(57)【要約】【課題】高温下でも負荷の駆動を可能とする。【解決手段】４つの出力トランジスタ（Ｍ［１］〜Ｍ［４］）をスイッチング駆動することでモータ（４０）を駆動するドライバＩＣ（１０）において、ゲート駆動回路（１２）は各出力トランジスタのスイッチングの際のゲート電圧のスルーレートを多段階で変更可能に構成されている。通常は、予め指定されたレートをゲート電圧のスルーレートに設定するが、高温下では、スルーレートを上げる。【選択図】図１
2020057903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に対し直列に接続されるべき対象トランジスタをスイッチング駆動するドライバ装置において、
前記対象トランジスタのゲート電圧を制御する回路であって、前記ゲート電圧を変化させる際の前記ゲート電圧のスルーレートを複数段階で変更可能に形成されたゲート駆動回路と、
前記対象トランジスタの温度と相関関係を持つ対象温度に応じた温度信号に基づき前記スルーレートを可変設定するスルーレート設定回路と、を備えた
ことを特徴とするドライバ装置。
【請求項２】
前記ゲート駆動回路は、前記スルーレートを、第１レート及び前記第１レートよりも大きな第２レートを含む複数のレートの間で変更可能であり、
前記スルーレート設定回路は、前記スルーレートが前記第１レートに設定されている状態において、前記対象温度の上昇を示す特定の変化が前記温度信号に生じたとき、前記スルーレートを前記第２レートに変更する
ことを特徴とする請求項１に記載のドライバ装置。
【請求項３】
前記ゲート駆動回路は、定電流にて前記対象トランジスタのゲートに対し電荷を供給する又は前記対象トランジスタのゲートから電荷を引き抜くことで、前記対象トランジスタの状態をオフ状態及びオン状態間で切り替え、前記定電流の値が可変とされることで前記スルーレートが変更可能とされる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のドライバ装置。
【請求項４】
前記対象トランジスタの温度が上昇、低下したとき、それに伴って前記対象温度も上昇、低下する、或いは、前記対象温度が上昇、低下したとき、それに伴って前記対象トランジスタの温度も上昇、低下する
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のドライバ装置。
【請求項５】
前記対象温度は、前記対象トランジスタの温度又は当該ドライバ装置の周辺温度であって、
前記温度信号は、当該ドライバ装置に接続された又は当該ドライバ装置に設けられた、前記対象温度を測定するための測温回路を用いて得られる
ことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のドライバ装置。
【請求項６】
前記ゲート駆動回路及び前記スルーレート設定回路を含む回路群が半導体集積回路として構成され、
前記半導体集積回路の筐体に、出力端子及び温度信号用端子を含む複数の外部端子が設けられ、
前記対象トランジスタ及び前記測温回路は前記半導体集積回路の外部に設けられ、
前記ゲート駆動回路は前記出力端子を介して前記対象トランジスタのゲートに接続され、
前記測温回路は前記温度信号用端子に接続される
ことを特徴とする請求項５に記載のドライバ装置。
【請求項７】
前記対象温度に応じた電圧を有する原温度信号が前記測温回路から前記温度信号用端子に入力され、
前記スルーレート設定回路は、前記温度信号用端子に入力された前記原温度信号の電圧と所定の基準電圧との比較結果に基づき、前記スルーレートを可変設定する
ことを特徴とする請求項６に記載のドライバ装置。
【請求項８】
前記ゲート駆動回路、前記スルーレート設定回路及び前記対象トランジスタを含む回路群が半導体集積回路として構成され、
前記測温回路と前記対象トランジスタが共通の筐体内に設けられる
ことを特徴とする請求項５に記載のドライバ装置。
【請求項９】
当該ドライバ装置は、前記負荷としての直流モータに対するフルブリッジ回路を駆動可能に構成され、
前記フルブリッジ回路を形成する４つの出力トランジスタの夫々が前記対象トランジスタとして機能し、
前記対象温度と各出力トランジスタの温度との間に相関関係があり、
前記ゲート駆動回路は、各出力トランジスタのゲート電圧を制御し、
前記スルーレート設定回路は、前記対象温度に応じた前記温度信号に基づき各出力トランジスタのゲート電圧のスルーレートを可変設定する
ことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のドライバ装置。
【請求項１０】
前記負荷は直流モータである
ことを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のドライバ装置。
【請求項１１】
前記直流モータにて所定部品の冷却用ファンが駆動される
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載のドライバ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライバ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータ等の負荷に対して直列接続される出力トランジスタを有し、出力トランジスタをスイッチング駆動することを通じて負荷に電力を供給するシステムにおいて（例えば特許文献１参照）、出力トランジスタのゲート電圧のスルーレートが調整されることがある。
【０００３】
スルーレートを低く抑えることで、ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）に関わる電波輻射の抑制等が図られる。一方で、スルーレートの低下は出力トランジスタの損失増加に繋がる。これらを比較考量して、スルーレートを所望レートに設定するといった手法がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２００８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記手法において、一旦設定されたスルーレートは固定値を持つため、出力トランジスタの発熱量は一定となる。しかし、スルーレートを固定することが適切にならないこともある。例えば、常温環境において適切なスルーレートを高温環境下にもそのまま適用したとき、出力トランジスタの温度が高くなりすぎて出力トランジスタが破損するおそれがある、又は、安全のため出力トランジスタのスイッチング駆動を停止せざるを得ないことがある。ゲート電圧のスルーレートを適正化できる技術の開発が望まれる。
【０００６】
本発明は、温度に関連してゲート電圧のスルーレートの適正化に寄与するドライバ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るドライバ装置は、負荷に対し直列に接続されるべき対象トランジスタをスイッチング駆動するドライバ装置において、前記対象トランジスタのゲート電圧を制御する回路であって、前記ゲート電圧を変化させる際の前記ゲート電圧のスルーレートを複数段階で変更可能に形成されたゲート駆動回路と、前記対象トランジスタの温度と相関関係を持つ対象温度に応じた温度信号に基づき前記スルーレートを可変設定するスルーレート設定回路と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
具体的には例えば、前記ドライバ装置において、前記ゲート駆動回路は、前記スルーレートを、第１レート及び前記第１レートよりも大きな第２レートを含む複数のレートの間で変更可能であり、前記スルーレート設定回路は、前記スルーレートが前記第１レートに設定されている状態において、前記対象温度の上昇を示す特定の変化が前記温度信号に生じたとき、前記スルーレートを前記第２レートに変更すると良い。
【０００９】
また例えば、前記ドライバ装置において、前記ゲート駆動回路は、定電流にて前記対象トランジスタのゲートに対し電荷を供給する又は前記対象トランジスタのゲートから電荷を引き抜くことで、前記対象トランジスタの状態をオフ状態及びオン状態間で切り替え、前記定電流の値が可変とされることで前記スルーレートが変更可能とされると良い。
【００１０】
また具体的には例えば、前記ドライバ装置において、前記対象トランジスタの温度が上昇、低下したとき、それに伴って前記対象温度も上昇、低下する、或いは、前記対象温度が上昇、低下したとき、それに伴って前記対象トランジスタの温度も上昇、低下すると言える。
【００１１】
また具体的には例えば、前記ドライバ装置において、前記対象温度は、前記対象トランジスタの温度又は当該ドライバ装置の周辺温度であって、前記温度信号は、当該ドライバ装置に接続された又は当該ドライバ装置に設けられた、前記対象温度を測定するための測温回路を用いて得られると良い。
【００１２】
この際例えば、前記ドライバ装置において、前記ゲート駆動回路及び前記スルーレート設定回路を含む回路群が半導体集積回路として構成され、前記半導体集積回路の筐体に、出力端子及び温度信号用端子を含む複数の外部端子が設けられ、前記対象トランジスタ及び前記測温回路は前記半導体集積回路の外部に設けられ、前記ゲート駆動回路は前記出力端子を介して前記対象トランジスタのゲートに接続され、前記測温回路は前記温度信号用端子に接続されると良い。
【００１３】
そして例えば、前記ドライバ装置において、前記対象温度に応じた電圧を有する原温度信号が前記測温回路から前記温度信号用端子に入力され、前記スルーレート設定回路は、前記温度信号用端子に入力された前記原温度信号の電圧と所定の基準電圧との比較結果に基づき、前記スルーレートを可変設定すると良い。
【００１４】
或いは例えば、前記ドライバ装置において、前記ゲート駆動回路、前記スルーレート設定回路及び前記対象トランジスタを含む回路群が半導体集積回路として構成され、前記測温回路と前記対象トランジスタが共通の筐体内に設けられても良い。
【００１５】
また例えば、当該ドライバ装置は、前記負荷としての直流モータに対するフルブリッジ回路を駆動可能に構成され、前記フルブリッジ回路を形成する４つの出力トランジスタの夫々が前記対象トランジスタとして機能し、前記対象温度と各出力トランジスタの温度との間に相関関係があり、前記ゲート駆動回路は、各出力トランジスタのゲート電圧を制御し、前記スルーレート設定回路は、前記対象温度に応じた前記温度信号に基づき各出力トランジスタのゲート電圧のスルーレートを可変設定しても良い。
【００１６】
また例えば、前記ドライバ装置において、前記負荷は直流モータであって良い。
【００１７】
また例えば、前記ドライバ装置において、前記直流モータにて所定部品の冷却用ファンが駆動されても良い。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、温度に関連してゲート電圧のスルーレートの適正化に寄与するドライバ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の基本実施形態に係るモータ駆動システムの構成図である。
【図２】本発明の基本実施形態に係るドライバＩＣの概略的な外観図である。
【図３】本発明の基本実施形態に係り、駆動制御信号（ＰＷＭ信号）と２つのゲート電圧のタイミングチャート図である。
【図４】本発明の基本実施形態に係り、１つの個別駆動回路の構成例を示す図である。
【図５】本発明の基本実施形態に係り、スルーレートの調整範囲を示す図である。
【図６】本発明の基本実施形態に係り、スルーレートの設定の流れを示すである。
【図７】本発明の基本実施形態に係り、測温素子の配置位置の説明図である。
【図８】本発明の基本実施形態に係り、対象温度と原温度信号との関係図である。
【図９】本発明の基本実施形態に係り、測温回路の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係り、温度判定回路の構成例を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係り、対象温度、原温度信号、判定温度信号及び実スルーレートの関係を示すタイミングチャート図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係り、対象温度、原温度信号、判定温度信号及び実スルーレートの関係を示すタイミングチャート図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係り、測温回路の内部構成と、測温回路及び温度判定回路の入出力信号を示す図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係り、測温回路の内部構成と、測温回路及び温度判定回路の入出力信号を示す図である。
【図１５】本発明の第５実施形態に係り、複数の出力トランジスタと複数のモータとの接続関係を示す図である。
【図１６】本発明の第６実施形態に係るモータ駆動システムの構成図である。
【図１７】本発明の第７実施形態に係り、車両にモータ駆動システムが搭載される様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量又は部材等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量又は部材等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“Ｇ［１］”によって参照されるゲート接続端子は（図１参照）、ゲート接続端子Ｇ［１］と表記されることもあるし、端子Ｇ［１］と略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
【００２１】
まず、本実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。グランドとは、０Ｖ（ゼロボルト）の基準電位を有する導電部を指す又は基準電位そのものを指す。各実施形態において、特に基準を設けずに示される電圧は、グランドから見た電位を表す。ラインは配線と同義である。レベルとは電位のレベルを指し、任意の信号又は電圧についてハイレベルはローレベルよりも高い電位を有する。ＭＯＳＦＥＴを含むＦＥＴ（電界効果トランジスタ）として構成された任意のトランジスタについて、オン状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が導通状態となっていることを指し、オフ状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が非導通状態（遮断状態）となっていることを指す。オン状態、オフ状態を、単に、オン、オフと表現することもある。
【００２２】
［基本実施形態］
本発明の基本実施形態を説明する。図１は、本発明の基本実施形態に係るモータ駆動システム１の構成図である。モータ駆動システム１は、ドライバＩＣ１０、ＭＰＵ（micro-processing unit）２０、測温回路３０、モータ４０及び出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］を備える。ＭＰＵ２０、測温回路３０及び出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］は、ドライバＩＣ１０の外部に設けられてドライバＩＣ１０に対し外付け接続される。モータ４０は、ドライバＩＣ１０の負荷としてのブラシ付き直流モータである。
【００２３】
ドライバＩＣ１０は、制御ロジック１１、ゲート駆動回路１２及び温度判定回路１３を備える。この他にも、ドライバＩＣ１０には、必要な電圧を生成するためのチャージポンプ回路や、各出力トランジスタでの過電流の発生有無を検出する回路などが設けられるが、それらの図示は省略している。
【００２４】
図２はドライバＩＣ１０の概略的な外観図である。ドライバＩＣ１０は、半導体集積回路を、樹脂にて構成された筐体（パッケージ）内に封入することで形成された電子部品であり、その半導体集積回路では、制御ロジック１１、ゲート駆動回路１２及び温度判定回路１３を含む回路群が半導体にて集積化されている。ドライバＩＣ１０の筐体には、ドライバＩＣ１０の外部に対して露出した外部端子が複数設けられている。尚、図２に示されるドライバＩＣ１０の外部端子の数は例示に過ぎない。
【００２５】
ドライバＩＣ１０に設けられる複数の外部端子には、ゲート接続端子Ｇ［１］〜Ｇ［４］と、ソース接続端子Ｓ［１］〜Ｓ［２］及びＳＣＯＭと、原温度信号Ｓａを受けるための外部端子ＴＭ１（温度信号用端子）と、駆動制御信号ＰＷＭ１及びＰＷＭ２を受けるための外部端子ＴＭ２及びＴＭ３と、通信用端子ＴＭ４と、直流の所定の電源電圧ＶＣＣ（例えば５Ｖ）を受けるための電源入力端子ＴＭ５と、が含まれる。この他にも、リセット信号を受けるための外部端子や、グランドに接続されるべき外部端子などがドライバＩＣ１０には設けられる。通信用端子ＴＭ４は複数の外部端子から構成される。制御ロジック１１及び温度判定回路１３は電源電圧ＶＣＣに基づき駆動する。
【００２６】
出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］は、夫々、Ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）として構成されている。図示されていないが、各出力トランジスタを構成するＭＯＳＦＥＴにおいて、ＭＯＳＦＥＴのソースからドレインに向かう方向を順方向とする寄生ダイオードがＭＯＳＦＥＴに対して並列に形成及び接続される。尚、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］をＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴにて構成する変形も可能である。
【００２７】
図１の構成では、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］にてモータ４０に対するフルブリッジ回路（Ｈブリッジ回路）が構成されており、この際、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］がハイサイドトランジスタとして機能し、出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］がローサイドトランジスタとして機能する。
【００２８】
詳細には、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］の各ドレインは所定の正の電源電圧ＶＰＷＲ（例えば１２Ｖ）が加わる電源ラインに接続され、出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］の各ソースはグランドに接続される。出力トランジスタＭ［１］のソースと出力トランジスタＭ［３］のドレインはノードＮＤａにて共通接続され、出力トランジスタＭ［２］のソースと出力トランジスタＭ［４］のドレインはノードＮＤｂにて共通接続される。ノードＮＤａ及びＮＤｂ間にモータ４０が接続される。ノードＮＤａからモータ４０を介しノードＮＤｂに向かう電流が流れるとき、モータ４０は第１回転方向に回転し（この回転を正転と称する）、ノードＮＤｂからモータ４０を介しノードＮＤａに向かう電流が流れるとき、モータ４０は第１回転方向とは逆の第２回転方向に回転する（この回転を逆転と称する）。出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］のゲートは、夫々、ドライバＩＣ１０のゲート接続端子Ｇ［１］〜Ｇ［４］に接続される。出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］のソースは、夫々、ドライバＩＣ１０のソース接続端子Ｓ［１］及びＳ［２］に接続される。出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］のソースはソース接続端子ＳＣＯＭに共通接続される。
【００２９】
ゲート駆動回路１２は、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］のゲートを駆動する回路であって、それらを個別に駆動するための個別駆動回路１２［１］〜１２［４］を備える。個別駆動回路１２［１］〜１２［４］の夫々は、対応するゲート接続端子及びソース接続端子に接続される。個別駆動回路１２［１］〜１２［４］に対応するゲート接続端子は夫々ゲート接続端子Ｇ［１］〜Ｇ［４］である。個別駆動回路１２［１］及び１２［２］に対応するソース接続端子は夫々ソース接続端子Ｓ［１］及びＳ［２］であり、個別駆動回路１２［３］及び１２［４］に対応するソース接続端子はソース接続端子ＳＣＯＭである。
【００３０】
個別駆動回路１２［１］〜１２［４］は、夫々、制御ロジック１１の制御の下で、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］のゲートを駆動する。出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］のゲート電圧を、夫々、ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］にて表す。個別駆動回路１２［１］〜１２［４］は、対応するゲート電圧ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］をローレベル及びハイレベル間で切り替えることで、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］をスイッチング駆動することができる。
【００３１】
個別駆動回路１２［１］及び１２［２］にはハイサイド駆動用電圧として内部電源電圧ＶＣＰが供給され、個別駆動回路１２［３］及び１２［４］にはローサイド駆動用電圧として内部電源電圧Ｖｒｅｇが供給される。内部電源電圧ＶＣＰは、ドライバＩＣ１０に対して供給された所定の直流電圧をチャージポンプ回路等を利用して昇圧することで生成される。内部電源電圧Ｖｒｅｇは上記直流電圧そのものである、或いは、その直流電圧からドライバＩＣ１０内で生成される。内部電源電圧ＶＣＰは電源電圧ＶＰＷＲよりも高く、且つ、電圧ＶＣＰ及びＶＰＷＲ間の差は出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］のゲート閾値電圧よりも十分に大きい。故に、個別駆動回路１２［１］及び１２［２］は電圧ＶＣＰを用いて出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］をオンにすることができる。電圧Ｖｒｅｇは出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］のゲート閾値電圧よりも十分に大きい。故に、個別駆動回路１２［３］及び１２［４］は電圧Ｖｒｅｇを用いて出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］をオンにすることができる。
【００３２】
制御ロジック１１は、通信用端子ＴＭ４を介しＭＰＵ２０と双方向通信が可能である。制御ロジック１１及びＭＰＵ２０間の双方向通信は、例えばＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）により実現される。
【００３３】
また、ＭＰＵ２０から制御ロジック１１に対し駆動制御信号ＰＷＭ１及びＰＷＭ２が供給される。駆動制御信号ＰＷＭ１は、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［３］から成る第１ハーフブリッジ回路に対するＰＷＭ信号（パルス幅変調信号）であり、駆動制御信号ＰＷＭ２は、出力トランジスタＭ［２］及びＭ［４］から成る第２ハーフブリッジ回路に対するＰＷＭ信号（パルス幅変調信号）である。
【００３４】
個別駆動回路１２［１］及び１２［３］により、駆動制御信号ＰＷＭ１に従って出力トランジスタＭ［１］及びＭ［３］がＰＷＭ駆動され、個別駆動回路１２［２］及び１２［４］により、駆動制御信号ＰＷＭ２に従って出力トランジスタＭ［２］及びＭ［４］がＰＷＭ駆動される。駆動制御信号ＰＷＭ１及びＰＷＭ２の夫々は、ローレベル又はハイレベルをとるデジタル信号である。
【００３５】
駆動制御信号ＰＷＭ１がハイレベルであるとき、個別駆動回路１２［１］及び１２［３］によりゲート電圧ＶＧ［１］、ＶＧ［３］が夫々ハイレベル、ローレベルとされることで出力トランジスタＭ［１］及びＭ［３］が夫々オン、オフとなる。駆動制御信号ＰＷＭ１がローレベルであるとき、個別駆動回路１２［１］及び１２［３］によりゲート電圧ＶＧ［１］、ＶＧ［３］が夫々ローレベル、ハイレベルとされることで出力トランジスタＭ［１］及びＭ［３］が夫々オフ、オンとなる。但し、駆動制御信号ＰＷＭ１がローレベルからハイレベルに切り替わったとき、その切り替わりのタイミングから所定の遅延時間が経たのちに、ゲート電圧ＶＧ［１］のローレベルからハイレベルへの切り替え及びゲート電圧ＶＧ［３］のハイレベルからローレベルへの切り替えが行われる。同様に、駆動制御信号ＰＷＭ１がハイレベルからローレベルに切り替わったとき、その切り替わりのタイミングから所定の遅延時間が経たのちに、ゲート電圧ＶＧ［１］のハイレベルからローレベルへの切り替え及びゲート電圧ＶＧ［３］のローレベルからハイレベルへの切り替えが行われる。
【００３６】
駆動制御信号ＰＷＭ２がハイレベルであるとき、個別駆動回路１２［２］及び１２［４］によりゲート電圧ＶＧ［２］、ＶＧ［４］が夫々ハイレベル、ローレベルとされることで出力トランジスタＭ［２］及びＭ［４］が夫々オン、オフとなる。駆動制御信号ＰＷＭ２がローレベルであるとき、個別駆動回路１２［２］及び１２［４］によりゲート電圧ＶＧ［２］、ＶＧ［４］が夫々ローレベル、ハイレベルとされることで出力トランジスタＭ［２］及びＭ［４］が夫々オフ、オンとなる。但し、駆動制御信号ＰＷＭ２がローレベルからハイレベルに切り替わったとき、その切り替わりのタイミングから所定の遅延時間が経たのちに、ゲート電圧ＶＧ［２］のローレベルからハイレベルへの切り替え及びゲート電圧ＶＧ［４］のハイレベルからローレベルへの切り替えが行われる。同様に、駆動制御信号ＰＷＭ２がハイレベルからローレベルに切り替わったとき、その切り替わりのタイミングから所定の遅延時間が経たのちに、ゲート電圧ＶＧ［２］のハイレベルからローレベルへの切り替え及びゲート電圧ＶＧ［４］のローレベルからハイレベルへの切り替えが行われる。
【００３７】
ゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［２］のハイレベルは、内部電源電圧ＶＣＰのレベルと一致する。ゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［２］がハイレベルであるとき、夫々、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］はオン状態となる。ゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［２］のローレベルは、夫々、ソース接続端子Ｓ［１］及びＳ［２］のレベルと一致する。ゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［２］がローレベルであるとき、夫々、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［２］はオフ状態となる。
【００３８】
ゲート電圧ＶＧ［３］及びＶＧ［４］のハイレベルは、内部電源電圧Ｖｒｅｇのレベルと一致する。ゲート電圧ＶＧ［３］及びＶＧ［４］がハイレベルであるとき、夫々、出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］はオン状態となる。ゲート電圧ＶＧ［３］及びＶＧ［４］のローレベルは、夫々、ソース接続端子Ｓ［３］及びＳ［４］のレベル（即ちグランドのレベル）と一致する。ゲート電圧ＶＧ［３］及びＶＧ［４］がローレベルであるとき、夫々、出力トランジスタＭ［３］及びＭ［４］はオフ状態となる。
【００３９】
図３に駆動制御信号ＰＷＭ１とゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［３］との関係を示す。駆動制御信号ＰＷＭ１がローレベルであって且つゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［３］が夫々ローレベル及びハイレベルである状態を起点として、タイミングｔ１にて駆動制御信号ＰＷＭ１がローレベルからハイレベルに切り替わったとする。このとき、タイミングｔ１から所定の遅延時間ｔＤＬＹ１が経過したタイミングｔ２より、ゲート電圧ＶＧ［１］のローレベルからハイレベルへの遷移動作ＶＧＵＰ［１］が開始されると共にゲート電圧ＶＧ［３］のハイレベルからローレベルへの遷移動作ＶＧＤＷＮ［３］が開始される。尚、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［３］を介した貫通電流が発生するのを抑止するべく、遷移動作ＶＧＤＷＮ［３］の開始から若干遅れて遷移動作ＶＧＵＰ［１］が開始されるようにしても良い。
【００４０】
遷移動作ＶＧＵＰ［１］の開始後、ゲート電圧ＶＧ［１］のスルーレートに応じた時間が経過すると遷移動作ＶＧＵＰ［１］が完了して、ゲート電圧ＶＧ［１］のハイレベルへの遷移が完了する。遷移動作ＶＧＤＷＮ［３］の開始後、ゲート電圧ＶＧ［３］のスルーレートに応じた時間が経過すると遷移動作ＶＧＤＷＮ［３］が完了して、ゲート電圧ＶＧ［３］のローレベルへの遷移が完了する。その後、ゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［３］が夫々ハイレベル及びローレベルであるタイミングｔ３にて、駆動制御信号ＰＷＭ１がハイレベルからローレベルに切り替わったとする。このとき、タイミングｔ３から所定の遅延時間ｔＤＬＹ２が経過したタイミングｔ４より、ゲート電圧ＶＧ［１］のハイレベルからローレベルへの遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］が開始されると共にゲート電圧ＶＧ［３］のローレベルからハイレベルへの遷移動作ＶＧＵＰ［３］が開始される。尚、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［３］を介した貫通電流が発生するのを抑止するべく、遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］の開始から若干遅れて遷移動作ＶＧＵＰ［３］が開始されるようにしても良い。
【００４１】
遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］の開始後、ゲート電圧ＶＧ［１］のスルーレートに応じた時間が経過すると遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］が完了して、ゲート電圧ＶＧ［１］のローレベルへの遷移が完了する。遷移動作ＶＧＵＰ［３］の開始後、ゲート電圧ＶＧ［３］のスルーレートに応じた時間が経過すると遷移動作ＶＧＵＰ［３］が完了して、ゲート電圧ＶＧ［３］のハイレベルへの遷移が完了する。
【００４２】
図３を参照して駆動制御信号ＰＷＭ１とゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［３］との関係を説明したが、駆動制御信号ＰＷＭ２とゲート電圧ＶＧ［２］及びＶＧ［４］との関係についても同様である（図３の説明に関わる“ＰＷＭ１”、“［１］”、“［３］”を、夫々、“ＰＷＭ２”、“［２］”、“［４］”に読み替えれば足る）。
【００４３】
故に例えば、１、２、３及び４の何れかを示す整数ｉを用いたとき、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のローレベルからハイレベルへの遷移動作は“ＶＧＵＰ［ｉ］”にて表され、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のハイレベルからローレベルへの遷移動作は“ＶＧＤＷＮ［ｉ］”にて表される。個別駆動回路１２［ｉ］による遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］では、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］が所定のスルーレートにてローレベルの電位からハイレベルの電位へと徐々に上昇してゆき、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］がハイレベルの電位（ＶＣＰ又はＶｒｅｇ）に達した時点で遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］が完了する。個別駆動回路１２［ｉ］による遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］では、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］が所定のスルーレートにてハイレベルの電位からローレベルの電位へと徐々に低下してゆき、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］がローレベルの電位（対応する出力トランジスタのソース電位に相当）に達した時点で遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］が完了する。ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートは、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］がローレベル及びハイレベル間で切り替わる際のゲート電圧ＶＧ［ｉ］の変化率（変化の傾き）を指す。
【００４４】
ここで、個別駆動回路１２［１］〜１２［４］は、夫々、ゲート電圧ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］のスルーレートを複数段階で変更可能に構成されている。測温回路３０、温度判定回路１３及び制御ロジック１１は、スルーレートの設定に関与するが、それらの説明は後に設けることとし、先に個別駆動回路１２［１］〜１２［４］の構成を説明する。個別駆動回路１２［１］〜１２［４］は互いに同一の構成を有する。故に、１、２、３及び４の何れかを示す整数ｉを用い、個別駆動回路１２［ｉ］の構成例を説明する。
【００４５】
図４は個別駆動回路１２［ｉ］の等価回路図である。個別駆動回路１２［ｉ］は、内部電源電圧を元にソース側定電流ＩＡ０〜ＩＡ４を生成する５個の定電流源から成るソース側電流回路１２１と、内部電源電圧を元にシンク側定電流ＩＢ０〜ＩＢ４を生成する５個の定電流源から成るシンク側電流回路１２２と、を有する。個別駆動回路１２［１］及び１２［２］にとっての内部電源電圧は電圧ＶＣＰであり、個別駆動回路１２［３］及び１２［４］にとっての内部電源電圧は電圧Ｖｒｅｇである。
【００４６】
また、個別駆動回路１２［ｉ］は、自身に対応するゲート接続端子Ｇ［ｉ］とソース側電流回路１２１との間に直列に挿入されたソース側スイッチ群１２３と、自身に対応するゲート接続端子Ｇ［ｉ］とシンク側電流回路１２２との間に直列に挿入されたシンク側スイッチ群１２４と、を有する。個別駆動回路１２［ｉ］において、ソース側スイッチング群１２３は回路１２１及び端子Ｇ［ｉ］間に設けられた複数のスイッチから成り、シンク側スイッチ群１２４は端子Ｇ［ｉ］及び回路１２２間に設けられた複数のスイッチから成る。任意のスイッチは１以上のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）にて構成される。
【００４７】
個別駆動回路１２［ｉ］において、シンク側電流回路１２２及びシンク側スイッチ群１２４は、対応するゲート接続端子Ｇ［ｉ］と対応するソース接続端子（Ｓ［ｉ］又はＳＣＯＭ）との間に直列に挿入される。上述したように、個別駆動回路１２［１］〜１２［４］に対応するゲート接続端子は夫々ゲート接続端子Ｇ［１］〜Ｇ［４］である。個別駆動回路１２［１］及び１２［２］に対応するソース接続端子は夫々ソース接続端子Ｓ［１］及びＳ［２］であり、個別駆動回路１２［３］及び１２［４］に対応するソース接続端子はソース接続端子ＳＣＯＭである。
【００４８】
定電流ＩＡ０及びＩＢ０の値は所定の基準値である。定電流ＩＡ１、ＩＡ２、ＩＡ３、ＩＡ４の値は、夫々、基準値の２倍、４倍、８倍、１６倍に設定されている。定電流ＩＢ１、ＩＢ２、ＩＢ３、ＩＢ４の値も、夫々、基準値の２倍、４倍、８倍、１６倍に設定されている。
【００４９】
個別駆動回路１２［ｉ］による、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］をローレベルからハイレベルへ遷移させるための遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］を説明する。遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］において、ソース側定電流ＩＡ０〜ＩＡ４の内の何れか１以上の定電流による電荷（正の電荷）がソース側電流回路１２１からゲート接続端子Ｇ［ｉ］及び出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートに供給される。これによってゲート電圧ＶＧ［ｉ］のレベルがハイレベルに向けて上昇してゆき、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のレベルがハイレベル（内部電源電圧ＶＣＰのレベル）に達するとゲート電圧ＶＧ［ｉ］の上昇は停止する。
【００５０】
遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］において、シンク側スイッチ群１２４の機能により、ゲート接続端子Ｇ［ｉ］及び出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートはシンク側電流回路１２２に対して非接続とされ、故に、シンク側定電流ＩＢ０〜ＩＢ４は流れない。また、個別駆動回路１２［ｉ］において、遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］が開始された後、次に遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］が開始されるまでは、シンク側スイッチ群１２４の機能により、ゲート接続端子Ｇ［ｉ］及び出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートはシンク側電流回路１２２に対して非接続とされ、故に、シンク側定電流ＩＢ０〜ＩＢ４は流れない。即ち例えば、個別駆動回路１２［１］に関して言えば（図３参照）、駆動制御信号ＰＷＭ１のローレベルからハイレベルへの遷移に伴って遷移動作ＶＧＵＰ［１］が開始された後、駆動制御信号ＰＷＭ１のハイレベルからローレベルへの遷移に伴って遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］が開始されるまでは、シンク側スイッチ群１２４の機能により、ゲート接続端子Ｇ［１］及び出力トランジスタＭ［１］のゲートはシンク側電流回路１２２に対して非接続とされ、故に、シンク側定電流ＩＢ０〜ＩＢ４は流れない。
【００５１】
遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］では、ソース側スイッチ群１２３の機能により、ソース側定電流ＩＡ０〜ＩＡ４を生成する５個の定電流源の内、何れか１つ、何れか２つ、何れか３つ、何れか４つ又は全ての定電流源が選択的にゲート接続端子Ｇ［ｉ］に接続され、結果、定電流ＩＡ０〜ＩＡ４の内、何れか１つ、何れか２つの和電流、何れか３つの和電流、何れか４つの和電流又は全ての定電流の和電流が、選択的に、ゲート接続端子Ｇ［ｉ］に向けて供給される。
【００５２】
遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］にてソース側電流回路１２１からソース側スイッチ群１２３を介しゲート接続端子Ｇ［ｉ］に向けて供給される電流を記号“ＩＳＯＵＲＣＥ”にて参照する。ここでは、説明の具体化ため、定電流ＩＡ０の値が１ｍＡであるとする。そうすると、定電流ＩＡ０〜ＩＡ４の組み合わせにより、遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］において、１ｍＡ〜３１ｍＡまでの範囲内の電流ＩＳＯＵＲＣＥをゲート接続端子Ｇ［ｉ］に供給することができ、その電流ＩＳＯＵＲＣＥは１ｍＡ刻みで変更可能となる。遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］において、電流ＩＳＯＵＲＣＥがｎ倍になればゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートもｎ倍になる（ｎは整数又は分数）。
【００５３】
電流ＩＳＯＵＲＣＥの値は、制御ロジック１１から個別駆動回路１２［ｉ］に供給されるスルーレート制御信号ＳＯＵＲＣＥ［４：０］にて指定及び設定される。スルーレート制御信号ＳＯＵＲＣＥ［４：０］は５ビットのデジタル信号から成る。電流ＩＳＯＵＲＣＥの値の設定を通じて遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートが設定される。
【００５４】
個別駆動回路１２［ｉ］による、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］をハイレベルからローレベルへ遷移させるための遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］を説明する。遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］において、シンク側定電流ＩＢ０〜ＩＢ４の内の何れか１以上の定電流による電荷（正の電荷）がシンク側電流回路１２２により出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートから引き抜かれる。これによってゲート電圧ＶＧ［ｉ］のレベルがローレベルに向けて低下してゆき、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のレベルがローレベル（対応する出力トランジスタのソース電位に相当）に達するとゲート電圧ＶＧ［ｉ］の低下は停止する。
【００５５】
遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］において、ソース側スイッチ群１２３の機能により、ゲート接続端子Ｇ［ｉ］及び出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートはソース側電流回路１２１に対して非接続とされ、故に、ソース側定電流ＩＡ０〜ＩＡ４は流れない。また、個別駆動回路１２［ｉ］において、遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］が開始された後、次に遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］が開始されるまでは、ソース側スイッチ群１２３の機能により、ゲート接続端子Ｇ［ｉ］及び出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートはソース側電流回路１２１に対して非接続とされ、故に、ソース側定電流ＩＡ０〜ＩＡ４は流れない。即ち例えば、個別駆動回路１２［３］に関して言えば（図３参照）、駆動制御信号ＰＷＭ１のローレベルからハイレベルへの遷移に伴って遷移動作ＶＧＤＷＮ［３］が開始された後、駆動制御信号ＰＷＭ１のハイレベルからローレベルへの遷移に伴って遷移動作ＶＧＵＰ［３］が開始されるまでは、ソース側スイッチ群１２３の機能により、ゲート接続端子Ｇ［３］及び出力トランジスタＭ［３］のゲートはソース側電流回路１２１に対して非接続とされ、故に、ソース側定電流ＩＡ０〜ＩＡ４は流れない。
【００５６】
遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］では、シンク側スイッチ群１２４の機能により、シンク側定電流ＩＢ０〜ＩＢ４を生成する５個の定電流源の内、何れか１つ、何れか２つ、何れか３つ、何れか４つ又は全ての定電流源が選択的にゲート接続端子Ｇ［ｉ］に接続され、結果、定電流ＩＢ０〜ＩＢ４の内、何れか１つ、何れか２つの和電流、何れか３つの和電流、何れか４つの和電流又は全ての定電流の和電流が、選択的に、出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートからソースに向けて流れる。
【００５７】
遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］にて出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートから、ゲート接続端子Ｇ［ｉ］、ソース側スイッチ群１２４、シンク側電流回路１２２及び対応するソース接続端子（Ｓ［ｉ］又はＳＣＯＭ）を介し、出力トランジスタＭ［ｉ］のソースに向けて流れる電流を記号“ＩＳＩＮＫ”にて参照する。ここでは、説明の具体化ため、定電流ＩＢ０の値が１ｍＡであるとする。そうすると、定電流ＩＢ０〜ＩＢ４の組み合わせにより、遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］において、１ｍＡ〜３１ｍＡまでの範囲内の電流ＩＳＩＮＫを、出力トランジスタＭ［ｉ］のゲートからソースに向けて流すことができ、その電流ＩＳＩＮＫは１ｍＡ刻みで変更可能となる。遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］において、電流ＩＳＩＮＫがｎ倍になればゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートもｎ倍になる（ｎは整数又は分数）。
【００５８】
電流ＩＳＩＮＫの値は、制御ロジック１１から個別駆動回路１２［ｉ］に供給されるスルーレート制御信号ＳＩＮＫ［４：０］にて指定及び設定される。スルーレート制御信号ＳＩＮＫ［４：０］は５ビットのデジタル信号から成る。電流ＩＳＩＮＫの値の設定を通じて遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートが設定される。
【００５９】
図５（ａ）及び（ｂ）に示す如く、遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］及びＶＧＤＷＮ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートの候補として第１〜第３１レート（第１〜第３１候補レート）がある。スルーレート制御信号ＳＯＵＲＣＥ［４：０］に基づき、遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートが第１〜第３１レートの何れかに設定され、スルーレート制御信号ＳＩＮＫ［４：０］に基づき、遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートが第１〜第３１レートの何れかに設定される。ここで、第（ｊ＋１）レートは第ｊレートよりも大きい。ｊは任意の自然数を表す。
【００６０】
スルーレート制御信号ＳＯＵＲＣＥ［４：０］に基づき、電流ＩＳＯＵＲＣＥは１ｍＡ〜３１ｍＡの範囲内において１ｍＡ刻みで指定され、電流ＩＳＯＵＲＣＥが、（１×ｊ）ｍＡであるときに、遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートは第ｊレートとなる。同様に、スルーレート制御信号ＳＩＮＫ［４：０］に基づき、電流ＩＳＩＮＫは１ｍＡ〜３１ｍＡの範囲内において１ｍＡ刻みで指定され、電流ＩＳＩＮＫが、（１×ｊ）ｍＡであるときに、遷移動作ＶＧＤＷＮ［ｉ］でのゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートは第ｊレートとなる。尚、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］の実際のスルーレートを、以下では、実スルーレートと称することがある。
【００６１】
また、遷移動作ＶＧＵＰ［１］〜ＶＧＵＰ［４］における実スルーレートを記号“ＳＲＵＰ”にて表す。個別駆動回路１２［１］〜１２［４］間で実スルーレートＳＲＵＰが互いに異なり得るように、ドライバＩＣ１０を構成することも可能ではあるが、ここでは、遷移動作ＶＧＵＰ［１］〜ＶＧＵＰ［４］における実スルーレートＳＲＵＰが共通のスルーレート制御信号ＳＯＵＲＣＥ［４：０］にて指定されて互いに共通であるとする。遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］〜ＶＧＤＷＮ［４］における実スルーレートを記号“ＳＲＤＷＮ”にて表す。個別駆動回路１２［１］〜１２［４］間で実スルーレートＳＲＤＷＮが互いに異なり得るように、ドライバＩＣ１０を構成することも可能ではあるが、ここでは、遷移動作ＶＧＤＷＮ［１］〜ＶＧＤＷＮ［４］における実スルーレートＳＲＤＷＮが共通のスルーレート制御信号ＳＩＮＫ［４：０］にて指定されて互いに共通であるとする。
【００６２】
図６を参照し、制御ロジック１１にはレジスタＲＧが設けられており、ＭＰＵ２０からの指示に基づき、制御ロジック１１はレジスタＲＧ内にスルーレート指定データを書き込んで保持する。ＭＰＵ２０からの指示が無い場合、スルーレート指定データは所定の初期データと一致する。スルーレート指定データは電流ＩＳＯＵＲＣＥ及びＩＳＩＮＫを指定するデータであり、電流ＩＳＯＵＲＣＥ及びＩＳＩＮＫにて実スルーレートＳＲＵＰ及びＳＲＤＷＮが定まるため、スルーレート指定データは実スルーレートＳＲＵＰ及びＳＲＤＷＮを指定するデータであるとも言える。原則として、制御ロジック１１は、スルーレート指定データに基づきスルーレート制御信号ＳＯＵＲＣＥ［４：０］及びＳＩＮＫ［４：０］の内容制御を通じて電流ＩＳＯＵＲＣＥ及びＩＳＩＮＫを指定する。そうすると、個別駆動回路１２［ｉ］は、スルーレート指定データにて指定された電流ＩＳＯＵＲＣＥ及びＩＳＩＮＫにて（換言すれば、スルーレート指定データにて指定された実スルーレートＳＲＵＰ及びＳＲＤＷＮにて）遷移動作ＶＧＵＰ［ｉ］及びＶＧＤＷＮ［ｉ］を行うことになる。
【００６３】
但し、測温回路３０（図１参照）の出力信号によっては、実スルーレートがスルーレート指定データにて指定されたものから高められる。測温回路３０について説明する。
【００６４】
測温回路３０は対象温度を測定するための測温素子３１を備え、対象温度に応じた信号を原温度信号Ｓａとして出力する（図１参照）。原温度信号Ｓａは外部端子ＴＭ１に入力される。対象温度は対象トランジスタの温度との間で相関関係を持つ温度であり、対象トランジスタの温度を指すと解しても良い。対象トランジスタは、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の内、少なくとも１つの出力トランジスタを含み、ここでは出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の夫々が対象トランジスタであるとする。対象トランジスタの温度とは、対象トランジスタの所定箇所における温度であり、対象トランジスタのチャネル温度や対象トランジスタの筐体の温度であって良い。
【００６５】
対象温度と対象トランジスタの温度との間には相関関係があるため、対象トランジスタの温度が上昇したとき、それに連動して対象温度も上昇し、対象トランジスタの温度が低下したとき、それに連動して対象温度も低下する。例えば、図７（ａ）に示す如く、測温素子３１が位置ＰＳ１に配置され、測温回路３０は位置ＰＳ１における温度を対象温度として測定する。位置ＰＳ１は出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の配置位置の中心位置又は重心位置である。この場合、測温回路３０は対象トランジスタの温度を対象温度として測定する回路であると言え、対象トランジスタ（Ｍ［１］〜Ｍ［４］）の温度が上昇、低下したとき、それに伴って対象温度も上昇、低下する。
【００６６】
或いは、測温回路３０はドライバ装置の周辺温度を対象温度として測定する回路であっても良い。本発明に係るドライバ装置はドライバＩＣ１０そのものである。但し、本発明に係るドライバ装置はトライバＩＣ１０を少なくとも含み、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］、ＭＰＵ２０及び測温回路３０の全部又は一部を更に含む装置であると考えることも可能である。例えば、図７（ｂ）に示す如く、測温素子３１が位置ＰＳ２に配置され、測温回路３０は位置ＰＳ２における温度を対象温度として測定する。位置ＰＳ２は、例えばドライバＩＣ１０及び出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］が実装される基板上の任意の位置であり、位置ＰＳ２での温度はドライバ装置の周辺温度と一致する。対象温度としてのドライバ装置の周辺温度が上昇したとき、それに連動して対象トランジスタ（Ｍ［１］〜Ｍ［４］）の温度も上昇し、ドライバ装置の周辺温度が低下したとき、それに連動して対象トランジスタ（Ｍ［１］〜Ｍ［４］）の温度も低下する。つまり、それらの温度間に相関関係がある。
【００６７】
測温素子３１は対象温度の変化に対して自身の電気的特性が変化する素子であれば任意であり、測温回路３０は対象温度に応じた信号を原温度信号Ｓａとして生成及び出力する回路であれば任意である。例えば、測温素子３１として、測温抵抗体、リニア抵抗、サーミスタ又はダイオードを利用でき、半導体集積化回路として構成された温度センサを測温回路３０として利用しても良い。
【００６８】
但し、ここでは説明の具体化のため、原温度信号Ｓａはアナログの電圧信号であって、図８に示す如く、対象温度の上昇に伴って原温度信号Ｓａの電圧が単調に低下するものとする（但し、その逆であっても良い）。図８では、対象温度の変化に対し原温度信号Ｓａの変化が線形性を有している例が示されているが、それらの関係は非線形であり得る。また、以下では、特に記述無き限り、対象温度は対象トランジスタの温度であると考える。
【００６９】
図９に、測温回路３０の例である測温回路３０ａを示す。測温回路３０ａは、測温素子３１としてのサーミスタ３１ａと、固定された抵抗値を有する抵抗３２ａとの直列回路から成る。抵抗３２ａの一端に電源電圧ＶＣＣが印加され、サーミスタ３１ａの一端はグランドに接続される。抵抗３２ａ及びサーミスタ３１ａの他端同士が共通接続され、抵抗３２ａ及びサーミスタ３１ａの他端同士の接続ノードでの信号が原温度信号Ｓａとなる。サーミスタ３１ａとして負の温度特性を有するＮＴＣサーミスタを用いれば、図８に示したような特性が得られる。但し、正の温度特性を有するＰＴＣサーミスタを測温素子３１として用いる変形も可能である。
【００７０】
温度判定回路１３（図１参照）は、外部端子ＴＭ１に接続されて、測温回路３０からの原温度信号Ｓａを受ける。温度判定回路１３はアナログの原温度信号Ｓａに基づいてデジタルの判定温度信号Ｓｂを生成し、判定温度信号Ｓｂを制御ロジック１１に送る。制御ロジック１１は、判定温度信号Ｓｂに基づき、必要に応じて、実スルーレートをスルーレート指定データにて指定されたものより高める高温対応動作を実行する。
【００７１】
以下、高温対応動作を実現するための構成例、高温対応動作の具体例、ドライバＩＣ１０の変形技術などを説明する実施形態として、複数の実施形態を説明する。上述の基本実施形態にて述べた事項は、特に記述無き限り且つ矛盾無き限り、以下の各実施形態に適用され、後述の各実施形態において、基本実施形態で述べた事項と矛盾する事項については各実施形態での記載が優先されて良い。また矛盾無き限り、以下に示す複数の実施形態の内、任意の実施形態に記載した事項を、他の任意の実施形態に適用することもできる（即ち複数の実施形態の内の任意の２以上の実施形態を組み合わせることも可能である）。
【００７２】
尚、以下の説明において、実スルーレートとは、実スルーレートＳＲＵＰ及びＳＲＤＷＮの双方を指すものと解される。
【００７３】
［第１実施形態］
本発明に係る第１実施形態を説明する。図１０は第１実施形態に係る温度判定回路１３ａの回路図である。温度判定回路１３ａを図１の温度判定回路１３として用いることができる。温度判定回路１３ａは、比較器１３１と所定の基準電圧ＶＲＥＦを生成する基準電圧源１３２とを有する。比較器１３１の非反転入力端子に原温度信号Ｓａが入力され、比較器１３１の反転入力端子に基準電圧ＶＲＥＦが入力される。比較器１３１の出力信号が判定温度信号Ｓｂとなる。判定温度信号Ｓｂはローレベル又はハイレベルをとる二値信号である。
【００７４】
図１１に第１実施形態に係る高温対応動作を示す。図１１において“ＳＲＲＥＦ”は、スルーレート指定データにより指定されるスルーレート（ＳＲＵＰ、ＳＲＤＷＮ）を表し、これを基準スルーレートと称する。基準スルーレートＳＲＲＥＦは、第３１レートよりも低いスルーレートであるものとする（図５（ａ）及び（ｂ）参照）。スルーレート指定データにより指定されるスルーレートには、遷移動作ＶＧＵＰにおけるスルーレートＳＲＵＰと遷移動作ＶＧＤＷＮにおけるスルーレートＳＲＤＷＮとがあり、それらは互いに一致することもあるし、互いに不一致となることもあるが、以下では、特に断りなき限り、説明の簡略上、それらが一致すると考える。
【００７５】
対象温度が所定の判定温度ＴＴＨよりも低いとき、原温度信号Ｓａの電圧が基準電圧ＶＲＥＦよりも高くなることから判定温度信号Ｓｂはハイレベルとなり、対象温度が判定温度ＴＴＨよりも高いとき、原温度信号Ｓａの電圧が基準電圧ＶＲＥＦよりも低くなることから判定温度信号Ｓｂはローレベルとなる。但し、比較器１３１にはヒステリシスが設定されており、対象温度が判定温度ＴＴＨを上回ったことに対応して判定温度信号Ｓｂが一旦ローレベルとなった後には、対象温度が判定温度ＴＴＨよりも所定温度ΔＴだけ低い温度（ＴＴＨ−ΔＴ）以下となるまで（温度判定回路１３ａにとっては、原温度信号Ｓａの電圧が基準電圧ＶＲＥＦよりも所定電圧ΔＶだけ高い電圧（ＶＲＥＦ＋ΔＶ）以上となるまで）、判定温度信号Ｓｂのローレベルは維持されるものとする。尚、判定温度ＴＴＨは後述のシャットダウン温度よりも低い。
【００７６】
制御ロジック１１は、判定温度信号Ｓｂがハイレベルであるときには、高温対応動作を非実行にして原則通り、基準スルーレートＳＲＲＥＦを実スルーレートに設定するが、判定温度信号Ｓｂがローレベルであるときには、高温対応動作を実行して強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥを実スルーレートに設定する。ここで、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥは基準スルーレートＳＲＲＥＦよりも大きい。強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥは基準スルーレートＳＲＲＥＦを元に定められて良く、基準スルーレートＳＲＲＥＦが第ｊレートであるならば、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥは第（ｊ＋ｋ）レートとされて良い（但し、ｋは１以上の任意の整数であって且つ（ｊ＋ｋ）≦３１）。或いは、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥは、予め定められたレート（例えば最大のスルーレートである第３１レート）であっても良い。
【００７７】
スルーレートを低く抑えることで、ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）に関わる電波輻射の抑制等が図られる。一方で、スルーレートの低下は出力トランジスタの損失増加に繋がる。これらを比較考量して、ＭＰＵ２０から、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートを適切なものに指定することができる。一方、出力トランジスタの温度上昇が所定のシャットダウン温度に達するような状況下では、安全のため出力トランジスタのスイッチングを停止して、モータ４０の駆動を停止する必要がある。但し、モータ４０の駆動停止は可能な限り回避されるべきである。これを考慮し、本実施形態では、対象温度（出力トランジスタの温度）が相応に高くなったとき、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートを高いものへと強制的に変更する。この結果、電波輻射の増大が発生するが、出力トランジスタの発熱量が低下して、高温下でも限界までモータ４０の駆動を継続することが可能となる。
【００７８】
ドライバＩＣ１０内の回路として又はドライバＩＣ１０に外部接続される回路として、モータ駆動システム１内に、シャットダウン回路（不図示）が設けられていると良い。シャットダウン回路は、対象温度を監視して対象温度が所定のシャットダウン温度に達したとき、駆動制御信号ＰＷＭ１及びＰＷＭ２に関わらず、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］を強制的にオフに維持する。本発明に係るドライバ装置はシャットダウン回路を有していると考えても良い。
【００７９】
尚、基準電圧ＶＲＥＦは可変電圧であっても良く、ＭＰＵ２０が基準電圧ＶＲＥＦの値を指定できても良い。この場合、基準電圧ＶＲＥＦの変更を通じて判定温度ＴＴＨを変更することができる。
【００８０】
また、温度判定回路１３にてヒステリシスを設けないことも可能ではある（後述の他の実施形態でも同様）。但し、対象温度が判定温度ＴＴＨの近辺にあるときに、実スルーレートが頻繁に切り替わるのを防止するために、ヒステリシスを設けた方が好ましい。
【００８１】
また、基準スルーレートＳＲＲＥＦが第３１レートである場合には、判定温度信号Ｓｂのレベルに関係なく高温対応動作は実行されない（後述の他の実施形態でも同様）。
【００８２】
［第２実施形態］
本発明に係る第２実施形態を説明する。第１実施形態では、対象温度に応じて実スルーレートが２段階で可変設定されているが、対象温度に応じて実スルーレートが３段階以上で可変設定されるように良い。
【００８３】
図１２に対象温度に応じて実スルーレートが３段階で可変設定されるときの動作例を示す。図１２において、基準スルーレートＳＲＲＥＦは、第３０レートよりも低いスルーレートであるものとする（図５（ａ）及び（ｂ）参照）。図１２に示す動作例において、判定温度信号Ｓｂは“２”、“１”、“０”の値をとるデジタル信号である。特に図示しないが、第２実施形態に係る温度判定回路１３は、所定の基準電圧ＶＲＥＦ１及びＶＲＥＦ２を生成する基準電圧源と、原温度信号Ｓａの電圧を所定の基準電圧ＶＲＥＦ１及びＶＲＥＦ２の夫々と比較する比較器とを備え、原温度信号Ｓａの電圧と基準電圧ＶＲＥＦ１及びＶＲＥＦ２との大小関係に基づき、“２”、“１”又は“０”の値を持つ判定温度信号Ｓｂを出力する。ここで、“ＶＲＥＦ１＞ＶＲＥＦ２＞０”である。また、判定温度ＴＴＨ１よりも判定温度ＴＴＨ２の方が高く、判定温度ＴＴＨ２よりも上述のシャットダウン温度の方が高い。
【００８４】
対象温度が判定温度ＴＴＨ１よりも低いとき、原温度信号Ｓａの電圧は基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高くなることから判定温度信号Ｓｂの値は“２”となり、対象温度が所定の判定温度ＴＴＨ１よりも高いが所定の判定温度ＴＴＨ２よりも低いとき、原温度信号Ｓａの電圧は基準電圧ＶＲＥＦ１より低いが基準電圧ＶＲＥＦ２よりも高いことから判定温度信号Ｓｂの値は“１”となり、対象温度が判定温度ＴＴＨ２よりも高いとき、原温度信号Ｓａの電圧は基準電圧ＶＲＥＦ２よりも低くなることから判定温度信号Ｓｂの値は“０”となる。
【００８５】
但し、温度判定回路１３の比較器にはヒステリシスが設定されている。即ち、対象温度が判定温度ＴＴＨ２を上回ったことに対応して判定温度信号Ｓｂの値が一旦“０”となった後には、対象温度が判定温度ＴＴＨ２よりも所定温度ΔＴだけ低い温度（ＴＴＨ２−ΔＴ）以下となるまで（温度判定回路１３にとっては、原温度信号Ｓａの電圧が基準電圧ＶＲＥＦ２よりも所定電圧ΔＶだけ高い電圧（ＶＲＥＦ２＋ΔＶ）以上となるまで）、判定温度信号Ｓｂの値は“０”に維持される。また、対象温度が判定温度ＴＴＨ１を上回ったことに対応して判定温度信号Ｓｂの値が一旦“１”となった後には、対象温度が判定温度ＴＴＨ１よりも所定温度ΔＴだけ低い温度（ＴＴＨ１−ΔＴ）以下となるまで（温度判定回路１３にとっては、原温度信号Ｓａの電圧が基準電圧ＶＲＥＦ１よりも所定電圧ΔＶだけ高い電圧（ＶＲＥＦ１＋ΔＶ）以上となるまで）、判定温度信号Ｓｂの値の“２”への移行は禁止される。
【００８６】
制御ロジック１１は、判定温度信号Ｓｂの値が“２”であるときには、高温対応動作を非実行にして原則通り、基準スルーレートＳＲＲＥＦを実スルーレートに設定するが、判定温度信号Ｓｂの値が“１”であるときには、第１高温対応動作を実行して強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ１を実スルーレートに設定し、判定温度信号Ｓｂの値が“０”であるときには、第２高温対応動作を実行して強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ２を実スルーレートに設定する。ここで、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ１は基準スルーレートＳＲＲＥＦよりも大きく、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ２は強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ１よりも更に大きい。強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ１及びＳＲＦＯＲＣＥ２は基準スルーレートＳＲＲＥＦを元に定められて良く、基準スルーレートＳＲＲＥＦが第ｊレートであるならば、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ１は第（ｊ＋ｋ１）レートとされ且つ強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ２は第（ｊ＋ｋ２）レートとされて良い。ここで、ｋ１は１以上の任意の整数であり、ｋ２はｋ１よりも大きな２以上の任意の整数であり、且つ、“（ｊ＋ｋ２）≦３１”が満たされる。或いは、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥ１及びＳＲＦＯＲＣＥ２は予め定められたレートであっても良い（特に、強制スルーレートに関しては最大のスルーレートである第３１レートであっても良い）。
【００８７】
第２実施形態によれば、高温時に実スルーレートが必要に応じ段階的に高められるため、実スルーレートの必要以上の増大を抑制しつつ、高温下でも限界までモータ４０の駆動を継続することが可能となる。
【００８８】
尚、基準電圧ＶＲＥＦ１及びＶＲＥＦ２は可変電圧であっても良く、ＭＰＵ２０が基準電圧ＶＲＥＦ１及びＶＲＥＦ２の値を指定できても良い。この場合、基準電圧ＶＲＥＦ１及びＶＲＥＦ２の変更を通じて判定温度ＴＴＨ１及びＴＴＨ２を変更することができる。
【００８９】
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態を説明する。モータ４０は正転及び逆転の何れかを行うものであり、モータ４０を正転させる際には、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［４］にモータ４０の駆動用電流が流れるため出力トランジスタＭ［１］及びＭ［４］の発熱が大きくなり、モータ４０を逆転させる際には、出力トランジスタＭ［２］及びＭ［３］にモータ４０の駆動用電流が流れるため出力トランジスタＭ［２］及びＭ［３］の発熱が大きくなる。
【００９０】
これを考慮し、図１３に示す如く、測温素子３１として、正転用測温素子３１Ｆ及び逆転用測温素子３１Ｒを設けるようにしても良い。
【００９１】
正転用測温素子３１Ｆは、第１対象トランジスタの温度を第１対象温度として測定するための測温素子であって、例えば第１対象トランジスタに対して熱結合される。故に、第１対象温度と第１対象トランジスタの温度との間には相関関係がある。第１対象トランジスタは出力トランジスタＭ［１］及びＭ［４］の何れかであると解することができるが、モータ４０の正転時において、モータ４０の駆動用電流が流れることに伴って出力トランジスタＭ［１］及びＭ［４］の何れか一方が発熱すれば、同程度だけ他方も発熱することが想定されるため、出力トランジスタＭ［１］及びＭ［４］の夫々が第１対象トランジスタに相当すると考えても良い。
【００９２】
逆転用測温素子３１Ｒは、第２対象トランジスタの温度を第２対象温度として測定するための測温素子であって、例えば第２対象トランジスタに対して熱結合される。故に、第２対象温度と第２対象トランジスタの温度との間には相関関係がある。第２対象トランジスタは出力トランジスタＭ［２］及びＭ［３］の何れかであると解することができるが、モータ４０の逆転時において、モータ４０の駆動用電流が流れることに伴って出力トランジスタＭ［２］及びＭ［３］の何れか一方が発熱すれば、同程度だけ他方も発熱することが想定されるため、出力トランジスタＭ［２］及びＭ［３］の夫々が第２対象トランジスタに相当すると考えても良い。
【００９３】
第３実施形態に係る測温回路３０は、第１対象温度に応じた信号を第１原温度信号ＳａＦとして出力すると共に、第２対象温度に応じた信号を第２原温度信号ＳａＦとして出力する。第３実施形態において、外部端子ＴＭ１は外部端子ＴＭ１Ｆ及びＴＭ１Ｒを含み、信号ＳａＦ及びＳａＲが夫々外部端子ＴＭ１Ｆ及びＴＭ１Ｒに入力される。端子ＴＭ１Ｆ及びＴＭ１Ｒは互いに隣接した外部端子とすると良い。これにより、ドライバＩＣ１０内部及び外部において、信号ＳａＦ及びＳａＲを伝達する配線の引き回しの容易化が期待される。但し、端子ＴＭ１Ｆ及びＴＭ１Ｒ間に他の１以上の外部端子が介在することがあっても良い。
【００９４】
第３実施形態に係る温度判定回路１３は、第１原温度信号ＳａＦに基づき第１判定温度信号ＳｂＦを生成し、第２原温度信号ＳａＲに基づき第２判定温度信号ＳｂＲを生成する。第１原温度信号ＳａＦに基づき第１判定温度信号ＳｂＦを生成する方法、及び、第２原温度信号ＳａＲに基づき第２判定温度信号ＳｂＲを生成する方法は、第１又は第２実施形態に示した原温度信号Ｓａに基づき判定温度信号Ｓｂを生成する方法と同じである。
【００９５】
制御ロジック１１は、第１又は第２実施形態に示した判定温度信号Ｓｂに基づく実スルーレートの設定方法と同様の方法にて、第１判定温度信号ＳｂＦに基づき正転時における実スルーレートを設定して良く、第２判定温度信号ＳｂＲに基づき逆転時における実スルーレートを設定して良い。
【００９６】
［第４実施形態］
本発明に係る第４実施形態を説明する。測温回路３０にて出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の温度を個別に測定し、個別の測定結果から、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］のゲート電圧ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］のスルーレートを個別に制御するようにしても良い。
【００９７】
この場合、図１４に示す如く、測温素子３１として測温素子３１［１］〜３１［４］を設ける。任意の整数ｉに関し、測温素子３１［ｉ］は第ｉ対象トランジスタとしての出力トランジスタＭ［ｉ］の温度を第ｉ対象温度として測定するための測温素子であって、例えば出力トランジスタＭ［ｉ］に対して熱結合される。故に、第ｉ対象温度と出力トランジスタＭ［ｉ］の温度との間には相関関係がある。
【００９８】
第４実施形態に係る測温回路３０は、第１〜第４対象温度に応じた信号を第１〜第４原温度信号Ｓａ［１］〜Ｓａ［４］として出力する。第４実施形態において、外部端子ＴＭ１は４つの外部端子ＴＭ１＿［１］〜ＴＭ１＿［４］を含み、信号Ｓａ［１］〜Ｓａ［４］が夫々外部端子ＴＭ１＿［１］〜ＴＭ１＿［４］に入力される。端子ＴＭ１＿［１］〜ＴＭ１＿［４］は互いに隣接し合う連続した４つの外部端子であって良い。これにより、ドライバＩＣ１０内部及び外部において、信号Ｓａ［１］〜Ｓａ［４］を伝達する配線の引き回しの容易化が期待される。但し、端子ＴＭ１＿［１］〜ＴＭ１＿［４］間に他の１以上の外部端子が介在することがあっても良い。
【００９９】
第４実施形態に係る温度判定回路１３は、原温度信号ごとに判定温度信号を生成する。即ち、１以上４以下の各整数ｉについて、原温度信号Ｓａ［ｉ］に基づき判定温度信号Ｓｂ［ｉ］を生成する。原温度信号Ｓａ［ｉ］に基づき判定温度信号Ｓｂ［ｉ］を生成する方法は、第１又は第２実施形態に示した原温度信号Ｓａに基づき判定温度信号Ｓｂを生成する方法と同じである。
【０１００】
制御ロジック１１は、第１又は第２実施形態に示した判定温度信号Ｓｂに基づく実スルーレートの設定方法と同様の方法にて、出力トランジスタＭ［ｉ］ごとに、判定温度信号Ｓｂ［ｉ］に基づき出力トランジスタＭ［ｉ］のゲート電圧ＶＧ［ｉ］のスルーレートを設定して良い。この際、第１〜第４対象温度に応じて、ゲート電圧ＶＧ［ｉ］の実スルーレートはゲート電圧ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］間で異なり得ることになる。即ち例えば、第１実施形態に示した方法を利用した場合において、原温度信号Ｓａ［１］にて示される第１対象温度が判定温度ＴＴＨより低い一方で原温度信号Ｓａ［２］にて示される第２対象温度が判定温度ＴＴＨより大きいとき（図１１参照）、制御ロジック１１は、ゲート電圧ＶＧ［１］及びＶＧ［２］の実スルーレートが夫々基準スルーレートＳＲＲＥＦ及び強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥとなるように、個別駆動回路１２［１］及び１２［２］を制御することができる。
【０１０１】
［第５実施形態］
本発明に係る第５実施形態を説明する。直流モータをフルブリッジ回路（Ｈブリッジ回路）で駆動する構成例を上述したが、直流モータの駆動方式はこれに限定されない。例えば、図１５に示す如く、モータ４０として４つのモータ４０［１］〜４０［４］を駆動する回路構成が採用されて良い。
【０１０２】
図１５の構成では、１以上４以下の各整数ｉについて、電源電圧ＶＰＷＲが加わる端子と出力トランジスタＭ［ｉ］のドレインとの間にブラシ付き直流モータであるモータ４０［ｉ］が直列に挿入される。出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の各ソースはグランドに接続されると共にソース接続端子ＳＣＯＭに接続される。図１５の構成では、個別駆動回路１２［１］〜１２［４］に対する内部電源電圧は全て電圧Ｖｒｅｇであって良く、また、個別駆動回路１２［１］〜１２［４］に接続すべきソース接続端子は全てソース接続端子ＳＣＯＭとなる。
【０１０３】
尚、図１５の構成では、モータ４０［ｉ］から見て低電位側に出力トランジスタＭ［ｉ］が設けられているが、モータ４０［ｉ］から見て高電位側に出力トランジスタＭ［ｉ］が設けられるようにしても良い。この場合には、出力トランジスタＭ［ｉ］をＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴとしても良い。何れにせよ、モータ４０［ｉ］と出力トランジスタＭ［ｉ］が直列接続されて、モータ４０［ｉ］及び出力トランジスタＭ［ｉ］の直列回路に対し電源電圧ＶＰＷＲが印加され、出力トランジスタＭ［ｉ］がオンとされるときに出力トランジスタＭ［ｉ］を通じた電流がモータ４０［ｉ］に供給されることになる。
【０１０４】
個別駆動回路１２［１］〜１２［４］は、制御ロジック１１の制御の下で、個別に、対応するゲート電圧ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］をローレベル及びハイレベル間で切り替えることで、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］をスイッチング駆動する。図１５の構成を含む本実施形態で示した構成に対しては特に第４実施形態に示した方法が適用されて良く（図１４参照）、制御ロジック１１は、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の温度（対象温度）に応じた信号（原温度信号、判定温度信号）に基づき、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］のゲート電圧ＶＧ［１］〜ＶＧ［４］のスルーレートを個別に制御して良い。
【０１０５】
［第６実施形態］
本発明に係る第６実施形態を説明する。各出力トランジスタが内蔵されているタイプのドライバＩＣを構成しても良い。図１６に、図１のドライバＩＣ１０を変形したドライバＩＣ１０Ａの構成を示す。ドライバＩＣ１０Ａは、ドライバＩＣ１０の内部に出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］及び測温回路３０を内蔵させた構成を有し、特に述べない事項に関して、ドライバＩＣ１０ＡはドライバＩＣ１０と同様である。
【０１０６】
即ち、ドライバＩＣ１０Ａは、半導体集積回路を、樹脂にて構成された筐体（パッケージ）内に封入することで形成された電子部品である。そして、その半導体集積回路では、制御ロジック１１、ゲート駆動回路１２、温度判定回路１３、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］及び測温回路３０を含む回路群が半導体にて集積化され、その回路群が共通の筐体内に収められる。ドライバＩＣ１０Ａにおいては、端子Ｇ［１］〜Ｇ［４］、Ｓ［１］〜Ｓ［２］、ＳＣＯＭ及びＴＭ１は、ドライバＩＣ１０Ａの外部に対して露出した外部端子では無く、ドライバＩＣ１０Ａ内に存在する内部端子となる。代わりに、ドライバＩＣ１０Ａには外部端子ＴＭａ及びＴＭｂが設けられ、ドライバＩＣ１０Ａの外部において外部端子ＴＭａ及びＴＭｂ間にモータ４０が接続される。ドライバＩＣ１０Ａの内部において、ノードＮＤａ及びＮＤｂが夫々外部端子ＴＭａ及びＴＭｂに接続される。
【０１０７】
ドライバＩＣ１０Ａにおいて、測温素子３１を含む測温回路３０は、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の近傍に配置され、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］の温度（対象温度）に応じた原温度信号Ｓａを出力することになる。ドライバＩＣ１０Ａは複数のＩＣチップから構成されていても良く、この場合例えば、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］が形成されるＩＣチップと、測温回路３０が形成されるＩＣチップは、互いに異なるＩＣチップであっても良い。但し、それらのＩＣチップは共通の筐体内に収められて１つの電子部品を構成する。
【０１０８】
［第７実施形態］
本発明に係る第７実施形態を説明する。図１７に示す如く、自動車などの車両３００に対して本発明の実施形態に係るモータ駆動システム３１０を搭載することができる。モータ駆動システム３１０は、図１のモータ駆動システム１と同じものであって良いし、図１のモータ駆動システム１に対し、第５実施形態（図１５参照）又は第６実施形態（図１６参照）に示した変形を適用したものであって良い。
【０１０９】
モータ駆動システム３１０におけるモータ４０は、車両３００に搭載され且つモータを必要とする任意の車両部品に用いられ、当該車両部品としては、冷却用ファン、空気調和機、パワーウィンドウ及びスライドドアなどがある。ここにおける冷却用ファンは、車両３００に搭載された所定部品（バッテリ等）を冷却するためにあり、高温下でも限界まで冷却用ファンの駆動を継続することが望まれる。当該冷却用ファンにモータ駆動システム３１０を適用して当該冷却用ファンをモータ４０にて駆動すれば、高温下でも限界まで冷却用ファンの駆動を継続することが可能となる。
【０１１０】
［第８実施形態］
本発明に係る第８実施形態を説明する。第８実施形態では、上述の基本実施形態及び第１〜第７実施形態に適用可能な応用技術や変形技術を説明する。
【０１１１】
図１のモータ駆動システム１において、温度判定回路１３をドライバＩＣ１０の外部に設けるようにしても良い。この場合、図１のモータ駆動システム１において、ドライバＩＣ１０から温度判定回路１３が削除される一方で、ドライバＩＣ１０に対して温度判定回路１３が外付け接続されることになり、外部端子ＴＭ１（温度信号用端子）に対しては、原温度信号Ｓａの代わりに温度判定回路１３からの判定温度信号Ｓｂを入力すると良い。
【０１１２】
実スルーレートを３１段階で変更可能な構成を例示したが（図５（ａ）及び（ｂ）参照）、実スルーレートの変更可能な段階数は２以上であれば任意である。
【０１１３】
出力トランジスタＭ［ｉ］は負荷に対して直列接続され、出力トランジスタＭ［ｉ］を介して負荷に電流を流すことで、電力が負荷に供給されて負荷が駆動される。上述の各説明では、負荷が主として単相のブラシ付き直流モータ（４０）であることが想定されているが、本発明において、負荷は任意であり、例えば、三相直流モータなどの多相直流モータであっても良いし、ブラシレス直流モータであっても良いし、リレーやソレノイドであっても良い。
【０１１４】
出力トランジスタＭ［ｉ］はＭＯＳＦＥＴ以外の種類のトランジスタであっても良く、例えば、接合型ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）として構成されていても良い。但し、出力トランジスタＭ［ｉ］は、電圧制御型のトランジスタ（即ち、制御電極における電圧に応じて第１及び第２電極間に流れる電流が制御されるトランジスタ）とされると良い。任意のトランジスタは第１電極、第２電極及び制御電極を有する。ＦＥＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がドレインで他方がソースであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がゲートである。
【０１１５】
任意の信号又は電圧に関して、上述の主旨を損なわない形で、それらのハイレベルとローレベルの関係を逆にしても良い。
【０１１６】
［発明の考察］
上述の各実施形態にて具体化された本発明について考察する。
【０１１７】
本発明に係るドライバ装置Ｗは、負荷に対し直列に接続されるべき対象トランジスタをスイッチング駆動するドライバ装置（例えばドライバＩＣ１０又は１０Ａ）である。ドライバ装置Ｗは、前記対象トランジスタのゲート電圧を制御する回路であって、前記ゲート電圧を変化させる際の前記ゲート電圧のスルーレートを複数段階で変更可能に形成されたゲート駆動回路（例えば１２）と、前記対象トランジスタの温度と相関関係を持つ対象温度に応じた温度信号に基づき前記スルーレートを可変設定するスルーレート設定回路（例えば１１）と、を備えたことを特徴とする。
【０１１８】
これにより、対象温度が相応に高いとき通常よりもスルーレートを高めるといったことが可能となり、結果、高温下でも限界まで負荷の駆動を継続することが可能となる。
【０１１９】
上述の各実施形態において、ドライバ装置ＷはドライバＩＣ（１０、１０Ａ）そのものである。但し、ドライバ装置Ｗは、ドライバＩＣ（１０、１０Ａ）を少なくとも含み、出力トランジスタＭ［１］〜Ｍ［４］、ＭＰＵ２０及び測温回路３０の全部又は一部を更に含む装置であると考えることも可能である。ドライバ装置Ｗはゲートに対するドライバ装置であると考えることもできるし、負荷に対するドライバ装置であると考えることもできる。上述の各実施形態における制御ロジック１１は、ドライバ装置Ｗにおけるスルーレート設定回路を内包していると考えることができる。但し、ドライバ装置Ｗにおけるスルーレート設定回路は、制御ロジック１１及び温度判定回路１３を含む回路であると考えることも可能である。ドライバ装置Ｗに関する上記温度信号は、上述の各実施形態では原温度信号又は判定温度信号に対応する。
【０１２０】
より具体的には、ドライバ装置Ｗにおいて、前記ゲート駆動回路は、前記スルーレートを、第１レート及び前記第１レートよりも大きな第２レートを含む複数のレートの間で変更可能であり、前記スルーレート設定回路は、前記スルーレートが前記第１レートに設定されている状態において、前記対象温度の上昇を示す特定の変化が前記温度信号に生じたとき、前記スルーレートを前記第２レートに変更すると良い。
【０１２１】
上記特定の変化は、上述の各実施形態の原温度信号又は判定温度信号に生じる特定の変化であり、例えば図１１の動作例では、原温度信号Ｓａの電圧が基準電圧ＶＲＥＦより高い状態から基準電圧ＶＲＥＦより低い状態へ移行する変化である、或いは、判定温度信号Ｓｂのハイレベルからローレベルへの変化である。図１１の動作例において、第１レート、第２レートは、夫々、基準スルーレートＳＲＲＥＦ、強制スルーレートＳＲＦＯＲＣＥに対応する。
【０１２２】
本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本発明の実施形態の例であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。
【符号の説明】
【０１２３】
１    モータ駆動システム
１０  ドライバＩＣ
１１  制御ロジック
１２  ゲート駆動回路
１３  温度判定回路
３０  測温回路
４０  モータ
Ｍ［１］〜Ｍ［４］  出力トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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