(57)【要約】      （修正有）【課題】広範な使用適用範囲を持つ安価な光センサーを提供する。【解決手段】有機光センサーは、基板１上に陰極２を有する逆構造の有機電界発光素子５Ａと基板１上に陰極２を有する逆構造の有機受光素子５Ｂが同一基板１上に形成されており、電極および周辺部材（有機活性層以外）の構成が同一である。本構成を用いることにより、工程数が少なく部材が共通化でき低コスト化が実現できる。さらに封止構成に関しても共通化が可能で低コスト化が図れる。【選択図】図１
2020027875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陰極を有する逆構造の有機電界発光素子と
基板上に陰極を有する逆構造の有機受光素子が
同一基板上に形成されていることを特徴とする光センサー。
【請求項２】
請求項１記載の光センサーにおいて、
基板上に同一の化合物で構成された陰極と
同一の化合物で構成された金属酸化物層と
同一の化合物で構成された有機バッファ層が
この順に積層されていることを特徴とする光センサー。
【請求項３】
請求項１および２記載の光センサーにおいて、
上部電極も同一の化合物で構成された陽極によって形成されていることを特徴とする光センサー。
【請求項４】
請求項１から３記載の光センサーにおいて、
封止構成部材が同一であることを特徴とする光センサー。
【請求項５】
請求項１から４記載の光センサーにおいて、
基板がパッシブマトリックスディスプレイに用いる基板であることを特徴とする光センサー。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子と有機受光素子によってなる光センサーによってなる光センサーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電子デバイスにより構築された光センサーに関する。より詳しくは、同一基板上に作製された有機電界発光素子と有機受光素子による光センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
ビッグデータやＩｏＴが叫ばれ注目される中、それを支えるセンサーも従来ない場所で従来ない精度で従来ない数量の測定が求められはじめている。その中でも対象物と非接触で観測が可能な光センサーは最も注目されているセンサーの一つである。光センサーは、無機物を用いたＬＥＤとフォトディテクターにより構成され、測定対象物を透過して測定する透過型と、測定対象物に光を照射し反射して返ってくる光を観測する反射型とがある。透過型は感度が良いものの測定対象が指先等に制限され、高感度で反射型で測定可能なものが求められている。
【０００３】
現在、フレキシブルな樹脂基板上に作製できる表示体として有機電界発光素子が期待されている。有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に発光性有機化合物を含んで形成される発光層を含む１種または複数種の層を挟んだ構造を持ち、陽極から注入されたホールと陰極から注入された電子が再結合する時のエネルギーを利用して発光性有機化合物を励起させ、発光を得るものである。また、その逆である有機光電変換素子もまた、有機太陽電池として多くの研究がなされてきた。ＩｏＴの実用化が進む中、有機電界発光素子は光センサーの光源として、有機光電変換素子は有機受光素子として期待されるようになってきた。
【０００４】
ところで、陰極と陽極との間の層が全て有機化合物で形成された有機電界発光素子は、結果として酸素や水によって劣化しやすく、これらの侵入を防ぐために厳密な封止が不可欠である。このことは、有機電界発光素子の製造工程を煩雑なものとする原因となっている。これに対し、基板上に陰極を配し（逆構造）、陰極と陽極との間の層の一部が無機酸化物で形成された有機無機ハイブリッド型の電界発光素子（ＨＯＩＬＥＤ素子）が提案されている（特許文献１参照。）。この素子では、正孔輸送層、電子輸送層を無機酸化物に変えることで、陰極として導電性酸化物電極であるＦＴＯやＩＴＯ、陽極として金属を自由に選択できるようになり、例えば金を使用することが可能になった。その後、酸化物層上に有機バッファ層を配することで、有機ＥＬ特性および大気安定性を向上させた（非特許文献１参照）。
【０００５】
一方、有機光電変換素子は、有機太陽電池を中心に発展を遂げた。逆反応であるが故に、有機電界発光素子では必須であった活性な電極は必要とせず、安定な金属を電極および電極周辺部材として用いることができ、結果として、必要封止性能は有機電界発光素子の２〜３桁悪くても特性が維持できることがわかっている。最近では下部電極を陰極とするいわゆる逆構造が高性能である（非特許文献２）という研究報告もなされてきており、有機太陽電池においては、構成も含めた多くの検討が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−７０９５４号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】ヒロヒコ  フカガワ外６名「アプライド  フィジクス  エクスプレス（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｅｘｐｒｅｓｓ）」７巻、２０１４年、ｐｐ０８２１０４
【非特許文献２】リ  ニアン外９名「アドバンスド  マテリアル（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」２８巻、２０１６年、ｐｐ８１８４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のとおり、ＩｏＴの発展の中、多点かつ大量のデータ取得が求められており、高性能化はもちろんであるが、使用適用範囲の広範化および低コスト化が強く求められてきている。
【０００９】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、フレキシブル性に特徴を持つ有機デバイスを用い、安価でフレキシブルかつ高性能な（特に空間分解能に優れた）光センサーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、空間分解能に優れ、安価で提供可能な光センサーについて種々検討したところ、陰極が基板上に形成された逆構造を有し、特に陰極と陽極の両電極の構成の共通化が可能な金属酸化物層を有する有機電界発光素子および有機受光素子の組み合わせならば、活性層である有機層以外はパターニングが必要とならず高精細化が可能であり、工程数が少なく部材が共通化でき低コスト化が実現できる。さらに本構成を用いた場合、それが水分に強い有機電界発光素子構成とすることができることから封止構成も低封止性能で良い有機受光素子に適合させることが可能であり、封止構成に関しても共通化が可能で低コスト化が図れる。それ故、作製工程は、活性層である有機層を製膜仕分ける（塗り分ける）のみであり、通常ディスプレイの色を変えるがごとく発光素子そして受光素子を自由に配置することができ、例えば隣接かつ交互に配置することが可能である。つまり、既存のディスプレイ技術が適用可能であり、さらなる低コスト化、開発費用削減、装置共有化による固定費削減と抜本的な低コスト化が実現できる。性能に関しても、例えば空間分解能においてはディスプレイ水準まで高分解能化が可能となる。このことは、観測物を点ではなく面でのセンシングを可能にし、新たな情報収集の扉を開く。加えて、このことは、例えば、発光素子を中央の一つにし、その周りを取り囲むように受光素子を配すれば、結果としてこれまで拾いきれなかった情報まで観測可能になり、高感度化が実現できる。これらのことを見出し、本発明に到達したものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光センサーは、安価かつ高性能な、特に高空間分解能な光センサーを実現でき、特にフレキシブル性を有する樹脂基板では、高性能かつ安価なフレキシブルな光センサーを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明で示される有機電界発光素子と有機受光素子を用いた光センサーの積層構造の一例を示した断面概略図である。
【図２】本発明で示される有機電界発光素子と有機受光素子を用いた光センサーをパッシブマトリックス上に隣接して交互に形成した図である。
【図３】本発明で示される有機電界発光素子と有機受光素子を用いた光センサーをパッシブマトリックス上に隣接して交互に形成した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に本発明を詳述する。
なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい形態を２つ以上組み合わせたものもまた、本発明の好ましい形態である。
【００１４】
本発明の有機電界発光素子および有機受光素子は、陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極とに挟まれた１層または複数層の有機化合物層とを有し、前記陰極と前記有機化合物層との間に、金属酸化物層を有し、更に、前記金属酸化物層と前記有機化合物層との間に有機バッファ層を有することが好ましい。ここで陰極、金属酸化物層、有機バッファ層は、有機電界発光素子と有機受光素子の間で要求される機能としては共通であるため、共通であっても異なってもよいが、好ましくは共通であるほうが良い。ここで有機化合物層は、有機電界発光素子の場合、発光層を含み、必要に応じてその他に電子輸送層や正孔輸送層を含む層である。その中でも、本発明の有機電界発光素子は、基板上に隣接して陰極が形成され、陽極と陰極との間に金属酸化物層を有する有機無機ハイブリッド型の有機電界発光素子であって、発光層と陽極とを有し、陰極と発光層との間に、電子注入層と、必要に応じて電子輸送層とを有し、陽極と発光層との間に正孔輸送層及び／又は正孔注入層を有する構成の素子であることが好ましい。同様に、本発明の有機受光素子は、有機化合物層と陽極との間に１層以上の正孔抽出を目的とした層を有する構成の素子であることが好ましい。好適な例として金属酸化物層を用いる。
【００１５】
本発明の有機電界発光素子は、これらの各層の間に他の層を有していてもよいが、これらの各層のみから構成される素子であることが好ましい。すなわち、陰極、電子注入層、必要に応じて電子輸送層、発光層、正孔輸送層及び／又は正孔注入層、陽極の各層がこの順に隣接して積層された素子であることが好ましい。なお、これらの各層は、１層からなるものであってもよく、２層以上からなるものであってもよい。上述したように、有機バッファ層は、電子注入特性に優れたものであるから、電子注入側、つまり陰極側に用いられることが好ましい。また金属酸化物層は、後述するように、陰極の一部若しくは電子注入層の一層、及び／又は、陽極の一部若しくは正孔注入層の一層として積層されることが好ましい。上記構成の有機電界素子において、素子が電子輸送層を有さない場合は、電子注入層と発光層とが隣接することになる。また、素子が正孔輸送層、正孔注入層のいずれか一方のみを有する場合には、当該一方の層が発光層と陽極とに隣接して積層されることになり、素子が正孔輸送層と正孔注入層の両方を有する場合には、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順にこれらの層が隣接して積層されることになる。
【００１６】
一方、有機受光素子における有機化合物層は、電子供与性のドナー化合物と電子受容性のアクセプター化合物の混合物からなる。
【００１７】
本発明の有機電界発光素子において、発光層を形成する材料としては、発光層の材料として通常用いることができるいずれの化合物も用いるができ、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよく、これらを混合して用いてもよい。なお、本発明において低分子材料とは、高分子材料（重合体）ではない材料を意味し、分子量が低い有機化合物を必ずしも意味するものではない。
【００１８】
上記発光層を形成する高分子材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物；ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物；ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物；ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリ（ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物；ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物；ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物；ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物；更には特願２０１０−２３０９９５号、特願２０１１−６４５７号に記載のホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。
【００１９】
上記発光層を形成する低分子材料としては、例えば、配位子に２，２’−ビピリジン−４，４’−ジカルボン酸を持つ、３配位のイリジウム錯体、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、８−ヒドロキシキノリン  アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）  アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｍｑ３）、８−ヒドロキシキノリン  亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン  プラチナム（ＩＩ）のような各種金属錯体；ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物；ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物；フェナントレンのようなフェナントレン系化合物；クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物；ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物；コロネンのようなコロネン系化合物；アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物；ピレンのようなピレン系化合物；４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物；アクリジンのようなアクリジン系化合物；スチルベンのようなスチルベン系化合物；２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物；ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物；ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物；２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物；ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物；ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物；クマリンのようなクマリン系化合物；ペリノンのようなペリノン系化合物；オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物；アルダジン系化合物；１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物；キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物；ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物；２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物；フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物；更には特開２００９−１５５３２５号公報および特願２０１０−２３０９９５号、特願２０１１−６４５８号に記載のホウ素化合物材料等が挙げられる。
【００２０】
上記発光層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、２０〜１００ｎｍであり、更に好ましくは、４０〜１００ｎｍである。
【００２１】
発光層の平均厚さは、低分子化合物の場合は水晶振動子膜厚計により、高分子化合物の場合は接触式段差計により測定することができる。
【００２２】
本発明の有機電界発光素子が、電子輸送層を有する場合、その材料としては、電子輸送層の材料として通常用いることができるいずれの化合物も用いるができ、これらを混合して用いてもよい。電子輸送層の材料として用いることができる化合物の例としては、トリス−１，３，５−（３’−（ピリジン−３”−イル）フェニル）ベンゼン（ＴｍＰｙＰｈＢ）のようなピリジン誘導体、（２−（３−（９−カルバゾリル）フェニル）キノリン（ｍＣＱ））のようなキノリン誘導体、２−フェニル−４，６−ビス（３，５−ジピリジルフェニル）ピリミジン（ＢＰｙＰＰＭ）のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）のようなフェナントロリン誘導体、２，４−ビス（４−ビフェニル）−６−（４’−（２−ピリジニル）−４−ビフェニル）−［１，３，５］トリアジン（ＭＰＴ）のようなトリアジン誘導体、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾール）（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、２，２’，２”−（１，３，５−ベントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などに代表される各種金属錯体、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、Ａｌｑ３のような金属錯体、ＴｍＰｙＰｈＢのようなピリジン誘導体が好ましい。
【００２３】
本発明の有機電界発光素子が、正孔輸送層を有する場合、正孔輸送層として用いる正孔輸送性有機材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。またこれらの化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００２４】
上記ｐ型の低分子材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４”−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられる。
【００２５】
本発明の有機電界発光素子が、電子輸送層や正孔輸送層を有する場合、これらの層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、２０〜１００ｎｍであり、更に好ましくは、４０〜１００ｎｍである。電子輸送層や正孔輸送層の平均厚さは、低分子化合物の場合は水晶振動子膜厚計により、高分子化合物の場合は接触式段差計により測定することができる。
【００２６】
本発明の有機受光素子において、有機化合物層である活性層を形成する有機材料としては、例えば有機受光素子もしくは有機太陽電池の活性層の材料として通常用いることができるいずれの化合物も用いるができ、有機電界発光素子の発光層同様、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよく、これらを混合して用いてもよい。これらの層の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、３０〜１５０ｎｍであり、更に好ましくは、５０〜１２０ｎｍである。
【００２７】
上記活性層を形成する材料は、一般的にドナー型の有機材料とアクセプター型の有機材料の混合物である。ドナー型有機材料は前記正孔輸送性有機材料をもちいることができる。同様に、アクセプター型有機材料は前記電子輸送性材料をもちいることができる。
【００２８】
この他にも、ドナー型有機材料としてはフタロシアニン類（亜鉛フタロシアニン、テトラフルオロ亜鉛フタロシアニン（Ｆ４ＺｎＰｃ）［１］）、キナクリドン類（Ｎ，Ｎ−ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ）［２］）、トリフェニルアミン類（ＭｅＯ−ＴＰＤ、４Ｐ−ＴＰＤ）、チオフェン類（Ｐ３ＨＴ等）、ＰＴＢ７、ＰＢＤＴＴＴ−Ｃ等があげられる。アクセプター型有機材料としてはＣ６０やフラーレン類、そしてフラーレン類誘導体（ＰＣＢＭ類等）、ジシアノビニルターチオフェン誘導体（ＤＣＶ３Ｔ）［３］があげられる。
【００２９】
【化１】
2020027875.tif 000003
【００３０】
【化２】
2020027875.tif 000004
【００３１】
【化３】
2020027875.tif 000005
【００３２】
これらの混合方法は、これまでの一般的な手法が用いられ、塗布法では溶媒による混合が、蒸着法では、共蒸着が用いられる。
【００３３】
本発明の有機電界発光素子および有機受光素子は、陰極から発光層までの間、陽極から発光層までの間のいずれか又は両方に金属酸化物層を有することになるが、陰極から発光層までの間との発光層から陽極までの間の両方に金属酸化物層を有することが好ましい。陰極から発光層までの間の金属酸化物層を第１の金属酸化物層、陽極から発光層までの間の金属酸化物層を第２の金属酸化物層とし、本発明の有機電界発光素子および有機受光素子の好ましい素子の構成の一例を表すと、陰極、第１の金属酸化物層、有機バッファ層、有機化合物層、第２の金属酸化物層、陽極がこの順に隣接して積層された構成である。なお、有機電界発光素子の場合、有機バッファ層と、発光層との間に必要に応じて電子輸送層を有していてもよい。金属酸化物層の重要性は、第１の金属酸化物層の方が高く、第２の金属酸化物層は、最低非占有分子軌道の極端に深い有機材料、例えば、ＨＡＴＣＮでも置き換える事ができる。
【００３４】
上記第１の金属酸化物層は、単体の金属酸化物膜の一層からなる層、もしくは、単体又は二種類以上の金属酸化物を積層及び／又は混合した層である半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。金属酸化物を構成する金属元素としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、インジウム、ガリウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素からなる群から選ばれる。これらのうち、積層又は混合金属酸化物層を構成する金属元素の少なくとも一つが、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、チタン、亜鉛からなる層であることが好ましく、その中でも単体の金属酸化物ならば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物を含むことが好ましい。
【００３５】
上記単体又は二種類以上の金属酸化物を積層及び／又は混合した層の例としては、酸化チタン／酸化亜鉛、酸化チタン／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化ケイ素、酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化カルシウム／酸化アルミニウムなどの金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したものや、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化インジウム／酸化ガリウム／酸化亜鉛などの三種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したものなどが挙げられる。これらの中には、特殊な組成として良好な特性を示す酸化物半導体であるＩＧＺＯやエレクトライドである１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３も含まれる。これら第１の金属酸化物層は、電子注入層ともいえ、また、電極（陰極）ともいえる。なお、本発明においては、シート抵抗が１００Ω／□より低い物は導電体、シート抵抗が１００Ω／□より高い物は半導体または絶縁体として分類される。従って、透明電極として知られているＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウムドープ酸化亜鉛）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化インジウム）等の薄膜は、導電性が高く半導体または絶縁体の範疇に含まれないことから本発明の第１の金属酸化物層を構成する一層に該当しない。なお、有機電界発光素子と有機受光素子に用いる第１の金属酸化物層は同一であっても異なっても良いが、製造プロセスの簡略化の観点からは、同一であることが望ましい。
【００３６】
上記第２の金属酸化物層を形成する金属酸化物としては、特に制限されないが、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）等の１種又は２種以上を用いることができる。これらの中でも、酸化バナジウム又は酸化モリブテンを主成分とするものが好ましい。第２の金属酸化物層が酸化バナジウム又は酸化モリブテンを主成分とするものにより構成されると、第２の金属酸化物層が陽極から正孔を注入して発光層又は正孔輸送層へ輸送するという正孔注入層としての機能により優れたものとなる。また、酸化バナジウム又は酸化モリブテンは、それ自体の正孔輸送性が高いため、陽極から発光層又は正孔輸送層への正孔の注入効率が低下するのを好適に防止することもできるという利点がある。より好ましくは、酸化バナジウム及び／又は酸化モリブテンから構成されるものである。なお、有機電界発光素子と有機受光素子に用いる第２の金属酸化物層は、第１の金属酸化物層同様、同一であっても異なっても良いが、製造プロセスの簡略化の観点からは、同一であることが望ましい。
【００３７】
上記第１の金属酸化物層の平均厚さは、１ｎｍから数μｍ程度まで許容できるが、低電圧で駆動できる有機電界発光素子とする点から、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、１〜１００ｎｍである。さらに、１〜３ｎｍにすれば、発光素子側と受光素子側とを分離せずともクロストークのない素子を作ることができる。上記第２の金属酸化物層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、５〜５０ｎｍである。第１の金属酸化物層の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
【００３８】
第２の金属酸化物層の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
【００３９】
上記有機バッファ層には、ＷＯ２０１４／１３３１４１で開示されているホウ素化合物により形成された膜もしくは還元剤を含んだ膜でもよく、特開２０１７−１５７７４３で開示されているアミノ基末端を有する電子輸送性材料であってもよく、ＷＯ２０１６／１８１７０５で開示されている酸解離定数１以上の第一材料と電子を輸送する第二材料と混合膜であってもよい。これらの層の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、０．１〜６０ｎｍであり、更に好ましくは、０．１〜１０ｎｍである。
【００４０】
本発明の有機電界発光素子および有機受光素子において、陽極及び陰極としては、公知の導電性材料を適宜用いることができるが、光取り出しおよび光受け入れのために少なくともいずれか一方は透明であることが好ましい。有機電界発光素子の陰極が透明な場合、有機受光素子の陰極が透明出ることが望ましい。同様に、有機電界発光素子の陽極が透明な場合、有機受光素子の陽極が透明出ることが望ましい。公知の透明導電性材料の例としてはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウムドープ酸化亜鉛）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化インジウム）などが上げられる。不透明な導電性材料の例としては、カルシウム、マグネシウム、アルミニウム、錫、インジウム、銅、銀、金、白金やこれらの合金などが挙げられる。陰極としては、この中でも、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯが好ましい。陽極としては、これらの中でも、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌが好ましい。上記のように、一般に有機電界発光素子において陽極に用いられる金属を陰極及び陽極に用いる事ができる事から、上記陰極の平均厚さは、特に制限されないが、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、１００〜２００ｎｍである。陰極の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。上記陽極の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍであることが好ましい。より好ましくは、３０〜１５０ｎｍである。また、不透過な材料を用いる場合でも、例えば平均厚さを１０〜３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型及び透明型の陽極として使用することができる。陽極の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
【００４１】
本発明の有機電界発光素子および有機受光素子において、有機化合物から形成される層の成膜方法は特に限定されず、材料の特性に合わせて種々の方法を適宜用いることができるが、溶液にして塗布できる場合は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スリットコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いて成膜することができるが、パターニングが可能な方法をとることが望ましい。この観点から、インクジェット法が好ましい。塗布しない場合や溶媒溶解性が低い場合は真空蒸着法や、ＥＳＤＵＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ  Ｓｐｒａｙ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｆｒｏｍ  Ｕｌｔｒａ−ｄｉｌｕｔｅ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）法などが好適な例として挙げられる。
【００４２】
上記有機化合物から形成される層を、有機化合物溶液を塗布して形成する場合、有機化合物を溶解するために用いる溶媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００４３】
これらの中でも、溶媒としては、非極性溶媒が好適であり、例えば、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が挙げられ、これらを単独または混合して用いることができる。
【００４４】
上記陰極、陽極、及び、酸化物層は、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解（ＳＰＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、気相成膜法、液相成膜法等により形成することができる。陽極、陰極の形成には、金属箔の接合も用いることができる。これらの方法は各層の材料の特性に応じて選択するのが好ましく、層ごとに作製方法が異なっていても良い。第２の金属酸化物層は、これらの中でも、気相製膜法を用いて形成するのがより好ましい。気相製膜法によれば、有機化合物層の表面を壊すことなく清浄にかつ陽極と接触よく形成することができ、その結果、上述したような第２の金属酸化物層を有することによる効果がより顕著なものとなる。
【００４５】
本発明の有機電界発光素子の特性をさらに向上させる等の理由から、必要に応じて例えば正孔阻止層、電子阻止層などを有していてもよい。これらの層を形成するための材料としては、これらの層を形成するために通常用いられる材料を用い、また、これらの層を形成するために通常用いられる方法により層を形成することができる。
【００４６】
本発明の有機電界発光素子は、素子を構成する全ての層が有機化合物で構成された有機電界発光素子に比べると厳密な封止は必要ない。その程度は、ちょうど有機受光素子と同程度である。故に、本発明では水蒸気透過率が１０−２〜１０−４ｇ／ｍ２・ｄａｙ程度、好ましくは１０−３〜１０−４ｇ／ｍ２・ｄａｙ程度の封止構造を有せば良く、有機電界発光素子と有機受光素子との間で同一であっても異なっても良いが、プロセス簡略化および低コスト化のために同一であることが望ましい。封止工程としては、通常の方法を適宜使用できる。例えば、不活性ガス中で封止容器を接着する方法や、有機ＥＬ素子の上に直接封止膜を形成する方法などが挙げられる。これらに加えて、水分吸収材を封入する方法を併用してもよい。
【００４７】
本発明の光センサーは、基板上に陰極が隣接して形成される逆構造の有機電界発光素子と逆構造の有機受光素子である。本発明の有機電界発光素子および有機受光素子は、基板がある側とは反対側に光を取り出すトップエミッション型のものであってもよく、基板がある側に光を取り出すボトムエミッション型のものであってもよい。上記基板の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。好ましくは、柔軟性および機械耐性のある樹脂材料を用いた基板が良い。
【００４８】
また、トップエミッション型の場合には、不透明基板も用いることができ、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等も用いることができる。
【００４９】
また、基板上の電極については、その後のプロセスの多くが共通化されたこと、結果としてディスプレイ工程とほぼ同等であることから、ディスプレイと同等の利点を得ることができる。例えば、交互に有機電界発光素子と有機受光素子を配置する必要はなく、作製時に、所望の形態（中央のエリアに有機受光素子を連続で作製し、その周りに有機電界発光素子を配する等）に作製することも可能である。また、駆動方法も自由に選ぶことができる。例えば、一点のみ発光させ、受光側全てでそれを観測することも可能である。
【００５０】
上記基板の平均厚さは、０．０１〜３０ｍｍであることが好ましい。より好ましくは、０．０１〜１ｍｍである。さらに、より好ましくは、０．０１〜０．１ｍｍである。基板の平均厚さはデジタルマルチメーター、ノギスにより測定することができる。
【００５１】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に電圧（通常は１５ボルト以下）を印加することによって発光させることができる。通常は直流電圧を印加するが、交流成分が含まれていても良い。
【００５２】
本発明の有機電界発光素子は、有機化合物層の材料を適宜選択することによって発光色を変化させることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。
【実施例】
【００５３】
（光センサーの作製）
（実施例１）
［１］市販されている平均厚さ０．１ｍｍのＩＴＯ電極層付き透明ＰＥＴ基板１を支持板に貼付けたものを用意した。この時、基板のＩＴＯ電極２は幅２ｍｍにパターニングされているものが２ｍｍのピッチで２本配置されているものを用いた。この基板を超純水ですすいだ後、十分に乾燥させた後、ＵＶオゾン洗浄を２０分行った。
［２］この基板を、亜鉛金属ターゲットを持つミラトロンスパッタ装置の基板ホルダーに再度固定した。約５×１０−５Ｐａまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でスパッタし、第１の金属酸化物層３として、膜厚約２ｎｍの酸化亜鉛層を作成した。この時にメタルマスクを併用して、電極取り出しおよび２本のＩＴＯ電極の間が成膜されないようにした。
［３］次に有機バッファ層４を形成するため、日本触媒社製ポリエチレンイミン（登録商標：エポミン）をエタノールにより０．１質量％に希釈したものを２０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコートした。ここで用いたエポミンは分子量７００００のＰ１０００であった。
［４］［３］で作製された薄膜（基板）を、大気下ホットプレート上で１５０℃、１０分間のアニールを行った。
［５］次に、［４］の処理を行った基板を真空装置に導入し、５×１０−５Ｐａ以下まで減圧する。
［６］＜有機電界発光素子の有機層５Ａの作製＞有機受光素子側の受光エリアをマスクで隠し、発光層としてＡｌｑ３を、正孔輸送層としてα−ＮＰＤをそれぞれ順番に５０ｎｍ、５０ｎｍ真空蒸着法により積層した。
［７］＜有機受光素子の有機層５Ｂの作製＞同様に、有機電界発光素子側の発光エリアをマスクで隠し、活性層としてＦ４ＺｎＰｃとＣ６０を、１：１の比率で共蒸着し、６０ｎｍ製膜した。
［８］次に、有機電界発光素子の有機層５Ａと有機受光素子の有機層５Ｂ上に、第２の金属酸化物層６を形成した。ここでは、酸化モリブデンを１０ｎｍ気相製膜法である真空蒸着法により形成した。
［９］次に、最終工程として第２の金属酸化物層６上に陽極７を形成した。ここでは、アルミニウムを１００ｎｍ真空蒸着法により製膜した。
［１０］封止工程として、まずパシベーション膜（α−ＮＰＤ：５０ｎｍ、ＳｉＯ：５０ｎｍ）を作製し、水蒸気透過率が１０−３ｇ／ｍ２・ｄａｙのバリアフィルムを貼付けた。
以上の工程［１］〜［１０］により、光センサー１を作製した。
【００５４】
以下に、＜有機電界発光素子の発光特性測定＞および＜有機受光素子の受光感度測定＞、そして＜光センサー評価＞を示す。
【００５５】
＜有機電界発光素子の発光特性評価＞
ケースレー社製２４００ソースメーターにより、素子への電圧印加を行い、目視により確認した。
【００５６】
＜有機受光素子の受光感度評価＞
光電流の観測は、緑色発光のレーザーダイオードを用い、ケースレー社製４２００パラメータアナライザーにより行った。
【００５７】
＜光センサー評価＞
光センサーを測定対象物接触させ、有機電界発光素子側に発光閾値電圧以上の電圧を供給し、有機受光素子側の光電流をケースレー４２００パラメータアナライザーにより行った。
【００５８】
光センサー１における有機電界発光素子が正常に駆動することを上記手法で確認したところ、４Ｖ程度で十分な緑色発光を確認した。有機受光素子についても正常に機能するかを上記手法で確認した。レーザーダイオードの照射強度を１ｍＷ／ｃｍ２とし、受光素子にバイアスを３Ｖ印加した状態で観測したところ、電流密度で１００ｎＡ／ｃｍ２程度の光電流を観測し、機能に問題ないことを確認した。最後に光センサーとしての機能確認を、測定対象物としてアルミ板を用い、有機電界発光素子側に電圧５Ｖを供給し、有機受光素子側に３Ｖのバイアスを印加した状態で行ったところ、電流密度で１００ｎＡ／ｃｍ２程度の光電流を観測し光センサーとしての機能確認ができた。
【００５９】
（実施例２）
実施例１の工程［２］を以下の［２−２］に変更した以外は同様にして光センサー２を作製し、評価を行った。
［２−２］この基板を、亜鉛金属ターゲットを持つミラトロンスパッタ装置の基板ホルダーに再度固定した。約５×１０−５Ｐａまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でスパッタし、第１の金属酸化物層３として、膜厚約２ｎｍの酸化亜鉛層を作製した。この時にメタルマスクを併用して、電極取り出し部分のみ成膜されないようにした。
実施例１で作製した光センサー１と同等の発光輝度および光電流を有機電界発光素子および有機受光素子の測定では確認した。加えて、光センサーとしての評価においても同等の光電流を観測しており、第１の金属酸化物層を通じての漏れ電流（クロストーク）は無視できる程度であることが確認できた。このことにより、有機化合物層までの作製工程において下部電極を除いてパターニングの必要がなく更なる低コスト化ができることがわかった。
【００６０】
（実施例３）
実施例１の工程［１］を以下の［１−３］に、工程［６］を以下の［６−３］に、工程［７］を以下の［７−３］に、変更した以外は同様にして光センサー２を作製し、特性評価を行った。
［１−３］
平均厚さ０．１ｍｍのＩＴＯ電極層付き透明ＰＥＴ基板１を支持板に貼付けたものを用意した。この時、基板のＩＴＯ電極２は図２の平面図および素子完成後の断面図（図３）に示すようにバンク構造および隔壁により幅０．２ｍｍにパターニングされているものが０．２５ｍｍのピッチで配置されているもの（パッシブマトリックスディスプレイ用に用意されたＩＴＯ付き樹脂基板）を用いた。この基板を超純水ですすいだ後、十分に乾燥させた後、ＵＶオゾン洗浄を２０分行った。
［６−３］＜有機受光素子の有機層５Ｂの作製＞インクジェット装置を用いて、有機受光素子の受光エリアのみにＤＭＱＡとＤＣＶ３Ｔを１：１で混合膜を滴下製膜した。これにより有機層５Ｂを７０ｎｍ製膜した。
［７−３］＜有機電界発光素子の有機層５Ａの作製＞有機受光素子側の受光エリアをマスクで隠し、発光層としてＡｌｑ３を、正孔輸送層としてα−ＮＰＤをそれぞれ順番に５０ｎｍ、５０ｎｍ真空蒸着法により積層した。
【００６１】
この結果、０．５ｍｍピッチで隣接かつ交互に発光素子と受光素子の組み合わせの光センサーを有するフレキシブルセンサーシートが得られた。この基板自身がパッシブマトリックスディスプレイ用に用いられる基板であることから、それぞれの発光エリアもしくは受光エリア（画素）を独立に駆動することができる。よって、測定対象物に対して、フレキシビリティにより柔軟に対応し（形状に追従し）、かつ画素解像度の空間分解能で対象物をセンシング可能である。全光源を一部の受光素子で観測するように駆動すれば、高ＳＮ（高感度）でのセンシングが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１：基板
２：陰極
３：第１の金属酸化物層
４：有機バッファ層
５Ａ：有機電界発光素子の有機化合物層
５Ｂ：有機受光素子の有機化合物層
６：第２の金属酸化物層
７：陽極
８：隔壁
９：バンク
１０：有機電界発光素子
２０：有機受光素子
【図１】
2020027875.tif 000006
【図２】
2020027875.tif 000007
【図３】
2020027875.tif 000008