(57)【要約】【課題】膜の均一性を図ることを提供する。【解決手段】ステージに対向してチャンバ内に配置される誘電体窓と、前記チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、前記マイクロ波導入部に接続される、前記チャンバ内の第１の室と前記誘電体窓と前記第１の室との間に配置され、マイクロ波が通過する開口部を有する導電性窓部材と、前記導電性窓部材を回転させる駆動機構と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。【選択図】図１
2020170600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージに対向してチャンバ内に配置される誘電体窓と、
前記チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、
前記マイクロ波導入部に接続される、前記チャンバ内の第１の室と
前記誘電体窓と前記第１の室との間に配置され、マイクロ波が通過する開口部を有する導電性窓部材と、
前記導電性窓部材を回転させる駆動機構と、
を有する、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の室は、空洞共振器として機能する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第１の室は、大気空間である、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記導電性窓部材は、一部又は全部の面に前記開口部を有する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記駆動機構は、前記第１の室にエアーを供給し、前記導電性窓部材を回転させる、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記導電性窓部材の回転数又は回転速度を検出する検出部と、
検出した前記回転数又は前記回転速度に基づき、所定のプロセスに対して設定された目標回転速度に一致する又は近づくように前記導電性窓部材の回転速度を制御する制御部と、
を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第１の室に供給するエアーの流量を調整し、前記導電性窓部材の回転速度を制御する、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置にて行うプラズマ処理方法であって、
導電性窓部材の回転数又は回転速度を検出する工程と、
検出した前記回転数又は前記回転速度に基づき、所定のプロセスに対して設定された目標回転速度に一致する又は近づくように前記導電性窓部材の回転速度を制御する工程と、
前記導電性窓部材の回転速度を制御しながら、載置台に載置された基板の上方に生成されるプラズマにより基板を処理する工程と、
を有するプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波のパワーによりガスからプラズマを生成し、生成したプラズマによりウエハに成膜するプラズマＣＶＤ装置が提案されている。例えば、特許文献１は、複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置において、窒化珪素膜を形成することを提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６７３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、膜の均一性を図ることが可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一の態様によれば、ステージに対向してチャンバ内に配置される誘電体窓と、前記チャンバ内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、前記マイクロ波導入部に接続される、前記チャンバ内の第１の室と前記誘電体窓と前記第１の室との間に配置され、マイクロ波が通過する開口部を有する導電性窓部材と、前記導電性窓部材を回転させる駆動機構と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、膜の均一性を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。
【図２】一実施形態に係るマイクロ波導入部の一例を示す図。
【図３】一実施形態に係る導電性窓部材とその周辺の拡大図。
【図４】一実施形態に係る導電性窓部材に設けられた羽根部材の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る導電性窓部材の開口部一例を示す図。
【図６】一実施形態に係るマイクロ波導入の一例を示す図。
【図７】一実施形態に係るプラズマ処理方法の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
［プラズマ処理装置］
一実施形態に係るプラズマ処理装置１０について、図１を用いて説明する。図１（ａ）は、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０の一例を示す断面模式図である。図１（ｂ）ば、図１（ａ）のＡ−Ａ断面であり、一実施形態に係るプラズマ処理装置１０の天井面を示す。
【００１０】
プラズマ処理装置１０は、マイクロ波によって形成される表面波プラズマにより、ウエハＷに対して成膜処理等の所定のプラズマ処理を行う。プラズマ処理装置１０は、チャンバ１を有する。チャンバ１は、上部が開口した有底の円筒状であり、接地されている。チャンバ１は、天井に設けられた天板９にて上部開口を閉塞され、これにより、内部を気密に保持することが可能である。チャンバ１及び天板９は、アルミニウムまたはステンレス鋼等の金属材料から形成される。
【００１１】
チャンバ１内の底部中央にはウエハＷを載置するステージ３が、絶縁部材を介して立設された支持部材４により支持されている。ステージ３を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等の金属や内部に高周波用の電極を有した絶縁部材（セラミックス等）が例示される。ステージ３には、ウエハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路等が設けられてもよい。
【００１２】
また、ステージ３には、整合器を介して高周波バイアス電源が電気的に接続されてもよい。高周波バイアス電源からステージ３に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にプラズマ中のイオンを引き込むことができる。ただし、高周波バイアス電源はプラズマ処理の特性によっては設けなくてもよい。
【００１３】
チャンバ１の底部には排気管１３が接続されており、排気管１３には真空ポンプを含む排気装置１４が接続されている。排気装置１４を作動させると排気が開始され、チャンバ１内が所定の真空度まで減圧される。チャンバ１の側壁には、ウエハＷの搬入及び搬出を行うための搬入出口１５と、搬入出口１５を開閉するゲートバルブ１６とが設けられている。
【００１４】
［マイクロ波導入部］
天板９には、チャンバ１内にマイクロ波を放射するマイクロ波導入部２が設けられている。
【００１５】
図１（ａ）のＡ−Ａ断面を示す図１（ｂ）を参照すると、マイクロ波導入部２の先端の放射口２ａが、中央に１つ天板９の内壁から露出している。
【００１６】
図２に、マイクロ波導入部２の縦断面を拡大して示す。マイクロ波導入部２は、同軸ケーブル状をなし、内部導体１２１と、その外側の外部導体１２２と、これらの間に設けられたテフロン（登録商標）等の誘電体１２３とを有する。マイクロ波導入部２の先端２ａ付近の側部は、外部導体１２２が存在しない切欠部１２４となっており、内部導体１２１からなるモノポールアンテナ１１を構成している。
【００１７】
モノポールアンテナ１１の先端２ａは、チャンバ１の天板９の裏面９ａと同じ高さの面であって、チャンバ１の内部空間に露出する。モノポールアンテナ１１の先端２ａを天板９の裏面９ａに近接させることにより、先端の切欠部１２４を通して放射口からマイクロ波がチャンバ１内に放射される。なお、マイクロ波導入部２の数は１つに限られず、２以上であってもよい。
【００１８】
図１に戻り、キャビティ室１７は、マイクロ波導入部２に接続され、チャンバ１内にて空間Ｖを形成する。キャビティ室１７は、マイクロ波導入部２に接続される、チャンバ１内の第１の室の一例である。誘電体窓５は、ステージ３に対向してキャビティ室１７の下方のチャンバ１内に、放射口２ａとステージ３とから離隔して配置される。言い換えれば、誘電体窓５は、チャンバ１の内部を、キャビティ室１７と処理室１８に分ける仕切り板となっている。誘電体窓５の下の処理室１８が形成する空間Ｕは真空空間である。
【００１９】
誘電体窓５は、例えば、石英、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により形成されている。
【００２０】
マイクロ波出力部６から出力されたマイクロ波は、マイクロ波導入部２との間のマイクロ波伝送路を通って分岐し、マイクロ波導入部に入力される。マイクロ波出力部６から出力されるマイクロ波の周波数は、例えば２．４５ＧＨｚであってもよい。
【００２１】
マイクロ波導入部２の下のキャビティ室１７が形成する空間Ｖは大気空間である。キャビティ室１７には、例えば、数１０ｍｍ〜数１００ｍｍ程度の自由空間が存在し、マイクロ波導入部２から放射されたマイクロ波が伝播する。
【００２２】
プラズマ処理装置１０は、プラズマ処理装置１０の各部を制御する制御装置３０を有する。例えば、制御装置３０は、後述するように導電性窓部材７に取り付けられたエンコーダ１２のモニター値に基づき、エアー供給部８からキャビティ室１７に供給するエアーの流量を制御する。
【００２３】
かかる構成のプラズマ処理装置１０においてプラズマ処理を行う際には、まず、ウエハＷが、搬送アーム上に保持された状態で、開口したゲートバルブから搬入出口を通りチャンバ１内に搬入される。
【００２４】
ゲートバルブ１６はウエハＷを搬入後に閉じられる。ウエハＷは、ステージ３の上方まで搬送されると、搬送アームからプッシャーピンに移され、プッシャーピンが降下することによりステージ３に載置される。チャンバ１の内部の圧力は、排気装置１４により所定の真空度に保持される。また、処理ガスが処理室１８の空間Ｕに導入され、マイクロ波導入部２（モノポールアンテナ１１）からマイクロ波が放射される。キャビティ室１７を伝播したマイクロ波は、キャビティ室１７の下の導電性窓部材７を通過し、誘電体窓５を透過する。これにより、誘電体窓５下に形成されるマイクロ波の電界によってプラズマ空間Ｕに供給されたガスがプラズマ化し、誘電体窓５の下方にてプラズマＰが生成される。生成されたプラズマＰによってウエハＷに所定のプラズマ処理が施される。
【００２５】
なお、マイクロ波導入部２は、キャビティ室１７の上部に接続され、天板９からマイクロ波を放射することに限られない。例えば、マイクロ波導入部２は、キャビティ室１７の側部に接続され、側壁からマイクロ波を放射してもよい。キャビティ室１７に形成されるマイクロ波の電磁界モードによってマイクロ波導入部２をどの位置に接続すべきかが決定される。
【００２６】
図３は、一実施形態に係る導電性窓部材７とその周辺の拡大図である。キャビティ室１７は、空洞共振器として機能する。このため、キャビティ室１７は、マイクロ波の周波数に応じた高さ及び直径を有する円筒状の室になっている。つまり、キャビティ室１７をマイクロ波の周波数に応じて、空洞共振が起こり易いサイズ及び形状にする。これにより、キャビティ室１７に導入されるマイクロ波の電磁界モードによって、空間Ｖに定在波を形成することにより空洞共振を生じさせ、マイクロ波の最大パワーを効率的に処理室１８の空間Ｕに伝播させることができる。
【００２７】
導電性窓部材７は、誘電体窓５とキャビティ室１７との間に配置され、マイクロ波が通過する開口部７ａを有する。導電性窓部材７の開口部７ａの形状については後述する。導電性窓部材７は、エアー供給部８からキャビティ室１７に供給されるエアーにより回転する。エアー供給部８は、導電性窓部材７を回転させる駆動機構の一例である。エアー供給部８から供給するガスは、エアーに限られず、例えば不活性ガスでもよい。エアー供給部８は、ＰＣＶバルブ等の圧力制御素子を有し、圧力制御素子によりエアーを供給する管内の圧力を制御することによってエアーの流量を調整してもよい。エアー供給部８は、流量制御バルブを有し、流量制御バルブの開度を制御することによってエアーの流量を直接調整してもよい。
【００２８】
エアー供給部８は、キャビティ室１７に設けられたエアー導入口２２からエアーを供給する。エアーは、導電性窓部材７の直上に外周側から供給される。導電性窓部材７の上面には、図４に一例を示す６つの羽根部材２７が導電性窓部材７の中心Ｏの周りに放射状に配置されている。図４では、導電性窓部材７の開口部７ａの図示を省略している。６つの羽根部材２７は、円周方向に対して同一方向に斜めに傾けて取り付けられている。導電性窓部材７に設けられた羽根部材２７によって導電性窓部材７の上面を通るエアーに一定の流れが形成され、導電性窓部材７を回転させる力となる。羽根部材２７の材質は、軽量な樹脂等の絶縁物が好ましい。これにより、導電性窓部材７が回転し易くなるとともに、羽根部材２７を絶縁物により形成することでマイクロ波による異常放電を防止することができる。ただし、羽根部材２７の材質は、これに限られず、金属にしても良い。また、羽根部材２７の個数、形状、配置は、これに限らない。
【００２９】
キャビティ室１７に供給されたエアーは、天板９に設けられたエアー排出口２３から外部に排気される。なお、エアー導入口２２及びエアー排出口２３は、１つに限られず、複数設けられても良い。エアー導入口２２は、導電性窓部材７をスムーズに回転できる位置に設けられる。エアー排出口２３は、導電性窓部材７を回転させるエアーの流れを乱さずに、スムーズにエアーを排出できる位置に設けられる。
【００３０】
図３に戻り、導電性窓部材７をエアーによって回転させるために、導電性窓部材７の裏面の中心に形成された凹み７ｃに誘電体窓５の中心に設けられた円錐状の軸５ａを当接させる。導電性窓部材７の直径は、キャビティ室１７の直径よりも小さい。よって、軸５ａの回りに導電性窓部材７をコマのように回転させることができる。
【００３１】
導電性窓部材７の外周には、その側部から外側に向かって突出する導電性窓部材７よりも厚さが薄い環状部材２８が取り付けられている。導電性窓部材７は、キャビティ室１７の側壁に設けられた窪みに固定された板バネなどのスプリング２１に回転可能に環状部材２８を挿し入れることで、安定して回転することができる。
【００３２】
スプリング２１は接地されている。これにより、導電性窓部材７をグラウンドにすることができ、回転する導電性窓部材７の開口部７ａをマイクロ波が通過するときにマイクロ波による異常放電が発生することを防止できる。なお、スプリング２１は、側壁の円周方向に２つ以上あればよいが、３つ以上が設けられると導電性窓部材７の回転が安定するため好ましい。また、スプリング２１は、全周に渡ってリング状に設けられてもよい。
【００３３】
導電性窓部材７は、その一部の面に開口部７ａを有する。例えば、図５（ａ）に示すように、導電性窓部材７は、角度θの扇状の開口部７ａを有し、マイクロ波が通過する窓部として機能する。ただし、導電性窓部材７の開口部は、これに限られない。例えば、図５（ｂ）に示すように、導電性窓部材７は、全面に開口部７ｂのパターンが形成されても良い。また、図５（ｃ）に示すように、導電性窓部材７は、その一部の面に開口部７ｂのパターンが形成されても良い。図５（ｃ）の例では、導電性窓部材７の角度θの扇状の面に開口部７ｂのパターンが形成されている。図５（ａ）及び図５（ｃ）の開口部７ａの角度θは、マイクロ波の周波数に応じて適切な角度に設計される。角度θは、例えば、３６０°の１／６から１／７程度が好ましい。
【００３４】
キャビティ室１７を伝播したマイクロ波は、図５（ａ）の開口部７ａ、図５（ｂ）の開口部７ｂ又は図５（ｃ）の開口部７ｂから処理室１８に向けて放射される。図５（ｂ）及び図５（ｃ）の開口部７ｂは、細長い長方形状（スロット状）をなし、隣接する２つのマイクロ波放射孔が対をなし、Ｔ字状に形成されている。
【００３５】
また、このように所定の形状（例えばＴ字状）に組み合わせて配置されたマイクロ波放射孔は、さらに全体として同心円状に配置されている。このようなマイクロ波放射孔として機能する開口部７ｂによって、チャンバ１内に円偏波を生じさせることができる。
【００３６】
導電性窓部材７の開口部７ａの大きさや開口部７ｂの数によって、処理室１８に単位面積当たりに供給されるマイクロ波のパワーが変わる。例えば、開口部７ａを小さくすると、開口部７ａから単位面積当たりに供給されるマイクロ波のパワーを、開口部７ａをより大きくした場合と比較して大きくすることができる。すなわち、導電性窓部材７の開口部７ａの大きさや開口部７ｂの数を変えることで、処理室１８に導入されるマイクロ波のパワーの大小を制御し、これにより、可能なプロセスの幅であるプロセスウィンドウを広くすることができる。
【００３７】
開口部７ｂが設けられる列の間隔は、マイクロ波の波長λに応じて決定される。例えば、同心円状に設けられた開口部７ｂの径方向の間隔は、λ／４〜λの範囲となるように配置される。なお、開口部７ｂのマイクロ波放射孔の形状は、円形状、スリット状等であってもよい。さらに、マイクロ波放射孔の配置形態は特に限定されず、同心円状のほか、例えば、螺旋状、放射状等に配置することもできる。
【００３８】
図３に戻り、誘電体窓５は、チャンバ１の側壁の凹部に嵌め込まれ、固定されている。凹部には誘電体窓５の下面とチャンバ１壁との間にＯリング２０が設けられ、処理室１８の真空空間を、キャビティ室１７の大気空間Ｖからシールし、処理室１８の気密を保持するようになっている。
【００３９】
導電性窓部材７には、エンコーダ１２が取り付けられている。エンコーダ１２は、導電性窓部材７の回転数又は回転速度を検出する。エンコーダ１２は、導電性窓部材７の回転数又は回転速度を検出する検出部の一例であり、検出部はこれに限られず、例えば光学式回転検出センサ等を用いることができる。この場合、光学式回転検出センサは、プラズマ処理装置１０の外部に設けられ、プラズマ処理装置１０に設けられた検査用窓から入光させた光のうち、導電性窓部材７からの反射光に基づき回転速度を検出してもよい。
【００４０】
制御装置３０は、制御部１１０の機能を実現するプロセッサ、入力装置、表示装置、信号の入出力インターフェイス等を備えるコンピュータであり得る。また、制御装置３０は、導電性窓部材７の回転速度とエアーの流量との相関データ１１１、エンコーダ１２が検出した回転数又は回転速度を示すモニター値１１２を記憶する記憶部を有する。制御部１１０は、ウエハＷに施す所定のプロセスの手順を示したレシピに従い、プロセスを実行するための制御プログラムの各ステップを実行することで実現される。記憶部は、ＲＯＭ、ＲＡＭ等のメモリにより実現される。
【００４１】
制御装置３０では、入力装置を用いて、オペレータがプラズマ処理装置１０を管理するためにコマンドの入力操作等を行うことができる。また、制御装置３０では、表示装置により、プラズマ処理装置１０の稼働状況を可視化して表示することができる。
【００４２】
制御装置３０は、エンコーダ１２が検出した回転数又は回転速度に基づき、現在の回転速度Ｒｃから、所定のプロセスに対して設定された相関データ１１１に示す目標回転速度Ｒｇに一致する又は近づくように導電性窓部材７の回転速度をフィードバック制御する。具体的には、制御部１１０は、現在の回転速度Ｒｃから、相関データ１１１に示す目標回転速度Ｒｇに近づくようにエアー供給部８から出力されるエアーの流量を、現在の流量Ｆｃと目標流量Ｆｇとの差分に応じてフィードバック制御する。このようにしてキャビティ室１７に供給するエアーの流量を制御することで、導電性窓部材７の回転速度を目標回転速度Ｒｇに一致させる又は近づけることができる。
【００４３】
これにより、図６に、一実施形態に係る導電性窓部材７の回転制御の一例を示すように、キャビティ室１７の空間Ｖを伝播したマイクロ波は、導電性窓部材７に形成された扇状の開口部７ａを通り、誘電体窓５を透過して処理室１８に到達する。導電性窓部材７の開口部７ａは、中心Ｏの軸回りに導電性窓部材７を回転させることにより、中心Ｏの周りに円周方向に移動する。回転方向は、時計回りでも反時計回りでも良い。
【００４４】
これにより、開口部７ａを通るマイクロ波の伝搬経路を時間とともに変化させることができる。これにより、マイクロ波導入部２から導入されたマイクロ波が誘電体窓５を介して処理室１８の空間Ｕに到達することで誘電体窓５に形成される電界分布を、導電性窓部材７の回転速度によって制御することができる。これにより、導電性窓部材７の回転速度によってプラズマ分布を制御することができる。この結果、制御されたプラズマ分布に応じてウエハＷに形成される膜の均一性を図ることができる。
【００４５】
［プラズマ処理方法］
次に、プラズマ処理装置１０にて実行されるプラズマ処理方法の一例について、図７を参照して説明する。図７は、一実施形態に係るプラズマ処理方法の一例を示すフローチャートである。なお、本処理は制御装置３０により制御される。
【００４６】
本処理が開始されると、制御装置３０は、ウエハＷをチャンバ内に搬入し、ステージ３に載置して準備する（ステップＳ１）。次に、制御装置３０は、ガス供給部から所定の処理ガスを供給する（ステップＳ２）。
【００４７】
次に、制御装置３０は、エアー供給部８から所定流量のエアーをキャビティ室１７に供給し、導電性窓部材７を所定の回転速度で回転させるように制御する(ステップＳ３)。これにより、キャビティ室１７を伝播したマイクロ波が、導電性窓部材７の開口部７ａを通り、誘電体窓５を透過する。
【００４８】
次に、制御装置３０は、エンコーダ１２が検出したモニター値１１２を取得する（ステップＳ４）。ただし、制御装置３０がエンコーダ１２からモニター値１１２を取得するタイミングは、これに限られず、制御装置３０は、定期的又は不定期にモニター値１１２を取得できる。次に、制御装置３０は、取得したモニター値１１２から現在の導電性窓部材７の回転速度を取得又は算出し、記憶部に記憶した相関データ１１１に基づき、現在の導電性窓部材７の回転速度Ｒｃ（図３参照）と目標回転速度Ｒｇとの差分を算出する。そして、制御装置３０は、その差分を小さくする又はなくすようにエアーの流量を制御する。これにより、制御装置３０は、導電性窓部材７の回転速度が目標回転速度Ｒｇに近づくようにフィードバック制御を行う（ステップＳ５）。次に、制御装置３０は、マイクロ波出力部６からマイクロ波を供給する（ステップＳ６）。これにより、マイクロ波は、マイクロ波導入部２からキャビティ室１７に放射され、空間Ｖを伝播し、マイクロ波のパワーにより生成されたプラズマの分布を、導電性窓部材７の回転速度によって制御することができる。この結果、制御されたプラズマ分布に応じてウエハＷに形成される膜の均一性を図ることができる。
【００４９】
次に、制御装置３０は、ウエハＷへのプラズマ処理を終了するかを判定する（ステップＳ７）。制御装置３０は、レシピに従い、ウエハＷへのプラズマ処理を終了するまで待ち、ウエハＷへのプラズマ処理を終了すると判定したとき、本処理を終了する。
【００５０】
なお、本処理の終了時には、エアー供給部８からキャビティ室１７に流入させるエアーを停止して導電性窓部材７の回転を停止し、マイクロ波の出力を停止し、ガスの供給を停止する。
【００５１】
以上に説明したように、本実施形態のプラズマ処理装置１０により実行されるプラズマ処理方法によれば、導電性窓部材７の回転速度を制御することで、マイクロ波が通過する開口部７ａを移動させることができる。これにより、プラズマ分布を制御し、プラズマ処理によりウエハＷに形成される膜の均一性を図ることができる。
【００５２】
また、導電性窓部材７を大気空間で回転させることで、真空空間である処理室１８においてパーティクルが発生することを回避でき、歩留まりの低下を防止できる。また、導電性窓部材７を樹脂などで形成することで軽量にでき、回転のための簡易な機構を用いて導電性窓部材７を回転させることができる。
【００５３】
上記実施形態では、導電性窓部材７を回転させる機構としてエアー供給部８を設けた。ただし、導電性窓部材７を回転させる機構はこれに限られず、導電性窓部材７の周辺に磁石を有し、回転磁場を印可して導電性窓部材７を回転させてもよい。また、キャビティ室１７を液体で満たしその液体を回転させる流れを生成する駆動部を有し、これにより、導電性窓部材７を回転させてもよい。
【００５４】
電性窓部材７は、外周側と内周側等、複数に分割してもよい。外周側と内周側に分割した場合、導電性窓部材７の内周側のみを回転させ、外周側を固定させてもよい。逆に、導電性窓部材７の外周側のみを回転させ、内周側を固定させてもよい。導電性窓部材７の内周側と外周側との回転速度を変えてもよい。
【００５５】
今回開示された一実施形態に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００５６】
本開示のプラズマ処理装置は、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition ）装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP),Inductively Coupled Plasma(ICP),Radial Line Slot Antenna, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR),Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
【００５７】
また、本開示のプラズマ処理装置にて使用されるエネルギーは、マイクロ波に限られず、周波数が５００ＭＨｚ〜５．８ＧＨｚの範囲の電磁波であってもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１      チャンバ
２      マイクロ波導入部
２ａ    放射口
３      ステージ
４      支持部材
５      誘電体窓
６      マイクロ波出力部
７      導電性窓部材
７ａ，７ｂ  開口部
８      エアー供給部
９      天板
１０    プラズマ処理装置
１１    モノポールアンテナ
１７    キャビティ室
１８    処理室
２０    Ｏリング
２１    スプリング
２７    羽根部材
３０    制御装置
１１０  制御部
１１１  相関データ
１１２  モニター値
１２１  内部導体
１２２  外部導体
１２４  切欠部
【図１】
2020170600.tif 000003
【図２】
2020170600.tif 000004
【図３】
2020170600.tif 000005
【図４】
2020170600.tif 000006
【図５】
2020170600.tif 000007
【図６】
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【図７】
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