(57)【要約】【課題】  一次導体に近接して設置される磁電変換素子の位置誤差による測定精度への影響を低減し、被測定電流を精度良く検出でき、且つ小型で低コストの電流検出装置を提供すること。【解決手段】  被測定電流が印加された、少なくとも一つの電流密度が均一な連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有した一次導体と、前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部の面に近接し、且つＵ字部と逆Ｕ字部の略中心位置に、被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子を備え、前記一対の磁電変換素子が前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する対向方向の磁束が印加されるように設置されることで被測定電流を精度良く検出でき、且つ小型化と低コスト化が可能となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部とを備え、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部は、電流密度が均一であり、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部に繋がる直線部を備え、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部のそれぞれが結合する中心に点対称に配置され、
前記一対の磁電変換素子は、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部のそれぞれに繋がる一次導体の直線部の幅方向の中心を結ぶ直線上であり、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部の面に近接し、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部のそれぞれの３辺の内側に面し、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部のそれぞれの略中心線上であり、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部のそれぞれが結合する中心に点対称に配置され、
前記回路部により、それぞれが対向方向に制御されることで、前記一対の磁電変換素子の感度方向と面外方向の磁束を抑制することを特徴とする電流検出装置。
【請求項２】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記一対の磁電変換素子の感磁面が同一平面上に設置されることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項３】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記一対の磁電変換素子が、一つの基材に設置されることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項４】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記一対の磁電変換素子が前記回路部により、略同一の感度に調整されることを特徴とする請求項１または２または３に記載の電流検出装置。
【請求項５】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備える請求項１または２または３または４に記載の電流検出装置を複数備えることを特徴とする電流検出ユニット。
【請求項６】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記基材がガラスエポキシ材で形成されるプリント配線基板であることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項７】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記基材が半導体ＩＣを形成するシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項８】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部が前記基材とエポキシ等の樹脂材で固定されることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項９】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記磁電変換素子が設置される基材がガラスエポキシ材で形成されるプリント配線基板で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項１０】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記磁電変換素子が設置される基材が半導体ＩＣを形成するシリコン基材で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項１１】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記磁電変換素子がホール素子であることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項１２】
被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体と、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子と、前記磁電変換素子が設置される基材と、前記磁電変換素子を制御する回路部を備え、
前記磁電変換素子が磁気抵抗効果素子であることを特徴とする請求項１に記載の電流検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  この発明は、被測定電流が印加される連続するＵ字部と逆Ｕ字部を備えた一次導体と、前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部の面に近接し、且つＵ字部と逆Ｕ字部の略中心位置に、被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子を備え、前記一対の磁電変換素子が前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する対向方向の磁束が印加されるように設置されているコアレスの電流検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  従来、非接触で被測定電流を計測する手法としては、一般的に、磁気コアを用いたものがある。磁気コアを利用した電流検出装置は、磁気コアを被測定電流の流れる導体を取り囲む様に設置し、磁気コアに設けたギャップ部とともに磁気回路を形成する。ギャップ部に設置した磁電変換素子を通じて、被測定電流により磁気回路に生じた磁束の大きさを測定することで、非接触で被測定電流の大きさを測定する。【０００３】  近年、小型化や軽量化、あるいは高精度化等を目的とし、特に大電流計測において磁気コアを用いないコアレスの電流検出装置が提案されている。コアレスの電流検出装置としては、一対の検出素子を、クランク状に２度直角に折り曲げた導体に配置したものがある（例えば、特許文献１参照）。【０００４】
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２６６２９０公報
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  前記特許文献１に開示されている電流検出装置は、一対の検出素子を用いて、隣り合う他の導体を流れる電流に起因して当該一対の検出素子に作用する磁界の強さが互いに同じになるように配置され、一対の検出素子の出力の差分を用いることで、検出対象以外の導体から発生した磁界に起因する検出精度の低下を回避している。また、一対の検出素子と少なくとも一つの導体との間において所定方向の位置ずれが発生したときでも、位置ずれが発生していないときと同様の検出精度を確保することができる。
しかしながら、一対の検出素子と少なくとも一つの導体との位置ずれは所定方向に限定されないため検出誤差が発生するという問題点があった。
【０００７】  また、導体をクランク状に加工することから、導体入力のプラス側（入口）とマイナス側（出口）が同一線上にないため小型化に向かないという問題点があった。
【０００８】  また、多相に配置する場合、それぞれの導体に設置されるそれぞれの一対の検出素子を同一基板上に設置する場合、電流検出装置のみならず基板も大型化し、低コスト化に向かないという問題点があった。
【０００９】  この発明は上記のような課題を鑑み、解決するためになされたもので、一対の磁電変換素子と一次導体との位置ずれによる検出精度への影響を低減し、且つ小型で、低コストの電流検出装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  この発明に係わる電流検出装置は、少なくとも一つの電流密度が均一な連続するＵ字部と逆Ｕ字部を有する一次導体を備えたものである。
【００１１】  また、この発明に係わる電流検出装置は、少なくとも一つの電流密度が均一な連続するＵ字部と逆Ｕ字部と直線部を備えたものである。
【００１２】  また、この発明に係わる電流検出装置は、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部の結合部の中心に対して点対称に配置されるものである。
【００１３】  また、この発明に係わる電流検出装置は、前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部の面に近接し、且つＵ字部と逆Ｕ字部の略中心線のそれぞれの位置であり、被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子とを備え、前記一対の磁電変換素子が前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する対向方向の磁束が印加されるように設置したものである。
【００１４】  また、この発明に係わる電流検出装置は、前記一対の磁電変換素子の感磁面が同一平面上に設置したものである。
【００１５】  また、この発明に係わる電流検出装置は、前記一対の磁電変換素子を、一つの基材に設置したものである。
【００１６】  また、この発明に係わる電流検出装置は、前記一対の磁電変換素子が略同一の感度を有したものである。
【発明の効果】
【００１７】  以上のように、この発明によれば、前記一次導体に設置される前記の少なくとも一つの電流密度が均一な連続するＵ字部と逆Ｕ字部で構成され、前記連続するＵ字部と逆Ｕ字部の結合部の中心に対して点対称に配置され、前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部の面に近接し、且つＵ字部と逆Ｕ字部の略中心線のそれぞれの位置であり、被測定電流により発生する磁束が印加されるように設置された少なくとも一対の磁電変換素子とを備え、前記一対の磁電変換素子が前記一次導体の連続するＵ字部と逆Ｕ字部で発生する対向方向の磁束が印加されることにより、前記一対の磁電変換素子の感磁方向と面外方向の磁束が減衰する効果がある。
【００１８】  また、前記面外方向の磁束が減衰することにより、前記一対の磁電変換素子と前記の一次導体の位置ずれにより混入する前記一対の磁電変換素子の感磁方向と面外方向の磁束の影響が低減し、検出誤差を低減する効果がある。
【００１９】  また、前記一対の磁電変換素子のそれぞれが対向方向の磁束を検出することにより、外部から混入する磁束の影響を低減し、検出誤差を低減する効果がある。
【００２０】  また、前記一対の磁電変換素子のそれぞれが略同一の感度を有することにより、前述の一対の磁電変換素子と一次導体の位置ずれにより混入する一対の磁電変換素子の感磁方向と面外方向の磁束の影響と、外部から混入する磁束の影響を低減し、検出誤差を低減する効果は最大となる。
【００２１】また、前記の少なくとも一つの電流密度が均一な連続するＵ字部と逆Ｕ字部に直線部を備えることにより、導体入力のプラス側（入口）とマイナス側（出口）が同一線上になるため電流検出装置の寸法が拡大することなく、小型化の効果がある。
【００２２】  また、前記電流検出装置を多相に配置し、それぞれの導体に設置されるそれぞれの一対の磁電変換素子を同一基板上に設置する場合、電流検出装置のみならず基板もの寸法が拡大することなく、小型化、さらには低コスト化の効果がある。
【００２３】  また、前記面外方向の磁束が減衰することにより、前記一対の磁電変換素子と前記の一次導体の位置ずれにより混入する前記一対の磁電変換素子の感磁方向と面外方向の磁束の影響が低減し、検出誤差を低減する効果を有するため、前記電流検出装置を組み立てる際に位置調整する手間が省けることから、低コスト化の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】この発明の実施形態１による電流検出装置の斜視図である。
【図２】この発明の実施形態１による電流検出装置の平面図である。
【図３】この発明の実施形態１による電流検出装置の拡大図である。
【図４】この発明の実施形態１による電流検出装置のＹ方向の磁束密度を示す表である。
【図５】特許文献１に記載の電流検出装置を例示したものである。
【図６】この発明の実施形態１による電流検出装置と特許文献１に記載の電流検出装置のＸ方向の磁束密度を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】  次に、本発明の実施形態に係る電流検出装置について図面を参照して説明する。
なお、以下に記載される実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をこれらの実施形態にのみ限定するものではない。したがって、本発明は、その要旨逸脱しない限り、様々な形態で実施することができる。
【００２６】（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１による電流検出装置（１）の斜視図を示すもので、図２は電流検出装置（１）の平面図（ＸＹ面）、図３は図２における破線部の拡大図（ＸＹ面）、図４は図３における一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）と、比較するために測定点（１４）のＹ方向の磁束密度を示したものである。図５は、特許文献１に記載の電流検出装置を例示したものである。図６は、図３に示す一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）と図５に示す一対の検出素子（１７ａ）、（１７ｂ）のそれぞれの感磁方向であるＺ方向と面外方向であるＸ方向の磁束密度を示す表である。なお、前記各図では、説明を判り易くするため、各部材の厚さやサイズ、拡大・縮小率等は、実際のものとは一致させずに記載した。
【００２７】  実施形態１に係る電流検出装置（１）は、被測定電流が印加される一次導体（２）に設置されるＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）と一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）と、これを設置する基材（８）で構成されている。なお、基材（８）は一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）に供給する電源や感度の極性を制御し、また、感度を調整する回路部（１５）を備える。
【００２８】  図１に示す一次導体（２）は、少なくとも一つの連続するＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）と直線部（１０）を備える。
【００２９】  また、図１に示す一次導体（２）は、軟銅材により形成される。また、一次導体（２）に設置されるＵ字部（３）及び逆Ｕ字部（４）と直線部（１０）は、一次導体（２）と同様の軟銅材により形成されており、プレス加工等により曲げ加工されている。また、Ｕ字部（３）及び逆Ｕ字部（４）と直線部（１０）を含めた一次導体（２）は、軟銅材のシートメタルから打ち抜かれて形成されてもよい。また、Ｕ字部（３）および逆Ｕ字部（４）は別々に曲げ加工され、それぞれを溶接することで一次導体（２）を形成してもよい。
【００３０】  また、一次導体２は、Ｕ字部（３）及び逆Ｕ字部（４）を含まない部分が直線に構成されており、導体入力のプラス側（入口）（１９）とマイナス側（出口）（２０）が
同一線上にあるため、電流検出装置（１）の寸法が拡大することなく、小型化の効果がある。
【００３１】  また、Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）は、一次導体（２）に設置され、前記一次導体（２）の連続するＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）の面に近接し、且つＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）の略中心線（５）及び（６）のそれぞれに一致する位置に一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）を備えており、磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）はホール素子や磁気抵抗効果素子で構成される。
【００３２】  一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）は、感磁面が同一平面となるように基材（８）に設置されており、基材（８）はガラスエポキシ材で形成されるプリント配線基板や半導体ＩＣを形成するシリコン基材で構成される。
【００３３】  図２に示す一次導体（２）には、Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）が備えられ、電流検出装置（１）に備えられる一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）は、前記Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）の略中心線（５）及び（６）のそれぞれに一致する位置に配置され、且つ前記Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）の結合部の中心（１３）に対して点対称に配置されることで、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）にはそれぞれＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）で発生するＺ方向の互いに対向方向の磁束が印加される。
【００３４】  図３に示す電流検出装置（１）は、図２の破線部を拡大した平面図（ＸＹ面）である。
図３のＵ字部（３）及び逆Ｕ字部（４）を構成するＵ字部の辺及び逆Ｕ字部の辺（１１ａ）、（１１ｂ）、（１１ｃ）、（１２ａ）、（１２ｂ）（１２ｃ）は電流密度が均一になるような導体幅や厚みで形成される。
【００３５】  また、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）は、Ｕ字部（３）を構成するＵ字部の辺（１１ａ）、（１１ｂ）、（１１ｃ）と逆Ｕ字部（４）を構成する逆Ｕ字部の辺（１２ａ）、（１２ｂ）、（１２ｃ）のそれぞれに３辺に囲われた内側に配置される。
【００３６】  また、図３の一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）は、電流密度が略均一な少なくとも一つの連続するＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）のそれぞれの３辺の内側で発生するＺ方向の磁束に対して最大の出力電圧を得る感磁方向を有している。
また、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）は、Ｕ字部（３）に繋がる直線部（１０）の幅方向の中心と、逆Ｕ字部（４）に繋がる直線部（１０）の幅方向の中心を結ぶ直線（１８）上であり、Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）の結合部の中心（１３）に点対称であり、Ｕ字部（３）の略中心線（５）と逆Ｕ字部（４）の略中心線（６）と重なる位置にそれぞれ配置される。
【００３７】  また、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）近傍の磁束は、Ｕ字部（３）及び逆Ｕ字部（４）を構成するＵ字部の辺（１１ａ）及び逆Ｕ字部の辺（１２ａ）で発生するＸ方向の磁束と、Ｕ字部の辺（１１ｂ）及び逆Ｕ字部の辺（１２ｂ）で発生する前記Ｕ字部の辺（１１ａ）及び逆Ｕ字部の辺（１２ａ）で発生するＸ方向の磁束と対向するＸ方向の磁束との打消しの効果により減衰する。
【００３８】  また、前記打消しの効果は、Ｕ字部（３）及び逆Ｕ字部（４）を構成するＵ字部の辺（１１ａ）及び逆Ｕ字部の辺（１２ａ）で発生するＸ方向の磁束と、Ｕ字部の辺（１１ｂ）及び逆Ｕ字部の辺（１２ｂ）で発生する前記Ｕ字部の辺（１１ａ）及び逆Ｕ字部の辺（１２ａ）で発生するＸ方向の磁束を略等しくするために、Ｕ字部の辺（１１ａ）（１１ｂ）及び（１２ａ）（１２ｂ）の電流密度は均一である。
【００３９】  次に、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）はＺ方向にそれぞれ対向する感度を有するように回路部（１５）により制御される。
また、前記回路部（１５）は、前記一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）の感度を略同一に調整する機能を有する。
また、前記回路部（１５）は、前記一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）それぞれの差を演算し、前記演算の結果を増幅する機能を有する。
【００４０】  次に、図３に示す一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）は一つの基材（８）の同一平面上であり、且つ前記基材（８）の同一平面が、Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）のＸＹ面と近接し、略平行に設置される。
また、図示では省略するが、Ｕ字部（３）と逆Ｕ字部（４）と基材（８）はエポキシ等の樹脂で固定される。
【００４１】  例えば、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）の感磁面は、基材（８）の同一平面上に設置されるが、Ｕ字部（３）とＵ字部（４）のＸＹ面と前記基材（８）の同一平面が平行ではなく、位置ずれにより傾いて設置された場合、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）には本来の感度方向であるＺ方向の面外方向であるＸ方向とＹ方向の磁束が混入して検出誤差の要因となる。しかし、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）はそれぞれ対向する感度を有し、且つ略同一の感度に調整され、且つ後段の回路部（１５）で差を演算することにより、前記検出誤差の要因となるＸ方向とＹ方向の磁束の影響を低減でき、また、電流検出装置１の外部で発生する磁束の低減もできる。
さらに、連続するＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）により、
一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）近傍のＸ方向の磁束が打消し効果で減衰することから、前記検出誤差の要因となるＸ方向の磁束の影響を低減できる。
【００４２】  図４は、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）の感磁方向と面外方向のＹ方向の磁束密度を示す表である。また、前記表には前記一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）のＹ方向の磁束密度と比較するための測定点（１４）のＹ方向の磁束密度も含める。
【００４３】  また、前記表は、仮に連続するＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）に８００Ａ印加した場合を例示しており、一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）のＹ方向の磁束密度は、測定点（１４）のＹ方向の磁束密度と比較して約半分に減衰している。
【００４４】  図５は、特許文献１に記載の電流検出装置を例示するものであり、導体（１６）と一対の検出素子（１７ａ）、（１７ｂ）で構成される。
図６は、図３に示す一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）と図５に示す一対の検出素子（１７ａ）、（１７ｂ）のそれぞれの感磁方向であるＺ方向と面外方向であるＸ方向の磁束密度を示す表である。
【００４５】  また、前記表は、仮に図３の連続するＵ字部（３）と逆Ｕ字部（４）と、図５の導体（１６）に８００Ａ印加した場合を例示しており、
前記図３の一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）のＸ方向の磁束密度は、前記図５の一対の検出素子（１７ａ）、（１７ｂ）のＸ方向の磁束密度と比較して約半分以下に低いことから、図３の一対の磁電変換素子（７ａ）、（７ｂ）が、基材（８）の平面上に平行せず、位置ずれにより傾いて設置された場合、本来の感度方向であるＺ方向の面外方向であるＸ方向の磁束が混入することによる検出誤差は低減する。
【符号の説明】
【００４６】１  電流検出装置、２  一次導体、３  Ｕ字部、４  逆Ｕ字部、５  Ｕ字部の略中心線、６  逆Ｕ字部の略中心線、７ａ  一対の磁電変換素子、７ｂ  一対の磁電変換素子、８  基材、９  感磁面、１０  直線部、１１ａ  Ｕ字部の辺、１１ｂ  Ｕ字部の辺、１１ｃ  Ｕ字部の辺、１２ａ  逆Ｕ字部の辺、１２ｂ  逆Ｕ字部の辺、１２ｃ  逆Ｕ字部の辺、１３  結合部の中心、１４  測定点、１５  回路部、１６  導体、１７ａ  検出素子、１７ｂ  検出素子、１８  幅方向の中心を結ぶ直線、１９  導体入力のプラス側（入口）、２０  導体入力のマイナス側（出口）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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