(57)【要約】      （修正有）【課題】ＶＣＳＥＬに流す電流が変化しても、ＶＣＳＥＬから出射された光の出力を適切に監視できる光モジュール、およびそれに用いられる光レセプタクルを提供すること。【解決手段】本発明の光レセプタクル１４０は、ＶＣＳＥＬ１２２から出射された光を入射させる第１光学面１４１と、第１光学面で入射した光の一部を検出素子１２３に向かうモニター光として反射させる第１反射部１４３と、第１光学面で入射した光の他の一部を検出素子に向かうモニター光と光伝送体１６０の端面に向かう信号光とに分離させる光分離部１４４と、信号光を光伝送体の端面に向けて出射させる第２光学面１４５と、第１反射部で反射したモニター光および光分離部で分離されたモニター光を検出素子に向けて出射させる第３光学面１４６と、を有する。光分離部の２つの第２反射部１４４Ａは、所定の条件を満たすように、第１光学面で入射した光の光束内に位置するように配置される。【選択図】図２
2020027202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振器面発光レーザーおよび前記垂直共振器面発光レーザーから出射された光を監視するための検出素子を含む光電変換装置と、光伝送体との間に配置されたときに、前記垂直共振器面発光レーザーと前記光伝送体の端面とを光学的に結合するための光レセプタクルであって、
前記垂直共振器面発光レーザーから出射された光を入射させる第１光学面と、
前記第１光学面で入射した光の一部を、前記検出素子に向かうモニター光として反射させる第１反射部と、
前記第１光学面で入射した光の他の一部を、前記検出素子に向かうモニター光と前記光伝送体の端面に向かう信号光とに分離させる光分離部と、
前記光分離部で分離された信号光を、前記光伝送体の端面に向けて出射させる第２光学面と、
前記第１反射部で反射したモニター光および光分離部で分離されたモニター光を前記検出素子に向けて出射させる第３光学面と、
を有し、
前記光分離部は、
前記第１光学面で入射した光の光軸に対する傾斜面であって、前記光分離部に入射した光の一部を、前記モニター光として前記第３光学面に向けて反射させる２つの第２反射部と、
前記２つの第２反射部の間に少なくとも配置され、前記光分離部に入射した光の他の一部を、前記信号光として透過させる透過部と、を有し、
前記２つの第２反射部は、以下の第２反射部の配置方法を満たすように、前記第１光学面で入射した光の光束内に位置するように配置される、
光レセプタクル。
［第２反射部の配置方法］
（１）前記垂直共振器面発光レーザーの発光面の中心を通る法線を含み、前記２つの第２反射部の配列方向と平行な断面において、前記法線に沿う方向を０°とした場合に、使用できる最大電流を前記垂直共振器面発光レーザーに流したときの、前記法線に対する角度と、前記発光面から出射された光の光強度との関係を示す第１曲線を求める。
（２）前記第１曲線において、前記断面において前記法線に対して一方側の前記法線に対する角度をマイナスとし、他方側の前記法線に対する角度をプラスとした場合、前記第１曲線において、前記角度がマイナスの領域における光強度が最大の第１最大値と、前記角度がプラスの領域における光強度が最大の第２最大値とを求める。
（３）前記断面において、前記法線に沿う方向を０°とした場合に、使用できる最小電流を前記垂直共振器面発光レーザーに流したときの、前記法線に対する角度と、前記垂直共振器面発光レーザーから出射された光の光強度との関係を示す第２曲線を求める。
（４）前記角度が０°から前記第１最大値に対応する角度までの範囲内において、前記第１曲線における光強度と、前記第２曲線における光強度との差が最小であるときの角度である第１最小差角度を求める。
（５）前記角度が０°から前記第２最大値に対応する角度までの範囲内において、前記第１曲線における光強度と、前記第２曲線における光強度との差が最小であるときの角度である第２最小差角度を求める。
（６）前記２つの第２反射部を、前記第１最小差角度で出射された光が到達する位置および前記第２最小差角度で出射された光が到達する位置にそれぞれ配置する。
【請求項２】
前記第１光学面と前記第１反射部との間の光路上、および前記第１光学面と前記光分離部との間の光路上に配置され、前記第１光学面で入射した光を前記第１反射部および前記光分離部に向かって反射させるための反射面をさらに有する、請求項１に記載の光レセプタクル。
【請求項３】
基板と、前記基板上に配置された垂直共振器面発光レーザーと、前記基板上に配置され、前記垂直共振器面発光レーザーから出射された出射光を監視するための検出素子とを有する光電変換装置と、
請求項１または請求項２に記載の光レセプタクルと、
を有する、光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光レセプタクルおよび光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ファイバーや光導波路などの光伝送体を用いた光通信には、垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などの発光素子を備えた光モジュールが使用されている。光モジュールは、発光素子から出射された通信情報を含む光を、光伝送体の端面に入射させるための光レセプタクルを有する。
【０００３】
また、光モジュールには、温度変化に対する発光素子の出力特性の安定化や光出力の調整を目的として、発光素子から出射された光の強度や光量を監視（モニター）するための検出素子を有するものがある。
【０００４】
たとえば、特許文献１には、発光素子および検出素子を含む光電変換装置と、発光素子と光伝送体の端面とを光学的に接続させる光レセプタクルとを有する光モジュールが記載されている。光レセプタクルは、発光素子から出射された光を入射させる第１の面と、第１の面で入射した光を光伝送体の端面に向かって反射させるための第１の反射面と、第１の反射面で反射した光の一部を、光伝送体の端面に向かう信号光として透過させる透過部と、第１の反射面で反射した光の残部を、検出素子に向かうモニター光として反射させる第２の反射面と、透過部を透過した信号光を、光伝送体の端面に集光するように出射する第２の面と、第２の反射面で反射されたモニター光を、検出素子に向けて出射させる第３のレンズ面と、を有する。
【０００５】
特許文献１に記載の光モジュールでは、発光素子から出射された光は、第１の面で入射する。第１の面で入射した光は、第１の反射面で反射される。第１の反射面で反射された光の一部は信号光として透過部を透過し、残部はモニター光として第２の反射面で反射される。透過部を透過した信号光は、光伝送体の端面に向けて第２の面から出射される。一方、第２の反射面で反射されたモニター光は、検出素子の受光面に向けて第３のレンズ面から出射される。
【０００６】
また、垂直共振器面発光レーザーは、流す電流の大きさによって、光強度の分布が異なることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。非特許文献１には、垂直共振器面発光レーザーの出射角度と光強度との関係がグラフ（曲線）で示されている。
【０００７】
図１は、非特許文献１の改変された図１１を示す模式的なグラフである。下に位置する曲線は、電流が小さいときの光強度分布であり、上に位置する曲線は、電流が小さいときの光強度分布である。図１に示されるように、垂直共振器面発光レーザーでは、電流が小さい場合には、当該曲線は一峰性であり、使用する電流が大きい場合には、当該曲線は、二峰性になる。当該曲線は、使用する電流が大きくなるにつれて、頂部と底部との差が大きくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１３−２４９１８号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ian Abey, et al., "VCSELs for high speed data communication in TO packages, pushing the envelope", Proceedings of SPIE, Vol. 5737, p. 91-100.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載された光モジュールにおいて発光素子として垂直共振器面発光レーザーを使用する場合、垂直共振器面発光レーザーに流す電流が変化すると、信号光およびモニター光の比率が大きく変動してしまう。よって、検出素子に十分な光が到達せず、発光素子（垂直共振器面発光レーザー）から出射された光の出力を適切に監視できなくなるおそれがある。
【００１１】
本発明の目的は、垂直共振器面発光レーザーに流す電流が変化しても、垂直共振器面発光レーザーから出射された光の出力を適切に監視できる光モジュール、およびそれに用いられる光レセプタクルを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る光レセプタクルは、垂直共振器面発光レーザーおよび前記垂直共振器面発光レーザーから出射された光を監視するための検出素子を含む光電変換装置と、光伝送体との間に配置されたときに、前記垂直共振器面発光レーザーと前記光伝送体の端面とを光学的に結合するための光レセプタクルであって、前記垂直共振器面発光レーザーから出射された光を入射させる第１光学面と、前記第１光学面で入射した光の一部を、前記検出素子に向かうモニター光として反射させる第１反射部と、前記第１光学面で入射した光の他の一部を、前記検出素子に向かうモニター光と前記光伝送体の端面に向かう信号光とに分離させる光分離部と、前記光分離部で分離された信号光を、前記光伝送体の端面に向けて出射させる第２光学面と、前記第１反射部で反射したモニター光および光分離部で分離されたモニター光を前記検出素子に向けて出射させる第３光学面と、を有し、前記光分離部は、前記第１光学面で入射した光の光軸に対する傾斜面であって、前記光分離部に入射した光の一部を、前記モニター光として前記第３光学面に向けて反射させる２つの第２反射部と、前記２つの第２反射部の間に少なくとも配置され、前記光分離部に入射した光の他の一部を、前記信号光として透過させる透過部と、を有し、前記２つの第２反射部は、以下の第２反射部の配置方法を満たすように、前記第１光学面で入射した光の光束内に位置するように配置される。
［第２反射部の配置方法］
（１）前記垂直共振器面発光レーザーの発光面の中心を通る法線を含み、前記２つの第２反射部の配列方向と平行な断面において、前記法線に沿う方向を０°とした場合に、使用できる最大電流を前記垂直共振器面発光レーザーに流したときの、前記法線に対する角度と、前記発光面から出射された光の光強度との関係を示す第１曲線を求める。
（２）前記第１曲線において、前記断面において前記法線に対して一方側の前記法線に対する角度をマイナスとし、他方側の前記法線に対する角度をプラスとした場合、前記第１曲線において、前記角度がマイナスの領域における光強度が最大の第１最大値と、前記角度がプラスの領域における光強度が最大の第２最大値とを求める。
（３）前記断面において、前記法線に沿う方向を０°とした場合に、使用できる最小電流を前記垂直共振器面発光レーザーに流したときの、前記法線に対する角度と、前記垂直共振器面発光レーザーから出射された光の光強度との関係を示す第２曲線を求める。
（４）前記角度が０°から前記第１最大値に対応する角度までの範囲内において、前記第１曲線における光強度と、前記第２曲線における光強度との差が最小であるときの角度である第１最小差角度を求める。
（５）前記角度が０°から前記第２最大値に対応する角度までの範囲内において、前記第１曲線における光強度と、前記第２曲線における光強度との差が最小であるときの角度である第２最小差角度を求める。
（６）前記２つの第２反射部を、前記第１最小差角度で出射された光が到達する位置および前記第２最小差角度で出射された光が到達する位置にそれぞれ配置する。
【００１３】
本発明に係る光モジュールは、基板と、前記基板上に配置された垂直共振器面発光レーザーと、前記基板上に配置され、前記垂直共振器面発光レーザーから出射された出射光を監視するための検出素子とを有する光電変換装置と、本発明の光レセプタクルと、を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、垂直共振器面発光レーザーに流す電流が変化しても、垂直共振器面発光レーザーから出射された光の出力を適切に監視できる光モジュールを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、非特許文献１の改変した図１１を示すグラフである。
【図２】図２は、実施の形態１に係る光モジュールの断面図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係る光レセプタクルの斜視図である。
【図４】図４Ａ〜Ｄは、実施の形態１に係る光レセプタクルの構成を示す図である。
【図５】図５は、実施の形態１に係る光レセプタクルの断面図である。
【図６】図６Ａ、Ｂは、第２反射部の配置方法を説明するための図である。
【図７】図７は、実施の形態２に係る光レセプタクルの構成を示す図である。
【図８】図８は、実施の形態２に係る光レセプタクルの斜視図である。
【図９】図９Ａ〜Ｃは、実施の形態２に係る光レセプタクルの構成を示す図である。
【図１０】図１０Ａ、Ｂは、実施の形態２に係る光レセプタクルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
［実施の形態１］
（光モジュールの構成）
図２は、実施の形態１に係る光モジュール１００の断面図である。図１には、光モジュール１００の光路を示している。なお、図１では、光レセプタクル１４０内の光路を示すために光レセプタクル１４０の断面へのハッチングを省略している。
【００１８】
図２に示されるように、光モジュール１００は、発光素子としての垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）１２２を含む基板実装型の光電変換装置１２０と、光レセプタクル１４０とを有する。光モジュール１００は、送信用の光モジュールであり、光レセプタクル１４０に光伝送体１６０がフェルール１６２を介して結合（以下、接続ともいう）されて使用される。光伝送体１６０の種類は、特に限定されず、光ファイバー、光導波路などが含まれる。本実施の形態では、光伝送体１６０は、光ファイバーである。光ファイバーは、シングルモード方式でもよいし、マルチモード方式でもよい。光伝送体１６０の数は、特に限定されない。本実施の形態では、光伝送体１６０の数は、１本である。
【００１９】
光電変換装置１２０は、基板１２１と、１つの垂直共振器面発光レーザー１２２と、１つの検出素子１２３とを有する。
【００２０】
基板１２１は、たとえば、ガラスコンポジット基板やガラスエポキシ基板、フレキブシル基板などである。基板１２１上には、垂直共振器面発光レーザー１２２と、検出素子１２３とが配置されている。
【００２１】
垂直共振器面発光レーザー１２２は、基板１２１上に配置されており、基板１２１に対して垂直方向にレーザー光を出射する。垂直共振器面発光レーザー１２２の数は、特に限定されない。本実施の形態では、垂直共振器面発光レーザー１２２の数は、１つである。また、垂直共振器面発光レーザー１２２の位置も、特に限定されない。
【００２２】
検出素子１２３は、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光Ｌの出力（例えば、強度や光量）を監視するためのモニター光Ｌｍを受光する。検出素子１２３は、例えばフォトディテクターである。検出素子１２３の数は、特に限定されず、例えば垂直共振器面発光レーザー１２２と同数である。本実施の形態では、検出素子１２３の数は、１つである。また、検出素子１２３からの反射光が光レセプタクル１４０内に戻ることを防止する観点から、検出素子１２３へ入射するモニター光Ｌｍの光軸は、検出素子１２３の受光面１２６に対して傾斜していてもよい。
【００２３】
光レセプタクル１４０は、光電変換装置１２０の基板１２１上に配置されている。光レセプタクル１４０は、光電変換装置１２０と光伝送体１６０との間に配置された状態で、垂直共振器面発光レーザー１２２の発光面１２４と光伝送体１６０の端面１２５とを光学的に結合させる。以下、光レセプタクル１４０の構成について詳細に説明する。
【００２４】
（光レセプタクルの構成）
図３、図４Ａ〜Ｄおよび図５Ａは、本実施の形態に係る光レセプタクル１４０の構成を示す図である。図３は、光レセプタクル１４０の斜視図であり、図４Ａは、実施の形態１に係る光レセプタクル１４０の平面図であり、図４Ｂは、底面図であり、図４Ｃは、右側面図であり、図４Ｄは、図４Ａに示されるＡ−Ａ線の断面図である。図５は、図４Ａに示されるＢ−Ｂ線の断面図である。
【００２５】
図３、図４Ａ〜Ｄおよび図５に示されるように、光レセプタクル１４０は、透光性を有し、垂直共振器面発光レーザー１２２の発光面１２４から出射された光Ｌの一部を、信号光Ｌｓとして光伝送体１６０の端面１２５に向けて出射させ、他の一部を、モニター光Ｌｍとして検出素子１２３に向けて出射させる。光レセプタクル１４０は、第１光学面１４１と、反射面１４２と、第１反射部１４３と、光分離部１４４と、第２光学面１４５と、第３光学面１４６とを有する。光分離部１４４は、第２反射部１４４Ａと、透過部１４４Ｂとを有する。本実施の形態では、第１光学面１４１と、第１反射部１４３と、透過部１４４Ｂと、第２光学面１４５と、第３光学面１４６との数は、それぞれ１つである。また、本実施の形態では、第２反射部１４４Ａの数は、２つである。
【００２６】
光レセプタクル１４０は、光通信に用いられる波長の光に対して透光性を有する材料を用いて形成される。そのような材料の例には、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）や環状オレフィン樹脂などの透明な樹脂が含まれる。また、例えば、光レセプタクル１４０は、射出成形により製造される。
【００２７】
第１光学面１４１は、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光Ｌを屈折させて光レセプタクル１４０の内部に入射させる光学面である。第１光学面１４１は、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光Ｌを、コリメート光、収束光、または拡散光に変換させうる。本実施の形態では、第１光学面１４１は、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光Ｌをコリメート光に変換させる。本実施の形態では、第１光学面１４１の形状は、垂直共振器面発光レーザー１２２に向かって凸状の凸レンズ面である。また、第１光学面１４１の平面視形状は、円形状である。第１光学面１４１の中心軸は、垂直共振器面発光レーザー１２２の発光面１２４に対して垂直であることが好ましい。また、第１光学面１４１の中心軸は、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光Ｌの光軸と一致することが好ましい。
【００２８】
反射面１４２は、光レセプタクル１４０の天面側に形成された傾斜面であり、第１光学面１４１と第１反射部１４３との間の光路上および第１光学面１４１と光分離部１４４との間の光路上に配置されている。反射面１４２は、第１光学面１４１で入射した光（垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光Ｌ）を、第１反射部１４３および光分離部１４４に向かって反射させる。反射面１４２は、光レセプタクル１４０の底面から天面に向かうにつれて、光伝送体１６０に近づくように傾斜している。本実施の形態では、反射面１４２の傾斜角度は、第１光学面１４１で入射した光Ｌの光軸に対して４５°である。反射面１４２には、第１光学面１４１で入射した光Ｌが、臨界角より大きな入射角で内部入射する。これにより、反射面１４２は、入射した光Ｌを基板１２１の表面に沿う方向に全反射させる。
【００２９】
第１反射部１４３は、第１光学面１４１で入射した光の一部を、検出素子１２３向かうモニター光Ｌｍとして反射させる領域である。第１反射部１４３は、光分離部１４４の第２反射部１４４Ａおよび透過部１４４Ｂと接するように配置されている。本実施の形態では、第１反射部１４３は、光レセプタクル１４０の天面から底面に向かうにつれて第２光学面１４５（光伝送体１６０）に近づくように傾斜した傾斜面である。第１反射部１４３の傾斜角は、第１光学面１４１で入射した光の光軸に対して４５°である。また、本実施の形態では、第１反射部１４３と光分離部１４４との境界は、直線である（図６Ｂ参照）。
【００３０】
光分離部１４４は、第１光学面１４１で入射した光の他の一部（好ましくは残部）を、第３光学面１４６（検出素子１２３）に向かうモニター光Ｌｍと、第２光学面１４５（光伝送体１６０の端面１２５）に向かう信号光Ｌｓとに分離させる。光分離部１４４は、第２反射部１４４Ａと、透過部１４４Ｂとを有する（図６Ｂ参照）。
【００３１】
２つの第２反射部１４４Ａは、光分離部１４４内において光レセプタクル１４０の天面側に配置されている。第２反射部１４４Ａは、第１光学面１４１で入射した光の光軸に対する傾斜面であり、光分離部１４４に入射した前記他の一部の光の一部を第３光学面１４６に向けて反射させる。本実施の形態では、第２反射部１４４Ａは、光レセプタクル１４０の天面から底面に向かうにつれて第２光学面１４５（光伝送体１６０）に近づくように傾斜した傾斜面である。第２反射部１４４Ａの傾斜角は、第１光学面１４１で入射した光の光軸に対して４５°である。本実施の形態では、第２反射部１４４Ａの表面と、第１反射部１４３の表面とは、同一平面となるように配置されている。第２反射部１４４Ａの形状は、特に限定されない。本実施の形態では、第２反射部１４４Ａの形状は、略半円である（図６Ｂ参照）。第２反射部１４４Ａの配置については、後述する。
【００３２】
透過部１４４Ｂは、第２反射部１４４Ａと隣接して配置され、光分離部１４４に入射した前記他の一部の光の一部（第２反射部１４４Ａで反射される光以外の光）を、信号光Ｌｓとして透過させる。透過部１４４Ｂは、少なくとも、２つの第２反射部１４４Ａの間に配置されている。本実施の形態では、透過部１４４Ｂは、２つの第２反射部１４４Ａの間だけでなく、２つの第２反射部１４４Ａの外側および下側にも配置されている。透過部１４４Ｂは、第１反射部１４３と接していることが好ましい。
【００３３】
第２光学面１４５は、光分離部１４４で分離された信号光Ｌｓを、光伝送体１６０の端面１２５に向けて出射させる光学面である。本実施の形態では、第２光学面１４５は、光レセプタクル１４０の正面に、光伝送体１６０の端面１２５と対向するように配置されている。第２光学面１４５の形状は、光伝送体１６０の端面１２５に向かって凸状の凸レンズ面である。これにより、第１光学面１４１で入射され、光分離部１４４で分離された信号光Ｌｓを集光させて、光伝送体１６０の端面１２５に効率良く接続させることができる。
【００３４】
第３光学面１４６は、光レセプタクル１４０の底面側に、検出素子１２３と対向するように配置されている。本実施の形態では、第３光学面１４６は、検出素子１２３に向かって凸状の凸レンズ面である。第３光学面１４６は、第１反射部１４３と、光分離部１４４の第２反射部１４４Ａで分離されたモニター光Ｌｍを収束させて検出素子１２３に向けて出射させる。これにより、モニター光Ｌｍを検出素子１２３に効率良く結合させることができる。第３光学面１４６の中心軸は、検出素子１２３の受光面１２６（基板１２１）に対して垂直でもよいし、傾斜していてもよい。
【００３５】
ここで、第２反射部１４４Ａの配置方法について説明する。図６Ａおよび図６Ｂは、第２反射部１４４Ａの配置方向を説明するための図である。
【００３６】
（１）垂直共振器面発光レーザー１２２の発光面１２４の中心を通る法線を含み、２つの第２反射部１４４Ａの配列方向（図２において紙面に垂直な方向）と平行な断面において、使用できる最大電流を垂直共振器面発光レーザー１２２に流したときの、前記法線に対する角度と、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光の光強度との関係を示す第１曲線Ｃ１を求める（図６Ａ参照）。このとき、前記法線に沿う方向を０°とする。
【００３７】
（２）第１曲線Ｃ１において、前記断面において前記法線に対して一方側（図６Ａでは左側）の前記法線に対する角度をマイナスとし、他方側（図６Ａでは右側）の前記法線に対する角度をプラスとした場合、第１曲線Ｃ１において、当該角度がマイナスの領域における光強度が最大の第１最大値Ｍ１と、当該角度がプラスの領域における光強度が最大の第２最大値Ｍ２とを求める。
【００３８】
（３）前記断面において、使用できる最小電流を垂直共振器面発光レーザー１２２に流したときの、前記法線に対する角度と、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光の光強度との関係を示す第２曲線Ｃ２を求める。このときも、前記法線に沿う方向を０°とする。
【００３９】
（４）前記角度が０°から第１最大値Ｍ１に対応する角度θ１までの範囲内において、第１曲線Ｃ１における光強度と、第２曲線Ｃ２における光強度との差が最小である第１最小差ｄ１を決定し、そのときの角度である第１最小差角度θ３を求める。
【００４０】
（５）前記角度が０°から第２最大値Ｍ２に対応する角度θ２までの範囲内において、第１曲線Ｃ１における光強度と、第２曲線Ｃ２における光強度との差が最小である第２最小差ｄ２を決定し、そのときの角度である第２最小差角度θ４を求める。
【００４１】
（６）２つの第２反射部１４４Ａを、第１最小差角度θ３および第２最小差角度θ４で出射された光が到達する位置に配置する。具体的には、図６Ｂに示されるように、２つの透過部１４４Ｂを、垂直共振器面発光レーザー１２２から角度θ３および角度θ４で出射した光が透過するように配置する。
【００４２】
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る光モジュール１００では、光レセプタクル１４０において、電流の変化による光強度の変動が小さい出射角度の光が到達する部分に、モニター光を生成するための第２反射部１４４Ａを配置している。よって、本実施の形態に係る光モジュール１００は、電流の変化によって垂直共振器面発光レーザー１２２からの光の強度が変動しても、検出素子１３２に到達するモニター光の光量を確保できるため、垂直共振器面発光レーザー１２２から出射された光の出力を適切に監視できる。
【００４３】
［実施の形態２］
（光モジュールの構成）
実施の形態２に係る光モジュール２００は、光レセプタクル２４０がレンズアレイ型であり、光送信の多チャンネル化（本実施の形態では、４チャンネル化）に対応できる構成となっている点で、実施の形態１に係る光モジュール１００と異なる。以下、実施の形態１と同様の構成については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
図７は、実施の形態２に係る光モジュール２００の断面図である。図７に示されるように、光モジュール２００は、垂直共振器面発光レーザー１２２を含む基板実装型の光電変換装置２２０と、光レセプタクル２４０と、を有する。
【００４５】
本実施の形態に係る光モジュール２００では、光伝送体１６０は、多芯一括型のコネクター内に収容された状態で公知の取付手段を介して光レセプタクル２４０に取り付けられている。本実施の形態では、４本の光伝送体１６０が、一定間隔で１列に配列されている。なお、光伝送体１６０は、２列以上に配列されていてもよい。
【００４６】
光電変換装置２２０は、基板１２１と、複数の垂直共振器面発光レーザー１２２と、複数の検出素子１２３と、を有する。垂直共振器面発光レーザー１２２および検出素子１２３の数は、複数であれば特に限定されない。本実施の形態では、垂直共振器面発光レーザー１２２および検出素子１２３の数は、それぞれ４つである。
【００４７】
４つの垂直共振器面発光レーザー１２２は、基板１２１上に一列に配列されている。図７では、４つの垂直共振器面発光レーザー１２２は、紙面に垂直な方向に一列に配列されている。４つの垂直共振器面発光レーザー１２２は、一定間隔で光伝送体１６０の配列方向に沿って配列されている。
【００４８】
４つの検出素子１２３は、基板１２１上に配置されている。４つの検出素子１２３は、４つの垂直共振器面発光レーザー１２２に対応して一定間隔で１列に配列されている。
【００４９】
（光レセプタクルの構成）
図８、図９Ａ〜Ｃおよび図１０Ａ、Ｂは、本実施の形態に係る光レセプタクル２４０の構成を示す図である。図８は、光レセプタクル２４０の斜視図である。図９Ａは、光レセプタクル２４０の平面図であり、図９Ｂは、底面図であり、図９Ｃは、右側面図である。図１０Ａは、図９Ａに示されるＡ−Ａ線の断面図であり、図１０Ｂは、図９Ａに示されるＢ−Ｂ線の断面図である。
【００５０】
図８、図９Ａ〜Ｃおよび図１０Ａ、Ｂに示されるように、本実施の形態に係る光レセプタクル２４０は、複数の第１光学面１４１、反射面１４２、複数の第１反射部１４３、複数の第２反射部１４４Ａ、複数の透過部１４４Ｂ、複数の第２光学面１４５および複数の第３光学面１４６を有する。本実施の形態では、第１光学面１４１、第２光学面１４５および第３光学面１４６の数は、それぞれ４つである。また、本実施の形態では、第２反射部１４４Ａの数は、８つである。
【００５１】
（効果）
本実施の形態に係る光モジュール２００は、実施の形態１の効果に加え、監視を伴う光送信の多チャンネル化に対応することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明に係る光レセプタクルおよび光モジュールは、光伝送体を用いた光通信に有用である。
【符号の説明】
【００５３】
１００、２００  光モジュール
１２０、２２０  光電変換装置
１２１  基板
１２２  垂直共振器面発光レーザー
１２３  検出素子
１２４  発光面
１２５  端面
１２６  受光面
１４０、２４０  光レセプタクル
１４１  第１光学面
１４２  反射面
１４３  第１反射部
１４４  光分離部
１４４Ａ  第２反射部
１４４Ｂ  透過部
１４５  第２光学面
１４６  第３光学面
１６０  光伝送体
１６２  フェルール
Ｌ  出射光
Ｌｍ  モニター光
Ｌｓ  信号光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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