(57)【要約】【課題】無機保護層の打痕割れの発生が抑制される電子写真感光体を提供すること。【解決手段】導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた電荷発生層と、電荷発生層上に設けられた電荷輸送層と、電荷輸送層上に設けられた無機保護層と、を有し、下引層、電荷輸送層及び無機保護層の膜弾性率が、各々、５ＧＰａ以上である電子写真感光体。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられた下引層と、
前記下引層上に設けられた電荷発生層と、
前記電荷発生層上に設けられた電荷輸送層と、
前記電荷輸送層上に設けられた無機保護層と、
を有し、
前記下引層、前記電荷輸送層及び前記無機保護層の膜弾性率が、各々、５ＧＰａ以上である電子写真感光体。
【請求項２】
前記下引層と前記無機保護層との膜弾性率の差が６０ＧＰａ以内である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記電荷輸送層と前記無機保護層との膜弾性率の差が９０ＧＰａ以内である請求項１又は請求項２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
導電性基体と、
前記導電性基体上に設けられ、金属酸化物層からなる下引層と、
前記下引層上に設けられた電荷発生層と、
前記電荷発生層上に設けられ、結着樹脂、電荷輸送材料、及びシリカ粒子を含む電荷輸送層と、
前記電荷輸送層上に設けられ、金属酸化物層からなる無機保護層と、
を有する電子写真感光体。
【請求項５】
前記下引層が、ガリウム及び酸素を含む金属酸化物層からなる下引層である請求項４に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記無機保護層が、ガリウム及び酸素を含む金属酸化物層からなる無機保護層である請求項４又は請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記無機保護層の膜厚が、１．０μｍ以上１０μｍ以下である請求項４〜請求項６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記無機保護層の膜厚が、３．０μｍ以上１０μｍ以下である請求項７に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送層に対して３０質量％以上７０質量％以下である請求項４〜請求項８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送層に対して５０質量％以上７０質量％以下である請求項９に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、導電性基体と、導電性基体上に設けられた有機感光層であって、無機保護層と接する面側の領域に少なくとも電荷輸送材料及び体積平均粒径が２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるシリカ粒子を含む有機感光層と、有機感光層上にその表面に接して設けられた無機保護層と、を備えた電子写真感光体が記載されている。
【０００３】
特許文献２には、基体と、基体側から順に、酸素及びガリウムを含み且つガリウムの含有率が２８原子％以上４０原子％以下の蒸着膜である下引層と、感光層と、を有する電子写真感光体が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５９９４７０８号公報
【特許文献２】特許第５５０９７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、無機保護層を備える電子写真感光体は、キャリア等の硬質物が電子写真感光体に接触する部材との間に介在すると、無機保護層に打痕が生じることがある。
【０００６】
本発明の課題は、無機保護層を備える電子写真感光体において、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の少なくとも一層の膜弾性率が５ＧＰａ未満である場合、又は、結着樹脂及び金属酸化物粒子を含む下引層を有する場合に比べ、無機保護層の打痕の発生が抑制される電子写真感光体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００８】
＜１＞  導電性基体と、前記導電性基体上に設けられた下引層と、前記下引層上に設けられた電荷発生層と、前記電荷発生層上に設けられた電荷輸送層と、前記電荷輸送層上に設けられた無機保護層と、を有し、前記下引層、前記電荷輸送層及び前記無機保護層の膜弾性率が、各々、５ＧＰａ以上である電子写真感光体。
【０００９】
＜２＞  前記下引層と前記無機保護層との膜弾性率の差が６０ＧＰａ以内である＜１＞に記載の電子写真感光体。
＜３＞  前記電荷輸送層と前記無機保護層との膜弾性率の差が９０ＧＰａ以内である＜１＞又は＜２＞に記載の電子写真感光体。
【００１０】
＜４＞  導電性基体と、前記導電性基体上に設けられ、金属酸化物層からなる下引層と、前記下引層上に設けられた電荷発生層と、前記電荷発生層上に設けられ、結着樹脂、電荷輸送材料、及びシリカ粒子を含む電荷輸送層と、前記電荷輸送層上に設けられ、金属酸化物層からなる無機保護層と、を有する電子写真感光体。
【００１１】
＜５＞  前記下引層が、ガリウム及び酸素を含む金属酸化物層からなる下引層である＜４＞に記載の電子写真感光体。
＜６＞  前記無機保護層が、ガリウム及び酸素を含む金属酸化物層からなる無機保護層である＜４＞又は＜５＞に記載の電子写真感光体。
【００１２】
＜７＞  前記無機保護層の膜厚が、１．０μｍ以上１０μｍ以下である＜４＞〜＜６＞のいずれか１に記載の電子写真感光体。
＜８＞  前記無機保護層の膜厚が、３．０μｍ以上１０μｍ以下である＜７＞に記載の電子写真感光体。
【００１３】
＜９＞  前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送層に対して３０質量％以上７０質量％以下である＜４＞〜＜８＞のいずれか１に記載の電子写真感光体。
＜１０＞  前記シリカ粒子の含有量が、前記電荷輸送層に対して５０質量％以上７０質量％以下である＜９＞に記載の電子写真感光体。
【００１４】
＜１１＞  ＜１＞〜＜１０＞のいずれか１に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に脱着するプロセスカートリッジ。
【００１５】
＜１２＞  ＜１＞〜＜１０＞のいずれか１に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、
トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、
前記トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【発明の効果】
【００１６】
＜１＞、＜４＞、＜５＞、又は＜６＞に係る発明によれば、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の少なくとも一層の膜弾性率が５ＧＰａ未満である場合、又は、結着樹脂及び金属酸化物粒子を含む下引層を有する場合に比べ、無機保護層の打痕の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
【００１７】
＜２＞又は＜３＞に係る発明によれば、下引層と無機保護層との膜弾性率の差が６０ＧＰａを超える又は電荷輸送層と無機保護層との膜弾性率の差が９０ＧＰａを超える場合に比べ、無機保護層の打痕の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
【００１８】
＜７＞又は＜８＞に係る発明によれば、表面保護層の膜厚が１．０μｍ未満である場合に比べ、無機保護層の打痕の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
【００１９】
＜９＞又は＜１０＞に係る発明によれば、シリカ粒子の含有量が電荷輸送層に対して３０質量％未満である場合に比べ、無機保護層の打痕の発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
【００２０】
＜１１＞又は＜１２＞に係る発明によれば、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の少なくとも一層の膜弾性率が５ＧＰａ未満である場合、又は、結着樹脂及び金属酸化物粒子を含む下引層を有する場合に比べ、無機保護層の打痕の発生が抑制される電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジ又は画像形成装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態の電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。
【図２】本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図である。
【図３】本実施形態の電子写真感光体の無機保護層の形成に用いるプラズマ発生装置の例を示す概略模式図である。
【図４】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図５】本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【００２３】
［電子写真感光体］
第１の実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられた下引層と、下引層上に設けられた電荷発生層と、電荷発生層上に設けられた電荷輸送層と、電荷輸送層上に設けられた無機保護層と、を有し、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の膜弾性率が、各々、５ＧＰａ以上である電子写真感光体である。
【００２４】
第２の実施形態に係る電子写真感光体は、導電性基体と、導電性基体上に設けられ、金属酸化物層からなる下引層と、下引層上に設けられた電荷発生層と、電荷発生層上に設けられ、結着樹脂、電荷輸送材料、及びシリカ粒子を含む電荷輸送層と、電荷輸送層上に設けられ、金属酸化物層からなる無機保護層と、を有する電子写真感光体である。
【００２５】
本明細書中において、第１の実施形態、及び第２の実施形態に共通する事項については、「本実施形態」と総称して説明する。
【００２６】
ここで、従来、有機感光層上に、無機保護層を形成する技術が知られている。
有機感光層は柔軟性を有し、変形し易い傾向がある一方で、無機保護層は硬質ではあるが靭性に劣る傾向がある。そのため、無機保護層に打痕が発生することがある。
【００２７】
例えば、現像工程において、現像手段からキャリアが飛散し、飛散したキャリアが電子写真感光体に付着した場合、電子写真感光体に付着したままキャリアが転写位置に到達する。そして、転写位置では、キャリアが電子写真感光体と転写手段と間に挟まった状態で、押圧力を受ける。このため、例えば、電子写真感光体と転写手段との間でキャリアが無機保護層に押し付けられ、無機保護層には打痕（凹み）が生じる。
【００２８】
そこで、本発明者らは、無機保護層の打痕の発生を抑制することについて鋭意検討を行い、以下の２つの手法を見出した。
第１の実施形態は、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、及び無機保護層をこの順に有する電子写真感光体であって、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の膜弾性率が、各々、５ＧＰａ以上であることとする。
第１の実施形態の場合、比較的、層に厚みがあり、その層の硬度の影響が出やすい、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の３層について、各々の膜弾性率を５ＧＰａ以上とする。これにより、無機保護層のみではなく、無機保護層を含む硬度の高い３層にて、電子写真感光体の機械的強度を高められるため、打痕の発生を抑制しうると考えられる。
【００２９】
また、第２の実施形態は、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、及び無機保護層をこの順に有する電子写真感光体であって、下引層及び無機保護層が金属酸化物層からなり、且つ、電荷輸送層が、結着樹脂、電荷輸送材料、及びシリカ粒子を含むこととする。
第２の実施形態の場合、比較的、層に厚みがあり、その層の硬度の影響が出やすい、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の３層を、金属酸化物層又はシリカ粒子を含む層とする。この組成とすることで、下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の３層は硬度が高められ、硬度の高いこの３層にて電子写真感光体の機械的強度を高められるため、打痕の発生を抑制しうると考えられる。
【００３０】
以上から、本実施形態（第１の実施形態、及び第２の実施形態）に係る電子写真感光体では、上記構成により、打痕の発生が抑制されると推測される。
【００３１】
ここで、各層の膜弾性率の測定方法について説明する。
各層の膜弾性率は、ＭＴＳシステムズ社製  Ｎａｎｏ  Ｉｎｄｅｎｔｅｒ  ＳＡ２を用いて、連続剛性法（ＣＳＭ）（米国特許４８４８１４１）により深さプロファイルを得て、その押込み深さ３０ｎｍから２０００ｎｍの測定値から得た平均値を用いる。下記は測定条件である。
・測定環境：２３℃、５５％ＲＨ
・使用圧子：ダイヤモンド製正三角錐圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃ圧子）三角錐圧子
・試験モード：ＣＳＭモード
なお、測定試料は、測定対象となる下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の成膜時の同条件で基体上に成膜した試料であってもよい。また、作製後の電子写真感光体から下引層、電荷輸送層、及び無機保護層を取り出した試料であってもよい。また、切り出した試料は、一部をエッチングした試料であってもよい。
なお、作製後の電子写真感光体から下引層、電荷輸送層、及び無機保護層の膜弾性率を測定する場合、以下のようにして行う。
まず、無機保護層の膜弾性率を測定し、その後、無機保護層を表面から研磨又はテープ剥離等によって除去する。そして、露出した電荷輸送層の膜弾性率を測定し、測定後、電荷輸送層及び電荷発生層（必要に応じて中間層も）をテトラヒドロフランなどの有機溶剤に浸漬し、溶解させる等により除去する。続いて、露出した下引層の膜弾性率を測定する。
なお、測定対象の下引層、電荷輸送層、及び無機保護層は、その一部をカッター等で切り出して測定試料としてもよい。
【００３２】
第１の実施形態において、無機保護層の打痕の発生をより効果的に抑制し得るために、下引層と無機保護層との膜弾性率の差が６０ＧＰａ以内であることが好ましく、５０ＧＰａ以内であることがより好ましく、４０ＧＰａ以内が更に好ましい。つまり、下引層と無機保護層との膜弾性率の差は小さい方が好ましい。これは、膜弾性率の差が、無機保護層の凹みのきっかけになるためである。
また、無機保護層の打痕の発生をより効果的に抑制し得るために、電荷輸送層と無機保護層との膜弾性率の差も９０ＧＰａ以内であることが好ましい。
本実施形態において、無機保護層の打痕の発生は、特に、無機保護層側から２０００ｎｍまでキャリアが押し込まれた場合に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、及び無機保護層の各層において最も膜弾性率が小さい層に影響を受けるため、各層の膜弾性率の差は小さい方が好ましい。
【００３３】
以下、本実施形態に係る電子写真感光体について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付することとし、重複する説明は省略する。
図１は、本実施形態に係る電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。感光体１０７Ａは、導電性基体１０４上に、下引層１０１が設けられ、その上に電荷発生層１０２、電荷輸送層１０３、及び無機保護層１０６が順次形成された構造を有する。感光体１０７Ａは、電荷発生層１０２と電荷輸送層１０３とに機能が分離された有機感光層１０５を有している。
また、導電性基体１０４と下引層１０１との間には中間層を有していてもよい。
【００３４】
第１の実施形態の場合、下引層１０１、電荷輸送層１０３、及び無機保護層１０６の膜弾性率が各々５０ＧＰａ以上である。
第２の実施形態の場合、下引層１０１及び無機保護層１０６は金属酸化物層からなり、且つ、電荷輸送層１０３は、結着樹脂、電荷輸送材料、及びシリカ粒子を含む。
【００３５】
以下、電子写真感光体を構成する各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する場合がある。
【００３６】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００３７】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００３８】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００３９】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００４０】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００４１】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００４２】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００４３】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これを更にアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００４４】
導電性基体の厚み（肉厚）は、感光体の強度を確保し、無機保護層の傷の発生を抑制する点で、１ｍｍ以上であることがよく、１．２ｍｍ以上であることが好ましく、１．５ｍｍ以上であることがより好ましい。導電性基体の厚みの上限は特に限定されないが、例えば、無機保護層の傷の発生を抑制する点と感光体の操作性あるいは製造性との点から、３．５ｍｍ以下であることがよく、３ｍｍ以下としてもよく、３ｍｍ未満としてもよい。導電性基体の厚みが上記範囲であることで、導電性基体の撓みが抑制されやすくなり、無機保護層の傷の発生が抑制されやすくなる。
【００４５】
（第１の実施形態の下引層）
第１の実施形態の下引層は、膜弾性率が５ＧＰａ以上である。
第１の実施形態の下引層としては、この膜弾性率を達成し得る下引層であれば、電子写真感光体において、導電性基体と有機感光層との間に設けられる公知の下引層が適用可能である。
公知の下引層としては、例えば、結着樹脂と電荷輸送材料とを含む層、結着樹脂と無機粒子（例えば金属酸化物粒子）とを含む層、結着樹脂と樹脂粒子を含む層、硬化膜（架橋膜）で形成された層、硬化膜に種々の粒子を含む層等が挙げられる。
例えば、下引層が無機粒子と結着樹脂とを含む層であった場合であっても、無機粒子の素材、無機粒子の含有量、無機粒子の大きさ等を制御することで、膜弾性率が５ＧＰａ以上となれば、第１の実施形態の下引層となり得る。
【００４６】
第１の実施形態の下引層は、膜弾性率５ＧＰａ以上（好ましくは１５ＧＰａ以上）を達成しやすく、機械的強度、透光性、及び導電性に優れることから、金属酸化物層であることが好ましい。
金属酸化物層としては、後述する第２の実施形態の下引層と同様であり、好ましい例も同様であるため、ここでは記載を省略する。
【００４７】
（第２の実施形態の下引層）
第２の実施形態の下引層は、金属酸化物層からなる。
ここで、金属酸化物層からなる下引層とは、金属酸化物の層状物（例えば、金属酸化物のＣＶＤ膜、金属酸化物の蒸着膜、金属酸化物のスパッタ膜等）を指し、金属酸化物粒子の凝集体又は集合体は除かれる。
【００４８】
金属酸化物層からなる下引層としては、機械的強度、透光性、及び導電性に優れることから、第１３族元素及び酸素を含有する金属酸化物からなる金属酸化物層が好ましい。
第１３族元素及び酸素を含有する金属酸化物としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ホウ素等の金属酸化物、又はこれらの混晶が挙げられる。
これらの中でも、第１３族元素及び酸素を含有する金属酸化物としては、機械的強度、透光性に優れ、特にｎ型導電性を有し、その導電制御性に優れるという観点から、特に酸化ガリウムが好ましい。
つまり、第２の実施形態の下引層は、ガリウム及び酸素を含む金属酸化物層からなる下引層であることが好ましい。
【００４９】
金属酸化物層からなる下引層は、好ましくは、第１３族元素（好ましくはガリウム）及び酸素を含有する金属酸化物からなる層であればよいが、必要に応じて、水素及び炭素原子を含む層であってもよい。
金属酸化物層からなる下引層は、更に、亜鉛（Ｚｎ）を含む層であってもよい。
また、金属酸化物層からなる下引層は、導電型の制御のために、他の元素を含んでいてもよい。金属酸化物層からなる下引層は、導電型の制御のために、ｎ型の場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよく、ｐ型の場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。
【００５０】
特に、金属酸化物層からなる下引層は、第１３族元素、酸素、及び水素を含有し、金属酸化物層からなる下引層を構成する全元素に対する、第１３族元素、酸素、及び水素の元素構成比率の和が９０原子％以上であることが好ましい。
そして、金属酸化物層からなる下引層において、酸素及び第１３族元素の元素組成比（酸素／第１３族元素＝Ｏ／Ｇａ）を変えることで、膜弾性率の制御が容易に行われる。酸素及び第１３族元素の元素組成比（酸素／第１３族元素）において、酸素組成比が高いほど、膜弾性率は高くなる傾向にあり、例えば、１．０以上１．６以下であることが好ましい。
【００５１】
ここで、金属酸化物層からなる下引層における各元素の確認、元素構成比率等の測定は、後述する無機保護層に記載した方法と同様の方法が用いられるため、ここでは記載を省略する。
【００５２】
−下引層の膜弾性率−
金属酸化物層からなる下引層の膜弾性率は、５ＧＰａ以上であることが好ましく、４０ＧＰａ以上であることがより好ましく、例えば、酸化ガリウム自体の膜物性の点から、６５ＧＰａ以上が更に好ましく、８０ＧＰａ以上が特に好ましい。また、金属酸化物層からなる下引層の膜弾性率の上限としては、例えば、１２０ＧＰａ以下が挙げられる。
【００５３】
−下引層の体積抵抗率−
金属酸化物層からなる下引層の体積抵抗率は、１×１０６以上１×１０１２以下であることが好ましく、１×１０７以上１×１０９以下であることがより好ましい。
下引層が上記の体積抵抗率を有していることで、使用に伴う残留電位の上昇が抑えられ、残留電位の上昇に伴う画像濃度異常が抑制しやすい。
下引層の体積抵抗率は、後述する無機保護層の体積抵抗率の測定方法と同じ方法で測定される。
【００５４】
−金属酸化物層からなる下引層の形成−
金属酸化物層からなる下引層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
金属酸化物層からなる下引層の形成の具体的な方法は、後述する無機保護層に記載した形成方法と同様であるため、ここでは記載を省略する。
【００５５】
−下引層の厚み−
金属酸化物層からなる下引層の厚みとしては、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上８．０μｍ以下がより好ましく、０．５μｍ以上５．０μｍ以下が更に好ましい。
【００５６】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と有機感光層（即ち、電荷発生層）との間に中間層を更に設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【００５７】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【００５８】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００５９】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【００６０】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。
また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【００６１】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【００６２】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【００６３】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【００６４】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ、有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、有機感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、有機感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【００６５】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【００６６】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【００６７】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【００６８】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００６９】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【００７０】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【００７１】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【００７２】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【００７３】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【００７４】
（第１の実施形態の電荷輸送層）
第１の実施形態の電荷輸送層は、膜弾性率が５ＧＰａ以上である。
第１の実施形態の電荷輸送層としては、電荷輸送能を有し、この膜弾性率を達成し得る層であれば、特に制限はない。
【００７５】
第１の実施形態の電荷輸送層は、膜弾性率５ＧＰａ以上を達成しやすく、電荷輸送能に優れることから、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂と共にシリカ粒子を含む層であることが好ましい。
電荷輸送材料と結着樹脂と共にシリカ粒子を含む層としては、後述する第２の実施形態の電荷輸送層と同様であり、好ましい例も同様であるため、ここでは記載を省略する。
【００７６】
（第２の実施形態の電荷輸送層）
電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂とシリカ粒子を含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【００７７】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【００７８】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【００７９】
【化１】
2020008688.tif 000003
【００８０】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【００８１】
【化２】
2020008688.tif 000004
【００８２】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【００８３】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【００８４】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材料は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【００８５】
第２の実施形態の電荷輸送層はシリカ粒子を含む。なお、電荷輸送層がシリカ粒子を含むと、シリカ粒子が電荷輸送層の補強材として機能し、膜弾性率が５ＧＰａ以上となり易い。
シリカ粒子の含有量は、無機保護層の打痕の発生を抑制する点から、シリカ粒子を含む電荷輸送層全体に対して３０質量％以上７０質量％以下であることがよい。同様の点で、シリカ粒子の含有量の下限は、４５質量％以上であってもよく、５０質量％以上であってもよい。また、シリカ粒子の含有量の上限は、例えば、シリカ粒子の分散性等の点から、７５質量％以下であってもよく、７０質量％以下であってもよい。
つまり、電荷輸送層中のシリカ粒子の含有量は、例えば、電荷輸送層に対し３０質量％以上７０質量％以下が好ましく、５０質量％以上７０質量％以下がより好ましい。
【００８６】
シリカ粒子としては、例えば、乾式シリカ粒子、湿式シリカ粒子が挙げられる。
乾式シリカ粒子としては、シラン化合物を燃焼させて得られる燃焼法シリカ（ヒュームドシリカ）、金属珪素粉を爆発的に燃焼させて得られる爆燃法シリカが挙げられる。
湿式シリカ粒子としては、珪酸ナトリウムと鉱酸との中和反応によって得られる湿式シリカ粒子（アルカリ条件で合成・凝集した沈降法シリカ、酸性条件で合成・凝集したゲル法シリカ粒子）、酸性珪酸をアルカリ性にして重合することで得られるコロイダルシリカ粒子（シリカゾル粒子）、有機シラン化合物（例えばアルコキシシラン）の加水分解によって得られるゾルゲル法シリカ粒子が挙げられる。
これらの中でも、シリカ粒子としては、残留電位の発生、その他電気特性の低下による画像欠陥の抑制（細線再現性の低下の抑制）の観点から、表面のシラノール基が少なく、低い空隙構造を持つ燃焼法シリカ粒子を用いることがよい。
【００８７】
シリカ粒子の体積平均粒径は、例えば、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることがよい。シリカ粒子の体積平均粒径の下限は、４０ｎｍ以上であってもよく、５０ｎｍ以上あってもよい。シリカ粒子の体積平均粒径の下限は、１５０ｎｍ以下であってもよく、１２０ｎｍ以下であってもよく、１１０ｎｍ以下であってもよい。
【００８８】
シリカ粒子の体積平均粒径は、層中からシリカ粒子を分離し、このシリカ粒子の一次粒子１００個をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）装置により４００００倍の倍率で観察し、一次粒子の画像解析によって粒子ごとの最長径、最短径を測定し、この中間値から球相当径を測定する。得られた球相当径の累積頻度における５０％径（Ｄ５０ｖ）を求め、これをシリカ粒子の体積平均粒径として測定する。
【００８９】
シリカ粒子は、その表面が疎水化処理剤で表面処理されていることがよい。これにより、シリカ粒子の表面のシラノール基が低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
疎水化処理剤としては、クロロシラン、アルコキシシラン、シラザン等の周知のシラン化合物が挙げられる。
これらの中でも、疎水化処理剤としては、残留電位の発生を抑制し易くする観点から、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を持つシラン化合物が好ましい。つまり、シリカ粒子の表面には、トリメチルシリル基、デシルシリル基、又はフェニルシリル基を有することがよい。
トリメチルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。
デシルシリル基を持つシラン化合物としては、例えば、デシルトリクロロシラン、デシルジメチルクロロシラン、デシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
フェニル基を持つシラン化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルクロロシラン等が挙げられる。
【００９０】
疎水化処理されたシリカ粒子の縮合率（シリカ粒子中のＳｉＯ４−の結合におけるＳｉ−Ｏ−Ｓｉの率：以下「疎水化処理剤の縮合率」とも称する）は、例えば、シリカ粒子の表面のシラノール基に対して９０％以上がよく、９１％以上が好ましく、９５％以上がより好ましい。
疎水化処理剤の縮合率を上記範囲にすると、シリカ粒子のシラノール基がより低減し、残留電位の発生が抑制され易くなる。
【００９１】
疎水化処理剤の縮合率は、ＮＭＲで検出した縮合部のケイ素の全結合可能サイトに対して、縮合したケイ素の割合を示しており、次のようにして測定する。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。分離したシリカ粒子に対して、Ｂｒｕｋｅｒ製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ  ４００でＳｉ  ＣＰ／ＭＡＳ  ＮＭＲ分析を行い、ＳｉＯの置換数に応じたピーク面積を求め、それぞれ、２置換（Ｓｉ（ＯＨ）２（０−Ｓｉ）２−）、３置換（Ｓｉ（ＯＨ）（０−Ｓｉ）３−）、４置換（Ｓｉ（０−Ｓｉ）４−）の値をＱ２，Ｑ３，Ｑ４とし、疎水化処理剤の縮合率は式：（Ｑ２×２＋Ｑ３×３＋Ｑ４×４）／４×（Ｑ２＋Ｑ３＋Ｑ４）により算出する。
【００９２】
シリカ粒子の体積抵抗率は、例えば、１０１１Ωｃｍ以上がよく、１０１２Ωｃｍ以上が好ましく、１０１３Ωｃｍ以上がより好ましい。
シリカ粒子の体積抵抗率を上記範囲にすると、電気特性の低下が抑制される。
【００９３】
シリカ粒子の体積抵抗率は、次のようにして測定する。なお、測定環境は、温度２０℃、湿度５０％ＲＨとする。
まず、層中からシリカ粒子を分離する。そして、２０ｃｍ２の電極板を配した円形の治具の表面に、測定対象となる分離したシリカ粒子を１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度の厚さになるように載せ、シリカ粒子層を形成する。この上に前記同様の２０ｃｍ２の電極板を載せシリカ粒子層を挟み込む。シリカ粒子間の空隙をなくすため、シリカ粒子層上に載せた電極板の上に４ｋｇの荷重をかけてからシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）を測定する。シリカ粒子層上下の両電極には、エレクトロメーター及び高圧電源発生装置に接続されている。両電極に電界が予め定められた値となるように高電圧を印加し、このとき流れた電流値（Ａ）を読み取ることにより、シリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）を計算する。シリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）の計算式は、下式に示す通りである。
なお、式中、ρはシリカ粒子の体積抵抗率（Ωｃｍ）、Ｅは印加電圧（Ｖ）、Ｉは電流値（Ａ）、Ｉ０は印加電圧０Ｖにおける電流値（Ａ）、Ｌはシリカ粒子層の厚み（ｃｍ）をそれぞれ表す。本評価では印加電圧が１０００Ｖの時の体積抵抗率を用いた。
・式：ρ＝Ｅ×２０／（Ｉ−Ｉ０）／Ｌ
【００９４】
電荷輸送層に用いる結着樹脂としては、例えば、具体的には、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はその共重合型）、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アクリル共重合体、アチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂などが挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。
なお、電荷輸送材料と結着樹脂との配合比は、質量比で１０：１から１：５までが好ましい。
【００９５】
上記の結着樹脂の中でも、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はその共重合型）が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。また、同様の点で、ポリカーボネート樹脂の中でも、ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂を含むことがより好ましい。
【００９６】
無機保護層の打痕の発生を抑制する点から、結着樹脂は、例えば、粘度平均分子量は５００００以下であることがよい。４５０００以下であることがよく、３５０００以下であってもよい。
粘度平均分子量の下限としては、結着樹脂としての特性を保持する点から、２００００以上であることがよい。
【００９７】
ここで、結着樹脂の粘度平均分子量の測定は、以下の一点測定法が用いられる。
まず、測定対象となる感光体から、無機保護層を剥離した後、測定対象となる電荷輸送層を露出させる。そして、その電荷輸送層の一部を削り出し測定用試料を準備する。
次に、測定試料から結着樹脂を抽出する。抽出した結着樹脂１ｇ分をメチレンクロライド１００ｃｍ３に溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計にて、その比粘度ηｓｐを測定する。そして、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ３）より極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）を求め、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０−４Ｍｖ０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。
【００９８】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【００９９】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０１００】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０１０１】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１０２】
なお、電荷輸送層形成用塗布液中に粒子（例えばシリカ粒子やフッ素樹脂粒子）を分散させる場合、その分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【０１０３】
電荷輸送層における無機保護層側の表面の表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、０．０６μｍ以下が挙げられ、好ましくは０．０３μｍ以下、より好ましくは０．０２μｍ以下である。
この表面粗さＲａを上記範囲とすると、無機保護層の平滑性が上がり、クリーニング性が向上する。
なお、表面粗さＲａを上記範囲とするには、例えば、層の厚みを厚くする等の方法が挙げられる
【０１０４】
この表面粗さＲａは、次のように測定する。
まず、無機保護層を剥離した後、測定対象となる層を露出させる。そして、その層の一部をカッター等で切り出し、測定試料を取得する。
この測定試料に対して、触針式表面粗さ測定機（サーフコム１４００Ａ：東京精密社製等）を使用して測定する。その測定条件としては、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠し、評価長さＬｎ＝４ｍｍ、基準長さＬ＝０．８ｍｍ、カットオフ値＝０．８ｍｍとする。
【０１０５】
電荷輸送層の膜弾性率は、第１の実施形態に示すように、例えば、５ＧＰａ以上が好ましく、６ＧＰａ以上がより好ましい。
電荷輸送層の弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の打痕の発生が抑制され易くなる。
なお、電荷輸送層の弾性率を上記範囲とするには、例えば、シリカ粒子の粒径及び含有量を調整する方法、電荷輸送材料の種類及び含有量を調整する方法が挙げられる。
【０１０６】
電荷輸送層の膜厚は、例えば、１０μｍ以上４０μｍ以下がよく、１０μｍ以上３５μｍ以下が好ましく、１５μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
電荷輸送層の膜厚を上記範囲にすると、無機保護層の打痕の発生、及び残留電位の発生が抑制され易くなる。
【０１０７】
（第１の実施形態の無機保護層）
第１の実施形態の無機保護層は、膜弾性率が５ＧＰａ以上である。
第１の実施形態の無機保護層としては、この膜弾性率を達成し得る無機保護層であれば、電子写真感光体における公知の無機保護層が適用可能である。
【０１０８】
第１の実施形態の無機保護層は、膜弾性率５ＧＰａ以上を達成しやすく、機械的強度、透光性、及び導電性に優れることから、金属酸化物層であることが好ましい。
金属酸化物層としては、後述する第２の実施形態の無機保護層と同様であり、好ましい例も同様であるため、ここでは記載を省略する。
【０１０９】
（第２の実施形態の無機保護層）
第２の実施形態の無機保護層は、金属酸化物層からなる。
ここで、金属酸化物層からなる無機保護層とは、下引層と同様、金属酸化物の層状物（例えば、金属酸化物のＣＶＤ膜、金属酸化物の蒸着膜、金属酸化物のスパッタ膜等）を指し、金属酸化物粒子の凝集体又は集合体は除かれる。
【０１１０】
−無機保護層の組成−
金属酸化物層からなる無機保護層としては、機械的強度、透光性、及び導電性に優れることから、第１３族元素及び酸素を含有する金属酸化物からなる金属酸化物層が好ましい。
第１３族元素及び酸素を含有する金属酸化物としては、例えば、酸化ガリウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化ホウ素等の金属酸化物、又はこれらの混晶が挙げられる。
これらの中でも、第１３族元素及び酸素を含有する金属酸化物としては、機械的強度、透光性に優れ、特にｎ型導電性を有し、その導電制御性に優れるという観点から、特に酸化ガリウムが好ましい。
つまり、第２の実施形態の無機保護層は、ガリウム及び酸素を含む金属酸化物層からなる無機保護層であることが好ましい。
【０１１１】
金属酸化物層からなる無機保護層は、例えば、第１３族元素（好ましくはガリウム）及び酸素を含んで構成されていればよく、必要に応じて、水素及び炭素を含んで構成されていてもよい。
金属酸化物層からなる無機保護層は、水素を含むことで、第１３族元素（好ましくはガリウム）及び酸素を含んで構成された、金属酸化物層からなる無機保護層の諸物性が容易に制御され易くなる。例えば、ガリウム、酸素、及び水素を含む、金属酸化物層からなる無機保護層（例えば、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層）において、組成比［Ｏ］／［Ｇａ］を１．０から１．５と変化させることで、１０７Ω・ｃｍ以上１０１４Ω・ｃｍの範囲で体積抵抗率の制御が実現され易くなる。
【０１１２】
特に、金属酸化物層からなる無機保護層は、第１３族元素、酸素、及び水素を含有し、無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素、酸素、及び水素の元素構成比率の和が９０原子％以上であることが好ましい。
また、酸素及び第１３族元素の元素組成比（酸素／第１３族元素）を変えることで、膜弾性率の制御が容易に行われる。酸素及び第１３族元素の元素組成比（酸素／第１３族元素）において、酸素組成比が高いほど、膜弾性率は高くなる傾向にあり、例えば、１．０以上１．５未満であることが好ましく、１．０３以上１．４７以下がより好ましく、１．０５以上１．４５以下が更に好ましく、１．１０以上１．４０以下が特に好ましい。
金属酸化物層からなる無機保護層を構成する材料の元素組成比（酸素／第１３族元素）が、上記範囲であると、感光体の表面における傷に起因する画像欠陥が抑制され、また感光体表面に供給された脂肪酸金属塩との親和性が向上し脂肪酸金属塩による装置内の汚染が抑制される。同様の点で、第１３族元素はガリウムであることが好ましい。
【０１１３】
また、金属酸化物層からなる無機保護層を構成する全元素に対する、第１３族元素（特にガリウム）、酸素、及び水素の元素構成比率の和は、９０原子％以上であることで、例えば、Ｎ，Ｐ，Ａｓなどの第１５族元素などが混入した場合、これらが第１３族元素（特にガリウム）と結合する影響などが抑制され、無機保護層の硬度や電気特性を向上させ得る酸素及び第１３族元素（特にガリウム）組成比（酸素／第１３族元素（特にガリウム））の適正範囲を見出しやすくなる。上記元素構成比率の和は、上記の観点で、９５原子％以上が好ましく、９６原子％以上がより好ましく、９７原子％以上が更に好ましい。
【０１１４】
金属酸化物層からなる無機保護層には、上記した第１３族元素、酸素、水素及び炭素の他、導電型の制御のために、他の元素を含んでいてもよい。
金属酸化物層からなる無機保護層は、導電型の制御のために、ｎ型の場合、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよく、ｐ型の場合、Ｎ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒから選ばれる１つ以上の元素を含んでいてもよい。
【０１１５】
ここで、金属酸化物層からなる無機保護層が、ガリウムと酸素と必要に応じて水素とを含んで構成された場合、機械的強度、透光性、柔軟性に優れ、その導電制御性に優れるという観点から、好適な元素構成比率は以下の通りである。
ガリウムの元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１５原子％以上５０原子％以下であることが好ましく、２０原子％以上４０原子％以下であることがより好ましく、２０原子％以上３０原子％以下であることが更に好ましい。
酸素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、３０原子％以上７０原子％以下であることが好ましく、４０原子％以上６０原子％以下であることがより好ましく、４５原子％以上５５原子％以下であることが更に好ましい。
水素の元素構成比率は、例えば、無機保護層の全構成元素に対して、１０原子％以上４０原子％以下であることが好ましく、１５原子％以上３５原子％以下であることがより好ましく、２０原子％以上３０原子％以下であることが更に好ましい。
【０１１６】
ここで、無機保護層における各元素の確認、元素構成比率、原子数比等は、厚み方向の分布も含めてラザフォードバックスキャタリング（以下、「ＲＢＳ」と称する）により求められる
なお、ＲＢＳでは、加速器としてＮＥＣ社  ３ＳＤＨ  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社  ＲＢＳ−４００、システムとして３Ｓ−Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラム等を用いる。
なお、ＲＢＳの測定条件は、Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギーは２．２７５ｅＶ、検出角度１６０°、入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ  Ａｎｇｌｅは約１０９°とする。
【０１１７】
ＲＢＳ測定は、具体的には以下のように行う
まず、Ｈｅ＋＋イオンビームを試料に対して垂直に入射し、検出器をイオンビームに対して、１６０°にセットし、後方散乱されたＨｅのシグナルを測定する。検出したＨｅのエネルギーと強度から組成比と膜厚を決定する。組成比及び膜厚を求める精度を向上させるために二つの検出角度でスペクトルを測定してもよい。深さ方向分解能や後方散乱力学の異なる二つの検出角度で測定しクロスチェックすることにより精度が向上する。
ターゲット原子によって後方散乱されるＨｅ原子の数は、１）ターゲット原子の原子番号、２）散乱前のＨｅ原子のエネルギー、３）散乱角度の３つの要素のみにより決まる。  測定された組成から密度を計算によって仮定して、これを用いて厚みを算出する。密度の誤差は２０％以内である。
【０１１８】
なお、水素の元素構成比率は、ハイドロジェンフォワードスキャタリング（以下、「ＨＦＳ」と称する）により求められる。
ＨＦＳ測定では、加速器としてＮＥＣ社  ３ＳＤＨ  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ、エンドステーションとしてＣＥ＆Ａ社  ＲＢＳ−４００を用い、システムとして３Ｓ−Ｒ１０を用いる。解析にはＣＥ＆Ａ社のＨＹＰＲＡプログラムを用いる。そして、ＨＦＳの測定条件は、以下の通りである。
・Ｈｅ＋＋イオンビームエネルギー：２．２７５ｅＶ
・検出角度：１６０°入射ビームに対してＧｒａｚｉｎｇ  Ａｎｇｌｅ３０°
【０１１９】
ＨＦＳ測定は、Ｈｅ＋＋イオンビームに対して検出器が３０°に、試料が法線から７５°になるようにセットすることにより、試料の前方に散乱する水素のシグナルを拾う。この時検出器をアルミ箔で覆い、水素とともに散乱するＨｅ原子を取り除くことがよい。定量は参照用試料と被測定試料との水素のカウントを阻止能で規格化した後に比較することによって行う。参照用試料としてＳｉ中にＨをイオン注入した試料と白雲母を使用する。
白雲母は水素濃度が６．５原子％であることが知られている。
最表面に吸着しているＨは、例えば、清浄なＳｉ表面に吸着しているＨ量を差し引くことによって補正を行う。
【０１２０】
なお、金属酸化物層からなる金属酸化物層からなる無機保護層は、目的に応じて、厚み方向に組成比に分布を有していてもよいし、多層構成からなるものであってもよい。
【０１２１】
−無機保護層の特性−
金属酸化物層からなる無機保護層の外周面（すなわち、電子写真感光体７の表面）における表面粗さＲａ（算術平均表面粗さＲａ）は、例えば、５ｎｍ以下が挙げられ、好ましくは４．５ｎｍ以下、より好ましくは４ｎｍ以下である。
この表面粗さＲａを上記範囲とすることで、帯電ムラが抑制される。
なお、表面粗さＲａを上記範囲とするには、例えば、電荷輸送層における無機保護層側の表面の表面粗さＲａを前述の範囲とする等の方法が挙げられる
また、無機保護層の外周面における表面粗さＲａの測定は、無機保護層の外周面について直接測定すること以外は、前述の電荷輸送層における無機保護層側の表面の表面粗さＲａの測定方法と同様である。
【０１２２】
金属酸化物層からなる無機保護層の体積抵抗率は、５．０×１０７Ωｃｍ以上１．０×１０１２Ωｃｍ未満が好ましい。無機保護層の体積抵抗率は、像流れの発生をより抑制し易くし、感光体の表面における傷に起因する画像欠陥をより抑制し易くする点で、８．０×１０７Ωｃｍ以上７．０×１０１１Ωｃｍ以下がより好ましく、１．０×１０８Ωｃｍ以上５．０×１０１１Ωｃｍ以下が更に好ましく、５．０×１０８Ωｃｍ以上２．０×１０１１Ωｃｍ以下が特に好ましい。
【０１２３】
この体積抵抗率は、ｎＦ社製ＬＣＲメーターＺＭ２３７１を用いて、周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖの条件にて測定した抵抗値から、電極面積、試料厚みに基づき算出して求められる。
なお、測定試料は、測定対象となる無機保護層の成膜時の同条件でアルミ基体上に成膜し、その成膜物上に真空蒸着により金電極を形成し得られた試料であってもよいし、又は作製後の電子写真感光体から無機保護層を剥離し、一部エッチングして、これを一対の電極で挟み込んだ試料であってもよい。
【０１２４】
金属酸化物層からなる無機保護層は、微結晶膜、多結晶膜、非晶質膜などの非単結晶膜であることが好ましい。これらの中でも、非晶質は表面の平滑性で特に好ましいが、微結晶膜は硬度の点でより好ましい。
無機保護層の成長断面は、柱状構造をとっていてもよいが、滑り性の観点からは、平坦性の高い構造が好ましく、非晶質が好ましい。
なお、結晶性、非晶質性は、ＲＨＥＥＤ（反射高速電子線回折）測定により得られた回折像の点や線の有無により判別される。
【０１２５】
金属酸化物層からなる無機保護層の膜弾性率は、５ＧＰａ以上であることが好ましく、３０ＧＰａ以上であることがより好ましく、４０ＧＰａ以上１２０ＧＰａ以下であることが更に好ましい。
この弾性率を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（傷）の発生、剥れ及び割れが抑制され易くなる。
【０１２６】
無機保護層の膜厚は、例えば、０．２μｍ以上１０．０μｍ以下であることがよく、１．０μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、３．０μｍ以上１０μｍ以下がより好ましい。
この膜厚を上記範囲とすると、無機保護層の凹部（傷）の発生、剥れ及び割れが抑制され易くなる。
【０１２７】
−無機保護層の形成−
保護層の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、有機金属気相成長法、分子線エキタピシー法、蒸着、スパッタリング等の公知の気相成膜法が利用される。
【０１２８】
以下、無機保護層の形成について、成膜装置の一例を図面に示しつつ具体例を挙げて説明する。なお、以下の説明は、ガリウム、酸素、及び水素を含んで構成された無機保護層の形成方法について示すが、これに限られず、目的とする無機保護層の組成に応じて、周知の形成方法を適用すればよい。
【０１２９】
図２は、本実施形態に係る電子写真感光体の無機保護層の形成に用いる成膜装置の一例を示す概略模式図であり、図２（Ａ）は、成膜装置を側面から見た場合の模式断面図を表し、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示す成膜装置のＡ１−Ａ２間における模式断面図を表す。図２中、２１０は成膜室、２１１は排気口、２１２は基体回転部、２１３は基体支持部材、２１４は基体、２１５はガス導入管、２１６はガス導入管２１５から導入したガスを噴射する開口を有するシャワーノズル、２１７はプラズマ拡散部、２１８は高周波電力供給部、２１９は平板電極、２２０はガス導入管、２２１は高周波放電管部である。
【０１３０】
図２に示す成膜装置において、成膜室２１０の一端には、不図示の真空排気装置に接続された排気口２１１が設けられており、成膜室２１０の排気口２１１が設けられた側と反対側に、高周波電力供給部２１８、平板電極２１９及び高周波放電管部２２１からなるプラズマ発生装置が設けられている。
このプラズマ発生装置は、高周波放電管部２２１と、高周波放電管部２２１内に配置され、放電面が排気口２１１側に設けられた平板電極２１９と、高周波放電管部２２１外に配置され、平板電極２１９の放電面と反対側の面に接続された高周波電力供給部２１８とから構成されたものである。なお、高周波放電管部２２１には、高周波放電管部２２１内にガスを供給するためのガス導入管２２０が接続されており、このガス導入管２２０のもう一方の端は、不図示の第１のガス供給源に接続されている。
【０１３１】
なお、図２に示す成膜装置に設けられたプラズマ発生装置の代わりに、図３に示すプラズマ発生装置を用いてもよい。図３は、図２に示す成膜装置において利用されるプラズマ発生装置の他の例を示す概略模式図であり、プラズマ発生装置の側面図である。図３中、２２２が高周波コイル、２２３が石英管を表し、２２０は、図２中に示すものと同様である。このプラズマ発生装置は、石英管２２３と、石英管２２３の外周面沿って設けられた高周波コイル２２２とからなり、石英管２２３の一方の端は成膜室２１０（図３中、不図示）と接続されている。また、石英管２２３のもう一方の端には、石英管２２３内にガスを導入するためのガス導入管２２０が接続されている。
【０１３２】
図２において、平板電極２１９の放電面側には、放電面に沿って延びる棒状のシャワーノズル２１６が接続されており、シャワーノズル２１６の一端は、ガス導入管２１５と接続されており、このガス導入管２１５は成膜室２１０外に設けられた不図示の第２のガス供給源と接続されている。
また、成膜室２１０内には、基体回転部２１２が設けられており、円筒状の基体２１４が、シャワーノズル２１６の長手方向と基体２１４の軸方向とが沿って対面するように基体支持部材２１３を介して基体回転部２１２に取りつけられるようになっている。成膜に際しては、基体回転部２１２が回転することによって、基体２１４が周方向に回転する。なお、基体２１４としては、電荷輸送層まで積層された感光体製造用の積層体が用いられる。
【０１３３】
無機保護層の形成は、例えば、以下のように実施する。
まず、酸素ガス（又は、ヘリウム（Ｈｅ）希釈酸素ガス）、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、及び必要に応じ水素（Ｈ２）ガスを、ガス導入管２２０から高周波放電管部２２１内に導入すると共に、高周波電力供給部２１８から平板電極２１９に、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を供給する。この際、平板電極２１９の放電面側から排気口２１１側へと放射状に広がるようにプラズマ拡散部２１７が形成される。ここで、ガス導入管２２０から導入されたガスは成膜室２１０を平板電極２１９側から排気口２１１側へと流れる。平板電極２１９は電極の周りをアースシールドで囲んだものでもよい。
【０１３４】
次に、トリメチルガリウムガスをガス導入管２１５、活性化手段である平板電極２１９の下流側に位置するシャワーノズル２１６を介して成膜室２１０に導入することによって、基体２１４表面にガリウムと酸素と水素とを含む非単結晶膜を成膜する。
基体２１４としては、電荷輸送層まで積層された感光体製造用の積層体を用いる。
【０１３５】
無機保護層の成膜時の基体２１４表面の温度は、電荷発生層及び電荷輸送層を含む有機感光層を有するため、１５０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、３０℃以上１００℃以下が更に好ましい。
基体２１４表面の温度が成膜開始当初は１５０℃以下であっても、プラズマの影響で１５０℃より高くなる場合には有機感光層が熱で損傷を受ける場合があるため、この影響を考慮して基体２１４の表面温度を制御することが好ましい。
基体２１４表面の温度は加熱手段及び冷却手段の少なくとも一方（図中、不図示）によって制御してもよいし、放電時の自然な温度の上昇に任せてもよい。基体２１４を加熱する場合にはヒータを基体２１４の外側や内側に設置してもよい。基体２１４を冷却する場合には基体２１４の内側に冷却用の気体又は液体を循環させてもよい。
放電による基体２１４表面の温度の上昇を避けたい場合には、基体２１４表面に当たる高エネルギーの気体流を調節することが効果的である。この場合、ガス流量や放電出力、圧力などの条件を所要温度となるように調整する。
【０１３６】
また、トリメチルガリウムガスの代わりにアルミニウムを含む有機金属化合物やジボラン等の水素化物を用いることもでき、これらを２種類以上混合してもよい。
例えば、無機保護層の形成の初期において、トリメチルインジウムをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することにより、基体２１４上に窒素とインジウムとを含む膜を成膜すれば、この膜が、継続して成膜する場合に発生し、有機感光層を劣化させる紫外線を吸収する。このため、成膜時の紫外線の発生による有機感光層へのダメージが抑制される。
【０１３７】
また、成膜時におけるドーパントのドーピングの方法としては、ｎ型用としてはＳｉＨ３，ＳｎＨ４を、ｐ型用としては、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム、ジメチルカルシウム、ジメチルストロンチウム、などをガス状態で使用する。また、ドーパント元素を表面層中にドーピングするには、熱拡散法、イオン注入法等の公知の方法を採用してもよい。
具体的には、例えば、少なくとも一つ以上のドーパント元素を含むガスをガス導入管２１５、シャワーノズル２１６を介して成膜室２１０内に導入することによって、ｎ型、ｐ型等の導電型の無機保護層を得る。
【０１３８】
図２及び図３を用いて説明した成膜装置では、放電エネルギーにより形成される活性窒素又は活性水素を、活性装置を複数設けて独立に制御してもよいし、ＮＨ３など、窒素原子と水素原子を同時に含むガスを用いてもよい。更にＨ２を加えてもよい。また、有機金属化合物から活性水素が遊離生成する条件を用いてもよい。
このようにすることで、基体２１４表面上には、活性化された、炭素原子、ガリウム原子、窒素原子、水素原子、等が制御された状態で存在する。そして、活性化された水素原子が、有機金属化合物を構成するメチル基やエチル基等の炭化水素基の水素を分子として脱離させる効果を有する。
このため、三次元的な結合を構成する硬質膜（無機保護層）が形成される。
【０１３９】
図２及び図３に示す成膜装置のプラズマ発生手段は、高周波発振装置を用いたものであるが、これに限定されるものではなく、例えば、マイクロ波発振装置を用いてもよいし、エレクトロサイクロトロン共鳴方式やヘリコンプラズマ方式の装置を用いてもよい。また、高周波発振装置の場合は、誘導型でも容量型でもよい。
更に、これらの装置を２種類以上組み合わせて用いてもよく、同種の装置を２つ以上用いてもよい。プラズマの照射によって基体２１４表面の温度上昇を抑制するためには高周波発振装置が好ましいが、熱の照射を抑制する装置を設けてもよい。
【０１４０】
２種類以上の異なるプラズマ発生装置（プラズマ発生手段）を用いる場合には、同じ圧力で同時に放電が生起されるようにすることが好ましい。また、放電する領域と、成膜する領域（基体が設置された部分）とに圧力差を設けてもよい。これらの装置は、成膜装置内をガスが導入される部分から排出される部分へと形成されるガス流に対して直列に配置してもよいし、いずれの装置も基体の成膜面に対向するように配置してもよい。
【０１４１】
例えば、２種類のプラズマ発生手段をガス流に対して直列に設置する場合、図２に示す成膜装置を例に上げれば、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる第２のプラズマ発生装置として利用される。この場合、例えば、ガス導入管２１５を介して、シャワーノズル２１６に高周波電圧を印加して、シャワーノズル２１６を電極として成膜室２１０内に放電を起こさせる。又は、シャワーノズル２１６を電極として利用する代わりに、成膜室２１０内の基体２１４と平板電極２１９との間に円筒状の電極を設けて、この円筒状電極を利用して、成膜室２１０内に放電を起こさせる。
また、異なる２種類のプラズマ発生装置を同一の圧力下で利用する場合、例えば、マイクロ波発振装置と高周波発振装置とを用いる場合、励起種の励起エネルギーを大きく変えることができ、膜質の制御に有効である。また、放電は大気圧近傍（７００００Ｐａ以上１１００００Ｐａ以下）で行ってもよい。大気圧近傍で放電を行う場合にはキャリアガスとしてＨｅを使用することが好ましい。
【０１４２】
無機保護層の形成は、例えば、成膜室２１０に、電荷輸送層まで積層された感光体製造用の積層体である基体２１４を設置し、各々組成の異なる混合ガスを導入して、無機保護層を形成する。
【０１４３】
また、成膜条件としては、例えば高周波放電により放電する場合、低温で良質な成膜を行うには、周波数として１０ｋＨｚ以上５０ＭＨｚ以下の範囲とすることが好ましい。また、出力は基体２１４の大きさに依存するが、基体の表面積に対して０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．２Ｗ／ｃｍ２以下の範囲とすることが好ましい。基体２１４の回転速度は０．１ｒｐｍ以上５００ｒｐｍ以下の範囲が好ましい。
【０１４４】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、電子写真感光体と、電子写真感光体の表面を帯電する帯電手段と、帯電した電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段と、トナーを含む現像剤により電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段と、トナー像を記録媒体の表面に転写する転写手段と、を備える。そして、電子写真感光体として、上記本実施形態に係る電子写真感光体が適用される。
【０１４５】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；トナー像の転写後、帯電前に電子写真感光体の表面に除電光を照射して除電する除電手段を備える装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【０１４６】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
【０１４７】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【０１４８】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。プロセスカートリッジとしては、例えば、本実施形態に係る電子写真感光体を備えるプロセスカートリッジが好適に用いられる。なお、プロセスカートリッジには、電子写真感光体以外に、例えば、帯電手段、静電潜像形成手段、現像手段、転写手段からなる群から選択される少なくとも一つを備えてもよい。
【０１４９】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【０１５０】
図４は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１００は、図４に示すように、電子写真感光体７を備えるプロセスカートリッジ３００と、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。なお、画像形成装置１００において、露光装置９はプロセスカートリッジ３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。なお、画像形成装置１００において、制御装置６０（制御手段の一例）は、画像形成装置１００内の各装置及び各部材の動作を制御する装置であり、各装置及び各部材と接続されて配置されている。
【０１５１】
図４におけるプロセスカートリッジ３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【０１５２】
なお、図４には、画像形成装置として、潤滑材１４を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材１３２（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材１３３（平ブラシ状）を備えた例を示してあるが、これらは必要に応じて配置される。
【０１５３】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【０１５４】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
【０１５５】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【０１５６】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【０１５７】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【０１５８】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【０１５９】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【０１６０】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【０１６１】
−制御装置−
制御装置６０は、装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置６０は、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置；  Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、各種プログラムを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）を備えている。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ、及びＩ／Ｏの各々は、バスを介して接続されている。そして、Ｉ／Ｏには、電子写真感光体７（駆動モータ３０を含む）、帯電装置８、露光装置９、現像装置１１、転写装置４０等の画像形成装置１００の各部が接続されている。
【０１６２】
なお、ＣＰＵは、例えば、ＲＯＭや不揮発性メモリに記憶されているプログラム（例えば、画像形成シーケンスや回復シーケンス等）の制御プログラム）実行し、画像形成装置１００の各部の動作を制御する。ＲＡＭは、ワークメモリとして使用される。ＲＯＭや不揮発性メモリには、例えば、ＣＰＵが実行するプログラムやＣＰＵの処理に必要なデータ等が記憶されている。なお、制御プログラムや各種データは、記憶部等の他の記憶装置に記憶されていてもよいし、通信部を介して外部から取得されてもよい。
【０１６３】
また、制御装置６０には、各種ドライブが接続されていてもよい。各種ドライブとしては、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）メモリなどのコンピュータ読み取り可能な可搬性の記録媒体からデータを読み込んだり、記録媒体に対してデータを書き込んだりする装置が挙げられる。各種ドライブを備える場合には、可搬性の記録媒体に制御プログラムを記録しておいて、これを対応するドライブで読み込んで実行してもよい。
【０１６４】
図５は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図５に示す画像形成装置１２０は、プロセスカートリッジ３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置である。画像形成装置１２０では、中間転写体５０上に４つのプロセスカートリッジ３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０は、タンデム方式であること以外は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【０１６５】
なお、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、例えば、電子写真感光体７の周囲であって、転写装置４０よりも電子写真感光体７の回転方向下流側でクリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、残留したトナーの極性を揃え、クリーニングブラシで除去しやすくするための第１除電装置を設けた形態であってもよいし、クリーニング装置１３よりも電子写真感光体の回転方向下流側で帯電装置８よりも電子写真感光体の回転方向上流側に、電子写真感光体７の表面を除電する第２除電装置を設けた形態であってもよい。
【０１６６】
また、本実施形態に係る画像形成装置１００は、上記構成に限られず、周知の構成、例えば、電子写真感光体７に形成したトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の画像形成装置を採用してもよい。
【実施例】
【０１６７】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限されるものではない。なお、以下の実施例において「部」は質量部を意味する。
【０１６８】
［シリカ粒子の準備］
−シリカ粒子−
未処理（親水性）シリカ粒子「商品名：ＯＸ５０（アエロジル社製）」１００質量部に、疎水化処理剤として１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（東京化成工業社製）３０質量部を添加し、２４時間反応させ、その後、濾取し疎水化処理されたシリカ粒子を得た。このシリカ粒子の縮合率は、９３％であった。このシリカ粒子は、表面にトリメチルシリル基を有している。このシリカ粒子の体積平均粒径は４０ｎｍである。
【０１６９】
＜実施例１＞
−下引層の作製−
ホーニング加工したアルミニウム基体（外径３０ｍｍ、長さ３６５ｍｍ、厚み（肉厚）１．０ｍｍの）の表面へ、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層を形成した。この無機保護層の形成は、図２に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
【０１７０】
まず、アルミニウム基体を成膜装置の成膜室２１０内の基体支持部材２１３に載せ、排気口２１１を介して成膜室２１０内を圧力が０．１Ｐａになるまで真空排気した。
次に、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（流量１．４ｓｃｃｍ）と水素ガス（流量５０ｓｃｃｍ）とを、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図２中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力１５０Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（流量１．９ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は５．３Ｐａであった。
この状態で、アルミニウム基体を５００ｒｐｍの速度で回転させながら３００分間成膜し、アルミニウム基体表面に膜厚１．０μｍの下引層を形成した。
下引層における、酸素とガリウムとの元素組成比（酸素／ガリウム）は１．１１であった。
【０１７１】
−電荷発生層の作製−
電荷発生物質としてのＣｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３°、１６．０°、２４．９°、２８．０°の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５質量部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体（ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０質量部、ｎ−酢酸ブチル２００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５質量部、メチルエチルケトン１８０質量部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、常温（２５℃）で乾燥して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１７２】
−電荷輸送層の作製−
シリカ粒子（１）６５質量部に、テトラヒドロフラン２５０質量部を入れ、２０℃の液温に保ちながら４−（２，２−ジフェニルエチル）−４’，４”−ジメチル−トリフェニルアミン１７．５質量部、結着樹脂として、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：３００００）１７．５質量部を加え、１２時間攪拌混合し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。
【０１７３】
この電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に塗布して１３５℃で４０分間乾燥し、膜厚が３０μｍの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を得た。
【０１７４】
以上の工程を経て、アルミニウム基体上に、下引層と電荷発生層と電荷輸送層とをこの順に積層形成した有機感光体（１）を得た。
【０１７５】
−無機保護層の形成−
次に、有機感光体（１）の表面へ、水素を含む酸化ガリウムで構成された無機保護層を形成した。この無機保護層の形成は、図２に示す構成を有する成膜装置を用いて行った。
【０１７６】
まず、有機感光体（１）を成膜装置の成膜室２１０内の基体支持部材２１３に載せ、排気口２１１を介して成膜室２１０内を圧力が０．１Ｐａになるまで真空排気した。
次に、Ｈｅ希釈４０％酸素ガス（流量１．８ｓｃｃｍ）と水素ガス（流量５０ｓｃｃｍ）とを、ガス導入管２２０から直径８５ｍｍの平板電極２１９が設けられた高周波放電管部２２１内に導入し、高周波電力供給部２１８及びマッチング回路（図４中不図示）により、１３．５６ＭＨｚのラジオ波を出力１５０Ｗにセットしチューナでマッチングを取り平板電極２１９から放電を行った。この時の反射波は０Ｗであった。
次に、トリメチルガリウムガス（流量１．９ｓｃｃｍ）を、ガス導入管２１５を介してシャワーノズル２１６から成膜室２１０内のプラズマ拡散部２１７に導入した。この時、バラトロン真空計で測定した成膜室２１０内の反応圧力は５．３Ｐａであった。
この状態で、有機感光体（１）を５００ｒｐｍの速度で回転させながら９００分間成膜し、有機感光体（１）の電荷輸送層表面に膜厚３．０μｍの無機保護層を形成した。
無機保護層の外周面における表面粗さＲａは、１．９ｎｍであった。
無機保護層における、酸素とガリウムとの元素組成比（酸素／ガリウム）は１．３５であった。
【０１７７】
以上の工程を経て、導電性基体上に、下引層、電荷発生層、電荷輸送層、無機保護層が順次形成された、実施例１の電子写真感光体を得た。
【０１７８】
＜実施例２〜４＞
下引層における、元素構成比率（Ｏ／Ｇａ）、体積抵抗率、及び膜弾性率を、適宜、表１のように変更した以外は、実施例１と同様にして、各例の電子写真感光体を得た。
なお、下引層における、元素構成比率（Ｏ／Ｇａ）及び体積抵抗率は、成膜に用いる各種ガスの流量及び成膜時間を適宜調整することで変更し、これらの変更により表１に記載の膜弾性率を得た。
【０１７９】
＜実施例５＞
電荷輸送層におけるシリカ粒子の含有量を表１のように変え、電荷輸送層の膜弾性率を表１のように変更した以外は、実施例３と同様にして、電子写真感光体を得た。
【０１８０】
＜実施例６及び９＞
無機保護層における膜厚を、表１又は表２のように変更した以外は、実施例３と同様にして、各例の電子写真感光体を得た。
なお、無機保護層における膜厚は、成膜に用いる各種ガスの流量及び成膜時間を適宜調整することで変更した。
【０１８１】
＜実施例７及び８＞
下引層における膜厚を、表２のように変更した以外は、実施例３と同様にして、各例の電子写真感光体を得た。
なお、無機保護層における膜厚は、成膜に用いる各種ガスの流量及び成膜時間を適宜調整することで変更した。
【０１８２】
＜比較例１＞
電荷輸送層においてシリカ粒子を用いず、電荷輸送層の膜弾性率を表１のように変更した以外は、実施例３と同様にして、電子写真感光体を得た。
【０１８３】
＜比較例２＞
電荷輸送層においてシリカ粒子を用いず、電荷輸送層の膜弾性率を表１のように変更した以外は、実施例６と同様にして、電子写真感光体を得た。
【０１８４】
（評価）
−打痕の評価−
各例で得られた電子写真感光体を、画像形成装置（富士ゼロックス社製  ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ−Ｖ  Ｃ７７７５）に組み込み、以下の評価を行った。
温度２０℃湿度４０％ＲＨの環境下で、画像濃度３０％の全面ハーフトーン画像をＡ４用紙に連続１００万枚出力（すなわち、電子写真感光体の回転数３００万回転）した後、電子写真感光体の表面（すなわち、無機保護層の表面）を光学顕微鏡（キーエンス社製、型番：ＶＨＸ）により、倍率４５０倍で１０視野測定し、打痕（凹み）の数を数え、単位面積（１ｍｍ×１ｍｍ）あたりの打痕の数（以下「打痕数」ともいう）を算出した。
評価基準は以下の通りである。結果を表１及び表２（表１及び表２中の「打痕」の欄）に示す。
【０１８５】
−評価基準−
Ａ：打痕数が１個以下
Ｂ：打痕数が１個を超え３個以下
Ｃ：打痕数が３個を超え５個以下
Ｄ：打痕数が５個を超え１０個以下
Ｅ：打痕数が１０個を超える
【０１８６】
−画像濃度の評価−
打痕の評価時に出力された、１枚目の画像と１００万枚目の画像との画像濃度を目視にて比較し、評価した。
評価基準は以下の通りであり、結果を表１及び表２（表１及び表２中の「画像濃度」の欄）に示す。
【０１８７】
−評価基準−
Ａ：画像濃度に差は見られない。
Ｂ：画像濃度に僅かに差が見られる。
Ｃ：画像濃度に差が見られる領域がある。
Ｄ：画像濃度に明らかな差が見られる。
【０１８８】
【表１】
2020008688.tif 000005
【０１８９】
【表２】
2020008688.tif 000006
【０１９０】
なお、表１及び表２中の、Ｇａ＋Ｏは、無機保護層を構成する全元素に対する、ガリウム及び酸素の元素構成比率の和を表す。
【０１９１】
上記結果から、本実施例では、比較例に比べ、打痕の発生が抑制され、画像濃度の差も少ないことが分かる。
【符号の説明】
【０１９２】
１０１  下引層、１０２  電荷発生層、１０３  電荷輸送層、１０４  導電性基体、１０５  有機感光層、１０６  無機保護層、１０７Ａ，７  電子写真感光体（感光体）、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑材、３０  駆動モータ、４０  転写装置、５０  中間転写体、６０  制御装置、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、１３２  繊維状部材（ロール状）、１３３  繊維状部材（平ブラシ状）、３００  プロセスカートリッジ、２１０  成膜室、２１１  排気口、２１２  基体回転部、２１３  基体支持部材、２１４  基体、２１５、２２０  ガス導入管、２１６  シャワーノズル、２１７  プラズマ拡散部、２１８  高周波電力供給部、２１９  平板電極、２２１  高周波放電管部、２２２  高周波コイル、２２３  石英管
【図１】
2020008688.tif 000007
【図２】
2020008688.tif 000008
【図３】
2020008688.tif 000009
【図４】
2020008688.tif 000010
【図５】
2020008688.tif 000011