(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子等の発光部への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える。また、本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。【選択図】  図４
2020148847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
表示装置。
【請求項２】
熱吸収層は、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
熱吸収層は、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る、
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
熱吸収層は、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている、
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている、
請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
熱吸収層は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る、
請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
発光部を駆動する回路部は、半導体基板上に形成されている、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：以下、「ＥＬ」と記述する場合がある）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を挙げることができる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２０９０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、有機ＥＬ素子は、熱に対する耐性が弱い。従って、有機ＥＬ表示装置の製造工程において、熱に対して十分な注意が必要になってくる。特に、有機ＥＬ素子及びその駆動回路部を形成する基板として半導体基板を使うようなマイクロディスプレイでは、パネルサイズが小さくなるため、特にＥＬ工程後に高温が必要な実装工程においては、パッド部に加わる熱が表示領域（画素領域）の有機ＥＬ素子まで伝搬し、熱ダメージによる有機ＥＬ素子の劣化によって表示品質の低下を招くことがある。
【０００５】
そこで、本開示は、有機ＥＬ素子等の発光部への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
構成となっている。
【０００７】
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する、
構成となっている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本開示の技術が適用される表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【図２】図２は、単位画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。
【図３】図３は、表示パネルにおける画素アレイ部の外周部の基本的なパネル構造を示す断面図である。
【図４】図４は、実施例１に係る表示パネルにおける画素アレイ部の外周部のパネル構造を示す断面図である。
【図５】図５は、実施例１に係るパネル構造におけるパッド電極層及び熱吸収層を示す概略斜視図である。
【図６】図６は、実施例２に係る表示パネルにおける画素アレイ部の外周部のパネル構造を示す断面図である。
【図７】図７は、実施例２に係るパネル構造におけるパッド電極層及び熱吸収層を示す概略斜視図である。
【図８】図８Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンの正面側から見た外観図であり、図８Ｂは、裏面側から見た外観図である。
【図９】図９は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイを示す外観図である。
【図１０】図１０Ａは、本開示の電子機器の具体例３に係るデジタルスチルカメラの正面図であり、図１０Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値や材料などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．基本的なパネル構造
３．本開示の実施形態
３−１．実施例１（パッド電極層のパッド個々の長さ方向の一部分に対応して熱吸収層を設ける例）
３−２．実施例２（パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って熱吸収層を設ける例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
５−１．具体例１（スマートフォンの例）
５−２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
５−３．具体例３（デジタルスチルカメラの例）
６．本開示がとることができる構成
【００１０】
＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置及び電子機器にあっては、熱吸収層について、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する構成とすることができる。また、熱吸収層について、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る構成とすることができる。
【００１１】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、熱吸収層について、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている構成とすることができる。また、熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている構成とすることができる。また、画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている構成とすることができる。
【００１２】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、発光部について、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から成る構成とすることができる。熱吸収層について、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る構成とすることができる。
【００１３】
また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、発光部を駆動する回路部について、半導体基板上に形成されている構成とすることができる。
【００１４】
上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、表示装置を、複数の副画素が、有機ＥＬ素子から成る発光部（発光素子）を有する有機ＥＬ表示装置の構成とすることができる。すなわち、有機ＥＬ表示装置にあっては、有機ＥＬ素子のそれぞれによって副画素が構成される。有機ＥＬ素子は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子である。
【００１５】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータやビデオカメラ、デジタルスチルカメラを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant，携帯情報端末）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder：ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display：ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。
【００１６】
有機ＥＬ素子において、発光機能層である有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えている。この有機層は、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等をタンデムユニットとする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよい。これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。
【００１７】
有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、当該メタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることによって有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。
【００１８】
＜本開示の技術が適用される表示装置＞
本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。
【００１９】
ここでは、本開示の表示装置として、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
【００２０】
［システム構成］
図１は、本開示の技術が適用される表示装置であるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。
【００２１】
図１に示すように、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配置されて成る画素アレイ部３０、及び、当該画素アレイ部３０の周辺領域に配置される周辺回路（周辺駆動部）を有する構成となっている。
【００２２】
画素領域の周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を、表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
【００２３】
有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。
【００２４】
但し、１つの画素としては、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
【００２５】
画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第１の方向（行方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1〜３１m）と駆動線３２（３２1〜３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第２の方向（列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1〜３３n）が画素列毎に配線されている。
【００２６】
走査線３１1〜３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1〜３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1〜３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
【００２７】
書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1〜３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1〜ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
【００２８】
駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1〜３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1〜ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
【００２９】
信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
【００３０】
信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1〜３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
【００３１】
［画素回路］
図２は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
【００３２】
図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路（画素駆動回路）とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
【００３３】
有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、ガラスのような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
【００３４】
また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
【００３５】
但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
【００３６】
上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
【００３７】
保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
【００３８】
補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
【００３９】
［基本的なパネル構造］
上記の構成の有機ＥＬ表示装置１０において、画素アレイ部３０及びその周辺回路等が形成される表示パネル７０の基板としては、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いることもできるし、シリコン基板等の半導体基板を用いることもできる。
【００４０】
表示パネル７０の基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いる有機ＥＬ表示装置は、所謂、マイクロディスプレイ（小型ディスプレイ）と呼称され、デジタルスチルカメラの電子ビューファインダや、ヘッドマウントディスプレイの表示部等として用いて好適なものである。
【００４１】
以下では、表示パネル７０の基板としてシリコン基板等の半導体基板を用いる場合を例に挙げて、表示パネル７０の構造（パネル構造）について説明する。表示パネル７０における画素アレイ部３０の外周部の基本的なパネル構造を図３に示す。
【００４２】
表示パネル７０のパネル構造には、有機ＥＬ素子２１が形成される支持基板とは反対側から光を取り出す、所謂、トップエミッション方式のパネル構造、及び、支持基板側から光を取り出す、所謂、ボトムエミッション方式のパネル構造がある。本開示の技術は、トップエミッション方式のパネル構造、及び、ボトムエミッション方式のパネル構造のいずれの方式のパネル構造にも適用することができるが、以下では、トップエミッション方式の場合を例に挙げて説明する。
【００４３】
半導体基板から成る支持基板７１上の領域は、複数の画素２０がマトリクス状に配置されて成る画素アレイ部３０の領域（画素領域）と、画素アレイ部３０の周辺（外縁側／外周側）に位置する周辺領域とから成る。画素アレイ部３０の領域内には、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６から成り、有機ＥＬ素子２１を駆動する回路部が設けられる。周辺領域内には、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成る周辺回路部が設けられる。そして、これらの回路部を含む回路層（図示せず）が支持基板７１上に形成される。
【００４４】
表示パネル７０は、回路層の上に、例えば、配線層７２、アノード電極７３、有機層７４、及び、カソード電極７５が積層された積層構造を有している。ここでは図示を省略するが、カソード電極７５の上には、保護層、充填剤層（接着層）、及び、ブラックマトリクス層がこの順に積層されることになる。尚、ブラックマトリクス層と同じ層には、カラーフィルタが画素単位で設けられ、その上に、対向基板が貼り合わされ、当該対向基板によって積層構造が封止されるようになっている。
【００４５】
図示を省略するが、有機層７４は、アノード電極７３の側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、電子注入層が順に積層された構造となっている。ここで、正孔注入層は、正孔注入効率を高めるとともに、リークを防止するために設けられる。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることによって電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。これらの各層のうち、発光層以外の層については必要に応じて設けらればよい。
【００４６】
有機ＥＬ素子２１と有機ＥＬ素子２１との間は、画素定義層（Pixel Define Layer：ＰＤＬ）７６によって画定されている。そして、アノード電極７３は、アルミニウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）と銀との積層による金属材料から成り、有機ＥＬ素子２１の下部電極（画素電極）として画素単位で設けられている。カソード電極７５は、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の光透過性材料から成り、有機ＥＬ素子２１の上部電極（共通電極）として全画素共通に設けられている。カソード電極７５の最外周部７５Ａの下には、カソード電極７５にカソード電位を与えるためのカソードリング７７が設けられている。
【００４７】
支持基板７１上において、カソードリング７７の領域（カソードリング領域）の外側の基板周縁部には、凹部７８が形成されている。そして、凹部７８内には、異方導電性フィルム（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）から成るパッド電極層７９が形成されている。凹部７８内のパッド電極層７９には、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）８０を介してフレキシブル基板（Flexible Printed Circiuits：ＦＰＣ）８１が、高温・高圧の条件の下に圧着される。この圧着では、温度及び圧力の他に、時間もパラメータとなる。
【００４８】
上記の構成の有機ＥＬ表示装置１０において、有機ＥＬ素子２１は、熱に対する耐性が弱い。従って、有機ＥＬ表示装置１０の製造工程において、熱に対して十分な注意が必要になってくる。特に、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路部を形成する支持基板７１として半導体基板を使う場合には、パネルサイズが小さくなる。そのため、特にＥＬ工程後に高温が必要な実装工程、具体的には、支持基板７１の凹部７８内のパッド電極層７９にフレキシブル基板８１を高温・高圧で圧着する工程において、パッド電極層７９に加わる熱が画素領域の有機ＥＬ素子２１まで伝搬し、熱ダメージによる有機ＥＬ素子２１の劣化によって表示品質の低下を招くことがある。
【００４９】
＜本開示の実施形態＞
本開示の実施形態では、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制するために、支持基板７１上における画素アレイ部３０の外側にパッド電極層７９が設けられた有機ＥＬ表示装置１０において、パッド電極層７９に対して熱吸収層８２（図４参照）を熱的に結合した構成をとる。熱吸収層８２は、パッド電極層７９の熱容量を上げる機能を有する。
【００５０】
このように、パッド電極層７９に対して熱吸収層８２を熱的に結合することで、パッド電極層７９の熱容量を上げることができるため、パッド電極層７９にフレキシブル基板８１を高温・高圧で圧着する際に、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージを低減することができる。これにより、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる。
【００５１】
以下に、パッド電極層７９に対して熱吸収層８２を熱的に結合し、パッド電極層７９の熱容量を上げる本実施形態の具体的な実施例に係るパネル構造について説明する。
【００５２】
［実施例１］
実施例１は、パッド電極層７９のパッド個々の長さ方向の一部分に対応して熱吸収層８２を設ける例である。実施例１に係る表示パネル７０における画素アレイ部３０の外周部のパネル構造の断面図を図４に示し、実施例１に係るパネル構造におけるパッド電極層７９及び熱吸収層８２の概略斜視図を図５に示す。
【００５３】
実施例１に係るパネル構造を有する有機ＥＬ表示装置１０において、支持基板７１上における画素アレイ部３０の外側にパッド電極層７９が設けられている。パッド電極層７９は、支持基板７１の凹部７８内に、複数のパッド７９1，７９2，７９3，・・・が、例えば一定のピッチで配列された構成となっている。
【００５４】
実施例１に係るパネル構造は、パッド電極層７９の下の層として熱吸収層８２を有する構成となっている。そして、熱吸収層８２は、熱的連結部８３によってパッド電極層７９に対して熱的に結合されている。図５に示すように、熱吸収層８２は、複数のパッド７９1，７９2，７９3，・・・に対応して設けられ、互いに独立した複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・から成る。
【００５５】
複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・は、互いに電気的に分離された状態で、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の一部分に対応して設けらている。そして、複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・のそれぞれが、熱的連結部８３を介して、パッド７９1，７９2，７９3，・・・に熱的に結合することで、パッド７９1，７９2，７９3，・・・の熱容量を上げる作用をなす。
【００５６】
一般的に、熱容量は、物質の種類と質量による。従って、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・の質量を大きくすることで、パッド電極層７９の各パッド７９1，７９2，７９3，・・・の熱容量を上げることができる。実施例１に係るパネル構造において、熱吸収層８２は、例えば、有機ＥＬ素子２１のアノード電極７３の材料と同じ材料、例えばアルミニウムによって、画素領域の多層の配線層７２の一つと同じ層の配線層として形成されている。換言すれば、実施例１に係るパネル構造は、画素アレイ部３０の下に、熱吸収層８２と同じ層として形成された配線層（本例では、３層の配線層７２の真ん中の配線層）が設けられた構成となっている。
【００５７】
上述した実施例１に係るパネル構造によれば、パッド電極層７９に対してフレキシブル基板８１を高温・高圧で圧着する工程において、パッド電極層７９の各パッド７９1，７９2，７９3，・・・に熱的に結合された熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・によって熱を吸収することができる。これにより、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージを低減することができるため、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができる。
【００５８】
また、実施例１に係るパネル構造では、画素アレイ部３０の下に、熱吸収層８２と同じ層として形成された配線層（本例では、３層の配線層７２の真ん中の配線層）が設けられており、当該配線層をカソードリング７７の補強として使うことができる。この点については、後述する実施例２においても同様である。
【００５９】
［実施例２］
実施例２は、パッド電極層７９のパッド個々の長さ方向の全体に亘って熱吸収層８２を設ける例である。実施２に係る表示パネル７０における画素アレイ部３０の外周部のパネル構造の断面図を図６に示し、実施例２に係るパネル構造におけるパッド電極層７９及び熱吸収層８２の概略斜視図を図７に示す。
【００６０】
実施例２に係るパネル構造は、熱吸収層８２の複数の熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・を、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の全体に亘って設け、パッド毎に、複数の熱的連結部８３によってパッド７９1，７９2，７９3，・・・に対して熱的に結合した構成となっている。
【００６１】
実施例２に係るパネル構造においても、実施例１に係るパネル構造と同様に、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・は、例えば、有機ＥＬ素子２１のアノード電極７３の材料と同じ材料、例えばアルミニウムによって、画素領域の多層の配線層７２の一つと同じ層の配線層として形成されている。また、パッド電極層７９の下方で熱吸収層８２の下方には、例えば、画素領域の３層の配線層７２のうち、最下層の配線層と同じ層として回路配線層８４が形成されている。
【００６２】
上述した実施例２に係るパネル構造では、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・が、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の全体に亘って設けている。従って、実施例２に係るパネル構造によれば、高温・高圧での圧着工程における熱吸収効果が、熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・が、長さ方向の一部分に対応して設けられている実施例１に係るパネル構造の場合よりも大きい。その結果、有機ＥＬ素子２１への熱ダメージをより確実に低減することができるため、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下をより確実に抑制することができる。
【００６３】
また、実施例２に係るパネル構造によれば、熱吸収層８２の各熱吸収部８２1，８２2，８２3，・・・が、パッド電極層７９の個々のパッド７９1，７９2，７９3，・・・の長さ方向の全体に亘って設けられているため、パッド電極層７９の下方に対する、高温・高圧での圧着の際の機械的な強度を向上させることができる。これにより、熱吸収層８２が存在せず、機械的な強度が弱かったパッド電極層７９の下方にも、回路配線層８４、更にはその下の配線層であったり、トランジスタ等の回路素子を配置することが可能になる。
【００６４】
＜変形例＞
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ装置（表示パネル）を例に挙げて本開示の技術について説明したが、有機ＥＬ装置以外の表示装置、具体的には、画素アレイ部の外側にパッド電極層が設けられるパネル構造の表示装置全般に対して本開示の技術を適用することができる。
【００６５】
また、上記の実施形態では、表示パネルの基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いる表示装置を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、ガラス基板等の絶縁性透明基板を用いる表示装置に対して、本開示の技術を適用することができる。
【００６６】
＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
【００６７】
本開示の技術によれば、高温・高圧での圧着工程において、発光部（発光素子）への熱ダメージを低減し、当該熱ダメージに起因する表示品質の低下を抑制することができるため、高画質の表示画像を提供することができる。そして、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として、本開示の表示装置を用いることで、高画質の表示画像を提供することができる。
【００６８】
以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルスチルカメラを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらの具体例に限られるものではない。
【００６９】
［具体例１：スマートフォンの例］
本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンについて、正面側から見た外観図を図８Ａに示し、裏面側から見た外観図を図８Ｂに示す。本具体例に係るスマートフォン１００は、筐体１１０の正面側に表示部１２０を備えている。また、スマートフォン１００は、例えば、筐体１１０の裏面側の上方部に撮像部１３０を備えている。
【００７０】
上記の構成のモバイル機器の一例であるスマートフォン１００において、その表示部１１０として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るスマートフォン１００は、その表示部１２０として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００７１】
［具体例２：ヘッドマウントディスプレイの例］
本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの外観図を図９に示す。
【００７２】
具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ２００は、本体部２０１、アーム部２０２及び鏡筒２０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部２０１は、アーム部２０２及び眼鏡２１０と接続されている。具体的には、本体部２０１の長辺方向の端部はアーム部２０２に取り付けられている。また、本体部２０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡２１０に連結されている。尚、本体部２０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
【００７３】
本体部２０１は、ヘッドマウントディスプレイ２００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部２０２は、本体部２０１と鏡筒２０３とを連結させることで、本体部２０１に対して鏡筒２０３を支える。具体的には、アーム部２０２は、本体部２０１の端部及び鏡筒２０３の端部と結合されることで、本体部２０１に対して鏡筒２０３を固定する。また、アーム部２０２は、本体部２０１から鏡筒２０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
【００７４】
鏡筒２０３は、本体部２０１からアーム部２０２を経由して提供される画像光を、眼鏡２１０のレンズ２１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ２００を装着するユーザの目に向かって投射する。このヘッドマウントディスプレイ２００において、本体部２０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ２００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００７５】
［具体例３：デジタルスチルカメラの例］
本開示の電子機器の具体例３に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図を図１０に示す。図１０Ａは、デジタルスチルカメラの正面図であり、図１０Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
【００７６】
レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニター３１４が設けられている。モニター３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２によって導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
【００７７】
上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００において、そのビューファインダ３１５として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例３に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ３００は、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
【００７８】
＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
【００７９】
≪Ａ．表示装置≫
［Ａ−１］発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
表示装置。
［Ａ−２］熱吸収層は、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する、
上記［Ａ−１］に記載の表示装置。
［Ａ−３］熱吸収層は、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る、
上記［Ａ−２］に記載の表示装置。
［Ａ−４］熱吸収層は、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている、
上記［Ａ−３］に記載の表示装置。
［Ａ−５］熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている、
上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−６］画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている、
上記［Ａ−３］又は上記［Ａ−４］に記載の表示装置。
［Ａ−７］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−６］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ−８］熱吸収層は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る、
上記［Ａ−７］に記載の表示装置。
［Ａ−９］発光部を駆動する回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−８］のいずれかに記載の表示装置。
【００８０】
≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ−１］発光部を含む画素が配置されて成る画素アレイ部、
発光部が形成された基板上における画素アレイ部の外側に設けられたパッド電極層、及び、
パッド電極層に対して熱的に結合された熱吸収層を備える、
表示装置を有する電子機器。
［Ｂ−２］熱吸収層は、パッド電極層の熱容量を上げる機能を有する、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−３］熱吸収層は、パッド電極層の下の層として形成された配線層から成る、
上記［Ｂ−２］に記載の電子機器。
［Ｂ−４］熱吸収層は、パッド電極層のパッド個々の長さ方向の全体に亘って設けられている、
上記［Ｂ−３］に記載の電子機器。
［Ｂ−５］熱吸収層の下に、回路配線層が設けられている、
上記［Ｂ−４］に記載の電子機器。
［Ｂ−６］画素アレイ部の下に、熱吸収層と同じ層として形成された配線層が設けられている、
上記［Ｂ−３］又は上記［Ｂ−４］に記載の電子機器。
［Ｂ−７］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−６］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−８］熱吸収層は、有機エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極の材料と同じ材料から成る、
上記［Ｂ−７］に記載の電子機器。
［Ｂ−９］発光部を駆動する回路部は、半導体基板上に形成されている、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−８］のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【００８１】
１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１1〜３１m・・・走査線、３２1〜３２m・・・駆動線、３３1〜３３n・・・信号線、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・支持基板（半導体基板）、７２・・・配線層、７３・・・・・・アノード電極、７４・・・有機層、７５・・・カソード電極、７６・・・画素定義層（ＰＤＬ）、７７・・・カソードリング、７８・・・凹部、７９・・・パッド電極層、８０・・・異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、８１・・・フレキシブル基板（ＦＰＣ）、８２・・・熱吸収層、８３・・・熱的連結部、８４・・・回路配線層
【図１】
2020148847.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020148847.tif 000009
【図８】
2020148847.tif 000010
【図９】
2020148847.tif 000011
【図１０】
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