(57)【要約】【課題】  本発明は半導体ウェハ固定用基体フィルムを提供することを目的とする。【解決手段】  半導体ウェハ固定用基体フィルムであって、窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる層を含み、前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は0.1〜25重量%である、基体フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ固定用基体フィルムであって、
窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる層を含み、
前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は0.1〜25重量%である、基体フィルム。
【請求項２】
前記ポリオレフィンは、ポリエチレン系樹脂及びポリプロピレン系樹脂をからなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、請求項1に記載の基体フィルム。
【請求項３】
前記ポリエチレン系樹脂は、分岐鎖状低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-メチルアクリレート共重合体、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、及びアイオノマー樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、請求項2に記載の基体フィルム。
【請求項４】
前記ポリプロピレン系樹脂は、プロピレン単独重合体又はプロピレン系共重合体である、請求項2に記載の基体フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを固定する際に用いるフィルムを構成する基体フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを生産する際、半導体ウェハを固定する為に固定用フィルム（粘着テープ）が用いられる。この固定用フィルムは使用後に、半導体ウェハから剥離される。
【０００３】
固定用フィルムを用いて半導体ウェハを固定する工程として、半導体ウェハの裏面を研削するバックグライディング工程及び半導体ウェハをチップ状に切断分離するダイシング工程が有る。
【０００４】
バックグライディング工程では、半導体ウェハを所望の厚さに調整（薄化）する。このバックグライディング工程では、半導体ウェハにパターニングされた面を保護する目的で、半導体ウェハのパターン形成面に、バックグラインドフィルムが貼り付けられる。バックグラインドフィルムは、基体フィルム層及び粘着剤層から構成され、半導体ウェハは、その粘着剤層を介して接着される。
【０００５】
ダイシング工程では、半導体ウェハを予め大面積で製造し、次いでその半導体ウェハをチップ状にダイシング（切断分離）し、最後にダイシングされたチップをピックアッップする。
【０００６】
固定用フィルムを用いて半導体ウェハを固定し、前記工程を経た後、この固定用フィルムを半導体ウェハから剥離する際、半導体ウェハと固定用フィルムとの間に剥離帯電と呼ばれる静電気が発生する。この静電気による、半導体ウェハへの悪影響を抑える為に、固定用フィルムには、帯電防止処理が施される（特許文献1）。また、絶縁性プラスチック製品に、静電気防止効果を付与する帯電防止剤も知られている（特許文献2）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2004-189769号公報
【特許文献２】特開2011-079918号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体ウェハを固定する際に用いるフィルムを構成する基体フィルムであって、優れた帯電防止性能を発揮する基体フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、半導体ウェハを固定する際に用いるフィルムを構成する基体フィルムが、以下の特徴を備えることにより、優れた帯電防止性能を発揮することを見出した。
【００１０】
項１．
半導体ウェハ固定用基体フィルムであって、
窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる層を含み、
前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は0.1〜25重量%である、基体フィルム。
【００１１】
項２．
前記ポリオレフィンは、ポリエチレン系樹脂及びポリプロピレン系樹脂をからなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、前記項1に記載の基体フィルム。
【００１２】
項３．
前記ポリエチレン系樹脂は、分岐鎖状低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-メチルアクリレート共重合体、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、及びアイオノマー樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂である、前記項2に記載の基体フィルム。
【００１３】
項４．
前記ポリプロピレン系樹脂は、プロピレン単独重合体又はプロピレン系共重合体である、前記項2に記載の基体フィルム。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、半導体ウェハを固定する際に用いるフィルムを構成する基体フィルムであって、優れた帯電防止性能を発揮する基体フィルムを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、半導体ウェハ固定用基体フィルムに関する。
【００１６】
（1）半導体ウェハ固定用基体フィルム
本発明の半導体ウェハ固定用基体フィルム（基体フィルム）は、半導体ウェハを固定する時に使う基体フィルムであり、窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる層を含み、前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は0.1〜25重量%である。
【００１７】
（1-1）窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー
本発明の基体フィルムを構成する層を形成する樹脂組成物は、窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーを含む。
【００１８】
前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は0.1〜25重量%である。
【００１９】
窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーは、例えば、三級アミン化合物、又は主鎖及び／又は側鎖中に塩基性窒素を有するポリアミノ化合物と、下記の一般式［I］で表わされる原子団を有する半極性有機ホウ素化合物を構成成分とするポリマーとを反応させることによって得られる（特開平5-19413号公報、特開平6-126904号公報参照）。
【００２０】
【化１】
2020027819.tif 000002
【００２１】
式中、R1、R2、R3及びR4は、夫々、同一又は異なっていてもよい。
【００２２】
R1、R2、R3及びR4は、水素、低級アルキル基、低級アルコキシル基、又は低級アルコキシ低級アルキル基である。
【００２３】
nは、0又は1である。
【００２４】
一般式［I］で表される原子団を有する半極性有機ホウ素化合物を構成成分とするポリマーは、例えば、下記の（a）法、又は（b）法によって製造することができる。
【００２５】
半極性有機ボロンポリマーの分子量は、3,000〜100,000程度であることが好ましく、3,500〜70,000程度であることがより好ましい。
【００２６】
（a）法
下記の一般式［II］で表される化合物の1種若しくは2種以上を合計1モルに対して、ホウ酸若しくは炭素原子数4以下の低級アルコールのホウ酸トリエステルを1モル、又は、無水ホウ酸を0.5モルと反応させてトリエステル反応を行なう。
【００２７】
【化２】
2020027819.tif 000003
【００２８】
式中、qは、0又は1である。
【００２９】
q=1の時、Aは-（X）a-（Y）b-（Z）c-基を表す。
【００３０】
a、b及びcは、夫々、0又は1である。
【００３１】
X及びZは、夫々、1個の末端エーテル残基を持つ炭素原子数100以下の含酸素炭化水素基を表す。
【００３２】
Yは、-O-CO-R-CO-（Rは、好ましくは炭素原子数1〜82、より好ましくは炭素原子数6〜82の炭化水素基を表す）、若しくは-O-CO-NH-R’-NH-CO-（R’は、好ましくは炭素原子数1〜20、より好ましくは炭素原子数5〜15の炭化水素基を表す）を表す。
【００３３】
（b）法
ジ（グリセリン）-ボラート、若しくは中間にジ（グリセリン）-ボラート残基を含む、好ましくは炭素原子数206以下、より好ましくは炭素原子数10〜100のジオールの1種若しくは2種以上についてポリエーテル化反応を行なうか、又はそれらの1種若しくは2種以上を合計1モルに対して、好ましくは炭素原子数3〜84、より好ましくは炭素原子数8〜84のジカルボン酸（以下、「所定のジカルボン酸」と記す）、若しくは炭素原子数4以下の低級アルコールと所定のジカルボン酸とのエステル若しくは所定のジカルボン酸のハライド、若しくは好ましくは炭素原子数4〜15、より好ましくは炭素原子数8〜15のジイソシアナート（以下、「所定のジイソシアナート」と記す）の1種若しくは2種以上を合計1モル反応させる。
【００３４】
半極性有機ボロンポリマーの代表的なものは、次の式で示される。
【００３５】
【化３】
2020027819.tif 000004
【００３６】
【化４】
2020027819.tif 000005
【００３７】
半極性有機ボロンポリマー（以下、「所定の半極性有機ボロンポリマー」と記す）の1種若しくは2種以上と、ヒドロキシル基を少なくとも1個有する、好ましくは炭素原子数5〜82、より好ましくは炭素原子数5〜30の三級アミン（以下、「所定の三級アミン」と記す）の1種若しくは2種以上とを、又は主鎖及び／又は側鎖中に塩基性窒素を有するポリアミノ化合物とを、ホウ素原子1個対塩基性窒素原子1個になるように仕組まれた割合で、密閉若しくは開口型の反応器に仕込み、常圧下、好ましくは20〜200℃、より好ましくは50〜150℃において反応させて、帯電防止剤を製造する。
【００３８】
この帯電防止剤を窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーという。
【００３９】
アルコール、エーテル、ケトン等の極性溶媒を共存させると、より容易に反応を行なうことができる。
【００４０】
この帯電防止剤の作用機構は、半極性有機ホウ素化合物の半極性結合の部分と塩基性窒素とが結合することによってイオン対が形成され、生じた酸性プロトンがホウ素側と窒素側との両方に結合性を残す形で移動することにより共鳴構造を呈し、それと接触している絶縁体材料中で複数の電子の動きをもたらしてフェルミ準位を与え、半導体型の電気特性を示すものへと転換させ得る原動力になっていると考えられる。
【００４１】
【化５】
2020027819.tif 000006
【００４２】
この窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーとその中間体である所定の半極性有機ボロンポリマーを導くための原料は、下記の通りである。
【００４３】
所定の半極性有機ボロンポリマーを導く（a）法の原料である一般式［II］で表される化合物として、例えば、ジグリセリン、ジ（グリセリン）-マロナート、ジ（グリセリン）-マレアート、ジ（グリセリン）-アジパート、ジ（グリセリン）-テレフタラート、ジ（グリセリン）-ドデカナート、ポリ（9モル）オキシエチレン-ジ（グリセリンエーテル）、ジ（グリセリン）-トリレンジカルバマート、ジ（グリセリン）-メチレンビス（4-フェニルカルバマート）等を用いることが好ましい。
【００４４】
（b）法における所定のジカルボン酸として、例えば、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、テレフタル酸、ドデカン・二酸、リノール酸から誘導されたダイマー酸、ドデシルマレイン酸、ドデセニルマレイン酸、オクタデシルマレイン酸、オクタデセニルマレイン酸、平均重合度20のポリブテニル基を連結させているマレイン酸等を用いることが好ましい。
【００４５】
所定のジイソシアナートとして、例えば、エチレンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、トリレンジイソシアナート、メチレンビス（4-フェニルイソシアナート）等を用いることが好ましい。
【００４６】
所定の半極性有機ボロンポリマーと反応させる所定の三級アミンとして、例えば、ジエチル-ヒドロキシメチルアミン、ジメチル-2-ヒドロキシプロピルアミン、メチル-ジ（2-ヒドロキシエチル）アミン、トリ（2-ヒドロキシエチル）アミン、ヒドロキシメチルージ（2-ヒドロキシエチル）アミン、ジベンジル-2-ヒドロキシプロピルアミン、シクロヘキシル−ジ（2-ヒドロキシエチル）アミン、ジ（ヘキサデシル）アミンのエチレンオキシド（1〜25モル）付加体、モノブチルアミンのプロピレンオキシド（1〜26モル）付加体等を用いることが好ましい。
【００４７】
前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は、0.1〜25重量%である。窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は、より好ましくは0.1〜10重量%程度であり、更に好ましくは0.1〜5重量%程度であり、特に好ましくは0.1〜2.5重量%程度である。半導体ウェハ固定用基体フィルムは、前記含有量の範囲で、十分な帯電防止性を発揮する。半導体ウェハ固定用基体フィルムは、複数の層を有する時に、他の層との密着性が良好である。
【００４８】
基体フィルムをバックグラインド用基体フィルムとして用いる時、基体フィルムの表面上において、スジやフィッシュアイ（穴あき）等の発生を抑制することができ、基体フィルムの外観が優れ、製膜性において優れる。
【００４９】
基体フィルムをダイシング用基体フィルムとして用いる時、エキスパンドリングと接して一様にエキスパンドされる場合の表層の滑り性を損なうことがない。また、有効に半導電性が付与されるため、発生する静電気を素早く除電することが可能となる。
【００５０】
（1-2）ポリオレフィン
本発明の基体フィルムを構成する層を形成する樹脂組成物は、ポリオレフィンを含む。
【００５１】
前記ポリオレフィンは、ポリエチレン系樹脂及びポリプロピレン系樹脂をからなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。
【００５２】
ポリエチレン系樹脂は、低密度ポリエチレン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-メチルアクリレート共重合体、エチレン-エチルアクリレート共重合体、エチレン-ブチルアクリレート共重合体、エチレン-メチルメタクリレート共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、及びアイオノマー樹脂からなる群から選ばれる少なくとも1種の樹脂であることが好ましい。
【００５３】
前記低密度ポリエチレンは、エチレンを重合して得られた結晶性の熱可塑性樹脂であり、例えば、高圧法低密度ポリエチレン（分岐鎖状低密度ポリエチレン）、直鎖状低密度ポリエチレン等を好ましく用いることができる。
【００５４】
分岐鎖状低密度ポリエチレンの190℃におけるメルトフローレート（MFR）は、10g／10分程度以下が好ましく、6g／10分程度以下がより好ましい。分岐鎖状低密度ポリエチレンのMFRは、10g／10分以下であることで、安定した製膜が可能となる。分岐鎖状低密度ポリエチレンのMFRは、樹脂の押出しを容易にするため、0.1g／10分程度以上が好ましく、0.3g／10分程度以上がより好ましい。
【００５５】
分岐鎖状低密度ポリエチレンの密度は、0.9〜0.94g／cm3程度が好ましく、0.91〜0.93g／cm3程度がより好ましい。
【００５６】
直鎖状低密度ポリエチレンの190℃におけるMFRは、10g／10分程度以下が好ましく、6g／10分程度以下がより好ましい。直鎖状低密度ポリエチレンのMFRは、10g／10分以下であることで、安定した製膜が可能となる。直鎖状低密度ポリエチレンのMFRは、樹脂の押出しを容易にするため、0.1g／10分程度以上が好ましく、0.3g／10分程度以上がより好ましい。
【００５７】
直鎖状低密度ポリエチレンの密度は、0.9〜0.94g／cm3程度が好ましく、0.91〜0.93g／cm3程度がより好ましい。
【００５８】
エチレン-酢酸ビニル共重合体の190℃におけるMFRは、10g／10分程度以下が好ましく、6g／10分程度以下がより好ましい。エチレン-酢酸ビニル共重合体のMFRは、10g／10分以下であることで、安定した製膜が可能となる。エチレン-酢酸ビニル共重合体のMFRは、樹脂の押出しを容易にする為、0.1g／10分程度以上が好ましく、0.3g／10分程度以上がより好ましい。
【００５９】
エチレン-酢酸ビニル共重合体の密度は、0.9〜0.96g／cm3程度が好ましく、0.92〜0.94g／cm3程度がより好ましい。
【００６０】
ポリエチレン系樹脂として、アイオノマー樹脂を用いても良い。アイオノマー樹脂は、オレフィンと不飽和カルボン酸とを構成単位とする共重合体である。オレフィンとしてはエチレン、プロピレン等が挙げられ、該不飽和カルボン酸として、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル等のメタクリル酸アルキルエステルを好ましく用いることができる。
【００６１】
アイオノマー樹脂は、エチレンと、前記（メタ）アクリル酸を構成単位とする二元共重合体や、エチレン、前記（メタ）アクリル酸及び前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルを構成単位とする三元共重合体が挙げられる。アイオノマー樹脂として、二元共重合体系アイオノマー樹脂、又は三元共重合体系アイオノマー樹脂中のカルボン酸の少なくとも一部を金属イオンで中和したものを好ましく用いることができる。
【００６２】
ここで用いられる金属イオンは、二価の金属イオン、三価の金属イオン等が挙げられる。二価の金属イオンとしてはMg2+、Ca2+、Ba2+、Ni2+、Zn2+、Fe2+、Co2+、Sn2+、Pb2+、Mn2+等が挙げられ、三価の金属イオンとしてはAl3+、Fe3+、Cr3+等が挙げられる。
【００６３】
アイオノマー樹脂の190℃におけるMFRは、16g／10分程度以下が好ましく、10g／10分程度以下がより好ましい。アイオノマー樹脂のMFRは、16g／10分程度以下であることで、安定した製膜が可能となる。アイオノマー樹脂のMFRは、押出を容易にするため、0.5g／10分程度以上が好ましく、0.9g／10分程度以上がより好ましい。
【００６４】
アイオノマー樹脂の密度は、0.9〜0.98g／m3程度が好ましく、0.94〜0.96g／m3程度がより好ましい。
【００６５】
上記MFRは、JIS K7210-1:2014に準拠して測定する。
【００６６】
上記密度は、JIS K7112:1999に準拠して測定する。
【００６７】
本発明の基体フィルムを構成する層を形成する樹脂組成物には、ポリプロピレン系樹脂を配合しても良い。ポリプロピレン系樹脂は、プロピレン単独重合体又はプロピレン系共重合体であることが好ましい。
【００６８】
プロピレン系重合体は、プロピレンとそれ以外のα-オレフィンとの共重合体である。かかるプロピレン以外のα-オレフィンとしては、例えば、炭素数2〜20のプロピレン以外のα-オレフィンを挙げることができる。具体的には、例えば、エチレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、4-メチル-1-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オクテン、3-メチル-1-ブテン、1-デセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセン、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、5-エチル-2-ノルボルネン、テトラシクロドデセン、2-エチル-1,4,5,8-ジメタノ-1,2,3,4,4a,5,8,8a-オクタヒドロナフタレンが挙げられる。この中、炭素数2〜4の、例えば、エチレン、ブテンが好ましく、エチレンがより好ましい。これらプロピレン以外のα-オレフィンは、1種であっても、2種以上の併用であってもよい。また、プロピレン系共重合体は、ランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよい。
【００６９】
ポリプロピレン系樹脂は、結晶性のものが好ましい。ポリプロピレン系樹脂の結晶性の指標として、例えば、融点、結晶融解熱量等が用いられる。ポリプロピレン系樹脂の融点は、120℃〜176℃程度であることが好ましい。ポリプロピレン系樹脂の結晶融解熱量は、60J／g〜120J／g程度の範囲にあることが好ましい。
【００７０】
ポリプロピレン系樹脂は、気相重合法、バルク重合法、溶媒重合法及び任意にそれらを組み合わせて、多段重合により、調製することができる。また、ポリプロピレン系樹脂の重合体の数平均分子量は、10,000〜1,000,000程度であることが好ましい。
【００７１】
ポリプロピレン系樹脂のJIS K7210-1:2014に準拠して温度230℃、荷重21.18Nで測定したMFRは、0.5〜20g／10分程度であることが好ましく、0.5〜10g／10分程度であることがより好ましい。
【００７２】
上記樹脂を用い、基体フィルムをバックグラインド用基体フィルムとして用い、例えば、その表面に、粘着剤層及び離型フィルムを設けることで、得られるバックグラインドフィルムは、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００７３】
上記樹脂を用い、基体フィルムをダイシング用基体フィルムとして用い、例えば、その表面に、粘着剤層とダイボンド層とをこの順に設けることで、得られるダイシングフィルムは、優れたエキスパンド性等、優れた基材の引張物性を示す。
【００７４】
（1-3）樹脂組成物
本発明の基体フィルムを構成する層は、窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる。
【００７５】
樹脂組成物には、更に、アンチブロッキング剤等が含まれていても良い。アンチブロッキング剤を添加することにより、基体フィルムをロール状に巻き取った場合等のブロッキングが抑えられる。アンチブロッキング剤として、無機系又は有機系の微粒子を用いることが好ましい。
【００７６】
（1-4）層構成
本発明の基体フィルムは、窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる層を含む。基体フィルムは、前記層の単層であっても良い。基体フィルムには、必要に応じて、その他の層を設けることができ、多層であっても良い。
【００７７】
基体フィルムは、単層構造又は多層構造とする場合、その厚みは、好ましくは60〜250μm程度であり、より好ましくは80〜200μm程度であり、更に好ましくは100〜160μm程度である。基体フィルムの厚さを調整することにより、半導体ウェハを衝撃から保護することが可能となる。
【００７８】
本発明の基体フィルムは、バックグラインド用基体フィルムとして用いる時、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００７９】
本発明の基体フィルムは、ダイシング用基体フィルムとして用いる時、優れたエキスパンド性等、優れた基材の引張物性を示す。
【００８０】
（2）基体フィルムの物性値
本発明の基体フィルムは、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、この用途で好ましい物性を示す。
【００８１】
表面固有抵抗値（Ω／□）
JIS K6911（1995）に準拠する。基体フィルムの表面固有抵抗値（Ω／□）内（マット）は凹凸面の表面固有抵抗値であり、表面固有抵抗値（Ω／□）外（光沢）は平滑面の表面固有抵抗値である。
【００８２】
基体フィルムの表面固有抵抗値は、5.0×1011〜1.68×1015Ω／□程度であることが好ましく、6.0×1011〜2.0×1014Ω／□程度であることがより好ましい。静電気防止効果が優れている。
【００８３】
ヤング率（MPa）
JIS K7127（1999）に準拠する。基体フィルムのMD方向（押出し方向）、又はTD方向（フィルム成形により成形されたフィルムの幅方向）のヤング率（MPa）を測定する。
【００８４】
基体フィルムのヤング率は、MD方向又はTD方向で、100〜1000MPa程度であることが好ましく、150〜950MPa程度であることがより好ましい。バックグラインド時のクッション性、エキスパンド性、ハンドリング性が優れている。基体フィルムのヤング率バランス（MD／TD）は、0.95〜1.08であると、エキスパンド時、チップの整列性が優れている。
【００８５】
引張破断強度（MPa）
JIS K7161（1994）及びJIS K7127（1999）に準拠する。基体フィルムのMD方向又はTD方向の引張破断強度（MPa）を測定する。
【００８６】
基体フィルムの引張破断強度は、MD方向又はTD方向で、13.5〜37MPa程度であることが好ましく、14〜36.5MPa程度であることがより好ましい。エキスパンド時に裂けない。基体フィルムの引張破断強度バランス（MD／TD）は、0.95〜1.2であると、エキスパンド時、チップの整列性が優れている。
【００８７】
引張破断伸度（%）
JIS K7161（1994）及びJIS K7127（1999）に準拠する。基体フィルムのMD方向又はTD方向で、引張破断伸度（%）を測定する。
【００８８】
基体フィルムの引張破断伸度は、MD方向又はTD方向で、600〜900%程度であることが好ましく、625〜850%程度であることがより好ましい。エキスパンド時に裂けない。基体フィルムの引張破断伸度バランス（MD／TD）は、0.85〜1.1であると、エキスパンド時、チップの整列性が優れている。
【００８９】
25%モジュラス（MPa）
基体フィルムの25%モジュラスは、基体フィルムを、引張速度200mm／分で引張試験を行い、MD方向又はTD方向で、25%伸ばした時の応力（N）をサンプル巾（10mm）で割った値を測定する。
【００９０】
基体フィルムの25%モジュラスは、MD方向又はTD方向で、6.5〜21MPa程度であることが好ましく、7〜20MPa程度であることがより好ましい。エキスパンド性、ハンドリング性エキスパンド時、チップの整列性が優れている。
【００９１】
本発明の基体フィルムは、バックグラインド用基体フィルムとして用いる時、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【００９２】
本発明の基体フィルムは、ダイシング用基体フィルムとして用いる時、優れたエキスパンド性等、優れた基材の引張物性を示す。
【００９３】
（3）半導体ウェハ固定用基体フィルムの製造方法
本発明の基体フィルムは、単層構造とする場合、或いは多層構造とする場合、Tダイス又は環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等により、成形することができる。基体フィルムの厚み精度を考慮すると、Tダイスを使用した押出法が好ましい。
【００９４】
Tダイスを使用した押出法について説明する。
【００９５】
樹脂組成物を、ドライブレンドするか、又は溶融混練し調製することが好ましい。層を構成する樹脂組成物には、必要に応じて添加剤を加えることができる。
【００９６】
樹脂組成物を、温度調整したスクリュー式押出機に供給し、180〜350℃のTダイスからフィルム状に押出し、これを20〜150℃程度（好ましくは30〜70℃程度）の冷却ロールに通しながら冷却して、実質的に無延伸で引き取ることが好ましい（押出成形）。
【００９７】
基体フィルムは、バックグラインド用基体フィルムとして用いる時、引き取りの際に、実質的に無延伸とすることで、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制することができる。この実質的に無延伸は、無延伸、或いは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含む。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。
【００９８】
本発明の基体フィルムは、ダイシング用基体フィルムとして用いる時、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、ダイシング後に行うフィルムの拡張を有効に行うためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、或いは、ダイシングフィルムの拡張に悪影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであれば良い。
【００９９】
（4）バックグラインドフィルム
本発明の基体フィルムは、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、バックグラインド用基体フィルムとして用いることが好ましい。このバックグラインド用基体フィルムの表面に、粘着剤層及び離型フィルムを形成することで、バックグラインドフィルムを作製することができる。
【０１００】
バックグラインド用基体フィルムの片方の表面上に、公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成される。粘着剤層の厚さは、好ましくは10〜200μm程度である。
【０１０１】
粘着剤として、感圧性粘着剤、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を用いることが好ましい。半導体ウェハヘの接着性、剥離後の半導体ウェハの超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等を考慮すると、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。
【０１０２】
バックグラインド用基体フィルムの表面上に粘着剤層が形成され、更にその上に離型フィルムが設けられて、バックグラインドフィルムが製造される。離型フィルムの厚さは、好ましくは10〜200μm程度である。
【０１０３】
バックグラインドフィルムは、本発明の基体フィルムを含むことで優れた帯電防止性能を発揮すると共に、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。
【０１０４】
（5）ダイシングドフィルム
本発明の基体フィルムは、半導体ウェハを固定する時に用いる基体フィルムであり、ダイシング用基体フィルムとして用いることが好ましい。このダイシング用基体フィルムの表面に、粘着剤層とダイボンド層とをこの順に形成することで、ダイシングフィルムを作製することができる。
【０１０５】
本発明のダイシングフィルムは、周知の技術に沿って製造することができる。例えば、粘着剤層を構成する粘着剤を有機溶剤等の溶媒に溶解させ、これをダイシング用基体フィルム上に塗布し、溶媒を除去することにより、基体フィルム／粘着剤層の構成のフィルムを得ることができる。粘着剤層の厚さは、好ましくは10〜200μm程度である。
【０１０６】
ダイボンド層を構成する樹脂組成物を、有機溶剤等の溶媒に溶解させ、別のフィルム（剥離フィルム）上に塗布し、溶媒を除去することによって、ダイボンドフィルムを作製する。
【０１０７】
更に、粘着剤層とダイボンド層を対向するように重ね合わせることにより、ダイシングフィルムを作製する。ダイボンド層の厚さは、好ましくは10〜200μm程度である。
【０１０８】
ダイシングフィルムは、本発明の基体フィルムを含むことで優れた帯電防止性能を発揮すると共に、優れたエキスパンド性等、優れた基材の引張物性を示す。
【実施例】
【０１０９】
以下に、本発明を、実施例を用いてより詳細に説明する。
【０１１０】
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１１１】
（1）基体フィルムの原料
LDPE-1：直鎖状低密度ポリエチレン、MFR：5.0 g／10分（190℃）、密度：0.920 g／cm3、融点：110℃
LDPE-2：直鎖状低密度ポリエチレン、MFR：5.3 g／10分（190℃）、密度：0.930 g／cm3、融点：119℃
h-PP：ホモポリプロピレン、MFR：9.0 g／10分（230℃）、密度：0.900 g／cm3、融点：160℃
EVA：エチレン-酢酸ビニル共重合体、MFR：1.0 g／10分（190℃）、密度：0.924 g／cm3、融点：103℃
高分子型帯電防止剤-1：三洋化成工業株式会社製のペレスタット212
ポリエーテル-ポリオレフィン（POE）ブロック共重合体
MFR：10 g／10分（190℃）、密度1.0 g／cm3、融点：160℃
高分子型帯電防止剤-2：三洋化成工業株式会社製のペレクトロンPVL
ポリエーテル-ポリオレフィン（POE）ブロック共重合体
MFR：15 g／10分（190℃）、密度1.0 g／cm3、融点：135℃
ボロン帯電防止剤：窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー
【０１１２】
ボロン帯電防止剤の調製方法
ポリエチレンイミンのエチレンオキサイド付加物（ポリエチレンイミンの分子量約1,800、付加率約100%）とジ（グリセリン）ボラートとの、1：1当量比からなる窒素原子−ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー
【０１１３】
（2）基体フィルムの作製
表1及び2に記載の各成分及び組成で樹脂組成物を配合し、基体フィルムを作製した。樹脂組成物を、220℃に調整された夫々の押出機に投入し、220℃のTダイスにより押出し、層を形成し、30℃の冷却水が循環するチルロール上に共押出しせしめて、フラット状の基体フィルムを得た。
【０１１４】
（3）基体フィルムの評価方法
表面固有抵抗値（Ω／□）
JIS K6911（1995）に準拠した。基体フィルムを、23±2℃、50±5%雰囲気下で2時間静置した後、同環境下で印加電圧500Vを加えた。その印加開始から1分後の数値を読み取り、表面固有抵抗値を測定した。測定装置として、アドバンテスト社製ハイメグオームメーターTR-8601の超高抵抗測定用試料箱TR-42を用いた。
【０１１５】
「表面固有抵抗値（Ω／□）内（マット）」とは、凹凸面の表面固有抵抗値である。
【０１１６】
「表面固有抵抗値（Ω／□）外（光沢）」とは、平滑面の表面固有抵抗値である。
【０１１７】
基体フィルムは、その表面固有抵抗値が5.0×1011〜1.68×1015Ω／□であると、静電気防止効果が優れている。
【０１１８】
また、ヤング率（MPa）の測定は、JIS K7127（1999）に準拠した。引張破断強度（MPa）及び引張破断伸度（%）の測定は、JIS K7161（1994）及びJIS K7127（1999）に準拠した。25%モジュラス（MPa）は、基体フィルムを、引張速度200mm／分で引張試験を行い、MD方向又はTD方向で、25%伸ばした時の応力（N）をサンプル巾（10mm）で割った値を測定した。
【０１１９】
（4）基体フィルムの評価結果
表1に、樹脂の種類に対する表面固有抵抗値を表した。
【０１２０】
表2に、ボロン帯電防止剤の添加量に対する表面抵抗値を表した。
【０１２１】
表3に、表1の各実施例及び比較例について、樹脂の種類に対する物性値を表した。
【０１２２】
【表１】
2020027819.tif 000007
【０１２３】
【表２】
2020027819.tif 000008
【０１２４】
【表３】
2020027819.tif 000009
【０１２５】
本発明の半導体ウェハ固定用基体フィルムは、窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマー及びポリオレフィンを含む樹脂組成物からなる層を含み、前記樹脂組成物中の窒素原子-ホウ素原子錯体構造の電荷移動型ボロンポリマーの含有量は0.1〜25重量%であることで、優れた帯電防止性能を発揮する。
【０１２６】
本発明の半導体ウェハ固定用基体フィルムは、バックグラインド用基体フィルム及びダイシング用基体フィルムとして、最適な基体フィルムである。バックグラインドフィルムは、本発明の基体フィルムを含むことで優れた帯電防止性能を発揮すると共に、ウェハのバックグラインド工程において、優れた寸法安定性、高剛性、耐熱性等を示す。ダイシングフィルムは、本発明の基体フィルムを含むことで優れた帯電防止性能を発揮すると共に、優れたエキスパンド性等、優れた基材の引張物性を示す。