(57)【要約】【課題】絶縁層の欠陥部に発生するコロナ放電を抑制する。【解決手段】半導体装置９００は、直流電力を交流電力に変換するＩＧＢＴ１０１（半導体素子）と、直流電力を伝達するコレクタ端子２１Ｃ（直流端子）と、交流電力を伝達するエミッタ端子３１Ｅ（交流端子）と、ＩＧＢＴ１０１、コレクタ端子２１Ｃの少なくとも一部およびエミッタ端子３１Ｅの少なくとも一部を封止する封止部材５０１と、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間に配置された、少なくとも１つのフローティング端子５１とを備える。【選択図】図５
2020174160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電力を交流電力に変換する半導体素子と、
直流電力を伝達する直流端子と、
交流電力を伝達する交流端子と、
前記半導体素子、前記直流端子の少なくとも一部および前記交流端子の少なくとも一部を封止する封止部材と、
前記直流端子と前記交流端子との間に配置された、少なくとも１つのフローティング端子とを備える半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記フローティング端子は、前記封止部材の材料とは異なる材料からなる樹脂により覆われている半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記フローティング端子は、前記封止部材および／または前記封止部材と異なる材料からなる樹脂により、先端部を含む全体が覆われている半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記フローティング端子は、少なくとも一部が、前記封止部材より誘電率が小さい樹脂により覆われている半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記フローティング端子の先端面は、前記直流端子の先端面および前記交流端子の先端面より突出している半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
さらに、前記半導体素子を支持する絶縁層と、
前記絶縁層上に形成されたフローティング電極と、を有し、
前記フローティング端子の根元部は、前記フローティング電極に接続されている半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記直流端子、前記交流端子および前記フローティング端子の前記封止部材から露出する根元部は、ほぼ一直線状に配列され、前記直流端子の先端部または前記直流端子に接続された直流端子部材と、前記交流端子の先端部または前記交流端子に接続された交流端子部材とは、前記フローティング端子の高さ方向の、相互に反対方向に延在されている半導体装置。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記半導体素子の制御電極に接続された制御端子と、を備え、
前記制御端子は、前記直流端子または前記交流端子に隣接して設けられ、
前記制御端子と、前記直流端子または前記交流端子との間に、少なくとも１つの別のフローティング端子が設けられている電力変換装置。
【請求項９】
直流端子および交流端子を、直流電力を交流電力に変換する半導体素子に、それぞれ、接続することと、
前記半導体素子、並びに、前記直流端子および前記交流端子それぞれの少なくとも一部を封止部材により封止することと、
前記直流端子と前記交流端子との間に、少なくとも１つのフローティング端子を設けることとを有する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記フローティング端子を設けることは、
前記フローティング端子が前記直流端子および前記交流端子と一体化されたリードフレームを形成することと、
前記リードフレームの前記直流端子、前記交流端子および前記フローティング端子の一部を前記封止部材により封止することと、
前記リードフレームを切断して、前記直流端子、前記交流端子、前記フローティング端子を分離することと、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体チップと呼ばれる半導体素子のスイッチングを利用した高効率な電力変換装置が自動車、鉄道、産業機器、電力機器等広い分野で利用されている。近年では、ＣＯ2の削減を図るため、省エネが可能なこのような電力変換装置を航空機に搭載することが検討されている。
パワー半導体モジュールでは、半導体素子に高電圧が印加されるため、半導体素子を収容するケース等の絶縁部材に空隙やクラック等の欠陥が存在すると、その欠陥部に電界が集中し、コロナ放電が発生する可能性がある。コロナ放電が発生した状態が続くと、絶縁部材が劣化し、最終的に絶縁破壊してパワー半導体モジュールが故障する虞がある。コロナ放電は、気圧が低い高高度な環境ほど発生し易い。
【０００３】
従来、金属ベース板と絶縁ケースとがねじにより固定された筐体内に半導体素子を収容し、半導体素子に接続される引き出し端子を絶縁ケースの外部の一面側に配列した構造を有するパワー半導体モジュールが知られている。この構造では、ねじの底部とねじが螺合されるねじ孔の底部との間の隙間に電界が集中しコロナ放電が発生し易いことが指摘されている。このため、絶縁ケースの、ねじが螺合されるねじ孔の上部に段部を設け、この段部の上面に導体を設け、該導体と金属ケース板とをワイヤにより電気的に接続する構造としたものがある。この構造では、導体が金属ベース板と同電位となり、ねじの底部とねじ孔の底面との間の隙間に電圧が印加されないので、コロナ放電の発生を防止することができると記載されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−６７６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載されたパワー半導体モジュールでは、絶縁ケースの外部の一面側に配列された引き出し端子間に高電位が印加され、コロナ放電が発生する虞がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様における半導体装置は、直流電力を交流電力に変換する半導体素子と、直流電力を伝達する直流端子と、交流電力を伝達する交流端子と、前記半導体素子、前記直流端子の少なくとも一部および前記交流端子の少なくとも一部を封止する封止部材と、前記直流端子と前記交流端子との間に配置された、少なくとも１つのフローティング端子とを備える。
本発明の第２の態様における電力変換装置は、上記半導体装置と、前記半導体素子の制御端子に接続された制御端子部と、を備え、前記制御端子部は、前記直流端子または前記交流端子に隣接して設けられ、前記制御端子部と、前記直流端子または前記交流端子との間に、少なくとも１つの別のフローティング端子が設けられている。
本発明の第３の態様における半導体装置の製造方法は、直流端子および交流端子を、直流電力を交流電力に変換する半導体素子に、それぞれ、接続することと、前記半導体素子、並びに、前記直流端子および前記交流端子それぞれの少なくとも一部を封止部材により封止することと、前記直流端子と前記交流端子との間に、少なくとも１つのフローティング端子を設けることとを有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、封止部材の欠陥部に発生するコロナ放電を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の電力変換回路を有する半導体装置の回路図である。
【図２】図２は、本発明による上アーム回路を有する半導体装置の第１の実施形態の外観斜視図である。
【図３】図３は、本発明による下アーム回路を有する半導体装置の第１の実施形態の外観斜視図である。
【図４】図４は、図２に図示された半導体装置の封止部材を除去した状態の分解斜視図である。
【図５】図５は、図２に図示された半導体装置を、上面側からエミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
【図６】図６は、絶縁層と電極間に空気層が介在する構造の電圧分担のモデルを示す図である。
【図７】図７は、パッシェンの法則によるコロナ放電開始電圧と、気圧と電極間距離の積との関係を示す特性図である。
【図８】図８は、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図であり、誘電率が異なる場合の各特性を示す。
【図９】図９は、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図であり、高度が異なる場合の各特性を示す。
【図１０】図１０は、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図であり、温度が異なる場合の各特性を示す。
【図１１】図１１は、誘電率、高度、温度が一定の条件に設定された状態における、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図である。
【図１２】図１２は、図２に図示された半導体装置の製造方法を示し、最初の工程を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図１２に続く工程を示す斜視図である。
【図１４】図１４は、図１３に続く工程を示す斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の半導体装置の第２の実施形態を示す外観斜視図である。
【図１６】図１６は、図１５に図示された半導体装置の上面側から、エミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
【図１７】図１７は、本発明の半導体装置の第３の実施形態を示し、半導体装置の上面側から、エミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
【図１８】図１８は、本発明の半導体装置の第４の実施形態を示し、半導体装置の上面側から、エミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
【図１９】図１９は、本発明の半導体装置の第５の実施形態を示す外観斜視図である。
【図２０】図２０は、本発明の半導体装置の第６の実施形態を示す外観斜視図である。
【図２１】図２１は、本発明の半導体装置の第７の実施形態を示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の各実施形態に係る電力変換装置である半導体装置は、特に、高高度空間を飛行する航空機に最適であるが、これ以外にも、自動者やトラック、電車や船舶などの電力変換装置に対しても適用可能である。また、工場の設備を駆動する電動機の制御装置に用いられる産業用電力変換装置、あるいは家庭用の太陽発電システムや家庭の電化製品を駆動する電動機の制御用に用いられたりする、家庭用電力変換装置に対しても適用可能である。
【００１０】
−第１の実施形態−
以下、図１〜図１４を参照して、本発明の半導体装置の第１の実施形態を説明する。
図１は、本発明の電力変換回路を有する半導体装置の回路図である。
電力変換装置としての機能を有する半導体装置は、インバータ回路１４０と、平滑用のコンデンサモジュール８０１と、制御部１７０とを備えている。インバータ回路１４０にはバッテリ８０２が電気的に接続されている。バッテリ８０２とインバータ回路１４０との間に設けられたコンデンサモジュール８０１は、直流電流を平滑化する。平滑用のコンデンサモジュール８０１は、正極側コンデンサ端子８１１と負極側コンデンサ端子８１２を有する。平滑用のコンデンサモジュール８０１は、直流コネクタ１３８を介してバッテリ８０２と電気的に接続されている。インバータ回路１４０は、直流正極側端子３１４を介して正極側コンデンサ端子８１１と接続され、かつ直流負極側端子３１６を介して負極側コンデンサ端子８１２と接続されている。
【００１１】
インバータ回路１４０は、上アーム回路９０１と、下アーム回路９０２と、制御部１７０を有する。インバータ回路１４０は、上アーム回路９０１を構成するＩＧＢＴ１０１（半導体素子）及びダイオード１１１と、下アーム回路９０２を構成するＩＧＢＴ１０２（半導体素子）及びダイオード１１２と、からなる上下アーム直列回路をモータジェネレータ４００の電機子巻線の各相巻線に対応して３相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）分を設けている。ここで、ＩＧＢＴとは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの略である。それぞれの上下アーム直列回路は、それぞれ、その中点部分に接続される交流端子４１を有する。交流端子４１はそれぞれ、電流センサ１８０を経由して交流コネクタ１８８に接続される。また、交流コネクタ１８８は、モータジェネレータ４００に接続される。
【００１２】
ＩＧＢＴ（半導体素子）１０１は、コレクタ電極１２１と、ゲート電極１６１（制御電極）と、エミッタセンス電極１７１と、エミッタ電極１３１を備えている。また、ＩＧＢＴ１０２は、コレクタ電極１２２と、ゲート電極１６２（制御電極）と、エミッタセンス電極１７２と、エミッタ電極１３２を備えている。ダイオード１１１が、ＩＧＢＴ１０１と電気的に並列に接続されている。また、ダイオード１１２が、ＩＧＢＴ１０２と電気的に並列に接続されている。スイッチング用パワー半導体素子としてはＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体型電界効果トランジスタ）を用いてもよいが、この場合はダイオード１１１やダイオード１１２は不要となる。
【００１３】
各上アーム回路９０１のＩＧＢＴ１０１のコレクタ電極１２１は、コレクタ端子（直流端子）２１Ｃおよび正極側接続部８１を介してコンデンサモジュール８０１の正極側コンデンサ端子８１１に接続されている。すなわち、バッテリ８０２から供給される直流電力は、コレクタ端子２１Ｃを介して上アーム回路９０１に伝達される。各下アーム回路９０２のＩＧＢＴ１０２のエミッタ電極１３２は、それぞれ、エミッタ端子３２Ｅおよび負極側接続部９１を介してを介してコンデンサモジュール８０１の負極側コンデンサ端子８１２に接続されている。
【００１４】
制御部１７０は、上アーム回路９０１と下アーム回路９０２からなる上下直列回路を駆動制御するドライバ回路（図示せず）、およびドライバ回路に制御信号を供給する制御回路を含む。ＩＧＢＴ１０１やＩＧＢＴ１０２は、制御部１７０から出力された駆動信号を受けて動作し、バッテリ８０２から供給された直流電力を三相交流電力に変換する。この変換された電力は、モータジェネレータ４００の電機子巻線に供給される。
【００１５】
制御部１７０は、ＩＧＢＴ１０１、１０２のスイッチングタイミングを演算処理するためのマイクロコンピュータを備えている。マイクロコンピュータには入力情報として、モータジェネレータ４００に対して要求される目標トルク値、上下アーム直列回路からモータジェネレータ４００の電機子巻線に供給される電流値、及びモータジェネレータ４００の回転子の磁極位置が入力されている。目標トルク値は、不図示の上位の制御装置から出力された指令信号に基づくものである。電流値は、電流センサ１８０から信号線（図示せず）を介して出力された検出信号に基づいて検出されたものである。磁極位置は、モータジェネレータ４００に設けられた回転磁極センサ（不図示）から出力された検出信号に基づいて検出されたものである。
【００１６】
図２は、本発明による上アーム回路を有する半導体装置の第１の実施形態の外観斜視図である。
半導体装置９００は、図１に示された上アーム回路９０１を有する、１ in １パワー半導体モジュールである。
半導体装置９００は、図１に示されるＩＧＢＴ１０１およびダイオード１１１（図５参照）と、ＩＧＢＴ１０１およびダイオード１１１を封止する封止部材５０１と、コレクタ端子（直流端子）２１Ｃと、エミッタ端子３１Ｅと、２つのゲート端子６１（制御端子）と、２つのエミッタセンス端子７１と、フローティング端子５１、５２、５３と、コレクタ側実装部２２０（図４参照）と、エミッタ側実装部３２０（図４参照）とを有する。
【００１７】
封止部材５０１は、一対の幅広面５０１ａ、５０１ｂと、一対の側面５０１ｃ、５０１ｄと、一対の端面５０１ｅ、５０１ｆを有する、ほぼ薄型の直方体形状を有する。封止部材５０１の一方の幅広面５０１ａからは、周囲を封止部材５０１に囲まれた状態でエミッタ側実装部３２０の一面が露出している。図示はしないが、封止部材５０１の幅広面５０１ａと対向する他方の幅広面５０１ｂからは、幅広面５０１ａ側と同様に、周囲を封止部材５０１に囲まれた状態でコレクタ側実装部２２０の一面が露出している。
【００１８】
コレクタ端子２１Ｃと、エミッタ端子３１Ｅと、２つのゲート端子６１と、２つのエミッタセンス端子７１と、フローティング端子５１、５２、５３は、根元側である一部が封止部材５０１により封止され、先端部を含む残りの部分が一方の側面５０１ｃから露出されている。
封止部材５０１の他の側面５０１ｄ、一対の端面５０１ｅ、５０１ｆから露出する端子部材等はない。
【００１９】
図３は、本発明による下アーム回路を有する半導体装置の第１の実施形態の外観斜視図である。
半導体装置９００Ａは、図１に示された下アーム回路９０２を有する、１ in １パワー半導体モジュールである。
半導体装置９００Ａは、図１に示されるＩＧＢＴ１０２およびダイオード１１２と、ＩＧＢＴ１０２およびダイオード１１２を封止する封止部材５０１と、コレクタ端子（直流端子）２２Ｃと、エミッタ端子３２Ｅと、２つのゲート端子６２（制御端子）と、２つのエミッタセンス端子７２と、フローティング端子５１、５２、５３と、コレクタ側実装部２２０と、エミッタ側実装部３２０とを有する。
【００２０】
封止部材５０１は、一対の幅広面５０１ａ、５０１ｂと、一対の側面５０１ｃ、５０１ｄと、一対の端面５０１ｅ、５０１ｆを有する、ほぼ薄型の直方体形状を有する。封止部材５０１の一方の幅広面５０１ａからは、周囲を封止部材５０１に囲まれた状態でエミッタ側実装部３２０の一面が露出している。図示はしないが、封止部材５０１の幅広面５０１ａと対向する他方の幅広面５０１ｂからは、幅広面５０１ａ側と同様に、周囲を封止部材５０１に囲まれた状態でコレクタ側実装部２２０の一面が露出している。
【００２１】
コレクタ端子２２Ｃと、エミッタ端子３２Ｅと、２つのゲート端子６２と、２つのエミッタセンス端子７２と、フローティング端子５１、５２、５３は、根元側である一部が封止部材５０１により封止され、先端部を含む残りの部分が一方の側面５０１ｃから露出されている。
封止部材５０１の他の側面５０１ｄ、一対の端面５０１ｅ、５０１ｆから露出する端子部材等はない。
【００２２】
上アーム側の半導体装置９００と下アーム側の半導体装置９００Ａとを対比すると、半導体装置９００のゲート端子６１、エミッタセンス端子７１、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅ、フローティング端子５１、５２、５３が、それぞれ、半導体装置９００Ａのゲート端子６２、エミッタセンス端子７２、コレクタ端子２２Ｃ、エミッタ端子３２Ｅ、フローティング端子５１、５２、５３に相当する。従って、相互に対応する部材の形状、位置を同一にすれば、半導体装置９００と半導体装置９００Ａは、同じ構造となる。
以下では、上アーム側の半導体装置９００について詳細に説明するが、上述した対応する部材に置き換えることで、下アーム側の半導体装置９００Ａについても、以下の説明が適用される。
なお、上アーム回路９０１のコレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅ、ゲート端子６１、エミッタセンス端子７１、および下アーム回路９０２のコレクタ端子２２Ｃ、エミッタ端子３２Ｅ、２つのゲート端子６２、エミッタセンス端子７２は、図１の回路図に図示されている。
【００２３】
図４は、図２に図示された半導体装置の封止部材を除去した状態の分解斜視図であり、図５は、図２に図示された半導体装置を、上面側からエミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
図４に図示されるように、半導体装置９００は、ＩＧＢＴ１０１およびダイオード１１１を、エミッタ側実装部３２０とコレクタ側実装部２２０とにより上下から挟み込んだ構造を有する。
コレクタ側実装部２２０は、コレクタ側導体２０１と、絶縁層２１１と、メタライズ層２２１とが、上方から下方に向けてこの順に積層されて構成されている。コレクタ側導体２０１、絶縁層２１１、メタライズ層２２１は、それぞれ、平面視で矩形形状を有し、絶縁層２１１が、コレクタ側導体２０１およびメタライズ層２２１より一回り大きく形成されている。
【００２４】
エミッタ側実装部３２０は、エミッタ側導体３０１と、絶縁層３１１と、メタライズ層３２１とが、下方から上方に向けてこの順に積層されて構成されている。エミッタ側導体３０１、絶縁層３１１、メタライズ層３２１は、それぞれ、平面視で矩形形状を有し、絶縁層３１１が、エミッタ側導体３０１およびメタライズ層３２１より一回り大きく形成されている。
【００２５】
コレクタ側導体２０１およびエミッタ側導体３０１は、電気抵抗が低い銅、アルミニウムまたはそれらの合金により形成されている。コレクタ側導体２０１およびエミッタ側導体３０１の厚さは、０．１〜２．５ｍｍ程度である。但し、この厚さに特定されるものではなく、必要な電流容量やヒ−トスプレッダの能力に適合する厚さであればよい。
絶縁層２１１、３１１は、セラミックス等の低熱膨張の絶縁材料により形成されている。コレクタ側導体２０１と絶縁層２１１およびエミッタ側導体３０１と絶縁層３１１との間に、それぞれ、低熱膨張で熱伝導率が高いモリブデン、タングステン、カーボン、あるいはこれらのいずれかと銅、アルミニウムとの複合材からなる層を設けてもよい。
【００２６】
メタライズ層２２１、３２１は、放熱の機能を有し、熱伝導率が高い銅、アルミニウムまたはこれらの合金により形成される。メタライズ層２２１、３２１は、それぞれ、封止部材５０１の幅広面５０１ｂ、５０１ａから露出している。コレクタ側導体２０１およびエミッタ側導体３０１側と同様に、メタライズ層２２１と絶縁層２１１との間、メタライズ層３２１と絶縁層３１１との間に、それぞれ、低熱膨張率で熱伝導率が高いモリブデン、タングステン、カーボン、あるいはこれらのいずれかと銅、アルミニウムとの複合材からなる層を設けてもよい。
【００２７】
絶縁層２１１、３１１とコレクタ側導体２０１またはエミッタ側導体３０１とは、それぞれ、ろう材等により接合される。また、絶縁層２１１、３１１とメタライズ層２２１、３２１とは、それぞれ、ろう材等により接合される。絶縁層２１１を挟んで、コレクタ側導体２０１側とメタライズ層２２１側の熱膨張率差とヤング率から求まる熱応力が、できるだけ等しくなるようにすることが好ましい。絶縁層３１１を挟んで、エミッタ側導体３０１側とメタライズ層３２１側の熱膨張率差とヤング率から求まる熱応力が、できるだけ等しくなるようにすることが好ましい。
【００２８】
図５に図示されるように、コレクタ側導体２０１とエミッタ側導体３０１（図５には図示されず）との間には、２つのＩＧＢＴ１０１と２つのダイオード１１１が配置されている。
ＩＧＢＴ１０１のコレクタ側導体２０１に対向する下面には、図５には図示しないが、コレクタ電極１２１が形成されている。ＩＧＢＴ１０１のエミッタ側導体３０１に対向する上面には、ゲート電極１６１と、エミッタ電極１３１が形成されている。２つのＩＧＢＴ１０１のコレクタ電極１２１は、それぞれ、コレクタ側導体２０１に金属接合されている。２つのＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１３１は、それぞれ、エミッタ側導体３０１に金属接合されている。
【００２９】
ダイオード１１１のコレクタ側導体２０１に対向する下面には、図５には図示しないが、カソード電極が形成されている。ダイオード１１１のエミッタ側導体３０１に対向する上面には、アノード電極が形成されている。２つのダイオード１１１のカソード電極は、それぞれ、コレクタ側導体２０１に金属接合されている。２つのダイオード１１１のアノード電極は、それぞれ、エミッタ側導体３０１に金属接合されている。
上記構成により、２対のＩＧＢＴ１０１とダイオード１１１は、図１に示された上アーム回路９０１を構成する。
なお、コレクタ側導体２０１およびエミッタ側導体３０１は、図１の回路図に図示されている。
【００３０】
一方のＩＧＢＴ１０１とダイオード１１１の間には、コレクタ端子２１Ｃが配置されている。コレクタ端子２１Ｃは、コレクタ側導体２０１に金属接合されている。金属接合として、例えば、はんだ材、酸化金属粒子を主体とした低温焼結接合材を用いた接合を挙げることができる。
【００３１】
他方のＩＧＢＴ１０１とダイオード１１１の間には、エミッタ端子３１Ｅが配置されている。エミッタ端子３１Ｅは、エミッタ側導体３０１に金属接合されている。これにより、ＩＧＢＴ１０１の出力は、エミッタ側導体３０１およびエミッタ端子３１Ｅを介して交流端子４１に接続される。つまり、上アーム回路９０１から出力される交流電力を交流端子４１に伝達する。金属接合として、コレクタ端子２１Ｃ側と同様、例えば、はんだ材、酸化金属粒子を主体とした低温焼結接合材を用いた接合を挙げることができる。
【００３２】
コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間にはフローティング端子５１が配置されている。フローティング端子５１は、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとのほぼ中央に配置されている。また、エミッタ端子３１Ｅの、フローティング端子５１側の反対側にはフローティング端子５２が配置され、コレクタ端子２１Ｃの、フローティング端子５１側の反対側にはフローティング端子５３が配置されている。フローティング端子５１、５２、５３は、金属導体により形成されており、いずれも、コレクタ側導体２０１およびエミッタ側導体３０１には接続されず、絶縁されている。
ここで、フローティングとは、電気的に浮いている状態であり、コレクタ側導体２０１、エミッタ側導体３０１のいずれとも電気的に接続されず、接地部にも接続されず、独立した電位を示す状態をいう。
【００３３】
フローティング端子５３の、コレクタ端子２１Ｃの反対側には、ゲート端子６１とエミッタセンス端子７１が配置されている。フローティング端子５２の、エミッタ端子３１Ｅの反対側には、ゲート端子６１とエミッタセンス端子７１が配置されている。２つのＩＧＢＴ１０１のゲート電極１６１は、それぞれ、不図示のボンディングワイヤにより、一方または他方のゲート端子６１に接続されている。２つのＩＧＢＴ１０１のエミッタセンス電極１７１は、それぞれ、不図示のボンディングワイヤにより、一方または他方のエミッタセンス端子７１に接続されている。
【００３４】
図２に図示されるように、ゲート端子６１、エミッタセンス端子７１、エミッタ端子３１Ｅ、コレクタ端子２１Ｃは、ＩＧＢＴ１０１、ダイオード１１１側と反対側の先端側が封止部材５０１から露出しており、各端子の封止部材５０１から露出した根元部は、一直線状に配列されている。
【００３５】
フローティング端子５１〜５３は、ＩＧＢＴ１０１およびダイオード１１１側の根元側端部から先端側端部の全体が、封止部材５０１で覆われている。コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１ＥそれぞれのＩＧＢＴ１０１およびダイオード１１１の先端側は、封止部材５０１から露出している。各フローティング端子５１〜５３の外周には、封止部材５０１の突出部５１１が設けられている。
図２、図５に図示されるように、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃは、それぞれ、突出部５１１の間に配置されている。各フローティング端子５１〜５３は、封止部材５０１と一体成型されたものである。各フローティング端子５１〜５３の先端面５４は、封止部材５０１の突出部５１１の端面から露出している。
【００３６】
図２および図５に図示されるように、コレクタ端子２１Ｃの封止部材５０１から露出した先端側には、上方（封止部材５０１の幅広面５０１ａ）側に向けてほぼ垂直に屈曲された立ち上げ部１４１と、立ち上げ部１４１から、封止部材５０１の幅広面５０１ａと平行になるように、ほぼ垂直に屈曲された水平部１４２が形成されている。立ち上げ部１４１は、各フローティング端子５１〜５３の上面よりも上方に延在されており、水平部１４２は、フローティング端子５１〜５３のいずれの上面よりも上方に位置している。
【００３７】
また、エミッタ端子３１Ｅの封止部材５０１から露出した先端側には、下方（封止部材５０１の幅広面５０１ｂ）側にほぼ垂直に屈曲された立ち下げ部１４３と、立ち下げ部１４３から、封止部材５０１の幅広面５０１ｂと平行になるように、ほぼ垂直に屈曲された水平部１４４が形成されている。立ち下げ部１４３は、各フローティング端子５１〜５３の下面より下方に延在されており、水平部１４４は、フローティング端子５１〜５３のいずれの下面よりも下方に位置している。
【００３８】
コレクタ端子２１Ｃの立ち上げ部１４１およびエミッタ端子３１Ｅの立ち下げ部１４３は、フローティング端子５１〜５３の先端面よりも内側（ＩＧＢＴ１０１、ダイオード１１１側）に位置している。このように、コレクタ端子２１Ｃの立ち上げ部１４１とエミッタ端子３１Ｅの立ち下げ部１４３とを、フローティング端子５１〜５３の先端面よりも内側で、フローティング端子５１〜５３に対し、相互に上下方向の反対側に屈曲して延在することにより、沿面距離を大きくしている。
なお、上記では、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃの両方を、屈曲した構造として例示したが、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃの一方のみを屈曲するようにしてもよい。
【００３９】
上述したように、本実施形態においては、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間にフローティング端子５１が設けられている。これにより、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間の領域５１０Ａの封止部材５０１は、コレクタ端子２１Ｃとフローティング端子５１との間の領域５１Ａと、エミッタ端子３１Ｅとフローティング端子５１との間の領域５１Ｂに２分割される。
また、エミッタ端子３１Ｅと一方のゲート端子６１との間にフローティング端子５２が設けられている。これにより、エミッタ端子３１Ｅとフローティング端子５２との間の領域５１０Ｂの封止部材５０１は、エミッタ端子３１Ｅとフローティング端子５２との間の領域５２Ａと、ゲート端子６１とフローティング端子５２との間の領域５２Ｂに２分割される。
さらに、コレクタ端子２１Ｃと他方のゲート端子６１との間にフローティング端子５３が設けられている。これにより、コレクタ端子２１Ｃとフローティング端子５３との間の領域５１０Ｃの封止部材５０１は、ゲート端子６１とフローティング端子５３との間の領域５３Ａと、コレクタ端子２１Ｃとフローティング端子５３との間の領域５３Ｂに２分割される。
【００４０】
このように、異なる電圧が印加される端子間にフローティング端子５１〜５３を設けて上記端子間に付与される電圧を分担させ、コロナ開始電圧を分割することで系全体としてのコロナ開始電圧を低下することができる。以下、図６〜図１１を用いて、このことを説明する。
【００４１】
図６は、絶縁層と電極間に空気層がある場合の電圧分担のモデルを示す図である。電極間は、空気層６０１と絶縁層６０２とで構成されている。電極間の全体に印加する交流電圧をＶとし、そのうち空気層に加わる電圧をＶ1とすると、電圧Ｖは、式（１）で表される。ただし、Ｃｅは空気層の容量を、Ｃfは絶縁層の容量を、ε0は真空の誘電率を、εは絶縁層の比誘電率を、Ｓは電極面積を、ｄeは空気層の厚さを、ｄfは絶縁層の厚さを、それぞれ表す。
Ｖ＝Ｖ1・（Ｃe＋Ｃf）／Ｃf                式（１）
また、上記定義より、式（２）、式（３）が成り立つ。
Ｃe＝ε0・Ｓ／ｄe                          式（２）
Ｃf＝ε0・ε・Ｓ／ｄf                      式（３）
式（２）、式（３）より、式（１）は、式（１ａ）となる。
Ｖ＝Ｖ1・（ｄf／（ε・ｄe）＋１）        式（１ａ）
【００４２】
上述したように、電極と絶縁層の界面や、絶縁層内にボイドや剥離に起因した空気層が生成すると、電極間に高電圧が印加された時にコロナ放電が発生する。絶縁層が、コロナ放電する環境に晒されると、放電による火花で残肉部が侵食され、絶縁性能が低下する。特に、絶縁部がセラミックス等に比べ耐熱性が低い樹脂で構成されると、その影響が顕著となる。このように、樹脂で構成される絶縁部の絶縁性能を向上させるためには、コロナ放電しない構造にすることが有効である。
【００４３】
また、放電現象は、直流電圧と交流電圧とで異なる。直流電圧に対する絶縁層の場合、コロナ放電が発生する条件でも、１回放電した後は、絶縁層が帯電して空間の電界が低くなるため、放電は停止する。したがって、電圧を１回だけ放電するだけであるので、放電による絶縁層の劣化への影響は少ない。一方、交流電圧下では、絶縁層に加わる電圧は時間の経過で反転するため、放電が繰り返される。そのため、放電による絶縁層の劣化への影響が大きい。さらに、パワー半導体素子のスイッチングで交流波形を作る場合、サージ電圧が交流波形に重畳されるため、定格電圧よりも高い電圧が絶縁層に加わる。
【００４４】
図７は、パッシェンの法則によるコロナ放電開始電圧と、気圧と電極間距離の積との関係を示す特性図である。
図７を用いて、コロナ放電が発生する電圧について説明する。電極間に空隙がある場合、コロナ放電が開始する電圧は、気圧と電極間の空隙長の関数で示される事が、パッシェンによって示され、その後、多くの研究者によって理論的、実験的に確認されている。図７は、気圧ｐにおいて、電極間距離ｄの電極に電圧を印加した際に、コロナ放電が発生する電圧を、気圧ｐと電極間距離ｄの積との関係で示した図である。
【００４５】
図７は、２０℃において測定したものである。コロナ放電開始電圧は、図７に示されるように、気圧と電極間距離の積ｐ・ｄがある値の時に最小値を持つ。つまり、コロナ放電発生電圧の最小値である電圧を超える電圧が電極間の空隙に印加されたとき、ｐ・ｄ積の値によってはコロナ放電が発生することになる。
【００４６】
パッシェンの法則による圧力は気体の粒子密度に換算できるため、気体の状態方程式を用いて、任意の温度、圧力でのコロナ放電開始電圧を求めることができる。このようにして求めたコロナ放電開始電圧を式（１ａ）中のＶ1に代入すると、気圧ｐと空気層の厚さｄeとの関係で、放電が発生する電極間電圧Ｖの最小値を算出することができる。そのようにして算出した最小コロナ放電開始電圧の値を絶縁層の厚さｄfに対してプロットした図を図８から図１０に示す。
【００４７】
図８は、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図であり、誘電率が異なる場合の各特性を示す。
図８は、２５℃、１ａｔｍでの最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さｄfの関係を示す。絶縁層の厚さｄfが厚くなると、電圧Ｖに対して絶縁層６０２が分担する電圧が高くなるため、空気層６０１が分担する電圧Ｖ1が小さくなる。よって、絶縁層の厚さｄfが大きくなるほど、最小コロナ放電開始電圧が高くなる。
【００４８】
図８に示すように、絶縁層の厚さｄfに対する最小コロナ放電開始電圧の関係は、比例関係ではない。絶縁層の厚さｄfが小さい領域における特性曲線の傾きは、絶縁層の厚さｄfが大きい領域における特性曲線の傾きに比べて大きい。この現象を利用することで、後述するように、絶縁性を確保しつつ、絶縁層の厚の低減、端子間距離の縮小を実現することができる。また、図８から、同じ最小コロナ放電開始電圧においては、絶縁層６０２の誘電率εが低いほど、絶縁層６０２の厚さｄfを小さくすることができることがわかる。
【００４９】
図９は、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図であり、高度が異なる場合の各特性を示す。
図９は、２５℃、絶縁層の比誘電率５での最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さｄfの関係を示す。図９から高度が高く気圧が低いほど、コロナ放電開始電圧は小さくなることがわかる。この対策として、高度が高く気圧が低いほど、絶縁層の厚さを厚くする必要があり、このためには、端子間距離を増加させる必要がある。
【００５０】
図１０は、最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さとの関係を示す特性図であり、温度が異なる場合の各特性を示す。
図１０は、１ａｔｍ、絶縁層の比誘電率５での最小コロナ放電開始電圧と絶縁層の厚さｄfの関係を示す。図１０から温度が高いほど、コロナ放電開始電圧は小さくなることがわかる。この対策として、温度が高いほど、絶縁層の厚さを厚くする必要があり、このためには、端子間距離を増加させる必要がある。
【００５１】
図１１は、２５℃、高度１５０００ｍ（０．１１９５気圧）、比誘電率５での最小コロナ放電電圧と絶縁層の厚さｄfの関係を示す。図１１を用いて、コロナ放電を抑制しつつ、絶縁層６０２の厚さ（総厚）ｄfを低減する原理について説明する。
【００５２】
例えば、電極間に最大２．６ｋＶｐの電圧が加わる場合を考える。図１１より、絶縁層の厚さｄfが７ｍｍのときの最小コロナ放電電圧が２．６ｋＶｐであるため、剥離等により空隙が生じても、絶縁層が７ｍｍより厚く形成されていれば、コロナ放電は発生しない。
【００５３】
また、電極間に加わる電圧が１．３ｋＶｐである時は、図１１より絶縁層の厚さｄfが２ｍｍより厚ければ、コロナ放電は発生しない。この絶縁層の厚さｄf＝２ｍｍは、最小コロナ放電電圧が２倍の２．６ｋＶｐのときの絶縁層の厚さｄf＝７ｍｍの１／２よりも小さい。これは、前述のように、最小コロナ放電電圧と絶縁層の厚さｄfの関係は、比例関係ではなく、絶縁層厚ｄfが小さい領域での特性曲線の傾きが大きく、絶縁層の厚さｄfが大きくなるにつれて特性曲線の傾きが小さくなっていることによる。
【００５４】
そこで、２．６ｋＶｐの電圧であっても、その電圧を１．３ｋＶｐと１．３ｋＶｐとに２分割することで、それぞれ２ｍｍより厚い絶縁層を設ければ放電を抑制することができる。これにより、電極間を導電部材により分割しない場合には７ｍｍ必要な絶縁層の厚さ（総厚）を４ｍｍに低減することが可能となる。
本実施形態では、図５に示すように、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間、コレクタ端子２１Ｃと一方のゲート端子６１との間、エミッタ端子３１Ｅと他方のゲート端子６１との間に、それぞれ、フローティング端子５１、５２、５３が１本ずつ挿入されている。
【００５５】
この構造では、フローティング端子５１、５２、５３により、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅ間の領域の封止部材５０１の厚さ、コレクタ端子２１Ｃと一方のゲート端子６１間の領域の封止部材５０１の厚さ、エミッタ端子３１Ｅと他方のゲート端子６１間の領域の封止部材５０１の厚さが、それぞれ、２分割される。これにより、絶縁層の厚さを低減することができる。
一例として、仮に、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅ間における最小コロナ放電電圧を２．６ｋＶｐとすると、この領域の封止部材５０１の厚さは、フローティング端子５１が無い場合には７ｍｍ以上必要であるが、フローティング端子５１を設けることにより、２ｍｍ×２＝４ｍｍ以上であればよいこととなる。このことは、コレクタ端子２１Ｃと一方のゲート端子６１間の領域の封止部材５０１の厚さ、およびエミッタ端子３１Ｅと他方のゲート端子６１間の領域の封止部材５０１の厚さについても同様である。
【００５６】
さらに、図１１を参照すると、最小コロナ放電電圧が０．６５ｋＶｐでは、絶縁層の厚さｄfは、０．４ｍｍである。最小コロナ放電電圧が０．６５ｋＶｐは、最小コロナ放電電圧が２．６ｋＶｐの１／４であるから、絶縁層の厚さｄfを４分割すれば、各分割領域の最小コロナ放電電圧は０．６５ｋＶｐとなる。
例えば、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅ間に３つのフローティング端子５１を設けて、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅ間を４等分に分割すると、各分割領域間の端子間電圧は１／４となる。このコレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅ間を４等分に分割した構造では、フローティング端子５１が無い場合におけるコレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅ間における最小コロナ放電電圧が２．６ｋＶｐであれば、各分割領域における封止部材５０１の厚さを０．４ｍｍとすることができ、総厚で０．４×４＝１．６ｍｍとすることができる。
【００５７】
このことは、コレクタ端子２１Ｃと一方のゲート端子６１間の領域の封止部材５０１の厚さ、およびエミッタ端子３１Ｅと他方のゲート端子６１間の領域の封止部材５０１の厚さについても同様である。
つまり、電圧Ｖが印加される端子間に設けるフローティング端子５１〜５３の数が増加するほど、絶縁層の厚さを低減することができる。
絶縁層を薄肉化して端子の間隔を小さくすることで半導体装置の小型化ができ、また、これに伴い、インダクタンスが低くなり、電力変換装置の低損失化を達成することができる。
【００５８】
上記実施形態では、交流電力を伝達するエミッタ端子３１Ｅと直流電力を伝達するコレクタ端子２１Ｃとの間にフローティング端子５１を設けることにより、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃ間に印加される電圧Ｖが分割されるようにした。このため、コロナ放電開始電圧を高くでき、端子間距離を小さくできる。同様に、一方のゲート端子６１と交流電力を伝達するエミッタ端子３１Ｅとの間、および他方のゲート端子６１と直流電力を伝達するコレクタ端子２１Ｃとの間に、それぞれ、フローティング端子５２、５３を設けることで、端子間距離を小さくしている。これにより、半導体装置９００の小型化とインダクタンスの低下による損失の低減を図ることができる。フローティング端子５１、５２、５３は、それぞれ、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃの間、一方のゲート端子６１とエミッタ端子３１Ｅの間、および他方のゲート端子６１とコレクタ端子２１Ｃの間が等間隔になるように設置した方が系全体の最小コロナ放電開始電圧を高くできるため好ましい。
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例を図１２〜図１４を参照して説明する。
【００５９】
図１２は、図２に図示された半導体装置の製造方法を示し、最初の工程を示す斜視図であり、図１３は、図１２に続く工程を示す斜視図であり、図１４は、図１３に続く工程を示す斜視図である。
図１２に図示されるように、予め、コレクタ側導体２０１と絶縁層２１１および絶縁層２１１とメタライズ層２２１を、それぞれ接合し、コレクタ側実装部２２０を形成しておく。コレクタ側導体２０１と絶縁層２１１との接合および絶縁層２１１とメタライズ層２２１との接合は、例えば、ロウ材を用いて行う。
【００６０】
同様に、エミッタ側導体３０１と絶縁層３１１および絶縁層３１１とメタライズ層３２１を、それぞれ接合し、エミッタ側実装部３２０を形成しておく。エミッタ側導体３０１と絶縁層３１１との接合および絶縁層３１１とメタライズ層２２１との接合は、コレクタ側実装部２２０の場合と同様、例えば、ロウ材を用いて行う。
【００６１】
次に、コレクタ側導体２０１に、２つのＩＧＢＴ１０１のコレクタ電極１２１と２つのダイオード１１１のカソード電極を接合する。接合は、上述したように、はんだ材、微細金属粒子、酸化金属粒子を主体とした低温焼結接合材等を用いた金属接合により行うことことができる。
【００６２】
はんだ材には、封止部材５０１の硬化温度よりも融点が高い錫、ビスマス、亜鉛、金等が主成分であるはんだを用いることができる。微細金属粒子には、凝集保護材で被覆された銀や銅の微粒子であり、特に、凝集保護材ははんだ材と同等の低温で脱離可能なものが適用可能である。酸化金属粒子には、酸化銀や酸化銅等のはんだ材と同等の低温で還元可能な酸化金属が適用可能である。微細銀粒子および微細銅粒子、酸化銀、酸化銅粒子を用いた場合には、金属接合部は焼結銀や焼結銅層となる。接合は、水素や不活性雰囲気中で２００〜３５０℃に加熱して行う。
【００６３】
コレクタ側導体２０１にＩＧＢＴ１０１のコレクタ電極１２１とダイオード１１１のカソード電極を接合しておいてから、絶縁層２１１とメタライズ層２２１とをコレクタ側導体２０１に接合するようにしてもよい。上述したように、コレクタ側導体２０１と絶縁層２１１との間、および／またはエミッタ側導体３０１と絶縁層３１１との間に、低熱膨張で熱伝導率が高い金属粒子からなる複合層を設けてもよい。同様に、メタライズ層２２１と絶縁層２１１との間、および／またはメタライズ層３２１と絶縁層３１１との間に、低熱膨張で熱伝導率が高い金属粒子からなる複合層を設けてもよい。
【００６４】
図１２に図示されるように、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅ、フローティング端子５１、５２、５３、２つのゲート端子６１および２つのエミッタセンス端子７１は、タイバー７０１により連結されたリードフレーム７００として一体に形成しておく。リードフレーム７００に一体化されたコレクタ端子２１Ｃの、ＩＧＢＴ１０１、ダイオード１１１側である根元側端部をコレクタ側導体２０１に接合する。コレクタ端子２１Ｃとコレクタ側導体２０１との接合は、例えば、はんだ材や微細金属粒子、酸化金属粒子を主体とした低温焼結接合材等の金属接合により行う。フローティング端子５１、５２、５３は、コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅと一体化されているため、各端子間の位置精度を高めることができる。
【００６５】
また、図示はしないが、各ＩＧＢＴ１０１のゲート電極１６１と各ゲート端子６１とをボンディングワイヤにより接続する。同様に、各ＩＧＢＴ１０１のエミッタセンス電極１７１と各エミッタセンス端子７１とをボンディングワイヤにより接続する。ボンディングワイヤに用いるワイヤは、アルミニウム、銅等の、電気抵抗が小さい材料を用いる。
【００６６】
そして、図１３に図示されるように、エミッタ側実装部３２０のエミッタ側導体３０１を、２つのＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１３１および２つのダイオード１１１のアノード電極（図示せず）に接合する。また、リードフレーム７００に一体化されたエミッタ端子３１Ｅの根元側端部をエミッタ側導体３０１に接合する。エミッタ側導体３０１と、エミッタ電極１３１およびアノード電極との接合、並びにエミッタ側導体３０１とエミッタ端子３１Ｅとの接合は、それぞれ、コレクタ側実装部２２０側と同様、例えば、はんだ材や微細金属粒子、酸化金属粒子を主体とした低温焼結接合材等の金属接合により行う。
【００６７】
次に、図１４に図示されるように、ＩＧＢＴ１０１、ダイオード１１１を上下から挟み込んだコレクタ側実装部２２０とエミッタ側実装部３２０を封止部材５０１により封止する。封止部材５０１による封止は、例えば、トランスファーモールドにより行う。封止は、コレクタ側実装部２２０のメタライズ層２２１が、封止部材５０１の幅広面５０１ｂから露出し、エミッタ側実装部３２０のメタライズ層３２１が、封止部材５０１の幅広面５０１ａから露出するように行う。また、封止は、フローティング端子５１、５２、５３それぞれの外周が封止部材５０１の突出部５１１により覆われ、フローティング端子５１、５２、５３それぞれの先端面５４が、封止部材５０１の突出部５１１から露出するように行う。
【００６８】
封止部材５０１には、例えば、接着性のあるノボラック、多官能、ビフェニル、フェノール型のエポキシ樹脂系、ビスマレイミドトリアジン系、シアネートエステル系を基にした樹脂を用いることができる。これらの樹脂に、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＢＮなどのセラミックスやゲル、ゴムなどのフィラーを含有させることが好ましい。このようなフィラーを含有させることにより、熱膨張係数をＩＧＢＴ１０１やコレクタ側導体２０１、エミッタ側導体３０１に近づけて、熱膨張係数の差を低減する。これにより、使用環境時の温度上昇に伴って発生する熱応力が大幅に低下し、半導体装置９００の寿命を延ばすことが可能となる。
【００６９】
封止部材５０１に上述の樹脂を用いて封止する前に、コレクタ側導体２０１、エミッタ側導体３０１、絶縁層２１１、３１１、メタライズ層２２１、３２１、ＩＧＢＴ１０１およびダイオード１１１の外面、リードフレーム７００に一体に形成された各端子の外面および接合部に対して封止部材５０１と密着強度を向上する処理を施すことが好ましい。封止部材５０１と密着強度を向上する処理として、例えば、ポリアミドイミドやポリイミドなどの塗布膜を形成する方法が挙げられる。
【００７０】
この後、図１４に図示されたリードフレーム７００のタイバー７０１を切断し、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅ、フローティング端子５１、５２、５３、２つのゲート端子６１および２つのエミッタセンス端子７１を分離する。
そして、図２に図示されるように、コレクタ端子２１Ｃを、上方に向けて立ち上がる立ち上げ部１４１と、立ち上げ部１４１から垂直に屈曲された水平部１４２が形成されるように屈曲する。同様に、エミッタ端子３１Ｅを、下方に向けて屈曲された立ち下げ部１４３と、立ち下げ部１４３から垂直に屈曲された水平部１４４が形成されるように屈曲する。
これにより、図２に図示される半導体装置９００が得られる。
【００７１】
上記では、交流電力を伝達するエミッタ端子３１Ｅと直流電力を伝達するコレクタ端子２１Ｃとの間にフローティング端子５１を設けることで、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間の封止部材５０１の領域５１０Ａを、領域５１Ａと領域５１Ｂに２分割した。これにより、コロナ放電開始電圧を高くすることができ、封止部材５０１の厚さ、すなわち端子間距離を小さくすることができる。
【００７２】
同様に、一方のゲート端子６１と交流電力を伝達するエミッタ端子３１Ｅとの間にフローティング端子５２を設けることで、エミッタ端子３１Ｅとフローティング端子５２との間の封止部材５０１の領域５１０Ｂを、領域５２Ａと、領域５２Ｂに２分割した。また、コレクタ端子２１Ｃと他方のゲート端子６１との間にフローティング端子５３を設けることで、コレクタ端子２１Ｃとフローティング端子５３との間の封止部材５０１の領域５１０Ｃを、領域５３Ａと、領域５３Ｂに２分割した。このようにすることで、封止部材５０１の厚さ、すなわち端子間距離を一層小さくすることができる。
【００７３】
なお、上述した通り、コロナ放電による絶縁層の劣化は、交流電圧が印加される端子間の方が、直流電圧が印加される端子間よりも大きい。そこで、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃとの間、およびエミッタ端子３１Ｅと一方のゲート端子６１との間にフローティング端子５１、５２を設け、コレクタ端子２１Ｃと他方のゲート端子６１との間のフローティング端子５３は設けないようにしてもよい。
【００７４】
上記では、上アーム回路９０１を有する半導体装置９００について説明した。しかし、上述したように、下アーム回路９０２を有する半導体装置９００Ａは、各端子を、半導体装置９００に対応する部材に置き換えることで、半導体装置９００と同様な構造により形成することができる。
ここで、上アーム回路を有する半導体装置９００では、エミッタ端子３１Ｅが交流端子となる。このため、上アーム回路を有する半導体装置９００では、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃとの間、およびエミッタ端子３１Ｅと一方のゲート端子６１との間にフローティング端子５１、５２を設けることが必要である。
これに対し、下アーム回路を有する半導体装置９００Ａでは、コレクタ端子２２Ｃが交流端子となる。このため、下アーム回路を有する半導体装置９００Ａでは、エミッタ端子３２Ｅとコレクタ端子２２Ｃとの間、およびコレクタ端子２２Ｃと他方のゲート端子６１との間にフローティング端子５１、５３を設けることが必要である。
【００７５】
しかし、このようにすると、上アーム回路を有する半導体装置９００と下アーム回路を有する半導体装置９００Ａとは異なる形状となる。これに対し、上アーム回路９０１を有する半導体装置９００を、エミッタ端子３１Ｅとコレクタ端子２１Ｃとの間、エミッタ端子３１Ｅと一方のゲート端子６１との間、およびコレクタ端子２１Ｃと他方のゲート端子６１との間に、それぞれ、フローティング端子５１、５２、５３を有する構造とする。また、下アーム回路９０２を有する半導体装置９００Ａを、エミッタ端子３２Ｅとコレクタ端子２２Ｃとの間、エミッタ端子３２Ｅと一方のゲート端子６１との間、およびコレクタ端子２２Ｃと他方のゲート端子６１との間に、それぞれ、フローティング端子５１、５２、５３を有する構造とする。このようにすれば、半導体装置９００と半導体装置９００Ａとを同じ形状とすることができ、組立装置を同一にすることができ、また、組立能率を向上することができる。
【００７６】
上記実施形態によれば、下記の効果を奏する。
（１）半導体装置９００は、直流電力を交流電力に変換するＩＧＢＴ１０１（半導体素子）と、直流電力を伝達するコレクタ端子２１Ｃ（直流端子）と、交流電力を伝達するエミッタ端子３１Ｅ（交流端子）と、ＩＧＢＴ１０１、コレクタ端子２１Ｃの少なくとも一部およびエミッタ端子３１Ｅの少なくとも一部を封止する封止部材５０１と、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間に配置された、少なくとも１つのフローティング端子５１とを備える。このため、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間の領域の封止部材５０１が、フローティング端子５１により２分割以上に分割され、各端子間に印加される電圧が低減される。このため、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間の領域の封止部材５０１の厚さを小さくしてもコロナ放電の発生を抑制することが可能となり、半導体装置９００の小型化を図ることができる。また、半導体装置９００の小型化に伴い、インダクタンスが低くなり、電力変換装置の低損失化ができる効果がある。
【００７７】
（２）半導体装置の製造方法は、コレクタ端子２１Ｃ（直流端子）およびエミッタ端子３１Ｅ（交流端子）を、直流電力を交流電力に変換するＩＧＢＴ１０１（半導体素子）に、それぞれ、接続することと、ＩＧＢＴ１０１、並びに、コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅそれぞれの少なくとも一部を封止部材５０１により封止することと、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間に、少なくとも１つのフローティング端子５１を設けることとを有する。このため、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間の領域の封止部材５０１が、フローティング端子５１により２分割以上に分割され、各端子間に印加される電圧が低減される。このため、コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３１Ｅとの間の領域の封止部材５０１の厚さを小さくしてもコロナ放電の発生を抑制することが可能となり、半導体装置９００の小型化を図ることができる。また、半導体装置９００の小型化に伴い、インダクタンスが低くなり、電力変換装置の低損失化ができる効果がある。
【００７８】
（３）上記半導体装置の製造方法において、フローティング端子５１を設けることは、フローティング端子５１がコレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅと一体化されたリードフレーム７００を形成することと、リードフレーム７００のコレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅおよびフローティング端子５１の一部を封止部材５０１により封止することと、リードフレーム７００を切断して、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅおよびフローティング端子５１を分離することと、を含む。フローティング端子５１、コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅがリードフレーム７００として一体化された状態で封止されるので、各端子の位置精度を向上することができる。
【００７９】
−第２の実施形態−
図１５は、本発明の半導体装置の第２の実施形態を示す外観斜視図であり、図１６は、図１５に図示された半導体装置の上面側から、エミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
第２の実施形態の半導体装置９００は、上アーム回路９０１と下アーム回路９０２を有する２in １パワー半導体モジュールである。
すなわち、第２の実施形態の半導体装置９００は、ＩＧＢＴ１０１、１０２、ダイオード１１１、１１２、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３２Ｅ、エミッタ端子３１Ｅ（コレクタ端子２２Ｃ）、ゲート端子６１、６２およびエミッタセンス端子７１、７２を有する。図１に図示されるように、ＩＧＢＴ１０１は、ゲート電極１６１、コレクタ電極１２１、エミッタ電極１３１およびエミッタセンス電極１７１を有し、ＩＧＢＴ１０２は、ゲート電極１６２、コレクタ電極１２２、エミッタ電極１３２およびエミッタセンス電極１７２を有する。エミッタ端子３１Ｅは、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１３１およびＩＧＢＴ１０２のコレクタ電極１２２に接続されており、コレクタ端子２２Ｃでもあるが、以下では、エミッタ端子３１Ｅと呼称する。
【００８０】
封止部材５０１の側面５０１ｃから、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３２Ｅ、エミッタ端子３１Ｅ（コレクタ端子２２Ｃ）、ゲート端子６１、６２およびエミッタセンス端子７１、７２が突出している。
【００８１】
図１６に図示されるように、ＩＧＢＴ１０１のコレクタ電極１２１およびダイオード１１１のカソード電極は、コレクタ側導体２０１に接合され、ＩＧＢＴ１０２のコレクタ電極１２２、およびダイオード１１２のカソード電極は、コレクタ側導体２０２に接合されている。コレクタ端子２１Ｃの一端は、コレクタ側導体２０１に接合されている。コレクタ端子２１Ｃの他端には、バッテリ８０２とコンデンサモジュール８０１の正極側コンデンサ端子８１１が接続される。
【００８２】
コレクタ側導体２０１に対向して、図２と同様に、エミッタ側導体３０１が設けられている。図示はしないが、コレクタ側導体２０２に対向してエミッタ側導体３０２が設けられている。エミッタ側導体３０１とコレクタ側導体２０２とは、コレクタ側導体２０２の端部をエミッタ側導体３０１に向けて屈曲した中間導体２０２ａにより電気的に接続されている。
ＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１３１およびダイオード１１１のアノード電極はエミッタ側導体３０１に接合されている。ＩＧＢＴ１０２のエミッタ電極１３２およびダイオード１１２のアノード電極は、エミッタ側導体３０２（図示せず）に接合されている。
【００８３】
エミッタ端子３２Ｅのダイオード１１１側の根元側端部は、エミッタ側導体３０１とは絶縁されており、エミッタ側導体３０２側に延在され、延在された先端部３２Ｅ１がエミッタ側導体３０２に接合されている。エミッタ端子３２Ｅの他端には、バッテリ８０２とコンデンサモジュール８０１の負極側コンデンサ端子８１２が接続される。
エミッタ端子３１Ｅの一端は、コレクタ側導体２０２に接合されている。エミッタ側導体３０１とコレクタ側導体２０２とは、中間導体２０２ａにより接続されているため、エミッタ端子３１Ｅの一端は、エミッタ側導体３０１にも電気的に接続されている。
エミッタ端子３１Ｅの他端には、モータジェネレータ４００に電気的に接続される交流端子４１（図１参照）が接続される。
なお、コレクタ側導体２０２およびエミッタ側導体３０２は、図１の回路図に図示されている。
【００８４】
コレクタ端子２１Ｃの、エミッタ端子３２Ｅの反対側には、ゲート端子６１およびエミッタセンス端子７１が設けられている。エミッタ端子３１Ｅの、エミッタ端子３２Ｅの反対側には、ゲート端子６２およびエミッタセンス端子７２が設けられている。
図示はしないが、ＩＧＢＴ１０１のゲート電極１６１およびエミッタセンス電極１７１は、それぞれ、ゲート端子６１およびエミッタセンス端子７１に、ボンディングワイヤにより接続されている。また、ＩＧＢＴ１０２のゲート電極１６２よびエミッタセンス電極１７２は、それぞれ、ゲート端子６２およびエミッタセンス端子７２に、ボンディングワイヤにより接続されている。
【００８５】
エミッタ端子３２Ｅとエミッタ端子３１Ｅとの間にフローティング端子５１が設けられている。エミッタ端子３１Ｅとゲート端子６２の間にフローティング端子５２が設けられている。フローティング端子５１、５２は、コレクタ側導体２０１、２０２およびエミッタ側導体３０１、３０２（図示せず）のいずれにも接続されず、また、接地部にも接続されておらず、電気的に浮いた状態となっている。
【００８６】
コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３２Ｅ、エミッタ端子３１Ｅ、ゲート端子６１、６２およびエミッタセンス端子７１、７２は、一部が封止部材５０１により封止され、先端部を含む残りの部分が一方の側面５０１ｃから露出されている。
コレクタ端子２１Ｃとエミッタ端子３２Ｅとの間、エミッタ端子３２Ｅとエミッタ端子３１Ｅとの間、エミッタ端子３１Ｅとゲート端子６２と間には、封止部材５０１の突出部５１１が設けられている。フローティング端子５１、５２は、突出部５１１により外周を覆われている。但し、フローティング端子５１、５２の先端面５４は、突出部５１１から露出している。
第２の実施形態における他の構造は、第１の実施形態と同様である。
【００８７】
第２の実施形態の半導体装置９００においても、交流端子であるエミッタ端子３１Ｅと直流端子であるエミッタ端子３２Ｅとの間、および交流端子であるエミッタ端子３１Ｅとゲート端子６２との間、それぞれに、フローティング端子５１、５２が設けられている。
従って、実施形態２においても、実施形態１と同様な効果を奏する。
また、実施形態２は、上下アーム回路が一体化された２ in １の半導体装置であるので、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００８８】
−第３の実施形態−
図１７は、本発明の半導体装置の第３の実施形態を示し、半導体装置の上面側から、エミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
第３の実施形態の半導体装置９００は、第１の実施形態に対し、フローティング端子５１、５２、５３それぞれの先端面５４が、封止部材５０１の突出部５１１により覆われている点で相違する。また、第３の実施形態の半導体装置９００は、各フローティング端子５１、５２、５３の根元側端部に接続されるフローティング電極５３０を有する点でも第１の実施形態と相違する。
これ以外の構造は、第１の実施形態と同様である。
【００８９】
第３の実施形態の半導体装置９００では、フローティング端子５１、５２、５３それぞれの先端面５４が、封止部材５０１の突出部５１１により覆われており、外部に露出していない。このため、ゲート端子６１、エミッタセンス端子７１、コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅ間、相互の沿面距離を大きくすることができる。これにより、絶縁の信頼性を確保することができる。
【００９０】
また、第３の実施形態の半導体装置９００では、フローティング端子５１、５２、５３それぞれの根元側端部に接続されるフローティング電極５３０を有する。各フローティング電極５３０は、絶縁層２１１に固定されており、コレクタ側導体２０１およびエミッタ側導体３０１（図４参照）から絶縁され、また、接地部とも絶縁されており、いわゆる、電気的に浮いた状態となっている。
この半導体装置を製造するには、フローティング端子５１、５２、５３を、リードフレーム７００とは別部材として形成しておき、フローティング端子５１、５２、５３の根元側端部をフローティング電極５３０に接合した状態で、封止部材５０１により、封止する製造方法を採用することができる。
【００９１】
上記では、フローティング電極５３０をコレクタ側実装部２２０の絶縁層２１１に設けた構造として例示した。しかし、フローティング電極５３０をエミッタ側実装部３２０の絶縁層３１１に設けてもよい。
【００９２】
フローティング端子５１、５２、５３の高さ（上下方向の長さ）は、エミッタ端子３１Ｅ、コレクタ端子２１Ｃ、ゲート端子６１等の他の端子の高さよりも大きいことが好ましい。フローティング端子５１、５２、５３の高さが他の端子の高さよりも小さいと、他の端子には、フローティング端子５１、５２、５３に対向しない領域が存在することになり、電圧が分担されない部分が生じるからである。第３の実施形態では、上述したように、フローティング端子５１、５２、５３を端子とは別部材として形成しておき、封止を行うことができるため、フローティング端子５１、５２、５３の高さを他の端子の高さより大きくすることができる。
【００９３】
第３の実施形態の半導体装置９００においても、交流端子であるエミッタ端子３１Ｅと直流端子であるコレクタ端子２１Ｃとの間に、フローティング端子５１が設けられている。また、エミッタ端子３１Ｅとゲート端子６１との間、およびコレクタ端子２１Ｃとの間に、それぞれに、フローティング端子５２、５３が設けられている。
従って、実施形態３においても、実施形態１と同様な効果を奏する。
【００９４】
−第４の実施形態−
図１８は、本発明の半導体装置の第４の実施形態を示し、半導体装置の上面側から、エミッタ側実装部を透過してみた平面図である。
第４の実施形態の半導体装置９００は、第１の実施形態とは、各フローティング端子５１、５２、５３それぞれを覆う封止部材５５１、５５２、５５３を、封止部材５０１とは異なる材料により形成した点で相違する。
この構造では、予め、各フローティング端子５１、５２、５３それぞれを封止部材５５１，５５２、５５３により覆っておき、封止部材５０１により封止する際、各フローティング端子５１、５２、５３が一体化された封止部材５５１、５５２、５５３を封止部材５０１に一体化する製造方法を採用することが可能となる。
【００９５】
従って、各フローティング端子５１、５２、５３を封止部材５５１、５５２、５５３により覆った状態で、封止部材５０１と一体化する前に、封止部材５５１、５５２，５５３中にボイド等の欠陥部の有無、または欠陥部の大きさを検査することができる。これにより、封止部材５０１と一体化する前に不良品を外すことが可能となるので、歩留まりを向上することができる。
【００９６】
図８に示すように、コロナ放電開始電圧は、絶縁層の誘電率εが低い程、高くなる。このため、各フローティング端子５１、５２、５３を封止する封止部材５５１、５５２、５５３の誘電率を封止部材５０１の誘電率よりも小さいものとすることが好ましい。すなわち、第４の実施形態では、各フローティング端子５１、５２、５３を封止する封止部材５５１、５５２、５５３の誘電率を封止部材５０１の誘電率よりも小さいものとすることが可能である。封止部材５５１、５５２、５５３の誘電率は、同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００９７】
第４の実施形態の他の構成は、第１の実施形態と同様である。従って、第４の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を奏する。
また、第４の実施形態では、各フローティング端子５１、５２、５３を封止する封止部材５５１、５５２、５５３の誘電率を封止部材５０１の誘電率よりも小さいものとすることにより、コロナ放電開始電圧を高くすることができるという効果もある。
【００９８】
なお、第４の実施形態において、各フローティング端子５１、５２、５３を封止した封止部材５５１、５５２、５５３を、リードフレーム７００に、かしめ等により固定した状態で、封止部材５０１と一体化することもできる。
また、第４の実施形態において、第３の実施形態と同様に、フローティング電極５３０を絶縁層２１１又は絶縁層３１１に設けておき、各フローティング端子５１、５２、５３をの根元側端部を封止部材５５１、５５２、５５３から露出させ、この露出部分をフローティング電極５３０に接合する構造とすることもできる。このような構造とすることにより、各端子の位置精度を高めることができる。
【００９９】
第４の実施形態において、フローティング端子５１、５２、５３を封止部材５５１、５５２、５５３内に形成する方法として、フローティング端子５１、５２、５３をインサート部材とするインサート成型による方法を採用することができる。また、厚さが最終品の半分の封止部材５５１、５５２、５５３の一面に、めっき法によりフローティング端子５１、５２、５３を形成し、その後、フローティング端子５１、５２、５３を覆って封止部材５５１、５５２、５５３の残りの部分で封止する方法でもよい。あるいは、金属箔をプリプレグに固着し、金属箔が固着されたプリプレグを積層する方法でも良い。
【０１００】
−第５の実施形態−
図１９は、本発明の半導体装置の第５の実施形態を示す外観斜視図である。
第５の実施形態の半導体装置９００は、第１の実施形態に対し、フローティング端子５１、５２、５３の封止部材５０１から突出する長さを、コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅの封止部材５０１から突出する長さと同じか、それより大きくした点が相違する。
すなわち、第５の実施形態の半導体装置９００は、フローティング端子５１、５２、５３の先端面がコレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅの先端面よりも突出している。
また、コレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅは、直線状に形成されており、第１の実施形態のように、上方向または下方向に屈曲される屈曲部を有していない。
【０１０１】
フローティング端子５１、５２、５３と、コレクタ端子２１Ｃやエミッタ端子３１Ｅとの沿面距離および空間距離を大きくする必要がなければ、このような構造を採用して組立ての能率を向上することができる。
第５の実施形態の他の構成は、第１の実施形態と同様である。従って、第５の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を奏する。
【０１０２】
−第６の実施形態−
図２０は、本発明の半導体装置の第６の実施形態を示す外観斜視図である。
第６の実施形態の半導体装置９００は、第１の実施形態におけるコレクタ端子２１Ｃおよびエミッタ端子３１Ｅを屈曲部を有していない平板状部材とし、コレクタ端子２１Ｃ上およびエミッタ端子３１Ｅ上に、Ｌ字形状に屈曲された接続材８１Ａ、４１Ａを接合した構造を有する。
第６の実施形態の他の構成は、第１の実施形態と同様である。従って、第５の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を奏する。
なお、第６の実施形態は、第５の実施形態に示す半導体装置９００の完成後に形成することができる。
【０１０３】
−第７の実施形態−
図２１は、本発明の半導体装置の第７の実施形態を示す外観斜視図である。
第７の実施形態の半導体装置９００は、第６の実施形態に対し、コレクタ端子２１Ｃ、エミッタ端子３１Ｅ、フローティング端子５１、５２、５３全体を封止部材５０２により封止した構造を有する。封止部材５０２は、２つのゲート端子６１および２つのエミッタセンス端子７１それぞれの先端側を露出して、他の部分を封止している。
第７の実施形態における他の構成は、第６の実施形態と同様である。
なお、第７の実施形態は、第６の実施形態の半導体装置９００を完成後に形成することができる。
【０１０４】
第７の実施形態においても、直流端子であるコレクタ端子２１Ｃに接続される接続材８１Ａと交流端子であるエミッタ端子３１Ｅに接続される接続材４１Ａの間にフローティング端子５１が設けられている。また、接続材４１Ａと一方のゲート端子６１の間および接続材８１Ａと他方のゲート端子６２の間には、それぞれ、フローティング端子５２、５３が設けられている。
従って、第７の実施形態にいても、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１０５】
第７の実施形態において、封止部材５０２の誘電率を、封止部材５０１の誘電率よりも小さくすることができる。このようにすることにより、第４の実施形態に関して説明したように、コロナ放電開始電圧を高くすることができる。従って、第７の実施形態においても、封止部材５０２の厚さを小さくすることができ、端子間隔を縮小することができる。また、これに伴い、半導体装置９００の小型化およびインダクタンスの低減による損失の低減を図ることができる。
また、コロナ放電開始電圧が高くなることで、ＩＧＢＴ１０１、１０２のコレクタ電極１２１、１２２やエミッタ電極１３１、１３２にそれぞれ接続されるコレクタ端子２１Ｃやエミッタ端子３１Ｅの位置ずれ誤差の許容公差を大きくすることができ、組立て効率を向上することができる。
【０１０６】
また、第７の実施形態では、コレクタ端子２１Ｃに接合された接続材８１Ａは、上方に向けて延在されており、エミッタ端子３１Ｅに接合された接続材４１Ａは、下方に向けて延在されている。このため、第１の実施形態と同様、端子間の沿面距離を大きくすることができる。
【０１０７】
なお、第３の実施形態〜第７の実施形態は、上アーム回路９０１を有する半導体装置９００として例示したが、第３の実施形態〜第７の実施形態は、いずれも、下アーム回路９０２を有する半導体装置９００Ａとすることが可能である。
また、第３の実施形態〜第７の実施形態は、第２の実施形態として示す、上アーム回路９０１および下アーム回路９０２を有する、２ in １回路の半導体装置９００とすることができる。
【０１０８】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。上記した各実施形態や変形例を組み合わせたり、適宜、変形したりして適用することもできる。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【０１０９】
２１Ｃ    コレクタ端子（直流端子）
２２Ｃ    コレクタ端子（交流端子）
３１Ｅ    エミッタ端子（交流端子）
３２Ｅ    エミッタ端子（直流端子）
４１Ａ    接続材（交流端子部材）
５１、５２、５３      フローティング端子
５４      先端面
６１、６２      ゲート端子（制御端子）
８１Ａ    接続材（直流端子部材）
１０１、１０２      ＩＧＢＴ（半導体素子）
１１１、１１２      ダイオード
１６１、１６２      ゲート電極（制御電極）
１６２      ゲート電極
１７０      制御部
２０１、２０２      コレクタ側導体
２１１      絶縁層
２２０      コレクタ側実装部
３１１      絶縁層
３２０      エミッタ側実装部
５０１、５０２      封止部材
５１１      突出部
５３０      フローティング電極
５５１、５５２、５５３      封止部材
７００      リードフレーム
８０１      コンデンサモジュール
８０２      バッテリ
９００、９００Ａ      半導体装置
９０１      上アーム回路
９０２      下アーム回路
【図１】
2020174160.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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