(57)【要約】【課題】導通信頼性の高い基板を実現する。【解決手段】基板１は、ガラス層１０、ガラス層１０の面１０ａと面１０ｂとの間を貫通する貫通孔２０、及び貫通孔２０に設けられたビア５０を含む。ビア５０は、金属層３０及びそれと接続された導電層４０を含む。金属層３０は、貫通孔２０の、面１０ａから面１０ｂに至る途中までの部分２１に設けられる。導電層４０は、貫通孔２０の、面１０ｂから面１０ａに至る途中までの部分２２に設けられ、樹脂４１及びそれと混合された導電性フィラー４２を含有する。このような導電層４０が貫通孔２０の一部に設けられることで、熱が加えられた際のガラス層１０の応力が緩和され、クラック及びそれによる断線が抑えられ、更に、導電層４０の熱膨張によって金属層３０との接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有するガラス層と、
前記ガラス層に設けられ、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の、前記第１面から前記第２面に至る途中までの第１部分に設けられた金属層と、
前記貫通孔の、前記第２面から前記第１面に至る途中までの第２部分に設けられ、前記金属層と接続され、樹脂及び前記樹脂と混合された導電性フィラーを含有する導電層と
を含むことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記金属層は、前記貫通孔の内壁に設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記導電層は、前記金属層の内側の開口よりも大きい前記導電性フィラーを含有することを特徴とする請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記第２面に設けられた絶縁層を含み、
前記導電層は、前記第２面から突出して前記絶縁層を貫通し、前記絶縁層よりも高い熱膨張率を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板。
【請求項５】
前記ガラス層、前記貫通孔、前記金属層及び前記導電層を有する第１基板を複数含み、複数の前記第１基板が積層されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板。
【請求項６】
前記ガラス層、前記貫通孔、前記金属層及び前記導電層を有する第１基板と、
前記第１基板の、前記ガラス層の前記第２面側に積層され、前記導電層と接続された導電性接続部を有する第２基板と
を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板。
【請求項７】
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有し、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔が設けられたガラス層を準備する工程と、
前記貫通孔の、前記第１面から前記第２面に至る途中までの第１部分に、金属層を形成する工程と、
前記貫通孔の、前記第２面から前記第１面に至る途中までの第２部分に、前記金属層と接続され、樹脂及び前記樹脂と混合された導電性フィラーを含有する導電層を形成する工程と
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
前記ガラス層、前記貫通孔、前記金属層及び前記導電層を有する第１基板の、前記ガラス層の前記第２面側に、導電性接続部を有する第２基板を積層する工程と、
前記導電層と前記導電性接続部とを接続する工程と
を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板の製造方法。
【請求項９】
第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有するガラス層と、
前記ガラス層に設けられ、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の、前記第１面から前記第２面に至る途中までの第１部分に設けられた金属層と、
前記貫通孔の、前記第２面から前記第１面に至る途中までの第２部分に設けられ、前記金属層と接続され、樹脂及び前記樹脂と混合された導電性フィラーを含有する導電層と
を含む基板と、
前記基板上に搭載された電子部品と
を備えることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、基板の製造方法及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板に設けられた孔にスルーホールを形成する技術、そのセラミック基板を複数枚、重ね合わせて導電ペーストで接着し、多層化する技術が知られている。また、樹脂を用いた電気絶縁性基材に設けられたビアホール内に、導電性ペースト充填、フィルドめっき又はコンフォーマルめっき等の手法で層間接続材料を形成する技術、その電気絶縁性基材を複数枚、加熱加圧により積層し、多層化する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−４２５９７号公報
【特許文献２】特開２００７−２８０９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板の材料として、搭載される半導体チップ等の電子部品に用いられるシリコン（Ｓｉ）等と近い熱膨張率を有するガラス層が用いられる場合がある。例えば、ガラス層に設けられた貫通孔に、これまでのような導電性ペースト充填、フィルドめっき又はコンフォーマルめっきの手法によって導電材料が形成され、ガラス層にビアが形成される。しかし、この場合、低抵抗のビアが得られなかったり、応力によってガラス層に生じるクラックでビアに断線が生じたりして、基板について、ビアを通じた十分な導通信頼性が得られないことがある。
【０００５】
１つの側面では、本発明は、導通信頼性の高い基板を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、第１面及び前記第１面とは反対側の第２面を有するガラス層と、前記ガラス層に設けられ、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔と、前記貫通孔の、前記第１面から前記第２面に至る途中までの第１部分に設けられた金属層と、前記貫通孔の、前記第２面から前記第１面に至る途中までの第２部分に設けられ、前記金属層と接続され、樹脂及び前記樹脂と混合された導電性フィラーを含有する導電層とを含む基板が提供される。
【０００７】
また、１つの態様では、上記のような基板の製造方法、上記のような基板を備える電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
１つの側面では、導通信頼性の高い基板を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る基板の一例について説明する図である。
【図２】第１の実施の形態に係る多層基板の一例について説明する図である。
【図３】別の形態に係る基板及びそれを用いた多層基板の第１の例について説明する図である。
【図４】別の形態に係る基板及びそれを用いた多層基板の第２の例について説明する図である。
【図５】第２の実施の形態に係る基板の一例について説明する図（その１）である。
【図６】第２の実施の形態に係る基板の一例について説明する図（その２）である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板の一例について説明する図（その３）である。
【図８】第２の実施の形態に係る基板の形成方法の一例について説明する図（その１）である。
【図９】第２の実施の形態に係る基板の形成方法の一例について説明する図（その２）である。
【図１０】第２の実施の形態に係る基板の形成方法の一例について説明する図（その３）である。
【図１１】第２の実施の形態に係る多層基板について説明する図（その１）である。
【図１２】第２の実施の形態に係る多層基板について説明する図（その２）である。
【図１３】第２の実施の形態に係る多層基板について説明する図（その３）である。
【図１４】第２の実施の形態に係る基板の応力解析結果の一例について説明する図である。
【図１５】別の形態に係る基板の応力解析結果の一例について説明する図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る基板の第１の変形例について説明する図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る基板の第２の変形例について説明する図である。
【図１８】第２の実施の形態に係る基板の第３の変形例について説明する図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る基板の第４の変形例について説明する図である。
【図２０】第２の実施の形態に係る基板の第５の変形例について説明する図である。
【図２１】第３の実施の形態に係る電子装置の一例について説明する図である。
【図２２】第４の実施の形態に係る電子機器の一例について説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１の実施の形態］
図１は第１の実施の形態に係る基板の一例について説明する図である。図１には、基板の要部断面図を模式的に示している。
【００１１】
図１に示す基板１は、ガラス層１０、貫通孔２０、金属層３０及び導電層４０を有する。
ガラス層１０は、基板１のコア層となる。ガラス層１０には、無アルカリガラス、ソーダガラス、石英ガラス等、各種ガラス材料が用いられる。ここでは図示を省略するが、ガラス層１０には、その一方の面１０ａ、又は一方の面１０ａと他方の面１０ｂとに、銅（Ｃｕ）等の導電材料が用いられ、所定のパターンで配線層が形成される。
【００１２】
貫通孔２０は、ガラス層１０の面１０ａと面１０ｂとの間を貫通するように設けられる。例えば、ガラス層１０には、これを貫通する円筒状の貫通孔２０が設けられる。貫通孔２０は、ガラス層１０の面１０ａから面１０ｂに向かって内径が大きくなる又は小さくなるようなテーパ状（円錐台状）でもよい。貫通孔２０は、面１０ａと面１０ｂとの間の中間部が括れた鼓状や、中間部が膨れた太鼓状等でもよい。ここでは図示を省略するが、貫通孔２０の開口（面１０ａ内若しくは面１０ｂ内又はそれらの中間の面内の開口）の平面形状は、円形状に限らず、楕円形状等、他の平面形状であってもよい。
【００１３】
金属層３０は、ガラス層１０の貫通孔２０に設けられる。金属層３０は、少なくとも、貫通孔２０の、ガラス層１０の面１０ａから面１０ｂに至る途中までの部分２１に設けられる。金属層３０は、貫通孔２０の内壁２０ａのほか、ガラス層１０の面１０ａ上に設けられた部位を有してもよい。金属層３０は、ガラス層１０の面１０ａと面１０ｂとの間を電気的に接続するビア５０（Through Glass Via，ＴＧＶ）の一部として機能する。金属層３０は、例えば、貫通孔２０の部分２１の内壁２０ａにコンフォーマルビアの形態で設けられる。この場合、基板１は、図１に示すように、金属層３０の内側にできる空間６０が空洞として残された構造であってもよいし、ここでは図示を省略するが、その空間６０に樹脂等の充填物が充填された構造であってもよい。金属層３０には、各種金属材料が用いられる。例えば、金属層３０には、Ｃｕ又はＣｕを含有する材料が用いられる。金属層３０は、例えば、めっき法を用いて形成される。尚、金属層３０は、貫通孔２０の部分２１に充填されるフィルドビアの形態で設けることもできる。
【００１４】
導電層４０は、ガラス層１０の貫通孔２０に設けられる。導電層４０は、少なくとも、貫通孔２０の、ガラス層１０の面１０ｂから面１０ａに至る途中までの部分２２に設けられる。導電層４０は、貫通孔２０から突出するように、即ち導電層４０の上端位置がガラス層１０の面１０ｂよりも上方に位置するように、設けられてもよい。導電層４０は、ガラス層１０の面１０ａと面１０ｂとの間を電気的に接続するビア５０（ＴＧＶ）の一部として機能する。導電層４０は、図１のＸ部を拡大して模式的に示したように、樹脂４１、及び樹脂４１と混合された導電性フィラー４２を含有する。導電層４０は、例えば、硬化前の樹脂４１と導電性フィラー４２とを含有する導電性ペースト（「樹脂組成物」とも言う）を、印刷、塗布、滴下等の手法を用いて、金属層３０が設けられた貫通孔２０内に供給し、樹脂４１を硬化することで、形成される。
【００１５】
基板１には、例えば、導電層４０として、ガラス層１０及び金属層３０よりも、及び後述のように基板１が他の基板と積層されて接着される際に用いられる接着層（図２の接着層７０）よりも、高い熱膨張率を有する導電層４０が用いられる。また、基板１には、例えば、導電層４０として、金属層３０の内側にできる空間６０の開口６１よりも大きい導電性フィラー４２を含有する導電層４０が用いられる。更にまた、貫通孔２０内には、例えば、貫通孔２０の深さ（高さ又はガラス層１０の厚さ）の半分以上で、貫通孔２０の深さからガラス層１０上に配線層が設けられる場合のその配線層の厚さを引いた深さ以下の部分２１に、金属層３０が設けられる。
【００１６】
ガラス層１０の貫通孔２０内に設けられる金属層３０及び導電層４０が、ガラス層１０の面１０ａと面１０ｂとの間を貫通し電気的に接続するビア５０、即ち基板１のＴＧＶとして機能する。
【００１７】
上記のような構成を有する基板１は、例えば、１枚又は複数枚の他の基板と積層され、加熱及び加圧によって接着され、多層化される。
図２は第１の実施の形態に係る多層基板の一例について説明する図である。図２には、多層基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００１８】
図２は、上記のような基板１上（ガラス層１０の面１０ｂ側の上方）に、接着層７０を介して、他の１枚の基板１Ａが積層された多層基板２を例示したものである。基板１Ａは、コア層となるガラス層１０Ａと、ガラス層１０Ａに設けられた貫通孔２０Ａと、貫通孔２０Ａの内壁２０Ａａに設けられたビア（「コンフォーマルビア」と言う）５０Ａとを有する。接着層７０には、エポキシ樹脂等の樹脂が用いられる。接着層７０には、樹脂のほか、樹脂と混合されたガラスフィラーやガラスクロス等の絶縁性フィラーが含有されてもよい。
【００１９】
多層基板２は、上記のような基板１及び基板１Ａが、それらの間に接着層７０が介在された状態で重ね合わされ、所定の温度及び圧力の条件、例えば、温度２００℃で圧力３０ｋｇ／ｃｍ２といった条件で、加熱及び加圧（熱プレス）されることで、形成される。多層基板２のこのような形成方法は、一括積層プロセスとも称される。熱プレスにより、基板１のビア５０の導電層４０と、基板１Ａのコンフォーマルビア５０Ａ（導電性接続部）とが接合され、互いのビア５０とコンフォーマルビア５０Ａとが電気的に接続される。
【００２０】
ここでは、基板１上に、１枚の他の基板１Ａが積層された多層基板２を例示するが、基板１上には、２枚以上の他の基板が、上記同様、接着層７０を介して積層されてもよい。
基板１を用いて形成される上記のような多層基板２の上に、各種電子部品、例えば、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体チップが搭載される。
【００２１】
ここで、上記多層基板２では、基板１及び基板１Ａのコア層として、ガラス層１０及びガラス層１０Ａが用いられる。ガラス層１０及びガラス層１０Ａは、比較的高い平坦度を実現することができる。また、ガラス層１０及びガラス層１０Ａは、多層基板２上に搭載される半導体チップのＳｉや酸化シリコン（ＳｉＯ２）といった材料と近いか又は同等の熱膨張率を有する。ガラス層１０上及びガラス層１０Ａ上には、それらの高い平坦度のため、微細なパターン及びピッチの配線層を形成することができる。また、ガラス層１０及びガラス層１０Ａと、多層基板２上に搭載される半導体チップとの熱膨張率の差が小さいことで、多層基板２と半導体チップとの間の熱変形の違いが抑えられる。そのため、多層基板２と半導体チップとの間の熱変形の違いから生じる、多層基板２と半導体チップとの間の接合部（半田等のバンプ）の破壊を抑えることができる。更に、多層基板２と半導体チップとの熱変形の違い、それらの間の接合部の破壊が抑えられるため、接合部のサイズを小さくすることもできる。これらの結果、ガラス層１０及びガラス層１０Ａが用いられた多層基板２では、搭載される半導体チップの小型化、高密度化を図ることができる。
【００２２】
上記のような多層基板２に用いることのできる基板１では、そのガラス層１０の貫通孔２０の一部（部分２１）に金属層３０が設けられ、貫通孔２０の他部（部分２２）に導電層４０が設けられて、ビア５０が形成される。基板１では、このビア５０の導電層４０として、樹脂４１及び導電性フィラー４２を含有するものが用いられる。基板１では、このような構成が採用されることで、基板１及びそれを用いた多層基板２に熱が加えられた際にも、ガラス層１０に発生する応力（内部応力、熱応力、歪み等とも称される）の緩和、及び導電層４０と金属層３０との間の低抵抗電気接続が実現される。
【００２３】
比較のため、別の形態に係る基板及びそれを用いた多層基板の例について、図３及び図４を参照して説明する。
図３は別の形態に係る基板及びそれを用いた多層基板の第１の例について説明する図である。図３には、多層基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００２４】
図３は、ガラス層１０Ｂに設けられた貫通孔２０Ｂ内に全体的に、Ｃｕ等の金属材料が充填されて形成されるビア（「フィルドビア」と言う）５０Ｂを有する２枚の基板１Ｂ同士が、接着層７０Ｂを介して積層された多層基板２Ｂを例示したものである。２枚の基板１Ｂの互いのフィルドビア５０Ｂ同士は、導電性ペーストから形成される導電層４０Ｂを介して接続される。多層基板２Ｂは、例えば、一括積層プロセスにより、基板１Ｂ間に、導電層４０Ｂとなる導電性ペースト、及び接着層７０Ｂが介在された状態で、所定の条件で熱プレスされることで、形成される。
【００２５】
図３に示すような多層基板２Ｂには、熱プレスによる形成時のほか、形成後に行われる半導体チップの搭載時（半田リフロー時等）や搭載後の試験時（信頼性試験時等）、多層基板２Ｂの使用時等に、熱が加えられる。ここで、Ｃｕ等の金属材料を用いて形成されるフィルドビア５０Ｂは、ガラス層１０Ｂに比べて、熱膨張率が高く、弾性率が高い。そのため、熱が加えられた際、基板１Ｂには、そのガラス層１０Ｂの貫通孔２０Ｂの周辺に、ガラス層１０Ｂとその貫通孔２０Ｂ内に形成されるフィルドビア５０Ｂとの間の熱膨張率及び弾性率の差に起因して、比較的大きな応力が発生し易い。
【００２６】
ガラス層１０Ｂに発生する応力は、貫通孔２０Ｂのエッジ付近、例えば、互いに材料が異なるガラス層１０Ｂ、フィルドビア５０Ｂ、導電層４０Ｂ及び接着層７０Ｂが接する貫通孔２０Ｂのエッジ付近に集中し易い。この結果、基板１Ｂでは、そのガラス層１０Ｂに、貫通孔２０Ｂのエッジ付近を起点としてクラック８０が発生することがある。クラック８０は、フィルドビア５０Ｂに達してその断線や抵抗の増大を引き起こしたり、ガラス層１０Ｂ上に配線層が設けられる場合にはその配線層に達して断線や抵抗の増大を引き起こしたりする恐れがある。
【００２７】
更に、多層基板２Ｂでは、フィルドビア５０Ｂ同士を接続する導電層４０Ｂに、接着層７０Ｂよりも熱膨張率の低い導電層４０Ｂが用いられる。そのため、熱が加えられた際には、導電層４０Ｂがそれよりも大きく熱膨張する接着層７０Ｂに引っ張られ、導電層４０Ｂをフィルドビア５０Ｂから引き剥がす方向の力が発生し易くなる。その結果、多層基板２Ｂでは、導電層４０Ｂとフィルドビア５０Ｂとの間の密着が弱まり、或いは導電層４０Ｂとフィルドビア５０Ｂとの間で断線し、それらの間の接続抵抗が増大したり、接続不良が発生したりする恐れがある。
【００２８】
また、図４は別の形態に係る基板及びそれを用いた多層基板の第２の例について説明する図である。図４には、多層基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
図４は、ガラス層１０Ｃに設けられた貫通孔２０Ｃ内に全体的に、導電性ペーストから形成される導電性ペースト製のビア（「ペーストビア」と言う）５０Ｃが形成された２枚の基板１Ｃ同士が、接着層７０Ｃを介して積層された多層基板２Ｃを例示したものである。ペーストビア５０Ｃの端は、金属層５１Ｃで覆われる。多層基板２Ｃは、例えば、ペーストビア５０Ｃの両端が金属層５１Ｃで覆われた基板１Ｃの上に、貫通孔２０Ｃ内にペーストビア５０Ｃが形成された別のガラス層１０Ｃが、接着層７０Ｃが介在された状態で積層され、所定の条件で熱プレスされることで、形成される。
【００２９】
基板１Ｃのペーストビア５０Ｃは、ガラス層１０Ｃの貫通孔２０Ｃ内に導電性ペーストを充填することによって形成される。このように導電性ペーストから形成されるペーストビア５０Ｃは、Ｃｕ等の金属材料を用いて形成される上記のようなフィルドビア５０Ｂに比べて、熱膨張率は高いものの、弾性率は低い。そのため、基板１Ｃでは、熱が加えられた際、ペーストビア５０Ｃが比較的大きく熱膨張しても、その低い弾性率により、ガラス層１０Ｃの貫通孔２０Ｃの周辺に発生する応力が抑えられる。
【００３０】
しかし、貫通孔２０Ｃ内に全体的に導電性ペーストを充填して形成されるペーストビア５０Ｃでは、貫通孔２０Ｂ内に全体的にＣｕ等の金属材料を充填して形成されるフィルドビア５０Ｂに比べて、抵抗が増大し易い。更に、導電性ペーストの形成時には、貫通孔２０Ｃの開口サイズや深さ、導電性ペーストのフィラー含有量や粘度等によって、貫通孔２０Ｃ内で導電性フィラー同士の十分な接触が得られない場合や、貫通孔２０Ｃ内に導電性ペーストが十分に入り込まない場合がある。いずれの場合も、ペーストビア５０Ｃの抵抗の増大、ペーストビア５０Ｃを介した接続の不良を招く要因となる。
【００３１】
これに対し、上記基板１（図１及び図２）では、貫通孔２０の一部（部分２１）に金属層３０が設けられ、貫通孔２０の他部（部分２２）に樹脂４１及び導電性フィラー４２を含有する導電層４０が設けられて、ビア５０が形成される。
【００３２】
樹脂４１及び導電性フィラー４２を含有する導電層４０は、Ｃｕ等の金属材料が用いられた金属層３０に比べて、弾性率が低い。基板１では、このような比較的弾性率の低い導電層４０が、貫通孔２０の内部（部分２２）に入り込んでいることで、貫通孔２０の周辺に発生する応力が緩和される。貫通孔２０の周辺の応力が緩和されることで、ガラス層１０のクラックの発生が抑えられ、クラックに起因したビア５０の断線や抵抗の増大、ガラス層１０上に配線層が設けられる場合のその断線や抵抗の増大が抑えられる。
【００３３】
更に、樹脂４１及び導電性フィラー４２を含有する導電層４０は、ガラス層１０及び金属層３０に比べて、熱膨張率が高い。基板１では、このような比較的熱膨張率の高い導電層４０が貫通孔２０の内部に入り込んでいることで、熱が加えられた際の導電層４０の熱膨張により、貫通孔２０内で導電層４０が金属層３０に押し付けられる。導電層４０が金属層３０に押し付けられることで、これらの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【００３４】
ここで、導電層４０を、ガラス層１０及び金属層３０のほか、接着層７０よりも熱膨張率が高くなるようなものにすると、導電層４０と接着層７０との間の熱膨張差によって、貫通孔２０内での導電層４０の金属層３０への押し付け力が強まる。熱膨張に伴い導電層４０が接着層７０Ｂに引っ張られて金属層３０から引き剥がされるような力の発生が抑えられ、接着層７０よりも大きく熱膨張する導電層４０が貫通孔２０内で金属層３０に押し付けられるためである。これにより、導電層４０と金属層３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が効果的に抑えられる。
【００３５】
また、導電層４０に、金属層３０の内側にできる空間６０の開口６１よりも大きい導電性フィラー４２が含有されると、導電層４０が、開口６１を通じて空間６０に抜け難くなり、金属層３０の端部付近で塞き止められる。これにより、基板１に熱が加えられた際に熱膨張する導電層４０の、貫通孔２０内での金属層３０の端部への強い押し付け力が得られ、導電層４０と金属層３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が効果的に抑えられる。
【００３６】
貫通孔２０内には、樹脂４１及び導電性フィラー４２を含有する導電層４０と共に、Ｃｕ等の金属材料が用いられた金属層３０が設けられることで、貫通孔２０内に導電層４０のみを充填してビアとする場合に比べて、抵抗の増大が抑えられたビア５０が形成される。例えば、貫通孔２０内には、ガラス層１０の面１０ｂから面１０ａまでの貫通孔２０の深さの半分以上で、貫通孔２０の深さからガラス層１０上に設けられる配線層の厚さを引いた深さ以下の部分２１に、金属層３０が設けられる。これにより、導電層４０によってガラス層１０に発生する応力が緩和され、そのクラックの発生が抑えられると共に、導電層４０のみではなく、一定量の金属層３０が含まれることで、ビア５０としての抵抗の増大が抑えられる。
【００３７】
ガラス層１０のクラック及びそれによる断線等が抑えられ、且つ、導電層４０と金属層３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられ、更にビア５０の抵抗の増大が抑えられる、導通信頼性の高い基板１及びそれを用いた多層基板２が実現される。
【００３８】
［第２の実施の形態］
ここでは、上記第１の実施の形態で述べたような構成を有する基板の例を、第２の実施の形態として説明する。
【００３９】
図５〜図７は第２の実施の形態に係る基板の一例について説明する図である。図５には、基板の一例の要部断面図を模式的に示している。図６（Ａ）には、図５のＰ１部の一例の拡大断面図を模式的に示し、図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）にはそれぞれ、導電性フィラーの一例を模式的に示している。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）にはそれぞれ、図５のＰ２部の一例の拡大断面図を模式的に示している。
【００４０】
図５に示す基板１００は、ガラス層１１０、貫通孔１２０、金属層１３０、導電層１４０及び接着層１７０を有する。
ガラス層１１０は、基板１００のコア層となる。ガラス層１１０には、無アルカリガラス、ソーダガラス、石英ガラス等、各種ガラス材料が用いられる。ガラス層１１０には、例えば、厚さ１０μｍ〜１０００μｍ程度のものが用いられる。ガラス層１１０には、その一方の面１１０ａに、Ｃｕ等の導電材料が用いられ、所定のパターンで配線層１３１が形成される。ここでは一例として、後述のように貫通孔１２０の一部（部分１２１）に設けられる金属層１３０から連続する配線層１３１を図示している。
【００４１】
貫通孔１２０は、図５に示すように、ガラス層１１０の面１１０ａと面１１０ｂとの間を貫通するように設けられる。例えば、ガラス層１１０の面１１０ａと面１１０ｂとの間の中間部が括れた鼓状の貫通孔１２０が設けられる。貫通孔１２０は、ガラス層１１０を貫通する円筒状であってもよいし、面１１０ａから面１１０ｂに向かって内径が大きくなる又は小さくなるようなテーパ状であってもよいし、或いは面１１０ａと面１１０ｂとの間の中間部が膨れた太鼓状等であってもよい。ここでは図示を省略するが、貫通孔１２０の開口（面１１０ａ内若しくは面１１０ｂ内又はそれらの中間の面内の開口）の平面形状は、円形状のほか、各種平面形状とすることができる。例えば、ガラス層１１０に、内径１０μｍ〜１００μｍ程度の貫通孔１２０が設けられる。貫通孔１２０は、例えば、レーザー加工、サンドブラスト加工、放電加工、薬液によるエッチング等、又はそれらの組み合わせで形成される。
【００４２】
金属層１３０は、図５に示すように、ガラス層１１０の貫通孔１２０に設けられる。金属層１３０は、少なくとも、貫通孔１２０の、ガラス層１１０の面１１０ａから面１１０ｂに至る途中までの部分１２１に設けられる。ここでは一例として、貫通孔１２０に設けられた金属層１３０と、ガラス層１１０の面１１０ａ上に設けられた配線層１３１とが接続されたものを図示している。金属層１３０は、ガラス層１１０の面１１０ａと面１１０ｂとの間を電気的に接続（導通）するビア１５０（ＴＧＶ）の一部として機能する。金属層１３０は、例えば、貫通孔１２０の部分１２１の内壁１２０ａにコンフォーマルビアの形態で設けられる。この場合、基板１００は、図５に示すように、金属層１３０の内側にできる空間１６０が空洞として残された構造であってもよいし、ここでは図示を省略するが、その空間１６０に樹脂等の充填物が充填された構造であってもよい。金属層１３０には、各種金属材料が用いられる。例えば、金属層１３０には、Ｃｕ又はＣｕを含有する材料が用いられる。金属層１３０は、例えば、めっき法を用いて形成される。
【００４３】
導電層１４０は、図５に示すように、ガラス層１１０の貫通孔１２０に設けられる。導電層１４０は、少なくとも、貫通孔１２０の、ガラス層１１０の面１１０ｂから面１１０ａに至る途中までの部分１２２に設けられる。導電層１４０は、一部が貫通孔１２０から突出するように、即ち導電層１４０の上端１４０ｂがガラス層１１０の面１１０ｂよりも上方に位置するように、設けられる。導電層１４０は、ガラス層１１０の面１１０ａと面１１０ｂとの間を電気的に接続するビア１５０（ＴＧＶ）の一部として機能する。
【００４４】
導電層１４０は、図６（Ａ）に示すように、樹脂１４１、及び樹脂１４１と混合された導電性フィラー１４２を含有する。導電層１４０は、例えば、硬化前の樹脂１４１と導電性フィラー１４２とを含有する導電性ペースト（樹脂組成物）を、印刷、塗布、滴下等の手法を用いて、金属層１３０が設けられた貫通孔１２０内に供給し、樹脂１４１を硬化することで、形成される。導電層１４０には、例えば、図６（Ａ）に示すように、金属層１３０の内側にできる空間１６０の開口１６１（最小値）よりも大きい粒径の導電性フィラー１４２が含有される。このような粒径の導電性フィラー１４２が含有されると、導電層１４０は、開口１６１を通じて空間１６０に抜け難くなり、金属層１３０の端部付近で塞き止められるようになる。
【００４５】
導電層１４０の樹脂１４１には、各種樹脂材料が用いられる。例えば、樹脂１４１には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料が用いられる。樹脂１４１には、例えば、熱硬化性、熱可塑性、光硬化性等の樹脂材料が用いられる。樹脂１４１には、溶剤、硬化剤、重合開始剤等の各種成分（添加剤）が含有されてもよい。
【００４６】
導電層１４０の導電性フィラー１４２には、各種導電材料が用いられる。例えば、導電性フィラー１４２には、各種金属材料が用いられる。導電性フィラー１４２に用いられる金属材料としては、スズ（Ｓｎ）、又はＳｎを含有する半田が挙げられる。このほか、導電性フィラー１４２には、例えば、Ｓｎ、Ｃｕ、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）のうちの１種又は２種以上の金属材料が用いられてもよい。導電性フィラー１４２には、例えば、図６（Ｂ）に示すような、各種導電材料で形成された粒子１４２ａが用いられる。導電性フィラー１４２には、例えば、図６（Ｃ）に示すような、コア粒子１４２ｂａの表面が各種導電材料のコーティング層１４２ｂｂでコーティングざれた粒子１４２ｂが用いられてもよい。この場合、コア粒子１４２ｂａには、導電性を有するものが用いられてもよいし、絶縁性を有するものが用いられてもよい。導電性フィラー１４２に用いられる粒子１４２ａ群及び粒子１４２ｂ群は、一定の粒度分布を有していてもよい。
【００４７】
樹脂１４１及び導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０は、ガラス層１１０及び金属層１３０よりも高い熱膨張率を有する。導電層１４０には更に、接着層１７０よりも高い熱膨張率を有するものが用いられる。導電層１４０は、ガラス層１１０及び金属層１３０並びに接着層１７０よりも高い熱膨張率を有するように、樹脂１４１の材料、導電性フィラー１４２の材料及び含有量が調整される。例えば、導電層１４０の熱膨張率は、１６ｐｐｍ／℃〜５０ｐｐｍ／℃、より好ましくは３０ｐｐｍ／℃〜４５ｐｐｍ／℃の範囲に調整される。
【００４８】
また、導電層１４０は、ガラス層１１０及び金属層１３０よりも低い弾性率を有する。導電層１４０は、ガラス層１１０及び金属層１３０よりも低い弾性率を有するように、樹脂１４１の材料、導電性フィラー１４２の材料及び含有量が調整される。例えば、導電層１４０の弾性率は、１００ＧＰａ以下、好ましくは５０ＧＰａ以下、より好ましくは１ＧＰａ〜１０ＧＰａの範囲に調整される。尚、導電層１４０に含有される導電性フィラー１４２には、物性値としてガラス層１１０及び金属層１３０よりも高い弾性率を有する材料が用いられてもよい。
【００４９】
接着層１７０は、図５に示すように、ガラス層１１０の面１１０ｂ上に設けられる。導電層１４０は、接着層１７０を貫通し、その上端１４０ｂが接着層１７０から露出するように、設けられる。接着層１７０は、後述のように基板１００を他の基板と接着する際に用いられる層である。接着層１７０には、接着性を有する各種接着材料が用いられる。例えば、接着層１７０には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料が用いられる。接着層１７０には、例えば、熱硬化性、熱可塑性、光硬化性等の樹脂材料が用いられる。接着層１７０の樹脂材料には、溶剤、硬化剤、重合開始剤等の各種成分（添加剤）が含有されてもよい。
【００５０】
接着層１７０には更に、絶縁性フィラーが含有されてもよい。例えば、接着層１７０には、図７（Ａ）に示すような、樹脂１７１ａ、及び樹脂１７１ａと混合された粒子状又はファイバー状のガラス等の絶縁性フィラー１７２ａを含有する樹脂組成物が用いられる。このほか、接着層１７０には、図７（Ｂ）に示すような、樹脂１７１ｂ、及び樹脂１７１ｂと混合されたクロス状のガラス等の絶縁性フィラー１７２ｂを含有する樹脂組成物が用いられてもよい。
【００５１】
前述のように、導電層１４０は、この接着層１７０よりも高い熱膨張率を有するように、樹脂１４１の材料、導電性フィラー１４２の材料及び含有量が調整される。或いは、ガラス層１１０及び金属層１３０よりも熱膨張率が高く且つ弾性率が低い導電層１４０よりも、熱膨張率が低くなるように、接着層１７０の材料、組成が調整される。図７（Ａ）の例であれば、接着層１７０は、導電層１４０よりも熱膨張率が低くなるように、樹脂１７１ａの材料、絶縁性フィラー１７２ａの材料及び含有量が調整される。図７（Ｂ）の例であれば、接着層１７０は、導電層１４０よりも熱膨張率が低くなるように、樹脂１７１ｂの材料、絶縁性フィラー１７２ｂの材料及び含有量が調整される。例えば、接着層１７０の熱膨張率は、１０ｐｐｍ／℃〜３０ｐｐｍ／℃の範囲で、導電層１４０の熱膨張率よりも低い値に調整される。
【００５２】
続いて、上記のような構成を有する基板１００の形成方法について説明する。
図８〜図１０は第２の実施の形態に係る基板の形成方法の一例について説明する図である。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）にはそれぞれ、基板形成における各工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００５３】
基板１００の形成では、まず、図８（Ａ）に示すような、コア層となるガラス層１１０が準備される。例えば、厚さ１００μｍのガラス層１１０が準備される。
次いで、準備されたガラス層１１０に、図８（Ｂ）に示すような、面１１０ａと面１１０ｂとの間を貫通する、所定の開口サイズの貫通孔１２０が形成される。例えば、面１１０ａ及び面１１０ｂにおける開口サイズが直径２０μｍの貫通孔１２０が形成される。貫通孔１２０は、例えば、ピコ秒レーザーとフッ酸エッチングを用いた加工によって形成される。このほか、貫通孔１２０は、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザー加工、紫外線レーザー加工、サンドブラスト加工、放電加工等によって形成されてもよい。貫通孔１２０の形成（加工）は、ガラス層１１０の面１１０ａ及び面１１０ｂの双方の側から行われてもよいし、一方の側からのみ行われてもよい。
【００５４】
貫通孔１２０の形成後、図８（Ｃ）に示すように、貫通孔１２０が形成されたガラス層１１０の表面、即ちガラス層１１０の面１１０ａ及び面１１０ｂ並びに貫通孔１２０の内壁１２０ａに、シード層１３２が形成される。例えば、貫通孔１２０が形成されたガラス層１１０の表面に、スパッタ法を用いてシード層１３２が形成される。シード層１３２は、貫通孔１２０が形成されたガラス層１１０の表面に、無電解めっき法を用いて形成されてもよい。シード層１３２には、各種導電材料、例えば、Ｃｕ、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料が用いられる。
【００５５】
シード層１３２の形成後、図９（Ａ）に示すように、シード層１３２が形成されたガラス層１１０の面１１０ｂ（導電層１４０が形成される側の面１１０ｂ）上に、一部が貫通孔１２０内に入り込むようにしてドライフィルムレジスト１９０が形成される。ガラス層１１０の面１１０ｂ上にドライフィルムレジスト１９０がラミネートされ、そのラミネート温度がドライフィルムレジスト１９０の溶融温度又はそれに近い温度に設定されることで、溶融又は軟化したドライフィルムレジスト１９０の一部が貫通孔１２０内に進入する。これにより、ガラス層１１０の面１１０ｂを覆い、一部が貫通孔１２０内に入り込んだ、図９（Ａ）に示すような状態のドライフィルムレジスト１９０が形成される。この貫通孔１２０内の、入り込んだドライフィルムレジスト１９０で覆われた一部が、上記金属層１３０が形成されずに上記導電層１４０が形成される部分１２２となる。
【００５６】
また、シード層１３２が形成されたガラス層１１０の面１１０ａ（金属層１３０が形成される側の面１１０ａ）上には、図９（Ａ）に示すように、金属層１３０及び配線層１３１を形成する領域を除いた領域に、ドライフィルムレジスト１９１が形成される。その際は、まず、ガラス層１１０の面１１０ａ上にドライフィルムレジスト１９１がラミネートされる。そして、露光及び現像によってドライフィルムレジスト１９１のパターニングが行われ、面１１０ａ上の、金属層１３０及び配線層１３１を形成する領域を除いた領域を覆う、図９（Ａ）に示すような状態のドライフィルムレジスト１９１が形成される。
【００５７】
ドライフィルムレジスト１９０，１９１の形成後、図９（Ｂ）に示すように、ドライフィルムレジスト１９０，１９１をマスクとし、シード層１３２を給電層とする電解めっき法を用いて、めっき層１３３が形成される。ガラス層１１０の貫通孔１２０内では、そこに入り込んだドライフィルムレジスト１９０で一部が覆われ、そのドライフィルムレジスト１９０で覆われていない、面１１０ａから面１１０ｂに至る途中までの部分１２１に、めっき層１３３が形成される。ガラス層１１０の面１１０ａ上には、ドライフィルムレジスト１９１で覆われていない領域に、めっき層１３３が形成される。ここでは一例として、貫通孔１２０内から面１１０ａ上に連続するめっき層１３３を図示している。
【００５８】
めっき層１３３の形成後、図９（Ｃ）に示すように、ドライフィルムレジスト１９０，１９１が剥離等によって除去され、ドライフィルムレジスト１９０，１９１の除去後に露出するシード層１３２がエッチングによって除去される。これにより、貫通孔１２０内においては、その一部である部分１２１にのみシード層１３２及びめっき層１３３が形成され、他部である部分１２２にはシード層１３２及びめっき層１３３が形成されない、図９（Ｃ）に示すような状態が得られる。以下では、貫通孔１２０内のシード層１３２とその上のめっき層１３３とを金属層１３０とし、面１１０ａ上のシード層１３２とその上のめっき層１３３とを配線層１３１とする。
【００５９】
金属層１３０及び配線層１３１の形成後、図１０（Ａ）に示すように、ガラス層１１０の面１１０ｂ上に、接着層１７０が形成される。例えば、接着層１７０となる所定の組成の樹脂材料から、又は所定の絶縁性フィラー（図７（Ａ）に示したような絶縁性フィラー１７２ａや図７（Ｂ）に示したような絶縁性フィラー１７２ｂ等）を含有する樹脂組成物から形成されたドライフィルムが、面１１０ｂ上にラミネートされ、接着層１７０が形成される。
【００６０】
接着層１７０の形成後、図１０（Ｂ）に示すように、その接着層１７０の、ガラス層１１０の貫通孔１２０と対応する部分に、孔開け加工が行われる。例えば、レーザー加工によって、接着層１７０の、貫通孔１２０と対応する部分に、図１０（Ｂ）に示すような、貫通孔１２０と連通する孔１７０ａが形成される。
【００６１】
接着層１７０の孔１７０ａの形成後、図１０（Ｃ）に示すように、その接着層１７０の孔１７０ａ内とそれに連通する貫通孔１２０内とに、導電層１４０が形成される。例えば、孔１７０ａが形成された接着層１７０上に、硬化前の樹脂及び導電性フィラーを含有する導電性ペースト（図６（Ａ）に示したような樹脂１４１及び導電性フィラー１４２を含有する樹脂組成物）が印刷される。これにより、孔１７０ａ内及び貫通孔１２０内に導電性ペーストが充填され、導電層１４０が形成される。導電層１４０は、少なくとも、貫通孔１２０の、面１１０ｂから面１１０ａに至る途中までの部分１２２に充填され、金属層１３０と接続される。導電層１４０は、その一部が、金属層１３０の内側にできる空間１６０に入り込んでもよい。この空間１６０に入り込む導電層１４０の一部には、導電層１４０に含有される導電性フィラー１４２のサイズ及び粒度分布によって、樹脂１４１及び導電性フィラー１４２の両方が含まれる場合と、樹脂１４１のみが含まれる場合とがあり得る。
【００６２】
以上のような方法により、図１０（Ｃ）及び上記図５に示すような基板１００が形成される。
接着層１７０及び導電層１４０は、基板１００を後述のように他の基板と多層化する際に溶融又は軟化し、その後に硬化することができれば、この基板１００の形成時点で、完全に硬化した状態となっていてもよいし、半硬化又は未硬化の状態となっていてもよい。
【００６３】
続いて、上記のような構成を有する基板１００を用いた多層基板について説明する。
図１１〜図１３は第２の実施の形態に係る多層基板について説明する図である。図１１〜図１３にはそれぞれ、多層基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００６４】
図１１に示す多層基板２００Ａは、基板１００上（ガラス層１１０の面１１０ｂ側の上方）に、接着層１７０を介して、他の１枚の基板１００Ａが積層された構成を有する。積層される基板１００Ａは、コア層となるガラス層１１０Ａと、ガラス層１１０Ａに設けられた貫通孔１２０Ａと、貫通孔１２０Ａの内壁１２０Ａａに設けられたコンフォーマルビア１５０Ａとを有する。積層される基板１００Ａは更に、貫通孔１２０Ａ内のコンフォーマルビア１５０Ａから連続してガラス層１１０Ａの面１１０Ａａ及び面１１０Ａｂの上に設けられた配線層１３１Ａを有する。
【００６５】
多層基板２００Ａは、上記のような基板１００及び基板１００Ａが重ね合わされ、所定の温度及び圧力の条件、例えば、温度２００℃で圧力３０ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱プレスされる、一括積層プロセスによって形成される。熱プレスにより、基板１００のビア１５０の導電層１４０と、基板１００Ａのコンフォーマルビア１５０Ａ又はそれに繋がる配線層１３１Ａ（導電性接続部）とが接合され、互いのビア１５０とコンフォーマルビア１５０Ａとが電気的に接続される。
【００６６】
熱プレス時の加熱により、基板１００の接着層１７０及び導電層１４０が溶融又は軟化し、接着層１７０と対向する基板１００Ａの面１１０Ａａ上に設けられた配線層１３１Ａが、接着層１７０内に埋設される。それと共に、コンフォーマルビア１５０Ａ又は配線層１３１Ａが、導電層１４０と接続される。
【００６７】
基板１００では、基板１００の貫通孔１２０内の一部（部分１２２）が、比較的弾性率の高い金属層１３０ではなく、比較的弾性率の低い導電層１４０となっている。そのため、基板１００の熱プレス時、その後の基板１００上への半導体チップの搭載時や搭載後の試験時、基板１００の使用時等、基板１００に熱が加えられ、導電層１４０が熱膨張する場合でも、ガラス層１１０に発生する応力が緩和される。
【００６８】
更に、基板１００では、その導電層１４０に、ガラス層１１０及び金属層１３０よりも熱膨張率が高く、接着層１７０よりも熱膨張率が高いものが用いられる。そのため、基板１００の熱プレス時、その後の基板１００上への半導体チップの搭載時や搭載後の試験時、基板１００の使用時等、基板１００に熱が加えられた際、導電層１４０が、その周囲（ガラス層１１０、金属層１３０、接着層１７０）よりも比較的大きく熱膨張する。この導電層１４０の熱膨張によって、貫通孔１２０内で導電層１４０が金属層１３０に強く押し付けられ、これらの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【００６９】
尚、このような導電層１４０の熱膨張による押し付け力は、基板１００の貫通孔１２０内の金属層１３０のほか、積層される基板１００Ａの配線層１３１Ａに対しても同様に働く。これにより、導電層１４０と配線層１３１Ａとの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生も抑えられる。
【００７０】
また、導電層１４０に、金属層１３０の内側にできる空間１６０の開口１６１よりも大きい導電性フィラー１４２が含有されると、導電層１４０が、開口１６１を通じて空間１６０に抜け難くなり、金属層１３０の端部付近で塞き止められる。これにより、基板１００に熱が加えられた際に熱膨張する導電層１４０の、貫通孔１２０内での金属層１３０の端部への強い押し付け力が得られ、これらの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が効果的に抑えられる。
【００７１】
貫通孔１２０内には、樹脂１４１及び導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０と共に、Ｃｕ等の金属材料が用いられた金属層１３０が設けられることで、抵抗の増大が抑えられたビア１５０が形成される。例えば、貫通孔１２０内には、ガラス層１１０の面１１０ｂから面１１０ａまでの貫通孔１２０の深さの半分以上で、貫通孔１２０の深さからガラス層１１０上に設けられる配線層１３１，１３１Ａの厚さを引いた深さ以下の部分１２１に、金属層１３０が設けられる。これにより、導電層１４０によってガラス層１１０に発生する応力が緩和され、そのクラックの発生が抑えられると共に、導電層１４０のみではなく、一定量の金属層１３０が含まれることで、ビア１５０としての抵抗の増大が抑えられる。
【００７２】
上記のような構成を有する基板１００が用いられることで、そのビア１５０における又はビア１５０を介した接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる、導通信頼性の高い多層基板２００Ａが実現される。
【００７３】
また、図１２に示す多層基板２００Ｂは、上記基板１００が２枚、接着層１７０を介して積層された構成を有する。多層基板２００Ｂは、２枚の基板１００が重ね合わされ、所定の温度及び圧力の条件、例えば、温度２００℃で圧力３０ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱プレスされる、一括積層プロセスによって形成される。熱プレスにより、一方の基板１００のビア１５０の導電層１４０と、他方の基板１００のビア１５０の金属層１３０又はそれに繋がる配線層１３１（導電性接続部）とが接合され、互いのビア１５０同士が電気的に接続される。
【００７４】
多層基板２００Ｂにおいても、熱が加えられた際、貫通孔１２０内の一部（部分１２２）が、比較的弾性率の高い金属層１３０ではなく、比較的弾性率の低い導電層１４０となっていることで、ガラス層１１０に発生する応力が緩和される。
【００７５】
更に、熱が加えられた際、ガラス層１１０、金属層１３０及び接着層１７０よりも熱膨張率の高い導電層１４０が、比較的大きく熱膨張し、貫通孔１２０内で金属層１３０に強く押し付けられ、これらの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。尚、導電層１４０の熱膨張による押し付け力は、一方の基板１００の貫通孔１２０内の金属層１３０のほか、積層される他方の基板１００の配線層１３１に対しても同様に働き、導電層１４０と当該配線層１３１との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生も抑えられる。
【００７６】
また、導電層１４０に、金属層１３０の内側にできる開口１６１よりも大きい導電性フィラー１４２が含有されると、導電層１４０が金属層１３０の端部付近で塞き止められ、熱膨張する導電層１４０の、貫通孔１２０内での金属層１３０の端部への強い押し付け力が得られる。これにより、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が効果的に抑えられる。
【００７７】
貫通孔１２０内には、樹脂１４１及び導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０と共に、Ｃｕ等の金属材料が用いられた金属層１３０が設けられる。導電層１４０によってガラス層１１０に発生する応力が緩和され、そのクラックの発生が抑えられると共に、導電層１４０のみではなく、一定量の金属層１３０が含まれることで、ビア１５０としての抵抗の増大が抑えられる。
【００７８】
上記のような構成を有する基板１００が用いられることで、そのビア１５０における又はビア１５０を介した接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる、導通信頼性の高い多層基板２００Ｂが実現される。
【００７９】
また、図１３に示す多層基板２００Ｃは、４枚の上記基板１００が接着層１７０を介して積層され、更に１枚の上記基板１００Ａ（図１１）が接着層１７０を介して積層された構造を有する。多層基板２００Ｃは、４枚の基板１００及び１枚の基板１００Ａが、図１３に示すような順で重ね合わされ、所定の温度及び圧力の条件、例えば、温度２００℃で圧力３０ｋｇ／ｃｍ２の条件で熱プレスされる、一括積層プロセスによって形成される。
【００８０】
多層化する際の積層枚数は、上記多層基板２００Ａ，２００Ｂのような２枚に限定されるものではなく、この多層基板２００Ｃのように、５枚といった積層枚数とすることもできる。勿論、積層枚数は、この５枚に限定されるものでもなく、３枚、４枚、６枚以上とすることもできる。
【００８１】
多層基板２００Ｃにおける各基板１００、或いは積層される基板１００同士、積層される基板１００，１００Ａ同士について、上記多層基板２００Ａ，２００Ｂで述べたのと同様の作用、効果が得られる。上記のような構成を有する基板１００が用いられることで、そのビア１５０における又はビア１５０を介した接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる、導通信頼性の高い多層基板２００Ｃが実現される。
【００８２】
続いて、上記のような構成を有する基板１００に発生する応力の解析結果について説明する。
図１４は第２の実施の形態に係る基板の応力解析結果の一例について説明する図である。図１５は別の形態に係る基板の応力解析結果の一例について説明する図である。
【００８３】
図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）には、上記基板１００及びそれについて得られた応力解析結果の一例を、便宜上、模式的に図示している。ここで、図１４（Ａ）には、基板１００のガラス層１１０、貫通孔１２０、金属層１３０、導電層１４０及び接着層１７０の要部斜視図を模式的に示している。図１４（Ｂ）には、基板１００に熱が加えられた際のガラス層１１０（図１４（Ａ）のＱ１部）に発生する応力解析結果の一例を模式的に示している。図１４（Ｃ）には、基板１００に熱が加えられた際の金属層１３０の導電層１４０との接続界面（図１４（Ａ）のＱ２部）に発生する応力解析結果の一例を模式的に示している。
【００８４】
また、図１５には比較のため、ガラス層１１０Ｂの貫通孔１２０Ｂ内にフィルドビア１５０Ｂを設けた基板１００Ｂ（上記図３に示した基板１Ｂに相当）及びそれについて得られた応力解析結果の一例を、便宜上、模式的に図示している。ここで、図１５（Ａ）には、基板１００Ｂのガラス層１１０Ｂ、貫通孔１２０Ｂ、フィルドビア１５０Ｂ、並びに、フィルドビア１５０Ｂ上の導電層１４０Ｂ、及びガラス層１１０Ｂの面１１０Ｂｂ上の接着層１７０Ｂの要部斜視図を模式的に示している。図１５（Ｂ）には、基板１００Ｂに熱が加えられた際のガラス層１１０Ｂ（図１５（Ａ）のＲ１部）に発生する応力解析結果の一例を模式的に示している。図１５（Ｃ）には、基板１００Ｂに熱が加えられた際のフィルドビア１５０Ｂの導電層１４０Ｂとの接続界面（図１５（Ａ）のＲ２部）に発生する応力解析結果の一例を模式的に示している。
【００８５】
図１４（Ｂ）及び図１４（Ｃ）並びに図１５（Ｂ）及び図１５（Ｃ）においては、便宜上、応力を、「非常に大きな応力ＳＶＨ」、「大きな応力ＳＨ」、「中程度の応力ＳＭ」、「小さな応力ＳＬ」の４段階で表している。また、金属層１３０及びフィルドビア１５０ＢはＣｕとし、基板１００では導電層１４０の熱膨張率を接着層１７０の熱膨張率よりも高くし、基板１００Ｂでは導電層１４０Ｂの熱膨張率を接着層１７０Ｂの熱膨張率よりも低くしている。
【００８６】
まず、図１５（Ａ）に示すような、ガラス層１１０Ｂの貫通孔１２０Ｂ内にフィルドビア１５０Ｂが設けられた基板１００Ｂについて述べる。
基板１００Ｂでは、熱が加えられた際、図１５（Ｂ）に示すように、そのガラス層１１０Ｂの、貫通孔１２０Ｂの全体にわたる周辺に、非常に大きな応力ＳＶＨが集中的に発生する。フィルドビア１５０Ｂは、ガラス層１１０Ｂに比べて熱膨張率が高く、弾性率が高いため、熱が加えられて熱膨張する高弾性のフィルドビア１５０Ｂによって、ガラス層１１０Ｂの貫通孔１２０Ｂの周辺には、このように非常に大きな応力ＳＶＨが発生してしまう。基板１００Ｂでは、この非常に大きな応力ＳＶＨのために、ガラス層１１０Ｂにクラックが発生し易くなり、クラックによる断線等が発生し易くなる。
【００８７】
一方、基板１００Ｂに熱が加えられた際、フィルドビア１５０Ｂの導電層１４０Ｂとの接続界面には、図１５（Ｃ）に示すように、小さな応力ＳＬが発生する。これは即ち、導電層１４０Ｂがフィルドビア１５０Ｂに押し付けられる力が小さいことを意味する。熱が加えられた際、比較的熱膨張率の低い導電層１４０Ｂが、比較的熱膨張率の高い接着層１７０Ｂによって引っ張られ、導電層１４０Ｂがフィルドビア１５０Ｂに押し付けられる力が小さくなっていることが理由の１つである。このように導電層１４０Ｂがフィルドビア１５０Ｂに押し付けられる力が小さくなると、導電層１４０Ｂとフィルドビア１５０Ｂとの間の接続抵抗が高くなる可能性がある。
【００８８】
次に、図１４（Ａ）に示すような、ガラス層１１０の貫通孔１２０の一部（部分１２１）に金属層１３０が設けられ、貫通孔１２０の他部（部分１２２）に導電層１４０が設けられて、ビア１５０が形成された基板１００について述べる。
【００８９】
基板１００では、熱が加えられた際、図１４（Ｂ）に示すように、そのガラス層１１０の、金属層１３０が設けられる貫通孔１２０の部分１２１の周辺に、大きな応力ＳＨ、それよりは小さい中程度の応力ＳＭが発生する。しかし、この基板１００のガラス層１１０の、貫通孔１２０の部分１２１の周辺に発生する応力ＳＨは、上記基板１００Ｂのガラス層１１０Ｂの、貫通孔１２０Ｂの全体にわたる周辺に発生する応力ＳＶＨよりは小さい。また、基板１００のガラス層１１０の、導電層１４０が設けられる貫通孔１２０の部分１２２の周辺には、小さな応力ＳＬが発生する。
【００９０】
このように基板１００では、上記基板１００Ｂに比べて、ガラス層１１０の、貫通孔１２０の全体にわたる周辺に発生する応力が緩和される。これは、ガラス層１１０に比べて熱膨張率及び弾性率の高い金属層１３０がコンフォーマルビアとされ、貫通孔１２０の一部にのみ設けられることで、熱が加えられた際の金属層１３０の熱膨張がガラス層１１０に及ぼす影響が緩和されることが理由の１つである。更に、金属層１３０が設けられない貫通孔１２０の他部に、弾性率の小さい導電層１４０が設けられることで、熱が加えられた際、ガラス層１１０の、当該他部の周辺に発生する応力が緩和されることが理由の１つである。基板１００では、このようにガラス層１１０に発生する応力が緩和されることで、ガラス層１１０のクラックの発生、クラックによる断線等の発生が効果的に抑えられる。
【００９１】
一方、基板１００に熱が加えられた際、金属層１３０の導電層１４０との接続界面には、図１４（Ｃ）に示すように、大きな応力ＳＨ、それよりは小さな中程度の応力ＳＭ、それよりも更に小さな応力ＳＬが発生する。金属層１３０の導電層１４０との接続界面に大きな応力ＳＨや中程度の応力ＳＭが発生することは即ち、導電層１４０が金属層１３０に押し付けられる力が大きくなっている、或いは導電層１４０と金属層１３０との間の密着が強くなっていることを意味している。熱が加えられた際、ガラス層１１０、金属層１３０及び接着層１７０よりも熱膨張率の高い導電層１４０が、比較的大きく熱膨張し、貫通孔１２０内で金属層１３０に強く押し付けられることが理由の１つである。また、上記のように導電層１４０に含有される導電性フィラー１４２を調整し、導電層１４０が金属層１３０の端部付近で塞き止められるようにすると、導電層１４０は金属層１３０の端部に強く押し付けられる。基板１００では、熱が加えられた際、導電層１４０が金属層１３０に押し付けられる強い力が働くことで、これらの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が効果的に抑えられる。
【００９２】
続いて、基板１００の変形例について、以下の図１６〜図２０を参照して説明する。
図１６は第２の実施の形態に係る基板の第１の変形例について説明する図である。図１６には、基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【００９３】
図１６に示す基板１０１は、ガラス層１１０の面１１０ｂ側に、上記接着層１７０が予め設けられていない点で、上記基板１００と相違する。このように接着層１７０は、必ずしも予めガラス層１１０上に設けられていることを要しない。
【００９４】
このような基板１０１は、例えば、次のように形成される。まず、上記図８（Ａ）〜図９（Ｃ）までの工程の後、上記図１０（Ａ）の工程の例に従い、ガラス層１１０の面１１０ｂ上に、接着層１７０に代えてドライフィルムレジストが形成される。次いで、形成されたドライフィルムレジストに、上記図１０（Ｂ）の工程の例に従い、ガラス層１１０の貫通孔１２０と連通する孔が形成される。次いで、孔が形成されたドライフィルムレジスト上に、上記図１０（Ｃ）の工程の例に従い、導電層１４０となる導電性ペーストが印刷される。基板１０１の形成では、この導電性ペーストの印刷後（導電層１４０の形成後）、ドライフィルムレジストが剥離等によって除去される。これにより、図１６に示すような基板１０１が形成される。
【００９５】
基板１０１では、金属層１３０よりも弾性率の小さい導電層１４０が、貫通孔１２０の一部（部分１２２）に設けられ、ガラス層１１０に発生する応力が緩和される。基板１０１では更に、ガラス層１１０及び金属層１３０よりも熱膨張率の高い導電層１４０が、比較的大きく熱膨張して金属層１３０に押し付けられ、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【００９６】
基板１０１では、他の基板と多層化される際に、当該基板との間に別途接着層１７０が介在される。基板１０１では、それに設けられている導電層１４０の熱膨張率等の特性、多層化される際の熱プレス条件等に基づき、導電層１４０が熱膨張によって金属層１３０に十分に押し付けられるようになる特性を持った接着層１７０を適宜選択可能になる。基板１０１によれば、その汎用性を高めることが可能になる。
【００９７】
図１７は第２の実施の形態に係る基板の第２の変形例について説明する図である。図１７には、基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
図１７に示す基板１０２は、ガラス層１１０の面１１０ａ上のほか、面１１０ｂ上にも、配線層１３１が設けられた、いわゆる両面配線板の構成を有する。
【００９８】
このような基板１０２は、例えば、次のように形成される。まず、上記図８（Ａ）〜図９（Ａ）の工程の後、ドライフィルムレジスト１９０のパターニングが行われ、面１１０ｂ上の配線層１３１を形成する領域に開口が形成される。その後、上記図９（Ｂ）〜図１０（Ｃ）の工程の例に従い、各工程が実施され、図１７に示すような基板１０２が形成される。
【００９９】
この基板１０２のように、ガラス層１１０には、その一方の面１１０ａ上に限らず、他方の面１１０ｂ上にも、配線層１３１を形成することができる。
図１８は第２の実施の形態に係る基板の第３の変形例について説明する図である。図１８（Ａ）には、基板の一例の要部断面図を模式的に示している。図１８（Ｂ）には、図１８（Ａ）のＴ１部の一例の拡大断面図を模式的に示している。図１８（Ｃ）〜図１８（Ｅ）にはそれぞれ、図１８（Ａ）のＴ２部の一例の拡大断面図を模式的に示している。
【０１００】
図１８（Ａ）に示す基板１０３は、ガラス層１１０の貫通孔１２０の内壁１２０ａに設けられる金属層１３０の内側に、導電層１４０又はその樹脂１４１が充填された構成を有する。
【０１０１】
このような基板１０３は、上記図８（Ａ）〜図１０（Ｃ）の工程の例に従って形成される。基板１０３では、導電層１４０となる導電性ペーストが、ガラス層１１０の貫通孔１２０の、金属層１３０が設けられない部分１２２に充填されると共に、金属層１３０が設けられる部分１２１にも充填される。
【０１０２】
ここで、導電層１４０となる導電性ペーストに樹脂１４１と共に含有される導電性フィラー１４２のサイズが、金属層１３０の内側の開口１６１よりも大きい場合を考える。この場合、貫通孔１２０の部分１２２には、例えば、図１８（Ｂ）に示すように、樹脂１４１及び多数の導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０が充填される。貫通孔１２０の部分１２１には、導電性フィラー１４２が開口１６１を通過しないため、樹脂１４１のみが開口１６１を通過し、例えば、図１８（Ｃ）に示すように、導電性フィラー１４２を含有しない樹脂１４１が充填される。図１８（Ｂ）及び図１８（Ｃ）に示すような分布の場合には、基板１０３に熱が加えられた際、多数の導電性フィラー１４２が含有される部分１２２において、導電性フィラー１４２と金属層１３０との接続、導電性フィラー１４２同士の接続が得られ易い。これにより、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【０１０３】
また、導電層１４０となる導電性ペーストに樹脂１４１と共に含有される導電性フィラー１４２の一部に、金属層１３０の内側の開口１６１よりも小さいサイズのものが含まれている場合を考える。この場合、貫通孔１２０の部分１２２には、例えば、図１８（Ｂ）に示すように、樹脂１４１及び多数の導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０が充填される。貫通孔１２０の部分１２１には、導電性フィラー１４２のうち、開口１６１よりも小さいものは開口１６１を通過するため、例えば、図１８（Ｄ）に示すように、部分１２２よりも少数の導電性フィラー１４２を含有した樹脂１４１が充填される。図１８（Ｂ）及び図１８（Ｄ）に示すような分布の場合にも、基板１０３に熱が加えられた際、多数の導電性フィラー１４２が含有される部分１２２において、導電性フィラー１４２と金属層１３０との接続、導電性フィラー１４２同士の接続が得られる。これにより、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【０１０４】
また、導電層１４０となる導電性ペーストに樹脂１４１と共に含有される導電性フィラー１４２のサイズが、金属層１３０の内側の開口１６１よりも小さい場合を考える。この場合、貫通孔１２０の部分１２２には、例えば、図１８（Ｂ）に示すように、樹脂１４１及び多数の導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０が充填される。貫通孔１２０の部分１２１にも、導電性フィラー１４２が開口１６１を通過するため、例えば、図１８（Ｅ）に示すように、樹脂１４１及び多数の導電性フィラー１４２を含有する導電層１４０が充填される。図１８（Ｂ）及び図１８（Ｅ）に示すような分布の場合には、貫通孔１２０内の全体にわたって導電性フィラー１４２が含有され、導電性フィラー１４２と金属層１３０との接続、導電性フィラー１４２同士の接続が得られる。これにより、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【０１０５】
図１９は第２の実施の形態に係る基板の第４の変形例について説明する図である。図１９には、基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
図１９に示す基板１０４は、ガラス層１１０の面１１０ｂ側のほか、面１１０ａ側にも、導電層１４０が設けられ、面１１０ｂ側の導電層１４０と、面１１０ａ側の導電層１４０との間に、それらに接続されて金属層１３０が設けられた構成を有する。
【０１０６】
このような基板１０４は、例えば、次のように形成される。まず、上記図８（Ａ）〜図９（Ｃ）の工程の後、貫通孔１２０内に形成された金属層１３０が部分的にレジスト等で保護され、貫通孔１２０の面１１０ａ側のエッジ付近に形成された金属層１３０が除去される。その後、ガラス層１１０の面１１０ｂ側について、上記図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）の工程が実施されて導電層１４０が形成され、ガラス層１１０の面１１０ａ側についても同様に、上記図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）の工程の例に従い、導電層１４０が形成される。これにより、図１９に示すような基板１０４が形成される。
【０１０７】
基板１０４では、ガラス層１１０の面１１０ｂ側及び面１１０ａ側の双方において、上記基板１００について述べたのと同様の作用、効果が得られる。即ち、基板１０４では、貫通孔１２０の、面１１０ｂ側及び面１１０ａ側の双方のエッジ付近の応力が緩和され、ガラス層１１０のクラックの発生、クラックによる断線等が抑えられる。更に、基板１０４では、熱が加えられた際、面１１０ｂ側及び面１１０ａ側の双方の導電層１４０の熱膨張により、それらが金属層１３０に押し付けられ、双方の導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。
【０１０８】
図２０は第２の実施の形態に係る基板の第５の変形例について説明する図である。図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）にはそれぞれ、基板の一例の要部断面図を模式的に示している。
【０１０９】
図２０（Ａ）に示す基板１０５は、貫通孔１２０の部分１２１に設けられた金属層１３０と、貫通孔１２０の部分１２２に金属層１３０と接続されて設けられた導電層１４０とを有するビア１５０が、ガラス層１１０の複数箇所に設けられた構成を有する。この基板１０５のような構成によっても、各箇所のビア１５０について、上記基板１００のビア１５０について述べたのと同様の作用、効果が得られる。
【０１１０】
また、図２０（Ｂ）に示す基板１０６は、ガラス層１１０の異なる箇所に、面１１０ｂ側に導電層１４０が設けられるビア１５０と、反対の面１１０ａ側に導電層１４０が設けられるビア１５０とを備えた構成を有する。このような基板１０６は、ガラス層１１０の一の箇所に、上記図８（Ａ）〜図１０（Ｃ）の工程によって一方のビア１５０が形成され、ガラス層１１０の別の箇所に、面１１０ｂ，１１０ａを反転して上記図８（Ａ）〜図１０（Ｃ）の工程の例に従ってビア１５０が形成されることで、得られる。この基板１０６のような構成によっても、各箇所のビア１５０について、上記基板１００のビア１５０について述べたのと同様の作用、効果が得られる。
【０１１１】
［第３の実施の形態］
上記第１及び第２の実施の形態で述べたような基板１，１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６上、これらのうち少なくとも１枚が用いられた多層基板上には、半導体チップ等の各種電子部品を搭載することができる。
【０１１２】
図２１は第３の実施の形態に係る電子装置の一例について説明する図である。図２１には、電子装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
図２１には一例として、上記第２の実施の形態で述べたような基板１００及び基板１００Ａが用いられた多層基板２００Ｄ上に、電子部品として半導体チップ３００が搭載された電子装置４００を示している。
【０１１３】
多層基板２００Ｄは、２枚の基板１００が接着層１７０を介して積層され、更に１枚の基板１００Ａが接着層１７０を介して積層された構造を有する。多層基板２００Ｄは、一括積層プロセスによって形成される。半導体チップ３００は、ＬＳＩ等の半導体チップであって、一方の面３００ａに電極３１０を有する。半導体チップ３００は、電極３１０が設けられた面３００ａを多層基板２００Ｄ側に向けて配置され、電極３１０が、半田等のバンプ３２０を用いて、多層基板２００Ｄの最上層の基板１００Ａに設けられた配線層１３１Ａと接続される。
【０１１４】
電子装置４００において、半導体チップ３００が搭載される多層基板２００Ｄには、上記のように、貫通孔１２０の一部（部分１２１）に金属層１３０が設けられ、貫通孔１２０の他部（部分１２２）に金属層１３０と接続されて導電層１４０が設けられた基板１００が用いられる。このような多層基板２００Ｄでは、半導体チップ３００の動作時に発生する熱が伝達されても、その基板１００の当該一部に設けられた導電層１４０によって、貫通孔１２０の周辺のガラス層１１０に発生する応力が緩和される。更に、基板１００によれば、熱膨張する導電層１４０が金属層１３０に押し付けられ、それらの間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる。これにより、ガラス層１１０のクラック及びそれによる断線等が抑えられ、且つ、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる、導通信頼性の高い基板１００、及びそれを用いた多層基板２００Ｄが実現される。このような多層基板２００Ｄ上に半導体チップ３００が搭載され、高性能及び高信頼性の電子装置４００が実現される。
【０１１５】
尚、ここでは、多層基板２００Ｄ上に、１つの半導体チップ３００が搭載される例を示したが、多層基板２００Ｄ上には、同種又は異種の複数の半導体チップが搭載されてもよい。また、多層基板２００Ｄ上には、半導体チップに限らず、抵抗、コンデンサ、インダクタ等の各種電子部品が搭載されてもよい。
【０１１６】
また、ここでは、基板１００を用いた多層基板２００Ｄを例にしたが、基板１，１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６上、これらのうち少なくとも１枚が用いられた各種多層基板上にも同様に、半導体チップ３００等の各種電子部品が搭載可能である。
【０１１７】
［第４の実施の形態］
上記第１及び第２の実施の形態で述べたような基板１，１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６、上記第３の実施の形態で述べたような電子装置４００等は、各種電子機器（「電子装置」とも言う）に搭載することができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
【０１１８】
図２２は第４の実施の形態に係る電子機器の一例について説明する図である。図２２には、電子機器の一例の要部断面図を模式的に示している。
図２２に示すように、例えば、上記第３の実施の形態で述べたような電子装置４００が、各種電子機器５００の筐体５００ａの内部に搭載（内蔵）される。尚、電子装置４００は、電子機器５００が備えるラックやスロットに収容されてもよい。
【０１１９】
電子装置４００では、上記のように、その多層基板２００Ｄに、貫通孔１２０の一部に金属層１３０が設けられ、貫通孔１２０内の他部に金属層１３０と接続されて導電層１４０が設けられた基板１００が用いられる。これにより、ガラス層１１０のクラック及びそれによる断線等が抑えられ、且つ、導電層１４０と金属層１３０との間の接続抵抗の増大、接続不良の発生が抑えられる、導通信頼性の高い基板１００、及びそれを用いた多層基板２００Ｄが実現される。このような多層基板２００Ｄ上に半導体チップ３００が搭載され、高性能及び高信頼性の電子装置４００が実現される。そして、このような電子装置４００が搭載され、高性能及び高信頼性の電子機器５００が実現される。
【０１２０】
ここでは、電子装置４００を例にしたが、基板１，１００，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６、これらのうち少なくとも１枚が用いられた各種多層基板、その上に半導体チップ３００等の各種電子部品が搭載された各種電子装置も同様に、各種電子機器に搭載可能である。
【符号の説明】
【０１２１】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１００，１００Ａ，１００Ｂ，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６  基板
２，２Ｂ，２Ｃ，２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ，２００Ｄ  多層基板
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１１０，１１０Ａ，１１０Ｂ  ガラス層
１０ａ，１０ｂ，１１０ａ，１１０ｂ，１１０Ａａ，１１０Ａｂ，１１０Ｂｂ，３００ａ  面
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ  貫通孔
２０ａ，２０Ａａ，１２０ａ，１２０Ａａ  内壁
２１，２２，１２１，１２２  部分
３０，５１Ｃ，１３０  金属層
４０，４０Ｂ，１４０，１４０Ｂ  導電層
４１，１４１，１７１ａ，１７１ｂ  樹脂
４２，１４２  導電性フィラー
５０，１５０  ビア
５０Ａ，１５０Ａ  コンフォーマルビア
５０Ｂ，１５０Ｂ  フィルドビア
５０Ｃ  ペーストビア
６０，１６０  空間
６１，１６１  開口
７０，７０Ｂ，７０Ｃ，１７０，１７０Ｂ  接着層
８０  クラック
１３１，１３１Ａ  配線層
１３２  シード層
１３３  めっき層
１４０ｂ  上端
１４２ａ，１４２ｂ  粒子
１４２ｂａ  コア粒子
１４２ｂｂ  コーティング層
１７０ａ  孔
１７２ａ，１７２ｂ  絶縁性フィラー
１９０，１９１  ドライフィルムレジスト
３００  半導体チップ
３１０  電極
３２０  バンプ
４００  電子装置
５００  電子機器
５００ａ  筐体
【図１】
2020102593.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2020102593.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2020102593.tif 000015
【図１４】
2020102593.tif 000016
【図１５】
2020102593.tif 000017
【図１６】
2020102593.tif 000018
【図１７】
2020102593.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
2020102593.tif 000022
【図２１】
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【図２２】
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