(57)【要約】【課題】簡易な構成で光を検出するための閾値を設定できる技術を提供する。【解決手段】画像形成装置は、光源と、前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源が射出する光により感光体を走査する走査手段と、前記光源が射出する前記光を検出して前記走査の同期信号を出力する検出手段と、前記光源を制御する１つ以上の制御信号を前記駆動手段に出力する制御手段と、前記１つ以上の制御信号の少なくとも１つにより、前記検出手段が前記光を検出するための閾値を設定する設定手段と、を備えている。【選択図】図３
2020101628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源を駆動する駆動手段と、
前記光源が射出する光により感光体を走査する走査手段と、
前記光源が射出する前記光を検出して前記走査の同期信号を出力する検出手段と、
前記光源を制御する１つ以上の制御信号を前記駆動手段に出力する制御手段と、
前記１つ以上の制御信号の少なくとも１つにより、前記検出手段が前記光を検出するための閾値を設定する設定手段と、
を備えていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記１つ以上の制御信号は、前記光源の動作モードを設定するための信号であり、
前記制御手段は、前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードを、前記光源の発光強度に応じて決定し、決定された前記光源の動作モードに応じて前記１つ以上の制御信号を決定し、
前記設定手段は、決定された前記１つ以上の制御信号により、前記検出手段が前記光を検出するための閾値を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記光源の発光強度が第１の値である場合、前記制御手段は、前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードを第１モードに設定し、
前記光源の発光強度が前記第１の値より大きい第２の値である場合、前記制御手段は、前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードを第２モードに設定し、
前記動作モードを前記第２モードにするための前記１つ以上の制御信号により前記設定手段が設定する前記閾値は、前記動作モードを前記第１モードにするための前記１つ以上の制御信号により前記設定手段が設定する前記閾値より高いことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードは、前記光源を連続的に発光させるモードであることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードは、前記光源の発光強度が目標発光強度となる様に調整するモードと、前記目標発光強度への調整後の発光強度で前記光源を連続的に発光させるモードと、を含む複数のモードから選択されることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記画像形成装置は、複数の前記光源を備え、
前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードは、複数の前記光源の少なくとも１つを連続的に発光させるモードであることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記検出手段が前記光を検出するタイミングにおける前記光源の動作モードは、複数の前記光源の少なくとも１つの発光強度が目標発光強度となる様に調整するモードと、前記目標発光強度への調整後の発光強度で複数の前記光源の少なくとも１つを連続的に発光させるモードと、を含む複数のモードから選択されることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記設定手段は、抵抗回路網を含み、
前記設定手段は、前記１つ以上の制御信号の前記少なくとも１つにより、前記抵抗回路網の抵抗値を制御することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記抵抗回路網は、トランジスタを含み、
前記設定手段は、前記１つ以上の制御信号の前記少なくとも１つにより、前記抵抗回路網に含まれるトランジスタをオン・オフすることを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記検出手段は、前記検出手段に入射する光に応じた電流を出力する出力手段を有し、
前記設定手段が設定する前記閾値は、前記出力手段が出力する電流を前記抵抗回路網に流すことで前記抵抗回路網に生じる電圧に基づく値であることを特徴とする請求項８又は９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
前記検出手段は、前記抵抗回路網に生じる前記電圧が基準電圧より大きくなると、前記光を検出することを特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置の光学走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置においては、感光体の膜厚変化や温度変化等の影響を抑えて安定した画像を形成するため、感光体を走査・露光する際、光源の発光強度を制御する。近年、感光体の長寿命化に伴い感光体の膜厚変化量が大きくなっているため、必要な露光強度の変化量も大きくなっている。これに伴い、感光体を走査する際の主走査同期タイミングを検出する同期検出センサ（以下、ＢＤセンサとも呼ぶ）には、広い光強度範囲の光を検出できることが求められる。ＢＤセンサは、入射光の強度が閾値を超えるとその出力を変化させる。特許文献１は、光源の光強度を検出し、検出した光強度に基づき閾値を制御する構成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３３６３３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の構成では、光源の光強度を検出するための回路、及び、閾値を設定するための制御信号が必要であり、よって、回路構成が複雑化し、コストアップとなる。
【０００５】
本発明は、簡易な構成で光を検出するための閾値を設定できる技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によると、画像形成装置は、光源と、前記光源を駆動する駆動手段と、前記光源が射出する光により感光体を走査する走査手段と、前記光源が射出する前記光を検出して前記走査の同期信号を出力する検出手段と、前記光源を制御する１つ以上の制御信号を前記駆動手段に出力する制御手段と、前記１つ以上の制御信号の少なくとも１つにより、前記検出手段が前記光を検出するための閾値を設定する設定手段と、を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、簡易な構成で光を検出するための閾値を設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態による画像形成装置の構成図。
【図２】一実施形態による光学走査装置の構成図。
【図３】一実施形態による光学ユニットの制御構成図。
【図４】一実施形態による２つの半導体レーザの配置位置の関係を示す図。
【図５】一実施形態による制御信号の論理と動作モードとの関係を示す図。
【図６】一実施形態によるＢＤセンサの構成図。
【図７】一実施形態による動作モードの遷移パターンを示す図。
【図８】一実施形態による光学ユニットの制御構成図。
【図９】一実施形態による動作モードの遷移パターンを示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態は例示であり、本発明を実施形態の内容に限定するものではない。また、以下の各図においては、実施形態の説明に必要ではない構成要素については図から省略する。
【００１０】
＜第一実施形態＞
図１は、本実施形態による画像形成装置４０１の構成図である。画像形成時、感光体４０９は、図の時計回り方向に回転駆動される。プロセスカートリッジ４０８の図示しない帯電部は、感光体４０９を所定電位に帯電させる。光学台４０３に載置された光学走査装置４００は、光により感光体４０９を走査・露光し、感光体４０９に静電潜像を形成する。プロセスカートリッジ４０８の図示しない現像部は、感光体４０９の静電潜像を現像剤で現像し、感光体４０９に現像剤像を形成する。一方、給紙部４０４に格納された転写材Ｐは、給紙ローラ４０５により、感光体４０９の対向位置に搬送される。転写ローラ４０６は、感光体４０９の現像剤像を転写材Ｐに転写する。現像剤像が転写された転写材Ｐは、定着器４０７に搬送される。定着器４０７は、転写材Ｐに現像剤像を定着させる。現像剤像の定着後、転写材Ｐは、排出ローラ４１０により画像形成装置４０１の外部に排出される。
【００１１】
図２は、光学走査装置４００の構成図である。画像形成時、回転多面鏡５０４は、回転駆動される。光源を含む光源ユニット１０５は、光束Ｌ（以下、光Ｌと表現する）を射出する。光Ｌは、コリメータレンズ等を含む光学部材５０２及び開口絞り５０３を通過後、回転多面鏡（ポリゴンミラー）５０４の反射面５１２により反射される。反射面５１２により反射された光Ｌは、ｆ−θレンズ５０７を介して感光体４０９を露光する。なお、回転多面鏡５０４の回転により、反射面５１２により反射された光Ｌは、感光体４０９の回転軸と平行な主走査方向に移動し、これにより感光体４０９は、主走査方向において光Ｌにより走査される。また、反射面５１２の向きに応じて、反射面５１２により反射された光Ｌは、ＢＤレンズ５１４を介して光源ユニット１０５のＢＤセンサ１０３に入射する。ＢＤセンサ１０３は、光Ｌの入射を検出すると、光Ｌが入射したタイミングを示す信号（以下、ＢＤ信号）を出力する。ＢＤ信号は、各走査線について、光Ｌによる感光体４０９への静電潜像の形成開始タイミングを判定するために使用される。つまり、ＢＤ信号は、光Ｌによる各走査のタイミングを示す同期信号である。
【００１２】
図３は、光源ユニット１０５の制御構成図である。本実施形態において、光源ユニット１０５は、２つの光源、より詳しくは、２つの半導体レーザ１０６及び１０８を有する。２つの半導体レーザ１０６及び１０８それぞれが射出する光は、それぞれ、感光体４０９を走査・露光する。図４は、半導体レーザ１０６と１０８の配置位置の関係を示している。半導体レーザ１０６と１０８が射出する光は、それぞれ、感光体４０９の異なる副走査方向位置及び異なる主走査方向位置を同時に露光する様に、半導体レーザ１０６と１０８は配置される。そして、２つの半導体レーザ１０６及び１０８それぞれが射出する２つの光により、副走査方向の位置が異なる２つの走査線に沿って感光体４０９の露光が行われる。なお、副走査方向とは主走査方向に直交する方向である。
【００１３】
図３に戻り、制御部１０１は、レーザ制御ＩＣ１０２に制御信号を送信し、レーザ制御ＩＣ１０２は、制御部１０１からの制御信号に基づき半導体レーザ１０６及び１０８を駆動、つまり、半導体レーザ１０６及び１０８の発光を制御する。フォトダイオード１０７は、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度を検出し、検出結果をレーザ制御ＩＣ１０２に通知する。本実施形態において、制御部１０１がレーザ制御ＩＣ１０２に出力する制御信号は、強度信号、ビデオ信号１、ビデオ信号２、ＣＮＴ０、ＣＮＴ１、ＣＮＴ２の６つの信号を含むものとする。ここで、強度信号は、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度を示す信号である。強度信号は、例えば、半導体レーザ１０６及び１０８の最大発光強度を１００％としたときの半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度を０〜１００％の範囲で指定する。例えば、制御部１０１は、新品のプロセスカートリッジ４０８が画像形成装置４０１に装着されると、発光強度を６０％に設定する。そして、画像形成を行った転写材Ｐの累積枚数が増加するに応じて、発光強度を強くする。画像形成を行うことにより、感光体４０９の膜厚が減少し、光に対する感度が劣化するため、画像形成を行った転写材Ｐの累積数の増加に応じて発光強度を強くすることで、感光体４０９の摩耗の影響を抑えて、安定した品質で画像を形成することができる。なお、光強度は、画像形成を行った転写材Ｐの累積数のみならず、画像形成装置４０１の環境温度等によっても制御され得る。
【００１４】
ビデオ信号１は、半導体レーザ１０６により感光体４０９に形成される静電潜像に対応する信号であり、ビデオ信号２は、半導体レーザ１０８により感光体４０９に形成される静電潜像に対応する信号である。レーザ制御ＩＣ１０２は、感光体４０９に静電潜像を形成する際、ビデオ信号１に基づき半導体レーザ１０６の発光のオン・オフを制御し、ビデオ信号２に基づき半導体レーザ１０８の発光のオン・オフを制御する。ＣＮＴ０、ＣＮＴ１、ＣＮＴ２は、それぞれ、２値信号であり、制御部１０１は、ＣＮＴ０、ＣＮＴ１、ＣＮＴ２それぞれの出力値の組み合わせにより半導体レーザ１０６及び１０８の動作モードを指定する。なお、本実施形態においては、ＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）モードと、強制発光モードと、ＶＤＯ（ビデオ）モードと、マスクモードと、リセットモードの計５つの動作モードを使用するものとする。
【００１５】
ＡＰＣモードとは、半導体レーザ１０６、１０８を発光させ、フォトダイオード１０７の検出結果に基づき半導体レーザ１０６、１０８の発光強度を強度信号により指定された目標発光強度に調整するモードである。ＡＰＣモードでは、半導体レーザ１０６、１０８に流す電流値が決定される。強制発光モードとは、ＡＰＣモードで決定した電流値を半導体レーザ１０６、１０８に流して半導体レーザ１０６、１０８を連続して発光させるモード、つまり、ＡＰＣモードによる調整後の発光強度で半導体レーザを発光させるモードである。ＶＤＯモードとは、ビデオ信号１及びビデオ信号２に応じて半導体レーザ１０６及び１０８の発光をオン・オフするモードである。なお、オンの間、半導体レーザ１０６及び１０８には、ＡＰＣモードで決定した電流値の電流が流れる。マスクモード及びリセットモードは、それぞれ、半導体レーザ１０６及び１０８の発光を停止させるモードである。なお、リセットモードでは、ＡＰＣモードで決定した電流値がリセットされ、マスクモードでは、ＡＰＣモードで決定した電流値はリセットされない。
【００１６】
図５は、本実施形態において、半導体レーザ１０６及び１０８をＡＰＣモードと強制発光モードとするためのＣＮＴ０、ＣＮＴ１、ＣＮＴ２それぞれの出力値を示している。なお、その他のモードについては、本実施形態の説明には必要が無いため省略している。
【００１７】
図３に戻り、ＢＤセンサ１０３は、出力端子からＢＤ信号を出力する。ＢＤ信号は、制御部１０１に入力される。また、閾値設定端子には、抵抗Ｒ１、抵抗Ｒ２及びトランジスタＴｒ１を含む抵抗回路網６０４（図６）が接続される。図３によると、閾値設定端子には、抵抗Ｒ２及び抵抗Ｒ１の一端がそれぞれ接続される。なお、抵抗Ｒ１及び抵抗Ｒ２の抵抗値をそれぞれＲ１及びＲ２とする。抵抗Ｒ１の他端は接地される。一方、抵抗Ｒ２の他端は、トランジスタＴｒ１のコレクタ端子に接続される。トランジスタＴｒ１のエミッタ端子は接地され、トランジスタＴｒ１のベース端子は、ＣＮＴ２に接続される。ＣＮＴ２がハイレベルであると、Ｔｒ１が導通する。したがって、ＣＮＴ２がハイレベルであると、ＢＤセンサ１０３の閾値設定端子に接続される抵抗の抵抗値は、Ｒｓ＝（Ｒ１×Ｒ２）／（Ｒ１＋Ｒ２）となる。一方、ＣＮＴ２がローレベルであると、Ｔｒ１は導通しない。したがって、ＣＮＴ２がローレベルであると、ＢＤセンサ１０３の閾値設定端子に接続される抵抗の抵抗値は、Ｒｓより大きいＲ１となる。
【００１８】
図６は、ＢＤセンサ１０３の構成図である。ＢＤセンサ１０３は、フォトダイオード６０１と、電流アンプ６０３と、コンパレータ６０２と、を有する。コンパレータ６０２の正端子には、基準電圧Ｖｒｅｆが入力され、コンパレータ６０２の負端子には、電流アンプ６０３の出力が接続される。なお、電流アンプ６０３の出力は、閾値設定端子にも接続される。ＢＤセンサ１０３に入射した光は、フォトダイオード６０１により受光される。フォトダイオード６０１は、受光強度に応じた電流Ｉを出力する。フォトダイオード６０１が出力する電流Ｉは、電流アンプ６０３でα倍に増幅され、閾値設定端子に接続された抵抗回路網６０４に流れる。電流アンプ６０３の出力電流が抵抗回路網６０４に流れることで、コンパレータ６０２の負端子には、抵抗回路網６０４の抵抗値と、電流アンプ６０３が出力する電流値との積に対応する電圧Ｖｉｎが入力される。
【００１９】
電圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆ以下であると、コンパレータ６０２は、ハイレベルを出力し、電圧Ｖｉｎが電圧Ｖｒｅｆより大きいと、コンパレータ６０２は、ローレベルを出力する。したがって、ＢＤセンサ１０３に入射する光が所定強度以下であると、ＢＤ信号はハイレベルであり、ＢＤセンサ１０３に入射する光が所定強度より大きくなると、ＢＤ信号はローレベルとなる。この所定強度は、閾値であり、抵抗回路網６０４の抵抗値により変化する。具体的には、抵抗回路網６０４の抵抗値が大きくなると、閾値は低くなり、抵抗回路網６０４の抵抗値が小さくなると、閾値は大きくなる。閾値が大きくなると、ＢＤ信号をローレベルとするために必要なフォトダイオード６０１への入射強度も大きくなる。
【００２０】
図７は、画像形成時の半導体レーザ１０６及び１０８の動作モードの遷移のパターンを示している。なお、図７では、半導体レーザ１０６をＡレーザと表記し、半導体レーザ１０８をＢレーザと表記している。画像形成時、回転多面鏡５０４は、一定の回転速度で回転されるため、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミングの間隔も略一定となる。この間隔は、例えば、５００μｓである。パターン＃１では、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、制御部１０１は、半導体レーザ１０６のＡＰＣを行う。制御部１０１は、ＢＤセンサ１０３に光が入射してＢＤ信号がローレベルとなり、かつ、半導体レーザ１０６のＡＰＣが完了すると、半導体レーザ１０８のＡＰＣを行う。その後、感光体４０９への静電潜像の形成開始位置に光が到達するまでの間、制御部１０１は、半導体レーザ１０６及び１０８をマスクモードに設定する。そして、感光体４０９への静電潜像の形成開始位置に光が到達すると、制御部１０１は、半導体レーザ１０６及び１０８をＶＤＯモードに設定して、感光体４０９に静電潜像の形成を行う。パターン＃２では、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、制御部１０１は、半導体レーザ１０６を強制発光モードにする。制御部１０１は、ＢＤ信号がローレベルとなると、半導体レーザ１０６及び１０８のＡＰＣを行う。その後は、パターン＃１と同様である。この様に、本実施形態では、各走査線について、感光体４０９への静電潜像の形成開始前に、制御部１０１は、ＡＰＣを行って半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度を調整する。これにより、半導体レーザ１０６及び１０８の温度変化等による半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度の変化を抑えて、安定した品質で画像を形成する。
【００２１】
制御部１０１は、ＢＤ信号がハイレベルからローレベルに変化したタイミングを、ＢＤセンサ１０３に光が入射したタイミングとして検知する。ここで、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が小さいときに、閾値を大きくすると、ＢＤ信号がハイレベルからローレベルに変化するタイミングが、ＢＤセンサ１０３に光が入射したタイミングより遅くなる。一方、閾値を小さくしすぎると、誤検出、つまり、ＢＤセンサ１０３に半導体レーザが射出した光が入射していないにもかかわらず、ＢＤ信号がローレベルとなることが生じ得る。したがって、ＢＤセンサ１０３に光が入射したタイミングを精度良く検出するには、光源の発光強度に応じて適切に閾値を設定することが重要になる。このため、本実施形態では、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が所定値以上であるか否かで、閾値設定端子に接続される抵抗値を変化させて閾値を変化させる。例えば、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が８０％以上であるときの閾値を、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が８０％未満であるときの閾値より高くする。
【００２２】
ここで、図５に示す様に、半導体レーザ１０６をＡＰＣモードに設定するためのＣＮＴ２はローレベルであり、この間、閾値設定端子に接続される抵抗の抵抗値は、Ｒ１となる。一方、図５に示す様に、半導体レーザ１０６を強制発光モードに設定するためのＣＮＴ２はハイレベルであり、この間、閾値設定端子に接続される抵抗の抵抗値は、Ｒ１より小さいＲｓとなる。したがって、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が所定強度以上であるとパターン＃２を使用する。また、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が所定値より低いとパターン＃１を使用する。この構成により、ＢＤセンサ１０３が使用する閾値を、発光強度に応じて変化させることができる。
【００２３】
図３に示す通り、本実施形態では、制御部１０１が半導体レーザ１０６及び１０８を制御するためにレーザ制御ＩＣ１０２に出力する複数の制御信号の１つの信号によりＢＤセンサ１０３がＢＤ信号の生成に使用する閾値を切り替えている。なお、図５及び図７に示す様に、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミングにおいては、ＢＤセンサ１０３に確実に光を入射させるため、半導体レーザ１０６は、連続的に発光するモードとする必要がある。なお、ＡＰＣモード及び強制発光モードは、いずれも、半導体レーザを連続して発光させるモードである。したがって、本実施形態では、ＡＰＣモード及び強制発光モードに設定するためのＣＮＴ０、ＣＮＴ１、ＣＮＴ２の値のうち、ＡＰＣモードと強制発光モードで値の異なるＣＮＴ２を利用して閾値を切り替えている。この様に、本実施形態では、ＢＤセンサ１０３が利用する閾値を制御するための信号を追加することなく、光源の発光強度に応じた閾値をＢＤセンサ１０３に設定することができる。つまり、簡易、かつ、安価な構成で光を検出するための閾値を設定することができる。また、光源の発光強度に応じて閾値を制御することで、広い強度範囲の光を検出することができる。
【００２４】
＜第二実施形態＞
続いて、第二実施形態について第一実施形態との相違点を中心に説明する。図８は、本実施形態による光源ユニット１０５の制御構成図である。本実施形態において、光源ユニット１０５の閾値設定端子には、抵抗Ｒ１、Ｒ２及びＲ３と、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２及びＴｒ３を含む抵抗回路網６０４が接続される。なお、抵抗Ｒ１、Ｒ２及びＲ３の抵抗値を、それぞれ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３とする。図８によると、抵抗Ｒ１とトランジスタＴｒ１との直列接続と、抵抗Ｒ２とトランジスタＴｒ２との直列接続と、抵抗Ｒ３とトランジスタＴｒ３との直列接続と、がそれぞれ光源ユニット１０５の閾値設定端子に接続される。なお、トランジスタＴｒ１のベース端子は、ＣＮＴ０に接続され、トランジスタＴｒ２のベース端子は、ＣＮＴ１に接続され、トランジスタＴｒ３のベース端子は、ＣＮＴ２に接続される。
【００２５】
図９は、画像形成時の半導体レーザ１０６及び１０８の動作モードの遷移のパターンを示している。図９においても、図７と同様に半導体レーザ１０６をＡレーザと表記し、半導体レーザ１０８をＢレーザと表記している。本実施形態においては、パターン＃１からパターン＃４の４つのパターンを使用する。パターン＃１では、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、制御部１０１は、半導体レーザ１０６のＡＰＣを行う。パターン＃２では、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、制御部１０１は、半導体レーザ１０８のＡＰＣを行う。パターン＃３では、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、制御部１０１は、半導体レーザ１０６を強制発光モードにする。パターン＃４では、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、制御部１０１は、半導体レーザ１０８を強制発光モードにする。
【００２６】
なお、図４で説明した様に、半導体レーザ１０６及び１０８が射出する光の副走査方向の位置は異なるが、ＢＤセンサ１０３は、半導体レーザ１０６及び１０８が射出する光のいずれも受光可能な様に構成される。さらに、図４で説明した様に、半導体レーザ１０６及び１０８が射出する光の主走査方向位置も異なる。したがって、ＢＤセンサ１０３が光を検出してからＶＤＯモードに遷移させるまでの期間は、ＢＤセンサ１０３により検出されたのが、半導体レーザ１０６が射出した光であるか、半導体レーザ１０８が射出した光であるかに応じて調整される。
【００２７】
図５に示す様に、パターン＃１の場合、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、ＣＮＴ１はハイレベルであり、ＣＮＴ０及びＣＮＴ２はローレベルである。したがって、抵抗回路網６０４の抵抗値はＲ２となる。パターン＃２の場合、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、ＣＮＴ０はハイレベルであり、ＣＮＴ１及びＣＮＴ２はローレベルである。したがって、抵抗回路網６０４の抵抗値はＲ１となる。パターン＃３の場合、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、ＣＮＴ１及びＣＮＴ２はハイレベルであり、ＣＮＴ０はローレベルである。したがって、抵抗回路網６０４の抵抗値は（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）となる。パターン＃４の場合、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近において、ＣＮＴ０及びＣＮＴ２はハイレベルであり、ＣＮＴ１はローレベルである。したがって、抵抗回路網６０４の抵抗値は（Ｒ１×Ｒ３）／（Ｒ１＋Ｒ３）となる。
【００２８】
本実施形態では、（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）の値が（Ｒ１×Ｒ３）／（Ｒ１＋Ｒ３）の値より小さく、（Ｒ１×Ｒ３）／（Ｒ１＋Ｒ３）の値がＲ２の値より小さく、Ｒ２の値がＲ１の値より小さいものとする。この場合、ＢＤセンサ１０３の閾値が一番高くなるのは、半導体レーザ１０６を強制発光モードとしたときになる。また、ＢＤセンサ１０３の閾値が２番目に高くなるのは、半導体レーザ１０８を強制発光モードとしたときになる。さらに、ＢＤセンサ１０３の閾値が３番目に高くなるのは、半導体レーザ１０６をＡＰＣモードとしたときになる。さらに、ＢＤセンサ１０３の閾値が最も低くなるのは、半導体レーザ１０８をＡＰＣモードとしたときになる。つまり、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミング付近におけるＢＤセンサ１０３の閾値は、パターン＃３、パターン＃４、パターン＃１、パターン＃２の順で低くなる。
【００２９】
このため、本実施形態では、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が８０％以上であるときにはパターン＃３を使用する。そして、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が６０％以上、かつ、８０％未満であるときにはパターン＃４を使用する。また、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度が４０％以上、かつ、６０％未満であるときにはパターン＃１を使用する。そして、半導体レーザ１０６及び１０８の発光強度がそれ以外の場合には、パターン＃２を使用する。
【００３０】
以上、本実施形態においても、ＢＤセンサ１０３が利用する閾値を制御するための信号を追加することなく、光源の発光強度に応じた閾値をＢＤセンサ１０３に設定することができる。よって、安価な構成で、広い強度範囲の光を検出することができる。さらに、本実施形態では、複数の光源のいずれか１つが連続的に光を射出する複数のモードから、ＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミングにおいて使用するモードが選択される。具体的には、本実施形態の例においては、半導体レーザ１０６のＡＰＣモード及び強制発光モードと、半導体レーザ１０８のＡＰＣモード及び強制発光モードと、の計４つのモードからＢＤセンサ１０３に光が入射するタイミングにおいて使用するモードが選択される。複数の光源のいずれか１つが連続的に光を射出する複数のモードに設定するための制御信号ＣＮＴ０〜２の出力パターンはそれぞれ異なる。したがって、抵抗回路網６０４を適切に構成することで、この複数のモードに設定するための制御信号により設定される閾値を互いに異ならせることができる。つまり、利用できる閾値の数を増やすことができ、よって、光源の発光強度に対して、閾値をより細かく設定することができる。
【００３１】
［その他の実施形態］
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００３２】
１０６、１０８：半導体レーザ、１０２：レーザ制御ＩＣ、１０３：ＢＤセンサ、１０１：制御部、６０４：抵抗回路網
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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