(57)【要約】【課題】ＴＦＴの作製におけるタクトタイムの短縮化を可能とする脱水素処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基体上に複数の配線が平行をなすように形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜中の水素を離脱させる脱水素処理を行う脱水素処理装置であって、前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で、該被処理基板を加熱する脱水素処理炉と、前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させる電流発生部と、を備える。【選択図】図２
2020119913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に複数の配線が平行をなすように形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜中の水素を離脱させる脱水素処理を行う脱水素処理装置であって、
前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で、該被処理基板を加熱する脱水素処理炉と、
前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させる電流発生部と、
を備える脱水素処理装置。
【請求項２】
前記電流発生部による電流の発生によって加熱される前記配線の温度は、前記脱水素処理温度よりも高く設定され、前記配線の上方に位置する領域の前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に改質可能である
請求項１に記載の脱水素処理装置。
【請求項３】
前記電流発生部は、
前記配線の一端部に接続されて電圧印加を行う第１プローバと、
前記配線の他端部に接続される接地に用いられる第２プローバと、
を備え、前記第１プローバと前記第２プローバとの間に電流を発生させる
請求項１または請求項２に記載の脱水素処理装置。
【請求項４】
第１プローバは、第１プローバ本体と該第１プローバ本体の側部から突出する複数の第１プローブピンとを備え、前記第１プローブピンの数が前記被処理基板における前記配線の数と同等に設定され、前記第１プローブピンは、前記被処理基板に形成された前記配線のピッチと同一となるように配置され、
第２プローバは、第２プローバ本体と該第２プローバ本体の側部から突出する複数の第２プローブピンとを備え、前記第２プローブピンの数が前記被処理基板における前記配線の数と同等に設定され、前記第２プローブピンは、前記被処理基板に形成された前記配線のピッチと同一となるように配置されている
請求項３に記載の脱水素処理装置。
【請求項５】
基体上に複数の配線が平行をなすように形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜中の水素を離脱させる脱水素処理を行う脱水素処理方法であって、
脱水素処理炉内に前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で加熱する間に、前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させ、該配線の上方に位置する領域の前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に改質させる脱水素処理工程を備える
脱水素処理方法。
【請求項６】
前記配線に電流を印加することにより、前記配線をジュール熱により発熱させる
請求項５に記載の脱水素処理方法。
【請求項７】
前記脱水素処理工程の前後に、洗浄工程を備える、
請求項５または請求項６に記載の脱水素処理方法。
【請求項８】
基体上に配線が形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール方法であって、
脱水素処理炉内に、前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で加熱する間に、前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させて、該配線３の上方に位置する領域の前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に改質させる脱水素処理工程と、
前記脱水素処理工程を行った前記被処理基板の表面に、前記配線に沿って少なくとも前記微結晶シリコン膜に連続発振レーザ光を照射させて、前記配線の上方に位置する領域の前記微結晶シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質するレーザアニール工程と、
を備えるレーザアニール方法。
【請求項９】
前記配線に電流を印加することにより、前記配線をジュール熱により発熱させる
請求項８に記載のレーザアニール方法。
【請求項１０】
前記脱水素処理工程の前後に、洗浄工程を備える
請求項８または請求項９に記載のレーザアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、脱水素処理装置、脱水素処理方法、およびレーザアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ:Organic Light Emitting Display）などの薄型ディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）をアクティブ駆動するためのスイッチング素子として用いられている。薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）の半導体層の材料としては、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ：amorphous Silicon）や、多結晶シリコン（p−Ｓｉ：polycrystalline Silicon）などが用いられている。
【０００３】
近年では、ＴＦＴにおけるチャネル領域の移動度を高めるため、非晶質シリコン膜に対して疑似単結晶シリコンを横方向（ラテラル）結晶成長させるレーザアニール方法が提案されている。このレーザアニール方法では、エキシマレーザアニールによって形成した微結晶シリコン膜の結晶粒を種結晶として用いる。そして、このレーザアニール方法では、種結晶を起点として、連続発振レーザ光のスキャン方向にラテラル結晶成長させて、移動度の高い疑似単結晶シリコン膜を形成することができる。
【０００４】
上述の非晶質シリコン膜のレーザアニール方法では、非晶質シリコン膜内に含まれる水素を離脱させるために、前処理としての脱水素処理が必要である。この脱水素処理では、非晶質シリコン膜が形成された基板を５００℃程度のファーネスにて数時間の加熱処理を行う必要がある。上述のレーザアニール方法では、この脱水素処理の後に、種結晶を形成するための第１のレーザ照射工程と、疑似単結晶シリコン膜をラテラル結晶成長させるための第２のレーザ照射工程と、が必要ある。したがって、このようなレーザアニール方法では、２回のレーザ照射工程を要するため、コストが高くなるという問題があった。
【０００５】
非晶質シリコン膜に対する他の脱水素処理方法としては、連続発振レーザ光を矩形状のレーザビームに整形し、このレーザビームを非晶質シリコン膜に対して一定速度で移動させながら照射する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１には、脱水素処理と同時に多結晶シリコン膜が形成できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２１８５２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１に開示された方法で作製した多結晶シリコン膜を種結晶として用いて、疑似単結晶シリコン膜を作製することが考えられる。しかしながら、この場合においても、多結晶シリコン膜を形成するための第１のレーザ照射工程と、疑似単結晶シリコン膜を形成するための第２のレーザ照射工程と、の２回のレーザ照射工程を要するため、コストが高くなるとともにタクトタイムが長くなるという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、ＴＦＴの作製におけるタクトタイムの短縮化を可能とする脱水素処理装置、脱水素処理方法、およびレーザアニール方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の態様は、基体上に複数の配線が平行をなすように形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜中の水素を離脱させる脱水素処理を行う脱水素処理装置であって、前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で、該被処理基板を加熱する脱水素処理炉と、前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させる電流発生部と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
上記態様としては、前記電流発生部による電流の発生によって加熱される前記配線の温度は、前記脱水素処理温度よりも高く設定され、前記配線の上方に位置する領域の前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に改質可能であることが好ましい。
【００１１】
上記態様としては、前記電流発生部は、前記配線の一端部に接続されて電圧印加を行う第１プローバと、前記配線の他端部に接続される接地に用いられる第２プローバと、を備え、前記第１プローバと前記第２プローバとの間に電流を発生させることが好ましい。
【００１２】
上記態様としては、第１プローバは、第１プローバ本体と該第１プローバ本体の側部から突出する複数の第１プローブピンとを備え、前記第１プローブピンの数が前記被処理基板における前記配線の数と同等に設定され、前記第１プローブピンは、前記被処理基板に形成された前記配線のピッチと同一となるように配置され、第２プローバは、第２プローバ本体と該第２プローバ本体の側部から突出する複数の第２プローブピンとを備え、前記第２プローブピンの数が前記被処理基板における前記配線の数と同等に設定され、前記第２プローブピンは、前記被処理基板に形成された前記配線のピッチと同一となるように配置されていることが好ましい。
【００１３】
本発明の他の態様としては、基体上に複数の配線が平行をなすように形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜中の水素を離脱させる脱水素処理を行う脱水素処理方法であって、脱水素処理炉内に前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で加熱する間に、前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させ、該配線の上方に位置する領域の前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に改質させる脱水素処理工程を備える。
【００１４】
上記態様としては、前記配線に電流を印加することにより、前記配線をジュール熱により発熱させることが好ましい。
【００１５】
上記態様としては、前記脱水素処理工程の前後に、洗浄工程を備えることが好ましい。
【００１６】
本発明の他の態様としては、基体上に配線が形成され、前記基体および前記配線の上に非晶質シリコン膜が形成された被処理基板に対して、前記非晶質シリコン膜にレーザ光を照射して前記非晶質シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質させるレーザアニール方法であって、脱水素処理炉内に、前記被処理基板を収納して脱水素処理温度で加熱する間に、前記配線に電流を発生させて該配線を発熱させて、該配線の上方に位置する領域の前記非晶質シリコン膜を微結晶シリコン膜に改質させる脱水素処理工程と、前記脱水素処理工程を行った前記被処理基板の表面に、前記配線に沿って少なくとも前記微結晶シリコン膜に連続発振レーザ光を照射させて、前記配線の上方に位置する領域の前記微結晶シリコン膜を結晶化シリコン膜に改質するレーザアニール工程と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
上記態様としては、前記配線に電流を印加することにより、前記配線をジュール熱により発熱させることが好ましい。
【００１８】
上記態様としては、前記脱水素処理工程の前後に、洗浄工程を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ＴＦＴの作製におけるタクトタイムを短縮化でき低コスト化を可能とする脱水素処理装置、脱水素処理方法、およびレーザアニール方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る脱水素処理装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る脱水素処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図３−１】図３−１は、本発明の実施の形態に係る脱水素処理方法を行う被処理基板の要部平面図である。
【図３−２】図３−２は、本発明の実施の形態に係る脱水素処理方法における第１洗浄工程を行った後の被処理基板の状態を示す要部平面図である。
【図３−３】図３−２は、本発明の実施の形態に係る脱水素処理方法における脱水素処理工程を示す要部平面図である。
【図３−４】図３−４は、本発明の実施の形態に係る脱水素処理方法における第２洗浄工程を行った後の被処理基板の状態を示す要部平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール方法を示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール方法を示す要部平面図である。
【図６】図６は、図５のＶＩ−ＶＩ断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係るレーザアニール方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施の形態に係る脱水素処理装置、脱水素処理方法、およびレーザアニール方法の詳細を図面に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各部材の数、各部材の寸法、寸法の比率、形状などは現実のものと異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率や形状が異なる部分が含まれている。
【００２２】
［実施の形態］
（被処理基板）
本実施の形態に係る脱水素処理装置、脱水素処理方法、およびレーザアニール方法で用いる被処理基板について図１および図２を用いて簡単に説明する。なお、図１においては、後述するゲート絶縁膜４および非晶質シリコン膜５を省略して示す。
【００２３】
図１および図２に示すように、被処理基板１は、基体としてのガラス基板２と、このガラス基板２の表面に互いに平行をなすように配置された複数の配線としてのゲート配線３と、ガラス基板２およびゲート配線３の上に形成されたゲート絶縁膜４（図２参照）と、このゲート絶縁膜４の上に全面に堆積された非晶質シリコン膜５（図２参照）と、を備える。
【００２４】
図２に示すように、本実施の形態では、ゲート配線３の長手方向の両方の端部３Ａ，３Ｂは、ゲート絶縁膜４および非晶質シリコン膜５で覆われずに露出した状態となっている。この被処理基板１は、最終的にＴＦＴなどが作り込まれたＴＦＴ基板となる。
【００２５】
（脱水素処理装置の概略構成）
以下、図１および図２を用いて、本実施の形態に係る脱水素処理装置１０の概略構成を説明する。脱水素処理装置１０は、脱水素処理炉１１と、電流発生部としての第１プローバ１２および第２プローバ１３と、を備える。なお、図１においては、脱水素処理炉１１の内部のみを示す。また、図２においては、脱水素処理炉１１として、被処理基板１を載せる炉内の底部分のみを示す。
【００２６】
図１に示すように、第１プローバ１２は、細長い矩形状の第１プローバ本体１２Ａと、第１プローバ本体１２Ａの側部から突出する複数の第１プローブピン１２Ｂと、を備える。本実施の形態では、第１プローブピン１２Ｂの数が被処理基板１におけるゲート配線３の数と同等に設定されている。複数の第１プローブピン１２Ｂは、被処理基板１に形成されたゲート配線３のピッチと同一となるように配置されている。第１プローバ１２では、各第１プローブピン１２Ｂへ所定の電圧が印加されるように設定されている。
【００２７】
図１に示すように、第２プローバ１３は、細長い矩形状の第２プローバ本体１３Ａと、第２プローバ本体１３Ａの側部から突出する複数の第２プローブピン１３Ｂと、を備える。本実施の形態では、第２プローブピン１３Ｂの数が被処理基板１におけるゲート配線３の数と同等に設定されている。複数の第２プローブピン１３Ｂは、被処理基板１に形成されたゲート配線３のピッチと同一となるように配置されている。第２プローバ１３では、各第２プローブピン１３Ｂが接地されている。
【００２８】
図１および図２に示すように、第１プローバ１２の第１プローブピン１２Ｂは、被処理基板１に対して、被処理基板１の一方の端縁部に露出するゲート配線３の端部３Ａのそれぞれに接触するように位置固定される。同様に、第２プローバ１３の第２プローブピン１３Ｂは、被処理基板１に対して、被処理基板１の他方の端縁部に露出するゲート配線３の端部３Ｂのそれぞれに接触するように位置固定される。第１プローバ１２の各第１プローブピン１２Ｂから電圧が印加されると、図３−３に示すようにゲート配線３内を電流Ｉが流れるように設定されている。
【００２９】
この脱水素処理装置１０においては、脱水素処理炉１１内に被処理基板１を配置させ、被処理基板１に第１プローバ１２と第２プローバ１３とを、図１および図２に示すように、セットした状態で、５００℃程度の脱水素処理温度で脱水素処理を行う。
【００３０】
本実施の形態に係る脱水素処理装置１０においては、第１プローバ１２および第２プローバ１３間に電流を流すことにより、ジュール熱によりゲート配線３を発熱させることができる。ゲート配線３の温度は、上記脱水素処理温度よりも高く設定され、ゲート配線３の上方に位置する領域の非晶質シリコン膜５を微結晶シリコン膜に改質可能な温度に設定されている。
【００３１】
このため、ゲート配線３は、発生したジュール熱により、ゲート配線３の上方に位置する領域の非晶質シリコン膜５を微結晶シリコン膜に改質させることができる。
【００３２】
本実施の形態に係る脱水素処理装置１０によれば、水素化された非晶質シリコン膜５から水素を離脱させると同時に、微結晶シリコン膜を形成することが可能となる。この微結晶シリコン膜は、後のＴＦＴ作製の際に必要となる疑似単結晶シリコン膜を形成するための種結晶となる。したがって、本実施の形態に係る脱水素処理装置１０を用いることにより、ＴＦＴの作製におけるタクトタイムの短縮化でき低コスト化を達成することが可能となる。
【００３３】
（脱水素処理方法）
次に、本実施の形態に係る脱水素処理方法について、図１、図２、図３−１から図３−４、および図７を用いて説明する。この脱水素処理方法では、図３−１に示すような被処理基板１を用意する。実際には、被処理基板１の最上層の非晶質シリコン膜５には、図３−１に示すようなパーティクルＰなどが付着している。このため、これらパーティクルＰなどを除去するために、被処理基板１の第１洗浄工程を行う（ステップＳ１）。この第１洗浄工程を行うことにより、図３−２に示すように、非晶質シリコン膜５の表面のパーティクルＰなどが除去される。
【００３４】
次に、図１および図２に示すように、被処理基板１を脱水素処理装置１０の脱水素処理炉１１内で脱水素処理工程を行う（ステップＳ２）。このとき、被処理基板１には、第１プローバ１２と第２プローバ１３とをセットしておく。そして、図３−３に示すように、脱水素処理工程中に、第１プローバ１２と第２プローバ１３との間に電流Ｉを流して各ゲート配線３をジュール熱により発熱させる。この脱水素処理工程では、図３−３に示すように、ゲート配線３の上方に位置する領域の非晶質シリコン膜５から水素（Ｈ）が離脱する。
【００３５】
なお、脱水素処理炉１１による加熱によって、ゲート配線３の上方に位置する領域以外の非晶質シリコン膜５からも水素が離脱するが、ゲート配線３では自ら発熱するため、その上方に位置する領域の非晶質シリコン膜５から優先的に水素の離脱が起こる。したがって、本実施の形態では、ゲート配線３のジュール熱による発熱を利用することにより、脱水素処理炉１１内の脱水素処理温度を低く設定することも可能となる。この脱水素処理工程を行うことにより、図３−４に示すように、ゲート配線３の上方に位置する領域の非晶質シリコン膜５は、微結晶シリコン膜５Ａに改質される。
【００３６】
なお、上記脱水素処理工程の後には、被処理基板１の第２洗浄工程を行う（ステップＳ３）。この第２洗浄工程では、例えば、フッ酸処理などを行う。図３−４は、脱水素処理工程の後に第２洗浄工程を行った状態の被処理基板１の表面を示す。
【００３７】
このような脱水素処理方法によれば、水素化された非晶質シリコン膜５から水素を離脱させると同時に、微結晶シリコン膜５Ａを形成することが可能となる。この微結晶シリコン膜５Ａは、後のＴＦＴ作製の際に必要となる疑似単結晶シリコン膜を形成するための種結晶（図５参照）となる。したがって、本実施の形態に係る脱水素処理方法により、ＴＦＴの作製におけるタクトタイムの短縮化でき低コスト化を達成することが可能となる。
【００３８】
（レーザアニール方法）
次に、図４から図７を用いて、本実施の形態に係るレーザアニール方法について説明する。なお、図７に示すフローチャートは、上記脱水素処理方法の工程を含む。このレーザアニール方法は、上記の被処理基板１に対して、非晶質シリコン膜５が改質された微結晶シリコン膜５Ａを種結晶として用いて、結晶化シリコン膜としての疑似単結晶シリコン膜５Ｂに改質させることができる。
【００３９】
まず、上述の脱水素処理工程（ステップＳ２）を行って、ゲート配線３の上方に位置する領域の非晶質シリコン膜５を微結晶シリコン膜５Ａに改質させる。その後、被処理基板１に第２洗浄工程（ステップＳ３）を行った後、被処理基板１を図４に示すようなレーザアニール装置２０にセットする。
【００４０】
図４に示すように、レーザアニール装置２０は、レーザ光源部２１と、レーザ照射部２２と、図示しない基板搬送手段と、図示しない制御部と、を備える。
【００４１】
レーザ光源部２１は、連続発振レーザ光（ＣＷレーザ光）を発振するＣＷレーザ光源を備えている。ＣＷレーザ光源としては、半導体レーザ、固体レーザ、液体レーザ、気体レーザなどの各種のレーザを用いることが可能である。ここで、連続発振レーザ光（ＣＷレーザ光）とは、目的領域に対して連続してレーザ光を照射する所謂疑似連続発振も含む概念である。つまり、レーザ光がパルスレーザであっても、パルス間隔が加熱後のシリコン薄膜の冷却時間よりも短い（固まる前に次のパルスで照射する）疑似連続発振レーザであってもよい。
【００４２】
レーザ照射部２２は、図示しない支持フレームなどにより、被処理基板１の上方に配置されている。レーザ照射部１３は、いずれも図示しない、入射側結像系、均一化素子としてのロッドインテグレータ、出射側結像系などを備える。
【００４３】
図４に示すように、レーザ照射部２２は、被処理基板１の長手方向に直交する方向に細長く延びる形状のレーザビームＬＢを形成する。このレーザビームＬＢは、被処理基板１の表面（非晶質シリコン膜５および微結晶シリコン膜５Ａの表面）において細長い矩形状のビームスポットＢＳを投影するように設定されている（図５参照）。なお、本実施の形態では、ビームスポットＢＳの長手方向の長さは、複数のゲート配線３に渡るように設定されている。
【００４４】
また、図示しない制御部は、レーザ光源部２１を駆動制御して、被処理基板１に対してレーザビームＬＢを照射させる。そして、搬送方向Ｔに走行する被処理基板１の表面に、ゲート配線３に沿って連続発振レーザ光を照射させて、ゲート配線３の上方に位置する領域の微結晶シリコン膜５Ａを結晶化シリコン膜としての疑似単結晶シリコン膜５Ｂに改質させる（ステップＳ４）。
【００４５】
また、図５示すように、本実施の形態に係るレーザアニール方法では、疑似単結晶シリコン膜５Ｂが、ゲート配線３の上方に位置する領域のみに形成される。このため、疑似単結晶シリコン膜５Ｂの幅寸法は、ゲート配線３の幅寸法と略同一となる。したがって、図６に示すように、本実施の形態によれば、疑似単結晶シリコン膜５Ｂをゲート配線３に対して自己整合的に形成できるという利点がある。
【００４６】
なお、本実施の形態においては、図５に示すように、レーザアニール処理された非晶質シリコン膜５は、結晶化シリコン膜としての疑似単結晶シリコン膜５Ｂと、疑似単結晶シリコン膜５Ｂの結晶構造と異なる結晶化シリコン膜５Ｃに改質される。ゲート配線３上に形成された疑似単結晶シリコン膜５Ｂは、最終的にはＴＦＴの図示しないチャネル領域としてパターニングされる。その結果、本実施の形態では、チャネル領域を確実にゲート配線３に沿って形成できる。
【００４７】
［その他の実施の形態］
以上、実施の形態について説明したが、この実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【００４８】
上記の実施の形態では、結晶化シリコン膜として、疑似単結晶シリコン膜５Ｂを形成したが、微結晶シリコン膜５Ａから多結晶シリコン膜を成長させる構成としても勿論よい。この場合も、種結晶領域を起点として、良質な多結晶シリコン膜を形成することが可能となる。
【００４９】
上記の実施の形態では、電流発生部として、ゲート配線３に電流を印加する第１プローバ１２と第２プローバ１３を用いたが、ゲート配線３を選択的に加熱するために、誘導加熱、誘電加熱などを行わせる構成としてもよい。
【００５０】
上記の実施の形態では、第１プローバ１２および第２プローバ１３に複数の第１プローブピン１２Ｂ，第２プローブピン１３Ｂを設けたが、非晶質シリコン膜５の端縁部に露出する複数のゲート配線３を一括して同時に接続できる幅方向Ｗに細長い接続片を用いてもよい。
【００５１】
上記の本実施の形態に係るレーザアニール方法では、レーザビームＬＢを複数のゲート配線３に亘るように照射したが、被処理基板１の幅方向Ｗの全体に亘って照射してもよいし、ゲート配線３の上方に位置する領域の微結晶シリコン膜５Ａのみに照射してもよい。すなわち、本実施の形態に係るレーザアニール方法では、少なくとも微結晶シリコン膜５ＡにレーザビームＬＢを照射すればよい。
【００５２】
上記の実施の形態では、配線としてゲート配線３を適用して説明したが、本発明においては配線としてゲート配線３に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５３】
Ｉ  電流
ＬＢ  レーザビーム
ＢＳ  ビームスポット
Ｐ  パーティクル
Ｔ  搬送方向
Ｗ  幅方向
１  被処理基板
２  ガラス基板（基体）
３  ゲート配線（配線）
３Ａ，３Ｂ  端部
４  ゲート絶縁膜
５  非晶質シリコン膜
５Ａ  微結晶シリコン膜
５Ｂ  疑似単結晶シリコン膜（結晶化シリコン膜）
５Ｃ  結晶化シリコン膜（疑似単結晶シリコン膜と異なる結晶構造）
１０  脱水素処理装置
１１  脱水素処理炉
１２  第１プローバ（電流発生部）
１２Ａ  第１プローバ本体
１２Ｂ  第１プローブピン
１３  第２プローバ（電流発生部）
１３Ａ  第２プローバ本体
１３Ｂ  第２プローブピン
２０  レーザアニール装置
２１  レーザ光源部
２２  レーザ照射部
【図１】
2020119913.tif 000003
【図２】
2020119913.tif 000004
【図３−１】
2020119913.tif 000005
【図３−２】
2020119913.tif 000006
【図３−３】
2020119913.tif 000007
【図３−４】
2020119913.tif 000008
【図４】
2020119913.tif 000009
【図５】
2020119913.tif 000010
【図６】
2020119913.tif 000011
【図７】
2020119913.tif 000012