(57)【要約】【課題】ベース抵抗及びベースコレクタ間接合容量を低減させるのに適し、高周波領域における性能改善を図ることが可能なバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】基板上のベースメサの上にエミッタメサ及びベース電極が配置されている。ベース電極の上のベース配線が、ベース開口を通ってベース電極に接続されている。エミッタメサは、一方向に長い平面形状を持つ複数のエミッタフィンガーを含む。エミッタフィンガーは、第１、第２エミッタフィンガーを含み、ベース開口は、第１エミッタフィンガーの一方の端部から長手方向に間隔を隔てて配置されており、第２エミッタフィンガーを長手方向に延長した領域には配置されていない。第２エミッタフィンガーのベース開口側の端部は第１エミッタフィンガーのベース開口側の端部より長手方向に向かって突出している。【選択図】図１
2020102581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に配置され、コレクタ及びベースとなる半導体層を含むメサ形状のベースメサと、
前記ベースメサの上に配置され、平面視において、エミッタとして動作するエミッタ領域を画定するメサ形状のエミッタメサと、
平面視において前記エミッタメサと重ならないように配置され、前記ベースにオーミックに接続されたベース電極と、
前記ベース電極を覆い、平面視において前記ベース電極の内側に配置された少なくとも１つのベース開口が設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記ベース開口を通って前記ベース電極に接続されたベース配線と
を有し、
前記エミッタメサは、一方向に長い平面形状を持つ複数のエミッタフィンガーを含み、前記エミッタフィンガーは、長手方向が相互に平行になる姿勢で、前記長手方向に直交する幅方向に並んで配置されており、
前記エミッタフィンガーは、少なくとも１本の第１エミッタフィンガーと少なくとも１本の第２エミッタフィンガーとを含み、
前記ベース電極は、前記第１エミッタフィンガーと前記第２エミッタフィンガーとの間に配置された前記長手方向に長い第１ベース電極部と、前記第１エミッタフィンガーの一方の端部から前記長手方向に間隔を隔てて配置された第２ベース電極部とを含み、
前記ベース開口は、平面視において、前記第１エミッタフィンガーの一方の端部から前記長手方向に間隔を隔てて配置されており、前記第２エミッタフィンガーを前記長手方向に延長した領域には配置されておらず、
前記第２エミッタフィンガーの前記ベース開口側の端部は、前記第１エミッタフィンガーの前記ベース開口側の端部より前記長手方向に突出しているバイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記第２エミッタフィンガーの前記ベース開口側の端部は、前記幅方向に平行移動すると前記ベース開口と重なる位置まで前記長手方向に延びている請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記第１エミッタフィンガーは２本配置されており、前記第２エミッタフィンガーは、２本の前記第１エミッタフィンガーの間に配置されており、
前記第１ベース電極部は、前記第１エミッタフィンガーの各々の前記幅方向の両側にそれぞれ配置されており、
前記第１エミッタフィンガーの各々の前記幅方向の両側に配置された前記第１ベース電極部は、前記第２ベース電極部を介して相互に接続されており、
２本の前記第１エミッタフィンガーの前記ベース開口側の端部から前記長手方向に間隔を隔てて、それぞれ前記ベース開口が配置されており、
前記第２エミッタフィンガーを前記長手方向に平行に、前記ベース開口側に延長した領域には、前記ベース電極が配置されていない請求項１または２に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項４】
前記エミッタメサは、前記エミッタフィンガーを、前記ベース開口側とは反対側の端部において相互に接続するエミッタ接続部を含む請求項３に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項５】
前記エミッタメサは、前記第１エミッタフィンガーの、前記ベース開口側とは反対側の端部から前記幅方向に突出したエミッタ突出部を含み、前記エミッタ突出部は、前記幅方向に関して前記第１ベース電極部が配置された位置まで突出している請求項４に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項６】
前記ベース電極は、前記幅方向に関して前記第１エミッタフィンガーより外側に配置された前記第１ベース電極部の前記ベース開口側とは反対側の端部同士を接続する第３ベース電極部を含む請求項４に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項７】
前記ベース電極は、前記第２エミッタフィンガーの前記幅方向の両側にそれぞれ配置された前記第１ベース電極部を相互に接続する第４ベース電極部を含み、
前記第４ベース電極部は、前記第２エミッタフィンガーの前記ベース開口側とは反対側の端部から前記長手方向に間隔を隔てて配置されてり、
前記第１エミッタフィンガーの前記ベース開口側とは反対側の端部は、前記第４ベース電極部が配置された位置よりも前記長手方向に延びており、
前記エミッタメサは、前記長手方向に関して、前記ベース開口から見て前記第４ベース電極部よりも遠い位置において、前記第１エミッタフィンガーを相互に接続するエミッタ接続部を含む請求項３に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項８】
前記ベース電極は櫛歯型の平面形状を有し、前記第１ベース電極部が櫛歯に相当し、前記第２ベース電極部が、櫛歯を連結する連結部に相当し、
複数の前記エミッタフィンガーが、前記第１ベース電極部の間に配置されており、
複数の前記エミッタフィンガーのうち少なくとも１つは前記第１エミッタフィンガーであり、残りは前記第２エミッタフィンガーである請求項１または２に記載のバイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイポーラトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末等の通信信号を増幅するパワーアンプを構成するデバイスとして、電力密度が大きなトランジスタであるヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）が広く使用されている。ＨＢＴの特性には種々のパラメータ、例えば、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃ、ベース抵抗Ｒｂが影響を与えている。ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させると、ＨＢＴの利得を改善することができることから、駆動能力を維持しつつ、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させることが求められる。
【０００３】
ＨＢＴの最大発振周波数ｆｍａｘは、以下の式で近似される。
【数１】
2020102581.tif 000003
ここで、ｆｔは遮断周波数であり、Ｒｂはベース抵抗である。式（１）からわかるように、最大発振周波数ｆｍａｘの向上を図るためには、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させるのみならず、ベース抵抗Ｒｂを低減させることが望ましい。
【０００４】
下記の特許文献１に、ベース抵抗Ｒｂ及びベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させる構成として、ベース電極がベース層に接触するベースコンタクト領域をフィッシュボーン形状にし、平面視において、ベースコンタクト領域に隣接してベースコンタクト領域を取り囲むようにエミッタ領域を配置したＨＢＴが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００７−５２００８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示されたＨＢＴでは、フィッシュボーン形状のベースコンタクト領域を、平面視においてほぼ四方（上下左右）から取り囲むようにエミッタ領域が配置されている。エミッタ領域の縁は、ベースコンタクト領域に隣接して配置される内側の縁と、それ以外の外側の縁とを含む。外側の縁の近傍のエミッタ領域はベースコンタクト領域から離れるため、外側の縁の近傍においてベース抵抗Ｒｂが大きくなる。エミッタ領域の外側の縁がベースコンタクト領域の四方に配置されているため、エミッタ領域のうち、ベース抵抗Ｒｂが大きくなる領域の割合が増大する。その結果、ベース抵抗Ｒｂを低減させる効果が減殺されてしまい、式（１）に示す最大発振周波数ｆｍａｘが十分改善されない。
【０００７】
本発明の目的は、ベース抵抗及びベースコレクタ間接合容量を低減させるのに適し、高周波領域における性能を改善することが可能なバイポーラトランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によると、
基板の上に配置され、コレクタ及びベースとなる半導体層を含むメサ形状のベースメサと、
前記ベースメサの上に配置され、平面視において、エミッタとして動作するエミッタ領域を画定するメサ形状のエミッタメサと、
平面視において前記エミッタメサと重ならないように配置され、前記ベースにオーミックに接続されたベース電極と、
前記ベース電極を覆い、平面視において前記ベース電極の内側に配置された少なくとも１つのベース開口が設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に配置され、前記ベース開口を通って前記ベース電極に接続されたベース配線と
を有し、
前記エミッタメサは、一方向に長い平面形状を持つ複数のエミッタフィンガーを含み、前記エミッタフィンガーは、長手方向が相互に平行になる姿勢で、長手方向に直交する幅方向に並んで配置されており、
前記エミッタフィンガーは、少なくとも１本の第１エミッタフィンガーと少なくとも１本の第２エミッタフィンガーとを含み、
前記ベース電極は、前記第１エミッタフィンガーと前記第２エミッタフィンガーとの間に配置された前記長手方向に長い第１ベース電極部と、前記第１エミッタフィンガーの一方の端部から前記長手方向に間隔を隔てて配置された第２ベース電極部とを含み、
前記ベース開口は、平面視において、前記第１エミッタフィンガーの一方の端部から前記長手方向に間隔を隔てて配置されており、前記第２エミッタフィンガーを前記長手方向に延長した領域には配置されておらず、
前記第２エミッタフィンガーの前記ベース開口側の端部は、前記第１エミッタフィンガーの前記ベース開口側の端部より前記長手方向に突出しているバイポーラトランジスタが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一観点によるバイポーラトランジスタでは、第２エミッタフィンガーを長手方向に延長した領域にベース開口を配置せず、第２エミッタフィンガーを、第１エミッタフィンガーのベース開口側より長手方向に突出させている。これにより、ベースメサの面積を広げることなくエミッタメサの面積を広くすることができる。その結果、ベースコレクタ間接合容量を実質的に低減させることができる。また、第１エミッタフィンガーと第２エミッタフィンガーとの間に第１ベース電極部を配置することにより、ベース抵抗の増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図２】図２は、図１の一点鎖線２−２における断面図である。
【図３】図３は、図１の一点鎖線３−３における断面図である。
【図４】図４は、比較例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ第２実施例及び比較例によるバイポーラトランジスタのベースメサ、エミッタメサ、ベース電極、及びコレクタ電極の平面的な位置関係を示す図である。
【図６】図６は、第２実施例によるバイポーラトランジスタの複数のセルトランジスタ、エミッタ配線、及びバンプの平面的な位置関係を示す図である。
【図７】図７は、第３実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図８】図８は、第４実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図９】図９は、第５実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図１０】図１０は、第６実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図１１】図１１は、第７実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【図１２】図１２は、第８実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［第１実施例］
図１から図３までの図面を参照して、第１実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。
【００１２】
図１は、第１実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。半導体からなる基板の上にメサ形状のベースメサ２５が配置されている。ベースメサ２５の平面形状は、例えば長方形である。ベースメサ２５は、バイポーラトランジスタのコレクタ及びベースとしてそれぞれ機能する半導体層が含んでいる。
【００１３】
ベースメサ２５の上で、平面視においてベースメサ２５の内側に、メサ形状のエミッタメサ３０が配置されている。図１において、エミッタメサ３０にハッチングを付している。エミッタメサ３０は、後に図２及び図３を参照して説明するように、バイポーラトランジスタのエミッタとして動作するエミッタ領域を画定する。
【００１４】
エミッタメサ３０は、基板の表面に平行な一方向に長い２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１、及び１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２で構成されている。第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び第２エミッタフィンガー３０Ｆ２は、長手方向が相互に平行になる姿勢で、長手方向と直交する幅方向に並んで配置されており、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２が２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の間に配置されている。長手方向をｘ軸方向とし、幅方向をｙ軸方向とするｘｙ直交座標系を定義する。
【００１５】
バイポーラトランジスタのベースにオーミックに接続されているベース電極３１Ｂが、平面視においてベースメサ２５の内側に、エミッタメサ３０と重ならないように配置されている。図１において、ベース電極３１Ｂにエミッタメサ３０よりも濃いハッチングを付している。ベース電極３１Ｂは、ｘ軸方向に長い４本の第１ベース電極部３１Ｂ１と、２つの第２ベース電極部３１Ｂ２とを含む。２本の第１ベース電極部３１Ｂ１は、それぞれ第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と第２エミッタフィンガー３０Ｆ２との間に配置されている。残りの２本の第１ベース電極部３１Ｂ１は、ｙ軸方向の最も外側の２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１よりも外側に配置されている。
【００１６】
２つの第２ベース電極部３１Ｂ２は、それぞれ２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１のｘ軸の負側（図１において左側）の端部からｘ軸方向に間隔を隔てて配置されている。第２ベース電極部３１Ｂ２は、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の各々の両側に配置されている２本の第１ベース電極部３１Ｂ１のｘ軸の負側の端部に接続されている。１つの第２ベース電極部３１Ｂ２、及びそれに接続された２本の第１ベース電極部３１Ｂ１が、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１を三方向（ｙ軸の正側及び負側、ｘ軸の負側）から取り囲んでいる。
【００１７】
第１エミッタフィンガー３０Ｆ１、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２、及びベース電極３１Ｂを覆うように絶縁膜が配置されている。この絶縁膜に、平面視において２つの第２ベース電極部３１Ｂ２の各々の内側に配置されたベース開口４０ＨＢが形成されている。この絶縁膜の上にベース配線３２Ｂが配置されている。ベース配線３２Ｂは、２つのベース開口４０ＨＢを通ってベース電極３１Ｂに接続されており、ｘ軸の負側に向かってベースメサ２５の外側まで引き出されている。また、２つのベース開口４０ＨＢからそれぞれ引き出されたベース配線３２Ｂは、ベースメサ２５の外側で相互に接続されている。
【００１８】
ｙ軸方向に関してベースメサ２５の両側に、それぞれコレクタ電極３１Ｃが配置されている。コレクタ電極３１Ｃは、基板表面に配置されたサブコレクタ層にオーミック接触し、サブコレクタ層を介して、ベースメサ２５に含まれるコレクタに接続されている。
【００１９】
第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の各々をｘ軸の負側に向かって仮想的に延長した第１仮想延長領域３５と、ベース開口４０ＨＢとが部分的に重なる。これに対し、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２をｘ軸の負側に向かって仮想的に延長した第２仮想延長領域３６はベース開口４０ＨＢに重ならない。第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の負側の端部は、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１のｘ軸の負側の端部よりｘ軸の負側に向かって延びている。第２エミッタフィンガー３０Ｆ２は、ｙ軸方向に仮想的に平行移動したときベース開口４０ＨＢと重なる位置まで、ｘ軸の負側に向かって延びている構成とすることが好ましい。
【００２０】
図２及び図３は、それぞれ図１の一点鎖線２−２、及び一点鎖線３−３における断面図である。図２及び図３に示す半導体素子構造は、公知の半導体プロセスにより形成することができる。
【００２１】
ＧａＡｓ等の半導体からなる基板２０の上にサブコレクタ層２１が配置されている。サブコレクタ層２１の一部の領域上にベースメサ２５が配置されている。ベースメサ２５は、基板側から順番にコレクタ層２２、ベース層２３、及びエミッタ層２４が積層された積層構造を有する。
【００２２】
ｘ軸に垂直な断面（図２）においてベースメサ２５の両側のサブコレクタ層２１の上に、それぞれコレクタ電極３１Ｃが配置されている。コレクタ電極３１Ｃは、サブコレクタ層２１にオーミック接触し、サブコレクタ層２１を介してコレクタ層２２に接続されている。
【００２３】
ベースメサ２５の一部の領域上に、半導体層からなるエミッタメサ３０が配置されている。エミッタメサ３０及び平面視においてエミッタメサ３０と重なる領域のエミッタ層２４が、バイポーラトランジスタのエミッタとして機能する。エミッタ層２４のうち平面視においてエミッタメサ３０と重なっている領域をエミッタ領域２６ということとする。エミッタ層２４のうちエミッタメサ３０と重ならない領域は空乏化している。このように、エミッタメサ３０によって、バイポーラトランジスタのエミッタ領域２６が画定される。
【００２４】
ベースメサ２５の一部の領域上に、ベース電極３１Ｂが配置されている。ベース電極３１Ｂはエミッタ層２４に設けられた開口を通ってベース層２３にオーミック接触している。なお、エミッタ層２４の上にベース電極３１Ｂを形成し、合金化処理を行うことにより、ベース電極３１Ｂをベース層２３にオーミックに接続させてもよい。
【００２５】
サブコレクタ層２１及びコレクタ層２２はｎ型ＧａＡｓで形成され、ベース層２３はｐ型ＧａＡｓで形成され、エミッタ層２４はｎ型ＩｎＧａＰで形成されている。エミッタメサ３０は、例えばｎ型ＧａＡｓ層とｎ型ＩｎＧａＡｓ層との２層で構成される。コレクタ層２２、ベース層２３、エミッタ層２４、及びエミッタメサ３０が、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を構成する。
【００２６】
エミッタメサ３０の上にエミッタ電極３１Ｅが配置されている。エミッタ電極３１Ｅはエミッタメサ３０にオーミック接触しており、エミッタ領域２６に接続される。
【００２７】
ベース電極３１Ｂ、エミッタ電極３１Ｅ、コレクタ電極３１Ｃ、ベースメサ２５及びエミッタメサ３０を覆うように、絶縁膜４０が配置されている。絶縁膜４０には、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）が用いられる。絶縁膜４０に、ベース電極３１Ｂの第２ベース電極部３１Ｂ２（図１）を露出させるベース開口４０ＨＢ、及びエミッタ電極３１Ｅを露出させるエミッタ開口４０ＨＥが設けられている。
【００２８】
絶縁膜４０の上に、１層目のベース配線３２Ｂ、コレクタ配線３２Ｃ、及びエミッタ配線３２Ｅが配置されている。ベース配線３２Ｂはベース開口４０ＨＢを通ってベース電極３１Ｂに接続されており、エミッタ配線３２Ｅはエミッタ開口４０ＨＥを通ってエミッタ電極３１Ｅに接続されている。コレクタ配線３２Ｃは、絶縁膜４０に設けられたコレクタ開口４０ＨＣを通ってコレクタ電極３１Ｃに接続されている。
【００２９】
１層目のベース配線３２Ｂ及びエミッタ配線３２Ｅを覆うように、絶縁膜４１が配置されている。ベースメサ２５が配置されている領域以外の低い領域を埋め込むように、有機絶縁膜４２が配置されている。絶縁膜４１には、例えばＳｉＮが用いられ、有機絶縁膜４２は、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン等が用いられる。絶縁膜４１に、１層目のエミッタ配線３２Ｅを露出させるエミッタ開口４１ＨＥが形成されている。
【００３０】
絶縁膜４１及び有機絶縁膜４２の上に２層目のエミッタ配線３３Ｅが配置されている。エミッタ配線３３Ｅは、エミッタ開口４１ＨＥを通って１層目のエミッタ配線３２Ｅに接続されている。エミッタ配線３３Ｅの上に、保護膜４５及び有機保護膜４６が形成されている。保護膜４５には、例えばＳｉＮが用いられ、有機保護膜４６には、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン等が用いられる。保護膜４５及び有機保護膜４６のバンプ形成領域に、それぞれ開口４５Ｈ、４６Ｈが形成されている。
【００３１】
開口４５Ｈ、４６Ｈ内に露出しているエミッタ配線３３Ｅの上に、バンプ５０が配置されている。バンプ５０は、有機保護膜４６の上面の一部の領域まで広がっている。バンプ５０は、例えば、ピラー５１及びその上のハンダ層５２を含む。ピラー５１は、例えば銅（Ｃｕ）で形成される。
【００３２】
エミッタ領域２６とベース電極３１Ｂとの間にベース抵抗Ｒｂ（図２）が形成される。ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃは、平面視におけるベースメサ２５の面積に比例する。ベースメサ２５の面積に対してエミッタメサ３０の面積を大きくすると、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃが変化せず、駆動能力が向上するため、実質的にベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させたことと同様の効果が得られる。
【００３３】
次に、図１、図４を参照して、第１実施例の優れた効果について説明する。
【００３４】
図４は、比較例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。比較例では、第２ベース電極部３１Ｂ２が、一方の端に配置された第１ベース電極部３１Ｂ１から他方の端に配置された第１ベース電極部３１Ｂ１までに亘って配置されている。３本のエミッタフィンガー３０Ｆの各々をｘ軸の負側に向かって仮想的に延長した仮想延長領域は、いずれのエミッタフィンガー３０Ｆにおいてもベース開口４０ＨＢと部分的に重なる。このため、ｙ軸方向に関してエミッタフィンガー３０Ｆをベース開口４０ＨＢが配置された位置まで延ばすことができない。
【００３５】
図１に示した第１実施例では、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２をｘ軸の負側に仮想的に延長した第２仮想延長領域３６にベース開口４０ＨＢが配置されておらず、第２ベース電極部３１Ｂ２も配置されていない。さらに、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の負側の端部が、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１のｘ軸の負側の端部に比べて、よりｘ軸の負側に突出している。このため、比較例（図４）と比べて、ベースメサ２５の大きさを一定に保った条件下でエミッタメサ３０の面積を広くすることができる。これにより、実質的にベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させることができる。
【００３６】
ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させる十分な効果を得るために、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の長さ（ｘ軸方向の寸法）を、ベースメサ２５の内側に収まるという条件下で、できるだけ長くすることが好ましい。例えば、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の負側の端部を、ｘ軸方向に関してベース開口４０ＨＢが配置された位置と重なるまで延ばすことが好ましい。
【００３７】
また、実施例１では、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の各々の幅方向（ｙ軸方向）の両側に、それぞれ第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されている。このため、ベース電極３１Ｂの周囲を取り囲むようにエミッタメサ３０を配置する構成と比べて、ベース抵抗Ｒｂを低減させることができる。
【００３８】
ベース抵抗Ｒｂを低減させる十分な効果を得るために、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の長手方向（ｘ軸方向）の全域に亘って第１ベース電極部３１Ｂ１を配置することが好ましい。また、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の長手方向（ｘ軸方向）の全域に亘って第１ベース電極部３１Ｂ１及び第２ベース電極部３１Ｂ２を配置することが好ましい。
【００３９】
第１実施例では、比較例（図４）と比べてベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させることにより、バイポーラトランジスタの高周波特性を改善することができる。
【００４０】
次に、第１実施例の変形例について説明する。
第１実施例では、平面視において１つのベースメサ２５の内側に２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２を配置しているが、複数の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と複数の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２とをｙ軸方向に交互に配置してもよい。ｙ軸方向の最も外側には、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１を配置するとよい。例えば、３本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と、隣り合う第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の間にそれぞれ第２エミッタフィンガー３０Ｆ２を配置するとよい。この場合、１つのベースメサ２５の内側に３個のベース開口４０ＨＢが配置されることになる。
【００４１】
また、平面視において１つのベースメサ２５の内側に複数のエミッタフィンガーを配置し、少なくとも１本を第２エミッタフィンガー３０Ｆ２とし、残りを第１エミッタフィンガー３０Ｆ１としてもよい。ｙ軸方向に隣り合い、間に第２エミッタフィンガー３０Ｆ２が配置されていない２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１に対応するベース開口４０ＨＢは、ｙ軸方向に連続させてもよい。
【００４２】
第１実施例では、サブコレクタ層２１、コレクタ層２２にｎ型ＧａＡｓを用い、ベース層２３にｐ型ＧａＡｓを用い、エミッタ層２４にｎ型ＩｎＧａＰを用いているが、その他の化合物半導体材料を用いてもよい。また、第１実施例では、ヘテロ接合バイポーラトランジスタが例示されているが、第１実施例の構成は、ヘテロ接合を持たない通常のバイポーラトランジスタに適用することも可能である。
【００４３】
［第２実施例］
次に、図５Ａ、図５Ｂ、及び図６を参照して、第２実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第１実施例によるバイポーラトランジスタと共通の構成については説明を省略する。
【００４４】
図５Ａは、第２実施例によるバイポーラトランジスタのベースメサ２５、エミッタメサ３０、ベース電極３１Ｂ、及びコレクタ電極３１Ｃの平面的な位置関係を示す図である。複数、例えば４つのセルトランジスタ６０が共通の基板に形成され、ｙ軸方向に並んで配置されている。セルトランジスタ６０の各々の構成要素の平面的な位置関係は、第１実施例によるバイポーラトランジスタ（図１）の構成要素の平面的な位置関係と同一である。すなわち、１つのセルトランジスタ６０は、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２とを含む。なお、ｙ軸方向に隣り合う２つのベースメサ２５の間のコレクタ電極３１Ｃは、２つのセルトランジスタ６０で共用されている。４個のセルトランジスタ６０は並列に接続されている。
【００４５】
図５Ｂは、比較例によるバイポーラトランジスタのベースメサ２５、エミッタメサ３０、ベース電極３１Ｂ、及びコレクタ電極３１Ｃの平面的な位置関係を示す図である。比較例においては、１つのベースメサ２５の内側に２つのエミッタメサ３０が配置されている。第２実施例によるバイポーラトランジスタと同等の駆動能力を得るために、６個のセルトランジスタ６０を並列接続することにより、エミッタフィンガー３０Ｆの合計の本数を図５Ａに示した第２実施例の場合と同一にしている。
【００４６】
次に、比較例（図５Ｂ）と比較しながら第２実施例（図５Ａ）の優れた効果について説明する。
図５Ａに示した第２実施例では、ベース電極３１Ｂの第１ベース電極部３１Ｂ１が１６本配置されているのに対し、図５Ｂに示した比較例では、ベース電極３１Ｂの第１ベース電極部３１Ｂ１が１８本配置されている。第２実施例においては比較例より第１ベース電極部３１Ｂ１の本数が少なくても、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の各々の両側に第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されている。このため、第２実施例においても比較例と同程度のベース抵抗Ｒｂが実現される。
【００４７】
また、第２実施例では、１本のエミッタフィンガー当たりの第１ベース電極部３１Ｂ１の本数が少ないため、ベースメサ２５の面積に対するエミッタメサ３０の面積の比は、第２実施例の方が比較例よりも大きい。このため、第２実施例では、比較例と比べてベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃが実質的に小さくなる。加えて、第２実施例では、第１実施例による構成を使用しているため、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを実質的にさらに低減させることができる。
【００４８】
さらに、第２実施例では、比較例と比べて第１ベース電極部３１Ｂ１及びコレクタ電極３１Ｃの本数が少ないため、基板上の専有面積を小さくすることができる。
【００４９】
図６は、第２実施例によるバイポーラトランジスタの複数のセルトランジスタ６０、２層目のエミッタ配線３３Ｅ、及びバンプ５０の平面的な位置関係を示す図である。並列接続された複数のセルトランジスタ６０のすべてのエミッタメサ３０を内包するように、２層目のエミッタ配線３３Ｅ（図２、図３）が配置されている。エミッタ配線３３Ｅとほぼ重なるようにバンプ５０が配置されている。バンプ５０はｙ軸方向に並ぶ複数のセルトランジスタ６０の一方の端から他方の端に亘って配置されており、ｙ軸方向に長い平面形状を有する。バンプ５０が形成された面を実装基板に対向させて、バイポーラトランジスタが形成された基板２０（図２、図３）がフェースダウン実装される。
【００５０】
ベースメサ２５の面積に対するエミッタメサ３０の面積の比を大きくして、バイポーラトランジスタの駆動能力を高めると、エミッタメサ３０の直下のエミッタ領域２６（図２）からの発熱量が大きくなる。第２実施例においては、エミッタメサ３０の直上にバンプ５０を配置しており、バンプ５０の平面形状を、複数のセルトランジスタ６０に跨るように大きくしている。このため、発熱源となるエミッタ領域２６で発生した熱を、バンプ５０を通して実装基板に効率的に放熱することができる。
【００５１】
［第３実施例］
次に、図７を参照して第３実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第１実施例によるバイポーラトランジスタ（図１、図２、図３）と共通の構成については説明を省略する。
【００５２】
図７は、第３実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。第１実施例（図１）では、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２が、相互に分離されている。これに対して、第３実施例では、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２が、ｘ軸の正側（ベース開口４０ＨＢが配置されている側と反対側）の端部において、エミッタ接続部３０Ｃ１によって相互に接続されている。２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１、１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２、及び２つのエミッタ接続部３０Ｃ１により、エミッタメサ３０が構成される。
【００５３】
第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と第２エミッタフィンガー３０Ｆ２との間に配置された第１ベース電極部３１Ｂ１は、エミッタ接続部３０Ｃ１に接触しないように、ｘ軸の正側の端部が後退している。
【００５４】
次に、第３実施例の優れた効果について説明する。
第３実施例では、エミッタ接続部３０Ｃ１が配置されているため、第１実施例（図１）と比較して、ベースメサ２５の面積に対するエミッタメサ３０の面積の比が大きくなる。このため、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを実質的に低減させることができる。
【００５５】
なお、エミッタ接続部３０Ｃ１及び第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の、ｘ軸の正側の縁の近傍部分は、第１ベース電極部３１Ｂ１から遠いため、この部分に関してベース抵抗Ｒｂが増加する。ただし、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の長手方向（ｘ軸方向）の大部分においては、両側に第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されているため、ベース抵抗Ｒｂの増加量は少ない。
【００５６】
高周波性能指標である最大発振周波数ｆｍａｘを改善するためには、図４に示した比較例と比べて、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃが低減することによる上昇幅が、ベース抵抗Ｒｂが高くなることによる低下幅より大きくなればよい。例えば、エミッタ接続部３０Ｃ１のｘ軸方向の寸法を大きくし過ぎると、ベース抵抗Ｒｂの増加が顕著になり、高周波特性改善の効果が減殺されてしまう。高周波特性改善の十分な効果を得るために、エミッタ接続部３０Ｃ１のｘ軸方向の寸法を、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の幅（ｙ軸方向の寸法）の２倍以下にすることが好ましい。
【００５７】
［第４実施例］
次に、図８を参照して第４実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第３実施例によるバイポーラトランジスタ（図７）と共通の構成については説明を省略する。
【００５８】
図８は、第４実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。第３実施例では、エミッタメサ３０（図７）よりもｘ軸の正側にはベース電極３１Ｂが配置されていない。これに対し、第４実施例では、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１より外側に配置された２本の第１ベース電極部３１Ｂ１のｘ軸の正側の端部同士を接続する第３ベース電極部３１Ｂ３が配置されている。第３ベース電極部３１Ｂ３は、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２、及びエミッタ接続部３０Ｃ１のｘ軸の正側の縁からｘ軸の正側に間隔を隔てて配置されている。ベース電極３１Ｂは、４本の第１ベース電極部３１Ｂ１、２つの第２ベース電極部３１Ｂ２、及び１本の第３ベース電極部３１Ｂ３で構成される。
【００５９】
次に、第４実施例の優れた効果について説明する。
第４実施例では、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２、及びエミッタ接続部３０Ｃ１のｘ軸の正側の縁の近傍に第３ベース電極部３１Ｂ３が配置されているため、第３実施例と比べてベース抵抗Ｒｂを低減させることができる。ベース抵抗Ｒｂの低減は、高周波特性の改善に寄与し得る。
【００６０】
次に、第４実施例の変形例について説明する。
第４実施例では、ベース電極３１Ｂが連続した１つの平面パターンで構成されている。このため、２つのベース開口４０ＨＢのうち一方を配置しなくても、ベース電極３１Ｂとベース配線３２Ｂとの電気的接続が確保される。ベース開口４０ＨＢを省略すると、その部分の第２ベース電極部３１Ｂ２のｘ軸方向の寸法を小さくすることができる。第２ベース電極部３１Ｂ２の縮小分に対応して、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１をｘ軸の負側に延ばすことができる。その結果、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃをより低減させることができる。
【００６１】
ただし、２つのベース開口４０ＨＢの一方を配置しない構成では、ベース電極３１Ｂ内に、ベース開口４０ＨＢからの電流路が長くなる箇所が生じる。このため、ベース電極３１Ｂの電気抵抗に起因してベース抵抗Ｒｂが大きくなる。ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃの低減による最大発振周波数ｆｍａｘの上昇幅と、ベース抵抗Ｒｂの増大による最大発振周波数ｆｍａｘの低下幅とを比較して、ベース開口４０ＨＢを残すか省略するかを決定するとよい。
【００６２】
［第５実施例］
次に、図９を参照して第５実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第３実施例によるバイポーラトランジスタ（図７）と共通の構成については説明を省略する。
【００６３】
図９は、第５実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。第３実施例では、図７に示したように、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の外側に配置された第１ベース電極部３１Ｂ１が、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の長手方向の全域に亘って配置されている。これに対し第５実施例では、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の各々のｘ軸の正側の端部からｙ軸方向に突出したエミッタ突出部３０Ｐを含む。最も外側に配置された第１ベース電極部３１Ｂ１のｘ軸の正側の端部は、エミッタ突出部３０Ｐに接触しないようにｘ軸の負側に向かって後退している。最も外側に配置された第１ベース電極部３１Ｂ１をｘ軸の正側に仮想的に延長した領域が、エミッタ突出部３０Ｐと重なる。
【００６４】
次に、第５実施例の優れた効果について説明する。
第５実施例では、第３実施例（図７）と比較して、ベースメサ２５の面積が変わることなく、エミッタメサ３０の面積が大きくなる。このため、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを実質的に低減させることができる。また、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の長手方向（ｘ軸方向）の大部分において、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の両側に第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されているため、ベース抵抗Ｒｂの増加幅は小さい。その結果、第５実施例の構成は、高周波特性の改善に寄与し得る。
【００６５】
［第６実施例］
次に、図１０を参照して、第６実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第１実施例によるバイポーラトランジスタ（図１、図２、図３）と共通の構成については説明を省略する。
【００６６】
図１０は、第６実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。第１実施例では、２つの第１エミッタフィンガー３０Ｆ１をそれぞれ三方向から取り囲むベース電極３１Ｂが相互に分離されている。これに対し、第６実施例では、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の両側にそれぞれ配置された２本の第１ベース電極部３１Ｂ１が、ｘ軸の正側の端部において第４ベース電極部３１Ｂ４によって相互に接続されている。第４ベース電極部３１Ｂ４は、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の正側の端部からｘ軸方向に間隔を隔てて配置されている。
【００６７】
２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１のｘ軸の正側の端部は、第４ベース電極部３１Ｂ４が配置された位置よりもｘ軸の正側に向かって延びている。２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１は、第４ベース電極部３１Ｂ４よりもｘ軸の正側の位置においてエミッタ接続部３０Ｃ２によって相互に接続されている。２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１、１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２、及びエミッタ接続部３０Ｃ２が、エミッタメサ３０を構成している。
【００６８】
次に、第６実施例の優れた効果について説明する。
図７に示した第３実施例によるバイポーラトランジスタにおいては、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の正側の端部が、エミッタメサ３０の他の箇所と比べて、ベース電極３１Ｂから遠くに隔てられている。このため、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の正側の端部の近傍部分においてベース抵抗Ｒｂが大きくなる。第６実施例においては、第４ベース電極部３１Ｂ４が配置されているため、ベース電極３１Ｂからエミッタ接続部３０Ｃ２のｘ軸の正側の縁までの距離が短くなる。その結果、ベース抵抗Ｒｂの増大を抑制することができる。
【００６９】
ただし、ベースメサ２５の面積に対するエミッタメサ３０の面積の比は、図７に示した第３実施例のバイポーラトランジスタの方が大きい。このため、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃは、第３実施例のバイポーラトランジスタの方が小さい。
【００７０】
このように、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させるという観点では、第３実施例（図７）の構成の方が好ましく、ベース抵抗Ｒｂの増大を抑制するという観点では、第６実施例の構成の方が好ましい。最大発振周波数ｆｍａｘの増減に対するベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃの低減分の寄与と、ベース抵抗Ｒｂの低減分の寄与とを考慮して、第３実施例の構成を採用するか、第６実施例の構成を採用するか決定するとよい。
【００７１】
次に、第６実施例の変形例について説明する。
第６実施例では、ベース電極３１Ｂが連続した１つの平面パターンで構成されているため、２つのベース開口４０ＨＢのうち一方を省略してもよい。
【００７２】
［第７実施例］
次に、図１１を参照して、第７実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第３実施例によるバイポーラトランジスタ（図７）と共通の構成については説明を省略する。
【００７３】
図１１は、第７実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。第３実施例では、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の両側に第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されている。これに対し、第７実施例では、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と第２エミッタフィンガー３０Ｆ２との間にのみ第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されており、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の外側には第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されていない。
【００７４】
次に、第７実施例の優れた効果について説明する。
第７実施例では、第３実施例（図７）の最も外側の第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されていないため、エミッタメサ３０の面積を保ったままベースメサ２５の面積を小さくすることができる。これにより、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを低減させることができる。
【００７５】
ただし、第７実施例では、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の外側に第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されていないため、第３実施例（図７）と比べてベース抵抗Ｒｂが大きくなる。
【００７６】
最大発振周波数ｆｍａｘの増減に対するベース抵抗Ｒｂの増加分の寄与が、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃの低減分の寄与より小さい場合には、高周波特性が改善される。
【００７７】
次に、第７実施例の変形例について説明する。第７実施例では、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２とを、エミッタ接続部３０Ｃ１で相互に接続しているが、第１実施例（図１）のようにエミッタ接続部３０Ｃ１を設けなくてもよい。この場合には、第１ベース電極部３１Ｂ１を、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の長手方向の全域に亘って配置するとよい。さらに、第１ベース電極部３１Ｂ１と第２ベース電極部３１Ｂ２とを、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の長手方向の全域に亘って配置するとよい。
【００７８】
また、ｙ軸方向の両端に配置された第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の各々の幅（ｙ軸方向の寸法）を、中央に配置された第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の幅より細くするとよい。このような構成とすることにより、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の片側にしか第１ベース電極部３１Ｂ１を配置しないことに起因するベース抵抗Ｒｂの増大を抑制することができる。
【００７９】
［第８実施例］
次に、図１２を参照して第８実施例によるバイポーラトランジスタについて説明する。以下、第１実施例によるバイポーラトランジスタ（図１、図２、図３）と共通の構成については説明を省略する。
【００８０】
図１２は、第８実施例によるバイポーラトランジスタの構成要素の平面的な位置関係を示す図である。第１実施例（図１）では、２本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１の間に１本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２が配置されている。これに対し、第８実施例では、２本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の間に１本の第１エミッタフィンガー３０Ｆ１が配置されている。
【００８１】
ベース電極３１Ｂは櫛歯型の平面形状を有し、第１ベース電極部３１Ｂ１が櫛歯に相当し、第２ベース電極部３１Ｂ２が、櫛歯を連結する連結部に相当する。複数のエミッタフィンガー３０Ｆが、第１ベース電極部３１Ｂ１の間に配置されている。複数のエミッタフィンガー３０Ｆのうち少なくとも１つは第１エミッタフィンガー３０Ｆ１であり、残りは第２エミッタフィンガー３０Ｆ２である。
【００８２】
言い換えると、第１ベース電極部３１Ｂ１は、第２エミッタフィンガー３０Ｆ２と第１エミッタフィンガー３０Ｆ１との間、及び２本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の各々の外側に配置されている。３つの第２ベース電極部３１Ｂ２が、これら４本の第１ベース電極部３１Ｂ１をｘ軸の負側の端部において相互に接続している。第１エミッタフィンガー３０Ｆ１をｘ軸の負側に仮想的に延長した領域と交差する第２ベース電極部３１Ｂ２の内側にベース開口４０ＨＢが配置されている。２本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２をｘ軸の負側に仮想的に延長した領域と交差する第２ベース電極部３１Ｂ２にはベース開口４０ＨＢが配置されていない。
【００８３】
ベース開口４０ＨＢが配置されていない第２ベース電極部３１Ｂ２のｙ軸方向の寸法は、ベース開口４０ＨＢが配置されている第２ベース電極部３１Ｂ２のｙ軸方向の寸法より小さい。第２エミッタフィンガー３０Ｆ２のｘ軸の負側の端部は、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１のｘ軸の負側の端部よりｘ軸の負側に向かって突出している。第２エミッタフィンガー３０Ｆ２は、仮想的にｙ軸方向に平行移動したときにベース開口４０ＨＢに重なるようにｘ軸の負側に向かって延びている構成とすることが好ましい。
【００８４】
次に、第８実施例の優れた効果について説明する。
第８実施例においては、図４に示した比較例と比べて、ベースメサ２５の面積を変化させることなく、エミッタメサ３０の面積を大きくすることができる。このため、ベースコレクタ間接合容量Ｃｂｃを実質的に低減させることができる。
【００８５】
次に、第８実施例の変形例について説明する。
第８実施例では、１つのベースメサ２５の内側に２本の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２を配置しているが、１本、または３本以上の第２エミッタフィンガー３０Ｆ２を配置してもよい。第１エミッタフィンガー３０Ｆ１は、少なくとも１本配置すればよい。また、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１と第２エミッタフィンガー３０Ｆ２とのｙ軸方向に関する並び順は、第８実施例の順番に限定されない。
【００８６】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００８７】
２０  基板
２１  サブコレクタ層
２２  コレクタ層
２３  ベース層
２４  エミッタ層
２５  ベースメサ
２６  エミッタ領域
３０  エミッタメサ
３０Ｃ１、３０Ｃ２  エミッタ接続部
３０Ｆ  エミッタフィンガー
３０Ｆ１  第１エミッタフィンガー
３０Ｆ２  第２エミッタフィンガー
３０Ｐ  エミッタ突出部
３１Ｂ  ベース電極
３１Ｂ１  第１ベース電極部
３１Ｂ２  第２ベース電極部
３１Ｂ３  第３ベース電極部
３１Ｂ４  第４ベース電極部
３１Ｃ  コレクタ電極
３１Ｅ  エミッタ電極
３２Ｂ  １層目のベース配線
３２Ｃ  １層目のコレクタ配線
３２Ｅ  １層目のエミッタ配線
３３Ｅ  ２層目のエミッタ配線
３５  第１仮想延長領域
３６  第２仮想延長領域
４０  絶縁膜
４０ＨＢ  ベース開口
４０ＨＣ  コレクタ開口
４０ＨＥ  エミッタ開口
４１  絶縁膜
４１ＨＥ  エミッタ開口
４２  有機絶縁膜
４５  保護膜
４５Ｈ  開口
４６  有機保護膜
４６Ｈ  開口
５０  バンプ
５１  ピラー
５２  ハンダ層
６０  セルトランジスタ
【図１】
2020102581.tif 000004
【図２】
2020102581.tif 000005
【図３】
2020102581.tif 000006
【図４】
2020102581.tif 000007
【図５】
2020102581.tif 000008
【図６】
2020102581.tif 000009
【図７】
2020102581.tif 000010
【図８】
2020102581.tif 000011
【図９】
2020102581.tif 000012
【図１０】
2020102581.tif 000013
【図１１】
2020102581.tif 000014
【図１２】
2020102581.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月14日(2019.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、第１実施例では、第１エミッタフィンガー３０Ｆ１及び第２エミッタフィンガー３０Ｆ２の各々の幅方向（ｙ軸方向）の両側に、それぞれ第１ベース電極部３１Ｂ１が配置されている。このため、ベース電極３１Ｂの周囲を取り囲むようにエミッタメサ３０を配置する構成と比べて、ベース抵抗Ｒｂを低減させることができる。