(57)【要約】【課題】基板の反り等を低減するための成膜に要する工数を削減する。【解決手段】成膜装置は、処理容器と、支持部と、材料ガス供給部と、シャッタ部と、制御装置とを備える。支持部は、処理容器内に配置された基板の周縁を支持する。材料ガス供給部は、支持部に支持されている基板において素子が形成される面の裏面に向かって材料ガスを供給することにより、基板の裏面に成膜を行う。シャッタ部は、支持部と材料ガス供給部との間に配置され、複数の遮蔽部材を有する。複数の遮蔽部材は、支持部に支持されている基板の裏面の領域よりも狭い供給領域毎に材料ガス供給部から基板の裏面への材料ガスの供給を個別に遮ることができる。制御装置は、それぞれの遮蔽部材を制御することにより、供給領域毎に基板の裏面に供給される材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する。【選択図】図６
2020170757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
前記処理容器内に配置された基板の周縁を支持する支持部と、
前記支持部に支持されている前記基板において素子が形成される面の裏面に向かって材料ガスを供給することにより、前記裏面に成膜を行う材料ガス供給部と、
前記支持部と前記材料ガス供給部との間に配置され、前記基板の前記裏面の領域よりも狭い供給領域毎に前記材料ガス供給部から前記基板の前記裏面への前記材料ガスの供給を個別に遮ることができる複数の第１の遮蔽部材を有する第１のシャッタ部と、
それぞれの前記第１の遮蔽部材を制御することにより、前記供給領域毎に前記裏面に供給される前記材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する制御装置と
を備える成膜装置。
【請求項２】
それぞれの前記第１の遮蔽部材は、板状の部材であり、
前記第１のシャッタ部は、
複数の前記第１の遮蔽部材に対して１対１に対応して設けられ、対応する前記第１の遮蔽部材に固定され、前記基板の前記裏面に沿う第１の方向に延伸する複数の第１のシャフトと、
複数の前記第１のシャフトに対して１対１に対応して設けられ、対応する前記第１のシャフトを回転させることにより、対応する前記第１の遮蔽部材の向きを変更する複数の第１の変更部と
を有し、
前記制御装置は、
それぞれの前記第１の遮蔽部材に対応する前記第１の変更部を独立に制御することにより、前記供給領域毎に前記裏面に供給される前記材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記支持部と前記材料ガス供給部との間に配置され、前記基板の前記裏面の領域よりも狭い供給領域毎に前記材料ガス供給部から前記基板の前記裏面への前記材料ガスの供給を遮ることができる板状の複数の第２の遮蔽部材と、
複数の前記第２の遮蔽部材に対して１対１に対応して設けられ、対応する前記第２の遮蔽部材に固定され、前記基板の前記裏面に沿う第２の方向であって、前記第１の方向に交差する第２の方向に延伸する複数の第２のシャフトと、
複数の前記第２のシャフトに対して１対１に対応して設けられ、対応する前記第２のシャフトを回転させることにより、対応する前記第２の遮蔽部材の向きを変更する複数の第２の変更部と
を有する第２のシャッタ部を備え、
前記制御装置は、
それぞれの前記第２の遮蔽部材に対応する前記第２の変更部を独立に制御することにより、前記供給領域毎に前記裏面に供給される前記材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記支持部によって支持されている前記基板における素子が形成される面側から、前記供給領域毎に独立に前記基板を所定温度に制御する温度制御部を備え、
前記制御装置は、
前記第１の遮蔽部材によって前記材料ガスの遮蔽が解除されている前記供給領域を加熱するように前記温度制御部を制御する請求項１または２に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記支持部に保持された前記基板の中心軸を中心として前記支持部を回転させる回転機構を備える請求項１から４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記支持部によって支持されている前記基板における素子が形成される面側からパージガスを供給するパージガス供給口を備える請求項１から５のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記材料ガス供給部は、
前記材料ガスを拡散させる拡散室と、
前記拡散室と前記第１のシャッタ部との間に配置され、複数の貫通口を有し、前記拡散室内で拡散された前記材料ガスをそれぞれの前記貫通口から前記第１のシャッタ部を介して前記基板の前記裏面に向かって供給するシャワー板と
を有する請求項１から６のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記材料ガス供給部は、
前記シャワー板に設けられたそれぞれの前記貫通口から供給された材料ガスをプラズマ化するプラズマ生成部を有し、
前記プラズマ生成部によって生成されたプラズマに含まれる活性種は、前記第１のシャッタ部を介して前記基板の前記裏面に供給される請求項７に記載の成膜装置。
【請求項９】
処理容器内において基板の周縁を支持部により支持する工程と、
前記支持部に支持されている前記基板において素子が形成される面の裏面に向かって材料ガスを供給する材料ガス供給部と前記支持部との間に配置された複数の遮蔽部材であって、前記基板の前記裏面の領域よりも狭い供給領域毎に前記材料ガス供給部から前記基板の前記裏面への前記材料ガスの供給を個別に遮ることができる複数の遮蔽部材を制御することにより、前記供給領域毎に前記裏面に供給される前記材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する工程と
を含む成膜方法。
【請求項１０】
基板の高さの分布を測定する測定装置と、
前記測定装置によって測定された高さの分布から前記基板に加わっている応力を低減する成膜パターンを算出する算出装置と、
前記算出装置によって算出された成膜パターンに従って、素子が形成された前記基板の面の裏面に成膜を行う成膜装置と
を備え、
前記成膜装置は、
処理容器と、
前記処理容器内に配置された前記基板の周縁を支持する支持部と、
前記支持部に支持されている前記基板の前記裏面に向かって材料ガスを供給することにより、前記裏面に成膜を行う材料ガス供給部と、
前記支持部と前記材料ガス供給部との間に配置され、前記基板の前記裏面の領域よりも狭い供給領域毎に前記材料ガス供給部から前記基板の前記裏面への前記材料ガスの供給を個別に遮ることができる複数の遮蔽部材を有するシャッタ部と、
それぞれの前記遮蔽部材を制御することにより、前記供給領域毎に前記裏面に供給される前記材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する制御装置と
を有する成膜システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の種々の側面および実施形態は、成膜装置、成膜方法、および成膜システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造過程では、基板上に様々な素子が形成される。素子は、複数の異なる材料を基板上に成膜したり、成膜された材料をエッチングする等によって形成される。基板とその上に成膜される材料とは、線膨張係数が異なるため、成膜後に基板が室温に戻ると、基板に応力が発生し、反りやクラックが発生する場合がある。そこで、素子形成後の基板に加わる応力を低減するために、素子が形成された面の裏面に成膜を行う技術が知られている（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１５／０３４０２２５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の反り等を低減するための成膜に要する工数を削減することができる成膜装置、成膜方法、および成膜システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面は、成膜装置であって、処理容器と、支持部と、材料ガス供給部と、第１のシャッタ部と、制御装置とを備える。支持部は、処理容器内に配置された基板の周縁を支持する。材料ガス供給部は、支持部に支持されている基板において素子が形成される面の裏面に向かって材料ガスを供給することにより、基板の裏面に成膜を行う。第１のシャッタ部は、支持部と材料ガス供給部との間に配置され、複数の第１の遮蔽部材を有する。複数の第１の遮蔽部材は、支持部に支持されている基板の裏面の領域よりも狭い供給領域毎に材料ガス供給部から基板の裏面への材料ガスの供給を個別に遮ることができる。制御装置は、それぞれの第１の遮蔽部材を制御することにより、供給領域毎に基板の裏面に供給される材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の種々の側面および実施形態によれば、基板の反り等を低減するための成膜に要する工数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本開示の一実施形態における半導体製造システムの一例を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、本開示の一実施形態における第２の成膜装置の一例を示す概略断面図である。
【図３】図３は、本開示の一実施形態における保持機構の一例を示す斜視図である。
【図４】図４は、ウエハが搬入される際の保持機構の動作の一例を示す図である。
【図５】図５は、ウエハが搬入される際の保持機構の動作の一例を示す図である。
【図６】図６は、本開示の一実施形態におけるシャッタ機構の一例を示す上面図である。
【図７】図７は、本開示の一実施形態におけるシャッタ機構の一例を示すＡ−Ａ断面図である。
【図８】図８は、遮蔽部材の状態の一例を示す図である。
【図９】図９は、ウエハの裏面に成膜される膜のパターンの一例を示す図である。
【図１０】図１０は、ヒータの他の例を示す図である。
【図１１】図１１は、第２の成膜装置の他の例を示す概略断面図である。
【図１２】図１２は、ウエハの裏面に成膜が行われる際のヒータの位置の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、シャッタ機構の他の例を示す上面図である。
【図１４】図１４は、シャッタ機構の他の例を示すＢ−Ｂ断面図である。
【図１５】図１５は、保持機構の他の例を示す斜視図である。
【図１６】図１６は、第２の成膜装置の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、開示される成膜装置、成膜方法、および成膜システムの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される成膜装置、成膜方法、および成膜システムが限定されるものではない。
【０００９】
ところで、素子は、基板に成膜された材料が様々な形状にエッチングされることにより形成される。そのため、素子が形成された後の基板に加わる応力は、基板上で複雑な分布となる。これにより、複雑な分布となった応力をキャンセルするために基板の裏面に成膜すべき膜のパターンも複雑になる。
【００１０】
基板の裏面に複雑なパターンの膜を形成する場合、例えば、基板の裏面にマスク材料が成膜され、フォトリソグラフィ等により、成膜されたマスクに応力をキャンセルするためのパターンが形成される。そして、基板の裏面にマスクパターンに応じた形状の膜が成膜される。
【００１１】
また、基板上に形成された素子の損傷や変質を防ぐために、素子を保護するための保護膜を素子が形成された基板の面に積層させる工程や、裏面への成膜が終了した後に、保護膜を除去する工程も必要となる。このように、裏面に所定のパターンの膜を成膜するために複数の工程が必要となる。そのため、基板を用いた半導体装置の製造におけるスループットが低下する。
【００１２】
そこで、本開示は、基板の反り等を低減するための成膜に要する工数を削減することができる技術を提供する。
【００１３】
［半導体製造システム］
図１は、本開示の一実施形態における半導体製造システム１００の一例を示すシステム構成図である。半導体製造システム１００は、第１の成膜装置２００、エッチング装置３００、測定装置４００、および第２の成膜装置５００を有する。これらの装置は、平面形状が七角形をなす真空搬送室１０１の４つの側壁にそれぞれゲートバルブＧを介して接続されている。半導体製造システム１００は、マルチチャンバータイプの真空処理システムであり、真空搬送室１０１内は、真空ポンプにより排気されて所定の真空度に保たれている。半導体製造システム１００は、成膜システムの一例である。
【００１４】
第１の成膜装置２００は、基板の一例である略円板状のウエハＷ上に導電膜や絶縁膜等を成膜する。エッチング装置３００は、第１の成膜装置２００によってウエハＷ上に成膜された導電膜等を、ドライエッチング等により所定パターンにエッチングする。第１の成膜装置２００による成膜と、エッチング装置３００によるエッチングとが繰り返されることにより、ウエハＷ上に半導体装置に用いられる素子が形成される。
【００１５】
測定装置４００は、素子が形成されたウエハＷの高さの分布を測定し、測定結果を制御装置１１０へ出力する。ウエハＷの高さの分布は、例えばレーザ光変位計等の測定器を用いて測定することができる。例えば、素子が形成されたウエハＷが測定装置４００内の載置台に載置され、測定装置４００の天井部に配置されたレーザ光変位計が、載置台上のウエハＷの上方を水平方向に移動しながら、素子が形成されたウエハＷの面にレーザ光を照射する。
【００１６】
ウエハＷ上に成膜された膜の形状や厚さの分布等によりウエハＷに局所的な歪や反りが生じる。レーザ光変位計は、ウエハＷによって反射された反射光を測定することにより、ウエハＷの高さを測定することができる。測定された高さの分布は、ウエハＷの歪みや反りを示す情報に対応する。
【００１７】
制御装置１１０は、測定装置４００によって測定された測定結果に基づいて、素子が形成されたウエハＷの面の裏面（以下、単に裏面と記載する）に形成される成膜パターンであって、ウエハＷに生じている歪みや反りを低減するための成膜パターンを算出する。
【００１８】
第２の成膜装置５００は、制御装置１１０によって算出された成膜パターンに従って、ウエハＷの裏面に、所定の膜を成膜する。これにより、ウエハＷの一方の面に形成された素子によってウエハＷに生じた応力が低減され、ウエハＷの歪みや反りが低減される。
【００１９】
真空搬送室１０１の他の３つの側壁には、３つのロードロック室１０２がゲートバルブＧ１を介して接続されている。ロードロック室１０２を挟んで真空搬送室１０１の反対側には、大気搬送室１０３が設けられている。３つのロードロック室１０２のそれぞれは、ゲートバルブＧ２を介して大気搬送室１０３に接続されている。ロードロック室１０２は、大気搬送室１０３と真空搬送室１０１との間でウエハＷを搬送する際に、大気圧と真空との間で圧力制御を行う。
【００２０】
大気搬送室１０３のゲートバルブＧ２が設けられた側面とは反対側の側面には、ウエハＷを収容するキャリア（ＦＯＵＰ（Front-Opening  Unified  Pod）等）Ｃを取り付けるための３つのポート１０５が設けられている。また、大気搬送室１０３の側壁には、ウエハＷのアライメントを行うためのアライメント室１０４が設けられている。大気搬送室１０３内には清浄空気のダウンフローが形成される。
【００２１】
真空搬送室１０１内には、ロボットアーム等の搬送機構１０６が設けられている。搬送機構１０６は、第１の成膜装置２００、エッチング装置３００、測定装置４００、第２の成膜装置５００、およびそれぞれのロードロック室１０２の間でウエハＷを搬送する。搬送機構１０６は、独立に移動可能な２つのアーム１０７を有する。
【００２２】
大気搬送室１０３内には、ロボットアーム等の搬送機構１０８が設けられている。搬送機構１０８は、それぞれのキャリアＣ、それぞれのロードロック室１０２、およびアライメント室１０４の間でウエハＷを搬送する。
【００２３】
半導体製造システム１００は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する制御装置１１０を有する。メモリには、プロセッサによって実行されるプログラム、および、各処理の条件等を含むレシピが格納されている。プロセッサは、メモリから読み出したプログラムを実行し、メモリ内に記憶されたレシピに基づいて、入出力インターフェイスを介して、半導体製造システム１００の各部を制御する。制御装置１１０は、算出装置の一例である。
【００２４】
［第２の成膜装置５００の詳細］
図２は、本開示の一実施形態における第２の成膜装置５００の一例を示す概略断面図である。第２の成膜装置５００は、内部に空間が形成された有底で筒状の処理容器１０を有する。処理容器１０の上部は、蓋体１１によって塞がれている。処理容器１０の側壁には、開口１３が設けられており、開口１３は、ゲートバルブＧによって開閉される。
【００２５】
処理容器１０の底部には、排気管１５の一端が接続されている。排気管１５の他端は、ＡＰＣ（Automatic  Pressure  Controller）バルブ１６を介して排気装置１７に接続されている。排気装置１７を駆動することにより、排気管１５を介して処理容器１０内のガスが排気され、ＡＰＣバルブ１６の開度を調整することにより、処理容器１０内の圧力が調整される。
【００２６】
処理容器１０内には、処理容器１０内においてウエハＷを保持する保持機構２０が設けられている。保持機構２０は、支持リング２１、複数の支持部２２、および複数の駆動部２３を有する。さらに図３を参照して説明を続ける。図３は、本開示の一実施形態における保持機構２０の一例を示す斜視図である。
【００２７】
支持リング２１は、略円環状の形状であり、ウエハＷの周縁を下方から支持する。支持リング２１の一部は、例えば図３に示されるように、アーム１０７と干渉しないように切りかかれている。支持リング２１は、支持部の一例である。なお、支持部は、ウエハＷの周縁を支持するものであれば、環状以外の形状であってもよい。
【００２８】
それぞれの支持部２２は、支持リング２１に固定されており、支持リング２１を支持する。本実施形態において、保持機構２０は、３本の支持部２２を有する。
【００２９】
それぞれの駆動部２３は、蓋体１１上に配置され、支持部２２を上下方向に移動させる。本実施形態において、保持機構２０は、３個の支持部２２を有し、１つの駆動部２３は、１つの支持部２２を上下方向に移動させる。なお、１つの駆動部２３により、複数の支持部２２が駆動されてもよい。
【００３０】
図４および図５は、ウエハＷが搬入される際の保持機構２０の動作の一例を示す図である。例えば、それぞれの駆動部２３によって支持部２２が下降し、ゲートバルブＧが開けられる。そして、例えば図４に示されるように、素子が形成された面が上方を向くようにウエハＷを載せたアーム１０７が、支持リング２１上の位置まで進入する。そして、それぞれの駆動部２３が支持部２２を上昇させることにより、例えば図５に示されるようにウエハＷが支持リング２１に受け渡される。そして、アーム１０７が処理容器１０内から退避した後、ゲートバルブＧが閉じられ、それぞれの駆動部２３が支持部２２を成膜時の位置まで下降させる。これにより、例えば図２に示されるように、支持リング２１に保持されたウエハＷが成膜時の位置まで下降する。
【００３１】
図２に戻って説明を続ける。蓋体１１の下面には、支持リング２１上に保持されたウエハＷの温度を制御するヒータ１２が設けられている。ヒータ１２は、輻射熱によって支持リング２１上に保持されたウエハＷの温度を、成膜に適した温度に制御する。ヒータ１２は、ランプ等、他の加熱機構であってもよい。ヒータ１２は、温度制御部の一例である。
【００３２】
処理容器１０の下部には、シャワーヘッド３０およびシャッタ機構４０が設けられている。シャワーヘッド３０は、支持リング２１に支持されているウエハＷの裏面に向かって材料ガスを供給することにより、ウエハＷの裏面に成膜を行う。シャワーヘッド３０は、筐体３１およびシャワー板３２を有する。シャワーヘッド３０は、材料ガス供給部の一例である。筐体３１は、内部に凹部を有する。シャワー板３２は、シャワー板３２の厚さ方向に貫通する複数の貫通口３２０を有し、筐体３１の上部に配置される。筐体３１の凹部とシャワー板３２とで囲まれた空間によって拡散室３１０が形成される。
【００３３】
筐体３１の底部には、配管３３を介してガス供給機構５０が接続されている。ガス供給機構５０は、ガス供給源５１、ＭＦＣ（Mass  Flow  Controller）５２、およびバルブ５３を有する。バルブ５３の一端は、配管３３に接続されており、バルブ５３の他端は、ＭＦＣ５２を介して、材料ガスの供給源であるガス供給源５１に接続されている。ＭＦＣ５２は、ガス供給源５１から供給された材料ガスの流量を制御し、流量が制御された材料ガスを、バルブ５３および配管３３を介して、拡散室３１０内に供給する。拡散室３１０内に供給された材料ガスは、拡散室３１０内を拡散し、シャワー板３２に形成されたそれぞれの貫通口３２０からウエハＷの裏面へ供給される。
【００３４】
シャワー板３２の上には、シャッタ機構４０が設けられている。シャッタ機構４０は、第１のシャッタ部の一例である。シャッタ機構４０は、支持リング２１とシャワーヘッド３０との間に配置されている。シャッタ機構４０は、例えば図６に示されるように、複数の遮蔽部材４１−１〜４１−ｎ（ｎは、２以上の整数）、複数のシャフト４２−１〜４２−ｎ、および複数の駆動部４３−１〜４３−ｎを有する。図６は、本開示の一実施形態におけるシャッタ機構４０の一例を示す上面図である。図７は、本開示の一実施形態におけるシャッタ機構４０の一例を示すＡ−Ａ断面図である。図６に例示されたシャッタ機構４０のＡ−Ａ断面が、図７に対応する。図６には、水平面内におけるウエハＷの外周の位置および筐体３１の外周の位置が破線で例示されている。図７には、ウエハＷの断面および支持リング２１の断面の一部が併せて例示されている。
【００３５】
複数の遮蔽部材４１−１〜４１−ｎと、複数のシャフト４２−１〜４２−ｎとは、それぞれ１対１に対応しており、複数のシャフト４２−１〜４２−ｎと、複数の駆動部４３−１〜４３−ｎとは、それぞれ１対１に対応している。なお、以下では、複数の遮蔽部材４１−１〜４１−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に遮蔽部材４１と記載する。また、以下では、複数のシャフト４２−１〜４２−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合にシャフト４２と記載する。また、以下では、複数の駆動部４３−１〜４３−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に駆動部４３と記載する。それぞれの遮蔽部材４１は、第１の遮蔽部材の一例であり、それぞれのシャフト４２は、第１のシャフトの一例であり、それぞれの駆動部４３は、第１の変更部の一例である。
【００３６】
それぞれの遮蔽部材４１は、細長い板状の部材であり、例えば図６および図７に示されるように、支持リング２１に保持されたウエハＷの裏面に沿う第１の方向ｄ（例えば水平方向）に延伸するようにシャワー板３２の上に配置されている。複数の遮蔽部材４１は、遮蔽部材４１の短手方向に並べて配置されている。それぞれの遮蔽部材４１の主要な面の面積は、ウエハＷの裏面の面積よりも小さい。
【００３７】
それぞれの遮蔽部材４１の側面には、対応するシャフト４２が固定されている。それぞれのシャフト４２は、第１の方向ｄに延伸している。それぞれのシャフト４２は、対応する駆動部４３に接続されている。それぞれの駆動部４３は、対応するシャフト４２を個別に回転させることにより、対応するシャフト４２を中心として、対応する遮蔽部材４１の向きを変更する。これにより、それぞれの遮蔽部材４１は、独立に回転する。図６の例では、それぞれのシャフト４２が回転することにより、対応する遮蔽部材４１は、ウエハＷ側に回転する。それぞれの駆動部４３は、制御装置１１０によって制御される。
【００３８】
これにより、それぞれの遮蔽部材４１は、例えば図８に示されるように、対応する遮蔽部材４１の主要な面とウエハＷの裏面とが略平行となる遮蔽状態、および、対応する遮蔽部材４１の主要な面とウエハＷの裏面とが略直交する遮蔽解除状態に制御される。遮蔽状態は、遮蔽部材４１に領域に対応するウエハＷの裏面の領域において、シャワーヘッド３０からウエハＷの裏面への材料ガスの供給が遮断されている状態である。遮蔽解除状態は、遮蔽部材４１に領域に対応するウエハＷの裏面の領域において、シャワーヘッド３０からウエハＷの裏面への材料ガスの供給の遮断が解除されている状態である。遮蔽部材４１に領域に対応するウエハＷの裏面の領域は、供給領域の一例である。
【００３９】
図８は、遮蔽部材４１の状態の一例を示す図である。図８の例では、図８の中央の４個の遮蔽部材４１が遮蔽状態となっており、図８の左から３個目までの遮蔽部材４１と、右から３個目までの遮蔽部材４１とが遮蔽解除状態となっている。
【００４０】
それぞれの遮蔽部材４１が例えば図８に示された状態に制御された場合、ウエハＷの裏面には、例えば図９（ａ）に示された成膜パターンで成膜が行われる。図９は、ウエハＷの裏面に成膜される膜のパターンの一例を示す図である。図９（ａ）および（ｂ）において、黒く塗りつぶされている領域が、成膜が行われたウエハＷの裏面の領域である。
【００４１】
なお、ウエハＷの裏面に成膜が行われた後、ウエハＷが処理容器１０内から搬出され、第２の成膜装置５００の外部の装置によって向きが変更された後に処理容器１０内に戻され、ウエハＷの裏面に再び成膜が行われてもよい。例えば図９（ａ）に示された成膜パターンでの成膜と、ウエハＷの向きの変更とが交互に行われることにより、例えば図９（ｂ）に示される成膜パターンをウエハＷの裏面に形成することが可能となる。このように、ウエハＷの裏面への成膜と、ウエハＷの向きの変更とを繰り返すことにより、より自由度の高い成膜パターンをウエハＷの裏面に形成することができる。
【００４２】
図２に戻って説明を続ける。蓋体１１には、処理容器１０内にパージガスを供給するための複数のガス導入口１４が設けられている。それぞれのガス導入口１４には、配管を介してパージガス供給機構６０が接続されている。複数のガス導入口１４は、支持リング２１に支持されているウエハＷの周縁に対応する蓋体１１の位置に略等間隔で配置されている。
【００４３】
パージガス供給機構６０は、ガス供給源６１、ＭＦＣ６２、およびバルブ６３を有する。バルブ６３の一端は、配管を介してそれぞれのガス導入口１４に接続されており、バルブ６３の他端は、ＭＦＣ６２を介して、パージガスの供給源であるガス供給源６１に接続されている。パージガスは、例えばヘリウムガス、アルゴンガス、または窒素ガス等の不活性ガスである。
【００４４】
ＭＦＣ６２は、ウエハＷの裏面への成膜時に、ガス供給源６１から供給されたパージガスの流量を制御し、流量が制御されたパージガスを、バルブ６３および配管を介してそれぞれのガス導入口１４に供給する。ガス導入口１４に供給されたパージガスは、支持リング２１によって支持されているウエハＷにおける素子が形成される面側から、ウエハＷの周縁に沿って供給される。複数のガス導入口１４は、パージガス供給口の一例である。これにより、ウエハＷの裏面への成膜時に、ウエハＷの裏面への成膜に用いられるガスや、ウエハＷの裏面への成膜時に発生したパーティクル等が、ウエハＷの上面側に侵入することが抑制される。
【００４５】
以上、一実施形態について説明した。上記したように、上記したように、本実施形態における半導体製造システム１００は、測定装置４００と、制御装置１１０と、第２の成膜装置５００とを備える。測定装置４００は、ウエハＷの高さの分布を測定する。制御装置１１０は、測定装置４００によって測定された高さの分布からウエハＷに加わっている応力を低減する成膜パターンを算出する。第２の成膜装置５００は、制御装置１１０によって算出された成膜パターンに従って、素子が形成されたウエハＷの面の裏面に成膜を行う。第２の成膜装置５００は、処理容器１０と、支持リング２１と、シャワーヘッド３０と、シャッタ機構４０とを備える。支持リング２１は、処理容器１０内に配置されたウエハＷの周縁を支持する。シャワーヘッド３０は、支持リング２１に支持されているウエハＷにおいて素子が形成される面の裏面に向かって材料ガスを供給することにより、ウエハＷの裏面に成膜を行う。シャッタ機構４０は、支持リング２１とシャワーヘッド３０との間に配置され、複数の遮蔽部材４１を有する。複数の遮蔽部材４１は、支持リング２１に支持されているウエハＷの裏面の領域よりも狭い供給領域毎にシャワーヘッド３０からウエハＷの裏面への材料ガスの供給を個別に遮ることができる。制御装置１１０は、それぞれの遮蔽部材４１を制御することにより、供給領域毎にウエハＷの裏面に供給される材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する。これにより、ウエハＷの反り等を低減するための成膜に要する工数を削減することができる。
【００４６】
また、上記した実施形態において、それぞれの遮蔽部材４１は、板状の部材である。また、シャッタ機構４０は、複数のシャフト４２と、複数の駆動部４３とを有する。複数のシャフト４２は、複数の遮蔽部材４１に対して１対１に対応して設けられ、対応する遮蔽部材４１に固定され、ウエハＷの裏面に沿う方向に延伸する。複数の駆動部４３は、複数のシャフト４２に対して１対１に対応して設けられ、対応するシャフト４２を回転させることにより、対応する遮蔽部材４１の向きを変更する。制御装置１１０は、それぞれの遮蔽部材４１に対応する駆動部４３を独立に制御することにより、供給領域毎にウエハＷの裏面に供給される材料ガスの遮蔽および遮蔽解除を独立に制御する。これにより、様々な成膜パターンの膜をウエハＷの裏面に形成することができる。
【００４７】
また、上記した実施形態において、第２の成膜装置５００は、支持リング２１によって支持されているウエハＷにおける素子が形成される面側からパージガスを供給するガス導入口１４を備える。これにより、ウエハＷの裏面への成膜時に、ウエハＷの裏面への成膜に用いられるガスや、ウエハＷの裏面への成膜時に発生したパーティクル等が、ウエハＷの上面側に侵入することが抑制される。
【００４８】
また、上記した実施形態において、シャワーヘッド３０は、拡散室３１０と、シャワー板３２とを有する。拡散室３１０は、材料ガスを拡散させる。シャワー板３２は、拡散室３１０とシャッタ機構４０との間に配置され、複数の貫通口３２０を有する。それぞれの貫通口３２０は、拡散室３１０内で拡散された材料ガスをシャッタ機構４０を介してウエハＷの裏面に向かって供給する。これにより、遮蔽解除状態となっている遮蔽部材４１に対応するウエハＷの裏面の領域に、より均一な厚さの膜を形成することができる。
【００４９】
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
【００５０】
例えば、上記した実施形態において、ヒータ１２は、支持リング２１によって支持されているウエハＷにおける素子が形成される側の面全体を略均一な温度に制御するが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、ヒータ１２は、例えば図１０に示されるように、それぞれの遮蔽部材４１が配置された領域に対応する供給領域毎に独立して温度制御可能な複数の個別ヒータ１２０−１〜１２０−ｎを有していてもよい。図１０は、ヒータ１２の他の例を示す図である。図１０には、水平面内におけるウエハＷの外周の位置が破線で示されている。
【００５１】
なお、以下では、複数の個別ヒータ１２０−１〜１２０−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に個別ヒータ１２０と記載する。複数の個別ヒータ１２０と、複数の遮蔽部材４１とは、１対１に対応している。対応する個別ヒータ１２０と遮蔽部材４１とは、支持リング２１に支持されているウエハＷを挟んで対向している。それぞれの個別ヒータ１２０の温度は、制御装置１１０によって制御される。
【００５２】
例えば、遮蔽解除状態となっている遮蔽部材４１に対応するウエハＷの領域の温度が成膜に適した温度となるように、当該遮蔽部材４１に対応する個別ヒータ１２０の温度が制御される。一方、遮蔽状態となっている遮蔽部材４１に対応するウエハＷの領域の温度が成膜に適さない温度となるように、当該遮蔽部材４１に対応する個別ヒータ１２０の温度が制御される。ウエハＷの領域の温度が成膜に適さない温度となるように制御するためには、例えば、対応する個別ヒータ１２０による加熱が停止される。これにより、遮蔽状態となっている遮蔽部材４１に対応するウエハＷの領域への成膜が抑制され、複数の遮蔽部材４１の状態に応じた成膜をより精度よく行うことができる。
【００５３】
なお、それぞれの個別ヒータ１２０によって、ウエハＷの温度分布を所望の分布にするためには、支持リング２１に支持されているウエハＷとヒータ１２との距離が短い方が好ましい。しかし、支持リング２１に支持されているウエハＷとヒータ１２との距離が短いと、ウエハＷの搬入および搬出が難しい。そこで、ヒータ１２は、例えば図１１に示されるように、昇降機構１２４によって昇降されてもよい。図１１は、第２の成膜装置５００の他の例を示す概略断面図である。
【００５４】
昇降機構１２４は、台座１２５、基台１２６、駆動部１２７、および支持棒１２８を有する。台座１２５は、下面にヒータ１２を保持する。台座１２５の下面には、ヒータ１２の周囲に複数のガス導入口１４が設けられている。支持棒１２８は、台座１２５に固定され、台座１２５を上方から支持する。基台１２６は、蓋体１１上に設けられている。基台１２６の外形は、ヒータ１２の外形に対応する形状に蓋体１１に形成された開口よりも大きい。駆動部１２７は、基台１２６上に配置され、支持棒１２８を昇降させる。
【００５５】
例えば、ウエハＷの搬入および搬出が行われる際には、駆動部１２７は、例えば図１１に示されるように、支持棒１２８を上昇させる。そして、ウエハＷの裏面への成膜が行われる際には、駆動部１２７は、例えば図１２に示されるように、支持棒１２８を下降させ、ヒータ１２を支持リング２１上のウエハＷに近づける。図１２は、ウエハＷの裏面に成膜が行われる際のヒータ１２の位置の一例を示す図である。
【００５６】
これにより、それぞれの個別ヒータ１２０によって、ウエハＷの温度分布を精度よく制御することができる。また、成膜時に、支持リング２１上のウエハＷとそれぞれのガス導入口１４との間の距離が短くなるため、材料ガスやパーティクル等が、ウエハＷの上面側に侵入することをより効果的に抑制することができる。
【００５７】
また、上記した実施形態では、複数の遮蔽部材４１が、長手方向が第１の方向ｄを向くように並べて配置されたが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、例えば図１３および図１４に示されるように、長手方向が第１の方向ｄ１を向くように並べて配置された複数の遮蔽部材４１ａと、長手方向が第２の方向ｄ２を向くように並べて配置された複数の遮蔽部材４１ｂとが設けられてもよい。第２の方向ｄ２は、ウエハＷの裏面に沿う方向であって、第１の方向ｄ１に交差する方向である。図１３は、シャッタ機構４０の他の例を示す上面図である。図１４は、シャッタ機構４０の他の例を示すＢ−Ｂ断面図である。図１３に例示されたシャッタ機構４０のＢ−Ｂ断面が、図１４に対応する。図１３には、水平面内におけるウエハＷの外周の位置および筐体３１の外周の位置が破線で例示されている。図１４には、ウエハＷの断面および支持リング２１の断面の一部が併せて例示されている。
【００５８】
図１３に例示されたシャッタ機構４０は、シャッタ機構４０ａおよびシャッタ機構４０ｂを備える。シャッタ機構４０ａは、第１のシャッタ部の一例であり、シャッタ機構４０ｂは、第２のシャッタ部の一例である。シャッタ機構４０ａは、複数の遮蔽部材４１ａ−１〜４１ａ−ｎ、複数のシャフト４２ａ−１〜４２ａ−ｎ、および複数の駆動部４３ａ−１〜４３ａ−ｎを有する。複数の遮蔽部材４１ａ−１〜４１ａ−ｎと、複数のシャフト４２ａ−１〜４２ａ−ｎとは、それぞれ１対１に対応しており、複数のシャフト４２ａ−１〜４２ａ−ｎと、複数の駆動部４３ａ−１〜４３ａ−ｎとは、それぞれ１対１に対応している。なお、以下では、複数の遮蔽部材４１ａ−１〜４１ａ−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に遮蔽部材４１ａと記載する。また、以下では、複数のシャフト４２ａ−１〜４２ａ−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合にシャフト４２ａと記載する。また、以下では、複数の駆動部４３ａ−１〜４３ａ−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に駆動部４３ａと記載する。それぞれの遮蔽部材４１ａは、第１の遮蔽部材の一例であり、それぞれのシャフト４２ａは、第１のシャフトの一例であり、それぞれの駆動部４３ａは、第１の変更部の一例である。
【００５９】
それぞれの遮蔽部材４１ａは、細長い板状の部材であり、例えば図１４に示されるように、支持リング２１に保持されたウエハＷの裏面に沿う第１の方向ｄ１（例えば水平方向）に延伸するようにシャワー板３２の上に配置されている。複数の遮蔽部材４１ａは、遮蔽部材４１ａの短手方向に並べて配置されている。それぞれの遮蔽部材４１ａの主要な面の面積は、ウエハＷの裏面の面積よりも小さい。
【００６０】
それぞれの遮蔽部材４１ａの側面には、対応するシャフト４２ａが固定されている。それぞれのシャフト４２ａは、第１の方向ｄ１に延伸している。それぞれのシャフト４２ａは、対応する駆動部４３ａに接続されている。それぞれの駆動部４３ａは、対応するシャフト４２ａを個別に回転させることにより、対応するシャフト４２ａを中心として、対応する遮蔽部材４１ａの向きを変更する。これにより、それぞれの遮蔽部材４１ａは、独立に回転する。図１４の例では、それぞれのシャフト４２ａが回転することにより、対応する遮蔽部材４１ａは、ウエハＷ側に回転する。それぞれの駆動部４３ａは、制御装置１１０によって制御される。
【００６１】
シャッタ機構４０ｂは、複数の遮蔽部材４１ｂ−１〜４１ｂ−ｎ、複数のシャフト４２ｂ−１〜４２ｂ−ｎ、および複数の駆動部４３ｂ−１〜４３ｂ−ｎを有する。複数の遮蔽部材４１ｂ−１〜４１ｂ−ｎと、複数のシャフト４２ｂ−１〜４２ｂ−ｎとは、それぞれ１対１に対応しており、複数のシャフト４２ｂ−１〜４２ｂ−ｎと、複数の駆動部４３ｂ−１〜４３ｂ−ｎとは、それぞれ１対１に対応している。なお、以下では、複数の遮蔽部材４１ｂ−１〜４１ｂ−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に遮蔽部材４１ｂと記載する。また、以下では、複数のシャフト４２ｂ−１〜４２ｂ−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合にシャフト４２ｂと記載する。また、以下では、複数の駆動部４３ｂ−１〜４３ｂ−ｎのそれぞれを区別することなく総称する場合に駆動部４３ｂと記載する。それぞれの遮蔽部材４１ｂは、第２の遮蔽部材の一例であり、それぞれのシャフト４２ｂは、第２のシャフトの一例であり、それぞれの駆動部４３ｂは、第２の変更部の一例である。
【００６２】
それぞれの遮蔽部材４１ｂは、細長い板状の部材であり、例えば図１４に示されるように、支持リング２１に保持されたウエハＷの裏面に沿う第２の方向ｄ２（例えば水平方向）に延伸するようにシャワー板３２の下に配置されている。第２の方向ｄ２は、第１の方向ｄ１に交差する方向である。第２の方向ｄ２は、例えば第１の方向ｄ１に直交していてもよい。複数の遮蔽部材４１ｂは、遮蔽部材４１ｂの短手方向に並べて配置されている。それぞれの遮蔽部材４１ｂの主要な面の面積は、ウエハＷの裏面の面積よりも小さい。
【００６３】
それぞれの遮蔽部材４１ｂの側面には、対応するシャフト４２ｂが固定されている。それぞれのシャフト４２ｂは、第２の方向ｄ２に延伸している。それぞれのシャフト４２ｂは、対応する駆動部４３ｂに接続されている。それぞれの駆動部４３ｂは、対応するシャフト４２ｂを個別に回転させることにより、対応するシャフト４２ｂを中心として、対応する遮蔽部材４１ｂの向きを変更する。これにより、それぞれの遮蔽部材４１ｂは、独立に回転する。図１４の例では、それぞれのシャフト４２ｂ回転することにより、対応する遮蔽部材４１ｂは、拡散室３１０側に回転する。それぞれの駆動部４３ｂは、制御装置１１０によって制御される。
【００６４】
複数の遮蔽部材４１ａおよび複数の遮蔽部材４１ｂの向きを変更することにより、遮蔽部材４１ａおよび遮蔽部材４１ｂの双方が遮蔽解除状態となっている領域に対応するウエハＷの裏面の領域に成膜を行うことができる。複数の遮蔽部材４１ａおよび複数の遮蔽部材４１ｂの向きを個別に変更することにより、より複雑な成膜パターンに対応する成膜を行うことができる。
【００６５】
また、上記した実施形態において、支持リング２１上のウエハＷは、シャッタ機構４０に対して静止しているが、開示の技術はこれに限られず、支持リング２１上のウエハＷは、シャッタ機構４０に対して相対的に移動してもよい。図１５は、保持機構２０の他の例を示す斜視図である。
【００６６】
図１５の例では、保持機構２０は、支持リング２１、複数の支持部２６、台座２７、および駆動部２８を有する。支持リング２１は、複数の支持部２６に固定され、複数の支持部２６によって支持されている。それぞれの支持部２６は、台座２７に固定されている。駆動部２８は、支持リング２１上に支持されているウエハＷの中心軸である軸Ｘを中心として台座２７を回転させる。軸Ｘを中心として台座２７が回転することにより、支持部２６に支持された支持リング２１と共に、支持リング２１上に保持されたウエハＷが軸Ｘを中心として回転する。駆動部２８は、回転機構の一例である。
【００６７】
処理容器１０内でウエハＷを回転させることができるため、第２の成膜装置５００の外部でウエハＷを回転させる場合に比べて、所定パターンの膜をウエハＷの裏面に成膜するのに要する時間を短縮することができる。また、ウエハＷ回転とウエハＷの裏面への成膜とを同時に行うことができるため、より複雑な成膜パターンに対応する成膜を行うことができる。なお、図１５の例では、シャッタ機構４０に対してウエハＷが移動するが、シャッタ機構４０に対してウエハＷが相対的に移動すれば、静止しているウエハＷに対してシャッタ機構４０が回転してもよい。
【００６８】
また、上記した実施形態では、成膜に適した温度に制御されたウエハＷの裏面に材料ガスを供給することにより、ウエハＷの裏面に所定パターンの膜が成膜されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば材料ガスをプラズマ化させ、プラズマに含まれる活性種を用いてウエハＷの裏面に所定パターンの膜が成膜されてもよい。
【００６９】
図１６は、第２の成膜装置５００の他の例を示す概略断面図である。図１６に例示された第２の成膜装置５００では、シャワーヘッド３０とシャッタ機構４０との間に、金属メッシュ３５および絶縁部材３６が配置される。絶縁部材３６は、例えば石英等により略円筒状に形成されている。金属メッシュ３５は、例えばアルミニウム等の金属により形成された網状の部材であり、絶縁部材３６の上に配置されている。金属メッシュ３５は、接地されている。金属メッシュ３５、絶縁部材３６、およびシャワー板３２で囲まれた空間をプラズマ生成室３６０と定義する。
【００７０】
また、図１６の例では、シャワー板３２は、例えばアルミニウム等の金属により構成されており、シャワー板３２には、高周波電源３７が電気的に接続されている。高周波電源３７は、プラズマの生成に適した周波数の高周波電力をシャワー板３２に供給する。高周波電源３７は、プラズマ生成部の一例である。
【００７１】
配管３３には、ガス供給機構５０が接続されている。ガス供給機構５０は、例えば図１６に示されるように、複数のガス供給源５１ａ〜５１ｃ、複数のＭＦＣ５２ａ〜５２ｃ、および複数のバルブ５３ａ〜５３ｃを有する。バルブ５３ａの一端は、配管３３に接続されており、バルブ５３ａの他端は、ＭＦＣ５２ａを介して、前駆体ガスの供給源であるガス供給源５１ａに接続されている。前駆体ガスは、例えばＤＣＳ（DiChloroSilane）等である。
【００７２】
バルブ５３ｂの一端は、配管３３に接続されており、バルブ５３ｂの他端は、ＭＦＣ５２ｂを介して、パージガスの供給源であるガス供給源５１ｂに接続されている。パージガスは、例えばヘリウムガス、アルゴンガス、または窒素ガス等の不活性ガスである。
【００７３】
バルブ５３ｃの一端は、配管３３に接続されており、バルブ５３ｃの他端は、ＭＦＣ５２ｃを介して、反応ガスの供給源であるガス供給源５１ｃに接続されている。反応ガスは、例えばＮＨ３ガス等である。反応ガスは、材料ガスの一例である。
【００７４】
図１６に例示された第２の成膜装置５００では、ＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）法により、ウエハＷの裏面に所定パターンの膜（例えばシリコン窒化膜）が形成される。ＡＬＤ法では、吸着上程、第１のパージ工程、反応工程、および第２のパージ工程を含むＡＬＤサイクルが複数回繰り返されることにより成膜が行われる。
【００７５】
吸着工程では、ＭＦＣ５２ａが、ガス供給源５１ａから供給された前駆体ガスの流量を制御し、流量が制御された材料ガスを、バルブ５３ａおよび配管３３を介して、拡散室３１０内に供給する。拡散室３１０内に供給された前駆体ガスは、拡散室３１０内を拡散し、シャワー板３２に形成された複数の貫通口３２０を介してプラズマ生成室３６０に供給される。プラズマ生成室３６０内に供給された前駆体ガスは、遮蔽解除状態となっている遮蔽部材４１に対応する金属メッシュ３５の領域からウエハＷの裏面に供給される。ウエハＷの裏面に供給された前駆体ガスの分子は、ウエハＷの裏面に吸着する。
【００７６】
第１のパージ工程では、ＭＦＣ５２ｂが、ガス供給源５１ｂから供給されたパージガスの流量を制御し、流量が制御されたパージガスを、バルブ５３ｂおよび配管３３を介して、拡散室３１０内に供給する。拡散室３１０内に供給されたパージガスは、拡散室３１０内を拡散し、シャワー板３２に形成された複数の貫通口３２０を介してプラズマ生成室３６０に供給される。プラズマ生成室３６０内に供給されたパージガスは、遮蔽解除状態となっている遮蔽部材４１に対応する金属メッシュ３５の領域からウエハＷの裏面に供給される。ウエハＷの裏面に供給されたパージガスによって、ウエハＷの裏面に過剰に吸着した前駆体ガスの分子が除去される。
【００７７】
反応工程では、ＭＦＣ５２ｃが、ガス供給源５１ｃから供給された反応ガスの流量を制御し、流量が制御された反応ガスを、バルブ５３ｃおよび配管３３を介して、拡散室３１０内に供給する。拡散室３１０内に供給された反応ガスは、拡散室３１０内を拡散し、シャワー板３２に形成された複数の貫通口３２０を介してプラズマ生成室３６０に供給される。
【００７８】
また、反応工程では、高周波電源３７から高周波電力がシャワー板３２に供給される。これにより、プラズマ生成室３６０内に供給された反応ガスプラズマ化し、プラズマに含まれる活性種等が、遮蔽解除状態となっている遮蔽部材４１に対応する金属メッシュ３５の領域からウエハＷの裏面に供給される。ウエハＷの裏面に供給された活性種等は、ウエハＷの裏面に吸着している前駆体ガスの分子と反応する。これにより、遮蔽解除状態となっている遮蔽部材４１に対応するウエハＷの裏面の供給領域に、所定の膜（例えばシリコン窒化膜）が形成される。
【００７９】
また、上記した実施形態では、ウエハＷの裏面に沿う方向に延伸するシャフト４２を中心として遮蔽部材４１が回転することにより、遮蔽部材４１の遮蔽状態または遮蔽解除状態が切り替えられたが、開示の技術はこれに限られない。他の例として、それぞれの遮蔽部材４１がウエハＷの裏面に沿う方向にスライドすることにより、遮蔽部材４１の遮蔽状態または遮蔽解除状態が切り替えられてもよい。これにより、ウエハＷとシャッタ機構４０との間の距離を短くすることができ、ウエハＷの裏面に所定パターンの膜をより精度よく形成することができる。
【００８０】
また、上記した実施形態において、保持機構２０は、素子が形成される面が上を向くようにウエハＷを保持し、シャワーヘッド３０は、ウエハＷの下方からウエハＷの裏面に材料ガスを供給するが、開示の技術はこれに限られない。例えば、シャワーヘッド３０およびシャッタ機構４０が保持機構２０の上方に配置され、素子が形成される面が下を向くようにウエハＷが保持機構２０に保持され、ウエハＷの上方からウエハＷの裏面に材料ガスが供給されてもよい。あるいは、シャワーヘッド３０、シャッタ機構４０、および保持機構２０がこの順番で横方向に配置され、ウエハＷの裏面がシャッタ機構４０側を向くようにウエハＷが保持機構２０に保持されてもよい。
【００８１】
また、上記した実施形態では、測定装置４００が、素子が形成された後のウエハＷの高さの分布を測定し、制御装置１１０が、測定結果に基づいて成膜パターンを算出したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、ウエハＷ上に予め定められた素子が形成された場合のウエハＷの歪みや反りを予め推定することが可能な場合には、素子が形成された後のウエハＷの高さの分布が測定されなくてもよい。この場合、高さの分布の測定を行うことなく、推定された高さの分布に対応する成膜パターンがウエハＷの裏面に成膜される。
【００８２】
また、上記した実施形態では、素子が形成された後のウエハＷの裏面に、所定の成膜パターンが成膜されるが、開示の技術はこれに限られない。例えば、ウエハＷ上に予め定められた素子が形成された場合のウエハＷの歪みや反りを予め推定することが可能な場合には、ウエハＷ上に素子が形成される前に、推定されるウエハＷの高さの分布に対応する成膜パターンがウエハＷの裏面に予め成膜されてもよい。
【００８３】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００８４】
Ｇ  ゲートバルブ
Ｗ  ウエハ
１００  半導体製造システム
１１０  制御装置
２００  第１の成膜装置
３００  エッチング装置
４００  測定装置
５００  第２の成膜装置
１０  処理容器
１１  蓋体
１２  ヒータ
１２０  個別ヒータ
１２４  昇降機構
１２５  台座
１２６  基台
１２７  駆動部
１２８  支持棒
１４  ガス導入口
１７  排気装置
２０  保持機構
２１  支持リング
２２  支持部
２３  駆動部
２６  支持部
２７  台座
２８  駆動部
３０  シャワーヘッド
３１  筐体
３１０  拡散室
３２  シャワー板
３２０  貫通口
３３  配管
３５  金属メッシュ
３６  絶縁部材
３６０  プラズマ生成室
３７  高周波電源
４０  シャッタ機構
４１  遮蔽部材
４２  シャフト
４３  駆動部
５０  ガス供給機構
６０  パージガス供給機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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