(57)【要約】【課題】半導体素子やワークの厚みにばらつきのある場合や、表面に凹凸がある場合であっても、接合材のはみ出しがなく、且つ、密着性が確保できる、半導体素子接合装置、及び半導体素子接合方法を提供する。【解決手段】接合材を介して上下に対向する位置にワークと半導体素子とを配置する配置手段と、前記ワーク又は前記半導体素子を上下方向に移動する移動手段と、前記ワーク又は前記半導体素子の上下方向の変位を計測する変位計測手段と、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触荷重を計測する荷重計測手段と、前記変位計測手段と、前記荷重計測手段の計測結果から弾性率を算出する弾性率算出手段とを備える、半導体素子接合装置。【選択図】図１
2020119983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合材を介して上下に対向する位置にワークと半導体素子とを配置する配置手段と、
前記ワーク又は前記半導体素子を上下方向に移動する移動手段と、
前記ワーク又は前記半導体素子の上下方向の変位を計測する変位計測手段と、
前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触荷重を計測する荷重計測手段と、
前記変位計測手段と、前記荷重計測手段の計測結果から弾性率を算出する弾性率算出手段とを備える、
半導体素子接合装置。
【請求項２】
前記弾性率が所定値のときに、前記移動手段の移動を停止する制御手段を更に備える、
請求項１に記載の半導体素子接合装置。
【請求項３】
前記ワーク又は前記半導体素子に前記接合材を塗布する塗布手段を更に備える、
請求項１又は２に記載の半導体素子接合装置。
【請求項４】
前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の電気抵抗を計測する電気抵抗計測手段を更に備える、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体素子接合装置。
【請求項５】
接合材が塗布されたワーク又は半導体素子を準備する工程と、
前記接合材を介して上下に対向する位置に、ワークと、半導体素子とを配置する工程と、
前記ワークと前記半導体素子とを近づけながら、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触を検知する工程と、
接触を検知したときの変位（ｚ０）を記録する工程と、
前記ワークと前記半導体素子とを近づけながら、前記ワーク又は前記半導体素子の上下方向の変位（ｚｎ）と、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触荷重（ｆｎ）を所定の間隔で計測する工程と、
接触荷重の変化Δｆ（＝ｆｎ−ｆ（ｎ−１））と、変位差Δｚ（＝ｚｎ−ｚ（ｎ−１））から弾性率Δｆ／Δｚを算出する工程と、
前記弾性率が所定の範囲内にあるときに、前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程と、を有する、
半導体素子接合方法。
【請求項６】
前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程において、
つぶし量（ｚｎ−ｚ０）が所定値未満の場合には、前記弾性率が所定の範囲内であっても前記ワーク又は前記半導体素子の移動を続行し、前記つぶし量が所定の範囲内にあるときに前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する、
請求項５に記載の半導体素子接合方法。
【請求項７】
前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程において、
つぶし量（ｚｎ−ｚ０）が所定値を超えても前記弾性率が所定の範囲内に入らない場合、前記つぶし量が所定値を超えたときに、前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する、
請求項５又は６に記載の半導体素子接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子接合装置、及び半導体素子接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属ナノ粒子を含むペースト状の接合材を用いて、基材と半導体素子とを接合する方法が知られている。当該接合方法の典型例として、基材上に接合材を塗布して塗膜とし、当該塗膜上に半導体素子を配置した後、接合材中の金属ナノ粒子を焼結することにより基材と半導体素子を接合する方法が挙げられる。
【０００３】
特許文献１には、絶縁基板上に、カプセル化材料でカプセル化されたナノ粒子を含む粉末材料の層を形成し、当該粉末材料の層に電圧を印加してカプセル化材料を溶解し、ナノ粒子を焼結させる焼結方法が開示されている。特許文献１には、粉末材料の層への電力供給が焼結に起因して所定水準へと増加すると、焼結が停止するように設計することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−４０６６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
金属ナノ粒子のペーストを接合材として用いる場合、ワーク及び半導体素子と前記ペーストとが密着する必要がある。ワーク及び半導体素子の表面や、塗布されたペーストの表面には凹凸があるため、ペーストをつぶすことで密着性を確保する必要がある。
図１３は半導体素子接合方法の関連技術の一例を示す断面図である。図１３は、コレクタ電極９１、接合材である銀ペースト９２、半導体素子９３、銀ペースト９４、銅スペーサ９５がこの順に積層する積層体を製造する例を示している。図１３の例では、各層を積層した後、一定寸法の隙間を有する治具９６を押し付けることにより銀ペースト９２、９４を押しつぶして密着性を確保することができる。
しかしながら実際には、半導体素子９３、銅スペーサ９５には各々厚みのばらつきが存在する。そのため、図１３のように一定寸法でつぶした場合、各層が厚い場合には銀ペーストのはみ出しが生じる問題があった。はみ出しが生じると、意図しない部分に銀ペーストが広がって絶縁性が確保されない場合があった。一方、各層が薄い場合には密着性が確保できず、例えば放熱性能の低下等の原因となる場合があった。
【０００６】
本発明はこのような問題を解決するものであり、半導体素子やワークの厚みにばらつきのある場合や、表面に凹凸がある場合であっても、接合材のはみ出しがなく、且つ、密着性が確保できる、半導体素子接合装置、及び半導体素子接合方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体素子接合装置は、
接合材を介して上下に対向する位置にワークと半導体素子とを配置する配置手段と、
前記ワーク又は前記半導体素子を上下方向に移動する移動手段と、
前記ワーク又は前記半導体素子の上下方向の変位を計測する変位計測手段と、
前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触荷重を計測する荷重計測手段と、
前記変位計測手段と、前記荷重計測手段の計測結果から弾性率を算出する弾性率算出手段とを備える。
【０００８】
上記本発明の一態様に係る半導体素子接合装置は、弾性率を指標として密着性を判断するため、ワークや半導体素子の形状によらず密着性を判断することができる。
【０００９】
上記半導体素子接合装置は、前記弾性率が所定値のときに前記移動手段の移動を停止する制御手段を更に備えていてもよい。
制御手段を備えることにより、接合材をつぶしすぎることなく、ワーク及び半導体素子と接合材とが適切に密着した状態でつぶしの工程を停止できる。
【００１０】
上記半導体素子接合装置は、前記ワーク又は前記半導体素子に接合材を塗布する塗布手段を更に備えていてもよい。
塗布手段を備えることにより、接合材の塗布から接合までの一連の製造工程を行うことができる。
【００１１】
また、上記半導体接合装置は、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の電気抵抗を計測する電気抵抗計測手段を更に備えていてもよい。
電気抵抗計測手段を備えることにより、接合材と半導体素子との接触を確実に検知できる。
【００１２】
本発明の一態様に係る半導体素子接合方法は、
接合材が塗布されたワーク又は半導体素子を準備する工程と、
前記接合材を介して上下に対向する位置に、ワークと、半導体素子とを配置する工程と、
前記ワークと前記半導体素子とを近づけながら、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触を検知する工程と、
接触を検知したときの変位（ｚ０）を記録する工程と、
前記ワークと前記半導体素子とを近づけながら、前記ワーク又は前記半導体素子の上下方向の変位（ｚｎ）と、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触荷重（ｆｎ）を所定の間隔で計測する工程と、
接触荷重の変化Δｆ（＝ｆｎ−ｆ（ｎ−１））と、変位差Δｚ（＝ｚｎ−ｚ（ｎ−１））から弾性率Δｆ／Δｚを算出する工程と、
前記弾性率が所定の範囲内にあるときに、前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程と、を有する。
【００１３】
上記本発明の一態様に係る半導体素子接合方法は、弾性率を指標として密着性を判断するため、ワークや半導体素子の形状によらず密着性を判断することができる。
【００１４】
上記半導体素子接合方法は、
前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程において、
つぶし量（ｚｎ−ｚ０）が所定値未満の場合には、前記弾性率が所定の範囲内であっても前記ワーク又は前記半導体素子の移動を続行し、前記つぶし量が所定の範囲内にあるときに前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する構成としてもよい。
上記構成によれば、弾性率のみならず、接触検知後のつぶし量を指標とするため、より正確に密着性を判断することができる。
【００１５】
上記半導体素子接合方法は、
前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程において、
つぶし量（ｚｎ−ｚ０）が所定値を超えても前記弾性率が所定の範囲内に入らない場合、前記つぶし量が所定値を超えたときに、前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する構成としてもよい。
上記構成によれば、弾性率が何らかの理由で所定値に達しなかった場合であっても、適切に装置を停止できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体素子やワークの厚みにばらつきのある場合や、表面に凹凸がある場合であっても、接合材のはみ出しがなく、且つ、密着性が確保できる、半導体素子接合装置、及び半導体素子接合方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態に係る半導体素子接合装置の概略的な側面図である。
【図２Ａ】第１の実施形態において、接合材とワークとの接触前の状態を示す側面図である。
【図２Ｂ】第１の実施形態において、接合材とワークとが接触した状態を示す側面図である。
【図２Ｃ】第１の実施形態において、接合材を所定つぶし量までつぶした状態を示す側面図である。
【図３】図２Ａ〜図２Ｃにおけるワークと半導体素子との間の電気抵抗の変化を示すグラフである。
【図４】接触検知後の移動に伴う接触荷重と弾性率の変化の一例を示すグラフである。
【図５】第１の実施形態に係る半導体素子接合方法の概要を示すフローチャートである。
【図６】電位計測工程（Ｓ３０）から、変位記録工程（Ｓ４０）までの一例を示すフローチャートである。
【図７】第１の実施形態における、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）までの一例を示すフローチャートである。
【図８】第２の実施形態における、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）までの一例を示すフローチャートである。
【図９】第３の実施形態における、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）までの一例を示すフローチャートである。
【図１０】第１の実施形態に係る半導体素子接合装置の変形例を示す概略的な側面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る半導体素子接合装置の概略的な側面図である。
【図１２】第５の実施形態に係る半導体素子接合装置の概略的な側面図である。
【図１３】半導体素子接合方法の関連技術の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、特許請求の範囲に係る発明を以下の実施形態に限定するものではない。また、実施形態で説明する構成の全てが課題を解決するための手段として必須であるとは限らない。
説明を明確にするため、以下の記載及び図面は、適宜、簡略化されている。また、説明のため図面中の各部材は縮尺が大きく異なることがある。特に半導体素子と接合材の表面凹凸形状は極端に誇張している。
【００１９】
（第１の実施形態）
まず、図１及び図２Ａを参照して、第１の実施形態に係る半導体素子接合装置の構成を説明する。図１は第１の実施形態に係る半導体素子接合装置の概略的な側面図である。また、図２Ａは、第１の実施形態において、接合材とワークとの接触前の状態を示す側面図である。
図１に示す第１の実施形態に係る半導体素子接合装置１００では、可動式のアーム４１に保持されている半導体素子保持部４３と台４５とが配置手段となり、接合材１０を介して対向する位置にワーク３０と半導体素子２０（以下、単に素子ともいう）とが配置される。第１の実施形態において半導体素子保持部４３は、半導体素子２０を真空吸着する機構を備えている。
図１では、移動手段として可動式のアーム４１が用いられ半導体素子２０を上下方向（ｚ軸方向とする）に移動することができる。半導体素子２０の上下方向の変位を計測する変位計測手段は図１において不図示であるが、半導体素子２０を直接観察して変位を計測する手段であってもよく、可動式のアーム４１のｚ軸方向の座標を特定する手段などにより、間接的に計測する手段であってもよい。
図１において荷重計測手段４２は、アーム４１と半導体素子保持部４３との間に配置されている。荷重計測手段４２は、一例としてロードセルとすることができる。不図示の弾性率算出手段は、演算部、入力部、出力部、記憶部、及び制御部を備えていればよく、汎用コンピュータを用いてもよい。弾性率算出手段は、弾性率が所定値のときに前記移動手段移動を停止する制御手段の機能を兼ね備えていてもよい。
【００２０】
接触を検知する手段として、例えば、電気抵抗計測手段５１を用いることができる。当該電気抵抗計測手段５１は図２Ａに示されるように、導線５２、通電プローブ５３等を介して、半導体素子２０及びワーク３０各々と電気的に接続され、接合材１０を介したワーク３０と前記半導体素子２０との間の電気抵抗を計測する。
【００２１】
上記第１の実施形態に係る半導体素子接合装置は、弾性率を指標として密着性を判断するため、ワークや半導体素子の形状によらず密着性を判断することができる。このことについて、上記第１の実施形態に係る半導体素子接合装置を用いた半導体素子接合方法の詳細と共に説明する。
【００２２】
図５を参照して、第１の実施形態に係る半導体素子接合方法を概説する。図５は、第１の実施形態に係る半導体素子接合方法の概要を示すフローチャートである。第１の実施形態に係る半導体素子接合方法は、
半導体素子と、接合材が塗布されたワークとを準備する工程（準備工程：Ｓ１０）、
前記接合材を介して上下に対向する位置に、ワークと、半導体素子とを配置する工程（配置工程：Ｓ２０）、
前記ワークと前記半導体素子とを近づけながら、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触を検知する工程（接触検知工程：Ｓ３０）、
接触を検知したときの変位（ｚ０）を記録する工程（変位記録工程：Ｓ４０）、
前記ワークと前記半導体素子とを近づけながら、前記ワーク又は前記半導体素子の上下方向の変位（ｚｎ）と、前記接合材を介した前記ワークと前記半導体素子との間の接触荷重（ｆｎ）を所定の間隔で計測する工程（変位及び接触荷重計測工程：Ｓ５０）、
接触荷重の変化Δｆ（＝ｆｎ−ｆ（ｎ−１））と、変位差Δｚ（＝ｚｎ−ｚ（ｎ−１））から弾性率Δｆ／Δｚを算出する工程（弾性率算出工程：Ｓ６０）、
前記弾性率が所定の範囲内にあるときに、前記ワーク又は前記半導体素子の移動を停止する工程（移動停止工程：Ｓ７０）、を有する。
【００２３】
第１の実施形態に係る半導体素子接合方法は、まず固定された接合材１０に半導体素子２０を近づけながら電気抵抗の低下を計測することで、接合材１０と半導体素子２０の接触を判定する。次いで、更に半導体素子２０を接合材１０方向に下降させることにより接合材１０の凸部を押しつぶし、接合材１０が平坦化されながら半導体素子２０と密着させる。この平坦化の過程において弾性率が上昇するため、当該弾性率を指標として密着性を判断することができる。弾性率が所定範囲内であれば、密着性が十分であるため、半導体素子２０の下降を停止する。得られた積層体を焼結処理することで、優れた密着性を有する半導体素子の接合体ができる。
以下各工程の詳細について説明する。
【００２４】
準備工程（Ｓ１０）では、半導体素子と、接合材が塗布されたワークを準備する。半導体素子は特に限定されず、製品の用途に応じて適宜選択される。ワークは半導体素子が実装されるものであり、一例として電極や放熱板が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
接合材は、金属ナノ粒子を含む公知の金属ペーストを用いることができる。金属ナノ粒子の金属種は特に限定されないが、一例として銀、銅などが挙げられ、ペースト内での分散性や酸化抑制のため有機保護膜を有してもよい。
【００２５】
ワークに接合材を塗布する塗布方法は特に限定されず、公知の印刷方法やディスペンサ塗布方法の中から、適宜選択することができる。なお、接合材は半導体素子が実装される所定の部分に塗布すればよく、この場合、印刷方法やディスペンサ塗布方法のいずれも好適に用いることができる。また、ワークの全面に接合材を塗布する場合は、ディスペンサ塗布が適している。なお、後述する半導体素子に接合材を塗布する場合も同様である。
【００２６】
接合材の塗布は、第１の実施形態に係る半導体素子接合装置内で行ってもよい。この場合、半導体素子接合装置は、上記印刷方法又はディスペンサ塗布方法に応じた塗布手段（不図示）を備える。
また、接合材が塗布されたワークは別の装置を用いて準備してもよく、また、接合材が塗布された基板などの市販品を用いて準備してもよい。
【００２７】
配置工程（Ｓ２０）では、前記接合材１０を介して上下に対向する位置に、ワーク３０と、半導体素子２０とを配置する。図１の例では、台４５上に接合材１０が塗布されたワーク３０を載置し、接合材１０の上面に半導体素子保持部４３に保持された半導体素子２０が配置されている。
【００２８】
次に、図２Ａ〜図２Ｃ、図３、及び図６を参照して接触検知工程（Ｓ３０）について説明する。第１の実施形態において接触検知工程は、電気抵抗計測手段５１を用いて電気抵抗を計測することにより実施する。図２Ａ〜図２Ｃは、第１の実施形態において、それぞれ、接合材とワークとの接触前の状態（図２Ａ）、接触した状態（図２Ｂ）、及び、接合材を所定つぶし量までつぶした状態（図２Ｃ）を示す側面図である。図３は、図２Ａ〜図２Ｃにおけるワークと半導体素子との間の電気抵抗の変化を示すグラフである。また図６は、接触検知工程（Ｓ３０）から、変位記録工程（Ｓ４０）までの一例を示すフローチャートである。
図６に示されるとおり、接触検知工程（Ｓ３０）は、まず、素子２０を下降して接合材に近づけ（Ｓ３１）、電気抵抗Ｒを測定する（Ｓ３２）。次いで当該電気抵抗Ｒが所定値以下であるかを判断する（Ｓ３３）。図２Ｂのように素子２０と接合材１０とが接触すると電気抵抗Ｒが大幅に低下する（図３参照）。そのため、電気抵抗Ｒが所定値以下の場合には、素子２０が接合材１０に接触したと判断（接触検知）し、この時点の素子２０のｚ軸方向の変位をｚ０として記録する（Ｓ４０）。一方、電気抵抗Ｒが所定値を超過する場合、素子２０と接合材１０は接触していない。この場合、素子２０と接合材１０とが接触するまでＳ３１〜Ｓ３３を繰り返す。なお電気抵抗Ｒの所定値は、接合材１０、半導体素子２０、及びワーク３０の材質等により異なるため、実施する構成と同様の構成で予め試験を行って設定する。
【００２９】
次に、図７を参照して、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）、及び、弾性率算出工程（Ｓ６０）について説明する。また図７は、第１の実施形態における、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）までの一例を示すフローチャートである。
図７に示されるとおり、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）では、まず、素子２０を下降する（Ｓ５１）。このとき接合材１０は徐々に押しつぶされていく。素子２０の変位を仮にｚ’とおき、変位差Δｚ＝ｚ’−ｚ（ｎ−１）が所定値以上であるかを判断する（Ｓ５２）。Δｚが所定値以上であればｚ’をｚｎとして記録する（Ｓ５３）。なおｎは１以上の整数である。次いで荷重計測手段４２によりｚｎにおける接触荷重ｆｎを計測する（Ｓ５４）。得られた計測値から、接触荷重の変化Δｆ（＝ｆｎ−ｆ（ｎ−１））を求め、弾性率Δｆ／Δｚを算出する（Ｓ６０）。なおｆ０は０とする。次いで弾性率Δｆ／Δｚが所定範囲内かどうかを判定する（Ｓ７１）。弾性率が所定範囲内であれば、接合材の凸部が押しつぶされて平坦化し、密着性がよいものと判断できるため、素子の下降を停止（Ｓ７４）する。一方、弾性率Δｆ／Δｚが所定値の範囲外（通常、所定範囲の下限値未満）の場合には、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から弾性率の判定（Ｓ７１）までを繰り返す。
得られた積層体は、本実施形態の半導体接合装置内、又は、別途加熱炉などにより加熱焼結することにより、ワークと半導体素子の接合体が得られる。
【００３０】
ここで図４を参照して弾性率の所定値について説明する。図４は、接触検知後の素子の移動に伴う接触荷重と弾性率の変化の一例を示すグラフである。図４に示されるように接触検知直後の領域においては、まず接合材表面の凸部が押しつぶされる。このとき凸部の接合材は凹部に移動するため接触荷重の増加は緩やかである。接合材の平坦化が進むにつれて接触荷重の増加量が増大するため弾性率が増大する。その後、接合材が平坦化すると接触加重の増加量が一定となるため、弾性率の変化が小さくなる。この領域における弾性率を所定値と設定することにより、はみ出しがなく密着性に優れた状態を判定することができる。
当該所定値は、接合材の粘性、塗布面の面積や凹凸の状態、半導体素子の凹凸などにより異なるため、実施する構成と同様の構成で予め試験を行って設定する。
【００３１】
また、図１０に、第１の実施形態に係る半導体素子接合装置の変形例を示す概略的な側面図を示す。図１０の半導体素子接合装置は、図１の半導体素子接合装置と比較して、荷重計測手段４２の配置が異なっている。このような構成であっても、前記第１の実施形態に係る半導体素子接合方法を実施できる。
【００３２】
上記第１の実施形態に係る半導体接合装置及び半導体素子接合方法によれば、弾性率を指標として密着性を判断するため、半導体素子やワークの厚みにばらつきのある場合や、表面に凹凸がある場合であっても、接合材のはみ出しがなく、且つ、密着性に優れた接合体を得ることができる。
以下、他の実施形態について説明するが、共通する部分については説明を省略する。
【００３３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体素子接合方法は、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）における判断が、上記第１の実施形態と異なり、その他の工程や装置構成は上記第１の実施形態と共通する。図８を参照して説明する。図８は、第２の実施形態における、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）までの一例を示すフローチャートである。図８のＳ５１〜Ｓ６０までは第１の実施形態と共通する。第２の実施形態では、弾性率とともに、つぶし量（Ｚｎ−Ｚ０）を算出する（Ｓ６１）。そして、弾性率が所定値の範囲内であっても、つぶし量が所定値の範囲内（通常、所定範囲の下限値未満）の場合には、素子の下降を継続する。つぶし量が所定値に達しない場合には全面密着が取れていない可能性があるため、弾性率とつぶし量とを組み合わせて判定することにより、より確実に密着性を判定できる。
なお、つぶし量の下限値は、接合材の塗布面や半導体素子の凹凸などにより異なるため、実施する構成と同様の構成で予め試験を行って設定する。
【００３４】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る半導体素子接合方法は、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）における判断が、上記第１及び第２の実施形態と異なり、その他の工程や装置構成は上記第１及び第２の実施形態と共通する。図９を参照して説明する。図９は、第３の実施形態における、変位及び接触荷重計測工程（Ｓ５０）から、半導体素子の移動停止工程（Ｓ７０）までの一例を示すフローチャートである。図９はＳ７３を除き第２の実施形態と共通する。第２の実施形態では、弾性率が所定値の範囲外のとき、素子の下降を継続する前につぶし量の判定をする（Ｓ７３）。当該判定により、何らかの理由により弾性率が所定値に達しない場合にも、接合材を押しつぶし続けることなく素子を停止できる。これにより、装置にかかる負荷を軽減できる。
なお、つぶし量の上限値は、接合材の厚みよりも小さい範囲で適宜設定できる。
【００３５】
（第４の実施形態）
図１１に第４の実施形態に係る半導体素子接合装置の概略的な側面図を示す。第４の実施形態は半導体素子２０上に接合材１０が塗布されている点で、第１の実施形態と異なっている。第４の実施形態では、電気抵抗計測工程（Ｓ３０）における接触検知が、接合材１０とワーク３０との接触を検知するものとなるが、前記第１〜第３の実施形態に係る半導体素子接合方法をそのまま適用できる。
【００３６】
（第５の実施形態）
図１２に第５の実施形態に係る半導体素子接合装置の概略的な側面図を示す。第５の実施形態は半導体素子２０上に接合材１０が塗布されている点、及び、アーム４１が固定され、台４５が上下方向に移動する点が、第１の実施形態と異なっている。第５の実施形態では、前記第１〜第３の実施形態に係る半導体素子接合方法において、「素子の下降」（Ｓ５１）を「ワークの上昇」に、「素子の変位」を「ワークの変位」に置き換えることで、前記第１〜第３の実施形態に係る半導体素子接合方法を適用することができる。
なお不図示であるが、第４及び第５の半導体素子接合装置の変形例として、前記第１の半導体素子接合装置の変形例と同様に、荷重計測手段４２をワーク側に配置してもよい。
【００３７】
（その他の実施形態）
また不図示であるが、接合材が塗布されたワークを上昇させて半導体素子に近づける構成とすることもできる。この場合も、上記第５の実施形態と同様の置き換えをすることで、前記第１〜第３の実施形態に係る半導体素子接合方法を適用できる。
【符号の説明】
【００３８】
１０    接合材
２０    半導体素子
３０    ワーク
４１    アーム
４２    荷重計測手段
４３    半導体素子保持部
４４    支柱
４５    台
５１    電気抵抗計測手段
５２    導線
５３    通電プローブ
９１    コレクタ電極
９２、９４  銀ペースト
９３    半導体素子
９５    銅スペーサ
９６    治具
１００  半導体素子接合装置
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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