(57)【要約】【課題】記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気ヘッドは、磁極、第１、第２シールド、第１、第２積層体を含む。第１、第２シールドの間に磁極の少なくとも一部が設けられる。第１積層体は、磁極と第１シールドとの間に設けられる。第２積層体は、磁極と第２シールドとの間に設けられる。第１積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、磁極と第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、第１磁性層と第１シールドとの間に設けられた第２導電層と、を含む。第２積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第２磁性層と、磁極と第２磁性層との間に設けられた第３導電層と、第２磁性層と第２シールドとの間に設けられた第４導電層と、を含む。【選択図】図１
2020038743.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁極と、
第１シールドと、
第２シールドであって、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に前記磁極の少なくとも一部が設けられた、前記第２シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた第１積層体と、
前記磁極と前記第２シールドとの間に設けられた第２積層体と、
を備え、
前記第１積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、
前記第１磁性層と前記第１シールドとの間に設けられた第２導電層と、
を含み、
前記第２積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第２磁性層と、
前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられた第３導電層と、
前記第２磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第４導電層と、
を含む、磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１シールドと電気的に接続された第１端子と、
前記第２シールドと電気的に接続された第２端子と、
をさらに備えた請求項１記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１または２に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第２導電層から前記第１導電層へ、及び、前記第３導電層から前記第４導電層への電流を通電可能である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第４導電層から前記第３導電層へ、及び、前記第２導電層から前記第１導電層への電流を通電可能である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項７】
前記磁極と前記第１シールドとの間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第１シールドとの間の第１電気抵抗は、前記磁極と前記第１シールドとの間に第２電流を流したときの前記磁極と前記第１シールドとの間の第２電気抵抗とは異なり、前記第２電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁極と前記第２シールドとの間に第２電流を流したときの前記磁極と前記第２シールドとの間の第３電気抵抗は、前記磁極と前記第２シールドとの間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２シールドとの間の第４電気抵抗とは異なり、前記第２電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１シールドから前記第２シールドに向かう第１電流を前記第１積層体及び前記第２積層体に流し、前記第１電流の大きさを増加したときに、前記第１シールドと前記第２シールドとの間の電気抵抗は、非線形に上昇し、
前記第２シールドから前記第１シールドに向かう第２電流を前記第１積層体及び前記第２積層体に流し、前記第２電流の大きさを増加したときに、前記電気抵抗は、非線形に上昇する、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項２記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
第１電気回路と、
を備え、
前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体の第１領域に対向するときに、前記第１電気回路は、前記第１端子から前記第２端子への向きの電流を供給し、
前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体の第２領域に対向するときに、前記第１電気回路は、前記第２端子から前記第１端子への向きの電流を供給する、磁気記録再生装置。
【請求項１１】
前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の一部を中心として回転し、前記第１領域は、前記回転において内周領域及び外周領域の一方であり、前記第２領域は、前記回転において前記内周領域及び前記外周領域の他方である、請求項１０記載の磁気記録再生装置。
【請求項１２】
前記磁気ヘッドは、前記磁気記録媒体に瓦書き記録を行う、請求項１０または１１に記載の磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録再生装置において、記録密度の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１２３８９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、磁気ヘッドは、磁極、第１シールド、第２シールド、第１積層体及び第２積層体を含む。前記第１シールドと前記第２シールドとの間に前記磁極の少なくとも一部が設けられる。前記第１積層体は、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられる。前記第２積層体は、前記磁極と前記第２シールドとの間に設けられる。前記第１積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、前記第１磁性層と前記第１シールドとの間に設けられた第２導電層と、を含む。前記第２積層体は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第２磁性層と、前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられた第３導電層と、前記第２磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第４導電層と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
【図４】図４は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
【図６】図６は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。
【図７】図７は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。
【図８】図８は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【図９】図９は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２は、第１実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。  
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＢ１−Ｂ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲ１からみた平面図である。図２は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面図である。
【０００９】
図１（ｂ）に示すように、実施形態に係る磁気ヘッド１１０は、磁極３０、第１シールド３１、第２シールド３２、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２を含む。第１シールド３１と第２シールド３２との間に、磁極３０の少なくとも一部が設けられる。第１積層体ＳＢ１は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。第２積層体ＳＢ２は、磁極３０と第２シールド３２との間に設けられる。
【００１０】
図１（ａ）に示すように、コイル３０ｃ、第３シールド３３及び第４シールド３４がさらに設けられている。
【００１１】
磁極３０から第３シールド３３への方向は、第１方向Ｄ１に沿う（図１（ａ）及び図１（ｂ）参照）。第１方向を、Ｘ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＺ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１２】
磁極３０は、例えば、主磁極である。磁極３０は、第１面３０Ｆを含む。第１面３０Ｆは、磁気記録媒体８０と対向する。第１面３０Ｆは、例えば、媒体対向面に対応する。第１面３０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）に対応する。
【００１３】
コイル３０ｃに記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）が電気的に接続される。記録用電気回路からコイル３０ｃに記録電流が供給される。磁極３０から記録電流に応じた磁界（記録磁界）が生じる。記録磁界が磁気記録媒体８０に加わり、磁気記録媒体８０に情報が記録される。このように、記録用電気回路（第２電気回路３０Ｄ）は、記録される情報に対応した電流（記録電流）をコイル３０ｃに供給可能である。
【００１４】
例えば、第１面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。第１方向Ｄ１（Ｘ軸方向）は、磁極３０が対向する磁気記録媒体８０と、磁極３０と、の間の相対的な移動方向に沿う。第１方向Ｄ１と、磁極３０が対向する磁気記録媒体８０と磁極３０との間の相対的な移動方向と、の間の角度は、±２５度以下である。この角度は、±２０度以下でも良い。第１方向Ｄ１とダウントラック方向との間の角度の絶対値は、第１方向Ｄ１とクロストラック方向との間の角度の絶対値よりも小さい。
【００１５】
第３シールド３３は、例えば、「trailing shield」に対応する。第４シールド３４は、例えば、「leading shield」に対応する。第３シールド３３は、例えば、補助磁極である。第３シールド３３は、磁極３０とともに、磁気コアを形成可能である。第４シールド３４は、例えば、補助磁極である。第４シールド３４は、磁極３０とともに、磁気コアを形成してもよい。
【００１６】
磁極３０から第３シールド３３に向かう方向（第１方向Ｄ１）は、第１シールド３１から第２シールド３２への方向（この例では、Ｙ軸方向）と交差する。
【００１７】
第１シールド３１は、例えば、第１サイドシールドに対応する。第２シールド３２は、例えば、第２サイドシールドに対応する。
【００１８】
第１積層体ＳＢ１は、第１磁性層１１、第１導電層２１及び、第２導電層２２を含む。第１磁性層１１は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁性層１１は、例えば、ＦｅＣｏ層またはＦｅＮｉ層などである。第１磁性層１１は、例えば、強磁性である。第１磁性層１１は、例えば、強磁性金属を含む。
【００１９】
第１導電層２１は、磁極３０と第１磁性層１１との間に設けられる。第２導電層２２は、第１磁性層１１と第１シールド３１との間に設けられる。第１導電層２１及び第２導電層２２は、例えば、非磁性である。第１導電層２１及び第２導電層２２は、例えば、非磁性金属を含む。例えば、第１導電層２１の材料は、第２導電層２２の材料とは異なる。
【００２０】
１つの例において、第１導電層２１は、磁極３０及び第１磁性層１１と接する。１つの例において、第２導電層２２は、第１磁性層１１及び第１シールド３１と接する。
【００２１】
第２積層体ＳＢ２は、第２磁性層１２、第３導電層２３及び、第４導電層２４を含む。第２磁性層１２は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性層１２は、例えば、ＦｅＣｏ層またはＦｅＮｉ層などである。第２磁性層１２は、例えば、強磁性である。第２磁性層１２は、例えば、強磁性金属を含む。
【００２２】
第３導電層２３は、磁極３０と第２磁性層１２との間に設けられる。第４導電層２４は、第２磁性層１２と第２シールド３２との間に設けられる。第３導電層２３及び第４導電層２４は、例えば、非磁性である。第３導電層２３及び第４導電層２４は、例えば、非磁性金属を含む。例えば、第３導電層２３の材料は、第４導電層２４の材料とは異なる。
【００２３】
１つの例において、第３導電層２３は、磁極３０及び第２磁性層１２と接する。１つの例において、第４導電層２４は、第２磁性層１２及び第２シールド３２と接する。
【００２４】
磁極３０は、第１積層体ＳＢ１を介して第１シールド３１と電気的に接続されている。磁極３０は、第２積層体ＳＢ２を介して第２シールド３２と電気的に接続されている。
【００２５】
この例では、絶縁部３０ｉにより、第１シールド３１と第３シールド３３との間、第２シールド３２と第３シールド３３との間、第１シールド３１と第４シールド３４との間、第２シールド３２と第４シールド３４との間が電気的に絶縁されている。実施形態において、第３シールド３３が、第１シールド３１及び第２シールド３２の一方と電気的に接続されても良い。第４シールド３４が、第１シールド３１及び第２シールド３２の他方と電気的に接続されても良い。
【００２６】
例えば、磁極３０から第１シールド３１への方向（例えば第２方向Ｄ２）に沿う、第１磁性層１１の厚さを厚さｔ１１とする。厚さｔ１１は、例えば、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
【００２７】
磁極３０から第１シールド３１への方向（第２方向Ｄ２）に沿う、第１導電層２１の厚さを厚さｔ２１とする。第２方向Ｄ２に沿う、第２導電層２２の厚さを厚さｔ２２とする。厚さｔ２１及び厚さｔ２２のそれぞれは、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。
【００２８】
例えば、磁極３０から第２シールド３２への方向に沿う、第２磁性層１２の厚さを厚さｔ１２とする。厚さｔ１２は、例えば、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。
【００２９】
磁極３０から第２シールド３２への方向（第３方向Ｄ３）に沿う、第３導電層２３の厚さを厚さｔ２３とする。第３方向Ｄ３に沿う、第４導電層２４の厚さを厚さｔ２４とする。厚さｔ２３及び厚さｔ２４のそれぞれは、例えば、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。
【００３０】
後述するように、このような厚さにより、例えば、第１磁性層１１の磁化及び第２磁性層１２の磁化が、所望の向きになり易い。
【００３１】
図１（ｂ）及び図２に示すように、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられる。第１端子Ｔ１は、第１シールド３１と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２シールド３２と電気的に接続される。
【００３２】
例えば、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２が設けられても良い。第１配線Ｗ１は、第１端子Ｔ１と電気的に接続される。第２配線Ｗ２は、第２端子Ｔ２と電気的に接続される。
【００３３】
例えば、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２は、第１電気回路２０Ｄに電気的に接続される。第１電気回路２０Ｄは、電流（第１電流Ｉ１または第２電流Ｉ２）を第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２に供給可能である。
【００３４】
磁気ヘッド１１０において、第１動作ＯＰ１が行われても良い。第１動作ＯＰ１においては、第１端子Ｔ１から第２端子Ｔ２への向きの電流（第１電流Ｉ１）が、第１積層体ＳＢ１、磁極３０及び第２積層体ＳＢ２を含む経路に流れる。第１動作ＯＰ１において、第１端子Ｔ１の電位は、第２端子Ｔ２の電位よりも高い。
【００３５】
磁気ヘッド１１０において、第２動作ＯＰ２が行われても良い。第２動作ＯＰ２においては、第２端子Ｔ２から第１端子Ｔ１への向きの電流（第２電流Ｉ２）が、第２積層体ＳＢ２、磁極３０及び第１積層体ＳＢ１を含む経路に流れる。第２動作ＯＰ２において、第２端子Ｔ２の電位は、第１端子Ｔ１の電位よりも高い。
【００３６】
このような積層体（第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２の少なくともいずれか）に電流が流れると、積層体に含まれる磁性層（第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれか）の磁化の向きが制御できる。例えば、磁性層の磁化が、磁極３０から出る磁界の向きとは逆向きの成分を有するようになる。これにより、磁極３０から出る磁界の向きの分布を適正に制御できる。
【００３７】
以下、１つの例における動作について説明する。この例においては、第１導電層２１は、Ｉｒを含み、第２導電層２２は、Ｃｕを含む。そして、第３導電層２３は、Ｉｒを含み、第４導電層２４は、Ｃｕを含む。
【００３８】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。  
図３（ａ）は、第１動作ＯＰ１に対応する。図３（ｂ）は、第２動作ＯＰ２に対応する。
【００３９】
図３（ａ）に示すように、第１動作ＯＰ１において、第１電流Ｉ１が、第１シールド３１、第２導電層２２、第１磁性層１１、第１導電層２１、磁極３０、第３導電層２３、第２磁性層１２、第４導電層２４及び第２シールド３２をこの順で流れる。
【００４０】
コイル３０ｃに記録電流を流すことにより、磁極３０から磁界が生じる。磁極３０から出た磁界の一部（磁界Ｈ１）は、磁気記録媒体８０に向かう。一方、磁極３０から出た磁界の別の一部は、第１シールド３１への成分または第２シールド３２への成分を有する。
【００４１】
第１積層体ＳＢ１に第１電流Ｉ１が流れると、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０から出た磁界の別の一部（磁界Ｈ２）と逆向きの成分を有する。これは、例えば、スピントランスファトルクの作用による。これにより、磁界Ｈ２は、第１磁性層１１を通過し難くなる。その結果、磁界Ｈ２は、磁気記録媒体８０へ向かい易くなる。これにより、クロストラック方向の端部（第１シールド３１側の端部）において、記録磁界の強度を急峻に変化させることができる。その端における磁界の強度が強くできる。
【００４２】
一方、磁極３０から出た磁界の別の一部（磁界Ｈ３）は、第２シールド３２への成分を有する。第２積層体ＳＢ２に第１電流Ｉ１が流れるとき、第２磁性層１２の磁化１２Ｍは、磁界Ｈ３と同じ向きの成分を有する。これにより、磁界Ｈ３は、第２磁性層１２を通過する。これにより、クロストラック方向の端部（第２シールド３２側の端部）において、記録磁界の強度が急峻にならない。
【００４３】
実施形態においては、クロストラック方向における磁界の分布が非対称にできる。例えば、磁界の分布が非対称であると、磁界の分布が対称である場合に比べて、一方の端における強度が強くできる。
【００４４】
例えば、瓦記録（shingle Recording）が行われる場合がある。瓦記録においては、記録された第１トラックの一部に、第２トラックが重ねられて、第２トラックが記録される。第２トラックの一方の端における磁界を強めることで、瓦記録をより良好に実施できる。
【００４５】
実施形態においては、例えば、クロストラック方向の記録磁界の分布を制御できる。これにより、例えば、複数のトラックのクロストラック方向の間隔を狭くしても良好な記録再生特性が得られる。
【００４６】
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供できる。
【００４７】
図３（ｂ）に示すように、第２動作ＯＰ２において、第２電流Ｉ２が、第２シールド３２、第４導電層２４、第２磁性層１２、第３導電層２３、磁極３０、第１導電層２１、第１磁性層１１、第２導電層２２及び第１シールド３１をこの順で流れる。
【００４８】
この場合も、コイル３０ｃに記録電流を流すことにより、磁極３０から磁界が生じる。磁極３０から出た磁界の一部（磁界Ｈ１）は、磁気記録媒体８０に向かう。磁極３０から出た磁界の別の一部は、第１シールド３１への成分または第２シールド３２への成分を有する。
【００４９】
第２積層体ＳＢ２に第２電流Ｉ２が流れると、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、磁極３０から出た磁界の別の一部（磁界Ｈ３）と逆向きの成分を有する。これは、例えば、スピントランスファトルクの作用による。これにより、磁界Ｈ３は、第２磁性層１２を通過し難くなる。その結果、磁界Ｈ３は、磁気記録媒体８０へ向かい易くなる。これにより、クロストラック方向の端部（第２シールド３２側の端部）において、記録磁界の強度を急峻に変化させることができる。その端における磁界の強度が強くできる。
【００５０】
一方、磁極３０から出た磁界Ｈ２は、第１シールド３１への成分を有する。第１積層体ＳＢ１に第２電流Ｉ２が流れるとき、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、磁界Ｈ２と同じ向きの成分を有する。これにより、磁界Ｈ２は、第１磁性層１１を通過する。これにより、クロストラック方向の端部（第１シールド３１側の端部）において、記録磁界の強度が急峻にならない。
【００５１】
第２動作ＯＰ２においても、クロストラック方向における磁界の分布が非対称にできる。例えば、磁界の分布が非対称であると、磁界の分布が対称である場合に比べて、一方の端における強度が強くできる。
【００５２】
瓦記録において、内周領域と外周領域とで、重ねて記録する端部の位置が変化する場合がある。このような場合に、内周領域において、第１動作ＯＰ１及び第２動作ＯＰ２の一方を行っても良い。そして、外周領域において、第１動作ＯＰ１及び第２動作ＯＰ２の一方を行っても良い。瓦記録を、より良好に実施できる。
【００５３】
第１磁性層１１及び第２磁性層１２において、磁化（磁化１１Ｍ及び磁化１２Ｍ）の向きは、電流の向き、及び、導電層の材料の特性に依存すると考えられる。
【００５４】
第１構成（１つの例）において、第１導電層２１は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第２導電層２２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第３導電層２３は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第４導電層２４は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００５５】
この第１構成において、第２導電層２２から第１導電層２１へ、及び、第３導電層２３から第４導電層２４への電流を通電可能でも良い。例えば、第１端子Ｔ１から第２端子Ｔ２への向きの第１電流Ｉ１が供給されると（第１動作ＯＰ１）、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０から出る磁界に対して反対の向きを有する。第２磁性層１２の磁化１２Ｍは、反転しない。
【００５６】
第１構成において、第２端子Ｔ２から第１端子Ｔ１への向きの第２電流Ｉ２が供給されると（第２動作ＯＰ２）、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、磁極３０から出る磁界に対して反対の向きを有する。第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、反転しない。
【００５７】
第２構成（別の１つの例）において、１つの例において、第１導電層２１は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第２導電層２２は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。このとき、第３導電層２３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む。第４導電層２４は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００５８】
この第２構成において、第４導電層２４から第３導電層２３へ、及び、第１導電層２１から第２導電層２２への電流を通電可能でも良い。例えば、第２端子Ｔ２から第１端子Ｔ１への向きの第２電流Ｉ２が供給されると（第２動作ＯＰ２）、第１磁性層１１の磁化１１Ｍが、磁極３０から出る磁界に対して反対の向きを有する。第２磁性層１２の磁化１２Ｍは、反転しない。
【００５９】
第２構成において、第１端子Ｔ１から第２端子Ｔ２への向きの第１電流Ｉ１が供給されると（第１動作ＯＰ１）、第２磁性層１２の磁化１２Ｍが、磁極３０から出る磁界に対して反対の向きを有する。第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、反転しない。
【００６０】
実施形態において、第１磁性層１１の磁化１１Ｍの向きに応じて、磁極３０と第１シールド３１との間の電気抵抗が変化しても良い。例えば、磁極３０と第１シールド３１との間に第１電流Ｉ１を流したときの、磁極３０と第１シールド３１との間の電気抵抗を第１電気抵抗とする。磁極３０と第１シールド３１との間に第２電流Ｉ２を流したときの、磁極３０と第１シールド３１との間の電気抵抗を第２電気抵抗とする。第１電気抵抗は、第２電気抵抗とは異なる。第２電流Ｉ２の向きは、第１電流Ｉ１の向きと逆である。
【００６１】
例えば、磁極３０と第２シールド３２との間に第２電流Ｉ２を流したときの、磁極３０と第２シールド３２との間の電気抵抗を第３電気抵抗とする。磁極３０と第２シールド３２との間に第１電流Ｉ１を流したときの、磁極３０と第２シールド３２との間の電気抵抗を第４電気抵抗とする。第３電気抵抗は、第４電気抵抗とは異なる。この場合も、第２電流Ｉ２の向きは、第１電流Ｉ１の向きと逆である。
【００６２】
図４は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
図４は、磁気ヘッド１１０における電気抵抗の変化を例示している。横軸は、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２の間に流れる電流ＩＴである。縦軸は、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２の間の電気抵抗ＲＴである。
【００６３】
図４に示すように、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２の間に流れる電流ＩＴの絶対値が大きくなると、第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２の間の電気抵抗ＲＴは、非線形に上昇する。第１シールド３１から第２シールド３２に向かう第１電流を第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２に流し、この第１電流の大きさを増加したときに、第１シールド３１と第２シールド３２との間の電気抵抗（電気抵抗ＲＴでも良い）は、非線形に上昇する。第２シールド３２から第１シールド３１に向かう第２電流を第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２に流し、この第２電流の大きさを増加したときに、電気抵抗（電気抵抗ＲＴでも良い）は、非線形に上昇する。
【００６４】
例えば、電流ＩＴの絶対値が小さいとき（電流ＩＴが、０〜値ＩＴ１、または、０〜値ＩＴ３）、電気抵抗ＩＴは、曲線的に上昇する。これは、電流ＩＴによる温度上昇に起因すると考えられる。
【００６５】
電流ＩＴの絶対値が、さらに大きくなると、電気抵抗ＩＴが急峻に上昇する（電流ＩＴが、値ＩＴ１〜値ＩＴ２、または、値ＩＴ３〜値ＩＴ４）。これは、第１磁性層１１の磁化１１Ｍ、及び、第２磁性層１２の磁化１２Ｍの一方が反転することによると考えられる。例えば、電流ＩＴが正の場合、磁化１１Ｍ及び磁化１２Ｍの一方が反転する。例えば、電流ＩＴが負の場合、磁化１１Ｍ及び磁化１２Ｍの他方が反転する。
【００６６】
磁化が反転する磁性層は、積層体に含まれる導電層の材料、及び、電流の向きによりきまる。
【００６７】
図４では、電気抵抗ＲＴは、電流ＩＴの正負に対して実質的に対称である。実施形態において、非対称になる場合があっても良い。対称性は、例えば、材料などに依存する。
【００６８】
上記の電気抵抗の差は、例えば、磁気抵抗効果に基づく。
【００６９】
Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つの材料においては、スピン拡散長が小さい。このような材料を用いることで、磁性層（第１磁性層１１または第２磁性層１２）の磁化反転効率（例えば磁化反転率）を上昇することができる。
【００７０】
導電層にＴａを用いた場合、例えば、磁性層と導電層の界面において磁性層に作用するスピントランスファトルクを抑制することができると考えられる。
【００７１】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。  
これらの図は、磁気ヘッド磁界のオフトラックプロファイルのシミュレーション結果を示す。横軸は、Ｙ軸方向における位置ｐＹ（ｎｍ）である。これらの図の縦軸は、磁極３０から磁気記録媒体８０に加えられる磁界強度ＨＳ（Ｏｅ）である。これらの図には、シミュレーションモデルについての第１モデルＭ１及び第２モデルＭ２の特性が示されている。第１モデルＭ１は、上記の磁気ヘッド１１０の構成を有し、第１動作ＯＰ１（第１電流Ｉ１の供給）または、第２動作ＯＰ２（第２電流Ｉ２の供給）が行われる。一方、第２モデルＭ２においては、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２が設けられていない。
【００７２】
図５（ａ）は、第１モデルＭ１の第１動作ＯＰ１における特性を例示している。図５（ｂ）は、第１モデルＭ１の第２動作ＯＰ２における特性を例示している。これらの図の両方に、第２モデルＭ２の特性が例示されている。
【００７３】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第２モデルＭ２においては、０ｎｍの位置ｐＹに対して左右対称の特性が得られる。
【００７４】
図５（ａ）に示すように、第１モデルＭ１の第１動作ＯＰ１においては、位置ｐＹが正の領域における記録磁界ＨＳの変化は、位置ｐＹが負の領域における記録磁界ＨＳの変化よりも急峻になる。このことは、クロストラック方向の一方の端部（第１シールド３１側の端部分）において、記録磁界ＨＳが急峻に変化することに対応する。
【００７５】
図５（ｂ）に示すように、第１モデルＭ１の第２動作ＯＰ２においては、位置ｐＹが負の領域における記録磁界ＨＳの変化は、位置ｐＹが正の領域における記録磁界ＨＳの変化よりも急峻になる。このことは、クロストラック方向の他方の端部（第２シールド３２側の端部分）において、記録磁界ＨＳが急峻に変化することに対応する。
【００７６】
このように、クロストラック方向における磁界の分布が非対称にできる。例えば、瓦記録をより良好に実施できる。例えば、複数のトラックのクロストラック方向の間隔を狭くしても良好な記録再生特性が得られる。実施形態によれば、記録密度の向上が可能になる。
【００７７】
以下、実施形態に係る磁気ヘッド１１０の動作の例について説明する。以下では、第１積層体ＳＢ１に関して説明する。以下の説明は、第１積層体ＳＢ１を第２積層体ＳＢ２に換え、第１シールド３１を第２シールド３２に換えることで、第２積層体ＳＢ２に適用できる。
【００７８】
図６は、実施形態に係る磁気ヘッドの動作を例示する模式図である。  
図６に示すように、磁極３０と第１シールド３１との間に第１積層体ＳＢ１が設けられる。第１積層体ＳＢ１において、第１磁性層１１、第１導電層２１及び第２導電層２２が設けられる。
【００７９】
磁極３０のコイル３０ｃに、第２電気回路３０Ｄ（図１（ａ）参照）から、記録電流が供給される。これにより、磁極３０からギャップ磁界Ｈｇ１が発生する。ギャップ磁界Ｈｇ１は、第１積層体ＳＢ１に印加される。
【００８０】
例えば、磁極３０の磁化３０Ｍおよび第１シールド３１の磁化３１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。第１磁性層１１の磁化１１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。
【００８１】
このとき、第１電気回路２０Ｄから第１積層体ＳＢ１に電流Ｉｃ（第１電流Ｉ１）に対応）が供給される。この例では、第１シールド３１及び磁極３０を介して、電流Ｉｃが第１積層体ＳＢ１に供給される。電流Ｉｃは、例えば、第２導電層２２から第１導電層２１へ流れる。このとき、電子流Ｊｅが流れる。電子流Ｊｅは、第１導電層２１から第２導電層２２へ流れる。
【００８２】
電子流Ｊｅにより、第１導電層２１と第１磁性層１１との間の界面において、スピントルク２１ｓｐが生じる。このスピントルク２１ｓｐは、透過型である。一方、電子流Ｊｅにより、第１磁性層１１と第２導電層２２との間の界面において、スピントルク２２ｓｐが生じる。スピントルク２２ｓｐは、反射型である。これらのスピントルクにより、第１磁性層１１の磁化１１Ｍは反転する。反転した磁化１１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１に対して逆向きの成分を有する。
【００８３】
電流Ｉｃは、例えば、第１導電層２１から第２導電層２２に向かって流れても良い。このとき、図６に示すスピントルク２１ｓｐの向き及びスピントルク２２ｓｐの向きが反転する。スピントルク２１ｓｐは反射型であり、スピントルク２２ｓｐは透過型である。
【００８４】
実施形態においては、上記の第１動作ＯＰ１または第２動作ＯＰ２が行われる。以下、これらの動作の例について説明する。  
図７は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。  
図７に示すように、磁気記録媒体８０の平面形状は、例えば、実質的に円形である。一方、先端部分が移動可能なアーム１５５が設けられる。アーム１５５の先端部分に磁極３０（磁気ヘッド１１０）が設けられる。アーム１５５が所定の支点を軸として回転することで、磁極３０が、磁気記録媒体８０に対して相対的に移動する。
【００８５】
例えば、磁気記録媒体８０は、中心８０ｃを有する円盤状である。磁気記録媒体８０は、内周領域ｐａと、外周領域ｐｂと、中領域ｐｃと、を含む。外周領域ｐｂと中心８０ｃとの間に内周領域ｐａが設けられる。外周領域ｐｂと内周領域ｐａとの間に中領域ｐｃが設けられる。磁気記録媒体８０は、中心８０ｃを軸として回転する。媒体移動方向８５は、円周方向に対応する。
【００８６】
例えば、内周領域ｐａ及び外周領域ｐｂの一方を第１領域とする。内周領域ｐａ及び外周領域ｐｂの他方を第２領域とする。
【００８７】
例えば、磁気ヘッド１１０（磁極３０）が磁気記録媒体８０の第１領域に対向するときに、第１電気回路２０Ｄは、第１端子Ｔ１から第２端子Ｔ２への向きの電流（第１電流Ｉ１）を供給する（図１（ｂ）参照）。
【００８８】
例えば、磁気ヘッド１１０（磁極３０）が磁気記録媒体８０の第２領域に対向するときに、第１電気回路２０Ｄは、第２端子Ｔ２から第１端子Ｔ１への向きの電流（第２電流Ｉ２）を供給する。
【００８９】
磁気記録媒体８０は、磁気記録媒体８０の一部（中心８０ｃ）を中心として回転する。上記の第１領域は、上記の回転において内周領域ｐａ及び外周領域ｐｂの一方である。第２領域は、上記の回転において内周領域ｐａ及び外周領域ｐｂの他方である。
【００９０】
磁気ヘッド１１０は、例えば、磁気記録媒体８０に瓦書き記録を行う。実施形態においては、良好な瓦書き記録を行うことができる。記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を提供できる。
【００９１】
（第２実施形態）  
第２実施形態は、磁気記録再生装置に係る。磁気記録再生装置は、例えば、第１実施形態に関して説明した磁気ヘッド１１０（及びその変形の磁気ヘッド）を含む。磁気記録再生装置は、さらに、磁気記録媒体８０と、第１積層体ＳＢ１及び第２積層体ＳＢ２に電流を供給可能な第１電気回路２０Ｄと、を含む。
【００９２】
以下、本実施形態に係る磁気記録再生装置の例について説明する。  
図８は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図８は、ヘッドスライダを例示している。  
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【００９３】
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【００９４】
図９は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。  
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図９に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに設けられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を含んでも良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
【００９５】
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【００９６】
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
【００９７】
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
【００９８】
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
【００９９】
図１０（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。  
図１０（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
【０１００】
図１０（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
【０１０１】
図１０（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
【０１０２】
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【０１０３】
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
【０１０４】
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
【０１０５】
磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
【０１０６】
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
【０１０７】
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
【０１０８】
本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を含む。
【０１０９】
実施形態は、例えば、以下の構成（例えば技術案）を含む。
【０１１０】
（構成１）  
磁極と、
第１シールドと、
第２シールドであって、前記第１シールドと前記第２シールドとの間に前記磁極の少なくとも一部が設けられた、前記第２シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられた第１積層体と、
前記磁極と前記第２シールドとの間に設けられた第２積層体と、
を備え、
前記第１積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第１磁性層と、
前記磁極と前記第１磁性層との間に設けられた第１導電層と、
前記第１磁性層と前記第１シールドとの間に設けられた第２導電層と、
を含み、
前記第２積層体は、
Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む第２磁性層と、
前記磁極と前記第２磁性層との間に設けられた第３導電層と、
前記第２磁性層と前記第２シールドとの間に設けられた第４導電層と、
を含む、磁気ヘッド。
【０１１１】
（構成２）  
前記第１シールドと電気的に接続された第１端子と、
前記第２シールドと電気的に接続された第２端子と、
をさらに備えた構成１記載の磁気ヘッド。
【０１１２】
（構成３）  
前記第１導電層の材料は、前記第２導電層の材料とは異なり、
前記第３導電層の材料は、前記第４導電層の材料とは異なる、構成１または２に記載の磁気ヘッド。
【０１１３】
（構成４）  
前記第１〜第４導電層は、非磁性である、構成１〜３のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１４】
（構成５）  
前記第１導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１または２に記載の磁気ヘッド。
【０１１５】
（構成６）
前記第１導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第３導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ及びＡｕからなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第４導電層は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄからなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１または２に記載の磁気ヘッド。
【０１１６】
（構成７）
前記第２導電層から前記第１導電層へ、及び、前記第３導電層から前記第４導電層への電流を通電可能である、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１７】
（構成８）
前記第４導電層から前記第３導電層へ、及び、前記第２導電層から前記第１導電層への電流を通電可能である、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１８】
（構成９）  
前記磁極と前記第１シールドとの間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第１シールドとの間の第１電気抵抗は、前記磁極と前記第１シールドとの間に第２電流を流したときの前記磁極と前記第１シールドとの間の第２電気抵抗とは異なり、前記第２電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１１９】
（構成１０）  
前記磁極と前記第２シールドとの間に第２電流を流したときの前記磁極と前記第２シールドとの間の第３電気抵抗は、前記磁極と前記第２シールドとの間に第１電流を流したときの前記磁極と前記第２シールドとの間の第４電気抵抗とは異なり、前記第２電流の向きは、前記第１電流の向きと逆である、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２０】
（構成１１）  
前記第１シールドから前記第２シールドに向かう第１電流を前記第１積層体及び前記第２積層体に流し、前記第１電流の大きさを増加したときに、前記第１シールドと前記第２シールドとの間の電気抵抗は、非線形に上昇し、
前記第２シールドから前記第１シールドに向かう第２電流を前記第１積層体及び前記第２積層体に流し、前記第２電流の大きさを増加したときに、前記電気抵抗は、非線形に上昇する、構成１〜６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２１】
（構成１２）  
前記第１導電層は、前記磁極及び前記第１磁性層と接し、
前記第２導電層は、前記第１磁性層及び前記第１シールドと接し、
前記第３導電層は、前記磁極及び前記第２磁性層と接し、
前記第４導電層は、前記第２磁性層及び前記第２シールドと接する、構成１〜１１のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２２】
（構成１３）  
前記磁極から前記第１シールドへの方向に沿う、前記第１磁性層の厚さは、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、構成１〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２３】
（構成１４）  
前記磁極から前記第１シールドへの方向に沿う、前記第１導電層の厚さ、及び、前記磁極から前記第１シールドへの前記方向に沿う、前記第２導電層の厚さのそれぞれは、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、構成１〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２４】
（構成１５）  
前記磁極から前記第２シールドへの方向に沿う、前記第２磁性層の厚さは、４ｎｍ以上２０ｎｍ以下である、構成１〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２５】
（構成１６）  
前記磁極から前記第２シールドへの方向に沿う、前記第３導電層の厚さ、及び、前記磁極から前記第２シールドへの前記方向に沿う、前記第４導電層の厚さのそれぞれは、０．３ｎｍ以上１５ｎｍ以下である、構成１〜１２のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２６】
（構成１７）  
第３シールドをさらに備え、
前記磁極から前記第３シールドに向かう方向は、前記第１シールドから前記第２シールドへの方向と交差した、構成１〜１６のいずれか１つに記載の磁気ヘッド。
【０１２７】
（構成１８）
構成１〜１７のいずれか１つに記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
前記第１積層体に電流を供給可能な第１電気回路と、
を備えた磁気記録再生装置。
【０１２８】
（構成１９）
構成２記載の磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体と、
第１電気回路と、
を備え、
前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体の第１領域に対向するときに、前記第１電気回路は、前記第１端子から前記第２端子への向きの電流を供給し、
前記磁気ヘッドが前記磁気記録媒体の第２領域に対向するときに、前記第１電気回路は、前記第２端子から前記第１端子への向きの電流を供給する、磁気記録再生装置。
【０１２９】
（構成２０）  
前記磁気記録媒体は、前記磁気記録媒体の一部を中心として回転し、前記第１領域は、前記回転において内周領域及び外周領域の一方であり、前記第２領域は、前記回転において前記内周領域及び前記外周領域の他方である、構成１９記載の磁気記録再生装置。
【０１３０】
（構成２１）  
前記磁気ヘッドは、前記磁気記録媒体に瓦書き記録を行う、構成１８〜２０のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
【０１３１】
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録再生装置が提供できる。
【０１３２】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１３３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、シールド領域、積層体、磁性層、導電層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１３４】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１３５】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１３６】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１３７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３８】
１１、１２…第１、第２磁性層、  １１Ｍ、１２Ｍ…磁化、  ２０Ｄ…第１電気回路、  ２１〜２４…第１〜第４導電層、  ２１ｓｐ、２２ｓｐ…スピントルク、  ３０…磁極、  ３０Ｄ…第２電気回路、  ３０Ｆ…第１面、  ３０Ｍ…磁化、  ３０ｃ…コイル、  ３０ｉ…絶縁部、  ３０Ｍ…磁化、  ３１〜３４…第１〜第４シールド、  ３１Ｍ…磁化、  ８０…磁気記録媒体、  ８０ｃ…中心、  ８５…媒体移動方向、  １１０…磁気ヘッド、  １５０…磁気記録再生装置、  １５４…サスペンション、  １５５…アーム、  １５６…ボイスコイルモータ、  １５７…軸受部、  １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、  １５９…ヘッドスライダ、  １５９Ａ…空気流入側、  １５９Ｂ…空気流出側、  １６０…ヘッドスタックアセンブリ、  １６１…支持フレーム、  １６２…コイル、  １８０…記録用媒体ディスク、  １８０Ｍ…スピンドルモータ、  １８１…記録媒体、  １９０…信号処理部、  ＡＲ、ＡＲ１…矢印、  Ｄ１〜Ｄ３…第１方向、  Ｈ１〜Ｈ３…磁界、  Ｈｇ１…ギャップ磁界、  Ｉ１、Ｉ２…第１、第２電流、  ＩＴ…電流、  ＩＴ１〜ＩＴ４…値、  ＨＳ…磁界強度、  Ｉｃ…電流、  Ｊｅ…電子流、  Ｍ１、Ｍ２…第１、第２モデル、  ＯＰ１、ＯＰ２…第１、第２動作、  ＲＴ…電気抵抗、  ＳＢ１、ＳＢ２…第１、第２積層体、  Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、  Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線、  ｐＹ…位置、  ｐａ…内周領域、  ｐｂ…外周領域、  ｐｃ…中領域、  ｔ１１、ｔ１２、ｔ２１、ｔ２２、ｔ２３、ｔ２４…厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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