(57)【要約】【課題】加工品質の悪化を抑制しながらも幅の狭いスリットを形成することを可能とすること。【解決手段】切削ブレードの製造方法は、砥粒を結合材で結合して、第１面と第１面の背面の第２面とを有した円環状の切削ブレードを形成するブレード形成ステップＳＴ１と、形成された円環状の切削ブレードの外周縁に開口し第１面から第２面に貫通したスリットを形成するスリット形成ステップＳＴ２と、を備える。スリット形成ステップＳＴ２では、切削ブレードの第１面にレーザビームを照射して切削ブレードの該第１面から第２面に向かう厚み方向中央に至る第１の溝を形成するとともに、切削ブレードの該第２面にレーザビームを照射して第１の溝に連通する第２の溝を形成して第１面から第２面に貫通したスリットを形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
切削ブレードの製造方法であって、
砥粒を結合材で結合して、第１面と該第１面の背面の第２面とを有した円環状の切削ブレードを形成するブレード形成ステップと、
形成された円環状の該切削ブレードの外周縁に開口し該第１面から該第２面に貫通したスリットを形成するスリット形成ステップと、を備え、
該スリット形成ステップでは、該切削ブレードの該第１面にレーザビームを照射して該切削ブレードの該第１面から該第２面に向かう厚み方向中央に至る第１の溝を形成するとともに、該切削ブレードの該第２面に該レーザビームを照射して該第１の溝に連通する第２の溝を形成して該第１面から該第２面に貫通したスリットを形成する、切削ブレードの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法で製造された切削ブレードであって、
該スリットは、該切削ブレードの該厚み方向中央を基準に該第１面側と該第２面側とで断面形状が対称である、切削ブレード。
【請求項３】
該結合材は樹脂からなる、請求項２に記載の切削ブレード。
【請求項４】
該切削ブレードの該第１面から該第２面に至る厚みは０．２３ｍｍより厚く、０．５ｍｍ以下であり、
該スリットの幅は、５０μｍ以下で１０μｍ以上である、請求項２または請求項３に記載の切削ブレード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削ブレードの製造方法、及び切削ブレードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＱＦＮ（Quad  Flat  Non-leaded  Package）基板、ＣＳＰ（Chip  Scale  Packaging）基板などの分割予定ラインに電極等の金属部品が設けられたパッケージ基板を切削する切削ブレードとして、外周縁に開口したスリットが形成された所謂スリット入り切削ブレードが存在している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
本出願人は、スリットが形成された切削ブレードでパッケージ基板を切削すると、発生するバリのサイズを抑えることができ、更に、スリット幅が狭い程、バリのサイズをより抑えることができる事を見いだした。
【０００４】
一方、スリットは、放電加工や切削ブレード、レーザビームの照射等で形成している。放電加工は、時間がかかる上、ボンド材がレジンボンドである切削ブレードを加工できない。そこで、ボンド材がレジンボンドである切削ブレードを他の切削ブレードで切削して、スリットを形成することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３７０１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したスリットの幅を狭くするには、スリットを形成するために使用する切削ブレードの刃厚をスリットの幅に対応して薄くなくてはならない。しかしながら、刃厚の薄い切削ブレードで切削ブレードを切削しようとしても刃厚の薄い切削ブレードが破損してしまうことがある。
【０００７】
レーザビームを照射するレーザー加工では、スリットの断面形状が先細りとなり、スリットの幅が切削ブレードの第１面と第２面側とで異なることとなり、パッケージ基板の加工品質が悪化するという問題がある。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、加工品質の悪化を抑制しながらも幅の狭いスリットを形成することを可能とする切削ブレードの製造方法、及び切削ブレードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の切削ブレードの製造方法は、切削ブレードの製造方法であって、砥粒を結合材で結合して、第１面と該第１面の背面の第２面とを有した円環状の切削ブレードを形成するブレード形成ステップと、形成された円環状の該切削ブレードの外周縁に開口し該第１面から該第２面に貫通したスリットを形成するスリット形成ステップと、を備え、該スリット形成ステップでは、該切削ブレードの該第１面にレーザビームを照射して該切削ブレードの該第１面から該第２面に向かう厚み方向中央に至る第１の溝を形成するとともに、該切削ブレードの該第２面に該レーザビームを照射して該第１の溝に連通する第２の溝を形成して該第１面から該第２面に貫通したスリットを形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明の切削ブレードは、前記製造方法で製造された切削ブレードであって、該スリットは、該切削ブレードの該厚み方向中央を基準に該第１面側と該第２面側とで断面形状が対称であることを特徴とする。
【００１１】
前記切削ブレードにおいて、該結合材は樹脂からなっても良い。
【００１２】
前記切削ブレードにおいて、該切削ブレードの該第１面から該第２面に至る厚みは０．２３ｍｍより厚く、０．５ｍｍ以下であり、該スリットの幅は、５０μｍ以下で１０μｍ以上であっても良い。
【発明の効果】
【００１３】
本願発明は、加工品質の悪化を抑制しながらも幅の狭いスリットを形成することを可能とするという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施形態１に係る切削ブレードの平面図である。
【図２】図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図４は、図１に示された切削ブレードの加工対象の被加工物の一例の平面図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る切削ブレードの製造方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、図５に示された切削ブレードの製造方法のブレード形成ステップで形成された円環状の切削ブレードの平面図である。
【図７】図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図８】図８は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップにおいて、ブレード形成ステップで形成された複数の切削ブレードをテープに支持した状態の一例を示す斜視図である。
【図９】図９は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップで用いられるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップにおいて、スリットを形成する状態を模式的に示す側面図である。
【図１１】図１１は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップにおいて、第１の溝が形成された切削ブレードの平面図である。
【図１２】図１２は、図１１中のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図１３】図１３は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップ後の切削ブレードの外周縁の接線と平行でかつ第１面と第２面との双方と直交する断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態１の変形例に係る切削ブレードの製造方法により製造された切削ブレードの外周縁の接線と平行でかつ第１面と第２面との双方と直交する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１６】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る切削ブレードを図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る切削ブレードの平面図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１に示された切削ブレードの加工対象の被加工物の一例の平面図である。
【００１７】
実施形態１に係る図１、図２及び図３に示す切削ブレード１は、図示しない切削装置に装着されて、図４に例示する被加工物２００を切削して、個々のパッケージチップ２２０に分割するものである。実施形態１において、切削ブレード１の加工対象の被加工物２００は、ＱＦＮ（Quad  Flat  Non-leaded  Package）基板である。
【００１８】
被加工物２００は、図４に示すように、銅を含む金属（即ち、銅合金）からなる金属プレート２０１と、樹脂層２１０とを備える。
【００１９】
金属プレート２０１は、平面形状が矩形の平板状に形成され、デバイス領域２０２と、デバイス領域２０２を囲繞する非デバイス領域２０３とが設けられている。実施形態１において、デバイス領域２０２は、三つ設けられているが、デバイス領域２０２の数は、三つに限定されない。デバイス領域２０２は、図４に示すように、複数の領域２０４を区画する分割予定ライン２０５を有している。領域２０４は、デバイスチップ２０６を搭載している。分割予定ライン２０５は、領域２０４に搭載されたデバイスチップ２０６と図示しないワイヤにより接続された電極部２０７が設けられている。電極部２０７は、金属から構成され、実施形態１に係る切削ブレード１により長手方向の中央が切断される金属部材であり、非デバイス領域２０３に連結されている。
【００２０】
樹脂層２１０は、熱可塑性樹脂により構成され、金属プレート２０１の領域２０４の表面に搭載したデバイスチップ２０６及びワイヤを封止（被覆）している。樹脂層２１０は、金属プレート２０１のデバイスチップ２０６を搭載した表面側では、デバイスチップ２０６を含むデバイス領域２０２全体を封止（被覆）している。また、樹脂層２１０は、金属プレート２０１の表面の裏側の裏面側では、図４に示すように、デバイスチップ２０６を搭載した領域２０４と、電極部２０７とを露出させた状態で分割予定ライン２０５内を封止している。
【００２１】
被加工物２００は、各デバイス領域２０２の分割予定ライン２０５の幅方向の中央が切断されて、電極部２０７が二分割されて、個々のパッケージチップ２２０に分割される。このように、実施形態１に係る切削ブレード１の加工対象である被加工物２００は、切削ブレード５０で切削される分割予定ライン２０５に金属からなる電極部２０７が配置されたパッケージ基板であるＱＦＮ基板である。なお、実施形態１では、被加工物２００は、分割予定ライン２０５に電極部２０７が配置されたＱＦＮ基板であるか、これに限定されず、ＣＳＰ（Chip  Scale  Packaging）基板でも良い。
【００２２】
また、本発明では、被加工物２００は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハであって、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成され、分割予定ライン２０５に金属により構成された金属部材であるＴＥＧ（Test  Element  Group）又ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）用のダミーパターンが形成されたものでも良い。要するに、本発明の切削ブレード１の加工対象の被加工物２００は、切削ブレード１により切削される分割予定ライン２０５に金属部材が設けられているものであれば良い。
【００２３】
実施形態１に係る切削ブレード１は、図１及び図２に示すように、極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、切削装置に装着されて、切削液が供給されながらスピンドルにより軸心回りに回転されることで、被加工物２００を切削加工するものである。実施形態１に係る切削ブレード１は、環状の切り刃２で構成された所謂ワッシャブレードであるが、金属で構成された円環状の支持基台の外周に切り刃を支持した所謂ハブブレードでも良い。
【００２４】
実施形態１に係る切削ブレード１は、砥粒を結合材で結合して、切り刃２が図１に示すように円環状に形成されている。切削ブレード１は、図２に示すように、第１面３と、第１面３の背面の第２面４とを有している。第１面３と第２面４は、それぞれ、平坦に形成され、互いに平行に配置されている。
【００２５】
切削ブレード１は、図１及び図２に示すように、切り刃２の外縁部に複数のスリット５を備えている。スリット５は、切り刃２の周方向に等間隔に配置されている。スリット５は、切り刃２の外周縁６に開口し、第１面３から第２面４に向かって切り刃２を貫通している。各スリット５は、切削ブレード５０−２の切り刃２の外周縁６から切削ブレード５０−２の内周方向に径方向に沿って直線状に形成されている。
【００２６】
スリット５は、少なくとも外周縁６の接線と平行でかつ第１面３と第２面４との双方と直交する断面において、図３に示すように、切削ブレード１の切り刃２の厚み方向中央１０（図３中に一点鎖線で示す）を基準に第１面３側と第２面４側とで断面形状が対称である。厚み方向中央１０は、切削ブレード１の切り刃２の厚みを二等分する仮想的な線である。スリット５は、少なくとも外周縁６の接線と平行でかつ第１面３と第２面４との双方と直交する断面において、切削ブレード１の切り刃２の厚み方向中央１０を基準に線対称形状に形成されている。なお、実施形態１では、スリット５は、第１面３と第２面４との双方側から切り刃２を構成する母材に対して吸収性を有する波長のレーザビーム（図１０に示す）１０１が照射されて形成される。実施形態１では、スリット５は、前述した断面において、第１面３と第２面４との双方側から厚み方向中央１０に向かうにしたがって徐々に幅が狭く形成されている。
【００２７】
また、実施形態１では、切削ブレード１の切り刃２の厚み１１（図２及び図３に示す）は、０．２３ｍｍよりも厚く、かつ０．５ｍｍ以下である。なお、切削ブレード１の切り刃２の厚み１１が、０．２３ｍｍよりも厚く、かつ０．５ｍｍ以下であるには、厚み１１が０．２３ｍｍ以下であると、スリット５を形成する際に、第１面３と第２面４のいずれか一方側から照射されたレーザビーム１０１によりスリット５を形成できるが、形成されたスリット５がいずれ一方側から他方側に向かって徐々に先細に形成されて、厚み方向中央１０を基準に対称形状とならずに、切削した際のバリがパッケージチップ２２０の製造上許される大きさを超えてしまうからである。
【００２８】
また、切削ブレード１の切り刃２の厚み１１が、０．２５ｍｍよりも厚く、かつ０．５ｍｍ以下であるには、厚み１１が０．５ｍｍを超えると、第１面３と第２面４との双方側からレーザビーム１０１を照射しても、スリット５が切削ブレード１の切り刃２を貫通しないからである。
【００２９】
また、実施形態１では、スリット５の第１面３及び第２面４における幅５３は、５０μｍ以下でかつ１０μｍ以上である。なお、スリット５の幅５３が、５０μｍ以下でかつ１０μｍ以上であるのは、幅５３が１０μｍより狭いとスリットなし切削ブレードとバリの状態かわらずバリがパッケージチップ２２０の製造上許されるものではなく、幅５３が５０μｍを超えると、切削した際のバリがパッケージチップ２２０の製造上許される大きさを超えてしまうからである。
【００３０】
また、実施形態２において、スリット５は、１２個形成されているが、本発明では、スリット５の数は、これに限定されない。
【００３１】
また、実施形態１に係る切削ブレード１は、環状の切り刃２が砥粒を結合材である樹脂で固定した所謂レジンブレードであるが、本発明では、砥粒を結合材であるメタルボンドで固定した所謂メタルブレードでも良く、砥粒を結合材であるビトリファイドボンドで固定した所謂ビトリファイドブレードでも良く、砥粒を結合材である電鋳ボンドで固定した所謂電鋳ブレードでも良い。
【００３２】
次に、実施形態１に係る切削ブレードの製造方法を図面に基づいて説明する。図５は、実施形態１に係る切削ブレードの製造方法を示すフローチャートである。実施形態１に係る切削ブレードの製造方法は、図５に示すように、ブレード形成ステップＳＴ１と、スリット形成ステップＳＴ２とを備える。
【００３３】
（ブレード形成ステップ）
図６は、図５に示された切削ブレードの製造方法のブレード形成ステップで形成された円環状の切削ブレードの平面図である。図７は、図６中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。ブレード形成ステップＳＴ１は、砥粒を結合材である樹脂で結合して、第１面３と第１面３の背面の第２面４とを有した円環状の切削ブレード１−１（図６に示す）を形成するステップである。なお、切削ブレード１−１は、スリット５が形成されていないこと以外、切削ブレード１と構成が等しいので、切削ブレード１と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。
【００３４】
実施形態１において、ブレード形成ステップＳＴ１では、砥粒を結合材である樹脂に混合し、ホットプレス法等により焼成、熱硬化の後、研磨仕上げ等から施されて、図６及び図７に示す切削ブレード１を形成する。ブレード形成ステップＳＴ１で形成された切削ブレード１は、スリット５が形成されていない。
【００３５】
（スリット形成ステップ）
図８は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップにおいて、ブレード形成ステップで形成された複数の切削ブレードをテープに支持した状態の一例を示す斜視図である。図９は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップで用いられるレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。図１０は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップにおいて、スリットを形成する状態を模式的に示す側面図である。図１１は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップにおいて、第１の溝が形成された切削ブレードの平面図である。図１２は、図１１中のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿う断面図である、図１３は、図５に示された切削ブレードの製造方法のスリット形成ステップ後の切削ブレードの外周縁の接線と平行でかつ第１面と第２面との双方と直交する断面図である。
【００３６】
スリット形成ステップＳＴ２は、ブレード形成ステップＳＴ１で形成された円環状の切削ブレード１の外周縁６に開口し第１面３から第２面４に向かって切り刃２を貫通したスリット５を形成するステップである。実施形態１において、スリット形成ステップＳＴ２では、図８に示すように、複数の切削ブレード１の第２面４を支持部材である円板状のテープ３００に貼着し、テープ３００の外縁部にリング状の環状フレーム３０１を貼着して、複数の切削ブレード１を環状フレーム３０１の開口３０２内に支持する。なお、実施形態では、切削ブレード１を支持する支持部材として、テープ３００を用いたが、本発明では、支持部材として、テープ３００の他に、シリコン又はガラス等で構成された基板を用い、基板上に接着部材を介して切削ブレード１を固定しても良い。
【００３７】
実施形態１において、スリット形成ステップＳＴ２では、図９に示されたレーザ加工装置１００を用いて、パルス状のレーザビーム１０１を照射してスリット５を形成する。図９に示されたレーザ加工装置１００は、複数の切削ブレード１をテープ３００を介して保持面１０２に保持するチャックテーブル１０３と、チャックテーブル１０３に保持された切削ブレード１にレーザビーム１０１を照射するレーザビーム照射ユニット１０４と、チャックテーブル１０３に保持された切削ブレード１を撮像する撮像ユニット１０５と、チャックテーブル１０３を水平方向と平行なＸ軸方向に移動させるＸ軸移動ユニット１０６と、チャックテーブル１０３を水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動させるＹ軸移動ユニット１０７と、レーザビーム照射ユニット１０４を鉛直方向と平行なＺ軸方向に移動させるＺ軸移動ユニット１０８と、チャックテーブル１０３をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させる回転移動ユニット１０９と、各構成要素を制御する制御ユニット１１０等を備える。
【００３８】
レーザビーム照射ユニット１０４は、図１０に示すように、パルス状のレーザビーム１０１を発振するレーザ発振器１１１と、レーザ発振器１１１が発振するレーザビーム１０１のパルス幅を調整するパルス幅調整手段１１２と、レーザ発振器１１１が発振するレーザビーム１０１の繰り返し周波数を調整する繰り返し周波数調整手段１１３と、レーザ発振器１１１が発振するレーザビーム１０１の出力を調整するパワー調整手段１１４と、レーザ発振器１１１が発振するレーザビーム１０１をチャックテーブル１０３の保持面１０２に向けて反射するミラー１１５と、レーザ発振器１１１が発振するレーザビーム１０１を集光する集光レンズ１１６とを備える。なお、パルス幅調整手段１１２、繰り返し周波数調整手段１１３、及びパワー調整手段１１４の機能は、コンピュータのＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置が、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。
【００３９】
レーザ加工装置１００は、チャックテーブル１０３の保持面１０２に切削ブレード１を保持し、撮像ユニット１０５で切削ブレード１−１を撮像して、レーザビーム照射ユニット１０４と切削ブレード１とを位置合わせするアライメントを遂行した後、各移動ユニット１０６，１０７，１０８，１０９が所望の位置にスリット５を形成するように、チャックテーブル１０３とレーザビーム照射ユニット１０４とを相対的に移動させながら、レーザビーム照射ユニット１０４がレーザビーム１０１を切削ブレード１に照射して、切削ブレード１にスリット５を形成する。
【００４０】
実施形態１において、スリット形成ステップＳＴ２では、レーザ加工装置１００が、チャックテーブル１０３にテープ３００を介して切削ブレード１−１の第２面４側を吸引保持し、チャックテーブル１０３の周囲のクランプ部１１７が環状フレーム３０１をクランプする。スリット形成ステップＳＴ２では、レーザ加工装置１００が、撮像ユニット１０５で切削ブレード１−１を撮像してアライメントを遂行した後、各移動ユニット１０６，１０７，１０８，１０９がチャックテーブル１０３とレーザビーム照射ユニット１０４とを相対的に移動させながら、各切削ブレード１−１の第１面３の各スリット５を形成する所望の位置に向けてレーザビーム１０１を照射する。
【００４１】
なお、実施形態１では、各スリット５を形成する所望の位置をＸ軸方向と平行し、波長が３５５ｎｍのレーザビーム１０１を、繰り返し周波数を３０ｋＨｚ以上でかつ４０ｋＨｚ以下とし、チャックテーブル１０３をＸ軸方向に２００ｍｍ／ｓｅｃ以上でかつ４００ｍｍ／ｓｅｃ以下の加工送り速度で移動して、各スリット５を形成する所望の位置に向けてレーザビーム１０１を照射する。また、実施形態１では、レーザビーム１０１の集光点を厚み方向中央１０よりもチャックテーブル１０３側に位置付けて、切削ブレード１−１の第１面３にレーザビーム１０１を照射する。
【００４２】
実施形態１において、スリット形成ステップＳＴ２では、レーザ加工装置１００が、チャックテーブル１０３に保持した全ての切削ブレード１−１の全てのスリット５を形成する所望の位置に向けてレーザビーム１０１を照射すると、レーザビーム１０１の照射、チャックテーブル１０３の吸引保持、クランプ部１１７のクランプを一旦停止する。
【００４３】
すると、各切削ブレード１−１は、図１１及び図１２に示すように、切削ブレード１−１の第１面３から第２面４に向かう厚み方向中央に至る第１の溝５１を形成する。こうして、スリット形成ステップＳＴ２では、切削ブレード１−１の第１面３にレーザビーム１０１を照射して切削ブレード１−１の第１面３から第２面４に向かう厚み方向中央１０に至る第１の溝５１を形成する。なお、実施形態１では、第１の溝５１は、第１面３から第２面４に向うにしたがって徐々に幅５３が狭く形成されている。
【００４４】
その後、実施形態１において、スリット形成ステップＳＴ２では、全ての切削ブレード１−１の第１面３及び環状フレーム３０１にテープ３００と同等の構成の支持部材である他のテープを貼着し、テープ３００を剥がす。
【００４５】
実施形態１において、スリット形成ステップＳＴ２では、レーザ加工装置１００が、チャックテーブル１０３に切削ブレード１−１の第１面３側を吸引保持し、クランプ部１１７が環状フレーム３０１をクランプし、アライメントを遂行した後、第１面３にレーザビーム１０１を照射した時の同様に、切削ブレード１−１の第２面４にレーザビーム１０１を照射する。即ち、実施形態１では、レーザビーム１０１の集光点を厚み方向中央１０よりもチャックテーブル１０３側に位置付けて、切削ブレード１−１の第２面４にレーザビーム１０１を照射する。
【００４６】
すると、図１３に示すように、第２面４から第１面３に向かいかつ第１の溝５１に連通する第２の溝５２を形成して、第１面３から第２面４に向かって切り刃２を貫通したスリット５を形成して、切削ブレード１を製造する。なお、実施形態１では、第２の溝５２は、第２面４から第１面３に向うにしたがって徐々に幅５３が狭く形成されている。
【００４７】
以上説明したように、実施形態１に係る切削ブレードの製造方法は、スリット形成ステップＳＴ２において。第１面３側と第２面４側との双方からレーザビーム１０１を照射してスリット５を形成するため、スリット５の断面形状を厚み方向中央１０を基準に対称形状にすることができ、スリット５の形状の非対称に起因する加工品質悪化を防止できる切削ブレード１を提供できる。
【００４８】
また、実施形態１に係る切削ブレードの製造方法は、スリット形成ステップＳＴ２において。第１面３側と第２面４側との双方からレーザビーム１０１を照射してスリット５を形成するため、第１面３と第２面４とのいずれか一方側からレーザビーム１０１を照射してスリット５を形成する場合よりもスリット５の幅５３を抑制することができる。
【００４９】
その結果、実施形態１に係る切削ブレードの製造方法は、被加工物２００の加工品質の悪化を抑制しながらも幅の狭いスリット５を形成することを可能とするという効果を奏する。
【００５０】
また、実施形態１に係る切削ブレード１は、前述した切削ブレードの製造方法で製造されるために、厚み方向中央１０を基準に第１面３側と第２面４側とでスリット５が対称形状に形成されるため、切削中に切削ブレード１がばたつくことが抑えられ、バリやチッピング等を改善できる。
【００５１】
また、実施形態１に係る切削ブレード１は、結合材が樹脂であるために、切削液によって結合材が変質するおそれがあるが、乾式加工であるレーザ加工でスリット５を形成できるので、スリット５を形成する際に、結合材が変質するおそれがない。
【００５２】
また、実施形態１に係る切削ブレード１は、厚み１１が０．２３ｍｍより厚く、０．５ｍｍ以下であるために、厚み方向中央１０を基準に切り刃２を貫通しかつ第１面３側と第２面４側とで対称形状のスリット５を形成できる。また、実施形態１に係る切削ブレード１は、スリット５の幅５３が、５０μｍ以下でかつ１０μｍ以上であるので、バリを抑制した加工か可能となる。
【００５３】
〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係る切削ブレードの製造方法及び切削ブレードを図面に基づいて説明する。図１４は、実施形態１の変形例に係る切削ブレードの製造方法により製造された切削ブレードの外周縁の接線と平行でかつ第１面と第２面との双方と直交する断面図である。なお、図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００５４】
変形例に係る切削ブレードの製造方法は、切削ブレード１の外周縁６の接線と平行でかつ第１面３と第２面４との双方と直交する断面において、図１４に示すように、内側面５４，５５が第１面３と第２面４との双方に対して垂直となり、幅５３が厚み方向に一定になるように、スリット５−１を形成する。このために、変形例に係る切削ブレード１は、スリット５−１の幅５３が厚み方向に一定に形成されている。
【００５５】
変形例に係る切削ブレードの製造方法は、スリット形成ステップＳＴ２では、例えば、第１面３にレーザビーム１０１を照射する時の集光点を第２面４側に設定するとともに、第２面４にレーザビーム１０１を照射する時に集光点を第１面３側に設定する。
【００５６】
もしくは、変形例に係る切削ブレードの製造方法は、スリット形成ステップＳＴ２では、第１面３から先細りの第１の溝５１を形成した後、第２面４にレーザビーム１０１を照射する際の集光点を第１面３側に設定してスリット５−１を形成する。
【００５７】
変形例に係る切削ブレードの製造方法は、スリット形成ステップＳＴ２において。第１面３側と第２面４側との双方からレーザビーム１０１を照射してスリット５−１を形成するため、スリット５−１の断面形状を厚み方向中央１０に関して対称形状にすることができ、スリット５−１形状の非対称に起因する加工品質悪化を防止できる切削ブレード１を提供できる。
【００５８】
また、変形例に係る切削ブレード１は、スリット５−１の内側面５４，５５が第１面３と第２面４との双方に対して垂直となり、幅５３が厚み方向に一定であるために、切削中に切削ブレード１がばたつくことが抑えられ、バリやチッピング等を改善できる。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態及び変形例に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１，１−１  切削ブレード
３  第１面
４  第２面
５  スリット
６  外周縁
１０  厚み方向中央
１１  厚み
５１  第１の溝
５２  第２の溝
５３  幅
１０１  レーザビーム
ＳＴ１  ブレード形成ステップ
ＳＴ２  スリット形成ステップ
【図１】
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【図２】
2020199556.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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