(57)【要約】【課題】製造コストを上げることなく、固定枠の有効活用することを目的とする。【解決手段】ミラー反射面を有するミラー部と、前記ミラー部を駆動する駆動部と、前記駆動部を介して前記ミラー部を支持する固定枠と、を有し、前記固定枠には、前記ミラー部又は前記駆動部の製造時に形成された検査用パターンが設けられている光走査装置である。例えば、前記検査用パターンには、外観検査装置が検査領域を認識するための第１認識用パターンが含まれる。【選択図】図１
2020101761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラー反射面を有するミラー部と、
前記ミラー部を駆動する駆動部と、
前記駆動部を介して前記ミラー部を支持する固定枠と、
を有し、
前記固定枠には、前記ミラー部又は前記駆動部の製造時に形成された検査用パターンが設けられている光走査装置。
【請求項２】
前記検査用パターンには、外観検査装置が検査領域を認識するための第１認識用パターンが含まれる請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
前記第１認識用パターンは、前記ミラー反射面を形成するための金属膜により形成されている請求項２に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記検査用パターンには、チップソータが位置を特定するための第２認識用パターンが含まれる請求項１ないし３いずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項５】
前記第２認識用パターンは、前記駆動部に接続される配線を形成するための導電性層により形成されている請求項４に記載の光走査装置。
【請求項６】
前記検査用パターンには、製品の種別を表す第１識別用パターンが含まれる請求項１ないし５いずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項７】
前記第１識別用パターンは、前記駆動部を構成する圧電素子の下部電極を形成するための金属層により形成されている請求項６に記載の光走査装置。
【請求項８】
前記検査用パターンには、ウェハ内におけるアドレスを表す第２識別用パターンが含まれる請求項１ないし７いずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項９】
前記第２識別用パターンは、前記駆動部を構成する圧電素子の下部電極を形成するための金属層により形成されている請求項８に記載の光走査装置。
【請求項１０】
前記検査用パターンには、エッチング装置によるエッチングの精度を管理するため第１管理用パターンが含まれる請求項１ないし９いずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項１１】
前記第１管理用パターンは、エッチングにより形成されたエッチング穴である請求項１０に記載の光走査装置。
【請求項１２】
前記検査用パターンには、ダイシング装置によるダイシングの精度を管理するための第２管理用パターンが含まれる請求項１ないし１１いずれか１項に記載の光走査装置。
【請求項１３】
前記第２管理用パターンは、前記駆動部に基板コンタクトを形成するエッチング工程により形成されたエッチング溝である請求項１２に記載の光走査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光走査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ミラー部を両側からトーションバーにより支持し、トーションバーを軸としてミラー部を揺動させることにより、ミラー部で入射光を偏向して走査する光走査装置が知られている。このような光走査装置は、例えばＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウェハを加工することにより形成される。
【０００３】
光走査装置は、全体としてチップ状であり、外周を囲うように、外部装置と電気的に接続するための端子等が設けられた固定枠が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１７０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、光走査装置の固定枠には端子や、端子と接続するための配線が設けられるが、その他の部分は単に固定部としてのみ機能し、十分に活用されていない。
【０００６】
開示の技術は、製造コストを上げることなく、固定枠を有効活用することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
開示の技術は、ミラー反射面を有するミラー部と、前記ミラー部を駆動する駆動部と、前記駆動部を介して前記ミラー部を支持する固定枠と、を有し、前記固定枠には、前記ミラー部又は前記駆動部の製造時に形成された検査用パターンが設けられている光走査装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、製造コストを上げることなく、固定枠を有効活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態の光走査装置の上面側の斜視図である。
【図２】ウェハに形成された複数の光走査装置を例示する図である。
【図３】ミラー部、圧電センサ、及び基板コンタクト部の断面図である。
【図４】固定枠の第１認識用パターンの形成領域と、ミラー部の形成領域との断面構造を示す図である。
【図５】固定枠の第２識別用パターンの形成領域と、基板コンタクト部の形成領域との断面構造を示す図である。
【図６】固定枠の第１識別用パターンの形成領域と、圧電センサの形成領域との断面構造を示す図である。
【図７】固定枠の第１管理用パターンの形成領域と、コンタクトホールの形成領域との断面構造を示す図である。
【図８】固定枠の第２管理用パターンの形成領域と、基板コンタクト部の形成領域との断面構造を示す図である。
【図９】位置決め用パターンを例示する図である。
【図１０】電気的特性評価用パターンを例示する図である。
【図１１】断面評価用パターンを例示する図である。
【図１２】位置決め用パターンを固定枠に形成した例を示す図である。
【図１３】ウェハ内のダミーチップの配置例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下に、図面を参照して第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態の光走査装置の上面側の斜視図である。
【００１１】
図１において、第１実施形態に係る光走査装置１は、ミラー部４０と、トーションバー５０と、連結部６０と、水平駆動部７０と、可動枠８０と、垂直駆動部１１０と、固定枠１２０と、端子１３０と、配線１４０とを有するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）である。
【００１２】
ミラー部４０は、ミラー反射面１０と、応力緩和領域２０とを有する。水平駆動部７０は、水平駆動梁７１と、駆動源７２とを有する。垂直駆動部１１０は、垂直駆動梁９０と、駆動源９１と、連結部１００とを有する。
【００１３】
ミラー部４０は、垂直方向に延在する２本のトーションバー５０により、垂直方向の両外側から挟持されている。ミラー部４０は、中心にミラー反射面１０を有し、ミラー反射面１０とトーションバー５０との間に応力緩和領域２０を有する。各応力緩和領域２０には、２つのスリット３０が形成されている。また、トーションバー５０は、基端部５０ａが連結部６０を介して水平駆動梁７１の内側の角に連結されている。水平駆動梁７１は、表面に駆動源７２を備え、外側の辺が可動枠８０に連結されている。
【００１４】
駆動源７２には、例えば、電圧の印加に応じて伸縮する圧電素子等が用いられる。圧電素子には、例えば、ピエゾ素子が用いられる。
【００１５】
また、トーションバー５０の基端部５０ａには、圧電センサ５１が設けられている。圧電センサ５１は、ミラー部４０が水平方向に遥動している状態におけるミラー反射面１０の水平方向の振角を検出するための振角センサである。圧電センサ５１には、圧電素子等が用いられ、例えばピエゾ素子が用いられる。
【００１６】
可動枠８０は、水平駆動梁７１を介して連結部６０、トーションバー５０、及びミラー部４０を支持するとともに、これらの周囲を囲んでいる。可動枠８０は、垂直駆動梁９０の可動枠８０に連結されている。
【００１７】
垂直駆動梁９０は、可動枠８０の水平方向の両側に、可動枠８０を挟むように配置されている。垂直駆動梁９０は、トーションバー５０と平行に複数設けられている。可動枠８０の各片側には、２つの垂直駆動梁９０が水平方向に隣接するように配置されている。隣接する２つの垂直駆動梁９０は、連結部１００により連結されている。
【００１８】
内側の垂直駆動梁９０は、一端が可動枠８０に連結され、他端が外側の垂直駆動梁９０に連結されている。また、外側の垂直駆動梁９０は、一端が固定枠１２０に連結され、他端が内側の垂直駆動梁９０に連結されている。また、垂直駆動梁９０には、駆動源９１が設けられている。駆動源９１には、駆動源７２と同様に圧電素子等が用いられ、例えばピエゾ素子が用いられる。
【００１９】
また、外側の垂直駆動梁９０の一端には、圧電センサ９２が設けられている。圧電センサ９２は、ミラー部４０が垂直方向に遥動している状態におけるミラー反射面１０の垂直方向の振角を検出するための振角センサである。圧電センサ９２には、圧電センサ５１と同様に圧電素子等が用いられ、例えばピエゾ素子が用いられる。
【００２０】
固定枠１２０は、外側の垂直駆動梁９０を介して垂直駆動部１１０を支持する。すなわち、固定枠１２０は、駆動部（垂直駆動部１１０及び水平駆動部７０）を介してミラー部４０を支持している。垂直駆動部１１０及び可動枠８０を取り囲んでおり、外形が矩形状である。本実施形態では、固定枠１２０の外形は、ほぼ正方形である。
【００２１】
固定枠１２０の表面には複数の端子１３０が設けられている。各端子１３０には配線１４０が接続されている。配線１４０は、駆動源７２、９１、及び圧電センサ５１、９２に接続されている。また、配線１４０には、グランド電位が付与された基板としてのシリコン活性層３０３に配線１４０をコンタクトさせるための基板コンタクト部１４０ａが形成されている。
【００２２】
以下、各部のより詳細な説明を行う。
【００２３】
ミラー部４０は、ほぼ円形のミラー反射面１０を中心に備える。ミラー反射面１０は、銀、銅、アルミニウム等の反射率の高い金属膜により形成されている。
【００２４】
応力緩和領域２０は、トーションバー５０の捻れ応力を緩和させ、ミラー反射面１０に加わる応力を低減させるために、ミラー反射面１０との間に設けられたスペーサ部である。応力緩和領域２０は、トーションバー５０の捻れ運動で発生する応力を分散させ、ミラー反射面１０に加わる応力を緩和することができる。
【００２５】
スリット３０は、応力緩和領域２０に印加された応力を分散させるための穴であり、応力緩和領域２０内に設けられている。
【００２６】
トーションバー５０は、ミラー部４０を両側から支持するとともに、ミラー部４０を水平方向に揺動させるための手段である。ここで、水平方向とは、ミラー反射面１０により反射される光が高速に走査して移動する方向であり、投影面の横方向を意味する。つまり、ミラー反射面１０が横方向に揺動する方向であり、トーションバー５０が軸となる方向である。トーションバー５０は、左右に交互に捻れることにより、ミラー部４０を水平方向に揺動させる。
【００２７】
連結部６０は、水平駆動梁７１で発生した水平方向の駆動力をトーションバー５０に伝達するための伝達手段である。
【００２８】
水平駆動梁７１は、ミラー部４０を水平方向に揺動させ、ミラー反射面１０により反射された光を投影面の水平方向に走査させるための駆動手段である。２つの駆動源７２に異なる位相の電圧を交互に印加することにより、２つの水平駆動梁７１を交互に反対方向に反らせることができる。これにより、トーションバー５０に捻れ力を与え、トーションバー５０に平行な水平回転軸周りにミラー部４０を揺動させることができる。
【００２９】
また、水平駆動梁７１による駆動は、例えば、共振駆動が用いられる。本実施形態の光走査装置１をプロジェクタ等に適用した場合には、例えば３０ｋＨｚの共振駆動によりミラー部４０が駆動される。
【００３０】
また、隣接する垂直駆動梁９０に異なる位相の電圧を印加することにより、可動枠８０を垂直方向に揺動させることができる。なお、ミラー部４０は、可動枠８０に支持されているので、可動枠８０の揺動に伴い、垂直方向に揺動する。
【００３１】
なお、垂直駆動部１１０は、例えば、非共振駆動により可動枠８０を揺動させる。垂直駆動は、水平駆動と比較して高速駆動は要求されず、駆動周波数は、例えば、６０Ｈｚ程度である。
【００３２】
以上の構成の光走査装置１は、例えばＳＯＩウェハを用いて製造される。
【００３３】
図２は、ウェハ２に形成された複数の光走査装置１を例示する図である。光走査装置１は、ウェハプロセス技術を用いて、ウェハ２上にマトリクス状に形成される。光走査装置１は、ウェハ２上に形成され、ウェハ状態での検査が行われた後、ダイシングによりチップ状に個片化される。そして、光走査装置１は、チップ状態においても各種の検査が行われ、回路基板等に実装される。
【００３４】
図１に戻り、固定枠１２０の表面には、端子１３０及び配線１４０以外に、検査用パターンが形成されている。検査用パターンには、第１認識用パターン２１０、第２認識用パターン２２０、第１識別用パターン２３０、第２識別用パターン２４０、第１管理用パターン２５０、第２管理用パターン２６０が含まれる。
【００３５】
これらの検査用パターンは、ミラー部４０、水平駆動部７０、垂直駆動部１１０等を形成する際の製造工程を利用して形成されたものである。
【００３６】
第１認識用パターン２１０は、ウェハ状態又はチップ状態での外観検査において、外観検査装置が各光走査装置１の検査領域を認識するためのマーカである。第１認識用パターン２１０は、固定枠１２０の四隅に配置されている。
【００３７】
外観検査装置は、カメラで撮影した撮影画像から第１認識用パターン２１０に基づいてより検査領域を特定し、特定した検査領域から外観欠陥を検出する。外観欠陥は、ウェハ状態での製造工程や、ダイシング工程で発生する可能性がある。
【００３８】
第２認識用パターン２２０は、ダイシングにより個片化されたチップ状態の光走査装置１の位置をチップソータが認識するためのマーカである。チップソータは、カメラで撮影した撮影画像から第２認識用パターン２２０に基づいて、ダイシング後のウェハ２から各光走査装置１の位置を特定し、特定した光走査装置１を吸着してチップトレイ等に移送する。
【００３９】
第１識別用パターン２３０は、光走査装置１の製品の種別を識別する情報である。本実施形態では、第１識別用パターン２３０は、製品の型番を表す文字情報である。第１識別用パターン２３０により、不具合の発生により顧客等から返却された光走査装置１を解析する際に、製品の種別を容易に把握することができる。
【００４０】
第２識別用パターン２４０は、ウェハ２内における各光走査装置１の位置（アドレス）を表す情報である。本実施形態では、ウェハ２内におけるアドレスを表す文字情報である。第２識別用パターン２４０により、上記外観検査や不良解析を含む各種の検査結果と、ウェハ２内の位置との相関関係の有無を検出することができる。これにより、不具合等の原因がウェハプロセスであるか否かを容易に特定することができ、原因がウェハプロセスの場合には、原因が存在する製造工程を容易に特定することができる。
【００４１】
第１管理用パターン２５０は、光走査装置１の製造時に使用されるエッチング装置によるエッチングの精度を管理するためのパターンである。この光走査装置１の製造後に第１管理用パターン２５０を観察することにより、コンタクトホールや開口を形成するために行われたエッチングの深さ等のエッチング精度を管理することができる。
【００４２】
第２管理用パターン２６０は、光走査装置１の製造時に使用されるダイシング装置によるダイシングの精度を管理するためのパターンである。第２管理用パターン２６０は、光走査装置１の外周に沿って形成されている。ダイシングされた後のチップ状態の光走査装置１において第２管理用パターン２６０を観察し、光走査装置１の外周から第２管理用パターン２６０までの距離を計測することにより、ダイシングの精度を管理することができる。
【００４３】
以下に、各検査用パターンのより詳細な構成について説明する。
【００４４】
まず、光走査装置１の断面構造について説明する。図３は、ミラー部４０、圧電センサ５１、及び基板コンタクト部１４０ａの断面図である。図３に示すように、光走査装置１は、ＳＯＩ基板３００を用いて形成されている。ＳＯＩ基板３００は、シリコン（Ｓｉ）からなる支持基板３０１、ＢＯＸ（Buried Oxide）層３０２、シリコン活性層３０３が、この順に積層されたものである（図４参照）。ＢＯＸ層３０２は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）により形成された酸化絶縁膜である。シリコン活性層３０３は、単結晶シリコンからなる。
【００４５】
ミラー部４０、固定枠１２０及び可動枠８０以外の領域では、弾性を付与するために支持基板３０１がエッチングにより除去されている。固定枠１２０及び可動枠８０においては、支持基板３０１は残存している。
【００４６】
ミラー部４０の形成領域においては、シリコン活性層３０３上に表面酸化膜３０４が形成されている。表面酸化膜３０４は、シリコン活性層２０３に対して熱酸化処理を行うことによりシリコン活性層３０３の表面に形成されたシリコン熱酸化膜（ＳｉＯ２）である。
【００４７】
表面酸化膜２０４上には、層間絶縁膜３０５が形成されている。層間絶縁膜３０５は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等からなる。層間絶縁膜３０５上には、上述のミラー反射面１０を形成するための金属膜３０６が形成されている。金属膜３０６は、例えば銀（Ａｇ）合金からなる。層間絶縁膜３０５は、金属膜３０６との密着性が高い。金属膜３０６は、層間絶縁膜３０５上にスパッタ法等により形成されている。
【００４８】
ミラー反射面１０として機能する金属膜３０６上には、増反射膜３０７が形成されている。増反射膜３０７は、屈折率の異なる誘電体膜が積層された積層誘電体膜である。積層誘電体膜は可視光域中の低波長域（波長５５０ｎｍよりも低波長側の領域）の反射率を上げる増反射膜として機能する。増反射膜３０７は、例えば、アルミナ等からなる低屈折率膜上に、酸化チタン等からなる高屈折率膜が積層された積層誘電体膜である。低屈折率膜と高屈折率膜とは屈折率差が大きいことが好ましい。
【００４９】
圧電センサ５１の形成領域においては、シリコン活性層３０３上に表面酸化膜３０４が形成されている。この表面酸化膜３０４上に下部電極３１１、圧電体３１２、上部電極３１３が順に積層されている。駆動源７２は、下部電極３１１、圧電体３１２、及び上部電極３１３により構成されている。
【００５０】
下部電極３１１と上部電極３１３とは、例えば、白金（Ｐｔ）により形成されている。圧電体３１２は、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）薄膜である。上部電極３１３上には、層間絶縁膜３０５が形成されている。層間絶縁膜３０５上には、増反射膜３０７が形成されている。なお、圧電センサ９２及び駆動源７２，９１は、圧電センサ５１と同様の構成である。
【００５１】
基板コンタクト部１４０ａの形成領域においては、シリコン活性層３０３上に表面酸化膜３０４が形成され、表面酸化膜３０４上に層間絶縁膜３０５が形成されている。層間絶縁膜３０５及び表面酸化膜３０４には、基板としてのシリコン活性層３０３に達するコンタクトホールが形成されており、このコンタクトホールを埋めるように導電性層３２０が形成されている。コンタクトホールに埋入された導電性層３２０により基板コンタクト部１４０ａが形成されている。また、導電性層３２０を、エッチングしてパターニングすることで配線１４０が形成されている。導電性層３２０は、例えば、金（Ａｕ）により形成されている。
【００５２】
図４は、固定枠１２０の第１認識用パターン２１０の形成領域と、ミラー部４０の形成領域との断面構造を示す図である。
【００５３】
図４に示すように、固定枠１２０は、支持基板３０１をベースとして形成されている。シリコン活性層３０３上には、表面酸化膜３０４と層間絶縁膜３０５が積層されている。第１認識用パターン２１０は、ミラー反射面１０を形成するために層間絶縁膜３０５上に形成される金属膜３０６を、ミラー反射面１０の形成時に同時にパターニングすることにより形成されたものである。第１認識用パターン２１０上には増反射膜３０７が形成されている。
【００５４】
光走査装置１は、アルミナやチタン酸化膜といった特殊な膜を用いて形成されるため、チップ全体の色合いが複雑であるが、第１認識用パターン２１０を、光反射率の高い金属膜３０６で形成することにより、認識精度が向上する。
【００５５】
図５は、固定枠１２０の第２認識用パターン２２０の形成領域と、基板コンタクト部１４０ａの形成領域との断面構造を示す図である。
【００５６】
図５に示すように、層間絶縁膜３０５上の導電性層３２０により形成されている。第２認識用パターン２２０は、配線１４０を形成するために層間絶縁膜３０５上に形成される導電性層３２０を、配線１４０の形成時に同時にパターニングすることにより形成されたものである。第２認識用パターン２２０上には増反射膜３０７が形成されている。
【００５７】
このように、第２認識用パターン２２０を、光反射率の高い導電性層３２０で形成することにより、認識精度が向上する。
【００５８】
図６は、固定枠１２０の第１識別用パターン２３０の形成領域と、圧電センサ５１の形成領域との断面構造を示す図である。
【００５９】
図６に示すように、第１識別用パターン２３０は、表面酸化膜３０４上の金属層３２１により形成されている。第１識別用パターン２３０は、圧電センサ５１の下部電極３１１を形成するために表面酸化膜３０４上に形成される金属層３２１を、下部電極３１１の形成時に同時にパターニングすることにより形成されたものである。
【００６０】
なお、圧電センサ９２及び駆動源７２，９１の下部電極についても、第１識別用パターン２３０と同時に金属層３２１をパターニングすることにより形成される。また、第２識別用パターン２４０も金属層３２１で形成されている。第２識別用パターン２４０についても、第１識別用パターン２３０と同時に金属層３２１をパターニングすることにより形成される。
【００６１】
このように、第１識別用パターン２３０及び第２識別用パターン２４０を光反射率の金属層３２１で形成することにより、識別精度が向上する。
【００６２】
図７は、固定枠１２０の第１管理用パターン２５０の形成領域と、コンタクトホール４００の形成領域との断面構造を示す図である。
【００６３】
コンタクトホール４００は、例えば、配線１４０を下部電極３１１に接続するために層間絶縁膜３０５に形成されたエッチング穴である。
【００６４】
第１管理用パターン２５０は、シリコン活性層３０３上に積層された表面酸化膜３０４及び層間絶縁膜３０５に形成されたエッチング穴である。第１管理用パターン２５０は、コンタクトホール４００を形成するためのエッチング工程において、コンタクトホール４００の形成時に同時に形成されたものである。
【００６５】
コンタクトホール４００のエッチング形成時には下部電極３１１がエッチングストッパとして機能するが、第１管理用パターン２５０に対しては、エッチングストッパとして機能する膜は存在しない。このため、第１管理用パターン２５０の深さＤは、コンタクトホール４００の深さとは異なる。
【００６６】
コンタクトホール４００の深さが十分でない場合には、配線１４０と下部電極３１１との間でコンタクト不良が生じる。第１管理用パターン２５０の深さＤを測定し、層間絶縁膜３０５の膜厚との差分を求めることにより、エッチングが層間絶縁膜３０５の膜厚を超える十分な深さまで達していることを確認することができる。
【００６７】
図８は、固定枠１２０の第２管理用パターン２６０の形成領域と、基板コンタクト部１４０ａの形成領域との断面構造を示す図である。
【００６８】
第２管理用パターン２６０は、シリコン活性層３０３上に積層された表面酸化膜３０４及び層間絶縁膜３０５に形成されたエッチング穴である。第２管理用パターン２６０は、基板コンタクト部１４０ａを形成するためのエッチング工程において、基板コンタクト部１４０ａの形成時に同時に形成されたエッチング溝である。
【００６９】
以上のように、本実施形態の光走査装置１は、固定枠１２０に各種の検査用パターンが形成されている。これらの検査用パターンは、光走査装置１の各種素子の形成時に同時に形成されるものであるので、製造コストが増大することはない。
【００７０】
なお、これらの検査用パターンのうち管理用パターンをチップ形成領域間のスクライブラインに設けることも考えられる。しかし、スクライブラインに管理用パターンを設けると、スクライブライン幅が大きくなり、１枚のウェハ２から製造される光走査装置１の個数が減少してしまう。このため、スクライブラインに管理用パターン等を設けることは好ましくない。
【００７１】
このように、本実施形態によれば、製造コストを上げることなく、固定枠を有効活用することができる。
（変形例）
次に、第１実施形態の変形例について説明する。第１実施形態では、検査用パターンとして、第１認識用パターン２１０、第２認識用パターン２２０、第１識別用パターン２３０、第２識別用パターン２４０、第１管理用パターン２５０、第２管理用パターン２６０を固定枠１２０に設けているが、固定枠１２０にその他のパターンを設けてもよい。
【００７２】
例えば、上記以外のパターンとして、フォトマスクの位置決め用パターン（アライメントマーク）、電気的特性評価用パターン（ＴＥＧ：Test Element Group）、断面評価用パターンが挙げられる。
【００７３】
図９は、位置決め用パターンを例示する図である。図９に示す位置決め用パターン２７０は、ウェハプロセス時に形成される各種の層をパターニングすることにより形成される。位置決め用パターン２７０は、フォトマスクをアライメントする際に用いられる。
【００７４】
図１０は、電気的特性評価用パターンを例示する図である。図１０に示す電気的特性評価用パターン２８０は、ウェハプロセス時に形成される各種の層をパターニングすることにより形成される。電気的特性評価用パターン２８０は、プロセスや設計による問題を検出するための各種電気的特性の評価に用いられる。
【００７５】
図１１は、断面評価用パターンを例示する図である。図１１に示す断面評価用パターン２９０は、ウェハプロセス時に形成される各種の層をパターニングすることにより形成される。断面評価用パターン２９０は、断面形状の出来栄えの評価に用いられる。例えば、ダイシングにより個片化された光走査装置１を断面評価用パターン２９０が形成された領域で劈開させることにより生じた断面を観察することにより、各層の形状等が評価される。
【００７６】
図１２は、位置決め用パターン２７０を固定枠１２０に形成した例を示す図である。なお、位置決め用パターン２７０等を形成する位置は、この例には限定されず、いずれの位置に設けてもよい。
【００７７】
また、位置決め用パターン２７０、電気的特性評価用パターン２８０、及び断面評価用パターン２９０は、ウェハ２内において光走査装置１を形成しないダミーチップ内に設けてもよい。
【００７８】
図１３は、ウェハ２内のダミーチップの配置例を示す図である。例えば、位置決め用パターン２７０は、ウェハ２の中心に対して左右対称となる位置に配置されたダミーチップＤ１に設けられる。また、電気的特性評価用パターン２８０は、ウェハ２の中心と、ウェハ２の中心に対して上下左右対称となる位置に配置されたダミーチップＤ２に設けられる。そして、断面評価用パターン２９０は、角部に配置されたダミーチップＤ３に設けられる。
【００７９】
上記実施形態の光走査装置１は、例えば、アイウェアやプロジェクタ等の二次元走査型の光走査装置に適用することができる。
【００８０】
また、上記各実施形態では、光走査装置として、トーションバーを用いた光走査装置を例に挙げて説明しているが、本発明は、トーションバーを用いない光走査装置に対しても適用可能である。また、上記各実施形態では、二次元走査型の光走査装置を例に挙げて説明しているが、二次元走査型に限られず、１方向にミラー部を揺動させる一次元走査型の光走査装置であってもよい。
【００８１】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳説したが、本発明は、上述した実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００８２】
１：光走査装置、２：ウェハ、１０：ミラー反射面、４０：ミラー部、５０：トーションバー、５１：圧電センサ、７０：水平駆動部、７１：水平駆動梁、７２：駆動源、８０；可動枠、９０：垂直駆動梁、９１：駆動源、９２：圧電センサ、１１０：垂直駆動部、１２０：固定枠、１３０：端子、１４０：配線、１４０ａ：基板コンタクト部、２０３：シリコン活性層、２０４：表面酸化膜、２１０：第１認識用パターン、２２０：第２認識用パターン、２３０：第１識別用パターン、２４０：第２識別用パターン、２５０：第１管理用パターン、２６０：第２管理用パターン、２７０：位置決め用パターン、２８０：電気的特性評価用パターン、２９０：断面評価用パターン、３００：ＳＯＩ基板、３０１：支持基板、３０２：ＢＯＸ層、３０３：シリコン活性層、３０４：表面酸化膜、３０５：層間絶縁膜、３０６：金属膜、３０７：増反射膜、３１１：下部電極、３１２：圧電体、３１３：上部電極、３２０：導電性層、３２１：金属層、４００：コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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