(57)【要約】【課題】チャネル領域に流れる電流の方向にかかわらずトランジスタ特性が変わらないＴＦＴの作製を可能とするレーザアニール装置を提供すること。【解決手段】基体上にゲート配線が形成され、前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜を介して非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール装置であって、前記ゲート配線に当該ゲート配線に電流を発生させて該ゲート配線を発熱させる電流発生部と、レーザ光を発振するレーザ光源部と、前記レーザ光源部から発振されたレーザ光を、前記ゲート配線に沿って前記非晶質シリコン膜に照射させるレーザ照射部と、を備える。【選択図】図２
2020119912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にゲート配線が形成され、前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜を介して非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール装置であって、
前記ゲート配線に電流を発生させて該ゲート配線を発熱させる電流発生部と、
レーザ光を発振するレーザ光源部と、
前記レーザ光源部から発振されたレーザ光を、前記ゲート配線に沿って前記非晶質シリコン膜に照射させるレーザ照射部と、
を備えるレーザアニール装置。
【請求項２】
前記電流発生部は、
前記ゲート配線の一端部に接続されて電圧印加を行う第１プローバと、
前記ゲート配線の他端部に接続される接地に用いられる第２プローバと、
を備える
請求項１に記載のレーザアニール装置。
【請求項３】
前記レーザ照射部は、前記非晶質シリコン膜の表面に対して、前記ゲート配線の延在方向に直角をなす方向に細長いレーザスポットを投影させるレーザビームを出射させる
請求項１または請求項２に記載のレーザアニール装置。
【請求項４】
前記レーザ光源部は、連続発振レーザ光を発振するＣＷレーザ光源を備える
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
【請求項５】
前記レーザ光源部は、前記ＣＷレーザ光源から発振された連続発振レーザ光をパルスレーザ光に変化させることが可能である
請求項４に記載のレーザアニール装置。
【請求項６】
基体上にゲート配線が形成され、前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜を介して非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール方法であって、
前記ゲート配線に電流を発生させて該ゲート配線を発熱させるゲート配線発熱工程と、
前記ゲート配線発熱工程中に、前記ゲート配線に沿って前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射させるレーザアニール工程と、
を行うレーザアニール方法。
【請求項７】
前記ゲート配線発熱工程は、前記ゲート配線の一端部に電圧印加を行い、前記ゲート配線の他端部を接地させる
請求項６に記載のレーザアニール方法。
【請求項８】
前記レーザアニール工程は、前記非晶質シリコン膜の表面に、前記ゲート配線の延在方向に直角をなす方向に細長いレーザスポットを投影させるレーザビームをレーザ光として出射させる
請求項６または請求項７に記載のレーザアニール方法。
【請求項９】
前記レーザ光は、連続発振レーザ光である
請求項６から請求項８のいずれか一項に記載のレーザアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザアニール装置およびレーザアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ:Organic Light Emitting Display）などの薄型ディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）をアクティブ駆動するためのスイッチング素子として用いられている。薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）の半導体層の材料としては、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：amorphous Silicon）や、多結晶シリコン（p−Ｓｉ：polycrystalline Silicon）などが用いられている。
【０００３】
近年では、ＴＦＴにおけるチャネル領域の移動度を高めるため、疑似単結晶シリコンを横方向（ラテラル）結晶成長させるレーザアニール方法が知られている（特許文献１参照）。このレーザアニール方法においては、まず、アモルファスシリコン膜をエキシマレーザでアニールして形成した多結晶シリコン膜を用意する。次に、多結晶シリコン膜に対してレーザビームを部分的にスキャンして、シリコンを溶融させ、この溶融した部分の付近に残留している結晶粒を種結晶としてスキャン方向にラテラル結晶成長させることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１２４１３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のレーザアニール方法では、ラテラル結晶成長プロセスを用いるため、結晶において移動度の方向依存性があった。このため、ＴＦＴを作製した場合に、チャネル領域に流れる電流の方向により、トランジスタ特性が変わってしまうという問題があった。また、上述のレーザアニール方法では、ＴＦＴのチャネル領域に疑似単結晶シリコンを部分的に形成しようとすると、ゲート配線に積層された部分の多結晶シリコン膜へ精度良くレーザビームを照射する必要があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、チャネル領域に流れる電流の方向にかかわらずトランジスタ特性が変わらないＴＦＴの作製を可能とするレーザアニール装置およびレーザアニール方法を提供することを目的とする。また、本発明は、ゲート配線と重なる領域に、自己整合的に特性の良好なチャネル領域を形成することができるレーザアニール装置およびレーザアニール方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、基体上にゲート配線が形成され、前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜を介して非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール装置であって、前記ゲート配線に電流を発生させて該ゲート配線を発熱させる電流発生部と、レーザ光を発振するレーザ光源部と、前記レーザ光源部から発振されたレーザ光を、前記ゲート配線に沿って前記非晶質シリコン膜に照射させるレーザ照射部と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
上記態様としては、前記電流発生部は、前記ゲート配線の一端部に接続されて電圧印加を行う第１プローバと、前記ゲート配線の他端部に接続される接地に用いられる第２プローバと、を備えることが好ましい。
【０００９】
上記態様としては、前記レーザ照射部は、前記非晶質シリコン膜の表面に対して、前記ゲート配線の延在方向に直角をなす方向に細長いレーザスポットを投影させるレーザビームを出射させることが好ましい。
【００１０】
上記態様としては、前記レーザ光源部は、連続発振レーザ光を発振するＣＷレーザ光源を備えることが好ましい。
【００１１】
上記態様としては、前記レーザ光源部は、前記ＣＷレーザ光源から発振された連続発振レーザ光をパルスレーザ光に変化させることが可能であることが好ましい。
【００１２】
本発明の他の態様は、基体上にゲート配線が形成され、前記ゲート配線の上にゲート絶縁膜を介して非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール方法であって、前記ゲート配線に電流を発生させて該ゲート配線を発熱させるゲート配線発熱工程と、前記ゲート配線発熱工程中に、前記ゲート配線に沿って前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射させるレーザアニール工程と、を行うことを特徴とする。
【００１３】
上記態様としては、前記ゲート配線発熱工程は、前記ゲート配線の一端部に電圧印加を行い、前記ゲート配線の他端部を接地させることが好ましい。
【００１４】
上記態様としては、前記レーザアニール工程は、前記非晶質シリコン膜の表面に、前記ゲート配線の延在方向に直角をなす方向に細長いレーザスポットを投影させるレーザビームをレーザ光として出射させることが好ましい。
【００１５】
上記態様としては、前記レーザ光は、連続発振レーザ光であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るレーザアニール装置およびレーザアニール方法によれば、チャネル領域に流れる電流の方向にかかわらずトランジスタ特性が変わらないＴＦＴの作製が可能になる。また、本発明に係るレーザアニール装置およびレーザアニール方法によれば、ゲート配線に対して、移動度に方向依存性のないチャネル領域を自己整合的に形成できるため、ＴＦＴの製造工程数の増加を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置の概略構成図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置の断面説明図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置を用いて、非晶質シリコン膜に対してレーザアニール処理を施した状態を示す平面説明図である。
【図４】図４は、図３のＩＶ−ＩＶ断面の構造およびこの断面領域に対応する基板のＷ方向の温度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態に係るレーザアニール装置およびレーザアニール方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の数、各部材の寸法、寸法の比率、形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。
【００１９】
［実施の形態］
本実施の形態に係るレーザアニール装置の構成の説明に先駆けて、レーザアニール装置でレーザアニール処理を行う被処理基板の一例および疑似単結晶シリコン膜について図１から図３を用いて簡単に説明する。なお、図１においては、後述するゲート絶縁膜４および非晶質シリコン膜５を省略して示す。
【００２０】
（被処理基板）
図１および図２に示すように、被処理基板１は、基体としてのガラス基板２と、このガラス基板２の表面に互いに平行をなすように配置された複数のゲート配線３と、ガラス基板２およびゲート配線３の上に形成されたゲート絶縁膜４（図２参照）と、このゲート絶縁膜４の上に全面に堆積された非晶質シリコン膜５（図２参照）と、を備える。
【００２１】
図２に示すように、本実施の形態では、ゲート配線３の長手方向の両方の端部３Ａ，３Ｂは、ゲート絶縁膜４および非晶質シリコン膜５で覆われずに露出した状態となっている。
【００２２】
この被処理基板１は、最終的にＴＦＴなどが作り込まれたＴＦＴ基板となる。図１から図３に示すように、本実施の形態では、被処理基板１は、レーザアニール処理において、ゲート配線３の長手方向（搬送方向Ｔ）に沿って搬送される。
【００２３】
（疑似単結晶シリコン膜）
本実施の形態においては、レーザアニール処理された非晶質シリコン膜５は、結晶化シリコン膜としての疑似単結晶シリコン膜５Ｂ，５Ｃに改質される。ゲート配線３上に形成された疑似単結晶シリコン膜５Ｂは、最終的にはＴＦＴの図示しないチャネル領域としてパターニングされる。その結果、このようなチャネル領域は、ゲート配線３に沿って、例えば、液晶表示パネルのＴＦＴ基板における画素領域毎に設けられる。
【００２４】
前述の疑似単結晶シリコン膜５Ｂは、後述するように、移動度の方向依存性が小さい。したがって、この疑似単結晶シリコン膜５Ｂでなるチャネル領域に対して、ソース・ドレインを設けた場合、ソース・ドレインを結ぶ方向（チャネル長方向）が異なってもトランジスタ特性が同等となる。なお、この疑似単結晶シリコン膜５Ｂにおいて、移動度の方向依存性が小さくなる理由については後述する。
【００２５】
（レーザアニール装置の概略構成）
以下、図１および図２を用いて、本実施の形態に係るレーザアニール装置１０の概略構成を説明する。レーザアニール装置１０は、基台１１、レーザ光源部１２、レーザ照射部１３、電流発生部としての第１プローバ１４および第２プローバ１５、制御部１６、被処理基板１の位置情報を制御部１６に出力する図示しない位置センサなどを備える。
【００２６】
本実施の形態では、レーザアニール処理時にはレーザ照射部１３は移動せず、被処理基板１を移動させるようになっている。すなわち、基台１１は、図示しない基板搬送手段を備えている。このレーザアニール装置１０においては、被処理基板１を基台１１の上に配置した状態で、図示しない基板搬送手段によって、搬送方向（スキャン方向）Ｔに沿って搬送する。図２および図３に示すように、この搬送方向Ｔは、ゲート配線３の延在方向（長手方向）と同一方向である。
【００２７】
レーザ光源部１２は、連続発振レーザ光（ＣＷレーザ光）を発振するＣＷレーザ光源を備えている。また、レーザ光源部１２は、ＣＷレーザ光をパルス化してパルス光を発生させる図示しないパルス発生器も備えている。レーザ光源部１２に備えられるＣＷレーザ光源としては、半導体レーザ、固体レーザ、液体レーザ、気体レーザなどの各種のレーザを用いることが可能である。ここで、連続発振レーザ光（ＣＷレーザ光）とは、目的領域に対して連続してレーザ光を照射する所謂疑似連続発振も含む概念である。つまり、レーザ光がパルスレーザであっても、パルス間隔が加熱後のシリコン薄膜の冷却時間よりも短い（固まる前に次のパルスで照射する）疑似連続発振レーザであってもよい。
【００２８】
レーザ照射部１３は、図示しない支持フレームなどにより、基台１１の上方に配置されている。レーザ照射部１３は、いずれも図示しない、入射側結像系、均一化素子としてのロッドインテグレータ、出射側結像系などを備える。
【００２９】
図１に示すように、レーザ照射部１３は、被処理基板１の幅方向Ｗに細長く延びる形状のレーザビームＬＢを形成する。図１および図３に示すように、このレーザビームＬＢは、被処理基板１の表面（非晶質シリコン膜５の表面）において細長い矩形状のビームスポットＢＳを投影するように設定されている。なお、本実施の形態では、ビームスポットＢＳの長手方向の長さは、被処理基板１の幅方向Ｗに沿って、複数のゲート配線３に渡るように設定されている。
【００３０】
第１プローバ１４は、細長い矩形状のプローバ本体１４Ａと、プローバ本体１４Ａの側部から突出する複数のプローブピン１４Ｂと、を備える。本実施の形態では、プローブピン１４Ｂの数が被処理基板１におけるゲート配線３の数と同等に設定されている。第１プローバ１４では、各プローブピン１４Ｂへ所定の電圧が印加されるように設定されている。複数のプローブピン１４Ｂは、被処理基板１に形成されたゲート配線３のピッチと同一となるように配置されている。
【００３１】
第２プローバ１５は、プローバ本体１５Ａと、プローバ本体１５Ａの側部から突出する複数のプローブピン１５Ｂと、を備える。本実施の形態では、プローブピン１５Ｂの数が被処理基板１におけるゲート配線３の数と同等に設定されている。第２プローバ１５では、各プローブピン１５Ｂが接地されている。複数のプローブピン１５Ｂは、被処理基板１に形成されたゲート配線３のピッチと同一となるように配置されている。
【００３２】
図１および図２に示すように、第１プローバ１４のプローブピン１４Ｂは、被処理基板１に対して、被処理基板１の一方の端縁部に露出するゲート配線３の端部３Ａのそれぞれに接触するように位置固定される。同様に、第２プローバ１５のプローブピン１５Ｂは、被処理基板１に対して、被処理基板１の他方の端縁部に露出するゲート配線３の端部３Ｂのそれぞれに接触するように位置固定される。したがって、第１プローバ１４のプローバ本体１４Ａから電圧が印加されると、図３に示すようにゲート配線３内を電流Ｉが流れるように設定されている。なお、本実施の形態では、第１プローバ１４および第２プローバ１５は、被処理基板１に対して一体的に、図示しない基板搬送手段で搬送される。
【００３３】
制御部１６は、基台１１に設けられた図示しない基板搬送手段と、レーザ光源部１２と、第１プローバ１４と、の制御を行う。具体的には、制御部１６は、図示しない基板搬送手段を駆動制御して被処理基板１を搬送方向Ｔへ向けて所定の速度で移動させるように設定されている。
【００３４】
また、制御部１６は、レーザ光源部１２を駆動制御して、被処理基板１に対してレーザビームＬＢを照射させる。なお、制御部１６は、レーザ光源部１２に対して、ＣＷレーザ光とパルスレーザ光とを選択的に発生させる制御を行う。制御部１６は、レーザアニール処理の最初の段階において、被処理基板１の位置情報に基づいて、レーザ光源部１２に対して、パルスレーザ光を出射させる制御を行う。なお、このパルスレーザ光は、非晶質シリコン膜５の一方の端縁部に種結晶を形成するために用いられる。なお、本実施の形態では、レーザ光源部１２から出射されるパルスレーザ光の出力は比較的低エネルギーに設定されている。
【００３５】
（レーザアニール方法）
以上、本実施の形態に係るレーザアニール装置１０の構成について説明したが、以下に、レーザアニール装置１０を用いたレーザアニール方法について説明する。
【００３６】
まず、図１に示すように、第１プローバ１４を被処理基板１に接続する。具体的には、第１プローバ１４のプローブピン１４Ｂを、被処理基板１の一方の端縁部に露出するゲート配線３の端部３Ａのそれぞれに接触するようにセットする。同様に、第２プローバ１５を被処理基板１に接続する。具体的には、第２プローバ１５のプローブピン１５Ｂを、被処理基板１の他方の端縁部に露出するゲート配線３の端部３Ｂのそれぞれに接触するようにセットする。
【００３７】
（ゲート配線発熱工程およびレーザアニール工程）
次に、レーザアニール装置１０では、被処理基板１を搬送方向Ｔに沿って所定のスキャン速度で走行させる。制御部１６は、図示しない位置センサからの位置情報に基づいて、被処理基板１が所定位置に達したときに、第１プローバ１４のプローブピン１４Ｂに所定の電圧を印加する。同時に、制御部１６は、図示しないＣＷレーザ光源とパルス発生器を駆動制御する。図示しないＣＷレーザ光源はＣＷレーザ光を発振させる。このとき、ＣＷレーザ光源から発振されたＣＷレーザ光は、図示しないパルス発生器でパルスレーザ光に変換される。
【００３８】
次に、図２に示すように、被処理基板１の一方の端縁部の非晶質シリコン膜５の表面にパルスレーザ光でなるレーザビームＬＢを照射して、ゲート配線３の端部３Ａ近傍の上方に位置する非晶質シリコン膜５に種結晶領域５Ａ（図３参照）を形成する。本実施の形態では、上述したようにパルスレーザ光の出力を比較的低く設定しており、ゲート配線３内を通る電流Ｉによって抵抗発熱よる温度に、パルスレーザ光による加熱温度を加えることにより、非晶質シリコン膜５に種結晶領域５Ａを形成できるように設定されている。したがって、図３に示すように、本実施の形態では、ゲート配線３の端部の上方の領域のみに微結晶シリコンでなる種結晶領域５Ａが形成される。
【００３９】
なお、本実施の形態では、種結晶領域５Ａをゲート配線３上のみに形成するように設定した、パルスレーザ光の出力条件を変えることにより、被処理基板１の一方の端縁部の非晶質シリコン膜５の端縁部の幅方向Ｗ全体に亘って種結晶領域５Ａを形成してもよい。
【００４０】
前述のように、非晶質シリコン膜５の端縁部（本実施の形態では、ゲート配線３の上方の領域のみ）に種結晶領域５Ａを形成した後に、制御部１６は、図示しないパルス発生器を駆動停止させて、レーザ光源部１２からＣＷレーザ光を発振させる。この結果、レーザ照射部１３からは、ＣＷレーザ光でなるレーザビームＬＢが非晶質シリコン膜５へ向けて照射される。そして、ＣＷレーザ光でなるレーザビームＬＢを照射した状態で、図３に示すように、被処理基板１を搬送方向Ｔに移動させる。このとき、ゲート配線３には、電流Ｉが印加されている。
【００４１】
このようなゲート配線発熱工程およびレーザアニール工程を同時に施すことにより、ゲート配線３の上方に位置する非晶質シリコン膜５は、疑似単結晶シリコン膜５Ｂに変化する。具体的には、図３に示すように、ゲート配線３の上方に位置する非晶質シリコン膜５は、ゲート配線３の抵抗発熱よる熱とＣＷレーザ光でなるレーザビームＬＢからの熱とを受ける。これにより、非晶質シリコン膜５は、疑似単結晶シリコン膜５Ｂに変化する。また、ゲート配線３の上方よりも側方（ゲート配線３の幅方向Ｗの外側）に位置する非晶質シリコン膜５は、レーザビームＬＢから熱を受けることにより、疑似単結晶シリコン膜５Ｃに変化する。
【００４２】
本実施の形態では、ＣＷレーザ光でなるレーザビームＬＢを非晶質シリコン膜５に照射したときに、ゲート配線３に電流Ｉが流れて抵抗発熱を行っているため、ゲート配線３の上方に位置する領域における非晶質シリコン膜５も昇温される。このようにゲート配線３が抵抗発熱していることにより、非晶質シリコン膜５には、ゲート配線３の上方の領域と、ゲート配線３の周辺（側方）の領域との間で、予め温度勾配が発生している。
【００４３】
図４は、図３におけるＩＶ−ＩＶ断面（レーザアニール処理が行われた部分の断面）の構造、および非晶質シリコン膜５の幅方向Ｗの座標位置と温度の関係（温度分布）を示す説明図である。図４に示すように、ゲート配線３を形成した領域と幅方向Ｗの側方領域とでは、温度勾配が発生している。このため、ゲート配線３の上方の非晶質シリコン膜５は、溶融された後、冷却により結晶化（ラテラル結晶成長）する方向として、搬送方向Ｔ以外に、搬送方向Ｔと直交する方向（幅方向Ｗ）にも疑似単結晶シリコン膜が成長する。
【００４４】
このため、ゲート配線３の上方に形成された疑似単結晶シリコン膜５Ｂでは、図３に示すｘ方向とｙ方向の移動度が同等となる。したがって、この疑似単結晶シリコン膜５ＢをＴＦＴのチャネル領域とすることにより、チャネル長方向の異なるＴＦＴ同士の移動度を同等にすることができる。すなわち、本実施の形態に係るレーザアニール装置１０を用いて疑似単結晶シリコン膜５Ｂを形成することにより、ＴＦＴの配置に起因するトランジスタ特性の変化を低減することができる。
【００４５】
また、図３に示すように、本実施の形態に係るレーザアニール装置１０を用いて形成した疑似単結晶シリコン膜５Ｂは、ゲート配線３の抵抗発熱の影響がおよぶ領域、すなわち、ゲート配線３の上方の領域のみに形成される。このゲート配線３の幅方向Ｗの長さ（幅寸法）ｗ２は、ゲート配線３の幅寸法ｗ１と略同一となる。したがって、本実施の形態によれば、疑似単結晶シリコン膜５Ｂをゲート配線３に対して自己整合的に形成できるという利点がある。
【００４６】
［その他の実施の形態］
以上、実施の形態について説明したが、この実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００４７】
例えば、上記の実施の形態では、被処理基板１を移動させる構成としたが、被処理基板１の位置を固定し、レーザ照射部１３側を移動させる構成としても勿論よい。
【００４８】
上記の実施の形態では、レーザビームＬＢの長手方向の長さを複数のゲート配線３に渡るように設定したが、全てのゲート配線３に渡る長さを有するレーザビームＬＢを用いる設定としてもよい。
【００４９】
上記の実施の形態では、結晶化シリコン膜として、疑似単結晶シリコン膜５Ｂを形成したが、種結晶領域から多結晶シリコン膜を成長させる構成としても勿論よい。この場合も、種結晶領域を起点として、良質な多結晶シリコン膜を形成することが可能となる。
【００５０】
上記の実施の形態では、電流発生部として、ゲート配線３に電流を印加する第１プローバ１４と第２プローバ１５を用いたが、ゲート配線３を選択的に加熱するために、誘導加熱、誘電加熱などを行わせる構成としてもよい。
【００５１】
上記の実施の形態では、第１プローバ１４および第２プローバ１５に複数のプローブピン１４Ｂ，１５Ｂを設けたが、非晶質シリコン膜５の端縁部に露出する複数のゲート配線３を一括して同時に接続できる幅方向Ｗに細長い接続片を用いてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１  被処理基板
２  ガラス基板（基体）
３  ゲート配線
３Ａ，３Ｂ  端部
４  ゲート絶縁膜
５  非晶質シリコン膜
５Ａ  種結晶領域
５Ｂ  疑似単結晶シリコン膜（移動度の方向依存性が小さい）
５Ｃ  疑似単結晶シリコン膜
１０  レーザアニール装置
１１  基台
１２  レーザ光源部
１３  レーザ照射部
１４  第１プローバ（電流発生部）
１４Ａ  プローバ本体
１４Ｂ  プローブピン
１５  第２プローバ（電流発生部）
１５Ａ  プローバ本体
１５Ｂ  プローブピン
【図１】
2020119912.tif 000003
【図２】
2020119912.tif 000004
【図３】
2020119912.tif 000005
【図４】
2020119912.tif 000006