(57)【要約】      （修正有）【課題】アレイ状に配列されたセンサ素子で取得される距離情報の面内均一性をより向上させる測距センサを提供する。【解決手段】入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部１２と、第１蓄積部が配列された側と対向する側のセンサアレイ部の周縁に設けられ、第１蓄積部に印加される電圧を制御する第１グローバル制御部１３１と、第２蓄積部が配列された側と対向する側のセンサアレイ部の周縁に設けられ、第２蓄積部に印加される電圧を制御する第２グローバル制御部１３２と、を備える、測距センサ。【選択図】図７
2020008412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第１蓄積部の各々と電気的に接続する第１制御線と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第２蓄積部の各々と電気的に接続する第２制御線と、
前記第１蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第１制御線に印加される電圧を制御する第１グローバル制御部と、
前記第２蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第２制御線に印加される電圧を制御する第２グローバル制御部と、
を備える、測距センサ。
【請求項２】
前記センサアレイ部は、矩形形状の領域に設けられ、
前記第１グローバル制御部及び前記第２グローバル制御部は、前記センサアレイ部の前記矩形形状の互いに対向する辺に沿って設けられる、請求項１に記載の測距センサ。
【請求項３】
前記第１制御線及び前記第２制御線は、互いに対向する前記第１グローバル制御部又は前記第２グローバル制御部から延伸する櫛歯形状にて設けられる、請求項２に記載の測距センサ。
【請求項４】
前記第１制御線及び前記第２制御線は、前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向と直交する方向に交互に設けられる、請求項３に記載の測距センサ。
【請求項５】
前記第１グローバル制御部及び前記第２グローバル制御部は、前記第１制御線及び前記第２制御線の一方に印加される電圧よりも高い電圧を前記第１制御線及び前記第２制御線の他方に印加する、請求項１に記載の測距センサ。
【請求項６】
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の前記入射光が入射する面側には、光電変換部及びマイクロレンズがさらに設けられる、請求項１に記載の測距センサ。
【請求項７】
前記マイクロレンズは、前記センサ素子ごとに設けられる、請求項６に記載の測距センサ。
【請求項８】
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子と前記センサアレイ部の中心との距離に基づいて、前記センサ素子の中心位置から中心位置を偏移させて設けられる、請求項７に記載の測距センサ。
【請求項９】
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子と前記センサアレイ部の中心との距離が長くなるほど、前記センサ素子の中心位置から前記センサアレイ部の中心側に中心位置を偏移させて設けられる、請求項８に記載の測距センサ。
【請求項１０】
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記第１グローバル制御部又は前記第２グローバル制御部の位置に基づいて、前記センサ素子の中心位置から中心位置を偏移させて設けられる、請求項７に記載の測距センサ。
【請求項１１】
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子の中心位置から前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に中心位置を偏移させて設けられる、請求項７に記載の測距センサ。
【請求項１２】
前記センサアレイ部の全体又は一部の前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子の中心位置から同一の関数に基づいて中心位置を偏移させて設けられる、請求項７に記載の測距センサ。
【請求項１３】
前記センサアレイ部の全体の前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズの中心位置は、前記センサ素子の中心位置から異なる関数に基づいて中心位置を偏移させて設けられる、請求項７に記載の測距センサ。
【請求項１４】
前記センサ素子は、裏面照射型構造の前記光電変換部によって前記入射光を光電変換する、請求項６に記載の測距センサ。
【請求項１５】
入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第１蓄積部の各々と電気的に接続する第１制御線と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第２蓄積部の各々と電気的に接続する第２制御線と、
前記第１蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第１制御線に印加される電圧を制御する第１グローバル制御部と、
前記第２蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第２制御線に印加される電圧を制御する第２グローバル制御部と、
を備える、タイムオブフライトセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、測距センサ及びタイムオブフライトセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴｏＦ（Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ）センサなどの対象物との距離情報を取得する測距センサの開発が進んでいる。
【０００３】
例えば、測距センサは、１つのチップ上にセンサ素子をアレイ状に配列することで、センサチップとして構成される。このような測距センサでは、アレイ状に配列されたセンサ素子ごとに対象物との距離情報を取得することができるため、対象物との距離情報を距離画像として取得することができる。
【０００４】
例えば、下記の特許文献１には、変調周期波形を持つ光をターゲットに照射し、かつターゲットにて反射された光の一部を光検出部で検出することで、ターゲットとの距離情報を取得するＴｏＦセンサに関する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−０４９５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、特許文献１に開示された発明では、アレイ状に配列されたセンサ素子の各々で取得された距離情報の精度ばらつきについては、何ら検討がされていなかった。
【０００７】
しかし、センサ素子をアレイ状に配列した測距センサでは、センサチップの面内の幾何学的な位置によって、対象物からの光の入射特性に差が生じることがある。そのため、センサ素子をアレイ状に配列した測距センサでは、チップ面内で均一な精度の距離情報を取得することが困難であった。
【０００８】
そこで、アレイ状に配列されたセンサ素子で取得される距離情報の面内均一性をより向上させる技術が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示によれば、入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第１蓄積部の各々と電気的に接続する第１制御線と、前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第２蓄積部の各々と電気的に接続する第２制御線と、前記第１蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第１制御線に印加される電圧を制御する第１グローバル制御部と、前記第２蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第２制御線に印加される電圧を制御する第２グローバル制御部と、を備える、測距センサが提供される。
【００１０】
また、本開示によれば、入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第１蓄積部の各々と電気的に接続する第１制御線と、前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第２蓄積部の各々と電気的に接続する第２制御線と、前記第１蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第１制御線に印加される電圧を制御する第１グローバル制御部と、前記第２蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第２制御線に印加される電圧を制御する第２グローバル制御部と、を備える、タイムオブフライトセンサが提供される。
【００１１】
本開示によれば、第１制御線及び第２制御線にて生じる電圧降下を用いて、センサ素子の各々の第１蓄積部及び第２蓄積部の印加電圧を制御することで、第１蓄積部及び第２蓄積部における電子の回収効率を補正することが可能である。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本開示によれば、アレイ状に配列されたセンサ素子で取得される距離情報の面内均一性をより向上させることができる。
【００１３】
なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示に係る技術が適用される測距センサの概略構成を示す模式的な平面図である。
【図２】センサアレイ部のセンサ素子の構成を説明する模式的な平面図である。
【図３】図２の１つのセンサ素子を拡大して示した模式的な平面図である。
【図４】図２の２つのセンサ素子を拡大して示した模式的な縦断面図である。
【図５】Ｙ方向に配置されたセンサ素子の各々における入射光の入射角を示す模式図である。
【図６】センサ素子のＹ方向の座標と、センサ素子の第１蓄積部及び第２蓄積部における電子の回収効率との関係を示す模式的なグラフ図である。
【図７】本開示の第１の実施形態に係る測距センサの構成を示す模式的な平面図である。
【図８】図７に示す第１制御線及び第２制御線の電圧降下による第１蓄積部及び第２蓄積部への影響を模式的に示すグラフ図である。
【図９】第１の変形例に係る測距センサの構成を示す模式的な平面図である。
【図１０】第２の変形例に係る測距センサの構成を示す模式的な平面図である。
【図１１Ａ】図７で示した測距センサの具体的な平面配置を模式的に示した平面図である。
【図１１Ｂ】図９で示した測距センサの具体的な平面配置を模式的に示した平面図である。
【図１１Ｃ】図１０で示した測距センサの具体的な平面配置を模式的に示した平面図である。
【図１２】第１の積層配置の測距センサの構成を模式的に示す斜視図である。
【図１３Ａ】図７で示した測距センサの第１の積層配置を模式的に示した平面図である。
【図１３Ｂ】図９で示した測距センサの第１の積層配置を模式的に示した平面図である。
【図１３Ｃ】図１０で示した測距センサの第１の積層配置を模式的に示した平面図である。
【図１４】第２の積層配置の測距センサの構成を模式的に示す斜視図である。
【図１５】図９で示した測距センサの第２の積層配置を模式的に示した平面図である。
【図１６】第３の積層配置の測距センサの構成を模式的に示す斜視図である。
【図１７】測距センサの第３の積層配置を模式的に示した平面図である。
【図１８】本開示の第２の実施形態に係る測距センサにおいて、Ｙ方向に配置されたセンサ素子の各々における入射光の入射角を示す模式図である。
【図１９Ａ】本開示の第２の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図１９Ｂ】本開示の第２の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図１９Ｃ】本開示の第２の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図１９Ｄ】本開示の第２の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図２０Ａ】本開示の第３の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図２０Ｂ】本開示の第３の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図２０Ｃ】本開示の第３の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【図２０Ｄ】本開示の第３の実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１６】
なお、以下の説明にて参照する各図面では、説明の便宜上、一部の構成部材の大きさを誇張して表現している場合がある。したがって、各図面において図示される構成部材同士の相対的な大きさは、必ずしも実際の構成部材同士の大小関係を正確に表現するものではない。
【００１７】
なお、説明は以下の順序で行うものとする。
０．測距センサの概要
１．第１の実施形態
１．１．測距センサの構成
１．２．測距センサの具体例
２．第２の実施形態
２．１．測距センサの構成
２．２．測距センサの具体例
３．第３の実施形態
【００１８】
＜０．測距センサの概要＞
図１及び図２を参照して、本開示に係る技術が適用される測距センサの概要について説明する。図１は、本開示に係る技術が適用される測距センサの概略構成を示す模式的な平面図である。
【００１９】
図１に示すように、測距センサ１１は、センサアレイ部１２と、グローバル制御部１３と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｎｖｅｒｔｅｒ）１５と、入出力部１６と、を備える。測距センサ１１は、これらのセンサアレイ部１２、グローバル制御部１３、ローリング制御部１４、カラムＡＤＣ１５、及び入出力部１６を１つのチップ上に設けることで構成される。測距センサ１１は、例えば、ＴｏＦ（Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ）センサであってもよい。
【００２０】
なお、以下では、図１においてセンサアレイ部１２及びローリング制御部１４が配列される方向にＸ軸を定義し、センサアレイ部１２及びグローバル制御部１３が配列される方向にＹ軸を定義する。また、グローバル制御部１３及びローリング制御部１４が設けられる側の方向をそれぞれ正の方向と定義する。例えば、センサアレイ部１２からローリング制御部１４へ向かうＸ軸方向をＸ方向とも称し、センサアレイ部１２からグローバル制御部１３へ向かうＹ軸方向をＹ方向とも称する。
【００２１】
センサアレイ部１２は、対象物との距離に関する情報を取得するセンサ素子がアレイ状に配列された矩形形状の領域である。例えば、センサアレイ部１２には、瞳分割による位相差を用いて対象物との距離情報を測定するセンサ素子が配列されていてもよい。
【００２２】
グローバル制御部１３は、センサアレイ部１２に配列された複数のセンサ素子を略同一のタイミングで一斉に（同時的に）駆動させるためのグローバル制御信号を出力する。例えば、図１では、グローバル制御部１３は、センサアレイ部１２の矩形形状の一辺に沿って、Ｘ方向に延伸して設けられる。
【００２３】
また、グローバル制御部１３からは、センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子の各々にグローバル制御信号を供給する制御線２１が延伸される。具体的には、制御線２１は、グローバル制御部１３が延伸するＸ方向と直交するＹ方向に延伸して配置され、センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子に対してグローバル制御信号を供給する。例えば、制御線２１は、行列状に配列されたセンサ素子に対して列ごとに（Ｙ方向のまとまりごとに）グローバル制御信号を供給してもよい。
【００２４】
ローリング制御部１４は、センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子を順次（逐次的に）駆動させるためのローリング制御信号を出力する。例えば、図１では、ローリング制御部１４は、センサアレイ部１２の矩形形状の一辺に沿って、Ｙ方向に延伸して設けられる。ローリング制御部１４は、行列状に配列されたセンサ素子を行ごとに（Ｘ方向のまとまりごとに）順番に駆動させるためのローリング制御信号を出力してもよい。
【００２５】
グローバル制御部１３は、センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子の駆動を一斉に制御するため、測距センサ１１では、例えば、対象物との距離情報を取得するセンサ素子の駆動制御に用いられ得る。特に、測距センサ１１がＴｏＦセンサである場合、センサアレイ部１２のセンサ素子の各々は、露光時に高速で駆動を制御される。このようなセンサ素子の駆動制御は、センサ素子を略同一のタイミングで一斉に駆動させるグローバル制御部１３によって行うことができる。
【００２６】
ローリング制御部１４は、センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子を順次走査しながら駆動を制御するため、測距センサ１１では、例えば、対象物の画像情報を取得するセンサ素子の駆動制御に用いられ得る。
【００２７】
カラムＡＤＣ１５は、センサアレイ部１２のセンサ素子の各々から出力されるセンサ信号を並列的にＡＤ変換する。具体的には、カラムＡＤＣ１５は、行列状に配列されたセンサ素子の各々から出力されるセンサ信号を列ごとに（Ｘ方向のまとまりごとに）アナログ信号からデジタル信号に変換する。
【００２８】
入出力部１６は、測距センサ１１と外部回路との間で入出力を行うための端子を備える。例えば、入出力部１６は、グローバル制御部１３の駆動に必要な電力を外部回路から入力されてもよい。また、入出力部１６は、センサアレイ部１２のセンサ素子の各々から出力されたセンサ信号を外部回路に出力してもよい。
【００２９】
続いて、図２〜図４を参照して、測距センサ１１のセンサアレイ部１２の具体的な構成について説明する。図２は、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の構成を説明する模式的な平面図である。図３は、図２の１つのセンサ素子を拡大して示した模式的な平面図であり、図４は、図２の２つのセンサ素子を拡大して示した模式的な縦断面図である。
【００３０】
図２に示すように、センサアレイ部１２は、矩形形状のセンサ素子１２０がＸ方向及びＹ方向に行列状に配列されて構成される。センサ素子１２０は、それぞれＹ方向に配列された第１蓄積部１２１及び第２蓄積部をそれぞれ備える。第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２は、センサ素子１２０にて発生した電子を蓄積及び回収する。
【００３１】
具体的には、図３に示すように、センサ素子１２０では、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の上に光電変換部２１０が設けられ、光電変換部２１０の上にオプティカルブラック３１２を含む光学調整層３１１と、マイクロレンズ３２０とが設けられる。例えば、センサ素子１２０は、裏面照射型構造にて設けられてもよい。
【００３２】
光電変換部２１０は、フォトダイオードであり、ｐ型不純物（例えば、ホウ素（Ｂ）又はアルミニウム（Ａｌ））を導入されたｐ型半導体領域の周囲を、ｎ型不純物（例えば、リン（Ｐ）又はヒ素（Ａｓ））を導入されたｎ型の半導体領域で囲むことで構成される。光電変換部２１０は、マイクロレンズ３２０を通って入射した光を光電変換する。光電変換された電子は、第１蓄積部１２１又は第２蓄積部１２２のいずれかに回収される。
【００３３】
光学調整層３１１は、オプティカルブラック３１２を含み、光電変換部２１０に入射する光を調整する。具体的には、光学調整層３１１は、クロム（Ｃｒ）又はカーボン（Ｃ）等の遮光性材料で形成されたオプティカルブラック３１２によって、隣接するセンサ素子１２０に迷光が入射することを防止してもよい。また、光学調整層３１１は、カラーフィルタを含み、該カラーフィルタによって、光電変換部２１０に入射する光の波長を制御してもよい。
【００３４】
マイクロレンズ３２０は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に対して１つ設けられる。マイクロレンズ３２０は、センサ素子１２０に入射する光を集光し、かつ瞳分割によって、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の各々に回収される電子量を対象物との距離に応じて変化させる。したがって、センサ素子１２０では、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の各々にて回収される電子量を比較することで、対象物との距離を測定することができる。
【００３５】
また、図４に示すように、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２には、それぞれグローバル制御部１３から延伸する第１制御線２１１及び第２制御線２１２が電気的に接続される。
【００３６】
第１制御線２１１は、Ｙ方向に延伸して設けられ、列ごとにセンサ素子１２０の各々の第１蓄積部１２１と電気的に接続する。第２制御線２１２は、同様にＹ方向に延伸して設けられ、列ごとにセンサ素子１２０の各々の第２蓄積部１２２と電気的に接続する。
【００３７】
第１制御線２１１及び第２制御線２１２は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に高電位又は低電位を交互に印加する。具体的には、第１制御線２１１が第１蓄積部１２１に高電位に印加した場合、第２制御線２１２は、第１制御線２１１が第１蓄積部１２１に印加した電位よりも低い電位を第２蓄積部１２２に印加する。また、第１制御線２１１が第１蓄積部１２１に低電位に印加した場合、第２制御線２１２は、第１制御線２１１が第１蓄積部１２１に印加した電位よりも高い電位を第２蓄積部１２２に印加する。印加電圧のこのような制御が交互に行われることにより、第１制御線２１１及び第２蓄積部１２２は、光電変換部２１０にて光電変換された電子を第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の各々から交互に回収することができる。したがって、センサ素子１２０は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にてそれぞれ回収された電子量を比較することで、対象物との距離を測定することができる。
【００３８】
ここで、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２は、一定方向（図２では、Ｙ方向）に並んで配列されるため、光電変換部２１０に入射する光の入射角度によっては、電子の回収効率に偏りが生じることがあり得る。このような事情について、図５及び図６を参照して説明する。図５は、Ｙ方向に配置されたセンサ素子１２０の各々における入射光の入射角を示す模式図である。図６は、センサ素子１２０のＹ方向の座標と、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２における電子の回収効率との関係を示す模式的なグラフ図である。
【００３９】
図５に示すように、例えば、センサアレイ部１２の中央付近に設けられるセンサ素子１２０Ｂでは、入射光は、測距センサ１１が設けられているチップのチップ面に対して、略垂直に入射する。そのため、センサ素子１２０Ｂでは、第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０、及び第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０に同様に光が入射する。
【００４０】
一方、センサアレイ部１２の上辺側（Ｙ軸の正方向側）に設けられるセンサ素子１２０Ａでは、入射光は、センサアレイ部１２の中央側から上辺側に向かって入射する。そのため、センサ素子１２０Ａでは、第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０よりも第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０に光が入射しやすい。また、センサアレイ部１２の下辺側（Ｙ軸の原点側）に設けられるセンサ素子１２０Ｃでは、入射光は、センサアレイ部１２の中央側から下辺側に向かって入射する。そのため、センサ素子１２０Ｃでは、第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０よりも第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に光が入射しやすい。
【００４１】
第１蓄積部１２１側又は第２蓄積部１２２側のいずれかの光電変換部２１０に入射光が偏って入射した場合、入射光を光電変換した電子の発生位置も第１蓄積部１２１側又は第２蓄積部１２２側のいずれかに偏ることになる。このような場合、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２では、電子の回収効率が均一ではなくなってしまう。
【００４２】
具体的には、図６に示すように、センサアレイ部１２の上辺側のセンサ素子１２０Ａでは、第１蓄積部１２１の電子の回収効率の方が第２蓄積部１２２の電子の回収効率よりも高くなってしまう。一方、センサアレイ部１２の下辺側のセンサ素子１２０Ｃでは、第２蓄積部１２２の電子の回収効率の方が第１蓄積部１２１の電子の回収効率よりも高くなってしまう。
【００４３】
すなわち、センサ素子１２０では、センサアレイ部１２のＹ方向（すなわち、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向）における位置によって、入射光の入射中心が変化するため、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２での電子の回収効率が変化してしまう。センサ素子１２０にて測定される距離情報の精度は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の各々における電子の回収効率と相関する。そのため、センサ素子１２０の各々で、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２での電子の回収効率が異なる場合、センサアレイ部１２で測定される距離情報の面内での精度ばらつきが大きくなってしまう。
【００４４】
本開示に係る技術は、上述した事情を鑑みて想到された。本開示に係る技術は、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で測定される距離情報の面内での精度ばらつきを抑制するものである。以下では、本開示に係る技術について、第１〜第３の実施形態に分けて説明する。
【００４５】
＜１．第１の実施形態＞
（１．１．測距センサの構成）
まず、図７〜図１０を参照して、本開示の第１の実施形態に係る測距センサの構成について説明する。図７は、本実施形態に係る測距センサの構成を示す模式的な平面図である。図８は、図７に示す第１制御線２１１及び第２制御線２１２の電圧降下による第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２への影響を模式的に示すグラフ図である。
【００４６】
図７に示すように、本実施形態に係る測距センサでは、第１制御線２１１にグローバル制御信号を出力する第１グローバル制御部１３１と、第２制御線２１２にグローバル制御信号を出力する第２グローバル制御部１３２と、が設けられる。第１グローバル制御部１３１からは第１蓄積部１２１にグローバル制御信号を供給する第１制御線２１１のみが延伸され、第２グローバル制御部１３２からは第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する第２制御線２１２のみが延伸される。
【００４７】
第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に互いに対向して設けられる。具体的には、第１グローバル制御部１３１は、第１蓄積部１２１が配列された側と対向する側（すなわち、センサアレイ部１２の下辺側）に設けられ、第２グローバル制御部１３２は、第２蓄積部１２２が配列された側と対向する側（すなわち、センサアレイ部１２の上辺側）に設けられる。
【００４８】
第１制御線２１１及び第２制御線２１２は、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２からそれぞれ櫛歯形状に延伸する。第１制御線２１１及び第２制御線２１２は、Ｘ方向に交互に設けられ、櫛歯形状に互いに噛み合うように設けられる。
【００４９】
本実施形態に係る測距センサでは、センサアレイ部１２の距離情報の面内での精度ばらつきを抑制するために、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２と電気的に接続する第１制御線２１１及び第２制御線２１２の配線方向を制御している。
【００５０】
具体的には、第１制御線２１１及び第２制御線２１２では、第１制御線２１１及び第２制御線２１２に接続された第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の抵抗の大きさと、第１制御線２１１及び第２制御線２１２を流れる電流の大きさとに基づく電圧降下（ＩＲドロップとも称される）が発生する。第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２における電子の回収効率は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に印加される電圧の大きさに相関するため、測距センサは、電圧降下を用いることでセンサ素子１２０の各々における電子の回収効率を制御することができる。
【００５１】
例えば、図７に示すように、センサアレイ部１２では、センサアレイ部１２の下辺に沿って設けられた第１グローバル制御部１３１からＹ方向に第１制御線２１１が配線され、センサアレイ部１２の上辺に沿って設けられた第２グローバル制御部１３２からＹ方向に第２制御線２１２が配線される。
【００５２】
このような場合、第１制御線２１１の末端側（すなわち、センサアレイ部１２の上辺側）の第１蓄積部１２１では、電圧降下により印加電圧が低下するため、電子の回収効率が低下する。また、第２制御線２１２の末端側（すなわち、センサアレイ部１２の下辺側）の第２蓄積部１２２では、電圧降下により印加電圧が低下するため、電子の回収効率が低下する。
【００５３】
すなわち、図８に示すように、第１制御線２１１及び第２制御線２１２の電圧降下によって、センサアレイ部１２の上辺側のセンサ素子１２０では、第１蓄積部１２１の電子の回収効率が低く、かつ第２蓄積部１２２の電子の回収効率が高くなる。一方、センサアレイ部１２の下辺側のセンサ素子１２０では、第２蓄積部１２２の電子の回収効率が低く、かつ第１蓄積部１２１の電子の回収効率が高くなる。
【００５４】
本実施形態に係る測距センサでは、電圧降下による第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の電子の回収効率の差を用いて、図６で示したセンサ素子１２０の配置に起因する第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２での電子の回収効率の差を相殺することができる。これによれば、本実施形態に係る測距センサでは、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で測定される距離情報の面内での精度ばらつきを抑制することが可能である。
【００５５】
なお、上述したように、電圧降下による電子の回収効率の差によって、センサ素子１２０の配置に起因する電子の回収効率の差を相殺するためには、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２を第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２と対向する側に設けることが重要となる。具体的には、第１グローバル制御部１３１を第１蓄積部１２１が配列された側と対向する側に設け、第２グローバル制御部１３２を第２蓄積部１２２が配列された側と対向する側に設けることが重要となる。
【００５６】
したがって、例えば、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２がＹ方向に配列されており、第１蓄積部１２１がセンサアレイ部１２の左辺側に設けられる場合、第１グローバル制御部１３１は、センサアレイ部１２の右辺に沿って設けられ、第２グローバル制御部１３２がセンサアレイ部１２の左辺に沿って設けられることになる。
【００５７】
続いて、図９及び図１０を参照して、本実施形態に係る測距センサの変形例について説明する。図９は、第１の変形例に係る測距センサの構成を示す模式的な平面図である。図１０は、第２の変形例に係る測距センサの構成を示す模式的な平面図である。
【００５８】
（第１の変形例）
図９に示すように、第１の変形例に係る測距センサでは、複数のグローバル制御部１３３、１３４が設けられ、グローバル制御部１３３、１３４の各々から制御線２１３、２１４が延伸される。グローバル制御部１３３からは、一部のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する制御線２１３が延伸され、グローバル制御部１３４からは、残部のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する制御線２１４が延伸される。
【００５９】
複数のグローバル制御部１３３、１３３は、互いに対向して設けられる。例えば、図９では、グローバル制御部１３３は、センサアレイ部１２の上辺側に設けられ、グローバル制御部１３４は、センサアレイ部１２の下辺側に設けられる。
【００６０】
制御線２１３、２１４は、グローバル制御部１３３、１３４からそれぞれセンサアレイ部１２の略中央付近まで延伸する。すなわち、グローバル制御部１３３は、制御線２１３によってセンサアレイ部１２の上半分のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する。一方、グローバル制御部１３４は、制御線２１４によってセンサアレイ部１２の下半分のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する。
【００６１】
第１の変形例に係る測距センサでは、グローバル制御部１３３、１３４の各々からグローバル制御信号を供給するセンサ素子１２０の数が略半分となる。したがって、グローバル制御部１３３、１３４から延伸する制御線２１３、２１３では、接続される抵抗源（第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２）の数が略半分となるため、発生する電圧降下の度合を抑制することができる。これによれば、第１の変形例に係る測距センサでは、制御線２１３、２１４の電圧降下に起因するセンサ素子１２０の各々における電子の回収効率の低下を抑制することができる。
【００６２】
（第２の変形例）
図１０に示すように、第２の変形例に係る測距センサでは、複数のグローバル制御部１３５、１３６が設けられ、グローバル制御部１３５、１３６の各々から制御線２１５、２１６が延伸される。グローバル制御部１３５からは、一部のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する制御線２１５が延伸され、グローバル制御部１３６からは、残部のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給する制御線２１４が延伸される。
【００６３】
複数のグローバル制御部１３５、１３６は、センサアレイ部１２の互いに隣接する辺に沿って設けられる。例えば、図１０では、グローバル制御部１３５は、センサアレイ部１２の左辺側に設けられ、グローバル制御部１３６は、センサアレイ部１２の下辺側に設けられる。
【００６４】
制御線２１５、２１６は、グローバル制御部１３５、１３６から互いに直交する方向に延伸する。制御線２１５、２１６は、センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に交互にグローバル制御信号を供給する。具体的には、制御線２１５、２１６は、行列状に配列されたセンサ素子１２０の行及び列の両方で交互に配置されたセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２にグローバル制御信号を供給してもよい。
【００６５】
第２の変形例に係る測距センサでは、グローバル制御部１３５、１３６の各々からグローバル制御信号を供給するセンサ素子１２０の数が略半分となる。したがって、グローバル制御部１３５、１３６から延伸する制御線２１５、２１６では、接続される抵抗源（第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２）の数が略半分となるため、発生する電圧降下の度合を抑制することができる。
【００６６】
また、第２の変形例に係る測距センサでは、制御線２１５、２１６が互い直交する方向に延伸して設けられるため、制御線２１５、２１６によって電圧降下が発生する方向を互いに直交する方向とすることができる。これによれば、第２の変形例に係る測距センサでは、制御線２１５、２１６の電圧降下に起因するセンサ素子１２０の各々における電子の回収効率の異方性を低下させることができる。
【００６７】
よって、第２の変形例に係る測距センサでは、制御線２１５、２１６の電圧降下に起因するセンサ素子１２０の各々における電子の回収効率の低下を抑制することができる。
【００６８】
（１．２．測距センサの具体例）
続いて、図１１Ａ〜図１７を参照して、本実施形態に係る測距センサの具体例について説明する。
【００６９】
まず、図１１Ａ〜図１１Ｃを参照して、平面配置の場合の本実施形態に係る測距センサの具体例について説明する。図１１Ａは、図７で示した測距センサの具体的な平面配置を模式的に示した平面図である。図１１Ｂは、図９で示した測距センサの具体的な平面配置を模式的に示した平面図である。図１１Ｃは、図１０で示した測距センサの具体的な平面配置を模式的に示した平面図である。
【００７０】
図７で示す測距センサは、図１１Ａに示すような平面配置で各構成を設けることで、１つのチップ上に形成され得る。
【００７１】
図１１Ａに示すように、測距センサは、センサアレイ部１２と、第１グローバル制御部１３１と、第２グローバル制御部１３２と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、入出力部１６と、を備える。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【００７２】
図１１Ａに示すように、第１グローバル制御部１３１は、矩形形状のセンサアレイ部１２の下辺に沿って設けられ、第２グローバル制御部１３２は、センサアレイ部１２の上辺に沿って設けられる。第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２からは、互いに対向する側に向かって、第１制御線２１１及び第２制御線２１２が櫛歯形状に延伸して設けられる。
【００７３】
また、ローリング制御部１４は、センサアレイ部１２の右辺に沿って設けられる。さらに、入出力部１６は、第２グローバル制御部１３２と同様の方向に延伸して、第２グローバル制御部１３２よりも測距センサの外周側に設けられ、カラムＡＤＣは、第１グローバル制御部１３１と同様の方向に延伸して、第１グローバル制御部１３１よりも測距センサの外周側に設けられる。
【００７４】
図９で示す測距センサは、図１１Ｂに示すような平面配置で各構成を設けることで、１つのチップ上に形成され得る。
【００７５】
図１１Ｂに示すように、測距センサは、センサアレイ部１２と、複数のグローバル制御部１３３、１３４と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、入出力部１６と、を備える。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【００７６】
図１１Ｂに示すように、グローバル制御部１３３は、矩形形状のセンサアレイ部１２の下辺に沿って設けられ、グローバル制御部１３４は、センサアレイ部１２の上辺に沿って設けられる。グローバル制御部１３３、１３４からは、互いに対向する側に向かってセンサアレイ部１２の中央付近まで制御線２１３、２１４が延伸して設けられる。制御線２１３、２１４は、それぞれ異なるセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に対してグローバル制御信号を供給する。具体的には、制御線２１３は、センサアレイ部１２の上半分の領域のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に対してグローバル制御信号を供給し、制御線２１４は、センサアレイ部１２の下半分の領域のセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に対してグローバル制御信号を供給する。
【００７７】
また、ローリング制御部１４は、センサアレイ部１２の右辺に沿って設けられる。さらに、入出力部１６は、グローバル制御部１３３と同様の方向に延伸して、グローバル制御部１３３よりも測距センサの外周側に設けられ、カラムＡＤＣは、グローバル制御部１３４と同様の方向に延伸して、グローバル制御部１３４よりも測距センサの外周側に設けられる。
【００７８】
図１０で示す測距センサは、図１１Ｃに示すような平面配置で各構成を設けることで、１つのチップ上に形成され得る。
【００７９】
図１１Ｃに示すように、測距センサは、センサアレイ部１２と、複数のグローバル制御部１３５、１３６と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、入出力部１６と、を備える。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【００８０】
図１１Ｃに示すように、グローバル制御部１３５は、矩形形状のセンサアレイ部１２の左辺に沿って設けられ、グローバル制御部１３６は、センサアレイ部１２の下辺に沿って設けられる。グローバル制御部１３５、１３６からは、制御線２１３、２１４が互いに直交する方向に延伸して設けられる。制御線２１５、２１６は、それぞれ異なるセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に対してグローバル制御信号を供給する。具体的には、制御線２１５、２１６は、それぞれセンサアレイ部１２の行方向及び列方向に互いに交互に配置されたセンサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に対してグローバル制御信号を供給する。
【００８１】
また、ローリング制御部１４は、センサアレイ部１２の右辺に沿って設けられる。さらに、入出力部１６は、センサアレイ部１２の上辺に沿って設けられる。カラムＡＤＣは、グローバル制御部１３６と同様の方向に延伸して、グローバル制御部１３６よりも測距センサの外周側に設けられる。
【００８２】
次に、図１２〜図１３Ｃを参照して、第１の積層配置の場合の本実施形態に係る測距センサの具体例について説明する。図１２は、第１の積層配置の測距センサの構成を模式的に示す斜視図である。図１３Ａは、図７で示した測距センサの第１の積層配置を模式的に示した平面図である。図１３Ｂは、図９で示した測距センサの第１の積層配置を模式的に示した平面図である。図１３Ｃは、図１０で示した測距センサの第１の積層配置を模式的に示した平面図である。
【００８３】
図１２に示すように、第１の積層配置の測距センサは、センサアレイ部１２が形成されるセンサチップ５１と、グローバル制御部１３が形成されるロジックチップ５２とが積層される構造を備える。センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子１２０の各々にグローバル制御信号を供給する制御線２１は、センサアレイ部１２の外部領域に設けられたチップ間接続構造によって、ロジックチップ５２に形成されたグローバル制御部１３と電気的に接続される。チップ間接続構造は、例えば、チップ間に形成された貫通電極又は電極間の接合構造（Ｃｕ−Ｃｕ接続又はマイクロバンプ）等であってもよい。
【００８４】
図７で示す測距センサは、図１３Ａに示すような積層配置で各構成を設けることで、複数のチップに亘って形成され得る。
【００８５】
図１３Ａに示すように、センサチップ５１には、センサアレイ部１２と、ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３と、が設けられ、ロジックチップ５２には、第１グローバル制御部１３１と、第２グローバル制御部１３２と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、ロジック回路１７と、ＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３と、が設けられる。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【００８６】
例えば、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０から出力された信号は、カラムＡＤＣ１５でＡＤ変換され、ロジック回路１７で各種信号処理が施された後、外部回路等に出力される。ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３及びＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３は、センサチップ５１及びロジックチップ５２を電気的に接続するためのチップ間接続構造が形成される領域である。ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３及びＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３には、例えば、貫通電極が設けられてもよい。
【００８７】
これによれば、第１グローバル制御部１３１は、ＴＳＶ領域５３３、５４３を介して、第１制御線２１１と電気的に接続し、第２グローバル制御部１３２は、ＴＳＶ領域５３１、５４１を介して、第２制御線２１２と電気的に接続することができる。また、ローリング制御部１４は、ＴＳＶ領域５３２、５４２を介して、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々と電気的に接続することができる。
【００８８】
ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３は、センサチップ５１の外周側に設けられ、ＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３は、ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３と対応するように、ロジックチップ５２の外周側に設けられる。第１グローバル制御部１３１、第２グローバル制御部１３２、及びローリング制御部１４は、それぞれＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３の内周側に設けられてもよい。ロジック回路１７及びカラムＡＤＣ１５は、第１グローバル制御部１３１、第２グローバル制御部１３２、及びローリング制御部１４の内周側に設けられてもよい。
【００８９】
図９で示す測距センサは、図１３Ｂに示すような積層配置で各構成を設けることで、複数のチップに亘って形成され得る。
【００９０】
図１３Ｂに示すように、センサチップ５１には、センサアレイ部１２と、ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３と、が設けられ、ロジックチップ５２には、グローバル制御部１３３、１３４と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、ロジック回路１７と、ＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３と、が設けられる。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【００９１】
例えば、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０から出力された信号は、カラムＡＤＣ１５でＡＤ変換され、ロジック回路１７で各種信号処理が施された後、外部回路等に出力される。ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３及びＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３は、センサチップ５１及びロジックチップ５２を電気的に接続するためのチップ間接続構造が形成される領域である。ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３及びＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３には、例えば、貫通電極が設けられてもよい。
【００９２】
これによれば、グローバル制御部１３３は、ＴＳＶ領域５３１、５４１を介して、制御線２１３と電気的に接続し、グローバル制御部１３４は、ＴＳＶ領域５３３、５４３を介して、制御線２１４と電気的に接続することができる。また、ローリング制御部１４は、ＴＳＶ領域５３２、５４２を介して、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々と電気的に接続することができる。
【００９３】
ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３は、センサチップ５１の外周側に設けられ、ＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３は、ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３と対応するように、ロジックチップ５２の外周側に設けられる。グローバル制御部１３３、１３４、及びローリング制御部１４は、それぞれＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３の内周側に設けられてもよい。ロジック回路１７及びカラムＡＤＣ１５は、グローバル制御部１３３、１３４、及びローリング制御部１４の内周側に設けられてもよい。
【００９４】
図１０で示す測距センサは、図１３Ｃに示すような積層配置で各構成を設けることで、複数のチップに亘って形成され得る。
【００９５】
図１３Ｃに示すように、センサチップ５１には、センサアレイ部１２と、ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３と、が設けられ、ロジックチップ５２には、グローバル制御部１３５、１３６と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、ロジック回路１７と、ＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３と、が設けられる。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【００９６】
例えば、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０から出力された信号は、カラムＡＤＣ１５でＡＤ変換され、ロジック回路１７で各種信号処理が施された後、外部回路等に出力される。ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３及びＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３は、センサチップ５１及びロジックチップ５２を電気的に接続するためのチップ間接続構造が形成される領域である。ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３及びＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３には、例えば、貫通電極が設けられてもよい。
【００９７】
これによれば、グローバル制御部１３５は、ＴＳＶ領域５３１、５４１を介して、制御線２１５と電気的に接続し、グローバル制御部１３６は、ＴＳＶ領域５３２、５４２を介して、制御線２１６と電気的に接続することができる。また、ローリング制御部１４は、ＴＳＶ領域５３３、５４３を介して、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々と電気的に接続することができる。
【００９８】
ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３は、センサチップ５１の外周側に設けられ、ＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３は、ＴＳＶ領域５３１、５３２、５３３と対応するように、ロジックチップ５２の外周側に設けられる。グローバル制御部１３５、１３６、及びローリング制御部１４は、それぞれＴＳＶ領域５４１、５４２、５４３の内周側に設けられてもよい。ロジック回路１７は、グローバル制御部１３５及びローリング制御部１４の内周側に設けられ、カラムＡＤＣ１５は、グローバル制御部１３６の内周側に設けられてもよい。
【００９９】
次に、図１４〜図１５を参照して、第２の積層配置の場合の本実施形態に係る測距センサの具体例について説明する。図１４は、第２の積層配置の測距センサの構成を模式的に示す斜視図である。図１５は、図９で示した測距センサの第２の積層配置を模式的に示した平面図である。
【０１００】
図１４に示すように、第２の積層配置の測距センサは、センサアレイ部１２が形成されるセンサチップ５１と、グローバル制御部１３が形成されるロジックチップ５２とが積層される構造を備える。センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子１２０の各々にグローバル制御信号を供給する制御線２１は、センサアレイ部１２の中央付近に設けられたチップ間接続構造によって、ロジックチップ５２に形成されたグローバル制御部１３と電気的に接続される。チップ間接続構造は、例えば、チップ間に形成された貫通電極又は電極間の接合構造（Ｃｕ−Ｃｕ接続又はマイクロバンプ）等であってもよい。チップ間接続構造は、構造の大きさ又は形成方法によっては、センサアレイ部１２の内部に形成することが可能である。
【０１０１】
図９で示す測距センサは、図１５に示すような積層配置で各構成を設けることで、複数のチップに亘って形成され得る。
【０１０２】
図１５に示すように、センサチップ５１には、センサアレイ部１２と、ＴＳＶ領域５３１、５３２と、が設けられ、ロジックチップ５２には、グローバル制御部１３３、１３４と、ローリング制御部１４と、カラムＡＤＣ１５と、ロジック回路１７と、ＴＳＶ領域５４１、５４２と、が設けられる。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【０１０３】
例えば、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０から出力された信号は、カラムＡＤＣ１５でＡＤ変換され、ロジック回路１７で各種信号処理が施された後、外部回路等に出力される。ＴＳＶ領域５３１、５３２及びＴＳＶ領域５４１、５４２は、センサチップ５１及びロジックチップ５２を電気的に接続するためのチップ間接続構造が形成される領域である。ＴＳＶ領域５３１、５３２及びＴＳＶ領域５４１、５４２には、例えば、貫通電極が設けられていてもよい。
【０１０４】
グローバル制御部１３３は、センサアレイ部１２の内部に形成されたチップ間接続構造を介して、制御線２１３と電気的に接続し、グローバル制御部１３４は、センサアレイ部１２の内部に形成されたチップ間接続構造を介して、制御線２１４と電気的に接続することができる。また、ローリング制御部１４は、ＴＳＶ領域５３１、５４１を介して、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々と電気的に接続し、カラムＡＤＣ１５は、ＴＳＶ領域５３２、５４２を介して、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々と電気的に接続することができる。
【０１０５】
ＴＳＶ領域５３１、５３２は、センサチップ５１の外周側に設けられ、ＴＳＶ領域５４１、５４２は、ＴＳＶ領域５３１、５３２と対応するように、ロジックチップ５２の外周側に設けられる。ローリング制御部１４及びカラムＡＤＣ１５は、それぞれＴＳＶ領域５４１、５４２の内周側に設けられてもよい。グローバル制御部１３３、１３４は、センサアレイ部１２の中央領域と対応するように、ロジックチップ５２の中央付近に設けられてもよい。
【０１０６】
続いて、図１６〜図１７を参照して、第３の積層配置の場合の本実施形態に係る測距センサの具体例について説明する。図１６は、第３の積層配置の測距センサの構成を模式的に示す斜視図である。図１７は、測距センサの第３の積層配置を模式的に示した平面図である。
【０１０７】
図１６に示すように、第３の積層配置の測距センサは、センサアレイ部１２が形成されるセンサチップ５１と、グローバル制御部１３が形成されるロジックチップ５２とが積層される構造を備える。センサアレイ部１２に配列されたセンサ素子１２０の各々にグローバル制御信号を供給する制御線２１は、センサ素子１２０の各々に設けられたチップ間接続構造によって、ロジックチップ５２に形成されたグローバル制御部１３と電気的に接続される。チップ間接続構造は、例えば、チップ間に形成された貫通電極又は電極間の接合構造（Ｃｕ−Ｃｕ接続又はマイクロバンプ）等であってもよい。チップ間接続構造は、構造の大きさ又は形成方法によっては、センサ素子１２０ごとに形成することが可能である。
【０１０８】
測距センサは、図１７に示すような積層配置で各構成を設けることで、複数のチップに亘って形成することができる。
【０１０９】
図１７に示すように、センサチップ５１には、センサアレイ部１２と、ＴＳＶ領域５３１と、が設けられ、ロジックチップ５２には、複数のグローバル制御部１３７と、ローリング制御部１４と、ＴＳＶ領域５４１と、が設けられる。各構成の機能については、上述したとおりであるため、ここでの説明は省略する。
【０１１０】
例えば、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０から出力された信号は、センサ素子１２０ごとにＡＤ変換された（いわゆる、画素ＡＤＣによってＡＤ変換された）後、外部回路等に出力される。ＴＳＶ領域５３１及びＴＳＶ領域５４１は、センサチップ５１及びロジックチップ５２を電気的に接続するためのチップ間接続構造が形成される領域である。ＴＳＶ領域５３１、５３２及びＴＳＶ領域５４１、５４２には、例えば、貫通電極が設けられてもよい。
【０１１１】
グローバル制御部１３７は、センサ素子１２０ごとに形成されたチップ間接続構造を介して、センサ素子１２０と電気的に接続することができる。また、ローリング制御部１４は、ＴＳＶ領域５３１、５４１を介して、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々と電気的に接続することができる。
【０１１２】
ＴＳＶ領域５３１は、センサチップ５１の外周側に設けられ、ＴＳＶ領域５４１は、ＴＳＶ領域５３１と対応するように、ロジックチップ５２の外周側に設けられる。ローリング制御部１４は、ＴＳＶ領域５４１の内周側に設けられてもよい。グローバル制御部１３７は、センサアレイ部１２が形成された領域と対応するように、ロジックチップ５２の全体に亘って設けられてもよい。
【０１１３】
＜２．第２の実施形態＞
（２．１．測距センサの構成）
次に、図１８を参照して、本開示の第２の実施形態に係る測距センサの構成について説明する。図１８は、第２の実施形態に係る測距センサにおいて、Ｙ方向に配置されたセンサ素子１２０の各々における入射光の入射角を示す模式図である。
【０１１４】
図１８に示すように、本実施形態に係る測距センサでは、マイクロレンズ３２０の中心位置をセンサ素子１２０の中心位置から偏移させる（シフトさせる）ことによって、入射光が第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０、及び第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に同様に入射するようにする。すなわち、本実施形態に係る測距センサでは、入射光の入射中心が変化しないように、センサアレイ部１２のＹ方向（すなわち、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向）における位置に応じてマイクロレンズ３２０の配置をシフトさせている。
【０１１５】
具体的には、図１８に示すように、センサアレイ部１２の上辺側のセンサ素子１２０Ａでは、入射光は、センサアレイ部１２の中央側から上辺側に向かって入射する。したがって、第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０よりも第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０に光が入射しやすい。そこで、センサ素子１２０Ａでは、マイクロレンズ３２０をセンサアレイ部１２の中央側に偏移させることによって、入射光が第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０、及び第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に均一に入射するようにする。
【０１１６】
また、センサアレイ部１２の下辺側のセンサ素子１２０Ｃでは、入射光は、センサアレイ部１２の中央側から下辺側に向かって入射する。したがって、第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０よりも第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に光が入射しやすい。そこで、センサ素子１２０Ｃでは、マイクロレンズ３２０をセンサアレイ部１２の中央側に偏移させることによって、入射光が第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０、及び第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に均一に入射するようにする。
【０１１７】
なお、センサアレイ部１２の中央付近に設けられるセンサ素子１２０Ｂでは、入射光は、第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０、及び第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に同様に光が入射する。そのため、センサ素子１２０Ｂでは、マイクロレンズ３２０の位置は、偏移させずともよい。
【０１１８】
本実施形態に係る測距センサでは、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で、入射光が第１蓄積部１２１側の光電変換部２１０、及び第２蓄積部１２２側の光電変換部２１０に均一に入射するようにマイクロレンズ３２０の位置を制御する。これによれば、本実施形態に係る測距センサでは、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で、第１蓄積部１２１の電子の回収効率と、第２蓄積部１２２の電子の回収効率とを均一にすることができる。
【０１１９】
具体的には、センサ素子１２０の各々におけるマイクロレンズ３２０の位置は、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に異方性を持つように偏移されてもよい。または、センサ素子１２０の各々におけるマイクロレンズ３２０の位置は、センサアレイ部１２の中心に対して、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に対称となるように偏移されていてもよい。もしくは、センサ素子１２０の各々におけるマイクロレンズ３２０の位置は、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２の配置に基づいて異方性を持つように偏移されてもよい。これによれば、本実施形態に係る測距センサでは、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で測定される距離情報の面内での精度ばらつきを抑制することが可能である。
【０１２０】
続いて、図１９Ａ〜図１９Ｄを参照して、本実施形態に係る測距センサの具体例について説明する。図１９Ａ〜図１９Ｄは、本実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【０１２１】
図１９Ａに示すように、本実施形態に係る測距センサでは、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に異方性を持つように配置が偏移されたマイクロレンズ群３２１が設けられてもよい。具体的には、マイクロレンズ群３２１では、マイクロレンズ３２０の中心位置は、センサアレイ部１２の中心からＹ方向に離れるほど、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に寄るように偏移してもよい。例えば、マイクロレンズ３２０の中心位置は、センサアレイ部１２の中心からのＹ方向の距離に応じた関数に基づいて、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に偏移してもよい。
【０１２２】
これによれば、本実施形態に係る測距センサは、マイクロレンズ３２０の配置を一方向にシフトさせることで、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に入射する光の偏りを補正することが可能である。
【０１２３】
また、図１９Ｂに示すように、本実施形態に係る測距センサでは、同心円状に配置が偏移されたマイクロレンズ群３２２が設けられてもよい。具体的には、マイクロレンズ群３２２では、マイクロレンズ３２０の中心位置は、センサアレイ部１２の中心から離れるほど、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に寄るように偏移してもよい。例えば、マイクロレンズ３２０の中心位置は、センサアレイ部１２の中心からの距離に応じた関数に基づいて、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に偏移してもよい。
【０１２４】
これによれば、本実施形態に係る測距センサは、マイクロレンズ３２０の配置を全方向にシフトさせることで、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に入射する光の偏りをより高い精度で補正することが可能である。
【０１２５】
また、図１９Ｃに示すように、本実施形態に係る測距センサでは、センサアレイ部１２の一部領域のみに、マイクロレンズ３２０の配置が偏移されたマイクロレンズ群３２３が設けられてもよい。具体的には、マイクロレンズ群３２３は、センサアレイ部１２の上半分に設けられ、マイクロレンズ３２０の中心位置は、センサアレイ部１２の中心からＹ方向に離れるほど、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に寄るように偏移してもよい。例えば、マイクロレンズ群３２３のマイクロレンズ３２０の中心位置は、センサアレイ部１２の中心からのＹ方向の距離に応じた関数に基づいて、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に偏移してもよい。
【０１２６】
これによれば、本実施形態に係る測距センサは、センサアレイ部１２の一部領域のマイクロレンズ３２０の配置をシフトさせることで、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に入射する光の偏りを簡易的に補正することが可能である。
【０１２７】
さらに、図１９Ｄに示すように、本実施形態に係る測距センサでは、異なる関数にて偏移量が制御されたマイクロレンズ群３２４、３２５が設けられてもよい。具体的には、マイクロレンズ群３２４、３２５では、マイクロレンズ３２０の中心位置は、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に異方性を持つようにセンサ素子１２０の中心位置から配置が偏移される。また、マイクロレンズ群３２４のマイクロレンズ３２０の中心位置と、マイクロレンズ群３２５のマイクロレンズ３２０の中心位置とは、センサアレイ部１２の中心からのＹ方向の距離に応じた異なる関数に基づいて、センサ素子１２０の中心位置からセンサアレイ部１２の中心側に寄るように偏移されてもよい。
【０１２８】
これによれば、本実施形態に係る測距センサは、マイクロレンズ３２０の配置をセンサアレイ部１２の領域ごとにシフトさせることで、センサ素子１２０の第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２に入射する光の偏りをより精密に補正することが可能である。
【０１２９】
＜３．第３の実施形態＞
続いて、図２０Ａ〜図２０Ｄを参照して、本開示の第３の実施形態に係る測距センサの構成について説明する。図２０Ａ〜図２０Ｄは、本実施形態に係る測距センサの具体例を模式的に示す平面図である。
【０１３０】
本実施形態に係る測距センサは、第１の実施形態と、第２の実施形態とを組み合わせることで、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で測定される距離情報の面内での精度ばらつきをさらに抑制するものである。具体的には、本実施形態に係る測距センサでは、第１制御線２１１及び第２制御線２１２の電圧降下と、マイクロレンズ３２０の配置の偏移との両方を用いて、センサ素子１２０の配置に起因する第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２での電子の回収効率の差を補正する。
【０１３１】
図２０Ａに示すように、例えば、本実施形態に係る測距センサは、図７に示すような第１制御線２１１及び第２制御線２１２を備える測距センサと、図１９Ａに示すようなマイクロレンズを備える測距センサとを組み合わせることで構成されてもよい。具体的には、図２０Ａに示す測距センサは、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に対向して設けられた第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２と、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２から櫛歯形状に延伸する第１制御線２１１及び第２制御線２１２と、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向にセンサ素子１２０の中心位置から中心位置を偏移させて設けられたマイクロレンズ群３２１と、を備えてもよい。
【０１３２】
また、図２０Ｂに示すように、例えば、本実施形態に係る測距センサは、図７に示すような第１制御線２１１及び第２制御線２１２を備える測距センサと、図１９Ｂに示すようなマイクロレンズを備える測距センサとを組み合わせることで構成されてもよい。具体的には、図２０Ｂに示す測距センサは、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に対向して設けられた第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２と、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２から櫛歯形状に延伸する第１制御線２１１及び第２制御線２１２と、同心円状にセンサ素子１２０の中心位置から中心位置を偏移させて設けられたマイクロレンズ群３２２と、を備えてもよい。
【０１３３】
また、図２０Ｃに示すように、例えば、本実施形態に係る測距センサは、図７に示すような第１制御線２１１及び第２制御線２１２を備える測距センサと、図１９Ｃに示すようなマイクロレンズを備える測距センサとを組み合わせることで構成されてもよい。具体的には、図２０Ｃに示す測距センサは、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に対向して設けられた第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２と、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２から櫛歯形状に延伸する第１制御線２１１及び第２制御線２１２と、センサ素子１２０の中心位置から中心位置を偏移させて、センサアレイ部１２の一部領域に設けられたマイクロレンズ群３２３と、を備えてもよい。
【０１３４】
さらに、例えば、図２０Ｄに示すように、本実施形態に係る測距センサは、図７に示すような第１制御線２１１及び第２制御線２１２を備える測距センサと、図１９Ｄに示すようなマイクロレンズを備える測距センサとを組み合わせることで構成されてもよい。具体的には、図２０Ｄに示す測距センサは、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２の配列方向に対向して設けられた第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２と、第１グローバル制御部１３１及び第２グローバル制御部１３２から櫛歯形状に延伸する第１制御線２１１及び第２制御線２１２と、異なる関数に基づいてセンサ素子１２０の中心位置から中心位置を偏移させて設けられたマイクロレンズ群３２４、３２５と、を備えてもよい。
【０１３５】
図２０Ａ〜図２０Ｄに示す測距センサによれば、第１蓄積部１２１及び第２蓄積部１２２における電子の回収効率を面内で均一化することで、センサアレイ部１２のセンサ素子１２０の各々で測定される距離情報の面内での精度ばらつきをより抑制することが可能である。
【０１３６】
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１３７】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【０１３８】
なお、以下のような第１の構成及び第２の構成、並びにその組み合わせも本開示の技術的範囲に属する。
（第１の構成）
（１）
入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第１蓄積部の各々と電気的に接続する第１制御線と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第２蓄積部の各々と電気的に接続する第２制御線と、
前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第１制御線及び前記第２制御線に印加される電圧を制御するグローバル制御部と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の前記入射光が入射する面側に設けられた光電変換部及びマイクロレンズと、
を備える、測距センサ。
（２）
前記マイクロレンズは、前記センサ素子ごとに設けられる、前記（１）に記載の測距センサ。
（３）
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子と前記センサアレイ部の中心との距離に基づいて、前記センサ素子の中心位置から中心位置を偏移させて設けられる、前記（２）に記載の測距センサ。
（４）
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子と前記センサアレイ部の中心との距離が長くなるほど、前記センサ素子の中心位置から前記センサアレイ部の中心側に中心位置を偏移させて設けられる、前記（３）に記載の測距センサ。
（５）
前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記グローバル制御部の位置に基づいて、前記センサ素子の中心位置から中心位置を偏移させて設けられる、前記（２）に記載の測距センサ。
（６）
前記センサアレイ部の全体又は一部の前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズは、前記センサ素子の中心位置から同一の関数に基づいて偏移する、前記（２）〜（５）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（７）
前記センサアレイ部の全体の前記センサ素子の各々における前記マイクロレンズの中心位置は、前記センサ素子の中心位置から異なる関数に基づいて偏移する、前記（２）〜（５）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（８）
前記センサ素子は、裏面照射型構造の前記光電変換部によって前記入射光を光電変換する、前記（１）〜（７）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（９）
前記センサアレイ部は、矩形形状の領域に設けられる、前記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（１０）
前記グローバル制御部は、前記第１制御線及び前記第２制御線の一方に印加される電圧よりも高い電圧を前記第１制御線及び前記第２制御線の他方に印加する、前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（１１）
入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第１蓄積部の各々と電気的に接続する第１制御線と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の配列方向に延伸し、前記第２蓄積部の各々と電気的に接続する第２制御線と、
前記センサアレイ部の周縁に設けられ、前記第１制御線及び前記第２制御線に印加される電圧を制御するグローバル制御部と、
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の前記入射光が入射する面側に設けられた光電変換部及びマイクロレンズと、
を備える、タイムオブフライトセンサ。
（第２の構成）
（１）
入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、
前記センサ素子の各々の前記第１蓄積部と電気的に接続する第１制御線と、
前記センサ素子の各々の前記第２蓄積部と電気的に接続する第２制御線と、
前記センサアレイ部の周縁の異なる位置に複数設けられ、前記第１制御線及び前記第２制御線に印加される電圧を制御するグローバル制御部と、
を備える、測距センサ。
（２）
前記センサアレイ部は、矩形形状の領域に設けられ、
前記グローバル制御部の各々は、それぞれ前記センサアレイ部の前記矩形形状の辺に沿って設けられる、前記（１）に記載の測距センサ。
（３）
前記グローバル制御部は、前記第１蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の辺に沿って設けられ、前記第１制御線に印加される電圧を制御する第１グローバル制御部と、前記第２蓄積部が配列された側と対向する側の前記センサアレイ部の辺に沿って設けられ、前記第２制御線に印加される電圧を制御する第２グローバル制御部と、を含む、前記（２）に記載の測距センサ。
（４）
前記第１制御線及び前記第２制御線は、互いに対向する前記第１グローバル制御部又は前記第２グローバル制御部から延伸する櫛歯形状にて設けられる、前記（３）に記載の測距センサ。
（５）
前記グローバル制御部の各々は、それぞれ前記センサアレイ部の前記矩形形状の互いに対向する辺に沿って設けられ、
前記グローバル制御部の各々は、前記グローバル制御部の各々が設けられた側の前記センサ素子の前記第１制御線及び前記第２制御線に印加される電圧を制御する、前記（２）に記載の測距センサ。
（６）
異なる前記グローバル制御部の各々から前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部に電圧を印加される前記センサ素子の数は、略同じである、前記（５）に記載の測距センサ。
（７）
前記グローバル制御部の各々は、それぞれ前記センサアレイ部の前記矩形形状の互いに隣接する辺に沿って設けられ、
前記グローバル制御部の各々は、それぞれ異なる前記センサ素子の前記第１制御線及び前記第２制御線に印加される電圧を制御する、前記（２）に記載の測距センサ。
（８）
異なる前記グローバル制御部の各々から前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部に電圧を印加される前記センサ素子の数は、略同じである、前記（７）に記載の測距センサ。
（９）
異なる前記グローバル制御部の各々から前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部に電圧を印加される前記センサ素子は、互いに交互に配置される、前記（８）に記載の測距センサ。
（１０）
前記グローバル制御部は、前記第１制御線及び前記第２制御線の一方に印加される電圧よりも高い電圧を前記第１制御線及び前記第２制御線の他方に印加する、前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（１１）
前記第１蓄積部及び前記第２蓄積部の前記入射光が入射する面側には、光電変換部及びマイクロレンズがさらに設けられる、前記（１）〜（１０）のいずれか一項に記載の測距センサ。
（１２）
前記センサ素子は、裏面照射型構造の前記光電変換部によって前記入射光を光電変換する、前記（１１）に記載の測距センサ。
（１３）
入射光を光電変換した電子を印加電圧に基づいてそれぞれ回収する第１蓄積部及び第２蓄積部を一方向に配列したセンサ素子をアレイ状に複数配置することで構成されたセンサアレイ部と、
前記センサ素子の各々の前記第１蓄積部と電気的に接続する第１制御線と、
前記センサ素子の各々の前記第２蓄積部と電気的に接続する第２制御線と、
前記センサアレイ部の周縁の異なる位置に複数設けられ、前記第１制御線及び前記第２制御線に印加される電圧を制御するグローバル制御部と、
を備える、タイムオブフライトセンサ。
【符号の説明】
【０１３９】
１１      測距センサ
１２      センサアレイ部
１３      グローバル制御部
１４      ローリング制御部
１５      カラムＡＤＣ
１６      入出力部
１７      ロジック回路
２１      制御線
５１      センサチップ
５２      ロジックチップ
１２０    センサ素子
１２１    第１蓄積部
１２２    第２蓄積部
１３１    第１グローバル制御部
１３２    第２グローバル制御部
２１０    光電変換部
２１１    第１制御線
２１２    第２制御線
３１１    光学調整層
３１２    オプティカルブラック
３２０    マイクロレンズ
【図１】
2020008412.tif 000003
【図２】
2020008412.tif 000004
【図３】
2020008412.tif 000005
【図４】
2020008412.tif 000006
【図５】
2020008412.tif 000007
【図６】
2020008412.tif 000008
【図７】
2020008412.tif 000009
【図８】
2020008412.tif 000010
【図９】
2020008412.tif 000011
【図１０】
2020008412.tif 000012
【図１１Ａ】
2020008412.tif 000013
【図１１Ｂ】
2020008412.tif 000014
【図１１Ｃ】
2020008412.tif 000015
【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図１９Ｄ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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