(57)【要約】【課題】受け取り側基板上に配置された有用層（３１）を備えている基板を製造するための新規な方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板を製造するための方法に関し、下記のステップ：（ａ）第１の熱膨張係数を有し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ（１２）及び第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチ（１３）を一方の面に有する支持基板（１０）を用意するステップと、（ｂ）上記支持基板（１０）へドナー基板（３０）から有用層（３１）を移転させるステップであって、上記有用層（３１）が第２の熱膨張係数を有する、移転させるステップとを含む方法において、上記製造する方法は、中間層が上記支持基板（１０）の前面（１１）と上記有用層（３１）との間に挿入され、上記中間層（２０）が上記第１の熱膨張係数と上記第２の熱膨張係数との間に含まれる熱膨張係数を有することを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受け取り側基板上に配置された有用層（３１）を備えている基板を製造するための方法であって、
ａ．第１の熱膨張係数を示し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第１の方向とは平行でない第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチ（１３）を、前面（１１）と呼ばれる一方の面に有する支持基板（１０）を用意するフェーズと、
ｂ．前記支持基板（１０）上にドナー基板（３０）から有用層（３１）を移転させるフェーズであり、前記有用層（３１）が、前記第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有する、移転させるフェーズと、
を含む製造するための方法において、
中間層が前記支持基板（１０）の前記前面（１１）と前記有用層（３１）との間に挿入され、前記中間層（２０）が前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することを特徴とする、製造するための方法。
【請求項２】
前記有用層（３１）の移転のフェーズｂ．が、前記支持基板（１０）との前記ドナー基板（３０）の組み立て、及び前記有用層（３１）を形成するための前記ドナー基板（３０）の薄化を含む、請求項１に記載の製造するための方法。
【請求項３】
前記ドナー基板（３０）の前記薄化が、機械的薄化により行われる、請求項２に記載の製造するための方法。
【請求項４】
前記中間層（２０）が、前記有用層（３１）の移転のフェーズｂ．の前に、前記支持基板（１０）の上に又は前記ドナー基板（３０）の上に形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項５】
前記中間層（２０）が、ガラス材料を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項６】
前記中間層（２０）が、リスト：ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＵＳＧに含まれる材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載の製造するための方法。
【請求項７】
前記第１の複数のトレンチ（１２）の前記トレンチが、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項８】
前記第２の複数のトレンチ（１３）の前記トレンチが、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の複数のトレンチの前記トレンチが、１と１００μｍとの間の深さを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２の複数のトレンチ（１３）の前記トレンチが、１と１００μｍとの間の幅を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１１】
前記中間層（３１）が、リスト：ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３に含まれる材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１２】
前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との間の差が、５よりも大きく、好ましくは１０よりも大きい、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１３】
前記支持基板（１０）が、リスト：シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウムに含まれる材料のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１４】
ｃ．第１の熱膨張係数を有し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第１の方向とは平行でない第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチ（１３）を、前面（１１）と呼ばれる一方の面に含む支持基板（１０）と、
ｄ．前記第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有し、前記支持基板（１０）の上に配置された有用層（３１）と、
を備える基板において、
中間層が前記支持基板（１０）の前記前面（１１）と前記有用層（３１）との間に挿入され、前記中間層（２０）が前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との間に含まれる膨張係数を有することを特徴とする、基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する支持基板１及び第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有する有用層を備えている基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波フィルタ（Ｆ−ＳＡＷ）の製造は、圧電性材料、例えば図１に示したようなタンタル酸リチウムＬｉＴａＯ３の一方の側に形成され互いに組み合わせた金属櫛歯電極５を含むことができる。
【０００３】
櫛歯サイズ、又は櫛歯間隔などの、互いに組み合わせた金属櫛歯電極の幾何学的な特徴が、ＳＡＷフィルタの共鳴周波数及び品質係数を決定する。
【０００４】
この点で、当業者は、論文「ｒｅｃｅｎｔ  ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  ｏｆ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｍｅｎｓａｔｅｄ  ＳＡＷ  ｄｅｖｉｃｅｓ、Ｋｅｎ−ｙａ  Ｈａｓｈｉｍｏｔｏら、Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ（ＩＵＳ）、２０１１  ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ、ｐ．７９〜８６」を参照することができる。
【０００５】
通常の使用では、フィルタは、−４０℃〜８５℃の範囲を含む温度にさらされることがある。
【０００６】
しかしながら、タンタル酸リチウムなどの圧電材料は、これらの結晶学的方向のうちの少なくとも一方向に１４の程度の熱膨張係数を有する。
【０００７】
結果として、温度変動がＦ−ＳＡＷフィルタの幾何学的特性の変動を引き起こす。
【０００８】
この問題を克服するために、圧電材料の一方の側に補強材基板を配置することが可能である。
【０００９】
図２は、シリコン基板１、シリコン基板に形成したＬｉＴａＯ３の層３、及びＬｉＴａＯ３層の自由表面４上の互いに組み合わせた櫛歯金属電極５を備えている構造を示している。
【００１０】
シリコンの小さい熱膨張係数は、これが２．６＊１０−６／℃に等しく、ＬｉＴａＯ３層の膨張を制限し、結果としてＦ−ＳＡＷフィルタの共鳴周波数及び品質係数の変動を制限することを可能にする。この効果は、「熱補償」と以降は呼ばれるであろう。
【００１１】
シリコン基板上にＬｉＴａＯ３の層を備えている基板を製造する方法は、下記の製造ステップを包含する：
ａ．例えばシリコンの支持基板１を用意するステップ；
ｂ．支持基板１の一方の面、上記前面１ａの上へのＬｉＴａＯ３の層３の移転ステップ。
【００１２】
ＬｉＴａＯ３層の移転は、シリコン基板とＬｉＴａＯ３基板とを組み立てること、ＬｉＴａＯ３基板の、例えば機械的な薄化のステップが続くことにより一般的に行われている。
【００１３】
しかしながら、この方法が熱処理によりシリコン上のＬｉＴａＯ３積層体の組み立て界面の強化を必要とするという理由で、この方法は、満足なものではない。
【００１４】
事実、ＬｉＴａＯ３とシリコンとの熱膨張率の差が、組み立て界面の劣化、すなわちＬｉＴａＯ３層の離脱及び／又はクラックの出現を生じさせる。
【００１５】
文書米国特許出願公開第２００９／０２６７０８３  Ａ１号は、支持基板１の背面にトレンチネットワークを設けることにより前述の欠点を克服することをその時には提案している。上記トレンチの実現は、組み立て界面のところの制約を制限し、したがって有用層の完全性を確実にすることを可能にしている。
【００１６】
熱膨張率の大きな差を調節できないという理由で、この解決策は満足ではない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的は、これゆえ、熱補償効果を維持しながら熱処理に耐えるように構成された基板を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、技術的問題を解決することを目的とし、そして受け取り側基板の上に設置された有用層を備えている基板を製造する方法に関し、下記のステップ：
ａ．第１の熱膨張係数を有し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ及び上記第１の方向とは平行でない第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチを、前面と呼ばれる一方の面に有する支持基板を用意するステップと、
ｂ．上記支持基板へドナー基板から有用層を移転させるステップであって、上記有用層が上記第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有する、移転させるステップと
を含む方法において、
製造するための方法は、中間層が上記支持基板の上記前面と上記有用層との間に挿入され、上記中間層が上記第１の熱膨張係数と上記第２の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することで注目される。
【００１９】
これゆえ、上記第１及び第２の複数のトレンチの存在が、上記中間層と上記支持基板との間に形成された界面に働いている制約場を打破することを可能にしている。
【００２０】
さらにその上、上記中間層の存在が、熱補償効果を維持しながら、上記第１の熱膨張係数と上記第２の熱膨張係数との間の差の効果を制限することを可能にしている。
【００２１】
加えて、上記中間層の存在が、このようにして得られる上記基板の上に形成しようとしているＦＳＡＷの寸法よりも大きい上記複数のトレンチの各々の上記トレンチ間の間隔を有することを可能にしている。
【００２２】
１つの実施形態によれば、上記有用層を移転するステップｂ．が、上記支持基板との上記ドナー基板の組み立て、及び上記有用層を形成するための上記ドナー基板の薄化を含む。
【００２３】
１つの実施形態によれば、上記ドナー基板の上記薄化が、機械的薄化を使用して行われる。
【００２４】
１つの実施形態によれば、上記中間層が、上記有用層を移転させるステップｂ．の前に、上記支持基板の上へと又は上記ドナー基板の上へと形成される。
【００２５】
１つの実施形態によれば、上記中間層が、ガラス材料を含む。
【００２６】
１つの実施形態によれば、上記中間層が、リスト：ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＵＳＧに含まれる材料のうちの少なくとも１つを含む。
【００２７】
１つの実施形態によれば、上記第１の複数のトレンチの上記トレンチが、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置される。
【００２８】
１つの実施形態によれば、上記第２の複数のトレンチの上記トレンチが、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置される。
【００２９】
１つの実施形態によれば、上記第１及び上記第２の複数のトレンチの上記トレンチが、１と１００μｍとの間の深さを有する。
【００３０】
１つの実施形態によれば、上記第１及び上記第２の複数のトレンチの上記トレンチが、１と１００μｍとの間の幅を有する。
【００３１】
１つの実施形態によれば、上記有用層が、リスト：ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３に含まれる材料のうちの少なくとも１つを含む。
【００３２】
１つの実施形態によれば、上記第１の熱膨張係数と上記第２の熱膨張係数との間の上記差が、５＊１０−６／℃よりも大きく、好ましくは１０＊１０−６／℃よりも大きい。
【００３３】
１つの実施形態によれば、上記有用層が、リスト：シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウムに含まれる材料のうちの少なくとも１つを含む。
【００３４】
本発明は、
ａ．第１の熱膨張係数を有し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ及び上記第１の方向とは平行でない第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチを、前面と呼ばれる一方の面に有する、支持基板と、
ｂ．上記第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有し、上記支持基板の上に配置された有用層と
から構成される基板において、
上記基板は、中間層が上記支持基板の上記前面と上記有用層との間に挿入され、上記中間層が上記第１の熱膨張係数と上記第２の熱膨張係数との間の膨張係数を有することで注目される、基板をやはり包含する。
【００３５】
本発明は、本明細書に添付した図（図面）を参照して本発明の具体的かつ非限定的な実施形態にしたがう説明に照らしてより良く理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】表面弾性波を用いるフィルタを形成している互いに組み合わせた櫛歯の図である。
【図２】先行技術の技術による表面弾性波を用いるフィルタを製作するために使用される基板の図である。
【図３】本発明による製造のための方法の実施形態の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
様々な実施形態に関して、同じ参照符号が、説明の単純化のために、同一の要素に対して又は同じ機能を確実にするために使用されるであろう。
【００３８】
本発明による方法は、第１の熱膨張係数を有する支持基板１０を用意するステップａ．を含む。
【００３９】
支持基板１０は、リスト：シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウムから選択される材料のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００４０】
支持基板１０は、２＊１０−６と９＊１０−６／℃との間から成る熱膨張係数を示す。
【００４１】
例えば、シリコンの支持基板１０は、２．６＊１０−６／℃の熱膨張係数を示す。
【００４２】
支持基板１０は、第１の複数のトレンチ１２を、前面１１である一方の支持基板の面にやはり含む。第１の複数のトレンチ１２のトレンチは、第１の方向に互いに平行である。
【００４３】
支持基板１０は、その前面１１に、第２の複数のトレンチ１３（非表示）をやはり含むことができる。第２の複数のトレンチ１３のトレンチは、第２の方向に互いに平行である。第２の方向は、第１の方向と平行ではない。
【００４４】
第１の複数のトレンチ１２のトレンチは、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置されることがある。
【００４５】
第２の複数のトレンチ１３のトレンチは、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置されることがある。
【００４６】
第１の複数のトレンチ１２のトレンチは、１と１００μｍとの間の深さを有することができる。
【００４７】
第２の複数のトレンチ１３のトレンチは、１と１００μｍとの間の深さを有することができる。
【００４８】
第１の複数のトレンチ１２及び第２の複数のトレンチ１３のトレンチは、１と１００μｍとの間の幅を有することができる。
【００４９】
第１の複数のトレンチ１２及び第２の複数のトレンチ１３のトレンチは、マイクロエレクトロニクス産業において一般的に使用されているソーイングホイールにより形成されることがある。このようなソーイングホイールを使用するソーイング技術は、当業者には良く知られている。
【００５０】
第１及び第２の複数のトレンチ１３のトレンチの幅は、ソーイングホイールの厚さにより規定される。
【００５１】
加えて、トレンチの深さは、ソーイング深さによりやはり規定される。
【００５２】
第１及び第２の複数のトレンチのトレンチは、支持基板１０の前面１１上のエッチングマスクの形成によりやはり実現されてもよい。前述のエッチングマスクは、支持基板１０の前面１１上の、第１及び第２の複数のトレンチ１３のトレンチの形状をデザインする。
【００５３】
トレンチを形成するエッチングは、これゆえ、適切なエッチングを使用することにより実行される。
【００５４】
例えば、シリコンの支持基板１０、エッチングマスクは、二酸化シリコンであり、そしてエッチングが、ＫＯＨ溶液を利用して行われる。
【００５５】
第１及び第２の複数のトレンチ１３のトレンチを形成することの後で、中間層２０が支持基板１０の前面１１の上に形成される。
【００５６】
中間層２０は、トレンチの形状に一致させることにより支持基板１０の前面１１をコンフォーマルに覆うことができる。
【００５７】
中間層２０は、０．５と５０μｍとの間を含む厚さを有することができる。
【００５８】
中間層２０が温度の上昇をともなう熱処理を受けると、中間層２０がそれ自体弾性的に変形できることが有利である。
【００５９】
中間層２０は、ガラス材料を含むことができることが有利である。
【００６０】
例えば、中間層２０は、リスト：ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）、オルトケイ酸テトラエチル酸化物（ＴＥＯＳ酸化物）、リンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）、非ドープのケイ酸塩（ＵＳＧ）に含まれる材料のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００６１】
本発明による方法は、中間層２０の上に有用層３１を形成するステップを含むステップｂ．をやはり含む。
【００６２】
有用層３１は、ドナー基板３０からの層移転の方法により形成されることがある。
【００６３】
移転ステップは、中間層２０とのドナー基板３０の組み立てを含むことができる。
【００６４】
組み立てステップは、分子接着によるボンディングのステップであってもよい。
【００６５】
熱処理のステップは、ボンディング界面を強化する方法で行われることがある。
【００６６】
例えば、熱処理は、８０℃と１５０℃との間、好ましくは１００℃と１２０℃との間の温度で、３０分と４時間との間の期間にわたり、非酸化性雰囲気下で、例えば窒素及び／又はアルゴン及び／又はヘリウム下で行われてもよい。
【００６７】
ボンディング界面を強化するために、中間層２０と接触させようとしているドナー基板３０表面は、プラズマで活性化されることがある。
【００６８】
例えば、活性化は、二原子酸素プラズマ（Ｏ２）で又は二原子窒素（Ｎ２）を用いて、３０秒間、５００ワットの出力で、５０ｍＴｏｒｒの圧力で実行されてもよい。
【００６９】
組み立てステップは、ドナー基板３０の薄化がこれゆえに続く。これゆえ、薄くしたドナー基板３０は、有用層３１を形成する。
【００７０】
ドナー基板３０の薄化は、機械的薄化、及び／又は機械的化学的ポリシングなどの当業者には良く知られている技術を使用することにより実行されてもよい。
【００７１】
有用層３１は、したがって、ドナー基板３０の薄化ステップの後では、５と５０μｍとの間を含む厚さを有することができる。
【００７２】
本発明による製造の方法の変形形態によれば、中間層２０は、ドナー基板３０の上に形成されてもよい。これらの条件では、組み立てステップは、中間層２０を支持基板１０の前面１１と接触させることを含む。
【００７３】
有用層３１は、第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有する。
【００７４】
有用層３１は、ペロブスカイト型材料を含むことができる。
【００７５】
有用層３１は、誘電体材料、好ましくは強誘電性材料である材料を含むことができる。
【００７６】
有用層３１は、リスト：ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３に含まれる材料のうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００７７】
本発明によれば、中間層２０は、第１の熱膨張係数と第２の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する。
【００７８】
第１の熱膨張係数と第２の熱膨張係数との間の差は、５＊１０−６／℃よりも大きく、好ましくは１０＊１０−６／℃よりも大きい。
【００７９】
熱膨張率のこのような差のために、本発明による方法は、熱アニーリングの時点で支持基板１０、中間層２０及び有用層３１を備えるパッケージの完全性を確実にすることを可能にしている。
【００８０】
このようにして、中間層２０の存在は、熱補償効果を維持しながら、第１の熱膨張係数と第２の熱膨張係数との間の差の効果を制限することを可能にしている。
【００８１】
加えて、支持基板１０の前面１１上の少なくとも第１の複数のトレンチ１２の存在は、中間層２０と上記前面１１とにより形成される界面のところに存在する制約の連続性を途絶させることを可能にしている。
【００８２】
したがって、組み合わせると、中間層２０の効果及び少なくとも第１の複数のトレンチ１２の存在は、一方で有用層３１と中間層２０とにより、他方で中間層２０と支持基板１０とにより形成される界面に働いている制約を制限することを可能にしている。
【００８３】
第１の実施形態
第１の実施形態によれば、本発明は、シリコンの支持基板１０の用意を含む。
【００８４】
第１の複数のトレンチ１２が、ソーイングホイールを用いて実現される。第１の複数のトレンチ１２のトレンチは、３ｍｍだけ互いに間隔を空け、１００μｍの深さ、及び１００μｍの幅を有する。
【００８５】
支持基板１０の前面１１に直接形成された中間層２０は、ホウリンケイ酸ガラスであり、そしてその厚さは、０．５と５０μｍとの間、例えば２μｍである。
【００８６】
中間層２０は、支持基板１０の前面１１のトポロジーにしたがう。
【００８７】
依然として第１の実施形態によれば、ＬｉＴａＯ３のドナー基板３０が用意される。
【００８８】
中間層２０と接触して設置しようとしているドナー基板３０の表面は、二原子酸素を含んでいるプラズマにより活性化される。
【００８９】
活性化されたドナー基板３０の表面は、分子接着により中間層２０としたがって組み立てられる。
【００９０】
ドナー基板３０と中間層２０とにより形成された組み立て界面は、１００℃で３時間の間、アルゴン雰囲気下で行われる熱アニーリングにより強化される。
【００９１】
ドナー基板３０は、有用層３１を形成するために、２０μｍの厚さまで次いで機械的に薄層化される。
【００９２】
第２の実施形態
第２の実施形態は、中間層２０が支持基板１０の前面１１というよりはむしろドナー基板３０に形成されること、及びプラズマ活性化が支持基板１０の前面１１になされることが第１の実施形態とは異なっている。
【符号の説明】
【００９３】
１０…支持基板、１１…支持基板の前面、１２…第１の複数のトレンチ、１３…第２の複数のトレンチ、２０…中間層、３０…ドナー基板、３１…有用層。
【図１】
2020108161.tif 000003
【図２】
2020108161.tif 000004
【図３】
2020108161.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受け取り側基板上に配置された有用層（３１）を備えている基板を製造するための方法であって、
ａ．第１の熱膨張係数を示し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第１の方向とは平行でない第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチ（１３）を、前面（１１）と呼ばれる一方の面に有する支持基板（１０）を用意するフェーズと、
ｂ．前記支持基板（１０）上にドナー基板（３０）から有用層（３１）を移転させるフェーズであり、前記有用層（３１）が、前記第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有する、移転させるフェーズと、
を含む製造するための方法において、
前記有用層（３１）が、強誘電性材料を含み、
中間層（２０）が、前記第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第２の複数のトレンチ（１３）以外の前記支持基板（１０）の前記前面（１１）と、前記有用層（３１）との間に挿入されていると共に、前記第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第２の複数のトレンチ（１３）の側面に設けられ、前記中間層（２０）が前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有することを特徴とする、製造するための方法。
【請求項２】
前記有用層（３１）の移転のフェーズｂ．が、前記支持基板（１０）との前記ドナー基板（３０）の組み立て、及び前記有用層（３１）を形成するための前記ドナー基板（３０）の薄化を含む、請求項１に記載の製造するための方法。
【請求項３】
前記ドナー基板（３０）の前記薄化が、機械的薄化により行われる、請求項２に記載の製造するための方法。
【請求項４】
前記中間層（２０）が、前記有用層（３１）の移転のフェーズｂ．の前に、前記支持基板（１０）の上に又は前記ドナー基板（３０）の上に形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項５】
前記中間層（２０）が、ガラス材料を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項６】
前記中間層（２０）が、ＴＥＯＳ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＵＳＧからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項５に記載の製造するための方法。
【請求項７】
前記第１の複数のトレンチ（１２）の前記トレンチが、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項８】
前記第２の複数のトレンチ（１３）の前記トレンチが、３〜１０ミリメートル毎に規則的に配置される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項９】
前記有用層（３１）が、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１０】
前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との間の差が、５×１０−６／℃よりも大きい、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１１】
前記支持基板（１０）が、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、アルミナ、サファイア、窒化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造するための方法。
【請求項１２】
ｃ．第１の熱膨張係数を有し、第１の方向に互いに平行な第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第１の方向とは平行でない第２の方向に互いに平行な第２の複数のトレンチ（１３）を、前面（１１）と呼ばれる一方の面に含む支持基板（１０）と、
ｄ．前記第１の熱膨張係数とは異なる第２の熱膨張係数を有し、前記支持基板（１０）の上に配置された有用層（３１）と、
を備える基板において、
前記有用層（３１）が、強誘電性材料を含み、
中間層（２０）が、前記第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第２の複数のトレンチ（１３）以外の前記支持基板（１０）の前記前面（１１）と、前記有用層（３１）との間に挿入されていると共に、前記第１の複数のトレンチ（１２）及び前記第２の複数のトレンチ（１３）の側面に設けられ、前記中間層（２０）が前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との間に含まれる膨張係数を有することを特徴とする、基板。
【外国語明細書】
2020108161000001.pdf