(57)【要約】【課題】安定して電極へ給電する構造を提供する。【解決手段】基台と、基板が載置される静電チャックと、前記静電チャックに設けられる電極と、前記電極の接点部と、前記基台の上にて前記静電チャックと前記基台とを接着し、前記接点部を覆わない接着層と、前記電極の接点部に固定されずに接触する給電端子と、を有する基板支持体が提供される。【選択図】図２
2020047638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
基板が載置される静電チャックと、
前記静電チャックに設けられる電極と、
前記電極の接点部と、
前記基台の上にて前記静電チャックと前記基台とを接着し、前記接点部を覆わない接着層と、
前記電極の接点部に固定されずに接触する給電端子と、
を有する基板支持体。
【請求項２】
前記基台と前記接着層とを貫通する貫通口内に該給電端子を保持する抜け止め構造を有する、
請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記貫通口は、前記基台内に取り付けられた絶縁性の碍子により形成される、
請求項２に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記抜け止め構造は、前記給電端子の外周に装着されたリング状部材を有し、
前記リング状部材の外径は、前記貫通口の径のうちの一部よりも大きい、
請求項２又は３に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記抜け止め構造は、ネジ構造であり、
前記給電端子に形成された雄ネジを、前記貫通口に形成された雌ネジにネジ止めする、
請求項２又は３に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記給電端子の先端部は、前記電極の表面又は該表面に取り付けられた接点板を前記電極の接点部として点接触する、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記給電端子は、上下方向に伸縮可能なバネ構造を有する、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記給電端子の末端部は、上下方向に伸縮可能なコンタクト部材に接続する、
請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項９】
前記静電チャックに設けられる電極は、チャック電極とヒータ電極とを含み、
前記給電端子は、
前記基台の上の基板の外周部のエッジリングに設けられる電極と、前記チャック電極と、前記ヒータ電極と、下部電極としての前記基板支持体と、の少なくともいずれかの電極の接点部に固定されずに接触する、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板支持体。
【請求項１０】
処理容器と基板支持体とを有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は、
基台と、
基板が載置される静電チャックと、
前記静電チャックに設けられる電極と、
前記電極の接点部と、
前記基台の上にて前記静電チャックと前記基台とを接着し、前記接点部を覆わない接着層と、
前記電極の接点部に固定されずに接触する給電端子と、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板支持体及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１は、被処理体を載置する載置台において被処理体を静電吸着するための電極への給電端子を備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２７６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、安定して電極へ給電する構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、基台と、基板が載置される静電チャックと、前記静電チャックに設けられる電極と、前記電極の接点部と、前記基台の上にて前記静電チャックと前記基台とを接着し、前記接点部を覆わない接着層と、前記電極の接点部に固定されずに接触する給電端子と、を有する基板支持体が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、安定して電極へ給電する構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す図。
【図２】一実施形態と比較例に係る基板支持体における給電端子の構造の一例を示す図。
【図３】一実施形態に係る給電端子の抜け止め構造の一例を示す図。
【図４】一実施形態に係る給電端子の接点部の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る給電端子のバネ構造又はコンタクト部材の一例を示す図。
【図６】一実施形態に係る基板支持体を貫通するソケットの一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【０００９】
［基板処理装置の構成］
まず、本開示の一実施形態に係る基板処理装置１０の構成の一例について、図１を参照しながら説明する。本実施形態では、基板処理装置１０の一例として平行平板の容量結合型プラズマ処理装置を挙げる。ただし、基板処理装置１０は、プラズマ処理装置に限られず、プラズマを使用しない熱を用いた処理装置や光を用いた処理装置等であってもよい。
【００１０】
基板処理装置１０は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器１を有している。この処理容器１は、円筒状であり、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器１内には、基板（work-piece）の一例であるウエハＷを略水平に支持する基板支持体２が収容されている。一実施形態の基板支持体２は、基台３、ウエハＷが載置される静電チャック６及び支持部７を有する。基台３は、略円柱状であり、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されている。基台３は下部電極として機能する。基台３は、絶縁体の支持台４に支持されており、支持台４が処理容器１の底部に設置されている。基台３は、例えばねじを介して支持台４に裏面側から締結されている。静電チャック６は、平面視において基板支持体２の中央に設けられており、ウエハＷを静電吸着するための機能を有している。
【００１１】
静電チャック６は、チャック電極６ａ及び絶縁体６ｂを有している。チャック電極６ａは、絶縁体６ｂの内部に設けられており、チャック電極６ａには直流電源１２が接続されている。チャック電極６ａは、後述する給電端子を介して直流電源１２に接続される。
【００１２】
静電チャック６は、チャック電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハＷを静電吸着する。静電チャック６には、加熱素子である１以上のヒータ電極６ｃ（静電チャック６側のヒータ電極）が設けられている。ヒータ電極６ｃは、ヒータ電源１４に接続されている。ヒータ電極６ｃは、例えば基板支持体２の中心を囲むよう環状に延在している。このヒータ電極６ｃは、例えば中心領域を加熱するヒータと、中心領域の外側を囲むように環状に延在するヒータとを含んでもよい。この場合、ウエハＷの温度を、当該ウエハＷの中心に対して放射方向に位置する複数の領域ごとに、制御することができる。
【００１３】
また、静電チャック６の外側には、環状のエッジリング（フォーカスリングともいう。）５が設けられている。エッジリング５は、例えば単結晶シリコンで形成されており、支持部７を介して基台３に支持されている。支持部７の内部には、加熱素子であるヒータ電極２２（エッジリング５側のヒータ電極）が設けられている。ヒータ電極２２は、エッジリング５の温度を制御する。ヒータ電極２２は、ヒータ電源１４に接続されていてもよいし、他のヒータ電源に接続されてもよい。ヒータ電源１４は、オン・オフスイッチによりヒータ電極６ｃとヒータ電極２２への給電のオン・オフが可能に構成されていてもよい。このように、ウエハＷの温度とエッジリング５の温度は、異なるヒータによって独立に制御される。
【００１４】
基台３には、給電棒５０が接続されている。給電棒５０には、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用の電源であり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定の周波数の高周波電力が基板支持体２の基台３に供給される。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）の電源であり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い所定周波数の高周波電力が基板支持体２の基台３に供給される。
【００１５】
基台３の内部には、冷媒流路２ｄが形成されており、冷媒流路２ｄには、冷媒入口配管２ｂ、冷媒出口配管２ｃが接続されている。そして、冷媒流路２ｄの中に冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、基板支持体２を所定の温度に制御する。なお、基板支持体２等を貫通するように、ウエハＷの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのガス供給管が設けられてもよい。ガス供給管は、ガス供給源に接続されている。これらの構成によって、基板支持体２の静電チャック６によって吸着保持されたウエハＷを、所定の温度に制御する。
【００１６】
基板支持体２の上方には、基板支持体２に平行に対面するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と基板支持体２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
【００１７】
シャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持する。
【００１８】
本体部１６ａの内部には、ガス拡散室１６ｃが設けられ、このガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、本体部１６ａの底部には、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。また、上部天板１６ｂには、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、上記したガス通流孔１６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００１９】
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。このガス導入口１６ｇにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給する処理ガス供給源１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ及び開閉弁Ｖ２が設けられている。そして、処理ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスが、ガス供給配管１５ａを介してガス拡散室１６ｃに供給され、このガス拡散室１６ｃから、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００２０】
上記した上部電極としてのシャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、後述する制御部９０によって制御される。なお、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波が基板支持体２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ７３がオンとされる。そして、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
【００２１】
また、処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
【００２２】
処理容器１の底部には、排気口８１が形成されており、この排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１内の側壁には、ウエハＷの搬入出口８４が設けられており、この搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
【００２３】
処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。このデポシールド８６のウエハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部には、基板支持体２に沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在に構成されている。デポシールド８６，８７の間の平面視において環状の排気路には、バッフル板４８が設けられている。バッフル板４８は、例えば、アルミニウム材にＹ２Ｏ３といったセラミックスを被覆することにより構成され得る。このバッフル板４８の下方において排気口８１が設けられている。
【００２４】
上記構成の基板処理装置は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部９０には、ＣＰＵを備え基板処理装置の各部を制御するプロセスコントローラ９１と、ユーザインターフェース９２と、メモリ９３とが設けられている。
【００２５】
ユーザインターフェース９２は、工程管理者が基板処理装置を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、基板処理装置の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２６】
メモリ９３には、基板処理装置で実行される各種処理をプロセスコントローラ９１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース９２からの指示等にて任意のレシピをメモリ９３から呼び出してプロセスコントローラ９１に実行させることで、プロセスコントローラ９１の制御下で、基板処理装置での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用することができる。又は、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用してもよい。
【００２７】
［基板支持体の要部構成］
次に、図２を参照して、一実施形態にかかる基板支持体２の要部構成について、比較例にかかる基板支持体と比較しながら説明する。図２（ａ）は比較例にかかる基板支持体１９２のチャック電極６ａの給電部分を示す概略断面図である。図２（ｂ）は本実施形態にかかる基板支持体２のチャック電極６ａの給電部分を示す概略断面図である。図２では、説明の便宜上、ヒータ電極６ｃは省略している。
【００２８】
基板支持体１９２及び基板支持体２はいずれも、基台３、静電チャック６、基台３の上にて静電チャック６と基台３とを接着する絶縁接着層２３及び静電チャック６に設けられるチャック電極６ａとを有する。
【００２９】
基板支持体１９２では、図２（ａ）に示すように、碍子２６は樹脂等の絶縁体で形成され、その内部に充填される導通性部材２５と基台３との間を絶縁する。導通性部材２５の末端部はコンタクトプローブ２７に接触する。また、導通性部材２５の先端部は導電接着剤２４を介してチャック電極６ａの接点部６ａ１に接触し、これにより、コンタクトプローブ２７を介して直流電圧が供給される。
【００３０】
比較例の基板支持体１９２では、導通性部材２５とチャック電極６ａとは導電接着剤２４又はロウ材等の何らかの方法で接合されている。かかる構成により、基板支持体１９２が図２（ａ）の上段に示す常温よりも図２（ａ）の下段に示す高温になると、絶縁体の静電チャック６とアルミニウムの基台３との線膨張係数差に起因して、基台３が静電チャック６よりも外周側に伸びる。この結果、導電接着剤２４が静電チャック６の中心よりも外側にてチャック電極６ａの接点部６ａ１と接触する場合、接点部６ａ１と導通性部材２５とがずれることで導電接着剤２４が歪み、導電接着剤２４に内部応力が発生する。
【００３１】
処理容器１内にてウエハＷにプラズマ処理を繰り返すことで、高温と常温（低温）との温度サイクルを繰り返すと、導電ゴム等により形成されている導電接着剤２４が劣化し、チャック電極６ａへの安定した給電が困難になる。特に、近年のプロセスでは、高温と低温との温度変化幅が拡大し、かつ、チャック電極６ａへ印加される直流電圧及び基台３へ印加される高周波電力が大きくなっている。これに伴い、静電チャック６と基台３との線膨張係数差に起因して導電接着剤２４に繰り返し発生する内部応力がより大きくなり、チャック電極６ａの接点部６ａ１と接合した導電接着剤２４の劣化がより大きな課題になっている。
【００３２】
そこで、図２（ｂ）の本実施形態に係る基板支持体２は、導電接着剤２４を排除し、チャック電極６ａの接点部６ａ１に対して可動接点に置き換える。これにより、静電チャック６と基台３との線膨張係数差に起因した繰り返し応力が生じても、安定してチャック電極６ａへ給電する構造を提供できる。
【００３３】
具体的には、図２（ｂ）に示すように、本実施形態に係る基板支持体２は、導電接着剤２４を有しない。つまり、導電接着剤２４が埋め込まれていた部分は貫通し、チャック電極６ａの下面の接点部６ａ１が露出している。
【００３４】
かかる構成において、本実施形態に係る基板支持体２は、基台３と静電チャック６と絶縁接着層２３とチャック電極６ａと給電端子３０とを有し、給電端子３０は、チャック電極６ａの接点部６ａ１に固定されず（可動）に接触する。
【００３５】
給電端子３０は、碍子２６の内部に設けられている。碍子２６は中空部材であって、基台３を貫通する貫通口を形成する。チャック電極６ａと基台３との間には電位差が生じるため、碍子２６は、その電位差に耐え得るアルミナや樹脂等の絶縁性部材で形成される。
【００３６】
これにより、基台３と絶縁接着層２３とを貫通する貫通口が基台３内に形成され、貫通口の内部に給電端子３０が収容される。また、碍子２６は、給電端子３０と基台３との間を絶縁する。給電端子３０の末端部３０ｂはコンタクトプローブ２７に接触し、これにより、給電端子３０とコンタクトプローブ２７とが電気的に接続される。これにより、直流電源１２から供給された直流電圧は、コンタクトプローブ２７を介して給電端子３０からチャック電極６ａに印加される。
【００３７】
給電端子３０は、先端部３０ａが球状の棒状部材であり、末端部３０ｂは、径方向に広がっている。これにより、チャック電極６ａと基台３の膨張等により給電端子３０が傾いたり、コンタクトプローブ２７がずれたりした場合にも、給電端子３０の末端部３０ｂとコンタクトプローブ２７との接触を保持することができる。
【００３８】
また、静電チャック６と基台３との線膨張係数差に起因して、基板支持体が図２（ｂ）の上段に示す常温よりも高温になると、図２（ｂ）の下段に示すように基台３が静電チャック６よりも外周側に伸びる。この場合においても、本実施形態に係る給電端子３０は、チャック電極６ａの接点部６ａ１に固定されていない状態で先端部３０ａが点接触しているため、給電端子３０とチャック電極６ａの間で内部応力が発生することがない。これにより、安定してチャック電極６ａへ給電することができる。
【００３９】
碍子２６の内周には段差部２６ａ、２６ｂが設けられている。これにより、段差部２６ａ、２６ｂの間の碍子２６の内側の直径が、段差部２６ａ、２６ｂよりも外側の直径よりも小さくなるくびれ部が形成される。
【００４０】
給電端子３０はＣ型のリング状部材３１に挿入され、段差部２６ａよりもわずかに給電端子３０の先端部３０ａに近い位置にてＣ型のリング状部材３１の下面が位置するようにＣ型のリング状部材３１を係止させる。Ｃ型のリング状部材３１の外径は、くびれ部の内径よりも大きい。これにより、Ｃ型のリング状部材３１が給電端子３０の抜け止めとなって、基台３から落下することを防止できる。また、くびれ部の内径は、給電端子３０の外径（末端部３０ｂを除く）よりも大きい。これにより、給電端子３０が碍子２６に干渉することを防止できる。
【００４１】
なお、給電端子３０はＣ型のリング状部材３１に替えてＯ型のリング状部材を有してもよい。Ｃ型のリング状部材３１及びＯ型のリング状部材のいずれの場合にも、給電端子３０の装着箇所に溝を形成し、その溝にリング状部材を嵌め込む。
【００４２】
ただし、Ｃ型のリング状部材３１は、図３（ａ）に示すように、切れ目３１ａを有し、Ｏ型のリング状部材よりも変形しやすい。このため、給電端子３０を碍子２６のくびれ部に挿入するときにはテーパー状の段差部２６ｂに沿ってＣ型のリング状部材３１が変形し、給電端子３０がくびれ部を抜けると、段差部２６ａの上部の空間にてＣ型のリング状部材３１の形状が復元する。これにより、弾性変形する樹脂製のＣ型のリング状部材３１を使用することで、給電端子３０の抜け止め構造を形成し易いというメリットがある。
【００４３】
本実施形態の抜け止め構造は、図３（ａ）に示すＣ型のリング状部材３１によるものに限られず、図３（ｂ）に示すネジ構造であってもよい。ネジ構造の場合、碍子２６内のくびれ部に雌ネジ２６ｃを設け、段差部２６ａより先の空間の直径を雌ネジ２６ｃが設けられた空間の直径よりも大きい空間とする。そして、給電端子３０の先端部３０ａの近くに雌ネジ２６ｃに対応する直径の雄ネジ３０ｃを設ける。
【００４４】
給電端子３０を碍子２６のくびれ部に挿入しながら、雄ネジ３０ｃを雌ネジ２６ｃにねじ込んでいくと、雄ネジ３０ｃがくびれ部の先の空間に抜け、これにより、雄ネジ３０ｃが抜け止めとなる。これにより、給電端子３０が、基台３から落ちることを防止できる。
【００４５】
図２（ｂ）に戻り、本実施形態では、給電端子３０の先端部３０ａは球形の形状になっている。これにより、給電端子３０は、チャック電極６ａの接点部６ａ１に点接触にする。この結果、他の給電端子３０との接触面積のバラツキを少なくすることができる。給電端子３０の先端部３０ａは、チャック電極６ａの接点部６ａ１に点接触にする形状が好ましいが、これに限られず、テーパー形状、フラット形状等、どんな形状でもよい。
【００４６】
また、本実施形態では、給電端子３０の先端部３０ａの材料は、チャック電極６ａよりも柔かい材料を使用する。つまり、給電端子３０の先端部３０ａの硬度は、静電チャック６のチャック電極６ａの硬度よりも低い。このため、摩擦によるダメージを受けた場合でも交換が容易な給電端子３０側を摩耗させることで、交換が難しい静電チャック６（チャック電極６ａ）側を優先的に保護することができる。例えば、給電端子３０の先端部３０ａの硬度は、ＨＶ（Vickers hardness）１０〜２５００程度であり、静電チャック６のチャック電極６ａの硬度は、ＨＶ２０００〜２５００程度であってもよい。
【００４７】
また、図４に示すように、静電チャック６のチャック電極６ａの表面に接点板３３を取り付け、接点板３３がチャック電極６ａの接点部として機能するようにしてもよい。この場合、給電端子３０の先端部３０ａは、接点板３３に点接触する。かかる構成では、給電端子３０が直接、チャック電極６ａに接触しないため、チャック電極６ａがダメージを受けることをさらに防ぐことができる。
【００４８】
図５（ａ）に示すように、給電端子３０は、内部に反力を持たせるバネ構造を有してもよい。例えば、給電端子３０に上下方向に伸縮可能なバネ部材３０ｄを設けてもよい。これにより、バネ部材３０ｄの反力にて給電端子３０を上下方向に伸縮させることで、先端部３０ａと接点板３３（又は接点部６ａ１）との接触を確実にとることができ、より安定してチャック電極６ａへ直流電圧を給電することができる。
【００４９】
なお、図５（ａ）には抜け止め構造が設けられていないが、バネ構造に加えて図３（ａ）又は（ｂ）の抜け止め構造を有することが好ましい。また、給電端子３０が膨張して碍子２６に干渉すると、給電端子３０の自由な動きが制限される。そうすると、チャック電極６ａとの導通が取れなくなってしまう場合がある。よって、給電端子３０と碍子２６との間には隙間を設けることが好ましい。
【００５０】
図５（ｂ）に示すように、給電端子３０内には反力を持たせない構造であってもよい。この場合、基台３を支持する支持台４を貫通し、基台３に設けられた碍子２６内の空間と連通する碍子２８内に挿入されたコンタクトプローブ２７に上下方向に伸縮可能なバネ部材２７ｄを設けてもよい。この場合、バネ部材２７ｄの反力にてコンタクトプローブ２７を上下方向に伸縮させる。これにより、給電端子３０をコンタクトプローブ２７側から押し上げ、給電端子３０の先端部３０ａと接点板３３（又は接点部６ａ１）との接触を確実にとることができ、より安定してチャック電極６ａへ直流電圧を給電することができる。
【００５１】
最後に、各部材が取り得る材質の一例について以下に記載する。ただし、金属、樹脂、セラミックスの材質中の具体的名称については、一例であり、これらに限られない。
・給電端子３０
金属（アルミニウム、チタン、ステンレス、銅等）
・接点板３３
金属（アルミニウム、チタン、ステンレス、銅等）
・碍子２６
セラミックス（アルミナ、ジルコニア等）
樹脂（べスペル、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＣＴＦＥ（ネオフロン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン））
・Ｃ型のリング状部材３１
樹脂（べスペル、ＰＥＥＫ、ＰＣＴＦＥ、ＰＴＦＥ）
金属（アルミニウム、チタン、ステンレス、銅等）
特に、図６（ａ）に示すように、碍子２６の内周側が金属部材２６ｆで形成されていると、金属の給電端子３０と碍子２６の金属部材２６ｆとの間で放電が発生する場合がある。一方、図６（ｂ）に示すように、碍子２６がセラミックスや樹脂等の絶縁体で形成されていると、金属の給電端子３０と絶縁体の碍子２６との間で放電は発生しない。以上から、碍子２６は金属ではなく、絶縁体で形成されることが好ましい。
【００５２】
［変形例］
以上では、給電端子３０を静電チャック６のチャック電極６ａに接触させるように設け、直流電圧を給電する例を挙げて説明したが、これに限られない。例えば、給電端子３０は、基板支持体２に設けられた静電チャック６側のヒータ電極６ｃに接触させ、ヒータ電源１４からの交流電圧をヒータ電極６ｃに給電する際にも使用できる。よって、静電チャック６に設けられる電極は、チャック電極６ａとヒータ電極６ｃとを含み、給電端子３０は、チャック電極６ａとヒータ電極６ｃの一方又は両方の給電に使用できる。
【００５３】
また、給電端子３０は、エッジリング５に設けられるエッジリング５側のヒータ電極２２と、エッジリング５を基台３に静電吸着するための図示しないエッジリング５側の電極との少なくともいずれかの給電に給電端子３０を使用してもよい。
【００５４】
更に、給電端子３０は、下部電極として機能する基板支持体２と給電棒５０との接点部に設けられてもよい。
【００５５】
変形例のいずれの場合も、給電端子３０は電極の接点部に固定されずに接触される。これにより、高温と低温との温度サイクルによって、給電端子３０の近傍の部材の線膨張係数差により、給電端子３０の近傍の部材間にずれが生じても、給電端子３０の先端部３０ａはそのずれに応じた位置に移動しながら電極の接点部に接触される。これにより、安定して電極へ給電する構造を提供することができる。
【００５６】
今回開示された一実施形態に係る基板支持体及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５７】
本開示の基板処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
【００５８】
本明細書では、基板の一例としてウエハＷを挙げて説明した。しかし、基板は、これに限らず、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００５９】
１      処理容器
２      基板支持体
３      基台
４      支持台
５      エッジリング
６      静電チャック
６ａ    チャック電極
６ａ１  接点部
６ｃ    ヒータ電極
１０    基板処理装置
１２    直流電源
１４    ヒータ電源
１５    処理ガス供給源
１６    シャワーヘッド
２２    ヒータ電極
２６    碍子
２７    コンタクトプローブ
２７ｄ  バネ部材
３０    給電端子
３０ｄ  バネ部材
３１    リング状部材
３３    接点板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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