(57)【要約】【課題】  フォーカス精度を維持しつつ、異物の有無を判定可能な領域を拡張することができる露光装置を実現すること。【解決手段】  基板Ｗ上のショット領域に露光を行う露光装置であって、ショット領域に含まれる複数のフォーカス計測領域において基板の高さを計測する計測部１０２と、ショット領域に含まれる第１の数のフォーカス計測領域における基板の高さの計測結果に基づいて基板の高さ制御を行い、ショット領域に含まれ、第１の数よりも多い第２の数のフォーカス計測領域における基板の高さの計測結果に基づいてショット領域における異物の有無判定を行う制御部１０４を設ける。【選択図】  図１
2020003737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のショット領域に露光を行う露光装置であって、
前記ショット領域に含まれる複数のフォーカス計測領域において前記基板の高さを計測する計測部と、
前記ショット領域に含まれる第１の数のフォーカス計測領域における前記基板の高さの計測結果に基づいて前記基板の高さ制御を行い、前記ショット領域に含まれ、前記第１の数よりも多い第２の数のフォーカス計測領域における前記基板の高さの計測結果に基づいて前記ショット領域における異物の有無判定を行う制御部を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記計測部は、前記基板に対して計測光を投光する投光部と、該投光部によって投光されて前記基板において反射された光束を受光する受光部を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記投光部は、前記フォーカス計測領域に含まれる複数の計測位置のそれぞれに計測用マークを投影することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記受光部は、光電変換素子を含み、
前記制御部は、前記光電変換素子において検出された前記計測用マークの信号の強度分布に基づいて、前記基板の高さ制御及び前記異物の有無判定の少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記フォーカス計測領域に含まれる複数の計測位置に投影された前記計測用マークの中で前記光電変換素子において検出されない計測用マークがある場合、前記制御部は、当該フォーカス計測領域における計測結果を除外して前記基板の高さ制御を行うことを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記フォーカス計測領域に含まれる複数の計測位置に投影された前記計測用マークの中で、前記光電変換素子において検出される計測用マークが所定の数より少ない場合、前記制御部は、当該フォーカス計測領域における計測結果を除外して前記基板の高さ制御を行うことを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
【請求項７】
前記フォーカス計測領域に含まれる複数の計測位置に投影された前記計測用マークの中で、前記光電変換素子において検出される計測用マークが所定の数未満である場合、前記制御部は、当該フォーカス計測領域における異物の有無判定を行わないことを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
【請求項８】
前記基板上のショット領域に露光光を投影する投影光学系をさらに有し、
前記制御部は、前記投影光学系の像面位置と前記基板の高さ位置を合わせるように前記基板の高さ制御を行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記フォーカス計測領域における前記基板の高さの計測結果と、前記基板上の複数のショット領域における前記基板の高さの計測結果とを比較することにより前記異物の有無判定を行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
パターンが形成された基板を加工することによって物品を製造する工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどの製造工程の１つであるリソグラフィ工程において用いられる装置の１つとして、投影光学系からの露光光により基板上のショット領域の露光を行う露光装置が知られている。このような露光装置では、露光に先立って基板の表面位置を計測し、その計測結果であるフォーカス計測結果に基づいて基板の高さが調整される。
【０００３】
また、フォーカス計測結果から基板表面等に異物が存在するか否かを判定する技術が知られている。基板表面等に異物が存在すると、フォーカス計測結果に大きな変化が生じるため、このフォーカス計測結果の変化に基づいて異物の有無や異物の大きさを判定することができる。
【０００４】
特許文献１は、基板におけるフォーカス計測結果に基づいて、基板と基板ステージとの間に異物が存在するか否かを判断する技術内容を開示している。引用文献１では、基板上の複数のショット領域においてフォーカス計測を行い、当該複数のフォーカス計測の結果から近似平面を求め、この近似平面と各ショット領域におけるフォーカス計測結果とを比較することで異物の有無の判断を行っている。
【０００５】
ここで、例えば、基板の周辺領域に位置するショット領域においてフォーカス計測を行う場合には、一部のフォーカス計測位置が基板の外側に位置することにより、フォーカス計測精度が低下するおそれがある。このため、当該フォーカス計測位置を含むフォーカス計測領域におけるフォーカス計測結果を除外してフォーカス制御を行うことが一般的に知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２５７８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１では、フォーカス計測結果と近似平面とを比較することで異物の有無を判断しているため、フォーカス計測結果が除外されたフォーカス計測領域に対応する領域において異物の有無の判断を行うことができない。
【０００８】
本発明は、フォーカス精度を維持しつつ、異物の有無を判定可能な領域を拡張することができる露光装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の一側面としての露光装置は、基板上のショット領域に露光を行う露光装置であって、前記ショット領域に含まれる複数のフォーカス計測領域において前記基板の高さを計測する計測部と、前記ショット領域に含まれる第１の数のフォーカス計測領域における前記基板の高さの計測結果に基づいて前記基板の高さ制御を行い、前記ショット領域に含まれ、前記第１の数よりも多い第２の数のフォーカス計測領域における前記基板の高さの計測結果に基づいて前記ショット領域における異物の有無判定を行う制御部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、フォーカス精度を維持しつつ、異物の有無を判定可能な領域を拡張することができる露光装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】フォーカス計測領域と照射領域との関係を示す図である。
【図３】光電変換部で検出される信号強度を示す図である。
【図４】フォーカス計測領域と基板との位置関係を示す図である。
【図５】基板上の露光シーケンスを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１３】
本発明に係る露光装置について説明する。図１は、本実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、投影光学系から射出された光と基板のショット領域とを相対的に走査することにより該ショット領域の走査露光を行う、所謂スキャン・アンド・リピート方式の露光装置（走査露光装置）である。
【００１４】
露光装置１００は、照明系１０６と、マスクステージ１０３と、投影光学系１０１と、基板ステージ１０５と、計測部１０２と、制御部１０４とを含みうる。ここで、図１では、投影光学系１０１の光軸ＡＸに平行な軸をＺ軸とし、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する２つの軸をＸ軸およびＹ軸とする。また、本実施形態では、マスクＭおよび基板Ｗの走査方向（即ち、基板上における照射領域の走査方向）をＹ方向とする。
【００１５】
照明系１０６は、エキシマレーザ等の不図示の光源から放出された光を調整し、マスクＭを照明する。マスクＭは、例えば石英ガラス等によって作製されており、基板上に転写されるべきパターン（例えば回路パターン）が形成されている。マスクステージ１０３は、マスクＭを保持するチャックを含み、少なくともＸ，Ｙの各軸方向に移動可能である。マスクステージ１０３は、基板Ｗの露光の際には、投影光学系１０１の光軸ＡＸと垂直な面方向であるＹ軸方向（矢印１０３ａ）に一定速度で走査する。
【００１６】
マスクステージ１０３の各軸方向の位置情報は、マスクステージ１０３に設置されたバーミラー１２０と、マスクステージ１０３の位置検出用の第１干渉計１２１とを用いて常時計測されうる。
【００１７】
投影光学系１０１は、マスクＭを透過した光を所定の投影倍率（例えば１／２倍）で基板上に投影する。投影光学系１０１の像面（フォーカス面）は、Ｚ軸方向に対して垂直となる関係にある。基板Ｗは、例えば単結晶シリコン基板であり、表面上にレジスト（感光剤）が塗布されうる。
【００１８】
基板ステージ１０５は、基板Ｗを保持するチャックを含み、Ｘ，Ｙ、Ｚの各軸方向、さらには各軸の回転方向であるθｘ、θｙ、θｚ方向に移動（回転）可能である。基板ステージ１０５は、基板Ｗの露光の際には、投影光学系１０１の光軸ＡＸと垂直な面方向であるＹ軸方向（矢印１０５ａ）に一定速度で走査する。基板ステージ１０５の各軸方向の位置情報は、基板ステージ１０５に設置されたバーミラー１２３と、基板ステージ１０５の位置検出用の第２干渉計１２４とを用いて常時計測されうる。
【００１９】
計測部１０２は、基板ステージ１０５により保持されている基板Ｗの表面のＺ軸方向における位置または傾き（以下、これらを総称して「表面位置」または「表面高さ」と呼ぶことがある）を計測する。第１実施形態の計測部１０２は、基板Ｗに光を斜めから照射する斜入射型であり、基板Ｗに計測光としての光束を投光する投光部と、投光部により投光されて基板Ｗで反射した光束（反射光束）を受光する受光部とを含みうる。
【００２０】
投光部は、例えば、光源１１０と、コリメータレンズ１１１と、スリット部材１１２と、投光光学系１１３と、ミラー１１４とを含みうる。光源１１０は、例えばランプや発光ダイオードなどを有し、基板上のレジストが感光しない波長の光束を射出する。コリメータレンズ１１１は、光源１１０から射出された光束を、断面の光強度分布がほぼ均一となる平行光にする。
【００２１】
スリット部材１１２は、互いの斜面が相対するように貼り合わされた一対のプリズムによって構成されており、貼り合わせ面には、複数の開口が形成されたクロム等の遮光膜が設けられている。投光光学系１１３は、両側テレセントリック光学系であり、スリット部材１１２に形成された複数の開口を個別に通過した複数の光束を、ミラー１１４を介して基板上に入射させる。このとき、複数の開口を有する平面と基板Ｗの表面を含む平面とは、投光光学系１１３に対してシャインプルーフの条件を満足するように構成されうる。
【００２２】
本実施形態では、投光部からの各光束が基板Ｗに入射するときの入射角（光軸となす角）は、７０°以上である。また、投光部から射出された複数の光束は、各光束が入射した位置での表面高さを互いに独立して計測可能なように、Ｘ方向からＸＹ平面内でθ°（例えば２２．５°）回転した方向より、基板上の互いに異なる位置に入射する。
【００２３】
受光部は、例えば、ミラー１１５と、受光光学系１１６と、補正光学系１１７と、光電変換部１１８とを含みうる。ミラー１１５は、基板Ｗで反射された複数の光束を受光光学系１１６に導く。受光光学系１１６は、両側テレセントリック光学系であり、複数の光束に対して共通に設けられたストッパ絞りによって、基板上に形成されているパターンに起因して発生する高次の回折光（ノイズ光）をカットする。
【００２４】
補正光学系１１７は、複数の光束に対応するように複数のレンズを有しており、受光光学系１１６を通過して光軸が互いに平行になっている複数の光束を、光電変換部１１８の受光面に対して、互いに同一の大きさを有したスポット光となるように結像する。光電変換部１１８は、例えば、複数の光束に対応するように複数の光電変換素子を含みうる。
【００２５】
各光電変換素子は、ＣＣＤラインセンサなどを含み、受光面に入射した光束の強度（光強度）を検出し、処理部１２６（演算回路）に出力する。受光光学系１１６、補正光学系１１７および光電変換部１１８には、基板上の各計測位置と光電変換部１１８の受光面とが互いに共役になるように、予め倒れ補正が行われている。そのため、各計測点の局所的な傾きに起因して発生する受光面でのピンホール像の位置変化はなく、各計測点の光軸方向ＡＸでの高さ変化に応答して、受光面上でのピンホール像の位置が変化する。ここで、本実施形態の光電変換部１１８は、１次元ＣＣＤラインセンサによって構成されているが、２次元の位置計測素子を複数配置したものを使用してもよい。
【００２６】
制御部１０４は、例えば、主制御部１２７と、マスク位置制御部１２２と、基板位置制御部１２５と、処理部１２６とを含みうる。主制御部１２７は、例えばＣＰＵやメモリを含むコンピュータなどで構成され、露光装置１００の各構成要素（これらを制御する制御部等）に回線を介して接続されて、プログラムなどに従って各構成要素の動作を統括制御する。
【００２７】
マスク位置制御部１２２は、主制御部１２７からの指令に基づいて、マスクステージ１０３の動作を制御する。基板位置制御部１２５は、主制御部１２７からの指令に基づいて、基板ステージ１０５の動作を制御する。処理部１２６は、光電変換部１１８からの出力に基づいて各計測点での基板Ｗの表面位置を求める。
【００２８】
主制御部１２７は、マスクステージ１０３および基板ステージ１０５を、互いに同期させながら投影光学系１０１の投影倍率に応じた速度比で相対的に走査する。これにより、投影光学系１０１からの光が照射される照射領域（即ち、投影光学系１０１によりマスクＭのパターン像が投影される領域）を基板上で走査し、マスクＭのパターンを基板上のショット領域に転写することができる。このような走査露光を、基板ステージ１０５をステップ移動させながら、基板Ｗにおける複数のショット領域の各々について順次行うことにより、１枚の基板Ｗにおける露光処理を完了させることができる。
【００２９】
続いて、図２を用いて、基板Ｗに含まれる１つのショット領域２１におけるフォーカス計測領域と露光光の照射領域２２の関係について説明する。ここでは、照射領域２２の中に５つのフォーカス計測領域２３〜２７が存在し、各フォーカス計測領域には５つの計測用マークＭが投影されている。各計測用マークＭはフォーカス計測領域に設定されたフォーカス計測位置に投影される。
【００３０】
各フォーカス計測領域のフォーカス計測位置に対して、計測部１０２の投光部から計測用の光束が投光され、各フォーカス計測位置に対応する基板Ｗ上の位置で反射された光束は、計測部１０２の受光部により受光される。基板ステージ１０５により基板Ｗが走査方向（Ｙ軸方向）に移動することにより、フォーカス計測領域はショット領域２１のＹ軸方向に移動する。
【００３１】
具体的には、投光部によって計測用マークが各フォーカス計測位置に投光され、光電変換部１１８に結像される。図３は、１つのフォーカス計測領域の５つのフォーカス計測位置に投光された計測用マークが、光電変換部１１８に結像されたときにおける信号強度分布を示している。基板Ｗの表面位置と投影光学系１０１の像面位置との差が投影光学系１０１の焦点深度内であれば、図３に示したように、５つのフォーカス計測位置に対応する信号のピーク（Ｐａ〜Ｐｅ）は、フォーカス計測位置の間隔と対応するように現れる。
【００３２】
基板Ｗの表面位置と投影光学系１０１の像面位置との差であるデフォーカスの変化に伴い、図３におけるピークとピークとの間隔が変化するため、当該間隔の変化を検出することにより基板Ｗの表面位置の変位を検出することができる。基板位置制御部１２５は、デフォーカス量が小さくなるように基板ステージ１０５をＺ軸方向に移動させることで、基板Ｗの表面位置と投影光学系１０１の像面位置を合わせる。基板Ｗの表面位置と投影光学系１０１の像面位置を合わせる動作をフォーカス制御と記載する。
【００３３】
ここで、それぞれのフォーカス計測位置における計測用マークの計測精度が、フォーカス制御に求められる精度を満たしていない場合が起こり得る。この場合には、各フォーカス計測位置における計測用マークの計測値を平均化することで当該フォーカス計測領域におけるフォーカス計測精度を向上させることができる。
【００３４】
例えば、フォーカス制御に求められる精度が３０ｎｍであり、それぞれのフォーカス計測位置における計測用マークの計測精度が５０ｎｍの場合、４か所のフォーカス計測位置における計測用マークの計測値を平均化する。これにより、下記式に示したように、当該フォーカス計測領域におけるフォーカス計測精度をフォーカス制御に求められる精度以上に向上させることができる。
【００３５】
【数１】
2020003737.tif 000003
【００３６】
このように、計測される計測用マークの数を増やすことで、フォーカス計測領域におけるフォーカス計測精度を向上させることができる。しかしながら、計測される計測用マークの数が少ない場合にはフォーカス計測精度を十分に向上させることが困難となる。それゆえ、計測される計測用マークの数が少ない場合には、当該フォーカス計測位置を含むフォーカス計測領域における計測結果をフォーカス制御に用いないようにする。これによりデフォーカスの発生を回避し得る。
【００３７】
例えば、計測される計測用マークの数が所定の数よりも少ない場合に、当該フォーカス計測領域における計測結果をフォーカス制御に用いないようにすることが考えられる。ここで、計測される計測用マークの数が所定の数以上の場合には、当該フォーカス計測領域における計測結果をフォーカス制御に反映させることで、フォーカス精度の向上を図ることができる。
【００３８】
所定の数は、フォーカス制御に求められる精度に応じて設定することが好ましい。フォーカス制御に求められる精度が高い場合には、所定の数を大きくすることが考えられる。また、基板Ｗ上のショット領域の位置によって基板高さの平坦度が異なり得るため、基板Ｗ上のショット領域の位置に応じて所定の数を適宜設定することが好ましい。
【００３９】
続いて、計測用マークの計測値を用いた異物の検出方法について説明する。例えば、基板Ｗ上の各フォーカス計測領域におけるフォーカス計測結果を取得し、これらのフォーカス計測結果の平均値を算出する。そして、当該平均値と各フォーカス計測領域における計測結果を比較することで、各フォーカス計測領域における異物の有無判定を行うことができる。
【００４０】
一例として、各フォーカス計測領域におけるフォーカス計測結果の平均値と各フォーカス計測領域における計測値の差分を取得し、その差分が予め設定した閾値よりも大きい場合に当該フォーカス計測領域に異物が存在すると判定する。なお、異物の有無の判定方法に関してはその他種々の判定方法を用いることができる。
【００４１】
次に、図４を用いてフォーカス計測領域と基板Ｗとの位置関係について説明する。図４（ａ）は、ショット領域２１の全域が基板Ｗ上に位置している状況を示している。図４（ａ）の例では、ショット領域２１に含まれる各フォーカス計測領域において、５つ全てのフォーカス計測位置に対応する計測用マークを光電変換部１１８において検出することができる。それゆえ、上述したように、フォーカス計測領域４１〜４５における計測用マークの計測結果を用いて、照明領域４ａにおけるフォーカス制御を実行するとともに、照明領域４ａにおける異物の有無判定を行う。
【００４２】
図４（ｂ）は、ショット領域２１の一部が基板Ｗの外側に位置している状況を示しており、照明領域４ｂに含まれるフォーカス計測領域４６〜５０のうち、フォーカス計測領域４６の一部のフォーカス計測位置が基板Ｗ上の領域に存在していない。具体的には、フォーカス計測領域４６に含まれる５つのフォーカス計測位置のうち、３つのフォーカス計測位置が基板Ｗ上の領域に位置していない。
【００４３】
ここで、フォーカス制御に求められる精度を考慮して上述した「所定の数」が３つである場合を想定する。このとき、フォーカス計測領域４６において基板Ｗ上に投光され、光電変換部１１８において検出される計測用マークは２つのみであるため、フォーカス計測領域４６におけるフォーカス計測結果を除外して、照射領域４ｂにおけるフォーカス制御が行われる。
【００４４】
一方、一般に異物の有無判定に用いられるフォーカス計測精度は、フォーカス制御に用いられるフォーカス計測精度よりも低い。それゆえ、異物の有無を判定する際には、フォーカス計測領域４６に含まれ、基板Ｗ上の領域に位置する２つの計測用マークの検出結果に基づいて異物の有無判定を行う。これにより、基板Ｗの最周辺領域においても異物の有無を判定することが可能となる。
【００４５】
ここでは「所定の数」を３とした例を示したが、「所定の数」を５としても良い。これにより、光電変換部１１８において検出されない計測用マークが１つでも存在する場合には、当該フォーカス計測領域におけるフォーカス計測結果を除外してフォーカス制御を行うことになる。求められるフォーカス精度が高い場合には、このようなフォーカス制御方法が有効となる。
【００４６】
以上説明したように、図４（ｂ）のようにショット領域が配置された場合、フォーカス制御のためには、第１の数としての４つのフォーカス計測領域４７〜５０における計測用マークの計測結果を用いている。一方で、異物の有無判定のためには、第２の数としての５つのフォーカス計測領域４６〜５０における計測用マークの計測結果を用いている。これにより、照射領域４ｂにおけるフォーカス精度を維持しながら、基板Ｗ上の広範囲にわたって異物の有無判定を行うことができる。
【００４７】
続いて、図５のフローチャートを用いて本実施形態にかかる露光シーケンスについて説明する。当該露光シーケンスは制御部１０４により実行される。ステップＳ５０１において露光処理が開始されると、まずステップＳ５０２において露光処理を行う領域に対応するフォーカス計測領域が決定される。図４（ｂ）の例では、フォーカス計測領域としてフォーカス計測領域４６〜５０が特定される。続いてステップＳ５０３において、フォーカス計測領域の各フォーカス計測位置に対して計測用マークが投影され、計測用マークが光電変換部１１８より検出される。
【００４８】
さらに、ステップＳ５０４において、各フォーカス計測領域における計測値をフォーカス制御に使用するか否かを判定する。ここでは、検出されるマークの数が３以上であるか否かを基準として当該判定が行われる例を示している。各フォーカス計測領域に投影される計測用マークの中で光電変換部１１８によって検出されるマークの数は、各フォーカス計測領域の基板Ｗ上の位置に基づいて予め知ることができる。それゆえ、基板Ｗ上における各フォーカス計測領域の配置情報に基づいてステップＳ５０４における判定を行うことができる。
【００４９】
検出されたマークの数が３以上であればステップＳ５０５に進み、当該フォーカス計測領域における計測結果をフォーカス制御のために使用する。一方、検出されたマークの数が３未満であればステップＳ５０６に進み、当該フォーカス計測領域における計測結果をフォーカス制御のために使用しない。
【００５０】
続いて、ステップＳ５０７において、各フォーカス計測領域に投影された計測用マークの中で光電変換部１１８によって検出されたマークの数に基づいて、各フォーカス計測領域における計測値を異物検出に使用するか否かを判定する。ここでは、検出されたマークの数が１以上であるか否かを基準として当該判定が行われる例を示している。
【００５１】
検出されたマークが１つでもあればステップＳ５０８に進み、当該フォーカス計測領域における計測結果を異物検出のために使用する。一方、検出されたマークが存在しない場合にはステップＳ５０９に進み、当該フォーカス計測領域における計測結果を異物検出のために使用しない。なお、ステップＳ５０４の判定処理とステップＳ５０７の判定処理は並行して実行しても良い。
【００５２】
そして、ステップＳ５０４における判定結果に基づいて、ステップＳ５１０において、各フォーカス計測領域における計測結果に基づいたフォーカス制御を実行した上で、露光処理を行う。さらに、ステップＳ５０７における判定結果に基づいて、ステップＳ５１１において、各フォーカス計測領域における異物の有無検出を行う。異物の有無検出は、ステップＳ５１０のフォーカス制御や露光処理と並行して行っても良いし、フォーカス制御の前に行っても良い。
【００５３】
（変形例）
上述した例では、検出されたマークが１つでもあれば当該フォーカス計測領域における計測結果を異物検出のために使用している。ここで、基板の表面形状が凹凸形状である場合等の異物の有無の誤判定が発生しやすい場合には、ステップＳ５０７における閾値を大きくすることで、異物の検出精度を向上させることができる。例えば、ステップＳ５０７において、検出されたマークの数が所定の数以上であるか否かを基準として異物の有無判定を行うことが考えられる。このとき、検出されたマークの数が所定の数未満である場合には、当該フォーカス領域における異物の有無判定を行わないことになる。所定の数として２以上の整数を設定することができる。
【００５４】
また、本発明は、マスクＭを固定してマスクＭのパターンを基板Ｗに投影するステッパーにも適用可能である。
【００５５】
（物品の製造方法）
次に、前述の露光装置を利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子等）の製造方法を説明する。かかる物品は、前述の露光装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、パターンが形成された基板を加工（現像、エッチングなど）する工程と、パターンが形成された基板を加工（現像、エッチングなど）する工程とを含む。本物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。または、前述の露光装置は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子等）などの物品を提供することができる。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
2020003737.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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