(57)【要約】【課題】研削加工時に研削手段にかかる荷重を低減することが可能な被加工物の研削方法を提供する。【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削砥石が装着される研削手段と、を備えた研削装置を用いて被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、被加工物の外周縁を含む外周領域を研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、被加工物の外周領域によって囲まれた中央領域を研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を備える。【選択図】図４
2020032486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を研削する研削砥石が装着される研削手段と、を備えた研削装置を用いて該被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物の外周縁を含む外周領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、
該被加工物の該外周領域によって囲まれた中央領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を備えることを特徴とする被加工物の研削方法。
【請求項２】
該外周領域は、半径の異なる複数のリング状の領域を有し、
該外周領域研削工程では、複数の該領域を該被加工物の該外周縁側から該中央領域側に向かって順に研削することを特徴とする請求項１記載の被加工物の研削方法。
【請求項３】
複数の該領域の幅は、該中央領域に近い該領域ほどその幅が広くなるように設定されることを特徴とする請求項２記載の被加工物の研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物を研削砥石によって研削する際に用いられる被加工物の研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスチップの製造工程では、分割予定ライン（ストリート）によって区画された領域にそれぞれＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハが用いられる。この光デバイスウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、光デバイスをそれぞれ備える複数の光デバイスチップが得られる。同様に、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体デバイスが形成された半導体ウェーハを分割することにより、半導体デバイスチップが製造される。
【０００３】
上記の光デバイスチップや半導体デバイスチップに代表される各種のチップは様々な電子機器に内蔵されるが、近年、電子機器の小型化、薄型化に伴いチップにも小型化、薄型化が求められている。そこで、上記の光デバイスウェーハや半導体ウェーハを研削砥石で研削することによって薄くする手法が用いられている。
【０００４】
光デバイスウェーハや半導体ウェーハ等の被加工物の研削には、被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルによって保持された被加工物を研削する研削手段（研削ユニット）とを備える研削装置が用いられる。研削装置の研削手段は、回転軸となるスピンドルの先端部に固定されたマウントを備えており、マウントには被加工物を研削するための研削砥石を備えた研削ホイールが装着される（例えば、特許文献１、２参照）。この研削ホイールを回転させながら研削砥石を被加工物と接触させることにより、被加工物が研削される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２９３３１号公報
【特許文献２】特開２０１１−４０６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
研削装置を用いて被加工物を研削する際には、研削手段に装着された研削ホイールがチャックテーブルによって保持された被加工物に押し付けられる。このとき、研削手段には荷重（加工荷重）がかかり、この加工荷重が一定の値を超えると研削手段が破損してしまう恐れがある。そのため研削装置は、研削手段にかかる加工荷重が予め設定された許容値を超えた場合に、研削手段の動作を停止させて研削手段の破損を回避するように設計されている。
【０００７】
しかしながら、被加工物の材質等によっては、加工荷重が許容値を超えるような条件下での研削加工が必要となる場合がある。例えば、サファイアウェーハやＳｉＣウェーハなど、比較的硬度が高い材料（硬質材料）でなる被加工物を研削する際には、被加工物を適切に研削するために研削ホイールを被加工物に強く押し付ける必要がある。このような被加工物を適切に研削しようとすると、加工荷重が許容値を超えて研削手段の動作が停止してしまい、研削装置を用いた研削加工が困難になる場合がある。
【０００８】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、研削加工時に研削手段にかかる荷重を低減することが可能な被加工物の研削方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該被加工物を研削する研削砥石が装着される研削手段と、を備えた研削装置を用いて該被加工物を研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物の外周縁を含む外周領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、該被加工物の該外周領域によって囲まれた中央領域を該研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を備える被加工物の研削方法が提供される。
【００１０】
また、本発明の一態様において、該外周領域は、半径の異なる複数のリング状の領域を有し、該外周領域研削工程では、複数の該領域を該被加工物の該外周縁側から該中央領域側に向かって順に研削してもよい。
【００１１】
また、本発明の一態様において、複数の該領域の幅は、該中央領域に近い該領域ほどその幅が広くなるように設定されてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一態様に係る被加工物の研削方法では、被加工物の外周縁を含む外周領域を研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、被加工物の外周領域によって囲まれた中央領域を研削砥石によって該所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を実施することにより被加工物を研削する。このように、被加工物の研削を複数回に分けて実施することにより、被加工物の全体を一度に研削する場合と比較して研削加工時における研削砥石と被加工物との接触面積が減少し、研削砥石が装着される研削手段にかかる荷重が低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】研削装置を示す斜視図である。
【図２】被加工物がチャックテーブルによって保持される様子を示す斜視図である。
【図３】チャックテーブルを示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は第１研削工程の様子を示す平面図であり、図４（Ｂ）は第１研削工程の様子を示す側面図である。
【図５】図５（Ａ）は第２研削工程の様子を示す平面図であり、図５（Ｂ）は第２研削工程の様子を示す側面図である。
【図６】図６（Ａ）は第３研削工程の様子を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第３研削工程の様子を示す側面図である。
【図７】図７（Ａ）は中央領域研削工程の様子を示す平面図であり、図７（Ｂ）は中央領域研削工程の様子を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係る被加工物の研削方法の実施に用いることが可能な研削装置の構成例について説明する。図１は研削装置２を示す斜視図である。
【００１５】
研削装置２は、研削装置２の各構成要素が搭載される基台４を備えており、基台４の後端には直方体状の支持構造６が設けられている。また、基台４の上面側には上面視で矩形状の開口部４ａが設けられている。この開口４ａは、長手方向がＸ軸方向（前後方向）に沿うように形成されている。
【００１６】
開口４ａの内部には、ボールネジ式のＸ軸移動機構８と、Ｘ軸移動機構８の一部を覆う防塵防滴カバー１０とが配置されている。Ｘ軸移動機構８はＸ軸移動テーブル８ａを備えており、このＸ軸移動テーブル８ａをＸ軸方向に沿って移動させる。また、開口４ａの前方には研削加工の条件等を入力するための操作パネル１２が設置されている。
【００１７】
Ｘ軸移動テーブル８ａ上には、チャックテーブル１４が設けられている。チャックテーブル１４はＸ軸移動テーブル８ａとともにＸ軸方向に沿って移動し、チャックテーブル１４のＸ軸方向における位置はＸ軸移動機構８によって制御される。このチャックテーブル１４によって、研削加工が施される被加工物が保持される。
【００１８】
図２は、被加工物１１がチャックテーブル１４によって保持される様子を示す斜視図である。被加工物１１は例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイス（不図示）が表面１１ａ側に形成された円盤状のウェーハ等によって構成される。
【００１９】
被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はなく、例えば被加工物１１として半導体（シリコン、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなるウェーハを用いることができる。特に、デバイスとしてＬＥＤなどの光デバイスを形成する場合には、機械的特性、熱的特性、化学的安定性に優れるサファイアウェーハを用いることが好ましい。
【００２０】
被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）によって複数の領域に区画されており、この複数の領域にそれぞれデバイスが形成されている。そして、被加工物１１を分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ含む複数のチップが得られる。なお、被加工物１１に形成されるデバイスの種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。
【００２１】
被加工物１１の分割によって得られるチップの薄型化を目的として、分割前の被加工物１１には研削加工が施される。具体的には、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削砥石で研削することによって被加工物１１が薄く加工される。被加工物１１を研削する際には、図２に示すように被加工物１１がチャックテーブル１４上に配置される。
【００２２】
被加工物１１は、裏面１１ｂ側が上方に露出するようにチャックテーブル１４によって保持される。なお、被加工物１１の表面１１ａ側にはデバイスを保護するための保護テープを貼付してもよい。この場合、被加工物１１は保護テープを介してチャックテーブル１４によって保持される。
【００２３】
図３は、チャックテーブル１４を示す断面図である。チャックテーブル１４は、ポーラスセラミックス等によって形成された円盤状の吸引部１６を備えており、吸引部１６の上面によって被加工物１１を吸引する平面視で円形の吸引面１６ａが構成される。また、吸引面１６ａはチャックテーブル１４の内部に形成された吸引路１４ａを介して吸引源（不図示）と接続されている。
【００２４】
吸引面１６ａを覆うように被加工物１１を配置した状態で吸引源の負圧を吸引面１６ａに作用させることで、被加工物１１がチャックテーブル１４によって吸引保持される。なお、ここでは特に円盤状の被加工物１１に対応して吸引面１６ａが平面視で円形に形成されている例について説明するが、吸引面１６ａの形状はチャックテーブル１４によって保持される被加工物１１の形状等に応じて適宜変更できる。
【００２５】
また、吸引部１６は、その厚さが外周縁から中心に向かって増加するように形成されており、吸引面１６ａは中心を頂点とする山形状に形成されている。つまり、吸引面１６ａは吸引部１６の径方向に対してわずかに傾斜した傾斜面を有する。図３では説明の便宜のため、吸引面１６ａの傾斜を誇張して示している。例えば吸引部１６の直径が２００ｍｍ以上２１０ｍｍ以下程度である場合、吸引部１６の厚さ方向における吸引面１６ａの中心と外周縁との高さ位置の差は、１０μｍ以上２０μｍ以下程度に設定される。
【００２６】
チャックテーブル１４は、吸引面１６ａの傾斜面の一部が水平方向（ＸＹ平面）と平行になるように、僅かに傾いた状態でＸ軸移動テーブル８ａ（図１参照）上に配置される。また、チャックテーブル１４はモータ等の回転駆動源（不図示）と連結されており、吸引部１６の厚さ方向と概ね平行な回転軸の周りに回転する。なお、吸引面１６ａは、中心の位置がチャックテーブル１４の回転軸の位置と一致するように設けられている。
【００２７】
図１に示す支持構造６の前面側には、Ｚ軸移動機構１８が設けられている。Ｚ軸移動機構１８は、棒状に形成され、その長さ方向がＺ軸方向（鉛直方向）に沿うように配置された一対のＺ軸ガイドレール２０を備える。この一対のＺ軸ガイドレール２０には、Ｚ軸移動プレート２２がＺ軸方向に沿ってスライド可能な態様で取り付けられている。Ｚ軸移動プレート２２の後面側（裏面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部にはＺ軸ガイドレール２０と概ね平行な方向に沿って配置されたＺ軸ボールネジ２４が螺合されている。
【００２８】
Ｚ軸ボールネジ２４の一端部には、Ｚ軸パルスモータ２６が連結されている。Ｚ軸パルスモータ２６によってＺ軸ボールネジ２４を回転させると、Ｚ軸移動プレート２２はＺ軸ガイドレール２０に沿ってＺ軸方向に移動する。
【００２９】
Ｚ軸移動プレート２２の前面側（表面側）には、前方に突出する支持具２８が設けられている。支持具２８は、被加工物に研削加工を施す研削手段（研削ユニット）３０を支持している。研削手段３０は、支持具２８に固定されるスピンドルハウジング３２を含み、スピンドルハウジング３２には回転軸となるスピンドル３４が回転可能な状態で収容されている。
【００３０】
スピンドル３４の先端部（下端部）はスピンドルハウジング３２の外部に露出しており、このスピンドル３４の先端部には円盤状のマウント３６が固定される。また、マウント３６の下面には、マウント３６と概ね同径に構成されたリング状の研削ホイール３８が装着される。この研削ホイール３８はリング状の基台４０を備えており、基台４０のチャックテーブル１４と対向する面側には、基台４０の外周縁に沿って複数の直方体状の研削砥石４２が固定されている（図４から図７参照）。
【００３１】
被加工物１１を研削する際は、まず、チャックテーブル１４によって被加工物１１を吸引保持する。そして、Ｘ軸移動機構８によってチャックテーブル１４を移動させ、チャックテーブル１４を研削ホイール３８の下に位置付ける。
【００３２】
なお、図３に示すように、チャックテーブル１４の吸引面１６ａはその中心を頂点とした山形状に形成されており、吸引面１６ａによって吸引される被加工物１１の裏面１１ｂも、吸引面１６ａの形状を反映して山形状となる。また、前述のようにチャックテーブル１４は吸引面１６ａの傾斜面の一部が水平方向と平行となるように僅かに傾いた状態で配置されているため、被加工物１１は、裏面１１ｂの中心から外周縁に至る一部の領域が水平方向と平行になるように保持される。
【００３３】
そして、チャックテーブル１４とスピンドル３４とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら研削手段３０を所定の速度で下降させて、研削手段３０に装着された研削ホイール３８を被加工物１１に押し付ける。これにより、被加工物１１の裏面１１ｂのうち、水平方向と平行に配置された領域に研削ホイール３８が接触し、被加工物１１が研削ホイール３８によって削り取られる。このようにして、被加工物１１の研削加工が行われる。
【００３４】
被加工物１１を研削する際に研削ホイール３８が被加工物１１に押し付けられると、研削手段３０には荷重（加工荷重）がかかり、この加工荷重が一定の値を超えると研削手段３０が破損してしまう恐れがある。そのため研削装置２は、研削手段３０にかかる加工荷重が予め設定された許容値（加工荷重許容値）を超えた場合に、研削手段３０の動作を停止させて研削手段３０の破損を回避するように設計されている。
【００３５】
しかしながら、被加工物１１の材質等によっては、加工荷重が許容値を超えるような条件下での研削加工が必要となる場合がある。例えば、サファイアウェーハやＳｉＣウェーハなど、比較的硬度が高い材料（硬質材料）でなる被加工物１１を研削する際には、被加工物１１を適切に研削するために、研削ホイール３８を被加工物１１に強く押し付ける必要がある。このような被加工物１１を研削しようとすると、加工荷重が許容値を超えて研削手段３０の動作が停止してしまい、研削装置２を用いた研削加工が困難になる場合がある。
【００３６】
本実施形態に係る被加工物の研削方法では、被加工物１１の外周縁を含む外周領域を研削砥石によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程と、被加工物１１の外周領域によって囲まれた中央領域を研削砥石によって該所定の厚さまで研削する中央領域研削工程と、を実施することにより、被加工物１１を研削する。このように、被加工物１１の研削を複数回に分けて実施することにより、研削加工時における研削砥石と被加工物１１との接触面積が減少し、研削手段３０にかかる荷重が低減される。
【００３７】
研削手段３０にかかる荷重が低減されると、例えばサファイアウェーハやＳｉＣウェーハなどの硬質材料でなる被加工物１１を研削する際にも、研削手段３０にかかる荷重を加工荷重許容値以下に抑え、被加工物１１を研削装置２によって適切に研削することが可能となる。以下、本実施形態に係る被加工物の研削方法の具体例について説明する。
【００３８】
実施形態に係る被加工物の研削方法では、まず、被加工物１１の外周縁を含む外周領域を研削砥石４２によって所定の厚さまで研削する外周領域研削工程を行う。外周領域研削工程の様子を、図４から図６に示す。以下では一例として、外周領域研削工程がさらに第１研削工程、第２研削工程、及び第３研削工程に分けられる場合について説明する。
【００３９】
図４（Ａ）は第１研削工程の様子を示す平面図であり、図４（Ｂ）は第１研削工程の様子を示す側面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）にはそれぞれ、チャックテーブル１４によって吸引保持された被加工物１１と、研削手段３０が備えるマウント３６（図１参照）に装着された研削ホイール３８とを示している。また、図４（Ａ）には、チャックテーブル１４を回転させたときの被加工物１１の回転中心Ｏを示している。
【００４０】
研削ホイール３８は、ステンレスやアルミニウム等の金属材料で形成されたリング状の基台４０を備えており、基台４０のチャックテーブル１４と対向する面側には、基台４０の外周縁に沿って複数の直方体状の研削砥石４２が固定されている。なお、図４（Ｂ）では説明の便宜上、研削ホイール３８が備える複数の研削砥石４２のうち、被加工物１１の回転中心Ｏに最も近い位置に配置されている研削砥石４２ａのみを示している。
【００４１】
研削砥石４２は例えば、ダイヤモンド、ＣＢＮ（Cubic  Boron  Nitride）等でなる砥粒を、メタルボンド、レジンボンド又はビトリファイドボンド等の結合材で固定することにより形成される。ただし、研削砥石４２の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。また、研削ホイール３８が備える研削砥石４２の数は任意に設定できる。
【００４２】
被加工物１１は、被加工物１１の外周縁を含み、その幅が被加工物１１の半径未満であるリング状の外周領域１３と、外周領域１３によって囲まれ被加工物１１の回転中心Ｏを含む円形の中央領域１５とを有する。また、外周領域１３は、半径の異なる複数のリング状の領域を有する。
【００４３】
具体的には、外周領域１３は、被加工物１１の外周縁を含むリング状の第１領域１３ａと、第１領域１３ａによって囲まれたリング状の第２領域１３ｂと、第２領域１３ｂによって囲まれたリング状の第３領域１３ｃとに分けられる。第２領域１３ｂの半径は第１領域１３ａの半径よりも小さく、第３領域１３ｃの半径は第２領域１３ｂの半径よりも小さい。また、第３領域１３ｃによって囲まれた領域が中央領域１５に相当する。
【００４４】
なお、図４（Ａ）では、第１領域１３ａの幅、第２領域１３ｂの幅、第３領域１３ｃの幅をそれぞれＷ１、Ｗ２、Ｗ３で表し、中央領域１５の半径をＲで表す。Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の和が外周領域１３の幅Ｗに相当し、ＷとＲとの和が被加工物１１の半径に相当する。
【００４５】
第１研削工程では、研削砥石４２が被加工物１１の第１領域１３ａと重畳し、且つ、第２領域１３ｂ、第３領域１３ｃ、及び中央領域１５とは重畳しないように、研削ホイール３８とチャックテーブル１４とを位置付ける。このとき、研削砥石４２ａの回転中心Ｏ側に位置する端部４２ｂは、図４（Ｂ）に示すように第１領域１３ａと第２領域１３ｂとの境界に位置付けられる。
【００４６】
そして、チャックテーブル１４と研削ホイール３８とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール３８を所定の速度で下降させ、研削砥石４２を被加工物１１の第１領域１３ａと接触させる。これにより、第１領域１３ａが研削砥石４２によって研削される。そして、この研削は第１領域１３ａが所定の厚さになるまで続けられる（図５（Ｂ）参照）。
【００４７】
次に、第２領域１３ｂを研削する第２研削工程を実施する。図５（Ａ）は第２研削工程の様子を示す平面図であり、図５（Ｂ）は第２研削工程の様子を示す側面図である。
【００４８】
第２研削工程では、研削砥石４２が被加工物１１の第２領域１３ｂと重畳し、且つ、第３領域１３ｃ、及び中央領域１５とは重畳しないように、研削ホイール３８とチャックテーブル１４とを位置付ける。このとき、研削砥石４２ａの回転中心Ｏ側に位置する端部４２ｂは、図５（Ｂ）に示すように第２領域１３ｂと第３領域１３ｃとの境界に位置付けられる。
【００４９】
そして、チャックテーブル１４と研削ホイール３８とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール３８を所定の速度で下降させ、研削砥石４２を被加工物１１の第２領域１３ｂと接触させる。これにより、第２領域１３ｂが研削砥石４２によって研削される。そして、この研削は第２領域１３ｂが所定の厚さ（第１領域１３ａと同程度の厚さ）になるまで続けられる（図６（Ｂ）参照）。
【００５０】
なお、第１研削工程を経て第１領域１３ａの厚さは減少している。そのため、第２研削工程で研削砥石４２と第１領域１３ａとはほとんど接触しない。
【００５１】
次に、第３領域１３ｃを研削する第３研削工程を実施する。図６（Ａ）は第３研削工程の様子を示す平面図であり、図６（Ｂ）は第３研削工程の様子を示す側面図である。
【００５２】
第３研削工程では、研削砥石４２が被加工物１１の第３領域１３ｃと重畳し、且つ、中央領域１５とは重畳しないように、研削ホイール３８とチャックテーブル１４とを位置付ける。このとき、研削砥石４２ａの回転中心Ｏ側に位置する端部４２ｂは、図６（Ｂ）に示すように第３領域１３ｃと中央領域１５との境界に位置付けられる。
【００５３】
そして、チャックテーブル１４と研削ホイール３８とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール３８を所定の速度で下降させ、研削砥石４２を被加工物１１の第３領域１３ｃと接触させる。これにより、第３領域１３ｃが研削砥石４２によって研削される。そして、この研削は第３領域１３ｃが所定の厚さ（第１領域１３ａ及び第２領域１３ｂと同程度の厚さ）になるまで続けられる（図７（Ｂ）参照）。
【００５４】
なお、第１研削工程及び第２研削工程を経て、第１領域１３ａ及び第２領域１３ｂの厚さは減少している。そのため、第３研削工程で研削砥石４２と第１領域１３ａ及び第２領域１３ｂとはほとんど接触しない。
【００５５】
上記のように、第１領域１３ａ、第２領域１３ｂ、第３領域１３ｃを、被加工物１１の外周縁側から中央領域１５側に向かって順に研削することにより、外周領域１３の全体が所定の厚さになるように加工される（外周領域研削工程）。その結果、被加工物１１は、中央領域１５が外周領域１３よりも裏面１１ｂ側に突出した形状となる。
【００５６】
次に、被加工物１１の中央領域１５を研削砥石によって所定の厚さまで研削する中央領域研削工程を行う。図７（Ａ）は中央領域研削工程の様子を示す平面図であり、図７（Ｂ）は中央領域研削工程の様子を示す側面図である。
【００５７】
中央領域研削工程では、研削砥石４２が中央領域１５と重畳するように研削ホイール３８とチャックテーブル１４とを位置付ける。例えば図７（Ｂ）に示すように、研削砥石４２ａが被加工物１１の回転中心Ｏと重畳するようにチャックテーブル１４の位置が調整される。
【００５８】
そして、チャックテーブル１４と研削ホイール３８とをそれぞれ所定の方向に所定の回転数で回転させながら、研削ホイール３８を所定の速度で下降させ、研削砥石４２を被加工物１１の中央領域１５と接触させる。これにより、中央領域１５が研削砥石４２によって研削される。そして、この研削は中央領域１５が所定の厚さ（外周領域１３と同程度の厚さ）になるまで続けられる。
【００５９】
なお、外周領域研削工程を経て外周領域１３の厚さは減少している。そのため、中央領域研削工程で研削砥石４２と外周領域１３とはほとんど接触しない。そして、中央領域研削工程が完了すると、被加工物１１はその全体が薄く加工された状態となる。
【００６０】
上記のように本実施形態に係る被加工物の研削方法では、被加工物１１の研削加工を、外周領域１３のみを研削する外周領域研削工程と中央領域１５のみを研削する中央領域研削工程とに分けて実施する。これにより、研削加工時における研削砥石４２と被加工物１１との接触面積が減少し、研削手段３０にかかる荷重が低減される。よって、研削手段３０にかかる荷重を加工荷重許容値以下に抑え、被加工物１１を研削装置２によって適切に研削することが可能となる。
【００６１】
また、図４から図６に示すように、外周領域１３の研削を複数回に分けて実施することにより、外周領域研削工程において被加工物１１と研削砥石４２との接触面積がさらに減少し、研削手段３０にかかる荷重がより低減される。
【００６２】
なお、外周領域研削工程において研削される第１領域１３ａ、第２領域１３ｂ、第３領域１３ｃの幅（Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３）はそれぞれ、被加工物１１の寸法や材質等に応じて適宜設定できる。また、Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の値は同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。
【００６３】
例えば、第１領域１３ａ、第２領域１３ｂ、第３領域１３ｃの幅は、中央領域１５に近い領域ほどその幅が広くなるように設定できる（Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３）。より具体的には、第１領域１３ａ、第２領域１３ｂ、第３領域１３ｃの面積が概ね等しくなるようにＷ１、Ｗ２、Ｗ３を設定できる。これにより、第１研削工程、第２研削工程、第３研削工程のそれぞれにおいて研削される被加工物１１の面積の偏りを抑え、研削加工の条件を揃えることができる。
【００６４】
また、本実施形態では特に外周領域研削工程を３回の研削工程に分けて実施する例について説明したが、外周領域研削工程の態様はこれに限定されない。すなわち、外周領域１３の研削は１回の研削工程によって実施してもよいし、２回又は４回以上の研削工程に分けて実施してもよい。
【００６５】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００６６】
１１  被加工物
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１３  外周領域
１３ａ  第１領域
１３ｂ  第２領域
１３ｃ  第３領域
１５  中央領域
２  研削装置
４  基台
４ａ  開口
６  支持構造
８  Ｘ軸移動機構
８ａ  Ｘ軸移動テーブル
１０  防塵防滴カバー
１２  操作パネル
１４  チャックテーブル
１４ａ  吸引路
１６  吸引部
１６ａ  吸引面
１８  Ｚ軸移動機構
２０  Ｚ軸ガイドレール
２２  Ｚ軸移動プレート
２４  Ｚ軸ボールネジ
２６  Ｚ軸パルスモータ
２８  支持具
３０  研削手段（研削ユニット）
３２  スピンドルハウジング
３４  スピンドル
３６  マウント
３８  研削ホイール
４０  基台
４２  研削砥石
４２ａ  研削砥石
４２ｂ  端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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