(57)【要約】【課題】ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても半導体チップを検査可能な状態に保持することができる検査冶具、上記検査冶具を用いた半導体チップの検査方法、および上記半導体チップの検査方法を備える半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】検査冶具ＩＳＪは、メタルフレームＭＦと、第１メタルプレートＭＰ１と、搭載部ＰＦＣとを備える。メタルフレームＭＦは、平面視において環状である。第１メタルプレートＭＰ１は、平面視においてメタルフレームＭＦに囲まれた内部領域内に配置され、かつメタルフレームＭＦに固定されている。搭載部ＰＦＣは、平面視において上記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップＣＨＰが搭載される第１面ＳＦ１と、第１メタルプレートＭＰ１と粘着している第２面ＳＦ２とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを搭載して検査に供する検査冶具であって、
平面視において環状のメタルフレームと、
前記メタルフレームに固定されており、かつ平面視において前記メタルフレームの内側に配置されている内側部分を有する第１メタルプレートと、
平面視において前記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップが搭載される第１面と、前記第１メタルプレートと粘着している第２面とを有する搭載部とを備える、検査冶具。
【請求項２】
前記搭載部は、第２メタルプレートと、前記第２メタルプレートに接続されておりかつ前記第２メタルプレートを挟むように配置された第１粘着部および第２粘着部とを含み、
前記第１粘着部は、前記第１面を有し、
前記第２粘着部は、前記第２面を有している、請求項１に記載の検査冶具。
【請求項３】
前記第１粘着部は、前記第１面と反対側に位置し前記第２メタルプレートと粘着している第３面をさらに有し、
前記第２粘着部は、前記第２面と反対側に位置し前記第２メタルプレートと粘着している第４面をさらに有し、
前記第１面の粘着力は前記第３面の粘着力よりも小さく、
前記第２面の粘着力は前記第４面の粘着力よりも小さい、請求項２に記載の検査冶具。
【請求項４】
前記第１粘着部および前記第２粘着部を構成する材料は、シリコン系粘着剤を含む、請求項２または３に記載の検査冶具。
【請求項５】
前記メタルフレームに対して前記搭載部を位置決めする位置決め部材をさらに備える、請求項２〜４のいずれか１項に記載の検査冶具。
【請求項６】
前記位置決め部材は、
平面視において前記メタルフレームと前記搭載部との間に配置されているスペーサ部と、
前記スペーサ部に固定されており、かつ前記メタルフレームと嵌め合されている腕部とを含み、
前記第２メタルプレートは、平面視において前記第１粘着部または前記第２粘着部よりも外側に突出している第１凸部を有し、
前記スペーサ部には、平面視において前記第１凸部を収容する第１凹部が設けられている、請求項５に記載の検査冶具。
【請求項７】
前記第２メタルプレートは、平面視において前記第１粘着部または前記第２粘着部よりも外側に突出しており、かつ平面視における前記搭載部の周方向において前記第１凸部と間隔を隔てて配置されている第２凸部をさらに有し、
前記スペーサ部には、平面視において前記第２凸部を収容する第２凹部がさらに設けられている、請求項６に記載の検査冶具。
【請求項８】
前記搭載部は、第３粘着部を含み、
前記第３粘着部は、前記第１面および前記第２面を有している、請求項１に記載の検査冶具。
【請求項９】
前記第３粘着部を構成する材料は、シリコン系粘着剤を含む、請求項８に記載の検査冶具。
【請求項１０】
ダイシング冶具に搭載された半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップを搭載するように設けられており、検査に供する検査冶具を準備する工程と、
前記半導体チップを前記ダイシング冶具から前記検査冶具に移す工程と、
前記検査冶具に搭載された前記半導体チップを検査する工程とを備え、
前記検査冶具は、平面視において環状のメタルフレームと、
前記メタルフレームに固定されており、かつ平面視において前記メタルフレームの内側に配置されている内側部分を有する第１メタルプレートと、
平面視において前記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ前記半導体チップが搭載される第１面と、前記第１メタルプレートと粘着している第２面とを有する搭載部とを備える、半導体チップの検査方法。
【請求項１１】
前記移す工程は、
前記半導体チップにおいて前記ダイシング冶具に粘着されている第５面とは反対側に位置する第６面に粘着部材を粘着する工程と、
前記粘着部材に粘着された前記半導体チップと前記ダイシング冶具とを分離する工程と、
前記半導体チップの前記第５面に検査冶具を固定する工程と、
前記粘着部材の粘着力を低下させる工程と、
前記検査冶具に固定された前記半導体チップと前記粘着部材とを分離する工程とを含む、請求項１０に記載の半導体チップの検査方法。
【請求項１２】
前記ダイシング冶具に搭載された半導体基板をダイシングして前記半導体チップを形成する工程と、
前記半導体チップを請求項１０または１１に記載の半導体チップの検査方法によって検査する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載して検査に供する検査冶具、半導体チップの検査方法、および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板上に形成された複数の半導体素子は、ダイシング工程により複数の半導体チップに切り分けられる。ダイシング工程では、半導体基板をダイシング装置に対して固定するために、環状のダイシングフレームと、ダイシングフレームに固定されており、かつ半導体基板が貼り付けられるダイシングテープとからなるダイシング冶具が用いられている。ダイシングフレームは金属材料から成り、ダイシングテープはポリ塩化ビニル等の合成樹脂と粘着剤とから成る。ダイシング工程では、複数の半導体チップは、ダイシング冶具に保持された状態で回収される。
【０００３】
従来、ダイシング冶具に保持された半導体チップを検査するプローブ装置が知られている。このようなプローブ装置は、例えば特開２０１６−１５４２６８号公報、国際公開第２０１４／１３２８５６号、特開２００７−９５９３８号公報、特開２０１１−２２２８５１号公報、特開２００５−１６４５２２号公報、特開２００８−０２７９６０号公報に開示されている。該プローブ装置において、ダイシング冶具は、プロープに対して半導体チップを位置合わせするための検査冶具として利用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１５４２６８号公報
【特許文献２】国際公開第２０１４／１３２８５６号
【特許文献３】特開２００７−９５９３８号公報
【特許文献４】特開２０１１−２２２８５１号公報
【特許文献５】特開２００５−１６４５２２号公報
【特許文献６】特開２００８−０２７９６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のようなプローブ装置は、１５０℃以上に加熱された高温環境下で半導体チップに対して実施される検査には利用されていなかった。これは、ダイシング冶具が高温環境下に置かれるとダイシングテープが変形する場合があり、この場合には半導体チップが検査可能な状態に保持されず、検査ができなくなるためである。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施の形態に係る検査冶具は、半導体チップを搭載して検査に供する検査冶具である。本実施の形態に係る検査冶具は、メタルフレームと、メタルプレートと、搭載部とを備える。メタルフレームは、平面視において環状である。メタルプレートは、平面視においてメタルフレームに囲まれた内部領域内に配置され、かつメタルフレームに固定されている。搭載部は、平面視において上記内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップが搭載される第１面と、メタルプレートと粘着している第２面とを有する。
【発明の効果】
【０００７】
本実施の形態によれば、プローブ装置を用いた検査に供する検査冶具であって、ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても半導体チップを検査可能な状態に保持することができる検査冶具、上記検査冶具を用いた半導体チップの検査方法、および上記半導体チップの検査方法を備える半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る検査冶具を示す断面図である。
【図２】図１に示される検査冶具の上面図である。
【図３】図１に示される検査冶具の分解断面図である。
【図４】図１に示される検査冶具の搭載部の分解断面図である。
【図５】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法のフローチャートである。
【図６】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の一工程を示す断面図である。
【図７】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の、図６に示される工程後に実施される一工程を示す断面図である。
【図８】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の、図７に示される工程後に実施される一工程を示す断面図である。
【図９】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の、図８に示される工程後に実施される一工程を示す断面図である。
【図１０】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の、図９に示される工程後に実施される一工程を示す断面図である。
【図１１】実施の形態１に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の、図１０に示される工程後に実施される一工程を示す断面図である。
【図１２】実施の形態１に係る半導体装置の製造方法のフローチャートである。
【図１３】実施の形態１に係る検査冶具から半導体チップを取り外す工程を示す断面図である。
【図１４】実施の形態２に係る検査冶具の上面図である。
【図１５】図１４に示される搭載部の上面図である。
【図１６】図１４に示される搭載部の下面図である。
【図１７】図１４に示される搭載部の断面図である。
【図１８】図１４に示されるメタルフレームおよび位置決め部材の上面図である。
【図１９】図１８中の矢印ＸＩＸ−ＸＩＸから視た断面図である。
【図２０】実施の形態２に係る半導体チップの検査方法において、半導体チップをダイシング冶具から検査冶具に移す工程内の一工程を示す上面図である。
【図２１】実施の形態３に係る検査冶具の断面図である。
【図２２】実施の形態１〜３に係る検査冶具に搭載される半導体チップの変形例を示す上面図である。
【図２３】実施の形態１〜３に係る検査冶具に搭載される半導体チップの他の変形例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００１０】
（実施の形態１）
＜検査冶具の構成＞
図１〜図４に示されるように、実施の形態１に係る検査冶具ＩＳＪは、半導体チップＣＨＰを搭載して検査に供する検査冶具である。検査冶具ＩＳＪは、メタルフレームＭＦ、第１メタルプレートＭＰ１、および搭載部ＰＦＣを備える。なお、以下では、検査冶具ＩＳＪを平面視したときに、半導体チップＣＨＰが搭載される側を上、その反対側を下とする。
【００１１】
図２に示されるように、メタルフレームＭＦは、平面視において環状である。平面視においてメタルフレームＭＦの内周端の形状は、例えば円形状である。平面視において、メタルフレームＭＦの外周端の形状は、例えばメタルフレームＭＦの中心に対して回転対称性を有していない形状である。メタルフレームＭＦを構成する材料は金属材料を含み、例えばステンレス鋼を含む。メタルフレームＭＦは、ダイシングフレームである。メタルフレームＭＦの構造および寸法は、例えば半導体基板が検査冶具ＩＳＪに搭載される半導体チップＣＨＰにダイシングされるときに用いられたダイシングフレームの構造および寸法と同等である。
【００１２】
図１および図３に示されるように、第１メタルプレートＭＰ１は、メタルフレームＭＦに固定されている。図２に示されるように、平面視において、第１メタルプレートＭＰ１は、メタルフレームＭＦの内側に配置されている内側部分と、平面視においてメタルフレームＭＦと重なるように配置されており、かつ上記内側部分を囲むように配置されている外側部分とを有している。第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分は、例えば平坦に設けられている。第１メタルプレートＭＰ１の外側部分の上面は、例えば接着部ＡＭによってメタルフレームＭＦの下面と接着されている。なお、メタルフレームＭＦおよび第１メタルプレートＭＰ１は、例えば一体として設けられていてもよい。第１メタルプレートＭＰ１を構成する材料は金属材料を含み、例えばステンレス鋼を含む。第１メタルプレートＭＰ１の厚みは、メタルフレームＭＦの厚みよりも薄く、例えば２０μｍ以上３００μｍ以下である。第１メタルプレートＭＰ１が室温に置かれているときの第１メタルプレートＭＰ１の寸法値に対する第１メタルプレートＭＰ１が２００℃に加熱された後の第１メタルプレートＭＰ１の寸法値の変化率（変形率）は、ダイシングテープのそれよりも小さい。
【００１３】
図３に示されるように、搭載部ＰＦＣは、複数の半導体チップＣＨＰが搭載される第１面ＳＦ１と、第１メタルプレートＭＰ１と粘着している第２面ＳＦ２とを有している。図２に示されるように、平面視において、搭載部ＰＦＣは、第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分の一部と重なるように配置されて、当該一部と粘着している。平面視において、搭載部ＰＦＣは、例えば上記内側部分の中央部と重なるように配置されている。平面視において、搭載部ＰＦＣの中心は、例えば上記内側部分の中心と重なっている。搭載部ＰＦＣの幅Ｗ１は、第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分の幅未満である。搭載部ＰＦＣの幅Ｗ１は、例えば上記半導体基板の外径と同等である。図２に示されるように、搭載部ＰＦＣの平面形状は、例えば円形状である。
【００１４】
図４に示されるように、搭載部ＰＦＣは、第２メタルプレートＭＰ２と、第２メタルプレートＭＰ２に接続されておりかつ第２メタルプレートＭＰ２を挟むように配置された第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２とを含む。第１粘着部ＤＡＭ１は、上記第１面ＳＦ１と、第１面ＳＦ１と反対側に位置する第３面ＳＦ３とを有している。第２粘着部ＤＡＭ２は、上記第２面ＳＦ２と、第２面ＳＦ２と反対側に位置する第４面ＳＦ４とを有している。平面視における第２メタルプレートＭＰ２、第１粘着部ＤＡＭ１、および第２粘着部ＤＡＭ２の各中心は、重なるように配置されている。
【００１５】
第１面ＳＦ１、第２面ＳＦ２、第３面ＳＦ３および第４面ＳＦ４は、粘着性を有している。第１面ＳＦ１は、複数の半導体チップＣＨＰが粘着される面である。第２面ＳＦ２は、第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分の上面と粘着している。第３面ＳＦ３は、第２メタルプレートＭＰ２の上面と粘着している。第４面ＳＦ４は、第２メタルプレートＭＰ２の下面と粘着している。
【００１６】
第１面ＳＦ１の粘着力は第３面ＳＦ３の粘着力よりも小さい。第２面ＳＦ２の粘着力は第４面ＳＦ４の粘着力よりも小さい。なお、粘着力は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９に規定された方法に従って測定される。
【００１７】
以下の測定方法によって測定される第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２の各々の第１粘着力に対する第２粘着力の比率は、５０％以上である。
【００１８】
まず、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９に規定された方法に従って、第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＭ２とＳＵＳ３０４鋼板との圧着体を複数準備する。圧着は、第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＭ２とＳＵＳ３０４鋼板との積層体上に２ｋｇのローラを載せて、該ローラを平面視における積層体の一端と他端との間で１往復させることにより実施される。
【００１９】
次に、一部の圧着体について、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９に規定された方法に従って、引きはがし角度が１８０°引きはがす速度が３００ｍｍ／分との条件で、試験片を試験板から引きはがし、第１粘着力を測定する。
【００２０】
さらに、他の圧着体に対し、２００℃に２時間加熱する。加熱後、室温まで冷却された上記圧着体に対し、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７：２００９に規定された方法に従って、引きはがし角度が１８０°引きはがす速度が３００ｍｍ／分との条件で、試験片を試験板に対して引きはがし、第２粘着力を測定する。第１粘着力に対する第２粘着力の比率は、５０％以上である。なお、第１粘着力および第２粘着力の測定には、ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に規定された引張試験機またはこれと同等の引張試験機が用いられる。なお、ダイシングテープの上記比率は５０％より小さい。
【００２１】
以下の測定方法によって測定される第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２の各々の変形率は、１０％以下である。
【００２２】
まず、平面寸法が２５ｍｍ平方とされた第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＭ２とＳＵＳ３０４鋼板との圧着体を複数準備する。圧着は、第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＭ２とＳＵＳ３０４鋼板との積層体上に２ｋｇのローラを載せて、該ローラを平面視における積層体の一端と他端との間で２往復させることにより実施される。
【００２３】
次に、一部の圧着体について、第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＭ２の平面寸法（第１長さおよび第１幅）および第１厚みを測定する。さらに、他の圧着体に対し、２００℃に２時間加熱する。加熱後、室温まで冷却された上記圧着体に対し、第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＭ２の平面寸法（第２長さおよび第２幅）および第２厚みを測定する。なお、ダイシングテープの上記変形率は１０％超えである。
【００２４】
平面寸法の測定には、ＪＩＳ  Ｂ  ７５０７：２０１１に規定する最小読取値０．０５ｍｍのノギス、ＪＩＳ  Ｂ  ７５１２：２０１１に規定する鋼製巻尺、またはＪＩＳ  Ｂ  ７５１６：２０１１に規定する金属製直尺が用いられる。厚みの測定には、ＪＩＳ  Ｂ  ７５０３：２０１１に規定されたダイアルゲージが用いられる。第１長さに対する第１長さと第２長さとの差の絶対値の比率、第１幅に対する第１幅と第２幅との差の絶対値の比率、および第１厚みに対する第１厚みと第２厚みの差の絶対値の比率、すなわち上記加熱に伴う第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２の各々の変形率は、１０％以下である。
【００２５】
図１〜図３に示されるように、第２メタルプレートＭＰ２、第１粘着部ＤＡＭ１、および第２粘着部ＤＡＭ２の各平面形状は、例えば同一形状である。第２メタルプレートＭＰ２の厚みは、メタルフレームＭＦの厚みよりも薄く、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下である。第２メタルプレートＭＰ２を構成する材料は金属材料を含み、例えばステンレス鋼を含む。第２メタルプレートＭＰ２が室温に置かれているときの第２メタルプレートＭＰ２の寸法値に対する第２メタルプレートＭＰ２が２００℃に加熱された後の第２メタルプレートＭＰ２の寸法値の変化率（変形率）は、ダイシングテープのそれよりも小さい。
【００２６】
第１粘着部ＤＡＭ１の厚みは、例えば第２粘着部ＤＭ２の厚みと等しく、第２メタルプレートＭＰ２の厚みよりも厚い。第１粘着部ＤＡＭ１の厚みおよび第２粘着部ＤＭ２の厚みは、例えば１８５μｍ以上２１５μｍ以下である。搭載部ＰＦＣの厚み、すなわち第２メタルプレートＭＰ２、第１粘着部ＤＡＭ１、および第２粘着部ＤＡＭ２の各厚みの和は、例えばメタルフレームＭＦおよび接着部ＡＭの各厚みの和未満である。第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＭ２を構成する材料は、シリコン系粘着剤を含む。第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＭ２は、例えばＴａｃｏｎｉｃ社製ＴａｃｓｉｌＦ２０である。
＜検査冶具の製造方法＞
検査冶具ＩＳＪは、各構成部材が任意の順番で粘着または接着されることにより、製造され得る。例えば、メタルフレームＭＦおよび第１メタルプレートＭＰ１が接着部ＡＭを介して接着される。また、第１粘着部ＤＡＭ１、第２メタルプレートＭＰ２、および第２粘着部ＤＡＭ２が粘着されて搭載部ＰＦＣが形成される。次に、メタルフレームＭＦに固定された第１メタルプレートＭＰ１と、搭載部ＰＦＣの第２粘着部ＤＡＭ２とが粘着される。このようにして、検査冶具ＩＳＪは製造される。
＜半導体チップの検査方法＞
実施の形態１に係る半導体チップの検査方法は、検査冶具ＩＳＪに搭載された半導体チップＣＨＰの検査方法である。図５に示されるように、実施の形態１に係る半導体チップの検査方法では、まずダイシング冶具ＤＪ（図６参照）に搭載された複数の半導体チップＣＨＰが準備される（工程（Ｓ１０））。複数の半導体チップＣＨＰは、ダイシング冶具ＤＪに搭載された図示しない半導体基板がダイシングされることにより、形成される。ダイシング冶具ＤＪは、ダイシングフレームＤＦ２と、ダイシングフレームＤＦ２に固定されたダイシングテープＤＴとを含む。各半導体チップＣＨＰは、ダイシングテープＤＴに接着されている第５面ＳＦ５と、第５面ＳＦ５とは反対側に位置する第６面ＳＦ６とを有している。
【００２７】
次に、ダイシング冶具ＤＪに搭載された複数の半導体チップＣＨＰのうち、検査対象とされる複数の半導体チップＣＨＰがダイシング冶具ＤＪから上記検査冶具ＩＳＪに移される（工程（Ｓ２０））。図６〜図１１は、本工程（Ｓ２０）を説明するための断面図である。
【００２８】
本工程（Ｓ２０）ではまず、図６に示されるように、紫外線硬化型テープＵＶＴが準備される。紫外線硬化型テープＵＶＴは、紫外線が照射された後の粘着力が弱まる特性を有している。紫外線が照射されていない紫外線硬化型テープＵＶＴの粘着力は、ダイシングテープＤＴの粘着力よりも強い。紫外線が照射された後の紫外線硬化型テープＵＶＴの粘着力は、未加熱である第１粘着部ＤＡＭ１の第１面ＳＦ１よりも弱い。
【００２９】
次に、図７に示されるように、１つの紫外線硬化型テープＵＶＴが複数の半導体チップＣＨＰの各第６面ＳＦ６に粘着される。このとき、紫外線硬化型テープＵＶＴはダイシング冶具ＤＪに対して任意の方法により位置決めされた後、複数の半導体チップＣＨＰに粘着される。好ましくは、紫外線硬化型テープＵＶＴは複数の半導体チップＣＨＰに圧着される。圧着条件は、各半導体チップＣＨＰの特性に影響を及ぼさない条件として設定される。
【００３０】
次に、図８に示されるように、ダイシング冶具ＤＪが紫外線硬化型テープＵＶＴに粘着された複数の半導体チップＣＨＰから分離される。例えば、ダイシングテープＤＴがダイシングフレームＤＦ２から分離された後、ダイシングテープＤＴが複数の半導体チップＣＨＰから分離される。上述のように、紫外線が照射されていない紫外線硬化型テープＵＶＴの粘着力がダイシングテープＤＴの粘着力よりも強いため、ダイシングテープＤＴは紫外線硬化型テープＵＶＴに粘着された複数の半導体チップＣＨＰから容易に引きはがされる。
【００３１】
次に、図９に示されるように、紫外線硬化型テープＵＶＴに粘着された複数の半導体チップＣＨＰの第５面ＳＦ５が、検査冶具ＩＳＪの搭載部ＰＦＣの第１面ＳＦ１に粘着される。このとき、紫外線硬化型テープＵＶＴおよび複数の半導体チップＣＨＰは検査冶具ＩＳＪに対して任意の方法により位置決めされた後、搭載部ＰＦＣに粘着される。好ましくは、搭載部ＰＦＣは複数の半導体チップＣＨＰに圧着される。圧着条件は、各半導体チップＣＨＰの特性に影響を及ぼさない条件として設定される。
【００３２】
次に、図１０に示されるように、紫外線硬化型テープＵＶＴに紫外線ＵＶが照射される。紫外線ＵＶは、複数のＵＶ光源ＵＶＳから、紫外線硬化型テープＵＶＴにおいて複数の半導体チップＣＨＰと粘着している領域の全体に照射される。
【００３３】
次に、図１１に示されるように、紫外線硬化型テープＵＶＴが、搭載部ＰＦＣに粘着された複数の半導体チップＣＨＰから分離される。上述のように、紫外線が照射された後の紫外線硬化型テープＵＶＴの粘着力は、未加熱である第１粘着部ＤＡＭ１の第１面ＳＦ１よりも弱いため、紫外線硬化型テープＵＶＴは搭載部ＰＦＣに粘着された複数の半導体チップＣＨＰから容易に引きはがされる。このようにして、検査対象とされる複数の半導体チップＣＨＰがダイシング冶具ＤＪから上記検査冶具ＩＳＪに同時に一括して移される。
【００３４】
次に、図５に示されるように、検査冶具ＩＳＪに搭載された複数の半導体チップＣＨＰが検査される（工程（Ｓ３０））。本工程（Ｓ３０）は、例えば複数の半導体チップＣＨＰを１５０℃以上の環境下で検査する工程（Ｓ３１）と、複数の半導体チップＣＨＰを１５０℃未満の環境下で検査する工程（Ｓ３２）とを含む。上記工程（Ｓ３１）および上記工程（Ｓ３２）において、検査冶具ＩＳＪに搭載された半導体チップＣＨＰは、ダイシング冶具に搭載された半導体チップを検査する従来のプローブ装置を用いて、検査される。上記工程（Ｓ３１）および上記工程（Ｓ３２）において実施される検査は、例えば半導体チップＣＨＰの良否判定のための抜き取り検査もしくは全数検査、または不良とされた半導体チップＣＨＰの不良解析のための検査である。上記工程（Ｓ３１）では、例えば半導体チップＣＨＰは２００℃以上の環境下に複数時間置かれる。上記工程（Ｓ３１）は、例えば信頼性試験として実施される。上記工程（Ｓ３１）および上記工程（Ｓ３２）の順番は、特に制限されない。
【００３５】
なお、上記工程（Ｓ２０）では、上記方法とは異なる方法によって、ダイシング冶具ＤＪから検査冶具ＩＳＪに半導体チップＣＨＰを移してもよい。例えば、上記工程（Ｓ２０）では、移載機（チップソーター）が用いられてもよい。移載機が用いられる場合には、ダイシング冶具ＤＪに搭載された複数の半導体チップＣＨＰから、一部の半導体チップＣＨＰのみを抜き取って検査冶具ＩＳＪに移すことができる。この場合、抜き取られた半導体チップＣＨＰのダイシング冶具ＤＪ上での位置、および検査冶具ＩＳＪ上での位置を記録することにより、トレーサビリティを確保することができる。
【００３６】
＜半導体装置の製造方法＞
実施の形態１に係る半導体装置の製造方法は、検査冶具ＩＳＪに搭載されて上記検査方法により検査された半導体チップＣＨＰを用いて、半導体装置を製造する方法である。
【００３７】
図１２に示されるように、実施の形態１に係る半導体装置の製造方法では、まず、複数の半導体素子が配列された半導体基板が準備される（工程（Ｓ４０））。複数の半導体素子は、半導体基板に対して成膜工程および加工工程等が施されることにより形成される。各半導体素子は、任意の構造を有していればよい。
【００３８】
次に、半導体基板上に配列された複数の半導体素子が検査される（工程（Ｓ５０））。本工程（Ｓ５０）では、いわゆるオンウエハ検査が実施される。
【００３９】
次に、上記半導体チップの検査方法が実施される。すなわち、検査冶具ＩＳＪを用いて、上記工程（Ｓ１０）〜上記工程（Ｓ３０）が実施される。
【００４０】
次に、上記工程（Ｓ３０）で得られた検査結果に基づいて、各半導体チップＣＨＰが良品または不良品であるかが、判定される（工程（Ｓ６０））。上記検査結果に基づいて各半導体チップＣＨＰを良品または不良品と判定する基準は、予め定められている。
【００４１】
次に、上記工程（Ｓ６０）にて良品と判定された半導体チップＣＨＰが組み立てられて、半導体装置が製造される（工程（Ｓ７０））。本工程（Ｓ７０）では、まず検査冶具ＩＳＪから半導体チップＣＨＰが分離される。検査冶具ＩＳＪから半導体チップＣＨＰを分離する方法は任意の方法であればよいが、例えば以下のような方法が挙げられる。
【００４２】
はじめに、検査冶具ＩＳＪの第１メタルプレートＭＰ１から搭載部ＰＦＣが分離される。上述のように、第２面ＳＦ２の粘着力は第４面ＳＦ４の粘着力よりも小さいため、搭載部ＰＦＣは第１メタルプレートＭＰ１から比較的容易に引きはがされる。次に、図１３に示されるように、搭載部ＰＦＣが折り曲げられる。これにより、半導体チップＣＨＰと第１粘着部ＤＡＭ１との間に隙間が形成されるため、半導体チップＣＨＰは搭載部ＰＦＣから比較的容易に引きはがされる。
【００４３】
検査冶具ＩＳＪから取り外された半導体チップＣＨＰは、半導体装置に組み立てられる。半導体装置は、例えばチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）品である。
【００４４】
なお、上記工程（Ｓ７０）において半導体チップＣＨＰが取り除かれた検査冶具ＩＳＪは、再利用され得る。例えば、検査冶具ＩＳＪの全体が再利用され得る。また、メタルフレームＭＦ、第１メタルプレートＭＰ１、および第２メタルプレートＭＰ２が再利用され、第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２が貼り直されてもよい。
【００４５】
＜作用効果＞
検査冶具ＩＳＪは、メタルフレームＭＦ、第１メタルプレートＭＰ１、および搭載部ＰＦＣを備える。メタルフレームＭＦは、平面視において環状である。第１メタルプレートＭＰ１は、メタルフレームＭＦに固定されており、かつ平面視においてメタルフレームＭＦの内側に配置されている内側部分を有する。搭載部ＰＦＣは、平面視において内側部分の一部と重畳するように配置され、かつ半導体チップＣＨＰが搭載される第１面ＳＦ１と、第１メタルプレートＭＰ１と粘着している第２面ＳＦ２とを有する。
【００４６】
検査冶具ＩＳＪのメタルフレームＭＦはダイシング冶具ＤＪのダイシングフレームＤＦ２と同様の構成を備えることができるため、検査冶具ＩＳＪに搭載された半導体チップＣＨＰはダイシング冶具ＤＪに搭載された半導体チップＣＨＰを検査対象とするプローブ装置によって検査され得る。
【００４７】
また、第１メタルプレートＭＰ１を構成する材料が金属材料を含むため、検査冶具ＩＳＪが室温に置かれているときの第１メタルプレートＭＰ１の寸法値に対する検査冶具ＩＳＪが２００℃に加熱された後の第１メタルプレートＭＰ１の寸法値の変化率（変形率）は、ダイシングテープＤＴのそれよりも小さい。
【００４８】
さらに、搭載部ＰＦＣが平面視において第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分の一部と重畳するように配置されているため、平面視における搭載部ＰＦＣの占有面積はダイシング冶具ＤＪにおけるダイシングテープＤＴのそれと比べて小さい。そのため、搭載部ＰＦＣの上記変形率は、ダイシングテープＤＴのそれよりも小さい。さらに、搭載部ＰＦＣが平面視において第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分の一部と重畳するように配置されているため、例えば搭載部ＰＦＣが第１メタルプレートＭＰ１の上方に配置された状態では、第１メタルプレートＭＰ１が搭載部ＰＦＣの変形を抑制される。
【００４９】
このように、検査冶具ＩＳＪはダイシング冶具ＤＪと比べて高い耐熱性を有している。そのため、ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても、検査冶具ＩＳＪは半導体チップＣＨＰを検査可能な状態に保持することができる。そのため、検査冶具ＩＳＪが用いられる上記半導体チップの検査方法は、上記工程（Ｓ３０）において高温環境下で半導体チップを検査することができるため、当該検査が出荷判定のために実施される場合、または当該検査が不良原因を解析するために実施される場合に、好適である。検査冶具ＩＳＪおよび上記検査方法は、例えば高温環境下での信頼性が求められる車載半導体装置用の半導体チップＣＨＰの検査に好適である。
【００５０】
検査冶具ＩＳＪにおいて、搭載部ＰＦＣは、第２メタルプレートＭＰ２と、第２メタルプレートＭＰ２に接続されておりかつ第２メタルプレートＭＰ２を挟むように配置された第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２とを含む。第１粘着部ＤＡＭ１は第１面ＳＦ１を有し、第２粘着部ＤＡＭ２は第２面ＳＦ２を有している。
【００５１】
第１メタルプレートＭＰ１に粘着され、かつ第２メタルプレートＭＰ２を含む搭載部ＰＦＣの上記変形率は、ダイシングテープＤＴのそれよりも極めて小さくなる。そのため、上記検査冶具ＩＳＪはダイシング冶具ＤＪと比べて極めて高い耐熱性を有している。
【００５２】
検査冶具ＩＳＪにおいて、第１粘着部ＤＡＭ１は、第１面ＳＦ１と反対側に位置し第２メタルプレートＭＰ２と粘着している第３面ＳＦ３をさらに有している。第２粘着部ＤＡＭ２は、第２面ＳＦ２と反対側に位置し第２メタルプレートＭＰ２と粘着している第４面ＳＦ４をさらに有している。第１面ＳＦ１の粘着力は第３面ＳＦ３の粘着力よりも小さく、第２面ＳＦ２の粘着力は第４面ＳＦ４の粘着力よりも小さい。
【００５３】
このようにすれば、第１粘着部ＤＡＭ１、第２メタルプレートＭＰ２および第２粘着部ＤＡＭ２が粘着しており搭載部ＰＦＣが一体とされている状態を維持しながら、第１メタルプレートＭＰ１から搭載部ＰＦＣを取り外すことができ、さらに搭載部ＰＦＣから半導体チップＣＨＰを取り外すことができる。そのため、作業者は、検査冶具ＩＳＪから半導体チップＣＨＰを比較的容易に取り外すことができる。
【００５４】
検査冶具ＩＳＪでは、第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２を構成する材料はシリコン系粘着剤を含む。このような第１粘着部ＤＡＭ１および第２粘着部ＤＡＭ２の上記第１粘着力に対する上記第２粘着力の比率は、ダイシングテープのそれと比べて十分に大きい。そのため、検査冶具ＩＳＪは、ダイシング冶具ＤＪと比べて変形および粘着力の低下が抑制されており、ダイシング冶具が半導体チップを検査可能な状態に保持することができない高温環境下においても、半導体チップＣＨＰをより確実に保持することができる。
【００５５】
また、検査冶具ＩＳＪの搭載部ＰＦＣの幅Ｗ１は、例えば検査冶具ＩＳＪに搭載される半導体チップＣＨＰに個片化される前の上記半導体基板の外径と同等である。この場合、搭載部ＰＦＣの外周端がプローブ装置によっていわゆるエッジ検出され得る。そのため、検査冶具ＩＳＪに搭載された半導体チップＣＨＰは、上記オンウエハ検査において実行されるシーケンスと同等のシーケンスによってプローブ装置によって検査され得る。この場合、検査冶具ＩＳＪに搭載された複数の半導体チップＣＨＰのアライメントがプローブ装置によって調整された後に検査が実行されるため、検査不良の発生が抑制されている。
【００５６】
また、上記検査方法の上記工程（Ｓ２０）では、紫外線硬化型テープＵＶＴが複数の半導体チップＣＨＰを一括してダイシング冶具ＤＪから検査冶具ＩＳＪに移すための粘着部材に利用されているが、これに限られるものではなく、その他の任意の方法により粘着力が低下する部材が当該粘着部材に用いられてもよい。例えば、加熱により粘着力が低下する熱硬化型テープが用いられてもよい。
【００５７】
（実施の形態２）
図１４〜図１９に示されるように、実施の形態２に係る検査冶具ＩＳＪ２は、実施の形態１に係る検査冶具ＩＳＪと基本的に同様の構成を備えるが、メタルフレームＭＦに対して搭載部ＰＦＣを位置決めする位置決め部材ＰＯＪをさらに備える点で異なる。位置決め部材ＰＯＪは、スペーサ部ＳＰおよび複数（例えば２つ）の腕部ＡＭ１，ＡＭ２を含む。
【００５８】
スペーサ部ＳＰは、平面視においてメタルフレームＭＦと搭載部ＰＦＣとの間に配置されている。つまり、スペーサ部ＳＰは、第１メタルプレートＭＰ１の上記内側部分において搭載部ＰＦＣと重ならない領域上に配置されている。スペーサ部ＳＰは、例えば平面視において搭載部ＰＦＣを囲むように環状に設けられている。スペーサ部ＳＰの外径は、メタルフレームＭＦの内径未満である。スペーサ部ＳＰの内径は、搭載部ＰＦＣの幅Ｗ１（図１７参照）よりも大きい。
【００５９】
複数の腕部ＡＭ１，ＡＭ２は、スペーサ部ＳＰに固定されている。複数の腕部ＡＭ１，ＡＭ２は、メタルフレームＭＦに嵌め合されている。
【００６０】
搭載部ＰＦＣの第２メタルプレートＭＰ２は、少なくとも、平面視において第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＡＭ２よりも外側に突出している第１凸部ＰＲＴ１を有している。好ましくは、第２メタルプレートＭＰ２は、第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２を有している。第２凸部ＰＲＴ２は、平面視における搭載部ＰＦＣの周方向において第１凸部ＰＲＴ１と間隔を隔てて配置されている。第１凸部ＰＲＴ１の寸法は、例えば第２凸部ＰＲＴ２の寸法と同等である。
【００６１】
図１７に示されるように、搭載部ＰＦＣの第１粘着部ＤＡＭ１の幅Ｗ１は、第２メタルプレートＭＰ２において第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２が設けられていない部分の幅に等しい。第２粘着部ＤＡＭ２の幅Ｗ２は、搭載部ＰＦＣの第１粘着部ＤＡＭ１の幅Ｗ１未満である。上記幅Ｗ１が３００ｍｍの場合、上記幅Ｗ１と上記幅Ｗ２との差分の半分の値Ｗ３は、例えば２ｍｍである。第１粘着部ＤＡＭ１に対する第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２の各突出量、すなわち上記中心Ｏに対する径方向における第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２の各幅は、上記幅Ｗ３超えである。
【００６２】
スペーサ部ＳＰには、平面視において第１凸部ＰＲＴ１を収容する第１凹部ＣＣＶ１、および平面視において第２凸部ＰＲＴ２を収容する第２凹部ＣＣＶ２が設けられている。第１凹部ＣＣＶ１の寸法は、例えば第２凹部ＣＣＶ２の寸法と同等である。第１凹部ＣＣＶ１および第２凹部ＣＣＶ２の内周端の曲率は、スペーサ部ＳＰにおいて第１凹部ＣＣＶ１および第２凹部ＣＣＶ２が設けられていない部分の内周端の曲率よりも大きい。図１６および図１８に示されるように、第１凹部ＣＣＶ１および第２凹部ＣＣＶ２は、例えば平面視におけるスペーサ部ＳＰの中心Ｏを通り、かつ腕部ＡＭ１と腕部ＡＭ２との間の中点を通る仮想線に対して線対称の位置に設けられている。この場合、第１凸部ＰＲＴ１が第１凹部ＣＣＶ１に収容されかつ第２凸部ＰＲＴ２が第２凹部ＣＣＶ２に収容されている状態では、第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２は、例えば平面視におけるスペーサ部ＳＰの中心Ｏを通り、かつ腕部ＡＭ１と腕部ＡＭ２との間の中点を通る仮想線に対して線対称の位置に設けられている。
【００６３】
好ましくは、搭載部ＰＦＣの第２メタルプレートＭＰ２は、例えば平面視において第１粘着部ＤＡＭ１または第２粘着部ＤＡＭ２よりも外側に突出している第３凸部ＰＲＴ３をさらに有している。第３凸部ＰＲＴ３、上記周方向において第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２の各々と間隔を隔てて配置されている。第３凸部ＰＲＴ３の寸法は、例えば第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２の寸法と同等もしくは大きい。図１６および図１８に示されるように、第３凸部ＰＲＴ３は、例えば上記中心Ｏを挟んで第２凸部ＰＲＴ２と対向する位置に設けられている。
【００６４】
スペーサ部ＳＰには、平面視において第３凸部ＰＲＴ３を収容する第３凹部ＣＣＶ３が設けられている。第３凹部ＣＣＶ３の寸法は、例えば第１凹部ＣＣＶ１および第２凹部ＣＣＶ２の寸法と同等もしくは大きい。図１６および図１８に示されるように、第３凹部ＣＣＶ３は、例えば上記中心Ｏを挟んで第２凹部ＣＣＶ２と対向する位置に設けられている。
【００６５】
図１４に示されるように、搭載部ＰＦＣが位置決め部材ＰＯＪによってメタルフレームＭＦに対して予め定められた位置に配置された基準状態において、搭載部ＰＦＣと位置決め部材ＰＯＪとの間には、搭載部ＰＦＣの全周に渡って隙間が形成されている。すなわち、上記基準状態において、第１凸部ＰＲＴ１と第１凹部ＣＣＶ１との間、第２凸部ＰＲＴ２と第２凹部ＣＣＶ２との間、および第３凸部ＰＲＴ３と第３凹部ＣＣＶ３との間には、隙間が形成されている。第１粘着部ＤＡＭ１に対する第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２の各突出量、すなわち上記中心Ｏに対する径方向における第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２の各幅は、スペーサ部ＳＰの内径と搭載部ＰＦＣの幅Ｗ１との差分の半分の値超えである。
【００６６】
好ましくは、第１凸部ＰＲＴ１、第２凸部ＰＲＴ２、および第３凸部ＰＲＴ３は、中心Ｏを通り、かつ腕部ＡＭ１と腕部ＡＭ２との間の中点を通る上記仮想線上、ならびに上記仮想線に対して中心Ｏにおいて成す角度が４５度、９０度および１３５度である各仮想線上には、設けられていない。
【００６７】
図１９に示されるように、複数の腕部ＡＭ１，ＡＭ２の各々は、側面視においてスペーサ部ＳＰよりも下方に突出している第４凸部ＰＲＴ４を有している。メタルフレームＭＦには、側面視において第４凸部ＰＲＴ４を収容する第４凹部ＣＣＶ４が設けられている。各第４凸部ＰＲＴ４は各第４凹部ＣＣＶ４に嵌め合されている。これにより、位置決め部材ＰＯＪは、上記周方向および上記周方向に対する径方向において、メタルフレームＭＦに対して位置決めされる。
【００６８】
なお、位置決め部材ＰＯＪは、少なくとも搭載部ＰＦＣが第１メタルプレートＭＰ１に粘着されるときに、メタルフレームＭＦと嵌め合されていればよい。位置決め部材ＰＯＪは、例えば上記検査する工程（Ｓ３０）においてはメタルフレームＭＦから取り外されていてもよい。
【００６９】
好ましくは、検査冶具ＩＳＪ２に搭載される複数の半導体チップＣＨＰは、まず移載機によってダイシング冶具ＤＪから搭載部ＰＦＣに予め定められた配列を成すように移された後に、搭載部ＰＦＣが第１メタルプレートＭＰ１に粘着される。好ましくは、図２０に示されるように、移載機において搭載部ＰＦＣが保持されるステージＳＴには、位置決め部材ＰＯＪと同等の構造を備える第２位置決め部材ＰＯＪ２が固定されている。なお、移載機のステージＳＴは、位置決め部材ＰＯＪが着脱するように設けられていてもよい。位置決め部材ＰＯＪは、メタルフレームＭＦに嵌め合された状態と、移載機のステージＳＴに嵌め合された状態とを切替るように設けられていてもよい。
【００７０】
＜作用効果＞
検査冶具ＩＳＪ２は、検査冶具ＩＳＪと基本的に同様の構成を備えているため、検査冶具ＩＳＪと同様の効果を奏することができる。
【００７１】
さらに、検査冶具ＩＳＪ２は、位置決め部材ＰＯＪをさらに備えているため、搭載部ＰＦＣを第１メタルプレートＭＰ１に粘着させるときに、搭載部ＰＦＣをメタルフレームＭＦに対して位置決めすることができる。そのため、例えば検査冶具ＩＳＪ２に搭載される半導体チップＣＨＰを交換しながら上記半導体チップの検査方法が繰り返し実施される場合、検査ロット間での検査冶具ＩＳＪ２における搭載部ＰＦＣの位置のばらつきが抑制されている。そのため、検査冶具ＩＳＪ２を用いることにより、例えば複数の検査ロットを同一のシーケンスにより実行することができる。
【００７２】
位置決め部材ＰＯＪは、腕部ＡＭ１，ＡＭ２がメタルフレームＭＦに嵌め合されることにより、メタルフレームＭＦおよび第１メタルプレートＭＰ１に対して容易に位置決めされる。さらに、スペーサ部ＳＰの第１凹部ＣＣＶ１および第２凹部ＣＣＶ２が平面視において外側に凹んでおり、かつ第２メタルプレートＭＰ２の第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２が平面視において外側に突出している。そのため、搭載部ＰＦＣを第１メタルプレートＭＰ１に粘着させるときに、第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２は第１凹部ＣＣＶ１および第２凹部ＣＣＶ２に容易に収容される。そのため、検査冶具ＩＳＪ２では、位置決め部材ＰＯＪによって、搭載部ＰＦＣがメタルフレームＭＦに対して容易に位置決めされる。また、第１凸部ＰＲＴ１および第２凸部ＰＲＴ２が設けられている位置決め部材ＰＯＪによれば、第１凸部ＰＲＴ１のみが設けられている位置決め部材ＰＯＪと比べて、上記位置決めが容易に行われ、かつ上記位置決めの精度が高められている。
【００７３】
さらに、検査冶具ＩＳＪ２では、第３凸部ＰＲＴ３が上記中心Ｏを挟んで第２凸部ＰＲＴ２と対向する位置に設けられているため、作業者は、搭載部ＰＦＣを第１メタルプレートＭＰ１から取り外すときに、第１凸部ＰＲＴ１、第２凸部ＰＲＴ２、および第３凸部ＰＲＴ３の少なくともいずれかをつまんで搭載部ＰＦＣを第１メタルプレートＭＰ１から容易に引きはがすことができる。
【００７４】
第１凸部ＰＲＴ１、第２凸部ＰＲＴ２、および第３凸部ＰＲＴ３は、中心Ｏを通り、かつ腕部ＡＭ１と腕部ＡＭ２との間の中点を通る上記仮想線上、ならびに上記仮想線に対して中心Ｏにおいて成す角度が４５度、９０度および１３５度である各仮想線上には、設けられていない。一般的なプローブ装置は、ダイシング冶具に搭載された半導体基板において上記各仮想線と重なる外周端部に対してエッジ検出を行う。そのため、ダイシング冶具に搭載された半導体基板と同等のシーケンスによって上記検査する工程（Ｓ３０）が実行される場合、第１凸部ＰＲＴ１、第２凸部ＰＲＴ２、および第３凸部ＰＲＴ３が上記各仮想線上に設けられている場合、エッジが検出されず、検査が正常に実行されないことが懸念される。第１凸部ＰＲＴ１、第２凸部ＰＲＴ２、および第３凸部ＰＲＴ３が上記各仮想線上に設けられていなければ、上記懸念を解消できる。
【００７５】
（実施の形態３）
図２１に示されるように、実施の形態３に係る検査冶具ＩＳＪ３は、実施の形態１に係る検査冶具ＩＳＪ１と基本的に同様の構成を備えるが、搭載部ＰＦＣが第３粘着部ＤＡＭ３を含み、第３粘着部ＤＡＭ３が第１面ＳＦ１および第２面ＳＦ２を有している点で異なる。第３粘着部ＤＡＭ３を構成する材料は、シリコン系粘着剤を含む。第３粘着部ＤＡＭ３は、例えばＴａｃｏｎｉｃ社製ＴａｃｓｉｌＦ２０である。
【００７６】
好ましくは、検査冶具ＩＳＪ３の第１面ＳＦ１の粘着力は、検査冶具ＩＳＪの第１面ＳＦ１の粘着力よりも小さい。
【００７７】
検査冶具ＩＳＪ３は、検査冶具ＩＳＪと基本的に同様の構成を備えるため、検査冶具ＩＳＪと同様の効果を奏することができる。
【００７８】
実施の形態１〜３に係る検査冶具ＩＳＪ，ＩＳＪ２，ＩＳＪ３は、半導体チップＣＨＰ以外にも、図２２に示されるような複数片に割れた半導体基板ＳＵＢ、または図２３に示されるような複数片に割れた半導体基板のうちの一部の小片ＳＰＳを搭載することができる。このようにすれば、検査冶具ＩＳＪ，ＩＳＪ２，ＩＳＪ３が搭載している半導体基板ＳＵＢまたは小片ＳＰＳ上に形成されている複数の半導体素子は、プローブ装置を用いて上記高温環境下にて検査され得る。
【００７９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００８０】
ＩＳＪ，ＩＳＪ１，ＩＳＪ２，ＩＳＪ３  検査冶具、ＭＦ  メタルフレーム、ＭＰ１  第１メタルプレート、ＰＦＣ  搭載部、ＭＰ２  第２メタルプレート、ＤＡＭ１  第１粘着部、ＤＡＭ２  第２粘着部、ＤＡＭ３  第３粘着部、ＳＦ１  第１面、ＳＦ２  第２面、ＳＦ３  第３面、ＳＦ４  第４面、ＰＯＪ  位置決め部材、ＳＰ  スペーサ部、ＡＭ１  腕部、ＣＣＶ１  第１凹部、ＣＣＶ２  第２凹部、ＣＣＶ３  第３凹部、ＣＣＶ４  第４凹部、ＰＲＴ１  第１凸部、ＰＲＴ２  第２凸部、ＰＲＴ３  第３凸部、ＰＲＴ４  第４凸部、ＳＰ２  第２スペーサ部、ＣＨＰ  半導体チップ、ＳＦ５  第５面、ＳＦ６  第６面、ＤＦ２  ダイシングフレーム、ＤＪ  ダイシング冶具、ＤＴ  ダイシングテープ、ＵＶＳ  光源、ＵＶＴ  紫外線硬化型テープ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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