(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化、または配線の剥がれを抑制できるモジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】モジュールは、絶縁層１０、絶縁層を貫通する第１貫通孔を介して電子部品２０ａと電気的に接続され、端部に第１パッド１５ａを有する第１配線１４ａ及び絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して電子部品２０ｂと電気的に接続され、端部に第２パッド１５ｂを有する第２配線１４ｂを有するシートモジュール１１と、電子部品の下面が固着されるダイパッド３２と、を備える。さらに、第１パッドが固着された第１フレームパッド３５ａと、第１フレームパッドから延伸する第１リード３４ａと、第２パッドが固着された第２フレームパッド３５ｂと、第２フレームパッドから第１リードの延伸方向に延伸する第２リード３４ｂと、第１リードと第２リードとの間に設けられ、ダイパッドと一体に形成される第３リード３４ｃと、を備える。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の下面に搭載された電子部品と、前記絶縁層を貫通する第１貫通孔を介して前記電子部品と電気的に接続され、前記絶縁層の上面を延伸し、端部に第１パッドを有する第１配線と、前記絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して前記電子部品と電気的に接続され、前記絶縁層の上面を延伸し、端部に第２パッドを有する第２配線と、を有するシートモジュールと、
前記電子部品の下面が固着されるダイパッドと、
前記第１パッドが固着された第１フレームパッドを有し、前記第１フレームパッドから延伸する第１リードと、
前記第２パッドが固着された第２フレームパッドを有し、前記第２フレームパッドから前記第１リードの延伸方向に略平行に延伸する第２リードと、
前記第１リードと前記第２リードとの間に設けられ、前記ダイパッドと一体に形成され、前記第１リードおよび前記第２リードの延伸方向に略平行に延伸する第３リードと、
を備えるモジュール。
【請求項２】
前記第１フレームパッドと前記第３リードとの間、および／または前記第２フレームパッドと前記第３リードとの間の前記絶縁層に切込みが設けられた請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記第１パッドの上面と前記第１フレームパッドの下面が固着され、前記第２パッドの上面と前記第２フレームパッドの下面が固着された請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記第１パッドの下面と前記第１フレームパッドの上面が固着され、前記第２パッドの下面と前記第２フレームパッドの上面が固着された請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項５】
前記第１パッドの下面は第１シムを介し前記第１フレームパッドの上面と固着され、前記第２パッドの下面は第２シムを介し前記第２フレームパッドの上面と固着された請求項４に記載のモジュール。
【請求項６】
前記シートモジュールは、複数の前記電子部品を有する請求項１から５のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項７】
前記電子部品はパワー半導体素子であり、前記絶縁層はポリイミドシートである請求項１から６のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項８】
前記電子部品は第１電子部品と第２電子部品を含み、
前記第１電子部品と前記第２電子部品の間の前記絶縁層に前記絶縁層を貫通するスリットが設けられる請求項１から７のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項９】
下面に電子部品が搭載され、上面に前記電子部品に電気的に接続された配線が設けられ、前記配線の端部に近接して開口が設けられた絶縁層を、有するシートモジュールを準備し、前記開口にリードの端部に設けられたフレームパッドを挿入する工程と、
前記開口に前記フレームパッドが挿入された状態で、前記フレームパッドを前記配線と電気的に接続する工程と、
を含むモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記開口に前記フレームパッドを挿入する工程は、前記電子部品の下面が固着されるダイパッドと、前記フレームパッドから前記ダイパッドの反対側に延伸する前記リードを有するリードフレームを準備し、前記開口に前記フレームパッドを挿入する工程を含み、
前記モジュールの製造方法は、前記開口に前記フレームパッドを挿入した状態で、前記リードフレームに前記シートモジュールを固定する工程を含む請求項９に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記開口に前記フレームパッドを挿入する工程において、前記開口を囲むように前記絶縁層に金属層が設けられている請求項９または１０に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１２】
下面に電子部品が搭載され、上面に前記電子部品に電気的に接続された第１配線および第２配線が設けられ、前記第１配線の第１パッドと前記第２配線の第２パッドとの間に切込みが設けられた絶縁層を、有するシートモジュールを準備し、前記電子部品の下面が固着されるダイパッドと、前記第１パッドと固着される第１フレームパッドと、前記第２パッドと固着される第２フレームパッドと、を有するリードフレームに、前記シートモジュールを固定する工程と、
前記シートモジュールと前記リードフレームとを樹脂封止する工程と、
を含み、
前記樹脂封止する工程において、溶融した樹脂が前記切込みを通過するモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂封止する工程において、前記ダイパッドの上面と平行方向および／または前記ダイパッドの下面から上面の方向に前記溶融した樹脂が流れるように前記樹脂を注入するゲートが設けられた金型を用いる請求項１２に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１４】
樹脂絶縁層と、
上面に第１端子および第２端子を有し、前記樹脂絶縁層の下面に搭載された第１電子部品と、
前記樹脂絶縁層の下面と前記第１電子部品の上面とを接合する樹脂接合層と、
前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層を貫通する１または複数の第１貫通孔の内面および前記樹脂絶縁層の上面に設けられ、前記第１端子に接続する第１配線と、
前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層を貫通する１または複数の第２貫通孔の内面および前記樹脂絶縁層の上面に設けられ、前記第２端子に接続する第２配線と、
を備え、
前記第１端子と前記第２端子との間かつ前記第１配線と前記第２配線との間に、前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層を貫通する開口が設けられかつ他の金属層は設けられていないモジュール。
【請求項１５】
前記１または複数の第１貫通孔が前記第１端子に接続する合計の面積は、前記１または複数の第２貫通孔が前記第２端子に接続する合計の面積より小さい請求項１４に記載のモジュール。
【請求項１６】
前記開口は、前記１または複数の第１貫通孔と前記第２配線との距離が最も近い前記１または複数の第１貫通孔と前記第２配線との間に設けられている請求項１５に記載のモジュール。
【請求項１７】
前記開口の端は、前記１または複数の第１貫通孔の最も外側の端より外側に位置する請求項１６に記載のモジュール。
【請求項１８】
前記第１電子部品は、トランジスタであり、
前記第１端子は前記トランジスタの制御端子であり、前記第２端子は前記トランジスタの制御端子以外の端子である請求項１５から１７のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項１９】
前記開口は、前記樹脂絶縁層の厚さ方向において前記第１電子部品と重なり前記第１電子部品の外側の領域には重ならない請求項１４から１８のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項２０】
前記開口を前記第１電子部品に投影した領域は前記第１電子部品を２つの領域に分割する請求項１４から１８のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項２１】
前記第１配線および前記第２配線の各々の厚さは、前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層の合計の厚さより大きい請求項１４から２０のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項２２】
上面に第３端子を有し、前記樹脂絶縁層の下面に搭載された第２電子部品を備え、
前記第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、前記第３端子と前記第１端子および前記第２端子の対応する少なくとも一方とを接続する請求項１４から２１のいずれか一項に記載のモジュール。
【請求項２３】
可撓性を有する絶縁層と、
前記絶縁層の下面に搭載された電子部品と、
前記絶縁層を貫通する貫通孔を介して前記電子部品と電気的に接続され、前記絶縁層の上面を延伸し、端部にパッドを有する配線と、
前記パッドに近接する前記絶縁層に設けられた開口を囲むように前記絶縁層に設けられた金属層と、
を備えるモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はモジュールおよびその製造方法に関し、例えば電子部品を搭載するモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームに搭載されたパワー半導体素子等の電子部品とリードフレームのリードとを電気的に接続する方法として、ボンディングワイヤ等の金属細線を用いることが知られている。パワー半導体素子を搭載するパワーモジュールにおいて、絶縁層の上面に電子部品を搭載し、絶縁層を貫通する貫通孔を介し絶縁層の下面から電子部品に接続する配線を設けることが知られている（例えば特許文献１)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４６５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品とリードとをボンディングワイヤを用いて接続すると、ボンディングワイヤがループ状に形成される。これにより、モジュールが厚くなる。または、電子部品等が発熱すると、樹脂絶縁層と配線との線熱膨張係数の差により、樹脂絶縁層が歪む。これにより、貫通孔内の配線が電子部品から剥がれてしまうことがある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、小型化すること、または配線の剥がれを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、絶縁層と、前記絶縁層の下面に搭載された電子部品と、前記絶縁層を貫通する第１貫通孔を介して前記電子部品と電気的に接続され、前記絶縁層の上面を延伸し、端部に第１パッドを有する第１配線と、前記絶縁層を貫通する第２貫通孔を介して前記電子部品と電気的に接続され、前記絶縁層の上面を延伸し、端部に第２パッドを有する第２配線と、を有するシートモジュールと、前記電子部品の下面が固着されるダイパッドと、前記第１パッドが固着された第１フレームパッドを有し、前記第１フレームパッドから延伸する第１リードと、前記第２パッドが固着された第２フレームパッドを有し、前記第２フレームパッドから前記第１リードの延伸方向に略平行に延伸する第２リードと、前記第１リードと前記第２リードとの間に設けられ、前記ダイパッドと一体に形成され、前記第１リードおよび前記第２リードの延伸方向に略平行に延伸する第３リードと、を備えるモジュールである。
【０００７】
上記構成において、前記第１フレームパッドと前記第３リードとの間、および／または前記第２フレームパッドと前記第３リードとの間の前記絶縁層に切込みが設けられた構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記第１パッドの上面と前記第１フレームパッドの下面が固着され、前記第２パッドの上面と前記第２フレームパッドの下面が固着された構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１パッドの下面と前記第１フレームパッドの上面が固着され、前記第２パッドの下面と前記第２フレームパッドの上面が固着された構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１パッドの下面は第１シムを介し前記第１フレームパッドの上面と固着され、前記第２パッドの下面は第２シムを介し前記第２フレームパッドの上面と固着された構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記シートモジュールは、複数の前記電子部品を有する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記電子部品はパワー半導体素子であり、前記絶縁層はポリイミドシートである構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記電子部品は第１電子部品と第２電子部品を含み、  前記第１電子部品と前記第２電子部品の間の前記絶縁層に前記絶縁層を貫通するスリットが設けられる構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、下面に電子部品が搭載され、上面に前記電子部品に電気的に接続された配線が設けられ、前記配線の端部に近接して開口が設けられた絶縁層を、有するシートモジュールを準備し、前記開口にリードの端部に設けられたフレームパッドを挿入する工程と、前記開口に前記フレームパッドが挿入された状態で、前記フレームパッドを前記配線と電気的に接続する工程と、を含むモジュールの製造方法である。
【００１５】
上記構成において、前記開口に前記フレームパッドを挿入する工程は、前記電子部品の下面が固着されるダイパッドと、前記フレームパッドから前記ダイパッドの反対側に延伸する前記リードを有するリードフレームを準備し、前記開口に前記フレームパッドを挿入する工程を含み、前記モジュールの製造方法は、前記開口に前記フレームパッドを挿入した状態で、前記リードフレームに前記シートモジュールを固定する工程を含む構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記開口に前記フレームパッドを挿入する工程において、前記開口を囲むように前記絶縁層に金属層が設けられている構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、下面に電子部品が搭載され、上面に前記電子部品に電気的に接続された第１配線および第２配線が設けられ、前記第１配線の第１パッドと前記第２配線の第２パッドとの間に切込みが設けられた絶縁層を、有するシートモジュールを準備し、前記電子部品の下面が固着されるダイパッドと、前記第１パッドと固着される第１フレームパッドと、前記第２パッドと固着される第２フレームパッドと、を有するリードフレームに、前記シートモジュールを固定する工程と、前記シートモジュールと前記リードフレームとを樹脂封止する工程と、を含み、前記樹脂封止する工程において、溶融した樹脂が前記切込みを通過するモジュールの製造方法である。
【００１８】
上記構成において、前記樹脂封止する工程において、前記ダイパッドの上面と平行方向および／または前記ダイパッドの下面から上面の方向に前記溶融した樹脂が流れるように前記樹脂を注入するゲートが設けられた金型を用いる構成とすることができる。
【００１９】
本発明は、樹脂絶縁層と、上面に第１端子および第２端子を有し、前記樹脂絶縁層の下面に搭載された第１電子部品と、前記樹脂絶縁層の下面と前記第１電子部品の上面とを接合する樹脂接合層と、前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層を貫通する１または複数の第１貫通孔の内面および前記樹脂絶縁層の上面に設けられ、前記第１端子に接続する第１配線と、前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層を貫通する１または複数の第２貫通孔の内面および前記樹脂絶縁層の上面に設けられ、前記第２端子に接続する第２配線と、を備え、前記第１端子と前記第２端子との間かつ前記第１配線と前記第２配線との間に、前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層を貫通する開口が設けられかつ他の金属層は設けられていないモジュールである。
【００２０】
上記構成において、前記１または複数の第１貫通孔が前記第１端子に接続する合計の面積は、前記１または複数の第２貫通孔が前記第２端子に接続する合計の面積より小さい構成とすることができる。
【００２１】
上記構成において、前記開口は、前記１または複数の第１貫通孔と前記第２配線との距離が最も近い前記１または複数の第１貫通孔と前記第２配線との間に設けられている構成とすることができる。
【００２２】
上記構成において、前記開口の端は、前記１または複数の第１貫通孔の最も外側の端より外側に位置する構成とすることができる。
【００２３】
上記構成において、前記第１電子部品は、トランジスタであり、前記第１端子は前記トランジスタの制御端子であり、前記第２端子は前記トランジスタの制御端子以外の端子である構成とすることができる。
【００２４】
上記構成において、前記開口は、前記樹脂絶縁層の厚さ方向において前記第１電子部品と重なり前記第１電子部品の外側の領域には重ならない構成とすることができる。
【００２５】
上記構成において、前記開口を前記第１電子部品に投影した領域は前記第１電子部品を２つの領域に分割する構成とすることができる。
【００２６】
上記構成において、前記第１配線および前記第２配線の各々の厚さは、前記樹脂絶縁層および前記樹脂接合層の合計の厚さより大きい構成とすることができる。
【００２７】
上記構成において、上面に第３端子を有し、前記樹脂絶縁層の下面に搭載された第２電子部品を備え、前記第１配線および前記第２配線の少なくとも一方は、前記第３端子と前記第１端子および前記第２端子の対応する少なくとも一方とを接続する構成とすることができる。
【００２８】
本発明は、可撓性を有する絶縁層と、前記絶縁層の下面に搭載された電子部品と、前記絶縁層を貫通する貫通孔を介して前記電子部品と電気的に接続され、前記絶縁層の上面を延伸し、端部にパッドを有する配線と、前記パッドに近接する前記絶縁層に設けられた開口を囲むように前記絶縁層に設けられた金属層と、を備えるモジュールである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図３】図３（ａ）および図３（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１におけるリードフレームの平面図、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、図４（ａ）のそれぞれＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図６】図６は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、図６のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図９】図９は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１０】図１０は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は、実施例１に係るモジュールの平面図である。
【図１３】図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、図１２のそれぞれＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施例１の変形例１に係るモジュールの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１５（ａ）は、実施例１の変形例２に係るモジュールの断面図、図１５（ｂ）および図１５（ｃ）は、実施例１の変形例３に係るモジュールの断面図である。
【図１６】図１６（ａ）は実施例１の変形例４に係るモジュールの平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１７】図１７（ａ）は、実施例１の変形例５におけるシートモジュールの平面図、図１７（ｂ）は、実施例１の変形例５におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１８】図１８（ａ）は、実施例１の変形例６におけるシートモジュールの平面図、図１８（ｂ）は、実施例１の変形例６におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１９】図１９（ａ）は、実施例１の変形例７におけるシートモジュールの平面図、図１９（ｂ）は、実施例１の変形例７におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図２０】図２０（ａ）は、実施例１の変形例８におけるシートモジュールの平面図、図２０（ｂ）は、実施例１の変形例８におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。
【図２１】図２１（ａ）は、実施例２に係るモジュールの平面図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の電子部品周辺の拡大図である。
【図２２】図２２は、図２１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２３】図２３（ａ）から図２３（ｄ）は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２４】図２４（ａ）および図２４（ｂ）は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図２５】図２５（ａ）および図２５（ｂ）は、比較例１に係るモジュールの断面図である。
【図２６】図２６（ａ）および図２６（ｂ）は、実施例２の変形例１および２に係るモジュールの平面図である。
【図２７】図２７は、実施例２の変形例３に係るモジュールの断面図である。
【図２８】図２８は、実施例２の変形例４に係るモジュールの断面図である。
【図２９】図２９は、実施例２の変形例５に係るシートモジュールの平面図である。
【図３０】図３０（ａ）は実施例２の変形例６におけるリードフレームの平面図、図３０（ｂ）および図３０（ｃ）は、図３０（ａ）のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。
【図３１】図３１は、実施例２の変形例６に係るモジュールの平面図である。
【図３２】図３２（ａ）は、実施例２の変形例７におけるシートモジュールの平面図、図３２（ｂ）は、図３２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３３】図３３（ａ）は、実施例２の変形例７におけるリードフレームの平面図、図３３（ｂ）は、図３３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３４】図３４（ａ）は、実施例２の変形例７におけるモジュールの平面図、図３４（ｂ）は、図３４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００３２】
図１（ａ）から図１（ｄ）は、実施例１に係るモジュール製造方法を示す断面図、図２（ａ）から図３（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。図１（ａ）から図１（ｄ）は、図２（ａ）から図３（ａ）のＡ−Ａ断面に相当する。絶縁層１０の平面方向のうち電子部品２０ａおよび２０ｂの配列方向をＸ方向、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向、絶縁層１０の厚さ方向をＺ方向とする。図２（ａ）から図３（ｂ）では、絶縁層１０、貫通孔１６ａから１６ｃ、電子部品２０ａおよび２０ｂ、並びに配線１４ａおよび１４ｂを図示する。なお、図１（ｂ）から図１（ｄ）では、図面の都合上、貫通孔１６ｂの個数を２個として図示している。
【００３３】
図１（ａ）に示すように、絶縁層１０の下面に接合層１２を塗布する。接合層１２の塗布は、例えばスピンコート法、スプレコート法またはインクジェット法を用いる。絶縁層１０は、ポリイミド等の樹脂絶縁層である。接合層１２は例えばエポキシ樹脂などの樹脂接着剤である。絶縁層１０の厚さは例えば２０μｍから５０μｍである。接合層１２の厚さは例えば５μｍから２０μｍであり、絶縁層１０の厚さより小さい。
【００３４】
図１（ｂ）および図２（ａ）に示すように、絶縁層１０および接合層１２を貫通する貫通孔１６ａから１６ｃを形成する。貫通孔１６ａから１６ｃは、例えば紫外線、可視光または赤外線のレーザ光１７を照射することにより形成する。貫通孔１６ａから１６ｃの大きさは例えば３０μｍから５００μｍである。なお、貫通孔１６ｃは、大きく一つの孔が形成されているが、貫通孔１６ｂのように複数個で形成してもよい。
【００３５】
図１（ｃ）および図２（ｂ）に示すように、接合層１２の下面に電子部品２０ａおよび２０ｂを接触させる。熱処理することにより、接合層１２を硬化させ電子部品２０ａおよび２０ｂと絶縁層１０とを接合する。熱処理は例えば２００℃から３００℃の温度で実施する。接合層１２上に電子部品２０ａおよび２０ｂを配置する前に熱処理し、接合層１２のタック性を高めてもよい。
【００３６】
電子部品２０ａおよび２０ｂは、パワー素子であり、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタまたはＦＥＴ（Field Effect Transistor）等のトランジスタまたはダイオードである。トランジスタまたはダイオードには、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ等の半導体が用いられる。電子部品２０ａおよび２０ｂは、例えばベアチップである。この例では、電子部品２０ａは縦型のＳｉＣトランジスタのベアチップである。電子部品２０ｂはダイオードのベアチップである。
【００３７】
電子部品２０ａの上面に端子２２ａおよび２２ｂが設けられ、下面に端子２２ｃが設けられている。端子２２ａ、２２ｂおよび２２ｃはそれぞれゲート端子、ソース端子およびドレイン端子である。電子部品２０ｂの上面に端子２２ｄが設けられ、下面に端子２２ｅが設けられている。端子２２ｄおよび２２ｅはそれぞれアノード端子およびカソード端子である。端子２２ａから２２ｅは、電子部品２０ａおよび２０ｂを製造するメーカーにおいて成膜され、例えば銅、金またはアルミニウム等の金属層である。
【００３８】
電子部品２０ａおよび２０ｂの端子２２ａ、２２ｂおよび２２ｄはそれぞれ貫通孔１６ａ、１６ｂおよび１６ｃに露出する。貫通孔１６ａは１個設けられ、貫通孔１６ｂは２つの端子２２ｂに各々６個設けられている。ソース端子およびドレイン端子の間には大電流が流れる。ゲート端子は、制御端子であるため、大きな電流は流れない。このため、端子２２ａは端子２２ｂより小さい。また、貫通孔１６ａの総面積は貫通孔１６ｂの総面積より小さい。なお、ソース端子は、電流流入端子または電流流出端子と言い、ドレイン端子は、電流流出端子または電流流入端子と言う。電流流入端子および電流流出端子は、エミッタ端子でもよく、コレクタ端子でもよい。制御端子はベース端子でもよい。
【００３９】
図１（ｄ）および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０の上面、貫通孔１６ａから１６ｃの内面に配線１４ａおよび１４ｂを形成する。配線１４ａおよび１４ｂの形成方法を説明する。絶縁層１０の上面、貫通孔１６ａおよび１６ｂの内面にシード層を形成する。シード層は、例えばスパッタリング法を用い形成する。シード層は、例えば絶縁層１０側からチタン層および銅層等の金属層である。シード層の上面にめっき層を形成する。めっき層は例えば銅層等の金属層である。めっき層は、例えばシード層に電流を供給することによる電解めっき法を用い形成する。シード層およびめっき層により配線１４ａおよび１４ｂが形成される。なお、配線１４ａおよび１４ｂは、めっき法により絶縁層１０の全面にめっき層を形成し、めっき層をパターニングする方法により形成してもよいし、めっき被覆領域に開口を有するレジストを形成し、めっき被覆領域にめっき膜を部分的に形成する方法により形成してもよい。
【００４０】
配線１４ａは貫通孔１６ａを介し端子２２ａに電気的に接続される。配線１４ｂは貫通孔１６ｂを介し端子２２ｂに電気的に接続され、貫通孔１６ｃを介し端子２２ｄに電気的に接続される。配線１４ａおよび１４ｂは銅層等の金属層である。配線１４ａおよび１４ｂの厚さは例えば５０μｍから１００μｍであり絶縁層１０の厚さより大きい。配線１４ａおよび１４ｂは絶縁層１０より薄くてもよい。
【００４１】
配線１４ａは、配線１４ｂより細く、電子部品２０ａから−Ｙ方向に延伸する。配線１４ａの先端（−Ｙ方向（図１（ｄ）では手前方向）の端）には、配線１４ａと一体に形成され幅が広いパッド１５ａが設けられている。配線１４ｂは電子部品２０ａと２０ｂとを接続し、電子部品２０ａおよび２０ｂから−Ｙ方向に（図１（ｄ）では手前方向）延伸する。配線１４ｂの先端はパッド１５ｂである。配線１４ｂは、電子部品２０ａおよび２０ｂと接続する部分とパッド１５ｂとの間で細くなる。パッド１５ｂは、配線１４ｂの最も細い幅より広く、配線１４ｂの先端に設けられている。
【００４２】
図３（ｂ）に示すように、絶縁層１０を所望の形状に切断し開口１７ａから１７ｃを形成する。切断には例えばレーザ光または型抜き装置を用いる。パッド１５ａおよび１５ｂの−Ｙ方向に絶縁層１０の開口１７ａおよび１７ｂが形成される。開口１７ａおよび１７ｂはＸ方向に延伸するスリット状である。パッド１５ａおよび１５ｂの間に開口１７ｃが形成される。開口１７ｃはＸ方向に延伸するスリット状である。絶縁層１０の＋Ｙ側の辺、±Ｘ側の辺（電子部品２０ａの−Ｘ側（左側）の辺および電子部品２０ｂの＋Ｘ側（右側）の辺）は、電子部品２０ａおよび２０ｂ並びに配線１４ａおよび１４ｂの外周に沿い、その外周より一回り大きくカットされる。これにより、絶縁層１０の外周が形成される。絶縁層１０の−Ｙ側において±Ｘ方向に延伸する接続部１９が形成される。以上により、絶縁層１０の−Ｚ側の面に電子部品２０ａおよび２０ｂが搭載され、＋Ｚ側の面に配線１４ａおよび１４ｂが形成され、開口１７ａから１７ｃが形成されたシートモジュール１１が完成する。
【００４３】
図４（ａ）は、実施例１におけるリードフレームの平面図、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、図４（ａ）のそれぞれＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。リードフレーム３０において、ダイパッド（アイランドともいう）３２は、電子部品２０ａおよび２０ｂの実装エリアとして使用され、厚みを有する板状の形を呈する。このダイパッド３２とリード３４ｃは、接続部３１を介し一体で形成されており、リード３４ｃは−Ｙ方向に伸びている。また、リード３４ａおよび３４ｂの一端は、ダイパッド３２と近接する。リード３４ａおよび３４ｂは、ダイパッド３２と近接する一端から−Ｙ方向に延在する。リード３４ａおよび３４ｂの＋Ｙ方向の先端、つまりダイパッド３２に近接した端部は、板状に平坦に加工されたフレームパッド３５ａおよび３５ｂである。
【００４４】
フレームパッド３５ａおよび３５ｂは、絶縁層１０上の平らなパッド１５ａ、１５ｂが取り付けられるため、平坦である。リード３４ａから３４ｃはタイバー３６ａにより接続され、複数のリードフレーム３０は±Ｘ方向に配列されている。なお、ダイパッド３２の上面に対し、リード３４ａから３４ｃ、フレームパッド３５ａおよび３５ｂは、＋Ｚ方向にプレスで押し上げられて設けられている。後述する図１５（ｃ）のように、ダイパッド３２の上面に対し、リード３４ａから３４ｃ、フレームパッド３５ａおよび３５ｂは、同一平面でもよい。リードフレーム３０は例えば銅合金等の金属からなる。
【００４５】
図５は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。図５では、リードフレーム３０および絶縁層１０を図示する。図５に示すように、複数のリードフレーム３０上に接続部１９により±Ｘ方向に接続された絶縁層１０を配置する。開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂをそれぞれ挿入する。
【００４６】
図６は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図、図７（ａ）および図７（ｂ）は、図６のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。図６では、リードフレーム３０、絶縁層１０、配線１４ａ、１４ｂ、電子部品２０ａおよび２０ｂを図示する。
【００４７】
図６から図７（ｂ）に示すように、フレームパッド３５ａおよび３５ｂを開口１７ａおよび１７ｂに−Ｙ方向から挿入する。具体的には、リード３４ａおよび３４ｂのフレームパッド３５ａおよび３５ｂは、絶縁層１０の−Ｚ側から開口１７ａおよび１７ｂを通過して、＋Ｚ側に向かい挿入される。よって、リード３４ａおよび３４ｂのフレームパッド３５ａおよび３５ｂの−Ｚ側の面は、絶縁層１０のパッド１５ａおよび１５ｂの＋Ｚ側の面と対向配置される。
【００４８】
この状態で、図３（ｂ）に示す絶縁層１０をベースとするシートモジュール１１は、リードフレーム３０に固定される。開口１７ａおよび１７ｂは、リードフレーム３０とシートモジュール１１を固定する支持手段である。あるいは、リードフレーム３０のフレームパッド３５ａおよび３５ｂは、絶縁層１０とリードフレーム３０を固定する支持手段となる。これにより、パッド１５ａおよび１５ｂの先端はフレームパッド３５ａおよび３５ｂの下に位置する。リード３４ｃはダイパッド３２に接続されているため、開口１７ｃにリード３４ｃは挿入されない。
【００４９】
パッド１５ａおよび１５ｂとフレームパッド３５ａおよび３５ｂとをそれぞれ接合層３８を用い接合する。接合層３８は例えば銅ペーストまたは銀ペースト等の金属ペースト、または半田である。接合層３８は、予めパッド１５ａおよび１５ｂの上面またはフレームパッド３５ａおよび３５ｂの下面に設けておく。接合層３８が金属ペーストの場合、接合層３８を例えば印刷法、ポッティング法、スプレコート法またはインクジェット法を用い塗布する。接合層３８とパッド１５ａ、１５ｂ、フレームパッド３５ａおよび３５ｂとを接触させる。熱処理することで、接合層３８を焼成する。これにより、パッド１５ａおよび１５ｂとフレームパッド３５ａおよび３５ｂとが熱的、機械的かつ電気的に接合される。熱処理温度は例えば２００℃から３００℃であり、絶縁層１０および接合層１２が軟化しない程度の温度とする。
【００５０】
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、電子部品２０ａおよび２０ｂの下面をダイパッド３２の上面に搭載し、接合層２４を用いて接合する。接合層２４は例えば銅ペーストまたは銀ペースト等の金属ペースト、または半田である。接合層２４は、ダイパッド３２の上面に設けておく。接合層２４が金属ペーストの場合、接合層２４を例えば印刷法、ポッティング法、スプレコート法またはインクジェット法を用い塗布する。熱処理することで、接合層２４を焼成する。これにより、端子２２ｃおよび２２ｅとダイパッド３２とが熱的、機械的かつ電気的に接合される。熱処理温度は例えば２００℃から３００℃であり、絶縁層１０および接合層１２が軟化しない程度の温度とする。
【００５１】
図９は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。図９では、リードフレーム３０、絶縁層１０、配線１４ａ、１４ｂ、電子部品２０ａおよび２０ｂを図示する。
【００５２】
図９に示すように、絶縁層１０の４つの領域４２（図６参照）を切断する。切断には例えばレーザ光、型抜き装置またはカッターを用いる。これにより、パッド１５ａおよび１５ｂそれぞれの−Ｙ端の±Ｘ両側にある絶縁層１０および接合層１２が切除され、図９に示すような絶縁層１０および接合層１２の二股の足の構造が形成される。別の表現をすれば、図３（ｂ）の接続部１９が分離され、パッド１５ａと１５ｂとの間は凹状の切込み４０が形成された構造となる。
【００５３】
図１０は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す平面図である。図１０では、リードフレーム３０、絶縁層１０、配線１４ａ、１４ｂ、電子部品２０ａ、２０ｂおよび封止樹脂２８を図示する。
【００５４】
図１０および図８（ｂ）に示すように、ダイパッド３２に電子部品２０ａおよび２０ｂが搭載される。電子部品２０ａおよび２０ｂが接合層１２を介して設けられ、配線１４ａおよび１４ｂが形成された絶縁層１０からなるシートモジュール１１を覆うように封止樹脂２８を形成する。封止樹脂２８は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂である。封止樹脂２８の形成には、トランスファーモールド法、真空印刷法またはコンプレッションモールド法を用いることができる。
【００５５】
図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、リード３４ａおよび３４ｃ付近の断面図、図１１（ｃ）はリード３４ｃ付近の断面図であり、接合層１２、２４および３８等の図示を省略している。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、例えば、トランスファーモールド法で説明すれば、下金型５２に、シートモジュール１１が搭載されたリードフレーム３０を設置する。ダイパッド３２の下面を下金型５２に当接させ、上金型５０と下金型５２を当接させる。上金型５０と下金型５２の間の一部に注入用のゲート５１が設けられる。その後に、ゲート５１から矢印５６のように上金型５０と下金型５２との間の形成されたキャビティ５３に樹脂２７を注入する。その後、加熱し樹脂２７を硬化させる。ダイパッド３２の下面を下金型５２に当接させることにより、ダイパッド３２の下面が封止樹脂２８から露出する。ダイパッド３２の下面を下金型５２から離間させれば、ダイパッド３２の下面は封止樹脂２８に封止される。いずれを用いるかは、任意である。その後、上金型５０および下金型５２からリードフレーム３０を外す。その後、タイバー３６ａおよび３６ｂを切断して個片化する。
【００５６】
トランスファーモールド法の場合、溶融した樹脂２７の注入圧力が強い。このため、領域５７に−Ｚ方向に向かう樹脂２７の流れが発生すると、シートモジュール１１に−Ｚ方向の力が加わる。よって、フレームパッド３５ａおよび３５ｂとパッド１５ａおよび１５ｂとの間に接合が剥離する力が発生する。よって、樹脂２７の流れを、ダイパッド３２の上面に対して平行な方向（ＸＹ平面の面方向）、および／またはダイパッド３２の下面から上面に向かう方向（＋Ｚ方向）にする。これにより、フレームパッド３５ａおよび３５ｂとパッド１５ａおよび１５ｂとの間の接合が剥離する力が抑制される。
【００５７】
溶融した樹脂２７は粘性が高いため注入された方向を維持しつつキャビティ５３内に広がっていく。図１１（ａ）では、ゲート５１は上金型５０の側面に設けられている。樹脂２７はゲート５１から矢印５６のように−Ｙ方向に注入される。これにより、樹脂２７は−Ｙ方向にキャビティ５３内を広がっていき、領域５７における樹脂の流れはＸＹ平面方向となる。よって、領域５７の−Ｚ方向の力が弱くなる。樹脂封止用ゲート跡２９は、封止樹脂２８の側面に形成される。
【００５８】
図１１（ｂ）では、ゲート５１は下金型５２の上面に設けられている。樹脂２７はゲート５１から矢印５６のように−Ｙ方向および＋Ｚ方向に注入される。これにより、樹脂２７は−Ｙ方向および＋Ｚ方向にキャビティ５３内を広がっていき、領域５７における樹脂の流れは＋Ｚ方向となる。よって、領域５７の−Ｚ方向の力が弱くなる。樹脂封止用ゲート跡２９は、封止樹脂２８の下面に形成される。このように、ゲート５１の位置は、封止樹脂２８の下面または４つの側面のいずれかに相当する位置に配置することが好ましい。
【００５９】
凹状の切込み４０について説明する。図１０および図１１（ｃ）において、フレームパッド３５ａおよび３５ｂ、接続部３１およびダイパッド３２の間には空間５５が存在する。空間５５は樹脂２７の流路となる。絶縁層１０に切込み４０がなければ、接続部３１の±Ｘ側のスペースから空間５５に矢印５８のように入り込む樹脂２７により、絶縁層１０に圧力が加わる。これは、シートモジュール１１にとって負荷となる。絶縁層１０に切込み４０を形成すれば、樹脂２７の流入流路の空間５５を開放できる。絶縁層１０に樹脂２７の圧力が加わらないためには、Ｚ方向からみて、切込み４０の＋Ｙ側の辺がダイパッド３２と重なることが好ましく、切込み４０の±Ｘ側の辺がフレームパッド３５ａおよび３５ｂに近接または重なることが好ましい。これにより、樹脂２７の流入流路を拡大でき、シートモジュール１１への負荷を低減できる。矢印５８の樹脂２７の流路を確保する観点から、切込み４０は、リード３４ｃとフレームパッド３５ａとの間およびリード３４ｃとフレームパッド３５ｂとの間の少なくとも一方に設けられていればよい。
【００６０】
図１２、実施例１に係るモジュールの平面図、図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、図１２のそれぞれＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。図１２から図１３（ｂ）に示すように、ダイパッド３２上に封止樹脂２８が設けられている。封止樹脂２８は絶縁層１０、電子部品２０ａおよび２０ｂを封止する。リード３４ａから３４ｃは封止樹脂２８から−Ｙ方向に延伸する。リード３４ｃは接続部３１を介しダイパッド３２に接続されている。リード３４ａおよび３４ｂは、ダイパッド３２には接続されておらず、配線１４ａおよび１４ｂと電気的に接続されている。リード３４ａは電子部品２０ａのゲート端子に電気的に接続される。リード３４ｂは、電子部品２０ａのソース端子および電子部品２０ｂのアノード端子に電気的に接続される。リード３４ｃは、電子部品２０ａのドレイン端子および電子部品２０ｂのカソード端子に電気的に接続される。封止樹脂２８の上面に樹脂封止用ゲート跡２９が形成されている。樹脂封止用ゲート跡２９は、電子部品２０ａおよび２０ｂより＋Ｙ側に設けられている。なお、図１１（ａ）のようにゲート５１を設けると、樹脂封止用ゲート跡２９は封止樹脂２８の＋Ｙ側面に形成され、図１１（ａ）のようにゲート５１を設けると、樹脂封止用ゲート跡２９は封止樹脂２８の−Ｚ面に形成される。
【００６１】
パッド１５ａおよび１５ｂとフレームパッド３５ａおよび３５ｂとをそれぞれ接合するときに、絶縁層１０がリードフレーム３０に対し動いてしまうと、接合不良の原因となる。
【００６２】
実施例１によれば、図１（ｄ）および図３（ｂ）のように、絶縁層１０の下面に、電子部品２０ａおよび２０ｂが搭載され、絶縁層１０の上面に、絶縁層１０を貫通し電子部品２０ａおよび２０ｂに接続する配線１４ａおよび１４ｂが設けられている。図５のように、絶縁層１０を貫通する開口１７ａおよび１７ｂにリード３４ａおよび３４ｂの端部（すなわちフレームパッド３５ａおよび３５ｂ）を挿入する。図７（ｂ）のように、リード３４ａおよび３４ｂを端部が開口１７ａおよび１７ｂに挿入された状態で、リード３４ａおよび３４ｂの端部を配線１４ａおよび１４ｂ（すなわちパッド１５ａおよび１５ｂ）に接合する。これにより、絶縁層１０がリード３４ａおよび３４ｂに対し動くことを抑制できる。よって、接合不良を抑制できる。
【００６３】
［実施例１の変形例１］
図１４（ａ）は、実施例１の変形例１に係るモジュールの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、リードフレーム３０上にシートモジュール１１が実装される。電子部品２０の下面の端子２２ｃはダイパッド３２に接合される。配線１４ａおよび１４ｂは、それぞれ絶縁層１０および接合層１２を貫通する貫通孔１６ａおよび１６ｂを介し端子２２ａおよび２２ｂに電気的に接続される。配線１４ａおよび１４ｂの先端はフレームパッド３５ａおよび３５ｂである。フレームパッド３５ａおよび３５ｂの上面はリード３４ａおよび３４ｂの先端のフレームパッド３５ａおよび３５ｂの下面に接合される。リード３４ｃは接続部３１を介しダイパッド３２と接続されている。これにより、電子部品２０の端子２２ａから２２ｃはそれぞれリード３４ａから３４ｃに電気的に接続される。実施例１の変形例１のように、電子部品２０は１個でもよい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００６４】
［実施例１の変形例２］
図１５（ａ）は、実施例１の変形例２に係るモジュールの断面図である。図１５（ａ）に示すように、リード３４ａおよび３４ｂは絶縁層１０の下に配置される。フレームパッド３５ａおよび３５ｂの上面に突起３５ｄが設けられている。突起３５ｄは絶縁層１０および接合層１２を貫通する孔１６ｄに挿入されパッド１５ａおよび１５ｂと接合される。突起３５ｄの先端を錐体とすることで、絶縁層１０および接合層１２に突き刺し突起３５ｄをパッド１５ａおよび１５ｂと接触させることもできる。その他の構成は実施例１の変形例１と同じであり説明を省略する。
【００６５】
［実施例１の変形例３］
図１５（ｂ）および図１５（ｃ）は、実施例１の変形例３に係るモジュールの断面図である。図１５（ｂ）および図１５（ｃ）に示すように、リード３４ａおよび３４ｂは絶縁層１０の下に配置される。パッド１５ａとフレームパッド３５ａとは、貫通孔１６ｅおよびシム（Ｓｈｉｍ）３７ａを介し電気的に接続される。パッド１５ｂとフレームパッド３５ｂとは、貫通孔１６ｆおよびシム３７ｂを介し電気的に接続される。シム３７ａおよび３７ｂは、例えば銅等の金属材料からなる。シム３７ａおよび３７ｂは、フレームパッド３５ａおよび３５ｂとは別の部材でもよいし、フレームパッド３５ａおよび３５ｂと一体に形成された部材でもよい。ダイパッド３２とリード３４ａから３４ｃは同一平面に設けられる。その他の構成は実施例１の変形例１と同じであり説明を省略する。
【００６６】
［実施例１の変形例４］
図１６（ａ）は、実施例１の変形例４に係るモジュールの平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、電子部品２０ａと２０ｂとの厚さが異なる。電子部品２０ａと２０ｂとの間の絶縁層１０にスリット４１が設けられ、絶縁層１０が二股形状となっている。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【００６７】
実施例１のように絶縁層１０もスリット４１が形成されていない場合、厚さの異なる電子部品２０ａおよび２０ｂをダイパッド３２に接合すると、絶縁層１０に応力が加わる。また、電子部品２０ａおよび２０ｂの間に樹脂が通過するときに絶縁層１０に負荷が加わる。これにより、電子部品２０ａおよび２０ｂの端子２２ａから２２ｅと配線１４ａ、１４ｂまたはダイパッド３２とが剥がる可能性がある。
【００６８】
実施例１の変形例４では、電子部品２０ａと２０ｂとの間の絶縁層１０にスリット４１を設ける。これにより、厚さの異なる電子部品２０ａおよび２０ｂをダイパッド３２に接合しても、絶縁層１０に加わる応力を抑制できる。また、厚さが同じまたは異なる電子部品２０ａおよび２０ｂの間に樹脂が通過するときに絶縁層１０に負荷が加わることを抑制できる。よって、電子部品２０ａおよび２０ｂの端子２２ａから２２ｅと配線１４ａ、１４ｂまたはダイパッド３２とが剥がることを抑制できる。
【００６９】
図４（ａ）から図４（ｃ）のようなリードフレーム３０はトランジスタが実装される３本のリードを有する。ダイパッド３２には電子部品２０ａの下面が固着される。リード３４ａ（第１リード）は、ダイパッド３２と近接して設けられたフレームパッド３５ａ（第１フレームパッド）を有し、フレームパッド３５ａからダイパッド３２と反対側に延伸する。リード３４ｂ（第２リード）は、ダイパッド３２と近接して設けられたフレームパッド３５ｂ（第２フレームパッド）を有し、フレームパッド３５ｂからダイパッド３２と反対側に延伸する。リード３４ｃ（第３リード）はリード３４ａと３４ｂの間に設けられ、ダイパッド３２と一体に形成される。リード３４ａ、３４ｂおよび３４ｃの延伸方向は製造誤差等を許容する範囲で略平行である。
【００７０】
このようなリードフレーム３０に電子部品２０ａおよび２０ｂを搭載し、リード３４ａから３４ｃと電子部品２０ａおよび２０ｂとを電気的に接続するためには、ボンディングワイヤ（金属細線）が用いられる。しかし、ボンディングワイヤは上方にループする形状となる。ボンディングワイヤを封止樹脂２８から露出させないため、封止樹脂２８が厚くなりモジュールが大型化する。
【００７１】
実施例１およびその変形例によれば、図３（ｂ）のようなシートモジュール１１を形成する。シートモジュール１１では、絶縁層１０の下面に電子部品２０ａが搭載される。絶縁層１０の上面を配線１４ａ（第１配線）および配線１４ｂ（第２配線）が延伸する。配線１４ａは、端部にパッド１５ａ（第１パッド）を有し、絶縁層１０を貫通する貫通孔１６ａ（第１貫通孔）を介して電子部品２０ａと電気的に接続される。配線１４ｂは、端部にパッド１５ｂ（第２パッド）を有し、絶縁層１０を貫通する貫通孔１６ｂ（第２貫通孔）を介して電子部品２０ａと電気的に接続される。パッド１５ａがフレームパッド３５ａに固着され、パッド１５ｂがフレームパッド３５ｂに固着される。これにより、封止樹脂２８を薄くでき、モジュールを小型化できる。
【００７２】
また、フレームパッド３５ａとリード３４ｃとの間および／またはフレームパッド３５ｂとリード３４ｃとの間の絶縁層１０に切込み４０が設けられている。これにより、図１０から図１１（ｃ）のように、樹脂２７を注入するときに、空間５５の絶縁層１０に加わる負荷を抑制できる。
【００７３】
実施例１の変形例１の図１４（ｂ）のように、パッド１５ａの上面とフレームパッド３５ａの下面が固着され、パッド１５ｂの上面とフレームパッド３５ｂの下面が固着される。パッド１５ａおよび１５ｂは絶縁層１０の上面に設けられているため、簡単にパッド１５ａおよび１５ｂとフレームパッド３５ａおよび３５ｂとを固着できる。
【００７４】
実施例１の変形例２および３の図１５（ａ）から図１５（ｃ）のように、パッド１５ａの下面とフレームパッド３５ａの上面が固着され、パッド１５ｂの下面とフレームパッド３５ｂの上面が固着される。これにより、リード３４ａおよび３４ｂを絶縁層１０よりダイパッド３２側に配置できる。よって、モジュールを小型化できる。
【００７５】
実施例１の変形例３の図１５（ｂ）および図１５（ｃ）のように、パッド１５ａおよび１５ｂの下面はシム３７ａ（第１シム）を介しフレームパッド３５ａの上面と固着され、パッド１５ｂの下面はシム３７ｂ（第２シム）を介しフレームパッド３５ｂの上面と固着される。これにより、リード３４ａから３４ｃとダイパッド３２との間の屈曲を小さくできる。
【００７６】
実施例１の変形例１から３のように、シートモジュール１１は１個の電子部品２０を有してもよいし、実施例１およびその変形例４のように、シートモジュール１１は複数の電子部品２０ａおよび２０ｂを有してもよい。
【００７７】
電子部品２０、２０ａおよび２０ｂは、パワー半導体素子であり、絶縁層１０はポリイミドシートである。ポリイミドは耐熱性があり、リードフレーム３０は放熱性が高い。これにより、パワー半導体素子を流れる電流を大きくすることができる。
【００７８】
図３（ｂ）のように、下面に電子部品２０ａおよび２０ｂが搭載され、上面に電子部品２０ａおよび２０ｂに接続された配線１４ａおよび１４ｂが設けられ、配線１４ａおよび１４ｂの端部に近接して開口１７ａおよび１７ｂが設けられた絶縁層１０を有するシートモジュール１１を準備する。図５から図７（ｂ）のように、開口１７ａおよび１７ｂにリード３４ａおよび３４ｂの端部に設けられたフレームパッド３５ａおよび３５ｂを挿入する。図８（ａ）および図９のように、開口１７ａおよび１７ｂにリード３４ａおよび３４ｂの端部のフレームパッド３５ａおよび３５ｂが挿入された状態で、フレームパッド３５ａおよび３５ｂを配線１４ａおよび１４ｂと電気的に接続する。これにより、絶縁層１０がリード３４ａおよび３４ｂに対し動くことを抑制できる。よって、接合不良を抑制できる。
【００７９】
開口１７ａおよび１７ｂにリード３４ａおよび３４ｂの端部のフレームパッド３５ａおよび３５ｂを挿入する工程は、電子部品２０ａおよび２０ｂの下面が固着されるダイパッド３２と、リード３４ａおよび３４ｂとを有するリードフレーム３０を準備し、フレームパッド３５ａおよび３５ｂを開口１７ａおよび１７ｂに挿入した状態で、リードフレーム３０にシートモジュール１１を固定する工程を含む。これにより、接合不良を抑制できる。
【００８０】
図３（ｂ）のように、配線１４ａのパッド１５ａと配線１４ｂのパッド１５ｂとの間に切込み４０が設けられた絶縁層１０を有するシートモジュール１１を準備する。図５から図７（ｂ）のように、リードフレーム３０に、シートモジュール１１を固定する。図１０から図１１（ｃ）のように、シートモジュール１１とリードフレーム３０とを樹脂封止する。樹脂封止する工程において、溶融した樹脂２７が切込み４０を通過する。これにより、樹脂２７による絶縁層１０への負荷を抑制できる。
【００８１】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）のように、樹脂封止する工程において、ダイパッド３２の上面と平行方向および／またはダイパッド３２の下面から上面の方向に溶融した樹脂２７が流れるように樹脂２７を注入するゲート５１が設けられた上金型５０および下金型５２（金型）を用いる。これにより、パッド１５ａおよび１５ｂがフレームパッド３５ａおよび３５ｂから剥がれることを抑制できる。
【００８２】
実施例１の変形例４の図１６（ａ）および図１６（ｂ）のように、シートモジュール１１では、絶縁層１０の下面に電子部品２０ａ（第１電子部品）および電子部品２０ｂ（第２電子部品）が搭載される。配線１４ａは貫通孔１６ａを介し電子部品２０ａと電気的に接続され、配線１４ｂは貫通孔１６ｂおよび／または１６ｃを介し、電子部品２０ａおよび／または２０ｂと電気的に接続される。このような電子部品２０ａと２０ｂとの間の絶縁層１０にスリット４１が設けられる。これにより、絶縁層１０に応力が加わることを抑制できる。よって、電子部品２０ａおよび２０ｂと配線１４ａ、１４ｂまたはダイパッド３２とが剥がることを抑制できる。
【００８３】
［実施例１の変形例５］
図１７（ａ）は、実施例１の変形例５におけるシートモジュールの平面図である。図１７（ａ）に示すように、実施例１の変形例５におけるシートモジュール１１では、パッド１５ａおよび１５ｂの先端に開口１７ａおよび１７ｂをそれぞれ囲むように、それぞれ金属層１８ａおよび１８ｂが設けられている。金属層１８ａおよび１８ｂはパッド１５ａおよび１５ｂと同じ材料からなり、配線１４ａおよび１４ｂと同時に形成されている。これにより、パッド１５ａと金属層１８ａとは接続し一体に設けられ、パッド１５ｂと金属層１８ｂとは接続し一体に設けられている。その他の構成は実施例１の図３（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００８４】
図１７（ｂ）は、実施例１の変形例５におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。図１７（ｂ）に示すように、図６から図８（ｂ）と同様に、フレームパッド３５ａおよび３５ｂを開口１７ａおよび１７ｂにそれぞれ挿入し、パッド１５ａおよび１５ｂとフレームパッド３５ａおよび３５ｂとをそれぞれ接合する。その後、図１７（ａ）における絶縁層１０の４つの領域４２をレーザ光、型抜き装置内またはカッター等を用い切断する。これにより、パッド１５ａと１５ｂとの間に切込み４０が形成される。パッド１５ａおよび１５ｂの先端に、開口１７ａおよび１７ｂを有する金属層１８ａおよび１８ｂがそれぞれ残存し、開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂがそれぞれ挿入されている。その他の構成は実施例１の図９と同じであり説明を省略する。
【００８５】
［実施例１の変形例６］
図１８（ａ）は、実施例１の変形例６におけるシートモジュールの平面図である。図１８（ａ）に示すように、実施例１の変形例６におけるシートモジュール１１では、領域４２が開口１７ｃのＹ方向の辺とほぼ同一直線状に２箇所設けられている。その他の構成は実施例１の変形例５の図１７（ａ）と同じであり説明を省略する。
【００８６】
図１８（ｂ）は、実施例１の変形例６におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。図１８（ｂ）に示すように、図１８（ａ）における絶縁層１０の２つの領域４２をレーザ光、型抜き装置内またはカッター等を用い切断する。これにより、切込み４０は形成されず、絶縁層１０からパッド１５ａ、１５ｂ、金属層１８ａおよび１８ｂが延出する。金属層１８ａおよび１８ｂの開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂがそれぞれ挿入されている。その他の構成は実施例１の変形例５の図１７（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００８７】
［実施例１の変形例７］
図１９（ａ）は、実施例１の変形例７におけるシートモジュールの平面図である。図１９（ａ）に示すように、実施例１の変形例７におけるシートモジュール１１では、パッド１５ａおよび１５ｂと金属層１８ａおよび１８ｂとが空間１８ｃを介しそれぞれ分離している。パッド１５ａおよび１５ｂと金属層１８ａおよび１８ｂとは同じ材料からなってもよいし、異なる材料からなってもよい。その他の構成は実施例１の変形例５の図１７（ａ）と同じであり説明を省略する。
【００８８】
図１９（ｂ）は、実施例１の変形例７におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。図１９（ｂ）に示すように、図１９（ａ）における絶縁層１０の４つの領域４２をレーザ光、型抜き装置内またはカッター等を用い切断する。これにより、パッド１５ａと１５ｂとの間に切込み４０が形成される。パッド１５ａおよび１５ｂの先端に金属層１８ａおよび１８ｂがそれぞれ接合されている。これにより、金属層１８ａおよび１８ｂは残存する。金属層１８ａおよび１８ｂの開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂがそれぞれ挿入されている。その他の構成は実施例１の変形例５の図１７（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００８９】
［実施例１の変形例８］
図２０（ａ）は、実施例１の変形例８におけるシートモジュールの平面図である。図２０（ａ）に示すように、実施例１の変形例８におけるシートモジュール１１では、領域４２が開口１７ｃのＹ方向の辺とほぼ同一直線状に２箇所設けられている。その他の構成は実施例１の変形例６の図１９（ａ）と同じであり説明を省略する。
【００９０】
図２０（ｂ）は、実施例１の変形例８におけるモジュールの製造方法を示す平面図である。図２０（ｂ）に示すように、図２０（ａ）における絶縁層１０の２つの領域４２をレーザ光、型抜き装置内またはカッター等を用い切断する。これにより、切込み４０は形成されず、絶縁層１０からパッド１５ａおよび１５ｂが延出する。金属層１８ａおよび１８ｂは、パッド１５ａおよび１５ｂからそれぞれ分離される。その他の構成は実施例１の変形例６の図１９（ｂ）と同じであり説明を省略する。
【００９１】
実施例１の変形例５から８のように、開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂをそれぞれ挿入するときに、開口１７ａおよび１７ｂを囲むように絶縁層１０に金属層１８ａおよび１８ｂがそれぞれ設けられている。すなわち、金属層１８ａおよび１８ｂは、パッド１５ａおよび１５ｂに近接する開口１７ａおよび１７ｂを囲むように絶縁層１０に設けられている。これにより、絶縁層１０が可撓性を有しても、金属層１８ａおよび１８ｂが絶縁層１０を補強する。このため、開口１７ａおよび１７ｂへのフレームパッド３５ａおよび３５ｂの挿入が容易となる。
【００９２】
金属層１８ａおよび１８ｂの幅は開口１７ａおよび１７ｂの最小幅より小さいことが好ましい。これにより、シートモジュールの小型化が可能となる。金属層１８ａおよび１８ｂが絶縁層１０を補強するため、金属層１８ａと１８ｂと開口１７ａおよび１７ｂとの距離は開口１７ａおよび１７ｂの最小幅より小さいことが好ましい。また、金属層１８ａと１８ｂとパッド１５ａおよび１５ｂとの空間１８ｃの幅は、開口１７ａおよび１７ｂの最小幅より小さいことが好ましい。
【００９３】
実施例１の変形例５および６では、パッド１５ａおよび１５ｂと金属層１８ａおよび１８ｂとが接続されている。これにより、パッド１５ａおよび１５ｂに加え金属層１８ａおよび１８ｂの一部がフレームパッド３５ａおよび３５ｂとそれぞれ接合するため、接合強度を大きくできる。
【００９４】
実施例１の変形例７および８では、パッド１５ａおよび１５ｂと金属層１８ａおよび１８ｂとがそれぞれ分離されている。これにより、開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂをそれぞれ挿入するときに、パッド１５ａおよび１５ｂに対し金属層１８ａおよび１８ｂがそれぞれ動きやすい。これにより、開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂをそれぞれ挿入するときに、開口１７ａおよび１７ｂが自由に動くため、開口１７ａおよび１７ｂにフレームパッド３５ａおよび３５ｂをそれぞれ挿入しやすくなる。
【００９５】
実施例１の変形例５および７では、領域４２における金属層１８ａおよび１８ｂの幅が小さい。実施例１の変形例６および８では、領域４２におけるパッド１５ａおよび１５ｂの幅が大きい。絶縁層１０を切断する領域に金属層が接合されていると、絶縁層１０の切断が難しくなる。よって、実施例１の変形例５および７では、実施例１の変形例６および８に比べ、領域４２における絶縁層１０の切断が容易となる。
【００９６】
実施例１の変形例６および８では、パッド１５ａおよび１５ｂの先端に絶縁層１０が設けられていない。よって、図１１（ａ）から図１１（ｂ）のように、樹脂封止のときに、絶縁層１０により樹脂の流れが阻害されることを抑制できる。実施例１の変形例８では、パッド１５ａおよび１５ｂの先端に金属層１８ａおよび１８ｂが設けられていない。よって、樹脂封止のときに、金属層１８ａおよび１８ｂによる樹脂の流れが阻害されることを抑制できる。
【００９７】
実施例１およびその変形例では、パワー半導体素子を搭載するパワーモジュールを例に説明したが、パワー半導体素子以外の電子部品を搭載するモジュールでもよい。
【実施例２】
【００９８】
図２１（ａ）は、実施例２に係るシートモジュールの平面図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の電子部品周辺の拡大図である。図２２は、図２１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。絶縁層１１０の平面方向のうち端子１２２ａから端子１２２ｂの方向をＸ方向、Ｘ方向に直交する方向をＹ方向、絶縁層１１０の厚さ方向をＺ方向とする。図２１（ａ）および図２１（ｂ）では、絶縁層１１０、配線１１４ａ、１１４ｂ、開口１１５、貫通孔１１６ａから１１６ｃ、電子部品１２０ａ、１２０ｂ、端子１２２ａおよび１２２ｂを図示する。図２１（ａ）および図２１（ｂ）では、貫通孔１１６ａ、１１６ｂおよび１１６ｃの個数をそれぞれ１個、１６個および１個として図示し、図２２では、貫通孔１１６ｂの個数を２個として図示しているが、貫通孔１１６ａから１１６ｃの個数は任意に設定できる。例えば、貫通孔１１６ａおよび１１６ｃは２個以上でもよいし、貫通孔１１６ｂは１個でもよい。
【００９９】
図２１（ａ）から図２２に示すように、絶縁層１１０の下面に接合層１１２が設けられている。絶縁層１１０は、ポリイミド層等の可撓性を有する樹脂絶縁層である。接合層１１２の下面に電子部品１２０ａおよび１２０ｂが搭載されている。接合層１１２は例えばエポキシ樹脂接着剤等の樹脂接着剤であり、絶縁層１１０と電子部品１２０ａおよび１２０ｂとを接合する。絶縁層１１０の厚さは例えば２０μｍから５０μｍである。接合層１１２の厚さは例えば５μｍから２０μｍであり、絶縁層１１０の厚さより小さい。
【０１００】
電子部品１２０ａおよび１２０ｂは、パワー素子であり、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、バイポーラトランジスタまたはＦＥＴ（Field Effect Transistor）等のトランジスタまたはダイオードである。トランジスタまたはダイオードには、Ｓｉ、ＧａＮまたはＳｉＣ等の半導体が用いられる。電子部品１２０ａおよび１２０ｂは、ベアチップ状態で絶縁層１１０に実装されている。電子部品１２０ａおよび１２０ｂは、ベアチップが封止されて実装されたパッケージでもよい。図２１（ａ）および図２２の例では、電子部品１２０ａは、上面と下面との間に電流が流れる縦型のＳｉＣトランジスタのベアチップである。電子部品１２０ｂは、上面と下面との間に電流が流れる縦型のダイオードである。
【０１０１】
電子部品１２０ａの上面に端子１２２ａおよび１２２ｂが設けられ、下面に端子１２２ｃが設けられている。端子１２２ａ、１２２ｂおよび１２２ｃはそれぞれゲート端子、ソース端子およびドレイン端子である。電子部品１２０ｂの上面に端子１２２ｄが設けられ、下面に端子１２２ｅが設けられている。端子１２２ｄおよび１２２ｅはそれぞれアノード端子およびカソード端子である。端子１２２ａから１２２ｅは、電子部品１２０ａおよび１２０ｂを製造する工程において、予め形成されたものであり、例えば銅、金またはアルミニウム等の金属層である。
【０１０２】
絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する貫通孔１１６ａから１１６ｃが設けられている。貫通孔１１６ａは１個設けられ、貫通孔１１６ｂは２つの端子１２２ｂに各々６個設けられている。ソース端子およびドレイン端子には大電流が流れる。ゲート端子は制御端子であるため、大きな電流は流れない。このため、端子１２２ａは端子１２２ｂより小さい。また、貫通孔１１６ａの総面積は貫通孔１１６ｂの総面積より小さい。貫通孔１１６ａから１１６ｃの大きさは例えば３０μｍから５００μｍである。
【０１０３】
貫通孔１１６ａから１１６ｃの内面および絶縁層１１０上に配線１１４ａおよび１１４ｂが設けられている。配線１１４ａは貫通孔１１６ａを介し端子１２２ａ（ゲート端子）に電気的に接続される。配線１１４ｂは貫通孔１１６ｂを介し端子１２２ｂ（ソース端子）に電気的に接続され、貫通孔１１６ｃを介し端子１２２ｄ（アノード端子）に電気的に接続される。配線１１４ａおよび１１４ｂは銅層等の金属層からなる導電パターンである。配線１１４ａおよび１１４ｂの厚さは、大電流が流れることから例えば５０μｍから３００μｍであり絶縁層１１０の厚さより大きい。配線１１４ａおよび１１４ｂの厚さは、１０μｍ程度まで薄くてもよい。絶縁層１１０の下側辺側に近接して、２つのパッド１１３ａと１１３ｂが設けられ、配線１１４ａおよび１１４ｂは、前記パッド１１３ａ（ゲートパッドＧＰ）およびパッド１１３ｂ（ソースパッドＳＰ）から上側側辺に延在されている。ゲート端子、ソース端子と接続される部分を、パッドと呼ぶが、ここでは、パッドも含めた導電パターン全体を配線と呼んでいる。
【０１０４】
電子部品１２０ａおよび１２０ｂ下に金属層１２６が設けられている。金属層１２６は、接合層１２４を介し端子１２２ｃ（ドレイン端子）および端子１２２ｅ（カソード端子）と電気的に接続されている。接合層１２４は、例えば銅ペーストまたは銀ペースト等の金属ペーストまたは半田等の導電性接合層である。金属層１２６は、例えば銅層、アルミニウムまたは金を主材料とした金属層であり、トランジスタパッケージに採用されるリードフレームにおけるトランジスタチップが固着されるアイランドと呼ばれるダイパッドである。金属層１２６にはグランド電位が供給される。なお、金属層１２６の具体例は、後述する。また、封止樹脂が設けられる前の、絶縁層１１０に配線１１４ａ、１１４ｂ、電子部品１２０ａおよび１２０ｂが設けられたシートをシートモジュール１１１と呼ぶ。
【０１０５】
金属層１２６上に電子部品１２０ａ、１２０ｂ、絶縁層１１０、配線１１４ａおよび１１４ｂを覆うように封止樹脂１２８が設けられている。封止樹脂１２８は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であり、例えばエポキシ樹脂またはフェノール樹脂である。
【０１０６】
端子１２２ａと１２２ｂとの間に、絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する開口１１５が設けられている。この開口１１５はスリット状であり、開口１１５のＸ方向の幅は例えば５μｍから５０μｍであり、Ｙ方向の長さは例えば１００μｍ以上である。
【０１０７】
貫通孔１１６ａは、端子１２２ａと配線１１４ａとがコンタクトする面積が小さい。このため、絶縁層１１０、配線１１４ａおよび金属層１２６等の熱膨張係数の違いから、貫通孔１１６ａに負荷が加わり、接続部の亀裂および／または膜剥がれなどが発生する。よってこれらを抑制するため、開口１１５（スリット）を設けることで、その応力を緩和させることができる。
【０１０８】
図２３（ａ）から図２４（ｂ）は、実施例２に係るモジュールの製造方法を示す断面図である。図２３（ａ）に示すように、絶縁層１１０の下面に接合層１１２を塗布する。接合層１１２の塗布は、例えばスピンコート法、スプレコート法またはインクジェット法を用いる。なお、予め接合層１１２が形成された絶縁層１１０を用意してもよい。また接合層１１２は、絶縁層１１０の全域ではなく、電子部品１２０ａおよび１２０ｂを実装する領域に部分的に形成してもよい。
【０１０９】
図２３（ｂ）に示すように、絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する貫通孔１１６ａから１１６ｃを形成する。貫通孔１１６ａから１１６ｃは、例えば紫外線、可視光または赤外線のレーザ光１１７を照射することにより形成する。
【０１１０】
図２３（ｃ）に示すように、接合層１１２の下面に電子部品１２０ａおよび１２０ｂを仮接着させる。その後、熱処理することにより、接合層１１２を硬化させ電子部品１２０ａおよび１２０ｂと絶縁層１１０とを接合する。これにより、電子部品１２０ａおよび１２０ｂを絶縁層１１０に固定する。熱処理は例えば２００℃から３００℃の温度で実施する。この状態で、電子部品１２０ａおよび１２０ｂの端子１２２ａ、１２２ｂおよび１２２ｄはそれぞれ貫通孔１１６ａ、１１６ｂおよび１１６ｃに露出する。なお、図２３（ｂ）のレーザ加工を行わず、電子部品１２０ａおよび１２０ｂを絶縁層１１０に接着固定してから、貫通孔１１６ａから１１６ｃを開口してもよい。ただし、この場合、電子部品１２０ａおよび１２０ｂには、レーザによる熱負荷が加わる。よって、電子部品１２０ａおよび１２０ｂを絶縁層１１０に搭載する前に貫通孔１１６ａから１１６ｃを形成することが好ましい。
【０１１１】
図２３（ｄ）に示すように、絶縁層１１０の上面、貫通孔１１６ａから１１６ｃの内面に配線１１４ａおよび１１４ｂを形成する。配線１１４ａおよび１１４ｂの形成方法を説明する。絶縁層１１０の上面、貫通孔１１６ａおよび１１６ｂの内面にシード層を形成する。シード層は、例えばスパッタリング法を用い形成する。シード層は、例えば絶縁層１１０側からチタン層および銅層等の金属層である。そして、形成されたシード層の上面に、電解メッキ法でメッキ層を形成する。メッキ層は例えば銅層等の金属層である。メッキ層は、例えばシード層に電流を供給することによる電解メッキ法を用い形成する。シード層およびメッキ層により配線１１４ａおよび１１４ｂが形成される。なお、メッキ層を絶縁層１１０の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いメッキ層をパターニングしてもよい。あるいは、絶縁層１１０に、フォトリソグラフィ法を用い、配線１１４ａおよび１１４ｂの形成領域に開口を有するフォトレジストを形成する。その後、フォトレジストの開口にメッキ層を形成してもよい。
【０１１２】
図２４（ａ）に示すように、絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する開口１１５を形成する。開口１１５は、例えば紫外線、可視光または赤外線のレーザ光１１３を照射することにより形成する。開口１１５は、図２３（ｂ）において貫通孔１１６ａから１１６ｃの形成と同時に行ってもよい。電子部品１２０ａおよび１２０ｂを絶縁層１１０に搭載した後に開口１１５を形成すると、電子部品１２０ａおよび１２０ｂに熱が加わり電子部品１２０ａおよび１２０ｂが劣化することがある。開口１１５を図２３（ｂ）と同時に形成すると、電子部品１２０ａおよび１２０ｂの劣化を抑制できる。図２３（ｂ）において開口１１５を形成すると、図２３（ｃ）において、開口１１５を介して絶縁層１１０の電子部品１２０ａおよび１２０ｂ側にメッキ液が侵入し、メッキ層が形成されることがある。このような不具合を抑制するため、配線１１４ａおよび１１４ｂを形成する前に開口１１５をフォトレジストまたはフィルム等で覆ってもよい。開口１１５は、カッターなどで切り目を入れることで形成してもよい。
【０１１３】
図２４（ｂ）に示すように、端子１２２ｃおよび１２２ｅと金属層１２６とを接合する。接合方法として、端子１２２ｃおよび１２２ｅの下面または金属層１２６の上面に接合層１２４を塗布する。接合層１２４は、半田または導電性ペーストであり、例えば印刷法、スピンコート法、スプレコート法またはインクジェット法を用いて形成する。続いて、接合層１２４と端子１２２ｃ、１２２ｅおよび金属層１２６とを接触させ、熱処理することで、接合層１２４を焼成し、端子１２２ｃおよび１２２ｅと金属層１２６を接合する。これにより、端子１２２ｃおよび１２２ｅと金属層１２６とが熱的、機械的かつ電気的に接合し固定される。熱処理温度は例えば１８０℃から３００℃程度であり、絶縁層１１０および接合層１１２が軟化しない程度の温度とする。その後、封止樹脂１２８を形成してもよい。これにより、実施例２に係るモジュールが完成する。
【０１１４】
図２５（ａ）および図２５（ｂ）は、比較例１に係るモジュールの断面図である。図２５（ａ）に示すように、比較例１では、絶縁層１１０および接合層１１２に開口１１５が設けられていない。図２５（ｂ）に示すように、電子部品１２０ａに大きな電流が流れると、電子部品１２０ａ、１２０ｂ、配線１１４ａおよび１１４ｂが発熱する。このとき、各部材の熱膨張係数の違いにより、全体に反りが発生する。比較例１では、銅層等の配線１１４ａおよび１１４ｂの線熱膨張係数に比べ樹脂等の絶縁層１１０および接合層１１２の線熱膨張係数が大きいため、絶縁層１１０および接合層１１２は、上面が凹となり下面が凸となるように反る。樹脂である接合層１１２の温度が高くなると、接合層１１２の接合力が弱くなる。特に、端子１２２ａと配線１１４ａとの接触面積が小さいため、接合力は弱く、箇所１４４のように配線１１４ａが端子１２２ａから剥がれたり、貫通孔１１６ａ内の配線１１４ａにクラックが発生してしまう可能性がある。これにより、端子１２２ａと配線１１４ａとが断線または高抵抗となり、コンタクト不良が発生してしまう可能性がある。
【０１１５】
実施例２によれば、電子部品１２０ａ（第１電子部品）は、上面に端子１２２ａ（第１端子）および端子１２２ｂ（第２端子）を有し、絶縁層１１０（樹脂絶縁層）の下面に搭載されている。接合層１１２（樹脂接合層）は、絶縁層１１０の下面と電子部品１２０ａの上面とを接合する。配線１１４ａ（第１配線）は、絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する１または複数の貫通孔１１６ａ（第１貫通孔）の内面および絶縁層１１０の上面に設けられ、端子１２２ａに接続する。配線１１４ｂ（第２配線）は、絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する１または複数の貫通孔１１６ｂ（第２貫通孔）の内面および絶縁層１１０の上面に設けられ、端子１２２ｂに接続する。端子１２２ａと１２２ｂとの間かつ配線１１４ａと配線１１４ｂとの間には端子および／または配線等の金属層は設けられていない。
【０１１６】
このようなモジュールにおいて、端子１２２ａと１２２ｂとの間かつ配線１１４ａと配線１１４ｂとの間に絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する開口１１５が設けられている。これにより、貫通孔１１６ａにおける絶縁層１１０および接合層１１２の応力が緩和される。よって、比較例１のような配線１１４ａが端子１２２ａから剥がれることを抑制できる。
【０１１７】
開口１１５は、貫通孔１１６ａと配線１１４ｂとの距離が最も近い貫通孔１１６ａと配線１１４ｂとの間に、若干の長さをもって設けられている。これにより、貫通孔１１６ａにおける絶縁層１１０および接合層１１２の応力をより緩和できる。
【０１１８】
開口１１５のＹ方向の長さは貫通孔１１６ａおよび１１６ｂの少なくとも一方のＹ方向の長さより大きい。すなわち、図２１（ｂ）に示すように、開口１１５の＋Ｙ端１４１ａは貫通孔１１６ａの＋Ｙ端１４０ａ（最も外側の端）より＋Ｙ側（外側）に位置し、開口１１５の−Ｙ端１４１ｂは貫通孔１１６ａの−Ｙ端１４０ｂ（最も外側の端）より−Ｙ側（外側）に位置する。これにより、貫通孔１１６ａに加わる応力を緩和できる。なお、貫通孔１１６ａが複数の場合、開口１１５の＋Ｙ端１４１ａは、複数の貫通孔１１６ａのうち最も＋Ｙ側の貫通孔１１６ａの＋Ｙ端より＋Ｙ側に位置し、開口１１５の−Ｙ端１４１ｂは、複数の貫通孔１１６ａのうち最も−Ｙ側の貫通孔１１６ａの−Ｙ端より−Ｙ側に位置することが好ましい。
【０１１９】
開口１１５は、電子部品１２０ａと重なり、電子部品１２０ａの外側の領域には重ならない。すなわち、開口１１５の＋Ｙ端１４１ａおよび−Ｙ端１４１ｂは電子部品１２０ａに重なる。これにより、接合層１１２による電子部品１２０ａと絶縁層１１０との接着を確保できるため、開口１１５による絶縁層１１０の強度の低下を抑制でき、図２４（ａ）および図２４（ｂ）の製造工程中におけるハンドリングによる絶縁層１１０の破損等を抑制できる。また、絶縁層１１０の剥がれを抑制するため、開口１１５の＋Ｙ端１４１ａから電子部品１２０ａの＋Ｙ側の辺までの距離Ｌａ、および開口１１５の−Ｙ端１４１ｂから電子部品１２０ａの−Ｙ側の辺までの距離Ｌｂは、各々０．１ｍｍ以上であることが好ましい。
【０１２０】
電子部品１２０ａは、トランジスタであり、端子１２２ａはトランジスタの制御端子であり、端子１２２ｂはトランジスタの制御端子以外の端子（例えばソース端子）である。トランジスタは、制御端子には大きな電流が流れない。このため、１または複数の貫通孔１１６ａが端子１２２ａに接続する合計の接合面積は、１または複数の貫通孔１１６ｂが端子１２２ｂに接続する合計の面積より小さい。よって、貫通孔１１６ａに応力が加わりやすく、配線１１４ａが端子１２２ａから剥がれたり、貫通孔１１６ａ内のクラックなどによる不良が発生しやすくなる。そこで、開口１１５を設けることが好ましい。制御端子は、ゲート端子またはベース端子であり、制御端子以外の端子はソース端子、エミッタ端子、ドレイン端子またはコレクタ端子である。
【０１２１】
配線１１４ａおよび１１４ｂの各々の厚さは、絶縁層１１０および接合層１１２の合計の厚さより大きいことが好ましい。これにより、電子部品１２０ａからの放熱性を向上できる。また、絶縁層１１０および接合層１１２等の温度上昇を抑制できるため、電子部品１２０ａに供給する電流を大きくできる。しかし、配線１１４ａおよび１１４ｂと絶縁層１１０および接合層１１２との熱応力が大きくなる。よって、厚い配線１１４ａおよび１１４ｂによる応力も、開口１１５を設けることで緩和することができる。配線１１４ａおよび１１４ｂの厚さは、絶縁層１１０および接合層１１２の合計の厚さの１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましい。
【０１２２】
電子部品１２０ｂ（第２電子部品）は、例えばダイオードであり、上面に端子１２２ｄ（第３端子）を有し、絶縁層１１０の下面に搭載されている。配線１１４ｂ（第１配線および第２配線の少なくとも一方）は、端子１２２ｄと端子１２２ｂ（第１端子および第２端子の対応する少なくとも一方）とを接続する。厚い配線１１４ｂを用いることにより、端子１２２ｂと端子１２２ｄ間の電流容量を大きくできる。
【０１２３】
［実施例２の変形例１］
図２６（ａ）および図２６（ｂ）は、実施例２の変形例１および２に係るモジュールの平面図である。図２６（ｂ）は、電子部品１２０ａ付近の拡大図である。図２６（ａ）に示すように、実施例２の変形例１では、開口１１５は、絶縁層１１０を配線１１４ａが設けられた領域と配線１１４ｂが設けられた領域との間を通過し、絶縁層１１０の上端から下端まで延在し、絶縁層１１０を２つの領域に分断するように設けられている。開口１１５が絶縁層１１０を分断することで、貫通孔１１６ａに加わる絶縁層１１０および接合層１１２の応力をより緩和できる。絶縁層１１０の強度は弱くなるため、製造工程中におけるハンドリング性は悪化する。この場合、配線１１４ａおよび１１４ｂが形成された絶縁層１１０に電子部品１２０ａおよび１２０ｂを固着した後に、開口１１５をレーザ光等を用い形成するとよい。
【０１２４】
［実施例２の変形例２］
図２６（ｂ）に示すように、実施例２の変形例２では、開口１１５の＋Ｙ端１４１ａは電子部品１２０ａの＋Ｙ側の辺より＋Ｙ側に位置し、開口１１５の−Ｙ端１４１ｂは電子部品１２０ａの−Ｙ側の辺より−Ｙ側に位置する。すなわち、開口１１５は、電子部品１２０ａの＋Ｙ端から−Ｙ端に渡り設けられ、かつＹ方向の電子部品１２０ａの長さより大きく設けられ、電子部品１２０ａ内の配線１１４ａと配線１１４ｂとの間を分断するように設けられている。しかし、開口１１５は絶縁層１１０を分断はしていない。開口１１５が電子部品１２０ａより大きいことで、貫通孔１１６ａに加わる絶縁層１１０および接合層１１２の応力をより緩和できる。開口１１５が絶縁層１１０を分断しないことで、製造工程中におけるハンドリング性を向上できる。
【０１２５】
実施例２の変形例１および２によれば、開口１１５を電子部品１２０ａに投影した領域は電子部品１２０ａを２つの領域に分割する。これにより、貫通孔１１６ａに加わる絶縁層１１０および接合層１１２の応力をより緩和できる。
【０１２６】
［実施例２の変形例３］
図２７は、実施例２の変形例３に係るモジュールの断面図である。図２７に示すように、絶縁層１１０上に接合層１１２を用い電子部品１２０ａおよび１２０ｂが搭載されている。電子部品１２０ａは例えば横型のＧａＮトランジスタであり、電子部品１２０ｂは横型のダイオードである。この横型のＧａＮトランジスタの場合、ゲート端子、ソース端子およびドレイン端子が全て電子部品１２０ａの下面に設けられている。図２７では、電子部品１２０ａの下面に端子１２２ａおよび１２２ｂが設けられている。端子１２２ａおよび１２２ｂはそれぞれゲート端子およびソース端子であり、断面を図示しない電子部品１２０ａの下面の位置にドレイン端子が設けられている。横型のダイオードである電子部品１２０ｂの下面は端子１２２ｄおよび１２２ｅが設けられている。端子１２２ｄおよび１２２ｅはカソード端子およびアノード端子である。
【０１２７】
絶縁層１１０の下面には配線１１４ａから１１４ｃが設けられている。配線１１４ａは、貫通孔１１６ａを介し電子部品１２０ａの端子１２２ａ（ゲート端子）に接続されている。配線１１４ｂは貫通孔１１６ｂを介し電子部品１２０ａの端子１２２ｂ（ソース端子）に接続され、貫通孔１１６ｃを介し電子部品１２０ｂ（ダイオード）の端子１２２ｄ（アノード端子）に接続されている。配線１１４ｃは貫通孔１１６ｄを介し電子部品１２０ｂの端子１２２ｅ（カソード端子）に接続されている。配線１１４ａと１１４ｂとの間において、および配線１１４ｂと１１４ｃとの間において、絶縁層１１０および接合層１１２を取り除くように各々開口１１５が設けられている。
【０１２８】
電子部品１２０ａおよび１２０ｂの上面（ベアチップの裏面）は、接合層１２４により金属層１３２の下面に接合されている。絶縁基板１３０の下面および上面には金属層１３２および１３４が設けられている。絶縁基板１３０は、例えばセラミックス基板であり、金属層１３２および１３４は例えば銅層である。絶縁基板１３０、金属層１３２および１３４は電子部品１２０ａおよび１２０ｂの熱を放出するシートシンクとして機能する。接合層１２４は、例えば樹脂接着剤または金属ペースト等の導電性接着剤である。絶縁層１１０と絶縁基板１３０との間は封止部材１３８が充填されていてもよい。封止部材１３８は、例えば樹脂等の絶縁体であり電子部品１２０ａおよび１２０ｂを封止する。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。このように、セラミックス基板である絶縁基板１３０が例えばベアチップである電子部品１２０ａの裏面に配置されたモジュールであっても、図２１（ａ）および図２１（ｂ）において示した開口１１５が、貫通孔１１６ａ（ゲート端子用の貫通孔）と端子１２２ｂ（ソース端子）との間に設けられているため、貫通孔１１６ａにおけるゲート端子のコンタクトの信頼性が向上する。
【０１２９】
［実施例２の変形例４］
図２８は、実施例２の変形例４に係るモジュールの断面図である。図２８に示すように、絶縁層１１０上に接合層１１２を用い電子部品１２０ａから１２０ｄが搭載されている。電子部品１２０ａは例えば横型ＧａＮトランジスタである。電子部品１２０ｂは例えばダイオードである。電子部品１２０ｃは例えばディスクリートのチップ抵抗、チップコンデンサおよび／またはチップインダクタである。配線１１４は、貫通孔１１６を介し電子部品１２０ａから１２０ｄの電極１２２および１２３に接続される。電子部品１２０ｃでは、５面に電極１２３が設けられており、配線１１４および１１４ｃは電極１２３に接続する。電子部品１２０ｄは例えば集積回路であり、トランジスタ等のパワー素子を駆動するドライバである。絶縁層１１０上に電子部品１２０ａから１２０ｄを覆うように封止部材１３８が設けられている。封止部材１３８は、例えば樹脂等の絶縁体であり電子部品１２０ａから１２０ｄを封止する。その他の構成は実施例２の変形例３と同じであり説明を省略する。
【０１３０】
実施例２の変形例３では、絶縁基板１３０、金属層１３２および１３４を設けることで、電子部品１２０ａおよび１２０ｂの放熱性を高めることができる。よって、電子部品１２０ａおよび１２０ｂが取り扱う電力を１ＫＷ以上とすることができる。
【０１３１】
実施例２の変形例４では、多くの電子部品１２０ａから１２０ｄを有するモジュールを実現できる。
【０１３２】
［実施例２の変形例５］
図２９は、実施例２の変形例５に係るシートモジュールの平面図である。図２９に示すように、絶縁層１１０には、電子部品１２０ａ（例えばトランジスタ）が搭載され、電子部品１２０ｂ（例えばダイオード）は搭載されていない。その他の構成は実施例２と同じであり説明を省略する。実施例２の変形例５のように、絶縁層１１０に搭載される電子部品１２０ａは１個でもよい。
【０１３３】
［実施例２の変形例６］
実施例２の変形例６は、プリント基板の孔にリードを挿入する挿入タイプのパッケージ（例えばＴＯ（Transistor Outline）パッケージ）に、シートモジュール１１１を搭載する例である。
【０１３４】
図３０（ａ）は実施例２の変形例６におけるリードフレームの平面図、図３０（ｂ）および図３０（ｃ）は、図３０（ａ）のＡ−Ａ断面図およびＢ−Ｂ断面図である。図３０（ａ）から図３０（ｃ）に示すように、リードフレーム１５０は、主に銅からなり、ダイパッド１５２（アイランドともいう）およびリード１５４ａから１５４ｃを有する。ダイパッド１５２は、±Ｚ面が平坦な金属板である。ダイパッド１５２から−Ｙ方向に延伸するリード１５４ｃはドレインリードＤＬである。リード１５４ａはダイパッド１５２に接続部１５３により接続されている。リード１５４ｃの±Ｘ方向にリード１５４ａおよび１５４ｂがダイパッド１５２と独立に設けられている。
【０１３５】
リード１５４ａおよび１５４ｂの＋Ｙ端はパッド１５５ａおよび１５５ｂである。パッド１５５ａおよび１５５ｂの±Ｚ面のうち、後述するようにパッド１１３ａおよび１１３ｂが接続する−Ｚ面は平坦である。パッド１１３ａおよび１１３ｂがパッド１５５ａおよび１５５ｂの＋Ｚ面に接続する場合、パッド１５５ａおよび１５５ｂの＋Ｚ面を平坦とする。リード１５４ａおよび１５４ｂはそれぞれゲートリードＧＬおよびソースリードＳＬである。トランジスタがバイポーラトランジスタまたはＩＧＢＴの場合、リード１５４ａ、１５４ｂおよび１５４ｃは、それぞれベースリードＢＬ、エミッタリードＥＬおよびコレクタリードＥＬである。
【０１３６】
ダイパッド１５２の領域１５２ａはベアチップ等の電子部品１２０ａおよび１２０ｂの実装領域である。領域１５２ｂは、実装領域でもよいが、放熱およびヒートシンク領域でもよい。ダイパッド１５２はリード１５４ａから１５４ｃより厚い。リード１５４ａから１５４ｃはダイパッド１５２の＋Ｚ面より＋Ｚ側に設けられている。
【０１３７】
図３１は、実施例２の変形例６に係るモジュールの平面図である。図３１に示すように、リードフレーム１５０にシートモジュール１１１が搭載される。電子部品１２０ａおよび１２０ｂの−Ｚ面はダイパッド１５２の＋Ｚ面に例えばロウ材、導電性ペーストにより固着される。シートモジュール１１１のパッド１１３ａおよび１１３ｂ（図２９参照）の＋Ｚ面はそれぞれパッド１５５ａおよび１５５ｂの−Ｚ面に、半田、導電性ペーストまたはスポット溶接を用い固着される。この固着には半田または導電性ペーストを用いることが好ましい。シートモジュール１１１およびリード１５４ａから１５４ｃ以外のリードフレーム１５０は封止樹脂により封止されてもよい。
【０１３８】
電子部品１２０ａの端子１２２ｃ（ドレイン端子）および電子部品１２０ｂの端子１２２ｅ（カソード端子）は、ダイパッド１５２および接続部１５３を介しリード１５４ｃ（ドレインリードＤＬ）に電気的に接続される。電子部品１２０ａの端子１２２ａ（ゲート端子）は、配線１１４ａ、パッド１１３ａ（ゲートパッドＧＰ）およびパッド１５５ａを介しリード１５４ａ（ゲートリードＧＬ）に電気的に接続される。電子部品１２０ａの端子１２２ｂ（ソース端子）は、配線１１４ｂ、パッド１１３ｂ（ソースパッドＳＰ）およびパッド１５５ｂを介しリード１５４ｂ（ソースリードＳＬ）に電気的に接続される。
【０１３９】
［実施例２の変形例７］
実施例２の変形例７は、リードが折り曲げられ、プリント基板の表面にリードを固定する表面実装タイプのパッケージ（例えばＳＯＰ（Small Outline Package））に、シートモジュールを搭載する例である。
【０１４０】
図３２（ａ）は、実施例２の変形例７におけるシートモジュールの平面図、図３２（ｂ）は、図３２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３２（ａ）および図３２（ｂ）に示すように、シートモジュール１１１では、絶縁層１１０の下面に接合層１１２により電子部品１２０ａが搭載されている。絶縁層１１０の上面に配線１１４ａおよび１１４ｂが設けられている。配線１１４ａおよび１１４ｂは、それぞれ貫通孔１１６ａおよび１１６ｂを介し端子１２２ａおよび１２２ｂに接続されている。なお、図３２（ｂ）では、複数の貫通孔１１６ｂを１個で図示している。
【０１４１】
配線１１４ａと１１４ｂとの間の絶縁層１１０にはＬ字状の開口１１５が設けられている。配線１１４ａおよび１１４ｂは＋Ｘ方向に延伸する。配線１１４ａおよび１１４ｂの先端はパッド１１３ａおよび１１３ｂである。パッド１１３ａおよび１１３ｂには絶縁層１１０および接合層１１２を貫通する貫通孔１１６ｅおよび１１６ｆが設けられている。
【０１４２】
図３３（ａ）は、実施例２の変形例７におけるリードフレームの平面図、図３３（ｂ）は、図３３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。リードフレーム１５０はダイパッド１５２およびリード１５４ａから１５４ｃを有している。リード１５４ｃはダイパッド１５２から−Ｘ方向に引き出され−Ｚ方向に屈折しさらに−Ｘ方向に屈折する。
【０１４３】
リード１５４ａおよび１５４ｂはダイパッド１５２から分離している。リード１５４ａおよび１５４ｂの−Ｘ端はパッド１５５ａおよび１５５ｂである。パッド１５５ａおよび１５５ｂはダイパッド１５２より厚い。リード１５４ａおよび１５４ｂは、パッド１５５ａおよび１５５ｂから＋Ｘ方向に延伸し−Ｚ方向に屈折し、さらに＋Ｘ方向に屈折する。リード１５４ａおよび１５４ｂは、大電流が流れるため、各々櫛状に複数に分けられている。リード１５４ａから１５４ｃの端部の−Ｚ面がプリント基板の表面に実装される。
【０１４４】
図３４（ａ）は、実施例２の変形例７におけるモジュールの平面図、図３４（ｂ）は、図３４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３４（ａ）および図３４（ｂ）に示すように、リードフレーム１５０上にシートモジュール１１１が実装される。電子部品１２０ａの端子１２２ｃは接合層１２４ａを介しダイパッド１５２に接合される。貫通孔１１６ｅ内の配線１１４ａは接合層１２４ｂを介しパッド１５５ａに接合される。貫通孔１１６ｆ内の配線１１４ｂは接合層１２４ｂを介しパッド１５５ｂに接合される。接合層１２４ａおよび１２４ｂは、例えば半田または導電性ペーストである。
【０１４５】
電子部品１２０ａの端子１２２ａ（ゲート端子）は、配線１１４ａ、パッド１１３ａ、接合層１２４ｂ、パッド１５５ａを介しリード１５４ａ（ゲートリードＧＬ）に電気的に接続される。電子部品１２０ａの端子１２２ｂ（ソース端子）は、配線１１４ｂ、パッド１１３ｂ、接合層１２４ｂ、パッド１５５ｂを介しリード１５４ｂ（ソースリードＳＬ）に電気的に接続される。電子部品１２０ａの端子１２２ｃ（ドレイン端子）は、接合層１２４ａ、ダイパッド１５２を介しリード１５４ｃ（ドレインリードＤＬ）に電気的に接続される。リード１５４ａ、１５４ｂおよび１５４ｃは、ベースリードＢＬ、エミッタリードＥＬおよびコレクタリードＣＬでもよい。
【０１４６】
実施例２の変形例３のように、シートモジュール１１１は、樹脂またはセラミックスからなる少なくとも１層の絶縁層を有する基板上に設けられた導電パターン上に実装されてもよい。実施例２の変形例５および６のように、シートモジュール１１１は、金属板を抜き打ち加工またはエッチング加工されたリードフレームのダイパッド１５２に実装されてもよい。シートモジュール１１１は、樹脂材料で絶縁処理された金属基板（例えば銅またはアルミニウムを主材料とする）に実装されてもよい。シートモジュール１１１は、導電性を有する金属板（例えば銅、アルミニウム、鉄またはステンレスを主材料とする）上に実装されていてもよい。なお、金属基板および金属板の平面形状は例えば矩形または楕円形である。
【０１４７】
実施例２およびその変形例では、パワー半導体素子を搭載するパワーモジュールを例に説明したが、パワー半導体素子以外の電子部品を搭載するモジュールでもよい。
【０１４８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【０１４９】
１０  絶縁層
１２、２４、３８  接合層
１４ａ、１４ｂ  配線
１５ａ、１５ｂ  パッド
１６ａ−１６ｃ  貫通孔
１８ａ、１８ｂ  金属層
２０、２０ａ、２０ｂ  電子部品
２２ａ−２２ｅ  端子
２７  樹脂
２８  封止樹脂
２９  樹脂封止用ゲート跡
３０  リードフレーム
３２  ダイパッド
３４ａ−３４ｃ  リード
３５ａ、３５ｂ  フレームパッド
４０  切込み
４１  スリット
５０  上金型
５１  ゲート
５２  下金型
１１０  絶縁層
１１２、１２４  接合層
１１４、１１４ａ−１１４ｃ  配線
１１６、１１６ａ−１１６ｄ  貫通孔
１２０ａ−１２０ｄ  電子部品
１２２ａ−１２２ｅ  端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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