(57)【要約】【課題】半導体ウェーハを輸送する際に半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着レベルを評価することができる半導体ウェーハの品質評価方法、半導体ウェーハの収容容器の評価方法、半導体ウェーハの収容容器の選定方法、半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法および半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法を提案する。【解決手段】半導体ウェーハＷを樹脂製のウェーハ収容容器Ｃ内に収容し、該ウェーハ収容容器Ｃに振動を付与して半導体ウェーハＷの振動の加速度を測定し、測定された加速度の２乗平均平方根とウェーハ収容容器Ｃに振動を付与した時間との積を振動負荷として、該振動負荷に基づいて半導体ウェーハＷの外周部に付着する樹脂の付着量を評価することを特徴とする。【選択図】図１
2020174130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを樹脂製のウェーハ収容容器内に収容し、該ウェーハ収容容器に振動を付与して前記半導体ウェーハの振動の加速度を測定し、測定された加速度の２乗平均平方根と前記ウェーハ収容容器に振動を付与した時間との積を振動負荷として、該振動負荷に基づいて前記半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価することを特徴とする半導体ウェーハの品質評価方法。
【請求項２】
前記加速度の測定は、前記半導体ウェーハの振動のウェーハ厚み方向の成分について行う、請求項１に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【請求項３】
前記ウェーハ収容容器に対して、前記振動負荷と前記半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量との関係を予め求めておき、評価された樹脂の付着量が基準値を超えるか否かに基づいて前記半導体ウェーハの品質を評価する、請求項１または２に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハがシリコンウェーハである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【請求項５】
前記ウェーハ収容容器に付与する振動が、前記半導体ウェーハの輸送ルートにおいて前記ウェーハ収容容器に実際に付与される振動である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【請求項６】
特定のウェーハ収容容器を用いて、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、前記特定のウェーハ収容容器の適否を判定することを特徴とする半導体ウェーハの収容容器の評価方法。
【請求項７】
複数のウェーハ収容容器に対して、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって前記半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価し、評価された樹脂の付着量に基づいて前記半導体ウェーハの輸送に用いるウェーハ収容容器を選定することを特徴とする半導体ウェーハの収容容器の選定方法。
【請求項８】
半導体ウェーハの特定の輸送ルートに対してウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、前記特定の輸送ルートの適否を判定することを特徴とする半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法。
【請求項９】
半導体ウェーハの複数の輸送ルートに対して、ウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、輸送ルートを選定することを特徴とする半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの品質評価方法、半導体ウェーハの収容容器の評価方法、半導体ウェーハの収容容器の選定方法、半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法および半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハ製造元で製造したシリコンウェーハなどの半導体ウェーハを出荷・輸送する際、複数枚の半導体ウェーハを互いに平行に樹脂製のウェーハ収容容器内に収容して出荷先に輸送されている。こうしたウェーハ収容容器として、例えばＦＯＳＢ（Front Opening Shipping Box）が挙げられ、ＳＥＭＩ規格Ｍ３１で標準化されている（例えば、特許文献１〜３参照）。現在、環境負荷やコストの点から、使用後のウェーハ収容容器は、出荷先から回収して、再利用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−３５３８９８号公報
【特許文献２】特表２００５−５１８３１８号公報
【特許文献３】特表２０１４−５２７７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のように半導体ウェーハを出荷先に輸送する際に、半導体ウェーハの外周部に樹脂が付着する場合がある。このような樹脂付着の原因として考えられるのは、樹脂製のウェーハ収容容器に設けられた、半導体ウェーハを保持するウェーハ保持部と半導体ウェーハとの擦動である。
【０００５】
すなわち、ウェーハ収容容器において、各半導体ウェーハは、ウェーハ保持部に設けられた溝に挿入されて保持されている。そのため、半導体ウェーハの輸送時に、外部から衝撃が与えられて半導体ウェーハが振動すると、半導体ウェーハとウェーハ保持部とが擦動してウェーハ保持部から微小な樹脂が形成され、半導体ウェーハの外周部に付着したものと考えられる。
【０００６】
上述のような樹脂の付着が生じると、デバイス製造の歩留まりが低下する。よって、半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の量は、半導体ウェーハの品質を評価する上で重要な指標である。しかしながら、半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂量を定量的に評価する方法はこれまで存在しなかった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、半導体ウェーハを輸送する際に半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価することができる半導体ウェーハの品質評価方法、半導体ウェーハの収容容器の評価方法、半導体ウェーハの収容容器の選定方法、半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法および半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明は、以下の通りである。
［１］半導体ウェーハを樹脂製のウェーハ収容容器内に収容し、該ウェーハ収容容器に振動を付与して前記半導体ウェーハの振動の加速度を測定し、測定された加速度の２乗平均平方根と前記ウェーハ収容容器に振動を付与した時間との積を振動負荷として、該振動負荷に基づいて前記半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価することを特徴とする半導体ウェーハの品質評価方法。
【０００９】
［２］前記加速度の測定は、前記半導体ウェーハの振動のウェーハ厚み方向の成分について行う、前記［１］に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【００１０】
［３］前記ウェーハ収容容器に対して、前記振動負荷と前記半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量との関係を予め求めておき、評価された樹脂の付着量が基準値を超えるか否かに基づいて前記半導体ウェーハの品質を評価する、前記［１］または［２］に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【００１１】
［４］前記半導体ウェーハがシリコンウェーハである、前記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【００１２】
［５］前記ウェーハ収容容器に付与する振動が、前記半導体ウェーハの輸送ルートにおいて前記ウェーハ収容容器に実際に付与される振動である、前記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法。
【００１３】
［６］特定のウェーハ収容容器を用いて、前記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、前記特定のウェーハ収容容器の適否を判定することを特徴とする半導体ウェーハの収容容器の評価方法。
【００１４】
［７］複数のウェーハ収容容器に対して、前記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって前記半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価し、評価された樹脂の付着量に基づいて前記半導体ウェーハの輸送に用いるウェーハ収容容器を選定することを特徴とする半導体ウェーハの収容容器の選定方法。
【００１５】
［８］半導体ウェーハの特定の輸送ルートに対してウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、前記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、前記特定の輸送ルートの適否を判定することを特徴とする半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法。
【００１６】
［９］半導体ウェーハの複数の輸送ルートに対して、ウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、前記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、輸送ルートを選定することを特徴とする半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体ウェーハを輸送する際に半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】振動試験機の一例の模式図である。
【図２】振動試験機における振動面、ウェーハ収容容器および半導体ウェーハへの加速度センサの取り付け位置の一例を説明する図である。
【図３】振動試験機における振動面、ウェーハ収容容器および半導体ウェーハの振動のウェーハ厚み方向の成分の加速度を示す図である。
【図４】評価に使用した付着レベルの基準を示す図である。
【図５】振動負荷と付着レベルとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（半導体ウェーハの評価方法）
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。本発明による半導体ウェーハの品質評価方法は、半導体ウェーハを樹脂製のウェーハ収容容器内に収容し（第１工程）、該ウェーハ収容容器に振動を付与して半導体ウェーハの振動の加速度を測定し（第２工程）、測定された加速度の２乗平均平方根とウェーハ収容容器に振動を付与した時間との積を振動負荷として、該振動負荷に基づいて半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価する（第３工程）ことを特徴とする。
【００２０】
上述のように、製造した半導体ウェーハをウェーハ収容容器に収容して出荷先に輸送する際に、半導体ウェーハの外周部に樹脂が付着する場合がある。この樹脂付着は、半導体ウェーハを保持する樹脂製のウェーハ保持部と半導体ウェーハとの擦動が原因と考えられる。
【００２１】
上記半導体ウェーハの外周部への樹脂の付着量は、ウェーハ収容容器の種類および半導体ウェーハの輸送ルートに依存すると考えられる。すなわち、上記ウェーハ収容容器の具体的な材料やウェーハの保持圧などは、ウェーハ収容容器のメーカーや型番によって異なる。また、輸送中に半導体ウェーハに付与される振動は、輸送ルートや輸送手段（航空機やトラックなど）にも依存する。こうした半導体ウェーハ外周部への樹脂の付着量を定量的に評価する方法は、本発明者らが知る限り、現時点では存在しない。
【００２２】
本発明者らは、上記半導体ウェーハ外周部への樹脂の付着量を定量的に評価する方法について鋭意検討した。その結果、ウェーハ収容容器に振動が付与されている時間（以下、「振動時間」とも言う。）の間に、半導体ウェーハの振動の加速度の２乗平均平方根と振動時間との積と、半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量とが相関していることを見出し、本発明を完成させたのである。以下、各工程について説明する。
【００２３】
＜第１工程＞
まず、半導体ウェーハを樹脂製のウェーハ収容容器内に収容する。半導体ウェーハは、特に限定されず、例えばシリコンウェーハを好適に評価することができる。また、半導体ウェーハの径についても特に限定されず、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍなどの適切な径とすることができる。また、半導体ウェーハの枚数についても、特に限定されないが、複数枚（例えば、２５枚）とすることができる。
【００２４】
上記半導体ウェーハを収容するウェーハ収容容器としては、樹脂製の公知の適切なものを使用することができる。複数枚の半導体ウェーハを収容する容器の場合には、ウェーハ同士が接触しないように保持できる適切な容器を使用することができる。こうした容器としては、例えばＦＯＳＢが挙げられ、好適に使用することができる。複数枚の半導体ウェーハをＦＯＳＢに収容する場合には、半導体ウェーハを立てた状態（すなわち、半導体ウェーハの表面が鉛直方向に対して平行な状態）で収容される。
【００２５】
＜第２工程＞
次に、ウェーハ収容容器に振動を付与して半導体ウェーハの振動の加速度を測定する。上記ウェーハ収容容器への振動の付与は、例えば振動試験機を用いて行うことができる。
【００２６】
図１は、振動試験機の一例の模式図を示している。この図に示した振動試験機１は、振動発生部１１と、振動発生部１１の振動を制御する制御部１２と、複数枚（例えば、２５枚）の半導体ウェーハＷが収容されたウェーハ収容容器Ｃが載置される振動面１３とを備えており、ウェーハ収容容器Ｃは、振動面１３上にベルトＢで固定される。振動試験機１は、ウェーハ収容容器Ｃに、例えば正弦波の定常振動およびランダム波の非定常振動を与えるように構成されている。なお、ウェーハ収容容器Ｃは、内部の半導体ウェーハＷの面内方向が鉛直方向と平行となるように配置されている。
【００２７】
上述のような振動試験機１を用いて、振動の周波数範囲や、振動力、最大加速度、最大速度、振動方向などのパラメータを設定することにより、ウェーハ収容容器Ｃ、ひいてはウェーハ収容容器Ｃの内部に収容された半導体ウェーハＷに振動を付与することができる。
【００２８】
上記ウェーハ収容容器Ｃに付与する振動は、特に限定されないが、半導体ウェーハＷの輸送ルートにおいてウェーハ収容容器Ｃに実際に付与される振動であることが最も好ましい。しかしながら、実際に付与される振動を取得することが難しい場合には、輸送時にウェーハ収容容器Ｃに付与される振動を模した振動を付与することができる。
【００２９】
振動試験に関して、ランダム振動試験の試験仕様に関する標準化技術としては、米国軍用規格（ＭＩＬ−ＳＴＤ−８１０）があり、軍需品（主に電子機器）を対象として、輸送振動に対する疲労損傷品質が評価されている。本発明においても、この規格に基づいて輸送時の振動を模した振動データを用意してもよい。
【００３０】
こうしてウェーハ収容容器Ｃに振動を付与して、半導体ウェーハＷの振動の加速度を測定する。その際、半導体ウェーハＷの振動のウェーハ厚み方向の成分の加速度を測定することが好ましい。
【００３１】
すなわち、半導体ウェーハＷの振動は、ウェーハ厚み方向（ウェーハ面に垂直な方向）の成分、ウェーハ面内方向かつ水平方向の成分、ウェーハ面内方向かつ鉛直方向の成分に分けることができる。本発明者らが検討した結果、上記３つの振動成分のうち、ウェーハ外周部への樹脂の付着量とウェーハ厚み方向の成分との相関が最も強いことが判明した。そこで、本発明においては、半導体ウェーハＷの振動のウェーハ厚み方向の成分の加速度を測定することが好ましい。
【００３２】
半導体ウェーハＷの振動の加速度は、加速度センサを用いて測定することができる。図２は、振動試験機１における振動面１３、ウェーハ収容容器Ｃおよび半導体ウェーハＷへの加速度センサの取り付け位置の一例を説明する図である。なお、図２においては、ウェーハ厚み方向をｘ方向、ウェーハ面内方向かつ水平方向をｙ方向、ウェーハ面内方向かつ鉛直方向をｚ方向としている。
【００３３】
半導体ウェーハＷの振動のうち、ウェーハ厚み方向の成分の加速度を測定する場合には、半導体ウェーハＷの主面上に加速度センサＳを配置する。加速度センサＳの位置は、主面上であれば特に限定されないが、振動の振幅が最大となることから、図２に示すように、半導体ウェーハＷの中心に配置することが好ましい。
【００３４】
図３は、半導体ウェーハの振動のウェーハ厚み方向の成分の加速度を示す図である。なお、図３には、参考として、振動試験機１における振動面１３およびウェーハ収容容器Ｃの振動のウェーハ厚み方向の成分の加速度についても示されており、振動試験機１における振動面１３およびウェーハ収容容器Ｃに配置された加速度センサＳの位置は、図２に示したとおりである。
【００３５】
図３から明らかなように、ウェーハ収容容器Ｃの振動は、ベルトＢによりウェーハ収容容器Ｃが振動面１３に固定されていることから、振動面１３の振動に追従していることが分かる。これに対して、ウェーハ収容容器Ｃに収容された半導体ウェーハＷの振動は、振動面１３の振動に追従しておらず、振動面１３やウェーハ収容容器Ｃに比べて振動の振幅が大きくなっている（すなわち、増幅されている）ことが分かる。
【００３６】
このように、半導体ウェーハＷには、ウェーハ収容容器Ｃよりも振幅が大きな振動が付与されており、こうした大きな振動が、半導体ウェーハ外周部への樹脂付着の原因になっていると考えられる。
【００３７】
＜第３工程＞
続いて、測定された加速度の２乗平均平方根とウェーハ収容容器Ｃに振動を付与した時間との積を振動負荷として、該振動負荷に基づいて半導体ウェーハＷの外周部に付着する樹脂の付着量を評価する。
【００３８】
上述のように、本発明者らは、ウェーハ外周部に付着する樹脂の付着量が、半導体ウェーハＷの振動の加速度の２乗平均平方根（Random Mean Square、以下、「ＲＭＳ」とも言う。）とウェーハ収容容器Ｃに振動を付与した時間（以下、「振動時間」とも言う。）との積と相関していることを見出した。そこで、本発明においては、上記ＲＭＳと振動時間との積を「振動負荷」として定義し、この振動負荷に基づいて半導体ウェーハＷの外周部に付着する樹脂の付着量を評価する。
振動負荷＝ＲＭＳ×振動時間              （１）
【００３９】
上記ＲＭＳは、具体的には、下記の式（２）で表すことができる。
【数１】
2020174130.tif 000003
上記式（２）において、Ｔは振動時間、ｘは加速度、ｘｉはある時点で測定された加速度、Ｎは加速度の測定数（サンプル数）である。
【００４０】
半導体ウェーハＷの外周部に付着する樹脂の付着量は、例えば、半導体ウェーハＷの外周部を撮影して樹脂の付着を確認し、付着した樹脂の面積などに応じて評価することができる。また、簡便には、官能評価によって、半導体ウェーハＷの外周部を観察し、樹脂の付着量を評価することができる。この官能評価は、光学顕微鏡などを用いて行ってもよいし、目視により行ってもよい。
【００４１】
また、上記樹脂の付着量の評価は、付着した樹脂の面積などに応じてレベル分け（例えば、５つのレベル）し、付着レベルとして行ってもよい。
【００４２】
上記樹脂の付着量の評価は、使用するウェーハ収容容器Ｃに対して、振動負荷と半導体ウェーハＷの外周部に付着する樹脂の付着量との関係を予め求めておき、評価された樹脂の付着量が基準値を超えるか否かに基づいて行うことができる。
【００４３】
こうして、半導体ウェーハＷの外周部に付着した樹脂の付着量を評価することができる。
【００４４】
（半導体ウェーハの収容容器の評価方法）
次に、本発明による半導体ウェーハの収容容器の評価方法について説明する。本発明による半導体ウェーハの収容容器の評価方法は、特定のウェーハ収容容器を用いて、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、上記特定のウェーハ収容容器の適否を判定することを特徴とする。
【００４５】
ウェーハ収容容器は、メーカーや型番によって容器の材質や保持機構などが異なる。そのため、半導体ウェーハを同じ輸送ルートで輸送したとしても、輸送後の半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量はウェーハ収容容器に依存する。
【００４６】
そこで、本発明においては、特定のウェーハ収容容器に半導体ウェーハを収容して、上記本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって半導体ウェーハの外周部に付着した樹脂の付着量を評価し、評価された樹脂の付着量に基づいて評価に供したウェーハ収容容器が半導体ウェーハの実際の輸送に適しているか否かを評価する。これにより、上記特定のウェーハ収容容器が、半導体ウェーハの輸送に適したものか否かを評価することができる。
【００４７】
（半導体ウェーハの収容容器の選定方法）
続いて、本発明による半導体ウェーハの収容容器の選定方法について説明する。本発明による半導体ウェーハの収容容器の選定方法は、複数のウェーハ収容容器に対して、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価し、評価された樹脂の付着量に基づいて半導体ウェーハの輸送に用いるウェーハ収容容器を選定することを特徴とする。
【００４８】
上述のように、輸送後の半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量はウェーハ収容容器に依存する。そのため、本発明においては、複数のウェーハ収容容器に対して、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価する。これにより、半導体ウェーハの輸送に適したウェーハ収容容器を選定することができる。
【００４９】
上記複数のウェーハ収容容器に対する評価により、複数のウェーハ収容容器が半導体ウェーハの搬送に適していると評価された場合には、これらの任意のウェーハ収容容器を選ぶことができるし、評価された樹脂の付着量が最も低いものを選ぶこともできる。
【００５０】
（半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法）
次に、本発明による半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法について説明する。本発明による半導体ウェーハの輸送ルートの評価方法は、半導体ウェーハの特定の輸送ルートに対してウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、上記特定の輸送ルートの適否を判定することを特徴とする。
【００５１】
半導体ウェーハを郵送する際にウェーハ収容容器、ひいては半導体ウェーハに付与される振動は輸送ルートに依存する。よって、本発明においては、半導体ウェーハの特定の輸送ルートに対してウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、上記特定の輸送ルートの適否を判定する。これにより、上記特定の輸送ルートが半導体ウェーハの輸送に適したものか否かを評価することができる。
【００５２】
なお、上記輸送ルートは、輸送元から輸送先までの車両や鉄道による陸路のルートのみならず、航空機による空路や船舶による水路といった、あらゆる輸送手段によるルートとすることができる。
【００５３】
（半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法）
続いて、本発明による半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法について説明する。本発明による半導体ウェーハの輸送ルートの選定方法は、半導体ウェーハの複数の輸送ルートに対して、ウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって評価された樹脂の付着量に基づいて、輸送ルートを選定することを特徴とする。
【００５４】
上述のように、輸送後の半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量は、半導体ウェーハの輸送ルートに依存する。そのため、本発明においては、半導体ウェーハの複数の輸送ルートに対して、ウェーハ収容容器に付与される振動のデータを予め取得しておき、上述した本発明による半導体ウェーハの品質評価方法によって半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂レベルを評価する。これにより、半導体ウェーハの輸送に適した輸送ルートを選定することができる。
【００５５】
上記複数の輸送ルートに対する評価により、複数の輸送ルートが半導体ウェーハの搬送に適していると評価された場合には、これらの任意の輸送ルートを選ぶことができるし、評価された樹脂の付着量が最も低いものを選ぶこともできる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は実施例に限定されない。
【００５７】
本発明による半導体ウェーハの品質評価方法により、シリコンウェーハの外周部に付着した樹脂の付着量を評価した。具体的には、まず、２５枚のシリコンウェーハをウェーハ収容容器としてのＦＯＳＢに収容した。次いで、振動試験機（ＩＭＶ株式会社製、ＶＳ−３００−２）を用いてＦＯＳＢに振動を付与し、シリコンウェーハの振動のウェーハ厚み方向の成分の加速度を測定した。その際、シリコンウェーハの中心部に加速度センサを配置し、振動数：５〜１００Ｈｚの正弦波またはランダム波、時間：１５０〜３０００秒、加速度：０．１〜１Ｇの様々な入力条件でＦＯＳＢに振動を付与した。
【００５８】
本実施例では、目視により、シリコンウェーハの外周部に付着した樹脂の付着量を、付図４に示した５つの付着レベルで評価した。図４は、評価に使用した付着レベルの基準を示している。なお、図４の各レベルにおいて、シリコンウェーハの外周部の３つの画像が示されており、上段はウェーハ表面に対して４５°上方から撮影した画像、中段はウェーハ表面に対して０°（すなわち、端面）の画像、下段は、ウェーハ表面に対して４５°下方から撮影した画像である。
【００５９】
なお、今回の評価に使用したＦＯＳＢについては、２５枚のシリコンウェーハのうち、端に収容されたシリコンウェーハに対する保持力が大きく、樹脂の付着量が多かった。そのため、上記付着レベルの評価は、両端の５枚ずつ、計１０枚についての付着レベルの平均値を用いて行った。
【００６０】
図５は、様々な振動条件に対して得られた振動負荷と付着レベルとの関係を示している。なお、図５においては、ＦＯＳＢ  Ａを使用した場合の結果と、Ａと異なる型式のＦＯＳＢ  Ｂを使用した場合の結果とに分けられている。
【００６１】
図５から、ＦＯＳＢ  ＡとＦＯＳＢ  Ｂとでは、付着レベルの挙動が異なることが分かる。すなわち、ＦＯＳＢ  Ｂについては、付着レベルは、振動負荷の対数値に対して直線的に変化することが分かる。これに対して、ＦＯＳＢ  Ａについては、樹脂の付着が発生しない領域（不感帯）が存在し、振動負荷がある閾値を超えると、付着レベルが大きく増加することが分かる。
【００６２】
このように、本実施例に使用したＦＯＳＢについては、ＦＯＳＢ  ＡとＦＯＳＢ  Ｂとで、付着レベルの挙動が異なっている。そのため、特定のＦＯＳＢについて図５に示したような振動負荷と付着レベル（付着量）との関係を予め求めておき、樹脂の付着レベル（付着量）を評価することが好ましい。
【００６３】
特定のＦＯＳＢについて図５に示したような関係を予め求めておけば、振動試験機を用いて、特定の輸送ルートについて取得しておいた振動をＦＯＳＢに付与して半導体ウェーハの振動の加速度を測定し、振動負荷を求めることによって、半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着レベルを評価（推定）することができる。そして、付着レベルが基準値以下（例えば、２．３以下）の場合には、使用したＦＯＳＢおよび輸送ルートの組み合わせは適切であると評価することができる。一方、基準値を超える場合には、使用したＦＯＳＢおよび輸送ルートの少なくとも一方が不適と評価することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明によれば、半導体ウェーハを輸送する際に半導体ウェーハの外周部に付着する樹脂の付着量を評価することができるため、半導体産業において有用である。
【符号の説明】
【００６５】
１  振動試験機
１１  振動発生部
１２  制御部
１３  振動面
Ｂ  ベルト
Ｃ  ウェーハ収容容器
Ｓ  加速度センサ
Ｗ  半導体ウェーハ
【図１】
2020174130.tif 000004
【図２】
2020174130.tif 000005
【図３】
2020174130.tif 000006
【図４】
2020174130.tif 000007
【図５】
2020174130.tif 000008