(57)【要約】【課題】エッチングにて好適に金属を除去することができる表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】液晶パネル１０の製造方法であって、アレイ基板１０Ｂに所定パターンの配線部１９を形成する配線部形成工程と、配線部１９の一部を露出させる形のコンタクトホール２６を備えた有機絶縁層２０を形成する絶縁層形成工程と、有機絶縁層２０上に金属からなる積層金属層２１を積層し、有機絶縁層２０に形成したコンタクトホール２６を通じて配線部１９に電気的に接続する当該積層金属層２１を形成する金属層形成工程と、所定パターンのレジスト３０をマスクとして積層金属層２１をエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程において、積層金属層２１上にレジスト３０を設けた後、積層金属層２１に対し水素プラズマ処理を行う。【選択図】図８
2020170146.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルの製造方法であって、
基板に所定パターンの配線部を形成する配線部形成工程と、
前記配線部上に、前記配線部の一部を露出させる形のコンタクトホールを備えた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に金属からなる金属層を積層し、前記絶縁層に形成したコンタクトホールを通じて前記配線部に電気的に接続する当該金属層を形成する金属層形成工程と、
所定パターンのレジストをマスクとして前記金属層をエッチングするエッチング工程と、を含み、
前記エッチング工程において、前記金属層上に前記レジストを設けた後、前記金属層に対し水素プラズマ処理を行うことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記金属層形成工程において、前記絶縁層上に第１金属層を形成した後、前記第１金属層上に前記第１金属層とは異なる金属からなる第２金属層を形成し、
前記エッチング工程は、
少なくとも前記第２金属層をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１エッチング工程の後に、前記第１金属層をエッチングする第２エッチング工程と、を含み、
前記第２エッチング工程の前に、前記水素プラズマ処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記金属層形成工程において、前記第２金属層上に前記第２金属層とは異なる金属からなる第３金属層を形成し、
前記第１エッチング工程において、少なくとも前記第３金属層及び前記第２金属層をエッチングすることを特徴とする請求項２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第２エッチング工程において、前記第２金属層をなす金属よりも前記第１金属層をなす金属と反応する反応剤を用いてエッチングすることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示パネルの製造方法として、特許文献１に記載のものが知られている。特許文献１に記載の表示パネルの製造方法（半導体装置の作成方法）では、第１の配線層を覆って絶縁層を形成し、絶縁層上に半導体層を形成し、半導体層上に第１の導電膜、第２の導電膜及び第３の導電膜をこの順に積層して形成し、第３の導電膜上にレジストマスクを形成し、少なくとも第１の導電膜を露出させるまで行う第１のエッチング工程と、少なくとも絶縁層及び半導体層を露出させるまで行う第２のエッチング工程と、を含む２段階のエッチングを行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−３９１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示の構成では、第２のエッチング工程にて第３の導電膜が完全に除去されず、絶縁層や半導体層上に微量の金属が残ることがある。この残った金属は、酸化されて金属酸化物となり、除去され難くなるとともに、所定の絶縁すべき部分においてリークを発生させる可能性がある。すると、表示パネルにおいて表示ムラや点灯不良が生ずる虞がある。
【０００５】
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、エッチングにて好適に金属を除去することができる表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）上記課題を解決するために、本発明の一実施形態は、表示パネルの製造方法であって、基板に所定パターンの配線部を形成する配線部形成工程と、前記配線部上に、前記配線部の一部を露出させる形のコンタクトホールを備えた絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に金属からなる金属層を積層し、前記絶縁層に形成したコンタクトホールを通じて前記配線部に電気的に接続する当該金属層を形成する金属層形成工程と、所定パターンのレジストをマスクとして前記金属層をエッチングするエッチング工程と、を含み、前記エッチング工程において、前記金属層上に前記レジストを設けた後、前記金属層に対し水素プラズマ処理を行うことに特徴を有する表示パネルの製造方法である。
【０００７】
（２）また、本発明のある実施形態は、上記（１）の工程に加え、前記金属層形成工程において、前記絶縁層上に第１金属層を形成した後、前記第１金属層上に前記第１金属層とは異なる金属からなる第２金属層を形成し、前記エッチング工程は、少なくとも前記第２金属層をエッチングする第１エッチング工程と、前記第１エッチング工程の後に、前記第１金属層をエッチングする第２エッチング工程と、を含み、前記第２エッチング工程の前に、前記水素プラズマ処理を行う、表示パネルの製造方法である。
【０００８】
（３）また、本発明のある実施形態は、上記（２）の工程に加え、前記金属層形成工程において、前記第２金属層上に前記第２金属層とは異なる金属からなる第３金属層を形成し、前記第１エッチング工程において、少なくとも前記第３金属層及び前記第２金属層をエッチングする、表示パネルの製造方法である。
【０００９】
（４）また、本発明のある実施形態は、上記（２）または（３）の工程に加え、前記第２エッチング工程において、前記第２金属層をなす金属よりも前記第１金属層をなす金属と反応する反応剤を用いてエッチングする、表示パネルの製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、エッチングにて好適に金属を除去することができる表示パネルの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態に係る液晶パネルを表側から視た図
【図２】アレイ基板の画素配列を示す拡大平面図
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面の概略構成を示す拡大断面図
【図４】配線部形成工程を示す拡大断面図
【図５】絶縁層形成工程を示す拡大断面図
【図６】金属層形成工程を示す拡大断面図
【図７】第１エッチング工程においてレジストを塗布する工程を示す拡大断面図
【図８】水素プラズマ処理を行う工程を示す拡大断面図
【図９】第２エッチング工程を示す拡大断面図
【図１０】レジストを除去する工程を示す拡大断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜実施形態＞
本発明の実施形態を図１から図１０によって説明する。本実施形態では、例えば、携帯型情報端末に設けられ、表示機能とタッチパネル機能（位置入力機能）とを備えた液晶パネル（表示パネル）１０について説明する。なお、各図面にはＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で共通な方向となるように描かれている。液晶パネル１０における短辺方向が各図面のＸ方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ方向と一致している。また、それらＸＹ平面に直交する方向がＺ方向と一致している。さらに、図３を基準とし、同図上側を表側（上層側）とするとともに同図下側を裏側（下層側）とする。
【００１３】
本実施形態の液晶パネル１０は、バックライト装置（照明装置）から供給される光を利用して画像を表示する表示機能と、表示される画像に基づいて使用者が入力する位置（入力位置）を検出するタッチパネル機能と、を有しており、タッチパネル機能を発揮するためのタッチパネルパターンを一体化（インセル化）している。尚、液晶パネル１０は、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式で駆動される。また、タッチパネルパターンは、いわゆる投影型静電容量方式とされており、その検出方式が自己容量方式とされる。
【００１４】
液晶パネル１０は、画面の中央側部分（一点鎖線で囲まれた範囲）が、画像が表示される表示領域ＡＡとされ、表示領域ＡＡを取り囲む額縁状の外周側部分が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされている。また、液晶パネル１０は、一対の基板１０Ａ，１０Ｂと、一対の基板１０Ａ，１０Ｂの間（内面側）に配され、電界印加に伴って光学特性が変化する液晶分子を含む液晶層と、を有している。一対の基板１０Ａ，１０Ｂのうち、表側に配された基板がＣＦ基板（対向基板と呼ばれることもある）１０Ａとされ、裏側に配された基板がアレイ基板（表示装置用基板、素子基板、又はＴＦＴ基板と呼ばれることもある）１０Ｂとされる。両基板１０Ａ，１０Ｂの外面側には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。
【００１５】
ＣＦ基板１０Ａは、その長辺寸法がアレイ基板１０Ｂの長辺寸法よりも短い。アレイ基板１０Ｂの長辺方向における一方の端部は、ＣＦ基板１０Ａに揃う形で貼り合わせられている。アレイ基板１０Ｂの長辺方向における他方の端部は、ＣＦ基板１０Ａよりも側方に突き出しており、ＣＦ基板１０Ａと重畳しない非重畳部１０Ｂ１を構成している。
【００１６】
非重畳部１０Ｂ１は、非表示領域ＮＡＡに配されている。非重畳部１０Ｂ１には、表示機能やタッチパネル機能に係る各種信号を供給するための部品としてドライバ（駆動回路部）１１及びフレキシブル基板（信号伝送部）１２がＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。ドライバ１１は、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなり、フレキシブル基板１２によって伝送される各種信号を処理するためのものである。フレキシブル基板１２は、絶縁性及び可撓性を有する基材上に多数本の配線パターンを形成してなり、コントロール基板（信号供給源）から出力される各種信号を液晶パネル１０へ伝送する。
【００１７】
タッチパネルパターンは、アレイ基板１０Ｂの表示領域ＡＡにマトリクス状（格子状）に並んで配される複数のタッチ電極（位置検出電極）１４から構成されている。図１から図３に示すように、タッチ電極１４は、アレイ基板１０Ｂ上において格子状に仕切られた共通電極１０Ｈにより構成されている。
【００１８】
複数のタッチ電極１４には、アレイ基板１０Ｂに設けられた複数のタッチ配線（位置検出配線）１５が電気的に接続されている。タッチ配線１５は、アレイ基板１０Ｂにおいてソース配線１０Ｊに並行する形で概ねＹ方向に沿って延在している。タッチ配線１５は、表示機能に係る基準電位信号と、タッチ機能に係るタッチ信号（位置検出信号）と、を異なるタイミングでタッチ電極１４に供給する。
【００１９】
アレイ基板１０Ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ、スイッチング素子）１０Ｆ及び画素電極１０ＧがＸ方向及びＹ方向に沿って並んでマトリクス状に設けられている。ＴＦＴ１０Ｆ及び画素電極１０Ｇの周りには、略格子状をなすゲート配線（走査配線）１０Ｉ及びソース配線（信号配線、データ配線）１０Ｊが配設されている。ゲート配線１０Ｉとソース配線１０ＪとがそれぞれＴＦＴ１０Ｆのゲート電極１０Ｆ１とソース電極１０Ｆ２とに接続され、画素電極１０ＧがＴＦＴ１０Ｆのドレイン電極１０Ｆ３に接続されている。
【００２０】
ＣＦ基板１０Ａの表示領域ＡＡにおける内面側には、光を遮る遮光部（画素間遮光部、ブラックマトリクス）１０Ｌが形成されている（図２では、アレイ基板１０Ｂに重畳した形として、２点鎖線で示す）。遮光部１０Ｌは、隣り合う素電極１０Ｇの間を仕切るように、平面形状が格子状をなしており、ゲート配線１０Ｉ及びソース配線１０Ｊと重畳する形で配される。遮光部１０Ｌは、画素電極１０Ｇの大部分と重畳する位置において光を透過する画素開口部１０Ｌ１を有している。画素開口部１０Ｌ１は、画素電極１０Ｇと同様に、ＣＦ基板１０Ａの板面内においてＸ方向及びＹ方向に沿ってマトリクス状に設けられている。
【００２１】
ＴＦＴ１０Ｆは、ゲート配線１０Ｉからゲート電極１０Ｆ１に供給される走査信号に基づいて駆動されると、ソース配線１０Ｊに供給された画像信号に係る電位を、ソース電極１０Ｆ２からチャネル部１０Ｆ４を介してドレイン電極１０Ｆ３へと供給し、画素電極１０Ｇを充電する。画素電極１０Ｇは、平面形状が縦長の平行四辺形状とされており、その短辺方向（Ｘ方向）について隣り合う画素電極１０Ｇとの間にソース配線１０Ｊが、長辺方向（Ｙ方向）について隣り合う画素電極１０Ｇとの間にゲート配線１０Ｉが、それぞれ介在している。
【００２２】
図２及び図３に示すように、アレイ基板１０Ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、全ての画素電極１０Ｇと重畳する形で共通電極１０Ｈが画素電極１０Ｇよりも上層側（表側）に形成されている。共通電極１０Ｈは、一定の基準電位が供給されるものであり、表示領域ＡＡのほぼ全域に亘って延在している。共通電極１０Ｈのうち、各画素電極１０Ｇと重畳する部分には、縦長形状の画素重畳開口部（画素重畳スリット、配向制御スリットと呼ばれることもある）１０Ｈ１が開口形成されている。
【００２３】
図３に示すように、アレイ基板１０Ｂには、下層側から順に、ゲート金属層１６、ゲート絶縁層１７、半導体層１８、ソース金属層（配線部）１９、有機絶縁層（絶縁層）２０、積層金属層（金属層）２１、第１無機絶縁層２２、第１透明電極層２３、第２無機絶縁層２４、第２透明電極層２５が積層形成されている。尚、便宜上、ゲート金属層１６、ゲート絶縁層１７、半導体層１８、及びソース金属層１９を、薄膜部として説明する。薄膜部１６，１７，１８，１９は、アレイ基板１０Ｂ上に所定パターンで形成されている。
【００２４】
ゲート金属層１６及びソース金属層１９は、それぞれ銅、チタン、アルミニウムなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層層または異なる種類の金属材料からなる積層層や合金とされることで導電性及び遮光性を有しており、それぞれ表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される。ゲート金属層１６は、ゲート配線１０ＩやＴＦＴ１０Ｆのゲート電極１０Ｆ１などを構成する。ソース金属層１９は、ソース配線１０ＪやＴＦＴ１０Ｆのソース電極１０Ｆ２及びドレイン電極１０Ｆ３などを構成する。
【００２５】
積層金属層２１は、本実施形態においては、下層側から順に、チタンからなる第１金属層２１Ａと、アルミニウムからなる第２金属層２１Ｂと、チタンからなる第３金属層２１Ｃと、の３層が積層することで構成される。尚、積層金属層２１は、銅、チタン、アルミニウムなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層層または異なる種類の金属材料からなる積層層としてもよい。積層金属層２１は、タッチ配線１５や、パッド部１３などを構成する。
【００２６】
ゲート絶縁層１７、第１無機絶縁層２２及び第２無機絶縁層２４は、それぞれ窒化ケイ素（ＳｉＮＸ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料からなり、上層側の各金属層１９，２１や各透明電極層２３，２５と下層側の各金属層１６，１９，２１や第１透明電極層２３とを絶縁状態に保つ。無機材料からなる各絶縁層１７，２２，２４は、それぞれ表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される。
【００２７】
有機絶縁層２０は、アクリル樹脂（例えばＰＭＭＡ等）等の有機材料からなり、自身よりも下層側に生じた段差を平坦化する機能を有する（従って、平坦化層と呼ばれることもある）。有機絶縁層２０は、ソース金属層１９の一部を露出させる形をなすコンタクトホール２６を備える。積層金属層２１のうち、パッド部１３は、コンタクトホール２６を通じて、ソース金属層１９に電気的に接続している。
【００２８】
半導体層１８は、アモルファスシリコンや酸化物半導体などを用いた薄層からなり、ＴＦＴ１０Ｆにおいてソース電極１０Ｆ２とドレイン電極１０Ｆ３とに接続されるチャネル部（半導体部）１０Ｆ４などを構成する。第１透明電極層２３及び第２透明電極層２５は、透明電極材料（例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等）からなる。このうち、第１透明電極層２３が画素電極１０Ｇなどを、第２透明電極層２５が共通電極１０Ｈ（タッチ電極１４）などを、それぞれ構成する。
【００２９】
第１透明電極層２３からなる画素電極１０Ｇは、平行四辺形状の画素電極本体１０Ｇ１と、画素電極本体１０Ｇ１からＹ方向に沿ってＴＦＴ１０Ｆ側に突出するコンタクト部１０Ｇ２と、からなる。コンタクト部１０Ｇ２の一部は、コンタクトホール２６において、積層金属層２１のパッド部１３を介してドレイン電極１０Ｆ３に電気的に接続されている。タッチ配線１５は、全てのタッチ電極１４を横切る形でＹ方向に沿って延在している。タッチ配線１５の一部は、中継電極部２８を介してタッチ電極１４に電気的に接続されている。
【００３０】
続いて、液晶パネル１０の製造方法について説明する。液晶パネル１０の製造方法は、大別すると、配線部形成工程、絶縁層形成工程、金属層形成工程、エッチング工程を含む。各工程は、当該順序で行われる。  
【００３１】
図４に示すように、配線部形成工程では、アレイ基板１０Ｂに所定パターンの薄膜部１６，１７，１８，１９を形成する。具体的には、アレイ基板１０Ｂに対し、下層側から順に、ゲート金属層１６、ゲート絶縁層１７、半導体層１８、ソース金属層（配線部）１９、を積層形成する。各層は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いて成膜され、フォトリソグラフィ法を用いて所定パターンに形成される。
【００３２】
図５に示すように、絶縁層形成工程では、ソース金属層１９上に、未硬化の有機絶縁層２０をベタ状に塗布した後に、紫外線を照射して硬化させる。このとき、所定パターンのレジストをマスクとすることで、ソース金属層１９の一部を露出させる形で開口形成されたコンタクトホール２６を備えた有機絶縁層２０を形成する。
【００３３】
図６に示すように、金属層形成工程では、有機絶縁層２０上に金属からなる積層金属層２１を積層する。具体的には、有機絶縁層２０上にチタンからなる第１金属層２１Ａを形成した後、第１金属層２１Ａ上にアルミニウムからなる第２金属層２１Ｂを形成する。そして、第２金属層２１Ｂを形成した後、第２金属層２１Ｂ上にチタンからなる第３金属層２１Ｃを形成する。各層は、スパッタリング法や真空蒸着法等を用いて形成される。積層金属層２１のうち、最下層の第１金属層２１Ａは、有機絶縁層２０に形成したコンタクトホール２６を通じてソース金属層１９に電気的に接続する。
【００３４】
図７から図１０に示すように、エッチング工程では、所定パターンのレジスト３０をマスクとして積層金属層２１をエッチング（ウェットエッチング）する。エッチング工程は、第３金属層２１Ｃ及び第２金属層２１Ｂをエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後に、第１金属層２１Ａをエッチングする第２エッチング工程と、を含む。
【００３５】
図７に示すように、第１エッチング工程では、積層金属層２１上にレジスト（ポジ型又はネガ型のフォトレジスト）を塗布し、所定のフォトマスクを介して露光する。そして、露光されたレジストを現像することで、所定パターンにパターニングされたレジスト３０を形成する。レジスト３０は、コンタクトホール２６や、ＴＦＴ１０Ｆと重畳する位置に設けられる。
【００３６】
続いて、レジスト３０をマスクとして、第３金属層２１Ｃ及び第２金属層２１Ｂをエッチングする。レジスト３０で覆われる部分では、第３金属層２１Ｃ、第２金属層２１Ｂ及び第１金属層２１Ａがエッチングされずに残存し、レジスト３０で覆われていない部分では、第３金属層２１Ｃ及び第２金属層２１Ｂが除去される。第１エッチング工程におけるエッチャントとしては、リン酸、硝酸、酢酸の混合液や、その他アルミニウムに対する一般的なエッチャントを用いることができる。
【００３７】
すると、図８に示すように、レジスト３０で覆われていない部分には、例えば、第１金属層２１Ａの金属（チタン）や、その表面の一部が酸化した金属酸化物（酸化チタン）等が除去されずに残渣Ｒとして残る。ここで、第２エッチング工程の前に、残渣Ｒを含む第１金属層２１Ａ（積層金属層２１）に対し水素プラズマを照射する水素プラズマ処理を行う。これにより、残渣Ｒのうち、金属酸化物が還元される。
【００３８】
次に、第２エッチング工程では、レジスト３０をマスクとして、第１金属層２１Ａをエッチングする。すると、図９に示すように、レジスト３０で覆われる部分では、第３金属層２１Ｃ、第２金属層２１Ｂ及び第１金属層２１Ａがエッチングされずに残存し、レジスト３０で覆われていない部分では、第１金属層２１Ａの残渣Ｒが除去されて、有機絶縁層２０が露出する。第２エッチング工程におけるエッチャント（反応剤）としては、過酸化水素水、アンモニア、及びリン酸の混合液、フッ化水素及び有機酸の混合液、又はフッ化水素及び非酸化性無機酸の混合液など、第２金属層２１Ｂをなす金属（アルミニウム）よりも、第１金属層２１Ａをなす金属（チタン）と選択的に反応する反応剤を用いる。
【００３９】
続いて、図１０に示すように、酸素を使用したプラズマアッシングや薬液による剥離処理によってレジスト３０を除去する。そして、図３に示すように、有機絶縁層２０上や積層金属層２１上に、無機絶縁層２２，２４及び透明電極層２３，２５を、フォトリソグラフィ法等を用いて形成する。このように作成したアレイ基板１０Ｂと、別途作成したＣＦ基板（図１参照）１０Ａとを貼り合わせ、これら基板間に液晶を注入することで、液晶パネル１０が得られる。
【００４０】
続いて、本実施形態の効果について説明する。本実施形態では、液晶パネル１０の製造方法であって、アレイ基板１０Ｂに所定パターンのソース金属層（配線部）１９を形成する配線部形成工程と、ソース金属層１９上に、ソース金属層１９の一部を露出させる形のコンタクトホール２６を備えた有機絶縁層２０を形成する絶縁層形成工程と、有機絶縁層２０上に金属からなる積層金属層２１を積層し、有機絶縁層２０に形成したコンタクトホール２６を通じてソース金属層１９に電気的に接続する当該積層金属層２１を形成する金属層形成工程と、所定パターンのレジスト３０をマスクとして積層金属層２１をエッチングするエッチング工程と、を含み、エッチング工程において、積層金属層２１上にレジスト３０を設けた後、積層金属層２１に対し水素プラズマ処理を行う液晶パネル１０の製造方法を示した。
【００４１】
このような液晶パネル１０の製造方法によると、有機絶縁層２０上に形成された積層金属層２１のうち、レジスト３０で覆われていない一部の金属が酸化して金属酸化物として残ったとしても、水素プラズマ処理によって還元することができる。これにより、積層金属層２１を所定パターンでエッチングする際に、積層金属層２１と反応剤との反応が金属酸化物によって阻害されず、好適にエッチングすることができる。
【００４２】
また、本実施形態では、金属層形成工程において、有機絶縁層２０上に第１金属層２１Ａを形成した後、第１金属層２１Ａ上に第１金属層２１Ａの金属（チタン）とは異なる金属（アルミニウム）からなる第２金属層２１Ｂを形成し、エッチング工程は、第２金属層２１Ｂをエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後に、第１金属層２１Ａをエッチングする第２エッチング工程と、を含み、第２エッチング工程の前に、水素プラズマ処理を行う。
【００４３】
このような液晶パネル１０の製造方法によると、第２金属層２１Ｂをエッチングする第１エッチング工程を行ったとき、下側に露出した金属（第１金属層２１Ａ）の表面の一部が酸化して金属酸化物になったとしても、第２エッチング工程の前に水素プラズマ処理を行うことで、当該金属酸化物を還元することができる。これにより、最下層に残る金属や金属酸化物を第２エッチング工程によって除去しやすくすることができる。
【００４４】
また、本実施形態では、金属層形成工程において、第２金属層２１Ｂ上に第２金属層２１Ｂとは異なる金属（チタン）からなる第３金属層２１Ｃを形成し、第１エッチング工程において、第３金属層２１Ｃ及び第２金属層２１Ｂをエッチングする。
【００４５】
このような液晶パネル１０の製造方法によると、複数の層からなる積層金属層２１を所定パターンでエッチングする場合は、第１エッチング工程において、少なくとも第３金属層２１Ｃ及び第２金属層２１Ｂをエッチングし、残った第１金属層２１Ａに水素プラズマ処理を行った後に、第２エッチング工程を行うこととなる。これにより、第２金属層２１Ｂまで一度にエッチングしつつ、最下層（第１金属層２１Ａ）に形成される金属酸化物を還元して好適に除去することができる。
【００４６】
また、本実施形態では、第２エッチング工程において、第２金属層２１Ｂをなす金属よりも第１金属層２１Ａをなす金属と反応する反応剤を用いてエッチングする。
【００４７】
このような液晶パネル１０の製造方法によると、第２エッチング工程において、第１金属層２１Ａを選択的に反応させ、当該部分における金属及びその金属酸化物を確実に除去することができる。
【００４８】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
【００４９】
（１）上記実施形態では、積層金属層は、下層側から順に、チタンからなる第１金属層と、アルミニウムからなる第２金属層と、チタンからなる第３金属層と、の３層が積層することで構成されるものとしたが、これに限られない。例えば、積層金属層は、下層側から順に、チタンからなる第１金属層と、アルミニウムからなる第２金属層と、の２層が積層することで構成されるものとしてもよい。他にも、積層金属層は、銅、チタン、アルミニウムなどの中から選択される１種類の金属材料からなる単層層または異なる種類の金属材料からなる積層層としてもよい。
【００５０】
（２）上記実施形態では、タッチパネルパターンが投影型の静電容量方式の一種である自己容量方式とされる場合を例示したが、これに限られない。例えば、タッチパネルパターンが投影型の静電容量方式の一種である相互容量方式であっても構わない。また、タッチパネルパターンを構成するタッチ電極は、マトリクス状（格子状）に並んで配されるものとしたが、その他にも、円菱形、形、五角形以上の多角形などに適宜に変更可能である。
【００５１】
（３）上記実施形態以外にも、表示パネルの駆動方式は適宜変更可能である。上記実施形態では、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式で駆動されるものとしたが、これに限られず、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式など、その他の方式で駆動されるものでもよい。
【００５２】
（４）上記実施形態で例示した表示パネルの製造方法は、携帯型情報端末に設けられるものに限られない。例えば、テレビ受信装置や車両用のインストルメントパネル等についても上記表示パネルの製造方法を適用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０…液晶パネル（表示パネル）、１０Ｂ…アレイ基板（基板）、１０Ｆ…ＴＦＴ、１９…ソース金属層（配線部）、２０…有機絶縁層（絶縁層）、２１…積層金属層（金属層）、２１Ａ…第１金属層、２１Ｂ…第２金属層、２１Ｃ…第３金属層、２６…コンタクトホール、３０…レジスト
【図１】
2020170146.tif 000003
【図２】
2020170146.tif 000004
【図３】
2020170146.tif 000005
【図４】
2020170146.tif 000006
【図５】
2020170146.tif 000007
【図６】
2020170146.tif 000008
【図７】
2020170146.tif 000009
【図８】
2020170146.tif 000010
【図９】
2020170146.tif 000011
【図１０】
2020170146.tif 000012