(57)【要約】【課題】一方の面を支持部材に仮固定して個片化用の溝を形成したウェハの他方の面に金属蒸着を施す場合に、該ウェハを傾けないで金属蒸着を施す場合と比較して、一方の面側に金属膜が付着することが抑制された半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】おもて面に複数の半導体素子が形成されたウェハ１０を準備する工程と、おもて面を接触させてウェハを支持部材１６に固定する工程と、ウェハに分割溝１５を形成して、各々複数の半導体素子の一部が含まれる複数の個片ウェハ２０に分割する工程と、ウェハを蒸着材料２５の進行方向に対して傾斜させるとともに、当該傾斜の傾斜方向と分割溝１５の延伸方向とを一致させない状態でウェハの裏面に金属膜を蒸着する工程と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
おもて面に複数の半導体素子が形成されたウェハを準備する工程と、
前記おもて面を接触させて前記ウェハを支持部材に固定する工程と、
前記ウェハに分割溝を形成して、各々前記複数の半導体素子の一部が含まれる複数の個片ウェハに分割する工程と、
前記ウェハを蒸着材料の進行方向に対して傾斜させるとともに、当該傾斜の傾斜方向と前記分割溝の延伸方向とを一致させない状態で前記ウェハの裏面に金属膜を蒸着する工程と、を含む
半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を０度および１８０度以外の角度として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を４５度または１３５度として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料が前記分割溝を通過して前記支持部材に至らない角度として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料が前記分割溝を通過してさらに前記おもて面に至らない角度として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項４に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料の進行方向を示す直線が前記分割溝を介して前記分割溝から露出する前記支持部材の面と交差しない角度として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料の進行方向を示す直線が前記分割溝を介して前記分割溝から露出する前記おもて面とさらに交差しない角度として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜を蒸着する工程は、中心軸の周囲に配置された複数の前記ウェハを前記中心軸を中心に前記蒸着材料中で公転させて金属膜を蒸着する蒸着装置を用いて前記金属膜を蒸着する工程である
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記金属膜を蒸着する工程は、予め定められた角度範囲で複数の前記ウェハを自転させて前記金属膜を蒸着する工程である
請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記金属膜を蒸着する工程は、複数の前記ウェハを自転させないで前記金属膜を蒸着する工程である
請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜の傾斜角度を１０度以上として前記金属膜を蒸着する工程である
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、表面に素子領域が形成されたウェハを用意し、素子領域を囲むように溝部を形成する工程と、ウェハの表面に接着層を介して剛性のある支持体を貼り付ける工程と、ウェハを裏面から溝部に到達するまで薄膜化してチップに分離する工程と、チップを支持体に貼り付けた状態で熱処理を伴う裏面加工を行う工程と、接着層を溶解しチップをそれぞれ分離する工程と、を含み、接着層は、溝部に入り込むように塗布されていることを特徴とする半導体装置の製造方法が開示されている。特許文献１に開示された半導体装置の製造方法では、個々のチップに分割した状態で裏面に金属蒸着を行っている。そのため、チップの裏面だけでなく、チップ間の溝にも電極材料が蒸着される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２７２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、一方の面を支持部材に仮固定して個片化用の溝を形成したウェハの他方の面に金属蒸着を施す場合に、該ウェハを傾けないで金属蒸着を施す場合と比較して、一方の面側に金属膜が付着することが抑制された半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するために、第１の態様の半導体素子の製造方法は、おもて面に複数の半導体素子が形成されたウェハを準備する工程と、前記おもて面を接触させて前記ウェハを支持部材に固定する工程と、前記ウェハに分割溝を形成して、各々前記複数の半導体素子の一部が含まれる複数の個片ウェハに分割する工程と、前記ウェハを蒸着材料の進行方向に対して傾斜させるとともに、当該傾斜の傾斜方向と前記分割溝の延伸方向とを一致させない状態で前記ウェハの裏面に金属膜を蒸着する工程と、を含むものである。
【０００６】
第２の態様の半導体素子の製造方法は第１の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を０度および１８０度以外の角度として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【０００７】
第３の態様の半導体素子の製造方法は第２の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を４５度または１３５度として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【０００８】
第４の態様の半導体素子の製造方法は第１の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料が前記分割溝を通過して前記支持部材に至らない角度として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【０００９】
第５の態様の半導体素子の製造方法は第４の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料が前記分割溝を通過してさらに前記おもて面に至らない角度として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【００１０】
第６の態様の半導体素子の製造方法は第１の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料の進行方向を示す直線が前記分割溝を介して前記分割溝から露出する前記支持部材の面と交差しない角度として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【００１１】
第７の態様の半導体素子の製造方法は第６の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜方向と前記延伸方向とのなす角度を前記蒸着材料の進行方向を示す直線が前記分割溝を介して前記分割溝から露出する前記おもて面とさらに交差しない角度として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【００１２】
第８の態様の半導体素子の製造方法は第１の態様から第７の態様のいずれかの態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、中心軸の周囲に配置された複数の前記ウェハを前記中心軸を中心に前記蒸着材料中で公転させて金属膜を蒸着する蒸着装置を用いて前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【００１３】
第９の態様の半導体素子の製造方法は第８の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、予め定められた角度範囲で複数の前記ウェハを自転させて前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【００１４】
第１０の態様の半導体素子の製造方法は第８の態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、複数の前記ウェハを自転させないで前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【００１５】
第１１の態様の半導体素子の製造方法は第１の態様から第１０の態様のいずれかの態様の半導体素子の製造方法において、前記金属膜を蒸着する工程は、前記傾斜の傾斜角度を１０度以上として前記金属膜を蒸着する工程であるものである。
【発明の効果】
【００１６】
第１の態様の半導体素子の製造方法によれば、おもて面を支持部材に仮固定して個片化用の溝を形成したウェハの裏面に金属蒸着を施す場合に、該ウェハを傾けないで金属蒸着を施す場合と比較して、おもて面側に金属膜が付着することが抑制された半導体素子の製造方法が提供される、という効果を奏する。
【００１７】
第２の態様の半導体素子の製造方法によれば、傾斜方向と延伸方向とのなす角度を０度または１８０度とする場合と比較して、おもて面側に金属膜が付着することが抑制される、という効果を奏する。
【００１８】
第３の態様の半導体素子の製造方法によれば、傾斜方向と延伸方向とのなす角度を４５度および１３５度以外の角度とする場合と比較して、おもて面側に金属膜が付着することがより効果的に抑制される、という効果を奏する。
【００１９】
第４の態様の半導体素子の製造方法によれば、支持部材との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、分割溝に侵入する蒸着材料の深さがより確実に制御される、という効果を奏する。
【００２０】
第５の態様の半導体素子の製造方法によれば、ウェハのおもて面との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、半導体素子の不良の発生が抑制される、という効果を奏する。
【００２１】
第６の態様の半導体素子の製造方法によれば、蒸着材料の進行方向を示す直線と分割溝を介して分割溝から露出する支持部材の面との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、分割溝に侵入する蒸着材料の深さがより確実に制御される、という効果を奏する。
【００２２】
第７の態様の半導体素子の製造方法によれば、蒸着材料の進行方向を示す直線と分割溝を介して分割溝から露出するおもて面との関係を考慮しないで傾斜方向と延伸方向とのなす角度を設定する場合と比較して、半導体素子の不良の発生が抑制される、という効果を奏する。
【００２３】
第８の態様の半導体素子の製造方法によれば、複数のウェハを中心軸を中心に蒸着材料中で公転させない蒸着装置を用いる場合と比較して、半導体ウェハの裏面への金属膜の蒸着において蒸着むらが抑制される、という効果を奏する。
【００２４】
第９の態様の半導体素子の製造方法によれば、複数のウェハをまったく自転させずに金属膜を蒸着する場合と比較して、半導体ウェハの裏面への金属膜の蒸着において蒸着むらが抑制される、という効果を奏する。
【００２５】
第１０の態様の半導体素子の製造方法によれば、複数のウェハを自転させて金属膜を蒸着する場合と比較して、分割溝に侵入する蒸着材料の深さがより小さくなる、という効果を奏する。
【００２６】
第１１の態様の半導体素子の製造方法によれば、傾斜の傾斜角度を１０度未満として金属膜を蒸着する場合と比較して、半導体ウェハのおもて面側に金属膜が付着することが抑制される、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施の形態に係る半導体素子の製造工程の一例を示す断面図である。
【図２】（ａ）は実施の形態に係るグラインドフレーム（グラインド用のテープフレーム）に配置された個片ウェハを示す平面図、（ｂ）は実施の形態に係る蒸着処理を示す断面図である。
【図３】（ａ）は傾斜角度が０度の場合の蒸着処理を示す断面図、（ｂ）は傾斜角度が３０度の場合の蒸着処理を示す断面図、（ｃ）は半導体ウェハの傾斜角度と蒸着材料の侵入深さとの関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図１から図３を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
【００２９】
図１を参照して、本実施の形態に係る半導体素子の製造方法について説明する。
【００３０】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１１上に素子パターン１２が形成された半導体ウェハ１０を準備する。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０をダイシング（分割）用の部材に搭載する。ダイシング用部材はダイシングテープ１３とダイシングフレーム１４を含み、リング状のダイシングフレーム１４にダイシングテープ１３が貼られた構造となっている。
半導体ウェハ１０の搭載は、半導体ウェハ１０の裏面をダイシングテープに貼り付けて行う。なお、この際の半導体ウェハ１０の厚さは一例として約５００μｍとされている。
【００３２】
次に、半導体ウェハ１０を個片ウェハ２０に分割するためのハーフダイシングを行う。
個片ウェハ２０とは後述するように、半導体ウェハ１０の取り扱いの容易化のために半導体ウェハ１０を複数に分割したものである。ハーフダイシングは、図１（ｃ）に示すように半導体ウェハ１０のおもて（素子）面側から溝１５を形成して行う。溝１５の深さは、例えば最終的な半導体ウェハ１０の厚さに２０μｍ程度加えた深さとする。なお、本実施の形態における半導体ウェハ１０の最終的な厚さは、一例として約１２０μｍとされている。
【００３３】
次に、図１（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１０のグラインド部材への転写を行う。
グラインドとは半導体ウェハ１０の厚さを最終的な厚さとするための裏面研削をいう。図１（ｄ）に示すように、グラインド部材はリング状のフレームであるグラインドフレーム１７にグラインドテープ１６が貼られた構成となっている。グラインド部材への転写は半導体ウェハ１０のおもて面をグラインドテープ１６に埋設させて行う。
【００３４】
次に、図１（ｅ）に示すように裏面をグラインド（研削）して半導体ウェハ１０を個片ウェハ２０に分割する。個片ウェハ２０の分割数に制限はないが、本実施の形態では４分割としている。本裏面研削は例えば砥石等を用いて行う。
【００３５】
次に、図１（ｆ）に示すように、裏面電極１８を蒸着する。裏面電極１８の蒸着の詳細については後述する。
【００３６】
次に、図１（ｇ）に示すように、個々の個片ウェハ２０をダイシング部材に搭載する。
本工程におけるダイシングは個片ウェハ２０をさらに半導体素子２１に個片化するためのダイシングである。本ダイシング部材はリング状のダイシングフレーム２３およびダイシングテープ２２を含み、ダイシングテープ２２はダイシングフレーム２３に貼られている。本工程は個片ウェハ２０の個数分行う。図１（ｇ）の表記「×Ｎ」は個片ウェハ２０の個数を表しており、本実施の形態ではＮ＝４である。
【００３７】
次に、図１（ｈ）に示すように溝１９を形成してフルダイシングを行う。フルダイシングとは個片ウェハ２０をさらに個々の半導体素子２１に分割（個片化）することをいう。
ダイシングは例えばダイシングブレード等を用いて行う。
【００３８】
次に、図１（ｉ）に示すように、半導体素子２１の外観検査を行う。該外観検査は、例えばカメラ２４を用いた画像処理によって行う。その後半導体素子２１の裏面からダイシングテープ２２を剥がし、個々の半導体素子２１に分離する。
【００３９】
なお、以上の半導体装置の製造方法の説明においては本発明に関わりの深い工程のみを示しており、工程の一部を省略している。例えば、図１（ｆ）の裏面電極１８の蒸着の後に裏面電極１８のオーミック性確保のための熱処理工程や、個片ウェハ２０に含まれる半導体素子２１の電気的検査工程が含まれる場合もある。
【００４０】
ここで、大口径、かつ薄い半導体ウェハ、特に化合物半導体ウェハでは、製造プロセス（工程）中に割れる可能性が高いため、予め搬送が容易な大きさに分割することがある。
さらに、テープ上で分割された半導体ウェハに金属蒸着処理を行う工程においては、半導体ウェハを水平状態に保ったまま行なうと、蒸着材料が分割溝（「ストリートともいう）の間を通って素子パターンのある半導体ウェハのおもて面近傍に付着してデバイス故障の要因となる場合がある。あるいは、テープ表面に付着した金属膜がその後テープを剥がす際に素子パターン上に落下して故障の要因となることも想定される。
【００４１】
上述した本実施の形態に係る半導体素子の製造方法においても、図１（ｅ）に示すようにグラインドテープ１６に素子面を固着させて個片ウェハ２０に分割した後、図１（ｆ）に示すように裏面電極１８を蒸着する際、個片ウェハ２０を蒸着材料の進行方向に対して垂直に維持し傾けないで蒸着処理を行うと、蒸着材料が分割溝を通過して半導体素子の素子面に付着し、半導体素子の不良を招く場合がある。あるいは、分割溝を通過した蒸着材料がグラインドテープに付着し、グラインドテープをはがす際に半導体素子の素子面に落下して半導体素子の不良を招く場合がある。
【００４２】
そこで本実施の形態では、半導体ウェハを蒸着材料の進行方向に対して傾斜させるとともに、当該傾斜の傾斜軸と分割溝の延伸方向とを一致させない状態で半導体ウェハの裏面に金属膜を蒸着することとした。このことにより、素子面を支持部材に仮固定して個片化用の溝を形成したウェハの裏面に金属蒸着を施す場合に、該ウェハを傾けないで金属蒸着を施す場合と比較して、素子面側に金属膜が付着することが抑制された半導体素子の製造方法が提供される、という効果を奏する。
【００４３】
以下、図２および図３を参照し、本実施の形態に係る金属蒸着処理についてより詳細に説明する。
【００４４】
図２（ａ）は、図１（ｅ）に示す状態を半導体ウェハ１０の裏面側から見た図である。
図２（ａ）に示すように、グラインドテープ１６およびグラインドフレーム１７を含むグラインド部材に、４個の個片ウェハ２０に分割された半導体ウェハ１０が搭載されている。図２（ｂ）は、グラインド部材（グラインドテープ１６およびグラインドフレーム１７）に搭載された個片ウェハ２０に対して、図１（ｆ）に示す金属蒸着を行う際の配置状態を示している。図２（ｂ）に示すマスク２６は、金属蒸着の対象となる半導体ウェハ１０（個片ウェハ２０）の領域以外を覆うマスクである。
【００４５】
図２（ｂ）に示すように、本実施の形態に係る金属蒸着工程においては、蒸着材料２５の進行方向に対して半導体ウェハ１０を点Ｃを中心として予め定められた傾斜角度θだけ傾斜させる。さらに、当該傾斜は図２（ａ）に示すように、傾斜の方向が溝１５の延伸方向と一致しないようにして傾斜させる。つまり、傾斜の中心を規定するＡ−Ａ’線（以下、「傾斜軸」）を仮想すると、点Ｃを通り紙面に垂直な方向が傾斜軸Ａ−Ａ’の方向と一致している。基準となる溝１５と傾斜軸Ａ−Ａ’とのなす角度（以下、「回転角度φ」）は０度（１８０度）以外であれば特に限定されないが、図２（ａ）に示す分割の場合、蒸着材料２５がいずれの方向の溝１５にも等しく侵入しにくいので４５度が特に好ましい。
【００４６】
次に図３を参照して、傾斜角度θについてより詳細に説明する。図３（ａ）は傾斜角度θがθ＝０度の場合の金属膜の半導体ウェハ１０への付着状態、図３（ｂ）は傾斜角度θがθ＝３０度の場合の金属膜の半導体ウェハ１０への付着状態を各々示している。なお、図３（ａ）、（ｂ）においては回転角度φをすべての溝１５の延伸方向とは異なる方向としている。
【００４７】
図３（ａ）に示すように、傾斜角度θが０度の場合は、個片ウェハ２０と個片ウェハ２０との間の溝１５の方向が蒸着材料２５の進行方向と平行であるために、蒸着材料２５は裏面電極１８を成膜すると同時に溝１５から侵入し、グラインドテープ１６上に金属膜２７を付着させている。また、金属膜２７が横方向に拡散して個片ウェハ２０おもて面上に形成された半導体素子に至っている場合もある。
【００４８】
これに対し、図３（ｂ）に示すように傾斜角度θが３０度の場合は、個片ウェハ２０と個片ウェハ２０との間の溝１５の方向が蒸着材料２５の進行方向と平行でない（交差している）ために、蒸着材料２５は裏面電極１８を成膜する一方溝１５からは侵入しにくく、蒸着材料２５は溝１５の開口端付近の壁面に金属膜２７を付着させるにとどまっている。
すなわち、傾斜角度が３０度の場合の金属膜２７は、溝１５の開口端から溝１５の壁面に沿って侵入深さｄだけしか侵入していない。
【００４９】
図３（ｃ）は、傾斜角度θ（度＝ｄｅｇ）と侵入深さｄ（μｍ）との関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。図３（ｃ）では回転角度φをφ＝４５度とし、溝１５の幅が１０μｍと１５μｍの場合をシミュレーションしている。また、図３（ｃ）に示すｔは半導体ウェハ１０（個片ウェハ２０）の厚さであり、本シミュレーションでは一例として１２０μｍとしている。つまり、図３（ｃ）では、侵入深さｄが厚さｔに達すると蒸着材料２５がグラインドテープ１６まで至り、グラインドテープ上に金属膜２７が付着する。
【００５０】
図３（ｃ）を参照すると、例えば溝１５の幅が１０μｍの場合、傾斜角度θをθ＝３０度とすると侵入深さｄはｄ＝３７μｍ、傾斜角度θをθ＝４５度とすると侵入深さｄはｄ＝２１μｍとなる。すなわち、傾斜角度θを大きくするほど溝１５の深さ方向と蒸着材料２５の進行方向とのなす角度が大きくなるので、侵入深さｄは小さくなる。ただし、傾斜角度θを極端に大きくすると裏面電極１８の成膜に影響することも考えられるので、実際の傾斜角度θの上限は裏面電極１８の成膜状態等を勘案して設定してもよい。
【００５１】
一方傾斜角度θを小さくするほど侵入深さｄは大きくなるが、図３（ｃ）から傾斜角度θが１０度以上であれば侵入深さｄが基板の厚さｔ（本例では１２０μｍ）に達しないことがわかる。すなわち、傾斜角度θはθ≧１０度を満たすことが必要であることがわかる。ただし、図３（ｃ）から明らかなように、傾斜角度θの下限は半導体ウェハ１０の厚さｔに応じて設定すべきものである。
【００５２】
次に、本実施の形態に係る半導体素子の製造方法で用いる蒸着装置について説明する。
本実施の形態に係る蒸着装置は以下のような構成となっている。すなわち、ダイシング部材に搭載された複数の半導体ウェハを配置する配置部材が中心軸の周囲に複数配置された蒸着ドームを備え、複数の半導体ウェハを配置した該蒸着ドームは該中心軸を中心に公転可能とされている。また、配置部材自身も回転可能とされ、複数の半導体ウェハの各々は配置部材の回転に伴って自転も可能とされている。そして、複数の半導体ウェハを配置した蒸着ドームに対して蒸着材料を飛翔させることにより半導体ウェハに裏面電極の蒸着等を行う。以上の構成の蒸着装置では、一般的には公転と自転とを併用することによって裏面電極がむらなく成膜される。
【００５３】
一方、本実施の形態に係る蒸着装置では公転は実行するが、自転はさせないように構成されている。これは、本実施の形態では、溝１５の延伸方向と傾斜軸（図２のＡ−Ａ’線）とが一致しないように回転角度φを設定し、溝１５の内部に蒸着材料２５が侵入しないようにしているが、配置部材を回転させると回転角度φが変化し、自転の特定のタイミングで溝１５の延伸方向と傾斜軸とが平行または平行に近い状態となり、蒸着材料が溝１５の奥まで侵入する可能性が高くなる（すなわち、図３（ｂ）に示す侵入深さｄが大きくなる）からである。一方、公転は回転角度φに対する影響度はほとんどないので、通常通り実行する。
【００５４】
以上のように蒸着装置を構成することによって、本実施の形態に係る半導体素子の製造方法では裏面電極等の金属膜がむらなく成膜されるとともに、素子面側に金属膜が付着することがより効果的に抑制されている。
【００５５】
ここで、本実施の形態に係る蒸着装置では、自転をさせない構成を例示して説明したが、これに限られず、許容される金属膜２７の侵入深さｄ等を勘案して、限られた角度範囲で半導体ウェハを自転させるようにしてもよい。
【００５６】
なお、上記実施の形態では裏面電極を蒸着する工程を例示して説明したが、これに限られず、一方の面が支持部材に固定され分割用の溝が形成された半導体ウェハ（すなわち、複数の個片ウェハ）の他方の面に金属膜を蒸着する工程であれば、いずれの蒸着工程にも本発明が適用される。また、蒸着する面は裏面に限られずおもて面であってもよいし、さらには蒸着材料は金属に限られず、他の材料であってもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０      半導体ウェハ
１１      半導体基板
１２      素子パターン
１３      ダイシングテープ
１４      ダイシングフレーム
１５      溝
１６      グラインドテープ
１７      グラインドフレーム
１８      裏面電極
１９      溝
２０      個片ウェハ
２１      半導体素子
２２      ダイシングテープ
２３      ダイシングフレーム
２４      カメラ
２５      蒸着材料
２６      マスク
２７      金属膜
Ｃ        点
ｄ        侵入深さ
ｔ        厚さ
θ        傾斜角度
φ        回転角度
【図１】
2020027885.tif 000003
【図２】
2020027885.tif 000004
【図３】
2020027885.tif 000005