(57)【要約】【課題】輝点が抑制され且つ配向性に優れる液晶硬化フィルムの製造方法を提供する。【解決手段】逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムの製造方法であって、基材の表面にラビング処理を施す工程と、基材のラビング処理を施された表面を溶媒で洗浄する工程と、基材の洗浄された表面に前記液晶組成物を塗工して前記液晶組成物の層を形成する工程と、液晶組成物の層を硬化させる工程と、を含むの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムの製造方法であって、
基材の表面に、ラビング処理を施す工程と、
前記基材のラビング処理を施された前記表面を、溶媒で洗浄する工程と、
前記基材の洗浄された前記表面に、前記液晶組成物の層を形成する工程と、
前記液晶組成物の層を硬化させる工程と、を含む、液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記溶媒のＳＰ値が、１２以上である、請求項１に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記溶媒のＳＰ値が、２４以下である、請求項１又は２に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記基材のＳＰ値と前記溶媒のＳＰ値との差が、２以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記液晶硬化フィルムに含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、５°以上８５°以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記基材が、脂環式構造含有重合体を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記基材が、長尺状である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記ラビング処理のラビング方向が、前記基材の長手方向に４０°以上５０°以下の角度をなす、請求項７に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記基材が、配向膜を有さない、請求項１〜８のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶性化合物を含む液晶組成物を用いてフィルムを製造する方法が知られている。例えば、特許文献１及び２には、基材上に液晶組成物を塗工し、塗工された液晶組成物を硬化させて、フィルムを製造する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１７６５７号公報
【特許文献２】特開２００２−０４０２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムは、その液晶硬化フィルムが含む液晶性化合物の配向状態に応じて、多様な光学特性を有しうる。そのため、液晶硬化フィルムは、光学フィルムとして使用されることがある。光学フィルムとして用いる場合、液晶硬化フィルムにおいては、輝点の形成が抑制されることが望ましい。前記の「輝点」とは、クロスニコルに配置された偏光子及び検光子の間に光学フィルムを設置して観察した場合に輝いて見える点を表し、異物、突起、窪み等の光学欠陥が形成された部分に生じうる。前記の輝点は、例えば基材上に塵等の異物があることによって形成されうるので、特許文献１及び２では、基材を洗浄して異物を除去することが提案されている。
【０００５】
しかし、液晶硬化フィルムには、前記のように輝点の形成が抑制されることだけでなく、配向性に優れることも求められる。ここで、液晶硬化フィルムが配向性に優れるとは、当該液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物の配向方向の乱れが小さいことを表す。そのため、輝点の抑制と配向性の改善とを両方とも達成できる技術の開発が求められる。
【０００６】
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、輝点が抑制され且つ配向性に優れる液晶硬化フィルムの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、基材の表面に、ラビング処理を施す工程と；基材のラビング処理を施された表面を、溶媒で洗浄する工程と；基材の洗浄された表面に、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の層を形成する工程と；液晶組成物の層を硬化させる工程と；を含む製造方法により、前記の課題が解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。
【０００８】
〔１〕  逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムの製造方法であって、
基材の表面に、ラビング処理を施す工程と、
前記基材のラビング処理を施された前記表面を、溶媒で洗浄する工程と、
前記基材の洗浄された前記表面に、前記液晶組成物の層を形成する工程と、
前記液晶組成物の層を硬化させる工程と、を含む、液晶硬化フィルムの製造方法。
〔２〕  前記溶媒のＳＰ値が、１２以上である、〔１〕に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔３〕  前記溶媒のＳＰ値が、２４以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔４〕  前記基材のＳＰ値と前記溶媒のＳＰ値との差が、２以上である、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔５〕  前記液晶硬化フィルムに含まれる前記液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が、５°以上８５°以下である、〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔６〕  前記基材が、脂環式構造含有重合体を含む、〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔７〕  前記基材が、長尺状である、〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔８〕  前記ラビング処理のラビング方向が、前記基材の長手方向に４０°以上５０°以下の角度をなす、〔７〕に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
〔９〕  前記基材が、配向膜を有さない、〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の液晶硬化フィルムの製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、輝点が抑制され且つ配向性に優れる液晶硬化フィルムの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す側面図である。
【図２】図２は、一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す上面図である。
【図３】図３は、一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す後面図である。
【図４】図４は、図１〜図３に示すラビング装置Ａ１００におけるラビングロールＡ１３０と帯状基材との関係を概略的に示す側面図である。
【図５】図５は、図１〜図３に示すラビング装置Ａ１００におけるラビングロールＡ１３０と帯状基材との関係を概略的に示す側面図である。
【図６】図６は、別の一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す側面図である。
【図７】図７は、別の一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す上面図である。
【図８】図８は、図６〜図７に示すラビング装置Ｃ１００における浮上搬送装置Ｃ１２０、ラビングロールＣ１３０、浮上搬送装置Ｃ１４０及び帯状基材の関係を概略的に示す側面図である。
【図９】図９は、図６〜図７に示すラビング装置Ｃ１００におけるラビングロールＣ１３０及びそこから搬出される帯状基材Ｃ１４の関係を概略的に示す側面図である。
【図１０】図１０は、図６及び図７に示すラビング装置Ｃ１００中の浮上搬送装置Ｃ１２０を概略的に示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図６及び図７に示すラビング装置Ｃ１００中の浮上搬送装置Ｃ１２０を概略的に示す側面図である。
【図１２】図１２は、図６及び図７に示すラビング装置Ｃ１００中の浮上搬送装置Ｃ１２０を概略的に示す底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
【００１２】
以下の説明において、ある層の「面内方向」とは、別に断らない限り、層平面に平行な方向を表す。
【００１３】
以下の説明において、ある層の「厚み方向」とは、別に断らない限り、層平面に垂直な方向を表す。よって、別に断らない限り、ある層の面内方向と厚み方向とは、垂直である。
【００１４】
以下の説明において、ある要素が層平面に対して「傾斜している」とは、その要素が前記層平面に対して平行でも垂直でもないことを表す。前記の要素が前記層平面に対してなす角度は、通常、５°以上８５°以下の範囲にある。
【００１５】
以下の説明において、複屈折の逆波長分散性とは、別に断らない限り、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ１）を満たすことをいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０）  （Ｎ１）
【００１６】
以下の説明において、ある層の面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５９０ｎｍである。面内レターデーションＲｅは、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて測定できる。
【００１７】
以下の説明において、ある層の遅相軸とは、別に断らない限り、面内方向の遅相軸をいう。
【００１８】
以下の説明において、別に断らない限り、ある層に含まれる液晶性化合物の分子の「傾斜角」とは、その液晶性化合物の分子が層平面に対してなす角度を表し、「チルト角」とも呼ばれることがある。この傾斜角は、液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において最大の屈折率の方向が層平面となす角度のうち、最大の角度に相当する。また、以下の説明においては、別に断らない限り、「傾斜角」とは、液晶性化合物の分子の、当該液晶性化合物が含まれる層の層平面に対する傾斜角を表す。
【００１９】
以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば±４°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。
【００２０】
以下の説明において、置換基を有する基の炭素原子数には、別に断らない限り、前記置換基の炭素原子数を含めない。よって、例えば「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基」との記載は、別に断らない限り、置換基の炭素原子数を含まないアルキル基自体の炭素原子数が１〜２０であることを表す。
【００２１】
以下の説明において、「波長板」は、別に断らない限り、樹脂フィルム等の可撓性を有するフィルム及びシートを含む用語として用いる。
【００２２】
以下の説明において、「長尺状」とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有する形状をいう。長さの上限は、特に制限は無く、例えば、幅に対して１００，０００倍以下でありうる。
【００２３】
［１．液晶硬化フィルムの製造方法の概要］
本発明の一実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法では、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムを製造する。以下の説明において、「逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物」を、「逆分散液晶性化合物」ということがある。
【００２４】
本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、
基材の表面に、ラビング処理を施す工程と；
基材のラビング処理を施された前記表面を、溶媒で洗浄する工程と；
基材の洗浄された前記表面に、液晶組成物の層を形成する工程と；
液晶組成物の層を硬化させて、液晶硬化フィルムを得る工程と；
を含む。また、本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、前記の工程に組み合わせて、更に任意の工程を含んでいてもよい。
【００２５】
本実施形態に係る製造方法によれば、輝点が抑制され且つ配向性に優れる液晶硬化フィルムを製造することができる。また、この製造方法によれば、通常は、液晶硬化フィルムの面状及び配向均一性を向上させることができる。
【００２６】
［２．基材の用意］
液晶硬化フィルムの製造方法は、通常、基材を用意する工程を含む。
基材の材料としては、ラビング処理によって配向規制力を発現できる面を形成できる任意の材料を採用しうる。「配向規制力」とは、液晶組成物に含まれる液晶性化合物の分子を配向させることができる、面の性質をいう。特に、基材の材料としては、樹脂が好ましい。基材の樹脂で形成された面には、ラビング処理によって配向規制力を発現させ易い。
【００２７】
樹脂としては、熱可塑性樹脂が好ましい。熱可塑性樹脂は、通常、重合体と、必要に応じて任意の成分を含む。重合体としては、脂環式構造含有重合体がより好ましい。よって、基材は、脂環式構造含有重合体を含むことが好ましい。脂環式構造含有重合体を用いる場合、液晶硬化フィルムの配向性、配向均一性及び面状の改善、並びに輝点の抑制といった利点を、顕著に得ることができる。また、脂環式構造含有重合体は、透明性、低吸水性、耐湿性、寸法安定性及び軽量性に優れる。
【００２８】
脂環式構造含有重合体は、脂環式構造を含有する重合体であり、例えば、環状オレフィンを単量体として用いた重合反応によって得られうる重合体又はその水素化物などが挙げられる。好ましい脂環式構造含有重合体としては、例えば、（１）ノルボルネン系重合体、（２）単環の環状オレフィン重合体、（３）環状共役ジエン重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素化物などが挙げられる。これらの中でも、液晶硬化フィルムの配向性、配向均一性及び面状の改善、並びに輝点の抑制といった利点を顕著に得る観点から、ノルボルネン系重合体及びこの水素化物がより好ましい。
【００２９】
ノルボルネン系重合体としては、例えば、ノルボルネン系モノマーの開環重合体、ノルボルネン系モノマーと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、及びそれらの水素化物；ノルボルネン系モノマーの付加重合体、ノルボルネン系モノマーと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体などが挙げられる。これらの中でも、液晶硬化フィルムの配向性、配向均一性及び面状の改善、並びに輝点の抑制といった利点を顕著に得る観点から、ノルボルネン系モノマーの開環重合体水素化物が特に好ましい。上記の脂環式構造含有重合体は、例えば特開２００２−３２１３０２号公報に開示されている重合体から選ばれる。
【００３０】
脂環式構造含有重合体を含む樹脂の市販品の例としては、商品名「ＺＥＯＮＯＲ」（日本ゼオン社製）、「アートン」（ＪＳＲ社製）、「アペル」（三井化学社製）、「ＴＯＰＡＳ」（ポリプラスチックス社製）の製品群が挙げられる。
【００３１】
基材を形成する樹脂に含まれる重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００以上、より好ましくは１５，０００以上、特に好ましくは２０，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは８０，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。このような重量平均分子量を有する重合体を用いる場合、機械的強度、成形加工性及び耐熱性のバランスが良好である。
【００３２】
基材を形成する樹脂に含まれる重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは１．８以上であり、好ましくは３．５以下、より好ましくは３．４以下、特に好ましくは３．３以下である。分子量分布が前記範囲の下限値以上である場合、重合体の生産性を高め、製造コストを抑制できる。また、分子量分布が前記範囲の上限値以下である場合、低分子成分の量が小さくなるので、高温曝露時の緩和を抑制できる。
【００３３】
重合体の重量平均分子量Ｍｗ及び数平均分子量Ｍｎは、溶媒としてシクロヘキサン（重合体がシクロヘキサンに溶解しない場合には、トルエン）を用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略す。）により、ポリイソプレン換算（溶媒がトルエンのときは、ポリスチレン換算）の値で測定しうる。
【００３４】
重合体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
基材を形成する樹脂における重合体の割合は、液晶硬化フィルムの配向性、配向均一性及び面状の改善、並びに輝点の抑制といった利点を顕著に得る観点から、好ましくは８０重量％〜１００重量％、より好ましくは９０重量％〜１００重量％、更に好ましは９５重量％〜１００重量％、特に好ましくは９８重量％〜１００重量％である。
【００３６】
基材は、重合体に組み合わせて、任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、無機微粒子；酸化防止剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、近赤外線吸収剤等の安定剤；滑剤、可塑剤等の樹脂改質剤；染料や顔料等の着色剤；及び帯電防止剤が挙げられる。これらの任意の成分としては、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【００３７】
基材は、ラビング処理を施される表面を有する任意の形状を有しうる。配向性、配向均一性及び面状の改善、並びに輝点の抑制といった利点を顕著に得る観点から、通常は、基材のラビング処理を施される表面は、凹部及び凸部の無い平坦な面であることが好ましい。よって、基材の形状は、このような平坦な表面を有する形状であることが好ましく、中でも取り扱い性の観点からフィルム状であることが好ましい。
【００３８】
基材がフィルム状である場合、その基材の厚みに制限は無い。基材の取り扱い性を良好にする観点では、基材の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上であり、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。
【００３９】
中でも、ロール・トゥ・ロール法による液晶硬化フィルムの効率的な製造を可能にする観点では、基材は、長尺状であることが好ましい。以下の説明において、長尺状の基材を、「帯状基材」ということがある。
【００４０】
基材の表面は、配向膜を有していてもよい。「配向膜」とは、当該膜の表面に形成された液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を所定の方向に配向させる機能を有する膜をいう。配向膜としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリイミド等の樹脂によって形成された膜が挙げられる。基材の表面に配向規制力を発現させるためには、基材の表面に、配向規制力を付与する処理が施されることが好ましい。配向規制力を付与する処理とは、ラビング処理や光配向処理などがあげられる。続く洗浄プロセスによって効果を発現させる観点からは、ラビング処理がより好ましく、基材は、配向膜を有さないことが好ましい。
【００４１】
［３．表面改質処理］
基材の表面にラビング処理を施す前に、基材の表面に、当該表面の表面自由エネルギーを高められる表面改質処理を施してもよい。ただし、この表面改質処理には、ラビング処理は含めない。このような表面改質処理を施すことにより、基材の表面に対する液晶組成物の塗布性を良好にできる。よって、基材の表面への液晶組成物の塗り付きを改善して、液晶組成物のハジキを抑制することができる。また、特に液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物の少なくとも一部の分子が当該液晶硬化フィルムの層平面に対して傾斜をしている場合には、表面改質処理を行うことにより、液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくすることができる。
【００４２】
表面改質処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、紫外線照射処理等が挙げられる。中でも、液晶性化合物の分子の傾斜角を効果的に大きくする観点では、コロナ処理が好ましい。コロナ放電電子の照射量は、好ましくは１Ｗ／ｍ２／ｍｉｎ〜１０００Ｗ／ｍ２／ｍｉｎである。
【００４３】
［４．ラビング工程］
本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、基材を用意した後、この基材の表面にラビング処理を施す工程を含む。ラビング処理では、適切なラビング材によって基材の表面をラビングする。これにより、ラビングされた基材の表面に、配向規制力を発現させることができる。以下の説明では、基材のラビング処理を施された表面を、「ラビング処理面」ということがある。
【００４４】
ラビング材の材質は、所望の配向規制力が得られる範囲で任意に選択でき、例えば、レーヨン；コットン；ポリエステルとナイロン混紡の織物等が挙げられる。
【００４５】
ラビング材の形状は、所望の配向規制力が得られる範囲で任意に選択できる。形状の例を挙げると、ロール状、棒状、ブロック状、シート状などが挙げられる。中でも、帯状基材に対するラビング処理を円滑に実施できるので、ロール状のラビング材が好ましい。以下、ロール状のラビング材を「ラビングロール」と呼ぶことがある。
【００４６】
帯状基材に対してラビングロールを用いてラビング処理を行う場合、通常は、ラビングロールが、０°を超える抱き角で帯状基材に接触した状態で回転し、帯状基材の表面をラビングする。抱き角は、好ましくは５°以上、より好ましくは１０°以上であり、好ましくは１２０°以下、より好ましくは９０°以下である。抱き角がこの範囲にある場合、高い配向規制力を、帯状基材へ過度の負荷を与えることなく発現させることが可能となる。
【００４７】
ラビング量は、所望の配向規制力が得られる範囲で、任意に設定しうる。このラビング量は、基材とラビング材との接触開始から接触終了までの間の、基材に対するラビング材の接触面（ラビング材の基材に接触する面）の相対的な移動距離により表すことができる。よって、例えば、帯状基材に対してラビングロールを用いてラビング処理を行う場合、ラビング量は、帯状基材とラビングロールとの接触開始から接触終了までの間の、帯状基材に対するラビングロールの円筒面の相対的な移動距離により表すことができる。好適なラビング量の範囲は、５００ｍｍ〜１０００００ｍｍでありうる。
【００４８】
通常は、基材のラビング処理面では、そのラビング処理面が擦られた方向としてのラビング方向に応じた方向に液晶性化合物の分子を配向させる配向規制力が生じる。よって、ラビング方向は、基材上に形成される液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物の分子に求められる配向方向に応じて設定することが望ましい。
【００４９】
帯状基材に対してラビングロールを用いてラビング処理を行う場合、帯状基材の搬送方向とラビングロールの回転軸とがなす角度は、「振り角」と呼ばれる。この振り角を適切に調整することにより、前記のラビング方向を調整することができる。具体的な振り角は、通常、０°より大きく９０°以下の角度範囲で設定される。この角度範囲は、好ましくは１０°以上、より好ましくは３５°以上、特に好ましくは４０°以上であり、好ましくは８０°以下、より好ましくは５５°以下、特に好ましくは５０°以下である。帯状基材のラビング処理においては、帯状基材の長手方向に対して４５°の方向に配向規制力を有するようラビング処理を行うことが求められることが多い。振り角を前記の角度範囲とすることにより、帯状基材の長手方向に対して前記の角度をなすラビング方向へのラビング処理を行えるので、そのような所望の方向への配向規制力の発現を容易に達成できる。
【００５０】
帯状基材に対してラビング処理を行う場合、通常は、その帯状基材を長手方向に連続的に搬送しながらラビング処理を実施する。この際、帯状基材のラインスピード及び張力は、用いる帯状基材、及び所望のラビングの条件等に応じて、適切な値に適宜設定しうる。例えば、ラインスピードは、好ましくは１ｍ／分〜５０ｍ／分でありうる。また、張力は、好ましくは３０Ｎ／ｍ〜５００Ｎ／ｍでありうる。
【００５１】
帯状基材に対してラビングロールを用いてラビング処理を行う場合、ラビングロールの回転速度は、上述した好ましいラビング量が得られるよう調整することが望ましい。具体的には、ラビングロールの回転速度は、ラビングロールの円筒面の周速と、ラビングロールが帯状基材と接触している時間との積で計算されるラビング量が、所望の範囲となるよう調整しうる。より具体的には、ラビングロールの円筒面の周速は、ラビングロール直径ｄ（ｍｍ）及び回転速度ｔ（ｒｐｍ）からπｄｔ／６０（ｍｍ／秒）で求められ、ラビングロールが帯状基材と接触している時間は、ラインスピードｖ（ｍｍ／分）、抱き角Ａθｗ（°）及び振り角φ（°）から（πｄＡθｗ／３６０）÷（ｖｓｉｎφ／６０）（秒）で求められるため、これらの積は、（π２ｄ２Ａθｗｔ）／（３６０ｖｓｉｎφ）（ｍｍ）となる。したがって、当該積が、上述した好ましいラビング量の範囲に収まるように、ラビングロールの回転速度を調整することが望ましい。
【００５２】
ラビング処理時の温度条件及び雰囲気は、特段の制限はない。例えば、ラビング処理は、温度０℃〜８０℃において、空気又は窒素雰囲気中で行いうる。
【００５３】
以下、好ましいラビング処理の一実施形態について、図面を示して説明する。以下の説明において、「搬送方向」を「回転」させるとは、帯状基材が下流に搬送されるに従って搬送方向が変化する、曲がった搬送経路を規定することを意味する。例えば、ラビングロール及びフリーロール等のロールの円筒面等の周面、並びに浮上搬送装置の曲面状の搬送面により、搬送経路が曲がった状態に規定される場合、搬送方向が回転する。ロール、浮上搬送装置等の、搬送経路上の帯状基材を支持する装置を単に「支持装置」と呼ぶ場合がある。
【００５４】
さらに、以下の説明において、ある支持装置が、ラビングロールの「すぐ」上流にあるとは、ラビングロールの上流に当該支持装置があり、当該支持装置とラビングロールとの間に、搬送方向を回転させる支持装置が存在しない状態をいう。同様に、ある支持装置が、ラビングロールの「すぐ」下流にあるとは、ラビングロールの下流に当該支持装置があり、当該支持装置とラビングロールとの間に、搬送方向を回転させる支持装置が存在しない状態をいう。
【００５５】
以下に示すラビング処理に係る図面においては、共通する座標軸である座標軸Ｘ、Ｙ及びＺにより、座標を示している。以下に示す例では、座標軸Ｘ、Ｙ及びＺは互いに直交する座標軸であり、ＸＹ平面（座標軸Ｘ及びＹの両方と平行な面）は水平な面（即ち重力方向と直交する面）である。
【００５６】
（ラビング処理の第一の実施形態）
図１〜図３は、一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す側面図、上面図及び後面図である。図１では、ラビング装置Ａ１００を座標軸Ｙ方向から観察しており、図２ではラビング装置Ａ１００を座標軸Ｚ方向から観察しており、図３ではラビング装置Ａ１００を座標軸Ｘ方向から観察している。この実施形態に係るラビング処理では、搬送経路の上流から搬入された帯状基材（Ａ１１〜Ａ１６）を、回転軸Ａ１３Ｘを中心に回転するラビングロールＡ１３０に接触させてラビングし、前記搬送経路の下流へ搬出する。
【００５７】
ラビング装置Ａ１００は、ラビングロールＡ１３０と、そのすぐ上流側のフリーロールＡ１１０と、すぐ下流側のフリーロールＡ１５０とを含む。ラビング装置Ａ１００の操作において、帯状基材（Ａ１１〜Ａ１６）は、矢印ＡＲ１方向に搬送される。
【００５８】
ラビング装置Ａ１００に搬入された帯状基材Ａ１１は、上流側フリーロールＡ１１０の円筒面に沿って進むよう誘導される。このような誘導により、帯状基材の搬送方向が０°を超える角度で回転する。フリーロールＡ１１０は、軸Ａ１１Ｘを中心に自由に回転しうる状態で設置された搬送ロールである。したがって、フリーロールＡ１１０は、搬送される帯状基材により随伴して矢印ＡＲ２方向に回転する。
【００５９】
通常、フリーロールＡ１１０による搬送方向の回転の回転軸は、フリーロールＡ１１０自体の回転軸Ａ１１Ｘと一致し、フリーロールＡ１１０との接触開始から接触終了までの間の帯状基材の搬送方向に直交する。本実施形態に示す例では、フリーロールＡ１１０の軸Ａ１１Ｘは、座標軸Ｙと平行である。フリーロールＡ１１０と搬送方向とがなす角は、搬送を妨げない範囲で、直交の角度から±０．５°以内の誤差を有していてもよい。このような構成において、フリーロールＡ１１０は、帯状基材を、グリップした状態で搬送しうる。
【００６０】
前記のように帯状基材を搬送するための搬送装置が帯状基材を「グリップ」して搬送するとは、搬送装置が、可動的な周面を有し、かかる周面の動きに随伴して帯状基材が搬送され、さらにかかる搬送に際して、帯状基材が、搬送装置の周面との滑りを伴わない態様の搬送である。したがって、フリーロールＡ１１０は帯状基材をグリップした状態で搬送する装置である一方、ラビングロール、浮上搬送装置といった搬送装置は、帯状基材をグリップした状態で搬送する装置ではない。このように帯状基材をグリップした状態で搬送しうるロールを、以下「グリップロール」と呼ぶことがある。
【００６１】
帯状基材Ａ１３は、上流側フリーロールＡ１１０の下流に搬送され、続いてラビングロールＡ１３０の円筒面に沿って進むよう誘導される。本実施形態に示す例では、帯状基材Ａ１３の搬入方向は、水平な方向即ちＸＹ平面と平行な方向である。また、ラビングロールＡ１３０の軸Ａ１３Ｘは、ＸＹ平面と平行であり、座標軸Ｘに対して所定の振り角で傾いている。フリーロールＡ１１０と異なり、ラビングロールＡ１３０は、駆動装置（不図示）により、軸Ａ１３Ｘを中心に矢印ＡＲ２方向に回転するよう駆動され、それによりラビングロールＡ１３０の円筒面が帯状基材の一方の表面をラビングする。
【００６２】
実施形態Ａの製造方法では、ラビングロールＡ１３０は、０°を超える抱き角で帯状基材に接触し、それにより帯状基材の搬送方向を回転させる。このように、０°を超える抱き角での接触がなされることにより、帯状基材を、ラビングロールＡ１３０へ高い圧力で接触させることが可能となる。さらに、帯状基材の搬送方向とラビングロールＡ１３０の回転軸とは、直交でもよく、非直交であってもよい。ここでいう帯状基材の搬送方向は、ラビングロールを抱いている帯状基材の搬送方向である。帯状基材の搬送方向とラビングロールＡ１３０の回転軸とが直交である場合、ラビングロールＡ１３０による長手方向へのラビング処理を達成できる。また、帯状基材の搬送方向とラビングロールＡ１３０の回転軸とが非直交である場合、ラビングロールＡ１３０による斜め方向（即ち、長手方向に平行でも垂直でもない方向）へのラビング処理が達成される。
【００６３】
ラビングされた帯状基材Ａ１４は、ラビングロールＡ１３０の下流に搬送され、続いて下流側フリーロールＡ１５０の円筒面に沿って進むよう誘導される。このような誘導により、帯状基材の搬送方向が０°を超える角度で回転する。フリーロールＡ１５０は、軸Ａ１５Ｘを中心に自由に回転しうる状態で設置された搬送ロールである。したがって、フリーロールＡ１５０は、搬送される帯状基材により随伴して矢印ＡＲ３方向に回転する。
【００６４】
本実施形態に示す例では、フリーロールＡ１５０はフリーロールＡ１１０と同様、グリップロールであり、フリーロールＡ１５０による搬送方向の回転の回転軸は、フリーロールＡ１５０自体の回転軸Ａ１５Ｘと一致し、フリーロールＡ１５０との接触開始から接触終了までの間の帯状基材の搬送方向に直交する。
【００６５】
その後、帯状基材Ａ１６は、下流側フリーロールＡ１５０の下流が送出されて、ラビングされた帯状基材が得られる。
【００６６】
このような実施形態に係るラビング処理においては、ラビングロールＡ１３０へ搬入される帯状基材とラビングロールＡ１３０との接触が始まる位置における、帯状基材の搬入方向が、帯状基材の幅方向に亘って同一であることが好ましい。また、ラビングロールＡ１３０から搬出される帯状基材とラビングロールＡ１３０との接触が終わる位置における、帯状基材の搬出方向が、帯状基材の幅方向に亘って同一であることが好ましい。この点を、図面を示して説明する。
【００６７】
図４〜図５は、図１〜図３に示すラビング装置Ａ１００におけるラビングロールＡ１３０と帯状基材との関係を概略的に示す側面図である。図４ではラビングロールＡ１３０を、その軸Ａ１３Ｘ方向から観察しており、図５ではラビングロールＡ１３０をＹ座標軸方向から観察している。図４では、ラビングロールＡ１３０へ搬入される帯状基材Ａ１３及びラビングロールＡ１３０から搬出される帯状基材Ａ１４の両方を図示しているが、図５では、図示の便宜上、これらのうち帯状基材Ａ１４のみを図示している。
【００６８】
図４に示す例において、ラビングロールＡ１３０へ搬入される帯状基材Ａ１３は、矢印ＡＲ１３で示される搬入方向で進み、位置Ａ１３１においてラビングロールＡ１３０との接触を開始する。したがって、ラビングロールへ搬入される帯状基材とラビングロールとの接触が始まる位置における帯状基材の搬入方向は、矢印ＡＲ１３で示される方向となる。
【００６９】
その後、帯状基材は、抱き角ＡθｗでラビングロールＡ１３０を抱き、位置Ａ１３２においてラビングロールＡ１３０との接触を終了する。そして、ラビングロールＡ１３０から搬出される帯状基材Ａ１４は、矢印ＡＲ１４で示される搬出方向で進む。したがって、ラビングロールから搬出される帯状基材とラビングロールとの接触が終わる位置における帯状基材の搬出方向は、矢印ＡＲ１４で示される方向となる。
【００７０】
このとき、矢印ＡＲ１４で示される搬出方向は、帯状基材Ａ１４の幅方向に亘って同一であることが好ましい。即ち、図５に示す通り、位置Ａ１３２においてラビングロールＡ１３０から搬出される帯状基材Ａ１４の搬出方向は、幅方向に亘って、それぞれ矢印ＡＲ１４−１〜ＡＲ１４−５で示される方向であり、これらは同一な方向であることが好ましい。また、矢印ＡＲ１３で示される搬入方向も、帯状基材Ａ１３の幅方向に亘って同一であることが好ましい。ここで、搬入方向又は搬出方向が幅方向に亘って「同一」であるとは、誤差を含んでいてもよく、例えば、帯状基材幅方向の中心における搬入又は搬出方向（図５の例では矢印ＡＲ１４−３で示される搬出方向）を基準とし、当該基準の方向となす角が０．５°以内の方向を、「同一」な方向としてもよい。
【００７１】
これにより、帯状基材の搬送経路の長さを帯状基材の幅方向に亘り均一な状態としたラビングを達成することができる。よって、帯状基材にねじれを加えずにラビングロールＡ１３０へ均一な圧力で接触させることが可能となり、ひいては、帯状基材のラビング処理の程度を、当該帯状基材の幅方向において均一にできる。
【００７２】
（ラビング処理の第二の実施形態）
図６〜図７は、別の一実施形態に係るラビング装置及びそれを用いたラビング処理の操作の一例を概略的に示す側面図及び上面図である。図６では、ラビング装置Ｃ１００を座標軸Ｙ方向から観察しており、図７ではラビング装置Ｃ１００を座標軸Ｚ方向から観察している。この実施形態に係るラビング処理では、搬送経路の上流から搬入された帯状基材（Ｃ１１〜Ｃ１６）を、回転軸Ｃ１３Ｘを中心に回転するラビングロールＣ１３０に接触させてラビングし、前記搬送経路の下流へ搬出する。
【００７３】
ラビング装置Ｃ１００は、ラビングロールＣ１３０と、その上流側のフリーロールＣ１１０と、下流側のフリーロールＣ１５０とを含む。ラビング装置Ｃ１００はさらに、ラビングロールＣ１３０とフリーロールＣ１１０との間の浮上搬送装置Ｃ１２０、及びラビングロールＣ１３０とフリーロールＣ１５０との間の浮上搬送装置Ｃ１４０を含む。ラビング装置Ｃ１００の操作において、帯状基材（Ｃ１１〜Ｃ１６）は、矢印ＣＲ１方向に搬送される。
【００７４】
ラビング装置Ｃ１００に搬入された帯状基材Ｃ１１は、上流側フリーロールＣ１１０の円筒面に沿って進むよう誘導される。この際、フリーロールＣ１１０は、搬送される帯状基材により随伴して矢印ＣＲ３方向に回転する。通常、フリーロールＣ１１０による搬送方向の回転の回転軸は、フリーロールＣ１１０自体の回転軸Ｃ１１Ｘと一致し、フリーロールＣ１１０との接触開始から接触終了までの間の帯状基材の搬送方向に直交する。本実施形態に示す例では、フリーロールＣ１１０の軸Ｃ１１Ｘは座標軸Ｙと平行である。フリーロールＣ１１０と搬送方向とがなす角は、搬送を妨げない範囲で、直交の角度から±０．５°以内の誤差を有していてもよい。このような構成において、フリーロールＣ１１０は、帯状基材を、グリップした状態で搬送しうる。
【００７５】
帯状基材Ｃ１２は、上流側フリーロールＣ１１０の下流に搬送され、続いて浮上搬送装置Ｃ１２０の搬送面に沿って進むよう誘導され、その搬送方向が回転される。本実施形態に示す例では、帯状基材Ｃ１２の搬入方向は、水平な方向即ちＸＹ平面と平行な方向である。また、浮上搬送装置Ｃ１２０の軸Ｃ１２Ｘは、ＸＹ平面と平行であり、座標軸Ｙに対して４５°の角度で傾いている。
【００７６】
浮上搬送装置Ｃ１２０を、図１０〜図１２を参照してより具体的に説明する。図１０〜図１２は、図６及び図７に示すラビング装置Ｃ１００中の浮上搬送装置Ｃ１２０を概略的に示す斜視図、側面図及び底面図である。図１０〜図１２に示す通り、浮上搬送装置Ｃ１２０は、搬送面Ｃ１２３Ｓを有する搬送部Ｃ１２３、及び空気導入部Ｃ１２４（図６及び図７において不図示）を備える。空気導入部Ｃ１２４は、搬送部Ｃ１２３に加圧した空気を圧力調節可能な態様で導入するための装置（不図示）を備える。搬送部Ｃ１２３は、軸Ｃ１２Ｘを軸とする半円筒形であり、搬送面Ｃ１２３Ｓは円筒形に沿った曲面である。搬送部Ｃ１２３の搬送面Ｃ１２３Ｓには多数の孔が設けられ、空気導入部Ｃ１２４から導入された空気を噴出しうるよう、空気導入部と連通する。
【００７７】
浮上搬送装置Ｃ１２０の使用において、帯状基材は、矢印ＣＲ４方向に引っ張られて緊張した状態で搬送面Ｃ１２３Ｓ上に誘導される。かかる緊張のため、帯状基材は矢印ＣＲ５方向に付勢される。一方、搬送面Ｃ１２３Ｓの孔から空気を噴出することにより、帯状基材は矢印ＣＲ６方向に付勢される。空気の噴出の圧力を適宜調整することにより、帯状基材の緊張による付勢と空気の噴出による付勢を均衡させることができ、その結果、帯状基材と浮上搬送装置Ｃ１２０との間に、供給される空気の空気圧によって空気層を形成し、帯状基材を、搬送面Ｃ１２３Ｓと非接触の状態で、搬送面Ｃ１２３Ｓに沿って浮上搬送することが可能となる。かかる浮上搬送の結果、軸Ｃ１２Ｘを回転軸方向とする搬送方向の回転を伴う搬送が可能となる。加えて、帯状基材が搬送面Ｃ１２３Ｓと接触していないので、帯状基材を軸Ｃ１２Ｘと平行な方向（図１２において矢印ＣＲ７で示される方向）に搬送することも可能となる。ＣＲ４方向及びＣＲ７方向への搬送が可能となる結果、軸Ｃ１２Ｘに対して非直交の方向である、図１２において矢印ＣＲ１で示される斜めの搬送方向への帯状基材の搬送が可能となる。
【００７８】
帯状基材Ｃ１３は、図６及び図７に示すように、浮上搬送装置Ｃ１２０の下流に搬送され、続いてラビングロールＣ１３０の円筒面に沿って進むよう誘導される。本実施形態に示す例では、ラビングロールＣ１３０の軸Ｃ１３Ｘは、ＸＹ平面と平行であり、座標軸Ｙに対して４５°の角度で傾いている。フリーロールＣ１１０と異なり、ラビングロールＣ１３０は、駆動装置（不図示）により、軸Ｃ１３Ｘを中心に矢印ＣＲ２方向に回転するよう駆動され、それによりラビングロールＣ１３０の円筒面が帯状基材の一方の表面をラビングする。
【００７９】
ラビングされた帯状基材Ｃ１４は、ラビングロールＣ１３０の下流に搬送され、続いて浮上搬送装置Ｃ１４０の搬送面に沿って進むよう誘導され、その搬送方向が回転される。浮上搬送装置Ｃ１４０は、浮上搬送装置Ｃ１２０と同様の装置である。浮上搬送装置Ｃ１４０は、浮上搬送装置Ｃ１２０と同様に、その軸Ｃ１４ＸがＸＹ平面と平行であり、座標軸Ｙに対して４５°の角度で傾いている。浮上搬送装置Ｃ１４０から搬出される、ラビングされた帯状基材Ｃ１５の搬出方向は、ＸＹ平面と平行な方向である。
【００８０】
ラビングされた帯状基材Ｃ１５は、浮上搬送装置Ｃ１４０の下流に搬送され、続いて下流側フリーロールＣ１５０の円筒面に沿って進むよう誘導される。フリーロールＣ１５０は、軸Ｃ１５Ｘを中心に自由に回転しうる状態で設置された搬送ロールである。したがって、フリーロールＣ１５０は、搬送される帯状基材により随伴して矢印ＣＲ３方向に回転する。
【００８１】
本実施形態で示す例では、フリーロールＣ１５０はフリーロールＣ１１０と同様、グリップロールであり、フリーロールＣ１５０による搬送方向の回転の回転軸は、フリーロールＣ１５０自体の回転軸Ｃ１５Ｘと一致し、フリーロールＣ１５０との接触開始から接触終了までの間の帯状基材の搬送方向に直交する。この例では、フリーロールＣ１５０の軸Ｃ１５Ｘは座標軸Ｙと平行である。
【００８２】
その後、帯状基材Ｃ１６は、下流側フリーロールＣ１５０の下流に搬送されて、ラビングされた帯状基材が得られる。
このような実施形態に係るラビング処理においては、ラビングロールＣ１３０へ搬入される帯状基材とラビングロールＣ１３０との接触が始まる位置における、帯状基材の搬入方向が、帯状基材の幅方向に亘って同一であることが好ましい。また、ラビングロールＣ１３０から搬出される帯状基材とラビングロールＣ１３０との接触が終わる位置における、帯状基材の搬出方向が、帯状基材の幅方向に亘って同一であることが好ましい。この点を、図面を示して説明する。
【００８３】
図８は、図６〜図７に示すラビング装置Ｃ１００における浮上搬送装置Ｃ１２０、ラビングロールＣ１３０、浮上搬送装置Ｃ１４０及び帯状基材の関係を概略的に示す側面図であり、図９はそのうちラビングロールＣ１３０及びそこから搬出される帯状基材Ｃ１４の関係を概略的に示す側面図である。図８ではラビングロールＣ１３０を、その軸Ｃ１３Ｘ方向から観察しており、図９ではラビングロールＣ１３０をＹ座標軸方向から観察している。
【００８４】
図８〜図９の例において、浮上搬送装置Ｃ１２０を離れてラビングロールＣ１３０へ搬入される帯状基材Ｃ１３は、矢印ＣＲ１３で示される搬入方向で進み、位置Ｃ１３１においてラビングロールＣ１３０との接触を開始する。したがって、ラビングロールへ搬入される帯状基材とラビングロールとの接触が始まる位置における帯状基材の搬入方向は、矢印ＣＲ１３で示される方向となる。
【００８５】
その後、帯状基材は、抱き角Ｃθｗ１３でラビングロールＣ１３０を抱き、位置Ｃ１３２においてラビングロールＣ１３０との接触を終了する。そして、ラビングロールＣ１３０から搬出される帯状基材Ｃ１４は、矢印ＣＲ１４で示される搬出方向で進む。したがって、ラビングロールから搬出される帯状基材とラビングロールとの接触が終わる位置における帯状基材の搬出方向は、矢印ＣＲ１４で示される方向となる。
【００８６】
さらに、矢印ＣＲ１４で示される搬出方向は、帯状基材Ｃ１４の幅方向に亘って同一である。即ち、図９に示す通り、位置Ｃ１３２においてラビングロールＣ１３０から搬出される帯状基材Ｃ１４の搬出方向は、幅方向に亘って、それぞれ矢印ＣＲ１４−１〜ＣＲ１４−５で例示される方向であり、これらは同一な方向であることが好ましい。また、矢印ＣＲ１３で示される搬入方向も、帯状基材Ｃ１３の幅方向に亘って同一であることが好ましい。ここで、搬入方向又は搬出方向が幅方向に亘って「同一」であるとは、誤差を含んでいてもよく、例えば、帯状基材幅方向の中心における搬入又は搬出方向（図９の例では矢印ＣＲ１４−３で示される搬出方向）を基準とし、当該基準の方向となす角が０．５°以内の方向を、「同一」な方向としてもよい。
【００８７】
これにより、帯状基材にねじれを加えずにラビングロールＣ１３０へ均一な圧力で接触させることが可能となり、ひいては、帯状基材のラビング処理の程度を、当該帯状基材の幅方向において均一にできる。加えて、ラビング装置Ｃ１００から搬出する帯状基材Ｃ１６の搬出方向が、ラビング装置Ｃ１００へ搬入する帯状基材Ｃ１１の搬入方向に対して斜行しない関係となる。ここでいう「斜行」とは、グリップロールでは平行な関係に補正できない、搬入方向と搬出方向との関係である。このように搬入方向に対する搬出方向の方向を、斜行の量が少ない方向とすることにより、シワやスクラッチを派生させることなく、低コストな製造を行うことが可能となる。
【００８８】
さらに、本実施形態では、搬送装置による帯状基材の搬送方向の回転の回転軸方向は、ラビングロールＣ１３０の回転軸と平行であることが好ましい。具体的には、ラビングロールＣ１３０のすぐ上流及びすぐ下流の浮上搬送装置Ｃ１２０及びＣ１４０による帯状基材の搬送方向の回転の回転軸方向は、ラビングロールの回転軸と平行であることが好ましい。これにより、ラビングロールＣ１３０への搬入方向及びラビングロールＣ１３０からの搬出方向を、帯状基材の幅方向に亘って同一とすることが容易になる。ここで、搬送装置による搬送方向の回転の回転軸方向と、ラビングロールＣ１３０の回転軸とが「平行」であるとは、誤差を含んでいてもよく、例えば、これらのなす角が０．５°以内の方向を、「平行」な方向としてもよい。
【００８９】
また、本実施形態に係るラビング装置Ｃ１００では、ラビングロールＣ１３０による帯状基材の搬送方向の回転の回転角と、搬送装置による搬送方向の回転の回転角の総和が略０°であることが好ましい。この点を、図８を再び参照して説明すると、浮上搬送装置Ｃ１２０へ搬入された帯状基材Ｃ１２は、浮上搬送装置Ｃ１２０による回転工程により、その搬送方向が、位置Ｃ１２１から位置Ｃ１２２において角度Ｃθｗ１２で回転する。浮上搬送装置Ｃ１２０の下流に搬出された帯状基材Ｃ１３は、続いてラビングロールＣ１３０によるラビング工程により、その搬送方向が、位置Ｃ１３１から位置Ｃ１３２において角度Ｃθｗ１３で回転する。ラビングロールＣ１３０の下流に搬出された帯状基材Ｃ１４は、続いて浮上搬送装置Ｃ１４０による回転工程により、その搬送方向が、位置Ｃ１４１から位置Ｃ１４２において角度Ｃθｗ１４で回転する。浮上搬送装置Ｃ１２０及びＣ１４０による回転の方向は、ラビングロールＣ１３０による回転の方向と逆であるため、一方を正、他方を負としてこれらを合計しその絶対値を取ることにより、これらの回転角の総和が求められる。例えば、Ｃθｗ１２＝Ｃθｗ１４＝３０°、Ｃθｗ１３＝６０°とすることにより、これらの総和は０°となる。回転角の総和を略０°とすることにより、搬出方向が搬入方向に対して斜行しない搬送経路を容易に得ることが可能となる。したがって、ラビングロールの抱き角Ｃθｗ１３を大きくしても、程度が均一なラビング処理を、搬出方向が搬入方向に対して斜行しない状態でより容易に行うことができる。
【００９０】
回転角の総和が「略」０°であるとは、正確に０°である場合に加え、許容誤差を有する場合を含む。具体的には、ＥＰＣ（登録商標）等の斜行を補正しうる装置での斜行の補正が容易に行える範囲で、０°を超える値であってもよい。具体的には、好ましくは５°以下、より好ましくは２°以下の範囲としうる。
【００９１】
［５．洗浄工程］
本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、基材の表面にラビング処理した後に、その基材のラビング処理面を溶媒で洗浄する工程を含む。以下の説明では、ラビング処理面の洗浄に用いる溶媒を「洗浄液」ということがある。
【００９２】
基材のラビング処理面には、ラビング時の摩擦によって微小な塵等の異物が生じ、この異物が付着することがある。この異物は、液晶硬化フィルムにおいて輝点の原因となりうる。しかし、当該異物は洗浄によって除去できるので、本実施形態に係る製造方法によれば、輝点の発生を抑制された液晶硬化フィルムを製造できる。
また、洗浄液によるラビング処理面の洗浄を行うことにより、意外なことに、製造される液晶硬化フィルムの配向性を改善することができる。
【００９３】
洗浄液としては、所定の範囲のＳＰ値を有するものが好ましい。ＳＰ値とは、ヒルデブラントの溶解度パラメーター（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ  ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  ｐａｒａｍｅｔｅｒ）のことを意味する。このＳＰ値は、ＳＰ値計算ソフトウェア「ＨＳＰｉＰ  ｖｅｒ．４．１．７」（ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｈａｎｓｅｎ−ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ．ｃｏｍ／ｉｎｄｅｘ．ｈｔｍｌ）により計算しうる。
【００９４】
洗浄液の具体的なＳＰ値は、好ましくは１２以上であり、好ましくは２４以下である。洗浄液のＳＰ値が前記範囲の下限値以上、上限値以下である場合、液晶硬化フィルムの配向性及び面状を効果的に改善できる。
【００９５】
洗浄液のＳＰ値と基材のＳＰ値との差は、所定の範囲にあることが好ましい。ここで、基材のＳＰ値とは、基材の材料のＳＰ値を表し、具体的には基材のラビング処理面を形成する材料のＳＰ値を表す。前記の洗浄液のＳＰ値と基材のＳＰ値との具体的な差は、好ましくは１．５以上、より好ましくは２以上、特に好ましくは４以上である。洗浄液のＳＰ値と基材のＳＰ値との差が前記の範囲にある場合、洗浄液による基材の溶解を抑制できるので、液晶硬化フィルムの製造を円滑に行うことができる。洗浄液のＳＰ値と基材のＳＰ値との差の上限は、特段の制限はないが、例えば１６以下でありうる。
【００９６】
好ましい洗浄液としては、例えば、水；エタノール等のアルコール溶媒；アセトン、シクロペンタノン等のケトン溶媒；ジオキソラン等のエーテル溶媒；アセトニトリル等のシアン溶媒；ジメチルホルムアミド等のアミド溶媒；エチレングリコール等のグリコール溶媒；フェノール等の芳香族炭化水素溶媒；などが挙げられる。
【００９７】
洗浄液は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【００９８】
洗浄は、通常、基材のラビング処理面と洗浄液とを接触させることによって、行う。具体的な洗浄方法に制限はなく、例えば、基材のラビング処理面に洗浄液を噴射して洗浄を行ってもよい。しかし、洗浄を効率良く行う観点から、液槽に収納された洗浄液中に基材を浸漬することにより、洗浄を行うことが好ましい。例えば帯状基材を用いる場合、その帯状基材を、液槽に収納された洗浄液中を通過するように搬送することにより、効率の良い洗浄を行うことができる。
【００９９】
洗浄の際、基材のラビング処理面は、所定の時間、洗浄液に接触していることが好ましい。これにより、液晶硬化フィルムの配向性を向上させるラビング処理面の作用を高めうる。ラビング処理面と洗浄液との具体的な接触時間は、好ましくは１秒以上、より好ましくは１０秒以上であり、好ましくは６０秒以下、より好ましくは３０秒以下である。
【０１００】
洗浄液の温度は、特段の制限はない。洗浄時に用いる洗浄液の温度は、例えば、０℃〜８０℃でありうる。
【０１０１】
［６．溶媒除去］
基材のラビング処理面を洗浄した後、そのラビング処理面に液晶組成物の層を形成する前に、ラビング処理面に付着した洗浄液を除去する処理を行ってもよい。具体的な除去方法は、任意である。例えば、ラビング処理面にエアー等のガスを噴射して、ラビング処理面から洗浄液を吹き飛ばして除去してもよい。また、例えば、洗浄液を乾燥させて、ラビング処理面から洗浄液を除去してもよい。乾燥方法に制限がなく、例えば、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の方法を採用しうる。
【０１０２】
［７．液晶組成物の層を形成する工程］
本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、基材のラビング処理面を洗浄した後に、そのラビング処理面に液晶組成物の層を形成する工程を含む。
【０１０３】
液晶組成物は、逆分散液晶性化合物を含む組成物である。この液晶組成物は、２種類以上の成分を含む材料だけでなく、１種類の逆分散液晶性化合物のみを含む材料を包含する。
【０１０４】
逆分散液晶性化合物は、液晶性を有するので、通常、当該逆分散液晶性化合物を配向させた場合に、液晶相を呈することができる。
【０１０５】
逆分散液晶性化合物は、前記の通り、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物である。逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物とは、当該液晶性化合物の層を形成し、その層において液晶性化合物を配向させた際に、逆波長分散性の複屈折を発現する液晶性化合物をいう。通常は、液晶性化合物をホモジニアス配向させた場合に、液晶性化合物の層が示す複屈折の波長分散性を調べることで、その液晶性化合物が示す複屈折の波長分散性を確認できる。ここで、液晶性化合物をホモジニアス配向させる、とは、当該液晶性化合物を含む層を形成し、その層における液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において最大の屈折率の方向を、前記層の面に平行なある一の方向に配向させることをいう。また、前記の層の複屈折は、「（層の面内レターデーション）÷（層の厚み）」から求められる。
【０１０６】
逆分散液晶性化合物の複屈折は、当該逆分散液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において、最大の屈折率を示す方向の屈折率と、この方向に交差する別の方向の屈折率との差として発現しうる。また、逆分散液晶性化合物の分子構造に応じて、前記の各方向の屈折率の波長分散性は、異なりうる。例えば、ある逆分散液晶性化合物は、屈折率が相対的に大きいある方向では、長波長で測定した屈折率は、短波長で測定した屈折率よりも小さくなるが、それらの差は小さい。他方、屈折率が相対的に小さい別の方向では、長波長で測定した屈折率は、短波長で測定した屈折率よりも小さくなり、且つ、それらの差は大きい。このような例の液晶性化合物では、前記方向間での屈折率差は、測定波長が短いと小さく、測定波長が長いと大きくなる。その結果、この逆分散液晶性化合物は、逆波長分散性の複屈折を発現できる。
【０１０７】
逆分散液晶性化合物は、重合性を有することが好ましい。よって、逆分散液晶性化合物は、その分子が、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基等の重合性基を含むことが好ましい。逆分散液晶性化合物の分子１つ当たりの重合性基の数は、１個でもよいが、２個以上が好ましい。重合性を有する逆分散液晶性化合物は、液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向状態を維持したまま重合体となることができる。よって、液晶硬化フィルムにおいて逆分散液晶性化合物の配向状態を固定したり、逆分散液晶性化合物の重合度を高めて液晶硬化フィルムの機械的強度を高めたりすることが可能である。
【０１０８】
逆分散液晶性化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上、特に好ましくは８００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。このような範囲の分子量を有する逆分散液晶性化合物を用いる場合に、液晶組成物の塗工性を特に良好にできる。
【０１０９】
測定波長５９０ｎｍにおける逆分散液晶性化合物の複屈折Δｎは、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、好ましくは０．１５以下、より好ましくは０．１０以下である。このような範囲の複屈折Δｎを有する逆分散液晶性化合物を用いる場合に、配向欠陥の少ない液晶硬化フィルムを得やすい。
【０１１０】
液晶性化合物の複屈折は、例えば、下記の方法により測定できる。
液晶性化合物の層を作製し、その層に含まれる液晶性化合物をホモジニアス配向させる。その後、その層の面内レターデーションを測定する。そして、「（層の面内レターデーション）÷（層の厚み）」から、液晶性化合物の複屈折を求めることができる。この際、面内レターデーション及び厚みの測定を容易にするために、ホモジニアス配向させた液晶性化合物の層は、硬化させてもよい。
【０１１１】
逆分散液晶性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１１２】
逆分散液晶性化合物は、液晶硬化フィルムの配向性、配向均一性及び面状の改善、並びに輝点の抑制といった利点を顕著に得る観点から、当該逆分散液晶性化合物の分子中に、一以上のベンゾチアゾール環を有することが好ましい。
【０１１３】
逆分散液晶性化合物の具体例としては、下記式（Ｉ）で表される液晶性化合物が挙げられる。
【０１１４】
【化１】
2020166059.tif 000003
【０１１５】
式（Ｉ）において、Ａｒは、下記式（II−１）〜式（II−７）のいずれかで表される基を示す。式（II−１）〜式（II−７）において、＊は、Ｚ１又はＺ２との結合位置を表す。
【０１１６】
【化２】
2020166059.tif 000004
【０１１７】
前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立して、−ＣＲ１１Ｒ１２−、−Ｓ−、−ＮＲ１１−、−ＣＯ−及び−Ｏ−からなる群より選ばれる基を表す。また、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。中でも、Ｅ１及びＥ２は、それぞれ独立して、−Ｓ−であることが好ましい。
【０１１８】
前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ１〜Ｄ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、または、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｄ１〜Ｄ３が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、２〜１００である。
【０１１９】
Ｄ１〜Ｄ３における芳香族炭化水素基の炭素原子数は、６〜３０が好ましい。Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素基としては、フェニル基がより好ましい。
【０１２０】
Ｄ１〜Ｄ３における芳香族炭化水素基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−ＯＣＦ３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒｂ；−ＳＯ２Ｒａ；等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１２１】
Ｒａは、炭素原子数１〜６のアルキル基；並びに、炭素原子数１〜６のアルキル基若しくは炭素原子数１〜６のアルコキシ基を置換基として有していてもよい、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；からなる群より選ばれる基を表す。
【０１２２】
Ｒｂは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；及び、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基；からなる群より選ばれる基を表す。
【０１２３】
Ｒｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基の炭素原子数は、好ましくは１〜１２、より好ましくは４〜１０である。Ｒｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、およびｎ−イコシル基等が挙げられる。
【０１２４】
Ｒｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チエニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾール−２−イルチオ基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ２ＣＦ３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；及び、ベンゾジオキサニル基；等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１２５】
Ｒｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２〜１２である。Ｒｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、およびイコセニル基等が挙げられる。
【０１２６】
Ｒｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１２７】
Ｒｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。中でも、シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましい。
【０１２８】
Ｒｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；等が挙げられる。中でも、シクロアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１２９】
Ｒｂにおける炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素基としては、フェニル基が好ましい。
【０１３０】
Ｒｂにおける炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ２ＣＦ３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ３；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；ニトロ基；フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ２ＣＦ３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ３；が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１３１】
Ｄ１〜Ｄ３における芳香族複素環基の炭素原子数は、２〜３０が好ましい。Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、イミダゾリル基、インドリニル基、フラザニル基、オキサゾリル基、キノリル基、チアジアゾリル基、チアゾリル基、チアゾロピラジニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピリダジニル基、チアゾロピリミジニル基、チエニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、ナフチリジニル基、ピラジニル基、ピラゾリル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピロリル基、フタラジニル基、フラニル基、フタルイミド基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアジニル基、ベンゾトリアゾリル基、およびベンゾピラゾリル基等が挙げられる。中でも、芳香族複素環基としては、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、チアゾリル基、及びチアジアゾリル基等の、単環の芳香族複素環基；並びに、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノリル基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、フタルイミド基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピラジニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、及びベンゾチアジアゾリル基等の、縮合環の芳香族複素環基；がより好ましい。
【０１３２】
Ｄ１〜Ｄ３における芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における芳香族炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１３３】
前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ４〜Ｄ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい非環状基を表す。Ｄ４及びＤ５は、一緒になって環を形成していてもよい。Ｄ４〜Ｄ５が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、１〜１００である。
【０１３４】
Ｄ４〜Ｄ５における非環状基の炭素原子数は、１〜１３が好ましい。Ｄ４〜Ｄ５における非環状基としては、例えば、炭素原子数１〜６のアルキル基；シアノ基；カルボキシル基；炭素原子数１〜６のフルオロアルキル基；炭素原子数１〜６のアルコキシ基；−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３；−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲｘ；が挙げられる。中でも、非環状基としては、シアノ基、カルボキシル基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ２Ｈ５、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ４Ｈ９、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ（ＣＨ３）２、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）−ＯＣＨ３、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）２−ＯＨ、及び−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ４Ｈ９、が好ましい。前記のＰｈは、フェニル基を表す。また、前記のＲｘは、炭素原子数１〜１２の有機基を表す。Ｒｘの具体例としては、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、または、水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。
【０１３５】
Ｄ４〜Ｄ５における非環状基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における芳香族炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１３６】
Ｄ４及びＤ５が一緒になって環を形成している場合、前記のＤ４及びＤ５によって環を含む有機基が形成される。この有機基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。下記式において、＊は、Ｄ４及びＤ５が結合する炭素の位置を表す。
【０１３７】
【化３】
2020166059.tif 000005
【０１３８】
Ｒ＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。
Ｒ＊＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基、及び、置換基を有していてもよいフェニル基からなる群より選ばれる基を表す。
Ｒ＊＊＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基、及び、置換基を有していてもよいフェニル基からなる群より選ばれる基を表す。
Ｒ＊＊＊＊は、水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基、水酸基、及び、−ＣＯＯＲ１３からなる群より選ばれる基を表す。Ｒ１３は、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。
フェニル基が有しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基及びアミノ基が挙げられる。中でも、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基及びアルコキシ基が好ましい。フェニル基が有する置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１３９】
前記の式（II−５）〜式（II−７）において、Ｄ６は、−Ｃ（Ｒｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒｇ）Ｒｈ、−Ｃ（Ｒｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒｇ）Ｒｈ、及び、−Ｃ（Ｒｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒｉからなる群より選ばれる基を表す。Ｄ６が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、通常、３〜１００である。
【０１４０】
Ｒｆは、水素原子；並びに、メチル基、エチル基、プロピル基、及びイソプロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；からなる群より選ばれる基を表す。
【０１４１】
Ｒｇは、水素原子；並びに、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０の有機基；からなる群より選ばれる基を表す。
【０１４２】
Ｒｇにおける置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０の有機基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基；−ＳＯ２Ｒａ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−ＣＳ−ＮＨ−Ｒｂ；が挙げられる。Ｒａ及びＲｂの意味は、上述した通りである。
【０１４３】
Ｒｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基の好ましい炭素原子数の範囲及び例示物は、Ｒｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基と同じである。
【０１４４】
Ｒｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−ＳＯ２Ｒａ；−ＳＲｂ；−ＳＲｂで置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；等が挙げられる。Ｒａ及びＲｂの意味は、上述した通りである。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１４５】
Ｒｇにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基の好ましい炭素原子数の範囲及び例示物は、Ｒｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基と同じである。
【０１４６】
Ｒｇにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１４７】
Ｒｇにおける炭素原子数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基等が挙げられる。
【０１４８】
Ｒｇにおける炭素原子数２〜２０のアルキニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１４９】
Ｒｇにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、Ｒｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基と同じ例が挙げられる。
【０１５０】
Ｒｇにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１５１】
Ｒｇにおける炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基と同じ例が挙げられる。
【０１５２】
Ｒｇにおける炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における芳香族炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１５３】
Ｒｇにおける炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。
【０１５４】
Ｒｇにおける炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における芳香族炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１５５】
上述したものの中でも、Ｒｇとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基；並びに、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基；が好ましい。その中でも、Ｒｇとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；並びに、炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；が特に好ましい。
【０１５６】
Ｒｈは、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、有機基を表す。
【０１５７】
Ｒｈの好ましい例としては、（１）１以上の炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素原子数６〜４０の炭化水素基、が挙げられる。この芳香族炭化水素環を有する炭化水素基を、以下、適宜「（１）炭化水素基」ということがある。（１）炭化水素基の具体例としては、下記の基が挙げられる。
【０１５８】
【化４】
2020166059.tif 000006
【０１５９】
（１）炭化水素基は、置換基を有していてもよい。（１）炭化水素基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；−ＯＣＦ３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒｂ；−ＳＯ２Ｒａ；等が挙げられる。Ｒａ及びＲｂの意味は、上述した通りである。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、および、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１６０】
Ｒｈの別の好ましい例としては、（２）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素原子数２〜４０の複素環基が挙げられる。この芳香環を有する複素環基を、以下、適宜「（２）複素環基」ということがある。（２）複素環基の具体例としては、下記の基が挙げられる。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。
【０１６１】
【化５】
2020166059.tif 000007
【０１６２】
【化６】
2020166059.tif 000008
【０１６３】
【化７】
2020166059.tif 000009
【０１６４】
【化８】
2020166059.tif 000010
【０１６５】
【化９】
2020166059.tif 000011
【０１６６】
【化１０】
2020166059.tif 000012
【０１６７】
【化１１】
2020166059.tif 000013
【０１６８】
【化１２】
2020166059.tif 000014
【０１６９】
（２）複素環基は、置換基を有していてもよい。（２）複素環基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１７０】
Ｒｈの更に別の好ましい例としては、（３）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。この置換されたアルキル基を、以下、適宜「（３）置換アルキル基」ということがある。
【０１７１】
（３）置換アルキル基における「炭素原子数１〜１２のアルキル基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが挙げられる。
（３）置換アルキル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基」としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基と同じ例が挙げられる。
（３）置換アルキル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。
【０１７２】
（３）置換アルキル基は、更に置換基を有していてもよい。（３）置換アルキル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１７３】
Ｒｈの更に別の好ましい例としては、（４）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数２〜１２のアルケニル基が挙げられる。この置換されたアルケニル基を、以下、適宜「（４）置換アルケニル基」ということがある。
【０１７４】
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数２〜１２のアルケニル基」としては、例えば、ビニル基、アリル基などが挙げられる。
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基」としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基と同じ例が挙げられる。
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。
【０１７５】
（４）置換アルケニル基は、更に置換基を有していてもよい。（４）置換アルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１７６】
Ｒｈの更に別の好ましい例としては、（５）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数２〜１２のアルキニル基が挙げられる。この置換されたアルキニル基を、以下、適宜「（５）置換アルキニル基」ということがある。
【０１７７】
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数２〜１２のアルキニル基」としては、例えば、エチニル基、プロピニル基などが挙げられる。
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基」としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素基と同じ例が挙げられる。
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ１〜Ｄ３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。
【０１７８】
（５）置換アルキニル基は、更に置換基を有していてもよい。（５）置換アルキニル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１７９】
Ｒｈの好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。
【０１８０】
【化１３】
2020166059.tif 000015
【０１８１】
Ｒｈの更に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。
【０１８２】
【化１４】
2020166059.tif 000016
【０１８３】
Ｒｈの特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。
【０１８４】
【化１５】
2020166059.tif 000017
【０１８５】
上述したＲｈの具体例は、更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−ＯＣＦ３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒｂ；−ＳＯ２Ｒａ；等が挙げられる。Ｒａ及びＲｂの意味は、上述した通りである。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、および、炭素原子数１〜６のアルコキシ基が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１８６】
Ｒｉは、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、有機基を表す。
【０１８７】
Ｒｉの好ましい例としては、１以上の炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素原子数６〜４０の炭化水素基が挙げられる。
また、Ｒｉの別の好ましい例としては、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素原子数２〜４０の複素環基が挙げられる。
【０１８８】
Ｒｉの特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。Ｒの意味は、上述した通りである。
【０１８９】
【化１６】
2020166059.tif 000018
【０１９０】
式（II−１）〜式（II−７）のいずれかで表される基は、Ｄ１〜Ｄ６以外に更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜６のＮ−アルキルアミノ基、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルスルフィニル基、カルボキシル基、炭素原子数１〜６のチオアルキル基、炭素原子数１〜６のＮ−アルキルスルファモイル基、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１９１】
式（Ｉ）におけるＡｒの好ましい例としては、下記の式（III−１）〜式（III−１０）で表される基が挙げられる。また、式（III−１）〜式（III−１０）で表される基は、置換基として炭素原子数１〜６のアルキル基を有していてもよい。下記式中、＊は、結合位置を表す。
【０１９２】
【化１７】
2020166059.tif 000019
【０１９３】
式（III−１）及び式（III−４）の特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。下記式中、＊は、結合位置を表す。
【０１９４】
【化１８】
2020166059.tif 000020
【０１９５】
【化１９】
2020166059.tif 000021
【０１９６】
【化２０】
2020166059.tif 000022
【０１９７】
【化２１】
2020166059.tif 000023
【０１９８】
【化２２】
2020166059.tif 000024
【０１９９】
式（Ｉ）において、Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２１−、−ＣＦ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＦ２−ＣＦ２−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ３）−、−Ｃ（ＣＨ３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、及び、−Ｃ≡Ｃ−、からなる群より選ばれるいずれかを表す。Ｒ２１は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。
【０２００】
式（Ｉ）において、Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、及び、置換基を有していてもよい芳香族基、からなる群より選ばれる基を表す。Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、３〜１００である。中でも、Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数５〜２０の環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０の芳香族基が好ましい。
【０２０１】
Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２における環状脂肪族基としては、例えば、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等の、炭素原子数５〜２０のシクロアルカンジイル基；デカヒドロナフタレン−１，５−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基等の、炭素原子数５〜２０のビシクロアルカンジイル基；等が挙げられる。中でも、置換されていてもよい炭素原子数５〜２０のシクロアルカンジイル基が好ましく、シクロヘキサンジイル基がより好ましく、シクロヘキサン−１，４−ジイル基が特に好ましい。環状脂肪族基は、トランス体であってもよく、シス体であってもよく、シス体とトランス体との混合物であってもよい。中でも、トランス体がより好ましい。
【０２０２】
Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２における環状脂肪族基が有しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０２０３】
Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２における芳香族基としては、例えば、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、４，４’−ビフェニレン基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基；フラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；等が挙げられる。中でも、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニレン基がさらに好ましく、１，４−フェニレン基が特に好ましい。
【０２０４】
Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２における芳香族基が有しうる置換基としては、例えば、Ａ１、Ａ２、Ｂ１及びＢ２における環状脂肪族基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０２０５】
式（Ｉ）において、Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２２−、及び、−ＮＲ２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２３−、からなる群より選ばれるいずれかを表す。Ｒ２２及びＲ２３は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。
【０２０６】
式（Ｉ）において、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基；並びに、炭素原子数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ２−）の１以上が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基；からなる群より選ばれる有機基を表す。Ｇ１及びＧ２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよい。ただし、Ｇ１及びＧ２の両末端のメチレン基（−ＣＨ２−）が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されることはない。
【０２０７】
Ｇ１及びＧ２における炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素原子数１〜２０のアルキレン基が挙げられる。
【０２０８】
Ｇ１及びＧ２における炭素原子数３〜２０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素原子数３〜２０のアルキレン基が挙げられる。
【０２０９】
式（Ｉ）において、Ｐ１及びＰ２は、それぞれ独立して、重合性基を表す。Ｐ１及びＰ２における重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等の、ＣＨ２＝ＣＲ３１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基；ビニル基；ビニルエーテル基；ｐ−スチルベン基；アクリロイル基；メタクリロイル基；カルボキシル基；メチルカルボニル基；水酸基；アミド基；炭素原子数１〜４のアルキルアミノ基；アミノ基；エポキシ基；オキセタニル基；アルデヒド基；イソシアネート基；チオイソシアネート基；等が挙げられる。Ｒ３１は、水素原子、メチル基、又は塩素原子を表す。中でも、ＣＨ２＝ＣＲ３１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基が好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（アクリロイルオキシ基）、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（メタクリロイルオキシ基）がより好ましく、アクリロイルオキシ基が特に好ましい。
【０２１０】
式（Ｉ）において、ｐ及びｑは、それぞれ独立して、０又は１を表す。
【０２１１】
式（Ｉ）において、ｔは、１又は２を表す。
【０２１２】
式（Ｉ）で表される逆分散液晶性化合物は、例えば、国際公開第２０１２／１４７９０４号に記載される、ヒドラジン化合物とカルボニル化合物との反応により製造しうる。
【０２１３】
式（Ｉ）で表される液晶性化合物としては、具体的には、例えば、下記の式で表される化合物が挙げられる。
【０２１４】
【化２３】
2020166059.tif 000025
【０２１５】
液晶組成物は、必要に応じて、逆分散液晶性化合物に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。
【０２１６】
例えば、逆分散液晶性化合物の重合を促進するため、液晶組成物は、任意の成分として重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤としては、熱重合開始剤及び光重合開始剤のいずれを用いてもよい。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点では、光重合開始剤を用いることが好ましい。
【０２１７】
重合開始剤の種類は、液晶組成物に含まれる重合性の化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、重合性の化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、重合性の化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、重合性の化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２１８】
重合開始剤の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まる場合、重合を効率的に進行させることができる。
【０２１９】
例えば、液晶組成物は、任意の成分として、界面活性剤を含んでいてもよい。特に、液晶組成物の塗工性を良好にする観点、並びに、配向性に優れた液晶硬化フィルムを安定して得る観点から、界面活性剤としては、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤が好ましい。以下の説明において、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を、適宜「フッ素系界面活性剤」ということがある。
【０２２０】
界面活性剤はノニオン系界面活性剤であることが好ましい。界面活性剤がイオン性基を含まないノニオン系界面活性剤である場合に、液晶硬化フィルムの面状態及び配向性を、特に良好にすることができる。
【０２２１】
界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ２４２、Ｓ３８６、Ｓ４２０など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ２５１、Ｆ５５４、Ｆ５５６、Ｆ５６２、ＲＳ−７５、ＲＳ−７６−Ｅなど）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（ＦＴＸ６０１ＡＤ、ＦＴＸ６０２Ａ、ＦＴＸ６０１ＡＤＨ２、ＦＴＸ６５０Ａ、２０９Ｆなど）等が挙げられる。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２２２】
界面活性剤の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．００５重量部以上、より好ましくは０．０１０重量部以上であり、好ましくは１．００重量部以下、より好ましくは０．５０重量部以下である。界面活性剤の量が前記の範囲にある場合、液晶硬化フィルムの面状を特に良好にしたり、液晶硬化フィルムの配向欠陥の発生を効果的に抑制したりできる。
【０２２３】
例えば、液晶組成物は、任意の成分として、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、逆分散液晶性化合物を溶解できるものが好ましい。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；が挙げられる。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０２２４】
溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃である。
【０２２５】
溶媒の量は、逆分散液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは２００重量部以上、より好ましくは２５０重量部以上、特に好ましくは３００重量部以上であり、好ましくは６５０重量部以下、より好ましくは６００重量部以下、特に好ましくは５００重量部以下である。溶媒の量が前記範囲の下限値以上である場合に、異物発生の抑制ができる。また、溶媒の量が前記範囲の上限値以下である場合に、乾燥負荷の低減ができる。
【０２２６】
例えば、液晶組成物は、任意の成分として、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を大きくする作用を発揮できる傾斜作用成分を含んでいてもよい。傾斜作用成分を用いた場合、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜を促進して、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角が大きい液晶硬化フィルムを容易に得ることができる。このような傾斜作用成分としては、例えば、特開２０１８−１６３２１８号公報、特開２０１８−１６２３７９号公報、国際公開第２０１８／１７３７７８号などに記載の成分を用いうる。
【０２２７】
液晶組成物が含みうる任意のその他の成分としては、例えば、金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；酸化防止剤；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等が挙げられる。これらの成分の量は、逆分散液晶性化合物の合計１００重量部に対して、各々０．１重量部〜２０重量部としうる。
【０２２８】
液晶組成物の層を形成する工程において、液晶組成物は、通常、流体状で用意される。そのため、通常は、基材のラビング処理面に液晶組成物を塗工して、液晶組成物の層を形成する。液晶組成物を塗工する方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。
【０２２９】
［８．配向処理］
基材のラビング処理面に液晶組成物の層を形成した後、その液晶組成物の層を硬化させる前に、液晶組成物の層に含まれる逆分散液晶性化合物を配向させる配向処理を行ってもよい。配向処理を行うことにより、基材のラビング処理面の配向規制力に応じた方向に逆分散液晶性化合物を円滑に配向させることができる。
【０２３０】
配向処理は、通常、液晶組成物の層の温度を所定の配向温度に調整することによって行う。配向温度は、液晶組成物の液晶化温度以上の温度としうる。この際、配向温度は、基材に含まれる樹脂のガラス転移温度未満の温度であることが好ましい。これにより、配向処理による基材の歪みの発生を抑制できる。
【０２３１】
通常、面内方向においては、逆分散液晶性化合物は、基材の表面の配向規制力に応じた方向に配向する。また、液晶組成物の組成、基材のラビング処理面の状態、配向処理の処理条件等の条件に応じて、厚み方向において、逆分散液晶性化合物は、その一部又は全部が層平面に対して傾斜するように配向することがある。この場合、逆分散液晶性化合物の分子の層平面に対する傾斜角を大きくするために、前記の配向処理を適切な条件において行ってもよい。逆分散液晶性化合物の分子の層平面に対する傾斜角を大きくする方法としては、例えば、特許第５３６３０２２号公報、国際公開第２０１８／１７３７７８号、特開２０１８−１６３２１８号公報、特開２０１８−１６２３７９号公報、国際公開第２０１８／１７３７７３号に記載の方法を用いうる。
【０２３２】
配向処理の際、液晶組成物の層の温度を所定の配向温度に保持する時間は、所望の液晶硬化フィルムが得られる範囲で任意に設定でき、例えば３０秒間〜５分間でありうる。
【０２３３】
［９．硬化処理］
本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、基材のラビング処理面に液晶組成物の層を形成した後に、この液晶組成物の層を硬化させる工程を含む。この工程での液晶組成物の硬化は、通常、当該液晶組成物が含む重合性の化合物の重合によって達成される。よって、逆分散液晶性化合物が重合性を有する場合、その逆分散液晶性化合物の一部又は全部を重合させることにより、液晶組成物の層を硬化させる。重合は、通常、液晶性化合物の分子の配向を維持したままで進行する。よって、前記の重合により、重合前の液晶組成物に含まれる液晶性化合物の配向状態は、固定される。
【０２３４】
重合方法としては、液晶組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。
【０２３５】
なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材に悪影響を与えない範囲という観点から、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下、特に好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上であることが好ましく、２０℃以上であることがより好ましい。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ２以上であり、好ましくは１００００ｍＷ／ｃｍ２以下、より好ましくは５０００ｍＷ／ｃｍ２以下である。紫外線の照射量は、好ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ２以上、より好ましくは０．５ｍＪ／ｃｍ２以上であり、好ましくは１００００ｍＪ／ｃｍ２以下、より好ましくは５０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【０２３６】
前記のように液晶組成物の層を硬化させることにより、液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化フィルムを得ることができる。こうして得られる液晶硬化フィルムは、輝点が抑制され、且つ、配向性に優れる。また、この液晶硬化フィルムは、通常、面状及び配向均一性にも優れる。
【０２３７】
［１０．任意の工程］
本実施形態に係る液晶硬化フィルムの製造方法は、上述した工程に組み合わせて、更に任意の工程を含んでいてもよい。
例えば、上述した実施形態では、通常、基材のラビング処理面上に液晶硬化フィルムが得られるので、液晶硬化フィルムの製造方法は、任意の工程として、ラビング処理面から液晶硬化フィルムを剥離する工程を含んでいてもよい。
【０２３８】
また、液晶硬化フィルムの製造方法は、例えば、液晶硬化フィルム上に、更に任意の層を形成する工程を含んでいてもよい。
【０２３９】
さらに、液晶硬化フィルムの製造方法は、例えば、基材上に形成された液晶硬化フィルムを、任意のフィルム層に転写する工程を含んでいてもよい。よって、例えば、液晶硬化フィルムの製造方法は、基材上に形成された液晶硬化フィルムと任意のフィルム層とを貼り合わせた後に、必要に応じて基材を剥離する工程を含んでいてもよい。この際、貼り合わせには、適切な粘着剤又は接着剤を用いてもよい。
【０２４０】
また、液晶硬化フィルムの製造方法は、例えば、液晶組成物の層を硬化させる前に、液晶組成物の層を乾燥させる工程を含んでいてもよい。かかる乾燥は、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等の乾燥方法で達成しうる。かかる乾燥により、液晶組成物の層から、溶媒を除去することができる。
【０２４１】
帯状基材を用いて前記の製造方法を実施した場合、長尺状の液晶硬化フィルムを得ることができる。このような長尺状の液晶硬化フィルムは、連続的な製造が可能であり、生産性に優れる。また、長尺状の液晶硬化フィルムは、他のフィルムとの貼り合わせを、ロールトゥロールによって行うことができるので、この点でも、生産性に優れる。通常、長尺状の液晶硬化フィルムは、巻き取られてロールの状態で保存及び運搬がなされる。
【０２４２】
［１１．液晶硬化フィルム］
上述した製造方法で製造される液晶硬化フィルムは、逆分散液晶性化合物を含む液晶組成物の層を硬化させた硬化物で形成されているので、逆分散液晶性化合物の分子を含む。液晶組成物の硬化は、通常、当該液晶成物が含む重合性の化合物の重合によって達成される。よって、液晶硬化フィルムは、通常、液晶組成物が含んでいた成分の一部又は全部の重合体を含む。したがって、逆分散液晶性化合物が重合性を有する場合、液晶硬化フィルムは、逆分散液晶性化合物の重合体を含みうる。通常、重合によって逆分散液晶性化合物の液晶性は失われるが、本願においては、そのように重合した逆分散液晶性化合物も、用語「液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物」に含める。
【０２４３】
通常、液晶硬化フィルムにおいては、逆分散液晶性化合物の配向状態が、固定されうる。用語「配向状態を固定された逆分散液晶性化合物」には、前記の逆分散液晶性化合物の重合体が包含される。液晶硬化フィルムは、配向状態を固定された逆分散液晶性化合物の分子に組み合わせて配向状態を固定されていない逆分散液晶性化合物の分子を含んでいてもよいが、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の全てが配向状態を固定されていることが好ましい。
【０２４４】
上述した製造方法で製造される液晶硬化フィルムでは、輝点の発生を抑制することができる。具体的には、輝点の評価試験を行った場合に、観察される輝点の数を、少なくできる。ここで、輝点の評価試験では、ライトテーブル上に、偏光子及び検光子をクロスニコルとなるように重ねて設置する。クロスニコルとは、偏光子の吸収軸と検光子の吸収軸とが、厚み方向から見て垂直であることを表す。そして、偏光子と検光子との間に液晶硬化フィルムを置き、液晶硬化フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸とを厚み方向から見て平行となるように調整する。この状態で、ライトテーブルを点灯し、偏光子、フィルム片及び検光子を透過した光を観察する。この輝点の評価試験を行った場合、液晶硬化フィルムの輝点の数を、好ましくは５個／２５６ｃｍ２未満にでき、より好ましくは１個／２５６ｃｍ２未満にでき、特に好ましくは輝点を無くすことができる。
【０２４５】
上述した製造方法で製造される液晶硬化フィルムでは、配向性を良好にできる。すなわち、液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物は、通常、配向しているところ、液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物の配向方向の乱れを小さくできるので、配向欠陥の発生を抑制できる。具体的には、配向性の評価試験を行った場合に、漏れ光を少なくできる。ここで、配向性の評価試験では、クロスニコル下で液晶硬化フィルムを偏光顕微鏡を用いて観察する。前記の観察は、液晶硬化フィルムの位置を、（ｉ）消光位、及び（ｉｉ）液晶硬化フィルムの遅相軸を消光位から数°ずらした位置、に調整してそれぞれ行う。この配向性の評価試験を行った場合、観察される漏れ光を少なくすることができる。
【０２４６】
通常、上述した製造方法で製造される液晶硬化フィルムでは、当該液晶硬化フィルムの配向均一性を高めることができる。すなわち、通常は、液晶硬化フィルムの面内方向において、配向性を均一にすることができる。よって、例えば長尺状の液晶硬化フィルムにおいては、その幅方向のいずれの位置でも、同程度の配向性を有することができる。
【０２４７】
通常、上述した製造方法で製造される液晶硬化フィルムは、優れた面状を有することができる。すなわち、液晶硬化フィルムの表面を、通常は、均一にできる。具体的には、面状の評価試験を行った場合に、ムラを小さくできる。ここで、面状の評価試験では、ライトテーブル上に、偏光子及び検光子をクロスニコルとなるように重ねて設置する。そして、偏光子と検光子との間に液晶硬化フィルムを置き、液晶硬化フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸とを厚み方向から見て４５°の角度をなすように調整する。この状態で、ライトテーブルを点灯し、偏光子、フィルム片及び検光子を透過した光を観察する。この面状の評価試験を行った場合、観察されるムラを小さくできる。
【０２４８】
液晶硬化フィルムは、配向した逆分散液晶性化合物を含むので、通常、逆波長分散性のレターデーションを発現できる。具体的には、測定波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける液晶硬化フィルムの面内レターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）は、下記式（Ｎ２）を満たすことができる。このように逆波長分散性の面内レターデーションを有する液晶硬化フィルムは、１／４波長板又は１／２波長板等の光学用途において、広い波長帯域において均一に機能を発現できる。
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００    （Ｎ２）
【０２４９】
液晶硬化フィルムの面内方向においては、逆分散液晶性化合物の分子の配向方向は、通常、均一である。よって、液晶硬化フィルムは、通常、液晶硬化フィルムを厚み方向から見た逆分散液晶性化合物の分子の配向方向に平行な面内遅相軸を有する。そして、このように面内方向において逆分散液晶性化合物が一定の配向方向に配向するので、液晶硬化フィルムは、通常、所定の大きさの面内レターデーションを有する。
【０２５０】
液晶硬化フィルムの具体的な面内レターデーションの範囲は、この液晶硬化フィルムの用途に応じて任意に設定しうる。面内レターデーションの範囲を適切に設定することにより、液晶硬化フィルムは、１／４波長板及び１／２波長板等の光学フィルムとしての光学的機能を発揮することができる。
例えば、液晶硬化フィルムを１／４波長板として機能させたい場合、液晶硬化フィルムの面内レターデーションは、測定波長５９０ｎｍにおいて、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１１０ｎｍ以上、特に好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１８０ｎｍ以下、より好ましく１７０ｎｍ以下、特に好ましくは１６０ｎｍ以下である。
また、例えば、液晶硬化フィルムを１／２波長板として機能させたい場合、液晶硬化フィルムのレターデーションは、測定波長５９０ｎｍにおいて、好ましくは２４５ｎｍ以上、より好ましくは２６５ｎｍ以上、特に好ましくは２７０ｎｍ以上であり、好ましくは３２０ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下、特に好ましくは２９５ｎｍ以下である。
【０２５１】
液晶硬化フィルムの厚み方向においては、逆分散液晶性化合物の分子の配向方向は、任意である。例えば、液晶硬化フィルムの厚み方向において、逆分散液晶性化合物の分子の配向方向は、液晶硬化フィルムの面に平行でもよく、非平行でもよい。また、液晶硬化フィルムの厚み方向において、逆分散液晶性化合物の分子の配向方向は、均一でもよく、不均一でもよい。具体例を挙げると、逆分散液晶性化合物の分子は、液晶硬化フィルムの面に平行なある一の方向に配向していてもよい（ホモジニアス配向）。さらに、逆分散液晶性化合物の分子は、液晶硬化フィルムの面に垂直な方向に配向していてもよい（垂直配向）。また、逆分散液晶性化合物の分子は、液晶硬化フィルムの面に平行でも垂直でもないある一の方向に配向していてもよい（傾斜配向）。さらに、逆分散液晶性化合物の分子は、当該逆分散液晶性化合物の分子が液晶硬化フィルムの層平面に対してなす傾斜角が、液晶硬化フィルムの一側に近いほど小さく、前記一側から遠いほど大きい態様で配向していてもよい（ハイブリッド配向）。
【０２５２】
中でも、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の配向状態は、上述した傾斜配向及びハイブリッド配向のように、少なくとも一部の分子が液晶硬化フィルムの層平面に対して傾斜していることが好ましい。上述した液晶硬化フィルムの製造方法によれば、層平面に対して傾斜した方向に配向した逆分散液晶性化合物の分子を含む液晶硬化フィルムを製造した場合に、当該逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角を大きくできる。特に、液晶硬化フィルムの製造方法が、コロナ処理等の表面改質処理を行うことを含む場合、傾斜角を効果的に大きくできる。よって、このように傾斜角を大きくできるとの利点を活用する観点から、上述した製造方法では、層平面に対して傾斜した方向に配向した逆分散液晶性化合物の分子を含む液晶硬化フィルムを製造することが好ましい。
【０２５３】
液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の少なくとも一部が液晶硬化フィルムの層平面に対して傾斜した方向に配向していることは、逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角によって確認できる。通常は、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角が５°以上８５°以下である場合、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の少なくとも一部が液晶硬化フィルムの層平面に対して傾斜した方向に配向している。
【０２５４】
ある層に含まれる液晶性化合物の分子の「実質最大傾斜角」とは、その層の一方の面での分子の傾斜角が０°であり、且つ分子の傾斜角が厚み方向において一定比率で変化していると仮定した場合の、液晶性化合物の分子の傾斜角の最大値をいう。液晶硬化フィルムでは、液晶性化合物の分子の傾斜角は、厚み方向において、当該液晶硬化フィルムの一側に近いほど小さく前記一側から遠いほど大きいものでありうる。実質最大傾斜角は、このような厚み方向における傾斜角の変化の比率（即ち、一側に近いほど減少し、一側から遠いほど増加するという変化の比率）が一定であると仮定して計算される、傾斜角の最大値を表す。通常、上述した製造方法で製造される液晶硬化フィルムにおいては、実質最大傾斜角は、基材側の面での分子の傾斜角が０°であり、且つ、分子の傾斜角が厚み方向において一定比率で変化していると仮定した場合の、逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角の最大値を表す。
【０２５５】
このように、前記の実質最大傾斜角は、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角の大きさを示す指標でありうる。よって、実質最大傾斜角によって、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の少なくとも一部が液晶硬化フィルムの層平面に対して傾斜した方向に配向していることを確認できる。通常、実質最大傾斜角が大きい液晶硬化フィルムほど、その液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の全体として見た傾斜角が大きい傾向がある。液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角を調整することにより、液晶硬化フィルムの厚み方向の複屈折を調整することが可能である。
【０２５６】
液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角の範囲は、当該液晶硬化フィルムの用途に応じて適切に設定しうる。前記の実質最大傾斜角は、通常５°〜８５°の範囲で設定でき、好ましくは３０°以上、より好ましくは４０°以上である。実質最大傾斜角は、実施例に記載の方法によって測定できる。
【０２５７】
液晶硬化フィルムの厚みは、レターデーション等の特性を所望の範囲にできるように、適切に設定しうる。具体的には、液晶硬化フィルムの厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０．０μｍ以下、より好ましくは７．０μｍ以下、特に好ましくは５．０μｍ以下である。
【０２５８】
液晶硬化フィルムは、透明性に優れることが好ましい。具体的には、液晶硬化フィルムの全光線透過率は、好ましくは７５％以上、より好ましくは８０％以上、特に好ましくは８４％以上である。また、液晶硬化フィルムのヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で測定できる。また、ヘイズは、ヘイズメーターを用いて測定できる。
【実施例】
【０２５９】
以下、実施例を示して、本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施してもよい。
【０２６０】
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。
【０２６１】
［評価および測定方法］
＜液晶硬化フィルムの面状の評価方法＞
試料フィルムを、１６ｃｍ角サイズに裁断して、フィルム片を得た。ライトテーブル上に偏光子及び検光子を重ねて設置し、その偏光子と検光子との間に前記のフィルム片を置いた。厚み方向から見たフィルム片の液晶硬化フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸とがなす角度を、４５°に調整した。また、偏光子の吸収軸と検光子の吸収軸とが厚み方向から見て垂直なクロスニコルとなるように調整した。この状態でライトテーブルを点灯し、目視にて観察した。
【０２６２】
前記の観察の結果から、見た目の均一性（位相差の均一性）に応じた下記の基準により、面状を評価した。
Ｓ：全面ほぼ均一で、ムラ及び欠陥が認められない。
Ａ：全面ほぼ均一であるが、僅かに微小なムラが認められる。
Ｂ：はっきりとムラが認められる。
Ｃ：全面に強いムラが見られる。
【０２６３】
＜液晶硬化フィルムの輝点評価＞
試料フィルムを、１６ｃｍ角サイズに裁断して、フィルム片を得た。２００００ｃｄ以上の輝度を有する輝度可変型のライトテーブル上に偏光子及び検光子を重ねて設置し、その偏光子と検光子との間に前記のフィルム片を置いた。厚み方向から見たフィルム片の液晶硬化フィルムの遅相軸と偏光子の吸収軸とがなす角度を、略０°に調整した。また、偏光子の吸収軸と検光子の吸収軸とが厚み方向から見て垂直なクロスニコルとなるように調整した。この状態でライトテーブルを点灯し、目視にて観察した。
【０２６４】
前記の観察の結果から、偏光子、フィルム片及び検光子を透過した光が観察される点を「輝点」として個数をカウントし、下記の基準により評価した。
Ａ：輝点が、１つも観察されない。
Ｂ：輝点の数が、１個以上５個未満である。
Ｃ：輝点の数が、５個以上１０個未満である。
Ｄ：輝点の数が、１０個以上である。
【０２６５】
＜液晶硬化フィルムの配向性評価＞
試料フィルムが有する液晶硬化フィルムを、粘着剤によってガラス板に貼り合わせ、基材を剥離した。これにより、ガラス板、粘着剤層及び液晶硬化フィルムを備えるサンプル片を得た。ガラス板及び粘着剤層は、光学的に等方性を有し、実質的に遅相軸及びレターデーションを有さない。
【０２６６】
前記のサンプル片の液晶硬化フィルムを、当該液晶硬化フィルムの幅方向の中央部（ＣＴ）において、クロスニコル下で偏光顕微鏡を用いて観察した。前記の観察は、液晶硬化フィルムの位置を、（ｉ）消光位、及び（ｉｉ）液晶硬化フィルムの遅相軸を消光位から数°ずらした位置、に調整してそれぞれ行った。また、観察は、対物５倍及び５０倍でそれぞれ行った。前記の観察においては、配向欠陥の程度及び漏れ光の状態を目視で観察し、その結果に基づいて下記の基準により評価した。
Ａ：配向欠陥が見られず、消光位での漏れ光がほとんど感じられない。
Ｂ：配向欠陥がわずかに認められ、消光位での漏れ光が僅かにある。
Ｃ：配向欠陥が明らかに見られ、消光位で光が漏れる。
【０２６７】
＜液晶硬化フィルムの配向性の幅方向での均一性の評価＞
前記＜液晶硬化フィルムの配向性評価＞で説明した方法により、液晶硬化フィルムの配向欠陥の程度及び漏れ光の状態の観察を、液晶硬化フィルムの幅方向の中央部（ＣＴ）だけでなく、幅方向の一端（操作側；ＯＳ）及び他端（駆動側；ＤＳ）においても行った。これら３か所での測定の結果から、下記の基準により、幅方向における配向性の均一性を評価した。
良：配向欠陥の程度及び漏れ光の状態が、幅方向の中央部（ＣＴ）、一端（ＯＳ）及び他端（ＤＳ）で、同じである。
不良：配向欠陥の程度及び漏れ光の状態が、幅方向の中央部（ＣＴ）、一端（ＯＳ）及び他端（ＤＳ）で、異なる。
【０２６８】
＜液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物の分子の傾斜角の測定＞
前記＜液晶硬化フィルムの配向性評価＞で用意したサンプル片の液晶硬化フィルムのレターデーションを、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、波長５５０ｎｍで測定した。この測定は、当該測定の測定方向と液晶硬化フィルムの遅相軸とがなす角度を変えて複数回行った。この際、いずれの測定でも、測定方向は、液晶硬化フィルムの進相軸に垂直に設定した。これらのレターデーションの測定結果から、前記の位相差計に付属の多層解析ソフトウェア（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製の解析ソフトウェア「Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ａｎａｌｙｓｉｓ」；解析条件は、層分割数２０層）にて解析することにより、液晶硬化フィルムに含まれる液晶性化合物の分子の実質最大傾斜角Θを算出した。
【０２６９】
＜液晶組成物フィルムの面内レターデーションの測定＞
前記＜液晶硬化フィルムの配向性評価＞で用意したサンプル片の液晶硬化フィルムの面内レターデーションを、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、波長４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍでそれぞれ測定した。
【０２７０】
［製造例１：液晶組成物（Ｌ１）の調製］
下記式（Ｅ１）に示す逆分散液晶性化合物（Ｅ１）１００．０部、界面活性剤（ＤＩＣ社製「メガファックＦ５６２」）０．３０部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）３．０部、溶媒としてのシクロペンタノン（日本ゼオン社製）１８８．０部、及び、溶媒としての１，３−ジオキソラン（東邦化学社製）２８２．０部を混合して、液状の液晶組成物（Ｌ１）を調製した。
【０２７１】
【化２４】
2020166059.tif 000026
【０２７２】
［製造例２：液晶組成物（Ｌ２）の調製］
前記式（Ｅ１）に示す逆分散液晶性化合物（Ｅ１）１００．０部、界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ４２０」）０．１５部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）３．０部、溶媒としてのシクロペンタノン（日本ゼオン社製）１８８．０部、及び、溶媒としての１，３−ジオキソラン（東邦化学社製）２８２．０部を混合して、液状の液晶組成物（Ｌ２）を調製した。
【０２７３】
［実施例１−１］
（帯状基材の用意）
ノルボルネン系樹脂で形成された長尺状の樹脂フィルム（日本ゼオン社製「ＺＥＯＮＯＲ」、厚み５５μｍ、ＳＰ値＝８．５）を、幅６６０ｍｍに裁断して、長尺状の帯状基材を得た。
【０２７４】
（ラビング処理）
前記の帯状基材に対して、ラビングロールの振り角を９０°とすること以外は、国際公開第２０１６／１５２６８５号の実施例Ａ１に記載の方法と同じ操作により、ラビング処理を施した。
具体的には、図１〜図５に概略的に示すラビング装置Ａ１００を用い、前記工程（帯状基材の用意）で得た帯状基材に、ラビング処理を施した。この際、２つの円筒形のフリーロール（グリップロール）Ａ１１０及びＡ１５０の径は、いずれも８０ｍｍとした。円筒形のラビングロールＡ１３０の径は、１２０ｍｍとした。フリーロールＡ１１０の軸Ａ１１Ｘ及びラビングロールＡ１３０の軸Ａ１３Ｘは、水平方向に設置し、且つ、フリーロールＡ１１０からラビングロールＡ１３０までの帯状基材Ａ１３の搬送経路も、水平方向となるよう、これらの位置関係を調整した。ラビングロールＡ１３０の振り角は９０°、抱き角は６０°とした。帯状基材がフリーロールＡ１１０を離れてからフリーロールＡ１５０に接するまでの搬送経路を約１０００ｍｍとし、その状態からフリーロールの位置及び角度を調整し、ラビングロールＡ１３０へ搬入される帯状基材Ａ１３の搬入方向及びラビングロールＡ１３０から搬出される帯状基材Ａ１４の搬出方向が帯状基材の幅方向において同一（帯状基材幅方向の中心における搬入又は搬出方向を基準とし、当該基準の方向と、他の搬入又は搬出方向とがなす角が０．５°以内）となるようにした。帯状基材の余り量の最大値εｍａｘが０．０５％以下となるようにした。帯状基材（Ａ１１〜Ａ１６）を搬送するラインスピードは４ｍ／分、張力は１５０Ｎ／ｍとした。ラビングロールＡ１３０は、１０００ｒｐｍで逆回転（図中矢印ＡＲ２で示す方向の回転）させた。
【０２７５】
（洗浄処理）
ラビング処理を施された帯状基材を、更に長手方向に連続的に搬送して、洗浄液として超純水（ＳＰ値＝２３．４）を収納した液槽に３０秒浸漬させた。これにより、洗浄液によって帯状基材のラビング処理面が洗浄された。その後、エアーナイフでエアーを吹き付けることにより、ラビング処理面から洗浄液を除去した。
【０２７６】
（液晶硬化フィルムの形成）
前記の帯状基材のラビング処理面に、製造例１で調製した液晶組成物（Ｌ１）を、ダイコーターを用いて塗工して、液晶組成物の層を形成した。次いで、液晶組成物の層を、１１０℃で４分間加熱する配向処理を行って、その層に含まれる液晶性化合物を配向させた。その後、窒素雰囲気下で、液晶組成物の層に４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して硬化させ、帯状基材のラビング処理面上に乾燥膜厚２．２μｍの液晶硬化フィルムを形成した。これにより、帯状基材と、この帯状基材上に形成された液晶硬化フィルムとを備える試料フィルムを得た。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。前述した方法で測定された液晶硬化フィルムの面内レターデーションは、測定波長４５０ｎｍ／５５０ｎｍ／６５０ｎｍにおいて、それぞれ１１２ｎｍ／１４１ｎｍ／１４６ｎｍであった。
【０２７７】
［実施例１−２から実施例１−５］
洗浄液の種類を、表１に示すように、エタノール（ＳＰ値＝１２．７；実施例１−２）、１，３−ジオキソラン（ＳＰ値＝１０．２；実施例１−３）、アセトン（ＳＰ値＝１０．０；実施例１−４）又はシクロペンタノン（ＳＰ値＝１０．０；実施例１−５）に変更したこと以外は、実施例１−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２７８】
［比較例１−１］
帯状基材のラビング処理面の洗浄液による洗浄処理を行わなかったこと以外は、実施例１−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２７９】
［実施例１−１から実施例１−５及び比較例１−１の結果］
前記の実施例１−１から実施例１−５及び比較例１−１の結果を、下記の表１に示す。
【０２８０】
【表１】
2020166059.tif 000027
【０２８１】
［実施例１−１から実施例１−５及び比較例１−１の検討］
表１に示すように、比較例１−１に比べ、実施例１−１から実施例１−５では、輝点及び配向性が改善されている。よって、この結果から、本発明によれば、輝点が抑制され且つ配向性に優れる液晶硬化フィルムの製造方法を提供できることが確認された。また、実施例１−３から実施例１−５に比べ、実施例１−１及び実施例１−２において良好な結果が得られていることから、洗浄液のＳＰ値には好適な領域が存在していることが示された。
【０２８２】
［実施例２−１］
（帯状基材の用意）
ノルボルネン系樹脂で形成された長尺状の樹脂フィルム（日本ゼオン社製「ＺＥＯＮＯＲ」、厚み５５μｍ、ＳＰ値＝８．５）を、幅６６０ｍｍに裁断して、長尺状の帯状基材を得た。
【０２８３】
（ラビング処理）
前記の帯状基材に対して、国際公開第２０１６／１５２６８５号の実施例Ｃ１に記載の方法と同じ操作により、帯状基材の長手方向に対して４５°の角度をなす斜め方向にラビング処理を施した。
具体的には、図６〜図１２に概略的に示すラビング装置Ｃ１００を用い、前記工程（帯状基材の用意）で得た帯状基材に、ラビング処理を施した。この際、２つの円筒形のフリーロール（グリップロール）Ｃ１１０及びＣ１５０の径は、いずれも８０ｍｍとした。円筒形のラビングロールＣ１３０の径は、１２０ｍｍとした。フリーロールＣ１１０、浮上搬送装置Ｃ１２０、ラビングロールＣ１３０、浮上搬送装置Ｃ１４０及びフリーロールＣ１５０の軸Ｃ１１Ｘ、Ｃ１２Ｘ、Ｃ１３Ｘ、Ｃ１４Ｘ及びＣ１５Ｘは、いずれも水平方向とした。さらに、軸Ｃ１１Ｘ及びＣ１５Ｘは、座標軸Ｙに対して平行とし、軸Ｃ１２Ｘ、Ｃ１３Ｘ及びＣ１４Ｘの振り角は、４５°とした。フリーロールＣ１１０とフリーロールＣ１５０との軸同士の間隔を約１０００ｍｍとし、ラビングロールＣ１３０はその中間の位置に設置し、浮上搬送装置Ｃ１２０及びＣ１４０は、Ｃθｗ１２＝３０°、Ｃθｗ１３＝６０°、Ｃθｗ１４＝３０°となるよう位置を調整した。ラビングロールＣ１３０へ搬入される帯状基材Ｃ１３の搬入方向及びラビングロールＣ１３０から搬出される帯状基材Ｃ１４の搬出方向は、帯状基材の幅方向において同一（帯状基材幅方向の中心における搬入又は搬出方向を基準とし、当該基準の方向と、他の搬入又は搬出方向とがなす角が０．５°以内）となるようにした。帯状基材の余り量の最大値εｍａｘは０．０５％以下となるようにした。このような配置により、ラビング装置への帯状基材の搬入方向に対する搬出方向は、斜行のない方向となった。帯状基材（Ｃ１１〜Ｃ１６）を搬送するラインスピードは４ｍ／分、張力は１５０Ｎ／ｍとした。ラビングロールＣ１３０は、１０００ｒｐｍで逆回転（図中矢印ＣＲ２で示す方向の回転）させた。
【０２８４】
（洗浄処理）
ラビング処理を施された帯状基材を、更に長手方向に連続的に搬送して、洗浄液として超純水（ＳＰ値＝２３．４）を収納した液槽に３０秒浸漬させた。これにより、洗浄液によって帯状基材のラビング処理面が洗浄された。その後、エアーナイフでエアーを吹き付けることにより、ラビング処理面から洗浄液を除去した。
【０２８５】
（液晶硬化フィルムの形成）
前記の帯状基材のラビング処理面に、製造例２で調製した液晶組成物（Ｌ２）を、ダイコーターを用いて塗工して、液晶組成物の層を形成した。次いで、液晶組成物の層を、１１０℃で４分間加熱する配向処理を行って、その層に含まれる液晶性化合物を配向させた。その後、窒素雰囲気下で、液晶組成物の層に４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して硬化させ、帯状基材のラビング処理面に乾燥膜厚１．７μｍの液晶硬化フィルムを形成した。これにより、帯状基材と、この帯状基材上に形成された液晶硬化フィルムとを備える試料フィルムを得た。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２８６】
［実施例２−２］
ラビング処理を施す直前に、搬送中の帯状基材の表面（ラビング処理を施される側の表面）に、コロナ処理を施した。コロナ処理の強度は、０．４ｋＷとした。コロナ処理を施された帯状基材は、続くラビング処理プロセスへ、連続搬送で供給した。以上の事項以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２８７】
［実施例２−３］
洗浄液の種類を、表２に示すように、エタノール（ＳＰ値＝１２．７）に変更したこと以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２８８】
［実施例２−４］
ラビング処理を施す直前に、実施例２−２で説明したのと同じコロナ処理を施した。また、洗浄液の種類を、表２に示すように、エタノール（ＳＰ値＝１２．７）に変更した。以上の事項以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２８９】
［実施例２−５から実施例２−７］
洗浄液の種類を、表２に示すように、１，３−ジオキソラン（ＳＰ値＝１０．２；実施例２−５）、アセトン（ＳＰ値＝１０．０；実施例２−６）又はシクロペンタノン（ＳＰ値＝１０．０；実施例２−７）に変更したこと以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２９０】
［比較例２−１］
帯状基材に対するラビング処理を、国際公開第２０１６／１５２６８５号の実施例Ａ１に記載の方法と同じ操作により、行った。即ち、本比較例２−１における帯状基材に対するラビング処理は、ラビングロールＡ１３０の振り角を４５°に変更すること以外は、実施例１−１におけるラビング処理と同じ操作によって行った。さらに、帯状基材のラビング処理面の洗浄液による洗浄処理を行わなかった。以上の事項以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２９１】
［比較例２−２］
帯状基材のラビング処理面の洗浄液による洗浄処理を行わなかったこと以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２９２】
［比較例２−３］
ラビング処理を施す直前に、実施例２−２で説明したのと同じコロナ処理を施した。また、帯状基材のラビング処理面の洗浄液による洗浄処理を行わなかった。以上の事項以外は、実施例２−１と同じ操作により、帯状基材及び液晶硬化フィルムを備える試料フィルムを製造した。この試料フィルムを用いて、上述した方法により、その試料フィルムが有する液晶硬化フィルムの評価を行った。
【０２９３】
［実施例２−１から実施例２−７並びに比較例２−１から比較例２−３の結果］
前記の実施例２−１から実施例２−７並びに比較例２−１から比較例２−３の結果を、下記の表２に示す。
【０２９４】
【表２】
2020166059.tif 000028
【０２９５】
［実施例２−１から実施例２−７並びに比較例２−１から比較例２−３の検討］
表２の結果から、帯状基材のラビング処理面を洗浄することにより、輝点数を少なくできることが示された。さらに、実施例２−２及び実施例２−４のようにコロナ処理を実施した場合、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角が大きくなる傾向があることが明らかになった。また、実験中の帯状基材の挙動を観察したところ、実施例２−１から実施例２−７のように浮上搬送装置を備えるラビング装置を用いた場合の方が、実施例１−１から実施例１−５のように浮上搬送装置を備えないラビング装置を用いた場合よりも、帯状基材の蛇行量を少なくできることが確認された。ここで、帯状基材の「蛇行」とは、帯状基材がその幅方向の位置を変動させながら走行することを表し、「蛇行量」とは前記の位置の変動量を表す。また、実施例２−１から実施例２−７で得た液晶硬化フィルムの断面を偏光顕微鏡で観察したところ、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子がハイブリッド配向していることが確認された。具体的には、液晶硬化フィルムに含まれる逆分散液晶性化合物の分子の傾斜角が、帯状基材側の面に近いほど小さく、帯状基材側の面から遠いほど大きくなっていることを確認した。
【符号の説明】
【０２９６】
Ａ１１〜Ａ１６：帯状基材
Ａ１００：ラビング装置
Ａ１１０：フリーロール
Ａ１１Ｘ：軸
Ａ１３０：ラビングロール
Ａ１３１：ラビングロール上の位置
Ａ１３２：ラビングロール上の位置
Ａ１３Ｘ：軸
Ａ１５０：フリーロール
Ａ１５Ｘ：軸
Ａθｗ：抱き角
Ｃ１１〜Ｃ１６：帯状基材
Ｃ１００：ラビング装置
Ｃ１１０：フリーロール
Ｃ１１Ｘ：軸
Ｃ１２０：浮上搬送装置
Ｃ１２１：浮上搬送装置上の位置
Ｃ１２２：浮上搬送装置上の位置
Ｃ１２３：搬送部
Ｃ１２３Ｓ：搬送面
Ｃ１２４：空気導入部
Ｃ１２Ｘ：軸
Ｃ１３０：ラビングロール
Ｃ１３１：ラビングロール上の位置
Ｃ１３２：ラビングロール上の位置
Ｃ１３Ｘ：軸
Ｃ１４０：浮上搬送装置
Ｃ１４１：浮上搬送装置上の位置
Ｃ１４２：浮上搬送装置上の位置
Ｃ１４Ｘ：軸
Ｃ１５０：フリーロール
Ｃ１５Ｘ：軸
Ｃθｗ１３：抱き角
Ｃθｗ１２：帯状基材の回転角度
Ｃθｗ１４：帯状基材の回転角度
【図１】
2020166059.tif 000029
【図２】
2020166059.tif 000030
【図３】
2020166059.tif 000031
【図４】
2020166059.tif 000032
【図５】
2020166059.tif 000033
【図６】
2020166059.tif 000034
【図７】
2020166059.tif 000035
【図８】
2020166059.tif 000036
【図９】
2020166059.tif 000037
【図１０】
2020166059.tif 000038
【図１１】
2020166059.tif 000039
【図１２】
2020166059.tif 000040