(57)【要約】【課題】単純な円や四角形の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズを放射する形状の貫通開口を有するシールド板およびそのシールド板を採用した電子機器を提供する。【解決手段】点対称の形状を有しシールド板を貫通した貫通開口５と、互いの間の間隔を狭めるように両側から内向きに広がって貫通開口５を区画している縁の一部分を形成している一対の埋込部６２とを有し、貫通開口５が、その貫通開口５を区画している縁のうちの埋込部６２によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して埋込部６２を切り落としたときの原開口６と比べ、円偏波に近づいたノイズを放出する貫通開口である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内蔵された電子回路を覆う部材の少なくとも一部を成すシールド板であって、
点対称の形状を有し両面に貫通した貫通開口と、
互いの間の間隔を狭めるように両側から内向きに広がって該貫通開口を区画している縁の一部分を形成している一対の埋込部とを有することを特徴とするシールド板。
【請求項２】
前記貫通開口が、該貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口と比べ、円偏波に近づいたノイズを放出する貫通開口であることを特徴とする請求項１に記載のシールド板。
【請求項３】
前記円偏波に近づいたノイズの、楕円偏波としての長軸をＡ、短軸をＢとしたとき、前記貫通開口の点対称の中心点を通り該貫通開口に垂直な方向に放射されるノイズが、
軸比＝１０・ｌｏｇ（Ａ／Ｂ）
が１０以下のノイズであることを特徴とする請求項２に記載のシールド板。
【請求項４】
前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、正方形、長方形および菱形を含む点対称の四角形であって、前記埋込部が、該原開口の、点対称の中心点を挟んで対向する一対の角部の各々から広がる一対の三角形状の埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項５】
前記貫通開口の、前記原開口と共通の角部の開き角φが、
７５°≦φ≦１００°
であることを特徴とする請求項４に記載のシールド板。
【請求項６】
三角形状の前記埋込部の、前記貫通開口の縁を形成している一辺と該一辺に隣接する一辺とのなす角θが、
２０°≦θ≦７０°
であることを特徴とする請求項４または５に記載のシールド板。
【請求項７】
前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂとし、前記貫通開口の、三角形状の前記埋込部により形成されている縁を除く、該三角形状の残りの２辺の各々の長さをＬとしたとき、
０．２５≦Ｌ／ａ，Ｌ／ｂ≦０．５５
であることを特徴とする請求項４から６のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項８】
前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、正方形、長方形および菱形を含む点対称の四角形であって、前記埋込部が、該原開口の、点対称の中心点を挟んで対向する一対の角部の各々から広がる一対の四角形状の埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項９】
前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂ、前記貫通開口の縁の、該第１の方向および該第２の方向にそれぞれ延びる、前記埋込部により形成された部分の長さをそれぞれｘ、ｙとしたとき、
０．２３≦ａ／ｘ，ｂ／ｙ＜０．５
であることを特徴とする請求項８に記載のシールド板。
【請求項１０】
前記貫通開口の縁の、第１の方向および該第１の方向と交わる第２の方向にそれぞれ延びる、前記埋込部により形成された部分の長さをそれぞれｘ、ｙとしたとき、
０．４１≦ｘ／ｙ≦２．４４
であることを特徴とする請求項８または９に記載のシールド板。
【請求項１１】
前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂとしたとき、
０．７５≦ｂ／ａ≦１．３３
であることを特徴とする請求項４から１０のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項１２】
前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂとしたとき、
ａ，ｂ≦５ｍ
であることを特徴とする請求項４から１１に記載のシールド板。
【請求項１３】
前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、円、楕円および長円を含む、点対称の丸形であって、前記埋込部が、該原開口の縁のうちの該埋込部で埋められた縁部分からなる弧を一辺とする四角形状に内向きに突き出た埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項１４】
四角形状の前記埋込部の、前記原開口からの突出方向の長さをａ、該突出方向および該突出方向と交わる幅方向の、前記原開口の径の寸法を、それぞれｓ、ｔとしたとき、
０．０８≦ａ／ｓ，ａ／ｔ≦０．４３
であることを特徴とする請求項１３に記載のシールド板。
【請求項１５】
四角形状の前記埋込部の、前記原開口からの突出方向と交わる幅方向の長さをｂ、該突出方向および該幅方向の、前記原開口の径の寸法を、それぞれｓ、ｔとしたとき、
０．２≦ｂ／ｓ，ｂ／ｔ≦０．７５
であることを特徴とする請求項１３または１４に記載のシールド板。
【請求項１６】
前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、円、楕円および長円を含む、点対称の丸形であって、前記埋込部が、該原開口の縁のうちの前記埋込部で埋められた縁部分からなる弧を一辺とする三角形状に内向きに突き出た埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項１７】
三角形状の前記埋込部の、前記貫通開口の縁を形成している２辺の長さをそれぞれｘ，ｙ、前記埋込部が突き出た方向の、前記原開口の径の寸法をｓとしたとき、
０．２３≦ｘ／ｓ，ｙ／ｓ＜０．５
であることを特徴とする請求項１６に記載のシールド板。
【請求項１８】
三角形状の前記埋込部の、前記貫通開口の縁を形成している２辺の長さをそれぞれｘ，ｙとしたとき、
０．８≦ｘ／ｙ≦１．２
であることを特徴とする請求項１６または１７に記載のシールド板。
【請求項１９】
前記埋込部の、前記原開口からの突出方向および該突出方向と交わる幅方向の前記原開口の径の寸法を、それぞれｓ、ｔとしたとき、
０．６６≦ｓ／ｔ，ｔ／ｓ≦１．５
であることを特徴とする請求項１３から１８のうちのいずれか１項に記載のシールド板。
【請求項２０】
丸形の前記原開口の、前記埋込部の突出方向の径をｓ、該原開口の、該突出方向と交わる方向の径をｔとしたとき、
ｓ，ｔ≦５ｍ
であることを特徴とする請求項１３から１９に記載のシールド板。
【請求項２１】
請求項１から２０のうちのいずれか１項に記載のシールド板と、電子回路とを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド板および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノイズが放射されると周囲の電子機器へ悪影響を及ぼすおそれがあり、ノイズを許容値以下の放射レベルに抑えるためのノイズ対策が必要となる。このノイズ対策の１つとして、ノイズを放射するおそれのある電子回路を金属のシールドケースで覆うことが行われている。金属は電波を遮蔽するため、電子回路をシールドケースで完全に覆うと、電子回路から放射されたノイズをシールドケース内に閉じ込めることができる。
【０００３】
しかしながら、実際のシールドケースには、そのシールドケース内の電子回路に繋がるケーブルを外部に引き出すための内外に貫通した開口（貫通開口）や空気の循環のための貫通開口を開けざるを得ない場合が多く、それらの貫通開口が２次アンテナとなってノイズがシールドケースの外に放射されてしまうという問題がある。
【０００４】
ここで、特許文献１には、円偏波と直線偏波とを相互に切換えることが可能なアンテナが提案されている。
【０００５】
また、特許文献２には、ノイズ源が入っているシールドケース内にアンテナを取りつけ、そのアンテナに放射ノイズを受信させることにより、貫通開口からのノイズ放射を抑制することが提案されている。
【０００６】
また、特許文献３には、二重にしたシールドケースに、１つは縦方向、もう１つは横方向のスリットを開けることで、放熱を可能としつつ、縦方向の偏波成分を持ったノイズと横方向の偏波成分を持ったノイズの両方を抑制することが提案されている。
【０００７】
さらに、特許文献４にも、特許文献３と同様、シールドケースに、１つは縦方向、もう１つは横方向のスリットを開けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平０７−１５４１３３号公報
【特許文献２】特開２００４−２１４５３４号公報
【特許文献３】特開平０９−０４６０８４号公報
【特許文献４】特開２０１５−２３０９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
電子回路をシールドケースで覆う場合に、電子回路からのノイズの放射レベルそのものを低減化したり、あるいはシールドケースに開ける貫通開口の数や貫通開口の位置を工夫するなど、シールドケースの外へ洩れる放射ノイズ自体を低減化する対策を採るのが基本である。ただし、放射ノイズの強弱の程度の指標となるＥＭＩ試験では、放射ノイズを垂直偏波と水平偏波とに分けて各々の電界強度が測定される。このため、同じレベルの放射ノイズであっても垂直偏波あるいは水平偏波の一方が強いノイズよりも垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズの方が有利である。
【００１０】
本発明は、単純な円や四角形の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズを放射する形状の貫通開口を有するシールド板およびそのシールド板を採用した電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１は、
内蔵された電子回路を覆う部材の少なくとも一部を成すシールド板であって、
点対称の形状を有し両面に貫通した貫通開口と、
互いの間の間隔を狭めるように両側から内向きに広がって該貫通開口を区画している縁の一部分を形成している一対の埋込部とを有することを特徴とするシールド板である。
【００１２】
請求項２は、前記貫通開口が、該貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口と比べ、円偏波に近づいたノイズを放出する貫通開口であることを特徴とする請求項１に記載のシールド板である。
【００１３】
請求項３は、前記円偏波に近づいたノイズの、楕円偏波としての長軸をＡ、短軸をＢとしたとき、前記貫通開口の点対称の中心点を通り該貫通開口に垂直な方向に放射されるノイズが、
軸比＝１０・ｌｏｇ（Ａ／Ｂ）
が１０以下のノイズであることを特徴とする請求項２に記載のシールド板である。
【００１４】
請求項４は、前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、正方形、長方形および菱形を含む点対称の四角形であって、前記埋込部が、該原開口の、点対称の中心点を挟んで対向する一対の角部の各々から広がる一対の三角形状の埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００１５】
請求項５は、前記貫通開口の、前記原開口と共通の角部の開き角φが、
７５°≦φ≦１００°
であることを特徴とする請求項４に記載のシールド板である。
【００１６】
請求項６は、三角形状の前記埋込部の、前記貫通開口の縁を形成している一辺と該一辺に隣接する一辺とのなす角θが、
２０°≦θ≦７０°
であることを特徴とする請求項４または５に記載のシールド板である。
【００１７】
請求項７は、前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂとし、前記貫通開口の、三角形状の前記埋込部により形成されている縁を除く、該三角形状の残りの２辺の各々の長さをＬとしたとき、
０．２５≦Ｌ／ａ，Ｌ／ｂ≦０．５５
であることを特徴とする請求項４から６のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００１８】
請求項８は、前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、正方形、長方形および菱形を含む点対称の四角形であって、前記埋込部が、該原開口の、点対称の中心点を挟んで対向する一対の角部の各々から広がる一対の四角形状の埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００１９】
請求項９は、前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂ、前記貫通開口の縁の、該第１の方向および該第２の方向にそれぞれ延びる、前記埋込部により形成された部分の長さをそれぞれｘ、ｙとしたとき、
０．２３≦ａ／ｘ，ｂ／ｙ＜０．５
であることを特徴とする請求項８に記載のシールド板である。
【００２０】
請求項１０は、前記貫通開口の縁の、第１の方向および該第１の方向と交わる第２の方向にそれぞれ延びる、前記埋込部により形成された部分の長さをそれぞれｘ、ｙとしたとき、
０．４１≦ｘ／ｙ≦２．４４
であることを特徴とする請求項８または９に記載のシールド板である。
【００２１】
請求項１１は、前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂとしたとき、
０．７５≦ｂ／ａ≦１．３３
であることを特徴とする請求項４から１０のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００２２】
請求項１２は、前記原開口を形成している四角形の第１の方向に延びる第１辺の長さをａ、該四角形の、該第１の方向に交わる第２の方向に延びる第２辺の長さをｂとしたとき、
ａ，ｂ≦５ｍ
であることを特徴とする請求項４から１１に記載のシールド板である。
【００２３】
請求項１３は、前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、円、楕円および長円を含む、点対称の丸形であって、前記埋込部が、該原開口の縁のうちの該埋込部で埋められた縁部分からなる弧を一辺とする四角形状に内向きに突き出た埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００２４】
請求項１４は、四角形状の前記埋込部の、前記原開口からの突出方向の長さをａ、該突出方向および該突出方向と交わる幅方向の、前記原開口の径の寸法を、それぞれｓ、ｔとしたとき、
０．０８≦ａ／ｓ，ａ／ｔ≦０．４３
であることを特徴とする請求項１３に記載のシールド板である。
【００２５】
請求項１５は、四角形状の前記埋込部の、前記原開口からの突出方向と交わる幅方向の長さをｂ、該突出方向および該幅方向の、前記原開口の径の寸法を、それぞれｓ、ｔとしたとき、
０．２≦ｂ／ｓ，ｂ／ｔ≦０．７５
であることを特徴とする請求項１３または１４に記載のシールド板である。
【００２６】
請求項１６は、前記貫通開口を区画している縁のうちの前記埋込部によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して該埋込部を切り落としたときの原開口が、円、楕円および長円を含む、点対称の丸形であって、前記埋込部が、該原開口の縁のうちの前記埋込部で埋められた縁部分からなる弧を一辺とする三角形状に内向きに突き出た埋込部であることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００２７】
請求項１７は、三角形状の前記埋込部の、前記貫通開口の縁を形成している２辺の長さをそれぞれｘ，ｙ、前記埋込部が突き出た方向の、前記原開口の径の寸法をｓとしたとき、
０．２３≦ｘ／ｓ，ｙ／ｓ＜０．５
であることを特徴とする請求項１６に記載のシールド板である。
【００２８】
請求項１８は、三角形状の前記埋込部の、前記貫通開口の縁を形成している２辺の長さをそれぞれｘ，ｙとしたとき、
０．８≦ｘ／ｙ≦１．２
であることを特徴とする請求項１６または１７に記載のシールド板である。
【００２９】
請求項１９は、前記埋込部の、前記原開口からの突出方向および該突出方向と交わる幅方向の前記原開口の径の寸法を、それぞれｓ、ｔとしたとき、
０．６６≦ｓ／ｔ，ｔ／ｓ≦１．５
であることを特徴とする請求項１３から１８のうちのいずれか１項に記載のシールド板である。
【００３０】
請求項２０は、丸形の前記原開口の、前記埋込部の突出方向の径をｓ、該原開口の、該突出方向と交わる方向の径をｔとしたとき、
ｓ，ｔ≦５ｍ
であることを特徴とする請求項１３から１９に記載のシールド板である。
【００３１】
請求項２１は、請求項１から２０のうちのいずれか１項に記載のシールド板と、電子回路とを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００３２】
請求項１および請求項２のシールド板、並びに請求項２１の電子機器によれば、単純な円や四角形の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３３】
請求項３のシールド板によれば、軸比が１０を超える場合と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３４】
請求項４のシールド板によれば、四角形の原開口を貫通開口とした場合と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３５】
請求項５のシールド板によれば、φ＜７５°もしくは１００°＜φの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３６】
請求項６のシールド板によれば、θ＜２０°もしくは７０°＜θの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３７】
請求項７のシールド板によれば、Ｌ／ａ，Ｌ／ｂ＜０．２５もしくは０．５５＜Ｌ／ａ，Ｌ／ｂの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３８】
請求項８のシールド板によれば、四角形の原開口を貫通開口とした場合と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００３９】
請求項９のシールド板によれば、ａ／ｘ，ｂ／ｙ＜０．２３の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４０】
請求項１０のシールド板によれば、ｘ／ｙ＜０．４１もしくは２．４４＜ｘ／ｙの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４１】
請求項１１のシールド板によれば、ｂ／ａ＜０．７５もしくは１．３３＜ｂ／ａの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４２】
請求項１２のシールド板によれば、ＥＭＩ試験の試験規格値である３０ＭＨｚ以上の周波数のノイズが垂直偏波と水平偏波とに分散される。
【００４３】
請求項１３のシールド板によれば、丸形の原開口を貫通開口とした場合と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４４】
請求項１４のシールド板によれば、
ａ／ｓ，ａ／ｔ＜０．０８もしくは０．４３＜ａ／ｓ，ａ／ｔ
の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４５】
請求項１５のシールド板によれば、
ｂ／ｓ，ｂ／ｔ＜０．２もしくは０．７５＜ｂ／ｓ，ｂ／ｔ
の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４６】
請求項１６のシールド板によれば、丸形の原開口を貫通開口とした場合と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４７】
請求項１７のシールド板によれば、ｘ／ｓ，ｙ／ｓ＜０．２３の貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４８】
請求項１８のシールド板によれば、ｘ／ｙ＜０．８もしくは１．２＜ｘ／ｙの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００４９】
請求項１９のシールド板によれば、ｓ／ｔ＜０．６６、ｔ／ｓ＜０．６６、１．５＜ｓ／ｔ、もしくは１．５＜ｔ／ｓの貫通開口と比べ、垂直偏波と水平偏波とに分散されたノイズが放射される。
【００５０】
請求項２０のシールド板によれば、ＥＭＩ試験の試験規格値である３０ＭＨｚ以上の周波数のノイズが垂直偏波と水平偏波とに分散される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態としての電子機器の概念図である。
【図２】シールド板に設けられる貫通開口の形状に関する原理説明図である。
【図３】惰円偏波の概念（Ａ）とその軸比のシミュレーション結果（Ｂ）を示した図である。
【図４】貫通開口の第１基本形を示した図である。
【図５】第１基本形において埋込部の寸法Ｌを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図６】第１基本形において縦寸法を延伸させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図７】第１基本形において原開口が菱形となるように内角φを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図８】第１基本形において埋込部の横寸法ｊを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図９】貫通開口の第２基本形を示した図である。
【図１０】第２基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙをｘ＝ｙを保ったまま変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１１】第２基本形において埋込部の横寸法ｘを固定したまま埋込部の縦寸法ｙを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１２】貫通開口の第３基本形を示した図である。
【図１３】第３基本形において埋込部の突出し寸法ａを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１４】第３基本形において埋込部の幅寸法ｂを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１５】第３基本形において、原開口の、埋込部の突出し方向の直径ａを一定に維持したまま、それに直交する方向の直径ｂを編変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１６】第３基本形において、原開口の、埋込部の突出し方向の直径ａを、それに直交する方向の直径ｂを一定に保ったまま、変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１７】第４基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙを、ｘ＝ｙを保ったまま変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１８】第４基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙを、ｘ＝ｙを保ったまま変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【図１９】第４基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙの双方を変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００５３】
図１は、本発明の一実施形態としての電子機器の概念図である。
【００５４】
この図１に示した電子機器１では、電子回路（不図示）を搭載した回路基板２がシールドケース３に内蔵されている。シールドケース３には、配線用あるいは空気循環用の貫通開口５が開いている。回路基板２を動作させると、貫通開口５が２次アンテナとなってシールドケース３の外部にまでノイズが放射されることがある。外部に放射されるノイズの許容レベルは、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）規格により定められている。
【００５５】
図２は、シールドケースに設けられる貫通開口の形状に関する原理説明図である。
【００５６】
図２（Ａ）は、貫通開口の形状の一例を示している。ここで、以下において使用される用語について説明する。貫通開口５は、シールドケース３に実際に開けられている開口をいう。この図２（Ａ）に示す貫通開口５は、破線で示した正方形の原開口６の中心点Ｏを挟んで対向する一対の角部６１の各々から内向きに広がる、ハッチングを付して示した一対の三角形の領域を埋めた、回転対称の形状を有する。ここでは、この原開口６と比べて埋められている領域（ここに示した例では三角形の領域）を、埋込部６２と称する。原開口６は、貫通開口５を区画している縁のうちの埋込部６２によって形成されている一部分を除く部分の縁を外挿して埋込部６２を切り落とし、その埋込部６２だった領域を開口の一部として取り込んだ形状の開口をいう。
【００５７】
この貫通開口５から電波が放射される場合、正方形の原開口６であれば１方向にのみ電界が発生する。これに対し、埋込部６２が形成されていると励振モードが変化し、この貫通開口５により、互いに直交する２方向（＃１方向と＃２方向）の電界が励振される。このとき、＃１方向に励振される電界経路長が＃２方向の電界経路長と比べ短くなるため、図１（Ｂ）に示すように、＃１方向の共振周波数ｆ１が＃２方向の共振周波数ｆ２よりも高くなる。また、＃１方向と＃２方向の共振周波数ｆ１，ｆ２が異なるため、図２（Ｃ）に示すように、この２つの共振周波数の間の周波数ｆ０では位相差が生じる。
【００５８】
このように、＃１の方向と＃２の方向とで電界経路長を異ならせることにより、垂直偏波と水平偏波とに分散されて円偏波に近づいたノイズが放射される。前述の通り、放射ノイズの強弱の程度の指標となるＥＭＩ試験では、放射ノイズの電界強度を垂直偏波と水平偏波とに分けて各々の電界強度が測定される。このため、同じレベルの放射ノイズであっても、垂直偏波と水平偏波とに分散されて円偏波に近づいたノイズの方が有利である。
【００５９】
図３は、惰円偏波の概念（Ａ）とその軸比のシミュレーション結果（Ｂ）を示した図である。
【００６０】
惰円偏波は、垂直偏波あるいは水平偏波のうちの一方が他方よりも強く、図３（Ａ）に示すように、電界強度を惰円で表わすことのできる偏波をいう。この惰円偏波の長軸をＡ、短軸をＢとする。軸比は、
軸比（ｄＢ）＝１０・ｌｏｇ（Ａ／Ｂ）・・（１）
で定義される。軸比＝０は、完全な円偏波、軸比＝１０は、短軸Ｂが長軸Ａの１／１０の長さ、軸比＝２０は、短軸Ｂが長軸Ａの１／１００の長さ、軸比＝３０は、短軸Ｂが長軸Ａの１／１０００の長さ、軸比＝４０は、短軸Ｂが長軸Ａの１／１００００の長さであることを表わしている。すなわち、軸比の値が大きいほど、円偏波から外れて直線偏波に近づくことを意味している。ここでは、シミュレーションの都合上、軸比＝４０を上限としている。また、以下では、軸比が１０以下であることを、円偏波の基準としている。
【００６１】
図３（Ｂ）は、図２に示す形状の貫通開口５であり、原開口６の縦横の各寸法ａ，ｂがａ＝ｂ＝７５ｍｍ、埋込部６２が二等辺三角形、埋込部６２の縦横の長さＬがＬ＝３０ｍｍであって、周波数２ＧＨｚの時のシミュレーション結果である。この図３（Ｂ）の縦軸は、上記（１）式で表わされる軸比、横軸は放射角度である。放射角度０°は、図２に示す貫通開口５の中心点Ｏ通る、貫通開口５の垂線の方向である。放射角度０°以外の放射角度は、中心点Ｏを通り、矢印Ｘ方向に傾いた方向の、放射角度０°の方向との成す角度である。
【００６２】
この図３（Ｂ）には、２本のグラフａ，ｂが示されている。グラフａは、図２に破線で示した正方形の原開口６自体を貫通開口としたときのシミュレーション結果を表わしている。このグラフａは、シミュレーションの限界値である軸比４０を通る水平線となっている。すなわち、正方形の原開口６自体を貫通開口としたときは、放射角度とは無関係に直線偏波となっている。また、グラフｂは、図２に示した形状の貫通開口５についてのシミュレーション結果を表わしている。放射角度が、−６０°〜６０°よりも広い範囲で軸比１０以下となっている。すなわち、図２に示す埋込部６２が形成されていることにより、軸比が大幅に低下し、円偏波に近づいていることを意味している。
【００６３】
なお、ここでは、原開口が正方形の場合についてのシミュレーション結果を示したが、後述する、原開口が円形の場合も、埋込部を形成することにより円偏波に近づくことが確認されている。
【００６４】
図４は、貫通開口の第１基本形を示した図である。
【００６５】
この図４に示す貫通開口５Ａは、図２（Ａ）に示した貫通開口５と同じく、正方形を原開口とし、中心点Ｏを挟んで対向する原開口の一対の角部の各々から広がる一対の三角形状の埋込部を有する貫通開口である。
【００６６】
この図４に基本形を示した貫通開口５Ａの場合、
縦横の寸法ａ，ｂが、
ａ，ｂ≦５ｍ・・（２）
埋込部の縦横各々の寸法をＬとしたとき、
０．２５≦Ｌ／ａ，Ｌ／ｂ≦０．５５・・（３）
縦横比ｂ／ａが、
０．７５≦ｂ／ａ≦１．３３・・（４）
隅の角度φが、
７５°≦φ≦１００°・・（５）
埋込部の角度θが、
２０°≦θ≦７０°・・（６）
を満たすことが好ましい。
【００６７】
以下、（２）式〜（６）式の各々について説明する。
【００６８】
放射ノイズの波長および周波数を、それぞれλおよびｆとし、光速をｃ（３×１０Ｅ８ｍ／ｓ）としたとき、
λ＝ｃ／ｆ・・（７）
が成立する。ここで、原開口の一辺ａ，ｂがノイズの半波長λ／２のときに最も放射が大きい。ＥＭＩの試験規格値は、周波数ｆが３０ＭＨｚ以上であり、ｆ＝３０ＭＨｚのときの半波長λ／２は、
λ／２＝５ｍ・・（８）
である。すなわち、ＥＭＩ試験に合わせたとき、上記の（２）式が成立する。
【００６９】
次に（３）式〜（６）式について説明するが、これらの各式の説明にあたっては、
ａ，ｂ＝７５ｍｍ、φ＝９０°、θ＝４５°、Ｌ＝３０ｍｍ、
を、この第１基本形の「基準値」と称し、この「基準値」におけるａ，ｂ＝７５ｍｍに対応する周波数２ＧＨｚの放射ノイズについてのシミュレーション結果について説明する。
【００７０】
図５は、第１基本形において埋込部の寸法Ｌを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の寸法Ｌを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【００７１】
埋込部の寸法Ｌを変化させると、図５（Ａ）に示す＃１の電界経路長が変化し、このため、軸比が変動する。そこで、この寸法Ｌを変化させて軸比をシミュレートすると、図５（Ｂ）に示すように、上記の（３）式の範囲内、すなわち、
０．２５≦Ｌ／ａ，Ｌ／ｂ≦０．５５・・（３）
の範囲内で、軸比≦１０が実現する。前述の通り、軸比≦１０であれば、ＥＭＩ試験に有利な程度に円偏波に近いと判断される。
【００７２】
図６は、第１基本形において縦寸法を延伸させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。縦寸法ｂを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【００７３】
縦寸法ｂを変化させると、＃１と＃２の電界経路が直交しなくなるため軸比が高くなる。図６（Ｂ）から分かる通り、ｂ／ａ≦１．３であれば、軸比≦１０以下が維持される。
【００７４】
ここには、横寸法ａを固定して縦寸法ｂを延伸させたときのシミュレーション結果を示したが、これとは逆に、縦寸法ｂを固定して横寸法ａを延伸させたときも同じことが言える。すなわち、上記の（４）式、すなわち、
０．７５≦ｂ／ａ≦１．３３・・（４）
の範囲内であれば、軸比≦１０が実現する。
【００７５】
これはすなわち、上記の（４）式の範囲内であれば、長方形の原開口であってもよいことを意味している。
【００７６】
図７は、第１基本形において原開口が菱形となるように内角φを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。内角φを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【００７７】
内角φを変化させると、＃１および＃２の電界経路長が変化するため軸比が変動する。上記の（５）式、すなわち、
７５°≦φ≦１００°・・（５）
の範囲内であれば、軸比≦１０が維持される。
【００７８】
これはすなわち、上記の（５）式の範囲内であれば、菱形の原開口であってもよいことを意味している。
【００７９】
図８は、第１基本形において埋込部の横寸法ｊを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の横寸法ｊの変化に伴って埋込部の角度θも変化するが、それ以外の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【００８０】
埋込部の横寸法ｊを変化させると、＃１および＃２の電界経路長が変化するため軸比が変動する。上記の（６）式、すなわち、
２０°≦θ≦７０°・・（６）
の範囲内であれば、軸比≦１０が維持される。
【００８１】
図９は、貫通開口の第２基本形を示した図である。
【００８２】
この図９に示す貫通開口５Ｂは、図４に示した貫通開口５Ａと同じく、正方形を原開口とするが、埋込部の形状が異なっている。すなわち、この図９に示す貫通開口５Ｂは、中心点Ｏを挟んで対向する原開口の一対の角部の各々から広がる一対の四角形状の埋込部を有する貫通開口である。
【００８３】
縦横の寸法ａ，ｂが、
ａ，ｂ≦５ｍ・・（９）
縦横の寸法ａ，ｂの比率ｂ／ａが、
０．７５≦ｂ／ａ≦１．３３・・（１０）
埋込部の横寸法および縦寸法をそれぞれｘ，ｙとしたとき、
０．２３≦ｘ／ａ，ｙ／ｂ＜０．５・・（１１）
埋込部の縦横比ｘ／ｙが、
０．４１≦ｘ／ｙ≦２．４４・・（１２）
を満たすことが好ましい。
【００８４】
上記の（９）式および（１０）式は、第１基本形（図４参照）における（２）式および（４）式とそれぞれ同一であり、重複説明は省略する。
【００８５】
以下では、（１１）式と（１２）式について説明するが、これらの各式の説明にあたっては、
ａ，ｂ＝７５ｍｍ、φ＝９０°、θ＝９０°、ｘ＝ｙ＝３０ｍｍ、
を、第２基本形の「基準値」と称し、この「基準値」におけるａ，ｂ＝７５ｍｍに対応する周波数２ＧＨｚの放射ノイズについてのシミュレーション結果について説明する。
【００８６】
図１０は、第２基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙをｘ＝ｙを保ったまま変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の寸法ｘ，ｙを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【００８７】
埋込部の寸法ｘ，ｙを、ｘ＝ｙを保ったまま変化させると、図１０（Ａ）に示す＃１の電界経路長が変化し、このため、軸比が変動する。そこで、この寸法ｘ，ｙを変化させて軸比をシミュレートすると、図１０（Ｂ）に示すように、０．２３≦ｘ／ａとなる。一方、０．５≦ｘ／ａになると２つの埋込部どうしが短絡して繋がってしまうため、ｘ／ａ＜０．５とする必要がある。したがって、上記の（１１）式の範囲内、すなわち、
０．２３≦ｘ／ａ，ｙ／ｂ＜０．５・・（１１）
の範囲内で、軸比≦１０が実現する。前述の通り、軸比≦１０であれば、ＥＭＩ試験に有利な程度に円偏波に近いと判断される。
【００８８】
図１１は、第２基本形において埋込部の横寸法ｘを固定したまま埋込部の縦寸法ｙを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の縦寸法ｙを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【００８９】
埋込部の縦寸法ｙを変化させると、図１１（Ａ）に示す＃１の電界経路長が変化するとともに＃１と＃２の電界経路が直交しなくなるため、軸比が高くなる。そこで、この縦寸法ｙを変化させて軸比をシミュレートすると、図１１（Ｂ）に示すように、上記の（１２）式の範囲内、すなわち、
０．４１≦ｘ／ｙ≦２．４４・・（１２）
の範囲内で、軸比≦１０が実現する。
【００９０】
図１２は、貫通開口の第３基本形を示した図である。
【００９１】
この図１２に示す貫通開口５Ｃは、円形を原開口とし、その原開口の縁の一部分である、中心点Ｏを挟んで対向する２つの円弧部分の各々から内向きに広がる、その円弧部分を一辺としたときに原開口を四角形状に部分的に埋める一対の埋込部を有する貫通開口である。
【００９２】
この図１２に基本形を示した貫通開口５Ｃの場合、
原開口の、埋込部の突出方向の直径ｓと、それに直交する方向の直径ｔが、
ｓ，ｔ≦５ｍ・・（１３）
埋込部の突出し寸法をａとしたとき、
０．０８≦ａ／ｓ，ａ／ｔ≦０．４３・・（１４）
埋込部の幅寸法をｂとしたとき、
０．２≦ｂ／ｓ，ｂ／ｔ≦０．７５・・（１５）
原開口の長軸と短軸の比ｓ／ｔが、
０．６６≦ｓ／ｔ，ｔ／ｓ≦１．５・・（１６）
を満たすことが好ましい。
【００９３】
以下、（１３）式〜（１６）式の各々について説明する。
【００９４】
（１３）式については、上記の第１基本形における（２）式および第２基本形における（９）式と同様である。すなわち、放射ノイズの波長および周波数を、それぞれλおよびｆとし、光速をｃ（３×１０Ｅ８ｍ／ｓ）としたとき、
λ＝ｃ／ｆ・・（１７）
が成立する。ここで、原開口の直径ｓ，ｔがノイズの半波長λ／２のときに最も放射が大きい。ＥＭＩの試験規格値は、周波数ｆが３０ＭＨｚ以上であり、ｆ＝３０ＭＨｚのときの半波長λ／２は、
λ／２＝５ｍ・・（１８）
である。すなわち、ＥＭＩ試験に合わせたとき、上記の（１３）式が成立する。
【００９５】
以下では、（１４）式〜（１６）式について説明するが、これらの各式の説明にあたっては、
ｓ，ｔ＝１５０ｍｍ、ａ＝５５ｍｍ、ｂ＝８０ｍｍ、
を、この第３基本形の「基準値」と称し、この「基準値」におけるｓ，ｔ＝１５０ｍｍに対応する周波数１ＧＨｚの放射ノイズについてのシミュレーション結果について説明する。
【００９６】
図１３は、第３基本形において埋込部の突出し寸法ａを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の突出し寸法ａを除く他の寸法は、上記の「基準値」のままである。
【００９７】
埋込部の突出し寸法ａを変化させると、図１３（Ａ）に示す＃１の電界経路長が変化し、このため、軸比が変動する。そこで、この寸法ａを変化させて軸比をシミュレートすると、図１３（Ｂ）に示すように、上記の（１４）式の範囲内、すなわち、
０．０８≦ａ／ｓ，ａ／ｔ≦０．４３・・（１４）
の範囲内で、軸比≦１０が実現する。前述の通り、軸比≦１０であれば、ＥＭＩ試験に有利な程度に円偏波に近いと判断される。
【００９８】
図１４は、第３基本形において埋込部の幅寸法ｂを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の幅寸法ｂを除く他の寸法は、上記の「基準値」のままである。
【００９９】
埋込部の幅寸法ｂを変化させても、図１４（Ａ）に示す＃１および＃２の電界経路長は変化せず、またそれらの電界経路は直交を保っているが、この寸法ｂを変化させて軸比をシミュレートすると、図１４（Ｂ）に示すように、軸比が変化する。上記の（１５）式の範囲内、すなわち、
０．２≦ｂ／ｓ，ｂ／ｔ≦０．７５・・（１５）
の範囲内では、軸比≦１０が維持される。
【０１００】
図１５は、第３基本形において、原開口の、埋込部の突出し方向の直径ｓを一定に維持したまま、それに直交する方向の直径ｔを編変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。直径ｔを除く他の寸法は、上記の「基準値」のままである。
【０１０１】
直径ｔを変化させると、図１５（Ａ）に示す＃２の電界経路長が変化するため、軸比が変動する。この寸法ｔを変化させて軸比をシミュレートした結果、図１５（Ｂ）に示すように、
０．６６≦ｓ／ｔ≦１．５・・（１９）
の範囲内では、軸比≦１０が維持される。
【０１０２】
図１６は、第３基本形において、原開口の、埋込部の幅方向の直径ｔを一定に保ったまま、埋込部の突出し方向の直径ｓを変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。直径ｓを除く他の寸法は、上記の「基準値」のままである。
【０１０３】
直径ｓを変化させると、図１６（Ａ）に示す＃１の電界経路長が変化するため、軸比が変動する。この寸法ｓを変化させて軸比をシミュレートした結果、図１６（Ｂ）に示すように、
０．６６≦ｔ／ｓ≦１．５・・（２０）
の範囲内では、軸比≦１０が維持される。
【０１０４】
したがって、上記（１９）式と（２０）式とを合わせ、上記の（１６）式、すなわち、
０．６６≦ｓ／ｔ，ｔ／ｓ≦１．５・・（１６）
が成立する。
【０１０５】
すなわち、上記の（１６）式の範囲内であれば、楕円形ないし長円形の原開口であってもよいことを意味している。
【０１０６】
図１７は、貫通開口の第４基本形を示した図である。
【０１０７】
この図１７に示す貫通開口５Ｄは、円形を原開口とし、その原開口の縁の一部分である、中心点Ｏを挟んで対向する２つの円弧部分の各々から内向きに広がる、その円弧部分を一辺としたときに原開口を三角形状に部分的に埋める一対の埋込部を有する貫通開口である。
【０１０８】
この図１７に基本形を示した貫通開口５Ｄの場合、原開口の、埋込部の突出し方向の直径ｓと、それに直交する方向の直径ｔが、
ａ，ｂ≦５ｍ・・（２１）
原開口の長軸と短軸の比ｓ／ｔ，ｔ／ｓが、
０．６６≦ｓ／ｔ，ｔ／ｓ≦１．５・・（２２）
埋込部の横寸法をｘ、縦寸法をｙとしたとき、
０．２３≦ｘ／ｓ，ｙ／ｓ＜０．５・・（２３）
埋込部の縦横比ｙ／ｘが、
０．８≦ｘ／ｙ≦１．２・・（２４）
を満たすことが好ましい。
【０１０９】
上記の（２１）式および（２２）式は、第３基本形（図１２参照）における（１３）式および（１６）式とそれぞれ同一であり、重複説明は省略する。
【０１１０】
以下では、（２３）式および（２４）式について説明するが、これらの各式の説明にあたっては、
原開口の直径ｓ，ｔ＝１５０ｍｍ、三角形の埋込部の頂角θ＝９０°
を、この第４基本形の「基準値」と称し、この「基準値」におけるｓ，ｔ＝１５０ｍｍに対応する周波数１ＧＨｚの放射ノイズについてのシミュレーション結果について説明する。なお、以下に説明する２つのシミュレーションのいずれにおいても、埋込部の寸法ｘ，ｙを変化させているため、埋込部の寸法ｘ，ｙについての「基準値」は存在しない。
【０１１１】
図１７は、第４基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙを、ｘ＝ｙを保ったまま変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の寸法ｘ，ｙを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【０１１２】
埋込部の寸法ｘ，ｙを、ｘ＝ｙを保ったまま変化させると、図１８（Ａ）に示す＃１の電界経路長が変化し、このため、軸比が変動する。そこで、寸法ｘ，ｙを変化させて軸比をシミュレートすると、図１８（Ｂ）に示すように、上記の（２３）式の範囲内、すなわち、
０．２３≦ｘ／ｓ，ｙ／ｓ＜０．５・・（２３）
の範囲内で、軸比≦１０が維持される。前述の通り、軸比≦１０であれば、ＥＭＩ試験に有利な程度に円偏波に近いと判断される。
【０１１３】
図１９は、第４基本形において埋込部の寸法ｘ，ｙの双方を変化させたときの貫通開口（Ａ）とそのシミュレーション結果を示した図である。埋込部の寸法ｘ，ｙを除く他の寸法や角度は、上記の「基準値」のままである。
【０１１４】
ここでは、ｘ＋ｙ＝１０４．５６ｍｍを維持したまま、ｘ，ｙの双方の値を変化させた。埋込部の寸法ｘ，ｙを変化させると、図１９（Ａ）に示す＃１と＃２の電界経路が直交ではなくなり、かつ＃１の電界経路長が変化するため、軸比が高くなる。そこで、寸法ｘ，ｙを変化させて軸比をシミュレートすると、図１９（Ｂ）に示すように、埋込部の縦横の寸法の比率ｘ／ｙが上記の（２４）式の範囲内、すなわち、
０．８≦ｘ／ｙ≦１．２・・（２４）
の範囲内であれば、軸比≦１０が維持される。
【０１１５】
以上の通り、第１基本形〜第４基本形のいずれの貫通開口であっても、上記の各数値範囲内であれば、円偏波に近づき、上記の各数値範囲を満たさない場合と比べ、ＥＭＩ規格を満たすのに有利な形状の貫通開口が実現する。
【０１１６】
なお、ここでは、図１に示すシールドケース３を念頭に置いて、そのシールドケース３に設けられている貫通開口について説明したが、本発明の対象は、シールドケースとして構成されている必要はなく、例えば、金属製の筐体と共同して、あるいはシールドケースの他の部分と共同して電子回路を覆うシールド板であってもよい。
【符号の説明】
【０１１７】
１    電子機器
２    ｄ
３    シールドケース
５，５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ  貫通開口
６    原開口
６１  原開口の角部
６２  埋込部
【図１】
2020047730.tif 000003
【図２】
2020047730.tif 000004
【図３】
2020047730.tif 000005
【図４】
2020047730.tif 000006
【図５】
2020047730.tif 000007
【図６】
2020047730.tif 000008
【図７】
2020047730.tif 000009
【図８】
2020047730.tif 000010
【図９】
2020047730.tif 000011
【図１０】
2020047730.tif 000012
【図１１】
2020047730.tif 000013
【図１２】
2020047730.tif 000014
【図１３】
2020047730.tif 000015
【図１４】
2020047730.tif 000016
【図１５】
2020047730.tif 000017
【図１６】
2020047730.tif 000018
【図１７】
2020047730.tif 000019
【図１８】
2020047730.tif 000020
【図１９】
2020047730.tif 000021