(57)【要約】【課題】高精度の位置ずれ検査を可能にすることを目的とする。【解決手段】弱光放出層４６は、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬと、複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬと相対的に決まった位置にあって第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬに重なる第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬと、を含む。第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬの外形の内側には、第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬとの重複の有無において異なる第１領域７８及び第２領域８０がある。第１領域７８は、相互に直交する複数方向Ｄ１，Ｄ２のいずれにおいても、第２領域８０のいずれかの一対の部分Ｐに挟まれている。【選択図】図５
2020119809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に配列された複数の画素電極、及び、前記表示領域の外側で前記複数の画素電極と相対的に決まった位置にある視認電極を含む電極層と、
前記電極層に重なり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層を含み、最下層が前記表示領域で前記複数の画素電極に接触する複数層と、
前記複数の画素電極と対向して、前記複数層のいずれかに接触する共通電極と、
を有し、
前記複数層は、フォトルミネセンスによって発光する光放出層と、前記光放出層よりも前記フォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層と、を含み、
少なくとも前記発光層は、前記光放出層であり、
前記光放出層は、相互に分離した複数の光放出セクションと、前記複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記視認電極に重なる第１検査部と、を含み、
前記弱光放出層は、前記複数の光放出セクションの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションと、前記複数の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記第１検査部に重なる第２検査部と、を含み、
前記第１検査部の外形の内側には、前記第２検査部との重複の有無において異なる第１領域及び第２領域があり、
前記第１領域は、相互に直交する複数方向のいずれにおいても、前記第２領域のいずれかの一対の部分に挟まれていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記発光層は、前記複数の光放出セクションとして、複数の発光セクションを含み、前記複数の発光セクションは、複数の発光色によって複数の色グループに分けられ、前記複数の色グループのそれぞれに、一群の発光セクションが含まれ、
前記視認電極は、複数の視認電極を含み、
前記発光層である前記光放出層に含まれる前記第１検査部は、複数の第１検査部を含み、前記複数の第１検査部のそれぞれは、前記複数の色グループの対応する１つに含まれる前記一群の発光セクションと相対的に決まった位置にあって、前記複数の視認電極の対応する１つに重なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載された表示装置において、
前記複数の弱光放出セクションは、１つを除いた前記複数の色グループにそれぞれ対応する複数の弱光放出グループに分けられ、前記複数の弱光放出グループのそれぞれに、一群の弱光放出セクションが含まれ、
前記第２査部は、複数の第２検査部を含み、前記複数の第２検査部のそれぞれは、前記複数の弱光放出グループの対応する１つに含まれる前記一群の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって、前記複数の第１検査部の対応する１つに重なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載された表示装置において、
前記複数層は、前記複数の弱光放出セクションに連続して接触する弱光放出連続層を含み、
前記弱光放出連続層及び前記複数の弱光放出セクションは、同じ材料から形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数層は、前記発光層以外に、前記光放出層を含み、
前記発光層以外の前記光放出層に含まれる前記複数の光放出セクションは、１つを除いた前記複数の色グループにそれぞれ対応する複数の光放出グループに分けられ、前記複数の光放出グループのそれぞれに、一群の光放出セクションが含まれ、
前記発光層以外の前記光放出層に含まれる前記第１検査部は、複数の第１検査部を含み、前記複数の第１検査部のそれぞれは、前記複数の光放出グループの対応する１つに含まれる前記一群の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって、前記複数の視認電極の対応する１つに重なることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
前記複数層は、前記発光層を除く前記光放出層に含まれる前記複数の光放出セクションに連続して接触する連続層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された表示装置において、
前記発光層以外の前記光放出層は、光の取り出し効率を向上させるためのキャップ層であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記弱光放出層は、電荷輸送のためのキャリア輸送層であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１検査部及び前記第２検査部は、平面形状において相似であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２検査部の平面形状は、相互に交差する複数方向に沿って延びる部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２検査部の平面形状は、相互に交差する複数方向に沿って延びる部分によって１つの形状が切り出された複数の領域からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１領域は、前記第１検査部に前記第２検査部が重複した領域であり、
前記第２領域は、前記第１検査部に前記第２検査部が重複しない領域であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１領域は、前記第１検査部に前記第２検査部が重複しない領域であり、
前記第２領域は、前記第１検査部に前記第２検査部が重複した領域であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
複数の表示装置の製造のために複数の製造エリアを有する多面取り表示パネルであって、
前記複数の製造エリアのそれぞれは、
表示領域に配列された複数の画素電極、及び、前記表示領域の外側で前記複数の画素電極と相対的に決まった位置にある視認電極を含む電極層と、
前記電極層に重なり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層を含み、最下層が前記表示領域で前記複数の画素電極に接触する複数層と、
前記複数の画素電極と対向して、前記複数層のいずれかに接触する共通電極と、
を有し、
前記複数層は、フォトルミネセンスによって発光する光放出層と、前記光放出層よりも前記フォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層と、を含み、
少なくとも前記発光層は、前記光放出層であり、
前記光放出層は、相互に分離した複数の光放出セクションと、前記複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記視認電極に重なる第１検査部と、を含み、
前記弱光放出層は、前記複数の光放出セクションの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションと、前記複数の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記第１検査部に重なる第２検査部と、を含み、
前記第１検査部の外形の内側には、前記第２検査部との重複の有無において異なる第１領域及び第２領域があり、
前記第１領域は、相互に直交する複数方向のいずれにおいても、前記第２領域のいずれかの一対の部分に挟まれていることを特徴とする多面取り表示パネル。
【請求項１５】
表示領域に配列された複数の画素電極、及び、前記表示領域の外側で前記複数の画素電極と相対的に決まった位置にある視認電極を含むように、電極層を形成する工程と、
前記電極層に重なり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層を含み、最下層が前記表示領域で前記複数の画素電極に接触するように、複数層を形成する工程と、
前記複数の画素電極と対向して、前記複数層のいずれかに接触するように、共通電極を形成する工程と、
位置ずれ検査と、
を含み、
前記複数層は、フォトルミネセンスによって発光する光放出層と、前記光放出層よりも前記フォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層と、を含み、
少なくとも前記発光層は、前記光放出層であり、
前記光放出層は、相互に分離した複数の光放出セクションと、前記複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記視認電極に重なる第１検査部と、を含み、
前記弱光放出層は、前記複数の光放出セクションの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションと、前記複数の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記第１検査部に重なる第２検査部と、を含み、
前記第１検査部の外形の内側には、前記第２検査部との重複の有無において異なる第１領域及び第２領域があり、
前記第１領域は、相互に直交する複数方向のいずれにおいても、前記第２領域のいずれかの一対の部分に挟まれており、
前記位置ずれ検査は、
反射光によって前記視認電極を認識する工程と、
前記フォトルミネセンスによる発光の強さが前記第１領域及び前記第２領域で異なることによって、前記第１検査部及び前記第２検査部を認識する工程と、
前記視認電極と前記第１検査部及び前記第２検査部との相対的位置に応じて、前記光放出層及び前記弱光放出層の位置ずれを判断する工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載された表示装置の製造方法において、
前記第１検査部及び前記第２検査部が重複する領域は、重複しない領域よりも、前記フォトルミネセンスによる発光が強いことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載された表示装置の製造方法において、
前記発光層は、前記複数の光放出セクションとして、複数の発光セクションを含み、前記複数の発光セクションは、複数の発光色によって複数の色グループに分けられ、前記複数の色グループのそれぞれに、一群の発光セクションが含まれ、
前記第１検査部及び前記第２検査部の認識は、前記複数の発光色にそれぞれ対応する複数色のイメージセンサによる撮像を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５から１７のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
複数の製品エリアを有する多面取り表示パネルを切断する工程をさらに含み、
前記第１検査部及び前記第２検査部は、前記複数の製品エリアのそれぞれの外側にあることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１５から１８のいずれか１項に記載された表示装置の製造方法において、
前記視認電極は、複数の視認電極を含み、
前記第１検査部は、複数の第１検査部を含み、
前記第２検査部は、複数の第２検査部を含み、
前記発光層としての前記光放出層を形成する工程は、複数の光放出層マスクを使用した複数回の蒸着を含み、
前記複数の光放出層マスクのそれぞれは、前記複数の光放出セクションの対応する１グループを形成するための複数の開口と、前記複数の第１検査部の対応する１つを形成するための開口と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載された表示装置の製造方法において、
前記弱光放出層を形成する工程は、複数の弱光放出層マスクを使用した複数回の蒸着を含み、
前記複数の弱光放出層マスクのそれぞれは、前記複数の弱光放出セクションの対応する１グループを形成するための複数の開口と、前記複数の第２検査部の対応する１つを形成するための開口と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法並びに多面取り表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
赤、緑及び青（ＲＧＢ）の三色の副画素で画素が構成されるように、発光層が発光色ごとに分離された有機エレクトロルミネッセンス表示装置が知られている（特許文献１）。分離された発光層の位置ずれは、紫外線の照射によって発光する現象（フォトルミネセンス）を利用して検査される（特許文献２）。例えば、表示領域の外側に、発光層のＴＥＧ（Test Element Group）を形成し、フォトルミネセンスを利用して検査を行う。また、ホール輸送層も発光色ごとに分離されるので、その位置の検査が必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−７７９８２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７２１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ホール輸送層は、フォトルミネセンスによる発光が弱いため、ホール輸送層のＴＥＧ単独では視認できない。一方、発光層のＴＥＧとホール輸送層のＴＥＧを重ねると、輝度の差によって両者の境界線を認識することができるが、二次元形状の認識は難しい。そのため、検査精度が低くなる。
【０００５】
本発明は、高精度の位置ずれ検査を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、表示領域に配列された複数の画素電極、及び、前記表示領域の外側で前記複数の画素電極と相対的に決まった位置にある視認電極を含む電極層と、前記電極層に重なり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層を含み、最下層が前記表示領域で前記複数の画素電極に接触する複数層と、前記複数の画素電極と対向して、前記複数層のいずれかに接触する共通電極と、を有し、前記複数層は、フォトルミネセンスによって発光する光放出層と、前記光放出層よりも前記フォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層と、を含み、少なくとも前記発光層は、前記光放出層であり、前記光放出層は、相互に分離した複数の光放出セクションと、前記複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記視認電極に重なる第１検査部と、を含み、前記弱光放出層は、前記複数の光放出セクションの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションと、前記複数の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記第１検査部に重なる第２検査部と、を含み、前記第１検査部の外形の内側には、前記第２検査部との重複の有無において異なる第１領域及び第２領域があり、前記第１領域は、相互に直交する複数方向のいずれにおいても、前記第２領域のいずれかの一対の部分に挟まれていることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、フォトルミネセンスによる発光の程度が異なる第１領域及び第２領域によって、高精度の位置ずれ検査が可能になる。
【０００８】
本発明に係る多面取り表示パネルは、複数の表示装置の製造のために複数の製造エリアを有する多面取り表示パネルであって、前記複数の製造エリアのそれぞれは、表示領域に配列された複数の画素電極、及び、前記表示領域の外側で前記複数の画素電極と相対的に決まった位置にある視認電極を含む電極層と、前記電極層に重なり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層を含み、最下層が前記表示領域で前記複数の画素電極に接触する複数層と、前記複数の画素電極と対向して、前記複数層のいずれかに接触する共通電極と、を有し、前記複数層は、フォトルミネセンスによって発光する光放出層と、前記光放出層よりも前記フォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層と、を含み、少なくとも前記発光層は、前記光放出層であり、前記光放出層は、相互に分離した複数の光放出セクションと、前記複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記視認電極に重なる第１検査部と、を含み、前記弱光放出層は、前記複数の光放出セクションの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションと、前記複数の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記第１検査部に重なる第２検査部と、を含み、前記第１検査部の外形の内側には、前記第２検査部との重複の有無において異なる第１領域及び第２領域があり、前記第１領域は、相互に直交する複数方向のいずれにおいても、前記第２領域のいずれかの一対の部分に挟まれていることを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば、フォトルミネセンスによる発光の程度が異なる第１領域及び第２領域によって、高精度の位置ずれ検査が可能になる。
【００１０】
本発明に係る表示装置の製造方法は、表示領域に配列された複数の画素電極、及び、前記表示領域の外側で前記複数の画素電極と相対的に決まった位置にある視認電極を含むように、電極層を形成する工程と、前記電極層に重なり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層を含み、最下層が前記表示領域で前記複数の画素電極に接触するように、複数層を形成する工程と、前記複数の画素電極と対向して、前記複数層のいずれかに接触するように、共通電極を形成する工程と、位置ずれ検査と、を含み、前記複数層は、フォトルミネセンスによって発光する光放出層と、前記光放出層よりも前記フォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層と、を含み、少なくとも前記発光層は、前記光放出層であり、前記光放出層は、相互に分離した複数の光放出セクションと、前記複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記視認電極に重なる第１検査部と、を含み、前記弱光放出層は、前記複数の光放出セクションの対応する１つにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションと、前記複数の弱光放出セクションと相対的に決まった位置にあって前記第１検査部に重なる第２検査部と、を含み、前記第１検査部の外形の内側には、前記第２検査部との重複の有無において異なる第１領域及び第２領域があり、前記第１領域は、相互に直交する複数方向のいずれにおいても、前記第２領域のいずれかの一対の部分に挟まれており、前記位置ずれ検査は、反射光によって前記視認電極を認識する工程と、前記フォトルミネセンスによる発光の強さが前記第１領域及び前記第２領域で異なることによって、前記第１検査部及び前記第２検査部を認識する工程と、前記視認電極と前記第１検査部及び前記第２検査部との相対的位置に応じて、前記光放出層及び前記弱光放出層の位置ずれを判断する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、フォトルミネセンスによる発光の程度が異なる第１領域及び第２領域によって、高精度の位置ずれ検査が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】表示装置の使用状態を示す概略図である。
【図３】図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。
【図４】図１に示す表示装置のIV−IV線断面図である。
【図５】図１に示す表示装置の一部を拡大した平面図である。
【図６】図５に示す表示装置のVI−VI線断面図である。
【図７】図１に示す表示装置の回路図である。
【図８】実施形態に係る多面取り表示パネルの平面図である。
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｂ）は、弱光放出層を形成する工程を説明するための図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、発光層としての光放出層を形成する工程を説明するための図である。
【図１１】図１１（Ａ）〜図１１（Ｂ）は、キャップ層としての光放出層を形成する工程を説明するための図である。
【図１２】位置ずれ検査を説明するための図である。
【図１３】変形例１に係る第１検査部及び第２検査部の平面図である。
【図１４】変形例２に係る第１検査部及び第２検査部の平面図である。
【図１５】変形例３に係る多面取り表示パネルの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１４】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１５】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１６】
図１は、実施形態に係る表示装置の平面図である。なお、表示装置は、実際には、折り曲げて使用する。したがって、図１は、表示装置を折り曲げる前の展開図である。図２は、表示装置の使用状態を示す概略図である。図３は、図２に示す表示装置のIII−III線断面の概略図である。表示装置は、ディスプレイＤＳを含む。屈曲の内側にはスペーサＳＰが配置されて、ディスプレイＤＳの曲がりすぎを防いでいる。ディスプレイＤＳは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられている。ディスプレイＤＳには、表示領域ＤＡの外側で、第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１が接続されている。第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。さらに、第１フレキシブルプリント基板ＦＰ１には第２フレキシブルプリント基板ＦＰ２が接続されている。
【００１７】
表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。
【００１８】
図４は、図１に示す表示装置のIV−IV線断面図である。基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。
【００１９】
基板１０上に、バリア無機膜１２（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１２は、シリコン酸化膜１２ａ、シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１２ａは、基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１２ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１２ｃは、シリコン窒化膜１２ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００２０】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて機能膜１４を形成してもよい。機能膜１４は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１２ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて機能膜１４を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１２ｂ及びシリコン酸化膜１２ｃを積層することで、バリア無機膜１２に機能膜１４を封入するように形成しているが、この限りではなく、基板１０上にまず機能膜１４を形成し、その後にバリア無機膜１２を形成してもよい。
【００２１】
バリア無機膜１２上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１６は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜１８としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２０は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２０に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１６（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜１８を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００２２】
ゲート電極２０の上に、層間絶縁膜２２（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２２の上に、ソース・ドレイン電極２４となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２２を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００２３】
第２配線層Ｗ２（ソース・ドレイン電極２４）を覆って、層間絶縁膜２２の上にパッシベーション膜２６が形成されている。パッシベーション膜２６の上には平坦化膜２８が設けられている。平坦化膜２８は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。
【００２４】
平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６は、画素コンタクト部３０では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３２が形成されている。酸化インジウムスズ膜３２は、相互に分離された第１透明導電膜３２ａ及び第２透明導電膜３２ｂを含む。平坦化膜２８及びパッシベーション膜２６の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３２ａにて被覆される。第１透明導電膜３２ａを被覆するように、平坦化膜２８の上にシリコン窒化膜３４が設けられている。シリコン窒化膜３４は、画素コンタクト部３０に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２４に導通するように画素電極３６が積層されている。画素電極３６は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３６は、画素コンタクト部３０から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２５】
第２透明導電膜３２ｂは、画素コンタクト部３０に隣接して、画素電極３６の下方（さらにシリコン窒化膜３４の下方）に設けられている。第２透明導電膜３２ｂ、シリコン窒化膜３４及び画素電極３６は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２６】
図５は、図１に示す表示装置の一部を拡大した平面図である。表示領域ＤＡに配列された複数の画素電極３６は、電極層３８の一部である。電極層３８は、複数の視認電極４０を含む。視認電極４０は、表示領域ＤＡの外側で複数の画素電極３６と相対的に決まった位置にある。
【００２７】
図６は、図５に示す表示装置のVI−VI線断面図である。平坦化膜２８（図４）の上には、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層４２が形成されている。絶縁層４２としては平坦化膜２８と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層４２は、複数の画素電極３６の表面を発光領域として露出するように、複数の開口を有する。複数の開口は、複数の画素電極３６の中央部それぞれに重なる。絶縁層４２は、それぞれの画素電極３６の周端部に載る。開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成されるエレクトロルミネセンス層のカバレッジ不良を生ずる。
【００２８】
電極層３８には複数層が重なる。その最下層ＨＩＬ（例えば正孔注入層）は、表示領域ＤＡで複数の画素電極３６に例えば連続的に接触する。最下層ＨＩＬは、絶縁層４２の開口で画素電極３６に接触する。最下層ＨＩＬは、それぞれの画素電極３６の中央部に載る。それぞれの画素電極３６の周縁部と最下層ＨＩＬとの間には絶縁層４２が介在する。最下層ＨＩＬは、絶縁層４２に載る。
【００２９】
［光放出層（発光層）］
電極層３８に重なる複数層は、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層ＥＭＬを含む。発光層ＥＭＬは、相互に分離した複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬを含む。複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬは、複数の発光色（例えば、赤、緑及び青）によって複数の色グループＧＲ，ＧＧ，ＧＢに分けられる（図５）。色グループＧＲには、発光セクションＲ−ＥＭＬが含まれる。色グループＧＧには、発光セクションＧ−ＥＭＬが含まれる。色グループＧＢには、発光セクションＢ−ＥＭＬが含まれる。
【００３０】
発光層ＥＭＬは、フォトルミネセンスによって発光する光放出層４４でもある。フォトルミネセンスは、紫外線など高いエネルギーを持つ光の照射によって発光する現象である。光放出層４４は、複数の発光セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬとして、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬを含む。光放出層４４は、複数の視認電極４０に重なる複数の第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬを含む。
【００３１】
第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬは、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬと相対的に決まった位置にある。第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬは、複数の光放出セクションＧ−ＥＭＬと相対的に決まった位置にある。第１検査部４４Ｂ−ＥＭＬは、複数の光放出セクションＢ−ＥＭＬと相対的に決まった位置にある。複数の第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬのそれぞれは、複数の視認電極４０の対応する１つに重なる。
【００３２】
［弱光放出層］
電極層３８に重なる複数層は、光放出層４４よりもフォトルミネセンスによる発光が弱い弱光放出層４６を含む。弱光放出層４６は、電荷輸送のためのキャリア輸送層（例えば正孔輸送層）である。
【００３３】
弱光放出層４６は、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬを含む。弱光放出層４６は、複数の光放出セクションＧ−ＥＭＬにそれぞれが重なって相互に分離された複数の弱光放出セクションＧ−ＨＴＬを含む。
【００３４】
複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬは、１つを除いた複数の色グループＧＲ，ＧＧにそれぞれ対応する複数の弱光放出グループＧＲ−ＴＨＬ，ＧＧ−ＴＨＬに分けられる（図５）。弱光放出グループＧＲ−ＴＨＬには、弱光放出セクションＲ−ＴＨＬが含まれる。弱光放出グループＧＧ−ＴＨＬには、弱光放出セクションＧ−ＨＴＬが含まれる。
【００３５】
弱光放出層４６は、複数の第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬを含む（図５）。第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬは、弱光放出セクションＲ−ＴＨＬと相対的に決まった位置にある。第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬは、弱光放出セクションＧ−ＨＴＬと相対的に決まった位置にある。第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬは、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬに重なる。第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬは、第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬに重なる。第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬは、平面形状において、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬと相似である。
【００３６】
［弱光放出連続層］
弱光放出層４６（複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬ）に、例えばその下に、弱光放出連続層ＨＴＬが連続して重なっている。弱光放出連続層ＨＴＬは、弱光放出層４６（複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬ）と同じ材料から形成されている。つまり、弱光放出連続層ＨＴＬも電荷輸送のためのキャリア輸送層（例えば正孔輸送層）である。複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬは、キャリア輸送層の厚みを大きくするために形成されている。つまり、キャリア輸送層の厚みは、複数の色グループＧＲ，ＧＧ，ＧＢのそれぞれに応じて異なるようになっている。
【００３７】
発光層ＥＭＬと弱光放出層４６との間又は発光層ＥＭＬと弱光放出連続層ＨＴＬとの間には、キャリアブロック層（例えば電子ブロック層ＥＢＬ）が介在している。また、発光層ＥＭＬの上には、他のキャリアブロック層（例えば正孔ブロック層ＨＢＬ）が形成されている。なお、いずれのキャリアブロック層も、光放出層として、相互に分離した複数の光放出セクションと、複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって視認電極に重なる第１検査部と、を含むように形成してもよい。詳しくは、上述した光放出層４４，５０についての内容が該当する。
【００３８】
その上には、電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬが積層されている。電子輸送層ＥＴＬも、光放出層として、相互に分離した複数の光放出セクションと、複数の光放出セクションと相対的に決まった位置にあって視認電極に重なる第１検査部と、を含むように形成してもよい。詳しくは、上述した光放出層４４，５０についての内容が該当する。
【００３９】
［共通電極］
表示装置は、共通電極４８を有する。共通電極４８は複数の画素電極３６と対向する。共通電極４８は、複数層のいずれか（例えば電子注入層ＥＩＬ）に接触する。ここでは、トップエミッション構造が採用されているため、共通電極４８は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、発光層ＥＭＬからの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。画素電極３６が陽極であれば、共通電極４８は陰極である。複数の画素電極３６と、共通電極４８と、これらの間に介在する層と、で発光素子ＯＤ（図７参照）が構成される。
【００４０】
［光放出層（キャップ層）］
電極層３８に重なる複数層は、光放出層５０（例えば光の取り出し効率を向上させるためのキャップ層）を含む。光放出層５０に含まれる複数の光放出セクションＲ−ＣＡＰ，Ｇ−ＣＡＰは、１つを除いた複数の色グループＧＲ，ＧＧにそれぞれ対応する複数の光放出グループＧＲ−ＣＡＰ，ＧＧ−ＣＡＰに分けられる。光放出グループＧＲ−ＣＡＰには、光放出セクションＲ−ＣＡＰが含まれる。光放出グループＧＧ−ＣＡＰには、光放出セクションＧ−ＣＡＰが含まれる。
【００４１】
光放出層５０も、複数の第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰを含む。第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰは、光放出セクションＲ−ＣＡＰと相対的に決まった位置にある。第１検査部５０Ｇ−ＣＡＰは、光放出セクションＧ−ＣＡＰと相対的に決まった位置にある。複数の第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰは、それぞれ、複数の視認電極４０の対応する１つに重なる。
【００４２】
［連続層］
光放出層４４（キャップ層）の下には、複数の光放出セクションＲ−ＣＡＰ，Ｇ−ＣＡＰに連続するように連続層ＣＡＰが形成されている。連続層ＣＡＰは、共通電極４８の上にある。複数の光放出セクションＲ−ＣＡＰ，Ｇ−ＣＡＰ及び連続層ＣＡＰは、異なる材料から形成されている。例えば、複数の光放出セクションＲ−ＣＡＰ，Ｇ−ＣＡＰは有機材料から形成される一方で、連続層ＣＡＰは無機材料から形成される。連続層ＣＡＰは、フォトルミネセンスによって発光しない。
【００４３】
光放出層５０及び連続層ＣＡＰの上に封止層５２が形成されている。封止層５２は、発光層ＥＭＬを含む複数層を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一つとしており、高いガスバリア性が要求される。封止層５２は、有機膜５４及びこれを挟む一対の無機膜５６（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。封止層５２には、さらに、タッチセンシングを行うための電極が設けられてもよいし、保護膜となる樹脂層や偏光板（例えば円偏光板）を積層してもよい。
【００４４】
図５に示すように、複数の視認電極４０は、複数の画素電極３６と相対的に決まった位置にある。第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬは、光放出グループ（色グループＧＲ）に含まれる光放出セクションＲ−ＥＭＬ（発光セクション）と相対的に決まった位置にある。第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬは、光放出グループ（色グループＧＧ）に含まれる光放出セクションＧ−ＥＭＬ（発光セクション）と相対的に決まった位置にある。第１検査部４４Ｂ−ＥＭＬは、光放出グループ（色グループＧＢ）に含まれる光放出セクションＢ−ＥＭＬ（発光セクション）と相対的に決まった位置にある。
【００４５】
第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰは、光放出グループＧＲ−ＣＡＰに含まれる光放出セクションＲ−ＣＡＰと相対的に決まった位置にある。第１検査部５０Ｇ−ＣＡＰは、光放出グループＧＧ−ＣＡＰに含まれる光放出セクションＧ−ＣＡＰと相対的に決まった位置にある。
【００４６】
第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬは、弱光放出グループＧＲ−ＴＨＬに含まれる弱光放出セクションＲ−ＴＨＬと相対的に決まった位置にある。第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬは、弱光放出グループＧＧ−ＴＨＬに含まれる弱光放出セクションＧ−ＨＴＬと相対的に決まった位置にある。
【００４７】
図７は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。図１に示す集積回路チップＣＰ内に信号駆動回路ＳＤが配置されている。隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸである。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量Ｃｓを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量Ｃｓに電荷が蓄積される。保持容量Ｃｓに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。
【００４８】
［多面取り表示パネル］
図８は、実施形態に係る多面取り表示パネルの平面図である。多面取り表示パネルは、複数の表示装置の製造のために、複数の製造エリア５８を有する。複数の製造エリア５８のそれぞれは、上述した表示装置の構造を備えている。
【００４９】
［表示装置の製造方法］
次に、表示装置の製造方法を説明する。製造プロセスでは電極層３８を形成する。電極層３８は、図５に示すように、上述した複数の画素電極３６及び複数の視認電極４０を含む。これらの製造は、フォトリソグラフィによるエッチングマスクの形成及びエッチングを含み、精細な加工が可能である。そのため、複数の画素電極３６及び複数の視認電極４０は、相対的に正確な位置に形成することができる。
【００５０】
電極層３８に重なる複数層を形成する。複数層の形成は、マスクを使用した蒸着によって行うため、位置ずれが生じる可能性がある。複数層の詳細は、上述した通りであり、エレクトロルミネセンスによって発光する発光層ＥＭＬを含む。複数層の最下層ＨＩＬは、表示領域ＤＡで複数の画素電極３６に接触する。
【００５１】
図９（Ａ）〜図９（Ｂ）は、弱光放出層４６を形成する工程を説明するための図である。工程は、複数の弱光放出層マスク６０Ａ，６０Ｂを使用した複数回の蒸着を含む。
【００５２】
弱光放出層マスク６０Ａは、複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬを形成するための複数の開口６２Ａを含む。弱光放出層マスク６０Ａは、複数の第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬを形成するための複数の開口６４Ａを含む。蒸着によって、複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬと複数の第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬは、相対的に決まった位置に形成される。
【００５３】
弱光放出層マスク６０Ｂは、複数の弱光放出セクションＧ−ＨＴＬを形成するための複数の開口６２Ｂを含む。弱光放出層マスク６０Ｂは、複数の第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬを形成するための複数の開口６４Ｂと、を含む。蒸着によって、複数の弱光放出セクションＧ−ＨＴＬと複数の第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬは、相対的に決まった位置に形成される。
【００５４】
図１０（Ａ）〜図１０（Ｃ）は、発光層ＥＭＬとしての光放出層４４を形成する工程を説明するための図である。工程は、複数の光放出層マスク６６Ａ，６６Ｂ，６６Ｃを使用した複数回の蒸着を含む。
【００５５】
光放出層マスク６６Ａは、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬを形成するための複数の開口６８Ａを含む。光放出層マスク６６Ａは、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬを形成するための開口７０Ａを含む。蒸着によって、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬと第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬは、相対的に決まった位置に形成される。
【００５６】
光放出層マスク６６Ｂは、複数の光放出セクションＧ−ＥＭＬを形成するための複数の開口６８Ｂを含む。光放出層マスク６６Ｂは、第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬを形成するための開口７０Ｂを含む。蒸着によって、複数の光放出セクションＧ−ＥＭＬと第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬは、相対的に決まった位置に形成される。
【００５７】
光放出層マスク６６Ｃは、複数の光放出セクションＢ−ＥＭＬを形成するための複数の開口６８Ｃを含む。光放出層マスク６６Ｃは、第１検査部４４Ｂ−ＥＭＬを形成するための開口７０Ｃを含む。蒸着によって、複数の光放出セクションＢ−ＥＭＬと第１検査部４４Ｂ−ＥＭＬは、相対的に決まった位置に形成される。
【００５８】
複数の第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬのそれぞれは、複数の第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬの対応する１つの全体を囲むように形成することが好ましい。そのためには、製造誤差を考慮して、第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬを、十分に第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬよりも小さく設計することが好ましい。
【００５９】
続いて、図６に示す共通電極４８を形成する。共通電極４８は、複数の画素電極３６と対向し、複数層のいずれか（例えば電子注入層ＥＩＬ）に接触するように形成する。
【００６０】
図１１（Ａ）〜図１１（Ｂ）は、キャップ層としての光放出層４４を形成する工程を説明するための図である。工程は、複数の光放出層マスク７２Ａ，７２Ｂを使用した複数回の蒸着を含む。
【００６１】
光放出層マスク７２Ａは、複数の光放出セクションＲ−ＣＡＰを形成するための複数の開口７４Ａを含む。光放出層マスク７２Ａは、第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰを形成するための開口７６Ａを含む。蒸着によって、複数の光放出セクションＲ−ＣＡＰと第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰは、相対的に決まった位置に形成される。
【００６２】
光放出層マスク７２Ｂは、複数の光放出セクションＧ−ＣＡＰを形成するための複数の開口７４Ｂを含む。光放出層マスク７２Ｂは、第１検査部５０Ｇ−ＣＡＰを形成するための開口７６Ｂと、を含む。蒸着によって、複数の光放出セクションＧ−ＣＡＰと第１検査部５０Ｇ−ＣＡＰは、相対的に決まった位置に形成される。
【００６３】
上述したプロセスで、複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬは、それぞれ、複数の画素電極３６に重なるように形成されるが、その位置は、弱光放出層マスク６０Ａ，６０Ｂの位置によってずれることがある。同様に、複数の光放出セクションＲ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬ，Ｒ−ＣＡＰ，Ｇ−ＣＡＰは、それぞれ、複数の弱光放出セクションＲ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬに重なるように形成されるが、その位置は、光放出層マスク６６Ａ，６６Ｂ，６６Ｃ，７２Ａ，７２Ｂの位置によってずれることがある。そこで、これらの位置ずれ検査を、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬ，５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰ及び第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬを使用して行う。
【００６４】
図１２は、位置ずれ検査を説明するための図である。位置ずれ検査では、反射光によって視認電極４０を認識する。反射光は、可視光であり、ハロゲンランプの光を使用することができる。
【００６５】
第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬ，５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰ及び第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬを認識する。これらの認識は、フォトルミネセンスによる発光を利用して一括して行う。具体的には、これらに紫外線を照射して発光させる。これらの認識は、複数の発光色にそれぞれ対応する複数色のイメージセンサによる撮像を含む。
【００６６】
［第１領域・第２領域］
第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰのそれぞれの外形の内側には、第１領域７８及び第２領域８０がある。第１領域７８及び第２領域８０は、第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬの対応する１つとの重複の有無において異なる。
【００６７】
例えば、第１領域７８は、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬに第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬが重複した領域である。第２領域８０は、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬに第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬが重複しない領域である。第１領域７８は、第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬに第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬが重複した領域である。第２領域８０は、第１検査部４４Ｇ−ＥＭＬに第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬが重複しない領域である。第１領域７８は、第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰに第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬが重複した領域である。第２領域８０は、第１検査部５０Ｒ−ＣＡＰに第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬが重複しない領域である。第１領域７８は、第１検査部５０Ｇ−ＣＡＰに第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬが重複した領域である。第２領域８０は、第１検査部５０Ｇ−ＣＡＰに第２検査部４６Ｇ−ＨＴＬが重複しない領域である。
【００６８】
第１領域７８は、相互に直交する複数方向Ｄ１，Ｄ２のいずれにおいても、第２領域８０のいずれかの一対の部分Ｐに挟まれている。したがって、第１領域７８及び第２領域８０の形状を認識しやすい。このことから、第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰ及び第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬの形状を認識しやすい。視認電極４０と第１検査部４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰ及び第２検査部４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬとの相対的位置に応じて、光放出層４４及び弱光放出層４６の位置ずれを判断する。
【００６９】
本実施形態によれば、フォトルミネセンスによる発光の程度が異なる第１領域７８及び第２領域８０によって、高精度の位置ずれ検査が可能になる。その後、複数の製品エリアを有する多面取り表示パネルを切断（例えばトリミング）する。切断はレーザによって行うことができる。
【実施例】
【００７０】
第１検査部及び第２検査部が重複する領域は、重複しない領域よりも、フォトルミネセンスによる発光が強い。これは次の実験結果から分かった。
【００７１】
【表１】
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【００７２】
実験では、視認電極４０は、チタン、アルミニウム及びチタンの積層構造になっている。視認電極４０に可視光を照射して、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の色ごとに、イメージセンサで反射光の輝度を測定した。これらの輝度を１００％とする。
【００７３】
条件Ａでは、第１検査部を光放出セクションＲ−ＥＭＬと同じ材料から形成し、第２検査部を弱光放出セクションＲ−ＴＨＬと同じ材料から形成した。紫外線を照射してフォトルミネセンスによって発光させて輝度を測定したところ、重なった第１検査部及び第２検査部では、赤（Ｒ）の輝度が７７６％にもなっていた。この数値は、第１検査部の輝度である４７６％よりも大きい。なお、第２検査部の輝度は、１１２％であった。
【００７４】
条件Ｂでは、第１検査部を光放出セクションＲ−ＣＡＰと同じ材料から形成し、第２検査部を弱放出セクションＲ−ＴＨＬと同じ材料から形成した。紫外線を照射してフォトルミネセンスによって発光させて輝度を測定したところ、重なった第１検査部及び第２検査部では、青（Ｂ）の輝度が１４２９％にもなっていた。この数値は、第１検査部の輝度である１１３５％よりも大きい。なお、第２検査部の輝度は、１００％であった。
【００７５】
実験結果から、第１検査部及び第２検査部を積層すると、フォトルミネセンスによる発光が強められることが分かった。その理由として、弱光放出層４６が積層することで、界面反射率の変化などにより、光放出層４４，５０の正面における光取り出し効率の上昇が考えられる。あるいは、弱光放出層４６で光励起した電子の一部が光放出層４４，５０へ移動し、発光に寄与する電子遷移量が増加したとも考えられる。
【００７６】
［変形例１］
図１３は、変形例１に係る第１検査部及び第２検査部の平面図である。第２検査部１８４の平面形状は、相互に交差する複数方向Ｄ１，Ｄ２に沿って延びる部分Ｐ´を有する。図１３に示す例では、第２検査部１８４の平面形状は十字形状であるが、三角形、Ｙ字形状又は星形であってもよい。第１領域１７８は、第１検査部１８２に第２検査部１８４が重複した領域（例えば十字形状）である。第２領域１８０は、第１検査部１８２に第２検査部１８４が重複しない領域である。第１領域１７８は、相互に直交する複数方向Ｄ１，Ｄ２のいずれにおいても、第２領域１８０のいずれかの一対の部分Ｐに挟まれている。
【００７７】
［変形例２］
図１４は、変形例２に係る第１検査部及び第２検査部の平面図である。第２検査部２８４の平面形状は、相互に交差する複数方向Ｄ１，Ｄ２に沿って延びる部分Ｐ´（例えば十字形状）によって１つの形状が切り出された複数の領域Ｒからなる。領域Ｒは矩形である。複数の領域Ｒは、それぞれの１つの角が対向するように配置されている。第１領域２７８は、第１検査部２８２に第２検査部２８４が重複しない領域（例えば十字形状）である。第２領域２８０は、第１検査部２８２に第２検査部２８４が重複した領域である。第１領域２７８は、相互に直交する複数方向Ｄ１，Ｄ２のいずれにおいても、第２領域２８０のいずれかの一対の部分Ｐ（一対の領域Ｒ）に挟まれている。
【００７８】
［変形例３］
図１５は、変形例３に係る多面取り表示パネルの平面図である。第１検査部３８２及び第２検査部３８４は、複数の表示装置に切り出される複数の製品エリア３８６のそれぞれの外側にある。つまり、多面取り表示パネルは、製品エリア３８６の外側に、表示装置の製造のための製造エリア３５８を有する。
【００７９】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００８０】
１０  基板、１２  バリア無機膜、１２ａ  シリコン酸化膜、１２ｂ  シリコン窒化膜、１２ｃ  シリコン酸化膜、１４  機能膜、１６  半導体層、１８  ゲート絶縁膜、２０  ゲート電極、２２  層間絶縁膜、２４  ドレイン電極、２６  パッシベーション膜、２８  平坦化膜、３０  画素コンタクト部、３２  酸化インジウムスズ膜、３２ａ  第１透明導電膜、３２ｂ  第２透明導電膜、３４  シリコン窒化膜、３６  画素電極、３８  電極層、４０  視認電極、４２  絶縁層、４４  光放出層、４４Ｒ−ＥＭＬ，４４Ｇ−ＥＭＬ，４４Ｂ−ＥＭＬ  第１検査部、４６  弱光放出層、４６Ｒ−ＨＴＬ，４６Ｇ−ＨＴＬ  第２検査部、４８  共通電極、５０  光放出層、５０Ｒ−ＣＡＰ，５０Ｇ−ＣＡＰ  第１検査部、５２  封止層、５４  有機膜、５６  無機膜、５８  製造エリア、６０Ａ，６０Ｂ  弱光放出層マスク、６２Ａ，６２Ｂ  開口、６４Ａ，６４Ｂ  開口、６６Ａ，６６Ｂ，６６Ｃ  光放出層マスク、６８Ａ，６８Ｂ，６８Ｃ  開口、７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ  開口、７２Ａ，７２Ｂ  光放出層マスク、７４Ａ，７４Ｂ  開口、７６Ａ，７６Ｂ  開口、７８  第１領域、８０  第２領域、１７８  第１領域、１８０  第２領域、１８２  第１検査部、１８４  第２検査部、２７８  第１領域、２８０  第２領域、２８２  第１検査部、２８４  第２検査部、３５８  製造エリア、３８２  第１検査部、３８４  第２検査部、３８６  製品エリア、Ｃad  付加容量、ＣＡＰ  連続層、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、ＣＰ  集積回路チップ、Ｃｓ  保持容量、Ｄ１  複数方向、ＤＡ  表示領域、ＤＬ  信号線、ＤＳ  ディスプレイ、ＥＢＬ  電子ブロック層、ＥＩＬ  電子注入層、ＥＭＬ  発光層、ＥＭＬ  発光層、ＥＴＬ  電子輸送層、ＦＰ１  第１フレキシブルプリント基板、ＦＰ２  第２フレキシブルプリント基板、ＧＤ  走査回路、ＧＬ  走査線、ＧＲ，ＧＧ，ＧＢ  色グループ、ＧＲ−ＣＡＰ，ＧＧ−ＣＡＰ  光放出グループ、ＧＲ−ＴＨＬ，ＧＧ−ＴＨＬ  弱光放出グループ、ＨＢＬ  正孔ブロック層、ＨＩＬ  最下層、ＨＴＬ  弱光放出連続層、ＯＤ  発光素子、Ｐ  部分、Ｐ´  部分、ＰＷＬ  電源線、ＰＸ  画素、Ｒ  領域、Ｒ−ＣＡＰ，Ｇ−ＣＡＰ  光放出セクション、Ｒ−ＥＭＬ，Ｇ−ＥＭＬ，Ｂ−ＥＭＬ  発光セクション（光放出セクション）、Ｒ−ＴＨＬ，Ｇ−ＨＴＬ  弱光放出セクション、ＳＤ  信号駆動回路、ＳＰ  スペーサ、ＴＲ  薄膜トランジスタ、ＴＲ２  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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