(57)【要約】【課題】環境温度に対する輝度特性が良好であり、かつ、寿命特性の悪化が抑制された発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】Ｎ型クラッド層と活性層とＰ型クラッド層がこの順序で形成された発光部を有する発光素子であって、前記活性層は、前記Ｐ型クラッド層側から前記Ｎ型クラッド層側へ濃度が漸減するＰ型ドーパントを含み、前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である発光素子。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ型クラッド層と活性層とＰ型クラッド層がこの順序で形成された発光部を有する発光素子であって、
前記活性層は、前記Ｐ型クラッド層側から前記Ｎ型クラッド層側へ濃度が漸減するＰ型ドーパントを含み、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記発光部は、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置から２／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の２／３の厚さ分の位置からＮ型クラッド層までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
Ｎ型クラッド層と活性層とＰ型クラッド層をこの順序で形成した発光部を有する発光素子の製造方法であって、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層側から前記Ｎ型クラッド層側へＰ型ドーパントの濃度が漸減し、かつ、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように前記Ｐ型ドーパントをドープして製造することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記発光部を、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなるものとすることを特徴とする請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記活性層に前記Ｐ型ドーパントをドープするとき、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置から２／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープすることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記活性層に前記Ｐ型ドーパントをドープするとき、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の２／３の厚さ分の位置からＮ型クラッド層までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープすることを特徴とする請求項７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記活性層への前記Ｐ型ドーパントのドープを、
前記活性層を形成しつつガスドープにより行うことを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記活性層への前記Ｐ型ドーパントのドープを、
前記活性層を形成した後、前記Ｐ型ドーパントをドープした前記Ｐ型クラッド層を形成してから熱処理を施して、前記Ｐ型クラッド層にドープした前記Ｐ型ドーパントを前記活性層に拡散させることにより行うことを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子および発光素子の製造方法に関し、特に環境温度に対する輝度特性が良好で、かつ、寿命特性の悪化が抑制された発光素子および発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡｌＧａＩｎＰ系材料は、窒化物を除くＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶中で最大の直接遷移型エネルギーギャップを有し、５５０〜６５０ｎｍ帯（緑色〜赤色域）の可視光発光装置の材料として注目されている。このような大きな直接遷移型エネルギーギャップを持つＡｌＧａＩｎＰからなる活性層を有するＡｌＧａＩｎＰ系発光素子は、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ等の間接遷移型の材料を用いたものと比べて高輝度の発光が可能である（例えば特許文献１）。
【０００３】
図４は、従来のＡｌＧａＩｎＰ系発光素子の一例を示す概略断面図である。
この発光素子３１０はＧａＡｓ出発基板３００上に厚さ０．１〜１．０μｍのＧａＡｓバッファ層、例えば厚さ１．０μｍのＡｌＩｎＰエッチストップ層３０２、例えば厚さ１．０μｍのＮ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０３、例えば厚さ０．９μｍのＡｌＧａＩｎＰ活性層３０４、例えば厚さ１．０μｍのＰ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３０５、電流伝播層との格子不整を緩和するＰ型ＩｎＧａＰ緩衝層３０６、素子に印加された電流を伝播かつ拡散し、光取り出しの機能を有する例えば厚さ５．０μｍのＰ型ＧａＰ電流伝播層３０７を有する。ＧａＡｓバッファ層は特になくてもよい。なお、図４においては発光素子の電極等は省略されている。
【０００４】
ここでＮ型ドーパントとして、例えばＳｉ、Ｓ、Ｓｅ等がＮ型クラッド層３０３にドーピングされる。またＰ型ドーパントとしては、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｅ等がＰ型クラッド層３０５及びＰ型緩衝層３０６及びＰ型電流伝播層３０７にドーピングされる。
【０００５】
Ｎ型クラッド層３０３は、１層以上の組成及びドーピング水準のエピタキシャル層で構成され、Ｐ型クラッド層３０５は、１層以上の組成及びドーピング水準のエピタキシャル層で構成される。活性層３０４は均一組成のバルク型活性層、または、発光再結合層と該発光再結合層の組成よりも大きなバンドギャップ組成を有する障壁層とが多重接合した多重接合型活性層から成る。
【０００６】
ところで発光素子（例えばＡｌＧａＩｎＰ系発光素子）の発光部をエピタキシャル成長で形成する際に、寿命特性の悪化を回避するため、活性層中に残留、もしくは寿命試験中に拡散・泳動するドーパントの濃度を極小に設計する必要があった。しかし、活性層中のドーパント濃度を極小にすることで寿命特性は改善できるが、一方で、環境温度に対する輝度の変化は大きくなる傾向にあった。
また、環境温度に対する輝度特性を改善するためには、活性層中にドーパントを過剰に入れることが効果的であることが分かっている。しかし、過剰に活性層中に投入されたドーパントは輝度特性を改善するものの、転位・欠陥発生源となり、寿命特性を著しく悪化させる。
【０００７】
従って、環境温度に対する輝度特性が良好な発光素子は寿命特性が悪く、一方、寿命特性が良好な発光素子では環境温度に対する輝度特性が悪く、二つの特性が良好である発光素子の実現が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１５０６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたもので、環境温度に対する輝度特性が良好であり、かつ、寿命特性の悪化が抑制された発光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、Ｎ型クラッド層と活性層とＰ型クラッド層がこの順序で形成された発光部を有する発光素子であって、
前記活性層は、前記Ｐ型クラッド層側から前記Ｎ型クラッド層側へ濃度が漸減するＰ型ドーパントを含み、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする発光素子を提供する。
【００１１】
このように活性層において、Ｐ型クラッド層から活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均のＰ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であれば、光出力が向上するとともに環境温度に対する輝度特性が向上する。
また、Ｐ型クラッド層から活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均のＰ型ドーパントの濃度が３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、かつ、活性層においてＰ型クラッド層側からＮ型クラッド層側へ漸減するＰ型ドーパントの濃度プロファイルであることで、寿命特性の悪化を抑制することができる。
【００１２】
また、前記発光部は、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなるものとすることができる。
【００１３】
本発明は、発光部がＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなる発光素子に特に好適に用いることができる。
【００１４】
また、前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置から２／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のものとすることができる。
【００１５】
このようにＰ型ドーパント濃度が上記領域で上記数値範囲のものであれば、より確実に寿命特性の悪化を抑制できる。
【００１６】
このとき、前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の２／３の厚さ分の位置からＮ型クラッド層までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のものとすることができる。
【００１７】
このようにＰ型ドーパント濃度が上記領域で上記数値範囲のものであれば、より一層確実に寿命特性の悪化を抑制することができる。
【００１８】
また本発明は、Ｎ型クラッド層と活性層とＰ型クラッド層をこの順序で形成した発光部を有する発光素子の製造方法であって、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層側から前記Ｎ型クラッド層側へＰ型ドーパントの濃度が漸減し、かつ、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるように前記Ｐ型ドーパントをドープして製造することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
【００１９】
このように活性層において、Ｐ型クラッド層から活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均のＰ型ドーパントの濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上となるように製造すれば、光出力が向上するとともに環境温度に対する輝度特性が向上する。
また、Ｐ型クラッド層から活性層の１／３の厚さ分の位置までの領域の平均のＰ型ドーパントの濃度が３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにし、かつ、活性層においてＰ型クラッド層側からＮ型クラッド層側へ漸減するＰ型ドーパントの濃度プロファイルとすることで、寿命特性の悪化を抑制することができる。
【００２０】
このとき、前記発光部を、ＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなるものとすることができる。
【００２１】
本発明は、発光部がＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなる発光素子を製造するのに特に好適に用いることができる。
【００２２】
また、前記活性層に前記Ｐ型ドーパントをドープするとき、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の１／３の厚さ分の位置から２／３の厚さ分の位置までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープすることができる。
【００２３】
このようにＰ型ドーパント濃度を上記領域で上記数値範囲のものとすれば、より確実に寿命特性の悪化を抑制できる。
【００２４】
このとき、前記活性層に前記Ｐ型ドーパントをドープするとき、
前記活性層において、前記Ｐ型クラッド層から前記活性層の２／３の厚さ分の位置からＮ型クラッド層までの領域の平均の前記Ｐ型ドーパントの濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープすることができる。
【００２５】
このようにＰ型ドーパント濃度を上記領域で上記数値範囲のものとすれば、より一層確実に寿命特性の悪化を抑制することができる。
【００２６】
また、前記活性層への前記Ｐ型ドーパントのドープを、
前記活性層を形成しつつガスドープにより行うことができる。
または、前記活性層への前記Ｐ型ドーパントのドープを、
前記活性層を形成した後、前記Ｐ型ドーパントをドープした前記Ｐ型クラッド層を形成してから熱処理を施して、前記Ｐ型クラッド層にドープした前記Ｐ型ドーパントを前記活性層に拡散させることにより行うことができる。
【００２７】
このようにガスドープまたは熱処理によるドープによって、上記各領域に上記の濃度プロファイルで簡便にドープすることができる。
【発明の効果】
【００２８】
以上のように、本発明の発光素子および発光素子の製造方法であれば、光出力が向上するとともに環境温度に対する輝度特性が良好であり、かつ、寿命特性の悪化が抑制されたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の発光素子の一例を示す概略図である。
【図２】活性層中の平均のＰ型ドーパントの濃度を示す説明図である。
【図３】本発明の発光素子の他の一例を示す概略図である。
【図４】従来の発光素子の一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
上述したように、寿命特性及び環境温度に対する輝度特性の両方が良好な発光素子（特にはＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ）の開発が望まれていた。本発明者らはこのような課題に対し、鋭意検討を重ねたところ、少なくともＮ型クラッド層と活性層とＰ型クラッド層がこの順序で形成された発光部を有する発光素子において、環境温度に対する輝度特性を変える大きな要因は活性層領域におけるＰ型キャリアリッチの領域でのキャリアの挙動であるため、Ｐ型クラッド層寄りの活性層領域、具体的には、活性層全厚の１／３の厚さで、Ｐ型クラッド層寄りの領域をＰ型活性層領域とし、該Ｐ型活性層領域のＰ型ドーパントの濃度を１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすること、更に活性層中に過剰に拡散することを防止するため、エピタキシャル成長時に、Ｐ型クラッド層側からＮ型クラッド層側に向かって活性層中にかけて漸減する濃度プロファイルとなるように活性層中にＰ型のドーパント不純物をドーピングすることで、環境温度に対する輝度特性と寿命特性の両方の特性が良好な発光素子を製造できることが判り、更に検討を加えて本発明を完成した。
【００３１】
以下、本発明について、実施形態について図を参照しながら更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（第一実施形態）
本発明の発光素子の第一実施形態を図１に示す。図１に示すように第一実施形態の発光素子１１０はＧａＡｓ出発基板１００上に厚さ０．１〜１．０μｍのＧａＡｓバッファ層、例えば厚さ１．０μｍのＡｌＩｎＰエッチストップ層１０２、例えば厚さ１．０μｍのＮ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、例えば厚さ０．９μｍのＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４、例えば厚さ１．０μｍのＰ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０５、電流伝播層との格子不整を緩和するＰ型ＩｎＧａＰ緩衝層１０６、素子に印加された電流を伝播かつ拡散し、光取り出しの機能を有する例えば厚さ５．０μｍのＰ型ＧａＰ電流伝播層１０７を有する。
ＧａＡｓバッファ層は特になくてもよい。なお、図１においては発光素子の電極等は省略されている。
【００３２】
ここでＮ型ドーパントとしてＳｉ、Ｓ、Ｓｅのうち、１種類以上がＮ型クラッド層１０３にドーピングされ、Ｐ型ドーパントとしてはＺｎ、Ｍｇ、Ｔｅのうち、１種類以上がＰ型クラッド層１０５及びＰ型緩衝層１０６及びにＰ型電流伝播層１０７にドーピングされる。
【００３３】
Ｎ型クラッド層１０３は、１層以上の組成及びドーピング水準のエピタキシャル層で構成され、Ｐ型クラッド層１０５は、１層以上の組成及びドーピング水準のエピタキシャル層で構成される。
【００３４】
活性層１０４は均一組成のバルク型活性層から成る。
活性層１０４にはＰ型クラッド層１０５からＮ型クラッド層１０３に向かって、例えばなだらかに又は階段状に、濃度が漸減するＰ型ドーパントがドープされている（傾斜ドープ）。以下にＰ型ドーパントとしてＺｎとＭｇの２種がドープされている例を示すが、本発明はこれに限定されず、例えばＺｎのみドープすることもできるし、３種以上ドープすることもできる。
また、本発明が特に好適な例として、発光部（Ｎ型クラッド層、活性層、Ｐ型クラッド層）がＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体からなるものを挙げて説明するが、これに限定されない。
【００３５】
図２に活性層中の平均のＰ型ドーパントの濃度の説明図を示す。
ここで、Ｐ型クラッド層１０５からＮ型クラッド層１０３へ向かう方向を活性層１０４の深さ方向と定義し、活性層１０４とＰ型クラッド層１０５との界面を深さ位置の基準とする。上記傾斜ドープの濃度プロファイルは、Ｐ型クラッド層１０５から深さ１／３の位置までの領域（すなわち、Ｐ型クラッド層１０５から活性層１０４の１／３の厚さ分の位置までの領域）の平均Ｐ型ドーパント濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となっている。具体的にはＰ型ドーパントとして、Ｚｎの平均濃度が例えば５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇの平均濃度が例えば１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設計される（平均濃度の合計値：６×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
なお、上記深さ１／３の位置までの領域において、ドープされているＰ型ドーパントの種類が１種であればその１種自体の平均濃度が上記濃度範囲に収まっていれば良く、また、２種以上であれば、各々の平均濃度を足した合計値が上記濃度範囲に収まっていれば良い。
【００３６】
上記のようにＰ型ドーパントの傾斜ドープ、かつ、深さ１／３の位置までの領域の平均濃度が３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であれば、寿命特性の悪化の抑制が可能である。しかも、深さ１／３の位置までの領域の平均濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるので、光出力を向上させることができるし、環境温度に対する輝度特性を向上させることができる。このように、活性層１０４においてＰ型ドーパントの濃度プロファイルが上記条件を満たしている場合、従来品では成し得なかった、環境温度に対する輝度特性の向上および寿命特性の悪化の抑制を両立することができる。
【００３７】
上記本発明の効果について調査した実験について以下に説明する。
（実験）
［００１］方向に１５度傾斜したＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、１．０μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなるエッチストップ層、１．０μｍ厚のＮ型クラッド層、０．９μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる１．０μｍ厚のＰ型クラッド層、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０．０≦ｙ≦１．０）から成る中間組成層（緩衝層）、０．５μｍ以上の厚さを有するＧａＰ電流拡散層（電流伝播層）を順次積層した発光素子用ウェーハを形成した。さらに電極を形成しダイシングを行い、ワイヤーボンディングを行って発光素子を製造した。
【００３８】
なお、活性層は均一組成の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層から成る。
また活性層にはＰ型クラッド層からＮ型クラッド層へ向かって濃度が漸減するようにＰ型ドーパントをドープした。この際、活性層のＰ型クラッド層から深さ１／３の位置までの領域の平均濃度を変えることにより、該領域の平均濃度が異なる複数の発光素子を製造した。
そして、各発光素子において、０℃と６０℃での相対光出力比、及び寿命特性について実験を行った。その結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
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【００４０】
表１に示すように傾斜ドープした活性層において、Ｐ型クラッド層から深さ１／３の位置までの領域の平均濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であれば、相対光出力比が０．８６以上であり、該比が１により一層近く、環境温度に対する出力の変化を少なくすることができることが判る。また、３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であれば寿命特性を８１％以上とすることができ、その悪化を抑制できることが判る。
これらの結果から、良好な環境温度に対する輝度特性および良好な寿命特性を両立するには、傾斜ドープの活性層の上記領域において１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度範囲とする必要があることが分かる。
【００４１】
また、図１の第一実施形態において、更にＰ型クラッド層１０５から深さ１／３の位置から深さ２／３の位置の領域（すなわち、Ｐ型クラッド層１０５から活性層１０４の１／３の厚さ分の位置から２／３の厚さ分の位置までの領域）の平均Ｐ型ドーパント濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるものが好ましい。具体的にはＺｎの平均濃度が例えば２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇの平均濃度が例えば０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設計される（平均濃度の合計値：２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
上記のような濃度範囲であれば、より確実に寿命特性の悪化を抑制できる。
【００４２】
また更に、Ｐ型クラッド層１０５から深さ２／３の位置からＮ型クラッド層１０３の側の領域（すなわち、Ｐ型クラッド層１０５から活性層１０４の２／３の厚さ分の位置からＮ型クラッド層１０３までの領域）の平均Ｐ型ドーパント濃度（具体的には、ＺｎとＭｇの平均濃度の合計値）が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のものであるものが好ましい。
上記のような濃度範囲であれば、より一層確実に寿命特性の悪化を抑制できる。
【００４３】
（第二実施形態）
本発明の発光素子の第二実施形態を図３に示す。図３に示すように第二実施形態の発光素子２１０は、ＧａＡｓ出発基板２００上に例えば厚さ０．５μｍのＧａＡｓバッファ層、例えば厚さ１．０μｍのＡｌＩｎＰエッチストップ層２０２、例えば厚さ１．０μｍのＮ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０３、例えば厚さ０．４８μｍのＡｌＧａＩｎＰ活性層２０４、例えば厚さ１．０μｍのＰ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０５、電流伝播層との格子不整を緩和するＰ型ＩｎＧａＰ緩衝層２０６、素子に印加された電流を伝播かつ拡散し、光取り出しの機能を有する例えば厚さ５．０μｍＰ型ＧａＰ電流伝播層２０７を有する。
ＧａＡｓバッファ層は特になくてもよい。なお、図３においては発光素子の電極等は省略されている。
【００４４】
Ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｓ、Ｓｅのうち、１種類以上がＮ型クラッド層２０３にドーピングされ、Ｐ型ドーパントとしてはＺｎ、Ｍｇ、Ｔｅのうち、１種類以上がＰ型クラッド層２０５及びＰ型緩衝層２０６及びにＰ型電流伝播層２０７にドーピングされる。
【００４５】
Ｎ型クラッド層２０３は、１層以上の組成及びドーピング水準のエピタキシャル層で構成され、Ｐ型クラッド層２０５は、１層以上の組成及びドーピング水準のエピタキシャル層で構成される。
【００４６】
第二実施形態の発光素子２１０では、活性層２０４はＡｌＧａＩｎＰからなる発光再結合層と発光再結合層の組成よりも大きなバンドギャップ組成を有する障壁層とが多重接合した多重接合型活性層から成る。障壁層は発光再結合層のＡｌＧａＩｎＰより高いＡｌ組成を有する。また、障壁層の厚さは波動関数が重なるドブロイ波長より薄い厚さに設定しても良いし、厚い厚さに設定しても良い。例えば発光再結合層の厚さを８ｎｍ、障壁層の厚さを８ｎｍとし、３０ペアの活性層構造とすることができる。
【００４７】
活性層２０４にはＰ型クラッド層２０５からＮ型クラッド層２０３に向かって、例えばなだらかに又は階段状に、濃度が漸減するＰ型ドーパントがドープされている（傾斜ドープ）。以下にＰ型ドーパントとしてＺｎとＭｇの２種がドープされている例を示すが、第一実施形態と同様、これに限定されない。
【００４８】
上記傾斜ドープの濃度プロファイルは、Ｐ型クラッド層２０５から深さ１／３の位置までの領域の平均Ｐ型ドーパント濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となっている。具体的にはＰ型ドーパントとして、Ｚｎの平均濃度が例えば５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇの平均濃度が例えば１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設計される（平均濃度の合計値：６×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
このようなものであれば、良好な環境温度に対する輝度特性および良好な寿命特性を両立可能である。
【００４９】
また、Ｐ型クラッド層２０５から深さ１／３の位置から深さ２／３の位置の領域の平均Ｐ型ドーパント濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるものが好ましい。具体的にはＺｎの平均濃度が例えば２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇの平均濃度が例えば０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に設計される（平均濃度の合計値：２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
また更に、Ｐ型クラッド層２０５から深さ２／３の位置からＮ型クラッド層２０３の側の領域の平均Ｐ型ドーパント濃度（具体的には、ＺｎとＭｇの平均濃度の合計値）が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のものであるものが好ましい。
上記の各領域がこれらの濃度範囲であれば、より一層確実に寿命特性の悪化を抑制できる。
【００５０】
次に、本発明の発光素子の製造方法について説明する。なお、ここでは例として図１の発光素子１１０を製造する場合について説明する。また、活性層へのドープ方法としてガスドープによる方法（第一の製造方法）と熱処理によるドープ方法（第二の製造方法）を例に挙げて説明するが、活性層へのドープ方法はこれらに限定されるものではない。
（第一の製造方法）
まず、活性層へのドープをガスドープにより行う例について説明する。
成長用基板としてＧａＡｓ出発基板１００を用意し、洗浄した後、ＭＯＶＰＥ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）炉に入れ、ＧａＡｓ出発基板１００上に、ＡｌＩｎＰエッチストップ層１０２、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層１０４、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０５、Ｐ型ＩｎＧａＰ緩衝層１０６をエピタキシャル成長させる。
【００５１】
なお、上記各層のエピタキシャル成長は、公知のＭＯＶＰＥ法により行なうことができる。Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐの各成分源となる原料ガスとしては、これらに限定されるわけではないが、例えば以下のようなものを使用できる。
・Ａｌ源ガス：トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など。
・Ｇａ源ガス：トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）など。
・Ｉｎ源ガス：トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
・Ｐ源ガス：トリメチルリン（ＴＭＰ）、トリエチルリン（ＴＥＰ）、ホスフィン（ＰＨ３）など。
【００５２】
また、各層へのドーパントのドープとしてはガスドープにより行うことができる。活性層などの各層をエピタキシャル成長しつつガスドープすることができる。ドーパントガスとしては、例えば以下のようなものを使用できる。
（Ｐ型ドーパント）
・Ｚｎ源：ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）など。
・Ｍｇ源：ビズ（シクロペンタジエニル）マグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）など。
・Ｔｅ源：ジメチルテルル（ＤＭＴｅ）、ジエチルテルル（ＤＥＴｅ）など
（Ｎ型ドーパント）
・Ｓｉ源：モノシランなどのシリコン水素化物など。
・Ｓ源：硫化水素（Ｈ２Ｓ）など。
・Ｓｅ源：セレン化水素など。
【００５３】
なお、このガスドープの際、活性層１０４中のＰ型ドーパントに関して、図２に示すような傾斜ドープの濃度プロファイルとする。すなわち、活性層１０４において、Ｐ型クラッド層１０５の側からＮ型クラッド層１０３の側へＰ型ドーパントの濃度が漸減するように傾斜ドープする。かつ、Ｐ型クラッド層１０５から深さ１／３の位置までの領域の平均Ｐ型ドーパント濃度が１．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープする。
例えばマスフローコントローラー等によりドーパントガスの流量を制御することにより、簡便に、上記のような濃度プロファイルでガスドープすることが可能である。
エピタキシャル成長中の熱効果により、多少、意図した濃度プロファイルよりも熱平衡側にずれた濃度プロファイルとなり易い。この点に関しては、そのずれを考慮した上で流量等を適宜調整してガスドープし、意図した濃度プロファイルとなるようにすると良い。
そして、活性層においてＰ型ドーパントがこのような濃度プロファイルであれば、前述したように、環境温度に対する輝度特性の向上および寿命特性の悪化の抑制の両立を図ることができる。
【００５４】
また、活性層１０４にＰ型ドーパントをドープするとき、活性層１０４において、Ｐ型クラッド層１０５から深さ１／３の位置から深さ２／３の位置の領域の平均Ｐ型ドーパント濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上３．０×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープするのが好ましい。
更には、活性層１０４において、Ｐ型クラッド層１０５から深さ２／３の位置からＮ型クラッド層１０３の側の領域の平均Ｐ型ドーパント濃度が０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となるようにドープするのが好ましい。
上記の各領域がこれらの濃度範囲であれば、より一層確実に寿命特性の悪化を抑制することができる。
【００５５】
この後、Ｐ型ＧａＰ電流伝播層１０７をＨＶＰＥ法（ハイドライド気相成長法：Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ法）で気相成長する。
ＨＶＰＥ法は、具体的には、例えば金属Ｇａを所定の温度に加熱保持しながら、その金属Ｇａ上に塩化水素を導入することにより、下記（１）式の反応によりＧａＣｌを生成させ、キャリアガスであるＨ２ガスとともに基板上に供給する。
Ｇａ（液体）＋ＨＣｌ（気体）→ＧａＣｌ（気体）＋１／２Ｈ２（気体）…（１）
成長温度は例えば６４０℃以上８６０℃以下に設定することができる。また、Ｖ族元素であるＰは、例えばＰＨ３をキャリアガスであるＨ２と共に基板上に供給する。さらに、Ｐ型ドーパントとして例えばＺｎを、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）の形で供給して、下記（２）式のような反応によって電流伝播層１０７を形成することができる。
ＧａＣｌ（気体）＋ＰＨ３（気体）
→ＧａＰ（固体）＋ＨＣｌ（気体）＋Ｈ２（気体）…（２）
【００５６】
（第二の製造方法：熱処理によるドープ）
次に、活性層へのドープを熱処理により行う例について説明する。
基本的に第一の製造方法と同様にして、出発基板１００の準備から緩衝層１０６の形成を行う。ただし、Ｐ型クラッド層１０５から活性層１０４へＰ型ドーパントを熱処理により拡散してドープすることを考慮して、活性層１０４のエピタキシャル成長時はノンドープとする。また、Ｐ型クラッド層１０５においては第一の製造方法の場合よりも高濃度でＰ型ドーパントをドープしておくと良い。
【００５７】
より具体的には、Ｐ型クラッド層１０５のＰ型ドーパント濃度は、例えばＺｎ、ＭｇをＰ型ドーパントとした場合、Ｚｎの濃度を１．０×１０１６〜３．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇの濃度を１．０×１０１６〜５．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲とすることができる。このような濃度範囲であれば、より確実に、次の工程である熱処理工程で図２に示すような傾斜ドープの濃度プロファイルとすることができる。
【００５８】
上記のように少なくともＰ型クラッド層１０５までの各層を形成後（この例ではさらに緩衝層１０６まで形成済み）、ＭＯＶＰＥ炉内で、例えばＰＨ３雰囲気下、７００℃以上、３時間以上の熱処理を施す。ここでは７００℃（エピタキシャル成長時と同程度の温度）で８時間の熱処理とする。このような熱処理によって、簡便に、図２に示すような傾斜ドープの濃度プロファイルとすることができる。熱処理を施すことでＰ型クラッド層１０５からドーパントが拡散式に従って活性層１０４内に拡散し、Ｎ型クラッド層１０３へ向かって漸減する濃度プロファイルを形成する。
【００５９】
なお、熱処理の温度、時間は特に限定されず、所望の傾斜ドープの濃度プロファイルが得られるよう適宜決定することができる。また上記のようにＰＨ３雰囲気で行えば、エピタキシャル層表面からのＰ（燐）の脱離を効果的に回避することができるので好ましい。
【００６０】
その後、第一の製造方法と同様にして、電流伝播層１０７をＨＶＰＥ法で形成する。
なお、上記例では緩衝層１０６を形成後に熱処理したが、そのタイミングで熱処理を行うのではなく、代わりに電流伝播層１０７を形成後に熱処理（ＨＶＰＥ炉でＰＨ３雰囲気下、７００℃以上、３時間以上、特には、７００℃で８時間）を施して、活性層１０４において傾斜ドープの濃度プロファイルを形成することもできる。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
以下のようにして本発明の製造方法により本発明の発光素子を製造した。
［００１］方向に１５度傾斜したＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、１．０μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなるエッチストップ層、１．０μｍ厚のＮ型クラッド層、０．９μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる１．０μｍ厚のＰ型クラッド層、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０．０≦ｙ≦１．０）から成る中間組成層（緩衝層）、０．５μｍ以上の厚さを有するＧａＰ電流拡散層（電流伝播層）を順次積層した発光素子用ウェーハを形成した。
【００６２】
活性層は均一組成の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層から成る。
活性層にはＰ型クラッド層からＮ型クラッド層へ向かって濃度が漸減するようにＰ型ドーパント（ＺｎおよびＭｇの２種）をドープした。具体的には、活性層を形成しつつ、ＤＥＺｎ、Ｃｐ２Ｍｇを流してガスドープした。
濃度プロファイルは、Ｐ型クラッド層との界面において、Ｐ型ドーパントとしてのＺｎの濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｐ型ドーパントとしてのＭｇの濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
そして、Ｐ型クラッド層から深さ０．３μｍの位置（活性層全厚０．９μｍの１／３）までの領域のＺｎ平均濃度が２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇ平均濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった（平均濃度の合計値：２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
また、深さ０．３μｍの位置から深さ０．６μｍの位置（全厚０．９μｍの１／３から２／３）までの領域におけるＺｎ平均濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇ平均濃度が０．２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった（平均濃度の合計値：０．７×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
それ以降の深さ（深さ２／３の位置からＮ型クラッド層まで）のＭｇ及びＺｎの各々の平均濃度の合計値は０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であった。
このようにして製造したウェーハに電極を形成しダイシングを行い、ワイヤーボンディングを行って発光素子を製造した。
【００６３】
（実施例２）
以下のようにして本発明の製造方法により本発明の発光素子を製造した。
［００１］方向に１５度傾斜したＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、１．０μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなるエッチストップ層、１．０μｍ厚のＮ型クラッド層、０．４８μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる１．０μｍ厚のＰ型クラッド層、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０．０≦ｙ≦１．０）から成る中間組成層（緩衝層）、０．５μｍ以上の厚さを有するＧａＰ電流拡散層（電流伝播層）を順次積層した発光素子用ウェーハを形成した。
【００６４】
活性層は第一組成の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層から成る発光再結合層と、第二組成の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層から成る障壁層が交互に積層された多重障壁型活性層から構成される。
第一組成のＡｌ比率は第二組成のＡｌ比率より少ない比率に設定した。
【００６５】
活性層にはＰ型クラッド層からＮ型クラッド層へ向かって濃度が漸減するようにＰ型ドーパント（ＺｎおよびＭｇの２種）をドープした。具体的には、活性層を形成しつつ、ＤＥＺｎ、Ｃｐ２Ｍｇを流してガスドープした。
濃度プロファイルは、Ｐ型クラッド層との界面において、Ｐ型ドーパントとしてのＺｎの濃度が５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｐ型ドーパントとしてのＭｇの濃度が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった。
そして、Ｐ型クラッド層から深さ０．１６μｍの位置（活性層全厚０．４８μｍの１／３）までの領域のＺｎの平均濃度が２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇ平均濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった（平均濃度の合計値：２．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
また、深さ０．１６μｍの位置から深さ０．３２μｍの位置（全厚０．４８μｍの１／３から２／３）までの領域におけるＺｎ平均濃度が０．５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇ平均濃度が０．２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であった（平均濃度の合計値：０．７×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
それ以降の深さ（深さ２／３の位置からＮ型クラッド層まで）のＭｇ及びＺｎの各々の平均濃度の合計値は０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であった。
このようにして製造したウェーハに電極を形成しダイシングを行い、ワイヤーボンディングを行って発光素子を製造した。
【００６６】
（比較例１）
以下のようにして発光素子を製造した。
［００１］方向に１５度傾斜したＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、１．０μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなるエッチストップ層、１．０μｍ厚のＮ型クラッド層、０．９μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる１．０μｍ厚のＰ型クラッド層、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０．０≦ｙ≦１．０）から成る中間組成層（緩衝層）、０．５μｍ以上の厚さを有するＧａＰ電流拡散層（電流伝播層）を順次積層した発光素子用ウェーハを形成した。
【００６７】
活性層は均一組成の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層から成り、かつ、ガスドープ（ＤＥＺｎ、Ｃｐ２Ｍｇ使用）により活性層のＭｇ及びＺｎの各々の濃度の合計値は０．３×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とした。
このようにして製造したウェーハに電極を形成しダイシングを行い、ワイヤーボンディングを行って発光素子を製造した。
【００６８】
（比較例２）
以下のようにして発光素子を製造した。
［００１］方向に１５度傾斜したＧａＡｓ基板上に有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法にて、１．０μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなるエッチストップ層、１．０μｍ厚のＮ型クラッド層、０．９μｍ厚の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる活性層、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）からなる１．０μｍ厚のＰ型クラッド層、ＧａｙＩｎ１−ｙＰ（０．０≦ｙ≦１．０）から成る中間組成層（緩衝層）、０．５μｍ以上の厚さを有するＧａＰ電流拡散層（電流伝播層）を順次積層した発光素子用ウェーハを形成した。
【００６９】
活性層は均一組成の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ（０≦ｘ≦１，０．４≦ｙ≦０．６）層から成り、また、ガスドープ（ＤＥＺｎ、Ｃｐ２Ｍｇ使用）により活性層のＺｎの濃度を５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、Ｍｇの濃度を１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３で一定とした（濃度の合計値：６×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）。
このようにして製造したウェーハに電極を形成しダイシングを行い、ワイヤーボンディングを行って発光素子を製造した。
【００７０】
表２に実施例１、実施例２、比較例１、比較例２の発光素子について環境温度の違い（０℃ｖｓ６０℃）による光出力比及び寿命特性を示す。
表２に示すように実施例１、２に関しては、環境温度の違いによる光出力比が０．８６以上であり、かつ、寿命特性は８７であり、これらの両方が良好な値であった。
一方、比較例１は活性層にドーパントがほとんど存在しないため、寿命特性は良好であるが、環境温度の違いによる光出力比は０．８となり、環境温度による輝度の変化が大きかった。また、比較例２は環境温度の違いによる光出力比は良好であったが、活性層のドーパントを漸減させず一定としたことにより、寿命特性が６０％であり悪化してしまった。
【００７１】
【表２】
2020174077.tif 000004
【００７２】
また、ガスドープによる実施例１、２とは別に、少なくともＰ型クラッド層までの各層を形成後、熱処理を施してＰ型ドーパントをＰ型クラッド層から活性層に拡散させることで、実施例１、２と同等の傾斜ドープの濃度プロファイルを有し、かつ、同等の光出力比及び寿命特性を有する発光素子を製造できることを本発明者らは確認している。
【００７３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００７４】
１００、２００、３００…ＧａＡｓ出発基板、
１０２、２０２、３０２…ＡｌＩｎＰエッチストップ層、
１０３、２０３、３０３…Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
１０４、２０４、３０４…ＡｌＧａＩｎＰ活性層、
１０５、２０５、３０５…Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、
１０６、２０６、３０６…Ｐ型ＩｎＧａＰ緩衝層、
１０７、２０７、３０７…Ｐ型ＧａＰ電流伝播層、
１１０、２１０…本発明の発光素子、
３１０…従来の発光素子。
【図１】
2020174077.tif 000005
【図２】
2020174077.tif 000006
【図３】
2020174077.tif 000007
【図４】
2020174077.tif 000008