膜とスズ箔の間の空間がスズ溶液で満たされ、固体電解質膜と基材が接触するように、基材、スズ箔、固体電解質膜、及びスズ溶液を配置した。
【００４０】
基材を陰極、スズ箔を陽極として、固相電析法によりスズ膜を形成した。電析中、基材の温度、固体電解質膜を基材に押し当てる圧力、及び電流密度は、表１に記載の値とし、陰極と陽極の間の電圧は０．２Ｖとした。電析時間は、表１に記載の値とした。スズ成膜領域は１０×１０角の大きさとした。スズ成膜領域は、ニッケル成膜と同様にポリイミドテープを用いて画成した。これにより、基材上にスズ膜が形成された。形成されたスズ膜はいずれも平坦性の高い膜であり、下地であるニッケルは全てスズ膜に覆われて表面には露出していなかった。
【００４１】
各実施例について、析出したスズの重量を測定した。測定値とファラデーの法則から計算される理論析出量との比を求めることにより、スズ成膜の電流効率を算出した。
【００４２】
比較例１−３
（１）スズ溶液の調製
非イオン界面活性剤を用いなかったこと以外は実施例１と同様にして、スズ溶液（スズ浴）を調製した。
【００４３】
（２）ニッケルＳＥＤ基板の作製
実施例１と同様にして、ニッケル固相電析（ＳＥＤ）基板を作製した。
【００４４】
（３）スズ膜の形成
本比較例で調製したスズ溶液を用いて、実施例１と同様にしてスズ膜を形成した。なお、比較例１−３について、スズ成膜時の電流密度はそれぞれ４、１０、２０ｍＡ／ｃｍ２とし、電析時間はそれぞれ２０、８、４分とした。
【００４５】
【表１】
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【００４６】
＜ＥＯ単位数＞
図４（ａ）−（ｃ）に、実施例１−１２の結果から得られる、非イオン界面活性剤におけるＥＯ単位数と電流効率の関係を示す。図４（ａ）−（ｃ）は、電流密度をそれぞれ４、１０、２０ｍＡ／ｃｍ２、電析時間をそれぞれ２０、８、４分としたときのＥＯ単位数と電流効率の関係を示している。また、比較例１−３の電流効率を、それぞれ図４（ａ）−（ｃ）中に破線で示した。
【００４７】
いずれの電流密度においても、非イオン界面活性剤を用いなかった比較例よりも高い電流効率となった。
【００４８】
なお、実施例１−１２で用いた非イオン界面活性剤のＥＯ単位数（ｎ）は９〜２８であり、ラウリルアルコールエチレンオキシド付加物のエチレン単位数（ｍ）は６であるから、エチレン単位数とＥＯ単位数の合計（ｍ＋ｎ）は１５〜３４の範囲内であり、ｎ／（ｍ＋ｎ）で定義されるＨＬＢ値は０．６〜０．８２である。
【００４９】
＜スズ濃度＞
図５に、実施例７、１３−１６の結果から得られる、スズ溶液中のスズ濃度と電流効率の関係を示す。いずれの実施例においても、良好な電流効率が得られた。
【００５０】
＜メタンスルホン酸濃度＞
図６に、実施例７、１７−２１の結果から得られる、スズ溶液中のメタンスルホン酸濃度と電流効率の関係を示す。いずれの実施例においても、良好な電流効率が得られた。
【００５１】
＜非イオン界面活性剤濃度＞
図７に、実施例７、２２−２６の結果から得られる、スズ溶液中の非イオン界面活性剤濃度と電流効率の関係を示す。いずれの実施例においても、良好な電流効率が得られた。
【００５２】
＜ＩＰＡ濃度＞
図８に、実施例７、２７−３１の結果から得られる、スズ溶液中のＩＰＡ濃度と電流効率の関係を示す。いずれの実施例においても、良好な電流効率が得られた。
【００５３】
＜基材温度＞
図９に、実施例７、３２−３５の結果から得られる、基材温度（陰極温度）と電流効率の関係を示す。いずれの実施例においても良好な電流効率が得られた。
【００５４】
＜圧力＞
図１０に、実施例７、３６、３７の結果から得られる、固体電解質膜を基材に押し当てる圧力と電流効率の関係を示す。いずれの実施例においても、良好な電流効率が得られた。
【符号の説明】
【００５５】
１：イオンチャネル構造、１２：非イオン界面活性剤、１４：親水基、１６：疎水基、１７：ミセル、１８：スズイオン、２０：陽極、３０：陰極、４０：電源部、５０：溶液収容部、６０：固体電解質膜、６２：スルホ基、６４：イオンクラスター、６６：ネック部、８４：空間、８６：流路、８８：イオンチャネル、１００：成膜装置、Ｌ：スズ溶液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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