(57)【要約】【課題】耐割れ性を有し且つ室温から高温までのＢｓの低下幅が抑えられた垂直磁気記録媒体の軟磁性層及び軟磁性層形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】軟磁性層は、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる第１の群より選択される元素を１種又は２種以上含有し、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種又は２種以上含有し、Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる第２の群より選択される元素を１種又は２種以上含有し、残部がＣｏ及び／又はＦｅ並びに不可避的不純物からなり、（１）ＴＭ１＜２５at.％、（２）１at.％≦ＴＬＡ≦１３at.％、（３）１at.％≦ＴＭ２≦１３at.％、を満たす。但し、ＴＭ１は第１の群の元素の含有量（Ｂの含有量のみ１／２倍）の合計、ＴＬＡはランタノイドに属する元素の含有量の合計、ＴＭ２は第２の群の元素の含有量の合計。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる第１の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種または２種以上含有し、Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる第２の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、残部がＣｏ及び／又はＦｅならびに不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とする、
垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット。
（１）ＴＭ１＜２５at.％
（２）１at.％≦ＴＬＡ≦１３at.％
（３）１at.％≦ＴＭ２≦１３at.％
但し、ＴＭ１はＴｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｙ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｂ／２の含有量の合計［at.％］、ＴＬＡは原子番号５７〜７１のランタノイドに属する元素の含有量の合計［at.％］、ＴＭ２はＲｕ＋Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｇｅ＋Ｓｎ＋Ｇａの含有量の合計［at.％］。
【請求項２】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる第１の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種または２種以上含有し、Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる第２の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、残部がＣｏ及び／又はＦｅならびに不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とする、
垂直磁気記録媒体の軟磁性層。
（１）ＴＭ１＜２５at.％
（２）１at.％≦ＴＬＡ≦１３at.％
（３）１at.％≦ＴＭ２≦１３at.％
但し、ＴＭ１はＴｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｙ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｂ／２の含有量の合計［at.％］、ＴＬＡは原子番号５７〜７１のランタノイドに属する元素の含有量の合計［at.％］、ＴＭ２はＲｕ＋Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｇｅ＋Ｓｎ＋Ｇａの含有量の合計［at.％］。
【請求項３】
請求項２に記載の軟磁性層を有することを特徴とする、垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット、並びに、垂直磁気記録媒体及びその軟磁性層に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスクドライブの磁気記録の高密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。垂直磁気記録方式で情報を記憶する垂直磁気記録媒体は、一般に、ガラスなどの非磁性基板上に、軟磁性裏打ち層（以下、単に「軟磁性層」と称する）、非磁性中間層、記録信号を保持する磁気記録層、及び、カーボン保護層が順次積層された多層構造を有する。
【０００３】
軟磁性層の材料には、一般に、高い飽和磁束密度（以下、Ｂｓと記す）と非晶質性とを有するＣｏ−Ｆｅ系合金が用いられる。垂直磁気記録媒体の用途や使用環境によっては、軟磁性層が、高耐食性、高硬度などの様々な付加的特性を有することがある。例えば、特許文献１の軟磁性層は、Ｆｅの添加によりＢｓが高められ、Ｂの添加により硬度が高められている。また、特許文献２の軟磁性層は、Ｙ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｔｉの添加により耐候性が改善されている。
【０００４】
近年では、垂直磁気記録媒体へ従来よりも低い磁束での書き込みが可能となったことから、軟磁性層の高Ｂｓの重要性が薄れている。そのため、軟磁性層の材料として比較的低Ｂｓの非晶質合金が検討されている。低Ｂｓの非晶質合金からなる軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体では、軟磁性膜中の記録磁化が周囲に与える磁気的な影響が抑えられる。これにより、記録情報一つあたりの表面積が低減可能であり、垂直磁気記録媒体の記録密度の向上に寄与することができる。
【０００５】
しかし、上記のような低Ｂｓの非晶質合金からなる軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体では、ハードディスクドライブが曝される高温（例えば、７０〜１５０℃程度）環境下でのＢｓの低下が著しく、軟磁性層が裏打ち層としての機能を十分に果たせない。このような課題に対し、特許文献３において、本願の発明者らは、ランタノイドに属する元素が添加された軟磁性層用合金は、室温で同等のＢｓを有する合金と比較して室温から１５０℃までのＢｓの低下幅が著しく小さくなることを見出し、垂直磁気記録媒体における軟磁性層用（Ｃｏ，Ｆｅ）−ランタノイド系合金を提案した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２９９９０５号公報
【特許文献２】特開２０１１−６８９８５号公報
【特許文献３】特開２０１３−７３６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、特許文献３の軟磁性層用（Ｃｏ，Ｆｅ）−ランタノイド系合金は、主成分であるＣｏ，Ｆｅとランタノイドとが容易に金属間化合物を生成することから、この合金と同じ組成を有するスパッタリングターゲットが脆くなるおそれがあり、耐割れ性の観点から改善の余地が残されている。
【０００８】
そこで本発明では、耐割れ性を有し、且つ、室温からそれより高温までのＢｓの低下幅が抑えられた垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット、軟磁性層、及び、この軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲットは、
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる第１の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種または２種以上含有し、Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる第２の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、残部がＣｏ及び／又はＦｅ並びに不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とする。
（１）ＴＭ１＜２５at.％
（２）１at.％≦ＴＬＡ≦１３at.％
（３）１at.％≦ＴＭ２≦１３at.％
但し、ＴＭ１はＴｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｙ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｂ／２の含有量の合計［at.％］、ＴＬＡは原子番号５７〜７１のランタノイドに属する元素の含有量の合計［at.％］、ＴＭ２はＲｕ＋Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｇｅ＋Ｓｎ＋Ｇａの含有量の合計［at.％］。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層は、
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる第１の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種または２種以上含有し、Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる第２の群より選択される元素を１種または２種以上含有し、残部がＣｏ及び／又はＦｅ及び不可避的不純物からなり、下記の式（１）〜（３）を全て満たすことを特徴とする。
（１）ＴＭ１＜２５at.％
（２）１at.％≦ＴＬＡ≦１３at.％
（３）１at.％≦ＴＭ２≦１３at.％
但し、ＴＭ１はＴｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｙ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｂ／２の含有量の合計［at.％］、ＴＬＡは原子番号５７〜７１のランタノイドに属する元素の含有量の合計［at.％］、ＴＭ２はＲｕ＋Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｇｅ＋Ｓｎ＋Ｇａの含有量の合計［at.％］。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る垂直磁気記録媒体は、上記の軟磁性層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、耐割れ性を有し、且つ、室温からそれより高温までのＢｓの低下幅が抑えられた垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲット、軟磁性層、及び、この軟磁性層を有する垂直磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層は、軟磁性層形成用Ｃｏ−Ｆｅ系合金（以下、単に「Ｃｏ−Ｆｅ系合金」と称する）からなる。このＣｏ−Ｆｅ系合金は、
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる第１の群（以下、「Ｍ１群」と称する）より選択される元素を１種または２種以上含有し、
原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素を１種または２種以上含有し、
Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる第２の群（以下、「Ｍ２群」と称する）より選択される元素を１種または２種以上含有し、
残部がＣｏ及び／又はＦｅ、並びに不可避的不純物からなる。
そして、上記Ｃｏ−Ｆｅ系合金は、下記の式（１）〜（３）を全て満たす。
（１）ＴＭ１＜２５at.％
（２）１at.％≦ＴＬＡ≦１３at.％
（３）１at.％≦ＴＭ２≦１３at.％
但し、上記の式（１）〜（３）において、ＴＭ１はＴｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｙ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｂ／２の含有量の合計［at.％］、ＴＬＡは原子番号５７〜７１のランタノイドに属する元素の含有量の合計［at.％］、ＴＭ２はＲｕ＋Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｇｅ＋Ｓｎ＋Ｇａの含有量の合計［at.％］である。
【００１４】
本発明に係る垂直磁気記録媒体は、上記Ｃｏ−Ｆｅ系合金からなる軟磁性層を有する。また、本発明に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲットは、上記Ｃｏ−Ｆｅ系合金からなる。
【００１５】
Ｃｏ−Ｆｅ系合金において、Ｆｅの含有量［at.％］とＦｅとＣｏを合計した含有量［at.％］との比をＲとする。式で示せば、Ｒ＝Ｆｅ［at.％］／（Ｃｏ［at.％］＋Ｆｅ［at.％］）である。垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用材料として、Ｒが０以上０．９０以下のものが一般的に使用されており、Ｒが０．３０以上０．６５以下のものがより広く一般的に使用されている。Ｒがこの範囲にあるＣｏ−Ｆｅ合金は、飽和磁化が大きく、垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用材料として好適である。但し、本発明に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層においては、Ｒの値は特に限定されない。
【００１６】
Ｍ１群、即ち、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ及びＢからなる群に属する元素は、Ｃｏ−Ｆｅ系合金において、室温での飽和磁束密度（以下、Ｂｓと記す）を低下させるとともに、非晶質促進効果を有する。なお、「室温」とは、外部系から加熱も冷却もしていない状態のことを示し、概ね１〜３０℃の範囲の温度と規定される。Ｃｏ−Ｆｅ系合金のＭ１群の元素の含有量の合計をＴＭ１［at.％］とする。式で示せば、ＴＭ１＝Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｈｆ＋Ｙ＋Ｖ＋Ｎｂ＋Ｔａ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｗ＋Ｂ／２である。なお、ＴＭ１中のＢの含有量のみ１／２倍してからＴＭ１に加えられる。ここでＢ／２としたのは、Ｂは他の元素に比べ効果が半分しかないためである。ＴＭ１が２５at.％を超えると、室温におけるＢｓが過度に低く、Ｃｏ−Ｆｅ系合金からなる薄膜が垂直磁気記録媒体の軟磁性層に要求される特性を満たさない。このような観点から、ＴＭ１は０at.％より大きく２５at.％未満、好ましくは２３at.％以下、更に好ましくは２０at.％以下である。
【００１７】
原子番号が５７〜７１のランタノイドに属する元素とは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕを指す。Ｃｏ−Ｆｅ系合金において、ランタノイドに属する元素は、室温でのＢｓを低下させ、室温より高温でのＢｓの低下を抑制するための必須元素であるとともに、非晶質促進効果も有する。
【００１８】
ランタノイドに属する元素を含むＣｏ−Ｆｅ系合金は、ランタノイドに属する元素を含まない室温で同等のＢｓを有する合金と比較して、室温からそれより高温までのＢｓの低下幅が著しく小さいことが、発明者らによって確認されている。Ｂｓの温度特性には交換積分（Ｊｅ）が影響すると考えられており、結晶質金属の場合、原理は不明ながら３ｄ電子軌道と原子間距離によりＪｅは変化する可能性が示唆されている（いわゆるベーテ・スレーター曲線）。ここで、ランタノイドに属する元素は、結晶における原子半径が１．７３〜１．９９×１０-10と、他の元素に対し著しく大きい。そのため、ランタノイドに属する元素を添加した非晶質合金は平均の原子間距離が広がると考えられ、これにより結晶質合金における原子間距離増加によるＪｅ増大と同じような効果が現れ、Ｂｓの高温特性が改善されると推察される。
【００１９】
Ｃｏ−Ｆｅ系合金のランタノイドに属する元素の含有量の合計をＴＬＡ［at.％］とする。ＴＬＡが１at.％未満であれば、室温よりも高い温度（例えば、７０〜１５０℃程度）でのＢｓの抑制効果が不十分である。ＴＬＡが１３at.％を超えれば、ＣｏＦｅ相が失われて室温におけるＢｓが過度に低くなり、Ｃｏ−Ｆｅ系合金からなる薄膜が垂直磁気記録媒体の軟磁性層に要求される特性を満たさない。このような観点から、ＴＬＡは、１ａｔ%以上１３at.％以下、好ましくは２ａｔ%以上１２at.％以下、更に好ましくは３ａｔ%以上８at.％以下である。
【００２０】
Ｍ２群、即ち、Ｒｕ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ及びＧａからなる群に属する元素は、Ｃｏ，Ｆｅに対し優先的にランタノイドと化合物を生成する。これにより、Ｃｏ−Ｆｅ系合金において、Ｃｏ，Ｆｅとランタノイドとの金属間化合物の生成が抑制される。その結果、Ｃｏ−Ｆｅ系合金からなるスパッタリングターゲットの靭性の低下が抑制され、当該スパッタリングターゲットに耐割れ性が付与される。Ｃｏ−Ｆｅ系合金のＭ２群の元素の含有量の合計をＴＭ２［at.％］とする。式で示せば、ＴＭ２＝Ｒｕ＋Ｎｉ＋Ｃｕ＋Ｇｅ＋Ｓｎ＋Ｇａである。Ｃｏ−Ｆｅ系合金のＭ２群の元素の含有量は、ランタノイドに属する元素の含有量と対応させることがよい。このような観点から、ＴＭ２は、１ａｔ%以上１３at.％以下、好ましくは２ａｔ%以上１２at.％以下、更に好ましくは３ａｔ%以上８at.％以下である。
【００２１】
垂直磁気記録媒体における軟磁性層は、上述したＣｏ−Ｆｅ系合金を、例えば、基板上に物理蒸着法によって成膜することによって形成できる。物理蒸着法の中でも、特に、上述したＣｏ−Ｆｅ系合金と同一組成のスパッタリングターゲットを使用してスパッタリング成膜することが望ましい。
【００２２】
また、上記のスパッタリングターゲットの製造方法としては、溶解鋳造法や粉末焼結法が適用可能である。溶解鋳造法では、上述したＣｏ−Ｆｅ系合金の組成の鋳造インゴット、又は、鋳造インゴットに塑性加工や加圧加工を加えたバルク体として、スパッタリングターゲットを製造する。また、粉末焼結法では、上述したＣｏ−Ｆｅ系合金の組成の合金粉末をガスアトマイズ法で製造した原料粉末、又は、複数の合金粉末や純金属粉末を上述したＣｏ−Ｆｅ系合金の組成となるように混合した原料粉末を、焼結することでスパッタリングターゲットを製造する。
【実施例】
【００２３】
以下、実施例によって本発明の効果が明らかにされる。但し、この実施例の記載に基づいて本発明が限定的に解釈されるべきではない。
【００２４】
〔試験Ａ〕
本発明に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層の、室温（３０℃）におけるＢｓと、室温よりも高温（１５０℃）におけるＢｓ低下幅とを評価するために、以下の試験Ａを行った。
【００２５】
前述の通り、垂直磁気記録媒体の軟磁性層を形成する軟磁性膜は、その成分と同じ組成のスパッタリングターゲットを使用して基板上にスパッタリング成膜することが望ましい。試験Ａでは、基板上にスパッタリング成膜されたのち急冷された軟磁性膜の成分による諸特性への影響を簡易的に評価するために、単ロール式の液体急冷装置にて作製した急冷薄帯を試料とした。
【００２６】
急冷薄帯は、以下の条件で作製した。所定の成分に秤量した原料３０ｇを直径が１０ｍｍで深さが４０ｍｍ程度の水冷銅鋳型にて減圧Ａｒ中でアーク溶解し、急冷薄帯の溶解母材とした。この溶解母材を単ロール式の液体急冷装置の石英管に充填し、出湯ノズルから銅ロールへ出湯し、急冷薄帯を作製した。単ロール式の液体急冷装置は、石英管の直径が１５ｍｍ、出湯ノズルの直径が１ｍｍ、雰囲気圧が６１ｋＰａ、噴霧差圧が６９ｋＰａ、銅ロール（直径３００ｍｍ）の回転数が３０００ｒｐｍ、及び、銅ロールと出湯ノズルのギャップが０．３ｍｍの条件に設定された。出湯温度は特に限定せず、出湯するタイミングは各溶解母材が完全に溶け落ちた直後とした。このようにして作製した急冷薄帯を試料とし、室温でのＢｓと、室温から高温までのＢｓ低下幅を評価した。
【００２７】
試験Ａでは、ＶＳＭ装置（振動試料型磁力計）を用いて、印加磁場を１２００ｋＡ／ｍとして、急冷薄帯の３０℃（室温）及び１５０℃（高温）のＢｓを測定した。この測定結果を用いて、急冷薄帯の室温でのＢｓと、急冷薄帯の室温から高温までのＢｓ低下幅とを評価した。急冷薄帯の室温でのＢｓは、０．５［Ｔ］以上を良とした。また、室温から高温までのＢｓの低下幅は、３０℃でのＢｓに対する１５０℃でのＢｓの百分率（以下、「Ｂｓ比」と称する）により評価した。つまり、Ｂｓ比＝（１５０℃でのＢｓ）／（３０℃でのＢｓ）×１００％とした。このＢｓ比が１００に近いほど、３０℃から１５０℃におけるＢｓの低下幅が小さいことを示す。
【００２８】
【表１】
2020135907.tif 000002
【００２９】
【表２】
2020135907.tif 000003
【００３０】
表１及び表２は、試験Ａで得られた、様々な元素を添加した急冷薄帯の諸特性を示す。表１のＮｏ．１〜１２は本発明の実施例であり、表２のＮｏ．１３〜１７は比較例である。表２中の下線部は本発明範囲外を示す。
【００３１】
表１に示すように、Ｎｏ．１〜１２の実施例の急冷薄帯では、室温でのＢｓは０．５［Ｔ］以上であり、良好な結果が得られた。一方、表２に示すように、Ｎｏ．１４，１６，１７の比較例の急冷薄帯では、室温でのＢｓは０．５［Ｔ］未満となり、室温でのＢｓが不十分であった。その原因として、Ｎｏ．１４の比較例では、ランタノイドに属する元素の含有量が過剰であり、Ｎｏ．１６の比較例では、Ｍ２群に属する元素の含有量が過剰であり、Ｎｏ．１７の比較例では、Ｍ１群に属する元素の含有量が過剰であったことが推定される。
【００３２】
表１に示すように、Ｎｏ．１〜１２の実施例の急冷薄帯では、Ｂｓ比は９０以上であり、室温から高温までのＢｓの低下幅は十分に小さかった。一方、表２に示すように、Ｎｏ．１３の比較例の急冷薄帯では、Ｂｓ比は９０未満であり、室温から高温までのＢｓの低下幅は実施例と比較して大きく、高温特性が不十分であった。その原因として、Ｎｏ．１３の比較例では、ランタノイドに属する元素の含有量が過少であったことが推定される。
【００３３】
〔試験Ｂ〕
本発明に係るスパッタリングターゲットの機械加工性を評価するために、以下の試験Ｂを行った。
【００３４】
試験Ｂの試料であるスパッタリングターゲットは、次のように作製した。所定の成分に秤量した５ｋｇの母材を耐火物坩堝中で、減圧したＡｒ雰囲気の下で誘導溶解した後、凝固させた。坩堝のサイズは、直径１２０ｍｍ、高さ１５０ｍｍであった。このインゴットの下部から、旋盤加工、ワイヤーカット加工、平面研磨加工にて、直径９５ｍｍ、厚さ２ｍｍのスパッタリングターゲットを作製した。
【００３５】
試験Ｂでは、上記の機械加工時における、欠けや割れの発生によりスパッタリングターゲットの機械加工性を評価した。試験Ｂの結果を、表１及び表２に併せて示す。なお、試験Ｂの試料の組成は、前述の試験ＡのＮｏ．１〜１２の実施例、及び、Ｎｏ．１３〜１６は比較例と同じである。
【００３６】
表１に示すように、Ｎｏ．１〜１２の実施例のスパッタリングターゲットは、機械加工時に割れが発生せず、良好な耐割れ性を有していた。一方、表２に示すように、Ｎｏ．１５，１６の比較例のスパッタリングターゲットでは、機械加工における割れが発生し、耐割れ性が不十分であった。この原因として、Ｎｏ．１５の比較例では、Ｍ２群に属する元素の含有量が過少であり、Ｎｏ．１６の比較例では、Ｍ２群に属する元素の含有量が過剰であったことが推定される。
【００３７】
以上の試験Ａ及び試験Ｂの結果から、本発明に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層、及び、本発明に係る垂直磁気記録媒体の軟磁性層形成用スパッタリングターゲットは、耐割れ性を有し、且つ、室温からそれよりも高温（１５０℃）までのＢｓの低下幅が抑えられていることが明らかとなった。