(57)【要約】      （修正有）【課題】ガラスが用いられた電子部品において、焼成による影響を低減する。【解決手段】インダクタ部品１において、単層ガラス板１０と、単層ガラス板１０の外面の上方に配置され、電気素子の少なくとも一部である外面導体１１及び単層ガラス板１０の外面の上方に配置され、外面導体１１と電気的に接続された、電気素子の端子である端子電極１２を有するインダクタ素子Ｌと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層ガラス板と、
前記単層ガラス板の外面の上方に配置され、電気素子の少なくとも一部である外面導体と、
前記単層ガラス板の外面の上方に配置され、前記外面導体と電気的に接続された、前記電気素子の端子である端子電極と、を備える電子部品。
【請求項２】
さらに、前記単層ガラス板に形成された貫通孔を貫通し、前記外面導体と電気的に接続された、前記電気素子の少なくとも一部である貫通配線を備える、請求項１の電子部品。
【請求項３】
前記外面が、前記単層ガラス板の主面の一つである底面を含み、
前記端子電極が、前記電気素子の入出力端子である第１端子電極及び第２端子電極を含み、
前記第１端子電極及び前記第２端子電極が、前記底面の上方において、前記底面に平行な主面を有する形状である、請求項１又は２の電子部品。
【請求項４】
前記外面が、前記単層ガラス板の主面の一つである底面と、前記底面の裏側に位置する天面と、を含み、
前記端子電極が、前記電気素子の入出力端子である第１端子電極及び第２端子電極を含み、
前記第１端子電極及び前記第２端子電極が、前記底面の上方において、前記底面に平行な主面を有する形状であり、
前記外面導体が、前記底面の上方、前記天面の上方にそれぞれ配置され、前記貫通配線によって互いに電気的に接続された底面導体、天面導体を含み、
前記底面導体、前記天面導体及び前記貫通配線によって構成される周回配線が、前記底面と平行な巻回軸の周囲を周回する、請求項２の電子部品。
【請求項５】
前記単層ガラス板が、前記巻回軸を含む位置に空洞又は結晶化部を有する、請求項４の電子部品。
【請求項６】
前記周回配線が、前記巻回軸の周囲を２周以上周回し、
前記単層ガラス板が、隣り合う前記周回配線の間に空洞又は結晶化部を有する、請求項４又は５の電子部品。
【請求項７】
前記単層ガラス板が、前記端子電極の周囲に空洞又は結晶化部を有する、請求項１〜６のいずれか１つの電子部品。
【請求項８】
前記外面が、前記単層ガラス板の主面の一つである底面と、前記底面の裏側に位置する天面と、を含み、
前記外面導体が前記底面の上方に配置された平板状の底面平板電極と、前記天面の上方に配置された平板状の天面平板電極と、を含み、
前記単層ガラス板が、前記底面平板電極と前記天面平板電極に挟まれた位置に空洞又は結晶化部を有する、請求項１の電子部品。
【請求項９】
前記単層ガラス板が、前記底面平板電極と前記天面平板電極に挟まれた位置に空洞を有し、
さらに、前記空洞内に配置された前記単層ガラス板よりも誘電率の高い高誘電部を備える、請求項８の電子部品。
【請求項１０】
前記単層ガラス板の外面が、周囲より窪んだ溝部を有し、
前記外面導体が、前記溝部内に配置された溝部導体を含む、請求項１〜９のいずれか１つの電子部品。
【請求項１１】
前記溝部導体の厚みが、前記溝部の深さより小さい、請求項１０の電子部品。
【請求項１２】
前記溝部導体の厚みが、前記溝部の深さより大きい、請求項１０の電子部品。
【請求項１３】
さらに、前記単層ガラス板とは異なる第２単層ガラス板を備え、
前記第２単層ガラス板が、前記溝部導体の上方に配置された、請求項１０の電子部品。
【請求項１４】
前記溝部導体が、平板状の溝部平板電極を含み、
前記外面導体が、前記溝部平板電極と前記単層ガラス板又は前記第２単層ガラス板を介して対向する平板状の対向平板電極を含み、
前記溝部平板電極又は前記対向平板電極が、前記端子電極となる、請求項１３の電子部品。
【請求項１５】
前記単層ガラス板が、周囲より光透過率が低い低透過率部を有する、請求項１〜１４のいずれか１つの電子部品。
【請求項１６】
前記低透過率部が、前記単層ガラス板の主面の外周縁に位置する、請求項１５の電子部品。
【請求項１７】
前記低透過率部が、前記単層ガラス板の主面において十字形状となる、請求項１５の電子部品。
【請求項１８】
前記単層ガラス板が、前記外面導体が配置された外面である主面と、前記主面に直交する側面とを有し、前記側面に開口する空洞を有する、請求項１〜１７のいずれか１つの電子部品。
【請求項１９】
さらに、前記単層ガラス板の外面上に配置された下地絶縁層を備え、
前記端子電極が、前記下地絶縁層上に配置されている、請求項１〜１８のいずれか１つの電子部品。
【請求項２０】
前記下地絶縁層が、前記外面導体上に配置されている、請求項１９の電子部品。
【請求項２１】
前記単層ガラス板が、周囲より硬度の高い補強部を有する、請求項１〜２０のいずれか１つの電子部品。
【請求項２２】
前記補強部が、前記外面導体の下方又は前記端子電極の下方に位置する、請求項２１の電子部品。
【請求項２３】
さらに、前記端子電極から、前記単層ガラス板の内部に突出するアンカー部を備える、請求項１〜２２のいずれか１つの電子部品。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１つの電子部品と、
前記電子部品が実装されたガラス基板と、
を備える、電子部品実装基板。
【請求項２５】
請求項１〜２３のいずれか１つの電子部品の製造方法であって、
マザー単層ガラス板の外面上に前記外面導体を形成し、
前記外面導体が形成されたマザー単層ガラス板をフォトリソグラフィ法で切断することにより、単層ガラス板を形成する、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子部品、電子部品実装基板及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、導体を内部に取り込んだ積層ガラス体（multi-layer glass body）を備える積層型インダクタ部品の製造方法が開示されている。具体的には、まずガラス粉末を含むガラスペーストをシート化したガラスグリーンシートに、Ａｇ又はＣｕなどの導体粉末を含む導体ペーストを印刷塗布したものを複数用意する。次に、導体ペーストが印刷塗布された複数のガラスグリーンシートを積層し、個片に切り出す。この際、個片から導体ペーストの端部を露出させる。
【０００３】
次に、この個片を焼成し、ガラスペーストが焼結した積層ガラス体、導体ペーストが焼結した内部導体を形成する。この際、内部導体は、積層ガラス体と一体化し、端部のみが露出した状態で積層ガラス体の内部に取り込まれる。
【０００４】
次に、積層ガラス体から露出する内部導体の端部にめっきをして、外部との電気的接続を行う端子電極を形成する。これにより、内部導体及び端子電極によって構成されるインダクタ素子を含む積層型インダクタ部品が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−９８３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ガラスは、絶縁性、物理的・化学的安定性などの優位点により、電子部品の絶縁体、構造体として広く用いられている。特に、特許文献１のように、積層ガラス体内に内部導体が取り込まれた構造を有する積層型インダクタ部品は、非磁性構造が求められる高周波信号用の小型インダクタ部品として好適である。
【０００７】
一方、積層ガラス体内に内部導体が取り込まれた構造を有する電子部品は、焼成による影響を大きく受ける。具体的には、焼成により、ガラスペースト、導体ペーストが焼結してそれぞれ積層ガラス体、内部導体となる際には、ペースト成分である有機材料が揮発することに加え、ガラス粉末や導体粉末が焼き締まる。したがって、ガラスペースト、導体ペーストの形成時の形状、位置関係について、どれだけ精度を上げたとしても、焼成後の積層ガラス体、内部導体の形状、位置関係はペースト形成時から変化してしまう。これにより、積層ガラス体内に内部導体が取り込まれた構造を有する電子部品は、焼成後の最終的な外形や特性について、ばらつきが発生することは避けられない。
【０００８】
また、積層ガラス体内に内部導体が取り込まれた構造を有する電子部品では、ガラス粉末、導体粉末、有機材料間の熱膨張係数の差異や、上記のガラス粉末、導体粉末が積層ガラス体、内部導体となる際の変化により、焼成を経て形成された積層ガラス体に内部応力が蓄積しやすい。特に、積層されたガラスグリーンシートの界面に位置する導体ペーストが存在していた付近では大きな内部応力が蓄積する。これによって、焼成後の電子部品におけるクラックや断線のリスクが高まり、さらなる外力や熱への耐性が低下する。また、内部応力は、電子部品の電気的特性に歪みを与える原因ともなり得る。
【０００９】
さらに、積層ガラス体内に内部導体が取り込まれた構造を有する電子部品では、内部導体は、製造過程において、ペースト上に形成される必要がある上に、焼成における高温に耐える必要もあるため、内部導体の材料・工法の選択自由度が低下する。
【００１０】
本開示の目的は、ガラスが用いられた電子部品において、焼成による影響を低減できる構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本開示の一態様に係る電子部品は、単層ガラス板と、前記単層ガラス板の外面の上方に配置され、電気素子の少なくとも一部である外面導体と、前記単層ガラス板の外面の上方に配置され、前記外面導体と電気的に接続された、前記電気素子の端子である端子電極と、を備える。
【００１２】
なお、本明細書において「単層ガラス板（single-layer glass plate）」は、積層ガラス体に対する概念であり、より具体的にはガラス内で一体化した導体、すなわち内部導体を内部に取り込んでいないガラスの板を指す。
【００１３】
また、「単層ガラス板の外面」とは、単に単層ガラス板の外周側を向く面という意味ではなく、単層ガラス板のガラス体の外側と内側との境界となる面である。また、「外面の上方」とは、重力方向に規定される鉛直上方のような絶対的な一方向ではなく、外面を基準に、当該外面を境界とする外側と内側とのうち、外側に向かう方向を指す。したがって、「外面の上方」とは外面の向きによって定まる相対的な方向である。以上のことから、「単層ガラス板の外面の上方に配置」とは、ガラス体の外側に位置し、単層ガラス板のガラス体に取り込まれていないことを意味する。
【００１４】
なお、単層ガラス板の焼結後における貫通孔や溝部の表面も、ガラス体の外側と内側との境界となる面であるため、上記「単層ガラス板の外面」に含まれる。上記のガラス体の外側と内側との境界は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などを用いた単層ガラス板の断面解析によって容易に把握できる。
【００１５】
また、ある要素に対して「上方（above）」には、当該要素とは離れた上方、すなわち当該要素上の他の物体を介した上側の位置や間隔を空けた上側の位置だけではなく、当該要素と接する直上の位置（on）も含む。
【発明の効果】
【００１６】
上記態様の電子部品では、単層ガラス板の外面上に外面導体が配置されているため、外面導体が単層ガラス板に取り込まれていない。したがって、上記電子部品では焼成による影響を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】インダクタ部品１を底面側から見た模式斜視図である。
【図２】インダクタ部品１を天面側から見た模式斜視図である。
【図３】インダクタ部品１の模式断面図である。
【図４】インダクタ部品１の模式断面図である。
【図５】インダクタ部品１の模式断面図である。
【図６】インダクタ部品１の模式天面図である。
【図７】インダクタ部品１の模式天面図である。
【図８】インダクタ部品１の模式天面図である。
【図９】インダクタ部品１の模式断面図である。
【図１０】インダクタ部品１ａを底面側から見た模式斜視図である。
【図１１】インダクタ部品１ａの模式断面図である。
【図１２】インダクタ部品１の模式側面図である。
【図１３】コンデンサ部品２の模式断面図である。
【図１４】電子部品３の電気回路図である。
【図１５】電子部品３の模式天面図である。
【図１６】電子部品３の模式断面図である。
【図１７】電子部品３の模式底面図である。
【図１８】電子部品４の模式斜視図である。
【図１９】電子部品実装基板５の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本開示の一態様である実施形態について図面を用いながら説明する。なお、図面は模式的なものであり、全体及び各部の寸法や位置関係、形状を変形、省略している場合がある。
【００１９】
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係るインダクタ部品１について、以下に説明する。図１は、インダクタ部品１を底面側から見た模式斜視図であり、図２は、インダクタ部品１を天面側から見た模式斜視図である。
【００２０】
１．概要構成
インダクタ部品１の概要構成について説明する。インダクタ部品１は、電気素子として、例えば高周波信号伝送回路に用いられるインダクタ素子Ｌを含む表面実装型の電子部品である。インダクタ部品１は、単層ガラス板１０と、単層ガラス板１０の外面１００の上方に配置され、インダクタ素子Ｌの少なくとも一部である外面導体１１と、単層ガラス板１０の底面１００ｂの上方に配置され、外面導体１１と電気的に接続された、インダクタ素子Ｌの端子である端子電極１２と、を備える。
【００２１】
上記構成により、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０の外面１００の上方に外面導体１１及び端子電極１２が配置されているため、外面導体１１及び端子電極１２が単層ガラス板１０に取り込まれていない。したがって、インダクタ部品１では焼成による影響を低減できる。
【００２２】
また、インダクタ部品１は、さらに、単層ガラス板１０に形成された貫通孔Ｖを貫通し、外面導体１１と電気的に接続された、インダクタ素子Ｌの少なくとも一部である貫通配線１３を備える。
【００２３】
上記構成により、インダクタ部品１では、外面１００の上方に配置された外面導体１１や端子電極１２に対して、垂直方向に配線を形成することができ、インダクタ素子Ｌの形成自由度が向上する。
【００２４】
また、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０の外面１００は、単層ガラス板１０の主面の一つである底面１００ｂを含み、端子電極１２が、インダクタ素子Ｌの入出力端子である第１端子電極１２１及び第２端子電極１２２を含む。さらに、インダクタ部品１では、第１端子電極１２１及び第２端子電極１２２が、底面１００ｂの上方において、底面１００ｂに平行な主面を有する形状である。
【００２５】
上記構成により、インダクタ部品１は、底面１００ｂ側に、底面１００ｂと平行な方向に半田が付着できる面を有するインダクタ素子Ｌの入出力端子を備えるため、底面１００ｂを実装面とする表面実装が可能かつ、実装面積を低減できる表面実装型電子部品となる。
【００２６】
また、インダクタ部品１では、外面１００が、底面１００ｂの裏側に位置する天面１００ｔをさらに含み、外面導体１１が、底面１００ｂの上方、天面１００ｔの上方にそれぞれ配置され、貫通配線１３によって互いに電気的に接続された底面導体１１ｂ、天面導体１１ｔを含む。さらに、インダクタ部品１では、底面導体１１ｂ、天面導体１１ｔ及び貫通配線１３によって構成される周回配線１１０が、底面１００ｂと平行な巻回軸ＡＸの周囲を周回する。
【００２７】
上記構成により、巻回軸ＡＸがインダクタ部品１の実装面と平行となるため、インダクタ素子Ｌによって発生する磁束の主成分である、周回配線１１０の内径を通過する磁束が、実装基板に交差せず、渦電流損によるインダクタ素子ＬのＱ値低下を低減でき、実装基板へのノイズ放射も低減できる。
【００２８】
また、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０が、空洞Ｃを有する。これにより、空洞Ｃを有さない単層ガラス板１０よりも実効的な誘電率が下がり、外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３及び実装基板の配線パターンのいずれかの間において形成される浮遊容量を低減でき、特に、インダクタ素子Ｌの自己共振周波数の低下を抑制できる。
【００２９】
なお、後述する加工方法により、空洞Ｃは単層ガラス板１０の任意の場所に任意の形状で形成することができる。例えば、インダクタ部品１では、端子電極１２の周囲に空洞Ｃ１を有する。また、インダクタ部品１では、周回配線１１０が、巻回軸ＡＸの周囲を２周以上周回し、単層ガラス板１０が、隣り合う周回配線１１０の間に空洞Ｃ２を有する。また、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０が、巻回軸ＡＸを含む位置に空洞Ｃ３を有する。
【００３０】
これらのように、インダクタ部品１において、電位差が大きく、電気力線が生じやすい位置において、空洞Ｃ１〜Ｃ３を形成すると、さらに浮遊容量を効果的に低減できる。なお、インダクタ部品１においては、空洞Ｃ１〜Ｃ３のうちの一つ又は二つのみを有していてもよいし、空洞Ｃ１〜Ｃ３を有さなくても良い。なお、空洞Ｃ１〜Ｃ３は単層ガラス板１０を貫通していてもよいし、貫通していなくてもよく、少なくとも配線付近に形成されていればよい。例えば、空洞Ｃ１〜Ｃ３はいずれも単層ガラス板１０を貫通していない。また、空洞Ｃ１〜Ｃ３について、フェライト板や金属磁性粉やフェライト粉などの磁性粉を含有する樹脂などの磁性体を充填してもよい。
【００３１】
さらに、図２に示すように、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０が、（ハッチングにて示す）結晶化部１０１を有する。これにより、結晶化部１０１によって、単層ガラス板１０の実効的な誘電率を調整することが可能となり、外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３及び実装基板の配線パターンのいずれかの間において形成される浮遊容量を増加減でき、特に、インダクタ素子Ｌの自己共振周波数を調整できる。
【００３２】
図２では、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０が、巻回軸ＡＸを含む位置に結晶化部１０１を有するが、結晶化部１０１の位置に限定はなく、空洞Ｃ１〜Ｃ３と結晶化部１０１とは、互いの位置を置換可能である。また、空洞Ｃと結晶化部１０１のどちらか一方のみを有していてもよいし、どちらも有していなくてもよい。また、インダクタ部品１のように、空洞Ｃ３と結晶化部１０１との両方が、巻回軸ＡＸを含む位置にある場合、その深さは同じであってもよいし、異なっていてもよいし、空洞Ｃ１と結晶化部１０１とが隣接していてもよいし、間隔をあけていてもよい。
【００３３】
次に、インダクタ部品１の断面形状について説明する。図３及び図４は、インダクタ部品１の模式断面図である。具体的には、図３の断面は、巻回軸ＡＸを含み、底面１００ｂに直交する断面について、第２端子電極１２２側の底面１００ｂ付近の一部を拡大したものである。また、図４の断面は、巻回軸ＡＸを含み、天面１００ｔに直交する断面について、天面１００ｔ付近の一部を拡大したものである。
【００３４】
図３及び図４に示すように、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０の外面１００である底面１００ｂ、天面１００ｔが、それぞれ周囲より窪んだ溝部Ｇ１、Ｇ２を有し、外面導体１１が、溝部Ｇ１、Ｇ２内に配置された溝部導体１１ｇを含む。
【００３５】
上記構成では、溝部Ｇ１、Ｇ２によって溝部導体１１ｇの形成範囲が規制されるため、溝部導体１１ｇが高精度に形成される。したがって、インダクタ部品１では、さらにインダクタ素子Ｌの形状、特性の精度が向上する。また、端子電極１２を溝部導体１１ｇよりも底面１００ｂ側に突出しやすくなるため、インダクタ部品１の実装基板への実装時に半田が溝部導体１１ｇに付着しにくく、インダクタ部品１の実装性が向上する。
【００３６】
また、このとき、隣り合う溝部導体１１ｇ間に単層ガラス板１０が配置されることがより好ましく、これにより、単層ガラス板１０を介して隣り合う溝部導体１１ｇ間の絶縁性、耐マイグレーション性がより向上する。この場合、単層ガラス板１０を介さない場合に比較して、溝部導体１１ｇ間の間隔をより狭めることが可能となり、インダクタ部品１の外形に対するインダクタンス値（Ｌ値）の取得効率が向上する。
【００３７】
また、図３に示すように、インダクタ部品１の底面１００ｂ側では、溝部導体１１ｇの厚み１１Ｔが、溝部Ｇ１の深さG１Ｔより小さい。これにより、溝部導体１１ｇが単層ガラス板１０から突出しないため、インダクタ部品１の製造、実装時などにおいて、溝部導体１１ｇが損傷しにくくなる。
【００３８】
なお、インダクタ部品１では、図３に示すように、外面導体１１（溝部導体１１ｇ）を覆う保護膜１４を備えることが好ましい。これにより、外面導体１１の損傷を抑制できる。さらにインダクタ部品１では、溝部導体１１ｇの厚み１１Ｔが、溝部Ｇ１の深さＧ１Ｔより小さいため、保護膜１４を薄くすることができる。これはインダクタ部品１の高さ寸法における、保護膜１４の占める割合を低減できることを意味し、この場合、周回配線１１０の周回形状の内径をより大きく取ることができるため、インダクタ部品１の外形あたりのＬ値、Ｑ値の取得効率が向上する。
【００３９】
なお、保護膜１４は必須の構成ではなく、インダクタ部品１は、保護膜１４を備えなくてもよいし、一部分だけ保護膜１４を備えていてもよい。例えば、特に、保護膜１４は、外面導体１１を覆い、端子電極１２を露出させることが好ましい。また、同様に必須ではないが、保護膜１４が単層ガラス板１０を覆うことにより、単層ガラス板１０の損傷を低減することができる。
【００４０】
また、図４に示すように、インダクタ部品１の天面１００ｔ側では、溝部導体１１ｇの厚み１１Ｔが、溝部Ｇ２の深さＧ２Ｔより大きい。これにより、インダクタ部品１の高さ寸法が規定された場合に、溝部Ｇ２上ではない天面１００ｔ上に配置した外面導体１１に比べて、溝部導体１１ｇの厚み１１Ｔを大きくでき、溝部導体１１ｇの直流抵抗を低減することができる。これによって、インダクタ部品１の外形あたりのＱ値の取得効率が向上する。また、厚み１１Ｔを大きくすることにより、溝部導体１１ｇの熱容量も向上するため、インダクタ素子Ｌの放熱特性も向上する。
【００４１】
なお、上記においては、インダクタ部品１の底面１００ｂ、天面１００ｔは、それぞれ溝部導体１１ｇの厚み１１Ｔとの関係が異なる深さＧ１Ｔ，Ｇ２Ｔの溝部Ｇ１，Ｇ２を有したが、インダクタ部品１はこの構成に限られない。例えば、天面１００ｔに溝部Ｇ１、底面１００ｂ側に溝部Ｇ２を形成してもよいし、底面１００ｂ及び天面１００ｔの両方又は片側に溝部Ｇ１又は溝部Ｇ２のどちらかのみを形成してもよい。
【００４２】
また、溝部Ｇ１，Ｇ２はインダクタ部品１の必須構成ではない。図５は、インダクタ部品１の模式断面図であって、図３に相当する断面を示す。図５に示すように、外面導体１１は溝部導体１１ｇを含まなくてもよい。また、外面導体１１の周回ごとに溝部Ｇ１を有する構成、溝部Ｇ２を有する構成又は溝部がない構成のいずれかとなっていてもよい。
【００４３】
また、図３に示すように、インダクタ部品１は、さらに、第２端子電極１２２から、単層ガラス板１０の内部に突出するアンカー部１２３を備える。図示しないが、第１端子電極１２１側も同様の構成を有する。これにより、端子電極１２の単層ガラス板１０に対する固着力が向上する。なお、図３では、アンカー部１２３は、底面１００ｂから、単層ガラス板１０の中間位置まで突出しているが、アンカー部１２３は、天面１００ｔまで突出することにより、単層ガラス板１０を貫通していてもよい。
【００４４】
また、アンカー部１２３は、単層ガラス板１０に形成された穴に形成されるが、アンカー部１２３は当該穴全体に充填されることが好ましく、これにより端子電極１２の単層ガラス板１０に対する固着力がより向上する。
【００４５】
また、アンカー部１２３は、インダクタ部品１の必須構成ではなく、アンカー部１２３を備えなくてもよいし、第１端子電極１２１、第２端子電極１２２の一方側にのみ備えていてもよい。さらに、図３では、アンカー部１２３は第２端子電極１２２から２つ突出しているが、この数には限定はなく、１つであっても３つ以上であってもよい。
【００４６】
なお、図面に示すように、以下では、説明の便宜上、単層ガラス板１０の長手方向であって、第１端子電極１２１から、第２端子電極１２２に向かう方向をｘ方向とする。また、ｘ方向に直交する方向のうち、底面１００ｂから天面１００ｔに向かう方向をｚ方向とし、ｘ方向及びｚ方向に直交する方向であって、ｘ，ｙ，ｚの順に並べたとき、右手系を構成する方向をｙ方向とする。また、向きを考慮しない場合など、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向にそれぞれに平行な方向を、それぞれＬ方向、Ｗ方向、Ｔ方向と記載する場合がある。
【００４７】
前述の定義により、外面１００である底面１００ｂの上方とは、底面１００ｂから逆ｚ方向に向かう方向であり、外面１００である天面１００ｔの上方とは、天面１００ｔからｚ方向に向かう方向である。また、溝部導体１１ｇなどの外面導体１１の厚みとは、外面導体１１の下方に位置する外面１００に直交する方向の厚みであり、例えば、図３、図４において、溝部導体１１ｇの厚みとは、Ｔ方向の導体の厚みとなる。
【００４８】
２．各部構成
（単層ガラス板１０）
単層ガラス板１０は、インダクタ部品１の絶縁体、構造体として機能する。単層ガラス板１０の材料としては、後述する製造方法の観点からは、ＦｏｔｕｒａｎＩＩ（ＳｃｈｏｔｔＡＧ社登録商標）に代表される感光性を有するガラス板が好ましい。特に、単層ガラス板１０は、セリウム酸化物（セリア：ＣｅＯ２）を含有していることが好ましく、この場合、セリウム酸化物が増感剤となって、フォトリソグラフィによる加工がより容易となる。
【００４９】
ただし、単層ガラス板１０は、ドリル、サンドブラストなどの機械加工、フォトレジスト・メタルマスクなどを用いたドライ／ウェットエッチング加工、レーザ加工などによって加工できることから、感光性を有さないガラス板であってもよい。また、単層ガラス板１０は、ガラスペーストを焼結させたものであってもよいし、フロート法などの公知の方法よって形成されていてもよい。
【００５０】
単層ガラス板１０は、ガラス体の内部に一体化した内部導体など、配線を取り込んでいない単層の板状部材である。特に、単層ガラス板１０は、ガラス体としての外側と内側との境界としての外面１００を有する。単層ガラス板１０に形成された貫通孔Ｖや溝部Ｇ１，Ｇ２もガラス体の外側と内側との境界であるため、外面１００に含まれる。
単層ガラス板１０は、基本的にはアモルファス状態であるが、結晶化部１０１を有していてもよい。例えば上記ＦｏｔｕｒａｎＩＩの場合、アモルファス状態のガラスの誘電率が６．４であるのに対し、結晶化させることで、誘電率を５．８に減少できる。これによって、結晶化部１０１付近の、導体間の寄生容量を減少させることができる。
【００５１】
（外面導体１１）
外面導体１１は、単層ガラス板１０の外面１００の上方、すなわち単層ガラス板１０の外側に配置された配線であり、電気素子であるインダクタ素子Ｌの少なくとも一部を構成する。より具体的には、外面導体１１は、単層ガラス板１０の底面１００ｂ上に配置された底面導体１１ｂ、単層ガラス板１０の天面１００ｔ上に配置された天面導体１１ｔを含む。底面導体１１ｂは、Ｗ方向に延びる形状であり、天面導体１１ｔは、ややＬ方向に傾いてＷ方向に延伸している。これによって、周回配線１１０は天面導体１１ｔで次の周回へ移行するヘリカル形状を構成している。
【００５２】
外面導体１１は、銅、銀，金又はこれらの合金などの良導体材料からなる。外面導体１１は、めっき、蒸着、スパッタリングなどによって形成された金属膜であってもよいし、導体ペーストを塗布、焼結させた金属焼結体であってもよい。また、外面導体１１は、複数の金属層が積層された多層構造であってもよいし、保護膜１４を備えない場合など、ニッケル、錫、金などの被膜が最外層に形成されていてもよい。外面導体１１の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
なお、外面導体１１は、セミアディティブ法によって形成することが好ましく、これにより、低電気抵抗、高精度及び高アスペクトな外面導体１１を形成することができる。例えば、外面導体１１は次のように形成することができる。まず、個片化された単層ガラス板１０の外面１００全体に、スパッタリング法又は無電解めっきによって、チタンの層及び銅の層をこの順に形成してシード層とし、当該シード層上にパターニングされたフォトレジストを形成する。次に、フォトレジストの開口部におけるシード層上に電解めっきで銅の層を形成する。その後に、フォトレジスト及びシード層をウェットエッチング又はドライエッチングで除去する。これにより、任意の形状にパターニングされた外面導体１１を単層ガラス板１０の外面１００上に形成することができる。
【００５４】
（端子電極１２）
端子電極１２は、単層ガラス板１０の外面１００の上方に配置され、外面導体１１と電気的に接続された、インダクタ素子Ｌの端子である。端子電極１２は図２に示すように、インダクタ部品１の外部に露出している。より具体的には、端子電極１２は、単層ガラス板１０の底面１００ｂ上に配置された第１端子電極１２１及び第２端子電極１２２を含み、第１端子電極１２１及び第２端子電極１２２は底面１００ｂのみにおいて外部に露出している。
【００５５】
ただし、端子電極１２は、上記構成に限られず、３つ以上であってもよいし、底面１００ｂに隣接する側面や、天面１００ｔにも形成されていてもよい。端子電極１２は、外面導体１１で例示した材料、製法を用いることができる。
【００５６】
また、端子電極１２は、例えば、図３のように、外面導体１１よりも上方にある単層ガラス板１０の外面１００に形成されることで、外面導体１１よりも上方に突出していてもよい。また、例えば、図４のように、外面導体１１よりも厚みが大きいことで、外面導体１１よりも上方に突出していてもよい。なお、外面導体１１が保護膜１４に覆われている場合は、端子電極１２は、必ずしも保護膜１４よりも突出している必要はなく、保護膜１４よりも単層ガラス板１０側に端子電極１２の主面が位置していてもよい。また、この場合、端子電極１２の主面に半田ボールを形成して実装性を向上してもよい。
【００５７】
なお、インダクタ部品１は、端子電極１２から単層ガラス板１０の内部に突出するアンカー部１２３を備えるが、これは、例えば、端子電極１２を形成する前に、単層ガラス板１０に後述する加工方法にて、非貫通穴又は貫通孔を形成し、外面導体１１で例示した材料、製法により、当該非貫通穴又は貫通孔内に導体を形成すればよい。例えば、非貫通穴又は貫通穴の内部及びその周辺の端子電極形成領域にシード層を形成し、電解めっきで非貫通穴又は貫通孔を充填するように導体を形成すればよい。端子電極１２とアンカー部１２３とは別々に形成してもよいし、同一のシード層で形成して、端子電極１２とアンカー部１２３とを一体形成し、よりアンカー効果の高い端子電極１２としてもよい。
【００５８】
（貫通配線１３）
貫通配線１３は、単層ガラス板１０に形成された貫通孔Ｖを貫通し、外面導体１１と電気的に接続された配線であり、インダクタ素子Ｌの少なくとも一部を構成する。特に外面導体１１及び貫通配線１３によって構成される周回配線１１０は、巻回軸ＡＸの周囲を周回するヘリカル形状であり、インダクタ素子Ｌの主要部を構成している。貫通配線１３は、後述する方法により、単層ガラス板１０に予め形成された貫通孔Ｖ内に、外面導体１１で例示した材料、製法を用いて形成することができる。
【００５９】
なお、貫通配線１３は、図１，２では、底面１００ｂ、天面１００ｔに直交する方向に形成された貫通孔Ｖに形成されているが、これに限られず、例えば個片化後の単層ガラス板１０において、底面１００ｂ、天面１００ｔに平行な方向に貫通孔Ｖを形成し、底面１００ｂ、天面１００ｔに平行な方向に延びる配線としてもよい。
【００６０】
（保護膜１４）
保護膜１４は、外面導体１１を外力から保護し、外面導体１１の損傷を防止する役割や、外面導体１１の絶縁性を向上する役割を有する部材である。保護膜１４は、例えば絶縁性及び薄膜化に優れた珪素やハフニウムなどの酸化物、窒化物、酸窒化物などの無機膜とすることが好ましい。ただし、保護膜１４はより形成が容易なエポキシ、ポリイミドなどの樹脂膜であってもよい。
【００６１】
なお、保護膜１４は、図４に示すように、天面１００ｔにおいて、単層ガラス板１０及び外面導体１１（溝部導体１１ｇ）を覆っていてもよく、これにより、インダクタ部品１の実装基板への実装時の実装機のピックアップ面を形成することができる。
【００６２】
３．単層ガラス板１０の加工方法
インダクタ部品１では、単層ガラス板１０は、外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３などのインダクタ素子Ｌを形成する前に、予め形成された貫通孔Ｖ、空洞Ｃ、結晶化部１０１、溝部Ｇ１，Ｇ２などを有する加工体である。当該単層ガラス板１０の加工については、上述した方法を含む公知の方法を用いることができるが、感光性ガラスを用いた加工が最も好ましく、これによって、高精度の加工が可能となる。以下に当該感光性ガラスを用いた加工方法について、説明する。
【００６３】
（１）  基板用意
まず、単層ガラス板１０となる部分の集合体である感光性ガラス基板を用意する。感光性ガラス基板としては、例えば、ＦｏｔｕｒａｎＩＩを用いることができる。感光性ガラス基板は一般的に、珪素、リチウム、アルミニウム、セリウム等の酸化物を含むことによって、高精度なフォトリソグラフィに対応可能となる。
【００６４】
（２）  露光
次に、用意した感光性ガラス基板の貫通孔Ｖ、空洞Ｃ、結晶化部１０１、溝部Ｇ１，Ｇ２などを形成したい部分に、例えば、波長約３１０ｎｍの紫外光を照射する。上記紫外光の照射により、例えば、感光性ガラス中のセリウムイオンなどの金属イオンが光エネルギーにより酸化され、電子を放出する。ここで、最終的に単層ガラス板１０において得られる加工深さは、上記紫外光の照射量を感光性ガラス基板の厚みに応じて調整することで、制御することができる。例えば、照射量を高めに設定することで、単層ガラス板１０の底面１００ｂから天面１００ｔまで貫通する貫通孔Ｖを形成ことができ、照射量を低めに調整すれば、空洞Ｃ、溝部Ｇ１，Ｇ２などの非貫通の穴を形成することができる。
【００６５】
上記紫外光の照射に用いる露光装置としては、波長約３１０ｎｍの紫外光を得られるコンタクトアライナー又はステッパーを利用できる。その他、フェムト秒レーザを含む、レーザ照射装置を光源として利用することもできる。なお、フェムト秒レーザを用いた場合、感光性ガラス基板の内部でレーザ光を集光することで、集光部でのみ金属酸化物から電子を放出させることができる。すなわち、感光性ガラス基板のレーザ光照射部表面は感光させず、内部のみを感光させることが可能である。
【００６６】
これにより、より単層ガラス板１０の設計自由度が向上する。例えば、インダクタ部品１の空洞Ｃ３及び結晶化部１０１の形成位置のように、外面導体１１の形成面である底面１００ｂや天面１００ｔに露出せずより内部にある部分、すなわち感光性ガラス基板における露出面以外の部分にも加工が可能となる。
【００６７】
（３）  焼成
上記露光後の感光性ガラス基板について、焼成を行う。具体的には、２段階の温度、例えば、まず５００℃付近で焼成を行う。これにより、感光性ガラス基板の紫外光の照射部において、放出された電子によって銀、金、銅などのイオンが還元され、金属原子のナノクラスターが形成される。次に、５６０℃付近で焼成を行う。これにより、上記金属原子のナノクラスターが結晶核となり、周辺にメタ珪酸リチウムなどの結晶相が析出する。なお、メタ珪酸リチウムなどの結晶相はフッ酸に容易に溶解し、次のエッチング工程でこの特性が利用される。
【００６８】
なお、感光性ガラス基板の面内において上記結晶相を均一に析出させる上で、焼成炉内の温度分布は均一である必要があり、±３℃以内であることが好ましい。
【００６９】
（４）  エッチング
焼成後、フッ酸水溶液を用いてエッチング工程を行う。フッ酸水溶液の濃度は、例えば、５〜１０％であることが好ましい。エッチング工程では、フッ酸水溶液に上記焼成後の感光性ガラス基板全体を浸漬させる。これにより、基板内の結晶相のみがエッチングされ、貫通孔や非貫通穴が形成される。フッ酸水溶液中には、エッチング後の感光性ガラス基板の表面を滑らかにする目的で、塩酸や硝酸といった、フッ酸以外の酸が含まれていてもよい。
【００７０】
なお、単層ガラス板１０に結晶化部１０１を形成する場合は、例えば、上記結晶相のうち、結晶化部１０１とする部分について、フッ酸水溶液が結晶相に浸漬しないように、フッ酸水溶液に耐性のあるバリア層で覆えばよい。また、上記の工程後に、必要に応じ、感光性ガラス基板を研磨して厚みを調整してもよい。
【００７１】
（５）  導体形成
上記エッチング工程後の感光性ガラス基板の外面に、例えばセミアディティブ法によって、外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３などを形成する。外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３は単一のシード層から形成してもよいし、別々の工程で形成してもよい。また、外面導体１１、端子電極１２間で厚みを異ならせる場合は、例えば、外面導体１１を保護膜１４で覆いつつ、端子電極１２となる部分のみをさらに電解めっきするか、再度シード層を形成して多層の導体層を形成すればよい。
【００７２】
上記導体形成後は、必要に応じて樹脂を塗布又はラミネートして保護膜１４を形成し、ダイシングブレードなどで感光性ガラス基板を個片化することによって、単層ガラス板１０を備えるインダクタ部品１が完成する。
【００７３】
上記の製造方法では、インダクタ部品１の単層ガラス板１０の焼結後に、外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３など導体が形成されるため、焼成による影響を低減できる。
【００７４】
なお、上記においては、結晶化部１０１は、エッチング工程において、フッ酸水溶液に耐性のあるバリア層で覆うことで形成したが、これに限られず、例えば、導体形成後の感光性ガラス基板又は個片化後のインダクタ部品１に再度紫外光を照射することによって、照射部をわずかながらに結晶化させて結晶化部１０１を形成してもよい。これにより、より結晶化部１０１の形成自由度が向上する。
【００７５】
４．変形例
以上、第１実施形態として、インダクタ部品１を説明したが、インダクタ部品１は、上記で説明しなかった以下の追加的な構成を有することが可能である。
【００７６】
（低透過率部１０２）
図６、図７、図８は、インダクタ部品１の模式天面図である。インダクタ部品１は、単層ガラス板１０の外面１００の少なくとも一部に、周囲より光透過率が低い（ハッチングにて示す）低透過率部１０２を有する。これにより、光透過率が高く、視認性の低い単層ガラス板１０において、視認性を改善し、インダクタ部品１の製造、使用時の取り扱いが容易になる。なお、低透過率部１０２は、少なくとも一部の波長において、周囲より光透過率が低ければよく、例えば、赤外光、可視光、紫外光の一部波長又は複数の波長において、光透過率が低い。
【００７７】
なお、低透過率部１０２は、例えば、単層ガラス板１０に感光性ガラスを用いた上で、前述した結晶化部１０１と同様に、単層ガラス板１０を部分的に結晶化させることで形成することができる。低透過率部１０２の透過率は、紫外光の照射量・照射時間、加熱などによって、適宜制御できる。
【００７８】
また、低透過率部１０２は、図６に示すように、単層ガラス板１０の外面１００の一面、例えば図６では天面１００ｔの外周縁に位置していることが好ましい。これにより、当該一面について、外周縁の認識をしやすくすることができ、特に、製造時、使用時の外観検査がより容易となる。
【００７９】
また、低透過率部１０２は、図７に示すように、単層ガラス板１０の外面１００の一面、例えば図７では天面１００ｔにおいて十字形状となることが好ましい。これにより、当該一面について、十字形状をフォトリソグラフィなどのアライメントマークとして用いることができ、加工精度が向上する。また、十字形状をインダクタ部品１の極性を示す方向性マークとして用いることもできる。
【００８０】
なお、低透過率部１０２は、図８に示すように、単層ガラス板１０の外面１００の一面、例えば図８では天面１００ｔにおいて、全面的に形成されていてもよく、これにより、反対側、例えば底面１００ｂにおける底面導体１１ｂや端子電極１２を透けなくさせることで、天面１００ｔからの認識精度を向上させることができる。なお、この際、例えば十字形状などの部分的に単層ガラス板１０のアモルファス部分を残すことで、図７のようなアライメントマーク、方向性マークを付すことも可能である。
【００８１】
（下地絶縁層１５）
図９は、インダクタ部品１の模式断面図であって、図３の位置に相当するものである。図９に示すように、インダクタ部品１は、さらに、単層ガラス板１０の外面１００、図９では底面１００ｂ上に配置された下地絶縁層１５を備え、端子電極１２が、下地絶縁層１５上に配置されていてもよい。なお、このとき、外面導体１１も下地絶縁層１５上に配置されていてもよい。このように、外面導体１１、端子電極１２は、単層ガラス板１０の外面１００の直上に配置される場合だけでなく、外面１００の別の部材（下地絶縁層１５）を介した上方に配置されていてもよい。
【００８２】
下地絶縁層１５により、外面導体１１、端子電極１２の形成高さ、密着性、インダクタ素子Ｌの電気的特性などを調整することができる。
【００８３】
下地絶縁層１５は、例えば、前述の製造方法において、シード層を形成する前の感光性ガラス基板にＡＢＦ  ＧＸ−９２（味の素ファインテクノ株式会社社製）などの樹脂フィルムをラミネートするか、ペースト状の樹脂を塗布、熱硬化するなどによって形成できる。
【００８４】
なお、下地絶縁層１５が、外面導体１１上に配置されていてもよい。図１０は、当該変形例に係るインダクタ部品１ａを底面側から見た模式斜視図であり、図１１は、インダクタ部品１ａの模式断面図である。図１１は、図３の位置に相当するものである。
【００８５】
インダクタ部品１ａでは、単層ガラス板１０の外面１００である底面１００ｂ上において、底面導体１１ｂがＬ方向に伸びており、下地絶縁層１５が底面導体１１ｂ上に配置され、端子電極１２が下地絶縁層１５上に配置されている。このように、外面導体１１と端子電極１２とを、異なる層に形成することで、外面導体１１と端子電極１２のレイアウトをより自由に設計することができる。特に、インダクタ部品１ａのように、単層ガラス板１０の長手方向に沿って外面導体１１を形成することで、周回配線の内径が大きくなるため、インダクタ部品１ａの外形に対するインダクタ素子ＬのＬ値、Ｑ値の取得効率が向上する。
【００８６】
なお、端子電極１２は、下地絶縁層１５内に形成した貫通配線（不図示）によって、底面導体１１ｂや貫通配線１３と電気的に接続させることができる。また、下地絶縁層１５は、端子電極１２だけを配置するのではなく、再配線層として、底面導体１１ｂや貫通配線１３と電気的に接続する配線を配置してもよい。これにより、さらにインダクタ素子Ｌの設計自由度が向上する。
【００８７】
図１２は、インダクタ部品１の模式側面図である。図１２は、底面１００ｂと天面１００ｔを接続する面の内、Ｌ方向及びＴ方向に平行な側面１００ｓ側からインダクタ部品１を見た図である。なお、図１２では、周回配線１１０は省略している。
【００８８】
図１２に示すように、インダクタ部品１では、単層ガラス板１０が、周囲より硬度の高い補強部１０３を有していてもよい。インダクタ部品１のような電子部品では、製造工程や実装後でインダクタ部品１に外力や熱衝撃により、損傷が発生しやすい。特に単層ガラス板１０、外面導体１１、端子電極１２、貫通配線１３の物性の異なる各要素間の界面では、応力が集中しやすく、当該界面を起点に単層ガラス板１０にクラックが入りやすい。上記構成では、補強部１０３によって、局所的な損傷、クラックに対して、適切に強度を補強できるため、インダクタ部品１としての強度が向上する。
【００８９】
なお、補強部１０３は、例えば、単層ガラス板１０に感光性ガラスを用いた上で、前述した結晶化部１０１と同様に、単層ガラス板１０を部分的に結晶化させることで形成することができる。補強部１０３の透過率は、紫外光の照射量・照射時間、加熱などによって、適宜制御できる。
【００９０】
特に、補強部１０３が、外面導体１１の下方又は端子電極１２の下方に位置することが好ましく、上記局所的な損傷、クラックを効果的に低減できる。さらに、補強部１０３は、外面導体１１又は端子電極１２の外周縁の下方に位置することがより好ましい。
【００９１】
また、インダクタ部品１では、製造方法も適宜変更可能である。例えば、上記説明した製造方法において、外面導体が形成された感光性ガラス基板をフォトリソグラフィ法で切断することにより、個片の単層ガラス板を形成してもよい。
【００９２】
上記製造方法であれば、感光性ガラス基板を個片化する際のチッピングを低減しつつ、高精度に切断できる。また、ダイシングブレードのように、ダイシング時に感光性ガラス基板に物理的な衝撃を与えないので、単層ガラス板におけるマイクロクラックの発生を抑制できる。さらに、ダイシングブレードを用いた場合に比べて、個片化時の切りしろを小さくでき、同じ感光性ガラス基板サイズから、単層ガラス板の取り個数を増やすことができる。
【００９３】
＜第２実施形態＞
第１実施形態では、外面導体がインダクタ素子の一部であったが、外面導体は、これに限られず、インダクタ素子Ｌ以外の電気素子の一部であってもよい。図１３は、第２実施形態に係るコンデンサ部品２の模式断面図である。図１３に示すように、コンデンサ部品２は、電気素子として、広く電子回路に用いられるコンデンサ素子Ｃａｐを含む表面実装型の電子部品である。
【００９４】
コンデンサ部品２は、上述の単層ガラス板１０と、単層ガラス板１０の外面１００の上方に配置され、電気素子であるコンデンサ素子Ｃａｐの一部である外面導体２１と、外面１００の上方に配置され、外面導体２１と電気的に接続された、コンデンサ素子Ｃａｐの端子である端子電極２２と、を備える。
【００９５】
上記構成により、コンデンサ部品２では、単層ガラス板１０の外面１００の上方に外面導体２１及び端子電極２２が配置されているため、外面導体２１及び端子電極２２が単層ガラス板１０に取り込まれていない。したがって、コンデンサ部品２では焼成による影響を低減できる。
【００９６】
また、コンデンサ部品２では、単層ガラス板１０の外面１００が、単層ガラス板１０の主面の一つである底面１００ｂと、底面１００ｂの裏側に位置する天面１００ｔと、を含み、外面導体２１が底面１００ｂの上方（図１３の逆ｚ方向）に配置された平板状の底面平板電極２１ｂと、天面１００ｔの上方（図１３のｚ方向）に配置された平板状の天面平板電極２１ｔと、を含む。
【００９７】
上記構成により、コンデンサ部品２では、底面平板電極２１ｂ及び天面平板電極２１ｔが、誘電層である単層ガラス板１０を介して対向することにより、コンデンサ素子Ｃａｐが構成される。
【００９８】
また、コンデンサ部品２では、単層ガラス板１０が、底面平板電極２１ｂと天面平板電極２１ｔに挟まれた位置に空洞Ｃ２１を有する。なお、空洞Ｃ２１は、図２に示す結晶化部１０１であってもよい。また、コンデンサ部品２は、空洞Ｃ２１内に配置された単層ガラス板１０よりも誘電率の高い高誘電部を備えていてもよい。
【００９９】
上記構成により、コンデンサ部品２では、空洞Ｃ２１、結晶化部１０１又は高誘電部を用いて、コンデンサ素子Ｃａｐの容量値を調整することが可能である。具体的には、空洞Ｃ２１及び結晶化部１０１は、単層ガラス板１０よりも誘電率が低く、これによって、底面平板電極２１ｂ及び天面平板電極２１ｔが挟む誘電層の全体的な誘電率を低減することができる。また、高誘電部は、単層ガラス板１０よりも誘電率が高く、これによって、上記誘電層の全体的な誘電率を増加させることができる。
【０１００】
特に、上述の感光性ガラス基板を用いた空洞Ｃ２１、結晶化部１０１の形成方法によれば、底面平板電極２１ｂ及び天面平板電極２１ｔによるコンデンサ素子Ｃａｐを形成後に空洞Ｃ２１や結晶化部１０１を形成することができ、コンデンサ素子Ｃａｐの電気的特性を測定後に、当該電気的特性を調整することが可能となり、コンデンサ部品２の容量調整や歩留まりを向上することができる。なお、コンデンサ部品２においては、空洞Ｃ２１、結晶化部１０１又は高誘電部のうちのいずれか一つのみを備えていてもよいし、これらを複数組み合わせて備えていてもよい。
【０１０１】
また、コンデンサ部品２は、さらに、単層ガラス板１０に形成された貫通孔Ｖを貫通し、外面導体２１と電気的に接続された、コンデンサ素子Ｃａｐの少なくとも一部である貫通配線２３を備える。
【０１０２】
上記構成により、コンデンサ部品２では、外面１００の上方に配置された外面導体２１や端子電極２２に対して、垂直方向に配線を形成することができ、コンデンサ素子Ｃａｐの形成自由度が向上する。コンデンサ部品２において、貫通配線２３は、天面平板電極２１ｔと端子電極２２とを接続する配線となる。
【０１０３】
また、コンデンサ部品２では、端子電極２２が、コンデンサ素子Ｃａｐの入出力端子である第１端子電極２２１及び第２端子電極２２２を含み、第１端子電極２２１及び第２端子電極２２２が、底面１００ｂの上方（逆ｚ方向）において、底面１００ｂに平行な主面を有する形状である。
【０１０４】
上記構成により、コンデンサ部品２は、底面１００ｂ側に、底面１００ｂと平行な方向に半田が付着できる面を有するコンデンサ素子Ｃａｐの入出力端子を備えるため、底面１００ｂを実装面とする表面実装が可能かつ、実装面積を低減できる表面実装型電子部品となる。
【０１０５】
また、コンデンサ部品２は、底面平板電極２１ｂの一部を覆う保護膜２４をさらに備える。これにより、底面平板電極２１ｂの損傷防止や、絶縁性向上を図ることができる。特に、保護膜２４は、底面平板電極２１ｂの一部を露出させることで、当該一部を端子電極２２（第１端子電極２２１）とすることができる。
【０１０６】
＜第３実施形態＞
第１実施形態、第２実施形態では、一つの電気素子を含む電子部品であったが、これに限られず、電子部品内に複数の電気素子を含んでいてもよい。図１４は、第３実施形態に係る電子部品３の電気回路図である。電子部品３は、電気素子として、インダクタ素子Ｌ及びコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２を含む表面実装型の電子部品である。
【０１０７】
図１４に示すように、電子部品３では、第１端子電極３２１がインダクタ素子Ｌ及びコンデンサ素子Ｃａｐ１の共通端子であり、第２端子電極３２２がインダクタ素子Ｌ及びコンデンサ素子Ｃａｐ２の共通端子であり、第３端子電極３２３が、コンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の共通端子となっている。これにより、電子部品３では、インダクタ素子Ｌ及びコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２がπ型のＬＣフィルタを構成している。
【０１０８】
次に、電子部品３の具体的な構成について説明する。図１５は、電子部品３の模式天面図であり、図１６は、電子部品３の模式断面図である。図１７は、電子部品３の模式底面図である。なお、図１６は、図１５に示すXVI-XVIの一点鎖線における断面である。
【０１０９】
電子部品３は、単層ガラス板１０Ａと、それぞれ単層ガラス板１０Ａの外面である底面１００Ａｂ，天面１００Ａｔの各上方（逆ｚ方向、ｚ方向）に配置され、インダクタ素子Ｌ又はコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の一部である外面導体３１と、底面１００Ａｂの上方（逆ｚ方向）に配置され、外面導体３１と電気的に接続された、インダクタ素子Ｌ又はコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の端子である端子電極３２と、を備える。
【０１１０】
なお、天面１００Ａｔの上方に配置された外面導体３１は、図３に示す溝部導体１１ｇと同様に、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃとなっている。
【０１１１】
上記構成により、電子部品３では、単層ガラス板１０Ａの外面１００Ａｂ，１００Ａｔ上に外面導体３１が配置されているため、外面導体３１が単層ガラス板１０Ａに取り込まれていない。したがって、電子部品３では焼成による影響を低減できる。
【０１１２】
また、電子部品３は、さらに、単層ガラス板１０Ａとは異なる第２単層ガラス板１０Ｂを備え、第２単層ガラス板１０Ｂが、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃの上方（ｚ方向）に配置されている。これは、逆に言うと、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃは、第２単層ガラス板１０Ｂに対しても、その外面である底面１００Ｂｂの上方（逆ｚ方向）に配置されていることを意味する。
【０１１３】
上記構成により、電子部品３では、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃを内部導体とすることができ、多層化による３次元配線が可能となるため、電子部品３の設計自由度が向上する。なお、上述のように、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃは、単層ガラス板１０Ａ及び第２単層ガラス板１０Ｂのいずれに対しても、その外面である天面１００Ａｔの上方及び底面１００Ｂｂの上方に配置されているため、単層ガラス板１０Ａ及び第２単層ガラス板に取り込まれていない。したがって、上記構成においても、電子部品３は焼成による影響を低減できる。
【０１１４】
なお、電子部品３では、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔと第２単層ガラス板１０Ｂの底面１００Ｂｂは互いに接合されている。これによって、電子部品３を積層構成とすることができる。このように、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃを単層ガラス板１０Ａ，第２単層ガラス板１０Ｂの焼結後に形成した上で、単層ガラス板１０Ａと第２単層ガラス板１０Ｂを接合する方法については、後述する。
【０１１５】
また、電子部品３は、さらに、第２単層ガラス板１０Ｂの外面である天面１００Ｂｔの上方（ｚ方向）に配置され、インダクタ素子Ｌの一部である外面導体４１を備える。上記構成により、電子部品３では、第２単層ガラス板１０Ｂの外面の上方に外面導体４１が配置されているため、外面導体４１が第２単層ガラス板１０Ｂに取り込まれていない。したがって、電子部品３では焼成による影響を低減できる。
【０１１６】
また、電子部品３では、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃが、平板状の溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃを含み、外面導体３１が、溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃと単層ガラス板１０Ａを介して対向する平板状の対向平板電極３１ｂを含む。
【０１１７】
上記構成により、電子部品３では、溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃ及び対向平板電極３１ｂが、コンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２を構成する。具体的には、対向平板電極３１ｂが、それぞれ溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃと対向する対向平板電極３１ｂａ、３１ｂｃを含み、溝部平板電極３１ｇａと対向平板電極３１ｂａとがコンデンサ素子Ｃａｐ１を、溝部平板電極３１ｇｃと対向平板電極３１ｂｃとがコンデンサ素子Ｃａｐ２を、それぞれ構成している。このように、電子部品３では、コンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２を内蔵することができる。
【０１１８】
さらに、電子部品３では、図１６，１７に示すよう、対向平板電極３１ｂが、保護膜３４から露出した部分である第３端子電極３２３を含むことにより、端子電極３２となっている。
【０１１９】
上記構成により、電子部品３では、ＬＣフィルタを含む電子部品として、より小型低背化を実現できる。通常の積層型電子部品では、強度確保の観点から、内部電極と部品外面との間の外層部分は、内部の層間絶縁層よりも厚く形成される。このため、部品外面に対向平板電極を配置すると、積層体の内部の平板電極との電極間隔が大きくなり、必要な電気的特性が得られない場合があるため、通常は、積層体内部の平板電極に対向する対向平板電極も積層体の内部に配置される。これによって、平板電極、対向平板電極、端子電極の３層構造となる上に、対向平板電極と端子電極間の外層は平板電極と対向平板電極間の層間絶縁層よりも厚く、全体的に厚みが大きくなってしまう。
【０１２０】
一方、電子部品３では、単層ガラス板１０Ａが十分な強度を確保できるため、従来よりも薄く加工することが可能であり、対向平板電極３１ｂを外面１００Ａｂに配置することが可能となる。この結果、電子部品３では、溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃ、対向平板電極３１ｂの２層構造であり、かつ単層ガラス板１０Ａを十分薄くでき、従来構造と比較して、電子部品３の小型低背化を実現できる。特に、電子部品３では、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔ側を溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃとしているため、単層ガラス板１０Ａの強度（厚み）への影響を低減しつつ、コンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の電極間距離をより小さくできる。
【０１２１】
また、電子部品３では、上記のとおり、対向平板電極３１ｂが端子電極３２を兼ねるため、コンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２を構成するための電極数を低減できるため、浮遊容量を低減でき、電気的特性向上や特性ばらつき低減を実現できる。
【０１２２】
また、電子部品３は、さらに、それぞれ単層ガラス板１０Ａ，１０Ｂに形成された貫通孔Ｖを貫通し、外面導体３１，４１と電気的に接続された、インダクタ素子Ｌ又はコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の少なくとも一部である貫通配線３３，４３を備える。
【０１２３】
上記構成により、電子部品３では、外面１００の上方に配置された外面導体３１，４１や端子電極３２に対して、垂直方向に配線を形成することができ、インダクタ素子Ｌ又はコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の形成自由度が向上する。
【０１２４】
なお、電子部品３においては、貫通配線３３は、溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃと第１端子電極３２１，第２端子電極３２２とを接続する配線となる。また、電子部品３において、貫通配線４３は、溝部導体３１ｇｂと外面導体４１とを接続し、溝部導体３１ｇｂ、外面導体４１、貫通配線４３によって構成される周回配線は、底面１００Ａｂと平行な巻回軸（不図示）の周囲を周回する。上記構成により、周回配線がインダクタ素子Ｌの主要部を構成し、インダクタ素子Ｌを含む電子部品３となる。
【０１２５】
また、電子部品３では、端子電極３２が、インダクタ素子Ｌ又はコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２のいずれかの入出力端子である第１端子電極３２１、第２端子電極３２２及び第３端子電極３２３を含み、第１端子電極３２１、第２端子電極３２２及び第３端子電極３２３が、底面１００Ａｂの上方（逆ｚ方向）において、底面１００Ａｂに平行な主面を有する形状である。
【０１２６】
上記構成により、電子部品３は、底面１００Ａｂ側に、底面１００Ａｂと平行な方向に半田が付着できる面を有するインダクタ素子Ｌ又はコンデンサ素子Ｃａｐ１，Ｃａｐ２の入出力端子を備えるため、底面１００Ａｂを実装面とする表面実装が可能かつ、実装面積を低減できる表面実装型電子部品となる。
【０１２７】
また、電子部品３は、対向平板電極３１ｂの一部、具体的には対向平板電極３１ｂａ，３１ｂｃを覆う保護膜２４をさらに備える。これにより、対向平板電極３１ｂａ，３１ｂｃの損傷防止や、絶縁性向上を図ることができる。特に、保護膜２４は、対向平板電極３１ｂの一部を露出させることで、当該一部を端子電極３２（第３端子電極３２３）とすることができる。
【０１２８】
（単層ガラス板１０Ａと第２単層ガラス板１０Ｂの接合方法）
電子部品３では、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔと、第２単層ガラス板１０Ｂの底面１００Ｂｂは互いに接合されている。これは、例えば、単層ガラス板１０Ａ又は第２単層ガラス板１０Ｂに感光性ガラスを用い、当該感光性ガラス表面をウェットエッチングやドライエッチングで活性化させることによりガラス板同士を直接接合してもよい。また、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔと、第２単層ガラス板１０Ｂの底面１００Ｂｂとの間に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの接着層を介することで互いを接合してもよい。
【０１２９】
また、このとき、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃは、例えば、接合する前の単層ガラス板１０Ａに形成してもよいし、単層ガラス板１０Ａと第２単層ガラス板１０Ｂとの接合後に形成してもよい。具体的には、例えば、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔに溝部を形成し、当該溝部に溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃを配置した後に、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔと、第２単層ガラス板１０Ｂの底面１００Ｂｂを互いに接合することができる。
【０１３０】
また、これに限られず、例えば、第２単層ガラス板１０Ｂと接合後の単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔに溝部を形成し、又は天面１００Ａｔに溝部を形成した後に単層ガラス板１０Ａと第２単層ガラス板１０Ｂを接合し、その後、当該溝部に溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃを形成してもよい。なお、接合後の溝部に、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃを形成することで、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃを単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔ及び第２単層ガラス板１０Ｂの底面１００Ｂｂと密接させることもでき、好ましい。なお、接着層を用いた場合も、接着層が塑性変形することで、溝部導体３１ｇａ，３１ｇｂ，３１ｇｃ、単層ガラス板１０Ａの天面１００Ａｔ及び第２単層ガラス板１０Ｂの底面１００Ｂｂの間の空間を埋めることができるので好ましい。
【０１３１】
なお、電子部品３では、溝部平板電極３１ｇａ，３１ｇｃと対向平板電極３１ａ、３１ｃは、単層ガラス板１０Ａを介して対向したが、外面導体４１が、第２単層ガラス板１０Ｂを介して対抗する平板状の対向平板電極や端子電極を含んでいてもよい。
【０１３２】
また、電子部品３では、対向平板電極３１ｂを溝部平板電極としてもよい。このとき、溝部平板電極が端子電極３２となる。
【０１３３】
また、電子部品３では、インダクタ素子Ｌの主要部である周回配線が第２単層ガラス板１０Ｂ側を周回したが、単層ガラス板１０Ａ側を周回してもよい。
【０１３４】
＜第４実施形態＞
第１実施形態から第３実施形態では、表面実装型の電子部品であったが、これに限られず、例えば、３次元実装用の電子部品であってもよい。図１８は、第４実施形態に係る電子部品４の模式斜視図である。電子部品４は、流体Ｆの有無又は流量を検出するセンサ素子を含む３次元実装用のセンサである。
【０１３５】
電子部品４では、それぞれ単層ガラス板１０の天面１００ｔ，底面１００ｂの上方に配置された天面平板電極５１ｔ，底面平板電極５１ｂが、センサ素子の一部である外面導体であるとともに、センサ素子の端子である端子電極ともなっている。すなわち、電子部品４においても、単層ガラス板１０と、単層ガラス板１０の外面１００ｔ，１００ｂの上方に配置され、センサ素子の一部であり、端子である天面平板電極５１ｔ、底面平板電極５１ｂと、を備える。したがって、電子部品４では焼成による影響を低減できる。
【０１３６】
また、電子部品４では、天面１００ｔと底面１００ｂとに端子電極５１ｔ，５１ｂを備えるため、例えば、端子電極５１ｔ，５１ｂの一方をインターポーザやサブストレートなどの基板のランドに実装し、端子電極５１ｔ，５１ｂの他方を半導体チップの端子と半田やボンディングワイヤなどで接続すれば、３次元実装が可能となる。
【０１３７】
また、電子部品４では、単層ガラス板１０が、外面導体である天面平板電極５１ｔ，底面平板電極５１ｂが配置された外面である主面、すなわち天面１００ｔ，底面１００ｂと、天面１００ｔ，底面１００ｂに直交する側面１００ｓとを有し、側面１００ｓに開口する空洞Ｃ４を有する。
【０１３８】
上記構成により、空洞Ｃ４を用いた電気素子設計を行うことができる。具体的には、電子部品４では、空洞Ｃ４を流路として、空洞Ｃ４に流れる流体の有無、流量を、静電容量の変化として、天面平板電極５１ｔ，底面平板電極５１ｂにて検出することができ、流体センサとして用いることができる。ただし、空洞Ｃ４の利用方法はこれに限られず、例えば、空洞Ｃ４を、貫通配線が配置される貫通孔としても用いることで、より複雑な電気素子を設計することが可能となる。例えば、当該貫通配線を側面１００ｓを経由して、実装基板のグランド電極に接続すれば、静電気や落雷などのサージ電圧の発生時に、サージ電流をグランド電極側に流し込む経路を形成でき、電子部品４に静電気対策機能を付加することができる。
【０１３９】
＜その他実施形態＞
上記第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態、第４実施形態において説明した種々の特徴は、それぞれの実施形態において、又は他の実施形態において、独立して追加、削除、変更が可能である。さらに、これらの形態に公知の構成を追加、削除、変更することも可能である。
【０１４０】
また、上記第１から第４の実施形態又は当該実施形態を上記適宜変形させた実施形態に係る電子部品は、特定の実装基板に実装することが好ましい。図１９は、電子部品実装基板５の模式断面図である。
【０１４１】
電子部品実装基板５は、第１実施形態のインダクタ部品１及び第２実施形態のコンデンサ部品２と、インダクタ部品１及び第２実施形態のコンデンサ部品２が実装されたガラス基板１０Ｃと、を備える。
【０１４２】
上記構成によれば、インダクタ部品１及びコンデンサ部品２の構造体である単層ガラス板１０と、ガラス基板１０Ｃが、同一材料であり、線膨張係数が近いため、インダクタ部品１及びコンデンサ部品２について、熱衝撃試験などでガラス基板１０Ｃに発生する熱膨張、熱収縮に対する信頼性を向上できる。
【０１４３】
なお、上記のとおり、ガラス基板１０Ｃに実装するものは構造体に単層ガラス板を用いた電子部品であればよく、例えば電子部品３，４などであってもよい。また、当該電子部品以外の電子部品が実装されていてもよい。この場合であっても、少なくとも構造体に単層ガラス板を用いた電子部品については信頼性を向上できる。
【０１４４】
ガラス基板１０Ｃは、電子機器内で用いられるプリント配線基板に相当するものであってもよいし、マザーボード基板などのプリント配線基板に実装される補助基板であってもよいし、インターポーザやサブストレートなど、半導体や電子モジュール内で用いられる内蔵基板であってもよい。
【符号の説明】
【０１４５】
１  インダクタ部品
２  コンデンサ部品
３，４  電子部品
５  電子部品実装基板
１０，１０Ａ  単層ガラス板
１０Ｂ  第２単層ガラス板
１１，２１，３１，４１  外面導体
１１ｂ，３１ｂ  底面導体
１１ｇ，３１ｇａ，３１ｇｂ  溝部導体
１１ｔ  天面導体
１２，２２，３２  端子電極
１３，２３，３３，４３  貫通配線
１４，２４  保護膜
１５  下地絶縁層
２１ｂ  底面平板電極
２１ｔ  天面平板電極
３１ｂａ，３１ｂｃ  対向平板電極
１００  外面
１００ｂ，１００Ａｂ，１００Ｂｂ  底面
１００ｔ，１００Ａｔ，１００Ｂｔ  天面
１０１  結晶化部
１０２  低透過率部
１０３  補強部
１１０  周回配線
１２１，２２１，３２１  第１端子電極
１２２，２２２，３２２  第２端子電極
１２３  アンカー部
３２３  第３端子電極
ＡＸ  巻回軸
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  空洞
Ｃａｐ，Ｃａｐ１，Ｃａｐ２  コンデンサ素子
Ｇ１，Ｇ２  溝部
Ｌ  インダクタ素子
Ｖ  貫通孔
【図１】
2020174169.tif 000003
【図２】
2020174169.tif 000004
【図３】
2020174169.tif 000005
【図４】
2020174169.tif 000006
【図５】
2020174169.tif 000007
【図６】
2020174169.tif 000008
【図７】
2020174169.tif 000009
【図８】
2020174169.tif 000010
【図９】
2020174169.tif 000011
【図１０】
2020174169.tif 000012
【図１１】
2020174169.tif 000013
【図１２】
2020174169.tif 000014
【図１３】
2020174169.tif 000015
【図１４】
2020174169.tif 000016
【図１５】
2020174169.tif 000017
【図１６】
2020174169.tif 000018
【図１７】
2020174169.tif 000019
【図１８】
2020174169.tif 000020
【図１９】
2020174169.tif 000021