(57)【要約】【課題】被処理基板が載置される載置面の温度の均一性を向上する。【解決手段】載置台は、被処理基板が載置される載置面を有する基板載置部材と、基板載置部材を支持する支持部材と、支持部材の内部に載置面に沿って形成され、載置面側に配置される天井面とは反対側の底面に、冷媒の導入口が設けられた冷媒流路と、少なくとも、天井面のうち導入口に対向する部分を覆う第１の面状部と、冷媒流路が湾曲する部分の内側面を覆う第２の面状部と、を有する断熱部材と、を有する。【選択図】図５
2020047707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が載置される載置面を有する基板載置部材と、
前記基板載置部材を支持する支持部材と、
前記支持部材の内部に前記載置面に沿って形成され、前記載置面側に配置される天井面とは反対側の底面に、冷媒の導入口が設けられた冷媒流路と、
少なくとも、前記天井面のうち前記導入口に対向する部分を覆う第１の面状部と、前記冷媒流路が湾曲する部分の内側面を覆う第２の面状部と、を有する断熱部材と、
を有する、載置台。
【請求項２】
前記第１の面状部及び前記第２の面状部の少なくともいずれか一方の面状部に、溝が形成される、請求項１に記載の載置台。
【請求項３】
前記断熱部材は、前記冷媒流路の前記導入口に着脱自在に取り付けられ、前記第１の面状部に接続する本体部をさらに有する、請求項１又は２に記載の載置台。
【請求項４】
被処理基板が載置される載置面を有する基板載置部材と、
前記基板載置部材を支持する基材と、
前記基材の内部に前記載置面に沿って形成され、前記載置面側に配置される天井面とは反対側の底面に、冷媒の導入口が設けられた冷媒流路と、
前記冷媒流路が湾曲する部分の内側面を覆う面状部を有する断熱部材と、
を有する、載置台。
【請求項５】
被処理基板が載置される載置面を有する基板載置部材と、
前記基板載置部材を支持する支持部材と、
前記支持部材の内部に前記載置面に沿って形成され、前記載置面側に配置される天井面とは反対側の底面に、冷媒の導入口が設けられた冷媒流路と、
少なくとも、前記天井面のうち前記導入口に対向する部分を覆う第１の面状部と、前記冷媒流路が湾曲する部分の内側面を覆う第２の面状部と、を有する断熱部材と、
を有する載置台を具備する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台及び基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハ等の被処理基板に対してプラズマ処理等の基板処理を行う基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、被処理基板の温度制御を行うために、被処理基板が載置される載置面に沿って載置台の内部に冷媒流路が形成される。冷媒流路の天井面は、載置台の載置面側に配置され、冷媒流路の、天井面とは反対側の底面には、冷媒の導入口が設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１９５０４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、被処理基板が載置される載置面の温度の均一性を向上することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による載置台は、被処理基板が載置される載置面を有する基板載置部材と、前記基板載置部材を支持する支持部材と、前記支持部材の内部に前記載置面に沿って形成され、前記載置面側に配置される天井面とは反対側の底面に、冷媒の導入口が設けられた冷媒流路と、少なくとも、前記天井面のうち前記導入口に対向する部分を覆う第１の面状部と、前記冷媒流路が湾曲する部分の内側面を覆う第２の面状部と、を有する断熱部材と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、被処理基板が載置される載置面の温度の均一性を向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る載置台の要部構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る載置台を載置面側から見た平面図である。
【図４】図４は、本実施形態に係る断熱部材の設置態様の一例を示す平面図である。
【図５】図５は、本実施形態に係る断熱部材の設置態様の一例を示す断面模式図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る断熱部材の構成の一例を示す斜視図である。
【図７】図７は、載置面の温度分布をシミュレーションした結果の一例を示す図である。
【図８】図８は、断熱部材の構成の変形例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【０００９】
従来から、半導体ウエハ等の被処理基板に対してプラズマ処理等の基板処理を行う基板処理装置が知られている。このような基板処理装置では、被処理基板の温度制御を行うために、被処理基板が載置される載置面に沿って載置台の内部に冷媒流路が形成される。冷媒流路の天井面は、載置台の載置面側に配置され、冷媒流路の、天井面とは反対側の底面には、冷媒の導入口が設けられる。
【００１０】
ところで、載置台の内部に冷媒流路が形成される場合、冷媒流路を通流する冷媒の流速が局所的に増大することがある。例えば、冷媒流路の天井面のうち冷媒の導入口と対向する部分や、冷媒流路が湾曲する部分の内側面において、冷媒の流速が局所的に増大する。冷媒の流速が局所的に増大すると、冷媒と載置台との間の熱交換が局所的に促進されてしまう。結果として、載置台では、被処理基板が載置される載置面の温度の均一性が低下する虞がある。被処理基板が載置される載置面の温度の均一性の低下は、被処理基板の品質を悪化させる要因となり、好ましくない。
【００１１】
［プラズマ処理装置の構成］
最初に、基板処理装置について説明する。基板処理装置は、被処理基板に対してプラズマ処理を行う装置である。本実施形態では、基板処理装置を、ウエハに対してプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置とした場合を例に説明する。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略断面図である。基板処理装置１００は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器１を有している。処理容器１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器１内には、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は、基台２ａ及び静電チャック（ＥＳＣ:Electrostatic  chuck）６を含んでいる。静電チャック６は、基板載置部材に対応し、基台２ａは、支持部材に対応する。
【００１３】
基台２ａは、略円柱状に形成され、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されている。基台２ａは、下部電極としての機能を有する。基台２ａは、支持台４に支持されている。支持台４は、例えば石英等からなる支持部材３に支持されている。基台２ａ及び支持台４の周囲には、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
【００１４】
基台２ａには、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用のものであり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定の周波数の高周波電力が載置台２の基台２ａに供給されるように構成されている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）のものであり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い所定周波数の高周波電力が載置台２の基台２ａに供給されるように構成されている。
【００１５】
静電チャック６は、上面が平坦な円盤状に形成され、当該上面がウエハＷが載置される載置面６ｅとされている。静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハＷが吸着されるよう構成されている。
【００１６】
また、静電チャック６の外側には、環状のエッジリング５が設けられている。エッジリング５は、例えば、単結晶シリコンで形成されており、基台２ａに支持されている。なお、エッジリング５は、フォーカスリングとも呼ばれる。
【００１７】
基台２ａの内部には、冷媒流路２ｄが形成されている。冷媒流路２ｄの一方の端部には、導入流路２ｂが接続され、他方の端部には、排出流路２ｃが接続されている。導入流路２ｂ及び排出流路２ｃは、それぞれ冷媒入口配管２ｅ及び冷媒出口配管２ｆを介して、図示しないチラーユニットに接続されている。冷媒流路２ｄは、ウエハＷの下方に位置してウエハＷの熱を吸熱するように機能する。基板処理装置１００は、冷媒流路２ｄの中にチラーユニットから供給される冷媒、例えば冷却水やガルデンなどの有機溶剤等を循環させることによって、載置台２を所定の温度に制御可能に構成されている。冷媒流路２ｄ、導入流路２ｂ、及び排出流路２ｃの構造については、後述される。
【００１８】
なお、基板処理装置１００は、ウエハＷの裏面側に冷熱伝達用ガスを供給して温度を個別に制御可能な構成としてもよい。例えば、載置台２等を貫通するように、ウエハＷの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（バックサイドガス）を供給するためのガス供給管が設けられてもよい。ガス供給管は、図示しないガス供給源に接続されている。これらの構成によって、載置台２の上面に静電チャック６によって吸着保持されたウエハＷを、所定の温度に制御する。
【００１９】
一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
【００２０】
シャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
【００２１】
本体部１６ａは、内部にガス拡散室１６ｃが設けられている。また、本体部１６ａは、ガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、底部に、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。また、上部天板１６ｂは、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、上記したガス通流孔１６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００２２】
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。このガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給する処理ガス供給源（ガス供給部）１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、処理ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理容器１内には、ガス拡散室１６ｃからガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して、シャワー状に分散されて処理ガスが供給される。
【００２３】
上記した上部電極としてのシャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、後述する制御部９０によって制御される。なお、後述のように、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ７３がオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
【００２４】
処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
【００２５】
処理容器１の底部には、排気口８１が形成されている。排気口８１には、排気管８２を介して第１排気装置８３が接続されている。第１排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧することができるように構成されている。一方、処理容器１内の側壁には、ウエハＷの搬入出口８４が設けられており、この搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
【００２６】
処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。このデポシールド８６のウエハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部には、内壁部材３ａに沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在とされている。
【００２７】
上記構成の基板処理装置１００は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部９０には、ＣＰＵを備え基板処理装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ９１と、ユーザインターフェース９２と、記憶部９３とが設けられている。
【００２８】
ユーザインターフェース９２は、工程管理者が基板処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、基板処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２９】
記憶部９３には、基板処理装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース９２からの指示等にて任意のレシピを記憶部９３から呼び出してプロセスコントローラ９１に実行させることで、プロセスコントローラ９１の制御下で、基板処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、又は、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用したりすることも可能である。
【００３０】
［載置台の構成］
次に、図２を参照して、載置台２の要部構成について説明する。図２は、本実施形態に係る載置台２の要部構成の一例を示す概略断面図である。
【００３１】
載置台２は、基台２ａ及び静電チャック６を有する。静電チャック６は、円板状に形成され、基台２ａと同軸となるように基台２ａに固定されている。静電チャック６の上面は、ウエハＷが載置される載置面６ｅとされている。
【００３２】
基台２ａの内部には、載置面６ｅに沿って冷媒流路２ｄが形成されている。基板処理装置１００は、冷媒流路２ｄに冷媒を通流させることにより、載置台２の温度を制御可能に構成されている。
【００３３】
図３は、本実施形態に係る載置台２を載置面６ｅ側から見た平面図である。冷媒流路２ｄは、例えば図３に示すように、基台２ａの内部の、載置面６ｅに対応する領域に渦巻き状に湾曲して形成されている。これにより、基板処理装置１００は、載置台２の載置面６ｅ全域において、ウエハＷの温度を制御することができる。
【００３４】
図２の説明に戻る。冷媒流路２ｄには、導入流路２ｂ及び排出流路２ｃが載置面６ｅに対する裏面側から接続されている。導入流路２ｂは、冷媒流路２ｄに冷媒を導入し、排出流路２ｃは、冷媒流路２ｄを通流する冷媒を排出する。導入流路２ｂは、例えば、導入流路２ｂの延伸方向が冷媒流路２ｄを通流する冷媒の流れ方向に直交するように載置台２の載置面６ｅに対する裏面側から延伸し、冷媒流路２ｄに接続される。また、排出流路２ｃは、例えば、排出流路２ｃの延伸方向が冷媒流路２ｄを通流する冷媒の流れ方向に直交するように載置台２の載置面６ｅに対する裏面側から延伸し、冷媒流路２ｄに接続される。
【００３５】
冷媒流路２ｄの天井面２ｇは、載置面６ｅの裏面側に配置されている。冷媒流路２ｄの、天井面２ｇとは反対側の底面２ｈには、冷媒を導入するための導入口２ｉが設けられている。冷媒流路２ｄの導入口２ｉは、冷媒流路２ｄと導入流路２ｂとの接続部分を形成する。冷媒流路２ｄの導入口２ｉには、断熱性の材料により形成された断熱部材１１０が設けられている。断熱性の材料としては、例えば、樹脂、ゴム、セラミック及び金属等が挙げられる。
【００３６】
図４は、本実施形態に係る断熱部材１１０の設置態様の一例を示す平面図である。図５は、本実施形態に係る断熱部材１１０の設置態様の一例を示す断面模式図である。図６は、本実施形態に係る断熱部材１１０の構成の一例を示す斜視図である。なお、図４に示す構造は、図３に示す冷媒流路２ｄと導入流路２ｂとの接続部分（つまり、冷媒流路２ｄの導入口２ｉ）近傍の構造に対応する。また、図５は、図４に示した基台２ａのＶ−Ｖ線における断面図に対応する。
【００３７】
図４〜図６に示すように、断熱部材１１０は、本体部１１２と、第１の面状部１１４と、第２の面状部１１６、１１７とを有する。本体部１１２は、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに着脱自在に取り付けられ、第１の面状部１１４に接続している。本体部１１２は、本体部１１２が冷媒流路２ｄの導入口に取り付けられた状態で、本体部１１２を冷媒流路２ｄの底面２ｈに固定するための固定爪１１２ａを有する。
【００３８】
第１の面状部１１４は、本体部１１２から延伸して、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち少なくとも導入口２ｉと対向する部分を覆う。本実施形態では、第１の面状部１１４は、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち導入口２ｉと対向する部分を冷媒の流れ方向（図４の矢印Ｆで示される方向）に所定のサイズだけ拡張して得られる所定部分Ａを覆う。
【００３９】
第２の面状部１１６、１１７は、第１の面状部１１４から延伸して、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面（例えば、内側面２ｊ−１や内側面２ｊ−２）を覆う。本実施形態では、第２の面状部１１６は、所定部分Ａに連続する内側面２ｊ−１を覆い、第２の面状部１１７は、所定部分Ａに連続する内側面２ｊ−２を覆う。
【００４０】
ところで、載置台２の内部（つまり、基台２ａの内部）に冷媒流路２ｄが形成される場合、冷媒流路２ｄを通流する冷媒の流速が局所的に増大することがある。例えば、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち導入口２ｉと対向する部分や、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面（例えば、内側面２ｊ−１や内側面２ｊ−２）において、冷媒の流速が局所的に増大する。冷媒の流速が局所的に増大すると、冷媒と基台２ａとの間の熱交換が局所的に促進されてしまう。結果として、載置台２では、ウエハＷが載置される載置面６ｅの温度の均一性が損なわれる虞がある。
【００４１】
そこで、基板処理装置１００では、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０を設けている。すなわち、断熱部材１１０における第１の面状部１１４は、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち少なくとも導入口２ｉと対向する部分を覆う。また、断熱部材１１０における第２の面状部１１６、１１７は、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２を覆う。これにより、断熱部材１１０は、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち導入口２ｉと対向する部分及び冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２を覆うことができるので、これらの領域において冷媒の流速の増大を抑制することができる。これにより、冷媒と基台２ａとの間の熱交換が局所的に促進されることを抑制することができる。その結果、ウエハＷが載置される載置面６ｅの温度の均一性を向上することができる。
【００４２】
［載置面の温度分布のシミュレーション］
図７は、載置面６ｅの温度分布をシミュレーションした結果の一例を示す図である。図７において、「比較例」は、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられていない場合の温度分布を示している。また、図７において、「実施例」は、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられた場合の温度分布を示している。なお、図７には、冷媒流路２ｄの導入口２ｉの位置が破線の円により示されている。
【００４３】
図７に示すように、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられていない場合、載置面６ｅのうち冷媒流路２ｄの導入口２ｉに対応する領域の温度が、他の領域の温度よりも低下している。これは、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち導入口２ｉと対向する部分や、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２において、冷媒の流速が局所的に増大し、冷媒と基台２ａとの間の熱交換が局所的に促進されたためであると考えられる。
【００４４】
これに対して、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられた場合、載置面６ｅのうち冷媒流路２ｄの導入口２ｉに対応する領域の温度が、他の領域の温度と同程度の温度まで上昇している。すなわち、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられた場合、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられていない場合と比較して、載置面６ｅの温度の均一性が向上している。これは、断熱部材１１０が、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち導入口２ｉと対向する部分及び冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２を覆うことで、これらの領域において冷媒と基台２ａとの間の熱交換が抑制されたためであると考えられる。
【００４５】
以上、本実施形態に係る載置台２は、静電チャック６と、基台２ａと、冷媒流路２ｄと、断熱部材１１０とを有する。静電チャック６は、ウエハＷが載置される載置面６ｅを有する。基台２ａは、静電チャック６を支持する。冷媒流路２ｄは、基台２ａの内部に載置面６ｅに沿って形成され、載置面６ｅ側に配置される天井面２ｇとは反対側の底面２ｈに、冷媒の導入口２ｉが設けられる。断熱部材１１０は、第１の面状部１１４と、第２の面状部１１６、１１７とを有する。第１の面状部１１４は、冷媒流路２ｄの天井面２ｇのうち少なくとも導入口２ｉと対向する部分を覆う。第２の面状部１１６、１１７は、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２を覆う。これにより、本実施形態に係る載置台２は、ウエハＷが載置される載置面６ｅの温度の均一性を向上することができる。
【００４６】
以上、実施形態について説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。
【００４７】
例えば、実施形態の断熱部材１１０において、第１の面状部１１４に溝が形成されてもよい。図８は、断熱部材１１０の構成の変形例を示す斜視図である。図８に示す第１の面状部１１４には、溝１１４ａが形成されている。溝１１４ａは、冷媒を滞留させる。溝１１４ａに滞留された冷媒は、冷媒流路２ｄの天井面２ｇからの入熱により加熱されて高温となる。すなわち、溝１１４ａは、加熱されて高温となった冷媒を滞留させることで、冷媒流路２ｄを通流する冷媒と基台２ａとの間の熱交換をより抑制することができる。また、例えば、第２の面状部１１６、１１７に溝が形成されてもよい。要するに、第１の面状部及び第２の面状部の少なくともいずれか一方の面状部に、溝が形成されればよい。
【００４８】
また、実施形態では、冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、断熱部材１１０は、取り付け可能な範囲で、冷媒流路２ｄ内の任意の位置に設けられてもよい。例えば、断熱部材１１０は、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２のみに設けられてもよい。この場合、断熱部材１１０は、冷媒流路２ｄが湾曲する部分の内側面２ｊ−１、２ｊ−２を覆う第２の面状部を有し、本体部１１２及び第１の面状部１１４は省略されてもよい。
【００４９】
また、実施形態では、載置台２の内部に形成された冷媒流路２ｄの導入口２ｉに断熱部材１１０が設けられる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、上部電極としてのシャワーヘッド１６に冷媒流路が形成される場合、シャワーヘッド１６に形成された冷媒流路の導入口に断熱部材１１０が設けられても良い。これにより、シャワーヘッド１６の、載置台２と対向する面の温度の均一性を向上することができる。
【００５０】
また、実施形態では、基板処理装置１００がプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置である場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板処理装置１００は、成膜や膜質の改善を行う基板処理装置であってもよい。
【００５１】
また、実施形態に係る基板処理装置１００は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively  Coupled  Plasma)を用いたプラズマ処理装置であったが、任意のプラズマ源がプラズマ処理装置に適用され得る。例えば、プラズマ処理装置に適用されるプラズマ源として、Inductively  Coupled  Plasma（ＩＣＰ）、Radial  Line  Slot  Antenna（ＲＬＳＡ）、Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma（ＥＣＲ）、Helicon  Wave  Plasma（ＨＷＰ）などが挙げられる。
【符号の説明】
【００５２】
１  処理容器
２  載置台
２ａ  基台
２ｂ  導入流路
２ｄ  冷媒流路
２ｇ  天井面
２ｈ  底面
２ｉ  導入口
６  静電チャック
６ｅ  載置面
１００  基板処理装置
１１０  断熱部材
１１２  本体部
１１４  第１の面状部
１１４ａ  溝
１１６、１１７  第２の面状部
ウエハＷ
【図１】
2020047707.tif 000003
【図２】
2020047707.tif 000004
【図３】
2020047707.tif 000005
【図４】
2020047707.tif 000006
【図５】
2020047707.tif 000007
【図６】
2020047707.tif 000008
【図７】
2020047707.tif 000009
【図８】
2020047707.tif 000010