(57)【要約】【課題】剪断力を発生させる被転写体の所定箇所を特定すること。【解決手段】実施形態の摺動阻害箇所抽出方法は、被転写体上の樹脂にパターンを有する原版を押し付け、樹脂を硬化させて原版のパターンを転写するパターン形成に適用され、１回の転写でパターン形成される領域であるショット領域内において、硬化前の樹脂に接触した状態での原版の摺動を阻害する摺動阻害箇所を、被転写体の表面の凹凸分布、原版のパターンレイアウト、及び転写パターンの合わせずれ結果の少なくともいずれかに基づき摺動阻害箇所を推定し、推定に基づいてショット領域内における樹脂の厚さを変化させて原版の摺動阻害が発生するか否かを判定する手法、または、摺動阻害箇所のショット領域内分布と転写パターンの合わせずれとの関係を示すテーブルを用いる手法、のいずれかにより抽出する。【選択図】図９
2020047691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写体上の樹脂にパターンを有する原版を押し付け、前記樹脂を硬化させて前記原版の前記パターンを転写するパターン形成に適用され、
１回の転写でパターン形成される領域であるショット領域内において、硬化前の前記樹脂に接触した状態での前記原版の摺動を阻害する摺動阻害箇所を、
前記被転写体の表面の凹凸分布、前記原版のパターンレイアウト、及び転写パターンの合わせずれ結果の少なくともいずれかに基づき前記摺動阻害箇所を推定し、前記推定に基づいて前記ショット領域内における前記樹脂の厚さを変化させて前記原版の摺動阻害が発生するか否かを判定する手法、または、
前記摺動阻害箇所の前記ショット領域内分布と前記転写パターンの合わせずれとの関係を示すテーブルを用いる手法、のいずれかにより抽出する、
摺動阻害箇所抽出方法。
【請求項２】
抽出した前記摺動阻害箇所の前記樹脂を厚くすることにより前記原版の摺動阻害が緩和されることを確認する、
請求項１に記載の摺動阻害箇所抽出方法。
【請求項３】
前記パターン形成に適用するときは、
抽出した前記摺動阻害箇所の前記樹脂を厚くすることにより前記原版の摺動阻害を緩和する、
請求項１または請求項２に記載の摺動阻害箇所抽出方法。
【請求項４】
被転写体上の樹脂にパターンを有する原版を押し付け、前記樹脂を硬化させて前記原版の前記パターンを転写するパターン形成方法であって、
１回の転写でパターン形成される領域であるショット領域内において、硬化前の前記樹脂に接触した状態での前記原版の摺動を阻害する摺動阻害箇所を、
前記被転写体の表面の凹凸分布、前記原版のパターンレイアウト、及び転写パターンの合わせずれ結果の少なくともいずれかに基づき前記摺動阻害箇所を推定し、前記推定に基づいて前記ショット領域内における前記樹脂の厚さを変化させて前記原版の摺動阻害が発生するか否かを判定する手法、または、
前記摺動阻害箇所の前記ショット領域内分布と前記転写パターンの合わせずれとの関係を示すテーブルを用いる手法、のいずれかにより抽出し、
抽出した前記摺動阻害箇所の前記樹脂を厚くすることにより前記原版の摺動阻害を緩和して前記被転写体上に前記パターンを転写する、
パターン形成方法。
【請求項５】
半導体基板上の樹脂系マスク材にパターンを有する原版を押し付け、前記樹脂系マスク材を硬化させて前記原版の前記パターンを転写する半導体装置の製造方法であって、
１回の転写でパターン形成される領域であるショット領域内において、硬化前の前記樹脂系マスク材に接触した状態での前記原版の摺動を阻害する摺動阻害箇所を、
前記半導体基板の表面の凹凸分布、前記原版のパターンレイアウト、及び転写パターンの合わせずれ結果の少なくともいずれかに基づき前記摺動阻害箇所を推定し、前記推定に基づいて前記ショット領域内における前記樹脂系マスク材の厚さを変化させて前記原版の摺動阻害が発生するか否かを判定する手法、または、
前記摺動阻害箇所の前記ショット領域内分布と前記転写パターンの合わせずれとの関係を示すテーブルを用いる手法、のいずれかにより抽出し、
抽出した前記摺動阻害箇所の前記樹脂系マスク材を厚くすることにより前記原版の摺動阻害を緩和して前記半導体基板上に前記パターンを転写する、
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、摺動阻害箇所抽出方法、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被転写体上に微細なパターンを形成する方法として、被転写体上の樹脂に原版を押し付けて硬化させて原版の微細パターンを転写する手法が提案されている。微細パターンを転写するにあたっては、硬化前の樹脂に接触した状態で原版を摺動させて位置合わせを行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２４１３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、剪断力を発生させる被転写体の所定箇所を特定することができる摺動阻害箇所抽出方法、パターン形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の摺動阻害箇所抽出方法は、被転写体上の樹脂にパターンを有する原版を押し付け、前記樹脂を硬化させて前記原版の前記パターンを転写するパターン形成に適用され、１回の転写でパターン形成される領域であるショット領域内において、硬化前の前記樹脂に接触した状態での前記原版の摺動を阻害する摺動阻害箇所を、前記被転写体の表面の凹凸分布、前記原版のパターンレイアウト、及び転写パターンの合わせずれ結果の少なくともいずれかに基づき前記摺動阻害箇所を推定し、前記推定に基づいて前記ショット領域内における前記樹脂の厚さを変化させて前記原版の摺動阻害が発生するか否かを判定する手法、または、前記摺動阻害箇所の前記ショット領域内分布と前記転写パターンの合わせずれとの関係を示すテーブルを用いる手法、のいずれかにより抽出する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態１にかかるインプリント装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態１にかかるインプリント装置によるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。
【図３】図３は、実施形態１にかかるインプリント処理でウェハ上に形成されるショット領域の一例を示す図である。
【図４】図４は、実施形態１にかかるインプリント処理でのウェハとテンプレートとの位置合わせについて説明する模式図である。
【図５】図５は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図６】図６は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置のソフトウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図７】図７は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置により第１段階の抽出結果が導き出される過程を示すブロック図である。
【図８】図８は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置により第２段階の抽出結果が導き出される過程を示す模式図である。
【図９】図９は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置による摺動阻害箇所抽出処理の手順の一例を示すフロー図である。
【図１０】図１０は、実施形態１の変形例にかかる摺動阻害箇所抽出装置により第１段階の抽出結果が導き出される過程を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、実施形態１の変形例にかかる摺動阻害箇所抽出装置で用いられる段差マップと摺動阻害との関係を示す模式図である。
【図１２】図１２は、実施形態１の変形例にかかる摺動阻害箇所抽出装置で用いられる段差マップと摺動阻害との関係を示す模式図である。
【図１３】図１３は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置のソフトウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図１４】図１４は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置が有する構造解析テーブルについて説明する模式図である。
【図１５】図１５は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置により摺動阻害箇所の抽出結果が導き出される過程を示すブロック図である。
【図１６】図１６は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置による摺動阻害箇所抽出処理の手順の一例を示すフロー図である。
【図１７】図１７は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法１について説明する模式図である。
【図１８】図１８は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法１について説明する模式図である。
【図１９】図１９は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法１がレジスト残膜厚に与える影響を説明する模式図である。
【図２０】図２０は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法２について説明する模式図である。
【図２１】図２１は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法３について説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の実施形態により、本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が容易に想定できるものあるいは実質的に同一のものが含まれる。
【０００８】
［実施形態１］
図１〜図１２を用い、実施形態１について説明する。実施形態１では、被転写体上に微細パターンを転写する押印方式の製造プロセスとして、インプリント法による半導体装置の製造プロセスを例に挙げる。
【０００９】
（インプリント処理の例）
まずは、図１および図２を用いて、インプリント装置１００におけるインプリント処理の例について説明する。図１は、実施形態１にかかるインプリント装置１００の構成例を示す図である。
【００１０】
図１に示すように、インプリント装置１００は、テンプレートステージ８１、載置台８２、基準マーク８５、アライメントセンサ８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、光源８９、および制御部９０を備えている。インプリント装置１００には、テンプレート１０がインストールされている。
【００１１】
載置台８２は、ウェハチャック８４、及び本体８３を備える。ウェハチャック８４は、被転写体である半導体基板としてのウェハＷを本体８３上の所定位置に固定する。載置台８２上には、基準マーク８５が設けられている。基準マーク８５は、ウェハＷを載置台８２上にロードする際の位置合わせに用いられる。
【００１２】
載置台８２は、ウェハＷを載置するとともに、載置したウェハＷと平行な平面内（水平面内）を移動する。載置台８２は、ウェハＷにレジストを滴下する際にはウェハＷを液滴下装置８７の下方側に移動させ、ウェハＷへの転写処理を行う際には、ウェハＷをテンプレート１０の下方側に移動させる。
【００１３】
ステージベース８８は、テンプレートステージ８１によってテンプレート１０を支持するとともに、上下方向（鉛直方向）に移動することにより、テンプレート１０の微細パターン１３をウェハＷ上のレジストに押し当てる。ステージベース８８上には、アライメントセンサ８６が設けられている。アライメントセンサ８６は、ウェハＷの位置検出やテンプレート１０の位置検出を行うセンサである。
【００１４】
液滴下装置８７は、インクジェット方式によってウェハＷ上にレジストを滴下する装置である。液滴下装置８７が備えるインクジェットヘッドは、レジストの液滴（ドロップレット）を噴出する複数の微細孔を有しており、レジストの液滴をウェハＷ上に滴下する。
【００１５】
ここで、レジストとは、樹脂系マスク材であって、光を照射することによって硬化する光硬化型樹脂や、熱を加えることによって硬化する熱硬化型樹脂等がある。ここでのレジストには光硬化型樹脂を用いることを想定している。
【００１６】
光源８９は、例えば紫外線を照射する装置であり、ステージベース８８の上方に設けられている。光源８９は、テンプレート１０がレジストに押し当てられた状態で、テンプレート１０上から光を照射する。
【００１７】
制御部９０は、テンプレートステージ８１、載置台８２、基準マーク８５、アライメントセンサ８６、液滴下装置８７、ステージベース８８、および光源８９を制御する。
【００１８】
図２は、実施形態１にかかるインプリント装置１００によるインプリント処理の手順の一例を示すフロー図である。
【００１９】
まず、被加工膜Ｏｘが形成されたウェハＷを載置台８２に載置し、載置台８２を液滴下装置８７の下方に移動させる。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、液滴下装置８７からレジストＲの液滴を被加工膜Ｏｘ上に滴下する。その後、載置台８２をテンプレート１０の下方に移動させる。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、テンプレートステージ８１を下方に移動させ、アライメントセンサ８６で位置合わせを行いながら、テンプレート１０に形成された微細パターン１３をレジストＲに押し当てる。続いて、テンプレート１０を押し付けた状態で、インプリント装置１００の光源８９からレジストＲに光を照射し、レジストＲを硬化させる。
【００２２】
図２（ｃ）に示すように、テンプレート１０を離型する。これにより、ウェハＷの被加工膜Ｏｘ上には、微細パターン１３が転写されたレジストパターンＲｐが形成される。
【００２３】
図２（ｄ）に示すように、微細パターン１３が転写されたレジストパターンＲｐをマスクにして被加工膜Ｏｘを加工する。これにより、被加工膜パターンＯｘｐが形成される。
【００２４】
図２（ｅ）に示すように、レジストパターンＲｐをアッシング等により剥離して、ウェハＷ上に形成された被加工膜パターンＯｘｐが得られる。これ以降、上記のような処理を繰り返し、複数の被加工膜パターンをウェハＷ上に形成していくことで、半導体装置が製造される。
【００２５】
上記のようなインプリント処理では、ウェハＷ上の１つのショット領域に対して、１回のテンプレート１０の押印が行われ、パターンが形成される。図３は、実施形態１にかかるインプリント処理でウェハＷ上のショット領域ＳＨの一例を示す図である。
【００２６】
図３に示すように、ショット領域ＳＨは複数のチップ領域ＣＨ１〜ＣＨ１０を有する。チップ領域ＣＨ１〜ＣＨ１０は、テンプレート１０の微細パターン１３が転写される領域である。図３の例では１０個のチップ領域ＣＨ１〜ＣＨ１０が示されているが、チップ領域ＣＨの数および配置はこれに限られない。
【００２７】
各チップ領域ＣＨ１〜ＣＨ１０は周辺領域Ｐｅｒによって隔てられている。周辺領域Ｐｅｒはカーフ領域とも呼ばれ、製造された半導体装置をチップに切り出すときに切断される領域である。
【００２８】
周辺領域Ｐｅｒには、ウェハＷとテンプレート１０とを位置合わせする際に基準とされる位置合わせマークＭｋが１つ以上、配置される場合がある。図３の例では、ショット領域ＳＨの四隅に１つずつ位置合わせマークＭｋが配置されているが、位置合わせマークＭｋの数および配置はこれに限られない。
【００２９】
ウェハＷとテンプレート１０との位置合わせについて更に詳細に説明する。
【００３０】
図４は、実施形態１にかかるインプリント処理でのウェハＷとテンプレート１０との位置合わせについて説明する模式図である。図４に示すように、ウェハＷとテンプレート１０との位置合わせは、例えばテンプレート１０がウェハＷ上のレジストＲに接触した状態で行われる。
【００３１】
ウェハＷ上に滴下されたレジストＲは、テンプレート１０が押し付けられることによって流動性を有する液膜となって延び広がる。この液膜上でテンプレート１０を摺動させながら、テンプレート１０の位置合わせマークＭｋ（図３参照）を基準に、ウェハＷとテンプレート１０との位置合わせを行う。図４におけるジグザグの矢印は、テンプレート１０を摺動させる様子を示している。
【００３２】
被転写対象が種々の工程を経てきたウェハＷであるようなときには、ウェハＷ上には積層された構造物による凹凸が形成されている場合がある。この凸部や、凸部と凹部との角においてレジストＲの液膜が薄くなり、ウェハＷとテンプレート１０との剪断力が高まって、テンプレート１０があたかもウェハＷに固着したかのように、テンプレート１０の摺動が阻害されてしまうことがある。
【００３３】
テンプレート１０の摺動阻害が起きると、ウェハＷとテンプレート１０との位置合わせが充分に行えず、ウェハＷ上の転写パターンの位置がずれる合わせずれ（オーバレイ誤差）が生じる虞がある。テンプレート１０の摺動が阻害された状態でテンプレート１０を無理に動かすことでテンプレート１０が歪んでしまい、オーバレイ誤差が生じる虞もある。さらには、テンプレート１０が破損してしまう虞もある。
【００３４】
これらの問題が生じるのを回避するため、ウェハＷにおける摺動阻害箇所を特定し、対策を講じることが重要である。そこで、ウェハＷにおける摺動阻害箇所を特定する技術について以下に説明する。
【００３５】
（摺動阻害箇所抽出装置の構成例）
図５は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置２１０のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【００３６】
図５に示すように、摺動阻害箇所抽出装置２１０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２０１、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）２０２、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２０３、表示部２０４、入力部２０５を有している。摺動阻害箇所抽出装置２１０では、これらのＣＰＵ２０１、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、表示部２０４、入力部２０５がバスラインを介して接続されている。
【００３７】
ＣＰＵ２０１は、コンピュータプログラムである摺動阻害箇所抽出プログラム２０７を用いてウェハＷにおける摺動阻害箇所の抽出を行う。摺動阻害箇所抽出プログラム２０７は、コンピュータで実行可能な、摺動阻害箇所の抽出を行うための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能な記録媒体を有するコンピュータプログラムプロダクトである。摺動阻害箇所抽出プログラム２０７では、これらの複数の命令が、摺動阻害箇所の抽出処理をコンピュータに実行させる。
【００３８】
表示部２０４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ２０１からの指示に基づいて、ウェハＷにおける摺動阻害箇などを表示する。入力部２０５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（摺動阻害箇所の抽出に必要なパラメータ等）を入力する。入力部２０５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ２０１へ送られる。
【００３９】
摺動阻害箇所抽出プログラム２０７は、ＲＯＭ２０２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ２０３へロードされる。図５では、摺動阻害箇所抽出プログラム２０７がＲＡＭ２０３へロードされた状態を示している。
【００４０】
ＣＰＵ２０１はＲＡＭ２０３内にロードされた摺動阻害箇所抽出プログラム２０７を実行する。具体的には、摺動阻害箇所抽出装置２１０では、使用者による入力部２０５からの指示入力に従って、ＣＰＵ２０１がＲＯＭ２０２内から摺動阻害箇所抽出プログラム２０７を読み出してＲＡＭ２０３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ２０１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ２０３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
【００４１】
摺動阻害箇所抽出装置２１０で実行される摺動阻害箇所抽出プログラム２０７は、後述する演算部や判定部等を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、主記憶装置上に生成される。
【００４２】
図６は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置２１０のソフトウェア構成の一例を示すブロック図である。
【００４３】
図６に示すように、摺動阻害箇所抽出装置２１０には、インプリント装置１００が相互に通信可能に接続される。摺動阻害箇所抽出装置２１０は、インプリント装置１００との間でウェハＷのインプリント処理条件等の授受を行う。
【００４４】
また、摺動阻害箇所抽出装置２１０は、各種の測定器３００Ａ，３００Ｂ・・・からの測定情報を受信可能に測定器３００Ａ，３００Ｂ・・・と接続される。また、摺動阻害箇所抽出装置２１０は、設計データ４００を受信可能に構成される。設計データ４００は、所定のテンプレート１０のパターンレイアウトの情報等を含んでいる。
【００４５】
摺動阻害箇所抽出装置２１０は、摺動阻害箇所抽出装置２１０の機能を実現するモジュール構成として、データ取得部２１１、抽出用レシピ作成部２１２、演算部２１３、判定部２１４、および記憶部２１５を備える。これらのモジュール構成は、ＣＰＵ２０１がプログラムを実行することにより実現されてもよく、または、専用のハードウェア回路で実現されてもよい。また、記憶部２１５は、ＨＤＤ等により実現されてもよい。
【００４６】
データ取得部２１１は、インプリント装置１００からインプリント処理条件等のデータを取得する。インプリント処理条件には、テンプレート１０をウェハＷに押し付けたときの、テンプレート１０の押圧力や押圧速度、テンプレート１０とウェハＷとの間の距離、レジストＲの滴下位置および滴下数等がある。レジストＲの滴下位置および滴下数は、ドロップレシピと呼ばれるレシピで管理される。インプリント装置１００はドロップレシピにしたがって所定の滴下位置および滴下数でレジストＲを滴下させる。
【００４７】
データ取得部２１１は、また、測定器３００Ａ，３００Ｂ・・・からオーバレイ誤差等の各種測定結果を取得する。オーバレイ誤差は、ウェハＷへのインプリント処理後に測定される転写パターンの合わせずれのデータである。
【００４８】
データ取得部２１１は、また、ウェハＷに転写される微細パターン１３のパターンレイアウト等の設計データ４００を取得する。
【００４９】
抽出用レシピ作成部２１２は、摺動阻害箇所を抽出するためのドロップレシピを作成する。テンプレート１０の摺動阻害は、ウェハＷ上に滴下するレジストＲの液滴（ドロップレット）の数を増やし、配置を密にすることで緩和される。抽出用レシピ作成部２１２は、レジストＲのドロップレットの配置および数を種々に変化させた複数のドロップレシピの組である抽出用レシピセットを作成する。作成された抽出用レシピセットは、インプリント装置１００へと送信される。そして、この抽出用レシピセットを用いて実際にウェハＷへのインプリント処理を行って、摺動阻害が緩和されるか否かを判定することで、摺動阻害箇所を抽出し特定することができる。
【００５０】
演算部２１３は、データ取得部２１１が取得したパターンレイアウト等のデータに基づき、第１段階の抽出結果として摺動阻害箇所を抽出する。第１段階で抽出される摺動阻害箇所は、あくまでも推定に基づくもので正確な抽出結果とはいえない。抽出された摺動阻害箇所は、抽出用レシピ作成部２１２が抽出用レシピセットを作成するときに参照される。
【００５１】
演算部２１３は、また、抽出用レシピセットに基づくインプリント処理の結果から、第２段階の抽出結果として摺動阻害箇所を抽出する。第２段階で抽出される摺動阻害箇所は確度が高く、信頼性のおける抽出結果といえる。この抽出結果に基づいて、摺動阻害を緩和する条件で実際にウェハＷへのインプリント処理を行って、摺動阻害が緩和されるか否かを判定することで、抽出結果が正しいか否かを判定することができる。
【００５２】
判定部２１４は、演算部２１３が最終的に算出した第２段階の抽出結果が正しいか否かを判定する。
【００５３】
記憶部２１５は、データ取得部２１１が取得した各種データ、抽出用レシピ作成部２１２が作成した抽出用レシピセット、及び演算部２１３による摺動阻害箇所の抽出結果等を記憶する。
【００５４】
（摺動阻害箇所抽出装置の機能例）
次に、図７および図８を用いて、摺動阻害箇所抽出装置２１０の機能について更に詳細に説明する。図７は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置２１０により第１段階の抽出結果が導き出される過程を示すブロック図である。
【００５５】
図７に示すように、データ取得部２１１によりパターンレイアウトが取得される。演算部２１３は、これを解析し、第１段階の抽出結果として摺動阻害箇所を抽出する。パターンレイアウトからは、例えば転写される微細パターンの疎密の配置や被覆率等を知ることができる。このとき抽出される摺動阻害箇所は、想定される摺動阻害箇所の候補であり、抽出される候補は１箇所であってもよく複数個所であってもよい。
【００５６】
図８は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置２１０により第２段階の抽出結果が導き出される過程を示す模式図である。
【００５７】
図８（ａ）に示すように、抽出用レシピ作成部２１２は、演算部２１３の第１段階の抽出結果に基づき、抽出用レシピセットを作成する。図８（ａ）に示す抽出用レシピセットには、例えばドロップレシピ１〜４が含まれる。ドロップレシピ１〜４においては、レジストＲのドロップレットの数を増やして密に配置した密部Ｄの位置と、レジストＲのドロップレットの数を通常通りに維持した通常部Ｓの位置とが様々に変更されている。すなわち、密部Ｄは、通常部Ｓと比較してレジストＲの膜厚が厚い。
【００５８】
次に、これらのドロップレシピ１〜４にしたがい、それぞれインプリント処理が行われる。データ取得部２１１は、その結果を取得する。インプリント処理の結果とは、例えばインプリント処理後に測定されるウェハＷのオーバレイ誤差等である。
【００５９】
演算部２１３は、データ取得部２１１が取得したオーバレイ誤差に基づき、いずれのドロップレシピ１〜４を使用したときに摺動阻害が発生するかを判定する。つまり、オーバレイ誤差が大きくなるドロップレシピの使用時には、摺動阻害が発生している可能性が高い。そして、演算部２１３は、摺動阻害が生じたドロップレシピに基づき、ショット領域ＳＨ内における摺動阻害箇所を絞り込んでいく。つまり、例えばドロップレシピ１において摺動阻害が生じれば、ドロップレシピ１の通常部Ｓに対応する領域内で摺動阻害が起きている可能性が高い。ドロップレシピ１の密部ＤではレジストＲの液膜が通常より厚くなっており摺動阻害は発生しにくいと考えられるからである。ドロップレシピ２でも摺動阻害が生じれば、摺動阻害箇所は更に絞り込まれる。
【００６０】
なお、抽出用レシピセットを用いた評価にあたり、図８（ａ）の抽出用レシピセットとは密部Ｄと通常部Ｓとを反転させた抽出用レシピセットも併せて用いることが好ましい。これにより、演算部２１３が、より精密に摺動阻害箇所を絞り込むことができる。密部Ｄと通常部Ｓとが反転した抽出用レシピセットを図８（ｂ）に示す。
【００６１】
図８（ｃ）に、図８（ａ），（ｂ）の抽出用レシピセットを用い、演算部２１３によってショット領域ＳＨ内における摺動阻害箇所Ｘが抽出された様子を示す。図８（ｃ）の例では、抽出された摺動阻害箇所Ｘはショット内領域ＳＨの右上方という結果が示されている。
【００６２】
演算部２１３により第２の抽出結果が示されたら、その抽出結果が示す摺動阻害箇所の摺動阻害を緩和する条件にて、改めてインプリント処理が行われる。摺動阻害を緩和する条件とは、例えば抽出結果が示す摺動阻害箇所にレジストＲのドロップレットを足した条件等である。データ取得部２１１は、インプリント処理後のオーバレイ誤差等の結果を取得する。
【００６３】
判定部２１４は、データ取得部２１１が取得したオーバレイ誤差等から、演算部２１３による第２の抽出結果が正しいか否かを判定する。つまり、オーバレイ誤差が小さくなっていれば、第２の抽出結果が正しいといえる。
【００６４】
（摺動阻害箇所抽出処理の例）
次に、図９を用いて、摺動阻害箇所抽出装置２１０による摺動阻害箇所抽出処理の例について説明する。図９は、実施形態１にかかる摺動阻害箇所抽出装置２１０による摺動阻害箇所抽出処理の手順の一例を示すフロー図である。
【００６５】
図９に示すように、データ取得部２１１は初期データとして、パターンレイアウト等を取得する（ステップＳ１１）。演算部２１３は、第１段階の抽出結果として、これらのデータから想定される摺動阻害箇所を抽出する（ステップＳ１２）。抽出用レシピ作成部２１２は、演算部２１３による第１段階の抽出結果に基づき摺動阻害箇所の抽出用レシピセットを作成する（ステップＳ１３）。
【００６６】
データ取得部２１１は、抽出用レシピセットの評価結果として、抽出用レシピセットを用いてインプリント処理されたウェハＷのオーバレイ誤差等のデータを取得する（ステップＳ１４）。演算部２１３は、抽出用レシピセットの評価結果から、ショット領域ＳＨ内における摺動阻害箇所を絞り込み、第２段階の抽出結果として抽出する（ステップＳ１５）。
【００６７】
データ取得部２１１は、第２段階の抽出結果で示された摺動阻害箇所の摺動阻害を緩和する条件でのインプリント処理によるオーバレイ誤差等のデータを取得する（ステップＳ１６）。判定部２１４は、オーバレイ誤差等のデータから摺動阻害が緩和されたか否かを判定する（ステップＳ１７）。摺動阻害が緩和されていなければ（ステップＳ１７：Ｎｏ）、第２段階の抽出結果は誤っているものと判定してステップＳ１２に戻る。摺動阻害が緩和されていれば（ステップＳ１７：Ｙｅｓ）、第２段階の抽出結果は正しいものと判定して処理を終了する。
【００６８】
以上により、摺動阻害箇所抽出装置２１０による摺動阻害箇所抽出処理が終了する。
【００６９】
（比較例）
上述のように、ウェハとテンプレートとの位置合わせの際に摺動阻害が生じた場合には、摺動阻害箇所を直ちに特定し、対策を立てることが望ましい。しかしながら、摺動阻害箇所を特定することは困難であった。
【００７０】
比較例の摺動阻害箇所の特定手法として、例えば摺動阻害が発生しやすいウェハＷの段差部分を特定することが考えられる。ウェハ表面の段差の配置を示すデータとしては、所定の測定器で測定される段差マップがある。しかし、段差マップでは、ウェハが有する段差を大まかに知ることができるものの、摺動阻害箇所を特定できるほどの精度は得られない。より詳細にウェハの凹凸を測定する手法もあるものの、測定に数日を要することがあり、例えば製造ラインへの落とし込みを考えた場合に現実的ではない。
【００７１】
また、摺動阻害箇所を特定することなく、インプリント処理の処理条件を様々に変化させ、摺動阻害を緩和することも考えられるが、無作為に変化させた処理条件を何種類も評価しなければならず、これにも時間がかかってしまう。
【００７２】
実施形態１の摺動阻害箇所抽出処理によれば、所定の過程を経ることで摺動阻害箇所を抽出することができる。これにより、摺動阻害箇所の抽出をルーチン化することができ、無駄を省いて、比較的短い時間で問題を解決することができる。また、経験の浅い作業者等であっても容易に作業を進めることができる。また、摺動阻害箇所の抽出を容易化することで、より確実にオーバレイ誤差を低減することができ、製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【００７３】
実施形態１の摺動阻害箇所抽出処理によれば、摺動阻害箇所の抽出が容易であり、かつ、高確度であるので、ショット領域ごとやウェハＷごとに抽出を行うことができる。これにより、より綿密な対応が可能となり、製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【００７４】
（変形例）
次に、図１０を用いて、実施形態１の変形例の摺動阻害箇所抽出処理について説明する。図１０は、実施形態１の変形例にかかる摺動阻害箇所抽出装置により第１段階の抽出結果が導き出される過程を示すブロック図である。変形例の摺動阻害箇所抽出装置では、初期データとしてパターンレイアウトだけでなく、段差マップ及びオーバレイ誤差の測定結果を用いる点が実施形態１とは異なる。
【００７５】
図１０に示すように、変形例のデータ取得部は初期データとして、パターンレイアウト、段差マップ、及びオーバレイ誤差等を取得する。段差マップは、被転写体であるウェハ表面の段差の配置を示す測定データであって、インプリント処理前に測定される。オーバレイ誤差は、上述のようにインプリント処理後のウェハを測定して得られる。
【００７６】
変形例の演算部は、これらの初期データを解析し、第１段階の抽出結果として摺動阻害箇所を抽出する。上述のように、摺動阻害の発生とオーバレイ誤差とには強い相関がある。変形例の演算部は、オーバレイ誤差から摺動阻害の発生状況等を推定することができる。また、段差マップからも摺動阻害の発生状況を推定することが可能である。段差マップと摺動阻害との関係について図１１及び図１２に示す。
【００７７】
図１１及び図１２は、実施形態１の変形例にかかる摺動阻害箇所抽出装置で用いられる段差マップと摺動阻害との関係を示す模式図である。
【００７８】
図１１（ａ）に示すように、段差マップは例えばウェハ座標上におけるウェハ表面の高さのグラフとして与えられる。図１１（ａ）の段差マップによれば、測定対象のウェハＷは、比較的狭い凹部と比較的広い凸部とが交互に並ぶ段差を有している。図１１（ｂ）に、図１１（ａ）の段差マップから判るウェハＷの凹凸の様子を示す。
【００７９】
図１１（ｂ）に示すように、図１１（ａ）のような段差マップを有するウェハＷにおいては、テンプレート１０とウェハＷとが比較的広い面積において接触している。このような場合、テンプレート１０とウェハＷとの間の剪断力が分散されるため、摺動阻害が比較的起こりにくいことが予想される。
【００８０】
図１１（ｃ）に示すように、図１１（ａ）のような段差マップを有するウェハＷとしては、ショット領域ＳＨ内のチップ領域ＣＨが凸部となっており、周辺領域Ｐｅｒが凹部となっていることが想定される。
【００８１】
図１２（ａ）に示すウェハＷは、図１１のウェハＷとは異なる段差マップを有する。図１２（ａ）の段差マップによれば、測定対象のウェハＷは、比較的広い凹部と比較的狭い凸部とが交互に並ぶ段差を有している。図１２（ｂ）に、図１２（ａ）の段差マップから判るウェハＷの凹凸の様子を示す。
【００８２】
図１２（ｂ）に示すように、図１２（ａ）のような段差マップを有するウェハＷにおいては、テンプレート１０とウェハＷとが比較的狭い面積においてしか接触していない。このような場合、テンプレート１０とウェハＷとの間の剪断力が狭い面積に集中するため、摺動阻害が比較的起こりやすいことが予想される。
【００８３】
図１２（ｃ）に示すように、図１２（ａ）のような段差マップを有するウェハＷとしては、ショット領域ＳＨ内のチップ領域ＣＨが凹部となっており、周辺領域Ｐｅｒが凸部となっていることが想定される。
【００８４】
変形例の摺動阻害箇所抽出処理によれば、初期データとして段差マップ及びオーバレイ誤差のデータも解析され、摺動阻害箇所の抽出が行われる。これにより、第１段階の抽出結果であっても、比較的高い精度で摺動阻害箇所を推定することができる。よって、より適正な抽出用レシピセットを作成することができ、摺動阻害箇所の抽出がよりいっそう容易となる。
【００８５】
［実施形態２］
図１３〜図１６を用い、実施形態２について説明する。実施形態２の摺動阻害箇所抽出装置２２０では、摺動阻害箇所の抽出に構造解析テーブルを用いる点が実施形態１とは異なる。
【００８６】
図１３は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置２２０のソフトウェア構成の一例を示すブロック図である。
【００８７】
図１３に示すように、摺動阻害箇所抽出装置２２０は、摺動阻害箇所抽出装置２２０の機能を実現するモジュール構成として、データ取得部２２１、演算部２２３、判定部２２４、および記憶部２２５を備える。摺動阻害箇所抽出装置２２０においては、抽出用レシピセットの作成は行われない。
【００８８】
データ取得部２２１は、インプリント装置１００からインプリント処理条件等のデータを取得する。データ取得部２１１は、また、測定器３００Ａ，３００Ｂ・・・から段差マップ及びオーバレイ誤差等の各種測定結果を取得する。データ取得部２２１は、また、ウェハに転写される微細パターンのパターンレイアウト等の設計データ４００を取得する。
【００８９】
演算部２２３は、データ取得部２２１が取得したパターンレイアウト、段差マップ、及びオーバレイ誤差等のデータに基づき摺動阻害箇所を抽出する。このとき、演算部２２３は、記憶部２２５が記憶する構造解析テーブル２２５ｔを参照する。構造解析テーブル２２５ｔは、摺動阻害箇所のショット領域内分布とオーバレイ誤差とが関連付けられたデータテーブルである。構造解析テーブル２２５ｔを参照することで、抽出された摺動阻害箇所は確度が高く、信頼性のおける抽出結果となる。この抽出結果に基づいて、摺動阻害を緩和する条件で実際にウェハへのインプリント処理を行って、摺動阻害が緩和されるか否かを判定することで、抽出結果が正しいか否かを判定することができる。
【００９０】
判定部２２４は、演算部２２３が算出した抽出結果が正しいか否かを判定する。
【００９１】
記憶部２２５は、データ取得部２２１が取得した各種データ、演算部２２３による摺動阻害箇所の抽出結果、及び構造解析テーブル２２５ｔ等を記憶する。
【００９２】
図１４は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置２２０が有する構造解析テーブル２２５ｔについて説明する模式図である。
【００９３】
図１４に示すように、構造解析テーブル２２５ｔは、摺動阻害箇所とオーバレイ誤差との相関関係を示す。構造解析テーブル２２５ｔ内のデータはシミュレーション結果に基づく。すなわち、ショット領域内において摺動阻害箇所を幾つか設定し、ショット領域内のどこで摺動阻害が発生するとどのようなオーバレイ誤差が得られるかをシミュレーションしている。オーバレイ誤差は、転写パターンの合わせずれ方向をＸ方向、Ｙ方向等を含む複数の成分ｉに分解して、それぞれの方向における合わせずれ量として示されている。なお、このようなシミュレーション結果は、実際のウェハＷにおける結果と一致することが確認されている。
【００９４】
演算部２２３は、このような構造解析テーブル２２５ｔを参照して、初期データとして得られたデータのうち、オーバレイ誤差を解析することで、ショット領域内における摺動阻害箇所を推定することができる。
【００９５】
図１５は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置２２０により摺動阻害箇所の抽出結果が導き出される過程を示すブロック図である。
【００９６】
図１５に示すように、データ取得部２２１により、パターンレイアウト、段差マップ、およびオーバレイ誤差が取得される。演算部２２３は、構造解析テーブル２２５ｔを参照してこれらを解析し、摺動阻害箇所を抽出する。このときの摺動阻害箇所は、候補としてではなく確定的なものとして抽出される。ただし、抽出される摺動阻害箇所は、確定的なものであれば１箇所であってもよく複数個所であってもよい。図１５の例では、抽出された摺動阻害箇所Ｘはショット内領域ＳＨの下方中央部という結果が示されている。
【００９７】
次に、抽出結果が示す摺動阻害箇所の摺動阻害を緩和する条件にてインプリント処理が行われる。データ取得部２２１は、インプリント処理後のオーバレイ誤差等の結果を取得する。判定部２２４は、データ取得部２２１が取得したオーバレイ誤差等から、演算部２２３による抽出結果が正しいか否かを判定する。
【００９８】
図１６は、実施形態２にかかる摺動阻害箇所抽出装置２２０による摺動阻害箇所抽出処理の手順の一例を示すフロー図である。
【００９９】
図１６に示すように、データ取得部２２１は初期データとして、パターンレイアウト、段差マップ、オーバレイ誤差等を取得する（ステップＳ２１）。演算部２２３は、構造解析テーブル２２５ｔを用いてこれらのデータを解析する（ステップＳ２２）。演算部２２３は、解析結果に基づき摺動阻害箇所を抽出する（ステップＳ２５）。
【０１００】
データ取得部２２１は、演算部２２３による抽出結果で示された摺動阻害箇所の摺動阻害を緩和する条件でのインプリント処理によるオーバレイ誤差等のデータを取得する（ステップＳ２６）。判定部２２４は、オーバレイ誤差等のデータから摺動阻害が緩和されたか否かを判定する（ステップＳ２７）。摺動阻害が緩和されていなければ（ステップＳ２７：Ｎｏ）、演算部２２３の抽出結果は誤っているものと判定してステップＳ２２に戻る。摺動阻害が緩和されていれば（ステップＳ２７：Ｙｅｓ）、演算部２２３の抽出結果は正しいものと判定して処理を終了する。
【０１０１】
以上により、摺動阻害箇所抽出装置２２０による摺動阻害箇所抽出処理が終了する。
【０１０２】
実施形態２の摺動阻害箇所抽出処理によれば、演算部２２３が構造解析テーブル２２５ｔを用いてデータ解析を行う。これにより、演算部２２３が導き出す抽出結果の確度が高くなり、信頼性が向上する。よって、抽出用レシピセットを用いて候補の絞り込みを行う必要がなく、より短時間での問題解決を図ることができる。
【０１０３】
以上のように、実施形態１，２の摺動阻害箇所抽出処理によれば、高い確度をもって摺動阻害箇所が抽出される。作業者は、これに基づき摺動阻害の緩和を図る措置を取ることができる。摺動阻害の緩和には、いくつかの手法が考えられる。
【０１０４】
［実施形態３］
図１７〜図２１を用い、実施形態３について説明する。実施形態３においては、実施形態１，２等で抽出された摺動阻害箇所の摺動阻害を緩和する手法について幾つかの例を挙げて説明する。
【０１０５】
（緩和手法１）
図１７及び図１８は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法１について説明する模式図である。
【０１０６】
図１７（ａ）に示すように、本例では、抽出された摺動阻害箇所Ｘは例えばショット領域の下方中央部に位置する。摺動阻害の緩和手法１においては、図１７（ｂ）に示すように、抽出された摺動阻害箇所Ｘおよびその近傍にレジストのドロップレットＤｒを追加する。摺動阻害箇所Ｘでは、ウェハの凸部の存在等によりウェハとテンプレートとが近接し、レジストの液膜が薄くなっていることが考えられる。レジストのドロップレットＤｒを追加することで、レジストの液膜を厚くして摺動阻害を緩和することができるはずである。
【０１０７】
なお、レジストのドロップレットＤｒを追加するにあたり２つの手法が考えられる。それらを図１８に示す。図１８（ａ）は、摺動阻害箇所である凸部そのものにドロップレットＤｒを追加する手法である。これにより、摺動阻害箇所のレジストの液膜が厚くなり、摺動阻害が緩和される。図１８（ｂ）は、摺動阻害箇所である凸部の間に挟まれる凹部が埋まる体積のドロップレットＤｒを追加する手法である。これにより、凹部のレジストの液膜がかさ上げされて、摺動阻害が緩和される。
【０１０８】
このようなドロップレットＤｒの追加は、ドロップレシピを組み直すことで行うことができる。ドロップレシピを組み直す際には、レジスト残膜厚が増加する方向に条件変更を行えばよい。ここで、レジスト残膜厚について、図１９を用いて説明する。
【０１０９】
図１９は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法１がレジスト残膜厚に与える影響を説明する模式図である。図１９（ａ１），（ａ２）に示すように、ウェハＷにテンプレート１０の微細パターン１３を押し付ける際、ウェハＷとテンプレート１０とが接触しないよう、両者間は所定の距離を開けて配置される。このウェハＷとテンプレート１０との間にレジストＲの液膜が延び広がって、ウェハＷとテンプレート１０との距離と等しい厚さＬＦ’，ＬＦとなる。
【０１１０】
図１９（ｂ１），（ｂ２）に示すように、レジストＲが硬化され転写パターン１３ｔ’，１３ｔが形成されると、レジストＲの液膜の厚さＬＦ’，ＬＦが転写パターン１３ｔ’，１３ｔ間のレジスト残膜厚ＲＬＴ’，ＲＬＴとなる。
【０１１１】
ここで、図１９（ａ１），（ｂ１）は、ドロップレシピ変更前、つまり、レジストＲのドロップレットＤｒ追加前の状態を示している。図１９（ａ２），（ｂ２）は、ドロップレシピ変更後、つまり、レジストＲのドロップレットＤｒ追加後の状態を示している。
【０１１２】
図１９（ａ１），（ａ２）に示すように、ドロップレットＤｒを追加することで、レジストＲの液膜の厚さＬＦは、ドロップレットＤｒ追加前のレジストＲの液膜の厚さＬＦ’よりも厚くなっている。これが、摺動阻害が緩和されると期待される根拠である。
【０１１３】
図１９（ｂ１），（ｂ２）に示すように、ドロップレットＤｒを追加することで、硬化された後のレジスト残膜厚ＲＬＴは、ドロップレットＤｒ追加前のレジスト残膜厚ＲＬＴ’よりも厚くなっている。このように、ドロップレットＤｒの追加は、レジスト残膜厚ＲＬＴに影響を与えることに留意が必要である。
【０１１４】
（緩和手法２）
図２０は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法２について説明する模式図である。
【０１１５】
図２０（ａ）に示すように、本例においても、抽出された摺動阻害箇所Ｘは例えばショット領域の下方中央部に位置する。摺動阻害の緩和手法２においては、図２０（ｂ）に示すように、抽出された摺動阻害箇所Ｘのみならずショット領域全体にドロップレットＤｒを追加する。そして、図２０（ｃ）に示すように、摺動阻害箇所Ｘ以外に紫外線ＵＶを照射してレジストを半硬化させる。レジストの半硬化とは、強度を弱めた紫外線ＵＶを当てることにより、レジストの粘度を増大させ、かつ、レジストが完全に固まらないようにすることである。摺動阻害箇所Ｘ以外に紫外線ＵＶを照射するには、紫外線ＵＶの光路にＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）等を配置し、ＤＭＤにより紫外線ＵＶに照射面内での強度分布を生じさせればよい。
【０１１６】
摺動阻害の緩和手法２は、摺動阻害箇所Ｘがウェハの凸部の角にあたるなど、摺動阻害箇所Ｘに直接ドロップレットＤｒを追加しても流れ出してしまうような場合に有効である。ショット領域全体に単純にドロップレットＤｒを追加しただけであると、摺動阻害箇所Ｘ以外の箇所でテンプレートの滑りが良くなり過ぎ、精密な位置合わせができなくなる恐れがある。摺動阻害の緩和手法２のように、摺動阻害箇所Ｘ以外の箇所でレジストを半硬化させ粘度を増すことで、それを抑制することができる。
【０１１７】
（緩和手法３）
図２１は、実施形態３にかかる摺動阻害の緩和手法３について説明する模式図である。
【０１１８】
図２１（ａ）に示すように、本例では、抽出された摺動阻害箇所ＸはウェハＷ上の所定の凸部である。摺動阻害の緩和手法３においては、かかる凸部とテンプレート１０とが接触しないよう距離を取る。距離の取り方にはいくつかの手法が考えられる。
【０１１９】
図２１（ｂ）に示すように、凸部とテンプレート１０との距離を取る単純な手法として、ウェハＷとテンプレート１０との距離を増大させる。ウェハＷとテンプレート１０との距離を増大させるには、例えばテンプレート１０に加える押圧力を低下させればよい。
【０１２０】
図２１（ｃ）に示すように、凸部とテンプレート１０との距離を取る他の手法として、ウェハＷ上の凸部を削る。凸部は、例えばエッチバック等で削ることができる。また、凸部が孤立パターン等である場合、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により研磨してもよい。
【０１２１】
以上のような摺動阻害の緩和手法１〜３等は、開発段階のインプリント処理条件の条件出しに適用することができる。また、摺動阻害の緩和手法１〜３等は、製造工程等におけるウェハ内ばらつき、ウェハ間ばらつき、ロット間ばらつき等の低減手法に適用することができる。
【０１２２】
実施形態３の摺動阻害の緩和手法によれば、確度の高い摺動阻害箇所の抽出結果に基づき対策を講じるので、無駄を省いて比較的短い時間で問題を解決することができる。また、より確実にオーバレイ誤差を低減することができ、製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【０１２３】
実施形態３の摺動阻害の緩和手法によれば、ショット領域ごとやウェハＷごとに抽出された摺動阻害箇所に対して対策を講じることができる。これにより、より綿密な対応が可能となり、製造工程における歩留まりを向上させることができる。
【０１２４】
［他の実施形態］
上述の実施形態１〜３等では、インプリント装置１００がレジストＲを滴下するように構成されているが、これに限られない。上述の実施形態１〜３等は、スピンコート塗布法によってウェハ上の全面にレジストを塗布するスピンコート方式のインプリント処理に対しても適用することができる。
【０１２５】
上述の実施形態１〜３等では、テンプレート１０からウェハＷへのインプリント処理について説明したが、これに限られない。上述の実施形態１〜３等は、ウェハへパターン転写するテンプレートであるレプリカテンプレートの製造過程にも適用することができる。つまり、上述の実施形態１〜３等は、マスタテンプレートからレプリカテンプレートへのインプリント処理にも適用可能である。
【０１２６】
上述の実施形態１〜３等では、平板状のテンプレート１０から平板状のウェハＷへのインプリント処理について説明したが、これに限られない。上述の実施形態１〜３等は、ロール状の原版からフィルム状の被転写体にインプリント処理するロール・トゥ・ロール方式のインプリント処理にも適用することができる。
【０１２７】
このほかにも、上述の実施形態１〜３等は、被転写体上に微細パターンを転写する押印方式の処理であれば適用することができる。
【０１２８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１２９】
１０…テンプレート、１００…インプリント装置、２１０，２２０…摺動阻害箇所抽出装置、２１１，２２１…データ取得部、２１２…抽出用レシピ作成部、２１３，２２３…演算部、２１４，２２４…判定部、２１５，２２５…記憶部、２２５ｔ…構造解析テーブル、ＣＨ…チップ領域、ＬＦ，ＬＦ’…液膜の厚さ、Ｐｅｒ…周辺領域、Ｒ…レジスト、ＲＬＴ，ＲＬＴ’…レジスト残膜厚、ＳＨ…ショット領域、Ｗ…ウェハ、Ｘ…摺動阻害箇所。
【図１】
2020047691.tif 000003
【図２】
2020047691.tif 000004
【図３】
2020047691.tif 000005
【図４】
2020047691.tif 000006
【図５】
2020047691.tif 000007
【図６】
2020047691.tif 000008
【図７】
2020047691.tif 000009
【図８】
2020047691.tif 000010
【図９】
2020047691.tif 000011
【図１０】
2020047691.tif 000012
【図１１】
2020047691.tif 000013
【図１２】
2020047691.tif 000014
【図１３】
2020047691.tif 000015
【図１４】
2020047691.tif 000016
【図１５】
2020047691.tif 000017
【図１６】
2020047691.tif 000018
【図１７】
2020047691.tif 000019
【図１８】
2020047691.tif 000020
【図１９】
2020047691.tif 000021
【図２０】
2020047691.tif 000022
【図２１】
2020047691.tif 000023