(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の溝部に収容された第１部品の位置決めを簡便に行う実装基板を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０に形成され、環状の集光レンズ６０を収容する溝部２０と、を備えた実装基板１０である。溝部２０は、基板１０の上面１１と略同一角をなして相対向する第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと、基板１０の上面１１と略直交し第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａからそれぞれ下方に延びる第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂと、第１側面２１ｂと第２側面２２ｂとの間に集光レンズ６０の一部を収容する収容部２６と、を有している。【選択図】図２Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成され、環状の第１部品を収容する溝部と、を備え、
前記溝部は、
前記基板の上面と略同一角をなして相対向する第１傾斜面及び第２傾斜面と、
前記基板の上面と略直交し前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面からそれぞれ下方に延びる第１側面及び第２側面と、
前記第１側面と前記第２側面との間に前記第１部品の一部を収容する収容部と、
を有する実装基板。
【請求項２】
前記溝部は、
前記基板の上面に対し前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面と略同一角を有し、当該第１傾斜面及び当該第２傾斜面と交差する方向に形成された第３傾斜面をさらに有し、
前記第３傾斜面の上辺は前記第１傾斜面の上辺よりも下方に位置する、
請求項１に記載の実装基板。
【請求項３】
前記溝部は、
前記第１側面及び前記第２側面に連続する底面をさらに有する、
請求項１または２に記載の実装基板。
【請求項４】
前記基板は（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板である、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の実装基板。
【請求項５】
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面は前記基板を異方性ウエットエッチングにより形成されてなる、
請求項４に記載の実装基板。
【請求項６】
前記第１側面及び前記第２側面はドライエッチングにより形成されてなる、
請求項５に記載の実装基板。
【請求項７】
断面視で、前記第１部品の中心軸と前記第１傾斜面の下辺とを通る第１仮想線と、前記中心軸から前記基板の上面と平行に延びる第２仮想線とがなす角度は、３５．３°以上でかつ６２．６５°よりも小さい、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の実装基板。  
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の実装基板と、
前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面にそれぞれ当接するように前記溝部に収容された環状の光学部品と、
前記溝部と離間して前記実装基板の上面に配設された光源と、を少なくとも備えた光モジュール。
【請求項９】
前記光学部品を挟んで前記光源と反対側に配設された光ファイバをさらに備え、
前記光源から出射される出射光は前記光学部品を介して前記光ファイバに光学的に結合されている、
請求項８に記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記実装基板を覆う蓋材をさらに備え、
前記蓋材に形成された切り欠き部に前記光ファイバが位置決め固定されている、
請求項９に記載の光モジュール。
【請求項１１】
前記蓋材には前記光学部品と対応する位置に第２の切り欠き部が設けられている、
請求項１０に記載の光モジュール。
【請求項１２】
（１００）面を主面とする単結晶シリコンからなる基板を準備する基板準備工程と、
前記基板の上面に第１開口を有する第１マスクパターンを形成する第１マスクパターン形成工程と、
異方性ウエットエッチングにより、前記第１開口を通じて前記基板を第１深さまでエッチングする異方性エッチング工程と、
前記基板の上面に第２開口を有する第２マスクパターンを形成する第２マスクパターン形成工程と、
ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、前記第２開口を通じて前記基板を第２深さまでエッチングすることで前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、を少なくとも備え、
前記第２マスクパターン形成工程において、上面視で、前記第１開口と少なくとも一部が重なるように、かつ前記第１開口の互いに対向する第１辺と第２辺の内側に位置するように前記第２開口を形成する、
実装基板の製造方法。
【請求項１３】
前記異方性エッチング工程において、
異方性ウエットエッチングにより、前記第１開口を通じて相対向する第１傾斜面及び第２傾斜面と、当該第１傾斜面及び当該第２傾斜面と交差する第３傾斜面と、底面とを有するプレ溝部を形成し、
前記溝部形成工程において、
ＤＲＩＥにより、前記第２開口を通じて前記第３傾斜面および前記底面をエッチングして前記基板に溝部を形成する、
請求項１２に記載の実装基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の製造方法により製造された前記実装基板を準備する実装基板準備工程と、
前記溝部に環状の光学部品を配置する光学部品配置工程と、
前記溝部と離間して前記基板の上面に光源を配設する光源配設工程と、を少なくとも備えた光モジュールの製造方法。
【請求項１５】
所定の形状の切り欠き部が形成された蓋材を準備する蓋材準備工程と、
前記切り欠き部に光ファイバを配置する光ファイバ配置工程と、
前記蓋材を前記実装基板上に配置する蓋材配置工程と、
をさらに備えた請求項１４に記載の光モジュールの製造方法。
【請求項１６】
所定の形状の第１の切り欠き部および第２の切り欠き部が形成された蓋材を準備する蓋材準備工程と、
前記第１の切り欠き部に光ファイバを配置する光ファイバ配置工程と、
前記第２の切り欠き部に前記光学部品の一部が収容されるように前記蓋材を前記実装基板上に配置する蓋材配置工程と、
をさらに備えた請求項１４に記載の光モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装基板及びそれを用いた光モジュール並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、実装基板上にレーザダイオード（以下、ＬＤという）やレーザダイオードの出力モニター用のフォトダイオード（以下、ＰＤという）を実装するとともに、光ファイバ等を収容する溝部を実装基板に設けて各種部品を集積化した光モジュールが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、シリコン基板にＬＤとＰＤと光ファイバと、光ファイバとＬＤとを光学的に結合させる集光レンズとを集積化して配置した光モジュールが開示されている。また、シリコン基板の一部を異方性ウエットエッチングすることにより、各内側面が基板の上面に対して所定の角度で傾斜した傾斜面を有する溝部を形成している。この溝部に集光レンズを収容することで、集光レンズとＬＤとの高さを無調整で合わせるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４２９１９０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された従来の構成では、溝部の互いに対向する傾斜面に集光レンズの外周面を当接させることでレンズの位置決めと高さ調整を行っている。
【０００６】
しかし、この構成では、集光レンズの中心を基板の上面よりも上に位置させるために、集光レンズの直径に対して溝部の幅と深さを同時にかつ精密に制御する必要があった。
【０００７】
また、特許文献１に開示された方法で実装基板に溝部を形成するにあたって、この溝部に収容された外形が環状の部品と基板の上面に実装された別の部品との位置決めを精密に行おうとする場合にも同様の問題が生じる。
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、その目的は、外形が環状である第１部品を基板に対して簡便に位置決めして実装可能な実装基板及びそれを用いた光モジュール並びにそれらの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明に係る実装基板は、基板と、前記基板に形成され、環状の第１部品を収容する溝部と、を備え、前記溝部は、前記基板の上面と略同一角をなして相対向する第１傾斜面及び第２傾斜面と、前記基板の上面と略直交し前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面からそれぞれ下方に延びる第１側面及び第２側面と、前記第１側面と前記第２側面との間に前記第１部品の一部を収容する収容部と、を有する。
【００１０】
この構成によれば、第１傾斜面及び第２傾斜面の下方にそれぞれ設けられた第１側面及び第２側面との間に収容部を設けることで、基板の上面に対する第１部品の位置を簡便に調整することができる。また、第１傾斜面と、これに対向する第２傾斜面とで環状の第１部品を安定して支持することができる。
【００１１】
また、本発明に係る光モジュールは、上記の実装基板と、前記第１傾斜面及び前記第２傾斜面にそれぞれ当接するように前記溝部に収容された環状の光学部品と、前記溝部と離間して前記実装基板の上面に配設された光源と、を少なくとも備えている。
【００１２】
この構成によれば、基板に対して光学部品を精度良く配設できるとともに、基板の上面からの光学部品の中心軸の高さを正確に決定できる。
【００１３】
本発明に係る実装基板の製造方法は、（１００）面を主面とする単結晶シリコンからなる基板を準備する基板準備工程と、前記基板の上面に第１開口を有する第１マスクパターンを形成する第１マスクパターン形成工程と、異方性ウエットエッチングにより、前記第１開口を通じて前記基板を第１深さまでエッチングする異方性エッチング工程と、前記基板の上面に第２開口を有する第２マスクパターンを形成する第２マスクパターン形成工程と、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、前記第２開口を通じて前記基板を第２深さまでエッチングすることで前記基板に溝部を形成する溝部形成工程と、を少なくとも備え、前記第２マスクパターン形成工程において、上面視で、前記第１開口と少なくとも一部が重なるように、かつ前記第１開口の互いに対向する第１辺と第３辺の内側に位置するように前記第２開口を形成する。
【００１４】
この方法によれば、基板に第１傾斜面及び第２傾斜面を形成できるとともに、第１傾斜面と第２傾斜面とを残しつつ、溝部を深くすることができる。このことにより、基板の上面からの光学部品の中心軸の高さを精度良く調整できるとともに、光学部品を溝部に確実に収容することができる。
【００１５】
本発明に係る光モジュールの製造方法は、上記の製造方法により製造された前記実装基板を準備する実装基板準備工程と、前記溝部に環状の光学部品を配置する光学部品配置工程と、前記溝部と離間して前記基板の上面に光源を配設する光源配設工程と、を少なくとも備えている。
【００１６】
この方法によれば、基板の上面を基準位置とした光源と光学部品の中心軸との高さ関係を精度良く調整できる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の実装基板によれば、基板の上面に対する第１部品の位置を簡便に調整することができ、また、溝部に第１部品を安定して支持することができる。また、本発明の光モジュールによれば、基板に対して光学部品を精度良く配設できるとともに、基板の上面からの光学部品の中心軸の高さを正確に決定できる。本発明の実装基板の製造方法によれば、光学部品を溝部に確実に配設することができる。また、本発明の光モジュールの製造方法によれば、基板の上面を基準位置とした光源と光学部品の中心軸との高さ関係を精度良く調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態１に係る光モジュールの斜視図である。
【図２Ａ】実装基板に形成された溝部の上面図である。
【図２Ｂ】実装基板に形成された溝部の斜視図である。
【図２Ｃ】図２ＡのＩＩＣ−ＩＩＣ線での断面模式図である。
【図２Ｄ】図２ＡのＩＩＤ−ＩＩＤ線での断面模式図である。
【図３】実施形態１に係る実装基板の製造過程の一説明図である。（第１マスクパターン）
【図４】図３に示す工程の続きを示す説明図である。（異方性ウエットエッチ）
【図５】図４に示す工程の続きを示す説明図である。（第２マスクパターン）
【図６Ａ】実施形態１に係る光モジュールの製造過程の一説明図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す工程の続きを示す説明図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに示す工程の続きを示す説明図である。
【図７】溝部と集光レンズとの配置関係の一例を示す断面模式図である。
【図８】比較のための溝部の模式図である。
【図９】本発明の実施形態２に係る光モジュールの分解斜視図である。
【図１０】リッドの側面図である。
【図１１Ａ】実施形態２に係る光モジュールの製造過程の一説明図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａに示す工程の続きを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものでは全くない。
【００２０】
（実施形態１）
［光モジュールの構成］
図１は、本実施形態に係る光モジュールの斜視図を示す。光モジュール１００は、実装基板１０に集光レンズ６０と光アイソレータ６１とＬＤ６２とＰＤ６３と光ファイバ８０とが実装された集積化モジュールである。なお、以降の説明において、実装基板１０の厚み方向をＺ方向と、ＬＤ６２から出射されたレーザ光ＬＢの進行方向をＸ方向と、Ｘ方向及びＺ方向にそれぞれ直交する方向をＹ方向と呼ぶことがある。また、Ｚ方向において、実装基板１０にＬＤ６２やＰＤ６３が配設された側を上または上側と呼び、その反対側を下または下側と呼ぶことがある。また、Ｘ方向において、ＬＤ６２から見て集光レンズ６０が配設された側を前または前方と呼び、その反対側のＰＤ６３が配設された側を後または後方と呼ぶことがある。
【００２１】
実装基板１０は、（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板からなり、実装基板１０の上面１１には絶縁層４０（図３〜５参照）が形成されている。なお、以降の説明において、実装基板１０を単に基板１０と呼ぶことがある。また、実装基板１０の上面１１を単に上面１１と呼ぶことがある。また、絶縁層４０の上には表面配線７０，７１が形成されており、ＬＤ６２の一方の電極と表面配線７０とが、ＰＤ６３の一方の電極と表面配線７１とが互いに電気的に接続されている。また、ＬＤ６２の他方の電極にはワイヤ７２が、ＰＤ６３の他方の電極にはワイヤ７３がそれぞれ接続されている。なお、表面配線７０，７１にはそれぞれ外部電源（図示せず）と接続するワイヤ（図示せず）が取付けられている。また、上面１１には、ＬＤ６２のＸ方向前方に溝部２０が、さらに溝部２０のＸ方向前方に凹部３０がそれぞれ形成されている。溝部２０内に集光レンズ６０が、凹部３０内に光アイソレータ６１がそれぞれ収容されている。溝部２０の形状については後で詳述する。なお、溝部２０及び凹部３０の内部に前述した絶縁層４０が形成されていてもよい。
【００２２】
表面配線７０とワイヤ７２との間に外部から所定の電圧を印加することで、ＬＤ６２の前端面から所定の波長のレーザ光ＬＢが出射される。出射されたレーザ光ＬＢは、前方に位置する集光レンズ６０に入射され、所定のビーム径となるように集光される。また、光ファイバ８０は、集光レンズ６０で集光され、光アイソレータ６１を通過したレーザ光ＬＢが、光ファイバ８０の光導波路であるコア内（図示せず）に入射されるように基板１０に位置決め固定されている。ＰＤ６３は、ＬＤ６２の後方に位置し、ＬＤ６２の後端面から出射されるレーザ光を受光し、その受光信号に基づいて、ＬＤ６２の前端面から出射されるレーザ光ＬＢの出力をモニターするように構成されている。また、図示しないが、ＰＤ６３で発生した受光信号に基づいて、レーザ光ＬＢの出力が一定となるようにＬＤ６２に印加される電圧を制御するドライバＩＣが基板１０に実装されていてもよい。
【００２３】
集光レンズ６０は、円筒状のホルダ（図示せず）の内部に光学レンズ（図示せず）が保持された、外形が円環状の光学部品である。集光レンズ６０は基板１０に形成された溝部２０に位置決めされて収容されている。また、集光レンズ６０の中心を通りＸ方向に延びる軸である集光レンズ６０の中心軸とレーザ光ＬＢの光軸とが略一致するように、また、Ｘ方向から見て集光レンズ６０の中心軸と光ファイバ８０の中心とが略一致するように、ＬＤ６２と集光レンズ６０と光ファイバ８０とがそれぞれ位置決めされた上で基板１０に配設される。なお、本願明細書において、「略一致」とは、各部品、部材の寸法や結晶軸方向等に関する加工公差や組立公差を含んで一致することを意味している。また、「略直交」とは、上記と同様の加工公差や組立公差を含んで直交することを意味している。「略等しい」または「略同一」とは、上記と同様の加工公差や組立公差を含んで等しいまたは同一であることを意味している。「略平行」とは、上記と同様の加工公差や組立公差を含んで並行であることを意味している。いずれの場合も厳密に一致または直交する、あるいは厳密に等しいまたは同一である、厳密に平行であるという意味に限定されるべきものではない。
【００２４】
光モジュール１００は、例えば、光ファイバ通信システムの光源として用いられる。ＬＤ６２から出射されたレーザ光ＬＢは、集光レンズ６０と光アイソレータ６１とを介して光ファイバ８０に光学的に結合され、光ファイバ８０に入射されたレーザ光ＬＢは光ファイバ通信システム内で信号光として機能する。なお、光アイソレータ６１は、システム内のいずれかのポイントで反射され、光ファイバ８０内を伝搬してＬＤ６２に向かう戻り光をカットし、ＬＤ６２を保護している。ただし、光モジュール１００は上記以外の用途に用いられてもよい。
【００２５】
［溝部の構成］
図２Ａは、実装基板に形成された溝部の上面図を、図２Ｂは、溝部の斜視図を、図２Ｃは、図２ＡのＩＩＣ−ＩＩＣ線での断面模式図を、図２Ｄは、図２ＡのＩＩＤ−ＩＩＤ線での断面模式図をそれぞれ示し、溝部２０は第１〜第４内面２１〜２４及び底面２５を有している。
【００２６】
第１内面２１は、第１傾斜面２１ａと第１側面２１ｂとを有している。第１傾斜面２１ａは、上面１１との交線にあたる上辺２１ａ１から、上面１１と第１角度αをなして傾斜し下方に延びている。ここで、第１角度αは５４．７°であり、単結晶シリコンの（１００）面の法線と（１１１）面の法線とがなす角度に相当する。また、第１側面２１ｂは、上面１１と略直交し、第１傾斜面２１ａから底面２５まで延びている。
【００２７】
第２内面２２は、所定の間隔をあけて第１内面２１とＹ方向で対向するとともに、上面１１と略直交する面に関し第１内面２１と面対称となるように設けられている。また、第２内面２２は第２傾斜面２２ａと第２側面２２ｂとを有している。第２傾斜面２２ａは、上面１１との交線にあたる上辺２２ａ１から上面１１と角度αをなして傾斜して下方に延びている。つまり、第１傾斜面２１ａと第２傾斜面２２ａとは、上面１１と同一の角度αをなして相対向している。また、第２側面２２ｂは、上面１１と略直交し、第２傾斜面２２ａから底面２５まで延びている。
【００２８】
第３内面２３は、第３傾斜面２３ａと第３側面２３ｂとを有しており、第３傾斜面２３ａは第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと交差する方向に、第３側面２３ｂは第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂと交差する方向に、それぞれ形成されている。第３側面２３ｂは上面１１と略直交するように上面１１から下方に延びている。第３傾斜面２３ａは、第３側面２３ｂとの交線にあたる上辺２３ａ１から上面１１と角度αをなして傾斜して底面２５まで延びている。つまり、第３傾斜面２３ａは、上面１１に対し第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと同一の角度αを有し、第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと交差する方向に形成されている。また、第３傾斜面２３ａの上辺２３ａ１は第１傾斜面２１ａの上辺２１ａ１及び第２傾斜面２２ａの上辺２２ａ１よりも下方に位置している。
【００２９】
第４内面２４は、所定の間隔をあけて第３内面２３とＸ方向で対向して設けられている。また、第４内面２４は、第４傾斜面２４ａと第４側面２４ｂとを有している。第４傾斜面２４ａは、上面１１から上面１１と角度αをなして傾斜して下方に延びている。また、第４側面２４ｂは、上面１１と略直交し、第４傾斜面２４ａから底面２５まで延びている。
【００３０】
収容部２６は、第１側面２１ｂと第２側面２２ｂとの間に位置し、図２Ｃ，２Ｄから明らかなように、集光レンズ６０の下側を収容するように構成された空間である。また、第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂはいずれも集光レンズ６０とは接していない。言い換えると、収容部２６は、集光レンズ６０の下側を非接触で収容するように構成されている。
【００３１】
集光レンズ６０は、外周面が第１傾斜面２１ａと第２傾斜面２２ａとにそれぞれ当接して溝部２０に収容されている。また、集光レンズ６０の下側は、Ｘ方向後側で第３傾斜面２３ａに当接している。また、Ｚ方向に関し、集光レンズ６０の中心軸が上面１１よりも所定の高さだけ上方に来るように集光レンズ６０の半径Ｒと溝部２０の各寸法とが規定されている。前述したように、集光レンズ６０の中心軸とレーザ光ＬＢの光軸とは略一致している。一方、ＬＤ６２は絶縁層４０及び表面配線７０，７１を介して基板１０の上面１１に配設されており、また、ＬＤ６２の発光点はＬＤ６２の下面よりも上に位置している。このため、絶縁層４０の表面を上面１１の基準位置としたとしても、当該基準位置から１００μｍ〜数百μｍ程度、ＬＤ６２の発光点は上面１１よりも上側に位置する。従って、これらの値を考慮した上で集光レンズ６０の半径Ｒと溝部２０の各寸法とが規定される。
【００３２】
［実装基板の製造方法］
図３〜図６は実装基板の製造過程をそれぞれ示す。なお、図３〜図６では、（ａ）図として上面図を、（ｂ）図として図２Ｃに示す断面に対応する模式図を、（ｃ）図として図２Ｄに示す断面に対応する模式図をそれぞれ並べて図示している。なお、説明の便宜上、図３〜図６において、凹部の図示及び詳細な説明を省略する。
【００３３】
まず、（１００）面を主面とする単結晶シリコンからなる基板１０を準備し（基板準備工程）、基板１０の上面１１に絶縁層４０、この場合は、シリコン酸化膜を成膜する。シリコン酸化膜の厚みは０．３μｍ〜１μｍ程度である。なお、絶縁層４０はシリコン酸化膜に限られず、別の種類であってもよい。例えば、シリコン酸窒化膜やシリコン窒化膜等を用いることもできる。
【００３４】
次に、図３に示すように、絶縁層４０の上に図示しないレジストパターンを形成した後、レジストパターンをマスクとして絶縁層４０をエッチングし第１マスクパターン５０を形成する（第１マスクパターン形成工程）。図３の（ａ）図に示すように、第１マスクパターン５０は上面視で四角形の第１開口５１を有しており、第１開口５１内の絶縁層４０をエッチングにより除去して、基板１０の上面１１が露出されるようにする。なお、以降の説明において、第１開口５１の四辺をそれぞれ第１辺〜第４辺５１ａ〜５１ｄと呼ぶこととする。
【００３５】
図４に示すように、アルカリ性の薬液を用いた公知の異方性ウエットエッチングにより、第１開口５１内の基板１０を上面１１から第１深さＤ１までエッチングする（異方性エッチング工程）。薬液として、例えば、ＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）が用いられる。エッチング終了後に、第１開口５１内に深さＤ１のプレ溝部２０ａが形成される。プレ溝部２０ａは４つの傾斜面２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａと底面２５ａとを有しており、各傾斜面は基板１０の上面１１に対して角度αをなして傾斜している。
【００３６】
次に、図５に示すように、第１マスクパターン５０を含む基板１０の上面１１にスプレーコートにより第２マスクパターン５２を形成する（第２マスクパターン形成工程）。図５の（ａ）図に示すように、第２マスクパターン５２は上面視でＴ字形状の第２開口５３を有している。また、第２開口５３は、上面視で第１開口５１の内側に配置されるように形成される。特に、第１開口５１の四辺のうち、Ｘ方向に延びる第１辺５１ａと、これと対向する第２辺５１ｂの内側に第２開口５３が位置するようにする。なお、本実施形態では、第１開口５１のうち、第１辺５１ａ及び第２辺５１ｂと交差し、Ｘ方向後側に位置する第３辺５１ｃと、第２開口５３の周縁とが略一致するようにしているが、第２開口５３の周縁が第３辺５１ｃの外側、この場合は、Ｘ方向後側に位置するようにしてもよい。
【００３７】
第２マスクパターン５２をエッチングマスクとして、ＤＲＩＥ（Deep Reactive Ion Etching）により、第２開口５３内の基板１０を第２深さＤ２（図２Ｃ参照）までエッチングする。ＤＲＩＥを用いることにより、基板１０は上面１１に垂直な方向にエッチングされる。第２マスクパターン５２を除去して、図２Ａ〜２Ｄに示す溝部２０が形成される（溝部形成工程）。
【００３８】
なお、異方性エッチング工程の後に、絶縁層４０を除去し、再度、溝部２０を含む基板１０の上面１１に絶縁層４０を形成するようにしてもよい。その場合、第２開口５３を有するレジストパターンを絶縁層４０の表面に形成した後、絶縁層４０をエッチングして絶縁層４０にレジストパターンを転写するとともに第２開口５３内の基板１０の上面１１を露出させる。転写された絶縁層４０のパターンが第２マスクパターン５２となり、これをエッチングマスクとして基板１０を前述したようにエッチングする。
【００３９】
レジストパターンをマスクとしてＤＲＩＥを行うと、レジストのエッチング耐性が十分でなくレジストが第２開口５３の周縁から外側に後退して第２開口５３の寸法精度が低下することがある。一方、上記の方法を用いることで、このような不具合を回避することができる。シリコン酸化膜等の絶縁層４０は、一般に、シリコンのドライエッチングに対し、レジストに比べて十分な耐性を有しているからである。なお、レジストパターンをエッチングマスクとして絶縁層４０をエッチングする場合、第１開口５１や第２開口５３の寸法精度を確保するために、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により行うのが好ましい。
【００４０】
また、前述の異方性エッチング工程、あるいは溝部形成工程において、以降に示す基板１０への各種部品の配設時に使用されるアライメントマークを基板１０に同時に形成するようにしてもよい。後者の工程でアライメントマークを形成すると、寸法精度がより向上する。また、凹部３０については、前述の異方性エッチング工程及び溝部形成工程の少なくともいずれかの工程によって基板１０をエッチングして形成してもよい。光アイソレータ６１のサイズに応じて、１つの工程のみで凹部３０を形成するか、両方の工程を用いるかは適宜決められる。
【００４１】
［光モジュールの製造方法］
図６Ａ〜６Ｃは光モジュールの製造過程をそれぞれ示す。なお、図６Ａ〜６Ｃは、図２Ｂに示す断面に対応している。また、説明の便宜上、各部の大きさは実際とは異なっている。
【００４２】
図２Ａ〜２Ｄに示す溝部２０が形成された基板１０を準備し（実装基板準備工程）、さらに絶縁層４０の表面に表面配線７０，７１を形成する。次に、図６Ａに示すように、溝部２０に集光レンズ６０を配置する（光学部品配置工程）。このとき、溝部２０の第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａに集光レンズ６０の外周面が当接されるようにする。また、溝部２０の第３傾斜面２３ａに集光レンズ６０が当接するようにする。
【００４３】
次に、図６Ｂに示すように、表面配線上７０の所定の位置にＬＤ６２を配設する（光源配設工程）。図示しない導電性接着材を介してＬＤ６２の下側電極（図示せず）と表面配線７０とが接合される。このとき、ＬＤ６２と集光レンズ６０との相対位置は、基板１０に予め形成されたアライメントマーク（図示せず）を基準として決められる。例えば、溝部２０とアライメントマークとを同時に形成するようにすると、両者の位置関係を精度良く定められ、このことにより、ＬＤ６２と集光レンズ６０との位置関係も設計値に対して精度良く定まる。
【００４４】
図６Ｃに示すように、表面配線７１上の所定の位置にＰＤ６３を配設し、ＬＤ６２の上側電極（図示せず）とＰＤ６３の上側電極（図示せず）にそれぞれワイヤ７２，７３を取付ける。凹部３０に光アイソレータ６１を配置した後、基板１０に光ファイバ８０を仮配置する。ＬＤ６２からレーザ光ＬＢを出射させ、集光レンズ６０及び光アイソレータ６１を介して光ファイバ８０の端面にレーザ光ＬＢを入射させる。なお、このときのレーザ光ＬＢは通常、使用されるレーザ光よりも出力を小さく、例えば通常の１％以下にする。また、光ファイバ８０の別の端面にレーザ光出力モニター（図示せず）を取付け、光ファイバ８０から出射されるレーザ光ＬＢの出力を測定する。レーザ光ＬＢと光ファイバ８０との光学結合効率が所定値、例えば、９９％の場合に予め取得したレーザ光出力を基準として、測定されたレーザ光出力から光学結合効率を求め、この値が所定値以上になるように光ファイバ８０の位置を調整する。調整が完了した後、ＬＤ６２の駆動を停止し、光硬化性樹脂等により光ファイバ８０を基板１０に固定して光モジュール１００を完成させる。なお、光学部品配置工程で光アイソレータ６１を凹部３０に配置するようにしてもよい。
【００４５】
［効果等］
以上説明したように、本実施形態に係る実装基板は、基板１０と、基板１０に形成され、環状の光学部品である集光レンズ（第１部品）６０を収容する溝部２０と、を備えている。溝部２０は、基板１０の上面１１と同一の角度αをなして相対向する第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと、上面１１と略直交し第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａからそれぞれ下方に延びる第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂと、第１側面２１ｂと第２側面２２ｂとの間に集光レンズ６０の一部を収容する収容部２６と、を有している。
【００４６】
実装基板１０をこのように構成することで、第１傾斜面２１ａと、これに対向する第２傾斜面２２ａとで環状の集光レンズ６０を安定して保持することができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、上記の第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂを設けることで、集光レンズ６０の下側を非接触で収容する収容部２６が構成される。このことにより、基板１０の上面１１に対する集光レンズ６０の高さを自動的に調整することができる。これについてさらに図面を用いて説明する。
【００４８】
図７は、溝部と集光レンズとの配置関係の一例を示す断面模式図であり、対向する第１及び第２傾斜面と底面２５のそれぞれに集光レンズ６０が当接した状態を示している。なお、図７に示す溝部２０は、図４に示すプレ溝部２０ａと同様の形状であり、第１〜第４側面２１ｂ〜２４ｂは形成されていない。また、図７において、集光レンズ６０の中心軸と第１傾斜面２１ａの下辺とを通る第１仮想線をＬ１、集光レンズ６０の中心軸から上面１１と平行に延びる第２仮想線をＬ２とする。また、集光レンズ６０と底面２５との当接点をＡ、集光レンズ６０と第１傾斜面２１ａとの当接点をＢとする。また、第２仮想線Ｌ２と第１傾斜面２１ａとの交点をＣ、第１仮想線Ｌ１と第１傾斜面２１ａとの交点をＰとする。
【００４９】
図７に示すように、点Ａ，Ｏ，Ｐをそれぞれ結んでなる三角形ＯＡＰと点Ｂ，Ｏ，Ｐをそれぞれ結んでなる三角形ＯＢＰとは線分ＯＰを共有している。また、線分ＯＡと底面２５とがなす角度ＯＡＰと、線分ＯＢと第１傾斜面２１ａとがなす角度∠ＯＢＰとはともに等しく９０°である。また、線分ＯＡの長さと線分ＯＢの長さはともに集光レンズ６０の半径Ｒに等しい。従って、三角形ＯＡＰと三角形ＯＢＰとは互いに合同の関係にある。よって、図７から明らかなように、線分ＯＰと底面２５とがなす角度∠ＯＰＡは式（１）の関係を満たす。
【００５０】
∠ＯＰＡ＝１８０°−α−∠ＯＰＢ＝１８０°−５４．７°−∠ＯＰＡ  ・・・（１）
式（１）を変形して求めると、∠ＯＰＡは６２．６５°となる。
【００５１】
また、図７から明らかなように、第１仮想線Ｌ１上の線分ＯＰと第２仮想線Ｌ２とがなす角度∠ＰＯＣは∠ＯＰＰと錯覚の関係にあるから、∠ＰＯＣも６２．６５°となる。
【００５２】
ここで、∠ＰＯＣが６２．６５°よりも大きくなると、集光レンズ６０と底面２５との間に間隔が生じることは、図７より明らかである。一方、この状態は、異方性ウエットエッチングによって必要以上の深さまで溝部２０をエッチングした状態であると言え、集光レンズ６０の中心と上面１１との高さを精度良く調整できないおそれがある。一方、∠ＰＯＣを６２．６５°よりも小さくすると、集光レンズ６０が溝部２０の底面２５に当たって、集光レンズ６０が第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａにそれぞれ当接しなくなる。
【００５３】
そこで、本実施形態では、第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａの下方に収容部２６を設けることで、集光レンズ６０を第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａにそれぞれ当接させつつ、集光レンズ６０と溝部２０の底面２５との接触を防止している。また、第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａは、基板１０の上面１１と同一の角度αをなして相対向しているため、集光レンズ６０と第１傾斜面２１ａとの当接部分と集光レンズ６０と第２傾斜面２２ａとの当接部分とは、底面２５から見て略同一の高さとなる。よって、基板１０の上面１１に対する集光レンズ６０の高さを自動的に調整することができる。
【００５４】
また、断面視で、集光レンズ６０の中心軸と第１傾斜面２１ａの下辺とを通る第１仮想線Ｌ１と、集光レンズ６０の中心軸から基板１０の上面１１と平行に延びる第２仮想線Ｌ２とがなす角度、つまり∠ＰＯＣが３５．３°よりも小さくなると、集光レンズ６０は第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａに当接しなくなる。従って、∠ＰＯＣを３５．３°以上とし、かつ６２．６５°よりも小さくすることで、異方性ウエットエッチングにより形成される溝部２０の深さ（＝Ｄ１）を適切に設定しつつ、集光レンズ６０を第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａにそれぞれ確実に当接させることができる。
【００５５】
また、溝部２０は、基板１０の上面１１に対し第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと同一の角度αを有し、第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａと交差する方向に形成された第３傾斜面２３ａをさらに有している。第３傾斜面２３ａの上辺２３ａ１は第１傾斜面２１ａの上辺２１ａ１よりも下方に位置している。また、溝部２０は、上面１１と略直交するように上面１１から下方に延び、第３傾斜面２３ａの上辺２３ａ１に達する第３側面２３ｂを有している。
【００５６】
上記の第３傾斜面２３ａを設けることで、例えば、ＬＤ６２との相対位置調整のために集光レンズ６０をＸ方向後側に移動させたとき、第３傾斜面２３ａが集光レンズ６０の移動を防止するストッパとして機能し、溝部２０内で集光レンズ６０のＸ方向の位置を定めることができる。第３傾斜面２３ａの上辺２３ａ１は第１傾斜面２１ａの上辺２１ａ１よりも下方に位置しているため、集光レンズ６０を第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａにそれぞれに当接させた状態で、さらに第３傾斜面２３ａにも当接させることができる。
【００５７】
また、第３側面２３ｂを設けることで、例えば、図８に示す溝部２０に集光レンズ６０を配設する場合に比べて、上面視で、集光レンズ６０の表面と第３内面２３との距離を近づけることができる。なお、図８は、比較のための溝部の模式図を示し、（ａ）図は上面図を、（ｂ）図は、図２Ｃに対応する断面模式図を、（ｃ）図は、図２Ｄに対応する断面模式図を、それぞれ示している。また、図８に示す溝部２０は、特許文献１に開示されるような、異方性ウエットエッチングのみで形成されており、溝部２０の４つの内面は、それぞれ、上面１１と角度αをなして傾斜した第１〜第４傾斜面２１ａ〜２４ａとして構成されている。
【００５８】
図８に示す場合には、集光レンズ６０が第１〜第４傾斜面２１ａ〜２４ａとそれぞれ当接する部分が、底面２５から見て略同一の高さとなるため、基板１０の上面１１に対する集光レンズ６０の高さは自動的に決まるものの、その状態から集光レンズ６０をＸ方向に移動させることはできない。
【００５９】
一方、本実施形態によれば、第３側面２３ｂを設け、また、第３側面２３ｂのＺ方向の高さを適切に設定することで、第３傾斜面２３ａと集光レンズ６０とが当接するＺ方向の位置を調整することができる。このことにより、溝部２０内で、集光レンズ６０のＸ方向の位置を精度良く決定できる。
【００６０】
基板１０は、（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板であるのが好ましい。この場合、第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａは基板１０を異方性ウエットエッチングにより形成されてなるのがより好ましい。また、第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂはドライエッチングにより形成されてなるのがより好ましい。
【００６１】
一般に、異方性ウエットエッチングにより（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板１０に溝部２０を形成すると、溝部２０の内部には（１１１）面が露出するように傾斜面が形成され、その傾斜角度は基板１０の上面１１に対して精度良く決定される。
【００６２】
よって、本実施形態によれば、基板１０の上面１１に対して第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａがそれぞれなす角度（＝α）を、簡便に同一にすることができる。また、第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂを上面１１に対して略直交するように容易に形成できる。また、溝部２０の深さＤ２の制御が容易となる。
【００６３】
また、本実施形態に係る実装基板の製造方法は、（１００）面を主面とする単結晶シリコンからなる基板１０を準備する基板準備工程と、基板１０の上面１１に第１開口５１を有する第１マスクパターン５０を形成する第１マスクパターン形成工程と、異方性ウエットエッチングにより、第１開口５１を通じて基板１０を第１深さＤ１までエッチングする異方性エッチング工程と、基板１０の上面１１に第２開口５３を有する第２マスクパターン５２を形成する第２マスクパターン形成工程と、ＤＲＩＥにより、第２開口５３を通じて基板１０を第２深さＤ２までエッチングすることで基板１０に溝部２０を形成する溝部形成工程と、を少なくとも備えている。
【００６４】
第２マスクパターン形成工程において、上面視で、第１開口５１と少なくとも一部が重なるように、かつ第１開口５１の互いに対向する第１辺５１ａと第２辺５１ｂの内側に位置するように第２開口５３を形成する。
【００６５】
このようにすることで、（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板１０に相対向する第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａを有する溝部２０を簡便に形成することができる。また、基板１０の上面１１に対して第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａがそれぞれなす角度（＝α）を、簡便に同一にすることができる。さらに、第１傾斜面２１ａと第２傾斜面２２ａとを残しつつ、溝部２０を深く形成することができる。このことにより、集光レンズ６０を第１傾斜面２１ａと第２傾斜面２２ａとにそれぞれ確実に当接させるとともに、集光レンズ６０と溝部２０の底面２５との接触を防止して、基板１０の上面１１に対する集光レンズ６０の高さを精度良くかつ自動的に調整することができる。
【００６６】
本実施形態に係る光モジュール１００は、実装基板１０と、第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａにそれぞれ当接するように溝部２０に収容された環状の光学部品である集光レンズ６０と、溝部２０と離間して実装基板１０の上面１１に配設された光源であるＬＤ６２と、を少なくとも備えている。
【００６７】
光モジュール１００をこのように構成することで、基板１０に対して集光レンズ６０を精度良く配設できるとともに、基板１０の上面１１からの集光レンズ６０の中心軸の高さを正確に決定できる。また、このことにより、上面１１を基準位置としたＬＤ６２と集光レンズ６０の中心軸との高さ関係を精度良く調整でき、レーザ光ＬＢの光軸が集光レンズ６０の中心軸を通るようにできる。
【００６８】
また、光モジュール１００は、集光レンズ６０を挟んでＬＤ６２と反対側に配設された光ファイバ８０をさらに備えている。レーザ光ＬＢは集光レンズ６０を介して光ファイバ８０に光学的に結合されている。
【００６９】
このようにすることで、レーザ光ＬＢを光ファイバ８０を介して外部に出射することができる。また、レーザ光ＬＢを高い結合効率で光ファイバ８０に入射させることができる。このことにより、光モジュール１００を、例えば、光通信システムの光源として利用できる。
【００７０】
また、本実施形態に係る光モジュール１００の製造方法は、上記の製造方法により製造された実装基板１０を準備する実装基板準備工程と、溝部２０に環状の光学部品である集光レンズ６０を配置する光学部品配置工程と、溝部２０と離間して基板１０の上面１１にＬＤ６２を配設する光源配設工程と、を少なくとも備えている。
【００７１】
このようにすることで、基板１０に対して集光レンズ６０を精度良く配設できるとともに、基板１０の上面１１からの集光レンズ６０の中心軸の高さを正確に決定できる。また、このことにより、上面１１を基準位置としたＬＤ６２と集光レンズ６０の中心軸との高さ関係を精度良く調整でき、レーザ光ＬＢの光軸を集光レンズ６０の中心軸に略一致させることができる。
【００７２】
（実施形態２）
図９は、本実施形態に係る光モジュールの分解斜視図を示し、図１０は、リッドの側面図を示す。なお、図１０において破線で表わされた箇所は、図９のＸ−Ｘ線での断面に対応し、リッド９０だけでなく基板１０や溝部２０や集光レンズ６０も図示している。また、図９，１０において、実施形態１と同様の箇所については同一の符号を付し詳細な説明を省略する。
【００７３】
本実施形態に係る光モジュール１１０と実施形態１に示す光モジュール１００とでは以下の点で異なる。まず、側壁に切り欠き部９１（以下、第１の切り欠き部９１と呼ぶことがある。）が形成された蓋体であるリッド９０を有し、リッド９０がＬＤ６２や集光レンズ６０等の各部品を覆うように実装基板１０に配設されている。また、図１０に示すように、光ファイバ８０は、第１の切り欠き部９１の対向する傾斜面にそれぞれ当接することでリッド９０に位置決め固定されている。なお、リッド９０は、基板１０と同様にシリコン基板を加工して得られるが、必ずしも、（１００）面を主面とする単結晶シリコン基板でなくてもよい。ただし、当該単結晶シリコン基板を用いることで、第１の切り欠き部９１の傾斜面の傾斜角度を精度良く制御することが可能となる。このことにより、光ファイバ８０の位置決め精度を向上させることができる。
【００７４】
また、図１０に示すようにリッド９０は第２の切り欠き部９２を有しており、溝部２０に収容された集光レンズ６０の上部が第２の切り欠き部９２に収容されることで、基板１０及びリッド９０に対して集光レンズ６０が位置決め固定されている。また、第２の切り欠き部９２を設けることで、集光レンズ６０がＸ方向に傾斜するのを防止して、集光レンズ６０の中心軸、ひいてはレーザ光ＬＢの光軸が光ファイバ８０の中心から外れるのを防止できる。
【００７５】
図１１Ａ，１１Ｂは、本実施形態に係る光モジュールの製造過程の説明図を示す。なお、図１１Ａ，１１Ｂは、図９に示すＸＩ−ＸＩ線での断面にそれぞれ対応している。
【００７６】
図１１Ａに示すように、第１の切り欠き部９１及び第２切り欠き部９２を有する蓋体であるリッド９０を準備した後（蓋体準備工程）、第１の切り欠き部９１に光ファイバ８０を配置する（光ファイバ配置工程）。このとき、第１の切り欠き部９１の相対向する傾斜面のそれぞれに当接するように光ファイバ８０が配置される。また、位置決め終了後に、図示しない光硬化性樹脂等によって光ファイバ８０はリッド９０に固定される。
【００７７】
次に、図１１Ｂに示すように、ＬＤ６２や集光レンズ６０等の各種部品が配設された基板１０を準備する。当該基板１０は、図６Ａ〜図６Ｃに示す工程と同様の工程を経て得られる。さらに、第２の切り欠き部９２に集光レンズ６０の一部が収容されるようにリッド９０を基板１０上に配置する（蓋材配置工程）。
【００７８】
本実施形態によれば、ＬＤ６２や集光レンズ６０等の各種部品が配設された基板１０をリッド９０で覆うことにより、当該部品を機械的に保護することができる。また、リッド９０をレーザ光ＬＢに対して不透明とするとことで、基板１０上の各種部品に外部からの迷光が入り込むのを防止できる。このことにより、例えば、ＰＤ６３への迷光入射を防止して、受光信号に入り込むノイズを低減し、ＬＤ６２の出力制御を正確に行うことができる。また、光ファイバ８０に迷光が入り込むのを防止し、光モジュール１１０が接続されるシステムでのノイズを低減できる。
【００７９】
また、リッド９０に第１の切り欠き部９１を設けることで、光ファイバ８０をリッド９０に対して精度良く位置決め固定することができる。また、リッド９０に第２の切り欠き部９２を設けることで、集光レンズ６０がＸ方向に動くのを防止できる。また、集光レンズ６０を溝部２０及び第２の切り欠き部９２に収容することで、実施形態１に示したのと同様にレーザ光ＬＢの光軸と集光レンズ６０の中心軸とを略一致させることが容易となる。以上のことから、本実施形態によれば、レーザ光ＬＢの光軸と集光レンズ６０の中心軸と光ファイバ８０の中心とを精度良く合わせ込むことができ、レーザ光ＬＢと光ファイバ８０との光学結合効率を向上させてレーザ光ＬＢの出力ロスを低減できる。このことにより、高性能かつ高効率の光モジュール１１０を実現できる。
【００８０】
なお、上面視で、リッド９０の外形は実装基板１０の外形よりも小さいことが好ましい。このことにより、基板１０に対して光ファイバ８０が固定されたリッド９０の位置決めを簡便に行うことができる。
【００８１】
（その他の実施形態）
なお、実施形態１，２において、溝部２０に集光レンズ６０を収容する例を示したが、溝部２０に収容される光学部品は、これ以外であってもよく、例えば、回折格子等であってもよい。例えば、溝部２０に偏光フィルタを収容するようにすると、レーザ光ＬＢの偏光状態を単一にすることができる。また、ＬＤ６２の代わりに別の光源、例えば、ＬＥＤを配設するようにしてもよい。また、実施形態１，２に示す実装基板１０を光モジュール以外の用途に用いることもでき、その場合は、光学部品以外の部品が溝部２０に収容される。例えば、フレネルタイプの音レンズを溝部２０に収容し、ＬＤ６２の代わりに集音用マイクロマイクを配設することで、集音性能が向上したマイクモジュールを構成することができる。また、溝部２０に収容される部品の外形は円環形状以外であってもよく、多角形の環状部品でもよい。例えば、１２角形の環状部品を用いると、当該環状部品を第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａにそれぞれ面接触させることができる。このことにより、環状部品と第１傾斜面２１ａ及び第２傾斜面２２ａとの接触面積が増加し、より安定して環状部品を溝部２０に収容できる。
【００８２】
なお、実施形態１，２において、溝部２０と凹部３０とを間隔をあけて設けるようにしたが、これらを一体に形成してもよい。例えば、溝部２０の第４内面２４を除去して、溝部２０のＸ方向前方が開放されるようにすることで、溝部２０と凹部３０とをつなげるようにしてもよい。
【００８３】
また、実施形態１，２において、溝部２０は、第１側面２１ｂ及び第２側面２２ｂに連続する底面２５を有しているが、底面２５が無くてもよい。つまり、溝部２０のＺ方向下方が開放されるようにしてもよい。なお、底面２５が形成されるようにすると、溝部２０の下方に基板１０の一部が残存し、溝部２０を含む基板１０が各種部品の実装時に加わる応力によって変形するのを防止できる。また、溝部２０に収容された部品へのゴミ等の付着を抑制できる。
【００８４】
また、第１傾斜面２１ａと上面１１とがなす角度は、第２傾斜面２２ａと上面１１とがなす角度と厳密に同一でなくてもよく略同一であればよい。同様に、第３傾斜面２３ａと上面１１とがなす角度は、第１傾斜面２１ａと上面１１とがなす角度と厳密に同一でなくてもよく略同一であればよい。
【００８５】
また、実施形態２において、リッド９０を基板１０に配設した後に、光硬化性樹脂等によって、リッド９０と基板１０とを封止するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の実装基板は、基板の上面に対する第１部品の位置を簡便に調整することができるため、部品間の配置関係を精密に調整することが必要となる光モジュール等に適用する上で有用である。
【符号の説明】
【００８７】
１０      実装基板（基板）
１１      基板１０の上面
２０      溝部
２０ａ    プレ溝部
２１      第１内面
２１ａ    第１傾斜面
２１ａ１  第１傾斜面２１ａの上辺
２１ｂ    第１側面
２２      第２内面
２１ａ    第１傾斜面
２２ａ１  第２傾斜面２２ａの上辺
２２ｂ    第２側面
２３      第３内面
２３ａ    第３傾斜面
２３ａ１  第３傾斜面２３ａの上辺
２３ｂ    第３側面
２４      第４内面
２４ａ    第４傾斜面
２４ｂ    第４側面
２５      底面
２５ａ    プレ溝部２０ａの底面
３０      凹部
４０      絶縁層
５０      第１マスクパターン
５１      第１開口
５１ａ〜５１ｄ  第１開口５１の第１〜第４辺
５２      第２マスクパターン
５３      第２開口
６０      集光レンズ（第１部品、光学部品）
６１      光アイソレータ
６２      ＬＤ（光源）
６３      ＰＤ
７０，７１  表面配線
７２，７３  ワイヤ
８０      光ファイバ
９０      リッド（蓋体）
９１      第１の切り欠き部（切り欠き部）
９２      第２の切り欠き部
１００、１１０  光モジュール
【図１】
2020038271.tif 000003
【図２Ａ】
2020038271.tif 000004
【図２Ｂ】
2020038271.tif 000005
【図２Ｃ】
2020038271.tif 000006
【図２Ｄ】
2020038271.tif 000007
【図３】
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【図４】
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【図５】
2020038271.tif 000010
【図６Ａ】
2020038271.tif 000011
【図６Ｂ】
2020038271.tif 000012
【図６Ｃ】
2020038271.tif 000013
【図７】
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【図８】
2020038271.tif 000015
【図９】
2020038271.tif 000016
【図１０】
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【図１１Ａ】
2020038271.tif 000018
【図１１Ｂ】
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