(57)【要約】【課題】車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させる。【解決手段】カップリングコンデンサＣｃとスイッチＳＷとからなる絶縁回路２と、発振信号を出力する発振回路３と、絶縁回路２と発振回路３との間に接続される検出抵抗Ｒｄと、スイッチＳＷを導通させているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄの波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下であると、スイッチＳＷを遮断させ、スイッチＳＷを遮断させた後に検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄの波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高いと、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知し、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈ以下であると、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知しない検知部５とを備えて漏電検知回路１を構成する。【選択図】図１
2020003367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する漏電検知回路であって、
互いに直列接続されるスイッチとカップリングコンデンサとからなり、前記直流電源のグランドラインに接続される絶縁回路と、
前記グランドラインと前記ボディアースとの間に発振信号を出力する発振回路と、
前記絶縁回路と前記発振回路との間に接続される検出抵抗と、
前記検出抵抗にかかる電圧が入力される検知部と、
を備え、
前記検知部は、
前記スイッチを導通させているときに前記検出抵抗にかかる電圧の第１の波高値が閾値以下であると、前記スイッチを遮断させ、
前記スイッチを遮断させた後に前記検出抵抗にかかる電圧の第２の波高値が前記閾値より高いと、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、
前記第２の波高値が前記閾値以下であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない
ことを特徴とする漏電検知回路。
【請求項２】
請求項１に記載の漏電検知回路であって、
前記検知部は、前記第２の波高値が前記閾値以下であると、前記漏電検知回路が故障していることを検知する
ことを特徴とする漏電検知回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の漏電検知回路であって、
前記検知部は、
前記第１の波高値と前記第２の波高値との差が所定値以上であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、
前記差が前記所定値未満であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない
ことを特徴とする漏電検知回路。
【請求項４】
互いに直列接続されるスイッチとカップリングコンデンサとからなり、車両に搭載される直流電源のグランドラインに接続される絶縁回路と、前記グランドラインと前記車両のボディアースとの間に発振信号を出力する発振回路と、前記絶縁回路と前記発振回路との間に接続される検出抵抗と、前記検出抵抗にかかる電圧が入力される検知部とを備え、前記直流電源と前記ボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する漏電検知回路の漏電検知方法であって、
前記検知部は、
前記スイッチを導通させているときに前記検出抵抗にかかる電圧の第１の波高値が閾値以下であると、前記スイッチを遮断させ、
前記スイッチを遮断させた後に前記検出抵抗にかかる電圧の第２の波高値が前記閾値より高いと、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、
前記第２の波高値が前記閾値以下であると、前記絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない
ことを特徴とする漏電検知方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値の低下を検知する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
漏電検知回路として、直流電源のグランドラインにカップリングコンデンサを介して検出抵抗を接続するとともに、グランドラインとボディアースとの間に発振信号を出力し、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるとき、絶縁抵抗の抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知するものがある。
【０００３】
ところで、発振回路から発振信号が出力されていない状態や温度変化により検出抵抗の抵抗値が通常時の値と大きく異なっている状態など、漏電検知回路の故障が発生している場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していないにもかかわらず、漏電検知回路の故障の影響により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下になるおそれがある。
【０００４】
そのため、上記漏電検知回路では、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるとき、絶縁抵抗の抵抗値の低下により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのか、漏電検知回路の故障により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのかを判別することができず、漏電検知の精度が低いという懸念がある。
【０００５】
そこで、他の漏電検知回路として、漏電時の絶縁抵抗の抵抗値に相当する抵抗値の抵抗と、その抵抗に直列接続されるスイッチとからなる自己診断回路を、カップリングコンデンサと検出抵抗との接続点と、ボディアースとの間に接続し、スイッチを導通させて擬似的に漏電を発生させているとき、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であると、自身に故障が発生していないと判断するものがある。
【０００６】
関連する技術として、特許文献１〜３がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−０９８６８１号公報
【特許文献２】特開２０１３−１１３７１０号公報
【特許文献３】特開２０１８−００９８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記他の漏電検知回路においても、自身に故障が発生していないと判断した後において、検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下になると、上記漏電検知回路と同様に、絶縁抵抗の抵抗値低下により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのか、漏電検知回路の故障により検出抵抗にかかる電圧の波高値が閾値以下であるのかを判別することができず、漏電検知の精度が低いという懸念がある。
【０００９】
そこで、本発明の一側面に係る目的は、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る一つの形態である漏電検知回路は、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知する漏電検知回路であって、互いに直列接続されるスイッチとカップリングコンデンサとからなり、直流電源のグランドラインに接続される絶縁回路と、グランドラインとボディアースとの間に発振信号を出力する発振回路と、絶縁回路と発振回路との間に接続される検出抵抗と、検出抵抗にかかる電圧が入力される検知部とを備える。検知部は、スイッチを導通させているときに検出抵抗にかかる電圧の第１の波高値が閾値以下であると、スイッチを遮断させ、スイッチを遮断させた後に検出抵抗にかかる電圧の第２の波高値が閾値より高いと、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第２の波高値が閾値以下であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しない。
【００１１】
スイッチが導通しているときに取得される第１の波高値が閾値以下であり、次に、スイッチが遮断しているときに取得される第２の波高値が閾値より高い場合、漏電検知回路が故障していない可能性が高いため、第１の波高値が閾値以下になる原因が、漏電検知回路の故障ではなく、絶縁抵抗の抵抗値低下である可能性が高くなる。
【００１２】
また、スイッチが導通しているときに取得される第１の波高値が閾値以下であり、次に、スイッチが遮断しているときに取得される第２の波高値も閾値以下である場合、漏電検知回路が故障している可能性が高いため、第１の波高値が閾値以下になる原因が、絶縁抵抗の抵抗値低下ではなく、漏電検知回路の故障である可能性が高くなる。
【００１３】
そのため、上記検知部のように、第２の波高値が閾値より高い場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第２の波高値が閾値以下である場合、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないことで、漏電検知回路の故障により第１の波高値が閾値以下になっている可能性が低いときに、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知することができるとともに、漏電検知回路の故障により第１の波高値が閾値以下になっている可能性が高いときに、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないようにすることができるため、絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることができる。
【００１４】
また、検知部は、第２の波高値が閾値以下であると、漏電検知回路が故障していることを検知するように構成してもよい。
【００１５】
これにより、漏電検知回路は、自身が故障していることを検知することができる。
また、検知部は、第１の波高値と第２の波高値との差が所定値以上であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知し、第１の波高値と第２の波高値との差が所定値未満であると、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知しないように構成してもよい。
【００１６】
これにより、漏電検知回路の故障により第２の波高値が閾値より高くなる可能性が低いときに、絶縁抵抗の抵抗値が低下していることを検知することができるため、絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度をさらに向上させることができる。すなわち、漏電検知回路の故障による、絶縁抵抗の抵抗値の低下（漏電）の誤検知をさらに防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、車両に搭載される直流電源と車両のボディアースとの間の絶縁抵抗の抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態の漏電検知回路を示す図である。
【図２】検知部の動作の一例を示すフローチャートである。
【図３】検出抵抗にかかる電圧の一例を示す図である。
【図４】波高値の一例を示す図である。
【図５】変形例１における検知部の動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】変形例２における検知部の動作の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下図面に基づいて実施形態について詳細を説明する。
図１は、実施形態の漏電検知回路を示す図である。
【００２０】
直流電源Ｐは、直列接続される複数の電池（例えば、リチウムイオン電池またはニッケル水素電池）により構成される高圧バッテリであって、ハイブリッド車や電気自動車などの車両に搭載され、走行用モータを駆動するインバータ回路などの負荷Ｌｏに電力を供給する。
【００２１】
漏電検知回路１は、直流電源Ｐと車両のボディアースＢＥとの間の絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下を検知する。
【００２２】
また、漏電検知回路１は、絶縁回路２と、発振回路３と、検出抵抗Ｒｄと、記憶部４と、検知部５とを備える。
【００２３】
絶縁回路２は、互いに直列接続されるスイッチＳＷとカップリングコンデンサＣｃとからなり、直流電源ＰのグランドラインＧＬに接続される。図１に示す例では、スイッチＳＷの一方端が直流電源Ｐのマイナス端子に接続されるグランドラインＧＬに接続され、スイッチＳＷの他方端がカップリングコンデンサＣｃの一方端に接続され、カップリングコンデンサＣｃの他方端が検出抵抗Ｒｄと検知部５の入力端子との接続点に接続されている。なお、カップリングコンデンサＣｃの一方端がグランドラインＧＬに接続され、カップリングコンデンサＣｃの他方端がスイッチＳＷの一方端に接続され、スイッチＳＷの他方端が検出抵抗Ｒｄと検知部５の入力端子との接続点に接続されるように構成してもよい。
【００２４】
発振回路３は、グランドラインＧＬとボディアースＢＥとの間に発振信号を出力する。発振信号は、一例として、一定周波数の矩形波とする。
【００２５】
検出抵抗Ｒｄは、絶縁回路２と発振回路３との間に接続される。
記憶部４は、例えば、ＲＡＭ（Random Access Memory）またはＲＯＭ（Read Only Memory）などにより構成され、後述する閾値Ｖｔｈや所定値ΔＶｔｈを記憶する。
【００２６】
検知部５は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、マルチコアＣＰＵ、またはプログラマブルなデバイス（ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）やＰＬＤ（Programmable Logic Device））などにより構成される。
【００２７】
また、検知部５は、絶縁回路２と検出抵抗Ｒｄとの接続点に接続され、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄが入力される。なお、検出抵抗Ｒｄと検知部５との間において、電圧Ｖｄに含まれるノイズを除去するフィルタ回路や電圧Ｖｄを増幅する増幅回路などを接続してもよい。
【００２８】
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄの一例を示す図である。なお、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す直交座標の横軸は時間を示し、縦軸は電圧Ｖｄを示している。
【００２９】
図２（ａ）に示す電圧Ｖｄは、スイッチＳＷが導通している場合で、かつ、漏電検知回路１が故障していない場合における電圧Ｖｄを示しており、横軸の右側ほど時間が経過していることを示している。
【００３０】
スイッチＳＷが導通している場合で、かつ、漏電検知回路１が故障していない場合、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下に伴い、電圧Ｖｄの波高値も低下するものとする。すなわち、図２（ａ）は、時間の経過に伴い（横軸において左から右に進むのに伴い）絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下する場合を示している。
【００３１】
なお、漏電検知回路１が故障しているときの漏電検知回路１の状態として、発振回路３から発振信号が出力されていない状態、温度変化により検出抵抗Ｒｄの抵抗値が通常時の値と大きく異なる状態、検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄを増幅する増幅回路の増幅率が通常時の値と大きく異なる状態、スイッチＳＷが閉固着している状態などがある。
【００３２】
図２（ｂ）に示す電圧Ｖｄは、スイッチＳＷが遮断している場合における電圧Ｖｄを示しており、横軸の右側ほど時間が経過していることを示している。また、図２（ｂ）の左側の波形は、図２（ａ）の左側の波形と同じ時間を示し、図２（ｂ）の中央の波形は、図２（ａ）の中央の波形と同じ時間を示し、図２（ｂ）の右側の波形は、図２（ａ）の右側の波形と同じ時間を示している。
【００３３】
スイッチＳＷが遮断している場合、電圧Ｖｄの波高値は、閾値Ｖｔｈより高いものとする。すなわち、図２は、漏電検知回路１が故障していない場合であれば、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下に伴い電圧Ｖｄの波高値も低下するときであっても、スイッチＳＷを遮断すると電圧Ｖｄの波高値は閾値Ｖｔｈより高くなることを示している。スイッチＳＷを遮断すると検出抵抗Ｒｄと絶縁抵抗Ｒｉとが切り離されるため、検知部５から見て、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が高いときと同じ状態になるからである。
【００３４】
なお、スイッチＳＷが導通している場合で、かつ、漏電検知回路１が故障していない場合において、直流電源ＰとボディアースＢＥとの間に漏電電流が流れていないとき、電圧Ｖｄの波高値が閾値Ｖｔｈより高くなり、スイッチＳＷが導通している場合で、かつ、漏電検知回路１が故障していない場合において、直流電源ＰとボディアースＢＥとの間に漏電電流が流れているとき、電圧Ｖｄの波高値が閾値Ｖｔｈ以下になり、スイッチＳＷが遮断している場合において、電圧Ｖｄの波高値が閾値Ｖｔｈより高くなるように、閾値Ｖｔｈ、カップリングコンデンサＣｃの容量値、検出抵抗Ｒｄの抵抗値、並びに、発振回路３から出力される発振信号の振幅値及び周波数などが設計されているものとする。
【００３５】
図３は、検知部５の動作の一例を示すフローチャートである。なお、検知部５は、スイッチＳＷを導通させているとともに、発振回路３から発振信号を出力させているものとする。
【００３６】
まず、検知部５は、スイッチＳＷを導通させているときに検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄの波高値を、波高値Ｖ１（第１の波高値）として取得する（ステップＳ１）。
【００３７】
次に、検知部５は、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下であるか否かを判断する（ステップＳ２）。
【００３８】
検知部５は、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈより大きいと（ステップＳ２：Ｎｏ）、漏電や漏電検知回路１の故障が発生していないと判断して漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
【００３９】
一方、検知部５は、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下であると（ステップＳ２：Ｙｅｓ）、スイッチＳＷを遮断させ（ステップＳ３）、スイッチＳＷを遮断させた後に検出抵抗Ｒｄにかかる電圧Ｖｄの波高値を、波高値Ｖ２（第２の波高値）として取得する（ステップＳ４）。
【００４０】
次に、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高いか否かを判断する（ステップＳ５）。
【００４１】
検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高いと（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知し（ステップＳ６）、スイッチＳＷを導通させ（ステップＳ７）、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
【００４２】
ここで、図４（ａ）は、波高値Ｖ１、Ｖ２の一例を示す図である。なお、図４（ａ）に示す直交座標の横軸は時間を示し、縦軸は電圧Ｖｄを示している。
【００４３】
図４（ａ）に示す例では、スイッチＳＷが導通しているときに取得される波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になり、次に、スイッチＳＷが遮断しているときに取得される波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高くなり、次に、スイッチＳＷが再び導通したときの電圧Ｖｄの波高値が閾値Ｖｔｈ以下になっている。
【００４４】
このように、スイッチＳＷが導通しているときに取得される波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下であり、次に、スイッチＳＷが遮断しているときに取得される波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高い場合、漏電検知回路１が故障していない可能性が高いため、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる原因が、漏電検知回路１の故障ではなく、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値低下である可能性が高くなる。
【００４５】
そこで、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高い場合、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知する。これにより、漏電検知回路１の故障により波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になっている可能性が低いときに、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知することができる。これは、図２で示したように、漏電検知回路１が故障していない場合であれば、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下に伴い電圧Ｖｄの波高値も低下するときであっても、スイッチＳＷを遮断すると電圧Ｖｄの波高値は閾値Ｖｔｈより高くなることを利用している。すなわち、スイッチＳＷを遮断したときに波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高くなれば、漏電検知回路１が故障している可能性が低いと判断できるため、スイッチＳＷを導通したときの波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる原因は、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下（漏電）だと判断できる。
【００４６】
一方、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈ以下であると（ステップＳ５：Ｎｏ）、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知せず、スイッチＳＷを導通させ（ステップＳ７）、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
【００４７】
ここで、図４（ｂ）は、波高値Ｖ１、Ｖ２の他の例を示す図である。なお、図４（ｂ）に示す直交座標の横軸は時間を示し、縦軸は電圧Ｖｄを示している。
【００４８】
図４（ｂ）に示す例では、スイッチＳＷが導通しているときに取得される波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になり、次に、スイッチＳＷが遮断しているときに取得される波高値Ｖ２も閾値Ｖｔｈ以下になり、次に、スイッチＳＷが再び導通したときの電圧Ｖｄの波高値も閾値Ｖｔｈ以下になっている。
【００４９】
このように、スイッチＳＷが導通しているときに取得される波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下であり、次に、スイッチＳＷが遮断しているときに取得される波高値Ｖ２も閾値Ｖｔｈ以下である場合、漏電検知回路１が故障している可能性が高いため、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる原因が、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値低下ではなく、漏電検知回路１の故障である可能性が高くなる。
【００５０】
そこで、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈ以下である場合、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知しない。これにより、漏電検知回路１の故障により波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になっている可能性が高いときに、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知しないようにすることができる。
【００５１】
このように、実施形態の漏電検知回路１では、漏電検知回路１の故障により波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になっている可能性が低いときに、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知することができるとともに、漏電検知回路１の故障により波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になっている可能性が高いときに、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知しないようにすることができるため、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度を向上させることができる。すなわち、漏電検知回路１の故障による、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下（漏電）の誤検知を防ぐことができる。
【００５２】
また、本発明は、以上の実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更が可能である。
【００５３】
＜変形例１＞
図５は、変形例１における検知部５の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図５に示すステップＳ１〜Ｓ７は、図２に示すステップＳ１〜Ｓ７と同様である。
【００５４】
図５に示すフローチャートにおいて、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈ以下であると（ステップＳ５：Ｎｏ）、漏電検知回路１が故障していることを検知し（ステップＳ８）、スイッチＳＷを導通させ（ステップＳ７）、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
【００５５】
上述したように、スイッチＳＷが導通しているときに取得される波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下であり、次に、スイッチＳＷが遮断しているときに取得される波高値Ｖ２も閾値Ｖｔｈ以下である場合、漏電検知回路１が故障している可能性が高いため、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる原因が、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値低下ではなく、漏電検知回路１の故障である可能性が高くなる。
【００５６】
そこで、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈ以下である場合、漏電検知回路１が故障していることを検知する。これにより、漏電検知回路１は、自身が故障していることを検知することができる。
【００５７】
＜変形例２＞
図６は、変形例２における検知部５の動作の一例を示すフローチャートである。なお、図５に示すステップＳ１〜Ｓ７は、図２に示すステップＳ１〜Ｓ７と同様である。
【００５８】
図６に示すフローチャートにおいて、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高いと（ステップＳ５：Ｙｅｓ）、波高値Ｖ１と波高値Ｖ２との差ΔＶ（絶対値）を算出し（ステップＳ９）、差ΔＶが所定値ΔＶｔｈ以上であるか否かを判断する（ステップＳ１０）。
【００５９】
検知部５は、差ΔＶが所定値ΔＶｔｈ以上であると（ステップＳ１０：Ｙｅｓ）、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していること、すなわち、漏電が発生していることを検知し（ステップＳ６）、スイッチＳＷを導通させ（ステップＳ７）、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
【００６０】
一方、検知部５は、差ΔＶが所定値ΔＶｔｈ未満であると（ステップＳ１０：Ｎｏ）、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知せず、スイッチＳＷを導通させ（ステップＳ７）、漏電検知処理を終了し、次の漏電検知処理まで待機する。
【００６１】
絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下すると同時に、漏電検知回路１の検出抵抗Ｒｄの抵抗値が増加したり、発振回路３から出力される発振信号の振幅値（電圧）が低下する場合であっても波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる場合がある。このとき、スイッチＳＷを遮断させると、波高値Ｖ２は閾値Ｖｔｈより高い値になるが、波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる原因が、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が本当に低下したからなのか、漏電検知回路１の故障（検出抵抗Ｒｄの抵抗値が増加や、発振回路３から出力される発振信号の電圧の低下）も影響したからなのか判別できない。そこで、所定値ΔＶｔｈを設定することで、波高値Ｖ１と波高値Ｖ２との差が所定値ΔＶｔｈ以上である場合、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高くなった原因が、漏電検知回路１の故障ではない可能性が高くなる。言い換えると、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下と、漏電検知回路１の故障とが混在して波高値Ｖ１が閾値Ｖｔｈ以下になる場合であっても、波高値Ｖ１と波高値Ｖ２との差が所定値ΔＶｔｈ以上あるか否かを判断することで、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高いか否かを判断するだけの場合に比べて漏電検知回路１の故障の影響を小さくすることができる。
【００６２】
ここで、検知部５は、波高値Ｖ１と波高値Ｖ２との差ΔＶが所定値ΔＶｔｈ以上である場合、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知する。これにより、漏電検知回路１の故障により波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈより高くなる可能性が低いときに、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下していることを検知することができるため、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値が低下しているか否かの漏電検知の精度をさらに向上させることができる。すなわち、漏電検知回路１の故障による、絶縁抵抗Ｒｉの抵抗値の低下（漏電）の誤検知をさらに防ぐことができる。
【００６３】
なお、図６に示すフローチャートにおいて、検知部５は、波高値Ｖ２が閾値Ｖｔｈ以下であると（ステップＳ５：Ｎｏ）、漏電検知回路１が故障していることを検知してもよい。これにより、漏電検知回路１は、自身が故障していることを検知することができる。
【００６４】
また、図６に示すフローチャートにおいて、検知部５は、差ΔＶが所定値ΔＶｔｈ未満であると（ステップＳ１０：Ｎｏ）、漏電検知回路１が故障していることを検知してもよい。これにより、漏電検知回路１は、自身が故障していることを検知することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１  漏電検知回路
２  絶縁回路
３  発振回路
４  記憶部
５  検知部
Ｐ  直流電源
Ｌｏ  負荷
ＧＬ  グランドライン
ＢＥ  ボディアース
Ｒｉ  絶縁抵抗
Ｃｃ  カップリングコンデンサ
Ｒｄ  検出抵抗
ＳＷ  スイッチ
【図１】
2020003367.tif 000003
【図２】
2020003367.tif 000004
【図３】
2020003367.tif 000005
【図４】
2020003367.tif 000006
【図５】
2020003367.tif 000007
【図６】
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