(57)【要約】【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１は、２以上の導体層２１〜２４と各導体層の間に介在する絶縁層３１〜３３とを含む積層体１０と、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれを覆っているソルダーレジスト層４１、４２と、ソルダーレジスト層４１、４２に覆われていない積層体１０の露出面を部分的に覆う樹脂膜１５と、を有している。積層体１０は積層体１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａをさらに有し、ソルダーレジスト層４１、４２は貫通孔１０ａを露出させる開口４１ａ、４２ａを有し、樹脂膜１５は、第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓそれぞれにおいてソルダーレジスト層４１、４２と重ならないように形成されており、開口４１ａ、４２ａ内の第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓを少なくとも部分的に覆うと共に貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体と、
前記積層体の前記第１面及び前記第２面それぞれを覆っているソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層に覆われていない前記積層体の露出面を部分的に覆う樹脂膜と、
を有する配線基板であって、
前記積層体は前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔をさらに有し、
前記ソルダーレジスト層は前記貫通孔を露出させる開口を有し、
前記樹脂膜は、前記第１及び第２の面それぞれにおいて前記ソルダーレジスト層と重ならないように前記開口の内部に形成されており、前記開口の内部に露出する前記第１面及び前記第２面それぞれを少なくとも部分的に覆うと共に前記貫通孔の内壁面を覆っている。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層の前記開口の内縁と、前記第１面上及び前記第２面上それぞれにおける前記樹脂膜の縁部とが、離間している。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層の前記開口の内縁と、前記第１面上及び前記第２面上それぞれにおける前記樹脂膜の縁部とが接している。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記樹脂膜における前記貫通孔の内壁面を覆っている部分の表面は、前記貫通孔の内部に向って凸となるように湾曲している。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記２以上の導体層のうちの、前記第１面側の最表層の導体層及び前記第２面側の最表層の導体層の少なくとも一方は、前記貫通孔を跨ぐように前記配線基板に実装される電子部品又は光学部品に対する接続パッドを有している。
【請求項６】
２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体を用意することと、
前記積層体の所定の領域を露出させる開口を有するソルダーレジスト層を前記積層体の第１面上及び第２面上それぞれに形成することと、
前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を前記積層体の前記所定の領域に形成することと、
前記開口内に露出する前記第１及び第２の面それぞれを少なくとも部分的に覆うと共に前記貫通孔の内壁面を覆う樹脂膜を前記ソルダーレジスト層に重ならないように形成することと、
を含んでいる、配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板の製造方法であって、前記樹脂膜を形成することは、前記ソルダーレジスト層を覆うように前記樹脂膜を形成することと、前記ソルダーレジスト層を覆うように形成された前記樹脂膜のうちの前記ソルダーレジスト層を覆っている部分を除去することとを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、リジッドの基板が用いられる配線基板が開示されている。この配線基板は、この配線基板に実装される半導体チップと対向する領域を含む所定の領域に、配線基板を貫通する開口部を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２３００１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板では、開口部の壁面から配線基板の材料が砕片となって遊離又は落下してしまい、配線基板が用いられる機器の品質に影響を及ぼすことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体と、前記積層体の前記第１面及び前記第２面それぞれを覆っているソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層に覆われていない前記積層体の露出面を部分的に覆う樹脂膜と、を有している。前記積層体は前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔をさらに有し、前記ソルダーレジスト層は前記貫通孔を露出させる開口を有し、前記樹脂膜は、前記第１及び第２の面それぞれにおいて前記ソルダーレジスト層と重ならないように前記開口の内部に形成されており、前記開口の内部に露出する前記第１面及び前記第２面それぞれを少なくとも部分的に覆うと共に前記貫通孔の内壁面を覆っている。
【０００６】
本発明の配線基板の製造方法は、２以上の導体層と前記２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層とを含む積層体を用意することと、前記積層体の所定の領域を露出させる開口を有するソルダーレジスト層を前記積層体の第１面上及び第２面上それぞれに形成することと、前記積層体を厚さ方向に貫通する貫通孔を前記積層体の前記所定の領域に形成することと、前記開口内に露出する前記第１及び第２の面それぞれを少なくとも部分的に覆うと共に前記貫通孔の内壁面を覆う樹脂膜を前記ソルダーレジスト層に重ならないように形成することと、を含んでいる。
【０００７】
本発明の実施形態の配線基板によれば、貫通孔を有する配線基板において貫通孔の内壁からの発塵を抑制することができ、配線基板が用いられる機器の品質を高めることができると考えられる。本発明の実施形態の配線基板の製造方法によれば、貫通孔の内壁からの発塵が少ない配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【図２】図１の例の配線基板を示す平面図。
【図３】図１のIII部の拡大図。
【図４Ａ】図１の配線基板の変形例を示す断面図。
【図４Ｂ】図１の配線基板の他の変形例を示す断面図。
【図４Ｃ】図１の配線基板のさらに他の変形例を示す断面図。
【図５Ａ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法において用意される積層体の一例を示す断面図。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法におけるソルダーレジスト層の形成後の状態の一例を示す断面図。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における貫通孔の形成後の状態の一例を示す断面図。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態の配線基板の製造方法における樹脂膜の形成後の状態の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１及び図２には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１の断面図及び平面図がそれぞれ示されている。図１は図２に示されるＩ−Ｉ線での断面図である。図１及び図２に示されるように、配線基板１は、絶縁層と導体層との積層体１０と、ソルダーレジスト層（第１樹脂膜）４１と、ソルダーレジスト層（第２樹脂膜）４２と、を備えている。積層体１０は、配線基板１の厚さ方向と直交する２つの表面のうちの一方である第１面１０Ｆ、及び第１面１０Ｆの反対面である第２面１０Ｓを有している。積層体１０は、２以上の導体層（図１の例では第１〜第４の導体層２１、２２、２３、２４）と、この２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層（図１の例では第１〜第３の絶縁層３１、３２、３３）とを含んでいる。積層体１０は、さらに、積層体１０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａを有している。ソルダーレジスト層４１は、積層体１０の第１面１０Ｆを覆っており、ソルダーレジスト層４２は、積層体１０の第２面１０Ｓを覆っている。ソルダーレジスト層４１は、貫通孔１０ａを露出させる開口４１ａを有しており、ソルダーレジスト層４２は、貫通孔１０ａを露出させる開口４２ａを有している。
【００１０】
配線基板１は、さらに、ソルダーレジスト層４１、４２に覆われていない積層体１０の露出面を部分的に覆う樹脂膜１５（第３樹脂膜）を有している。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内部を経由して積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの一方から他方に至るように形成されていて貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている。図２に示されるように、本実施形態では、貫通孔１０ａは、平面視における全周に渡ってその内壁面１０ａ１を樹脂膜１５に覆われている。
【００１１】
貫通孔１０ａは、後述されるように、例えば、レーザー加工、又はドリル加工などの機械加工によって形成されることがある。そのような加工によって切削された面であり得る貫通孔１０ａの内壁面には、加工による切削屑が除去されずに残存することがある。その残存する切削屑は、配線基板１のような回路基板の使用時に貫通孔の内壁面から遊離して塵芥となることがある。そして、そのような塵芥は、貫通孔１０ａ内に浮遊したり、配線基板１及び／又は配線基板１に実装される部品Ｅの表面に付着したりすることがある。
【００１２】
しかし本実施形態では、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１は樹脂膜１５によって覆われている。そのため、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１において積層体１０の各導体層及び各絶縁層を形成する導電性又は絶縁性の材料の切削屑などが残存したとしても、そのような切削屑などは貫通孔１０ａ内に遊離し得ない。従って、切削屑などからなる塵芥が、配線基板１に実装され得る部品Ｅの機能に影響を及ぼすことが防止されると考えられる。
【００１３】
また樹脂膜１５は、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内部に露出する積層体１０の第１面１０Ｆを部分的に覆っている。また、樹脂膜１５は、ソルダーレジスト層４２の開口４２ａの内部に露出する積層体１０の第２面１０Ｓを部分的に覆っている。すなわち、樹脂膜１５は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれにおける貫通孔１０ａの周囲の部分と貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１とを連続的に覆っている。従って、樹脂膜１５が内壁面１０ａ１上だけに形成されている場合よりも、樹脂膜１５と積層体１０との間の剥離が生じ難いと考えられる。なお、樹脂膜１５は、後述されるように、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれにおいて開口４１ａ、４２ａ内に露出する部分の全部を覆っていてもよく、この露出する部分を少なくとも部分的に覆っている。
【００１４】
さらに、樹脂膜１５は、積層体１０の第１面１０Ｆにおいてソルダーレジスト層４１と重ならないように開口４１ａの内部に形成されており、積層体１０の第２面１０Ｓにおいてソルダーレジスト層４２と重ならないように開口４２ａの内部に形成されている。そのため、樹脂膜１５とソルダーレジスト層４１、４２との重なりの部分における樹脂膜１５又はソルダーレジスト層４１、４２のクラックを防止することができる。
【００１５】
図１及び図２に例示される配線基板１では、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内縁と、積層体１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上それぞれにおける樹脂膜１５の縁部とが離間している。そのため、ソルダーレジスト層４１と樹脂膜１５との間に積層体１０の第１面１０Ｆが露出している。互いに対向する、樹脂膜１５からなる内壁とソルダーレジスト層４１からなる内壁とを有するスリットが、第１面１０Ｆの貫通孔１０ａの周囲に形成されている。また、ソルダーレジスト層４２と樹脂膜１５との間に積層体１０の第２面１０Ｓが露出している。互いに対向する、樹脂膜１５からなる内壁とソルダーレジスト層４２からなる内壁とを有するスリットが、第２面１０Ｓの貫通孔１０ａの周囲に形成されている。
【００１６】
図１の例の配線基板１において、第１絶縁層３１と、第１絶縁層３１の両面それぞれに積層されている第１導体層２１及び第３導体層２３とによって配線基板１のコア基板が形成されている。このコア基板を挟んで、第２絶縁層３２及び第２導体層２２を有するビルドアップ層と、第３絶縁層３３及び第４導体層２４を有するビルドアップ層とが形成されている。第１絶縁層３１には、第１導体層２１と第３導体層２３とを接続するスルーホール導体３１ａが形成されている。なお、積層体１０に含まれる導体層及び絶縁層の数は図１の例に限定されない、例えば、積層体１０は、第１絶縁層３１並びに第１及び第３の導体層２１、２３だけを含んでいてもよく、２組以上の導体層及び絶縁層によって構成されるビルドアップ層を含んでいてもよい。
【００１７】
なお、配線基板１の説明では、配線基板１の厚さ方向において第１絶縁層３１から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、第１絶縁層３１に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、第１絶縁層３１と反対側を向く表面は「上面」とも称され、第１絶縁層３１側を向く表面は「下面」とも称される。また、配線基板１の厚さ方向は、単に「Ｚ方向」とも称される。
【００１８】
積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、それぞれ、積層体１０を構成する導体層及び絶縁層それぞれにおけるＺ方向と略直交する表面のうち、積層体１０を構成する他の導体層及び他の絶縁層に接していない部分で構成される。従って、図１の例において、第２導体層２２の導体パターンが形成されている領域では第２導体層２２の上面が第１面１０Ｆであり、第２導体層２２の導体パターンが形成されていない領域では第２絶縁層３２の上面が第１面１０Ｆである。同様に、第４導体層２４の導体パターンが形成されている領域では第４導体層２４の上面が第２面１０Ｓであり、第４導体層２４の導体パターンが形成されていない領域では第３絶縁層３３の上面が第２面１０Ｓである。
【００１９】
各導体層（第１〜第４の導体層２１〜２４）は、例えば、金属箔、無電解めっき膜、及び、電解めっき膜を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
【００２０】
各絶縁層（第１〜第３の絶縁層３１〜３３）は、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び／又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
【００２１】
第２絶縁層３２は、第２絶縁層３２を貫通し、第１導体層２１と第２導体層２２とを接続するビア導体５１を含んでいる。第３絶縁層３３は、第３絶縁層３３を貫通し、第３導体層２３と第４導体層２４とを接続するビア導体５２を含んでいる。ビア導体５１、５２は、第２及び第３の絶縁層３２、３３それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体５１、５２は、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体５１、５２は、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体３１ａも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
【００２２】
積層体１０の第１面１０Ｆ側の最表層の導体層である第２導体層２２は、配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａを有している。部品Ｅは、図１の例の様に、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装され得る。その場合、部品Ｅは、貫通孔１０ａを通過する光を受光又は出射する、撮像素子のような受光素子、又は発光素子を含む光学系要素を含む電子部品であってもよい。また、部品Ｅは、貫通孔１０ａを通過する電波を受信又は発信する無線通信機能を有する電子部品であってもよく、また、レンズなどの光学部品であってもよい。
【００２３】
このような部品Ｅが配線基板１に実装される場合、貫通孔１０ａは、光路又は導波路として機能し得る。そのような機能を有し得る貫通孔１０ａ内に塵芥が浮遊していると、部品Ｅの機能がその影響を受ける虞があるが、本実施形態では、樹脂膜１５によってそのような状況が回避され得る。配線基板１が用いられる電子機器の品質向上に寄与し得ると考えられる。
【００２４】
なお、積層体１０の第２面１０Ｓ側の最表層の導体層である第４導体層２４が、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａを含んでいてもよい。第２及び第４の導体層２２、２４のいずれか一方に接続パッド２２ａが設けられてもよく、両方の導体層に接続パッド２２ａが設けられてもよい。
【００２５】
図１の例において、第４導体層２４は、複数の接続パッド２４ａを含んでいる。前述した第２導体層２２に含まれる接続パッド２２ａのそれぞれは、ビア導体５１、第１導体層２１、スルーホール導体３１ａ、第３導体層２３、及びビア導体５２を介して、複数の接続パッド２４ａのうちの１つ又は複数と電気的に接続され得る。図示されていないが、接続パッド２２ａ、２４ａの表面には、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜が形成されていてもよい。
【００２６】
ソルダーレジスト層４１は、開口４１ａの他に、接続パッド２２ａを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層４２は、開口４２ａの他に、接続パッド２４ａを露出させる開口を有している。ソルダーレジスト層４１、４２は、絶縁性を有する任意の材料を用いて形成され得る。ソルダーレジスト層４１、４２の材料は、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを主原料として構成され得る。
【００２７】
樹脂膜１５も任意の樹脂材料を用いて形成され得る。樹脂膜１５の材料は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はアクリル樹脂などを主原料として構成され得る。
【００２８】
図２に示されるように、図１の配線基板１が有する貫通孔１０ａは、全体として矩形の平面形状を有しており、配線基板１の略中央部に形成されている。なお、図２において配線基板１の中央部に４重に描かれている四角形のうちの最も内側の実線は、樹脂膜１５の内側面１５ａを示している。この樹脂膜１５の内側面１５ａの隣に描かれている破線が、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を示している。また、内壁面１０ａ１の外側に隣接して描かれている実線は、樹脂膜１５の外側面１５ｂを示しており、さらにその外側に描かれている実線はソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁を示している。
【００２９】
図２に示されるように、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁は、平面視で樹脂膜１５の外縁１５ｂよりも樹脂膜１５の外側に位置している。図２には示されていないが、ソルダーレジスト層４２の開口４２ａの内縁も、平面視で樹脂膜１５の外縁１５ｂよりも樹脂膜１５の外側に位置している。
【００３０】
樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの周囲全周に渡って形成され、枠状の平面形状を有している。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を貫通孔１０ａの周囲全周に渡って覆っている。そのため、積層体１０の第１面１０Ｆ（図１参照）上の貫通孔１０ａの周囲には、樹脂膜１５の外側面１５ｂ及びソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁を、対向する内壁として有する連続的な枠状のスリット（溝）１６が形成されている。貫通孔１０ａは、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれにおいて、枠状のスリット１６に囲まれている。
【００３１】
図２の例において、複数の接続パッド２２ａは、貫通孔１０ａの対向する一組の２辺それぞれの外側にこの２辺に沿って配列されている。配線基板１に実装される部品Ｅ（図１参照）は、例えば、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に搭載され、部品Ｅの所定の端子（図示せず）が接続パッド２２ａに接続され得る。接続パッド２２ａは、図２の例に限定されず、部品Ｅに応じて任意の位置に任意の数だけ設けられる。接続パッド２２ａは、例えば、略矩形の貫通孔１０ａの４辺それぞれの外側に、この４辺それぞれに沿って配列されてもよい。
【００３２】
図３には、図１のIII部の拡大図が示されている。図３に示されるように、積層体１０において貫通孔１０ａの近傍の領域では、第２及び第４の導体層２２、２４（図１参照）の導体パターンが形成されていない。そのため、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、それぞれ、第２及び第３の絶縁層３２、３３の上面からなる。そして、配線基板１では、ソルダーレジスト層４１の開口４１ａの内縁は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１よりも貫通孔１０ａの外側に位置している。そのため、積層体１０の第１面１０Ｆは、貫通孔１０ａの近傍において開口４１ａの内部に露出しており、第２絶縁層３２の上面からなるこの露出部分上に樹脂膜１５が形成されている。同様に、ソルダーレジスト層４２の開口４２ａの内縁は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１よりも貫通孔１０ａの外側に位置している。そのため、積層体１０の第２面１０Ｓは、貫通孔１０ａの近傍において開口４２ａの内部に露出しており、第３絶縁層３３の上面からなるこの露出部分上に樹脂膜１５が形成されている。
【００３３】
第２及び第３の絶縁層３２、３３は、第２導体層２２又は第４導体層２４が強固に密着し得るべく、適度な粗面をそれぞれの上面に有し得る。従って、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓは、樹脂膜１５と強固に密着し得ると考えられる。従って、配線基板１では、樹脂膜１５と積層体１０との剥離が生じ難いと推察される。
【００３４】
ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内縁と樹脂膜１５との間隔、すなわちスリット１６の幅Ｗは、例えば、１０μｍ以上、１００μｍ以下である。幅Ｗがこのような範囲の長さを有するように樹脂膜１５及びソルダーレジスト層４１、４２が設計されると、配線基板１の製造時に意図せず樹脂膜１５とソルダーレジスト層４１、４２とが重なり合うことが防がれると考えられる。また、貫通孔１０ａから比較的近い位置に接続パッド２２ａが配置され得る。
【００３５】
図３に示されるように、樹脂膜１５において貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている部分の表面は、貫通孔１０ａの内部に向って凸となるように湾曲している。すなわち、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１上の樹脂膜１５の厚さは、Ｚ方向の中央部分で厚く、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓの近傍において薄い。図３の例では、配線基板１のＺ方向の中央部分を構成する第１絶縁層３１は、配線基板１のコア層である。そのため、第１絶縁層３１には、適度な剛性を得るべくガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材が含められることがある。そのような繊維状の材料を第１絶縁層３１が含んでいる場合、貫通孔１０ａの形成によって切断された繊維屑が、内壁面１０ａ１におけるＺ方向の中央部分から比較的長く突出することがある。図３の例のように湾曲する表面を有する樹脂膜１５は、そのような繊維屑を露出させずに覆い易い点で好ましい。
【００３６】
樹脂膜１５の断面形状、及び、樹脂膜１５の縁部とソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａとの相対的な位置関係は、図３に例示される形状や位置関係に限定されない。図４Ａ及び図４Ｂには、それぞれ、図１の配線基板１の変形例が示されており、各変形例における図１のIII部に相当する部分が示されている。
【００３７】
図４Ａの変形例では、樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆っている部分において略平坦な表面を有している。樹脂膜１５の表面が貫通孔１０ａの内部に向って湾曲していないので、貫通孔１０ａの開口サイズを図３の例に比べて小さくできることがある。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａ内において、このような平坦な表面を有していてもよく、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１さえ露出しなければ、内壁面１０ａ１に向って凹むように湾曲する表面を有していてもよい。図４Ａにおける樹脂膜１５以外の構成要素の構造及び形状は図３の例と同様であるため、それらの構成要素に関する説明は省略される。
【００３８】
図４Ｂの例では、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内縁と、積層体１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上それぞれにおける樹脂膜１５の縁部とが接している。図３の例において形成されているスリット１６は図４Ｂの例では形成されていない。図４Ｂの例のように、樹脂膜１５とソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａの内縁とは、必ずしも離間していなくともよい。例えば、第２及び第３の絶縁層３２、３３の露出が好ましくない場合は、樹脂膜１５とソルダーレジスト層４１、４２との互いの対向面同士が、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓにおいて接していてもよい。
【００３９】
すなわち、樹脂膜１５は、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれにおけるソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａに露出する部分の全部を覆っていてもよい。なお、樹脂膜１５及びソルダーレジスト層４１、４２は、意図的に互いに接するように形成されてもよく、形成される際に意図せずに互いに接してしまっていてもよい。図４Ｂにおける樹脂膜１５以外の構成要素の構造及び形状は図３の例と同様であるため、それらの構成要素に関する説明は省略される。
【００４０】
図４Ｃには、図１の配線基板１のさらに他の変形例が示されている。図４Ｃは、その変形例における図１のIVＣ部に相当する部分を、部品Ｅの一部と共に示している。図４Ｃの例では、積層体１０の第１面１０Ｆ上における開口４１ａの内縁と樹脂膜１５との間隔Ｇ１と、第２面１０Ｓ上における開口４２ａの内縁と樹脂膜１５との間隔Ｇ２とが異なっている。実施形態の配線基板１では、このように間隔Ｇ１と間隔Ｇ２とが異なっていてもよい。換言すると、ソルダーレジスト層４１と樹脂膜１５とによって第１面１０Ｆ上に形成されるスリット１６ａの幅と、ソルダーレジスト層４２と樹脂膜１５とによって第２面１０Ｓ上に形成されるスリット１６ｂの幅とが異なっていてもよい。
【００４１】
図４Ｃの例では、積層体１０の第１面１０Ｆ上における間隔Ｇ１の方が、第２面１０Ｓ上における間隔Ｇ２よりも大きい。図４Ｃの例では、貫通孔１０ａを跨ぐように配線基板１に実装される部品Ｅに対する接続パッド２２ａが第１面１０Ｆに設けられている。配線基板１への部品Ｅの実装後、接続パッド２２ａの周囲には、アンダーフィル材などの保護樹脂Ｒが充填されることがある。その場合、保護樹脂Ｒの充填において保護樹脂Ｒが貫通孔１０ａ内に流れ込むおそれがある。しかし、図４Ｃの例のスリット１６ａのように比較的広い幅を有する溝が第１面１０Ｆ上に形成されていると、ある程度の量の保護樹脂Ｒがスリット１６ａ内に流れ込んで滞留し得ると考えられる。従って、貫通孔１０ａ内への保護樹脂Ｒの流入が防止され易いと考えられる。
【００４２】
なお、図３及び図４Ａ〜図４Ｃなどに示される例では、積層体１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上それぞれにおける樹脂膜１５の厚さと、ソルダーレジスト層４１、４２の厚さとは略同じである。しかし、積層体１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上それぞれにおける樹脂膜１５の厚さは、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの厚さよりも厚くてもよく、又は薄くてもよい。例えば、積層体１０の第１面１０Ｆ上及び第２面１０Ｓ上それぞれにおける樹脂膜１５の厚さは、１０μｍ以上、５０μｍ以下である。また、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１上における樹脂膜１５の最大の厚さは、例えば、１０μｍ以上、８０μｍ以下である。
【００４３】
つぎに、図１に示される配線基板１を例に、一実施形態の配線基板の製造方法が、図５Ａ〜図５Ｄを参照して説明される。
【００４４】
図５Ａに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、２以上の導体層（図５Ａでは第１〜第４の導体層２１、２２、２３、２４）と、この２以上の導体層それぞれの間に介在する絶縁層（図５Ａでは、第１〜第３の絶縁層３１、３２、３３）とを含む積層体１０を用意することを含んでいる。積層体１０は、例えば第１絶縁層３１の一方の表面に第１導体層２１、第２絶縁層３２、及び第２導体層２２を順に形成すると共に、第１絶縁層３１の他方の表面に第３導体層２３、第３絶縁層３３、及び第４導体層２４を順に形成することによって用意される。
【００４５】
例えば第１絶縁層３１となる絶縁基板とその両面それぞれに積層された銅箔とを有する両面銅張積層板が用意される。両面銅張積層板には、レーザー加工によって、スルーホール導体３１ａを形成するための貫通孔が形成され、貫通孔の内壁及び両面銅張積層板の表面上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって導体膜が形成される。そして、この導体膜をシード層及び給電層として用いる電解めっき、及び、適切なマスクを用いるエッチングなどを含むサブトラクティブ法によって、所望の導体パターンを有する第１導体層２１及び第３導体層２３、並びにスルーホール導体３１ａが形成される。即ち配線基板１のコア基板が形成される。第１及び第３の導体層２１、２３、並びにスルーホール導体３１ａは、セミアディティブ法によって形成されてもよい。
【００４６】
第１導体層２１上、及び第１導体層２１の導体パターン間に露出する第１絶縁層３１の露出面上に、例えばシート状のエポキシ樹脂が積層され、熱圧着されることによって、第２絶縁層３２が形成される。第２絶縁層３２の形成と同様の方法で、好ましくは第２絶縁層３２の形成と同時に、第３導体層２３上、及び第３導体層２３の導体パターン間に露出する第１絶縁層３１の露出面上に第３絶縁層３３が形成される。第２及び第３の絶縁層３２、３３の形成において、銅箔などの金属箔が、第２及び第３の絶縁層３２、３３の上に熱圧着されてもよい。第２及び第３の絶縁層３２、３３には、所定の位置に、ビア導体５１、５２の形成用の孔が、レーザー光の照射などによって形成される。
【００４７】
そして、例えばセミアディティブ法によって、第２絶縁層３２の上に所望の導体パターンを有する第２導体層２２が形成され、第２絶縁層３２内にビア導体５１が形成される。また、第２導体層２２及びビア導体５１の形成方法と同様の方法で、好ましくは第２導体層２２の形成と同時に、第３絶縁層３３の上に所望の導体パターンを有する第４導体層２４が形成され、第３絶縁層３３内にビア導体５２が形成される。例えば、以上の工程を経ることによって、第２導体層２２側の表面として第１面１０Ｆを有し、第４導体層２４側の表面として第２面１０Ｓを有する積層体１０が用意される。
【００４８】
図５Ｂに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、積層体１０の第１面１０Ｆを覆うソルダーレジスト層４１、及び、積層体１０の第２面１０Ｓを覆うソルダーレジスト層４２を形成することを含んでいる。ソルダーレジスト層４１、４２は、それぞれ、積層体１０の所定の領域Ａを露出させる開口４１ａ、４２ａを有するように形成される。この所定の領域Ａは、後工程において貫通孔１０ａ（図５Ｃ参照）が積層体１０に形成されるべき領域である。すなわち、後工程で貫通孔１０ａが形成されるべき所定の領域Ａを包含する開口４１ａを有するソルダーレジスト４１、及び、この所定の領域Ａを包含する開口４２ａを有するソルダーレジスト４２が、それぞれ形成される。
【００４９】
ソルダーレジスト層４１、４２の形成では、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層が、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれに形成される。感光性の樹脂層の形成方法としては、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又は印刷などによる液状樹脂の堆積、若しくは、シート状樹脂の積層などが例示される。シート状樹脂の積層による方法を用いることによって、より平坦なソルダーレジスト層４１、４２を形成し得ることがある。形成された樹脂層に対して適切な開口パターンを有する露光マスクを用いた露光、及び現像が行われ、開口４１ａ、４２ａが形成される。図１の例の配線基板１の製造では、開口４１ａ、４２ａの形成と共に、接続パッド２２ａ、２４ａを露出させる開口４１ｂ、４２ｂも形成される。開口４１ａ、４２ａが形成された後、ソルダーレジスト層４１、４２は、例えば加熱されることによって最終的な状態へと本硬化される。
【００５０】
図５Ｃに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、積層体１０を積層体１０の厚さ方向に貫通する貫通孔１０ａを、前述した所定の領域Ａに形成することを含んでいる。貫通孔１０ａは、ソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、開口４２ａ内に形成される。開口４１ａ、４２ａそれぞれの内縁よりも内側に貫通孔１０ａが形成されることによって、積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれに、ソルダーレジスト層４１、４２に覆われていない露出部分が設けられる。
【００５１】
貫通孔１０ａの形成方法としては、ドリル加工、ルーター加工又はレーザー加工などが例示されるが、貫通孔１０ａの形成方法はこれらに限定されない。レーザー加工によって貫通孔１０ａが形成される場合は、例えば、ＣＯ2レーザーなどによるレーザー光が、積層体１０における貫通孔１０ａの形成領域の輪郭に沿って照射される。そしてレーザー光の照射経路に囲まれた部分が引き抜かれることによって貫通孔１０ａが形成され得る。
【００５２】
図５Ｄに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１を覆う樹脂膜１５を形成することを含んでいる。樹脂膜１５は、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１と共に、ソルダーレジスト層４１、４２の開口４１ａ、４２ａ内に露出する積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれを少なくとも部分的に覆うように形成される。
【００５３】
樹脂膜１５は、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、又はアクリル樹脂などの所定の樹脂を、少なくとも貫通孔１０ａの周囲に供給することによって形成される。エポキシ樹脂などの所定の樹脂は、インクジェット、スピンコ―ティング、スプレーコーティング、又はロールコーティングなどの任意の方法によって供給され得る。このような方法によって、貫通孔１０ａの内壁面１０ａ１にも、十分な量の樹脂が供給され得る。
【００５４】
樹脂膜１５は、最終的に、ソルダーレジスト層４１、４２に重ならないように形成される。しかし、本実施形態の配線基板の製造方法において樹脂膜１５を形成することは、図５Ｄに示されるように、まず、ソルダーレジスト層４１、４２を覆うように樹脂膜１５を形成することを含んでいてもよい。図５Ｄの例において、積層体１０の第１及び第２の面１０Ｆ、１０Ｓ上のソルダーレジスト層４１、４２の全面を覆うように、硬化前の樹脂膜１５が形成されている。
【００５５】
本実施形態の配線基板の製造方法は、図５Ｄのように、ソルダーレジスト層４１、４２を覆うように硬化前の樹脂膜１５が形成された場合、その樹脂膜１５のうちのソルダーレジスト層４１、４２を覆っている部分を除去することを含んでいる。この除去は、例えば、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像によって行われる。
【００５６】
このようにして、積層体１０及びソルダーレジスト層４１、４２の全表面に形成された硬化前の樹脂膜１５におけるソルダーレジスト層４１、４２を覆っている部分が除去される。図１の配線基板１の製造では、この除去後の樹脂膜１５とソルダーレジスト層４１、４２それぞれの開口４１ａ、４２ａとの間に、第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれの一部が露出するように樹脂膜１５の所定の部分が除去される。しかし、この所定の部分の除去は、樹脂膜１５において積層体１０の第１面１０Ｆ及び第２面１０Ｓそれぞれを覆っている部分が残存するように行われる。その結果、ソルダーレジスト層４１、４２に重ならず、且つ、所望の部分だけを覆う樹脂膜１５が形成される。その後、必要に応じて加熱することによって、硬化前の樹脂膜１５が本硬化される。以上の工程を経ることによって図１に示される配線基板１が完成する。
【００５７】
なお、図５Ｂに示される工程の後、ソルダーレジスト層４１、４２の開口４１ｂ、４２ｂに露出する接続パッド２２ａ、２４ａに、必要に応じて、表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜が形成され得る。
【００５８】
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、貫通孔１０ａは、平面視で配線基板１の任意の位置に設けられ得る。また、積層体１０は、コア基板を有さず一方向に導体層と絶縁層とが積層された所謂コアレス基板であってもよい。また、ビア導体５１、５２及びスルーホール導体３１ａは必ずしも形成されていなくてもよい。
【００５９】
実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば、第２及び第４の導体層２２、２４がサブトラクティブ法でパターニングされてもよい。また、樹脂膜１５は、必ずしも、その形成過程において一旦ソルダーレジスト層４１、４２を覆うように形成されなくてもよい。例えば、マスクを用いたスプレーコーティングなどによって、所望される部分だけを覆う樹脂膜１５が、樹脂膜１５の形成において最初から形成されてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１        配線基板
１０      積層体
１０ａ    貫通孔
１０ａ１  内壁面
１５      樹脂膜
２１      第１導体層
２２      第２導体層
２３      第３導体層
２４      第４導体層
２２ａ    接続パッド
３１      第１絶縁層（コア層）
３２      第２絶縁層
３３      第３絶縁層
４１、４２  ソルダーレジスト層
４１ａ、４２ａ  開口
Ｅ        部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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