(57)【要約】【課題】外部接続部を形成する過程において、外部接続部の剥離が発生することなく、放熱性及び光取り出し効率の双方を向上させることができる発光素子及びその製造方法ならびにそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体積層体と、絶縁膜と、第２半導体層側で第１半導体層が露出する複数の露出部１３ｂと接続され、絶縁膜を介して第２半導体層上に配置された第１電極と、第２半導体層上に接続された第２電極、第１電極と接続され、平面視、第１方向に沿って配列する露出部の列間に配置された複数の第１外部接続部２１と、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に延在し、露出部の列間に配置された第１外部接続部２１よりも面積が大きい第１外部接続部２１ｂと、第２電極と接続される第２外部接続部２２とを含む発光素子。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第２半導体層側に前記第２半導体層及び前記発光層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部が、第１方向に沿って複数の列状に配置され、かつ平面視において、前記複数の露出部のうち前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁に最も近い露出部と、前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁との間隔が、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う前記露出部間の間隔よりも狭い領域を有する前記半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第２半導体層上に接続された第２電極と、
前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に配置された複数の第１外部接続部と、
前記第２電極と接続される第２外部接続部とを含み、
前記第１外部接続部は、平面視において、前記半導体積層体の前記領域から、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に延在し、前記露出部の列間に配置された前記第１外部接続部よりも面積が大きい第１外部接続部を含む発光素子。
【請求項２】
前記面積が大きい第１外部接続部は、平面視において、前記複数の露出部のうち前記第１方向に沿った前記第２半導体層の外縁に隣接する露出部の外周を取り囲んで配置される請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記面積が大きい第１外部接続部は、平面視において、前記露出部から前記第１方向に沿った前記第２半導体層の外縁に向かって、前記第２方向に沿って開口する溝部を有する請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記溝部は、平面視において、前記露出部の幅よりも小さい幅を有する請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第２半導体層側に前記第２半導体層及び前記発光層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部が、第１方向に沿って複数の列状に配置され、かつ平面視において、前記複数の露出部のうち前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁に最も近い露出部と、前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁との間隔が、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う前記露出部間の間隔よりも狭い領域を有する前記半導体積層体と、前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、前記第２半導体層上に接続された第２電極とを有する発光素子部を準備し、
前記第１電極上であって、平面視において、前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁に最も近い露出部以外の前記露出部間を前記第１方向において繋ぐ領域と、前記露出部とを被覆するマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記第１電極上に導電層を形成し、
前記マスクを除去することにより前記導電層をパターニングして、前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に配置された複数の第１外部接続部を形成することを含み、
該第１外部接続部は、平面視において、前記半導体積層体の前記領域から、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に延在し、前記露出部の列間に配置された第１外部接続部よりも平面積が大きい第１外部接続部を含む発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記マスクを、平面視において、前記露出部の幅よりも小さい幅で、前記第２方向に延長する領域を、前記第１方向に沿って被覆するように、形成する請求項５に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記マスクを、平面視において、前記露出部から前記第１方向に沿った前記第２半導体層の外縁に向かって、前記第２方向に延長する領域をさらに被覆するように、形成する請求項５又は６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記発光素子部において、前記絶縁膜は、第２半導体層上にさらに開口部を有し、
前記マスクを、前記第２電極の外縁及びそれに隣接する領域と、前記第２電極に隣接する露出部間を連結する領域とをさらに被覆するように形成し、
前記導電層を、前記マスクを用いて、さらに前記第２電極上に形成し、
前記マスクを除去することにより、前記第２電極上に第２外部接続部を形成することを含む請求項５〜７のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
平面視において、前記第２外部接続部を前記第２方向に沿って配置し、前記第１外部接続部を、前記第２外部接続部を挟んで配置するように形成する請求項８に記載の発光素子の製造方法。
【請求項１０】
上面に配線パターンを有する基板と、
前記配線パターン上にフリップチップ実装される請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光素子と、
前記発光素子、前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部並びに前記基板を被覆する光反射物質を含む被覆部材とを備える発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及びその製造方法ならびに発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ｎ型半導体層とｎ型半導体層の一部を露出するように積層された発光層及びｐ型半導体層とを有する半導体構造と、半導体構造上に設けられた複数の開口部を有する絶縁膜と、複数の開口部のうち発光層及びｐ型半導体層から露出したｎ型半導体層上に設けられた開口部を通して接続されたｎ電極と、複数の開口部のうちｐ型半導体層上に設けられた開口部を通して接続されたｐ電極と、ｐ電極に接続されたｐ側外部接続部と、ｎ電極に接続されたｎ側外部接続部とを備える発光素子が提案されている（例えば、特許文献１）。そして、このような発光素子は、光反射性の樹脂によって被覆されて発光装置として構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−５２５５８６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような発光素子では、放熱性と光取り出し効率との双方を向上させるために、発光素子の広範囲に配置しつつ、光反射性の樹脂の充填を容易にすべく、それぞれが離間する複数のめっき層を配置する。しかし、ｎ電極と導通させるための開口によるｎ型半導体層の露出部を均等の間隔で配置しているため、めっき層を広範囲に配置する場合、発光素子の外周付近に位置するめっき層の面積が他のめっき層よりも面積が小さくなる。そのため、めっき層と発光素子との密着性が低下し、めっき層を形成する過程でめっき層が剥離するおそれがある。つまり、めっき層をリフトオフ形成する際に行うレジスト層を除去する工程において、レジスト層だけでなく、めっき層もともに除去されることがある。
【０００５】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであり、めっき層を形成する過程において、めっき層の剥離が発生することなく、放熱性及び光取り出し効率の双方を向上させることができる発光素子及びその製造方法ならびにそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示は、以下の発明を含む。
（１）第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第２半導体層側に前記第２半導体層及び前記発光層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部が、第１方向に沿って複数の列状に配置され、かつ平面視において、前記複数の露出部のうち前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁に最も近い露出部と、前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁との間隔が、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う前記露出部間の間隔よりも狭い領域を有する前記半導体積層体と、
前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、
前記第２半導体層上に接続された第２電極と、
前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に配置された複数の第１外部接続部と、
前記第２電極と接続される第２外部接続部とを含み、
前記第１外部接続部は、平面視において、前記半導体積層体の前記領域から、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に延在し、前記露出部の列間に配置された前記第１外部接続部よりも面積が大きい第１外部接続部を含む発光素子。
（２）第１半導体層、発光層及び第２半導体層を順に有する半導体積層体であって、前記第２半導体層側に前記第２半導体層及び前記発光層から前記第１半導体層が露出する複数の露出部が、第１方向に沿って複数の列状に配置され、かつ平面視において、前記複数の露出部のうち前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁に最も近い露出部と、前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁との間隔が、前記第１方向に直交する第２方向において隣り合う前記露出部間の間隔よりも狭い領域を有する前記半導体積層体と、前記半導体積層体を覆い、複数の前記露出部の上方に開口部を有する絶縁膜と、前記開口部にて前記露出部と接続され、かつ一部が前記絶縁膜を介して前記第２半導体層上に配置された第１電極と、前記第２半導体層上に接続された第２電極とを有する発光素子部を準備し、
前記第１電極上であって、平面視において、前記第２半導体層の前記第１方向に沿った外縁に最も近い露出部以外の前記露出部間を前記第１方向において繋ぐ領域と、前記露出部とを被覆するマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記第１電極上に導電層を形成し、
前記マスクを除去することにより前記導電層をパターニングして、前記第１電極と接続され、平面視において、前記露出部と離間し、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に配置された複数の第１外部接続部を形成することを含み、
該第１外部接続部は、平面視において、前記半導体積層体の前記領域から、前記第１方向に沿って配列する前記露出部の列間に延在し、前記露出部の列間に配置された第１外部接続部よりも平面積が大きい第１外部接続部を含む発光素子の製造方法。
（３）上面に配線パターンを有する基板と、
前記配線パターン上にフリップチップ実装される上述した発光素子と、
前記発光素子、前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部並びに前記基板を被覆する光反射物質を含む被覆部材とを備える発光装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一実施形態の発光素子及びその製造方法ならびに発光装置によれば、発光素子の製造における外部接続部を形成する過程において、外部接続部の剥離が発生することなく、放熱性及び光取り出し効率の双方を向上させることができる発光素子及びその製造方法を提供することができる。また、このような発光素子を利用することにより、放熱性及び光取り出し効率の双方を向上させた発光装置を確実に提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】本開示の一実施形態の発光素子を模式的に示す平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡにおけるＩ−Ｉ'線断面図である。
【図１Ｃ】図１ＡにおけるＩＩ−ＩＩ'線断面図である。
【図１Ｄ】図１ＡにおけるＩＩＩ−ＩＩＩ'線断面図である。
【図２Ａ】図１Ａの発光素子の製造方法を説明するための図１ＡにおけるＩＶ−ＩＶ’線断面図である。
【図２Ｂ】図１Ａの発光素子の製造方法を説明するための模式的平面図である。
【図２Ｃ】図２ＢにおけるＩＶ−ＩＶ’線断面図である。
【図２Ｄ】図１Ａの発光素子の製造方法を説明するための図１ＡにおけるＩＶ−ＩＶ’線断面図である。
【図３Ａ】本開示の別の実施形態の発光素子を模式的に示す平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの発光素子の変形例と示す要部の拡大平面図である。
【図４】本開示のさらに別の実施形態の発光素子を模式的に示す平面図である。
【図５Ａ】本開示のさらに別の実施形態の発光素子を模式的に示す平面図である。
【図５Ｂ】図４Ａの発光素子の変形例と示す要部の拡大平面図である。
【図６Ａ】本開示の一実施形態の発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図６Ｂ】図５ＡのＶ−Ｖ'線断面図である。
【図７】本開示の別の実施形態の発光装置を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。図１Ａ、図３Ａ〜図５Ｂにおいて、ハッチングで示す領域は、第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の配置領域を示すものである。
本願において、第１方向は、半導体積層体１３又は発光素子１０の任意の一辺に平行な一方向を意味する。第２方向は、第１方向に直交する方向を意味する。また、第１方向に沿ったとは、第１方向に平行又は略平行なことを意味する。第２方向に沿ったとは、第２方向に平行又は略平行なことを意味する。
【００１０】
実施形態１：発光素子１０
本開示の一実施形態における発光素子１０は、図１Ａから１Ｄに示すように、第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐを順に有する半導体積層体１３と、半導体積層体１３の側面および上面を覆う絶縁膜１４と、第１半導体層１３ｎと接続され、第２半導体層１３ｐ上に配置された第１電極１１と、第２半導体層１３ｐ上に接続された第２電極１２と、第１電極１１と接続された第１外部接続部２１と、第２電極１２と接続された第２外部接続部２２とを含む。
半導体積層体１３は、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａから第１半導体層１３ｎが露出する複数の露出部１３ｂを有している。露出部１３ｂは、上面視において、第１方向に沿って複数の列状に配置されている。半導体積層体１３は、平面視において、第２半導体層１３ｐの第１方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂ１と、第２半導体層１３ｐの第１方向に沿った外縁との間隔Ｌが、第２方向において隣り合う露出部１３ｂ間の間隔Ｓよりも狭い領域Ｒを有する。
絶縁膜１４は、複数の露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有する。
第１電極１１は、開口部１４ａにて露出部１３ｂと接続され、かつ一部が絶縁膜１４を介して第２半導体層１３ｐ上に配置されている。
第１外部接続部２１は、複数配置されており、平面視において、露出部１３ｂと離間し、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に配置されている。第１外部接続部は、１方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に配置された第１外部接続部２１と、平面視において、半導体積層体１３の領域Ｒから、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に延在し、第１外部接続部２１よりも面積が大きい第１外部接続部２１ｂを含む。
発光素子１０は、第１電極１１及び第２電極１２と、第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２とが設けられた面側を実装面としたフリップチップ実装に適した構造を有している。この際、実装面と反対側の面が主な光取り出し面となる。
発光素子１０の平面形状は、例えば、四角形、六角形等の多角形、これらの角に丸みを帯びた形状、円形又は楕円形等が挙げられる。なかでも、四角形が好ましい。
このような発光素子によれば、放熱性及び光取り出し効率の双方を向上させながら、発光素子の製造におけるめっき層を形成する過程において、めっき層の剥離が発生することなく、高品質の発光素子を製造することが可能となる。
【００１１】
（半導体積層体１３）
発光素子１０を構成する半導体積層体１３は、第１半導体層１３ｎ、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐがこの順に積層されて構成される。このような半導体積層体１３は、通常、絶縁性の支持基板１５上に形成されている。ただし、最終的に、発光素子１０においては、支持基板１５が除去されたものでもよい。発光層１３ａと、発光層１３ａの上面に設けられた第２半導体層１３ｐとは、第１半導体層１３ｎの上面のうち所定の領域に設けられている。つまり、第１半導体層１３ｎ上の一部の領域には、第２半導体層１３ｐ及び発光層１３ａが存在しない。このように、第１半導体層１３ｎが、発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐから露出する領域を露出部１３ｂと称する。つまり、半導体積層体１３は、第２半導体層１３ｐの表面に、平面視において互いに離間した複数の孔を有し、孔の底面に第１半導体層１３ｎが露出している。そして、孔の側面には第２半導体層１３ｐの側面、発光層１３ａの側面、及び第１半導体層１３ｎの側面が露出している。
【００１２】
露出部１３ｂは、１つの発光素子において規則的に配置していることが好ましい。具体的には、露出部１３ｂは、第１方向に沿って複数列配置されていることが好ましい。また、露出部１３ｂは、第２方向に沿っても数行以上配置されていることが好ましい。なお、第１方向に沿って配置する露出部１３ｂのうち、第１方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂを、露出部１３ｂ１と称することがある。また、第２方向に沿って配置する露出部１３ｂのうち、第２方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂを、露出部１３ｂ２と称することがある。露出部１３ｂは、例えば、第２方向に数行〜十数行配置されていることが好ましい。なかでも、第１方向に沿って列状に配置する露出部１３ｂは、互いに隣接するように３列以上配置されていることがより好ましい。これにより、発光素子の広い範囲に電流を供給させやすくすることができる。第１方向に並ぶ露出部１３ｂの数は、特に限定されない。例えば、列状に配置される露出部１３ｂの第１方向に沿った列の数は、１つの列内に配置される露出部１３ｂの数よりも少ないことが好ましい。これにより、後述する第１外部接続部を、第２方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間により大きな面積で形成することができる。
【００１３】
露出部１３ｂの形状や大きさは、発光素子の大きさ、形状、電極パターン等によって適宜設定することができる。
露出部１３ｂの形状は、例えば、平面視において円又は楕円、三角形、四角形、六角形等の多角形等が挙げられ、なかでも、円形又は円形に近い楕円形状が好ましい。上面視において、露出部１３ｂの大きさは、半導体積層体１３の大きさ、求められる発光素子の出力、輝度等によって適宜調整することができ、例えば、露出部１３ｂの直径が数十μｍ〜数百μｍ程度の大きさであることが好ましい。別の観点から、露出部１３ｂの直径が、半導体積層体の一辺の１／２０〜１／５程度の大きさであることが好ましい。
複数の露出部１３ｂの平面視形状は、すべてが略同じ形状、略同じ大きさ（面積）であってもよいし、それぞれ又は一部が異なる形状、大きさであってもよい。露出部１３ｂは発光層１３ａを有さない領域であるため、同程度の大きさの複数の露出部１３ｂを規則的に整列して配置することにより、発光面積及び電流の供給量の偏りを抑制することができる。その結果、発光素子全体として、輝度ムラを抑制することができる。ここで、平面積とは、上面視における面積を意味する。
【００１４】
露出部１３ｂは、半導体積層体１３の外縁よりも内側に複数形成されていることが好ましい。また、半導体積層体１３の外縁の内側に配置されるものの合計面積が、半導体積層体１３の平面積の３０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましく、１５％以下であることがさらに好ましい。露出部１３ｂを半導体積層体１３の外縁の内側に、半導体積層体１３の平面積の３０％以下の範囲とすることで、第１半導体層１３ｎ及び第２半導体層１３ｐへの電流供給のバランスを図ることができ、供給される電力の偏りによる輝度ムラを抑制することができる。
露出部１３ｂは、規則的に配置していることが好ましい。具体的には、露出部１３ｂは、上面視において、略等間隔に配置されていることが好ましい。これによって、発光素子の輝度ムラを抑制して、均一に光取り出しすることができる。具体的には、露出部１３ｂは、上面視で略円形状である。また露出部１３ｂの大きさは、例えば、直径数十μｍ〜数百μｍであり、上面側に一定の間隔で整列して配置されていることが好ましい。
特に、半導体積層体１３は、平面視において、図１Ａに示すように、第１方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂ１と、第２半導体層１３ｐの第１方向に沿った外縁との間隔Ｌが、第２方向において隣り合う露出部１３ｂ間の間隔Ｓよりも狭くなっている領域Ｒを有することが好ましい。このとき、露出部１３ｂ間の間隔Ｓは、隣り合う露出部１３ｂの略中心からの間隔を指す。また、これと同様に、半導体積層体１３は、第２方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂ２と、第２半導体層の第２方向に沿った外縁との間隔Ｍが、第１方向において隣り合う露出部１３ｂ間の間隔Ｎよりも狭くなっている領域Ｑを有することが好ましい。このような配置によって、第１半導体層１３ｎ及び第２半導体層１３ｐへの電流供給のバランスを図り、供給される電力の偏りによる輝度ムラをより抑制することができる。
なお、間隔Ｍ及び間隔Ｌは、間隔Ｎ又は間隔Ｓの２０％〜９０％が挙げられ、４０％〜８０％が好ましく、３０％〜７５％がより好ましい。また、間隔Ｌと間隔Ｍとは、いずれが大きくてもよいが、それぞれ、同じ又は略同じであることが好ましい。同様に、間隔Ｎと間隔Ｓとは、いずれが大きくてもよいが、それぞれ、同じ又は略同じであることが好ましい。
【００１５】
半導体積層体１３は、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体等、種々の半導体が挙げられる。具体的には、ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料が挙げられ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等を用いることができる。各層の膜厚及び層構造は、当該分野で公知のものを利用することができる。
【００１６】
（絶縁膜１４）
絶縁膜１４は、半導体積層体１３の上面及び側面を被覆するとともに、露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有する。また、第２半導体層１３ｐの上方に開口部１４ｂを有することが好ましい。絶縁膜１４が半導体積層体１３を被覆し、かつ露出部１３ｂの上方に開口部１４ａを有することにより、第２半導体層１３ｐの上面を覆う絶縁膜１４の上面の広範囲に、例えば絶縁膜１４の上面の略全面に第１電極１１を形成することができる。
絶縁膜１４は、当該分野で公知の材料によって、電気的な絶縁性を確保し得る材料及び厚みで形成されていることが好ましい。具体的には、絶縁膜１４は、金属酸化物及び金属窒化物等、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌからなる群より選択された少なくとも一種の酸化物又は窒化物によって形成することができる。
【００１７】
（第１電極１１及び第２電極１２）
第１電極１１及び第２電極１２は、半導体積層体１３の上面側（つまり、成長基板とは反対側である第２半導体層側）に配置されている。
第１電極１１は、露出部１３ｂの上方における絶縁膜１４の開口部１４ａにて、露出部１３ｂと接続している。この場合、第１電極１１は複数の露出部１３ｂを覆うように接続されることが好ましく、例えば、露出部１３ｂのうちの半分ずつが、それぞれ１つの第１電極１１に覆われ、それぞれ一体的に接続されていてもよい。さらに、第１電極１１は複数の露出部１３ｂを覆い、一体的に露出部１３ｂに接続されていることがより好ましい。従って、第１電極は、第１半導体層１３ｎ上のみならず、第２半導体層１３ｐ上方にも配置される。ここで、第１電極１１は、絶縁膜１４を介して、露出部１３ｂを形成する孔の側面（つまり発光層１３ａ及び第２半導体層１３ｐの側面）及び第２半導体層１３ｐ上に配置される。
【００１８】
第２電極１２は、第２半導体層１３ｐの上方にある絶縁膜１４の開口部１４ｂを通して、第２半導体層１３ｐ上に配置され、かつ第２半導体層１３ｐと電気的に接続されている。
第１電極１１及び第２電極１２は、第１半導体層１３ｎ及び第２半導体層１３ｐと、それぞれ直接接触しておらず、後述する光反射性電極等の導電性部材を介して電気的に接続されていてもよい。
【００１９】
第１電極１１及び第２電極１２は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ等の金属又はこれらの合金の単層膜又は積層膜によって形成することができる。具体的には、これら電極は、半導体層側からＴｉ／Ｒｈ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｗ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｒｈ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ−Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｒｈなどの積層膜によって形成することができる。第１電極１１及び第２電極１２の膜厚は、当該分野で用いられる膜の膜厚のいずれでもよい。
第１電極１１及び第２電極１２の平面視形状は、半導体積層体の平面視形状が矩形の場合、同様にその外縁形状が矩形又は略矩形であることが好ましい。第１電極１１及び第２電極１２は、平面視において、１つの半導体積層体においては、一方向に並行して交互に配置されていることが好ましい。例えば、平面視において、第１電極１１が第２電極１２を挟むように配置されていることが好ましい。
【００２０】
（光反射性電極１６）
発光素子１０は、第１電極１１及び／又は第２電極１２と第２半導体層１３ｐとの間に光反射性電極１６を有していてもよい。
光反射性電極１６としては、銀、アルミニウム又はこれらのいずれかの金属を主成分とする合金を用いることができ、特に発光層から発せられる光に対して高い光反射性を有する銀又は銀合金がより好ましい。光反射性電極１６は、発光層から出射される光を効果的に反射することができる程度の厚みを有することが好ましく、例えば、２０ｎｍ〜１μｍ程度が挙げられる。光反射性電極１６は、半導体積層体１３の広い範囲に配置されることが好ましい。具体的には、光反射性電極１６の総平面積は、半導体積層体１３の平面積の５０％以上、６０％以上、７０％以上が挙げられる。
【００２１】
光反射性電極１６が銀を含む場合には、銀のマイグレーションを防止するために、その上面、好ましくは、光反射性電極１６の上面及び側面を被覆する保護膜１７を設けてもよい。保護膜１７としては、通常、電極材料として用いられている金属又は合金等の導電性部材によって形成してもよいし、絶縁性部材を用いて形成してもよい。導電性部材としては、アルミニウム、銅、ニッケル等の金属を含有する単層又は積層層が挙げられる。絶縁性部材としては、上述した絶縁膜１４と同様の材料が挙げられるが、なかでもＳｉＮを用いることが好ましい。ＳｉＮは膜が緻密なため、水分の侵入を抑制する材料として優れている。保護膜１７の厚みは、効果的に銀のマイグレーションを防止するために、数百ｎｍ〜数μｍ程度が挙げられる。保護膜１７を絶縁性部材で形成する場合、保護膜１７が光反射性電極１６の上方に開口を有することで光反射性電極１６と第２電極１２とを電気的に接続することができる。なお、発光素子１０が第２半導体層１３ｐ上に光反射性電極１６及び保護膜１７を有する場合、半導体積層体１３を覆う絶縁膜１４は光反射性電極１６及び保護膜１７を覆っており、かつ、第２電極１２の直下の領域には開口が形成されており、これにより第２電極１２と光反射性電極１６とが電気的に接続される。
【００２２】
（第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２）
第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２は、第１電極１１及び第２電極１２とそれぞれ電気的に接続され、外部と接続するために設けられる。
第１外部接続部２１は、第１電極１１と接続され、第２半導体層１３ｐの上方において、絶縁膜１４の上面に設けられた第１電極１１上に設けられる。また、平面視において、露出部１３ｂとは離間して配置されている。第１外部接続部２１は、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に配置されており、第２方向において、複数配置されている。第１外部接続部２１は、第１方向に長い形状を有する。第１外部接続部２１の第１方向における長さは、半導体積層体１３の第１方向の半分の長さよりも若干短い。具体的には、第１外部接続部２１の第１方向における長さは、半導体積層体１３の第１方向の長さの３５％〜４５％の長さが挙げられる。第１外部接続部２１は、第２方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間ごとに１つずつ配置されることが好ましい。
第１外部接続部２１は、平面視において、第１方向に沿った第２半導体層１３ｐの外縁に隣接する露出部１３ｂ１を取り囲むように配置する第１外部接続部２１ｂを含む。第１外部接続部２１ｂは、半導体積層体１３の上述した領域Ｒから第１方向に沿って配列する露出部１３ｂ１と露出部１３ｂとの列間にまで延在し、露出部１３ｂの列間に配置された第１外部接続部２１よりも面積が大きい。図１Ａに示すように、第１外部接続部２１は、平面視において、第１方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂ１と、第２半導体層１３ｐの第１方向に沿った外縁との間隔Ｌが、第２方向において隣り合う露出部１３ｂ間の間隔Ｓよりも狭い領域Ｒから、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂ１と露出部１３ｂとの列間にまで延在する第１外部接続部２１ｂを含む。そして、この第１外部接続部２１ｂは、露出部１３ｂの列間に配置された第１外部接続部２１よりも面積が大きい。
このように、第１外部接続部２１のうち、その端部（例えば、第２方向の端部）に配置する第１外部接続部２１ｂの面積を大きくすることにより、発光素子の製造におけるめっき層の形成過程において、めっき層の剥離を発生させることなく、所定の形状の第１外部接続部を確実に形成することができる。その結果、発光装置において、放熱性及び光取り出し効率の双方を向上させることができる。
【００２３】
また、第１外部接続部２１は、平面視において第２方向に延伸する複数の延伸部２１ａを有する。延伸部２１ａの少なくとも一部は、平面視において第１方向に隣接する露出部１３ｂ間に位置するものが好ましい。これにより、第１外部接続部２１の平面視形状をより大きなものとすることができる。延伸部２１ａの幅（つまり第１方向に沿った長さ）は、露出部１３ｂ間において、露出部１３ｂに近接し、かつ、電気的な短絡を生じさせない程度に設定される。延伸部２１ａは、１つの第１外部接続部２１において複数配置され、それらは一部又は全てが異なる大きさ及び形状であってもよいが、少なくとも同じ方向に延びる縁においては、大きさは同じであることが好ましい。
【００２４】
図１Ａに示すように、第１外部接続部２１、２１ｂは、発光素子１０の外縁に隣接する露出部１３ｂ１、１３ｂ２に対して、これらの露出部１３ｂ１、１３ｂ２の端部よりも外縁に近い端部を有することが好ましい。つまり、延伸部２１ａは、第１方向に列状に配置される露出部１３ｂの、半導体積層体１３の外縁に最も近くに配列される露出部１３ｂ２間においては、露出部１３ｂ２を越えて第１方向に延伸することが好ましい。
また、露出部１３ｂが第２方向に沿って複数列が列状に配置される場合、発光素子１０は複数の第１外部接続部２１を有し、複数の第１外部接続部２１は各列間に１つずつ配置されることが好ましい。つまり、各列間に配置する２つ以上の第１外部接続部２１は、互いに、列状に配置される露出部１３ｂを挟んで離間して配置されていることが好ましい。そして、それぞれの第１外部接続部２１が、第１外部接続部２１に沿って隣接する露出部１３ｂ間に延伸する延伸部２１ａを備えることにより、第１外部接続部２１の面積をより大きく形成することができる。
【００２５】
このように第１方向に沿って細長く形成される第１外部接続部２１が、平面視において第２方向に延伸する延伸部２１ａを有することにより、半導体積層体１３上に露出部１３ｂを避けて第１外部接続部２１をより大面積で配置することができる。平面視において、第１外部接続部２１と露出部１３ｂとが重ならないため、後述する発光素子１０の基板２３への接合の際に、その接合時の応力による露出部１３ｂ近傍の絶縁膜及び電極の破損を回避することができる。また、第１外部接続部２１を発光素子１０の一面において大面積で配置することができるため、放熱性をより一層確保することが可能となる。また、上述したように、第１方向に長い形状を有する２つ以上の第１外部接続部２１が、列状に配置される露出部１３ｂを挟んで離間して配置されることにより、発光素子１０と基板２３との間に後述する被覆部材２７を形成する際に、被覆部材２７を形成するための未硬化の樹脂材料が流動しやすくなる。これにより、発光素子１０の直下におけるボイド等の発生を抑制することができる。つまり、第１外部接続部２１が、第１方向に複数の列状に配置された露出部１３ｂの列間で第１方向に長い形状を有することにより、被覆部材２７を形成するための未硬化の樹脂材料が基板２３上を第１外部接続部２１に沿って、露出部１３ｂの直下を第１方向に流動しやすくなる。これにより、露出部１３ｂを形成する孔の内部へも樹脂材料が配置されやすくなり、露出部１３ｂ直下（つまり露出部を形成する孔の内部）におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００２６】
第１外部接続部２１が、露出部１３ｂを挟んで隣接する場合、第１外部接続部２１間の最も近い距離は、例えば、発光素子１０の一辺の長さの０．１％〜２％の長さが挙げられる。
【００２７】
第２外部接続部２２は、第２電極１２と接続される。第２外部接続部２２は、例えば、第２方向に沿って細長い形状であり、第１方向において半導体積層体１３の長さの５％〜２０％の長さ、第２方向において半導体積層体１３よりも若干短い長さを有することが挙げられる。
第２外部接続部２２は、例えば、第１方向に沿って延びる第１外部接続部２１に挟まれて配置されていることが好ましい。つまり、平面視において、第２外部接続部２２は第２方向に細長い形状であり、第１外部接続部２１は、第２外部接続部２２を挟んで配置されていることが好ましい。この場合、第１外部接続部２１は、第２外部接続部２２の第２方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることがより好ましい。これにより、発光素子１０を基板２３上にフリップチップ実装する際に第１外部接続部２１および第２外部接続部２２にかかる応力の偏りを少なくすることができる。その結果、発光素子１０と基板２３との接合精度が安定する。また、第２外部接続部２２が第１外部接続部２１が第２方向に沿って配置される間隔と同様に、第１外部接続部２１と間隔を有して配置されているために、被覆部材２７を形成する未硬化の樹脂材料の流動性を発光素子の全域にわたって良好なものとすることができる。これにより、発光素子１０の被覆部材２７が配置される領域にボイドが発生することを有効に防止することができるとともに、熱応力の低減を図ることができる。
【００２８】
第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の総面積は、上面視において、半導体積層体１３の平面積に対して４０％〜８０％程度であることが好ましく、５０％〜７０％程度であることがより好ましい。第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の総面積を半導体積層体１３の平面積に対して４０％以上とすることで、発光素子の放熱性を向上させることができる。第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の総面積を半導体積層体１３の平面積に対して８０％以下とすることで、被覆部材２７を形成する未硬化の樹脂材料を流し込むための領域を確保しやすい。
【００２９】
第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２は、それぞれ、当該分野で公知の方法で形成することができる。例えば、スパッタリング法、蒸着法、めっき法又はこれらを組み合わせた方法等が挙げられる。例えば、第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２を形成する場合、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金及びＡｇ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属の単層又は積層構造を用いることができる。第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２は、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた基板２３との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。
【００３０】
実施形態２：発光素子１０の製造方法
上述した発光素子１０は、まず、発光素子部を準備し、次いで、発光素子部上に所定形状のマスクを形成し、該マスクを用いて導電層を形成し、該導電層をパターニングして第１外部接続部及び第２外部接続部を形成することを含む。この製造方法は、所定の段階で、さらに個々の発光素子又は複数の発光素子群に分割する工程等を含んでいてもよい。
【００３１】
（発光素子部の準備）
まず、図２Ａに示すように、発光素子を構成する発光素子部を準備する。発光素子部は、具体的には、半導体積層体１３と、絶縁膜１４と、第１電極１１と、第２電極１２とを有する。発光素子部は、１つの発光素子を構成する半導体積層体１３が、例えば、絶縁性の支持基板１５上に配置されたものでもよいし、ウェハ等による支持基板１５の上にマトリクス状に複数配列されたものでもよい。図２Ａにおいては、図１ＡにおけるＩＶ−ＩＶ’線の断面に相当する発光素子部の一部のみを表す。
なお、上述したように、第２半導体層１３ｐ上においては、光反射性電極１６及びそれを被覆する保護膜１７が配置していてもよい。この場合、第１電極１１は、第２半導体層１３ｐ上においては、光反射性電極１６、保護膜１７及び絶縁膜１４を介して配置されている。
発光素子部における絶縁膜１４は、さらに、第２半導体層１３ｐ上にさらに開口部１４ｂを有していることが好ましい。
【００３２】
（マスク５６の形成）
図２Ｂ及び２Ｃに示すように、第１電極１１及び第２電極１２上にマスク材を形成し、このマスク材を、フォトリソグラフィ及びエッチング工程によって、所定の形状にパターニングして、マスク５６を形成する。ここでのマスク５６の形状は、平面視において、第２半導体層１３ｐの第１方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂ１以外の露出部１３ｂ間を第１方向において繋ぐ領域と、露出部１３ｂとを被覆する形状に形成する。また、マスク５６は、平面視において、露出部１３ｂの幅よりも小さい幅で、第２方向に延長する領域（つまり、第２方向に沿った外縁に隣接する領域）を、第１方向に沿ってさらに被覆するように形成することが好ましい。
このマスク５６は、第２電極１２の外縁及びそれに隣接する領域と、第２電極１２に隣接する露出部１３ｂ間を連結する領域とをさらに被覆して形成することが好ましい。このようなマスク５６を形成することによって、第１外部接続部２１とともに、第２外部接続部２２も同時に形成することができる。
なお、マスク５６は、発光素子部の外縁から第２半導体層１３ｐの外縁を含む第１電極１１の外周部分も被覆することが好ましい。このような領域をマスクすることにより、発光素子部の側面での導電層５７による短絡を回避することができる。
【００３３】
（導電層５７の形成）
マスク５６を用いて、少なくとも第１電極１１上に導電層５７を形成する。この場合、第２電極１２上にも導電層５７を形成することが好ましい。つまり、図２Ｄに示すように、第１電極１１及び第２電極１２の上面に導電層５７を形成することが好ましい。
導電層５７は、当該分野で公知の方法によって形成することができるが、めっき法によって形成する工程を含むことが好ましい。また、導電層５７の最表面をめっきによって形成する工程を含むことがより好ましく、導電層５７をめっきによってのみ形成することがさらに好ましい。
【００３４】
（第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の形成）
導電層５７を形成した後、マスク５６を除去する。例えば、リフトオフ法を利用することなどによってマスク５６を除去することが好ましい。これによって、マスク５６上の配置されていた導電層５７が、マスク５６とともに除去されることから、導電層５７を所定の形状にパターニングして、図１Ｃ、図１Ｄに示すように、第１外部接続部２１を形成することができる。ここで得られた第１外部接続部２１は、第１電極１１と接続され、平面視において、露出部１３ｂと離間し、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に配置された、複数の第１外部接続部２１と、第１外部接続部２１ｂを形成することができる。第１外部接続部２１ｂは、平面視において、半導体積層体１３の領域Ｒ（図１Ａ参照）から、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂ１と露出部１３ｂとの列間にまで延在する。第１外部接続部２１ｂは、露出部１３ｂの列間に配置された第１外部接続部２１よりも平面積が大きい。
このように、本実施形態によれば、一つの発光素子部における露出部１３ｂを半導体積層体１３の面内において均等に配置し、半導体積層体１３の外縁とそれに最も近い露出部１３ｂとの間隔が狭くなる場合においても、第１外部接続部２１の面積が部分的に小さくなりにくい。発光素子の製造工程における外部接続部を形成する過程において、発光素子部の外周付近に位置する第１外部接続部２１ｂの面積を、他の第１外部接続部２１の面積よりも大きくすることで、面積が小さいことに起因する、導電層５７と第１電極１１との密着性の低下や導電層５７の剥がれの発生等を効果的に回避することができる。
また、第２電極１２上にも導電層５７を形成した場合には、第２電極１２上に、第２外部接続部２２をも同時に形成することができる。ここで得られた第２外部接続部２２は、例えば、発光素子の第２方向に沿って直線状に１本で形成することが好ましいが、直線状に複数配列されていてもよい。このように、平面視において、第２外部接続部２２を第２方向に沿って配置する場合、第１外部接続部２１、２１ｂは、第２外部接続部２２を挟んで、その両側に配置するように形成することが好ましい。
【００３５】
（分割）
発光素子部として、１つの発光素子を構成する半導体積層体がウェハ等による支持基板１５の上に複数マトリクス状に配列されたものを用いた場合には、発光素子部間又は複数の発光素子部ごとに、半導体積層体を、任意に支持基板とともに分割してもよい。このような分割は当該分野で公知の方法を利用して行うことができる。
【００３６】
実施形態３：発光素子２０
上述した発光素子１０の変形例として、図３Ａに示す発光素子２０が挙げられる。
この実施形態における発光素子２０は、第１外部接続部２１が、第１方向に沿って配列する露出部１３ｂと、隣接する列において配列する露出部１３ｂとの間において、第１方向に沿って延長した第１外部接続部２１と、第１方向に沿った第２半導体層１３ｐの外縁に隣接する露出部１３ｂ１の一部を取り囲み、第２半導体層１３ｐの外縁に向かって、第２方向に沿って開口する溝部５５を有する第１外部接続部２１ｂｂとを含む以外、実質的に発光素子１０と同様の構成を有する。
第１外部接続部２１ｂｂは、平面視において、第１外部接続部２１よりも面積が大きい。また、溝部５５の幅は、平面視において、露出部１３ｂ、１３ｂ１の幅よりも小さい幅を有する。
なお、第１外部接続部２１ｂｂは、第２半導体層１３ｐの角に最も近い露出部１３ｂｂを有する場合、この露出部１３ｂｂから開口する溝部５５は、図３Ａに示すように第１方向に沿って開口していてもよい。また、図３Ｂに示すように、全ての溝部４４は、第２方向に沿って開口していてもよい。
なお、このような発光素子を製造する場合、上述したマスクの形成の工程において、溝部５５に相当する第１電極上も被覆するように、マスクの形状を変更すればよい。
【００３７】
実施形態４：発光素子３０
上述した発光素子１０の変形例として、図４に示す発光素子３０が挙げられる。
この実施形態における発光素子３０は、第１外部接続部が、第２方向に沿って配列する露出部１３ｂ部の列間に配置されている以外、実質的に発光素子１０と同様の構成を有する。つまり、第１外部接続部は、第２方向に沿って配列する露出部１３ｂの列間に配置された第１外部接続部３１と、平面視において、半導体積層体１３の領域Ｑから、第２方向に沿って配列する露出部１３ｂ２の列間にまで延在し、第１外部接続部３１よりも面積が大きい第１外部接続部３１ｂとを含む。
延伸部３１ａは、少なくとも一部は、平面視において第２方向に隣接する露出部１３ｂ間に位置するものが好ましい。延伸部２１ａの幅（つまり第２方向に沿った長さ）は、露出部１３ｂ間において、露出部１３ｂに近接し、かつ、電気的な短絡を生じさせない程度に設定される。延伸部３１ａは、第２方向に列状に配置される露出部１３ｂの、半導体積層体１３の外縁に最も近くに配列される露出部１３ｂ２間においては、露出部１３ｂ２を越えて第１方向に延伸することが好ましい。
なお、このような発光素子を製造する場合、上述したマスクの形成の工程において、マスクの形状を変更すればよい。具体的には、マスクの形状を、平面視において、第２半導体層１３ｐの第２方向に沿った外縁に最も近い露出部１３ｂ２以外の露出部間を第２方向において繋ぐ領域と、露出部１３ｂとを被覆する形状に形成すればよい。
【００３８】
実施形態５：発光素子４０
上述した発光素子３０の変形例として、図５Ａに示す発光素子４０が挙げられる。
この実施形態における発光素子４０は、第１外部接続部は、第２方向に沿って配列する露出部１３ｂと、隣接する列において配列する露出部１３ｂとの間において、第２方向に沿って延長した第１外部接続部３１と、第２方向に沿った第２半導体層１３ｐの外縁に隣接する露出部１３ｂ２の一部を取り囲み、第２半導体層１３ｐの外縁に向かって、第１方向に沿って開口する溝部３５を有する第１外部接続部３１ｂｂとを含む以外、実質的に発光素子３０と同様の構成を有する。
第１外部接続部３１ｂｂは、平面視において、第１外部接続部３１よりも面積が大きい。
なお、第１外部接続部３１ｂｂは、第２半導体層１３ｐの角に最も近い露出部１３ｂｂを有する場合、この露出部１３ｂｂから開口する溝部３５は、図５Ａに示すように第２方向に沿って開口していてもよいし、図５Ｂに示すように、第１方向に沿って開口していてもよい。
なお、このような発光素子を製造する場合、上述したマスクの形成の工程において、溝部３５に相当する第１電極上も被覆するように、マスクの形状を変更すればよい。
【００３９】
実施形態６：発光装置５０
本開示の一実施形態における発光装置５０は、図６Ａ及び６Ｂに示すように、上面に配線パターンを有する基板２３と、上述した発光素子１０と、被覆部材２７とを備える。
【００４０】
（基板２３）
基板２３は、上面に配線パターン２４、２５を有し、配線パターン２４、２５上に発光素子１０が、フリップチップ実装されている。
基板の材料としては、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、表面に絶縁性部材を形成した金属部材等が挙げられる。なかでも、基板の材料は、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどが挙げられる。
【００４１】
配線パターン２４、２５は、発光素子１０に電流を供給し得るものであればよく、当該分野で通常使用されている材料、厚み、形状等で形成されている。具体的には、配線パターン２４、２５は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、プラチナ、チタン、タングステン、パラジウム、鉄、ニッケル等の金属又はこれらを含む合金等によって形成することができる。特に、基板２３の上面に形成される配線パターン２４、２５は、発光素子１０からの光を効率よく取り出すために、その最表面が銀又は金などの反射率の高い材料で覆われていることが好ましい。配線パターン２４、２５は、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等によって形成される。例えば、発光素子１０の電極として配線パターン２４、２５に接続される第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の最表面が金によって形成されている場合、配線パターン２４、２５の最表面もＡｕとすることが好ましい。これによって、発光素子１０と基板２３との接合性を向上することができる。
【００４２】
配線パターン２４、２５は、基板２３の上面に第１外部接続部２１が接続される配線パターン２４と、第２外部接続部２２が接続される配線パターン２５を有していることが好ましい。このような配線パターン２４、２５によって、発光素子１０をフリップチップ実装により接続することができる。第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２が形成された面を下面として基板２３上にフリップチップ実装する場合、下面と反対側の上面が発光素子１０の主な光取り出し面となる。配線パターン２４、２５は、基板２３の上面のみならず、内部及び／又は下面に配置されていてもよい。
【００４３】
発光素子１０における第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２と、配線パターン２４、２５との接合は、例えば、超音波接合法を用いて接合することができる。また、接合部材として、金、銀、銅などのバンプ、銀、金、銅、プラチナ、アルミニウム、パラジウムなどの金属粉末と樹脂バインダを含む金属ペースト、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、低融点金属などのろう材等を用いてもよい。
【００４４】
（被覆部材２７）
被覆部材２７は、発光素子１０の側面、発光素子１０と基板２３との間、基板２３の上面、第１外部接続部２１及び第２外部接続部２２の側面を被覆する。被覆部材２７は、発光素子１０の下面において、露出部の直下にも配置されることが好ましい。また、後述するように、発光装置５０が、発光素子１０の上面に透光部材２８を有する場合には、被覆部材２７は、透光部材２８の側面も被覆することが好ましい。
被覆部材２７は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有した樹脂等によって形成することができる。なかでも、被覆部材２７は、光反射性及び／又は遮光性を有することが好ましい。被覆部材２７を構成する樹脂、光反射性物質等は、当該分野で通常使用されているもののいずれをも利用することができる。例えば、樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
【００４５】
被覆部材２７を構成する材料は、発光素子１０と基板２３との間に入り込みやすく、ボイドの発生を防止しやすいという観点から、流動性が高く、熱又は光の照射により硬化する樹脂を含むことが好ましい。このような材料は、例えば、０．５Ｐａ・ｓ〜３０Ｐａ・ｓの粘度での流動性を示すものが挙げられる。また、被覆部材２７を構成する材料における光反射性物質等の含有量等によって光の反射量、透過量等を変動させることができる。被覆部材２７は、例えば、光反射性物質を２０重量％以上含有することが好ましい。
被覆部材２７は、例えば、射出成形、ポッティング成形、樹脂印刷法、トランスファーモールド法、圧縮成形などで成形することができる。
【００４６】
（透光部材２８）
発光装置５０は、発光素子１０の上面に透光部材２８を有することが好ましい。透光部材２８は、発光素子の光取り出し面を被覆し、発光素子１０から出射される光の５０％以上、好ましくは６０％以上、より好ましくは７０％以上を透過させ、外部に放出することが可能な部材である。透光部材２８は、光拡散材、発光素子１０から出射される光の少なくとも一部を波長変換可能な蛍光体を含有することができる。透光部材２８の下面外縁は、発光素子１０の上面外縁と一致するか、上面外縁より内側又は外側のいずれかのみに位置することが好ましい。透光部材２８は板状であることが好ましく、透光部材２８の厚みは、例えば、５０μｍ〜３００μｍが挙げられる。
【００４７】
透光部材２８は、例えば、樹脂、ガラス、無機物等により形成することができる。また、蛍光体を含有する透光部材は、蛍光体の焼結体、樹脂、ガラス又は他の無機物に蛍光体を含有させたもの等が挙げられる。また、透光部材２８は、平板状の樹脂、ガラス、無機物等の成形体の表面に蛍光体を含有する樹脂層を形成したものでもよい。透光部材２８は、透明度が高いほど、被覆部材２７との界面において光を反射させやすいため、輝度を向上させることが可能となる。
【００４８】
透光部材２８に含有させる蛍光体としては、例えば、発光素子１０として、青色発光素子又は紫外線発光素子を用いる場合には、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）、セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）、ユウロピウム及び／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2：Ｅｕ）、ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（例えば（Ｓｒ，Ｂａ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えばＳｉ6-zＡｌzＯzＮ8-z：Ｅｕ（０＜Ｚ＜４．２））、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ）、硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体等が挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子との組み合わせにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を得ることができる。このような蛍光体を透光部材に含有される場合、蛍光体の濃度は、例えば５％〜５０％程度とすることが好ましい。
【００４９】
透光部材２８は、発光素子１０の光取り出し面を被覆するように接合されている。透光部材２８と発光素子１０との接合は、接着材を介して又は介さずに接合することができる。接着材は、例えば、エポキシ又はシリコーン等の樹脂材料を用いたものが利用できる。透光部材２８と発光素子１０との接合には、圧着、焼結、表面活性化接合、原子拡散接合、水酸基接合による直接接合法を用いてもよい。
【００５０】
発光装置５０は、任意に、保護素子２６等の別の素子又は電子部品等を有していてもよい。これらの素子及び電子部品は、被覆部材２７内に埋設されていることが好ましい。
【００５１】
実施形態７：発光装置６０
本開示の一実施形態における発光装置６０は、図７に示すように、上面に配線パターン４２ａ、４２ｂを有する配線基板４１と、上述した複数、例えば、３つの発光素子１０と、被覆部材４４とを備える。
複数の発光素子１０が一列に配列される場合、発光素子１０の第１方向は、発光素子１０が配列する方向とは異なる方向、例えば、発光素子１０が配列する方向と直交する方向に向いて、配列されることが好ましい。複数の発光素子１０を比較的狭い間隔で配列した場合、発光素子１０の全方位から被覆部材４４を流し込むことができず、発光素子１０の直下に被覆部材４４を配置することが難しい。この実施形態のような配列によって、被覆部材４４を発光素子１０の第１方向に沿って効率よく流し込むことができる。そのため、被覆部材４４を全発光素子１０における全露出部１３ｂの直下に容易に充填することができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
この発光装置６０における配線パターン４２ａ、４２ｂの間には中継用の配線パターンが設けられている。この中継用の配線パターンに発光素子１０が実装されることで、本実施形態では３つの発光素子１０が直列接続されている。また、配線パターン４２ａ、４２ｂの一部が被覆部材４４に覆われている。
【符号の説明】
【００５２】
１０、２０、３０、４０    発光素子
１１    第１電極
１２    第２電極
１３    半導体積層体
１３ａ    発光層
１３ｂ、１３ｂ１、１３ｂ２、１３ｂｂ    露出部
１３ｎ  第１半導体層
１３ｐ  第２半導体層
１４    絶縁膜
１４ａ、１４ｂ    開口部
１５    支持基板
１６    光反射性電極
１７    保護膜
２１、２１ｂ、２１ｂｂ、３１、３１ｂ、３１ｂｂ    第１外部接続部
２１ａ、３１ａ    延伸部
２２    第２外部接続部
２３    基板
２４    配線パターン
２５    配線パターン
２６    保護素子
２７    被覆部材
２８    透光部材
３５、５５    溝部
４１    配線基板
４２ａ  配線パターン
４２ｂ  配線パターン
４４    被覆部材
５０、６０    発光装置
５６    マスク
５７    導電層
Ｑ、Ｒ    領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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