(57)【要約】【課題】耐薬品（溶剤）性を有するとともに、高強度の樹脂材料からなる凹凸パターンを有するインプリントモールド及びその製造方法、並びに当該インプリントモールドを用いたインプリント方法を提供する。【解決手段】第１面１０Ａ及び当該第１面１０Ａに対向する第２面１０Ｂを有する基板１０と、第１面１０Ａ上に形成されてなる樹脂製の凹凸パターン１３とを備えるインプリントモールド１を製造する方法は、樹脂材料により構成される凹凸パターン１３を基板１０の第１面１０Ａ上に形成する凹凸パターン形成工程と、凹凸パターン１３にエネルギー線を照射することで、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料のガラス転移温度を上昇させるエネルギー線照射工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、
前記基部の前記第１面上に形成されてなる、ノボラック系樹脂により構成される凹凸パターンと、
前記凹凸パターン上に形成されてなる被覆層と
を備えるインプリントモールドであって、
前記凹凸パターンを構成する前記ノボラック系樹脂のゲル分率が、５０％以上９０％未満であり、
前記被覆層は、前記インプリントモールドを用いたインプリント処理時に照射されるエネルギー線を透過する特性を有することを特徴とするインプリントモールド。
【請求項２】
前記基部の前記第１面上に形成されている反射防止膜をさらに備え、
前記凹凸パターンは、前記反射防止膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド。
【請求項３】
前記被覆層の厚さが、５〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド。
【請求項４】
前記被覆層の厚さが、１０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載のインプリントモールド。
【請求項５】
前記被覆層が、金属元素を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールド。
【請求項６】
前記金属元素が、クロムであることを特徴とする請求項５に記載のインプリントモールド。
【請求項７】
前記被覆層が、前記凹凸パターン上に形成されてなる第１被覆層と、前記第１被覆層上に形成されてなる第２被覆層とを含む積層構造であり、
前記第２被覆層は、前記被覆層の最外層であって、フッ素化合物を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールド及び当該インプリントモールドを製造する方法、並びに当該インプリントモールドを用いたインプリント方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術としてのインプリント技術は、基材の表面に凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該凹凸パターンをインプリント材料等の被加工物に転写することで凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１参照）。
【０００３】
上記インプリントモールドは、一般に、石英基板等の無機物の切削加工（機械加工）、エッチング等により凹凸パターンを形成することで製造される。切削加工（機械加工）においては、ミクロン単位の寸法の凹凸パターンを形成することができるが、エッチングによれば、サブミクロン以下、ナノ単位の寸法の凹凸パターンを形成することができる。また、切削加工（機械加工）やエッチングにおいては、ピラー状、ホール状、ラインアンドスペース状等の単純な形状の凹凸パターンであれば容易に形成することができるものの、レンズ状（曲面状）、階段状等の複雑な形状の凹凸パターンを形成するのは極めて困難である。
【０００４】
一方で、基材上に形成されたフォトレジスト膜に対して露光・現像処理を施すことにより凹凸パターンを形成するフォトリソグラフィ技術を用いれば、複雑な形状の凹凸パターンを容易に形成することができる。例えば、基材上のフォトレジスト膜に対して階調露光を行うことで、レンズ状（曲面状）の凹凸パターンを形成する技術が知られている（特許文献２参照）。
【０００５】
このようにして形成される、レジスト材料からなる凹凸パターンをインプリントモールドの凹凸パターンとして利用すれば、複雑な形状の凹凸パターンを被加工物に転写することができる。従来、ガラス基板上にレジスト材料からなる凹凸パターンを形成することで、レジスト材料からなる凹凸パターンを有するインプリントモールドを製造する方法が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号
【特許文献２】国際公開第２０１４／０５４２５０号
【特許文献３】特開２０１３−１６７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献２及び上記特許文献３に開示されているようにレジスト材料により凹凸パターンを形成することで、複雑な形状の凹凸パターンを有するインプリントモールドであっても容易に製造することができ、当該インプリントモールドを用いることで、複雑な形状の凹凸パターンを被加工物に転写することも可能となる。
【０００８】
インプリントモールドの凹凸パターンを被加工物に転写する際には、被加工物としてのインプリント樹脂にインプリントモールドの凹凸パターンを接触させるが、当該凹凸パターンを構成するレジスト材料の多くは、インプリント樹脂に含まれる溶剤等に対する耐性が低いため、凹凸パターンを構成するレジスト材料がインプリント樹脂に含まれる溶剤等により浸食され、凹凸パターンの形状が崩れてしまうという問題がある。
【０００９】
また、有機レジスト材料により構成される凹凸パターンは、石英基板等の無機物を加工して形成される凹凸パターンに比して低強度であるため、インプリントモールドを剥離する際に印加される応力により、当該凹凸パターンが破損してしまうという問題もある。
【００１０】
上記課題に鑑みて、本発明は、耐薬品（溶剤）性を有するとともに、高強度の樹脂材料からなる凹凸パターンを有するインプリントモールド及びその製造方法、並びに当該インプリントモールドを用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基部と、前記基部の前記第１面上に形成されてなる、ノボラック系樹脂により構成される凹凸パターンと、前記凹凸パターン上に形成されてなる被覆層とを備えるインプリントモールドであって、前記凹凸パターンを構成する前記ノボラック系樹脂のゲル分率が、５０％以上９０％未満であり、前記被覆層は、前記インプリントモールドを用いたインプリント処理時に照射されるエネルギー線を透過する特性を有することを特徴とするインプリントモールドを提供する。
【００１２】
上記発明において、前記基部の前記第１面上に形成されている反射防止膜をさらに備え、前記凹凸パターンは、前記反射防止膜上に形成されていてもよい。
【００１３】
上記発明において、前記被覆層の厚さが、５〜３００ｎｍであってもよく、１０〜１００ｎｍであってもよい。前記被覆層が、金属元素を含んでいてもよく、前記金属元素が、クロムでってもよいし、前記凹凸パターン上に形成されてなる第１被覆層と、前記第１被覆層上に形成されてなる第２被覆層とを含む積層構造であって、前記第２被覆層は、前記被覆層の最外層であって、フッ素化合物を含むものであってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、耐薬品性を有するとともに、高強度の樹脂材料からなる凹凸パターンを有するインプリントモールド及びその製造方法、並びに当該インプリントモールドを用いたインプリント方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態におけるインプリント方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【図３】図３は、試験例１におけるガラス転移温度の測定結果を示すグラフ（ＴＧ曲線）である。
【図４】図４は、試験例４におけるインプリント処理後の凹凸パターンの高さ測定結果を示すグラフである。
【図５】図５は、試験例５におけるインプリント処理時の剥離力の測定結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【００１７】
《インプリントモールドの製造方法》
［基板準備工程］
まず、第１面１０Ａ及びそれに対向する第２面１０Ｂを有し、第１面１０Ａ上に反射防止膜１１及びフォトレジスト膜１２がこの順に積層形成されてなるインプリントモールド用基板１０を準備する（図１（Ａ）参照）。
【００１８】
インプリントモールド用基板１０としては、例えば、インプリントモールドを製造する際に一般的に用いられる基板（例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板；ニッケル基板、チタン基板、アルミニウム基板等の金属基板；シリコン基板、窒化ガリウム基板等の半導体基板等）を用いることができる。
【００１９】
インプリントモールド用基板１０の厚さは、基板の強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。なお、本実施形態において「透明」とは、波長３００〜４５０ｎｍの光線の透過率が８５％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上である。
【００２０】
反射防止膜１１としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等の無機物からなる単層膜、又はこれらの材料のうちから任意に選択した２種以上を積層した積層膜を用いることができる。後述する露光工程において、フォトレジスト膜１２の所定の部位にエネルギー線を照射して露光するが（図１（Ｂ）参照）、反射防止膜１１が設けられていることで、インプリントモールド用基板１０からのエネルギー線の反射を抑制することができるため、凹凸パターン１３（図１（Ｃ）参照）を高精度に形成することができる。なお、同様の効果を得られる限りにおいて、反射防止膜１１を構成する材料として有機物を用いてもよい。
【００２１】
反射防止膜１１を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＣＶＤ、スパッタリング法等により、インプリントモールド用基板１０の第１面１０Ａ上に反射防止膜１１を構成する材料を成膜する方法等が挙げられる。
【００２２】
反射防止膜１１の膜厚は、反射防止膜１１を構成する材料に応じて適宜設定され得る。なお、本実施形態において製造されるインプリントモールド１を用いてインプリント処理を実施する際に、当該インプリントモールド１の第２面１０Ｂ側からインプリント樹脂２１にエネルギー線（紫外線）を照射する場合、反射防止膜１１が設けられていることで、当該反射防止膜１１によりエネルギー線（紫外線）が遮られてしまうことがある。そのため、凹凸パターン１３の形成に影響を与えないのであれば、反射防止膜１１が設けられていなくてもよい。
【００２３】
フォトレジスト膜１２を構成するフォトレジスト材料としては、後述する露光工程（図１（Ｂ）参照）におけるエネルギー線の照射により、現像工程（図１（Ｃ）参照）後にインプリントモールド用基板１０上から消失し得る樹脂材料を含有する。すなわち、当該フォトレジスト材料は、エネルギー線の照射により現像液への溶解性を示すポジ型レジストである。なお、本実施形態において、フォトレジスト材料は、ポジ型レジストに限定されるものではなく、ネガ型レジストであってもよい。
【００２４】
フォトレジスト材料に含まれる樹脂材料としては、例えば、ノボラック系樹脂材料、レゾール系樹脂材料、フェノール系樹脂材料、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂材料およびそれらの変性物や複合材料等が挙げられる。
【００２５】
反射防止膜１１上にフォトレジスト膜１２を形成する方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、反射防止膜１１上にフォトレジスト材料を、スピンコーター、スプレーコーター等の塗工機を用いて塗布し又は反射防止膜１１上に上記樹脂成分を含有するドライフィルムレジストを積層し、所望により所定の温度で加熱（プリベーク）する方法等が挙げられる。
【００２６】
このようにして形成されたフォトレジスト膜１２の膜厚は、インプリントモールド用基板１０上に形成される凹凸パターン１３の形状、寸法、アスペクト比等に応じて適宜設定され得るが、通常０．１〜１０μｍ程度である。
【００２７】
［露光工程］
次に、フォトレジスト膜１２に対してエネルギー線を照射して、当該フォトレジスト膜１２に所定のパターン形状の潜像１２’を形成する（図１（Ｂ）参照）。この露光工程において用いられるエネルギー線としては、フォトレジスト膜１２の種類に応じて適宜選択され得るものであるが、例えば、電子線等の荷電粒子線；ＤＵＶ、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）等の短波長（２００ｎｍ以下）の紫外線；Ｘ線（波長１０ｎｍ以下）；ＡｒＦエキシマレーザ（発振波長１９３ｎｍ）等が挙げられる。
【００２８】
かかる露光工程においては、フォトレジスト膜１２に対して、ＤＵＶ露光装置、ＥＵＶ露光装置、電子線描画装置、Ｘ線露光装置、エキシマレーザ露光装置等の露光装置を用いて、所定のパターン形状を有するマスクを介した露光、又は当該マスクを介さない電子線の直接照射により描画等を行う。
【００２９】
フォトレジスト膜１２に対するエネルギー線の照射量（積算露光量）は、特に限定されるものではなく、フォトレジスト膜１２を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）、フォトレジスト膜１２の膜厚や光透過率等に応じて適宜設定され得るが、例えば、１０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２程度である。
【００３０】
一般に、フォトリソグラフィ技術において、フォトレジスト膜の膜厚が増大するに従い、意図する断面形状、寸法等を有する凹凸パターンを形成するのが困難になる傾向がある。そのため、最終的に凹凸パターンの高さが十分に高く、かつ高精度の寸法で凹凸パターン１３を形成するためには、フォトレジスト膜１２の形成工程、露光工程及び現像工程の一連の工程を複数回繰り返すのが好ましい。このとき、フォトレジスト材料を凹凸パターンに重ねて塗布することになるため、下地となる凹凸パターンを構成するレジストが、上から重ねて塗布されたフォトレジスト材料により浸食されるのを防止する必要がある。したがって、フォトレジスト膜１２の形成工程、露光工程及び現像工程の一連の工程を複数回繰り返して凹凸パターン１３を形成する場合には、各現像工程後に凹凸パターンにエネルギー線（紫外線等）を照射し（図１（Ｄ）参照）、凹凸パターンを構成する樹脂材料のガラス転移温度を上昇させつつ、その上から重ねて塗布されるフォトレジスト材料中の溶剤に対する薬品耐性を向上させるのがより好ましい。すなわち、フォトレジスト膜１２の形成工程、露光工程（図１（Ｂ）参照）、現像工程（図１（Ｃ）参照）及びエネルギー線照射工程（図１（Ｄ）参照）の一連の工程を複数回繰り返すのが好ましいということができる。
【００３１】
本実施形態の露光工程において、フォトレジスト膜１２に対して所定の階調数にて階調露光を施してもよい。階調露光を施すことで、複雑な立体形状を有する凹凸パターンを形成することができる。
【００３２】
［現像工程］
露光工程が施されたインプリントモールド用基板１０に所定の現像液を用いた現像処理を施し、上記露光工程においてエネルギー線が照射され、現像液への溶解性が増大したフォトレジスト膜１２（露光工程によりパターン状に形成された潜像１２’の部分）を除去し、エネルギー線が照射されなかった部分を残存させる（図１（Ｃ）参照）。現像処理の方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、液盛り（パドル）法、ディッピング（浸漬）法、スプレー法等を用いることができる。
【００３３】
現像工程において用いられ得る現像液としては、フォトレジスト材料の種類（樹脂成分の種類）に応じて適宜選択すればよく、例えば、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ現像液；キシレン系等の有機溶剤等を用いることができる。
【００３４】
このようにして現像処理を施した後、純水等によるリンス処理を行い、インプリントモールド用基板１０上の現像液及び現像液に溶解したフォトレジスト材料（樹脂成分）を洗い流し、乾燥させることで、インプリントモールド用基板１０上に所定形状の凹凸パターン１３を形成することができる。
【００３５】
［エネルギー線照射工程］
上述のようにしてインプリントモールド用基板１０の第１面１０Ａ上に形成された凹凸パターン１３に、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度を上昇させる程度に、エネルギー線を照射する（図１（Ｄ）参照）。凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度を上昇させる程度にまでエネルギー線を照射することで、後述する実施例からも明らかなように、凹凸パターン１３の耐薬品（溶剤）性を向上させ得るとともに、強度も向上させることができる。凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度を上昇させる程度にまでエネルギー線を照射すると、当該樹脂材料の架橋反応が進行し、ゲル分率が増大すると考えられる。例えば、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料がノボラック系樹脂材料である場合、エネルギー線照射後のゲル分率が５０〜９９％程度に増大する。凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）の架橋反応が進行してゲル分率が増大することにより、凹凸パターン１３の耐薬品（溶剤）性が向上するとともに、強度も向上すると考えられる。特に、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料のゲル分率が９０％以上に増大するようにエネルギー線を照射することで、凹凸パターン１３の耐熱性をも向上させることができる。
【００３６】
なお、ゲル分率とは、樹脂材料を任意の溶剤に浸漬させ、架橋して溶剤に溶解せずに残存している部分をゲルと定義したときに、溶剤に溶解させる前の樹脂材料の重量に対するゲル部分の重量の比を意味するものである。そのため、本実施形態においては、一般的にフォトレジスト材料中の溶剤であるキシレン、ポリエチレングリコールモノメタクリレート（ＰＧＭＥＡ）、２−ブタノン（ＭＥＫ）、４−メチル−２−ペンタノン（ＭＩＢＫ）、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸エチル、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ）等から、目的とするプロセスに合わせて好適な溶剤を選択し、凹凸パターン１３から切り欠いた切片をサンプルとして当該溶剤に浸漬させることで、ゲル分率を求めることができる。また、後述するインプリント方法において、実際に使用するインプリント樹脂（光硬化性樹脂材料）や、それに含まれるモノマー、オリゴマー等に上記サンプルを浸漬させてゲル分率を求めてもよい。
【００３７】
また、凹凸パターン１３にエネルギー線を照射することで、凹凸パターン１３（樹脂材料）からガスを抜くことができる。フォトレジスト材料（樹脂材料）により構成される凹凸パターン１３を有するインプリントモールド１を用いたインプリント処理時に、インプリント樹脂２１を硬化させるためのエネルギー線（紫外線等）が凹凸パターン１３にも照射される。このインプリント処理時のエネルギー線（紫外線等）の照射により、凹凸パターン１３からガスが発生してしまうと、転写パターンに欠陥を生じさせるおそれがあるとともに、インプリントモールド１が後述する被覆層１４を有する場合には、被覆層１４が破れたり、凹凸パターン１３から被覆層１４の一部が剥離したりするおそれがある。しかし、本実施形態のように、凹凸パターン１３にエネルギー線を照射して凹凸パターン１３（樹脂材料）からガスを抜いておくことで、インプリント処理時のエネルギー線（紫外線等）の照射により凹凸パターン１３からガスが発生をするのを抑制することができ、転写パターンの欠陥や、被覆層１４の破れ・部分的剥離等が生じるのを防止することができる。例えば、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料として用いられるノボラック系樹脂においては、紫外線を照射することでアゾ基が脱離して窒素ガスが発生するが、被覆層１４を形成する前に十分に凹凸パターン１３に紫外線を照射することで、インプリント処理時に照射されるエネルギー線（紫外線）が被覆層１４を透過した場合であっても、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料（ノボラック系樹脂）から窒素ガスが発生するのを防止することができる。よって、窒素ガスに起因する被覆層１４の破れや部分的剥離が生じるのを防止することができる。
【００３８】
凹凸パターン１３に対するエネルギー線の照射量（積算照射量）は、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料のゲル分率が５０％以上となるような照射量であるのが好ましく、当該ゲル分率が９０％以上となるような照射量であるのが特に好ましい。凹凸パターン１３に対するエネルギー線の照射量が、凹凸パターン１３を構成するゲル分率が５０％未満となるような照射量であると、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度を効果的に上昇させるのが困難となるおそれがあるとともに、ガスの発生を抑制するのが困難となるおそれがある。なお、上記ゲル分率が９０％未満となるような照射量である場合には、特に耐薬品（溶剤）性の効果的な向上が見込めないおそれがあるが、後述する被覆層１４が形成されていることで、耐薬品（溶剤）性を担保することができる。
【００３９】
凹凸パターン１３に照射されるエネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線等が挙げられるが、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料に応じ、当該樹脂材料の架橋反応を進行させ、ガラス転位温度を変化（上昇）させることのできるエネルギー線、すなわち当該樹脂材料が効率的にエネルギーを吸収可能なエネルギー線を選択するのが好ましいと考えられる。
【００４０】
凹凸パターン１３にエネルギー線を照射した後、加熱処理を行ってもよい。加熱処理を行うことで、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）の架橋反応をより進行させることができるとともに、凹凸パターン１３からの脱ガスもより進行させることができるため、凹凸パターン１３の耐薬品（溶剤）性、強度をより向上させるという効果が奏され得る。かかる加熱処理における加熱温度及び加熱時間は、エネルギー線が照射されることによって、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度が上昇しているが、その上昇したガラス転移温度未満であるのが好ましく、エネルギー線の照射前におけるフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度以上であるのが特に好ましい。エネルギー線の照射により上昇したガラス転移温度以上の温度で加熱すると、凹凸パターン１３が変形するおそれがある。
【００４１】
［被覆膜形成工程］
上記のようにしてエネルギー線が照射された凹凸パターン１３を被覆する被覆層１４を形成する（図１（Ｅ）参照）。被覆層１４を形成することで、凹凸パターン１３とインプリント樹脂２１との密着力が低下するため、硬化したインプリント樹脂２１からインプリントモールド１を容易に剥離することができる。特に、上記エネルギー線照射工程において、凹凸パターン１３を構成する樹脂材料のゲル分率が５０％以上９０％未満となるような照射量でエネルギー線が照射されている場合には、本実施形態における被覆膜形成工程（図１（Ｅ）参照）は必須の工程となる。
【００４２】
被覆層１４を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、クロム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物；フッ化炭素等のフッ素系化合物；シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等のシリコン化合物等、無機物、その酸化物、窒化物等の無機化合物が挙げられる。特に、被覆層１４がフッ素系化合物から構成されていると、硬化したインプリント樹脂２１からインプリントモールド１をより容易に剥離することができる。
【００４３】
被覆層１４は、それを構成する上記材料による単層構造であってもよいし、上記材料から任意に選択される２種以上を積層した積層構造（多層構造）であってもよい。被覆層１４が積層構造（多層構造）である場合、当該被覆層１４の最表層がフッ素系化合物からなる層であると、硬化したインプリント樹脂２１からインプリントモールド１をより容易に剥離することができるため特に好ましい。
【００４４】
上記のように凹凸パターン１３を被覆層１４で被覆することで、凹凸パターン１３とインプリント樹脂２１とが直接に接触することがない。そのため、凹凸パターン１３がインプリント樹脂２１に含まれる溶剤により浸食され、損傷、変形するのを防止することができる。その結果、十数回程度のインプリント処理を繰り返したとしても、剥離力が上昇するという現象も確認されなくなり、剥離力は安定する。
【００４５】
また、凹凸パターン１３の損傷、変形等が生じると、インプリント樹脂２１の表面濡れ性が変化し、インプリント処理時におけるインプリント樹脂２１の濡れ広がり状態が変化してしまうおそれがある。しかしながら、凹凸パターン１３を被覆層１４で被覆することで、凹凸パターン１３の損傷、変形によるインプリント樹脂２１の表面濡れ性の変化も生じなくなるため、インプリント処理時におけるインプリント樹脂２１の塗れ広がり状態が安定する。その結果、インプリント樹脂２１の供給量や塗布方法を、インプリント樹脂２１の濡れ広がり状態の変化に応じて変更する必要がなくなるため、安定したインプリント処理プロセスを構築することができる。
【００４６】
さらに、被覆層１４が積層構造（多層構造）であって、例えば、オプツール（ダイキン工業社製）のように酸化物との結合性が良好なフッ素化合物系の材料からなる層を最外層として形成する場合、シリコン酸化膜等の酸化物で凹凸パターン１３を被覆し、その上に上記材料を塗布することで、ナノオーダーのフッ化物薄膜で被覆された表面を有する被覆層１４を形成することができる。このような被覆層１４を有するインプリントモールド１を、工業的な大量生産を目的としたインプリント処理に用いると、最初にフッ化物薄膜が損傷・変形し、その段階で剥離力が変化（増大）する。したがって、この剥離力をモニタリングすることで最外層のフッ化物薄膜の劣化が確認することができるため、当該剥離力を指標としてフッ化物薄膜を再生することで、凹凸パターン１３、ひいてはインプリントモールド１の寿命をさらに延ばすことができる。
【００４７】
被覆層１４の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、凹凸パターン１３の凸部の高さ及び幅（短手方向の幅）のうちの小さい方の１／１００〜１／１０程度、好ましくは５〜３００ｎｍ程度、より好ましくは１０〜１００ｎｍ程度である。被覆層１４が厚すぎる（３００ｎｍ超である）と、凹凸パターン１３の隣接する凸部間の凹部の寸法（幅）が小さい場合に、当該凹部が被覆層１４にて埋まってしまい、凹凸パターン１３の形状が損なわれるおそれがある。また、本実施形態において製造されるインプリントモールド１を用いてインプリント処理を実施する際に、当該インプリントモールド１の第２面１０Ｂ側からインプリント樹脂２１にエネルギー線を照射することが困難となるおそれがある。一方、被覆層１４が薄すぎる（５ｎｍ未満である）と、被覆層１４の緻密性に問題が生じ、インプリントモールド１の剥離時の応力に耐えられずに、被覆層１４の破れや剥離等が生じるおそれがある。また、凹凸パターン１３表面の一部において被覆層１４が十分に形成されないという問題が生じ得ることで、インプリントモールド１の剥離時に、当該被覆層１４が十分に形成されていない箇所に応力が集中してしまい、凹凸パターン１３が破損、変形するおそれがある。
【００４８】
被覆層１４を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）、ＣＶＤ、スパッタリング等の気相成膜法であってもよいし、表面被覆剤を塗布する液相成膜法であってもよい。本実施形態において、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）の耐薬品（溶剤）性が向上しているため、液相成膜法において用いられる表面被覆剤に含まれる溶剤によって、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）が浸食されるのを防止することができる。
【００４９】
被覆層１４は、被覆層１４を構成する材料等に応じて、８０〜１２０℃程度の加熱雰囲気下で凹凸パターン１３上に形成されてもよい。これにより、緻密な被覆層１４を形成することができるとともに、凹凸パターン１３に対する密着性を向上させることができる。本実施形態においては、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度を上昇させているため、加熱雰囲気下で被覆層１４を形成しても、凹凸パターン１３の変形等を防止することができる。
【００５０】
上述のようにして製造されるインプリントモールド１における凹凸パターン１３は、フォトレジスト材料（樹脂材料）により構成されるため、本実施形態によれば、複雑な立体的形状を有する凹凸パターン１３を有するインプリントモールド１を製造することも可能となる。そして、当該凹凸パターン１３がフォトレジスト材料（樹脂材料）により構成されることによる弊害（耐薬品（溶剤）性、耐熱性、強度等）に関しては、凹凸パターン１３に所定のエネルギー量のエネルギー線を照射することで解決される。よって、本実施形態によれば、耐薬品（溶剤）性及び耐熱性を有するとともに、強度の高い、樹脂材料からなる凹凸パターン１３を有するインプリントモールド１を製造することができる。
【００５１】
《インプリント方法》
次に、上述のようにして製造されるインプリントモールド１を用いたインプリント方法について説明する。図２は、本実施形態におけるインプリントモールドを用いたインプリント方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【００５２】
上記インプリントモールド１と、第１面２０Ａ及びそれに対向する第２面２０Ｂを有する被転写基材２０とを準備し、インプリントモールド１の凹凸パターン１３上にインプリント樹脂２１を供給する（図２（Ａ）参照）。被転写基材２０としては、例えば、ＰＥＴフィルム基板等のフレキシブル基材を好適に用いることができるが、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、アクリルガラス基板、シリコン基板、窒化ガリウム基板、ニッケル基板、チタン基板、アルニウム基板等のリジッド基材を用いてもよい。インプリント樹脂２１としては、従来公知の紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。
【００５３】
インプリント樹脂２１の供給量は、本実施形態におけるインプリント方法により作製される転写パターン２２（図２（Ｃ）参照）の残膜厚の設計値及びインプリントモールド１の凹凸パターン１３の容積等に応じて適宜算出し、決定され得る。
【００５４】
続いて、インプリント樹脂２１に被転写基材２０の第１面２０Ａを接触させ、被転写基材２０の第１面２０Ａとインプリントモールド１の凹凸パターン１３との間にインプリント樹脂２１を展開させる。そして、その状態でインプリント樹脂２１にエネルギー線（紫外線等）を照射して、当該インプリント樹脂２１を硬化させる（図２（Ｂ）参照）。
【００５５】
本実施形態において、インプリントモールド１の凹凸パターン１３は、フォトレジスト材料（樹脂材料）により構成されているが、フォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度が上昇する程度にエネルギー線が照射されていることで、当該フォトレジスト材料（樹脂材料）が十分に架橋し、ゲル分率が高い（９０％以上）、すなわち耐薬品（溶剤）性の向上したものとなっている。そのため、仮に被覆層１４が完全に凹凸パターン１３を被覆できておらず、凹凸パターン１３の一部がインプリント樹脂２１に接触したとしても、当該凹凸パターン１３がインプリント樹脂２１中の溶剤により浸食されるのを防止することができる。なお、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率が５０％以上９０％未満である場合であっても、凹凸パターン１３を被覆する被覆層１４が形成されていることで、凹凸パターン１３がインプリント樹脂２１中の溶剤により浸食されるのが防止され得る。
【００５６】
最後に、硬化したインプリント樹脂２１とインプリントモールド１とを剥離する（図２（Ｃ）参照）。これにより、被転写基材２０の第１面２０Ａ上に、インプリントモールド１の凹凸パターン１３が転写されてなる転写パターン２２を形成することができる。
【００５７】
本実施形態において、フォトレジスト材料（樹脂材料）により構成される、インプリントモールド１の凹凸パターン１３は、フォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度が上昇する程度にエネルギー線が照射されることで、高強度のものとなっている。そのため、インプリント樹脂２１の展開時にかかる圧力や、インプリントモールド１の剥離時に凹凸パターン１３に応力が印加されても、当該凹凸パターン１３の変形や破損を防止することができる。また、凹凸パターン１３上に被覆層１４が形成されていることで、インプリントモールド１を容易に剥離することができる。したがって、転写パターン２２に欠陥を生じさせることがなく、高精度の転写パターン２２を形成することができる。
【００５８】
なお、本実施形態においては、凹凸パターン１３に所定のエネルギー線が照射されていることで、インプリント樹脂２１を硬化させる際にエネルギー線（紫外線等）が照射されても、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）からガスが発生することがない。そのため、凹凸パターン１３上に被覆層１４を安定的に密着させることができる。
【００５９】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００６０】
上記実施形態において、インプリントモールド用基板１０上の反射防止膜１１とフォトレジスト膜１２との間に、シランカップリング剤等の密着層が設けられていてもよい。これにより、反射防止膜１１に対する凹凸パターン１３の密着性を向上させることができる。
【００６１】
上記実施形態において、インプリントモールド１の凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率が９０％以上である場合には、当該凹凸パターン１３を被覆する被覆層１４が形成されていなくてもよい。被覆層１４が形成されていない場合であっても、凹凸パターン１３に所定のエネルギー線が照射されて、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度が上昇し、当該フォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率が９０％以上となっていれば、当該凹凸パターン１３がインプリント樹脂２１に接触しても、インプリント樹脂２１中の溶剤により浸食されるのが防止される。
【００６２】
上記実施形態において、インプリントモールド１の第１面１０Ａ上における凹凸パターン１３の形成されている領域以外の領域に、凹凸構造が形成されていてもよい。このような凹凸構造として、例えば、被転写基材２０との位置合わせに用いられるアライメントマーク等が挙げられる。このような凹凸構造を形成する場合において、インプリントモールド用基板１０上の反射防止膜１１は、インプリントモールド用基板１０をエッチング加工するためのハードマスクとして用いられ得る。
【００６３】
上記実施形態において、凹凸パターン１３は、少なくとも一部がフォトレジスト材料（樹脂材料）により構成されており、それ以外の他の材料により構成されるものを含んでいてもよい。例えば、インプリントモールド１は、インプリント用基板１０をエッチング加工して形成された凹凸パターンと、フォトレジスト材料（樹脂材料）により構成される凹凸パターン１３とを含むものであってもよい。
【００６４】
上記実施形態において製造されたインプリントモールド１をマスターモールドとして用い、当該マスターモールドを用いたインプリント処理によりレプリカモールドを作製してもよい。
【実施例】
【００６５】
以下、実施例、試験例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、下記の実施例等によって何ら限定されるものではない。
【００６６】
〔試験例１〕
シリコンウエハ（１５０ｍｍφ，厚さ：０．６３ｍｍ）上にポジ型フォトレジストを塗布、ポジ型フォトレジストに紫外線を照射（積算露光量：６０００ｍＪ／ｃｍ２）したサンプル１と、紫外線を照射しなかったサンプル２とを準備し、各サンプルのガラス転移温度を、示差熱重量測定装置（リガク社製，製品名：ＴＧ−ＤＴＡ８１２０）を用いて、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件にて測定した。
結果を図３に示す。
【００６７】
図３に示すＴＧ曲線から明らかなように、紫外線を照射しなかったサンプル２においては、１００℃近傍と２７０℃近傍に重量減少開始点を有することが確認された。また、１５０℃近傍にピークトップを有する発熱ピークが確認された。この発熱ピークは、ポジ型フォトレジストに未硬化成分が含まれることを示唆するものである。
【００６８】
一方、紫外線を照射したサンプル１においては、１２０℃近傍に重量減少開始点を有することが確認された。このことは、紫外線の照射により、１００℃近傍の重量減少開始点が高温側にシフトしたことを意味する。また、２７０℃近傍に重量減少変曲点が確認されないことから、紫外線の照射により耐熱性が向上していると推認される。この結果から、紫外線の照射によりポジ型フォトレジストにおいて重合反応が進行し、架橋反応が進行したものと考えられる。
【００６９】
〔試験例２〕
上記サンプル１及びサンプル２のフォトレジスト膜上にクロム膜（厚さ：１００ｎｍ）をスパッタリングにより形成し、各サンプルのクロム膜上に紫外線を照射した（積算露光量：５００ｍＪ／ｃｍ２）。そして、紫外線照射後の各サンプルのクロム膜表面を、顕微鏡を用いて観察した。
【００７０】
その結果、サンプル２のクロム膜には破れや、フォトレジスト膜とクロム膜との界面剥離と考えられるシワの発生が確認されたが、サンプル１のクロム膜には当該破れやシワの発生は確認された。この結果から、サンプル２においては、紫外線の照射によりフォトレジストからガスが発生し、そのガスの発生によりクロム膜に破れやシワが発生したものと推認される。
【００７１】
〔試験例３〕
サンプル１のポジ型フォトレジスト膜のゲル分率及びサンプル２のポジ型フォトレジスト膜のゲル分率を、以下のようにして求めた。
【００７２】
サンプル１及びサンプル２のフォトレジスト膜の一部を切り欠き、当該切片を２３℃の試験溶剤（キシレン）に５分間浸漬させた。その後、試験溶剤をエアブローにより乾燥させ、得られた残渣の重量を測定し、試験溶剤に浸漬する前の切片の重量及び残渣の重量からゲル分率（％）を算出した。
【００７３】
その結果、サンプル１のゲル分率は９１％であり、サンプル２のゲル分率は０％であった。この結果から、所定の紫外線（エネルギー線）が照射されたポジ型フォトレジストにおいては、ゲル分率を上昇させ得ることが確認された。
【００７４】
〔実施例１〕
第１面及びそれに対向する第２面を有し、第１面上に酸窒化クロムからなる反射防止膜１１が形成されてなる石英基板１０（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ，厚さ：６．３５ｍｍ）を準備し、当該反射防止膜１１上にポジ型フォトレジスト（ＧＲＸ−Ｍ２２０，長瀬産業社製）をスピンコートにより塗布し、フォトレジスト膜１２を形成した。
【００７５】
当該フォトレジスト膜１２に対し、レーザ露光装置を用いて露光し、アルカリ現像液にて現像して凹凸パターン１３を形成した。かかる凹凸パターン１３に対し、紫外線を照射し（積算露光量：６０００ｍＪ／ｃｍ２）、インプリントモールド１を作製した。
【００７６】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９１％であった。
【００７７】
〔実施例２〕
凹凸パターン１３に対する紫外線の積算露光量が１００００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射した以外は実施例１と同様にしてインプリントモールド１を作製した。
【００７８】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９８％であった。
【００７９】
〔実施例３〕
凹凸パターン１３に紫外線を照射した後、加熱温度１００℃、加熱時間６０分の条件にてインプリントモールド１に加熱処理を施した以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールド１を作製した。
【００８０】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９２％であった。
【００８１】
〔実施例４〕
加熱温度１３０℃にした以外は、実施例３と同様にしてインプリントモールド１を作製した。
【００８２】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９４％であった。
【００８３】
〔実施例５〕
紫外線を照射した凹凸パターン１３上にクロムからなる被覆層１４をスパッタリングにより形成した以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製した。
【００８４】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９８％であった。一部を切り欠いて得た切片を使用してゲル分率を求めたために、被覆層１４面からの侵食は生じなかったものの、破断面の部分にてフォトレジスト材料（樹脂材料）の溶解が生じたものと考えられる。
【００８５】
〔実施例６〕
紫外線を照射した凹凸パターン１３上にシリコン酸化膜からなる被覆層１４をＡＬＤにより形成した以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製した。
【００８６】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９８％であった。これは実施例５と同様の現象である。
【００８７】
〔実施例７〕
紫外線を照射した凹凸パターン１３上にＤＳ−ＰＣ−３Ｂ（ハーベス社製）をディップ法により塗布した後、ブタノールを使用して同じくディップ法によりリンスし、ホットプレートにて８０℃、３０分の加熱処理を行うことで、シラン化合物からなる被覆層１４を形成した以外は、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製した。
【００８８】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は９７％であった。
【００８９】
〔実施例８〕
凹凸パターン１３に対する紫外線の積算露光量が４０００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射した以外は実施例５と同様にしてインプリントモールド１を作製した。
【００９０】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は８７％であった。
【００９１】
〔比較例１〕
凹凸パターン１３に紫外線を照射しなかった以外は実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製した。
【００９２】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は０％であった。
【００９３】
〔比較例２〕
凹凸パターン１３に対する紫外線の積算露光量が４０００ｍＪ／ｃｍ２となるように紫外線を照射した以外は実施例１と同様にしてインプリントモールド１を作製した。
【００９４】
上記インプリントモールド１における凹凸パターン１３の一部を切り欠いて得た切片を用い、試験例３と同様にして当該凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を求めたところ、ゲル分率は５３％であった。
【００９５】
〔試験例４〕
実施例１及び比較例１〜２のインプリントモールドの凹凸パターン１３上に紫外線硬化性樹脂２１（ＢＣＰ−３４，三洋化成社製）を塗布し、コロナ処理した表面を有するＰＥＴフィルムにて押圧することで、インプリントモールドとＰＥＴフィルムとの間に紫外線硬化性樹脂２１を展開させ、ＰＥＴフィルムを介して紫外線硬化性樹脂２１に無電極ランプシステムのＤバルブ（ヘレウス社製）を用いて紫外線を照射し（積算露光量：５００ｍＪ／ｃｍ２）、紫外線硬化性樹脂２１を硬化させた。その後、ＰＥＴフィルムを剥離した。
【００９６】
上記インプリント処理（紫外線硬化性樹脂２１の塗布、硬化、ＰＥＴフィルムの剥離の一連の処理）を５回行い、各インプリント処理後にインプリントモールドの凹凸パターン１３の高さを、表面形状計測機Ｐ−１５（ＫＬＡ社製）を用いて測定し、積算高さ減少量を算出した。結果を図４に示す。
【００９７】
図４に示すように、比較例１及び比較例２（４０００ｍＪ／ｃｍ２を照射）のインプリントモールドにおいては、３回のインプリント処理にて凹凸パターンが消失してしまうか、あるいは現象が激しいことが確認された。一方、実施例１のインプリントモールドにおいては、５回のインプリント処理後であっても凹凸パターン１３が残存しており、凹凸パターン１３の高さがほとんど減少しないことが確認された。この結果及び試験例１〜２の結果から、フォトレジスト材料（樹脂材料）のガラス転移温度が上昇する程度のエネルギー線を凹凸パターン１３に照射して、凹凸パターン１３を構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）のゲル分率を９０％以上に上昇させることで、耐薬品（溶剤）性及を有するとともに、高強度の樹脂材料からなる凹凸パターン１３を有するインプリントモールド１を製造可能であることが確認された。
【００９８】
〔試験例５〕
実施例１〜５及び比較例１〜２のインプリントモールドを用いて、試験例３と同様のインプリント処理を５回行い、毎回のインプリント処理時における剥離力を測定した。また、比較例１のインプリントモールドを用い、紫外線硬化性樹脂に対し積算露光量２０００ｍＪ／ｃｍ２にて紫外線を照射した以外は、試験例４と同様のインプリント処理を５回行い、毎回のインプリント処理時における剥離力を測定した（比較例１’）。剥離力の測定は、各サンプルを固定し、ＰＥＴフィルムをサンプルに対して垂直に引き上げることで、これに要する応力をデジタルフォースゲージ（ＤＰＳ−５０Ｒ：イマダ社製）を用いて計測し行われた。結果を図５に示す。
【００９９】
図５に示すように、実施例１〜５のインプリントモールドにおいては、比較例１（比較例１’）及び比較例２のインプリントモールドに比して剥離力の増大を抑制可能であることが確認された。比較例１において剥離力が増大するのは、凹凸パターンを構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）が、紫外線硬化性樹脂の溶剤により浸食され、凹凸パターンと紫外線硬化性樹脂との界面において粘着性を有する層が生成されるためであると推認される。また、比較例２において剥離力の上昇が確認されたのは、凹凸パターンを構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）の架橋反応が完全ではないことを示唆する図４と併せて考えると、比較例１と同様に架橋されていない部分が浸食され、架橋が進んだ部分ごと剥離が進んでしまったのだと考えられる。
【０１００】
一方、実施例１〜５のインプリントモールドにおいては、凹凸パターンを構成するフォトレジスト材料（樹脂材料）が、紫外線硬化性樹脂の溶剤により浸食され難いため、剥離力が増大するのを抑制することができたものと推認される。また、図５への掲載は割愛したが、実施例６〜８は、いずれも実施例５と同等の結果であった。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、インプリントモールドを用いてインプリント工程を実施するような微細加工技術分野において有用である。
【符号の説明】
【０１０２】
１…インプリントモールド
１０…インプリントモールド用基板
１０Ａ…第１面
１０Ｂ…第２面
１１…反射防止膜
１２…フォトレジスト膜
１３…凹凸パターン
１４…被覆層
２０…被転写基材
２０Ａ…第１面
２０Ｂ…第２面
２１…インプリント樹脂
２２…転写パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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