(57)【要約】【課題】トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を作製する。特に、結晶粒界などの欠陥の少ない酸化物を作製する。【解決手段】基板に平行方向の成分を有して磁場が加えられ、磁場は、１０Ｇ以上１００Ｇ以下となる領域を有し、ターゲットが結晶体または多結晶体であるマグネトロンスパッタ法を用いて、結晶体または多結晶体中の結晶をペレット状にしてプラズマ中を飛翔せしめて被形成面上に被形成面と平行または略平行に配列せしめて積層する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上面に酸化物半導体膜を成膜する酸化物半導体膜の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜の成膜時に、前記基板の温度を１００℃以上４５０℃以下（但し、４００℃を超えた温度を除く）とし、且つ成膜ガス中の酸素分圧を３３体積％以下（但し、３０体積％以上を除く）とし、
成膜された前記酸化物半導体膜は、
電子線の照射開始時において高分解能断面ＴＥＭ像により観察される結晶部の大きさと、前記電子線の累積照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２となるまで前記電子線を照射した後において前記高分解能断面ＴＥＭ像により観察される前記結晶部の大きさとが、同様である酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜の密度は、５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満である酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜の水素濃度は、７×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる領域を有する酸化物半導体膜の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、酸化物、トランジスタおよび半導体装置、ならびにそれらの製造方法
に関する。または、本発明は、例えば、酸化物、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装
置、記憶装置、プロセッサ、電子機器に関する。または、酸化物、表示装置、液晶表示装
置、発光装置、記憶装置、電子機器の製造方法に関する。または、半導体装置、表示装置
、液晶表示装置、発光装置、記憶装置、電子機器の駆動方法に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。
【０００３】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指す。表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、半導体回路および電子機器
は、半導体装置を有する場合がある。
【背景技術】
【０００４】
絶縁表面を有する基板上の半導体を用いて、トランジスタを構成する技術が注目されてい
る。当該トランジスタは集積回路や表示装置のような半導体装置に広く応用されている。
トランジスタに適用可能な半導体としてシリコンが知られている。
【０００５】
トランジスタの半導体に用いられるシリコンは、用途によって非晶質シリコンと多結晶シ
リコンとが使い分けられている。例えば、大型の表示装置を構成するトランジスタに適用
する場合、大面積基板への成膜技術が確立されている非晶質シリコンを用いると好適であ
る。一方、駆動回路と画素回路とを同一基板上に形成するような高機能の表示装置を構成
するトランジスタに適用する場合、高い電界効果移動度を有するトランジスタを作製可能
な多結晶シリコンを用いると好適である。多結晶シリコンは、非晶質シリコンに対し高温
での熱処理、またはレーザ光処理を行うことで形成する方法が知られる。
【０００６】
近年は、非晶質酸化物半導体、および微結晶を有する非晶質酸化物半導体を用いたトラン
ジスタが開示されている（特許文献１参照。）。酸化物半導体は、スパッタリング法など
を用いて成膜できるため、大型の表示装置を構成するトランジスタの半導体に用いること
ができる。また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高い電界効果移動度を有するた
め、駆動回路と画素回路とを同一基板上に形成するような高機能の表示装置を実現できる
。また、非晶質シリコンを用いたトランジスタの生産設備の一部を改良して利用すること
が可能であるため、設備投資を抑えられるメリットもある。
【０００７】
なお、１９８５年には、結晶Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の合成が報告されている（非特許文
献１参照。）。また、１９９５年には、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物がホモロガス構造をとり
、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは自然数。）という組成式で記述されることが報告され
ている（非特許文献２参照。）。
【０００８】
また、２０１４年には、非晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタと比べ、優
れた電気特性および信頼性を有する、結晶性Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジス
タについて報告されている（非特許文献３および非特許文献４参照。）。ここでは、ＣＡ
ＡＣ−ＯＳ（Ｃ−Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓ
ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、結晶粒界が明確に確認
されないことが報告されている。
【０００９】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小
さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が低
いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献２参照。）
。また、酸化物半導体からなる活性層で井戸型ポテンシャルを構成することにより、高い
電界効果移動度を有するトランジスタが得られることが開示されている（特許文献３参照
。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−１６５５２８号公報
【特許文献２】特開２０１２−２５７１８７号公報
【特許文献３】特開２０１２−５９８６０号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ，  ａｎｄ  Ｔ．  Ｍｏｈｒｉ：  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １９８５  ｖｏｌ．６０  ｐｐ．３８２−３８４
【非特許文献２】Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ，  Ｍ．  Ｉｓｏｂｅ，  ａｎｄ  Ｍ．  Ｎａｋａｍｕｒａ：  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １９９５  ｖｏｌ．１１６  ｐ１７０−ｐ１７８
【非特許文献３】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ，  Ｈ．  Ｓｕｚａｗａ，  Ｋ．  Ｉｎｏｕｅ，  Ｋ．  Ｋａｔｏ，  Ｔ．  Ｈｉｒｏｈａｓｈｉ，  Ｋ．  Ｏｋａｚａｋｉ，  ａｎｄ  Ｎ．  Ｋｉｍｉｚｕｋａ：  Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ２０１４  ｖｏｌ．５３  ０４ＥＤ１８
【非特許文献４】Ｓ．  Ｙａｍａｚａｋｉ，  Ｔ．  Ｈｉｒｏｈａｓｈｉ，  Ｍ．  Ｔａｋａｈａｓｈｉ，  Ｓ．  Ａｄａｃｈｉ，  Ｍ．  Ｔｓｕｂｕｋｕ，  Ｊ．  Ｋｏｅｚｕｋａ，  Ｋ．  Ｏｋａｚａｋｉ，  Ｙ．  Ｋａｎｚａｋｉ，  Ｈ．  Ｍａｔｓｕｋｉｚｏｎｏ，  Ｓ．  Ｋａｎｅｋｏ，  Ｓ．  Ｍｏｒｉ，  ａｎｄ  Ｔ．  Ｍａｔｓｕｏ：  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ  ８  Ａｐｒｉｌ  ２０１４  ２１１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を作製する方法を提供することを課題の
一とする。特に、結晶粒界などの欠陥の少ない酸化物を作製する方法を提供することを課
題の一とする。
【００１３】
または、酸化物を半導体に用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。または、
酸化物を半導体に用いた半導体装置を有するモジュールを提供することを課題の一とする
。または、酸化物を半導体に用いた半導体装置、または酸化物を半導体に用いた半導体装
置を有するモジュールを有する電子機器を提供することを課題の一とする。
【００１４】
電気特性の良好なトランジスタを提供することを課題の一とする。または、電気特性の安
定したトランジスタを提供することを課題の一とする。または、高い周波数特性を有する
トランジスタを提供することを課題の一とする。または、オフ時の電流の小さいトランジ
スタを提供することを課題の一とする。または、該トランジスタを有する半導体装置を提
供することを課題の一とする。または、該半導体装置を有するモジュールを提供すること
を課題の一とする。または、該半導体装置、または該モジュールを有する電子機器を提供
することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする
。または、新規なモジュールを提供することを課題の一とする。または、新規な電子機器
を提供することを課題の一とする。
【００１５】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
（１）本発明の一態様は、基板に平行方向の成分を有して磁場が加えられ、磁場は、磁束
密度が１０Ｇ以上１００Ｇ以下となる領域を有し、ターゲットが結晶体または多結晶体で
あるマグネトロンスパッタ法を用いて、結晶体または多結晶体中の結晶をペレット状にし
てプラズマ中を飛翔せしめて被形成面上に被形成面と平行または略平行に配列せしめて積
層する酸化物の作製方法である。
【００１７】
（２）または、本発明の一態様は、（１）において、ペレット状の結晶はチャージアップ
しており、被形成面に対して、磁場が０．１Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下のビートで回転または
移動していることにより、ペレット状の結晶を被形成面に配列せしめる酸化物の作製方法
である。
【００１８】
（３）または、本発明の一態様は、酸化物の作製方法であって、酸化物は、マグネトロン
スパッタ法を用いて成膜され、マグネトロンスパッタ法は、第１のステップと、第２のス
テップとを有し、第１のステップおよび第２のステップにおいて、基板の上面に平行方向
の成分を有する磁場が加えられ、マグネトロンスパッタ法において使用されるターゲット
は、多結晶構造を有する領域を有し、ターゲットは、基板と向かい合って配置され、ター
ゲットは、結晶粒を有し、第１のステップにおいて、結晶粒の一部は、ペレット状になっ
て、プラズマ中を飛翔し、第２のステップにおいて、ペレット状の結晶粒の一部は、基板
の上面に、上面と平行または略平行に配列するように積層される酸化物の作製方法である
。
【００１９】
（４）または、本発明の一態様は、スパッタリング装置を用いた酸化物の作製方法であっ
て、第１のステップと、第２のステップと、第３のステップと、を有し、スパッタリング
装置は、ターゲットと、基板と、マグネットユニットと、を有し、ターゲットは、インジ
ウムと、亜鉛と、元素Ｍ（元素Ｍはアルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズ）
と、酸素と、を有し、ターゲットは、多結晶構造を有する領域を有し、ターゲットは、基
板と向かい合って配置され、マグネットユニットは、ターゲットの背面側に配置され、マ
グネットユニットは、ターゲット側にＮ極を有する第１のマグネットと、ターゲット側に
Ｓ極を有する第２のマグネットと、台座と、を有し、第１のマグネットと第２のマグネッ
トとの間に、磁場が形成されており、第１のステップは、基板とマグネットユニットとが
、相対的に移動または回転するステップを有し、第１のステップは、ターゲットおよび基
板間に電位差を与えることでプラズマを生成するステップを有し、第１のステップは、プ
ラズマ中に生じたイオンを、ターゲットのおもて面側に衝突させることで、平板状酸化物
を剥離させるステップを有し、平板状酸化物は、第１の層と、第２の層と、第３の層と、
を有し、第１の層は、元素Ｍ、亜鉛および酸素を有し、第２の層は、インジウムおよび酸
素を有し、第３の層は、元素Ｍ、亜鉛および酸素を有し、第２のステップは、平板状酸化
物が、プラズマ中を通ることで負に帯電した後、結晶構造を維持したまま基板上面に近接
するステップを有し、第３のステップは、磁場と電流との作用により、平板状酸化物が、
基板上面を移動してから堆積するステップを有し、電流は基板からターゲットに向けて流
れる酸化物の作製方法である。
【００２０】
（５）または、本発明の一態様は、（４）において、基板の上面における水平磁場の磁束
密度が１０Ｇ以上１００Ｇ以下である酸化物の作製方法である。
【００２１】
（６）または、本発明の一態様は、（４）または（５）において、マグネットユニットは
、台座の中央を回転軸として回転しており、マグネットユニットの回転速度が０．１Ｈｚ
以上１ｋＨｚ以下である酸化物の作製方法である。
【００２２】
（７）または、本発明の一態様は、（４）乃至（６）のいずれか一において、平板状酸化
物の側面にあるインジウム、元素Ｍまたは亜鉛と結合する酸素が負に帯電する酸化物の作
製方法である。
【００２３】
（８）または、本発明の一態様は、（４）乃至（７）のいずれか一において、負に帯電し
た酸素同士を互いに反発させることで、平板状酸化物の形状を維持する酸化物の作製方法
である。
【００２４】
（９）または、本発明の一態様は、（４）乃至（８）のいずれか一において、平板状酸化
物は、基板上面を移動し、側面が既に堆積している平板状酸化物の側面と結合した後で基
板上面に固着する酸化物の作製方法である。
【００２５】
（１０）または、本発明の一態様は、（４）乃至（９）のいずれか一において、平板状酸
化物は、基板上面に堆積する際、基板上面の法線ベクトルとｃ軸との為す角が、−３０°
以上３０°以下となる酸化物の作製方法である。
【００２６】
（１１）または、本発明の一態様は、（４）乃至（１０）のいずれか一において、ターゲ
ットに含まれる結晶性酸化物の組成式がＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは自然数。）である
酸化物の作製方法である。
【００２７】
（１２）または、本発明の一態様は、（４）乃至（１１）のいずれか一において、イオン
が、酸素の陽イオンである酸化物の作製方法である。
【発明の効果】
【００２８】
トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を作製する方法を提供することができる
。特に、結晶粒界などの欠陥の少ない酸化物を作製する方法を提供することができる。
【００２９】
または、酸化物を半導体に用いた半導体装置を提供することができる。または、酸化物を
半導体に用いた半導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、酸化物
を半導体に用いた半導体装置、または酸化物を半導体に用いた半導体装置を有するモジュ
ールを有する電子機器を提供することができる。
【００３０】
電気特性の良好なトランジスタを提供することができる。または、電気特性の安定したト
ランジスタを提供することができる。または、高い周波数特性を有するトランジスタを提
供することができる。または、オフ時の電流の小さいトランジスタを提供することができ
る。または、該トランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、該半
導体装置を有するモジュールを提供することができる。または、該半導体装置、または該
モジュールを有する電子機器を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供
することができる。または、新規なモジュールを提供することができる。または、新規な
電子機器を提供することができる。
【００３１】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】成膜室の一例を示す断面図、およびマグネットユニットの一例を示す上面図。
【図２】成膜室の一例を示す断面図、およびマグネットユニットの一例を示す上面図。
【図３】ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図、およびペレットを示す図。
【図４】ペレットを説明する図。
【図５】被形成面においてペレットに加わる力を説明する図。
【図６】被形成面におけるペレットの動きを説明する図。
【図７】ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を説明する図。
【図８】Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の組成を説明する三角図。
【図９】成膜装置の一例を示す上面図。
【図１０】成膜装置の構成の一例を示す図。
【図１１】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１２】本発明の一態様に係るトランジスタを示す断面図。
【図１３】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１４】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１５】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１６】本発明の一態様に係るトランジスタを示す上面図および断面図。
【図１７】本発明の一態様に係るトランジスタを示す断面図。
【図１８】本発明の一態様に係る半導体装置の回路図。
【図１９】本発明の一態様に係る記憶装置の回路図。
【図２０】本発明の一態様に係るＣＰＵを示すブロック図。
【図２１】本発明の一態様に係る記憶素子の回路図。
【図２２】本発明の一態様に係る表示装置の上面図および回路図。
【図２３】本発明の一態様に係る電子機器を示す図。
【図２４】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図。
【図２５】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図。
【図２６】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図。
【図２７】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図。
【図２８】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像および電子回折パターンを示す図。
【図２９】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像および電子回折パターンを示す図。
【図３０】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子回折パターンを示す図。
【図３１】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子回折パターンを示す図。
【図３２】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＸＲＤ装置による解析結果を示す図。
【図３３】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＸＲＤ装置による解析結果を示す図。
【図３４】ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルを説明する模式図。
【図３５】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図３６】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図。
【図３７】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図、および電子照射による結晶部の変化を示す図。
【図３８】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の水素濃度の深さ方向におけるプロファイル。
【図３９】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図、および電子回折パターンを示す図。
【図４０】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図、および電子回折パターンを示す図。
【図４１】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図、およびＴＥＭ像を示す図。
【図４２】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の電子照射による結晶部の変化を示す図、およびＴＥＭ像を示す図。
【図４３】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＴＥＭ像を示す図。
【図４４】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物のＡＤＦ−ＳＴＥＭ像および各元素マッピングを示す図。
【図４５】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタの電気特性を示す図。
【図４６】ＰＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタの電気特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に
理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるもの
ではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異
なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じく
し、特に符号を付さない場合がある。
【００３４】
なお、図において、大きさ、膜（層）の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて
いる場合がある。
【００３５】
また、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ）またはソース電位）
との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能である
。
【００３６】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜的に用いるものであり、工程順または積層
順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」な
どと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書などに記載されている序数詞
と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００３７】
なお、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は「絶縁体」とし
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
【００３８】
また、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分高い場合は「導電体」とし
ての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳密
に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」と
言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導体
」と言い換えることができる場合がある。
【００３９】
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度
が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、半導
体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｔａｔｅ）が形成されることや、キャリア移動度
が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導
体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族
元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などがあり、特に、例えば、
水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素
などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入によって酸素欠損を形
成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純
物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５
族元素などがある。
【００４０】
なお、本明細書において、Ａが濃度Ｂの領域を有する、と記載する場合、例えば、Ａのあ
る領域における深さ方向全体の濃度がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃
度の平均値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の中央値がＢである場
合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の最大値がＢである場合、Ａのある領域におけ
る深さ方向の濃度の最小値がＢである場合、Ａのある領域における深さ方向の濃度の収束
値がＢである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域における濃度がＢで
ある場合などを含む。
【００４１】
また、本明細書において、Ａが大きさＢ、長さＢ、厚さＢ、幅Ｂまたは距離Ｂの領域を有
する、と記載する場合、例えば、Ａのある領域における全体の大きさ、長さ、厚さ、幅、
または距離がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離
の平均値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の
中央値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の最
大値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の最小
値がＢである場合、Ａのある領域における大きさ、長さ、厚さ、幅、または距離の収束値
がＢである場合、測定上Ａそのものの確からしい値の得られる領域での大きさ、長さ、厚
さ、幅、または距離がＢである場合などを含む。
【００４２】
なお、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトラン
ジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重な
る領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電
極）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つの
トランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一
つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細
書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、
最小値または平均値とする。
【００４３】
チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で
電流の流れる部分）とゲート電極とが互いに重なる領域、またはチャネルが形成される領
域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つのト
ランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一
つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細
書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、
最小値または平均値とする。
【００４４】
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネ
ル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、
立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図
において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる
場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に
形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合
が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よ
りも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
【００４５】
ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測
による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積
もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状
が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
【００４６】
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが互いに
重なる領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上
のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  Ｃｈａｎｎｅ
ｌ  Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した
場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、
本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合があ
る。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い
込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを取得して、その画像を解析することなどによ
って、値を決定することができる。
【００４７】
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求め
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
【００４８】
なお、本明細書において、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載する場合、上面図ま
たは断面図において、Ａの少なくとも一端が、Ｂの少なくとも一端よりも外側にある形状
を有することを示す場合がある。したがって、ＡがＢより迫り出した形状を有すると記載
されている場合、例えば上面図において、Ａの一端が、Ｂの一端よりも外側にある形状を
有すると読み替えることができる。
【００４９】
＜スパッタリング装置＞
以下では、本発明の一態様に係るスパッタリング装置と、該スパッタリング装置を用いて
結晶性を有する酸化物を成膜する方法について説明する。
【００５０】
図１（Ａ）は、スパッタリング装置である成膜室１０１の断面図である。図１（Ａ）に示
す成膜室１０１は、ターゲットホルダ１２０と、バッキングプレート１１０と、ターゲッ
ト１００と、マグネットユニット１３０と、基板ホルダ１７０と、を有する。なお、ター
ゲット１００は、バッキングプレート１１０上に配置される。また、バッキングプレート
１１０は、ターゲットホルダ１２０上に配置される。また、マグネットユニット１３０は
、バッキングプレート１１０を介してターゲット１００下に配置される。また、基板ホル
ダ１７０は、ターゲット１００と向かい合って配置される。なお、本明細書では、複数の
マグネット（磁石）を組み合わせたものをマグネットユニットと呼ぶ。マグネットユニッ
トは、カソード、カソードマグネット、磁気部材、磁気部品などと呼びかえることができ
る。マグネットユニット１３０は、マグネット１３０Ｎと、マグネット１３０Ｓと、マグ
ネットホルダ１３２と、を有する。なお、マグネットユニット１３０において、マグネッ
ト１３０Ｎおよびマグネット１３０Ｓは、マグネットホルダ１３２上に配置される。また
、マグネット１３０Ｎは、マグネット１３０Ｓと間隔を開けて配置される。なお、成膜室
１０１に基板１６０を搬入する場合、基板１６０は基板ホルダ１７０上に配置される。
【００５１】
ターゲットホルダ１２０とバッキングプレート１１０とは、ネジ（ボルトなど）を用いて
固定されており、等電位となる。また、ターゲットホルダ１２０は、バッキングプレート
１１０を介してターゲット１００を支持する機能を有する。
【００５２】
バッキングプレート１１０は、ターゲット１００を固定する機能を有する。
【００５３】
図１（Ａ）に、マグネットユニット１３０によって形成される磁力線１８０ａおよび磁力
線１８０ｂを示す。
【００５４】
磁力線１８０ａは、ターゲット１００の上面近傍における水平磁場を形成する磁力線の一
つである。ターゲット１００の上面近傍は、例えば、ターゲット１００の上面からの垂直
距離が０ｍｍ以上１０ｍｍ以下、特に０ｍｍ以上５ｍｍ以下の領域である。なお、ターゲ
ットの上面は、スパッタされる面を指す。例えば、ターゲットの向きに応じて、下面、側
面、正面または被処理面などと呼びかえることができる。
【００５５】
磁力線１８０ｂは、マグネットユニット１３０の上面から、垂直距離ｄの位置に水平磁場
を形成する磁力線の一つである。垂直距離ｄは、例えば、０ｍｍ以上２０ｍｍ以下または
５ｍｍ以上１５ｍｍ以下である。なお、マグネットユニットの上面は、マグネットユニッ
トのターゲット側の面を指す。例えば、マグネットユニットの向きに応じて、下面、側面
または正面などと呼びかえることができる。
【００５６】
このとき、強力なマグネット１３０Ｎおよび強力なマグネット１３０Ｓを用いることで、
基板１６０の上面近傍においても強い磁場を発生させることができる。具体的には、基板
１６０の上面における水平磁場の磁束密度を１０Ｇ以上１００Ｇ以下、好ましくは１５Ｇ
以上６０Ｇ以下、さらに好ましくは２０Ｇ以上４０Ｇ以下とすることができる。基板１６
０の上面における水平磁場の磁束密度を上述の範囲とすることにより、後述する成膜モデ
ルを実現することができる。なお、基板の上面は、成膜される面を指す。例えば、基板の
向きに応じて、下面、側面、正面または被形成面などと呼びかえることができる。
【００５７】
なお、水平磁場の磁束密度の測定は、垂直磁場の磁束密度が０Ｇのときの値を測定すれば
よい。
【００５８】
成膜室１０１における磁場の磁束密度を上述の範囲とすることで、密度が高く、結晶性の
高い酸化物を成膜することができる。また、得られる酸化物は、複数種の結晶相を含むこ
とが少なく、ほとんど単一の結晶相を含む酸化物となる。
【００５９】
図１（Ｂ）に、マグネットユニット１３０の上面図を示す。マグネットユニット１３０は
、円形または略円形のマグネット１３０Ｎと、円形または略円形のマグネット１３０Ｓと
、がマグネットホルダ１３２に固定されていることわかる。そして、マグネットユニット
１３０を、マグネットユニット１３０の上面における中央または略中央の法線ベクトルを
回転軸として回転させることができる。例えば、マグネットユニット１３０を、０．１Ｈ
ｚ以上１ｋＨｚ以下のビート（リズム、拍子、パルス、周波、周期またはサイクルなどと
言い換えてもよい。）で回転させればよい。
【００６０】
したがって、ターゲット１００上の磁場の強い領域は、マグネットユニット１３０の回転
とともに変化する。磁場の強い領域は高密度プラズマ領域となるため、その近傍において
ターゲット１００のスパッタリング現象が起こりやすい。例えば、磁場の強い領域が特定
の箇所となる場合、ターゲット１００の特定の領域のみが使用されることになる。一方、
図１（Ｂ）に示すようにマグネットユニット１３０を回転させることで、ターゲット１０
０を均一に使用することができる。また、マグネットユニット１３０を回転させることに
よって、均一な厚さ、質を有する膜を成膜することができる。
【００６１】
また、マグネットユニット１３０を回転させることにより、基板１６０の上面における磁
力線の向きも変化させることができる。
【００６２】
なお、ここではマグネットユニット１３０を回転させる例を示したが、本発明の一態様は
これに限定されるものではない。例えば、マグネットユニット１３０を上下または／およ
び左右に揺動させても構わない。例えば、マグネットユニット１３０を、０．１Ｈｚ以上
１ｋＨｚ以下のビートで移動させればよい。または、ターゲット１００を回転または移動
させても構わない。例えば、ターゲット１００を、０．１Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下のビート
で回転または移動させればよい。または、基板１６０を回転させることで、相対的に基板
１６０の上面における磁力線の向きを変化させても構わない。または、これらを組み合わ
せても構わない。
【００６３】
成膜室１０１は、バッキングプレート１１０の内部または下部などに水路を有してもよい
。そして、水路に流体（空気、窒素、希ガス、水、オイルなど）を流すことで、スパッタ
時にターゲット１００の温度の上昇による放電異常や、部材の変形による成膜室１０１の
損傷などを抑制することができる。このとき、バッキングプレート１１０とターゲット１
００とをボンディング材を介して密着させると、冷却性能が高まるため好ましい。
【００６４】
なお、ターゲットホルダ１２０とバッキングプレート１１０との間にガスケットを有する
と、成膜室１０１内に外部や水路などから不純物が混入しにくくなるため好ましい。
【００６５】
マグネットユニット１３０において、マグネット１３０Ｎとマグネット１３０Ｓとは、そ
れぞれターゲット１００側に異なる極を向けて配置されている。ここでは、マグネット１
３０Ｎをターゲット１００側がＮ極となるように配置し、マグネット１３０Ｓをターゲッ
ト１００側がＳ極となるように配置する場合について説明する。ただし、マグネットユニ
ット１３０におけるマグネットおよび極の配置は、この配置に限定されるものではない。
また、図１（Ａ）の配置に限定されるものでもない。
【００６６】
成膜時、ターゲットホルダ１２０に接続する端子Ｖ１に印加される電位Ｖ１は、例えば、
基板ホルダ１７０に接続する端子Ｖ２に印加される電位Ｖ２よりも低い電位である。また
、基板ホルダ１７０に接続する端子Ｖ２に印加される電位Ｖ２は、例えば、接地電位であ
る。また、マグネットホルダ１３２に接続する端子Ｖ３に印加される電位Ｖ３は、例えば
、接地電位である。なお、端子Ｖ１、端子Ｖ２および端子Ｖ３に印加される電位は上記の
電位に限定されない。また、ターゲットホルダ１２０、基板ホルダ１７０、マグネットホ
ルダ１３２の全てに電位が印加されなくても構わない。例えば、基板ホルダ１７０が電気
的に浮いていても構わない。なお、図１（Ａ）では、ターゲットホルダ１２０に接続する
端子Ｖ１に電位Ｖ１を印加する、いわゆるＤＣスパッタリング法の例を示したが、本発明
の一態様は、これに限定されない。例えば、ターゲットホルダ１２０に、周波数が１３．
５６ＭＨｚまたは２７．１２ＭＨｚなどの高周波電源を接続する、いわゆるＲＦスパッタ
リング法を用いても構わない。
【００６７】
また、図１（Ａ）では、バッキングプレート１１０およびターゲットホルダ１２０と、マ
グネットユニット１３０およびマグネットホルダ１３２と、は電気的に接続されない例を
示したが、これに限定されない。例えば、バッキングプレート１１０およびターゲットホ
ルダ１２０と、マグネットユニット１３０およびマグネットホルダ１３２と、が電気的に
接続されており、等電位となっていても構わない。
【００６８】
また、得られる酸化物の結晶性をさらに高めるために、基板１６０の温度を高くしても構
わない。基板１６０の温度を高くすることで、基板１６０の上面におけるスパッタ粒子の
マイグレーションを助長させることができる。したがって、より密度が高く、より結晶性
の高い酸化物を成膜することができる。なお、基板１６０の温度は、例えば、１００℃以
上４５０℃以下、好ましくは１５０℃以上４００℃以下、さらに好ましくは１７０℃以上
３５０℃以下とすればよい。
【００６９】
また、成膜ガス中の酸素分圧が高すぎると、複数種の結晶相を含む酸化物が成膜されやす
いため、成膜ガスはアルゴンなどの希ガス（ほかにヘリウム、ネオン、クリプトン、キセ
ノンなど）と酸素との混合ガスを用いると好ましい。例えば、全体に占める酸素の割合を
５０体積％未満、好ましくは３３体積％以下、さらに好ましくは２０体積％以下、より好
ましくは１５体積％以下とすればよい。
【００７０】
また、ターゲット１００と基板１６０との垂直距離を、１０ｍｍ以上６００ｍｍ以下、好
ましくは２０ｍｍ以上４００ｍｍ以下、さらに好ましくは３０ｍｍ以上２００ｍｍ以下、
より好ましくは４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とする。ターゲット１００と基板１６０との
垂直距離を上述の範囲まで近くすることで、スパッタ粒子が、基板１６０に到達するまで
の間におけるエネルギーの低下を抑制できる場合がある。また、ターゲット１００と基板
１６０との垂直距離を上述の範囲まで遠くすることで、スパッタ粒子の基板１６０への入
射方向を垂直に近づけることができるため、スパッタ粒子の衝突による基板１６０へのダ
メージを小さくすることができる場合がある。
【００７１】
図２（Ａ）に、図１（Ａ）とは異なる成膜室の例を示す。
【００７２】
図２（Ａ）に示す成膜室１０１は、ターゲットホルダ１２０ａと、ターゲットホルダ１２
０ｂと、バッキングプレート１１０ａと、バッキングプレート１１０ｂと、ターゲット１
００ａと、ターゲット１００ｂと、マグネットユニット１３０ａと、マグネットユニット
１３０ｂと、部材１４０と、基板ホルダ１７０と、を有する。なお、ターゲット１００ａ
は、バッキングプレート１１０ａ上に配置される。また、バッキングプレート１１０ａは
、ターゲットホルダ１２０ａ上に配置される。また、マグネットユニット１３０ａは、バ
ッキングプレート１１０ａを介してターゲット１００ａ下に配置される。また、ターゲッ
ト１００ｂは、バッキングプレート１１０ｂ上に配置される。また、バッキングプレート
１１０ｂは、ターゲットホルダ１２０ｂ上に配置される。また、マグネットユニット１３
０ｂは、バッキングプレート１１０ｂを介してターゲット１００ｂ下に配置される。
【００７３】
マグネットユニット１３０ａは、マグネット１３０Ｎ１と、マグネット１３０Ｎ２と、マ
グネット１３０Ｓと、マグネットホルダ１３２と、を有する。なお、マグネットユニット
１３０ａにおいて、マグネット１３０Ｎ１、マグネット１３０Ｎ２およびマグネット１３
０Ｓは、マグネットホルダ１３２上に配置される。また、マグネット１３０Ｎ１およびマ
グネット１３０Ｎ２は、マグネット１３０Ｓと間隔を開けて配置される。なお、マグネッ
トユニット１３０ｂは、マグネットユニット１３０ａと同様の構造を有する。なお、成膜
室１０１に基板１６０を搬入する場合、基板１６０は基板ホルダ１７０上に配置される。
【００７４】
ターゲット１００ａ、バッキングプレート１１０ａおよびターゲットホルダ１２０ａと、
ターゲット１００ｂ、バッキングプレート１１０ｂおよびターゲットホルダ１２０ｂと、
は部材１４０によって離間されている。なお、部材１４０は絶縁体であることが好ましい
。ただし、部材１４０が導電体または半導体であっても構わない。また、部材１４０が、
導電体または半導体の表面を絶縁体で覆ったものであっても構わない。
【００７５】
ターゲットホルダ１２０ａとバッキングプレート１１０ａとは、ネジ（ボルトなど）を用
いて固定されており、等電位となる。また、ターゲットホルダ１２０ａは、バッキングプ
レート１１０ａを介してターゲット１００ａを支持する機能を有する。また、ターゲット
ホルダ１２０ｂとバッキングプレート１１０ｂとは、ネジ（ボルトなど）を用いて固定さ
れており、等電位となる。また、ターゲットホルダ１２０ｂは、バッキングプレート１１
０ｂを介してターゲット１００ｂを支持する機能を有する。
【００７６】
バッキングプレート１１０ａは、ターゲット１００ａを固定する機能を有する。また、バ
ッキングプレート１１０ｂは、ターゲット１００ｂを固定する機能を有する。
【００７７】
図２（Ａ）に、マグネットユニット１３０ａによって形成される磁力線１８０ａおよび磁
力線１８０ｂを示す。
【００７８】
磁力線１８０ａは、ターゲット１００ａの上面近傍における水平磁場を形成する磁力線の
一つである。ターゲット１００ａの上面近傍は、例えば、ターゲット１００ａの上面から
の垂直距離が０ｍｍ以上１０ｍｍ以下、特に０ｍｍ以上５ｍｍ以下の領域である。
【００７９】
磁力線１８０ｂは、マグネットユニット１３０ａの上面から、垂直距離ｄの位置に水平磁
場を形成する磁力線の一つである。垂直距離ｄは、例えば、０ｍｍ以上２０ｍｍ以下また
は５ｍｍ以上１５ｍｍ以下である。
【００８０】
このとき、強力なマグネット１３０Ｎ１、マグネット１３０Ｎ２および強力なマグネット
１３０Ｓを用いることで、基板１６０の上面近傍においても強い磁場を発生させることが
できる。具体的には、基板１６０の上面における水平磁場の磁束密度を１０Ｇ以上１００
Ｇ以下、好ましくは１５Ｇ以上６０Ｇ以下、さらに好ましくは２０Ｇ以上４０Ｇ以下とす
ることができる。基板１６０の上面における水平磁場の磁束密度を上述の範囲とすること
により、後述する成膜モデルを実現することができる。
【００８１】
成膜室１０１における磁場の磁束密度を上述の範囲とすることで、密度が高く、結晶性の
高い酸化物を成膜することができる。また、得られる酸化物は、複数種の結晶相を含むこ
とが少なく、ほとんど単一の結晶相を含む酸化物となる。
【００８２】
なお、マグネットユニット１３０ｂもマグネットユニット１３０ａと同様の磁力線が形成
される。
【００８３】
図２（Ｂ）に、マグネットユニット１３０ａおよびマグネットユニット１３０ｂの上面図
を示す。マグネットユニット１３０ａは、長方形または略長方形のマグネット１３０Ｎ１
と、長方形または略長方形のマグネット１３０Ｎ２と、長方形または略長方形のマグネッ
ト１３０Ｓと、がマグネットホルダ１３２に固定されていることわかる。そして、マグネ
ットユニット１３０ａを、図２（Ｂ）に示す左右に揺動させることができる。例えば、マ
グネットユニット１３０ａを、０．１Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下のビートで揺動させればよい
。
【００８４】
したがって、ターゲット１００ａ上の磁場の強い領域は、マグネットユニット１３０ａの
揺動とともに変化する。磁場の強い領域は高密度プラズマ領域となるため、その近傍にお
いてターゲット１００ａのスパッタリング現象が起こりやすい。例えば、磁場の強い領域
が特定の箇所となる場合、ターゲット１００ａの特定の領域のみが使用されることになる
。一方、図２（Ｂ）に示すようにマグネットユニット１３０ａを揺動させることで、ター
ゲット１００ａを均一に使用することができる。また、マグネットユニット１３０ａを揺
動させることによって、均一な厚さ、質を有する膜を成膜することができる。
【００８５】
また、マグネットユニット１３０ａを揺動させることにより、基板１６０の上面における
磁力線の状態も変化させることができる。これは、マグネットユニット１３０ｂにおいて
も同様である。
【００８６】
なお、ここではマグネットユニット１３０ａおよびマグネットユニット１３０ｂを揺動さ
せる例を示したが、本発明の一態様はこれに限定されるものではない。例えば、マグネッ
トユニット１３０ａおよびマグネットユニット１３０ｂを回転させても構わない。例えば
、マグネットユニット１３０ａおよびマグネットユニット１３０ｂを、０．１Ｈｚ以上１
ｋＨｚ以下のビートで回転させればよい。または、ターゲット１００を回転または移動さ
せても構わない。例えば、ターゲット１００を、０．１Ｈｚ以上１ｋＨｚ以下のビートで
回転または移動させればよい。または、基板１６０を回転させることで、相対的に基板１
６０の上面における磁力線の状態を変化させることができる。または、これらを組み合わ
せても構わない。
【００８７】
成膜室１０１は、バッキングプレート１１０ａおよびバッキングプレート１１０ｂの内部
または下部などに水路を有してもよい。そして、水路に流体（空気、窒素、希ガス、水、
オイルなど）を流すことで、スパッタ時にターゲット１００ａおよびターゲット１００ｂ
の温度の上昇による放電異常や、部材の変形による成膜室１０１の損傷などを抑制するこ
とができる。このとき、バッキングプレート１１０ａとターゲット１００ａとをボンディ
ング材を介して密着させると、冷却性能が高まるため好ましい。また、バッキングプレー
ト１１０ｂとターゲット１００ｂとをボンディング材を介して密着させると、冷却性能が
高まるため好ましい。
【００８８】
なお、ターゲットホルダ１２０ａとバッキングプレート１１０ａとの間にガスケットを有
すると、成膜室１０１内に外部や水路などから不純物が混入しにくくなるため好ましい。
また、ターゲットホルダ１２０ｂとバッキングプレート１１０ｂとの間にガスケットを有
すると、成膜室１０１内に外部や水路などから不純物が混入しにくくなるため好ましい。
【００８９】
マグネットユニット１３０ａにおいて、マグネット１３０Ｎ１およびマグネット１３０Ｎ
２とマグネット１３０Ｓとはそれぞれターゲット１００ａ側に異なる極を向けて配置され
ている。ここでは、マグネット１３０Ｎ１およびマグネット１３０Ｎ２をターゲット１０
０ａ側がＮ極となるように配置し、マグネット１３０Ｓをターゲット１００ａ側がＳ極と
なるように配置する場合について説明する。ただし、マグネットユニット１３０ａにおけ
るマグネットおよび極の配置は、この配置に限定されるものではない。また、図２（Ａ）
の配置に限定されるものでもない。これは、マグネットユニット１０３ｂについても同様
である。
【００９０】
成膜時、ターゲットホルダ１２０ａに接続する端子Ｖ１と、ターゲットホルダ１２０ｂに
接続する端子Ｖ４と、の間で、交互に電位の高低が入れ替わる電位を印加すればよい。ま
た、基板ホルダ１７０に接続する端子Ｖ２に印加される電位Ｖ２は、例えば、接地電位で
ある。また、マグネットホルダ１３２に接続する端子Ｖ３に印加される電位Ｖ３は、例え
ば、接地電位である。なお、端子Ｖ１、端子Ｖ２、端子Ｖ３および端子Ｖ４に印加される
電位は上記の電位に限定されない。また、ターゲットホルダ１２０ａ、ターゲットホルダ
１２０ｂ、基板ホルダ１７０、マグネットホルダ１３２の全てに電位が印加されなくても
構わない。例えば、基板ホルダ１７０が電気的に浮いていても構わない。なお、図２（Ａ
）では、ターゲットホルダ１２０ａに接続する端子Ｖ１と、ターゲットホルダ１２０ｂに
接続する端子Ｖ４と、の間で、交互に電位の高低が入れ替わる電位を印加する、いわゆる
ＡＣスパッタリング法の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。
【００９１】
また、図２（Ａ）では、バッキングプレート１１０ａおよびターゲットホルダ１２０ａと
、マグネットユニット１３０ａおよびマグネットホルダ１３２と、は電気的に接続されな
い例を示したが、これに限定されない。例えば、バッキングプレート１１０ａおよびター
ゲットホルダ１２０ａと、マグネットユニット１３０ａおよびマグネットホルダ１３２と
、が電気的に接続されており、等電位となっていても構わない。また、バッキングプレー
ト１１０ｂおよびターゲットホルダ１２０ｂと、マグネットユニット１３０ｂおよびマグ
ネットホルダ１３２と、は電気的に接続されない例を示したが、これに限定されない。例
えば、バッキングプレート１１０ｂおよびターゲットホルダ１２０ｂと、マグネットユニ
ット１３０ｂおよびマグネットホルダ１３２と、が電気的に接続されており、等電位とな
っていても構わない。
【００９２】
また、得られる酸化物の結晶性をさらに高めるために、基板１６０の温度を高くしても構
わない。基板１６０の温度を高くすることで、基板１６０の上面におけるスパッタ粒子の
マイグレーションを助長させることができる。したがって、より密度が高く、より結晶性
の高い酸化物を成膜することができる。なお、基板１６０の温度は、例えば、１００℃以
上４５０℃以下、好ましくは１５０℃以上４００℃以下、さらに好ましくは１７０℃以上
３５０℃以下とすればよい。
【００９３】
また、成膜ガス中の酸素分圧が高すぎると、複数種の結晶相を含む酸化物が成膜されやす
いため、成膜ガスはアルゴンなどの希ガス（ほかにヘリウム、ネオン、クリプトン、キセ
ノンなど）と酸素との混合ガスを用いると好ましい。例えば、全体に占める酸素の割合を
５０体積％未満、好ましくは３３体積％以下、さらに好ましくは２０体積％以下、より好
ましくは１５体積％以下とすればよい。
【００９４】
また、ターゲット１００ａと基板１６０との垂直距離を、１０ｍｍ以上６００ｍｍ以下、
好ましくは２０ｍｍ以上４００ｍｍ以下、さらに好ましくは３０ｍｍ以上２００ｍｍ以下
、より好ましくは４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とする。ターゲット１００ａと基板１６０
との垂直距離を上述の範囲まで近くすることで、スパッタ粒子が、基板１６０に到達する
までの間におけるエネルギーの低下を抑制できる場合がある。また、ターゲット１００ａ
と基板１６０との垂直距離を上述の範囲まで遠くすることで、スパッタ粒子の基板１６０
への入射方向を垂直に近づけることができるため、スパッタ粒子の衝突による基板１６０
へのダメージを小さくすることができる場合がある。
【００９５】
また、ターゲット１００ｂと基板１６０との垂直距離を、１０ｍｍ以上６００ｍｍ以下、
好ましくは２０ｍｍ以上４００ｍｍ以下、さらに好ましくは３０ｍｍ以上２００ｍｍ以下
、より好ましくは４０ｍｍ以上１００ｍｍ以下とする。ターゲット１００ｂと基板１６０
との垂直距離を上述の範囲まで近くすることで、スパッタ粒子が、基板１６０に到達する
までの間におけるエネルギーの低下を抑制できる場合がある。また、ターゲット１００ｂ
と基板１６０との垂直距離を上述の範囲まで遠くすることで、スパッタ粒子の基板１６０
への入射方向を垂直に近づけることができるため、スパッタ粒子の衝突による基板１６０
へのダメージを小さくすることができる場合がある。
【００９６】
＜酸化物＞
以下では本発明の一態様に係る酸化物について説明する。
【００９７】
＜酸化物半導体の構造＞
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。なお、酸化物半導体とは、半導体の性
質を有する酸化物をいう。
【００９８】
なお、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が−１０°以上１０°以下の角度で
配置されている状態をいう。したがって、−５°以上５°以下の場合も含まれる。また、
「略平行」とは、二つの直線が−３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をい
う。また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている
状態をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」と
は、二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
【００９９】
また、本明細書において、結晶が三方晶または菱面体晶である場合、六方晶系として表す
。
【０１００】
酸化物半導体は、非単結晶酸化物半導体と単結晶酸化物半導体とに大別される。非単結晶
酸化物半導体とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、非晶質
酸化物半導体などをいう。
【０１０１】
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳについて説明する。
【０１０２】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体の一つである。
【０１０３】
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏ
ｓｃｏｐｅ）によって、ＣＡＡＣ−ＯＳの明視野像および回折パターンの複合解析像（高
分解能ＴＥＭ像ともいう。）を観察することで複数の結晶部を確認することができる。一
方、高分解能ＴＥＭ像によっても明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウ
ンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒
界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０１０４】
試料面と略平行な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳの断面の高分解能ＴＥＭ像を観察すると、結
晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、Ｃ
ＡＡＣ−ＯＳの膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した形状
であり、ＣＡＡＣ−ＯＳの被形成面または上面と平行に配列する。
【０１０５】
一方、試料面と略垂直な方向から、ＣＡＡＣ−ＯＳの平面の高分解能ＴＥＭ像を観察する
と、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認でき
る。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
【０１０６】
ＣＡＡＣ−ＯＳに対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置
を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳのｏ
ｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れ
る場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（０  ０  ９）面に帰属される
ことから、ＣＡＡＣ−ＯＳの結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に略垂
直な方向を向いていることが確認できる。
【０１０７】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳのｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法に
よる解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる
場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の一部に、ｃ軸配向性を有
さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳは、２θが３１°近傍にピーク
を示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【０１０８】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、不純物濃度の低い酸化物半導体である。不純物は、水素、炭素、シリ
コン、遷移金属元素などの酸化物半導体の主成分以外の元素である。特に、シリコンなど
の、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体
から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子
半径）が大きいため、酸化物半導体内部に含まれると、酸化物半導体の原子配列を乱し、
結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラ
ップやキャリア発生源となる場合がある。
【０１０９】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、欠陥準位密度の低い酸化物半導体である。例えば、酸化物半導
体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによってキャリ
ア発生源となることがある。
【０１１０】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性または
実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体は
、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。したがって、当
該酸化物半導体を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノー
マリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真
性である酸化物半導体は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体を用
いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。なお
、酸化物半導体のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時間が長
く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く、欠陥
準位密度が高い酸化物半導体を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる場合があ
る。
【０１１１】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の
変動が小さい。
【０１１２】
次に、微結晶酸化物半導体について説明する。
【０１１３】
微結晶酸化物半導体は、高分解能ＴＥＭ像において、結晶部を確認することのできる領域
と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。微結晶酸化物半導体に含
まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさで
あることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶
であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体を、ｎｃ−ＯＳ
（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶ
。また、ｎｃ−ＯＳは、例えば、高分解能ＴＥＭ像では、結晶粒界を明確に確認できない
場合がある。
【０１１４】
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３
ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なる結晶
部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したが
って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合が
ある。例えば、ｎｃ−ＯＳに対し、結晶部よりも大きい径のＸ線を用いるＸＲＤ装置を用
いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピー
クが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳに対し、結晶部よりも大きいプローブ径（例えば５
０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子回折（制限視野電子回折ともいう。）を行うと、ハロ
ーパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳに対し、結晶部の大き
さと近いか結晶部より小さいプローブ径の電子線を用いるナノビーム電子回折を行うと、
スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳに対しナノビーム電子回折を行うと、円を描く
ように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、ｎｃ−ＯＳに対し
ナノビーム電子回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合があ
る。
【０１１５】
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、
ｎｃ−ＯＳは、非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳ
は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳは、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳと比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０１１６】
次に、非晶質酸化物半導体について説明する。
【０１１７】
非晶質酸化物半導体は、膜中における原子配列が不規則であり、結晶部を有さない酸化物
半導体である。石英のような無定形状態を有する酸化物半導体が一例である。
【０１１８】
非晶質酸化物半導体は、高分解能ＴＥＭ像において結晶部を確認することができない。
【０１１９】
非晶質酸化物半導体に対し、ＸＲＤ装置を用いた構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌ
ａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、非晶質酸化物半導
体に対し、電子回折を行うと、ハローパターンが観測される。また、非晶質酸化物半導体
に対し、ナノビーム電子回折を行うと、スポットが観測されず、ハローパターンが観測さ
れる。
【０１２０】
なお、酸化物半導体は、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の物性を示す構造を有す
る場合がある。そのような構造を有する酸化物半導体を、特に非晶質ライク酸化物半導体
（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ）と呼ぶ。
【０１２１】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、高分解能ＴＥＭ像において鬆（ボイドともいう。）が観察される
場合がある。また、高分解能ＴＥＭ像において、明確に結晶部を確認することのできる領
域と、結晶部を確認することのできない領域と、を有する。ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ＴＥ
Ｍによる観察程度の微量な電子照射によって、結晶化が起こり、結晶部の成長が見られる
場合がある。一方、良質なｎｃ−ＯＳであれば、ＴＥＭによる観察程度の微量な電子照射
による結晶化はほとんど見られない。
【０１２２】
なお、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳおよびｎｃ−ＯＳの結晶部の大きさの計測は、高分解能ＴＥＭ
像を用いて行うことができる。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は層状構造を有し、Ｉｎ
−Ｏ層の間に、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層を２層有する。ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の単位格子は、
Ｉｎ−Ｏ層を３層有し、またＧａ−Ｚｎ−Ｏ層を６層有する、計９層がｃ軸方向に層状に
重なった構造を有する。よって、これらの近接する層同士の間隔は、（０  ０  ９）面の
格子面間隔（ｄ値ともいう。）と同程度であり、結晶構造解析からその値は０．２９ｎｍ
と求められている。そのため、高分解能ＴＥＭ像における格子縞に着目し、格子縞の間隔
が０．２８ｎｍ以上０．３０ｎｍ以下である箇所においては、それぞれの格子縞がＩｎＧ
ａＺｎＯ４の結晶のａ−ｂ面に対応する。
【０１２３】
また、酸化物半導体は、構造ごとに密度が異なる場合がある。例えば、ある酸化物半導体
の組成がわかれば、該組成と同じ組成における単結晶の密度と比較することにより、その
酸化物半導体の構造を推定することができる。例えば、単結晶の密度に対し、ａ−ｌｉｋ
ｅ  ＯＳの密度は７８．６％以上９２．３％未満となる。また、例えば、単結晶の密度に
対し、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度は９２．３％以上１００％未満とな
る。なお、単結晶の密度に対し密度が７８％未満となる酸化物半導体は、成膜すること自
体が困難である。
【０１２４】
上記について、具体例を用いて説明する。例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子
数比］を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の
密度は６．３５７ｇ／ｃｍ３となる。よって、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［
原子数比］を満たす酸化物半導体において、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳの密度は５．０ｇ／ｃｍ
３以上５．９ｇ／ｃｍ３未満となる。また、例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原
子数比］を満たす酸化物半導体において、ｎｃ−ＯＳの密度およびＣＡＡＣ−ＯＳの密度
は５．９ｇ／ｃｍ３以上６．３ｇ／ｃｍ３未満となる。
【０１２５】
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合がある。その場合、任意の割合で組成の異なる
単結晶を組み合わせることにより、所望の組成の単結晶に相当する密度を算出することが
できる。所望の組成の単結晶の密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して
、加重平均を用いて算出すればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を
組み合わせて算出することが好ましい。
【０１２６】
＜酸化物半導体の物性＞
以下では、酸化物半導体の構造による物性の違いについて説明する。
【０１２７】
試料Ａ、試料Ｂおよび試料Ｃを準備する。いずれの試料もＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である
。
【０１２８】
まず、試料Ａ乃至試料Ｃの高分解能断面ＴＥＭ像を取得する。高分解能断面ＴＥＭ像によ
り、試料Ａ乃至試料Ｃは、いずれも結晶部を有することがわかる。
【０１２９】
さらに、試料Ａ乃至試料Ｃの結晶部の大きさを計測する。結晶部の大きさを計測する方法
については、酸化物半導体の構造に関する記載を参照する。図３５は、試料Ａ乃至試料Ｃ
の結晶部（２２箇所から４５箇所）の平均の大きさの変化を調査した例である。図３５よ
り、試料Ａは、電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。具体
的には、ＴＥＭによる観察初期においては１．２ｎｍ程度の大きさだった結晶部が、累積
照射量が４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２においては２．６ｎｍ程度の大きさまで成長してい
ることがわかる。一方、試料Ｂおよび試料Ｃは、電子照射開始時から電子の累積照射量が
４．２×１０８ｅ−／ｎｍ２になるまでの範囲で、電子の累積照射量によらず結晶部の大
きさに変化が見られないことがわかる。
【０１３０】
したがって、上述した分類によれば、試料Ａはａ−ｌｉｋｅ  ＯＳであることがわかる。
また、試料Ｂおよび試料Ｃは、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳではないことがわかる。なお、試料Ｂ
は、高分解能断面ＴＥＭ像より、ｎｃ−ＯＳであることが判明している。また、試料Ｃは
、ＣＡＡＣ−ＯＳであることが判明している。
【０１３１】
また、図３５に示す、試料Ａ乃至試料Ｃの結晶部の大きさの変化を線形近似して、電子の
累積照射量０ｅ−／ｎｍ２まで外挿すると、結晶部の平均の大きさが正の値をとることが
わかる。そのため、試料Ａ乃至試料Ｃの結晶部が、ＴＥＭによる観察前から存在している
ことがわかる。試料Ａ乃至試料Ｃの結晶部の大きさの変化などを表１に示す。
【０１３２】
【表１】
2020094286.tif 000003
【０１３３】
図３６に、試料Ａおよび試料Ｂの高分解能断面ＴＥＭ像を示す。ここで、図３６（Ａ）は
電子照射開始時における試料Ａの高分解能断面ＴＥＭ像である。図３６（Ｂ）は電子照射
後における試料Ａの高分解能断面ＴＥＭ像である。図３６（Ｃ）は電子照射開始時におけ
る試料Ｂの高分解能断面ＴＥＭ像である。図３６（Ｄ）は電子照射後における試料Ｂの高
分解能断面ＴＥＭ像である。なお、累積電子照射は４．３×１０８ｅ−／ｎｍ２とした。
【０１３４】
図３６（Ａ）および図３６（Ｂ）より、試料Ａは電子照射開始時から、縦方向に延伸する
縞状の明領域が観察されることがわかる。また、明領域は、電子照射後に形状が変化する
ことがわかる。なお、明領域は、鬆（ｖｏｉｄと表記する。）または低密度領域と推測さ
れる。一方、図３６（Ｃ）および図３６（Ｄ）より、試料Ｂは電子照射開始時および電子
照射後において明領域は観察されない。
【０１３５】
次に、ＴＥＭで観察する領域において、試料Ａの電子照射による結晶部の大きさの変化を
計測する。なお、図３７（Ａ）は計測する領域を説明する。明領域の近傍を領域Ａと表記
する。また、明領域と別の明領域との間を領域Ｂと表記する。また、明領域の観察されな
い試料Ａの下部を領域Ｃと表記する。
【０１３６】
結果を図３７（Ｂ）に示す。図３７（Ｂ）より、領域Ａがもっとも結晶部の大きさの変化
が大きく、次いで領域Ｂにおいて結晶部の大きさの変化が大きいことがわかる。また、領
域Ｃにおいては、結晶部の大きさは、電子照射開始時と電子照射後でほとんど変化しない
ことがわかる。領域Ａおよび領域Ｂにおいて結晶部の大きさの変化が大きかったことは、
高分解能断面ＴＥＭ像で観察される明領域に近いため、構造が不安定であったことに起因
する可能性がある。
【０１３７】
次に、スパッタリング法によって成膜条件を様々に変更して成膜した酸化物（試料Ｄ、試
料Ｅ、試料Ｆ、試料Ｇ、試料Ｈ、試料Ｉおよび試料Ｊ）に対し、ｎｃ−ＯＳおよびａ−ｌ
ｉｋｅ  ＯＳを判定した。ただし、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜条件は含まない。ここでは、電
子照射による結晶部の大きさの変化だけでなく、密度および硬さについても評価している
。なお、密度の評価は、Ｘ線反射率（ＸＲＲ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）
法などにより行うことができる。また、硬さの評価は、ＨＹＳＩＴＲＯＮ社製薄膜硬度測
定装置ＴＲＩＢＯＳＣＯＰＥを用いたナノインデンテーション法などにより行うことがで
きる。
【０１３８】
また、高分解能断面ＴＥＭ像の観察は、以下のステップによって行う。まず、直径４００
ｎｍの範囲を、電子線照射量５．５×１０４ｅ−／（ｎｍ２ｓ）で高分解能断面ＴＥＭ像
を２分間観察する。次に、電子線照射量６．７×１０５ｅ−／（ｎｍ２ｓ）において、直
径２３０ｎｍの範囲で１０分間の電子照射を行う。次に、電子線照射量５．５×１０４ｅ
−／（ｎｍ２ｓ）において、直径４００ｎｍの範囲で２分間掛けて高分解能断面ＴＥＭ像
を観察する。次に、電子線照射量６．７×１０５ｅ−／（ｎｍ２ｓ）において、直径２３
０ｎｍの範囲で８分間の電子照射を行う。最後に、電子線照射量５．５×１０４ｅ−／（
ｎｍ２ｓ）において、直径４００ｎｍの範囲で２分間掛けて高分解能断面ＴＥＭ像を観察
する。以上のステップ中、高分解能断面ＴＥＭ像において、結晶部の大きさに変化がある
場合、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳと判定する。一方、以上のステップ中、高分解能断面ＴＥＭ像
において、結晶部の大きさに変化がない場合、ｎｃ−ＯＳと判定する。
【０１３９】
成膜条件、および判定の結果を表２に示す。
【０１４０】
【表２】
2020094286.tif 000004
【０１４１】
なお、試料Ｄは、他の試料と異なる装置を用いている。
【０１４２】
表２より、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳと判定された試料の密度は、５．０５ｇ／ｃｍ３から５．
８５ｇ／ｃｍ３であった。また、ｎｃ−ＯＳと判定された試料の密度は、５．９１ｇ／ｃ
ｍ３から６．１０ｇ／ｃｍ３であった。また、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳと判定された試料の硬
さは、６．１２ＧＰａから７．６１ＧＰａであった。また、ｎｃ−ＯＳと判定された試料
の硬さは、７．７７ＧＰａから７．８５ＧＰａであった。即ち、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳと比
べて、ｎｃ−ＯＳは高密度、かつ硬質であることがわかる。
【０１４３】
次に、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳとｎｃ−ＯＳとの性質を比較するため、新たに準備した試料Ｋ
および試料Ｌに対して二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍ
ａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）による深さ方向における水素濃度プロファイルの測
定を行った。なお、試料Ｋは、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳである。また、試料Ｌは、試料Ｋと同
じ条件で成膜したａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ上に、大気に暴露することなくｎｃ−ＯＳを成膜し
た積層構造である。
【０１４４】
結果を図３８に示す。図３８（Ａ）に試料Ｋの水素濃度プロファイルを示し、図３８（Ｂ
）に試料Ｌの水素濃度プロファイルを示す。図３８（Ａ）においては、ａ−ｌｉｋｅ  Ｏ
Ｓ中の水素濃度が１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超える領域を有することがわかる。
一方、図３８（Ｂ）においては、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ中の水素濃度が５×１０２０ａｔｏ
ｍｓ／ｃｍ３から２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３となる領域を有し、またｎｃ−ＯＳ中
の水素濃度が５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から７×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３とな
る領域を有することがわかる。
【０１４５】
したがって、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳはｎｃ−ＯＳと比べると成膜直後における水素濃度が高
いことがわかる。また、ｎｃ−ＯＳでキャップすることによりａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ中の水
素濃度が低くなることから、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは大気暴露時に大気中の水分などを吸収
する性質を有することが示唆される。
【０１４６】
＜成膜モデル＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルの一例について説明する。
【０１４７】
図３は、スパッタリング法によりＣＡＡＣ−ＯＳが成膜される様子を示した成膜室内の模
式図である。
【０１４８】
ターゲット２３０は、バッキングプレートに接着されている。バッキングプレートを介し
てターゲット２３０と向かい合う位置には、複数のマグネットが配置される。該複数のマ
グネットによって磁場が生じている。マグネットの配置や構成などについては、上述した
成膜室の記載を参照する。マグネットの磁場を利用して成膜速度を高めるスパッタリング
法は、マグネトロンスパッタリング法と呼ばれる。
【０１４９】
ターゲット２３０は、多結晶構造を有し、いずれかの結晶粒には劈開面が含まれる。なお
、劈開面の詳細については後述する。
【０１５０】
基板２２０は、ターゲット２３０と向かい合うように配置しており、その距離ｄ（ターゲ
ット−基板間距離（Ｔ−Ｓ間距離）ともいう。）は０．０１ｍ以上１ｍ以下、好ましくは
０．０２ｍ以上０．５ｍ以下とする。成膜室内は、ほとんどが成膜ガス（例えば、酸素、
アルゴン、または酸素を５体積％以上の割合で含む混合ガス）で満たされ、０．０１Ｐａ
以上１００Ｐａ以下、好ましくは０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下に制御される。ここで、タ
ーゲット２３０に一定以上の電圧を印加することで、放電が始まり、プラズマが確認され
る。なお、ターゲット２３０の近傍には磁場によって、高密度プラズマ領域が形成される
。高密度プラズマ領域では、成膜ガスがイオン化することで、イオン２０１が生じる。イ
オン２０１は、例えば、酸素の陽イオン（Ｏ＋）やアルゴンの陽イオン（Ａｒ＋）などで
ある。
【０１５１】
イオン２０１は、電界によってターゲット２３０側に加速され、やがてターゲット２３０
と衝突する。このとき、劈開面から平板状またはペレット状のスパッタ粒子であるペレッ
ト２００ａおよびペレット２００ｂが剥離し、叩き出される。なお、ペレット２００ａお
よびペレット２００ｂは、イオン２０１の衝突の衝撃によって、構造に歪みが生じる場合
がある。
【０１５２】
ペレット２００ａは、三角形、例えば正三角形の平面を有する平板状またはペレット状の
スパッタ粒子である。また、ペレット２００ｂは、六角形、例えば正六角形の平面を有す
る平板状またはペレット状のスパッタ粒子である。なお、ペレット２００ａおよびペレッ
ト２００ｂなどの平板状またはペレット状のスパッタ粒子を総称してペレットと呼ぶ。ペ
レットの平面の形状は、三角形、六角形に限定されない、例えば、三角形が複数個合わさ
った形状となる場合がある。例えば、三角形（正三角形）が２個合わさった四角形（ひし
形）となる場合もある。
【０１５３】
ペレットは、成膜ガスの種類などに応じて厚さが決定する。理由は後述するが、ペレット
の厚さは、均一にすることが好ましい。また、スパッタ粒子は厚みのないペレット状であ
る方が、厚みのあるサイコロ状であるよりも好ましい。例えば、ペレットは、厚さを０．
４ｎｍ以上１ｎｍ以下、好ましくは０．６ｎｍ以上０．８ｎｍ以下とする。また、例えば
、ペレットは、幅を１ｎｍ以上３ｎｍ以下、好ましくは１．２ｎｍ以上２ｎｍ以下とする
。
【０１５４】
ペレットは、プラズマを通過する際に電荷を受け取ることで、側面が負または正に帯電す
る場合がある。ペレットは、側面に酸素原子を有し、当該酸素原子が負に帯電する可能性
がある。例えば、ペレット２００ａが、側面に負に帯電した酸素原子を有する例を図４に
示す。このように、側面が同じ極性の電荷を帯びることにより、電荷同士の反発が起こり
、平板状の形状を維持することが可能となる。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳが、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ酸化物である場合、インジウム原子と結合した酸素原子が負に帯電する可能性がある。
または、インジウム原子、ガリウム原子または亜鉛原子と結合した酸素原子が負に帯電す
る可能性がある。
【０１５５】
図３に示すように、例えば、ペレット２００ａは、プラズマ中を凧のように飛翔し、ひら
ひらと基板２２０上まで舞い上がっていく。ペレット２００ａは電荷を帯びているため、
ほかのペレットが既に堆積している領域が近づくと、斥力が生じる。ここで、基板２２０
の上面では、基板２２０の上面に平行な向きの磁場（水平磁場ともいう。）が生じている
。また、基板２２０およびターゲット２３０間には、電位差が与えられているため、基板
２２０からターゲット２３０に向けて電流が流れている。したがって、ペレット２００ａ
は、基板２２０の上面において、磁場および電流の作用によって、力（ローレンツ力）を
受ける（図５参照。）。このことは、フレミングの左手の法則によって理解できる。
【０１５６】
ペレットは、原子一つと比べると質量が大きい。そのため、基板２２０の上面を移動する
ためには何らかの力を外部から印加することが重要となる。その力の一つが磁場および電
流の作用で生じる力である可能性がある。なお、ペレットに与える力を大きくするために
は、基板２２０の上面において、基板２２０の上面に平行な向きの磁場の磁束密度が１０
Ｇ以上、好ましくは２０Ｇ以上、さらに好ましくは３０Ｇ以上、より好ましくは５０Ｇ以
上となる領域を設けるとよい。または、基板２２０の上面において、基板２２０の上面に
平行な向きの磁場が、基板２２０の上面に垂直な向きの磁場の１．５倍以上、好ましくは
２倍以上、さらに好ましくは３倍以上、より好ましくは５倍以上となる領域を設けるとよ
い。
【０１５７】
このとき、マグネットユニットまたは／および基板２２０が相対的に移動すること、また
は回転することによって、基板２２０の上面における水平磁場の向きは変化し続ける。し
たがって、基板２２０の上面において、ペレットは、様々な方向への力を受け、様々な方
向へ移動することができる。
【０１５８】
また、基板２２０は加熱されており、ペレットと基板２２０との間で摩擦などの抵抗が小
さい状態となっている。その結果、図６（Ａ）に示すように、ペレット２００ａは、基板
２２０の上面を滑空するように移動する。ペレット２００ａの移動は、平板面を基板２２
０に向けた状態で起こる。その後、図６（Ｂ）に示すように、既に堆積しているほかのペ
レットの側面まで到達すると、側面同士が結合し、基板２２０に固着する。このとき、酸
素原子が脱離する。脱離した酸素原子によって、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の酸素欠損が埋まる場
合があるため、欠陥準位密度の低いＣＡＡＣ−ＯＳとなる。
【０１５９】
また、ペレットが基板２２０上で加熱されることにより、原子が再配列し、イオン２０１
の衝突で生じた構造の歪みが緩和される。歪みの緩和されたペレットは、ほぼ単結晶とな
る。ペレットがほぼ単結晶となることにより、ペレット同士が結合した後に加熱されたと
しても、ペレット自体の伸縮はほとんど起こり得ない。したがって、ペレット間の隙間が
広がることで結晶粒界などの欠陥を形成し、クレバス化することがない。
【０１６０】
ターゲット２３０をイオン２０１でスパッタした際に、ペレットだけでなく、酸化亜鉛な
どが飛び出す場合がある。酸化亜鉛はペレットよりも軽量であるため、先に基板２２０の
上面に到達する。そして、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、０．２ｎｍ以上５ｎｍ以下、ま
たは０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下の酸化亜鉛層２０２を形成する。図３４に断面模式図を示
す。なお、基板２２０は説明を省略する。
【０１６１】
図３４（Ａ）に示すように、酸化亜鉛層２０２上にはペレット２０５ａと、ペレット２０
５ｂと、が堆積する。ここで、ペレット２０５ａとペレット２０５ｂとは、互いに側面が
接するように配置している。また、ペレット２０５ｃは、ペレット２０５ｂ上に堆積した
後、ペレット２０５ｂ上を滑るように移動する。また、ペレット２０５ａの別の側面にお
いて、酸化亜鉛とともにターゲットから飛び出した複数の粒子２０３が基板２２０の加熱
により結晶化し、領域２０５ａ１を形成する。なお、複数の粒子２０３は、酸素、亜鉛、
インジウムおよびガリウムなどを含む可能性がある。
【０１６２】
そして、図３４（Ｂ）に示すように、領域２０５ａ１は、ペレット２０５ａと同化し、ペ
レット２０５ａ２となる。また、ペレット２０５ｃは、その側面がペレット２０５ｂの別
の側面と接するように配置する。
【０１６３】
次に、図３４（Ｃ）に示すように、さらにペレット２０５ｄがペレット２０５ａ２上およ
びペレット２０５ｂ上に堆積した後、ペレット２０５ａ２上およびペレット２０５ｂ上を
滑るように移動する。また、ペレット２０５ｃの別の側面に向けて、さらにペレット２０
５ｅが酸化亜鉛層２０２上を滑るように移動する。
【０１６４】
そして、図３４（Ｄ）に示すように、ペレット２０５ｄは、その側面がペレット２０５ａ
２の側面と接するように配置する。また、ペレット２０５ｅは、その側面がペレット２０
５ｃの別の側面と接するように配置する。また、ペレット２０５ｄの別の側面において、
酸化亜鉛とともにターゲットから飛び出した複数の粒子２０３が基板２２０の加熱により
結晶化し、領域２０５ｄ１を形成する。
【０１６５】
以上のように、堆積したペレット同士が接するように配置すること、およびペレットの側
面において結晶成長が起こること、などを繰り返すことにより、基板２２０上にＣＡＡＣ
−ＯＳを形成することができる。
【０１６６】
また、ペレットの隙間が極めて小さくなることで、あたかも一つの大きなペレットが形成
される場合がある。大きなペレットは、単結晶構造を有する。例えば、大きなペレットの
大きさが、上面から見て１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下、ま
たは２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となる場合がある。したがって、トランジスタのチャネル
形成領域が、大きなペレットよりも小さい場合、チャネル形成領域として単結晶構造を有
する領域を用いることができる。また、ペレットが大きくなることで、トランジスタのチ
ャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域として単結晶構造を有する領域を用いる
ことができる場合がある。
【０１６７】
このように、トランジスタのチャネル形成領域などが、単結晶構造を有する領域に形成さ
れることによって、トランジスタの周波数特性を高くすることができる場合がある。
【０１６８】
以上のようなモデルにより、ペレットが基板２２０上に堆積していくと考えられる。した
がって、エピタキシャル成長とは異なり、被形成面が結晶構造を有さない場合においても
、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜が可能であることがわかる。例えば、基板２２０の上面（被形成
面）の構造が非晶質構造であっても、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することは可能である。
【０１６９】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、被形成面である基板２２０の上面に凹凸がある場合でも、その
形状に沿ってペレットが配列することがわかる。例えば、基板２２０の上面が原子レベル
で平坦な場合、ペレットはａｂ面と平行な平面である平板面を下に向けて並置するため、
厚さが均一で平坦、かつ高い結晶性を有する層が形成される。そして、当該層がｎ段（ｎ
は自然数。）積み重なることで、ＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０１７０】
一方、基板２２０の上面が凹凸を有する場合でも、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレットが凸面に
沿って並置した層がｎ段（ｎは自然数。）積み重なった構造となる。基板２２０が凹凸を
有するため、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ペレット間に隙間が生じやすい場合がある。ただし、ペ
レット間で分子間力が働き、凹凸があってもペレット間の隙間はなるべく小さくなるよう
に配列する。したがって、凹凸があっても高い結晶性を有するＣＡＡＣ−ＯＳとすること
ができる。
【０１７１】
したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、レーザ結晶化が不要であり、大面積のガラス基板などで
あっても均一な成膜が可能である。
【０１７２】
このようなモデルによってＣＡＡＣ−ＯＳが成膜されるため、スパッタ粒子が厚みのない
ペレット状である方が好ましい。なお、スパッタ粒子が厚みのあるサイコロ状である場合
、基板２２０上に向ける面が一定とならず、厚さや結晶の配向を均一にできない場合があ
る。
【０１７３】
以上に示した成膜モデルにより、非晶質構造を有する被形成面上であっても、高い結晶性
を有するＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０１７４】
＜劈開面＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳの成膜モデルにおいて記載のターゲットの劈開面について説明
する。
【０１７５】
まずは、ターゲットの劈開面について図７を用いて説明する。図７に、ＩｎＧａＺｎＯ４
の結晶の構造を示す。なお、図７（Ａ）は、ｃ軸を上向きとし、ｂ軸に平行な方向からＩ
ｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。また、図７（Ｂ）は、ｃ軸に平行な
方向からＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を観察した場合の構造を示す。
【０１７６】
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の各結晶面における劈開に必要なエネルギーを、第一原理計算に
より算出する。なお、計算には、擬ポテンシャルと、平面波基底を用いた密度汎関数プロ
グラム（ＣＡＳＴＥＰ）を用いる。なお、擬ポテンシャルには、ウルトラソフト型の擬ポ
テンシャルを用いる。また、汎関数には、ＧＧＡ  ＰＢＥを用いる。また、カットオフエ
ネルギーは４００ｅＶとする。
【０１７７】
初期状態における構造のエネルギーは、セルサイズを含めた構造最適化を行った後に導出
する。また、各面で劈開後の構造のエネルギーは、セルサイズを固定した状態で、原子配
置の構造最適化を行った後に導出する。
【０１７８】
図７に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造をもとに、第１の面、第２の面、第３の面、
第４の面のいずれかで劈開した構造を作製し、セルサイズを固定した構造最適化計算を行
う。ここで、第１の面は、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（０  
０  １）面（またはａｂ面）に平行な結晶面である（図７（Ａ）参照。）。第２の面は、
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（０  ０  １）面（または
ａｂ面）に平行な結晶面である（図７（Ａ）参照。）。第３の面は、（１  １  ０）面に
平行な結晶面である（図７（Ｂ）参照。）。第４の面は、（１  ０  ０）面（またはｂｃ
面）に平行な結晶面である（図７（Ｂ）参照。）。
【０１７９】
以上のような条件で、各面で劈開後の構造のエネルギーを算出する。次に、劈開後の構造
のエネルギーと初期状態における構造のエネルギーとの差を、劈開面の面積で除すことで
、各面における劈開しやすさの尺度である劈開エネルギーを算出する。なお、構造のエネ
ルギーは、構造に含まれる原子と電子に対して、電子の運動エネルギーと、原子間、原子
−電子間、および電子間の相互作用と、を考慮したエネルギーである。
【０１８０】
計算の結果、第１の面の劈開エネルギーは２．６０Ｊ／ｍ２、第２の面の劈開エネルギー
は０．６８Ｊ／ｍ２、第３の面の劈開エネルギーは２．１８Ｊ／ｍ２、第４の面の劈開エ
ネルギーは２．１２Ｊ／ｍ２であることがわかった（下表参照。）。
【０１８１】
【表３】
2020094286.tif 000005
【０１８２】
この計算により、図７に示したＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の構造において、第２の面におけ
る劈開エネルギーが最も低くなる。即ち、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間が
最も劈開しやすい面（劈開面）であることがわかる。したがって、本明細書において、劈
開面と記載する場合、最も劈開しやすい面である第２の面のことを示す。
【０１８３】
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＧａ−Ｚｎ−Ｏ層との間である第２の面に劈開面を有するため、図７
（Ａ）に示すＩｎＧａＺｎＯ４の結晶は、二つの第２の面と等価な面で分離することがで
きる。したがって、ターゲットにイオンなどを衝突させる場合、もっとも劈開エネルギー
の低い面で劈開したウェハース状のユニット（我々はこれをペレットと呼ぶ。）が最小単
位となって飛び出してくると考えられる。その場合、ＩｎＧａＺｎＯ４のペレットは、Ｇ
ａ−Ｚｎ−Ｏ層、Ｉｎ−Ｏ層およびＧａ−Ｚｎ−Ｏ層の３層となる。
【０１８４】
また、第１の面（Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ層とＩｎ−Ｏ層との間の結晶面であり、（０  ０  １）
面（またはａｂ面）に平行な結晶面）よりも、第３の面（１  １  ０）面に平行な結晶面
）、第４の面（（１  ０  ０）面（またはｂｃ面）に平行な結晶面）の劈開エネルギーが
低いことから、ペレットの平面形状は三角形状または六角形状が多いことが示唆される。
【０１８５】
なお、ターゲットから剥離したペレットは損傷領域を含むことが示唆される。ペレットに
含まれる損傷領域は、損傷によって生じた欠陥に酸素を反応させることで修復できる場合
がある。
【０１８６】
以上の計算により、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を含むターゲットを
スパッタすると、劈開面から剥離し、ペレットが形成されることがわかる。一方、劈開面
を有さないターゲットの他の構造の領域をスパッタしてもペレットは形成されず、ペレッ
トよりも微細な原子レベルの大きさのスパッタ粒子が形成される。該スパッタ粒子は、ペ
レットと比べて小さいため、スパッタリング装置に接続されている真空ポンプを介して排
気されると考えられる。したがって、ホモロガス構造を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を
含むターゲットをスパッタした場合、様々な大きさ、形状の粒子が基板まで飛翔し、堆積
することで成膜されるモデルは考えにくい。スパッタされたペレットが堆積してＣＡＡＣ
−ＯＳを成膜する図３などに記載のモデルが道理に適っている。
【０１８７】
このようにして成膜されたＣＡＡＣ−ＯＳの密度は、単結晶ＯＳと同程度の密度を有する
。例えば、ＩｎＧａＺｎＯ４のホモロガス構造を有する単結晶ＯＳの密度は６．３６ｇ／
ｃｍ３であるのに対し、同程度の原子数比であるＣＡＡＣ−ＯＳの密度は６．３ｇ／ｃｍ
３程度となる。
【０１８８】
＜組成＞
以下では、ＣＡＡＣ−ＯＳの組成について説明する。なお、組成の説明には、ＣＡＡＣ−
ＯＳとなる酸化物半導体であるＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合を例示する。なお、元素Ｍは
、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適
用可能な元素としては、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イッ
トリウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タ
ンタル、タングステンなどがある。
【０１８９】
図８は、各頂点にＩｎ、ＭまたはＺｎを配置した三角図である。また、図中の［Ｉｎ］は
Ｉｎの原子濃度を示し、［Ｍ］は元素Ｍの原子濃度を示し、［Ｚｎ］はＺｎの原子濃度を
示す。
【０１９０】
Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の結晶はホモロガス構造を有することが知られており、ＩｎＭＯ３
（ＺｎＯ）ｍ（ｍは自然数。）で示される。また、ＩｎとＭとを置き換えることが可能で
あるため、Ｉｎ１＋αＭ１−αＯ３（ＺｎＯ）ｍで示すこともできる。これは、［Ｉｎ］
：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−α：１、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−
α：２、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−α：３、［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ
］＝１＋α：１−α：４、および［Ｉｎ］：［Ｍ］：［Ｚｎ］＝１＋α：１−α：５と表
記した破線で示される組成である。なお、破線上の太線は、例えば、原料となる酸化物を
混合し、１３５０℃で焼成した場合に固溶体となりうる組成である。
【０１９１】
よって、上述の固溶体となりうる組成に近づけることで、大きい単結晶構造の領域を有す
るＣＡＡＣ−ＯＳを得ることができる。
【０１９２】
ところで、ＣＡＡＣ−ＯＳを成膜する際には、被成膜面である基板表面の加熱、または空
間加熱などの影響で、ソースとなるターゲットなどの組成と膜の組成とが異なる場合があ
る。例えば、酸化亜鉛は、酸化インジウムや酸化ガリウムなどと比べて昇華しやすいため
、ソースと膜との組成のずれが生じやすい。したがって、あらかじめ組成の変化を考慮し
たソースを選択することが好ましい。なお、ソースと膜との組成のずれ量は、温度以外に
も圧力や成膜に用いるガスなどの影響でも変化する。
【０１９３】
＜成膜装置＞
以下では、上述したＣＡＡＣ−ＯＳを成膜することが可能な成膜室を有する成膜装置につ
いて説明する。
【０１９４】
まずは、成膜時などに膜中に不純物の混入が少ない成膜装置の構成について図９および図
１０を用いて説明する。
【０１９５】
図９は、枚葉式マルチチャンバーの成膜装置７００の上面図を模式的に示している。成膜
装置７００は、基板を収容するカセットポート７６１と、基板のアライメントを行うアラ
イメントポート７６２と、を備える大気側基板供給室７０１と、大気側基板供給室７０１
から、基板を搬送する大気側基板搬送室７０２と、基板の搬入を行い、かつ室内の圧力を
大気圧から減圧、または減圧から大気圧へ切り替えるロードロック室７０３ａと、基板の
搬出を行い、かつ室内の圧力を減圧から大気圧、または大気圧から減圧へ切り替えるアン
ロードロック室７０３ｂと、真空中の基板の搬送を行う搬送室７０４と、基板の加熱を行
う基板加熱室７０５と、ターゲットが配置され成膜を行う成膜室７０６ａ、７０６ｂおよ
び７０６ｃと、を有する。なお、成膜室７０６ａ、７０６ｂおよび７０６ｃは、例えば、
図１（Ａ）または図２（Ａ）などに示した成膜室１０１の構成を参酌することができる。
【０１９６】
また、大気側基板搬送室７０２は、ロードロック室７０３ａおよびアンロードロック室７
０３ｂと接続され、ロードロック室７０３ａおよびアンロードロック室７０３ｂは、搬送
室７０４と接続され、搬送室７０４は、基板加熱室７０５、成膜室７０６ａ、成膜室７０
６ｂおよび成膜室７０６ｃと接続する。
【０１９７】
なお、各室の接続部にはゲートバルブ７６４が設けられており、大気側基板供給室７０１
と、大気側基板搬送室７０２を除き、各室を独立して真空状態に保持することができる。
また、大気側基板搬送室７０２および搬送室７０４は、搬送ロボット７６３を有し、基板
を搬送することができる。
【０１９８】
また、基板加熱室７０５は、プラズマ処理室を兼ねると好ましい。成膜装置７００は、処
理と処理の間で基板を大気暴露することなく搬送することが可能なため、基板に不純物が
吸着することを抑制できる。また、成膜や熱処理などの順番を自由に構築することができ
る。なお、搬送室、成膜室、ロードロック室、アンロードロック室および基板加熱室は、
上述の数に限定されず、設置スペースやプロセス条件に合わせて、適宜最適な数を設ける
ことができる。
【０１９９】
次に、図９に示す成膜装置７００の一点鎖線Ｘ１−Ｘ２、一点鎖線Ｙ１−Ｙ２、および一
点鎖線Ｙ２−Ｙ３に相当する断面を図１０に示す。
【０２００】
図１０（Ａ）は、基板加熱室７０５と、搬送室７０４の断面を示しており、基板加熱室７
０５は、基板を収容することができる複数の加熱ステージ７６５を有している。なお、基
板加熱室７０５は、バルブを介して真空ポンプ７７０と接続されている。真空ポンプ７７
０としては、例えば、ドライポンプ、およびメカニカルブースターポンプ等を用いること
ができる。
【０２０１】
また、基板加熱室７０５に用いることのできる加熱機構としては、例えば、抵抗発熱体な
どを用いて加熱する加熱機構としてもよい。または、加熱されたガスなどの媒体からの熱
伝導または熱輻射によって、加熱する加熱機構としてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ
Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ  Ｒａｐｉｄ  Ｔ
ｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａ
ｌ）を用いることができる。ＬＲＴＡは、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセ
ノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなど
のランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する。ＧＲＴＡは、高温
のガスを用いて熱処理を行う。ガスとしては、不活性ガスが用いられる。
【０２０２】
また、基板加熱室７０５は、マスフローコントローラ７８０を介して、精製機７８１と接
続される。なお、マスフローコントローラ７８０および精製機７８１は、ガス種の数だけ
設けられるが、理解を容易にするため一つのみを示す。基板加熱室７０５に導入されるガ
スは、露点が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下であるガスを用いることができ、
例えば、酸素ガス、窒素ガス、および希ガス（アルゴンガスなど）を用いる。
【０２０３】
搬送室７０４は、搬送ロボット７６３を有している。搬送ロボット７６３は、各室へ基板
を搬送することができる。また、搬送室７０４は、バルブを介して真空ポンプ７７０と、
クライオポンプ７７１と、接続されている。このような構成とすることで、搬送室７０４
は、大気圧から低真空または中真空（０．１から数百Ｐａ程度）まで真空ポンプ７７０を
用いて排気され、バルブを切り替えて中真空から高真空または超高真空（０．１Ｐａから
１×１０−７Ｐａ）まではクライオポンプ７７１を用いて排気される。
【０２０４】
また、例えば、クライオポンプ７７１は、搬送室７０４に対して２台以上並列に接続して
もよい。このような構成とすることで、１台のクライオポンプがリジェネ中であっても、
残りのクライオポンプを使って排気することが可能となる。なお、上述したリジェネとは
、クライオポンプ内にため込まれた分子（または原子）を放出する処理をいう。クライオ
ポンプは、分子（または原子）をため込みすぎると排気能力が低下してくるため、定期的
にリジェネが行われる。
【０２０５】
図１０（Ｂ）は、成膜室７０６ｂと、搬送室７０４と、ロードロック室７０３ａの断面を
示している。
【０２０６】
ここで、図１０（Ｂ）を用いて、成膜室（スパッタリング室）の詳細について説明する。
図１０（Ｂ）に示す成膜室７０６ｂは、ターゲット７６６と、防着板７６７と、基板ステ
ージ７６８と、を有する。なお、ここでは基板ステージ７６８には、基板７６９が設置さ
れている。基板ステージ７６８は、図示しないが、基板７６９を保持する基板保持機構や
、基板７６９を背面から加熱する背面ヒーター等を備えていてもよい。また、ターゲット
の背後にマグネットユニットを備えていてもよい。
【０２０７】
なお、基板ステージ７６８は、成膜時に床面に対して略垂直状態に保持され、基板受け渡
し時には床面に対して略水平状態に保持される。なお、図１０（Ｂ）中において、破線で
示す箇所が基板受け渡し時の基板ステージ７６８の保持される位置となる。このような構
成とすることで成膜時に混入しうるゴミまたはパーティクルが、基板７６９に付着する確
率を水平状態に保持するよりも抑制することができる。ただし、基板ステージ７６８を床
面に対して垂直（９０°）状態に保持すると、基板７６９が落下する可能性があるため、
基板ステージ７６８の床面に対する角度は、８０°以上９０°未満とすることが好ましい
。
【０２０８】
また、防着板７６７は、ターゲット７６６からスパッタリングされる粒子が不要な領域に
推積することを抑制できる。また、防着板７６７は、累積されたスパッタリング粒子が剥
離しないように、加工することが望ましい。例えば、表面粗さを増加させるブラスト処理
、または防着板７６７の表面に凹凸を設けてもよい。
【０２０９】
また、成膜室７０６ｂは、ガス加熱機構７８２を介してマスフローコントローラ７８０と
接続され、ガス加熱機構７８２はマスフローコントローラ７８０を介して精製機７８１と
接続される。ガス加熱機構７８２により、成膜室７０６ｂに導入されるガスを４０℃以上
４００℃以下、好ましくは５０℃以上２００℃以下に加熱することができる。なお、ガス
加熱機構７８２、マスフローコントローラ７８０、および精製機７８１は、ガス種の数だ
け設けられるが、理解を容易にするため一つのみを示す。成膜室７０６ｂに導入されるガ
スは、露点が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下であるガスを用いることができ、
例えば、酸素ガス、窒素ガス、および希ガス（アルゴンガスなど）を用いる。
【０２１０】
成膜室７０６ｂに、対向ターゲット式スパッタリング装置を適用してもよい。対向ターゲ
ット式スパッタリング装置は、プラズマがターゲット間に閉じこめられるため、基板への
プラズマダメージを低減することができる。また、ターゲットの傾きによっては、スパッ
タリング粒子の基板への入射角度を浅くすることができるため、段差被覆性を高めること
ができる。
【０２１１】
なお、成膜室７０６ｂに、平行平板型スパッタリング装置、イオンビームスパッタリング
装置を適用しても構わない。
【０２１２】
なお、ガスの導入口の直前に精製機を設ける場合、精製機から成膜室７０６ｂまでの配管
の長さを１０ｍ以下、好ましくは５ｍ以下、さらに好ましくは１ｍ以下とする。配管の長
さを１０ｍ以下、５ｍ以下または１ｍ以下とすることで、配管からの放出ガスの影響を長
さに応じて低減できる。さらに、ガスの配管には、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化ク
ロムなどで内部が被覆された金属配管を用いるとよい。前述の配管は、例えばＳＵＳ３１
６Ｌ−ＥＰ配管と比べ、不純物を含むガスの放出量が少なく、ガスへの不純物の入り込み
を低減できる。また、配管の継手には、高性能超小型メタルガスケット継手（ＵＰＧ継手
）を用いるとよい。また、配管を全て金属で構成することで、樹脂等を用いた場合と比べ
、生じる放出ガスおよび外部リークの影響を低減できて好ましい。
【０２１３】
また、成膜室７０６ｂは、バルブを介してターボ分子ポンプ７７２および真空ポンプ７７
０と接続される。
【０２１４】
また、成膜室７０６ｂは、クライオトラップ７５１が設けられる。
【０２１５】
クライオトラップ７５１は、水などの比較的融点の高い分子（または原子）を吸着するこ
とができる機構である。ターボ分子ポンプ７７２は大きいサイズの分子（または原子）を
安定して排気し、かつメンテナンスの頻度が低いため、生産性に優れる一方、水素や水の
排気能力が低い。そこで、水などに対する排気能力を高めるため、クライオトラップ７５
１が成膜室７０６ｂに接続された構成としている。クライオトラップ７５１の冷凍機の温
度は１００Ｋ以下、好ましくは８０Ｋ以下とする。また、クライオトラップ７５１が複数
の冷凍機を有する場合、冷凍機ごとに温度を変えると、効率的に排気することが可能とな
るため好ましい。例えば、１段目の冷凍機の温度を１００Ｋ以下とし、２段目の冷凍機の
温度を２０Ｋ以下とすればよい。なお、クライオトラップに替えて、チタンサブリメーシ
ョンポンプを用いることで、さらに高真空とすることができる場合がある。また、クライ
オポンプやターボ分子ポンプに替えてイオンポンプを用いることでもさらに高真空とする
ことができる場合がある。
【０２１６】
なお、成膜室７０６ｂの排気方法は、これに限定されず、先の搬送室７０４に示す排気方
法（クライオポンプと真空ポンプとの排気方法）と同様の構成としてもよい。もちろん、
搬送室７０４の排気方法を成膜室７０６ｂと同様の構成（ターボ分子ポンプと真空ポンプ
との排気方法）としてもよい。
【０２１７】
なお、上述した搬送室７０４、基板加熱室７０５、および成膜室７０６ｂの背圧（全圧）
、ならびに各気体分子（原子）の分圧は、以下の通りとすると好ましい。とくに、形成さ
れる膜中に不純物が混入され得る可能性があるので、成膜室７０６ｂの背圧、ならびに各
気体分子（原子）の分圧には注意する必要がある。
【０２１８】
上述した各室の背圧（全圧）は、１×１０−４Ｐａ以下、好ましくは３×１０−５Ｐａ以
下、さらに好ましくは１×１０−５Ｐａ以下である。上述した各室の質量電荷比（ｍ／ｚ
）が１８である気体分子（原子）の分圧は、３×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１０
−５Ｐａ以下、さらに好ましくは３×１０−６Ｐａ以下である。また、上述した各室のｍ
／ｚが２８である気体分子（原子）の分圧は、３×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×１
０−５Ｐａ以下、さらに好ましくは３×１０−６Ｐａ以下である。また、上述した各室の
ｍ／ｚが４４である気体分子（原子）の分圧は、３×１０−５Ｐａ以下、好ましくは１×
１０−５Ｐａ以下、さらに好ましくは３×１０−６Ｐａ以下である。
【０２１９】
なお、真空チャンバー内の全圧および分圧は、質量分析計を用いて測定することができる
。例えば、株式会社アルバック製四重極形質量分析計（Ｑ−ｍａｓｓともいう。）Ｑｕｌ
ｅｅ  ＣＧＭ−０５１を用いればよい。
【０２２０】
また、上述した搬送室７０４、基板加熱室７０５、および成膜室７０６ｂは、外部リーク
または内部リークが少ない構成とすることが望ましい。
【０２２１】
例えば、上述した搬送室７０４、基板加熱室７０５、および成膜室７０６ｂのリークレー
トは、３×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下で
ある。また、ｍ／ｚが１８である気体分子（原子）のリークレートが１×１０−７Ｐａ・
ｍ３／ｓ以下、好ましくは３×１０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ以下である。また、ｍ／ｚが２８
である気体分子（原子）のリークレートが１×１０−５Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは
１×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下である。また、ｍ／ｚが４４である気体分子（原子）の
リークレートが３×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下、好ましくは１×１０−６Ｐａ・ｍ３／
ｓ以下である。
【０２２２】
なお、リークレートに関しては、前述の質量分析計を用いて測定した全圧および分圧から
導出すればよい。
【０２２３】
リークレートは、外部リークおよび内部リークに依存する。外部リークは、微小な穴やシ
ール不良などによって真空系外から気体が流入することである。内部リークは、真空系内
のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの放出ガスに起因する。リークレート
を上述の数値以下とするために、外部リークおよび内部リークの両面から対策をとる必要
がある。
【０２２４】
例えば、成膜室７０６ｂの開閉部分はメタルガスケットでシールするとよい。メタルガス
ケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、または酸化クロムによって被覆された金属を用
いると好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く、外部リークを低減で
きる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどによって被覆された金属の不
動態を用いることで、メタルガスケットから放出される不純物を含む放出ガスが抑制され
、内部リークを低減することができる。
【０２２５】
また、成膜装置７００を構成する部材として、不純物を含む放出ガスの少ないアルミニウ
ム、クロム、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の
部材を鉄、クロムおよびニッケルなどを含む合金に被覆して用いてもよい。鉄、クロムお
よびニッケルなどを含む合金は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで
、表面積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガ
スを低減できる。
【０２２６】
または、前述の成膜装置７００の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどで
被覆してもよい。
【０２２７】
成膜装置７００の部材は、極力金属のみで構成することが好ましく、例えば石英などで構
成される覗き窓などを設置する場合も、放出ガスを抑制するために表面をフッ化鉄、酸化
アルミニウム、酸化クロムなどで薄く被覆するとよい。
【０２２８】
成膜室に存在する吸着物は、内壁などに吸着しているために成膜室の圧力に影響しないが
、成膜室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に相
関はないものの、排気能力の高いポンプを用いて、成膜室に存在する吸着物をできる限り
脱離し、あらかじめ排気しておくことは重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、
成膜室をベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大
きくすることができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき
、不活性ガスを成膜室に導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しに
くい水などの脱離速度をさらに大きくすることができる。なお、導入する不活性ガスをベ
ーキングの温度と同程度に加熱することで、吸着物の脱離速度をさらに高めることができ
る。ここで不活性ガスとして希ガスを用いると好ましい。また、成膜する膜種によっては
不活性ガスの代わりに酸素などを用いても構わない。例えば、酸化物を成膜する場合は、
主成分である酸素を用いた方が好ましい場合もある。なお、ベーキングは、ランプを用い
て行うと好ましい。
【０２２９】
または、加熱した希ガスなどの不活性ガスまたは酸素などを導入することで成膜室内の圧
力を高め、一定時間経過後に再び成膜室を排気する処理を行うと好ましい。加熱したガス
の導入により成膜室内の吸着物を脱離させることができ、成膜室内に存在する不純物を低
減することができる。なお、この処理は２回以上３０回以下、好ましくは５回以上１５回
以下の範囲で繰り返し行うと効果的である。具体的には、温度が４０℃以上４００℃以下
、好ましくは５０℃以上２００℃以下である不活性ガスまたは酸素などを導入することで
成膜室内の圧力を０．１Ｐａ以上１０ｋＰａ以下、好ましくは１Ｐａ以上１ｋＰａ以下、
さらに好ましくは５Ｐａ以上１００Ｐａ以下とし、圧力を保つ期間を１分以上３００分以
下、好ましくは５分以上１２０分以下とすればよい。その後、成膜室を５分以上３００分
以下、好ましくは１０分以上１２０分以下の期間排気する。
【０２３０】
また、ダミー成膜を行うことでも吸着物の脱離速度をさらに高めることができる。ダミー
成膜とは、ダミー基板に対してスパッタリング法などによる成膜を行うことで、ダミー基
板および成膜室内壁に膜を堆積させ、成膜室内の不純物および成膜室内壁の吸着物を膜中
に閉じこめることをいう。ダミー基板は、放出ガスの少ない基板が好ましい。ダミー成膜
を行うことで、後に成膜される膜中の不純物濃度を低減することができる。なお、ダミー
成膜はベーキングと同時に行ってもよい。
【０２３１】
次に、図１０（Ｂ）に示す搬送室７０４、およびロードロック室７０３ａと、図１０（Ｃ
）に示す大気側基板搬送室７０２、および大気側基板供給室７０１の詳細について以下説
明を行う。なお、図１０（Ｃ）は、大気側基板搬送室７０２、および大気側基板供給室７
０１の断面を示している。
【０２３２】
図１０（Ｂ）に示す搬送室７０４については、図１０（Ａ）に示す搬送室７０４の記載を
参照する。
【０２３３】
ロードロック室７０３ａは、基板受け渡しステージ７５２を有する。ロードロック室７０
３ａは、減圧状態から大気まで圧力を上昇させ、ロードロック室７０３ａの圧力が大気圧
になった時に、大気側基板搬送室７０２に設けられている搬送ロボット７６３から基板受
け渡しステージ７５２に基板を受け取る。その後、ロードロック室７０３ａを真空引きし
、減圧状態としたのち、搬送室７０４に設けられている搬送ロボット７６３が基板受け渡
しステージ７５２から基板を受け取る。
【０２３４】
また、ロードロック室７０３ａは、バルブを介して真空ポンプ７７０、およびクライオポ
ンプ７７１と接続されている。真空ポンプ７７０、およびクライオポンプ７７１の排気系
の接続方法は、搬送室７０４の接続方法を参考とすることで接続できるため、ここでの説
明は省略する。なお、図９に示すアンロードロック室７０３ｂは、ロードロック室７０３
ａと同様の構成とすることができる。
【０２３５】
大気側基板搬送室７０２は、搬送ロボット７６３を有する。搬送ロボット７６３により、
カセットポート７６１とロードロック室７０３ａとの基板の受け渡しを行うことができる
。また、大気側基板搬送室７０２、および大気側基板供給室７０１の上方にＨＥＰＡフィ
ルタ（Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ  Ａｉｒ  Ｆｉｌｔｅ
ｒ）等のゴミまたはパーティクルを清浄化するための機構を設けてもよい。
【０２３６】
大気側基板供給室７０１は、複数のカセットポート７６１を有する。カセットポート７６
１は、複数の基板を収容することができる。
【０２３７】
ターゲットは、表面温度が１００℃以下、好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは室温
程度（代表的には２５℃）とする。大面積の基板に対応するスパッタリング装置では大面
積のターゲットを用いることが多い。ところが、大面積に対応した大きさのターゲットを
つなぎ目なく作製することは困難である。現実には複数のターゲットをなるべく隙間のな
いように並べて大きな形状としているが、どうしても僅かな隙間が生じてしまう。こうし
た僅かな隙間から、ターゲットの表面温度が高まることで亜鉛などが揮発し、徐々に隙間
が広がっていくことがある。隙間が広がると、バッキングプレートや接着に用いている金
属がスパッタリングされることがあり、不純物濃度を高める要因となる。したがって、タ
ーゲットは、十分に冷却されていることが好ましい。
【０２３８】
具体的には、バッキングプレートとして、高い導電性および高い放熱性を有する金属（具
体的には銅）を用いる。また、バッキングプレート内に水路を形成し、水路に十分な量の
冷却水を流すことで、効率的にターゲットを冷却できる。
【０２３９】
なお、ターゲットが亜鉛を含む場合、酸素ガス雰囲気で成膜することにより、プラズマダ
メージが軽減され、亜鉛の揮発が起こりにくい酸化物を得ることができる。
【０２４０】
上述した成膜装置を用いることで、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の水素濃度を、ＳＩＭＳにおいて、
２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１８
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることができる。
【０２４１】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の窒素濃度を、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とす
ることができる。
【０２４２】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ中の炭素濃度を、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とす
ることができる。
【０２４３】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳを、昇温脱離ガス分光法（ＴＤＳ：Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐ
ｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によるｍ／ｚが２（水素分子など）である気
体分子（原子）、ｍ／ｚが１８である気体分子（原子）、ｍ／ｚが２８である気体分子（
原子）およびｍ／ｚが４４である気体分子（原子）の放出量が、それぞれ１×１０１９個
／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１８個／ｃｍ３以下とすることができる。
【０２４４】
以上の成膜装置を用いることで、ＣＡＡＣ−ＯＳへの不純物の混入を抑制できる。さらに
は、以上の成膜装置を用いて、ＣＡＡＣ−ＯＳに接する膜を成膜することで、ＣＡＡＣ−
ＯＳに接する膜からＣＡＡＣ−ＯＳへ不純物が混入することを抑制できる。
【０２４５】
＜トランジスタ＞
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタについて説明する。
【０２４６】
なお、本発明の一態様に係るトランジスタは、上述したＣＡＡＣ−ＯＳを有すると好まし
い。
【０２４７】
＜トランジスタ構造１＞
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面
図である。図１１（Ａ）は上面図であり、図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）に示す一点鎖線
Ａ１−Ａ２、および一点鎖線Ａ３−Ａ４に対応する断面図である。なお、図１１（Ａ）の
上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０２４８】
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に示すトランジスタは、基板４００上の導電体４１３と
、基板４００上および導電体４１３上の凸部を有する絶縁体４０２と、絶縁体４０２の凸
部上の半導体４０６ａと、半導体４０６ａ上の半導体４０６ｂと、半導体４０６ｂの上面
および側面と接し、間隔を開けて配置された導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂと、半
導体４０６ｂ上、導電体４１６ａ上および導電体４１６ｂ上の半導体４０６ｃと、半導体
４０６ｃ上の絶縁体４１２と、絶縁体４１２上の導電体４０４と、導電体４１６ａ上、導
電体４１６ｂ上および導電体４０４上の絶縁体４０８と、絶縁体４０８上の絶縁体４１８
と、を有する。なお、ここでは、導電体４１３をトランジスタの一部としているが、これ
に限定されない。例えば、導電体４１３がトランジスタとは独立した構成要素であるとし
てもよい。
【０２４９】
なお、半導体４０６ｃは、Ａ３−Ａ４断面において、少なくとも半導体４０６ｂの上面お
よび側面と接する。また、導電体４０４は、Ａ３−Ａ４断面において、半導体４０６ｃお
よび絶縁体４１２を介して半導体４０６ｂの上面および側面と面する。また、導電体４１
３は、絶縁体４０２を介して半導体４０６ｂの下面と面する。また、絶縁体４０２が凸部
を有さなくても構わない。また、半導体４０６ｃを有さなくても構わない。また、絶縁体
４０８を有さなくても構わない。また、絶縁体４１８を有さなくても構わない。
【０２５０】
なお、半導体４０６ｂは、トランジスタのチャネル形成領域としての機能を有する。また
、導電体４０４は、トランジスタの第１のゲート電極（フロントゲート電極ともいう。）
としての機能を有する。また、導電体４１３は、トランジスタの第２のゲート電極（バッ
クゲート電極ともいう。）としての機能を有する。また、導電体４１６ａおよび導電体４
１６ｂは、トランジスタのソース電極およびドレイン電極としての機能を有する。また、
絶縁体４０８は、バリア層としての機能を有する。絶縁体４０８は、例えば、酸素または
／および水素をブロックする機能を有する。または、絶縁体４０８は、例えば、半導体４
０６ａまたは／および半導体４０６ｃよりも、酸素または／および水素をブロックする能
力が高い。
【０２５１】
なお、絶縁体４０２は過剰酸素を含む絶縁体であると好ましい。
【０２５２】
例えば、過剰酸素を含む絶縁体は、加熱処理によって酸素を放出する機能を有する絶縁体
である。例えば、過剰酸素を含む酸化シリコン層は、加熱処理などによって酸素を放出す
ることができる酸化シリコン層である。したがって、絶縁体４０２は膜中を酸素が移動可
能な絶縁体である。即ち、絶縁体４０２は酸素透過性を有する絶縁体とすればよい。例え
ば、絶縁体４０２は、半導体４０６ａよりも酸素透過性の高い絶縁体とすればよい。
【０２５３】
過剰酸素を含む絶縁体は、半導体４０６ｂ中の酸素欠損を低減させる機能を有する場合が
ある。半導体４０６ｂ中で酸素欠損は、ＤＯＳを形成し、正孔トラップなどとなる。また
、酸素欠損のサイトに水素が入ることによって、キャリアである電子を生成することがあ
る。したがって、半導体４０６ｂ中の酸素欠損を低減することで、トランジスタに安定し
た電気特性を付与することができる。
【０２５４】
ここで、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、ＴＤＳ分析にて、１００℃以上７０
０℃以下または１００℃以上５００℃以下の表面温度の範囲で１×１０１８ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以上、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上または１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ
３以上の酸素（酸素原子数換算）を放出することもある。
【０２５５】
ここで、ＴＤＳ分析を用いた酸素の放出量の測定方法について、以下に説明する。
【０２５６】
測定試料をＴＤＳ分析したときの気体の全放出量は、放出ガスのイオン強度の積分値に比
例する。そして標準試料との比較により、気体の全放出量を計算することができる。
【０２５７】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコン基板のＴＤＳ分析結果、および
測定試料のＴＤＳ分析結果から、測定試料の酸素分子の放出量（ＮＯ２）は、下に示す式
で求めることができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量電荷比３２で検出されるガス
の全てが酸素分子由来と仮定する。ＣＨ３ＯＨの質量電荷比は３２であるが、存在する可
能性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の
酸素原子および質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比
率が極微量であるため考慮しない。
【０２５８】
ＮＯ２＝ＮＨ２／ＳＨ２×ＳＯ２×α
【０２５９】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試
料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ
Ｈ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、測定試料をＴＤＳ分析したときのイオン強度の積分値で
ある。αは、ＴＤＳ分析におけるイオン強度に影響する係数である。上に示す式の詳細に
関しては、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記酸素の放出量は、電子科
学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料として、
例えば１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の水素原子を含むシリコン基板を用いて測定する
。
【０２６０】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の放出量につ
いても見積もることができる。
【０２６１】
なお、ＮＯ２は酸素分子の放出量である。酸素原子に換算したときの放出量は、酸素分子
の放出量の２倍となる。
【０２６２】
または、加熱処理によって酸素を放出する絶縁体は、過酸化ラジカルを含むこともある。
具体的には、過酸化ラジカルに起因するスピン密度が、５×１０１７ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３
以上であることをいう。なお、過酸化ラジカルを含む絶縁体は、ＥＳＲにて、ｇ値が２．
０１近傍に非対称の信号を有することもある。
【０２６３】
または、過剰酸素を含む絶縁体は、酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））で
あってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））は、シリコン原子数の
２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位体積当たりのシリコン原
子数および酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂ
ａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定した値である。
【０２６４】
図１１（Ｂ）に示すように、半導体４０６ｂの側面は、導電体４１６ａおよび導電体４１
６ｂと接する。また、導電体４０４の電界によって、半導体４０６ｂを電気的に取り囲む
ことができる（導電体から生じる電界によって、半導体を電気的に取り囲むトランジスタ
の構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
）。そのため、半導体４０６ｂの全体（バルク）にチャネルが形成される場合がある。ｓ
−ｃｈａｎｎｅｌ構造では、トランジスタのソース−ドレイン間に大電流を流すことがで
き、導通時の電流（オン電流）を高くすることができる。
【０２６５】
高いオン電流が得られるため、ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造は、微細化されたトランジスタに
適した構造といえる。トランジスタを微細化できるため、該トランジスタを有する半導体
装置は、集積度の高い、高密度化された半導体装置とすることが可能となる。例えば、ト
ランジスタは、チャネル長が好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、
より好ましくは２０ｎｍ以下の領域を有し、かつ、トランジスタは、チャネル幅が好まし
くは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下の領域
を有する。
【０２６６】
また、導電体４１３に、ソース電極よりも低い電圧または高い電圧を印加し、トランジス
タのしきい値電圧をプラス方向またはマイナス方向へ変動させてもよい。例えば、トラン
ジスタのしきい値電圧をプラス方向に変動させることで、ゲート電圧が０Ｖであってもト
ランジスタが非導通状態（オフ状態）となる、ノーマリーオフが実現できる場合がある。
なお、導電体４１３に印加する電圧は、可変であってもよいし、固定であってもよい。導
電体４１３に印加する電圧を可変にする場合、電圧を制御する回路を導電体４１３と電気
的に接続してもよい。
【０２６７】
次に、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂ、半導体４０６ｃなどに適用可能な半導体につい
て説明する。
【０２６８】
半導体４０６ｂは、例えば、インジウムを含む酸化物半導体である。半導体４０６ｂは、
例えば、インジウムを含むと、キャリア移動度（電子移動度）が高くなる。また、半導体
４０６ｂは、元素Ｍを含むと好ましい。元素Ｍは、好ましくは、アルミニウム、ガリウム
、イットリウムまたはスズなどとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホ
ウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、
モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステンなど
がある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
元素Ｍは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エ
ネルギーがインジウムよりも高い元素である。または、元素Ｍは、例えば、酸化物半導体
のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、半導体４０６ｂは、
亜鉛を含むと好ましい。酸化物半導体は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
【０２６９】
ただし、半導体４０６ｂは、インジウムを含む酸化物半導体に限定されない。半導体４０
６ｂは、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物などの、インジウムを含まず、亜
鉛を含む酸化物半導体、ガリウムを含む酸化物半導体、スズを含む酸化物半導体などであ
っても構わない。
【０２７０】
半導体４０６ｂは、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物を用いる。半導体４０６
ｂのエネルギーギャップは、例えば、２．５ｅＶ以上４．２ｅＶ以下、好ましくは２．８
ｅＶ以上３．８ｅＶ以下、さらに好ましくは３ｅＶ以上３．５ｅＶ以下とする。
【０２７１】
例えば、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃは、半導体４０６ｂを構成する酸素以外の
元素一種以上、または二種以上から構成される酸化物半導体である。半導体４０６ｂを構
成する酸素以外の元素一種以上、または二種以上から半導体４０６ａおよび半導体４０６
ｃが構成されるため、半導体４０６ａと半導体４０６ｂとの界面、および半導体４０６ｂ
と半導体４０６ｃとの界面において、界面準位が形成されにくい。
【０２７２】
半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃは、少なくともインジウムを含む
と好ましい。なお、半導体４０６ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を
１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０
ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａ
ｔｏｍｉｃ％より高いとする。また、半導体４０６ｂがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のとき、Ｉ
ｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが２５ａｔｏｍｉｃ
％より高く、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％未満、さらに好ましくはＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％
より高く、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。また、半導体４０６ｃがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ
酸化物のとき、ＩｎおよびＭの和を１００ａｔｏｍｉｃ％としたとき、好ましくはＩｎが
５０ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが５０ａｔｏｍｉｃ％より高く、さらに好ましくはＩｎが２
５ａｔｏｍｉｃ％未満、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％より高くする。なお、半導体４０６ｃは
、半導体４０６ａと同種の酸化物を用いても構わない。ただし、半導体４０６ａまたは／
および半導体４０６ｃがインジウムを含まなくても構わない場合がある。例えば、半導体
４０６ａまたは／および半導体４０６ｃが酸化ガリウムであっても構わない。
【０２７３】
半導体４０６ｂは、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃよりも電子親和力の大きい酸化
物を用いる。例えば、半導体４０６ｂとして、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃより
も電子親和力の０．０７ｅＶ以上１．３ｅＶ以下、好ましくは０．１ｅＶ以上０．７ｅＶ
以下、さらに好ましくは０．１５ｅＶ以上０．４ｅＶ以下大きい酸化物を用いる。なお、
電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
【０２７４】
なお、インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する
。そのため、半導体４０６ｃがインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原
子割合［Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）］は、例えば、７０％以上、好ましくは８０％以上、さら
に好ましくは９０％以上とする。
【０２７５】
なお、半導体４０６ａの組成は、図８に示した太線の組成の近傍であることが好ましい。
なお、半導体４０６ｂの組成は、図８に示した太線の組成の近傍であることが好ましい。
なお、半導体４０６ｃの組成は、図８に示した太線の組成の近傍であることが好ましい。
こうすることで、トランジスタのチャネル形成領域を、単結晶構造を有する領域とするこ
とができる。または、トランジスタのチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域
を、単結晶構造を有する領域とすることができる場合がある。トランジスタのチャネル形
成領域が単結晶構造を有する領域とすることで、トランジスタの周波数特性を高くするこ
とができる場合がある。
【０２７６】
このとき、ゲート電圧を印加すると、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂ、半導体４０６ｃ
のうち、電子親和力の大きい半導体４０６ｂにチャネルが形成される。
【０２７７】
ここで、半導体４０６ａと半導体４０６ｂとの間には、半導体４０６ａと半導体４０６ｂ
との混合領域を有する場合がある。また、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの間には、
半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの混合領域を有する場合がある。混合領域は、界面準
位密度が低くなる。そのため、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃの
積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する（連続接合とも
いう。）バンド構造となる。
【０２７８】
このとき、電子は、半導体４０６ａ中および半導体４０６ｃ中ではなく、半導体４０６ｂ
中を主として移動する。上述したように、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｂの界面に
おける界面準位密度、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの界面における界面準位密度を
低くすることによって、半導体４０６ｂ中で電子の移動が阻害されることが少なく、トラ
ンジスタのオン電流を高くすることができる。
【０２７９】
トランジスタのオン電流は、電子の移動を阻害する要因を低減するほど、高くすることが
できる。例えば、電子の移動を阻害する要因のない場合、効率よく電子が移動すると推定
される。電子の移動は、例えば、チャネル形成領域の物理的な凹凸が大きい場合にも阻害
される。
【０２８０】
トランジスタのオン電流を高くするためには、例えば、半導体４０６ｂの上面または下面
（被形成面、ここでは半導体４０６ａ）の、１μｍ×１μｍの範囲における二乗平均平方
根（ＲＭＳ：Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ）粗さが１ｎｍ未満、好ましくは０．６
ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未満、より好ましくは０．４ｎｍ未満とすればよ
い。また、１μｍ×１μｍの範囲における平均面粗さ（Ｒａともいう。）が１ｎｍ未満、
好ましくは０．６ｎｍ未満、さらに好ましくは０．５ｎｍ未満、より好ましくは０．４ｎ
ｍ未満とすればよい。また、１μｍ×１μｍの範囲における最大高低差（Ｐ−Ｖともいう
。）が１０ｎｍ未満、好ましくは９ｎｍ未満、さらに好ましくは８ｎｍ未満、より好まし
くは７ｎｍ未満とすればよい。ＲＭＳ粗さ、ＲａおよびＰ−Ｖは、エスアイアイ・ナノテ
クノロジー株式会社製走査型プローブ顕微鏡システムＳＰＡ−５００などを用いて測定す
ることができる。
【０２８１】
または、例えば、チャネルの形成される領域中の欠陥準位密度が高い場合にも、電子の移
動は阻害される。
【０２８２】
例えば、半導体４０６ｂが酸素欠損（ＶＯとも表記。）を有する場合、酸素欠損のサイト
に水素が入り込むことでドナー準位を形成することがある。以下では酸素欠損のサイトに
水素が入り込んだ状態をＶＯＨと表記する場合がある。ＶＯＨは電子を散乱するため、ト
ランジスタのオン電流を低下させる要因となる。なお、酸素欠損のサイトは、水素が入る
よりも酸素が入る方が安定する。したがって、半導体４０６ｂ中の酸素欠損を低減するこ
とで、トランジスタのオン電流を高くすることができる場合がある。
【０２８３】
半導体４０６ｂの酸素欠損を低減するために、例えば、絶縁体４０２に含まれる過剰酸素
を、半導体４０６ａを介して半導体４０６ｂまで移動させる方法などがある。この場合、
半導体４０６ａは、酸素透過性を有する層（酸素を通過または透過させる層）であること
が好ましい。
【０２８４】
なお、トランジスタがｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を有する場合、半導体４０６ｂの全体にチ
ャネルが形成される。したがって、半導体４０６ｂが厚いほどチャネル領域は大きくなる
。即ち、半導体４０６ｂが厚いほど、トランジスタのオン電流を高くすることができる。
例えば、２０ｎｍ以上、好ましくは４０ｎｍ以上、さらに好ましくは６０ｎｍ以上、より
好ましくは１００ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体４０６ｂとすればよい。ただし、
半導体装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、３００ｎｍ以下、好ましくは２
００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下の厚さの領域を有する半導体４０６ｂと
すればよい。
【０２８５】
また、トランジスタのオン電流を高くするためには、半導体４０６ｃの厚さは小さいほど
好ましい。例えば、１０ｎｍ未満、好ましくは５ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下
の領域を有する半導体４０６ｃとすればよい。一方、半導体４０６ｃは、チャネルの形成
される半導体４０６ｂへ、隣接する絶縁体を構成する酸素以外の元素（水素、シリコンな
ど）が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、半導体４０６ｃは、ある
程度の厚さを有することが好ましい。例えば、０．３ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上、
さらに好ましくは２ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体４０６ｃとすればよい。また、
半導体４０６ｃは、絶縁体４０２などから放出される酸素の外方拡散を抑制するために、
酸素をブロックする性質を有すると好ましい。
【０２８６】
また、信頼性を高くするためには、半導体４０６ａは厚く、半導体４０６ｃは薄いことが
好ましい。例えば、１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは４０ｎｍ
以上、より好ましくは６０ｎｍ以上の厚さの領域を有する半導体４０６ａとすればよい。
半導体４０６ａの厚さを、厚くすることで、隣接する絶縁体と半導体４０６ａとの界面か
らチャネルの形成される半導体４０６ｂまでの距離を離すことができる。ただし、半導体
装置の生産性が低下する場合があるため、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは１２０ｎ
ｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下の厚さの領域を有する半導体４０６ａとすればよ
い。
【０２８７】
例えば、半導体４０６ｂと半導体４０６ａとの間に、例えば、二次イオン質量分析法（Ｓ
ＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）において
、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未
満、さらに好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のシリコン濃度となる領域を
有する。また、半導体４０６ｂと半導体４０６ｃとの間に、ＳＩＭＳにおいて、１×１０
１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに
好ましくは２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満のシリコン濃度となる領域を有する。
【０２８８】
また、半導体４０６ｂの水素濃度を低減するために、半導体４０６ａおよび半導体４０６
ｃの水素濃度を低減すると好ましい。半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃは、ＳＩＭＳ
において、２×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１９ａｔｏｍｓ／
ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５
×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の水素濃度となる領域を有する。また、半導体４０６
ｂの窒素濃度を低減するために、半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃの窒素濃度を低減
すると好ましい。半導体４０６ａおよび半導体４０６ｃは、ＳＩＭＳにおいて、５×１０
１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好
ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ３以下の窒素濃度となる領域を有する。
【０２８９】
上述の３層構造は一例である。例えば、半導体４０６ａまたは半導体４０６ｃのない２層
構造としても構わない。または、半導体４０６ａの上もしくは下、または半導体４０６ｃ
上もしくは下に、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃとして例示した
半導体のいずれか一を有する４層構造としても構わない。または、半導体４０６ａの上、
半導体４０６ａの下、半導体４０６ｃの上、半導体４０６ｃの下のいずれか二箇所以上に
、半導体４０６ａ、半導体４０６ｂおよび半導体４０６ｃとして例示した半導体のいずれ
か一を有するｎ層構造（ｎは５以上の整数）としても構わない。
【０２９０】
基板４００としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい
。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコ
ニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体
基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリ
コン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウ
ムなどの化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を
有する半導体基板、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板な
どがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などが
ある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さら
には、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶
縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。
または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子と
しては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
【０２９１】
また、基板４００として、可とう性基板を用いてもよい。なお、可とう性基板上にトラン
ジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トラン
ジスタを剥離し、可とう性基板である基板４００に転置する方法もある。その場合には、
非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。なお、基板４００として
、繊維を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板４００が
伸縮性を有してもよい。また、基板４００は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形
状に戻る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板４
００の厚さは、例えば、５μｍ以上７００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以上５００μｍ
以下、さらに好ましくは１５μｍ以上３００μｍ以下とする。基板４００を薄くすると、
半導体装置を軽量化することができる。また、基板４００を薄くすることで、ガラスなど
を用いた場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に
戻る性質を有する場合がある。そのため、落下などによって基板４００上の半導体装置に
加わる衝撃などを緩和することができる。即ち、丈夫な半導体装置を提供することができ
る。
【０２９２】
可とう性基板である基板４００としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、ま
たはそれらの繊維などを用いることができる。可とう性基板である基板４００は、線膨張
率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可とう性基板である基板４００とし
ては、例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、５×１０−５／Ｋ以下、または１×１
０−５／Ｋ以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミドなど）、ポリイミド、ポリカーボネート、
アクリルなどがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可とう性基板である基板
４００として好適である。
【０２９３】
導電体４１３としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミ
ニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イット
リウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよ
びタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、
合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体
、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンお
よび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０２９４】
絶縁体４０２としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、ア
ルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム
、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層
で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４０２としては、酸化アルミニウム、酸
化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、
酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【０２９５】
絶縁体４０２は、基板４００からの不純物の拡散を防止する役割を有してもよい。また、
半導体４０６ｂが酸化物半導体である場合、絶縁体４０２は、半導体４０６ｂに酸素を供
給する役割を担うことができる。
【０２９６】
導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂとしては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、
シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、
亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウ
ム、スズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で
用いればよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅お
よびチタンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素
を含む導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０２９７】
絶縁体４１２としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、ア
ルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム
、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層
で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４１２としては、酸化アルミニウム、酸
化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、
酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【０２９８】
導電体４０４としては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、シリコン、リン、アルミ
ニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イット
リウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウム、スズ、タンタルおよ
びタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で用いればよい。例えば、
合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅およびチタンを含む導電体
、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素を含む導電体、チタンお
よび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０２９９】
絶縁体４０８としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、ア
ルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム
、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層
で、または積層で用いればよい。絶縁体４０８は、好ましくは酸化アルミニウム、窒化酸
化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化
ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを含む絶縁体を、単層で、
または積層で用いればよい。
【０３００】
絶縁体４１８としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、ア
ルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム
、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層
で、または積層で用いればよい。例えば、絶縁体４１８としては、酸化アルミニウム、酸
化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、
酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン
、酸化ネオジム、酸化ハフニウムまたは酸化タンタルを用いればよい。
【０３０１】
なお、図１１では、トランジスタの第１のゲート電極である導電体４０４と第２のゲート
電極である導電体４１３とが、電気的に接続しない例を示したが、本発明の一態様に係る
トランジスタの構造はこれに限定されない。例えば、図１２（Ａ）に示すように、導電体
４０４と導電体４１３とが電気的に接続する構造であっても構わない。このような構成と
することで、導電体４０４と導電体４１３とに同じ電位が供給されるため、トランジスタ
のスイッチング特性を向上させることができる。または、図１２（Ｂ）に示すように、導
電体４１３を有さない構造であっても構わない。
【０３０２】
また、図１３（Ａ）は、トランジスタの上面図の一例である。図１３（Ａ）の一点鎖線Ｆ
１−Ｆ２および一点鎖線Ｆ３−Ｆ４に対応する断面図の一例を図１３（Ｂ）に示す。なお
、図１３（Ａ）では、理解を容易にするため、絶縁体などの一部を省略して示す。
【０３０３】
また、図１１などではソース電極およびドレイン電極として機能する導電体４１６ａおよ
び導電体４１６ｂが半導体４０６ｂの上面および側面、絶縁体４０２の上面などと接する
例を示したが、本発明の一態様に係るトランジスタの構造はこれに限定されない。例えば
、図１３に示すように、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂが半導体４０６ｂの上面の
みと接する構造であっても構わない。
【０３０４】
また、図１３（Ｂ）に示すように、絶縁体４１８上に絶縁体４２８を有してもよい。絶縁
体４２８は、上面が平坦な絶縁体であると好ましい。なお、絶縁体４２８は、例えば、ホ
ウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素
、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジ
ム、ハフニウムまたはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。例
えば、絶縁体４２８としては、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸
化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、
酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムま
たは酸化タンタルを用いればよい。絶縁体４２８の上面を平坦化するために、化学機械研
磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法などに
よって平坦化処理を行ってもよい。
【０３０５】
または、絶縁体４２８は、樹脂を用いてもよい。例えば、ポリイミド、ポリアミド、アク
リル、シリコーンなどを含む樹脂を用いればよい。樹脂を用いることで、絶縁体４２８の
上面を平坦化処理しなくてもよい場合がある。また、樹脂は短い時間で厚い膜を成膜する
ことができるため、生産性を高めることができる。
【０３０６】
また、図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示すように、絶縁体４２８上に導電体４２４ａ
および導電体４２４ｂを有してもよい。導電体４２４ａおよび導電体４２４ｂは、例えば
、配線としての機能を有する。また、絶縁体４２８が開口部を有し、該開口部を介して導
電体４１６ａと導電体４２４ａとが電気的に接続しても構わない。また、絶縁体４２８が
別の開口部を有し、該開口部を介して導電体４１６ｂと導電体４２４ｂとが電気的に接続
しても構わない。このとき、それぞれの開口部内に導電体４２６ａ、導電体４２６ｂを有
しても構わない。
【０３０７】
導電体４２４ａおよび導電体４２４ｂとしては、例えば、ホウ素、窒素、酸素、フッ素、
シリコン、リン、アルミニウム、チタン、クロム、マンガン、コバルト、ニッケル、銅、
亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、ルテニウム、銀、インジウ
ム、スズ、タンタルおよびタングステンを一種以上含む導電体を、単層で、または積層で
用いればよい。例えば、合金や化合物であってもよく、アルミニウムを含む導電体、銅お
よびチタンを含む導電体、銅およびマンガンを含む導電体、インジウム、スズおよび酸素
を含む導電体、チタンおよび窒素を含む導電体などを用いてもよい。
【０３０８】
図１３に示すトランジスタは、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂは、半導体４０６ｂ
の側面と接しない。したがって、第１のゲート電極として機能する導電体４０４から半導
体４０６ｂの側面に向けて印加される電界が、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂによ
って遮蔽されにくい構造である。また、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂは、絶縁体
４０２の上面と接しない。そのため、絶縁体４０２から放出される過剰酸素（酸素）が導
電体４１６ａおよび導電体４１６ｂを酸化させるために消費されない。したがって、絶縁
体４０２から放出される過剰酸素（酸素）を、半導体４０６ｂの酸素欠損を低減するため
に効率的に利用することのできる構造である。即ち、図１３に示す構造のトランジスタは
、高いオン電流、高い電界効果移動度、低いサブスレッショルドスイング値、高い信頼性
などを有する優れた電気特性のトランジスタである。
【０３０９】
図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面
図である。図１４（Ａ）は上面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）に示す一点鎖線
Ｇ１−Ｇ２、および一点鎖線Ｇ３−Ｇ４に対応する断面図である。なお、図１４（Ａ）の
上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０３１０】
トランジスタは、図１４に示すように、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂを有さず、
導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂと、半導体４０６ｂとが接する構造であっても構わ
ない。この場合、半導体４０６ｂまたは／および半導体４０６ａの、少なくとも導電体４
２６ａおよび導電体４２６ｂと接する領域に低抵抗領域４２３ａ（低抵抗領域４２３ｂ）
を設けると好ましい。低抵抗領域４２３ａおよび低抵抗領域４２３ｂは、例えば、導電体
４０４などをマスクとし、半導体４０６ｂまたは／および半導体４０６ａに不純物を添加
することで形成すればよい。なお、導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂが、半導体４０
６ｂの孔（貫通しているもの）または窪み（貫通していないもの）に設けられていても構
わない。導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂが、半導体４０６ｂの孔または窪みに設け
られることで、導電体４２６ａおよび導電体４２６ｂと、半導体４０６ｂとの接触面積が
大きくなるため、接触抵抗の影響を小さくすることができる。即ち、トランジスタのオン
電流を大きくすることができる。
【０３１１】
＜トランジスタ構造２＞
図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は、本発明の一態様のトランジスタの上面図および断面
図である。図１５（Ａ）は上面図であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示す一点鎖線
Ｊ１−Ｊ２、および一点鎖線Ｊ３−Ｊ４に対応する断面図である。なお、図１５（Ａ）の
上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
【０３１２】
図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）に示すトランジスタは、基板６００上の導電体６０４と
、導電体６０４上の絶縁体６１２と、絶縁体６１２上の半導体６０６ａと、半導体６０６
ａ上の半導体６０６ｂと、半導体６０６ｂ上の半導体６０６ｃと、半導体６０６ａ、半導
体６０６ｂおよび半導体６０６ｃと接し、間隔を開けて配置された導電体６１６ａおよび
導電体６１６ｂと、半導体６０６ｃ上、導電体６１６ａ上および導電体６１６ｂ上の絶縁
体６１８と、を有する。なお、導電体６０４は、絶縁体６１２を介して半導体６０６ｂの
下面と面する。また、絶縁体６１２が凸部を有しても構わない。また、基板６００と導電
体６０４の間に絶縁体を有しても構わない。該絶縁体は、絶縁体４０２や絶縁体４０８に
ついての記載を参照する。また、半導体６０６ａを有さなくても構わない。また、絶縁体
６１８を有さなくても構わない。
【０３１３】
なお、半導体６０６ｂは、トランジスタのチャネル形成領域としての機能を有する。また
、導電体６０４は、トランジスタの第１のゲート電極（フロントゲート電極ともいう。）
としての機能を有する。また、導電体６１６ａおよび導電体６１６ｂは、トランジスタの
ソース電極およびドレイン電極としての機能を有する。
【０３１４】
なお、絶縁体６１８は過剰酸素を含む絶縁体であると好ましい。
【０３１５】
なお、基板６００は、基板４００についての記載を参照する。また、導電体６０４は、導
電体４０４についての記載を参照する。また、絶縁体６１２は、絶縁体４１２についての
記載を参照する。また、半導体６０６ａは、半導体４０６ｃについての記載を参照する。
また、半導体６０６ｂは、半導体４０６ｂについての記載を参照する。また、半導体６０
６ｃは、半導体４０６ａについての記載を参照する。また、導電体６１６ａおよび導電体
６１６ｂは、導電体４１６ａおよび導電体４１６ｂについての記載を参照する。また、絶
縁体６１８は、絶縁体４０２についての記載を参照する。
【０３１６】
なお、絶縁体６１８上には、表示素子が設けられていてもよい。例えば、画素電極、液晶
層、共通電極、発光層、有機ＥＬ層、陽極、陰極などが設けられていてもよい。表示素子
は、例えば、導電体６１６ａなどと接続されている。
【０３１７】
また、図１６（Ａ）は、トランジスタの上面図の一例である。図１６（Ａ）の一点鎖線Ｋ
１−Ｋ２および一点鎖線Ｋ３−Ｋ４に対応する断面図の一例を図１６（Ｂ）に示す。なお
、図１６（Ａ）では、理解を容易にするため、絶縁体などの一部を省略して示す。
【０３１８】
なお、半導体の上に、チャネル保護膜として機能させることができる絶縁体を配置しても
よい。例えば、図１６に示すように、導電体６１６ａおよび導電体６１６ｂと、半導体６
０６ｃとの間に、絶縁体６２０を配置してもよい。その場合、導電体６１６ａ（導電体６
１６ｂ）と半導体６０６ｃとは、絶縁体６２０中の開口部を介して接続される。絶縁体６
２０は、絶縁体６１８についての記載を参照すればよい。
【０３１９】
なお、図１５（Ｂ）や図１６（Ｂ）において、絶縁体６１８の上に、導電体６１３を配置
してもよい。その場合の例を図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）に示す。なお、導電体６１
３については、導電体４１３についての記載を参照する。また、導電体６１３には、導電
体６０４と同じ電位や同じ信号が供給されてもよいし、異なる電位や信号が供給されても
よい。例えば、導電体６１３に、一定の電位を供給して、トランジスタのしきい値電圧を
制御してもよい。つまり、導電体６１３は、第２のゲート電極としての機能を有すること
ができる。また、導電体６１３などによってｓ−ｃｈａｎｎｅｌ構造を形成していても構
わない。
【０３２０】
＜ＰＬＤ法＞
以下では、上述した成膜モデルとは異なる成膜メカニズムを有するＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ
Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物につ
いて説明する。
【０３２１】
試料の作製方法を説明する。まず、シリコン基板を準備する。次に、熱酸化膜を１００ｎ
ｍの厚さで形成する。次に、ＰＬＤ法によって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を成膜すること
で試料を作製する。
【０３２２】
なお、ターゲットとしては、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［原子数比］である多結晶Ｉ
ｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いる。また、ターゲットのアブレーションには、Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザ装置を用いた波長が２６６ｎｍのレーザ光を、出力０．１Ｗ、パルス周波数１０Ｈ
ｚで用いる。
【０３２３】
また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の成膜は、圧力を変えて４条件とした。試料１はターボ分
子ポンプで排気したままの圧力である２．６×１０−５Ｐａとして成膜したＩｎ−Ｇａ−
Ｚｎ酸化物であり、試料２は酸素ガスを用い圧力を１．０×１０−３Ｐａとして成膜した
Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であり、試料３は酸素ガスを用い圧力を０．７Ｐａとして成膜し
たＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であり、試料４は酸素ガスを用い圧力を７．０Ｐａとして成膜
したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物である。なお、成膜時間は各３０分、基板温度は室温とした
。
【０３２４】
次に、試料１乃至試料４の高分解能断面ＴＥＭ像を取得した。なお、高分解能断面ＴＥＭ
像の取得は、日立透過電子顕微鏡Ｈ−９０００ＮＡＲを用い、加速電圧３００ｋＶで行っ
た。
【０３２５】
図２４に、試料１の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。なお、図２４（Ａ）は、膜の厚さ方向
の全体が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。図２４（Ａ）より、膜の厚
さは７０ｎｍ程度であった。また、図２４（Ｂ）および図２４（Ｃ）は、それぞれ膜の最
上部および膜の最下部が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。また、図２
４（Ｄ）、図２４（Ｅ）および図２４（Ｆ）は、それぞれ膜の最上部、膜の中央部および
膜の最下部をさらに高倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。
【０３２６】
図２５に、試料２の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。なお、図２５（Ａ）は、膜の厚さ方向
の全体が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。図２５（Ａ）より、膜の厚
さは６８ｎｍ程度であった。また、図２５（Ｂ）および図２５（Ｃ）は、それぞれ膜の最
上部および膜の最下部が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。また、図２
５（Ｄ）、図２５（Ｅ）および図２５（Ｆ）は、それぞれ膜の最上部、膜の中央部および
膜の最下部をさらに高倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。
【０３２７】
図２６に、試料３の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。なお、図２６（Ａ）は、膜の厚さ方向
の全体が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。図２６（Ａ）より、膜の厚
さは５６ｎｍ程度であった。また、図２６（Ｂ）および図２６（Ｃ）は、それぞれ膜の最
上部および膜の最下部が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。また、図２
６（Ｄ）、図２６（Ｅ）および図２６（Ｆ）は、それぞれ膜の最上部、膜の中央部および
膜の最下部をさらに高倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。
【０３２８】
図２７に、試料４の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。なお、図２７（Ａ）および図２７（Ｂ
）は、膜の厚さ方向の全体が収まる倍率で取得した高分解能断面ＴＥＭ像である。図２７
（Ａ）および図２７（Ｂ）より、膜の厚さは２６ｎｍ程度であった。また、図２７（Ｃ）
および図２７（Ｄ）は、それぞれ膜の最上部および膜の最下部が収まる倍率で取得した高
分解能断面ＴＥＭ像である。
【０３２９】
さらに、試料１乃至試料４の任意の領域に対し、ナノビーム電子回折による回折パターン
を取得した。なお、ナノビーム電子回折による回折パターンの取得は、日立電界放出形透
過電子顕微鏡ＨＦ−２０００を用い、加速電圧を２００ｋＶ、プローブ径を１ｎｍ、カメ
ラ長を０．８ｍとして行った。また、ナノビーム電子回折の取得箇所を示す高分解能断面
ＴＥＭ像の取得は、日立透過電子顕微鏡Ｈ−９０００ＮＡＲを用い、加速電圧３００ｋＶ
で行った。
【０３３０】
図２８（Ａ）に、試料１の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。また、図２８（Ｂ）、図２８（
Ｃ）および図２８（Ｄ）には、それぞれ図２８（Ａ）のナノビーム電子回折の測定領域１
、測定領域２および測定領域３に対応する回折パターンを示す。
【０３３１】
図２８（Ｂ）を解析すると、スポットＡのｄ値は０．２７８ｎｍ、スポットＢのｄ値は０
．０９５ｎｍ、スポットＣのｄ値は０．１０８ｎｍであった。これは、菱面体晶を有する
ＩｎＧａＺｎＯ４における、（１  ０  ２）面（Ａ´と表記する。）のｄ値０．２７９ｎ
ｍ、（３  −３  ０）面（Ｂ´と表記する。）のｄ値０．０９５ｎｍ、（２  −３  −２
）面（Ｃ´と表記する。）のｄ値０．１０７ｎｍとよく一致する。また、∠ＡＯＢは６０
．２°、∠ＡＯＣは７９．９°、∠ＢＯＣは１９．７°であった。これは、∠Ａ´ＯＢ´
の６０．８°、∠Ａ´ＯＣ´の８０．４°、∠Ｂ´ＯＣ´の１９．７°ともよく一致する
。したがって、図２８（Ｂ）に示す回折パターンは、菱面体晶を有するＩｎＧａＺｎＯ４
に帰属することができる。即ち、図２８（Ｂ）の測定領域の近傍は、菱面体晶を有するＩ
ｎＧａＺｎＯ４の結晶部の可能性がある。なお、菱面体晶を有するＩｎＧａＺｎＯ４に関
するデータは、ＪＣＰＤＳカードＮｏ．３８−１１０４を参照した。
【０３３２】
なお、図２８（Ｂ）を、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７に対しての帰属を試みると
、（１  ０  −２）面（Ａ´と表記する。）のｄ値０．２８１ｎｍ、（３  −３  １）面
（Ｂ´と表記する。）のｄ値０．０９５ｎｍ、（２  −３  ３）面（Ｃ´と表記する。）
のｄ値０．１０８ｎｍとよく一致する。また、∠Ａ´ＯＢ´の６１．０°、∠Ａ´ＯＣ´
の８０．６°、∠Ｂ´ＯＣ´の１９．６°ともよく一致する。したがって、図２８（Ｂ）
に示す回折パターンは、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７に帰属することができる。
即ち、図２８（Ｂ）の測定領域の近傍は、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶部
の可能性がある。なお、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７に関するデータは、ＪＣＰ
ＤＳカードＮｏ．３８−１０９７を参照した。
【０３３３】
また、図２８（Ｃ）を解析すると、スポットＤのｄ値は０．１６６ｎｍ、スポットＥのｄ
値は０．１４３ｎｍ、スポットＦのｄ値は０．２７５ｎｍであった。これは、菱面体晶を
有するＩｎＧａＺｎＯ４における、（１  １  ０）面（Ｄ´と表記する。）のｄ値０．１
６５ｎｍ、（２  ０  ２）面（Ｅ´と表記する。）のｄ値０．１４２ｎｍ、（１  −１  
２）面（Ｆ´と表記する。）のｄ値０．２７９ｎｍとよく一致する。また、∠ＤＯＥは３
２．１°、∠ＤＯＦは８９．７°、∠ＥＯＦは５７．６°であった。これは、∠Ｄ´ＯＥ
´の３０．６°、∠Ｄ´ＯＦ´の９０．０°、∠Ｅ´ＯＦ´の５９．４°ともよく一致す
る。したがって、図２８（Ｃ）に示す回折パターンは、菱面体晶を有するＩｎＧａＺｎＯ
４に帰属することができる。即ち、図２８（Ｃ）の測定領域の近傍は、菱面体晶を有する
ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部の可能性がある。
【０３３４】
なお、図２８（Ｃ）を、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７に対しての帰属を試みると
、（２  −１  ０）面（Ｄ´と表記する。）のｄ値０．１６５ｎｍ、（２  −２  ４）面
（Ｅ´と表記する。）のｄ値０．１４１ｎｍ、（０  −１  ４）面（Ｆ´と表記する。）
のｄ値０．２６７ｎｍとよく一致する。また、∠Ｄ´ＯＥ´の３１．８°、∠Ｄ´ＯＦ´
の９０．０°、∠Ｅ´ＯＦ´の５８．２°ともよく一致する。したがって、図２８（Ｃ）
に示す回折パターンは、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７に帰属することができる。
即ち、図２８（Ｃ）の測定領域の近傍は、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶部
の可能性がある。
【０３３５】
また、図２８（Ｄ）を解析すると、リング状の領域内に複数のスポットが観測されること
から、ｎｃ−ＯＳの回折パターンであることがわかる。ここでは、このような領域を、便
宜上ｎｃ−ＯＳ部と呼ぶ。
【０３３６】
さらに試料１の別の観察箇所において、ナノビーム電子回折を測定し、回折パターンを取
得した。図３９（Ａ）は、試料１の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。また、図３９（Ｂ）お
よび図３９（Ｃ）には、それぞれ図３９（Ａ）のナノビーム電子回折の測定領域１および
測定領域２に対応する回折パターンおよびスポットの帰属を示す。測定領域１における回
折パターンは、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の［６３１］方向から電子を入射さ
せたときの回折パターンに帰属することができる。また、測定領域２は、ｎｃ−ＯＳの回
折パターンであることがわかる。
【０３３７】
図２８および図３９より、試料１は、結晶部間で回折パターンが異なることがわかる。ま
た、結晶構造に帰属することが可能なスポットの観察されない領域は、ｎｃ−ＯＳの構造
を有することがわかる。また、図２４に示す高分解能断面ＴＥＭ像などより、異なる結晶
部間、および結晶部とｎｃ−ＯＳ部との間において、明確な結晶粒界を確認することがで
きない。このような特徴から、試料１は、微結晶構造に分類することができる。
【０３３８】
次に、試料２に対して、ナノビーム電子回折の回折パターンを測定した。図２９（Ａ）に
、試料２の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。また、図２９（Ｂ）、図２９（Ｃ）および図２
９（Ｄ）には、それぞれ図２９（Ａ）のナノビーム電子回折の測定領域１、測定領域２お
よび測定領域３に対応する回折パターンを示す。
【０３３９】
図２９（Ｂ）を解析すると、スポットＧのｄ値は０．２７７ｎｍであった。また、そのほ
かには明確なスポットが確認されず、特定の結晶構造に帰属することは困難であった。
【０３４０】
また、図２９（Ｃ）を解析すると、スポットＨのｄ値は０．１３８ｎｍ、スポットＩのｄ
値は０．１４０ｎｍ、スポットＪのｄ値は０．１６２ｎｍであった。これは、菱面体晶を
有するＩｎＧａＺｎＯ４における、（１  ０  −１７）面（Ｈ´と表記する。）のｄ値０
．１３５ｎｍ、（２  ０  −４）面（Ｉ´と表記する。）のｄ値０．１４０ｎｍ、（１  
０  １３）面（Ｊ´と表記する。）のｄ値０．１６２ｎｍとよく一致する。また、∠ＨＯ
Ｉは４９．６°、∠ＨＯＪは１１５．９°、∠ＩＯＪは６６．３°であった。これは、∠
Ｈ´ＯＩ´の４９．４°、∠Ｈ´ＯＪ´の１１６．６°、∠Ｉ´ＯＪ´の６７．２°とも
よく一致する。したがって、図２９（Ｃ）に示す回折パターンは、菱面体晶を有するＩｎ
ＧａＺｎＯ４に帰属することができる。即ち、図２９（Ｃ）の測定領域の近傍は、菱面体
晶を有するＩｎＧａＺｎＯ４の結晶部の可能性がある。なお、図２９（Ｃ）の測定領域の
近傍についても、図２８（Ｂ）および図２８（Ｃ）の測定領域の近傍と同様に、六方晶を
有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の結晶部の可能性がある。
【０３４１】
また、図２９（Ｄ）を解析すると、リング状の領域内に複数のスポットが観測されること
から、ｎｃ−ＯＳの回折パターンであることがわかる。
【０３４２】
さらに試料２の別の観察箇所において、ナノビーム電子回折を測定し、回折パターンを取
得した。図４０（Ａ）は、試料２の高分解能断面ＴＥＭ像を示す。また、図４０（Ｂ）お
よび図４０（Ｃ）には、それぞれ図４０（Ａ）のナノビーム電子回折の測定領域１および
測定領域２に対応する回折パターンおよびスポットの帰属を示す。測定領域１における回
折パターンは、六方晶を有するＩｎ２Ｇａ２ＺｎＯ７の［６３１］方向から電子を入射さ
せたときの回折パターンに帰属することができる。また、測定領域２は、ｎｃ−ＯＳの回
折パターンであることがわかる。
【０３４３】
図２９および図４０より、試料２は、結晶部間で回折パターンが異なることがわかる。ま
た、結晶構造に帰属することが可能なスポットの観察されない領域は、ｎｃ−ＯＳの構造
を有することがわかる。また、図２５に示す高分解能断面ＴＥＭ像などより、異なる結晶
部間、および結晶部とｎｃ−ＯＳ部との間において、明確な結晶粒界を確認することがで
きない。このような特徴から、試料２は、微結晶構造に分類することができる。
【０３４４】
次に、試料３に対して、ナノビーム電子回折の回折パターンを測定した。図３０（Ａ）、
図３０（Ｂ）および図３０（Ｃ）には、それぞれ試料３の最上部、中央部および最下部の
ナノビーム電子回折の測定領域に対応する回折パターンを示す。
【０３４５】
図３０（Ａ）、図３０（Ｂ）および図３０（Ｃ）を解析すると、リング状の領域内に複数
のスポットが観測されることから、ｎｃ−ＯＳの回折パターンであることがわかる。した
がって、試料３は、ｎｃ−ＯＳ構造を有することがわかる。また、図２６に示す高分解能
断面ＴＥＭ像などより、試料３は比較的均質なｎｃ−ＯＳ構造に分類することができる。
【０３４６】
さらに試料３に対して、結晶部の大きさを計測する。図４１（Ａ）は、試料３の結晶部（
３０箇所から３５箇所）の平均の大きさの変化を調査した例である。図４１（Ａ）より、
試料３は、電子照射開始時から電子の累積照射量が７．６×１０８ｅ−／ｎｍ２になるま
での範囲で、電子の累積照射量によらず結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる
。なお、図４１（Ｂ）に、電子照射開始時における高分解能断面ＴＥＭ像、および囲み部
を拡大した高分解能断面ＴＥＭ像を示す。図４１（Ｂ）より、試料３を拡大することで図
の矢印に挟まれたような結晶部を確認することができる。また、図４１（Ｃ）に、７．６
×１０８ｅ−／ｎｍ２の電子照射後における高分解能断面ＴＥＭ像、および囲み部を拡大
した高分解能断面ＴＥＭ像を示す。図４１（Ｃ）においても、結晶部を確認することがで
きる。
【０３４７】
次に、試料４に対して、ナノビーム電子回折の回折パターンを測定した。図３１（Ａ）、
図３１（Ｂ）および図３１（Ｃ）には、それぞれ試料４の最上部、中央部および最下部の
ナノビーム電子回折の測定領域に対応する回折パターンを示す。
【０３４８】
図３１（Ａ）、図３１（Ｂ）および図３１（Ｃ）を解析すると、リング状の領域内に複数
のスポットが観測されることから、ｎｃ−ＯＳの回折パターンであることがわかる。また
、図２７に示す高分解能断面ＴＥＭ像などより、試料４は一部に鬆を有することがわかる
。したがって、試料４は、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ構造に分類することができる。
【０３４９】
さらに試料４に対して、結晶部の大きさを計測する。図４２（Ａ）は、試料４の結晶部（
２０箇所から３０箇所）の平均の大きさの変化を調査した例である。図４２（Ａ）より、
試料４は、電子照射開始時から電子の累積照射量が７．６×１０８ｅ−／ｎｍ２になるま
での範囲で、電子の累積照射量によって結晶部の大きさに変化が見られる。なお、図４２
（Ｂ）に、電子照射開始時における高分解能断面ＴＥＭ像、および囲み部を拡大した高分
解能断面ＴＥＭ像を示す。図４２（Ｂ）より、試料４を拡大することで図の矢印に挟まれ
たような結晶部を確認することができる。また、図４２（Ｃ）に、９．４×１０７ｅ−／
ｎｍ２の電子照射後における高分解能断面ＴＥＭ像、および囲み部を拡大した高分解能断
面ＴＥＭ像を示す。図４２（Ｃ）においても、結晶部を確認することができる。また、結
晶部の大きさ図４２（Ｂ）と比べて大きくなっていることがわかる。また、図４２（Ｄ）
に、７．６×１０８ｅ−／ｎｍ２の電子照射後における高分解能断面ＴＥＭ像、および囲
み部を拡大した高分解能断面ＴＥＭ像を示す。図４２（Ｄ）においても、結晶部を確認す
ることができる。また、結晶部の大きさは図４２（Ｃ）と比べて小さくなっていることが
わかる。
【０３５０】
試料４において、結晶部の大きさが一度大きくなり、その後小さくなったことから、電子
照射により成長した結晶部が、さらなる電子照射により壊れた可能性を示している。
【０３５１】
試料３および試料４の結晶部の大きさの変化などを表４に示す。
【０３５２】
【表４】
2020094286.tif 000006
【０３５３】
図３２および図３３は、試料１乃至試料４のＸＲＤ装置を用いた解析結果である。ＸＲＤ
装置を用いた解析は、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法の一種である粉末法（θ−２θ法とも
いう。）と、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法の一種であるＧＩＸＲＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉ
ｎｃｉｄｅｎｃｅ  ＸＲＤ）法（薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう
。）と、によって行った。なお、θー２θ法は、Ｘ線の入射角を変化させるとともに、Ｘ
線源に対向して設けられる検出器の角度を入射角と同じにしてＸ線回折強度を測定する方
法である。また、ＧＩＸＲＤ法は、Ｘ線の入射角をごく浅い角度に固定し、Ｘ線源に対向
して設けられる検出器の角度を変化させてＸ線回折強度を測定する方法である。なお、Ｇ
ＩＸＲＤ法では、入射角を０．４０°に固定して解析を行った。
【０３５４】
図３２（Ａ）は試料１のθ−２θ法による解析結果を示し、図３２（Ｂ）は試料２のθ−
２θ法による解析結果を示し、図３２（Ｃ）は試料３のθ−２θ法による解析結果を示し
、図３２（Ｄ）は試料４のθ−２θ法による解析結果を示す。また、図３３（Ａ）は試料
１のＧＩＸＲＤ法による解析結果を示し、図３３（Ｂ）は試料２のＧＩＸＲＤ法による解
析結果を示し、図３３（Ｃ）は試料３のＧＩＸＲＤ法による解析結果を示し、図３３（Ｄ
）は試料４のＧＩＸＲＤ法による解析結果を示す。
【０３５５】
試料１は、θ−２θ法によって２θが３２°から３５°の間にやや鋭いピークが観測され
た。また、試料１は、ＧＩＸＲＤ法によって、２θが３３°から３４°の間に鋭いピーク
が観測された。これらの位置に現れるピークに対応する結晶面を明確に帰属することはで
きなかった。そのため、複数の結晶面を示すピークが合わさっている可能性が高い。また
、試料２および試料３は、θ−２θ法によって、２θが２５°から４０°の間にブロード
なピークが観測された。また、試料２および試料３は、ＧＩＸＲＤ法によっても、２θが
２５°から４０°の間にブロードなピークが観測された。これらのピークは、近距離秩序
性を反映したピークである可能性が高い。また、試料４は、θ−２θ法によって、明確な
ピークが観測されなかった。これは、試料４の膜の厚さが薄いことに起因する可能性が高
い。一方、試料４は、ＧＩＸＲＤ法によって、２θが２５°から４０°の間にブロードな
ピークが観測された。このピークも、近距離秩序性を反映したピークである可能性が高い
。
【０３５６】
ＰＬＤ法では、レーザ光によって原子状の粒子、イオン状の粒子、分子状の粒子またはク
ラスタ状の粒子などがターゲットより飛び出すことが知られている。この前提のもと、Ｐ
ＬＤ法で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の結晶性の違いについて、以下に考察を述べる
。
【０３５７】
試料１および試料２は、成膜時の圧力が低い。そのため、クラスタ状で飛び出した粒子が
、そのまま被形成面に堆積する割合は比較的高くなる。また、クラスタ状の粒子は、結晶
構造を維持したまま被形成面に堆積するため、膜に結晶部が形成される可能性が高い。な
お、ＰＬＤ法では、クラスタ状の粒子は、プラズマ中を通過しないため、帯電しない。ま
た、ＰＬＤ法では、マグネットによる磁場が生じないため、被形成面をクラスタ状の粒子
が移動するための力は与えられない。よって、図３などを用いて説明した成膜モデルとは
異なり、クラスタ状の粒子が被形成面に規則的に堆積することはないといえる。即ち、異
なる結晶部間では、配向性も異なってくる。
【０３５８】
また、試料３では、成膜時の圧力が高いことによって、クラスタ状の粒子の平均自由行程
が、試料１および試料２の成膜時よりも短くなる。そのため、クラスタ状の粒子が、被形
成面に堆積する割合が比較的低くなり、原子状の粒子などの小さい粒子がそのまま被形成
面に堆積する割合が高くなる。しかし、そのような状態で堆積されたとしても、ナノビー
ム電子回折の回折パターンにおいてリング状の領域内に複数のスポットが観測されること
から、被形成面におけるマイグレーションにより、ある程度の秩序性を持つｎｃ−ＯＳ構
造となることがわかる。
【０３５９】
また、試料４では、成膜時の圧力がさらに高いことによって、クラスタ状の粒子の平均自
由行程が、試料１および試料２の成膜時よりも短くなる。また、試料３の成膜時よりも原
子状の粒子などがそのまま被形成面に堆積する量も少なくなる。したがって、被形成面に
堆積する粒子は、堆積するまでの間に何らかの衝突を起こし、エネルギーが低下した粒子
となる。即ち、被形成面上におけるマイグレーションなども起こりにくくなり、密度の低
い膜が成膜される。
【０３６０】
以上は、ＰＬＤ法により室温で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の解析結果である。以下
に、ＰＬＤ法により加熱成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の解析結果を説明する。なお、
加熱成膜の温度は、基板表面近傍に配置した熱電対を用いて測定した。
【０３６１】
図４３（Ａ）および図４３（Ｂ）は、基板表面温度を３００℃として成膜したＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ酸化物の断面ＴＥＭ像である。なお、そのほかの成膜条件は試料３と同様である。
図４３（Ａ）および図４３（Ｂ）に示すＴＥＭ像は、球面収差補正（Ｓｐｈｅｒｉｃａｌ
Ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  Ｃｏｒｒｅｃｔｏｒ）機能を用いて観察した。ＴＥＭ像の取得
には、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆを用いた。
なお、図４３（Ｂ）は、図４３（Ａ）の囲み部を拡大したＴＥＭ像である。
【０３６２】
図４３（Ａ）および図４３（Ｂ）より、ＰＬＤ法により加熱成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸
化物には、表面の凹凸および膜内部のムラが見られた。また、加熱成膜であってもＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ構造は確認されなかった。
【０３６３】
図４３（Ｂ）と同じ測定箇所において、高角度散乱暗視野走査透過顕微鏡法（ＡＤＦ−Ｓ
ＴＥＭ：Ａｎｎｕｌａｒ  Ｄａｒｋ−Ｆｉｅｌｄ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｍｉｓ
ｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）による観察像を図４４（Ａ）に、
ＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  Ｘ−Ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ
）によるマッピングを図４４（Ｂ）、図４４（Ｃ）、図４４（Ｄ）および図４４（Ｅ）に
示す。なお、図４４（Ｂ）はインジウムのマッピングを示し、図４４（Ｃ）はガリウムの
マッピングを示し、図４４（Ｄ）は亜鉛のマッピングを示し、図４４（Ｅ）は酸素のマッ
ピングを示す。
【０３６４】
図４４（Ａ）に示す明るい領域には、図４４（Ｂ）および図４４（Ｅ）より、インジウム
を含む酸化物が偏析している。したがって、加熱成膜による表面の凹凸および膜内部のム
ラは、インジウムを含む酸化物の偏析によることがわかる。
【０３６５】
以上に示したように、ＰＬＤ法を用いて成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、微結晶構造
、ｎｃ−ＯＳ構造またはａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ構造を有するが、ＣＡＡＣ−ＯＳ構造を有さ
ない可能性がある。これは、図３などを用いて説明した成膜モデルによって理解すること
ができる。なお、特許文献１などで報告されている微結晶を含む非晶質酸化物は、ＰＬＤ
法を用いて成膜されていることが明記されている。そのため、ここで報告したＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ酸化物と同様の酸化物である可能性がある。ただし、ここで報告したＩｎ−Ｇａ−
Ｚｎ酸化物は、ナノビーム電子回折などにより非晶質構造は確認されていないため、異な
る酸化物である可能性もある。
【０３６６】
＜トランジスタの電気特性＞
以下では、ＰＬＤ法により成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタの電気
特性について説明する。
【０３６７】
トランジスタの構造は、図１２（Ｂ）に示したトランジスタの構造と同様である。よって
、以下では図１２（Ｂ）などの符号を用いて説明する。ただし、半導体４０６ａおよび半
導体４０６ｃは形成していない。なお、半導体４０６ｂは、厚さを３５ｎｍとした。また
、絶縁体４１２は、酸化シリコンを用い、厚さを４０ｎｍとした。
【０３６８】
図４５（Ａ）、図４５（Ｂ）および図４５（Ｃ）に、半導体４０６ｂとして、それぞれＰ
ＬＤ法により上述した試料２の条件、試料３の条件または試料４の条件で成膜したＩｎ−
Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタのドレイン電圧Ｖｄ４ＶにおけるＩｄ−Ｖｇ特性
を示す。チャネル長は５０μｍ、チャネル幅は２００μｍとした。ここで、Ｉｄはドレイ
ン電流を示し、Ｖｇはゲート電圧を示す。
【０３６９】
また、図４６に、ＰＬＤ法により試料３の条件で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用い
たトランジスタのＩｄ−Ｖｄ特性を示す。チャネル長は５０μｍ、チャネル幅は２００μ
ｍとした。
【０３７０】
以上により、試料３の条件で成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物を用いたトランジスタは、
良好な電気特性を有することがわかった。また、試料２の条件および試料４の条件は、試
料３の条件と比べてオン電流が小さいことがわかった。
【０３７１】
＜半導体装置＞
以下では、本発明の一態様に係る半導体装置を例示する。
【０３７２】
＜回路＞
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタを利用した回路の一例について説明する。
【０３７３】
〔ＣＭＯＳインバータ〕
図１８（Ａ）に示す回路図は、ｐチャネル型のトランジスタ２２００とｎチャネル型のト
ランジスタ２１００を直列に接続し、かつそれぞれのゲートを接続した、いわゆるＣＭＯ
Ｓインバータの構成を示している。トランジスタ２１００は、酸化物半導体を用いたトラ
ンジスタである。
【０３７４】
〔ＣＭＯＳアナログスイッチ〕
また図１８（Ｂ）に示す回路図は、トランジスタ２１００とトランジスタ２２００のそれ
ぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、い
わゆるＣＭＯＳアナログスイッチとして機能させることができる。
【０３７５】
〔記憶装置の例〕
本発明の一態様に係るトランジスタを用いた、電力が供給されない状況でも記憶内容の保
持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置（記憶装置）の一例を図１９
に示す。
【０３７６】
図１９（Ａ）に示す半導体装置は、第１の半導体を用いたトランジスタ３２００と第２の
半導体を用いたトランジスタ３３００、および容量素子３４００を有している。なお、ト
ランジスタ３３００としては、上述したトランジスタを用いることができる。
【０３７７】
トランジスタ３３００は、酸化物半導体を用いたトランジスタである。トランジスタ３３
００のオフ電流が小さいことにより、半導体装置の特定のノードに長期にわたり記憶内容
を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、またはリフレ
ッシュ動作の頻度が極めて少なくすることが可能となるため、消費電力の低い半導体装置
となる。
【０３７８】
図１９（Ａ）において、第１の配線３００１はトランジスタ３２００のソースと電気的に
接続され、第２の配線３００２はトランジスタ３２００のドレインと電気的に接続される
。また、第３の配線３００３はトランジスタ３３００のソース、ドレインの一方と電気的
に接続され、第４の配線３００４はトランジスタ３３００のゲートと電気的に接続されて
いる。そして、トランジスタ３２００のゲート、およびトランジスタ３３００のソース、
ドレインの他方は、容量素子３４００の電極の一方と電気的に接続され、第５の配線３０
０５は容量素子３４００の電極の他方と電気的に接続されている。
【０３７９】
図１９（Ａ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２００のゲートの電位が保持可能とい
う特性を有することで、以下に示すように、情報の書き込み、保持、読み出しが可能であ
る。
【０３８０】
情報の書き込みおよび保持について説明する。まず、第４の配線３００４の電位を、トラ
ンジスタ３３００が導通状態となる電位にして、トランジスタ３３００を導通状態とする
。これにより、第３の配線３００３の電位が、トランジスタ３２００のゲート、および容
量素子３４００の電極の一方と電気的に接続するノードＦＧに与えられる。即ち、トラン
ジスタ３２００のゲートには、所定の電荷が与えられる（書き込み）。ここでは、異なる
二つの電位レベルを与える電荷（以下Ｌｏｗレベル電荷、Ｈｉｇｈレベル電荷という。）
のどちらかが与えられるものとする。その後、第４の配線３００４の電位を、トランジス
タ３３００が非導通状態となる電位にして、トランジスタ３３００を非導通状態とするこ
とにより、ノードＦＧに電荷が保持される（保持）。
【０３８１】
トランジスタ３３００のオフ電流は極めて小さいため、ノードＦＧの電荷は長期間にわた
って保持される。
【０３８２】
次に情報の読み出しについて説明する。第１の配線３００１に所定の電位（定電位）を与
えた状態で、第５の配線３００５に適切な電位（読み出し電位）を与えると、第２の配線
３００２は、ノードＦＧに保持された電荷量に応じた電位をとる。これは、トランジスタ
３２００をｎチャネル型とすると、トランジスタ３２００のゲートにＨｉｇｈレベル電荷
が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｈは、トランジスタ３２００の
ゲートにＬｏｗレベル電荷が与えられている場合の見かけ上のしきい値電圧Ｖｔｈ＿Ｌよ
り低くなるためである。ここで、見かけ上のしきい値電圧とは、トランジスタ３２００を
「導通状態」とするために必要な第５の配線３００５の電位をいうものとする。したがっ
て、第５の配線３００５の電位をＶｔｈ＿ＨとＶｔｈ＿Ｌの間の電位Ｖ０とすることによ
り、ノードＦＧに与えられた電荷を判別できる。例えば、書き込みにおいて、ノードＦＧ
にＨｉｇｈレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＞
Ｖｔｈ＿Ｈ）となれば、トランジスタ３２００は「導通状態」となる。一方、ノードＦＧ
にＬｏｗレベル電荷が与えられていた場合には、第５の配線３００５の電位がＶ０（＜Ｖ
ｔｈ＿Ｌ）となっても、トランジスタ３２００は「非導通状態」のままである。このため
、第２の配線３００２の電位を判別することで、ノードＦＧに保持されている情報を読み
出すことができる。
【０３８３】
なお、メモリセルをアレイ状に配置する場合、読み出し時には、所望のメモリセルの情報
を読み出さなくてはならない。ほかのメモリセルの情報を読み出さないためには、ノード
ＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３２００が「非導通状態」となるような電位
、つまり、Ｖｔｈ＿Ｈより低い電位を第５の配線３００５に与えればよい。または、ノー
ドＦＧに与えられた電荷によらずトランジスタ３２００が「導通状態」となるような電位
、つまり、Ｖｔｈ＿Ｌより高い電位を第５の配線３００５に与えればよい。
【０３８４】
図１９（Ｂ）に示す半導体装置は、トランジスタ３２００を有さない点で図１９（Ａ）に
示した半導体装置と異なる。この場合も図１９（Ａ）に示した半導体装置と同様の動作に
より情報の書き込みおよび保持動作が可能である。
【０３８５】
図１９（Ｂ）に示す半導体装置における、情報の読み出しについて説明する。トランジス
タ３３００が導通状態になると、浮遊状態である第３の配線３００３と容量素子３４００
とが導通し、第３の配線３００３と容量素子３４００の間で電荷が再分配される。その結
果、第３の配線３００３の電位が変化する。第３の配線３００３の電位の変化量は、容量
素子３４００の電極の一方の電位（または容量素子３４００に蓄積された電荷）によって
、異なる値をとる。
【０３８６】
例えば、容量素子３４００の電極の一方の電位をＶ、容量素子３４００の容量をＣ、第３
の配線３００３が有する容量成分をＣＢ、電荷が再分配される前の第３の配線３００３の
電位をＶＢ０とすると、電荷が再分配された後の第３の配線３００３の電位は、（ＣＢ×
ＶＢ０＋Ｃ×Ｖ）／（ＣＢ＋Ｃ）となる。したがって、メモリセルの状態として、容量素
子３４００の電極の一方の電位がＶ１とＶ０（Ｖ１＞Ｖ０）の２つの状態をとるとすると
、電位Ｖ１を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝（ＣＢ×ＶＢ０＋Ｃ×Ｖ
１）／（ＣＢ＋Ｃ））は、電位Ｖ０を保持している場合の第３の配線３００３の電位（＝
（ＣＢ×ＶＢ０＋Ｃ×Ｖ０）／（ＣＢ＋Ｃ））よりも高くなることがわかる。
【０３８７】
そして、第３の配線３００３の電位を所定の電位と比較することで、情報を読み出すこと
ができる。
【０３８８】
この場合、メモリセルを駆動させるための駆動回路に上記第１の半導体が適用されたトラ
ンジスタを用い、トランジスタ３３００として第２の半導体が適用されたトランジスタを
駆動回路上に積層して配置する構成とすればよい。
【０３８９】
以上に示した半導体装置は、酸化物半導体を用いたオフ電流の極めて小さいトランジスタ
を適用することで、長期にわたって記憶内容を保持することが可能となる。つまり、リフ
レッシュ動作が不要となるか、またはリフレッシュ動作の頻度を極めて低くすることが可
能となるため、消費電力の低い半導体装置を実現することができる。また、電力の供給が
ない場合（ただし、電位は固定されていることが好ましい）であっても、長期にわたって
記憶内容を保持することが可能である。
【０３９０】
また、該半導体装置は、情報の書き込みに高い電圧が不要であるため、素子の劣化が起こ
りにくい。例えば、従来の不揮発性メモリのように、フローティングゲートへの電子の注
入や、フローティングゲートからの電子の引き抜きを行わないため、絶縁体の劣化といっ
た問題が全く生じない。即ち、本発明の一態様に係る半導体装置は、従来の不揮発性メモ
リで問題となっている書き換え可能回数に制限はなく、信頼性が飛躍的に向上した半導体
装置である。さらに、トランジスタの導通状態、非導通状態によって、情報の書き込みが
行われるため、高速な動作が可能となる。
【０３９１】
＜ＣＰＵ＞
以下では、上述したトランジスタや上述した記憶装置などの半導体装置を含むＣＰＵにつ
いて説明する。
【０３９２】
図２０は、上述したトランジスタを一部に用いたＣＰＵの一例の構成を示すブロック図で
ある。
【０３９３】
図２０に示すＣＰＵは、基板１１９０上に、ＡＬＵ１１９１（ＡＬＵ：Ａｒｉｔｈｍｅｔ
ｉｃ  ｌｏｇｉｃ  ｕｎｉｔ、演算回路）、ＡＬＵコントローラ１１９２、インストラク
ションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、タイミングコントローラ
１１９５、レジスタ１１９６、レジスタコントローラ１１９７、バスインターフェース１
１９８、書き換え可能なＲＯＭ１１９９、およびＲＯＭインターフェース１１８９を有し
ている。基板１１９０は、半導体基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板などを用いる。ＲＯＭ１
１９９およびＲＯＭインターフェース１１８９は、別チップに設けてもよい。もちろん、
図２０に示すＣＰＵは、その構成を簡略化して示した一例にすぎず、実際のＣＰＵはその
用途によって多種多様な構成を有している。例えば、図２０に示すＣＰＵまたは演算回路
を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含み、それぞれのコアが並列で動作するよ
うな構成としてもよい。また、ＣＰＵが内部演算回路やデータバスで扱えるビット数は、
例えば８ビット、１６ビット、３２ビット、６４ビットなどとすることができる。
【０３９４】
バスインターフェース１１９８を介してＣＰＵに入力された命令は、インストラクション
デコーダ１１９３に入力され、デコードされた後、ＡＬＵコントローラ１１９２、インタ
ラプトコントローラ１１９４、レジスタコントローラ１１９７、タイミングコントローラ
１１９５に入力される。
【０３９５】
ＡＬＵコントローラ１１９２、インタラプトコントローラ１１９４、レジスタコントロー
ラ１１９７、タイミングコントローラ１１９５は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行なう。具体的にＡＬＵコントローラ１１９２は、ＡＬＵ１１９１の動作を制御する
ための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ１１９４は、ＣＰＵのプログラ
ム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク
状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ１１９７は、レジスタ１１９６のアド
レスを生成し、ＣＰＵの状態に応じてレジスタ１１９６の読み出しや書き込みを行なう。
【０３９６】
また、タイミングコントローラ１１９５は、ＡＬＵ１１９１、ＡＬＵコントローラ１１９
２、インストラクションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、および
レジスタコントローラ１１９７の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタ
イミングコントローラ１１９５は、基準クロック信号ＣＬＫ１を元に、内部クロック信号
ＣＬＫ２を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号ＣＬＫ２を上記
各種回路に供給する。
【０３９７】
図２０に示すＣＰＵでは、レジスタ１１９６に、メモリセルが設けられている。レジスタ
１１９６のメモリセルとして、上述したトランジスタや記憶装置などを用いることができ
る。
【０３９８】
図２０に示すＣＰＵにおいて、レジスタコントローラ１１９７は、ＡＬＵ１１９１からの
指示に従い、レジスタ１１９６における保持動作の選択を行う。即ち、レジスタ１１９６
が有するメモリセルにおいて、フリップフロップによるデータの保持を行うか、容量素子
によるデータの保持を行うかを、選択する。フリップフロップによるデータの保持が選択
されている場合、レジスタ１１９６内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行われる。容
量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書き換えが行
われ、レジスタ１１９６内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することができる。
【０３９９】
図２１は、レジスタ１１９６として用いることのできる記憶素子１２００の回路図の一例
である。記憶素子１２００は、電源遮断で記憶データが揮発する回路１２０１と、電源遮
断で記憶データが揮発しない回路１２０２と、スイッチ１２０３と、スイッチ１２０４と
、論理素子１２０６と、容量素子１２０７と、選択機能を有する回路１２２０と、を有す
る。回路１２０２は、容量素子１２０８と、トランジスタ１２０９と、トランジスタ１２
１０と、を有する。なお、記憶素子１２００は、必要に応じて、ダイオード、抵抗素子、
インダクタなどのその他の素子をさらに有していてもよい。
【０４００】
ここで、回路１２０２には、上述した記憶装置を用いることができる。記憶素子１２００
への電源電圧の供給が停止した際、回路１２０２のトランジスタ１２０９のゲートにはＧ
ＮＤ（０Ｖ）、またはトランジスタ１２０９がオフする電位が入力され続ける構成とする
。例えば、トランジスタ１２０９のゲートが抵抗等の負荷を介して接地される構成とする
。
【０４０１】
スイッチ１２０３は、一導電型（例えば、ｎチャネル型）のトランジスタ１２１３を用い
て構成され、スイッチ１２０４は、一導電型とは逆の導電型（例えば、ｐチャネル型）の
トランジスタ１２１４を用いて構成した例を示す。ここで、スイッチ１２０３の第１の端
子はトランジスタ１２１３のソースとドレインの一方に対応し、スイッチ１２０３の第２
の端子はトランジスタ１２１３のソースとドレインの他方に対応し、スイッチ１２０３は
トランジスタ１２１３のゲートに入力される制御信号ＲＤによって、第１の端子と第２の
端子の間の導通または非導通（つまり、トランジスタ１２１３の導通状態または非導通状
態）が選択される。スイッチ１２０４の第１の端子はトランジスタ１２１４のソースとド
レインの一方に対応し、スイッチ１２０４の第２の端子はトランジスタ１２１４のソース
とドレインの他方に対応し、スイッチ１２０４はトランジスタ１２１４のゲートに入力さ
れる制御信号ＲＤによって、第１の端子と第２の端子の間の導通または非導通（つまり、
トランジスタ１２１４の導通状態または非導通状態）が選択される。
【０４０２】
トランジスタ１２０９のソースとドレインの一方は、容量素子１２０８の一対の電極のう
ちの一方、およびトランジスタ１２１０のゲートと電気的に接続される。ここで、接続部
分をノードＭ２とする。トランジスタ１２１０のソースとドレインの一方は、低電源電位
を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ線）に電気的に接続され、他方は、スイッチ
１２０３の第１の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの一方）と電気的に接
続される。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの
他方）はスイッチ１２０４の第１の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの一
方）と電気的に接続される。スイッチ１２０４の第２の端子（トランジスタ１２１４のソ
ースとドレインの他方）は電源電位ＶＤＤを供給することのできる配線と電気的に接続さ
れる。スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方
）と、スイッチ１２０４の第１の端子（トランジスタ１２１４のソースとドレインの一方
）と、論理素子１２０６の入力端子と、容量素子１２０７の一対の電極のうちの一方と、
は電気的に接続される。ここで、接続部分をノードＭ１とする。容量素子１２０７の一対
の電極のうちの他方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電
源電位（ＧＮＤ等）または高電源電位（ＶＤＤ等）が入力される構成とすることができる
。容量素子１２０７の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配
線（例えばＧＮＤ線）と電気的に接続される。容量素子１２０８の一対の電極のうちの他
方は、一定の電位が入力される構成とすることができる。例えば、低電源電位（ＧＮＤ等
）または高電源電位（ＶＤＤ等）が入力される構成とすることができる。容量素子１２０
８の一対の電極のうちの他方は、低電源電位を供給することのできる配線（例えばＧＮＤ
線）と電気的に接続される。
【０４０３】
なお、容量素子１２０７および容量素子１２０８は、トランジスタや配線の寄生容量等を
積極的に利用することによって省略することも可能である。
【０４０４】
トランジスタ１２０９のゲートには、制御信号ＷＥが入力される。スイッチ１２０３およ
びスイッチ１２０４は、制御信号ＷＥとは異なる制御信号ＲＤによって第１の端子と第２
の端子の間の導通状態または非導通状態を選択され、一方のスイッチの第１の端子と第２
の端子の間が導通状態のとき他方のスイッチの第１の端子と第２の端子の間は非導通状態
となる。
【０４０５】
トランジスタ１２０９のソースとドレインの他方には、回路１２０１に保持されたデータ
に対応する信号が入力される。図２１では、回路１２０１から出力された信号が、トラン
ジスタ１２０９のソースとドレインの他方に入力される例を示した。スイッチ１２０３の
第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号は、
論理素子１２０６によってその論理値が反転された反転信号となり、回路１２２０を介し
て回路１２０１に入力される。
【０４０６】
なお、図２１では、スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとド
レインの他方）から出力される信号は、論理素子１２０６および回路１２２０を介して回
路１２０１に入力する例を示したがこれに限定されない。スイッチ１２０３の第２の端子
（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）から出力される信号が、論理値を反
転させられることなく、回路１２０１に入力されてもよい。例えば、回路１２０１内に、
入力端子から入力された信号の論理値が反転した信号が保持されるノードが存在する場合
に、スイッチ１２０３の第２の端子（トランジスタ１２１３のソースとドレインの他方）
から出力される信号を当該ノードに入力することができる。
【０４０７】
また、図２１において、記憶素子１２００に用いられるトランジスタのうち、トランジス
タ１２０９以外のトランジスタは、酸化物半導体以外の半導体でなる膜または基板１１９
０にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。例えば、シリコン膜または
シリコン基板にチャネルが形成されるトランジスタとすることができる。また、記憶素子
１２００に用いられるトランジスタ全てを、チャネルが酸化物半導体で形成されるトラン
ジスタとすることもできる。または、記憶素子１２００は、トランジスタ１２０９以外に
も、チャネルが酸化物半導体で形成されるトランジスタを含んでいてもよく、残りのトラ
ンジスタは酸化物半導体以外の半導体でなる層または基板１１９０にチャネルが形成され
るトランジスタとすることもできる。
【０４０８】
図２１における回路１２０１には、例えばフリップフロップ回路を用いることができる。
また、論理素子１２０６としては、例えばインバータやクロックドインバータ等を用いる
ことができる。
【０４０９】
本発明の一態様に係る半導体装置では、記憶素子１２００に電源電圧が供給されない間は
、回路１２０１に記憶されていたデータを、回路１２０２に設けられた容量素子１２０８
によって保持することができる。
【０４１０】
また、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタはオフ電流が極めて小さい。例
えば、酸化物半導体にチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流は、結晶性を有する
シリコンにチャネルが形成されるトランジスタのオフ電流に比べて著しく低い。そのため
、当該トランジスタをトランジスタ１２０９として用いることによって、記憶素子１２０
０に電源電圧が供給されない間も容量素子１２０８に保持された信号は長期間にわたり保
たれる。こうして、記憶素子１２００は電源電圧の供給が停止した間も記憶内容（データ
）を保持することが可能である。
【０４１１】
また、スイッチ１２０３およびスイッチ１２０４を設けることによって、プリチャージ動
作を行うことを特徴とする記憶素子であるため、電源電圧供給再開後に、回路１２０１が
元のデータを保持しなおすまでの時間を短くすることができる。
【０４１２】
また、回路１２０２において、容量素子１２０８によって保持された信号はトランジスタ
１２１０のゲートに入力される。そのため、記憶素子１２００への電源電圧の供給が再開
された後、容量素子１２０８によって保持された信号を、トランジスタ１２１０の状態（
導通状態、または非導通状態）に変換して、回路１２０２から読み出すことができる。そ
れ故、容量素子１２０８に保持された信号に対応する電位が多少変動していても、元の信
号を正確に読み出すことが可能である。
【０４１３】
このような記憶素子１２００を、プロセッサが有するレジスタやキャッシュメモリなどの
記憶装置に用いることで、電源電圧の供給停止による記憶装置内のデータの消失を防ぐこ
とができる。また、電源電圧の供給を再開した後、短時間で電源供給停止前の状態に復帰
することができる。よって、プロセッサ全体、もしくはプロセッサを構成する一つ、また
は複数の論理回路において、短い時間でも電源停止を行うことができるため、消費電力を
抑えることができる。
【０４１４】
記憶素子１２００をＣＰＵに用いる例として説明したが、記憶素子１２００は、ＤＳＰ（
Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、カスタムＬＳＩ、ＰＬＤ（Ｐｒ
ｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）等のＬＳＩ、ＲＦ−ＩＤ（Ｒａｄｉ
ｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）にも応用可能である。
【０４１５】
＜表示装置＞
以下では、本発明の一態様に係る表示装置の構成例について説明する。
【０４１６】
［構成例］
図２２（Ａ）には、本発明の一態様に係る表示装置の上面図を示す。また、図２２（Ｂ）
には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に液晶素子を用いた場合における画素回路を
示す。また、図２２（Ｃ）には、本発明の一態様に係る表示装置の画素に有機ＥＬ素子を
用いた場合における画素回路を示す。
【０４１７】
画素に用いるトランジスタは、上述したトランジスタを用いることができる。ここでは、
ｎチャネル型のトランジスタを用いる例を示す。なお、画素に用いたトランジスタと、同
一工程を経て作製したトランジスタを駆動回路として用いても構わない。このように、画
素や駆動回路に上述したトランジスタを用いることにより、表示品位が高い、または／お
よび信頼性の高い表示装置となる。
【０４１８】
アクティブマトリクス型表示装置の一例を図２２（Ａ）に示す。表示装置の基板５０００
上には、画素部５００１、第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回路５００
３、信号線駆動回路５００４が配置される。画素部５００１は、複数の信号線によって信
号線駆動回路５００４と電気的に接続され、複数の走査線によって第１の走査線駆動回路
５００２、および第２の走査線駆動回路５００３と電気的に接続される。なお、走査線と
信号線とによって区切られる領域には、それぞれ表示素子を有する画素が配置されている
。また、表示装置の基板５０００は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉ
ｒｃｕｉｔ）等の接続部を介して、タイミング制御回路（コントローラ、制御ＩＣともい
う）に電気的に接続されている。
【０４１９】
第１の走査線駆動回路５００２、第２の走査線駆動回路５００３および信号線駆動回路５
００４は、画素部５００１と同じ基板５０００上に形成される。そのため、駆動回路を別
途作製する場合と比べて、表示装置を作製するコストを低減することができる。また、駆
動回路を別途作製した場合、配線間の接続数が増える。したがって、同じ基板５０００上
に駆動回路を設けることで、配線間の接続数を減らすことができ、信頼性の向上、または
／および歩留まりの向上を図ることができる。
【０４２０】
〔液晶表示装置〕
また、画素の回路構成の一例を図２２（Ｂ）に示す。ここでは、ＶＡ型液晶表示装置の画
素などに適用することができる画素回路を示す。
【０４２１】
この画素回路は、一つの画素に複数の画素電極を有する構成に適用できる。それぞれの画
素電極は異なるトランジスタに接続され、各トランジスタは異なるゲート信号で駆動でき
るように構成されている。これにより、マルチドメイン設計された画素の個々の画素電極
に印加する信号を、独立して制御できる。
【０４２２】
トランジスタ５０１６の走査線５０１２と、トランジスタ５０１７の走査線５０１３には
、異なるゲート信号を与えることができるように分離されている。一方、信号線５０１４
は、トランジスタ５０１６とトランジスタ５０１７で共通に用いられている。トランジス
タ５０１６とトランジスタ５０１７は上述したトランジスタを適宜用いることができる。
これにより、表示品位が高い、または／および信頼性の高い液晶表示装置を提供すること
ができる。
【０４２３】
トランジスタ５０１６と電気的に接続する第１の画素電極と、トランジスタ５０１７と電
気的に接続する第２の画素電極の形状について説明する。第１の画素電極と第２の画素電
極とは分離されている。なお、第１の画素電極および第２の画素電極の形状としては、特
に限定は無い。例えば、第１の画素電極は、Ｖ字状とすればよい。
【０４２４】
トランジスタ５０１６のゲート電極は走査線５０１２と電気的に接続され、トランジスタ
５０１７のゲート電極は走査線５０１３と電気的に接続されている。走査線５０１２と走
査線５０１３に異なるゲート信号を与えてトランジスタ５０１６とトランジスタ５０１７
の動作タイミングを異ならせ、液晶の配向を制御することができる。
【０４２５】
また、容量線５０１０と、誘電体として機能するゲート絶縁体と、第１の画素電極または
第２の画素電極と電気的に接続する容量電極とで容量素子を形成してもよい。
【０４２６】
マルチドメイン構造は、一画素に第１の液晶素子５０１８と第２の液晶素子５０１９を備
える。第１の液晶素子５０１８は第１の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成さ
れ、第２の液晶素子５０１９は第２の画素電極と対向電極とその間の液晶層とで構成され
る。
【０４２７】
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図２２（Ｂ）に示す画素回路に限定されない。
例えば、図２２（Ｂ）に示す画素回路に新たにスイッチ、抵抗素子、容量素子、トランジ
スタ、センサー、または論理回路などを追加してもよい。
【０４２８】
〔有機ＥＬパネル〕
画素の回路構成の他の一例を図２２（Ｃ）に示す。ここでは、有機ＥＬ素子を用いた表示
装置の画素構造を示す。
【０４２９】
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、有機ＥＬ素子が有する一対の電
極の一方から電子が、他方から正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、
電流が流れる。そして、電子および正孔が再結合することにより、発光性の有機化合物が
励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズム
から、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
【０４３０】
図２２（Ｃ）は、画素回路の一例を示す図である。ここでは１つの画素にｎチャネル型の
トランジスタを２つ用いる例を示す。なお、ｎチャネル型のトランジスタには、上述した
トランジスタを用いることができる。また、当該画素回路は、デジタル時間階調駆動を適
用することができる。
【０４３１】
適用可能な画素回路の構成およびデジタル時間階調駆動を適用した場合の画素の動作につ
いて説明する。
【０４３２】
画素５０２０は、スイッチング用トランジスタ５０２１、駆動用トランジスタ５０２２、
発光素子５０２４および容量素子５０２３を有する。スイッチング用トランジスタ５０２
１は、ゲート電極が走査線５０２６に接続され、第１電極（ソース電極、ドレイン電極の
一方）が信号線５０２５に接続され、第２電極（ソース電極、ドレイン電極の他方）が駆
動用トランジスタ５０２２のゲート電極に接続されている。駆動用トランジスタ５０２２
は、ゲート電極が容量素子５０２３を介して電源線５０２７に接続され、第１電極が電源
線５０２７に接続され、第２電極が発光素子５０２４の第１電極（画素電極）に接続され
ている。発光素子５０２４の第２電極は共通電極５０２８に相当する。共通電極５０２８
は、同一基板上に形成される共通電位線と電気的に接続される。
【０４３３】
スイッチング用トランジスタ５０２１および駆動用トランジスタ５０２２は上述したトラ
ンジスタを用いることができる。これにより、表示品位の高い、または／および信頼性の
高い有機ＥＬ表示装置となる。
【０４３４】
発光素子５０２４の第２電極（共通電極５０２８）の電位は低電源電位に設定する。なお
、低電源電位とは、電源線５０２７に供給される高電源電位より低い電位であり、例えば
ＧＮＤ、０Ｖなどを低電源電位として設定することができる。発光素子５０２４の順方向
のしきい値電圧以上となるように高電源電位と低電源電位を設定し、その電位差を発光素
子５０２４に印加することにより、発光素子５０２４に電流を流して発光させる。なお、
発光素子５０２４の順方向電圧とは、所望の輝度とする場合の電圧を指しており、少なく
とも順方向しきい値電圧を含む。
【０４３５】
なお、容量素子５０２３は駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量を代用することによ
り省略できる場合がある。駆動用トランジスタ５０２２のゲート容量については、チャネ
ル形成領域とゲート電極との間で容量が形成されていてもよい。
【０４３６】
次に、駆動用トランジスタ５０２２に入力する信号について説明する。電圧入力電圧駆動
方式の場合、駆動用トランジスタ５０２２がオンまたはオフの二つの状態となるようなビ
デオ信号を、駆動用トランジスタ５０２２に入力する。なお、駆動用トランジスタ５０２
２を線形領域で動作させるために、電源線５０２７の電圧よりも高い電圧を駆動用トラン
ジスタ５０２２のゲート電極に与える。また、信号線５０２５には、電源線電圧に駆動用
トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の電圧をかける。
【０４３７】
アナログ階調駆動を行う場合、駆動用トランジスタ５０２２のゲート電極に発光素子５０
２４の順方向電圧に駆動用トランジスタ５０２２のしきい値電圧Ｖｔｈを加えた値以上の
電圧をかける。なお、駆動用トランジスタ５０２２が飽和領域で動作するようにビデオ信
号を入力し、発光素子５０２４に電流を流す。また、駆動用トランジスタ５０２２を飽和
領域で動作させるために、電源線５０２７の電位を、駆動用トランジスタ５０２２のゲー
ト電位より高くする。ビデオ信号をアナログとすることで、発光素子５０２４にビデオ信
号に応じた電流を流し、アナログ階調駆動を行うことができる。
【０４３８】
なお、本発明の一態様に係る表示装置は、図２２（Ｃ）に示す画素構成に限定されない。
例えば、図２２（Ｃ）に示す画素回路にスイッチ、抵抗素子、容量素子、センサー、トラ
ンジスタまたは論理回路などを追加してもよい。
【０４３９】
図２２で例示した回路に上述したトランジスタを適用する場合、低電位側にソース電極（
第１の電極）、高電位側にドレイン電極（第２の電極）がそれぞれ電気的に接続される構
成とする。さらに、制御回路等により第１のゲート電極の電位を制御し、第２のゲート電
極にはソース電極に与える電位よりも低い電位など、上記で例示した電位を入力可能な構
成とすればよい。
【０４４０】
＜電子機器＞
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備
えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いること
ができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器と
して、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯データ端末、電子書籍端末、ビデオカメラ
、デジタルスチルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプ
レイ）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオ
プレイヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンタ、プリンタ複合機、現金自動預け入れ
払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図２３に示
す。
【０４４１】
図２３（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、表示部
９０４、マイクロフォン９０５、スピーカー９０６、操作キー９０７、スタイラス９０８
等を有する。なお、図２３（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部９０３と表示
部９０４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない
。
【０４４２】
図２３（Ｂ）は携帯データ端末であり、第１筐体９１１、第２筐体９１２、第１表示部９
１３、第２表示部９１４、接続部９１５、操作キー９１６等を有する。第１表示部９１３
は第１筐体９１１に設けられており、第２表示部９１４は第２筐体９１２に設けられてい
る。そして、第１筐体９１１と第２筐体９１２とは、接続部９１５により接続されており
、第１筐体９１１と第２筐体９１２の間の角度は、接続部９１５により変更が可能である
。第１表示部９１３における映像を、接続部９１５における第１筐体９１１と第２筐体９
１２との間の角度にしたがって、切り替える構成としてもよい。また、第１表示部９１３
および第２表示部９１４の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表
示装置を用いるようにしてもよい。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッ
チパネルを設けることで付加することができる。または、位置入力装置としての機能は、
フォトセンサーとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加す
ることができる。
【０４４３】
図２３（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９２１、表示部９２２、キ
ーボード９２３、ポインティングデバイス９２４等を有する。
【０４４４】
図２３（Ｄ）は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体９３１、冷蔵室用扉９３２、冷凍室用扉９３
３等を有する。
【０４４５】
図２３（Ｅ）はビデオカメラであり、第１筐体９４１、第２筐体９４２、表示部９４３、
操作キー９４４、レンズ９４５、接続部９４６等を有する。操作キー９４４およびレンズ
９４５は第１筐体９４１に設けられており、表示部９４３は第２筐体９４２に設けられて
いる。そして、第１筐体９４１と第２筐体９４２とは、接続部９４６により接続されてお
り、第１筐体９４１と第２筐体９４２の間の角度は、接続部９４６により変更が可能であ
る。表示部９４３における映像を、接続部９４６における第１筐体９４１と第２筐体９４
２との間の角度にしたがって切り替える構成としてもよい。
【０４４６】
図２３（Ｆ）は自動車であり、車体９５１、車輪９５２、ダッシュボード９５３、ライト
９５４等を有する。
【符号の説明】
【０４４７】
１００    ターゲット
１００ａ    ターゲット
１００ｂ    ターゲット
１０１    成膜室
１０３ｂ    マグネットユニット
１１０    バッキングプレート
１１０ａ    バッキングプレート
１１０ｂ    バッキングプレート
１２０    ターゲットホルダ
１２０ａ    ターゲットホルダ
１２０ｂ    ターゲットホルダ
１３０    マグネットユニット
１３０ａ    マグネットユニット
１３０ｂ    マグネットユニット
１３０Ｎ    マグネット
１３０Ｎ１    マグネット
１３０Ｎ２    マグネット
１３０Ｓ    マグネット
１３２    マグネットホルダ
１４０    部材
１６０    基板
１７０    基板ホルダ
１８０ａ    磁力線
１８０ｂ    磁力線
２００ａ    ペレット
２００ｂ    ペレット
２０１    イオン
２０２    酸化亜鉛層
２０３    粒子
２０５ａ    ペレット
２０５ａ１    領域
２０５ａ２    ペレット
２０５ｂ    ペレット
２０５ｃ    ペレット
２０５ｄ    ペレット
２０５ｄ１    領域
２０５ｅ    ペレット
２２０    基板
２３０    ターゲット
４００    基板
４０２    絶縁体
４０４    導電体
４０６ａ    半導体
４０６ｂ    半導体
４０６ｃ    半導体
４０８    絶縁体
４１２    絶縁体
４１３    導電体
４１６ａ    導電体
４１６ｂ    導電体
４１８    絶縁体
４２３ａ    低抵抗領域
４２３ｂ    低抵抗領域
４２４ａ    導電体
４２４ｂ    導電体
４２６ａ    導電体
４２６ｂ    導電体
４２８    絶縁体
６００    基板
６０４    導電体
６０６ａ    半導体
６０６ｂ    半導体
６０６ｃ    半導体
６１２    絶縁体
６１３    導電体
６１６ａ    導電体
６１６ｂ    導電体
６１８    絶縁体
６２０    絶縁体
７００    成膜装置
７０１    大気側基板供給室
７０２    大気側基板搬送室
７０３ａ    ロードロック室
７０３ｂ    アンロードロック室
７０４    搬送室
７０５    基板加熱室
７０６ａ    成膜室
７０６ｂ    成膜室
７０６ｃ    成膜室
７５１    クライオトラップ
７５２    ステージ
７６１    カセットポート
７６２    アライメントポート
７６３    搬送ロボット
７６４    ゲートバルブ
７６５    加熱ステージ
７６６    ターゲット
７６７    防着板
７６８    基板ステージ
７６９    基板
７７０    真空ポンプ
７７１    クライオポンプ
７７２    ターボ分子ポンプ
７８０    マスフローコントローラ
７８１    精製機
７８２    ガス加熱機構
９０１    筐体
９０２    筐体
９０３    表示部
９０４    表示部
９０５    マイクロフォン
９０６    スピーカー
９０７    操作キー
９０８    スタイラス
９１１    筐体
９１２    筐体
９１３    表示部
９１４    表示部
９１５    接続部
９１６    操作キー
９２１    筐体
９２２    表示部
９２３    キーボード
９２４    ポインティングデバイス
９３１    筐体
９３２    冷蔵室用扉
９３３    冷凍室用扉
９４１    筐体
９４２    筐体
９４３    表示部
９４４    操作キー
９４５    レンズ
９４６    接続部
９５１    車体
９５２    車輪
９５３    ダッシュボード
９５４    ライト
１１８９    ＲＯＭインターフェース
１１９０    基板
１１９１    ＡＬＵ
１１９２    ＡＬＵコントローラ
１１９３    インストラクションデコーダ
１１９４    インタラプトコントローラ
１１９５    タイミングコントローラ
１１９６    レジスタ
１１９７    レジスタコントローラ
１１９８    バスインターフェース
１１９９    ＲＯＭ
１２００    記憶素子
１２０１    回路
１２０２    回路
１２０３    スイッチ
１２０４    スイッチ
１２０６    論理素子
１２０７    容量素子
１２０８    容量素子
１２０９    トランジスタ
１２１０    トランジスタ
１２１３    トランジスタ
１２１４    トランジスタ
１２２０    回路
２１００    トランジスタ
２２００    トランジスタ
３００１    配線
３００２    配線
３００３    配線
３００４    配線
３００５    配線
３２００    トランジスタ
３３００    トランジスタ
３４００    容量素子
５０００    基板
５００１    画素部
５００２    走査線駆動回路
５００３    走査線駆動回路
５００４    信号線駆動回路
５０１０    容量線
５０１２    走査線
５０１３    走査線
５０１４    信号線
５０１６    トランジスタ
５０１７    トランジスタ
５０１８    液晶素子
５０１９    液晶素子
５０２０    画素
５０２１    スイッチング用トランジスタ
５０２２    駆動用トランジスタ
５０２３    容量素子
５０２４    発光素子
５０２５    信号線
５０２６    走査線
５０２７    電源線
５０２８    共通電極
【図１】
2020094286.tif 000007
【図２】
2020094286.tif 000008
【図３】
2020094286.tif 000009
【図４】
2020094286.tif 000010
【図５】
2020094286.tif 000011
【図６】
2020094286.tif 000012
【図７】
2020094286.tif 000013
【図８】
2020094286.tif 000014
【図９】
2020094286.tif 000015
【図１０】
2020094286.tif 000016
【図１１】
2020094286.tif 000017
【図１２】
2020094286.tif 000018
【図１３】
2020094286.tif 000019
【図１４】
2020094286.tif 000020
【図１５】
2020094286.tif 000021
【図１６】
2020094286.tif 000022
【図１７】
2020094286.tif 000023
【図１８】
2020094286.tif 000024
【図１９】
2020094286.tif 000025
【図２０】
2020094286.tif 000026
【図２１】
2020094286.tif 000027
【図２２】
2020094286.tif 000028
【図２３】
2020094286.tif 000029
【図２４】
2020094286.tif 000030
【図２５】
2020094286.tif 000031
【図２６】
2020094286.tif 000032
【図２７】
2020094286.tif 000033
【図２８】
2020094286.tif 000034
【図２９】
2020094286.tif 000035
【図３０】
2020094286.tif 000036
【図３１】
2020094286.tif 000037
【図３２】
2020094286.tif 000038
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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