(57)【要約】【課題】基板の反りを適切に抑制可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、および被加工基板を提供する。【解決手段】一の実施形態によれば、基板処理装置は、膜が設けられた基板を保持する基板保持部を備える。前記装置はさらに、前記基板の反りに基づいて、前記膜が、第１の膜質または膜厚を有する第１領域と、前記第１の膜質または膜厚と異なる第２の膜質または膜厚を有する第２領域とを含むように前記膜を処理し、前記基板の反りを抑制する膜処理部を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜が設けられた基板を保持する基板保持部と、
前記基板の反りに基づいて、前記膜が、第１の膜質または膜厚を有する第１領域と、前記第１の膜質または膜厚と異なる第２の膜質または膜厚を有する第２領域とを含むように前記膜を処理し、前記基板の反りを抑制する膜処理部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記第１領域は、前記基板に対し第１方向に圧縮応力および引張応力の一方を印加し、前記第２領域は、前記基板に対し少なくとも前記第１方向と異なる第２方向に圧縮応力および引張応力の他方を印加する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１領域は、前記基板が第１方向に沿って上に凸な形状および下に凸な形状の一方に反ることを抑制し、前記第２領域は、前記基板が少なくとも前記第１方向と異なる第２方向に沿って上に凸な形状および下に凸な形状の他方に反ることを抑制する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板の反りを測定する反り測定部をさらに備え、
前記膜処理部は、前記反り測定部により測定された前記基板の反りに基づいて、前記膜を処理する、請求項１から３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記反り測定部は、前記基板に光を照射し、前記基板から反射された前記光を検出することで、前記基板の反りを測定する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記反り測定部は、前記基板保持部に設けられた位置センサである、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記膜処理部は、前記膜を部分的に酸化、窒化、またはポーラス化するように、または前記膜の膜厚を部分的に増加または減少させるように前記膜を処理する、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記膜処理部は、前記膜にプラズマを照射するプラズマ照射部を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記プラズマ照射部は、前記基板の反りに基づいて、前記プラズマの照射位置および照射条件を決定し、決定された前記照射位置および前記照射条件に基づいて、前記膜に前記プラズマを照射する、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記膜処理部は、前記膜に接触可能な金属部材を含む、請求項１から７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板保持部は、前記基板の端部を保持する、請求項１から１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
膜が設けられた基板を保持し、
前記基板の反りに基づいて、前記膜が、第１の膜質または膜厚を有する第１領域と、前記第１の膜質または膜厚と異なる第２の膜質または膜厚を有する第２領域とを含むように前記膜を処理し、前記基板の反りを変化させる、
ことを含む半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板と、
前記基板の一面に設けられ、前記基板に対し第１方向に圧縮応力および引張応力の一方を印加する第１領域と、前記基板に対し少なくとも前記第１方向と異なる第２方向に圧縮応力および引張応力の他方を印加する第２領域とを含む膜と、
を備える被加工基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、および被加工基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハの片面に膜を形成することで、ウェハの反りを抑制することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５６４２６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の反りを適切に抑制可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法、および被加工基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一の実施形態によれば、基板処理装置は、膜が設けられた基板を保持する基板保持部を備える。前記装置はさらに、前記基板の反りに基づいて、前記膜が、第１の膜質または膜厚を有する第１領域と、前記第１の膜質または膜厚と異なる第２の膜質または膜厚を有する第２領域とを含むように前記膜を処理し、前記基板の反りを抑制する膜処理部を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】第１実施形態のウェハ処理方法を説明するための図(1/3)である。
【図３】第１実施形態のウェハ処理方法を説明するための図(2/3)である。
【図４】第１実施形態のウェハ処理方法を説明するための図(3/3)である。
【図５】第１実施形態の半導体製造システムの構成を模式的に示す断面図である。
【図６】第１実施形態の変形例のウェハ処理方法を説明するための図である。
【図７】第２実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。図１〜図７において、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。図１の基板処理装置は例えば、ウェハ１に設けられた膜２をプラズマにより処理するプラズマ処理装置である。
【０００９】
ウェハ１は例えば、シリコンウェハなどの半導体ウェハである。ウェハ１は、基板の例である。ウェハ１は、デバイスが形成されているまたは形成予定の第１面Ｓ１と、ウェハ１の反りを抑制するための膜２が形成された第２面Ｓ２とを有している。膜２は例えば、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属膜などである。膜２は、ウェハ１に反りを抑制する目的で形成された膜でもよいし、ウェハ１にその他の目的で形成された膜でもよい。
【００１０】
図１は、ウェハ１の第１面Ｓ１や第２面Ｓ２の中心領域におおむね平行で互いに垂直なＸ方向およびＹ方向と、ウェハ１の第１面Ｓ１や第２面Ｓ２の中心領域におおむね垂直なＺ方向とを示している。本明細書では、＋Ｚ方向を上方向として取り扱い、−Ｚ方向を下方向として取り扱う。−Ｚ方向は、重力方向と一致していてもよいし、重力方向と一致していなくてもよい。Ｙ方向は第１方向の例であり、Ｘ方向は第２方向の例である。
【００１１】
図１の基板処理装置は、ウェハ保持部１１と、反り測定部１２と、プラズマ照射部１３と、制御部１４とを備えている。ウェハ保持部１１は、基板保持部の例である。プラズマ照射部１３と制御部１４は、膜処理部の例である。
【００１２】
ウェハ保持部１１は、膜２が設けられたウェハ１を保持し、例えば、ウェハ１のべベルを保持する。ウェハ１のべベルは、基板の端部の例である。本実施形態の膜２は、ウェハ保持部１１によりウェハ１が保持される前にウェハ１に形成されるが、ウェハ保持部１１によりウェハ１が保持された状態でウェハ１に形成されてもよい。
【００１３】
反り測定部１２は、ウェハ保持部１１により保持されているウェハ１の反りを非接触で測定する。反り測定部１２は、ウェハ１の第１面Ｓ１側に光を照射する光源と、ウェハ１の第１面Ｓ１側で反射された光を検出する検出器とを備え、検出器による光の検出結果に基づいてウェハ１の反りを測定する。反り測定部１２は、ウェハ１の反りの測定結果を、制御部１４に出力する。
【００１４】
矢印Ｋは、光照射中の反り測定部１２が横方向に移動することで、ウェハ１を光により走査する様子を示している。これにより、ウェハ１上の様々な点に光を照射して、ウェハ１の反りを測定することが可能となる。例えば、ウェハ１のエッジを光により３６０度分走査することで、ウェハ１の反りを効率的に測定することが可能となる。
【００１５】
なお、反り測定部１２は、ウェハ保持部１１により保持されているウェハ１の反りを、その他の手法で測定してもよい。例えば、反り測定部１２は、ウェハ保持部１１のウェハチャック部分に設けられた位置センサとしてもよい。この場合、ウェハ１の反りがこの位置センサにより測定され、ウェハ１の反りの測定結果がこの位置センサから制御部１４に出力される。
【００１６】
プラズマ照射部１３は、膜２にプラズマを照射する。これにより、膜２からウェハ１に印加される応力を変化させ、ウェハ１の反りを変化させることができる。本実施形態のプラズマ照射部１３は、膜２にプラズマを常温常圧下で照射する。図１は、プラズマ照射部１３を構成するプラズマ照射ノズルを示している。
【００１７】
制御部１４は、図１の基板処理装置の種々の動作を制御する。制御部１４の例は、プロセッサ、電気回路、ＰＣ（Personal Computer）などである。例えば、制御部１４は、ウェハ保持部１１の動作、反り測定部１２による測定、プラズマ照射部１３によるプラズマ照射などを制御する。
【００１８】
制御部１４は、反り測定部１２から出力されたウェハ１の反りの測定結果に基づいて、プラズマ照射部１３から膜２へのプラズマ照射を制御する。これにより、ウェハ１の反りを抑制するように膜２を処理することが可能となる。本実施形態では、膜２をプラズマにより部分的に改質することで、ウェハ１の反りを抑制する。膜２の改質の例としては、膜２の一部をプラズマ照射により酸化または窒化することが挙げられる。また、膜２の改質の別の例としては、膜２をプラズマ照射により部分的に薄膜化することや厚膜化することが挙げられる。
【００１９】
制御部１４による制御の下、プラズマ照射部１３は、膜２にプラズマを照射し、膜２をプラズマにより走査することで、膜２を部分的に改質する。矢印Ａ１は、プラズマ照射中のプラズマ照射ノズルが横方向に移動することで、膜２をプラズマにより走査する様子を示している。矢印Ｂ１は、プラズマ照射中のプラズマ照射ノズルが縦方向に移動することで、プラズマ照射の密度や面積を変調する様子を示している。制御部１４は、ウェハ１の反りの測定結果に基づいて、プラズマの照射位置や照射条件を決定し、決定された照射位置や照射条件に基づいて、プラズマ照射を制御する。その結果、膜２が部分的に改質される。膜２のどの部分を改質するかの詳細は後述する。
【００２０】
なお、ウェハ１は一般に、第１面Ｓ１を上向きにして搬送される。一方、図１のウェハ１は、第１面Ｓ１を下向きにしてウェハ保持部１１により保持されている。そこで、図１の基板処理装置は、ウェハ１の第１面Ｓ１の向きを反転させる反転部を備えていてもよい。この場合、ウェハ１の第１面Ｓ１の向きは、ウェハ保持部１１に装着する前に上向きから下向きに反転部により反転され、ウェハ保持部１１から取り外した後に下向きから上向きに反転部により反転される。
【００２１】
また、本実施形態の膜２は、図１の基板処理装置の外部でウェハ１に形成されるが、図１の基板処理装置の内部でウェハ１に形成されてもよい。例えば、ウェハ保持部１１にウェハ１を装着してから、プラズマ照射部１３からのプラズマによりウェハ１に膜２を形成してもよい。また、ウェハ１に形成された膜２は、図１の基板処理装置の内部でエッチングまたは除去されてもよい。
【００２２】
図２〜図４は、第１実施形態のウェハ処理方法を説明するための図である。これらの図では、図１とは異なり、ウェハ１の第１面Ｓ１が上向きに描かれ、ウェハ１の第２面Ｓ２が下向きに描かれていることに留意されたい。
【００２３】
図２(ａ)、図２(ｂ)、図２(ｃ)はそれぞれ、ウェハ１の第２面Ｓ２に膜２が形成される前のウェハ１のＸＺ断面、ＹＺ断面、第２面Ｓ２を示している。ただし、ウェハ１の第１面Ｓ１または／および第２面Ｓ２には、別の膜（図示せず）がすでに形成されている。その結果、このウェハ１は、Ｘ方向に沿って上に凸な形状に反っており（図２(ａ)）、Ｙ方向に沿って下に凸な形状に反っている（図２(ｂ)）。
【００２４】
図３(ａ)、図３(ｂ)、図３(ｃ)はそれぞれ、ウェハ１に膜２が形成された後、かつ、膜２が改質される前のウェハ１のＸＺ断面、ＹＺ断面、第２面Ｓ２を示している。本実施形態の膜２は、ウェハ１に対し等方的に圧縮（compressive）応力を印加する。よって、ウェハ１に対しＸ方向やＹ方向に圧縮応力が印加される。この圧縮応力は、第２面Ｓ２を拡げるようにウェハ１に印加されるため、上に凸な反りは膜２により抑制されるが（図３(ａ)）、下に凸な反りは膜２により大きくなる（図３(ｂ)）。
【００２５】
図４(ａ)、図４(ｂ)、図４(ｃ)はそれぞれ、ウェハ１に膜２が形成された後、かつ、膜２が改質された後のウェハ１のＸＺ断面、ＹＺ断面、第２面Ｓ２を示している。本実施形態では、膜２内の領域２ａにプラズマを照射し、領域２ａ内の膜２を部分的に改質する。以下、領域２ａを「改質領域２ａ」と呼ぶ。本実施形態の改質領域２ａは、ウェハ１に対し引張（tensile）応力を印加するように改質される。そして、本実施形態の改質領域２ａは、Ｙ方向に延びる帯状の形状に加工されるため、ウェハ１に対し主にＹ方向に引張応力を印加する。この引張応力は、第２面Ｓ２を主にＹ方向に縮めるようにウェハ１に印加されるため、上に凸な反りが膜２により抑制されたまま（図４(ａ)）、下に凸な反りも膜２により抑制される（図４(ｂ)）。
【００２６】
以上のように、本実施形態によれば、膜２を部分的に改質することで、Ｘ方向に沿ったウェハ１の反りと、Ｙ方向に沿ったウェハ１の反りとを、独立して抑制することが可能となる。よって、ウェハ１が例えば、Ｘ方向に沿って上に凸な形状に反り、Ｙ方向に沿って下に凸な形状に反るというように、複雑な形状に反っている場合にも、ウェハ１の反りを十分に抑制することが可能となる。ウェハ１の反りは、ウェハ１の搬送エラー、ウェハ１同士の接触、ウェハ１と基板処理装置との接触、ウェハ１に対するリソグラフィの合わせずれ、基板処理装置内での異常放電などの問題を引き起こす可能性があるが、本実施形態によれば、これらの問題を低減することが可能となる。
【００２７】
図４(ａ)〜図４(ｃ)において、膜２は、プラズマにより改質され、Ｙ方向に延びる帯状の形状を有する改質領域２ａと、プラズマにより改質されず、改質領域２ａを包囲する形状を有するその他の領域とを有している。膜２が酸化や窒化により改質される場合、前者の領域（改質領域２ａ）は、第１の膜質を有する第１領域の例であり、後者の領域（その他の領域）は、第２の膜質を有する第２領域の例である。膜２内の改質領域２ａは、ウェハ１に対し主にＹ方向に引張応力を印加し、ウェハ１がＹ方向に沿って下に凸な形状に反ることを主に抑制する。一方、膜２内のその他の領域は、ウェハ１に対しＸ方向等に圧縮応力を印加し、ウェハ１がＸ方向等に沿って上に凸な形状に反ることを抑制する。
【００２８】
膜２の改質は、膜２の部分的な薄膜化や厚膜化でもよい。この場合、改質領域２ａの膜厚は、膜２の部分的な薄膜化により減少するか、膜２の部分的な厚膜化により増加する。この場合、改質領域２ａは、第１の膜厚を有する第１領域の例であり、その他の領域は、第２の膜厚を有する第２領域の例である。膜２の部分的な薄膜化は例えば、膜２の一部をエッチングすることで実現される。膜２の部分的な厚膜化は例えば、膜２の一部に新たな膜を堆積することで実現される。
【００２９】
本実施形態では、膜２をプラズマによりＹ方向に走査することで、Ｙ方向に延びる帯状の形状を有する改質領域２ａを形成する。一方、このような改質領域２ａは、Ｙ方向に延びる帯状の形状の開口部を備えるマスクを用意し、プラズマをこのマスクを介して膜２に供給することで形成してもよい。また、改質領域２ａは、後述するように、プラズマ照射以外の手法を用いて形成してもよい。
【００３０】
膜２にプラズマを照射する際に、プラズマの照射位置や照射条件は例えば、ウェハ１の反りの形状に基づいて決定可能である。プラズマの照射位置の例は、改質領域２ａの座標や長さなどである。プラズマの照射条件の例は、プラズマ照射時間、プラズマパワー（Ｗ）、プラズマ周波数（Ｈｚ）、プラズマを生成するためのガスの種類、流量、成分などである。例えば、下方向への反りが大きい場合には、改質領域２ａの引張応力が大きくなるように、改質領域２ａの長さを長くすることや、プラズマの強度を強くすることが考えられる。これにより、ウェハ１の反りを効率的に抑制することが可能となる。
【００３１】
ウェハ１の反りの測定は、プラズマ照射前のみに行ってもよいし、プラズマ照射中にも行ってもよい。前者の場合、ウェハ１の反りの測定は、図１に示すようにウェハ保持部１１に装着した後に反り測定部１２により行ってもよいし、ウェハ保持部１１に装着する前にその他の反り測定部により行ってもよい。例えば、基板処理装置の外部の反り測定部によりウェハ１の反りを測定し、この測定結果を制御部１４に提供してもよい。一方、後者の場合、制御部１４は、ウェハ１の反りの時間変化に基づいて、プラズマの照射位置や照射条件を随時変化させてもよい。
【００３２】
膜２の改質の例は、膜２の酸化、窒化、ポーラス化などである。例えば、シリコン酸化膜である膜２を部分的に窒化することや、シリコン窒化膜である膜２を部分的に酸化することや、シリコン膜である膜２を部分的に酸化、窒化、ポーラス化することや、金属膜である膜２を部分的に酸化することなどが考えられる。ただし、膜２の改質方法は、これらの例に限定されるものではない。例えば、膜２をプラズマ照射により部分的に除去することや増膜することが考えられる。
【００３３】
なお、改質領域２ａの形状は、上述の形状以外の形状でもよい。また、膜２は、改質領域２ａと異なる膜質を有する改質領域をさらに有していてもよい。このような膜２の具体的については、後述する。
【００３４】
図５は、第１実施形態の半導体製造システムの構成を模式的に示す断面図である。
【００３５】
図５は、ウェハ１に膜２を堆積（形成）する堆積装置２１と、膜２を部分的に改質する改質装置２２とを示している。図１の基板処理装置は、この改質装置２２の一例に相当する。このように、本実施形態における膜２の形成と改質は、別個の装置内で行うが、同一の装置内で行ってもよい。
【００３６】
本システムでは、ウェハ１の反りを抑制する目的で形成された膜２により、ウェハ１の反りを抑制している。しかしながら、その他の目的で形成された膜２により、ウェハ１の反りを抑制してもよい。例えば、ウェハ１の第１面Ｓ１にデバイスを形成する目的で、ウェハ１の第１面Ｓ１と第２面Ｓ２に膜２を形成し、第２面Ｓ２に形成されたこの膜２をウェハ１の反りを抑制するために再利用してもよい。
【００３７】
図６は、第１実施形態の変形例のウェハ処理方法を説明するための図である。
【００３８】
本変形例の膜２は、プラズマにより改質され、Ｙ方向に延びる帯状の形状を有する改質領域２ａと、プラズマにより改質され、Ｘ方向に延びる帯状の形状を有する改質領域２ｂと、プラズマにより改質されず、改質領域２ａ、２ｂを包囲する形状を有するその他の領域とを有している。
【００３９】
本変形例における改質前の膜２は、ニュートラルな膜であり、ウェハ１に対し応力を印加しない。一方、本変形例の改質領域２ａは、ウェハ１に対し引張応力を印加するように改質される。そして、本変形例の改質領域２ａは、Ｙ方向に延びる帯状の形状に加工されるため、ウェハ１に対し主にＹ方向に引張応力を印加する。さらに、本変形例の改質領域２ｂは、ウェハ１に対し圧縮応力を印加するように改質される。そして、本変形例の改質領域２ｂは、Ｘ方向に延びる帯状の形状に加工されるため、ウェハ１に対し主にＸ方向に圧縮応力を印加する。
【００４０】
その結果、改質領域２ａは、ウェハ１に対し主にＹ方向に引張応力を印加し、ウェハ１がＹ方向に沿って下に凸な形状に反ることを主に抑制する。さらに、改質領域２ｂは、ウェハ１に対しＸ方向に圧縮応力を印加し、ウェハ１がＸ方向に沿って上に凸な形状に反ることを抑制する。よって、本変形例でも、図４(ａ)〜図４(ｃ)に示すような反りの抑制を実現することができる。前者の領域（改質領域２ａ）は、第１の膜質を有する第１領域の例である。後者の領域（改質領域２ｂ）は、第２の膜質を有する第２領域の例である。
【００４１】
なお、図１の基板処理装置が本変形例の膜２を改質する場合には、例えば、膜２内に改質領域２ａを形成する第１のプラズマ照射を行い、その後、膜２内に改質領域２ｂを形成する第２のプラズマ照射を行う。ただし、第１プラズマ照射と第２プラズマ照射の順番は入れ替えてもよい。
【００４２】
以上のように、本実施形態では、ウェハ１に設けられた膜２を部分的に改質することにより、ウェハ１の反りを抑制する。よって、本実施形態によれば、例えば膜２からウェハ１に適切な応力を印加することで、ウェハ１の反りを適切に抑制することが可能となる。
【００４３】
（第２実施形態）
図７は、第２実施形態の基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【００４４】
図７の基板処理装置は、プラズマ照射部１３の代わりに、金属部材１６を保持する金属部材保持部１５を備えている。
【００４５】
金属部材保持部１５は、所定の金属で形成された金属部材１６を膜２に接触させる。これにより、膜２を部分的に改質し、膜２からウェハ１に印加される応力を変化させることができる。具体的には、金属部材１６と接触した膜２の部分が改質される。その結果、第１実施形態と同様に、ウェハ１の反りを変化させることができる。金属部材１６の例は、貴金属で形成された貴金属部材である。図１は、金属部材保持部１５を構成する金属部材保持アームを示している。
【００４６】
制御部１４は、反り測定部１２から出力されたウェハ１の反りの測定結果に基づいて、金属部材保持部１５の動作を制御する。制御部１４による制御の下、金属部材保持部１５は、膜２に金属部材１６を接触させ、膜２を金属部材１６により走査することで、膜２を部分的に改質する。矢印Ａ２は、膜２と接触している金属部材１６を金属部材保持アームが横方向に移動させることで、膜２を金属部材１６により走査する様子を示している。矢印Ｂ２は、金属部材１６を金属部材保持アームが縦方向に移動させることで、膜２に金属部材１６を接触させたり、膜２から金属部材１６を離間させたりする様子を示している。プラズマ照射の場合と同様に、制御部１４は、ウェハ１の反りの測定結果に基づいて、金属部材１６の接触位置や接触条件を決定し、決定された接触位置や接触条件に基づいて、金属部材保持部１５の動作を制御する。その結果、膜２が部分的に改質される。接触位置の例は改質領域の座標や長さなどであり、接触条件の例は金属部材１６の移動速度などである。
【００４７】
改質領域の形状等は、第１実施形態の改質領域２ａ、２ｂと同様である。本実施形態によれば、第１実施形態と同様な適切な反りの抑制を、金属部材１６を用いた膜２の改質により実現することが可能となる。
【００４８】
なお、本実施形態の改質の例は、膜２のポーラス化などである。金属部材１６を用いた膜２の改質は、例えばガス中や液体中で行われる。
【００４９】
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。
【符号の説明】
【００５０】
１：ウェハ、２：膜、２ａ：改質領域、２ｂ：改質領域、
１１：ウェハ保持部、１２：反り測定部、１３：プラズマ照射部、１４：制御部、
１５：金属部材保持部、１６：金属部材、２１：堆積装置、２２：改質装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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