(57)【要約】【課題】光デバイス層を移設する際に移設部材に与えてしまうダメージを低減することが可能なリフトオフ方法を提供すること。【解決手段】リフトオフ方法は、光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面に、パルスレーザービーム３００の波長を吸収する吸光材を含む接合層１２０を介して移設基板１３０を接合して複合基板２００を形成する移設基板接合ステップと、複合基板２００を構成する光デバイスウエーハ１００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側からエピタキシー基板１０１に対しては透過性を有しバッファ層１０３に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３００を照射し、バッファ層１０３を破壊するバッファ層破壊ステップと、エピタキシー基板１０１を光デバイス層１０４から剥離して光デバイス層１０４を移設基板１３０に移設する光デバイス層移設ステップと、を備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、
光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合層を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、
該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、該バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、
該バッファ層破壊ステップの後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を備え、
該移設基板接合ステップにおいて使用される接合層は、該パルスレーザービームの波長を吸収する吸光材を含むことを特徴とするリフトオフ方法。
【請求項２】
該吸光材は、有機系紫外線吸収剤と無機系紫外線吸収剤との少なくともいずれかを含み、
該パルスレーザービームは、紫外線領域の波長を有することを特徴とする請求項１に記載のリフトオフ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リフトオフ方法、特に、エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、接合材を介して移設基板に接合し、エピタキシー基板の裏面側からレーザー光線を照射してバッファ層を破壊することで、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離させ、光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフと呼ばれる製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−０７２０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法では、例えばバッファ層と光デバイス層を先にチップサイズに分割した状態で移設部材に接合されている場合、エピタキシー基板の全面をレーザー加工することにより、光デバイス層がない部分にもレーザービームが照射されるため、移設基板側にもレーザービームが照射されてしまい、移設部材にダメージを与えてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、光デバイス層を移設する際に移設部材に与えてしまうダメージを低減することが可能なリフトオフ方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のリフトオフ方法は、エピタキシー基板の表面にバッファ層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を、移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合層を介して移設基板を接合して複合基板を形成する移設基板接合ステップと、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側からエピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファ層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、該バッファ層を破壊するバッファ層破壊ステップと、該バッファ層破壊ステップの後に、エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を備え、該移設基板接合ステップにおいて使用される接合層は、該パルスレーザービームの波長を吸収する吸光材を含むことを特徴とする。
【０００７】
該吸光材は、有機系紫外線吸収剤と無機系紫外線吸収剤との少なくともいずれかを含み、該パルスレーザービームは、紫外線領域の波長を有していてもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本願発明のリフトオフ方法は、光デバイス層を移設する際に移設部材に与えてしまうダメージを低減することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの一例を示す断面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップを示す斜視図である。
【図５】図５は、図３に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップを示す断面図である。
【図６】図６は、図３に示されたリフトオフ方法のバッファ層破壊ステップを示す斜視図である。
【図７】図７は、図３に示されたリフトオフ方法のバッファ層破壊ステップを示す断面図である。
【図８】図８は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップを示す斜視図である。
【図９】図９は、実施形態２に係るリフトオフ方法の移設基板接合ステップを示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態３に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの別の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの一例を示す断面図である。
【００１２】
実施形態１に係るリフトオフ方法は、図１及び図２に示す光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４を、後述する移設基板１３０（図４参照）に移し替える方法である。実施形態１では、被加工物は、図１及び図２に示すように、光デバイス１０７を製造するための光デバイスウエーハ１００である。光デバイスウエーハ１００は、エピタキシー基板１０１と、エピタキシー基板１０１の表面１０２側にバッファ層１０３を介して積層された光デバイス層１０４と、を含む。
【００１３】
エピタキシー基板１０１は、実施形態１では、直径が５０ｍｍ程度で厚みが３００μｍ程度の円板形状を有するサファイア基板である。光デバイス層１０４は、実施形態１では、エピタキシー基板１０１の表面１０２にエピタキシャル成長法によって１０μｍ程度の厚さで形成されるｎ型窒化ガリウム半導体層１１１及びｐ型窒化ガリウム半導体層１１２である。
【００１４】
光デバイス層１０４は、実施形態１では、格子状に交差した複数の分割予定ライン１０６によって区画された複数の領域に積層され、光デバイス１０７を形成している。光デバイス層１０４同士の層方向の間隔、すなわち、光デバイス１０７同士の層方向の間隔は、分割予定ライン１０６の幅と同じであり、実施形態１では、５μｍ程度である。また、光デバイス層１０４の層方向の大きさ、すなわち、光デバイス１０７の層方向の大きさは、分割予定ライン１０６同士の間隔と同じであり、実施形態１では、１０μｍ以上２０μｍ以下である。すなわち、光デバイス層１０４は、実施形態１では、直径が２インチのエピタキシー基板１０１に２００万個程度の光デバイス１０７が形成されている。
【００１５】
バッファ層１０３は、実施形態１では、エピタキシー基板１０１に光デバイス層１０４を積層する際に、エピタキシー基板１０１の表面１０２と光デバイス層１０４のｐ型窒化ガリウム半導体層１１２との間に形成される厚みが１μｍ程度の窒化ガリウム（ＧａＮ）層である。
【００１６】
図３は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るリフトオフ方法は、図３に示すように、移設基板接合ステップＳＴ１と、バッファ層破壊ステップＳＴ２と、光デバイス層移設ステップＳＴ３と、を備える。
【００１７】
（移設基板接合ステップ）
図４は、図３に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップを示す斜視図である。図５は、図３に示されたリフトオフ方法の移設基板接合ステップを示す断面図である。移設基板接合ステップＳＴ１は、図４に示すように、光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８に接合層１２０を介して、移設部材である移設基板１３０を接合して、図５に示す複合基板２００を形成するステップである。
【００１８】
移設基板接合ステップＳＴ１において使用される接合層１２０は、後述するバッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００（図６及び図７参照）の波長の光を吸収する吸光材を含む。接合層１２０は、実施形態１では、図５及び図６に示すように、レーザービーム吸収層１２１と、接合金属層１２２と、を有する。接合層１２０は、実施形態１では、レーザービーム吸収層１２１が光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８側に配され、接合金属層１２２が移設基板１３０側に配された形態であるが、本発明はこれに限定されず、レーザービーム吸収層１２１と接合金属層１２２とが入れ替わって配されてもよいし、複数層に分けて交互に積層されてもよい。
【００１９】
接合層１２０の厚みは、実施形態１では、１μｍ以上１０μｍ以下である。レーザービーム吸収層１２１の厚みは、実施形態１では、０．５μｍ以上９．５μｍ以下である。接合金属層１２２の厚みは、実施形態１では、０．５μｍ以上９．５μｍ以下である。接合層１２０、レーザービーム吸収層１２１及び接合金属層１２２の各厚みは、本発明では、上記した範囲に限定されず、適宜変更することができる。
【００２０】
レーザービーム吸収層１２１は、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００の波長の光を吸収する吸光材を含む層である。レーザービーム吸収層１２１は、吸光材をレーザービーム吸収層１２１の層方向の全体に渡って含むことが好ましい。レーザービーム吸収層１２１は、吸光材により、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００を吸収する。
【００２１】
レーザービーム吸収層１２１が含む吸光材は、実施形態１では、バッファ層破壊ステップＳＴ２において紫外線領域の波長を有するパルスレーザービーム３００が用いられるため、紫外線吸収材を含む。レーザービーム吸収層１２１が含む吸光材は、紫外線吸収材を１種類、または２種類以上複合して用いることができる。レーザービーム吸収層１２１が含む吸光材は、具体的には、紫外線を吸収する有機化合物である有機系紫外線吸収剤と無機系紫外線吸収剤との少なくともいずれかを含む。
【００２２】
レーザービーム吸収層１２１が含む吸光材に採用することができる有機系紫外線吸収剤は、例えば、有機系紫外線吸収剤としては、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール等のベンゾトリアゾール系化合物、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクチルオキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物、フェニルサリチレート、４−ｔ−ブチルフェニルサリチレート、２，５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸ｎ−ヘキサデシルエステル、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−４′−ヒドロキシベンゾエート等のヒドロキシベンゾエート系化合物、等が挙げられる。
【００２３】
レーザービーム吸収層１２１が含む吸光材に採用することができる無機系紫外線吸収剤は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム、酸化鉄、硫酸バリウム、等が挙げられる。
【００２４】
接合金属層１２２は、光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８に移設基板１３０を接合する層である。接合金属層１２２は、実施形態１では、金錫（ＡｕＳｎ）が好適な金属材料として用いられているが、本発明はこれに限定されず、ＡｕＳｎ（金錫）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、等を用いることができる。また、接合金属層１２２は、上記した金属材料を１種類、または２種類以上複合して用いることができる。
【００２５】
移設基板１３０は、実施形態１では、厚みが１ｍｍの銅（Ｃｕ）基板が好適な基板として用いられているが、本発明はこれに限定されず、モリブデン（Ｍｏ）基板、シリコン（Ｓｉ）基板、等を用いることができる。また、移設基板１３０は、上記した材料を１種類、または２種類以上複合した基板を用いることができる。
【００２６】
移設基板接合ステップＳＴ１では、具体的には、まず、移設基板１３０の一方の面に接合金属層１２２を蒸着して形成する。移設基板接合ステップＳＴ１では、次に、形成した接合金属層１２２の露出面にレーザービーム吸収層１２１を蒸着して形成する。移設基板接合ステップＳＴ１では、その後、形成したレーザービーム吸収層１２１の露出面と光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８側とを対面させて圧着することで、図５に示す複合基板２００を形成する。
【００２７】
なお、移設基板接合ステップＳＴ１は、上記したように移設基板１３０に接合層１２０を形成する形態に限定されず、光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８側に接合層１２０を形成してもよい。すなわち、移設基板接合ステップＳＴ１では、光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８側にレーザービーム吸収層１２１及び接合金属層１２２を逐次蒸着して形成し、形成した接合金属層１２２と移設基板１３０とを対面させて圧着することで、図５に示すものと同様の複合基板２００を形成してもよい。なお、この方法で複合基板２００を形成した場合、形成されたレーザービーム吸収層１２１及び接合金属層１２２は、移設基板１３０に密着した形態ではなく、光デバイスウエーハ１００の光デバイス層１０４の表面１０８側に密着した形態となる。
【００２８】
また、移設基板接合ステップＳＴ１は、上記したように接合層１２０を蒸着して形成する形態に限定されず、スパッタリングにより形成してもよいし、接合層１２０の材料を含む液体を塗布して溶媒を乾燥させることにより形成してもよい。接合層１２０は、接合層１２０を構成する材料に応じて、適宜形成する形態を変更することができる。
【００２９】
（バッファ層破壊ステップ）
図６は、図３に示されたリフトオフ方法のバッファ層破壊ステップを示す斜視図である。図７は、図３に示されたリフトオフ方法のバッファ層破壊ステップを示す断面図である。バッファ層破壊ステップＳＴ２は、図６及び図７に示すように、複合基板２００を構成する光デバイスウエーハ１００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側からエピタキシー基板１０１に対しては透過性を有し、バッファ層１０３に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービーム３００を照射し、バッファ層１０３を破壊するステップである。
【００３０】
バッファ層破壊ステップＳＴ２は、図６及び図７に示すレーザー加工装置１０を用いて実行される。レーザー加工装置１０は、図６に示すように、複合基板２００の移設基板１３０側を保持面１１で保持する保持テーブル１２と、保持テーブル１２に保持された複合基板２００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側から上記した所定の波長のパルスレーザービーム３００を照射するレーザービーム照射手段１５と、保持テーブル１２に保持された複合基板２００を撮像する撮像手段１９と、保持テーブル１２を鉛直方向回りに回転駆動する図示しない回転駆動源と、保持テーブル１２を水平方向に移動させる図示しない水平方向移動ユニットと、各構成要素を制御する図示しない制御ユニットと、を備える。
【００３１】
レーザー加工装置１０が備えるレーザービーム照射手段１５は、図７に示すように、レーザー光線発振手段１６と、光学ミラー１７と、集光レンズ１８と、を備える。レーザー光線発振手段１６は、上記した所定の波長のパルスレーザービーム３００を発振する機器であり、実施形態１では、ネオジウム（Ｎｄ）イオン等がドープされたＹＡＧ等の結晶をレーザーダイオード  (LASER  Diode、ＬＤ）により励起して波長約１μｍのレーザー光を出力し、その４倍波である波長約２５７ｎｍの紫外線レーザー光をパルスレーザービーム３００として発振するレーザー光線発振器が好適なものとして用いられる。
【００３２】
レーザー光線発振手段１６は、実施形態１では、図示しない制御ユニットに制御されて、繰り返し周波数が５０ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下であり、平均出力が０．１Ｗ以上２．０Ｗ以下であり、パルス幅が２０ｐｓ以下のパルスレーザービーム３００を発振する。
【００３３】
光学ミラー１７は、レーザー光線発振手段１６から発振されたパルスレーザービーム３００を反射して、保持テーブル１２に保持された複合基板２００の裏面１０９に直交する方向に向きを変更する。光学ミラー１７は、図示しない制御ユニットに制御された図示しない駆動部により回転駆動することで、レーザー光線発振手段１６から発振されたパルスレーザービーム３００の反射方向を調整することができる。
【００３４】
集光レンズ１８は、光学ミラー１７によって反射したパルスレーザービーム３００を集光する。集光レンズ１８は、図示しない制御ユニットに制御された図示しない駆動部により駆動することで、パルスレーザービーム３００のスポット径及びデフォーカスを調整することができる。集光レンズ１８は、実施形態１では、パルスレーザービーム３００のスポット径を１０μｍ以上５０μｍ以下に調整する。
【００３５】
パルスレーザービーム３００のデフォーカスとは、パルスレーザービーム３００の集光点を試料の最表面に位置づけた状態を基準として試料から遠ざけた量を示すパラメータであり、実施形態１では、パルスレーザービーム３００の集光点を複合基板２００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９から遠ざけた量のことを示す。集光レンズ１８は、実施形態１では、パルスレーザービーム３００のデフォーカスを約１．０ｍｍに調整する。
【００３６】
バッファ層破壊ステップＳＴ２では、具体的には、まず、レーザー加工装置１０が、撮像手段１９により複合基板２００を撮像して、複合基板２００とレーザービーム照射手段１５との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。なお、バッファ層破壊ステップＳＴ２は、図示しない回転駆動源及び水平方向移動ユニットにより複合基板２００に対するレーザービーム照射手段１５の水平方向の相対位置を回転移動または平行移動させることで、複合基板２００におけるパルスレーザービーム３００の水平方向の照射位置を適切に移動させながら実行される。
【００３７】
バッファ層破壊ステップＳＴ２では、次に、レーザー加工装置１０が、複合基板２００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側から、バッファ層１０３に集光点を調整したパルスレーザービーム３００を照射することにより、バッファ層１０３の一部または全部を破壊して、剥離層１１５（図８参照）を生成する。バッファ層破壊ステップＳＴ２では、実施形態１では、窒化ガリウム層であるバッファ層１０３に波長約２５７ｎｍの紫外線レーザー光のパルスレーザービーム３００を照射することで、バッファ層１０３の一部または全部が分解反応を起こし、Ｎ２ガス層とＧａ層とからなる剥離層１１５を生成する。
【００３８】
（光デバイス層移設ステップ）
図８は、図３に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップを示す斜視図である。光デバイス層移設ステップＳＴ３は、図８に示すように、バッファ層破壊ステップＳＴ２の後に、エピタキシー基板１０１を光デバイス層１０４から剥離して光デバイス層１０４を移設基板１３０に移設するステップである。
【００３９】
光デバイス層移設ステップＳＴ３は、図８に示す剥離装置２０を用いて実行される。剥離装置２０は、図８に示すように、剥離層１１５が生成された複合基板２００の移設基板１３０側を保持面２１で保持する保持テーブル２２と、保持テーブル２２に保持された複合基板２００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側の一部または全部に面接触する接触面２６を有し、円板形状を有するホーン２５と、ホーン２５に配設されかつホーン２５を超音波振動させる超音波振動手段２８と、各構成要素を制御する図示しない制御ユニットと、を備える。
【００４０】
光デバイス層移設ステップＳＴ３では、具体的には、剥離装置２０が、超音波振動手段２８によりホーン２５を超音波振動させることで、ホーン２５に発生する超音波振動が、接触面２６を介して、保持テーブル２２の保持面２１で保持された複合基板２００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側に伝達される。光デバイス層移設ステップＳＴ３では、複合基板２００のエピタキシー基板１０１の裏面１０９側に伝達された超音波振動により、バッファ層破壊ステップＳＴ２で破壊されたバッファ層１０３、すなわち剥離層１１５を起点として、エピタキシー基板１０１と光デバイス層１０４との間で破断が生じることに伴い、エピタキシー基板１０１を光デバイス層１０４から剥離して光デバイス層１０４を移設基板１３０に移設する。
【００４１】
実施形態１に係るリフトオフ方法は、以上のように、移設基板接合ステップＳＴ１において使用される接合層１２０が、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００の波長を吸収する吸光材を含む。このため、実施形態１に係るリフトオフ方法は、バッファ層破壊ステップＳＴ２において接合層１２０がパルスレーザービーム３００を吸収して、パルスレーザービーム３００が移設基板１３０に到達する光量を低減することができ、これにより、光デバイス層１０４を移設する際に移設部材である移設基板１３０に与えてしまうダメージを低減することができる。
【００４２】
また、実施形態１に係るリフトオフ方法は、移設基板接合ステップＳＴ１において使用される接合層１２０が、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００の波長を吸収する吸光材を層方向の全体に渡って含む。このため、実施形態１に係るリフトオフ方法は、層方向のいかなる位置においても、パルスレーザービーム３００が移設基板１３０に到達する光量を低減することができ、光デバイス層１０４を移設する際に移設基板１３０に与えてしまうダメージを低減することができる。
【００４３】
また、実施形態１に係るリフトオフ方法は、移設基板接合ステップＳＴ１において使用される接合層１２０が、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００の波長を吸収する吸光材を層方向の全体に渡って含むレーザービーム吸収層１２１を有する。このため、実施形態１に係るリフトオフ方法は、より確実に、層方向の全体に渡って、光デバイス層１０４を移設する際に移設基板１３０に与えてしまうダメージを低減することができる。
【００４４】
また、実施形態１に係るリフトオフ方法は、移設基板接合ステップＳＴ１において使用される接合層１２０に含まれる吸光材が、有機系紫外線吸収剤と無機系紫外線吸収剤との少なくともいずれかを含み、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００が、紫外線領域の波長を有する。このため、実施形態１に係るリフトオフ方法は、バッファ層破壊ステップＳＴ２において、破壊性の強い紫外線レーザー光でバッファ層１０３を確実に破壊して剥離層１１５を形成することができるとともに、破壊性の強い紫外線レーザー光による移設基板１３０へのダメージを、有機系紫外線吸収剤と無機系紫外線吸収剤との少なくともいずれかを含む吸光材により確実に低減することができる。なお、本発明は、接合層１２０に含まれる吸光材に紫外線吸収材を用い、かつ、パルスレーザービーム３００として紫外線レーザー光を用いる実施形態１に限定されず、接合層１２０に含まれる吸光材の光吸収波長領域が、パルスレーザービーム３００の波長を含んでいる形態であれば、いかなる形態であってもよい。
【００４５】
なお、従来では、バッファ層を破壊するためのレーザービームによる移設部材へのダメージを低減するために、光デバイス層が設けられていない領域、すなわち分割予定ラインが設けられている領域を保護するマスクが作製されて使用されていた。しかし、実施形態１のように光デバイス層１０４同士の層方向の間隔が５μｍ程度と狭く、光デバイス層１０４の層方向の大きさが１０μｍ以上２０μｍ以下と小さく、直径が２インチのエピタキシー基板１０１に２００万箇所程度の光デバイス層１０４が形成されるような光デバイスウエーハ１００に対してリフトオフ処理を実行する場合には、この従来の方法を実行するためのマスクを作製すること自体が困難であり、仮にマスクを作製したとしても、マスクの作製コストが膨大になる可能性があった。そこで、実施形態１に係るリフトオフ方法は、このような従来の方法で使用していたマスクの作製を不要とするため、従来の方法と比較して、リフトオフ処理にかかるコストを大幅に低減することができる。
【００４６】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態２に係るリフトオフ方法の移設基板接合ステップを示す断面図である。なお、図９は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４７】
実施形態２に係るリフトオフ方法は、実施形態１に係るリフトオフ方法において、移設基板接合ステップＳＴ１で形成する接合層１２０を、実施形態１に係るレーザービーム吸収層１２１及び接合金属層１２２から、接合吸収層１２３に変更したものである。実施形態２に係るリフトオフ方法は、その他の構成については、実施形態１に係るリフトオフ方法と同様であるので、その詳細な説明を省略する。
【００４８】
接合吸収層１２３は、レーザービーム吸収層１２１と同様に、バッファ層破壊ステップＳＴ２において使用されるパルスレーザービーム３００の波長の光を吸収する吸光材を含む。接合吸収層１２３は、具体的には、レーザービーム吸収層１２１に使用される材料と、接合金属層１２２に使用される材料とを混合した混合材料が用いられる。このため、接合吸収層１２３は、レーザービーム吸収層１２１が有するパルスレーザービーム３００の吸収機能と、接合金属層１２２が有する光デバイス層１０４の表面１０８と移設基板１３０との接合機能との両方を備える層となっている。
【００４９】
実施形態２に係るリフトオフ方法は、以上のような構成を有するので、実施形態１に係るリフトオフ方法とほぼ同様の作用効果が得られる。実施形態２に係るリフトオフ方法は、さらに、接合層１２０としてパルスレーザービーム３００の吸収機能と光デバイス層１０４の表面１０８と移設基板１３０との接合機能との両方を備えるので、光デバイス層１０４の表面１０８と移設基板１３０との両方に対してバランスのいい接合性を担保できるとともに、パルスレーザービーム３００の吸収機能を発揮することで、より好適に、移設基板１３０に与えてしまうダメージを低減した光デバイス層１０４の移設処理を実行することを可能にする。
【００５０】
〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態３に係るリフトオフ方法の加工対象の光デバイスウエーハの別の一例を示す斜視図である。
【００５１】
実施形態３に係るリフトオフ方法は、実施形態１に係るリフトオフ方法において、被加工物の光デバイスウエーハ１００の形状を円板状から長方板状に変更したものである。実施形態３に係るリフトオフ方法は、その他の構成については、実施形態１に係るリフトオフ方法と同様であるので、その詳細な説明を省略する。
【００５２】
実施形態３では、被加工物は、図１０に示すように、光デバイス４０７を製造するための光デバイスウエーハ４００である。光デバイスウエーハ４００は、エピタキシー基板４０１と、エピタキシー基板４０１の表面４０２側にバッファ層４０３を介して積層された光デバイス層４０４と、を含む。光デバイス層４０４は、実施形態３では、格子状に交差した複数の分割予定ライン４０６によって区画された複数の領域に積層され、光デバイス４０７を形成している。
【００５３】
実施形態３に係る光デバイスウエーハ４００、エピタキシー基板４０１、バッファ層４０３、光デバイス層４０４及び光デバイス４０７は、それぞれ、実施形態１に係る光デバイスウエーハ１００、エピタキシー基板１０１、バッファ層１０３、光デバイス層１０４及び光デバイス１０７に対応し、その形状を円板状から長方板状に変更したものである。また、実施形態３に係る表面４０２、分割予定ライン４０６、表面４０８及び裏面４０９は、それぞれ、実施形態１に係る表面１０２、分割予定ライン１０６、表面１０８及び裏面１０９に対応している。
【００５４】
実施形態３に係るリフトオフ方法は、以上のような構成を有するので、実施形態１に係るリフトオフ方法と同様の作用効果が得られる。なお、実施形態１に係るリフトオフ方法において被加工物の光デバイスウエーハ１００の形状を円板状から長方板状に変更することと同様に、実施形態２に係るリフトオフ方法において被加工物の光デバイスウエーハ１００の形状を円板状から長方板状に変更してもよい。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０  レーザー加工装置
２０  剥離装置
１００，４００  光デバイスウエーハ
１０１，４０１  エピタキシー基板
１０２，１０８，４０２，４０８  表面
１０３，４０３  バッファ層
１０４，４０４  光デバイス層
１０９，４０９  裏面
１１５  剥離層
１２０  接合層
１２１  レーザービーム吸収層
１２２  接合金属層
１２３  接合吸収層
１３０  移設基板
２００  複合基板
３００  パルスレーザービーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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