(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭＥＭＳ構造体のギャップ高さを高くすることができる合理化された製造工程を提供する。【解決手段】接合によって第２ウェハ構造体１０２に取り付けられた第１ウェハ構造体１００を含む微小電気機械構造体であって、第１ウェハ構造体は、シリコンウェハ材料の構造部分１０４と、貫通ビア１０６と、貫通ビアを構造部分から分離する分離構造体１５０とを含む。貫通ビアは、第１電気接点１０８と第２電気接点１１０との間で第１ウェハ構造体を貫通して第１方向に延びている。第１ウェハ構造体の第１電気接点は外部からアクセス可能であり、第１ウェハ構造体の第２電気接点は第２ウェハ構造体上の内部電気接点１１２に接続している。分離構造体は、中空部１５４およびビア充填部１５２を含んで第１方向に広がっており、分離構造体は、固体電気絶縁材料で充填されている。【選択図】図１
2020163558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合によって第２ウェハ構造体に取り付けられた第１ウェハ構造体を含む微小電気機械構造体であって、
前記第１ウェハ構造体は、シリコンウェハ材料の構造部分と、貫通ビアと、前記貫通ビアを前記構造部分から分離する分離構造体とを含み、
前記貫通ビアは、第１電気接点と第２電気接点との間で前記第１ウェハ構造体を貫通して第１方向に延びており、
前記第１ウェハ構造体の前記第１電気接点は外部からアクセス可能であり、前記第１ウェハ構造体の前記第２電気接点は前記第２ウェハ構造体上の内部電気接点に接続しており、
前記分離構造体は、中空部およびビア充填部を含んで前記第１方向に広がっており、
前記ビア充填部は、固体電気絶縁材料で充填されている
微小電気機械構造体。
【請求項２】
固体電気絶縁材料は、ガラスまたは二酸化ケイ素である
請求項１に記載の微小電気機械構造体。
【請求項３】
前記第１ウェハ構造体および前記第２ウェハ構造体の一方または両方は、前記第１ウェハ構造体と前記第２ウェハ構造体とを接合取付けすることによって密封された凹部を含み、１以上の前記凹部は、前記微小電気機械構造体内に内部ギャップを形成している
請求項１に記載の微小電気機械構造体。
【請求項４】
前記中空部および前記内部ギャップは、結合された空隙またはガス充填空間を前記微小電気機械構造体内に形成している
請求項３に記載の微小電気機械構造体。
【請求項５】
少なくとも１つの可動構造体は、前記内部ギャップ内で動くように前記第２ウェハ構造体に懸架されている
請求項３または４に記載の微小電気機械構造体。
【請求項６】
前記可動構造体は、振動ミラー要素である
請求項５に記載の微小電気機械構造体。
【請求項７】
前記内部電気接点は、前記振動ミラー要素を作動させるトランスデューサ構造体に接続されている
請求項６に記載の微小電気機械構造体。
【請求項８】
前記トランスデューサ構造体は、懸架部および前記懸架部上の圧電要素を含み、
前記懸架部は、前記振動ミラー要素を前記第２ウェハ構造体に弾性的に結合しており、
前記内部電気接点は、前記圧電要素に接続されている
請求項７に記載の微小電気機械構造体。
【請求項９】
前記第１ウェハ構造体は、中央凹部と、前記凹部を覆う前記固体電気絶縁材料のギャップ充填部とを含む
請求項３に記載の微小電気機械構造体。
【請求項１０】
前記第２ウェハ構造体は、デバイスウェハ構造体およびガラスウェハ構造体を含む
請求項１〜９のいずれか１項に記載の微小電気機械構造体。
【請求項１１】
表側および裏側を含むウェハ要素から、前記表側から前記裏側に延びる貫通ビアを含むキャップウェハ構造体を製造するための方法であって、
前記ウェハ要素の前記裏側にビア充填部のための裏凹部をエッチングするステップと、
前記凹部をガラスで充填して、前記貫通ビアの第１部分の周りにシースを生成する前記ビア充填部を形成するステップと、
前記ウェハ要素の前記表側にビア凹部をエッチングし、前記ビア凹部のエッチングは前記ビア充填部と揃えられ、前記ビア凹部は前記貫通ビアの前記第２部分を取り囲む中空部を前記ウェハ要素内に形成するステップと、
外部アクセス用の第１電気接点を前記貫通ビアの前記第１部分上に形成するステップと、
前記キャップウェハによってキャップされるウェハ構造体上の電気接点への内部接続用の第２電気接点を前記貫通ビアの前記第２部分上に形成するステップとを含む
方法。
【請求項１２】
さらに、第１深掘り凹部エッチング工程において、前記ウェハ要素の前記裏側にギャップ充填部のための裏凹部および前記ビア充填部のための裏凹部をエッチングするステップと、
前記凹部をガラスで充填して、前記ギャップ充填部および前記ビア充填部を形成するステップと、
第２深掘り凹部エッチング工程において、前記ウェハ要素の前記表側に前記ビア凹部と共にギャップ凹部をエッチングするステップとを含む
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１ウェハ要素から形成された第１ウェハ部と第２ウェハ要素から形成された第２ウェハ部とを含む光学微小電気機械構造体を製造するための方法であって、
前記第１ウェハ要素は、表側および裏側を含み、
前記第１ウェハ部は、前記表側から前記裏側に延びる貫通ビアを含み、
前記第２ウェハ部は、ミラー要素と、前記ミラー要素のためのトランスデューサと、前記トランスデューサに繋がる電気接点とを含み、
前記方法は、
前記第１ウェハ要素の前記裏側にビア充填部のための裏凹部をエッチングするステップと、
前記凹部を電気絶縁材料で充填して、前記貫通ビアの第１部分の周りにシースを生成する前記ビア充填部を形成するステップと、
前記第１ウェハ要素の前記表側にビア凹部をエッチングし、前記ビア凹部のエッチングは前記ビア充填部と揃えられ、前記ビア凹部は前記貫通ビアの前記第２部分を取り囲む中空部を前記第１ウェハ要素内に形成するステップと、
外部アクセス用の前記第１ウェハ部の第１電気接点を前記貫通ビアの前記第１部分上に形成するステップと、
前記第１ウェハ部の第２電気接点を前記貫通ビアの前記第２部分上に形成するステップと、
前記第１ウェハ部の前記第２電気接点と前記第２ウェハ部の前記電気接点とが接続されるように、前記第１ウェハ部と前記第２ウェハ部とを互いに接合するステップとを含む
方法。
【請求項１４】
前記第２ウェハ部は、第２ウェハ要素から形成されたデバイスウェハ構造体と、第３ウェハ要素から形成されたガラスウェハ構造体とを含み、
前記方法は、さらに、前記第１ウェハ部と、前記第２ウェハ部と、前記第３ウェハ部とを互いに１つの接合工程で同時に接合するステップを含む
請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、より詳細には、接合によって第２ウェハ構造体に取り付けられ、貫通ビアを含む第１ウェハ構造体を含む微小電気機械構造体に関する。本開示は、さらに、ＭＥＭＳ構造体のキャップウェハ構造体を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム、すなわちＭＥＭＳは、少なくともいくつかの要素が機械的機能性を有する小型の機械および電気機械システムとして定義することができる。ＭＥＭＳデバイスおよびＭＥＭＳ構造体は、集積回路を作成するために使用されるのと同一または類似のツールで作成されるため、ＩＣ技術から知られている工程をそれらの製造に適用することができる。しかしながら、ＭＥＭＳ製造技術は習得するのが容易ではない。機械的機能のために、ＭＥＭＳ構造体の寸法要件は非常に厳しい。
【０００３】
機械的機能性を得るために、ＭＥＭＳ構造体は、通常、２つのシリコンウェハ構造体間のギャップ内に密封された可動要素を含む。例えば、光のビームを反射するためのミラーが微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）技術に基づいて開発されている。ＭＥＭＳ走査ミラーにおいて、反射の方向は、時間の関数として変化させることができる。走査ミラーは、一次元または二次元の広範な方向にわたって光ビームを方向付けることができ、さらに、良好な角度精度および解像度で広範な方向から光を集めるために使用されてもよい。ある角度範囲にわたる走査動作は、ミラーをある角度傾けて、この角度を時間の関数として変化させることによって得られる。この傾斜の変化は、周期的にまたは振動させて行われることが多い。そのような走査ミラーには、例えば、コードスキャナ、走査ディスプレイおよびレーザ測距撮像センサ（Ｌｉｄａｒ）などのいくつかの用途がある。
【０００４】
例として、特許文献１には、微小機械部品および／または微小光学部品のための従来の筐体が開示されており、その筐体は、少なくとも１つの微小機械部品および／または微小光学部品を備えた支持基板と、支持基板に接合された少なくとも１つのキャップ基板とを有する。
【０００５】
光学センサは、ウェハレベル設計の特別な要件を課すＭＥＭＳ構造体の好適例である。具体的には、センサ構造体は、ギャップ内の安定した状態を可能にするために機械的に非常に密である必要があると同時に、ギャップは、ミラーの傾動における垂直方向の遊びに対して十分な空間を与えねばならない。これらの２つの要件は、共に接合される２つのウェハ構造体を含む構造体で同時に実現されてもよく、接合面は、機械的および電気的に均一な連続した周囲をギャップの周りに形成している。可動部分はギャップ内部にある必要があり、また、確実に密着して接合するために、可動部分を動かす、または可動部分の動きを感知するための電気信号が、ウェハ構造体の少なくとも１つ、好ましくはキャップウェハを介して可動部分に導かれる必要がある。しかしながら、貫通ビア構造体と、垂直方向に高いギャップとの両方を含むウェハ構造体を製造するための工程は、様々な実に対照的な要件および公差を課す。従来、それらは製造工程および設計における大きな安全マージンによって対処されてきた。このため、ギャップの高さに対して最適に構造ウェハの厚さを用いることはできなかった。さらに、既知の方法では、垂直の貫通ビア構造体と高いギャップとの両方を設けるには、時間を要し、製造のコストを増大させる別個のエッチングステップが必要であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第８２０１４５２号明細書
【発明の概要】
【０００７】
本開示の目的は、ＭＥＭＳ構造体と、そのＭＥＭＳ構造体を上記要件に最適に対処するように実装するための方法とを提供することである。
【０００８】
本開示の目的は、独立クレームに記載することを特徴とする微小電気機械構造体と、その微小電気機械構造体のキャップウェハ構造体を製造するための方法とによって達成される。本開示の有利な実施形態は、従属クレームに開示する。
【０００９】
本開示は、貫通ビアを含むウェハ構造体内にギャップを少なくとも部分的に形成し、中空部と固体電気絶縁材料のビア充填部とを含む分離構造体によって、貫通ビアをウェハ構造体から分離する考えに基づく。
【００１０】
この構造形態により、製造におけるいくつかの著しい過大寸法付けが不要となるため、ＭＥＭＳ構造体のギャップ高さをかなり高くすることができる。さらに、この改良は、単純で合理化された製造工程で実現することが可能である。提案する構造体のさらなる利点については、詳細な説明において詳述する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
以下に、添付図面を参照しながら、好ましい実施形態によって本開示をより詳細に説明する。
【図１】図１は、微小電気機械（ＭＥＭＳ）構造体の例を示す図である。
【図２】図２は、図１の断面線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｉ】図３Ｉは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｊ】図３Ｊは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｋ】図３Ｋは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｌ】図３Ｌは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｍ】図３Ｍは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｎ】図３Ｎは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｏ】図３Ｏは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図３Ｐ】図３Ｐは、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図である。
【図４】図４は、特許請求するＭＥＭＳ構造体の別の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、微小電気機械（ＭＥＭＳ）構造体の例を示す。ＭＥＭＳ構造体は、通常、可動要素と中空領域とを含む内部部分を有し、中空領域は、ＭＥＭＳ構造体の機械的機能を実行するためにこれらの要素を動きやすくする。図１のＭＥＭＳ構造体は、第１ウェハ構造体１００および第２ウェハ構造体１０２を含む。第１ウェハ構造体１００および第２ウェハ構造体１０２は、接合によって互いに取り付けられる。接合とは、本明細書において、第１ウェハ構造体１００の表面を第２ウェハ構造体１０２の表面に機械的に安定した気密な方法で固定する工程を指す。実用的なＭＥＭＳ工程では、一部変更された半導体デバイス製造・実装技術が用いられるため、言及した接合は、多数のＭＥＭＳ構造体が共に製造され、次いで、別々に使用するために切り分けられる連続ウェハレベル工程の１つであることが多い。第１ウェハ構造体１００および第２ウェハ構造体１０２の接合面は、密封された内部ギャップ１６０がＭＥＭＳ構造体内に形成されるように、内部部分の周りの平面内に連続的に閉じた周辺領域を形成している。第１ウェハ構造体１００および第２ウェハ構造体１０２は、基準面１３０を定義する２つの直交する空間寸法（例えば、長さおよび幅）において延びる略平面形状を有し、基準面１３０は、第１ウェハ構造体１００と第２ウェハ構造体１０２との間の閉じた周辺領域に一致する。第１ウェハ構造体１００および第２ウェハ構造体１０２は、基準面１３０に垂直な第３空間寸法（例えば、厚さ）も有する。その寸法の方向を以下、第１方向と呼び、図１において矢印Ｄ１で示す。
【００１３】
第１ウェハ構造体１００は、シリコンウェハ材料の構造部分１０４を含む。構造部分という用語は、第１ウェハ構造体の製造工程が、前処理された構造ウェハから始まってもよく、前処理された構造ウェハは、その後ＭＥＭＳ構造体の必要な電気的および機械的機能のために微細機械加工されることを含意している。構造ウェハは、最初は均一なウェハプレートであってもよく、後の微細加工ステップで適用可能な１以上の前処理された構造体を含んでもよい。構造部分とは、本明細書において、構造ウェハから切り分けられ、第１ウェハ構造体の１つの単一要素を形成する部分を指す。
【００１４】
第１ウェハ構造体１００は、１以上の貫通ビア１０６を含む。貫通ビアという用語は、本明細書において、第１ウェハ構造体１００を貫通して第１方向Ｄ１に延びる要素を指す。貫通ビア１０６は、第１ウェハ構造体の一方側から第１ウェハ構造体の他方側までを意味する第１ウェハ構造体を介した電気接続を可能にするリード構造体である。貫通ビアは、有利には構造部分と同じシリコンウェハ材料からなり、構造部分をエッチングしてシリコンウェハ材料を除去することによって形成される。貫通ビア１０６の一端部には、外部からアクセス可能な第１電気接点１０８がある。次いで、第１電気接点１０８は、例えば、ＭＥＭＳ構造体の機能を制御するための回路類を含む電気部品に接続することができる。貫通ビア１０６の他端部には、第２ウェハ構造体１０２上の内部電気接点１１２への接続を形成するために使用することができる第２電気接点１１０がある。
【００１５】
図１の例では、内部部分の可動要素は、振動ミラー要素１１４と、ミラー要素１１４を第２ウェハ構造体１０２に弾性的に連結する懸架部要素１１６とを含む。第１ウェハ構造体１００の凹部１２２および第２ウェハ構造体１０２の別の凹部１２４は結合して、連続した中空領域になる。凹部１２２、１２４の結合により、ギャップ１６０、すなわち懸架部要素１１６および振動ミラー要素１１４が第１方向Ｄ１に動くことができる空隙またはガス充填空間がＭＥＭＳ構造体内に形成される。
【００１６】
ミラー要素の動きを引き起こすために、内部接点１１２は、トランスデューサ構造体１１８に接続されている。トランスデューサ構造体１１８は、電気信号の形で供給されるエネルギーを機械的な動きに変換するアクチュエータを含む。図１において、トランスデューサ構造体１１８は、懸架部要素１１６の長尺懸架部上に堆積した圧電層を含む。圧電層では、内部接点１１２を介して圧電層に印加された電場から生じる内部機械的歪みが発生する。歪みは、懸架部要素１１６の長尺弾性懸架部まで伝わり、それに応じて長尺弾性懸架部が曲がる。各懸架部の一端部は第２ウェハ構造体に連結され、他端部はミラー要素１１４の縁部の連結点に連結されている。電場が周期的に変わる場合、懸架部の一端部は第２ウェハ構造体に固定され続け、他端部は懸架部の曲げによって上昇すると同時に、第２ウェハ要素に対して連結点でミラー要素の縁部を動かす。したがって、懸架部は、協調してミラー要素１１４を振動運動させるように構成することができる。
【００１７】
図２は、図１の断面線Ａ−Ａにおける断面図を示し、ミラー要素１１４と、懸架部要素１１６の懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３とを含む可動要素の簡略化した例示的構成を示している。図２に示す可動要素は、走査反射器システムを形成していると考えられてもよい。図２において、第２ウェハ構造体１０２は、ミラー要素１１４を弾性的に懸架するために懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３が連結する支持部を設ける。したがって、ここで言う支持部という用語は、反射器システムの可動要素を固定することができる、または、反射器システムの可動要素を懸架することができる、剛性を有し、局部的に動かない意味を表す。支持部および可動要素は、例えば、可動要素の下方の支持部から突出する１以上の固定点を介して互いに結合されてもよい。あるいは、図２に示すように支持部は、下にある基板層の一部であるか、下にある基板層に強固に固定され、かつ反射器を取り囲むフレームを含んでもよい。
【００１８】
ミラー要素１１４という用語は、本明細書において、光の入射波面を戻す固体反射面を含む任意の要素を指す。反射の法則によると、各入射光線について、入射角は反射角と等しく、入射方向、法線方向および反射方向は同一平面上にある。微小電気機械反射器システムでは、ミラー要素の反射面は、例えば、反射コーティングでコーティングされたシリコンプレートによって実装されてもよい。反射コーティングは、例えば、アルミニウム、銀、金または銅の膜などの１以上の金属薄膜層を含んでもよい。あるいは、コーティングは、屈折率が異なる１以上の誘電体膜のスタックを含んでもよく、この場合、膜は、スタックが光を反射するように配置されている。有利には、反射面は平面状である。
【００１９】
図２の懸架部要素１１６は、１以上の懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３を含む。各懸架部は、ミラー要素の重量を支持するが、さらに支持部に対してミラー要素を動かすか、ミラー要素の動きを可能にするように可撓性を有する。ミラー要素の静止非作動状態において、すなわちミラー要素が支持されているが動かない場合、平面反射面は、基準面１３０と平行であると考えられる。懸架部材料が弾性を有するため、各懸架部の一部、ひいては懸架部に結合されたミラー要素の一部は、支持部に対して少なくとも一方向に動くことができる。各懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３は、第１端部および第２端部である２つの端部を有する長尺弾性要素を含んでもよい。例えば、懸架部１１６−１の第１端部は、平面ミラー要素の外縁部の第１結合点２００に結合されてもよく、懸架部１１６−１の第２端部は、支持部の第２結合点２０８に固定されてもよい。懸架部１１６−１は、少なくとも、平面反射面への法線と平行な面外方向に撓むように構成されてもよい。懸架部は、例えば、平面反射面を形成するプレートと同じシリコン基板層から形成されたシリコン梁とすることができる。
【００２０】
反射器システムは、ミラー要素１１４の機械的作動用の第１トランスデューサ構造体を含んでもよい。図２の例示的実施形態では、支持部からミラー要素１１４を懸架する懸架部は、圧電アクチュエータを含んでもよい。ここで言う圧電アクチュエータという用語は、印加された電圧に応じて物理的変形を受ける圧電部品を指す。アクチュエータは、周期ＡＣ電圧信号で制御する場合、ミラー要素１１４を振動運動させるために使用することができる。懸架部を面外方向に撓ませる曲げ圧電アクチュエータは、懸架部上にコーティングされた圧電層および導電層を含んでもよい。例えばＭＥＭＳ光学装置では、約５０μｍ厚のシリコン層は、電圧が印加された時に圧電材料と共に曲がるのに十分薄い。曲げ圧電アクチュエータは、作動動作を容易にするために窒化アルミニウムなどの圧電活性層を含んでもよい。曲げ圧電アクチュエータは、また、電圧信号によって作動動作を制御することができるように圧電活性層の両側に金属電極層を含んでもよい。電極は、例えば、モリブデン、アルミニウムまたはチタンから準備されてもよい。
【００２１】
図２の例示的な微小電気機械反射器システムでは、各懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３は、それぞれの第１結合点２００、２０２、２０４からミラー要素１１４に、および、それぞれの第２結合点２０８、２１０、２１２から支持部に結合されている。図２の懸架部構成は例示であり、懸架部および結合点の数、形状および位置はその範囲内で変えることができることに留意されたい。結合点を介した結合は、固定されてもよく、伝達されてもよい。固定結合とは、本明細書において、懸架部の端部が結合点に確実に配置される、または固定される機械的に強固な連結を指す。例えば、図２の第２結合点２０８、２１０、２１２は、固定され、さらに作動用電気接続のリードの経路を提供してもよい。ここで言う伝達結合とは、懸架部と結合点との間で撓み、またはねじれ得る間欠要素を介して懸架部の端部が結合点に連結される構成を指す。例えば、破損のリスクを減らすために、懸架部１１６−１の第１端部と、ミラー要素１１４の第１結合点２０２と間の連結は、第１結合点２０２の面外方向の動きを間欠結合要素２２０を介してミラー要素１１４に直接伝える伝達結合であってもよいが、結合要素２２０はまた、懸架部の撓みが極端な状態で結合している懸架部の内部応力を減らすために、わずかな曲げおよび／またはねじれを受けるように構成されている。
【００２２】
非作動状態のミラー要素の反射面が基準面に一致していると考えられる場合、弾性懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３および懸架部上の圧電アクチュエータによって、懸架部の第１端部は基準面１３０に対して面外方向に動くことができる。これらの変位は、２つの回転軸を中心とする振動として表され得る多方向走査運動を反射器にさせるために適用されてもよい。ミラー要素１１４は、長尺懸架部１１６−１、１１６−２、１１６−３上に延びる曲げ圧電アクチュエータのうちの１以上に周期ＡＣ電圧を印加することによって振動させることができる。
【００２３】
ミラー要素の振動を制御するために、反射器システムは、反射器の機械的な動きを表す感知信号を生成するように構成された第２トランスデューサ構造体を含んでもよい。これを実現するための１つの可能な方法は、懸架部の実現された変位または撓みを感知することである。このために、懸架部のうちの１以上に、有利にはすべてに、圧電アクチュエータに加えて圧電検知要素を設けることができる。用語の検知要素とは、反射器の動きによって引き起こされた物理的変形に応じて電圧信号を生成する圧電部品であってもよい。ばね構造体の各懸架部は、アクチュエータ要素および検知要素を含んでもよい。圧電トランスデューサは、コンパクトなサイズおよび低駆動電圧要件により振動反射器システム用途に有利である。
【００２４】
内部ミラー要素を圧電作動させるための電圧が第１ウェハ構造体を介して供給される場合、第１ウェハ構造体と第２のウェハ面との接合連結は密であり、非常に信頼性がある。したがって、上述したように、貫通ビアを有するキャップウェハとして開示した第１ウェハ構造体の使用が設計上好まれるであろう。しかしながら、例えば封入されたミラー要素の大きな振動運動を可能にするために、ギャップ凹部の高さを最大にする必要がある場合、ギャップ凹部および分離された貫通ビアを同じキャップウェハ内に有することは多少問題がある。
【００２５】
図１に戻ると、貫通ビア１０６は、分離構造体１５０によって構造部分１０４から分離されていることが分かるかもしれない。ここで言う分離構造体とは、構造部分１０４内で貫通ビア１０６を取り囲み、直流（ＤＣ）に対しては高い抵抗を、交流（ＡＣ）に対しては低い静電容量をもたらす領域を貫通ビアの周りに形成する要素を指す。従来、ＭＥＭＳ構造体の分離構造体は、シリコン構造部分のシリコン貫通ビアを包むガラスシースによって設けられてきた。図１の構造体では分離構造体は異なる。分離構造体１５０は、ビア充填部１５２および中空部１５４を含んで第１方向に広がっており、分離構造体は、固体電気絶縁材料を含む。本明細書の充填という用語は、電気絶縁材料を分離構造体内に導入するために用いられるいずれの特定の手段または方法にも関係しないことに留意されたい。ここで言うビア充填部とは、分離構造体の断面を覆って共形的に延びており、機械的障壁、言いかえれば、揮発性物質が断面を流れるのを防ぐプラグを形成する電気絶縁材料の連続領域を指す。固体電気絶縁材料は、ガラス、例えば、熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数に近いホウケイ酸ナトリウムガラスであってもよい。しかしながら、本目的に適した他の材料（例えば、二酸化ケイ素）がその範囲内で使用されてもよい。
【００２６】
図１のＭＥＭＳ構造体は、第１凹部１２２を覆って延びるギャップ充填部１４０も備える。図１に示すように、ミラー要素がギャップ１６０内で走査運動振動するＭＥＭＳ要素を考える。先に述べたように、第１ウェハ構造体１００の第１凹部１２２および第２ウェハ構造体１０２の第２の凹部１２４は、ＭＥＭＳ構造体内に内部ギャップ１６０を形成している。ギャップが高いほど、ミラー要素１１４の振動の振幅、ひいては走査運動の振幅を大きくできることが容易に分かる。振幅の制限は、ギャップの高さ、すなわち凹部１２２、１２４の高さに少なくとも部分的に依存する。一方、第１凹部１２２の高さは、第１ウェハ構造体の一方側からそのウェハ構造体の他方側まで延びる貫通ビア１０６を形成する工程に非常に依存する。理論的には、人は、より厚いウェハディスクからＭＥＭＳ構造体を製造し、より深い凹部をエッチングすることによって、ギャップの高さを簡単に高くしようとするであろう。しかしながら、これは実際行うのが容易ではない。
【００２７】
第１ウェハ構造体をキャップウェハと呼ぶ。貫通ビアは、通常、一方側からウェハ内に急勾配で貫通する凹部を第１エッチングし、溝をガラス材料で充填し、次いで、溝がウェハの両側に露出するようにウェハの他方側を研削することによって、キャップウェハ内に形成する。キャップウェハが内部ギャップのための凹部および貫通ビアのための凹部を含む場合の解決策では、凹部は従来、別個のエッチング工程、すなわち１以上のビアのための１以上の凹部を製造するための第１エッチング工程と、内部ギャップのための１以上の凹部を製造するための第２エッチングステップとにおいて構造ウェハに作られている。これらの工程の各々ではいくらかのばらつきがあり、考慮する必要のある寸法付けの問題が生じ、現在は組み合わせて考慮する必要もある。このことは従来、いくつかの設計上の複雑さを招いてきた。
【００２８】
現在、深掘りエッチングの最も一般的な方法は、異方性を高くし、エッチング速度を速くするためのエッチング・不動態化交互サイクルを用いる深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）である。通常のＤＲＩＥシステムは、エッチングステップ中に高密度プラズマと、指向性イオン衝撃をもたらすための独立基板パワーバイアスとを適用する。不動態化ステップでは、ポリマーの保護層が共形的に堆積する。エッチングステップ中、シリコン溝の側壁は比較的保護されるが、形成されている溝の底部は指向性イオン衝撃によって貫通される。これらの不動態化／エッチングサイクルの繰り返しによって、高アスペクト比シリコン構造体の生成が可能になる。しかしながら、深掘りエッチングという用語は、本明細書において、露出面から材料を除去するイオンの指向性衝撃に材料を晒すことに基づき、かつ、電気絶縁材料の層によって停止する任意のエッチング方法を指す。
【００２９】
適用されるエッチング工程は、通常、材料除去パラメータが予め固定されている、いわゆるブラインドエッチング工程である。これは、一定期間後、バルク材料エッチング速度の情報に基づいて所定のエッチング工程が自動的に停止するように構成されることを意味する。多数のＭＥＭＳ構造体チップがウェハディスクから同じエッチング工程で製造される場合、ウェハディスクの縁に配置されたチップの凹部は、より中央に配置されたチップの凹部より深い傾向がある。この現象は、深掘り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）工程では非常に典型的である。したがって、貫通ビアのための第１ブラインドエッチングステップの後、第１エッチングステップとは反対の側に、ディスク全体にわたるすべてのチップの貫通ビアを露出させるのに十分ディスクの研削を施す必要がある。これは、中央に配置されたチップに応じて第１エッチング工程の所定のパラメータを調整して、それらチップの貫通ビアも後の研削工程で確実に必ず露出させる必要があることを意味する。一方、内部ギャップの凹部のための第２エッチングステップを制御する所定のパラメータは、ギャップ上方に残る層が確実に、研削に耐え、かつ内部ギャップを安全に塞ぐのに十分厚い深さまでしか及ばないように調整する必要がある。したがって、組み合わせた２つのエッチング工程から蓄積する対照的なばらつきは、キャップウェハの垂直寸法の設計を複雑にし、利用可能なディスク厚さで実現可能な考え得るギャップ高さを制限する。
【００３０】
別の技術的側面は、基準面における貫通ビアまたは分離構造体の寸法を意味する水平寸法に関する。従来の方法では、分離構造体のための凹部は、電気絶縁材料で適切に充填しやすくするように比較的広くなければならない。一方、第１エッチング工程後であって、固体電気絶縁材料の挿入前は、貫通ビアがピラーのように構造部分から立ち上がっている。従来ビアは、次工程段階、例えば、ガラス溶融段階または二酸化ケイ素の化学蒸着に耐えるのに十分厚く設計される必要がある。水平寸法拡大のそのような要件は、チップサイズの拡大に直接つながる。可能であれば、設計寸法に課されるそのようないずれの設計制限および制約も慎重に回避する。
【００３１】
例えば図１に示す、分離構造体が中空部を含むＭＥＭＳ構造体により、これらの課題のうちのいくつかが解決され、または少なくとも軽減される。開示した方法の効果を示すために、いくつかの典型的な工程で適用する寸法を説明によって以下に与える場合がある。しかしながら、その範囲は、本明細書において言及する任意の特定寸法に限定されない。
【００３２】
より詳細に以下に説明するように、分離構造体を気密に塞ぐ電気絶縁領域のための凹部は、構造ウェハの片側に製造することができる。次いで、ギャップのための１以上の凹部と、分離構造体の中空部のための１以上の凹部とを、ウェハの反対側からエッチングすることができ、ビア充填部は、深掘り凹部エッチングのエッチング停止部を画定する。
【００３３】
したがって、深掘りエッチングの貫通が電気絶縁層によって自動的に停止する場合、深掘りエッチングの時間は、ディスクのすべてのチップにおける凹部の所望の高さを確保するように、より自由に予め定めることができる。具体的には、ディスクの深掘り凹部エッチングを用いて、貫通ビアの中空部のための凹部と内部ギャップのための凹部とを同じエッチングステップで形成する場合、深掘りエッチングは、他方側で内部ギャップを塞ぐ第１ウェハ構造体のいずれの部分の厚さも損なうことなく、構造ウェハの中央に配置されたチップの内部ギャップ凹部の所望最適範囲を実現するように調整することができる。したがって、構造ウェハの垂直高さをより有効に利用して、より高いギャップを設け、ひいては、ミラー要素の振幅をより大きくすることができる。例示的な１３００マイクロメートルの構造ウェハでは、提案する構成によって、６５０マイクロメートルから少なくとも７５０マイクロメートルへのギャップ凹部深さの増加が可能になる。
【００３４】
さらに、提案する解決策では、キャップウェハの裏側の研削が少なくてすむ。上述のように、従来の工程では、すべての貫通ビアを露出させるために構造ウェハの裏側を研削する必要がある。図１に示すように、分離構造体の充填部は、構造部分の裏側面から始まる。したがって、貫通ビアを露出させるためには、溶融後、過剰なガラスを研削して取り去るだけである。これにより、例示的な１３００マイクロメートルの構造ウェハでは、研削深さが約１００マイクロメートル減少する。繰り返すが、これにより、シリコンウェハディスクの高さのより多くの部分をギャップの高さに使用することができる。
【００３５】
また図１において、キャップウェハの高さは、２つの部分で深掘り凹部エッチングできることが分かる。従来の工程では、ガラスシースは貫通ビア全体を覆って延びており、例えば、ガラス溶融圧力によって細いシリコンビアピラーが破損し得るなどの破損のリスクがある。分離構造体が中空部を含む場合、ガラス溶融圧力は、エッチングされたビアピラーに対して第１エッチングステップでしか影響を及ぼさず、第１エッチングステップでは溶融ガラス層がより薄くなり、ビアの露出部分はそれに応じて短くなる。これは、従来の構成のビアより細くビアを設計できることを意味する。
【００３６】
さらに、貫通ビアの凹部およびギャップの凹部を１つのエッチング工程でエッチングすることができる場合、深掘り凹部エッチング回数があまり必要ない。深掘り凹部エッチング段階は製造工程の最も費用のかかる部分の１つであるため、それらの削減は、得られるＭＥＭＳ構造体のコストに直接影響を及ぼす。
【００３７】
これらの利点について、図１のＭＥＭＳ構造体の第１ウェハ構造体を製造するための例示的方法を示す図３Ａ〜図３Ｐを用いてより詳述する。この方法は、１つのＭＥＭＳ構造体についてしか示していないが、１つの構造ウェハから製造された複数のＭＥＭＳ構造体チップに対して並行に実施することができ、通常そのように実施される。したがって、図３Ａ〜図３Ｐが１つのＭＥＭＳ構造体のみの１つの構造部分で製造段階を示していても、それら製造段階は、構造ウェハの並行に処理された複数のＭＥＭＳ構造体の構造部分に対して実施してもよい。したがって、「ウェハ要素」という用語をこの明細書において使用する。
【００３８】
図３Ａは、この方法の出発点、すなわちシリコン材料のウェハ要素３００を示す。ウェハ要素の一方側３０２を表側として、また他方側３０４をウェハ要素の裏側として表す。
【００３９】
図３Ｂは、ウェハ要素の裏側３０４への第１レジストマスク３０６の堆積を示す。レジストマスク３０６は、第１エッチングステップで凹ませる裏側３０４の部分を画定するようにパターニングしてもよい。第１レジストマスク３０６は、第１エッチングステップでエッチングすべきでない裏側３０４の部分を覆うことによって保護してもよい。有利には、（ＤＲＩＥのような）深掘りエッチングを第１エッチングステップにおいて適用する。しかしながら、他のエッチング方法をその範囲内で用いることができる。例えば、典型的濃度が１０ｗｔ％〜６０ｗｔ％のＫＯＨ（水酸化カリウム）および典型的濃度が５ｗｔ％〜２５ｗｔ％のＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などの異方性シリコンウエットエッチング液を適用することができる。
【００４０】
図３Ｃは、第１エッチングステップを示す。第１エッチングステップは、第１ウェハ構造体のギャップを覆うギャップ充填領域の所望の厚さにとって十分深いギャップ停止凹部を形成するように調整してもよい。例示的なウェハ要素では、第１エッチング停止におけるＤＲＩＥエッチングは、３８５マイクロメートル〜４７０マイクロメートルの深さまで及び得るであろう。ウェハ要素の裏側３０４は、裏側面内の中央に配置されたギャップ停止凹部３０８と、ギャップ停止凹部３０８の両側の２つのビア停止凹部３１０、３１２とを含むことが示されている。他の構成も、その範囲内で当然可能である。
【００４１】
図３Ｄは、第１レジストマスクの除去を示す。第１レジストマスクは、例えば適切な混合溶媒で、化学的に除去してもよい。
【００４２】
図３Ｅは、得られた第１ウェハ構造体を第２ウェハ構造体と陽極接合するよう準備するために行うステップを示す。このために、ウェハ要素の表側３０２の外縁部にガラス領域が必要である。したがって、第２エッチングステップにおいて、表側の中央部分を覆うことによって保護する第２レジストマスク３１４をウェハ要素３００の表側３０２に堆積させてもよい。
【００４３】
図３Ｆは、表側３０２の表面の周囲に外側凹部３１６を形成する第２エッチングステップを示す。この場合も、有利には深掘りエッチングを適用するが、他のエッチング方法をその範囲内で用いることができる。
【００４４】
図３Ｇは、第２レジストマスクの除去を示す。第２レジストマスクは、例えば適切な混合溶媒で、化学的に除去してもよい。
【００４５】
図３Ｈは、凹んだウェハ要素の熱酸化の任意選択ステップを示す。この構造体の例には、１．５マイクロメートル〜２．１マイクロメートルのシリコン酸化物層３１８が有利であろう。
【００４６】
図３Ｉは、電気絶縁材料からビア充填部およびギャップ充填部を形成するステップを示す。この例では、これらビア充填部およびギャップ充填部は、凹んだウェハ要素の裏側３０４に第１ガラス層３２０を溶融することによって同時に設ける。第１ガラス層３２０は、ギャップ停止凹部３０８およびビア停止凹部３１０、３１２を充填して、ウェハ構造体の裏側の表面を連続的に覆う。
【００４７】
図３Ｊは、ガラスが充填されたギャップ充填部３２２および２つの電気絶縁ビア充填部３２４、３２６をウェハ要素３００の裏側３０４に形成するように、ガラスで覆われた裏側３０４を元の裏側面より下の深さまで研削するステップを示す。研削は、有利には、ギャップ領域３２２上に得られたガラス面の最終微細研削・化学機械研磨を含むように行う。
【００４８】
図３Ｋは、凹んだウェハ要素の表側３０２に第２ガラス層３２８を溶融するステップを示す。第２のガラス層３２８は外側凹部３１６を充填し、有利には、外側凹部３１６より高い。
【００４９】
図３Ｌは、ガラスが充填された周囲領域３３８をウェハ要素３００の表側３０２に形成するように、ガラスで覆われた表側３０２を元の表側面より下の深さまで研削するステップを示す。研削は、有利には、最終微細研削・化学機械研磨を含むように行う。
【００５０】
図３Ｍは、外部アクセス用の第１電気接点３３０、３３２をウェハ要素の裏側３０４に堆積させるステップを示す。第１電気接点３３０、３３２は、それぞれが電気絶縁ビア充填部３２４、３２６内のシリコン領域３４０、３４２の上に、およびシリコン領域３４０、３４２と接触するように裏側の表面に堆積させて、ワイヤボンドパッドとして実装してもよい。図３Ｍはまた、ウェハ要素の表側３０２における、第２ウェハ構造体への内部電気接続用の第２電気接点３３４、３３６の堆積についても示す。これらの第２電気接点３３４、３３６の各々は、第１方向においてそれぞれの第１電気接点３３０、３３２と位置合わせされている。この段階で、いくつかの他の内部要素を加えてもよい。例として、図３Ｍは、塞いだ後にギャップ内の初期条件を完全に満たして維持するためにギャップに含まれるよう堆積している反応物質（例えば、チタン）の１対のゲッタパッド３４４、３４６を示す。
【００５１】
図３Ｎは、ウェハ要素の表側３０２に第３レジストマスク３４２を堆積させるステップを示す。第３レジストマスク３４２は、第３エッチングステップで凹ませる表側３０２の部分を画定するようにパターニングしてもよい。第３レジストマスク３４２は、第３エッチングステップでエッチングするべきでない表側３０２の部分を覆うことによって保護してもよい。これらの部分は、第２電気接点３３４、３３６および１対のゲッタパッド３４４、３４６が堆積する表側面の領域を含む。
【００５２】
図３Ｏは、分離構造体の中空部のためのビア凹部３５０、３５２と、内部ギャップのためのギャップ凹部３５４とを形成する第３エッチングステップを示す。この例では、繰り返すが、それらを同じエッチング工程で形成する。ビア充填部およびギャップ充填部は、深掘り凹部エッチングのエッチング停止部を画定する。この例のように、熱酸化を用いる場合、熱酸化層が既に１次エッチング停止部を提供している。熱酸化を用いない場合、ビア充填部およびギャップ充填部の電気絶縁材料がエッチング停止部を提供する。
【００５３】
図３Ｐは、第３レジストマスクの除去を示す。第３レジストマスクは、例えば適切な混合溶媒で、化学的に除去してもよい。
【００５４】
本発明の開示に関連のある段階のみを本明細書で説明していることに留意されたい。ＭＥＭＳ構造体のキャップウェハは、上記ステップでより詳細に述べていない理由および機能により他の様々な層および要素を含んでもよく、通常含んでいる。また、その範囲はビア充填部を形成する他の選択肢も包含することを留意されたい。ガラスの代わりに、例えば、まず化学蒸着を用いて凹んだウェハ構造体上に二酸化ケイ素を導入し、次いでステップ３Ｉのガラスが充填されたギャップ領域３２２としてガラスの層を溶融することが可能である。
【００５５】
したがって、上記例で示した方法によって、裏側および表側を含むウェハ要素からキャップウェハ構造体を製造することが可能になる。要約すると、この方法は、ギャップ充填部３２２および電気絶縁ビア充填部３２４をウェハ要素の裏側に形成する段階を含む。簡潔にするために、方法の説明では図１の１つのギャップ充填部および１つのビア充填部を参照しているが、ＭＥＭＳ構造体は、本明細書において開示するように実装される１以上のギャップ充填部および１以上のビア充填部を当然含んでもよい。
【００５６】
電気絶縁ビア充填部３２４は、周囲のウェハ要素から貫通ビアを分離する分離構造体の一部である。貫通ビアは、第１部分および第２部分を含み、第１部分はウェハ要素の裏側で露出し、第２部分はウェハ要素の表側で露出するようになっていると考えることができる。電気絶縁ビア充填部３２４は、貫通ビアの第１部分３４０を取り囲む。断面において、貫通ビアは、有利には丸く、そのため分離構造体の断面は、貫通ビアの周りに環状リングを形成している。しかしながら、他の形状もその範囲内で可能である。ギャップ充填部３２２のための凹部およびビア充填部３２４のための凹部は、有利には１つの工程でエッチングするが、必ずしもそうではない。凹部をエッチングした後、ウェハ要素上に薄い酸化物層３１８を生成する熱酸化工程をウェハ要素に施すことができる。ウェハ要素の裏側の研削は、ウェハ要素が再び露出するレベルまで進みさえすればよい。
【００５７】
次いで、ギャップ凹部３５４およびビア凹部３５０をウェハ要素の表側３０２にエッチングすることができる。この例では、同じエッチング工程で両方の凹部をエッチングするが、別個の工程をその範囲内で用いてもよい。ビア凹部３５０は、貫通ビアの第２部分を取り囲む中空部をウェハ要素内に形成することによって、貫通ビアの第２部分を形成している。第１方向において、ギャップ凹部３５４のエッチングはギャップ充填部３２２と揃えられ、ビア凹部３５０のエッチングはビア充填部３２４と揃えられている。したがって、エッチングがウェハ要素の材料を除去し、ひいてはウェハ要素を貫通して第１方向に進行する場合、ギャップ凹部３５４は、最終的にギャップ充填部３２２に当たる。それに対応して、エッチングがウェハ要素の材料を除去し、ひいてはウェハ要素を貫通して第１方向に進行する場合、ビア凹部３５０は、最終的にビア充填部３２４に当たる。次いで、ビア凹部３５０はビア充填部３２４と共に、中空部と固体電気絶縁材料のビア充填部とを含む分離構造体を形成する。ビア充填部３２４は、貫通ビアの第１部分３４０をウェハ要素３００から分離する固体電気絶縁材料を提供し、ビア凹部３５０は、貫通ビアの第２部分をウェハ要素３００から分離する中空部を提供する。深掘り凹部エッチング工程はギャップ充填部３２２上のガラスまたは熱酸化層によって停止するため、エッチング工程における貫通速度のばらつきのような工程のばらつきがあったとしても、ギャップの高さはギャップ充填部の深さによって正確に画定される。それに対応して、ビア充填部３２４の電気絶縁材料またはビア充填部３２４上の熱酸化層は、ビア凹部３５０のエッチングのためのエッチング停止部として機能する。
【００５８】
電気シグナルがキャップウェハを通過し得る機能的キャッピングを提供するために、ウェハ要素の裏側に外部アクセス用の第１電気接点３３０を形成する。第１電気接点３３０は、貫通ビア３４０の第１部分の上に設けられ、第１部分と電気接触している。ウェハ要素の表側には、貫通ビアの第２部分の上に第２電気接点３３４を形成する。第２電気接点によって、第１電気接点３３０から貫通ビアおよび第２電気接点３３４を介して、キャップウェハによってキャップされるウェハ構造体上の電気接点への電気接続が可能になる。図１に示すように、ギャップ凹部１２２の底部にさらなるゲッタ層１６２を堆積させることができる。
【００５９】
これまで、第２ウェハ構造体１０２は１つの一体型要素と述べてきた。しかしながら、これは必ずしもそうとは限らない。第２ウェハ構造体１０２は、デバイスウェハ構造体１７０およびガラスウェハ構造体１７２から形成してもよく、それらの各々は、別々に製造し、説明したＭＥＭＳ構造体を共に形成するように互いに、そして第１ウェハ構造体１００に接合させる。さらに、図１に開示した構造体により、１つの接合工程において３つのウェハ構造体すべてを非常に密着させて強固に接合することができる最適な組合せが可能になる。図１のＭＥＭＳ構造体では、ギャップ１６０内で懸架部と共に面外方向に動く圧電トランスデューサのための電圧を、キャップウェハを介して内部ギャップにもたらすことができ、これは、接合される表面を接合に最適であるように設計することができることを意味する。予め研磨されたガラスディスクを使用することによって、光学品質が高い光学窓をガラスウェハを介してＭＥＭＳ構造体に設けることができる。これはすべて、同時に接合された３つのウェハ構造体の組合せで簡単に実現することができる。
【００６０】
ギャップ充填部１４０の外ガラス面は、段階３Ｃで深掘りエッチングしたシリコン面から複製するため、ギャップ充填部は、ガラス製であったとしても、ガラスウェハ１７２を介した光学窓と同じレベルの光学品質を提供しなくてもよいことに留意されたい。したがって、ＭＥＭＳの広範囲にわたる主な光学機能は、第２ウェハ構造体の光学窓によって、ここではガラスウェハ１７２の光学窓によって有利に実施される。しかしながら、キャップへの開示した工程で実現可能なギャップ充填部１４０の光学品質が、走査ミラーのいくつかの二次動作機能に適用可能であってもよい。例えば、ミラーの動きは、ギャップ充填部１４０の近くに位置する検知器装置（図示せず）で検出することができる。
【００６１】
図４は、ギャップ充填部１４０の光学品質がさらに改善される特許請求するＭＥＭＳ構造体の別の例を示す。図４のＭＥＭＳ構造体は、図１で説明したＭＥＭＳ構造体に非常に対応しているため、対応する部分を同様に番号付けしている。この例では、図１の任意選択のゲッタ層１６２を除外することによって、ギャップ充填部１４０の光学品質が改善された。さらに、この方法は、ステップ３Ｐ後にガラス充填部の表面から熱酸化層を除去するステップで補完した。熱酸化層は、有利には、それに続くガラス面の光学品質が本質的に低下しないように深掘りエッチング方法以外の方法で除去する。また図４に示すように、ミラー要素１１４は、その両側に１つずつある２つの反射面を含み得る。
【図１】
2020163558.tif 000003
【図２】
2020163558.tif 000004
【図３Ａ】
2020163558.tif 000005
【図３Ｂ】
2020163558.tif 000006
【図３Ｃ】
2020163558.tif 000007
【図３Ｄ】
2020163558.tif 000008
【図３Ｅ】
2020163558.tif 000009
【図３Ｆ】
2020163558.tif 000010
【図３Ｇ】
2020163558.tif 000011
【図３Ｈ】
2020163558.tif 000012
【図３Ｉ】
2020163558.tif 000013
【図３Ｊ】
2020163558.tif 000014
【図３Ｋ】
2020163558.tif 000015
【図３Ｌ】
2020163558.tif 000016
【図３Ｍ】
2020163558.tif 000017
【図３Ｎ】
2020163558.tif 000018
【図３Ｏ】
2020163558.tif 000019
【図３Ｐ】
2020163558.tif 000020
【図４】
2020163558.tif 000021
【外国語明細書】
2020163558.tif 000022
2020163558.tif 000023
2020163558.tif 000024
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2020163558.tif 000039
2020163558.tif 000040
2020163558.tif 000041
【図１】
2020163558.tif 000042
【図２】
2020163558.tif 000043
【図３Ａ】
2020163558.tif 000044
【図３Ｂ】
2020163558.tif 000045
【図３Ｃ】
2020163558.tif 000046
【図３Ｄ】
2020163558.tif 000047
【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
2020163558.tif 000049
【図３Ｇ】
2020163558.tif 000050
【図３Ｈ】
2020163558.tif 000051
【図３Ｉ】
2020163558.tif 000052
【図３Ｊ】
2020163558.tif 000053
【図３Ｋ】
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【図３Ｌ】
2020163558.tif 000055
【図３Ｍ】
2020163558.tif 000056
【図３Ｎ】
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【図３Ｏ】
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【図３Ｐ】
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【図４】
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