(57)【要約】      （修正有）【課題】板状物にアブレーション加工を実施する際に、アブレーション加工が施される加工部にデブリが付着しないレーザー加工方法を提供する。【解決手段】板状物Ｗを保持する保持手段と、これに保持された板状物Ｗに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢを集光器２８で集光するレーザー光線照射手段と、これらを相対的に加工送りする加工送り手段と、から構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、ＬＢが照射される板状物Ｗの上面Ｗａに蝋材Ｐを塗布する蝋材塗布工程と、Ｐが塗布された側を表にして板状物Ｗを保持手段に保持する保持工程と、板状物Ｗ上の上面Ｗａに集光器２８からＬＢを照射して上面Ｗａにアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から構成され、ＬＢの集光点を板状物Ｗの上面Ｗａに位置付け、デブリ１１０が、溶融し流動するＰ’によって取込まれ、溝１００内等に付着することを抑制する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を集光器で集光してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、
レーザー光線が照射される板状物の上面に蝋材を塗布する蝋材塗布工程と、
蝋材が塗布された側を表にして板状物を該保持手段に保持する保持工程と、
板状物上の加工すべき領域の上面に該集光器からレーザー光線を照射して該上面にアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、
から少なくとも構成され、
該レーザー加工工程では、レーザー光線の集光点を板状物の上面に位置付け、アブレーション加工によって発生したデブリが、溶融し流動する蝋材によって取込まれ、アブレーション加工された溝を含む加工部位に該デブリが付着することを抑制するレーザー加工方法。
【請求項２】
該蝋材は、パラフィンである請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
該蝋材塗布工程において塗布される蝋材は、板状物をアブレーション加工した後に回収され再生された蝋材である請求項１、又は２に記載のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工装置を用いて板状物にアブレーション加工を施すレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
また、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してアブレーション加工によって分割溝を形成したり、分割予定ラインに積層された雲母のように脆い低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）をアブレーション加工によって除去したりすると、被加工部からデブリが飛散してデバイスの上面を汚染し、品質を低下させることから、ウエーハの表面に樹脂を被覆してデブリの付着を防止することが試みられている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１８８４７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した特許文献１に記載の技術によれば、板状物であるウエーハの表面に樹脂を被覆してアブレーション加工を実施することで、ウエーハの表面に対するデブリの付着は防止することができる。しかし、アブレーション加工によって形成されるレーザー加工溝の側面にデブリが付着することは防止できず、分割されたデバイスチップの品質が低下し、さらには、抗折強度の低下を招くという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、板状物にアブレーション加工を実施する際に、アブレーション加工が施される部位にデブリが付着しないレーザー加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を集光器で集光してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、レーザー光線が照射される板状物の上面に蝋材を塗布する蝋材塗布工程と、蝋材が塗布された側を表にして板状物を該保持手段に保持する保持工程と、板状物上の加工すべき領域の上面に該集光器からレーザー光線を照射して該上面にアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程では、レーザー光線の集光点を板状物の上面に位置付け、アブレーション加工によって発生したデブリが、溶融し流動する蝋材によって取込まれ、アブレーション加工された溝を含む加工部位に該デブリが付着することを抑制するレーザー加工方法が提供される。
【０００８】
該蝋材は、パラフィンを選択することができる。また、該蝋材塗布工程において塗布される蝋材は、板状物をアブレーション加工した後に回収され再生された蝋材を使用することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウエーハの加工方法は、レーザー光線が照射される板状物の上面に蝋材を塗布する蝋材塗布工程と、蝋材が塗布された側を表にして板状物を該保持手段に保持する保持工程と、板状物上の加工すべき領域の上面に該集光器からレーザー光線を照射して該上面にアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程では、レーザー光線の集光点を板状物の上面に位置付け、アブレーション加工によって発生したデブリが、溶融し流動する蝋材によって取込まれ、アブレーション加工された溝を含む加工部位に該デブリが付着することを抑制するものであることから、板状物の表面へのデブリの付着が防止されると共に、アブレーション加工によって形成される溝を含む加工部位の側面への付着も防止され、デバイスチップの品質の低下、及び抗折強度の低下を招くという問題が解消する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態に係るレーザー加工装置の斜視図である。
【図２】図１に記載のレーザー加工装置に配設される蝋材塗布装置の一部を破断した状態を示す斜視図である。
【図３】被加工物としての板状物の一例として示されるウエーハ、ダイシングテープ、及びフレームＦの分解斜視図である。
【図４】図２に示す蝋材塗布装置の要部の一部を断面で示し、ウエーハを載置する態様を示す側面図である。
【図５】蝋材塗布工程のうち、蝋材をウエーハ上に供給する態様を示す側面図である。
【図６】蝋材塗布工程のうち、温風を供給して蝋材をウエーハ上に均一に塗布する態様を示す側面図である。
【図７】（ａ）ウエーハにアブレーション加工を施す態様を示す斜視図、（ｂ）アブレーション加工が施される部位の状態を示す一部拡大断面図である。
【図８】レーザー加工後のウエーハからパラフィンを除去する態様を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に基づき構成されたレーザー加工方法に係る実施形態について添付図面を参照して、詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明に基づき構成されるレーザー加工方法を実施すべく構成されたレーザー加工装置２の斜視図が示されている。レーザー加工装置２は、被加工物となる板状物として用意されるウエーハＷにレーザー加工を施す装置である。以下に、図１を参照しながら、レーザー加工装置２について説明する。
【００１３】
レーザー加工装置２の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段４が設けられている。レーザー加工装置２の上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示される表示手段６が設けられている。
【００１４】
レーザー加工装置２には、ダイシングテープＴを介して環状のフレームＦと一体化されたウエーハＷを複数枚収容可能なウエーハカセット８が配設される。ウエーハカセット８は、上下動可能なカセット昇降手段９上に載置される。
【００１５】
ウエーハカセット８の後方には、ウエーハカセット８からレーザー加工前のウエーハＷを搬出するとともに、加工後のウエーハＷをウエーハカセット８に搬入する搬出入手段１０が配設されている。ウエーハカセット８と搬出入手段１０との間には、搬出入対象のウエーハＷが一時的に載置され、フレームＦに保持されたウエーハＷを一定の位置に位置合わせする位置合わせ機能を有する仮置き手段１２が配設されている。
【００１６】
仮置き手段１２の近傍には、ウエーハＷを保持するフレームＦを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段１６が配設されている。搬出入手段１０によってウエーハカセット８から仮置き手段１２上に搬出されたウエーハＷは、搬送手段１６により吸着されて上記した蝋材塗布装置３０に搬送される。
【００１７】
蝋材塗布装置３０は、ウエーハＷの上面に蝋材を塗布する機能を備えると共に、本実施形態では、加工後のウエーハＷの上面から蝋材を除去して回収して再生し再利用する再処理機能も備える。塗布される蝋材は、石油系ワックス、合成ワックス、鉱物系ワックス等から採用でき、アブレーション加工を施す際に照射されるレーザー光線によって溶融し流動する蝋材が選択され、例えば、パラフィンを採用することができる。なお、蝋材塗布装置３０については、追って詳述する。
【００１８】
レーザー加工装置２には、保持手段として機能するチャックテーブル１８が配設されている。蝋材塗布装置３０によって上面に蝋材が塗布されたウエーハＷは、搬送手段１６によって、図１にて搬送位置に位置付けられたチャックテーブル１８上に搬送される。チャックテーブル１８に搬送されたウエーハＷは、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル１８に吸引されると共に、複数のクランプ１９によりフレームＦが固定される。チャックテーブル１８は、後述するレーザー光線照射手段２４とチャックテーブル１８とを相対的に加工送りする加工送り手段（図示は省略）を備える。該加工送り手段は、チャックテーブル１８を回転駆動し、図中矢印Ｘで示すＸ軸方向、及びＸ軸方向と直交する矢印Ｙで示すＹ軸方向に進退動可能に構成される。また、チャックテーブル１８のＸ軸方向の移動経路の上方には、ウエーハＷのレーザー加工すべき位置（例えば、ウエーハＷ上の分割予定ライン）を検出するアライメント手段２０が配設されている。
【００１９】
アライメント手段２０は、ウエーハＷの表面を撮像する撮像手段２２を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべき分割予定ラインを検出することができる。撮像手段２２によって取得された画像は、図示しない制御手段に送られて、表示手段６に表示される。
【００２０】
アライメント手段２０のＸ軸方向で隣接する位置には、レーザー光線照射手段２４が配設されている。レーザー光線照射手段２４は、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を発振する光学系（図示は省略）を収容するケーシング２６と、レーザー光線を集光して照射するための集光器２８と、を備え、集光器２８から照射されるレーザー光線によってウエーハＷの上面にアブレーション加工を施すことができる。
【００２１】
レーザー光線照射手段２４によってアブレーション加工が施されたウエーハＷは、チャックテーブル１８と共に図中手前側の搬送位置に移動され、搬送手段３１により吸着されて、蝋材の除去を実行する蝋材塗布装置３０まで搬送される。
【００２２】
蝋材塗布装置３０によって上面から蝋材が除去されたウエーハＷは、搬送手段１６によりウエーハＷを支持するフレームＦが吸着されて仮置き手段１２に搬送され、搬出入手段１０によりウエーハカセット８の元の収納場所に戻される。
【００２３】
上記した蝋材塗布装置３０について、図２を参照しながら、より具体的に説明する。図２には、蝋材塗布装置３０の一部を破断した斜視図が示されている。
【００２４】
蝋材塗布装置３０は、スピンナーテーブル機構４０と、スピンナーテーブル機構４０を包囲して配設される蝋材受け機構５０と、スピンナーテーブル機構４０に保持されたウエーハＷ上に蝋材を供給する蝋材供給ノズル先端部３２ａを備えた蝋材供給ノズル３２と、スピンナーテーブル機構４０に保持されたウエーハＷ上に温風を供給する温風供給ノズル先端部３４ａを備えた温風供給ノズル３４とを備えている。
【００２５】
スピンナーテーブル機構４０は、スピンナーテーブル４１と、スピンナーテーブル４１を回転駆動する電動モータ４２と、電動モータ４２を上下方向に移動可能に支持する支持機構４３とを備え、スピンナーテーブル４１は、電動モータ４２の出力軸４２ａに連結されている。スピンナーテーブル４１は、上面に多孔性材料から形成された吸着チャック４１ａを備え、図示しない吸引手段に連通されており、吸着チャック４１ａに負圧を作用させることにより、ウエーハＷを吸引保持する。
【００２６】
支持機構４３は、複数の支持脚４３ａと、支持脚４３ａにそれぞれ連結され電動モータ４２に取り付けられた複数のエアシリンダ４３ｂとから構成される。なお、スピンナーテーブル４１の外周に、ウエーハＷを支持する環状のフレームＦを固定するためのクランプを複数配設してもよい。
【００２７】
上記したように構成された支持機構４３は、エアシリンダ４３ｂを作動することにより、電動モータ４２及びスピンナーテーブル４１を上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、下降位置である蝋材の塗布を実施する作業位置に位置付けることが可能である。
【００２８】
蝋材受け機構５０は、蝋材受け容器５２と、蝋材受け容器５２を支持する複数の支持脚６０と、電動モータ４２の出力軸４２ａに装着されたカバー部材６２とから構成される。
【００２９】
蝋材受け容器５２は、円筒状の外側壁５３と、底壁５４と、外側壁５３と対向する内側に立設される内側壁５５とから構成され、内部に蝋材流路５６が形成されている。蝋材受け容器５２を形成する底壁５４の中央部には、電動モータ４２の出力軸４２ａが挿入される穴５７が設けられており、内側壁５５はこの穴５７を囲繞して上方に立ち上がるように形成されている。
【００３０】
蝋材受け容器５２の底壁５４には溶融した蝋材を排出する排出口５８が設けられており、この排出口５８には、ドレーン５９の一端側が接続されている。ドレーン５９の他端側は、蝋材塗布装置３０の下部に形成された蝋材再生手段７０に接続される。蝋材再生手段７０内には、濾過フィルタ、蝋材貯留タンク、加熱ヒータ、及び吐出ポンプ等が収容されている(いずれも図示は省略）。蝋材塗布装置３０によってウエーハＷの上面から除去された蝋材は、排出口５８を介して蝋材再生手段７０に回収され、該濾過フィルタによって異物等が除去されることにより再生されて、該貯留タンクに貯留される。さらに、該加熱ヒータによって該貯留タンクに貯留された蝋材を溶融状態に維持し、該蝋材は、該吐出ポンプによって溶融状態で蝋材供給ノズル３２に供給されて、新たな加工前のウエーハＷの上面に蝋材を塗布する際に使用される。
【００３１】
カバー部材６２は、その中心が電動モータ４２の出力軸４２ａに固定され、略円板状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部６２ａを備えている。カバー部材６２は、支持機構４３の作用によって電動モータ４２及びスピンナーテーブル４１を下降させて蝋材塗布、蝋材除去を行う作業位置に位置付けられると、蝋材受け容器５２の内側壁５５の外側に所定の隙間を持って重なるように位置付けられる。
【００３２】
蝋材塗布装置３０は、溶融した蝋材を蝋材供給ノズル先端部３２ａからウエーハＷの上面に供給し、温風供給ノズル先端部３４ａから温風Ｈ１を供給しながらウエーハＷを回転させてウエーハＷの上面に蝋材を均一に塗布する機能と、温風供給ノズル３４から温風Ｈ２を噴射しながらウエーハＷを高速回転させることによりウエーハＷの加工面から蝋材を除去する機能を有する。なお、温風供給ノズル３４には、加熱ヒータを含む温風供給手段（図示は省略）が接続されており、ウエーハＷの上面に蝋材を均一に塗布する際の温風Ｈ１、及びウエーハＷの上面から蝋材を除去する際に噴射される温風Ｈ２を、所望の異なる温度に調整することができる。例えば、温風Ｈ１は５０℃〜７０℃の範囲になるように、温風Ｈ２は該温風Ｈ１よりも高い１５０℃〜２５０℃の範囲になるように調整される。温風供給ノズル先端部３４ａは、下面に形成された複数の温風吹き出し口から温風を放射状に広い範囲で供給することが可能に構成されている。また、蝋材供給ノズル３２は、溶融した蝋材を供給する際には、その蝋材供給ノズル先端部３２ａをスピンナーテーブル４１の中央の作業位置に移動させると共に、蝋材を供給しない場合は、蝋材供給ノズル先端部３２ａを蝋材受け容器５２の外側壁５３に沿った退避位置に移動させる。同様に、温風供給ノズル３４は、温風を供給する際には、その温風供給ノズル先端部３４ａをスピンナーテーブル４１の中央の作業位置に移動させると共に、温風を供給しない場合は、温風供給ノズル先端部３４ａを蝋材受け容器５２の外側壁５３に沿った退避位置に移動させる。
【００３３】
本実施形態のレーザー加工装置２は、概ね上記したとおりの構成を有している。このレーザー加工装置２を用いて実施するレーザー加工方法の実施形態について、図１、及び図３〜図８を参照しながら、以下に説明する。
【００３４】
本実施形態のレーザー加工方法を実施するに際して、図３に示すようなウエーハＷを用意する。ウエーハＷは、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる基板の表面Ｗａに複数のデバイスＤが分割予定ラインＬによって区画され形成される。また、ウエーハＷは、裏面Ｗｂ側が粘着性を有するダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴを介して、ウエーハＷを収容可能な開口部を有する環状のフレームＦに支持される。
【００３５】
本実施形態のレーザー加工方法では、まず、ウエーハＷのデバイスＤが形成された表面Ｗａを上面として蝋材を塗布する蝋材塗布工程が実施される。より具体的には、図１に示すウエーハカセット８に収容されたウエーハＷは、搬出入手段１０によって搬出され、仮置き手段１２、及び搬送手段１６によって蝋材塗布装置３０に搬送される。このとき、図４に示すように、蝋材塗布装置３０(一部のみ示す）のスピンナーテーブル４１は、上記した支持機構４３の作用により上昇させられてウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられ、蝋材供給ノズル３２、及び温風供給ノズル３４は、それぞれ蝋材受け容器５２の外側壁５３の内側に沿った退避位置に位置付けられている。蝋材塗布装置３０に搬送されたウエーハＷは、ウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられたスピンナーテーブル４１上に載置され吸引保持される。
【００３６】
スピンナーテーブル４１にウエーハＷを吸引保持したならば、次いで、図５に示すように、スピンナーテーブル４１を下降して、蝋材の塗布が実施される作業位置に位置付ける。スピンナーテーブル４１を作業位置に位置付けたならば、蝋材供給ノズル３２を作動して、蝋材供給ノズル先端部３２ａをウエーハＷの中央の直上の作業位置に位置付ける。これに先立ち、蝋材再生手段７０に配設される貯留タンク内の加熱ヒータ（図示は省略）を作動し、蝋材として収容されているパラフィンＰを、溶融温度である５０℃〜７０℃程度に加熱し、溶融状態を維持しておく。蝋材再生手段７０に溶融状態で維持されたパラフィンＰは、蝋材受け容器５２の底壁５４の下面に配設された蝋材導入口３２ｂを介して供給され、蝋材供給ノズル先端部３２ａから所定量供給される。ウエーハＷ上にパラフィンＰを供給したならば、蝋材供給ノズル先端部３２ａを蝋材受け容器５２の外側壁５３側の退避位置に移動させる。
【００３７】
ウエーハＷ上に供給されたパラフィンＰは、外気温に応じて急激に冷やされて温度が低下するため、ウエーハＷ上全体に広がらない。そこで、図６に示すように、温風供給ノズル３４の温風供給ノズル先端部３４ａをウエーハＷの中央直上の作業位置に位置付け、温風供給手段（図示は省略）から蝋材受け容器５２の底壁５４に配設された温風導入口３４ｂを介して温風Ｈ１を導入する。これにより、温風供給ノズル先端部３４ａから、所定温度（５０℃〜７０℃）の温風Ｈ１をウエーハＷ上に供給されたパラフィンＰに向けて吹付け、パラフィンＰの溶融温度まで上昇させる。さらに、これと同期して、電動モータ４２を作動して、スピンナーテーブル４１を所定の速度で回転（例えば１００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍ）させ、溶融したパラフィンＰをウエーハＷの上面で均一に広げ、ウエーハＷの上面全体がパラフィンＰによって塗布された状態とする。なお、ウエーハＷ上に供給されるパラフィンＰの量は、ウエーハＷの上面が例えば１０μｍ〜２０μｍ程度の厚みで覆われる量とする。また、温風Ｈ１の温度は、ウエーハＷが回転させられたときでも、パラフィンＰが過剰にウエーハＷからこぼれ落ちない程度の適度な粘性が維持される温度に設定され、さらに、スピンナーテーブル４１を回転させる回転速度、及び回転時間は、ウエーハＷの上面に供給されたパラフィンＰが、ウエーハＷの上面から過剰にこぼれ落ちず、且つ均一に広がる回転速度及び回転時間で設定する。以上により、蝋材塗布工程が完了する。
【００３８】
上記した蝋材塗布工程が完了したならば、ウエーハＷのパラフィンＰが塗布された表面Ｗａ側を表にしてウエーハＷをチャックテーブル１８に保持する保持工程を実施する。より具体的には、図１に基づき説明したように、搬送手段１６を用いて、パラフィンＰが表面に塗布されたウエーハＷを支持するフレームＦを吸着して、図１にてチャックテーブル１８が位置付けられている搬送位置に搬送して、チャックテーブル１８上にウエーハＷを載置し、図示しない吸引手段、及びクランプ１９を作動して吸引保持させる。以上により保持工程が完了する。
【００３９】
該保持工程が完了したならば、ウエーハＷ上の上面（表面Ｗａ側）にレーザー光線照射手段２４の集光器２８からレーザー光線ＬＢを照射して表面Ｗａ側にアブレーション加工を施すレーザー加工工程を実施する。該レーザー加工工程を実施するに際し、まずは、チャックテーブル１８に保持されているウエーハＷを上記した撮像手段２２の直下に位置付けて、ウエーハＷの加工すべき領域（分割予定ラインＬ）と、レーザー光線照射手段２４によるレーザー光線ＬＢの照射位置との位置合わせ（アライメント）を実施する。
【００４０】
上記したアライメントを実施したならば、チャックテーブル１８を移動して、図７（ａ）に示すように、集光器２８の直下にウエーハＷを位置付ける。ウエーハＷを集光器２８の直下に位置付けたならば、集光器２８から照射されるウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点を、ウエーハＷの表面Ｗａ近傍に位置付ける。そして、図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル１８と共にウエーハＷを矢印Ｘで示すＸ軸方向に加工送りして、レーザー光線ＬＢを照射して分割予定ラインＬに沿ってアブレーション加工を実施し、分割起点となるレーザー加工溝１００を形成する。
【００４１】
なお、上記したレーザー加工工程を実施する際のレーザー加工条件は、例えば、以下のように設定される。
パルスレーザー光線の波長            ：  ５３２ｎｍ
繰り返し周波数                      ：  ２０ＭＨｚ
平均出力                            ：  ６Ｗ
パルス幅                            ：  １０ｐｓ
加工送り速度                        ：  ２０ｍｍ／秒
【００４２】
上記したレーザー加工溝１００が形成される際にアブレーション加工が施される部位における現象について、ウエーハＷにおいてレーザー加工溝１００が形成される部位の一部拡大断面を示す図７（ｂ）を参照しながら、より具体的に説明する。
【００４３】
ウエーハＷの分割予定ラインＬに対しレーザー光線ＬＢを照射すると、レーザー光線ＬＢが照射された照射位置において、レーザー光線ＬＢを吸収した箇所が局所的に高温になって蒸発してデブリ１１０が発生すると共にレーザー加工溝１００が形成される。この際、該照射位置では、蝋材（パラフィンＰ）も同時に溶融することから、溶融したパラフィンＰ’が、レーザー加工溝１００の内部及び近傍において、溶融したパラフィンＰ’内の温度分布に応じて流動する。この流動によって、上記したレーザー加工によって生じたデブリ１１０が、レーザー加工溝１００内に回り込み流動するパラフィンＰ’内に取込まれ、レーザー加工溝１００内の壁面に付着することが防止される。
【００４４】
上記したレーザー加工を、レーザー光線照射手段２４、及び図示しない加工送り手段により移動させられるチャックテーブル１８の作動により、ウエーハＷの上面に形成された全ての分割予定ラインＬに沿って実施してレーザー加工溝１００を形成する。以上によりレーザー加工工程が完了する。
【００４５】
上記したように、レーザー加工工程が実施されたならば、チャックテーブル１８を、加工前のウエーハＷを載置した搬送位置に位置付ける（図１を参照）。チャックテーブル１８の移動に伴い該搬送位置に位置付けられたウエーハＷは、チャックテーブル１８による吸引保持が解除され、搬送手段３１によって蝋材塗布装置３０に搬送される。ここで、ウエーハＷ上に塗布されたパラフィンＰを除去する。
【００４６】
ウエーハＷに塗布されたパラフィンＰを除去する態様について、図４及び図８を参照しながら、以下に説明する。
【００４７】
レーザー加工が施されたウエーハＷが蝋材塗布装置３０に搬送される際には、図４に示すように、スピンナーテーブル４１が上記した支持機構４３の作用により上昇させられて、ウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられ、蝋材供給ノズル３２、温風供給ノズル３４は、蝋材受け容器５２の外側壁５３の内側に沿った退避位置に位置付けられる。そして、蝋材塗布装置３０に搬送された加工後のウエーハＷは、スピンナーテーブル４１上に載置され吸引保持される。
【００４８】
スピンナーテーブル４１にウエーハＷを吸引保持したならば、図８に示すように、温風供給ノズル３４の温風供給ノズル先端部３４ａをウエーハＷの中央直上の作業位置に位置付け、温風供給手段（図示は省略）から蝋材受け容器５２の底壁５４に配設された温風導入口３４ｂを介して温風Ｈ２を導入する。これにより、温風供給ノズル先端部３４ａから、所定温度（例えば、１５０℃〜２５０℃）の温風Ｈ２を、ウエーハＷ上に塗布されているパラフィンＰ全体に向けて吹付け、パラフィンＰの溶融温度を大きく超える高い温度まで上昇させる。さらに、これと同期して、電動モータ４２を作動して、スピンナーテーブル４１を所定の速度で高速回転（例えば３０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍ）させ、溶融したパラフィンＰ’をウエーハＷ上から外方向に吹き飛ばして、ウエーハＷの上面からパラフィンＰ’を除去する。上記したように、ウエーハＷから溶融したパラフィンＰ’を除去する際に吹付ける温風Ｈ２は、ウエーハＷにパラフィンＰを均一に塗布する際の温風Ｈ１の温度（５０℃〜７０℃）よりも高い温度に設定され、スピンナーテーブル４１の回転速度もウエーハＷの上面に塗布する際の回転速度（１００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍ）に対してより高速になるように設定される。このようにして、溶融してウエーハＷ上から除去されたパラフィンＰ’は、パラフィンＰ’を排出するために蝋材受け容器５２の底壁５４に配設された排出口５８から排出される。
【００４９】
本実施形態における蝋材塗布装置３０は、上記したように、ウエーハＷの上面からパラフィンＰを除去するのみならず、加工後のウエーハＷの上面から除去したパラフィンＰを再生して再利用する再処理機能も備える。該再処理機能は、蝋材塗布装置３０に配設される蝋材再生手段７０によって実現される。蝋材再生手段７０内には、濾過フィルタ、蝋材貯留タンク、加熱ヒータ、及び吐出ポンプ等が収容されており(いずれも図示は省略）、ウエーハＷ上から除去され排出口５８から排出された溶融状態のパラフィンＰ’を、ドレーン５９を介して回収し、該濾過フィルタに通してデブリ１１０等の異物を除去して、蝋材再生手段７０の該貯留タンクに戻す。そして、該加熱ヒータによって該貯留タンクにて溶融状態に維持されたパラフィンＰ’を必要に応じて蝋材供給ノズル３２に供給し、新たな加工前のウエーハＷの上面に蝋材を塗布する際に使用される。
【００５０】
なお、上記した実施形態では、蝋材塗布装置３０には、蝋材再生手段７０が配設され、ウエーハＷ上から除去したパラフィンＰを回収して再生し使用したが、本発明はこれに限定されず、使用後の蝋材を再使用せずに、常に新たなパラフィンＰを使用するようにしてもよい。
【００５１】
また、上記した実施形態では、ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢを照射してアブレーション加工によって分割溝１１０を形成するレーザー加工に適用したが、本発明はこれに限定されず、ウエーハＷ上に積層された低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）をアブレーション加工によって除去するレーザー加工にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５２】
２：レーザー加工装置
４：操作手段
６：表示手段
８：ウエーハカセット
９：カセット昇降手段
１０：搬出入手段
１２：仮置き手段
１６：搬送手段
１８：チャックテーブル（保持手段）
２０：アライメント手段
２２：撮像手段
２４：レーザー光線照射手段
２８：集光器
３０：蝋材塗布装置
３１：搬送手段
３２：蝋材供給ノズル
３４：温風供給ノズル
４０：スピンナーテーブル機構
４１：スピンナーテーブル
４３：支持機構
５０：蝋材受け機構
５２：蝋材受け容器
５３：外側壁
５４：底壁
５５：内側壁
５６：蝋材流路
５８：排出口
６０：支持脚
６２：カバー部材
６２ａ：カバー部
７０：蝋材再生手段
１００：レーザー加工溝
１１０：デブリ
Ｐ：パラフィン
Ｗ：ウエーハ
Ｄ：デバイス
Ｌ：分割予定ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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