(57)【要約】【課題】好適な半導体デバイスの取得を可能とするレーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法を提供する。【解決手段】ＧａＮウェハ３０の表面３０ａからＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射することにより、ＧａＮウェハ３０の内部において表面３０ａに対向する仮想面１５に沿って、複数の改質スポット１３を形成する第１工程と、第１工程の後に、ＧａＮウェハ３０に対して、エピタキシャル成長によって半導体デバイスのための半導体層７０を形成する第２工程と、を備えるレーザ加工方法。【選択図】図３７
2020102521.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの内部において前記半導体ウェハの表面に対向する仮想面に沿って、前記半導体ウェハを切断するためのレーザ加工方法であって、
前記表面から前記半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、前記半導体ウェハの内部において前記仮想面に沿って、複数の改質スポットを形成する第１工程と、
前記第１工程の後に、前記半導体ウェハに対して、エピタキシャル成長によって半導体デバイスのための半導体層を形成する第２工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項２】
前記第２工程の後に、前記表面に交差する方向からみて集光点が前記改質スポットに重ならないように、前記半導体ウェハにおける前記半導体層が形成された面と異なる面から前記半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、前記仮想面に渡る亀裂を形成する第３工程を備える、
請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
前記半導体ウェハは、ガリウムを含み、
前記第１工程においては、前記表面から前記半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、前記複数の改質スポット、及び、前記複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む複数の析出領域を形成し、
前記第３工程においては、前記仮想面におけるエネルギーが前記半導体ウェハの加工閾値を下回るように前記半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、前記析出領域を拡大し、前記仮想面に渡る亀裂を形成する、
請求項２に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記第２工程においては、前記エピタキシャル成長のための前記半導体ウェハの加熱によって、前記複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂を進展させることにより、前記仮想面に渡る亀裂を形成する、
請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
前記第１工程においては、前記半導体ウェハに対して、前記複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂の進展を阻む周縁領域を設ける、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
前記第１工程と前記第２工程との間において、前記半導体ウェハの透過率を測定する第４工程と、
前記第４工程と前記第２工程との間において、前記第４工程において測定された透過率が基準値よりも高いか否かを判定する第５工程と、
をさらに備え、
前記第５工程の判定の結果、当該透過率が基準値よりも高い場合には、前記第１工程を再び実施する、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
前記第１工程においては、前記複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂が互いに繋がらないように、前記複数の改質スポットを形成する、
請求項１〜６のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
【請求項８】
前記第１工程においては、パルス発振されたレーザ光の集光点を前記仮想面に沿って移動させることにより、前記複数の改質スポットとして複数列の改質スポットを形成し、
前記第３工程においては、パルス発振されたレーザ光の集光点を前記複数列の改質スポットの列間において前記仮想面に沿って移動させる、
請求項２又は３に記載のレーザ加工方法。
【請求項９】
前記半導体ウェハは、窒化ガリウムを含む、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のレーザ加工方法を実施する工程と、
前記仮想面に渡る亀裂を境界として前記半導体ウェハから複数の半導体デバイスを取得する工程と、
を備える半導体デバイス製造方法。
【請求項１１】
前記仮想面は、前記表面に沿った方向に並ぶように複数設定されている、
請求項１０に記載の半導体デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体インゴット等の半導体対象物にレーザ光を照射することにより、半導体対象物の内部に改質領域を形成し、改質領域から延びる亀裂を進展させることによって、半導体対象物から半導体ウェハ等の半導体部材を切り出す加工方法が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１８３６００号公報
【特許文献２】特開２０１７−０５７１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、改質領域から延びる亀裂を進展させて半導体部材から不要部分を剥離する（切り出す）ことにより、半導体部材を薄化する要求がある。薄化の対象となる半導体部材は、後に切り出される半導体デバイスのためのエピタキシャル成長層を含む場合がある。この場合、半導体部材の内部に改質領域を形成するためにレーザ光を照射すると、その漏れ光によってエピタキシャル成長層にダメージが生じ、半導体デバイスの品質が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、好適な半導体デバイスの取得を可能とするレーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るレーザ加工方法は、半導体ウェハの内部において前記半導体ウェハの表面に対向する仮想面に沿って、半導体ウェハを切断するためのレーザ加工方法であって、表面から半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、仮想面に沿って、複数の改質スポットを形成する第１工程と、第１工程の後に、半導体ウェハに対して、エピタキシャル成長によって半導体デバイスのための半導体層を形成する第２工程と、を備える。
【０００７】
この方法においては、エピタキシャル成長による半導体デバイスのための半導体層の形成に先立って、レーザ光の照射によって半導体ウェハの内部に改質スポットを形成する。したがって、改質スポットの形成に際して半導体層に対してダメージが生じ得ない。よって、当該改質スポットから延びる亀裂を進展させて半導体ウェハを仮想面に沿って切断（例えば剥離）することにより、ダメージが抑制された好適な半導体デバイスが取得可能である。
【０００８】
本発明に係るレーザ加工方法は、第２工程の後に、表面に交差する方向からみて集光点が改質スポットに重ならないように、半導体ウェハにおける半導体層が形成された面と異なる面から半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、仮想面に渡る亀裂を形成する第３工程を備えてもよい。このように、レーザ光の照射によって、剥離の起点となる仮想面に沿った亀裂を形成してもよい。なお、この場合であっても、半導体層の形成に先立って改質スポットを形成しているので、全てのレーザ加工を半導体層の形成の後に行う場合と比較して、半導体層へのダメージが抑制される。
【０００９】
ここで、本発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討を進めるなかで、次のような問題点を見出した。すなわち、上記のように、レーザ光の照射によって半導体ウェハの内部の仮想面に沿って改質スポットを形成すると共に、当該改質スポットから延びる亀裂を進展させて半導体ウェハから半導体デバイスを切り出す（剥離する）場合を検討すると、剥離された面の凹凸を減らしてより好適な半導体デバイスを取得すためには、レーザ光の仮想面でのエネルギーを低減することが有効である一方で、レーザ光の仮想面でのエネルギーが低すぎると、改質スポット及び亀裂を生じさせることができなくなる。
【００１０】
本発明者は、このような問題点に着目し、さらなる検討を進めることにより、以下の知見を得るに至った。すなわち、まず、ガリウムを含む半導体ウェハにレーザ光を照射することにより、仮想面に沿って、複数の改質スポットと、それらの複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む析出領域と、を形成する。そうすると、後の工程においてレーザ光を再度照射するときに、レーザ光の集光点が予め形成された改質スポットが重ならないようにすると共に、仮想面におけるレーザ光のエネルギーを半導体ウェハの加工閾値を下回るほど低下させても、予め形成されたガリウムを含む領域を拡大させることができる。その結果、仮想面に渡る亀裂を形成して半導体ウェハを剥離したときに、剥離された面の凹凸を低減できる。次の発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
【００１１】
すなわち、本発明に係るレーザ加工方法においては、半導体ウェハは、ガリウムを含み、第１工程においては、表面から半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、複数の改質スポット、及び、複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む複数の析出領域を形成し、第３工程においては、仮想面におけるエネルギーが半導体ウェハの加工閾値を下回るように半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、析出領域を拡大し、仮想面に渡る亀裂を形成してもよい。
【００１２】
この場合、まず、ガリウムを含む半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、レーザ光の入射面である表面に対向する仮想面に沿って、複数の改質スポット、及び、析出されたガリウムを含む複数の析出領域を形成する。そして、後の工程において、集光点が改質スポットに重ならないように、且つ、仮想面におけるエネルギーが半導体ウェハの加工閾値を下回るように、半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより析出領域を拡大し、仮想面に渡る亀裂を形成する。この結果、上記知見のとおり、仮想面に渡る亀裂を境界とした剥離により、凹凸の低減された好適な半導体デバイスを得ることが可能となる。
【００１３】
本発明に係るレーザ加工方法においては、第２工程においては、エピタキシャル成長のための半導体ウェハの加熱によって、複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂を進展させることにより、仮想面に渡る亀裂を形成してもよい。この場合、半導体層の形成と、仮想面に渡る亀裂の形成とを、同時に行うことが可能となる。
【００１４】
本発明に係るレーザ加工方法においては、第１工程においては、半導体ウェハに対して、複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂の進展を阻む周縁領域を設けてもよい。この場合、第２工程でのエピタキシャル成長の際に、仮想面に渡る亀裂が意図せずに形成されて剥離が生じることが抑制される。
【００１５】
本発明に係るレーザ加工方法は、第１工程と第２工程との間において、半導体ウェハの透過率を測定する第４工程と、第４工程と第２工程との間において、第４工程において測定された透過率が基準値よりも高いか否かを判定する第５工程と、をさらに備え、第５工程の判定の結果、当該透過率が基準値よりも高い場合には、第１工程を再び実施してもよい。この場合、半導体層を形成する第２工程に先立って、半導体ウェハの内部に十分に改質スポットを形成できる。
【００１６】
本発明に係るレーザ加工方法においては、第１工程においては、複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂が互いに繋がらないように、複数の改質スポットを形成してもよい。この場合、後のレーザ光の照射の際に、レーザ光の集光点を、改質スポットのみならず、改質スポットから延びる亀裂に重ならないようにできる。この結果、後のレーザ光の照射の際に、意図しない位置に新たな改質スポットや亀裂やガリウムの析出した領域が形成されることを避けることが可能となる。すなわち、より好適な半導体部材を得ることが可能となる。
【００１７】
本発明に係るレーザ加工方法においては、第１工程においては、パルス発振されたレーザ光の集光点を仮想面に沿って移動させることにより、複数の改質スポットとして複数列の改質スポットを形成し、第３工程においては、パルス発振されたレーザ光の集光点を複数列の改質スポットの列間において仮想面に沿って移動させてもよい。この場合、複数の改質スポットに対して第３工程でのレーザ光の集光点が重なるのを確実に防止できる。
【００１８】
本発明に係るレーザ加工方法においては、半導体ウェハは、窒化ガリウムを含んでもよい。この場合、ガリウムの析出と共に生じた窒素ガスの圧力（内圧）を利用して、仮想面に渡る亀裂を容易に形成することができる。
【００１９】
本発明に係る半導体デバイス製造方法は、上記のいずれかのレーザ加工方法を実施する工程と、仮想面に渡る亀裂を境界として半導体ウェハから複数の半導体デバイスを取得する工程と、を備える。この方法は、上記のレーザ加工方法を実施する。よって、同様の理由から、好適な半導体デバイスの取得が可能である。
【００２０】
本発明に係る半導体デバイス製造方法においては、仮想面は、表面に沿った方向に並ぶように複数設定されていてもよい。この場合、１つの半導体ウェハから複数の半導体デバイスの取得が可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、好適な半導体デバイスの取得を可能とするレーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】レーザ加工装置の構成図である。
【図２】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の対象物であるＧａＮインゴットの側面図である。
【図３】図２に示されるＧａＮインゴットの平面図である。
【図４】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の縦断面図である。
【図５】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の横断面図である。
【図６】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の縦断面図である。
【図７】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の横断面図である。
【図８】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の縦断面図である。
【図９】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の横断面図である。
【図１０】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の縦断面図である。
【図１１】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの一部分の横断面図である。
【図１２】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの側面図である。
【図１３】第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの側面図である。
【図１４】一例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＧａＮウェハの剥離面の画像である。
【図１５】図１４に示される剥離面の高さプロファイルである。
【図１６】他の例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＧａＮウェハの剥離面の画像である。
【図１７】図１６に示される剥離面の高さプロファイルである。
【図１８】一例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法による剥離面の形成原理を説明するための模式図である。
【図１９】他の例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法による剥離面の形成原理を説明するための模式図である。
【図２０】一例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の途中で形成された亀裂の画像である。
【図２１】他の例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の途中で形成された亀裂の画像である。
【図２２】比較例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像である。
【図２３】第１実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像である。
【図２４】第２実施例及び第３実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像である。
【図２５】第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の対象物であるＧａＮウェハの平面図である。
【図２６】第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの一部分の側面図である。
【図２７】第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの一部分の側面図である。
【図２８】第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程における半導体デバイスの側面図である。
【図２９】比較例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＳｉＣウェハの亀裂の画像である。
【図３０】実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＳｉＣウェハの亀裂の画像である。
【図３１】実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＳｉＣウェハの剥離面の画像である。
【図３２】図３１に示される剥離面の高さプロファイルである。
【図３３】変形例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの平面図である。
【図３４】変形例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の一工程におけるＧａＮインゴットの平面図である。
【図３５】レーザ加工装置の構成図である。
【図３６】実施形態のレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの一部分の縦断面図である。
【図３７】実施形態のレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの一部分の横断面図である。
【図３８】実施形態のレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの一部分の縦断面図である。
【図３９】実施形態のレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法の一工程におけるＧａＮウェハの一部分の横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照した詳細な説明が提供される。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
［レーザ加工装置の構成］
【００２４】
図１に示されるように、レーザ加工装置１は、ステージ２と、光源３と、空間光変調器４と、集光レンズ５と、制御部６と、を備えている。レーザ加工装置１は、対象物１１にレーザ光Ｌを照射することにより、対象物１１に改質領域１２を形成する装置である。以下、第１水平方向をＸ方向といい、第１水平方向に垂直な第２水平方向をＹ方向という。また、鉛直方向をＺ方向という。
【００２５】
ステージ２は、例えば対象物１１に貼り付けられたフィルムを吸着することにより、対象物１１を支持する。本実施形態では、ステージ２は、Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれに沿って移動可能である。また、ステージ２は、Ｚ方向に平行な軸線を中心線として回転可能である。
【００２６】
光源３は、例えばパルス発振方式によって、対象物１１に対して透過性を有するレーザ光Ｌを出力する。空間光変調器４は、光源３から出力されたレーザ光Ｌを変調する。空間光変調器４は、例えば反射型液晶（ＬＣＯＳ：Liquid  Crystal  on  Silicon）の空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial  Light  Modulator）である。集光レンズ５は、空間光変調器４によって変調されたレーザ光Ｌを集光する。本実施形態では、空間光変調器４及び集光レンズ５は、レーザ照射ユニットとして、Ｚ方向に沿って移動可能である。
【００２７】
ステージ２に支持された対象物１１の内部にレーザ光Ｌが集光されると、レーザ光Ｌの集光点Ｃに対応する部分においてレーザ光Ｌが特に吸収され、対象物１１の内部に改質領域１２が形成される。改質領域１２は、密度、屈折率、機械的強度、その他の物理的特性が周囲の非改質領域とは異なる領域である。改質領域１２としては、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域等がある。
【００２８】
一例として、ステージ２をＸ方向に沿って移動させ、対象物１１に対して集光点ＣをＸ方向に沿って相対的に移動させると、複数の改質スポット１３がＸ方向に沿って１列に並ぶように形成される。１つの改質スポット１３は、１パルスのレーザ光Ｌの照射によって形成される。１列の改質領域１２は、１列に並んだ複数の改質スポット１３の集合である。隣り合う改質スポット１３は、対象物１１に対する集光点Ｃの相対的な移動速度及びレーザ光Ｌの繰り返し周波数によって、互いに繋がる場合も、互いに離れる場合もある。
【００２９】
制御部６は、ステージ２、光源３、空間光変調器４及び集光レンズ５を制御する。制御部６は、プロセッサ、メモリ、ストレージ及び通信デバイス等を含むコンピュータ装置として構成されている。制御部６では、メモリ等に読み込まれたソフトウェア（プログラム）が、プロセッサによって実行され、メモリ及びストレージにおけるデータの読み出し及び書き込み、並びに、通信デバイスによる通信が、プロセッサによって制御される。これにより、制御部６は、各種機能を実現する。
［第１例に係るレーザ加工方法及び半導体部材製造方法］
【００３０】
ここでは、対象物１１は、図２及び図３に示されるように、窒化ガリウム（ＧａＮ）によって例えば円板状に形成されたＧａＮインゴット（半導体インゴット、半導体対象物）２０である。一例として、ＧａＮインゴット２０の直径は２ｉｎであり、ＧａＮインゴット２０の厚さは２ｍｍである。第１実施形態のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法は、ＧａＮインゴット２０から複数のＧａＮウェハ（半導体ウェハ、半導体部材）３０を切り出すために実施される。一例として、ＧａＮウェハ３０の直径は２ｉｎであり、ＧａＮウェハ３０の厚さは１００μｍである。
【００３１】
まず、上述したレーザ加工装置１が、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を形成する。複数の仮想面１５のそれぞれは、ＧａＮインゴット２０の内部においてＧａＮインゴット２０の表面２０ａに対向する面であり、表面２０ａに対向する方向に並ぶように設定されている。ここでは、複数の仮想面１５のそれぞれは、表面２０ａに平行な面であり、例えば円形状を呈している。複数の仮想面１５のそれぞれは、表面２０ａ側から見た場合に互いに重なるように設定されている。ＧａＮインゴット２０には、複数の仮想面１５のそれぞれを囲むように複数の周縁領域１６が設定されている。つまり、複数の仮想面１５のそれぞれは、ＧａＮインゴット２０の側面２０ｂに至っていない。一例として、隣り合う仮想面１５間の距離は１００μｍであり、周縁領域１６の幅（本実施形態では、仮想面１５の外縁と側面２０ｂとの距離）は３０μｍ以上である。
【００３２】
複数の改質スポット１３の形成は、例えば５３２ｎｍの波長を有するレーザ光Ｌの照射によって、表面２０ａとは反対側から１つの仮想面１５ごとに順次に実施される。複数の改質スポット１３の形成は、複数の仮想面１５のそれぞれにおいて同様であるため、以下、表面２０ａに最も近い仮想面１５に沿った複数の改質スポット１３の形成について、図４〜図１１を参照して詳細に説明する。なお、図５、図７、図９及び図１１において、矢印は、レーザ光Ｌの集光点Ｃの軌跡を示している。また、後述する改質スポット１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを包括して改質スポット１３といい、後述する亀裂１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを包括して亀裂１４という場合がある。
【００３３】
まず、レーザ加工装置１が、図４及び図５に示されるように、表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部にレーザ光Ｌを入射させて照射することにより、仮想面１５に沿って（例えば、仮想面１５の全体に沿って２次元に並ぶように）複数の改質スポット１３ａ（第１改質スポット）を形成する（工程Ｓ１）。このとき、レーザ加工装置１は、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａが互いに繋がらないように、複数の改質スポット１３ａを形成する。また、レーザ加工装置１は、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ａを形成する。なお、図４及び図５では、改質スポット１３ａが白抜き（ハッチングなし）で示されており、亀裂１４ａが延びる範囲が破線で示されている（図６〜図１１でも同様）。また、このとき、改質スポット１３ａのそれぞれにおいて析出されたガリウムが、亀裂１４ａ内に入り込むように拡がることによって、改質スポット１３ａの周囲に、析出されたガリウムを含む析出領域Ｒが形成される。
【００３４】
ここでは、パルス発振されたレーザ光Ｌが、Ｙ方向に並ぶ複数（例えば６つ）の集光点Ｃに集光されるように、空間光変調器４によって変調される。そして、複数の集光点Ｃが、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させられる。一例として、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離は８μｍであり、レーザ光Ｌのパルスピッチ（すなわち、複数の集光点Ｃの相対的な移動速度を、レーザ光Ｌの繰り返し周波数で除した値）は１０μｍである。また、１つの集光点Ｃ当たりのレーザ光Ｌのパルスエネルギー（以下、単に「レーザ光Ｌのパルスエネルギー」という）は、０．３３μＪである。この場合、Ｙ方向において隣り合う改質スポット１３ａの中心間距離は８μｍとなり、Ｘ方向において隣り合う改質スポット１３ａの中心間距離は１０μｍとなる。また、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａは互いに繋がらない。
【００３５】
続いて、レーザ加工装置１が、図６及び図７に示されるように、表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部にレーザ光Ｌを入射させて照射することにより、仮想面１５に沿って（例えば、仮想面１５の全体に沿って２次元に並ぶように）複数の改質スポット（第２改質スポット）１３ｂを形成する（工程Ｓ２）。このとき、レーザ加工装置１は、複数の改質スポット１３ａ及び複数の亀裂１４ａに重ならないように、複数の改質スポット１３ｂを形成する。また、レーザ加工装置１は、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを複数列の改質スポット１３ａの列間において仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ｂを形成する。この工程では、複数の改質スポット１３ｂからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ｂが、複数の亀裂１４ａに繋がってもよい。なお、図６及び図７では、改質スポット１３ｂがドットハッチングで示されており、亀裂１４ｂが延びる範囲が破線で示されている（図８〜図１１でも同様）。また、このとき、改質スポット１３ｂのそれぞれにおいて析出されたガリウムが、亀裂１４ｂ内に入り込むように拡がることによって、改質スポット１３ｂの周囲に、析出されたガリウムを含む析出領域Ｒが形成される。
【００３６】
ここでは、パルス発振されたレーザ光Ｌが、Ｙ方向に並ぶ複数（例えば６つ）の集光点Ｃに集光されるように、空間光変調器４によって変調される。そして、複数の集光点Ｃが、複数列の改質スポット１３ａの列間の中心において、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させられる。一例として、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離は８μｍであり、レーザ光Ｌのパルスピッチは１０μｍである。また、レーザ光Ｌのパルスエネルギーは、０．３３μＪである。この場合、Ｙ方向において隣り合う改質スポット１３ｂの中心間距離は８μｍとなり、Ｘ方向において隣り合う改質スポット１３ｂの中心間距離は１０μｍとなる。
【００３７】
続いて、レーザ加工装置１が、図８及び図９に示されるように、表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部にレーザ光Ｌを入射させて照射することにより、仮想面１５に沿って（例えば、仮想面１５の全体に沿って２次元に並ぶように）複数の改質スポット（第３改質スポット）１３ｃを形成する（工程Ｓ３）。更に、レーザ加工装置１が、図１０及び図１１に示されるように、表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部にレーザ光Ｌを入射させて照射することにより、仮想面１５に沿って（例えば、仮想面１５の全体に沿って２次元に並ぶように）複数の改質スポット（第３改質スポット）１３ｄを形成する（工程Ｓ４）。このとき、レーザ加工装置１は、複数の改質スポット１３ａ，１３ｂに重ならないように、複数の改質スポット１３ｃ，１３ｄを形成する。
【００３８】
また、レーザ加工装置１は、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを複数列の改質スポット１３ａ，１３ｂの列間において仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ｃ，１３ｄを形成する。この工程では、複数の改質スポット１３ｃ，１３ｄからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ｃ，１４ｄが、複数の亀裂１４ａ，１４ｂに繋がってもよい。なお、図８及び図９では、改質スポット１３ｃが実線ハッチングで示されており、亀裂１４ｃが延びる範囲が破線で示されている（図１０及び図１１でも同様）。また、図１０及び図１１では、改質スポット１３ｄが実線ハッチング（改質スポット１３ｃの実線ハッチングとは逆に傾斜する実線ハッチング）で示されており、亀裂１４ｄが延びる範囲が破線で示されている。また、このとき、改質スポット１３ｃ，１３ｄのそれぞれにおいて析出されたガリウムが、亀裂１４ｃ，１４ｄ内に入り込むように拡がることによって、改質スポット１３ｃ，１３ｄの周囲に、析出されたガリウムを含む析出領域Ｒが形成される。
【００３９】
ここでは、パルス発振されたレーザ光Ｌが、Ｙ方向に並ぶ複数（例えば６つ）の集光点Ｃに集光されるように、空間光変調器４によって変調される。そして、複数の集光点Ｃが、複数列の改質スポット１３ａ，１３ｂの列間の中心において、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させられる。一例として、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離は８μｍであり、レーザ光Ｌのパルスピッチは５μｍである。また、レーザ光Ｌのパルスエネルギーは、０．３３μＪである。この場合、Ｙ方向において隣り合う改質スポット１３ｃの中心間距離は８μｍとなり、Ｘ方向において隣り合う改質スポット１３ｃの中心間距離は５μｍとなる。また、Ｙ方向において隣り合う改質スポット１３ｄの中心間距離は８μｍとなり、Ｘ方向において隣り合う改質スポット１３ｄの中心間距離は５μｍとなる。
【００４０】
続いて、ヒータ等を備える加熱装置が、ＧａＮインゴット２０を加熱し、複数の仮想面１５のそれぞれにおいて、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂１４を互いに繋げることにより、図１２に示されるように、複数の仮想面１５のそれぞれにおいて、仮想面１５に渡る亀裂１７（以下、単に「亀裂１７」という）を形成する。図１２では、複数の改質スポット１３及び複数の亀裂１４、並びに、亀裂１７が形成される範囲が破線で示されている。なお、加熱以外の方法でＧａＮインゴット２０に何らかの力を作用させることにより、複数の亀裂１４を互いに繋げて亀裂１７を形成してもよい。また、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成することにより、複数の亀裂１４を互いに繋げて亀裂１７を形成してもよい。
【００４１】
ここで、ＧａＮインゴット２０においては、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂１４内に窒素ガスが生じている。そのため、ＧａＮインゴット２０を加熱して窒素ガスを膨張させることにより、窒素ガスの圧力（内圧）を利用して亀裂１７を形成することができる。しかも、周縁領域１６によって、当該周縁領域１６が囲む仮想面１５の外部（例えば、ＧａＮインゴット２０の側面２０ｂ）への複数の亀裂１４の進展が阻まれるため、複数の亀裂１４内に生じた窒素ガスが仮想面１５の外部に逃げるのを抑制することができる。つまり、周縁領域１６は、改質スポット１３を含まない非改質領域であって、当該周縁領域１６が囲む仮想面１５に亀裂１７が形成される際に、当該周縁領域１６が囲む仮想面１５の外部への複数の亀裂１４の進展を阻む領域である。そのために、周縁領域１６の幅を３０μｍ以上とすることが好ましい。
【００４２】
続いて、研削装置が、ＧａＮインゴット２０のうち複数の周縁領域１６及び複数の仮想面１５のそれぞれに対応する部分を研削（研磨）することにより、図１３に示されるように、複数の亀裂１７のそれぞれを境界としてＧａＮインゴット２０から複数のＧａＮウェハ３０を取得する（工程Ｓ５）。このように、ＧａＮインゴット２０は、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って切断される。なお、この工程では、研削以外の機械加工、レーザ加工等によって、ＧａＮインゴット２０のうち複数の周縁領域１６に対応する部分を除去してもよい。
【００４３】
以上の工程のうち、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を形成する工程までが、第１例のレーザ加工方法である。また、以上の工程のうち、複数の亀裂１７のそれぞれを境界としてＧａＮインゴット２０から複数のＧａＮウェハ３０を取得する工程までが、第１例の半導体部材製造方法である。
【００４４】
以上説明したように、第１例のレーザ加工方法では、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３ａを形成し、複数の改質スポット１３ａ及び複数の亀裂１４ａに重ならないように、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３ｂを形成する。更に、第１例のレーザ加工方法では、複数の改質スポット１３ａ，１３ｂに重ならないように、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３ｃ，１３ｄを形成する。これにより、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を精度良く形成することができ、その結果、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って亀裂１７を精度良く形成することが可能となる。よって、第１例のレーザ加工方法によれば、複数の亀裂１７のそれぞれを境界としてＧａＮインゴット２０から複数のＧａＮウェハ３０を取得することにより、複数の好適なＧａＮウェハ３０の取得が可能となる。
【００４５】
同様に、第１例のレーザ加工方法を実施するレーザ加工装置１によれば、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って亀裂１７を精度良く形成することが可能となるため、複数の好適なＧａＮウェハ３０の取得が可能となる。
【００４６】
また、第１例のレーザ加工方法では、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａが互いに繋がらないように、複数の改質スポット１３ａを形成する。これにより、複数の改質スポット１３ｂを仮想面１５に沿ってより精度良く形成することができる。
【００４７】
また、第１例のレーザ加工方法では、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ａを形成し、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを複数列の改質スポット１３ａの列間において仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ｂを形成する。これにより、複数の改質スポット１３ａ及び複数の亀裂１４ａに複数の改質スポット１３ｂが重なるのを確実に防止して、複数の改質スポット１３ｂを仮想面１５に沿ってより精度良く形成することができる。
【００４８】
特に、第１例のレーザ加工方法では、ＧａＮインゴット２０の材料に含まれる窒化ガリウムがレーザ光Ｌの照射によって分解されると、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａにガリウムが析出し（析出領域Ｒが形成され）、当該ガリウムによってレーザ光Ｌが吸収され易い状態となる。そのため、当該亀裂１４ａに重ならないように複数の改質スポット１３ｂを形成することは、複数の改質スポット１３ｂを仮想面１５に沿って精度良く形成する上で有効である。
【００４９】
また、第１例のレーザ加工方法では、ＧａＮインゴット２０の材料に含まれる窒化ガリウムがレーザ光Ｌの照射によって分解されると、複数の亀裂１４内に窒素ガスが生じる。そのため、当該窒素ガスの圧力を利用して、亀裂１７を容易に形成することが可能となる。
【００５０】
また、第１例の半導体部材製造方法によれば、第１例のレーザ加工方法に含まれる工程によって、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って亀裂１７を精度良く形成することが可能となるため、複数の好適なＧａＮウェハ３０の取得が可能となる。
【００５１】
また、第１例の半導体部材製造方法では、複数の仮想面１５が、ＧａＮインゴット２０の表面２０ａに対向する方向に並ぶように設定されている。これにより、１つのＧａＮインゴット２０から複数のＧａＮウェハ３０の取得が可能となる。
【００５２】
ここで、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＧａＮウェハ３０では、ＧａＮウェハ３０の剥離面に現れる凹凸が小さくなることを示す実験結果について説明する。
【００５３】
図１４は、一例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＧａＮウェハの剥離面の画像であり、図１５の（ａ）及び（ｂ）は、図１４に示される剥離面の高さプロファイルである。この例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、Ｙ方向に並ぶ１つの集光点Ｃを、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させることにより、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。このとき、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを１μＪとした。この場合、図１５の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、ＧａＮウェハ３０の剥離面（亀裂１７によって形成された面）に２５μｍ程度の凹凸が現れた。
【００５４】
図１６は、他の例の実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＧａＮウェハの剥離面の画像であり、図１７の（ａ）及び（ｂ）は、図１６に示される剥離面の高さプロファイルである。この例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、第１実施形態のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の第１工程及び第２工程と同様に、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。複数の改質スポット１３ａを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｋ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとした。複数の改質スポット１３ｂを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとした。複数の改質スポット１３ｃを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとした。複数の改質スポット１３ｄを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとした。この場合、図１７の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、ＧａＮウェハ３０の剥離面に５μｍ程度の凹凸が現れた。
【００５５】
以上の実験結果から、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＧａＮウェハでは、ＧａＮウェハ３０の剥離面に現れる凹凸が小さくなること、すなわち、仮想面１５に沿って亀裂１７が精度良く形成されることが分かった。なお、ＧａＮウェハ３０の剥離面に現れる凹凸が小さくなると、当該剥離面を平坦化するための研削量が少なくて済む。したがって、ＧａＮウェハ３０の剥離面に現れる凹凸が小さくなることは、材料の利用効率的にも生産効率的にも有利である。
【００５６】
次に、ＧａＮウェハ３０の剥離面に凹凸が現れる原理について説明する。
【００５７】
例えば、図１８に示されるように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ａを形成し、改質スポット１３ｂがその一方の側の改質スポット１３ａから延びる亀裂１４ａに重なるように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｂを形成する。この場合には、複数の亀裂１４ａに析出したガリウムによってレーザ光Ｌが吸収され易い状態にあるため、集光点Ｃが仮想面１５上に位置していても、改質スポット１３ａに対してレーザ光Ｌの入射側に改質スポット１３ｂが形成され易くなる。続いて、改質スポット１３ｃがその一方の側の改質スポット１３ｂから延びる亀裂１４ｂに重なるように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｃを形成する。この場合にも、複数の亀裂１４ｂに析出したガリウムによってレーザ光Ｌが吸収され易い状態にあるため、集光点Ｃが仮想面１５上に位置していても、改質スポット１３ｂに対してレーザ光Ｌの入射側に改質スポット１３ｃが形成され易くなる。このように、この例では、複数の改質スポット１３ｂが複数の改質スポット１３ａに対してレーザ光Ｌの入射側に形成され、更に、複数の改質スポット１３ｃが複数の改質スポット１３ｂに対してレーザ光Ｌの入射側に形成され易くなる。
【００５８】
それに対し、例えば、図１９に示されるように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ａを形成し、改質スポット１３ｂがその両側の改質スポット１３ａから延びる亀裂１４ａに重ならないように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｂを形成する。この場合には、複数の亀裂１４ａに析出したガリウムによってレーザ光Ｌが吸収され易い状態にあるものの、改質スポット１３ｂが亀裂１４ａに重ならないため、改質スポット１３ｂも、改質スポット１３ａと同様に仮想面１５上に形成される。続いて、改質スポット１３ｃがその両側の改質スポット１３ａ，１３ｂのそれぞれから延びる亀裂１４ａ，１４ｂに重なるように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｃを形成する。更に、改質スポット１３ｄがその両側の改質スポット１３ａ，１３ｂのそれぞれから延びる亀裂１４ａ，１４ｂに重なるように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｄを形成する。これらの場合には、複数の亀裂１４ａ，１４ｂに析出したガリウムによってレーザ光Ｌが吸収され易い状態にあるため、集光点Ｃが仮想面１５上に位置していても、改質スポット１３ａ，１３ｂに対してレーザ光Ｌの入射側に改質スポット１３ｃ，１３ｄが形成され易くなる。このように、この例では、複数の改質スポット１３ｃ，１３ｄが複数の改質スポット１３ａ，１３ｂに対してレーザ光Ｌの入射側に形成され易くなるだけである。
【００５９】
以上の原理から、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法においては、複数の改質スポット１３ａ及び複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａに重ならないように、複数の改質スポット１３ｂを形成することが、ＧａＮウェハ３０の剥離面に現れる凹凸を小さくする上で極めて重要であることが分かる。
【００６０】
次に、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法においては、仮想面１５に沿って亀裂１７が精度良く進展することを示す実験結果について説明する。
【００６１】
図２０の（ａ）及び（ｂ）は、一例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の途中で形成された亀裂の画像であり、図２０の（ｂ）は、図２０の（ａ）における矩形枠内の拡大画像である。この例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点Ｃを、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させることにより、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。このとき、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを１．３３μＪとした。そして、レーザ加工を仮想面１５の途中で停止させた。この場合、図２０の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、加工領域から未加工領域に進展した亀裂が、未加工領域において仮想面１５から大きく外れた。
【００６２】
図２１の（ａ）及び（ｂ）は、他の例の実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の途中で形成された亀裂の画像であり、図２１の（ｂ）は、図２１の（ａ）における矩形枠内の拡大画像である。この例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点Ｃを、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させることにより、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。具体的には、まず、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとして、加工領域１及び加工領域２に複数列の改質スポット１３を形成した。続いて、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとして、加工領域１及び加工領域２に、既に形成された複数列の改質スポット１３の列間の中心にそれぞれの列が位置するように複数列の改質スポット１３を形成した。続いて、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を６μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪとして、加工領域１のみに、既に形成された複数列の改質スポット１３の列間の中心にそれぞれの列が位置するように複数列の改質スポット１３を形成した。この場合、図２１の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、加工領域１から加工領域２に進展した亀裂が、加工領域２において仮想面１５から大きく外れなかった。
【００６３】
以上の実験結果から、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法においては、仮想面１５に沿って亀裂１７が精度良く進展することが分かった。これは、加工領域２に先に形成された複数の改質スポット１３が、亀裂が進展する際にガイドになったためと想定される。
【００６４】
次に、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法においては、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量が抑制されることを示す実験結果について説明する。
【００６５】
図２２は、比較例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像（側面視での画像）である。この比較例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、１つの集光点Ｃを、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させることにより、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。具体的には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を２μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとして、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。この場合、図２２に示されるように、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量が１００μｍ程度となった。
【００６６】
図２３は、第１実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像であり、図２３の（ａ）は平面視での画像、図２３の（ｂ）は側面視での画像である。この第１実施例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点Ｃを、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させることにより、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。具体的には、まず、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとして、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ａを形成した。続いて、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点Ｃを先の状態からＹ方向に＋４μｍずらした状態で、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとして、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｂを形成した。続いて、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点Ｃを先の状態からＹ方向に−４μｍずらした状態で、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとして、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。続いて、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点Ｃを先の状態からＹ方向に＋４μｍずらした状態で、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとして、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。これにより、１回目に形成した改質スポット１３ａと３回目に形成した改質スポット１３とが互いに重なり、２回目に形成した改質スポット１３ｂと４回目に形成した改質スポット１３とが互いに重なっていると想定される。この場合、図２３の（ｂ）に示されるように、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量が７０μｍ程度となった。
【００６７】
図２４の（ａ）及び（ｂ）は、第２例の実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像であり、図２４の（ａ）は平面視での画像、図２４の（ｂ）は側面視での画像である。この第２実施例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光ＬをＧａＮインゴット２０の表面２０ａからＧａＮインゴット２０の内部に入射させ、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の第１工程及び第２工程と同様に、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成した。複数の改質スポット１３ａを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとした。複数の改質スポット１３ｂを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとした。複数の改質スポット１３ｃを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとした。複数の改質スポット１３ｄを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３μＪとした。この場合、図２３の（ｂ）に示されるように、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量が５０μｍ程度となった。
【００６８】
図２４の（ｃ）及び（ｄ）は、第３実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成された改質スポット及び亀裂の画像であり、図２４の（ｃ）は平面視での画像、図２４の（ｄ）は側面視での画像である。この実施例では、図２３に示される状態にある仮想面１５（すなわち、複数列の改質スポット１３が既に形成された仮想面１５）に沿って、更に、複数の改質スポット１３を形成した。具体的には、まず、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．１μＪとして、既に形成された複数列の改質スポット１３の列間の中心にそれぞれの列が位置するように複数列の改質スポット１３を形成した。この場合、図２４の（ｄ）に示されるように、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量が６０μｍ程度となった。
【００６９】
以上の実験結果から、仮想面１５に沿って既に形成された複数の改質スポット１３ａ及び複数の亀裂１４ａに重ならないように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３ｂを形成すれば（第１実施例、第２実施例及び第３実施例）、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量が抑制されることが分かった。仮想面１５に沿って更に複数の改質スポット１３を形成する場合には、仮想面１５に沿って既に形成された複数の改質スポット１３ａ，１３ｂに重ならないように、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３すれば（第２実施例及び第３実施例）、改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びる亀裂１４の延び量がより一層抑制されることが分かった。
［第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法］
【００７０】
第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の対象物１１は、図２５に示されるように、ＧａＮによって例えば円板状に形成されたＧａＮウェハ（半導体ウェハ、半導体対象物）３０である。一例として、ＧａＮウェハ３０の直径は２ｉｎであり、ＧａＮウェハ３０の厚さは１００μｍである。第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法は、ＧａＮウェハ３０から複数の半導体デバイス（半導体部材）４０を切り出すために実施される。一例として、半導体デバイス４０のＧａＮ基板部分の外形は１ｍｍ×１ｍｍであり、半導体デバイス４０のＧａＮ基板部分の厚さは数十μｍである。
【００７１】
まず、上述したレーザ加工装置１が、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を形成する。複数の仮想面１５のそれぞれは、ＧａＮウェハ３０の内部においてＧａＮウェハ３０の表面３０ａに対向する面であり、表面３０ａが延在する方向に並ぶように設定されている。本実施形態では、複数の仮想面１５のそれぞれは、表面３０ａに平行な面であり、例えば矩形状を呈している。複数の仮想面１５のそれぞれは、ＧａＮウェハ３０のオリエンテーションフラット３１に平行な方向及び垂直な方向に２次元状に並ぶように設定されている。ＧａＮウェハ３０には、複数の仮想面１５のそれぞれを囲むように複数の周縁領域１６が設定されている。つまり、複数の仮想面１５のそれぞれは、ＧａＮウェハ３０の側面３０ｂに至っていない。一例として、複数の仮想面１５のそれぞれに対応する周縁領域１６の幅（第２例では、隣り合う仮想面１５間の距離の半分）は３０μｍ以上である。
【００７２】
複数の仮想面１５のそれぞれに沿った複数の改質スポット１３の形成は、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の工程Ｓ１〜工程Ｓ４と同様に、実施される。これにより、ＧａＮウェハ３０においては、図２６に示されるように、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って、複数の改質スポット１３（すなわち、改質スポット１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ）及び複数の亀裂１４（すなわち、亀裂１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ）が形成される。図２６では、複数の改質スポット１３及び複数の亀裂１４が形成される範囲が破線で示されている。
【００７３】
続いて、半導体製造装置が、図２７に示されるように、ＧａＮウェハ３０の表面３０ａに複数の機能素子３２を形成する。複数の機能素子３２のそれぞれは、ＧａＮウェハ３０の厚さ方向から見た場合に１つの機能素子３２が１つの仮想面１５に含まれるように、形成される。機能素子３２は、例えば、フォトダイオード等の受光素子、レーザダイオード等の発光素子、メモリ等の回路素子等である。
【００７４】
第２例では、表面３０ａに複数の機能素子３２を形成する際に、半導体製造装置が加熱装置として機能する。つまり、表面３０ａに複数の機能素子３２を形成する際に、半導体製造装置が、ＧａＮウェハ３０を加熱し、複数の仮想面１５のそれぞれにおいて、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂１４を互いに繋げることにより、複数の仮想面１５のそれぞれにおいて、亀裂１７（すなわち、仮想面１５に渡る亀裂１７）を形成する。図２７では、複数の改質スポット１３及び複数の亀裂１４、並びに、亀裂１７が形成される範囲が破線で示されている。なお、半導体製造装置とは別の加熱装置が用いられてもよい。また、加熱以外の方法でＧａＮウェハ３０に何らかの力を作用させることにより、複数の亀裂１４を互いに繋げて亀裂１７を形成してもよい。また、仮想面１５に沿って複数の改質スポット１３を形成することにより、複数の亀裂１４を互いに繋げて亀裂１７を形成してもよい。
【００７５】
ここで、ＧａＮウェハ３０においては、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂１４内に窒素ガスが生じている。そのため、ＧａＮインゴット２０を加熱して窒素ガスを膨張させることにより、窒素ガスの圧力を利用して亀裂１７を形成することができる。しかも、周縁領域１６によって、当該周縁領域１６が囲む仮想面１５の外部（例えば、隣り合う仮想面１５、ＧａＮウェハ３０の側面３０ｂ）への複数の亀裂１４の進展が阻まれるため、複数の亀裂１４内に生じた窒素ガスが仮想面１５の外部に逃げるのを抑制することができる。つまり、周縁領域１６は、改質スポット１３を含まない非改質領域であって、当該周縁領域１６が囲む仮想面１５に亀裂１７が形成される際に、当該周縁領域１６が囲む仮想面１５の外部への複数の亀裂１４の進展を阻む領域である。そのために、周縁領域１６の幅を３０μｍ以上とすることが好ましい。
【００７６】
続いて、レーザ加工装置が、ＧａＮウェハ３０を機能素子３２ごとに切断すると共に、研削装置が、複数の仮想面１５のそれぞれに対応する部分を研削することにより、図２８に示されるように、複数の亀裂１７のそれぞれを境界としてＧａＮウェハ３０から複数の半導体デバイス４０を取得する（工程Ｓ６）。このように、ＧａＮウェハ３０は、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って切断される。なお、この工程では、レーザ加工以外の機械加工（例えばブレードダイシング）等によって、ＧａＮウェハ３０を機能素子３２ごとに切断してもよい。
【００７７】
以上の工程のうち、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を形成する工程までが、第２例のレーザ加工方法である。また、以上の工程のうち、複数の亀裂１７のそれぞれを境界としてＧａＮウェハ３０から複数の半導体デバイス４０を取得する工程までが、第２例の半導体部材製造方法である。
【００７８】
以上説明したように、第２例のレーザ加工方法よれば、第１例のレーザ加工方法と同様に、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を精度良く形成することができ、その結果、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って亀裂１７を精度良く形成することが可能となる。よって、第２例のレーザ加工方法によれば、複数の亀裂１７のそれぞれを境界としてＧａＮウェハ３０から複数の半導体デバイス４０を取得することにより、複数の好適な半導体デバイス４０の取得が可能となる。また、複数の半導体デバイス４０を切り出した後のＧａＮウェハ３０を再利用することも可能となる。
【００７９】
同様に、第２例のレーザ加工方法を実施するレーザ加工装置１によれば、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って亀裂１７を精度良く形成することが可能となるため、複数の好適な半導体デバイス４０の取得が可能となる。
【００８０】
また、第２例のレーザ加工方法では、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａが互いに繋がらないように、複数の改質スポット１３ａを形成する。これにより、複数の改質スポット１３ｂを仮想面１５に沿ってより精度良く形成することができる。
【００８１】
また、第２例のレーザ加工方法では、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ａを形成し、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを複数列の改質スポット１３ａの列間において仮想面１５に沿って移動させることにより、複数列の改質スポット１３ｂを形成する。これにより、複数の改質スポット１３ａ及び複数の亀裂１４ａに複数の改質スポット１３ｂが重なるのを確実に防止して、複数の改質スポット１３ｂを仮想面１５に沿ってより精度良く形成することができる。
【００８２】
特に、第２例のレーザ加工方法では、ＧａＮウェハ３０の材料に含まれる窒化ガリウムがレーザ光Ｌの照射によって分解されると、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａにガリウムが析出し、当該ガリウムによってレーザ光Ｌが吸収され易い状態となる。そのため、当該亀裂１４ａに重ならないように複数の改質スポット１３ｂを形成することは、複数の改質スポット１３ｂを仮想面１５に沿って精度良く形成する上で有効である。
【００８３】
また、第２例のレーザ加工方法では、ＧａＮウェハ３０の材料に含まれる窒化ガリウムがレーザ光Ｌの照射によって分解されると、複数の亀裂１４内に窒素ガスが生じる。そのため、当該窒素ガスの圧力を利用して、亀裂１７を容易に形成することが可能となる。
【００８４】
また、第２例の半導体部材製造方法によれば、第２実施形態のレーザ加工方法に含まれる工程によって、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って亀裂１７を精度良く形成することが可能となるため、複数の好適な半導体デバイス４０の取得が可能となる。
【００８５】
また、第２例の半導体部材製造方法では、複数の仮想面１５が、ＧａＮウェハ３０の表面３０ａが延在する方向に並ぶように設定されている。これにより、１つのＧａＮウェハ３０から複数の半導体デバイス４０の取得が可能となる。
［変形例］
【００８６】
上述した例は、任意に変形可能である。例えば、レーザ光Ｌに関する各種数値は、上述したものに限定されない。ただし、亀裂１４が改質スポット１３からレーザ光Ｌの入射側及びその反対側に延びるのを抑制するためには、レーザ光Ｌのパルスエネルギーが０．１μＪ〜１μＪであり且つレーザ光Ｌのパルス幅が２００ｆｓ〜１ｎｓであることが好ましい。
【００８７】
また、レーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって加工される半導体対象物は、第１例のＧａＮインゴット２０及び第２例のＧａＮウェハ３０に限定されない。半導体部材製造方法によって製造される半導体部材は、第１例のＧａＮウェハ３０及び第２例の半導体デバイス４０に限定されない。１つの半導体対象物に１つの仮想面が設定されてもよい。
【００８８】
一例として、半導体対象物の材料は、ＳｉＣであってもよい。その場合にも、レーザ加工方法及び半導体部材製造方法によれば、次に述べるように、仮想面に渡る亀裂を仮想面に沿って精度良く形成することが可能となる。
【００８９】
図２９の（ａ）及び（ｂ）は、比較例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＳｉＣウェハの亀裂の画像（側面視での画像）であり、図２９の（ｂ）は、図２９の（ａ）における矩形枠内の拡大画像である。この比較例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光をＳｉＣウェハの表面からＳｉＣウェハの内部に入射させ、Ｙ方向に並ぶ６つの集光点を、Ｘ方向に沿って仮想面上を相対的に移動させることにより、仮想面に沿って複数の改質スポットを形成した。このとき、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を２μｍ、レーザ光のパルスピッチを１５μｍ、レーザ光のパルスエネルギーを４μＪとした。この場合、図２９の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、仮想面に対して４°〜５°傾斜する方向に延びる亀裂が発生した。
【００９０】
図３０の（ａ）及び（ｂ）は、実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＳｉＣウェハの亀裂の画像（側面視での画像）であり、図３０の（ｂ）は、図３０の（ａ）における矩形枠内の拡大画像である。この実施例では、５３２ｎｍの波長を有するレーザ光をＳｉＣウェハの表面からＳｉＣウェハの内部に入射させ、第１実施形態のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法の第１工程及び第２工程と同様に、仮想面に沿って複数の改質スポットを形成した。複数の改質スポット１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄのそれぞれに相当する複数の改質スポットを形成する際には、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍ、レーザ光Ｌのパルスピッチを１５μｍ、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを４μＪとした。この場合、図３０の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、仮想面に対して４°〜５°傾斜する方向に延びる亀裂の発生が抑制された。図３１は、実施例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法によって形成されたＳｉＣウェハの剥離面の画像であり、図３２の（ａ）及び（ｂ）は、図３１に示される剥離面の高さプロファイルである。この場合、ＳｉＣウェハの剥離面に現れる凹凸は２μｍ程度に抑えられた。
【００９１】
以上の実験結果から、半導体対象物の材料がＳｉＣである場合にも、レーザ加工方法及び半導体部材製造方法によれば、仮想面に渡る亀裂が仮想面に沿って精度良く形成されることが分かった。なお、上述した比較例及び実施例で用いたＳｉＣウェハは、４±０．５°のオフ角を有する４Ｈ−ＳｉＣウェハであり、レーザ光の集光点を移動させた方向は、ｍ軸方向である。
【００９２】
また、複数の改質スポット１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄの形成の仕方は、上述したものに限定されない。複数の改質スポット１３ａは、複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａが互いに繋がるように形成されてもよい。また、複数の改質スポット１３ｂは、複数の改質スポット１３ａに重ならないように形成されればよい。複数の改質スポット１３ａからそれぞれ延びる複数の亀裂１４ａに複数の改質スポット１３ｂが重なったとしても、複数の改質スポット１３ｂが複数の改質スポット１３ａに重ならなければ、複数の改質スポット１３ａ，１３ｂが仮想面１５に沿って精度良く形成される。また、複数の改質スポット１３ｃ，１３ｄの形成の仕方は任意であり、複数の改質スポット１３ｃ，１３ｄは、形成されなくてもよい。また、図３３に示されるように、例えばＧａＮインゴット２０を回転させることにより、径方向に並んだ複数の集光点を相対的に回転させて（一点鎖線の矢印）、複数列の改質スポット１３を形成し、更に、図３４に示されるように、複数列の改質スポット１３の列間に複数の集光点のそれぞれを位置させた状態で、径方向に並んだ複数の集光点を相対的に回転させて（一点鎖線の矢印）、複数列の改質スポット１３を形成してもよい。
【００９３】
また、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法において、複数の改質スポット１３の形成は、表面２０ａとは反対側から複数の仮想面１５ごとに順次に実施されてもよい。また、第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法では、複数の改質スポット１３の形成が表面２０ａ側の１つ又は複数の仮想面１５に沿って実施され、１つ又は複数のＧａＮウェハ３０が切り出された後に、ＧａＮインゴット２０の表面２０ａが研削され、再び、複数の改質スポット１３の形成が表面２０ａ側の１つ又は複数の仮想面１５に沿って実施されてもよい。
【００９４】
また、第１例及び第２例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法では、周縁領域１６が形成されなくてもよい。第１例のレーザ加工方法及び半導体部材製造方法において周縁領域１６を形成しない場合には、複数の仮想面１５のそれぞれに沿って複数の改質スポット１３を形成した後に、例えば、ＧａＮインゴット２０に対してエッチングを施すことにより、複数のＧａＮウェハ３０を取得することも可能である。
【００９５】
また、上述した例における各構成には、上述した材料及び形状に限定されず、様々な材料及び形状を適用することができる。また、上述した一の例又は変形例における各構成は、他の例又は変形例における各構成に任意に適用することができる。
【００９６】
また、レーザ加工装置１は、上述した構成を有するものに限定されない。例えば、レーザ加工装置１は、空間光変調器４を備えていなくてもよい。
［実施形態に係るレーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法］
【００９７】
図３５は、レーザ加工装置を示す図である。図３５に示されるように、レーザ加工装置１Ａは、図１に示されたレーザ加工装置１と比較して、測定部５０をさらに備える点、及び、ステージ２に代えてステージ２Ａを備える点において、レーザ加工装置１と相違している。レーザ加工装置１Ａにおいては、光源３、空間光変調器４、及び、集光レンズ５によって、照射部４５が構成されている。すなわち、レーザ加工装置１Ａは、ＧａＮウェハ３０を支持するステージ２Ａと、ステージ２Ａに支持されたＧａＮウェハ３０にレーザ光Ｌを照射する照射部４５と、ＧａＮウェハ３０の透過率を測定する測定部５０と、照射部４５及び測定部５０を制御する制御部６と、を備えている。
【００９８】
ステージ２Ａは、測定に用いられる測定光ＩＬを透過する透過部２Ｔを含む。測定部５０は、ステージ２Ａに支持されたＧａＮウェハ３０に向けて測定光ＩＬを照射する光源５１と、ＧａＮウェハ３０及び透過部２Ｔを透過した測定光ＩＬを検出する光検出器５２と、を有し、光検出器５２の検出結果に基づいてＧａＮウェハ３０の透過率を測定する。
【００９９】
本実施形態に係る方法においては、まず、上記の第１例と同様にして、工程Ｓ１〜工程Ｓ３を実施する。すなわち、図３６に示されるように、（ＧａＮインゴット２０に代えて）ＧａＮウェハ３０の表面３０ａからＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射することにより、ＧａＮウェハ３０の内部において表面３０ａに対向する仮想面１５に沿って、複数の改質スポット１３（改質スポット１３ａ〜改質スポット１３ｃ）、及び、複数の改質スポット１３において析出されたガリウムを含む複数の析出領域Ｒを形成する（第１工程）。この第１工程においては、当然ながら、仮想面１５におけるレーザ光Ｌのエネルギーは、ＧａＮウェハ３０の加工閾値を上回っている。
【０１００】
改質スポット１３ａ〜改質スポット１３ｃを形成するときのレーザ光Ｌの照射条件は、例えば次のように規定することができる。まず、レーザ光Ｌのパルスエネルギーが大きくなると、改質スポット１３の周辺に形成される析出領域Ｒが大きくなる傾向にある。したがって、（例えばＹ方向における）レーザ光Ｌの集光点Ｃ間の距離を相対的に大きくする（改質スポット１３及び析出領域Ｒを相対的に粗に形成する）場合には、後のレーザ光の照射による析出領域Ｒの拡大の観点から、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを大きくすることが望ましい。一方で、（例えばＹ方向における）レーザ光Ｌの集光点Ｃ間の距離を相対的に小さくする（改質スポット１３及び析出領域Ｒを相対的に密に形成する）場合には、レーザ光のパルスエネルギーを小さくしても、後の工程でのレーザ光の照射によって析出領域Ｒを拡大し得る。一例として、レーザ光Ｌのパルスピッチを１０μｍと一定とすると、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を８μｍとする場合には、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを２μＪ程度とすることにより、後の工程でのレーザ光の照射によって析出領域Ｒを拡大し得る。また、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を４μｍとする場合には、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．６７μＪ程度とすることにより、後の工程でのレーザ光の照射によって析出領域Ｒを拡大し得る。さらに、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離を２μｍとする場合には、レーザ光Ｌのパルスエネルギーを０．３３μＪ程度とすることにより、後の工程でのレーザ光の照射によって析出領域Ｒを拡大し得る。
【０１０１】
続いて、ＧａＮウェハ３０の透過率を測定する（第４工程）。続いて、第４工程において測定された透過率が基準値よりも高いか否かを判定する（第５工程）。ＧａＮウェハ３０の透過率の基準値は、例えば０．５（５０％）とすることができる。そして、第５工程の判定の結果、当該透過率が基準値よりも高い場合には、改質スポット１３の形成が不十分であるとして、第１工程を再び実施する。一方、第５工程の判定の結果、当該透過率が基準値以下である場合には、続く工程に進む。
【０１０２】
すなわち、続く工程においては、図３７に示されるように、ＧａＮウェハ３０を半導体製造装置のチャンバＨ内に配置する。そして、ＧａＮウェハ３０に対して、エピタキシャル成長によって半導体デバイスのための半導体層（エピタキシャル成長層）７０を形成する。ここでは、ＧａＮウェハ３０の表面３０ａに半導体層７０を形成する。ここでのエピタキシャル成長は、任意の方法を用いることができるが、ＧａＮウェハ３０が例えば１０３０℃程度に加熱され得る。
【０１０３】
続いて、半導体層７０が設けられたＧａＮウェハ３０をチャンバＨから取り出す。そして、図３８及び図３９に示されるように、ＧａＮウェハ３０の表面３０ａに交差する方向（Ｚ方向）からみて、レーザ光Ｌの集光点Ｃを改質スポット１３に重ならないように配置する。ここでは、複数の集光点Ｃのそれぞれを、Ｙ方向に互いに隣り合う改質スポット１３ａ及び改質スポット１３ｂとの間に配置する。また、ここでは、一例として、集光点Ｃは、改質スポット１３に加えて、亀裂１４及び析出領域Ｒに重ならないように配置され得る。そのうえで、仮想面１５におけるエネルギーがＧａＮウェハ３０の加工閾値を下回るようにする。その状態において、表面３０ａの反対側の裏面（ＧａＮウェハ３０における半導体層７０が形成された面と異なる面）３０ｒからＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射する。
【０１０４】
この工程は、以下の知見に基づいている。すなわち、まず、ガリウムを含む半導体対象物にレーザ光を照射することにより、仮想面に沿って、複数の改質スポットと、それらの複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む析出領域と、を形成する。そうすると、後の工程においてレーザ光を再度照射するときに、（レーザ光の集光点が予め形成された改質スポットが重ならないようにすると共に）仮想面におけるレーザ光のエネルギーを半導体対象物の加工閾値を下回るほど低下させても、予め形成されたガリウムを含む析出領域を拡大させることができる。その結果、仮想面に渡る亀裂を形成して半導体部材を切り出したときに、切り出された面の凹凸を低減できる。
【０１０５】
ここでは、レーザ加工装置１が、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを仮想面１５に沿って移動させる。また、パルス発振されたレーザ光Ｌが、Ｙ方向に並ぶ複数（例えば６つ）の集光点Ｃに集光されるように、空間光変調器４によって変調される。そして、複数の集光点Ｃが、Ｘ方向に沿って仮想面１５上を相対的に移動させられる。一例として、Ｙ方向において隣り合う集光点Ｃ間の距離は１μｍであり、レーザ光Ｌのパルスピッチは１０μｍである。また、レーザ光Ｌのパルスエネルギーは、０．３３μＪである。この照射条件によれば、レーザ光Ｌの集光点Ｃに対応する位置に改質スポットが形成されないものの、析出領域Ｒが拡大される。この後の工程については、上記の第１例と同様である。これにより、ＧａＮウェハ３０から半導体層７０を含む半導体デバイスが取得される。
【０１０６】
以上説明した様に、本実施形態に係る方法においては、エピタキシャル成長による半導体デバイスのための半導体層７０の形成に先立って、レーザ光Ｌの照射によってＧａＮウェハ３０の内部に改質スポット１３を形成する。したがって、改質スポット１３の形成に際して半導体層７０に対してダメージが生じ得ない。よって、当該改質スポット１３から延びる亀裂を進展させてＧａＮウェハ３０を剥離することにより、ダメージが抑制された好適な半導体デバイスが取得可能である。
【０１０７】
また、本実施形態に係る方法は、第２工程の後に、表面３０ａに交差する方向からみて集光点Ｃが改質スポット１３に重ならないように、ＧａＮウェハ３０における半導体層７０が形成された面と異なる裏面３０ｒからＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射することにより、仮想面１５に渡る亀裂を形成する第３工程を備えている。このように、レーザ光Ｌの照射によって、剥離の起点となる仮想面１５に沿った亀裂を形成してもよい。なお、この場合であっても、半導体層７０の形成に先立って改質スポット１３を形成しているので、全てのレーザ加工を半導体層７０の形成の後に行う場合と比較して、半導体層７０へのダメージが抑制される。
【０１０８】
また、本実施形態に係る方法においては、第１工程においては、表面３０ａからＧａＮウェハの内部にレーザ光Ｌを照射することにより、複数の改質スポット１３、及び、複数の改質スポット１３において析出されたガリウムを含む複数の析出領域Ｒを形成し、第３工程においては、仮想面１５におけるエネルギーがＧａＮウェハ３０の加工閾値を下回るようにＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射することにより、析出領域Ｒを拡大し、仮想面１５に渡る亀裂を形成する。
【０１０９】
このように、まず、ガリウムを含むＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射することにより、レーザ光Ｌの入射面である表面３０ａに対向する仮想面１５に沿って、複数の改質スポット１３、及び、析出されたガリウムを含む複数の析出領域Ｒを形成する。そして、後の工程において、集光点Ｃが改質スポット１３に重ならないように、且つ、仮想面１５におけるエネルギーがＧａＮウェハ３０の加工閾値を下回るように、ＧａＮウェハ３０の内部にレーザ光Ｌを照射することにより析出領域Ｒを拡大し、仮想面１５に渡る亀裂を形成する。この結果、上記知見のとおり、仮想面１５に渡る亀裂を境界とした剥離により、凹凸の低減された好適な半導体デバイスを得ることが可能となる。
【０１１０】
以上の実施形態は、本発明に係るレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法の一例を説明したものである。したがって、本発明に係るレーザ加工方法及び半導デイバス製造方法は、上記実施形態に限定されず、種々の変更が適用され得る。
【０１１１】
例えば、レーザ加工方法においては、第２工程において、エピタキシャル成長のためのＧａＮウェハ３０の加熱によって、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂を進展させることにより、仮想面１５に渡る亀裂を形成してもよい。この場合、半導体層７０の形成と、仮想面１５に渡る亀裂の形成とを、同時に行うことが可能となる。
【０１１２】
このとき、第１工程においては、ＧａＮウェハ３０に対して、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂１４の進展を阻む周縁領域１６を設けてもよい。この場合、第２工程でのエピタキシャル成長の際に、仮想面１５に渡る亀裂が意図せずに形成されて剥離が生じることが抑制される。
【０１１３】
また、上記の方法においては、第４工程においてＧａＮウェハ３０の透過率を測定し、第５工程において当該透過率が基準値よりも高いと判定された場合には、改めて第１工程を実施して十分に改質スポット１３を形成する場合について例示した。この場合には、半導体層７０を形成した後のレーザ加工を低エネルギー化したり、レーザ光の照射を控えたりすることにより、半導体層７０へのダメージを抑制できた。
【０１１４】
一方で、第１工程において、透過率が基準値よりも高い状態を維持しつつ、第２工程において半導体層７０を形成し、その後、第３工程において、ＧａＮウェハ３０の加工閾値を超えるエネルギーでのレーザ加工を実施してもよい。この場合、事前の改質スポット１３の形成量が少なくなるので、第２工程のエピタキシャル成長の際に半導体層７０の反りが生じることを抑制できる。なお、この場合であっても、全てのレーザ加工を半導体層７０の形成の後に行う場合と比較して、半導体層７０へのダメージが抑制される。また、この場合には、ＧａＮウェハ３０の透過率の測定及び判定は必須でない。
【０１１５】
以上の実施形態は、本発明に係るレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法の一例を説明したものである。したがって、本発明に係るレーザ加工方法及び半導体デバイス製造方法は、上記実施形態に限定されず、種々の変更が適用され得る。
【０１１６】
例えば、上記実施形態に係る方法に対して、第１例、第２例、及び、それぞれの変形例の要素を任意に適用できる。一例としては、第１工程においては、複数の改質スポット１３からそれぞれ延びる複数の亀裂１４が互いに繋がらないように、複数の改質スポット１３を形成するこができる。また、第１工程においては、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを仮想面１５に沿って移動させることにより、複数の改質スポット１３として複数列の改質スポット１３を形成すると共に、第３工程においては、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点Ｃを複数列の改質スポット１３の列間において仮想面１５に沿って移動させることができる。
【符号の説明】
【０１１７】
１３…改質スポット、１５…仮想面、３０…ＧａＮウェハ（半導体ウェハ）、３０ａ…表面、７０…半導体層、Ｌ…レーザ光、Ｒ…析出領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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