(57)【要約】【課題】複数の半導体素子について温度異常の有無をより簡易な構成で判定することを可能とする。【解決手段】所定の電源電圧が印加される第１導電路９０と基準導電路９２との間に第１抵抗器１２と温度検出素子１４とが直列に接続されてなる個別検出部１０を複数備えた温度検出部８と、複数の個別検出部１０のそれぞれに対応付けられて接続される複数のバイポーラトランジスタ１６と、複数のバイポーラトランジスタ１６のそれぞれのエミッタに電気的に接続される第２導電路１８と、を備える。また、バイポーラトランジスタ１６は、自身に対応付けられた個別検出部１０の第１抵抗器１２と温度検出素子１４との間の第３導電路１５にベースが電気的に接続されている。複数の個別検出部１０における各々の第３導電路１５に印加される各電圧のうち、最も低い電圧を反映した電圧が第２導電路１８に印加される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の電源電圧が印加される第１導電路と基準導電路との間に抵抗器と温度検出素子とが直列に接続されてなる個別検出部を複数備えた温度検出部と、
複数の前記個別検出部のそれぞれに接続される複数のバイポーラトランジスタと、
複数の前記バイポーラトランジスタのそれぞれのエミッタに電気的に接続される第２導電路と、
を備え、
各々の前記バイポーラトランジスタは、前記個別検出部の前記抵抗器と前記温度検出素子との間の第３導電路にベースが電気的に接続されており、
複数の前記個別検出部における各々の前記第３導電路に印加される各電圧のうち、最も高い電圧又は最も低い電圧を反映した電圧が前記第２導電路に印加される車載用の温度検出回路。
【請求項２】
複数の前記バイポーラトランジスタはいずれも、コレクタが前記基準導電路に電気的に接続されるＰＮＰ型のバイポーラトランジスタであり、
複数の前記個別検出部における各々の前記第３導電路に印加される各電圧のうち、最も低い電圧を反映した電圧が前記第２導電路に印加される請求項１に記載の車載用の温度検出回路。
【請求項３】
一端が前記第１導電路に電気的に接続され、他端が前記第２導電路に電気的に接続される第２抵抗器と、
複数の前記バイポーラトランジスタとは異なるＮＰＮ型のバイポーラトランジスタからなる第２バイポーラトランジスタと、
一端が前記第２バイポーラトランジスタのエミッタに電気的に接続され、他端が前記基準導電路に電気的に接続される第３抵抗器と、
を備え、
前記第２バイポーラトランジスタは、ベースが前記第２導電路に電気的に接続され、コレクタが前記第１導電路に電気的に接続されており、
前記第２バイポーラトランジスタのエミッタと前記第３抵抗器の一端との間の第４導電路の電圧を反映した電圧を出力する請求項２に記載の車載用の温度検出回路。
【請求項４】
複数の前記バイポーラトランジスタはいずれも、コレクタが前記第１導電路に電気的に接続されるＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであり、
複数の前記バイポーラトランジスタのそれぞれに対応付けて、複数の第２抵抗器がそれぞれ設けられ、
前記第２抵抗器は、自身に対応付けられた前記バイポーラトランジスタのエミッタに一端が電気的に接続され、他端が前記基準導電路に電気的に接続されており、
各々の前記バイポーラトランジスタの各エミッタと各々の前記第２抵抗器の各一端との間を接続する各第４導電路に前記第２導電路が電気的に接続されており、
複数の前記個別検出部における各々の前記第３導電路に印加される各電圧のうち、最も高い電圧を反映した電圧が前記第２導電路に印加される請求項１に記載の車載用の温度検出回路。
【請求項５】
複数の前記バイポーラトランジスタとは異なるＰＮＰ型のバイポーラトランジスタからなる第２バイポーラトランジスタと、
一端が前記第２バイポーラトランジスタのエミッタに電気的に接続され、他端が前記第１導電路に電気的に接続される第３抵抗器と、
を備え、
前記第２バイポーラトランジスタは、ベースが前記第２導電路に電気的に接続され、コレクタが前記基準導電路に電気的に接続されており、
前記第２バイポーラトランジスタのエミッタと前記第３抵抗器の一端との間の第５導電路の電圧を反映した電圧を出力する請求項４に記載の車載用の温度検出回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は車載用の温度検出回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、車両等に搭載された複数の半導体素子の温度を個別に検出し、これらの検出した温度に基づいて半導体素子の温度異常の有無を判定する技術が知られている。例えば、特許文献１では、複数のスイッチング素子（半導体素子）の温度を個別に検出する複数の温度検出部を備え、これら温度検出部の各々の検出値を取得し、取得した検出値に基づいて過熱状態（温度異常）の有無を判定する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−７５２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の技術では、温度異常の有無を判定する判定部が、温度検出部の各々の検出値を取得する必要があるので、温度検出部の各々に対応して個別に入力ポートを設けなければならない。このため、構造が複雑になりやすいという問題があった。
【０００５】
本発明は上記した事情に基づいてなされたものであり、複数の半導体素子について温度異常の有無をより簡易な構成で判定することを可能とする車載用の温度検出回路を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の車載用の温度検出回路は、
所定の電源電圧が印加される第１導電路と基準導電路との間に抵抗器と温度検出素子とが直列に接続されてなる個別検出部を複数備えた温度検出部と、
複数の前記個別検出部のそれぞれに接続される複数のバイポーラトランジスタと、
複数の前記バイポーラトランジスタのそれぞれのエミッタに電気的に接続される第２導電路と、
を備え、
各々の前記バイポーラトランジスタは、前記個別検出部の前記抵抗器と前記温度検出素子との間の第３導電路にベースが電気的に接続されており、
複数の前記個別検出部における各々の前記第３導電路に印加される各電圧のうち、最も高い電圧又は最も低い電圧を反映した電圧が前記第２導電路に印加される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る車載用の温度検出回路では、それぞれの個別検出部において、温度検出素子の検出温度に基づく電圧が、温度検出素子と抵抗器との間の第３導電路に印加される。そして、それぞれの第３導電路に印加された電圧が、それぞれの第３導電路に接続されたバイポーラトランジスタのベースに印加される。そして、複数の個別検出部における各々の第３導電路に印加される各電圧のうち、最も高い電圧又は最も低い電圧を反映した電圧が第２導電路に印加される。すなわち、複数の温度検出素子が検出した検出温度のうち最も高い検出温度に基づく電圧又は最も低い検出温度に基づく電圧が第２導電路に印加される。このため、第２導電路の電圧に基づき、複数の半導体素子について温度異常の有無を判定することができる。したがって、この温度検出回路によれば、複数の半導体素子について温度異常の有無を簡易な構成で判定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例１の車載用の温度検出回路を示す回路図である。
【図２】実施例１の車載用の温度検出回路の作用を例示した説明図である。
【図３】実施例１の車載用の温度検出回路を搭載した車載用電源システムの構成を例示した説明図である。
【図４】実施例２の車載用の温度検出回路を示す回路図である。
【図５】実施例２の車載用の温度検出回路の作用を例示した説明図である。
【図６】実施例３の車載用の温度検出回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の車載用の温度検出回路において、複数のバイポーラトランジスタはいずれも、コレクタが基準導電路に電気的に接続されるＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとしてもよい。また、複数の個別検出部における各々の第３導電路に印加される各電圧のうち、最も低い電圧を反映した電圧が第２導電路に印加されるようにしてもよい。
バイポーラトランジスタをＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとした場合、エミッタ側からベース側に電流が流れ得る。また、バイポーラトランジスタの各々のエミッタは第２導電路に接続されることで同電位とされる。このため、第２導電路（すなわちエミッタ）からの電流が、バイポーラトランジスタの各々のベースのうち最も低い電圧が印加されるベースに流れると、そのベース電圧にベース−エミッタ間の電圧降下に相当する所定電圧が加わった電圧が第２導電路に印加され、その結果、他のバイポーラトランジスタにおいてベース電圧がエミッタ電圧から上記所定電圧下げた電圧よりも高くなる。このため、他のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間には電流が流れないようになる。これにより、第２導電路の電圧は、バイポーラトランジスタの各々のベースのうち最も低い電圧に上記所定電圧が加わった電圧で安定する。したがって、この構成によれば、バイポーラトランジスタの各々のベースに印加された電圧のうち最も低い電圧を反映した電圧を第２導電路に印加することができる。
【００１０】
また、バイポーラトランジスタをＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとした場合に、以下のように構成してもよい。一端が第１導電路に電気的に接続され、他端が第２導電路に電気的に接続される第２抵抗器と、複数のバイポーラトランジスタとは異なるＮＰＮ型のバイポーラトランジスタからなる第２バイポーラトランジスタと、一端が第２バイポーラトランジスタのエミッタに電気的に接続され、他端が基準導電路に電気的に接続される第３抵抗器と、を備えるようにしてもよい。第２バイポーラトランジスタは、ベースが第２導電路に電気的に接続され、コレクタが第１導電路に電気的に接続されるようにしてもよい。第２バイポーラトランジスタのエミッタと第３抵抗器の一端との間の第４導電路の電圧を反映した電圧を出力するようにしてもよい。
この構成によれば、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間で上昇した電圧分が、第２バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間でキャンセルされる。このため、第２バイポーラトランジスタのエミッタには、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間で上昇する前の電圧（すなわち、バイポーラトランジスタの各々のベースに印加された電圧のうち最も低い電圧）が印加される。そして、第２バイポーラトランジスタのエミッタと第２抵抗器の一端との間の第４導電路の電圧を反映した電圧が出力される。したがって、この出力された電圧に基づき温度異常の有無を判定すれば、バイポーラトランジスタにおけるベース−エミッタ間の電位差を考慮する必要がなくなるので、温度異常の有無を判定する処理を簡素化することができる。
【００１１】
また、本発明の車載用の温度検出回路において、複数のバイポーラトランジスタはいずれも、コレクタが第１導電路に電気的に接続されるＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとしてもよい。複数のバイポーラトランジスタのそれぞれに対応付けて、複数の第２抵抗器がそれぞれ設けられるようにしてもよい。第２抵抗器は、自身に対応付けられたバイポーラトランジスタのエミッタに一端が電気的に接続され、他端が基準導電路に電気的に接続されるようにしてもよい。各々のバイポーラトランジスタの各エミッタと各々の第２抵抗器の各一端との間を接続する各第４導電路に第２導電路が電気的に接続されるようにしてもよい。また、複数の個別検出部における各々の第３導電路に印加される各電圧のうち、最も高い電圧を反映した電圧が第２導電路に印加されるようにしてもよい。
バイポーラトランジスタをＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとした場合、ベースからエミッタに電流が流れ得る。また、バイポーラトランジスタの各々のエミッタは第２導電路に接続されることで同電位とされる。このため、バイポーラトランジスタの各々のベースのうち最も高い電圧が印加されるベースから第２導電路（すなわちエミッタ）に電流が流れると、その最も高い電圧から所定電圧（ベース−エミッタ間の電圧降下に相当する電圧）下がった電圧が第２導電路に印加されて、他のバイポーラトランジスタにおいてベース電圧がエミッタ電圧に上記所定電圧加えた電圧よりも低くなる。その結果、他のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間には電流が流れなくなる。これにより、第２導電路の電圧は、バイポーラトランジスタの各々のベースのうち最も高い電圧から上記所定電圧下がった電圧で安定する。したがって、この構成によれば、バイポーラトランジスタの各々のベースに印加された電圧のうち最も高い電圧を反映した電圧を第２導電路に印加することができる。
【００１２】
また、バイポーラトランジスタをＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとした場合に、以下のように構成してもよい。複数の前記バイポーラトランジスタとは異なるＰＮＰ型のバイポーラトランジスタからなる第２バイポーラトランジスタと、一端が第２バイポーラトランジスタのエミッタに電気的に接続され、他端が第１導電路に電気的に接続される第３抵抗器と、を備えるようにしてもよい。第２バイポーラトランジスタは、ベースが第２導電路に電気的に接続され、コレクタが基準導電路に電気的に接続されており、第２バイポーラトランジスタのエミッタと第３抵抗器の一端との間の第５導電路の電圧を反映した電圧を出力するようにしてもよい。
この構成によれば、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間で下がった電圧分が、第２バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間でキャンセルされる。このため、第２バイポーラトランジスタのエミッタには、バイポーラトランジスタのベース−エミッタ間で低下する前の電圧（すなわち、バイポーラトランジスタの各々のベースに印加された電圧のうち最も高い電圧）が印加される。そして、第２バイポーラトランジスタのエミッタと第３抵抗器の一端との間の第５導電路の電圧を反映した電圧が出力される。したがって、この出力された電圧に基づき温度異常の有無を判定すれば、バイポーラトランジスタにおけるベース−エミッタ間の電位差を考慮する必要がなくなるので、温度異常の有無を判定する処理を簡素化することができる。
【００１３】
＜実施例１＞
以下、本発明を具体化した実施例１について説明する。
図１に示す車載用の温度検出回路１（以下、温度検出回路１ともいう）は、車両に搭載された複数の半導体素子の温度を個別に検出し、これらの検出した温度に基づいて半導体素子の温度異常の有無を判定するものである。
【００１４】
温度検出回路１は、主として温度検出部８、複数のバイポーラトランジスタ１６、第２導電路１８、バイポーラトランジスタ２０、制御部２４などを備える。
【００１５】
温度検出部８は、複数（図１，２に示す例では３つ）の個別検出部１０を備えている。個別検出部１０は、各々、電源部の出力電圧（Ｖｃｃ）に基づく電圧が印加される第１導電路９０と基準導電路９２との間に設けられている。第１導電路９０の電圧、即ち、第１導電路９０の電位と基準導電路９２の電位との間の電位差は、所定の電源電圧（Ｖｃｃ）に保たれる。基準導電路９２は、電位が所定のグラウンド電位（例えば、０Ｖ）に保たれる導電路である。個別検出部１０は、各々、第１抵抗器１２と温度検出素子１４とが直列に接続された構成をなしている。具体的には、第１抵抗器１２の一端は、第１導電路９０に接続されており、第１抵抗器１２の他端は、温度検出素子１４の一端に接続されている。温度検出素子１４の他端は、基準導電路９２に接続されている。温度検出素子１４は、例えばＮＴＣサーミスタ（Negative Temperature Coefficient Thermistor）であり、検出温度が高くなるにつれて抵抗が低くなる素子として構成されている。なお、第１抵抗器１２が、本発明の抵抗器の一例に相当する。
【００１６】
バイポーラトランジスタ１６は、例えばＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとして構成されている。複数のバイポーラトランジスタ１６は、複数の個別検出部１０のそれぞれに対応付けられて接続されている。バイポーラトランジスタ１６は、自身に対応付けられた個別検出部１０の第１抵抗器１２と温度検出素子１４との間の第３導電路１５にベースが電気的に接続されている。また、バイポーラトランジスタ１６は、エミッタが第２導電路１８に電気的に接続されており、コレクタが基準導電路９２に電気的に接続されている。なお、バイポーラトランジスタ１６が本発明のバイポーラトランジスタの一例に相当する。
【００１７】
第２導電路１８は、複数のバイポーラトランジスタ１６のそれぞれのエミッタに電気的に接続されており、接続されたエミッタ同士を同電位にする。第２導電路１８は、第２抵抗器１７を介して第１導電路９０に電気的に接続されている。第２抵抗器１７は、一端が第２導電路１８に電気的に接続されており、他端が第１導電路９０に電気的に接続されている。
【００１８】
バイポーラトランジスタ２０は、例えばＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとして構成されている。バイポーラトランジスタ２０は、ベースが第２導電路１８に接続されており、コレクタが第１導電路９０に接続されており、エミッタが制御部２４及び第３抵抗器２２の一端に接続されている。第３抵抗器２２の他端は基準導電路９２に接続されている。なお、バイポーラトランジスタ２０が本発明の第２バイポーラトランジスタの一例に相当する。
【００１９】
制御部２４は、温度検出素子１４の検出温度に基づいて温度異常の有無を判定する部分である。制御部２４は、例えばマイクロコンピュータ等を有して構成されており、ＣＰＵ等の演算装置、ＲＯＭ又はＲＡＭ等のメモリ、ＡＤ変換器等を有している。制御部２４は、バイポーラトランジスタ２０のエミッタと第３抵抗器２２との間の第４導電路２３に電気的に接続されている。制御部２４は、第４導電路２３に印加された電圧を反映した電圧を検出し、バイポーラトランジスタ２０のエミッタに印加された電圧を検出し、その検出値に基づいて温度異常の有無を判定する。
【００２０】
次に、温度検出回路１の作用について説明する。
上述したように、温度検出素子１４はＮＴＣサーミスタであるので、温度検出素子１４と第１抵抗器１２との間の第３導電路１５の電圧は、温度検出素子１４の検出温度が高くなるにつれて低くなる。第３導電路１５には、バイポーラトランジスタ１６のベースが電気的に接続されているので、温度検出素子１４の検出温度が高くなるにつれて低くなる電圧が、バイポーラトランジスタ１６のベースに印加される。
【００２１】
また、バイポーラトランジスタ１６はＰＮＰ型のバイポーラトランジスタであるので、ベース−エミッタ間においてエミッタ側からベース側に電流が流れる。但し、バイポーラトランジスタ１６の各々のエミッタ同士は第２導電路１８を介して互いに電気的に接続されて、同電位となる。このため、ベース電圧が最も低いバイポーラトランジスタ１６において、エミッタ側からベース側に電流が流れると、第２導電路１８の電圧及び他のバイポーラトランジスタ１６のエミッタは、その最も低いベース電圧に電圧降下に相当する所定電圧Ｖｆ（例えば０．６Ｖ）が加わった電圧となる。そして、他のバイポーラトランジスタ１６のベース電圧は、エミッタ電圧から所定電圧Ｖｆ下げた電圧よりも高くなるので、他のバイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間には電流が流れなくなる。その結果、第２導電路１８の電圧は、バイポーラトランジスタ１６の各々のベースに印加される電圧のうち最も低い電圧に所定電圧Ｖｆが加わった電圧（バイポーラトランジスタ１６の各々のベースに印加される電圧のうち最も低い電圧を反映した電圧）で安定する。
【００２２】
例えば、図２に示すように、３つのバイポーラトランジスタ１６のベースに２Ｖ，３Ｖ，４Ｖの電圧が印加されたとする。この場合、最も低い電圧２Ｖがベースに印加されるバイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間に電流が流れると、ベース電圧２Ｖに０．６Ｖを加えた２．６Ｖが第２導電路１８に印加される。このとき、他のバイポーラトランジスタ１６のベース電圧は、エミッタ電圧（第２導電路１８の電圧）２．６Ｖから０．６Ｖ下げた２．０Ｖよりも高くなるので、他のバイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間には電流が流れなくなる。その結果、第２導電路１８の電圧は、２．６Ｖで安定する。
【００２３】
さらに、第２導電路１８にはバイポーラトランジスタ２０のベースが電気的に接続されており、バイポーラトランジスタ２０はＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとなっている。このため、バイポーラトランジスタ２０のベース電圧から所定電圧Ｖｆ低下した電圧が、バイポーラトランジスタ２０のエミッタ（第４導電路２３）に印加される。図２に示す例では、第２導電路１８に印加された電圧２．６Ｖから０．６Ｖ下げた２．０Ｖが、バイポーラトランジスタ２０のエミッタ（第４導電路２３）に印加される。すなわち、バイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間における電圧降下分をキャンセルした電圧が、バイポーラトランジスタ２０のエミッタ（第４導電路２３）に印加されることとなる。そして、第４導電路２３の電圧を反映した電圧が制御部２４に出力される。
【００２４】
制御部２４は、第４導電路２３の電圧を検出することで、バイポーラトランジスタ１６の各々のベース電圧のうち最も低いベース電圧（すなわち、複数の温度検出素子１４の検出温度のうち最も高い検出温度に基づく電圧）を検出することができる。したがって、制御部２４は、例えば、検出した電圧が所定の閾値電圧未満であるか否かを判定することによって、温度異常の有無（過熱状態であるか否か）を判定することができる。
【００２５】
次に、この温度検出回路１を搭載した車載用電源システム１００について説明する。
車載用電源システム１００は、図３に示すように、電圧変換装置５０と、第１電源部５２と、第２電源部５４とを備え、負荷５６，５８などの車載用負荷に対して電力を供給し得るシステムとして構成されている。
【００２６】
電圧変換装置５０は、例えば車載用の昇降圧型ＤＣＤＣコンバータとして構成されており、電圧変換部６０を備える。電圧変換部６０は、第１電源部５２の高電位側の端子及び負荷５６が接続された一次側導電路４１と、第２電源部５４の高電位側の端子及び負荷５８が接続された二次側導電路４２との間に設けられる。
【００２７】
電圧変換部６０は、Ｈブリッジ構造で配置されたスイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４と、インダクタＬと、を備え、いわゆる双方向型のＤＣＤＣコンバータとして機能する。すなわち、一次側導電路４１に印加された電圧を昇圧又は降圧して二次側導電路４２に出力する機能と、二次側導電路４２に印加された電圧を昇圧又は降圧して一次側導電路４１に出力する機能を有する。また、一次側導電路４１にはコンデンサ７０が接続されており、二次側導電路４２にはコンデンサ７２が接続されている。
【００２８】
電圧変換装置５０は、一次側導電路４１の電圧及び二次側導電路４２の電圧をそれぞれ検出する電圧検出部６２，６４と、一次側導電路４１の電流及び二次側導電路４２の電流をそれぞれ検出する電流検出部６６，６８とを備える。電圧検出部６２，６４の検出値及び電流検出部６６，６８の検出値は制御部２４に出力される。制御部２４は、制御回路８０（例えばマイクロコンピュータ）及び駆動回路８２を備えており、電圧検出部６２，６４の検出値又は電流検出部６６，６８の検出値に基づいて、スイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４をオンオフ動作させることにより、電圧変換部６０が昇圧動作又は降圧動作を行うように駆動し得る。
【００２９】
この車載用電源システム１００では、昇圧動作又は降圧動作を行う際に、スイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４を高速でオンオフ動作させるので、スイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４が発熱する。このため、スイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の周囲の温度が過熱状態とならないように監視する必要がある。そこで、図３に示す例では、スイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の近傍に温度検出素子１４を設置している。また、図３に示す例では、４つのスイッチング素子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４のうち、一部（図３では２つ）のスイッチング素子に対してのみ設置している。具体的には、インダクタＬの一次側導電路４１側と二次側導電路４２側にそれぞれ１つずつ設置している。一部のスイッチング素子に対してのみ温度検出素子１４を設置する場合、発熱しやすいスイッチング素子に対して設置することが好ましく、例えば、実際に動作させた結果、発熱しやすかったスイッチング素子に対して設置するようにしてもよい。
【００３０】
以上説明したように、温度検出回路１では、それぞれの個別検出部１０において、ＮＴＣサーミスタ（温度検出素子１４）の検出温度に基づく電圧が、温度検出素子１４と第１抵抗器１２との間の第３導電路１５に印加される。そして、それぞれの第３導電路１５に印加された電圧が、それぞれの第３導電路１５に接続されたＰＮＰ型のバイポーラトランジスタ（バイポーラトランジスタ１６）のベースに印加される。そして、複数の個別検出部１０における各々の第３導電路１５に印加される各電圧のうち、最も低い電圧（すなわち、最も高い検出温度に基づく電圧）を反映した電圧が第２導電路１８に印加される。このため、制御部２４は、第２導電路１８の電圧が反映された電圧に基づき、複数のスイッチング素子について過熱状態（温度異常）の有無を判定することができる。したがって、この温度検出回路１によれば、複数のスイッチング素子について温度異常の有無を簡易な構成で判定することが可能となる。
【００３１】
また、制御部２４には、バイポーラトランジスタ２０のエミッタと第３抵抗器２２の一端との間の第４導電路２３の電圧を反映した電圧が出力される。すなわち、制御部２４は、バイポーラトランジスタ２０によって、バイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間の電圧降下による上昇分がキャンセルされた電圧が反映された電圧を検出し得る。このため、制御部２４は、バイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間の電圧降下による影響を考慮する必要がないので、過熱状態であるか否かを判定する処理を簡素化することができる。
【００３２】
＜実施例２＞
実施例１では、バイポーラトランジスタをＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとした。これに対して、実施例２では、バイポーラトランジスタをＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとしている。以下の説明及び図面では、実施例１の温度検出回路１と同様の構成をなす部分については、実施例１の温度検出回路１と同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３３】
実施例２の温度検出回路２０１は、図４に示すように、主として温度検出部８、複数のバイポーラトランジスタ２１６、第２導電路２１８、バイポーラトランジスタ２２０、制御部２４などを備える。
【００３４】
温度検出部８は、複数（図４．５に示す例では３つ）の個別検出部１０を備えている。個別検出部１０は、各々、第１導電路９０と基準導電路９２との間に設けられている。個別検出部１０は、各々、第１抵抗器１２と温度検出素子１４とが直列に接続された構成をなしている。
【００３５】
バイポーラトランジスタ２１６は、例えばＮＰＮ型のバイポーラトランジスタとして構成されている。複数のバイポーラトランジスタ２１６は、複数の個別検出部１０のそれぞれに対応付けられて接続されている。バイポーラトランジスタ２１６は、自身に対応付けられた個別検出部１０の第３導電路１５にベースが電気的に接続されている。各々のバイポーラトランジスタ２１６の各コレクタはそれぞれ第１導電路９０に電気的に接続されている。複数のバイポーラトランジスタ２１６のそれぞれには、複数の第２抵抗器２１７がそれぞれ対応付けて設けられている。第２抵抗器２１７は、自身に対応付けられたバイポーラトランジスタ２１６のエミッタに一端が電気的に接続されており、他端が基準導電路９２に電気的に接続されている。各々のバイポーラトランジスタ２１６の各エミッタと各々の第２抵抗器２１７の各一端との間を接続する各第４導電路２１９に第２導電路２１８が電気的に接続されている。なお、バイポーラトランジスタ２１６が本発明のバイポーラトランジスタの一例に相当する。
【００３６】
バイポーラトランジスタ２２０は、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとして構成されている。バイポーラトランジスタ２２０は、ベースが第２導電路２１８に電気的に接続されており、コレクタが基準導電路９２に電気的に接続されており、エミッタが第３抵抗器２２２の一端に接続されている。また、第３抵抗器２２２の他端は第１導電路９０に電気的に接続されている。制御部２４は、バイポーラトランジスタ２２０のエミッタと第３抵抗器２２２との間の第５導電路２２３に電気的に接続されている。なお、バイポーラトランジスタ２２０が本発明の第２バイポーラトランジスタの一例に相当する。
【００３７】
次に、温度検出回路２０１の作用について説明する。
温度検出回路２０１では、バイポーラトランジスタ２１６がＮＰＮ型のバイポーラトランジスタであるので、ベース−エミッタ間においてベース側からエミッタ側に電流が流れる。但し、バイポーラトランジスタ２１６の各々のエミッタ同士は第２導電路２１８を介して互いに接続されて、同電位となる。このため、ベース電圧が最も高いバイポーラトランジスタ２１６において、ベース側からエミッタ側に電流が流れると、第２導電路２１８の電圧及び他のバイポーラトランジスタ２１６のエミッタは、その最も高いベース電圧から電圧降下に相当する所定電圧Ｖｆ（例えば０．６Ｖ）下がった電圧となる。そして、他のバイポーラトランジスタ２１６のベース電圧は、エミッタ電圧に所定電圧Ｖｆ加えた電圧よりも低くなるので、他のバイポーラトランジスタ２１６のベース−エミッタ間には電流が流れなくなる。その結果、第２導電路２１８の電圧は、バイポーラトランジスタ２１６の各々のベースに印加される電圧のうち最も高い電圧から所定電圧Ｖｆ下がった電圧（バイポーラトランジスタ２１６の各々のベースに印加される電圧のうち最も高い電圧を反映した電圧）で安定する。
【００３８】
例えば、図５に示すように、３つのバイポーラトランジスタ２１６のベースに２Ｖ，３Ｖ，４Ｖの電圧が印加されたとする。この場合、最も高い電圧４Ｖがベースに印加されるバイポーラトランジスタ２１６のベース−エミッタ間に電流が流れると、ベース電圧４Ｖから０．６Ｖ下がった３．４Ｖが第２導電路２１８に印加される。このとき、他のバイポーラトランジスタ２１６のベース電圧は、エミッタ電圧３．４Ｖに０．６Ｖ加えた４Ｖよりも低くなるので、他のバイポーラトランジスタ２１６のベース−エミッタ間には電流が流れなくなる。その結果、第２導電路２１８の電圧は、３．４Ｖで安定する。
【００３９】
さらに、第２導電路２１８にはバイポーラトランジスタ２２０のベースが接続されており、バイポーラトランジスタ２２０はＰＮＰ型のバイポーラトランジスタとなっている。このため、バイポーラトランジスタ２２０のベース電圧から所定電圧Ｖｆ加わった電圧が、バイポーラトランジスタ２２０のエミッタに印加される。図５に示す例では、第２導電路２１８に印加された電圧３．４Ｖから０．６Ｖ加わった４Ｖが、バイポーラトランジスタ２２０のエミッタに印加される。すなわち、バイポーラトランジスタ２１６のベース−エミッタ間における電圧降下分をキャンセルした電圧が、バイポーラトランジスタ２２０のエミッタに印加されることとなる。
【００４０】
制御部２４は、バイポーラトランジスタ２２０のエミッタに印加された電圧を検出することで、バイポーラトランジスタ２１６の各々のベース電圧のうち最も高いベース電圧（すなわち、複数の温度検出素子１４の検出温度のうち最も低い検出温度に基づく電圧）を検出することができる。したがって、制御部２４は、例えば、検出した電圧が所定の閾値電圧以上であるか否かを判定することによって、温度異常の有無（低温状態であるか否か）を判定することができる。
【００４１】
＜実施例３＞
実施例１では、温度検出素子をＮＴＣサーミスタとした。これに対して、実施例３では、温度検出素子をＰＴＣサーミスタ（Positive Temperature Coefficient Thermistor）としている。
【００４２】
実施例３の温度検出回路３０１は、図６に示すように、実施例１の温度検出部８に代えて、温度検出部３０８を備えている。温度検出部３０８は、複数（図６に示す例では３つ）の個別検出部３１０を備えている。個別検出部３１０は、各々、第１導電路９０と基準導電路９２との間に設けられている。個別検出部３１０は、各々、第１抵抗器１２と温度検出素子３１４とが直列に接続された構成をなしている。
【００４３】
温度検出素子３１４は、例えばＰＴＣサーミスタ（検出温度が高くなるにつれて抵抗が高くなる素子）として構成されている。第１抵抗器１２及び温度検出素子３１４の並びは、実施例１における第１抵抗器１２及び温度検出素子１４の並びと反対となっている。すなわち、温度検出素子３１４の一端は、第１導電路９０に電気的に接続されており、温度検出素子３１４の他端は、第１抵抗器１２の一端に電気的に接続されている。第１抵抗器１２の他端は、基準導電路９２に電気的に接続されている。
【００４４】
このように、実施例３では、温度検出素子をＮＴＣサーミスタからＰＴＣサーミスタに変更しているが、第１抵抗器１２に対する並びも変えているので、温度検出素子３１４と第１抵抗器１２との間の第３導電路３１５に印加される電圧は、実施例１の場合と同様に、温度検出素子３１４の検出温度が高くなるにつれて低くなる。したがって、実施例１の場合と同様に、最も高い検出温度に基づく電圧が第２導電路１８に印加され、バイポーラトランジスタ１６のベース−エミッタ間で上昇した電圧降下分をキャンセルした電圧が、バイポーラトランジスタ２０のエミッタに印加される。
【００４５】
＜他の実施例＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施例に限定されるものではなく、例えば次のような実施例も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００４６】
実施例１〜３では、複数の温度検出素子１４の検出温度が高いほど低くなる電圧が、バイポーラトランジスタ１６，２１６のベースに印加されるようにした。しかし、複数の温度検出素子１４の検出温度が高いほど高くなる電圧が、バイポーラトランジスタ１６，２１６のベースに印加されるようにしてもよい。例えば、実施例１の温度検出回路１において、温度検出素子１４をＮＴＣサーミスタとしたまま、第１抵抗器１２と温度検出素子１４の配列を入れ替えるようにしてもよい。また、実施例１の温度検出回路１において、第１抵抗器１２と温度検出素子１４の配列を入れ替えずに、温度検出素子１４をＰＴＣサーミスタとしてもよい。
【００４７】
実施例１〜３では、制御部２４が、バイポーラトランジスタ２０，２２０のエミッタに印加された電圧を検出し、その検出値に基づいて温度異常の有無を判定するようにした。しかし、制御部２４が、第２導電路１８，２１８に印加された電圧を検出し、その検出値に基づいて温度異常の有無を判定するようにしてもよい。こうすれば、バイポーラトランジスタ２０，２２０が不要となるので、部品数を減らすことができる。
【００４８】
実施例１〜３では、個別検出部１０，３１０を３つとしたが、２つであってもよいし、４つ以上であってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１，２０１．３０１…車載用の温度検出回路
８，３０８…温度検出部
１０，３１０…個別検出部
１２…第１抵抗器（抵抗器）
１４，３１４…温度検出素子
１５，３１５…第３導電路
１６，２１６…バイポーラトランジスタ
１７，２１７…第２抵抗器
１８，２１８…第２導電路
２０，２２０…バイポーラトランジスタ（第２バイポーラトランジスタ）
２２，２２２…第３抵抗器
２３，２１９…第４導電路
２４…制御部
９０…第１導電路
９２…基準導電路
２２３…第５導電路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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