(57)【要約】【課題】高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能なチップ抵抗器、及びチップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】チップ抵抗器１０は、絶縁基板１と、抵抗体２と、を備える。抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ及びＮを含み、絶縁基板１上に設けられている。抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において２／３以上で、かつ４以下である。抵抗体２におけるＮの原子百分率は、少なくとも膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。【選択図】図１
2020170843.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
Ｃｒ、Ｓｉ及びＮを含み、前記絶縁基板上に設けられている抵抗体と、を備え、
前記抵抗体におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも前記抵抗体の膜厚方向における前記抵抗体の中心において２／３以上で、かつ４以下であり、
前記抵抗体におけるＮの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において５０ａｔｏｍ％以下である、
チップ抵抗器。
【請求項２】
絶縁基板と、
Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＡｌを含み、前記絶縁基板上に設けられている抵抗体と、を備え、
前記抵抗体におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも前記抵抗体の膜厚方向における前記抵抗体の中心において２／３以上で、かつ４以下であり、
前記抵抗体におけるＮの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において５０ａｔｏｍ％以下であり、
前記抵抗体におけるＡｌの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において３０ａｔｏｍ％以下である、
チップ抵抗器。
【請求項３】
前記抵抗体は、Ｏを更に含み、
前記抵抗体におけるＯの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において１０ａｔｏｍ％以下である、
請求項１又は２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記抵抗体の比抵抗は、５００μΩ・ｃｍ以上で、かつ２００００μΩ・ｃｍ以下である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記抵抗体の抵抗温度係数は、±２５ｐｐｍ／℃以下である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
前記抵抗体の膜厚は、５ｎｍ以上で、かつ１０００ｎｍ以下である、
請求項１〜５のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
前記抵抗体は、結晶質相と、非晶質相と、を含む、
請求項１〜６のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
ＣｒとＡｌとの少なくとも一方、及びＳｉを含む酸窒化膜からなる表面酸窒化層を更に備え、
前記表面酸窒化層は、前記抵抗体における前記絶縁基板とは反対側の表面上に設けられている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
前記表面酸窒化層は、前記抵抗体の前記表面の一部に設けられている、
請求項８に記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
前記表面酸窒化層は、前記膜厚方向において、前記表面酸窒化層における前記抵抗体とは反対側の表面から当該表面酸窒化層の層内にかけて組成傾斜を有する、
請求項８又は９に記載のチップ抵抗器。
【請求項１１】
前記表面酸窒化層は、前記膜厚方向における最表面において、前記膜厚方向における前記抵抗体の中心よりも、Ｓｉに対するＣｒの原子比が高い、
請求項１０に記載のチップ抵抗器。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のチップ抵抗器を製造するチップ抵抗器の製造方法であって、
反応性スパッタリングにより前記絶縁基板上に前記抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
フォトリソ工法により前記抵抗体をエッチングして前記絶縁基板上に前記抵抗体のパターンを形成するパターン形成工程と、を有する、
チップ抵抗器の製造方法。
【請求項１３】
前記反応性スパッタリングのスパッタリングターゲットには、２０ａｔｏｍ％以下のＯが含まれている、
請求項１２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１４】
前記パターン形成工程により形成された前記抵抗体に対して熱処理を行う熱処理工程を更に有する、
請求項１２又は１３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１５】
前記熱処理工程では、熱処理温度が３００℃以上で、かつ８００℃以下である、
請求項１４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１６】
前記熱処理工程では、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下である、
請求項１４又は１５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１７】
前記パターン形成工程では、フッ化水素酸を含むエッチング液が用いられる、
請求項１２〜１６のいずれか１項に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般にチップ抵抗器、及びチップ抵抗器の製造方法に関し、より詳細には、電子機器に使用されるチップ抵抗器、及びチップ抵抗器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器は、絶縁性の基板と、基板の上面に設けられた薄膜の抵抗体とを備えている。
【０００３】
この抵抗体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ（特許文献１）、またはＴａ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ（特許文献２）で構成されていた。
【０００４】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３２４０２号公報
【特許文献２】特開２００１−３２２２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した従来のチップ抵抗器においては、薄膜の抵抗体は、４０００μΩ・ｃｍ以上の高い比抵抗を有するが、抵抗温度係数（ＴＣＲ）は±３００〜５００ｐｐｍ／Ｋ以下であり、低いＴＣＲを得ることができなかった。
【０００７】
本開示は上記従来の課題を解決するもので、高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能なチップ抵抗器、及びチップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係るチップ抵抗器は、絶縁基板と、抵抗体と、を備える。前記抵抗体は、Ｃｒ、Ｓｉ及びＮを含み、前記絶縁基板上に設けられている。前記抵抗体におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも前記抵抗体の膜厚方向における前記抵抗体の中心において２／３以上で、かつ４以下である。前記抵抗体におけるＮの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。
【０００９】
本開示の一態様に係るチップ抵抗器は、絶縁基板と、抵抗体と、を備える。前記抵抗体は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＡｌを含み、前記絶縁基板上に設けられている。前記抵抗体におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも前記抵抗体の膜厚方向における前記抵抗体の中心において２／３以上で、かつ４以下である。前記抵抗体におけるＮの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。前記抵抗体におけるＡｌの原子百分率は、少なくとも前記膜厚方向における前記抵抗体の中心において３０ａｔｏｍ％以下である。
【００１０】
本開示の一態様に係るチップ抵抗器の製造方法は、前記チップ抵抗器を製造するチップ抵抗器の製造方法である。前記チップ抵抗器の製造方法は、抵抗体形成工程と、パターン形成工程と、を有する。前記抵抗体形成工程は、反応性スパッタリングにより前記絶縁基板上に前記抵抗体を形成する工程である。前記パターン形成工程は、フォトリソ工法により前記抵抗体をエッチングして前記絶縁基板上に前記抵抗体のパターンを形成する工程である。
【発明の効果】
【００１１】
本開示のチップ抵抗器、及びチップ抵抗器の製造方法では、抵抗体をＣｒ、Ｓｉ、Ｎ、又はＣｒ、Ｓｉ、Ｎ、Ａｌで構成しているため、高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施形態に係るチップ抵抗器の断面図である。
【図２】図２は、同上のチップ抵抗器に関し、抵抗体の結晶構造を示す画像である。
【図３】図３は、同上のチップ抵抗器に関し、ＣｒとＳｉとの原子比と比抵抗との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、同上のチップ抵抗器に関し、熱処理温度と比抵抗及びＴＣＲとの関係を示すグラフである。
【図５】図５は、同上のチップ抵抗器に関し、抵抗体におけるＮ比率とモル比との関係を示すグラフである。Ｆａｃｔｓａｇｅ（株式会社計算力学研究センター）による熱力学平衡計算により求めた、平衡状態での物質の比率を表す。
【図６】図６は、同上のチップ抵抗器に関し、抵抗体における分析深さと定量換算値との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、同上のチップ抵抗器に関し、抵抗体の膜厚とシート抵抗との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（実施形態）
以下、本実施形態に係るチップ抵抗器１０、及びチップ抵抗器１０の製造方法について、図１〜図７を参照して説明する。
【００１４】
ただし、以下に説明する実施形態及び変形例は、本開示の一例に過ぎず、本開示は、下記の実施形態及び変形例に限定されない。下記の実施形態及び変形例以外であっても、本開示の技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【００１５】
また、下記の実施形態等において説明する各図は、いずれも模式的な図であり、各図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１６】
（１）チップ抵抗器の概要
まず、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の概要について、図１を参照して説明する。
【００１７】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０は、例えば、表面実装機（マウンタ）を用いて、プリント基板の表面（実装面）に実装される表面実装（ＳＭＴ）用のチップ抵抗器である。また、本実施形態に係るチップ抵抗器１０は、例えば、薄膜チップ抵抗器である。
【００１８】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０は、図１に示すように、絶縁基板１と、抵抗体２と、を備える。抵抗体２は、本実施形態では、Ｃｒ（クロム）、Ｓｉ（ケイ素）及びＮ（窒素）を含む。抵抗体２は、絶縁基板１上に設けられている。抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において２／３以上で、かつ４以下である。抵抗体２におけるＮの原子百分率は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。
【００１９】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比が、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において２／３以上で、かつ４以下である。これにより、抵抗体２の抵抗温度係数（以下、「ＴＣＲ」ともいう）を低くすることが可能となる。また、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２におけるＮの原子百分率が、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。これにより、抵抗体２の比抵抗を高くすることが可能となる。すなわち、本実施形態に係るチップ抵抗器１０によれば、高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能となる。
【００２０】
（２）チップ抵抗器の構成
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の構成について、図１を参照して説明する。
【００２１】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０は、図１に示すように、絶縁基板１と、抵抗体２と、を備えている。また、チップ抵抗器１０は、一対の上面電極３と、第１保護膜４と、第２保護膜５と、一対の端面電極６と、一対のめっき層７と、一対の裏面電極８と、を更に備えている。
【００２２】
（２．１）絶縁基板
絶縁基板１は、例えば、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）を９６％〜９９％含有するアルミナ基板である。絶縁基板１の平面視の形状は、例えば、矩形状である。
【００２３】
（２．２）抵抗体
抵抗体２は、薄膜であって、絶縁基板１の一面（図１の上面）に設けられている。抵抗体２は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｎ（窒素）からなる合金で構成される。すなわち、抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ及びＮを含む。抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において２／３以上で、かつ４以下である。言い換えると、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比は、３：２以上で、かつ１：４以下である。また、抵抗体２を構成する金属の原子総量のうちＮの原子総量は、例えば、５０ａｔｏｍ％以下である。言い換えると、抵抗体２におけるＮの原子百分率は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。
【００２４】
また、本実施形態では、抵抗体２は、Ｏ（酸素）を更に含む。抵抗体２におけるＯの原子百分率は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において１０ａｔｏｍ％以下である。
【００２５】
抵抗体２は、例えば、スパッタリング等の薄膜プロセスを用いて絶縁基板１のほぼ全面に薄膜導体を形成した後、フォトリソプロセスを用いて薄膜導体の不要部分を除去することで略矩形状に形成されている。
【００２６】
抵抗体２の原子組成比は、例えば、透過電子顕微鏡ＴＥＭに付属したエネルギー分散型Ｘ線分光法ＴＥＭ−ＥＤＸ、又は電子エネルギー損失分光法ＴＥＸ−ＥＥＬＳを用い、抵抗体２の上面、又は断面に対して、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ、Ｏの元素ごとに得られたスペクトル比から算出する。または、ラザフォード後方散乱分析法ＲＢＳを用いて評価した各元素の補正係数をもとに、Ｘ線光電子分光法ＸＰＳを用いて評価した各原子組成比を補正することで算出する。
【００２７】
ところで、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、図２に示すように、抵抗体２は、結晶質相２１と、非晶質相２２と、を含む。結晶質相２１はＣｒＳｉ２やＣｒ５Ｓｉ３等で構成され、ＴＣＲに影響する。また、非晶質相２２はＳｉ３Ｎ４やＳｉＯ２等で構成され、比抵抗の向上に影響する。すなわち、これらの２相が存在することにより、比抵抗の向上と低ＴＣＲの両立が可能となる。
【００２８】
また、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、図２に示すように、抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２と第１保護膜４との間に、表面酸窒化層９が形成されている。すなわち、表面酸窒化層９は、抵抗体２における絶縁基板１とは反対側の表面（図２の上面）２３上に設けられている。表面酸窒化層９は、ＣｒとＡｌとの少なくとも一方、及びＳｉを含む酸窒化膜からなる。本実施係形態では一例として、表面酸窒化層９は、ＣｒとＳｉとを含む酸窒化膜からなる。より詳細には、表面酸窒化層９は、Ｃｒ酸化物と、ＳｉＯＮと、を含む。なお、表面酸窒化層９は、後述の熱処理工程により抵抗体２に対して熱処理を行うことで形成される。
【００２９】
このような表面酸窒化層９では、表面酸窒化層９に含まれているＣｒ酸化物によって不動態被膜が形成され、これにより耐酸化性が向上するという利点がある。また、表面酸窒化層９では、表面酸窒化層９に含まれているＳｉＯＮによってガスバリア性が向上するという利点もある。すなわち、このような表面酸窒化層９が抵抗体２の表面２３上に形成されることによって、抵抗体２の耐環境性を高めることが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、表面酸窒化層９は、抵抗体２の表面２３の全体ではなく、表面２３の一部に設けられている。これにより、抵抗体２の表面２３のうち表面酸窒化層９が設けられていない部分にて抵抗体２と一対の上面電極３とを電気的に接続することが可能となる。
【００３１】
（２．３）上面電極
一対の上面電極３の各々は、例えば、Ｃｕからなる。一対の上面電極３は、抵抗体２の長手方向（図１の左右方向）の両端部において抵抗体２の上面の一部を覆うように設けられている。一対の上面電極３は、例えば、スパッタリングにて抵抗体２の上面全体に金属の膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチングにて中央部分の膜を除去することで形成される。
【００３２】
（２．４）第１保護膜
第１保護膜（無機保護膜）４は、抵抗体２を保護するための膜である。第１保護膜４は、例えば、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）からなる。第１保護膜４は、抵抗体２の上面に位置している。また、第１保護膜４は、長手方向（図１の左右方向）の両端部において一対の上面電極３の一部を覆っている。すなわち、第１保護膜４は、抵抗体２の膜厚方向Ｄ１（絶縁基板１の厚み方向）から見て、抵抗体２と一対の上面電極３との境界を覆い、抵抗体２から一対の上面電極３の少なくとも一部にかけて連続的に覆っている。第１保護膜４は、例えば、スパッタリングにて抵抗体２の全体に保護膜を形成した後、フォトリソグラフィ及びエッチングにて両端部の箇所を除去することで形成される。
【００３３】
このように、第１保護膜４を設けることによって抵抗体２の腐食を防ぐことが可能となる。なお、第１保護膜４は、アルミナ以外の他の金属酸化物、あるいは金属窒化物であってもよい。また、第１保護膜４については省略されてもよい。
【００３４】
（２．５）第２保護膜
第２保護膜（樹脂保護膜）５は、例えば、エポキシ樹脂からなる。第２保護膜５は、第１保護膜４の全面及び一対の上面電極３の一部を覆っている。すなわち、第２保護膜５は、抵抗体２の膜厚方向Ｄ１（絶縁基板１の厚み方向）から見て、第１保護膜４と一対の上面電極３との境界を覆い、第１保護膜４から一対の上面電極３の少なくとも一部にかけて連続的に覆っている。
【００３５】
第２保護膜５は、例えば、スクリーン印刷にてエポキシ樹脂を塗布した後、紫外線を照射してエポキシ樹脂を硬化させることで形成される。なお、一対の上面電極３のうち、第１保護膜４の長手方向（図１の左右方向）の両端部（一対の上面電極３を覆っている部分）とめっき層７との間に位置する部分は、第２保護膜５で直接覆われている。
【００３６】
（２．６）端面電極
一対の端面電極６の各々は、例えば、ＣｕＮｉからなる。一対の端面電極６は、絶縁基板１の長手方向（図１の左右方向）の両端部にそれぞれ位置している。一対の端面電極６は、例えば、スパッタリングにて、絶縁基板１の長手方向の両端部にそれぞれ形成される。一対の端面電極６は、一対の上面電極３と電気的に接続される。
【００３７】
（２．７）めっき層
一対のめっき層７の各々は、図１に示すように、Ｎｉめっき層７１と、Ｓｎめっき層７２と、を含む。一対のめっき層７の各々は、一対の上面電極３のうち対応する上面電極３の一部と接続され、かつ第２保護膜５と接する。また、一対のめっき層７の各々は、一対の端面電極６のうち対応する端面電極６を覆う。
【００３８】
（２．８）裏面電極
一対の裏面電極８の各々は、例えば、導電物としてＡｇ（銀）を含有させたエポキシ樹脂からなる。一対の裏面電極８は、絶縁基板１の裏面（図１の下面）の長手方向（図１の左右方向）の両端部にそれぞれ位置している。一対の裏面電極８は、例えば、スクリーン印刷にて絶縁基板１の裏面の長手方向の両端部にエポキシ樹脂を塗布した後、紫外線を照射してエポキシ樹脂を硬化させることで形成される。一対の裏面電極８は、一対の上面電極３と一対一に対応している。なお、一対の裏面電極８については省略されてもよい。
【００３９】
（３）チップ抵抗器の製造方法
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の製造方法について説明する。
【００４０】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０の製造方法は、本実施形態に係るチップ抵抗器１０を製造する方法である。チップ抵抗器１０の製造方法は、抵抗体形成工程と、パターン形成工程と、を有する。
【００４１】
抵抗体形成工程は、絶縁基板１上に抵抗体２を形成する工程である。本実施形態では、抵抗体形成工程において、例えば、窒素と反応させた反応性スパッタリング、又は窒素と酸素とを反応させた反応スパッタリングにより絶縁基板１上に抵抗体２を形成する。反応性スパッタリングのスパッタリングターゲットは、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｏを含み、ＣｒとＳｉとの原子比が３：７であり、Ｏの原子百分率が２０ａｔｏｍ％である。すなわち、反応性スパッタリングのスパッタリングターゲットには、２０ａｔｏｍ％以下の酸素（Ｏ）が含まれている。
【００４２】
パターン形成工程は、絶縁基板１上に抵抗体２のパターンを形成する工程である。本実施形態では、パターン形成工程において、例えば、フォトリソ工法により抵抗体２をエッチングして抵抗体２のパターンを形成する。パターン形成工程では、例えば、フッ化水素酸を含むエッチング液が用いられる。
【００４３】
また、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の製造方法は、熱処理工程を更に有する。熱処理工程は、パターン形成工程により形成された（パターン化された）抵抗体２に対して熱処理を行う工程である。すなわち、本実施形態では、熱処理工程は、パターン形成工程の後に実行される。熱処理工程では、熱処理温度が３００℃以上で、かつ８００℃以下である。本実施形態では一例として、熱処理温度は５２０℃である。ここでいう「熱処理温度」は、本実施形態では抵抗体２の実体（実態）温度であるが、雰囲気温度であってもよい。また、熱処理工程では、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下である。
【００４４】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０の製造方法では、上述したように、反応性スパッタリングにより抵抗体２を形成しているので、抵抗体２のターゲットに含まれる元素の比率は、ターゲット組成とほぼ同じである。そのため、抵抗体２の化学組成を制御することが可能となる。
【００４５】
また、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の製造方法では、上述したように、抵抗体形成工程にて形成した抵抗体２に対して熱処理工程を実行している。これにより、抵抗体２の表面２３上に表面酸窒化層９を形成することが可能となる。
【００４６】
（４）チップ抵抗器の特性
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の各特性について、図３〜図７を参照して説明する。
【００４７】
（４．１）特性１
まず、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の特性１について、図３を参照して説明する。図３の横軸は、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比であり、図３の縦軸は、抵抗体２の比抵抗である。また、図３の例では、抵抗体２におけるＮの原子百分率は３０ａｔｏｍ％である。
【００４８】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、上述したように、抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＯを含み、Ａｌ（アルミニウム）を含んでいない。この場合、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比が３：２から１：４まで変化することにより、抵抗体２の比抵抗は、約５００μΩ・ｃｍから約１００００μΩ・ｃｍまで変化する（図３の黒丸及び実線参照）。
【００４９】
ここで、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比が１：２の場合を想定する。この場合、Ａｌが含まれていない場合の抵抗体２の比抵抗は、約６０００μΩ・ｃｍである。これに対して、Ａｌが２１％含まれている（添加されている）場合の抵抗体２の比抵抗は、約１５０００μΩ・ｃｍである（図３の黒三角参照）。すなわち、Ａｌが２１％含まれている場合の抵抗体２の比抵抗は、Ａｌが含まれていない場合の抵抗体２の比抵抗の約２．５倍である。したがって、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比が１：４の場合、Ａｌが２１％含まれている場合の抵抗体２の比抵抗は、約２５０００μΩ・ｃｍとなる。以上のことから、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２の比抵抗は、５００μΩ・ｃｍ以上で、かつ２００００μΩ・ｃｍ以下であることが好ましい。
【００５０】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０によれば、抵抗体２の化学組成を変えることにより、抵抗体２の比抵抗を調節することが可能となる。
【００５１】
（４．２）特性２
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の特性２について、図４を参照して説明する。図４の横軸は、上述の熱処理工程の熱処理温度である。図４の左側の縦軸は、抵抗体２の比抵抗であり、図４の右側の縦軸は、抵抗体２のＴＣＲである。また、図４の例では、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比は３：２である。言い換えると、抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は２／３である。さらに、図４の例では、抵抗体２におけるＮの原子百分率は１２ａｔｏｍ％である。
【００５２】
本実施形態では、熱処理工程の熱処理温度は、上述したように、５２０±５℃である。したがって、図４の例では、熱処理温度を５２０±５℃とすることにより、抵抗体２のＴＣＲを±２５ｐｐｍ／Ｋ以下にすることが可能となる（図４の実線参照）。すなわち、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、±２５ｐｐｍ／℃以下である。
【００５３】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０によれば、抵抗体２のＴＣＲを±２５ｐｐｍ／℃以下にすることができるので、高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能となる。なお、図４の破線は、熱処理温度に対する抵抗体２の比抵抗の変化を示している。
【００５４】
（４．３）特性３
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の特性３について、図５を参照して説明する。図５の横軸は、抵抗体２におけるＮの原子比率（Ｎ比率）であり、図５の縦軸は、抵抗体２に含まれる各結晶のモル比である。また、図５の例では、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比は１：４である。言い換えると、抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は４である。
【００５５】
図５の例では、電気的特性の異なるＣｒ２Ｎの結晶が、Ｎ比率５０％を境界に増加していることが分かる（図５の実線参照）。したがって、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２におけるＮの原子百分率（Ｎ比率）は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において５０ａｔｏｍ％以下であることが好ましい。この構成によれば、抵抗体２の比抵抗を高くすることが可能となる。
【００５６】
ところで、抵抗体２におけるＮの原子百分率は、１ａｔｏｍ％以上であればよい。つまり、抵抗体２におけるＮの原子百分率は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において１ａｔｍ％以上で、かつ５０ａｔｏｍ％以下であればよい。
【００５７】
（４．４）特性４
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の特性４について、図６を参照して説明する。図６は、ガラス基板上に抵抗体２を成膜し、元素分析を行った結果である。図６の横軸は、抵抗体２における分析深さであり、図６の縦軸は、各元素の定量換算値（原子百分率）である。また、図６の例では、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比は１：２である。言い換えると、抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は２である。さらに、図６の例では、抵抗体２におけるＮの原子百分率は３０ａｔｏｍ％である。また、図６の例では、抵抗体２の膜厚Ｆｔ１は１００ｎｍである。
【００５８】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、上述したように、抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＯを含む。抵抗体２の膜厚Ｆｔ１は、上述したように、１００ｎｍである。したがって、この場合には、抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心は、５０ｎｍである。そして、分析深さが５０ｎｍの位置では、抵抗体２におけるＯの原子百分率（定量換算値）は、約２ａｔｏｍ％である（図６の実線参照）。すなわち、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２におけるＯの原子百分率は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において１０ａｔｏｍ％以下である。
【００５９】
本実施形態に係るチップ抵抗器１０によれば、抵抗体２がＯ（酸素）を含むことにより、抵抗体２の比抵抗を高くすることが可能となる。
【００６０】
ここで、抵抗体２の表面２３上には、上述したように、表面酸窒化層９が形成されており、この表面酸窒化層９の膜厚は、例えば、１０ｎｍである。つまり、図６において、分析深さが０ｎｍから１０ｎｍの範囲が表面酸窒化層９となる。すなわち、表面酸窒化層９は、図６に示すように、抵抗体２の膜厚方向Ｄ１において、表面酸窒化層９の表面９１（図２参照）から表面酸窒化層９の層内にかけて組成傾斜を有している。これにより、表面酸窒化層９において応力が緩和されるため、表面酸窒化層９が抵抗体２から剥がれにくいという利点がある。
【００６１】
また、表面酸窒化層９は、図６に示すように、表面酸窒化層９の表面９１からの深さが１０ｎｍまでの範囲で、Ｓｉの原子比は、Ｃｒの原子比とＡｌの原子比との和よりも高くなっている。これにより、非常に安定な不動態が形成されるため、抵抗体２の保護性能が向上するという利点がある。また、図６に示すように、表面酸窒化層９の表面（最表面）９１では、膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心よりも、Ｓｉに対するＣｒの原子比が高くなっている。
【００６２】
ところで、図６の例では、抵抗体２におけるＯの原子百分率（定量換算値）が約２ａｔｏｍ％であるが、１０ａｔｏｍ％以下であればよい。また、抵抗体２におけるＯの原子百分率は、０ａｔｏｍ％以上であればよい。つまり、抵抗体２におけるＯの原子百分率は、０ａｔｏｍ％以上で、かつ１０ａｔｏｍ％以下であればよい。より好ましくは、抵抗体２におけるＯの原子百分率は、０．１ａｔｏｍ％以上で、かつ１０ａｔｏｍ％以下であるのがよい。
【００６３】
（４．５）特性５
次に、本実施形態に係るチップ抵抗器１０の特性５について、図７を参照して説明する。図７の横軸は、抵抗体２のシート抵抗であり、図７の縦軸は、抵抗体２の膜厚Ｆｔ１（図１参照）である。また、図７の例では、抵抗体２におけるＣｒとＳｉとの原子比は１：２である。言い換えると、抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は２である。さらに、図７の例では、抵抗体２におけるＮの原子百分率は３０ａｔｏｍ％である。
【００６４】
図７の例では、抵抗体２のシート抵抗は、抵抗体２の膜厚Ｆｔ１が約８００ｎｍの場合に約１０Ω／□であり、抵抗体２の膜厚Ｆｔ１が約５ｎｍの場合に約７５００Ω／□である（図７の実線参照）。本実施形態に係るチップ抵抗器１０によれば、抵抗体２の膜厚Ｆｔ１を調整することにより、抵抗体２のシート抵抗を調整することが可能となる。このように、本実施形態に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２の膜厚Ｆｔ１は、５ｎｍ以上で、かつ１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００６５】
（５）変形例
上述の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。
【００６６】
（５．１）変形例１
上述の実施形態では、抵抗体２がＣｒ、Ｓｉ、Ｎ及Ｏを含んでいるが、抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＯに加えてＡｌ（アルミニウム）を含んでいてもよい。言い換えると、変形例１に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＡｌを含む。そして、抵抗体２におけるＡｌの原子百分率は、上述したように、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において３０ａｔｏｍ％以下であることが好ましい。
【００６７】
また、変形例１に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において２／３以上で、かつ４以下であることが好ましい。さらに、変形例１に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２におけるＮの原子百分率は、少なくとも抵抗体２の膜厚方向Ｄ１における抵抗体２の中心において５０ａｔｏｍ％以下であることが好ましい。
【００６８】
変形例１に係るチップ抵抗器１０では、抵抗体２は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＯに加えてＡｌを含んでいる。これにより、抵抗体２にＡｌが含まれていない場合に比べて、抵抗体２の比抵抗を高くすることが可能となる。
【００６９】
（５．２）その他の変形例
上述の実施形態では、チップ抵抗器１０の製造方法において、パターン形成工程の後に熱処理工程を実行しているが、例えば、抵抗体形成工程とパターン形成工程との間で熱処理工程を実行してもよい。
【００７０】
また、抵抗値調整用のトリミング溝（図示せず）を抵抗体２に設けてもよく、抵抗体２の形状を蛇行状としてもよい。
【００７１】
（まとめ）
以上説明したように、第１の態様に係るチップ抵抗器（１０）は、絶縁基板（１）と、抵抗体（２）と、を備える。抵抗体（２）は、Ｃｒ、Ｓｉ及びＮを含む。抵抗体（２）は、絶縁基板（１）上に設けられている。抵抗体（２）におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも抵抗体（２）の膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心において２／３以上で、かつ４以下である。抵抗体（２）におけるＮの原子百分率は、少なくとも膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。
【００７２】
この態様によれば、高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能となる。
【００７３】
第２の態様に係るチップ抵抗器（１０）は、絶縁基板（１）と、抵抗体（２）と、を備える。抵抗体（２）は、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｎ及びＡｌを含む。抵抗体（２）は、絶縁基板（１）上に設けられている。抵抗体（２）におけるＣｒに対するＳｉの原子比は、少なくとも抵抗体（２）の膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心において２／３以上で、かつ４以下である。抵抗体（２）におけるＮの原子百分率は、少なくとも膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心において５０ａｔｏｍ％以下である。抵抗体（２）におけるＡｌの原子百分率は、少なくとも膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心において３０ａｔｏｍ％以下である。
【００７４】
この態様によれば、高比抵抗と低ＴＣＲとを両立することが可能となる。
【００７５】
第３の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１又は第２の態様において、抵抗体（２）は、Ｏを更に含む。抵抗体（２）におけるＯの原子百分率は、少なくとも膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心において１０ａｔｏｍ％以下である。
【００７６】
この態様によれば、抵抗体（２）の比抵抗を高くすることが可能となる。
【００７７】
第４の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１〜第３の態様のいずれか１つにおいて、抵抗体（２）の比抵抗は、５００μΩ・ｃｍ以上で、かつ２００００μΩ・ｃｍ以下である。
【００７８】
この態様によれば、抵抗体（２）の比抵抗を調節することが可能となる。
【００７９】
第５の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１〜第４の態様のいずれか１つにおいて、抵抗体（２）の抵抗温度係数は、±２５ｐｐｍ／℃以下である。
【００８０】
この態様によれば、抵抗体（２）の抵抗温度係数を低くすることが可能となる。
【００８１】
第６の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１〜第５の態様のいずれか１つにおいて、抵抗体（２）の膜厚（Ｆｔ１）は、５ｎｍ以上で、かつ１０００ｎｍ以下である。
【００８２】
この態様によれば、抵抗体（２）のシート抵抗（表面抵抗率）を小さくすることが可能となる。
【００８３】
第７の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１〜第６の態様のいずれか１つにおいて、抵抗体（２）は、結晶質相（２１）と、非晶質相（２２）と、を含む。
【００８４】
この態様によれば、比抵抗の向上と低ＴＣＲとを両立することが可能となる。
【００８５】
第８の態様に係るチップ抵抗器（１０）は、第１〜第７の態様のいずれか１つにおいて、表面酸窒化層（９）を更に備える。表面酸窒化層（９）は、ＣｒとＡｌとの少なくとも一方、及びＳｉを含む酸窒化膜からなる。表面酸窒化層（９）は、抵抗体（２）における絶縁基板（１）とは反対側の表面（２３）上に設けられている。
【００８６】
この態様によれば、耐環境性を高めることが可能となる。
【００８７】
第９の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第８の態様において、表面酸窒化層（９）は、抵抗体（２）の表面（２３）の一部に設けられている。
【００８８】
この態様によれば、抵抗体（２）と電極（上面電極３）とを電気的に接続することが可能となる。
【００８９】
第１０の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第８又は第９の態様において、表面酸窒化層（９）は、膜厚方向（Ｄ１）において、表面酸窒化層（９）における抵抗体（２）とは反対側の表面（９１）から当該表面酸窒化層（９）の層内にかけて組成傾斜を有する。
【００９０】
この態様によれば、抵抗体（２）から剥がれにくいという利点がある。
【００９１】
第１１の態様に係るチップ抵抗器（１０）では、第１０の態様において、表面酸窒化層（９）は、膜厚方向（Ｄ１）における最表面（９１）において、膜厚方向（Ｄ１）における抵抗体（２）の中心よりも、Ｓｉに対するＣｒの原子比が高い。
【００９２】
この態様によれば、抵抗体（２）の保護性能が向上するという利点がある。
【００９３】
第１２の態様に係るチップ抵抗器（１０）の製造方法は、第１〜第１１の態様のいずれか１つのチップ抵抗器（１０）を製造するチップ抵抗器（１０）の製造方法である。チップ抵抗器（１０）の製造方法は、抵抗体形成工程と、パターン形成工程と、を有する。抵抗体形成工程は、反応性スパッタリングにより絶縁基板（１）上に抵抗体（２）を形成する工程である。パターン形成工程は、フォトリソ工法により抵抗体（２）をエッチングして絶縁基板（１）上に抵抗体（２）のパターンを形成する工程である。
【００９４】
この態様によれば、抵抗体（２）に含まれる元素の組成を制御することが可能となる。
【００９５】
第１３の態様に係るチップ抵抗器（１０）の製造方法では、第１２の態様において、反応性スパッタリングのスパッタリングターゲットには、２０ａｔｏｍ％以下のＯが含まれている。
【００９６】
この態様によれば、Ｏを含む抵抗体（２）を形成することが可能となる。
【００９７】
第１４の態様に係るチップ抵抗器（１０）の製造方法は、第１２又は第１３の態様において、熱処理工程を更に有する。熱処理工程は、パターン形成工程により形成された抵抗体（２）に対して熱処理を行う工程である。
【００９８】
この態様によれば、表面酸窒化層（９）を形成することが可能となる。
【００９９】
第１５の態様に係るチップ抵抗器（１０）の製造方法では、第１４の態様において、熱処理工程では、熱処理温度が３００℃以上で、かつ８００℃以下である。
【０１００】
この態様によれば、強固な表面酸窒化層（９）を形成することが可能となる。
【０１０１】
第１６の態様に係るチップ抵抗器（１０）の製造方法では、第１４又は第１５の態様において、熱処理工程では、酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下である。
【０１０２】
この態様によれば、表面酸窒化層（９）を形成することが可能となる。
【０１０３】
第１７の態様に係るチップ抵抗器（１０）の製造方法では、第１２〜第１６の態様のいずれか１つにおいて、パターン形成工程では、フッ化水素酸を含むエッチング液が用いられる。
【０１０４】
この態様によれば、抵抗体（２）のパターンを絶縁基板（１）上に形成することが可能となる。
【０１０５】
第２〜１１の態様に係る構成については、チップ抵抗器（１０）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
【０１０６】
第１３〜１７の態様に係る構成については、チップ抵抗器（１０）の製造方法に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
【符号の説明】
【０１０７】
１  絶縁基板
２  抵抗体
９  表面酸窒化層
１０  チップ抵抗器
２１  結晶質相
２２  非晶質相
２３  表面
９１  表面
Ｄ１  膜厚方向
Ｆｔ１  膜厚
【図１】
2020170843.tif 000003
【図２】
2020170843.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2020170843.tif 000007
【図６】
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【図７】
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