(57)【要約】【課題】センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石と、センサチップに磁束を集めるための集磁部材を備えた磁気センサの検出感度を高める。【解決手段】ｚ方向から永久磁石４１，４２に挟まれるよう配置され、感磁素子を有するセンサチップ２０と、感磁素子に磁束を集める集磁部材３０とを備える。集磁部材３０のｚ方向における中心位置は、永久磁石４１，４２のｚ方向における中心Ｚ０にアライメントされ、感磁素子のｚ方向における位置Ｚｒは中心Ｚ０に対してオフセットしている。本発明によれば、感磁素子が中心Ｚｒに対してオフセットして配置されていることから、集磁部材３０の角部近傍から放出される磁束φが感磁素子に効率よく印加される。これにより、感磁素子を中心Ｚ０にアライメントした場合と比べ、より高い検出感度を得ることが可能となる。【選択図】図２
2020003280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に配列された第１及び第２の永久磁石と、
前記第１の方向から前記第１及び第２の永久磁石に挟まれるよう配置され、感磁素子を有するセンサチップと、
前記第１の方向から前記第１及び第２の永久磁石に挟まれるよう配置され、前記感磁素子に磁束を集める集磁部材と、を備え、
前記集磁部材の前記第１の方向における中心位置は、前記第１の永久磁石と前記第２の永久磁石の間の前記第１の方向における中心にアライメントされ、
前記感磁素子の前記第１の方向における位置は、前記第１の永久磁石と前記第２の永久磁石の間の前記第１の方向における中心に対してオフセットしていることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記センサチップは、前記感磁素子が形成された素子形成面を有し、
前記素子形成面は、前記第１の方向と直交することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記素子形成面の前記第１の方向における位置は、前記集磁部材と重なりを有していることを特徴とする請求項２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記センサチップ及び前記集磁部材と前記第１の永久磁石の間に配置された第１の磁気シールドと、
前記センサチップ及び前記集磁部材と前記第２の永久磁石の間に配置された第２の磁気シールドと、をさらに備えることを特徴とする請求項２又は３に記載の磁気センサ。
【請求項５】
主面に前記センサチップ及び前記集磁部材が搭載された回路基板をさらに備え、
前記センサチップの前記素子形成面は、前記回路基板の前記主面と平行であり、
前記集磁部材は、前記センサチップの前記素子形成面と接することなく前記回路基板の前記主面に搭載されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記センサチップは、前記回路基板の前記主面に対して垂直であり、互いに平行な第１及び第２の側面をさらに有し、
前記集磁部材は、前記センサチップの前記第１及び第２の側面をそれぞれ覆う第１及び第２の部分と、前記第１の部分と前記第２の部分を接続する第３の部分とを有することを特徴とする請求項５に記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記集磁部材は、磁性材料からなる磁性部と非磁性材料からなる非磁性部とを含み、
前記非磁性部は、前記回路基板の前記主面と前記磁性部の間に位置することを特徴とする請求項５又は６に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気センサに関し、特に、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石を備えた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサの中には、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石を備えた磁気センサが存在する。例えば、特許文献１には、Ｎ極とＳ極の位置を互いに反転させた２つの永久磁石と、これら２つの永久磁石に挟まれるように配置されたセンサチップを備えた磁気センサが開示されている。特許文献１に記載された磁気センサでは、２つの永久磁石の間の中心位置にセンサチップが配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６２０９６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、磁気センサには、センサチップに磁束を集めるための集磁部材が用いられることがある。この場合、集磁部材によって磁束の流れが変化するため、センサチップを２つの永久磁石の間の中心位置にアライメントすると、十分な検出感度が得られないことがあった。
【０００５】
したがって、本発明は、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石と、センサチップに磁束を集めるための集磁部材を備えた磁気センサにおいて、検出感度をより高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による磁気センサは、第１の方向に配列された第１及び第２の永久磁石と、第１の方向から第１及び第２の永久磁石に挟まれるよう配置され、感磁素子を有するセンサチップと、第１の方向から第１及び第２の永久磁石に挟まれるよう配置され、感磁素子に磁束を集める集磁部材とを備え、集磁部材の第１の方向における中心位置は、第１の永久磁石と第２の永久磁石の間の第１の方向における中心にアライメントされ、感磁素子の第１の方向における位置は、第１の永久磁石と第２の永久磁石の間の第１の方向における中心に対してオフセットしていることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、集磁部材が第１の永久磁石と第２の永久磁石の間の中心にアライメントされていることから、バイアス磁界の変化に応じて集磁部材に流れる磁束を大きく変化させることができる。しかも、感磁素子は、第１の永久磁石と第２の永久磁石の中心に対してオフセットして配置されていることから、集磁部材の角部近傍から放出される磁束が感磁素子に効率よく印加される。これにより、感磁素子を第１の永久磁石と第２の永久磁石の中心にアライメントした場合と比べ、より高い検出感度を得ることが可能となる。
【０００８】
本発明において、センサチップは感磁素子が形成された素子形成面を有し、素子形成面は、第１の方向と直交するものであっても構わない。これによれば、素子形成面と平行な磁束を検出することができる。
【０００９】
本発明において、素子形成面の第１の方向における位置は、集磁部材と重なりを有していても構わない。これによれば、磁束が素子形成面により効率よく印加されることから、よりいっそう高い検出感度を得ることが可能となる。
【００１０】
本発明による磁気センサは、センサチップ及び集磁部材と第１の永久磁石の間に配置された第１の磁気シールドと、センサチップ及び集磁部材と第２の永久磁石の間に配置された第２の磁気シールドとをさらに備えていても構わない。これによれば、第１及び第２の永久磁石からの磁束がセンサチップに直接印加されないため、感磁素子が飽和しにくくなる。
【００１１】
本発明による磁気センサは、主面にセンサチップ及び集磁部材が搭載された回路基板をさらに備え、センサチップの素子形成面は、回路基板の主面と平行であり、集磁部材は、センサチップの素子形成面と接することなく回路基板の主面に搭載されていても構わない。これによれば、集磁部材がセンサチップの素子形成面と接しない構造を有していることから、仮に集磁部材に外力が加わったとしても、これがセンサチップの素子形成面に伝わることがない。
【００１２】
本発明において、センサチップは、回路基板の主面に対して垂直であり、互いに平行な第１及び第２の側面をさらに有し、集磁部材は、センサチップの第１及び第２の側面をそれぞれ覆う第１及び第２の部分と、第１の部分と第２の部分を接続する第３の部分とを有するものであっても構わない。これによれば、第３の部分によって集めた磁束を第１及び第２の部分によって曲げることが可能となる。
【００１３】
本発明において、集磁部材は、磁性材料からなる磁性部と非磁性材料からなる非磁性部とを含み、非磁性部は、回路基板の主面と磁性部の間に位置するものであっても構わない。これによれば、金属磁性体など薄型の磁性部を用いることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
このように、本発明によれば、センサチップにバイアス磁界を印加する永久磁石と、センサチップに磁束を集めるための集磁部材を備えた磁気センサにおいて、検出感度をより高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１の構造を説明するための模式的な透視斜視図である。
【図２】図２は、磁気センサ１の断面図である。
【図３】図３は、回路基板１０に搭載されたセンサチップ２０及び集磁部材３０の構造を説明するための略斜視図である。
【図４】図４は、回路基板１０に搭載されたセンサチップ２０及び集磁部材３０の構造を説明するための略側面図である。
【図５】図５は、磁束φの流れを説明するための模式的なｘｙ平面図である。
【図６】図６は、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の接続関係を示す回路図である。
【図７】図７は、磁束φの流れを説明するための模式的なｙｚ平面図である。
【図８】図８は、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒと検出感度との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、第１の変形例による磁気センサ１ａの主要部の構成を説明するためのｘｚ側面図である。
【図１０】図１０は、第２の変形例による磁気センサ１ｂの主要部の構成を説明するためのｘｚ側面図である。
【図１１】図１１は、第１の変形例によるセンサチップ２０Ａの素子形成面２５の構造を示す略平面図である。
【図１２】図１２は、第２の変形例によるセンサチップ２０Ｂの素子形成面２５の構造を示す略平面図である。
【図１３】図１３は、第１の変形例による集磁部材３０Ａの形状を示す平面図である。
【図１４】図１４は、第２の変形例による集磁部材３０Ｂの形状を示す平面図である。
【図１５】図１５は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ２の主要部の構造を説明するための模式的な斜視図である。
【図１６】図１６は、磁気センサ２の主要部の構造を説明するための模式的なｘｙ側面図である。
【図１７】図１７は、変形例による磁気センサ２ａの主要部の構造を説明するための模式的なｘｙ側面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ３の構造を説明するための模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１７】
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態による磁気センサ１の構造を説明するための模式的な透視斜視図である。また、図２は磁気センサ１の断面図である。
【００１８】
図１及び図２に示すように、第１の実施形態による磁気センサ１は、樹脂などの非磁性材料からなる筐体５０と、筐体５０に内蔵された回路基板１０、センサチップ２０、集磁部材３０、永久磁石４１，４２を備えている。永久磁石４１，４２は、いずれもｙ方向を磁極方向とし、互いにＮ極とＳ極の位置が反転している。これにより、永久磁石４１と永久磁石４２の間には図２に示す磁束φが発生し、これがバイアス磁界として用いられる。回路基板１０、センサチップ２０及び集磁部材３０は、永久磁石４１と永久磁石４２によって、ｚ方向から挟まれるように配置される。回路基板１０の主面１１には、センサチップ２０及び集磁部材３０が搭載されている。
【００１９】
ここで、永久磁石４１のｚ方向におけるセンサチップ２０側の端面の位置をＺ１とし、永久磁石４２のｚ方向におけるセンサチップ２０側の端面の位置をＺ２とした場合、集磁部材３０のｚ方向における中心位置は、位置Ｚ１と位置Ｚ２のｚ方向における中心Ｚ０にアライメントされている。中心Ｚ０と位置Ｚ１，Ｚ２のｚ方向における距離は、いずれもｄである。
【００２０】
図３及び図４は、それぞれ回路基板１０に搭載されたセンサチップ２０及び集磁部材３０の構造を説明するための略斜視図及び略側面図である。
【００２１】
図３に示すように、回路基板１０の主面１１はｘｙ面を構成し、センサチップ２０及び集磁部材３０は回路基板１０の主面１１に搭載されている。センサチップ２０は、ｙｚ面を構成する側面２１，２２と、ｘｚ面を構成する側面２３，２４と、ｘｙ面を構成する素子形成面２５及び裏面２６とを有しており、裏面２６が回路基板１０の主面１１と向かい合うよう、回路基板１０に搭載されている。センサチップ２０の固定は、回路基板１０とセンサチップ２０の裏面２６の間に接着剤を塗布することにより行うことができる。また、センサチップ２０と回路基板１０の電気的接続は、図示しないボンディングワイヤなどを用いて行うことができる。
【００２２】
素子形成面２５には、２つの感磁素子Ｒ１，Ｒ２が形成されている。感磁素子Ｒ１，Ｒ２としては、磁界の向き及び強さに応じて抵抗値が変化する磁気抵抗素子を用いることができる。このうち、感磁素子Ｒ１は側面２１の近傍に配置され、感磁素子Ｒ２は側面２２の近傍に配置されている。
【００２３】
集磁部材３０は、フェライトなどの単一の磁性材料からなるブロックであり、センサチップ２０の側面２１，２２をそれぞれ覆う第１及び第２の部分３１，３２と、第１の部分３１と第２の部分３２を接続する第３の部分３３を有している。図３に示す例では、集磁部材３０の第１及び第２の部分３１，３２がセンサチップ２０の側面２１，２２の一部をそれぞれ覆っているが、センサチップ２０の側面２１，２２を完全に覆う形状であっても構わない。
【００２４】
集磁部材３０は、第３の部分３３によってｙ方向の磁束を集め、これを第１及び第２の部分３１，３２に分配する役割を果たす。ｙ方向から見た略側面図である図４に示すように、集磁部材３０のｚ方向における一方の端面（下面）の位置をＺ３とし、集磁部材３０のｚ方向における他方の端面（上面）の位置をＺ４とした場合、集磁部材３０のｚ方向における中心位置は、上述した中心Ｚ０にアライメントされている。中心Ｚ０と位置Ｚ３，Ｚ４のｚ方向における距離は、いずれもｈである。
【００２５】
これに対し、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒは、上述した中心Ｚ０に対してオフセットしている。本実施形態においては、ｙ方向から見て感磁素子Ｒ１，Ｒ２と集磁部材３０が重なりを有しており、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の位置Ｚｒは、中心Ｚ０と位置Ｚ４の間に存在している。
【００２６】
図５は、磁束φの流れを説明するための模式的なｘｙ平面図である。
【００２７】
図５に示すように、ｙ方向の磁束φは第３の部分３３から集磁部材３０に吸い込まれ、これが第１及び第２の部分３１，３２によってｘ方向に曲げられる。そして、集磁部材３０の第１及び第２の部分３１，３２のｘ方向における近傍には、感磁素子Ｒ１，Ｒ２が配置されていることから、集磁部材３０を通過する磁束φは、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の近傍においてｙ方向成分だけでなく、ｘ方向成分を持つことになる。
【００２８】
ここで、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の固定磁化方向は、図５に示す矢印Ｐが示す方向（ｘ方向）に揃えられている。これに対し、集磁部材３０に吸い込まれた磁束φのｘ方向成分は、感磁素子Ｒ１と感磁素子Ｒ２で互いに逆となることから、磁束φの密度によって感磁素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値に差が生じることになる。かかる抵抗値の差は、図６に示す直列回路から出力信号Ｖｏｕｔとして取り出され、これにより磁束φを検出することが可能となる。
【００２９】
図７は、磁束φの流れを説明するための模式的なｙｚ平面図である。
【００３０】
図７に示すように、集磁部材３０に吸い込まれたｙ方向の磁束φは、集磁部材３０の角部近傍から外部に抜けようとする。つまり、集磁部材３０の内部においては、磁束φがｚ方向における端部である位置Ｚ３，Ｚ４へ曲げられる結果、集磁部材３０から放出される磁束φの密度は、中心Ｚ０よりも位置Ｚ３，Ｚ４の方が高くなる。この点を考慮し、本実施形態においては、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒを中心Ｚ０から位置Ｚ４側にオフセットさせている。これにより、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒを中心Ｚ０にアライメントした場合に比べ、より多くの磁束φが感磁素子Ｒ１，Ｒ２に与えられることから、より高い検出感度を得ることが可能となる。
【００３１】
図８は、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒと検出感度との関係を示すグラフである。
【００３２】
図８に示すように、本実施形態による磁気センサ１は、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒが集磁部材３０と重なる場合、つまり、位置Ｚｒが位置Ｚ３と位置Ｚ４の間にある場合に高い検出感度が得られる。しかしながら、検出感度のピークは中心Ｚ０にはなく、位置Ｚ３の近傍及び位置Ｚ４の近傍にピークが存在する。これは、上述の通り、集磁部材３０に吸い込まれた磁束φが角部から外部に抜けようとするためである。したがって、検出感度がピークとなるｚ方向位置に感磁素子Ｒ１，Ｒ２をレイアウトすることにより、最も高い検出感度を得ることが可能となる。
【００３３】
しかも、本実施形態においては、センサチップ２０の側面２１〜２３が集磁部材３０によって覆われる一方、センサチップ２０の素子形成面２５が集磁部材３０によって覆われない構造を有していることから、仮に集磁部材３０に外力が加わったとしても、この外力がセンサチップ２０の素子形成面２５に直接伝わることがない。このため、センサチップ２０の素子形成面２５にストレスが加わりにくく、結果的に磁気センサ１の信頼性を向上させることが可能となる。但し、センサチップ２０の素子形成面２５が集磁部材３０によって部分的に覆われていても構わない。この場合であっても、センサチップ２０の素子形成面２５と集磁部材３０が直接的に、或いは、接着剤などを介して間接的に接していない限り、集磁部材３０に外力が加わったとしても、この外力がセンサチップ２０の素子形成面２５に直接伝わることがない。
【００３４】
上記実施形態では、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒを中心Ｚ０から位置Ｚ４側にオフセットさせているが、これとは逆に、中心Ｚ０から位置Ｚ３側にオフセットさせても構わない。
【００３５】
図９は、第１の変形例による磁気センサ１ａの主要部の構成を説明するためのｘｚ側面図である。図９に示す例では、センサチップ２０の厚みを集磁部材３０のｚ方向における厚みの半分未満とし、これにより、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒを中心Ｚ０から位置Ｚ３側にオフセットさせている。このような構成であっても、上記実施形態と同じ効果を得ることが可能となる。
【００３６】
図１０は、第２の変形例による磁気センサ１ｂの主要部の構成を説明するためのｘｚ側面図である。図１０に示す例では、センサチップ２０を上下反転させて回路基板１０に搭載している。つまり、素子形成面２５と主面１１が向かい合うよう、センサチップ２０を回路基板１０に搭載している。これにより、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒを中心Ｚ０から位置Ｚ３側にオフセットさせることができるため、上記実施形態と同じ効果を得ることが可能となる。しかも、図１０に示す例では、センサチップ２０の素子形成面２５が回路基板１０の主面１１で覆われる構造となることから、センサチップ２０の素子形成面２５が物理的に保護されるという利点も得られる。
【００３７】
図１１は、第１の変形例によるセンサチップ２０Ａの素子形成面２５の構造を示す略平面図である。第１の変形例によるセンサチップ２０Ａは、素子形成面２５上に磁性体層５１，５２が形成されている点において、上述したセンサチップ２０と相違している。磁性体層５１，５２は、樹脂材料に磁性フィラーが分散された複合磁性材料からなる膜であっても構わないし、ニッケル又はパーマロイなどの軟磁性材料からなる薄膜もしくは箔であっても構わないし、フェライトなどからなる薄膜又はバルクシートであっても構わない。また、磁性体層５１，５２は、感磁素子Ｒ１，Ｒ２よりも上層に位置していても構わないし、下層に位置していても構わないし、同層に位置していても構わない。
【００３８】
そして、第１の変形例によるセンサチップ２０Ａにおいては、磁性体層５１が感磁素子Ｒ１に隣接して側面２１の近傍に配置され、磁性体層５２が感磁素子Ｒ２に隣接して側面２２の近傍に配置されている。これにより、感磁素子Ｒ１，Ｒ２の近傍における磁気抵抗が低くなることから、より多くの磁束を感磁素子Ｒ１，Ｒ２に印加することが可能となる。
【００３９】
図１２は、第２の変形例によるセンサチップ２０Ｂの素子形成面２５の構造を示す略平面図である。第２の変形例によるセンサチップ２０Ｂは、素子形成面２５上に磁性体層５３がさらに追加されている点において、第１の変形例によるセンサチップ２０Ａと相違している。磁性体層５３は、磁性体層５１，５２と同じ磁性材料からなるものであっても構わない。磁性体層５３についても、感磁素子Ｒ１，Ｒ２よりも上層に位置していても構わないし、下層に位置していても構わないし、同層に位置していても構わない。
【００４０】
そして、第２の変形例によるセンサチップ２０Ｂにおいては、磁性体層５３が感磁素子Ｒ１と感磁素子Ｒ２によってｘ方向から挟まれるように配置されていることから、磁性体層５１，５２と磁性体層５３の間で磁束が流れやすくなる。これにより、感磁素子Ｒ１，Ｒ２に印加される磁束のｘ方向成分が高められることから、より高い検出感度を得ることが可能となる。
【００４１】
図１３は、第１の変形例による集磁部材３０Ａの形状を示す平面図である。第１の変形例による集磁部材３０Ａは、第１及び第２の部分３１，３２のｘ方向における幅が先端に向かうほど細くなるよう、両側面がテーパー状にカットされている点において、上述した集磁部材３０と相違している。これによれば、第３の部分３３から取り込まれた磁束φがテーパー状である第１及び第２の部分３１，３２によって感磁素子Ｒ１，Ｒ２に集められることから、感磁素子Ｒ１，Ｒ２にｘ方向成分の磁束φを印加することが可能となる。
【００４２】
図１４は、第２の変形例による集磁部材３０Ｂの形状を示す平面図である。第２の変形例による集磁部材３０Ｂは、平面視で略Ｃ字型であり、第３の部分３３がセンサチップ２０の側面２３と大きく離れている点において、上述した集磁部材３０と相違している。このように、本発明において、センサチップ２０の側面２１〜２３と集磁部材３０の第１〜第３の部分３１〜３３がそれぞれ近接している点は必須でなく、センサチップ２０の側面２３と集磁部材３０Ｂの第３の部分３３が離間していても構わない。このような構造においても、第３の部分３３から取り込まれた磁束φが第１及び第２の部分３１，３２を介して感磁素子Ｒ１，Ｒ２に印加されるとともに、感磁素子Ｒ１，Ｒ２に印加される磁束φのｘ方向成分を高めることが可能となる。
【００４３】
＜第２の実施形態＞
図１５は、本発明の第２の実施形態による磁気センサ２の主要部の構造を説明するための模式的な斜視図である。
【００４４】
図１５に示すように、第２の実施形態による磁気センサ２は、集磁部材３０が磁性材料からなる磁性部３０Ｍと非磁性材料からなる非磁性部３０Ｎからなる点において、第１の実施形態による磁気センサ１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による磁気センサ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４５】
集磁部材３０の磁性部３０Ｍは、ｙ方向の磁束を集め、これをセンサチップ２０の感磁素子Ｒ１，Ｒ２に印加する役割を果たす部分である。これに対し、集磁部材３０の非磁性部３０Ｎは、回路基板１０の主面１１と磁性部３０Ｍの間に位置し、磁性部３０Ｍのｚ方向における高さを感磁素子Ｒ１，Ｒ２の高さまで嵩上げする役割を果たす部分である。つまり、ｙ方向から見た略側面図である図１６に示すように、磁性部３０Ｍの下部に存在する非磁性部３０Ｎによって、回路基板１０の主面１１を基準とした磁性部３０Ｍの下面の位置Ｚ３と上面の位置Ｚ４の間に感磁素子Ｒ１，Ｒ２が位置するよう、磁性部３０Ｍの高さが維持される。
【００４６】
そして、本実施形態においては、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒが中心Ｚ０から位置Ｚ３側にオフセットしている。これにより、第１の実施形態と同じ効果を得ることが可能となる。或いは、図１７に示す本実施形態の第１の変形例による磁気センサ２ａのように、感磁素子Ｒ１，Ｒ２のｚ方向における位置Ｚｒが中心Ｚ０から位置Ｚ４側にオフセットしていても構わない。
【００４７】
本実施形態においては、磁性部３０Ｍをパーマロイなどの金属磁性材料によって構成し、非磁性部３０Ｎを非磁性の樹脂によって構成することができる。この場合、パーマロイなどからなる金属磁性板を打ち抜き工法によって所定の形状に加工し、これを樹脂に貼り付けることによって図１５〜図１７に示す集磁部材３０を作製することができる。パーマロイなどの金属磁性板を打ち抜くことによって磁性部３０Ｍを作製する場合、磁性部３０Ｍの厚さについては一定となるのに対し、センサチップ２０の厚みについては、製品によって異なる場合がある。このような場合であっても、非磁性部３０Ｎの厚みを変えることにより、磁性部３０Ｍの高さを所望の高さに維持することが可能となる。
【００４８】
＜第３の実施形態＞
図１８は、本発明の第３の実施形態による磁気センサ３の構造を説明するための模式的な断面図である。
【００４９】
図１８に示すように、第３の実施形態による磁気センサ３は、磁気シールド６１，６２が追加されている点において、第１の実施形態による磁気センサ１と相違している。その他の基本的な構成は、第１の実施形態による磁気センサ１と同一であることから、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５０】
磁気シールド６１は、永久磁石４１とセンサチップ２０及び集磁部材３０の間に配置され、磁気シールド６２は、永久磁石４２とセンサチップ２０及び集磁部材３０の間に配置されている。磁気シールド６１，６２は、永久磁石４１，４２からの磁束がセンサチップ２０に直接印加されるのを防止する役割を果たす。このため、磁気シールド６１，６２を設けることによって、感磁素子Ｒ１，Ｒ２が飽和しにくくなるという効果を得ることが可能となる。
【００５１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５２】
１，１ａ，１ｂ，２，２ａ，３    磁気センサ
１０    回路基板
１１    主面
２０，２０Ａ，２０Ｂ    センサチップ
２１〜２４    側面
２５    素子形成面
２６    裏面
３０，３０Ａ，３０Ｂ    集磁部材
３０Ｍ    磁性部
３０Ｎ    非磁性部
３１    第１の部分
３２    第２の部分
３３    第３の部分
４１，４２    永久磁石
５０    筐体
５１〜５３    磁性体層
６１，６２    磁気シールド
Ｒ１，Ｒ２    感磁素子
φ    磁束
【図１】
2020003280.tif 000003
【図２】
2020003280.tif 000004
【図３】
2020003280.tif 000005
【図４】
2020003280.tif 000006
【図５】
2020003280.tif 000007
【図６】
2020003280.tif 000008
【図７】
2020003280.tif 000009
【図８】
2020003280.tif 000010
【図９】
2020003280.tif 000011
【図１０】
2020003280.tif 000012
【図１１】
2020003280.tif 000013
【図１２】
2020003280.tif 000014
【図１３】
2020003280.tif 000015
【図１４】
2020003280.tif 000016
【図１５】
2020003280.tif 000017
【図１６】
2020003280.tif 000018
【図１７】
2020003280.tif 000019
【図１８】
2020003280.tif 000020