(57)【要約】【課題】裏面にダイアタッチ層を積層したウェーハを分割する場合に、ストリートリダクションと加工時間短縮とを達成すると共にダイアタッチ層を効率良く分断する。【解決手段】分割予定ラインＳに沿った開口を有したマスクＪ１を介してウェーハＷにプラズマエッチングを施しウェーハＷを分割してチップＣを形成するステップと、ウェーハ分割ステップ実施前後に、ウェーハ裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２を積層し、ダイアタッチ層Ｔ２を介してウェーハＷをエキスパンドシートＴ１に貼着するステップと、ウェーハ分割ステップとシート貼着ステップとを実施後、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハ表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、チップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤供給ステップと、溶剤供給ステップ実施後、エキスパンドシートＴ１を拡張してエッチング溝Ｍに沿ってダイアタッチ層Ｔ２を破断するステップと、を備えた加工方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインが表面に設定されたウェーハの加工方法であって、
該分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成するウェーハ分割ステップと、
該ウェーハ分割ステップを実施する前または後に、ウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、該ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着するシート貼着ステップと、
該ウェーハ分割ステップと該シート貼着ステップとを実施した後、該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤をウェーハの該表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出した該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤供給ステップと、
該溶剤供給ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って該ダイアタッチ層を破断する破断ステップと、を備えた加工方法。
【請求項２】
前記シート貼着ステップは前記ウェーハ分割ステップを実施する前に実施され、
該ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの表面に前記マスクを形成し、ウェーハの該表面側からプラズマエッチングを施す、請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
前記ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの裏面に前記マスクを形成し、ウェーハの該裏面側からプラズマエッチングを施し、
該ウェーハ分割ステップを実施した後、該マスクを除去するマスク除去ステップを備え、
前記シート貼着ステップは、該マスク除去ステップを実施した後に実施する、請求項１に記載の加工方法。
【請求項４】
前記マスクは水溶性樹脂からなり、
前記破断ステップを実施した後、ウェーハを洗浄して該マスクと前記溶剤とを除去する洗浄ステップを更に備えた、請求項２に記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面にダイアタッチ層を積層したウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面にストリート（分割予定ライン）として設定される幅を縮小して（ストリートリダクションして）ウェーハ毎のチップの数を増やすため、及び加工時間を短縮するために、プラズマエッチングを利用して被加工物であるウェーハを分割する所謂プラズマダイシング（例えば、特許文献１参照）が従来から用いられている。
【０００３】
また、半導体ウェーハを分割して形成された半導体チップを実装基板に実装するために、あらかじめ半導体ウェーハの裏面にＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）と呼ばれるダイボンド用の接着フィルムを貼着しておき、分割後のチップの裏面の接着フィルムを介してチップを実装基板に接着する技術がある（例えば、特許文献２参照）。この技術は、ウェーハの分割前にウェーハにＤＡＦを貼着するため、一括でチップの裏面にＤＡＦを配設でき効率がよい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−２０７７３７号公報
【特許文献２】特開２０００−１８２９９５号公報
【特許文献３】特許４０９０４９２号公報
【特許文献４】特開２０１０−２０６１３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プラズマエッチングにおいては、ウェーハの垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現するのに適した所謂ボッシュ法（例えば、特許文献３参照）が広く採用されているが、ボッシュ法で使用されるエッチングガスでは、ＤＡＦがエッチングされ難い又はされないという問題がある。
【０００６】
また、ＤＡＦをエキスパンドで破断する装置（例えば、特許文献４参照）が提案されているが、チップサイズが例えば数ミリ以下と小さくなると、エキスパンドでは分割が難しいという問題がある。
ＤＡＦをレーザ加工装置で分断することも考えられるが、チップサイズが小さいウェーハではレーザ加工すべきラインが多く加工時間がかかり効率が悪いという問題がある。
【０００７】
よって、裏面にダイアタッチ層（ＤＡＦ）を積層したウェーハを分割する場合には、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層を効率よく分断できるようにするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明は、交差する複数の分割予定ラインが表面に設定されたウェーハの加工方法であって、該分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、該分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成するウェーハ分割ステップと、該ウェーハ分割ステップを実施する前または後に、ウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、該ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着するシート貼着ステップと、該ウェーハ分割ステップと該シート貼着ステップとを実施した後、該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤をウェーハの該表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出した該ダイアタッチ層を劣化させる溶剤供給ステップと、該溶剤供給ステップを実施した後、該エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って該ダイアタッチ層を破断する破断ステップと、を備えた加工方法である。
【０００９】
前記シート貼着ステップは前記ウェーハ分割ステップを実施する前に実施され、該ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの表面に前記マスクを形成し、ウェーハの該表面側からプラズマエッチングを施すと好ましい。
【００１０】
前記ウェーハ分割ステップでは、ウェーハの裏面に前記マスクを形成し、ウェーハの該裏面側からプラズマエッチングを施し、該ウェーハ分割ステップを実施した後、該マスクを除去するマスク除去ステップを備え、前記シート貼着ステップは、該マスク除去ステップを実施した後に実施すると好ましい。
【００１１】
前記ウェーハの表面に形成したマスクは水溶性樹脂からなり、前記破断ステップを実施した後、ウェーハを洗浄して該マスクと前記溶剤とを除去する洗浄ステップを更に備えると好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係るウェーハの加工方法は、分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介してウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成するウェーハ分割ステップと、ウェーハ分割ステップを実施する前または後に、ウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着するシート貼着ステップと、ウェーハ分割ステップとシート貼着ステップとを実施した後、ダイアタッチ層を劣化させる溶剤をウェーハの表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出したダイアタッチ層を劣化させる溶剤供給ステップと、溶剤供給ステップを実施した後、エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って劣化したダイアタッチ層を破断する破断ステップと、を備えていることで、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層を効率良く破断できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ウェーハの一例を示す斜視図である。
【図２】ダイアタッチ層が裏面に積層され、かつ、エキスパンドシートに貼着されたウェーハを示す斜視図である。
【図３】水溶性樹脂膜をウェーハの表面に形成している状態を説明する断面図である。
【図４】レーザビーム照射によりウェーハの表面にマスクを形成している状態を説明する斜視図である。
【図５】分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介して表面側からウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成している状態を説明する断面図である。
【図６】プラズマエッチングが施されたウェーハを拡大して示す断面図である。
【図７】溶剤をウェーハの表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出したダイアタッチ層を劣化させている状態を示す断面図である。
【図８】エキスパンド装置にウェーハがセットされた状態を示す断面図である。
【図９】エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って劣化したダイアタッチ層を破断している状態を示す断面図である。
【図１０】ウェーハを洗浄してウェーハの表面に形成されたマスクとチップの側面等に付着している溶剤とを除去している状態を説明する断面図である。
【図１１】ウェーハの裏面に水溶性樹脂膜を形成している状態を説明する断面図である。
【図１２】レーザビーム照射によりウェーハの裏面にマスクを形成している状態を説明する斜視図である。
【図１３】分割予定ラインに沿った開口を有したマスクを介して裏面側からウェーハにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインに沿ってウェーハを分割して複数のチップを形成している状態を説明する断面図である。
【図１４】ウェーハの裏面に形成されたマスクを除去している状態を説明する断面図である。
【図１５】裏面からマスクが除去されたウェーハの裏面にダイアタッチ層を積層し、ダイアタッチ層を介してウェーハをエキスパンドシートに貼着した状態を説明する斜視図である。
【図１６】溶剤をウェーハの表面側から隣接するチップ間に供給し、隣接するチップ間に露出したダイアタッチ層を劣化させている状態を示す断面図である。
【図１７】エキスパンドシートを拡張してエッチング溝に沿って劣化したダイアタッチ層を破断している状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施形態１）
以下に、本発明に係るウェーハの加工方法（実施形態１の加工方法とする。）を実施して、図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
ウェーハＷは、例えば、シリコンを母材とする外形が円形の半導体ウェーハであり、その表面Ｗａは、直交差する複数の分割予定ラインＳで格子状に区画されており、格子状に区画された各領域にはＩＣ等のデバイスＤがそれぞれ形成されている。また、例えば、分割予定ラインＳ上には、金属からなる回路層と回路間を絶縁する絶縁層（例えば、ｌｏｗ−ｋ膜）とから構成されたデバイス層Ｄ１が積層されている。
なお、ウェーハＷはシリコン以外にガリウムヒ素、サファイア、窒化ガリウム又はシリコンカーバイド等で構成されていてもよい。
【００１５】
（１）シート貼着ステップ
本実施形態１のウェーハの加工方法においては、まず、ウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層を積層し、ダイアタッチ層を介してウェーハＷをエキスパンドシートに貼着する。
図２に示すエキスパンドシートＴ１は、例えば、ウェーハＷよりも大径の円形のシートであり、例えばポリオレフィン系樹脂等からなる基材と、基材上の粘着力のある糊層とからなる。エキスパンドシートＴ１の糊層上には、予め、円形のダイアタッチ層Ｔ２（ＤＡＦＴ２）が貼着されて一体となっている。ダイアタッチ層Ｔ２は、図示の例においてはウェーハＷよりも大径となっているが、ウェーハＷと同径のものであってもよい。
【００１６】
例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置されたウェーハＷの中心と図２に示す環状フレームＦの開口の中心とが略合致するように、ウェーハＷに対して環状フレームＦが位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等によりウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２が押し付けられて貼着され、裏面Ｗｂに積層される。同時に、エキスパンドシートＴ１の糊層の外周部を環状フレームＦにも貼着することで、ウェーハＷは、エキスパンドシートＴ１を介して環状フレームＦに支持され、環状フレームＦによるハンドリングが可能な状態になる。
【００１７】
なお、単体のダイアタッチ層Ｔ２をウェーハＷの裏面Ｗｂに貼着した後、次いで、エキスパンドシートＴ１にダイアタッチ層Ｔ２が積層されたウェーハＷを貼着してもよい。また、テープロールから引き出された長尺状のエキスパンドシートＴ１とダイアタッチ層Ｔ２とからなるテープが環状フレームＦとウェーハＷとに貼着された後、カッターで該テープが環状フレームＦに合わせて円形に切断されるものとしてもよい。
例えば、環状フレームＦ及びエキスパンドシートＴ１は、後のウェーハ分割ステップで使用されるエッチングガス（例えば、ＳＦ６ガスやＣ４Ｆ８ガス）に対する耐性を備えていると好ましい。即ち、例えば、環状フレームＦはＳＵＳで形成されており、エキスパンドシートＴ１はポリオレフィン等で形成されていると好ましい。
【００１８】
（２−１）ウェーハ分割ステップにおける水溶性樹脂のウェーハに対する塗布
環状フレームＦによるハンドリングが可能となったウェーハＷは、例えば、図３に示すスピンコータ４に搬送される。スピンコータ４は、例えば、ウェーハＷを保持する保持テーブル４０と、保持テーブル４０を回転させる回転手段４２と、上端側に円形の開口を備え保持テーブル４０を収容する有底円筒状のケーシング４４とを備えている。
【００１９】
保持テーブル４０は、例えば円形状であり、ポーラス部材等からなり図示しない吸引源に連通する保持面４０ａを備えている。保持テーブル４０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ４０１が周方向に均等に配設されている。固定クランプ４０１は、保持テーブル４０の回転による遠心力によって振り子が移動することで環状フレームＦを固定するものであってもよいし、メカニカルクランプであってもよい。保持テーブル４０は、ウェーハＷが載置される際には上昇して搬入・搬出高さに位置付けられ、また、吸引保持したウェーハＷに液状の水溶性樹脂が塗布される際には、ケーシング４４内における塗布高さまで下降する。保持テーブル４０は、下方に配設された回転手段４２によりＺ軸方向の軸心周りに回転可能である。
【００２０】
ケーシング４４は、保持テーブル４０を囲繞する外側壁４４０と、外側壁４４０の下部に連接し中央に回転手段４２の回転軸が挿通される開口を有する底板４４１と、底板４４１の開口の内周縁から立設する内側壁４４２とから構成されている。保持テーブル４０の下面と内側壁４４２の上端面との間には、回転手段４２の回転軸に挿嵌され該回転軸と底板４４１の開口との隙間への異物の入り込みを防ぐカバー部材４４４が配設されている。
【００２１】
ケーシング４４内には、保持面４０ａで吸引保持されたウェーハＷに水溶性樹脂を滴下するノズル４５が配設されている。ノズル４５は、底板４４１から立設しており、側面視略Ｌ字状の外形を備え、回転駆動源４５３によりＺ軸方向の軸心周りに旋回可能である。ノズル４５の先端部分に形成された供給口４５０は、保持テーブル４０の保持面４０ａに向かって開口している。
【００２２】
ノズル４５は、水溶性樹脂（例えば、ポリビニルピロリドン又はポリビニルアルコール等）を蓄えた水溶性樹脂供給源４７に配管４７ａ及び図示しないロータリージョイントを介して連通している。なお、ノズル４５には水溶性樹脂供給源４７の代わりに非水溶性樹脂供給源が連通していてもよく、非水溶性樹脂供給源には例えばレジスト液が蓄えられていてもよい。
【００２３】
ウェーハＷが、エキスパンドシートＴ１側を下にして保持テーブル４０により吸引保持され、また、各固定クランプ４０１により環状フレームＦが固定される。次いで、ウェーハＷを保持した保持テーブル４０がケーシング４４内の塗布高さ位置まで下降する。また、ノズル４５が旋回し、供給口４５０がウェーハＷの中央上方に位置付けられる。
【００２４】
次いで、水溶性樹脂供給源４７が水溶性樹脂をノズル４５に供給し、供給口４５０からウェーハＷの表面Ｗａに所定量の水溶性樹脂が滴下される。そして、保持テーブル４０が回転することで、滴下された水溶性樹脂が表面Ｗａの中心側から外周側に流れて全面にいきわたり、ほぼ一様な厚さの水溶性樹脂膜Ｊが形成される。その後、回転を継続して水溶性樹脂膜Ｊを回転乾燥させる。なお、水溶性樹脂膜Ｊの乾燥は、保持テーブル４０の上方に位置付けたヒータやキセノンフラッシュランプを用いた加熱によって行われてもよい。
【００２５】
（２−２）ウェーハ分割ステップにおけるマスクの形成
表面Ｗａに水溶性樹脂膜Ｊが形成されたウェーハＷは、例えば、図４に示すレーザ加工装置６に搬送される。レーザ加工装置６は、ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル６０と、ウェーハＷの水溶性樹脂膜Ｊに対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段６１とを少なくとも備えている。
【００２６】
ウェーハＷを保持するチャックテーブル６０は、ポーラス部材等で構成されウェーハＷを吸引保持する円形の平坦な保持面（上面）を備えており、保持面には、図示しない吸引源が連通している。チャックテーブル６０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であると共に、図示しない移動手段によってＸ軸方向及びＹ軸方向に往復移動可能となっている。
【００２７】
レーザビーム照射手段６１は、例えば、チャックテーブル６０の上方において水平にＹ軸方向に延在する円柱状のハウジング６１０を備えており、ハウジング６１０外にはＹＡＧ等のレーザビーム発振器６１１が配設されている。
ハウジング６１０の先端部には、内部に集光レンズ６１２ａを備えるレーザヘッド６１２が配設されている。レーザビーム照射手段６１は、レーザビーム発振器６１１から発振されたレーザビームを、ハウジング６１０及びレーザヘッド６１２の内部に備えた図示しないミラーで反射させ集光レンズ６１２ａに入光させることで、−Ｚ方向に向かうレーザビームをチャックテーブル６０で保持されたウェーハＷに正確に集光して照射できる。なお、レーザヘッド６１２によって集光されるレーザビームの集光点位置は、図示しない集光点位置調整手段によってＺ軸方向に調整可能である。
【００２８】
レーザヘッド６１２の近傍（例えば、ハウジング６１０の外側面）には、ウェーハＷの分割予定ラインＳを検出するアライメント手段６４が配設されている。アライメント手段６４は、撮像光照射手段と、ウェーハＷからの反射光を捉える光学系及び受光量に対応した電気信号を出力する撮像素子等で構成されたカメラ６４０とを備えており、カメラ６４０により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってウェーハＷの表面Ｗａの分割予定ラインＳを検出できる。
【００２９】
まず、ウェーハＷが、エキスパンドシートＴ１側を下にしてチャックテーブル６０の保持面上で吸引保持される。そして、レーザビームをウェーハＷに照射するための基準となる分割予定ラインＳの位置がアライメント手段６４によって検出される。
分割予定ラインＳの位置が検出されるのに伴って、チャックテーブル６０がＹ軸方向に移動し、分割予定ラインＳとレーザヘッド６１２との位置合わせがなされる。次いで、集光レンズ６１２ａにより集光されるレーザビームの集光点位置が水溶性樹脂膜Ｊの高さ位置に合わせられる。そして、レーザビーム発振器６１１が水溶性樹脂膜Ｊに吸収性を有する波長のレーザビームを発振し、レーザビームを水溶性樹脂膜Ｊに集光し照射する。また、ウェーハＷが往方向である−Ｘ方向に所定の加工送り速度で送られ、レーザビームが分割予定ラインＳに沿って水溶性樹脂膜Ｊに照射されていくことで、分割予定ラインＳに沿って水溶性樹脂膜Ｊが溶融し除去される。
【００３０】
分割予定ラインＳに沿ってレーザビームを照射し終える所定の位置までウェーハＷが−Ｘ方向に進行すると、レーザビームの照射を停止するとともチャックテーブル６０がＹ軸方向に移動され、−Ｘ方向での加工送りにおいて基準となった分割予定ラインＳの隣の分割予定ラインＳとレーザヘッド６１２とのＹ軸方向での位置合わせが行われる。ウェーハＷが復方向である＋Ｘ方向へ加工送りされ、レーザビーム照射により水溶性樹脂膜Ｊが分割予定ラインＳに沿って除去される。順次同様のレーザビーム照射をＸ軸方向に延びる全分割予定ラインＳに沿って行った後、チャックテーブル６０を９０度回転させてから同様のレーザビーム照射を行うと、ウェーハＷの表面Ｗａの分割予定ラインＳに対応する領域以外の領域に図５に示すマスクＪ１が形成された状態になる。
【００３１】
なお、レーザビームの集光点位置を例えば分割予定ラインＳ上のデバイス層Ｄ１の高さ位置に合わせて、レーザビーム発振器６１１からデバイス層Ｄ１に吸収性を有する波長のレーザビームを発振させ、レーザビームをデバイス層Ｄ１に集光し照射することで、マスクＪ１を形成すると共にデバイス層Ｄ１を分割予定ラインＳ上から除去してもよい。
【００３２】
また、分割予定ラインＳに沿った開口を有したマスクＪ１の形成は本実施形態に限定されるものではない。一般的には、図１に示すウェーハＷのデバイスＤを形成する際に、デバイスＤが形成された表面Ｗａ側の全域には、汚染や不純物等の進入からデバイスＤを保護するパシベーション膜（二酸化ケイ素膜等）がプラズマＣＶＤ法等で積層されるが、デバイスＤの最表層となるパシベーション膜を分割予定ラインＳに対応した領域を抜いておくように予め形成して、デバイスＤを個々に保護する該パシベーション膜をプラズマエッチング用のマスクにしてもよい。
【００３３】
（２−３）ウェーハ分割ステップにおけるプラズマエッチング
マスクＪ１が形成されたウェーハＷは、図５に示すプラズマエッチング装置９に搬送される。プラズマエッチング装置９は、ウェーハＷを保持する保持手段９０と、ガスを噴出するガス噴出ヘッド９１と、保持手段９０及びガス噴出ヘッド９１を内部に収容したチャンバ９２とを備えている。なお、プラズマエッチング装置は、誘電コイルにプラズマ発生用の高周波電力を印加し、誘電コイルに形成された磁場との相互作用によりエッチングガスをプラズマ化する誘導結合型プラズマ方式のエッチング装置であってもよい。
【００３４】
例えば、保持手段９０は、静電チャックであり、セラミック等の誘電体で形成されており、支持部材９００により下方から支持されている。保持手段９０の内部には、電圧の印加により電荷を発生する円板状の電極９０１が保持手段９０の保持面９０ａと平行に配設されており、電極９０１は整合器９４ａ及びバイアス高周波電源９５ａに接続されている。
例えば、保持手段９０の内部には、図示しない通水路が形成されており、該通水路を循環する冷却水により保持手段９０が内部から所定温度に冷却される。また、保持面９０ａと保持面９０ａで保持されたウェーハＷとの間には、冷却水によるウェーハＷの吸熱効率を向上させるために、Ｈｅガス等の熱伝達ガスが所定の圧力で流れるようになっている。
なお、例えば、保持手段９０は、図例の単極型の静電チャックに限定されるものではなく、双極型の静電チャックであってもよい。
【００３５】
チャンバ９２の上部に軸受け９１９を介して昇降自在に配設されたガス噴出ヘッド９１の内部には、ガス拡散空間９１０が設けられており、ガス拡散空間９１０の上部にはガス導入口９１１が連通し、ガス拡散空間９１０の下部にはガス吐出口９１２が複数連通している。各ガス吐出口９１２の下端は保持手段９０の保持面９０ａに向かって開口している。
ガス導入口９１１に接続されたガス供給部９３には、例えばＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８等のフッ素系ガスが蓄えられている。
【００３６】
ガス噴出ヘッド９１には、整合器９４を介して高周波電源９５が接続されている。高周波電源９５から整合器９４を介してガス噴出ヘッド９１に高周波電力を供給することで、ガス吐出口９１２から吐出されたエッチングガスをプラズマ化できる。
プラズマエッチング装置９は、図示しない制御部を備えており、該制御部によりガスの吐出量や時間、高周波電力等の条件が制御される。
【００３７】
チャンバ９２の底には排気口９６が形成されており、この排気口９６には排気装置９７が接続されている。排気装置９７を作動させることで、チャンバ９２内部を減圧し真空雰囲気とすることができる。また、チャンバ９２の側部には、搬入出口９２０と、この搬入出口９２０を開閉するゲートバブル９２１とが設けられている。
【００３８】
チャンバ９２の内部には、プラズマエッチング中の環状フレームＦの加熱を防ぐためのフレーム加熱防止ガード９８が配設されている。フレーム加熱防止ガード９８は、例えば、エッチングガスに対する耐性を備えるＳＵＳ等を環状の平板状に形成したものであり、チャンバ９２の内側壁に径方向内側に延出するように配設されている。
【００３９】
分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷを分割するためのエッチング溝の形成は、例えば、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により行うと好ましい。なお、ＳＦ６ガス単体によるプラズマエッチングでウェーハＷを分割してもよい。
【００４０】
まず、搬入出口９２０からウェーハＷをチャンバ９２内に搬入し、マスクＪ１側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置する。そして、ゲートバブル９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気となるように減圧する。ウェーハＷを支持する環状フレームＦの上方は、フレーム加熱防止ガード９８で覆われる。
【００４１】
ガス噴出ヘッド９１を所定高さ位置まで下降させ、ガス供給部９３からＳＦ６ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ガス噴出ヘッド９１と保持手段９０との間に高周波電界を生じさせ、ＳＦ６ガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加して、保持手段９０の保持面９０ａとウェーハＷとの間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極により生じる静電吸着力によってウェーハＷを保持面９０ａ上でエキスパンドシートＴ１を介して吸着保持する。
【００４２】
プラズマ化したＳＦ６ガスは、ウェーハＷの表面ＷａのマスクＪ１が形成されている領域はほとんどエッチングせず、ウェーハＷの分割予定ラインＳに対応する領域を等方性エッチングしていく。プラズマ化したＳＦ６ガスによる環状フレームＦに対する熱影響は、環状フレームＦの上方を覆うフレーム加熱防止ガード９８によって抑えられる。
【００４３】
次に、ガス供給部９３からＣ４Ｆ８ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加し、さらに、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから高周波電力を印加して、Ｃ４Ｆ８ガスをプラズマ化させ、プラズマ化したＳＦ６ガスによる等方性エッチングで形成されたエッチング溝の側壁と底とに保護膜（フルオロカーボン膜）を堆積させる。
再び、ＳＦ６ガスをチャンバ９２内に供給しプラズマ化させ、エッチング溝の底の保護膜のみを除去する異方性エッチングを行い、次いで、エッチング溝の底に露出したウェーハＷの等方性エッチングを再び行う。上記等方性エッチングと保護膜堆積と異方性エッチングとを１サイクルとし、例えば数十サイクル実施して、ウェーハＷの垂直な深掘りを高速かつ所望のアスペクト比で実現し、図６に示す分割予定ラインＳに沿った格子状のエッチング溝ＭをウェーハＷに形成していく。
【００４４】
フッ素系のエッチングガスは、ダイアタッチ層Ｔ２をエッチングしない。そのため、図６に示すように、エッチング溝Ｍの底にダイアタッチ層Ｔ２が露出するまでマスクＪ１を介してウェーハＷに対するプラズマエッチングを行った後、プラズマエッチングを終了させる。即ち、図５に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。その結果、図６に示すように、分割予定ラインＳに沿ったエッチング溝Ｍ（フルカット溝）がウェーハＷに形成され、分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷが複数のチップＣに分割された状態になる。
【００４５】
なお、マスクＪ１が水溶性樹脂からなるものでない場合（例えば、レジスト膜である場合）には、例えば、後述する（４）溶剤供給ステップを実施した後に、プラズマエッチング装置９によるアッシング等によりマスクＪ１をチップＣから除去してもよい。
【００４６】
なお、先に説明した（１）シート貼着ステップは、本ウェーハ分割ステップを実施した後に行ってもよいが、本実施形態のようにウェーハ分割ステップを実施する前に行うことで、ウェーハ分割ステップにおけるウェーハＷのハンドリングが容易になる。
【００４７】
（４）溶剤供給ステップ
ウェーハ分割ステップを実施した後、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハＷの表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる。
チップＣに分割されたウェーハＷは、例えば、図７に示す保持テーブル２０に搬送される。ウェーハＷが表面Ｗａを上側に向けた状態で、保持テーブル２０の円形状の載置面２０ａ（例えば、ポーラス部材等からなる吸引保持面）に載置され吸引保持される。なお、載置面２０ａでウェーハＷを吸引保持しなくてもよい。
【００４８】
図７に示すように、保持テーブル２０の上方には、溶剤供給ノズル２１が配設されており、例えば、溶剤供給ノズル２１と保持テーブル２０とは相対的にＹ軸方向及びＸ軸方向へ移動可能となっている。溶剤供給ノズル２１は、溶剤を蓄える溶剤供給源２２に連通している。溶剤供給ノズル２１は、保持テーブル２０の載置面２０ａに向く供給口２１ａをその先端に有している。
【００４９】
溶剤供給ノズル２１からウェーハＷに積層されたダイアタッチ層Ｔ２に供給される溶剤とは、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤である。なお、劣化とは、ダイアタッチ層Ｔ２の膨潤や溶解、及びダイアタッチ層Ｔ２におけるクラックの発生等を含む。そして、溶剤として、例えば、マスクＪ１、デバイスＤ、及びエキスパンドシートＴ１を損傷させず、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤が選定される。
ダイアタッチ層Ｔ２は、一般に熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）と熱可塑性樹脂（アクリル樹脂）とを主構成としている。そして、アクリル樹脂はアルコール（メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、又はアミルアルコール等）、アセトン、又はイソプロピルエーテル等によって膨潤やクラック等が発生する。また、エポキシ樹脂は、アルコール（メタノール、エタノール、又はイソプロピルアルコール等）やアセトン等によって膨潤やクラック等が発生する。したがって、選定されるダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤は、各有機溶剤単体や各有機溶剤を混合させたもの（例えば、日本アルコール販売株式会社製のソルミックス）である。なお、選定される溶剤は上記例に限定されるものではない。
【００５０】
例えば、溶剤供給ステップにおいては、溶剤をダイアタッチ層Ｔ２に噴射するための基準となる分割予定ラインＳに沿って形成されたエッチング溝Ｍの位置が、図示しないアライメント手段によって検出される。図示しないアライメント手段は、ウェーハＷのエッチング溝Ｍが写った撮像画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理を行い、ウェーハＷのエッチング溝Ｍの座標位置を検出する。
【００５１】
エッチング溝Ｍが検出されるのに伴って、溶剤供給ノズル２１と保持テーブル２０とが相対的にＹ軸方向に移動し、ウェーハＷのエッチング溝Ｍと溶剤供給ノズル２１との位置合わせがなされる。そして、溶剤供給ノズル２１の供給口２１ａから下方に向かって供給（スプレー状に噴射又は液滴状に滴下）された溶剤が、エッチング溝Ｍに沿って隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に供給される。その結果、図７に示す二点鎖線で囲った領域が劣化する。また、ウェーハＷを保持する保持テーブル２０が−Ｘ方向（紙面奥側）に移動する。
【００５２】
順次同様の溶剤の供給をＸ軸方向に延びる全てのエッチング溝Ｍに沿って隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に行った後、さらに、保持テーブル２０を９０度回転させてから同様の溶剤の供給を行って、溶剤供給ステップを終了する。なお、溶剤の供給を行った後、ダイアタッチ層Ｔ２が十分に劣化するまで時間をおいてから（例えば１分）、後述する破断ステップに進むと好ましい。
このように、エッチング溝Ｍに沿って隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に溶剤を供給すると、溶剤の供給量を抑えることができるので好ましい。
【００５３】
なお、溶剤の供給の仕方については、上記の形態に限定されない。例えば、図示しないアライメント手段によるエッチング溝Ｍの位置の検出を行うことなく、即ち、溶剤供給ノズル２１からの噴射方向を特に定めず溶剤をチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に供給してもよい。
または、溶剤供給ノズル２１の供給口２１ａをウェーハＷの中央上方に位置付ける。次いで、供給口２１ａから溶剤を滴下しつつ、保持テーブル２０を回転させることで、滴下された溶剤が表面Ｗａの中心側から外周側に流れて全面にいきわたり、各チップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に供給されるものとしてもよい。
各チップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２に対する溶剤の供給は、作業者の手作業（スプレー噴射等）で行われてもよい。
【００５４】
（５）破断ステップ
貼着されているダイアタッチ層Ｔ２の隣接するチップＣ間に露出した領域が劣化せしめられたウェーハＷは、図８に示すエキスパンド装置５に搬送される。エキスパンド装置５は、例えば、エキスパンドシートＴ１の直径よりも大径の環状テーブル５０を具備しており、環状テーブル５０の開口５０ｃの直径はエキスパンドシートＴ１の直径よりも小さく形成されている。環状テーブル５０の外周部には、４つ（図示の例においては、２つのみ図示）の固定クランプ５２が均等に配設されている。固定クランプ５２は、バネ等によって回転軸５２ｃを軸に回動可能であり、環状テーブル５０の環状の保持面５０ａと固定クランプ５２の下面との間に環状フレームＦを挟み込む。環状テーブル５０は、例えば、エアシリンダ等からなる環状テーブル昇降手段５５によって上下動可能となっている。
なお、上記溶剤供給ステップは、本エキスパンド装置５内で行われてもよい。
【００５５】
環状テーブル５０の開口５０ｃ内には、円筒状の拡張ドラム５３が高さ位置を固定して配設されており、環状テーブル５０の中心と拡張ドラム５３の中心とは略合致している。拡張ドラム５３の外径は、例えば、ダイアタッチ層Ｔ２の直径よりも大径となっている。
【００５６】
まず、基準高さ位置に位置付けられた環状テーブル５０の保持面５０ａに、環状フレームＦが載置される。次いで、環状フレームＦが固定クランプ５２と環状テーブル５０の保持面５０ａとの間に挟持固定される。この状態においては、環状テーブル５０の保持面５０ａと拡張ドラム５３の環状の上端面とは同一の高さ位置にあり、拡張ドラム５３の上端面が、エキスパンドシートＴ１の環状フレームＦの内周縁とダイアタッチ層Ｔ２の外周縁との間の領域に、エキスパンドシートＴ１の下面側から当接する。
【００５７】
図９に示すように、環状テーブル昇降手段５５が、環状テーブル５０を−Ｚ方向に下降させることで、環状テーブル５０の保持面５０ａを拡張ドラム５３の上端面より下方のテープ拡張位置に位置付ける。その結果、エキスパンドシートＴ１は、拡張ドラム５３の上端面で押し上げられて径方向外側に向かって放射状にエキスパンドされる。そして、外力（拡張力）がエキスパンドシートＴ１を介してダイアタッチ層Ｔ２のエッチング溝Ｍに対応する領域に集中的に加わり、各チップＣ間に露出した劣化したダイアタッチ層Ｔ２がエッチング溝Ｍに沿って分断され、デバイスＤを備える各チップＣが個々にダイアタッチ層Ｔ２を備えた状態になる。
なお、環状テーブル５０を下降させるのではなく、環状テーブル５０を固定し拡張ドラム５３の上昇させることで、エキスパンドシートＴ１を拡張するものとしてもよい。また、溶剤がチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２上に残っている状態で破断ステップは実施すると好ましい。
【００５８】
例えば、エキスパンドシートＴ１の拡張によってダイアタッチ層Ｔ２を破断した後、チップＣ間の間隔を維持させるために、エキスパンドシートＴ１に掛けられているテンションを解除して、エキスパンドシートＴ１の環状フレームＦの内周縁とダイアタッチ層Ｔ２の外周縁との間の弛みが発生した領域を、その領域上方で周回するヒータ等から熱を加えて熱収縮させてもよい。
【００５９】
（６）洗浄ステップ
ダイアタッチ層Ｔ２が破断されたウェーハＷは、例えば、図１０に示すスピンコータ４に搬送され、洗浄によりマスクＪ１と溶剤供給ステップにおいてウェーハＷに付着した溶剤とが除去される。なお、ウェーハＷは、スピンコータ４とは別の洗浄装置によって洗浄されてもよい。
【００６０】
スピンコータ４は、保持面４０ａで吸引保持されたウェーハＷに洗浄水を噴射する洗浄ノズル４６を備えている。洗浄ノズル４６は、例えば、底板４４１から立設しており、側面視略Ｌ字状の外形を備える。洗浄ノズル４６は、回転駆動源４６１によってＺ軸方向の軸心周りに旋回でき、洗浄ノズル４６の先端部分に形成された噴射口４６０を保持面４０ａ上方に位置付け可能である。洗浄ノズル４６は、洗浄水を蓄えた洗浄水供給源４８に連通している。
【００６１】
ウェーハＷが、エキスパンドシートＴ１を下にして保持テーブル４０の保持面４０ａに載置され吸引保持される。また、各固定クランプ４０１により環状フレームＦが固定される。次に、保持テーブル４０上のウェーハＷの表面Ｗａの中心部に洗浄ノズル４６から洗浄水が噴射されると共に、保持テーブル４０が所定の回転速度で回転する。これにより、各チップＣ上のマスクＪ１が洗浄水によって溶解し、保持テーブル４０の回転により発生する遠心力によって洗浄水と共に表面Ｗａ上を外周方向に向かって流れていき、チップＣから除去される。また、チップＣの側面等に付着している溶剤も同時に洗浄・除去される。
なお、保持テーブル４０を回転させつつ、洗浄水を噴射する洗浄ノズル４６を保持テーブル４０上で水平方向に往復移動させることで、マスクＪ１及び溶剤を除去してもよい。
【００６２】
上記のように本発明に係るウェーハの加工方法は、分割予定ラインＳに沿った開口を有したマスクＪ１を介してウェーハＷにプラズマエッチングを施し、分割予定ラインＳに沿ってウェーハＷを分割して複数のチップＣを形成するウェーハ分割ステップと、ウェーハ分割ステップを実施する前に、ウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２を積層し、ダイアタッチ層Ｔ２を介してウェーハＷをエキスパンドシートＴ１に貼着するシート貼着ステップと、ウェーハ分割ステップとシート貼着ステップとを実施した後、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハＷの表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤供給ステップと、溶剤供給ステップを実施した後、エキスパンドシートＴ１を拡張してエッチング溝Ｍに沿ってダイアタッチ層Ｔ２を破断する破断ステップと、備えていることで、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層Ｔ２を効率良く破断できる。
【００６３】
本実施形態１のウェーハの加工方法のように、ウェーハＷの表面Ｗａに形成したマスクＪ１は水溶性樹脂からなり、破断ステップを実施した後、ウェーハＷを洗浄してマスクＪ１と溶剤とを除去する洗浄ステップを更に備えることで、破断ステップにおけるダイアタッチ層Ｔ２の破断がダイアタッチ層Ｔ２上に残存する溶剤により確実に行われる。
【００６４】
（実施形態２）
以下に、本発明に係るウェーハの加工方法（実施形態２の加工方法とする。）を実施して、図１に示すウェーハＷをデバイスＤを備えるチップへと分割する場合の、加工方法の各ステップについて説明していく。
【００６５】
（１−１）ウェーハ分割ステップにおける水溶性樹脂のウェーハに対する塗布
本実施形態２のウェーハの加工方法においては、まず、図１に示すウェーハＷが、図１１に示すスピンコータ４に搬送される。なお、スピンコータ４に搬送される前に、ウェーハＷの表面Ｗａには、図示しない保護テープが貼着される。そして、ウェーハＷが、保護テープが貼着された表面Ｗａ側を下にして保持テーブル４０により吸引保持され、ウェーハＷを保持した保持テーブル４０が、ケーシング４４内の塗布高さ位置まで下降する。また、ノズル４５の供給口４５０がウェーハＷの中央上方に位置付けられる。
【００６６】
次いで、水溶性樹脂供給源４７が水溶性樹脂をノズル４５に供給し、ウェーハＷの裏面Ｗｂに所定量の水溶性樹脂が滴下される。そして、保持テーブル４０が回転することで、滴下された水溶性樹脂が裏面Ｗｂ全面にいきわたり、ほぼ一様な厚さの水溶性樹脂膜Ｊ２が形成される。その後、回転を継続して水溶性樹脂膜Ｊ２を回転乾燥させる。なお、水溶性樹脂膜Ｊ２の乾燥は、ヒータ等による加熱によって行われてもよい。また、水溶性樹脂膜Ｊ２の代わりにレジスト膜を形成してもよい。
【００６７】
（１−２）ウェーハ分割ステップにおけるマスクの形成
次いで、ウェーハＷは、例えば、図１２に示すように、レーザ加工装置６に搬送される。そして、ウェーハＷが、表面Ｗａ側を下にしてチャックテーブル６０の保持面上で吸引保持される。レーザビームをウェーハＷに照射するための基準となる分割予定ラインＳの位置が、例えば赤外光を用いた裏面ＷｂからのウェーハＷの撮像等が行われることでアライメント手段６４によって検出される。チャックテーブル６０がＹ軸方向に移動し、分割予定ラインＳとレーザヘッド６１２との位置合わせがなされる。
【００６８】
次いで、集光レンズ６１２ａにより集光されるレーザビームの集光点位置が水溶性樹脂膜Ｊ２の高さ位置に合わせられる。そして、レーザビーム照射手段６１が水溶性樹脂膜Ｊ２に吸収性を有するレーザビームを水溶性樹脂膜Ｊ２に集光し照射する。また、ウェーハＷが往方向である−Ｘ方向に所定の加工送り速度で送られ、レーザビームにより分割予定ラインＳに沿って水溶性樹脂膜Ｊ２が溶融・除去される。
【００６９】
レーザビーム照射をＸ軸方向に延びる全分割予定ラインＳに沿って行った後、チャックテーブル６０を９０度回転させてから同様のレーザビーム照射を行うと、ウェーハＷの裏面Ｗｂの分割予定ラインＳに対応する領域以外の領域に図１３に示すマスクＪ３が形成された状態になる。
【００７０】
（１−３）ウェーハ分割ステップにおけるプラズマエッチング
マスクＪ３が形成されたウェーハＷは、図１３に示すように、プラズマエッチング装置９に搬送される。まず、マスクＪ３側を上側に向けてウェーハＷを保持手段９０の保持面９０ａ上に載置してから、ゲートバブル９２１を閉じ、排気装置９７によりチャンバ９２内を真空雰囲気とする。ガス噴出ヘッド９１を所定高さ位置まで下降させ、ガス供給部９３からＳＦ６ガスをガス拡散空間９１０に供給し、ガス吐出口９１２から下方に噴出させる。また、高周波電源９５からガス噴出ヘッド９１に高周波電力を印加して、ＳＦ６ガスをプラズマ化させる。これに並行して、電極９０１にバイアス高周波電源９５ａから電圧を印加して、電荷の分極により生じる静電吸着力によってウェーハＷを保持面９０ａ上で吸着保持する。
【００７１】
そして、ＳＦ６ガスによるプラズマエッチングとＣ４Ｆ８ガスによる溝側壁等に対する保護膜堆積（デポジション）とを交互に繰り返すボッシュ法により、図１４に示す分割予定ラインＳに沿った格子状のエッチング溝Ｍ１を裏面Ｗｂ側からウェーハＷに形成していく。その結果、図１４に示すように、分割予定ラインＳに沿ったエッチング溝Ｍ１（フルカット溝）がウェーハＷに形成され、ウェーハＷが複数のチップＣ２に分割された状態になる。その後、図１３に示すチャンバ９２内へのエッチングガス等の導入及びガス噴出ヘッド９１への高周波電力の供給を停止し、また、チャンバ９２内のエッチングガスを排気口９６から排気装置９７に排気し、チャンバ９２内部にエッチングガスが存在しない状態とする。
【００７２】
（２）マスク除去ステップ
チップＣ２に分割されたウェーハＷは、例えば、図１４に示すスピンコータ４に搬送され、表面Ｗａを下にして保持テーブル４０の保持面４０ａに載置され吸引保持される。次に、保持テーブル４０上のウェーハＷの裏面Ｗｂの中心部に洗浄ノズル４６から洗浄水が噴射されると共に、保持テーブル４０が所定の回転速度で回転する。これにより、各チップＣ２上のマスクＪ３が洗浄水によって溶解し、チップＣ２から除去される。
【００７３】
（３）シート貼着ステップ
マスクＪ３が除去されたウェーハＷに対して、図１５に示すようにウェーハＷの裏面Ｗｂにダイアタッチ層Ｔ２が積層され、ダイアタッチ層Ｔ２を介してウェーハＷがエキスパンドシートＴ１に貼着される。即ち、ウェーハＷの表面Ｗａには、図示しない保護テープが貼着されているため、該保護テープからチップＣ２に分割されたウェーハＷのエキスパンドシートＴ１上のダイアタッチ層Ｔ２に対する転写・貼着が行われ、ウェーハＷは、エキスパンドシートＴ１を介して環状フレームＦに支持され、環状フレームＦによるハンドリングが可能な状態になる。
【００７４】
実施形態２のウェーハの加工方法において、ウェーハ分割ステップでは、ウェーハＷの裏面ＷｂにマスクＪ３を形成し、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側からプラズマエッチングを施し、ウェーハ分割ステップを実施した後、マスクＪ３を除去するマスク除去ステップを備え、シート貼着ステップは、マスク除去ステップを実施した後に実施することで、プラズマエッチング時のデバイスＤに対する影響が非常に小さくなり、デバイスＤがエッチングされてしまうといった事態を確実に防ぐことが可能となる。
【００７５】
（４）溶剤供給ステップ
シート貼着ステップを実施した後、図１６に示すように、ダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる溶剤をウェーハＷの表面Ｗａ側から隣接するチップＣ間に供給し、隣接するチップＣ間に露出したダイアタッチ層Ｔ２を劣化させる。なお、溶剤供給ステップは、実施形態１の場合と同様に実施される。
【００７６】
（５）破断ステップ
貼着されているダイアタッチ層Ｔ２の隣接するチップＣ間に露出した領域が劣化せしめられたウェーハＷは、図１７に示すエキスパンド装置５に搬送され、実施形態１の場合と同様に、エキスパンドシートＴ１を拡張してエッチング溝Ｍ１に沿ってダイアタッチ層Ｔ２が破断される。このように、実施形態２のウェーハの加工方法においても、ストリートリダクションと加工時間の短縮とを達成するとともにダイアタッチ層Ｔ２を効率良く破断できる。
【００７７】
本発明に係るウェーハの加工方法は上述の実施形態１、２に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、添付図面に図示されている各装置の構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００７８】
Ｗ：ウェーハ  Ｄ：デバイス  Ｓ：  分割予定ライン  Ｔ１エキスパンドシート  
Ｔ２：  ダイアタッチ層  Ｆ：環状フレーム
４：スピンコータ  ４０：保持テーブル  ４２：回転手段  ４４：ケーシング
４５：ノズル  ４７：水溶性樹脂供給源  ４６：洗浄ノズル  ４８：洗浄水供給源
６：レーザ加工装置  ６０：チャックテーブル  ６１：レーザビーム照射手段  Ｊ１：マスク
９：プラズマエッチング装置
９０：保持手段  ９１：ガス噴出ヘッド  ９２：チャンバ  ９６：排気口  ９７：排気装置  ９８：フレーム加熱防止ガード  Ｍ：エッチング溝
２０：保持テーブル  ２１：溶剤供給ノズル
５：エキスパンド装置  ５０：環状テーブル  ５２：固定クランプ  ５３：拡張ドラム
【図１】
2020047875.tif 000003
【図２】
2020047875.tif 000004
【図３】
2020047875.tif 000005
【図４】
2020047875.tif 000006
【図５】
2020047875.tif 000007
【図６】
2020047875.tif 000008
【図７】
2020047875.tif 000009
【図８】
2020047875.tif 000010
【図９】
2020047875.tif 000011
【図１０】
2020047875.tif 000012
【図１１】
2020047875.tif 000013
【図１２】
2020047875.tif 000014
【図１３】
2020047875.tif 000015
【図１４】
2020047875.tif 000016
【図１５】
2020047875.tif 000017
【図１６】
2020047875.tif 000018
【図１７】
2020047875.tif 000019