(57)【要約】【課題】発熱部の下位に形成する蓄熱部を一定の品位で形成することができるサーマルプリントヘッドを提供する。【解決手段】主面１１を有する基板１と、基板１の上記主面１１上に形成され、主走査方向に延びる凸部１３と、凸部１３の頂部１３０に主走査方向に配列された複数の発熱部４１と、を含み、凸部１３は、その頂部１３から凹入し、当該凸部１３の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部１４および当該溝部１４の少なくとも開口１４０を埋める蓄熱部材１５を含む。【選択図】  図６
2020199694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する基板と、
上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、
上記凸部の頂部に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、
上記凸部は、その頂部から凹入し、当該凸部の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部および当該溝部の少なくとも開口を埋める蓄熱部材を含むことを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
【請求項２】
上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項３】
上記溝部が形成された上記凸部および上記基板のうち、少なくとも上記溝部が形成された上記凸部は、単結晶半導体からなる、請求項１または２に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項４】
上記溝部が形成された上記凸部および上記基板は、一体の単結晶半導体からなる、請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項５】
上記単結晶半導体は、Ｓｉからなる、請求項３または４に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項６】
上記蓄熱部材は、上記溝部の開口から底部まで埋める、請求項１ないし５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項７】
上記蓄熱部材は、上記溝部をその底部に中空部を残して埋める、請求項１ないし５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項８】
上記蓄熱部材は、ＳｉＯ2を主成分とする、請求項６または７に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項９】
上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜外面とを含み、
上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜内面を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項１０】
上記一対の第１傾斜外面と上記一対の第１傾斜内面の上記主面に対する傾斜角度は、同じである、請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項１１】
上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜外面と、上記一対の第２傾斜外面に対して上記頂面とは副走査方向の反対側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第２傾斜外面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜外面を含む、請求項１ないし８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項１２】
上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜内面と、上記一対の第２傾斜内面に対して上記頂面の副走査方向中央側につながり、かつ上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第１傾斜内面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜内面を含む、請求項１１に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項１３】
上記一対の第１傾斜外面と上記一対の第１傾斜内面の上記主面に対する傾斜角度は同じであり、上記一対の第２傾斜内外面と上記一対の第２傾斜内面の上記主面に対する角度は、同じである、請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
【請求項１４】
主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂部に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記凸部は、その頂部から凹入し、当該凸部の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部および当該溝部の少なくとも開口を埋める蓄熱部材を含み、上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜外面とを含み、上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜内面を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、
主面を有する単結晶半導体からなる基板材料の上記主面の所定領域に対して異方性エッチングを行う工程を含むことにより上記一対の傾斜外面と上記頂面を有する上記凸部を形成するとともに、上記一対の傾斜内面を有する上記溝部を形成することを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項１５】
主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂部に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記凸部は、その頂部から凹入し、当該凸部の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部および当該溝部の少なくとも開口を埋める蓄熱部材を含み、上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜外面と、上記一対の第２傾斜外面に対して上記頂面とは副走査方向の反対側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第２傾斜外面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜外面とを含み、上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜内面と、上記一対の第２傾斜内面に対して上記頂面の副走査方向中央側につながり、かつ上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第２傾斜内面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜内面を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、
主面を有する単結晶半導体からなる基板材料の上記主面の所定領域に対して異方性エッチングを行う第１工程を含むことにより、上記一対の第１傾斜外面となるべき面を含む上記凸部の中間体を形成するとともに、上記一対の第１傾斜内面となるべき面を含む上記溝部の中間体を形成し、
次いで、上記凸部の中間体および上記溝部の中間体に対して再度の異方性エッチングを行う第２工程を含むことにより、上記一対の第１傾斜外面および上記一対の第２傾斜外面および上記頂面を含む上記凸部を形成するとともに、上記一対の第１傾斜内面および上記一対の第２傾斜内面を含む上記溝部を形成することを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項１６】
上記基板材料の上記主面を（１００）面として上記異方性エッチングを行う、請求項１４または１５に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項１７】
上記基板材料は、Ｓｉウエハである、請求項１６に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項１８】
流動化させたＳｉＯ2を上記溝部に充填するとともに固化させることにより、上記蓄熱部材を上記溝部の開口から底部まで埋める、請求項１５ないし１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項１９】
熱により気化する材料を上記溝部の底部に配した後、ガラス系ペースト材料を上記溝部に充填するとともに焼成により固化させることにより、上記蓄熱部材を上記溝部にその底部に中空部を残して埋める、請求項１５ないし１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【請求項２０】
上記熱により気化する材料は、レジスト材料である、請求項１９に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーマルプリントヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。このサーマルプリントヘッドは、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板にグレーズ層を介して形成した抵抗体層上に、その一部を露出させるようにして、上流側電極層と下流側電極層をそれらの端部を対向させて積層することにより形成されている。上流側電極層と下流側電極層間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部（発熱部）がジュール熱により発熱する。
【０００３】
同文献に開示されたサーマルプリントヘッドはまた、印字媒体への熱伝達を効率化して高速印字を可能とする等のために、主走査方向に延びる蓄熱部としての凸状グレーズを設け、この凸条グレーズの頂部に各発熱部を配置している。このような凸状グレーズは、各発熱部へのプラテンローラ当たりを良好にして、印字品位を向上させることにも役立つ。
【０００４】
上記のような凸状グレーズは一般に、ガラスペーストを用いてスクリーン印刷をし、これを焼成することにより形成される。しかしながら、このような凸状グレーズの形成方法では、印刷時に形成される膜厚が製品ごとに、あるいは主走査方向の各所でまちまちになることがある。これらのことは、サーマルプリントヘッドの製品品位あるいは印字品位の一定化を阻害する要因となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２６９０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発熱部の下位に形成する蓄熱部を一定の品位で形成することができるサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を採用した。
【０００８】
本発明の第１の側面により提供される係るサーマルプリントヘッドは、主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂部に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記凸部は、その頂部から凹入し、当該凸部の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部および当該溝部の少なくとも開口を埋める蓄熱部材を含むことを特徴とする。
【０００９】
好ましい実施の形態では、上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている。
【００１０】
好ましい実施の形態では、上記溝部が形成された上記凸部および上記基板のうち、少なくとも上記溝部が形成された上記凸部は、単結晶半導体からなる。
【００１１】
好ましい実施の形態では、上記溝部が形成された上記凸部および上記基板は、一体の単結晶半導体からなる。
【００１２】
好ましい実施の形態では、上記単結晶半導体は、Ｓｉからなる。
【００１３】
好ましい実施の形態では、上記蓄熱部材は、上記溝部の開口から底部まで埋める。
【００１４】
好ましい実施の形態では、上記蓄熱部材は、上記溝部をその底部に中空部を残して埋める。
【００１５】
好ましい実施の形態では、上記蓄熱部材は、ＳｉＯ2を主成分とする。
【００１６】
好ましい実施の形態では、上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜外面とを含み、上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜内面を含む。
【００１７】
好ましい実施の形態では、上記一対の第１傾斜外面と上記一対の第１傾斜内面の上記主面に対する傾斜角度は、同じである。
【００１８】
好ましい実施の形態では、上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜外面と、上記一対の第２傾斜外面に対して上記頂面とは副走査方向の反対側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第２傾斜外面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜外面を含む。
【００１９】
好ましい実施の形態では、上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜内面と、上記一対の第２傾斜内面に対して上記頂面の副走査方向中央側につながり、かつ上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第１傾斜内面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜内面を含む。
【００２０】
好ましい実施の形態では、上記一対の第１傾斜外面と上記一対の第１傾斜内面の上記主面に対する傾斜角度は同じであり、上記一対の第２傾斜内外面と上記一対の第２傾斜内面の上記主面に対する角度は、同じである。
【００２１】
本発明の第２の側面により提供される係るサーマルプリントヘッドの製造方法は、主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂部に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記凸部は、その頂部から凹入し、当該凸部の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部および当該溝部の少なくとも開口を埋める蓄熱部材を含み、上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜外面とを含み、上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第１傾斜内面を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、主面を有する単結晶半導体からなる基板材料の上記主面の所定領域に対して異方性エッチングを行う工程を含むことにより上記一対の傾斜外面と上記頂面を有する上記凸部を形成するとともに、上記一対の傾斜内面を有する上記溝部を形成することを特徴とする。
【００２２】
本発明の第２の側面により提供される係るサーマルプリントヘッドの製造方法はまた、主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂部に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記凸部は、その頂部から凹入し、当該凸部の副走査方向幅よりも狭い副走査方向幅をもって主走査方向に延びる溝部および当該溝部の少なくとも開口を埋める蓄熱部材を含み、上記凸部は、頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜外面と、上記一対の第２傾斜外面に対して上記頂面とは副走査方向の反対側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第２傾斜外面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜外面とを含み、上記溝部は、上記頂面における上記開口の副走査方向両縁につながり、かつ当該両縁から上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の第２傾斜内面と、上記一対の第２傾斜内面に対して上記頂面の副走査方向中央側につながり、かつ上記頂面の副走査方向中央に向かうにしたがって低位となるように、上記主面に対して上記一対の第２傾斜内面よりも大きな角度で傾斜する一対の第１傾斜内面を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、主面を有する単結晶半導体からなる基板材料の上記主面の所定領域に対して異方性エッチングを行う第１工程を含むことにより、上記一対の第１傾斜外面となるべき面を含む上記凸部の中間体を形成するとともに、上記一対の第１傾斜内面となるべき面を含む上記溝部の中間体を形成し、次いで、上記凸部の中間体および上記溝部の中間体に対して再度の異方性エッチングを行う第２工程を含むことにより、上記一対の第１傾斜外面および上記一対の第２傾斜外面および上記頂面を含む上記凸部を形成するとともに、上記一対の第１傾斜内面および上記一対の第２傾斜内面を含む上記溝部を形成することを特徴とする。
【００２３】
好ましい実施の形態では、上記基板材料の上記主面を（１００）面として上記異方性エッチングを行う。
【００２４】
好ましい実施の形態では、上記基板材料は、Ｓｉウエハである。
【００２５】
好ましい実施の形態では、ガラス系ペースト材料を上記溝部に充填するとともに焼成により固化させることにより、上記蓄熱部材を上記溝部の開口から底部まで埋める。
【００２６】
好ましい実施の形態では、熱により気化する材料を上記溝部の底部に配した後、ガラス系ペースト材料を上記溝部に充填するとともに焼成により固化させることにより、上記蓄熱部材を上記溝部にその底部に中空部を残して埋める。
【００２７】
好ましい実施の形態では、上記熱により気化する材料は、レジスト材料である。
【００２８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である
【図１０】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２２】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２３】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２４】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２５】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２６】本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。
【図２８】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。
【図２９】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３０】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３１】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３２】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３３】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３４】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３５】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【図３６】本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３１】
図１〜図６は、本発明の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、接続基板５および放熱部材８を有する。ヘッド基板１および接続基板５は、放熱部材８上に副走査方向ｙに隣接させて搭載されている。ヘッド基板１には、後に詳説する構成により、主走査方向ｘに配列される複数の発熱部４１が形成されている。この発熱部４１は、接続基板５上に搭載されたドライバＩＣ７により、選択的に発熱駆動され、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ９１により発熱部４１に押圧される感熱紙等の印字媒体に印字を行う。
【００３２】
ヘッド基板１は、主走査方向ｘを長手方向とし、副走査方向ｙを短手方向とする細長矩形状の平面形状を有する。ヘッド基板１の大きさは限定されないが、一例を挙げると、主走査方向ｘの寸法は、例えば５０〜１５０ｍｍ、副走査方向ｙの寸法は、例えば２．０〜５．０ｍｍ、厚さ方向ｚの寸法は、例えば７２５μｍである。なお、以下の説明において、ヘッド基板１における副走査方向ｙのドライバＩＣ７に近い側を上流側といい、ドライバＩＣ７から遠い側を下流側という。
【００３３】
本実施形態のヘッド基板１は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Ｓｉが好適である。当該ヘッド基板１の主面１１の下流側寄りには、主走査方向ｘに延びる凸部１３が一体に形成されている。この凸部１３の断面形状は、主走査方向ｘについて一様である。
【００３４】
図５および図６に詳示するように、凸部１３は、主面１１と平行な頂面１３０と、この頂面１３０から副走査方向ｙ両側につながって延び、主面１１に至る一対の第１傾斜外面１３１を有する。一対の第１傾斜外面１３１は、頂面１３０から副走査方向ｙに離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する。一対の第１傾斜外面１３１の主面１１に対する傾斜角度α１は、例えば５０〜６０度である。凸部１３はまた、頂面１３０に開口１４０を有し、頂面１３０から凹入する溝部１４を有する主走査方向に一様な断面を有している。この溝部１４は、上記開口１４０の副走査方向ｙ両縁につながり、かつ当該両縁から頂面１３０の副走査方向ｙ中央に向かうにしたがって低位となるように主面１１に対して傾斜する一対の第１傾斜内面１４１を有する。一対の第１傾斜内面１４１の主面１１に対する傾斜角度β１は、例えば、一対の第１傾斜外面１３１の傾斜角度α１と同じ、例えば５０〜６０度である。なお、本実施形態において、凸部１３の寸法は、副走査方向ｙ全幅Ｈ１が例えば２００〜３００μｍ、高さＨ２が例えば１５０〜１８０μｍ、頂面１３０の副走査方向ｙ幅Ｈ３が例えば１５０〜２００μｍ、溝部１４の開口１４０の副走査方向ｙ幅Ｈ４が例えば１００〜１３０μｍ、溝部１４の深さＨ５が例えば７０〜１００μｍである。なお、ヘッド基板１の主面１１および凸部１３の頂面は、（１００）面である。
【００３５】
凸部１３の頂面１３０に形成された溝部１４は、蓄熱部材１５で埋められる。蓄熱部材１５としては、例えばＳｉＯ2が選択され、後述する製造方法によれば、熱溶解させたＳｉＯ2をディスペンサにより溝部１４内に塗布し、これを常温固化させる。本実施形態では、蓄熱部材１５は溝部１４をその底部まで埋めるとともに、溝部１４の開口１４０からなだらかに盛り上がるように露出させられている。
【００３６】
ヘッド基板１の主面１１および上記のように溝部１４が蓄熱部材１５で埋められた凸部１３には、少なくとも、これらを覆う絶縁層１９、抵抗体層４、電極層３および保護層２がこの順で形成されている。
【００３７】
絶縁層１９は、ヘッド基板１の主面１１および凸部１３を覆って形成されている。この絶縁層１９は、後記する抵抗体層４および電極層３を形成するべき領域を覆うように形成される。絶縁層１９は、絶縁性材料からなり、たとえばＳｉＯ2やＳｉＮまたはＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）からなり、本実施形態においては、ＴＥＯＳが好適に採用されている。絶縁層１９の厚さは特に限定されず、その一例を挙げるとたとえば５μｍ〜１５μｍであり、好ましくは５μｍ〜１０μｍである。
【００３８】
抵抗体層４は、絶縁層１９を覆うように、主面１１および凸部１３にわたって形成されている。絶縁層１９は、たとえばＴａＮからなる。抵抗体層４の厚さは特に限定されず、たとえば０．０２μｍ〜０．１μｍであり、好ましくは０．０８μｍ程度である。抵抗体層４は、後記する電極層３に覆われずに露出する部分が発熱部４１を形成する。この発熱部４１は、その多数が主走査方向ｘに配列され、その副走査方向ｙにおける形成領域は、凸部１３の頂面１３０の副走査方向ｙの一部または全部を含んだ適宜領域とされる。抵抗体層４は、各発熱部４１を主走査方向ｘについて独立させるため、少なくとも発熱部４１を形成するべき副走査方向ｙ領域については主走査方向ｘについて分離形成されている。
【００３９】
電極層３は、ヘッド基板１の上流側に形成される複数の個別電極層３１と、ヘッド基板１の下流側に形成される共通電極層３２とを含む。各個別電極層３１は、概ね副走査方向ｙに延びる帯状をしており、それらの下流側先端は上記凸部１３の副走査方向ｙ適宜位置まで延びている。各個別電極層３１の上流側端部には、個別パッド部３１１が形成されている。個別パッド部３１１は、接続基板５に搭載される駆動ＩＣ７とワイヤ６１により接続される部分である。共通電極層３２は、複数の櫛歯部３２４と、これら複数の櫛歯部３２４を共通につなげる共通部３２３とを有する。共通部３２３はヘッド基板１の上流側の縁に沿って主走査方向ｘに形成され、各櫛歯部３２４は、共通部３２３から分かれて副走査方向ｙに延びる帯状をしており、その上流側先端は、上記凸部１３の副走査方向ｙ適宜位置まで延び、各個別電極層３１の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。共通部３２３は、その主走査方向ｘ両端から副走査方向ｙに折れ曲がってヘッド基板１の下流側に至る延長部３２５を有する。電極層３は、例えばＣｕからなり、その厚さは、例えば０．３〜２．０μｍである。上記したように、凸部１３の頂面付近において、抵抗体層４のうち、個別電極層３１と、これに先端部どうしが対向する共通電極層３２の上記櫛歯部３２４とに覆われていない部分が各発熱部４１を形成する。
【００４０】
抵抗体層４および電極層３はさらに、保護層２で覆われている。保護層２は、絶縁性の材料からなり、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ等からなる。保護層２の厚みは、例えば１．０〜１０μｍである。
【００４１】
図５に示すように、保護層２は、パッド用開口２１を有する。パッド用開口２１は、複数の個別電極層３１に設けた個別パッド部３１１を露出させている。
【００４２】
接続基板５は、ヘッド基板１に対して副走査方向ｙ上流側に隣接して配置されている。接続基板５は、例えばＰＣＢ基板であり、ドライバＩＣ７やコネクタ５９が搭載される。接続基板５は、主走査方向ｘを長手方向とする平面視長矩形状をしている。
【００４３】
ドライバＩＣ７は、接続基板５上に搭載されており、複数の発熱部４１に個別に通電させるために設けられる。ドライバＩＣ７と上記各個別電極層３１の各個別パッド部３１１間は、複数のワイヤ６１によって接続される。ドライバＩＣ７はまた、接続基板５上に形成された配線パターンに対して、ワイヤ６２によって接続されている。ドライバＩＣ７には、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部４１は、印字信号に従って個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。
【００４４】
ドライバＩＣ７およびワイヤ６１，６２は、ヘッド基板１と接続基板５とに跨るようにして保護樹脂７８で覆われている。保護樹脂７８は、例えばエポキシ樹脂等の黒色の絶縁性樹脂が用いられる。
【００４５】
放熱部材８は、ヘッド基板１および接続基板５を支持しており、発熱部４１により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材８は、例えばアルミ等の金属製である。
【００４６】
次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図７〜図１４を参照して説明する。
【００４７】
まず、図７に示すように、基板材料１Ａを用意する。基板材料１Ａは、単結晶半導体からなり、たとえばＳｉウエハである。基板材料１Ａは、平坦な主面１１Ａを有し、当該主面１１Ａは（１００）面である。
【００４８】
次いで、主面１１Ａを所定のマスク層で覆った状態で、例えばＫＯＨを用いた異方性エチングを行うことにより、図８および図９に示すように、主走査方向ｘに一様断面で延びる凸部１３および溝部１４を形成する。凸部１３は、頂面１３０およびこの頂面１３０を副走査方向ｙに挟んで位置する一対の傾斜外面（第１傾斜外面）１３１を有する。頂面１３０は、基板材料１Ａの主面１１Ａと同様の平坦面であり、（１００）面である。一対の傾斜外面１３１は、頂面１３０の副走査方向ｙ両縁につながり、頂面１３０から副走査方向ｙに離れるにしたがい低位となるように傾斜する平面である。溝部１４は、凸部１３の頂面１３０に形成される開口１４０を有し、当該開口１４０の副走査方向ｙ両縁につながり、当該両縁から上記頂面１３０の副走査方向ｙ中央に向かうほど低位となるように傾斜する一対の傾斜内面１４１（第１傾斜内面）を有する。一対の傾斜外面１３１および一対の傾斜内面１４１の主面１１Ａとなす角度α１、β１は、いずれも５０〜６０度である。なお、凸部１３と溝部１４は、同時に形成してもよいし、凸部１３の形成後にこの凸部１３に対して溝部１４を形成することも、溝部１４の形成後に傾斜外面１３１を形成するべく異方性エッチングを施してもよい。
【００４９】
次いで、図1０に示すように、溝部１４を蓄熱部材１５で埋める。これには、例えば、熱溶解させたＳｉＯ2をディスペンサにより溝部１４内に塗布し、これを常温固化させる。
【００５０】
次いで、図１１に示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層の形成は、例えばＣＶＤを用いてＴＥＯＳを堆積させることにより行う。
【００５１】
次いで、図１２に示すように、抵抗体膜４Ａを形成する。抵抗体膜４Ａの形成は、例えばスパッタリングにより絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。
【００５２】
次いで、図１３に示すように、導電膜３Ａを形成する。導電膜３Ａの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりＣｕからなる層を形成することによって行う。
【００５３】
次いで、図１４に示すように、導電膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向ｘに分離された抵抗体層４、この抵抗体層４を発熱部４１を残して覆う個別電極層３１、および共通電極層３２の櫛歯部３２４を形成する。
【００５４】
次いで、保護層２を形成する、保護層２の形成は、例えばＣＶＤを用いて絶縁層１９、電極層３および抵抗体層４上にＳｉＮおよびＳｉＣを堆積させることにより行われる。また、保護層２をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口２１を形成する。この後は、放熱部材８上へのヘッド基板１および接続基板５の組付け、接続基板５へのドライバＩＣ７接続の搭載、ワイヤ６１，６２のボンディング、保護樹脂７８の形成等を行うことにより、図１〜図６に示したサーマルプリントヘッドＡ１が得られる。
【００５５】
次に、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１の作用について説明する。
【００５６】
複数の発熱部４１は、ヘッド基板１に設けた凸部１３の頂面付近に配列されるため、印字媒体はプラテンローラ９１を介して確実に発熱部４１に押圧される。凸部１３は、単結晶半導体に対して異方性エッチングを施すことにより形成されるため、その断面は主走査方向ｘについて正確に一様となる。印字媒体の発熱部４１に対する押圧接触状態は、主走査方向ｘ各所において一定となる。これらのことは、ヘッド基板１の製造ロットが異なっても変わらない。そしてこのことは、印字品質の向上につながる。
【００５７】
ヘッド基板１の材料であるＳｉウエハは、ＳｉＯ2などの絶縁材料と比較して熱伝導性がよく、何らの手当も行わないと発熱部４１が発する熱を無駄に放熱部材８に向けて漏出させ、高速印字に不向きとなるが、このサーマルプリントヘッドＡ１の凸部１３には、発熱部４１の直下に蓄熱部材１５が配置されているため、発熱部４１が発する熱の無駄な漏出が防がれ、高速印字にも適するようになる。しかも、蓄熱部材１５が配される溝部１４もまた、単結晶半導体に対して異方性エッチングを施すことにより、主走査方向ｘに正確に一様断面とすることができるため、蓄熱部材１５による蓄熱性能を主走査方向ｘの各所で一定とすることができる。このこともまた、印字品質の向上につながる。
【００５８】
図１５および図１６は、本発明の第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドＡ２は、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１と比較して、凸部１３と溝部１４の形態が異なり、その余の構成は同じである。図１５および図１６においては、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１と同一の部分または部材には同一の符号を付し、以下においては適宜説明を省略する。
【００５９】
本実施形態では、ヘッド基板１に設ける凸部１３は、頂面１３０と、この頂面１３０の副走査方向ｙ両縁につながる一対の第２傾斜外面１３２と、当該一対の第２傾斜外面１３２の副走査方向ｙ外縁につながり、主面１１に至る一対の第１傾斜外面１３１とを有する。一対の第１傾斜外面１３１は、副走査方向ｙに頂面から離れるにしたがい低位となるように傾斜する平面であり、主面１１に対する傾斜角度α１は、例えば５０〜６０度である。一対の第２傾斜外面１３２もまた、副走査方向ｙに頂面１３０から離れるにしたがい低位となるように傾斜する平面であり、主面１１に対する傾斜角度α２は、例えば２５〜３５度である。本実施形態においても、凸部１３は、主走査方向ｘについて断面一様に形成されている。
【００６０】
本実施形態ではまた、上記凸部１３の頂面１３０に形成される溝部１４は、頂面１３０に形成される開口１４０の副走査方向ｙ両縁につながる一対の第２傾斜内面１４２と、当該一対の第２傾斜内面１４２に対して上記頂面の副走査方向ｙ中央側につながる一対の第１傾斜内面１４１とを有する。一対の第２傾斜内面１４２は、頂面１３０の副走査方向ｙ中央に向かうにつれ低位となるように傾斜する平面であり、主面１１に対する傾斜角度β２は、上記第２傾斜外面と同じく、例えば２５〜３５度である。一対の第１傾斜内面ももた、頂面の副走査方向ｙ中央に向かうにつれ低位となるように傾斜する平面であり、主面１１に対する傾斜角度β１は、上記第１傾斜外面１３１と同じく、例えば５０〜６０度である。本実施形態においても、溝部１４は、主走査方向ｘについて断面一様に形成されている。
【００６１】
凸部１３に形成された溝部１４は、その底部に空洞部１６を残して蓄熱部材１５で埋められる。蓄熱部材１５としては、例えばＳｉＯ2が選択される。蓄熱部材１５は、溝部１４の開口１４０からなだらかに盛り上がるように露出させられている。
【００６２】
ヘッド基板１の主面１１および上記のように溝部１４が蓄熱部材１５で埋められた凸部１３には、第１実施形態と同様に、絶縁層１９、抵抗体層４、電極層３および保護層２がこの順で形成されている。
【００６３】
ヘッド基板１に隣接して配置される接続基板５およびこれらヘッド基板１および接続基板５を搭載する放熱部材８の構成は、第１実施形態と同様である。
【００６４】
次に、上記した第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２の製造方法の一例について、図１７〜図２６を参照して説明する。
【００６５】
まず、図１７に示すように、基板材料１Ａを用意する。基板材料１Ａは、単結晶半導体からなり、例えばＳｉウエハである。基板材料１Ａは、平坦な主面１１Ａを有し、当該主面１１Ａは（１００）面である。
【００６６】
次いで、主面１１Ａを所定のマスク層で覆った状態で、例えばＫＯＨを用いた異方性エッチングを行うことにより、図１８および図１９に示すように、主走査方向ｘに一様断面で延びる凸部中間体１３Ａおよび溝部中間体１４Ａを形成する。凸部中間体１３Ａは、頂面１３０Ａおよびこの頂面１３０Ａを副走査方向ｙに挟んで位置する一対の傾斜外面１３１Ａを有する。この一対の傾斜外面１３１Ａは、その主面１１に近い一部が一対の第１傾斜外面１３１となるべき面である。頂面１３０Ａは、基板材料１Ａの主面１１Ａが残った平坦面であり、（１００）面である。一対の傾斜外面１３１Ａは、頂面１３０Ａの副走査方向ｙにつながり、頂面１３０Ａから副走査方向ｙに離れるにしたがい低位となるように傾斜する平面である。溝部中間体１４Ａは、凸部中間体１３Ａに頂面１３０Ａに形成される開口１４０Ａを有し、当該開口１４０Ａの副走査方向ｙ両縁につながり、当該両縁から上記頂面１３０Ａの副走査方向ｙ中央に向かうほど低位となるように傾斜する一対の傾斜内面１４１Ａを有する。この一対の傾斜内面１４１Ａは、その溝部中間体１４Ａの底部に近い一部が一対の第１傾斜内面１４１となるべき面である。一対の傾斜外面１３１Ａおよび一対の傾斜内面１４１Ａの主面１１とのなす角度は、いずれも５０〜６０度で、同じである。なお、凸部中間体１３Ａと溝部中間体１４Ａは、同時に形成してもよいし、凸部中間体１３Ａの形成後にこの凸部中間体１３Ａに対して溝部中間体１４Ａを形成することも、溝部中間体１４Ａの形成後に傾斜外面１３１Ａを形成するべく異方性エッチングを施してもよい。
【００６７】
次いで、例えばＴＭＡＨを用いた異方性エッチングを行うことにより、図２０に示すように、凸部中間体１３Ａに一対の第２傾斜外面１３２を、溝部中間体１４Ａに一対の第２傾斜内面１４２を、それぞれ形成することにより、一対の第１傾斜外面１３１と一対の第２傾斜外面１３２を有する凸部１３と、一対の第１傾斜内面１４１と一対の第２傾斜内面１４２を有する溝部１４を完成させる。なおこのとき、凸部中間体１３Ａの頂面１３０Ａもエッチングされ、こうして形成される凸部１３の頂面１３０の高さ方向位置は、凸部中間体１３Ａの頂面１３０Ａの高さ方向位置よりも低くなる。一対の第２傾斜外面１３２および一対の第２傾斜内面１４２の主面１１とのなす角度α２、β２は、いずれも２５〜３５度で、同じである。
【００６８】
次いで、溝部１４をその底部に空洞部１６を残して蓄熱部材１５で埋めるが、これには、図２１に示すように、溝部１４の底部に例えばレジスト材１６Ａを塗布した後、図２２に示すように当該レジスト材１６Ａの上層に例えばガラスペースト１５Ａを塗布し、このガラスペースト１５Ａを焼成により固化させる。この焼成時の熱により、レジスト材１６Ａは気化消散し、溝部１４における蓄熱部材１５の下位に空洞部１６が形成される。
【００６９】
次いで、図２３に示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の形成は、例えばＣＶＤを用いてＴＥＯＳを堆積させることにより行う。
【００７０】
次いで、図２４に示すように、抵抗体膜４Ａを形成する。抵抗体膜４Ａは、例えばスパッタリングにより絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。
【００７１】
次いで、図２５に示すように、導電膜３Ａを形成する。導電膜３Ａの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりＣｕからなる層を形成することによって行う。
【００７２】
次いで、図２６に示すように、導電膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向ｘに分離された抵抗体層４、この抵抗体層４を発熱部４１を残して覆う個別電極層３１、および共通電極層３２の櫛歯部３２４を形成する。
【００７３】
次いで、保護層２を形成する。保護層２の形成は、例えばＣＶＤを用いて絶縁層１９、電極層３および抵抗体層４上にＳｉＮおよびＳｉＣを堆積させることにより行われる。また、保護層２をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口２１を形成する。この後は、放熱部材８上へのヘッド基板１および接続基板５の組付け、接続基板５へのドライバＩＣ７の搭載、ワイヤ６１，６２のボンディング、保護樹脂７８の形成等を行うことにより、図１５および図１６に示したサーマルプリントヘッドＡ２が得られる。
【００７４】
この第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２もまた、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１について上述したのと同様の作用を有する。
【００７５】
加えて本実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２においては、凸部１３の傾斜外面が第１傾斜外面１３１と第２傾斜外面１３２との２段階の傾斜外面で構成されているため、プラテンローラ９１を介して凸部１３に押圧される印字媒体を引っ掛かりなくより円滑に副走査方向ｙに送ることができる。
【００７６】
また、本実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２においては、凸部１３に形成される溝部１４に埋められる蓄熱部材１５の下位に空洞部１６が形成されているので、発熱部４１の直下の蓄熱性能がさらに高められ、発熱部４１を発熱させるための電力を節約したり、より高速の印字に対応することができるようになる。
【００７７】
図２７および図２８は、本発明の第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドＡ３は、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１および第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２と比較して、凸部１３と溝部１４の形態が異なり、その余の構成は同じである。図２７および図２８においては、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１または第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２と同一の部分または部材には同一の符号を付し、以下においては適宜説明を省略する。
【００７８】
本実施形態では、ヘッド基板１に設ける凸部１３の外面については、第２実施形態と同様、頂面１３０の副走査方向ｙ両縁につながる一対の第２傾斜外面１３２と、当該一対の第２傾斜外面１３２の副走査方向ｙ外縁につながり、主面１１に至る一対の第１傾斜外面１３１とを有する。溝部１４については、一対の傾斜内面１４２のみ有する。一対の第１傾斜外面１３１の主面１１に対する傾斜角度α１は、例えば５０〜６０度であり、一対の第２傾斜外面１３２の主面１１に対する傾斜角度α２、および一対の傾斜内面１４２の主面１１に対する傾斜角度β２は、いずれも例えば２５〜３５度である。
【００７９】
ヘッド基板１の主面１１および上記のように溝部１４が蓄熱部材１５で埋められた凸部１３には、第１実施形態と同様に、絶縁層１９、抵抗体層４、電極層３および保護層２がこの順で形成されている。
【００８０】
ヘッド基板１に隣接して配置される接続基板５およびこれらヘッド基板１および接続基板５を搭載する放熱部材８の構成は、第１実施形態または第２実施形態と同様である。
【００８１】
次に、上記した第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３の製造方法の一例について、図２９〜図３６を参照して説明する。
【００８２】
まず、図２９に示すように、基板材料１Ａを用意する。基板材料１Ａは、単結晶半導体からなり、例えばＳｉウエハである。基板材料１Ａは、平坦な主面１１Ａを有し、当該主面１１Ａは（１００）面である。
【００８３】
次いで、主面１１Ａを所定のマスク層で覆った状態で、例えばＫＯＨを用いた異方性エッチングを行うことにより、図３０に示すように、主走査方向ｘに一様断面で延びる凸部中間体１３Ａと、当該凸部中間体１３Ａの頂面１３０Ａの副走査方向ｙの中心に沿って主走査方向に延びる溝部中間体１４Ａを形成する。凸部中間体１３Ａは、頂面１３０Ａおよびこの頂面１３０Ａを副走査方向ｙに挟んで位置する一対の傾斜外面１３１Ａを有する。この一対の傾斜外面１３１Ａは、その主面１１に近い一部が一対の第１傾斜外面１３１となるべき面である。頂面１３０Ａは、基板材料１Ａの主面１１Ａが残った平坦面であり、（１００）面である。一対の傾斜外面１３１Ａは、頂面１３０Ａの副走査方向ｙにつながり、頂面１３０Ａから副走査方向ｙに離れるにしたがい低位となるように傾斜する平面である。また、溝部中間体１４Ａを形成する一対の傾斜内面１４１Ａの主面１１Ａとのなす角度は、上記一対の傾斜外面１３１Ａの主面１１Ａとのなす角度と同じく、５０〜６０度である。
【００８４】
次いで、例えばＴＭＡＨを用いた異方性エッチングを行うことにより、図３１に示すように、凸部中間体１３Ａに一対の第２傾斜外面１３２を形成するとともに、溝部中間体１４Ａの一対の傾斜内面１４１Ａをさらにエッチングして、主面１１Ａとのなす角度β２がなだらかな一対の傾斜内面１４２を形成する。一対の第２傾斜外面１３２および一対の傾斜内面１４２の主面１１とのなす角度α２、β２は、いずれも２５〜３５度で、同じである。
【００８５】
次いで、図３２に示すように、溝部１４をその底部まで蓄熱部材１５で埋める。これには、溝部１４に例えばガラスペーストを塗布し、このガラスペーストを焼成により固化させる。
【００８６】
次いで、図３３に示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の形成は、例えばＣＶＤを用いてＴＥＯＳを堆積させることにより行う。
【００８７】
次いで、図３４に示すように、抵抗体膜４Ａを形成する。抵抗体膜４Ａは、例えばスパッタリングにより絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。
【００８８】
次いで、図３５に示すように、導電膜３Ａを形成する。導電膜３Ａの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりＣｕからなる層を形成することによって行う。
【００８９】
次いで、図３６に示すように、導電膜３Ａおよび抵抗体膜４Ａに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向ｘに分離された抵抗体層４、この抵抗体層４を発熱部４１を残して覆う個別電極層３１、および共通電極層３２の櫛歯部３２４を形成する。
【００９０】
次いで、保護層２を形成する。保護層２の形成は、例えばＣＶＤを用いて絶縁層１９、電極層３および抵抗体層４上にＳｉＮおよびＳｉＣを堆積させることにより行われる。また、保護層２をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口２１を形成する。この後は、放熱部材８上へのヘッド基板１および接続基板５の組付け、接続基板５へのドライバＩＣ７の搭載、ワイヤ６１，６２のボンディング、保護樹脂７８の形成等を行うことにより、図２７および図２８に示したサーマルプリントヘッドＡ２が得られる。
【００９１】
この第３２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３もまた、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１について上述したのと同様の作用を有する。
【００９２】
加えて本実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３においては、凸部１３の傾斜外面が第１傾斜外面１３１と第２傾斜外面１３２との２段階の傾斜外面で構成されているため、プラテンローラ９１を介して凸部１３に押圧される印字媒体を引っ掛かりなくより円滑に副走査方向ｙに送ることができる。
【００９３】
もちろん、本発明の範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した事項の範囲内でのあらゆる変更は、すべて本発明の範囲に含まれる。
【００９４】
例えば、第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ１および第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３の構成において、溝部１４の底部に第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２について説明した空洞部１６を設けることもできる。
【００９５】
また、第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２の構成において、溝部１４の底部に設けた空洞部１６を省略してもよい。
【００９６】
さらに、第２実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ２および第３実施形態に係るサーマルプリントヘッドＡ３の構成において、凸部１３の傾斜外面として、第１傾斜外面１３１、第２傾斜外面１３２に加え、第２傾斜外面１３２と頂面１３０との間に、主面１１となす角度が第２傾斜外面１３２よりも小さい第３傾斜外面（図示せず）を設け、凸部１３の表面をよりなだらかなものとすることも、本発明の範囲に含まれる。
【００９７】
さらに、複数の発熱部４１に関して、主走査方向に独立配置した抵抗体層の露出部に選択的に通電して発熱させるあらゆる発熱部の形態を採用できることは、もちろんである。
【符号の説明】
【００９８】
Ａ１、Ａ２、Ａ３：サーマルプリントヘッド
１        ：ヘッド基板
１Ａ      ：基板材料
２        ：保護層
３        ：電極層
３Ａ      ：導電膜
４        ：抵抗体層
４Ａ      ：抵抗体膜
５        ：接続基板
７        ：ドライバＩＣ
８        ：放熱部材
１１      ：主面
１１Ａ    ：主面
１３      ：凸部
１３Ａ    ：凸部中間体
１４      ：溝部
１４Ａ    ：溝部中間体
１５      ：蓄熱部材
１５Ａ    ：ガラスペースト
１６      ：空洞部
１６Ａ    ：レジスト材
１９      ：絶縁層
２１      ：パッド用開口
３１      ：個別電極層
３２      ：共通電極層
４１      ：発熱部
５９      ：コネクタ
６１      ：ワイヤ
６２      ：ワイヤ
７８      ：保護樹脂
９１      ：プラテンローラ
１３０    ：頂面
１３０Ａ  ：頂面
１３１    ：第１傾斜外面
１３１Ａ  ：傾斜外面
１３２    ：第２傾斜外面
１４１    ：第１傾斜内面
１４２    ：第２傾斜内面
３１１    ；電極パッド部
３２３    ：共通部
３２４    ：櫛歯部
３２５    ：延長部
ｘ        ：主走査方向
ｙ        ：副走査方向
α１、α２：角度
β１、β２：角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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