(57)【要約】【課題】濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体を提供すること。【解決手段】導電性基体と、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記導電性基体の外周面のうち前記無機粒子が接触している領域の割合が８２％以上９１％以下である電子写真感光体である。【選択図】図１
2020170029.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有し、
前記導電性基体の外周面のうち前記無機粒子が接触している領域の割合が８２％以上９１％以下である電子写真感光体。
【請求項２】
導電性基体と、
表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有し、
画像濃度５０％のハーフトーン全面画像を２００万枚のＡ４紙に連続して形成したときにおける、前記下引層から前記導電性基体に流れる電流値の低下率が２０％以下である電子写真感光体。
【請求項３】
前記下引層における前記無機粒子の含有量が７５質量％以上である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記下引層における前記無機粒子の含有量が７８質量％以上である請求項３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記導電性基体の厚みが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記導電性基体の厚みが０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【請求項８】
請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、「支持体および該支持体上に設けられた感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が、内部に空隙を有する中空状粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体」が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、「導電性基体上に、下引き層、電荷発生層および電荷輸送層を順次設けた電子写真用感光体において、下引き層に５Ｖ／μｍの電圧を印加したときに下引き層の電子移動度が１０−１２ｃｍ２／Ｖ・ｓ以上であることを特徴とする電子写真用感光体」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１１８３１１号公報
【特許文献２】特開２０００−３２１８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
下引層に無機粒子を含有させる場合、例えば、下引層内における無機粒子の分散性を向上させるために、表面処理された無機粒子を用いることがある。
しかし、表面処理された無機粒子を含有する下引層を導電性基体に接触させて設けると、使用するにつれて、導電性基体の外周面における導電性が部分的に低下し、得られた画像に濃度ムラが生じることがある。
【０００６】
本発明は、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００８】
＜１＞
導電性基体と、
表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有し、
前記導電性基体の外周面のうち前記無機粒子が接触している領域の割合が８２％以上９１％以下である電子写真感光体。
【０００９】
＜２＞
導電性基体と、
表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、
前記下引層上に設けられた感光層と、
を有し、
画像濃度５０％のハーフトーン全面画像を２００万枚のＡ４紙に連続して形成したときにおける、前記下引層から前記導電性基体に流れる電流値の低下率が２０％以下である電子写真感光体。
【００１０】
＜３＞
前記下引層における前記無機粒子の含有量が７５質量％以上である＜１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体。
＜４＞
前記下引層における前記無機粒子の含有量が７８質量％以上である＜３＞に記載の電子写真感光体。
【００１１】
＜５＞
前記導電性基体の厚みが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体。
＜６＞
前記導電性基体の厚みが０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である＜５＞に記載の電子写真感光体。
【００１２】
＜７＞
＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
＜８＞
＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【００１３】
＜１＞に係る発明によれば、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体が提供される。
【００１４】
＜２＞に係る発明によれば、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、画像濃度５０％のハーフトーン全面画像を２００万枚のＡ４紙に連続して形成したときにおける、下引層から導電性基体に流れる電流値の低下率が２０％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体が提供される。
【００１５】
＜３＞に係る発明によれば、下引層における無機粒子の含有量が７５質量％以上であっても、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、下引層における無機粒子の含有量が７８質量％以上であっても、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体が提供される。
【００１６】
＜５＞に係る発明によれば、導電性基体の厚みが０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であっても、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体が提供される。
＜６＞に係る発明によれば、導電性基体の厚みが０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であっても、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される電子写真感光体が提供される。
【００１７】
＜７＞又は＜８＞に係る発明によれば、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える電子写真感光体を備える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成されるプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。
【図２】本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の他の一例を示す模式断面図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置の一例の概略断面図である。
【図４】本実施形態に係る画像形成装置の他の例の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一例である実施形態について説明する。これらの説明および実施例は、実施形態を例示するものであり、発明の範囲を制限するものではない。
【００２０】
［電子写真感光体］
＜第１の態様＞
第１の態様に係る電子写真感光体（以下「感光体」ともいう）は、導電性基体と、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、前記導電性基体の外周面のうち前記無機粒子が接触している領域の割合（以下、「無機粒子接触割合」ともいう）が８２％以上９１％以下である。
第１の態様では、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、導電性基体の外周面のうち無機粒子が接触している領域の割合が９１％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される。その理由は定かではないが、以下のように推測される。
【００２１】
下引層に無機粒子を含有させる場合、例えば、下引層内における無機粒子の分散性を向上させるために、表面処理された無機粒子を用いることがある。しかし、表面処理された無機粒子を含有する下引層を導電性基体に接触させて設けると、表面処理剤の影響により、使用するにつれて、導電性基体における下引層と接触している側の表面（すなわち外周面）が腐食し、前記外周面に酸化膜が形成されることがある。そして、導電性基体の外周面に酸化膜が部分的に形成されると、酸化膜が形成された領域の導電性が低下し、下引層から導電性基体に流れる電流の量が低下することにより、得られる画像の濃度が部分的に低下し、その結果、画像の濃度ムラが発生することがある。
【００２２】
これに対して、第１の態様では、無機粒子接触割合が８２％以上９１％以下であるため、９１％を超える場合に比べ導電性基体の外周面が表面処理剤の影響を受けにくくなると考えられる。そして、導電性基体の外周面に酸化膜が形成されにくくなることにより、下引層から導電性基体に流れる電流の量の低下も抑制されるため、得られる画像の部分的な濃度低下が抑制され、その結果、画像の濃度ムラが抑制されるものと推測される。
【００２３】
ここで、上記「無機粒子接触割合」は、以下の測定により得られる値である。具体的には、測定対象の感光体を厚み方向に沿ってアルミ切断機で切断し、導電性基体及び下引層の断面を、走査電子顕微鏡（キーエンス社、型番：ＶＨＸ−Ｄ５００）により、２０倍の倍率で観察し、断面画像を得る。得られた断面画像のうち導電性基体と下引層との界面を１ｍｍの範囲にわたって解析し、下引層中の無機粒子が導電性基体の外周面に接触している領域と、下引層中の無機粒子が導電性基体の外周面に接触していない領域と、に分ける。そして、解析した１ｍｍの界面のうち、導電性基体の外周面に接触している無機粒子が存在する領域の割合（％）を求め、「無機粒子接触割合」とする。
なお、「接触」とは、無機粒子の表面と導電性基体の外周面とが厳密に接触している状態に限定されるものではなく、上記断面画像において無機粒子が導電性基体の外周面に接触している状態とみなされる場合も含まれる。具体的には、拡大して観察すると無機粒子の表面と導電性基体の外周面との間にわずかな隙間がある場合においても、導電性基体の外周面と無機粒子の表面との最短距離が５μｍ以下である場合は、「接触」している状態であるとみなす。
【００２４】
＜第２の態様＞
第２の態様に係る感光体は、導電性基体と、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、前記導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた感光層と、を有し、画像濃度５０％のハーフトーン全面画像を２００万枚のＡ４紙に連続して形成したときにおける、前記下引層から前記導電性基体に流れる電流値の低下率が２０％以下（以下「使用後電流低下率」ともいう）である。
第２の態様では、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し導電性基体の外周面に接触して設けられた下引層を有し、上記使用後電流低下率が２０％を超える場合に比較して、濃度ムラが抑制された画像が形成される。その理由は定かではないが、以下のように推測される
【００２５】
前記の通り、表面処理された無機粒子を含有する下引層を導電性基体に接触させて設けると、表面処理剤の影響により、使用するにつれて、導電性基体における下引層と接触している側の表面（すなわち外周面）が腐食し、前記外周面に酸化膜が形成されることがある。そして、導電性基体の外周面に酸化膜が部分的に形成されると、酸化膜が形成された領域の導電性が低下し、下引層から導電性基体に流れる電流の量が低下することにより、得られる画像の濃度が部分的に低下し、その結果、画像の濃度ムラが発生することがある。
【００２６】
これに対して、第２の態様では、上記使用電流低下率が２０％以下である。つまり、使用電流低下率が２０％を超える場合に比べ、画像形成を連続で行っても下引層から導電性基体に流れる電流の量が部分的に低下することが起こりにくい。そのため、得られる画像の部分的な濃度低下が抑制され、その結果、画像の濃度ムラが抑制されるものと推測される。
【００２７】
ここで、上記「使用電流低下率」は、以下の測定及び算出により得られる値である。
まず、測定対象の感光体の初期（すなわち使用前）において、下引層から導電性基体に流れる電流値（Ａ）を測定し、その値を「初期電流値」とする。初期電流値の測定は、感光体の軸方向端部における感光層等をカッターナイフによって除去し、下引層を一部露出させる。そして、露出した下引層の表面と導電性基体の内周面とに電極（Ａｇ／Ａｇ＋、ＢＡＳ社、型番：ＲＥ−７、接触面積：１０ｍｍ２）をつけ、電流計（ＢＡＳ社、型番：ＡＬＳ６００Ｅ）により初期電流値を測定する。初期電流値の測定条件は、環境：温度２５℃湿度４０％、電位走印速度：０．１Ｖ／Ｓ、走印範囲：−１Ｖ〜１Ｖである。
次に、初期電流値を測定した感光体を画像形成装置に搭載し、温度２５℃湿度４０％の環境下で、画像濃度５０％のハーフトーン全面画像を２００万枚のＡ４紙に連続して形成する。画像形成条件は、帯電方式：スコロトロン、帯電電圧：−７００Ｖである。
上記画像形成の後、感光体のうち下引層が露出していない領域について感光層等の除去を行い、下引層を一部露出させ、初期電流値の測定と同様の方法で下引層から導電性基体に流れる電流値（Ａ）を測定し、その値を「使用後電流値」とする。
得られた初期電流値及び使用後電流値から、下記式により、使用電流低下率を求める。
式：使用電流低下率（％）＝（（初期電流値−使用後電流値）／初期電流値）×１００
【００２８】
以下、第１の態様及び第２の態様の総称として、「本実施形態」という場合がある。
ただし、本発明の一例は、第１の態様及び第２の態様のいずれか一方に該当すればよい。
【００２９】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る電子写真感光体を詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の一例を示す模式断面図である。図２は、本実施形態に係る電子写真感光体の他の一例を示す模式断面図である。
【００３０】
図１に示す電子写真感光体７Ａは、電荷発生層２と電荷輸送層３とに機能が分離された機能分離型感光体（すなわち、積層型感光体）であり、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に電荷発生層２及び電荷輸送層３が順次形成された構造を有する。電子写真感光体７Ａにおいては、電荷発生層２及び電荷輸送層３により感光層が構成されている。
【００３１】
図２に示す電子写真感光体７Ｃは、電荷発生材料と電荷輸送材料とを同一の層（単層型感光層６）に含有するものである。つまり、図２に示す電子写真感光体７Ｃは、導電性基体４上に下引層１が設けられ、その上に、単層型感光層６が形成された構造を有する。
【００３２】
図１に示す電子写真感光体及び図２に示す電子写真感光体は、それぞれ、必要に応じてその他の層をさらに設けてもよい。その他の層としては、例えば、下引層と感光層との間に設けられる中間層、感光層上に設けられる保護層等が挙げられる。
以下、代表例として図１に示す電子写真感光体７Ａに基づいて、各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する場合がある。
【００３３】
（導電性基体）
導電性基体を構成する材料としては、例えば金属が挙げられ、具体的には、例えば、アルミニウム、鉄、銅等の純金属；ステンレス鋼、アルミニウム合金等の合金；が挙げられる。
導電性基体を構成する金属としては、軽いこと及び加工性に優れる観点から、アルミニウムを含む金属が好ましく、純アルミニウム又はアルミニウム合金がより好ましい。アルミニウム合金としては、アルミニウムが主成分である合金であれば特に制限されず、アルミニウムのほかに、例えば、Ｓｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｔｉ等を含むアルミニウム合金が挙げられる。ここで「主成分」とは、合金に含まれる元素の中で最も含有割合（質量基準）が高い元素をいう。
【００３４】
特に、導電性基体の外周面（すなわち、下引層が直接設けられる面）がアルミニウム及び銅から選択される少なくとも１種を含む場合、下引層に含有される表面処理剤の影響による腐食及び酸化膜の形成が起こりやすく、下引層から導電性基体に流れる電流値の低下が起こりやすくなると考えられる。しかし、前述のように、本実施形態では上記電流値の低下が抑制されているため、電流値の部分的な低下に伴う画像の濃度ムラが抑制される。
なお、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３５】
導電性基体の形状は、例えば筒状が挙げられる。
導電性基体の厚み（肉厚）としては、例えば０．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下が挙げられ、０．４ｍｍ以上１．２ｍｍ以下が好ましく、０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下がより好ましい。
導電性基体が薄い場合、上記導電性基体の外周面における腐食及び酸化膜の形成が起こった場合に画像への影響が出やすいと考えられる。一方、第１の態様では、前述の通り導電性基体の外周面における腐食及び酸化膜の形成が抑制されているため、画像の濃度ムラも抑制される。また、第２の態様では、前述の通り、下引層から導電性基体に流れる電流値の低下が抑制されているため、電流値の部分的な低下に伴う画像の濃度ムラが抑制される。
導電性基体の径及び軸方向長さは、特に限定されず、用途等によって変わる値である。導電性基体の径としては例えば２０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の範囲が挙げられ、導電性基体の軸方向長さとしては例えば２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下の範囲が挙げられる。
【００３６】
導電性基体は、例えば、抽伸加工、絞り加工、インパクトプレス加工、しごき加工、切削加工などの公知の成形加工によって製造される。導電性基体は、薄肉化及び高硬度化の観点から、インパクトプレス加工によって製造されることが好ましく、インパクトプレス加工及びその後のしごき加工によって製造されることがより好ましい。即ち、導電性基体は、インパクトプレス加工品、又は、しごき加工を施したインパクトプレス加工品であることが好ましい。
ここで、インパクトプレス加工は、金属塊を円形の雌型に配置し、円柱状の雄型で叩いて雄型に沿った中空円筒体に成形する加工法である。インパクトプレス加工によって中空円筒体を成形した後、１回又は複数回のしごき加工によって、内径、外径、円筒度及び真円度を調整して導電性基体を得る。しごき加工後に、円筒管の両端を切り落とし、さらに端面処理を施してもよい。
【００３７】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００３８】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００３９】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００４０】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００４１】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００４２】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４３】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４４】
（下引層）
下引層は、導電性基体の外周面に接触して設けられた層である。
下引層は、少なくとも、表面処理剤により表面処理された無機粒子を含有し、必要に応じてその他の成分（例えば、結着樹脂、電子受容性化合物、表面処理されていない無機粒子等）を含有してもよい。
まず、表面処理剤により表面処理された無機粒子について説明する。
【００４５】
無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００４６】
無機粒子の体積平均一次粒径は、例えば５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下が挙げられ、好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、より好ましくは６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは７０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
また、無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上が挙げられ、１０ｍ２／ｇ以上２００ｍ２／ｇ以下であることが好ましく、３０ｍ２／ｇ以上１８０ｍ２／ｇ以下であることがより好ましい。
なお、無機粒子は、粒径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００４７】
ここで、無機粒子の体積平均一次粒径の測定は、レーザ回折式粒度分布測定装置（ＬＡ−７００：堀場製作所製）を用いて行う。測定法としては、分散液となっている状態の試料（すなわち、測定対象となる無機粒子）を固形分で２ｇになるように調整し、これにイオン交換水を添加して、４０ｍｌにする。これをセルに適当な濃度になるまで投入し、２分待ったところで測定する。得られたチャンネルごとの粒径を体積基準で小さい方から累積し、累積５０％になったところを体積平均一次粒径とする。
また、上記無機粒子の比表面積は、以下のようにして測定を行う。具体的には、ＳＡ３１００比表面積測定装置（ベックマンコールター（株）製）を用いて、３点法にて測定する。詳細には、試料（すなわち、測定対象となる無機粒子）５ｇをセルに入れ、６０℃１２０分の脱気処理を行い、窒素とヘリウムの混合ガス（体積比３０：７０）を用いて測定する。
【００４８】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００４９】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００５１】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００５２】
表面処理剤の処理量は、例えば、表面処理剤を除いた無機粒子の質量に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００５３】
表面処理剤により表面処理された無機粒子の含有量は、例えば、下引層全体に対して、６８質量％以上８５質量％以下の範囲が挙げられ、７２質量％以上８３質量％以下であることが好ましく、７５質量％以上８２質量％以下であることがより好ましく、さらに好ましくは７８質量％以上８０質量％以下である。
【００５４】
下引層は、少なくとも表面処理剤により表面処理された無機粒子を含んでいればよく、必要に応じて、表面処理剤により表面処理されていない無機粒子をさらに含んでもよい。なお、表面処理剤により表面処理された無機粒子の割合は、下引層に含まれる無機粒子全体に対し、９０質量％以上であることが好ましく、９２質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることがさらに好ましい。
【００５５】
下引層は、さらに結着樹脂を含有することが好ましい。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【００５６】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【００５７】
下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００５８】
電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物；２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。
【００５９】
電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。
【００６０】
電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【００６１】
乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【００６２】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【００６３】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【００６４】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。
【００６５】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【００６６】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００６７】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【００６８】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【００６９】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【００７０】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００７１】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００７２】
下引層は、前述の通り、導電性基体の外周面に接触して設けられる。
第１の態様においては、導電性基体の外周面のうち、下引層に含まれる無機粒子が接触している領域の割合（すなわち、無機粒子接触割合）が８２％以上９１％以下であり、８４％以上８９％以下であることが好ましく、８５％以上８８％以下であることがより好ましい。また、第２の態様においては、上記無機粒子接触割合が、８２％以上９１％以下であることが好ましく、８４％以上８９％以下であることがより好ましく、８５％以上８８％以下であることがさらに好ましい。
無機粒子接触割合が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べ、濃度ムラが抑制された画像が得られ、上記範囲よりも小さい場合に比べ、残留電位が軽減され、寿命が長くなるという利点がある。
【００７３】
無機粒子接触割合を上記範囲に制御する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、後述する下引層の形成において用いられる下引層形成用塗布液のレオロジー（例えば、弾性回復量）を調整する方法等が挙げられる。
【００７４】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【００７５】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【００７６】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【００７７】
前記の通り、下引層形成用塗布液のレオロジー（例えば、弾性回復量）を調整することで、形成される下引層における無機粒子接触割合を制御してもよい。
下引層形成用塗布液の弾性回復量としては、例えば０．３０Ｐａ・ｓｅｃ以上０．９０Ｐａ・ｓｅｃ未満が挙げられ、０．５０Ｐａ・ｓｅｃ以上０．８５Ｐａ・ｓｅｃ以下であることが好ましく、０．５５Ｐａ・ｓｅｃ以上０．８０Ｐａ・ｓｅｃ以下であることがより好ましい。
ここで、「弾性回復量」とは、下引層形成用塗布液にせん断速度１０００ｓｅｃ−１のせん断応力を印加した後にせん断速度０．１ｓｅｃ−１のせん断応力を印加した際のせん断粘度変化量であり、液体のチキソ性を評価する指標の１つである。
また、「弾性回復量」の測定は、以下のようにして行う。具体的には、粘弾性測定装置（ＡＮＴＯＮ  ＰＡＡＲ社、型番：ＭＣＲ３０２）に下引層形成用塗布液を２ｍＬセットし、コーンプレート（ＡＮＴＯＮ  ＰＡＡＲ社、型番：ＣＰ５０−１（直径２５ｍｍ、コーン角１．０°））によりせん断速度１０００ｓｅｃ−１のせん断応力を印加した後にせん断速度０．１ｓｅｃ−１のせん断応力を印加する。その際のせん断粘度変化量を弾性回復量と定義する。
【００７８】
下引層形成用塗布液の弾性回復量を上記範囲に制御する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、下引層形成用塗布液に含まれる成分を混合し、一次分散工程を経た後、循環工程を経ることで、下引層形成用塗布液の弾性回復量を上記範囲に制御する方法が挙げられる。
【００７９】
一次分散工程における分散方法としては、例えばサンドミル等が挙げられる。一次分散工程においてサンドミルを用いる場合、サンドミル用ビーズとしては、例えば、直径０．５ｍｍ以上４ｍｍ以下のガラスビーズが挙げられる。また、一次分散工程における分散時間としては、例えば４時間以上１０時間以下の範囲が挙げられ、５時間以上７時間以下の範囲が好ましい。
一次分散工程を経た下引層形成用塗布液（すなわち、一次分散液）の弾性回復量としては、例えば０．０８Ｐａ・ｓｅｃ以上０．３０Ｐａ・ｓｅｃ未満が挙げられる。
【００８０】
循環工程における循環方法としては、例えば、撹拌タンクと、送液ポンプと、フィルターと、それらをつなぐ循環経路と、を有する循環装置を用いる方法が挙げられる。上記循環工程では、例えば、一次分散工程を経た下引層形成用塗布液が撹拌タンク内で撹拌される。そして、撹拌タンク内の下引層形成用塗布液の一部が、送液ポンプにより循環経路に送られ、フィルターを通って、撹拌タンクに戻されることで、下引層形成用塗布液が循環される。
上記送液ポンプの送液量としては、例えば、５０ｍｌ／分以上１０００ｍｌ／分以下が挙げられ、１００ｍｌ／分以上５００ｍｌ／分以下であることが好ましく、１５０ｍｌ／分以上４００ｍｌ／分以下であることがより好ましい。
上記フィルターの目開きとしては、例えば、０．０２ｍｍ以上０．０５ｍｍ以下が挙げられ、０．０２２ｍｍ以上０．０４ｍｍ以下であることが好ましく、０．０２５ｍｍ以上０．０３ｍｍ以下であることがより好ましい。
循環工程における循環時間は、例えば、２０時間以上６０時間以下が挙げられ、３０時間以上５８時間以下であることが好ましく、４８時間以上５５時間以下であることがより好ましい。
【００８１】
上記のように、一次分散工程及び循環工程を経た下引層形成用塗布液を用いることで、無機粒子接触割合が前記範囲の下引層が形成される理由は定かではないが、以下のように推測される。具体的には、一次分散工程及び循環工程を経た下引層形成用塗布液は、一次分散工程及び二次分散工程を経た下引層形成用塗布液に比べて、塗布液内において無機粒子がほどよく凝集している。そのため、導電性基体に接触する無機粒子の割合が少なくなり、無機粒子接触割合が前記範囲の下引層が形成されると推測される。また、一次分散工程及び循環工程を経た下引層形成用塗布液は、一次分散工程のみを経た下引層形成用塗布液に比べて、無機粒子が凝集しすぎていないため、無機粒子接触割合が前記範囲の下引層が形成されると推測される。
【００８２】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００８３】
下引層の膜厚は、例えば、３μｍ以上５０μｍ以下の範囲が挙げられ、残留電位上昇抑制の観点から、好ましくは３μｍ以上３０μｍ以下の範囲が挙げられ、より好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下の範囲が挙げられる。
なお、下引層の膜厚は、サンコー電子社製渦電流式膜厚計ＣＴＲ−１５００Ｅを用いて測定する。
また、下引層の膜厚は、導電性の観点から、導電性基体の厚みの１０倍以上３０倍以下であることが好ましく、１２倍以上２８倍以下であることがより好ましく、１５倍以上２５倍以下であることがさらに好ましい。
【００８４】
第１の態様においては、前述の使用電流低下率が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。また、第２の態様においては、前述の使用電流低下率が２０％以下であり、１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。
使用電流低下率が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べ、濃度ムラが抑制された画像が得られる。
使用電流低下率を上記範囲に制御する方法は、特に限定されるものではなく、例えば、前述の無機粒子接触割合を前記範囲に調整する方法等が挙げられる。
【００８５】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００８６】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００８７】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００８８】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００８９】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【００９０】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００９１】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００９２】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００９３】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００９４】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００９５】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００９６】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【００９７】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００９８】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【００９９】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【０１００】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１０１】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１０２】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１０３】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【０１０４】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０５】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１０６】
【化１】
2020170029.tif 000003
【０１０７】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１０８】
【化２】
2020170029.tif 000004
【０１０９】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１１０】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１１１】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１１２】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの中でも、結着樹脂としては、ポリカーボネート樹脂又はポリアリレート樹脂が好適である。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【０１１３】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１１４】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１１５】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１１６】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１１７】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上３０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１１８】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０１１９】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０１２０】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０１２１】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、ビニルフェニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０１２２】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０１２３】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０１２４】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１２５】
保護層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた保護層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱等の硬化処理することで行う。
【０１２６】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０１２７】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２８】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２９】
以下、図２に示す電子写真感光体７Ｃの単層型感光層６について説明する。なお、符号は省略して説明する場合がある。
【０１３０】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０１３１】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０１３２】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１３３】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１３４】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１３５】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１３６】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１３７】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図３に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。
【０１３８】
図３におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１３９】
なお、図３には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１４０】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１４１】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１４２】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１４３】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１４４】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１４５】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１４６】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１４７】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１４８】
図４は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図４に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【実施例】
【０１４９】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、特に限定のないかぎり「部」は「質量部」を意味し、「％」は「質量％」を意味する。
【０１５０】
［実施例１］
（導電性基体の準備）
導電性基体として、直径３０ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚０．８ｍｍの円筒状アルミニウム基体を、インパクトプレス法により作製した。
【０１５１】
（下引層の形成）
無機粒子として酸化亜鉛（体積平均一次粒径：７０ｎｍ、テイカ社製、ＢＥＴ比表面積：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、表面処理剤としてシランカップリング剤（化合物名：Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、信越化学工業製、品名：ＫＢＭ６０３）１．２５質量部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
前記シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子４４．６質量部と、電子受容性化合物として１−ヒドロキシアントラキノン０．４５質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１０．２質量部と、ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−１、積水化学工業社製）３．５質量部と、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、メチルエチルケトン４１．３質量部と、を混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散を行い（すなわち一次分散の分散時間：４時間）、一次分散液を得た（一次分散工程）。
一次分散液の弾性回復量は、０．１２Ｐａ・ｓであった。
【０１５２】
次に、撹拌タンクと、送液ポンプと、フィルター（目開き：０．０３ｍｍ）と、が循環経路でつながれた循環装置を準備した。
得られた一次分散液を、上記循環装置によって、送液量１６０ｍｌ／分の条件で４８時間循環させ（すなわち、循環時間：４８時間）、下引層形成用塗布液を得た（循環工程）。
得られた下引層形成用塗布液における弾性回復量を表１に示す。
【０１５３】
この下引層形成用塗布液を用いて、浸漬塗布法にて塗布速度１６０ｍｍ／ｍｉｎで、導電性基体上に塗布し、１９０℃、２４分の乾燥硬化を行い、厚さ１９μｍの下引層を得た。
得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７９質量％であった。
【０１５４】
（電荷発生層の形成）
電荷発生材料としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、株式会社ＮＵＣ製）１０質量部、及びｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間攪拌して分散させ分散液を得た。
得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部及びメチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して、電荷発生層形成用塗布液を得た。
この電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、１４０℃、１０分で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１５５】
（電荷輸送層の形成）
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４０質量部、４−（２，２−ジフェニルフェニル）−４‘，４“−ジメチル−トリフェニルアミン８質量部、及びビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：５万）５２質量部をクロロベンゼン８００質量部に加えて溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布し、１４０℃、４０分の乾燥を行って膜厚が２８μｍの電荷輸送層を形成した。
【０１５６】
以上のようにして、電子写真感光体１を作製した。
得られた電子写真感光体１における、下引層の無機粒子接触割合及び使用電流低下率を、前述の方法により測定及び算出した結果を、表１に示す。
【０１５７】
［実施例２］
下引層の形成において、循環装置におけるフィルターの目開きを０．０４ｍｍ、循環工程における送液量を１１０ｍｌ／分、循環工程における循環時間を３５時間とした以外は、実施例１の電子写真感光体１と同様にして、実施例２の電子写真感光体２を得た。
実施例２における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、実施例２で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７６質量％であった。
【０１５８】
［実施例３］
下引層の形成において、循環装置におけるフィルターの目開きを０．０３ｍｍ、循環工程における送液量を１９０ｍｌ／分、循環工程における循環時間を５０時間とした以外は、実施例１の電子写真感光体１と同様にして、実施例３の電子写真感光体３を得た。
実施例３における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、実施例３で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７３質量％であった。
【０１５９】
［実施例４］
下引層の形成において、表面処理剤としてシランカップリング剤（化合物名：ビニルトリエトキシシラン、東京化成工業製）を１．７質量部用いた以外は、実施例１の電子写真感光体１と同様にして、実施例４の電子写真感光体４を得た。
実施例４における、一次分散液の弾性回復量は、０．１５Ｐａ・ｓであった。
実施例４における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、実施例４で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７６質量％であった。
【０１６０】
［比較例１］
下引層の形成において、循環工程を行う代わりに、一次分散液を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散をさらに行って得られた二次分散液を下引層形成用塗布液として用いた以外は、実施例１の電子写真感光体１と同様にして、比較例１の電子写真感光体Ｃ１を得た。
比較例１における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、比較例１で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７０質量％であった。
【０１６１】
［比較例２］
下引層の形成において、循環工程を行う代わりに、一次分散液を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて１時間の分散をさらに行って得られた二次分散液を下引層形成用塗布液として用いた以外は、実施例１の電子写真感光体１と同様にして、比較例２の電子写真感光体Ｃ２を得た。
比較例２における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、比較例２で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７１質量％であった。
【０１６２】
［比較例３］
下引層の形成において、循環工程を行わず、一次分散液をそのまま下引層形成用塗布液として用いた以外は、実施例１の電子写真感光体１と同様にして、比較例３の電子写真感光体Ｃ３を得た。
比較例３における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、比較例３で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し７３質量％であった。
【０１６３】
［比較例４］
下引層の形成において、循環工程を行う代わりに、一次分散液を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散をさらに行って得られた二次分散液を下引層形成用塗布液として用いた以外は、実施例４の電子写真感光体４と同様にして、比較例４の電子写真感光体Ｃ４を得た。
比較例４における、下引層形成用塗布液の弾性回復量、下引層の無機粒子接触割合、及び使用電流低下率を表１に示す。
なお、比較例４で得られた下引層における無機粒子の含有量は、下引層全体に対し６９質量％であった。
【０１６４】
［評価］
（濃度ムラ評価）
得られた電子写真感光体を電子写真方式の画像形成装置（富士ゼロックス社製、型番：ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ−ＶＩ  Ｃ５５７１）に搭載し、温度２５℃湿度４０％の環境下で、画像濃度５０％のハーフトーン全面画像を２００万枚のＡ４紙に連続して形成した。２００万枚目のハーフトーン画像を目視で観察し、下記基準で濃度ムラの評価を行った。結果を表１に示す。
【０１６５】
−評価基準−
Ａ：濃度ムラは全く確認されなかった
Ｂ：濃度ムラがわずかに確認されたが、許容範囲であった
Ｃ：濃度ムラが確認されたが、許容範囲であった
Ｄ：濃度ムラが顕著に確認された
【０１６６】
【表１】
2020170029.tif 000005
【０１６７】
上記結果から、実施例の電子写真感光体は、比較例の電子写真感光体よりも、濃度ムラが抑制されることがわかった。
【符号の説明】
【０１６８】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、７Ａ  電子写真感光体、７Ｃ  電子写真感光体、７  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑剤、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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