(57)【要約】【課題】  光反射特性の低下を抑制しつつ画像を表示することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】  表示装置は、基板（２０）と、下地層ＢＬと、複数の発光素子１０と、樹脂層３１と、光反射層ＲＥと、を備える。樹脂層３１は、下地層ＢＬの上に設けられ、複数の発光素子１０の間の空隙部に充填され、平坦面ＳＵ２を有する。光反射層ＲＥは、平坦面ＳＵ２の上方に設けられ、鏡面ＭＳと複数の開口ＯＰ１とを有する。【選択図】  図４
2020101752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に設けられた下地層と、
前記下地層の上に実装された複数の発光素子と、
前記下地層の上に設けられ、前記複数の発光素子の間の空隙部に充填され、前記下地層と対向する側とは反対側に平坦面を有する、樹脂層と、
前記平坦面の上方に設けられ、前記平坦面と対向する側とは反対側に位置した鏡面と前記複数の発光素子に重なった複数の開口とを有する、光反射層と、を備える、
表示装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上に設けられた下地層と、
前記下地層の上に実装された複数の発光素子と、
前記下地層の上方に設けられ、前記下地層と対向する側とは反対側に位置した鏡面と前記複数の発光素子に重なった複数の開口とを有する、光反射層と、
前記鏡面と対向し、前記鏡面に隙間を置いて配置された透明導電層と、
前記光反射層と前記透明導電層との間に位置した調光層と、を備える、
表示装置。
【請求項３】
前記下地層と前記光反射層との間に位置し、前記複数の発光素子の間の空隙部に充填され、前記光反射層と対向する側に平坦面を有する、樹脂層をさらに備える、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記下地層は、前記基板と対向する側とは反対側に平坦面を有する樹脂層を有し、
前記調光層は、前記複数の発光素子の間の空隙部に充填されている、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記下地層は、前記複数の発光素子が実装された複数の画素電極を有し、
各々の前記発光素子は、
前記複数の画素電極のうち対応する一画素電極に電気的に接続された第１電極と、
前記第１電極とは反対側の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置した発光層と、を有し、
前記透明導電層は、共通電極であり、前記複数の発光素子の前記第２電極に電気的に接続されている、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
各々の前記開口は、前記複数の発光素子のうち２以上の発光素子に重なっている、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子のうち、第１色の第１発光素子、第２色の第２発光素子、及び第３色の第３発光素子をそれぞれ有する複数の画素をさらに備え、
各々の前記開口は、前記複数の画素のうち対応する一画素の前記第１発光素子、前記第２発光素子、及び前記第３発光素子に重なっている、
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
平面視にて、前記光反射層は、各々の前記発光素子に重なっていない、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項９】
平面視にて、前記開口における前記光反射層の内周の少なくとも一部は、前記発光素子に重なっている、
請求項１又は３に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記平坦面の上方に設けられ、透明な導電材料で形成された共通電極をさらに備え、
前記下地層は、前記複数の発光素子が実装された複数の画素電極を有し、
各々の前記発光素子は、
前記複数の画素電極のうち対応する一画素電極に電気的に接続された第１電極と、
前記第１電極とは反対側の第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に位置した発光層と、を有し、
前記樹脂層は、前記複数の発光素子の前記第２電極を露出させ、
前記共通電極は、前記複数の発光素子の前記第２電極に電気的に接続されている、
請求項１又は３に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記光反射層は、金属で形成され、前記共通電極に接している、
請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記複数の発光素子は、それぞれ、マイクロ発光ダイオードである、
請求項１又は２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、鏡の中に表示装置を組み入れたミラーディスプレイが知られている。ミラーディスプレイは、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンスＥＬ表示装置などの表示装置と、表示装置の画面側に位置した半透明鏡と、を備えている。ユーザは、半透明鏡を介して表示装置が表示する画像を視認することができる。  
ところで、反射鏡と比較し半透明鏡の反射率は低い。そのため、半透明鏡による反射像と表示装置が表示する画像とを加算してみることが困難である。また、表示装置が表示する画像の透過率は、半透明鏡によって低下することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１７−５２１８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、光反射特性の低下を抑制しつつ画像を表示することが可能な表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に係る表示装置は、
基板と、前記基板の上に設けられた下地層と、前記下地層の上に実装された複数の発光素子と、前記下地層の上に設けられ、前記複数の発光素子の間の空隙部に充填され、前記下地層と対向する側とは反対側に平坦面を有する、樹脂層と、前記平坦面の上方に設けられ、前記平坦面と対向する側とは反対側に位置した鏡面と前記複数の発光素子に重なった複数の開口とを有する、光反射層と、を備える。
【０００６】
また、一実施形態に係る表示装置は、
基板と、前記基板の上に設けられた下地層と、前記下地層の上に実装された複数の発光素子と、前記下地層の上方に設けられ、前記下地層と対向する側とは反対側に位置した鏡面と前記複数の発光素子に重なった複数の開口とを有する、光反射層と、前記鏡面と対向し前記鏡面に隙間を置いて配置された透明導電層と、前記光反射層と前記透明導電層との間に位置した調光層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、上記表示装置を示す回路図である。
【図３】図３は、上記第１の実施形態の副画素を示す等価回路図である。
【図４】図４は、図１に示した表示パネルを示す部分断面図である。
【図５】図５は、図１に示した画素のレイアウトを示す平面図であり、各種配線と、画素電極とを示す図である。
【図６】図６は、上記第１の実施形態の複数の発光素子及び光反射層を示す平面図である。
【図７】図７は、上記第１の実施形態の変形例１の複数の発光素子及び光反射層を示す平面図である。
【図８】図８は、上記第１の実施形態の変形例２の複数の発光素子及び光反射層を示す平面図である。
【図９】図９は、上記第１の実施形態の変形例３の複数の発光素子及び光反射層を示す平面図である。
【図１０】図１０は、上記第１の実施形態の変形例４の複数の発光素子及び光反射層を示す平面図である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る表示装置の表示パネルを示す部分断面図である。
【図１２】図１２は、第３の実施形態に係る表示装置の表示パネルを示す部分断面図である。
【図１３】図１３は、第４の実施形態に係る表示装置の表示パネルを示す部分断面図である。
【図１４】図１４は、第５の実施形態に係る表示装置の表示パネルを示す部分断面図である。
【図１５】図１５は、上述した表示装置（表示パネル）を化粧台の上の鏡に適用した例を説明するための図である。
【図１６】図１６は、上述した表示装置（表示パネル）を車のルームミラーに適用した例を説明するための図である。
【図１７】図１７は、上述した表示装置（表示パネル）を車のサイドミラーに適用した例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、本発明の各実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００９】
（第１の実施形態）  
まず、第１の実施形態に係る表示装置について説明する。図１は、第１の実施形態に係る表示装置１の構成を示す斜視図である。図１は、本実施形態に係る表示装置１の構成を示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。また、本実施形態において、第３方向Ｚを上と定義し、第３方向Ｚと反対側の方向を下と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、第１部材から離れて位置していてもよい。
【００１０】
以下、本実施形態においては、表示装置１が自発光素子であるマイクロ発光ダイオード（以下、マイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode）と称する）を用いたマイクロＬＥＤ表示装置である場合について主に説明する。
【００１１】
図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２、第１回路基板３、及び第２回路基板４等を備えている。  
表示パネル２は、一例では矩形の形状を有している。図示した例では、表示パネル２の短辺ＥＸは、第１方向Ｘと平行であり、表示パネル２の長辺ＥＹは、第２方向Ｙと平行である。第３方向Ｚは、表示パネル２の厚さ方向に相当する。表示パネル２の主面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとにより規定されるＸ−Ｙ平面に平行である。表示パネル２は、表示領域ＤＡ、及び表示領域ＤＡ以外の非表示領域ＮＤＡを有している。非表示領域ＮＤＡは、端子領域ＭＴを有している。図示した例では、非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲んでいる。
【００１２】
表示領域ＤＡは、画像を表示する領域であり、例えばマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸを備えている。本実施形態において、表示領域ＤＡの形状は、四角形であるが、これに限らず、四角形以外の多角形、円形などであってもよい。また、表示領域ＤＡのサイズは非表示領域ＮＤＡのサイズより大きいが、これに限らず、表示領域ＤＡのサイズは非表示領域ＮＤＡのサイズより小さくともよい。  
端子領域ＭＴは、表示パネル２の短辺ＥＸに沿って設けられ、表示パネル２を外部装置などと電気的に接続するための端子を含んでいる。
【００１３】
第１回路基板３は、端子領域ＭＴの上に実装され、表示パネル２と電気的に接続されている。第１回路基板３は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第１回路基板３は、表示パネル２を駆動する駆動ＩＣチップ（以下、パネルドライバと表記）５などを備えている。なお、図示した例では、パネルドライバ５は、第１回路基板３の上に実装されているが、第１回路基板３の下に実装されていてもよい。又は、パネルドライバ５は、第１回路基板３以外に実装されていてもよく、例えば第２回路基板４に実装されていてもよい。第２回路基板４は、例えばフレキシブルプリント回路基板である。第２回路基板４は、第１回路基板３の例えば下方において第１回路基板３と接続されている。
【００１４】
上記したパネルドライバ５は、例えば第２回路基板４を介して制御基板（図示せず）と接続されている。パネルドライバ５は、例えば制御基板から出力される映像信号に基づいて複数の画素ＰＸを駆動することによって表示パネル２に画像を表示する制御を実行する。
【００１５】
なお、表示パネル２は、斜線を付して示す折り曲げ領域ＢＡを有していてもよい。折り曲げ領域ＢＡは、表示装置１が筐体に収容される際に折り曲げられる領域である。折り曲げ領域ＢＡは、非表示領域ＮＤＡのうち端子領域ＭＴ側に位置している。折り曲げ領域ＢＡが折り曲げられた状態において、第１回路基板３及び第２回路基板４は、表示パネル２と対向するように、表示パネル２の下方に配置される。
【００１６】
図２は、表示装置１を示す回路図である。図３は、本実施形態の副画素ＳＰを示す等価回路図である。なお、図２において、各種の配線の全てについて図示していない。  
図２及び図３に示すように、表示パネル２は、光透過性を有する絶縁基板（基板）２０、表示領域ＤＡにて絶縁基板２０の上にマトリクス状に配列された複数の画素ＰＸ、及び各種配線、走査線駆動回路ＹＤＲ１、ＹＤＲ２、及び信号線駆動回路ＸＤＲを備えている。
【００１７】
各種配線は、複数本の第１走査線Ｓｇａと、複数本の第２走査線Ｓｇｂと、複数本の第３走査線Ｓｇｃと、複数本の第４走査線Ｓｇｄと、複数本の映像信号線ＶＬと、複数本の高電位電源線ＳＬａと、複数本のリセット配線Ｓｇｒと、複数本の初期化配線Ｓｇｉと、を有している。
【００１８】
本実施形態において、第１走査線Ｓｇａ、第３走査線Ｓｇｃ、及び第４走査線Ｓｇｄは、走査線駆動回路ＹＤＲ１に接続され、第１方向Ｘに延出して設けられている。第２走査線Ｓｇｂは、走査線駆動回路ＹＤＲに接続され、第１方向Ｘに延出して設けられている。映像信号線ＶＬは、信号線駆動回路ＸＤＲに接続され、第２方向Ｙに延出して設けられている。高電位電源線ＳＬａ、リセット配線Ｓｇｒ、及び初期化配線Ｓｇｉは、第２方向Ｙに延出して設けられている。表示パネル２は、高電位Ｐｖｄｄに固定される高電位電源線ＳＬａだけでなく、低電位Ｐｖｓｓに固定される低電位電源線ＳＬｂも有している。高電位電源線ＳＬａは高電位電源に接続され、低電位電源線ＳＬｂは低電位電源に接続されている。
【００１９】
走査線駆動回路ＹＤＲ１は、第１走査線Ｓｇａ、第３走査線Ｓｇｃ、及び第４走査線Ｓｇｄを駆動するように構成されている。走査線駆動回路ＹＤＲ２は、第２走査線Ｓｇｂを駆動するように構成されている。信号線駆動回路ＸＤＲは、映像信号線ＶＬを駆動するように構成されている。走査線駆動回路ＹＤＲ１、ＹＤＲ２及び信号線駆動回路ＸＤＲは、非表示領域ＮＤＡにて絶縁基板２０の上に形成され、パネルドライバ５とともに駆動部７を構成している。
【００２０】
各々の画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを有している。各々の副画素ＳＰは、発光素子１０と、発光素子１０に駆動電流を与える画素回路と、を含んでいる。発光素子１０は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、マイクロ発光ダイオード（以下、マイクロＬＥＤ（Light Emitting Diode）と称する）である。本実施形態の表示装置１は、マイクロＬＥＤ表示装置である。
【００２１】
各副画素ＳＰの画素回路は、電圧信号からなる映像信号Ｖｓｉｇに応じて発光素子１０の発光を制御する電圧信号方式の画素回路であり、リセットスイッチＲＳＴ、画素スイッチＳＳＴ、初期化スイッチＩＳＴ、出力スイッチＢＣＴ、駆動トランジスタＤＲＴ、保持容量Ｃｓ、及び補助容量Ｃａｄを有している。保持容量Ｃｓ及び補助容量Ｃａｄは、キャパシタである。補助容量Ｃａｄは発光電流量を調整するために設けられる素子であり、場合によっては不要となる場合もある。
【００２２】
リセットスイッチＲＳＴ、画素スイッチＳＳＴ、初期化スイッチＩＳＴ、出力スイッチＢＣＴ、及び駆動トランジスタＤＲＴは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）により構成されている。本実施形態において、リセットスイッチＲＳＴ、画素スイッチＳＳＴ、初期化スイッチＩＳＴ、出力スイッチＢＣＴ、及び駆動トランジスタＤＲＴは、同一導電型、例えばＮチャネル型のＴＦＴにより構成されている。なお、リセットスイッチＲＳＴ、画素スイッチＳＳＴ、初期化スイッチＩＳＴ、出力スイッチＢＣＴ、及び駆動トランジスタＤＲＴの一以上は、Ｐチャネル型のＴＦＴにより構成されていてもよい。その場合、Ｎチャネル型のＴＦＴとＰチャネル型のＴＦＴを同時に形成してもよい。リセットスイッチＲＳＴ、画素スイッチＳＳＴ、初期化スイッチＩＳＴ、及び出力スイッチＢＣＴは、スイッチとして機能すればよく、ＴＦＴで構成されていなくともよい。
【００２３】
本実施形態に係る表示装置１において、駆動トランジスタＤＲＴ及び各スイッチをそれぞれ構成したＴＦＴは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層に多結晶シリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。なお、半導体層は、非晶質シリコン、酸化物半導体など、多結晶シリコン以外の半導体を利用してもよい。
【００２４】
リセットスイッチＲＳＴ、画素スイッチＳＳＴ、初期化スイッチＩＳＴ、出力スイッチＢＣＴ、及び駆動トランジスタＤＲＴは、それぞれ、第１端子、第２端子、及び制御端子を有している。本実施形態では、第１端子をソース電極、第２端子をドレイン電極、制御端子をゲート電極としている。
【００２５】
画素ＰＸの画素回路において、駆動トランジスタＤＲＴ及び出力スイッチＢＣＴは、高電位電源線ＳＬａと低電位電源線ＳＬｂとの間で発光素子１０と直列に接続されている。高電位電源線ＳＬａ（高電位Ｐｖｄｄ）は例えば１０Ｖの電位に設定され、低電位電源線ＳＬｂ（低電位Ｐｖｓｓ）は、例えば１．５Ｖの電位に設定されている。
【００２６】
出力スイッチＢＣＴにおいて、ドレイン電極は高電位電源線ＳＬａに接続され、ソース電極は駆動トランジスタＤＲＴのドレイン電極に接続され、ゲート電極は第２走査線Ｓｇｂに接続されている。これにより、出力スイッチＢＣＴは、第２走査線Ｓｇｂに与えられる制御信号ＢＧによりオン（導通状態）、オフ（非導通状態）制御される。出力スイッチＢＣＴは、制御信号ＢＧに応答して、発光素子１０の発光時間を制御する。
【００２７】
駆動トランジスタＤＲＴにおいて、ドレイン電極は出力スイッチＢＣＴのソース電極に接続され、ソース電極は発光素子１０の一方の電極（ここでは陽極）に接続されている。発光素子１０の他方の電極（ここでは陰極）は、低電位電源線ＳＬｂに接続されている。駆動トランジスタＤＲＴは、映像信号Ｖｓｉｇに応じた電流量の駆動電流を発光素子１０に出力する。
【００２８】
画素スイッチＳＳＴにおいて、ソース電極は映像信号線ＶＬに接続され、ドレイン電極は駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に接続され、ゲート電極は信号書き込み制御用ゲート配線として機能する第３走査線Ｓｇｃに接続されている。画素スイッチＳＳＴは、第３走査線Ｓｇｃから供給される制御信号ＳＧによりオン、オフ制御される。そして、画素スイッチＳＳＴは、制御信号ＳＧに応答して、画素回路と映像信号線ＶＬとの接続、非接続を制御し、映像信号線ＶＬから映像信号Ｖｓｉｇを画素回路に取り込む。
【００２９】
初期化スイッチＩＳＴにおいて、ソース電極は初期化配線Ｓｇｉに接続され、ドレイン電極は駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極に接続され、ゲート電極は第１走査線Ｓｇａに接続されている。初期化スイッチＩＳＴは、第１走査線Ｓｇａから供給される制御信号ＩＧによりオン、オフ制御される。そして、初期化スイッチＩＳＴは、制御信号ＩＧに応答して、画素回路と初期化配線Ｓｇｉとの接続、非接続を制御する。画素回路と初期化配線Ｓｇｉとを初期化スイッチＩＳＴにて接続することにより、初期化配線Ｓｇｉから初期化電位（初期化電圧）Ｖｉｎｉを画素回路に取り込むことができる。
【００３０】
リセットスイッチＲＳＴは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極とリセット配線Ｓｇｒとの間に接続されている。リセットスイッチＲＳＴのゲート電極はリセット制御用ゲート配線として機能する第４走査線Ｓｇｄに接続されている。上記のように、リセット配線Ｓｇｒは、リセット電源に接続され、定電位であるリセット電位Ｖｒｓｔに固定される。リセットスイッチＲＳＴは、第４走査線Ｓｇｄを通して与えられる制御信号ＲＧに応じて、導通状態（オン）又は非導通状態（オフ）に切替えられる。リセットスイッチＲＳＴがオン状態に切替えられることにより、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極の電位をリセット電位Ｖｒｓｔにリセットすることができる。
【００３１】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤＲＴのゲート電極とソース電極との間に接続されている。補助容量Ｃａｄは、駆動トランジスタＤＲＴのソース電極と定電位の配線としての高電位電源線ＳＬａとの間に接続されている。
【００３２】
一方、図２に示すパネルドライバ５は、走査線駆動回路ＹＤＲ１、ＹＤＲ２及び信号線駆動回路ＸＤＲを制御する。パネルドライバ５は外部から供給されるデジタル映像信号及び同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。
【００３３】
そして、パネルドライバ５は、これら垂直走査制御信号及び水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路ＹＤＲ１、ＹＤＲ２及び信号線駆動回路ＸＤＲに供給するとともに、水平及び垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号及び初期化信号を信号線駆動回路ＸＤＲに供給する。
【００３４】
信号線駆動回路ＸＤＲは、水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換し階調に応じた映像信号Ｖｓｉｇを複数の映像信号線ＶＬに供給する。パネルドライバ５は、高電位電源線ＳＬａを高電位Ｐｖｄｄに固定し、リセット配線Ｓｇｒをリセット電位Ｖｒｓｔに固定し、初期化配線Ｓｇｉを初期化電位Ｖｉｎｉに固定する。なお、高電位電源線ＳＬａの電位、リセット配線Ｓｇｒの電位、及び初期化配線Ｓｇｉの電位は、信号線駆動回路ＸＤＲを介して設定されてもよい。
【００３５】
走査線駆動回路ＹＤＲ１、ＹＤＲ２には、パネルドライバ５よりスタートパルス信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫＶなどが与えられる。  
走査線駆動回路ＹＤＲ１、ＹＤＲ２は、図示しないシフトレジスタ、出力バッファ等を含み、スタートパルス信号ＳＴＶを順次次段のシフトレジスタに転送し、出力バッファを介して各行の副画素ＳＰに４種類の制御信号、すなわち、制御信号ＩＧ，ＢＧ，ＳＧ，ＲＧを供給する。これにより、第１走査線Ｓｇａ、第２走査線Ｓｇｂ、第３走査線Ｓｇｃ、及び第４走査線Ｓｇｄは、それぞれ制御信号ＩＧ，ＢＧ、ＳＧ、ＲＧにより駆動される。
【００３６】
次に、図４を参照して、駆動トランジスタＤＲＴ、リセットスイッチＲＳＴ、画素電極ＰＥ、発光素子１０、低電位電源線ＳＬｂ、共通電極ＣＥ、光反射層ＲＥなどの構造について説明する。図４は、図１に示した表示パネル２を示す部分断面図である。なお、図４では、表示パネル２を、表示面、すなわち光出射面が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００３７】
図４に示すように、表示パネル２は、絶縁基板２０と、絶縁基板２０の上に設けられた絶縁層２１，２２，２３，２４，２５，２６と、複数の画素ＰＸと、を備えている。複数の画素ＰＸは、絶縁基板２０の上に設けられ、表示領域ＤＡに位置し、複数色の副画素ＳＰを含んでいる。
【００３８】
絶縁基板２０としては、主に、石英、無アルカリガラス等のガラス基板、またはポリイミド等の樹脂基板を用いることができる。絶縁基板２０の材質は、ＴＦＴを製造する際の処理温度に耐える材質であればよい。絶縁基板２０が可撓性を有する樹脂基板である場合、表示装置１をシートディスプレイとして構成することができる。樹脂基板としては、ポリイミドに限らず、他の樹脂材料を用いてもよい。なお、絶縁基板２０にポリイミドなどを用いる場合、絶縁基板２０を有機絶縁層又は樹脂層と称した方が適当な場合があり得る。
【００３９】
絶縁層２１は、絶縁基板２０の上に設けられている。絶縁層２１の上に、各種のＴＦＴが形成されている。表示領域ＤＡにおいて、絶縁層２１の上に、駆動トランジスタＤＲＴ、リセットスイッチＲＳＴなどが形成され、非表示領域ＮＤＡにおいて、絶縁層２１の上に走査線駆動回路ＹＤＲを構成するＴＦＴなどが形成されている。駆動トランジスタＤＲＴなどのＴＦＴは、半導体層ＳＣと、ゲート電極ＧＥと、第１電極Ｅ１と、第２電極Ｅ２と、を備えている。
【００４０】
半導体層ＳＣは、絶縁層２１の上に配置されている。絶縁層２２は、絶縁層２１及び半導体層ＳＣの上に設けられている。ゲート電極ＧＥは、絶縁層２２の上に配置され、半導体層ＳＣのチャネル領域と対向している。絶縁層２３は、絶縁層２２及びゲート電極ＧＥの上に設けられている。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、絶縁層２３の上に配置されている。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、それぞれ絶縁層２２及び絶縁層２３に形成されたコンタクトホールを通り、対応する半導体層ＳＣに電気的に接続されている。
【００４１】
本実施形態において、絶縁層２２の上に、導電層ＣＬが形成されている。駆動トランジスタＤＲＴの第１電極Ｅ１は、対応する半導体層ＳＣだけではなく、導電層ＣＬにも電気的に接続されている。リセットスイッチＲＳＴの第２電極Ｅ２は、対応する半導体層ＳＣだけではなく、導電層ＣＬにも電気的に接続されている。そのため、駆動トランジスタＤＲＴ及びリセットスイッチＲＳＴは、導電層ＣＬを介して電気的に接続されている。  
非表示領域ＮＤＡにおいて、低電位電源線ＳＬｂは、絶縁層２３の上に配置されている。絶縁層２４は、絶縁層２３、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び低電位電源線ＳＬｂの上に設けられている。
【００４２】
第１導電層ＣＬ１及び第２導電層ＣＬ２は、絶縁層２４の上に配置されている。第１導電層ＣＬ１は、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り第１電極Ｅ１に電気的に接続されている。第２導電層ＣＬ２は、絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り第２電極Ｅ２に電気的に接続されている。
【００４３】
絶縁層２５は、絶縁層２４、第１導電層ＣＬ１、及び第２導電層ＣＬ２の上に設けられている。画素電極ＰＥは、絶縁層２５の上に配置されている。画素電極ＰＥは、絶縁層２５に形成されたコンタクトホールＣＨを通り第１導電層ＣＬ１に電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、駆動トランジスタＤＲＴに電気的に接続され、駆動トランジスタＤＲＴから電流値が制御された信号が与えられる。
【００４４】
絶縁層２６は、絶縁層２５及び画素電極ＰＥの上に設けられている。図示しないが、絶縁層２６は、複数の画素電極ＰＥの上に位置し、複数の画素電極ＰＥを覆っている。絶縁層２６は、画素電極ＰＥの表面の一部に発光素子１０を実装するための開口を有している。絶縁層２６の上記開口の大きさは、発光素子１０の実装工程における実装ずれ量等を考慮し、発光素子１０よりも一回り大きめのサイズである。例えば、発光素子１０が実質的に４μｍ×４μｍの実装面積、乃至５μｍ×５μｍの実装面積である場合、上記開口は実質的に８μｍ×８μｍ、乃至１０μｍ×１０μｍは確保されることが好ましい。
【００４５】
上記のように、絶縁基板２０の上には、絶縁層２１から絶縁層２６までの積層構造を有する下地層ＢＬが設けられている。下地層ＢＬは、例えば、複数の画素電極ＰＥを有している。
【００４６】
ここで、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５，２６は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料で形成されている。本実施形態において、絶縁層２１，２２，２３，２５，２６は、無機絶縁材料として、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）、又はシリコン窒化物（ＳｉＮ）で形成されている。  
絶縁層２４は、樹脂材料として、例えば感光性アクリル樹脂で形成されている。絶縁層２４は、絶縁層２３と対向する側とは反対側に平坦面ＳＵ１を有している。そのため、絶縁層２４は、平坦化層である。
【００４７】
半導体層ＳＣは、ポリシリコンとして低温ポリシリコンで形成されている。但し、半導体層ＳＣは、アモルファスシリコン、酸化物半導体など、ポリシリコン以外の半導体で形成されていてもよい。ゲート電極ＧＥ及び導電層ＣＬは、同層に位置し、同一の導電材料として金属で形成されている。例えば、ゲート電極ＧＥ及び導電層ＣＬは、ＭｏＷ（モリブデン・タングステン）で形成されている。
【００４８】
第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び低電位電源線ＳＬｂは、同層に位置し、同一の導電材料として金属で形成さている。例えば、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、及び低電位電源線ＳＬｂは、それぞれ三層積層構造（Ｔｉ系／Ａｌ系／Ｔｉ系）が採用され、Ｔｉ（チタン）、Ｔｉを含む合金などＴｉを主成分とする金属材料からなる下層と、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌを含む合金などＡｌを主成分とする金属材料からなる中間層と、Ｔｉ、Ｔｉを含む合金などＴｉを主成分とする金属材料からなる上層と、を有している。ここではトップゲート型のＴＦＴを例として説明しているが、ＴＦＴはボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。  
駆動トランジスタＤＲＴなどのスイッチは、絶縁層２４で覆われている。
【００４９】
第１導電層ＣＬ１及び第２導電層ＣＬ２は、同層に位置し、同一の導電材料として金属又は透明導電材料で形成されている。画素電極ＰＥは、導電材料として金属で形成されている。例えば、画素電極ＰＥは、単一の導電層、三層積層構造、又は二層積層構造を有している。
【００５０】
三層積層構造において、画素電極ＰＥは、Ｔｉ系／Ａｌ系／Ｔｉ系に限らず、Ｍｏ系／Ａｌ系／Ｍｏ系であってもよい。Ｍｏ系／Ａｌ系／Ｍｏ系において、画素電極ＰＥは、Ｍｏ（モリブデン）、Ｍｏを含む合金などＭｏを主成分とする金属材料からなる下層と、Ａｌ、Ａｌを含む合金などＡｌを主成分とする金属材料からなる中間層と、Ｍｏ、Ｍｏを含む合金などＭｏを主成分とする金属材料からなる上層と、を有している。
【００５１】
二層積層構造において、画素電極ＰＥは、Ａｌを主成分とする金属材料からなる下層と、Ｔｉを主成分とする金属材料からなる上層と、を有している。又は、画素電極ＰＥは、Ｍｏを主成分とする金属材料からなる下層と、Ａｌを主成分とする金属材料からなる上層と、を有している。なお、画素電極ＰＥは、透明導電材料で形成されていてもよい。
【００５２】
表示領域ＤＡにおいて、下地層ＢＬの上に複数の発光素子１０が実装されている。詳しくは、発光素子１０は、画素電極ＰＥの上に実装されている。発光素子１０は、第１電極としての陽極ＡＮと、第２電極としての陰極ＣＡと、光を放出する発光層ＬＩと、を有している。発光素子１０は、第１色、第２色、及び第３色の発光色を有するものがそれぞれ用意されており、陽極ＡＮは、対応する画素電極ＰＥに電気的に接続され、固定されている。本実施形態において、第１色は赤色（Ｒ）であり、第２色は緑色（Ｇ）であり、第３色は青色（Ｂ）である。
【００５３】
発光素子１０の陽極ＡＮと画素電極ＰＥとの間の接合は、両者の間で良好な導通が確保でき、かつ、絶縁基板２０から絶縁層２６までの積層構造を破損しないものであれば特に限定されるものではない。例えば低温溶融のはんだ材料を用いたリフロー工程や、導電ペーストを介して発光素子１０を画素電極ＰＥ上に載せた後に焼成結合する等の手法、あるいは画素電極ＰＥの表面と、発光素子１０の陽極ＡＮとに同系材料を用い、超音波接合等の固相接合の手法を採用することができる。発光素子１０は、画素電極ＰＥに電気的に接続されている陽極ＡＮの反対側に陰極ＣＡを有している。
【００５４】
発光素子１０が実装された下地層ＢＬの上に、樹脂層３１が設けられている。樹脂層３１は、複数の発光素子１０の間の空隙部に充填されている。樹脂層３１は、下地層ＢＬと対向する側とは反対側に平坦面ＳＵ２を有している。そのため、樹脂層３１は、平坦化層である。樹脂層３１は、発光素子１０のうち陰極ＣＡの表面を露出させている。
【００５５】
共通電極ＣＥは、少なくとも表示領域ＤＡに位置し、平坦面ＳＵ２の上方に設けられている。共通電極ＣＥは、樹脂層３１及び複数の発光素子１０の上に配置され、複数の画素の発光素子１０を覆っている。共通電極ＣＥは、複数の陰極ＣＡに接触し、複数の陰極ＣＡと電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、複数の副画素ＳＰで共用されている。
【００５６】
共通電極ＣＥは、非表示領域ＮＤＡに延在し、非表示領域ＮＤＡにおいて、低電位電源線ＳＬｂに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、樹脂層３１、絶縁層２６、絶縁層２５、及び絶縁層２４に形成されたコンタクトホールを通り低電位電源線ＳＬｂにコンタクトしている。そのため、共通電極ＣＥは、低電位電源線ＳＬｂの電位と同一の定電位に保持され、低電位電源線ＳＬｂと全ての発光素子１０の陰極ＣＡとを電気的に接続している。
【００５７】
共通電極ＣＥは、発光素子１０からの出射光を取り出すために、透明電極として形成する必要があり、透明な導電材料として例えばＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）を用いて形成されている。
【００５８】
なお、樹脂層３１は、平坦面ＳＵ２を有していればよく、発光素子１０の陰極ＣＡまで達しないような膜厚で形成されていてもよい。共通電極ＣＥが形成される表面には発光素子１０の実装に伴う凹凸の一部が残存しているが、共通電極ＣＥを形成する材料が段切れすることなく連続的に覆うことができればよい。
【００５９】
平坦面ＳＵ２の上方に、光反射層ＲＥが設けられている。光反射層ＲＥは、実質的に、表示パネル２の全域に位置している。光反射層ＲＥは、少なくとも表示領域ＤＡに位置している。光反射層ＲＥは、平坦面ＳＵ２と対向する側とは反対側に位置した鏡面ＭＳと、複数の発光素子１０に重なった複数の開口ＯＰ１と、開口ＯＰ２と、を有している。光反射層ＲＥは、平坦面ＳＵ２の上方に配置されているため、鏡面ＭＳは平坦である。開口ＯＰ２は、共通電極ＣＥと低電位電源線ＳＬｂとのコンタクト部を囲んでいる。
【００６０】
本実施形態において、光反射層ＲＥは、共通電極ＣＥの上に位置し、共通電極ＣＥに接している。光反射層ＲＥは、光反射性の材料として、銀（Ａｇ）、Ａｌなどの金属材料で形成されている。そのため、光反射層ＲＥは、共通電極ＣＥに電気的に接続されている。なお、光反射層ＲＥは、平坦面ＳＵ２と共通電極ＣＥとの間に位置していてもよい。  
上記のように、光反射層ＲＥは、共通電極ＣＥに電気的に接続されていた方が望ましい。なぜなら、共通電極ＣＥの単独の電気抵抗より、共通電極ＣＥ及び光反射層ＲＥの積層体の電気抵抗を低くすることができるためである。
【００６１】
光反射層ＲＥの厚みＴは、特に限定されるものではないが、外光を十分に反射することができるように設定されていた方が望ましい。また、厚みＴは、樹脂層３１及び共通電極ＣＥを介した発光素子１０からの光を十分に反射することができるように設定されていた方が望ましい。例えば、光反射層ＲＥをＡｇで形成する場合、厚みＴが２００ｎｍあれば、上記外光や上記発光素子１０からの光を十分に反射することが可能である。  
また、光反射層ＲＥは、反射鏡を構成している。そのため、半透明鏡と比較して、光反射層ＲＥは、高い光反射率を得ることができる。
【００６２】
上記のように、表示パネル２は、絶縁基板２０から光反射層ＲＥまでの構造を有している。本実施形態に係る発光素子１０を表示素子として用いる表示装置１は、例えば以上のように構成されている。なお、必要に応じて、共通電極ＣＥの上にカバーガラスなどのカバー部材やタッチパネル基板等が設けられてもよい。
【００６３】
次に、画素ＰＸのレイアウトについて説明する。図５は、図１に示した画素ＰＸのレイアウトを示す平面図であり、各種配線と、画素電極ＰＥとを示す図である。  
図５に示すように、各々の画素ＰＸは、複数の副画素ＳＰを有している。本実施形態において、各々の画素ＰＸは、第１色の副画素ＳＰａ、第２色の副画素ＳＰｂ、及び第３色の副画素ＳＰｃの３色の副画素ＳＰを有している。副画素ＳＰａは画素電極ＰＥａを有し、副画素ＳＰｂは画素電極ＰＥｂを有し、副画素ＳＰｃは画素電極ＰＥｃを有している。画素電極ＰＥａは、第１方向Ｘにて、距離を置いて画素電極ＰＥｃと隣り合っている。画素電極ＰＥｂは、第２方向Ｙにて、距離を置いて画素電極ＰＥｃと隣り合っている。
【００６４】
次に、発光素子１０及び光反射層ＲＥについて説明する。図６は、本実施形態の複数の発光素子１０及び光反射層ＲＥを示す平面図である。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに隣合う４個の画素ＰＸを示している。図中、光反射層ＲＥには斜線を付している。  
図６に示すように、各々の画素ＰＸは、第１色の発光素子１０ａ、第２色の発光素子１０ｂ、及び第３色の発光素子１０ｃを備えている。発光素子１０ａは上記画素電極ＰＥａの上に実装され、発光素子１０ｂは上記画素電極ＰＥｂの上に実装され、発光素子１０ｃは上記画素電極ＰＥｃの上に実装されている（図５）。
【００６５】
本実施形態において、開口ＯＰ１は、発光素子１０に一対一で対応している。平面視にて、一の開口ＯＰ１は、対応する一の発光素子１０を完全に露出させている。言い換えると、平面視にて、光反射層ＲＥは、各々の発光素子１０に重なっていない。上記のことから、本実施形態では、発光素子１０の発光が光反射層ＲＥによって遮蔽される事態を回避することができる。表示画像の輝度レベルは光反射層ＲＥによって低下しないため、ユーザは、表示装置１が表示する画像を良好に視認することができる。
【００６６】
本実施形態において、発光素子１０は、平面視にて四角形の形状を有している。発光素子１０の各辺は、第１方向Ｘ又は第２方向Ｙに平行である。発光素子１０の各辺の幅Ｗ１は、例えば４乃至５μｍである。開口ＯＰ１は、平面視にて四角形の形状を有している。開口ＯＰ１の各辺は、第１方向Ｘ又は第２方向Ｙに平行である。開口ＯＰ１の各辺の幅Ｗ２は、上記幅Ｗ１よりも大きい。
【００６７】
上記のように構成された第１の実施形態に係る表示装置１によれば、表示装置１は、絶縁基板２０、下地層ＢＬ、複数の発光素子１０、樹脂層３１、及び光反射層ＲＥを備えている。樹脂層３１は、下地層ＢＬの上に設けられ、複数の発光素子１０の間の空隙部に充填され、平坦面ＳＵ２を有している。光反射層ＲＥは、平坦面ＳＵ２の上方に設けられ、鏡面ＭＳと複数の開口ＯＰ１とを有している。  
光反射層ＲＥに開口ＯＰ１を設けることで、鏡面ＭＳにより外光を反射する領域と、発光素子１０が発光する領域とを独立させることができる。上記のことから、光反射特性の低下を抑制しつつ画像を表示することが可能な表示装置１を得ることができる。
【００６８】
（第１の実施形態の変形例１）  
次に、上記第１の実施形態の変形例１について説明する。図７は、上記第１の実施形態の変形例１の複数の発光素子１０及び光反射層ＲＥを示す平面図である。  
図７に示すように、本変形例１において、各々の開口ＯＰ１は、複数の発光素子１０のうち２以上の発光素子１０に重なっている点で、上記第１の実施形態と相違している。各々の開口ＯＰ１は、複数の画素ＰＸのうち対応する一画素ＰＸの発光素子（第１発光素子）１０ａ、発光素子（第２発光素子）１０ｂ、及び発光素子（第３発光素子）１０ｃに重なっている。そして、本変形例１においても、平面視にて、光反射層ＲＥは、各々の発光素子１０に重なっていない。
【００６９】
本変形例１において、発光素子１０の幅Ｗ１は、例えば４乃至５μｍである。開口ＯＰ１の幅Ｗ２は、上記幅Ｗ１よりも大きい。上記幅Ｗ２は、例えば、１０乃至２０μｍである。好ましくは、上記幅Ｗ２は、１５乃至２０μｍである。
【００７０】
上記のように構成された第１の実施形態の変形例１に係る表示装置１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。上記第１の実施形態と比較し、変形例１では、画素ＰＸ毎に３個の発光素子１０を密集させ、光反射層ＲＥに設ける開口ＯＰ１の個数を減少させ、鏡面ＭＳの面積を増大させることができる。上記のことから、光反射特性の低下を、一層、抑制することができる。
【００７１】
（第１の実施形態の変形例２）  
次に、上記第１の実施形態の変形例２について説明する。図８は、上記第１の実施形態の変形例２の複数の発光素子１０及び光反射層ＲＥを示す平面図である。  
図８に示すように、本変形例２において、光反射層ＲＥが発光素子１０に重なっている点で、上記第１の実施形態と相違している。  
平面視にて、開口ＯＰ１における光反射層ＲＥの内周ＩＮの少なくとも一部は、発光素子１０に重なっている。本変形例２において、内周ＩＮの全体が、発光素子１０に重なっている。
【００７２】
上記のように構成された第１の実施形態の変形例２に係る表示装置１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。上記第１の実施形態と比較し、本変形例２では、鏡面ＭＳの面積を増大させることができる。上記のことから、一層、光反射特性に優れた表示装置１を得ることができる。
【００７３】
（第１の実施形態の変形例３）  
次に、上記第１の実施形態の変形例３について説明する。図９は、上記第１の実施形態の変形例３の複数の発光素子１０及び光反射層ＲＥを示す平面図である。  
図９に示すように、本変形例３において、光反射層ＲＥが発光素子１０に重なっている点で、上記変形例１（図７）と相違している。  
平面視にて、開口ＯＰ１における光反射層ＲＥの内周ＩＮの少なくとも一部は、発光素子１０に重なっている。本変形例３において、内周ＩＮは、画素ＰＸの３個の発光素子１０に重なっている。
【００７４】
上記のように構成された第１の実施形態の変形例３に係る表示装置１においても、上記変形例１と同様の効果を得ることができる。上記変形例１と比較し、本変形例３では、鏡面ＭＳの面積を増大させることができる。上記のことから、一層、光反射特性に優れた表示装置１を得ることができる。
【００７５】
（第１の実施形態の変形例４）  
次に、上記第１の実施形態の変形例４について説明する。図１０は、上記第１の実施形態の変形例４の複数の発光素子１０及び光反射層ＲＥを示す平面図である。  
図１０に示すように、画素ＰＸの発光素子１０ａ，１０ｂ，１０ｃ（画素電極ＰＥａ，ＰＥｂ，ＰＥｃ）は、第１方向Ｘに並べられ、第２方向Ｙに延在し、ストライプ状（縦ストライプ状）に配置されていてもよい。
【００７６】
開口ＯＰ１は、一画素ＰＸの発光素子１０ａ，１０ｂ，１０ｃに重なっている。平面視にて、光反射層ＲＥは各々の発光素子１０に重なっていない。但し、開口ＯＰ１と発光素子１０との関係はこの例に限定されるものではない。上記第１の実施形態（図６）のように、開口ＯＰ１は、発光素子１０に一対一で対応していてもよい。又は、上記変形例２（図８）及び上記変形例３（図９）のように、光反射層ＲＥは、各々の発光素子１０に重なっていてもよい。  
上記のように構成された第１の実施形態の変形例４に係る表示装置１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７７】
（第２の実施形態）  
次に、第２の実施形態に係る表示装置について説明する。図１１は、第２の実施形態に係る表示装置１の表示パネル２を示す部分断面図である。  
図１１に示すように、共通電極ＣＥを設ける位置及び発光素子１０の構成に関して、上記第１の実施形態と相違している。共通電極ＣＥは、絶縁層２５の上に位置している。共通電極ＣＥは、例えば、画素電極ＰＥと同じ材料で形成されている。共通電極ＣＥは、低電位電源線ＳＬｂに接続されている。絶縁層２６は、絶縁層２５、画素電極ＰＥ、及び共通電極ＣＥの上に設けられている。絶縁層２６は、発光素子１０を画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥに接続するための開口を有している。
【００７８】
発光素子１０において、陽極ＡＮだけではなく陰極ＣＡも下地層ＢＬ側に位置している。陽極ＡＮは画素電極ＰＥに接続され、陰極ＣＡは共通電極ＣＥに接続されている。  
光反射層ＲＥは、樹脂層３１の平坦面ＳＵ２の上に設けられている。本第２の実施形態において、光反射層ＲＥに関する電気的な制限はない。例えば、光反射層ＲＥは、接地電位などの低電位に固定されていてもよい。又は、光反射層ＲＥは、電気的にフローティング状態にあってもよい。
【００７９】
上記のように構成された第２の実施形態に係る表示装置１においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
（第３の実施形態）  
次に、第３の実施形態に係る表示装置について説明する。図１２は、第３の実施形態に係る表示装置１の表示パネル２を示す部分断面図である。  
図１２に示すように、表示パネル２が透明導電層５１、調光層ＬＤなどをさらに備えている点で、本第３の実施形態は、上述した実施形態と相違している。
【００８１】
光反射層ＲＥは、下地層ＢＬの上方に設けられている。本第３の実施形態において、光反射層ＲＥは、樹脂層３１の上方に設けられている。詳しくは、光反射層ＲＥは共通電極ＣＥの上に設けられている。光反射層ＲＥは、下地層ＢＬと対向する側とは反対側に位置した鏡面ＭＳと、複数の発光素子１０に重なった複数の開口ＯＰ１とを有している。
【００８２】
表示パネル２は、配向膜ＡＦ１、透明な絶縁基板５０、透明導電層５１、配向膜ＡＦ２、調光層ＬＤ、及び偏光板ＰＯをさらに備えている。本実施形態において、調光層ＬＤは液晶材料で形成された液晶層である。配向膜ＡＦ１は、共通電極ＣＥ及び光反射層ＲＥの上に設けられている。
【００８３】
絶縁基板５０は、配向膜ＡＦ１に隙間を置いて対向配置されている。絶縁基板５０の配向膜ＡＦ１側の面には、透明導電層５１及び配向膜ＡＦ２が順に配置されている。絶縁基板５０としては、主に、石英、無アルカリガラス等のガラス基板、またはポリイミド等の樹脂基板を用いることができる。絶縁基板５０が可撓性を有する樹脂基板である場合、表示装置１をシートディスプレイとして構成することができる。樹脂基板としては、ポリイミドに限らず、他の樹脂材料を用いてもよい。
【００８４】
透明導電層５１は、光反射層ＲＥの鏡面ＭＳと対向し、鏡面ＭＳに隙間を置いて配置されている。透明導電層５１は、透明な導電材料として例えばＩＴＯを用いて形成されている。絶縁基板５０と透明導電層５１との間に、絶縁層を付加してもよい。例えば、絶縁基板５０が樹脂基板である場合、絶縁基板５０と透明導電層５１との間に無機絶縁膜を付加してもよい。
【００８５】
調光層ＬＤは、光反射層ＲＥと透明導電層５１との間に位置している。そして、調光層ＬＤは、配向膜ＡＦ１と配向膜ＡＦ２との間に保持されている。配向膜ＡＦ１及び配向膜ＡＦ２は、調光層ＬＤに接している。  
本実施形態と異なり、調光層ＬＤが電気泳動分散液で形成されていてもよい。その場合、配向膜ＡＦ１及び配向膜ＡＦ２を絶縁層（無機絶縁層）に置き換えたりすればよい。
【００８６】
調光層ＬＤは、明るさを調整する調光機能を有している。透明導電層５１は、駆動部７によって駆動される。調光層ＬＤには、光反射層ＲＥ（共通電極ＣＥ）と透明導電層５１との間に印加される電圧をかけることができる。偏光板ＰＯは、絶縁基板５０の透明導電層５１側とは反対側に配置されている。
【００８７】
調光層（液晶層）６０の液晶分子は、光（偏光）の変調率に寄与し、上記変調率を高くしたり、低くしたり、することができる。これにより、調光層ＬＤは、鏡面ＭＳに入射され、鏡面ＭＳで反射される光の透過率を調整することができる。光反射層ＲＥは、調光層ＬＤ、偏光板ＰＯなどとともに防眩ミラーとして機能することもできるため、ユーザは、表示装置１が表示する画像を、一層、良好に視認することができる。
【００８８】
上記のように構成された第２の実施形態に係る表示装置１においても、上述した第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。表示装置１は、透明導電層５１、調光層ＬＤなどをさらに備えているため、防眩ミラーとして機能することも可能である。
【００８９】
（第４の実施形態）  
次に、第４の実施形態に係る表示装置について説明する。図１３は、第４の実施形態に係る表示装置１の表示パネル２を示す部分断面図である。  
図１３に示すように、本第４の実施形態の技術は、上記第２の実施形態（図１１）の技術と、上記第３の実施形態（図１２）の技術との組み合わせに相当している。
【００９０】
共通電極ＣＥは、絶縁層２５の上に位置している。絶縁層２６は、絶縁層２５、画素電極ＰＥ、及び共通電極ＣＥの上に設けられている。絶縁層２６は、発光素子１０を画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥに接続するための開口を有している。発光素子１０において、陽極ＡＮは画素電極ＰＥに接続され、陰極ＣＡは共通電極ＣＥに接続されている。光反射層ＲＥは、樹脂層３１の平坦面ＳＵ２の上に設けられている。本第４の実施形態において、光反射層ＲＥは、駆動部７によって駆動される。
【００９１】
表示パネル２は、配向膜ＡＦ１、絶縁基板５０、透明導電層５１、配向膜ＡＦ２、調光層ＬＤ、及び偏光板ＰＯをさらに備えている。調光層ＬＤには、光反射層ＲＥと透明導電層５１との間に印加される電圧をかけることができる。調光層ＬＤは、調光機能を有している。光反射層ＲＥは、調光層ＬＤ、偏光板ＰＯなどとともに防眩ミラーとして機能することもできるため、ユーザは、表示装置１が表示する画像を、一層、良好に視認することができる。
【００９２】
なお、光反射層ＲＥは、発光素子１０に重なる領域に形成されておらず、発光素子１０に重なる領域に開口ＯＰ１を有している。そのため、光反射層ＲＥと透明導電層５１との間に電圧が印加されても、調光層ＬＤのうち発光素子１０に重なる領域の配向状態は変化し難いものである。  
上記のように構成された第４の実施形態に係る表示装置１においても、上記第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９３】
（第５の実施形態）  
次に、第５の実施形態に係る表示装置について説明する。図１４は、第５の実施形態に係る表示装置１の表示パネル２を示す部分断面図である。  
図１４に示すように、本第５の実施形態の表示パネル２は、樹脂層３１無しに形成されている点で、上記第３の実施形態（図１２）と相違している。光反射層ＲＥは、平坦面ＳＵ２の上方に配置されているため、鏡面ＭＳは平坦である。下地層ＢＬの絶縁層２４は、樹脂層であり、絶縁基板２０と対向する側とは反対側に平坦面ＳＵ１を有している。
【００９４】
透明導電層５１は、共通電極ＣＥである。配向膜ＡＦ２は、発光素子１０に重なった領域に開口ＯＰ３を有している。開口ＯＰ３は、透明導電層５１を露出させている。調光層ＬＤは、複数の発光素子１０の間の空隙部に充填されている。各々の発光素子１０において、陽極ＡＮは複数の画素電極ＰＥのうち対応する一画素電極ＰＥに電気的に接続され、
陰極ＣＡは陽極ＡＮとは反対側に位置し、発光層ＬＩは陽極ＡＮと陰極ＣＡとの間に位置している。透明導電層５１は、複数の発光素子１０の陰極ＣＡに電気的に接続されている。
【００９５】
透明導電層５１は、低電位電源線ＳＬｂの電位と同一の定電位に保持され、低電位電源線ＳＬｂと全ての発光素子１０の陰極ＣＡとを電気的に接続している。光反射層ＲＥは、駆動部７によって駆動される。調光層ＬＤには、光反射層ＲＥと透明導電層５１との間に印加される電圧をかけることができる。  
上記のように構成された第５の実施形態に係る表示装置１においても、上記第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９６】
次に、上述した表示装置１の用途について説明する。  
図１５に示すように、化粧台１１の上の鏡１２を上記表示装置１（表示パネル２）で構成してもよい。鏡１２は、鏡本来の機能だけではなく、外光に起因していない画像ＰＩを表示する機能も備えている。ここでは、鏡１２が、「ＡＢＣ」の文字列の画像ＰＩを表示している例を示している。
【００９７】
図１６に示すように、車のルームミラー１３を上記表示装置１（表示パネル２）で構成してもよい。ルームミラー１３は、鏡としての機能だけではなく、画像ＰＩを表示する機能も備えている。ここでは、ルームミラー１３が、「ＡＢＣ」の文字列の画像ＰＩを表示している例を示している。
【００９８】
図１７に示すように、車のサイドミラー１４を上記表示装置１（表示パネル２）で構成してもよい。ここでは、サイドミラー１４が、「ＡＢＣ」の文字列の画像ＰＩを表示している例を示している。
【００９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。必要に応じて、複数の実施形態及び複数の変形例の２以上を組合せることも可能である。
【０１００】
例えば、発光素子１０は、ミニＬＥＤなどのマイクロＬＥＤ以外の自発光素子であってもよい。なお、マイクロＬＥＤは上記幅Ｗ１が１００μｍ以下のＬＥＤであり、ミニＬＥＤは上記幅Ｗ１が１００μｍを超え２００μｍ以下であるＬＥＤである。
【符号の説明】
【０１０１】
１…表示装置、２…表示パネル、２０…絶縁基板、ＢＬ…下地層、
２１，２２，２３，２４，２５，２６…絶縁層、ＳＵ１…平坦面、３１…樹脂層、
ＳＵ２…平坦面、ＰＸ…画素、ＳＰ，ＳＰａ，ＳＰｂ，ＳＰｃ…副画素、
ＲＳＴ…リセットスイッチ、ＳＳＴ…画素スイッチ、ＩＳＴ…初期化スイッチ、
ＢＣＴ…出力スイッチ、ＤＲＴ…駆動トランジスタ、ＳＣ…半導体層、
ＧＥ…ゲート電極、Ｅ１…第１電極、Ｅ２…第２電極、Ｃｓ…保持容量、
Ｃａｄ…補助容量、ＣＬ１…導電層、ＰＥ，ＰＥａ，ＰＥｂ，ＰＥｃ…画素電極、
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…発光素子、ＡＮ…陽極、ＣＡ…陰極、ＬＩ…発光層、
ＣＥ…共通電極、ＲＥ…光反射層、ＭＳ…鏡面、ＯＰ…開口、ＩＮ…内周、
５０…絶縁基板、５１…透明導電層、ＬＤ…調光層、ＰＯ…偏光板、ＤＡ…表示領域、
ＮＤＡ…非表示領域、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向、Ｚ…第３方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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