(57)【要約】【課題】光取出し性及び信頼性に優れた発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光装置１０Ａは、発光素子４０と、素子配置部２１Ａと第１ワイヤ接合部２２Ａとを有する第１リード２０Ａと、第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を有する第２リード２０Ｂと、固定部材２０Ｃと、を有する基体２０と、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に設けられる枠体５０と、素子配置部２１Ａの上面を覆う銀を主成分とする銀めっき層３２と、第１ワイヤ接合部２２Ａの上面と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面とを少なくとも覆う金を主成分とする金めっき層３１と、第１ワイヤ６１と、第２ワイヤ６２と、を備え、上面視において、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、枠体５０は、銀めっき層３２の端部と第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２とを覆う位置に設けられる。【選択図】図１
2020170737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を配置する素子配置部と前記素子配置部と同一面にある第１ワイヤ接合部とを有する第１リードと、第２ワイヤ接合部を有する第２リードと、前記第１リードと前記第２リードを固定する固定部材と、を有する基体と、
前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられる枠体と、
前記素子配置部の上面を覆う銀を主成分とする銀めっき層と、
前記第１ワイヤ接合部の上面と前記第２ワイヤ接合部の上面とを少なくとも覆う金を主成分とする金めっき層と、
前記発光素子と前記第１ワイヤ接合部とを電気的に接続する第１ワイヤと、前記発光素子と前記第２ワイヤ接合部とを電気的に接続する第２ワイヤと、
を備え、
上面視において、前記銀めっき層は、前記素子配置部の端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、
前記枠体は、前記銀めっき層の端部と前記第１ワイヤ接合部及び前記第２ワイヤ接合部とを覆う位置に設けられる発光装置。
【請求項２】
前記銀めっき層の厚みは、前記発光素子が配置される中央部よりも端部が薄い請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記銀めっき層は、その端部全外周が前記枠体に覆われる請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記素子配置部において、前記銀めっき層が覆われていない領域は、前記金めっき層が覆われている請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記枠体は、前記第１ワイヤの一部及び前記第２ワイヤの一部を覆う請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
上面視において、前記素子配置部が八角形の部分を有し、前記銀めっき層は相似形の八角形である請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
断面視において、前記枠体で覆われている前記銀めっき層と前記金めっき層とが、前記銀めっき層の端部と前記金めっき層の上面とで段差部を形成して接合される請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
断面視において、前記枠体で覆われる前記銀めっき層の幅は、前記枠体の底部の幅に対して１０〜８０％である請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
上面視において、前記枠体の外側に露出する前記第１リードと前記第２リードは、その上面が前記金めっき層で覆われている請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記枠体の内側に設けられ、前記発光素子の側面の一部と前記枠体の内側面の一部と前記銀めっき層の上面とを覆う、反射材を含有する反射部材をさらに備え、
前記反射部材は、前記反射材が堆積された下層と、前記反射材が含有されない樹脂で構成された上層と、を備える請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記枠体の内側に設けられ、前記発光素子の上面と前記銀めっき層の上面とを覆う、蛍光体を含有する蛍光部材をさらに備える請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記枠体の少なくとも一部と前記発光素子とを覆い、レンズ機能を有するレンズ部材をさらに備える請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１３】
発光素子を配置する素子配置部と第１ワイヤ接合部とを有する第１リードと、第２ワイヤ接合部を有する第２リードと、前記第１リードと前記第２リードを固定する固定部材と、を有し、
少なくとも前記第１ワイヤ接合部の上面と前記第２ワイヤ接合部の上面とに金を主成分とする金めっき層を設けると共に、前記素子配置部の上面に、上面視において前記素子配置部の端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、銀を主成分とする銀めっき層を設けた基体を準備する準備工程と、
前記素子配置部の上面に前記発光素子を配置する配置工程と、
前記発光素子と前記第１ワイヤ接合部とを第１ワイヤにて電気的に接続し、前記発光素子と前記第２ワイヤ接合部とを第２ワイヤにて電気的に接続する接合工程と、
前記発光素子を囲み、前記銀めっき層の端部と前記第１ワイヤ接合部及び前記第２ワイヤ接合部を覆うように前記基体の上面に枠体を設ける枠体形成工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記枠体形成工程の後に、前記枠体の内側に反射材と樹脂からなる反射部材を注入し、前記基体に公転による遠心力をかけ、前記反射部材を、前記反射材を含有する下層と、前記反射材を含有しない上層と、に分離する反射部材分離工程をさらに含む請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記枠体形成工程の後に、前記枠体の内側に蛍光体を含有する蛍光部材を充填する蛍光部材形成工程をさらに含む請求項１３又は１４に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１６】
前記枠体形成工程の後に、前記枠体の少なくとも一部と前記発光素子とを覆いレンズ機能を有するレンズ部材を設けるレンズ部材形成工程をさらに含む請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１７】
前記枠体形成工程は、前記枠体が前記銀めっき層の端部に沿って端部全周を覆う請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードまたはレーザーダイオードのような発光素子を用いた発光装置は、屋外照明、室内照明等の一般照明、車載用光源、液晶ディスプレイのバックライト等を含む多くの分野で用いられている。
発光装置としては、リードの上面に配置された発光素子と、発光素子の周囲を取り囲む樹脂枠と、樹脂枠内に充填され、発光素子を封止する第一封止樹脂と、樹脂枠及び第一封止樹脂を覆う第二封止樹脂と、を備える発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−２０９６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発光装置においては、用途が広がるにつれて、光取出し性及び信頼性をさらに向上させることが求められている。
そこで、本開示に係る実施形態は、光取出し性及び信頼性に優れた発光装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本開示の実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子を配置する素子配置部と前記素子配置部と同一面にある第１ワイヤ接合部とを有する第１リードと、第２ワイヤ接合部を有する第２リードと、前記第１リードと前記第２リードを固定する固定部材と、を有する基体と、前記発光素子を囲むように、前記基体の上面に設けられる枠体と、前記素子配置部の上面を覆う銀を主成分とする銀めっき層と、前記第１ワイヤ接合部の上面と前記第２ワイヤ接合部の上面とを少なくとも覆う金を主成分とする金めっき層と、前記発光素子と前記第１ワイヤ接合部とを電気的に接続する第１ワイヤと、前記発光素子と前記第２ワイヤ接合部とを電気的に接続する第２ワイヤと、を備え、上面視において、前記銀めっき層は、前記素子配置部の端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、前記枠体は、前記銀めっき層の端部と前記第１ワイヤ接合部及び前記第２ワイヤ接合部とを覆う位置に設けられる。
【０００６】
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子を配置する素子配置部と第１ワイヤ接合部とを有する第１リードと、第２ワイヤ接合部を有する第２リードと、前記第１リードと前記第２リードを固定する固定部材と、を有し、少なくとも前記第１ワイヤ接合部の上面と前記第２ワイヤ接合部の上面とに金を主成分とする金めっき層を設けると共に、前記素子配置部の上面に、上面視において前記素子配置部の端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、銀を主成分とする銀めっき層を設けた基体を準備する準備工程と、前記素子配置部の上面に前記発光素子を配置する配置工程と、前記発光素子と前記第１ワイヤ接合部とを第１ワイヤにて電気的に接続し、前記発光素子と前記第２ワイヤ接合部とを第２ワイヤにて電気的に接続する接合工程と、前記発光素子を囲み、前記銀めっき層の端部と前記第１ワイヤ接合部及び前記第２ワイヤ接合部を覆うように前記基体の上面に枠体を設ける枠体形成工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の実施形態に係る発光装置及びその製造方法によれば、光取出し性及び信頼性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】第１実施形態において金めっき層の他の形態を示し、図２に対応する断面図である。
【図５】第1実施形態において金めっき層の他の形態を示し、図３に対応する断面図である。
【図６】第１実施形態に係る発光装置において、金めっき層、銀めっき層、発光素子及び枠体を省略して描いた平面図である。
【図７Ａ】第１実施形態に係る発光装置において、発光素子及び枠体を省略して描いた平面図である。
【図７Ｂ】第１実施形態において銀めっき層の他の形態を示し、図７Ａに対応する平面図である。
【図７Ｃ】第１実施形態において銀めっき層の他の形態を示し、図７Ａに対応する平面図である。
【図８Ａ】第１実施形態に係る発光装置において、枠体を省略して描いた平面図である。
【図８Ｂ】第１実施形態において第１ワイヤの接合箇所の他の形態を示し、図８Ａに対応する平面図である。
【図９】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１０Ａ】図７ＡのＸＡ−ＸＡ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の準備工程において金めっき層及び銀めっき層を設けた基体を模式的に示す断面図である。
【図１０Ｂ】図８ＡのＸＢ−ＸＢ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の配置工程及び接合工程において、発光素子を配置、第１ワイヤ及び第２ワイヤを接合した基体を模式的に示す断面図である。
【図１１】第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示し、図２に対応する断面図である。
【図１２】第２実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１３】第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示し、図２に対応する断面図である。
【図１４】第３実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図１５】第４実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示し、図２に対応する断面図である。
【図１６】第４実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施形態に係る発光装置及び発光装置の製造方法を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。
【００１０】
［第１実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第１実施形態に係る発光装置について説明する。
図１は、第１実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。図４は、第１実施形態において金めっき層の他の形態を示し、図２に対応する断面図である。図５は、第１実施形態において金めっき層の他の形態を示し、図３に対応する断面図である。図６は、第１実施形態に係る発光装置において、金めっき層、銀めっき層、発光素子及び枠体を省略して描いた平面図である。図７Ａは、第１実施形態に係る発光装置において、発光素子及び枠体を省略して描いた平面図である。図７Ｂは、第１実施形態において銀めっき層の他の形態を示し、図７Ａに対応する平面図である。図７Ｃは、第１実施形態において銀めっき層の他の形態を示し、図７Ａに対応する平面図である。図８Ａは、第１実施形態に係る発光装置において、枠体を省略して描いた平面図である。図８Ｂは、第１実施形態において第１ワイヤの接合箇所の他の形態を示し、図８Ａに対応する平面図である。
【００１１】
図１〜図８Ａ、図８Ｂに示すように、発光装置１０Ａは、発光素子４０と、発光素子４０を配置する素子配置部２１Ａと素子配置部２１Ａと同一面にある第１ワイヤ接合部２２Ａとを有する第１リード２０Ａと、第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を有する第２リード２０Ｂと、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂを固定する固定部材２０Ｃと、を有する基体２０と、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に設けられる枠体５０と、素子配置部２１Ａの上面を覆う銀を主成分とする銀めっき層３２と、第１ワイヤ接合部２２Ａの上面と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面とを少なくとも覆う金を主成分とする金めっき層３１と、発光素子４０と第１ワイヤ接合部２２Ａとを電気的に接続する第１ワイヤ６１と、発光素子４０と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２とを電気的に接続する第２ワイヤ６２と、を備え、上面視において、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、枠体５０は、銀めっき層３２の端部と第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２とを覆う位置に設けられる。以下、各構成について説明する。
【００１２】
（発光素子、第１ワイヤ、第２ワイヤ）
図１〜図５に示すように、発光素子４０は、第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａの上面に、銀めっき層３２及び金めっき層３１を介して配置、又は、銀めっき層３２を介して配置される。発光素子４０は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、上面に発光面を有する。素子配置部２１Ａの上面に配置される発光素子４０の個数は、特に限定されない。図面においては２個の発光素子４０が素子配置部２１Ａの上面に配置されているが、１個又は３個以上の発光素子４０が素子配置部２１Ａの上面に配置されていてもよい。
【００１３】
発光素子４０は、基体２０側に配置されるサファイア等からなる素子基板４１と、素子基板４１に設けられた窒化物半導体等から構成される半導体層４２と、を備えることが好ましい。発光素子４０の発光波長は、可視域（３８０〜７８０ｎｍ）を含め、紫外域から赤外域まで選択することができる。例えば、ピーク波長４３０〜４９０ｎｍの発光素子４０では、窒化物半導体として、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等を用いることができる。また、発光素子４０はサブマウントを介して第１リード２０Ａの上面に配置されてもよい。
【００１４】
発光素子４０の形状は、上面視で、三角形、四角形、六角形等の多角形、又はこれらに近似する形状等、任意の形状でよい。また、発光素子４０は、同じ面側にｎ電極４３及びｐ電極４４が形成された片面電極の構成、あるいは、ｎ電極４３とｐ電極４４が異なる２つの面（例えば上面と下面）に各々形成された両面電極の構成であってもよい。発光素子４０のｎ電極４３は第１ワイヤ６１を介して第１ワイヤ接合部２２Ａの金めっき層３１に接続され、ｐ電極４４は第２ワイヤ６２を介して第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の金めっき層３１に接続される。なお、発光素子４０のｎ電極４３とｐ電極４４とは、それぞれ第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとに直接接続される構成であってもよい。また、２つの発光素子４０では、素子間の接続、すなわち一方の発光素子４０のｐ電極４４と他方の発光素子４０のｎ電極４３との接続には、第３ワイヤ６３を用いる。第１〜第３ワイヤ６１〜６３には、金、アルミニウム、銅、銀等の導電性に優れた金属材料を用いることができる。
【００１５】
発光素子４０が片面電極の場合は、第１リード２０Ａに配置される銀めっき層３２を介してフェイスアップ実装される。フェイスアップ実装とは、発光素子４０の電極形成面と反対側の面を基体２０に向けて実装する形態である。発光素子４０と銀めっき層３２の接合部材は、絶縁性の接合部材でも導電性の接合部材でもよく、公知の接合部材を用いることができる。例えば、絶縁性の接合部材としてはエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらの変性樹脂等が挙げられ、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
発光素子４０が両面電極の場合は、発光素子４０と銀めっき層３２との接合部材として、導電性の接合部材であればよく公知の接合部材を用いてよい。例えば、導電性の接合部材としては銀、金、パラジウム等の導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ共晶等の半田、低融点金属等のろう材等が挙げられる。
【００１６】
（基体）
図６に示すように、基体２０は、第１リード２０Ａと、第２リード２０Ｂと、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとを離間した状態で固定する固定部材２０Ｃと、を有している。第１リード２０Ａの上面、第２リード２０Ｂの上面及び固定部材２０Ｃの上面が同一平面状とすることができる。また、第１リード２０Ａの下面、第２リード２０Ｂの下面及び固定部材２０Ｃの下面が同一平面状とすることができる。
第１リード２０Ａは、例えば、基体２０の中央にほぼ多角形に形成され、発光素子４０の実装領域を含む素子配置部２１Ａと、基体２０の一端側に配置される端子部２３Ａと、素子配置部２１Ａと端子部２３Ａとを接続し、発光素子４０と第１ワイヤ６１を介して電気的に接続する第１ワイヤ接合部２２Ａが設けられた連結部２４Ａと、を有している（図８Ａ参照）。なお、第１ワイヤ接合部２２Ａは、連結部２４Ａに設けず、素子配置部２１Ａの発光素子４０の実装領域を除く端部外周側、すなわち、銀めっき層３２が設けられる領域ではなく金めっき層３１が設けられる領域に設けられてもよい（図８Ｂ参照）。連結部２４Ａの幅Ｗ２２は、素子配置部２１Ａの幅Ｗ２１及び端子部２３Ａの幅Ｗ２３よりも狭くなるように形成されている。端子部２３Ａの幅Ｗ２３は、素子配置部２１Ａの幅Ｗ２１よりも広く基体２０と同等に形成されている。ここで、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂにおいて、幅とは、素子配置部２１Ａから連結部２４Ａが延伸する方向に直交する方向の最大長さをいう。
また、素子配置部２１Ａは、上面視において八角形の部分を有する。そして、素子配置部２１Ａは、第１ワイヤ接合部２２Ａの幅Ｗ２２と同じ長さの第１辺２１Ａ１と、第１辺２１Ａ１に平行でかつ対向する第２辺２１Ａ２と、第１辺２１Ａ１及び第２辺２１Ａ２に直交する第３辺２１Ａ３と、第１辺２１Ａ１及び第２辺２１Ａ２に直交し第３辺２１Ａ３と対向する第４辺２１Ａ４と、第１辺２１Ａ１と第３辺２１Ａ３とを結ぶ傾斜した第５辺２１Ａ５と、第１辺２１Ａ１と第４辺２１Ａ４とを結ぶ傾斜した第６辺２１Ａ６と、第２辺２１Ａ２と第３辺２１Ａ３とを結ぶ傾斜した第７辺２１Ａ７と、第２辺２１Ａ２と第４辺２１Ａ４とを結ぶ傾斜した第８辺２１Ａ８と、を有している。さらに、素子配置部２１Ａは、第３辺２１Ａ３及び第４辺２１Ａ４に辺から突出して形成された凸部を有している。これにより、固定部材２０Ｃと第１リード２０Ａとの保持力が高まる。
【００１７】
第２リード２０Ｂと素子配置部２１Ａの第２辺２１Ａ２との間隔は、第２リード２０Ｂと第７辺２１Ａ７又は第８辺２１Ａ８との間隔よりも大きく配置されている。第２リード２０Ｂと第７辺２１Ａ７との間隔は、第２リード２０Ｂと第８辺２１Ａ８との間隔と同じである。また、第２リード２０Ｂは、端子部２３Ａの幅Ｗ２３とほぼ同じ幅の端子部２０Ｂ３を有し、端子部２０Ｂ３の長軸方向の一端部と他端部には素子配置部２１Ａ側に屈曲して面積が広くなる屈曲部が形成されている。一方の屈曲部は保護素子４５を配置する素子配置部２０Ｂ１であり、他方の屈曲部は発光素子４０と第２ワイヤ６２を介して電気的に接続する第２ワイヤ接合部２０Ｂ２である。
【００１８】
上面視において、第１リード２０Ａの面積が第２リード２０Ｂの面積より大きい方が好ましい。第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａの上面には発光素子４０が配置されるので、第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａの面積が大きいことで、発光素子４０で発生した熱を第１リード２０Ａに伝導しやすくなる。これにより、発光素子４０の温度上昇を抑制できるので発光装置１０の信頼性を向上できる。
【００１９】
第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂの端面は凹部あるいは凸部を備えることが好ましい。第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂと、固定部材２０Ｃと、が接触する箇所に凹部あるいは凸部を備えることで、第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂと、固定部材２０Ｃと、の接触面積を大きくすることができる。これにより、第１リード２０Ａ及び／又は第２リード２０Ｂと固定部材２０Ｃとの密着性を向上させることができる。
【００２０】
第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、発光素子４０等の電子部品に外部電源からの電圧を印加するために用いられる。第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、熱伝導率の比較的大きな材料で形成することが好ましい。例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上の熱伝導率を有している材料を用いることにより、発光素子４０で発生した熱を第１リード２０Ａに伝導しやすくなる。
【００２１】
第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂは、打ち抜き加工や切断加工等が容易な強度の高い材料で形成されることが好ましい。例えば、銅、アルミニウム、タングステン、鉄、ニッケル等の金属又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅等の単層又は積層体を基材とすることができる。なお、金属層は、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂの全面に設けられてもよいし、部分的に設けられてもよい。また、金属層は、片方のリードのみに設けられてもよい。なお、第１リード２０Ａ及び第２リード２０Ｂの厚み及び形状は、当該分野で公知の範囲において適宜設定することができる。
【００２２】
固定部材２０Ｃは、第１リード２０Ａの周りと、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間と、第２リード２０Ｂの一端部と他端部の周りとに設けられて、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとを固定する。この固定部材２０Ｃは、例えば、第２辺２１Ａ２と端子部２０Ｂ３との間に成形樹脂を注入して、第１リード２０Ａの周りと、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間と、第２リード２０Ｂの一端部と他端部の周りとに成形樹脂を充填することにより形成される。このように、樹脂注入部から成形樹脂を注入することにより、樹脂注入部から離れた、例えば、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間の領域にも容易に成形樹脂を充填することができる。また、第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａの形状をほぼ多角形とし、角の部分に傾斜した第５辺２１Ａ５、第６辺２１Ａ６、第７辺２１Ａ７及び第８辺２１Ａ８を設けているので、第１リード２０Ａの周りと、第２リード２０Ｂと第１リード２０Ａとの間と、第２リード２０Ｂの一端部と他端部の周りとに成形樹脂を導きやすくなる。
【００２３】
固定部材２０Ｃの材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＢＴレジン、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、不飽和ポリエステル等の樹脂が挙げられ、セラミックスでもよい。これらの材料に、当該分野で公知の着色剤、充填剤、強化繊維等を含有させてもよい。着色剤として、酸化チタン、酸化亜鉛等の白色のフィラーを用いると発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、熱放射係数の大きいカーボンブラック等の黒色フィラーを含有させることにより、発光素子４０からの熱を効率的に逃がすことができ、さらに、樹脂の強度を高めることができる。充填剤としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等が挙げられる。強化繊維としては、ガラス、珪酸カルシウム、チタン酸カリウム等が挙げられる。
【００２４】
（金めっき層）
図１〜図３、図７Ａ〜７Ｃに示すように、金めっき層３１は、第１ワイヤ接合部２２Ａの上面と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面とを少なくとも覆い、金を主成分とするめっき層である。これにより、発光素子４０が配置される際や発光装置１０Ａを駆動する際に生じる腐食ガスによって硫化しない金めっき層３１に、第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２が接合されるため、第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２の硫化を抑制することができる。
【００２５】
金めっき層３１は、第１リード２０Ａの上面の全部と、第２リード２０Ｂの上面の全部とを覆うことが好ましい。具体的には、金めっき層３１は、第１ワイヤ接合部２２Ａだけでなく、素子配置部２１Ａの上面、及び、上面視において枠体５０の外側に露出する端子部２３Ａの上面を覆い、かつ、第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面だけでなく、上面視において枠体５０の外側に露出する素子配置部２０Ｂ１及び端子部２０Ｂ３の上面を覆うことが好ましい。これにより、金めっき層３１のめっき作業性が向上する。
図４、図５に示すように、素子配置部２１Ａの上面には、銀めっき層３２のみを設けてもよい。銀めっき層３２のみを設ける場合であれば、めっき層を複数設ける場合と比べて、最表面の平坦性が良好となるため、発光素子４０の基体２０への安定した配置が確保できる。なお、素子配置部２１Ａにおいて、銀めっき層３２で覆われていない領域については、金めっき層３１を設けることが好ましい。これにより、第１リード２０Ａの母材材料の硫化を抑制することができる。また、後述するが、保護素子４５と接合する第４ワイヤ６４が金めっき層３１に接合できるため、第４ワイヤ６４の硫化を抑制することができる。
【００２６】
金めっき層３１は、金層の単層だけでなく、めっきコスト及び基体２０との接合性を考慮して、第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２側の最表面が金層で構成された積層体であってもよい。例えば、金めっき層３１は、金層／パラジウム層／ニッケル層である。そして、金層は、第１ワイヤ６１又は第２ワイヤ６２側に配置される層で、ワイヤの硫化を抑制する層である。ニッケル層は、基体２０側に配置される層で、基体２０との接合を強化する層である。パラジウム層は、金層とパラジウム層の接合を強化する層である。
金めっき層３１の膜厚は、第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２と接合でき、基体２０と接合できる膜厚がよく、０．００１μｍ〜０．１μｍ程度が好ましく、０．００１μｍ〜０．０１μｍ程度がより好ましい。
【００２７】
（銀めっき層）
図１〜図５、図７Ａ〜７Ｃに示すように、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの上面を覆い、銀を主成分とするめっき層である。銀めっき層３２は、金めっき層３１を枠状に残して金めっき層３１の上面を覆っている。これにより、発光素子４０からの光が銀めっき層３２で反射されるため、発光装置１０Ａの光取出し性が向上する。また、上面視において、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの端部外周の少なくとも一部から内側に離れている。より好ましくは、上面視において、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａにおける固定部材２０Ｃと接する領域（第２辺２１Ａ２〜第８辺２１Ａ８、図６参照）から内側に離れているのが良い。これにより、銀めっき層３２の端部を素子配置部２１Ａの端部から離しているため、第１リード２０Ａと固定部材２０Ｃとの隙間から腐食ガスの侵入があったとしても銀めっき層３２が硫化することを抑制できる。具体的には、上面視において、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの端部外周から１００μｍ〜１５０μｍ離れていることが好ましい。銀めっき層３２の銀含有量は、光取出し性を向上させる観点から８０質量％以上であることが好ましく、１００質量％以下であることが好ましい。
なお、図７Ａに示すように、上面視において、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの第１辺２１Ａ１〜第８辺２１Ａ８（図６参照）から内側に離れていれば上記と同様の効果を得ることができる。
【００２８】
銀めっき層３２は、その端部全外周が枠体５０に覆われることが好ましい。これにより、銀めっき層３２の端部が腐食ガスにさらされることを枠体５０によって妨げることができるため、銀めっき層３２の硫化がさらに抑制できる。
【００２９】
上面視において、銀めっき層３２の形状は、素子配置部２１Ａの形状に相似する相似形の多角形、好ましくは八角形であることが好ましい。また、銀めっき層３２の端部外周のそれぞれの一辺は、その一辺と対面する素子配置部２１Ａの端部外周のそれぞれの一辺と平行であることが好ましい。これにより、円形の銀めっき層３２と比べて、銀めっき層３２と枠体５０との接触面積が大きくなるため、銀めっき層３２と枠体５０との密着性が向上し、銀めっき層３２から枠体５０が剥離することを抑制できる。
【００３０】
図７Ａに記載した銀めっき層３２の形状は、素子配置部２１Ａの第１辺２１Ａ１〜第８辺２１Ａ８から内側に離れた形状であるが、図７Ｂに記載するように銀めっき層３２における素子配置部２１Ａの第１辺２１Ａ１側の領域が素子配置部２１Ａの第１辺２１Ａ１から内側に離れていない形状でも良い。すなわち、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置されている。
また、図７Ｃに記載するように銀めっき層３２における素子配置部２１Ａの第１辺２１Ａ１側の領域は、第１ワイヤ６１が接合する箇所に重ならない範囲で第１ワイヤ接合部２２Ａ（連結部２４Ａ）内に延在する形状でも良い。すなわち、銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置されている。
【００３１】
枠体５０で覆われている銀めっき層３２と金めっき層３１とが、銀めっき層３２の端部と金めっき層３１の上面とで段差部を形成して接合されるように設けられていることが好ましい。これにより、銀めっき層３２と枠体５０との密着性がさらに向上し、銀めっき層３２から枠体５０が剥離することをさらに抑制できる。
【００３２】
枠体５０で覆われる銀めっき層３２の幅Ｗ３（図２、図３参照）は、素子配置部２１Ａ及び第１ワイヤ接合部２２Ａを覆う枠体５０の底部の幅Ｗ１（図２参照）に対して、銀めっき層３２と枠体５０との密着性を向上させる観点から１０％以上であることが好ましい。また、銀めっき層３２の幅Ｗ３は、枠体５０の幅Ｗ１に対して、第１ワイヤ６１と金めっき層３１との接合の妨げにならない８０％以下であることが好ましい。なお、銀めっき層３２の幅Ｗ３は、第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を覆う枠体５０の底部の幅Ｗ２（図３参照）に対しても、幅Ｗ１と同様に１０〜８０％であることが好ましい。なお、枠体５０で覆われる銀めっき層３２の幅Ｗ３は、周方向に対して一律である必要はなく、幅が大きい箇所と幅が小さい箇所が交互になるようになっていても良い。
【００３３】
銀めっき層３２の膜厚は、発光素子４０からの光を有効に反射させる膜厚であればよく、２ｎｍ〜５μｍ程度が好ましく、３μｍ〜５μｍ程度がより好ましい。
銀めっき層３２の厚みは、発光素子４０が配置される中央部よりも端部が薄いことが好ましい。言い換えれば、銀めっき層３２の厚みは、端部よりも発光素子４０が配置される中央部が厚いことが好ましい。これにより、発光素子４０からの光が銀めっき層３２で効率よく反射されるため、発光装置１０Ａの光取出し性を向上させることができる。なお、銀めっき層３２は、厚みが薄い箇所が硫化しやすい。しかしながら、本発明においては、厚みの薄い銀めっき層３２の端部は枠体５０で覆われているため、銀めっき層３２の硫化が抑制されることになる。
【００３４】
（枠体）
図１〜図５に示すように、枠体５０は、発光素子４０を囲むように、基体２０の上面に設けられた環状の枠体である。枠体５０の内縁と外縁の形状は、上面視において円形状、楕円形状、正方形、六角形、八角形等の多角形状、多角形状の角部を面取りした形状等、様々な形状にしてもよい。枠体５０は、枠体５０の元となる未硬化の原料を、枠体５０を形成したい領域に配置し、当該原料を硬化させることにより形成することができる。
【００３５】
枠体５０は、銀めっき層３２の端部と第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２とを覆う位置、好ましくは、第１ワイヤ６１の一部及び第２ワイヤ６２の一部を覆う位置に設けられる。そのため、枠体５０は、第１リード２０Ａと固定部材２０Ｃとの連結部を覆うように、境界上に設けられている。すなわち、枠体５０の内側に第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａのみが露出し、枠体５０の内側に固定部材２０Ｃが露出しないように設けられることが好ましい。枠体５０が銀めっき層３２の端部を覆うことによって、銀めっき層３２の端部の硫化を抑制することができる。また、枠体５０と金めっき層３１は接合力が高くないので、枠体５０との接合力が高い銀めっき層３２を枠体５０内に設けることによって、枠体５０と金めっき層３１及び銀めっき層３２との密着性を高めることができる。さらに、枠体５０が第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を覆うことによって、外力による第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２のダメージが低減され、ワイヤの断線等を抑制することができる。
【００３６】
枠体５０の断面視における底部の幅Ｗ１，Ｗ２（図２、図３参照）は、枠体５０の内側に第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａが配置され、枠体５０の外側に第１リード２０Ａ（端子部２３Ａ）及び第２リード２０Ｂ（端子部２０Ｂ３）と固定部材２０Ｃの一部とが配置されるように、適宜設定される。なお、枠体５０の原料注入部となる第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を覆う領域の幅Ｗ２は、その領域以外の第１ワイヤ接合部２２Ａを覆う領域を含む領域の幅Ｗ１よりも大きく形成することができる。
さらに、枠体５０の断面形状は、特に限定されず、部分円を含む円形状、部分楕円を含む楕円形状、矩形形状等の様々な形状を有することができ、半楕円形状が好ましい。また、枠体５０の断面形状は、外側面と内側面が対称の形状でも良いし、非対称の形状にすることもできる。非対称の場合、枠体５０の外側面の傾斜具合を内側面の傾斜具合より緩やかにしても良い。
【００３７】
枠体５０を構成する材料としては、ガスバリア性が高い材料が好ましく、例えば、樹脂、セラミックス、表面が絶縁コートされた金属体等が挙げられる。樹脂材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジンやＰＰＡやシリコーン樹脂等で、フェニルシリコーン樹脂が好ましい。これにより、第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２の断線、銀めっき層３２の硫化をさらに抑制することができる。
【００３８】
枠体５０は、母材樹脂に、発光素子４０からの光を吸収しにくく、かつ、母材樹脂に対する屈折率差の大きい反射部材等の粉末を分散することで、効率よく発光素子４０からの光を反射させることができる。反射部材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。枠体５０は、発光素子４０からの光に対する反射率が６０％以上、好ましくは９０％以上の部材である。酸化チタン等の反射部材の充填量は樹脂流動性などの成形条件によって適宜選択されるが、例えば、酸化チタンを用いる場合は、好ましくは２０〜６０ｗｔ％、より好ましくは２５〜３５ｗｔ％配合させるのが好ましい。このようにすることで、枠体５０に達した光が枠体５０に吸収されにくくなり、発光装置１０Ａの光取出し性が向上する。
【００３９】
第１実施形態に係る発光装置１０Ａは、図１に示すように、保護素子４５を備えてもよい。保護素子４５は、第２リード２０Ｂの素子配置部２０Ｂ１の上面に金めっき層３１を介して配置される。保護素子４５と接合する第４ワイヤ６４が素子配置部２１Ａ（第１リード２０Ａ）の金めっき層３１に電気的に接続されていることにより、第４ワイヤ６４の硫化を抑制することができる。なお、保護素子４５の配置位置については前記に限定されず、第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａに配置されていてもよい。また、保護素子４５は、枠体５０によって保護素子４５の一部或いは全体が覆われていても良い。第４ワイヤ６４は枠体５０に覆われているのが好ましい。外力による第４ワイヤ６４のダメージが低減され、ワイヤの断線等を抑制できるからである。
保護素子４５は、例えば、発光素子４０に逆方向の電圧が印加されたときに、逆方向に流れる電流を阻止したり、発光素子４０の動作電圧よりも高い順方向の電圧が印加されたときに、発光素子４０に過電流が流れるのを阻止したりする。保護素子４５としては、保護回路や静電保護素子が挙げられ、具体的には、ツェナーダイオードが利用できる。
【００４０】
＜発光装置の製造方法＞
次に、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。
図９は、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。図１０Ａは、図７ＡのＸＡ−ＸＡ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の準備工程において金めっき層及び銀めっき層を設けた基体を模式的に示す断面図である。図１０Ｂは、図８ＡのＸＢ−ＸＢ線における断面図であって、第１実施形態に係る発光装置の製造方法の配置工程及び接合工程において、発光素子を配置、第１ワイヤ及び第２ワイヤを接合した基体を模式的に示す断面図である。なお、発光装置１０Ａの構成については、図１〜図８Ａを適宜参照して説明する。
【００４１】
図１、図９、図１０Ａ、図１０Ｂに示すように、発光装置１０Ａ製造方法は、発光素子４０を配置する素子配置部２１Ａと第１ワイヤ接合部２２Ａとを有する第１リード２０Ａと、第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を有する第２リード２０Ｂと、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂを固定する固定部材２０Ｃと、を有し、少なくとも第１ワイヤ接合部２２Ａの上面と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面とに金を主成分とする金めっき層３１を設けると共に、素子配置部２１Ａの上面に、上面視において素子配置部２１Ａの端部外周の少なくとも一部から内側に離れて配置され、銀を主成分とする銀めっき層３２を設けた基体２０を準備する準備工程Ｓ１と、素子配置部２１Ａの上面に発光素子４０を配置する配置工程Ｓ２と、発光素子４０と第１ワイヤ接合部２２Ａとを第１ワイヤ６１にて電気的に接続し、発光素子４０と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２とを第２ワイヤ６２にて電気的に接続する接合工程Ｓ３と、発光素子４０を囲み、銀めっき層３２の端部と第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を覆うように基体２０の上面に枠体５０を設ける枠体形成工程Ｓ４と、を含む。以下、各工程について説明する。
【００４２】
（準備工程）
図１０Ａに示すように、準備工程Ｓ１は、第１リード２０Ａと、第２リード２０Ｂと、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂを固定する固定部材２０Ｃとを有する基体２０を準備する第１工程と、その基体２０の所定領域に金めっき層３１及び銀めっき層３２を設ける第２工程と、を含む。なお、図６に示すように、第１リード２０Ａは、発光素子４０を配置する素子配置部２１Ａ、第１ワイヤ接合部２２Ａが設けられた連結部２４Ａだけでなく、端子部２３Ａを有することが好ましい。また、第２リード２０Ｂは、第２ワイヤ接合部２０Ｂ２だけでなく、素子配置部２０Ｂ１及び端子部２０Ｂ３を有することが好ましい。
【００４３】
第１工程では、従来公知の方法を用いて、基体２０を準備する。例えば、射出成形により基体２０を準備することが好ましい。射出成形では、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとの間に空間部分が形成されるように、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとを離れた状態で成形金型内に配置する。次に、成形金型の注入口から空間部分に未硬化状態の固定部材２０Ｃを流し込み、これを硬化させる。これによって、第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂとが固定部材２０Ｃで固定された基体２０が準備される。
【００４４】
第２工程では、従来公知のめっき法を用いて、基体２０のめっきを行う。第２工程では、固定部材２０Ｃ等のめっきが不要な領域にマスキング等を行った後に、めっきを行うことが好ましい。
図７Ａ〜７Ｃに示すように、金めっき層３１は、第１ワイヤ接合部２２Ａの上面と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面とに設けられるだけでなく、第１リード２０Ａの素子配置部２１Ａ及び端子部２３Ａの上面と、第２リード２０Ｂの素子配置部２０Ｂ１及び端子部２０Ｂ３の上面とに設けられることが好ましい。なお、素子配置部２１Ａに設けられる金めっき層３１は、全面に設けられることが好ましいが、銀めっき層３２が設けられる領域を除いて枠状に設けられてもよい。
銀めっき層３２は、素子配置部２１Ａの上面に設けられた金めっき層３１の上面に設けられる。また、銀めっき層３２は、上面視において素子配置部２１Ａの端部外周から内側に離れて金めっき層３１を枠状に露出させるように設けられる。なお、銀めっき層３２は、枠状に設けられた金めっき層３１の内側に設けられてもよい。
金めっき層３１及び銀めっき層３２は、発光素子４０からの光を反射できれば、めっき層に限定されず、蒸着法、スパッタ法、イオンビームアシスト蒸着法等で設けられた金含有層及び銀含有層であってもよい。
【００４５】
（配置工程）
図８Ａ、図１０Ｂに示すように、配置工程Ｓ２は、素子配置部２１Ａの上面に発光素子４０を配置する工程である。配置工程Ｓ２では、従来公知の方法を用い、発光素子４０の素子基板４１側の下面と銀めっき層３２の上面とを公知の接合部材を用いて接合する。また、配置工程Ｓ２では、保護素子４５を素子配置部２０Ｂ１の上面に配置してもよい。
【００４６】
（接合工程）
図８Ａ、図１０Ｂに示すように、接合工程Ｓ３は、発光素子４０と連結部２４Ａに設けられた第１ワイヤ接合部２２Ａとを第１ワイヤ６１にて電気的に接続し、発光素子４０と第２ワイヤ接合部２０Ｂ２とを第２ワイヤ６２にて電気的に接続する工程である。接合工程Ｓ３は、第１ワイヤ６１及び第２ワイヤ６２を、第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２の上面の金めっき層３１に接合する工程である。接合工程Ｓ３では、従来公知の方法、例えば、ボールボンディング、ウェッジボンディング等を用いて、ワイヤの接合を行う。なお、接合工程Ｓ３では、配置工程Ｓ２において２つ以上の発光素子４０が配置された場合には、第４ワイヤ６４による発光素子間の接合も同時に行う。また、接合工程Ｓ３では、保護素子４５と素子配置部２１Ａとを第４ワイヤ６４にて電気的に接続してもよい。
なお、図８Ｂに示すように、接合工程Ｓ３では、発光素子４０と素子配置部２１Ａの端部外周側に設けられた第１ワイヤ接合部２２Ａとを第１ワイヤ６１にて電気的に接続してもよい。
【００４７】
（枠体形成工程）
図１に示すように、枠体形成工程Ｓ４は、発光素子４０を囲み、銀めっき層３２の端部と、第１ワイヤ接合部２２Ａ及び第２ワイヤ接合部２０Ｂ２を覆うように基体２０の上面に枠体５０を設ける工程である。枠体形成工程Ｓ４は、枠体５０が銀めっき層３２の端部に沿って端部全周を覆うことが好ましい。
枠体形成工程Ｓ４では、従来公知の方法を用いて枠体５０を設ける。例えば、枠体５０が樹脂で構成される場合には、枠体５０の母材樹脂を未硬化状態で、基体２０の上面の所定領域に注入、配置し、硬化させる。
【００４８】
［第２実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第２実施形態に係る発光装置について説明する。図１１は、第２実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明を省略する。
【００４９】
図１１に示すように、発光装置１０Ｂは、前記発光装置１０Ａと同一構成に加えて、反射材を含有する反射部材７０をさらに備える。また、反射部材７０は、反射材が堆積された下層７２と、反射材が含有されない樹脂で構成された上層７１と、を備える。
【００５０】
（反射部材）
反射部材７０は、枠体５０の内側、すなわち枠体５０で囲まれた領域に設けられ、発光素子４０の側面の一部と枠体５０の内側面の一部と銀めっき層３２の上面とを覆う、反射材を含有する樹脂層である。反射部材７０が発光素子４０の側面の一部を覆い、側面全体を覆っていないため、発光素子４０から側方に出射された光が遮られることがなく、発光装置１０Ｂの光取出し性が向上する。反射部材７０が枠体５０の内側面の一部を覆うため、反射部材７０と枠体５０との密着性が向上する。反射部材７０が銀めっき層３２の上面を覆うため、銀めっき層３２が硫化で劣化しても、反射部材７０で発光素子４０からの光が反射され、光取出し性の低下を抑制する。
【００５１】
反射部材７０は、反射材を含有する下層７２と、下層７２の上面に設けられ反射材を含有しない、すなわち反射部材７０の母体となる母材樹脂のみから構成される上層７１と、を有する。なお、下層７２は、上層７１内に反射材が沈降して形成されたもので、上層７１との間に界面が存在するものではない。したがって、反射部材７０は、上層７１と下層７２という２つの部材からなるものではない。
【００５２】
下層７２は、銀めっき層３２の上面を覆うように反射材が配置される。これにより、反射部材７０と銀めっき層３２との接合が、顔料からなる反射材と、金属材料からなる銀めっき層３２との接合となるため、反射部材７０と銀めっき層３２との密着性が向上する。
【００５３】
上層７１は、その上面が、断面視において、平坦領域と、基体２０の上面からの高さが枠体５０の内側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域と、を有することが好ましい。また、上層７１の枠体５０側の全側面と枠体５０の内側面とが接することが好ましい。また、上層７１は、その上面が、断面視において、基体２０の上面からの高さが発光素子４０の側面に近づくにつれて高くなる傾斜領域も有することが好ましい。
【００５４】
反射部材７０では、上層７１の上面が枠体５０側に傾斜領域を有し、上層７１の枠体５０側の側面全体が枠体５０の内側面に接するため、枠体５０と上層７１との接触面積が増加して、枠体５０と反射部材７０との密着性が向上する。また、反射部材７０では、上層７１の上面が発光素子４０側に傾斜領域を有するため、発光素子４０と上層７１との接触面積が増加して、発光素子４０と反射部材７０との密着性が向上する。また、枠体５０側及び発光素子４０側の傾斜領域は、湾曲形状であることが好ましい。傾斜領域が湾曲形状であると、応力が集中する部分がなく、密着性がより向上する。傾斜領域の枠体５０側の高さは、発光素子４０側の高さよりも高いことが好ましい。また、傾斜領域の傾斜具合は、傾斜角度３０〜６０度であることが好ましい。これにより、反射部材７０の密着性がさらに向上する。さらに、発光素子４０側の傾斜領域は、基体２０からの高さが半導体層４２（発光素子４０）の下面よりも低いことが好ましい。これにより、発光素子４０から側方に出射される光が反射部材７０によって遮られることがないため、発光装置１０Ｂの光取出し性がさらに向上する。
【００５５】
下層７２は、その上面が、断面視において平坦であることが好ましい。すなわち、下層７２の上面が、銀めっき層３２の上面に沿って、一定の厚みになっていることが好ましい。これにより、樹脂製の枠体５０との密着性に劣る反射材を含有する下層７２が枠体５０と接する面積を小さくでき、その代わりに反射材を含有しない樹脂製の上層７１が枠体５０と接する面積を大きくすることができるため、反射部材７０と枠体５０との密着性が向上する。
【００５６】
反射部材７０は、母材樹脂に反射材を含有させた樹脂層である。母材樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジンやＰＰＡやシリコーン樹脂などが挙げられる。特に、母材樹脂としては、耐光性に優れたシリコーン樹脂が好ましい。反射部材７０は、反射部材７０の母体となる母材樹脂が、枠体５０の母材樹脂と同一材料であることが好ましい。これにより、枠体５０と反射部材７０との密着性が向上する。
【００５７】
反射部材７０は、母材樹脂に、発光素子４０からの光を吸収されにくく、かつ、母材樹脂に対する屈折率差の大きい反射材等の粉末を分散することで、効率よく発光素子４０からの光を反射させることができる。反射材としては、例えば、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。反射材は、発光素子４０からの光に対する反射率が６０％以上、好ましくは９０％以上の部材である。このようにすることで、反射部材７０に達した光が反射部材７０に吸収されにくくなり、発光装置１０Ｂの光取出し性が向上する。
【００５８】
＜発光装置の製造方法＞
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図１２は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同一工程については、同一符号を付し、説明を省略する。
【００５９】
図１２に示すように、発光装置１０Ｂの製造方法は、発光装置１０Ａの製造方法（図９参照）と同一工程に加えて、枠体形成工程Ｓ４の後に、反射部材分離工程Ｓ５をさらに含む。
【００６０】
（反射部材分離工程）
反射部材分離工程Ｓ５は、枠体５０の内側に反射材と樹脂からなる反射部材７０を注入し、基体２０に公転による遠心力をかけ、反射部材７０を、反射材を含有する下層７２と、反射材を含有しない上層７１と、に分離する工程である。
【００６１】
反射部材分離工程Ｓ５では、反射部材７０の母体となる母材樹脂を未硬化状態で枠体５０の内側にポッティングやスプレー等で注入し、その後、硬化させることが好ましい。また、反射部材分離工程Ｓ５では、未硬化状態の母材樹脂を枠体５０の内側に注入する際、樹脂供給ノズルを枠体５０の直上に配置し、未硬化状態の母材樹脂が枠体５０の内側面に沿って銀めっき層３２の上面及び発光素子４０の側面に流れるように注入することが好ましい。このように母材樹脂を枠体５０側から注入すると、銀めっき層３２と、枠体５０の内側面及び発光素子４０の側面との母材樹脂に対する濡れ性の違いにより、反射部材７０の上面に、枠体５０の内側面及び発光素子４０の側面に対して這い上がる湾曲状の傾斜領域が、平坦領域の両側、すなわち枠体５０側及び発光素子４０側に形成される。また、予め枠体５０の内側面を有機溶媒で浸しておくことで、傾斜領域の這い上がりを促進させることができる。なお、未硬化状態の母材樹脂の注入は、銀めっき層３２の上面の中央から行ってもよい。
【００６２】
反射部材分離工程Ｓ５では、基体２０の上面側に回転軸を有するように、公転方向に基体２０を回転させる。基体２０の上面が外側になるような回転軸で遠心力をかける。基体２０の上面側の回転軸は、基体２０の上面に対し平行であり、枠体５０を横切る方向であり、かつ、基体２０の上方に位置する。公転方向への基体２０の回転により、反射部材７０に含有されている反射材が銀めっき層３２の上面側に強制的に沈降される。すなわち、反射材を含有する下層７２が銀めっき層３２の上面を覆うように層状に配置される。また、下層７２の上面の形状は、回転速度等により決定される遠心力の大きさ等により調整することができ、下層７２の上面は、平坦であることが好ましい。なお、反射部材分離工程Ｓ５では、公転方向への回転の後、基体２０の長さ方向の中心に垂直な方向に回転軸を有するように、自転方向に基体２０を回転させてもよい。この自転方向の回転により、上層７１の傾斜領域の基体２０からの高さをより高く形成できる。また、傾斜領域の這い上がりは、反射部材７０を硬化する時にも生じる。
【００６３】
［第３実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第３実施形態に係る発光装置ついて説明する。図１３は、第３実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明を省略する。
【００６４】
図１３に示すように、発光装置１０Ｃは、前記発光装置１０Ａと同一構成に加えて、蛍光部材８０をさらに備える。また、発光装置１０Ｃは、前記発光装置１０Ｂと同一構成に加えて、蛍光部材８０をさらに備えてもよい。
蛍光部材８０を備えることにより、発光装置１０Ａへ外部から塵埃等が混入することをより抑制でき、また、第１〜第４ワイヤ６１〜６４を保護することができ、信頼性が向上する。蛍光部材８０が蛍光体を含有することにより、発光素子４０から出射された光の波長を変換できるため、取出し光の色調を調整できる。
【００６５】
（蛍光部材）
蛍光部材８０は、枠体５０の内側に設けられ、発光素子４０の上面と銀めっき層３２の上面とを覆う蛍光体を含有する部材で、発光素子４０を枠体５０の内側に封入する部材である。蛍光部材８０は、図１３に示すように断面視において基体２０からの高さが一様に同じ高さで枠体５０の内側面と接するように設けられることが好ましいが、発光素子４０の直上が高くなるように中央が上に向かって湾曲して枠体５０の内側面と接するように設けられても良いし、発光素子４０の直上が低くなるように中央が下に向かって湾曲して枠体５０の内側面に接するように設けられてもよい。なお、レンズ部材９０を備える発光装置１０Ｄ（図１５参照）では、蛍光部材８０とレンズ部材９０の界面に生じる反射光を抑制する効果も得られる。
【００６６】
蛍光部材８０を構成する材料としては、透光性を有し、蛍光体を含有する樹脂又はガラス等を用いることができる。特に、蛍光部材８０に樹脂を用いることが好ましい。枠体５０の母材がそれぞれ樹脂である場合は、蛍光部材８０も樹脂であることで、蛍光部材８０と枠体５０との密着性を向上させることができる。蛍光部材８０の樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの変性樹脂やこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。特に、蛍光部材８０の材料としては耐光性に優れたジメチル系シリコーン樹脂、フェニル系シリコーン樹脂が好ましい。蛍光部材８０は、光拡散剤を含んでもよい。
【００６７】
蛍光体としては、発光素子４０からの発光で励起して、発光素子４０からの光の波長を変換可能な蛍光体の粒子が使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２：Ｅｕ，Ｃｒ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の室化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体等のフッ化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、塩化物系蛍光体、ケイ酸塩系蛍光体、リン酸塩系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な波長の発光装置１０Ｃを製造することができる。
【００６８】
光拡散剤の材料として、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などを用いることができる。特に、酸化チタンは、水分などに対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
【００６９】
＜発光装置の製造方法＞
次に、第３実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図１４は、第３実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同一工程については、同一符号を付して、説明を省略する。
【００７０】
図１４に示すように、発光装置１０Ｃの製造方法は、発光装置１０Ａの製造方法（図９参照）と同一工程に加えて、枠体形成工程Ｓ４の後に、蛍光部材形成工程Ｓ６をさらに含む。また、発光装置１０Ｃの製造方法は、発光装置１０Ｂの製造方法（図１２参照）と同一工程に加えて、反射部材分離工程Ｓ５の後に、蛍光部材形成工程Ｓ６をさらに含んでもよい。
発光装置１０Ｃの製造方法では、蛍光部材形成工程Ｓ６を含むことにより、発光装置１０Ｃの信頼性、及び、取出し光の色調性が向上する。
【００７１】
（蛍光部材形成工程）
蛍光部材形成工程Ｓ６は、枠体５０の内側に蛍光体を含有する蛍光部材８０を充填する工程である。蛍光部材８０を充填する方法は、ポッティングやスプレー等の公知の方法によって行う。
蛍光部材８０は、基体２０からの高さが一様に同じ高さとなるように形成することが好ましいが、発光素子４０の直上が高くなるように中央が上に向かって湾曲するように形成してもよいし、中央が下に向かって湾曲するように形成してもよい。
【００７２】
［第４実施形態］
＜発光装置＞
はじめに、第４実施形態に係る発光装置について説明する。図１５は、第４実施形態に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図である。なお、第１実施形態に係る発光装置と同一構成については、同一符号を付して、説明を省略する。
【００７３】
図１５に示すように、発光装置１０Ｄは、前記発光装置１０Ａと同一構成に加えて、レンズ機能を有するレンズ部材９０をさらに備える。また、発光装置１０Ｄは、前記発光装置１０Ｂ又は前記発光装置１０Ｃと同一構成に加えて、レンズ機能を有するレンズ部材９０をさらに備えてもよい。
【００７４】
（レンズ部材）
図１５に示すように、レンズ部材９０は、枠体５０の少なくとも一部と発光素子４０とを覆い、レンズ機能を有する部材である。このようなレンズ部材９０により、光取出し性及び配向性が向上する。レンズ部材９０が枠体５０の外側まで覆うことで、レンズ部材９０の接触面積が増え、レンズ部材９０が剥がれないようにすることができる。また、レンズ部材９０は、枠体５０の外側において、基体２０の第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂのそれぞれ少なくとも一部を覆うように形成されることもできる。これにより、レンズ部材９０の剥がれが一層低減される。なお、第１リード２０Ａの端子部２３Ａ、第２リード２０Ｂの端子部２０Ｂ３には、銀めっき層３２を設けないで金めっき層３１のみを設けることで、硫化による発光装置１０Ｄの性能低下を防ぐことができる。
【００７５】
レンズ部材９０は、様々な形状を有していてもよい。レンズ部材９０の形状としては、例えば、板状、上面凸状レンズ形状、上面凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状、凸状レンズの中央付近に凹部を設けたレンズ形状等を例示することができる。このような形状とすることで、レンズ部材９０における取出し光の指向特性を調整することができる。
【００７６】
レンズ部材９０は、上面凸レンズ形状とした場合、発光素子４０の上方に設けられた出射面が凸状の湾曲形状のレンズ部９１と、枠体５０の上方に位置するようにレンズ部９１の下部から外側に延びる鍔部９２と、を有しても良い。このような構成によれば、レンズ部材９０は、鍔部９２を有するため、発光素子４０から発せられた光が鍔部９２の上面および側面で反射することでより広範囲に拡散され、配光性が向上する。
【００７７】
レンズ部材９０は、光を取り出すことが可能な透光性材料で構成されている。レンズ部材９０を構成する透光性材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂、又は、ガラスを例示することができる。
レンズ部材９０は、発光素子４０、枠体５０の少なくとも一部を覆うことが可能であれば、如何なる大きさであってもよいが、発光素子４０の発光面積を考慮して適宜決定される。
レンズ部材９０の屈折率は、レンズ部材９０の屈折率と大気の屈折率との差が適切な範囲であれば、如何なるものであってもよい。レンズ部材９０の屈折率は、１．４〜１．６程度であることが好ましい。レンズ部材９０の屈折率がこのような範囲であれば、光取出し性を向上させることができる。
【００７８】
＜発光装置の製造方法＞
次に、第４実施形態に係る発光装置の製造方法について説明する。図１６は、第４実施形態に係る発光装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同一工程については、同一符号を付し、説明を省略する。
【００７９】
図１６に示すように、発光装置１０Ｄの製造方法は、発光装置１０Ａの製造方法（図９参照）と同一工程に加えて、枠体形成工程Ｓ４の後に、レンズ部材形成工程Ｓ７をさらに含む。また、発光装置１０Ｄの製造方法は、発光装置１０Ｂの製造方法（図１２参照）と同一工程に加えて、反射部材分離工程Ｓ５の後に、レンズ部材形成工程Ｓ７をさらに含んでもよい。また、発光装置１０Ｄの製造方法は、発光装置１０Ｃの製造方法（図１４参照）と同一工程に加えて、蛍光部材形成工程Ｓ６の後に、レンズ部材形成工程Ｓ７をさらに含んでもよい。
【００８０】
（レンズ部材形成工程）
図１５に示すように、レンズ部材形成工程Ｓ７は、枠体５０の少なくとも一部と、発光素子４０とを覆うレンズ部材９０を設ける工程である。また、レンズ部材形成工程Ｓ７では、レンズ部材９０を、枠体５０の外側において第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂのそれぞれ少なくとも一部を覆うように設けてもよい。
【００８１】
レンズ部材形成工程Ｓ７は、従来公知の方法、例えばトランスファー成形を用いてレンズ部材９０を設けることが好ましい。トランスファー成形では、まず、レンズ部材９０の形状、例えばレンズ部９１と鍔部９２とに対応した形状の空洞部分を有する成形金型内に、発光素子４０及び枠体５０の上面を覆うように発光装置１０Ａを配置する。このように配置された状態においては、レンズ部９１に対応する空洞部分の縁部は、枠体５０の外側に配置され、枠体５０は空洞部分表面に接触しないことが好ましい。その後、この空洞部分に、注入口から未硬化状態のレンズ部材９０を流し込み、これを硬化させる。これによって、基体２０の上面に、発光素子４０、枠体５０を覆うレンズ部材９０が設けられる。なお、レンズ部材９０は、枠体５０の外側に露出する第１リード２０Ａと第２リード２０Ｂのそれぞれ少なくとも一部を覆うように設けてもよい。
【００８２】
前記した実施形態では、発明を実施するための形態をより具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００８３】
１０Ａ  発光装置
１０Ｂ  発光装置
１０Ｃ  発光装置
１０Ｄ  発光装置
２０  基体
２０Ａ  第１リード
２１Ａ  素子配置部
２１Ａ１  第１辺
２１Ａ２  第２辺
２１Ａ３  第３辺
２１Ａ４  第４辺
２１Ａ５  第５辺
２１Ａ６  第６辺
２１Ａ７  第７辺
２１Ａ８  第８辺
２２Ａ  第１ワイヤ接合部
２３Ａ  端子部
２４Ａ  連結部
２０Ｂ  第２リード
２０Ｂ１  素子配置部
２０Ｂ２  第２ワイヤ接合部
２０Ｂ３  端子部
２０Ｃ  固定部材
３１  金めっき層
３２  銀めっき層
４０  発光素子
４１  素子基板
４２  半導体層
４３  ｎ電極
４４  ｐ電極
４５  保護素子
５０  枠体
６１  第１ワイヤ
６２  第２ワイヤ
６３  第３ワイヤ
６４  第４ワイヤ
７０  反射部材
７１  上層
７２  下層
８０  蛍光部材
９０  レンズ部材
９１  レンズ部
９２  鍔部
Ｓ１  準備工程
Ｓ２  配置工程
Ｓ３  接合工程
Ｓ４  枠体形成工程
Ｓ５  反射部材分離工程
Ｓ６  蛍光部材形成工程
Ｓ７  レンズ部材形成工程
【図１】
2020170737.tif 000003
【図２】
2020170737.tif 000004
【図３】
2020170737.tif 000005
【図４】
2020170737.tif 000006
【図５】
2020170737.tif 000007
【図６】
2020170737.tif 000008
【図７Ａ】
2020170737.tif 000009
【図７Ｂ】
2020170737.tif 000010
【図７Ｃ】
2020170737.tif 000011
【図８Ａ】
2020170737.tif 000012
【図８Ｂ】
2020170737.tif 000013
【図９】
2020170737.tif 000014
【図１０Ａ】
2020170737.tif 000015
【図１０Ｂ】
2020170737.tif 000016
【図１１】
2020170737.tif 000017
【図１２】
2020170737.tif 000018
【図１３】
2020170737.tif 000019
【図１４】
2020170737.tif 000020
【図１５】
2020170737.tif 000021
【図１６】
2020170737.tif 000022