(57)【要約】【課題】分子量の分散度をより小さくしつつも、収率を向上させることができる高分子化合物の製造方法を提供すること。【解決手段】式［１−２］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−２）を含む高分子化合物Ａの製造方法であって、  式［１−１］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−１）を含む高分子化合物Ｂから、分別沈殿法によって、前記高分子化合物Ｂに含まれる高分子量成分を分離することによって、該高分子量成分からなる高分子化合物Ｃを得る第１の工程、及び  前記第１の工程で得られた前記高分子化合物Ｃに含まれる前記構成単位（１−１）を、前記構成単位（１−２）に変換して、前記高分子化合物Ａを得る第２の工程を含む、製造方法。2020094176.tif 000066［式中、Ａｒ1、ＲA及びＲBは、明細書に示すとおり］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式［１−２］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−２）を含む高分子化合物Ａの製造方法であって、
式［１−１］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−１）を含む高分子化合物Ｂから、分別沈殿法によって、前記高分子化合物Ｂに含まれる高分子量成分を分離することによって、該高分子量成分からなる高分子化合物Ｃを得る第１の工程、及び
前記第１の工程で得られた前記高分子化合物Ｃに含まれる前記構成単位（１−１）を、前記構成単位（１−２）に変換して、前記高分子化合物Ａを得る第２の工程
を含む、製造方法。
2020094176.tif 000061
［式中、
Ａｒ1は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
ＲA及びＲBは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項２】
前記分別沈殿法において、前記高分子化合物Ｂ、前記高分子化合物Ｂの良溶媒、及び、前記高分子化合物Ｂの貧溶媒を用いる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記高分子化合物Ａ、前記高分子化合物Ｂ及び前記高分子化合物Ｃが、式（Ｘ）で表される構成単位をさらに含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
2020094176.tif 000062
［式中、
ａ1及びａ2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＡｒX1及びＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒX2及びＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲX1、ＲX2及びＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX2及びＲX3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【請求項４】
前記構成単位（１−１）が、式（２−１）で表される構成単位であり、かつ、前記構成単位（１−２）が、式（２−２）で表される構成単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
2020094176.tif 000063
［式中、
ｎ１及びｎＡ１は、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｎＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｍ１は、１以上の整数を表す。ｍ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、ホルミル基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｘがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である場合、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸは、ホルミル基である。
ＡｒA及びＡｒBは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒCは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒB及びＡｒCが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ＡｒA、ＡｒB及びＡｒCのうち少なくとも２つ以上が、互いに結合して、環を形成してもよい。
Ｒ1は、単結合又は脂肪族炭化水素基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ1が単結合の場合、ｎＡ１は１である。
ＲC及びＲDは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲC及びＲDが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項５】
前記構成単位（１−１）が、式（３−１）で表される構成単位であり、かつ、前記構成単位（１−２）が、式（３−２）で表される構成単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
2020094176.tif 000064
［式中、
ｎ２及びｎＡ２は、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｎＡ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｍ２は、１以上の整数を表す。ｍ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙは、ホルミル基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｙがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である場合、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｙが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＹは、ホルミル基である。
ＡｒDは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒEは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒEが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ2は、単結合又は脂肪族炭化水素基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＲE及びＲFは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲE及びＲFが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記構成単位（１−１）が、式（４−１）で表される構成単位であり、かつ、前記構成単位（１−２）が、式（４−２）で表される構成単位である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
2020094176.tif 000065
［式中、
ｎ３は、１〜３の整数を表す。
Ｚは、ホルミル基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｚがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である場合、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＺは、ホルミル基である。
ＡｒFは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲG及びＲHは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲG及びＲHが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項７】
前記第２の工程の後に、得られた高分子化合物Ａを、吸着剤を用いて精製する工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
陽極層、有機層及び陰極層を積層する工程を含む、発光素子の製造方法であって、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法を用いて得られた高分子化合物Ａを含む原料を熱硬化させて前記有機層の少なくとも一層を形成する工程を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられている高分子化合物では、分子量の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）の値が大きい場合、有機エレクトロルミネッセンス素子の劣化の原因と考えられる低分子量成分を多く含有する。前記高分子化合物は、例えば、遷移金属錯体の存在下で重縮合により合成することができるが、重縮合で得られる高分子化合物は分散度が理論上２となるうえ、重縮合中に生じる副反応によって、実際に得られる高分子化合物の分散度は２より大きい。そのため、目的物である高分子化合物を合成した後、当該高分子化合物中の低分子量成分を除去することによって、当該高分子化合物の分子量の分散度をより小さくする方法が開発されてきた（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１２−５０３６８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、前記方法では、低分子量成分を除去する際に高分子化合物の収率が低下する。
【０００５】
そこで、本発明は、分子量の分散度をより小さくしつつも、収率を向上させることができる高分子化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の［１］〜［８］を提供する。
［１］
式［１−２］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−２）を含む高分子化合物Ａの製造方法であって、
式［１−１］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−１）を含む高分子化合物Ｂから、分別沈殿法によって、前記高分子化合物Ｂに含まれる高分子量成分を分離することによって、該高分子量成分からなる高分子化合物Ｃを得る第１の工程、及び
前記第１の工程で得られた前記高分子化合物Ｃに含まれる前記構成単位（１−１）を、前記構成単位（１−２）に変換して、前記高分子化合物Ａを得る第２の工程
を含む、製造方法。
【０００７】
2020094176.tif 000002
［式中、
Ａｒ1は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
ＲA及びＲBは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［２］
前記分別沈殿法において、前記高分子化合物Ｂ、前記高分子化合物Ｂの良溶媒、及び、前記高分子化合物Ｂの貧溶媒を用いる、［１］に記載の製造方法。
［３］
前記高分子化合物Ａ、前記高分子化合物Ｂ及び前記高分子化合物Ｃが、式（Ｘ）で表される構成単位をさらに含む、［１］又は［２］に記載の製造方法。
【０００８】
2020094176.tif 000003
［式中、
ａ1及びａ2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＡｒX1及びＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒX2及びＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲX1、ＲX2及びＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX2及びＲX3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
［４］
前記構成単位（１−１）が、式（２−１）で表される構成単位であり、かつ、前記構成単位（１−２）が、式（２−２）で表される構成単位である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の製造方法。
【０００９】
2020094176.tif 000004
［式中、
ｎ１及びｎＡ１は、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｎＡ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｍ１は、１以上の整数を表す。ｍ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、ホルミル基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｘがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である場合、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸは、ホルミル基である。
ＡｒA及びＡｒBは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒCは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒB及びＡｒCが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ＡｒA、ＡｒB及びＡｒCのうち少なくとも２つ以上が、互いに結合して、環を形成してもよい。
Ｒ1は、単結合又は脂肪族炭化水素基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ1が単結合の場合、ｎＡ１は１である。
ＲC及びＲDは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲC及びＲDが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［５］
前記構成単位（１−１）が、式（３−１）で表される構成単位であり、かつ、前記構成単位（１−２）が、式（３−２）で表される構成単位である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の製造方法。
【００１０】
2020094176.tif 000005
［式中、
ｎ２及びｎＡ２は、それぞれ独立に、１〜３の整数を表す。ｎＡ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｍ２は、１以上の整数を表す。ｍ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙは、ホルミル基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｙがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である場合、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｙが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＹは、ホルミル基である。
ＡｒDは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒEは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒEが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ2は、単結合又は脂肪族炭化水素基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＲE及びＲFは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲE及びＲFが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［６］
前記構成単位（１−１）が、式（４−１）で表される構成単位であり、かつ、前記構成単位（１−２）が、式（４−２）で表される構成単位である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の製造方法。
【００１１】
2020094176.tif 000006
［式中、
ｎ３は、１〜３の整数を表す。
Ｚは、ホルミル基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ｚがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基である場合、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＺは、ホルミル基である。
ＡｒFは、芳香族炭化水素環又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲG及びＲHは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲG及びＲHが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［７］
前記第２の工程の後に、得られた高分子化合物Ａを、吸着剤を用いて精製する工程を含む、［１］〜［６］のいずれか一項に記載の製造方法。
［８］
陽極層、有機層及び陰極層を積層する工程を含む、発光素子の製造方法であって、［１］〜［７］のいずれか一項に記載の製造方法を用いて得られた高分子化合物Ａを含む原料を熱硬化させて前記有機層の少なくとも一層を形成する工程を含む、方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、分子量の分散度をより小さくしつつも、収率を向上させることができる高分子化合物の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００１５】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００１６】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が１×104〜２×108である重合体を意味する。
【００１７】
高分子化合物Ｂに含まれる「高分子量成分」とは、高分子化合物Ｂに含まれる成分の一部であって、高分子化合物Ｂよりもポリスチレン換算の重量平均分子量が高い範囲の区分を意味する。
【００１８】
高分子化合物Ｂに含まれる「低分子量成分」とは、高分子化合物Ｂに含まれる成分の一部であって、高分子化合物Ｂよりもポリスチレン換算の重量平均分子量が低い範囲の区分を意味する。高分子化合物Ｂのポリスチレン換算の数平均分子量は、特に限定されないが、１×104〜１×108の範囲にあることが好ましい。
【００１９】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×104以下の化合物を意味する。
【００２０】
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上（好ましくは５個以上）存在する単位を意味する。
【００２１】
「脂肪族炭化水素」とは、アルカン又はシクロアルカンのことを意味する。炭化水素は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルカンの炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルカンの炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
【００２２】
シクロアルカンの炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。「脂肪族炭化水素」とは、上記炭化水素から１個以上の水素原子を除いてなる基を示す。
【００２３】
「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
【００２４】
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基）が挙げられる。アルキル基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜２個である。
【００２５】
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
【００２６】
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。シクロアルキル基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜２個である。
【００２７】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
【００２８】
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-37)で表される基である。アリール基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜４個である。アリール基は、これらの基が複数結合した基を含む。
2020094176.tif 000007
【００２９】
2020094176.tif 000008
【００３０】
2020094176.tif 000009
【００３１】
2020094176.tif 000010
【００３２】
2020094176.tif 000011
【００３３】
2020094176.tif 000012
［式中、ＲおよびＲaは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲaは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒa同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。＊の位置の水素原子は前記Ｒで挙げられた置換基を有していてもよい。］
【００３４】
「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
【００３５】
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。アルコキシ基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜２個である。
【００３６】
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
【００３７】
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。シクロアルコキシ基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜２個である。
【００３８】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
【００３９】
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。アリールオキシ基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜３個である。
【００４０】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
【００４１】
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００４２】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは４〜20である。
【００４３】
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。１価の複素環基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜３個である。好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-36)で表される基である。１価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００４４】
2020094176.tif 000013
【００４５】
2020094176.tif 000014
【００４６】
2020094176.tif 000015
【００４７】
2020094176.tif 000016
【００４８】
2020094176.tif 000017
【００４９】
2020094176.tif 000018
【００５０】
2020094176.tif 000019
［式中、Ｒ、Ｒa及び＊は、前記と同じ意味を表す。］
【００５１】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
【００５２】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
【００５３】
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
【００５４】
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。
【００５５】
「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
【００５６】
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
【００５７】
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。アルケニル基及びシクロアルケニル基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜２個である。
【００５８】
「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
【００５９】
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
【００６０】
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。アルキニル基及びシクロアルキニル基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１個である。
【００６１】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜60であり、好ましくは６〜30である。
【００６２】
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1')〜式(A-37')で表される基である。アリーレン基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜４個である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００６３】
2020094176.tif 000020
【００６４】
2020094176.tif 000021
【００６５】
2020094176.tif 000022
【００６６】
2020094176.tif 000023
【００６７】
2020094176.tif 000024
【００６８】
2020094176.tif 000025
［式中、Ｒ及びＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【００６９】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜60であり、好ましくは、３〜20である。
【００７０】
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1')〜式(AA-36')で表される基である。２価の複素環基が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜３個である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００７１】
2020094176.tif 000026
【００７２】
2020094176.tif 000027
【００７３】
2020094176.tif 000028
【００７４】
2020094176.tif 000029
【００７５】
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【００７６】
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【００７７】
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［式中、Ｒ及びＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【００７８】
「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基である。架橋基としては、例えば、オキセタン、シクロベンゾブテン、エポキシド等が挙げられる。
【００７９】
「置換基」とは、そうでないことを明示していない限り、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００８０】
本明細書にて、「分別沈殿法」の意味を説明する。分子量分布をもった高分子化合物中のそれぞれの分子量の異なる成分の溶解度が分子量によって変化することを利用して、試料を分子量範囲の狭い複数の区分に分ける方法を「分別」とよぶ。高分子溶液中に貧溶媒を混合した溶液は熱力学的な相平衡により、該溶液の温度を変化させること、又は、良溶媒と貧溶媒の種類や量比を変化させることによって、高分子量成分を多く含んだ相、及び、低分子量成分を多く含んだ相に液−液相分離する。ここで、高分子量成分を多く含んだ相を回収する方法を「分別沈殿法」とよぶ。この際、低分子量成分が除去されるために、回収された高分子量成分の分散度は、「分別沈殿法」を行う前の分散度より小さくなる。
【００８１】
＜高分子化合物Ａの製造方法＞
本発明は、前記構成単位（１−２）を含む高分子化合物Ａの製造方法であって、前記構成単位（１−１）を含む高分子化合物Ｂから、分別沈殿法によって、前記高分子化合物Ｂに含まれる高分子量成分を分離することによって、該高分子量成分からなる高分子化合物Ｃを得る第１の工程、及び前記第１の工程で得られた前記高分子化合物Ｃに含まれる前記構成単位（１−１）を、前記構成単位（１−２）に変換して、前記高分子化合物Ａを得る第２の工程を含む、高分子化合物Ａの製造方法を提供する。本発明において、上記高分子化合物Ａ、高分子化合物Ｂ及び高分子化合物Ｃを総称して、「本発明の高分子化合物」と示すこともある。
【００８２】
＜第１の工程＞
第１の工程において、高分子化合物Ｂから高分子量成分を分離することで得られる高分子化合物Ｃは、高分子化合物Ｂの全量に対して、通常、２０重量％〜９５重量％であり、好ましくは３０重量％〜９０重量％であり、より好ましくは４０重量％〜９０重量％である。
【００８３】
［構成単位（１−１）］
Ａｒ1は、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい１価の複素環基を表し、高分子化合物Ａがより合成しやすくなるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリール基であり、より好ましくは前記式(A-1)〜式(A-37)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-28)〜式(A-31)、式(A-37)で表される基である。式［１−１］において、ホルミル基は、Ａｒ1におけるアリール基又は複素環基部分に結合している。
【００８４】
Ａｒ1が１価の複素環基の場合、好ましくは式(AA-1)〜式(AA-36)で表される基である。
【００８５】
本発明において、式［１−１］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基としては、式［１−１］においてＡｒ1部分が前記式(A-1)〜式(A-37)で表されるアリール基（より好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-28)〜式(A-31)、式(A-37)で表されるアリール基）である化合物から１個の水素原子（好ましくは＊の位置の水素原子）を除いてなる基が好ましい。また、本発明の別の実施形態において、式［１−１］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基としては、式［１−１］においてＡｒ1部分が式(AA-1)〜式(AA-36)で表される１価の複素環基である化合物から１個の水素原子（好ましくは＊の位置の水素原子）を除いてなる基が好ましい。
【００８６】
前記構成単位（１−１）は、高分子化合物Ａがより合成しやすくなるので、前記式（２−１）で表される構成単位、前記式（３−１）で表される構成単位又は前記式（４−１）で表される構成単位であることが好ましく、前記式（２−１）で表される構成単位又は前記式（３−１）で表される構成単位であることがより好ましく、前記式（２−１）で表される構成単位であることが更に好ましい。
【００８７】
構成単位（１−１）は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【００８８】
構成単位（１−１）は、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【００８９】
［式（２−１）で表される構成単位］
ｎ１は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【００９０】
ｎＡ１は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【００９１】
ｍ１は、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１である。
【００９２】
ＡｒA及びＡｒBは、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基であり、より好ましくは、式(A-1')、式(A-2')、式(A-6')〜式(A-10')、式(A-28')〜式(A-31')、式(A-37')で表される基である。ＡｒA、ＡｒB及びＡｒCのうち少なくとも２つ以上が、互いに結合して、環を形成してもよい。
【００９３】
ＡｒA又はＡｒBが２価の複素環基の場合、好ましくは式(AA-1')〜式(AA-36')で表される基である。
【００９４】
ＡｒCで表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０である。
【００９５】
ＡｒCで表される芳香族炭化水素基の（ｍ１−１）個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式(A-1')〜式(A-37')で表される基であり、より好ましくは、式(A-1')、式(A-2')、式(A-6')〜式(A-10')、式(A-28')〜式(A-31')、式(A-37')で表される基である。これらの基は置換基を有していてもよい。
【００９６】
ＡｒCで表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０である。
【００９７】
ＡｒCで表される複素環基の（ｍ１−１）個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式(AA-1')〜式(AA-36')で表される基である。
【００９８】
Ｒ1は、好ましくは、単結合である。
【００９９】
Ｒ1が（ｎＡ１＋１）価の脂肪族炭化水素基である場合、脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。Ｒ1で表される脂肪族炭化水素基の（ｎＡ１＋１）個の置換基（−Ａｒc−（Ｘ）m1及び
2020094176.tif 000033
を除いたアルカン部分又はシクロアルカン部分は、は、その他の置換基を有していてもよく、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロペンタン、シクロヘキサン基が挙げられる。Ｒ1で表される脂肪族炭化水素基の（ｎＡ１＋１）個の置換基（−Ａｒc−（Ｘ）m1及び
2020094176.tif 000034
を除いたアルカン部分又はシクロアルカン部分が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜４個である。
【０１００】
式(２−１)で表される構成単位は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１０１】
式(２−１)で表される構成単位は、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１０２】
前記式（２−１）で表される構成単位は、式（２−１−１）〜式（２−１−１２）で表される構成単位であることが好ましい。式（２−１−１）〜式（２−１−１２）で表される構成単位は、置換基を有していてもよい。
【０１０３】
2020094176.tif 000035
［式中、Ｘ、ＡｒB、ＡｒC及びＲ1は、前記と同じ意味を表す。Ｒ3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【０１０４】
［式（３−１）で表される構成単位］
ｎ２は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【０１０５】
ｎＡ２は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【０１０６】
ｍ２は、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１である。
【０１０７】
ＡｒEで表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０である。
【０１０８】
ＡｒEで表される芳香族炭化水素基の（ｍ２−１）個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式(A-1')〜式(A-37')で表される基であり、より好ましくは、式(A-1')、式(A-2')、式(A-6')〜式(A-10')、式(A-28')〜式(A-31')、式(A-37')で表される基である。これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０９】
ＡｒEで表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０である。
【０１１０】
ＡｒEで表される複素環基の（ｍ２−１）個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式(AA-1')〜式(AA-36')で表される基である。
【０１１１】
Ｒ2は、好ましくは、単結合又は（ｎＡ２＋１）価の芳香族炭化水素基である。これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１１２】
Ｒ2が（ｎＡ２＋１）価の脂肪族炭化水素基である場合、脂肪族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。Ｒ2で表される脂肪族炭化水素基の（ｎＡ２＋１）個の置換基を除いたアルカン部分又はシクロアルカン部分は、置換基を有していてもよく、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロペンタン、シクロヘキサン基が挙げられる。Ｒ2で表される炭化水素基の（ｎＡ２＋１）個の置換基を除いたアルカン部分又はシクロアルカン部分が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜４個である。
【０１１３】
ＡｒDで表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０である。
【０１１４】
ＡｒDで表される芳香族炭化水素基の（ｎ２）個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式(A-1')〜式(A-37')で表される基であり、より好ましくは、式(A-1')、式(A-2')、式(A-6')〜式(A-10')、式(A-28')〜式(A-31')、式(A-37')で表される基である。これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１１５】
ＡｒDで表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０である。
【０１１６】
ＡｒDで表される複素環基の（ｎ２）個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式(AA-1')〜式(AA-36')で表される基である。
【０１１７】
式(３−１)で表される構成単位は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１１８】
式(３−１)で表される構成単位は、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１１９】
前記式（３−１）で表される構成単位は、式（３−１−１）〜式（３−１−１６）で表される構成単位であることが好ましい。式（３−１−１）〜式（３−１−１６）で表される構成単位は、置換基を有していてもよい。
【０１２０】
2020094176.tif 000036
［式中、Ｙ、ＡｒE及びＲ2は、前記と同じ意味を表す。Ｒ3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【０１２１】
［式（４−１）で表される構成単位］
ｎ３は、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。
【０１２２】
ＡｒFで表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０である。
【０１２３】
ＡｒFで表される芳香族炭化水素基の（ｎ３）個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式(A-1')〜式(A-37')で表される基であり、より好ましくは、式(A-1')、式(A-2')、式(A-6')〜式(A-10')、式(A-28')〜式(A-31')、式(A-37')で表される基である。これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２４】
ＡｒFで表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜３０である。
【０１２５】
ＡｒFで表される複素環基の（ｎ３）個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式(AA-1')〜式(AA-36')で表される基である。
【０１２６】
式（４−１）で表される構成単位は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１２７】
式（４−１）で表される構成単位は、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１２８】
前記式（４−１）で表される構成単位は、式（４−１−１）で表される構成単位であることが好ましい。式（４−１−１）で表される構成単位は、置換基を有していてもよい。
【０１２９】
2020094176.tif 000037
［式中、Ｙは、前記と同じ意味を表す。］
【０１３０】
［構成単位（１−２）］
Ａｒ1は、前記と同じ意味を表す。式［１−２］において、基
【０１３１】
2020094176.tif 000038
は、Ａｒ1におけるアリール基又は複素環基部分に結合している。
【０１３２】
本発明において、式［１−２］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基としては、式［１−２］においてＡｒ1部分が前記式(A-1)〜式(A-37)で表されるアリール基（より好ましくは式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)〜式(A-10)、式(A-28)〜式(A-31)、式(A-37)で表されるアリール基）である化合物から１個の水素原子（好ましくは＊の位置の水素原子）を除いてなる基が好ましい。また、本発明の別の実施形態において、式［１−２］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基としては、式［１−２］においてＡｒ1部分が式(AA-1)〜式(AA-36)で表される１価の複素環基である化合物から１個の水素原子（好ましくは＊の位置の水素原子）を除いてなる基が好ましい。
【０１３３】
ＲA及びＲBは、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子であることがより好ましい。ＲA及びＲBのうち、どちらか一方は水素原子であることが好ましい。
【０１３４】
前記構成単位（１−２）は、高分子化合物Ａがより合成しやすくなるので、前記式（２−２）で表される構成単位、前記式（３−２）で表される構成単位又は前記式（４−２）で表される構成単位であることが好ましく、前記式（２−２）で表される構成単位又は前記式（３−２）で表される構成単位であることがより好ましく、前記式（２−２）で表される構成単位であることが更に好ましい。
【０１３５】
構成単位（１−２）は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ａに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１３６】
構成単位（１−２）は、高分子化合物Ａ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１３７】
［式（２−２）で表される構成単位］
ｎ１、ｎＡ１、Ｘ、ＡｒA、ＡｒB、ＡｒC及びＲ1は、前記と同じ意味を表す。
【０１３８】
ＲC及びＲDは、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子であることがより好ましい。ＲA及びＲBのうち、どちらか一方は水素原子であることが好ましい。
【０１３９】
式(２−２)で表される構成単位は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ａに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１４０】
式(２−２)で表される構成単位は、高分子化合物Ａ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１４１】
前記式（２−２）で表される構成単位は、式（２−２−１）〜式（２−２−１２）で表される構成単位であることが好ましい。式（２−２−１）〜式（２−２−１２）で表される構成単位は、置換基を有していてもよい。
【０１４２】
2020094176.tif 000039
［式中、ＡｒB、ＡｒC、Ｒ1及びＲ3は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４３】
［式（３−２）で表される構成単位］
ｎ２、ｎＡ２、Ｙ、ＡｒE、Ｒ2又はＡｒDは、前記と同じ意味を表す。
【０１４４】
ＲE及びＲFは、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子であることがより好ましい。ＲE及びＲFのうち、どちらか一方は水素原子であることが好ましい。
【０１４５】
式(３−２)で表される構成単位は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ａに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１４６】
式(３−２)で表される構成単位は、高分子化合物Ａ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１４７】
前記式（３−２）で表される構成単位は、式（３−２−１）〜式（３−２−１６）で表される構成単位であることが好ましい。式（３−２−１）〜式（３−２−１６）で表される構成単位は、置換基を有していてもよい。
【０１４８】
2020094176.tif 000040
［式中、ＡｒE、Ｒ2及びＲ3は、前記と同じ意味を表す。］
【０１４９】
［式（４−２）で表される構成単位］
ｎ３、Ｚ又はＡｒFは、前記と同じ意味を表す。
【０１５０】
ＲG及びＲHは、水素原子、アルキル基又はアリール基が好ましく、水素原子であることがより好ましい。ＲG及びＲHのうち、どちらか一方は水素原子であることが好ましい。
【０１５１】
式（４−２）で表される構成単位は、高分子化合物Ａの架橋性が優れるので、高分子化合物Ａに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５〜５０モル％であり、より好ましくは３〜３０モル％であり、更に好ましくは５〜２５モル％である。
【０１５２】
式（４−２）で表される構成単位は、高分子化合物Ａ中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１５３】
前記式（４−２）で表される構成単位は、式（４−２−１）で表される構成単位であることが好ましい。式（４−２−１）で表される構成単位は、置換基を有していてもよい。
【０１５４】
2020094176.tif 000041
【０１５５】
式［１−１］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−１）としては、前記式（２−１）、式（３−１）及び式（４−１）で表される構成単位以外には、下記の構成単位等が挙げられる。
【０１５６】
2020094176.tif 000042
【０１５７】
式［１−２］で表される化合物からＡｒ1上に存在する１個以上の水素原子を除いてなる基を有する構成単位（１−２）としては、前記式（２−２）、式（３−２）及び式（４−２）で表される構成単位以外には、下記の構成単位等が挙げられる。
【０１５８】
2020094176.tif 000043
【０１５９】
［式（Ｘ）で表される構成単位］
本発明の高分子化合物は、前記式（Ｘ）で表される構成単位をさらに含んでもよい。なお、式（Ｘ）で表される構成単位は、前記式（２−１）又は（２−２）で表される構成単位とは異なる。
【０１６０】
ａ1は、高分子化合物Ａを用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは０又は１である。
【０１６１】
ａ2は、高分子化合物Ａを用いた発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下の整数であり、より好ましくは０である。
【０１６２】
ＲX1、ＲX2及びＲX3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６３】
ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1')又は式(A-9')で表される基であり、更に好ましくは式(A-1')で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６４】
ＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1')、式(AA-2')又は式(AA-7')〜式(AA-26')で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６５】
ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基又は２価の複素環基が置換基を有する場合、当該置換基はホルミル基ではない。ＡｒX2及び／又はＡｒX3が置換基を有するアリーレン基又は置換基を有する２価の複素環基である場合、当該置換基はホルミル基ではない。ＲX1、ＲX2及びＲX3が置換基を有するアリール基又は１価の複素環基である場合、当該置換基はホルミル基ではない。
【０１６６】
ＡｒX1及びＡｒX3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０１６７】
ＡｒX2及びＡｒX4で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1')、式(A-6')、式(A-7')、式(A-9')〜式(A-11')又は式(A-19')で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６８】
ＡｒX2及びＡｒX4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
【０１６９】
ＡｒX2及びＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同じである。
【０１７０】
ＡｒX2及びＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【０１７１】
2020094176.tif 000044
【０１７２】
2020094176.tif 000045
［式中、ＲXXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１７３】
ＲXXは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１７４】
ＡｒX2及びＡｒX4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０１７５】
ＡｒX1〜ＡｒX4及びＲX1〜ＲX3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１７６】
式(Ｘ)で表される構成単位としては、好ましくは式(X-1)〜(X-17)で表される構成単位である。
【０１７７】
2020094176.tif 000046
【０１７８】
2020094176.tif 000047
【０１７９】
2020094176.tif 000048
【０１８０】
2020094176.tif 000049
【０１８１】
2020094176.tif 000050
［式中、ＲX4及びＲX5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲX4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲX5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲX5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１８２】
式(Ｘ)で表される構成単位の含有量は、正孔輸送性がより優れるので、高分子化合物Ａ，高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１〜５０モル％であり、より好ましくは１〜５０モル％であり、更に好ましくは５〜５０モル％である。
【０１８３】
本発明の高分子化合物において、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０１８４】
高分子化合物Ａとしては、例えば、高分子化合物Ｐ−３、Ｐ−４及びＰ−６が挙げられる。また、高分子化合物Ｂ又は高分子化合物Ｃとしては、例えば、Ｐ−１、Ｐ−２及びＰ−５が挙げられる。ここで、「その他」とは、前記式（２−１）、式（２−２）、式（３−１）、式（３−２）、式（４−１）、式（４−２）及び式（Ｘ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０１８５】
【表１】
2020094176.tif 000051
【０１８６】
［表中、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ及びｖは、各構成単位のモル比率を表す。ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝100であり、かつ、10≦ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ≦100である。］
本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性や輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、主鎖と共役結合している基が好ましく、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
【０１８７】
本発明の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
【０１８８】
＜分別沈殿法＞
本実施形態では、操作が簡便になるので、良溶媒と貧溶媒の種類及び／又は量比を変化させることによる分別沈殿法が好ましく、良溶媒と貧溶媒の量比を変化させることによる分別沈殿法がより好ましい。分別沈殿法において、高分子化合物Ｂ、高分子化合物Ｂの良溶媒及び高分子化合物Ｂの貧溶媒を用いる場合、高分子化合物Ｂ及び高分子化合物Ｂの良溶媒からなる溶液に対して高分子化合物Ｂの貧溶媒を加えても、高分子化合物Ｂの貧溶媒に対して高分子化合物Ｂ及び高分子化合物Ｂの良溶媒からなる溶液を加えてもよい。
【０１８９】
＜高分子化合物Ｂの良溶媒＞
高分子化合物Ｂの良溶媒は、種々の溶媒の中から選択することができるが、本明細書において、高分子化合物Ｂの溶解度（20℃）が1g／100g以上の溶媒と定義する。また、高分子化合物Ｂの良溶媒は、高分子化合物Ｂの溶解度（20℃）が2g／100g以上の溶媒であることが好ましい。
【０１９０】
高分子化合物Ｂの良溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよく、また、水を含有していてもよい。これらのうち、芳香族炭化水素溶媒及びエーテル溶媒が好ましく、芳香族炭化水素溶媒がより好ましい。ここで、芳香族炭化水素溶媒及びエーテル溶媒の定義を述べる。芳香族炭化水素溶媒とは、芳香族炭化水素環を構造の一部に含みつつ、２０℃以上で液状の化合物を意味する。エーテル溶媒とは、２個の炭素原子で置換された２価の酸素原子を含む溶媒であり、２０℃以上で液状の化合物を意味する。エーテル及び芳香族炭化水素環を同時に含む場合は、芳香族炭化水素溶媒に分類する。
【０１９１】
高分子化合物Ｂの良溶媒が芳香族炭化水素溶媒の場合、炭素原子数は、好ましくは６〜２２であり、より好ましくは７〜１８である。芳香族炭化水素溶媒としては、好ましくはベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、キシレン、テトラリン、安息香酸メチル、ジフェニルエーテル、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール、エチルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ヘキシルフェニルエーテル及びメシチレンであり、より好ましくはトルエン、エチルベンゼン、キシレン、テトラリン、アニソール、メチルアニソール及びメシチレンであり、更に好ましくはトルエン、キシレン及びメシチレンである。これらの芳香族炭化水素溶媒は置換基を有していてもよく、当該置換基は直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。具体的な有していてもよい置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基及び4-フェニルフェニル基などが挙げられる。芳香族炭化水素溶媒が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜３個である。
【０１９２】
高分子化合物Ｂの良溶媒がエーテル溶媒の場合、直鎖状、分岐状及び環状のエーテル溶媒のいずれであってもよいが、好ましくは環状のエーテル溶媒である。エーテル溶媒の炭素原子数は、好ましくは４〜１２であり、より好ましくは４〜８である。エーテル溶媒としては、好ましくはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ブチルメチルエーテル、メチルテトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルペンチルエーテル、メチルヘキシルエーテル、であり、より好ましくはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ブチルメチルエーテル、メチルテトラヒドロフラン、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、メチルペンチルエーテル及びメチルヘキシルエーテルであり、更に好ましくはテトラヒドロフラン、ブチルメチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル及びメチルペンチルエーテルである。これらのエーテル溶媒は置換基を有していてもよく、当該置換基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。具体的な有していてもよい置換基としては、高分子化合物Ｂの良溶媒が芳香族炭化水素溶媒の例示と同様である。エーテル溶媒が置換基を有する場合、置換基の数は、例えば、１〜２個である。
【０１９３】
高分子化合物Ｂの良溶媒は、高分子化合物Ｂの合計量１重量部に対して、通常、４〜９９重量部が好ましく、より好ましくは９〜９９重量部である。
【０１９４】
＜高分子化合物Ｂの貧溶媒＞
高分子化合物Ｂの貧溶媒は、種々の溶媒の中から選択することができるが、本明細書において、高分子化合物Ｂの溶解度（20℃）が1g／100g未満の溶媒と定義する。また、高分子化合物Ｂの貧溶媒は、高分子化合物Ｂに含まれる重合度が小さい低分子量の化合物を溶解し得るものであることが好ましい。なお、高分子化合物Ｂの溶解度（20℃）は0.5g／100g未満の溶媒であることが好ましく、0.3g／100g未満の溶媒であることがより好ましい。
【０１９５】
高分子化合物Ｂの貧溶媒は、高分子化合物Ｂに対して貧溶媒となるものを選択して使用することができる。高分子化合物Ｂの貧溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよく、また、水を含有していてもよい。高分子化合物Ｂの貧溶媒としては、例えば、アミド溶媒、アルコール溶媒、ケトン溶媒、脂肪族炭化水素溶媒、エステル溶媒、及びニトリル溶媒が挙げられ、アルコール溶媒が好ましい。アミド溶媒としては、例えば、N-メチル-2-ピロリドン等が挙げられる。アルコール溶媒としては、炭素原子数が１〜６のアルコール溶媒が好ましく、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコールがより好ましい。ケトン溶媒としては、炭素原子数が３〜６のケトン溶媒が好ましく、アセトン、メチルエチルケトンがより好ましい。エステル溶媒としては、炭素原子数が３〜６のエステル溶媒が好ましく、酢酸メチル、酢酸エチルがより好ましい。以上挙げた中でも、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アセトン、酢酸エチルが好ましく、メタノールがより好ましい。
【０１９６】
高分子化合物Ｂの貧溶媒の使用量は、高分子化合物Ｂと高分子化合物Ｂの良溶媒からなる溶液１００重量部に対し、２５重量部以上が好ましく、３０重量部以上がより好ましい。また、１５０重量部以下が好ましく、１００重量部以下がより好ましく、５０重量部以下がさらに好ましい。また、高分子化合物Ｂ、高分子化合物Ｂの良溶媒及び高分子化合物Ｂの貧溶媒を用いる場合、高分子化合物Ｂと高分子化合物Ｂの良溶媒のみからなる溶液を調製した後に、高分子化合物Ｂの貧溶媒を加えてもよく、高分子化合物Ｂの貧溶媒に対して、高分子化合物Ｂと高分子化合物Ｂの良溶媒のみからなる溶液を加えてもよい。液−液相分離しない程度の量の貧溶媒を高分子化合物Ｂと高分子化合物Ｂの良溶媒からなる溶液に事前に加えてもよい。
【０１９７】
高分子化合物Ｂと高分子化合物Ｂの良溶媒からなる溶液に貧溶媒を添加する時の溶液の温度、又は、貧溶媒に高分子化合物Ｂと高分子化合物Ｂの良溶媒からなる溶液を添加する時の溶液の温度は、−３０℃以上が好ましく、０℃以上がより好ましく、１０℃以上がさらに好ましい。また、６０℃以下が好ましく、４０℃以下がより好ましく、３０℃以下がさらに好ましい。
【０１９８】
高分子量成分を多く含んだ相、及び、低分子量成分を多く含んだ相、に液−液相分離させるための静置時間は、通常、１０分以上であり、好ましくは１時間〜４８時間であり、より好ましくは１時間〜２４時間である。分離させるための静置温度は、−３０℃以上が好ましく、０℃以上がより好ましく、１０℃以上がさらに好ましい。また、６０℃以下が好ましく、４０℃以下がより好ましい。
【０１９９】
高分子量成分を多く含んだ相、及び、低分子量成分を多く含んだ相、に液−液相分離させることが肝要である。ここで固体が析出してしまうと、分散度の小さい高分子化合物Cを得ることができない。従って、分別沈殿法は、高分子化合物Ｂが溶解した溶液と貧溶媒とを混合して固体を析出させる工程とは全く異なるものである。この液−液相分離する操作は、高分子化合物Ｂの特性に応じて、高分子化合物Ｂの良溶媒や貧溶媒の種類や使用量を適宜調整して実施することができる。
【０２００】
液−液相分離した全ての層において、各層に含まれる全溶媒は実質的に有機溶媒である。ここで、「実質的に」とは、各層に含まれる全溶媒中、例えば、８０重量％以上、さらに９０重量％以上、特に９５重量％以上が有機溶媒であることを意味する。
【０２０１】
上記操作にて分離した各相を分別し、高分子量成分を多く含んだ相を含む層を取得する。一般に、分離した各相のうち、高分子量成分を多く含んだ相は下層に、低分子量成分を多く含んだ相は上層に分離する傾向がある。そのため、通常、下層を分取することで、所望の高分子化合物Ｃを取得することができる。また、必要に応じ、上記の分別操作を繰り返して実施することができる。これにより、分散度のより小さい高分子化合物Ｃを取得することができる。
【０２０２】
分別により得られる高分子化合物Ｃは、基本的に、高分子化合物Ｂと同じく、構成単位（１−１）を含有する化合物である。しかし、高分子化合物Ｃは、低分子量成分を分別により除去しているため、高分子化合物Ｂに比べて、数平均分子量及び重量平均分子量がより大きく、且つ、分散度が飛躍的に小さくなっている。
【０２０３】
高分子化合物Ｃのポリスチレン換算の重量平均分子量（Mw）は、通常、7×104〜6×106であり、好ましくは7×104〜5×105であり、より好ましくは1×105〜4×105である。高分子化合物Ｃの分散度は、通常、1.1〜3.0であり、好ましくは1.3〜2.5であり、より好ましくは1.4〜2.2である。高分子化合物Ｃ（及び高分子化合物Ａ）のポリスチレン換算の数平均分子量は、特に限定されないが、１×104〜１×108の範囲にあることが好ましい。
【０２０４】
＜第２の工程＞
第２の工程は、構成単位（１−１）を構成単位（１−２）に変換することができる方法であれば特に限定されず、例えば、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応、Ｐｅｔｅｒｓｏｎ反応、Ｊｏｈｎｓｏｎ反応、Ｊｕｌｉａ反応、Ｔｅｂｂｅ試薬を用いた反応またはＰｅｔａｓｉｓ試薬を用いた反応から選ばれる群のうち、少なくとも一つの反応を含む。好ましくは、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応またはＰｅｔｅｒｓｏｎ反応であり、より好ましくはＷｉｔｔｉｇ反応またはＰｅｔｅｒｓｏｎ反応であり、更に好ましくはＷｉｔｔｉｇ反応である。
【０２０５】
本工程は、例えば、適当な溶媒中で、任意選択で触媒を用いて、構成単位（１−１）と、基ＲA及び基ＲBを有する化合物（例えば、リンイリド化合物等）とを反応させることにより、行うことができる。当該実施形態において、高分子化合物Ｃと基ＲA及び基ＲBを有する化合物との配合比は特に限定されないが、例えば、構成単位（１−１）１モルに対し、基ＲA及び基ＲBを有する化合物を１〜１００モル、好ましくは１．２〜４０モルの範囲で適宜設定できる。
【０２０６】
本工程で使用しうる溶媒としては、例えば、特に限定されないが、例えば、前記芳香族炭化水素溶媒、前記エーテル溶媒、ハロゲン含有溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。ハロゲン含有溶媒としては、例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等が挙げられる。
【０２０７】
本工程の反応温度は特に限定されないが、例えば、０〜１００℃、好ましくは０〜８０℃の範囲で適宜設定できる。また本工程の反応時間も特に限定されないが、例えば、２〜１００時間、好ましくは３〜２４時間の範囲で適宜設定できる。
【０２０８】
＜吸着剤を用いた精製＞
吸着剤を用いて高分子化合物Ａを精製する場合、吸着剤としては公知のものを使用できる。吸着剤としては、例えばシリカゲル、珪藻土、アルミナ等が挙げられる。これらの吸着剤を用いた精製を組み合わせてもよい（例えば、アルミナを用いた精製とシリカゲルを用いた精製との組合せ、アルミナを用いた精製と珪藻土を用いた精製との組合せ）。吸着剤を用いた高分子化合物Ａの精製は、高分子化合物Ａ及び有機溶媒を含む溶液と吸着剤とを接触させることによって行うことができる。
【０２０９】
前記吸着剤による精製を行う場合、高分子化合物Ａ及び有機溶媒を含む溶液と吸着剤とを接触させる工程の前後に、その他の工程を有していてもよい。
【０２１０】
その他の工程としては、該高分子化合物Ａ、該吸着剤及び有機溶媒を含む混合液から、前記吸着剤及び／又は有機溶媒を除去する工程が挙げられる。
【０２１１】
吸着剤及び／又は有機溶媒を除去する工程には、公知の方法を適宜、用いることができる。公知の方法としては例えば、晶析法、溶媒を減圧下で取り除く方法、溶媒を加熱下で留去する方法が挙げられる。晶析法により得られた固体をさらに加熱し、減圧下で乾燥させ、固体として取り出す方法が好ましい。
【０２１２】
当該晶析法は、通常、高分子化合物Ａ及びその良溶媒を含む溶液に貧溶媒を接触させることにより実施することができる。例えば、高分子化合物Ａ及びその良溶媒を含む溶液に貧溶媒を添加して撹拌する方法、貧溶媒に高分子化合物Ａ及びその良溶媒を含む溶液を添加して撹拌する方法が挙げられる。高分子化合物Ａの良溶媒及び高分子化合物Ａの貧溶媒としては、高分子化合物Ｂの良溶媒及び高分子化合物Ｂの貧溶媒として前述したものを用いることができる。
【０２１３】
＜発光素子＞
高分子化合物Ａを用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス等の発光素子（以下、「本発明の発光素子」とも言う。）には、例えば、高分子化合物Ａを含む発光素子、高分子化合物Ａが分子内、分子間、又は、それらの両方で架橋した発光素子がある。
【０２１４】
本発明の発光素子の構成としては、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた高分子化合物Ａを用いて得られる層とを有する。
【０２１５】
［層構成］
高分子化合物Ａを用いて得られる層は、通常、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層の１種以上の層であり、好ましくは、正孔輸送層、正孔注入層等である。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を含む。これらの層は、各々、発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料を、上述した溶媒に溶解させ、インクを調製して用い、上述した膜の作製と同じ方法を用いて形成することができる。
【０２１６】
発光素子は、陽極と陰極の間に発光層を有する。本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましく、電子注入性及び電子輸送性の観点からは、陰極と発光層の間に、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
【０２１７】
正孔輸送層、電子輸送層、発光層、正孔注入層、及び、電子注入層の材料としては、高分子化合物Ａの他、各々、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、正孔注入材料、及び、電子注入材料が挙げられる。また、高分子化合物Ａは、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料を更に含有する組成物より、層を形成してもよい。
【０２１８】
正孔輸送層の材料、電子輸送層の材料、及び、発光層の材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層、及び、発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
【０２１９】
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
【０２２０】
積層する層の順番、数、及び、厚さは、発光効率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。
【０２２１】
［基板/電極］
発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０２２２】
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。
【０２２３】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
【０２２４】
陽極及び陰極は、各々、２層以上の積層構造としてもよい。
【０２２５】
本発明の発光素子は、例えば、陽極層、有機層及び陰極層を積層する工程を含む方法であって、前記高分子化合物Ａを含む原料を熱硬化させて前記有機層の少なくとも一層を形成する工程を含む、方法により製造することができる。また、本発明における発光素子の製造方法は、前述の方法により高分子化合物Ａを製造する工程をさらに含んでいてもよい。
【０２２６】
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、及び、表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２２７】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０２２８】
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動相にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。
【０２２９】
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。
【０２３０】
＜合成例１＞  化合物ＭＭ１〜ＭＭ３の合成
化合物ＭＭ１は、特開２０１１−１７４０６２号公報記載の方法に従い合成した。
化合物ＭＭ２は、特表２００２−５３９２９２号公報記載の方法に従い合成した。
化合物ＭＭ３は、特開２０１２−５１９２１４号公報記載の方法に従い合成した。
2020094176.tif 000052
【０２３１】
＜合成例２＞  高分子化合物１の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１(１１．３ｇ)、化合物ＭＭ２(４．７ｇ)、化合物ＭＭ３(１．１０ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(１１ｍｇ)及びトルエン(１６０ｍＬ)を加え、85℃に加熱した。反応液に、20重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(１２０ｍＬ)を滴下し、２．５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(０．６２ｇ)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(１１ｍｇ)を加え、４時間還流させた。その後、得られた反応液を冷却後、トルエン（１００ｍＬ）を加えて、水で洗浄し、得られた溶液をメタノール（１８００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１を８．５ｇ得た。高分子化合物１のＭｎは４．９５×１０4であり、Ｍｗは１．７１×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．４５であった。
【０２３２】
高分子化合物１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ３から誘導される構成単位とが、50：40：10のモル比で構成されてなる共重合体である。
【０２３３】
＜実施例１＞
（高分子化合物１の高分子量成分からなる高分子化合物１−２の取得：第１の工程）
高分子化合物１（４．２０ｇ）を１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物１のトルエン溶液１００重量部を調製し、そこにメタノール３２重量部を室温（約２０℃）で滴下した。得られた溶液を撹拌した後、室温で２時間静置し二層に分離し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が大きい下層を分別し、トルエン（２００ｍＬ）で希釈した。得られた溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１−２を３．６４ｇ得た。高分子化合物１−２は、Ｍｎは９．９６×１０4であり、Ｍｗは１．９３×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９４であった。
（高分子化合物１−３の合成：第２の工程）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、メチルトリフェニルホスホニウム臭化物（１０．９g）、トルエン（１６０ｍＬ）を加え、得られた懸濁液にカリウム tert-ブトキシド（３．４１ｇ）加えた。得られた溶液を３時間室温で撹拌後、高分子化合物１−２（３．６４ｇ）を加え、更に室温で７時間攪拌した。得られた混合液を、水で３回洗浄し、得られた溶液をメタノール（６１０ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１−３を３．４９ｇ得た。高分子化合物１（４．２０ｇ）から高分子化合物１−３を得たときの収率は、８３％であった。高分子化合物１−３は、Ｍｎは９．７７×１０4であり、Ｍｗは１．９１×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９５であった。
（高分子化合物１−４の合成）
高分子化合物１−３（３．４９ｇ）を１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物１−３のトルエン溶液１００重量部を調製し、アルミナに通液させた。通液させて得たトルエン溶液をメタノール（２０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１−４を２．６６ｇ得た。高分子化合物１（４．２０ｇ）から高分子化合物１−４を得たときの収率は、６３％であった。高分子化合物１−４は、Ｍｎは９．８１×１０4であり、Ｍｗは１．９４×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９７であった。
【０２３４】
2020094176.tif 000053
【０２３５】
＜比較例１＞
（高分子化合物２−２の合成：第２の工程）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、メチルトリフェニルホスホニウム臭化物（２０．２g）、トルエン（３００ｍＬ）を加え、得られた懸濁液にカリウム tert-ブトキシド（６．３５ｇ）加えた。３時間室温で撹拌後、高分子化合物１（４．２０ｇ）を加え、更に室温で７時間攪拌した。得られた混合液を、水で３回洗浄し、得られた溶液をメタノール（１２００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物２−２を３．９６ｇ得た。高分子化合物１（４．２０ｇ）から高分子化合物２−２を得たときの収率は、９４％であった。高分子化合物２−２は、Ｍｎは５．５７×１０4であり、Ｍｗは１．７６×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．１６であった。
【０２３６】
2020094176.tif 000054
【０２３７】
（高分子化合物２−２の高分子量成分からなる高分子化合物２−３の取得：第１の工程）  高分子化合物２−２（３．９６ｇ）１重量部に対して９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物２−２のトルエン溶液１００重量部を調製し、そこにメタノール３０重量部を室温で滴下した。得られた溶液を撹拌した後、室温で２時間静置し二層に分離し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が大きい下層を分別し、トルエン（２００ｍＬ）で希釈した。得られた溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物２−３を３．１２ｇ得た。高分子化合物１（４．２０ｇ）から高分子化合物２−３を得たときの収率は、７４％であった。高分子化合物２−３は、Ｍｎは９．７５×１０4であり、Ｍｗは１．９１×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９６であった。
（高分子化合物２−４の合成）
高分子化合物２−３（３．１２ｇ）を１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物２−３のトルエン溶液１００重量部を調製し、アルミナに通液させた。通液させて得たトルエン溶液をメタノール（１４００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物２−４を２．３４ｇ得た。高分子化合物１（４．２０ｇ）から高分子化合物２−４を得たときの収率は、５６％であった。高分子化合物２−４は、Ｍｎは９．７５×１０4であり、Ｍｗは１．９４×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９８であった。
【０２３８】
＜合成例３＞  化合物ＭＭ４〜ＭＭ７の合成
化合物ＭＭ４は、国際公開第２０１６／０３１６３９号記載の方法に従い合成した。
化合物ＭＭ５は、特開２０１１−１７４０６２号公報記載の方法に従い合成した。
化合物ＭＭ６は、特開２００４−１４３４１９号公報記載の方法に従い合成した。
化合物ＭＭ７は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社より購入した。
【０２３９】
2020094176.tif 000055
【０２４０】
＜合成例４＞  高分子化合物３の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ４(８．６ｇ)、化合物ＭＭ５(５．３ｇ)、化合物ＭＭ６(１．６ｇ)、化合物ＭＭ３(０．９４ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(９．６ｍｇ)及びトルエン(１５０ｍＬ)を加え、85℃に加熱した。反応液に、20重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(１２０ｍＬ)を滴下し、３．５時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(０．５４ｇ)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(９．６ｍｇ)を加え、４時間還流させた。その後、得られた反応液を冷却後、トルエン（１００ｍＬ）を加えて、水で洗浄し、得られた溶液をメタノール（２０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物３を９．６ｇ得た。高分子化合物３のＭｎは２．７１×１０4であり、Ｍｗは８．３１×１０4であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．０７であった。
【０２４１】
高分子化合物３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ４から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ５から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ６から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ３から誘導される構成単位とが、50：30：10：10のモル比で構成されてなる共重合体である。
【０２４２】
＜実施例２＞
（高分子化合物３の高分子量成分からなる高分子化合物３−２の取得：第１の工程）
合成例４で得られた高分子化合物３（４．８０ｇ）を１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物３のトルエン溶液１００重量部を調製し、そこにメタノール４０重量部を室温（約２０℃）で滴下した。得られた溶液を撹拌した後、室温で３時間静置し二層に分離し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が大きい下層を分別し、トルエン（２００ｍＬ）で希釈した。得られた溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物３−２を４．１６ｇ得た。高分子化合物３−２は、Ｍｎは５．５７×１０4であり、Ｍｗは１．０１×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．８１であった。
（高分子化合物３−３の合成：第２の工程）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、メチルトリフェニルホスホニウム臭化物（１０．８g）、トルエン（１０８ｍＬ）を加え、得られた懸濁液にカリウム tert-ブトキシド（３．３８ｇ）加えた。得られた溶液を２．５時間室温で撹拌後、高分子化合物３−２（４．１６ｇ）を加え、更に室温で７時間攪拌した。得られた混合液を、水で３回洗浄し、得られた溶液をメタノール（６９０ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物３−３を３．９１ｇ得た。高分子化合物３（４．８０ｇ）から高分子化合物３−３を得たときの収率は、８１％であった。高分子化合物３−３は、Ｍｎは５．５１×１０4であり、Ｍｗは９．８８×１０4であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．７９であった。
【０２４３】
2020094176.tif 000056
【０２４４】
（高分子化合物３−４の合成）
高分子化合物３−３（３．９１ｇ）１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物３−３のトルエン溶液１００重量部を調製し、これをアルミナ及びシリカゲルの混合物に通液させた。通液させて得たトルエン溶液をメタノール（２０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物３−４を３．３０ｇ得た。高分子化合物３（４．８０ｇ）から高分子化合物３−４を得たときの収率は、６９％であった。高分子化合物３−４は、Ｍｎは５．１０×１０4であり、Ｍｗは９．３９×１０4であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．８４であった。
【０２４５】
＜比較例２＞
（高分子化合物４−２の合成：第２の工程）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、メチルトリフェニルホスホニウム臭化物（１２．４g）、トルエン（１２４ｍＬ）を加え、得られた懸濁液にカリウム tert-ブトキシド（３．９０ｇ）加えた。２．５時間室温で撹拌後、合成例４で得られた高分子化合物３（４．８０ｇ）を加え、更に室温で７時間攪拌した。得られた混合液を、水で３回洗浄し、得られた溶液をメタノール（８００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物４−２を４．４９ｇ得た。高分子化合物３（４．８０ｇ）から高分子化合物４−２を得たときの収率は、９４％であった。高分子化合物４−２は、Ｍｎは２．６８×１０4であり、Ｍｗは８．１０×１０4であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．０３であった。
【０２４６】
2020094176.tif 000057
【０２４７】
（高分子化合物４−２の高分子量成分からなる高分子化合物４−３の取得：第１の工程）  高分子化合物４−２（４．４９ｇ）１重量部に対して９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物４−２のトルエン溶液１００重量部を調製し、そこにメタノール３６重量部を室温で滴下した。得られた溶液を撹拌した後、室温で２時間静置し二層に分離し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が大きい下層を分別し、トルエン（２００ｍＬ）で希釈した。得られた溶液をメタノール（２０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物４−３を３．３８ｇ得た。高分子化合物３（４．８０ｇ）から高分子化合物４−３を得たときの収率は、７０％であった。高分子化合物４−３は、Ｍｎは５．４７×１０4であり、Ｍｗは１．０２×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．８６であった。
【０２４８】
（高分子化合物４−４の合成）
高分子化合物４−３（３．３９ｇ）１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物４−３のトルエン溶液１００重量部を調製し、これをアルミナ及びシリカゲルの混合物に通液させた。通液させて得たトルエン溶液をメタノール（２０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物４−４を２．９１ｇ得た。高分子化合物３（４．８０ｇ）から高分子化合物４−４を得たときの収率は、６１％であった。高分子化合物４−４は、Ｍｎは４．９９×１０4であり、Ｍｗは９．７０×１０4であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９４であった。
【０２４９】
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【０２５０】
＜合成例５＞  高分子化合物５の合成
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１(１０．９ｇ)、化合物ＭＭ２(３．４ｇ)、化合物ＭＭ６(１．８ｇ)、化合物ＭＭ７(０．６５ｇ)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(１１ｍｇ)及びトルエン(１４０ｍＬ)を加え、85℃に加熱した。反応液に、20重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液(１２０ｍＬ)を滴下し、２時間還流させた。反応後、そこに、フェニルボロン酸(０．６２ｇ)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(１１ｍｇ)を加え、６時間還流させた。その後、得られた反応液を冷却後、トルエン（１００ｍＬ）を加えて、水で洗浄し、得られた溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物５を１０．３ｇ得た。高分子化合物５のＭｎは３．２６×１０4であり、Ｍｗは１．０２×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．１３であった。
【０２５１】
高分子化合物５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＭＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ６から誘導される構成単位と、化合物ＭＭ７から誘導される構成単位とが、50：30：10：10のモル比で構成されてなる共重合体である。
【０２５２】
＜実施例３＞
（高分子化合物５の高分子量成分からなる高分子化合物５−２の取得：第１の工程）
高分子化合物５（５．１０ｇ）を１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物５のトルエン溶液１００重量部を調製し、そこにメタノール３２重量部を室温（約２０℃）で滴下した。得られた溶液を撹拌した後、室温で６時間静置し二層に分離し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が大きい下層を分別し、トルエン（２００ｍＬ）で希釈した。得られた溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物５−２を３．４５ｇ得た。高分子化合物５−２は、Ｍｎは６．２１×１０4であり、Ｍｗは１．２４×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．０３であった。
（高分子化合物５−３の合成：第２の工程）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、メチルトリフェニルホスホニウム臭化物（１０．２g）、トルエン（１０２ｍＬ）を加え、得られた懸濁液にカリウム tert-ブトキシド（３．１９ｇ）加えた。得られた溶液を２．５時間室温で撹拌後、高分子化合物５−２（３．４５ｇ）を加え、更に室温で７時間攪拌した。得られた混合液を、水で３回洗浄し、得られた溶液をメタノール（６５０ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物５−３を２．９５ｇ得た。高分子化合物５（５．１０ｇ）から高分子化合物５−３を得たときの収率は、５８％であった。高分子化合物５−３は、Ｍｎは６．１０×１０4であり、Ｍｗは１．２６×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．０７であった。
【０２５３】
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【０２５４】
（高分子化合物５−４の合成）
高分子化合物５−３（２．９５ｇ）１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物５−３のトルエン溶液１００重量部を調製し、これをアルミナと珪藻土との積層体に通液させた。通液させて得たトルエン溶液をメタノール（２０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物５−４を２．４０ｇ得た。高分子化合物５（５．１０ｇ）から高分子化合物５−４を得たときの収率は、４７％であった。高分子化合物５−４は、Ｍｎは６．３０×１０4であり、Ｍｗは１．２５×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．９８であった。
【０２５５】
＜比較例３＞
（高分子化合物６−２の合成：第２の工程）
反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、メチルトリフェニルホスホニウム臭化物（１５．１g）、トルエン（１５１ｍＬ）を加え、得られた懸濁液にカリウム tert-ブトキシド（４．７４ｇ）加えた。２．５時間室温で撹拌後、高分子化合物５（５．１０ｇ）を加え、更に室温で７時間攪拌した。得られた混合液を、水で３回洗浄し、得られた溶液をメタノール（１０００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物６−２を４．４４ｇ得た。高分子化合物５（５．１０ｇ）から高分子化合物６−２を得たときの収率は、８７％であった。高分子化合物６−２は、Ｍｎは２．３３×１０4であり、Ｍｗは８．４８×１０4であり、Ｍｗ／Ｍｎは３．６４であった。
【０２５６】
2020094176.tif 000060
【０２５７】
（高分子化合物６−２の高分子量成分からなる高分子化合物６−３の取得：第１の工程）  高分子化合物６−２（４．４９ｇ）１重量部に対して９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物６−２のトルエン溶液１００重量部を調製し、そこにメタノール３３重量部を室温で滴下した。得られた溶液を撹拌した後、室温で１３時間静置し二層に分離し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が大きい下層を分別し、トルエン（２００ｍＬ）で希釈した。得られた溶液をメタノール（１５００ｍＬ）に滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物６−３を２．６９ｇ得た。高分子化合物５（５．１０ｇ）から高分子化合物６−３を得たときの収率は、５３％であった。高分子化合物６−３は、Ｍｎは５．５０×１０4であり、Ｍｗは１．１８×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．１５であった。
【０２５８】
（高分子化合物６−４の合成）
高分子化合物６−３（２．６９ｇ）１重量部に対して、９９重量部のトルエンを用いて、高分子化合物６−３のトルエン溶液１００重量部を調製し、これをアルミナと珪藻土との積層体に通液させた。通液させて得たトルエン溶液をメタノール（１７００ｍＬ）に滴下し、撹拌した。その後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物６−４を２．２１ｇ得た。高分子化合物５（５．１０ｇ）から高分子化合物６−４を得たときの収率は、４３％であった。高分子化合物６−４は、Ｍｎは５．６３×１０4であり、Ｍｗは１．１７×１０5であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．０８であった。
【０２５９】
＜高分子化合物Ｅ１の合成＞
反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、２，７−ジブロモ−９，９−ジ（オクチル）フルオレン（９．０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）１，４−フェニレンジアミン（１．３ｇ）、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジ（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１３．４ｇ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（４３．０ｇ）、酢酸パラジウム（８ｍｇ）、トリ（２−メトキシフェニル）ホスフィン（０．０５ｇ）、及びトルエン（２００ｍＬ）を混合し、得られた混合物を、９０℃で８時間加熱攪拌した。次いで、フェニルボロン酸（０．２２ｇ）を添加し、得られた混合物を１４時間撹拌した。放冷後、水層を除去し、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液を添加し撹拌した後、水層を除去し、有機層を水、３重量％酢酸水で洗浄した。有機層をメタノールに注いで固体を沈殿させた後、濾取した固体を再度トルエンに溶解させ、シリカゲル及びアルミナの混合物に通液した。固体を含む溶出トルエン溶液を回収し、回収した前記トルエン溶液をメタノールに注いで固体を沈殿させた。沈殿した固体を５０℃で真空乾燥し、高分子化合物Ｅ１（１２．５ｇ）を得た。得られた高分子化合物Ｅ１のポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０5であった。
【０２６０】
＜実施例Ｄ１＞  発光素子Ｄ１の作製及び評価
［発光素子Ｄ１の作製］
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜した。大気雰囲気下、ホットプレート上で２４０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
【０２６１】
（正孔輸送層の形成Ｄ１）
キシレンに高分子化合物１−４を０．６重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
【０２６２】
（発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｅ１を１．０重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下、１５０℃、１０分間加熱させることにより発光層を形成した。
【０２６３】
（陰極の形成）
発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約３．５ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。
【０２６４】
［評価］
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2におけるＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）は（０．１４７，０．１１５）であった。
【０２６５】
＜実施例Ｄ２＞  発光素子Ｄ２の作製及び評価
［発光素子Ｄ２の作製］
実施例Ｄ１における（正孔輸送層の形成Ｄ１）を、下記（正孔輸送層の形成Ｄ２）に変更した以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。
【０２６６】
（正孔輸送層の形成Ｄ２）
キシレンに高分子化合物３−４を０．６重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
【０２６７】
［評価］
発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2におけるＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）は（０．１４８，０．１１２）であった。
【０２６８】
＜実施例Ｄ３＞  発光素子Ｄ３の作製及び評価
［発光素子Ｄ３の作製］
実施例Ｄ１における（正孔輸送層の形成Ｄ１）を、下記（正孔輸送層の形成Ｄ３）に変更した以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。
【０２６９】
（正孔輸送層の形成Ｄ３）
キシレンに高分子化合物５−４を０．６重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。
【０２７０】
［評価］
発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2におけるＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）は（０．１４８，０．１１４）であった。