(57)【要約】【課題】半導体装置において、信頼性を損なうことなく小型化を実現できる技術を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、回路パターン８を有する絶縁基板５と、回路パターン８上に搭載された複数の半導体チップ１０，１１と、複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１０，１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４と、ワイヤ１４と一体に形成される導電体としての導電材１５とを備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンを有する絶縁基板と、
前記回路パターン上に搭載された複数の半導体チップと、
複数の前記半導体チップ間、および前記半導体チップと前記回路パターンとの間をそれぞれ接続するワイヤと、
前記ワイヤと一体に形成される導電体と、
を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記導電体は、前記半導体チップにおける前記ワイヤとの接続箇所の周辺部にも形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電体の線膨張係数は前記ワイヤの線膨張係数よりも小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ワイヤは、Ａｌからなる基材と前記基材を被覆するＮｉまたはＣｕからなる被膜とを有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電体は導電材である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ワイヤはリボンワイヤである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導電体は、前記ワイヤに形成される導電材と、前記導電材を介して前記ワイヤに固定される板状導電材とを有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
複数の前記半導体チップは複数組、並列接続され、
複数組の複数の前記半導体チップ間は、１つの前記導電体により接続される、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導電体は、隣り合う前記半導体チップにおいて、一方の前記半導体チップにおける他方の前記半導体チップ側に位置する前記ワイヤと、他方の前記半導体チップにおける一方の前記半導体チップ側に位置する前記ワイヤとに一体に形成され、
前記導電体は、前記ワイヤに形成される導電材と、前記導電材を介して前記ワイヤに固定される板状導電材とを有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ワイヤは複数であり、
複数の前記ワイヤは連続的に、かつ、互いに角度をつけて配線され、
前記導電体は、連続的に配線された複数の前記ワイヤの長手方向に沿って前記ワイヤと一体に形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
回路パターンを有する絶縁基板と、
前記回路パターン上に搭載された複数の半導体チップと、
複数の前記半導体チップ間、および前記半導体チップと前記回路パターンとの間をそれぞれ接続する板状導電材と、
を備える、半導体装置。
【請求項１２】
複数の前記半導体チップは複数組、並列接続され、
複数組の複数の前記半導体チップ間、および前記半導体チップと前記回路パターンとの間は、１つの前記板状導電材により接続される、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
複数の前記半導体チップ間、および前記半導体チップと前記回路パターンとの間をそれぞれ接続するワイヤと、
前記ワイヤと一体に形成される導電体とをさらに備える、請求項１１または請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
複数の前記半導体チップはワイドバンドギャップ半導体により形成される、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電体は、前記ワイヤに導電性ペーストを塗布し硬化することで形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記導電体は、前記ワイヤに導電性ペーストを塗布した後、前記導電性ペーストを介して前記ワイヤに前記板状導電材を載置し、前記導電性ペーストを硬化することで形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記板状導電材は、複数の前記半導体チップ間の接続箇所、および前記半導体チップと前記回路パターンとの間の接続箇所に導電性ペーストを塗布した後、前記導電性ペーストを介して前記接続箇所に前記板状導電材を載置し、前記導電性ペーストを硬化することで接続される、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発電および送電から効率的なエネルギーの利用および再生まであらゆる場面で利用される半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多くのパワー半導体装置において、半導体チップと回路パターンとの接続、および複数の半導体チップ間の接続にＡｌまたはＣｕなどからなるワイヤが用いられている。しかし、半導体装置を小型化する際に、ワイヤの本数が減ってしまうことで、ワイヤ１本当たりの電流密度が増加し、ワイヤの発熱が過剰に発生するという問題があった。
【０００３】
配線の電流密度を抑制する方法は、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の配線方法は、スタックした複数の半導体チップを配線する場合に適用される方法である。この方法では、金ワイヤを各半導体チップの側面に形成し、導電性ペーストを用いて複数の半導体チップ間を接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２７０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の方法を数十アンペア以上数百アンペア以下の電流が流れるパワー半導体装置に適用しようとすると、半導体チップと回路パターンとの間の接続、および複数の半導体チップ間の接続が導電性ペーストのみで行われるため、半導体チップと回路パターンとの間の接続、および複数の半導体チップ間の接続に関するインピーダンスが大きくなる。さらに、形成した導電性ペーストの形状不良または導体への接触不良、すなわち濡れ不良などにより断線する可能性があり、その結果、製品の特性が低下することから、製品品質の欠陥が生じやすくなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、半導体装置において、信頼性を損なうことなく小型化を実現できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、回路パターンを有する絶縁基板と、前記回路パターン上に搭載された複数の半導体チップと、複数の前記半導体チップ間、および前記半導体チップと前記回路パターンとの間をそれぞれ接続するワイヤと、前記ワイヤと一体に形成される導電体とを備えるものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、複数の半導体チップ間、および半導体チップと回路パターンとの間に、ワイヤに加えて導電体が接続されるため、ワイヤ１本当たりの電流密度を減らすことができることから、ワイヤの本数を減らすことができる。
【０００９】
ワイヤに加えて導電体が接続されるため、複数の半導体チップ間、および半導体チップと回路パターンとの間の接続に関する配線のインピーダンスを低減することができるとともに、断線の可能性を低減することができる。以上より、半導体装置において、信頼性を損なうことなく小型化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。
【図２】半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の断面図である。
【図３】半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図４】実施の形態２に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の断面図である。
【図５】半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図６】実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】実施の形態３に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図８】実施の形態４に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図９】実施の形態５に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図１０】実施の形態６に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図１１】導電体を設けない場合の半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図１２】実施の形態７に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図１３】実施の形態８に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【図１４】実施の形態９に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図１５】実施の形態１０に係る半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。図２は、半導体装置が備える半導体チップおよびその周辺の断面図であり、具体的には、図１において破線で囲まれた部分の拡大図である。図３は、半導体チップおよびその周辺の平面図である。
【００１２】
図１に示すように、半導体装置はパワーモジュールであり、ケース１、ベース板４、絶縁基板５、半導体チップ１０，１１、ワイヤ１４、導電体２０としての導電材１５、信号端子２、電極３、ゲル１２、および蓋１３を備えている。
【００１３】
ケース１は、平面視にて矩形枠状の周壁部１ａを備え、ベース板４、絶縁基板５、半導体チップ１０，１１、ワイヤ１４、および導電材１５を囲繞する。ベース板４は、例えばＣｕなどの金属により形成され、平面視にて矩形状に形成されている。ベース板４は、ケース１の底面に絶縁基板５の上面の一部が露出するように固定されている。
【００１４】
絶縁基板５はベース板４の上面にはんだ９により固定され、セラミック板７、回路パターン８、および金属パターン６を備えている。回路パターン８はセラミック板７の上面に形成され、金属パターン６はセラミック板７の下面に形成されている。
【００１５】
半導体チップ１０，１１は、ＳｉＣなどのワイドバンドギャップ半導体により形成され、はんだ９を介して回路パターン８の上面に搭載されている。半導体チップ１０は例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であり、半導体チップ１１は例えばダイオードである。
【００１６】
信号端子２および電極３はケース１の周壁部１ａに取り付けられている。ワイヤ１４は、半導体チップ１０と信号端子２との間、半導体チップ１０，１１の間、半導体チップ１１と回路パターン８との間、および半導体チップ１１と電極３との間をそれぞれ接続している。
【００１７】
ゲル１２はケース１の内部に充填され、ベース板４の上面の一部、絶縁基板５、半導体チップ１０，１１、ワイヤ１４、および導電材１５を封止する。蓋１３は、ケース１の周壁部１ａにおける上端部の内周部に取り付けられている。
【００１８】
次に、導電材１５について説明する。図２と図３に示すように、導電材１５は、半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続する複数のワイヤ１４の長手方向の上側に沿って当該ワイヤ１４と一体に形成されている。ここで、導電材１５の線膨張係数はワイヤ１４の線膨張係数よりも小さいため、半導体チップ１０，１１の動作時におけるワイヤ１４の伸縮量を抑制できる。
【００１９】
次に、導電材１５の形成方法について説明する。最初に、複数のワイヤ１４をボンディングした後にディスペンサーなどでワイヤ１４の長手方向の上側に沿って導電性ペーストを塗布する。次に、例えば加熱処理を行って導電性ペーストを硬化することで導電材１５が形成される。これにより、導電材１５は複数のワイヤ１４を電気的に接続する。
【００２０】
なお、ワイヤ１４にアルミワイヤを採用する場合は、導電性ペーストとの濡れ性が確保することができない。そのため、Ａｌからなる基材と基材を被覆するＮｉまたはＣｕからなる被膜とを有するアルミワイヤを採用することが好ましい。
【００２１】
また、半導体チップ１０，１１の表面の金属と導電性ペーストに関して濡れ性の良い組み合わせ（例えばチップ表面：ＣｕまたはＡｕ、導電性ペースト：はんだの組み合わせ）を選択することで、半導体チップ１０，１１におけるワイヤ１４との接続箇所の周辺部に対しても導電性ペーストを塗布することが可能である。
【００２２】
以上のように、実施の形態１に係る半導体装置は、回路パターン８を有する絶縁基板５と、回路パターン８上に搭載された複数の半導体チップ１０，１１と、複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１０，１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４と、ワイヤ１４と一体に形成される導電体２０とを備える。
【００２３】
複数の半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間に、ワイヤ１４に加えて導電体２０としての導電材１５が接続されるため、ワイヤ１本当たりの電流密度を減らすことができることから、ワイヤ１４の本数を減らすことができる。
【００２４】
ワイヤ１４に加えて導電材１５が接続されるため、複数の半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間の接続に関するインピーダンスを低減することができるとともに、断線の可能性を低減することができる。以上より、半導体装置において、信頼性を損なうことなく小型化を実現することができる。
【００２５】
また、本数の少ないワイヤ１４でも電流密度を低く抑えることができるため、半導体装置の設計自由度の向上を図ることができる。
【００２６】
導電体２０は、ワイヤ１４に導電性ペーストを塗布し硬化することで形成されるため、ワイヤ１４に導電体２０を容易に形成することができる。
【００２７】
導電材１５を、半導体チップ１０，１１におけるワイヤ１４との接続箇所の周辺部にも形成した場合は、半導体チップ１０，１１が発熱した直後に導電材１５を通して熱を逃がすため、発熱直後の温度上昇の低減効果が得られる。また、半導体装置の信頼性の面ではＰ／Ｃ性を向上させることができる。
【００２８】
半導体チップ１０，１１の動作時（温度変化時）にそれらの界面に応力が発生するが、導電材１５の線膨張係数はワイヤ１４の線膨張係数よりも小さい場合、半導体チップ１０，１１の動作時におけるワイヤ１４の伸縮量を抑制できるため、半導体チップ１０，１１とワイヤ１４の界面に発生する機械的ストレスを抑制でき、Ｐ／Ｃ性をさらに向上させることができる。
【００２９】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置について説明する。図４は、実施の形態２に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の断面図である。図５は、半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００３０】
図４と図５に示すように、実施の形態２では、半導体装置はワイヤ１４に代えてリボンワイヤ２４を備えている。リボンワイヤ２４はＡｌとＣｕなどの異種金属を接合した複合材からなる。
【００３１】
導電体２０としての導電材１５は、半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するリボンワイヤ２４の長手方向の上側に沿って当該リボンワイヤ２４と一体に形成されている。リボンワイヤ２４に対する導電材１５の形成方法は、実施の形態１の場合と同様であるため説明を省略する。
【００３２】
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置では、ワイヤはリボンワイヤ２４であるため、実施の形態１の場合と同様の効果が得られる。
【００３３】
＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体装置について説明する。図６は、実施の形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。具体的には、図６（ａ）は、半導体チップ１０，１１および回路パターン８に接続されるワイヤ１４に導電性ペースト１５ａを塗布する工程を示す断面図である。図６（ｂ）は、半導体チップ１０，１１および回路パターン８に接続されるワイヤ１４に導電体２１を形成する工程を示す断面図である。図７は、実施の形態３に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００３４】
図６（ａ），（ｂ）と図７に示すように、実施の形態３では、導電体２１は、ワイヤ１４に形成される導電材１５と、導電材１５を介してワイヤ１４に固定される板状導電材１６とを有する。
【００３５】
導電体２１は、半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４と一体に形成されている。具体的には、導電材１５は、半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４のうち、半導体チップ１０，１１および回路パターン８に位置する箇所に形成されている。板状導電材１６は、複数の導電材１５に載置され、複数の導電材１５を介して複数のワイヤ１４に固定されている。
【００３６】
次に、導電体２１の形成方法について説明する。最初に、図６（ａ）に示すように、複数のワイヤ１４をボンディングした後に、半導体チップ１０，１１の間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４のうち、半導体チップ１０，１１および回路パターン８に位置する箇所に、ディスペンサー５０により導電性ペースト１５ａを塗布する。次に、図６（ｂ）に示すように、導電性ペースト１５ａを介してワイヤ１４に板状導電材１６を載置する。次に、例えば加熱処理を行って導電性ペースト１５ａを硬化することで、板状導電材１６が導電材１５を介して複数のワイヤ１４に固定され導電体２１が形成される。これにより、導電体２１は複数のワイヤ１４を電気的に接続する。なお、実施の形態３に係る半導体装置は、実施の形態１，２で説明した導電体２０も備えていてもよい。
【００３７】
以上のように、実施の形態３に係る半導体装置では、導電体２１は、ワイヤ１４に形成される導電材１５と、導電材１５を介してワイヤ１４に固定される板状導電材１６とを有する。したがって、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。なお、板状導電材１６として厚みのある板状導電材を採用することで、半導体チップ１０，１１の動作時における電流密度の軽減効果の増加が見込める。
【００３８】
導電体２１は、ワイヤ１４に導電性ペースト１５ａを塗布した後、導電性ペースト１５ａを介してワイヤ１４に板状導電材１６を載置し、導電性ペースト１５ａを硬化することで形成されるため、ワイヤ１４に導電体２１を容易に形成することができる。
【００３９】
＜実施の形態４＞
次に、実施の形態４に係る半導体装置について説明する。図８は、実施の形態４に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態４において、実施の形態１〜３で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４０】
図８に示すように、実施の形態４では、並列接続された複数の半導体チップ１０，１１に対し１つの導電体２１が接続されている。具体的には、半導体チップ１０，１１が３組並列接続され、３組の半導体チップ１０，１１と回路パターン８に対して１つの導電体２１が接続されている。なお、ワイヤ１４に対する導電体２１の形成方法は、実施の形態３の場合と同様であるため説明を省略する。
【００４１】
以上のように、実施の形態４に係る半導体装置では、複数の半導体チップ１０，１１は、複数組、並列接続され、複数組の複数の半導体チップ間１０，１１は、１つの導電体２１により接続されるため、実施の形態３の場合と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
＜実施の形態５＞
次に、実施の形態５に係る半導体装置について説明する。図９は、実施の形態５に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態５において、実施の形態１〜４で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４３】
図９に示すように、実施の形態５では、並列接続された複数組の複数の半導体チップ１０，１１に対し個別に導電体が接続されている。具体的には、半導体チップ１０，１１が３組並列接続され、３組の半導体チップ１０，１１と回路パターン８に対して３つの導電体２１がそれぞれ接続されている。なお、ワイヤ１４に対する導電体２１の形成方法は、実施の形態３の場合と同様であるため説明を省略する。
【００４４】
以上のように、実施の形態５に係る半導体装置では、並列接続された複数組の複数の半導体チップ１０，１１に対し個別に導電体２１が接続されるため、実施の形態３の場合と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
＜実施の形態６＞
次に、実施の形態６に係る半導体装置について説明する。図１０は、実施の形態６に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。図１１は、導電体２２を設けない場合の半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態６において、実施の形態１〜５で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００４６】
図１０に示すように、実施の形態６では、並列接続された複数組の複数の半導体チップ１０，１１に対し、隣り合う半導体チップ１０間および隣り合う半導体チップ１１間のワイヤ１４を導電体２２により導通させている。具体的には、導電体２２は、隣り合う半導体チップ１０および隣り合う半導体チップ１１において、一方の半導体チップ１０，１１における他方の半導体チップ１０，１１側に位置するワイヤ１４と、他方の半導体チップ１０，１１における一方の半導体チップ１０，１１側に位置するワイヤ１４とに一体に形成されている。導電体２２は、導電材１５（図６参照）と板状導電材１７とを有している。
【００４７】
導電体２２を設けない場合はリンギングを抑制するために、図１１に示すように、並列接続された３組の半導体チップ１０間にリンギング抑制用のワイヤ１４ａを接続するという対策が施される。しかし、リンギング抑制用のワイヤ１４ａを接続するためのスペースを確保する必要があり、半導体装置の小型化の妨げとなる。
【００４８】
これに対して、実施の形態６に係る半導体装置では、導電体２２は、隣り合う半導体チップ１０，１１において、一方の半導体チップ１０，１１における他方の半導体チップ１０，１１側に位置するワイヤ１４と、他方の半導体チップ１０，１１における一方の半導体チップ１０，１１側に位置するワイヤ１４とに一体に形成される。
【００４９】
したがって、リンギング抑制用のワイヤ１４ａを接続するためのスペースを確保する必要がなくなる。これにより、リンギング対策を行う場合にも、半導体装置の小型化を実現することができる。
【００５０】
＜実施の形態７＞
次に、実施の形態７に係る半導体装置について説明する。図１２は、実施の形態７に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態７において、実施の形態１〜６で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００５１】
図１２に示すように、実施の形態７は、実施の形態５と実施の形態６を組み合わせた構成である。すなわち、実施の形態７では、並列接続された複数組の複数の半導体チップ１０，１１に対し個別に導電体２１が接続されるとともに、並列接続された複数組の複数の半導体チップ１０，１１に対し、隣り合う半導体チップ１０間および隣り合う半導体チップ１１間のワイヤ１４を導電体２２により導通させている。
【００５２】
以上のように、実施の形態７に係る半導体装置は上記の構成を備えるため、実施の形態５の場合と実施の形態６の場合の効果を得ることができる。
【００５３】
＜実施の形態８＞
次に、実施の形態８に係る半導体装置について説明する。図１３は、実施の形態８に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態８において、実施の形態１〜７で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００５４】
図１３に示すように、実施の形態８では、複数のワイヤ１４は連続的に、かつ、互いに角度をつけて配線され、導電体２１は、連続的に配線された複数のワイヤ１４の長手方向に沿ってワイヤ１４と一体に形成されている。
【００５５】
半導体チップ１０，１１と回路パターン８にワイヤ１４を接続する際、θで示すように角度をつける必要がある場合がある。ワイヤ１４を接続する際に角度をつける場合、ワイヤ１４とワイヤボンドツールとの接触を避けるために、角度をつけない場合と比べてワイヤ１４の本数が減る傾向にあることから、ワイヤ１４の電流密度が増えることがある。
【００５６】
これに対して、実施の形態８に係る半導体装置では、ワイヤ１４は複数であり、複数のワイヤ１４は連続的に、かつ、互いに角度をつけて配線され、導電体２１は、連続的に配線された複数のワイヤ１４の長手方向に沿ってワイヤ１４と一体に形成される。したがって、実施の形態１の場合と同様の効果が得られることから、本数の少ないワイヤ１４でも電流密度を低く抑えることができる。
【００５７】
＜実施の形態９＞
次に、実施の形態９に係る半導体装置について説明する。図１４は、実施の形態９に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。具体的には、図１４（ａ）は、半導体チップ１１と回路パターン８との間に板状導電材１６を接続する前の状態を示す平面図である。図１４（ｂ）は、半導体チップ１１と回路パターン８との間に板状導電材１６を接続した後の状態を示す平面図である。なお、実施の形態９において、実施の形態１〜８で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００５８】
図１４（ｂ）に示すように、実施の形態９では、半導体チップ１１と回路パターン８との間をワイヤ１４で接続するのではなく、板状導電材１６で接続する。
【００５９】
半導体装置は、回路パターン８を有する絶縁基板５と、回路パターン８上に搭載された複数の半導体チップ１０，１１と、半導体チップ１１と回路パターン８との間を接続する板状導電材１６とを備えている。
【００６０】
次に、板状導電材１６の接続方法について説明する。図１４（ａ）に示すように、最初に、複数のワイヤ１４をボンディングした後に、実施の形態３の場合と同様の方法で半導体チップ１０，１１の間に導電体２１を形成する。次に、図１４（ｂ）に示すように、半導体チップ１１と回路パターン８との間の接続箇所に導電性ペーストを塗布した後、導電性ペーストを介して接続箇所に板状導電材１６を載置する。次に、例えば加熱処理を行って導電性ペーストを硬化することで、半導体チップ１１と回路パターン８との間に板状導電材１６が接続される。
【００６１】
なお、ワイヤ１４と一体化した導電体２１に代えて、半導体チップ１０，１１間をワイヤ１４と一体化した導電体２０で接続してもよい。また、半導体チップ１０，１１間をワイヤ１４と一体化した導電体２１で接続するのではなく、板状導電材１６で接続してもよい。また、半導体チップ１１と回路パターン８との間をワイヤ１４と一体化した導電体２０または導電体２１で接続し、半導体チップ１０，１１間を板状導電材１６で接続してもよい。
【００６２】
以上のように、実施の形態９に係る半導体装置は、回路パターン８を有する絶縁基板５と、回路パターン８上に搭載された複数の半導体チップ１０，１１と、複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続する板状導電材１６とを備える。
【００６３】
したがって、実施の形態１の場合と同様の効果を得ることができる。特に、ワイヤ１４を用いた配線が困難なレイアウトに対しても配線を形成することができるため、半導体装置における設計自由度の向上および小型化をさらに図ることができる。
【００６４】
板状導電材１６は、複数の半導体チップ１０，１１間の接続箇所、および半導体チップ１１と回路パターン８との間の接続箇所に導電性ペーストを塗布した後、導電性ペーストを介して接続箇所に板状導電材１６を載置し、導電性ペーストを硬化することで接続される。したがって、複数の半導体チップ１０，１１間の接続箇所、および半導体チップ１１と回路パターン８との間の接続箇所に板状導電材１６を容易に接続することができる。
【００６５】
複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４と、ワイヤ１４と一体に形成される導電体２０または導電体２１とをさらに備える。したがって、板状導電材１６と導電体２０または導電体２１を並存させることで、半導体装置の設計自由度がさらに向上する。
【００６６】
＜実施の形態１０＞
次に、実施の形態１０に係る半導体装置について説明する。図１５は、実施の形態１０に係る半導体装置が備える半導体チップ１０，１１およびその周辺の平面図である。なお、実施の形態１０において、実施の形態１〜９で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００６７】
図１５に示すように、実施の形態１０では、並列接続された複数の半導体チップ１０，１１に対し１つの板状導電材１６が接続されている。具体的には、半導体チップ１０，１１が３組並列接続され、３組の半導体チップ１０，１１と回路パターン８に対して１つの板状導電材１６が接続されている。なお、板状導電材１６の接続方法は、実施の形態９の場合と同様であるため説明を省略する。
【００６８】
また、実施の形態９の場合と同様に、例えば、回路パターン８側に配置された２組の複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１０，１１と回路パターン８との間を１つの板状導電材１６で接続し、残りの１組の複数の半導体チップ１０，１１間をワイヤ１４と一体化した導電体２０または導電体２１で接続してもよい。すなわち、１つの板状導電材１６と導電体２０または導電体２１は並存していてもよい。
【００６９】
以上のように、実施の形態１０に係る半導体装置では、複数の半導体チップ１０，１１は複数組、並列接続され、複数組の複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１０，１１と回路パターン８との間は、１つの板状導電材１６により接続される。
【００７０】
さらに、複数の半導体チップ１０，１１間、および半導体チップ１０，１１と回路パターン８との間をそれぞれ接続するワイヤ１４と、ワイヤ１４と一体に形成される導電体２０または導電体２１とをさらに備える。以上より、実施の形態９の場合と同様の効果を得ることができる。
【００７１】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００７２】
５  絶縁基板、８  回路パターン、１０，１１  半導体チップ、１４  ワイヤ、１５  導電材、１６，１７  板状導電材、２０，２１，２２  導電体、２４  リボンワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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