(57)【要約】【課題】高さが大きなバンプを有する半導体ウエハに対しても十分に追従させることができるとともに、半導体ウエハ研削面にディンプルが発生するのを防止することができる電子部品用テープおよび電子部品の加工方法を提供する。【解決手段】本願発明による電子部品用テープ１は、少なくとも1層の樹脂層３を有し、樹脂層３は、貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれかの温度において１００００〜２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０〜２００ｇ/１０ｍｉｎであることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1層の樹脂層を有し、
前記樹脂層は、貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれかの温度において１００００〜２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０〜２００ｇ/１０ｍｉｎであることを特徴とする電子部品用テープ。
【請求項２】
前記樹脂層は、分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが１．０〜３．０であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用テープ。
【請求項３】
１０μｍ以上の段差が設けられている半導体ウエハの回路形成面に５０〜１００℃の温度で貼合されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品用テープ。
【請求項４】
前記半導体ウエハに貼合された後、前記半導体ウエハのサイズに合わせて切断されることを特徴とする請求項３に記載の電子部品用テープ。
【請求項５】
１０μｍ以上の段差が設けられている半導体ウエハの回路形成面に、請求項１または請求項２に記載の電子部品用テープを５０〜１００℃の温度で貼合する貼合工程と、
前記貼合工程の後に、前記半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面を研削する研削工程とを有することを特徴とする電子部品の加工方法。
【請求項６】
前記貼合工程の後に、前記電子部品用テープを前記半導体ウエハのサイズに合わせて切断する切断工程を有し、
前記切断工程の後に、前記研削工程を実施することを特徴とする請求項５に記載の電子部品の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品用テープおよび電子部品の加工方法に関する。さらに詳しくは、主に半導体ウエハの薄膜研削工程に適用できる電子部品用テープとこの電子部品用テープを用いた電子部品の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの製造工程においては、パターン形成後の半導体ウエハは、通常、その厚さを薄くするため、半導体ウエハ裏面に裏面研削加工、エッチング等の処理を施す。この際、半導体ウエハ表面のパターンを保護する目的で該パターン面に半導体ウエハ表面保護用テープが貼り付けられる。半導体ウエハ表面保護用テープは、一般的に、基材フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウエハの裏面に粘着剤層を貼付して用いるようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
近年、携帯電話やパソコンなどの小型化、高機能化に伴い、従来の半導体チップの接続方法であるワイヤーボンディングに比べ、省スペースで実装可能なフリップチップ実装が開発されている。フリップチップ実装は、半導体チップ表面と基板を電気的に接続する際、半導体ウエハ表面に形成されたボール状や円柱状のバンプによって接続する。このようなバンプは、従来は高さ（厚さ）が１００μｍ以下のものが主流であったが、更なる半導体チップの小型化の要求に対し、接合信頼性を確保するために高さ（厚さ）が２００μｍを超えるようなバンプを再配線するＷＬＣＳＰ(Wafer level Chip Size Package)等が提案されている。
【０００４】
従来の半導体ウエハ表面保護用テープを用いて上記のようなウエハの裏面研削を行う場合、高さのあるバンプのため半導体ウエハ表面保護用テープはウエハ表面に十分に密着して保持できない。そうすると、半導体ウエハ表面保護用テープとウエハとの隙間から研削時に噴射される切削水とシリコンの研削屑が浸入し、ウエハ表面を汚染するシーページと呼ばれる現象が発生する。
【０００５】
そこで、半導体ウエハ表面の凹凸に半導体ウエハ表面保護用テープを追従させるために、基材フィルムと粘着剤層との間に貯蔵弾性率が１×１０4〜１×１０6Ｐａである中間層を設けた半導体ウエハ表面保護用テープが提案されている（例えば、特許文献２参照）。また、基材フィルムと粘着剤層との間にＪＩＳ−Ａ硬度が１０〜５５、厚みが２５〜４００μｍである熱可塑性樹脂中間層を設けた半導体ウエハ表面保護用テープも提案されている（例えば、特許文献３，４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−８０１０号公報
【特許文献２】特開２０１４−１７３３６号公報
【特許文献３】特許第４０５４１１３号公報
【特許文献４】特許第３７７３３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の特許文献に記載の半導体ウエハ表面保護用テープでは、半導体ウエハ表面保護用テープが半導体ウエハ表面の凹凸に追従した結果、半導体ウエハ表面保護用テープの表面に凹凸が生じ、その状態で半導体ウエハを研削すると、その凹凸が半導体ウエハ研削面に転写されるディンプルが発生する。半導体ウエハ研削面にディンプルが発生すると、研削後の半導体ウエハの厚さ精度（ＴＴＶ：total thickness variation）が悪化するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明は、高さが大きなバンプを有する半導体ウエハに対しても十分に追従させることができるとともに、半導体ウエハ研削面にディンプルが発生するのを防止することができる電子部品用テープおよび電子部品の加工方法を提供することを目的とする。
【０００９】
上記課題を解決するために、本願発明による電子部品用テープは、少なくとも1層の樹脂層を有し、前記樹脂層は、貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれかの温度において１００００〜２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０〜２００ｇ/１０ｍｉｎであることを特徴とする。
【００１０】
また、上記電子部品用テープは、前記樹脂層の分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが１．０〜３．０であることが好ましい。
【００１１】
上記電子部品用テープは、１０μｍ以上の段差が設けられている半導体ウエハの回路形成面に５０〜１００℃の温度で貼合されることが好ましい。
【００１２】
上記電子部品用テープは、前記半導体ウエハに貼合された後、前記半導体ウエハのサイズに合わせて切断されることが好ましい。
【００１３】
また、上記課題を解決するために、本願発明による電子部品の加工方法は、１０μｍ以上の段差が設けられている半導体ウエハの回路形成面に、上記電子部品用テープを５０〜１００℃の温度で貼合する貼合工程と、前記貼合工程の後に、前記半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面を研削する研削工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
上記電子部品の加工方法は、前記貼合工程の後に、前記電子部品用テープを前記半導体ウエハのサイズに合わせて切断する切断工程を有し、前記切断工程の後に、前記研削工程を実施することが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る電子部品用テープによれば、高さが大きなバンプを有する半導体ウエハに対しても十分に追従させることができるとともに、半導体ウエハ研削面にディンプルが発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品用テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る電子部品用テープの使用例を模式的に説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電子部品用テープ１の構造を模式的に示す断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態に係る電子部品用テープ１は、基材フィルム２を有しており、基材フィルム２の少なくとも片面側には、樹脂層３が設けられている。樹脂層３の上面には粘着剤層４が設けられており、粘着剤層４の上面には、表面が離型処理された剥離フィルム５の離型処理面が粘着剤層４側に来るように積層されていている。なお、本実施の形態においては剥離フィルムが設けられているが、剥離フィルム５は必ずしも設ける必要はない。
【００１９】
以下、本実施形態の電子部品用テープ１の各構成要素について詳細に説明する。
【００２０】
（基材フィルム２）
本発明の電子部品用テープ１の基材フィルム２として、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。基材フィルム２は、特に、粘着剤層４に放射線硬化性の組成物を使用する場合には、その組成物が硬化する波長の放射線の透過性の良いものを選択するのがよい。なお、ここで、放射線とは、例えば、紫外線のような光、あるいはレーザー光、または電子線のような電離性放射線を総称していうものであり、以下、これらを総称して放射線という。
【００２１】
このような基材フィルム２として選択し得る樹脂の例としては、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレンアクリル酸共重合体やエチレンメタクリル酸共重合体とそれらの金属架橋体（アイオノマー）等のポリオレフィン類や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレブタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル類、またアクリル樹脂を架橋させフィルム状にしたものを使用することができる。各々の樹脂は、単独で単層基材として使用してもよく、樹脂を組み合わせて混合したり、異なる樹脂の複層構成としてもよい。また、電子部品用テープ１を認識・識別するための着色用顔料などを配合するなど、物性に影響が出ない範囲で添加物を加えてもよい。
【００２２】
基材フィルム２は、電子部品用テープ１としてのハンドリング性や半導体ウエハ６の薄膜研削時の反り抑制のため、２５℃における引張弾性率が０．０１〜１０ＧＰａが好ましく、０．１〜５ＧＰａが更に好ましい。
更に基材フィルム２が最表面である場合は、電子部品用テープ１の加熱貼合や半導体ウエハ６の研磨などによる加工熱に耐えることが求められるとともに、電子部品用テープ１の剥離時にテープ背面にヒートシールフィルムを加熱圧着し剥離する工程に用いられる場合には、融点が７０〜１７０℃であることが好ましく、９０〜１４０℃であると更に好ましい。
【００２３】
基材フィルム２の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、１０〜３００μｍ、更には２５〜１００μｍが好ましい。
【００２４】
上記基材フィルム２の製造方法は特に限定されない。カレンダー法、Ｔダイ押出法、インフレーション法等など従来の方法を用いることができる。また、独立に製膜したフィルムと他のフィルムを接着剤等で貼り合わせて基材フィルムとすることもできる。
【００２５】
基材フィルム２の樹脂層３が設けられる側の表面には、樹脂層３との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。なお、基材フィルム２の樹脂層３が設けられない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることも好ましく、これによって、本発明の電子部品用テープ１の保管時のブロッキング防止等の効果を得ることができる。
【００２６】
電子部品用テープ１の剥離時にテープ背面にヒートシールフィルムを加熱圧着し剥離する工程に用いられる場合には、基材フィルム２の樹脂層３が設けられない側の表面にヒートシールと接着性を有するコートや樹脂層を設けることも好ましい。これらヒートシール層の融点は７０〜１７０℃であることが好ましく、９０〜１４０℃であることが更に好ましい。特に基材フィルム２として、ＰＥＴなどの高融点材料を用いた場合にはヒートシール層が有効である。
【００２７】
（樹脂層３）
樹脂層３を構成する樹脂としては、貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれかの温度において、更に好ましくは７０℃の温度において、１００００〜２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０〜２００ｇ/１０ｍｉｎであれば、特に限定されず公知の樹脂を用いることができる。
【００２８】
樹脂層３として選択し得る樹脂の例としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体が挙げられる。各々の樹脂は、単独で単層として使用してもよく、これらの樹脂を組み合わせて混合したり、異なる樹脂の複層構成としてもよい。
【００２９】
樹脂層３は、貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれかの温度において１００００〜２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０〜２００ｇ/１０ｍｉｎである。貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれの温度においても１００００Ｐａ未満であると、加熱貼合により変形しすぎるため、電子部品用テープ１の厚さ精度が悪くなることや、半導体ウエハ６の側面に樹脂層３がはみ出ることにより、半導体ウエハ６側面に沿って電子部品用テープ１をカットする際にバリやダマとなり半導体ウエハ６を汚染する。樹脂層３の切断部分にバリ等が発生すると、半導体ウエハ６の裏面を研削または研磨した際に、バリ等が加工面に巻き込まれ、半導体ウエハ６にエッジクラックが生じたり割れを生じたりする。また、半導体ウエハ６のドライポリッシュなどの研磨時に加工による摩擦熱で６０℃を超えることもあり、半導体ウエハ６の破損や厚さ精度不良になることが考えられる。更に、電子部品用テープ１の輸送や保管において高温時は６０℃を超えることもあり、電子部品用テープ１の端部が軟化し、電子部品用テープ１を巻物状にして輸送や保管した場合に端部での誤着や軟化した樹脂による周辺汚染も考えられる。
【００３０】
貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれの温度においても２０００００Ｐａを超えると、電子部品用テープ１が半導体ウエハ６表面の凹凸６１に十分に追従できず、研削水の侵入や研削時の半導体ウエハ破損につながる。
【００３１】
樹脂層３の貯蔵弾性率は好ましくは７０℃において１００００〜２０００００Ｐａであり、より好ましくは７０℃において３００００〜１６００００Ｐａである。
【００３２】
樹脂層３は、メルトフローレートが１０ｇ/１０ｍｉｎ未満であると、電子部品用テープ１が半導体ウエハ６表面の凹凸６１に追従したときに、電子部品用テープ１の表面に凹凸が生じ、半導体ウエハ６を研削するとディンプルが発生し、研削後の半導体ウエハの６厚さ精度が悪化することや、電子部品用テープ１の背面と真空吸着したときにリークし、吸着できないことが考えられる。メルトフローレートが２００ｇ/１０ｍｉｎを超えると、樹脂層３の製膜時や、電子部品用テープ１の貼合後の厚さ精度が悪くなる。メルトフローレートは好ましくは１５〜７０であり、更に好ましくは３０〜７０である。
【００３３】
本発明では、メルトフローレート（ＭＦＲ）は、ＪＩＳ  Ｋ７２１０に準拠して測定し、１９０℃、２．１６ｋｇ荷重下で１０分間あたりに流出する樹脂の質量（ｇ／１０分）である。
【００３４】
樹脂層３の６０〜８０℃の貯蔵弾性率は、例えば、樹脂の密度やコモノマー共重合体の場合はコモノマー含有比率で調整することが可能である。エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−ブチルアクリレートの場合は、コモノマー含有率１０〜５０質量％が好ましく、２５〜４５％が更に好ましい。α-オレフィンの場合は密度が０．８７〜０．９３であることが好ましく、０．８８〜０．９０が更に好ましい。
【００３５】
樹脂層３のメルトフローレートは、例えば、樹脂の分子量で調整が可能で、重量平均分子量が１００００〜２０００００が好ましく、４００００〜８００００が更に好ましい。
【００３６】
樹脂層３の分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは、１．０〜３．０であることが好ましい。分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが３．０超であると、加熱貼合により変形しすぎるため、電子部品用テープ１の厚さ精度が悪くなることや、半導体ウエハ６の側面に樹脂層３がはみ出ることにより、半導体ウエハ６側面に沿って電子部品用テープ１をカットする際にバリやダマとなり半導体ウエハ６を汚染する。樹脂層３の切断部分にバリ等が発生すると、半導体ウエハ６の裏面を研削または研磨した際に、バリ等が加工面に巻き込まれ、半導体ウエハ６にエッジクラックが生じたり割れを生じたりする。分子量分布Ｍｗ／Ｍｎは理論上１．０超である。
【００３７】
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比である。重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）法によりポリスチレン換算分子量として測定される。具体的には、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、（メタ）アクリルポリマーをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）によって５０倍希釈して得られた希釈液をフィルターで濾過し、得られた濾液を用いてＧＰＣ法によりポリスチレン換算分子量として測定される。        
【００３８】
樹脂層３には必要に応じて、安定剤、滑剤、酸化防止剤、顔料、可塑剤、等を含有していてもよい。しかし、添加剤の種類、含有量によっては、粘着剤層や半導体ウエハが汚染されることもあるため、その場合は樹脂層３と粘着剤層との間にバリヤー層を設けるとよい。
【００３９】
樹脂層３の厚みは３０〜５００μｍが好ましく、８０〜３００μｍがさらに好ましい。
【００４０】
樹脂層３の積層方法は、特に制限されるものではないが、例えば、Ｔダイ押出機でフィルム状に押出成形しながら、予め用意しておいた基材フィルム２とラミネートする方法、基材フィルム２と基材フィルム３をそれぞれ製膜してドライラミネートや熱ラミネートする方法や、基材フィルム２と樹脂層３を共押出により同時に製膜する方法等が挙げられる。共押出の方法は、Ｔダイ押出法のほかに、インフレーション法等が挙げられる。
【００４１】
（粘着剤層４）
粘着剤層４を構成する粘着剤組成物は、特に制限するものではなく、従来のものを用いることができるが、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分とする単独重合体や、（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体を挙げることができる。アクリル酸エステルを構成成分として含む重合体を構成する単量体成分としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プルピル、イソプルピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチル、アミル、イソアミル、ヘキシル、ヘプチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、オクチル、イソオクチル、ノニル、イソノニル、デシル、イソデシル、ウンデシル、ラウリル、トリデシル、テトラデシル、ステアリル、オクタデシル、及びドデシルなどの炭素数３０以下、好ましくは炭素数４〜１８の直鎖又は分岐のアルキル基を有するアルキルアクリレート又はアルキルメタクリレートが挙げられる。これらアルキル（メタ）アクリレートは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４２】
上記以外のアクリル樹脂中の構成成分としては、以下の単量体を含むことができる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル及び（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート及び（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ｔ−ブチルアミノエチルメタクリレート等）、Ｎ−ビニルピロリドン、アクリロイルモルフオリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これらモノマー成分は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４３】
また、アクリル樹脂としては、構成成分として、以下の多官能性単量体を含むことができる。その例としては、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これら多官能性単量体は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
アクリル酸エステルとしては、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどを挙げることができる。また上記のアクリル酸エステルをたとえばメタクリル酸エステルに代えたものなどのアクリル系ポリマーと硬化剤を用いてなるものを使用することができる。
【００４５】
硬化剤としては、特開２００７−１４６１０４号公報に記載の硬化剤を使用することができる。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４'−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の含有量は、所望の粘着力や貯蔵弾性率に応じて調整すれば良く、上記重合体１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、さらに好ましくは、０．１〜５質量部である。
【００４６】
上記のような粘着剤層４中に光重合性化合物及び光重合開始剤を含ませることによって、紫外線を照射することにより硬化し、粘着剤層４は粘着力を低下させることが出来る。このような光重合性化合物としては、たとえば特開昭６０−１９６９５６号公報および特開昭６０−２２３１３９号公報に開示されているような光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。
【００４７】
具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
【００４８】
光重合開始剤としては、特開２００７−１４６１０４又は特開２００４−１８６４２９号公報に記載の光重合開始剤を使用することができる。イソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することができる。
【００４９】
粘着剤層４として、重合体中に光重合性炭素−炭素二重結合を有する重合体、光重合開始剤、及び硬化剤を含む樹脂組成物を用いてなる光重合性粘着剤を用いることができる。重合体中に炭素−炭素二重結合を有する重合体としては、側鎖に炭素原子数が４〜１２、さらに好ましくは炭素原子数８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルなどの単量体や共重合性改質単量体を１種または２種以上を任意の方法で単独重合または共重合した（メタ）アクリル系重合体が好ましい。
【００５０】
その他、粘着剤層４を構成する粘着剤組成物には、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００５１】
粘着剤層４は、例えば、粘着剤組成物を剥離フィルム５上に塗布、乾燥させて樹脂層３に転写することで形成することができる。本発明において粘着剤層４の厚さは、好ましくは１〜１３０μｍ、より好ましくは１〜４０μｍ、更に好ましくは１〜２０μｍである。本発明における粘着剤層４の役割は主に半導体ウエハ６表面への粘着性および剥離性の確保である。粘着剤層４が厚いと、その貯蔵弾性率によっては半導体ウエハ６への追従性を妨げることや、半導体ウエハ６への糊残りの要因となる可能性がある。
【００５２】
粘着剤層４と樹脂層３の合計厚さは半導体ウエハ６表面の凹凸高さ以上であることが好ましい。樹脂層３単独の厚さが半導体ウエハ６表面の凹凸高さの１．０〜２．０倍であることが更に好ましい。
【００５３】
（剥離フィルム５）
また、電子部品用テープ１には、剥離フィルム５が粘着剤層４上に設けられていてもよい。剥離フィルム５は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、粘着剤層４を保護する目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、設けられる。剥離フィルム５の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム５の表面には粘着剤層４からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層４が環境紫外線等意図しない紫外線の暴露によって反応してしまわないように、紫外線防止処理を施すことも好ましい。剥離フィルム５の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００５４】
＜使用方法＞
次に、本発明の電子部品用テープ１の使用方法、すなわち半導体ウエハ６の加工方法について、説明する。
【００５５】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、電子部品用テープ１の剥離フィルム５を粘着剤層４から剥離し、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ６の回路パターン面（表面）に、粘着剤層４が貼合面となるように、電子部品用テープ１を貼合する貼合工程が実施される。このとき、５０〜１００℃の温度で加熱して貼合することが好まく、６０〜８０℃の温度で加熱して貼合することがより好ましい。これにより、電子部品用テープ１は、半導体ウエハ６表面の凹凸５１に十分に追従する。また、樹脂層３の流動性により半導体ウエハ６表面の凹凸５１が吸収されて電子部品用テープ１の表面には凹凸を抑制することができる。更に、後の電子部品用テープ１を半導体ウエハ６の側面に沿って切断する際に、カットバリやダマを抑制して切断することができる。貼合時の加熱は、半導体ウエハ６を保持するチャックテーブルや貼合ローラーの加温により実施される。
【００５６】
貼合工程の後、チャックテーブルに保持された状態で、貼合機に付属されているカッター刃によって、半導体ウエハ６の側面に沿って、電子部品用テープ１を切断する切断工程が実施される。カット性を上げるため、カッター刃が７０〜１５０℃程度に加熱されることもある。
【００５７】
電子部品用テープ１は、回路形成面に形成されているバンプなどの凹凸６１面の高低差すなわち回路形成面の段差が１０μｍ以上であるものに好適に用いられ、段差が１００μｍ以上であるものに更に好適に用いられ、段差が１８０μｍ以上であるものに特に工程に用いられる。
【００５８】
その後、図２（Ｃ）に示すように、半導体ウエハ６の裏面すなわち回路パターンのない面側を半導体ウエハ６の厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで、研削機７により研削する研削工程が実施される。その後、仕上げにドライポリッシュなどの研磨工程を実施してもよい。このとき、電子部品用テープ１は、半導体ウエハ６表面の凹凸５１に十分に追従しているため、シーページ抑制することができる。また、電子部品用テープ１の表面の凹凸が抑制されるため、半導体ウエハ６の裏面には研削機７からの力が均一にかかり半導体ウエハ６が厚さ精度よく研削・研磨され、ディンプルも抑制される。
【００５９】
その後、電子部品用テープ１が光重合性の場合は、エネルギー線を照射して粘着剤層４の粘着力を低下させ、半導体ウエハ６から電子部品用テープ１を剥離する。なお、エネルギー線を照射した後電子部品用テープ１を剥離する前に、半導体ウエハ６の回路パターンのない研削・研磨した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルム（図示しない）を貼合してもよい。
【００６０】
なお、本実施の形態においては、樹脂層の上面に粘着剤層４を設けるようにしたが、粘着剤層４を設ける必要がなければ設けなくてもよい。この場合、樹脂層に直接半導体ウエハ６を貼合して半導体ウエハ６の裏面を研削・研磨し、研削・研磨が終了した後、半導体ウエハ６から電子部品用テープ１を剥離する。
【００６１】
なお、本実施の形態においては、電子部品用テープ１を半導体ウエハ６の研削・研磨に使用する例について説明したが、これに限定されず、表面に凹凸を有する電子部品のダイシングや搬送用等の表面保護の用途に用いることができる。電子部品としては、半導体ウエハ６の他に、例えば段差が２００μｍ程度の凸凹を表面に有するガラスや、高さ２００μｍ程度のバンプを有するパッケージ等が挙げられる。
【００６２】
＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００６３】
〔粘着剤層組成物の調製〕
［粘着剤層組成物Ａ］
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシアクリレート１５質量部、メタクリル酸５質量部からなる共重合体１００質量部に対して、コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）１．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ａを得た。
【００６４】
〔樹脂層を構成する樹脂の準備〕
［樹脂Ｂ１］
樹脂Ｂ１として、ブチルアクリレート含有率が３０％、重量平均分子量が１０００００のエチレン−ブチルアクレート共重合体（ＥＢＡ）を準備した。樹脂Ｂ１の７０℃における貯蔵弾性率は９．０×１０4Ｐａ、ＭＦＲは３０ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は５．８であった。
【００６５】
［樹脂Ｂ２］
樹脂Ｂ２として、酢酸ビニル含有率が４０％、重量平均分子量が４００００のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を準備した。樹脂Ｂ２の７０℃における貯蔵弾性率は３．７×１０4Ｐａ、ＭＦＲは７０ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は６．５であった。
【００６６】
［樹脂Ｂ３］
樹脂Ｂ３として、密度が０．８９、重量平均分子量が４００００のαオレフィン樹脂を準備した。樹脂Ｂ３の７０℃における貯蔵弾性率は１．６×１０5Ｐａ、ＭＦＲは４０ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は２．４であった。
【００６７】
［樹脂Ｂ４］
樹脂Ｂ４として、密度が０．８８、重量平均分子量が３５０００のαオレフィン樹脂を準備した。樹脂Ｂ４の７０℃における貯蔵弾性率は１．０×１０5Ｐａ、ＭＦＲは１５ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は１．８であった。
【００６８】
［樹脂Ｂ５］
樹脂Ｂ５として、密度が０．９０、重量平均分子量が４００００のαオレフィン樹脂を準備した。樹脂Ｂ５の７０℃における貯蔵弾性率は２．２×１０5Ｐａ、ＭＦＲは４０ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は２．０であった。
【００６９】
［樹脂Ｂ６］
樹脂Ｂ６として、メチルアクリレート含有率が２２％、重量平均分子量が２０００００のエチレンーメチルアクリレート共重合体（ＥＭＡ）を準備した。樹脂Ｂ６の７０℃における貯蔵弾性率は１．２×１０5Ｐａ、ＭＦＲは８ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は７．１であった。
【００７０】
［樹脂Ｂ７］
樹脂Ｂ７として、密度が０．９０、重量平均分子量が３０００００のαオレフィン樹脂を準備した。樹脂Ｂ５の７０℃における貯蔵弾性率は３.３×１０5Ｐａ、ＭＦＲは１８ｇ/１０ｍｉｎ、分子量分布は２．１であった。
【００７１】
〔電子部品用テープの作製〕
［実施例１］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ１を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの実施例１に係る電子部品用テープを得た。
【００７２】
［実施例２］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ２を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの実施例２に係る電子部品用テープを得た。
【００７３】
［実施例３］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ３を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの実施例３に係る電子部品用テープを得た。
【００７４】
［実施例４］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ４を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの実施例４に係る電子部品用テープを得た。
【００７５】
［比較例１］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ５を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの比較例１に係る電子部品用テープを得た。
【００７６】
［比較例２］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ６を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの比較例２に係る電子部品用テープを得た。
【００７７】
［比較例３］
基材フィルムとしての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、樹脂Ｂ７を厚さ３００μｍで押出して樹脂層を形成し、樹脂層側にコロナ処理を施した。次に、厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させて粘着剤層を得た。その後、粘着剤層を上記樹脂層面と貼り合わせて転写し、厚さ３７０μｍの比較例３に係る電子部品用テープを得た。
【００７８】
［特性評価試験］
上記実施例及び比較例の電子部品用テープについて、特性評価試験を下記のように行った。その結果を表１に示す。
【００７９】
（１）カットバリ評価
貼り付け機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名）を用いて、半導体ウエハに実施例及び比較例に係る電子部品用テープを貼合温度７０℃で貼合した。半導体ウエハとしては、表面に高さ２００μｍ、ピッチ４００μｍのバンプを有し、幅１００μｍのスクライブでチップサイズが５ｍｍ角の８インチ径の半導体ウエハを用いた。貼合後、半導体ウエハの周面に沿って電子部品用テープを切断した。その後、半導体ウエハの側面（周面）を目視にて観察し、樹脂層のカットバリが確認された場合には許容品として△、確認されなかったものは良品として〇で評価した。
【００８０】
（２）追従性の評価
電子部品用テープを半導体ウエハに貼合してから２２時間経過後、電子部品用テープの半導体ウエハに対する追従性を目視にて観察した。電子部品用テープの半導体ウエハの貼合面からのバンプ部分での浮きが確認されたものは不良品として×、スクライブ部分のみの浮きが確認されたものは許容品として△、浮きが確認されなかったものは良品として○で評価した。
【００８１】
（３）厚さ精度（ＴＴＶ）の評価
電子部品用テープを半導体ウエハに貼合してから２４時間経過後、株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）を用いて、電子部品用テープを貼合した半導体ウエハを２枚ずつ、１００μｍの厚さまで研削加工した。その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭＤＥＸ、株式会社日立ハイテクノロジーズ製）を用いて、厚さ精度（ＴＴＶ）を測定した。ＴＴＶは、半導体ウエハ中の任意の５つのチップについて、任意の１０ｍｍ角の範囲で測定し、その平均値を求めた。ＴＴＶが１０μｍ以上のものを不良品として×、ＴＴＶが５μｍ以上１０μｍ未満のものを許容品として△、ＴＴＶが５μｍ未満のものを良品として○で評価した。なお、上述の追従性の評価において、電子部品用テープの半導体ウエハの貼合面からの浮きが確認されたものについては、半導体ウエハの裏面を研削するとウエハや装置を破損させるおそれがあるため、研削加工は実施しなかった。
【００８２】
（４）エッジクラックの評価
半導体ウエハの研削後に、目視にて割れを観察し半導体ウエハに１枚でも割れが確認されたものを不良品として×、目視では割れが確認されないものの光学顕微鏡で観察して半導体ウエハ1枚あたり２個以上のエッジクラックが確認されたものを許容品として△、目視で割れが確認されず光学顕微鏡での観察でエッジクラックが１個以下であったものを良品として〇で評価した。
【００８３】
（５）ダスト侵入の評価
半導体ウエハの研削後に、電子部品用テープを半導体ウエハから剥離し、半導体ウエハの端部を光学顕微鏡で観察して研削ダストの有無を確認した。半導体ウエハに研削ダストが付着していたものを不良品として×、付着していなかったものを良品として○で評価した。
【００８４】
【表１】
2020174063.tif 000003
表１に示すように、実施例１〜４は、樹脂層の貯蔵弾性が７０℃において３７０００〜１６００００Ｐａであるため、追従性の評価およびダスト侵入の評価において良好な結果となった。また、実施例１〜４は、樹脂層のメルトフローレートが２．０〜７０ｇ/１０ｍｉｎであるため、ＴＴＶの評価において良好な結果となった。さらに、実施例３，４は、樹脂層の分子量分布が１．８〜２．４であるため、カットバリの評価およびエッジクラックの評価においても優良な結果となった。
【００８５】
一方、比較例１は、樹脂層の貯蔵弾性率が２２００００Ｐａと請求項１に規定の２０００００Ｐａを超えるため、半導体ウエハを研削する際に電子部品用テープが半導体ウエハに追従しきれず、ダスト侵入の評価において劣る結果となった。比較例２は、樹脂層のメルトフローレートが８ｇ/１０ｍｉｎと請求項１に規定の１０ｇ/１０ｍｉｎ未満であるため、電子部品用テープが半導体ウエハ表面の凹凸に追従したときに、電子部品用テープの表面に凹凸が生じたため、ＴＴＶの評価において劣る結果となった。また、表面の凹凸により、研削機のアライメントテーブルにて吸着エラーが発生し自動加工ができなったため、マニュアル搬送にて加工を行った。比較例３は、樹脂層の貯蔵弾性率が３３００００Ｐａと請求項１に規定の２０００００Ｐａを大幅に超えるため、電子部品用テープが半導体ウエハに追従しきれず、半導体ウエハを研削する前に半導体ウエハから浮いてしまい、追従性の評価において著しく劣る結果となり、加工するとウエハの破損やそれにより研削機へダメージを与える可能性があったので、その後の加工を行わなかった。
【符号の説明】
【００８６】
１：電子部品用テープ
２：基材フィルム
３：樹脂層
４：粘着剤層
５：剥離フィルム
６：半導体ウエハ
６１：凹凸
７：研削機
【図１】
2020174063.tif 000004
【図２】
2020174063.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月30日(2020.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の樹脂層を有し、
前記樹脂層は、貯蔵弾性が６０℃〜８０℃のいずれかの温度において１００００〜２０００００Ｐａであり、メルトフローレートが１０〜２００ｇ/１０ｍｉｎであり、
前記樹脂層は、分子量分布Ｍｗ／Ｍｎが１．０〜３．０であり、
電子部品に貼合して使用した後に、前記樹脂層が前記電子部品から除去されることを特徴とする電子部品用テープ。
【請求項２】
１０μｍ以上の段差が設けられている半導体ウエハの回路形成面に５０〜１００℃の温度で貼合されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用テープ。
【請求項３】
前記半導体ウエハに貼合された後、前記半導体ウエハのサイズに合わせて切断されることを特徴とする請求項２に記載の電子部品用テープ。
【請求項４】
１０μｍ以上の段差が設けられている半導体ウエハの回路形成面に、請求項１または請求項２に記載の電子部品用テープを５０〜１００℃の温度で貼合する貼合工程と、
前記貼合工程の後に、前記半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面を研削する研削工程とを有することを特徴とする電子部品の加工方法。
【請求項５】
前記貼合工程の後に、前記電子部品用テープを前記半導体ウエハのサイズに合わせて切断する切断工程を有し、
前記切断工程の後に、前記研削工程を実施することを特徴とする請求項４に記載の電子部品の加工方法。