(57)【要約】【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、２以上の導体層２１〜２４と各導体層の間に介在する絶縁層３１〜３３とを含む積層体１０と、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれを覆っているソルダーレジスト層４１、４２と、ソルダーレジスト層４１、４２に覆われていない積層体１０の露出面を部分的に覆う樹脂膜１５と、を有している。積層体１０は積層体１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａをさらに有し、ソルダーレジスト層４１、４２は貫通孔１０ａを露出させる開口４１ａ、４２ａを有し、樹脂膜１５は、第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓそれぞれにおいて開口４１ａ、４２ａの周囲のソルダーレジスト層４１、４２の縁部を覆い且つ貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている。【選択図】図１
2020174145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体と、
前記積層体の前記第１面及び前記第２面それぞれを覆っているソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層に覆われていない前記積層体の露出面を部分的に覆う樹脂膜と、
を有する配線基板であって、
前記積層体は前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔をさらに有し、
前記ソルダーレジスト層は前記貫通孔を露出させる開口を有し、
前記樹脂膜は、前記第１及び第２の面それぞれにおいて前記開口の周囲の前記ソルダーレジスト層の縁部を覆い且つ前記貫通孔の内壁面を覆っている。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層の前記開口の内縁は、前記貫通孔の前記内壁面よりも平面視で前記貫通孔の外側に位置している。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板であって、前記樹脂膜は、前記ソルダーレジスト層の前記開口内に露出している前記積層体の前記第１面及び前記第２面それぞれに接している。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記樹脂膜における前記貫通孔の内壁面を覆っている部分の表面は、前記貫通孔の内部に向って凸となるように湾曲している。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記２以上の導体層のうちの、前記第１面側の最表層の導体層及び前記第２面側の最表層の導体層の少なくとも一方は、前記貫通孔を跨ぐように前記配線基板に実装される電子部品又は光学部品に対する接続パッドを有している。
【請求項６】
２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体を用意することと、
前記積層体の第１面及び第２面それぞれを覆うソルダーレジスト層を形成することと、
前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を前記積層体に形成することと、
所定の樹脂を少なくとも前記貫通孔の周囲に供給することによって、前記第１及び第２の面それぞれにおける前記貫通孔の周囲の前記ソルダーレジスト層の縁部及び前記貫通孔の内壁面を樹脂膜で覆うことと、
を含んでいる、配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記ソルダーレジスト層を形成することは、前記貫通孔が形成されるべき領域を内側に含む開口を前記ソルダーレジスト層に形成することを含んでいる。
【請求項８】
請求項６記載の配線基板の製造方法であって、さらに、前記貫通孔の周囲以外の所定の領域を覆っている前記樹脂膜を除去することを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、リジッドの基板が用いられる配線基板が開示されている。この配線基板は、この配線基板に実装される半導体チップと対向する領域を含む所定の領域に、配線基板を貫通する開口部を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２３００１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板では、開口部の壁面から配線基板の材料が砕片となって遊離又は落下してしまい、配線基板が用いられる機器の品質に影響を及ぼすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体と、前記積層体の前記第１面及び前記第２面それぞれを覆っているソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層に覆われていない前記積層体の露出面を部分的に覆う樹脂膜と、を有している。そして、前記積層体は前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔をさらに有し、前記ソルダーレジスト層は前記貫通孔を露出させる開口を有し、前記樹脂膜は、前記第１及び第２の面それぞれにおいて前記開口の周囲の前記ソルダーレジスト層の縁部を覆い且つ前記貫通孔の内壁面を覆っている。
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体を用意することと、前記積層体の第１面及び第２面それぞれを覆うソルダーレジスト層を形成することと、前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を前記積層体に形成することと、所定の樹脂を少なくとも前記貫通孔の周囲に供給することによって、前記第１及び第２の面それぞれにおける前記貫通孔の周囲の前記ソルダーレジスト層の縁部及び前記貫通孔の内壁面を樹脂膜で覆うことと、を含んでいる。
【０００７】
本発明の実施形態の配線基板によれば、貫通孔を有する配線基板において貫通孔の内壁からの発塵を抑制することができ、配線基板が用いられる機器の品質を高めることができると考えられる。本発明の実施形態の配線基板の製造方法によれば、貫通孔の内壁からの発塵が少ない配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２】図１の例の配線基板を示す平面図。
【図３】図１のIII部の拡大図。
【図４Ａ】図１の配線基板の変形例を示す断面図。
【図４Ｂ】図１の配線基板の他の変形例を示す断面図。
【図５Ａ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法において用意される積層体の一例を示す断面図。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法におけるソルダーレジスト層の形成後の状態の一例を示す断面図。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における貫通孔の形成後の状態の一例を示す断面図。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における樹脂膜の形成後の状態の一例を示す断面図。
【図６】本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１及び図２には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図及び平面図がそれぞれ示されている。図１は図２に示されるＩ−Ｉ線での断面図である。図１及び図２に示されるように、配線基板１は、絶縁層と導体層との積層体１０と、ソルダーレジスト層（第１樹脂膜）４１と、ソルダーレジスト層（第２樹脂膜）４２と、を備えている。積層体１０は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面のうちの一方である第１面１０Ｆ、及び第１面１０Ｆの反対面である第２面１０Ｓを有している。積層体１０は、２以上の導体層（図１の例では第１〜第４の導体層２１、２２、２３、２４）と、この２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層（図１の例では第１〜第３の絶縁層３１、３２、３３）とを含んでいる。積層体１０は、さらに、積層体１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａを有している。ソルダーレジスト層４１は、積層体１０の第１面１０Ｆを覆っており、ソルダーレジスト層４２は、積層体１０の第２面１０Ｓを覆っている。ソルダーレジスト層４１は、貫通孔１０ａを露出させる開口４１ａを有しており、ソルダーレジスト層４２は、貫通孔１０ａを露出させる開口４２ａを有している。配線基板１は、さらに、樹脂膜１５（第３樹脂膜）を有している。樹脂膜１５は、ソルダーレジスト層４１、４２に覆われていない積層体１０の露出面を部分的に覆っている。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内部を経由して積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの一方から他方に至るように形成されていて貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている。図２に示されるように、本実施形態では、貫通孔１０ａは、平面視における全周に渡ってその内壁面１０ａ１を樹脂膜１５に覆われている。
【００１０】
貫通孔１０ａは、後述されるように、例えば、レーザー加工、又はドリル加工などの機械加工によって形成されることがある。そのような加工によって切削された面であり得る貫通孔１０ａの内壁面には、加工による切削屑が除去されずに残存することがある。その残存する切削屑は、配線基板１のような回路基板の使用時に貫通孔の内壁面から遊離して塵芥となることがある。そして、そのような塵芥は、貫通孔１０ａ内に浮遊したり、配線基板１及び／又は配線基板１に実装される部品Ｅの表面に付着したりすることがある。
【００１１】
しかし本実施形態では、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１は樹脂膜１５によって覆われている。そのため、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１において積層体１０の各導体層及び各絶縁層を形成する導電性又は絶縁性の材料の切削屑などが残存したとしても、そのような切削屑などは貫通孔１０ａ内に遊離し得ない。従って、切削屑などからなる塵芥が、配線基板１に実装され得る部品Ｅの機能に影響を及ぼすことが防止されると考えられる。
【００１２】
また、本実施形態では、樹脂膜１５は、積層体１０の第１面１０Ｆにおいて、開口４１ａの周囲のソルダーレジスト層４１の縁部を覆い、積層体１０の第２面１０Ｓにおいて開口４２ａの周囲のソルダーレジスト層４２の縁部を覆っている。そのため、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの形成位置、及び／又は、樹脂膜１５の形成位置に多少のずれが生じても、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓのいずれか又は両方は、意図せず露出され難い。
【００１３】
図１の例の配線基板１において、第１絶縁層３１と第１絶縁層３１の両面それぞれに積層されている第１導体層２１及び第３導体層２３とによって配線基板１のコア基板が形成されている。このコア基板を挟んで、第２絶縁層３２及び第２導体層２２を有するビルドアップ層と、第３絶縁層３３及び第４導体層２４を有するビルドアップ層とが形成されている。第１絶縁層３１には、第１導体層２１と第３導体層２３とを接続するスルーホール導体３１ａが形成されている。なお、積層体１０に含まれる導体層及び絶縁層の数は図１の例に限定されない、例えば、積層体１０は、第１絶縁層３１並びに第１及び第３の導体層２１、２３だけを含んでいてもよく、２組以上の導体層及び絶縁層によって構成されるビルドアップ層を含んでいてもよい。
【００１４】
なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向において第１絶縁層３１から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第１絶縁層３１に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、第１絶縁層３１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、第１絶縁層３１側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。
【００１５】
積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、それぞれ、積層体１０を構成する導体層及び絶縁層それぞれにおけるＺ方向と略直交する表面のうち、積層体１０を構成する他の導体層及び他の絶縁層に接していない部分で構成される。従って、図１の例において、第２導体層２２の導体パターンが形成されている領域では第２導体層２２の上面が第１面１０Ｆであり、第２導体層２２の導体パターンが形成されていない領域では第２絶縁層３２の上面が第１面１０Ｆである。同様に、第４導体層２４の導体パターンが形成されている領域では第４導体層２４の上面が第２面１０Ｓであり、第４導体層２４の導体パターンが形成されていない領域では第３絶縁層３３の上面が第２面１０Ｓである。
【００１６】
各導体層（第１〜第４の導体層２１〜２４）は、例えば、金属箔、無電解めっき膜、及び、電解めっき膜を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
【００１７】
各絶縁層（第１〜第３の絶縁層３１〜３３）は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
【００１８】
第２絶縁層３２は、第２絶縁層３２を貫通し、第１導体層２１と第２導体層２２とを接続するビア導体５１を含んでいる。第３絶縁層３３は、第３絶縁層３３を貫通し、第３導体層２３と第４導体層２４とを接続するビア導体５２を含んでいる。ビア導体５１、５２は、第２及び第３の絶縁層３２、３３それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体５１、５２は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体５１、５２は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体３１ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
【００１９】
積層体１０の第１面１０Ｆ側の最表層の導体層である第２導体層２２は、配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａを有している。部品Ｅは、図１の例の様に、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装され得る。その場合、部品Ｅは、貫通孔１０ａを通過する光を受光又は出射する、撮像素子のような受光素子、又は発光素子を含む光学系要素を含む電子部品であってもよい。また、部品Ｅは、貫通孔１０ａを通過する電波を受信又は発信する無線通信機能を有する電子部品であってもよく、また、レンズなどの光学部品であってもよい。
【００２０】
このような部品Ｅが配線基板１に実装される場合、貫通孔１０ａは、光路又は導波路として機能し得る。そのような機能を有し得る貫通孔１０ａ内に塵芥が浮遊していると、部品Ｅの機能がその影響を受ける虞があるが、本実施形態では、樹脂膜１５によってそのような状況が回避され得る。配線基板１が用いられる電子機器の品質向上に寄与し得ると考えられる。
【００２１】
なお、積層体１０の第２面１０Ｓ側の最表層の導体層である第４導体層２４が、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａを含んでいてもよい。第２及び第４の導体層２２、２４のいずれか一方に接続パッド２２ａが設けられてもよく、両方の導体層に接続パッド２２ａが設けられてもよい。
【００２２】
図１の例において、第４導体層２４は、複数の接続パッド２４ａを含んでいる。前述した第２導体層２２に含まれる接続パッド２２ａのそれぞれは、ビア導体５１、第１導体層２１、スルーホール導体３１ａ、第３導体層２３、及びビア導体５２を介して、複数の接続パッド２４ａのうちの１つ又は複数と電気的に接続され得る。図示されていないが、接続パッド２２ａ、２４ａの表面には、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜が形成されていてもよい。
【００２３】
ソルダーレジスト層４１は、開口４１ａの他に、接続パッド２２ａを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層４２は、開口４２ａの他に、接続パッド２４ａを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層４１、４２は、絶縁性を有する任意の材料を用いて形成され得る。ソルダーレジスト層４１、４２の材料は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを主原料として構成され得る。
【００２４】
樹脂膜１５も任意の樹脂材料を用いて形成され得る。樹脂膜１５の材料は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はアクリル樹脂などを主原料として構成され得る。
【００２５】
図２に示されるように、図１の配線基板１が有する貫通孔１０ａは、全体として矩形の平面形状を有しており、配線基板１の略中央部に形成されている。なお、図２において配線基板１の中央部に４重に描かれている四角形のうちの最も内側の実線は、樹脂膜１５の内側面１５ａを示している。この樹脂膜１５の内側面１５ａの隣に描かれている破線が、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を示している。また、内壁面１０ａ１の外側に隣接して描かれている破線は、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁を示している。
【００２６】
図２に示されるように、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１よりも平面視でさらに貫通孔１０ａの外側に位置している。図２には示されていないが、ソルダーレジスト層４２の開口４２ａの内縁も、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１よりも平面視で貫通孔１０ａの外側に位置している。
【００２７】
図２に示されるように、樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの周囲全周に渡って形成され、枠状の平面形状を有している。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１及びソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁を、貫通孔１０ａの周囲全周に渡って覆っている。従って、樹脂膜１５の外側面１５ｂは、平面視において開口４１ａ（及び図示されない開口４２ａ）の外側に位置している。
【００２８】
図２の例において、複数の接続パッド２２ａは、貫通孔１０ａの対向する一組の２辺それぞれの外側にこの２辺に沿って配列されている。配線基板１に実装される部品Ｅ（図１参照）は、例えば、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に搭載され、部品Ｅの所定の端子（図示せず）が接続パッド２２ａに接続され得る。接続パッド２２ａは、図２の例に限定されず、部品Ｅに応じて任意の位置に任意の数だけ設けられる。接続パッド２２ａは、例えば、略矩形の貫通孔１０ａの４辺それぞれの外側に、この４辺それぞれに沿って配列されてもよい。
【００２９】
図３には、図１のIII部の拡大図が示されている。図３に示されるように、積層体１０において貫通孔１０ａの近傍の領域では、第２及び第４の導体層２２、２４（図１参照）の導体パターンが形成されていない。そのため、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、それぞれ、第２及び第３の絶縁層３２、３３の上面からなる。そして、配線基板１では、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１よりも貫通孔１０ａの外側に位置している。そのため、積層体１０の第１面１０Ｆは、貫通孔１０ａの近傍に、ソルダーレジスト層４１に覆われない領域を有している。同様に、ソルダーレジスト層４２の開口４２ａの内縁は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１よりも貫通孔１０ａの外側に位置している。そのため、積層体１０の第２面１０Ｓは、貫通孔１０ａの近傍に、ソルダーレジスト層４２に覆われない領域を有している。
【００３０】
そして、積層体１０の第１面１０Ｆにおけるソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁と貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１との間の領域であって開口４１ａ内に露出する領域に樹脂膜１５が接している。同様に、積層体１０の第２面１０Ｓにおけるソルダーレジスト層４２の開口４２ａの内縁と貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１との間の領域であって開口４２ａ内に露出する領域に樹脂膜１５が接している。
【００３１】
樹脂膜１５は、後述するように、例えば、ソルダーレジスト層４１、４２が硬化された後に形成され得る。その場合、樹脂膜１５が、ソルダーレジスト層４１、４２に十分な強度で密着し得ないことがある。一方、貫通孔１０ａの周辺の領域において第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓをそれぞれ構成する第２及び第３の絶縁層３２、３３は、第２導体層２２又は第４導体層２４が強固に密着され得るべく、適度な粗面をそれぞれの上面に有し得る。従って、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、ソルダーレジスト層４１、４２よりも強固に樹脂膜１５と密着し得ると考えられる。従って、図３の例のように樹脂膜１５が形成される配線基板１では、樹脂膜１５と積層体１０との剥離が生じ難いと推察される。
【００３２】
ソルダーレジスト層４１、４２の開口４１ａ、４２ａの内縁それぞれと、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１との間の距離Ｄ１は、例えば、５０μｍ以上、１５０μｍ以下である。距離Ｄ１がこのような範囲の長さを有していると、樹脂膜１５が積層体１０から剥がれ難く、且つ、貫通孔１０ａから比較的近い位置に接続パッド２２ａが配置され得る。また、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１と略直交する方向における、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれと樹脂膜１５とが重なっている部分の長さＤ２は、例えば、５０μｍ以上、１００μｍ以下である。距離Ｄ２がこのような範囲の長さを有していると、積層体１０の第１面１０Ｆ及び／又は第２面１０Ｓの意図せぬ露出が防がれ、且つ、貫通孔１０ａから比較的近い位置に接続パッド２２ａが配置され得る。
【００３３】
また、樹脂膜１５におけるソルダーレジスト層４１、４２それぞれと重なっている部分の厚さＴ１は、例えば、５μｍ以上、３０μｍ以下である。厚さＴ１がこのような範囲の厚さを有していると、ソルダーレジスト層４１、４２上の樹脂膜１５にクラックなどが生じ難い。加えて、スタンドオフ高さの比較的低いパッケージを有する半導体集積回路装置のような部品Ｅ（図１参照）が、樹脂膜１５を跨ぐように配線基板１に実装され得る。
【００３４】
図３に示されるように、樹脂膜１５において貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている部分の表面は、貫通孔１０ａの内部に向って凸となるように湾曲している。すなわち、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１上の樹脂膜１５の厚さは、Ｚ方向の中央部分で厚く、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの近傍において薄い。図３の例では、配線基板１のＺ方向の中央部分を構成する第１絶縁層３１は、配線基板１のコア層である。そのため、第１絶縁層３１には、適度な剛性を得るべくガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材が含められることがある。そのような繊維状の材料を第１絶縁層３１が含んでいる場合、貫通孔１０ａの形成によって切断された繊維屑が、内壁面１０ａ１におけるＺ方向の中央部分から比較的長く突出することがある。図３の例のように湾曲する表面を有する樹脂膜１５は、そのような繊維屑を露出させずに覆い易い点で好ましい。
【００３５】
樹脂膜１５及び、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内縁の形状は、図３に例示される形状に限定されない。図４Ａ及び図４Ｂには、それぞれ、図１の配線基板１の変形例が示されており、各変形例における図１のIII部に相当する部分が示されている。
【００３６】
図４Ａの変形例では、樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている部分において略平坦な表面を有している。樹脂膜１５の表面が貫通孔１０ａの内部に向って湾曲していないので、貫通孔１０ａの開口サイズを図３の例に比べて小さくできることがある。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａ内において、このような平坦な表面を有していてもよく、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１さえ露出しなければ、内壁面１０ａ１に向って凹むように湾曲する表面を有していてもよい。図４Ａにおける樹脂膜１５以外の構成要素の構造及び形状は図３の例と同様であるため、それらの構成要素に関する説明は省略される。
【００３７】
図４Ｂの例では、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内壁面が、Ｚ方向において配線基板１の中央部側ほど貫通孔１０ａに近付くように傾斜している。換言すると、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内壁面は、Ｚ方向において配線基板１の外表面側ほど貫通孔１０ａから遠ざかるように傾斜している。そして、その開口４１ａ、４２ａの傾斜する内壁面と共にソルダーレジスト層４１、４２それぞれの上面並びに第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓの露出面を、樹脂膜１５が覆っている。開口４１ａ、４２ａの内壁面が傾斜しているため、図４Ｂの例の第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓ上での樹脂膜１５の厚さの変化は、図３の例と比べて小さい。樹脂膜１５において、局所的な脆弱部分や応力集中などが生じ難いと考えられる。図４Ｂにおける樹脂膜１５以外の構成要素の構造及び形状は図３の例と同様であるため、それらの構成要素に関する説明は省略される。
【００３８】
つぎに、図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図５Ａ〜図５Ｄを参照して説明される。
【００３９】
図５Ａに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、２以上の導体層（図５Ａでは第１〜第４の導体層２１、２２、２３、２４）と、この２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層（図５Ａでは、第１〜第３の絶縁層３１、３２、３３）とを含む積層体１０を用意することを含んでいる。積層体１０は、例えば第１絶縁層３１の一方の表面に第１導体層２１、第２絶縁層３２、及び第２導体層２２を順に形成すると共に、第１絶縁層３１の他方の表面に第３導体層２３、第３絶縁層３３、及び第４導体層２４を順に形成することによって用意される。
【００４０】
例えば第１絶縁層３１となる絶縁基板とその両面それぞれに積層された銅箔とを有する両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板には、レーザー加工によって、スルーホール導体３１ａを形成するための貫通孔が形成され、貫通孔の内壁及び両面銅張積層板の表面上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって導体膜が形成される。そして、この導体膜をシード層及び給電層として用いる電解めっき、及び、適切なマスクを用いるエッチングなどを含むサブトラクティブ法によって、所望の導体パターンを有する第１導体層２１及び第３導体層２３、並びにスルーホール導体３１ａが形成される。即ち配線基板１のコア基板が形成される。第１及び第３の導体層２１、２３、並びにスルーホール導体３１ａは、セミアディティブ法によって形成されてもよい。
【００４１】
第１導体層２１上、及び第１導体層２１の導体パターン間に露出する第１絶縁層３１の露出面上に、例えばシート状のエポキシ樹脂が積層され、熱圧着されることによって、第２絶縁層３２が形成される。第２絶縁層３２の形成と同様の方法で、好ましくは第２絶縁層３２の形成と同時に、第３導体層２３上、及び第３導体層２３の導体パターン間に露出する第１絶縁層３１の露出面上に第３絶縁層３３が形成される。第２及び第３の絶縁層３２、３３の形成において、銅箔などの金属箔が、第２及び第３の絶縁層３２、３３の上に熱圧着されてもよい。第２及び第３の絶縁層３２、３３には、所定の位置に、ビア導体５１、５２の形成用の孔が、レーザー光の照射などによって形成される。
【００４２】
そして、例えばセミアディティブ法によって、第２絶縁層３２の上に所望の導体パターンを有する第２導体層２２が形成され、第２絶縁層３２内にビア導体５１が形成される。また、第２導体層２２及びビア導体５１の形成方法と同様の方法で、好ましくは第２導体層２２の形成と同時に、第３絶縁層３３の上に所望の導体パターンを有する第４導体層２４が形成され、第３絶縁層３３内にビア導体５２が形成される。例えば、以上の工程を経ることによって、第２導体層２２側の表面として第１面１０Ｆを有し、第４導体層２４側の表面として第２面１０Ｓを有する積層体１０が用意される。
【００４３】
図５Ｂに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、積層体１０の第１面１０Ｆを覆うソルダーレジスト層４１、及び、積層体１０の第２面１０Ｓを覆うソルダーレジスト層４２を形成することを含んでいる。ソルダーレジスト層４１、４２の形成では、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層が、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれに形成される。感光性の樹脂層の形成方法としては、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又は印刷などによる液状樹脂の堆積、若しくは、シート状樹脂の積層などが例示される。シート状樹脂の積層による方法を用いることによって、より平坦なソルダーレジスト層４１、４２を形成し得ることがある。形成された樹脂層に対して適切な開口パターンを有する露光マスクを用いた露光、及び現像が行われ、接続パッド２２ａ、２４ａを露出させる開口４１ｂ、４２ｂが形成される。開口４１ｂ、４２ｂが形成された後、ソルダーレジスト層４１、４２は、例えば加熱されることによって最終的な状態へと本硬化される。
【００４４】
図５Ｂに示されるように、ソルダーレジスト層４１、４２を形成することは、後工程において積層体１０に形成される貫通孔１０ａ（図５Ｃ参照）に対応する所定の領域にソルダーレジスト層４１、４２の開口４１ａ、４２ａを形成することを含んでいてもよい。図１の配線基板１が製造される場合は、開口４１ａ、４２ａが形成される。好ましくは、後工程において形成される貫通孔１０ａが形成されるべき領域Ａを平面視において内側に含む開口４１ａ、４２ａが形成される。換言すると、開口４１ａ、４２ａは、好ましくは、平面視において貫通孔１０ａの全体が開口４１ａ、４２ａそれぞれの内部に収まるように形成される。開口４１ａ、４２ａは、接続パッド２２ａ、２４ａを露出させる開口４１ｂ、４２ｂの形成と同様の方法で、開口４１ｂ、４２ｂの形成と同時に形成され得る。
【００４５】
図５Ｃに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、積層体１０を積層体１０の厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａを積層体１０の所定の領域に形成することを含んでいる。貫通孔１０ａの形成方法としては、ドリル加工、ルーター加工又はレーザー加工などが例示されるが、貫通孔１０ａの形成方法はこれらに限定されない。レーザー加工によって貫通孔１０ａが形成される場合は、例えば、ＣＯ2レーザーなどによるレーザー光が、積層体１０における貫通孔１０ａの形成領域の輪郭に沿って照射される。そしてレーザー光の照射経路に囲まれた部分が引き抜かれることによって貫通孔１０ａが形成され得る。
【００４６】
貫通孔１０ａは、前述したソルダーレジスト層４１、４２の形成において開口４１ａ、開口４２ａが形成されている場合、開口４１ａ、開口４２ａ内に形成される。開口４１ａ、４２ａそれぞれの内縁よりも内側に貫通孔１０ａが形成されることによって、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓに、ソルダーレジスト層４１、４２に覆われずに露出する領域が設けられる。なお、ソルダーレジスト層４１、４２の形成において開口４１ａ、４２ａが形成されない場合は、貫通孔１０ａを形成するドリル加工やレーザー加工によって、開口４１ａ、４２ａが形成され得る。その場合、後述する他の実施形態の配線基板１ａが形成され得る。
【００４７】
図５Ｄに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１、貫通孔１０ａの周囲のソルダーレジスト層４１の縁部、及び、貫通孔１０ａの周囲のソルダーレジスト層４２の縁部を樹脂膜１５で覆うことを含んでいる。樹脂膜１５は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれにおいて、開口４１ａ、４２ａに沿ったソルダーレジスト層４１、４２の縁部を覆っている。樹脂膜１５は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はアクリル樹脂などの所定の樹脂を、少なくとも貫通孔１０ａの周囲に供給することによって形成される。
【００４８】
図５Ｄに示されるように、樹脂膜１５の形成では、まず、積層体１０の第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓ上のソルダーレジスト層４１、４２、並びに、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１上の全面に所定の樹脂が供給されてもよい。そして、積層体１０及びソルダーレジスト層４１、４２の全表面を覆う樹脂膜１５が形成されてもよい。エポキシ樹脂などが例示される所定の樹脂は、インクジェット、スピンコ―ティング、スプレーコーティング、又はロールコーティングなどの任意の方法によって供給され得る。このような方法によって、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１にも、十分な量の樹脂が供給され得る。
【００４９】
その後、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａに沿った縁部、及び、ソルダーレジスト層４２の開口４２ａに沿った縁部、以外の領域に供給された樹脂が除去される。この除去は、例えば、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって行われる。
【００５０】
このようにして、積層体１０及びソルダーレジスト層４１、４２の全表面に形成された硬化前の樹脂膜１５における、貫通孔１０ａの周囲以外の所定の領域を覆っている部分が除去される。その結果、所望の部分だけを覆う樹脂膜１５が形成される。その後、必要に応じて加熱することによって、樹脂膜１５が本硬化される。以上の工程を経ることによって図１に示される配線基板１が完成する。
【００５１】
なお、図５Ｂに示される工程の後、ソルダーレジスト層４１、４２の開口４１ｂ、４２ｂに露出する接続パッド２２ａ、２４ａに、必要に応じて、表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜が形成され得る。
【００５２】
図６には、他の実施形態の一例である配線基板１ａが示されている。図６に示される配線基板１ａも、図１に例示される一実施形態の配線基板１と同様に、導体層と絶縁層との積層体１０と、ソルダーレジスト層４１、４２と、樹脂膜１５とを含んでいる。積層体１０は貫通孔１０ａを有している。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆うと共に、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓにおいて、貫通孔１０ａの周囲のソルダーレジスト層４１、４２それぞれの縁部を覆っている。
【００５３】
一方、図６の配線基板１ａでは、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内縁が、図６に示されるようなＺ方向に沿った断面において、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１と略一致している。開口４１ａ、開口４２ａそれぞれの内壁面と貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１とは略面一である。すなわち、ソルダーレジスト層４１、４２は、平面視において貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１に達するまで積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓを覆っている。積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、ソルダーレジスト層４１、４２の開口４１ａ、４２ａ内に露出する領域を有していない。
【００５４】
先に参照した図１に例示の配線基板１では、配線基板１において樹脂膜１５によって覆われる部分の厚さが、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１から貫通孔１０ａの外側に向って段階的に変化する。これに対して図６の例では、配線基板１ａにおいて樹脂膜１５に覆われる部分は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を含む端面において、積層体１０だけでなくソルダーレジスト層４１、４２も含めた厚さを有している。そのため、図１の例よりも樹脂膜１５の第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓ上での厚さを必要に応じて厚くできることがある。例えば、樹脂膜１５を所望の厚さに形成することによって、例えば半田バンプＥ１を有する部品Ｅの実装時の高さを所望の範囲内に制御できることがある。樹脂膜１５とソルダーレジスト層４１、４２との剥離の懸念が少ない場合は、図６に例示されるように貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１と略面一の内壁面を有する開口４１ａ、４２ａがソルダーレジスト層４１、４２に形成されてもよい。
【００５５】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、貫通孔１０ａは、平面視で配線基板１の任意の位置に設けられ得る。また、積層体１０は、コア基板を有さず一方向に導体層と絶縁層とが積層された所謂コアレス基板であってもよい。また、ビア導体５１、５２及びスルーホール導体３１ａは必ずしも形成されていなくてもよい。
【００５６】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、第２及び第４の導体層２２、２４がサブトラクティブ法でパターニングされてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１、１ａ  配線基板
１０      積層体
１０ａ    貫通孔
１０ａ１  内壁面
１５      樹脂膜
２１      第１導体層
２２      第２導体層
２３      第３導体層
２４      第４導体層
２２ａ    接続パッド
３１      第１絶縁層（コア層）
３２      第２絶縁層
３３      第３絶縁層
４１、４２  ソルダーレジスト層
４１ａ、４２ａ  開口
Ｅ        部品
【図１】
2020174145.tif 000003
【図２】
2020174145.tif 000004
【図３】
2020174145.tif 000005
【図４Ａ】
2020174145.tif 000006
【図４Ｂ】
2020174145.tif 000007
【図５Ａ】
2020174145.tif 000008
【図５Ｂ】
2020174145.tif 000009
【図５Ｃ】
2020174145.tif 000010
【図５Ｄ】
2020174145.tif 000011
【図６】
2020174145.tif 000012