(57)【要約】【課題】波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れた紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法、並びに前記紫外線吸収性フィルム等の製造に有用なワニスを提供する。【解決手段】下記式（１）で表される化合物からなる紫外線吸収剤。下記式（１）で表される化合物を含むモノマー成分の重合体からなる紫外線吸収性樹脂。樹脂と、前記紫外線吸収剤とを含む紫外線吸収性樹脂組成物。式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、アリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を示し、Ｘは、下記式（２）で表される基又は下記式（３）で表される基を示す。［化１］2020012030.tif 000013【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される化合物からなる紫外線吸収剤。
【化１】
2020012030.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、アリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を示し、Ｘは、下記式（２）で表される基又は下記式（３）で表される基を示す。）
【化２】
2020012030.tif 000010
【請求項２】
前記式（１）で表される化合物の異性体混合物からなる請求項１に記載の紫外線吸収剤。
【請求項３】
下記式（１）で表される化合物を含むモノマー成分の重合体からなる紫外線吸収性樹脂。
【化３】
2020012030.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、アリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を示し、Ｘは、下記式（２）で表される基又は下記式（３）で表される基を示す。）
【化４】
2020012030.tif 000012
【請求項４】
前記モノマー成分が、前記式（１）で表される化合物の異性体混合物を含む請求項３に記載の紫外線吸収性樹脂。
【請求項５】
樹脂と、請求項１又は２に記載の紫外線吸収剤とを含む紫外線吸収性樹脂組成物。
【請求項６】
請求項３もしくは４に記載の紫外線吸収性樹脂又は請求項５に記載の紫外線吸収性樹脂組成物と、溶剤と、を含むワニス。
【請求項７】
請求項３もしくは４に記載の紫外線吸収性樹脂又は請求項５に記載の紫外線吸収性樹脂組成物を含む紫外線吸収性フィルム。
【請求項８】
請求項６に記載のワニスからなる膜を製膜し、前記膜を乾燥する、紫外線吸収性フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、ワニス、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂の紫外線による劣化を防止する方法として、紫外線吸収剤を樹脂に添加する方法や、紫外線吸収剤を樹脂に反応結合させる方法がある（特許文献１〜４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２７６８３１号公報
【特許文献２】特開平８−０３９９４６号公報
【特許文献３】特開平１０−１７５５７号公報
【特許文献４】特開平１１−７１３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の紫外線吸収剤は、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域の紫外線吸収性が不充分である。
【０００５】
本発明は、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れた紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法、並びに前記紫外線吸収性フィルム等の製造に有用なワニスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の態様を有する。
［１］下記式（１）で表される化合物からなる紫外線吸収剤。
【０００７】
【化１】
2020012030.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、アリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を示し、Ｘは、下記式（２）で表される基又は下記式（３）で表される基を示す。）
【０００９】
【化２】
2020012030.tif 000003
【００１０】
［２］前記式（１）で表される化合物の異性体混合物からなる前記［１］の紫外線吸収剤。
［３］前記式（１）で表される化合物を含むモノマー成分の重合体からなる紫外線吸収性樹脂。
［４］前記モノマー成分が、前記式（１）で表される化合物の異性体混合物を含む前記［３］の紫外線吸収性樹脂。
［５］樹脂と、前記［１］又は［２］の紫外線吸収剤とを含む紫外線吸収性樹脂組成物。
［６］前記［３］もしくは［４］の紫外線吸収性樹脂又は前記［５］の紫外線吸収性樹脂組成物と、溶剤と、を含むワニス。
［７］前記［３］もしくは［４］の紫外線吸収性樹脂又は前記［５］の紫外線吸収性樹脂組成物を含む紫外線吸収性フィルム。
［８］前記［６］のワニスからなる膜を製膜し、前記膜を乾燥する、紫外線吸収性フィルムの製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れた紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法、並びに前記紫外線吸収性フィルム等の製造に有用なワニスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】紫外線吸収剤（モノマー）のＵＶ吸収性評価結果を示すグラフである。
【図２】紫外線吸収剤を樹脂に添加した時のＵＶ吸収性評価結果を示すグラフである。
【図３】紫外線吸収剤を共重合したポリカーボネート樹脂のＵＶ吸収性評価結果を示すグラフである。
【図４】紫外線吸収剤を共重合したフェノキシ樹脂のＵＶ吸収性評価結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
〔紫外線吸収剤〕
本発明の紫外線吸収剤は、下記式（１）で表される化合物（以下、「化合物１」ともいう。）からなる。本発明の紫外線吸収剤を構成する化合物１は、１種でもよく２種以上でもよい。
【００１４】
【化３】
2020012030.tif 000004
【００１５】
式（１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立に、水素原子、アリル基、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を示す。アルキル基及びアルコキシ基はそれぞれ直鎖状でも分岐状でもよい。
Ｘは、下記式（２）で表される基又は下記式（３）で表される基を示す。
【００１６】
【化４】
2020012030.tif 000005
【００１７】
化合物１にあっては、水酸基及びホルミル基が結合したベンゼン環を有するため、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れる。また、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍを含む幅広い波長領域の紫外線を吸収できる。
化合物１が３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域の紫外線の吸収性に優れるのは、水酸基を含有するベンゼン環にさらにホルミル基を含有させたことによると考えられる。
また、化合物１は、水酸基、ホルミル基等の官能基を有するため、この官能基を利用して、化合物１に由来する構造を樹脂中に導入することができる。例えば、化合物１を含むモノマー成分を重合して重合体としたり、化合物１により樹脂を変性したりすることができる。
【００１８】
本発明の紫外線吸収剤は、化合物１の異性体混合物からなることが好ましい。
化合物１の異性体混合物は、化合物１を複数の異性体の混合物として含むため、単一の化合物１に比べ、結晶性が低く、溶剤溶解性に優れる。そのため、容易に溶液として重合、変性等の作業を行うことができ、作業性に優れる。
本発明の紫外線吸収剤を構成する化合物１の異性体混合物は、１種でもよく、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＸのいずれか１以上が異なる２種以上でもよい。
【００１９】
化合物１の異性体混合物は、典型的には、式（１）中の２つのベンゼン環（ＯＨ及びＣＨＯが結合したベンゼン環）におけるＸの結合位置が異なる２以上の異性体を含む。このような異性体としては、一方のベンゼン環におけるＸの結合位置及び他方のベンゼン環におけるＸの結合位置がそれぞれＯＨの結合位置に対してｐ位である化合物（以下、「ｐ，ｐ’−体」ともいう。）；一方のベンゼン環におけるＸの結合位置がＯＨの結合位置に対してо位で、他方のベンゼン環におけるＸの結合位置がＯＨの結合位置に対してｐ位である化合物（以下、「о，ｐ−体」ともいう。）；一方のベンゼン環におけるＸの結合位置及び他方のベンゼン環におけるＸの結合位置がそれぞれＯＨの結合位置に対してо位である化合物（以下、「о，о’−体」ともいう。）；が挙げられる。
例えば、Ｘが前記式（２）で表される基（メチレン基）である場合、ｐ，ｐ’−体、о，ｐ−体、о，о’−体はそれぞれ、下記式（１ａ）、下記式（１ｂ）、下記式（１ｃ）で表される。
【００２０】
【化５】
2020012030.tif 000006
【００２１】
異性体混合物は、異性体混合物の総質量に対し、ｐ，ｐ’−体を５０〜９０％、о，ｐ−体を１０〜５０％、о，о’−体を０〜２０％含むことが好ましい。ｐ，ｐ’−体、о，ｐ−体、о，о’−体それぞれの割合が前記範囲内であれば、作業性、化合物１の異性体混合物を用いた重合体の溶剤溶解性がより優れる。
異性体混合物を構成する異性体の比率（組成比）は、１３Ｃ−ＮＭＲ（核磁気共鳴分析）により測定される。また、組成の％はモル％である。
【００２２】
Ｘが前記式（２）で表される基である場合、異性体混合物は、異性体混合物の総質量に対し、ｐ，ｐ’−体を５０〜８０％、о，ｐ−体を１５〜４０％、о，о’−体を１〜１０％含むことがより好ましく、ｐ，ｐ’−体を５５〜７５％、о，ｐ−体を２０〜３５％、о，о’−体を２〜８％含むことがさらに好ましい。
【００２３】
Ｘが前記式（３）で表される基である場合、異性体混合物は、異性体混合物の総質量に対し、ｐ，ｐ’−体を５０〜８５％、о，ｐ−体を１５〜３５％含むことがより好ましく、ｐ，ｐ’−体を５５〜８０％、о，ｐ−体を２０〜３０％含むことがさらに好ましい。
【００２４】
化合物１の異性体混合物は、例えば、下記の方法により製造できる。
下記式（１１）で表される化合物（以下、「サリチルアルデヒド類」ともいう。）と、ホルムアルデヒド及び下記式（１３）で表される化合物（以下、「キシリレン類」ともいう。）からなる群から選択される架橋剤とを、オルトリン酸の存在下で反応させ、得られた反応生成物から前記オルトリン酸を除去する方法。
【００２５】
【化６】
2020012030.tif 000007
【００２６】
式（１１）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は前記と同義である。
式（１３）中、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立に、炭素原子数１〜４のアルコキシ基又はハロゲン原子を示す。アルコキシ基は直鎖状でも分岐状でもよい。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
【００２７】
サリチルアルデヒド類としては、反応後に残留した原料を容易に除去回収が可能である点から、サリチルアルデヒド（別称：２−ヒドロキシベンズアルデヒド）が好ましい。
【００２８】
キシリレン類としては、ビス（アルコキシメチル）キシレンの４，４’−体、２，２’−体、２，４−体、ビス（ハロゲン化メチル）キシレンの４，４’−体、２，２’−体、２，４−体等が挙げられる。これらのうち、比較的安価であり、サリチルアルデヒド類との反応性が良い点で、ビス（アルコキシメチル）キシレンの４，４’−体が好ましい。
【００２９】
サリチルアルデヒド類と架橋剤とをオルトリン酸の存在下で反応させると、２分子のサリチルアルデヒド類が架橋剤によって架橋され、化合物１の異性体混合物が生成する。架橋剤としてホルムアルデヒドを用いると、化合物１のＸは前記式（２）で表される基となる。架橋剤としてキシリレン類を用いると、化合物１のＸは前記式（３）で表される基となる。
【００３０】
オルトリン酸は、サリチルアルデヒド類と架橋剤との反応において、触媒として機能する。触媒としてオルトリン酸を用いると、他の酸触媒を用いる場合に比べて、生成した化合物１と架橋剤とが反応して高分子量体が副生することを抑制できる。サリチルアルデヒド類を選択的に反応させることができるため、歩留まりが向上する。
【００３１】
サリチルアルデヒド類と架橋剤との反応は、水の存在下で行ってよい。
水は、単独で反応系に添加されてもよく、予め架橋剤やオルトリン酸と混合され、架橋剤水溶液やオルトリン酸水溶液の形態で反応系に添加されてもよい。
【００３２】
ホルムアルデヒドは水溶液でも固形でもどちらでもよい。水溶液中のホルムアルデヒドの濃度は、例えば、３０〜５０質量％（５０質量％、３７質量％等）であってよい。固形のホルムアルデヒド濃度は、例えば７０〜９２質量％（８６質量％、９２質量％等）であってもよい。水分が少ない方が、反応速度が速く歩留まりが向上することから、９２質量％ホルムアルデヒドが好ましい。
【００３３】
架橋剤のサリチルアルデヒド類に対するモル比（架橋剤／サリチルアルデヒド類）は、０．０５〜０．８０が好ましく、０．２０〜０．６０がより好ましい。
したがって、架橋剤の量は、サリチルアルデヒド類２モルに対し、０．１０〜１．６０モルが好ましく、０．４０〜１．２０モルがより好ましい。
サリチルアルデヒド類に対する架橋剤の比率が低すぎると、残留するサリチルアルデヒド類が多くなってしまい、歩留まりが低下する。架橋剤の比率が高すぎると、高分子量体が多く副生してしまい、化合物１の異性体混合物の収量が低下する。
【００３４】
オルトリン酸の量は、サリチルアルデヒド類に対し、１．０〜３０．０質量％が好ましく、５．０〜１５．０質量％がより好ましい。オルトリン酸の量がこの範囲の上限値よりも多いと、サリチルアルデヒド類のホルミル基が反応してしまい、目的物が得られないおそれがある。オルトリン酸の量がこの範囲の下限値よりも少ないと、反応速度が遅くなり、未反応の架橋剤が残留してしまうおそれがある。
【００３５】
サリチルアルデヒド類と架橋剤とを反応させる温度（反応温度）は、５０〜２００℃が好ましく、９０〜１８０℃がより好ましい。反応温度があまりに低いと、反応が進まないおそれがある。反応温度があまりに高いと、サリチルアルデヒド類のホルミル基が反応してしまい、目的物が得られないおそれがある。
サリチルアルデヒド類と架橋剤とを反応させる時間（反応時間）は、例えば１〜３０時間であってよい。
【００３６】
サリチルアルデヒド類と架橋剤とを反応させて得られた反応生成物は、典型的には、化合物１の異性体混合物以外の他の成分を含む。他の成分としては、サリチルアルデヒド類や架橋剤の未反応物、副生した高分子量体等が挙げられる。高分子量体としては、例えば、３分子以上のサリチルアルデヒド類がＸを介して結合したものが挙げられる。
【００３７】
サリチルアルデヒド類と架橋剤とを反応させた後、得られた反応生成物からオルトリン酸を除去することで、生成した化合物１同士がさらに反応すること、化合物１の純度低下等を抑制できる。
オルトリン酸の除去方法としては、例えば、反応生成物に塩基を添加してオルトリン酸を中和し、その後、反応生成物を水洗する（オルトリン酸塩を除去する）方法が挙げられる。塩基としては、オルトリン酸を中和可能であればよく、例えばトリエチルアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。
【００３８】
オルトリン酸の除去後、必要に応じて、反応生成物から未反応物の少なくとも一部を除去する。これにより、化合物１の異性体混合物の含有量を高めることができる。
未反応物の少なくとも一部を除去する方法としては、例えば、反応生成物を濃縮する方法が挙げられる。サリチルアルデヒド類、ホルムアルデヒド、キシリレン類は、反応生成物を濃縮する際に揮発して反応生成物から除去される。濃縮は、常法により実施できる。
反応生成物が水を含む場合、濃縮によって、反応生成物から水の少なくとも一部も除去（脱水）できる。
【００３９】
前記のように未反応物の少なくとも一部を除去した後、さらに、反応生成物を蒸留し、蒸発成分を回収することが好ましい。反応生成物を蒸留すると、化合物１の異性体混合物が蒸発して蒸発器から留出し、一方で、高分子量体は蒸発せず缶出成分となる。そのため、蒸留によって化合物１の異性体混合物と高分子量体とを分離し、化合物１の異性体混合物の含有量（純度）を高めることができる。
【００４０】
蒸留方法としては、減圧蒸留、分子蒸留、水蒸気蒸留等が挙げられる。なかでも減圧蒸留が、高純度で化合物１を得ることができる点で好ましく、減圧蒸留のなかでも化合物１を高収率で得られる点で、薄膜蒸留が好ましい。
【００４１】
薄膜蒸留の蒸留温度（熱媒温度）は、２００〜３００℃が好ましく、２１０〜２７０℃がより好ましい。蒸留温度があまりに低すぎると、化合物１の異性体混合物が蒸発せず、歩留まりが低下し、あまりに高すぎると、不純物まで蒸発してしまい、蒸発成分中の化合物１の異性体混合物の含有量が低下する。
【００４２】
薄膜蒸留の真空度は、２０ｍｍＨｇ以下が好ましく、１０ｍｍＨｇ以下がより好ましい。真空度があまりに低すぎると、化合物１の異性体混合物が蒸留されない。真空度は、０ｍｍＨｇであってもよいが、真空度があまりに高すぎると、不純物まで蒸留されてしまい、蒸発成分中の化合物１の異性体混合物の含有量が低下するおそれがあるため、３ｍｍＨｇ以上が好ましい。
【００４３】
化合物１の異性体混合物の純度は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定される総ピーク面積に対する化合物１の異性体混合物のピーク面積の割合として、８０面積％以上が好ましく、８５面積％以上がより好ましく、９０面積％以上がさらに好ましく、９５面積％が特に好ましく、９９面積％以上が最も好ましい。化合物１の異性体混合物の含有量の上限は特に限定されず、１００面積％であってもよい。
【００４４】
以上説明した本発明の紫外線吸収剤にあっては、化合物１からなるため、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れる。また、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍを含む幅広い波長領域の紫外線を吸収できる。
特に、本発明の紫外線吸収剤が化合物１の異性体混合物からなる場合、本発明の紫外線吸収剤は、溶剤溶解性に優れる。そのため、樹脂との混合等の作業性に優れる。
【００４５】
〔紫外線吸収性樹脂組成物〕
本発明の紫外線吸収性樹脂組成物は、樹脂と、前記した本発明の紫外線吸収剤とを含む。
【００４６】
樹脂としては、本発明の紫外線吸収剤と混合可能であれば特に制限はなく、例えばポリカーボネート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
樹脂として、後述する本発明の紫外線吸収性樹脂を用いてもよい。
樹脂は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４７】
本発明の紫外線吸収剤の含有量は、樹脂１００質量部に対し、０．０１〜５質量部が好ましく、０．１〜１質量部がより好ましい。紫外線吸収剤の含有量が少なすぎると、充分な紫外線吸収効果が発現しないおそれがあり、紫外線吸収剤の含有量が多すぎると、紫外線吸収剤の溶出やブリードアウトの懸念がある。
【００４８】
本発明の紫外線吸収性樹脂組成物は、必要に応じて、樹脂及び本発明の紫外線吸収剤以外の他の成分をさらに含んでいてもよい。
他の成分としては、例えば、本発明の紫外線吸収剤以外の紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等が挙げられる。
【００４９】
本発明の紫外線吸収性樹脂組成物は、公知の成形方法により成形して成形体とすることができる。
成形体としては、例えば、フィルム、樹脂板等が挙げられる。
成形方法としては、例えば、本発明の紫外線吸収性樹脂組成物を溶剤に溶解し、得られたワニスを製膜し、前記膜を乾燥する方法が挙げられる。
【００５０】
以上説明した本発明の紫外線吸収性樹脂組成物にあっては、本発明の紫外線吸収剤を含むため、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れる。また、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍを含む幅広い波長領域の紫外線を吸収できる。
特に、本発明の紫外線吸収剤が化合物１の異性体混合物からなる場合、本発明の紫外線吸収剤は溶剤溶解性に優れるため、本発明の紫外線吸収性樹脂組成物は、容易に溶剤に溶解してワニス化できる。
【００５１】
〔紫外線吸収性樹脂〕
本発明の紫外線吸収性樹脂は、前記した化合物１を含むモノマー成分の重合体（以下、「重合体Ｉ」ともいう。）からなる。重合体Ｉは、化合物１に由来する構造を含む。本発明の紫外線吸収性樹脂を構成する重合体Ｉは、１種でもよく２種以上でもよい。
【００５２】
モノマー成分は、化合物１のみからなるものであってもよく、化合物１と共重合可能な他のモノマーをさらに含むものであってもよい。
モノマー成分を構成する化合物１は、１種でもよく２種以上でもよい。
【００５３】
モノマー成分は、化合物１の異性体混合物を含むことが好ましい。前記したように、化合物１の異性体混合物は、化合物１を複数の異性体の混合物として含むため、単一の化合物１に比べ、結晶性が低く、溶剤溶解性に優れる。そのため、容易に溶液として重合、変性等の作業を行うことができ、作業性に優れる。また、化合物１の異性体混合物を含むモノマー成分の重合体も、溶剤溶解性に優れ、重合体の高分子量化やワニス化が容易である。
化合物１の異性体混合物は１種を単独で用いてもよく、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＸのいずれか１以上が異なる２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
他のモノマーとしては、化合物１と共重合可能なものであればよく、重合体Ｉの種類に応じて適宜選定できる。
重合体Ｉの種類としては、ポリカーボネート樹脂、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる。
重合体Ｉがポリカーボネート樹脂の場合、他のモノマーとしては、化合物１以外の他のジオール化合物が挙げられる。他のジオール化合物としては、例えばビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物が挙げられる。
重合体Ｉがフェノキシ樹脂の場合、他のモノマーとしては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等の２官能性のエポキシ化合物が挙げられる。必要に応じて、他のジオール化合物を共重合してもよい。
【００５５】
化合物１と他のモノマーとの合計モル量に対する化合物１の比率は、０．０１〜１００モル％が好ましく、０．５〜１０モル％がより好ましく、０．２〜５モル％がさらに好ましい。化合物１の比率が低すぎると、紫外線吸収効果が不充分になるおそれがあり、該比率が高すぎると、化合物１由来の着色や強度低下が懸念される。
【００５６】
重合体Ｉは、化合物１を含むモノマー成分を重合することにより製造できる。重合方法は、公知の重合方法を採用できる。
以下に、重合体Ｉがポリカーボネート樹脂である場合、及び重合体Ｉがフェノキシ樹脂である場合を例に挙げて、重合体Ｉの製造方法を説明する。
【００５７】
＜ポリカーボネート樹脂＞
ポリカーボネート樹脂は、常法により製造可能であり、例えば、炭酸ジエステル又はホスゲンと、化合物１を含むジオール成分とを反応させる方法により製造できる。
【００５８】
炭酸ジエステルとしては、炭酸ジメチル、炭酸ジエチル等のジアルキルカーボネート（好ましくは、炭素数１〜４のアルキル基を有するもの）、炭素数１〜４のアルキレンカーボネート（例えばエチレンカーボネート）、炭酸ジフェニル等が挙げられる。炭酸ジエステルは１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。炭酸ジエステルとしては、ジオール成分との反応性が良い点、比較的安価で、取り扱いが容易な点から、炭酸ジフェニルが好ましい。
【００５９】
ジオール成分は、化合物１を含み、必要に応じて、他のジオール化合物をさらに含んでいてもよい。
他のジオール化合物としては、反応が進行すれば特に制限はなく、比較的安価で、取り扱いが容易な点から、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦが好ましい。他のジオール化合物は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
全ジオール成分の合計モル量に対する化合物１の比率は、０．０１〜１００モル％が好ましく、０．５〜１０．０モル％がより好ましく、０．２〜５モル％がさらに好ましい。
【００６０】
炭酸ジエステル又はホスゲンとジオール成分とのモル比（炭酸ジエステル又はホスゲン／ジオール成分）は、０．８０〜１．２０が好ましく、０．９５〜１．０５がより好ましい。このモル比が低すぎたり高すぎたりすると、残留するモノマーが多くなり、ポリカーボネート樹脂としての性能を損なうおそれがある。
【００６１】
炭酸ジエステル又はホスゲンとジオール成分とを反応させる際の反応温度は、１３０〜３００℃が好ましく、２００〜２６０℃がより好ましい。反応温度があまりに低いと反応が進まず、あまりに高いと反応をコントロールすることが難しくなる。
【００６２】
炭酸ジエステル又はホスゲンとジオール成分とは通常、触媒の存在下で反応させる。
触媒としては、反応が進行すれば特に制限はなく、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、マグネシウム金属、アルキル亜鉛化合物（ジ−ｎ−ブチル亜鉛等）、水酸化リチウム、酢酸リチウム、チタンエステル（テトラ−ｎ−ブチルチタネート等）、酸化亜鉛、酸化鉛、二酸化マンガン、テトラアルキルオルソチタネート、酢酸亜鉛、酸化アンチモン、酸化ゲルマニウム、アルコキシド（カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド等）、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム等）、アルカリ金属水素化物（水素化リチウム、水素化ナトリウム等）、アルカリ金属水酸化物（水酸化リチウム、水酸化ナトリウム等）、金属ハロゲン化物等が挙げられる。触媒は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６３】
触媒の使用量は、全原料化合物（炭酸ジエステル又はホスゲンとジオール成分との合計）に対して、０．００００１〜１．０質量％が好ましく、０．０００１〜０．１質量％がより好ましい。使用量がこの範囲の上限値よりも多い場合には、生成したポリカーボネート樹脂に濁りが生ずるおそれがあり、この範囲の下限値よりも少ない場合には、重合速度が遅くなり、高重合度のポリカーボネート樹脂が得られないおそれがある。
【００６４】
＜フェノキシ樹脂＞
フェノキシ樹脂は、常法により製造可能であり、例えば、２官能性のエポキシ化合物と、化合物１を含むジオール成分とを反応させる方法により製造できる。
【００６５】
２官能性のエポキシ化合物としては、反応が進行すれば特に制限はなく、比較的安価で、取り扱いが容易な点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。２官能性のエポキシ化合物は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６６】
ジオール成分は、化合物１を含み、必要に応じて、他のジオール化合物をさらに含んでいてもよい。
他のジオール化合物としては、反応が進行すれば特に制限はなく、比較的安価で、取り扱いが容易な点から、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦが好ましい。他のジオール化合物は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
全ジオール成分の合計モル量に対する化合物１の比率は、０．０１〜１００モル％が好ましく、０．２〜５０モル％がより好ましい。
【００６７】
２官能性のエポキシ化合物とジオール成分とのモル比（２官能性のエポキシ化合物／ジオール成分）は、０．８０〜１．２０が好ましく、０．９５〜１．０５がより好ましい。このモル比が低すぎたり高すぎたりすると、残留するモノマーが多くなり、フェノキシ樹脂としての性能を損なうおそれがある。
【００６８】
２官能性のエポキシ化合物とジオール成分とを反応させる際の反応温度は、６０〜２００℃が好ましく、８０〜１８０℃がより好ましい。反応温度があまりに低いと反応が進まず、あまりに高いと反応をコントロールすることが難しくなる。
【００６９】
２官能性のエポキシ化合物とジオール成分とは通常、触媒の存在下で反応させる。
触媒としては、反応が進行すれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフィン、ジアザビシクロウンデセン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、マグネシウム金属、アルキル亜鉛化合物（ジ−ｎ−ブチル亜鉛等）、水酸化リチウム、酢酸リチウム、チタンエステル（テトラ−ｎ−ブチルチタネート等）、酸化亜鉛、酸化鉛、二酸化マンガン、テトラアルキルオルソチタネート、酢酸亜鉛、酸化アンチモン、酸化ゲルマニウム、アルコキシド（カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムメトキシド等）、アルカリ金属（リチウムやナトリウム等）、アルカリ金属水素化物（水素化リチウム、水素化ナトリウム等）、アルカリ金属水酸化物（水酸化リチウム、水酸化ナトリウム等）、金属ハロゲン化物等が挙げられる。触媒は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
触媒の使用量は、全原料化合物（２官能性のエポキシ化合物とジオール成分との合計）に対して、０．０１〜５質量％が好ましく、０．１〜１質量％がより好ましい。使用量がこの範囲の上限値よりも多い場合には、生成したフェノキシ樹脂に濁りが生ずるおそれがあり、この範囲の下限値よりも少ない場合には、重合速度が遅くなり、高重合度のフェノキシ樹脂が得られないおそれがある。
【００７１】
本発明の紫外線吸収性樹脂は、公知の成形方法により成形して成形体とすることができる。
成形体としては、例えば、フィルム、樹脂板等が挙げられる。
成形方法としては、例えば、本発明の紫外線吸収性樹脂を溶剤に溶解し、得られたワニスを製膜し、前記膜を乾燥する方法が挙げられる。
【００７２】
以上説明した本発明の紫外線吸収性樹脂にあっては、化合物１を含むモノマー成分の重合体である重合体Ｉからなり、化合物１に由来する構造を含むため、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れる。波長３００ｎｍ〜４００ｎｍを含む幅広い波長領域の紫外線を吸収できる。
また、本発明の紫外線吸収性樹脂は、化合物１が重合体Ｉの分子中に取り込まれているため、化合物１の溶出やブリードアウトの懸念が無く、紫外線吸収性が劣化しにくい。
特に、モノマー成分が化合物１の異性体混合物を含む場合、本発明の紫外線吸収性樹脂は溶剤溶解性に優れ、高分子量化やワニス化が容易である。高分子量の重合体Ｉを含むワニスは製膜性に優れる。
なお、従来の紫外線吸収剤の多くは、樹脂に添加して使用される混合タイプであり、樹脂からの溶出やブリードアウトの懸念がある。他のモノマーと共重合して使用される共重合タイプもあるが、従来の共重合タイプの紫外線吸収剤はアクリレート系であり、ポリカーボネート樹脂、フェノキシ樹脂等の水酸基を利用した共重合タイプの紫外線吸収剤は報告されていない。
【００７３】
〔ワニス〕
本発明のワニスは、前記した本発明の紫外線吸収性樹脂又は紫外線吸収性樹脂組成物と、溶剤と、を含む。
【００７４】
溶剤としては、本発明の紫外線吸収性樹脂又は紫外線吸収性樹脂組成物を溶解可能であればよく、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、メタノール、エタノール、ブタノール、イゾプロピルアルコール等のアルコール類、トルエン、キシレン等が挙げられる。溶剤は１種を単独で用いてもよく２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７５】
溶剤の含有量は、ワニスの固形分濃度に応じて適宜設定される。
ワニスの固形分濃度は、用途によっても異なるが、５〜５０質量％が好ましく、２０〜３５質量％がより好ましい。
なお、ワニスの固形分濃度は、ワニスの総質量に対する、ワニスから溶媒を除いた質量の割合である。
【００７６】
本発明のワニスは、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、他の成分をさらに含むことができる。
他の成分としては、例えば、無機フィラー、難燃剤、ワックス、光安定剤、酸化防止剤等が挙げられる。
【００７７】
〔紫外線吸収性フィルム〕
本発明の紫外線吸収性フィルムは、前記した本発明の紫外線吸収性樹脂又は紫外線吸収性樹脂組成物を含む。
【００７８】
本発明の紫外線吸収性フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、他の成分をさらに含むことができる。他の成分としては前記と同様のものが挙げられる。
【００７９】
本発明の紫外線吸収性フィルムの厚さは、特に限定されないが、例えば１０〜５０μｍである。
【００８０】
本発明の紫外線吸収性フィルムは、例えば、本発明のワニスからなる膜を製膜し、前記膜を乾燥することにより製造できる。
製膜方法としては、例えば、本発明のワニスを基材上に塗布する方法が挙げられる。塗布方法としては、例えばキャスト法等が挙げられる。
ワニスからなる膜を乾燥することで、溶媒が除去され、紫外線吸収性フィルムが形成される。膜の乾燥時の温度は、４０〜２００℃が好ましく、１００〜１５０℃がより好ましい。
本発明のワニスを基材上に塗布して製膜した場合、基材上に紫外線吸収性フィルムが形成されるので、乾燥後、形成された紫外線吸収性フィルムを基材から剥離して紫外線吸収性フィルムを得る。
【００８１】
本発明の紫外線吸収性フィルムにあっては、本発明の紫外線吸収性樹脂又は紫外線吸収性樹脂組成物を含むため、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外線吸収性に優れる。波長３００ｎｍ〜４００ｎｍを含む幅広い波長領域の紫外線を吸収できる。
特に、本発明の紫外線吸収性樹脂を含む場合、化合物１が重合体Ｉの分子中に取り込まれているため、化合物１の溶出やブリードアウトの懸念が無く、紫外線吸収性が劣化しにくい。
【実施例】
【００８２】
以下に、本発明を実施例によってさらに詳しく説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。以下の各例において「部」は、特に限定のない場合は「質量部」を示す。「純度」は、ＧＰＣにより測定される総ピーク面積に対する、化合物１の異性体混合物のピーク面積の割合（面積％）を示す。
【００８３】
（測定方法）
各例における測定方法は以下のとおりである。
＜純度、モノマー消費率＞
下記のＧＰＣ装置及びカラムを用いて測定した。
ＧＰＣ測定装置：東ソー社製、ＨＬＣ８１２０ＧＰＣ。
カラム：東ソー社製、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ３０００Ｈ＋Ｇ２０００Ｈ＋Ｇ２０００Ｈ。
【００８４】
＜組成比＞
下記のＮＭＲ装置を用いて測定した。
ＮＭＲ測定装置：ＪＥＯＬ  ＲＥＳＯＮＡＮＣＥ製  ＥＣＺ５００Ｒ  １３Ｃ測定モード。
前記式（１）中のＸが前記式（２）で表される基である場合、ｐ，ｐ’−体、о，ｐ−体、о，о’−体の構造は前記のとおりである。前記式（１）中のＸが前記式（３）で表される基である場合、下記式（１ｄ）で表される構造を持つ化合物をｐ，ｐ’−体、下記式（１ｅ）で表される構造を持つ化合物をо，ｐ−体として組成比を求めた。
【００８５】
【化７】
2020012030.tif 000008
【００８６】
＜ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）＞
ポリカーボネート樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の条件のゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算の値を測定した。
ＧＰＣ測定装置：東ソー社製、ＨＬＣ８１２０ＧＰＣ。
カラム：東ソー社製、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ３０００Ｈ＋Ｇ２０００Ｈ＋Ｇ２０００Ｈ。
【００８７】
＜フェノキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）＞
フェノキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の条件のゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算の値を測定した。
ＧＰＣ測定装置：東ソー社製、ＨＬＣ８１２０ＧＰＣ。
カラム：東ソー社製、ＴＳＫｇｅｌ  Ｇ３０００Ｈ＋Ｇ２０００Ｈ＋Ｇ２０００Ｈ。
【００８８】
＜軟化点＞
ＪＩＳ  Ｋ  ６９１０に従って測定した。
【００８９】
＜紫外線（ＵＶ）透過率＞
分光光度計：ＨＩＴＡＣＨＩ社製  Ｕ−３９００Ｈを用い、測定モード：波長スキャン９００ｎｍ〜２５０ｎｍにて測定した。
【００９０】
（合成例１：メチレンビスサリチルアルデヒドの合成）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器に２−ヒドロキシベンズアルデヒド２４４．２ｇ（２．０モル）、９２質量％ホルムアルデヒド１９．６ｇ（０．６０モル）、８５質量％オルトリン酸水溶液２４．４ｇを仕込み、１００℃まで昇温した後、２時間反応を行った。次いで、脱水を行いながら１４０℃まで昇温した後、３時間反応を行った。反応液を８０℃まで冷却後、トリエチルアミンでオルトリン酸を中和した。その後、水洗、濃縮し、粗メチレンビスサリチルアルデヒドを得た。
中和後の反応生成物についてＧＰＣを行ったところ、メチレンビスサリチルアルデヒドの純度は７５．４％、２−ヒドロキシベンズアルデヒドモノマーの消費率は６５．７８％であった。
粗メチレンビスサリチルアルデヒドについて１３Ｃ−ＮＭＲで異性体混合物の組成比を測定したところ、前記組成比は、ｐ，ｐ’−メチレンビスサリチルアルデヒド６９．５８％、о，ｐ−メチレンビスサリチルアルデヒド２７．０６％、о，о’−メチレンビスサリチルアルデヒド３．３６％であった。
【００９１】
薄膜蒸留器（加熱伝面０．０６８ｍ２，内部コンデンサー伝面０．０１９ｍ２、グラス入りポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）ワイパー付）を、加熱ジャケットに２２０℃の熱媒を流し、内部コンデンサーに１５０℃の加温水を流し、ロータ回転数を３５０ｒｐｍとし、真空度１〜５ｍｍＨｇで運転した。その状態の薄膜蒸留器に粗メチレンビスサリチルアルデヒドを、６００ｇ／ｈｒで連続的に１時間供給し、蒸発成分および缶出成分を連続的に抜き出し、蒸発成分（留出物）としてメチレンビスサリチルアルデヒドを得た。
メチレンビスサリチルアルデヒドについてＧＰＣを行ったところ、メチレンビスサリチルアルデヒドの純度は９９．４５％であった。また、１３Ｃ−ＮＭＲで異性体混合物の組成比を測定したところ、前記組成比は、ｐ，ｐ’−メチレンビスサリチルアルデヒド６８．４８％、о，ｐ−メチレンビスサリチルアルデヒド２８．３６％、о，о’−メチレンビスサリチルアルデヒド３．１６％であった。
【００９２】
（合成例２：キシリレンビスサリチルアルデヒドの合成）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器に２−ヒドロキシベンズアルデヒド２４４．２ｇ（２．０モル）、８５質量％オルトリン酸水溶液２４．４ｇを仕込み、１６０℃まで昇温した。次いで、パラキシレングリコールジメチルエーテル１３２．８ｇ（０．８モル）を３時間かけて滴下した。また、副生するメタノールは系外へ除去した。その後、１６０℃を維持したまま、２時間反応を行い、副生するメタノールの留出が終了したのを確認後、８０℃まで冷却した。次いでトリエチルアミンでオルトリン酸を中和した。その後、水洗、濃縮し、粗キシリレンビスサリチルアルデヒドを得た。
中和後の反応生成物についてＧＰＣを行ったところ、キシリレンビスサリチルアルデヒドの純度は８２．３７％、２−ヒドロキシベンズアルデヒドモノマーの消費率は９３．３５％であった。
粗キシリレンビスサリチルアルデヒドについて１３Ｃ−ＮＭＲで異性体混合物の組成比を測定したところ、前記組成比は、ｐ，ｐ’−キシリレンビスサリチルアルデヒド７３．４３％、о，ｐ−キシリレンビスサリチルアルデヒド２６．５７％であった。
【００９３】
薄膜蒸留器（加熱伝面０．０６８ｍ２，内部コンデンサー伝面０．０１９ｍ２、グラス入りＰＴＦＥワイパー付）を、加熱ジャケットに２６５℃の熱媒を流し、内部コンデンサーに１５０℃の加温水を流し、ロータ回転数を３５０ｒｐｍとし、真空度１〜５ｍｍＨｇで運転した。その状態の薄膜蒸留器に粗キシリレンビスサリチルアルデヒドを、６００ｇ／ｈｒで連続的に１時間供給し、蒸発成分および缶出成分を連続的に抜き出し、蒸発成分（留出物）としてキシリレンビスサリチルアルデヒドを得た。
キシリレンビスサリチルアルデヒドについてＧＰＣを行ったところ、キシリレンビスサリチルアルデヒドの純度は９９．８１％であった。また、１３Ｃ−ＮＭＲで異性体混合物の組成比を測定したところ、前記組成比は、ｐ，ｐ’−キシリレンビスサリチルアルデヒド７１．４１％、о，ｐ−キシリレンビスサリチルアルデヒド２８．５９％であった。
【００９４】
（比較例１）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器にビスフェノールＡ２２８．０ｇ（１．０００モル）、炭酸ジフェニル２０３．５ｇ（０．９５０モル）を仕込み、１２０℃まで昇温した。次いで、５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を０．１ｇ添加した後、１８０℃まで昇温し、１時間常圧下で反応させた。次いで、１８０℃を維持しながら、１０ｍｍＨｇまでゆっくり減圧し、副生するフェノールを除去しながら反応を継続した。次いで、減圧下のまま２３０℃まで昇温し、２時間減圧下で反応させてポリカーボネート樹脂を得た。このポリカーボネート樹脂の軟化点は１２２．５℃、ＧＰＣによる重量平均分子量（Ｍｗ）は９１２１であった。
得られたポリカーボネート樹脂をテトラヒドロフランに、濃度が１０質量％になるように溶解してワニスを得た。
【００９５】
（実施例１）
比較例１で得たポリカーボネート樹脂をテトラヒドロフランに、濃度が１０質量％になるように溶解し、そこに合成例１で得たメチレンビスサリチルアルデヒドを、ポリカーボネート樹脂１００部に対して０．３部になるように添加し、メチレンビスサリチルアルデヒドを室温で溶解してワニスを得た。
【００９６】
（実施例２）
メチレンビスサリチルアルデヒドの添加量を、ポリカーボネート樹脂１００部に対して１．０部としたこと以外は実施例１と同様にしてワニスを得た。
【００９７】
（実施例３）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器にビスフェノールＡ２２７．４ｇ（０.９９７モル）、合成例１で得たメチレンビスサリチルアルデヒド０．７２ｇ（０．００３モル）、炭酸ジフェニル２０３．５ｇ（０．９５０モル）を仕込み、１２０℃まで昇温した。次いで、５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を０．１ｇ添加した後、１８０℃まで昇温し、１時間常圧下で反応させた。次いで、１８０℃を維持しながら、１０ｍｍＨｇまでゆっくり減圧し、副生するフェノールを除去しながら反応を継続した。次いで、減圧下のまま２３０℃まで昇温し、２時間減圧下で反応させてポリカーボネート樹脂を得た。このポリカーボネート樹脂の軟化点は１２１．７℃、ＧＰＣによる重量平均分子量（Ｍｗ）は９０２１であった。
【００９８】
（実施例４）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器にビスフェノールＡ２２５．８ｇ（０.９９０モル）、合成例１で得たメチレンビスサリチルアルデヒド２．４２ｇ（０．０１０モル）、炭酸ジフェニル２０３．５ｇ（０．９５０モル）を仕込み、１２０℃まで昇温した。次いで、５％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を０．１g添加した後、１８０℃まで昇温し、１時間常圧下で反応させた。次いで、１８０℃を維持しながら、１０ｍｍＨｇまでゆっくり減圧し、副生するフェノールを除去しながら反応を継続した。次いで、減圧下のまま２３０℃まで昇温し、２時間減圧下で反応させてポリカーボネート樹脂を得た。このポリカーボネート樹脂の軟化点は１２１．７℃、ＧＰＣによる重量平均分子量（Ｍｗ）は８９８５であった。
【００９９】
（比較例２）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１９０．０ｇ（０．５モル）、ビスフェノールＡ１１６．３ｇ（０．５１モル）、エチルセロソルブ３２０．６ｇを仕込み、８０℃まで昇温した。次いで、ジアザビシクロウンデセン０．１２ｇを添加した後、１１０℃で２時間反応させた。次いで、１６０℃まで昇温し、５時間反応を継続し、冷却して、フェノキシ樹脂のエチルセロソルブワニスを得た。このフェノキシ樹脂のＧＰＣによる重量平均分子量（Ｍｗ）は５００６１であった。
【０１００】
（実施例５）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた内容量１Ｌの反応容器にビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１９０．０ｇ（０．５モル）、合成例１で得たメチレンビスサリチルアルデヒド１３０．６ｇ（０．５１モル）、エチルセロソルブ３２０．６ｇを仕込み、８０℃まで昇温した。次いで、ジアザビシクロウンデセン０．１２ｇを添加した後、１１０℃で２時間反応させた。次いで１６０℃まで昇温し、５時間反応を継続し、冷却して、フェノキシ樹脂のエチルセロソルブワニスを得た。このフェノキシ樹脂のＧＰＣによる重量平均分子量（Ｍｗ）は３２５８９であった。
【０１０１】
（ＵＶ吸収性評価）
＜１．紫外線吸収剤（モノマー）のＵＶ吸収性＞
合成例１で得たメチレンビスサリチルアルデヒド、合成例２で得たキシリレンビスサリチルアルデヒド、及び比較例としてビスフェノールＡをそれぞれ、テトラヒドロフランに濃度が１０質量％になるように溶解し、得られた溶液について、分光光度計にて透過率の測定を行った。結果を図１に示す。図１中の横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は透過率（％Ｔ）であり、後述する図２〜４においても同様である。
図１に示すとおり、合成例１で得たメチレンビスサリチルアルデヒド及び合成例２で得たキシリレンビスサリチルアルデヒドは、ビスフェノールＡに比べて、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの透過率が低く、この波長領域のＵＶ吸収性に優れていた。
【０１０２】
＜２．紫外線吸収剤を樹脂に添加した時のＵＶ吸収性＞
比較例１、実施例１〜２で得たワニスそれぞれについて、分光光度計にて透過率の測定を行った。結果を図２に示す。
図２に示すとおり、実施例１〜２で得たワニスは、比較例１で得たワニスに比べて、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの透過率が低く、この波長領域のＵＶ吸収性に優れていた。
【０１０３】
＜３．紫外線吸収剤を共重合したポリカーボネート樹脂のＵＶ吸収性＞
比較例１、実施例３〜４で得たポリカーボネート樹脂をそれぞれテトラヒドロフランに、濃度が１０質量％になるように溶解し、分光光度計にて透過率の測定を行った。結果を図３に示す。
図３に示すとおり、実施例３〜４で得たポリカーボネート樹脂は、比較例１で得たポリカーボネート樹脂に比べて、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの透過率が低く、この波長領域のＵＶ吸収性に優れていた。
【０１０４】
＜４．紫外線吸収剤を共重合したフェノキシ樹脂のＵＶ吸収性＞
比較例２、実施例５で得たエチルセロソルブワニスをそれぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗布し、８０℃のオーブンで１時間プレ乾燥させた。次いで、１８０℃まで昇温させ、２時間乾燥し、フェノキシ樹脂フィルムを形成した。その後、フェノキシ樹脂フィルムをＰＥＴフィルムから剥離することでフェノキシ樹脂フィルムを得た。得られたフェノキシ樹脂フィルムについて、分光光度計にて透過率の測定を行った。結果を図４に示す。
図４に示すとおり、実施例５で得たフェノキシ樹脂は、比較例２で得たフェノキシ樹脂に比べて、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍの透過率が低く、この波長領域のＵＶ吸収性に優れていた。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
前記化合物１の異性体混合物は、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍを含む幅広い波長領域の紫外線吸収性を持つ。また、様々な樹脂原料と共重合可能であり、前記化合物１の異性体混合物と樹脂原料とを共重合することで、紫外線吸収剤の溶出やブリードアウトが抑制された紫外線吸収性樹脂が得られる。したがって、前記化合物１の異性体混合物は、紫外線吸収剤として、又は紫外線吸収性樹脂の原料として、極めて有用である。
【図１】
2020012030.tif 000014
【図２】
2020012030.tif 000015
【図３】
2020012030.tif 000016
【図４】
2020012030.tif 000017