(57)【要約】【課題】レジスト膜の現像後にレジストパターンの端部に残るレジスト残渣を低減できる技術を提供する。【解決手段】この基板処理装置１は、現像処理されたレジスト膜を表面に有する基板Ｇを処理する。基板処理装置１は  大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニット４０と、基板Ｇとプラズマ生成ユニット４０とを相対的に移動させる移動機構３０とを有する。移動機構３０の移動範囲は、ガスの吐出範囲内にレジスト膜が配置される位置が含まれる。これにより、現像処理後のレジスト残渣が除去される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像処理されたレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理装置であって、
大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、
前記基板と前記プラズマ生成ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、
を有し、
前記移動機構の移動範囲は、前記ガスの吐出範囲内に前記レジスト膜が配置される位置が含まれる、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記基板を内部において搬送可能なチャンバ
をさらに有し、
前記移動機構は、前記チャンバ内において前記基板を搬送し、
前記プラズマ生成ユニットは、前記ガスを前記基板の表面に向かって吐出する、基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記チャンバは、
前記チャンバ内の気体を排出可能な排気口
を有する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記移動機構は、前記チャンバの天面に沿って、上面側に前記レジスト膜を有する前記基板を搬送し、
前記プラズマ生成ユニットは、前記チャンバの天面に設けられた給気口を介して、前記ガスを前記基板の上面に向かって吐出する、基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、酸素を含む気体をプラズマ化する、基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化する、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、
前記移動機構による相対移動の方向に対して直交する方向に配列された複数の分割ノズル
を有し、
前記分割ノズルのそれぞれが、前記ガスを吐出する、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記レジスト膜に対して現像処理を行う現像処理部
をさらに有し、
前記プラズマ生成ユニットは、前記現像処理部において現像処理された前記レジスト膜に対して前記ガスを吐出する、基板処理装置。
【請求項９】
現像処理されたレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法であって、
ａ）大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、前記基板とを相対的に移動させつつ、前記プラズマ生成ユニットから前記レジスト膜に対して前記ガスを吐出する工程
を有する、基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法であって、
前記工程ａ）において、前記基板の移動がチャンバ内でなされ、かつ、前記プラズマ生成ユニットは、前記チャンバの内部へ前記ガスを吐出する、基板処理方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の基板処理方法であって、
前記工程ａ）において、前記プラズマ生成ユニットは、酸素を含む気体をプラズマ化して吐出する、基板処理方法。
【請求項１２】
請求項９または請求項１０に記載の基板処理方法であって、
前記工程ａ）において、前記プラズマ生成ユニットは、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して吐出する、基板処理方法。
【請求項１３】
露光されたレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法であって、
Ａ）前記レジスト膜を現像液を用いて現像処理する工程と、
Ｂ）大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、前記基板とを相対的に移動させつつ、前記レジスト膜に対して前記ガスを吐出する工程と、
を有する、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面のレジスト膜を現像処理した後に、当該基板を処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの精密電子装置用基板の製造工程では、基板表面に形成されたレジスト膜を露光・現像することにより、レジストパターンを形成する、所謂フォトリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
近年、液晶業界では、フォトリソグラフィ技術を用いて微細パターンを形成する技術が活用されている。スマートフォン、タブレット端末、ヘッドマウントディスプレイに代表される携帯情報端末の軽量化および高精細化の要求は日に日に高まっている。
【０００４】
レジスト膜の現像を行う従来の基板処理装置については、例えば、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の基板処理装置は、基板に対して、レジスト塗布前洗浄、レジスト塗布、露光、現像を連続して行う、いわゆるコータ・デベロッパー装置である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１４５２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
パターンの高精細化に伴い、露光・現像後のレジスト膜において、レジストパターンの端部に微細なレジスト残渣が残る場合がある。このレジスト残渣は、現像後のエッチング処理において、パターン端部の寸法精度を低下する原因となる場合がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、レジスト膜の現像後にレジストパターンの端部に残るレジスト残渣を低減できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、現像処理されたレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理装置であって、大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、前記基板と前記プラズマ生成ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、を有し、前記移動機構の移動範囲は、前記ガスの吐出範囲内に前記レジスト膜が配置される位置が含まれる。
【０００９】
本願の第２発明は、第１発明の基板処理装置であって、前記基板を内部において搬送可能なチャンバをさらに有し、前記移動機構は、前記チャンバ内において前記基板を搬送し、前記プラズマ生成ユニットは、前記ガスを前記基板の表面に向かって吐出する。
【００１０】
本願の第３発明は、第２発明の基板処理装置であって、前記チャンバは、前記チャンバ内の気体を排出可能な排気口を有する。
【００１１】
本願の第４発明は、第２発明または第３発明の基板処理装置であって、前記移動機構は、前記チャンバの天面に沿って、上面側に前記レジスト膜を有する前記基板を搬送し、前記プラズマ生成ユニットは、前記チャンバの天面に設けられた給気口を介して、前記ガスを前記基板の上面に向かって吐出する。
【００１２】
本願の第５発明は、第１発明ないし第４発明のいずれかの基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、酸素を含む気体をプラズマ化する。
【００１３】
本願の第６発明は、第５発明の基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化する。
【００１４】
本願の第７発明は、第１発明ないし第６発明のいずれかの基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、前記移動機構による相対移動の方向に対して直交する方向に配列された複数の分割ノズルを有し、前記分割ノズルのそれぞれが、前記ガスを吐出する。
【００１５】
本願の第８発明は、第１発明ないし第７発明のいずれかの基板処理装置であって、前記レジスト膜に対して現像処理を行う現像処理部をさらに有し、前記プラズマ生成ユニットは、前記現像処理部において現像処理された前記レジスト膜に対して前記ガスを吐出する。
【００１６】
本願の第９発明は、現像処理されたレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法であって、ａ）大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、前記基板とを相対的に移動させつつ、前記プラズマ生成ユニットから前記レジスト膜に対して前記ガスを吐出する工程を有する。
【００１７】
本願の第１０発明は、第９発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）において、前記基板の移動がチャンバ内でなされ、かつ、前記プラズマ生成ユニットは、前記チャンバの内部へ前記ガスを吐出する、基板処理方法。
【００１８】
本願の第１１発明は、第９発明または第１０発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）において、前記プラズマ生成ユニットは、酸素を含む気体をプラズマ化して吐出する。
【００１９】
本願の第１２発明は、第９発明または第１０発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）において、前記プラズマ生成ユニットは、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して吐出する。
【００２０】
本願の第１３発明は、露光されたレジスト膜を表面に有する基板を処理する基板処理方法であって、Ａ）前記レジスト膜を現像液を用いて現像処理する工程と、Ｂ）大気圧下で発生させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、前記基板とを相対的に移動させつつ、前記レジスト膜に対して前記ガスを吐出する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００２１】
本願の第１発明から第１３発明によれば、基板の表面に供給されたガスに含まれるプラズマによって、レジスト膜の現像後にレジストパターンの端部に残るレジスト残渣を除去できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示した概略図である。
【図２】第１実施形態に係るプラズマ処理部の構成を示した概略断面図である。
【図３】第１実施形態に係るプラズマ生成ユニットのノズルと、基板との位置関係の一例を示した図である。
【図４】第１実施形態に係る基板処理装置における基板処理の流れを示したフローチャートである。
【図５】プラズマ処理前後のける基板上のレジストパターンの様子を示した概略図である。
【図６】一変形例に係るプラズマ生成ユニットのノズルと、基板との位置関係を示した図である。
【図７】他の変形例に係るプラズマ生成ユニットのノズルと、基板との位置関係を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２４】
＜１．第１実施形態＞
＜１−１．基板処理装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理部１を備えた基板処理装置９の構成を示した概略図である。本実施形態の基板処理装置９は、液晶表示装置用ガラス基板Ｇ（以下、基板Ｇと称する）に対して、レジスト液の塗布、露光、および露光後の現像を行う、いわゆるコータ・デベロッパー装置である。
【００２５】
基板処理装置９は、複数の処理部として、搬入部９０１、洗浄部９１、デハイドベーク部９２、塗布部９３、減圧乾燥部９４、プリベーク部９５、露光部９６、現像部９７、リンス部９８、ポストベーク部９９、プラズマ処理部１および搬出部９０２を有する。基板処理装置９の各処理部は、上記の順に互いに隣接して配置される。基板Ｇは、搬送機構（図示せず）により、破線矢印で示すように、処理の進行に従って各処理部へ上記の順に搬送される。
【００２６】
搬入部９０１は、基板処理装置９において処理される基板Ｇを、基板処理装置９内に搬入する。洗浄部９１は、搬入部９０１へ搬入された基板Ｇを洗浄し、微細なパーティクルをはじめ、有機汚染や金属汚染、油脂、自然酸化膜等を除去する。洗浄部９１では、基板Ｇに対して、洗浄液による洗浄処理と、純水によるリンス処理とが行われた後、エアナイフによる液切り乾燥処理が行われる。デハイドベーク部９２は、基板Ｇを加熱し、洗浄部９１において基板Ｇに付着した僅かな水分を気化させることによって、基板Ｇを乾燥させる。その後、デハイドベーク部９２では、塗布部９３におけるレジスト液と基板Ｇとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）蒸気が基板Ｇの表面に供給される。
【００２７】
塗布部９３は、デハイドベーク部９２で乾燥処理を行った後の基板Ｇに対して、その表面にレジスト液を塗布する。そして、減圧乾燥部９４は、基板Ｇの表面に塗布された当該レジスト液の溶媒を減圧により蒸発させて、基板Ｇを乾燥させる。プリベーク部９５は、減圧乾燥部９４において減圧乾燥処理が施された基板Ｇを加熱し、基板Ｇ表面のレジスト成分を固化させる加熱処理部である。これにより、基板Ｇの表面に処理液の薄膜、すなわちレジスト膜が形成される。
【００２８】
次に、露光部９６は、レジスト膜が形成された基板Ｇの表面に対して、露光処理を行う。露光部９６は、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線を照射し、レジスト膜にパターンを転写する。現像部９７は、露光部９６においてパターンが露光された基板Ｇを現像液に浸して、現像処理を行う。これにより、基板Ｇの表面のレジスト膜のうち、露光された部分、または未露光の部分が選択的に除去される。
【００２９】
リンス部９８は、現像部９７において現像処理した基板Ｇをリンス液ですすぐ。これにより、現像処理の進行を停止させる。リンス部９８では、基板Ｇに対して、リンス液によるリンス処理後、エアナイフによる液切り乾燥処理が行われる。ポストベーク部９９は、基板Ｇを加熱し、リンス部９８において基板Ｇに付着した僅かなリンス液（水分）を気化させることによって、基板Ｇを乾燥させる。
【００３０】
プラズマ処理部１は、現像処理がなされたレジスト膜を表面に有する基板Ｇに対してプラズマを含むガスを吐出する。これにより、プラズマ処理部１は、現像後のレジストパターンの端部に残る僅かなレジスト残渣を除去する。プラズマ処理部１の詳細な構成については、後述する。
【００３１】
基板処理装置９の各処理部において処理が施された基板Ｇは、搬出部９０２へ搬送される。そして、搬出部９０２から基板Ｇが基板処理装置９の外部へ搬出される。
【００３２】
なお、本実施形態の基板処理装置９は露光部９６を有しているが、本発明の基板処理装置においては、露光部が省略されていてもよい。その場合、基板処理装置を、別体の露光装置と組み合わせて使用すればよい。
【００３３】
＜１−２．プラズマ処理部の構成＞
図２は、本実施形態に係るプラズマ処理部１の構成を示した概略断面図である。図３は、プラズマ処理部１内におけるプラズマ生成ユニット４０のノズル４１と、基板Ｇとの位置関係の一例を示した図である。
【００３４】
図２に示すように、プラズマ処理部１は、チャンバ２０、移動機構３０、プラズマ生成ユニット４０、および制御部１０を有する。
【００３５】
チャンバ２０は、基板Ｇおよび移動機構３０を内部に収容可能な筐体である。チャンバ２０の内部において、移動機構３０によって基板Ｇが搬送可能である。チャンバ２０は、搬入口２１、搬出口２２、給気口２３、および２つの排気口２４を有する。本実施形態では、チャンバ２０の底面および天面は水平に配置される。
【００３６】
搬入口２１および搬出口２２は、チャンバ２０の側壁に設けられた開口である。搬入口２１は、移動機構３０による基板Ｇの搬送方向の上流側に配置される。搬出口２２は、移動機構３０による基板Ｇの搬送方向の下流側に配置される。なお、図２中、基板Ｇの搬送方向が実線矢印で示されている。搬入口２１および搬出口２２には、開口を開閉自在に覆うシャッタが設けられていてもよい。
【００３７】
給気口２３は、チャンバ２０の天面に配置された貫通孔である。本実施形態では、給気口２３にプラズマ生成ユニット４０の後述するノズル４１の吐出口４１０を有する下端部が配置される。
【００３８】
排気口２４は、それぞれ、チャンバ２０の内部と外部とを連通する排気ダクトである。本実施形態の排気口２４は管状のダクトであるが、排気口２４は、単なる貫通孔であってもよい。この排気口２４は、いずれもチャンバ２０の天面に設けられているが、排気口２４はチャンバ２０の側面や底面に設けられていてもよい。また、本実施形態では、チャンバ２０の有する排気口２４は２つであるが、排気口２４は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
【００３９】
排気口２４には、排気する気体に含まれる物質を吸着するためのフィルタが備えられていてもよい。また、排気口２４は、チャンバ２０内の気体を吸引する吸引機構に接続されていてもよい。
【００４０】
移動機構３０は、チャンバ２０内において、基板Ｇとプラズマ生成ユニット４０とを相対的に移動させる機構である。具体的には、移動機構３０は、チャンバ２０内において基板Ｇを水平方向に移動させる。移動機構３０は、その上部に基板Ｇを載置しつつ、基板Ｇを搬送方向に移動させる複数の搬送ローラ３１を有する。複数の搬送ローラ３１は、互いに平行に配置される。また、搬送ローラ３１はそれぞれ、図示を省略したモータを駆動源として、水平軸に沿って回転する。これにより、基板Ｇは、チャンバ２０の天面に沿って、水平に支持されつつ搬送される。
【００４１】
なお、図２には、チャンバ２０内に１つの基板Ｇのみが示されているが、チャンバ２０内に同時に収容可能な基板Ｇは１つでもよいし、複数でもよい。
【００４２】
プラズマ生成ユニット４０は、大気圧下で生成させたプラズマを含むガスを吐出する装置である。プラズマ生成ユニット４０は、ノズル４１と、ガス供給部４２とを有する。ノズル４１は、吐出口４１０と、一対の電極４１１とを有する。
【００４３】
吐出口４１０は、ノズル４１の下端部に設けられる。本実施形態のノズル４１は、水平方向に延びる細長い吐出口４１０を有する、いわゆるスリットノズルである。しかしながら、ノズル４１は、複数の吐出口４１０を有していてもよい。一対の電極４１１は、基板Ｇの搬送方向に対向して配置される。また、一対の電極４１１は、その下端部が吐出口４１０に一致するように配置される。一対の電極４１１の上端部には、ガス供給部４２から下方へ向かう気流が供給される。電極４１１間に電圧が印加されることにより、ガス供給部４２から供給された気体が、大気圧下においてプラズマ化される。これにより、大気圧下で発生させたプラズマを含むガスが、吐出口４１０から下方へ向かって吐出される。
【００４４】
図３に示すように、ノズル４１は、実線矢印で示す基板Ｇの搬送方向に直交する方向（幅方向）に延びる。また、ノズル４１の吐出口４１０は、基板Ｇの幅方向の全体と重なる位置に配置される。これにより、基板Ｇの上面の幅方向の全体に対して、プラズマを含むガスを接触させることができる。すなわち、基板Ｇの上面に形成されたレジスト膜の幅方向の全体に対して、プラズマを含むガスを接触させることができる。
【００４５】
ガス供給部４２は、配管部４２０、窒素ガス供給源４２１、酸素ガス供給源４２２、第１バルブ４２３、および第２バルブ４２４を有する。
【００４６】
配管部４２０は、ノズル４１と、窒素ガス供給源４２１および酸素ガス供給源４２２とを接続する配管である。窒素ガス供給源４２１は、配管部４２０へ向けて窒素ガスを供給する。酸素ガス供給源４２２は、配管部４２０へ向けて酸素ガスを供給する。
【００４７】
第１バルブ４２３は、窒素ガス供給源４２１からの窒素ガスの供給を制御する。第１バルブ４２３が開放されると、窒素ガス供給源４２１から配管部４２０を介してノズル４１へ窒素ガスが供給される。第１バルブ４２３が閉鎖されると、窒素ガス供給源４２１からノズル４１への窒素ガスの供給が停止する。
【００４８】
第２バルブ４２４は、酸素ガス供給源４２２からの酸素ガスの供給を制御する。第２バルブ４２４が開放されると、酸素ガス供給源４２２から配管部４２０を介してノズル４１へ酸素ガスが供給される。第２バルブ４２４が閉鎖されると、酸素ガス供給源４２２からノズル４１への酸素ガスの供給が停止する。
【００４９】
本実施形態では、プラズマ処理部１によるプラズマ処理工程において、第１バルブ４２３および第２バルブ４２４が開放されるとともに、電極４１１間に電圧が印加される。これにより、窒素ガスおよび酸素ガスにより構成される気体の一部がプラズマ化され、当該プラズマを含む混合ガスが吐出口４１０から吐出される。
【００５０】
なお、第１バルブ４２３および第２バルブ４２４は、開度を調節可能な流量調節弁であってもよい。流量調節弁を用いれば、ノズル４１へ供給される窒素ガスと酸素ガスの比率を、プラズマの生成により適した比率に調節できる。
【００５１】
制御部１０は、プラズマ処理部１の各部を制御する。図２中に概念的に示したように、制御部１０は、ＣＰＵ等の演算処理部１１、ＲＡＭ等のメモリ１２、およびハードディスクドライブ等の記憶部１３を有するコンピュータにより構成されている。また、制御部１０は、各搬送ローラ３１を駆動するモータ、電極４１１の電圧源、第１バルブ４２３および第２バルブ４２４を含むプラズマ処理部１の各部と、それぞれ電気的に接続されている。
【００５２】
制御部１０は、記憶部１３に記憶されたコンピュータプログラムやデータを、メモリ１２に一時的に読み出し、当該コンピュータプログラムおよびデータに基づいて、演算処理部１１が演算処理を行うことにより、プラズマ処理部１の各部の動作を制御する。これにより、プラズマ処理部１におけるプラズマ処理工程が実行される。なお、制御部１０は、プラズマ処理部１のみを制御するものであってもよいし、基板処理装置９の全体を制御するものであってもよい。
【００５３】
上記の構成により、プラズマ処理工程において、移動機構３０により基板Ｇの少なくとも一部が吐出口４１０の付近に接近すると、吐出口４１０から供給されるプラズマを含むガスが基板Ｇの上面に接触する。すなわち、移動機構３０による基板Ｇの移動範囲には、基板Ｇ上のレジスト膜がプラズマを含むガスの吐出範囲内に配置される位置が含まれる。
【００５４】
移動機構３０により支持される基板Ｇとチャンバ２０の天面とが略平行であることにより、基板Ｇの上面に向かって吐出されたプラズマを含むガスは、基板Ｇ上において水平方向に拡がり、その後排気口２４からチャンバ２０の外部へと向かう。なお、図２中、ガスの流れが破線矢印で示されている。
【００５５】
＜１−３．基板処理装置における基板処理の流れ＞
続いて、基板処理装置９における基板処理の流れについて、図４を参照しつつ説明する。図４は、基板処理装置９における基板処理の流れを示したフローチャートである。
【００５６】
まず、基板Ｇが搬入部９０１へと搬入される（ステップＳ０１）。搬入部９０１に搬入された基板Ｇは、移送機構（図示せず）により洗浄部９１へと移送され、洗浄処理がなされる（ステップＳ０２）。洗浄処理において、基板Ｇの表面に、複数種類の洗浄液が供給される。これにより、基板Ｇの表面に付着した微細なパーティクル、有機汚染、金属汚染、油脂、自然酸化膜等が除去される。そして、基板Ｇの表面に純水が供給され、洗浄液が除去された後、エアナイフによって基板Ｇの表面の水分の大部分が除去される。
【００５７】
その後、基板Ｇは、移送機構によりデハイドベーク部９２へと移送され、デハイドベーク処理がなされる（ステップＳ０３）。これにより、基板Ｇの表面についた水分が除去される。そして、基板Ｇの表面にＨＭＤＳ蒸気が供給された後、基板Ｇが冷却される。
【００５８】
続いて、基板Ｇは、移送機構により塗布部９３へと移送され、基板Ｇの表面にレジスト液が塗布される（ステップＳ０４）。そして、基板Ｇは、移送機構により減圧乾燥部９４へと移送され、減圧乾燥処理がなされる（ステップＳ０５）。これにより、基板Ｇの表面に塗布されたレジスト膜中に含まれる溶媒が蒸発し、乾燥する。その後、基板Ｇは、移送機構によりプリベーク部９５へと移送され、プリベーク処理がなされる（ステップＳ０６）。これにより、基板Ｇの表面に塗布されたレジスト液が固化され、基板Ｇの表面に薄膜状の感光性を有するレジスト膜が形成される。
【００５９】
レジスト膜が形成された基板Ｇは、移送機構により露光部９６へと搬送され、露光処理がなされる（ステップＳ０７）。露光処理において、レジスト膜には、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線が照射される。露光処理後、基板Ｇは、移送機構により現像部９７へと移送され、現像処理がなされる（ステップＳ０８）。現像処理において、基板Ｇの表面に現像液が供給されると、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜の一部が現像液に溶解し、残った部分により、レジストパターンが形成される。ここで、レジスト膜としてネガ型のフォトレジストが用いられている場合、現像処理において露光されていない部分が現像液に溶解し、露光された部分が現像処理後に残る。一方、レジスト膜としてポジ型のフォトレジストが用いられている場合、露光された部分が現像処理において除去され、露光されていない部分が現像処理後に残る。
【００６０】
現像後、基板Ｇは、移送機構によりリンス部９８へと搬送され、リンス処理が行われる（ステップＳ０９）。リンス処理において、基板Ｇの表面にリンス液が供給されることにより、基板Ｇの表面に付着した現像液が除去される。そして、エアナイフによって基板Ｇの表面のリンス液の大部分が除去される。なお、本実施形態において、現像部９７とリンス部９８とは別々の処理液供給部であるが、１つの処理液供給部において現像処理とリンス処理とが行われてもよい。
【００６１】
そして、基板Ｇは、移送機構によりポストベーク部９９へと搬送され、ポストベーク処理が行われる（ステップＳ１０）。これにより、基板Ｇに付着したリンス液（水分）が除去される。その後、基板Ｇは、移送機構によりプラズマ処理部１へと搬送され、プラズマ処理がなされる（ステップＳ１１）。プラズマ処理が完了すると、基板Ｇは、移送機構により搬出部９０２へと搬送される。そして、基板Ｇは、搬出部９０２から搬出される（ステップＳ１２）。
【００６２】
図５は、プラズマ処理前後における基板Ｇ上のレジストパターン８の様子を示した概略図である。図５に示すように、現像後、かつ、プラズマ処理前のレジストパターン８は、その底部の周囲に、現像処理において除去しきれなかったレジスト残渣８１を有している可能性がある。
【００６３】
従来のレジストパターンでは、パターン間の間隔が例えば３．０μｍであったのに対し、近年求められる高精細パターンでは、パターン間の間隔が例えば１．５μｍ程度であり、今後さらなるパターンの高精細化が求められている。このように、パターン間の間隔が小さくなるにつれ、現像処理において、パターン間のレジストを溶解させた際に、パターン間の底部まで十分に現像液が対流するのが困難となる。このため、パターンの高精細化に伴って、レジスト残渣が生じる可能性が高くなる。
【００６４】
そこで、現像処理後に、プラズマ処理がなされる。本実施形態では、プラズマ生成ユニット４０により窒素ガスおよび酸素ガスにより構成される気体の一部がプラズマ化され、当該プラズマを含む混合ガスがノズル４１を介してレジストパターン８が形成された基板Ｇの表面へと吐出される。プラズマがレジストパターン８の表面に接触することにより、レジストパターン８の表面がプラズマと化学反応を起こして気化する。具体的には、レジスト中の炭素と酸素プラズマとが化学反応を起こして、二酸化炭素となる。その結果、得５に示すように、レジストパターン８の表面が僅かに削られる。この際に、レジスト残渣８１はテーパ状や凹凸状である場合も多く、表面積が大きいため、プラズマによって特に削られる。これにより、プラズマによってレジストパターン８の表面が僅かに削られている間に、レジスト残渣８１の大部分を除去することができる。
【００６５】
なお、本実施形態では、酸素と不活性ガスである窒素とにより構成される気体をプラズマ化し、基板Ｇの表面に供給している。しかしながら、プラズマ処理においてプラズマ生成ユニット４０が基板Ｇに供給する気体は、これに限られない。例えば、基板Ｇに供給する気体は、酸素を含む気体をプラズマ化した気体であればよく、酸素と不活性ガスであるアルゴンとにより構成される気体をプラズマ化したものであってもよい。
【００６６】
このプラズマ処理部１では、プラズマ生成ユニット４０が基板Ｇに供給する気体は、大気圧下でプラズマ化された気体である。大気圧下でプラズマを生成することにより、いわゆる真空プラズマ装置と比べて安価にプラズマを生成することができ、かつ、高密度なプラズマを発生させることができる。これにより、プラズマ処理工程において、短時間で効率良くレジスト残渣８１を除去することができる。
【００６７】
また、このプラズマ処理部１では、プラズマの生成のための一対の電極４１１がノズル４１内に配置される。これにより、プラズマの生成のための電極の一方が基板Ｇの下に電極が配置される場合と比べて、基板Ｇ上に形成された層やレジストパターンが電圧によりダメージを受けることを回避しながら、プラズマ処理を行うことができる。
【００６８】
＜２．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形実施されてもよい。
【００６９】
図６は、一変形例に係るプラズマ処理部内におけるプラズマ生成ユニットのノズル４１Ａと、基板Ｇとの関係を示した図である。
【００７０】
図６の例のプラズマ処理ユニットのノズル４１Ａは、５つの分割ノズル４１２Ａにより構成される。各分割ノズル４１２Ａは、それぞれ、基板Ｇの幅方向に沿って延びる吐出口を有するスリットノズルである。５つの分割ノズル４１２Ａは、幅方向に並んで配置される。
【００７１】
このようにノズル４１Ａを複数の分割ノズル４１２Ａに分割することにより、幅方向の位置によって基板Ｇの表面に供給されるプラズマの状態を異ならせることができる。すなわち、分割ノズル４１２Ａごとに、例えば、吐出するプラズマを含む気体の流量や、プラズマ生成時に電極に印加する電圧値を異ならせることができる。なお、基板Ｇの搬送方向については、ノズル４１Ａと基板Ｇとの搬送方向の位置関係を考慮して上記の条件を変更するか、あるいは基板Ｇの搬送速度を変更することにより、基板Ｇの表面に供給されるプラズマの状態を異ならせることができる。
【００７２】
また、分割ノズル４１２Ａごとに、予め電極間の距離や、吐出口のスリット幅を異ならせていてもよい。このようにすれば、分割ノズル４１２Ａごとに、基板Ｇの表面に供給されるプラズマの状態を異ならせることができる。
【００７３】
図７は、他の変形例に係るプラズマ処理部内におけるプラズマ生成ユニットのノズル４１Ｂと、基板Ｇとの関係を示した図である。
【００７４】
図７の例のプラズマ処理ユニットのノズル４１Ｂは、５つの分割ノズル４１２Ｂにより構成される。各分割ノズル４１２Ｂは、幅方向に千鳥状に配置される。５つの分割ノズル４１２Ｂは、上流側に配置される２つの分割ノズル４１２Ｂを含む第１ノズル列４１３Ｂと、下流側に配置される３つの第２ノズル列４１４Ｂとを形成する。５つの分割ノズル４１２Ｂは、全て幅方向の異なる位置に配置される。幅方向に隣り合う分割ノズル４１２Ｂは、互いに異なるノズル列４１３Ｂ，４１４Ｂに含まれる。幅方向に隣り合う分割ノズル４１２Ｂの幅方向の端部は、搬送方向に重なって配置される。これにより、基板Ｇの幅方向の全ての領域がいずれかのノズル４１Ｂの真下を通過することができる。したがって、基板Ｇの幅方向の全体を、より均一にプラズマ処理することができる。
【００７５】
図６の例および図７の例のように、プラズマ生成ユニットのノズルは、複数の分割ノズルにより構成されていてもよい。なお、分割ノズルの数は、２〜４個であってもよいし、６個以上であってもよい。
【００７６】
また、上記の実施形態の移動機構３０は、静止したプラズマ生成ユニット４０のノズル４１に対して、基板Ｇを移動させていた。しかしながら、本発明の移動機構は、静止した基板に対して、プラズマ生成ユニットのノズルを移動させるものであってもよい。
【００７７】
また、上記の実施形態および変形例のプラズマ処理部は、１つのノズルまたは１組の分割ノズルを有していたが、本発明はこれに限られない。プラズマ処理部は、搬送方向に並ぶ複数個のノズルまたは複数組の分割ノズルを有していてもよい。このように、搬送方向の複数箇所でプラズマ処理を行うことができれば、基板Ｇの搬送速度を大きくすることができる。すなわち、基板処理の期間を短縮できる。
【００７８】
また、上記の実施形態のプラズマ処理部は、基板処理装置の一部であったが、本発明のプラズマ処理部は、他の処理部とともに設置されない独立した基板処理装置であってもよい。
【００７９】
また、上記の実施形態のプラズマ処理部は、現像処理後、リンス処理およびポストベーク処理が行われた基板に対してプラズマ処理を行うものであったが、本発明のプラズマ生成部はこれに限られない。プラズマ処理部は、現像処理、リンス処理および液切り乾燥処理を行った後、ポストベーク処理前にプラズマ処理を行ってもよい。
【００８０】
また、上記の実施形態の基板処理装置９は、液晶表示装置用ガラス基板を処理対象としていたが、本発明の基板処理装置は、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板などの他の精密電子装置用基板を処理対象とするものであってもよい。
【００８１】
また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１  プラズマ処理部
９  基板処理装置
１０  制御部
２０  チャンバ
２１  搬入口
２２  搬出口
２３  給気口
２４  排気口
３０  移動機構
４０  プラズマ生成ユニット
４１，４１Ａ，４１Ｂ  ノズル
９７  現像部
４１０  吐出口
４１１  電極
Ｇ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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