(57)【要約】【課題】横モードリップルを低減したＳＡＷ素子を提供する。【解決手段】  圧電膜２とＩＤＴ電極３とを備える。ＩＤＴ電極３は、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂと，第１ダミー電極３５ａ，第２ダミー電極３５ｂとを備え、第１電極指３２ａの先端を結ぶ方向および第２電極指３２ｂを結ぶ方向とＳＡＷの伝搬方向とが傾斜角度をなしている。そして、第１ダミー電極３５ａ，第２ダミー電極３５ｂの幅は、第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂの交差領域における幅に比べて太くなっている。そして、圧電膜３は、前記第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂの周期で決まる波長をλとしたときに１λ未満である。【選択図】図１
2020102662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電膜と、
前記圧電膜に位置するＩＤＴ電極と、を備え、
前記ＩＤＴ電極は、
間をあけて位置する第１バスバーおよび第２バスバーと、
前記第１バスバーに接続された複数の第１電極指と、
前記第２バスバーに接続され、前記第１電極指と互い違いに間挿し合っている複数の第２の電極指と、
前記第１バスバーに接続され、前記第２電極指の先端と間をあけて対向する第１ダミー電極と、
前記第２バスバーに接続され、前記第１電極指の先端と間をあけて対向する第２ダミー電極と、
を有し、
前記第１電極指の先端を結ぶ方向と、前記第１電極指および前記第２電極指の配列方向とが傾斜角度をなしており、
前記第２ダミー電極の前記配列方向における幅は、前記第１電極指および前記第２電極指が交差する交差領域における第１電極指の幅に比べて太く、
前記圧電膜は、前記第１電極指および前記第２電極指の周期で決まる波長をλとしたときに１λ未満である、
弾性波素子。
【請求項２】
前記第２電極指は、前記第２ダミー電極の先端を結ぶ仮想線よりも前記第２バスバーの側である第２ダミー電極領域において、前記交差領域に比べて幅が太くなっている、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記第２ダミー電極領域におけるデューティーは、前記交差領域におけるデューティーよりも０．０８以上大きい、請求項２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記第２ダミー電極領域におけるデューティーは、前記交差領域におけるデューティーよりも０．０８以上０．１６以下の範囲で大きい、請求項３に記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記第１電極指および前記第２電極指の先端は拡幅部を備えない、請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記圧電膜の前記ＩＤＴ電極が位置する側と反対側に位置し、前記圧電膜における弾性波の音速に比べ高い音速を備える支持基板を備え、前記圧電膜と前記支持基板との間には、前記圧電膜よりも音速の低い材料からなる中間層が位置する、請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記第２電極指は、前記第１電極指の先端を結ぶ仮想線よりも前記第２バスバー側の領域において前記交差領域に比べて幅が太くなっている、請求項６に記載の弾性波素子。
【請求項８】
前記圧電膜の前記ＩＤＴ電極が位置する側と反対側に位置する支持基板を備え、前記圧電膜と前記支持基板との間には、多層膜反射器が位置する、請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項９】
前記第２電極指の先端を結ぶ方向と、前記配列方向とが傾斜角度をなしており、
前記第１ダミー電極の前記配列方向における幅は、前記交差領域における第２電極指の幅に比べて太い、請求項１乃至８のいずれかに記載の弾性波素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、弾性波素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１には、１５°回転ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３膜上に、Ａｌからなる電極が設けられている弾性表面波共振子が開示されている。この弾性表面波共振子では、ＩＤＴ電極の第１の電極指の先端同士を結ぶ直線及び第２の電極指の先端同士を結ぶ直線が、表面波伝搬方向に対して１８°から７２°ほど傾斜されている。
【０００３】
また、特許文献２には、支持基板上に、高音速膜、低音速膜、ＬｉＴａＯ３膜及びＩＤＴ電極をこの順序で積層してなる弾性波装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２８６６６３号公報
【特許文献２】国際公開２０１２／０８６６３９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、一方のバスバーで反射された横モードと、他方のバスバーで反射された横モードとが打ち消し合い、横モードを抑制することができるとされている。
【０００６】
特許文献２には、ＬｉＴａＯ３膜を用いたときにも横モードリップルが現れるという問題が提示されている。
【０００７】
近年、さらに、横モードリップルを抑制した弾性波素子の提供が求められている。本開示はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、横モードリップルを抑制し、高い位相特性を有する弾性波素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一実施形態に係る弾性波素子は、圧電膜と、ＩＤＴ電極と、を備える。ＩＤＴ電極は前記圧電膜に位置する。ＩＤＴ電極は、間をあけて位置する第１バスバーおよび第２バスバーと、前記第１バスバーに接続された複数の第１電極指と、前記第２バスバーに接続され、前記第１電極指と互い違いに間挿し合っている複数の第２の電極指と、前記第１バスバーに接続され、前記第２電極指の先端と間をあけて対向する第１ダミー電極と、前記第２バスバーに接続され、前記第１電極指の先端と間をあけて対向する第２ダミー電極と、を有する。そして、前記第１電極指の先端を結ぶ方向と、前記第１電極指および前記第２電極指の配列方向とが傾斜角度をなしている。また、前記第２ダミー電極の前記配列方向における幅は、前記第１電極指および前記第２電極指が交差する交差領域における第１電極指の幅に比べて太くなっている。前記圧電膜は、前記第１電極指および前記第２電極指の周期で決まる波長をλとしたときに１λ未満である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】弾性波素子１の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】図３（ａ）は実施例および比較例に係る弾性波素子の位相特性を示す線図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）の一部を拡大した図である。
【図４】図４（ａ）は比較例に係る弾性波素子の位相特性を示す線図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の一部を拡大した図である。
【図５】実施例および比較例に係る弾性波素子の位相特性を示す線図である。
【図６】図６（ａ）は比較例に係る弾性波素子の位相特性を示す線図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の一部を拡大した図である。
【図７】図７（ａ）は比較例に係る弾性波素子の位相特性を示す線図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の一部を拡大した図である。
【図８】実施例および比較例に係る弾性波素子の位相特性を示す線図である。
【図９】変形例に係るＩＤＴ電極の要部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本開示の一実施形態に係る弾性波素子について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いる図は模式的なものであり、図面上の寸法および比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１１】
弾性波素子は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として上面、下面等の用語を用いるものとする。
【００１２】
＜弾性波素子１＞
実施形態に係る弾性波素子の一例としてＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波素子１（ＳＡＷ素子１）の構成について説明する。
【００１３】
図１は、ＳＡＷ素子１の模式的な平面図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【００１４】
ＳＡＷ素子１は、圧電層２と、圧電層２の上面２Ａに設けられたＩＤＴ電極３と、ＳＡＷの伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極３の両側に設けた反射器電極４と、支持基板５と、を備える。
【００１５】
図２に示すように、ＳＡＷ素子１は、圧電層２の下面２Ｂ側に支持基板５が位置する。圧電層２と支持基板５とは直接、または間接的に接合されている。この例では、圧電層２と支持基板５との間には中間層７が介在している。
【００１６】
支持基板５は、本実施形態では、圧電層２を伝搬する弾性波（バルク波）の音速よりも速い音速を有する材料からなる。このような材料として、Ｓｉやサファイア、水晶、ＡｌＮ等を例示できる。
【００１７】
また、支持基板５として圧電層２よりも熱膨張係数の小さい材料を用いてもよい。このような材料として、例えばＳｉ，サファイア等を例示できる。この場合には、温度変化による圧電層２の伸縮を抑制し、温度変化による特性変化を低減することができる。
【００１８】
中間層７は、圧電層２と支持基板５と接合する材料としてもよい。また、圧電層２を伝搬するバルク波の音速よりも遅い音速を備える材料を用いてもよい。このような材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を例示できる。
【００１９】
そして、中間層７の上に、圧電層２が位置している。圧電層２は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３：以下、ＬＮという）結晶またはタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３：以下、ＬＴという）結晶からなる圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。具体的には、例えば、圧電層２は、３６°〜５４°Ｙカット−Ｘ伝搬のＬＴ基板によって構成
してもよい。圧電層２の平面形状および各種寸法は適宜に設定されてよい。
【００２０】
なお、圧電層２の厚み（ｚ方向）は、後述する電極指３２の中心間の間隔をｐとしたとき２ｐ未満とする。言い換えると、圧電層２は、後述する電極指３２周期で決まる波長をλとすると、λは２ｐに相当することから、λ未満の厚みとしている。
【００２１】
圧電層２の上面２ＡにはＩＤＴ電極３が位置している。ＩＤＴ電極３は、例えば、Ａｌや、Ａｌを主体とする合金を用いてもよい。また、複数の金属材料からなる層を積層して構成してもよい。このような金属材料としては、Ａｌの他にＣｕ，Ｍｏ，Ｎｉ等を例示できる。
【００２２】
ＩＤＴ電極３は、互いに異なる電位に接続される２つのポートＰ１，Ｐ２の間に位置する。そして、ＳＡＷ素子１は、ポートＰ１から高周波信号が入力され、ポートＰ２から高周波信号が出力される、いわゆる１ポート共振子として機能する。ＩＤＴ電極３は、複数の電極指３２を有し、図面のｘ方向に繰り返し配列されるように並んでいる。
【００２３】
ＩＤＴ電極３は、互いに噛み合う１対の櫛歯電極３０で構成される。櫛歯電極３０は、互いに対向する２本のバスバー３１と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延びる複数の電極指３２と、各バスバー３１から他のバスバー３１側へ延び、他のバスバー３１から延びる電極指３２の先端と対向するダミー電極３５と、を有している。そして、１対の櫛歯電極３０は、一方のバスバー３１に接続された電極指３２と他方のバスバー３１に接続された電極指３２とが、弾性波の伝搬方向に互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。このように、ＩＤＴ電極３は複数の電極指３２を備え、これらは、ＳＡＷの伝搬方向に沿って配列している。言い換えると、電極指３２の配列方向（ｘ方向）がＳＡＷの伝搬方向である。さらに言い換えると、電極指３２の伸びる方向（長辺方向）に直交する方向が、電極指３２の配列方向であり、かつＳＡＷの伝搬方向である。
【００２４】
この電極指３２のピッチは、略同一としてもよいし、反射器電極４に近い側の一部でピッチを小さくしたり大きくしたりする変化部を備えていてもよい。変化部はＩＤＴ電極４全体の１０％以下とする。
【００２５】
ここで、便宜的に、ポートＰ１側のバスバー３１を第１バスバー３１ａとし、ポートＰ２側のバスバー３１を第２バスバー３１ｂとする。また、第１バスバー３１ａに接続される電極指３２，ダミー電極３５をそれぞれ第１電極指３２ａ，第１ダミー電極３５ａという。同様に第２バスバー３１ｂに接続される電極指３２，ダミー電極３５をそれぞれ第２電極指３２ｂ，第２ダミー電極３５ｂという。
【００２６】
そして、第１電極指３２ａの先端を結ぶ方向と配列方向とが傾斜角度をなしている。具体的には、第１電極指３２ａの先端を結ぶ仮想線Ｌ１と配列方向であるｘ軸とが成す角度Ａ１が傾斜角度となるようにＩＤＴ電極３が傾斜している。以後、角度Ａ１を第１傾斜角度ということがある。
【００２７】
この例では、第２電極指３２ｂの先端を結ぶ方向と配列方向とも傾斜角度をなすよう傾斜している。具体的には、第２電極指３２ｂの先端を結ぶ仮想線Ｌ２と配列方向であるｘ軸とが成す角度Ｂ１が傾斜角度となるようにＩＤＴ電極３が傾斜している。以後、角度Ｂ１を第２傾斜角度ということがある。
【００２８】
角度Ａ１と角度Ｂ１とは異なっていてもよいが、この例では同じ角度としている。そして、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂとの交差領域、すなわち、仮想線Ｌ１・Ｌ２と、反射器４側に位置する電極指３２とで形成される形状は平行四辺形状となっている。なお、この例では、ＩＤＴ電極３の外形が平行四辺形状となっているが、交差領域のみが平行四辺形状となっていてもよい。
【００２９】
バスバー３１は、例えば概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されている。従って、バスバー３１の互いに対向する側の縁部は直線状である。複数の電極指３２は、例えば、概ね一定の幅で直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向に概ね一定の間隔で配列されている。
【００３０】
なお、バスバー３１の幅は一定でなくてもよい。バスバー３１の互いに対向する側（内側）の縁部が直線状であればよく、例えば内側の縁部を台形の底辺とするような形状であってもよい。
【００３１】
各電極指３２は、ＳＡＷの伝搬方向における幅ｗ１が、ＳＡＷ素子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定される。電極指３２の幅ｗ１は、例えばピッチｐに対して０．３倍以上０．７倍以下である。すなわち、Ｄｕｔｙが０．３〜０．７である。
【００３２】
なお、ここで電極指３２の幅ｗ１とは、第１電極指３２ａと第２電極指３２ｂとが互いに交差する交差領域の中央付近における値である。
【００３３】
そして、第２ダミー電極３５ｂの幅ｗ２は幅ｗ１よりも太くなっている。この例では、第２ダミー電極３５ｂに加え、第１ダミー電極３５ａの幅ｗ３も幅ｗ２と同等とし幅ｗ１より太くしている。さらに、第１ダミー電極３５ａの先端をつなぐ仮想線Ｌ３よりも第１バスバー３１ａ側の領域である第１ダミー電極領域，第２ダミー電極３５ｂの先端をつなぐ仮想線Ｌ４よりも第２バスバー３１ｂ側の領域である第２ダミー電極領域に位置する第１電極指３２ａおよび第２電極指３２ｂの幅も幅ｗ２と同等としている。すなわち、電極指３２の根本部分の幅が太くなっている。このような構成とすることで、横モードスプリアスを低減することができる。以下、本構成によるスプリアス低減効果について検証する。
【００３４】
上記ＳＡＷ素子１において共振子特性を説明する。ＳＡＷ素子１（実施例１）の設計パラメータは以下の通りとした。
【００３５】
圧電層２の材料：カット角４６°のＹカットＸ伝搬のＬＴ
圧電層２の厚さ：０．８ｐ
ＩＤＴ電極３の交差幅：２０λ
ＩＤＴ電極３の電極指本数：２００本
ＩＤＴ電極３の第１ダミー電極領域および第２ダミー電極領域におけるＤｕｔｙ：０．７０
ＩＤＴ電極３の交差領域におけるＤｕｔｙ：０．５３
ダミー電極３５の長さ：４ｐ
傾斜角度：６°（ただしＡ１＝Ｂ１とする）
中間層７の材料：酸化ケイ素
中間層７の厚み：０．３ｐ
なお、ＩＤＴ電極３のピッチｐ＝１μｍとした。
【００３６】
上記設計パラメータに従って、ただし、第１ダミー電極領域および第２ダミー電極領域におけるＤｕｔｙを交差領域におけるＤｕｔｙと同等とした比較例１のＳＡＷ素子を作製した。
【００３７】
図３（ａ）に、実施例１と比較例１との共振子の位相特性を示す。また、図３（ｂ）に
、図３（ａ）の拡大図を示す。図３（ａ），（ｂ）において、横軸は周波数（単位：ＭＨｚ）、縦軸は位相（単位：°）を示す。図３（ｂ）に示す共振周波数および反共振周波数の間においては位相が９０°に近いほどロスが低減できていることを示す。なお、図３では、実施例１の特性を実線で、比較例１の特性を破線で示している。
【００３８】
図３から明らかなように、実施例１は、比較例１に比べて共振周波数近傍におけるロスを低減できていることが確認できる。このように、消費電力が最も高くなる共振周波数近傍におけるリップルを低減することで、耐電力性を向上させることができる。
【００３９】
図４に、比較例２として比較例１のＳＡＷ素子において傾斜角度を−６°〜＋６°まで変化させたときの位相特性を示す。具体的には、比較例２−１の傾斜角度を−６°，比較例２−２の傾斜角度を−４°比較例２−３の傾斜角度を０°，比較例２−４の傾斜角度を４°，比較例２−５の傾斜角度を６°とした。なお、図４では、比較例２−１〜２−５の特性を順に、実線，点線，破線，一点鎖線，長二点鎖線でそれぞれ示している。
【００４０】
図４（ａ），図４（ｂ）はそれぞれ、図３（ａ），図３（ｂ）に相当する線図である。この図からも明らかなように、傾斜角度を０°のときに共振周波数と反共振周波数との間の周波数範囲において多く確認されていたリップルがＩＤＴ電極３を傾斜させることにより低減されている。なお、実際にはさらに大きく傾斜角度を振って位相特性を確認している。その結果、傾斜角度を｜６°±１°｜とすることで共振周波数から反共振周波数の間における最大位相が高い状態で効果的に横モードリップルを低減できることが分かった。ただし、比較例２のうち最も位相特性のよかった傾斜角度＋６°のＳＡＷ素子（比較例１）においても共振周波数近傍のリップルを低減することができていないことが確認できる。
【００４１】
これに対して、実施例１に係るＳＡＷ素子１によれば、ＩＤＴ電極３を傾斜させるだけでは低減しきれなかったリップルを、ダミー電極３５の線幅を交差領域の電極指３２線幅に比べて太くすることで低減できることが確認できた。
【００４２】
なお、傾斜角度の正負は圧電層３の結晶軸であるＸ軸に対する向きで決まる。すなわち右手系の座標軸表示で表わすときに、平面視で左回りの方向に傾斜する場合を＋方向に傾斜するものと定義する。
【００４３】
＜Ｄｕｔｙ＞
次に、実施例１のＳＡＷ素子１において、交差領域における電極指３２の線幅に対するダミー電極３５の線幅を変化させたときの位相特性を測定した。具体的には、交差領域におけるＤｕｔｙが０．５３であるのに対して、ダミー領域（第１ダミー領域および第２ダミー領域）におけるＤｕｔｙを、０．５３〜０．７０まで変化させた。具体的には、ダミー領域におけるＤｕｔｙを、０．５３，０．５７，０．６１，０．６６，０．７０と異ならせ、順に比較例１，実施例１−１，実施例１−２，実施例１−３，実施例１−４として位相特性を測定した。
【００４４】
図５に、このようにして測定した結果を示す。図５は図３（ｂ）に相当する図である。図５において、比較例１、比較例１−１〜１−４の特性を順に、実線，点線，破線，一点鎖線，長二点鎖線でそれぞれ示している。図５からも明らかなように、ダミー領域におけるＤｕｔｙを大きくしていくことで共振周波数近傍のリップルを低減させることができることを確認した。特に交差領域におけるＤｕｔｙよりも０．０８以上大きくすることで、リップルを概ねなくすことができる。また、Ｄｕｔｙを大きくするほどロスを低減できるが、隣接する他の電極指３２やダミー電極３５との短絡を低減するためにＤｕｔｙは０．７以下としてもよい。すなわち、交差領域のＤｕｔｙよりも０．１６以下の範囲で大きくしてもよい。この値は、交差領域におけるＤｕｔｙを基準とすると比率で１．１５〜１．３２倍となる。
【００４５】
なお、ダミー領域におけるＤｕｔｙを０．７を超えてさらに大きくした場合には、反共振周波数よりも高周波数側におけるストップバンドのスプリアスが反共振周波数側に近付くようにシフトし、かつスプリアス強度も大きくなっていく様子を確認している。
【００４６】
＜横モードスプリアス発生条件＞
次に、本構成の優位性が発現する条件に付いて検討する。
【００４７】
図６に、比較例３として圧電層２の厚みが１λ以上ある場合の位相特性を示す。比較例３のＳＡＷ素子は、実施例１の構成と、電極指３２のピッチが１．１μｍである点、圧電層の厚みが１８ｐ（すなわち９λ）である点が異なる。そして、交差領域におけるＤｕｔｙが０．５３であるのに対して、ダミー領域におけるＤｕｔｙを、０．５３〜０．７０（０．５３，０．５７，０．６１，０．６６，０．７０）まで変化させた。順に比較例３−１〜３−５というものとする。
【００４８】
図６は、このような比較例３のＳＡＷ素子の位相特性であって、図３（ａ），図３（ｂ）に相当するものである。図６において、比較例３−１〜３−４の特性を順に、実線，点線，破線，一点鎖線，長二点鎖線でそれぞれ示している。図６からも明らかなように、圧電層２の厚みが１λ以上ある場合には、バルク波スプリアスは散見されるが、共振周波数および反共振周波数近傍における横モードリップルは確認されず、さらにダミー電極領域のＤｕｔｙによる特性変化も確認されなかった。
【００４９】
このことから、ダミー電極領域のＤｕｔｙによる特性変化は圧電層３の厚みが１λ未満となり、ＳＡＷが圧電層内に閉じ込められるようになってから発現するものと推測される。
【００５０】
次に、図７に、比較例４のＳＡＷ素子の位相特性を示す。比較例４のＳＡＷ素子は、実施例１の構成と、傾斜角度を０°とした点、電極指３２のピッチを１．１μｍとした点、および圧電層の厚みを０．７λとした点で異なる。そして、交差領域におけるＤｕｔｙが０．５３であるのに対して、ダミー電極領域のＤｕｔｙを０．７０とした場合（比較例４−１）と、交差領域と同等とした場合（比較例４−２）との２条件を設定した。
【００５１】
図７は、このような比較例４のＳＡＷ素子の位相特性であって、図３（ａ），図３（ｂ）に相当するものである。図７において比較例４−１の特性を実線で、比較例４−２の特性を破線で示している。図７からも明らかなように、傾斜角度が０°の場合には、共振周波数および反共振周波数近傍における横モードリップルが大きく、ダミー領域のＤｕｔｙによる特性変化も確認されなかった。
【００５２】
このことから、ダミー領域のＤｕｔｙによる特性変化は、ＩＤＴ電極を傾斜させることで初めて発現するものと推測される。
【００５３】
以上より、ダミー領域のＤｕｔｙによる特性変化は、圧電層の厚みが１λ未満になって、ＳＡＷが圧電層に閉じ込める構成になり、かつ、ＩＤＴ電極を傾斜させて横モードリップルを低減することで初めて効果を発現する現象であることが確認された。
【００５４】
＜変形例＞
次に、電極指３２の先端形状について検討する。比較例５として、電極指３２およびダミー電極３５の先端部に拡幅部を備える構成のＳＡＷ素子について位相特性を測定した。
拡幅部とは、ＳＡＷの伝搬方向、もしくは、電極指３２の間やダミー電極３５と電極指３２との間の領域に張り出す突起部と言うこともできる。
【００５５】
図８に、比較例５と実施例１との位相特性のうち共振周波数の低周波数側（図３（ａ）の破線で囲む領域）の拡大図を示す。図８において、実線は実施例１の特性を、破線は比較例５の特性を示している。図８からも明らかなように、拡幅部を備える場合には共振周波数の低周波数側の位相特性が悪化することを確認した。以上より、ＩＤＴ電極３を電極指３２の先端近傍に拡幅部を備えない形状としてもとよい。
【００５６】
また、拡幅部は静電破壊の原因となりうる。このため、図９に示すようにダミー領域においては一様な線幅とし、そこから交差領域に向かって徐々に幅を減少させていくことで、ＳＡＷの伝搬方向に張り出すような突起部を備えない構成としてもよい。
【００５７】
＜変形例２＞
次に、電極指３２の根本を太くする場合において、根本から太くする長さを異ならせた場合について検討した。その結果、根元からダミー電極の先端を結ぶ仮想線（Ｌ１，Ｌ２）まで太くした場合よりも、他方の電極指の先端を結ぶ仮想線の位置まで太くした場合の方が共振周波数と反共振周波数との間の最大位相値を高くすることができることが分かった。
【００５８】
具体的には、根元からダミー電極の先端を結ぶ仮想線（Ｌ１，Ｌ２）まで太くした場合には最大位相が８８．６７ｄｅｇであったのに対して、他方の電極指の先端を結ぶ仮想線の位置まで太くした場合には最大位相が８８．７４ｄｅｇであった。
【００５９】
なお、最大位相以外の特性は特に差異が確認されなかった。すなわち、根本から太くする長さを異ならせても、スプリアス等が発生することはなかった。
【００６０】
上述の例では、圧電層３と支持基板５との間に中間層７を介在させた場合を例に説明したが、この限りではない。例えば、圧電層３のみであってもよいし、圧電層３と支持基板５とが直接接合されていてもよいし、中間層７が２層以上積層された構成としてもよい。その場合には、圧電層３よりも高音速の材料からなる層を含んでいてもよい。さらに、圧電層３と支持基板７との間に、低音速膜と高音速膜とを交互に繰り返し配列した多層膜反射器が位置していてもよい。
【００６１】
また、上述の例では、第１電極指の先端を結ぶ方向に加え第２電極指の先端を結ぶ方向もＳＡＷの伝搬方向に対して傾斜していたが、どちらか一方でも効果を奏しうる。また、上述の例では、ＩＤＴ電極全体において一様に傾斜する構成としたが、ＩＤＴ電極の一部のみ傾斜する構成としてもよいし、傾斜角度が一様でなくてもよい。
【００６２】
さらに、上述の例では、第１ダミー電極および第２ダミー電極の双方の幅を太くした場合について説明したが、どちらか一方でもよい。
【００６３】
また、上述の例では１ポート共振子の場合を例に説明したが、この限りではない。例えば、ＤＭＳ等の縦結合型共振子フィルタを構成する櫛歯電極にも適用可能である。
【００６４】
また、上述のＳＡＷ素子１を複数備えたフィルタおよび分波器（デュプレクサ、マルチプレクサ等）としてもよい。例えば、複数のＳＡＷ素子１をラダー型に接続してフィルタを構成してもよい。
【００６５】
さらに、上述のように構成したフィルタや分波器等とＩＣとを組み合わせて通信装置を
構成してもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１：弾性波素子（ＳＡＷ素子），２：圧電基板，２Ａ：上面，３：励振電極（ＩＤＴ電極），３０：櫛歯電極，３１：バスバー（第１バスバー３１ａ、第２バスバー３１ｂ），３２：電極指，３５：ダミー電極（第１ダミー電極３５ａ，第２ダミー電極３５ｂ），４：反射器電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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