(57)【要約】【課題】放熱性を向上することができる。【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子４０と、半導体素子４０と電気的に接続されたボンディングワイヤ５０と、接続端子３０と、半導体素子４０とボンディングワイヤ５０と接続端子３０の一部とを封止する封止部材６０と、を備えている。また、接続端子３０は、ボンディングワイヤ５０が接合される接合領域を有し平板状を成すリード部３１と、リード部３１の第１側部から突出するアンカー部３２とを備えている。半導体装置１０は、このように封止部材６０の封止主面６３から表出される裏面２１及び裏面３１ｄが所定の面積以上を占めることができるために、半導体装置１０の放熱性を向上させることができる。【選択図】図２
2020170736.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続された接続部材と、
前記接続部材が接合される接合領域を含む第１おもて面と前記第１おもて面に対する裏面と前記第１おもて面及び前記裏面の間に位置する第１側部とを有し平板状を成すリード部と、前記第１側部から突出するアンカー部とを備えた接続端子と、
前記半導体素子と前記接続部材と前記接続端子の一部とを封止し、前記裏面に封止主面を備えた封止部材と、
を備え、
前記リード部は、前記第１おもて面と前記第１側部の少なくとも一部とを前記封止部材により封止される内部リード部と、前記封止部材の第１封止側面から延出する外部リード部とを備え、
前記アンカー部は、平面視で、前記接合領域に相対する前記第１側部の少なくとも一方から所定の突出長さで突出し、前記リード部の長手方向に対して直交する断面視で、第２おもて面が前記第１おもて面と同一平面を成し、前記突出長さが前記裏面に向かって縮小する、
半導体装置。
【請求項２】
前記アンカー部は、前記平面視で前記リード部の前記接合領域を挟む１組の対辺のそれぞれに形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記アンカー部は、前記断面視で、前記第２おもて面との角部において、前記第２おもて面との成す角が３０°以上、７５°以下である第２側部を備える、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２側部は、前記第２おもて面側から順に前記リード部の内側から見て凹曲面を有する第１曲面と凸曲面を有する第２曲面と凹曲面を有する第３曲面とを備える、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記内部リード部の裏面が前記封止主面から表出し、前記内部リード部の裏面と前記封止主面とが同一平面を構成している、
請求項１乃至４のいずれかに記載する半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、おもて面に制御電極及び出力電極と裏面に入力電極とをそれぞれ備え、
前記半導体素子がその裏面が配置される素子領域をおもて面に備えるダイパッドをさらに有し、
前記封止部材は、前記封止主面が前記ダイパッドの裏面を表出するように前記ダイパッドのおもて面及び側面を封止する、
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記封止部材は、前記接続端子を複数封止し、前記第１封止側面の前記ダイパッドを挟んだ反対側に第２封止側面をさらに備え、複数の前記接続端子の一端面が、前記第１封止側面及び前記第２封止側面からそれぞれ突出されている、
請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記封止部材は、前記ダイパッドの吊りピン部が、前記第１封止側面及び前記第２封止側面と直交する第３封止側面及び第４封止側面からそれぞれ表出されている、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記封止部材は、前記封止主面が、表出された前記ダイパッドの裏面と同一平面である、
請求項６乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記接続部材は、銅または銅合金により構成されている、
請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記接続端子は、銅または銅合金により構成され、前記接合領域は、金、銀、金合金または銀合金からなる膜が形成されている、
請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記接続端子は、銅または銅合金により構成されており、
前記内部リード部の前記第１おもて面及び前記第１側部と前記外部リード部の前記一端面は銅または銅合金が露出しており、
前記リード部の裏面と前記外部リード部の前記第１おもて面及び前記第１側部とはめっき膜が形成されている、
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記めっき膜は、すず、銀、すず合金または銀合金により構成されている、
請求項１２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＦＷＤ（Free Wheeling Diode）、ＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）等の半導体素子を含んでいる。必要に応じて、ＩＧＢＴ及びＦＷＤを基板上に配置して電力変換装置を実現することができる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１９１８９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような半導体装置は大きな電流、電圧を取り扱うことから発熱してしまう。半導体装置の高温化は半導体装置の故障の原因となり、半導体装置の信頼性が低下してしまうおそれがある。このため、半導体装置はさらなる放熱性の向上が必要とされている。
【０００５】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、放熱性を向上することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続された接続部材と、前記接続部材が接合される接合領域を含む第１おもて面と前記第１おもて面に対する裏面と前記第１おもて面及び前記裏面の間に位置する第１側部とを有し平板状を成すリード部と、前記第１側部から突出するアンカー部とを備えた接続端子と、前記半導体素子と前記接続部材と前記接続端子の一部とを封止し、前記裏面に封止主面を備えた封止部材と、を備え、前記リード部は、前記第１おもて面と前記第１側部の少なくとも一部とを前記封止部材により封止される内部リード部と、前記封止部材の第１封止側面から延出する外部リード部とを備え、前記アンカー部は、平面視で、前記接合領域に相対する前記第１側部の少なくとも一方から所定の突出長さで突出し、前記リード部の長手方向に対して直交する断面視で、第２おもて面が前記第１おもて面と同一平面を成し、前記突出長さが前記裏面に向かって縮小する、半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、放熱性を向上して、半導体装置の信頼性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態の半導体装置を説明するための図（その１）である。
【図２】実施の形態の半導体装置を説明するための図（その２）である。
【図３】実施の形態の半導体装置を説明するための図（その３）である。
【図４】実施の形態の半導体装置に含まれる接続端子を説明するための図（その１）である。
【図５】実施の形態の半導体装置に含まれる接続端子を説明するための図（その２）である。
【図６】実施の形態の半導体装置に含まれる別の接続端子の正面図を示す図である。
【図７】実施の形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる金属枠のセット工程を説明するための図である。
【図９】実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる封止工程を説明するための図である。
【図１０】実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれるめっき処理工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施の形態の半導体装置について、図１〜図３を用いて説明する。図１〜図３は、実施の形態の半導体装置を説明するための図である。なお、図１（Ａ）は、図１（Ｂ）の矢視方向からの半導体装置１０の斜視図、図１（Ｂ）は、半導体装置１０の平面図をそれぞれ示している。図２（Ａ）は、半導体装置１０の裏面図、図２（Ｂ）は、図１（Ｂ）及び図２（Ａ）の一点鎖線Ｘ−Ｘにおける半導体装置１０の断面図をそれぞれ示している。また、図３では、半導体装置１０の平面図を透視的に示している。
【００１０】
また、実施の形態において、おもて面とは、図１の半導体装置１０が上側を向いた面であり、例えば、図２（Ｂ）のダイパッド２０において半導体素子４０が搭載された面がおもて面である。裏面とは、図１の半導体装置１０において、下側を向いた面を表す。例えば、図２（Ｂ）のダイパッド２０において半導体素子４０が搭載された面の反対側の面が裏面である。図１以外でもおもて面及び裏面は同様の方向性を意味する。
【００１１】
半導体装置１０は、ダイパッド２０と複数の接続端子３０とダイパッド２０上に配置された半導体素子４０と半導体素子４０及び接続端子３０を電気的に接続するボンディングワイヤ５０とを備えている。半導体装置１０は、これらの部材が封止部材６０により略立方体状に封止されて構成されている。
【００１２】
ダイパッド２０は、熱伝導性に優れたアルミニウム、鉄、銀、銅、または、少なくともこれらの一種を含む合金等の金属により構成されている。また、ダイパッド２０の対向する短辺には、切り落とされたフレーム部（後述）からダイパッド２０を支持していた吊りピン部２２が構成されている。吊りピン部２２は、ダイパッド２０の対向するそれぞれの短辺に、２つずつ形成されていてよい。このようなダイパッド２０の裏面２１は封止部材６０の裏面側にあたる封止主面６３から表出されて、封止主面６３と同一平面を成している。また、ダイパッド２０の吊りピン部２２の端面は封止部材６０の対向する２つの封止側面６２から露出している。
【００１３】
接続端子３０は、ボンディングワイヤ５０が接合される平板状のリード部３１とリード部３１の両側部にそれぞれ形成されたアンカー部３２とを有している。なお、接続端子３０の構成の詳細については後述する。接続端子３０は、ダイパッド２０を挟んだ両側にそれぞれ４つずつ配列している。なお、接続端子３０の個数は一例であって、この場合に限らない。さらに、接続端子３０は、その裏面３１ｄが封止部材６０の封止主面６３から表出し、封止主面６３及びダイパッド２０の裏面２１と同一平面を成している。また、接続端子３０は少なくともアンカー部３２を含んで封止部材６０により封止されて、一端面３１ｅが封止部材６０の封止側面６１からそれぞれ延出している。なお、この際の封止側面６１から一端面３１ｅまでの延出量は、０．２５μｍ以上、０．３０μｍ以下である。また、このようにリード部３１は封止部材６０で封止されている部分である内部リード部３１ｇと封止部材６０の封止側面６１から延出する外部リード部３１ｈとにより構成されている。このような接続端子３０は、導電性に優れた銅あるいは銅合金等の金属により構成されている。そして、耐食性を向上させるために、例えば、すず、銀、すず合金または銀合金により構成される材料をめっき膜とするめっき処理等により表面に形成されている。なお、接続端子３０では、内部リード部３１ｇの後述する第１おもて面及び第１側部と外部リード部３１ｈの一端面３１ｅは銅または銅合金が露出している（めっき膜が形成されていない）。一方、リード部３１の裏面３１ｄと外部リード部３１ｈの後述する第１おもて面及び第１側部とにめっき膜が形成されている。略矩形状の封止部材６０において、対向する２つの封止側面６２からダイパッド２０の吊りピン部２２の端面から露出し、他の対向する２つの封止側面６２から接続端子３０の外部リード部３１ｈが延出している。
【００１４】
半導体素子４０は、例えば、シリコンまたは炭化シリコンから構成された、ＩＧＢＴ、パワーＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子を含んでいる。このような半導体素子４０は、例えば、裏面に主電極として入力電極（ドレイン電極またはコレクタ電極）を、おもて面に、制御電極（ゲート電極）及び主電極として出力電極（ソース電極またはエミッタ電極）をそれぞれ備えている。上記の半導体素子４０は、その裏面側がダイパッド２０上にはんだ（図示を省略）により接合されている。また、半導体素子４０は、例えば、ＳＢＤ、ＦＷＤ等のダイオードを含んでいてもよい。このような半導体素子４０は、裏面に主電極として出力電極（カソード電極）を、おもて面に主電極として入力電極（アノード電極）をそれぞれ備えている。また、半導体素子４０は、ＩＧＢＴとＦＷＤとが逆並列で接続された回路が構成されているＲＣ（Reverse-Conducting）−ＩＧＢＴ素子でもよい。
【００１５】
ボンディングワイヤ５０は、導電性に優れたアルミニウム、銅等の金属、または、少なくともこれらの一種を含む合金等により構成されている。なお、半導体装置１０のボンディングワイヤ５０では、銅または銅合金により構成されている。また、この径は、１００μｍ以上、１ｍｍ以下であることが好ましい。また、ボンディングワイヤ５０に替えて、板状のリードフレームまたは薄帯状のリボン等の接続部材を用いてもよい。封止部材６０は、例えば、マレイミド変性エポキシ樹脂、マレイミド変性フェノール樹脂、マレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００１６】
次に、半導体装置１０に含まれる接続端子３０の詳細について図４を用いて説明する。図４は、実施の形態の半導体装置に含まれる接続端子を説明するための図である。なお、図４（Ａ）は、接続端子３０のアンカー部３２側の斜視図、図４（Ｂ）は、接続端子３０のアンカー部３２側の平面図、図４（Ｃ）は、接続端子３０のアンカー部３２側の他端面３１ｆの正面図をそれぞれ表している。また、図４では接続端子３０に形成されているめっき膜の図示は省略している。
【００１７】
接続端子３０は、ボンディングワイヤ５０が接合される接合領域３１ｂを有し平板状を成すリード部３１と、リード部３１の第１側部３１ｃから突出するアンカー部３２とを備えている。リード部３１は、さらに、既述の通り、内部リード部３１ｇと外部リード部３１ｈとを有する。内部リード部３１ｇは、接合領域３１ｂを含む第１おもて面３１ａ及び第１側部３１ｃを有し、封止部材６０により封止される。なお、接合領域３１ｂには、金、銀、金合金または銀合金からなる膜を形成してもよい。外部リード部３１ｈは、封止部材６０の封止側面６１から延出する。このようなリード部３１の厚さＴは、例えば、１００μｍ以上、４００μｍ以下である。リード部３１の幅Ｗは、リード部３１の厚さＴと同じ、または、厚さＴより大きく、例えば、２００μｍ以上、５００μｍ以下である。リード部３１の長さは、リード部３１の幅Ｗより大きく、半導体装置１０の設定によるものの、例えば、４００μｍ以上、１０００μｍ以下である。
【００１８】
アンカー部３２は、平面視で、接合領域３１ｂに相対する第１側部３１ｃの少なくとも一方から所定の突出長さで突出している。また、アンカー部３２は、リード部３１の長手方向に対して直交する断面視で、第２おもて面３２ａが第１おもて面３１ａと同一平面を成し、突出長さがリード部３１の裏面３１ｄに向かって縮小している。アンカー部３２のより具体的な構成について以下に説明する。アンカー部３２は、図４（Ｃ）に示されるような断面形状を成す第２おもて面３２ａと第２側部３２ｃとを備える。アンカー部３２の第２おもて面３２ａは、リード部３１の第１おもて面３１ａと略同一平面を成すように構成されている。アンカー部３２の第２側部３２ｃは、第２おもて面３２ａ側から順にリード部３１の内側から見て凹曲面を有する第１曲面３２ｃ１と凸曲面を有する第２曲面３２ｃ２と凹曲面を有する第３曲面３２ｃ３とを備える。第１曲面３２ｃ１は、第２おもて面３２ａとの角部において、アンカー部３２の第２おもて面３２ａに対してテーパー角αを成して構成されている。テーパー角αは、３０°以上、７５°以下である。第１曲面３２ｃ１は、このような角度で第２おもて面３２ａから立ち上がり、リード部３１側に凹状に屈曲してリード部３１の裏面３１ｄに向かう。第２曲面３２ｃ２は、このような第１曲面３２ｃ１から続いており、リード部３１の外側に凸状に屈曲してリード部３１の裏面３１ｄに続く。また、第２曲面３２ｃ２の曲率は、第１曲面３２ｃ１、第３曲面３２ｃ３の曲率よりも大きい。第３曲面３２ｃ３は、このような第２曲面３２ｃ２から続いており、リード部３１側に凹状に屈曲してリード部３１の第１側部３１ｃに接続する。第３曲面３２ｃ３の沿面距離が、第１曲面３２ｃ１及び第２曲面３２ｃ２のそれらよりも最も長い。また、第３曲面３２ｃ３の曲率は、第１曲面３２ｃ１、第２曲面３２ｃ２の曲率よりも小さい。上記構成のアンカー部３２の最も厚い箇所の厚さｔは、リード部３１の厚さＴと同じかそれより小さく、例えば、１００μｍ以上、３００μｍ以下である。このようなアンカー部３２は、リード部３１を備える平板状の金属部材を所定の金型により挟み込んで押圧することで形成される。なお、アンカー部３２は、本実施の形態のように、接続端子３０のリード部３１の両側の第１側部３１ｃに形成されることに限らず、リード部３１の片側の第１側部３１ｃに形成されてもよい。
【００１９】
次に、このようなアンカー部３２を有する接続端子３０を封止部材６０で封止した際について、図５を用いて説明する。図５は、実施の形態の半導体装置に含まれる接続端子を説明するための図である。なお、図５（Ａ），（Ｂ）は、参考例の接続端子の平面図及び正面図をそれぞれ表している。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の一点鎖線Ｙ−Ｙにおける接続端子１３０の断面図を示している。図５（Ｃ）は、接続端子３０の他端面３１ｆ（アンカー部３２）側の正面図を表している。また、図５（Ｃ）に示す接続端子３０が備える構成に対する詳細な符号は省略している。図５でも接続端子３０に形成されているめっき膜の図示は省略している。
【００２０】
まず、半導体装置１０において、参考例の接続端子１３０が接続端子３０に代わって設けられる場合について説明する。このような接続端子１３０は、リード部１３１とリード部１３１の両側に形成されたアンカー部１３２とを備えている。接続端子１３０は、平面視でＴ字型を成している。また、リード部１３１及びアンカー部１３２は同一の高さを成すように構成されている。このような接続端子１３０にボンディングワイヤ５０が接合されており、封止部材６０で封止される。この際、接続端子１３０の裏面全面が封止部材６０の封止主面６３から表出して、表出した接続端子１３０の裏面全面が封止主面６３と同一平面を成している。このような場合において、封止部材６０の封止主面６３の接続端子１３０との間に外部から水分が浸入してしまうことがある。このようにして浸入した水分は、図５（Ｂ）の破線の矢印に示すような経路によりボンディングワイヤ５０（接続端子１３０との接合部）に到達する。銅は水分に付着すると腐食してしまう。このため、ボンディングワイヤ５０が銅または銅合金により構成されている場合、ボンディングワイヤ５０の接続端子１３０に対する接合が外れてしまうおそれがある。
【００２１】
一方、接続端子３０の場合も、図５（Ｂ）の場合と同様に、封止部材６０の封止主面６３の接続端子３０との間に外部から浸入した水分は、図５（Ｃ）の破線の矢印に示すような経路によりボンディングワイヤ５０（接続端子３０との接合部）に到達する。ところが、接続端子３０の場合には、リード部３１の両側の第１側部３１ｃに形成されたアンカー部３２の第２側部３２ｃは、湾曲を描いた構成を成している。このため、封止主面６３と接続端子３０（リード部３１）との間からリード部３１のボンディングワイヤ５０までの距離（沿面距離：図５（Ｃ）の破線の矢印）を、図５（Ｂ）の場合に比べて伸ばすことができる。さらには、接続端子３０ではリード部３１上にボンディングワイヤ５０を接合することもあり、沿面距離をより伸ばすことができる。このため、接続端子３０は、接続端子１３０の場合と比べると、浸入される水分の量を抑制することができる。このため、接続端子３０に対するボンディングワイヤ５０の接合を保つことができる。
【００２２】
また、接続端子３０は、既述の通り、リード部３１の両側の第１側部３１ｃに形成されたアンカー部３２の第２側部３２ｃは、第１曲面３２ｃ１、第２曲面３２ｃ２、第３曲面３２ｃ３による湾曲を描いた構成を成している。このため、接続端子３０の封止時に、封止部材６０はアンカー部３２の第２側部３２ｃに回り込みやすく、接続端子３０との境界を隙間なく封止する。このため、封止部材６０と接続端子３０との境界にボイドの発生が抑制される。このため、接続端子３０に対する封止部材６０の剥離が生じにくい。また、第１曲面３２ｃ１、第２曲面３２ｃ２、第３曲面３２ｃ３は滑らかな湾曲であることから、角部に生じる封止部材６０中のクラックの発生を予防することができる。さらには、ボンディングワイヤ５０の接合領域３１ｂへの水分の浸入も低減することができ、ボンディングワイヤ５０の接合を良好に保つことができる。
【００２３】
このような構成を有する半導体装置１０は、半導体素子４０と、半導体素子４０と電気的に接続されたボンディングワイヤ５０と、接続端子３０と、半導体素子４０とボンディングワイヤ５０と接続端子３０の一部とを封止する封止部材６０と、を備えている。また、接続端子３０は、ボンディングワイヤ５０が接合される接合領域３１ｂを含む第１おもて面３１ａと第１おもて面３１ａに対する裏面３１ｄと第１おもて面３１ａ及び裏面３１ｄの間に位置する第１側部３１ｃとを有し平板状を成すリード部３１と、第１側部３１ｃから突出するアンカー部３２とを備えている。さらに、リード部３１は、第１おもて面３１ａと第１側部３１ｃの少なくとも一部とを封止部材６０により封止される内部リード部３１ｇと、封止部材６０の封止側面６１から延出する外部リード部３１ｈとを備えている。アンカー部３２は、平面視で、接合領域３１ｂに相対する第１側部３１ｃの少なくとも一方から所定の突出長さで突出し、リード部３１の長手方向に対して直交する断面視で、第２おもて面３２ａが第１おもて面３１ａと同一平面を成し、突出長さが裏面３１ｄに向かって縮小する。半導体装置１０は、このように封止部材６０の封止主面６３から表出される裏面２１及び裏面３１ｄが所定の面積以上を占めることができるために、半導体装置１０の放熱性を向上させることができる。さらに、半導体装置１０では接続端子３０はリード部３１とリード部３１の両側の第１側部３１ｃにアンカー部３２とを備える。接続端子３０は封止部材６０により裏面３１ｄまで封止されていないものの、アンカー部３２により封止部材６０との密着面積を保ち封止部材６０に対する密着性の低下を抑制することができる。このため、半導体装置１０の熱サイクル環境下による封止部材６０に圧縮、膨張が生じても、接続端子３０の封止部材６０からの欠落を防止することができる。
【００２４】
なお、接続端子３０の別の例について図６を用いて説明する。図６は、実施の形態の半導体装置に含まれる別の接続端子の正面図を示す図である。なお、図６に示す接続端子３０は、図４（Ｃ）に対応する他端面３１ｆ側の正面図である。図６に示す接続端子３０は、リード部３１の厚さＴとアンカー部３２の最も厚い箇所の厚さｔとが略同一であって、その他の構成については図４の接続端子３０と同様である。この場合の接続端子３０でも、図４に示した接続端子３０と同様の効果が得られる。
【００２５】
次に、このような半導体装置１０の製造方法について、図７〜図１０並びに図１〜図３を用いて説明する。図７は、実施の形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図８は、実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる金属枠のセット工程を説明するための図であり、図９は、実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる封止工程を説明するための図である。また、図１０は、実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれるめっき処理工程を説明するための図である。なお、図８〜図１０は、要部を表している。
【００２６】
［ステップＳ１］  ダイパッド２０及び接続端子３０を含むリードフレーム（後述）、半導体素子４０、封止部材６０等を予め用意する。半導体素子４０及び封止部材６０については既述のものを用意する。リードフレームは、例えば、銅または銅合金により構成される。
【００２７】
［ステップＳ２］  リードフレームを所定位置にセットする。例えば、図８に示すリードフレーム７０は、ダイパッド２０が吊りピン部２２を介して接続された一対のフレーム部７１と、一対のフレーム部７１を接続すると共に、複数の接続端子３０が接続されているタイバー７２とを有している。このようにリードフレーム７０は、ダイパッド２０と複数の接続端子３０とが一体となっている。このようなリードフレーム７０は、所定の金型で金属板を打ち抜くことで形成することができる。なお、打ち抜く際には、リードフレーム７０の接続端子３０には、予め、後にアンカー部３２となる構成を形成している。アンカー部３２は、既述の通り、所定の金型で板状の接続端子３０を挟み込むことで得られる。
【００２８】
［ステップＳ３］  このようなリードフレーム７０のダイパッド２０に半導体素子４０をはんだ付け等でセットし、半導体素子４０とタイバー７２とをボンディングワイヤ５０で電気的に接続する。なお、この工程の図示は省略している。
【００２９】
［ステップＳ４］  リードフレーム７０のダイパッド２０に配置された半導体素子４０と接続端子３０のアンカー部３２を含んだ領域とボンディングワイヤ５０とを、図９に示されるように、封止部材６０を用いて所定の金型中で成形し、封止部材６０で封止する。なお、図示を省略するものの、図９に表示する側の反対側では、ダイパッド２０及び接続端子３０の裏面が表出している。
【００３０】
［ステップＳ５］  リードフレーム７０のダイパッド２０及び接続端子３０の露出部分に対してすず、銀、すず合金または銀合金によりめっき処理を行う。この際、図９に表示する側の反対側では、ダイパッド２０及び接続端子３０の裏面側にもめっき処理が行われる。ダイパッド２０及び接続端子３０は、銅または銅合金により構成されている。このようなダイパッド２０及び接続端子３０において、すず、銀、すず合金または銀合金によるめっき膜が形成されている箇所は、はんだが付きやすい。そのため、このような半導体装置を外部の配線部材とはんだ接合する時に、良好な接合が可能である。
【００３１】
［ステップＳ６］  リードフレーム７０のフレーム部７１及びタイバー７２から封止部材６０で封止したダイパッド２０及び接続端子３０を分離する。この際、まず、図１０に示されるように、タイバー７２の打ち抜き領域７２ａを金型により打ち抜く。接続端子３０は、封止部材６０の対向する封止側面６２から延出しており、対向する封止側面６２の打ち抜き領域７２ａを同時に打ち抜くことで、封止部材６０側に残された接続端子３０に過度な歪が入ることなく打ち抜くことができる。このようにして打ち抜かれて形成される接続端子３０の一端面３１ｅ（図１参照）には、ダレ面（図示を省略）が発生しており、めっき膜が形成されていない。このような接続端子３０の外部リード部３１ｈはめっき膜の有無により色が異なる。このため、接続端子３０の一端面３１ｅ（図１参照）と接続端子３０の裏面側とを目視することにより、接続端子３０にめっき処理がされているか否かを判断することができる。
【００３２】
ところで、タイバー７２を打ち抜き以外で分離させる方法として、例えば、ダイシングブレードによるダイシングが考えられる。しかし、ダイシングによる分離された接続端子３０にははんだが適切に付かない。このため、接続端子３０に配線部材をはんだにより確実に接合することができない。このような理由から、タイバー７２の分離には打ち抜きを行うことが相応しい。
【００３３】
同様に、ダイパッド２０も吊りピン部２２の打ち抜き領域７１ａを金型により打ち抜くことで、フレーム部７１から分離する。吊りピン部２２は、封止部材６０の対向する封止側面６２から延出しており、対向する封止側面６２の打ち抜き領域７１ａを同時に打ち抜くことで、封止部材６０に残された吊りピン部２２に過度な歪が入ることなく打ち抜くことができる。このようにして打ち抜かれて形成される吊りピン部２２の露出面には、ダレ面（図示を省略）が発生しており、めっき膜が形成されていない。このため、吊りピン部２２の端面とダイパッド２０の裏面側とを目視することにより、ダイパッド２０にめっき処理がされているか否かを判断することができる。また、半導体装置１０の封止部材６０の直交する封止側面６２からは吊りピン部２２と接続端子３０がそれぞれ露出している。なお、タイバー７２の打ち抜き領域７２ａと吊りピン部２２の打ち抜き領域７１ａを同時に打ち抜いてもよい。以上の工程により、図１〜図４に示される半導体装置１０が得られる。
【符号の説明】
【００３４】
１０  半導体装置
２０  ダイパッド
２１  裏面
２２  吊りピン部
３０  接続端子
３１  リード部
３１ａ  第１おもて面
３１ｂ  接合領域
３１ｃ  第１側部
３１ｄ  裏面
３１ｅ  一端面
３１ｆ  他端面
３１ｇ  内部リード部
３１ｈ  外部リード部
３２  アンカー部
３２ａ  第２おもて面
３２ｃ  第２側部
３２ｃ１  第１曲面
３２ｃ２  第２曲面
３２ｃ３  第３曲面
４０  半導体素子
５０  ボンディングワイヤ
６０  封止部材
６１，６２  封止側面
６３  封止主面
７０  リードフレーム
７１  フレーム部
７１ａ  打ち抜き領域
７２  タイバー
７２ａ  打ち抜き領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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