(57)【要約】【課題】必要かつ十分な構造強度を有しながら、ワーク上の電極の狭ピッチ化に対応して、より狭い間隔でボール用通孔を備えた、半田ボールの配列用マスクを提供する。【解決手段】本発明に係る配列用マスク６０は、半田ボール３を振り込むためのボール用通孔６２がマスク本体６１に上下貫通状に多数独立して設けられている。マスク本体６１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起６３が、下方側に突出する状態で該マスク本体６１と一体に形成されている。マスク本体６１の上面には、ガイド部８８が突出状に形成されている。【選択図】図２０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク本体（６１）に、ボール用通孔（６２）が上下貫通状に多数独立して設けられており、該ボール用通孔（６２）に半田ボール（３）を振り込むことで、基板（１）上の所定位置に半田ボール（３）を搭載するための配列用マスクであって、
マスク本体（６１）の下面側に、構造強度を増強するための補強突起（６３）が、下方側に突出する状態で該マスク本体（６１）と一体に形成されており、
マスク本体（６１）の上面には、ガイド部（８８）が突出状に形成されていることを特徴とする半田ボールの配列用マスク。
【請求項２】
ガイド部（８８）は、マスク本体（６１）の厚み方向において、補強突起（６３）に対応して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半田ボールの配列用マスク。
【請求項３】
マスク本体（６１）に、ボール用通孔（６２）が上下貫通状に多数独立して設けられており、該ボール用通孔（６２）に半田ボール（３）を振り込むことで、基板（１）上の所定位置に半田ボール（３）が搭載され、マスク本体（６１）の下面側に、構造強度を増強するための補強突起（６３）が、下方側に突出する状態で該マスク本体（６１）と一体に形成されており、マスク本体（６１）の上面には、ガイド部（８８）が突出状に形成されている配列用マスクの製造方法であって、
母型（７０）の表面に、レジスト開口（７５）を有する一次パターンレジスト（７６）を形成する工程と、
母型（７０）上に、一次パターンレジスト（７６）の高さを超えて電着金属を電鋳して、前記レジスト開口（７５）で囲まれた一次パターンレジスト（７６）上に格子状の溝（７７）を有する一次電鋳層（７８）を形成する一次電鋳工程と、
一次電鋳層（７８）上に、ボール用通孔（６２）に対応するレジスト凸部（８３）を有する二次パターンレジスト（８４）を形成する工程と、
レジスト凸部（８３）の高さを超えない範囲で、一次電鋳層（７８）上に電着金属を電鋳して、二次電鋳層（８５）を形成する二次電鋳工程と、
二次電鋳層（８５）を一次電鋳層（７８）および母型（７０）から剥離するとともに、一次、二次パターンレジスト（７６・８４）を除去する工程とを含むことを特徴とする半田ボールの配列用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の配列パターンに対応したボール用通孔を有し、このボール用通孔内に半田ボールを振り込むことで、ワーク上の所定位置に半田ボールを搭載する配列用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明では、電鋳法により配列用マスクを形成することができるが、該配列用マスクを電鋳法で形成すること自体は、例えば特許文献１に開示されており、公知である。
【０００３】
特許文献１に記載の半田ボールの配列用マスクは、所定の配列パターンに対応する多数個のボール用通孔１２を有する平板状のマスク本体１０と、マスク本体１０の下面から突出して、ワーク３との対向間隙を確保する支持突起１５とを備える。支持突起１５は、マスク本体１０に形成されたホルダー部１６に埋め込み固定される脱落防止用のアンカー部２０と、該アンカー部２０に連設されて、マスク本体１０の下面から突出する支柱部２１とを備える。マスク本体１０および支持突起１５は、電鋳法により形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−５０１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の半田ボールの配列用マスクでは、母型上にボール用通孔に対応するレジスト体を形成したうえで、このレジスト体の間の母型上に電着金属を電鋳することでマスク本体を形成している。このため、ワーク上の電極の狭ピッチ化に対応して、ボール用通孔のピッチ間隔の小さなマスクを形成しようとすると、母型上における隣り合うレジスト体の間隔寸法が小さくなり、これらレジスト体の間に露出する母型の表面積が小さくなるため、母型上における電着金属の厚み寸法を大きくして、マスク本体の厚み寸法を大きくすることが困難となる。
【０００６】
以上より、従来における半田ボールの配列用マスク、およびその製造方法では、通孔の狭ピッチ化に対応しようとすると、マスク本体の厚み寸法を薄くせざるを得ず、その結果、マスク本体の強度不足という新たな問題が生じていた。
【０００７】
本発明の目的は、必要かつ十分な構造強度を有しながら、ワーク上の電極の狭ピッチ化に対応して、より狭い間隔でボール用通孔を備えた、半田ボールの配列用マスク、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
マスク本体１１に、半田ボール３を真空吸着するための吸着通孔１２が上下貫通状に多数独立して設けられている半田ボールの吸着用マスクであって、吸着通孔１２の間のマスク本体１１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起１３が、下方側に突出する状態で該マスク本体１１と一体に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
補強突起１３は、各吸着通孔１２を囲む四角格子状に形成することができる。
【００１０】
吸着用マスク６の下面が、各吸着通孔１２を囲むように形成されたセル凹部１５の内底面４１と、該内底面４１よりも下方に位置する平坦面４０とからなる段付き状に形成されており、セル凹部１５を囲むように、平坦面４０を有する補強突起１３が突出状に形成された構成を採ることができる。
【００１１】
各吸着通孔１２に隣接して円錐状の補強突起１３が形成されている構成を採ることができる。
【００１２】
本発明は、マスク本体６１に、ボール用通孔６２が上下貫通状に多数独立して設けられており、該ボール用通孔６２に半田ボール３を振り込むことで、基板１上の所定位置に半田ボール３を搭載するための半田ボールの配列用マスクを対象とする。マスク本体６１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起６３が、下方側に突出する状態で該マスク本体６１と一体に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
補強突起６３に対応して、マスク本体６１の上面に載置された半田ボール３をボール用通孔６２に導くためのガイド凹部６６が形成されている構成を採ることができる。
【００１４】
補強突起６３が、各ボール用通孔６２を囲む四角格子状に形成された構成を採ることができる。
【００１５】
電鋳法により形成されたマスク本体１１に、半田ボール３を真空吸着するための吸着通孔１２が上下貫通状に多数独立して設けられており、吸着通孔１２の間のマスク本体１１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起１３が、下方側に突出する状態で電鋳法により該マスク本体１１と一体に形成されている半田ボールの吸着用マスクの製造方法であって、導電性の母型２０の表面に吸着通孔１２の形成位置に対応して、レジスト開口２５を有する一次パターンレジスト２６を形成する工程と、母型２０上に一次パターンレジスト２６の高さを超えて電着金属を電鋳して、前記レジスト開口２５で囲む一次パターンレジスト２６の上面に格子状の溝２７を有する一次電鋳層２８を形成する一次電鋳工程と、一次電鋳層２８上に吸着通孔１２に対応するレジスト凸部３３を有する二次パターンレジスト３４を形成する工程と、レジスト凸部３３の高さを超えない範囲で、一次電鋳層２８上に電着金属を電鋳して、二次電鋳層３５を形成する二次電鋳工程と、二次電鋳層３５を一次電鋳層２８および母型２０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト２６・３４を除去することで、二次電鋳層３５である吸着用マスクを得る工程とを含む。そして、二次電鋳工程において、一次電鋳層２８に形成された格子状の溝２７に対応して、補強突起１３が形成されるようになっていることを特徴とする。
【００１６】
電鋳法により形成されたマスク本体１１に、半田ボール３を真空吸着するための吸着通孔１２が上下貫通状に多数独立して設けられており、吸着通孔１２の間のマスク本体１１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起１３が、下方側に突出する状態で電鋳法により該マスク本体１１と一体に形成されている半田ボールの吸着用マスクの製造方法であって、導電性の母型２０の表面に吸着通孔１２の形成位置に対応して、レジスト開口２５を有する一次パターンレジスト２６を形成する工程と、母型２０上に一次パターンレジスト２６の高さを超えて電着金属を電鋳して、前記レジスト開口２５を囲む一次パターンレジスト２６の上面に一次電鋳層２８を形成する一次電鋳工程と、一次電鋳層２８上に吸着通孔１２に対応するレジスト凸部３３を有する二次パターンレジスト３４を形成する工程と、レジスト凸部３３の高さを超えない範囲で、一次電鋳層２８上に電着金属を電鋳して、二次電鋳層３５を形成する二次電鋳工程と、二次電鋳層３５を一次電鋳層２８および母型２０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト２６・３４を除去することで、二次電鋳層３５である吸着用マスクを得る工程とを含む。一次電鋳工程においては、一次パターンレジスト２６の上面で各レジスト開口２５から成長した電着金属どうしが接触する前に電着を終了し、隣り合うレジスト開口２５からの等間隔距離に位置する一次パターンレジスト２６の上面の一部には、一次パターンレジスト２６が現出する露出部４２が形成されるとともに、該露出部４２に対応して、一次電鋳層２８には凹溝４３が形成されるようになっている。そして、二次電鋳工程において、一次電鋳層に形成された凹溝４３に対応して、平坦面４０を有する補強突起１３が形成されるようになっていることを特徴とする。
【００１７】
電鋳法により形成されたマスク本体１１に、半田ボール３を真空吸着するための吸着通孔１２が上下貫通状に多数独立して設けられており、吸着通孔１２の間のマスク本体１１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起１３が、下方側に突出する状態で電鋳法により該マスク本体１１と一体に形成されている吸着用マスクの製造方法であって、導電性の母型２０の表面に補強突起１３の形成位置に対応して、レジスト凸部４９を有する一次パターンレジスト５０を形成する工程と、母型２０上にレジスト凸部４９の高さを超えて電着金属を電鋳して、前記レジスト凸部４９の上面に円錐形の凹み５１を有する一次電鋳層５２を形成する一次電鋳工程と、一次電鋳層５２上に吸着通孔１２に対応するレジスト凸部３３を有する二次パターンレジスト３４を形成する工程と、レジスト凸部３３の高さを超えない範囲で、一次電鋳層５２上に電着金属を電鋳して、二次電鋳層３５を形成する二次電鋳工程と、二次電鋳層３５を一次電鋳層５２および母型２０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト５０・３４を除去することで、二次電鋳層３５である吸着用マスクを得る工程とを含む。そして、二次電鋳工程において、一次電鋳層５２に形成された円錐形の凹み５１に対応して、円錐状の補強突起１３が形成されるようになっていることを特徴とする。
【００１８】
本発明は、電鋳法により形成されたマスク本体６１に、ボール用通孔６２が上下貫通状に多数独立して設けられており、該ボール用通孔６２に半田ボール３を振り込むことで、基板１上の所定位置に半田ボール３を搭載するマスクであり、ボール用通孔６２の間のマスク本体６１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起６３が、下方側に突出する状態で電鋳法により該マスク本体６１と一体に形成されている半田ボールの配列用マスクの製造方法を対象とする。導電性の母型７０の表面に、隣り合うボール用通孔６２の形成位置の間にレジスト開口７５を有する一次パターンレジスト７６を形成する工程と、母型７０上に一次パターンレジスト７６の高さを超えて電着金属を電鋳して、前記レジスト開口７５で囲まれた一次パターンレジスト７６の間に格子状の溝７７を有する一次電鋳層７８を形成する一次電鋳工程と、一次電鋳層７８上にボール用通孔６２に対応するレジスト凸部８３を有する二次パターンレジスト８４を形成する工程と、レジスト凸部８３の高さを超えない範囲で、一次電鋳層７８上に電着金属を電鋳して、二次電鋳層８５を形成する二次電鋳工程と、二次電鋳層８５を一次電鋳層７８および母型７０から剥離するとともに、一次、二次パターンレジスト７６・８４を除去することで、吸着用マスクとなる二次電鋳層８５を得る工程とを含む。そして、二次電鋳工程において、一次パターンレジスト７６に形成された格子状の溝７７に対応して、補強突起６３が形成されるようになっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
半田ボールの吸着用マスクにおいては、例えば電鋳法により吸着通孔１２の間のマスク本体１１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起１３を、下方側に突出する状態で該マスク本体１１と一体に形成した。これによれば、補強突起１３をマスク本体１１と一体に形成したことと相俟って、該補強突起１３の突出分だけ、吸着用マスク６の上下方向の厚みが増し、吸着用マスク６の強度アップを図ることができる。従って、例えば、半田ボール３を真空吸着させることにより、吸着用マスク６の盤面中央に大きな負荷が作用した場合にも、吸着用マスク６が撓み変形することを効果的に防止して、基板１の所定位置に精度良く半田ボール３を載置することができ、バンプ電極の高精度化に貢献できる。
【００２０】
加えて、このように、補強突起１３を設けると、吸着用マスク６の強度アップを図ることができるので、マスク本体１１における吸着通孔１２のピッチ間隔を狭くしたことに伴う吸着用マスク６の強度低下を補って、必要且つ十分な構造強度を吸着用マスク６に与えることができる。以上より、基板１上の電極２の狭ピッチ化に適した吸着用マスク６を得ることができる。なお、本発明に係る半田ボールの吸着用マスクは、電鋳法やエッチング法により形成できるが、直径寸法が板厚以下の孔の形成が可能であり板厚のコントロールが容易な電鋳法で形成することが好ましい。
【００２１】
補強突起１３が、各吸着通孔１２を囲む四角格子状に形成されていると、吸着通孔１２の周方向の全体を補強突起１３で囲むことができるので、吸着用マスク６の構造強度を格段に向上することができる。
【００２２】
吸着用マスク６の下面が、各吸着通孔１２を囲むように形成されたセル凹部１５の内底面４１と、該内底面４１よりも下方に位置する平坦面４０とからなる段付き状に形成されており、セル凹部１５を囲むように、平坦面４０を有する補強突起１３が突出状に形成されている構成を採ることができる。これによれば、補強突起１３の水平方向の肉厚寸法を大きくすることができるので、補強突起１３の強度アップを図って、吸着用マスク６の構造強度の格段の向上が期待できる。
【００２３】
各吸着通孔１２に隣接して、円錐状の補強突起１３が形成されている構成を採ることができる。これによっても、補強突起１３をマスク本体１１と一体に形成したことと相俟って、該補強突起１３の突出分だけ、吸着用マスク６の上下方向の厚みが増し、吸着用マスク６の強度アップを図ることができる。
【００２４】
本発明に係る半田ボールの配列用マスクにおいては、例えば電鋳法によりボール用通孔１２の間のマスク本体６１の下面側に、構造強度を増強するための補強突起６３を、下方側に突出する状態で該マスク本体６１と一体に形成した。これによれば、補強突起６３をマスク本体６１と一体に形成したことと相俟って、該補強突起６３の突出分だけ、配列用マスク６０の上下方向の厚みが増し、配列用マスク６０の強度アップを図ることができる。また、基板１上に配列用マスク６０を固定した状態において、補強突起６３は、その下端部が基板１の表面に当接することで、基板１との対向間隔を確保するための支持突起としての役割も果たす。従って、例えば、多数個の半田ボール３が配列用マスク６０の上面に乗せられて、配列用マスク６０に大きな負荷が作用した場合にも、配列用マスク６０が撓み変形することを効果的に防止して、基板１の所定位置に精度良く半田ボール３を載置することができ、バンプ電極の高精度化に貢献できる。
【００２５】
加えて、補強突起６３を設けたことで、配列用マスク６０の強度アップを図ることができるので、マスク本体６１におけるボール用通孔６２のピッチ間隔を狭くしたことに伴う配列用マスク６０の強度低下を補って、必要かつ十分な構造強度を配列用マスク６０に与えることができる。以上より、基板１上の電極２の狭ピッチ化に適した配列用マスク６０を得ることができる。なお、本発明に係る半田ボールの配列用マスクは、電鋳法やエッチング法により形成できるが、直径寸法が板厚以下の孔の形成が可能であり板厚のコントロールが容易な電鋳法で形成することが好ましい。
【００２６】
補強突起６３に対応して、マスク本体６１の上面に載置された半田ボール３をボール用通孔６２に導くためのガイド凹部６６が形成されていると、該ガイド凹部６６によりマスク本体６１の上面に載置された半田ボール３をボール用通孔６２に向かって移動案内させることができるので、迅速に半田ボール３をボール用通孔６２内に落とし込むことができ、半田ボール３の投入作業の作業効率の向上を図ることができる。また、ガイド凹部６６でボール用通孔６２側に半田ボール３を移動案内することができるので、各ボール用通孔６２内により確実に半田ボール３を落とし込むことができ、したがって、各ボール用通孔６２に対する半田ボール３のボール落ちが生じ難く、信頼性に優れた配列用マスク６０を得ることができる。
【００２７】
補強突起６３が、各ボール用通孔６２を囲む四角格子状に形成されていると、ボール用通孔６２の周方向の全体を補強突起６３で囲むことができるので、配列用マスク６０の構造強度を格段に向上させることができる。
【００２８】
半田ボールの吸着用マスクの製造方法においては、二次電鋳工程において、一次電鋳層２８に形成された格子状の溝２７に対応して、補強突起１３が形成されるようにしたので、二次電鋳工程で、マスク本体１１と補強突起１３の両者を一体的に形成することができる。以上より、一つの工程により、マスク本体１１と補強突起１３とが一体的に形成された吸着用マスクを得ることができるので、製造工程の簡素化を図ることができ、補強突起１３を形成したことに伴う製造工程の増加を抑えて、マスクの製造コストの増加を抑えることができる。
【００２９】
同様に、一次電鋳工程においては、一次パターンレジスト２６の上面で各レジスト開口２５から成長した電着金属どうしが接触する前に電着を終了し、隣り合うレジスト開口２５からの等間隔距離に位置する一次パターンレジスト２６の上面の一部には、一次パターンレジスト２６が現出する露出部４２が形成されるとともに、該露出部４２に対応して、一次電鋳層２８には凹溝４３が形成されるようになっており、二次電鋳工程において、一次電鋳層に形成された凹溝４３に対応して、平坦面４０を有する補強突起１３が形成される構成を採ることができる。これによっても、一つの工程により、マスク本体１１と補強突起１３とが一体的に形成された吸着用マスクを得ることができるので、製造工程の簡素化を図ることができ、補強突起１３を形成したことに伴う製造工程の増加を抑えて、マスクの製造コストの増加を抑えることができる。
【００３０】
同様に、一次電鋳工程においては、レジスト凸部４９の上面に円錐形の凹み５１を有する一次電鋳層５２が形成されるようになっており、二次電鋳工程において、一次電鋳層５２に形成された円錐形の凹み５１に対応して、円錐状の補強突起１３が形成される構成を採ることができる。これによっても、一つの工程により、マスク本体１１と補強突起１３とが一体的に形成された吸着用マスクを得ることができるので、製造工程の簡素化を図ることができ、補強突起１３を形成したことに伴う製造工程の増加を抑えて、マスクの製造コストの増加を抑えることができる。
【００３１】
本発明に係る半田ボールの配列用マスクの製造方法においては、二次電鋳工程において、一次電鋳層７８に形成された格子状の溝７７に対応して、補強突起６３が形成されるようにしたので、二次電鋳工程で、マスク本体６１と補強突起６３の両者を一体的に形成することができる。以上より、一つの工程により、マスク本体６１と補強突起６３とが一体的に形成された配列用マスクを得ることができるので、製造工程の簡素化を図ることができ、補強突起６３を形成したことに伴う製造工程の増加を抑えて、マスクの製造コストの増加を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１形態の半田ボールの吸着用マスクの縦断側面図である。
【図２】吸着用マスクが適用される吸着ヘッドを模式的に示す縦断側面図である。
【図３】第１形態の吸着用マスクの底面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第１形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第１形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図７】第２形態の半田ボールの吸着用マスクの縦断側面図である。
【図８】第２形態の吸着用マスクの底面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、第２形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図１０】第３形態の半田ボールの吸着用マスクの縦断側面図である。
【図１１】第３形態の吸着用マスクの底面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、第３形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、第３形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、第３形態の吸着用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図１５】本発明の第１実施例に係る半田ボールの配列用マスクの縦断側面図である。
【図１６】（ａ）は第１実施例に係る配列用マスクの底面図、（ｂ）は当該配列用マスクの平面図である。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施例に係る配列用マスクの製造工程の工程説明図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施例に係る配列用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は、第１実施例に係る配列用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図２０】本発明の第２実施例に係る半田ボールの配列用マスクの縦断側面図である。
【図２１】（ａ）、（ｂ）は、第２実施例に係る配列用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図２２】本発明の第３実施例に係る半田ボールの配列用マスクの縦断側面図である。
【図２３】第３実施例に係る配列用マスクの底面図である。
【図２４】（ａ）〜（ｃ）は、第３実施例に係る配列用マスクの製造工程の工程説明図である。
【図２５】（ａ）、（ｂ）は、第３実施例に係る配列用マスクの製造過程の工程説明図である。
【図２６】（ａ）、（ｂ）は、第３実施例に係る配列用マスクの製造過程の工程説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１乃至図６を使って、第１形態の半田ボールの吸着用マスク（以下、単に「吸着用マスク」と記す。）を説明する。図２は、電子部品の基板１の電極２上に半田ボール３を運ぶ半田ボール搭載装置の吸着ヘッド４を示している。吸着ヘッド４は、下面が開口する角皿状のケース５を有し、ケース５の開口下面を塞ぐように、四角プレート状の吸着用マスク６が装着されている。ケース５は、ステンレス鋼などからなる金属成形品であり、四角形状の天壁７と、天壁７の外周から下方に伸びる周側壁８とを有する。天壁７の中央部には、パイプ９が上方向に向けて突設されている。このパイプ９は、図外の真空ポンプに接続されている。
【００３４】
吸着用マスク６のマスク本体１１には、半田ボール３を真空吸着するための吸着通孔１２が、上下貫通状に多数独立して設けられている。図３に示すように、吸着通孔１２は、平面視で縦横方向に複数個形成されており、その形成位置は、基板１側の電極２の個数、および配列ピッチに対応している。
【００３５】
以上のような半田ボールの搭載装置においては、吸着ヘッド４が図外の半田ボール供給部に蓄えられた半田ボール３を吸着用マスク６の吸着通孔１２に真空吸着してピックアップし、基板１の上方へ移動して半田ボール３と電極２とを位置合わせしたうえで、吸着ヘッド４を下降させることにより半田ボール３を電極２上に着地させる。次に、真空ポンプを停止して、半田ボール３に対する真空吸着を解除したうえで、吸着ヘッド４を上昇させて、半田ボール３を電極２上に残して移動する。半田ボール３が載置された基板１は、リフロー装置の加熱炉に送られて加熱され、半田ボール３は溶解・固化されてバンプとなる。
【００３６】
図１に示すように、吸着用マスク６は、ニッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、その他の電着金属を素材として電鋳法により形成された一層構造のマスク本体１１を主体とするものであり、マスク本体１１に上下貫通状に多数独立して設けられた吸着通孔１２と、吸着通孔１２の間のマスク本体１１の下面側に突出形成された補強突起１３とを備える。図３に示すように、補強突起１３は、平面視において、前後の縦方向に走る稜線１４ａと、左右の横方向に走る稜線１４ｂとで構成される四角格子状に突出形成されており、マスク本体１１の下面には、これら縦横の稜線１４（１４ａ・１４ｂ）で囲まれた多数個の四角形状（正方形状）のセル凹部１５が形成されている。各吸着通孔１２は、補強突起１３の稜線１４で区画されたセル凹部１５の盤面中央に開設されている。各吸着通孔１２は、上下の開口寸法が均一なストレート状に形成されている。
【００３７】
図４乃至図６は、本形態の吸着用マスク６の製造方法を示す。まず、図４（ａ）に示すように、ステンレスや銅等の導電性の金属からなる母型２０の表面にフォトレジスト層２１を形成する。フォトレジスト層２１は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成する。次いで、フォトレジスト層２１の上に、吸着通孔１２の形成位置に対応して、該吸着通孔１２よりも径寸法の大きな透光孔２２を有するパターンフィルム２３（ガラスマスク）を密着させたのち、紫外光ランプ２４で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図４（ｂ）に示すように、吸着通孔１２（図１、図３参照）の形成位置に対応して、該吸着通孔１２よりも径寸法の大きな多数個のレジスト開口２５を有する一次パターンレジスト２６を母型２０上に形成する。
【００３８】
続いて、上記母型２０を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、一次パターンレジスト２６の高さを超えて、母型２０のレジスト開口２５を介した露出部分にニッケル等の電着金属を電鋳することにより、図４（ｃ）に示すように、隣り合うレジスト開口２５で囲まれた一次パターンレジスト２６の上面に、断面Ｖ字状の溝２７を有する一次電鋳層２８を形成する（一次電鋳工程）。かかる一次電鋳工程において、母型２０のレジスト開口２５を介した露出部分から成長した電着金属で構成される一次電鋳層２８は、一次パターンレジスト２６の高さを超えると、上方向のみならず一次パターンレジスト２６を覆うように縦横方向（水平方向）にも成長する。本形態では、一次パターンレジスト２６の上面で各レジスト開口２５から成長した電着金属どうしが衝突した後も、これら成長した電着金属が所定の厚み寸法となるまで電着を続けるようにしており、これにて、図４（ｃ）に示すように、一次電鋳層２８の一次パターンレジスト２６の上面の隣り合うレジスト開口２５からの等距離位置には、縦横方向に格子状に走るように溝２７が形成される。
【００３９】
次に、図５（ａ）に示すように、一次電鋳層２８の上面の全体に、フォトレジスト層３０を形成したうえで、当該フォトレジスト層３０の表面に、吸着通孔１２に対応する透光孔３１を有するパターンフィルム３２を密着させたのち、紫外光ランプ２４を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図５（ｂ）に示すように、吸着通孔１２に対応するレジスト凸部３３を有する二次パターンレジスト３４を一次電鋳層２８の上面に形成する。
【００４０】
続いて、母型２０等を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図６（ａ）に示すように、レジスト凸部３３の高さを超えない範囲内で、該レジスト凸部３３で覆われていない一次電鋳層２８の表面にニッケル等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層３５を形成する（二次電鋳工程）。かかる二次電鋳工程においては、一次電鋳層２８の上面に形成された格子状の溝２７を埋めるように二次電鋳層３５は成長するため、該二次電鋳層３５の下面には、レジスト凸部３３を囲むように格子状に補強突起１３が形成される。また、補強突起１３に対応して、二次電鋳層３５の上面には、格子状に凹部１６が形成される。
【００４１】
最後に、二次電鋳層３５を、一次電鋳層２８および母型２０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト２６・３４を除去することで、図６（ｂ）および図１に示すような、二次電鋳層３５のみからなる吸着用マスク６を得ることができる。
【００４２】
以上のように、本形態の吸着用マスク６によれば、マスク本体１１の下面側に、下方側に突出するように補強突起１３を形成したので、該補強突起１３をマスク本体１１と一体に形成したことと相俟って、該補強突起１３の突出分だけ、吸着用マスク６の上下方向の厚みが増し、吸着用マスク６の強度アップを図ることができる。従って、半田ボール３を真空吸着させることにより、吸着用マスク６の盤面中央に大きな負荷が作用した場合にも、吸着用マスク６が撓み変形することを効果的に防止して、基板１の所定位置に精度良く半田ボール３を載置することができ、バンプ電極の高精度化に貢献できる。
【００４３】
本形態の吸着用マスク６によれば、補強突起１３を設けたことで、吸着用マスク６の強度アップを図ることができるので、マスク本体１１における吸着通孔１２のピッチ間隔を狭くしたことに伴う吸着用マスク６の強度低下を補って、必要且つ十分な構造強度を吸着用マスク６に与えることができる。以上より、基板１上の電極２の狭ピッチ化に適した吸着用マスク６を得ることができる。
【００４４】
補強突起１３がマスク本体１１の下面の全体に亘って形成されると共に、該補強突起１３が前後の縦方向に連続的に走る稜線１４ａと、左右の横方向に連続的に走る稜線１４ｂとからなる四角格子状に形成したので、部分的に補強突起を形成する構成、或いは非連続的に補強突起を形成する構成に比べて、吸着用マスク６の構造強度の格段の向上を図ることができる。従って、この点でも電極２の狭ピッチ化に適した吸着用マスク６を得ることができる。
【００４５】
吸着用マスク６は、一次電鋳層２８上に電着金属を電鋳することで得られた二次電鋳層３５であり、一回の電鋳工程（二次電鋳工程）により、マスク本体１１と補強突起１３の両者を一体に形成するため、マスク本体１１と補強突起１３とを別々の電鋳工程で作成する形態に比べて、マスク本体１１と補強突起１３との一体性に優れた吸着用マスク６を得ることができる。従って、補強突起１３がマスク本体１１から脱落するような不都合は生じず、より信頼性に優れた吸着用マスク６を得ることができる。また、吸着通孔１２を有するマスク本体１１と、該吸着通孔１２を囲む補強突起１３とを一体に電鋳工程で作成するため、再現性良く吸着用マスク６を作成することができる。
【００４６】
図７乃至図９に、半田ボールの吸着用マスクの第２形態を示す。本形態の吸着用マスク６では、図７および図８に示すように、マスク本体１１には、各吸着通孔１２を囲むように、円状のセル凹部１５が凹み形成されており、吸着用マスク６の下面が、セル凹部１５の内底面４１と、該内底面４１よりも下方に位置する平坦面４０とで構成されている点が先の形態と相違する。さらに、本形態の吸着用マスク６では、セル凹部１５を囲むように、平坦面４０を有する補強突起１３がマスク本体１１と一体に形成されている点が、先の形態と相違する。
【００４７】
以上のような構成からなる吸着用マスク６は、以下のように作成される。まず、先の形態の図４（ａ）に示したように、母型２０の表面にフォトレジスト層２１を形成したのち、フォトレジスト層２１の上に、吸着通孔１２の形成位置に対応して、該吸着通孔１２よりも径寸法の大きな透光孔２２を有するパターンフィルム２３を密着させたのち、紫外光ランプ２４で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図４（ｂ）に示すように、吸着通孔１２の形成位置に対応して、該吸着通孔１２よりも径寸法の大きな多数個のレジスト開口２５を有する一次パターンレジスト２６を母型２０上に形成する。
【００４８】
続いて、図９（ａ）に示すように、上記母型２０を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、母型２０のレジスト開口２５を介した露出部分にニッケル等の電着金属を電鋳する（一次電鋳工程）。かかる一次電鋳工程においては、母型２０のレジスト開口２５を介した露出部分から成長した電着金属で構成される一次電鋳層２８は、一次パターンレジスト２６の高さを超えると、上方向のみならず一次パターンレジスト２６を覆うように縦横方向（水平方向）にも成長する。本形態では、先の形態と異なり、一次パターンレジスト２６の上面で各レジスト開口２５から成長した電着金属どうしが接触する前に電着を終了するようにしており、これにて、図９（ａ）に示すように、隣り合うレジスト開口２５からの等間隔距離に位置する一次パターンレジスト２６の上面の一部には、一次電鋳層２８で覆われず、一次パターンレジスト２６が現出する露出部４２が形成される。また、当該露出部４２に対応して、一次電鋳層２８には凹溝４３が形成される。
【００４９】
次に、図５（ａ）と同様の手順を採ることにより、吸着通孔１２に対応するレジスト凸部３３を有する二次パターンレジスト３４を一次電鋳層２８の上面に形成したのち、母型２０、一次電鋳層２８等を、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図９（ｂ）に示すように、レジスト凸部３３の高さを超えない範囲内で、該レジスト凸部３３で覆われていない一次電鋳層２８の表面、および凹溝４３にニッケル等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層３５を形成する（二次電鋳工程）。かかる二次電鋳工程においては、凹溝４３を埋めるように二次電鋳層３５は成長するため、該二次電鋳層３５の下面には、レジスト凸部３３を囲むように補強突起１３が突出状に形成され、露出部４２に対応して補強突起１３の突出端には平坦面４０が形成される。また、補強突起１３に対応して、二次電鋳層３５の上面には、凹部１６が形成される。
【００５０】
最後に、二次電鋳層３５を、一次電鋳層２８および母型２０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト２６・３４を除去することで、図９（ｃ）および図７に示すような、二次電鋳層３５のみからなる吸着用マスク６を得ることができる。
【００５１】
以上のような構成からなる本形態の吸着用マスク６によれば、補強突起１３をマスク本体１１の下面の全体に亘って形成したので、部分的に補強突起を形成する構成に比べて、吸着用マスク６の構造強度の格段の向上を図ることができる。また、本形態の吸着用マスク６のように、補強突起１３の突出端を平坦面４０としてあると、先の形態のように、補強突起１３を縦横方向に走る稜線１４からなる格子状とする形態に比べて、補強突起１３の水平方向の肉厚寸法を大きくすることができるので、補強突起１３の強度アップを図って、吸着用マスク６の構造強度を格段に向上できる。
【００５２】
図１０乃至図１４に、半田ボールの吸着用マスクの第３形態を示す。本形態の吸着用マスク６では、図１０および図１１に示すように、円錐状の補強突起１３が多数個独立状に設けられている点が、先の形態と相違する。図１１に示すように、本形態の吸着用マスク６では、一つの吸着通孔１２の前後の縦方向位置、或いは左右の横方向位置に、一対の補強突起１３・１３が配されている。換言すれば、一つの吸着通孔１２に対して、前後の縦方向、或いは左右の横方向から挟むように、一対の補強突起１３・１３が配されている。
【００５３】
以上のような構成からなる吸着用マスク６は、以下のように作成される。まず、図１２（ａ）に示すように、ステンレスや銅等の導電性の金属からなる母型２０の表面にフォトレジスト層４６を形成したのちに、フォトレジスト層４６の上に、補強突起１３の形成位置に対応して、該補強突起１３の基端部側の径寸法よりも大きな径寸法を有する透光孔４７を有するパターンフィルム４８（ガラスマスク）を密着させたのち、紫外光ランプ２４で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図１２（ｂ）に示すように、補強突起１３（図１０、図１１参照）の形成位置に対応して、該補強突起１３よりも径寸法の大きな多数個のレジスト凸部４９を有する一次パターンレジスト５０を母型２０上に形成する。
【００５４】
続いて、上記母型２０を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、一次パターンレジスト５０を構成するレジスト凸部４９の高さを超えて、母型２０の露出部分にニッケル等の電着金属を電鋳することにより、図１２（ｃ）に示すように、レジスト凸部４９の上面に、円錐形の凹み５１を有する一次電鋳層５２を形成する（一次電鋳工程）。かかる一次電鋳工程において、母型２０の露出部分から成長した電着金属で構成される一次電鋳層５２は、レジスト凸部４９の高さを超えると、上方向のみならず、レジスト凸部４９の上面を覆うように縦横方向（水平方向）にも成長する。本形態では、電着金属が所定の厚み寸法となるまで電着を続けるようにしており、これにて、図１２（ｃ）に示すように、一次電鋳層５２のレジスト凸部４９の上面の盤面中央部に、円錐形の凹み５１が形成される。
【００５５】
次に、図１３（ａ）に示すように、一次電鋳層５２の上面の全体に、フォトレジスト層５３を形成したうえで、当該フォトレジスト層５３の表面に、吸着通孔１２に対応する透光孔３１を有するパターンフィルム３２を密着させたのち、紫外光ランプ２４を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図１３（ｂ）に示すように、吸着通孔１２に対応するレジスト凸部３３を有する二次パターンレジスト３４を一次電鋳層２８の上面に形成する。
【００５６】
続いて、母型２０等を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図１４（ａ）に示すように、レジスト凸部３３の高さを超えない範囲内で、該レジスト凸部３３で覆われていない一次電鋳層５２の表面にニッケル等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層５５を形成する（二次電鋳工程）。かかる二次電鋳工程においては、一次電鋳層５２の上面に形成された円錐形の凹み５１を埋めるように二次電鋳層５５は成長するため、該二次電鋳層５５の下面には、円錐状の補強突起１３が形成される。また、補強突起１３に対応して、二次電鋳層３５の上面には、凹部１６が形成される。
【００５７】
最後に、二次電鋳層５５を、一次電鋳層５２および母型２０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト５０・３４を除去することで、図１４（ｂ）および図１０に示すような、二次電鋳層５５のみからなる吸着用マスク６を得ることができる。
【００５８】
上記の一次電鋳工程において、先の形態のように成長した電着金属どうしがレジスト凸部４９上で接触する前に電着を終了するようにして、一次パターンレジスト５０の一部が現出するようにすると、レジスト凸部４９の上面の盤面中央部に截頭円錐状の凹みが形成される。こののち二次パターンレジスト３４の形成工程、二次電鋳工程、および剥離の工程を順次行うことにより、二次電鋳層５５の下面に、截頭円錐状の補強突起１３が形成された二次電鋳層５５のみからなる吸着用マスク６を得ることができる。
【００５９】
（第１実施例）  図１５乃至図１９を使って、本発明の第１実施例に係る半田ボールの配列用マスク（以下、単に「配列用マスク」と記す。）を説明する。図１５に示すように、この配列用マスク６０は、バンプ形成工程において、基板１の上面に設置されて、該基板１上に形成された電極２上に半田ボール３を搭載するためのものである。
【００６０】
図１５に示すように、配列用マスク６０は、ニッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、その他の電着金属を素材として電鋳法により形成された一層構造のマスク本体６１を主体とするものであり、マスク本体６１に上下貫通状に多数独立して設けられたボール用通孔６２と、ボール用通孔６２の間のマスク本体６１の下面側に突出形成された補強突起６３と、補強突起６３に対応してマスク本体６１の上面側に凹み形成されたガイド凹部６６とを備える。図１５および図１６に示すように、隣り合うボール用通孔６２の間には、厚み寸法が均一であり、且つ上下面が平坦な領域６５が形成されている。各ボール用通孔６２は、上下の開口寸法が均一なストレート状に形成されている。
【００６１】
図１６（ａ）に示すように、補強突起６３は、平面視において、左右方向において隣り合うボール用通孔６２の間を通るように、前後の縦方向に走る稜線６４ａと、各ボール用通孔６２の中心部を通るように、左右の横方向に走る稜線６４ｂとで四角格子状に突出形成されている。すなわち、マスク本体６１の下面には、これら縦横の稜線６４（６４ａ・６４ｂ）で構成される四角格子状の補強突起６３が形成されている。
【００６２】
マスク本体６１の上面には、該マスク本体６１の上面に載置された半田ボール３をボール用通孔６２に導くためのガイド凹部６６が形成されている。図１６（ｂ）に示すように、ガイド凹部６６は、平面視において、左右方向において隣り合うボール用通孔６２の間を通るように、前後の縦方向に走るガイド溝６７ａと、各ボール用通孔６２の中心部を通るように、左右の横方向に走るガイド溝６７ｂとで四角格子状に突出形成されている。すなわち、マスク本体６１の上面には、これら縦横のガイド溝６７（６７ａ・６７ｂ）で構成される四角格子状のガイド凹部６６が形成されている。
【００６３】
図１７乃至図１９に、第１実施例に係る配列用マスク６０の製造方法を示す。まず、図１７（ａ）に示すように、ステンレスや銅等の導電性の金属からなる母型７０の表面にフォトレジスト層７１を形成する。フォトレジスト層７１は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成する。次いで、フォトレジスト層７１の上に、領域６５の形成位置に対応する透光孔７２を有するパターンフィルム７３（ガラスマスク）を密着させたのち、紫外光ランプ７４で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図１７（ｂ）に示すように、領域６５（図１５、図１６（ａ）（ｂ）参照）の形成位置に対応する多数個のレジスト開口７５を有する一次パターンレジスト７６を母型７０上に形成する。すなわち、隣り合うボール用通孔６２の形成位置の中間部分にレジスト開口７５を有する一次パターンレジスト７６を母型７０上に形成する。
【００６４】
続いて、上記母型７０を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、一次パターンレジスト７６の高さを超えて、母型７０のレジスト開口７５を介した露出部分にニッケル等の電着金属を電鋳することにより、図１７（ｃ）に示すように、隣り合うレジスト開口７５で囲まれた一次パターンレジスト７６の上面に、断面Ｖ字状の溝７７を有する一次電鋳層７８を形成する（一次電鋳工程）。かかる一次電鋳工程において、母型７０のレジスト開口７５を介した露出部分から成長した電着金属で構成される一次電鋳層７８は、一次パターンレジスト７６の高さを超えると、上方向のみならず一次パターンレジスト７６を覆うように縦横方向（水平方向）にも成長する。本実施例では、一次パターンレジスト７６の上面で各レジスト開口７５から成長した電着金属どうしが衝突した後も、これら成長した電着金属が所定の厚み寸法となるまで電着を続けるようにしており、これにて、図１７（ｃ）に示すように、一次電鋳層７８の一次パターンレジスト７６の上面の隣り合うレジスト開口７５からの等距離位置には、縦横方向に格子状に走るように溝７７が形成される。
【００６５】
次に、図１８（ａ）に示すように、一次電鋳層７８の上面の全体に、フォトレジスト層８０を形成したうえで、当該フォトレジスト層８０の表面に、ボール用通孔６２に対応する透光孔８１を有するパターンフィルム８２を密着させたのち、紫外光ランプ７４を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図１８（ｂ）に示すように、ボール用通孔６２に対応するレジスト凸部８３を有する二次パターンレジスト８４を一次電鋳層７８の上面に形成する。
【００６６】
続いて、母型７０等を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図１９（ａ）に示すように、レジスト凸部８３の高さを超えない範囲内で、該レジスト凸部８３で覆われていない一次電鋳層７８の表面にニッケル等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層８５を形成する（二次電鋳工程）。かかる二次電鋳工程においては、一次電鋳層７８の上面に形成された格子状の溝７７を埋めるように二次電鋳層８５は成長するため、該二次電鋳層８５の下面には、レジスト凸部８３を囲むように格子状に補強突起６３が形成される。また、補強突起６３に対応して、二次電鋳層８５の上面には、格子状にガイド凹部６６が形成される。
【００６７】
最後に、二次電鋳層８５を、一次電鋳層７８および母型７０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト７６・８４を除去することで、図１９（ｂ）および図１５に示すような、二次電鋳層８５のみからなる配列用マスク６０を得ることができる。
【００６８】
配列用マスク６０を用いた半田ボール３の配列作業は、以下のような手順で行われる。まず、基板１上の電極２上にフラックスを印刷塗布したのち、ボール用通孔６２と電極２とが一致するように、基板１上に配列用マスク６０を位置合わせしたうえで、配列用マスク６０を固定する。かかる固定状態においては、補強突起６３の下端部が基板１の表面に当接することで、配列用マスク６０は、図１５に示すような基板１との対向間隔が確保された離間姿勢に姿勢保持される。すなわち、補強突起６３は、基板１との対向間隔を確保するための支持突起としての役割も果たす。
【００６９】
次に、配列用マスク６０上に多数個の半田ボール３を供給し、スキージブラシを用いて配列用マスク６０上で半田ボール３を分散させて、ボール用通孔６２内に一つずつ半田ボール３を投入する。このとき、半田ボール３は、ガイド凹部６６にガイドされながら、ボール用通孔６２に向かって動くため、より迅速に半田ボール３をボール用通孔６２内に投入することができる。ボール用通孔６２内に投入された各半田ボール３は、フラックスにより仮止め状に粘着保持される。半田ボール３が載置された基板１は、リフロー装置の加熱炉に送られて加熱され、半田ボール３は溶解・固化されてバンプとなる。
【００７０】
以上のように、第１実施例に係る配列用マスク６０によれば、マスク本体６１の下面側に、下方側に突出するように補強突起６３を形成したので、該補強突起６３をマスク本体６１と一体に形成したことと相俟って、該補強突起６３の突出分だけ、配列用マスク６０の上下方向の厚みが増し、配列用マスク６０の強度アップを図ることができる。従って、多数個の半田ボール３が配列用マスク６０の上面に乗せられて、配列用マスク６０に大きな負荷が作用した場合にも、配列用マスク６０が撓み変形することを効果的に防止して、基板１の所定位置に精度良く半田ボール３を載置することができ、バンプ電極の高精度化に貢献できる。
【００７１】
第１実施例に係る配列用マスク６０によれば、補強突起６３を設けたことで、配列用マスク６０の強度アップを図ることができるので、マスク本体６１におけるボール用通孔６２のピッチ間隔を狭くしたことに伴う配列用マスク６０の強度低下を補って、必要かつ十分な構造強度を配列用マスク６０に与えることができる。以上より、基板１上の電極２の狭ピッチ化に適した配列用マスク６０を得ることができる。
【００７２】
補強突起６３がマスク本体６１の下面の全体に亘って形成されると共に、該補強突起６３が前後の縦方向に連続的に走る稜線６４ａと、左右の横方向に連続的に走る稜線６４ｂとからなる四角格子状に形成したので、部分的に補強突起を形成する構成、或いは非連続的に補強突起を形成する構成に比べて、配列用マスク６０の構造強度の格段の向上を図ることができる。従って、この点でも電極２の狭ピッチ化に適した配列用マスク６０を得ることができる。
【００７３】
ガイド凹部６６がマスク本体６１の上面の全体に亘って形成されていると、該ガイド凹部６６によりマスク本体６１の上面に載置された半田ボール３をボール用通孔６２に向かって移動案内させることができるので、迅速に半田ボール３をボール用通孔６２内に落とし込むことができ、半田ボール３の投入作業の作業効率の向上を図ることができる。また、ガイド凹部６６でボール用通孔６２側に半田ボール３を移動案内することができるので、各ボール用通孔６２内に確実に半田ボール３を落とし込むことができ、したがって、各ボール用通孔６２に対する半田ボール３のボール落ちが生じ難く、信頼性に優れた配列用マスク６０を得ることができる。
【００７４】
配列用マスク６０は、一次電鋳層７８上に電着金属を電鋳することで得られた二次電鋳層８５であり、一回の電鋳工程（二次電鋳工程）により、マスク本体６１と補強突起６３の両者を一体に形成するため、マスク本体６１と補強突起６３とを別々の電鋳工程で作成する形態に比べて、マスク本体６１と補強突起６３との一体性に優れた配列用マスク６０を得ることができる。従って、補強突起６３がマスク本体６１から脱落するような不都合は生じず、より信頼性に優れた配列用マスク６０を得ることができる。また、ボール用通孔６２を有するマスク本体６１と、該ボール用通孔６２を囲む補強突起６３とを一体に電鋳工程で作成するため、再現性良く配列用マスク６０を作成することができる。
【００７５】
（第２実施例）  図２０および図２１に本発明に係る半田ボールの配列用マスクの第２実施例を示す。この第２実施例に係る配列用マスク６０では、マスク本体６１の上面に形成されていたガイド凹部６６を廃して、マスク本体６１の上面にガイド部８８を突出状に形成した点が、先の第１実施例と相違する。
【００７６】
以上のような配列用マスク６０は、二次電鋳層８５を形成する二次電鋳工程において、第１実施例に比べてより高い位置まで二次電鋳層８５を形成することで得ることができる。具体的には、先の第１実施例と同様に、母型７０上への一次パターンレジスト７６の形成工程（図１７（ｂ）参照）、一次電鋳層７８を形成する一次電鋳工程（図１７（ｃ）参照）、およびレジスト凸部８３を有する二次パターンレジスト８４の形成工程（図１８参照）を行う。次に、母型７０等を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図２１（ａ）に示すように、レジスト凸部８３の高さを超えない範囲内で、該レジスト凸部８３で覆われていない一次電鋳層７８の表面にニッケル等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層８５を形成する（二次電鋳工程）。本実施例では、二次パターンレジスト８４の形成工程において形成されるレジスト凸部８３の高さ寸法を、先の第１実施例におけるそれよりも大きくしており、二次電鋳工程において形成される二次電鋳層８５の高さ寸法（厚み寸法）も、先の第１実施例におけるそれよりも大きくしている。このように、二次電鋳工程において形成される二次電鋳層８５の高さ寸法（厚み寸法）を大きくすると、一次電鋳層７８の上面に形成された溝７７からの距離が長くなるため、二次電鋳層８５の上面には、該溝７７の形状に沿った凹みは形成されず、逆に二次電鋳層８５の上面を、上方に向けて膨出状に突出させて、ガイド部８８を形成することができる。本実施例では、縦横方向に走る溝７７に囲まれる位置にレジスト凸部８３を形成している。
【００７７】
最後に、二次電鋳層８５を、一次電鋳層７８および母型７０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト７６・８４を除去することで、図２１（ｂ）および図２０に示すような、二次電鋳層８５のみからなる配列用マスク６０を得ることができる。
【００７８】
このように、マスク本体６１の上面にガイド部８８を突出状に形成した場合も、先のガイド凹部６６としたとき（第１実施例）と同様の作用効果が得られる。すなわち、ガイド部８８により半田ボール３をボール用通孔６２側に移動案内することができるので、迅速に各ボール用通孔６２内に半田ボール３を落とし込むことができ、半田ボール３の投入作業の作業効率の向上を図ることができる。
【００７９】
（第３実施例）  図２２乃至図２６に本発明に係る半田ボールの配列用マスクの第３実施例を示す。この第３実施例に係る配列用マスク６０では、マスク本体６１の下面に設けられて補強突起６３を構成する前後の縦方向に走る稜線６４ａと左右の横方向に走る稜線６４ｂのそれぞれが、各ボール用通孔６２の中心部を通るように構成されている点が、先の第１実施例と相違する。同様に、この第３実施例に係る配列用マスク６０では、補強突起６３に対応して、マスク本体６１の上面に設けられてガイド凹部６６を構成する前後の縦方向に走るガイド溝６７ａと左右の横方向に走るガイド溝６７ｂのそれぞれが、各ボール用通孔６２の中心部を通るように構成されている点が、先の第１実施例と相違する。さらに、この第３実施例に係る配列用マスク６０では、隣り合うボール用通孔６２の間に形成されて、厚み寸法が均一であり、且つ上下面が平坦な領域６５が、平面視で四角形状に形成されている点が、先の第１実施例と相違する。
【００８０】
図２４乃至図２６に、第３実施例に係る配列用マスク６０の製造方法を示す。まず、図２４（ａ）に示すように、ステンレスや銅等の導電性の金属からなる母型７０の表面にフォトレジスト層７１を形成する。フォトレジスト層７１は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成する。次いで、フォトレジスト層７１の上に、領域６５の形成位置に対応する透光孔７２を有するパターンフィルム７３（ガラスマスク）を密着させたのち、紫外光ランプ７４で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図２４（ｂ）に示すように、領域６５（図２３参照）の形成位置に対応する多数個の四角正方形状のレジスト開口７５を有する一次パターンレジスト７６を母型７０上に形成する。
【００８１】
続いて、上記母型７０を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、一次パターンレジスト７６の高さを超えて、母型７０のレジスト開口７５を介した露出部分にニッケル等の電着金属を電鋳することにより、図２４（ｃ）に示すように、隣り合うレジスト開口７５で囲まれた一次パターンレジスト７６の上面に、断面Ｖ字状の溝７７を有する一次電鋳層７８を形成する（一次電鋳工程）。かかる一次電鋳工程において、母型７０のレジスト開口７５を介した露出部分から成長した電着金属で構成される一次電鋳層７８は、一次パターンレジスト７６の高さを超えると、上方向のみならず一次パターンレジスト７６を覆うように縦横方向（水平方向）にも成長する。本実施例では、一次パターンレジスト７６の上面で各レジスト開口７５から成長した電着金属どうしが衝突した後も、これら成長した電着金属が所定の厚み寸法となるまで電着を続けるようにしており、これにて、図２４（ｃ）に示すように、一次電鋳層７８の一次パターンレジスト７６の上面の隣り合うレジスト開口７５からの等距離位置には、縦横方向に格子状に走るように溝７７が形成される。
【００８２】
次に、図２５（ａ）に示すように、一次電鋳層７８の上面の全体に、フォトレジスト層８０を形成したうえで、当該フォトレジスト層８０の表面に、ボール用通孔６２に対応する透光孔８１を有するパターンフィルム８２を密着させたのち、紫外光ランプ７４を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図２５（ｂ）に示すように、ボール用通孔６２に対応するレジスト凸部８３を有する二次パターンレジスト８４を一次電鋳層７８の上面に形成する。本実施例では、縦横方向に走る溝７７の交差位置にレジスト凸部８３を形成している。
【００８３】
続いて、母型７０等を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図２６（ａ）に示すように、レジスト凸部８３の高さを超えない範囲内で、該レジスト凸部８３で覆われていない一次電鋳層７８の表面にニッケル等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層８５を形成する（二次電鋳工程）。かかる二次電鋳工程においては、一次電鋳層７８の上面に形成された格子状の溝７７を埋めるように二次電鋳層８５は成長するため、該二次電鋳層８５の下面には、レジスト凸部８３を囲むように格子状に補強突起６３が形成される。また、補強突起６３に対応して、二次電鋳層８５の上面には、格子状にガイド凹部６６が形成される。
【００８４】
最後に、二次電鋳層８５を、一次電鋳層７８および母型７０から剥離するとともに、一次、二次のパターンレジスト７６・８４を除去することで、図２６（ｂ）および図２２に示すような、二次電鋳層８５のみからなる配列用マスク６０を得ることができる。
【００８５】
第３実施例に係る配列用マスク６０によれば、マスク本体６１の上面に、ボール用通孔６２に向かって下り傾斜するようにガイド溝６７ａ・６７ｂからなるガイド凹部６６を形成したので、該ガイド凹部６６によりマスク本体６１の上面に載置された半田ボール３をボール用通孔６２内に落とし込むことができ、半田ボール３の投入作業の作業効率の向上を図ることができる。また、ガイド凹部６６でボール用通孔６２側に半田ボール３を移動案内させることができるので、各ボール用通孔６２内に確実に半田ボール３を落とし込むことができ、したがって、ボール用通孔６２に対する半田ボール３のボール落ちが生じ難く、信頼性に優れた配列用マスク６０を得ることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１  基板
２  電極
３  半田ボール
６  吸着用マスク
１１  マスク本体
１２  吸着通孔
１３  補強突起
１５  セル凹部
２０  母型
２１  フォトレジスト層
２２  透光孔
２３  パターンフィルム
２４  紫外光ランプ
２５  レジスト開口
２６  一次パターンレジスト
２７  溝
２８  一次電鋳層
３０  フォトレジスト層
３１  透光孔
３２  パターンフィルム
３３  レジスト凸部
３４  二次パターンレジスト
３５  二次電鋳層
４０  平坦面
４１  内底面
４２  露出部
４６  フォトレジスト層
４７  透光孔
４８  パターンフィルム
４９  レジスト凸部
５０  一次パターンレジスト
５１  凹み
５２  一次電鋳層
５３  フォトレジスト層
５５  二次電鋳層
６０  配列用マスク
６１  マスク本体
６２  ボール用通孔
６３  補強突起
６６  ガイド凹部
７０  母型
７１  フォトレジスト層
７２  透光孔
７３  パターンフィルム
７４  紫外光ランプ
７５  レジスト開口
７６  一次パターンレジスト
７７  溝
７８  一次電鋳層
８０  フォトレジスト層
８１  透光孔
８３  レジスト凸部
８４  二次パターンレジスト
８５  二次電鋳層
８８  ガイド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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