(57)【要約】【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、２以上の導体層２１〜２４と各導体層の間に介在する絶縁層３１〜３３とを含む積層体１０と、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓを覆っているソルダーレジスト層４０と、を有している。積層体１０は積層体１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａをさらに有し、ソルダーレジスト層４０は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの一方から他方まで貫通孔１０ａの内部を通って連続していて貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体と、
前記積層体の前記第１面及び前記第２面を覆っているソルダーレジスト層と、
を有する配線基板であって、
前記積層体は前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔をさらに有し、
前記ソルダーレジスト層は、前記積層体の前記第１面及び前記第２面の一方から他方まで前記貫通孔の内部を通って連続していて前記内部において前記貫通孔の内壁面を覆っている。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層は、前記積層体の前記第１面上及び前記第２面上のいずれか又は両方における前記貫通孔の周囲に部分的な不連続部を有している。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層における前記貫通孔の内壁面を覆っている部分の表面は、前記貫通孔の内部に向って凸となるように湾曲している。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記２以上の導体層のうちの、前記第１面側の最表層の導体層及び前記第２面側の最表層の導体層の少なくとも一方は、前記貫通孔を跨ぐように前記配線基板に実装される電子部品又は光学部品に対する接続パッドを有している。
【請求項５】
２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体を用意することと、
前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を前記積層体に形成することと、
前記積層体の第１面及び第２面を覆うソルダーレジスト層を前記貫通孔の内部を通って前記第１面及び第２面の一方から他方まで連続するように形成することによって、前記貫通孔の内壁面を樹脂膜で覆うことと、
を含んでいる、配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、リジッドの基板が用いられる配線基板が開示されている。この配線基板は、この配線基板に実装される半導体チップと対向する領域を含む所定の領域に、配線基板を貫通する開口部を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２３００１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板では、開口部の壁面から配線基板の材料が砕片となって遊離又は落下してしまい、配線基板が用いられる機器の品質に影響を及ぼすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体と、前記積層体の前記第１面及び前記第２面を覆っているソルダーレジスト層と、を有している。そして、前記積層体は前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔をさらに有し、前記ソルダーレジスト層は、前記積層体の前記第１面及び前記第２面の一方から他方まで前記貫通孔の内部を通って連続していて前記内部において前記貫通孔の内壁面を覆っている。
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体を用意することと、前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を前記積層体に形成することと、前記積層体の第１面及び第２面を覆うソルダーレジスト層を前記貫通孔の内部を通って前記第１面及び第２面の一方から他方まで連続するように形成することによって、前記貫通孔の内壁面を樹脂膜で覆うことと、を含んでいる。
【０００７】
本発明の実施形態の配線基板によれば、貫通孔を有する配線基板において貫通孔の内壁からの発塵を抑制することができ、配線基板が用いられる機器の品質を高めることができると考えられる。本発明の実施形態の配線基板の製造方法によれば、貫通孔の内壁からの発塵が少ない配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２】図１の例の配線基板を示す平面図。
【図３】図１の配線基板の変形例を示す部分断面図。
【図４Ａ】図１の配線基板の他の変形例を示す断面図。
【図４Ｂ】図４Ａの配線基板を示す平面図。
【図５Ａ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法において用意される積層体の一例を示す断面図。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における貫通孔の形成後の状態の一例を示す断面図。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法におけるソルダーレジスト層の形成後の状態の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１及び図２には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図及び平面図がそれぞれ示されている。図１は図２に示されるＩ−Ｉ線での断面図である。図１及び図２に示されるように、配線基板１は、絶縁層と導体層との積層体１０と、ソルダーレジスト層４０と、を備えている。積層体１０は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面のうちの一方である第１面１０Ｆ、及び第１面１０Ｆの反対面である第２面１０Ｓを有している。積層体１０は、２以上の導体層（図１の例では第１〜第４の導体層２１、２２、２３、２４）と、この２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層（図１の例では第１〜第３の絶縁層３１、３２、３３）とを含んでいる。積層体１０は、さらに、積層体１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａを有している。ソルダーレジスト層４０は、積層体１０の第１面１０Ｆ側において第１面１０Ｆを覆っており、積層体１０の第２面１０Ｓ側において第２面１０Ｓを覆っている。ソルダーレジスト層４０は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの一方から他方まで貫通孔１０ａの内部を通って連続している。そして、ソルダーレジスト層４０は、貫通孔１０ａの内部において貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている。図２に示されるように、本実施形態では、貫通孔１０ａは、平面視における全周に渡ってその内壁面１０ａ１をソルダーレジスト層４０に覆われている。
【００１０】
貫通孔１０ａは、後述されるように、例えば、レーザー加工、又はドリル加工などの機械加工によって形成されることがある。そのような加工によって切削された面であり得る貫通孔１０ａの内壁面には、加工による切削屑が除去されずに残存することがある。その残存する切削屑は、配線基板１のような回路基板の使用時に貫通孔の内壁面から遊離して塵芥となることがある。そして、そのような塵芥は、貫通孔１０ａ内に浮遊したり、配線基板１及び／又は配線基板１に実装される部品Ｅの表面に付着したりすることがある。
【００１１】
しかし本実施形態では、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１はソルダーレジスト層４０によって覆われている。そのため、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１において積層体１０の各導体層及び各絶縁層を形成する導電性又は絶縁性の材料の切削屑などが残存したとしても、そのような切削屑などは貫通孔１０ａ内に遊離し得ない。従って、切削屑などからなる塵芥が、配線基板１に実装され得る部品Ｅの機能に影響を及ぼすことが防止されると考えられる。
【００１２】
また、本実施形態では、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓを覆っているソルダーレジスト層４０によって覆われる。すなわち、内壁面１０ａ１は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓと一体的に、且つ、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓを覆うソルダーレジスト層４０と一体の被覆体によって覆われている。ソルダーレジスト層４０は、後述するように、接続パッド２２ａ、２４ａをそれぞれ露出させる開口４１、４２を有している。ソルダーレジスト層４０は、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓにおけるはんだショートなどの実装不良を防止すべく、各接続パッド間の分離手段として機能し得る。また、ソルダーレジスト層４０は、第２及び第４の導体層２２、２４の酸化防止手段及び積層体１０の機械的保護手段としても機能し得る。
【００１３】
本実施形態では、このソルダーレジスト層４０を構成し、且つ、第１面１０Ｆから第２面１０Ｓまで連続する被覆体によって、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓだけでなく、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１も覆われる。従って、はんだショートなどの抑制と、塵芥による電子機器の機能不良などの抑制との両方をシンプルな構造で実現し得ると考えられる。従って、本実施形態は、配線基板及び／又は配線基板を用いる電子機器の品質向上に寄与し得ると考えられる。
【００１４】
また前述した各手段としての機能を備え得るソルダーレジスト層４０で貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１が覆われるので、第１〜第３の絶縁層３１〜３３で構成される内壁面１０ａ１と良好に密着する被覆体を内壁面１０ａ１上に設けることができる。
【００１５】
図１の例の配線基板１において、第１絶縁層３１と、その両面それぞれに積層されている第１導体層２１及び第３導体層２３とによって配線基板１のコア基板が形成されている。このコア基板を挟んで、第２絶縁層３２及び第２導体層２２を有するビルドアップ層と、第３絶縁層３３及び第４導体層２４を有するビルドアップ層とが形成されている。第１絶縁層３１には、第１導体層２１と第３導体層２３とを接続するスルーホール導体３１ａが形成されている。なお、積層体１０に含まれる導体層及び絶縁層の数は図１の例に限定されない、例えば、積層体１０は、第１絶縁層３１並びに第１及び第３の導体層２１、２３だけを含んでいてもよく、２組以上の導体層及び絶縁層によって構成されるビルドアップ層を含んでいてもよい。
【００１６】
なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向において第１絶縁層３１から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第１絶縁層３１に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、第１絶縁層３１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、第１絶縁層３１側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。
【００１７】
積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、それぞれ、積層体１０を構成する導体層及び絶縁層それぞれにおけるＺ方向と略直交する表面のうち、積層体１０を構成する他の導体層及び他の絶縁層に接していない部分で構成される。従って、図１の例において、第２導体層２２の導体パターンが形成されている領域では第２導体層２２の上面が第１面１０Ｆであり、第２導体層２２の導体パターンが形成されていない領域では第２絶縁層３２の上面が第１面１０Ｆである。同様に、第４導体層２４の導体パターンが形成されている領域では第４導体層２４の上面が第２面１０Ｓであり、第４導体層２４の導体パターンが形成されていない領域では第３絶縁層３３の上面が第２面１０Ｓである。
【００１８】
各導体層（第１〜第４の導体層２１〜２４）は、例えば、金属箔、無電解めっき膜、及び、電解めっき膜を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
【００１９】
各絶縁層（第１〜第３の絶縁層３１〜３３）は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
【００２０】
第２絶縁層３２は、第２絶縁層３２を貫通し、第１導体層２１と第２導体層２２とを接続するビア導体５１を含んでいる。第３絶縁層３３は、第３絶縁層３３を貫通し、第３導体層２３と第４導体層２４とを接続するビア導体５２を含んでいる。ビア導体５１、５２は、第２及び第３の絶縁層３２、３３それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体５１、５２は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体５１、５２は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体３１ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
【００２１】
積層体１０の第１面１０Ｆ側の最表層の導体層である第２導体層２２は、配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａを有している。部品Ｅは、図１の例の様に、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装され得る。その場合、部品Ｅは、貫通孔１０ａを通過する光を受光又は出射する、撮像素子のような受光素子、又は発光素子を含む光学系要素を含む電子部品であってもよい。また、部品Ｅは、貫通孔１０ａを通過する電波を受信又は発信する無線通信機能を有する電子部品であってもよく、また、レンズなどの光学部品であってもよい。
【００２２】
このような部品Ｅが配線基板１に実装される場合、貫通孔１０ａは、光路又は導波路として機能し得る。そのような機能を有し得る貫通孔１０ａ内に塵芥が浮遊していると、部品Ｅの機能がその影響を受ける虞があるが、本実施形態では、ソルダーレジスト層４０によってそのような状況が回避され得る。配線基板１が用いられる電子機器の品質向上に寄与し得ると考えられる。
【００２３】
なお、積層体１０の第２面１０Ｓ側の最表層の導体層である第４導体層２４が、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａを含んでいてもよい。第２及び第４の導体層２２、２４のいずれか一方に接続パッド２２ａが設けられてもよく、両方の導体層に接続パッド２２ａが設けられてもよい。
【００２４】
図１の例において、第４導体層２４は、複数の接続パッド２４ａを含んでいる。前述した第２導体層２２に含まれる接続パッド２２ａのそれぞれは、ビア導体５１、第１導体層２１、スルーホール導体３１ａ、第３導体層２３、及びビア導体５２を介して、複数の接続パッド２４ａのうちの１つ又は複数と電気的に接続され得る。図示されていないが、接続パッド２２ａ、２４ａの表面には、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜が形成されていてもよい。
【００２５】
ソルダーレジスト層４０は、接続パッド２２ａを露出させる開口４１、及び、接続パッド２４ａを露出させる開口４２を有している。ソルダーレジスト層４０は、絶縁性を有する任意の材料を用いて形成され得る。ソルダーレジスト層４０の材料は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などを主原料として構成され得る。複数の開口４１、４２それぞれをファインピッチで並ぶように形成することができ、しかも、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１上に、ソルダーレジスト層４０の材料を十分に付着させることができる。
【００２６】
図１の配線基板１では、ソルダーレジスト層４０において貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている部分の表面は、貫通孔１０ａの内部に向って凸となるように湾曲している。すなわち、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１上のソルダーレジスト層４０の厚さは、Ｚ方向の中央部分で厚く、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの近傍において薄い。図１の例では、配線基板１のＺ方向の中央部分を構成する第１絶縁層３１は配線基板１のコア層である。そのため、第１絶縁層３１には、適度な剛性を得るべくガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材が含められることがある。そのような繊維状の材料を第１絶縁層３１が含んでいる場合、貫通孔１０ａの形成によって切断された繊維屑が、内壁面１０ａ１におけるＺ方向の中央部分から比較的長く突出することがある。図１の例のように内壁面１０ａ１上において湾曲する表面を有するソルダーレジスト層４０は、そのような繊維屑を露出させずに覆い易い点で好ましい。
【００２７】
図１の例において、内壁面１０ａ１上のソルダーレジスト層４０の最大の厚さＴ１としては、１０μｍ以上、８０μｍ以下が例示される。また、積層体１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上におけるソルダーレジスト層４０の厚さＴ２としては、１０μｍ以上、５０μｍ以下が例示される。また厚さＴ１と厚さＴ２との比（Ｔ１／Ｔ２）は、例えば１．０以上、３．０以下である。厚さＴ１と厚さＴ２との比がこの範囲内にあれば、第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上と内壁面１０ａ１上との間でのソルダーレジスト層４０の厚さ方向の熱膨張量（熱収縮量）の差異によるソルダーレジスト層４０の歪みや剥離が生じ難いと考えられる。
【００２８】
図２に示されるように、図１の配線基板１が有する貫通孔１０ａは、全体として矩形の平面形状を有しており、配線基板１の略中央部に形成されている。前述したように、ソルダーレジスト層４０は、平面視で貫通孔１０ａの全周に渡って内壁面１０ａ１を覆っている。なお、図２の例と異なり、内壁面１０ａ１は、必ずしも貫通孔１０ａの周囲全周に渡ってソルダーレジスト層４０によって覆われていなくてもよい。貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１が部分的に露出していても、少なくともソルダーレジスト層４０に覆われている部分からの塵芥の離脱は防止され得る。
【００２９】
図２の例において、複数の接続パッド２２ａは、貫通孔１０ａの対向する一組の２辺それぞれの外側にこの２辺に沿って配列され、ソルダーレジスト層４０の開口４１内に露出している。配線基板１に実装される部品Ｅ（図１参照）は、例えば、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に搭載され、部品Ｅの所定の端子（図示せず）が接続パッド２２ａに接続される。接続パッド２２ａは、図２の例に限定されず、部品Ｅに応じて任意の位置に任意の数だけ設けられる。接続パッド２２ａは、例えば、略矩形の貫通孔１０ａの４辺それぞれの外側に、この４辺それぞれに沿って配列されてもよい。
【００３０】
ソルダーレジスト層４０の貫通孔１０ａ内での断面形状は、図１に例示されるような湾曲する表面を有する形状に限定されない。図３には、図１の配線基板１の変形例が示されており、その変形例における図１のIII部に相当する部分が示されている。
【００３１】
図３の変形例では、ソルダーレジスト層４０は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている部分において略平坦な表面を有している。ソルダーレジスト層４０の表面が貫通孔１０ａの内部に向って湾曲していないので、貫通孔１０ａの開口サイズを図１の例に比べて小さくできることがある。ソルダーレジスト層４０は、貫通孔１０ａ内において、このような平坦な表面を有していてもよく、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１さえ意図せず露出しなければ、内壁面１０ａ１に向って凹むように湾曲する表面を有していてもよい。図３におけるソルダーレジスト層４０以外の構成要素の構造及び形状は図１の例と同様であるため、それらの構成要素に関する説明は省略される。
【００３２】
図４Ａ及び図４Ｂには、図１の配線基板１のさらに他の例である配線基板１ａの断面図と平面図とが、それぞれ示されている。図４Ａは、図４Ｂに示されるIVＡ−IVＡ線での断面図である。図４Ａ及び図４Ｂに示されるように、配線基板１ａのソルダーレジスト層４０は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓのそれぞれにおいて、貫通孔１０ａの周囲に開口４０ａを有している。開口４０ａには、積層体１０の第１面１０Ｆ又は第２面１０Ｓが露出している。
【００３３】
配線基板１ａでは、図４Ｂに示されるように、複数の開口４０ａが、平面視で貫通孔１０ａの周囲に貫通孔１０ａを囲むように形成されている。また、複数の開口４０ａそれぞれは、スリット状の平面形状を有し、一連の開口４０ａが、貫通孔１０ａの平面視における各辺に沿って、ミシン目状に一列に配列されている。貫通孔１０ａの周囲に開口４０ａのようなソルダーレジスト層４０の不連続部を設けることによって、前述した、第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上と内壁面１０ａ１上のとの間でのソルダーレジスト層４０の熱膨張量（熱収縮量）の差異による歪みを吸収できることがある。従ってソルダーレジスト層４０の剥離などを防止できることがある。
【００３４】
図４Ｂの例では、複数の開口４０ａのそれぞれは、接続パッド２２ａに対応するように形成されている。すなわち、複数の開口４０ａの配列ピッチと、接続パッド２２ａの配列ピッチとは略等しい。複数の開口４０ａそれぞれと、各接続パッド２２それぞれとが対向している。また、貫通孔１０ａを挟んで対向する２つの接続パッド２２ａ、及び、貫通孔１０ａ挟んで対向する２つの開口４０ａが、一列に並べられている。開口４０ａのような不連続部がこのように形成されると、部品Ｅの実装後に部品Ｅとソルダーレジスト層４０との熱膨張率の違いによって生じ得る応力が不連続部によって緩和されると推定される。従って、ソルダーレジスト層４０にクラックなどが生じ難いと考えられる。
【００３５】
また、図４Ａ及び図４Ｂの例では、開口４０ａは、貫通孔１０ａと接続パッド２２ａとの間に形成されている。配線基板１ａに部品Ｅが実装されると、接続パッド２２ａの周囲にアンダーフィル材などの保護樹脂（図示せず）が充填されることがある。その場合、保護樹脂の充填時に保護樹脂が貫通孔１０ａ内に流れ込むおそれがある。しかし、図４Ａ及び図４Ｂの例のように、開口４０ａのような不連続部が部品Ｅの実装面（図４Ａでは第１面１０Ｆ）に形成されていると、ある程度の量の保護樹脂が不連続部内に流れ込んで滞留し得ると考えられる。従って、貫通孔１０ａ内への保護樹脂の流入が防止され易いと考えられる。
【００３６】
開口４０ａのような不連続部の平面形状、及び複数の不連続部の配列は、図４Ｂの例に限定されない。例えば、不連続部として１つの連続的な溝が形成され、その溝によって貫通孔１０ａが囲まれていてもよい。不連続部は任意の平面形状を有し得る。また、不連続部は必ずしも貫通孔１０ａをその周囲全周に渡って囲んでいなくてもよい。また、開口４０ａのような不連続部は、図４Ａの例の様に、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの両方に設けられていなくてもよい。第１面１０Ｆと第２面１０Ｓとのいずれか一方だけに、例えば部品Ｅが実装される面だけに、設けられていてもよい。図４Ａ及び図４Ｂにおけるソルダーレジスト層４０の不連続部以外の構成要素の構造及び形状は、図１の例と同様であるため、それらの構成要素に関する説明は省略される。
【００３７】
つぎに、図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図５Ａ〜図５Ｃを参照して説明される。
【００３８】
図５Ａに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、２以上の導体層（図５Ａでは第１〜第４の導体層２１、２２、２３、２４）と、この２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層（図５Ａでは、第１〜第３の絶縁層３１、３２、３３）とを含む積層体１０を用意することを含んでいる。積層体１０は、例えば第１絶縁層３１の一方の表面に第１導体層２１、第２絶縁層３２、及び第２導体層２２を順に形成すると共に、第１絶縁層３１の他方の表面に第３導体層２３、第３絶縁層３３、及び第４導体層２４を順に形成することによって用意される。
【００３９】
例えば第１絶縁層３１となる絶縁基板とその両面それぞれに積層された銅箔とを有する両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板には、レーザー加工によって、スルーホール導体３１ａを形成するための貫通孔が形成され、貫通孔の内壁及び両面銅張積層板の表面上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって導体膜が形成される。そして、この導体膜をシード層及び給電層として用いる電解めっき、及び、適切なマスクを用いるエッチングなどを含むサブトラクティブ法によって、所望の導体パターンを有する第１導体層２１及び第３導体層２３、並びにスルーホール導体３１ａが形成される。即ち配線基板１のコア基板が形成される。第１及び第３の導体層２１、２３、並びにスルーホール導体３１ａは、セミアディティブ法によって形成されてもよい。
【００４０】
第１導体層２１上、及び第１導体層２１の導体パターン間に露出する第１絶縁層３１の露出面上に、例えばシート状のエポキシ樹脂が積層され、熱圧着されることによって、第２絶縁層３２が形成される。第２絶縁層３２の形成と同様の方法で、好ましくは第２絶縁層３２の形成と同時に、第３導体層２３上、及び第３導体層２３の導体パターン間に露出する第１絶縁層３１の露出面上に第３絶縁層３３が形成される。第２及び第３の絶縁層３２、３３の形成において、銅箔などの金属箔が、第２及び第３の絶縁層３２、３３の上に熱圧着されてもよい。第２及び第３の絶縁層３２、３３には、所定の位置に、ビア導体５１、５２の形成用の孔が、レーザー光の照射などによって形成される。
【００４１】
そして、例えばセミアディティブ法によって、第２絶縁層３２の上に所望の導体パターンを有する第２導体層２２が形成され、第２絶縁層３２内にビア導体５１が形成される。また、第２導体層２２及びビア導体５１の形成方法と同様の方法で、好ましくは第２導体層２２の形成と同時に、第３絶縁層３３の上に所望の導体パターンを有する第４導体層２４が形成され、第３絶縁層３３内にビア導体５２が形成される。例えば、以上の工程を経ることによって、第２導体層２２側の表面として第１面１０Ｆを有し、第４導体層２４側の表面として第２面１０Ｓを有する積層体１０が用意される。
【００４２】
図５Ｂに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、積層体１０を積層体１０の厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａを積層体１０の所定の領域に形成することを含んでいる。貫通孔１０ａの形成方法としては、ドリル加工、ルーター加工又はレーザー加工などが例示されるが、貫通孔１０ａの形成方法はこれらに限定されない。レーザー加工によって貫通孔１０ａが形成される場合は、例えば、ＣＯ2レーザーなどによるレーザー光が、積層体１０における貫通孔１０ａの形成領域の輪郭に沿って照射される。そしてレーザー光の照射経路に囲まれた部分が引き抜かれることによって貫通孔１０ａが形成され得る。
【００４３】
図５Ｃに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓを覆うソルダーレジスト層４０を形成すること、及び、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を、ソルダーレジスト層４０と一体の樹脂膜によって覆うことを含んでいる。ソルダーレジスト層４０は、図５Ｃに示されるように、貫通孔１０ａの内部を通って、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの一方から他方まで連続するように形成される。そのようにソルダーレジスト層４０を形成することによって、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１が、ソルダーレジスト層４０の一部である樹脂膜によって覆われる。
【００４４】
ソルダーレジスト層４０の形成では、例えば、感光性の樹脂を積層体１０に供給することによって、図５Ｃに示されるように、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１と共に、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの全面を覆うソルダーレジスト層４０が形成される。前述したように、ソルダーレジスト層４０を形成する樹脂としてはエポキシ樹脂などが例示される。エポキシ樹脂などのソルダーレジスト層４０の材料は、例えば、インクジェット、スピンコ―ティング、スプレーコーティング、又はロールコーティングなどの任意の方法によって供給される。このような方法によって、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１にも、十分な量の樹脂が供給され得る。
【００４５】
本実施形態において、ソルダーレジスト層４０を形成することは、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの全面に形成されたソルダージスト層４０に、接続パッド２２ａ、２４ａをそれぞれ露出させる開口を形成することを含んでいてもよい。例えば、本硬化前のソルダーレジスト層４０に対して、適切な開口パターンを有する露光マスクを用いた露光、及び現像が行われ、接続パッド２２ａ、２４ａを露出させる開口が形成される。前述した不連続部が設けられる場合は、接続パッド２２ａ、２４ａを露出させる開口の形成と共に形成され得る。その後、ソルダーレジスト層４０は、例えば加熱されることによって最終的な状態へと本硬化される。以上の工程を経ることによって図１に示される配線基板１が完成する。
【００４６】
なお、ソルダーレジスト層４０への開口の形成後、必要に応じて、接続パッド２２ａ、２４ａに表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜が形成され得る。
【００４７】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、貫通孔１０ａは、平面視で配線基板１の任意の位置に設けられ得る。また、積層体１０は、コア基板を有さず一方向に導体層と絶縁層とが積層された所謂コアレス基板であってもよい。また、ビア導体５１、５２及びスルーホール導体３１ａは必ずしも形成されていなくてもよい。
【００４８】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、第２及び第４の導体層２２、２４がサブトラクティブ法でパターニングされてもよい。また、ソルダーレジスト層４０は、必ずしも、その形成過程において一旦積層体１０の全面を覆うように形成されなくてもよい。例えば、マスクを用いたスプレーコーティングなどによって、所望される部分だけを覆うソルダーレジスト層４０が、ソルダーレジスト層４０の形成において最初から形成されてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１、１ａ  配線基板
１０      積層体
１０ａ    貫通孔
１０ａ１  内壁面
２１      第１導体層
２２      第２導体層
２３      第３導体層
２４      第４導体層
２２ａ    接続パッド
３１      第１絶縁層（コア層）
３２      第２絶縁層
３３      第３絶縁層
４０      ソルダーレジスト層
４０ａ    開口（不連続部）
Ｅ        部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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