(57)【要約】【課題】本発明は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、絶縁基板の一面に、前記複数の発光素子に接合される回路パターンを形成する形成工程と、前記形成工程の後に、前記形成工程の後に、前記回路パターンにおける前記複数の発光素子に接合される部分以外の部分を覆うように前記絶縁基板の一面に蛍光体塗料を塗布する塗布工程と、を含む。【選択図】図３Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、
絶縁基板の一面に、前記複数の発光素子に接合される回路パターンを形成する形成工程と、
前記形成工程の後に、前記回路パターンにおける前記複数の発光素子に接合される部分以外の部分を覆うように前記絶縁基板の一面に蛍光体塗料を塗布する塗布工程と、
を含む蛍光体基板の製造方法。
【請求項２】
前記回路パターンの厚み方向外側に向く面は、同一の平面とされている、
請求項１に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項３】
前記塗布工程は、スクリーン印刷法により行われる、
請求項１又は２に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項４】
一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、
絶縁基板の一面に、前記複数の発光素子に接合される複数の電極対を有する回路パターンを形成する形成工程と、
前記形成工程の後に、前記回路パターンを覆うように前記絶縁基板の一面に蛍光体塗料を塗布する塗布工程と、
前記塗布工程の後に、前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料を除去し、前記複数の電極対の上面を露出させる露出工程と、
を含む蛍光体基板の製造方法。
【請求項５】
前記形成工程の後かつ前記塗布工程の前に、前記回路パターンの厚み方向外側に向く面における前記上面以外の部分が前記上面よりも前記絶縁基板側に近くなるように、前記回路パターンをエッチングする工程、
を含む請求項４に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項６】
前記露出工程では、像が形成されているマスクを用いた写真現像法により前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料を除去し、前記上面を露出させる、
請求項４又は５に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項７】
前露出工程では、レーザー照射装置により前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料にレーザー光を照射して除去し、前記上面を露出させる、
請求項４又は５に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項８】
前記露出工程では、研磨により前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料を除去し、前記上面を露出させる、
請求項４又は５に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項９】
前記発光素子は、ＬＥＤが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたＣＳＰとされている、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項１０】
前記形成工程では、前記絶縁基板の他面に導電性のパターンを形成する、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により前記蛍光体基板を製造した後に、前記複数の電極対の前記上面にそれぞれ複数の発光素子を接合させて、前記蛍光体基板に前記複数の発光素子を搭載する搭載工程、
を含む発光基板の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁基板は、１００℃以上３００℃以下の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい貯蔵弾性率とされ、
前記搭載工程では、リフロー工程により前記複数の電極対の前記上面にそれぞれ複数の発光素子を接合させる、
請求項１１に記載の発光基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の発光基板の製造方法により製造された発光基板の前記発光素子が発光可能となるように、前記発光素子を発光させるための電力を供給する電源を前記発光基板に取り付ける工程、
を含む照明装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体基板の製造方法、発光基板の製造方法及び照明装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、発光素子（ＬＥＤ素子）が搭載された基板を備えるＬＥＤ照明器具が開示されている。このＬＥＤ照明器具は、基板の表面に反射材を設けて、発光効率を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】中国特許公開１０６１６３１１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されているＬＥＤ照明装置は、そもそも、反射材を利用してＬＥＤ照明器具が発光する光を発光素子が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。さらに、特許文献１には、ＬＥＤ照明器具の具体的な構成について明確に開示されていない。
【０００５】
本発明は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１態様の蛍光体基板の製造方法は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、絶縁基板の一面に、前記複数の発光素子に接合される回路パターンを形成する形成工程と、前記形成工程の後に、前記回路パターンにおける前記複数の発光素子に接合される部分以外の部分を覆うように前記絶縁基板の一面に蛍光体塗料を塗布する塗布工程と、を含む。
【０００７】
本発明の第２態様の蛍光体基板の製造方法は、第１態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記回路パターンの厚み方向外側に向く面は、同一の平面とされている。
【０００８】
本発明の第３態様の蛍光体基板の製造方法は、第１又は第２態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記塗布工程は、スクリーン印刷法により行われる。
【０００９】
本発明の第４態様の蛍光体基板の製造方法は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板の製造方法であって、絶縁基板の一面に、前記複数の発光素子に接合される複数の電極対を有する回路パターンを形成する形成工程と、前記形成工程の後に、前記回路パターンを覆うように前記絶縁基板の一面に蛍光体塗料を塗布する塗布工程と、前記塗布工程の後に、前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料を除去し、前記複数の電極対の上面を露出させる露出工程と、を含む。
【００１０】
本発明の第５態様の蛍光体基板の製造方法は、第４態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記形成工程の後かつ前記塗布工程の前に、前記回路パターンの厚み方向外側に向く面における前記上面以外の部分が前記上面よりも前記絶縁基板側に近くなるように、前記回路パターンをエッチングする工程、を含む。
【００１１】
本発明の第６態様の蛍光体基板の製造方法は、第４又は第５態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記露出工程では、像が形成されているマスクを用いた写真現像法により前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料を除去し、前記上面を露出させる。
【００１２】
本発明の第７態様の蛍光体基板の製造方法は、第４又は第５態様の蛍光体基板の製造方法であって、前露出工程では、レーザー照射装置により前記前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料にレーザー光を照射して除去し、前記上面を露出させる。
【００１３】
本発明の第８態様の蛍光体基板の製造方法は、第４又は第５態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記露出工程では、研磨により前記複数の電極対上の前記蛍光体塗料を除去し、前記上面を露出させる。
【００１４】
本発明の第９態様の蛍光体基板の製造方法は、第１〜第８態様のいずれか一態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記発光素子は、ＬＥＤが組み込まれ、チップサイズにパッケージされたＣＳＰとされている。
【００１５】
本発明の第１０態様の蛍光体基板の製造方法は、第１〜第９態様のいずれか一態様の蛍光体基板の製造方法であって、前記形成工程では、前記絶縁基板の他面に導電性のパターンを形成する。
【００１６】
本発明の第１態様の発光基板の製造方法は、第１〜第１０態様のいずれか一態様に記載の蛍光体基板の製造方法により前記蛍光体基板を製造した後に、前記複数の電極対の前記上面にそれぞれ複数の発光素子を接合させて、前記蛍光体基板に前記複数の発光素子を搭載する搭載工程、を含む。
【００１７】
本発明の第２態様の発光基板の製造方法は、第１態様の発光基板の製造方法であって、前記絶縁基板は、１００℃以上３００℃以下の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい貯蔵弾性率とされ、前記搭載工程では、リフロー工程により前記複数の電極対の前記上面にそれぞれ複数の発光素子を接合させる。
【００１８】
本発明の照明装置の製造方法は、第１又は第２態様の発光基板の製造方法により製造された発光基板の前記発光素子が発光可能となるように、前記発光素子を発光させるための電力を供給する電源を前記発光基板に取り付ける工程、を含む。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の第１〜第１０態様の蛍光体基板の製造方法は、一面に複数の発光素子が搭載される蛍光体基板を製造することができる。
【００２０】
また、本発明の第１及び第２の発光基板の製造方法は、一面に複数の発光素子が搭載されている蛍光体基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】第１実施形態の発光基板の平面図である。
【図１Ｂ】第１実施形態の発光基板及び蛍光体基板の底面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの１Ｃ−１Ｃ切断線により切断した、第１実施形態の発光基板の部分断面図である。
【図２Ａ】第１実施形態の蛍光体基板（蛍光体層を省略）の平面図である。
【図２Ｂ】第１実施形態の蛍光体基板の平面図である。
【図３Ａ】第１実施形態の発光基板の製造方法における第１工程の説明図である。
【図３Ｂ】第１実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。
【図３Ｃ】第１実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図３Ｄ】第１実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図３Ｅ】第１実施形態の発光基板の製造方法における第５工程の説明図である。
【図４】第１実施形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。
【図５】第１比較形態の発光基板の発光動作を説明するための図である。
【図６】図１Ａの１Ｃ−１Ｃ切断線により切断した、第２実施形態の発光基板の部分断面図である。
【図７Ａ】第２実施形態の発光基板の製造方法における第１工程の説明図である。
【図７Ｂ】第２実施形態の発光基板の製造方法における第２工程の説明図である。
【図７Ｃ】第２実施形態の発光基板の製造方法における第３工程の説明図である。
【図７Ｄ】第２実施形態の発光基板の製造方法における第４工程の説明図である。
【図８Ａ】第１変形例の発光基板及び蛍光体基板の底面図である。
【図８Ｂ】第２変形例の発光基板及び蛍光体基板の底面図である。
【図８Ｃ】第３変形例の発光基板及び蛍光体基板の底面図である。
【図８Ｄ】第４変形例の発光基板及び蛍光体基板の底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
≪概要≫
以下、本実施形態の一例を、第１実施形態及び第２実施形態に分けて説明する。まず、第１実施形態について説明する。次いで、第２実施形態について説明する。次いで、各実施形態の変形例について説明する。なお、以下の説明において参照するすべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００２３】
≪第１実施形態≫
以下、第１実施形態について説明する。まず、本実施形態の発光基板１０の製造方法により製造される、すなわち、製造対象物としての発光基板１０の構成及び機能について、図１Ａ〜図１Ｃを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ〜図３Ｅを参照しながら説明する。次いで、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。次いで、本実施形態の効果について図４等を参照しながら説明する。
【００２４】
＜第１実施形態の製造対象物としての発光基板の構成及び機能＞
図１Ａは本実施形態の発光基板１０の平面図（表面３１から見た図）、図１Ｂは本実施形態の発光基板１０の底面図（裏面３３から見た図）である。図１Ｃは、図１Ａの１Ｃ−１Ｃ切断線により切断した発光基板１０の部分断面図である。
本実施形態の発光基板１０は、表面３１及び裏面３３から見て、一例として矩形とされている。また、本実施形態の発光基板１０は、複数の発光素子２０と、蛍光体基板３０と、コネクタ、ドライバＩＣ等の電子部品（図示省略）とを備えている。すなわち、本実施形態の発光基板１０は、蛍光体基板３０に、複数の発光素子２０及び上記電子部品が搭載されたものとされている。
本実施形態の発光基板１０は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電されると、発光する機能を有する。そのため、本実施形態の発光基板１０は、例えば照明装置（図示省略）等における主要な光学部品として利用される。
【００２５】
〔複数の発光素子〕
複数の発光素子２０は、それぞれ、一例として、フリップチップＬＥＤ２２（以下、ＬＥＤ２２という。）が組み込まれたＣＳＰ（Chip Scale Package）とされている（図１Ｃ参照）。複数の発光素子２０は、図１Ａに示されるように、蛍光体基板３０の表面３１（一面の一例）に、表面３１の全体に亘って規則的に並べられた状態で、蛍光体基板３０に搭載されている。なお、本実施形態の各発光素子２０が発光する光の相関色温度は、一例として３，０１８Ｋとされている。また、複数の発光素子２０は、発光動作時に、ヒートシンク（図示省略）や冷却ファン（図示省略）を用いることで、蛍光体基板３０を一例として常温から５０℃〜１００℃に収まるように放熱（冷却）されている。ここで、本明細書で数値範囲に使用する「〜」の意味について補足すると、例えば「５０℃〜１００℃」は「５０℃以上１００℃以下」を意味する。そして、本明細書で数値範囲に使用する「〜」は、「『〜』の前の記載部分以上『〜』の後の記載部分以下」を意味する。
【００２６】
〔蛍光体基板〕
図２Ａは、本実施形態の蛍光体基板３０の図であって、蛍光体層３６を省略して図示した平面図（表面３１から見た図）である。図２Ｂは、本実施形態の蛍光体基板３０の平面図（表面３１から見た図）である。なお、本実施形態の蛍光体基板３０の底面図は、発光基板１０を裏面３３から見た図と同じである。また、本実施形態の蛍光体基板３０の部分断面図は、図１Ｃの部分断面図から発光素子２０を除いた場合の図と同じである。すなわち、本実施形態の蛍光体基板３０は、表面３１及び裏面３３から見て、一例として矩形とされている。
【００２７】
本実施形態の蛍光体基板３０は、絶縁層３２（絶縁基板の一例）と、電極層３４（回路パターンの一例）と、蛍光体層３６と、裏面パターン層３８（導電性のパターンの一例）とを備えている（図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ及び図２Ｂ参照）。なお、図２Ａでは蛍光体層３６が省略されているが、蛍光体層３６は、図２Ｂに示されるように、一例として、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、後述する複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されている。
【００２８】
また、蛍光体基板３０には、図１Ｂ及び図２Ａに示されるように、四つ角付近の４箇所及び中央付近の２箇所の６箇所に貫通孔３９が形成されている。６箇所の貫通孔３９は、蛍光体基板３０及び発光基板１０の製造時に位置決め孔として利用されるようになっている。あわせて、６箇所の貫通孔３９は、（発光）灯具筐体への熱引き効果確保（基板反り及び浮き防止）のための取り付け用のネジ穴として利用される。なお、本実施形態の蛍光体基板３０は、後述するように、絶縁板の両面に銅箔層が設けられた両面板（以下、マザーボードＭＢという。図３Ａ参照）を加工（エッチング等）して製造される。
【００２９】
〈絶縁層〉
以下、本実施形態の絶縁層３２の主な特徴について説明する。
形状は、前述のとおり、一例として表面３１及び裏面３３から見て矩形である。
材質は、一例としてビスマレイミド樹脂及びガラスクロスを含む絶縁材である。また、当該絶縁材にはハロゲン及びリンは含まれていない（ハロゲンフリー、リンフリー）。
厚みは、一例として１００μｍ〜２００μｍである。
縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、５０℃〜１００℃の範囲において１０ｐｐｍ／℃以下である。また、別の見方をすると、縦方向及び横方向の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、それぞれ、一例として、６ｐｐｍ／Ｋである。この値は、本実施形態の発光素子２０の場合とほぼ同等（９０％〜１１０％、すなわち±１０％以内）である。
ガラス転移温度は、一例として、３００℃よりも高い。
貯蔵弾性率は、一例として、１００℃〜３００℃の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい。
縦方向及び横方向の曲げ弾性率は、一例として、それぞれ、常態において３５ＧＰａ及び３４ＧＰａである。
縦方向及び横方向の熱間曲げ弾性率は、一例として、２５０℃において１９ＧＰａである。
吸水率は、一例として、２３℃の温度環境で２４時間放置した場合に０．１３％である。
比誘電率は、一例として、１ＭＨｚ常態において４．６である。
誘電正接は、一例として、１ＭＨｚ常態において、０．０１０である。
なお、本実施形態の絶縁層３２はマザーボードＭＢの絶縁層の部分に相当するが、当該マザーボードＭＢには一例として利昌工業株式会社製のＣＳ−３３０５Ａが用いられる。
【００３０】
〈電極層〉
本実施形態の電極層３４は、絶縁層３２の表面３１側に設けられた金属層とされている。本実施形態の電極層３４は一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）とされている。別言すれば、本実施形態の電極層３４は、少なくともその表面が銅を含んで形成されている。
電極層３４は、絶縁層３２に設けられたパターンとされ、コネクタ（図示省略）が接合される端子３７と導通している。そして、電極層３４は、コネクタを介して外部電源（図示省略）から給電された電力を、発光基板１０の構成時の複数の発光素子２０に供給するようになっている。そのため、電極層３４の一部は、複数の発光素子２０がそれぞれ接合される複数の電極対３４Ａとされている。すなわち、本実施形態の発光基板１０の電極層３４は、絶縁層３２に配置され、各発光素子２０に接続されている。
【００３１】
また、前述のとおり、本実施形態の発光基板１０における複数の発光素子２０は表面３１の全体に亘って規則的に並べられていることから、複数の電極対３４Ａも表面３１の全体に亘って規則的に並べられている（図２Ａ参照）。電極層３４における複数の電極対３４Ａ以外の部分を、配線部分３４Ｂという。本実施形態では、図１Ｃに示されるように、一例として、複数の電極対３４Ａは、配線部分３４Ｂよりも絶縁層３２（蛍光体基板３０）の厚み方向外側に突出している。別言すると、電極層３４における絶縁層３２の厚み方向外側に向く面において、それぞれ各発光素子２０が接合される上面（接合面３４Ａ１）は、接合面３４Ａ１以外の上面（非接合面３４Ｂ１）よりも、絶縁層３２の厚み方向外側に位置している。
なお、絶縁層３２の表面３１における電極層３４が配置されている領域（第１配置領域と定義する。）は、一例として、絶縁層３２の表面３１の６０％以上の領域（面積）とされている（図２Ａ参照）。また、第１配置領域の８０％以上の領域は、絶縁層３２の厚み方向において、絶縁層３２における裏面パターン層３８が配置されている領域（第２配置領域と定義する。）と重なっている。
【００３２】
〈蛍光体層〉
本実施形態の蛍光体層３６は、図２Ｂに示されるように、一例として、蛍光体層３６は、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されている。すなわち、蛍光体層３６は、電極層３４における複数の電極対３４Ａ以外の領域に配置されている。別言すると、蛍光体層３６の少なくとも一部は、表面３１側から見て、各接合面３４Ａ１の周りを全周に亘って囲むように配置されている（図１Ｃ及び図２Ｂ参照）。そして、本実施形態では、絶縁層３２の表面３１における蛍光体層３６が配置されている領域は、一例として、絶縁層３２の表面３１における８０％以上の領域とされている。
なお、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、電極層３４の接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向外側に位置している（図１Ｃ参照）。
【００３３】
本実施形態の蛍光体層３６は、一例として、後述する蛍光体とバインダーとを含む絶縁層とされている。蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、バインダーに分散された状態で保持されている微粒子とされ、各発光素子２０の発光を励起光として励起する性質を有する。具体的には、本実施形態の蛍光体は、発光素子２０の発光を励起光としたときの発光ピーク波長が可視光領域にある性質を有する。なお、バインダーは、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等で、ソルダーレジストに含まれるバインダーと同等の絶縁性を有するものであればよい。
【００３４】
（蛍光体の具体例）
ここで、本実施形態の蛍光体層３６に含まれる蛍光体は、一例として、Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体及びＥｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体からなる群から選ばれる少なくとも一種以上の蛍光体とされている。なお、前述の蛍光体は、本実施形態の一例であり、ＹＡＧ、ＬｕＡＧ、ＢＯＳその他の可視光励起の蛍光体のように、前述の蛍光体以外の蛍光体であってもよい。
【００３５】
Ｅｕを含有するα型サイアロン蛍光体は、一般式：ＭｘＥｕｙＳｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）ＯｎＮ１６−ｎで表される。上記一般式中、ＭはＬｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｙ及びランタニド元素（ただし、ＬａとＣｅを除く）からなる群から選ばれる、少なくともＣａを含む１種以上の元素であり、Ｍの価数をａとしたとき、ａｘ＋２ｙ＝ｍであり、ｘが０＜ｘ≦１．５であり、０．３≦ｍ＜４．５、０＜ｎ＜２．２５である。
【００３６】
Ｅｕを含有するβ型サイアロン蛍光体は、一般式：Ｓｉ６−ｚＡｌｚＯｚＮ８−ｚ（ｚ＝０．００５〜１）で表されるβ型サイアロンに発光中心として二価のユーロピウム（Ｅｕ２＋）を固溶した蛍光体である。
【００３７】
また、窒化物蛍光体として、Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体等が挙げられる。
【００３８】
Ｅｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体（窒化物蛍光体の一例）は、例えば、式ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋で表され、Ｅｕ２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。なお、本明細書におけるＥｕを含有するＣＡＳＮ蛍光体の定義では、Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体が除かれる。
【００３９】
Ｅｕを含有するＳＣＡＳＮ蛍光体（窒化物蛍光体の一例）は、例えば、式（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋で表され、Ｅｕ２＋を付活剤とし、アルカリ土類ケイ窒化物からなる結晶を母体とする赤色蛍光体をいう。
【００４０】
〈裏面パターン層〉
本実施形態の裏面パターン層３８は、絶縁層３２の裏面３３側に設けられた金属層とされている。本実施形態の裏面パターン層３８は一例として銅箔層（Ｃｕ製の層）とされている。
【００４１】
裏面パターン層３８は、図１Ｂに示されるように、絶縁層３２の長手方向に沿って直線状に並べられている複数の矩形部分３８Ａ（複数の電極の一例、以下、複数の部分３８Ａという。）の塊が短手方向において位相をずらしたよう隣接して並べられている層とされている。すなわち、本実施形態の裏面パターン層３８は、複数の部分３８Ａを並べたパターンを形成している。
【００４２】
なお、裏面パターン層３８は、一例として、独立フローティング層とされている。すなわち、本実施形態の裏面パターン層３８（を構成する複数の部分３８Ａ）は、表面３１側の電極層３４が有する複数の電極対３４Ａと電気的に接続していない、ダミー電極とさえている。また、本実施形態の第２配置領域の面積は、第１配置領域の面積よりも大きく設定されているが（図１Ｂ及び図２Ａ参照）、第１配置領域の面積の９０％〜１１０％の面積に設定されている。
【００４３】
以上が、本実施形態の製造対象物としての発光基板１０及び蛍光体基板３０の構成についての説明である。
【００４４】
＜第１実施形態の発光基板の製造方法＞
次に、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図３Ａ〜図３Ｅを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０の製造方法は第１工程、第２工程、第３工程、第４工程及び第５工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【００４５】
〔第１工程〕
図３Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程は、マザーボードＭＢの表面３１に厚み方向から見て電極層３４と同じパターン３４Ｃ（回路パターンの他の一例）を、裏面３３に裏面パターン層３８を形成する工程である。すなわち、本工程は、絶縁層３２の表面３１に、複数の発光素子２０に接合される複数の電極対３４Ａを有する電極層３４及び裏面パターン層３８を形成する工程（形成工程）である。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
【００４６】
〔第２工程〕
図３Ｂは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程は、パターン３４の一部をハーフハッチ（厚み方向の途中までエッチング）する工程である。本工程が終了すると、結果的に、複数の電極対３４Ａと配線部分３４Ｂとを有する電極層３４が形成される。すなわち、本工程は、第１工程の後かつ後述する塗布工程の前に、電極層３４の厚み方向外側に向く面における上面（接合面３４Ａ１）以外の部分（配線部分３４Ｂ）が接合面３４Ａ１よりも絶縁層３２側に近くなるように、電極層３４をエッチングする工程である。本工程が終了すると、電極層３４に複数の接合面３４Ａ１と複数の非接合面３４Ｂ１とが形成される。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
【００４７】
〔第３工程〕
図３Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程は、絶縁層３２の表面３１、すなわち電極層３４が形成された面の全面に蛍光体塗料３６Ｃを塗布する工程である。別言すれば、本工程は、第２工程の後に、電極層３４を覆うように絶縁層３２の表面３１に蛍光体塗料３６Ｃを塗布する工程（塗布工程）である。本工程では、例えば、印刷により蛍光体塗料３６Ｃを塗布する。この場合、蛍光体塗料３６Ｃをすべての電極対３４Ａよりも厚く塗布する。別言すると、この場合、蛍光体塗料３６Ｃを絶縁層３２の厚み方向において、各接合面３４Ａ１を厚み方向の外側から覆うように（各接合面３４Ａ１が蛍光体塗料３６Ｃで隠れるように）塗布する。
【００４８】
〔第４工程〕
図３Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体塗料３６Ｃが硬化した蛍光体層３６の一部を除去して、すべての電極対３４Ａの接合面３４Ａ１を露出させる工程である。すなわち、本工程は、第３工程の後に、複数の電極対３４Ａ上の蛍光体塗料３６Ｃを除去し、複数の電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１を露出させる工程（露出工程）である。
【００４９】
ここで、蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料３６Ｃを硬化させた後に２次元に走査可能なレーザー照射装置（図示省略）により蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分及び電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１付近の部分がアブレーションされて（除去されて）、各接合面３４Ａ１が露出する。以上の結果、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。すなわち、本実施形態の第１〜第４工程をこれらの記載順で行う工程は、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法である。
【００５０】
なお、本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。
蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えばＵＶ硬化性樹脂（感光性樹脂）である場合、各接合面３４Ａ１と重なる部分（塗料開口部）にマスクパターンをかけて、ＵＶ光を露光し、当該マスクパターン以外をＵＶ硬化させ、非露光部（未硬化部）を樹脂除去液により取り除くことで、各接合面３４Ａ１を露出させる。その後、一般的には、熱をかけてアフターキュアを行う（写真現像法）。
また、蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料３６Ｃを硬化させた後に蛍光体層３６の表面を研磨する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分が除去されて、各接合面３４Ａ１が露出させる（研磨法）。なお、この方法（研磨方法）で第４工程が行われた場合、各接合面３４Ａ１は蛍光体層３６の上面とは面一となる。そのため、この方法で第４工程が行われた場合、各接合面３４Ａ１と蛍光体層３６の上面とが面一の形態の蛍光体基板（図示省略）が製造されることになる。
以上の結果、これらの方法によれば、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。
【００５１】
〔第５工程〕
図３Ｅは、第５工程の開始時及び終了時を示す図である。第５工程は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。すなわち、本工程は、第１〜第４工程により蛍光体基板３０を製造した後に、複数の電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１にそれぞれ複数の発光素子２０を接合させて、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程（搭載工程）である。
本工程は、蛍光体基板３０の複数の電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し、各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０の各電極を位置合わせした状態で、一例として２５０℃の環境下ではんだペーストを溶かす。その後、はんだペーストＳＰが冷却された固化すると、各電極対３４Ａに各発光素子２０が接合される。すなわち、本工程は、一例としてリフロー工程により行われる。
【００５２】
以上が、本実施形態の発光基板１０の製造方法についての説明である。
【００５３】
＜第１実施形態の発光基板の発光動作＞
次に、本実施形態の発光基板１０の発光動作について図４を参照しながら説明する。ここで、図４は、本実施形態の発光基板１０の発光動作を説明するための図である。
【００５４】
まず、複数の発光素子２０を作動させる作動スイッチ（図示省略）がオンになると、コネクタ（図示省略）を介して外部電源（図示省略）から電極層３４への給電が開始され、複数の発光素子２０は光Ｌを放射状に発散出射し、その光Ｌの一部は蛍光体基板３０の表面３１に到達する。以下、出射された光Ｌの進行方向に分けて光Ｌの挙動について説明する。
【００５５】
各発光素子２０から出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射することなく外部に出射される。この場合、光Ｌの波長は、各発光素子２０から出射された際の光Ｌの波長と同じままである。
【００５６】
また、各発光素子２０から出射された光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光は、蛍光体層３６に入射する。ここで、前述の「光Ｌの一部分の中のＬＥＤ２２自身の光」とは、出射された光Ｌのうち各発光素子２０（ＣＳＰ自身）の蛍光体により色変換されていない光、すなわち、ＬＥＤ２２自身の光（一例として青色（波長が４７０ｎｍ近傍）の光）を意味する。そして、ＬＥＤ２２自身の光Ｌが蛍光体層３６に分散されている蛍光体に衝突すると、蛍光体が励起して励起光を発する。ここで、蛍光体が励起する理由は、蛍光体層３６に分散されている蛍光体が青色の光に励起ピークを持つ蛍光体（可視光励起蛍光体）を使用しているためである。これに伴い、光Ｌのエネルギーの一部は蛍光体の励起に使われることで、光Ｌはエネルギーの一部を失う。その結果、光Ｌの波長が変換される（波長変換がなされる）。例えば、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては（例えば、蛍光体に赤色系ＣＡＳＮを用いた場合には）光Ｌの波長が長くなる（例えば６５０ｎｍ等）。また、蛍光体層３６での励起光はそのまま蛍光体層３６から出射するものもあるが、一部の励起光は下側の電極層３４に向かう。そして、一部の励起光は電極層３４での反射により外部に出射する。以上のように、蛍光体による励起光の波長が６００ｎｍ以上の場合、電極層３４がＣｕでも反射効果が望める。なお、蛍光体層３６の蛍光体の種類によっては光Ｌの波長が前述の例と異なるが、いずれの場合であっても光Ｌの波長変換がなされることになる。例えば、励起光の波長が６００ｎｍ未満の場合、電極層３４又はその表面を例えばＡｇ（鍍金）とすれば反射効果が望める。
【００５７】
以上のとおり、各発光素子２０が出射した光Ｌ（各発光素子２０が放射状に出射した光Ｌ）は、それぞれ、上記のような複数の光路を経由して上記励起光とともに外部に照射される。そのため、蛍光体層３６に含まれる蛍光体の発光波長と、発光素子２０（ＣＳＰ）におけるＬＥＤ２２を封止した（又は覆う）蛍光体の発光波長とが異なる場合、本実施形態の発光基板１０は、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの束を、各発光素子２０が出射した際の光Ｌの波長と異なる波長の光Ｌを含む光Ｌの束として上記励起光とともに照射する。例えば、、本実施形態の発光基板１０は、発光素子２０が出射した光（波長）と蛍光体層３６より出射された光（波長）との合成光を照射する。
【００５８】
以上が、本実施形態の発光基板１０の発光動作についての説明である。
【００５９】
＜第１実施形態の効果＞
次に、本実施形態の効果について図面を参照しながら説明する。
【００６０】
〔第１の効果〕
第１の効果については、本実施形態を以下に説明する第１比較形態（図５参照）と比較して説明する。ここで、第１比較形態（及び下記の第２比較形態）の説明において、本実施形態と同じ構成要素等を用いる場合は、その構成要素等に本実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることとする。図５は、第１比較形態の発光基板１０Ａの発光動作を説明するための図である。第１比較形態の発光基板１０Ａ（複数の発光素子２０を搭載する基板３０Ａ）は、蛍光体層３６を備えていない点以外は、本実施形態の発光基板１０（蛍光体基板３０）と同じ構成とされている。
【００６１】
第１比較形態の発光基板１０Ａの場合、各発光素子２０から出射され、基板３０Ａの表面３１に入射した光Ｌは、波長が変換されることなく反射又は散乱する。そのため、第１比較形態の基板３０Ａの場合、発光素子２０が搭載された場合に発光素子２０が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。すなわち、第１比較形態の発光基板１０Ａの場合、発光素子２０が発光する光と異なる発光色の光に調整することができない。
【００６２】
これに対して、本実施形態の場合、絶縁層３２の厚み方向から見て、絶縁層３２の表面３１であって、各発光素子２０との各接合面３４Ａ１の周囲には蛍光体層３６が配置されている。そのため、各発光素子２０から放射状に出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射して、蛍光体層３６により波長変換されて、外部に照射される。この場合、各発光素子２０から放射状に出射された光Ｌの一部は、蛍光体層３６に入射して、蛍光体層３６に含まれる蛍光体を励起させ、励起光を発生させる。
【００６３】
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法により製造された蛍光体基板３０は、発光素子２０が搭載された場合に、蛍光体基板３０から発光される光Ｌを発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光に調整することができる。これに伴い、本実施形態の発光基板１０の製造方法により製造された発光基板１０は、蛍光体基板３０から発光される光Ｌを発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光Ｌに調整することができる。別の見方をすると、本実施形態の発光基板１０の製造方法により製造された発光基板１０は、発光素子２０が発光する光Ｌと異なる発光色の光Ｌを外部に照射することができる。
【００６４】
〔第２の効果〕
第１比較形態の場合、図５に示されるように、各発光素子２０の配置間隔に起因して外部に照射される光Ｌに斑が発生する。ここで、光Ｌの斑が大きいほど、グレアが大きいという。
これに対して、本実施形態の場合、図２Ｂに示されるように、各接合面３４Ａ１の周囲を（全周に亘って）蛍光体層３６に囲まれたうえで、さらに隣接する発光素子２０同士の間にも蛍光体層３６が設けられている。そのため、各接合面３４Ａ１の周囲（各発光素子２０の周囲）からも励起光が発光される。
したがって、本実施形態の発光基板１０の製造方法により製造された発光基板１０は、第１比較形態に比べて、グレアを小さくすることができる。
特に、本効果は、蛍光体層３６が絶縁層３２の全面に亘って設けられている場合、具体的には、絶縁層３２の表面３１における蛍光体層３６が配置されている領域が表面１３の８０％以上の領域のような場合に有効である。
【００６５】
〔第３の効果〕
前述のとおり、本実施形態の蛍光体基板３０と蛍光体基板３０に配置された複数の発光素子２０は、製造時の第５工程（搭載工程としてのリフロー工程）の際に、一例として２５０℃に加熱される（図３Ｅ参照）。そのため、蛍光体基板３０は熱膨張し、各発光素子２０も熱膨張する。そして、前者と後者との熱膨張率の差に起因して、絶縁層３２（蛍光体基板３０）に反りが発生する。その結果、複数の発光素子２０の実装不良が起こる虞がある。
しかしながら、絶縁層３２の貯蔵弾性率は、リフロー工程が行われる温度を含む１００℃以上３００℃以下の範囲において、１．０×１０１０Ｐａよりも大きく１．０×１０１１Ｐａよりも小さい。すなわち、本実施形態の絶縁層３２（蛍光体基板３０）は、リフロー工程が行われる温度において、比較的、貯蔵弾性率が高く設定されている。
したがって、本実施形態の蛍光体基板３０は、製造時の加熱に起因する反りの発生を抑制することができる。これに伴い、本実施形態によれば、製造不良が発生し難い。
【００６６】
以上が、本実施形態の効果についての説明である。また、以上が、第１実施形態についての説明である。
【００６７】
≪第２実施形態≫
次に、第２実施形態について説明する。以下、本実施形態における、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、本実施形態の説明では、本実施形態において、第１実施形態の同等の部品、構成等を用いる場合、第１実施形態の場合と同じ名称、符号等を用いることにする。
【００６８】
＜第２実施形態の製造対象物としての発光基板の構成及び機能＞
本実施形態の発光基板１０の製造方法により製造される発光基板１０の平面図は、第１実施形態の平面図である図１Ａを援用した図と同等である。また、本実施形態の発光基板１０及び蛍光体基板３０の底面図は、第１実施形態の底面図である図１Ｂを援用した図と同等である。
しかしながら、本実施形態の発光基板１０における図１Ａの１Ｃ−１Ｃ切断線により切断した部分断面図は、第１実施形態の場合と異なり、図６のとおりである。本実施形態の場合、本実施形態の電極層３４を構成する各電極対３４Ａの上面（接合面３４Ａ１）と、配線部分３４Ｂの上面（非接合面３４Ｂ１）とは、同一の平面を形成している。
本実施形態の発光基板１０における第１実施形態の場合と異なる点は、以上である。
【００６９】
＜第２実施形態の発光基板の製造方法＞
次に、本実施形態の発光基板１０の製造方法について図７Ａ〜図７Ｄを参照しながら説明する。本実施形態の発光基板１０の製造方法は第１工程、第２工程、第３工程及び第４工程を含んでおり、各工程はこれらの記載順で行われる。
【００７０】
〔第１工程〕
図７Ａは、第１工程の開始時及び終了時を示す図である。第１工程は、マザーボードＭＢの表面３１に厚み方向から見て電極層３４と同じパターン３４Ｃ（回路パターンの他の一例）を、裏面３３に裏面パターン層３８を形成する工程である。すなわち、本工程は、絶縁層３２の表面３１に、複数の発光素子２０に接合される複数の電極対３４Ａを有する電極層３４及び裏面パターン層３８を形成する工程（形成工程）である。本工程は、例えばマスクパターン（図示省略）を用いたエッチングにより行われる。
【００７１】
〔第２工程〕
図７Ｂは、第２工程の開始時及び終了時を示す図である。第２工程は、絶縁層３２の表面３１、すなわち電極層３４が形成された面の全面に蛍光体塗料３６Ｃを塗布する工程である。別言すれば、本工程は、第１工程の後に、電極層３４を覆うように絶縁層３２の表面３１に蛍光体塗料３６Ｃを塗布する工程（塗布工程）である。本工程では、例えば、印刷により蛍光体塗料３６Ｃを塗布する。この場合、蛍光体塗料３６Ｃを電極層３４よりも厚く塗布する。
【００７２】
〔第３工程〕
図７Ｃは、第３工程の開始時及び終了時を示す図である。第３工程は、蛍光体塗料３６Ｃが硬化した蛍光体層３６の一部を除去して、すべての接合面３４Ａ１を露出させる工程である。すなわち、本工程は、第３工程の後に、複数の電極対３４Ａ上の蛍光体塗料３６Ｃを除去し、複数の電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１を露出させる工程（露出工程）である。
【００７３】
ここで、蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えば熱硬化性樹脂である場合は、加熱により蛍光体塗料３６Ｃを硬化させた後に２次元に走査可能なレーザー照射装置（図示省略）により蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分に選択的にレーザー光を照射する。その結果、蛍光体層３６における各接合面３４Ａ１上の部分及び電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１付近の部分がアブレーションされて（除去されて）、各接合面３４Ａ１が露出する。以上の結果、本実施形態の蛍光体基板３０が製造される。すなわち、本実施形態の第１〜第４工程をこれらの記載順で行う工程は、本実施形態の蛍光体基板３０の製造方法である。
【００７４】
本工程は、上記の方法の他に、例えば、以下の方法により行ってもよい。蛍光体塗料３６Ｃのバインダーが例えばＵＶ硬化性樹脂（感光性樹脂）である場合、乾燥により蛍光体塗料３６Ｃを硬化させた後、マスクパターン（図示省略）を用いてＵＶ光を露光し、非露光部分をエッチング溶液により除去する（写真現像法）。
【００７５】
以上の説明では、第１工程、第２工程、第３工程をこれらの記載順で行うことで蛍光体基板３０を製造すると説明したが、以下の方法により製造してもよい。例えば、第１工程（図７Ａ参照）の後に、第２工程（図７Ｂ参照）及び第３工程（図７Ｃ参照）を行わずに、予め開口部が設定されたスクリーンマスク（図示省略）を用いてスクリーン印刷により蛍光体塗料３６Ｃを塗布してもよい。この場合、スクリーンマスクにおける接合面３４Ａ１に重なる部分の蛍光体塗料開口部を根づまりさせておけばよい。
【００７６】
〔第４工程〕
図７Ｄは、第４工程の開始時及び終了時を示す図である。第４工程は、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程である。すなわち、本工程は、第１〜第４工程により蛍光体基板３０を製造した後に、複数の電極対３４Ａの各接合面３４Ａ１にそれぞれ複数の発光素子２０を接合させて、蛍光体基板３０に複数の発光素子２０を搭載する工程（搭載工程）である。
本工程は、蛍光体基板３０の各接合面３４Ａ１にはんだペーストＳＰを印刷し、各接合面３４Ａ１に複数の発光素子２０の各電極を位置合わせした状態ではんだペーストを溶かす。その後、はんだペーストＳＰが冷却された固化すると、各電極対３４Ａ（各接合面３４Ａ１）に各発光素子２０が接合される。すなわち、本工程は、一例としてリフロー工程により行われる。
【００７７】
以上が、本実施形態の発光基板１０の製造方法についての説明である。
【００７８】
＜第２実施形態の発光基板の発光動作＞
本実施形態の発光基板１０の発光動作は、第１実施形態の場合（図４を援用）と同様である。
【００７９】
＜第２実施形態の効果＞
本実施形態の効果は、第１実施形態の場合と同様である。
【００８０】
以上が、第２実施形態についての説明である。
【００８１】
以上のとおり、本発明について前述の第１及び第２施形態を例として説明したが、本発明はこれらの実施形態及び実施例に限定されるものではない。本発明の技術的範囲には、例えば、下記のような形態（変形例）も含まれる。
【００８２】
例えば、各実施形態の説明では、発光素子２０の一例をＣＳＰであるとした。しかしながら、発光素子２０の一例はＣＳＰ以外でもよい。例えば、単にフリップチップを搭載したものでもよい。また、ＣＯＢデバイスの基板自身に応用することもできる。
【００８３】
また、各実施形態の説明では、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面は、電極層３４の接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向外側に位置しているとした（図１Ｃ及び図６参照）。しかしながら、前述の第１及び第３の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体層３６における絶縁層３２の厚み方向外側の面が電極層３４の接合面３４Ａ１と当該厚み方向において同じ又は接合面３４Ａ１よりも当該厚み方向内側の位置としても第１の効果を奏することは明らかである。
【００８４】
また、各実施形態の説明では、蛍光体層３６は、絶縁層３２及び電極層３４の表面３１における、複数の電極対３４Ａ以外の部分に配置されているとした（図２Ｂ参照）。しかしながら、前述の第１及び第３の効果の説明のメカニズムを考慮すると、蛍光体基板３０の表面３１における複数の電極対３４Ａ以外の部分の全域に亘って配置されていなくても第１の効果を奏することは明らかである。しかたがって、本実施形態の場合と異なる表面３１の範囲に蛍光体層３６が配置されている点のみ本実施形態の蛍光体基板３０及び発光基板１０と異なる形態であっても、当該形態は本発明の技術的範囲に属するといえる。
【００８５】
また、各実施形態では、蛍光体基板３０及び発光基板１０を製造するに当たり、利昌工業株式会社製のＣＳ−３３０５ＡをマザーボードＭＢとして用いると説明した。しかしながら、これは一例であり、異なるマザーボードＭＢを用いてもよい。例えば、利昌工業株式会社製のＣＳ−３３０５Ａの絶縁層厚、銅箔厚等の標準仕様にこだわるものではなく、特に銅箔圧は更に厚いものを用いてもよい。
【００８６】
また、第１及び第２実施形態の製造方法により製造された発光基板１０（その変形例も含む）を用いて、当該発光基板１０の発光素子２０が発光可能となるように、発光素子２０を発光させるための電力を供給する電源を、当該発光基板１０に取り付ける工程を行い、照明装置を製造してもよい。
【００８７】
また、各実施形態では、裏面パターン層３８は、表面３１側の電極層３４が有する複数の電極対３４Ａと電気的に接続していない、ダミー電極とさえているとして説明した。しかしながら、裏面パターン層３８を例えばスルーホール（図示省略）を介して表面３１の電極層３４に接続し、裏面パターン層３８を電極層３４に電力を供給するための電気経路の一部として構成してもよい。
【００８８】
また、本実施形態の裏面パターン層３８は、一例として図１Ｂのとおりであるとして説明した。しかしながら、裏面３３の導電性のパターンは、本実施形態の裏面パターン層３８と異なるパターンであってもよい。
例えば、図８Ａの第１変形例の蛍光体基板３０Ｂ（発光基板１０Ｂ）の裏面パターン層３８Ｂのように、本発明の第２電極群が蛍光体基板３０Ｂの長手方向に沿って配置された長尺体（複数の部分３８Ｂ１）の組み合せであってもよい。
また、例えば、図８Ｂの第２変形例の蛍光体基板３０Ｃ（発光基板１０Ｃ）の裏面パターン層３８Ｃのように、本発明の第２電極群が蛍光体基板３０Ｃの短手方向の一端から他端に沿って配置された長尺体（複数の部分３８Ｃ１）の組み合せであってもよい。
また、例えば、図８Ｃの第３変形例の蛍光体基板３０Ｄ（発光基板１０Ｄ）の裏面パターン層３８Ｄのように、本発明の第２電極群が複数の矩形部分３８Ｄ１で構成される複数の島状の塊と、複数の島状の塊以外の部分（蛍光体基板３０Ｄの長手方向の一端から他端に亘りつつ短手方向の一端から他端に亘る網目状の部分３０Ｄ２）との組み合せであってもよい。
以上のとおり、本発明の第２電極群は、パターンであればよい。
【００８９】
また、本実施形態の蛍光体基板３０の裏面３３には、裏面パターン層３８が配置されているとして説明した。しかしながら、図８Ｄの変形例の蛍光体基板３０Ａ（発光基板１０Ａ）のように、裏面３３に裏面パターン層３８がなくてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１０  発光基板
２０  発光素子
３０  蛍光体基板
３１  表面（一面の一例）
３２  絶縁層（絶縁基板の一例）
３３  裏面（他面の一例）
３４  電極層（第１電極群の一例）
３４Ａ  電極対（複数の電極の一例）
３４Ａ１ 接合面
３４Ｂ  配線部分
３４Ｂ１ 非接合面
３６  蛍光体層
３８  裏面パターン層（第２電極群の一例）
３８Ａ  複数の矩形部分（複数の電極の一例）
Ｌ  光
ＭＢ  マザーボード
ＳＰ  はんだペースト
【図１Ａ】
2020107708.tif 000003
【図１Ｂ】
2020107708.tif 000004
【図１Ｃ】
2020107708.tif 000005
【図２Ａ】
2020107708.tif 000006
【図２Ｂ】
2020107708.tif 000007
【図３Ａ】
2020107708.tif 000008
【図３Ｂ】
2020107708.tif 000009
【図３Ｃ】
2020107708.tif 000010
【図３Ｄ】
2020107708.tif 000011
【図３Ｅ】
2020107708.tif 000012
【図４】
2020107708.tif 000013
【図５】
2020107708.tif 000014
【図６】
2020107708.tif 000015
【図７Ａ】
2020107708.tif 000016
【図７Ｂ】
2020107708.tif 000017
【図７Ｃ】
2020107708.tif 000018
【図７Ｄ】
2020107708.tif 000019
【図８Ａ】
2020107708.tif 000020
【図８Ｂ】
2020107708.tif 000021
【図８Ｃ】
2020107708.tif 000022
【図８Ｄ】
2020107708.tif 000023