(57)【要約】【課題】樹脂封止の際に、高い精度で金型の温度制御が可能な樹脂封止装置を提供する。【解決手段】  樹脂封止装置Ａ１は、上金型１と下金型２を有し、上金型１の上型チェス１２を構成するカルブロック１２０の上部にカルヒーター１２１が設けられている。カルブロック１２０には、カル部センサー１２２が設けられている。また、上型チェス１２を構成するキャビティブロック１２３には、上キャビ中央センサー１２５、及びカル側センサー１２５が設けられている。【選択図】図１
2020102601.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、を有する樹脂封止金型で、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、カルブロックの温度制御を行う樹脂封止方法であって、
前記加温手段で加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れずに、前記成形動作を行うと共に、所定の基準時から、前記カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び前記所要の高い温度の情報である高温度情報を取得する第１の情報取得工程と、
前記加温手段で加温を行わず、又は同加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れて、前記成形動作を行うと共に、前記所定の基準時から、前記カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び前記所要の低い温度の情報である低温度情報を取得する第２の情報取得工程と、
前記高温度到達時間情報、前記高温度情報、前記低温度到達時間情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行って、前記基材を樹脂封止する成形工程とを備える
樹脂封止方法。
【請求項２】
先に実行される前記成形工程において、同成形工程中の前記カルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、同成形工程中の同カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報とを取得し、同成形工程より後に実行される成形工程の際に、取得した前記高温度情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行う
請求項１に記載の樹脂封止方法。
【請求項３】
前記第１の情報取得工程、前記第２の情報取得工程及び前記成形工程を１回ずつ実行した後は、同成形工程のみを繰り返し実行し、
先に実行される前記成形工程で前記カルブロックの温度制御を行ったパラメーター情報を、
先に実行される同成形工程で取得した前記カルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、前記カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき算出したパラメーター情報で更新し、
後に実行される同成形工程において、前記更新したパラメーター情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行う
請求項１に記載の樹脂封止方法。
【請求項４】
前記所定の基準時が、前記成形動作の開始時である
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の樹脂封止方法。
【請求項５】
前記成形工程は、
前記高温度到達時間情報、前記高温度情報、前記低温度到達時間情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記成形動作の開始から前記加温手段で加温を開始するまでの時間である加温開始時間及び同加温手段で加温を行う設定時間である加温設定時間を算出して、前記成形動作を行う
請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の樹脂封止方法。
【請求項６】
所要の高い温度が最高温度であり、かつ所要の低い温度が最低温度である
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求項５に記載の樹脂封止方法。
【請求項７】
樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、を有する樹脂封止金型で、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、カルブロックの温度制御を行う樹脂封止方法であって、
前記加温手段で加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れずに、前記成形動作を行うと共に、所定の基準時から、前記カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び前記所要の高い温度の情報である高温度情報を取得し、かつ、
前記加温手段で加温を行わず、又は同加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れて、前記成形動作を行うと共に、前記所定の基準時から、前記カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び前記所要の低い温度の情報である低温度情報を取得すると共に、
前記高温度到達時間情報、前記高温度情報、前記低温度到達時間情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行って、前記基材を樹脂封止する成形工程を備える
樹脂封止方法。
【請求項８】
樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、を有する樹脂封止金型で、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、カルブロックの温度制御を行う樹脂封止方法であって、
前記温度測定手段で前記カルブロックの温度変化に関係する情報を取得し、該情報から、前記カルブロックの温度制御を行うためのパラメーターを算出する予備動作工程と、
前記パラメーターに基づき、前記加温手段で前記カルブロックの温度制御を行って、前記基材を樹脂封止する成形工程とを備える
樹脂封止方法。
【請求項９】
樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、を有する樹脂封止金型で、前記カルブロックの温度制御を行い、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作を行う樹脂封止装置であって、
前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、
前記カルブロックを加温する加温手段と、
前記加温手段で加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れずに、前記成形動作を行う際の、所定の基準時から、前記カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報、前記所要の高い温度の情報である高温度情報、前記加温手段で加温を行わず、又は同加温手段の加温の出力を下げて加温して、前記ポット部に樹脂を入れて、前記成形動作を行う際の、前記所定の基準時から、前記カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び前記所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき、前記加温手段を制御する制御手段と、を備える
樹脂封止装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記基材を樹脂封止する成形工程中の前記カルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、前記成形工程中の同カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき、後に実行される前記成形工程の前記温度制御を行う
請求項９に記載の樹脂封止装置。
【請求項１１】
樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、を有する樹脂封止金型で、前記カルブロックの温度制御を行い、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作を行う樹脂封止装置であって、
前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、
前記カルブロックを加温する加温手段と、
前記温度測定手段で前記カルブロックの温度変化に関係する情報を取得し、該情報から、前記カルブロックの温度制御を行うためのパラメーターを算出し、該パラメーターに基づき、前記加温手段によるカルブロックの温度制御を行う制御手段とを備える
樹脂封止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止方法及び樹脂封止装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種半導体パッケージ等を製造する樹脂封止方法において、１回の成形品から取り出す半導体パッケージの個数の増加又は半導体パッケージの大型化等の要望から、大量の樹脂を使用する樹脂封止が行われている。
【０００３】
そこで、樹脂を充分に溶融させて、樹脂バリ等の発生や樹脂の未充填等を抑止することを試みた樹脂封止装置として、例えば、特許文献１に記載された樹脂封止装置がある。
【０００４】
この特許文献１に記載された樹脂封止装置は、固定型又は可動型のいずれか一方の型側に所要数のポットを備え、他方の型側にポットと対向して形成したカル部を備えており、ポット及びカル部に専用の加熱手段が配設されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実開平２−３１１３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、特許文献１に記載された樹脂封止装置では、１回の樹脂封止に用いる樹脂の量が多い場合の温度制御についての担保が充分になされておらず、ポットへ樹脂を投入し、樹脂を注入した際にカルブロック周辺の熱が樹脂に奪われ、金型温度が低下してしまうことが懸念される。
【０００７】
例えば、樹脂に充分な熱が与えられないため、結果的に、特許文献１に記載された考案が目的としている、樹脂を充分に溶融させて樹脂バリ等の発生や樹脂の未充填等を抑止する、また、注入後の樹脂を充分に硬化させるという効果が得られず、成形不良に繋がるおそれがあった。
【０００８】
また、従来の樹脂封止装置には、ダイセット内に配置したヒーターとセンサーにて金型の温度制御を行うようにしたものもあるが、一般にダイセット内のセンサーからカルブロックまでの距離が遠いため、カルブロックにおける温度の低下を検知することが困難であった。
【０００９】
また、仮に、センサーでカルブロックにおける温度の低下を検知できたとしても、温度の低下の発生と、検知との間にはタイムラグが生じており、リアルタイムでカルブロック周辺の温度制御を行うことができなかった。
【００１０】
更に、カルブロックにおける温度の低下を検知して、金型を加温する対応を取るとしても、検知後の加温では、再度、金型の温度が上昇するまでに相応の時間を要し、樹脂が溶け切れない、又は、注入後の樹脂が硬化しないという問題を充分に解消することが困難であった。
【００１１】
本発明は、以上の点を鑑みて創案されたものであり、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことが可能な樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、を有する樹脂封止金型で、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、カルブロックの温度制御を行う樹脂封止方法であって、前記加温手段で加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れずに、前記成形動作を行うと共に、所定の基準時から、前記カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び前記所要の高い温度の情報である高温度情報を取得する第１の情報取得工程と、前記加温手段で加温を行わず、又は同加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れて、前記成形動作を行うと共に、前記所定の基準時から、前記カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び前記所要の低い温度の情報である低温度情報を取得する第２の情報取得工程と、前記高温度到達時間情報、前記高温度情報、前記低温度到達時間情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行って、前記基材を樹脂封止する成形工程とを備える。
【００１３】
本発明の樹脂封止方法は、まず、第１の情報取得工程において、加温手段で第二の金型のカルブロックの加温を行い、第一の金型のポット部に樹脂を入れずに成形動作を行う。また、その成形動作を行うと共に、所定の基準時から、カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び所要の高い温度の情報である高温度情報を取得する。
【００１４】
第１の情報取得工程では、樹脂の使用を除外した条件下で加温手段を作動させて成形動作を行うことにより、加温手段の作動に起因する、時間の経過と共に変化するカルブロックの昇温に関する、高温度到達時間情報及び高温度情報等の温度情報を得ることができる。
【００１５】
次に、第２の情報取得工程において、加温手段による第二の金型のカルブロックの加温を行わず、又は加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、第一の金型のポット部に樹脂を入れて、成形動作を行う。また、その成形動作を行うと共に、所定の基準時から、カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び所要の低い温度の情報である低温度情報を取得する。
【００１６】
第２の情報取得工程では、樹脂成形時において加温手段を作動させず、又は加温手段の加温の出力を下げて、その条件下で、樹脂を使用した成形動作を行うことにより、樹脂の使用に起因し、時間の経過と共に変化するカルブロックの降温に関する、低温度到達時間情報及び低温度情報等の温度情報を得ることができる。
【００１７】
そして、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、成形工程において、高温度到達時間情報、高温度情報、低温度到達時間情報及び低温度情報等を含む情報に基づき、カルブロックの温度制御を行って、基材を樹脂封止する。これにより、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことができる。
【００１８】
また、本発明において、高温度到達時間情報、高温度情報、低温度到達時間情報及び低温度情報等は、それぞれ独立したデータとして取得しているので、例えば、同一金型で樹脂のみを変更した場合等は、高温度到達時間情報、高温度情報等はそのままで、低温度到達時間情報、低温度情報等のみを再取得すればよく、この場合は第１の情報取得工程を省略できる等、作業の効率化を図ることができる。
【００１９】
（２）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、先に実行される前記成形工程において、同成形工程中の前記カルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、同成形工程中の同カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報とを取得し、同成形工程より後に実行される成形工程の際に、取得した前記高温度情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行うように構成されている。
【００２０】
この場合は、先に実行される成形工程において、成形工程中のカルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、成形工程中のカルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報とをそれぞれ取得する。
【００２１】
そして、その成形工程より後に実行される成形工程の際に、取得した高温度情報及び低温度情報を含む情報に基づき、カルブロックの温度制御を行うことにより、成形動作中の時間の経過に伴うカルブロックの温度変化の状況を反映させた制御が可能になる。
【００２２】
（３）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、前記第１の情報取得工程、前記第２の情報取得工程及び前記成形工程を１回ずつ実行した後は、同成形工程のみを繰り返し実行し、先に実行される前記成形工程で前記カルブロックの温度制御を行ったパラメーター情報を、先に実行される同成形工程で取得した前記カルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、前記カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき算出したパラメーター情報で更新し、後に実行される同成形工程において、前記更新したパラメーター情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行うようにすることもできる。
【００２３】
この場合は、まず、第１の情報取得工程、第２の情報取得工程及び成形工程を１回ずつ実行する。それ以降、成形工程のみを繰り返し実行する際には、一回目の成形工程を含む先に実行される成形工程において、成形工程中のカルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、成形工程中のカルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報とをそれぞれ取得する。
【００２４】
次に、先に実行される成形工程でカルブロックの温度制御を行ったパラメーター情報を、上記先に実行される成形工程で取得したカルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき算出したパラメーター情報で更新する。
【００２５】
そして、後に実行される成形工程で、上記更新したパラメーター情報に基づき、カルブロックの温度制御を行う。これにより、後に実行される成形工程において、成形動作中に時間の経過と共に変化する、先に実行された成形工程におけるカルブロックの温度変化の状況を直に反映させたカルブロックの温度の制御が可能になる。
【００２６】
（４）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、前記所定の基準時が、前記成形動作の開始時であるようにすることもできる。
【００２７】
この場合は、所定の基準時が、成形動作の開始時であることにより、成形動作の開始時を基準として、時間的制御を行う。これにより、例えば電源の投入、或いは通電の開始のタイミングを基準時にすることができるので、時間的な制御がしやすい。また、樹脂又は金型の種類が変更された際にも、基準が把握しやすく、条件設定が容易になる。
【００２８】
なお、「成形動作」の用語は、本発明においては、金型の可動型が動き始めるところから、樹脂が硬化して半導体素子が搭載された基材を樹脂封止したところまでをいうが、これに限定はされない。
【００２９】
（５）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、前記成形工程が、前記高温度到達時間情報、前記高温度情報、前記低温度到達時間情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記成形動作の開始から前記加温手段で加温を開始するまでの時間である加温開始時間及び同加温手段で加温を行う設定時間である加温設定時間を算出して、前記成形動作を行うようにすることもできる。
【００３０】
この場合は、成形工程が、高温度到達時間情報、高温度情報、低温度到達時間情報及び低温度情報を含む情報に基づき、成形動作の開始から加温手段で加温を開始するまでの時間である加温開始時間を算出する。また、同様にして、加温手段で加温を行う設定時間である加温設定時間を算出する。そして、算出したこれらの情報に基づき、成形動作を行う。
【００３１】
（６）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、所要の高い温度が最高温度であり、かつ所要の低い温度が最低温度であるようにすることもできる。
【００３２】
この場合は、高温度到達時間情報、高温度情報等の所要の高い温度が最高温度であることで、高い温度ではカルブロックの特性が最もよく現れた情報が取得できる。また、低温度到達時間情報、低温度情報等の所要の低い温度が最低温度であることで、低い温度ではカルブロックの特性が最もよく現れた情報が取得できる。これらの情報により、カルブロックのより好適な温度制御を、高い精度で行うことが可能になる。
【００３３】
（７）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、を有する樹脂封止金型で、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、カルブロックの温度制御を行う樹脂封止方法であって、前記加温手段で加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れずに、前記成形動作を行うと共に、所定の基準時から、前記カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び前記所要の高い温度の情報である高温度情報を取得し、かつ、前記加温手段で加温を行わず、又は同加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れて、前記成形動作を行うと共に、前記所定の基準時から、前記カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び前記所要の低い温度の情報である低温度情報を取得すると共に、前記高温度到達時間情報、前記高温度情報、前記低温度到達時間情報及び前記低温度情報を含む情報に基づき、前記カルブロックの温度制御を行って、前記基材を樹脂封止する成形工程を備える。
【００３４】
本発明の樹脂封止方法は、まず、加温手段で第二の金型のカルブロックの加温を行い、第一の金型のポット部に樹脂を入れずに成形動作を行う。また、その成形動作を行うと共に、所定の基準時から、カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び所要の高い温度の情報である高温度情報を取得する。
【００３５】
樹脂の使用を除外した条件下で加温手段を作動させて成形動作を行うことにより、加温手段の作動に起因する、時間の経過と共に変化するカルブロックの昇温に関する高温度到達時間情報及び高温度情報等の温度情報を得ることができる。
【００３６】
次に、加温手段による第二の金型のカルブロックの加温を行わず、又は加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、第一の金型のポット部に樹脂を入れて、成形動作を行う。また、その成形動作を行うと共に、所定の基準時から、カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び所要の低い温度の情報である低温度情報を取得する。
【００３７】
樹脂成形時において、加温手段を作動させず、又は加温手段の加温の出力を下げて、その条件下で、樹脂を使用した成形動作を行うことにより、樹脂の使用に起因し、時間の経過と共に変化するカルブロックの降温に関する、低温度到達時間情報及び低温度情報等の温度情報を得ることができる。
【００３８】
そして、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、成形工程において、高温度到達時間情報、高温度情報等、低温度到達時間情報及び低温度情報を含む情報に基づき、カルブロックの温度制御を行って、基材を樹脂封止する。これにより、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことができる。
【００３９】
（８）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止方法は、樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、を有する樹脂封止金型で、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、カルブロックの温度制御を行う樹脂封止方法であって、前記温度測定手段で前記カルブロックの温度変化に関係する情報を取得し、該情報から、前記カルブロックの温度制御を行うためのパラメーターを算出する予備動作工程と、前記パラメーターに基づき、前記加温手段で前記カルブロックの温度制御を行って、前記基材を樹脂封止する成形工程とを備える。
【００４０】
本発明の樹脂封止方法は、加温手段で第二の金型のカルブロックの加温を行う。また、予備動作工程において、温度測定手段でカルブロックの温度変化に関係する情報を取得し、この情報から、カルブロックの温度制御を行うためのパラメーターを算出する。
【００４１】
そして、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の成形工程において、パラメーターに基づき、カルブロックの温度制御を行って、基材を樹脂封止することができる。これにより、樹脂封止の際の金型の温度制御を高い精度で行うことが可能になる。
【００４２】
（９）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止装置は、樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、を有する樹脂封止金型で、前記カルブロックの温度制御を行い、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作を行う樹脂封止装置であって、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、前記加温手段で加温を行い、前記ポット部に樹脂を入れずに、前記成形動作を行う際の、所定の基準時から、前記カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報、前記所要の高い温度の情報である高温度情報、前記加温手段で加温を行わず、又は同加温手段の加温の出力を下げて加温して、前記ポット部に樹脂を入れて、前記成形動作を行う際の、前記所定の基準時から、前記カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び前記所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき、前記加温手段を制御する制御手段と、を備える。
【００４３】
本発明の樹脂封止装置は、まず、加温手段で第二の金型のカルブロックの加温を行い、第一の金型のポット部に樹脂を入れずに成形動作を行う。また、その成形動作を行うと共に、所定の基準時から、カルブロックが所要の高い温度に到達するまでの時間の情報である高温度到達時間情報及び所要の高い温度の情報である高温度情報を温度測定手段で測定して、制御手段により取得する。
【００４４】
樹脂の使用を除外した条件下で加温手段を作動させて成形動作を行うことにより、加温手段の作動に起因する、時間の経過と共に変化するカルブロックの昇温に関する高温度到達時間情報及び高温度情報等の温度情報を得ることができる。
【００４５】
次に、加温手段による第二の金型のカルブロックの加温を行わず、又は加温手段の加温の出力を下げて加温を行い、第一の金型のポット部に樹脂を入れて、成形動作を行う。また、その成形動作を行うと共に、所定の基準時から、カルブロックが所要の低い温度に到達するまでの時間の情報である低温度到達時間情報及び所要の低い温度の情報である低温度情報を取得する。
【００４６】
樹脂成形時において、加温手段を作動させず、又は加温手段の加温の出力を下げて、その条件下で、樹脂を使用した成形動作を行うことにより、樹脂の使用に起因し、時間の経過と共に変化するカルブロックの降温に関する、低温度到達時間情報及び低温度情報等の温度情報を得ることができる。
【００４７】
そして、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作の際に、高温度到達時間情報、高温度情報等、低温度到達時間情報及び低温度情報等を含む情報に基づき、カルブロックの温度制御を行って、基材を樹脂封止する。これにより、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことができる。
【００４８】
（１０）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止装置は、前記制御手段は、前記基材を樹脂封止する成形工程中の前記カルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、前記成形工程中の同カルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報を含む情報に基づき、後に実行される前記成形工程の前記温度制御を行うように構成されている。
【００４９】
この場合は、制御手段が、成形工程中のカルブロックの所要の高い温度の情報である高温度情報と、成形工程中のカルブロックの所要の低い温度の情報である低温度情報とをそれぞれ取得する。
【００５０】
そして、後に実行される成形工程の際に、取得した高温度情報及び低温度情報を含む情報に基づき、カルブロックの温度制御を行うことにより、先に行う成形動作中の時間の経過に伴うカルブロックの温度変化の状況を反映させた制御が可能になる。
【００５１】
（１１）上記の目的を達成するために、本発明の樹脂封止装置は、樹脂を供給するポット部が設けられた第一の金型と、該第一の金型と型合わせして前記ポット部と対向する位置にカル部を形成するカルブロックが設けられた第二の金型と、を有する樹脂封止金型で、前記カルブロックの温度制御を行い、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作を行う樹脂封止装置であって、前記カルブロックの温度を測定する温度測定手段と、前記カルブロックを加温する加温手段と、前記温度測定手段で前記カルブロックの温度変化に関係する情報を取得し、該情報から、前記カルブロックの温度制御を行うためのパラメーターを算出し、該パラメーターに基づき、前記加温手段によるカルブロックの温度制御を行う制御手段とを備える。
【００５２】
本発明の樹脂封止装置は、加温手段で第二の金型のカルブロックの加温を行う。この際に、温度測定手段でカルブロックの温度変化に関係する情報を取得し、この情報から、制御手段でカルブロックの温度制御を行うためのパラメーターを算出する。
【００５３】
そして、半導体素子が搭載された基材を樹脂封止する成形動作において、パラメーターに基づき、制御手段で前記加温手段によるカルブロックの温度制御を行い、基材を樹脂封止することができる。これにより、樹脂封止の際の金型の温度制御を高い精度で行うことが可能になる。
【発明の効果】
【００５４】
本発明は、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことが可能な樹脂封止方法及び樹脂封止装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る樹脂封止装置の構造の一例（ポット部センサー有り）を示す概略説明図である。
【図２】本発明に係る樹脂封止装置の構造の他の例（ポット部センサー無し）を示す概略説明図である。
【図３】下金型と上金型を示し、上金型のカル部センサーとカルヒーター及び下金型のポット部センサーの配置を示す概略図である。
【図４】（ａ）は、図１に示す樹脂封止装置において、カルヒーターで加温しない状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフであり、（ｂ）は、型閉開始と同時にカルヒーターを３０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフであり、（ｃ）は、型閉開始１０秒前からカルヒーターを３０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフである。
【図５】（ａ）は、図２に示す樹脂封止装置において、カルヒーターで加温しない状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフであり、（ｂ）は、型閉開始１０秒前からカルヒーターを３０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフである。
【図６】図５（ｂ）におけるカルヒーターのＯＮ／ＯＦＦの制御のタイミングチャートを示す説明図である。
【図７】（ａ）は、図２に示す樹脂封止装置において、カルヒーターで加温しない状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフであり、（ｂ）は、型閉開始５秒後にカルヒーターを１０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフであり、（ｃ）は、型閉開始と同時にカルヒーターを２０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフである。
【図８】図７（ｂ）におけるカルヒーターのＯＮ／ＯＦＦの制御のタイミングチャートを示す説明図である。
【図９】（ａ）は、図２に示す樹脂封止装置において、型閉開始と同時にカルヒーターを３０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフであり、（ｂ）は、型閉開始と同時にカルヒーターを４０秒間作動させた状態の各センサーで温度測定した結果を示すグラフである。
【図１０】２つのキャリブレーションの流れを示すフロー図、カルブロックの温度変化、カルヒーターの出力変動及び成形の動作と時間との関係を示し、（ａ）はキャリブレーション（１）、（ｂ）はキャリブレーション（２）の説明図である。
【図１１】キャリブレーションで得られた結果に基づき、実成形における成形動作時のカルヒーターのＯＮ／ＯＦＦの制御の一例を示す説明図である。
【図１２】フィードバック制御に用いる実成形の際の温度変化の情報の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５６】
図１、図２及び図３を参照して、本発明に係る樹脂封止装置の構造の概略を説明する。
本発明に係る樹脂封止装置の一例である樹脂封止装置Ａ１は、一対の上金型１及び下金型２を有している。樹脂封止装置Ａ１は、上金型１と下金型２を型締めして、半導体素子が搭載されたリードフレーム等の基材（図示省略）を樹脂封止する装置である。
【００５７】
上金型１は、上型ダイセット１１及び上型チェス１２で構成されている。また、下金型２は、下型ダイセット２１及び下型チェス２２で構成されている。
【００５８】
上型チェス１２を構成するカルブロック１２０の上部にはカルヒーター１２１が設けられている（図１及び図３参照）。カルブロック１２０には、カル部センサー１２２が設けられている。
【００５９】
また、上型チェス１２を構成する二つのキャビティブロック１２３のうち、一方のキャビティブロック１２３には、カルブロック１２０に近い位置にカル側センサー１２４が設けられ、遠い位置に上キャビ中央センサー１２５が設けられている（図１及び図３参照）。
【００６０】
カルヒーター１２１は、カルブロック１２０を加温する加温手段を構成する。カルヒーター１２１は、ＯＮ／ＯＦＦの切り替えにより、カルブロック１２０の温度を調整することができる。
【００６１】
ここで、必ずしも、カルヒーター１２１がＯＮ／ＯＦＦの切り替えにより、カルブロック１２０の温度を調整するように構成される必要はない。例えば、カルヒーター１２１の出力が調節可能であり、その出力を大きくしたり、小さくしたりすることで、カルブロック１２０の温度を調整する構成も採用し得る。
【００６２】
また、カル部センサー１２２は、カルブロック１２０の温度を測定する温度測定手段である。カル側センサー１２４と、上キャビ中央センサー１２５は、共に、キャビティブロック１２３の温度を測定する温度測定手段である。
【００６３】
下型チェス２２は、左右側に下キャビティブロック２２３を有し、各下キャビティブロック２２３の間には、ポットブロック２２０が設けてある。ポットブロック２２０には、複数のポット部２２４が二列に設けられ、各列の間の図３において手前側の一部には、ポット部センサー２２１が設けられている（図３参照）。
【００６４】
ポット部センサー２２１は、ポットブロック２２０の温度を測定する温度測定手段である。なお、図２に示す樹脂封止装置Ａ２には、ポット部センサーが設けられておらず、この点が、図１に示す樹脂封止装置Ａ１との構造上の違いである。
【００６５】
上型ダイセット１１には、上型チェス１２を加温する複数の上ダイセットヒーター１１１と、上ダイセットセンサー１１０が設けられている。また、下型ダイセット２１には、下型チェス２２を加温する複数の下ダイセットヒーター２１１と、下ダイセットセンサー２１０が設けられている（図１及び図３参照）。
【００６６】
上ダイセットセンサー１１０は、上型ダイセット１１の温度を測定する温度測定手段である。また、下ダイセットセンサー２１０は、下型ダイセット２１の温度を測定する温度測定手段である。
【００６７】
また、図示しないが、樹脂封止装置Ａ１は制御部を有している。制御部は、上記各センサー及びカルヒーター１２１に接続され、各センサーが取得した情報に基づき、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦを制御することにより、カルブロック１２０の温度制御を行うことができる。
【００６８】
即ち、制御部は、カル部センサー１２２、上ダイセットセンサー１１０及び下ダイセットセンサー２１０が測定した温度の情報及び測定に関する時間の情報を取得し、これら情報に基づいて、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦを制御する。
【００６９】
また、図３には、上金型１のカルヒーター１２１とカル部センサー１２２の配置を示している。なお、下金型２には、上金型１と同様にカルヒーターを設けることができ、図３にはポットヒーター２２２を下金型２のポットブロック２２０に設ける場合の配置の一例を示している。
【００７０】
また、カル部センサー１２２は、図３の符号Ｐで示す領域の拡大図に示すように、カルブロック１２０の両側にあるカル部１２６の間に通すようにして配置されている。
【００７１】
［カルヒーターの有効性について］
以下、上記した樹脂封止装置Ａ１を用いて、基材を樹脂封止する工程における各部の温度変化を測定した結果を示しながら、カルヒーター１２１の有効性を説明する。ここでは、大量の樹脂を必要とする大型の半導体パッケージの製造において、樹脂注入時のカル部の温度低下を防ぐために、カルヒーター１２１をカルブロック１２０に配置した金型にて、カルブロック１２０の温度低下を防ぐことができる点を実証した。
【００７２】
より詳細には、以下の金型成形条件を採用している。
金型温度：１８０℃、キュアタイム：９０秒（トランスファータイム含む）、トランスファータイム：２０秒、使用樹脂量：直径２０ｍｍ（１２．３ｇ）、ポット部の数：１６個／２フレーム、１ポット部当たりの使用樹脂個数：２個、金型サイズ：幅３５０ｍｍ×長さ４００ｍｍ×厚み７０ｍｍ。なお、本段落以下の説明における樹脂封止装置Ａ１の各部における温度変化の結果は、上記した内容と同じ金型成形条件下で行ったものである。
【００７３】
まず、図４（ａ）乃至図４（ｃ）を参照しながら、図１に示す樹脂封止装置Ａ１におけるカルヒーター１２１の作動によるカルブロック１２０の温度変化への影響を説明する。
【００７４】
ここで、温度測定の対象とした樹脂封止装置Ａ１の各部とは、図１に示す各センサーを配置した部分である。即ち、カル側（カル側センサー１２４）、上キャビ中央（上キャビ中央センサー１２５）、カルブロック（カル部センサー１２２）、ポットブロック（ポット部センサー２２１）、上ダイセット（上ダイセットセンサー１１０）及び下ダイセット（下ダイセットセンサー２１０）が対象となる。
【００７５】
また、後述する図２に示す樹脂封止装置Ａ２（ポット部センサー２２１無し）を用いて行う温度変化の測定結果（図５、図７、図９参照）についても、同様の部分で各部の温度を測定した結果を示している。
【００７６】
図４（ａ）には、「カルヒーター無し」、即ち、カルヒーター１２１をＯＦＦにした状態（カルヒーター１２１を設けない樹脂封止装置と同等）での各部の温度測定の結果を示している。カルヒーター１２１をＯＦＦにした状態では、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃から、約１７０℃へ約１０℃低下していた。
【００７７】
また、図４（ｂ）では、金型の型閉開始、即ち、成形工程の開始と同時に、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃から約１７５℃へ約５℃低下していた。
【００７８】
図４（ａ）と図４（ｂ）の結果を比べると、図４（ｂ）の金型の型閉開始と同時に、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態では、樹脂封止後のカルブロック１２０の温度が低下する傾向が緩和されていた。
【００７９】
更に、図４（ｃ）では、金型の型閉開始１０秒前から、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度からやや上昇した温度である１８２℃から約１７９℃へ約３℃低下していた。
【００８０】
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）の結果を比べると、図４（ｃ）の金型の型閉開始１０秒前から、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態では、カルブロック１２０の温度が低下する傾向が、図４（ａ）の結果と比べて大幅に緩和され、図４（ｂ）の結果と比べても更に緩和されていた。
【００８１】
このように、図４（ａ）乃至図４（ｃ）に示す結果から明らかなように、カルヒーター１２１を設けて、カルブロック１２０を加温することで、樹脂封止後のカルブロック１２０の温度低下の幅を小さくすることができる。また、カルヒーター１２１をＯＮにするタイミングを早くすることで、カルブロック１２０の温度低下の幅をより一層小さくすることができる。これにより、カルヒーター１２１の有効性を確認することができた。
【００８２】
次に、図５乃至図９を参照しながら、図２に示す樹脂封止装置Ａ２（ポット部センサー２２１無し）におけるカルヒーター１２１の作動によるカルブロック１２０の温度変化への影響を説明する。
【００８３】
図５（ａ）には、「カルヒーター無し」、即ち、カルヒーター１２１をＯＦＦにした状態（カルヒーター１２１を設けない樹脂封止装置と同等）での各部の温度測定の結果を示している。カルヒーター１２１をＯＦＦにした状態では、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃からやや下降した温度である１７９℃から約１７０℃へ約９℃低下していた。
【００８４】
また、図５（ｂ）では、金型の型閉開始１０秒前から、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃からやや上昇した温度である約１８２℃から約１７９℃へ約３℃低下していた。
【００８５】
図５（ａ）及び図５（ｂ）の結果を比べると、図５（ｂ）の金型の型閉開始１０秒前から、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態では、カルブロック１２０の温度が低下する傾向が大幅に緩和されていた。即ち、図５（ａ）及び図５（ｂ）の結果からも、カルヒーター１２１の有効性を確認することができた。
【００８６】
また、図５（ｂ）の結果となった樹脂封止の成形工程における、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦのタイミングチャートを図６に示す。図６にあるように、金型の型閉開始の１０秒前にカルヒーター１２１をＯＮにして、そこから３０秒間ＯＮの状態を維持している。そして、型閉開始から２秒後には金型が閉じて樹脂封止が開始されている。なお、型閉開始の時点では、カルブロック１２０の温度は、上記したようにやや上昇して１８２℃になっている。
【００８７】
次に、カルヒーター１２１のＯＮ時間とＯＮタイミングの違いによる各部の温度変化についても確認した。
図７（ａ）は、上記図５（ａ）と同様に、カルヒーター１２１をＯＦＦにした状態での各部の温度測定の結果であり、図７（ｂ）及び図７（ｃ）との比較をするために掲載している。
【００８８】
図７（ｂ）は、金型の型閉開始５秒後（ＯＮディレー時間）にカルヒーター１２１を１０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃から約１７４℃へ約６℃低下していた。なお、ＯＮディレー時間とは、型閉開始からカルヒーター１２１がＯＮとなるまでの時間である。
【００８９】
また、図７（ｃ）は、金型の型閉開始と同時に、カルヒーター１２１を２０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃からやや上昇した１８２℃から約１７７℃へ約５℃低下していた。
【００９０】
図７（ａ）と、図７（ｂ）及び図７（ｃ）の結果を比べると、金型の型閉開始５秒後（ＯＮディレー時間）にカルヒーター１２１を１０秒間ＯＮにした状態及び金型の型閉開始と同時に、カルヒーター１２１を２０秒間ＯＮにした状態での、樹脂封止後のカルブロック１２０の温度が低下する傾向が大幅に緩和されていた。これにより、カルヒーター１２１の有効性を確認することがきた。
【００９１】
また、図７（ｂ）の結果となった樹脂封止の成形工程における、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦのタイミングチャートを図８に示す。図８にあるように、金型の型閉開始の５秒後にカルヒーター１２１をＯＮにして、そこから１０秒間ＯＮの状態を維持している。また、型閉開始から２秒後に金型が閉じて樹脂封止が開始されている。なお、型閉開始の時点では、カルブロック１２０の温度は、上記したように金型の設定温度が維持されて１８０℃になっている。
【００９２】
また、図９（ａ）では、金型の型閉開始と同時に、カルヒーター１２１を３０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、カルブロック１２０の温度が最低になったところで、カルブロック１２０の温度は、金型の設定温度である１８０℃から、約１７５℃へ約５℃低下していた。
【００９３】
図７（ａ）及び図９（ａ）を比較した結果から、カルヒーター１２１を金型の型閉開始と同時に３０秒間ＯＮにすることで、カルヒーター１２１がＯＦＦの状態では、金型の設定温度から９℃下がっていたカルブロック１２０の温度低下が、約５℃に抑えられたことが分かった。
【００９４】
更に、図９（ｂ）では、金型の型閉開始と同時に、カルヒーター１２１を４０秒間ＯＮにした状態での各部の温度測定の結果を示している。この場合、図９（ｂ）中に符号Ｘで示す領域で、カルブロック１２０の温度は、オーバーシュートしていた。
【００９５】
図９（ａ）及び図９（ｂ）を比較した結果から、カルヒーター１２１をＯＮにする時間が長すぎると、カルブロック１２０の温度がオーバーシュートしてしまう為、ＯＮ時間の設定が重要であることが明らかとなった。
【００９６】
以下、本発明を適用した樹脂封止装置の制御手段及び樹脂封止方法の一例について説明する。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、基材の実成形前に、２つのキャリブレーション（キャリブレーション（１）及びキャリブレーション（２））の成形動作を行うことにより、金型及び樹脂を含む構成の樹脂封止装置としての特性を抽出する際の流れを示している。
【００９７】
図１０（ａ）に示すように、キャリブレーション（１）では、カルヒーター１２１の能力チェックを行う。この際、ポット部２２４に樹脂を入れずに、成形動作の開始時（型閉開始時）にカルヒーター１２１をＯＮにする（図中ではカルヒーター有と記載）。
【００９８】
このキャリブレーション（１）では、成形動作の開始時のＡＣ１秒間前からＢＣ１秒間、カルヒーター１２１をＯＮにする条件にして、基材を樹脂封止する一連の成形動作を、上記したように樹脂無しで行うようにする。
【００９９】
ここで、ＡＣ１秒間とは、成形動作の開始時（樹脂封止装置における、カルヒーターＯＮから始まる一連の成形動作のスタート時）から実際に金型が閉じるまでの時間である。また、ＢＣ１秒間とは、カルヒーター１２１をＯＮにした状態の時間である。
【０１００】
このキャリブレーション（１）では、金型の基準温度から、カルブロック１２０が最高温度になった際の時間の情報を取得する。なお、基準温度と設定温度の温度差の情報（温度上昇量：ＴＣ１）の情報も得られる。更に、カルヒーター１２１をＯＮにしてから最高温度に到達するまでの時間の情報（反応時間：ＣＣ１）及び金型の基準温度よりも上昇した成形動作終了後のカルブロック１２０の温度が安定するまでの時間の情報（戻り時間：ＤＣ１）を取得する。
【０１０１】
また、キャリブレーション（１）において、所定の基準時から、カルブロック１２０が最高温度に到達するまでの時間の情報ＣＣ１を取得することにより、カルブロック１２０の材質や形状に起因する、カルブロック１２０が昇温される際の温度変化の特性を表す情報を得ることができる。
【０１０２】
また、図１０（ｂ）に示すように、キャリブレーション（２）では、樹脂を使用することによるカルブロック１２０の温度低下の状況をチェックする。この際、ポット部２２４に樹脂を入れて、成形動作中は、カルヒーター１２１をＯＦＦのままとする（図中ではカルヒーター無と記載）。
【０１０３】
このキャリブレーション（２）では、キャリブレーション（１）のＡＣ１秒間を、成形動作の開始時と、その前の基準時との時間差とする設定条件として採用して、上記したようにカルヒーター１２１をＯＦＦにして、基材を樹脂封止する一連の成形動作を行う。
【０１０４】
このキャリブレーション（２）では、金型の基準温度から、カルブロック１２０が最低温度になった際の時間の情報を取得する。なお、このカルブロック１２０の温度低下は、多量の樹脂に熱を奪われた結果生じるものである。更に、基準温度と最低温度の温度差の情報（温度下降量：ＴＣ２）も得られる。
【０１０５】
また、キャリブレーション（２）では、成形動作の開始時（型閉開始時）から、カルブロック１２０が最低温度に到達するまでの時間の情報（ＣＣ２）及び金型の基準温度よりも下降した成形動作終了後のカルブロック１２０の温度が安定するまでの時間の情報（戻り時間：ＤＣ２）を取得する。
【０１０６】
また、キャリブレーション（２）において、所定の基準時から、カルブロック１２０が最低温度に到達するまでの時間の情報ＣＣ２を取得することにより、カルブロック１２０の材質や形状に起因する、カルブロック１２０が降温される際の温度変化の特性を表す情報を得ることができる。
【０１０７】
次に、図１１に示すように、キャリブレーション（１）及びキャリブレーション（２）の動作により取得された情報（デバイス）に基づいて、制御部によって演算が行われ、基材の実成形を行う際の、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーター（成形時デバイス）を算出する。
【０１０８】
なお、本発明にいう「カルブロックの温度変化に関係する情報」とは、上記キャリブレーション（１）及びキャリブレーション（２）の動作により取得された情報、例えば高温度到達時間情報、高温度情報、低温度到達時間情報及び低温度情報等を含むものである。
【０１０９】
なお、本発明にいう「高温度到達時間情報、高温度情報、低温度到達時間情報及び低温度情報を含む情報」とは、情報が高温度到達時間情報、高温度情報、低温度到達時間情報及び低温度情報だけの場合もあるし、それらに加えて、例えばカルブロック１２０の基準温度、カルブロック１２０の設定温度、カルブロック１２０の基準温度と設定温度の温度差（ＴＣ１）、或いはカルブロックの温度と基準温度の温度差（ΔＴ２）、更には基準温度よりも上昇又は下降したカルブロックの温度が成形動作終了後に戻って安定するまでの時間（ＤＣ１、ＤＣ２）等の情報を利用し得ることを意味する。
【０１１０】
カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーター（成形時デバイス）とは、例えば、成形動作の開始時からカルヒーター１２１をＯＮにするまでの時間である「ヒーターＯＮ前ディレー（Ｘ０）」、カルヒーター１２１をＯＮにして、最終的にＯＦＦにするまでの時間である「ヒーターＯＮ時間（Ｘ１）」、カルヒーター１２１のＯＮとＯＦＦを切り替える回数（Ｘ２）が挙げられる。
【０１１１】
また、カルヒーター１２１をＯＮにして、最終的にＯＦＦにするまでの間に、カルヒーター１２１のＯＮとＯＦＦを切り替える場合での、１回のカルヒーター１２１のＯＮの時間（Ｘ３）、１回のカルヒーターのＯＦＦの時間（Ｘ４）も各種パラメーター（成形時デバイス）となる。
【０１１２】
上記した各種パラメーターをカルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御に反映させた状態の概念図を図１１の下段に示している。このように、基材の実成形前に、２つのキャリブレーションの成形動作を行い、取得した情報（例えば、ＴＣ１、ＴＣ２、ＡＣ１、ＣＣ１、ＣＣ２、ＤＣ１、ＤＣ２等）に基づき、実成形時のカルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーター（成形時デバイス：Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、或いはクリーナー動作時のエアブローによる温度低下の値やキャビティ上の温度を制御する場合のキャビ温度センサー値等）を制御部で自動的に算出することができる。
【０１１３】
なお、加温開始時間（Ｘ０）を算出することで、成形動作の開始時間に対する加温の始まりのタイミングを様々に調整することができる。また、加温設定時間（Ｘ１）を算出することで、加温をする時間の長さを様々に調整することができる。
【０１１４】
また、ここで述べた各種パラメーター（成形時デバイス）の種類はあくまで一例であり、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御に関わるパラメーターの内容はこれに限定されるものではない。
【０１１５】
また、ここでは、カルブロック１２０部の温度、即ち、カル部センサー１２２で測定した温度の情報に基づき、カルヒーター１２１の温度を制御する方法を述べたが、カルヒーター１２１の温度を制御するために、その他のカル側センサー１２４、上キャビ中央センサー１２５及びポット部センサー２２１で測定した温度の情報等も、パラメーターを算出するためのデバイスとして使用することができる。
【０１１６】
このように、カル部センサー１２２で測定した温度の情報に加えて、その他のセンサーで測定した温度情報を用いることで、より高い精度で、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことが可能になる。
【０１１７】
更に、本発明を適用した樹脂封止装置及び樹脂封止方法では、基材の実成形における先に実行される成形工程で得られた温度の情報を、次回の、或いは後に実行される成形工程において、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーター（成形時デバイス）の算出にフィードバックして制御することもできる。
【０１１８】
なお、先に実行される成形工程の順番をｎとしたとき、後に実行される成形工程は、ｎの直後のｎ＋１の順番で設定することもできるし、或いはそれより後のｎ＋２、ｎ＋３、・・・、ｎ＋ｋで設定することもできる。先に実行される成形工程と後に実行される成形工程をどのように行うかは、特に限定されない。
【０１１９】
なお、先に実行される成形工程と後に実行される成形工程がより近いほど、後に実行される成形工程において、先に実行された成形工程におけるカルブロックの温度変化の状況を直に反映させることができ、カルブロックの温度を高い精度で制御することが可能になる。
【０１２０】
また、この場合は、キャリブレーション（１）、（２）を行い、当初設定したカルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーターに基づき、基材の樹脂封止（成形工程）を行う際に、カルブロック１２０の温度を測定し、金型の基準温度より温度が下がった際の低い温度（低温度情報）と、金型の基準温度から温度が上がった際の高い温度（高温度情報）を取得する。
【０１２１】
そして、図１２に示すように、成形動作終了後、金型の基準温度と低い温度の温度差の情報（ΔＴ０）と、金型の基準温度と高い温度の温度差の情報（ΔＴ１）を測定すると共に、温度が下がり始めてから設定温度に復帰するまでの時間（ｔ１）と、温度が設定温度から上がり始めてから設定温度に復帰するまでの時間（ｔ２）を計測する。
【０１２２】
また、成形動作終了後に、金型の基準温度よりも上昇した、カルブロック１２０の温度と基準温度の温度差の情報（ΔＴ２）を測定するようにしてもよい。
【０１２３】
このように、基材の樹脂封止の実成形の工程中から得られた、金型の基準温度と低い温度の温度差の情報（ΔＴ０）や、金型の基準温度と高い温度の温度差の情報（ΔＴ１）と、温度が下がり始めてから設定温度に復帰するまでの時間（ｔ１）と、温度が設定温度から上がり始めてから設定温度に復帰するまでの時間（ｔ２）から、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーター（Ｘ０、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４）を制御部が再計算する。
【０１２４】
算出した各種パラメーターで、上記当初設定したカルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御を行う各種パラメーターを更新（上書き）する。これにより、次回の、或いは後に実行する基材の樹脂封止においては、更新した各種パラメーターを使用したカルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御の調整が行われ、カルブロック１２０の温度制御が行われる。
【０１２５】
例えば、金型の基準温度と低い温度の温度差（ΔＴ０）の値が大きい場合には、ヒーターＯＮ前ディレー（Ｘ０）の時間を短くする調整が行われる。また、金型の基準温度と高い温度の温度差（ΔＴ１）の値が大きい場合に、ヒーターＯＮ時間（Ｘ１）を短くする調整が行われる。
【０１２６】
更には、温度が下がり始めてから設定温度に復帰するまでの時間（ｔ１）と、温度が設定温度から上がり始めてから設定温度に復帰するまでの時間（ｔ２）の時間が長い場合には、カルヒーター１２１の出力を小さくしたり、ＯＮの時間（Ｘ１）を短くしたり、或いはＯＮ／ＯＦＦの回数を増減したりする調整が行われる。なお、ここで述べた各種パラメーター（成形時デバイス）等の調整はあくまで一例であり、調整の内容はこれに限定されるものではない。
【０１２７】
以降は、同様にパラメーター情報の更新を行いながら、成形工程のみを繰り返し実行し、基材の樹脂封止を行うことができる。
このように、基材の実成形の成形工程中から得られたカルブロック１２０の温度の情報をフィードバックして、次回の、或いは後に実行する基材の樹脂封止における、カルヒーター１２１のＯＮ／ＯＦＦ制御の各種パラメーターを調整することにより、カルブロック１２０での温度低下の影響を少なくすることができる。また、樹脂封止装置においては、上記算出パラメーターの手動での入力も可能としている。
【０１２８】
以上のように、本発明に係る樹脂封止方法は、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことが可能なものとなっている。
また、本発明に係る樹脂封止装置は、樹脂封止の際に、金型の温度制御を高い精度で行うことが可能なものとなっている。
【０１２９】
本明細書及び特許請求の範囲で使用している用語と表現は、あくまでも説明上のものであって、なんら限定的なものではなく、本明細書及び特許請求の範囲に記述された特徴及びその一部と等価の用語や表現を除外する意図はない。また、本発明の技術思想の範囲内で、種々の変形態様が可能であるということは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１３０】
Ａ１  樹脂封止装置
１  上金型
１１  上型ダイセット
１１０  上ダイセットセンサー
１１１  上ダイセットヒーター
１２  上型チェス
１２０  カルブロック
１２１  カルヒーター
１２２  カル部センサー
１２３  キャビティブロック
１２４  カル側センサー
１２５  上キャビ中央センサー
１２６  カル部
２  下金型
２１  下型ダイセット
２１０  下ダイセットセンサー
２１１  下ダイセットヒーター
２２  下型チェス
２２０  ポットブロック
２２１  ポット部センサー
２２２  ポットヒーター
２２３  下キャビティブロック
２２４  ポット部
Ａ２  樹脂封止装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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