(57)【要約】      （修正有）【課題】インピーダンスが制御される行導体を有するマトリクスアレイ検出器を提供する。【解決手段】マトリクスアレイ検出器１２は、行導体のそれぞれに接続され、且つ、対応する選択信号が低レベルである限り、検出ゾーン１０のピクセルのアレイを読み取り回路１８が読み取るフェーズにおいて各行導体のインピーダンスを下げ、且つ、各行導体のインピーダンスを低く保つように構成されるインピーダンスモジュール２２を更に含む。インピーダンスモジュールは、ドライバモジュール１６から切り離されている。【選択図】図２
2020102847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクスアレイ検出器であって、
・物理的効果に感応し、且つ行及び下への列に沿ってマトリクス内に配置されるピクセル（Ｐ）のアレイ（１０）であって、各ピクセル（Ｐ）は、前記物理的効果に応じて信号を生成する、ピクセル（Ｐ）のアレイ（１０）、
・１つの行の前記ピクセル（Ｐ）が駆動されることをそれぞれ可能にする行導体（Ｌ）、
・前記行導体（Ｌ）に選択信号（ＶＧ）を送出するドライバモジュール（１６）であって、２つのレベル、前記ピクセル行の１つが選択されることを可能にする高レベル（ＶＧｏｎ）である一方及びそれが選択されることを可能にしない低レベル（ＶＧｏｆｆ）である他方の何れかに従って信号を送出するように構成されるドライバモジュール（１６）
を含むマトリクスアレイ検出器において、前記行導体（Ｌ）のそれぞれに接続され、且つ前記対応する選択信号（ＶＧ）が前記低レベル（ＶＧｏｆｆ）である限り、前記ピクセル（Ｐ）のアレイ（１０）を読み取るフェーズにおいて各行導体（Ｌ）のインピーダンスを下げ、且つ各行導体（Ｌ）の前記インピーダンスを低く保つように構成されるインピーダンスモジュール（２２）を更に含み、前記インピーダンスモジュール（２２）は、前記ドライバモジュール（１６）から切り離されていることを特徴とするマトリクスアレイ検出器。
【請求項２】
各行導体（Ｌ）は、２つの端を有することと、前記ドライバモジュール（１６）は、前記端の第１のものにおいて前記行導体（Ｌ）に接続されることと、前記インピーダンスモジュール（２２）は、前記端の第２のものにおいて前記行導体（Ｌ）のそれぞれに接続されることとを特徴とする、請求項１に記載のマトリクスアレイ検出器。
【請求項３】
前記ピクセル（Ｐ）のアレイ（１０）、前記ドライバモジュール（１６）及び前記インピーダンスモジュール（２２）は、同じ基板（１４）上に形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のマトリクスアレイ検出器。
【請求項４】
前記インピーダンスモジュール（２２）は、前記行（Ｌ）が選択されない場合、前記対応する行を、前記選択信号の前記低レベル（ＶＧｏｆｆ）に対応する電圧源（Ｖｏｆｆ）に接続することができるトランジスタ（Ｔ１）をそれぞれ含み、従って前記トランジスタ（Ｔ１）を通して前記行（Ｌ）の前記インピーダンスを下げることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載のマトリクスアレイ検出器。
【請求項５】
前記ピクセル（Ｐ）のアレイ（１０）、前記ドライバモジュール（１６）及び前記インピーダンスモジュール（２２）は、薄膜トランジスタを含むことを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載のマトリクスアレイ検出器。
【請求項６】
行導体（Ｌ）ごとに２つのインピーダンスモジュール（２２ａ、２２ｂ）を含み、前記２つのインピーダンスモジュール（２２ａ、２２ｂ）は、交互に使用され得ることを特徴とする、請求項５に記載の検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリクスアレイ検出器に関する。本発明は、可視画像の作成において有用であるが、その分野に限定されない。例えば、化学ポテンシャル又は電位の圧力若しくは温度マップ又は二次元表現を作成することができる。これらのマップ又は表現は、物理量の画像を形成する。本発明は、とりわけ、例えばＴＦＴプレート等の電離放射線、例えばＸ線を使用する撮像装置における検出目的で使用されるアクティブマトリクスアレイ検出器に適用され、ここで、ＴＦＴは、「薄膜トランジスタ」の略である。
【背景技術】
【０００２】
マトリクスアレイ検出器では、ピクセルが検出器の基本的な感応素子を表す。各ピクセルは、それが影響下にある物理的効果を電気信号に変換する。画像を形成するために処理及び記憶することができるように、様々なピクセルからの電気信号がマトリクスアレイ読取フェーズ内で収集され、その後、デジタル化される。ピクセルは、物理的効果に感応するゾーンによって形成され、例えば電荷電流を送出する。物理的効果は、光子のストリームを運ぶ電磁放射であり得、従って、本発明は、この種の放射によって説明され、電荷電流は、感応ゾーンによって受光される光子のストリームに依存する。いかなるマトリクスアレイ検出器への汎用化も簡単である。
【０００３】
マトリクスアレイ画像検出器は、同一行のピクセルをそれぞれ接続する行導体及び同一列のピクセルをそれぞれ接続する列導体を含む。列導体は、「列のフット」と呼ばれ得るマトリクスアレイの端に概して配置されるコンバータ回路に接続される。
【０００４】
各ピクセルは、例えば、フォトダイオード、フォトレジスタ又はフォトトランジスタであり得る感光素子又は光検出器を概して含む。行及び列において配置される数百万のピクセルを有し得る大規模な感光マトリクスアレイがある。各ピクセルは、例えば、スイッチ、コンデンサ及び抵抗で構成される電子回路で更に構成され、その下流にアクチュエータがある。感光素子及び電子回路で構成されるアセンブリは、電荷が生成及び収集されることを可能にする。電子回路は、各ピクセル内で収集される電荷を電荷転送後にリセットすることを概して可能にする。アクチュエータの役割は、回路によって収集される電荷を列導体内に転送又はコピーすることである。この転送は、かかる転送を行うための命令をアクチュエータが行導体から受信するときに行われる。アクチュエータの出力は、ピクセルの出力に対応する。「行導体」及び「列導体」という用語は、完全に任意である。当然ながら、これらの用語を逆にすることもできる。
【０００５】
この種の検出器では、ピクセルは、２つのフェーズ：ピクセルの電子回路が、感光素子によって生成される電荷を蓄積する画像捕捉フェーズ及び収集された電荷がアクチュエータによって列導体内に転送又はコピーされる読取フェーズで動作する。
【０００６】
読取フェーズでは、読取命令は、行導体によってマトリクスアレイの同一行のアクチュエータの全てに伝送される。この行内のピクセルのそれぞれは、関連する列導体にその電気情報、例えば電荷、電圧、電流、周波数等を転送することによって読み取られる。
【０００７】
１つの画像フレームでは、フレーム持続時間のごく一部に対応する行選択時間にわたってマトリクスアレイの行を走査する方向にピクセル行を順に連続して選択することができ、検討中の行のピクセルに適切な信号、例えば電圧を印加できるようにする。従って、行を選択することは、対応するピクセル行の切替装置のオン状態を制御する高レベル信号を、対応する行選択時間にわたって適用することに対応する。行選択時間外では、適切な低レベル信号を適用することによって切替装置をオフ状態に保つ。例えば、切替装置がトランジスタであり、適用すべき信号が電圧である場合、高レベル、従ってスイッチングトランジスタのオン状態に対応する電圧を示すためにＶＧｏｎを使用し、低レベル及びスイッチングトランジスタのオフ状態に対応する電圧を示すためにＶＧｏｆｆを使用することが慣例である。
【０００８】
行は、１つ又は複数のシフトレジスタを直列に含む制御回路によって制御することができ、シフトレジスタのそれぞれは、複数のカスケードステージを含み、各ステージは、行選択操作、例えば垂直走査の順序付けに応じてマトリクスアレイの対応する行のピクセルのためのアクチュエータに適用される高レベルの信号及び低レベルの信号を切り替えるのに適している。制御回路は、集積回路によって実装することができ、同一の集積回路が例えばマトリクスアレイ内の複数の行のための複数の制御回路を有することができる。集積回路は、例えば、マトリクスアレイの外部にあり得、有線手段、例えば可撓リボンケーブルによってマトリクスアレイに接続され得る。本出願人によって出願された国際公開第２０１２／１５２８３６号パンフレットに記載されているように、制御回路は、ピクセルを載せるプレート上に設置することもできる。
【０００９】
これにより、プレートに適用される信号の数、従ってプレートをその周囲の電子機器に接続するために使用される可撓コネクタのサイズ及び数を減らせるようになる。この集積制御回路アーキテクチャは、コンポーネントの数を減らし、製造プロセスを簡素化することで検出器のアーキテクチャの顕著な簡素化を構成する。しかし、国際公開第２０１２／１５２８３６号パンフレットに記載されている回路は、全ての未選択行を「高インピーダンス」状態のままにするという欠点を有する。とりわけ、マトリクスアレイ読取サイクル中、制御回路は、電圧ＶＧｏｎ及びＶＧｏｆｆを行に連続して適用し、外部干渉が発生する際にその電位が維持又は安定化されることを保証することなく、それらの行をレベルＶＧｏｆｆのままにする。従って、隣接する行及び列の電圧の変化は、高インピーダンス状態においてレベルＶＧｏｆｆのままの行と、読取サイクル中にその電位が変化する隣接要素との間の静電結合によるクロストーク効果を引き起こし得る。ピクセルを載せるプレート上に制御回路を組み込むことは、クロストークを増加させ、検出器からの画質を低下させる傾向がある。
【００１０】
行導体の「高インピーダンス」状態は、行が壊れている場合にも干渉を引き起こす。より詳細には、大規模なマトリクスアレイでは、一定の製造欠陥を受容することが可能であり、幾つかのピクセル行が機能しない原因になる。例えば、制御回路の１つが機能していない場合、１つの行が壊れている可能性がある。隣接する壊れていない行から外挿することにより、画像を補正することができる。但し、壊れた行が隣接行と干渉する場合がある。この干渉は、行の一部がアドレス指定されず、読取フェーズ全体を通して高インピーダンス状態に永続的に留まることに関係する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１５２８３６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、行導体が高インピーダンス状態に留まることを防ぐマトリクスアレイ検出器を提供することにより、上述の問題の全て又は一部を克服することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そのために、本発明の１つの主題は、マトリクスアレイ検出器であって、
・物理的効果に感応し、且つ行及び下への列に沿ってマトリクス内に配置されるピクセルのアレイであって、各ピクセルは、物理的効果に応じて信号を生成する、ピクセルのアレイ、
・１つの行のピクセルが駆動されることをそれぞれ可能にする行導体、
・行導体に選択信号を送出するドライバモジュールであって、２つのレベル、ピクセル行の１つが選択されることを可能にする高レベルである一方及びそれが選択されることを可能にしない低レベルである他方の何れかに従って信号を送出するように構成されるドライバモジュール
を含むマトリクスアレイ検出器である。
【００１４】
本発明によれば、この装置は、行導体のそれぞれに接続され、且つ対応する選択信号が低レベルである限り、ピクセルのアレイを読み取るフェーズにおいて各行導体のインピーダンスを下げ、且つ各行導体のインピーダンスを低く保つように構成されるインピーダンスモジュールを更に含み、インピーダンスモジュールは、ドライバモジュールから切り離されている。
【００１５】
各行導体は、２つの端を有する。ドライバモジュールは、端の第１のものにおいて行導体に接続され、及びインピーダンスモジュールは、有利には、端の第２のものにおいて行導体のそれぞれに接続される。
【００１６】
ピクセルのアレイ、ドライバモジュール及びインピーダンスモジュールは、有利には、同じ基板上に形成される。
【００１７】
インピーダンスモジュールは、有利には、行が選択されない場合、対応する行を、選択信号の低レベルに対応する電圧源に接続することができるトランジスタをそれぞれ含み、従ってトランジスタを通して行のインピーダンスを下げる。
【００１８】
ピクセルのアレイ、ドライバモジュール及びインピーダンスモジュールは、有利には、薄膜トランジスタを含む。
【００１９】
検出器は、有利には、行導体ごとに２つのインピーダンスモジュールを含み、２つのインピーダンスモジュールは、交互に使用され得る。
【００２０】
例として与える一実施形態についての詳細な説明を読むとき、本発明がよりよく理解され、更なる利点が明らかになり、添付図面によってその説明を示す。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明による検出器に使用され得るピクセルの例示的なマトリクスアレイを示す。
【図２】本発明による例示的な検出器を示す。
【図３】検出器の行導体が壊れている場合の本発明の１つの利点を示す。
【図４】本発明による検出器に使用され得る例示的なインピーダンスモジュールを示す。
【図５】図４のインピーダンスモジュールの動作をタイミング図の形式で示す。
【図６】本発明による検出器に使用され得る改変形態のインピーダンスモジュールを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
簡潔にするために、同じ要素は、様々な図面内で同じ参照指示を有する。
【００２３】
以下の説明は、物理量に感応する素子をそれぞれ含む、ピクセルと呼ばれる複数の基本的な電子回路を含むマトリクスアレイ検出器に関して提供される。基本的な電子回路は、記載する例では、光放射に感応するピクセルである。本発明は、例えば、圧力又は温度マップを作成できるようにする、任意の形式の物理量に感応する他の検出器に使用できることが明白である。
【００２４】
図１は、マトリクスアレイ検出器の検出ゾーン１０を概略的に示す。理解を促進するため、このゾーンは、２つの行及び２つの列のマトリクスを含む。それぞれ１つの行と１つの列との交差において４つのピクセルＰが形成される。当然ながら、実際のマトリクスアレイは、一般的にはるかに大きく、多数の行及び列を特徴として備える。ピクセルのマトリクスアレイは、デジタル化された画像の作成を可能にするマトリクスアレイ検出器１２に属する。
【００２５】
各ピクセルＰは、ここではフォトダイオードＤで示す感光ゾーンと、図１の例において単一のトランジスタＴによって形成される電子処理回路とを含む。コンポーネントＤ及びＴの参照指示の後には、行ｉ及びｉ＋１のそれぞれのランク並びに列ｊ及びｊ＋１のそれぞれのランクを明示する２つの座標が続く。図示のピクセルは、その機能について以下で更に説明する１つのトランジスタをそれぞれ保持するため、１Ｔピクセルとしても知られる。
【００２６】
概して、「薄膜トランジスタ」のＴＦＴとして知られる薄膜電界効果トランジスタを含むピクセルのマトリクスアレイを作ることが慣例である。ＴＦＴは、例えば、ＩＧＺＯの略称で知られている非晶質又は結晶質の酸化インジウム、酸化ガリウム及び酸化亜鉛に基づくトランジスタ等の金属酸化物に基づき得る。例えば、有機ＴＦＴ、非晶質シリコンＴＦＴ、多結晶シリコンＴＦＴ等、他のＴＦＴファミリを使用することができる。この最後の種類のＴＦＴでは、一部が低温で合成されている。それらは、「低温多結晶シリコン」の頭文字ＬＴＰＳで知られている。
【００２７】
本発明は、この種のトランジスタに限定されない。例えば、本発明は、ＣＭＯＳトランジスタを含むマトリクスアレイに使用することができ、ここで、ＣＭＯＳは、「相補金属酸化物半導体」を表す。
【００２８】
同一列のピクセルＰは、列導体Ｃｏｌに接続される。この導体は、それに接続されるピクセルからの情報収集を可能にする。同一行のピクセルＰは、対応するピクセル行を制御することを可能にする信号ＶＧを運ぶ行導体Ｌに接続される。
【００２９】
リセット操作後に行われる画像捕捉フェーズでは、フォトダイオードＤによって受光される照明は、その陰極の電位を低下させる。この画像捕捉フェーズ後、フォトダイオードＤの電位を読み取る読取フェーズが続く。これを行うためにトランジスタＴがオンにされ、従って、トランジスタＴは、そのゲートに適用される制御信号ＶＧによって制御されるスイッチとしての役割を果たす。
【００３０】
列導体Ｃｏｌは、信号ＶＧによって選択される場合、対応する列内のピクセルから情報を収集するために使用される。
【００３１】
とりわけ、トランジスタＴを、信号ＶＧによってオンにされる単純なダイオードで置換することにより、ピクセルがより単純である検出器において本発明を実装することができる。ピクセルが複数のトランジスタを含む検出器において本発明を実装することもできる。具体的には、上述の読取トランジスタに加えて、フォトダイオードのためのリセットトランジスタ及びフォロワトランジスタを含む３Ｔピクセルを使用することが既知の慣習である。この種の３Ｔピクセルでは、リセットトランジスタを制御できるようにするリセット信号を第２の行導体が搬送する。
【００３２】
図２は、全体的な検出器１２を概略的に示す。検出器１２は、検出ゾーン１０のコンポーネントがその上に作られる基板を形成するプレート１４を含む。この同じプレート１４上に、行導体Ｌの全てに制御信号を送出するドライバモジュール１６も配置される。ドライバモジュール１６は、制御信号の生成を可能にするシフトレジスタの例を含む。代わりに、ドライバモジュール１６は、プレート１４と別の基板上に作られ得る。しかし、ピクセルＰと同じ基板上にドライバモジュール１６を作ることは、プレート１４をその周囲に接続する接続を限定することを可能にする。
【００３３】
検出器１２は、列導体Ｃｏｌに接続される読取回路１８を含む。読取回路１８は、概してプレート１４と別の基板上に作られる。読取回路１８は、リボンケーブルによってプレート１４に接続される。
【００３４】
検出器１２は、ドライバモジュール１６を駆動できるようにし、且つとりわけ読取回路１８からの信号を多重化するために取得できるようにする回路２０を含む。
【００３５】
本発明によれば、検出器１２は、行導体Ｌのそれぞれに接続されるインピーダンスモジュール２２を含む。ドライバモジュール１６と同様に、プレート１４への外部接続を限定するため、インピーダンスモジュール２２は、有利にはプレート１４上に作られる。
【００３６】
本発明は、ピクセル行ごとに１つの導体Ｌのみを有する１Ｔピクセルのマトリクスアレイに関して説明される。本発明は、とりわけ３Ｔピクセルで形成され、ピクセル行ごとに複数の制御導体を有するマトリクスアレイに関して実装することもできる。この場合、インピーダンスモジュールは、行導体の全てに関連し得る。
【００３７】
読取トランジスタＴを駆動するために、ドライバモジュール１６は、ピクセル行の読み取りを可能にする高レベル及び行の読み取りを可能にしない低レベルを含むバイナリ信号を生成する。「高レベル」及び「低レベル」という用語は、完全に任意であり、行導体に印加される電圧を区別するために使用されるに過ぎない。当然ながら、これらの用語は、逆にすることができる。ドライバモジュール１６は、トランジスタ等のコンポーネントを使用し、高レベルが行Ｌに適用される場合、行Ｌは、低レベルが行Ｌに適用される場合よりも低いインピーダンスを示す。上記で述べたように、高レベルインピーダンスは、行上の電位の局所的な変動につながり得る。これらの変動は、検出器１２からの画像内の干渉源であり得る。
【００３８】
インピーダンスモジュール２２は、低レベル信号の伝送中に行導体Ｌのインピーダンスを下げるように構成される。より詳細には、各行ｉについて、対応するドライバモジュール１６が低レベルで行選択信号を伝送している限り、インピーダンスモジュール２２は、対応する行を低インピーダンスに保つ。インピーダンスモジュール２２は、ドライバモジュールから切り離されている。
【００３９】
インピーダンスモジュール２２は、有利には、ドライバモジュール１６によって占有されるのと反対側に配置される。換言すれば、各行導体Ｌは、２つの端を有する。ドライバモジュール１６は、端の第１のものにおいて行導体Ｌに接続され、及びインピーダンスモジュール２２は、端の第２のものにおいて行導体のそれぞれに接続される。
【００４０】
図３は、この構成及びかかる構成の利点を示す。より詳細には、図３は、ピクセルＰの６つの行及び８つの列を含む検出器を示す。ピクセルＰが配置される検出ゾーン１０の左側の部分にドライバモジュール１６が位置し、右側の部分にインピーダンスモジュール２２が位置する。検出器の製造中又は使用中に行Ｌの破損が生じることがある。
【００４１】
これらの破損は、製造欠陥の場合に意図されないものであるか、又は欠陥を修復するために使用される場合若しくは検出器１２からの全体的な画質への破損の影響を最小限に抑えるために使用される場合に意図的であり得る。図３に３つの破損を示す。第１の破損２４は、ドライバモジュール１６と検出ゾーン１０との間で第１の行上に生じる。破損２６及び２８は、検出ゾーン１０内で生じる。
【００４２】
インピーダンスモジュール２２がない場合、ドライバモジュール１６と反対の破損行部分が電気的に浮遊し、その電位が固定されない。この浮遊部分の電位は、従って、静電結合によって隣接する行、列及びピクセルの電位と干渉し、その結果、検出器からの画質に悪影響を与える可能性がある。ドライバモジュール１６の反対側にインピーダンスモジュール２２を配置した状態では、ドライバモジュール１６から隔離された行部分がもはや浮遊せず、その電位は、インピーダンスモジュール２２によって決定される値、例えば行選択がないことに対応する値に固定される。これは、それらの浮遊部分とピクセルの行、列等の近くの要素との間の結合のリスクに起因するアーティファクトを減らすことによる、検出器からの画質の改善をもたらす。その結果、破損行内のピクセルは、行導体に関連するドライバモジュール１６によって駆動されるか、又は行沿いの破損位置に関係なく同じく行に関連するインピーダンスモジュール２２によって低インピーダンスに設定される。
【００４３】
図２は、ピクセルに加えて、ドライバモジュール１６及びインピーダンスモジュール２２がその上に組み込まれるプレート１４を含む検出器における本発明の実装を示す。かかるレベルの統合は、ピクセルＰ並びにドライバモジュール１６及びインピーダンスモジュール２２の両方で同じトランジスタ技術を使用することを要求する。
【００４４】
ドライバモジュール１６がプレート１４上に組み込まれていない場合にも本発明を実装することができる。この改変形態では、異なるトランジスタ技術を使用し、２つの信号レベルＶＧｏｎ及びＶＧｏｆｆについて低インピーダンス保持機能を含むドライバモジュール１６を作ることができる。この改変形態は、多数のピクセルを特徴として備える検出器でよく起こる破損行のインピーダンスを安定させることに関心がある。
【００４５】
図２では、インピーダンスモジュール２２は、ドライバモジュール１６によって占有されるのと反対側に配置される。代わりに、インピーダンスモジュール２２は、ドライバモジュール１６の近傍、即ち検出ゾーン１０の同じ側、より詳細にはドライバモジュール１６と検出ゾーン１０との間に位置することができる。この構成は、ドライバコンポーネント及びインピーダンスコンポーネントの全てを検出器１２の同一端に集める利点を有する。破損行のインピーダンスを保つことに関係する利点は失われる。しかし、マンモグラフィ又は非破壊試験等の一定の応用では、ドライバモジュール１６から最も離れた最後のピクセル列を検出器１２の外縁にできるだけ近く配置することが有利であり得る。
【００４６】
図４は、３つの薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２及びＴ３に基づいて形成されるインピーダンスモジュール２２の一例を示す。トランジスタＴ１のドレインが行Ｌに接続され、そのソースは、信号ＶＧの低レベルＶＧｏｆｆに対応する電圧源Ｖｏｆｆに接続される。
【００４７】
検出器の読取フェーズでは、ドライバモジュール１６は、行Ｌが選択される場合には高レベルＶＧｏｎで、又は行Ｌが選択されない場合には低レベルＶＧｏｆｆで行Ｌに信号ＶＧを適用する。ドライバモジュール１６は、特にプレート１４上に形成される場合、信号ＶＧを適用するための薄膜トランジスタを使用することもできる。高レベルＶＧｏｎは、トランジスタによって適用され、行Ｌを低インピーダンスに置くのに対し、低レベルＶＧｏｆｆは、その同じトランジスタをオフにすることによって適用され、行Ｌを高インピーダンスに置く。
【００４８】
インピーダンスモジュール２２は、行Ｌが選択されない場合、行Ｌを電圧Ｖｏｆｆに接続し、それによりトランジスタＴ１によって行導体Ｌのインピーダンスを下げる。
【００４９】
トランジスタＴ２及びＴ３は、トランジスタＴ１が駆動されることを可能にする。トランジスタＴ２及びＴ３のドレインは、トランジスタＴ１のゲートに接続され、インピーダンスモジュール２２内でノードＡを形成する。行Ｌは、トランジスタＴ２のゲートに接続される。トランジスタＴ２のソースは、電圧源Ｖｏｆｆに接続される。トランジスタＴ３のソースは、ノードＡのレベルを設定することを可能にするコマンドＬＺＡに接続される。トランジスタＴ３のゲートは、ノードＡをコマンドＬＺＡに接続することを可能にするコマンドＣＭＤＬＺに接続される。
【００５０】
図５は、インピーダンスモジュール２２の動作をタイミング図の形式で示す。ｉ−２〜ｉ＋２の５つの連続した行のための行選択信号ＶＧを示す。信号ＶＧ（ｉ−２）は、時点ｔ０と時点ｔ１との間で高レベルＶＧｏｎである。時点ｔ１後、信号ＶＧ（ｉ−２）は、低レベルＶＧｏｆｆである。同様に、その後の行を順に選択する。信号ＶＧ（ｉ−１）は、時点ｔ２と時点ｔ３との間で高レベルＶＧｏｎである。信号ＶＧ（ｉ）は、時点ｔ４と時点ｔ５との間で高レベルＶＧｏｎである。信号ＶＧ（ｉ＋１）は、時点ｔ６と時点ｔ７との間で高レベルＶＧｏｎである。最後に、信号ＶＧ（ｉ＋２）は、時点ｔ８と時点ｔ９との間で高レベルＶＧｏｎである。信号ＣＭＤＬＺは、各行Ｌの選択前、具体的には行ｉでは時点ｔ３と時点ｔ４との間で短い持続時間にわたって高レベルに遷移する。読取フェーズにわたり、即ち時点ｔ０と時点ｔ１１との間、信号ＬＺＡは、高レベルである。図示の例の時点ｔ１１後の読取フェーズ外では、信号ＬＺＡは、低レベルである。
【００５１】
行ｉが選択されない場合、ノードＡは、高い状態のままであり、トランジスタＴ１は、オンであり、インピーダンスモジュール２２は、行導体Ｌ（ｉ）を低インピーダンスに保ち、それは、電圧Ｖｏｆｆに留まる。
【００５２】
信号ＣＭＤＬＺが行ｉの選択前に時点ｔ３と時点ｔ４との間で高レベルに遷移すると、トランジスタＴ３がオフになり、それによりノードＡを高インピーダンスに置く。
【００５３】
行ｉが選択される場合、電圧ＶＧｏｎが行導体Ｌ（ｉ）に印加され、それによりトランジスタＴ２がオンになり、ノードＡを低レベルに落とす。トランジスタＴ１は、時点ｔ４と時点ｔ５との間でオフになる。インピーダンスモジュール２２は、行導体Ｌ（ｉ）のインピーダンスをそれ以上修正しない。
【００５４】
信号ＣＭＤＬＺは、行の全てに共通であり得、各行選択前に高ベルに上昇し得る。行のトランジスタＴ１をオフにすることは、対象の行の導体が高状態の信号ＶＧを受信する場合にのみ効力を生じる。
【００５５】
読取フェーズが終了すると、時点ｔ１１後、検出器の取得フェーズにおいて、信号ＬＺＡは、低レベルに保たれる。時点ｔ１１と時点ｔ１２との間の高レベルによる信号ＣＭＤＬＺの最後の遷移は、低レベルであるノードＡを高インピーダンスに置くことを可能にし、これは、３つのトランジスタＴ１、Ｔ２及びＴ３を電圧Ｖｏｆｆに置くことを可能にする。
【００５６】
上記で見たように、プレート１４からその周囲への接続を限定するために、ピクセルＰのアセンブリ１０、ドライバモジュール１６及びインピーダンスモジュール２２を同じプレート１４上に作ることが有利である。図４の例示的なインピーダンスモジュール２２では、ピクセル行ごとに１つのモジュールが必要である。インピーダンスモジュール２２の全てが回路２０によって駆動され得る。従って、インピーダンスモジュール２２の全てを駆動させるには、３つの信号Ｖｏｆｆ、ＣＭＤＬＺ及びＬＺＡのみが回路２０を通過してプレート１４に至る必要があり、これは、プレート１４からの接続を簡素化する。
【００５７】
１つのトランジスタ技術、とりわけＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のみを使用することにより、ピクセル並びに２種類のモジュール１６及び２２が同一プレート１４上に有利に作られる。ガラスプレート上に作られるＴＦＴは、長時間にわたってオン状態に留まることが困難である。これは、ＴＦＴの閾値電圧のドリフト、従って検出器の早期老化につながる。この理由から、読取フェーズ外ではトランジスタを電圧Ｖｏｆｆに置く。Ｘ線画像化に検出器を使用する場合、検出器のピクセルの全てを読み取るフェーズは、検出器の耐用寿命の約１％又は更により少ない比率を占める。この比率は、ＴＦＴを切り替えることによって検出器の早期老化を防ぐのに十分であり得る。
【００５８】
インピーダンスモジュール２２の数を２倍にすることにより、ＴＦＴの利用率を更に下げることができる。図６は、２つのインピーダンスモジュール２２ａ及び２２ｂが同一の行導体Ｌに接続される一例を示す。２つのモジュール２２ａ及び２２ｂは、交互に使用される。例えば、モジュール２２ａは、１つの画像の読み取りに使用され、モジュール２２ｂは、次の画像の読み取りに使用される。この実施形態は、トランジスタがオン状態にある時間を２で除算することを可能にする。こうして検出器の耐用寿命が呼応して延びる。
【００５９】
図４及び図６に示すインピーダンスモジュール２２は、検出ゾーン１０と同じＴＦＴプレート上に作るのによく適している。当然ながら、他のトランジスタ技術を用いて本発明を実装するか、又は検出ゾーン１０及びインピーダンスモジュール２２を異なるプレート上に作ることもできる。
【００６０】
インピーダンスモジュール２２は、例えば、信号ＣＭＤＬＺ、信号ＶＧ及び場合により信号ＬＺＡを受信するＡＮＤ論理ゲートを使用して作ることができる。対応する行を低インピーダンスに置く操作の終了を制御するインピーダンスモジュール２２の出力は、信号ＶＧが高レベルである場合及び信号ＣＭＤＬＺが低レベルである場合に得られる。例えば、シフトレジスタを使用することによって等、インピーダンスモジュール２２を作ることができる他の方法も当然ながら可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１０  検出ゾーン
１２  マトリクスアレイ検出器
１４  プレート
１６  ドライバモジュール
１８  読取回路
２０  回路
２２  インピーダンスモジュール
２４  破損
２６  破損
２８  破損
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020102847.tif 000008
【外国語明細書】
2020102847000001.pdf