(57)【要約】【課題】記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記録装置は、磁気ヘッド、第１電気回路及び第２電気回路を含む。磁気ヘッドは、磁極と、第１シールドと、磁極と第１シールドとの間に設けられ磁極及び第１シールドとを電気的に接続する導電部材と、コイルと、を含む。第１電気回路は、磁極、導電部材及び第１シールドに第１電流を供給可能である。第２電気回路は、コイルに記録電流を供給可能である。記録電流に応じた記録磁界が磁極から発生する。記録電流の立ち上がり時間は、最短ビット長の６５％以上である。【選択図】図１
2020047336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁極と、
第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁極及び前記第１シールドとを電気的に接続する導電部材と、
コイルと、
を含む磁気ヘッドと、
前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに第１電流を供給可能な第１電気回路と、
前記コイルに記録電流を供給可能な第２電気回路と、
備え、
前記記録電流に応じた記録磁界が前記磁極から発生し、
前記記録電流の立ち上がり時間は、最短ビット長の６５％以上である磁気記録装置。
【請求項２】
前記導電部材は、
磁性層と、
前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接し第１材料及び第２材料の一方を含む非磁性の第１導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層と前記第１シールドと接し前記第１材料及び前記第２材料の他方を含む非磁性の第２導電層と、
を含み、
前記第１材料は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２材料は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１記載の磁気記録装置。
【請求項３】
前記導電部材は、
第１磁性層と、
第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、
を含む、請求項１記載の磁気記録装置。
【請求項４】
前記導電部材から高周波磁界が発生する、請求項３記載の磁気記録装置。
【請求項５】
磁極と、
第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁極及び前記第１シールドとを電気的に接続する導電部材と、
コイルと、
を含む磁気ヘッドと、
前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに第１電流を供給する第１動作と、前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに前記第１電流を供給しない第２動作と、を実施可能な第１電気回路と、
前記コイルに記録電流を供給可能な第２電気回路と、
備え、
前記記録電流に応じた記録磁界が前記磁極から発生する、磁気記録装置。
【請求項６】
前記第２電気回路は、前記第１動作における前記記録電流の第１立ち上がり時間を、前記第２動作における前記記録電流の第２立ち上がり時間よりも長くする、請求項５記載の磁気記録装置。
【請求項７】
前記第１立ち上がり時間と、前記第２立ち上がり時間と、の差は、８０ピコ秒以上である、請求項６記載の磁気記録装置。
【請求項８】
前記第１動作において、前記記録電流の立ち上がり時間は、１ビットの時間の６５％以上である請求項５〜７のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【請求項９】
前記第２動作において、前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに電流が流れない、または、
前記第２動作において前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに流れる電流は、前記第１電流よりも小さい、請求項５〜８のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【請求項１０】
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体をさらに備えた請求項１〜９のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記憶媒体に情報が記録される。磁気ヘッド及び磁気記録装置において、記録密度の向上が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第８１０７３５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、磁気記録装置は、磁気ヘッド、第１電気回路及び第２電気回路を含む。前記磁気ヘッドは、磁極と、第１シールドと、前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁極及び前記第１シールドとを電気的に接続する導電部材と、コイルと、を含む。前記第１電気回路は、前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに第１電流を供給可能である。前記第２電気回路は、前記コイルに記録電流を供給可能である。前記記録電流に応じた記録磁界が前記磁極から発生する。前記記録電流の立ち上がり時間は、最短ビット長の６５％以上である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式図である。
【図２】図２は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図４】図４は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図５】図５は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図６】図６は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図７】図７は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図８】図８は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図９】図９は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図１０】図１０は、磁気記録装置における記録電流を例示する模式図である。
【図１１】図１１は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図１２】図１２は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。
【図１３】図１３は、磁気記録装置の特性を例示する模式図である。
【図１４】図１４は、第１実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
【図１５】図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
【図１６】図１６は、第２実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。
【図１７】図１７は、第２実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。
【図１８】図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、第４実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
【図１９】図１９は、第４実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。
【図２０】図２０は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【図２１】図２１は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。
【図２２】図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式図である。  
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲ１から見た平面図である。図１（ｂ）においては、図１（ａ）に例示する磁気記録媒体８０が省略されている。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る磁気記録装置２１０は、磁気ヘッド１１０及び第１電気回路２０Ｄを含む。磁気ヘッド１１０は、磁極３０、第１シールド３１及び導電部材２８を含む。この例では、磁気ヘッド１１０は、第２シールド３２及びコイル３０ｃをさらに含む。
【００１０】
第１シールド３１と第２シールド３２との間に、磁極３０が設けられる。コイル３０ｃの少なくとも一部は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。この例では、コイル３０ｃの一部は、磁極３０と第２シールド３２との間に設けられる。
【００１１】
コイル３０ｃに第２電気回路３０Ｄが電気的に接続される。第２電気回路３０Ｄは、例えば、記録用電気回路である。第２電気回路３０Ｄからコイル３０ｃに記録電流Ｉｗが供給される。磁極３０から記録電流Ｉｗに応じた磁界（記録磁界Ｈｗ）が生じる。記録磁界Ｈｗが磁気記録媒体８０に加わり、磁気記録媒体８０に情報が記録される。このように、第２電気回路３０Ｄは、記録される情報に対応した記録電流Ｉｗをコイル３０ｃに供給可能である。
【００１２】
導電部材２８は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。導電部材２８は、磁極３０及び第１シールド３１と接する。導電部材２８は、非磁性である。
【００１３】
導電部材２８は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｗ及びＭｏの少なくともいずれかを含む。
【００１４】
磁極３０、第１シールド３１、第２シールド３２、コイル３０ｃ及び導電部材２８の周りに、絶縁部３０ｉが設けられる。
【００１５】
磁極３０の端部３０ｅは、磁気記録媒体８０に対向する。端部３０ｅは、第１面３０Ｆを含む。第１面３０Ｆは、例えば、媒体対向面に対応する。第１面３０Ｆは、磁気ヘッド１１０のＡＢＳ（Air Bearing Surface）に沿う。第１面３０Ｆが磁気記録媒体８０に対向する。
【００１６】
第１面３０Ｆに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１７】
Ｚ軸方向は、例えば、ハイト方向である。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向である。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向である。
【００１８】
第１シールド３１は、Ｘ軸方向に沿って磁極３０から離れる。Ｘ軸方向は、第１面３０Ｆに沿う。例えば、第１面３０Ｆの近傍において、第１シールド３１は、Ｘ軸方向に沿って、磁極３０から離れる。例えば、第１面３０Ｆの近傍において、磁極３０は、Ｘ軸方向に沿って第２シールド３２から離れる。Ｘ軸方向に実質的に沿って、磁気ヘッド１１０と磁気記録媒体８０とが、相対的に移動する。これにより、磁気記録媒体８０の任意の位置に、情報が記録される。
【００１９】
磁極３０は、例えば、主磁極である。第１シールド３１は、例えば、補助磁極である。第１シールド３１は、磁極３０とともに、磁気コアを形成可能である。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、サイドシールド（第３シールド３３及び第４シールド３４）が設けられても良い。Ｙ軸方向において、第３シールド３３と第４シールド３４との間に、磁極３０が設けられる。
【００２１】
磁極３０の端部３０ｅと、第１シールド３１の端部と、との間が、記録ギャップに相当する。記録ギャップに、導電部材２８が設けられる。
【００２２】
第１電気回路２０Ｄは、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に直流電流Ｉｄｃを供給可能である。
【００２３】
例えば、第１配線Ｗ１及び第２配線Ｗ２が設けられる。第１配線Ｗ１は、磁極３０と電気的に接続される。第２配線Ｗ２は、第１シールド３１と電気的に接続される。第１端子Ｔ１及び第２端子Ｔ２が設けられても良い。第１端子Ｔ１は、第１配線Ｗ１を介して、磁極３０と電気的に接続される。第２端子Ｔ２は、第２配線Ｗ２を介して第１シールド３１と電気的に接続される。
【００２４】
上記の直流電流Ｉｄｃは、第１電気回路２０Ｄから供給される。直流電流Ｉｄｃは、第１端子Ｔ１、第１配線Ｗ１、第２配線Ｗ２、及び第２端子Ｔ２を介して、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に流れる。
【００２５】
１つの例において、直流電流Ｉｄｃの向きは、第１シールド３１から磁極３０への向きである。直流電流Ｉｄｃの向きは、磁極３０から第１シールド３１への向きでも良い。直流電流Ｉｄｃの向きは、任意である。
【００２６】
以下に説明するように、直流電流Ｉｄｃが流れることで、記録磁界Ｈｗが安定し易くなることが分かった。例えば、記録磁界Ｈｗのばらつきが抑制できる。これにより、記録密度の向上が可能な磁気記録装置を提供できる。
【００２７】
以下、発明者が独自に行った検討結果について説明する。
【００２８】
図２は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図２は、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗが流れたときに磁極３０から生じる記録磁界Ｈｗのシミュレーション結果を例示している。記録電流Ｉｗの極性が、交互に変化する。この記録電流Ｉｗは、磁気記録媒体８０に、「０」及び「１」の情報を交互に記録する場合に対応する。図２の横軸は、時間ｔｍ（ｎｓ）に対応する。図２の縦軸は、記録磁界Ｈｗ（Ｏｅ）に対応する。
【００２９】
図２には、直流電流Ｉｄｃが流れる場合（オン状態「ＯＮ」）の記録磁界Ｈｗが実線で描かれている。図２には、直流電流Ｉｄｃが流れない場合（オフ状態「ＯＦＦ」）の記録磁界Ｈｗが点線で描かれている。
【００３０】
図２に示すように、直流電流Ｉｄｃが供給されたときの記録磁界Ｈｗ（実線）は、直流電流Ｉｄｃが供給されないときの記録磁界Ｈｗ（点線）とは異なる。
【００３１】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図３（ａ）において、図２に例示した点線の記録磁界Ｈｗ（オフ状態「ＯＦＦ」）が、重ねられて表示されている。図３（ｂ）において、図２に例示した実線の記録磁界Ｈｗ（オン状態「ＯＮ」）が重ねられて表示されている。図３（ｃ）には、図３（ａ）に例示したオフ状態「ＯＦＦ］の記録磁界Ｈｗが平均された特性が、点線で示されている。図３（ｃ）には、図３（ｂ）に例示したオン状態「ＯＮ」の記録磁界Ｈｗが平均された特性が、実線で示されている。これらの図の横軸は、時間ｔｍに対応する。これらの図の縦軸は、記録磁界Ｈｗに対応する。
【００３２】
図３（ａ）に示すように、直流電流Ｉｄｃが供給されないときの記録磁界Ｈｗにおいて、ばらつきが大きい。大きなジッタが生じる。
【００３３】
これに対して、図３（ｂ）に示すように、直流電流Ｉｄｃが供給されたときの記録磁界Ｈｗにおいて、ばらつきが非常に小さい。ジッタが抑制される。
【００３４】
ばらつきが小さくなることで、例えば、オントラックの性能が向上できる。例えば、オントラックの記録密度を向上できる。
【００３５】
直流電流Ｉｄｃが供給されない場合は、例えば、磁極３０の磁化が反転するときに、磁極３０の先端部分（端部３０ｅの近傍）において、複雑な磁区が形成されると考えられる。この磁区は、エネルギーバリアとなる。記録電流Ｉｗが正負に変化したときに、磁区の変化が不均一であると考えられる。記録電流Ｉｗが正負に変化したときに、ばらつきが生じやすい。このため、記録磁界Ｈｗの変化のばらつきが大きいと考えられる。
【００３６】
これに対して、直流電流Ｉｄｃが供給されたときには、直流電流Ｉｄｃがバイアスとなり、複雑な磁区が形成され難くなると考えられる。これにより、記録磁界Ｈｗの変化のばらつきが抑制されると考えられる。
【００３７】
直流電流Ｉｄｃが供給されたときの記録磁界Ｈｗにおいて、ばらつきが改善することは、発明者が新たに見いだした現象である。実施形態は、新たに見いだされたこの現象に基づいて導出されている。
【００３８】
本実施形態においては、第１電気回路２０Ｄから、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に直流電流Ｉｄｃが供給される。記録磁界Ｈｗのばらつきが抑制され、ジッタが抑制される。例えば、オントラック性能が向上できる。記録密度を向上できる。
【００３９】
実施形態において、直流電流Ｉｄｃは、完全な直流でなくても良い。直流電流Ｉｄｃの大きさが変化しても良い。直流電流Ｉｄｃの大きさの最大値と、直流電流Ｉｄｃの大きさの最小値と、の差の、最大値及び最小値の平均値に対する比は、例えば、１０％以下である。直流電流Ｉｄｃは、例えば、１０％程度の変動（例えばノイズなど）を有しても良い。
【００４０】
図３（ｃ）に示すように、直流電流Ｉｄｃが流れる場合（オン状態「ＯＮ」）の記録磁界Ｈｗ（実線）の立ち上がりは、直流電流Ｉｄｃが流れない場合（オフ状態「ＯＦＦ」）の記録磁界Ｈｗの立ち上がりよりも急峻であることが分かった。
【００４１】
これは、直流電流Ｉｄｃが流れることで、磁極３０の磁区が、安定して、短時間で反転するからであると考えられる。
【００４２】
例えば、直流電流Ｉｄｃが流れる場合（オン状態「ＯＮ」）の記録磁界Ｈｗ（実線）の立ち上がりの傾きは、約３．２８ｋＯｅ／１０ｐｓである。直流電流Ｉｄｃが流れない場合（オフ状態「ＯＦＦ」）の記録磁界Ｈｗ（点線）の立ち上がりの傾きは、約２．３２ｋＯｅ／１０ｐｓである。
【００４３】
直流電流Ｉｄｃを供給することで、記録磁界Ｈｗの立ち上がりが、直流電流Ｉｄｃを供給しない場合の１．５倍に、速くなる。記録電流Ｉｗの変化に対する記録磁界Ｈｗの遅れが小さくできる。直流電流Ｉｄｃを供給することで、高い周波数の記録に対応できる。これにより、例えば書き込み動作が向上できる。例えば、オントラックの記録密度が向上できる。
【００４４】
以下、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間を変えたときの特性の例について説明する。以下、直流電流Ｉｄｃを供給する場合と、直流電流Ｉｄｃを供給しない場合と、の両方に関しての特性について、説明する。
【００４５】
図４は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図４の横軸は、時間ｔｍ（ｎｓ）に対応する。図４の縦軸は、記録電流Ｉｗ（ｍＡ）に対応する。図４には、３種類の記録電流Ｉｗ（記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３）が例示されている。
【００４６】
この例では、記録電流Ｉｗには、反転時のオーバーシュートＯＳが設けられている。オーバーシュートＯＳは、期間ＤＴ（duration time）を有する。
【００４７】
記録電流Ｉｗは、最低値ＩｗＬ及び最高値ＩｗＨを有する。負極性のオーバーシュートＯＳにおける記録電流Ｉｗが、最低値ＩｗＬに対応する。正極性のオーバーシュートＯＳにおける記録電流Ｉｗが、最高値ＩｗＨに対応する。
【００４８】
例えば、記録電流Ｉｗにおいて、一方の極性（この例では負極性）から他方の極性（この例では正極性）への移行を立ち上がり部ＲＰとする。３種類の記録電流Ｉｗ（記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３）において、立ち上がり部ＲＰにおける記録電流Ｉｗの傾斜（変化率）が互いに異なる。傾斜の差異は、立ち上がり時間ＲＴＩｗの差異に対応する。
【００４９】
最高値ＩｗＨと最低値ＩｗＬとの差は、立ち上がり時間ＲＴＩｗと、立ち上がり部ＲＰにおける記録電流Ｉｗの傾斜と、の積に対応する。
【００５０】
この例において、点線の記録電流Ｉｗ１においては、立ち上がり時間ＲＴＩｗは、５０ｐｓである。実線の記録電流Ｉｗ２においては、立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１７５ｐｓである。破線の記録電流Ｉｗ３においては、立ち上がり時間ＲＴＩｗは、３２５ｐｓである。
【００５１】
例えば、負極性から正極性への移行に関する立ち上がり部ＲＰにおいて記録電流Ｉｗが０となる時刻と、正極性から負極性への移行に関する立ち上がり部ＲＰにおいて記録電流Ｉｗが０となる時刻と、の差が、ビット長ＢＬＮに対応する。この例において、ビット長ＢＬＮは、９００ｐｓである。
【００５２】
図５及び図６は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図５及び図６は、図４に例示した記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３がコイル３０ｃに供給されたときの記録磁界Ｈｗの変化を例示している。図５は、直流電流Ｉｄｃが供給される場合（オン状態「ＯＮ」）に対応する。図６は、直流電流Ｉｄｃが供給されない場合（オフ状態「ＯＦＦ」）に対応する。これらの図の横軸は、時間ｔｍ（ｎｓ）である。時間ｔｍが０ｎｓのときが、記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３のスイッチングの開始の時間に対応する。
【００５３】
これらの図に示すように、記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３の立ち上がり時間ＲＴＩｗの違いに応じて、記録磁界Ｈｗの立ち上がり特性が変化する。さらに、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）に応じて、記録磁界Ｈｗの立ち上がり特性が変化する。
【００５４】
時間ｔｍが０ｎｓのときから、記録磁界Ｈｗが０Ｏｅとなるときまでの時間をフィールドディレイＦＤとする。例えば、図５に示す実線（記録電流Ｉｗ２）の特性において、フィールドディレイＦＤは、約０．１ｎｓとなる。図５及び図６に示す６つの特性のそれぞれについて、フィールドディレイＦＤが求められる。
【００５５】
図７は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図７は、上記の６つの特性についてのフィールドディレイＦＤを例示している。横軸は、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（ｐｓ）に対応する。縦軸は、フィールドディレイＦＤ（ｎｓ）に対応する。６つの特性は、図４に例示した３つの記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３のそれぞれにおける、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）に対応する。
【００５６】
図７に示すように、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）の両方において、立ち上がり時間ＲＴＩｗが大きくなると、フィールドディレイＦＤが大きくなる。同じ立ち上がり時間ＲＴＩｗにおいて、直流電流Ｉｄｃが供給された場合（オン状態「ＯＮ」）のフィールドディレイＦＤは、直流電流Ｉｄｃが供給されない場合（オフ状態「ＯＦＦ」）のフィールドディレイＦＤよりも小さい。
【００５７】
以下、「磁界幅」の特性の例について説明する。「磁界幅」は、記録電流Ｉｗがスイッチングされ記録磁界Ｈｗが安定した後における、記録磁界Ｈｗのクロストラック方向（図１（ａ）におけるＹ軸方向）の最大値である。記録磁界Ｈｗが安定した後の状態は、例えば、図５及び図６において、時間ｔｍが０．２ｎｓ以降の状態である。
【００５８】
図８は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図８の横軸は、フィールドディレイＦＤ（ｎｓ）に対応する。図８の縦軸は、磁界幅ＤＨ（ｎｍ）に対応する。図８には、図４に例示した記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３がコイル３０ｃに供給され、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）の時のデータが示されている。
【００５９】
図８から分かるように、直流電流Ｉｄｃの有無にかかわらず、フィールドディレイＦＤが小さいと、磁界幅ＤＨが大きい。フィールドディレイＦＤが大きくなると、磁界幅ＤＨが小さくなる。
【００６０】
このよう特性は、発明者が新たに見いだした現象である。フィールドディレイＦＤが小さいと、サイドシールド（第３シールド３３及び第４シールド３４）の磁化反転が不十分になり、磁界幅ＤＨが大きくなることが原因の１つと考えられる。
【００６１】
図９は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図１０は、磁気記録装置における記録電流を例示する模式図である。  
図９の横軸は、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（ｐｓ）に対応する。図９の縦軸は、磁界幅ＤＨ（ｎｍ）に対応する。図９には、最短ビット長の記録電流Ｉｗ（図１０参照）における特性が例示されている。
【００６２】
図１０の横軸は、時間ｔｍ（ｐｓ）である。図１０の縦軸は、記録電流Ｉｗである。最短ビット長の記録電流Ｉｗの波形は、オーバーシュート部のみの波形となる。この例において、最短ビット長ＢＬＮａは、０．３４ｎｓ（３４０ｐｓ）である。図１０に例示する記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３において、立ち上がり時間ＲＴＩｗは、それぞれ５０ｐｓ、１７５ｐｓ及び３２５ｐｓである。図９は、このような記録電流Ｉｗ１〜Ｉｗ３がコイル３０ｃに供給され、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）の時のデータが示されている。
【００６３】
図９から分かるように、直流電流Ｉｄｃの供給の有無の両方の場合において、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗを大きくすると、磁界幅ＤＨが小さくなる。
【００６４】
同じ磁界幅ＤＨが得られる立ち上がり時間ＲＴＩｗに着目すると、オン状態「ＯＮ」における立ち上がり時間ＲＴＩｗは、オフ状態「ＯＦＦ」における立ち上がり時間ＲＴＩｗよりも大きい。例えば、オン状態「ＯＮ」において、７６ｎｍの磁界幅ＤＨが得られる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、約１５０ｐｓである。オフ状態「ＯＦＦ」において、７６ｎｍの磁界幅ＤＨが得られる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、約５０ｐｓである。このように、オン状態「ＯＮ」における立ち上がり時間ＲＴＩｗを、オフ状態「ＯＦＦ」における立ち上がり時間ＲＴＩｗよりも大きくし、その程度を約１００ｐｓにすると、磁界幅ＤＨ（クロストラック方向の磁界の幅）が過度に大きくなることが抑制できる。
【００６５】
以下、立ち上がり時間ＲＴＩｗとビットエラーレートとの関係、及び、立ち上がり時間ＲＴＩｗと面記録密度との関係の例について説明する。
【００６６】
図１１は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図１１の横軸は、立ち上がり時間ＲＴＩｗである。図１１の縦軸は、ビットエラーレート値ＢＥＲｖである。ビットエラーレート値ＢＥＲｖは、ビットエラーレートの対数（底は１０）である。ビットエラーレート値ＢＥＲｖは、オントラック特性に対応する。図１１には、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）のときの特性が例示されている。
【００６７】
図１１に示すように、立ち上がり時間ＲＴＩｗが比較小さい領域においては、ビットエラーレート値ＢＥＲｖは、立ち上がり時間ＲＴＩｗにあまり依存しない。この領域において、オン状態「ＯＮ」におけるビットエラーレート値ＢＥＲｖは、オフ状態「ＯＦＦ」におけるビットエラーレート値ＢＥＲｖよりも小さい。
【００６８】
ビットエラーレート値ＢＥＲｖは、立ち上がり時間ＲＴＩｗがある値を超えると、急激に悪化する。ビットエラーレート値ＢＥＲｖが急激に悪化する立ち上がり時間ＲＴＩｗ（しきい値）は、直流電流Ｉｄｃの有無によって異なる。オン状態「ＯＮ」における立ち上がり時間ＲＴＩｗのしきい値は、オフ状態「ＯＦＦ」における立ち上がり時間ＲＴＩｗのしきい値よりも大きい。
【００６９】
このように、立ち上がり時間ＲＴＩｗが大きいと、磁界幅ＤＨは小さくなり（図９参照）、オフトラック特性は向上する。しかしながら、立ち上がり時間ＲＴＩｗが過度に大きいと（しきい値を超えると）、ビットエラーレート値ＢＥＲｖが悪化し（図１１参照）、オントラック特性が悪化する。
【００７０】
磁気記録装置の面記録密度は、オフトラック特性及びオントラック特性の両方の両方の影響を受ける。
【００７１】
図１２は、磁気記録装置の特性を例示するグラフ図である。  
図１２の横軸は、立ち上がり時間ＲＴＩｗである。図１２の縦軸は、面記録密度ＷＤ（Ｔbits／inch２）である。面記録密度ＷＤは、オントラック特性及びオフトラック特性の両方に対応する。図１２には、直流電流Ｉｄｃの有無（オン状態「ＯＮ」またはオフ状態「ＯＦＦ」）のときの特性が例示されている。
【００７２】
図１２に示すように、オン状態「ＯＮ」、及び、オフ状態「ＯＦＦ」のそれぞれにおいて、面記録密度ＷＤは、ある立ち上がり時間ＲＴＩｗで最高となる。そして、オン状態「ＯＮ」における面記録密度ＷＤの最高値は、オフ状態「ＯＦＦ」における面記録密度ＷＤの最高値よりも高い。オン状態「ＯＮ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、オフ状態「ＯＦＦ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗよりも大きい。
【００７３】
この例では、オン状態「ＯＮ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、約３００ｐｓである。一方、オフ状態「ＯＦＦ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、約２２０ｐｓである。
【００７４】
例えば、オン状態「ＯＮ」においてはジッターが小さい（図３（ａ）参照）。このため、同じ立ち上がり時間ＲＴＩｗで得られる最高の面記録密度ＷＤが大きいと考えられる。オン状態「ＯＮ」においては、記録磁界Ｈｗの立ち上がりが速い（図３（ｃ）参照）。このため、オン状態「ＯＮ」においては、大きな立ち上がり時間ＲＴＩｗが使用できる。
【００７５】
既に説明したように、この例では、最短ビット長ＢＬＮａは、３４０ｐｓである。オフ状態「ＯＦＦ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、約２２０ｐｓである。この値は、最短ビット長ＢＬＮａの６４．７％に対応する。オン状態「ＯＮ」においては、オフ状態「ＯＦＦ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗよりも大きい値を使用できる。例えば、オン状態「ＯＮ」においては、最短ビット長ＢＬＮａの６４．７％を超える（例えば６５％以上）立ち上がり時間ＲＴＩｗを用いることができる。
【００７６】
図１２に示した例では、オン状態「ＯＮ」において面記録密度ＷＤが最高となる立ち上がり時間ＲＴＩｗは、約３００ｐｓである。この値は、最短ビット長ＢＬＮａの８８％に対応する。
【００７７】
実施形態において、例えば、２．９４Ｇｂｐｓの記録が行われる。このとき、最短ビット長ＢＬＮａは、０．３４ｎｓに対応する。
【００７８】
実施形態において、オン状態「ＯＮ」においては、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗを１ビット（最短ビット長ＢＬＮａ）の６５％以上にしても、例えば、オフ状態「ＯＦＦ」における磁界幅ＤＨと同等以上の磁界幅ＤＨが得られる。例えば、オン状態「ＯＮ」においては、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗを１ビットの８５％以上でも良い。オン状態「ＯＮ」における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗを、オフ状態「ＯＦＦ」における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗよりも著しく大きくできる。
【００７９】
既に説明したように、直流電流Ｉｄｃを供給（オン状態「ＯＮ」）することで、記録磁界Ｈｗのジッタを抑制し、オントラック方向の性能を向上できる。直流電流Ｉｄｃを供給（オン状態「ＯＮ」）すると、フィールドディレイＦＤが小さくなり、磁界幅ＤＨが大きくなる（図７及び図８参照）。このため、クロストラック方向においてロスが生じる場合がある。このとき、直流電流Ｉｄｃを供給（オン状態「ＯＮ」）したときの記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗを適正化することで、クロストラック方向のロスを抑制できる。
【００８０】
実施形態において、例えば、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間（最短ビット長ＢＬＮａ）の６５％以上である。これにより、磁界幅ＤＨが過度に大きくなることが抑制される。クロストラック方向のロスを抑制できる。
【００８１】
このように、磁気記録装置２１０において、コイル３０ｃと、コイル３０ｃに記録電流Ｉｗを供給可能な第２電気回路３０Ｄと、さらに設けられる。記録電流Ｉｗに応じた記録磁界Ｈｗが磁極３０から発生する。１つの例において、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間（最短ビット長ＢＬＮａ）の６５％以上である。
【００８２】
図９及び図１１に関して説明したように、「ＯＮ」状態のオントラック特性は、「ＯＦＦ」状態のオントラック特性よりも優れている。このことは、「ＯＮ」状態における線記録密度が、「ＯＦＦ」状態における線記録密度よりも良いことを示す。一方、「ＯＦＦ」状態のオフトラック特性は、「ＯＮ」状態のオフトラック特性よりも優れている。このことは、「ＯＦＦ」状態におけるトラック密度が、「ＯＦＦ」状態におけるトラック密度よりも良いことを示す。
【００８３】
実施形態において、ハードディスク（磁気記録媒体８０）の仕様により、「ＯＮ」状態の動作と、「ＯＦＦ」状態の動作と、を切り替えて実施しても良い。例えば、１つのハードディスク（磁気記録媒体８０）の中で、「ＯＮ」状態の動作と、「ＯＦＦ」状態の動作と、を切り替えて実施しても良い。例えば、線記録密度及び面記録密度の少なくともいずれかを優先する部分では、「ＯＮ」状態で動作させても良い。例えば、トラック密度を優先する部分では、「ＯＦＦ」状態で動作させても良い。例えば、ハードディスクの仕様に、より細かく対応することができる。
【００８４】
図１３は、磁気記録装置の特性を例示する模式図である。  
図１３は、複数の磁気ヘッドの試料において、オン状態「ＯＮ」及びオフ状態「ＯＦＦ」のときの面記録密度ＷＤの測定結果を示す。図１３の縦軸は、面記録密度ＷＤ（Ｔbits／inch２）である。
【００８５】
この測定では、図９と同様の波形（図１０参照）が用いられる。図１３において、オン状態「ＯＮ」の複数の印の１つと、オフ状態「ＯＦＦ」の印の１つと、が、直線で結ばれている。直線で結ばれた２つの印が、複数の磁気ヘッドの試料の１つに対応する。
【００８６】
図１３に例示する複数の試料において、オン状態「ＯＮ」のときの面記録密度ＷＤの平均は、０．８８Ｔbits／inch２である。一方、オフ状態「ＯＦＦ」のときの面記録密度ＷＤの平均は、０．８５８Ｔbits／inch２である。このように、オン状態「ＯＮ」においては、オフ状態「ＯＦＦ」と比べて、面記録密度ＷＤが向上する。この例では、向上の程度は、２．５％である。
【００８７】
この例では、オン状態「ＯＮ」における複数の磁気ヘッドの面記録密度ＷＤのばらつきは、オフ状態「ＯＦＦ」における複数の磁気ヘッドの面記録密度ＷＤのばらつきよりも大きい。
【００８８】
例えば、試料によっては、オフ状態「ＯＦＦ」において特に面記録密度ＷＤが低い。このような試料をオン状態「ＯＮ」として使用することで、より効果的に高い面記録密度ＷＤが得られる。
【００８９】
図１４は、第１実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。  
図１４に示すように、磁気記録装置２１１において、第１電気回路２０Ｄは、直流電流回路２０Ｄａと、スイッチ２０Ｄｓと、を含む。スイッチ２０Ｄｓは、直流電流回路２０Ｄａからの直流電流Ｉｄｃの供給のオン／オフを切り替えることができる。
【００９０】
第１電気回路２０Ｄは、例えば、第１動作及び第２動作を実施可能である。第１動作において、第１電気回路２０Ｄは、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に第１電流Ｉ１を供給する。第１電流Ｉ１は、例えば、直流電流Ｉｄｃである。第２動作において、第１電気回路２０Ｄは、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に、上記の第１電流Ｉ１を供給しない。このような第１動作及び第２動作の切り替えは、例えば、スイッチ２０Ｄｓにより実施される。スイッチ２０Ｄｓは、第１電気回路２０Ｄとは別体と見なすこともできる。
【００９１】
例えば、第２電気回路３０Ｄは、第１動作における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（例えば、第１立ち上がり時間）を、第２動作における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（例えば、第２立ち上がり時間）よりも長くする。例えば、磁界幅ＤＨの過度な増大が抑制できる。
【００９２】
上記の第１立ち上がり時間と、上記の第２立ち上がり時間と、の差は、例えば８０ピコ秒（ｐｓ）以上である。この差は、１００ｐｓ以上でも良い。
【００９３】
例えば、第１動作において、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間の６５％以上である。立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間の６０％以上でも良い。立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間の６５％以上でも良い。立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間の８５％以上でも良い。
【００９４】
第２動作において、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に電流が実質的に流れない。または、第２動作において磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に流れる電流は、第１動作における第１電流Ｉ１（例えば直流電流Ｉｄｃ）よりも小さい。第２動作において磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に流れる電流は、例えば、第１電流Ｉ１の１／１０以下である。
【００９５】
実施形態において、第１動作及び第２動作を切り替えて実施しても良い。例えば、ハードディスクの仕様に、より細かく対応することができる。
【００９６】
（第２実施形態）  
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。  
図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の一部の拡大図である。
【００９７】
図１５（ａ）に示すように、磁気記録装置２２０は、磁気ヘッド１２０及び第１電気回路２０Ｄを含む。磁気ヘッド１２０は、磁極３０、第１シールド３１及び導電部材２０を含む。この例では、磁気ヘッド１２０は、第２シールド３２及びコイル３０ｃをさらに含む。磁気ヘッド１２０は、第３シールド３３及び第４シールド３４（図１（ｂ）参照）をさらに含んでも良い。
【００９８】
図１５（ｂ）に示すように、第１電気回路２０Ｄは、磁極３０、導電部材２０及び第１シールド３１に第１電流Ｉ１を供給可能である。第１電流Ｉ１は、例えば、直流電流Ｉｄｃである。第１電気回路２０Ｄに、直流電流回路２０Ｄａ及びスイッチ２０Ｄｓが設けられても良い。第１電気回路２０Ｄは、第１電流Ｉ１の供給のオン／オフ（第１動作または第２動作）を切り替えて実施しても良い。
【００９９】
図１５（ｂ）に示すように、本実施形態においては、導電部材２０の構成が、第１実施形態における導電部材２８の構成とは異なる。磁気記録装置２２０（磁気ヘッド１２０）におけるこれ以外の構成は、磁気記録装置２１０または２１１（磁気ヘッド１１０）における構成と同様である。以下、導電部材２０の例について説明する。
【０１００】
図１５（ｂ）に示すように、導電部材２０は、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２を含む。磁性層２５は、磁極３０と第１シールド３１との間に設けられる。磁性層２５は、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【０１０１】
第１導電層２１は、磁極３０と磁性層２５との間に設けられる。第１導電層２１は、磁極３０及び磁性層２５と接する。第１導電層２１は、第１材料及び第２材料の一方を含む、第１導電層２１は、非磁性である。
【０１０２】
第２導電層２２は、磁性層２５と第１シールド３１との間に設けられる。第２導電層２２は、磁性層２５と第１シールド３１と接する。第２導電層２２は、第１材料及び第２材料の他方を含む。第２導電層２２は、非磁性である。
【０１０３】
第１材料は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２材料は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【０１０４】
１つの例において、第１導電層２１は、第１材料を含み、第２導電層２２は、第２材料を含む。例えば、第１導電層２１は、Ｔａを含み、第２導電層２２は、Ｃｕを含む。このとき、第１電流Ｉ１は、例えば、第１シールド３１から磁極３０への向きを有する。
【０１０５】
別の例において、第１導電層２１は、第２材料を含み、第２導電層２２は、第１材料を含む。例えば、第１導電層２１は、Ｃｕを含み、第２導電層２２は、Ｔａを含む。このとき、第１電流Ｉ１は、磁極３０から第１シールド３１への向きを有する。
【０１０６】
このような構成により、磁極３０から出る記録磁界Ｈｗが第１シールド３１に直接的に向かうことが抑制される。記録磁界Ｈｗは、磁気記録媒体８０に向かい易くなる。磁気記録媒体８０に記録磁界Ｈｗが効率的に加わる。より効率的な記録が可能になる。記録密度の向上が可能になる。
【０１０７】
磁気記録装置２２０においても、第１電流Ｉ１が供給されることで、記録磁界Ｈｗのばらつきが抑制される。ジッタが抑制される。例えば、オントラックの性能が向上できる。例えば、オントラックの記録密度を向上できる。
【０１０８】
磁気記録装置２２０において、上記の第１動作及び第２動作が行われても良い。例えば、第２電気回路３０Ｄは、第１動作における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（例えば、第１立ち上がり時間）を、第２動作における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（例えば、第２立ち上がり時間）よりも長くする。第１立ち上がり時間と第２立ち上がり時間との差は、例えば。８０ピコ秒以上である。例えば、第１動作において、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間の６５％以上である。例えば、第２動作において、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に電流が実質的に流れない。または、第２動作において磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に流れる電流は、第１動作における第１電流Ｉ１（例えば直流電流Ｉｄｃ）よりも小さい。
【０１０９】
図１６は、第２実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。  
コイル３０ｃに記録電流Ｉｗを流すことにより、磁極３０から磁界Ｈ２が生じる。磁界Ｈ２の一部は、記録磁界Ｈｗとして磁気記録媒体８０に向かう。磁性層２５が設けられない参考例においては、磁界Ｈ２は、第１シールド３１に向かい易い。その結果、記録磁界Ｈｗが磁気記録媒体８０に印加され難い場合がある。
【０１１０】
図１６に示すように、磁気ヘッド１２０においては、磁性層２５（導電部材２０）に第１電流Ｉ１を流すことで磁性層２５の磁化は、磁極３０から出た磁界Ｈ２の向きとは逆向きの成分を有している。このため、磁界Ｈ２は、磁性層２５を通過し難い。磁界Ｈ２の多くが、記録磁界Ｈｗとなり、磁気記録媒体８０を通過して、第１シールド３１に入る。このため、記録磁界Ｈｗは、磁気記録媒体８０に印加され易い。記録ギャップを小さくしたときにおいても、磁界Ｈ２が有効に磁気記録媒体８０に印加される。
【０１１１】
図１７は、第２実施形態に係る磁気記録装置の動作を例示する模式図である。  
図１７に示すように、磁極３０と第１シールド３１との間に導電部材２０が設けられる。導電部材２０において、磁性層２５、第１導電層２１及び第２導電層２２が設けられる。
【０１１２】
磁極３０のコイル３０ｃに、第２電気回路３０Ｄから記録電流Ｉｗが供給される（図１５（ａ）参照）。これにより、磁極３０からギャップ磁界Ｈｇ１が発生する。ギャップ磁界Ｈｇ１は、導電部材２０に印加される。
【０１１３】
例えば、磁極３０の磁化３０Ｍおよび第１シールド３１の磁化３１Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。磁性層２５の磁化２５Ｍは、ギャップ磁界Ｈｇ１と略平行である。
【０１１４】
第１電気回路２０Ｄから導電部材２０に第１電流Ｉ１が供給される。この例では、第１シールド３１及び磁極３０を介して、第１電流Ｉ１が導電部材２０に供給される。この例では、第１電流Ｉ１は、第２導電層２２から第１導電層２１に向かって流れる。このとき、電子流Ｊｅが流れる。電子流Ｊｅは、第１導電層２１から第２導電層２２に向かって流れる。
【０１１５】
電子流Ｊｅにより、第１導電層２１と磁性層２５との間の界面において、スピントルク２１ｓｐが生じる。このスピントルク２１ｓｐは、透過型である。一方、電子流Ｊｅにより、磁性層２５と第２導電層２２との間の界面において、スピントルク２２ｓｐが生じる。スピントルク２２ｓｐは、反射型である。これらのスピントルクにより、磁性層２５の磁化２５Ｍは反転する。反転した磁化２５Ｍは、図１７に示すギャップ磁界Ｈｇ１に対して反平行な成分を有するようになる。
【０１１６】
別の例において、第１電流Ｉ１は、例えば、第１導電層２１から第２導電層２２に向かって流れても良い。このとき、図１７に示すスピントルク２１ｓｐの向き及びスピントルク２２ｓｐの向きが反転する。スピントルク２１ｓｐは反射型であり、スピントルク２２ｓｐは透過型である。
【０１１７】
例えば、磁性層２５の磁化２５Ｍが、磁性層２５に第１電流Ｉ１を供給していない場合に磁極３０から生じる磁界（ギャップ磁界Ｈｇ１）とは反対の向きを有する。このような磁化２５Ｍにより、磁極３０から生じる磁界を、磁気記録媒体８０に有効に印加することができる。
【０１１８】
実施形態において、例えば、第１導電層２１と第２導電層２２との間（例えば、磁極３０と第１シールド３１との間）に第１電流Ｉ１を流したときに、磁性層２５の磁化２５Ｍは、第１電流Ｉ１を流していない場合に磁極３０から生じる磁界（ギャップ磁界Ｈｇ１）とは逆方向の成分を含む。
【０１１９】
磁性層２５は、例えば、磁界を制御する「磁界制御層」として機能する。
【０１２０】
（第３実施形態）
図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、第４実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。  
図１８（ａ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面に対応する断面図である。図１８（ｂ）は、図１８（ａ）の一部の拡大図である。
【０１２１】
図１８（ａ）に示すように、磁気記録装置２３０は、磁気ヘッド１３０及び第１電気回路２０Ｄを含む。磁気ヘッド１３０は、磁極３０、第１シールド３１及び導電部材２６を含む。この例では、磁気ヘッド１３０は、第２シールド３２及びコイル３０ｃをさらに含む。磁気ヘッド１３０は、第３シールド３３及び第４シールド３４（図１（ｂ）参照）をさらに含んでも良い。
【０１２２】
図１８（ｂ）に示すように、第１電気回路２０Ｄは、磁極３０、導電部材２６及び第１シールド３１に第１電流Ｉ１を供給可能である。第１電流Ｉ１は、例えば、直流電流Ｉｄｃである。第１電気回路２０Ｄに、直流電流回路２０Ｄａ及びスイッチ２０Ｄｓが設けられても良い。第１電気回路２０Ｄは、第１電流Ｉ１の供給のオン／オフ（第１動作または第２動作）を切り替えて実施しても良い。
【０１２３】
図１８（ｂ）に示すように、本実施形態においては、導電部材２６の構成が、第１実施形態における導電部材２８の構成とは異なる。磁気記録装置２３０（磁気ヘッド１３０）におけるこれ以外の構成は、磁気記録装置２１０または２１１（磁気ヘッド１１０）における構成と同様である。以下、導電部材２６の例について説明する。
【０１２４】
図１８（ｂ）に示すように、導電部材２６は、第１磁性層２６ａと、第２磁性層２６ｂと、中間層２６ｎと、を含む。中間層２６ｎは、第１磁性層２６ａと第２磁性層２６ｂとの間に設けられる。中間層２６ｎは、非磁性である。
【０１２５】
この例では、第１磁性層２６ａは、磁極３０と中間層２６ｎとの間に設けられる。第２磁性層２６ｂは、中間層２６ｎと第１シールド３１との間に設けられる。後述するようにｋ、第２磁性層２６ｂが磁極３０と中間層２６ｎとの間に設けられ、第１磁性層２６ａが中間層２６ｎと第１シールド３１との間に設けられても良い。
【０１２６】
磁極３０と導電部材２６との間に他の層（例えば電極など）が設けられても良い。第１シールド３１と導電部材２６との間に他の層（例えば電極など）が設けられても良い。
【０１２７】
この場合も、第１電気回路２０Ｄにより、導電部材２６に第１電流Ｉ１（例えば、直流電流Ｉｄｃ）が供給される。
【０１２８】
これにより、例えば、導電部材２６から高周波磁界が発生する。この高周波磁界が、磁気記録媒体８０に印加される。高周波磁界により磁気記録媒体８０の磁化が変化し易くなり、高密度の記録が容易になる。導電部材２６は、例えば、スピントルク発振子である。
【０１２９】
例えば、第１磁性層２６ａは、発振層として機能する。例えば、第２磁性層２６ｂは、スピン注入層として機能する。
【０１３０】
第１磁性層２６ａは、第１磁性材料及び第２磁性材料の一方を含む。このとき、第２磁性層２６ｂは、第１磁性材料及び記第２磁性材料の他方を含む。例えば、第１磁性材料は、例えば、ＦｅＣｏ合金、及び、ホイスラー合金よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２磁性材料は、例えば、ＣｏＰｔ合金、ＦｅＰｔ合金、Ｃｏ及びＰｄを含む積層膜、並びに、Ｃｏ及びＰｔを含む積層膜よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【０１３１】
中間層２６ｎは、例えば、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【０１３２】
例えば、第１磁性層２６ａが第１材料を含み、第２磁性層２６ｂが第２材料を含む。このとき、図１８（ｂ）に示すように、第１電流Ｉ１は、第２磁性層２６ｂから第１磁性層２６ａへの向きを有する。第１電流Ｉ１は、第１シールド３１から磁極３０への向きを有する。第１磁性層２６ａの磁化が発振する。
【０１３３】
図１９は、第４実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的断面図である。  
図１９に示すように、磁気記録装置２３１（及び磁気ヘッド１３１）においても、導電部材２６が設けられる。磁気ヘッド１３１における、第１磁性層２６ａ及び第２磁性層２６ｂの位置が、磁気ヘッド１３０における、第１磁性層２６ａ及び第２磁性層２６ｂの位置とは異なる。磁気ヘッド１３１におけるこれ以外の構成は、磁気ヘッド１３０における構成と同様である。
【０１３４】
磁気ヘッド１３１においては、第２磁性層２６ｂは、磁極３０と中間層２６ｎとの間に設けられる。第１磁性層２６ａは、中間層２６ｎと第１シールド３１との間に設けられる。
【０１３５】
例えば、第１磁性層２６ａが第１材料を含み、第２磁性層２６ｂが第２材料を含む。このとき、図１９に示すように、第１電流Ｉ１は、第２磁性層２６ｂから第１磁性層２６ａへの向きを有する。第１電流Ｉ１は、磁極３０から第１シールド３１への向きを有する。第１磁性層２６ａの磁化が発振する。
【０１３６】
磁気記録装置２３０及び２３１において、上記の第１動作及び第２動作が行われても良い。例えば、第２電気回路３０Ｄは、第１動作における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（例えば、第１立ち上がり時間）を、第２動作における記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗ（例えば、第２立ち上がり時間）よりも長くする。第１立ち上がり時間と第２立ち上がり時間との差は、８０ピコ秒以上である。例えば、第１動作において、記録電流Ｉｗの立ち上がり時間ＲＴＩｗは、１ビットの時間の６５％以上である。例えば、第２動作において、磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に電流が実質的に流れない。または、第２動作において磁極３０、導電部材２８及び第１シールド３１に流れる電流は、第１動作における第１電流Ｉ１（例えば直流電流Ｉｄｃ）よりも小さい。
【０１３７】
以下、本実施形態に係る磁気記録装置の例について説明する。磁気記録装置は、磁気記録再生装置でも良い。磁気ヘッドは、記録部と再生部とを含んでも良い。  
図２０は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図２０は、ヘッドスライダを例示している。  
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ２Ｏ３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【０１３８】
ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。
【０１３９】
図２１は、実施形態に係る磁気記録装置を例示する模式的斜視図である。  
図２２（ａ）及び図２２（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録装置の一部を例示する模式的斜視図である。  
図２１に示すように、実施形態に係る磁気記録装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。
【０１４０】
ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【０１４１】
記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。
【０１４２】
サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。
【０１４３】
アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。
【０１４４】
図２２（ａ）は、磁気記録装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。  
図２２（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。
【０１４５】
図２２（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。
【０１４６】
図２２（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。
【０１４７】
サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。
【０１４８】
実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。
【０１４９】
サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。
【０１５０】
磁気記録装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。
【０１５１】
本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。
【０１５２】
例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。
【０１５３】
本実施形態に係る磁気記録装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに設けられた磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う信号処理部と、を備える。
【０１５４】
実施形態は、以下の構成（例えば、技術案）を含んでも良い。  
（構成１）  
磁極と、
第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁極及び前記第１シールドとを電気的に接続する導電部材と、
コイルと、
を含む磁気ヘッドと、
前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに第１電流を供給可能な第１電気回路と、
前記コイルに記録電流を供給可能な第２電気回路と、
備え、
前記記録電流に応じた記録磁界が前記磁極から発生し、
前記記録電流の立ち上がり時間は、最短ビット長の６５％以上である磁気記録装置。
【０１５５】
（構成２）  
前記導電部材は、
磁性層と、
前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接し第１材料及び第２材料の一方を含む非磁性の第１導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層と前記第１シールドと接し前記第１材料及び前記第２材料の他方を含む非磁性の第２導電層と、
を含み、
前記第１材料は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２材料は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１記載の磁気記録装置。
【０１５６】
（構成３）  
前記第１導電層は、前記第１材料を含み、
前記第２導電層は、前記第２材料を含み、
前記第１電流は、前記第１シールドから前記磁極への向きを有する、構成２記載の磁気記録装置。
【０１５７】
（構成４）  
前記第１導電層は、前記第２材料を含み、
前記第２導電層は、前記第１材料を含み、
前記第１電流は、前記磁極から前記第１シールドへの向きを有する、構成２記載の磁気記録装置。
【０１５８】
（構成５）  
前記導電部材は、
第１磁性層と、
第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、
を含む、構成１記載の磁気記録装置。
【０１５９】
（構成６）  
前記導電部材から高周波磁界が発生する、構成５記載の磁気記録装置。
【０１６０】
（構成７）  
前記第１磁性層は、第１磁性材料及び第２磁性材料の一方を含み、
前記第２磁性層は、前記第１磁性材料及び前記第２磁性材料の他方を含み、
前記第１磁性材料は、ＦｅＣｏ合金、及び、ホイスラー合金よりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２磁性材料は、ＣｏＰｔ合金、ＦｅＰｔ合金、Ｃｏ及びＰｄを含む積層膜、並びに、Ｃｏ及びＰｔを含む積層膜よりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成５または６に記載の磁気記録装置。
【０１６１】
（構成８）  
前記第１磁性層が前記第１材料を含み、前記第２磁性層が前記第２材料を含み、前記第１電流は、前記第２磁性層から前記第１磁性層への向きを有する、構成７記載の磁気記録装置。
【０１６２】
（構成９）  
前記中間層は、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成５〜８のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【０１６３】
（構成１０）  
磁極と、
第１シールドと、
前記磁極と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁極及び前記第１シールドとを電気的に接続する導電部材と、
コイルと、
を含む磁気ヘッドと、
前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに第１電流を供給する第１動作と、前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに前記第１電流を供給しない第２動作と、を実施可能な第１電気回路と、
前記コイルに記録電流を供給可能な第２電気回路と、
備え、
前記記録電流に応じた記録磁界が前記磁極から発生する、磁気記録装置。
【０１６４】
（構成１１）  
前記第２電気回路は、前記第１動作における前記記録電流の第１立ち上がり時間を、前記第２動作における前記記録電流の第２立ち上がり時間よりも長くする、構成１０記載の磁気記録装置。
【０１６５】
（構成１２）  
前記第１立ち上がり時間と、前記第２立ち上がり時間と、の差は、８０ピコ秒以上である、構成１１記載の磁気記録装置。
【０１６６】
（構成１３）  
前記第１動作において、前記記録電流の立ち上がり時間は、１ビットの時間の６５％以上である構成１０〜１２のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【０１６７】
（構成１４）  
前記第２動作において、前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに電流が流れない、または、
前記第２動作において前記磁極、前記導電部材及び前記第１シールドに流れる電流は、前記第１電流よりも小さい、構成１０〜１３のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【０１６８】
（構成１５）  
前記導電部材は、
磁性層と、
前記磁極と前記磁性層との間に設けられ前記磁極及び前記磁性層と接し第１材料及び第２材料の一方を含む非磁性の第１導電層と、
前記磁性層と前記第１シールドとの間に設けられ前記磁性層と前記第１シールドと接し前記第１材料及び前記第２材料の他方を含む非磁性の第２導電層と、
を含み、
前記第１材料は、Ｔａ、Ｐｔ、Ｗ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｈ及びＰｄよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、
前記第２材料は、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成１０〜１４のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【０１６９】
（構成１６）  
前記導電部材は、
第１磁性層と、
第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性の中間層と、
を含み、
前記第１動作において、前記導電部材から高周波磁界が発生する、構成１０〜１４のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【０１７０】
（構成１７）
前記磁気ヘッドにより情報が記録される磁気記録媒体をさらに備えた構成１〜１６のいずれか１つに記載の磁気記録装置。
【０１７１】
実施形態によれば、記録密度の向上が可能な磁気ヘッド及び磁気記録装置が提供できる。
【０１７２】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
【０１７３】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気ヘッドに含まれる磁極、第１シールド、第２シールド、積層体、磁性層、導電層及び配線などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１７４】
各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１７５】
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１７６】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１７７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１７８】
２０…導電部材、  ２０Ｄ…第１電気回路、  ２０Ｄａ…直流電気回路、  ２０Ｄｓ…スイッチ、  ２１…第１導電層、  ２１ｓｐ…スピントルク、  ２２…第２導電層、  ２２ｓｐ…スピントルク、  ２５…磁性層、  ２５Ｍ…磁化、  ２６…導電部材、  ２６ａ、２６ｂ…第１、第２磁性層、  ２６ｎ…中間層、  ２８…導電部材、  ３０…磁極、  ３０Ｄ…第２電気回路、  ３０Ｆ…第１面、  ３０Ｍ…磁化、  ３０ｃ…コイル、  ３０ｅ…端部、  ３０ｉ…絶縁部、  ３１〜３４…第１〜第４シールド、  ３１Ｍ…磁化、  ８０…磁気記録媒体、  １１０、１２０、１３０、１３１…磁気ヘッド、  １５０…磁気記録装置、  １５４…サスペンション、  １５５…アーム、  １５６…ボイスコイルモータ、  １５７…軸受部、  １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、  １５９…ヘッドスライダ、  １５９Ａ…空気流入側、  １５９Ｂ…空気流出側、  １６０…ヘッドスタックアセンブリ、  １６１…支持フレーム、  １６２…コイル、  １８０…記録用媒体ディスク、  １８０Ｍ…スピンドルモータ、  １８１…記録媒体、  １９０…信号処理部、  ２１０、２１１、２２０、２３０、２３１…磁気記録装置、  ＡＲ、ＡＲ１…矢印、  ＢＥＲｖ…ビットエラーレート値、  ＢＬＮ…ビット長、  ＢＬＮａ…最短ビット長、  ＤＨ…磁界幅、  ＤＴ…期間、  ＦＤ…フィールドディレイ、  Ｈ２…磁界、  Ｈｇ１…ギャップ磁界、  Ｈｗ…記録磁界、  Ｉ１…第１電流、  Ｉｄｃ…直流電流、  Ｉｗ…記録電流、  Ｉｗ１〜Ｉｗ３…記録電流、  ＩｗＨ…最高値、  ＩｗＬ…最低値、  Ｊｅ…電子流、  ＯＳ…オーバーシュート、  ＲＰ…立ち上がり部、  ＲＴＩｗ…立ち上がり時間、  Ｔ１、Ｔ２…第１、第２端子、  Ｗ１、Ｗ２…第１、第２配線、  ＷＤ…面記録密度、  ｔｍ…時間
【図１】
2020047336.tif 000003
【図２】
2020047336.tif 000004
【図３】
2020047336.tif 000005
【図４】
2020047336.tif 000006
【図５】
2020047336.tif 000007
【図６】
2020047336.tif 000008
【図７】
2020047336.tif 000009
【図８】
2020047336.tif 000010
【図９】
2020047336.tif 000011
【図１０】
2020047336.tif 000012
【図１１】
2020047336.tif 000013
【図１２】
2020047336.tif 000014
【図１３】
2020047336.tif 000015
【図１４】
2020047336.tif 000016
【図１５】
2020047336.tif 000017
【図１６】
2020047336.tif 000018
【図１７】
2020047336.tif 000019
【図１８】
2020047336.tif 000020
【図１９】
2020047336.tif 000021
【図２０】
2020047336.tif 000022
【図２１】
2020047336.tif 000023
【図２２】
2020047336.tif 000024