(57)【要約】【課題】研磨や洗浄等の処理に用いたときに、半導体表面から汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材料等に与えるダメージを抑制できる半導体表面処理用組成物、及びそれを用いた半導体表面の処理方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体表面処理用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物と、を含有する。2020107641.tif 000030（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）2020107641.tif 000031（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、
（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物と、
を含有する、半導体表面処理用組成物。
【化１】
2020107641.tif 000022
（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）
【化２】
2020107641.tif 000023
（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される化合物中のＲ２が、下記一般式（３）で表される基である、請求項１に記載の半導体表面処理用組成物。
【化３】
2020107641.tif 000024
（上記式（３）中、Ｒ３は水素原子またはアミノアルキル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６の有機基を表す。Ｌ２は２価の連結基を表す。＊はＬ１との結合部位を表す。）
【請求項３】
前記一般式（３）で表される基が、下記一般式（４）で表される基または下記一般式（５）で表される基である、請求項２に記載の半導体表面処理用組成物。
【化４】
2020107641.tif 000025
【化５】
2020107641.tif 000026
（上記式（４）及び上記式（５）中、Ｒ３は水素原子またはアミノアルキル基を表す。上記式（４）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アミノアルキル基、またはカルボキシアルキル基を表す。上記式（５）中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に
、炭素数１〜５の直鎖または分岐状のアルキル基、もしくは下記一般式（６）で表される基を表す。但し、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの少なくとも１つは、下記一般式（６）で表される基である。Ｌ２は２価の連結基を表す。＊はＬ１との結合部位を表す。）
【化６】
2020107641.tif 000027
（上記式（６）中、Ｒ１０は炭素数１〜３のアルキレン基を表す。また、＊はＮ＋との結合部位を表す。）
【請求項４】
前記一般式（３）中のＲ３が、炭素数１〜６のアミノアルキル基である、請求項２に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項５】
前記一般式（３）中のＬ２が、炭素数１〜５のアルキレン基、及びアミノ基よりなる群から選択される少なくとも１種を含む連結基である、請求項２に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項６】
前記一般式（３）中のＬ２が、炭素数１〜５のアルキレン基及びアミノ基を含む連結基である、請求項２に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項７】
前記一般式（１）で表される化合物が、３個以上５個以下の窒素原子を有する化合物である、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項８】
前記一般式（２）で表される化合物が、クエン酸、マロン酸、マレイン酸、酒石酸、リンゴ酸、及びコハク酸よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物である、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項９】
ｐＨが８以上１３以下である、請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項１０】
さらに、（Ｃ）水溶性高分子を含有する、請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項１１】
さらに、（Ｄ）有機溶媒を含有する、請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項１２】
さらに、（Ｅ）ヒドロキシルアミンを含有する、請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項１３】
配線基板用である、請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載の半導体表面処理用組成物。
【請求項１４】
水、有機溶媒又はこれらの混合溶媒中に、下記一般式（２）で表される化合物を溶解又は分散させる第１の工程と、
前記第１の工程後の溶液又は分散液中に、さらに下記一般式（１）で表される化合物を溶解又は分散させる第２の工程と、
前記第２の工程後の溶液又は分散液を用いて、半導体表面を処理する第３の工程と、
を備える、半導体表面の処理方法。
【化７】
2020107641.tif 000028
（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）
【化８】
2020107641.tif 000029
（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体表面処理用組成物及びそれを用いた半導体表面の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）は、半導体装置の製造における平坦化技術などで普及を見せてきた。ＣＭＰに用いられる化学機械研磨用スラリーは、研磨粒子（砥粒）の他、エッチング剤等を含有する。また、半導体装置の製造においては、ＣＭＰの後に、研磨屑や有機残渣等の汚染を半導体基板の表面から除去する必要があり、ＣＭＰ後の半導体の洗浄は避けては通れない必須の工程となっている。
【０００３】
半導体基板の表面には、タングステン、コバルト等の金属配線材料が露出しているため、ＣＭＰやその後の洗浄は、このような金属配線材料が露出している被研磨面に腐食などのダメージを与えないようにして行う必要がある。このような被研磨面へのダメージを抑制する技術としては、例えば、ポリエチレンイミンを配合した化学機械研磨用組成物の使用（特許文献１）やアルカノールアミンを配合した半導体基板洗浄用組成物の使用（特許文献２）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１６−５２４３２４号公報
【特許文献２】特開２０１６−１７１２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
タングステン、コバルト等の金属配線材料上に存在する研磨屑や有機残渣等を効果的に除去するためには、金属配線材料と研磨屑や有機残渣等との表面状態をコントロールすることが有効である。これらの表面状態をコントロールするためには、半導体基板洗浄用組成物のｐＨを高めに調整することが簡易な手段であり好ましい。
【０００６】
しかしながら、半導体基板洗浄用組成物のｐＨを高めに調整しても、前記ポリエチレンイミンや前記アルカノールアミンを添加するだけでは、金属配線材料等へのダメージを抑制することは困難であった。
【０００７】
そこで、本発明に係る幾つかの態様は、上記課題の少なくとも一部を解決することで、研磨や洗浄等の処理に用いたときに、半導体表面から汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材料等に与えるダメージを抑制できる半導体表面処理用組成物、及びそれを用いた半導体表面の処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下のいずれかの態様として実現することができる。
【０００９】
本発明に係る半導体表面処理用組成物の一態様は、
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物と、
（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物と、
を含有する。
【化１】
2020107641.tif 000002
（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）
【化２】
2020107641.tif 000003
（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）
【００１０】
前記半導体表面処理用組成物の一態様において、
前記一般式（１）で表される化合物中のＲ２が、下記一般式（３）で表される基であることができる。
【化３】
2020107641.tif 000004
（上記式（３）中、Ｒ３は水素原子またはアミノアルキル基を表し、Ｒ４は炭素数１〜６の有機基を表す。Ｌ２は２価の連結基を表す。＊はＬ１との結合部位を表す。）
【００１１】
前記半導体表面処理用組成物の一態様において、
前記一般式（３）で表される基が、下記一般式（４）で表される基または下記一般式（５）で表される基であることができる。
【化４】
2020107641.tif 000005
【化５】
2020107641.tif 000006
（上記式（４）及び上記式（５）中、Ｒ３は水素原子またはアミノアルキル基を表す。上記式（４）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アミノアルキル基、またはカルボキシアルキル基を表す。上記式（５）中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖または分岐状のアルキル基、もしくは下記一般式（６）で表される基を表す。但し、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの少なくとも１つは、下記一般式（６）で表される基である。Ｌ２は２価の連結基を表す。＊はＬ１との結合部位を表す。）
【化６】
2020107641.tif 000007
（上記式（６）中、Ｒ１０は炭素数１〜３のアルキレン基を表す。また、＊はＮ＋との結合部位を表す。）
【００１２】
前記半導体表面処理用組成物の一態様において、
前記一般式（３）中のＲ３が、炭素数１〜６のアミノアルキル基であることができる。
【００１３】
前記半導体表面処理用組成物の一態様において、
前記一般式（３）中のＬ２が、炭素数１〜５のアルキレン基、及びアミノ基よりなる群から選択される少なくとも１種を含む連結基であることができる。
【００１４】
前記半導体表面処理用組成物の一態様において、
前記一般式（３）中のＬ２が、炭素数１〜５のアルキレン基及びアミノ基を含む連結基であることができる。
【００１５】
前記半導体表面処理用組成物のいずれかの態様において、
前記一般式（１）で表される化合物が、３個以上５個以下の窒素原子を有する化合物であることができる。
【００１６】
前記半導体表面処理用組成物のいずれかの態様において、
前記一般式（２）で表される化合物が、クエン酸、マロン酸、マレイン酸、酒石酸、リンゴ酸、及びコハク酸よりなる群から選択される少なくとも１種の化合物であることができる。
【００１７】
前記半導体表面処理用組成物のいずれかの態様において、
ｐＨが８以上１３以下であることができる。
【００１８】
前記半導体表面処理用組成物のいずれかの態様において、
さらに、（Ｃ）水溶性高分子を含有することができる。
【００１９】
前記半導体表面処理用組成物のいずれかの態様において、
さらに、（Ｄ）有機溶媒を含有することができる。
【００２０】
前記半導体表面処理用組成物のいずれかの態様において、
さらに、（Ｅ）ヒドロキシルアミンを含有することができる。
【００２１】
前記いずれかの態様の半導体表面処理用組成物は、配線基板用であることができる。
【００２２】
本発明に係る半導体表面の処理方法の一態様は、
水、有機溶媒又はこれらの混合溶媒中に、下記一般式（２）で表される化合物を溶解又は分散させる第１の工程と、
前記第１の工程後の溶液又は分散液中に、さらに下記一般式（１）で表される化合物を溶解又は分散させる第２の工程と、
前記第２の工程後の溶液又は分散液を用いて、半導体表面を処理する第３の工程と、
を備える。
【化７】
2020107641.tif 000008
（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）
【化８】
2020107641.tif 000009
（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る半導体表面処理用組成物によれば、研磨や洗浄等の処理に用いたときに、半導体表面から汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材料等に与えるダメージを抑制できる。本発明に係る半導体表面処理用組成物は、特に金属配線材料がタングステンやコバルトである場合に有効である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、下記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形例も含む。
【００２５】
１．半導体表面処理用組成物
本発明の一実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物（以下、「（Ａ）成分」ともいう。）と、（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物（以下、「（Ｂ）成分」ともいう。）と、を含有する。
【化９】
2020107641.tif 000010
（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）
【化１０】
2020107641.tif 000011
（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）
【００２６】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、必要に応じて純水などの水系媒体で希釈して、主にＣＭＰ終了後の半導体の表面に存在するパーティクルや金属不純物などを除去するための洗浄剤として使用することができる。以下、本実施形態に係る半導体表面処理用組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
【００２７】
１．１．（Ａ）成分
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物を含有する。
【００２８】
【化１１】
2020107641.tif 000012
【００２９】
上記一般式（１）中、Ｒ１は、炭素数が６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基であり、炭素数が１０〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基であることが好ましく、炭素数が１０〜１８の直鎖状のアルキル基であることがより好ましい。このようなアルキル基を持つことで、汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材等の金属を腐食させ難くすることができる。
【００３０】
Ｒ１の直鎖状アルキル基の具体例としては、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基等が挙げられる。
【００３１】
Ｒ１の分岐状アルキル基の具体例としては、メチルペンチル基、メチルヘキシル基、メチルヘプチル基、メチルオクチル基、メチルノニル基、メチルデシル基、メチルウンデシル基、メチルドデシル基、メチルトリデシル基、メチルテトラデシル基、メチルペンタデシル基、メチルヘキサデシル基、メチルヘプタデシル基；ジメチルブチル基、ジメチルペンチル基、ジメチルヘキシル基、ジメチルヘプチル基、ジメチルオクチル基、ジメチルノニル基、ジメチルデシル基、ジメチルウンデシル基、ジメチルドデシル基、ジメチルトリデシル基、ジメチルテトラデシル基、ジメチルペンタデシル基、ジメチルヘキサデシル基；トリメチルブチル基、トリメチルペンチル基、トリメチルヘキシル基、トリメチルヘプチル基、トリメチルオクチル基、トリメチルノニル基、トリメチルデシル基、トリメチルウンデシル基、トリメチルドデシル基、トリメチルトリデシル基、トリメチルテトラデシル基、トリメチルペンタデシル基；エチルブチル基、エチルペンチル基、エチルヘキシル基、エチルヘプチル基、エチルオクチル基、エチルノニル基、エチルデシル基、エチルウンデシル基、エチルドデシル基、エチルトリデシル基、エチルテトラデシル基、エチルペンタデシル基、エチルヘキサデシル基；プロピルブチル基、プロピルペンチル基、プロピルヘキシル基、プロピルヘプチル基、プロピルオクチル基、プロピルノニル基、プロピルデシル基、プロピルウンデシル基、プロピルドデシル基、プロピルトリデシル基、プロピルテトラデシル基、プロピルペンタデシル基；ブチルペンチル基、ブチルヘキシル基、ブチルヘプチル基、ブチルオクチル基、ブチルノニル基、ブチルデシル基、ブチルウンデシル基、ブチルドデシル基、ブチルトリデシル基、ブチルテトラデシル基等が挙げられる。なお、上記分岐アルキル基の例において、分岐の位置は任意である。
【００３２】
上記一般式（１）中、Ｌ１は、単結合または２価の連結基である。このような２価の連結基としては、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＳ−、−ＮＲ’−（Ｒ’は水素原子または１価の有機基を表す。）、２価の炭化水素基、これらを組み合わせた２価の基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜５のアルキレン基及び−ＣＯ−よりなる群から選択される少なくとも１種を含む２価の連結基であることが好ましい。
【００３３】
上記一般式（１）中、Ｒ２は、２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基であり、好ましくは下記一般式（３）で表される有機基である。
【００３４】
【化１２】
2020107641.tif 000013
【００３５】
上記一般式（３）中、Ｌ２は２価の連結基である。このような２価の連結基としては、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＳ−、−ＮＲ’−（Ｒ’は水素原子または１価の有機基を表す。）、２価の炭化水素基、これらを組み合わせた２価の基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数１〜５のアルキレン基及びアミノ基よりなる群から選択される少なくとも１種を含む２価の連結基であることが好ましく、炭素数１〜５のアルキレン基及びアミノ基を含む２価の連結基であることがより好ましい。また、上記一般式（３）中、＊はＬ１との結合部位を表す。
【００３６】
上記一般式（３）中、Ｒ３は水素原子またはアミノアルキル基であり、アミノアルキル基であることが好ましい。また、Ｒ３がアミノアルキル基である場合、アミノアルキル基の炭素数は１〜６であることが好ましい。
【００３７】
上記一般式（３）中、Ｒ４は炭素数１〜６の有機基であり、窒素原子及びＮ＋よりなる群から選択される少なくとも１種を有する炭素数１〜６の有機基であることが好ましく、下記一般式（４）または下記一般式（５）で表される有機基であることがより好ましい。
【００３８】
【化１３】
2020107641.tif 000014
【００３９】
【化１４】
2020107641.tif 000015
【００４０】
上記一般式（４）及び上記一般式（５）中、Ｒ３は水素原子またはアミノアルキル基であり、アミノアルキル基であることが好ましい。また、Ｒ３がアミノアルキル基である場合、アミノアルキル基の炭素数は１〜６であることが好ましい。また、上記一般式（４）及び上記一般式（５）中、＊はＬ１との結合部位を表す。
【００４１】
上記一般式（４）中、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、アミノアルキル基、またはカルボキシアルキル基である。Ｒ５及びＲ６のいずれかがアミノアルキル基である場合、アミノアルキル基の炭素数は１〜６であることが好ましい。また、Ｒ５及びＲ６のいずれかがカルボキシアルキル基である場合、カルボキシアルキル基の炭素数は１〜６であることが好ましい。
【００４２】
上記一般式（５）中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜５の直鎖または分岐状のアルキル基、もしくは下記一般式（６）で表される基である。但し、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のうちの少なくとも１つは、下記一般式（６）で表される基である。
【００４３】
【化１５】
2020107641.tif 000016
【００４４】
上記一般式（６）中、Ｒ１０は炭素数１〜３のアルキレン基である。また、＊はＮ＋との結合部位を表す。
【００４５】
上記一般式（５）中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のいずれかが炭素数１〜５の直鎖または分岐状のアルキル基である場合、該アルキル基は炭素数１〜５の直鎖状のアルキル基であることが好ましい。また、上記一般式（５）中、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９のいずれかが上記一般式（６）で表される基である場合、Ｒ１０は炭素数１〜２のアルキレン基であることが好ましい。
【００４６】
上記一般式（１）中のＲ２は、２個以上５個以下の窒素原子を有するが、３個以上５個以下の窒素原子を有することが好ましい。Ｒ２の窒素原子の個数が前記範囲にあることで、（Ａ）成分が比較的高いｐＨ領域においても金属表面等を保護しやすくなる結果、汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材等の金属を腐食させ難くすることができる。
【００４７】
上記一般式（１）中のＲ２が３個以上５個以下の窒素原子を有する（Ａ）成分としては、例えば、上記一般式（４）中のＲ３、Ｒ５及びＲ６の少なくとも１つがアミノアルキル基である（Ａ）成分が挙げられる。これらの中でも、Ｒ３がアミノアルキル基であり、かつ、Ｒ５及びＲ６が水素原子又はアミノアルキル基である（Ａ）成分が好ましく、Ｒ３がアミノアルキル基であり、かつ、Ｒ５及びＲ６が水素原子である（Ａ）成分がより好ましい。
【００４８】
（Ａ）成分の含有量の下限値は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、０．０００１質量％が好ましく、０．００１質量％がより好ましく、０．００５質量％が特に好ましい。（Ａ）成分の含有量が前記下限値以上であると、十分な金属配線材等の腐食抑制効果が得られる場合がある。一方、（Ａ）成分の含有量の上限値は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、１質量％が好ましく、０．１質量％がより好ましく、０．０４質量％が特に好ましい。（Ａ）成分の含有量が前記上限値以下であると、十分な汚染の低減又は除去を実現できる場合がある。
【００４９】
１．２．（Ｂ）成分
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ｂ）下記一般式（２）で表される化合物を含有する。
【００５０】
【化１６】
2020107641.tif 000017
【００５１】
上記一般式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基であれば特に制限されないが、炭素数１〜８の有機基であることが好ましく、炭素数１〜６の有機基であることがより好ましい。また、Ｒ１１は、構造中にアミノ基（第二級アミノ基及び第三級アミノ基を含む。）、ヒドロキシ基、カルボキシ基等を有してもよい。
【００５２】
（Ｂ）成分は、上記一般式（２）で表されるように、Ｒ１１で表される炭素数１〜１２の有機基の両末端にカルボキシ基を有している。このような構造を有する（Ｂ）成分であれば、半導体材料元素からなるイオンに対し高い配位能力を有するため、汚染を効果的に低減又は除去することができる。
【００５３】
（Ｂ）成分の具体例としては、クエン酸、マロン酸、マレイン酸、酒石酸、リンゴ酸、コハク酸、フタル酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、イミノジ酢酸等が挙げられる。これらの中でも、クエン酸、マロン酸、マレイン酸、酒石酸、リンゴ酸、及びコハク酸よりなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく、クエン酸及びリンゴ酸よりなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましく、クエン酸であることが特に好ましい。このような（Ｂ）成分であれば、汚染を特に低減又は除去することができる場合がある。（Ｂ）成分は、１種単独で用いてもよいし、任意の割合で２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５４】
（Ｂ）成分の含有量の下限値は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、０．００１質量％が好ましく、０．０５質量％がより好ましい。一方、（Ｂ）成分の含有量の上限値は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、１質量％が好ましく、０．５質量％がより好ましい。（Ｂ）成分の含有量が前記範囲にあると、汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材等の金属を腐食させ難くすることができる場合がある。
【００５５】
１．３．（Ｃ）水溶性高分子
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ｃ）水溶性高分子（以下、「（Ｃ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
【００５６】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が、（Ｃ）成分を含有することにより、汚染を効果的に低減又は除去できる場合がある。（Ｃ）成分としては、ポリカルボン酸、ポリスチレンスルホン酸等が挙げられるが、ポリカルボン酸が好ましく、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリマレイン酸、及びこれらの共重合体がより好ましい。（Ｃ）成分は、１種単独で用いてもよいし、任意の割合で２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
（Ｃ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００以上１，０００，０００以下であり、より好ましくは３，０００以上８００，０００以下である。（Ｃ）成分の重量平均分子量が前記範囲にあると、金属配線材等の表面に吸着しやすくなり、汚染を効果的に低減又は除去できる場合がある。なお、本明細書中における「重量平均分子量（Ｍｗ）」とは、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定されたポリエチレングリコール換算の重量平均分子量のことを指す。
【００５８】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が（Ｃ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、０．００１〜０．１質量％が好ましく、０．００５〜０．０５質量％がより好ましい。
【００５９】
１．４．（Ｄ）有機溶媒
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ｄ）有機溶媒（以下、「（Ｄ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
【００６０】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が、（Ｄ）成分を含有することにより、（Ａ）成分や（Ｃ）成分の半導体表面処理用組成物中の溶解性又は分散性が向上する結果、汚染を効果的に低減又は除去できる場合がある。（Ｄ）成分としては、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒等の極性有機溶媒；炭化水素系溶媒等の非極性有機溶媒等が挙げられるが、極性有機溶媒が好ましく、アルコール系溶媒がより好ましい。
【００６１】
前記アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。これらの中でもイソプロパノール、プロピレングリコールが好ましく、プロピレングリコールがより好ましい。（Ｄ）成分は、１種単独で用いてもよいし、任意の割合で２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６２】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が（Ｄ）成分を含有する場合、（Ｄ）成分の含有量は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、１〜２０質量％が好ましく、３〜１５質量％がより好ましい。
【００６３】
１．５．（Ｅ）ヒドロキシルアミン
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ｅ）ヒドロキシルアミン（以下、「（Ｅ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
【００６４】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が（Ｅ）成分を含有することにより、（Ｅ）成分の高い還元作用によって、金属酸化物等で構成される汚染物質が分解されることがある。その結果、汚染物質を水溶性物質とすることができるため、汚染を効果的に低減又は除去できる場合がある。
【００６５】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が（Ｅ）成分を含有する場合、（Ｅ）成分の含有量は、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、０．００１〜５質量％が好ましく、０．００５〜０．１質量％がより好ましい。
【００６６】
１．６．その他の成分
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、主要な液状媒体である水の他に、必要に応じて、砥粒、界面活性剤、酸化剤、及びｐＨ調整剤等を含有してもよい。これらの成分は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
＜水＞
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、主要な液状媒体として水を含有する。水としては、特に制限されるものではないが、純水が好ましい。水は、上述した半導体表面処理用組成物の構成材料の残部として配合されていればよく、水の含有量については特に制限はない。
【００６８】
＜砥粒＞
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、必要に応じてさらに金属配線材等を研磨するための砥粒を含有してもよい。砥粒としては、公知の材料を使用することができるが、無機酸化物粒子や有機粒子が好ましい。
【００６９】
無機酸化物粒子としては、例えば、シリカ、セリア、アルミナ、ジルコニア、チタニア等の無機酸化物粒子が挙げられる。また、金属配線材等のスクラッチの発生を抑制する観点から、コロイダルシリカがより好ましい。
【００７０】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が砥粒を含有する場合、砥粒の含有量は特に限定されないが、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、０．２〜１０質量％が好ましく、０．３〜５質量％がより好ましい。
【００７１】
＜界面活性剤＞
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、必要に応じて界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤としては、アニオン性界面活性剤及びノニオン性界面活性剤が挙げられる。
【００７２】
アニオン性界面活性剤としては、例えば、ドデシルベンゼンスルホン酸等のアルキルベンゼンスルホン酸；アルキルナフタレンスルホン酸；ラウリル硫酸等のアルキル硫酸エステル；ポリオキシエチレンラウリル硫酸等のポリオキシエチレンアルキルエーテルの硫酸エステル；ナフタレンスルホン酸縮合物；リグニンスルホン酸等を挙げることができる。これらのアニオン型界面活性剤は、塩の形態で使用してもよい。
【００７３】
ノニオン型界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル；ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル；ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルなどを挙げることができる。
【００７４】
これらの界面活性剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記界面活性剤を用いることにより、本実施形態に係る半導体表面処理用組成物を用いて半導体基板の金属配線材を含む面を処理する際に、基板表面に残存している汚染物質を液中へ分散させて除去することができ、半導体表面処理用組成物の所期の効果をより効果的に発揮できる場合がある。
【００７５】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は特に限定されないが、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、０．００１〜１質量％であることが好ましく、０．００１〜０．１質量％であることがより好ましい。
【００７６】
＜酸化剤＞
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、必要に応じて酸化剤を含有してもよい。酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酢酸、過安息香酸、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物、過マンガン酸カリウムなどの過マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸化合物、ヨウ素酸カリウムなどのハロゲン酸化合物、硝酸、硝酸鉄等の硝酸化合物、過塩素酸などの過ハロゲン酸化合物、過硫酸アンモニウムな
どの過硫酸塩、及びヘテロポリ酸などが挙げられる。これらの酸化剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７７】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物が酸化剤を含有する場合、酸化剤の含有量は特に限定されないが、半導体表面処理用組成物の全質量に対して、１〜３０質量％であることが好ましく、５〜２０質量％であることがより好ましい。
【００７８】
＜ｐＨ調整剤＞
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、必要に応じてｐＨ調整剤を含有してもよい。ｐＨ調整剤としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸等の無機酸；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属の水酸化物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、アンモニア等の塩基性物質が挙げられる。これらのｐＨ調整剤の中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ルビジウム、水酸化セシウム等のアルカリ金属の水酸化物が好ましく、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムがより好ましい。前記のようなｐＨ調整剤であれば、本実施形態に係る半導体表面処理用組成物は、（Ａ）成分等を含有しつつ、ｐＨを８〜１３に調整しやすくなるため、金属配線材等と研磨屑との表面状態をコントロールすることが容易になり、汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材等の金属を腐食させ難くすることができる。これらのｐＨ調整剤は、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７９】
１．７．ｐＨ
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物のｐＨ値は、８以上１３以下であることが好ましく、８以上１１以下であることがより好ましく、８．３以上９．５以下であることが特に好ましい。ｐＨ値が前記範囲であると、金属配線材等と研磨屑との表面状態をコントロールすることが容易になり、汚染を効果的に低減又は除去できる場合がある。
【００８０】
本実施形態に係る半導体表面処理用組成物のｐＨ値は、例えば、前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、前記（Ｅ）成分、及び前記ｐＨ調整剤等の添加量を適宜増減することにより調整することができる。
【００８１】
本発明において、ｐＨとは、水素イオン指数のことを指し、その値は、２５℃、１気圧の条件下で市販のｐＨメーター（例えば、株式会社堀場製作所製、卓上型ｐＨメーター）を用いて、測定することができる。
【００８２】
２．半導体表面の処理方法
本発明の一実施形態に係る半導体表面の処理方法は、水、有機溶媒又はこれらの混合溶媒中に、下記一般式（２）で表される化合物を溶解又は分散させる第１の工程と、前記第１の工程後の溶液又は分散液中に、さらに下記一般式（１）で表される化合物を溶解又は分散させる第２の工程と、前記第２の工程後の溶液又は分散液を用いて、半導体表面を処理する第３の工程と、を備える。
【００８３】
【化１７】
2020107641.tif 000018
（上記式（２）中、Ｒ１１は炭素数１〜１２の有機基を表す。）
【００８４】
【化１８】
2020107641.tif 000019
（上記式（１）中、Ｒ１は炭素数６〜１８の直鎖または分岐状のアルキル基を表し、Ｒ２は２個以上５個以下の窒素原子を有する有機基を表す。また、Ｌ１は単結合または２価の連結基を表す。）
【００８５】
以下、本実施形態に係る半導体表面の処理方法の各工程について説明する。
【００８６】
第１の工程は、水等の液状媒体に、前述した（Ｂ）成分を溶解または分散させる工程である。（Ｂ）成分を溶解または分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解または分散できればどのような方法を適用してもよい。（Ａ）成分よりも先に、カルボキシル基を有する（Ｂ）成分を液状媒体中に溶解または分散させることにより、液状媒体中の水素イオン濃度が増加する。これにより、後述する第２の工程で（Ａ）成分を溶解または分散させる際、（Ａ）成分の有するアミノ基がアンモニウム陽イオンへとプロトン化され極性を得やすい環境となるので、（Ａ）成分が液状媒体中に溶解または分散しやすくなる。
【００８７】
第２の工程は、第１の工程で得られた溶液または分散液中に（Ａ）成分を溶解または分散させて半導体表面処理用組成物を得る工程である。この際、必要に応じて前記（Ｃ）成分、前記（Ｄ）成分、前記（Ｅ）成分、及び前記その他の成分を加えてもよい。また、第２の工程では、ｐＨ調整剤を用いて第１の工程で得られた溶液または分散液のｐＨ値を８以上１３以下の範囲に調整してもよい。
【００８８】
第３の工程は、第２の工程で得られた半導体表面処理用組成物を用いて半導体表面を処理する工程である。前述のように、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含有する半導体表面処理用組成物は、金属配線材等の汚染を効果的に低減又は除去でき、かつ、金属配線材等の金属を腐食させ難くすることができる。そのため、本実施形態に係る処理方法は、半導体表面に存在する配線基板を処理する際に有用である。
【００８９】
処理方法としては、特に制限されないが、配線基板に上述の半導体表面処理用組成物を直接接触させる方法により行われる。半導体表面処理用組成物を配線基板に直接接触させる方法としては、洗浄槽に半導体表面処理用組成物を満たして配線基板を浸漬させるディップ式；ノズルから配線基板上に半導体表面処理用組成物を流下しながら配線基板を高速回転させるスピン式；配線基板に半導体表面処理用組成物を噴霧して洗浄するスプレー式等の方法が挙げられる。また、このような方法を行うための装置としては、カセットに収容された複数枚の配線基板を同時に洗浄するバッチ式洗浄装置、１枚の配線基板をホルダーに装着して洗浄する枚葉式洗浄装置等が挙げられる。
【００９０】
本実施形態に係る処理方法において、半導体表面処理用組成物の温度は、通常室温とされるが、性能を損なわない範囲で加温してもよく、例えば４０〜７０℃程度に加温することができる。
【００９１】
また、上述の半導体表面処理用組成物を配線基板に直接接触させる方法に加えて、物理力による洗浄方法を併用することも好ましい。これにより、配線基板に付着したパーティクルによる汚染の除去性が向上し、洗浄時間を短縮することができる。物理力による洗浄方法としては、洗浄ブラシを使用したスクラブ洗浄や超音波洗浄が挙げられる。
【００９２】
さらに、本実施形態に係る処理方法による処理の前および／または後に、超純水またはイソプロパノール等のアルコール系溶媒による洗浄を行ってもよい。
【００９３】
３．実施例
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」及び「％」は、特に断らない限り質量基準である。
【００９４】
３．１．半導体表面処理用組成物の調製
ポリエチレン製容器に、イオン交換水及び表１又は表２に示す（Ｄ）成分を投入した後、表１又は表２に示す（Ｂ）成分を投入した。その後、ポリエチレン製容器に、表１又は表２に示す「（Ａ）成分及びその他」の欄に記載されている成分を投入し、さらに残りの成分を投入して１５分間撹拌した。その後、ｐＨが表１又は表２に記載の値となるように表１又は表２に記載のｐＨ調整剤を加えて、更に１５分間撹拌することで、実施例１〜１９及び比較例１〜５の半導体表面処理用組成物を得た。
【００９５】
３．２．評価試験
３．２．１．エッチングレート（ＥＲ）の算出
タングステン（Ｗ）をスパッタ法で表面に成膜した８インチのシリコンウエハ（膜厚２，０００Åのタングステン膜が積層された８インチ熱酸化膜付きシリコン基板）を１ｃｍ×３ｃｍにカットし金属ウエハ試験片とした。この試験片について、ＮＰＳ株式会社製、金属膜厚計「ＲＧ−５」を用いて予め膜厚を測定しておいた。次に、ポリエチレン容器に実施例１〜１９及び比較例１〜５のいずれかの半導体表面処理用組成物を１００ｍＬ入れ、６０℃に保ち、その半導体表面処理用組成物にタングステンを成膜した金属ウエハ試験片を６０分間浸漬処理した。その後、流水で１０秒間洗浄し乾燥した。浸漬処理後の金属ウエハ試験片を再度膜厚測定し、減少した膜厚量を浸漬時間の６０分間で割ることでエッチングレート（ＥＲ，単位：Å／ｍｉｎ．）を算出した。その結果を表１又は表２に併せて示す。
【００９６】
３．２．２．腐食観察の評価
タングステン（Ｗ）をスパッタ法で表面に成膜した８インチのシリコンウエハ（膜厚２，０００Åのタングステン膜が積層された８インチ熱酸化膜付きシリコン基板）を１ｃｍ×１ｃｍにカットし金属ウエハ試験片とした。これら試験片について、走査型電子顕微鏡により倍率５００００倍にて表面を観察しておいた。実施例１〜１９及び比較例１〜５のいずれかの半導体表面処理用組成物５０ｍＬをポリエチレン容器に入れて２５℃に保ち、試験片（１ｃｍ×１ｃｍ）を６０分間浸漬し、流水で１０秒間洗浄し乾燥させた後、再度走査型電子顕微鏡により倍率５００００倍にて表面の腐食を観察し、以下の基準で評価した。その結果を表１又は表２に示す。
（評価基準）
Ａ：浸漬前と比較して腐食による表面の形状変化が認められなかった。
Ｂ：浸漬前と比較して腐食している箇所と腐食していない箇所とが混在していた。
Ｃ：浸漬前と比較して全面が腐食していた。
【００９７】
３．２．３．欠陥評価
化学機械研磨後の洗浄処理を、実施例１〜１９及び比較例１〜５のいずれかの半導体表面処理用組成物を用いて行い、この処理に関して欠陥評価を行った。具体的な手順は次のとおりである。
【００９８】
まず、コロイダルシリカ水分散体ＰＬ−３（扶桑化学工業株式会社製）をシリカに換算して１質量％に相当する量になるようにポリエチレン製容器に投入し、全構成成分の合計が１００質量％となるようにイオン交換水、及びｐＨ調整剤としてマレイン酸を加え、ｐＨを３に調整した。さらに、酸化剤として３５質量％過酸化水素水を、過酸化水素に換算して１質量％となるように加えて１５分間撹拌し、化学機械研磨用組成物を得た。膜厚２
，０００Åのタングステン膜が積層された８インチ熱酸化膜付きシリコン基板又は膜厚１０，０００ÅのＰＥＴＥＯＳ膜が積層された８インチシリコン基板を３ｃｍ×３ｃｍにカットしウエハ試験片とした。このウエハ試験片を被研磨体として、以下の研磨条件で化学機械研磨処理を１分間実施した。
（研磨条件）
・研磨装置：ラップマスターＳＦＴ社製「ＬＭ−１５Ｃ」
・研磨パッド：ロデール・ニッタ株式会社製「ＩＣ１０００／Ｋ−Ｇｒｏｏｖｅ」
・定盤回転数：９０ｒｐｍ
・ヘッド回転数：９０ｒｐｍ
・ヘッド押し付け圧：３ｐｓｉ
・化学機械研磨用組成物の供給速度：１００ｍＬ／分
【００９９】
続いて、イオン交換水の供給速度が５００ｍＬ／分となる洗浄条件で、研磨パッド上での水洗浄処理を１０秒間実施した。上記の方法で化学機械研磨処理された金属ウエハ試験片を、Ｂｒｕｋｅｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製の走査型原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）であるＤｉｍｅｎｓｉｏｎ  ＦａｓｔＳｃａｎを用いてフレームサイズ１０μｍにて５か所観察し、５か所の算術平均粗さの平均値が０．１ｎｍ以下の平坦な表面であると確認できた金属ウエハ試験片のみを選別し、次の欠陥評価に用いた。
【０１００】
実施例１〜１９及び比較例１〜５のいずれかの半導体表面処理用組成物５０ｍＬを２５℃に保温し、これに上記で選別した試験片を１５分間浸漬処理し、流水で１０秒間洗浄し乾燥させた後、ＡＦＭを用いてフレームサイズ１０μｍにて５か所観察した。得られた５枚の画像について画像解析ソフトを用いて解析し、２．０ｎｍ以上の高さをもつ付着物の合計を欠陥数とした。評価基準は次の通りである。欠陥数とその評価結果を表１又は表２に示す。
（評価基準）
Ａ：欠陥数１００個未満
Ｂ：欠陥数１００個以上５００個未満
Ｃ：欠陥数５００個以上
【０１０１】
３．３．評価結果
下表１〜表２に、半導体表面処理用組成物の組成及び評価結果を示す。
【０１０２】
【表１】
2020107641.tif 000020
【０１０３】
【表２】
2020107641.tif 000021
【０１０４】
上表１〜表２において、各成分の数値は質量部を表す。各実施例及び各比較例において、各成分の合計量は１００質量部となり、残部はイオン交換水である。また、上表１〜表２における下記の成分について補足する。
＜（Ａ）成分及びその他＞
・ドデシルジプロピレントリアミン：ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ社製、商品名「Ｔｒｉａｍｅｅｎ  Ｙ１２Ｄ」
・牛脂ジプロピレントリアミン：ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ社製、商品名「Ｔｒｉａｍｅｅｎ  Ｔ」
・ドデシルアミノエチルアミノエチルグリシン：三洋化成工業株式会社製、商品名「レボン  Ｓ」
・Ｎ−ヤシアルキル−１，３−ジアミノプロパン：ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ社製、商品名「Ｄｕｏｍｅｅｎ  ＣＤ」
・Ｎ−オレイル−１，３−ジアミノプロパン：ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ社製、商品名「Ｄｕｏｍｅｅｎ  Ｏ」
・ラウリン酸アミドプロピルベタイン：花王株式会社製、商品名「アンヒトール  ２０ＡＢ」
・ラウリルアミノジ酢酸モノナトリウム：日油株式会社製、商品名「ニッサンアノン  ＬＡ」
・ポリエチレンイミン：純正化学株式会社製、商品名「ポリエチレンイミン６００」、Ｍｗ＝６００
・モノエタノールアミン：林純薬工業株式会社製、商品名「２−アミノエタノール」
＜（Ｂ）成分＞
・クエン酸：林純薬工業株式会社製、商品名「クエン酸(結晶)」
・マロン酸：十全株式会社製、商品名「マロン酸」
・ＥＤＴＡ：キレスト株式会社製、商品名「キレスト３Ａ」
＜（Ｃ）成分＞
・ポリアクリル酸：東亜合成株式会社製、商品名「ＡＣ−１０Ｌ」、Ｍｗ＝５０，０００・ポリスチレンスルホン酸：ＡｋｚｏＮｏｂｅｌ社製、商品名「ＶＥＲＳＡ−ＴＬ７２」、Ｍｗ＝７５，０００
＜（Ｄ）成分＞
・プロピレングリコール：株式会社ＡＤＥＫＡ製、商品名「工業用プロピレングリコール」
・イソプロパノール：三協化学株式会社製、商品名「イソプロピルアルコール」
＜（Ｅ）成分＞
・ヒドロキシルアミン：東京化成工業株式会社製、商品名「Ｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ（５０％  ｉｎ  Ｗａｔｅｒ）」
【０１０５】
上表１〜表２から明らかなように、実施例１〜１９に係る半導体表面処理用組成物を用いた場合には、いずれも半導体表面の腐食状態が抑制されており、かつ欠陥数も少なく、半導体表面の良好な洗浄性を実現することができた。
【０１０６】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。