(57)【要約】【課題】配光色度ムラを抑制できる発光装置を提供する。【解決手段】第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を有する発光素子と、前記発光素子の側面を被覆する導光部材と、前記第１面を被覆し、第１母材及び第１波長変換粒子を有する第１波長変換部材と、前記発光素子の側面、前記導光部材の側面及び第１波長変換部材の側面を被覆し、前記発光素子と接する反射部材と、を備え、前記第１波長変換部材の厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記第１波長変換粒子の平均粒径は、４μｍ以上１２μｍ以下であり、前記第１波長変換粒子の中心粒径は、４μｍ以上１２μｍ以下であり、前記第１波長変換部材の全重量に対して、前記第１波長変換粒子が６０重量％以上７５重量％以下である発光装置。【選択図】図２Ａ
2020170862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と、を有する発光素子と、
前記発光素子の側面を被覆する導光部材と、
前記第１面を被覆し、第１母材及び第１波長変換粒子を有する第１波長変換部材と、
前記発光素子の側面、前記導光部材の側面及び第１波長変換部材の側面を被覆し、前記
発光素子と接する反射部材と、を備え、
前記第１波長変換部材の厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、
前記第１波長変換粒子の平均粒径は、４μｍ以上１２μｍ以下であり、
前記第１波長変換粒子の中心粒径は、４μｍ以上１２μｍ以下であり、
前記第１波長変換部材の全重量に対して、前記第１波長変換粒子が６０重量％以上７５
重量％以下である発光装置。
【請求項２】
前記第１波長変換粒子がマンガン賦活フッ化物蛍光体である請求項１に記載の発光装置
。
【請求項３】
前記発光素子と前記第１波長変換部材との間に位置し、第２母材及び第２波長変換粒子
を含む第２波長変換部材を備える請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１波長変換粒子の平均粒径が前記第２波長変換粒子の平均粒径よりも小さい請求
項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２波長変換粒子がβサイアロン系蛍光体である請求項３又は４に記載の発光装置
。
【請求項６】
前記第２波長変換部材の厚みは、２０μｍ以上６０μｍ以下であり、請求項３から５の
いずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記前記第１波長変換部材を被覆する被覆部材を備える請求項１から６のいずれか１項
に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１波長変換部材の体積基準による粒度分布の標準偏差が０．３μｍ以下である請
求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子と、発光素子上に配置された、発光素子の発する光の少なくとも一部を透過す
る光学層と、光学層の上に搭載され、発光素子の発する光の少なくとも一部を透過する板
状光学部材とを有する発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１３４３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
バックライトや照明として使用する場合には、場所によらず均一な色度の光を得ること
のできる発光装置が求められている。そこで、本発明に係る実施形態は、配光色度ムラを
抑制できる発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様に係る発光装置は、第１面と、前記第１面の反対側に位置する第２面と
、を有する発光素子と、前記発光素子の側面を被覆する導光部材と、前記第１面を被覆し
、第１母材及び第１波長変換粒子を有する第１波長変換部材と、前記発光素子の側面、前
記導光部材の側面及び第１波長変換部材の側面を被覆し、前記発光素子と接する反射部材
と、を備え、前記第１波長変換部材の厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記
第１波長変換粒子の平均粒径は、４μｍ以上１２μｍ以下であり、前記第１波長変換粒子
の中心粒径は、４μｍ以上１２μｍ以下であり、前記第１波長変換部材の全重量に対して
、前記第１波長変換粒子が６０重量％以上７５重量％以下である。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る実施形態の発光装置によれば、配光色度ムラを抑制できる発光装置を提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１Ａ】図１Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、実施形態１に係る発光装置の概略斜視図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、実施形態１に係る発光装置の概略正面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１Ｃの２Ａ−２Ａ線における概略断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１Ｃの２Ｂ−２Ｂ線における概略断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略背面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施形態１に係る発光装置の概略底面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、実施形態１に係る発光装置の概略側面図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る基板の概略側面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施形態１に係る発光装置の概略断面図と、点線部内を拡大して示す拡大図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施形態１に係る発光装置の変形例の概略断面図と、点線部内を拡大して示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、発明の実施形態について適宜図面を参照して説明する。但し、以下に説明する発
光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り
、本発明を以下のものに限定しない。また、一つの実施形態において説明する内容は、変
形例にも適用可能である。さらに、図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確
にするため、誇張していることがある。
【０００９】
＜実施形態１＞
本発明の実施形態に係る発光装置１０００を図１Ａから図５Ｂに基づいて説明する。発
光装置１０００は、発光素子２０と、導光部材５０と、第１波長変換部材３１と、反射部
材４０と、を備える。発光素子２０は、第１面２０１と、第１面２０１の反対側に位置す
る第２面２０３と、を有する。導光部材５０は、発光素子の側面２０２を被覆する。第１
波長変換部材３１は、発光素子の第１面２０１を被覆する。また、第１波長変換部材３１
は、第１母材３１２及び第１波長変換粒子３１１を有する。第１波長変換部材３１の厚み
は、６０μｍ以上１２０μｍ以下である。第１波長変換粒子３１１の平均粒径は、４μｍ
以上１２μｍ以下である。第１波長変換粒子３１１の中心粒径は、４μｍ以上１２μｍ以
下である。第１波長変換部材３１の全重量に対して、第１波長変換粒子３１１が６０重量
％以上７５重量％以下である。反射部材４０は、発光素子の側面、導光部材の側面及び第
１波長変換部材の側面を被覆する。また、反射部材４０は、発光素子と接する。発光装置
は、発光素子を少なくとも１つ備えていればよい。つまり、発光装置は、発光素子を１つ
だけ備えていてもよく、発光素子を複数備えていてもよい。
【００１０】
第１波長変換部材３１に含まれる第１波長変換粒子３１１の平均粒径は、４μｍ以上１
２μｍ以下である。第１波長変換粒子３１１の平均粒径が、１２μｍ以下であることによ
り、第１波長変換部材３１に含まれる第１波長変換粒子３１１の濃度が同じ場合において
、第１母材３１２と第１波長変換粒子３１１との界面を増加させることができる。第１母
材と第１波長変換粒子との界面が増加することにより、発光素子からの光が第１母材と第
１波長変換粒子との界面によって拡散されやすくなる。これにより、発光素子からの光が
第１波長変換部材内で拡散されるので、発光装置の配光色度ムラを抑制することができる
。第１波長変換粒子の平均粒径が、４μｍ以上であることにより、発光素子からの光を取
り出しやすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。
【００１１】
本明細書において、第１波長変換粒子３１１の平均粒径とは、ＦＳＳＳ法（フィッシャ
ーサブシーブサイザー：Fisher Sub-Sieve Sizer）により測定した粒子径の平均値のこと
である。フィッシャー法により測定される平均粒径は、例えば、Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｕｂ−
Ｓｉｅｖｅ  Ｓｉｚｅｒ  Ｍｏｄｅｌ９５（Ｆｉｓｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）
を用いて測定される。
【００１２】
第１波長変換部材３１に含まれる第１波長変換粒子３１１の中心粒径は、４μｍ以上１
２μｍ以下である。第１波長変換粒子の中心粒径が、１２μｍ以下であることにより、第
１波長変換部材３１に含まれる第１波長変換粒子３１１の濃度が同じ場合において、第１
母材と第１波長変換粒子との界面が増加する。第１母材と第１波長変換粒子との界面が増
加することにより、発光素子からの光が第１母材と第１波長変換粒子との界面によって拡
散されやすくなる。これにより、発光素子からの光が第１波長変換部材内で拡散されるの
で、発光装置の配光色度ムラを抑制することができる。第１波長変換粒子の中心粒径が、
４μｍ以上であることにより、発光素子からの光を取り出しやすくなるので発光装置の光
取り出し効率が向上する。
【００１３】
本明細書において、第１波長変換粒子３１１の中心粒径は、体積平均粒径（メジアン径
）のことであり、小径側からの体積累積頻度が５０％に達する粒径（Ｄ５０：メジアン径
）のことである。レーザー回折式粒度分布測定装置（ＭＡＬＶＥＲＮ社製ＭＡＳＴＥＲ  
ＳＩＺＥＲ  ２０００）により、中心粒径を測定することができる。
【００１４】
第１波長変換粒子の小径側からの体積累積頻度が１０％に達する粒径（Ｄ１０）は、６
μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。第１波長変換粒子の小径側からの体積累積
頻度が９０％に達する粒径（Ｄ９０）は、１５μｍ以上２０μｍ以下であることが好まし
い。
【００１５】
第１波長変換粒子の体積基準による粒度分布の標準偏差（σｌｏｇ）は０．３μｍ以下
であることが好ましい。第１波長変換粒子のバラつきが少ないことで均一な厚みの波長変
換部材３１の形成が容易になる。
【００１６】
第１波長変換粒子としては、例えばマンガン賦活フッ化物系蛍光体が挙げられる。マン
ガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得られ色再現性の観点
において好ましい部材である。
【００１７】
第１波長変換部材３１の厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下である。第１波長変換部
材の厚みが、６０μ以上であることにより、第１波長変換部材３１に含有できる第１波長
変換粒子３１１を増やすことができる。第１波長変換部材３１の厚みが、１２０μｍ以下
であることにより、発光装置を薄型化することができる。尚、第１波長変換部材の厚みと
は、Ｚ方向における第１波長変換部材の厚みのことである。
【００１８】
第１波長変換部材３１の全重量に対して、第１波長変換粒子３１１が６０重量％以上７
５重量％以下である。第１波長変換部材の全重量に対して、第１波長変換粒子が６０重量
％以上であることにより、第１波長変換粒子の含有量が増加するので、第１母材と第１波
長変換粒子との界面が増加する。第１母材と第１波長変換粒子との界面が増加することに
より、発光素子からの光が第１母材と第１波長変換粒子との界面によって拡散されやすく
なる。これにより、発光素子からの光が第１波長変換部材内で拡散されるので、発光装置
の配光色度ムラを抑制することができる。第１波長変換部材の全重量に対して、第１波長
変換粒子が７５重量％以下であることにより、第１波長変換部材における第１母材の割合
が増加するので、第１波長変換部材が破断することを抑制することができる。尚、第１波
長変換部材は、波長変換粒子として第１波長変換粒子のみを有していてもよく、第１波長
変換粒子と異なる材料の波長変換粒子を有していてもよい。
【００１９】
発光装置は、図２Ａに示す発光装置１０００のように発光素子２０と第１波長変換部材
３１との間に位置する第２波長変換部材３２を備えていてもよく、図２Ｃに示す発光装置
１０００Ａのように発光素子２０と第１波長変換部材３１との間に位置する第２波長変換
部材を備えていなくてもよい。第２波長変換部材３２は、第２母材３２２及び第２波長変
換粒子３２１を含む。第１波長変換粒子３１１の平均粒径は、第２波長変換粒子３２１の
平均粒径よりも小さいことが好ましい。第２波長変換粒子の平均粒径が第１波長変換粒子
の平均粒径よりも大きいことにより、発光素子からの光が第２波長変換部材３２に導光し
やすくなるので発光装置の光取り出し効率が向上する。また、第１波長変換粒子３１１の
平均粒径が第２波長変換粒子３２１の平均粒径よりも小さいことにより、第１波長変換部
材３１内で発光素子からの光が拡散しやすくなり、発光装置の配光色度ムラを抑制するこ
とができる。第１波長変換粒子の材料と第２波長変換粒子の材料とは、同じでもよく、異
なっていてもよい。また、第１母材３１２の材料と第２母材３２２の材料とは、同じでも
よく、異なっていてもよい。第１母材３１２の材料と第２母材３２２の材料とが同じであ
ることで、第１波長変換部材３１と第２２波長変換部材３２の接合強度が向上する。第１
母材３１２の材料と第２母材３２２の材料とが異なることで、第１母材３１２と第２母材
３２２に屈折率差が生じる。これにより、第１母材３１２と第２母材３２２の界面で発光
素子からの光が拡散されやすくなるので、発光装置の配光色度ムラを抑制することができ
る。第１母材３１２の屈折率は、第２母材３２２の屈折率よりも高いことが好ましい。こ
のようにすることで、発光素子からの光が第１母材３１２と第２母材３２２の界面で全反
射することを抑制できる。これにより、発光装置の光取り出し効率が向上する。
【００２０】
第２波長変換部材３２の厚みは、２０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。第
２波長変換部材３２の厚みが、２０μ以上であることにより、第２波長変換部材３２に含
有できる第２波長変換粒子３２１を増やすことができる。第２波長変換部材３２の厚みが
、６０μｍ以下であることにより、発光装置を薄型化することができる。尚、第２波長変
換部材の厚みとは、Ｚ方向における第２波長変換部材の厚みのことである。
【００２１】
第２波長変換部材３２の厚みは、第１波長変換部材３１の厚みの半分以下であることが
好ましい。このようにすることで、第２波長変換部材３２が厚い場合よりも発光素子から
の光が第１波長変換部材３１に照射されやすくなる。例えば、第１波長変換部材３１が８
０±５μｍの場合には、第２波長変換部材３２の厚みが３５±５μｍであることが好まし
い。尚、後述する第１波長変換部材３１を被覆する被覆部材３３の厚みは、第１波長変換
部材３１と同等の厚みを有していてもよい。例えば、第１波長変換部材３１の厚みが８０
±５μｍであり、第２波長変換部材３２の厚みが３５±５μｍであり、被覆部材３３の厚
みが８０±５μｍであってもよい。尚、本明細書において、同等の厚みとは、５μｍ程度
の変動は許容されることを意味する。
【００２２】
発光素子に励起された第２波長変換粒子３２１からの光のピーク波長は、発光素子に励
起された第１波長変換粒子３１１からの光のピーク波長よりも短いことが好ましい。発光
素子に励起された第２波長変換粒子３２１からの光のピーク波長が、発光素子に励起され
た第１波長変換粒子３１１からの光のピーク波長よりも短いことにより、発光素子に励起
された第２波長変換粒子からの光によって第１波長変換粒子を励起させることができる。
これにより、励起された第１波長変換粒子からの光を増加させることができる。第２波長
変換部材３２上に第１波長変換部材３１が配置されるので、発光素子に励起された第２波
長変換粒子からの光が第１波長変換粒子に出射されやすい。
【００２３】
発光素子に励起された第１波長変換粒子３１１からの光のピーク波長が６１０ｎｍ以上
７５０ｎｍ以下であり、発光素子に励起された第２波長変換粒子３２１からの光のピーク
波長が５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であることが好ましい。このようにすることで、演
色性の高い発光装置とすることができる。発光ピーク波長が４３０ｎｍ以上４７５ｎｍ以
下の範囲である発光素子（青色発光素子）と、発光素子に励起されたからの光のピーク波
長が６１０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である第１波長変換粒子と、発光素子に励起されたか
らの光のピーク波長が５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である第２波長変換粒子と、組み合
わせることで白色発光の発光装置を得ることができる。例えば、第１波長変換粒子として
マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体が挙げられ、第２波長変換粒子としてβサイア
ロン系蛍光体が挙げられる。第１波長変換粒子としてマンガン賦活フッ化珪酸カリウムの
蛍光体を用いる場合には、特に、発光素子２０と第１波長変換部材３１との間に位置する
第２波長変換部材３２を備えることが好ましい。マンガン賦活フッ化物蛍光体である第１
波長変換粒子は輝度飽和を起こしやすいが、第１波長変換部材３１と発光素子２０との間
に第２波長変換部材３２が位置することで発光素子からの光が過度に第１波長変換粒子に
照射されることを抑制することができる。これにより、マンガン賦活フッ化物蛍光体であ
る第１波長変換粒子の劣化を抑制することができる。
【００２４】
図２Ａに示すように、発光素子２０は、第１面２０１と、第１面２０１とは反対側の第
２面２０３と、を備える。発光素子２０は少なくとも半導体積層体２３を含み、半導体積
層体２３には正負電極２１、２２が設けられている。正負電極２１、２２は発光素子２０
の同じ側の面に形成されており、発光素子２０が実装基板にフリップチップ実装されてい
ることが好ましい。これにより、発光素子の正負電極に電気を供給するワイヤが不要にな
るので発光装置を小型化することができる。発光素子がフリップチップ実装されている場
合は、第２の面２０３に発光素子の正負電極２１、２２が位置する。なお、本実施形態で
は発光素子２０は素子基板２４を有するが、素子基板２４は除去されていてもよい。
【００２５】
導光部材５０は、発光素子の側面２０２を被覆する。導光部材５０は、反射部材４０よ
りも発光素子２０からの光の透過率が高い。このため、導光部材５０が発光素子の側面２
０２まで被覆することで、発光素子２０の側面から出射される光が導光部材５０を通して
、発光装置の外側に取り出しやすくなるので光取り出し効率を高めることができる。また
、導光部材５０は発光素子の第１面２０１と、透光性部材３０の間に位置していてもよく
、発光素子の第１面２０１と、透光性部材３０の間に位置していなくてもよい。導光部材
は、発光素子と透光性部材を接着する部材であるので、導光部材が発光素子の第１面２０
１と、透光性部材３０の間に位置することにより、発光素子と透光性部材の接合強度が向
上する。
【００２６】
反射部材４０は、発光素子の側面、導光部材の側面及び第１波長変換部材の側面を被覆
する。このようにすることで、発光領域と非発光領域とのコントラストが高い、「見切り
性」の良好な発光装置とすることができる。また、反射部材４０は、少なくとも一部が発
光素子と接する。反射部材４０は、少なくとも一部が発光素子と接することで、発光装置
を小型化することができる。反射部材４０は、発光素子の第２面２０３と接することが好
ましい。このようにすることで、発光素子からの光が発光素子を実装する基板に吸収され
ることを抑制することができる。
【００２７】
図２Ａに示す発光装置１０００のように、第１波長変換部材３１を被覆する被覆部材３
３を備えていてもよい。被覆部材３３は、実質的に波長変換粒子を含有していない。第１
波長変換部材３１を被覆する被覆部材３３を備えることにより、水分に弱い第１波長変換
粒子を使用しても被覆部材３３が保護層としても機能を果たすので第１波長変換粒子の劣
化を抑制できる。水分に弱い波長変換粒子としては、例えばマンガン賦活フッ化物蛍光体
が挙げられる。マンガン賦活フッ化物系蛍光体は、スペクトル線幅の比較的狭い発光が得
られ色再現性の観点において好ましい部材である。「波長変換粒子を実質的に含有しない
」とは、不可避的に混入する波長変換粒子を排除しないことを意味し、波長変換粒子の含
有率が０．０５重量％以下であることが好ましい。尚、本明細書において、第１波長変換
部材３１、第２波長変換部材３２及び／又は被覆部材３３を合わせて透光性部材３０と呼
ぶことがある。
【００２８】
図２Ｄに示す発光装置１０００Ｃのように、透光性部材３０の上面を被覆する被膜３４
を備えていてもよい。被膜３４とは、ナノ粒子である被膜粒子の凝集体のことである。尚
、被膜は、被膜粒子だけでもよく、被膜粒子及び樹脂材料を含んでいてもよい。被膜の屈
折率が最表面に位置する透光性部材の母材の屈折率と異なることで、発光装置の発光色度
の補正が可能になる。最表面に位置する透光性部材の母材とは、透光性部材において発光
素子の光取り出し面側の面とは反対の面を形成する層の母材を意味する。例えば、被膜３
４の屈折率が最表面に位置する透光性部材の母材の屈折率より大きい場合には、被膜と空
気の界面における反射光成分は、最表面に位置する透光性部材の母材と空気の界面におけ
る反射光成分よりも増大する。このため、透光性部材中に戻る反射光成分を増やすことが
できるので、波長変換粒子を励起させやすくなる。これにより、発光装置の発光色度を長
波長側に補正することができる。また、被膜３４の屈折率が最表面に位置する透光性部材
の母材の屈折率より小さい場合には、被膜と空気の界面における反射光成分は、透光部材
の母材と空気の界面における反射光成分よりも減少する。これにより、透光性部材中に戻
る反射光成分を減らすことができるので、波長変換粒子を励起させにくくなる。これによ
り、発光装置の発光色度を短波長側に補正することができる。例えば、最表面に位置する
透光性部材の母材としてフェニル系シリコーン樹脂を用いる場合には、発光装置の発光色
度を長波長側に補正する被膜粒子として酸化チタン、酸化チタン、酸化アルミニウム等が
挙げられる。最表面に位置する透光性部材の母材がフェニル系シリコーン樹脂を用いる場
合には、発光装置の発光色度を短波長側に補正する被膜粒子として酸化ケイ素等が挙げら
れる。発光装置が透光性部材を複数備える場合には、一方の透光性部材の上面を被膜で被
覆し、他方の透光性部材の上面を被膜で被覆しなくてもよい。発光装置の発光色度の補正
に合わせて透光性部材の上面を被覆する被膜を形成するかは適宜選択することができる。
また、発光装置が透光性部材を複数備える場合には、一方の透光性部材の上面を最表面に
位置する透光性部材の母材の屈折率より大きい屈折率を有する被膜で被覆し、他方の透光
性部材の上面を最表面に位置する透光性部材の母材の屈折率より小さい屈折率を有する被
膜で被覆してもよい。発光装置の発光色度の補正に合わせて透光性部材を被覆する被膜の
材料は適宜選択することができる。被膜は、ディスペンサによるポッティング、インクジ
ェット又はスプレーによる吹き付け等の公知の方法により形成することができる。
【００２９】
発光装置は発光素子を載置する基板１０を備えていてもよい。例えば、基板１０は、基
材１１と、第１配線１２と、第２配線１３と、第３配線１４と、ビア１５と、を備える。
基材１１は、長手方向である第１方向と短手方向である第２方向に延長する正面１１１と
、正面の反対側に位置する背面１１２と、正面１１１と隣接し正面１１１と直交する底面
１１３と、底面１１３の反対側に位置する上面１１４と、を有する。基材１１は、更に少
なくとも１つの窪み１６を有する。第１配線１２は、基材１１の正面１１１に配置される
。第２配線１３は、基材１１の背面１１２に配置される。発光素子２０は、第１配線１２
と電気的に接続され、第１配線１２上に載置される。反射部材４０は、発光素子２０の側
面２０２及び基板の正面１１１を被覆する。少なくとも１つの窪みは、背面１１２と底面
１１３とに開口する。第３配線１４は、窪みの内壁を被覆し第２配線と電気的に接続され
る。ビア１５は、第１配線１２及び第２配線と接する。ビア１５は、第１配線１２及び第
２配線１３を電気的に接続する。また、ビア１５は、基材１１の正面１１１から背面１１
２を貫通している。尚、本明細書において直交とは、９０°から±３°程度の傾斜を許容
することを意味する。
【００３０】
ビア１５は、第３配線と接していてもよく、ビア１５は、第３配線と離間していてもよ
い。ビア１５が第３配線と接しすることで、発光素子からの熱が第１配線１２からビア１
５を介して第２配線１３及び／又は第３配線１４に伝わることができるので、発光装置１
０００の放熱性を向上させることができる。ビア１５が第３配線と離間することで背面視
においてビアと窪みが重ならないので基板の強度が向上する。ビア１５が複数有る場合に
は、一方のビアは第３配線と接し、他方のビアは第３配線から離間してもよい。
【００３１】
発光素子２０が基板１０にフリップチップ実装されている場合は、発光素子の正負電極
２１、２２が導電性接着部材６０を介して基板１０に接続されている。発光素子２０が基
板１０にフリップチップ実装されている場合は、第１配線１２は凸部１２１を備えている
ことが好ましい。第１配線１２の凸部１２１上に発光素子２０の正負電極２１、２２が位
置することで、導電性接着部材６０を介して第１配線１２と発光素子の正負電極２１、２
２を接続する時に、セルフアライメント効果により発光素子と基板との位置合わせを容易
に行うことができる。
【００３２】
ビア１５は、背面視において円形状であることが好ましい。このようにすることで、ド
リル等により容易に形成することができる。本明細書において、円形状とは真円のみなら
ず、これに近い形（例えば、楕円形状や四角形の四隅が大きく円弧状に面取りされたよう
な形状であっても良い）を含むものである。
【００３３】
ビア１５は、基材の貫通孔内に導電性材料が充填されることで構成されてもよく、図２
Ａに示すように、基材の貫通孔の表面を被覆する第４配線１５１と第４配線１５１に囲ま
れた領域に充填された充填部材１５２とを備えていてもよい。充填部材１５２は、導電性
でもよく、絶縁性でもよい。充填部材１５２には、樹脂材料を使用することが好ましい。
一般的に硬化前の樹脂材料は、硬化前の金属材料よりも流動性が高いので第４配線１５１
内に充填しやすい。このため、充填部材に樹脂材料を使用することで基板の製造が容易に
なる。充填しやすい樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂が挙げられる。充填部材とし
て樹脂材料を用いる場合は、線膨張係数を下げるために添加部材を含有することが好まし
い。このようにすることで、第４配線との線膨張係数の差が小さくなるので、発光素子か
らの熱によって第４配線と充填部材との間に隙間ができることを抑制できる。添加部材と
しては、例えば酸化ケイ素が挙げられる。また、充填部材１５２に金属材料を使用した場
合には、放熱性を向上させることができる。また、ビア１５が基材の貫通孔内に導電性材
料が充填されて構成される場合には、熱伝導性が高いＡｇ、Ｃｕ等の金属材料を用いるこ
とが好ましい。
【００３４】
発光装置１０００は、窪み１６内に形成した半田等の接合部材によって実装基板に固定
することができる。基板が備える窪みの数は１つでもよく、複数でもよい。窪みが複数あ
ることで、発光装置１０００と実装基板との接合強度を向上させることができる。窪みの
深さは、上面側と底面側とで同じ深さでもよく、上面側よりも底面側で深くてもよい。図
２Ｂに示すように、Ｚ方向における窪み１６の深さが上面側よりも底面側で深いことで、
Ｚ方向において、窪みの上面側に位置する基材の厚みＷ１を窪みの底面側に位置する基材
の厚みＷ２よりも厚くすることができる。これにより、基材の強度低下を抑制することが
できる。また、底面側の窪みの深さＷ３が上面側の窪みの深さＷ４よりも深いことで、窪
み内に形成される接合部材の体積が増加するので、発光装置１０００と実装基板との接合
強度を向上させることができる。発光装置１０００が、基材１１の背面１１２と、実装基
板と、を対向させて実装する上面発光型（トップビュータイプ）でも、基材１１の底面１
１３と、実装基板と、を対向させて実装する側面発光型（サイドビュータイプ）でも、接
合部材の体積が増加することで、実装基板との接合強度を向上させることができる。
【００３５】
発光装置１０００と実装基板の接合強度は、特に側面発光型の場合に向上させることが
できる。Ｚ方向における窪みの深さが上面側よりも底面側で深いことで、底面における窪
みの開口部の面積を大きくすることができる。実装基板と対向する底面における窪みの開
口部の面積が大きくなることで、底面に位置する接合部材の面積も大きくすることができ
る。これにより、実装基板と対向する面に位置する接合部材の面積を大きくすることがで
きるので発光装置１０００と実装基板の接合強度を向上させることができる。
【００３６】
Ｚ方向における窪みの深さの最大は、Ｚ方向における基材の厚みの０．４倍から０．９
倍であることで好ましい。窪みの深さが基材の厚みの０．４倍よりも深いことで、窪み内
に形成される接合部材の体積が増加するので発光装置と実装基板の接合強度を向上させる
ことができる。窪みの深さが基材の厚みの０．９倍よりも浅いことで、基材の強度低下を
抑制することができる。
【００３７】
図２Ｂに示すように、窪み１６は、背面１１２から底面１１３と平行方向（Ｚ方向）に
延びる平行部１６１を備えていることが好ましい。平行部１６１を備えることで、背面に
おける窪みの開口部の面積が同じでも窪みの体積を大きくすることができる。窪みの体積
を大きくすることで窪み内に形成できる半田等の接合部材の量を増やすことができるので
、発光装置１０００と実装基板との接合強度を向上させることができる。尚、本明細書に
おいて平行とは、±３°程度の傾斜を許容することを意味する。また、断面視において窪
み１６は、底面１１３から基材１１の厚みが厚くなる方向に傾斜する傾斜部１６２を備え
る。傾斜部１６２は直線でもよく、湾曲でもよい。
【００３８】
Ｙ方向における窪みの高さの最大は、Ｙ方向における基材の厚みの０．３倍から０．７
５倍であることで好ましい。Ｙ方向における窪みの深さが基材の厚みの０．３倍よりも長
いことで、窪み内に形成される接合部材の体積が増加するので発光装置と実装基板の接合
強度を向上させることができる。Ｙ方向における窪みの長さが基材の厚みの０．７５倍よ
りも浅いことで、基材の強度低下を抑制することができる。
【００３９】
図３Ａに示すように、背面において、窪み１６が複数ある場合は、Ｙ方向に平行な基材
の中心線３Ｃに対して左右対称に位置することが好ましい。このようにすることで、発光
装置を実装基板に接合部材を介して実装される際にセルフアライメントが効果的に働き、
発光装置を実装範囲内に精度よく実装することができる。
【００４０】
発光装置は、第２配線１３の一部を被覆する絶縁膜１８を備えてもよい。絶縁膜１８を
備えることで、背面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図ることができる。また、基
材から第２配線が剥がれることを防止することができる。
【００４１】
底面において、Ｚ方向における窪みの深さは略一定でもよく、窪みの深さが中央と端部
で異なっていてもよい。図３Ｂに示すように、底面において、窪み１６の中央の深さＤ１
が、Ｚ方向における窪みの深さの最大であることが好ましい。このようにすることで、底
面において、Ｘ方向の窪みの端部で、Ｚ方向における基材の厚みＤ２を厚くすることがで
きるので基材の強度を向上させることができる。尚、本明細書で中央とは、５μｍ程度の
変動は許容されることを意味する。窪み１６は、ドリルや、レーザー等の公知の方法で形
成することができる。
【００４２】
図３Ｃに示すように、底面１１３側に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０３は
、Ｚ方向において発光装置１０００の内側に傾斜していることが好ましい。このようにす
ることで、発光装置１０００を実装基板に実装する時に、反射部材４０の側面４０３と実
装基板との接触が抑えられ、発光装置１０００の実装姿勢が安定しやすい。上面１１４側
に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０４は、Ｚ方向において発光装置１０００の
内側に傾斜していることが好ましい。このようにすることで、反射部材４０の側面と吸着
ノズル（コレット）との接触が抑えられ、発光装置１０００の吸着時の反射部材４０の損
傷を抑制することができる。このように、底面１１３側に位置する反射部材４０の長手方
向の側面４０３及び上面１１４側に位置する反射部材４０の長手方向の側面４０４は、背
面から正面方向（Ｚ方向）において発光装置１０００の内側に傾斜していることが好まし
い。反射部材４０の傾斜角度θは、適宜選択できるが、このような効果の奏しやすさ及び
反射部材４０の強度の観点から、０．３°以上３°以下であることが好ましく、０．５°
以上２°以下であることがより好ましく、０．７°以上１．５°以下であることがよりい
っそう好ましい。また、発光装置１０００の右側面と左側面は略同一の形状をしているこ
とが好ましい。このようにすることで発光装置１０００を小型化することができる。
【００４３】
図４に示す基板１０のように、正面視において第１配線１２は、Ｙ方向の長さが短い幅
狭部と、Ｙ方向の長さが長い幅広部と、を備えていることが好ましい。幅狭部のＹ方向の
長さＤ３は、幅広部のＹ方向の長さＤ４よりも長さが短い。幅狭部は、正面視においてビ
ア１５の中心からＸ方向に離れており、且つ、Ｘ方向において発光素子の電極が位置して
いる部分に位置している。幅広部は、正面視においてビア１５の中心に位置している。第
１配線１２が幅狭部を備えることにより、発光素子の電極と第１配線とを電気的に接続す
る導電性接着部材が第１配線上を濡れ広がる面積を小さくすることができる。これにより
、導電性接着部材の形状を制御しやすくなる。尚、第１配線の周縁部は、角丸めされた形
状でもよい。
【００４４】
図５Ａに示すように、第１配線、第２配線及び又は第３配線は、配線主部１２Ａと、配
線主部１２Ａ上に形成されためっき１２Ｂを有していてもよい。本明細書において、配線
とは、第１配線、第２配線及び又は第３配線を指す。配線主部１２Ａとしては、銅等の公
知の材料を用いることができる。配線主部１２Ａ上にめっき１２Ｂを有することで、配線
の表面における反射率を向上させたり、硫化を抑制したりすることができる。例えば、配
線主部１２Ａ上にリンを含むニッケルめっき１２０Ａを位置していてもよい。ニッケルは
、リンを含有することで硬度が向上するので、配線主部１２Ａ上にリンを含むニッケルめ
っき１２０Ａが位置することで配線の硬度が向上する。これにより、発光装置の個片化等
で、配線を切断する時に配線にバリが発生することを抑制することができる。リンを含む
ニッケルめっきは、電解めっき法で形成されてもよく、無電解めっき法で形成されてもよ
い。
【００４５】
図５Ａに示すように、めっき１２Ｂの最表面には金めっき１２０Ｂが位置していること
が好ましい。めっきの最表面には金めっきが位置することで、第１配線１２、第２配線１
３及び又は第３配線１４の表面における酸化、腐食を抑制し、良好なはんだ付け性が得ら
れる。反射率を向上させたり、硫化を抑制したりすることができる。めっき１２Ｂの最表
面に位置する金めっき１２０Ｂは電解めっき法により形成されることが好ましい。電解め
っき法は、無電解めっき法よりもイオウ等の触媒毒の含有を少なくすることができる。白
金系触媒を用いた付加反応型シリコーン樹脂を金めっきと接する位置で硬化する場合に、
電解めっき法により形成した金めっきはイオウの含有が少ないので、イオウと白金とが反
応することを抑制できる。これにより、白金系触媒を用いた付加反応型シリコーン樹脂が
硬化不良を起こすことを抑制できる。リンを含むニッケルめっき１２０Ａと接する金めっ
き１２０Ｂを形成する場合には、リンを含むニッケルめっき１２０Ａ及び金めっき１２０
Ｂは電解めっき法で形成されることが好ましい。同一の方法でめっきを形成することで、
発光装置の製造コストを抑制することができる。尚、ニッケルめっきとはニッケルを含有
してよく、金めっきとは金を含有していればよく、他の材料が含有していてもよい。
【００４６】
リンを含むニッケルめっきの厚みは金めっきの厚みより厚いことが好ましい。リンを含
むニッケルめっきの厚みが金めっきの厚みよりも厚いことで、第１配線１２、第２配線１
３及び又は第３配線１４の硬度を向上させやすくなる。リンを含むニッケルめっきの厚み
は、金めっきの厚みの５倍以上５００倍以下が好ましく、１０倍以上１００倍以下がより
好ましい。
【００４７】
図５Ｂに示す発光装置１０００Ｃのように、配線は、配線主部１２Ａ上にリンを含むニ
ッケルめっき１２０Ｃと、パラジウムめっき１２０Ｄと、第１金めっき１２０Ｅと、第２
金めっき１２０Ｆと、が積層されためっき１２Ｂを形成してもよい。リンを含むニッケル
めっき１２０Ｃと、パラジウムめっき１２０Ｄと、第１金めっき１２０Ｅと、第２金めっ
き１２０Ｆが積層することで、例えば、配線主部１２Ａの銅を用いた場合にめっき１２Ｂ
中に銅が拡散することを抑制できる。これにより、めっきの各層の密着性の低下を抑制す
ることができる。配線主部１２Ａ上にリンを含むニッケルめっき１２０Ｃと、パラジウム
めっき１２０Ｄと、第１金めっき１２０Ｅを無電解めっき法に形成し、第２金めっき１２
０Ｆを電解めっき法により形成してもよい。電解めっき法により形成した第２金めっき１
２０Ｆが最表面に位置することで、白金系触媒を用いた付加反応型シリコーン樹脂の硬化
不良を抑制することができる。
【００４８】
以下、本発明の一実施形態に係る発光装置における各構成要素について説明する。
【００４９】
（発光素子２０）
発光素子２０は、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子であり、窒化物半導体
等から構成される既知の半導体素子を適用できる。発光素子２０としては、例えばＬＥＤ
チップが挙げられる。発光素子２０は、少なくとも半導体積層体２３を備え、多くの場合
に素子基板２４をさらに備える。発光素子の上面視形状は、矩形、特に正方形状又は一方
向に長い長方形状であることが好ましいが、その他の形状であってもよく、例えば六角形
状であれば発光効率を高めることもできる。発光素子の側面は、上面に対して、垂直であ
ってもよいし、内側又は外側に傾斜していてもよい。また、発光素子は、正負電極を有す
る。正負電極は、金、銀、錫、白金、ロジウム、チタン、アルミニウム、タングステン、
パラジウム、ニッケル又はこれらの合金で構成することができる。発光素子の発光ピーク
波長は、半導体材料やその混晶比によって、紫外域から赤外域まで選択することができる
。半導体材料としては、波長変換粒子を効率良く励起できる短波長の光を発光可能な材料
である、窒化物半導体を用いることが好ましい。窒化物半導体は、主として一般式Ｉｎｘ
ＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）で表される。発光素子の発光ピ
ーク波長は、発光効率、並びに波長変換粒子の励起及びその発光との混色関係等の観点か
ら、４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下が好ましく、４２０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下がより好
ましく、４５０ｎｍ以上４７５ｎｍ以下がよりいっそう好ましい。このほか、ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ系半導体、ＩｎＡｌＧａＰ系半導体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、炭化珪素などを用
いることもできる。発光素子の素子基板は、主として半導体積層体を構成する半導体の結
晶を成長可能な結晶成長用基板であるが、結晶成長用基板から分離した半導体素子構造に
接合させる接合用基板であってもよい。素子基板が透光性を有することで、フリップチッ
プ実装を採用しやすく、また光の取り出し効率を高めやすい。素子基板の母材としては、
サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化珪素、ガリウム砒素、ガ
リウム燐、インジウム燐、硫化亜鉛、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、ダイヤモンドなどが挙げ
られる。なかでも、サファイアが好ましい。素子基板の厚さは、適宜選択でき、例えば０
．０２ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、素子基板の強度及び／若しくは発光装置の厚さの観点
において、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
（第１波長変換部材３１）
第１波長変換部材は発光素子上に設けられる部材である。第１波長変換部材は、第１母
材と第１波長変換粒子と、を含んでいる。
【００５１】
（第１波長変換粒子３１１）
第１波長変換粒子は、発光素子が発する一次光の少なくとも一部を吸収して、一次光と
は異なる波長の二次光を発する。第１波長変換粒子は、以下に示す具体例のうちの１種を
単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５２】
第１波長変換粒子としては、緑色発光する波長変換粒子、黄色発光する波長変換粒子及
び又は赤色発光する波長変換粒子等公知の波長変換粒子を使用することができる。例えば
、緑色発光する波長変換粒子としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光
体（例えばＹ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネッ
ト系蛍光体（例えばＬｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム
・ガーネット系蛍光体（例えばＴｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）系蛍光体、シリケ
ート系蛍光体（例えば（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（
例えばＣａ８Ｍｇ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ６
−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ：Ｅｕ（０＜ｚ＜４．２））、ＳＧＳ系蛍光体（例えばＳｒＧａ
２Ｓ４：Ｅｕ）などが挙げられる。黄色発光の波長変換粒子としては、αサイアロン系蛍
光体（例えばＭｚ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６（但し、０＜ｚ≦２であり、ＭはＬ
ｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ、及びＬａとＣｅを除くランタニド元素）などが挙げられる。このほ
か、上記緑色発光する波長変換粒子の中には黄色発光の波長変換粒子もある。また例えば
、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体は、Ｙの一部をＧｄで置換すること
で発光ピーク波長を長波長側にシフトさせることができ、黄色発光が可能である。また、
これらの中には、橙色発光が可能な波長変換粒子もある。赤色発光する波長変換粒子とし
ては、窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ＣＡＳＮ又はＳＣＡＳＮ）系蛍光体（例えば（
Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）などが挙げられる。このほか、マンガン賦活フッ化物
系蛍光体（一般式（Ｉ）Ａ２［Ｍ１−ａＭｎａＦ６］で表される蛍光体である（但し、上
記一般式（Ｉ）中、Ａは、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ及びＮＨ４からなる群から選ばれ
る少なくとも１種であり、Ｍは、第４族元素及び第１４族元素からなる群から選ばれる少
なくとも１種の元素であり、ａは０＜ａ＜０．２を満たす））が挙げられる。このマンガ
ン賦活フッ化物系蛍光体の代表例としては、マンガン賦活フッ化珪酸カリウムの蛍光体（
例えばＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）がある。
【００５３】
（第１母材３１２）
第１母材３１２は、発光素子から発せられる光に対して透光性を有するものであればよ
い。なお、「透光性」とは、発光素子の発光ピーク波長における光透過率が、好ましくは
６０％以上であること、より好ましくは７０％以上であること、よりいっそう好ましくは
８０％以上であることを言う。第１母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂を用いることができ
る。ガラスでもよい。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び
耐光性に優れ、好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、
フェニル−メチルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。なお、本明
細書における「変性樹脂」は、ハイブリッド樹脂を含むものとする。
【００５４】
第１母材は、上記樹脂若しくはガラス中に各種の拡散粒子を含有してもよい。拡散粒子
としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛などが挙げられる
。拡散粒子は、これらのうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせ
て用いることができる。特に、熱膨張係数の小さい酸化珪素が好ましい。また、拡散粒子
として、ナノ粒子を用いることで、発光素子が発する光の散乱を増大させ、波長変換粒子
の使用量を低減することもできる。
【００５５】
（導光部材５０）
導光部材は、発光素子と透光性部材を接着し、発光素子からの光を透光性部材に導光す
る部材である。導光部材の母材は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げられる。なかでも、シ
リコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、好ましい。具体的な
シリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチルシリコーン樹脂、
ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。また、導光部材の母材は、上述の第１母材と同
様に拡散粒子を含有してもよい。
【００５６】
（反射部材）
反射部材は、Ｚ方向への光取り出し効率の観点から、発光素子の発光ピーク波長におけ
る光反射率が、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく
、９０％以上であることがよりいっそう好ましい。さらに、反射部材は、白色であること
が好ましい。よって、反射部材は、母材中に白色顔料を含有してなることが好ましい。反
射部材は、硬化前には液状の状態を経る。反射部材は、トランスファ成形、射出成形、圧
縮成形、ポッティングなどにより形成することができる。
【００５７】
（反射部材の母材）
反射部材の母材は、樹脂を用いることができ、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、又はこれらの変性樹脂が挙げら
れる。なかでも、シリコーン樹脂及び変性シリコーン樹脂は、耐熱性及び耐光性に優れ、
好ましい。具体的なシリコーン樹脂としては、ジメチルシリコーン樹脂、フェニル−メチ
ルシリコーン樹脂、ジフェニルシリコーン樹脂が挙げられる。
【００５８】
（白色顔料）
白色顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、水酸化マ
グネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、珪酸マグネシウム、
チタン酸バリウム、硫酸バリウム、水酸化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコ
ニウム、酸化ケイ素のうちの１種を単独で、又はこれらのうちの２種以上を組み合わせて
用いることができる。白色顔料の形状は、適宜選択でき、不定形若しくは破砕状でもよい
が、流動性の観点では球状が好ましい。また、白色顔料の粒径は、例えば０．１μｍ以上
０．５μｍ以下程度が挙げられるが、光反射や被覆の効果を高めるためには小さい程好ま
しい。反射部材中の白色顔料の含有量は、適宜選択できるが、光反射性及び液状時におけ
る粘度などの観点から、例えば１０ｗｔ％以上８０ｗｔ％以下が好ましく、２０ｗｔ％以
上７０ｗｔ％以下がより好ましく、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下がよりいっそう好まし
い。なお、「ｗｔ％」は、重量パーセントであり、反射部材の全重量に対する当該材料の
重量の比率を表す。
【００５９】
（第２波長変換部材３２）
第２波長変換部材は、第１波長変換部材と同様の材料を用いることができる。
【００６０】
（被覆部材３３）
第２波長変換部材は、第１母材と同様の材料を用いることができる。
【００６１】
（基板１０）
基板１０は、発光素子を載置する部材である。基板１０は、基材１１と、第１配線１２
と、第２配線１３と、第３配線１４と、ビア１５と、により構成される。
【００６２】
（基材１１）
基材１１は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラスなどの絶縁性部材を用
いて構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポ
キシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックス
としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム
、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。これらの基材の
うち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基材を使用することが好ましい。基
材の厚さの下限値は、適宜選択できるが、基材の強度の観点から、０．０５ｍｍ以上であ
ることが好ましく、０．２ｍｍ以上であることがより好ましい。また、基材の厚さの上限
値は、発光装置の厚さ（奥行き）の観点から、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０
．４ｍｍ以下であることがより好ましい。
【００６３】
（第１配線１２、第２配線１３、第３配線１４）
第１配線は、基板の正面に配置され、発光素子と電気的に接続される。第２配線は、基
板の背面に配置され、ビアを介して第１配線と電気的に接続される。第３配線は、窪みの
内壁を被覆し、第２配線と電気的に接続される。第１配線、第２配線及び第３配線は、銅
、鉄、ニッケル、タングステン、クロム、アルミニウム、銀、金、チタン、パラジウム、
ロジウム、又はこれらの合金で形成することができる。これらの金属又は合金の単層でも
多層でもよい。特に、放熱性の観点においては銅又は銅合金が好ましい。また、第１配線
及び／又は第２配線の表層には、導電性接着部材の濡れ性及び／若しくは光反射性などの
観点から、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、金若しくはこれらの合金などの層が設け
られていてもよい。
【００６４】
（ビア１５）
ビア１５は基材１１の正面と背面とを貫通する孔内に設けられ、第１配線と前記第２配
線を電気的に接続する部材である。ビア１５は基材の貫通孔の表面を被覆する第４配線１
５１と、第４配線内１５１に充填された充填部材１５２と、によって構成されてもよい。
第４配線１５１には、第１配線、第２配線及び第３配線と同様の導電性部材を用いること
ができる。充填部材１５２には、導電性の部材を用いても絶縁性の部材を用いてもよい。
【００６５】
（絶縁膜１８）
絶縁膜１８は、背面における絶縁性の確保及び短絡の防止を図る部材である。絶縁膜は
、当該分野で使用されるもののいずれで形成されていてもよい。例えば、熱硬化性樹脂又
は熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００６６】
（導電性接着部材６０）
導電性接着部材とは、発光素子の電極と第１配線とを電気的に接続する部材である。導
電性接着部材としては、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム
、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−
銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材のうちのいずれか１つを
用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の一実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト装置、各種照
明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、プロジェクタ装置、さ
らには、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取
装置などに利用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１０００、１０００Ａ、１０００Ｂ、１０００Ｃ  発光装置
１０  基板
１１  基材
１２  第１配線
１３  第２配線
１４  第３配線
１５  ビア
１５１  第４配線
１５２  充填部材
１６  窪み
１８  絶縁膜
２０  発光素子
３１  第１波長変換部材
３２  第２波長変換部材
３３  被覆部材
３４  被膜
４０  反射部材
５０  導光部材
６０  導電性接着部材
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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