(57)【要約】【課題】一覧性に優れた情報処理装置を提供する。または、可搬性に優れた情報処理装置を提供する。または、消費電力が少ない情報処理装置を提供する。または、表示品位が高い情報処理装置を提供する。【解決手段】可撓性を有する表示部と、表示部の外周に配置される複数の駆動回路部と、表示部の外形の状態を識別する検知部と、駆動回路部に画像情報を供給する演算部と、演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部と、を有し、検知部によって、表示部が展開される第１の形態、または表示部が折り畳まれる第２の形態が検知され、プログラムが第１の形態または第２の形態に応じて、低消費電力処理及び劣化補正処理を行う。【選択図】図１
2020166295.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する表示部を有し、
前記表示部は、第１乃至第３の領域を有し、
前記第１乃至第３の領域が表示領域となる第１の形態と、
前記第１の領域が表示領域であり、前記第２及び第３の領域が非表示領域である第２の形態と、を有し、
前記第１の形態の場合に、前記表示部の表示ムラを抑制する第１の処理を行い、
前記第２の形態の場合に、消費電力を抑制する第２の処理を行い、
前記第１の処理は、
前記第２の処理を行った時間を特定するステップと、
前記時間に応じて、前記第１の表示領域の電流量を制御するステップを有する情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシ
ン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特
に、本発明は、例えば、ヒューマンインターフェース、半導体装置、表示装置、発光装置
、照明装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、
本発明は、例えば、画像情報の処理および表示方法、プログラムおよびプログラムが記録
された記録媒体を有する装置に関する。特に、本発明は、例えば、表示部を備える情報処
理装置に処理された情報を含む画像を表示する画像情報の処理、表示方法および表示部を
備える情報処理装置に処理された情報を含む画像を表示させるプログラム並びに当該プロ
グラムが記録された記録媒体を有する情報処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場
や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようにな
っている。
【０００３】
このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。
【０００４】
例えば、携帯可能な情報処理装置の一例として、フィルム基板上に、スイッチング素子
であるトランジスタや有機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発
光装置が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
大きな画面を備え、多くの情報を表示することができる表示装置は、一覧性に優れる。
よって、情報処理装置に好適である。
【０００７】
一方で、大きな画面を備える表示装置は、小さな画面を備えるものに比べて可搬性が劣
る。また、大きな画面を備える表示装置は、小さな画面を備えるものに比べて、消費電力
が高い。
【０００８】
また、表示装置において、表示品位が低下する場合がある。例えば、表示装置として、
発光素子を用いた場合、発光強度や発光時間に応じて、発光素子の発光特性が劣化してく
る。そのため、発光強度や発光時間が画素ごとに異なる場合、発光素子の劣化状態が異な
るため、表示ムラとして観察されるため表示品位が低下してしまう。
【０００９】
上記課題に鑑み、本発明の一態様は、一覧性に優れた情報処理装置などを提供すること
を課題の一つとする。または、可搬性に優れた情報処理装置などを提供することを課題の
一つとする。または、消費電力が少ない情報処理装置などを提供することを課題の一つと
する。または、表示品位が高い情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。ま
たは、表示ムラの少ない情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。または、
新規な情報処理装置などを提供することを課題の一つとする。
【００１０】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、可撓性を有する表示部と、表示部の外周に配置される複数の駆動回
路部と、表示部の外形の状態を識別する検知部と、駆動回路部に画像情報を供給する演算
部と、演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部と、を有し、検知部によって、表
示部が展開される第１の形態、または表示部が折り畳まれる第２の形態が検知され、プロ
グラムが第１の形態または第２の形態に応じて、低消費電力処理及び劣化補正処理を行う
ことを特徴とする情報処理装置である。
【００１２】
また、本発明の一態様の情報処理装置が記憶するプログラムは、外形の状態を特定する
第１のステップと、第１の形態の場合に第４のステップに進み、且つ第１の形態以外の場
合に第３のステップに進む第２のステップと、第２の形態の場合に第５のステップに進み
、且つ第２の形態以外の場合に第１のステップに進む第３のステップと、劣化補正処理が
必要な場合に第６のステップに進み、且つ劣化補正処理が必要ない場合に、第７のステッ
プに進む第４のステップと、低消費電力処理を行う第５のステップと、劣化補正処理を行
う第６のステップと、終了する第７のステップと、を有し、低消費電力処理が、非表示領
域を決定する第８のステップと、少なくとも１つの駆動回路部を休止する第９のステップ
と、休止する時間を計測する第１０のステップと、低消費電力処理を解除する場合に第１
２のステップに進み、且つ低消費電力処理を解除しない場合に第９のステップに進む第１
１のステップと、低消費電力処理から復帰する第１２のステップと、を有し、劣化補正処
理が、低消費電力処理を行った表示領域の時間を特定する第１３のステップと、低消費電
力処理を行った表示領域の電流量を制御する第１４のステップと、劣化補正処理を解除す
る場合に第１６のステップに進み、且つ劣化補正処理を解除しない場合に第１４のステッ
プに進む第１５のステップと、劣化補正処理から復帰する第１６のステップと、を有する
。
【００１３】
また、上記各構成において、駆動回路部のドライバが、折り畳まれる領域以外に独立し
て形成されると好ましい。駆動回路部が、折り畳まれる領域以外に独立して形成されるこ
とによって、低消費電力処理、及び劣化補正処理を好適に行うことができる。
【００１４】
このように、本発明の一態様の情報処理装置においては、プログラムが第１の形態また
は第２の形態に応じて、低消費電力処理、及び劣化補正処理を行うことによって、表示部
の表示ムラを抑制し、且つ消費電力を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、一覧性に優れた情報処理装置を提供できる。または、可搬性
に優れた情報処理装置を提供できる。または、消費電力が少ない情報処理装置を提供でき
る。または、表示品位が高い情報処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】情報処理装置の構成を説明するブロック図及び上面模式図。
【図２】情報処理装置の構成を説明する上面模式図及び断面図。
【図３】情報処理装置の構成を説明する上面模式図及び断面図。
【図４】情報処理装置の演算部に実行させるプログラムを説明するフロー図。
【図５】情報処理装置の演算部に実行させるプログラムを説明するフロー図。
【図６】情報処理装置の構成を説明する上面模式図。
【図７】情報処理装置の構成を説明する上面模式図。
【図８】画素の回路構成を説明する図。
【図９】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１０】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１１】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１２】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１３】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１４】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１５】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１６】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１７】表示装置の回路構成を説明する図。
【図１８】情報処理装置の一態様を説明する斜視図。
【図１９】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する上面図及び断面図。
【図２０】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する断面図。
【図２１】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する断面図。
【図２２】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する断面図。
【図２３】情報処理装置に用いることのできる発光パネルの作製方法を説明する断面図。
【図２４】情報処理装置に用いることのできる発光パネルの作製方法を説明する断面図。
【図２５】情報処理装置に用いることのできる発光パネルを説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の一態様の情報処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以
下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明す
る発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図
面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００１８】
また、図面におけるブロック図の各ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定する
ものであり、異なるブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路や領
域においては同じ回路や同じ領域内で別々の機能を実現しうるように設けられている場合
もある。また図面におけるブロック図の各ブロックの機能は、説明のため機能を特定する
ものであり、一つのブロックとして示していても、実際の回路や領域においては一つのブ
ロックで行う処理を、複数のブロックで行うよう設けられている場合もある。
【００１９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１乃至図１７を
用いて以下説明する。
【００２０】
図１（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置１００の構成を説明するブロック図である
。
【００２１】
図１（Ａ）に示す情報処理装置１００は可撓性を有する表示部１０２と、表示部１０２
の外周に配置される複数の駆動回路部１０４と、表示部１０２の外形の状態を識別する検
知部１０６と、駆動回路部１０４に画像情報を供給する演算部１０８と、演算部１０８に
実行させるプログラムを記憶する記憶部１１０と、を有する。
【００２２】
また、図１（Ａ）においては、表示部１０２と駆動回路部１０４によって、表示パネル
１０５を構成する。なお、表示パネル１０５は、表示部１０２のみを有する構成、または
表示部１０２と、検知部１０６、演算部１０８、記憶部１１０等を組み合わせる構成でも
良い。
【００２３】
なお、図１（Ａ）に示すように、可撓性を有する表示部１０２と駆動回路部１０４によ
って、表示パネル１０５を構成することで、駆動回路部１０４も可撓性を有することがで
きる。ただし、駆動回路部１０４は、表示パネル１０５と異なる基板に作製し可撓性を有
さない構成としてもよい。
【００２４】
図１（Ａ）に示す本発明の一態様の情報処理装置１００は、可撓性を有する表示部１０
２の外形を変形することが可能であることから、一覧性の優れた機能と可搬性に優れた機
能を両立させることができる。例えば、表示部１０２が展開される場合は、一覧性の優れ
た情報処理装置１００として、表示部１０２が折り畳まれる形態の場合、可搬性に優れた
情報処理装置１００とすることができる。
【００２５】
ここで、図１（Ａ）に示す各構成について、以下詳細に説明を行う。
【００２６】
＜表示部＞
表示部１０２は、外形を変形することが可能な基板、例えば可撓性を有する基板または
可撓性を有するフィルム上に形成される。
【００２７】
＜駆動回路部＞
駆動回路部１０４は、表示部１０２の外周に配置される。また、駆動回路部１０４から
表示部１０２に信号を供給する。駆動回路部１０４としては、表示部１０２を駆動させる
ことができればよく、例えば、表示部１０２にマトリクス状に画素が配置される場合、画
素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（ゲートドライバ）と、画素の表示素子を
駆動するための信号（データ信号）を供給するための回路（ソースドライバ）を用いるこ
とができる。
【００２８】
また、駆動回路部１０４の一部または全部は、表示部１０２と同一基板上に、同一工程
で形成されていることが好ましい。特に、折り曲げる付近には、同一基板上に、同一工程
で形成しやすいゲートドライバを設けることが好ましい。ゲートドライバは、動作周波数
が低いため、表示部１０２と同一基板上に、同一工程で形成しやすい。これにより、部品
数や端子数を減らすことが可能となる。また、表示部１０２と同一工程で形成された素子
を用いることとなるため、駆動回路部１０４の一部または全部も、可撓性を有することが
出来る。そのため、表示部１０２に対して、任意の場所で折り曲げることが出来る。その
ため、情報処理装置１００は割れにくく、丈夫な装置とすることが出来る。ただし、駆動
回路部１０４の構成はこれに限定されず、例えば、表示部１０２と同一基板上に形成され
ていない構成としてもよい。この場合、駆動回路部１０４の一部または全部は、ＣＯＧや
ＴＡＢによって、実装することができる。ＣＯＧやＴＡＢによって実装する場合には、表
示部１０２が設けられた基板を折り曲げる場合、折り目となる領域には、ＣＯＧやＴＡＢ
によって設けられたＩＣまたはＬＳＩ等を設けないようにすることが好ましい。これによ
り、表示部１０２が設けられた基板を折り曲げることが出来る。
【００２９】
なお、駆動回路部１０４としては、保護回路、制御回路、電源回路、信号生成回路等を
含む機能を有する構成としてもよい。
【００３０】
また、駆動回路部１０４として、電源回路を複数有する構成とし、さらに該電源回路を
独立して制御する構成とすることで、表示部１０２を分割して駆動させる構成としてもよ
い。または、分割された表示部１０２の各部に、電源電圧の供給をそれぞれ制御できるよ
うな構成としてもよい。また、上述した電源回路の一部、あるいは電源回路とは別に表示
部１０２に設けられる発光素子に流れる電流量をモニターする機能を有する回路を設けて
もよい。発光素子に流れる電流量をモニターすることで、表示部１０２の消費電力を計測
することが可能となる。例えば、電流量のモニターとしては、表示部１０２に用いられる
発光素子のアノード−カソード間の電流量をモニターすればよい。
【００３１】
＜演算部＞
演算部１０８は、駆動回路部１０４に画像情報を供給する機能を有する。
【００３２】
＜検知部＞
検知部１０６は、表示部１０２の外形の状態を識別することが可能な機能を有する。例
えば、表示部１０２が展開される第１の形態、または表示部１０２が折り畳まれる第２の
形態を検知する。検知部１０６としては、表示部１０２の外形の状態を識別することが出
来ればよく、例えばスイッチ、ＭＥＭＳ圧力センサ、加速度センサ、赤外線センサ、磁気
センサ、または感圧センサ等を用いて構成することができる。
【００３３】
＜記憶部＞
記憶部１１０は、演算部１０８に実行させるプログラムを記憶する。該プログラムは、
検知部１０６からの情報に応じて異なる処理を演算部１０８に実行させる。
【００３４】
次に、図１（Ａ）に示す表示パネル１０５の具体的な構成の一例について、以下説明を
行う。
【００３５】
図１（Ｂ）は、表示パネル１０５の構成を説明する上面模式図である。
【００３６】
図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、破線α１−α２間及び破線β１−β２間にて折
り畳むことができる。なお、図１（Ｂ）に示す構成の場合、表示パネル１０５は、３つ折
りにすることができる。ただし、表示パネル１０５の構成はこれに限定されず、１つ、ま
たは３つ以上の箇所で折り畳まれる構成としてもよい。なお、折り目である破線α１−α
２間と、破線β１−β２間とは、平行に配置されているが、本発明の一態様はこれに限定
されない。折り目は、平行ではない配置でもよいし、交差した状態で設けられていてもよ
い。
【００３７】
また、図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、表示部１０２と、表示部１０２の外周に
駆動回路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第２のゲートドライバ
１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ
＿２と、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、第１のソースドライバ１
０４ｓ＿１、及び第２のソースドライバ１０４ｓ＿２は、折り畳まれない領域にそれぞれ
独立に形成されている。
【００３８】
このとき、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２は折りたたまれる領域に配置されている
が、表示部１０２と同一基板上に、同一工程で形成された構成とすることで、問題なく動
作させることが出来る。ただし、本発明の一態様はこれに限定されず、例えば、図７（Ａ
）に示すように、表示部１０２の両側にゲートドライバ（ゲートドライバ１０４ｇ＿１Ａ
とゲートドライバ１０４ｇ＿１Ｂ、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ａとゲートドライバ１０
４ｇ＿２Ｂ、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｃとゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｄなど）が設
けられていてもよいし、ソースドライバは１つだけ配置されていてもよい。または、図１
（Ｂ）におけるゲートドライバの位置にソースドライバを配置し、図１（Ｂ）におけるソ
ースドライバの位置にゲートドライバを配置してもよい。または、折りたたまれる領域に
は第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２を配置せず、図７（Ａ）のゲートドライバ１０４ｇ
＿２Ａとゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｃ、または、ゲートドライバ１０４ｇ＿２Ｂとゲー
トドライバ１０４ｇ＿２Ｄのように、折り目には回路を配置しないようにしてもよい。こ
れにより、表示パネルの信頼性を向上させることが出来る。または、ＣＯＧやＴＡＢで実
装させることが出来る。
【００３９】
または、図７（Ｂ）に示すように、ゲートドライバとソースドライバとが同じ辺に配置
されていてもよい。図７（Ｂ）では、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿３、第２のゲート
ドライバ１０４ｇ＿４、第１のソースドライバ１０４ｓ＿３、および、第２のソースドラ
イバ１０４ｓ＿４が、片側に配置されている。そして、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿
３と第２のゲートドライバ１０４ｇ＿４とは、表示部１０２の周囲を囲うような形で配置
された配線を介して接続されている。このような配置とすることにより、表示部１０２を
折り曲げる位置を自由に変更することが出来る。また、駆動回路が折り曲げられないため
、トランジスタに圧力が加わらない。したがって、信頼性を向上させることが出来る。な
お、図７（Ｂ）では、ゲートドライバをソースドライバ側に配置して、ゲート線までの配
線を大きく迂回させて配置していたが、本発明の一態様はこれに限定されない。ゲートド
ライバ側にソースドライバを配置して、ソース線までの配線を大きく迂回させて配置して
もよい。
【００４０】
次に、図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５の表示部１０２が展開される状態（第１の形
態）の表示状態について、図２（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明を行う。
【００４１】
図２（Ａ）は表示パネル１０５の表示部１０２が展開される状態（第１の形態）の場合
の上面模式図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）に示す一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図
に相当する。
【００４２】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示部１０２の場合、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と
、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２の
ソースドライバ１０４ｓ＿２と、を使用することで、表示部１０２の全面に画像を表示さ
せることができる。
【００４３】
次に、図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５の表示部１０２が折り畳まれる状態（第２の
形態）の表示状態について、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明を行う。
【００４４】
図３（Ａ）は表示部１０２が折り畳まれる状態（第２の形態）の場合の上面模式図であ
り、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図に相当する。なお
、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）と異なる態様の表示状態とした際の断面図である。
【００４５】
図３（Ａ）に示す表示部１０２の場合、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第２の
ゲートドライバ１０４ｇ＿２と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースド
ライバ１０４ｓ＿２と、を使用すると表示部１０２の全面に画像が表示される。なお、図
３（Ｂ）においては、表示部１０２の全面に画像が表示される状態を模式的に表している
。しかしながら、折り込まれた箇所に位置する領域１２０については、視認者から直接観
察することができない。したがって、図３（Ｃ）に示すように、表示部１０２を表示部１
０２ａと表示部１０２ｂに分割し、視認者から観察することのできる表示部１０２ａの画
像のみ表示させて、視認者から観察することのできない表示部１０２ｂの画像を表示させ
ない構成とすることで、表示部１０２の消費電力を低減させることができる。
【００４６】
このように、表示部１０２ｂに、画像を表示させないようにするためには、様々な方法
を用いることが出来る。例えば、表示部１０２ｂの画素には、黒（輝度や階調数が最少）
の画像を表示させるようにする。つまり、表示部１０２ｂに供給される映像信号を制御す
ることにより、黒画像を表示させるようにする。これにより、表示部１０２ｂでは、発光
されないため、実質的に画像を表示させないことと同等とすることが出来る。
【００４７】
さらに、別の手法を用いることもできる。その場合、画素の回路構成によって異なる場
合がある。または、ソースドライバとゲートドライバの配置場所によって、異なる場合が
ある。
【００４８】
そこでまず、画素回路の一例を図８（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図８（Ａ）、（Ｂ）
では、トランジスタを用いたアクティブマトリックス型表示装置の場合の画素を示すが、
本発明の一態様は、これに限定されない。トランジスタなどを用いないパッシブマトリク
ス型の表示装置の画素でもよい。または、画素が配置されておらず、全面で発光するよう
な照明装置でもよい。
【００４９】
画素９０９は、トランジスタ９０１、トランジスタ９０３、容量素子９０２、発光素子
９０４を有している。配線９０６、配線９０５、配線９０７、配線９０８を介して、各画
素が接続されている。
【００５０】
配線９０６は、映像信号や初期化信号やプリチャージ信号などを供給することができる
機能を有している。よって、配線９０６は、ソース信号線、映像信号線などの機能を有し
ている。配線９０５は、選択信号などを供給することができる機能を有している。よって
、配線９０５は、ゲート信号線などの機能を有している。配線９０７は、発光素子９０４
または、トランジスタ９０３に電流を供給する機能、またはトランジスタ９０３の電流を
補正するための信号を供給する機能を有している。よって、配線９０７は、アノード線、
電流供給線、電源線、電圧供給線などの機能を有している。配線９０８は、陰極線、共通
電極、などの機能を有している。
【００５１】
トランジスタ９０１は、映像信号や初期化信号などを供給するか否か、または、画素を
選択するか否か、などを制御することができる機能を有している。よって、トランジスタ
９０１は、選択用トランジスタとしての機能を有している。容量素子９０２は、映像信号
や、トランジスタのしきい値電圧などを保持することができる機能を有している。トラン
ジスタ９０３は、発光素子９０４に流れる電流の大きさを制御することができる機能を有
している。トランジスタ９０３は、容量素子９０２に保持された電圧に応じて、電流の大
きさを制御することが出来る。つまり、トランジスタ９０３は、駆動トランジスタとして
の機能を有している。したがって、図８（Ａ）では、トランジスタ９０３は、Ｐチャネル
型が望ましく、図８（Ｂ）では、Ｎチャネル型が望ましい。ただし、本発明の一態様は、
これに限定されない。
【００５２】
なお、画素回路は、様々な構成を採用することができる。したがって、本発明の一態様
は、図８（Ａ）、（Ｂ）の構成に限定されない。
【００５３】
図９（Ａ）、（Ｂ）には、図８（Ａ）の画素回路がマトリクス状に配置された図を示す
。図９（Ａ）では、配線９０７と平行に折り目が設けられた場合を示し、図９（Ｂ）では
、配線９０５と平行に折り目が設けられた場合を示す。
【００５４】
図１０に、図９（Ａ）の場合に、配線９０７の導通状態を制御する回路９１１が設けら
れた場合のブロック図を示す。配線９０６は、ソースドライバ回路９１２と接続されてい
る。配線９０７は、回路９１１と接続されている。回路９１１は、複数の配線９０７のう
ち、どの配線に電圧を供給し、どの配線に電圧を供給しないかを制御することが出来る。
これにより、表示パネル１０５を折り畳んだ時に、非発光領域を構成することができ、消
費電力を低減することが出来る。
【００５５】
図１１（Ａ）、（Ｂ）には、回路９１１の内部の回路構成の一例を示す。図１１（Ａ）
では、１つ目の折り目である破線α１−α２間よりも左側の領域では、配線９１８Ａを使
用し、１つ目の折り目である破線α１−α２間よりも右側の領域では、配線９１８Ｂを使
用している。１つ目の折り目である破線α１−α２間よりも左側の領域は、表示パネル１
０５を折り畳んだときでも表示される領域であり、１つ目の折り目である破線α１−α２
間よりも右側の領域は、折り畳んだときには、表示しない領域である。ここで、配線９０
７Ａ、配線９０７Ｂなどは、配線９１８Ａに接続され、配線９０７Ｃ、配線９０７Ｄ、配
線９０７Ｅ、配線９０７Ｆ、などは、配線９１８Ｂに接続される。このような構成とする
ことにより、表示パネル１０５を折り畳んだときには、配線９１８Ａには電圧を供給する
ことによって、配線９０７Ａ、配線９０７Ｂなどを介して、各画素のトランジスタ９０３
や発光素子９０４に電流が供給されて、発光することが出来る。一方、配線９１８Ｂには
電圧を供給せずにフローティング状態にすることによって、または、発光素子９０４が発
光しないような電圧を供給することによって、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９
０４には電流が供給されず、発光しないようにすることが出来る。
【００５６】
なお、図１１（Ａ）では、１つ目の折り目である破線α１−α２間を境にして、配線９
１８Ａと配線９１８Ｂとに分けて各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４に接続さ
せるようにしたが、本発明の一態様は、これに限定されない。１つ目の折り目である破線
α１−α２間の右側の領域でも、表示パネル１０５を折り畳んだときに発光できるように
するため、図１１（Ｂ）に示すように、トランジスタ９０３や発光素子９０４を配線９１
８Ａと接続させてもよい。
【００５７】
なお、ソースドライバ回路９１２や回路９１１は、複数のＩＣチップに分けることによ
り、折り目と重なる領域には、ＩＣチップを配置しないようにして、ＣＯＧやＴＡＢでも
実装できるようにしてもよい。
【００５８】
なお、図１１（Ａ）、（Ｂ）では、配線９１８Ａと配線９１８Ｂとを用いて、表示パネ
ル１０５を折り畳んだときに発光する領域と発光しない領域とを制御できるようにしたが
、本発明の一態様は、これに限定されない。配線９１８Ａと配線９１８Ｂとを１本にまと
めて、そのかわりに、スイッチを配置することにより、発光を制御できるようにしてもよ
い。図１２（Ａ）は、１つ目の折り目である破線α１−α２間の左側の領域では、配線９
０７Ａ、配線９０７Ｂなどは、スイッチを介さずに、配線９１８と接続されている。その
ため、表示パネル１０５の折りたたみの有無にかかわらず、発光させることが出来る。一
方、１つ目の折り目である破線α１−α２間の右側の領域では、配線９０７Ｃ、配線９０
７Ｄ、配線９０７Ｅ、配線９０７Ｆなどは、スイッチ９１７Ｃ、スイッチ９１７Ｄ、スイ
ッチ９１７Ｅ、スイッチ９１７Ｆなどを介して、配線９１８と接続されている。そのため
、表示パネル１０５を折り畳んだ時には、これらのスイッチをオフにすることにより、画
素を非発光とすることが出来る。
【００５９】
なお、スイッチの有無により、領域によって抵抗値が変わってしまう場合には、図１２
（Ｂ）に示すように、１つ目の折り目である破線α１−α２間の左側の領域でも、配線９
０７Ａ、配線９０７Ｂなどをスイッチ９１７Ａ、スイッチ９１７Ｂなどを介して配線９１
８と接続させてもよい。
【００６０】
次に、図９（Ｂ）の場合に、領域によって発光を制御できるようにした構成について、
図１３（Ａ）に示す。図１３（Ａ）に示すように、１つ目の折り目である破線α１−α２
間の下側の領域では、各画素のトランジスタ９０３や発光素子９０４にゲートドライバ９
１３Ｂが接続され、１つ目の折り目である破線α１−α２間の上側の領域では、各画素の
トランジスタ９０３や発光素子９０４にゲートドライバ９１３Ａが接続されている。１つ
目の折り目である破線α１−α２間の下側の領域では、表示パネル１０５を折り畳んだと
きにも、発光できるようにゲートドライバ９１３Ｂが動作され、１つ目の折り目である破
線α１−α２間の上側の領域では、表示パネル１０５を折り畳んだときには、発光しない
ように、画素が選択されないように、ゲートドライバ９１３Ａが動作する。例えば、ゲー
トドライバ９１３ＡがＬ信号を出力する。これにより、ゲートドライバ９１３Ａが実質的
にスキャン動作しないため、消費電力を低減することが出来る。なお、図３（Ｃ）は、図
１３（Ａ）の場合に相当する。
【００６１】
図３（Ｃ）に示す表示部１０２の場合、例えば、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と
、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ＿２と、を使用
し、第２のゲートドライバ１０４ｇ＿２からは、選択信号を出力しない（例えば、Ｌ信号
のみを出力させる）ようにして、実質的にスキャン動作をさせないようにすることで、表
示部１０２ａのみ表示させることが可能となる。
【００６２】
なお、図１３（Ｂ）に示すように、ゲートドライバ９１４の出力部に、回路９１５を設
けることにより、選択信号が出力されるか否かを制御できるようにしてもよい。図１４に
、回路９１５の例を示す。配線９２０の電位をＨ信号とすることにより、ゲートドライバ
９１４の出力が、ＡＮＤ回路９１９によって制御されて、配線９０５に出力される。一方
、配線９２０の電位をＬ信号とすることにより、配線９０５は、常に、Ｌ信号が供給され
るようになる。これにより、画素への選択信号の供給を止めることが出来るため、消費電
力を低減することが出来る。
【００６３】
なお、ゲートドライバ９１４、回路９１５、ゲートドライバ９１３Ａなどは、複数のＩ
Ｃチップに分けることにより、折り目と重なる領域には、ＩＣチップを配置しないように
して、ＣＯＧやＴＡＢでも実装できるようにしてもよい。
【００６４】
次に、図８（Ｂ）の画素回路がマトリクス状に配置された図を、図１５（Ａ）、（Ｂ）
に示す。図１５（Ａ）では、配線９０６と平行に折り目が設けられた場合を示し、図１５
（Ｂ）では、配線９０５と平行に折り目が設けられた場合を示す。
【００６５】
図１６（Ａ）、（Ｂ）では、図１３（Ａ）と同様に、領域に応じて、別々の駆動回路を
配置した場合を示す。なお、配線９０５を駆動するための回路と、配線９０７を駆動する
ための回路とが設けられている場合があるが、図１６（Ａ）では、配線９０７を駆動する
ための回路として、回路９１６Ａと回路９１６Ｂとがそれぞれ設けられている。一方、図
１６（Ｂ）では、配線９０５を駆動するための回路９１３が領域に応じて分割せずに設け
られている。つまり、配線９０５を駆動するための回路と配線９０７を駆動するための回
路を、領域ごとに分ける構成、または分けない構成とすることが出来る。
【００６６】
また、図１３（Ｂ）の回路９１５と同様に、回路９２１を、回路９１６の出力部に設け
た場合の例を、図１７（Ａ）に示す。回路９２１の具体例を図１７（Ｂ）に示す。配線９
２３の電位を制御することにより、ＡＮＤ回路９２２によって、配線９０７の電位が制御
される。
【００６７】
このように、様々な方式により、領域に応じて発光状態を制御することが出来る。
【００６８】
しかしながら、図３（Ｃ）に示す表示部１０２のように、表示部１０２ａのみ画像を表
示させる構成で駆動回路部１０４を駆動させた後に、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネ
ル１０５の表示部１０２が展開される状態（第１の形態）で表示部１０２の全面に画像を
表示させると、図３（Ｃ）に示す表示部１０２ａと表示部１０２ｂの輝度が異なる現象が
生じうる。
【００６９】
例えば、表示部１０２として発光素子を用いた場合、表示部１０２ａのみ画像を表示さ
せる構成とすることで、表示部１０２ａの領域の発光素子が劣化しうる。したがって、表
示部１０２が展開される第１の形態の際に表示部１０２の面内で輝度等がばらつき、表示
ムラとして認識される。
【００７０】
そこで、本発明の一態様の情報処理装置１００においては、表示部１０２が展開される
第１の形態、または表示部１０２が折り畳まれる第２の形態に応じて、プログラムが低消
費電力処理、及び劣化補正処理を行い、駆動方法を制御することによって、表示部１０２
の表示ムラを抑制させることが可能となる。したがって、表示品位の高い情報処理装置を
提供することができる。
【００７１】
ここで、図４及び図５（Ａ）、（Ｂ）を用いて、上述したプログラムについて説明を行
う。
【００７２】
＜プログラム＞
図４は、図１（Ａ）に示す情報処理装置１００の記憶部１１０が有するプログラムのフ
ローチャートである。
【００７３】
まず、第１のステップにおいて、表示部１０２の外形の状態を検知部１０６からの情報
により特定する（ステップＳ１）。
【００７４】
第２のステップにおいて、表示部１０２が展開される形態（第１の形態）か判断する（
ステップＳ２）。第１の形態の場合に第４のステップに進み、第１の形態以外の場合に第
３のステップに進む。
【００７５】
第３のステップにおいて、表示部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）か判断する
（ステップＳ３）。第２の形態の場合に第５のステップに進み、第２の形態以外の場合に
第１のステップに進む。
【００７６】
第４のステップにおいて、劣化補正処理が必要か判断する（ステップＳ４）。劣化補正
処理が必要な場合に第６のステップに進み、劣化補正処理が必要ない場合に第７のステッ
プに進む。
【００７７】
第５のステップにおいて、低消費電力処理を行う（ステップＳ５）。また、第５のステ
ップ終了後に第７のステップに進む。
【００７８】
第６のステップにおいて、劣化補正処理を行う（ステップＳ６）。
【００７９】
第７のステップにおいて、終了する（ステップＳ７）。
【００８０】
ここで、第５のステップ（ステップＳ５）の低消費電力処理と、第６のステップ（ステ
ップＳ６）の劣化補正処理について、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すフローチャートを用いて
説明を行う。
【００８１】
＜低消費電力処理＞
第８のステップにおいて、非表示領域を決定する（ステップＴ８）。非表示領域として
は、図３（Ｂ）に示す領域１２０のように、視認者から観察されない領域とすればよい。
【００８２】
第９のステップにおいて、少なくとも１つの駆動回路部を休止する（ステップＴ９）。
【００８３】
少なくとも１つの駆動回路部を休止することなどで、表示部１０２が折り畳まれる形態
（第２の形態）の視認者から観察されない領域の画像を非表示とさせることが可能となる
ため、消費電力が低い情報処理装置１００とすることが可能となる。
【００８４】
第１０のステップにおいて、少なくとも１つの駆動回路部を休止する時間を計測する（
ステップＴ１０）。
【００８５】
第１１のステップにおいて、低消費電力処理を解除するか判断する（ステップＴ１１）
。低消費電力処理を解除する場合に第１２のステップに進み、低消費電力処理を解除しな
い場合に第９のステップに進む。
【００８６】
第１２のステップにおいて、低消費電力処理からプログラムへ復帰する（ステップＴ１
２）。
【００８７】
＜劣化補正処理＞
第１３のステップにおいて、低消費電力処理を行った表示領域の時間を特定する（ステ
ップＵ１３）。
【００８８】
第１４のステップにおいて、低消費電力処理を行った表示領域の電流量を制御する（ス
テップＵ１４）。
【００８９】
電流量の制御方法としては、例えば、表示部１０２として発光素子を用いた場合、表示
部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）時の非表示領域の電流量を低下させる、また
は表示部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）の時の表示領域の電流量を増加させる
。
【００９０】
このように、表示部１０２が折り畳まれる形態（第２の形態）時の表示領域または非表
示領域の電流量を制御することで、表示部１０２が展開される形態（第１の形態）時の表
示ムラを抑制することができる。
【００９１】
第１５のステップにおいて、劣化補正処理を解除するか判断する（ステップＵ１５）。
劣化補正処理を解除する場合に第１６のステップに進み、劣化補正処理を解除しない場合
に第１４のステップに進む。
【００９２】
また、劣化補正処理では、低消費電力処理を行った時間より算出して、低消費電力処理
を行った表示領域の電流量を制御する。しかし、表示状態により時間に対する劣化具合が
異なる可能性があるので、任意で低消費電力処理を行った表示領域の電流量の値を調整で
きるようにする。例えば、電流量を算出する際の計算式の係数を変更できるようにする。
【００９３】
第１６のステップにおいて、劣化補正処理から復帰する（ステップＵ１６）。
【００９４】
ここで、上述した低消費電力処理、及び劣化補正処理を行う、駆動回路部の構成の一例
について、図１（Ｂ）、及び図６（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明を行う。
【００９５】
図６（Ａ）、（Ｂ）は、表示パネル１０５の構成を説明する上面模式図である。なお、
図６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、図１（Ｂ）に示す表示パネル１０５の上
面模式図の変形例である。
【００９６】
また、図６（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、図１（Ｂ）に示す表示パネル１
０５と同様に破線α１−α２間及び破線β１−β２間にて表示パネル１０５を折り畳むこ
とができる。
【００９７】
図６（Ａ）に示す表示パネル１０５は、表示部１０２と、表示部１０２の外周に駆動回
路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第３のゲートドライバ１０４
ｇ＿３と、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ＿２と
、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、第１のソースドライバ１０４ｓ
＿１、及び第２のソースドライバ１０４ｓ＿２は、折り畳まれない領域にそれぞれ独立に
形成されている。
【００９８】
図６（Ｂ）に示す表示パネル１０５は、表示部１０２と、表示部１０２の外周に駆動回
路部１０４として、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１と、第３のゲートドライバ１０４
ｇ＿３と、第４のゲートドライバ１０４ｇ＿４と、第５のゲートドライバ１０４ｇ＿５と
、第１のソースドライバ１０４ｓ＿１と、第２のソースドライバ１０４ｓ＿２と、第３の
ソースドライバ１０４ｓ＿３と、を有する。なお、第１のゲートドライバ１０４ｇ＿１、
第４のゲートドライバ１０４ｇ＿４、第５のゲートドライバ１０４ｇ＿５、第１のソース
ドライバ１０４ｓ＿１、第２のソースドライバ１０４ｓ＿２、及び、第３のソースドライ
バ１０４ｓ＿３は、折り畳まれない領域にそれぞれ独立に形成されている。
【００９９】
図１（Ｂ）及び図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、駆動回路部１０４のドライバのうち
、少なくとも一つのドライバが折り畳まれない領域に独立して形成されると好ましい。ま
た、該駆動回路部のドライバを、独立して制御できると好ましい。
【０１００】
このようにドライバが折り畳まれない領域に独立して形成され、該ドライバを独立して
制御することで、低消費電力処理、及び劣化補正処理を好適に行うことが可能となる。
【０１０１】
また、ドライバが折り畳まれない領域に独立して形成されることで、駆動回路部の折り
曲げに対する耐性が向上するので好ましい。例えば、ドライバが折り畳まれる領域に形成
される場合、表示部１０２が展開される第１の形態と、表示部１０２が折り畳まれる第２
の形態と、を交互に繰り返すことによって、ドライバが破壊されうる。これは、表示部１
０２よりも駆動回路部の方が、トランジスタ等の素子が多いことに起因する。
【０１０２】
また、図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、折り畳まれる領域と、折り畳まれない領域に
駆動回路部を複数形成すると好ましい。図６（Ａ）、（Ｂ）に示す構成とすることで、表
示部１０２が展開される第１の形態と、表示部１０２が折り畳まれる第２の形態と、で異
なる駆動回路部を用いることができる。また、一部の駆動回路部が破壊した場合において
も、駆動回路部が複数形成されている場合には、破壊していない駆動回路部を用いて、表
示部１０２の動作を補填することが可能となる。
【０１０３】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。
【０１０４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の一例について、図１８を用いて説
明する。
【０１０５】
図１８（Ａ）に表示部が展開される形態（第１の形態）の情報処理装置１５０を示す。
図１８（Ｂ）に表示部が展開される形態（第１の形態）または表示部が折り畳まれる形態
（第２の形態）の一方から他方に変化する途中の形態の情報処理装置１５０を示す。図１
８（Ｃ）に表示部が折り畳まれる形態（第２の形態）の情報処理装置１５０を示す。
【０１０６】
図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す情報処理装置１５０は、可撓性を有する表示部を
含む表示パネル１５２を有する。情報処理装置１５０は、さらに複数の支持パネル１５３
ａと、複数の支持パネル１５５ａと、複数の支持パネル１５５ｂとを有する。
【０１０７】
支持パネル１５３ａとしては、例えば、表示パネル１５２もよりも可撓性の低い材料で
形成する。また、支持パネル１５５ａ、１５５ｂとしては、例えば、支持パネル１５３ａ
よりも可撓性の低い材料で形成する。図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、表示
パネル１５２の外周、及び表示パネル１５２の表示部と対向する面に支持パネルを有する
と、表示パネル１５２の機械的強度を高め、破損しにくい構造となり好ましい。
【０１０８】
また、支持パネル１５３ａ、１５５ａ、１５５ｂが遮光性を有する材料で形成されると
、表示パネル１５２が有する駆動回路部に外光が照射されることを抑制できる。これによ
り、駆動回路部に用いるトランジスタ等の光劣化を抑制できるため好適である。
【０１０９】
また、図１８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）において図示しないが、情報処理装置１５０が有
する演算部、記憶部、検知部等は、表示パネル１５２と支持パネル１５５ｂとの間に配置
することができる。
【０１１０】
支持パネル１５３ａ、１５５ａ、１５５ｂに用いることのできる材料としては、プラス
チック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラスチックやゴム等を用いることで
、軽量であり、破損しにくい支持パネルを得られるため好ましい。例えば、支持パネル１
５３ａ、１５５ａ、１５５ｂとして、シリコーンゴム、ステンレス、またはアルミニウム
を用いればよい。
【０１１１】
また、情報処理装置１５０において、可撓性を有する表示部を含む表示パネル１５２は
、内曲げ、外曲げのいずれで折りたたむこともできる。情報処理装置１５０を使用しない
際に、表示パネル１５２の表示部が内側になるように曲げることで、表示部にキズや汚れ
がつくことを抑制できる。
【０１１２】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができ
る。
【０１１３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に用いることのできる、発光パネル
について図１９〜図２４を用いて説明する。
【０１１４】
＜具体例１＞
図１９（Ａ）に発光パネルの上面図を示し、図１９（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２
間の切断面の断面図の一例を図１９（Ｂ）に示す。
【０１１５】
図１９（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１
３、絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、及び絶縁層２５５を有する。
【０１１６】
導電層２５４は、接続体２１５を介してＦＰＣ１８６と電気的に接続する。
【０１１７】
発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下
部電極２３１は、トランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する
。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はトップエミ
ッション構造である。上部電極２３５は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過す
る。
【０１１８】
発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、絶縁層２１１と重なる位置
に遮光層２５７が設けられている。着色層２５９及び遮光層２５７は絶縁層２６１で覆わ
れている。発光素子２３０と絶縁層２６１の間は封止層２１３で充填されている。
【０１１９】
発光パネルは、光取り出し部１８２及び駆動回路部１８４に、複数のトランジスタを有
する。トランジスタ２４０は、絶縁層２０５上に設けられている。絶縁層２０５と基板２
０１は接着層２０３によって貼り合わされている。また、絶縁層２５５と基板１８１は接
着層１８５によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２５５に透水性の低い膜
を用いると、発光素子２３０やトランジスタ２４０に水等の不純物が侵入することを抑制
でき、発光パネルの信頼性が高くなるため好ましい。接着層２０３は、接着層１８５と同
様の材料を用いることができる。
【０１２０】
具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２０５やトランジスタ２４０、発光素
子２３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層２０３を用いて基板２０１上に絶縁層２
０５やトランジスタ２４０、発光素子２３０を転置することで作製できる発光パネルを示
している。また、具体例１では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層２５５、着色層２５９
及び遮光層２５７を作製し、該作製基板を剥離し、接着層１８５を用いて基板１８１上に
絶縁層２５５、着色層２５９及び遮光層２５７を転置することで作製できる発光パネルを
示している。
【０１２１】
基板に、透水性が高く耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に
高温をかけることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制
限がある。本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作
製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分に透水性の低い絶縁膜を形成すること
ができる。そして、それらを基板１８１や基板２０１へと転置することで、信頼性の高い
発光パネルを作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ
信頼性の高い情報処理装置を実現できる。
【０１２２】
基板１８１及び基板２０１には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。
これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例えば、基板１８１
を有機樹脂基板とし、基板２０１を厚さの薄い金属材料や合金材料を用いた基板とするこ
とで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光パネルを
実現できる。
【０１２３】
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光パ
ネルの局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた
基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であ
ることがより好ましい。
【０１２４】
また、基板２０１に、熱放射率が高い材料を用いると発光パネルの表面温度が高くなる
ことを抑制でき、発光パネルの破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板２０１を
金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができ
る）の積層構造としてもよい。
【０１２５】
＜具体例２＞
図２０（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。図２０（Ａ）
の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。なお、以下の各具体例では、具
体例１と同様の構成については説明を省略する。
【０１２６】
図２０（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶
縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層２１７、封止層２１
３、絶縁層２６１、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８１、導電
層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５、及び絶縁層２５５を有する。
【０１２７】
具体例２では、絶縁層２１１上に絶縁層２１７を有する。絶縁層２１７を設けることで
、基板１８１と基板２０１の間隔を調整することができる。
【０１２８】
図２０（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。
基板２０１側の非発光領域（例えばトランジスタ２４０や配線が設けられた領域）に重ね
て受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の開口率を低下させることな
く発光パネルにタッチセンサを設けることができる。
【０１２９】
発光パネルが有する受光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードを
用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層２７１、ｉ型半
導体層２７３、及びｎ型半導体層２７５を有するｐｉｎ型のフォトダイオードを用いる。
【０１３０】
なお、ｉ型半導体層２７３は、含まれるｐ型を付与する不純物及びｎ型を付与する不純
物がそれぞれ１×１０２０ｃｍ−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１０
０倍以上である。ｉ型半導体層２７３には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元
素を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした
不純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層
２７３は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図
的に添加されたものをその範疇に含む。
【０１３１】
遮光層２５７は、発光素子２３０よりも上方でかつ受光素子と重なる。受光素子と封止
層２１３との間に位置する遮光層２５７によって、発光素子２３０の発する光が受光素子
に照射されることを抑制できる。
【０１３２】
導電層２８１及び導電層２８３は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層２８
１は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層２８３は
、受光素子に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。
【０１３３】
光学式タッチセンサを基板１８１と封止層２１３の間に有すると、発光素子２３０の発
光の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
【０１３４】
＜具体例３＞
図２０（Ｂ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。図２０（Ｂ）
の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。
【０１３５】
図２０（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶
縁層２０７、絶縁層２０９ａ、絶縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、絶縁層
２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、複数の受光素子、導電層２８０、
導電層２８１、及び絶縁層２５５を有する。
【０１３６】
図２０（Ｂ）では、絶縁層２０５及び封止層２１３の間に受光素子を有する例を示す。
受光素子を絶縁層２０５及び封止層２１３の間に設けることで、トランジスタ２４０を構
成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電
層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加さ
せることなく、タッチ操作が可能な発光パネルを作製できる。
【０１３７】
＜具体例４＞
図２１（Ａ）に発光パネルの別の例を示す。図２１（Ａ）の発光パネルは、タッチ操作
が可能な発光パネルである。
【０１３８】
図２１（Ａ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５３、導電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１
１、絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層
２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、絶縁層２７８、導電層２９４及び導電層２９６を
有する。
【０１３９】
図２１（Ａ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に静電容量式のタッチセンサを
有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層２７２及び導電層２７４を有する
。
【０１４０】
導電層２５３及び導電層２５４は、接続体２１５を介してＦＰＣ１８６と電気的に接続
する。導電層２９４及び導電層２９６は、導電性粒子２９２を介して導電層２７４と電気
的に接続する。したがって、ＦＰＣ１８６を介して静電容量式のタッチセンサを駆動する
ことができる。
【０１４１】
＜具体例５＞
図２１（Ｂ）に発光パネルの別の例を示す。図２１（Ｂ）の発光パネルは、タッチ操作
が可能な発光パネルである。
【０１４２】
図２１（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０１、接着層２０３、絶縁層２０５、複数のトランジスタ、導
電層２５３、導電層２５４、絶縁層２０７、絶縁層２０９、複数の発光素子、絶縁層２１
１、絶縁層２１７、封止層２１３、着色層２５９、遮光層２５７、絶縁層２５５、導電層
２７０、導電層２７２、導電層２７４、絶縁層２７６、及び絶縁層２７８を有する。
【０１４３】
図２１（Ｂ）では、絶縁層２５５及び封止層２１３の間に静電容量式のタッチセンサを
有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層２７２及び導電層２７４を有する
。
【０１４４】
導電層２５３及び導電層２５４は、接続体２１５ａを介してＦＰＣ１８６ａと電気的に
接続する。導電層２７０は、接続体２１５ｂを介してＦＰＣ１８６ｂと電気的に接続する
。したがって、ＦＰＣ１８６ａを介して発光素子２３０やトランジスタ２４０を駆動し、
ＦＰＣ１８６ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
【０１４５】
＜具体例６＞
図２２（Ａ）に発光パネルにおける光取り出し部１８２の別の例を示す。
【０１４６】
図２２（Ａ）に示す光取り出し部１８２は、基板１８１、接着層１８５、基板２０２、
絶縁層２０５、複数のトランジスタ、絶縁層２０７、導電層２０８、絶縁層２０９ａ、絶
縁層２０９ｂ、複数の発光素子、絶縁層２１１、封止層２１３、及び着色層２５９を有す
る。
【０１４７】
発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下
部電極２３１は、導電層２０８を介してトランジスタ２４０のソース電極又はドレイン電
極と電気的に接続する。下部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素
子２３０はボトムエミッション構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３
３が発する光を透過する。
【０１４８】
発光素子２３０と重なる位置に、着色層２５９が設けられ、発光素子２３０が発する光
は、着色層２５９を介して基板１８１側に取り出される。発光素子２３０と基板２０２の
間は封止層２１３で充填されている。基板２０２は、前述の基板２０１と同様の材料を用
いて作製できる。
【０１４９】
＜具体例７＞
図２２（Ｂ）に発光パネルの別の例を示す。
【０１５０】
図２２（Ｂ）に示す発光パネルは、素子層１８０、接着層１８５、基板１８１を有する
。素子層１８０は、基板２０２、絶縁層２０５、導電層３１０ａ、導電層３１０ｂ、複数
の発光素子、絶縁層２１１、導電層２１２、及び封止層２１３を有する。
【０１５１】
導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂは、発光パネルの外部接続電極であり、ＦＰＣ等と
電気的に接続させることができる。
【０１５２】
発光素子２３０は、下部電極２３１、ＥＬ層２３３、及び上部電極２３５を有する。下
部電極２３１の端部は、絶縁層２１１で覆われている。発光素子２３０はボトムエミッシ
ョン構造である。下部電極２３１は透光性を有し、ＥＬ層２３３が発する光を透過する。
導電層２１２は、下部電極２３１と電気的に接続する。
【０１５３】
基板１８１は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造
が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記
レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接
着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
【０１５４】
導電層２１２は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極２３１の抵抗に起因する電圧降
下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極２３５と電
気的に接続する導電層を絶縁層２１１上に設けてもよい。
【０１５５】
導電層２１２は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジ
ム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層２１２の膜厚は、
０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以
下である。
【０１５６】
上部電極２３５と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用い
ると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗
く隙間の多い構成となり、ＥＬ層２３３が該導電層を完全に覆うことが難しく、上部電極
と導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
【０１５７】
＜材料の一例＞
次に、発光パネルに用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先
に説明した構成については説明を省略する。
【０１５８】
素子層１８０は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素
子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んで
いる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いること
ができる。上記の中でも発光効率や作製方法の観点より、有機ＥＬ素子がとくに好ましい
。
【０１５９】
素子層１８０は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに
有していてもよい。
【０１６０】
発光パネルが有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトラ
ンジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート
型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる
半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または
、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも
一つの金属を含む酸化物半導体を用いてもよい。
【０１６１】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、
結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領
域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１６２】
発光パネルが有する発光素子は、一対の電極（下部電極２３１及び上部電極２３５）と
、該一対の電極間に設けられたＥＬ層２３３とを有する。該一対の電極の一方は陽極とし
て機能し、他方は陰極として機能する。
【０１６３】
発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッショ
ン構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を
用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが
好ましい。
【０１６４】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：
Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添
加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もし
くはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例
えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる
。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウ
ムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
また、グラフェン等を用いてもよい。
【０１６５】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タング
ステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又
はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ラン
タン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチ
タンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む
合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金
属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金
属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記
可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯ
の積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【０１６６】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イ
ンクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形
成することができる。
【０１６７】
下部電極２３１及び上部電極２３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加す
ると、ＥＬ層２３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入さ
れた電子と正孔はＥＬ層２３３において再結合し、ＥＬ層２３３に含まれる発光物質が発
光する。
【０１６８】
ＥＬ層２３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層２３３は、発光層以外の層として、
正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物
質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い
物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０１６９】
ＥＬ層２３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無
機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層２３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸
着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することがで
きる。
【０１７０】
素子層１８０において、発光素子は、一対の透水性の低い絶縁膜の間に設けられている
ことが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光
装置の信頼性の低下を抑制できる。
【０１７１】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を
含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、
酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０１７２】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以
下、好ましくは１×１０−６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０−７［
ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とす
る。
【０１７３】
基板１８１は透光性を有し、少なくとも素子層１８０が有する発光素子の発する光を透
過する。基板１８１は可撓性を有していてもよい。また、基板１８１の屈折率は、大気の
屈折率よりも高い。
【０１７４】
ガラスに比べて有機樹脂は重量が軽いため、基板１８１として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
【０１７５】
可撓性及び可視光に対する透過性を有する材料としては、例えば、可撓性を有する程度
の厚さのガラスや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート
（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメ
チルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いること
が好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いる
ことができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂
に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
【０１７６】
基板１８１としては、上記材料を用いた層が、発光装置の表面を傷などから保護するハ
ードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、
アラミド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による発光素
子の寿命の低下等を抑制するために、前述の透水性の低い絶縁膜を有していてもよい。
【０１７７】
接着層１８５は、透光性を有し、少なくとも素子層１８０が有する発光素子の発する光
を透過する。また、接着層１８５の屈折率は、大気の屈折率よりも高い。
【０１７８】
接着層１８５には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂
、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が
低い材料が好ましい。
【０１７９】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸
化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用い
ることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を
吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が発光素子に
侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０１８０】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラー（酸化チタン等）を混合することにより、発光
素子からの光取り出し効率を向上させることができ、好ましい。
【０１８１】
また、接着層１８５には、光を散乱させる散乱部材を有していてもよい。例えば、接着
層１８５には、上記樹脂と上記樹脂と屈折率が異なる粒子との混合物を用いることもでき
る。該粒子は光の散乱部材として機能する。
【０１８２】
樹脂と、該樹脂と屈折率の異なる粒子は、屈折率の差が０．１以上あることが好ましく
、０．３以上あることがより好ましい。具体的には樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、イミド樹脂、シリコーン等を用いることができる。また粒子としては、酸化チタ
ン、酸化バリウム、ゼオライト等を用いることができる。
【０１８３】
酸化チタンおよび酸化バリウムの粒子は、光を散乱させる性質が強く好ましい。またゼ
オライトを用いると、樹脂等の有する水を吸着することができ、発光素子の信頼性を向上
させることができる。
【０１８４】
絶縁層２０５、絶縁層２５５には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の
透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光パネルを実現できるため好ましい。
【０１８５】
絶縁層２０７は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏
する。絶縁層２０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム
膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１８６】
絶縁層２０９、絶縁層２０９ａ、及び絶縁層２０９ｂとしては、それぞれ、トランジス
タ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適であ
る。例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材
料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）
等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積
層させてもよい。
【０１８７】
絶縁層２１１は、下部電極２３１の端部を覆って設けられている。絶縁層２１１の上層
に形成されるＥＬ層２３３や上部電極２３５の被覆性を良好なものとするため、絶縁層２
１１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
【０１８８】
絶縁層２１１の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂とし
ては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹
脂、エポキシ系樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層２１１
の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いるこ
とが好ましい。
【０１８９】
絶縁層２１１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法
、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印
刷等）等を用いればよい。
【０１９０】
絶縁層２１７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、又は金属材料等を用いて形成すること
ができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂
などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用い
ることができる。絶縁層２１７に導電材料を用い、絶縁層２１７と上部電極２３５とを電
気的に接続させる構成とすることで、上部電極２３５の抵抗に起因した電位降下を抑制で
きる。また、絶縁層２１７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
【０１９１】
絶縁層２７６、絶縁層２７８、絶縁層２９１、絶縁層２９３、絶縁層２９５は、それぞれ
、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層２７８や絶縁層２９５
は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いること
が好ましい。
【０１９２】
封止層２１３には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂
、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロラ
イド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（
ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることが
できる。封止層２１３に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層２１３を通過して発
光素子２３０の光が発光パネルの外に取り出される場合は、封止層２１３に屈折率の高い
フィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材に
ついては、接着層１８５に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。
【０１９３】
導電層２５３、導電層２５４、導電層２９４、及び導電層２９６は、それぞれ、トラン
ジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導
電層２８０は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
【０１９４】
例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングス
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、そ
れぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化
インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、
インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリ
コンを含ませたものを用いることができる。
【０１９５】
また、導電層２０８、導電層２１２、導電層３１０ａ及び導電層３１０ｂも、それぞれ
、上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
【０１９６】
導電層２７２及び導電層２７４、並びに、導電層２８１及び導電層２８３は、透光性を
有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜
鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層２７０は導電層
２７２と同一の材料、同一の工程で形成できる。
【０１９７】
導電性粒子２９２は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したも
のを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい
。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒
子を用いることが好ましい。
【０１９８】
接続体２１５としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシー
ト状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金
属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状
となった粒子を用いることが好ましい。
【０１９９】
着色層２５９は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域
の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）
のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用
いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォ
トリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０２００】
また、隣接する着色層２５９の間に、遮光層２５７が設けられている。遮光層２５７は
隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで
、着色層２５９の端部を、遮光層２５７と重なるように設けることにより、光漏れを抑制
することができる。遮光層２５７は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ
、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図１
９（Ａ）に示すように、遮光層２５７を駆動回路部１８４などの光取り出し部１８２以外
の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【０２０１】
また、着色層２５９と遮光層２５７を覆う絶縁層２６１を設けると、着色層２５９や遮
光層２５７に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好
ましい。絶縁層２６１は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いること
ができる。絶縁層２６１に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
【０２０２】
＜作製方法例＞
次に、発光パネルの作製方法を図２３及び図２４を用いて例示する。ここでは、具体例
１（図１９（Ｂ））の構成の発光パネルを例に挙げて説明する。
【０２０３】
まず、作製基板３０１上に剥離層３０３を形成し、剥離層３０３上に絶縁層２０５を形
成する。次に、絶縁層２０５上に複数のトランジスタ、導電層２５４、絶縁層２０７、絶
縁層２０９、複数の発光素子、及び絶縁層２１１を形成する。なお、導電層２５４が露出
するように、絶縁層２１１、絶縁層２０９、及び絶縁層２０７は開口する（図２３（Ａ）
）。
【０２０４】
また、作製基板３０５上に剥離層３０７を形成し、剥離層３０７上に絶縁層２５５を形
成する。次に、絶縁層２５５上に遮光層２５７、着色層２５９、及び絶縁層２６１を形成
する（図２３（Ｂ））。
【０２０５】
作製基板３０１及び作製基板３０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サフ
ァイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。
【０２０６】
また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の温
度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（
ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。他にも、結晶化ガ
ラスなどを用いることができる。
【０２０７】
作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラ
ス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【０２０８】
剥離層３０３及び剥離層３０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チタ
ン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウ
ム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む
合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコ
ンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【０２０９】
剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる
。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【０２１０】
剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブ
デンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、
タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相
当する。
【０２１１】
また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構
造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁
膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い
溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ
処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混
合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態
を変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能で
ある。
【０２１２】
なお、絶縁層２０５又は絶縁層２５５と剥離層との間に絶縁層を設け、後の工程で該絶
縁層と絶縁層２０５又は絶縁層２５５との界面で剥離を行うこともできる。該絶縁層とし
ては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多
層で形成することが好ましい。
【０２１３】
各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成す
ることが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００
℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
【０２１４】
その後、作製基板３０５の着色層２５９等が設けられた面又は作製基板３０１の発光素
子２３０等が設けられた面に封止層２１３となる材料を塗布し、封止層２１３を介して該
面同士を貼り合わせる（図２３（Ｃ））。
【０２１５】
そして、作製基板３０１を剥離し、露出した絶縁層２０５と基板２０１を、接着層２０
３を用いて貼り合わせる。また、作製基板３０５を剥離し、露出した絶縁層２５５と基板
１８１を、接着層１８５を用いて貼り合わせる。図２４（Ａ）では、基板１８１が導電層
２５４と重ならない構成としたが、導電層２５４と基板１８１が重なっていてもよい。
【０２１６】
なお、剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離層として、被
剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化によ
り脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐熱性の高い作製
基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合はレーザ光
の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離層を作製基板か
ら剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む
層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ
３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された
金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素、酸素や水素等
を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を
用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素をガスとして放
出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被剥離層が形成さ
れた作製基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスによ
るエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層を設けなくとも
よい。
【０２１７】
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから
、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
【０２１８】
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離して
もよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
【０２１９】
その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。
【０２２０】
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい
。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱するこ
とにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。又は、作製基板と有機樹
脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹
脂の界面で剥離を行ってもよい。
【０２２１】
最後に、絶縁層２５５及び封止層２１３を開口することで、導電層２５４を露出させる
（図２４（Ｂ））。なお、基板１８１が導電層２５４と重なる構成の場合は、基板１８１
及び接着層１８５も開口する（図２４（Ｃ））。開口の手段は特に限定されず、例えばレ
ーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタリング法などを用いればよ
い。また、導電層２５４上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜
の一部を引き剥がしてもよい。
【０２２２】
以上により、発光パネルを作製することができる。
【０２２３】
以上に示したように、本実施の形態の発光パネルは、基板１８１と、基板２０１又は基
板２０２と、の２枚の基板で構成される。さらにタッチセンサを含む構成であっても、２
枚の基板で構成することができる。基板の数を最低限とすることで、光の取り出し効率の
向上や表示の鮮明さの向上が容易となる。
【０２２４】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０２２５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、情報処理装置に用いることのできる、発光パネルについて図２５を
用いて説明する。
【０２２６】
図２５に示す発光パネルは、基板４０１、トランジスタ２４０、発光素子２３０、絶縁
層２０７、絶縁層２０９、絶縁層２１１、絶縁層２１７、空間４０５、絶縁層２６１、遮
光層２５７、着色層２５９、受光素子（ｐ型半導体層２７１、ｉ型半導体層２７３、及び
ｎ型半導体層２７５を有する）、導電層２８１、導電層２８３、絶縁層２９１、絶縁層２
９３、絶縁層２９５、及び基板４０３を有する。
【０２２７】
該発光パネルは、基板４０１及び基板４０３の間に、発光素子２３０及び受光素子を囲
むように枠状に配置された接着層（図示しない）を有する。該接着層、基板４０１及び基
板４０３によって、発光素子２３０は封止されている。
【０２２８】
本実施の形態の発光パネルでは、基板４０３が透光性を有する。発光素子２３０の発す
る光は、着色層２５９、基板４０３等を介して、大気に取り出される。
【０２２９】
本実施の形態の発光パネルは、タッチ操作が可能な発光パネルである。具体的には、受
光素子を用いて、基板４０３の表面への被検出物の近接又は接触を検知できる。
【０２３０】
光学式タッチセンサは、被検出物が接触する表面に傷等がついても検出精度に影響が無
いため、耐久性が高く好ましい。また、光学式タッチセンサは、非接触によるセンシング
が可能である、表示装置に適用しても画像の鮮明さが低下しない、大型の発光パネルや表
示装置への適用が可能である等の利点もある。
【０２３１】
光学式タッチセンサを基板４０３と空間４０５の間に有すると、発光素子２３０の発光
の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
【０２３２】
遮光層２５７は、発光素子２３０よりも上方でかつ受光素子と重なる。遮光層２５７に
よって、発光素子２３０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
【０２３３】
基板４０１及び基板４０３に用いる材料に特に限定はない。発光素子からの光を取り出
す側の基板には該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サフ
ァイア、有機樹脂などの材料を用いることができる。発光を取り出さない側の基板は、透
光性を有していなくてもよいため、上記に挙げた基板の他に、金属材料や合金材料を用い
た金属基板等を用いることもできる。また、基板４０１及び基板４０３には、先の実施の
形態で例示した基板の材料も用いることができる。
【０２３４】
発光パネルの封止方法は限定されず、例えば、固体封止であっても中空封止であっても
よい。例えば、ガラスフリットなどのガラス材料や、二液混合型の樹脂などの常温で硬化
する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
空間４０５は、窒素やアルゴンなどの不活性な気体で充填されていてもよく、封止層２１
３と同様の樹脂等で充填されていてもよい。また、樹脂内に前述の乾燥剤、屈折率の高い
フィラー、又は散乱部材が含まれていてもよい。
【０２３５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０２３６】
１００    情報処理装置
１０２    表示部
１０２ａ    表示部
１０２ｂ    表示部
１０４    駆動回路部
１０４ｇ＿１    ゲートドライバ
１０４ｇ＿１Ａ    ゲートドライバ
１０４ｇ＿１Ｂ    ゲートドライバ
１０４ｇ＿２    ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ａ    ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｂ    ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｃ    ゲートドライバ
１０４ｇ＿２Ｄ    ゲートドライバ
１０４ｇ＿３    ゲートドライバ
１０４ｇ＿４    ゲートドライバ
１０４ｇ＿５    ゲートドライバ
１０４ｓ＿１    ソースドライバ
１０４ｓ＿２    ソースドライバ
１０４ｓ＿３    ソースドライバ
１０４ｓ＿４    ソースドライバ
１０５    表示パネル
１０６    検知部
１０８    演算部
１１０    記憶部
１２０    領域
１５０    情報処理装置
１５２    表示パネル
１５３ａ    支持パネル
１５５ａ    支持パネル
１５５ｂ    支持パネル
１８０    素子層
１８１    基板
１８２    光取り出し部
１８４    駆動回路部
１８５    接着層
１８６    ＦＰＣ
１８６ａ    ＦＰＣ
１８６ｂ    ＦＰＣ
２０１    基板
２０２    基板
２０３    接着層
２０５    絶縁層
２０７    絶縁層
２０８    導電層
２０９    絶縁層
２０９ａ    絶縁層
２０９ｂ    絶縁層
２１１    絶縁層
２１２    導電層
２１３    封止層
２１５    接続体
２１５ａ    接続体
２１５ｂ    接続体
２１７    絶縁層
２３０    発光素子
２３１    下部電極
２３３    ＥＬ層
２３５    上部電極
２４０    トランジスタ
２５３    導電層
２５４    導電層
２５５    絶縁層
２５７    遮光層
２５９    着色層
２６１    絶縁層
２７０    導電層
２７１    ｐ型半導体層
２７２    導電層
２７３    ｉ型半導体層
２７４    導電層
２７５    ｎ型半導体層
２７６    絶縁層
２７８    絶縁層
２８０    導電層
２８１    導電層
２８３    導電層
２９１    絶縁層
２９２    導電性粒子
２９３    絶縁層
２９４    導電層
２９５    絶縁層
２９６    導電層
３０１    作製基板
３０３    剥離層
３０５    作製基板
３０７    剥離層
３１０ａ    導電層
３１０ｂ    導電層
４０１    基板
４０３    基板
４０５    空間
９０１    トランジスタ
９０２    容量素子
９０３    トランジスタ
９０４    発光素子
９０５    配線
９０６    配線
９０７    配線
９０７Ａ    配線
９０７Ｂ    配線
９０７Ｃ    配線
９０７Ｄ    配線
９０７Ｅ    配線
９０７Ｆ    配線
９０８    配線
９０９    画素
９１１    回路
９１２    ソースドライバ回路
９１３    回路
９１３Ａ    ゲートドライバ
９１３Ｂ    ゲートドライバ
９１４    ゲートドライバ
９１５    回路
９１６    回路
９１６Ａ    回路
９１６Ｂ    回路
９１７Ａ    スイッチ
９１７Ｂ    スイッチ
９１７Ｃ    スイッチ
９１７Ｄ    スイッチ
９１７Ｅ    スイッチ
９１７Ｆ    スイッチ
９１８    配線
９１８Ａ    配線
９１８Ｂ    配線
９１９    ＡＮＤ回路
９２０    配線
９２１    回路
９２２    ＡＮＤ回路
９２３    配線
【図１】
2020166295.tif 000003
【図２】
2020166295.tif 000004
【図３】
2020166295.tif 000005
【図４】
2020166295.tif 000006
【図５】
2020166295.tif 000007
【図６】
2020166295.tif 000008
【図７】
2020166295.tif 000009
【図８】
2020166295.tif 000010
【図９】
2020166295.tif 000011
【図１０】
2020166295.tif 000012
【図１１】
2020166295.tif 000013
【図１２】
2020166295.tif 000014
【図１３】
2020166295.tif 000015
【図１４】
2020166295.tif 000016
【図１５】
2020166295.tif 000017
【図１６】
2020166295.tif 000018
【図１７】
2020166295.tif 000019
【図１８】
2020166295.tif 000020
【図１９】
2020166295.tif 000021
【図２０】
2020166295.tif 000022
【図２１】
2020166295.tif 000023
【図２２】
2020166295.tif 000024
【図２３】
2020166295.tif 000025
【図２４】
2020166295.tif 000026
【図２５】
2020166295.tif 000027