(57)【要約】【課題】微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る回路基板の製造方法は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、非導電性材料とを用いて、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する配置工程と、無電解めっきにより、前記非導電性材料が配置された前記第１の電極上にめっき層を形成するめっき工程とを備え、前記めっき層が、前記第１の電極と前記非導電性材料との間に形成されておらず、前記めっき層が、前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記非導電性材料の表面を覆っている部分とを有し、前記めっき層の前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記めっき層の前記非導電性材料の表面を覆っている部分とが連なっている回路基板を得る。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、非導電性材料とを用いて、
前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する配置工程と、
無電解めっきにより、前記非導電性材料が配置された前記第１の電極上にめっき層を形成するめっき工程とを備え、
前記めっき層が、前記第１の電極と前記非導電性材料との間に形成されておらず、
前記めっき層が、前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記非導電性材料の表面を覆っている部分とを有し、
前記めっき層の前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記めっき層の前記非導電性材料の表面を覆っている部分とが連なっている回路基板を得る、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記配置工程が、前記第１の接続対象部材上に、感光性材料を配置して感光性材料層を形成する工程と、前記感光性材料層を露光及び現像することで、前記第１の電極を露出させる工程とを含み、
露出した前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記配置工程が、前記第１の電極上に反応性官能基を結合させる第１の処理工程と、前記非導電性材料の表面上に、前記第１の電極上に結合させた反応性官能基と対応する反応性官能基を結合させる第２の処理工程とを含み、
前記第１の処理工程により得られる反応性官能基付き第１の電極と、前記第２の処理工程により得られる反応性官能基付き非導電性材料とを用いて、化学反応により、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する、請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の処理工程が、前記第１の電極上に抗原又は抗体を結合させる工程であり、前記第２の処理工程が、前記非導電性材料の表面上に、前記第１の電極上に結合させた抗原又は抗体と対応する抗体又は抗原を結合させる工程であり、
前記第１の処理工程により得られる抗原又は抗体付き第１の電極と、前記第２の処理工程により得られる抗体又は抗原付き非導電性材料とを用いて、抗原抗体反応により、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する、請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記配置工程が、前記第１の電極上を疎水性化合物により処理する第１の表面処理工程と、前記非導電性材料の表面上を疎水性化合物により処理する第２の表面処理工程とを含み、
前記第１の表面処理工程により得られる疎水化された第１の電極と前記第２の表面処理工程により得られる疎水化された非導電性材料とを用いて、又は、前記第１の表面処理工程により得られる疎水化された第１の電極と疎水性の前記非導電性材料とを用いて、疎水性相互作用により、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する、請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記配置工程において、前記第１の電極と前記非導電性材料とが接している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記めっき工程が、前記第１の電極上及び前記非導電性材料の表面上にパラジウムを配置する工程を含み、
前記パラジウムを触媒として用いて、無電解めっきにより、前記非導電性材料が配置された前記第１の電極上にめっき層を形成する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記非導電性材料が、粒子状である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記非導電性材料の粒子径が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記めっき層が、ニッケル、金、銅、錫又はそれらの合金を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記めっき層の厚みが、０．０１μｍ以上０．３μｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記めっき層の融点が、３００℃以上である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
前記第１の電極上に形成された応力緩和部と、
前記第１の電極上及び前記応力緩和部の表面上に配置された導電性材料とを備え、
前記応力緩和部の材料が、非導電性材料であり、
前記導電性材料が、前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記応力緩和部の表面を覆っている部分とを有し、
前記導電性材料の前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記導電性材料の前記応力緩和部の表面を覆っている部分とが連なっている、回路基板。
【請求項１４】
第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、前記第１の電極上に形成されかつ導電性材料が配置された回路接続部とを備える回路基板であり、
前記回路基板が、前記回路接続部側の表面上に凸部を有し、
前記凸部が芯材を有しかつ前記芯材が非導電性材料である、回路基板。
【請求項１５】
前記非導電性材料が、粒子状である、請求項１３又は１４に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記非導電性材料の粒子径が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１５に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記導電性材料が、導電性の金属又は導電性の金属化合物である、請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の回路基板。
【請求項１８】
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の回路基板と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記回路基板と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、バインダー樹脂を含み、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性材料により電気的に接続されている、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電極間の電気的な接続に用いることができ回路基板に関する。また、本発明は、上記回路基板の製造方法及び上記回路基板を用いた接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。
【０００４】
一般的な接続構造体の製造方法では、先ず、上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、導電性粒子を介して電極間を電気的に接続して接続構造体を得る。
【０００５】
また、近年、接続構造体の製造方法が幾つか提案されている。
【０００６】
下記の特許文献１には、接続構造体の製造方法が開示されている。上記接続構造体の製造方法は、第一の基板と、上記第一の基板に設けられた第一の電極とを有する第一の回路部材を準備することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の電極と電気的に接続される第二の電極を有する第二の回路部材を準備することを含む。上記接続構造体の製造方法は、粒径２．０μｍ〜４０μｍであり且つ金属から構成される表面を有する複数の導電粒子を準備することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の電極の表面に上記複数の導電粒子を配置することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の電極の表面に配置された上記複数の導電粒子を上記金属の融点よりも高い温度に加熱することによって上記第一の電極に上記導電粒子を融着させることを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の回路部材の一方の面であって上記導電粒子が融着した上記第一の電極を有する面と、上記第二の回路部材の一方の面であって上記第二の回路を有する面との間に絶縁樹脂層を形成することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の回路部材と上記絶縁樹脂層と上記第二の回路部材と含む積層体を上記積層体の厚さ方向の押圧した状態で加熱することによって上記第一の電極と上記第二の電極とを上記導電粒子を介して電気的に接続し且つ上記第一の回路部材と上記第二の回路部材と接着することを含む。
【０００７】
下記の特許文献２には、接続構造体の製造方法が開示されている。上記接続構造体の製造方法は、第一の基板と、上記第一の基板に設けられた第一の電極とを有する第一の回路部材を準備することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の電極と電気的に接続される第二の電極を有する第二の回路部材を準備することを含む。上記接続構造体の製造方法は、粒径が２．０μｍ〜４０μｍである複数の導電粒子を準備することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の電極の表面に上記複数の導電粒子を配置することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の電極と、上記第一の電極の表面に配置された上記複数の導電粒子とを覆う電解めっき層を形成することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の回路部材の一方の面であって上記導電粒子とともに上記電解めっき層によって覆われている上記第一の電極を有する面と、上記第二の回路部材の一方の面であって上記第二の回路を有する面との間に絶縁樹脂層を形成することを含む。上記接続構造体の製造方法は、上記第一の回路部材と上記絶縁樹脂層と上記第二の回路部材と含む積層体を上記積層体の厚さ方向の押圧した状態で加熱することによって上記第一の電極と上記第二の電極とを電気的に接続し且つ上記第一の回路部材と上記第二の回路部材と接着することを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１８−４５９５０号公報
【特許文献２】特開２０１８−４６２３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、電子デバイスの薄型化及び小型化が進行している。このため、電子部品における導電性粒子により接続される配線において、配線が形成されたライン（Ｌ）の幅と、配線が形成されていないスペース（Ｓ）の幅とを示すＬ／Ｓが小さくなり、狭ピッチ化が進行している。このような微細な配線において、従来の導電性粒子を用いて電極間の導電接続を行う場合、導通信頼性を高める観点からは、導電性粒子の個数を増加させることが好ましい。しかしながら、導電性粒子の個数を増加させると、従来の導電性粒子では、絶縁信頼性を十分に確保することが困難であり、絶縁信頼性のさらなる向上が求められている。
【００１０】
また、特許文献１，２に記載のような接続構造体では、微細な電極間の導電接続を行う場合に、導通信頼性を十分に高めることが困難であり、導通信頼性のさらなる向上が求められている。従来の導電性粒子や接続構造体では、微細な配線や電極の導電接続を行う場合に、絶縁信頼性と導通信頼性とを両立させることは困難である。
【００１１】
本発明の目的は、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる回路基板を提供することである。また、本発明の目的は、上記回路基板の製造方法及び上記回路基板を用いた接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、非導電性材料とを用いて、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する配置工程と、無電解めっきにより、前記非導電性材料が配置された前記第１の電極上にめっき層を形成するめっき工程とを備え、前記めっき層が、前記第１の電極と前記非導電性材料との間に形成されておらず、前記めっき層が、前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記非導電性材料の表面を覆っている部分とを有し、前記めっき層の前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記めっき層の前記非導電性材料の表面を覆っている部分とが連なっている回路基板を得る、回路基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記配置工程が、前記第１の接続対象部材上に、感光性材料を配置して感光性材料層を形成する工程と、前記感光性材料層を露光及び現像することで、前記第１の電極を露出させる工程とを含み、露出した前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する。
【００１４】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記配置工程が、前記第１の電極上に反応性官能基を結合させる第１の処理工程と、前記非導電性材料の表面上に、前記第１の電極上に結合させた反応性官能基と対応する反応性官能基を結合させる第２の処理工程とを含み、前記第１の処理工程により得られる反応性官能基付き第１の電極と、前記第２の処理工程により得られる反応性官能基付き非導電性材料とを用いて、化学反応により、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する。
【００１５】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記第１の処理工程が、前記第１の電極上に抗原又は抗体を結合させる工程であり、前記第２の処理工程が、前記非導電性材料の表面上に、前記第１の電極上に結合させた抗原又は抗体と対応する抗体又は抗原を結合させる工程であり、前記第１の処理工程により得られる抗原又は抗体付き第１の電極と、前記第２の処理工程により得られる抗体又は抗原付き非導電性材料とを用いて、抗原抗体反応により、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する。
【００１６】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記配置工程が、前記第１の電極上を疎水性化合物により処理する第１の表面処理工程と、前記非導電性材料の表面上を疎水性化合物により処理する第２の表面処理工程とを含み、前記第１の表面処理工程により得られる疎水化された第１の電極と前記第２の表面処理工程により得られる疎水化された非導電性材料とを用いて、又は、前記第１の表面処理工程により得られる疎水化された第１の電極と疎水性の前記非導電性材料とを用いて、疎水性相互作用により、前記第１の電極上に前記非導電性材料を配置する。
【００１７】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記配置工程において、前記第１の電極と前記非導電性材料とが接している。
【００１８】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記めっき工程が、前記第１の電極上及び前記非導電性材料の表面上にパラジウムを配置する工程を含み、前記パラジウムを触媒として用いて、無電解めっきにより、前記非導電性材料が配置された前記第１の電極上にめっき層を形成する。
【００１９】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記非導電性材料が、粒子状である。
【００２０】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記非導電性材料の粒子径が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である。
【００２１】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記めっき層が、ニッケル、金、銅、錫又はそれらの合金を含む。
【００２２】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記めっき層の厚みが、０．０１μｍ以上０．３μｍ以下である。
【００２３】
本発明に係る回路基板の製造方法のある特定の局面では、前記めっき層の融点が、３００℃以上である。
【００２４】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、前記第１の電極上に形成された応力緩和部と、前記第１の電極上及び前記応力緩和部の表面上に配置された導電性材料とを備え、前記応力緩和部の材料が、非導電性材料であり、前記導電性材料が、前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記応力緩和部の表面を覆っている部分とを有し、前記導電性材料の前記第１の電極の表面を覆っている部分と、前記導電性材料の前記応力緩和部の表面を覆っている部分とが連なっている、回路基板が提供される。
【００２５】
本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、前記第１の電極上に形成されかつ導電性材料が配置された回路接続部とを備える回路基板であり、前記回路基板が、前記回路接続部側の表面上に凸部を有し、前記凸部が芯材を有しかつ前記芯材が非導電性材料である、回路基板が提供される。
【００２６】
本発明に係る回路基板のある特定の局面では、前記非導電性材料が、粒子状である。
【００２７】
本発明に係る回路基板のある特定の局面では、前記非導電性材料の粒子径が、０．１μｍ以上２０μｍ以下である。
【００２８】
本発明に係る回路基板のある特定の局面では、前記導電性材料が、導電性の金属又は導電性の金属化合物である。
【００２９】
本発明の広い局面によれば、上述した回路基板と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記回路基板と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、バインダー樹脂を含み、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性材料により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る回路基板の製造方法は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、非導電性材料とを用いて、上記第１の電極上に上記非導電性材料を配置する配置工程と、無電解めっきにより、上記非導電性材料が配置された上記第１の電極上にめっき層を形成するめっき工程とを備える。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記めっき層が、上記第１の電極と上記非導電性材料との間に形成されていない。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記めっき層が、上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記非導電性材料の表面を覆っている部分とを有する。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記めっき層の上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記めっき層の上記非導電性材料の表面を覆っている部分とが連なっている回路基板を得る。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００３１】
本発明に係る回路基板は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、上記第１の電極上に形成された応力緩和部と、上記第１の電極上及び上記応力緩和部の表面上に配置された導電性材料とを備える。本発明に係る回路基板では、上記応力緩和部の材料が、非導電性材料である。本発明に係る回路基板では、上記導電性材料が、上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記応力緩和部の表面を覆っている部分とを有する。本発明に係る回路基板では、上記導電性材料の上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記導電性材料の上記応力緩和部の表面を覆っている部分とが連なっている。本発明に係る回路基板では、上記の構成が備えられているので、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００３２】
本発明に係る回路基板は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、上記第１の電極上に形成されかつ導電性材料が配置された回路接続部とを備える。本発明に係る回路基板は、上記回路接続部側の表面上に凸部を有する。本発明に係る回路基板では、上記凸部が芯材を有しかつ上記芯材が非導電性材料である。本発明に係る回路基板では、上記の構成が備えられているので、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る回路基板を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る回路基板を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る回路基板を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る回路基板の製造方法の各工程の一例を説明するための断面図である。
【図５】図５は、本発明に係る回路基板の製造方法の工程の変形例を説明するための断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る回路基板の製造方法の各工程のその他の例を説明するための断面図である
【図７】図７（ｄ）及び（ｅ）は、本発明に係る回路基板の製造方法の各工程のその他の例を説明するための断面図である
【図８】図８は、本発明の第１の実施形態に係る回路基板を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００３５】
（回路基板及び回路基板の製造方法）
本発明に係る回路基板の製造方法は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、非導電性材料とを用いて、上記第１の電極上に上記非導電性材料を配置する配置工程と、無電解めっきにより、上記非導電性材料が配置された上記第１の電極上にめっき層を形成するめっき工程とを備える。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記めっき層が、上記第１の電極と上記非導電性材料との間に形成されていない。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記めっき層が、上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記非導電性材料の表面を覆っている部分とを有する。本発明に係る回路基板の製造方法では、上記めっき層の上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記めっき層の上記非導電性材料の表面を覆っている部分とが連なっている回路基板を得る。
【００３６】
本発明に係る回路基板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００３７】
本発明に係る回路基板は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、上記第１の電極上に形成された応力緩和部と、上記第１の電極上及び上記応力緩和部の表面上に配置された導電性材料とを備える。本発明に係る回路基板では、上記応力緩和部の材料が、非導電性材料である。本発明に係る回路基板では、上記導電性材料が、上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記応力緩和部の表面を覆っている部分とを有する。本発明に係る回路基板では、上記導電性材料の上記第１の電極の表面を覆っている部分と、上記導電性材料の上記応力緩和部の表面を覆っている部分とが連なっている。
【００３８】
上記応力緩和部は、応力緩和特性を有するため、上記第１の電極との接触面積を広くすることができ、電極との接続時に応力が付与された場合でも、上記第１の電極上から外れ難くすることができる。結果として、導通信頼性及び接続信頼性を効果的に高めることができる。
【００３９】
本発明に係る回路基板は、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、上記第１の電極上に形成されかつ導電性材料が配置された回路接続部とを備える。本発明に係る回路基板は、上記回路接続部側の表面上に凸部を有する。本発明に係る回路基板では、上記凸部が芯材を有しかつ上記芯材が非導電性材料である。
【００４０】
本発明に係る回路基板では、上記の構成が備えられているので、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性を効果的に高めることができ、かつ、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００４１】
本発明者らは、微細な配線や電極の導電接続を行う場合に、電極上に絶縁性樹脂等の非導電性材料により形成された応力緩和部と、上記電極の表面上及び上記応力緩和部の表面上に導電性材料が配置された回路基板を用いることで、絶縁信頼性及び導通信頼性を効果的に高めることができることを見出した。上記回路基板では、従来の導電性粒子を用いて微細な配線や電極の導電接続を行わないので、絶縁信頼性を効果的に高めることができる。また、上記回路基板では、電極上に応力緩和部（凸部）が形成されているので、導電接続時に、対向する電極とより一層接触でき、導電接続に寄与する接触面積を増加させることができるので、導通信頼性を効果的に高めることができる。
【００４２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。なお、以下の図面において、大きさ、厚み及び形状等は、図示の便宜上、実際の大きさ、厚み及び形状等と異なる場合がある。
【００４３】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る回路基板を示す断面図である。
【００４４】
図１に示す回路基板１は、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２と、応力緩和部と、導電性材料４とを備える。応力緩和部の材料は、非導電性材料３である。応力緩和部は、非導電性材料３により形成されている。導電性材料４は、導電性を有する。
【００４５】
第１の接続対象部材２の表面上に、複数の第１の電極２ａが配置されている。複数の第１の電極２ａは、距離を隔てて、並んで配置されている。複数の第１の電極２ａ間の距離は、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。複数の第１の電極２ａ間の距離は、１μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上５μｍ以下であることがさらに好ましい。複数の第１の電極２ａ間の距離は、狭い方が好ましく、１μｍ未満であってもよい。
【００４６】
応力緩和部は、第１の電極２ａ上に形成されている。第１の電極２ａ上に、単一の上記応力緩和部が形成されていてもよく、複数の上記応力緩和部が形成されていてもよい。応力緩和部の材料は、非導電性材料３である。上記応力緩和部と上記第１の電極とは接していることが好ましい。上記応力緩和部と上記第１の電極との接触面積は広い方がより好ましい。上記非導電性材料と上記第１の電極とは接していることが好ましい。上記非導電性材料と上記第１の電極との接触面積は広い方がより好ましい。上記応力緩和部と上記第１の電極との間に、上記導電性材料が配置されていないことが好ましい。上記非導電性材料と上記第１の電極との間に、上記導電性材料が配置されていないことが好ましい。上記応力緩和部と上記第１の電極とは接していなくてもよい。上記非導電性材料と上記第１の電極とは接していなくてもよい。
【００４７】
導電性材料４は、第１の電極２ａ上及び応力緩和部の表面上に配置されている。導電性材料４は、第１の電極２ａ上及び非導電性材料３の表面上に配置されている。導電性材料４は、第１の電極２ａの表面及び応力緩和部の表面に接触しており、第１の電極２ａの表面及び応力緩和部の表面を覆っている。導電性材料４は、第１の電極２ａの表面及び非導電性材料３の表面に接触しており、第１の電極２ａの表面及び非導電性材料３の表面を覆っている。導電性材料４は、第１の電極２ａの表面を覆っている部分と、応力緩和部の表面を覆っている部分とを有する。導電性材料４は、第１の電極２ａの表面を覆っている部分と、非導電性材料３の表面を覆っている部分とを有する。導電性材料４の第１の電極２ａの表面を覆っている部分と、導電性材料４の応力緩和部の表面を覆っている部分とは、連なっている。導電性材料４の第１の電極２ａの表面を覆っている部分と、導電性材料４の非導電性材料３の表面を覆っている部分とは、連なっている。
【００４８】
導電性材料４は、導電性の金属又は導電性の金属化合物であることが好ましい。上記金属としては、ニッケル、金、銅及び錫等が挙げられる。上記金属化合物としては、ＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、銅−金合金及び銅−アルミニウム合金等が挙げられる。微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電性材料は、金であることが好ましい。
【００４９】
導電性材料４は、無電解めっきにより形成されていることが好ましい。上記導電性材料は、めっき層であることが好ましい。上記めっき層が、上記金属又は上記金属化合物を含むことが好ましい。
【００５０】
図１に示す回路基板１は、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２と、回路接続部とを備えていてもよい。上記回路接続部は、第１の電極２ａ上に形成されかつ導電性材料４が配置された部分である。回路基板１は、上記回路接続部側の表面に凸部を有していてもよい。上記凸部は芯材を有しかつ上記芯材は非導電性材料である。
【００５１】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る回路基板を示す断面図である。
【００５２】
図２に示す回路基板１Ａは、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２と、応力緩和部と、導電性材料４Ａとを備える。応力緩和部の材料は、非導電性材料３Ａである。応力緩和部は、非導電性材料３Ａにより形成されている。
【００５３】
回路基板１Ａと回路基板１とでは、応力緩和部の形状及び導電性材料の形状のみが異なる。回路基板１では、応力緩和部は粒子状である。回路基板１では、応力緩和部の材料である非導電性材料３の形状は粒子状である。回路基板１Ａでは、応力緩和部は粒子状以外の形状である。回路基板１Ａでは、応力緩和部の材料である非導電性材料３Ａの形状は粒子状以外の形状である。
【００５４】
本発明に係る回路基板では、上記応力緩和部の形状は特に限定されない。上記応力緩和部は、上記第１の電極上に凸部を形成することができる形状であればよい。上記応力緩和部の形状は、粒子状であってもよく、粒子状以外の形状であってもよい。粒子状以外の形状としては、柱状、半球状及び俵状等が挙げられる。微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記応力緩和部の形状は、粒子状であることが好ましい。
【００５５】
上記応力緩和部の形状が粒子状である場合に、上記非導電性材料（上記応力緩和部の材料）の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下である。上記非導電性材料（上記応力緩和部の材料）の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００５６】
上記非導電性材料（上記応力緩和部の材料）の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記非導電性材料（上記応力緩和部の材料）の粒子径は、任意の非導電性材料（上記応力緩和部の材料）５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【００５７】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る回路基板を示す断面図である。
【００５８】
図３に示す回路基板１Ｂは、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２Ｂと、応力緩和部と、導電性材料４とを備える。
【００５９】
回路基板１Ｂと回路基板１とでは、第１の電極２ａが配置されている場所のみが異なる。回路基板１では、第１の電極２ａは、第１の接続対象部材２の表面上に配置されている。回路基板１Ｂでは、第１の電極２ａは、第１の接続対象部材２Ｂの内部に配置されている。回路基板１Ｂでは、第１の接続対象部材２Ｂに形成された凹部内に第１の電極２ａが配置されている。
【００６０】
本発明に係る回路基板では、上記第１の接続対象部材における上記第１の電極の配置場所は特に限定されない。微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記第１の電極は、上記第１の接続対象部材の内部に配置されていることが好ましい。微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記第１の電極は、上記第１の接続対象部材の表面上に配置されていることが好ましい。
【００６１】
図４（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る回路基板の製造方法の各工程の一例を説明するための断面図である。
【００６２】
まず、図４（ａ）に示すように、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２を用意する。上記第１の接続対象部材は特に限定されない。上記第１の接続対象部材としては、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記第１の接続対象部材は回路基板等であることが好ましい。上記第１の電極は特に限定されない。上記第１の電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銀電極、ＳＵＳ電極、銅電極、モリブデン電極、タングステン電極及びそれらの合金の電極等の金属電極が挙げられる。
【００６３】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の電極２ａ上に非導電性材料３を配置する（配置工程）。上記配置工程では、上記非導電性材料は、第１の電極２ａ上にのみ配置されている。上記配置工程において、上記非導電性材料は、上記第１の電極上にのみに選択的に配置されていることが好ましい。上記非導電性材料は、上記第１の電極の側面上に配置されていないことが好ましい。
【００６４】
また、上記配置工程の前に、図５に示すように、第１の電極２ａ間にパッシベーション膜２１を配置する工程を追加してもよい。上記配置工程の前に、上記第１の電極間に上記パッシベーション膜を配置することで、上記非導電性材料を上記第１の電極上のみに容易に配置することができる。
【００６５】
本発明に係る回路基板の製造方法では、上記非導電性材料の形状は特に限定されない。上記非導電性材料は、上記第１の電極上に凸部を形成することができる形状であればよい。上記非導電性材料の形状は、粒子状であってもよく、粒子状以外の形状であってもよい。粒子状以外の形状としては、柱状、半球状及び俵状等が挙げられる。微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性をより一層効果的に高める観点、及び導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記非導電性材料の形状は、粒子状であることが好ましい。
【００６６】
上記非導電性材料の形状が粒子状である場合に、上記非導電性材料の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下である。上記非導電性材料の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができ、導通信頼性をより一層効果的に高めることができる。
【００６７】
上記非導電性材料の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記非導電性材料の粒子径は、任意の非導電性材料５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることが好ましい。
【００６８】
上記非導電性材料を、上記第１の電極上のみに選択的に配置する方法としては、後述する化学反応を利用する方法、後述する抗原抗体反応を利用する方法、及び後述する疎水性相互作用を利用する方法等が挙げられる。なお、上記非導電性材料を第１の電極の側面上に配置されることを防止するために、上記配置工程の前に、上記第１の電極間に上記パッシベーション膜を配置する工程を追加してもよい。上記配置工程の前に、上記第１の電極間に上記パッシベーション膜を配置することで、上記非導電性材料を上記第１の電極上のみに容易に配置することができる。
【００６９】
上記非導電性材料を、上記第１の電極上にのみに選択的に配置するために、上記配置工程は、上記第１の電極上に反応性官能基を結合させる第１の処理工程と、上記非導電性材料の表面上に、上記第１の電極上に結合させた反応性官能基と対応する反応性官能基を結合させる第２の処理工程とを含むことが好ましい。上記第１の処理工程により得られる反応性官能基付き第１の電極と、上記第２の処理工程により得られる反応性官能基付き非導電性材料とを用いて、化学反応により、上記第１の電極上に上記非導電性材料を配置することが好ましい。上記のように、化学反応を利用することで、上記非導電性材料を、上記第１の電極上のみに選択的に配置することができる。
【００７０】
上記第１の処理工程及び上記第２の処理工程において、上記第１の電極上及び上記非導電材料の表面上に結合させる反応性官能基は特に限定されない。上記反応性官能基としては、グリシジル基、アミノ基、水酸基及びカルボキシル基等が挙げられる。
【００７１】
上記非導電性材料を、上記第１の電極上にのみに選択的に配置するために、上記第１の処理工程は、上記第１の電極上に抗原又は抗体を結合させる工程であり、上記第２の処理工程は、上記非導電性材料の表面上に、上記第１の電極上に結合させた抗原又は抗体と対応する抗体又は抗原を結合させる工程であることが好ましい。上記第１の処理工程により得られる抗原又は抗体付き第１の電極と、上記第２の処理工程により得られる抗体又は抗原付き非導電性材料とを用いて、抗原抗体反応により、上記第１の電極上に上記非導電性材料を配置することが好ましい。上記のように、抗原抗体反応を利用することで、上記非導電性材料を、上記第１の電極上にのみに選択的に配置することができる。
【００７２】
上記第１の処理工程及び上記第２の処理工程が上記第１の電極上及び上記非導電性材料の表面上に抗原又は抗体を結合させる工程である場合において、上記第１の電極上及び上記非導電性材料の表面上に結合させる抗原又は抗体は特に限定されない。上記抗原としては、細菌、タンパク質、糖鎖、ペプチド及び脂質等が挙げられる。上記抗体としては、タンパク質（免疫グロブリン）及びタンパク質分解酵素等が挙げられる。
【００７３】
また、上記第１の処理工程及び上記第２の処理工程に用いられる物質は、互いに特異的に結合する物質（結合物質）であれば特に限定されない。上記結合物質としては、「抗原」−「抗体」間反応、「糖鎖」−「タンパク質」間反応、「糖鎖」−「レクチン」間反応、「酵素」−「インヒビター」間反応、「タンパク質」−「ペプチド鎖」間反応、「染色体又はヌクレオチド鎖」−「ヌクレオチド鎖」間反応、又は、「ヌクレオチド鎖」−「タンパク質」間反応等の相互反応によって特異的に結合する物質等が挙げられる。例えば、上記第１の処理工程に用いられた物質が「抗原」である場合には、上記第２の処理工程に用いられる物質は「抗体」であり、上記第１の処理工程に用いられた物質が「酵素」である場合には、上記第２の処理工程に用いられる物質は「インヒビター」である。
【００７４】
上記結合物質としては、ヌクレオチド鎖（オリゴヌクレオチド鎖及びポリヌクレオチド鎖等）；染色体；ペプチド鎖（Ｃ−ペプチド及びアンジオテンシンＩ等）；タンパク質［プロカルシトニン、免疫グロブリンＡ（ＩｇＡ）、免疫グロブリンＥ（ＩｇＥ）、免疫グロブリンＧ（ＩｇＧ）、免疫グロブリンＭ（ＩｇＭ）、免疫グロブリンＤ（ＩｇＤ）、β２−ミクログロブリン、アルブミン、これらの分解産物及びフェリチン等の血清タンパク質等］；酵素［アミラーゼ（膵型、唾液腺型及びＸ型等）、アルカリホスファターゼ（肝性、骨性、胎盤性及び小腸性等）、酸性ホスファターゼ（ＰＡＰ等）、γ−グルタミルトランスファラーゼ（腎性、膵性及び肝性等）、リパーゼ（膵型及び胃型等）、クレアチンキナーゼ（ＣＫ−１、ＣＫ−２及びｍＣＫ等）、乳酸脱水素酵素（ＬＤＨ１〜ＬＤＨ５等）、グルタミン酸オキザロ酢酸トランスアミナーゼ（ＡＳＴｍ及びＡＳＴｓ等）、グルタミン酸ピルビン酸トランスアミナーゼ（ＡＬＴｍ及びＡＬＴｓ等）、コリンエステラーゼ（ＣｈＥ１〜ＣｈＥ５等）、ロイシンアミノペプチターゼ（Ｃ−ＬＡＰ、ＡＡ及びＣＡＰ等）、レニン、プロテインキナーゼ、及びチロシンキナーゼ等］及びこれらの酵素のインヒビター、ホルモン［ＰＴＨ（副甲状腺ホルモン）、ＴＳＨ（甲状腺刺激ホルモン）、インシュリン、ＬＨ、ＦＳＨ及びプロラクチン等］、レセプター（エストロゲン及びＴＳＨ等に対するレセプター）；リガンド（エストロゲン及びＴＳＨ等）；細菌（結核菌、肺炎球菌、ジフテリア菌、髄膜炎菌、淋菌、ブドウ球菌、レンサ球菌、腸内細菌、大腸菌及びヘリコバクター・ピロリ等）、ウイルス（ルベラウイルス、ヘルペスウイルス、肝炎ウイルス、ＡＴＬウイルス、ＡＩＤＳウイルス、インフルエンザウイルス、アデノウィルス、エンテロウイルス、ポリオウイルス、ＥＢウイルス、ＨＡＶ、ＨＢＶ、ＨＣＶ、ＨＩＶ及びＨＴＬＶ等）、真菌（カンジダ及びクリプトコッカス等）、スピロヘータ（レプトスピラ及び梅毒トレポネーマ等）、クラミジア、マイコプラズマ等の微生物；該微生物に由来するタンパク質、ペプチド又は糖鎖抗原；気管支喘息、アレルギー性鼻炎及びアトピー性皮膚炎等のアレルギーの原因となる各種アレルゲン（ハウスダスト、コナヒョウダニ及びヤケヒョウダニ等のダニ類、スギ、ヒノキ、スズメノヒエ、ブタクサ、オオアワガエリ、ハルガヤ及びライムギ等の花粉、ネコ、イヌ及びカニ等の動物、米及び卵白等の食物、真菌、昆虫、木材、薬剤、並びに化学物質等に由来するアレルゲン等）；脂質（リポタンパク質等）；プロテアーゼ（トリプシン、プラスミン及びセリンプロテアーゼ等）；腫瘍マーカータンパク抗原（ＰＳＡ、ＰＧＩ及びＰＧＩＩ等）；糖鎖抗原［ＡＦＰ（Ｌ１〜Ｌ３等）、ｈＣＧ（ｈＣＧファミリー）、トランスフェリン、ＩｇＧ、サイログロブリン、Ｄｅｃａｙ−ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｎｇ−ｆａｃｔｏｒ（ＤＡＦ）、癌胎児性抗原（ＣＥＡ、ＮＣＡ、ＮＣＡ−２及びＮＦＡ等）、ＣＡ１９−９、ＰＩＶＫＡ−ＩＩ、ＣＡ１２５、前立腺特異抗原、癌細胞が産生する特殊な糖鎖を有する腫瘍マーカー糖鎖抗原及びＡＢＯ糖鎖抗原等］；糖鎖（ヒアルロン酸、β−グルカン、上記糖鎖抗原等が有する糖鎖等）；糖鎖に結合するタンパク質（ヒアルロン酸結合タンパク、βグルカン結合タンパク）；リン脂質（カルジオリピン等）；リポ多糖（エンドトキシン等）；化学物質（Ｔ３、Ｔ４、トリブチルスズ、ノニルフェノール、４−オクチルフェノール、フタル酸ジ−ｎ−ブチル、フタル酸ジシクロヘキシル、ベンゾフェノン、オクタクロロスチレン、フタル酸ジ−２−エチルヘキシル等の環境ホルモン）；人体に投与又は接種される各種薬剤及びこれらの代謝物；アプタマー；拡散結合性物質；及びこれらに対する抗体等が挙げられる。
【００７５】
なお、上記第１の処理工程及び上記第２の処理工程に用いられる抗体として、免疫グロブリン分子自体だけではなく、パパインやペプシン等のタンパク質分解酵素による分解産物及び化学的分解により生じるＦａｂ、Ｆ（ａｂ’）２フラグメント等の分解産物等も用いることができる。また、上記抗体は、ポリクローナル抗体であってもよく、モノクローナル抗体であってもよい。上記抗体の取得方法については、通常使用される方法を用いることができる。
【００７６】
上記非導電性材料を、上記第１の電極上にのみに選択的に配置するために、上記配置工程は、上記第１の電極上を疎水性化合物により処理する第１の表面処理工程と、上記非導電性材料の表面上を疎水性化合物により処理する第２の表面処理工程とを含むことが好ましい。上記第１の表面処理工程により得られる疎水化された第１の電極と上記第２の表面処理工程により得られる疎水化された非導電性材料とを用いて、疎水性相互作用により、上記第１の電極上に上記非導電性材料を配置することが好ましい。上記第１の表面処理工程により得られる疎水化された第１の電極と疎水性の上記非導電性材料とを用いて、疎水性相互作用により、上記第１の電極上に上記非導電性材料を配置することが好ましい。上記のように、疎水性相互作用を利用することで、上記非導電性材料を、上記第１の電極上にのみに選択的に配置することができる。
【００７７】
微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記配置工程において、上記第１の電極と上記非導電性材料とが接していることが好ましい。
【００７８】
次に、図４（ｃ）に示すように、無電解めっきにより、非導電性材料３が配置された第１の電極２ａ上にめっき層（導電性材料４）を形成する（めっき工程）。上記めっき工程では、上記めっき層（導電性材料４）は、上記非導電性材料が配置された上記第１の電極上にのみに形成されている。上記めっき工程において、上記めっき層（導電性材料）は、上記非導電性材料の表面上及び上記第１の電極上にのみに選択的に形成されていることが好ましい。
【００７９】
上記めっき層（導電性材料）を、上記非導電性材料の表面上及び上記第１の電極上にのみに選択的に形成するために、上記めっき工程は、上記第１の電極上及び上記非導電性材料の表面上にパラジウムを配置する工程を含むことが好ましい。上記パラジウムを触媒として用いて、無電解めっきにより、上記非導電性材料が配置された上記第１の電極上にめっき層（導電性材料）を形成することが好ましい。
【００８０】
本発明に係る回路基板の製造方法では、めっき層（導電性材料４）は、第１の電極２ａと非導電性材料３との間に形成されていない。めっき層（導電性材料４）は、第１の電極２ａ上及び非導電性材料３の表面上に配置されている。めっき層（導電性材料４）は、第１の電極２ａの表面及び非導電性材料３の表面に接触しており、第１の電極２ａの表面及び非導電性材料３の表面を覆っている。めっき層（導電性材料４）は、第１の電極２ａの表面を覆っている部分と、非導電性材料３の表面を覆っている部分とを有する。めっき層（導電性材料４）の第１の電極２ａの表面を覆っている部分と、めっき層（導電性材料４）の非導電性材料３の表面を覆っている部分とは、連なっている。
【００８１】
微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記めっき層は、ニッケル、金、銅、錫又はそれらの合金含むことが好ましく、金を含むことがより好ましい。
【００８２】
微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記めっき層の厚みは、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．３μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。
【００８３】
上記めっき層の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、回路基板の断面を観察することにより測定できる。
【００８４】
微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記めっき層の融点は、好ましくは３００℃以上、より好ましくは４５０℃以上である。
【００８５】
上記めっき層の融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により求めることができる。示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置としては、ＳＩＩ社製「ＥＸＳＴＡＲ  ＤＳＣ７０２０」等が挙げられる。
【００８６】
図６（ａ）〜（ｃ）及び図７（ｄ）及び（ｅ）は、本発明に係る回路基板の製造方法の各工程のその他の例を説明するための断面図である。
【００８７】
図４（ａ）〜（ｃ）における回路基板の製造方法と、図６（ａ）〜（ｃ）及び図７（ｄ）、（ｅ）における回路基板の製造方法とでは、感光性材料を配置して感光性材料層を形成する工程と、上記感光性材料層を露光及び現像することで、上記第１の電極を露出させる工程とを含むことのみが異なる。
【００８８】
まず、図６（ａ）に示すように、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２を用意する。
【００８９】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２上に、感光性材料を配置して感光性材料層１１を形成する（感光性材料形成工程）。上記感光性材料形成工程では、上記感光性材料は、第１の電極２ａを覆うように、第１の接続対象部材２上に配置され、感光性材料層が形成されている。上記感光性材料層は、上記第１の電極を覆う必要はない。上記感光性材料層の高さは、上記第１の電極の高さと同じであってもよい。
【００９０】
図６（ｃ）に示すように、感光性材料層１１を露光及び現像することで、第１の電極２ａを露出させる（露光及び現像工程）。上記感光性材料層を形成する感光性材料は特に限定されない。上記感光性材料層を露光及び現像する条件も特に限定されない。
【００９１】
上記感光性材料としては、一般に市販されているネガ型又はポジ型のフォトレジストを用いても良い。また、ネガ型のフォトレジストを用いる場合、バインダー、光反応性化合物、光重合開始剤、及び溶剤等を混合してフォトレジストを作製してもよい。
【００９２】
上記バインダーは特に限定されない。上記バインダーとしては、（メタ）アクリレート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリスチレン、酢酸ビニルポリマー、アクリルポリマー、ポリアミド、塩化ビニル―酢酸ビニル共重合体、セルロースジアセテート、ポリクロロエチレン、ニトロセルロース、及びポリエステル等が挙げられる。
【００９３】
上記光反応性化合物は特に限定されない。上記光反応性化合物としては、ラジカル重合性化合物等が挙げられる。反応性が高く感度を高める観点からは、上記光反応性化合物は、多官能（メタ）アクリレート化合物であることが好ましい。具体的には、上記光反応性化合物としては、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエトキシトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロポキシトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレングリコール付加物トリアクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、及びジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記光反応性化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９４】
上記光重合開始剤は特に限定されない。上記光重合開始剤としては、ベンゾイン、アセトフェノン、２−メチルアントラキノン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、４−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド、２，４−ジイソプロピルキサントン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、１−[４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル]−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−[４−[４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル]フェニル]−２−メチル−プロパン−１−オン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−[（４−メチルフェニル）メチル]−１−[４−（４−モルホニル）フェニル]−１−ブタノン、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、１，２−オクタンジオン，１−[４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、エタノン，１−[９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル]−，及び１−（Ｏ−アセチルオキシム）等が挙げられる。上記光重合開始剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９５】
上記溶剤は特に限定されない。上記溶剤としては、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、２−ブチルアルコール、ヘキサノール、エチレングリコール等の直鎖、分岐、２級又は多価のアルコール化合物、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、及びイソホロン等のケトン化合物、トルエン、及びキシレン等の芳香族炭化水素化合物、スワゾールシリーズ（丸善石油化学社製）、及びソルベッソシリーズ（エクソン・ケミカル社製）等の石油系芳香族系混合溶剤、セロソルブ、及びブチルセロソルブ等のセロソルブ化合物、カルビトール、エチルカルビトール、及びブチルカルビトール等のカルビトール化合物、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びプロピレングリコールジメチルエーテル等のプロピレングリコールアルキルエーテル化合物、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、及びジプロピレングリコールジメチルエーテル等のポリプロピレングリコールアルキルエーテル化合物、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の酢酸エステル化合物、Ｎ−メチルピロリドン、並びにジアルキルグリコールエーテル化合物等が挙げられる。上記溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９６】
上記感光性材料形成工程において、上記感光性材料を配置する方法は特に限定されない。上記感光性材料を配置する方法としては、スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、及び平版印刷等の印刷法や、バーコーター、及びブレードコーター等の塗布方法が挙げられる。
【００９７】
上記露光及び現像工程において、上記感光性材料層を露光する方法は特に限定されない。上記露光では、上記感光性材料層上に形成すべきパターンに対応するフィルムやマスクを介して露光を行う。露光に用いる光源は特に限定されない。上記光源としては、上記感光性材料を光硬化又は光分解可能である適宜の光源が選ばれる。露光に用いる光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、及びブラックライト等が挙げられる。また、露光方式としては、マスクとの密着露光、プロキシミティ露光、及び投影露光等が挙げられる。
【００９８】
上記露光及び現像工程において、上記感光性材料層を現像する方法は特に限定されない。上記現像は、現像液を用いてネガ型の感光性材料であれば硬化されていない未露光部分を、ポジ型の感光材料であれば光分解された露光部分を、溶解、除去することで、目的とするパターンを得ることができる。上記現像液は特に限定されない。上記現像液として、上記感光性材料の被溶解部分を選択的に溶解させることが可能な適宜の現像液を用いることができる。上記現像液は、水性であってもよく、油性であってもよい。上記現像液のｐＨは特に限定されない。上記現像液としては、感光性材料中に酸性基を持つ化合物が存在する場合、水酸化ナトリウム、及び炭酸ナトリウム等の金属アルカリ水溶液や、モノエタノールアミン、及びジエタノールアミン等の有機アルカリ水溶液等が挙げられる。
【００９９】
現像方式は、通常用いられる現像方式であれば、特に限定されない。上記現像方式としては、現像液に浸すディップ方式、液を基板全面に噴霧するスプレー方式、容器内に現像液を入れて処理するバレル方式等が挙げられる。
【０１００】
次に、図７（ｄ）に示すように、露出した第１の電極２ａ上に非導電性材料３を配置する（配置工程）。上記配置工程では、上記非導電性材料は、露出した第１の電極２ａ上にのみ配置されている。上記配置工程において、上記非導電性材料は、露出した上記第１の電極上にのみに選択的に配置されていることが好ましい。
【０１０１】
上記非導電性材料を、露出した上記第１の電極上のみに選択的に配置する方法としては、上述した化学反応を利用する方法、上述した抗原抗体反応を利用する方法、及び上述した疎水性相互作用を利用する方法等が挙げられる。
【０１０２】
図７（ｅ）に示すように、無電解めっきにより、非導電性材料３が配置された第１の電極２ａ上にめっき層（導電性材料４）を形成する（めっき工程）。上記めっき工程では、上記めっき層（導電性材料４）は、上記非導電性材料が配置された上記第１の電極上にのみに形成されている。上記めっき工程において、上記めっき層（導電性材料）は、上記非導電性材料の表面上及び上記第１の電極上にのみに選択的に形成されていることが好ましい。
【０１０３】
以下。非導電性材料及び導電性材料の他の詳細を説明する。
【０１０４】
（非導電性材料）
上記非導電性材料は、絶縁性を有する材料であることが好ましい。上記非導電性材料は粒子状であることが好ましい。上記非導電性材料は、粒子であってもよい。上記粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記非導電性材料は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記非導電性材料は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを備えるコアシェル粒子であってもよい。
【０１０５】
上記非導電性材料は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがさらに好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい非導電性材料の使用により、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。
【０１０６】
上記樹脂粒子の材料としては、種々の樹脂が好適に用いられる。上記樹脂粒子の材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。
【０１０７】
樹脂粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【０１０８】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【０１０９】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【０１１０】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【０１１１】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【０１１２】
上記非導電性材料は、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記非導電性材料が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記非導電性材料の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【０１１３】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。
【０１１４】
上記有機コアの材料としては、上述した樹脂粒子の材料等が挙げられる。
【０１１５】
上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【０１１６】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子の材料である金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。
【０１１７】
（導電性材料）
上記導電性材料は、無電解めっきにより形成されることが好ましい。上記導電性材料は、無電解めっきにより形成されためっき層であることが好ましい。上記導電性材料は、導電性を有する材料であることが好ましい。
【０１１８】
上記導電性材料（めっき層の材料）は特に限定されない。上記導電性材料（めっき層の材料）は、金属又は金属化合物であることが好ましい。上記導電性材料（めっき層の材料）としては、例えば、金、銀、パラジウム、銅、白金、亜鉛、鉄、スズ、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素及びこれらの合金、並びに、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。微細な電極間を電気的に接続する場合であっても、導通信頼性をより一層効果的に高める観点からは、上記導電性材料（めっき層）は、ニッケル、金、銅、錫又はそれらの合金含むことが好ましく、金を含むことがより好ましい。
【０１１９】
上記導電性材料（めっき層）は、１つの層により形成されていてもよい。上記導電性材料（めっき層）は、複数の層により形成されていてもよい。すなわち、上記導電性材料（めっき層）は、２層以上の積層構造を有していてもよい。上記導電性材料（めっき層）が複数の層により形成されている場合には、最外層は、スズ層、銅層、金層、銀層、又はＩＴＯ層であることが好ましく、銅層であることがより好ましい。最外層がこれらの好ましい導電性材料（めっき層）である場合には、導電性材料（めっき層）をより一層均一に形成することができる。
【０１２０】
また、導通信頼性を効果的に高めることができるので、上記導電性材料（めっき層）はニッケルを含むことが好ましい。ニッケルを含む導電性材料（めっき層）１００重量％中のニッケルの含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、より一層好ましくは６０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記ニッケルを含む導電性材料（めっき層）１００重量％中のニッケルの含有量は、９７重量％以上であってもよく、９７．５重量％以上であってもよく、９８重量％以上であってもよい。
【０１２１】
（接続構造体）
本発明に係る接続構造体は、上述した回路基板と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、上記回路基板と上記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備える。本発明に係る接続構造体では、上記接続部の材料が、バインダー樹脂を含む。本発明に係る接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上記導電性材料により電気的に接続されている。
【０１２２】
上記接続構造体は、上記回路基板と上記第２の接続対象部材とを、熱圧着することにより、導電接続する工程とを経て、得ることができる。上記熱圧着時に、上記第１の電極と上記第２の電極とが電気的に接続されることが好ましい。
【０１２３】
図８は、本発明の第１の実施形態に係る回路基板を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。
【０１２４】
図８に示す接続構造体５１は、第１の電極２ａを表面に有する第１の接続対象部材２、非導電性材料３、及び導電性材料４を備える回路基板と、第２の接続対象部材５２と、上記回路基板と第２の接続対象部材５２とを接続する接続部５３とを備える。接続部５３は、バインダー樹脂により形成されている。上記バインダー樹脂が熱硬化性を有し、上記接続部が上記バインダー樹脂を熱硬化させることにより形成されていることが好ましい。
【０１２５】
第１の接続対象部材２は表面（上面）に、複数の第１の電極２ａを有する。第２の接続対象部材５２は表面（下面）に、複数の第２の電極５２ａを有する。第１の電極２ａは、非導電性材料３により形成された凸部を有する。第１の電極２ａの表面上及び非導電性材料３の表面上に、導電性材料４が配置されている。
【０１２６】
第１の電極２ａと第２の電極５２ａとが、導電性材料４により電気的に接続されている。従って、第１の接続対象部材２及び第２の接続対象部材５２が電気的に接続されている。
【０１２７】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、上記回路基板と上記第２の接続対象部材との間に上記バインダー樹脂を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記熱圧着の圧力は好ましくは４０ＭＰａ以上、より好ましくは６０ＭＰａ以上であり、好ましくは９０ＭＰａ以下、より好ましくは７０ＭＰａ以下である。上記熱圧着の加熱の温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１３０℃以上であり、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１７０℃以下である。上記熱圧着の圧力及び温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性をより一層高めることができる。
【０１２８】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板等の電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。
【０１２９】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銀電極、ＳＵＳ電極、銅電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１３０】
（バインダー樹脂）
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。
【０１３１】
上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１３２】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１３３】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１３４】
（実施例１）
（１）回路基板の作製
第１の電極（ニッケル電極、Ｌ／Ｓ：８μｍ／５μｍ、スペース部分はパッシベーション膜付き）を表面に有するＩＣチップ（第１の接続対象部材）と、樹脂粒子（積水化学工業社製「ＳＰ−２０３」、平均粒子径３μｍ）を用意した。
【０１３５】
用意した樹脂粒子を１０重量％、ｐ−スチリルトリメトキシシラン（信越化学社製「ＫＢＭ−１４０３」）を２重量％、蒸留水を１０重量％、メタノールを７８重量％となるように混合し、そこへｐＨ４となるように酢酸を数滴加えて混合した。４０℃に保温しながら、撹拌機で５時間撹拌することで、樹脂粒子の表面上にｐ−スチリルトリメトキシシランに起因するスチレンを付着させた。
【０１３６】
また、タンパク質（富士フィルム和光純薬社製「アルブミン」）を０．１重量％となるように蒸留水に溶解させたタンパク質溶液を用意した。第１の電極を有する第１の接続対象部材を、用意したタンパク質溶液１Ｌ中に入れて、５時間撹拌することで、第１の電極（ニッケル電極）上にタンパク質を付着させた。
【０１３７】
スチレンを付着させた樹脂粒子を２０重量％含む樹脂粒子分散液に、タンパク質を付着させた第１の電極を有する第１の接続対象部材を浸しながら、樹脂粒子分散液を撹拌した。
【０１３８】
樹脂粒子分散液からタンパク質を付着させた第１の電極を有する第１の接続対象部材を取り出し、洗浄することで、第１の電極（ニッケル電極）上に、樹脂粒子が配置された第１の接続対象部材を得た。パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液に、第１の接続対象部材を浸漬した後、第１の接続対象部材を取り出した。次いで、第１の接続対象部材をジメチルアミンボラン１重量％溶液に浸漬し、第１の電極（ニッケル電極）及び樹脂粒子の表面を活性化させた。表面が活性化された第１の電極（ニッケル電極）及び樹脂粒子を十分に水洗した後、第１の接続対象部材を蒸留水に浸漬し、めっき母液を得た。
【０１３９】
また、硫酸ニッケル０．３５ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン１．３８ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。
【０１４０】
得られためっき母液を６０℃にて攪拌しながら、上記ニッケルめっき液を懸濁液に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。その後、めっき母液をろ過することにより、第１の接続対象部材を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の電極（ニッケル電極）及び樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１５μｍ）が配置された第１の接続対象部材を得た。
【０１４１】
次に、第１の電極（ニッケル電極）及び樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１５μｍ）が配置された第１の接続対象部材を蒸留水に浸漬し、めっき母液を得た。また、シアン化金０．０３ｍｏｌ／Ｌと、還元剤としてヒドロキノン０．１ｍｏｌ／Ｌとを含む還元金めっき液を用意した。
【０１４２】
得られためっき母液を７０℃にて攪拌しながら、上記還元金めっき液を懸濁液に徐々に滴下し、還元金めっきを行った。その後、めっき母液をろ過することにより、上記第１の接続対象部材を取り出し、水洗し、乾燥することにより、回路基板を得た。得られた回路基板では、第１の電極（ニッケル電極）及び樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１５μｍ）が配置されており、該ニッケル−ボロン導電層の外表面上に金層（厚み０．０３μｍ）が配置されていた。また、上記ニッケル−ボロン導電層及び金層において、上記第１の電極（ニッケル電極）の表面を覆っている部分と、上記樹脂粒子の表面を覆っている部分とは連なっていた。
【０１４３】
（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが８μｍ／５μｍであるＡｕ電極パターン（第２の電極）が下面に形成されたポリイミド基板を用意した。
【０１４４】
バインダー樹脂を作製するため、以下の材料を用意した。
【０１４５】
（バインダー樹脂の材料）
熱硬化性化合物Ａ：フェノキシ化合物（Ｉｎｃｈｅｍ社製「ＰＫＨＣ」）
熱硬化性化合物Ｂ：エポキシ化合物（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４０３２Ｄ」）
潜在型熱硬化剤：イミダゾールのマイクロカプセル硬化剤（味の素ファインテクノ社製「ノバキュアＨＸＡ３９２２」）
シランカップリング剤：エポキシシランカップリング剤（信越化学工業製「ＫＢＭ−４０３」）
【０１４６】
バインダー樹脂を以下のようにして作製した。
【０１４７】
（バインダー樹脂の作製方法）
熱硬化性化合物Ａ３０重量部を、ＰＧＭＥＡ３５重量部とメチルエチルケトン３５重量部との混合溶媒に投入し、常温で２４時間撹拌することで、熱硬化性化合物Ａの３０重量％溶液を得た。次に、得られた溶液３０重量部と、熱硬化性化合物Ｂ３０重量部と、潜在型熱硬化剤３０重量部と、シランカップリング剤１重量部とを配合し、固形分量が５０重量％となるようにメチルエチルケトン（溶媒）を添加し、遊星式撹拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間撹拌することにより、バインダー樹脂を得た。
【０１４８】
第２の電極を表面に有するポリイミド基板の電極側に、得られたバインダー樹脂を厚さ４０μｍとなるように塗布した後、溶媒を乾燥させて、厚みが２０μｍであるバインダー樹脂（バインダー樹脂層）を配置した。次に、バインダー樹脂（バインダー樹脂層）上に第１の電極を有する回路基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、バインダー樹脂（バインダー樹脂層）の温度が１５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、回路基板の上面に加圧加熱ヘッドを載せ、６０ＭＰａの圧力をかけてバインダー樹脂（バインダー樹脂層）を１５０℃で硬化させ、接続構造体を得た。
【０１４９】
（実施例２）
ヒアルロン酸（富士フィルム和光純薬社製「ヒアルロン酸」）を０．１重量％となるように蒸留水に溶解させたヒアルロン酸溶液を用意した。回路基板の作製の際に、樹脂粒子を、用意したヒアルロン酸溶液１Ｌ中に入れて、５時間撹拌することで、樹脂粒子の表面上に、スチレンの代わりにヒアルロン酸を付着させたこと以外は、実施例１と同様にして、回路基板及び接続構造体を得た。
【０１５０】
（実施例３）
回路基板の作製の際に、第１の電極上に樹脂粒子を配置する前に、パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液に、樹脂粒子を浸漬した後、樹脂粒子を取り出すことにより、樹脂粒子の表面上に、スチレンの代わりにパラジウムコロイドを付着させるように変更した。また、第１の電極上に樹脂粒子を配置させた後に、パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液に、第１の接続対象部材を浸漬しないように変更した。上記の変更以外は、実施例１と同様にして、回路基板及び接続構造体を得た。
【０１５１】
（実施例４）
タンパク質（富士フィルム和光純薬社製「アルブミン」）を０．１重量％となるように蒸留水に溶解させたタンパク質溶液を用意した。回路基板の作製の際に、樹脂粒子を、用意したタンパク質溶液１Ｌ中に入れて、５時間撹拌することで、樹脂粒子の表面上にスチレンの代わりにタンパク質を付着させるように変更した。
【０１５２】
免疫グロブリンＡ（富士フィルム和光純薬社製「抗ヒトＩｇＡモノクローナル抗体」）を０．１重量％となるように蒸留水に溶解させた免疫グロブリンＡ溶液を用意した。回路基板の作製の際に、第１の電極を有する第１の接続対象部材を、用意した免疫グロブリンＡ溶液１Ｌ中に入れて、５時間撹拌することで、第１の電極（ニッケル電極）上にタンパク質（アルブミン）の代わりに免疫グロブリンＡを付着させるように変更した。上記の変更以外は、実施例１と同様にして、回路基板及び接続構造体を得た。
【０１５３】
（実施例５）
実施例１で用いた樹脂粒子を用意した。用意した樹脂粒子を１０重量％、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学社製「ＫＢＭ−４０３」）を２重量％、蒸留水を１０重量％、メタノールを７８重量％となるように混合し、そこへｐＨ４となるように酢酸を数滴加えて混合した。４０℃に保温しながら、撹拌機で５時間撹拌することで、樹脂粒子表面上に３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランに起因するグリシジル基を付着させた。
【０１５４】
また、第１の接続対象部材のニッケル電極上において、置換金めっきを行い、ニッケル電極上に金めっき層（膜厚２０ｎｍ）を作製した。また、４，４−ジアミノジフェニルジスルフィド（住友精化社製「ＤＴＤＡ」）を０．１重量％となるように蒸留水に溶解させたＤＴＤＡ溶液を用意した。金めっき層が形成された第１の電極を有する第１の接続対象部材を、用意したＤＴＤＡ溶液１Ｌ中に入れて、５時間撹拌することで、金めっき層が形成された第１の電極上にアミノ基を付着させた。
【０１５５】
グリシジル基を付着させた樹脂粒子を２０重量％含む樹脂粒子分散液に、アミノ基を付着させた第１の電極を有する第１の接続対象部材を浸しながら、９０℃に昇温した後、１０時間樹脂粒子分散液を撹拌した。
【０１５６】
樹脂粒子分散液から第１の電極を有する第１の接続対象部材を取り出し、洗浄することで、第１の電極上に、樹脂粒子が配置された回路基板を得た。
【０１５７】
得られた回路基板を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１５８】
（比較例１）
（１）導電フィルムの作製
はんだ粒子（融点１３９℃、三井金属鉱業社製「Ｓｎ４２Ｂｉ５８」を選別したはんだ粒子、平均粒子径５μｍ）を用意した。
【０１５９】
用意したはんだ粒子を含有量が１０重量％となるように、実施例１で作製したバインダー樹脂に添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌した後、バーコーターを用いて乾燥後の厚みが２０μｍになるよう離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工した。室温で真空乾燥することで、ＭＥＫを除去することにより、導電フィルムを得た。得られた導電フィルムの厚みは、デジマチックインジケータ（ミツトヨ社製「ＩＤ−Ｆ」）を用いて測定した。
【０１６０】
（２）接続構造体の作製
Ｌ／Ｓが８μｍ／５μｍである金電極パターン（第１の電極）が上面に形成されたＩＣチップ（第１の接続対象部材）と、Ｌ／Ｓが８μｍ／５μｍである金電極パターン（第２の電極）が下面に形成されたポリイミド基板を用意した。
【０１６１】
用意した第１の接続対象部材上に、得られた導電フィルムを配置した、次に、導電フィルム上に上記ポリイミド基板を、電極同士が対向するように積層した。その後、導電フィルムの温度が１５０℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、ポリイミド基板の上面に加圧加熱ヘッドを載せ、６０ＭＰａの圧力をかけて導電フィルムを１５０℃で硬化させ、接続構造体を得た。
【０１６２】
（評価）
（１）非導電性材料の粒子径
得られた回路基板において、非導電性材料の粒子径を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、回路基板の断面を観察することにより測定した、非導電性材料の粒子径は、任意に選択した非導電性材料５０個の粒子径の平均値を算出することにより算出した。
【０１６３】
（２）導電材料（めっき層）の厚み
得られた回路基板において、導電材料（めっき層）の厚みを、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、回路基板の断面を観察することにより測定した。導電材料（めっき層）の厚みは、任意に選択した１０箇所の厚みの平均値から算出した。
【０１６４】
（３）導電材料（めっき層）の融点
得られた回路基板において、導電材料（めっき層）を削り出し、測定サンプルを得た。得られた測定サンプルの融点を、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を用いて測定した。示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置としては、ＳＩＩ社製「ＥＸＳＴＡＲ  ＤＳＣ７０２０」を用いた。
【０１６５】
（４）導通信頼性（上下の電極間）
得られた２０個の接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０１６６】
［導通信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗が１．５Ω以下
○○：接続抵抗が１．５Ωを超え２．０Ω以下
○：接続抵抗が２．０Ωを超え５．０Ω以下
△：接続抵抗が５．０Ωを超え１０Ω以下
×：接続抵抗が１０Ωを超える
【０１６７】
（５）絶縁信頼性（横方向に隣り合う電極間）
上記（４）導通信頼性の評価で得られた２０個の接続構造体において、隣接する電極間のリークの有無を、テスターで抵抗値を測定することにより評価した。絶縁信頼性を下記の基準で評価した。
【０１６８】
［絶縁信頼性の判定基準］
○○○：抵抗値が１０８Ω以上の接続構造体の個数が、２０個
○○：抵抗値が１０８Ω以上の接続構造体の個数が、１８個以上２０個未満
○：抵抗値が１０８Ω以上の接続構造体の個数が、１５個以上１８個未満
△：抵抗値が１０８Ω以上の接続構造体の個数が、１０個以上１５個未満
×：抵抗値が１０８Ω以上の接続構造体の個数が、５個以上１０個未満
××：抵抗値が１０８Ω以上の接続構造体の個数が、５個未満
【０１６９】
詳細及び結果を下記の表１に示す。
【０１７０】
【表１】
2020119937.tif 000003
【符号の説明】
【０１７１】
１，１Ａ，１Ｂ…回路基板
２，２Ｂ…第１の接続対象部材
２ａ…第１の電極
３，３Ａ…非導電性材料
４，４Ａ…導電性材料
１１…感光性材料層
１１Ａ…金属粒子
２１…パッシベーション膜
５１…接続構造体
５２…第２の接続対象部材
５２ａ…第２の電極
５３…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2020119937.tif 000008
【図６】
2020119937.tif 000009
【図７】
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【図８】
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