(57)【要約】【課題】高周波回路を含む基板の生産性を向上できる多層回路基板を提供する。【解決手段】高周波基板を含む第１回路基板１０と、第１回路基板１０と接合される第２回路基板２０とが、それぞれの厚さ方向に重ね合わされて接合された多層回路基板３０であって、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間には、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間を半田層又は導電ペースト層を介して電気的に接続する接続部３１と、第２回路基板２０から第１回路基板１０へと熱を伝導する熱伝導体３３と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波基板を含む第１回路基板と、前記第１回路基板と接合される第２回路基板とが、それぞれの厚さ方向に重ね合わされて接合された多層回路基板であって、
前記第１回路基板と前記第２回路基板との間には、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間を半田層又は導電ペースト層を介して電気的に接続する接続部と、前記第２回路基板から前記第１回路基板へと熱を伝導する熱伝導体と、を有することを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
前記第１回路基板に、放熱体が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層回路基板。
【請求項３】
前記熱伝導体は、金属片又はカーボン材料を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層回路基板。
【請求項４】
前記導電ペースト層は、銀ペースト、銅ペースト又はカーボンペーストから構成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【請求項５】
前記高周波基板は、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、フッ素樹脂、シクロオレフィン樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、石英、セラミック、サファイアからなる群から選択される、誘電損失が０．０１未満の絶縁材料から構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【請求項６】
前記第１回路基板には、高周波信号の送信又は受信又は送受信が可能なアンテナが形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【請求項７】
前記第２回路基板に、高周波信号を処理する集積回路（ＩＣ）が搭載されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ミリ波帯等の高周波数帯で用いられるアンテナと高周波（ＲＦ）集積回路（ＩＣ）とが一体化された回路基板では、信号線の引き回しを容易にし、かつ基板面積を抑制するため、一般に多層基板が用いられている。しかし、高周波数帯に対応する基板では、低誘電率の特殊で高価な誘電体材料が用いられている。また、特許文献１では、電源回路等には一般的な基板材料を用い、高周波回路の部分は高周波数帯に対応する基板材料を用いた複合基板が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４０７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、一般的な基板材料を用いたベース基板と高周波特性に優れる高周波基板との電気的接続に、スルーホールを用いている。このため、ベース基板と高周波基板と貫通した孔あけ工程が必要であり、生産性が低い。また、スルーホールを設けることにより高周波信号を冗長に引き回す必要があり、特性の劣化を引き起こすおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高周波回路を含む基板の生産性を向上できる多層回路基板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明は、高周波基板を含む第１回路基板と、前記第１回路基板と接合される第２回路基板とが、それぞれの厚さ方向に重ね合わされて接合された多層回路基板であって、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間には、前記第１回路基板と前記第２回路基板との間を半田層又は導電ペースト層を介して電気的に接続する接続部と、前記第２回路基板から前記第１回路基板へと熱を伝導する熱伝導体と、を有することを特徴とする多層回路基板を提供する。
【０００７】
前記第１回路基板に、放熱体が形成されてもよい。
前記熱伝導体は、金属片又はカーボン材料を含んでもよい。
前記導電ペースト層は、銀ペースト、銅ペースト又はカーボンペーストから構成されていてもよい。
前記高周波基板は、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、フッ素樹脂、シクロオレフィン樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、石英、セラミック、サファイアからなる群から選択される、誘電損失が０．０１未満の絶縁材料から構成されてもよい。
【０００８】
前記第１回路基板には、高周波信号の送信又は受信又は送受信が可能なアンテナが形成されてもよい。
前記第２回路基板に、高周波信号を処理する集積回路（ＩＣ）が搭載されてもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高周波回路を含む基板の生産性を向上できる多層回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態の多層回路基板を示す断面図である。
【図２】第１回路基板及び第２回路基板を示す断面図である。
【図３】第２実施形態の多層回路基板を示す断面図である。
【図４】接続基板の製造工程を（ａ）〜（ｄ）の順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【００１２】
第１実施形態の多層回路基板について説明する。図１は、第１実施形態の多層回路基板３０を示し、図２は、第１回路基板１０及び第２回路基板２０を示す。第１回路基板１０は、複数の絶縁基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃを積層して構成されている。第２回路基板２０は、複数の絶縁基板２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆを積層して構成されている。第１回路基板１０及び第２回路基板２０に含まれる絶縁基板の層数は特に限定されず、それぞれ１層又は２層以上とすることができる。それぞれの絶縁基板は、フィルム、シート、プリプレグ等から構成することができる。絶縁基板の片面又は両面には、特に図示しないが、導体層を設けることができる。また、絶縁基板の１層又は２層以上を貫通して、貫通導体を設けることができる。
【００１３】
第１回路基板１０は、高周波基板を含む。高周波基板は、高周波に対応した絶縁基板である。高周波基板を構成する高周波材料としては、例えば誘電損失が０．０１未満の絶縁材料が挙げられる。本明細書で絶縁材料とは電気絶縁材料（誘電体、非導電体）を意味し、熱絶縁材料（断熱材）とする必要はない。また、誘電損失の測定条件は、例えばＪＩＳ  Ｃ  ６４８１（プリント配線板用銅張積層板試験方法）の誘電正接（ｔａｎδ）として規定されるように、１ＭＨｚの測定周波数に対して温度２０±２℃、相対湿度６０〜７０％が挙げられる。誘電損失０．００５以下の高周波材料から構成される高周波基板がより好ましい。高周波基板を構成する高周波材料の具体例としては、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、フッ素樹脂、シクロオレフィン樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂、石英、セラミック、サファイアからなる群から選択される１種以上等が挙げられる。第１回路基板１０の層数は特に限定されないが、例えば１〜６層が挙げられる。
【００１４】
第１回路基板１０は、各層の厚さが１００μｍ以下のコア基板又はプリプレグから構成される多層基板であってもよく、損失を下げるなど必要に応じて厚さが１００μｍを超えるコア基板又はプリプレグを含んでもよい。第１実施形態では、第１回路基板１０に含まれる絶縁基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃが全て高周波基板から構成されているが、それに限らない。第１回路基板１０に含まれる絶縁基板が、全て高周波基板から構成されていなくてもよい。
【００１５】
第１実施形態の第１回路基板１０には、高周波素子の一例として、高周波信号の送信又は受信又は送受信が可能なアンテナ１２が形成される。帯域を確保する、高周波信号の損失を抑制する等の目的で、例えばアンテナ１２に接する層として、高周波材料からなる基板を接着材で貼り合わせるか、あるいはプリプレグからなるビルドアップ層を設けてもよい。その場合は、第１回路基板１０のアンテナ１２が形成された層以外の層の少なくとも一部が高周波材料から構成されていなくてもよい。アンテナ１２は、基板に搭載又は内蔵が可能な構造であれば特に限定されないが、例えば平面アンテナが好ましく、パッチアンテナ、ストリップアンテナ、スロットアンテナ等が挙げられる。基板にポスト壁導波路（ＰＷＷ）等の導波路構造を構成し、導波路のスロット、開口等によりアンテナを構成してもよい。アンテナ１２はアンテナアレーを構成してもよい。
【００１６】
図１に示す例では、第１回路基板１０の厚さ方向のうち、第２回路基板２０から最も離れた層の絶縁基板１１ａにアンテナ１２が形成されている。アンテナ１２が空中に信号を送信し、又は空中から信号を受信する場合、第１回路基板１０の厚さ方向において、第２回路基板２０とは反対側が空中の側となるように第１回路基板１０を設置することができる。特に図示しないが、第１回路基板１０の他の絶縁基板１１ｂ，１１ｃにアンテナ１２を設けることも可能である。各絶縁基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃに設ける導体層又は貫通導体（図示略）の位置は、アンテナ１２における空中信号の送信又は受信への影響を考慮して設計される。
【００１７】
第２回路基板２０は、少なくとも一部に高周波基板を含んでもよいが、第２回路基板２０の絶縁材料は、高周波対応でない一般的な絶縁材料のみから構成されてもよい。第２回路基板２０に含まれる絶縁基板は、高周波基板を構成する高周波材料よりも誘電損失が高い、一般的な絶縁材料から構成することができる。高周波対応でない絶縁材料としては、例えば誘電損失が０．０１以上の絶縁材料が挙げられる。絶縁基板を構成する絶縁材料の具体例としては、ガラス布基材エポキシ樹脂（ＦＲ−４等）、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、紙基材エポキシ樹脂、ガラス布基材ポリイミド樹脂、ガラス布基材ビスマレイミド／トリアジン／エポキシ樹脂、紙基材フェノール樹脂等の他、ポリイミドなどのフレキシブル基材が挙げられる。
【００１８】
第２回路基板２０としては、各層の厚さが１００μｍ以下のコア基板又はプリプレグから構成される多層基板が好ましい。これにより、基板の厚さが薄く、加工が容易になる。第２回路基板２０の層数は特に限定されないが、典型的には４〜１０層であり、１０層を超えてもよい。
【００１９】
アンテナ１２の利得を高めるためには、第１回路基板１０に形成するアンテナ１２の個数を多くすることが好ましい。そのため、第１実施形態では、第１回路基板１０に高周波信号を処理する集積回路２２は搭載されず、第２回路基板２０に高周波信号を処理する集積回路２２が搭載される。集積回路２２は、半田等の導体からなるバンプ２３を介して第２回路基板２０に接続される。集積回路２２としては、例えばＲＦＩＣ等の集積回路（ＩＣ）が挙げられる。高周波信号を扱うアンテナ基板では、ＲＦＩＣからの信号の損失を抑制するために、アンテナが形成された第１回路基板と、ＲＦＩＣが搭載された第２回路基板とを同一の多層回路基板に一体化した構成とすることが好ましい。これにより、信号線の引き回しが容易になり、かつ基板面積を抑制することができる。高周波用の基板材料は高価であるため、電源回路、低周波数のベースバンド信号を伝搬する回路等は第２回路基板に搭載され、第２回路基板を構成する各絶縁基板には、高周波対応でない、一般的な絶縁材料を用いることができる。例えば１０ＧＨｚ未満（数ＧＨｚ程度）の信号であれば、同軸ケーブル等により伝搬させることも可能である。
【００２０】
例えば集積回路２２で高周波信号を生成する場合、多層回路基板３０の内部で高周波信号を伝搬させてアンテナ１２に供給し、アンテナ１２から空中に放射させることができる。集積回路２２とアンテナ１２との間を接続する配線は、高周波信号の損失を低減するため、伝送距離を短くすることが好ましい。そのため、多層回路基板３０は、第１回路基板１０と第２回路基板２０とを、それぞれの厚さ方向に重ね合わせて接合により複合化した構成である。多層回路基板３０の全体の厚さは、例えば１〜２ｍｍ、具体的には１．５ｍｍ程度が挙げられる。アンテナ１２は、必要に応じて、無給電素子を有してもよい。例えばパッチアンテナにおいて、放射パッチの周囲に無給電パッチを設置することにより、特性を改善することができる。
【００２１】
また集積回路２２で高周波信号を生成する場合、少なくとも第２回路基板２０の集積回路２２が搭載された層を高周波基板とし、搭載された集積回路２２の信号線や接地層に接続する配線を再配置してもよい。
【００２２】
第１回路基板１０は、厚さ方向に垂直な面の一方に第１接合面１３を有する。また、第２回路基板２０は、厚さ方向に垂直な面の少なくとも一方に第２接合面２４を有する。第１回路基板１０と第２回路基板２０は、第１接合面１３と第２接合面２４とが対向するように、接合されている。
【００２３】
第１回路基板１０と第２回路基板２０との接続と、高周波信号の伝送を実現するため、多層回路基板３０は、第１接合面１３と第２接合面２４との間に、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間を電気的に接続する接続部３１を有する。接続部３１は基板間接続部である。接続部３１としては、半田層又は導電ペースト層が使用される。これにより、接続部３１における伝送距離を短くすることができる。
【００２４】
半田層を構成する半田は、半田ボール、半田ペースト等、各種の半田から適宜選択することができる。多層回路基板３０の製品では、接合後の半田層を構成する半田がリフローにより層状となっていてもよい。
導電ペースト層に用いられる導体は、金、銀、銅等の金属粒子や、カーボンブラックやグラファイト、カーボンナノチューブ等の導電性カーボン等が挙げられる。導電ペースト層は、銀ペースト、銅ペースト、導電性カーボンペースト等、各種の導電ペーストから構成することができる。導電ペースト層は、製造過程で流動性又は変形性を有するペースト状であればよく、多層回路基板３０の製品では、接合後の導電ペースト層が焼成、硬化等により、流動性又は変形性を有しなくてもよい。
【００２５】
接続部３１は、半田層又は導電ペースト層の２種以上であってもよい。第１接合面１３又は第２接合面２４において接続部３１が設けられる領域には、特に図示しないが、金属箔、金属めっき層等からなる導体層が形成されてもよい。高周波信号を伝送する接続部３１の周囲に、グランドに接続して接地された接続部３１を配置してもよい。
【００２６】
第１接合面１３と第２接合面２４との間で、接続部３１が形成されない領域には、絶縁樹脂等からなる封止層３２を形成することが好ましい。封止層３２を構成する材料としては、非導電性フィルム（ＮＣＦ）、非導電性ペースト（ＮＣＰ）、アンダーフィル材等が挙げられるが、機械的な接合を強化するために、エポキシ樹脂等の硬化性樹脂を用いることが好ましい。接続部３１が半田層である場合は、半田層の形成される範囲を制御しやすいため、封止層３２が接続部３１の周囲を覆う代わりに、半田層から離れた位置に、例えば第１接合面１３又は第２接合面２４の端部又は隅部に形成されてもよい。
【００２７】
第１実施形態の多層回路基板３０では、接続部３１となる半田層又は導電ペースト層の熱伝導性が低い。このため、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間には、第２回路基板２０から第１回路基板１０へと熱を伝導する熱伝導体３３が設けられる。これにより、第１回路基板１０及び第２回路基板２０の全層を貫通する放熱用のビアを設けなくても、矢印Ｈ１に示すように、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間の熱伝導性を良好にすることができる。集積回路２２が搭載された第２回路基板２０が筐体（図示略）側に接近していて、第２回路基板２０からの放熱性が十分でない場合も、第２回路基板２０の側で発生した熱を第１回路基板１０の側から放熱することができる。熱伝導体３３は、熱伝導性に優れた材料として、銅、銀等の金属片、又はカーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料を含んでもよい。第１回路基板１０と第２回路基板２０との間に設ける熱伝導体３３の個数は特に限定されず、１個でも２個でも３個以上でもよい。熱伝導体３３の第１回路基板１０と第２回路基板２０との接触性を高めるため、シリコーン樹脂等の樹脂ペースト、半田、接着シート等を使用してもよい。
【００２８】
アンテナ１２が形成された第１回路基板１０は、アンテナ１２を介して空中信号の送信又は受信又は送受信を行うため、第１回路基板１０から放熱するための広い空間を確保しやすい。第１回路基板１０に放熱体１４を設けることにより、矢印Ｈ２に示すように、第１回路基板１０からの放熱性をさらに向上することができる。第１回路基板１０に設けられる放熱体１４としては、ヒートシンク、冷却ファン、放熱フィン、放熱板、金属板、放熱ビア等が挙げられる。第１回路基板１０に設ける放熱体１４の個数は特に限定されず、１個でも２個でも３個以上でもよい。
【００２９】
第１実施形態の多層回路基板３０を製造する方法としては、アンテナ１２及び放熱体１４が配置された第１回路基板１０を作製する工程、集積回路２２が搭載された第２回路基板２０を作製する工程、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間に熱伝導体３３を配置して、接続部３１により接続する工程、接続部３１や熱伝導体３３の周囲を封止層３２で封止する工程を有する製造方法が挙げられる。第１回路基板１０と第２回路基板２０とを別々の回路基板として準備した後で、接続部３１を介して第１回路基板１０と第２回路基板２０とを接続することにより、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間で信号のやりとりが可能になる。
【００３０】
第１回路基板１０と第２回路基板２０との間を位置合わせ（アライメント）して接続部３１により接続する工程に先立って、接続部３１を第１回路基板１０又は第２回路基板２０のいずれに設けてもよい。例えば、第１回路基板１０を作製する工程において、第１接合面１３に接続部３１を設けてもよい。また、第２回路基板２０を作製する工程において、第２接合面２４に接続部３１を設けてもよい。接続部３１として半田ボールを用いる場合は、フラックス、半田ペースト等を用いて、第１回路基板１０又は第２回路基板２０に搭載してもよい。
【００３１】
特許文献１に記載されているように、多層回路基板の全層にわたってスルーホールを形成する場合、スルーホールの長さが長くなることから、製造が難しい。スルーホールの径を大きくすると製造が容易になるが、面積効率が悪くなる。
【００３２】
第１実施形態の多層回路基板３０によれば、接続部３１を介して高周波信号を伝送することができるので、第１回路基板１０又は第２回路基板２０に層間スルーホールを設ける場合においても、スルーホールの長さは最大でも第１回路基板１０又は第２回路基板２０の厚さで済む。そのため、生産性を向上できる。また、スルーホールの径を小さくすることができるので、基板の面積効率を改善することができる。さらに、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間に熱伝導体３３を配置することで、集積回路２２が搭載された第２回路基板２０側で生じた熱を、効率的に第１回路基板１０側に伝達し、第１回路基板１０側から放熱することができる。また、第１回路基板１０に放熱体１４を設けることによりさらなる放熱効果を得ることができる。
【００３３】
次に、第２実施形態の多層回路基板について説明する。図３は、第２実施形態の多層回路基板４０を示す。図４は、接続基板の製造工程を（ａ）〜（ｄ）の順に示す。第１回路基板１０及び第２回路基板２０の構成は、アンテナ１２、放熱体１４、集積回路２２等の構成を含めて、第１実施形態と同様とすることができるので、重複する説明は省略する。
【００３４】
接続基板４７は、絶縁基材４１及び接続部４２からなる。絶縁基材４１の両面に接着性を有することが好ましい。接続部４２は、絶縁基材４１を貫通する導体である。接続部４２を構成する導電材料は、第１実施形態の接続部３１と同様に選択することができる。また、熱伝導体４３を構成する熱伝導材料は、第１実施形態の熱伝導体３３と同様に選択することができる。第１回路基板１０及び第２回路基板２０を接合する前の接続基板４７においては、接続部４２が絶縁基材４１の両面から突出していることが好ましい。
【００３５】
接続基板４７を作製する方法としては、例えば図４（ａ）に示すように両面にそれぞれフィルム４４が形成された絶縁基材４１を準備する工程、図４（ｂ）に示すように絶縁基材４１及びフィルム４４を貫通するビア４５，４６を形成する工程、図４（ｃ）に示すようにビア４５に導電材料を充填して接続部４２を形成し、ビア４６に熱伝導体４３を配置する工程、図４（ｄ）に示すように、絶縁基材４１からフィルム４４を除去して、絶縁基材４１の両面から接続部４２を突出させる工程を有する方法が挙げられる。
【００３６】
絶縁基材４１が接着性である場合には、フィルム４４が保護シートであってもよい。絶縁基材４１が粘着性である場合には、フィルム４４が仮貼り材料であってもよい。接続部４２を半田ボールから形成する場合、ビア４５の寸法に応じた半田ボールを準備してもよい。接続基板４７を第１接合面１３及び第２接合面２４の間に挟み込むことにより、第１回路基板１０と第２回路基板２０とを接続することができる。また、必要に応じて、第１回路基板１０及び第２回路基板２０を接続する際に、加熱や加圧プレスをしてもよい。
【００３７】
第２実施形態の多層回路基板４０では、接続部４２により第１回路基板１０と第２回路基板２０との間を電気的に接続することができる。また、熱伝導体４３により、第２回路基板２０から第１回路基板１０へと熱を伝導することができる。第２実施形態の多層回路基板４０は、第２回路基板２０側で発生した熱の伝導及び放熱等の効果を備えるとともに、第１実施形態の多層回路基板３０の効果である生産性の向上も備える。
【００３８】
第２実施形態の多層回路基板４０を製造する方法としては、アンテナ１２及び放熱体１４が配置された第１回路基板１０を作製する工程、集積回路２２が搭載された第２回路基板２０を作製する工程、第１回路基板１０と第２回路基板２０とを接続基板４７により接続する工程を有する製造方法が挙げられる。第１回路基板１０と第２回路基板２０とを別々の回路基板として準備した後で、接続基板４７を介して第１回路基板１０と第２回路基板２０とを接続することにより、第１回路基板１０と第２回路基板２０との間で信号のやりとりが可能になる。
【００３９】
接続部４２として半田ボールを用いる場合は、第１接合面１３又は第２接合面２４の少なくとも一方で、接続部４２と対応する位置に、フラックス、半田ペースト等を用いてもよい。これにより、接続基板４７を第１回路基板１０と第２回路基板２０との間に挟み込んだときに、接続部４２の半田ボールと、第１回路基板１０や第２回路基板２０との接続を容易にすることができる。
【００４０】
なお、特に図示しないが、第１回路基板１０のアンテナ１２が形成された面に誘電体層が形成されていてもよい。誘電体層を形成する方法は特に限定されず、アンテナ１２に誘電体層を貼付、塗布等する方法が挙げられる。誘電体層は、放射パッチや無給電パッチが接触する物質を空気（誘電率１．０）から誘電体とするものであり、このためアンテナ１２における空中信号の送信又は受信への影響を避けるため、導体層、貫通導体等の導電体を有しない絶縁層である。また、誘電体層によりアンテナ１２を保護することができる。アンテナ１２が放射素子及び無給電素子を有するときは、放射素子及び無給電素子のいずれにも誘電体層を形成することができる。
【００４１】
以上、本発明を好適な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。改変としては、各実施形態における構成要素の追加、置換、省略、その他の変更が挙げられる。また、２以上の実施形態に用いられた構成要素を適宜組み合わせることも可能である。
【００４２】
高周波信号の周波数は特に限定されないが、例えば３０〜３００ＧＨｚ、６０〜８０ＧＨｚ等が挙げられる。高周波回路に適用可能な高周波素子としては、アンテナ、導波路、フィルタ、ダイプレクサ、方向性結合器、分配器、光電変換素子等が挙げられる。
【符号の説明】
【００４３】
１０…第１回路基板、１１ａ,１１ｂ，１１ｃ…絶縁基板、１２…アンテナ、１３…第１接合面、１４…放熱体、２０…第２回路基板、２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆ…絶縁基板、２２…集積回路、２３…バンプ、２４…第２接合面、３０，４０…多層回路基板、３１，４２…接続部、３３，４３…熱伝導体、３２…封止層、４１…絶縁基材、４４…フィルム、４５，４６…ビア、４７…接続基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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