(57)【要約】【課題】基材における基材ヒゲの発生を抑制または防止することで、電子部品を備える電子部品封止体に設けられるノイズ抑制層を、優れた生産性をもって形成することができるとともに、ノイズ抑制層の剥離を生じさせることなく優れた成膜精度で形成することができる加工用粘着テープを提供すること。【解決手段】本発明の加工用粘着テープは、基板と、基板上に配置された電子部品と、電子部品を封止する封止部とを有し、封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層３が設けられた電子部品封止体２９０を、複数の電子部品封止体２９０が連結された電子部品封止連結体２７０を個片化することで複数一括して得る際に用いられるものであり、基材４と、基材４の電子部品封止連結体２７０を固定する側の面に積層された粘着層２とを有し、基材４は、その８０℃における破断伸度が７５０％以下である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有し、前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を、複数の前記電子部品封止体が連結された電子部品封止連結体を個片化することで複数一括して得る際に用いられる加工用粘着テープであって、
基材と、前記基材の前記電子部品封止連結体を固定する側の面に積層された粘着層とを有し、
基材は、その８０℃における破断伸度が７５０％以下であることを特徴とする加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記基材は、その２３℃における破断伸度が５０％以上である請求項１に記載の加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記粘着層のタック力は、２５℃において５０ｋＰａ以上５００ｋＰａ未満であり、かつ８０℃において２０ｋＰａ以上３００ｋＰａ未満である請求項１または２に記載の加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記基材のタック力は、８０℃において１ｋＰａ以上２００ｋＰａ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の加工用粘着テープ。
【請求項５】
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の加工用粘着テープ。
【請求項６】
前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項５に記載の加工用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加工用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、医療機器のように電磁波の影響を受けやすい電子部品や、半導体素子等の半導体電子部品、さらにはコンデンサー、コイル等の各種電子部品、またはこれらの電子部品が回路基板に実装された電子装置は、電磁波によるノイズの影響を軽減するため、これら電子部品または電子装置を、アルミやＳＵＳのような金属カンシールドで封止するシールド方法が実施されてきた。
【０００３】
しかしながら、この金属カンシールドは、種類別に配置された部品集合体に対して施され、その影響で基板上の各部品の配置には制約があり、基板の設計自由度は、機能面からは必ずしも最良というわけではない。さらに、金属カンシールドにより部品集合体を封止することから、金属カンシールドと部品集合体との間に空間が生じるため、かかる部品集合体を備える電子機器の大型化を招くという問題があった。
【０００４】
そのため、かかる問題点を解消するために、基板上に配置された電子部品を封止材により封止された電子部品封止体の上面および側面を、金属薄膜層等で構成されるノイズ抑制層で被覆する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、電子部品封止体にノイズ抑制層を形成して電磁波によるノイズの影響を軽減する方法では、このノイズ抑制層が、主として、スパッタリング法を用いて製造されるが、この場合、スパッタリング法に用いる装置が、その操作が煩雑かつ高価であったり、生産性が低いと言った問題があった。
【０００６】
また、導電性粒子を含有する金属ペーストを用いたり、メッキ法を用いることによりノイズ抑制層を形成することも考えられるが、これらの方法によっても、種々の問題を有しているのが実情であった。
【０００７】
かかる問題点を解決すること、すなわち、電子部品を備える電子部品封止体にノイズ抑制層を、比較的容易に、かつ、優れた生産性をもって形成することを目的に、例えば、特許文献２に示すような方法が提案されている。
【０００８】
すなわち、複数の電子部品封止体が面方向において連結した電子部品封止連結体を用意し、この電子部品封止連結体の下面側に、基材と、基材に積層された粘着層とを有する粘着テープを、粘着層を電子部品封止連結体側にして貼付した後に、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断することにより個片化して、複数の電子部品封止体を粘着テープ上に形成する。そして、これらの電子部品封止体に対して、ノイズ抑制層と基材層（剥離層）とを備えるシールド用フィルムを貼付した後に基材層を剥離することで、ノイズ抑制層を転写し、その後、電子部品封止体から粘着テープを剥離することにより、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を一括して複数得る方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
この方法において、電子部品封止連結体の個片化では、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断することにより、電子部品封止連結体が個片化され、その結果、複数の電子部品封止体が粘着テープ上に形成されるが、この際に、粘着テープの基材に到達するまで、電子部品封止連結体の厚さ方向に切断することで、電子部品封止連結体の個片化が実施される。
【００１０】
そのため、この厚さ方向における切断時に、基材から基材ヒゲが発生すると、この基材ヒゲが、シールド用フィルムの貼付によるノイズ抑制層の形成時に、ノイズ抑制層と電子部品封止体との間に取り込まれる。その結果、電子部品封止体から粘着テープを剥離させる際に、粘着テープを円滑に剥離させることができなかったり、ノイズ抑制層の縁部において剥離が生じると言う問題があった。
【００１１】
なお、上記で示した方法に限らず、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断することで、電子部品封止連結体を個片化して、複数の電子部品封止体を一括して得る際に、上記粘着テープを用いる場合には、同様の問題が生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０１５−１３０４８４号公報
【特許文献２】特開２０１７−１４３２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、基材における基材ヒゲの発生を抑制または防止することで、電子部品を備える電子部品封止体に設けられるノイズ抑制層を、優れた生産性をもって形成することができるとともに、ノイズ抑制層の剥離を生じさせることなく優れた成膜精度で形成することができる加工用粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的は、下記（１）〜（６）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板上に配置された電子部品と、前記電子部品を封止する封止部とを有し、前記封止部の上面および側面を被覆するノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体を、複数の前記電子部品封止体が連結された電子部品封止連結体を個片化することで複数一括して得る際に用いられる加工用粘着テープであって、
基材と、前記基材の前記電子部品封止連結体を固定する側の面に積層された粘着層とを有し、
基材は、その８０℃における破断伸度が７５０％以下であることを特徴とする加工用粘着テープ。
【００１５】
（２）  前記基材は、その２３℃における破断伸度が５０％以上である上記（１）に記載の加工用粘着テープ。
【００１６】
（３）  前記粘着層のタック力は、２５℃において５０ｋＰａ以上５００ｋＰａ未満であり、かつ８０℃において２０ｋＰａ以上３００ｋＰａ未満である上記（１）または（２）に記載の加工用粘着テープ。
【００１７】
（４）  前記基材のタック力は、８０℃において１ｋＰａ以上２００ｋＰａ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の加工用粘着テープ。
【００１８】
（５）  前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の加工用粘着テープ。
【００１９】
（６）  前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（５）に記載の加工用粘着テープ。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、複数の電子部品封止体が面方向において連結した電子部品封止連結体に、基材と、基材に積層された粘着層とを有する加工用粘着テープ（本発明の加工用粘着テープ）を、粘着層を電子部品封止連結体側にして貼付した状態で、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断することにより個片化して、複数の電子部品封止体を加工用粘着テープ上に形成する際に、基材において、基材の切断部分から伸びたヒゲ状の残渣である基材ヒゲが発生してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【００２１】
また、加工用粘着テープ上の電子部品封止連結体に対して、ノイズ抑制層と基材層（剥離層）とを備えるシールド用フィルムを貼付した後に基材層を剥離することで、ノイズ抑制層が転写され、その結果、電子部品封止連結体にノイズ抑制層が成膜されている。このノイズ抑制層に対して、電子部品封止連結体を個片化する際に基材に生じる基材ヒゲが付着するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、ノイズ抑制層が設けられた電子部品封止体の生産性の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の加工用粘着テープを用いて製造された電子部品封止体を備える半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を製造する第１の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置を製造する第１の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置を製造する第１の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置が備える電子部品封止体を製造する際に用いられる加工用粘着テープの縦断面図である。
【図６】図１に示す半導体装置を製造する第２の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置を製造する第２の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置を製造する第２の製造方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の加工用粘着テープを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
以下では、本発明の加工用粘着テープを説明するのに先立って、まず、本発明の加工用粘着テープを用いて製造された電子部品封止体を備える半導体装置について説明する。
【００２５】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の加工用粘着テープを用いて製造された電子部品封止体を備える半導体装置の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２６】
図１に示す半導体装置２０は、厚さ方向に貫通して配置された導体ポスト（図示せず）を備えるインターポーザー（基板）２５と、インターポーザー２５上に配置された半導体素子２６ならびにコンデンサー、コイルのような電子素子２８と、半導体素子２６および電子素子２８を封止する封止部２７（モールド部）と、封止部２７およびインターポーザー２５を被覆するノイズ抑制層３と、導体ポストに電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ２１（端子）と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。
【００２７】
インターポーザー２５は、半導体素子２６および電子素子２８を支持する基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。このインターポーザー２５は、単層体で構成される場合、インターポーザー２５（単層体）の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔（図示せず）が形成され、この貫通孔に対応して導体ポストが設けられている。また、インターポーザー２５が積層体で構成される場合には、インターポーザー２５は、貫通孔に対応して導体ポストが設けられた前記単層体が厚さ方向に複数積層された積層体で構成される。
【００２８】
半導体素子２６および電子素子２８は、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８がその下面側に有する電極パッドが導体ポストに対応するように、インターポーザー２５上に、本実施形態では、半導体素子２６が１つ、電子素子２８が２つそれぞれ配置されている。なお、本実施形態では、これら半導体素子２６および電子素子２８が、半導体装置２０が備える電子部品を構成する。
【００２９】
かかる位置に半導体素子２６および電子素子２８が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２６、電子素子２８およびインターポーザー２５の上面側を覆うように形成される。
【００３０】
インターポーザー２５の貫通孔に対応して形成された導体ポストは、その上側の端部で、半導体素子２６または電子素子２８が備える電極パッド（端子）と電気的に接続される。
【００３１】
また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が設けられ、その一部が導体ポストの下側の端部と電気的に接続される。
【００３２】
さらに、配線２３の下面には、球状体をなすバンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２６または電子素子２８とバンプ２１とが、電極パッド（端子）、導体ポストおよび配線２３を介して電気的に接続される。また、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。
【００３３】
そして、ノイズ抑制層３は、封止部２７の上面、封止部２７の側面およびインターポーザー２５の側面を被覆して設けられている。このノイズ抑制層３により、インターポーザー２５上に設けられた半導体素子２６および電子素子２８と、ノイズ抑制層３を介して、半導体素子２６および電子素子２８の外側すなわち半導体装置２０の外側に位置する他の電子部品等とを、これらの少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）して、電磁波によるノイズが抑制される。なお、このノイズ抑制層３は、インターポーザー２５の側面側において、図示しない配線を介して電気的に接地される。
【００３４】
なお、かかる構成の半導体装置２０において、インターポーザー２５と、半導体素子２６および電子素子２８と、封止部２７とにより、後述する電子部品封止体２９０が構成される。
【００３５】
また、本実施形態では、電子部品を構成する半導体素子２６および電子素子２８を、それぞれ、１つおよび２つずつ半導体装置２０が備えるが、かかる構成に限定されず、半導体装置（電子装置）は、いずれか１つを備えるものであってもよく、上記以上の半導体素子２６および電子素子２８を備えるものであってもよいし、さらに、半導体素子２６および電子素子２８とは異なる電子部品を備えるものであってもよい。
【００３６】
以上のような構成をなす半導体装置２０（電子部品封止体２９０を備える半導体装置２０）を、本発明の加工用粘着テープを用いた、例えば、以下に示す半導体装置２０の第１の製造方法により製造することができる。
【００３７】
（半導体装置２０の第１の製造方法）
本発明の加工用粘着テープを用いた半導体装置２０の第１の製造方法は、平板状をなすシート材と、このシート材上に配置された複数の電子部品と、電子部品が配置されている上面側にシート材と電子部品とを覆うように封止して形成された封止部とを有し、シート材の下面側に形成された配線と、シート材の下面側に形成され、シート材および配線を覆う被覆部とが設けられた電子部品封止連結体を準備する準備工程と、形成すべき電子部品封止体毎に対応するように、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、電子部品封止体の前記側面が露出する凹部を設けることで、電子部品封止体を形成する切断工程と、電子部品封止体の上面および側面を被覆するノイズ抑制層を形成するノイズ抑制層形成工程と、凹部を被覆部を貫通するまで到達させて個片化する個片化工程と被覆部が備える開口部で露出する配線に電気的に接続されたバンプを形成することで、前記電子装置を得るバンプ形成工程と、を有する。
【００３８】
以下、これらの各前記工程を含む本実施形態の電子装置の製造方法について詳述する。
図２〜図４は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図、図５は、図１に示す半導体装置が備える電子部品封止体を製造する際に用いられる加工用粘着テープの縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３９】
［１Ａ］まず、配線２３と被覆部２２とが設けられた電子部品封止連結体２７０を用意する。
【００４０】
この配線２３と被覆部２２とが設けられた電子部品封止連結体２７０は、例えば、下記工程［１−１Ａ］〜下記工程［１−６Ａ］を経ることで、用意される（準備工程）。
【００４１】
［１−１Ａ］まず、図２（ａ）に示すような、平板状をなすシート材２５’を用意する。
【００４２】
なお、このシート材２５’は、予め形成された複数の貫通孔（図示せず）を備え、さらに、これら貫通孔に対応して埋設された導体ポスト（図示せず）を備えるものであり、この導体ポストは、後述する工程［１−５Ａ］において、半導体素子２６および電子素子２８をシート材２５’上に配置させた際に、半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）が対応する位置に形成されている。すなわち、シート材２５’は、貫通孔に対応して設けられた導体ポストを、シート材２５’上に配置される複数の半導体素子２６および電子素子２８が備える電極パッド（端子）の総数と同じ数で形成されている。
【００４３】
また、シート材２５’は、その厚さ方向に切断して個片化することにより、半導体装置２０が有するインターポーザー２５（基板）となり、半導体素子２６および電子素子２８を支持する機能を発揮するものである。
【００４４】
このシート材２５’は、半導体素子２６および電子素子２８を支持し得る程度の硬度を有するものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）の何れであってもよいが、これらの中でも、特に、ビルドアップ基板であるのが好ましい。ビルドアップ基板は、特に、加工性に優れることから好ましく用いられる。
【００４５】
ビルドアップ材料としては、特に限定されないが、例えば、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂と、硬化剤と、無機充填材とを含有する樹脂組成物等の硬化物を主材料として構成されるものが挙げられる。
【００４６】
なお、コア基板としては、特に限定されないが、例えば、主として、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂のような熱硬化性樹脂等で構成されるものが挙げられる。
【００４７】
さらに、フレキシブル基板としては、例えば、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリイミドベンゾオキサゾール（ＰＩＢＯ）、液晶ポリマーのような熱可塑性樹脂等で構成されるものが挙げられる。
【００４８】
［１−２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、インターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８を配置するのと反対の面側（下面側）に、導体ポストに電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を形成する（配線形成工程）。
【００４９】
この配線２３を形成する方法としては、特に限定されず、例えば、Ｉ：電解メッキ法、無電解メッキ法のようなメッキ法を用いて配線２３を形成する方法、II：導電性材料を含有する液状材料をインターポーザー２５に供給し乾燥・固化することにより配線２３を形成する方法等が挙げられるが、Ｉの方法、特に電解メッキ法を用いて配線２３を形成するのが好ましい。電解メッキ法によれば、導体ポストに対して、優れた密着性を発揮する配線２３を容易かつ確実に形成することができる。
【００５０】
［１−３Ａ］次に、図２（ｃ）に示すように、インターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８を配置するのと反対の面側（下面側）に、インターポーザー２５および配線２３を被覆するように被覆部２２を形成する（被覆部形成工程）。
【００５１】
このような、被覆部２２は、通常、主としてＮｉで構成される下層上に、主としてＡｕで構成される上層を積層した積層体で構成され、例えば、無電解メッキ法を用いて形成される。
【００５２】
［１−４Ａ］次に、図２（ｄ）に示すように、被覆部２２に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を形成する。
【００５３】
これにより、インターポーザー２５の半導体素子２６および電子素子２８を配置するのと反対の面側（下面側）に、配線２３の一部が露出する開口部２２１を備える被覆部２２が設けられる。
【００５４】
なお、この開口部２２１は、後工程［７Ａ］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。
【００５５】
この開口部２２１を被覆部２２に形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、開口部２２１を形成すべき位置を露出させるレジスト層を、被覆部２２に形成した後に、レジスト層をマスクとして用いて、被覆部２２の開口部２２１を形成すべき位置をエッチングする方法が挙げられる。
【００５６】
［１−５Ａ］次に、配線２３、および、開口部２２１を備える被覆部２２が設けられたシート材２５’上に複数の半導体素子２６および電子素子２８を配置（載置）する（図２（ｅ）参照。）。
【００５７】
シート材２５’上に半導体素子２６および電子素子２８を配置する際、半導体素子２６および電子素子２８は、シート材２５’が備える導体ポストの位置に、それぞれ、半導体素子２６および電子素子２８が有する電極パッドが対応する位置に配置される。そして、このような配置により、形成すべき半導体装置２０が備える半導体素子２６および電子素子２８が配置されるべき位置に、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’上において配置されることとなる。
【００５８】
なお、半導体素子２６および電子素子２８（特に半導体素子２６）は、シート材２５’上に固定されていても固定されていなくてもよいが、エポキシ系接着剤等の接着剤（アンダーフィル材）により固定されているのが好ましい。これにより、次工程［１−６Ａ］において、半導体素子２６および電子素子２８を封止部２７で封止する際に、半導体素子２６および電子素子２８の位置ずれが生じてしまうのを効果的に防止することができる。
【００５９】
［１−６Ａ］次に、シート材２５’の上面側、すなわち半導体素子２６および電子素子２８が配置されている側の面を、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うように封止部２７を形成する（図２（ｆ）参照。）。
【００６０】
これにより、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８がシート材２５’の上面側で封止部２７により封止された電子部品封止連結体２７０が、その下面側に配線２３と被覆部２２とが設けられた状態で得ることができる。
【００６１】
封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、顆粒状のエポキシ樹脂組成物のような熱硬化性樹脂組成物を溶融させた状態で、シート材２５’、半導体素子２６および電子素子２８を覆うようにシート材２５’の上面に供給した後、この溶融状態の熱硬化性樹脂組成物を圧縮成形する方法が挙げられる。かかる方法によれば、半導体素子２６をシート材２５’上において容易かつ高密度に封止部２７で封止することができる。
【００６２】
以上のような、工程［１−１Ａ］〜［１−６Ａ］により、配線２３と被覆部２２とが設けられた電子部品封止連結体２７０が用意される。
【００６３】
以上のように、後述する電子部品封止体２９０にではなく、電子部品封止連結体２７０に対して、一括して、配線２３および被覆部２２を形成されていることとなるため、配線２３および被覆部２２を形成する際の工程の簡略化が図られ、時間と手間が省かれることから、結果として、製造される半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
【００６４】
なお、本実施形態では、電子部品封止連結体２７０の形成に先立って、シート材２５’の下面側に、配線２３、および、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する場合について説明したが、この場合に限定されず、例えば、電子部品封止連結体２７０を形成した後に、シート材２５’の下面側に、配線２３、および、開口部２２１を備える被覆部２２を形成してもよい。
【００６５】
さらに、前記工程［１−４Ａ］における、被覆部２２に対する開口部２２１の形成を省略して、後工程［７Ａ］におけるバンプ２１の形成に先立って、被覆部２２に開口部２２１を形成するようにしてもよい。
【００６６】
［２Ａ］次に、基材４と、基材４に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００（本発明の加工用粘着テープ）を用意し、図２（ｇ）に示すように、電子部品封止連結体２７０に形成された被覆部２２の電子部品封止連結体２７０と反対側（下面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止連結体２７０側にして、被覆部２２に積層（貼付）する。
【００６７】
すなわち、本工程［２Ａ］により、次工程［３Ａ］（切断工程）に先立って、電子部品封止連結体２７０に形成された被覆部２２の下面側に、粘着テープ１００（第１粘着テープ）を、粘着層２（第１粘着層）を電子部品封止連結体２７０側にして貼付する第１貼付工程が構成される。
【００６８】
この電子部品封止連結体２７０に形成された被覆部２２への粘着テープ１００の貼付は、例えば、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、被覆部２２の電子部品封止連結体２７０と反対側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することにより行うことができる。なお、粘着テープ１００に電子部品封止連結体２７０に設けられた被覆部２２を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
【００６９】
粘着テープ１００（ダイシングテープ）は、粘着層２を介して基材４により電子部品封止連結体２７０を支持するとともに、粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止連結体２７０に対する粘着性が低下する機能を有するものであり、次工程［３Ａ］において、電子部品封止連結体２７０を個片化することで複数の電子部品封止体２９０を得る際、さらには、後工程［４Ａ］において、電子部品封止体２９０に、ノイズ抑制層３を設ける際に用いられるものである。
【００７０】
この粘着テープ１００が本発明の加工用粘着テープで構成されており、図２（ｇ）、図５に示すように、基材４と、基材４の電子部品封止連結体２７０を固定する側の面に積層された粘着層２とを有し、基材４は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に準拠して測定される８０℃における破断伸度が７５０％以下となっている。
【００７１】
ここで、基材４は、次工程［３Ａ］、後工程［４Ａ］において、粘着層２を介して電子部品封止連結体２７０（電子部品封止体２９０）を支持するものであるが、後工程［４Ａ］の次工程である後工程［５Ａ］において、被覆部２２を貫通させて、被覆部２２と配線２３とが形成された電子部品封止体２９０を一括して複数得る際に、基材４の切断が、その厚さ方向の途中に到達するまで実施されるものである。
【００７２】
この際に、本発明では、前記の通り、基材４の８０℃における破断伸度が７５０％以下となっている。このような基材４は、被覆部２２および粘着テープ１００の切断により、基材４が加熱されたとしても、柔らかく伸びやすい状態とはなりにくいことから、基材４の切断部分から伸びたヒゲ状の残渣である基材ヒゲが発生するのを的確に抑制または防止することができる。
【００７３】
この基材４の８０℃における破断伸度は、７５０％以下であればよいが、６００％以下であることが好ましく、５０％以上４００％以下であることがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【００７４】
さらに、基材４の２３℃における破断伸度は、５０％以下であることが好ましく、１％以上４０％以下であることがより好ましい。これにより、後工程［６Ａ］において、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離させる際に、基材４において破断や、亀裂が生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【００７５】
このような基材４の構成材料としては、例えば、アイオノマー樹脂、ＥＭＭＡ（エチレン−メタクリル酸共重合体）、ＥＭＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）、ＥＥＡ（エチレン−エチルアクリル酸共重合体）などのエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体およびＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、アイオノマー樹脂であることが好ましい。これにより、基材４の８０℃における破断伸度を確実に７５０％以下に設定することができるとともに、基材４の可視光の透過性がより優れたものとなる。
【００７６】
なお、本明細書中において、アイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂であり、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００７７】
また、前記金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）、リチウムイオン（Ｌｉ＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、前記金属イオンとしては、亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、ダイシング屑を出難くすることができ、また、耐水性が高いことから、次工程［４］における電子部品封止連結体２７０のダイシング時に、電子部品封止連結体２７０に供給される切削水によって、基材４が膨張するのを的確に抑制することができる。
【００７８】
さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。なお、アイオノマー樹脂は、合成することにより得られるものを使用してもよいが、市販のものを用いることもできる。
【００７９】
さらに、基材４は、アイオノマー樹脂を含む場合、アイオノマー樹脂とは異なる他の樹脂材料を含有してもよい。
【００８０】
かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８１】
さらに、基材４は、前記樹脂材料の他に、酸化防止剤等の添加剤、フィラー等を含有していてもよい。
【００８２】
基材４のアイオノマー樹脂の含有率は、６０重量％以上１００重量％以下であることが好ましく、８０重量％以上１００重量％以下であることがより好ましい。前記下限値以上であることにより、上述した基材４としての機能を確実に発揮させることができる。
【００８３】
なお、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。
【００８４】
また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。
【００８５】
さらに、基材４の厚さは、後工程［５Ａ］における切断による基材４への切り込みの深さ（以下、「切込み量」ともいう。）よりも厚いことが好ましい。具体的には、基材４の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１４０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。これにより、後工程［５Ａ］において、電子部品封止体２９０に形成された被覆部２２を切削する際に、基材４の途中まで切削するが、この際に、基材４に割れや亀裂が生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【００８６】
また、基材４のタック力は、８０℃において１ｋＰａ以上２００ｋＰａ以下であることが好ましく、１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下であることがより好ましく、１ｋＰａ以上６０ｋＰａ以下であることがさらに好ましい。これにより、後工程［５Ａ］において、被覆部２２および粘着テープ１００の切断時に、基材４が加熱されたとしても、ダイサーテーブルに対して基材４が融着するのを抑制または防止することができる。そのため、粘着テープ１００を用いた半導体装置２０の製造の際の作業性の向上を図ることができる。
【００８７】
なお、基材４のタック力の測定は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、例えば、株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩにより、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｏａｄを用いて、粘着テープ１００の基材４を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させることにより実施する。その際、プローブを測定試料に接触させる時のスピードを３０ｍｍ／ｍｉｎとし、接触荷重を１００ｇｆとし、接触時間を１秒とし、８０℃におけるタック力は、プローブ温度およびプレート温度を８０℃とする。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がす際に要する力をタック力として測定する。
【００８８】
また、基材４は、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法に準拠して測定された、Ｄ６５標準光源における全光線透過率が８５％以上９８％以下となっているのが好ましく、９０％以上９８％以下となっているのが好ましく、９５％以上９８％以下となっているのがより好ましい。これにより、粘着テープ１００の透光性を優れたものとすることができる。そのため、後工程［５Ａ］の被覆部２２の切断により作製された、被覆部２２および配線２３が形成された電子部品封止体２９０のうち電子部品封止体２９０に欠陥が生じているものを、後工程［７Ａ］に移行するのを的確に防止することができる。
【００８９】
粘着層２は、次工程［３Ａ］において、電子部品封止連結体２７０をダイシングして個片化することで電子部品封止体２９０を得る際、および、後工程［４Ａ］において、電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を形成する際に、電子部品封止連結体２７０（電子部品封止体２９０）に粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により電子部品封止体２９０への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と電子部品封止体２９０との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
【００９０】
このような粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、粘着層２にエネルギー線を照射する方法および粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、電子部品封止体２９０が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層２にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層２として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。
【００９１】
かかる機能を備える粘着層２は、例えば、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
【００９２】
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層２へのエネルギー線の照射前に、電子部品封止連結体２７０に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
【００９３】
このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。さらに、アクリル系樹脂を含む粘着層２を、その２５℃および８０℃におけるタック力を後述する範囲内であるものに比較的容易に設定することができる。
【００９４】
なお、アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。
【００９５】
（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギーの付与により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。
【００９６】
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。
【００９７】
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル）２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられる。
【００９８】
硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５００重量部以下で配合されることが好ましく、１０重量部以上３００重量部以下で配合されることがより好ましく、２０重量部以上２００重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、後工程［６Ａ］における電子部品封止体２９０からの粘着テープ１００の剥離性を優れたものとすることができる。
【００９９】
（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により電子部品封止連結体２７０に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
【０１００】
光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０１】
また、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）、（２）、（３）以外に他の成分として、架橋剤、帯電防止剤、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。
【０１０２】
また、この粘着層２は、粘着層２のタック力が２５℃において５０ｋＰａ以上５００ｋＰａ未満となっており、かつ８０℃において２０ｋＰａ以上３００ｋＰａ未満となっているのが好ましく、２５℃において２００ｋＰａ以上５００ｋＰａ未満となっており、かつ８０℃において２０ｋＰａ以上１５０ｋＰａ未満となっているのがより好ましい。
【０１０３】
ここで、２５℃における粘着層２のタック力が前記下限値未満であると、粘着層２の構成材料によっては、本工程［２Ａ］における、粘着テープ１００の電子部品封止連結体２７０への積層（貼付）時に、粘着層２とシート材２５’との間に、気泡が生じ、そのため、粘着テープ１００による電子部品封止連結体２７０の固定が不安定なものとなり、次工程［３Ａ］における電子部品封止連結体２７０および後工程［５Ａ］における被覆部２２のダイシング性や、後工程［６Ａ］における電子部品封止体２９０からの粘着テープ１００の剥離性が低下するおそれがある。
【０１０４】
また、２５℃における粘着層２のタック力が前記上限値を超えると、粘着層２の構成材料によっては、本工程［２Ａ］における、粘着テープ１００の電子部品封止連結体２７０への積層（貼付）時に、被覆部２２に対して、粘着層２が馴染み過ぎ、そのため、粘着層２の被覆部２２に対する粘着力（アンカー）が強くなり過ぎる傾向を示すおそれがある。そのため、後工程［６Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与することで、電子部品封止体２９０に対する粘着層２の粘着力を低下させたとしても、この粘着力を十分には低下させることができず、被覆部２２からの粘着テープ１００の剥離性が低下するおそれがある。また、粘着層２の馴染みが大き過ぎると、開口部２２１に粘着層２が入り込んでしまい、後工程［６Ａ］における被覆部２２からの粘着テープ１００の剥離時に、糊残りが生じる原因となる場合がある。
【０１０５】
さらに、８０℃における粘着層２のタック力が前記下限値未満であると、粘着層２の構成材料によっては、次工程［５Ａ］における、被覆部２２のダイシングブレードによるダイシング時に、ダイシングブレードとの摩擦により、粘着層２が加熱されるが、この加熱により、粘着テープ１００による被覆部２２ひいては電子部品封止体２９０の固定が不安定なものとなるおそれがある。そのため、このダイシング時に、被覆部２２の裏面が切削水により汚染されたり、電子部品封止体２９０の飛びが発生したりするおそれがある。
【０１０６】
また、８０℃における粘着層２のタック力が前記上限値を超えると、粘着層２の構成材料によっては、次工程［５Ａ］における、被覆部２２のダイシングブレードによるダイシング時に、ダイシングブレードとの摩擦により、粘着層２が加熱されるが、この加熱によっても、タック力（粘着力）が大き過ぎるため、被覆部２２のダイシング時に、ダイシングブレードの目詰まりが発生し、そのため、粘着層２の糊残りやヒゲの発生を招くおそれがある。
【０１０７】
これに対して、２５℃および８０℃におけるタック力が、それぞれ、前記範囲内であることにより、次工程［３Ａ］における電子部品封止連結体２７０、および、後工程［５Ａ］におけるダイシング時、さらには、後工程［４Ａ］におけるノイズ抑制層３の形成時には、電子部品封止連結体２７０を強固に固定することができ、かつ、後工程［６Ａ］において、粘着層２にエネルギーを付与することで、電子部品封止連結体２７０のダイシングにより得られた電子部品封止体２９０に対する粘着層２の粘着力を好適に低下させることができるため、電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を容易に剥離させることが可能となる。その結果、電子部品封止体２９０から得られる半導体装置２０の歩留まりの向上が図られる。
【０１０８】
なお、粘着層２のタック力の測定は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、例えば、株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩにより、設定した加圧値までプローブを押し込み、設定した時間が経過するまで加圧値を保持するようにコントロールし続けるＣｏｎｓｔａｎｔ Ｌｏａｄを用いて、粘着テープ１００の粘着層２を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させることにより実施する。その際、プローブを測定試料に接触させる時のスピードを３０ｍｍ／ｍｉｎとし、接触荷重を１００ｇｆとし、接触時間を１秒とする。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がす際に要する力をタック力として測定する。また、２５℃におけるタック力は、プローブ温度を２５℃とし、プレート温度を２５℃とすることで測定し、８０℃におけるタック力は、プローブ温度を８０℃とし、プレート温度を８０℃とすることで測定する。
【０１０９】
さらに、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２は、粘着層２へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層２へのエネルギー付与後には、粘着層２と電子部品封止体２９０との間において、良好な剥離性を発揮する。また、粘着層２の厚さがかかる範囲内であれば、基材４のＤ６５標準光源における全光線透過率を８５％以上９８％以下とすることで、粘着テープ１００を確実に優れた透光性を備えるものとすることができる。
【０１１０】
なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。
【０１１１】
［３Ａ］次に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止連結体２７０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０（電子部品封止体２９０）毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して、電子部品封止連結体２７０を厚さ方向に切断（ダイシング）して、電子部品封止体２９０の側面が露出するように、凹部６２を形成する（切断工程（ダイシング工程）；図３（ａ）参照）。
【０１１２】
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０が、配線２３および被覆部２２を介して、粘着テープ１００上に貼付された状態で得られる。
【０１１３】
この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、電子部品封止連結体２７０を切断する際に、電子部品封止連結体２７０、さらには、配線２３および被覆部２２に割れ、欠け等が生じるのを、抑制または防止する機能を発揮する。
【０１１４】
また、ブレードを用いた電子部品封止連結体２７０の切断は、本実施形態では、図３（ａ）に示すように、被覆部２２の厚さ方向に、配線２３に対応する厚さを貫通する位置に到達するように、被覆部２２の途中まで至るように実施される。これにより、電子部品封止連結体２７０の個片化を確実に実施することができる。また、電子部品封止体２９０を配線２３および被覆部２２を介して粘着テープ１００上に貼付させた状態で、個片化により形成される電子部品封止体２９０（封止部２７およびインターポーザー２５）の側面、さらには、被覆部２２の側面の一部を凹部６２において確実に露出させることができる。
【０１１５】
［４Ａ］次に、電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面の一部を被覆するノイズ抑制層３を形成する（ノイズ抑制層形成工程）。
【０１１６】
このノイズ抑制層３は、例えば、下記工程［４−１Ａ］および下記工程［４−２Ａ］を経ることにより形成される。
【０１１７】
［４−１Ａ］まず、剥離層１（絶縁層）と、剥離層１に積層されたノイズ抑制層３とを有する電磁波シールド用フィルム３００を用意し、個片化で得られた電子部品封止体２９０の封止部２７が形成されている面側（上面側）で、電子部品封止体２９０に電磁波シールド用フィルム３００を、ノイズ抑制層３を電子部品封止体２９０側にして、積層（貼付）する（貼付工程）。
【０１１８】
この電子部品封止体２９０に電磁波シールド用フィルム３００を貼付する方法としては、特に限定されないが、例えば、真空圧空成形またはプレス成型法が挙げられる。
【０１１９】
真空圧空成形とは、例えば、真空加圧式ラミネーターを用いて、電磁波シールド用フィルム３００で、個片化で得られた電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する方法であり、まず、図３（ｂ）に示すように、真空雰囲気下とし得る閉空間内に、電子部品封止体２９０の粘着テープ１００と反対側の面と、電磁波シールド用フィルム３００のノイズ抑制層３側の面とが対向するように、電子部品封止体２９０と電磁波シールド用フィルム３００とを重ね合わせた状態でセットし、その後、これらを加熱下において、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とが互いに接近するように、前記閉空間を真空雰囲気下にし、その後加圧することにより実施される。
【０１２０】
このように、電磁波シールド用フィルム３００側から均一に加圧しつつ、前記閉空間を真空雰囲気下とすることで、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３が凹部６２の形状に対応して変形する。これにより、図３（ｃ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面の一部が被覆される。
【０１２１】
このように、ノイズ抑制層３により、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆することで、得られる半導体装置２０に電磁波シールド（遮断）性を付与することができる。また、ノイズ抑制層３により、被覆部２２の側面の一部を被覆することで、被覆部２２の側面側において、配線２３の一部（図示せず）が露出しているため、配線２３とノイズ抑制層３とを電気的に接続することができ、その結果、ノイズ抑制層３が配線２３を介して電気的に接地される。
【０１２２】
なお、ノイズ抑制層３の電気的な接地が必要ない場合には、被覆部２２の側面に対するノイズ抑制層３の形成は、省略することができる。この場合、凹部６２の形成、すなわち、電子部品封止連結体２７０の切断は、被覆部２２の途中まで至るように実施する必要はなく、インターポーザー２５を貫通するまで実施すればよい。
【０１２３】
このような貼付工程において、貼付する温度は、特に限定されないが、１５℃以上２２０℃以下であることが好ましく、より好ましくは２０℃以上２１０℃以下である。
【０１２４】
また、貼付する圧力は、特に限定されないが、０．１ＭＰａ以上２０．０ＭＰａ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５ＭＰａ以上１５．０ＭＰａ以下である。
【０１２５】
さらに、貼付する時間は、特に限定されないが、５秒以上９０分以下であることが好ましく、より好ましくは３０秒以上１０分以下である。
【０１２６】
貼付工程における条件を上記範囲内に設定することにより、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、このノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面の一部を確実に被覆することができる。
【０１２７】
電磁波シールド用フィルム３００は、本工程において、隣接する電子部品封止体２９０同士間の凹部６２に対してノイズ抑制層３を押し込んだ状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０および被覆部２２を被覆するために用いられる。
【０１２８】
また、プレス成型法とは、例えば、粘着テープ１００上に貼付された電子部品封止体２９０上に電磁波シールド用フィルム３００を配置し、さらに、この電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、これらを、その上面側および下面側から、２つの平板で挾持し、その後、２つの平板を接近させて、加圧することにより実施される。
【０１２９】
このように、電磁波シールド用フィルム３００上に、クッション材を配置した状態で、電磁波シールド用フィルム３００と電子部品封止体２９０とを接近させることによっても、剥離層１が凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３を押し込み、この押し込みに併せて、剥離層１よりも電子部品封止体２９０側に位置する、ノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応して変形させることができる。そのため、図３（ｃ）に示すように、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面を被覆することができる。
【０１３０】
この電磁波シールド用フィルム３００において、剥離層１は、凹部６２の形状に追従してノイズ抑制層３を押し込むことで、電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面を被覆する際に、押し込まれたノイズ抑制層３が破断するのを防止する保護（緩衝）材として機能するものである。また、次工程［４−２Ａ］において、ノイズ抑制層３から剥離されるものである。
【０１３１】
この剥離層１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、シンジオタクチックポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、無軸延伸ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン等のポリプロピレン、環状オレフィンポリマー、シリコーン、スチレンエラストマー樹脂、スチレンブタジエンゴム、アクリルゴム、エポキシ樹脂、ポリフェノール、ポリウレタンのような樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、無軸延伸ポリプロピレンを用いることが好ましい。これにより、剥離層１のノイズ抑制層３に対する押込み性、さらには耐熱性を向上させることができる。
【０１３２】
また、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率は、１．０Ｅ＋０４Ｐａ以上１．０Ｅ＋１１Ｐａ以下であるのが好ましく、１．０Ｅ＋０５Ｐａ以上１．０Ｅ＋１０Ｐａ以下であるのがより好ましく、１．０Ｅ＋０６Ｐａ以上５．０Ｅ＋０９Ｐａ以下であるのがさらに好ましい。このように、剥離層１の１００℃における貯蔵弾性率を、前記範囲内に設定することにより、剥離層１は可撓性を有するものであると言うことができ、電磁波シールド用フィルム３００を用いて、電子部品封止体２９０の上面および側面を被覆する際に、ノイズ抑制層３に破断を生じさせることなくノイズ抑制層３を凹部６２の形状に対応した状態で押し込むことができる。これにより、凹部６２の形状に対応してノイズ抑制層３が押し込まれた状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面が被覆される。その結果、電子部品封止体２９０の上面および側面が、破断の発生が防止されたノイズ抑制層３をもって、被覆されるようになるため、このノイズ抑制層３による電磁波シールド（遮断）性が向上することとなる。
【０１３３】
剥離層１の厚さは、特に限定されないが、２０μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、７０μｍ以上５００μｍ以下であることがより好ましい。剥離層１の厚みが前記下限値未満である場合、剥離層１ひいてはノイズ抑制層３が破断し、その電磁波シールド性が低下するおそれがある。また、剥離層１の厚みが前記上限値を超える場合、剥離層１からノイズ抑制層３に対する押し込む力が十分に伝達されず、ノイズ抑制層３の凹部６２に対する押し込み性が十分に得られないおそれがある。
【０１３４】
ノイズ抑制層３は、電子部品封止体２９０が備える半導体素子２６および電子素子２８と、このノイズ抑制層３を介して、電子部品封止体２９０と反対側に位置する他の電子部品等とを、これら少なくとも一方から生じる電磁波を遮断（シールド）する機能を有する。
【０１３５】
このノイズ抑制層３（電磁波遮断層）は、特に限定されず、如何なる形態で電磁波を遮断するものであってもよく、例えば、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を反射させることにより遮断（遮蔽）する反射層と、ノイズ抑制層３に入射した電磁波を吸収することにより遮断（遮蔽）する吸収層とが挙げられる。
【０１３６】
以下、反射層および吸収層について、それぞれ、説明する。
反射層は、反射層に入射した電磁波を反射させることにより遮断するものである。
【０１３７】
この反射層としては、例えば、導電性接着剤層、金属薄膜層、金属メッシュ、ＩＴＯなどの導電性材料の表面処理等が挙げられる。これらを単独あるいは併用してもよい。これらの中でも、導電性接着剤層を用いることが好ましい。導電性接着剤層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、優れた電磁波シールド性を発揮するため、反射層として好ましく用いられる。
【０１３８】
前記導電性接着剤層としては、金属粉とバインダー樹脂とを含んで構成され、金属粉は例えば、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられる。これらの中でも、電磁波シールド性に優れているという理由から、銀を用いることが好ましい。
【０１３９】
前記導電性接着剤層における金属粉とバインダー樹脂との含有比率は、特に制限されないが、重量比で４０：６０〜９５：５であることが好ましく、５０：５０〜９０：１０であることがより好ましい。
【０１４０】
前記導電性接着剤層は、前記金属粉とバインダー樹脂との他に、さらに難燃剤、レベリング剤、粘度調整剤等を含有しても良い。
【０１４１】
反射層の厚みＴ（Ｅ１）は、特に限定されないが、１００ｎｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上２０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１４２】
吸収層は、吸収層に入射した電磁波を吸収し、熱エネルギーに変換することにより遮断するものである。
【０１４３】
この吸収層としては、例えば、金属粉および導電性高分子材料等の導電吸収材料を主材料として構成される導電吸収層、炭素系材料および導電性高分子材料等の誘電吸収材料を主材料として構成される誘電吸収層、軟磁性金属等の磁性吸収材料を主材料として構成される磁性吸収層等が挙げられ、これらを単独あるいは併用してもよい。
【０１４４】
なお、導電吸収層は、電界を印加した際に材料内部に流れる電流により、電磁エネルギーを熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、誘電吸収層は、電磁波を誘電損失により熱エネルギーに変換することで、電磁波を吸収し、磁性吸収層は、過電流損、ヒステレス損、磁気共鳴等の磁性損失により、電磁波のエネルギーを熱に変換して消費することで、電磁波を吸収する。
【０１４５】
これらの中でも、誘電吸収層、導電吸収層を用いることが好ましい。誘電吸収層および導電吸収層は、その膜厚（厚み）を比較的薄く設定したとしても、特に優れた電磁波シールド性を発揮するため、吸収層として好ましく用いられる。また、その層中に含まれる材料の粒子径が小さいことやその添加量も少なくできることから、その膜厚を比較的容易に薄く設定することができ、また軽量化も可能である。
【０１４６】
なお、導電吸収材料としては、例えば、導電性高分子、ＡＴＯ等の金属酸化物、導電性セラミックス等が挙げられる。
【０１４７】
また、導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
誘電吸収材料としては、炭素系材料、導電性高分子、セラミック材料等が挙げられる。
【０１４８】
また、炭素系材料としては、例えば、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェンや、カーボンマイクロコイル、カーボンナノコイル、カーボンナノホーン、カーボンナノウォールのような炭素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４９】
セラミック材料としては、チタン酸バリウム、ペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子、チタニア、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素および窒化アルミニウム等が挙げられこれらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５０】
さらに、磁性吸収材料としては、例えば、鉄、ケイ素鋼、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金のような軟磁性金属、フェライト等が挙げられる。
【０１５１】
吸収層の厚みＴ（Ｅ２）は、特に限定されないが、１μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上１００μｍ以下であることがより好ましい。
【０１５２】
［４−２Ａ］次に、図３（ｄ）に示すように、電子部品封止体２９０に貼付された電磁波シールド用フィルム３００から、剥離層１（絶縁層）を剥離する。
【０１５３】
すなわち、電磁波シールド用フィルム３００を用いたノイズ抑制層３の形成の後、剥離層１をノイズ抑制層３から剥離させる。
【０１５４】
この剥離層１の剥離では、電磁波シールド用フィルム３００における剥離層１とノイズ抑制層３との界面において、剥離が生じ、その結果、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。これにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面の一部が被覆される。
【０１５５】
したがって、被覆部２２および配線２３を介して粘着テープ１００上に貼付された状態で、ノイズ抑制層３が上面および側面に設けられた電子部品封止体２９０が一括して複数形成される。
【０１５６】
また、剥離層１を剥離する方法としては、特に限定されないが、例えば、手作業による剥離が好ましい。
【０１５７】
この手作業による剥離では、例えば、まず、剥離層１の一方の端部を把持し、この把持した端部から剥離層１をノイズ抑制層３から引き剥がし、次いで、この端部から中央部へさらには他方の端部へと順次剥離層１を引き剥がすことにより、ノイズ抑制層３から剥離層１が剥離される。
【０１５８】
剥離する温度は、１８０℃以下であることが好ましく、より好ましくは１６５℃以下、さらに好ましくは１５０℃以下である。
【０１５９】
以上のような工程［４−１Ａ］および工程［４−２Ａ］を経ることにより、ノイズ抑制層３から剥離層１を剥離した状態で、ノイズ抑制層３により電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面の一部を被覆することができる。
【０１６０】
このノイズ抑制層３の形成は、上述したような電磁波シールド用フィルム３００を用いる方法の他、ノイズ抑制層３および剥離層１がそれぞれ別体のフィルムとして形成されたフィルムセットを電磁波シールド用フィルム３００に代えて用い、ノイズ抑制層３のフィルムを電子部品封止体２９０側にして、ノイズ抑制層３のフィルムと剥離層１のフィルムとを重ね合わせた状態で、前記と同様の工程［４−１Ａ］および工程［４−２Ａ］を経る方法によっても実施し得る。さらに、電磁波シールド用フィルム３００または前記フィルムセットを用いることなく、スパッタリング法のような気相成膜法を用いてノイズ抑制層３を形成してもよい。ただし、電磁波シールド用フィルム３００または前記フィルムセットを用いる方法によれば、スパッタリング法のような気相成膜法を用いる場合のように、用いる装置の操作が煩雑となったり、装置が高価となることなく、上述したような比較的容易な方法で電子部品封止体２９０にノイズ抑制層３を設けることができる。
【０１６１】
［５Ａ］次に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止体２９０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して形成された凹部６２を、粘着テープ１００の反対側から基材４の途中まで到達するように、厚さ方向に切断（ダイシング）することで、被覆部２２を貫通させる（個片化工程；図３（ｅ）参照）。
【０１６２】
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された複数の電子部品封止体２９０を、被覆部２２と配線２３とが形成された状態で、粘着テープ１００上に一括して得ることができる。
【０１６３】
このダイシングの際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、被覆部２２を切断する際の割れ、欠け等を防止する機能を発揮する。
【０１６４】
また、ブレードを用いた被覆部２２の切断は、図３（ｅ）に示すように、基材４の厚さ方向に、基材４の途中に到達するまで実施される。これにより、被覆部２２と配線２３とが形成された電子部品封止体２９０を確実に得ることができる。
【０１６５】
この際に、本発明では、前記の通り、基材４の８０℃における破断伸度が７５０％以下となっている。このような基材４は、被覆部２２および粘着テープ１００の切断により、基材４が加熱されたとしても、柔らかく伸びやすい状態とはなりにくいことから、被覆部２２の切断が基材４の途中に到達するまで実施されたとしても、基材４の切断部分から伸びたヒゲ状の残渣である基材ヒゲが発生するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、電子部品封止体２９０の上面および側面に形成されたノイズ抑制層３のうち、特に側面に位置するノイズ抑制層３に対して、基材ヒゲが付着するのを的確に抑制または防止することができる。
【０１６６】
なお、本実施形態では、前記工程［３Ａ］〜［５Ａ］を、同一の粘着テープ１００を用いて実施する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、前記工程［４−１Ａ］または前記工程［４−２Ａ］に先立って、前記工程［２Ａ］で、電子部品封止連結体２７０に貼付した１つ目の粘着テープ１００を剥離し、その後、この剥離した粘着テープ１００とは異なる２つ目の粘着テープ１００を、本工程［５Ａ］に先立って、電子部品封止体２９０に形成された被覆部２２に対して貼付するようにしてもよい。
【０１６７】
［６Ａ］次に、図４（ａ）に示すように、被覆部２２と配線２３とが形成された電子部品封止体２９０から粘着テープ１００を剥離する（剥離工程）。
【０１６８】
この剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の電子部品封止体２９０に形成された被覆部２２に対する粘着性を低下させて、粘着層２と被覆部２２との間で剥離が生じる状態とした後、電子部品封止体２９０に形成された被覆部２２から粘着テープ１００を剥離する。
【０１６９】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
【０１７０】
かかる方法は、半導体素子２６および電子素子２８が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【０１７１】
また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の電子部品封止体２９０に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
【０１７２】
［７Ａ］次に、図４（ｂ）に示すように、電子部品封止体２９０に形成された被覆部２２の開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成することで、半導体装置２０を得る（バンプ形成工程）。
【０１７３】
ここで、本実施形態のように、導体ポストとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、導体ポストとは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポストとの中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
【０１７４】
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
【０１７５】
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
【０１７６】
以上のような工程を経ることで、１つの電子部品封止連結体２７０から、複数の半導体装置２０を一括して製造し得ることから、半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
【０１７７】
また、本発明では、前記工程［５Ａ］において、被覆部２２を切断（ダイシング）する際に、この切断を基材４の途中に到達するまで実施したとしても、基材４の切断部分から伸びたヒゲ状の残渣である基材ヒゲが発生するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、電子部品封止体２９０の側面に位置するノイズ抑制層３に対して、基材ヒゲが付着するのを的確に抑制または防止することができる点からも、半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
【０１７８】
（半導体装置２０の第１の製造方法）
また、半導体装置２０（電子部品封止体２９０を備える半導体装置２０）は、本発明の加工用粘着テープを用いた、以下に示すような、半導体装置２０の第２の製造方法によっても製造することができる。
【０１７９】
本発明の加工用粘着テープを用いた半導体装置２０の第２の製造方法は、平板状をなすシート材と、このシート材上に配置された複数の電子部品と、電子部品が配置されている上面側にシート材と電子部品とを覆うように封止して形成された封止部とを有し、シート材の下面側に形成された配線と、シート材の下面側に形成され、シート材および配線を覆う被覆部とが設けられた電子部品封止連結体を準備する準備工程と、形成すべき電子部品封止体毎に対応するように、電子部品封止連結体を厚さ方向に切断して、電子部品封止体の前記側面が露出する凹部を設けることで、電子部品封止体を形成する切断工程と、電子部品封止体の上面および側面を被覆するノイズ抑制層を形成するノイズ抑制層形成工程と、被覆部が備える開口部で露出する配線に電気的に接続されたバンプを形成するバンプ形成工程と、凹部を被覆部を貫通するまで到達させて個片化することで、複数の前記電子装置を一括して得る個片化工程とを有する。
【０１８０】
以下、これらの各前記工程を含む電子装置の第２の製造方法について詳述する。
図６〜図８は、図１に示す半導体装置を製造する製造方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図６〜図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１８１】
［１Ｂ］まず、配線２３と被覆部２２とが設けられた電子部品封止連結体２７０を用意する。
【０１８２】
この配線２３と被覆部２２とが設けられた電子部品封止連結体２７０は、前述した第１の製造方法と同様に、例えば、前記工程［１−１Ａ］〜前記工程［１−６Ａ］を経ることで用意し得る（準備工程、図６（ａ）〜図６（ｆ）参照）。
【０１８３】
［２Ｂ］次に、前述した第１の製造方法の前記工程［２Ａ］と同様に、基材４と、基材４に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００を用意し、図６（ｇ）に示すように、電子部品封止連結体２７０に形成された被覆部２２の電子部品封止連結体２７０と反対側（下面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止連結体２７０側にして、被覆部２２に積層（貼付）する。
【０１８４】
［３Ｂ］次に、前述した第１の製造方法の前記工程［３Ａ］と同様に、粘着テープ１００が貼付された電子部品封止連結体２７０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０（電子部品封止体２９０）毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して、電子部品封止連結体２７０を厚さ方向に切断（ダイシング）して、電子部品封止体２９０の側面が露出するように、凹部６２を形成する（切断工程（ダイシング工程）；図７（ａ）参照）。
【０１８５】
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０が、配線２３および被覆部２２を介して、粘着テープ１００上に貼付された状態で得られる。
【０１８６】
［４Ｂ］次に、前述した第１の製造方法の前記工程［４Ａ］と同様に、電子部品封止体２９０の上面および側面、ならびに、被覆部２２の側面の一部を被覆するノイズ抑制層３を形成する（ノイズ抑制層形成工程、図７（ｂ）〜図７（ｄ）参照）。
【０１８７】
［５Ｂ］次に、図７（ｅ）に示すように、電子部品封止体２９０の下面側に形成された被覆部２２から粘着テープ１００を剥離する（第１剥離工程）。
【０１８８】
この第１剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の被覆部２２に対する粘着性を低下させて、粘着層２と被覆部２２との間で剥離が生じる状態とした後、被覆部２２から粘着テープ１００を剥離する。
【０１８９】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
【０１９０】
なお、本工程［５Ｂ］における、被覆部２２から粘着テープ１００の剥離（第１剥離工程）は、次工程［６Ｂ］におけるバンプ２１の形成に先立って行われていればよく、本工程［５Ｂ］において実施する場合の他、前記工程［４−１Ｂ］または前記工程［４−２Ｂ］に先立って行うようにしてもよい。
【０１９１】
［６Ｂ］次に、図８（ａ）に示すように、被覆部２２の開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（バンプ形成工程）。
【０１９２】
ここで、本実施形態のように、導体ポストとバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、導体ポストとは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と導体ポストとの中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置２０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
【０１９３】
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
【０１９４】
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
【０１９５】
以上のような工程［６Ｂ］によるバンプ２１の形成では、凹部６２が被覆部２２の途中まで到達するように形成されており、各電子部品封止体２９０に対応して設けられた被覆部２２は、互いに連結した状態となっている。このように互いに連結した状態の被覆部２２に対して、一括して、開口部２２１に対して、一括して、バンプ２１を形成することから、電子部品封止体２９０毎にこれらを形成する場合と比較して、バンプ２１を形成する際の工程の簡略化が図られ、時間と手間が省かれることから、結果として、製造される半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
【０１９６】
［７Ｂ］次に、前記工程［２Ｂ］で説明したのと同様の粘着テープ１００を用意し、図８（ｂ）に示すように、電子部品封止体２９０に形成されたノイズ抑制層３側（上面側）で、粘着テープ１００を、粘着層２を電子部品封止体２９０側にして、ノイズ抑制層３に積層（貼付）する（第２貼付工程）。
【０１９７】
すなわち、本工程［７Ｂ］により、次工程［８Ｂ］（個片化工程）に先立って、電子部品封止体２９０に形成されたノイズ抑制層３の上面側に、基材４（第２基材）と粘着層２（第２粘着層）とを有する粘着テープ１００（第２粘着テープ）を、粘着層２（第２粘着層）を電子部品封止体２９０側にして貼付する第２貼付工程が構成される。
【０１９８】
この電子部品封止体２９０に形成されたノイズ抑制層３への粘着テープ１００の貼付は、例えば、前記工程［２Ｂ］で説明した、被覆部２２への粘着テープ１００の貼付と同様の方法を用いて実施され、ノイズ抑制層３に貼付される粘着テープ１００としても、前記工程［２Ｂ］で説明したのと同様のものを用いることができる。なお、前記工程［２Ｂ］で用いる粘着テープ１００と、本工程［７Ｂ］で用いる粘着テープ１００とは、ともに前記工程［２Ｂ］で説明したものに含まれていればよく、これら同士は、互いに同一のものまたは異なるものの何れであってもよい。
【０１９９】
なお、本工程［７Ｂ］では、粘着テープ１００の貼付を、電子部品封止体２９０に形成されたノイズ抑制層３に対して実施する場合について説明したが、この場合に限定されず、電子部品封止体２９０に形成された被覆部２２に対して実施するようにしても良い。
【０２００】
［８Ｂ］次に、粘着テープ１００がノイズ抑制層３を介して貼付された電子部品封止体２９０を、例えば、ウエハリング等を用いて固定し、その後、ダイシングソー（ブレード）を用いて、形成すべき半導体装置２０毎に対応する位置、すなわち、半導体装置２０が備えるべき１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８とが封止部２７で封止される領域毎に対応して形成された凹部６２を、厚さ方向に切断（ダイシング）して、被覆部２２を貫通させる（個片化工程；図８（ｃ）参照）。
【０２０１】
これにより、電子部品封止連結体２７０が、１つの半導体素子２６と２つの電子素子２８との組み合わせ毎に対応して個片化された電子部品封止体２９０を備える半導体装置２０が粘着テープ１００上に貼付された状態で得られる。すなわち、被覆部２２を切断することにより、個片化された半導体装置２０を、粘着テープ１００上に貼付された状態で得ることができる。
【０２０２】
［９Ｂ］次に、図８（ｄ）に示すように、半導体装置２０から粘着テープ１００（第２粘着テープ）を剥離する（第２剥離工程）。
【０２０３】
この第２剥離工程では、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体装置２０に対する粘着性を低下させて、粘着層２と半導体装置２０との間で剥離が生じる状態とした後、半導体装置２０から粘着テープ１００を剥離する。
【０２０４】
これにより、半導体装置２０を一括して複数形成することができることから、半導体装置２０の生産性の向上が図られる。
以上のような工程を経て、半導体装置２０が製造される。
【０２０５】
以上のような製造方法により、半導体装置２０が製造される。なお、製造された半導体装置２０は、例えば、携帯電話、医療機器、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ゲーム機、液晶テレビ、液晶ディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、プリンタ等に広く用いることができる。
【０２０６】
以上、本発明の加工用粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０２０７】
例えば、前記実施形態では、上述した構成をなす半導体装置２０（電子部品封止体２９０）の製造に、本発明の加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を適用する場合について説明したが、かかる構成の装置の製造に適用されるばかりでなく、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置、コンデンサー、コイルのような電子部品を単独で備える電子装置（電子部品封止体）等の製造に、本発明の加工用粘着テープを適用することができる。
【０２０８】
また、本発明の加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法には、任意の目的の工程が１または２以上追加されてもよい。
【０２０９】
また、前記実施形態では、本発明の粘着テープ１００は、基材４と粘着層２との積層体で構成される場合について説明したが、これに限定されず、基材４と粘着層２との間に、これらとは異なる他の層を備えるものであってもよい。
【実施例】
【０２１０】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
１．原材料の準備
まず、各実施例のダイシングフィルム用基材フィルムの作製に使用した原料は以下の通りである。
【０２１１】
＜基材４の原料＞
アイオノマー樹脂「ハイミラン１８５５」（三井デュポンポリケミカル社製；金属原子Ｚｎ、ＭＦＲ１．０  融点８６℃）
アイオノマー樹脂「ハイミラン１５５４」（三井デュポンポリケミカル社製；金属原子Ｚｎ、ＭＦＲ１．３  融点９７℃）
アイオノマー樹脂「ハイミラン１６５２」（三井デュポンポリケミカル社製；金属原子Ｚｎ、ＭＦＲ５．５  融点９８℃）
低密度ポリエチレンＬＤＰＥ「Ｆ２２２」（宇部丸善ポリエチレン社製；融点１１０℃）
高密度ポリエチレンＨＤＰＥ「サンテックＢ１６１」（旭化成社製；融点１３０℃）
【０２１２】
＜粘着層２の原料＞
各実施例の粘着層には、下記原料を使用した。
【０２１３】
＜ベース樹脂＞
下記アクリル共重合体は、ブチルアクリレート（ＢＡ）とアクリル酸（ＡＡ）を下記重量比率にて混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて得た。
アクリル共重合体１（ＢＡ／ＡＡ＝９０／１０，重量平均分子量６０万）
【０２１４】
＜ＵＶ硬化樹脂＞
ウレタンアクリレート１（新中村化学工業株式会社、品名：ＵＡ−３３Ｈ）：２０重量部
【０２１５】
＜架橋剤＞
ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）
【０２１６】
＜光開始剤＞
ベンゾフェノン系光開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）
【０２１７】
２．加工用粘着テープの作製
（実施例１）
＜基材４（ダイシングフィルム用基材フィルム）の作成＞
基材層形成用樹脂として、アイオノマー樹脂「ハイミラン１８５５」を用いた。
【０２１８】
そして、この基材層形成用樹脂を、２００℃に調整された、押出機に供給し、２００℃の１層ダイスから押出し、２０℃に設定された冷却ロールにて冷却固化して、実質的に無延伸の状態で巻き取ることで、基材４（ダイシングフィルム用基材フィルム）を得た。
なお、得られた基材４の厚さは１５０μｍであった。
【０２１９】
また、基材４のＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法に準拠して測定された、Ｄ６５標準光源における全光線透過率は、９２％であり、基材４の８０℃における破断伸度は１８０％であり、さらに、基材４の引張り弾性率を測定したところ、１１０ＭＰａであった。
【０２２０】
＜粘着テープ１００（ダイシングフィルム）の作成＞
以上のようにして作製した基材４上に粘着層２を設けることで粘着テープ１００を得た。具体的には、粘着層２の原料としてのベース樹脂４９．８質量％、ＵＶ硬化樹脂３９．８質量％、架橋剤６．５質量％および光開始剤３．９質量％を使用し、酢酸エチルに溶解混合して混合物を得た。その後、乾燥後の厚さが２０μｍになるように基材４上に、混合物をバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥することにより、実施例１の粘着テープ１００を得た。
【０２２１】
（実施例２〜６、比較例１）
表１に記載のように原材料の種類およびその配合比率を変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２〜６、比較例１の基材４および粘着テープ１００を作製した。
【０２２２】
３．評価
＜視認性特性＞
視認性特性は、次のようにして評価した。
【０２２３】
すなわち、まず、実施例１〜６の粘着テープ１００について、それぞれ、深さ５０μｍｍ、ピッチ１ｍｍの凹凸が形成された基板に貼付し、この基板の凹凸を貼付された粘着テープ１００を介して目視にて観察を行い、観察された凹凸の視認性に応じて、下記に示す評価基準に基づいて、視認性特性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２２４】
［評価基準］
基板の凹凸を明確に観察することができる  ：◎
若干の曇りが認められるものの基板の凹凸を観察することができる  ：○
明らかな曇りが認められ、基板の凹凸を確認するのに時間を要する  ：×
【０２２５】
＜基材ヒゲ特性＞
基材ヒゲ特性は、次のようにして評価した。
【０２２６】
すなわち、まず、実施例１〜６の粘着テープ１００に、ガラスエポキシ製ダミー基板（封止材：Ｇ７６０Ｌ、住友ベークライト株式会社製）（60mmx15mmx1.2mm厚）を貼り付け、下記条件でダイシングを実施し、カットラインの観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の基材ヒゲの数をカウントすることで、下記に示す評価基準に基づいて、基材ヒゲ特性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２２７】
［評価基準］
基材ヒゲの数が０〜５本    ：◎
基材ヒゲの数が６〜１０本  ：○
基材ヒゲの数が１１本以上  ：×
【０２２８】
［ダイシング条件］
ダイシング装置：「ＤＡＤ−３３５０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシングブレード：「Ｐ０８−ＳＤＣ２２０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
カット速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
切込み：ダイシングフィルム表面から１００μｍ（基材層に対する切込み量は８０μｍ）
カットサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
ブレードクーラー：２Ｌ／ｍｉｎ
【０２２９】
＜基材４の８０℃におけるタック力＞
８０℃における基材４のタック力は、次のようにして評価した。
【０２３０】
すなわち、まず、実施例１〜６、比較例１の粘着テープ１００について、それぞれ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−Ｉを用いて、基材４を上にし、上側より直径３．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させ、その際のプローブを基材４に接触させる時のスピードを３０ｍｍ／ｍｉｎとし、接触荷重を２００ｇｆとし、接触時間を１０秒とし、プローブ温度およびプレート温度を８０℃とした。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がす際に要する力をタック力として測定した。そして、得られたタック力に応じて、下記に示す評価基準に基づいて、８０℃におけるタック力を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２３１】
［評価基準］
タック力が１ｋＰａ以上６０ｋＰａ以下である：◎
タック力が６０ｋＰａ以上２００ｋＰａ以下である：○
タック力が１ｋＰａ未満、または２００ｋＰａ超である：×
【０２３２】
＜融着特性＞
融着特性は、次のようにして評価した。
【０２３３】
すなわち、まず、実施例１〜６、比較例１の粘着テープ１００に、ガラスエポキシ製ダミー基板（封止材：Ｇ７６０Ｌ、住友ベークライト株式会社製）（６０ｍｍ×１５ｍｍ×１．２ｍｍ厚）を貼り付け、ダイサーテーブル上において、下記条件でダイシングを実施し、ダイシング後における、ダイサーテーブルに対する基材４の融着の度合いを、目視にて観察し、下記に示す評価基準に基づいて、融着特性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２３４】
［評価基準］
基材４の溶融が認められず、ダイサーテーブルに対する融着も認められない  ：◎
基材４の溶融が若干認められ、
ダイサーテーブルに対しても若干の融着が認められる  ：○
基材４の溶融が明らかに認められ、
ダイサーテーブルに対しても明らかな融着が認められる  ：×
【０２３５】
［ダイシング条件］
ダイシング装置：「ＤＡＤ―３３５０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシングブレード：「Ｐ０８−ＳＤＣ２２０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
カット速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
切込み：ダイシングフィルム表面から１００μｍ（基材４に対する切込み量は８０μｍ）
カットサイズ：１０ｍｍ×１０ｍｍ
ブレードクーラー：２Ｌ／ｍｉｎ
【０２３６】
＜粘着層２の２５℃におけるタック力＞
粘着層２の２５℃における粘着層のタック力は、次のようにして評価した。
【０２３７】
すなわち、まず、実施例１〜６、比較例１の粘着テープ１００について、それぞれ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩを用いて、粘着層を上にし、上側より直径５．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させ、その際のプローブを粘着層に接触させる時のスピードを３０ｍｍ／ｍｉｎとし、接触荷重を２００ｇｆとし、接触時間を１０秒とし、プローブ温度およびプレート温度を２５℃とした。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がす際に要する力をタック力として測定した。そして、得られたタック力に応じて、下記に示す評価基準に基づいて、２５℃におけるタック力を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２３８】
［評価基準］
タック力が２００ｋＰａ以上５００ｋＰａ未満である：◎
タック力が５０ｋＰａ以上２００ｋＰａ未満である：○
タック力が５０ｋＰａ未満、または５００ｋＰａ以上である：×
【０２３９】
＜粘着層２の８０℃におけるタック力＞
８０℃における粘着層のタック力は、次のようにして評価した。
【０２４０】
すなわち、まず、実施例１〜６、比較例１の粘着テープ１００について、それぞれ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、株式会社レスカのタッキング試験機ＴＡＣ−ＩＩを用いて、粘着層を上にし、上側より直径５．０ｍｍのＳＵＳ３０４製のプローブを接触させ、その際のプローブを粘着層に接触させる時のスピードを３０ｍｍ／ｍｉｎとし、接触荷重を２００ｇｆとし、接触時間を１０秒とし、プローブ温度およびプレート温度を８０℃とした。その後、プローブを６００ｍｍ／ｍｉｎの剥離速度で上方に引き剥がし、引き剥がす際に要する力をタック力として測定した。そして、得られたタック力に応じて、下記に示す評価基準に基づいて、８０℃におけるタック力を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２４１】
［評価基準］
タック力が２０ｋＰａ以上１５０ｋＰａ未満である：◎
タック力が１５０ｋＰａ以上３００ｋＰａ未満である：○
タック力が２０ｋＰａ未満、または３００ｋＰａ以上である：×
【０２４２】
＜テープマウント特性＞
テープマウント特性は、次のようにして評価した。
【０２４３】
すなわち、まず、実施例１〜６、比較例１の粘着テープ１００に、ガラスエポキシ製ダミー基板（封止材：Ｇ７６０Ｌ、住友ベークライト株式会社製）（60mmx15mmx1.2mm厚）を貼付し、粘着テープ１００が備える粘着層２とダミー基板との間にかみ込まれた気泡の発生の有無を目視にて観察を行い、観察された気泡の数に応じて、下記に示す評価基準に基づいて、テープマウント特性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２４４】
［評価基準］
粘着層とダミー基板との間に気泡の発生が認められない        ：◎
粘着層とダミー基板との間に気泡の発生が若干認められる      ：○
タック性の不足に起因して、粘着層とダミー基板との間に
明らかな気泡の発生が認められる  ：×
【０２４５】
＜裏面汚染および糊残り特性＞
裏面汚染および糊残り特性は、次のようにして評価した。
【０２４６】
すなわち、まず、実施例１〜６、比較例１の粘着テープ１００に、ガラスエポキシ製ダミー基板（封止材：Ｇ７６０Ｌ、住友ベークライト株式会社製）（60mmx15mmx1.2mm厚）を貼付し、その後、下記条件でダイシングを実施し、細分化されたダミー基板を、真空コレットを用いて５０個ピックアップし、ピックアップされたダミー基板の裏面汚染および糊残りの有無を目視にて観察を行い、裏面汚染または糊残りが観察されたダミー基板の数に応じて、下記に示す評価基準に基づいて、裏面汚染および糊残り特性を評価した。その評価結果を表１に示す。
【０２４７】
［評価基準］
裏面汚染または糊残りが観察されたダミー基板の数が０／５０        ：◎
裏面汚染または糊残りが観察されたダミー基板の数が１〜３／５０    ：○
裏面汚染または糊残りが観察されたダミー基板の数が４／５０以上    ：×
【０２４８】
［ダイシング条件］
ダイシング装置：「ＤＡＤ−３３５０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ダイシングブレード：「Ｐ０８−ＳＤＣ２２０」（商品名、ＤＩＳＣＯ社製）
ブレード回転数：３００００ｒｐｍ
カット速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
切込み：ダイシングフィルム表面から１００μｍ（基材４に対する切込み量は８０μｍ）
カットサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ
ブレードクーラー：２Ｌ／ｍｉｎ
【０２４９】
【表１】
2020169278.tif 000003
【０２５０】
表１に示すように、実施例１〜６の粘着テープ１００では、基材４の８０℃における破断伸度が７５０％以下を満足しており、これにより、基材４における基材ヒゲの発生が抑制されている結果を示した。
【０２５１】
これに対して、比較例１では、基材４の８０℃における破断伸度が７５０％以下を満足しておらず、これに起因して、基材４において、基材ヒゲが明らかに認められる結果を示した。
【符号の説明】
【０２５２】
１          剥離層
２          粘着層
３          ノイズ抑制層
４          基材
２０        半導体装置
２１        バンプ
２２        被覆部
２３        配線
２５        インターポーザー
２５'      シート材
２６        半導体素子
２７        封止部
２８        電子素子
６２        凹部
１００      加工用粘着テープ（粘着テープ）
２２１      開口部
２７０      電子部品封止連結体
２９０      電子部品封止体
３００      電磁波シールド用フィルム
【図１】
2020169278.tif 000004
【図２】
2020169278.tif 000005
【図３】
2020169278.tif 000006
【図４】
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【図５】
2020169278.tif 000008
【図６】
2020169278.tif 000009
【図７】
2020169278.tif 000010
【図８】
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