(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｉ／Ｏ変換の機能を持ち、１０ＧＨｚ以上の信号を送受信可能で、２５０μｍ以下の狭ピッチ電極を備えた半導体デバイス等を検査する検査治具を提供する。【解決手段】半導体デバイス５０の電気特性の検査に使用され、検査電極５１Ｇ，Ｓの対応位置に設けられた複数のプローブを、半導体デバイス５０と高周波基板との間のホルダー１２，１３に保持した検査治具である。プローブ１Ｇ，Ｓは、半導体デバイス側接触ピン、スプリング及び高周波基板側接触ピンを導体筒４中にその順で有し、各接触ピンの一方又は両方が可動する構造であり、ホルダー４は、半導体デバイス側接触ピンを挿入する貫通孔１３ａを有する半導体デバイス側ホルダー１３と、高周波基板側接触ピンを挿入する貫通孔を有する高周波基板側ホルダー１２とで構成され、プローブが有する各接触ピが検査時に貫通孔内に収まるように構成されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号を送受信する半導体デバイスの電気特性の検査に使用され、前記電気特性を検査する電極の対応位置に設けられた複数のプローブを、前記半導体デバイスと高周波基板との間のホルダーに保持した検査治具であって、
前記プローブは、半導体デバイス側接触ピン、スプリング及び高周波基板側接触ピンを導体筒中にその順で有し、該半導体デバイス側接触ピン及び該高周波基板側接触ピンの一方又は両方が可動する構造であり、
前記ホルダーは、前記半導体デバイス側接触ピンを挿入する貫通孔を有する半導体デバイス側ホルダーと、前記高周波基板側接触ピンを挿入する貫通孔を有する高周波基板側ホルダーとで構成され、前記プローブが有する前記各接触ピンが検査時に前記貫通孔内に収まる、ことを特徴とする半導体デバイスの検査治具。
【請求項２】
前記半導体デバイス側ホルダーと前記高周波基板側ホルダーとは、一定の距離の空気層を空けて設置されている、請求項１に記載の半導体デバイスの検査治具。
【請求項３】
前記ホルダーが、誘電率３．０〜６．０の範囲内の絶縁樹脂で構成されている、請求項１又は２に記載の半導体デバイスの検査治具。
【請求項４】
前記各接触ピンの直径が、０．０５〜０．１ｍｍの範囲内である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体デバイスの検査治具。
【請求項５】
前記プローブは、電気信号電極用プローブとグランド電極用プローブとを有し、いずれも同一形状である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体デバイスの検査治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの検査治具に関し、さらに詳しくは、Ｉ／Ｏ変換の機能を持ち、１０ＧＨｚ以上の信号を送受信可能で、２５０μｍ以下の狭ピッチ電極を備えた半導体デバイス等を検査するための検査治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の検査では、半導体基板上の複数のチップ内の集積回路に所定の信号を同時入力させ、このときの出力信号の正常／異常を同時検査することで、一括動作確認を行っている。そのための検査装置としては、例えば特許文献１に記載のアライメント装置が提案されている。このアライメント装置は、プローブシートに設けられているプローブ端子と半導体ウエハに形成されている検査用電極とを正確に位置合わせできるようにした装置である。詳しくは、半導体基板の外周付近に２個の位置合わせマークを形成し、プローブ基板にも２個の位置合わせマークを形成し、これら位置合わせマークの位置をそれぞれ検出して位置ずれ量を測定している。検査基板には、位置合わせマークを検出するために２個の貫通孔が設けられ、その２個の貫通孔の上方にそれぞれ１台のＣＣＤカメラを設置している。各ＣＣＤカメラは、検査基板の貫通孔を介して、半導体基板の位置合わせマーク及びプローブ基板の位置合わせマークを１個ずつ撮像し、撮像画像を用いて位置ずれ量を測定し、さらに、測定結果に基づいて基板載置台の位置を調整して、半導体基板の検査用電極とプローブ間の位置合わせと接触を行っている。
【０００３】
近年、半導体集積回路の多品種少量生産品に対応する半導体検査装置が要請されている。特許文献２では、特許文献１のような従来型の半導体検査装置をそのまま用いたときの問題（精度、その場観察及び価格に劣る）を解決した小型基板検査装置を提案している。その小型基板検査装置は、小形の半導体基板の集積回路中の検査用電極とプローブとの間の位置あわせ精度・接触精度が高く、処理基板全体の状態をその場で観察しながら検査ができる、安価で小型な基板検査装置であって、集積回路と、集積回路の電極に当接されるプローブ端子が設けられたプローブ基板とを位置合わせするために、プローブ基板を透明にして、集積回路に設けた複数の第１の位置合わせマークとプローブ基板に設けた複数の第２の位置合わせマークとをカメラにより撮像して位置合わせするという技術である。
【０００４】
こうした半導体検査装置において、固定された半導体デバイスの電極と検査治具のプローブとの位置合わせは、半導体デバイスの上に検査治具を移動させ、半導体デバイス上の目印（使用していない電極や回路パターンなど）を目視（カメラによる一つの画像）により確認しながら、検査治具側との位置を少しずつ移動（ＸＹＺθ方向）させて調整している。
【０００５】
ところで、現在の半導体デバイスでは、１０ＧＨｚ以上の高周波信号を送受信するなど、高速化が進んでおり、電気信号を取り出して検査する検査冶具の伝送線路もインピーダンス整合をしなければならない。また、半導体デバイスには、Ｉ／Ｏ変換機能のための複数の受光素子、発光素子及び電気信号電極を備えたものがあり、そうした半導体デバイスの検査では、受光素子と発光素子との間で光信号の送受信を行っている。また、半導体デバイスの小型化もさらに進んでおり、近年では、サイズは５ｍｍ角以下、電極ピッチは２５０μｍ以下になっており、狭ピッチ化が進んでいる。
【０００６】
狭ピッチ化に対応した技術として、特許文献３では、半導体装置の電極密度が高密度化された場合であっても、コンタクト端子の配列における狭ピッチ化に容易に対応しインピーダンス整合を図ることができる半導体装置用ソケットが、半導体装置の検査用治具として提案されている。この半導体装置用ソケットは、信号ラインに対応した金属製アッパハウジングのセルにおいて、電気絶縁性を有するアダプタの端部と電気絶縁性を有するロアハウジングの内面との間には、環状の隙間（空気領域）が互いに同一の構成を有するコンタクト端子のスリーブの周囲に形成され、また、接地ラインに対応したセルにおいては、コンタクト端子の接点部がロアハウジングの透孔に挿入され、その接点部がセルの内面に当接する導電性のカラーの小径孔に挿入されるものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１６４６５５号公報
【特許文献２】特開２０１５−８２５８７号公報
【特許文献３】特開２０１２−９８２１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献３の技術では、コンタクト端子周囲の電気絶縁性を有するアダプタと隙間（空気領域）との誘電率の違いにより特性インピーダンスの変化点が生じることになり、１０ＧＨｚを超える周波数帯域においては、反射による減衰が生じる原因となる。また、２５０μｍ以下の狭ピッチ電極に対しては、同軸構造のプローブでは、特性インピーダンスを整合させることは困難である。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、Ｉ／Ｏ変換の機能を持ち、１０ＧＨｚ以上の信号を送受信可能で、２５０μｍ以下の狭ピッチ電極を備えた半導体デバイス等を検査する検査治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体デバイスの検査治具は、高周波信号を送受信する半導体デバイスの電気特性の検査に使用され、前記電気特性を検査する電極の対応位置に設けられた複数のプローブを、前記半導体デバイスと高周波基板との間のホルダーに保持した検査治具であって、
前記プローブは、半導体デバイス側接触ピン、スプリング及び高周波基板側接触ピンを導体筒中にその順で有し、該半導体デバイス側接触ピン及び該高周波基板側接触ピンの一方又は両方が可動する構造であり、
前記ホルダーは、前記半導体デバイス側接触ピンを挿入する貫通孔を有する半導体デバイス側ホルダーと、前記高周波基板側接触ピンを挿入する貫通孔を有する高周波基板側ホルダーとで構成され、前記プローブが有する前記各接触ピンが検査時に前記貫通孔内に収まる、ことを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、プローブを構成する各接触ピンの一方又は両方が可動して、各接触ピンが電極に接触した検査時に貫通孔内に収まるので、検査時に貫通孔内に収まらずに電極側に露出した場合のような接触部位でのホルダーと隙間（空気領域）との誘電率の違いによる特性インピーダンスの変化点が生じない。その結果、接触ピンが貫通孔内に収まる接触部位での特性インピーダンスを低減することができ、特に１０ＧＨｚを超える周波数帯域での反射による減衰を低減して減衰量を小さくすることができる。
【００１２】
本発明に係る半導体デバイスの検査治具において、前記半導体デバイス側ホルダーと前記高周波基板側ホルダーとは、一定の距離の空気層を空けて設置されている。この発明によれば、インピーダンス整合のためにプローブの周囲に誘電体を無くしており、高周波基板側ホルダーと半導体デバイス側ホルダーとの間を一定の距離とすることにより適当なインピーダンス整合を実現することができる。
【００１３】
本発明に係る半導体デバイスの検査治具において、前記ホルダーが、誘電率３．０〜６．０の範囲内の絶縁樹脂で構成されている。この発明によれば、ホルダーの誘電率を上記範囲内とすることにより、特性インピーダンスを調整して全体の減衰量を小さくすることができる。
【００１４】
本発明に係る半導体デバイスの検査治具において、前記各接触ピンの直径が、０．０５〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。この発明によれば、狭ピッチ電極にも対応できる検査治具を提供できる。
【００１５】
本発明に係る半導体デバイスの検査治具において、前記プローブは、電気信号電極用プローブとグランド電極用プローブとを有し、いずれも同一形状であることが好ましい。この発明によれば、プローブを共通化できるとともに、特性インピーダンスへの影響を極力少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、Ｉ／Ｏ変換の機能を持ち、１０ＧＨｚ以上の信号を送受信可能で、２５０μｍ以下の狭ピッチ電極を備えた半導体デバイス等を検査する検査治具を提供することができる。この検査治具を使用することにより、特性インピーダンスの変化を抑制でき、反射による減衰が生じるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る半導体デバイスの検査治具の一例を示す模式図である。
【図２】図１の検査治具において、半導体デバイス側ホルダーを半導体デバイス上に配置して位置合わせする態様を例示する模式図である。
【図３】プローブの一例を示す全体図（Ａ）と断面構成図（Ｂ）である。
【図４】本発明で使用される検査治具の説明図である。
【図５】従来の検査治具の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係る半導体デバイスの検査治具について図面を参照しつつ説明する。本発明はその要旨の範囲で変形又は応用が可能であり、以下の実施形態に限定されない。なお、本発明の「検査治具」は「検査部品」に言い換えてもよい。
【００１９】
［半導体デバイスの検査治具］
本発明に係る半導体デバイスの検査治具１０（単に「検査治具」ともいう。）は、図１〜図４に示すように、高周波信号を送受信する半導体デバイス５０の電気特性の検査に使用され、その電気特性を検査する電極５１の対応位置に設けられた複数のプローブ１を、半導体デバイス５０と高周波基板１１との間のホルダー１４に保持した検査治具１０である。プローブ１は、半導体デバイス側接触ピン２Ａ、スプリング５及び高周波基板側接触ピン２Ｂを導体筒４中にその順で有し、各接触ピン２Ａ，２Ｂの一方又は両方が可動する構造であり、ホルダー１４は、半導体デバイス側接触ピン２Ａを挿入する貫通孔を有する半導体デバイス側ホルダー１３と、高周波基板側接触ピン２Ｂを挿入する貫通孔を有する高周波基板側ホルダー１２とで構成され、プローブ１が有する各接触ピン２Ａ，２Ｂが検査時に貫通孔内に収まるように構成されている。
【００２０】
この検査治具１０では、プローブ１を構成する各接触ピン２Ａ，２Ｂの一方又は両方が可動して、各接触ピン２Ａ，２Ｂが電極（半導体デバイスの電極５１及び高周波基板の電極）に接触した検査時に貫通孔内に収まるので、検査時に貫通孔内に収まらずに電極側に露出した場合のような接触部位でのホルダーと隙間Ｌ（空気領域）との誘電率の違いによる特性インピーダンスの変化点が生じない。その結果、接触ピン２Ａ，２Ｂが貫通孔内に収まる接触部位での特性インピーダンスを低減することができ、特に１０ＧＨｚを超える周波数帯域での反射による減衰を低減して減衰量を小さくすることができる。
【００２１】
以下、各構成要素を詳しく説明する。
【００２２】
（半導体デバイス）
半導体デバイス５０は、図１に示すように、本発明に係る検査治具１０の検査対象である。この半導体デバイス５０は、Ｉ／Ｏ変換の機能を持ち、１０ＧＨｚ以上の信号を送受信可能で、２５０μｍ以下の狭ピッチ電極を備えた半導体デバイス等であれば特に限定されない。具体的には、受光素子、発光素子及び電気信号電極等を任意に同一面に有するＩ／Ｏ変換機能を備えたものを好ましく挙げることができる。半導体デバイス５０は、１０ＧＨｚ以上の高周波で駆動し、受光素子と発光素子との間で光信号の送受信を行っている。また、小型化もさらに進んでおり、サイズは５ｍｍ角以下、電極ピッチは２５０μｍ以下、さらに１５０μｍ以下の狭ピッチ電極を備えたものに対して好ましく検査できる。
【００２３】
一例としては、１００Ｇｂｐｓの光信号を受信し、２５Ｇｂｐｓで４ラインの電気信号で発信する半導体デバイス５０を挙げることができる。この半導体デバイス５０は、５ｍｍ角以下のサイズの受光素子５２を複数個備え、同一面に電気信号を発信する電極５１を１５０μｍピッチで複数個有しているもの等を例示できる。
【００２４】
（高周波基板）
高周波基板１１は、図１に示すように、プローブ１の位置を固定するホルダー１４（高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３）に接合して一体化した検査治具１０を構成している。高周波基板１１は、半導体デバイス５０に対して、ホルダー１４を挟んだ反対側の位置に設けられている。
【００２５】
高周波基板１１は、上記半導体デバイス５０の検査に使用されるものであり、インピーダンス整合のために、片面（裏面ともいう。）にＧＮＤ層を有し、他方の面（表面ともいう。）に回路パターンを有した高周波伝送可能な基板である。この高周波基板１１は、表面の回路パターンと裏面のＧＮＤ層との間に絶縁層が設けられている。絶縁層としては、例えば低誘電率のフッ素系絶縁材料（例えばＰＦＡ等）を挙げることができ、その厚さは特に限定されない。高周波基板１１の回路パターンのピッチも特に限定されないが、近年の小型化・集積化に対応したものとして、例えば２５０μｍ以下、さらには１５０μｍ以下等を挙げることができる。例えば、回路パターンのピッチが１５０μｍの場合、導体幅が７０μｍで導体間が８０μｍで精密配線されるように構成できる。
【００２６】
高周波基板１１は、表面には回路パターンが高密度配線され、裏面にはＧＮＤ層が配置されていることから、ＧＮＤ層が設けられた位置には穴が開けられないし、大きな穴や余計な穴を開けるスペースもない。しかし、この高周波基板１１では、伝送線路のインピーダンスを保持したまま、図２の半導体デバイス側ホルダー１３が有する穴２０と同様の穴をあけている。その穴は、半導体デバイス５０が有する受光素子５２を含む位置に開けられ、検査器（図示しない）側の光ファイバー（図示しない）から照射される光信号を受光素子で受光することができる。さらに、図１に示すように、撮像装置４０で得た画像を見ながら、図２に示す半導体デバイス上の目印５３，５４と、半導体デバイス側ホルダー１３に少なくとも設けられた切り欠き２１とを、目視又は撮像して位置決め調整することで、半導体デバイス５０と検査治具１０との位置合わせを行い、半導体デバイス５０が備える電極５１と、検査治具１０が備えるプローブ１とを位置合わせしたうえで接触させることができる。
【００２７】
なお、高周波基板１１の表面に設けられる回路パターンは、プローブ１と接続される回路パターンと、裏面のＧＮＤ層とビア（スルーホールの内周にメッキで接続）で接続させているＧＮＤパターンとで構成されている。高周波基板１１では、プローブ１に接触する電極付近の回路パターンは幅が細いけれども、その回路パターンの幅を広くするように変化させるとインピーダンスが変化してしまう。そのため、幅が変化した回路パターンには、前記したＧＮＤパターンを沿わせることによりインピーダンスを一定にすることができる。
【００２８】
（高周波基板側ホルダー）
高周波基板側ホルダー１２は、図１に示すように、プローブ１の位置を固定するホルダー１４（高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３）のうち、高周波基板側に位置するホルダーである。
【００２９】
高周波基板側ホルダー１２は、図４に示すように、プローブ１を構成する高周波基板側接触ピン２Ｂを挿入する貫通孔１２ａを有している。この貫通孔１２ａの大きさとピッチは特に限定されないが、プローブ１の直径、高周波基板側接触ピン２Ｂの直径、検査対象となる電極の大きさとピッチとを考慮して形成されている。この高周波基板側ホルダー１２は、半導体デバイス側ホルダー１３と一定の距離の空気層９を空けて設置されている。こうすることにより、適当なインピーダンス整合を実現しやすくなる。
【００３０】
高周波基板側ホルダー１２は、加工性、絶縁性、誘電率等を考慮して選択された樹脂材料で形成されていればよい。例えば、誘電率調整、加工精度及び加工性の観点では、ポリエステル系樹脂等の加工精度の良い樹脂を採用でき、誘電率を小さくするという観点では、フッ素系樹脂材料等の樹脂を採用でき、インピーダンスへの影響を小さくすることができる。好ましい例としては、インピーダンスへ整合のために加工精度を重視し、全芳香族ポリエステル系樹脂（誘電率３．０〜６．０の範囲内）のものを挙げることができる。ポリエステル系樹脂を採用することにより、特性インピーダンスを調整して全体の減衰量を小さくすることができる。また、反射特性を最少とするために、厚さは薄い方が望ましい。
【００３１】
高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３とは、一定の距離の空気層９を空けて設置されている。後述のように、本発明ではインピーダンス整合のためにプローブ１の周囲に誘電体を無くしているので、高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３との間を一定の距離とすることにより適当なインピーダンス整合を実現することができる。
【００３２】
高周波基板側ホルダー１２には、図２の半導体デバイス側ホルダー１３が有する穴２０と同様の穴をあけている。その穴は、半導体デバイス５０が有する受光素子５２を含む位置に開けられ、検査器（図示しない）側の光ファイバー（図示しない）から照射される光信号を受光素子で受光することができる。さらに、図１に示すように、撮像装置４０で得た画像を見ながら、図２に示す半導体デバイス上の目印５３，５４と、半導体デバイス側ホルダー１３に少なくとも設けられた切り欠き２１とを、目視又は撮像して位置決め調整することで、半導体デバイス５０と検査治具１０との位置合わせを行い、半導体デバイス５０が備える電極５１と、検査治具１０が備えるプローブ１とを位置合わせしたうえで接触させることができる。穴２０への切り欠きは、少なくとも半導体デバイス側ホルダー１３には設けられているが、高周波基板側ホルダー１２には設けられていなくてもよいし、必要に応じて設けられていてもよい。
【００３３】
なお、高周波基板側ホルダー１２には、後述する半導体デバイス側ホルダー１３と同様の堀り込み部を設けてもよい。こうすることにより、高周波基板側ホルダー１２を薄くすることができる。
【００３４】
（半導体デバイス側ホルダー）
半導体デバイス側ホルダー１３は、図１及び図４に示すように、プローブ１の位置を固定するホルダー１４（高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３）のうち、半導体デバイス側に位置するホルダーである。
【００３５】
半導体デバイス側ホルダー１３は、図４に示すように、プローブ１を構成する半導体デバイス側接触ピン２Ａを挿入する貫通孔１３ａを有している。この貫通孔１３ａの大きさとピッチは特に限定されないが、プローブ１の直径、半導体デバイス側接触ピン２Ａの直径、検査対象となる半導体デバイス５０の電極５１の大きさとピッチとを考慮して形成されている。この半導体デバイス側ホルダー１３は、適当なインピーダンス整合を実現しやすくするため、高周波基板側ホルダー１２と一定の距離を空けて設置されている。例えば、高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３とは、上面からみた形状がロの字形状のプレート１５を間に介して固定され、高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３との間の空間１６が一定の空間距離となるよう構成されている。
【００３６】
半導体デバイス側ホルダー１３も、高周波基板側ホルダー１２と同様、加工性、絶縁性、誘電率等を考慮して選択された樹脂材料で形成されていればよい。例えば、誘電率調整、加工精度及び加工性の観点では、ポリエステル系樹脂等の加工精度の良い樹脂を採用でき、誘電率を小さくするという観点では、フッ素系樹脂材料等の樹脂を採用でき、インピーダンスへの影響を小さくすることができる。好ましい例としては、インピーダンスへ整合のために加工精度を重視し、全芳香族ポリエステル系樹脂（誘電率３．０〜６．０の範囲内）のものを挙げることができる。ポリエステル系樹脂を採用することにより、特性インピーダンスを調整して全体の減衰量を小さくすることができる。また、反射特性を最少とするために、厚さは薄い方が望ましい。
【００３７】
半導体デバイス側ホルダー１３には、光信号を送受信させるための穴２０が設けられている。この半導体デバイス側ホルダー１３では、図２に示すように、穴２０への切り欠き２１が設けられている。切り欠き２１は、半導体デバイス上の目印５３，５４と最も近い位置に配置される半導体デバイス側ホルダー１３に、その目印５３，５４と対応するように設ける。こうすることで、目視確認も容易であるし、撮像装置（カメラ）４０の焦点を最も合わせやすく、正確な位置決めを可能とするのに最も有効である。半導体デバイス側ホルダー１３に設けられた穴２０の大きさは、高周波基板１１及び高周波基板側ホルダー１２に設けられた穴よりも小さい。こうすることにより、高周波基板側から、半導体デバイス側ホルダー１３に設けられた切り欠き２１を目視や撮像装置４０で観察し易くなる。
【００３８】
半導体デバイス側ホルダー１３は、検査治具１０に組み込む際に必要な機械的強度が必要であるが、その機械的強度を確保するために、半導体デバイス側ホルダー１３の厚さを一定の厚さ（１．１５ｍｍ以上）とすることが望ましい。しかし、その厚さが厚くなり過ぎると、高周波基板側の撮像装置（カメラ）４０から半導体デバイス側ホルダー１３の切り欠き２１と半導体デバイス上の目印５３，５４とを撮像する場合、半導体デバイス側ホルダー１３の高周波基板側の面と半導体デバイス上の目印５３，５４との距離が大きくなってしまうので、焦点を双方同時に合わせることができない。そのため、半導体デバイス側ホルダー１３の高周波基板側の面を薄くするための掘り込み部１８を設けることが好ましい。この堀り込み部１８により、前記した距離を短くすることができ、焦点を合わせ易くすることができる。また、半導体デバイス５０をはめ込むための半導体デバイス側の面にも掘り込み部１７を必要に応じて設けてもよく、中央部分の厚さをさらに薄くすることが可能である。
【００３９】
（プローブ）
プローブ１は、図１に示すように、高周波信号を送受信する半導体デバイス５０の電気特性の検査に使用され、その電気特性を検査する電極５１の対応位置に設けられる。複数のプローブ１は、図４に示すように、半導体デバイス５０と高周波基板１１との間のホルダー１４（高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３）に保持されている。
【００４０】
個々のプローブ１は、図３（Ａ）（Ｂ）の例には限定されないが、半導体デバイス側接触ピン２Ａ、スプリング５及び高周波基板側接触ピン２Ｂを導体筒４中にその順で有している。各接触ピン２Ａ，２Ｂのうち、一方の接触ピン２Ａはその先端２ａが半導体デバイス５０の電極５１に接触し、他方の接触ピン２Ｂはその先端２ｂが高周波基板１１の電極に接触又は接合する。スプリング５は、接触ピン２Ａ，２Ｂの間に位置する弾性部材であり、スプリング５の弾性力で両方又は一方の接触ピン２Ａ，２Ｂが電極に接触する。なお、「両方又は一方」としたのは、半導体デバイス側接触ピン２Ａはスプリング５で動いて電極５１に接触するが、高周波基板側接触ピン２Ｂは必ずしもスプリング５で動かなくてもよく、高周波基板１１の電極に接合されてもよいためである。
【００４１】
接触ピン２Ａ，２Ｂ及び導体筒４の形状、形態、材質等は特に限定されず、検査対象となる電極の大きさやピッチ等を考慮して形成されている。材質は、良導電性の材質で構成されていればよく、例えば銅、銅合金、タングステン、パラジウム等の導電材料を挙げることができる。接触ピン２Ａ，２Ｂと導体筒４とは電気的に導通している。スプリング５は、接触ピン２Ａ，２Ｂ及び導体筒４の形状、形態に応じて任意に選択でき、特に限定されない。材質は特に限定されず、導電性を有しても有していなくてもよいが、所望の弾性力を生じさせるものが選択される。スプリング５と接触ピン２Ａ，２Ｂとは接合部６において、はんだ又はカシメによって接合されている。導体筒４は、その両端を高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３とに当接させることで、空気層９の間隔を規制できるので、希望する空気層９の間隔に応じた長さとすることが望ましい。
【００４２】
プローブ１は、高周波基板１１の回路パターンとＧＮＤ層との距離が決められているので、インピーダンス整合させるためには、プローブ１の太さが制限される。例えば、高周波基板１１の回路パターンのピッチが２５０μｍの場合は、プローブ１の直径は０．０９〜０．１２ｍｍ程度であることが好ましく、各接触ピン２Ａ，２Ｂの直径は狭ピッチ電極５１にも対応できる０．０５〜０．１ｍｍの範囲内であることが好ましい。また、半導体デバイス５０が発信する例えば２５Ｇｂｐｓ（１２．５ＧＨｚ）程度の信号で共振しないように、プローブ１の長さも５ｍｍ以下に制限されることが好ましい。
【００４３】
プローブ１は、電気信号電極用プローブ１Ｓとグランド電極用プローブ１Ｇとを有するが、いずれも同一形状であることが好ましい。こうすることにより、プローブ１を共通化できるとともに、特性インピーダンスへの影響を極力少なくすることができる。
【００４４】
こうしたプローブ１は、その長手方向両側に設けられたホルダー１４（高周波基板側ホルダー１２と半導体デバイス側ホルダー１３）に保持されているが、各ホルダー１２，１３については、既に説明している。図４に示すように、いずれのホルダー１２，１３も、各接触ピン２Ａ，２Ｂを挿入する貫通孔１２ａ，１３ａを有し、その貫通孔１２ａ，１２ｂに各接触ピン２Ａ，２Ｂの先端２ａ，２ｂが挿入され、各プローブ１が位置決めされている。貫通孔１２ａ，１２ｂの大きさは、各接触ピン２Ａ，２Ｂの直径に応じて任意に設計され、それよりもやや大きい直径で設けられる。
【００４５】
本発明では、各接触ピン２Ａ，２Ｂが電極５１に接触又は接合する検査時に、各接触ピ２Ａ，２Ｂが貫通孔内に収まるように構成されている。こうした動作は、図４に示すように、プローブ１がスプリング５を有するとともに、接触時に貫通孔内に収まる長さとなるように調整された構造形態により実現できる。
【００４６】
図４の構造形態例では、半導体デバイス５０と半導体デバイス側ホルダー１３とが近づいて接触ピン先端２ａ’（破線で示している）と電極５１とが最初に接触したときの半導体デバイス５０と半導体デバイス側ホルダー１３とは隙間Ｌが残っている。その後、さらに半導体デバイス５０と半導体デバイス側ホルダー１３とが近づくと、接触ピン先端２ａ（実線で示している）はスプリング５で貫通孔内に収容され、電極５１と半導体デバイス側ホルダー１３とが当接して隙間Ｌがなくなる。このような隙間Ｌがなくなることにより、検査時に貫通孔内に収まらずに電極側に露出した図５に示す従来例のような接触部位でのホルダー１３と隙間Ｌ（空気領域）との誘電率の違いによる特性インピーダンスの変化点が生じない。その結果、本発明では、接触ピン２Ａ，２Ｂが貫通孔内に収まる接触部位での特性インピーダンスを低減することができ、その結果、特に１０ＧＨｚを超える周波数帯域での反射による減衰を低減して減衰量を小さくすることができる。
【００４７】
なお、高周波基板側ホルダー１２においても、上記同様、高周波基板１１と接触ピン先端２ｂとを接触又は接合させて、高周波基板１１の電極と高周波基板側ホルダー１２とが当接して隙間をなくすことができ、上記同様の効果を実現できる。
【００４８】
（検査方法）
検査治具１０で行う検査方法は、図１及び図２に示すように、高周波基板側に撮像装置４０を配置し、その撮像装置４０で得た画像を見ながら、半導体デバイス上の目印（電極５４及び／又は回路パターン５３）と、半導体デバイス側ホルダー１３に少なくとも設けられた切り欠き２１との位置合わせを行い、その位置合わせにより、半導体デバイス上の電極５１とプローブ１とを位置合わせする。位置合わせされたプローブ１は、半導体デバイス５０の電気特性を検査する電極５１に接触して半導体デバイス５０の電気特性を正確に検査する。
【００４９】
なお、撮像装置４０は特に限定されず、ＣＣＤカメラ等を用いることができる。位置決めのための微調整手段も特に限定されず、ＸＹＺθ方向に駆動するステージ等を自動又は手動で動作させることにより行うことができる。なお、微調整手段は、当該分野又は関連分野で通常行われる手段であるので、本願ではその説明を省略する。
【００５０】
（特性インピーダンス）
図４において、高周波基板側ホルダー１２（誘電率３．２４）の厚さを０．２ｍｍとし、空気層９（誘電率１．０）の隙間厚さを３．５ｍｍとし、半導体デバイス側ホルダー１３（誘電率３．２４）の厚さを０．２ｍｍとし、プローブ１は外径０．１１ｍｍ、接触ピン外径０．０９ｍｍとし、各電極と各ホルダー１４との隙間Ｌをゼロとした。特性インピーダンスは、高周波基板側ホルダー１２で９９．８Ω、空気層９で７９．７Ω、半導体デバイス側ホルダー１３で９９．８Ωであり、トータル減衰量は−１２．１ｄＢとなった。各部の特性インピーダンスの変化点は少なく且つ変化量が小さく、減衰量も小さかった。
【００５１】
図５において、高周波基板側ホルダー１２（誘電率３．２４）の厚さを０．２ｍｍとし、絶縁層８（誘電率２．１）の厚さを３．５ｍｍとし、半導体デバイス側ホルダー１３（誘電率３．２４）の厚さを０．２ｍｍとし、プローブ１は外径０．１１ｍｍ、接触ピン外径０．０９ｍｍとし、各電極と各ホルダー１４との隙間Ｌを０．１ｍｍとした。特性インピーダンスは、隙間Ｌを含む高周波基板側ホルダー１２で１４７．１Ω、絶縁層８で５７．４Ω、隙間Ｌを含む半導体デバイス側ホルダー１３で１４７．１Ωであり、トータル減衰量は−１４．２ｄＢとなった。各部の特性インピーダンスの変化点が多く且つその変化量は各部で大きく、減衰量も大きかった。
【００５２】
以上説明したように、本発明は、検査時において、プローブ１を構成する各接触ピン２Ａ，２Ｂの一方又は両方が可動して、各接触ピン２Ａ，２Ｂが電極（半導体デバイスの電極５１及び高周波基板の電極）に接触するが、その検査時に各接触ピン２Ａ，２Ｂが貫通孔内に収まるので、検査時に貫通孔内に収まらずに電極側に露出した場合のような接触部位でのホルダーと隙間Ｌ（空気領域）との誘電率の違いによる特性インピーダンスの変化点が生じない。その結果、こうした検査方法により、接触ピン２Ａ，２Ｂが貫通孔内に収まる接触部位での特性インピーダンスを低減することができ、特に１０ＧＨｚを超える周波数帯域での反射による減衰を低減して減衰量を小さくすることができる。
【符号の説明】
【００５３】
１  プローブ
１Ｓ  電気信号電極用プローブ
１Ｇ  グランド電極用プローブ
２  プローブ金属部
２Ａ  半導体デバイス側接触ピン
２ａ  検査時の接触ピン先端
２ａ’  非検査時の接触ピン先端
２Ｂ  高周波基板側接触ピン
２ｂ  検査時の接触ピン先端
２ｂ’  非検査時の接触ピン先端
３  プローブ胴体部
４  導体筒
６  接合部
５  スプリング
８  絶縁層
９  空気層
１０  検査治具
１１  高周波基板
１２  高周波基板側ホルダー
１２ａ  貫通孔
１３  半導体デバイス側ホルダー
１３ａ  貫通孔
１４  ホルダー
１５  プレート
１６  空間
１７  半導体デバイス側の掘り込み部
１８  高周波基板側ホルダー側の掘り込み部
２０  穴
２１  切り欠き
４０  撮像装置（カメラ）
５０  半導体デバイス
５１  プローブが接触する電極
５２  受光素子（光学素子）
５３  目印（回路パターン）
５４  目印（電極）
５５  基材
Ｌ  隙間（空気領域）
【図１】
2020020660.tif 000003
【図２】
2020020660.tif 000004
【図３】
2020020660.tif 000005
【図４】
2020020660.tif 000006
【図５】
2020020660.tif 000007