(57)【要約】【課題】イオンを含むガスが、隣接する半導体チップとダイシングテープとの間に侵入するのを抑制することができるコレットチャック、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係るコレットチャックは、一方の面に設けられた第１の凹部と、前記第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、前記第１の凹部の側面に開口し、前記第１の凹部の内部にイオンを含むガスを供給可能な少なくとも１つの第１の孔と、を有するコレットホルダと、前記第２の凹部の開口に設けられたコレットと、を備えている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に設けられた第１の凹部と、前記第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、前記第１の凹部の側面に開口し、前記第１の凹部の内部にイオンを含むガスを供給可能な少なくとも１つの第１の孔と、を有するコレットホルダと、
前記第２の凹部の開口に設けられたコレットと、
を備えたコレットチャック。
【請求項２】
前記コレットホルダは、前記第１の凹部の側面に開口し、前記第１の凹部の内部を排気可能な少なくとも１つの第２の孔をさらに有する請求項１記載のコレットチャック。
【請求項３】
前記第１の凹部の開口の平面寸法は、吸着対象となる半導体チップの平面寸法よりも大きい請求項１または２に記載のコレットチャック。
【請求項４】
前記第１の孔の端部の近傍は、前記コレットホルダの前記第１の凹部が開口する面に近づくに従い、前記第１の凹部の側面に近づく方向に傾斜している請求項１〜３のいずれか１つに記載のコレットチャック。
【請求項５】
前記第２の孔の端部の近傍は、前記コレットホルダの前記第１の凹部が開口する面に近づくに従い、前記第１の凹部の側面に近づく方向に傾斜している請求項２〜４のいずれか１つに記載のコレットチャック。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のコレットチャックと、
第１の孔に接続され、イオンを含むガスを供給可能な供給装置と、
を備えた半導体製造装置。
【請求項７】
第２の孔に接続された排気装置をさらに備えた請求項６記載の半導体製造装置。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のコレットチャックを用いた半導体装置の製造方法であって、
半導体チップをダイシングテープから剥離させる工程において、第１の凹部の内部にイオンを含むガスを供給する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体チップをダイシングテープから剥離させる工程において、前記第１の凹部の内部をさらに排気する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、コレットチャック、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、ダイシングされて個片化された半導体チップをダイシングテープから剥離させて、リードフレームや基板などに接合させるダイボンディング工程がある。この場合、ダイシングテープは樹脂から形成されている。そのため、半導体チップをダイシングテープから剥離させる際に静電気が発生する場合がある。静電気が発生すると半導体チップが破壊されるおそれがある。
【０００３】
そのため、半導体チップをダイシングテープから剥離させる際に、半導体チップに向けてイオンを含むガスを吹き付ける技術が提案されている。ところが、半導体チップをダイシングテープから剥離させる際には、ダイシングテープの裏面側から半導体チップを突き上げるようにするので、隣接する半導体チップの周縁近傍がダイシングテープから剥離する場合がある。この場合、単に、半導体チップに向けてイオンを含むガスを吹き付けると、イオンを含むガスが、隣接する半導体チップの周縁近傍とダイシングテープとの間に侵入して、隣接する半導体チップの位置がズレたり、隣接する半導体チップが吹き飛ばされたりするおそれがある。  
そこで、イオンを含むガスが、隣接する半導体チップとダイシングテープとの間に侵入するのを抑制することができる技術の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２９５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、イオンを含むガスが、隣接する半導体チップとダイシングテープとの間に侵入するのを抑制することができるコレットチャック、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係るコレットチャックは、一方の面に設けられた第１の凹部と、前記第１の凹部の底面に設けられた第２の凹部と、前記第１の凹部の側面に開口し、前記第１の凹部の内部にイオンを含むガスを供給可能な少なくとも１つの第１の孔と、を有するコレットホルダと、前記第２の凹部の開口に設けられたコレットと、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施の形態に係る半導体製造装置を例示するための模式図である。
【図２】比較例に係るコレットチャックを例示するための模式断面図である。
【図３】隣接する半導体チップの周縁近傍を例示するための模式断面図である。
【図４】本実施の形態に係るコレットチャックを例示するための模式断面図である。
【図５】図４におけるコレットチャックのＡ-Ａ線方向の模式断面図である。
【図６】他の実施形態に係るコレットチャックを例示するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
（コレットチャック、半導体製造装置）  
図１は、本実施の形態に係る半導体製造装置１００を例示するための模式図である。    半導体製造装置１００は、いわゆるダイボンディング装置（ダイボンダなどとも称される）である。  
半導体チップが接合される対象物には特に限定はない。半導体チップが接合される対象物は、例えば、リードフレーム、セラミックス基板、樹脂基板などとすることができる。以下においては一例として、半導体チップがリードフレームに接合される場合を説明する。また、半導体チップの種類には特に限定はない。半導体チップは、例えば、半導体メモリ、パワーデバイス、ＡＳＩＣなどとすることができる。以下においては一例として、平面形状が四角形の半導体チップを接合する場合を例に挙げて説明する。
【００１０】
図１に示すように、半導体製造装置１００には、供給部１１０、搬送部１２０、ボンディング部１３０、およびコントローラ１４０が設けられている。  
供給部１１０には、ウェーハリングリフタ１１１、および突き上げ部１１２が設けられている。  
ウェーハリングリフタ１１１は、ウェーハを保持したウェーハリングを複数収納し、ウェーハリングを突き上げ部１１２に順次供給することができる。
【００１１】
突き上げ部１１２には、エキスパンドリング１１２ａ、突き上げピン１１２ｂ、およびバックアップリング１１２ｃなどが設けられている。  
エキスパンドリング１１２ａは、供給されたウェーハリングを保持することができる。また、図示しない駆動装置によりエキスパンドリング１１２ａを下降させることで、ウェーハリングに保持されているダイシングテープを引き延ばして、半導体チップ同士の間の隙間を広くすることができるようになっている。  
突き上げピン１１２ｂは、ダイシングテープの裏面側から半導体チップを突き上げることができる。この際、エキスパンドリング１１２ａにより半導体チップ同士の間の隙間が広げられているので、半導体チップのピックアップが容易となる。  
バックアップリング１１２ｃは、突き上げピン１１２ｂと同心に設けることができる。バックアップリング１１２ｃは、ダイシングテープを吸着することで、水平方向におけるダイシングテープの位置決めを行う。
【００１２】
搬送部１２０には、ローダ１２１、フィーダ１２２、およびアンローダ１２３が設けられている。  
ローダ１２１は、複数のリードフレームが収納されたカセットを保持することができる。複数のリードフレームは、例えば、カセットの内部に積層方向に並べて収納されている。
フィーダ１２２は、カセットから順次リードフレームを取り出し、ボンディング部１３０に搬送することができる。フィーダ１２２は、リードフレームを間欠的に搬送することができる。フィーダ１２２は、リードフレームをピッチ送りすることができる。  
アンローダ１２３は、半導体チップが接合されたリードフレームを複数収納するカセットを保持することができる。複数のリードフレームは、例えば、カセットの内部に積層方向に並べて収納される。
【００１３】
ボンディング部１３０には、接合材供給部１３１、および、ボンディングヘッド部１３２が設けられている。  
接合材供給部１３１は、搬送されてきたリードフレームの所定の位置に接合材を供給する。接合材は、例えば、導電性の銀ペースト、半田、Ａｕ−Ｓｉなどとすることができる。接合材の供給は、例えば、ディスペンサなどを用いて行うことができる。なお、半導体チップのリードフレーム側の面にダイアタッチフィルムが設けられている場合には、接合材供給部１３１を省くことができる。
【００１４】
ボンディングヘッド部１３２は、突き上げピン１１２ｂにより突き上げられた半導体チップを吸着保持し、突き上げピン１１２ｂの位置から、搬送されてきたリードフレームの所定の位置に半導体チップを搬送する。この場合、半導体チップの吸着保持は、コレットチャック１により行うことができる。なお、コレットチャック１およびこれに関連する要素の詳細は後述する。  
接合材供給部１３１により接合材が供給される場合には、ボンディングヘッド部１３２は、供給された接合材に半導体チップを押し付ける。半導体チップにダイアタッチフィルムが設けられている場合には、ボンディングヘッド部１３２は、搬送されてきたリードフレームの所定の位置に半導体チップを押し付ける。
【００１５】
コントローラ１４０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えたものとすることができる。コントローラ１４０は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、半導体製造装置１００に設けられた各要素の動作を制御する。
【００１６】
次に、コレットチャック１およびこれに関連する要素についてさらに説明する。  
図２は、比較例に係るコレットチャック２０１を例示するための模式断面図である。  
図３は、隣接する半導体チップ３００の周縁近傍を例示するための模式断面図である。  なお、図中における矢印は排気方向を表している。  
図２に示すように、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる際には、コレットチャック２０１と突き上げピン１１２ｂとで半導体チップ３００を挟み、この状態でコレットチャック２０１と突き上げピン１１２ｂを上昇させる。すると、半導体チップ３００の周縁近傍がダイシングテープ３０１から剥離する。半導体チップ３００を吸着した状態でコレットチャック２０１をさらに上昇させれば、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させることができる。
【００１７】
ここで、ダイシングテープ３０１は樹脂から形成されているので、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる際に静電気が発生する場合がある。静電気が発生すると半導体チップ３００が破壊されるおそれがある。  
この場合、図２に示すように、剥離させる半導体チップ３００に向けてイオンを含むガスを吹き付けるノズル２０４を設けることができる。半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる際に、イオンを含むガスを吹き付ければ発生した静電気を中和させることができる。
【００１８】
ところが、イオンを含むガスを半導体チップ３００に吹き付けると、半導体チップ３００とダイシングテープ３０１との間に形成された隙間を介して、ガスが隣接する半導体チップ３００側に漏れ出す場合がある。また、コレットチャック２０１と突き上げピン１１２ｂを上昇させた際に、隣接する半導体チップ３００の周縁近傍が持ち上げられ、隣接する半導体チップ３００の周縁近傍とダイシングテープ３０１との間に隙間が形成される場合がある。
【００１９】
この場合、図３に示すように、隣接する半導体チップ３００の周縁近傍とダイシングテープ３０１との間に形成された隙間にガスＧが侵入すると、隣接する半導体チップ３００の位置がズレたり、隣接する半導体チップ３００が吹き飛ばされたりするおそれがある。
【００２０】
図４は、本実施の形態に係るコレットチャック１を例示するための模式断面図である。  図５は、図４におけるコレットチャック１のＡ-Ａ線方向の模式断面図である。
図４に示すように、コレットチャック１には、コレット２、およびコレットホルダ３が設けられている。  
コレット２は、板状を呈したものとすることができる。コレット２には、厚み方向を貫通する複数の孔２ａを設けることができる。複数の孔２ａは、半導体チップ３００を吸着するための吸引口となる。コレット２の平面形状は、半導体チップ３００の平面形状と略同一とすることができる。コレット２の平面寸法は、半導体チップ３００の平面寸法よりも小さくすることができる。コレット２の半導体チップ３００側の面は、平坦な面とすることができる。コレット２の材料には特に限定がない。コレット２の材料は、例えば、金属とすることができる。
【００２１】
コレットホルダ３は、コレット２の周縁近傍を保持する。例えば、コレットホルダ３は、板状を呈し、一方の面に凹部３ａ（第１の凹部の一例に相当する）を有したものとすることができる。凹部３ａの開口の平面寸法（開口寸法）は、半導体チップ３００の平面寸法よりも大きくすることができる。そのため、凹部３ａの側面と、半導体チップ３００との間に隙間を設けることができる。このようにすれば、コレットホルダ３と半導体チップ３００とが干渉するのを抑制することができる。また、凹部３ａの側面と、半導体チップ３００との間に設けられた隙間は、イオンを含むガスＧの流出口とすることができる。そのため、隙間寸法を変えることで、イオンを含むガスＧの流出量を制御することができる。
【００２２】
凹部３ａの底面には凹部３ｃ（第２の凹部の一例に相当する）を設けることができる。凹部３ｃの開口には、コレット２を設けることができる。凹部３ｃの底面とコレット２との間には隙間を設けることができる。凹部３ｃの底面とコレット２との間の隙間は、複数の孔２ａを介して流入した空気が流れる流路とすることができる。凹部３ｃの側面には段差を設けることができる。そして、段差の面にコレット２を突き当てることで、凹部３ｃの底面とコレット２との間に所定の寸法を有する隙間が形成されるようにすることができる。
【００２３】
コレットホルダ３には、厚み方向を貫通する孔３ｂを設けることができる。孔３ｂの一方の端部は、凹部３ｃの底面に開口させることができる。孔３ｂは、凹部３ｃの底面とコレット２との間の隙間に繋げることができる。孔３ｂの他方の端部には、真空ポンプなどの排気装置４を接続することができる。
【００２４】
コレットホルダ３の周縁近傍には、孔３ｄ（第１の孔の一例に相当する）、および孔３ｅ（第２の孔の一例に相当する）を設けることができる。  
孔３ｄの一方の端部は、凹部３ａの側面に開口させることができる。すなわち、コレットホルダ３は、一方の面に設けられた凹部３ａと、凹部３ａの底面に設けられた凹部３ｃと、凹部３ａの側面に開口し、凹部３ａの内部にイオンを含むガスＧを供給可能な少なくとも１つの孔３ｄと、を有する。
【００２５】
孔３ｄの他方の端部は、コレットホルダ３のコレット２側とは反対側の面に開口させることができる。孔３ｄの他方の端部には、イオンを含むガスＧの供給装置５を接続することができる。イオンを含むガスＧの供給装置５は、例えば、コロナ放電により空気を電離して、正イオンと負イオンを含む空気を生成し、これを供給するものとすることができる。イオンを含むガスＧの供給装置５は、例えば、高電圧電源と放電電極を有するイオナイザなどとすることができる。  
孔３ｄの数には特に限定がなく、少なくとも１つの孔３ｄが設けられていればよい。ただし、複数の孔３ｄを設けるようにすれば、イオンを含むガスＧの流れを円滑にすることができる。
【００２６】
孔３ｅの一方の端部は、凹部３ａの側面に開口させることができる。すなわち、コレットホルダ３は、凹部３ａの側面に開口し、凹部３ａの内部を排気可能な少なくとも１つの孔３ｅをさらに有する。孔３ｅの他方の端部は、コレットホルダ３のコレット２側とは反対側の面に開口させることができる。孔３ｅの他方の端部には、ブロアなどの排気装置６を接続することができる。なお、孔３ｅおよび排気装置６は、必ずしも必要ではなく省くこともできる。ただし、孔３ｅおよび排気装置６が設けられていれば、イオンを含むガスＧが隣接する半導体チップ３００側に流出するのを抑制することが容易となる。  
孔３ｅの数には特に限定がなく、少なくとも１つの孔３ｅが設けられていればよい。ただし、複数の孔３ｅを設けるようにすれば、イオンを含むガスＧの排出を円滑にすることができる。
【００２７】
孔３ｄおよび孔３ｅの配置には特に限定はない。ただし、図５に示すように、孔３ｅが孔３ｄと対峙する位置に設けられていれば、イオンを含むガスＧの流れを円滑にすることが容易となる。なお、長方形の短辺側に孔３ｄおよび孔３ｅを設ける場合を例示したが、長方形の長辺側や、長方形の対角に孔３ｄおよび孔３ｅを設けることもできる。
【００２８】
図５に示すように、イオンを含むガスＧは、孔３ｄを介して凹部３ａの内部に供給される。凹部３ａの内部に供給されたガスＧは、コレット２と凹部３ａの側面との間に形成された隙間を流れ、孔３ｅを介して外部に排出される。この際、イオンを含むガスＧは、半導体チップ３００の、ダイシングテープ３０１側とは反対側の面に接触するので、半導体チップ３００の帯電量を低減させることができる。また、凹部３ａの側面と、半導体チップ３００との間に設けられた隙間から、イオンを含むガスＧの一部を流出させることができる。そのため、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる際に発生する静電気を中和させることができる。
【００２９】
また、イオンを含むガスＧが隙間を介して流出するようにすれば、イオンを含むガスＧの流出量や流速を抑制するのが容易となる。そのため、隣接する半導体チップ３００の周縁近傍とダイシングテープ３０１との間に隙間が形成されていたとしても、隣接する半導体チップ３００の位置がズレたり、隣接する半導体チップ３００が吹き飛ばされたりするのを抑制することができる。  
また、孔３ｅを介してイオンを含むガスＧを排出するようにすれば、イオンを含むガスＧが隣接する半導体チップ３００側に流出するのを抑制することがさらに容易となる。そのため、隣接する半導体チップ３００の位置がズレたり、隣接する半導体チップ３００が吹き飛ばされたりするのを抑制することがさらに容易となる。
【００３０】
図６は、他の実施形態に係るコレットチャック１１を例示するための模式断面図である。
図６に示すように、コレットチャック１１には、コレット２、およびコレットホルダ１３が設けられている。  
コレットホルダ１３は、前述したコレットホルダ３と同様に、コレット２の周縁近傍を保持する。また、コレットホルダ１３には、前述したコレットホルダ３と同様に、凹部３ａ、孔３ｂ、および凹部３ｃが設けられている。
【００３１】
コレットホルダ１３には、前述した孔３ｄおよび孔３ｅに代えて、孔１３ｄおよび孔１３ｅが設けられている。孔１３ｄおよび孔１３ｅは、コレットホルダ１３の周縁近傍に設けられている。
【００３２】
孔１３ｄの一方の端部は、凹部３ａの側面に開口させることができる。すなわち、コレットホルダ１３は、一方の面に設けられた凹部３ａと、凹部３ａの底面に設けられた凹部３ｃと、凹部３ａの側面に開口し、凹部３ａの内部にイオンを含むガスＧを供給可能な少なくとも１つの孔１３ｄと、を有する。
【００３３】
孔１３ｄの他方の端部は、コレットホルダ１３のコレット２側とは反対側の面に開口させることができる。孔１３ｄの他方の端部には、イオンを含むガスＧの供給装置５を接続することができる。孔１３ｄの数には特に限定がなく、少なくとも１つの孔１３ｄが設けられていればよい。ただし、複数の孔１３ｄを設けるようにすれば、イオンを含むガスＧの流れを円滑にすることができる。
【００３４】
孔１３ｅの一方の端部は、凹部３ａの側面に開口させることができる。すなわち、コレットホルダ１３は、凹部３ａの側面に開口し、凹部３ａの内部を排気可能な少なくとも１つの孔１３ｅをさらに有する。孔１３ｅの他方の端部は、コレットホルダ１３のコレット２側とは反対側の面に開口させることができる。孔１３ｅの他方の端部には、ブロアなどの排気装置６を接続することができる。なお、孔１３ｅおよび排気装置６は、必ずしも必要ではなく省くこともできる。ただし、孔１３ｅおよび排気装置６が設けられていれば、イオンを含むガスＧが隣接する半導体チップ３００側に流出するのを抑制することが容易となる。
【００３５】
孔１３ｅの数には特に限定がなく、少なくとも１つの孔１３ｅが設けられていればよい。ただし、複数の孔１３ｅを設けるようにすれば、イオンを含むガスＧの排出を円滑にすることができる。
【００３６】
孔１３ｄおよび孔１３ｅの配置には特に限定はない。ただし、前述したコレットホルダ３と同様に、孔１３ｅが孔１３ｄと対峙する位置に設けられていれば、イオンを含むガスＧの流れを円滑にすることが容易となる。なお、前述したコレットホルダ３と同様に、長方形の短辺側に孔１３ｄおよび孔１３ｅを設けてもよいし、長方形の長辺側や、長方形の対角に孔１３ｄおよび孔１３ｅを設けてもよい。
【００３７】
ここで、図６に示すように、孔１３ｄの凹部３ａ側の端部の近傍は、コレットホルダ１３の凹部３ａが開口する面に近づくに従い、凹部３ａの側面に近づく方向に傾斜している。この様にすれば、図６に示すように、イオンを含むガスＧを半導体チップ３００の上面に吹き付けるのが容易となる。そのため、発生した静電気を中和させるのが容易となる。
【００３８】
また、図６に示すように、孔１３ｅの凹部３ａ側の端部の近傍は、コレットホルダ１３の凹部３ａが開口する面に近づくに従い、凹部３ａの側面に近づく方向に傾斜している。この様にすれば、図６に示すように、半導体チップ３００の上面の近傍を流れるイオンを含むガスＧを排出するのが容易となる。
【００３９】
（半導体装置の製造方法）  
次に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について例示する。  
なお、以下においては、いわゆるダイボンディング工程について説明する。ダイボンディング工程以外の製造工程には既知の技術を適用することができるので、ダイボンディング工程以外の製造工程に関する詳細な説明は省略する。
【００４０】
複数の半導体チップ３００は、ダイシングテープ３０１の一方の面に並べて設けられている。  
前述したように、まず、エキスパンドリング１１２ａを下降させることでダイシングテープ３０１を引き延ばし、半導体チップ３００同士の間の隙間が広くなるようにする。  
バックアップリング１１２ｃは、ピックアップの対象となる半導体チップ３００の周辺において、ダイシングテープ３０１を吸着する。
【００４１】
次に、突き上げピン１１２ｂを上昇させて、ピックアップの対象となる半導体チップ３００の下方にあるダイシングテープ３０１に接触させる。すなわち、突き上げピン１１２ｂを上昇させて、ピックアップの対象となる半導体チップ３００を支持する。  
次に、コレットチャック１、１１を下降させて、コレット２を半導体チップ３００の上面に接触させる。
【００４２】
次に、排気装置４により半導体チップ３００を吸着、保持する。  
また、供給装置５により、コレットホルダ３の凹部３ａの内部にイオンを含むガスＧを供給する。  
また、排気装置６により、コレットホルダ３の凹部３ａの内部を排気する。
【００４３】
次に、図４または図６に示すように、突き上げピン１１２ｂとコレットチャック１、１１とを同時に上昇させて、半導体チップ３００の周縁近傍をダイシングテープ３０１から剥離させる。  
次に、コレットチャック１、１１をさらに上昇させて、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる。
【００４４】
次に、半導体チップ３００をリードフレームの所定の位置に接合する。  
半導体チップ３００にダイアタッチフィルムが設けられている場合には、半導体チップ３００をリードフレームの所定の位置に直接接合することができる。  
半導体チップ３００にダイアタッチフィルムが設けられていない場合には、リードフレームの所定の位置に塗布された接合剤の上に半導体チップ３００を押し付ける。
【００４５】
以上に説明したように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる工程において、凹部３ａの内部にイオンを含むガスＧを供給する。この場合、凹部３ａの内部をさらに排気することができる。
【００４６】
前述したように、孔３ｄ、１３ｄを介して凹部３ａの内部に供給されたイオンを含むガスＧは、コレット２と凹部３ａの側面との間に形成された隙間を流れ、孔３ｅ、１３ｅを介して外部に排出される。この際、イオンを含むガスＧは、半導体チップ３００の、ダイシングテープ３０１側とは反対側の面に接触するので、半導体チップ３００の帯電量を低減させることができる。また、凹部３ａの側面と、半導体チップ３００との間に設けられた隙間から、イオンを含むガスＧの一部を流出させることができる。そのため、半導体チップ３００をダイシングテープ３０１から剥離させる際に発生する静電気を中和させることができる。
【００４７】
また、イオンを含むガスＧが隙間を介して流出するようにすれば、イオンを含むガスＧの流出量や流速を抑制するのが容易となる。そのため、隣接する半導体チップ３００の周縁近傍とダイシングテープ３０１との間に隙間が形成されていたとしても、隣接する半導体チップ３００の位置がズレたり、隣接する半導体チップ３００が吹き飛ばされたりするのを抑制することができる。
【００４８】
また、孔３ｅ、１３ｅを介してイオンを含むガスＧを排出させるようにすれば、イオンを含むガスＧが隣接する半導体チップ３００側に流出するのを抑制することがさらに容易となる。そのため、隣接する半導体チップ３００の位置がズレたり、隣接する半導体チップ３００が吹き飛ばされたりするのを抑制することがさらに容易となる。
【００４９】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  コレットチャック、２  コレット、３  コレットホルダ、３ａ  凹部、３ｂ  孔、３ｃ  凹部、３ｄ  孔、３ｅ  孔、５  供給装置、６  排気装置、１１  コレットチャック、１３  コレットホルダ、１３ｄ  孔、１３ｅ  孔、１００  半導体製造装置、１３０  ボンディング部、３００  半導体チップ、３０１  ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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