(57)【要約】【課題】少なくとも７相に対応し、且つ小型のコアレスの電流センサを提供する。【解決手段】電流センサ１は、断面が幅方向に伸びた矩形状に形成され、幅方向と垂直な長さ方向に沿って電流を流す少なくとも一つのバスバ１１，２１，３１と、幅方向及び長さ方向と垂直な高さ方向において、バスバを挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板１２，２２，３２と、バスバと一対のシールド板の一方との間にそれぞれ配置され、幅方向の磁界の強度を検出する少なくとも一つの磁気検出素子１３，２３，３３と、をそれぞれ有する第１乃至第３の電流センサモジュール１０，２０，３０を備え、第１乃至第３の電流センサモジュール１０，２０，３０は、高さ方向に重ねて配置されている。【選択図】図１
2020094826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面が幅方向に伸びた矩形状に形成され、前記幅方向と垂直な長さ方向に沿って電流を流す少なくとも一つのバスバと、前記幅方向及び前記長さ方向と垂直な高さ方向において、前記バスバを挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板と、前記バスバと一方の前記シールド板との間にそれぞれ配置され、前記幅方向の磁界の強度を検出する少なくとも一つの磁気検出素子と、をそれぞれ有する第１乃至第３の電流センサモジュールを備え、
前記第１乃至第３の電流センサモジュールは、前記高さ方向に重ねて配置されている電流センサ。
【請求項２】
前記第１及び第２の電流センサモジュールは、それぞれ３つのバスバと３つの磁気検出素子を備えている請求項１記載の電流センサ。
【請求項３】
前記第３の電流センサモジュールは、１つのバスバと１つの磁気検出素子を備えている請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記第１及び第２の電流センサモジュールが有する前記磁気検出素子は、前記幅方向に同じ位置に配置されている請求項２又は３に記載の電流センサ。
【請求項５】
前記第３の電流センサモジュールが有する前記磁気検出素子は、前記第１及び第２の電流センサモジュールが有する前記磁気検出素子のうち、幅方向の中央に位置する磁気検出素子と同じ幅方向の位置に配置されている請求項４に記載の電流センサ。
【請求項６】
前記第１乃至第３の電流センサモジュールが有する前記磁気検出素子は、それぞれ前記一対のシールド板の前記高さ方向の中央に配置されている請求項１〜５の何れか１項に記載の電流センサ。
【請求項７】
前記第１乃至第３の電流センサモジュールが有する前記一対のシールド板は、同じ大きさを有している請求項１〜６の何れか１項に記載の電流センサ。
【請求項８】
前記第１乃至第３の電流センサモジュールの少なくとも一つの電流センサモジュールにおいて、前記磁気検出素子と一方の前記シールド板との間に非磁性の導電材料からなる導電体が設けられている請求項１〜７の何れか１項に記載の電流センサ。
【請求項９】
前記第１乃至第３の電流センサモジュールが前記高さ方向に重ねて配置された状態において、最も下方に位置する前記シールド板の下側と最も上方に位置する前記シールド板の上側にそれぞれ追加シールド板が設けられている請求項１〜８の何れか１項に記載の電流センサ。
【請求項１０】
前記第１乃至第３の電流センサモジュールに加えて、少なくとも一つの電流センサモジュールが前記第１乃至第３の電流センサモジュールに重ねて配置されている請求項１〜９の何れか１項に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電流センサとして、測定対象となる電流により発生する磁界の強度を検出する磁気検出素子を備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。磁気検出素子により磁界の強度を検出することで、その磁界の強度を基に、電流を演算により求めることが可能である。
【０００３】
特許文献１では、測定対象となる電流が流れるバスバ及び磁気検出素子を挟み込むように、一対のシールド板を配置したコアレスの電流センサが開示されている。特許文献１に記載の電流センサでは、バスバの板幅方向の磁束密度を検出する磁気検出素子を用い、バスバの板幅方向の外部磁束が透過しない非透過領域に磁気検出素子を設置することにより、外部磁束の影響を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１９４４７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、自動車の電動化が進むに従い、電流センサが検出しなければならない電流の相数も増加する傾向にある。例えば、自動車１台に３相交流のモータ（又は同構造を有するジェネレータ）が２台搭載された場合、電流センサの検出する相数は６相となる。また、バッテリ側の直流電流を検出する単相の電流センサなど、他の電流を検出する電流センサが搭載される場合もある。
【０００６】
このように、多くの相数（少なくとも７相）に対応した電流センサは、大きな領域を占めることなるため、小型が望まれる。しかし、コアレスの電流センサは、他相の干渉の影響を受けやすいため、この干渉を抑えるために、各相をある程度離間して配置しなければならず、小型化が容易ではない。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、少なくとも７相に対応し、且つ小型のコアレスの電流センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために創案された本発明は、断面が幅方向に伸びた矩形状に形成され、前記幅方向と垂直な長さ方向に沿って電流を流す少なくとも一つのバスバと、前記幅方向及び前記長さ方向と垂直な高さ方向において、前記バスバを挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対のシールド板と、前記バスバと一方の前記シールド板との間にそれぞれ配置され、前記幅方向の磁界の強度を検出する少なくとも一つの磁気検出素子と、をそれぞれ有する第１乃至第３の電流センサモジュールを備え、前記第１乃至第３の電流センサモジュールは、前記高さ方向に重ねて配置されている電流センサである。
【０００９】
本発明によれば、少なくとも７相に対応し、且つ小型のコアレスの電流センサを提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、外乱磁界を印加した場合の計算結果を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、電流センサモジュール３０のバスバ３１に直流を通電した場合の計算結果を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、電流センサモジュール２０のバスバ２１に３相交流を通電した場合の計算結果を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、電流センサモジュール１０のバスバ１１に３相交流を通電した場合の計算結果を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る電流センサ１０２の断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る電流センサ１０３の断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る電流センサ１０４の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１の断面図である。
【００１２】
図１に示されるように、本発明の実施形態に係る電流センサ１は、第１電流センサモジュール１０と、第２電流センサモジュール２０と、第３電流センサモジュール３０とを備えている。第１電流センサモジュール１０は、断面が幅方向に伸びた矩形状に形成され、幅方向と垂直な長さ方向に沿って電流を流す第１バスバ１１と、幅方向及び長さ方向と垂直な高さ方向において、バスバ１１を挟み込むように配置されている磁性材料からなる一対の第１シールド板１２と、第１バスバ１１と第１シールド板の一方との間にそれぞれ配置され、幅方向の磁界の強度を検出する第１磁気検出素子１３と、を有する。第２及び第３電流センサモジュール２０、３０も同様に、バスバ２１，３１と、シールド板２２，３２と、磁気検出素子２３，３３とを備えている。そして、第１電流センサモジュール１０と第２電流センサモジュール２０と第３電流センサモジュール３０は、高さ方向に重ねて配置されている。ここで、幅方向は図１の左右方向、高さ方向は図１の上下方向、長さ方向は図１の紙面に対して垂直方向である。
【００１３】
（第１電流センサモジュール１０）
第１電流センサモジュール１０は、直流から交流に変換するパワーモジュールと３相交流モータ（又は同構造を有するジェネレータ）との間に設けられる。第１電流センサモジュール１０は、３相交流電流を流すため、３つのバスバを有している。すなわち、第１バスバ１１は、Ｕ相の電流を流す第１Ｕ相バスバ１１ａと、Ｖ相の電流を流す第１Ｖ相バスバ１１ｂと、Ｗ相の電流を流す第１Ｗ相バスバ１１ｃとから構成されている。これに対応し、第１磁気検出素子１３は、第１Ｕ相バスバ１１ａに配置される第１Ｕ相検出素子１３ａと、第１Ｖ相バスバ１１ｂに配置される第１Ｖ相検出素子１３ｂと、第１Ｗ相バスバ１１ｃに配置される第１Ｗ相検出素子１３ｃとから構成されている。
【００１４】
第１バスバ１１は、例えば銅板からできている。第１Ｕ相バスバ１１ａ、第１Ｖ相バスバ１１ｂ、及び第１Ｗ相バスバ１１ｃには、３相交流電流が長さ方向に流れる。理想的には、電流の総和は、各時点でゼロになる。第１バスバ１１の一方は、パワーモジュールに接続され、他方は３相交流モータ（又はジェネレータ）あるいは、それに接続するためのコネクタに接続されている。なお、第１Ｕ相バスバ１１ａと第１Ｖ相バスバ１１ｂと第１Ｗ相バスバ１１ｃは、幅方向において等間隔に配置されているのが好ましい。
【００１５】
第１シールド板１２は、平行に配置された第１上側シールド板１２ａと第１下側シールド１２ｂとから構成されている。第１シールド板１２は、電磁鋼板やパーマロイなどの磁性体でできている。
【００１６】
第１磁気検出素子１３は、第１上側シールド板１２ａと第１バスバ１１との間に配置されている。第１磁気検出素子１３は、その検知位置が第１上側シールド板１２ａと第１下側シールド１２ｂの間の高さ方向の中央に配置されている。したがって、第１バスバ１１は、第１上側シールド板１２ａと第１下側シールド板１２ｂとの間の中央よりも第１下側シールド板１２ｂに近い位置に配置されている。また、第１磁気検出素子１３は、その検知方向が第１シールド板１２と平行となる幅方向とされている。
【００１７】
第１磁気検出素子１３の第１Ｕ相検出素子１３ａ、第１Ｖ相検出素子１３ｂ、及び第１Ｗ相検出素子１３ｃは、それぞれ第１Ｕ相バスバ１１ａ、第１Ｖ相バスバ１１ｂ、及び第１Ｗ相バスバ１１ｃの幅方向の中央の上方（第１上側シールド板１２ａの方向）に配置されている。
【００１８】
（第２電流センサモジュール２０）
第２電流センサモジュール２０は、第１電流センサモジュール１０と同様の構成を有している。すなわち、第２電流センサモジュール２０は、Ｕ相の電流を流す第２Ｕ相バスバ２１ａと、Ｖ相の電流を流す第２Ｖ相バスバ２１ｂと、Ｗ相の電流を流す第２Ｗ相バスバ２１ｃとから構成される第２バスバ２１を有している。また、第２Ｕ相バスバ２１ａに配置される第２Ｕ相検出素子２３ａと、第２Ｖ相バスバ２１ｂに配置される第２Ｖ相検出素子２３ｂと、第２Ｗ相バスバ２１ｃに配置される第２Ｗ相検出素子２３ｃとから構成される第２磁気検出素子２３とを有している。第２Ｕ相バスバ２１ａと第２Ｖ相バスバ２１ｂと第２Ｗ相バスバ２１ｃは、幅方向において等間隔に配置されているのが好ましい。
【００１９】
第２電流センサモジュール２０は、平行に配置された第２上側シールド板２２ａと第２下側シールド２２ｂとから構成された第２シールド板２２を有している。第２シールド板２２は、第１シールド板１２と少なくとも幅方向において同じ大きさを有しており、好ましくは、長さ方向においても同じ大きさを有している。すなわち、第２シールド板２２は、好ましくは第１シールド板１２と同じ形状を有している。
【００２０】
第２磁気検出素子２３は、第２下側シールド板２２ｂと第２バスバ２１との間に配置されている。第２磁気検出素子２３は、その検知位置が第２上側シールド板２２ａと第２下側シールド２２ｂの間の高さ方向の中央に配置されている。したがって、第２バスバ２１は、第２上側シールド板２２ａと第２下側シールド板２２ｂとの間の中央よりも第２上側シールド板２２ａに近い位置に配置されている。また、第２磁気検出素子２３は、その検知方向が第２シールド板２２と平行となる幅方向とされている。
【００２１】
第２電流センサモジュール２０は、第１電流センサモジュール１０の上に重ねて配置されている。すなわち、第２下側シールド板２２ｂが第１上側シールド板１２ａの上に重なるように配置されている。また、第２磁気検出素子２３は、第１磁気検出素子１３と幅方向の位置が同じに配置されている。すなわち、第２磁気検出素子２３の第２Ｕ相検出素子２３ａ、第２Ｖ相検出素子２３ｂ、及び第２Ｗ相検出素子２３ｃは、第１磁気検出素子１３の第１Ｕ相検出素子１３ａ、第１Ｖ相検出素子１３ｂ、及び第１Ｗ相検出素子１３ｃと幅方向の位置が同じに配置されている。
【００２２】
（第３電流センサモジュール３０）
第３電流センサモジュール３０は、バッテリと直流から交流に変換するパワーモジュールとの間に設けられる。第３電流センサモジュール３０は、直流電流を流すための一つ第３バスバ３１（Ｐ相バスバ３１）と、第３バスバ３１に配置される第３磁気検出素子（第３Ｐ相検出素子３３）とを備えている。
【００２３】
第３電流センサモジュール３０は、平行に配置された第３上側シールド板３２ａと第３下側シールド３２ｂとから構成された第３シールド板３２を有している。第３シールド板３２は、第１シールド板１２及び第２シールド板２２と少なくとも幅方向において同じ大きさを有しており、好ましくは、長さ方向においても同じ大きさを有している。すなわち、第３シールド板３２は、好ましくは第１シールド板１２及び第２シールド板２２と同じ形状を有している。
【００２４】
第３磁気検出素子３３は、第３上側シールド板３２ａと第３バスバ３１との間に配置されている。第３磁気検出素子３３は、その検知位置が第３上側シールド板３２ａと第３下側シールド板３２ｂの間の高さ方向の中央に配置されている。したがって、第３バスバ３１は、第３上側シールド板３２ａと第３下側シールド板３２ｂとの間の中央よりも第３下側シールド板３２ｂに近い位置に配置されている。また、第３磁気検出素子３３は、その検知方向が第３シールド板３２と平行となる幅方向とされている。
【００２５】
第３電流センサモジュール３０は、第２電流センサモジュール２０の上に重ねて配置されている。すなわち、第３下側シールド板３２ｂが第２上側シールド板２２ａの上に重なるように配置されている。第３磁気検出素子３３は、第１Ｖ相検出素子１３ｂ及び第２Ｖ相検出素子２３ｂと幅方向の位置が同じに配置されている。
【００２６】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、外乱磁界を印加した場合の計算結果を示す図（磁束密度ベクトル図）である。電流センサ１の幅方向から２ｍＴの外乱静磁界を印加して、シールド特性を解析で評価した。その結果、７相全てでシールド性能３１ｄＢ以上となり、十分なシールド性能が得られることが確認された。なお、シールド性能３１ｄＢとは、外乱磁界２ｍＴを１／３５倍とする性能である。
【００２７】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、第３電流センサモジュール３０の第３バスバ３１に直流を通電した場合の計算結果を示す図である。これは、第３バスバ３１に流れる直流電流が第１電流センサモジュール１０及び第２電流センサモジュール２０に及ぼす影響を見るための解析である。第３バスバ３１を流れる直流電流による磁束として、第３磁気検出素子３３における磁束密度１１．７６ｍＴを１００％とした場合、第１電流センサモジュール１０及び第２電流センサモジュール２０の検知位置での磁束密度の強度を評価した。この結果、最も影響が大きかったのは、第３バスバ３１に最も近接している第２Ｖ相検出素子２３ｂの０．７％の大きさであった。したがって、第３バスバ３１に流れる直流電流が第１電流センサモジュール１０及び第２電流センサモジュール２０に及ぼす影響は抑制できていることが確認された。
【００２８】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、第２電流センサモジュール２０の第２バスバ２１に３相交流を通電した場合の計算結果を示す図である。これは、第２電流センサモジュール２０の第２バスバ２１に流れる交流電流が第１電流センサモジュール１０及び第３電流センサモジュール３０に及ぼす影響を見るための解析である。第２Ｕ相検出素子２３ａにおける磁束密度１１．５ｍＴを１００％とした場合、第１電流センサモジュール１０及び第３電流センサモジュール３０の検知位置での磁束密度の強度を評価した。この結果、最も影響が大きかったのは、第１Ｕ相検出素子１３ａと第１Ｗ相検出素子１３ｃでの０．５％であった。したがって、第２バスバ２１に流れる交流電流が第１電流センサモジュール１０及び第３電流センサモジュール３０に及ぼす影響は抑制できていることが確認された。なお、３相交流のため、第２シールド板２２内の磁束密度は、第３バスバ３１に直流電流を流した場合の第３シールド板３２内の磁束密度よりも小さくなる。したがって、シールド特性の劣化が抑制される。
【００２９】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る電流センサ１において、第１電流センサモジュール１０のバスバ１１に３相交流を通電した場合の計算結果を示す図である。これは、第１電流センサモジュール１０の第１バスバ１１に流れる交流電流が第２電流センサモジュール２０及び第３電流センサモジュール３０に及ぼす影響を見るための解析である。第１Ｕ相検出素子１３ａにおける磁束密度１１．３ｍＴを１００％とした場合、第２電流センサモジュール２０及び第３電流センサモジュール３０の検知位置での磁束密度の強度を評価した。この結果、最も影響が大きかったのは、第２Ｕ相検出素子２３ａと第２Ｗ相検出素子２３ｃでの０．５％であった。したがって、第１バスバ１１に流れる交流電流が第２電流センサモジュール２０及び第３電流センサモジュール３０に及ぼす影響は抑制できていることが確認された。なお、３相交流のため、第１シールド板１２内の磁束密度は、第３バスバ３１に直流電流を流した場合の第３シールド板３２内の磁束密度よりも小さくなる。したがって、シールド特性の劣化が抑制される。
【００３０】
（実施形態の作用及び効果）
（１）外乱の影響を抑制するためには、シールドが本来の特性を発揮する必要がある。バスバに電流が流れ、シールド内の磁束密度が高くなると、シールドの磁性体が飽和しシールド特性が劣化する懸念がある。本実施の形態では、第１及び第２電流センサモジュール１０，２０が、それぞれ３相のバスバを有しているため、３相ごとにサブモジュールにすることで、電流の総和はゼロになる。このため、シールド内の磁束密度の増大が抑制される。
【００３１】
（２）第１電流センサモジュール１０と第２電流センサモジュール２０と第３電流センサモジュール３０とが高さ方向に重ねて配置されている。この際、第１電流センサモジュール１０の第１上側シールド板１２ａと第２電流センサモジュール２０の第２下側シールド板２２ｂとが接触するように配置されている。また、第２電流センサモジュール２０の第２上側シールド板２２ａと第３電流センサモジュール３０の第３下側シールド板３２ｂとが接触するように配置されている。これにより、実効的に厚いシールドとすることができるので、磁性体の飽和を効果的に抑制することができる。
【００３２】
（３）第１乃至第３の電流センサモジュール１０，２０，３０が有する第１乃至第３磁気検出素子１３，２３，３３は、それぞれ第１乃至第３シールド板１２，２２，３２の高さ方向の中央に配置されている。シールド板の高さ方向の中央では、他相（他の電流センサモジュールのバスバ）の電流による磁束密度方向が高さ方向になるため、第１乃至第３磁気検出素子１３，２３，３３の検知方向を幅方向とすることで、他相の干渉を効果的に抑制できる。
【００３３】
（４）単相直流を検出する第３電流センサモジュール３０において、第３シールド板３２の大きさを、３相交流を検出する第１及び第２電流センサモジュール１０，２０と同じにすることで、他相との干渉を効果的に抑制することができる。
【００３４】
（５）第３電流センサモジュール３０において、第３バスバ３１を幅方向の中央に配置することで、外乱磁界の影響を受けにくくすることができる。
【００３５】
（６）第１電流センサモジュール１０及び第２電流センサモジュール２０において、第１Ｕ相バスバ１１ａと第１Ｖ相バスバ１１ｂと第１Ｗ相バスバ１１ｃは、幅方向において等間隔に配置されていると共に、第２Ｕ相バスバ２１ａと第２Ｖ相バスバ２１ｂと第２Ｗ相バスバ２１ｃは、幅方向において等間隔に配置されているため、他相干渉の影響をできるだけ均等にすることができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る電流センサ１０２の断面図である。第１の実施形態と共通する部材については、同じ番号を付与してある。第２の実施形態に係る電流センサ１０２は、第１下側シールド板１２ｂの下に追加シールド板６１が設けられと共に、第３上側シールド板３２ａの上の追加シールド板６２が設けられている点で、第１の実施形態の電流センサ１と異なっている。つまり、他の電流センサモジュールと接触しないシールド板に追加シールド板が設けられている。
【００３７】
第１電流センサモジュール１０と第２電流センサモジュール２０と第３電流センサモジュール３０とが高さ方向に重ねて配置されているため、各電流センサモジュール間のシールドは、実効的に厚いシールド板となるが、それぞれのシールド板が重なっていない第１下側シールド板１２ｂと第３上側シールド板３２ａは、相対的に薄くなる。そこで、追加シールド板６１，６２を設けることで、シールド板の厚さが上下対称になり、シールド性能や他相の干渉の影響を効率的に抑制できる。
【００３８】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係る電流センサ１０３の断面図である。第３の実施形態に係る電流センサ１０３は、各電流センサモジュールにおいて、磁気検出素子とシールド板との間に導電体が設けられている点で、第１の実施形態の電流センサ１と異なっている。
【００３９】
第１電流センサモジュール１０は、第１上側シールド板１２ａと第１磁気検出素子１３との間に第１導電板７１が設けられている。第２電流センサモジュール２０は、第２下側シールド板２２ｂと第２磁気検出素子２３との間に第２導電板７２が設けられている。第３電流センサモジュール３０は、第３上側シールド板３２ａと第３磁気検出素子３３との間に第３導電板７３が設けられている。第１乃至第３導電体７１，７２，７３の材料は、例えば、銅やアルミニウム等の非磁性の導電材料からなる。第１導電体７１は、第１Ｕ相検出素子１３ａと第１Ｖ相検出素子１３ｂと第１Ｗ相検出素子１３ｃを全て覆うように幅方向に伸びている。同様に、第２導電体７２は、第２Ｕ相検出素子２３ａと第２Ｖ相検出素子２３ｂと第２Ｗ相検出素子２３ｃを全て覆うように幅方向に伸びている。第１乃至第３導電体７１，７２，７３は、好ましくは、同じ大きさを有している。第１乃至第３導電体７１，７２，７３を設けることにより、電流に対する応答性を改善することができる。
【００４０】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態に係る電流センサ１０４の断面図である。第４の実施形態に係る電流センサ１０４は、第１乃至第３電流センサモジュール１０，２０，３０の重なる順番が第１の実施形態の電流センサ１と異なっている。すなわち、３相交流に対応した第１電流センサモジュール１０と第２電流センサモジュール２０が、単相直流に対応した第３電流センサモジュール３０を挟み込むように配置している。このように配置することで、上下対象となり、他相の干渉を効果的に抑制することができる。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。
【００４２】
上記の実施形態では、３相交流の電流センサモジュールを２つ、単相直流の電流センサモジュールを１つ備えた電流センサとしたが、例えば、３相交流の電流センサモジュールを３つ備えた電流センサでも良い。また、電流センサモジュールを３つ備えた電流センサとしたが、少なくとも１つの電流センサモジュールを追加し、合計４つ以上の電流センサモジュールを重ねて配置しても良い。
【符号の説明】
【００４３】
１、１０２、１０３、１０４  電流センサ
１０  第１電流センサモジュール
１１  第１バスバ
１１ａ  第１Ｕ相バスバ
１１ｂ  第１Ｖ相バスバ
１１ｃ  第１Ｗ相バスバ
１２  第１シールド板
１２ａ  第１上シールド板
１２ｂ  第１下シールド板
１３  第１磁気検出素子
１３ａ  第１Ｕ相検出素子
１３ｂ  第１Ｖ相検出素子
１３ｂ  第１Ｗ相検出素子
２０  第２電流センサモジュール
２１  第２バスバ
２１ａ  第２Ｕ相バスバ
２１ｂ  第２Ｖ相バスバ
２１ｃ  第２Ｗ相バスバ
２２  第２シールド板
２２ａ  第２上シールド板
２２ｂ  第２下シールド板
２３  第２磁気検出素子
２３ａ  第２Ｕ相検出素子
２３ｂ  第２Ｖ相検出素子
２３ｂ  第２Ｗ相検出素子
３０  第３電流センサモジュール
３１  第３バスバ（Ｐ相バスバ）
３２  第３シールド板
３２ａ  第３上シールド板
３２ｂ  第３下シールド板
３３  第３磁気検出素子（第３ｐ相検出素子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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