(57)【要約】      （修正有）【課題】支持基体と基板との間に分離層を備えた積層体において、光反応性が高められて積層体からの支持基体の分離性を良好にする分離層を形成できる分離層形成用組成物等を提供する。【解決手段】光を透過する支持基体１と、基板４との間に、分離層２及び接着層３を備えた積層体１０において、支持基体側からの光の照射により変質して、積層体から支持基体を分離可能とする分離層を形成するための分離層形成用組成物であって、一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（Ｐ）を含有する、分離層形成用組成物を採用する。一般式（ｐ１）中、ＬＰ１は、芳香環を含む２価の連結基を表す。ＲＰ１は有機基を表す。2020107649.tif 000018【選択図】図１
2020107649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体において、前記支持基体側からの光の照射により変質して、前記積層体から前記支持基体を分離可能とする前記分離層を形成するための分離層形成用組成物であって、
下記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（Ｐ）を含有する、分離層形成用組成物。
【化１】
2020107649.tif 000016
［式中、ＬＰ１は、芳香環を含む２価の連結基を表す。ＲＰ１は有機基を表す。］
【請求項２】
光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層及び接着層を備えた積層体において、前記支持基体側からの光の照射により変質して、前記積層体から前記支持基体を分離可能とする前記分離層を形成するための分離層形成用組成物であって、
下記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（Ｐ）を含有する、請求項１に記載の分離層形成用組成物。
【化２】
2020107649.tif 000017
［式中、ＬＰ１は、芳香環を含む２価の連結基を表す。ＲＰ１は有機基を表す。］
【請求項３】
さらに、熱酸発生剤を含有する、請求項１又は２に記載の分離層形成用組成物。
【請求項４】
支持基体と、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の分離層形成用組成物を用いて前記支持基体上に形成された分離層と、
を備えた、分離層付き支持基体。
【請求項５】
光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体であって、
前記分離層は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の分離層形成用組成物の焼成体である、積層体。
【請求項６】
光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体の製造方法であって、
前記基板上又は前記支持基体上の少なくとも一方に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の分離層形成用組成物を塗布し、その後に焼成することにより前記分離層を形成する分離層形成工程と、
前記基板と前記支持基体とを、前記分離層を介して積層する積層工程と、
を有する、積層体の製造方法。
【請求項７】
前記積層工程の後、前記分離層を介して前記支持基体に貼り合わされた前記基板を、封止材により封止して封止体を作製する封止工程をさらに有する、請求項６に記載の積層体の製造方法。
【請求項８】
前記封止工程の後、前記封止体における封止材部分を、前記基板の一部が露出するように研削する研削工程と、
前記研削工程の後、前記の露出した基板上に再配線を形成する再配線形成工程と、
をさらに有する、請求項７に記載の積層体の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか一項に記載の積層体の製造方法により積層体を得た後、前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、
前記分離工程の後、前記基板に付着する前記分離層を除去する除去工程と、
を有する、電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分離層形成用組成物、分離層付き支持基体、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を含む半導体パッケージ（電子部品）には、対応サイズに応じて様々な形態が存在し、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）、ＰＬＰ（Panel Level Package）等がある。
半導体パッケージの技術としては、ファンイン型技術、ファンアウト型技術が挙げられる。ファンイン型技術による半導体パッケージとしては、ベアチップ端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型ＷＬＰ（Fan-in Wafer Level Package）等が知られている。ファンアウト型技術による半導体パッケージとしては、該端子をチップエリア外に再配置する、ファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）等が知られている。
【０００３】
近年、特にファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）に応用される等、半導体パッケージにおける、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等を実現し得る方法として注目を集めている。
【０００４】
半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。これに対し、基板に支持基体を貼り合わせた積層体が採用されている。
特許文献１には、光透過性の支持基体と、基板とを、支持基体側に設けられた光熱変換層（分離層）及び接着層を介して貼り合わせ、基板を加工処理した後、支持基体側から分離層に放射エネルギー（光）を照射して分離層を変質させて分解することにより、加工処理後の基板と、支持基体とを分離して積層体を製造する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−６４０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のように、基板に支持基体を貼り合わせた積層体を採用して半導体パッケージの小型化を図る場合、積層体からの支持基体の分離性が問題となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、支持基体と基板との間に分離層を備えた積層体において、光反応性が高められて積層体からの支持基体の分離性を良好にする分離層を形成できる分離層形成用組成物、これを用いた分離層付き支持基体、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体において、前記支持基体側からの光の照射により変質して、前記積層体から前記支持基体を分離可能とする前記分離層を形成するための分離層形成用組成物であって、下記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（Ｐ）を含有することを特徴とする、分離層形成用組成物である。
【０００８】
【化１】
2020107649.tif 000003
［式中、ＬＰ１は、芳香環を含む２価の連結基を表す。ＲＰ１は有機基を表す。］
【０００９】
本発明の第２の態様は、支持基体と、前記第１の態様に係る分離層形成用組成物を用いて前記支持基体上に形成された分離層と、を備えたことを特徴とする、分離層付き支持基体である。
【００１０】
本発明の第３の態様は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体であって、前記分離層は、前記第１の態様に係る分離層形成用組成物の焼成体であることを特徴とする、積層体である。
【００１１】
本発明の第４の態様は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体の製造方法であって、前記基板上又は前記支持基体上の少なくとも一方に、前記第１の態様に係る分離層形成用組成物を塗布し、その後に焼成することにより前記分離層を形成する分離層形成工程と、前記基板と前記支持基体とを、前記分離層を介して積層する積層工程と、を有することを特徴とする、積層体の製造方法である。
【００１２】
本発明の第５の態様は、前記第４の態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、前記支持基体を介して前記分離層に光を照射して、前記分離層を変質させることにより、前記積層体から前記支持基体を分離する分離工程と、前記分離工程の後、前記基板に付着する前記分離層を除去する除去工程と、を有することを特徴とする、電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、支持基体と基板との間に分離層を備えた積層体において、光反応性が高められて積層体からの支持基体の分離性を良好にする分離層を形成できる分離層形成用組成物、これを用いた分離層付き支持基体、積層体及びその製造方法、並びに電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した積層体の一実施形態を示す模式図である。
【図２】積層体の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図２（ａ）は、分離層形成工程を説明する図であり、図２（ｂ）は、積層工程を説明する図である。
【図３】積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図３（ａ）は、第１実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図３（ｂ）は、封止工程を説明する図である。
【図４】積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図４（ａ）は、第２実施形態の製造方法により製造された封止体を示す図であり、図４（ｂ）は、研削工程を説明する図であり、図４（ｃ）は再配線形成工程を説明する図である。
【図５】半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図５（ａ）は、第３実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図５（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図５（ｃ）は、除去工程を説明する図である。
【図６】半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図６（ａ）は、本発明を適用した積層体の他の実施形態を示す模式図であり、図６（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図６（ｃ）は、除去工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「繰り返し単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「置換基を有していてもよい」と記載する場合、水素原子（−Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（−ＣＨ２−）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
【００１６】
「スチレン」とは、スチレンおよびスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたものも含む概念とする。なお、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
【００１７】
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数１〜５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
【００１８】
本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては、不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがある。その場合は一つの化学式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
【００１９】
（分離層形成用組成物）
本発明の第１の態様に係る分離層形成用組成物は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体において、前記支持基体側からの光の照射により変質して、前記積層体から前記支持基体を分離可能とする前記分離層を形成するためのものである。本実施形態の分離層形成用組成物は、少なくとも、一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（Ｐ）を含有する。
【００２０】
図１は、本発明を適用した積層体の一実施形態を示している。
図１に示す積層体１０は、支持基体１と基板４との間に、分離層２及び接着層３を備えたものであり、支持基体１上に分離層２、接着層３、基板４がこの順に積層している。
支持基体１は、光を透過する材料からなる。積層体１０においては、分離層２に対し、支持基体１側から光を照射することによって、分離層２が変質して分解するため、積層体１０から支持基体１が分離する。
この積層体１０における分離層２は、本実施形態の分離層形成用組成物を用いて形成することができる。
【００２１】
＜樹脂成分（Ｐ）＞
樹脂成分（Ｐ）（以下「（Ｐ）成分」ともいう。）は、下記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分である。
（Ｐ）成分は、芳香環を含む２価の連結基（ＬＰ１）を繰り返し単位中に有することで、光の吸収性が高められて光反応性に優れる。このため、（Ｐ）成分は、加熱等により変質（酸化等）しやすい。
（Ｐ）成分を含有する分離層形成用組成物を用いて形成された分離層２を備えた積層体１０においては、支持基体１側からの光の照射により、分離層２が変質して基板４から容易に剥がれて支持基体１が分離する。また、（Ｐ）成分を含有する分離層２は、基板４から剥がれる際、基板４への付着残り（残渣）が少なく、基板４からの除去性も良好である。加えて、（Ｐ）成分は、芳香環を含む２価の連結基（ＬＰ１）を繰り返し単位中に有することで、耐熱性が高められ、また、高い耐薬品性も持つ。
【００２２】
【化２】
2020107649.tif 000004
［式中、ＬＰ１は、芳香環を含む２価の連結基を表す。ＲＰ１は有機基を表す。］
【００２３】
前記式（ｐ１）中、ＬＰ１における２価の連結基が含む芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は、５〜３０であることが好ましく、炭素数５〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５がさらに好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
２価の連結基が含む芳香環は、１つでもよいし、２つ以上でもよく、光反応性により優れることから、２つ以上が好ましい。
【００２４】
ＬＰ１における２価の連結基は、複数種類の芳香環を含んでいてもよいし、芳香環と脂肪環とが縮合した環構造を含んでいてもよい。また、ＬＰ１における２価の連結基は、複数種類の芳香環を含んでいてもよい。
【００２５】
ＬＰ１における２価の連結基は、ヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。Ｌｐ１としては、所望の特性を付与するため、種々の骨格を導入した連結基が挙げられる。
前記「種々の骨格を導入した連結基」における骨格としては、例えば、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、キサンテン骨格、フルオレン骨格、ビスフェノールＡ骨格などが挙げられる。
【００２６】
Ｌｐ１としては、例えば、ビスフェノール類のエーテル結合基、ジオール類のエーテル結合基、ジカルボン酸類のエステル結合基、Ｓｉ−Ｏ結合基又はこれら結合基の繰り返し構造などが挙げられる。
【００２７】
当該ビスフェノール類としては、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビフェノール又はこれらの重合体などが挙げられる。
当該ジオール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、ナフタレンジオール（ジヒドロキシナフタレン）、アントラセンジオール（ジヒドロキシアントラセン）、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン又はこれらの重合体などが挙げられる。
当該ジカルボン酸類としては、マレイン酸、フタル酸、水添型フタル酸、テレフタル酸などが挙げられる。
【００２８】
Ｌｐ１として、ビスフェノール類のエーテル結合基を選択した場合、（Ｐ）成分製フィルムの屈曲性を高められやすくなる。
Ｌｐ１として、ジオール類のエーテル結合基を選択した場合、（Ｐ）成分のアルカリ溶解性を容易に調整できる。グリコール骨格としては、例えば、プロピレングリコール骨格が挙げられる。
Ｌｐ１として、Ｓｉ−Ｏ結合基を選択した場合、（Ｐ）成分成形体の低誘電化を図りやすくなる。
【００２９】
以下に、前記式（ｐ１）中のＬＰ１（芳香環を含む２価の連結基）についての好適な具体例を示す。以下の式中、＊は、メチレン基（ＣＨ２）と結合する結合手であることを示す。
【００３０】
【化３】
2020107649.tif 000005
【００３１】
前記式（ｐ１）中、ＲＰ１における有機基は、特に限定されず、例えば、置換基を有していてもよい炭化水素基が挙げられる。
ＲＰ１における炭化水素基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基、鎖状もしくは環状のアルケニル基、又は環状の炭化水素基が挙げられる。
【００３２】
ＲＰ１における、直鎖状のアルキル基は、炭素数が１〜５であることが好ましい。ＲＰ１として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。
ＲＰ１における、分岐鎖状のアルキル基は、炭素数が３〜１０であることが好ましく、３〜５がより好ましい。ＲＰ１として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１−ジエチルプロピル基、２，２−ジメチルブチル基等が挙げられる。
【００３３】
ＲＰ１における、鎖状もしくは環状のアルケニル基は、炭素数２〜１０のアルケニル基が好ましい。
【００３４】
ＲＰ１における、環状の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基でもよいし、芳香族炭化水素基でもよいし、また、多環式基でも単環式基でもよい。
単環式基である脂肪族炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
多環式基である脂肪族炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７〜１２のものが好ましく、具体的にはアダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等が挙げられる。
【００３５】
ＲＰ１における、該芳香族炭化水素基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、炭素数５〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５がさらに好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。該芳香族炭化水素基として具体的には、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基（アリール基またはヘテロアリール基）；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましく、炭素数１〜２であることがより好ましく、炭素数１であることが特に好ましい。
【００３６】
上記のＲＰ１で表される炭化水素基が置換されている場合、その置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、アルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。
また、ＲＰ１で表される炭化水素基は、その炭化水素鎖の途中にエーテル結合を有していてもよい。
【００３７】
以下に、一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位についての好適な具体例を示す。
【００３８】
【化４】
2020107649.tif 000006
【００３９】
（Ｐ）成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が１０００以上である。（Ｐ）成分の分子量が１０００以上であることにより、膜形成能が向上する。（Ｐ）成分の分子量は、１０００〜３００００がより好ましく、１５００〜２５０００がさらに好ましく、１５００〜２００００が特に好ましく、２０００〜１５０００が最も好ましい。
（Ｐ）成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶媒に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。
【００４０】
（Ｐ）成分としては、例えば、商品名がＧＳＰ−０１、ＧＳＰ−０２、ＧＳＰ−０３、ＧＳＰ−１０６のＧＳＰシリーズ（群栄化学工業株式会社製）等を用いることができる。
【００４１】
また、（Ｐ）成分として、アミノフェノール類、アミノナフトール類又はアニリン類と、１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物と、を反応させて生成する樹脂を用いることもできる。
アミノフェノール類としては、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、４−アミノ−３−メチルフェノール、２−アミノ−４−メチルフェノール、３−アミノ−２−メチルフェノール、５−アミノ−２−メチルフェノール等が挙げられる。アミノナフトール類としては、１−アミノ−２−ナフトール、３−アミノ−２−ナフトール、５−アミノ−１−ナフトール等が挙げられる。
１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物としては、例えば商品名がＥＰＩＣＬＯＮ８５０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０（ＤＩＣ株式会社製）、ｊＥＲＹＸ−４０００（三菱化学株式会社製）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−２１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−２１２、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−８１０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−８３０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９２０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９３０（ナガセケムテックス株式会社製）などのジオール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−７１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−７２１（ナガセケムテックス株式会社製）、ｊＥＲ１９１Ｐ（三菱化学株式会社製）などのジカルボン酸エステル型エポキシ樹脂； Ｘ−２２−１６３、ＫＦ−１０５（信越化学工業株式会社製）などのシリコーン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
かかる反応の際の加熱処理温度は、６０℃以上２５０℃以下とすることが好ましく、８０℃以上１８０℃以下とすることがより好ましい。
【００４２】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｐ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
【００４３】
本実施形態の分離層形成用組成物中の（Ｐ）成分の含有量は、形成しようとする分離層の厚さ等に応じて調整すればよい。
かかる分離層形成用組成物中の（Ｐ）成分の含有量は、例えば、当該組成物（１００質量％）に対して、１〜１００質量％が好ましく、１〜７０質量％がより好ましく、５〜５０質量％がさらに好ましく、１０〜５０質量％が特に好ましい。
（Ｐ）成分の含有量が、前記の好ましい範囲の下限値以上であると、分離層の光反応性をより高められやすくなる。加えて、耐薬品性も高められやすくなる。一方、前記の好ましい範囲の上限値以下であると、光反応性、剥離性をより高められやすくなる。
【００４４】
＜その他成分＞
本実施形態の分離層形成用組成物は、上述した（Ｐ）成分以外の成分（任意成分）をさらに含有してもよい。
かかる任意成分としては、以下に示す（Ｐ）成分以外の樹脂、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、感光剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤などが挙げられる。
【００４５】
本実施形態の分離層形成用組成物においては、本発明の効果を損なわない範囲で、（Ｐ）成分以外の樹脂を含有してもよい。
（Ｐ）成分以外の樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂等が挙げられる。
（Ｐ）成分以外の樹脂としてノボラック型フェノール樹脂を、（Ｐ）成分と併用することにより、加熱によるボイドの発生も抑えられやすくなる。
【００４６】
≪熱酸発生剤≫
本実施形態の分離層形成用組成物においては、さらに、熱酸発生剤（以下「（Ｔ）成分」ともいう。）を含有することが好ましい。
かかる分離層形成用組成物が（Ｔ）成分を含有することで、焼成時の加熱等に、（Ｔ）成分から発生する酸の作用によって分離層は酸化が促進されるため、光の照射により変質しやすくなる（分離層の光反応性が高められる）。
【００４７】
（Ｔ）成分には、公知のものから適宜選択して用いることができ、酸を発生させるための温度が、分離層形成用組成物を塗布した支持基体をプリベークする際の温度以上であるものが好ましく、１１０℃以上であるものがより好ましく、１３０℃以上であるものがさらに好ましい。
かかる（Ｔ）成分としては、例えば、トリフルオロメタンスルホン酸塩、六フッ化リン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩、三フッ化ホウ素塩、三フッ化ホウ素エーテル錯化合物等が挙げられる。好ましい（Ｔ）成分として、以下に示すカチオン部とアニオン部とからなる化合物が挙げられる。
【００４８】
【化５】
2020107649.tif 000007
［式（Ｔ−ｃａ−１）中、Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基及びアリール基からなる群より選択される基であり、Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４のうちの少なくとも１つは、アリール基である。前記のアルキル基又はアリール基は、置換基を有していてもよい。式（Ｔ−ｃａ−２）中、Ｒｈ０５〜Ｒｈ０７は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基及びアリール基からなる群より選択される基であり、Ｒｈ０５〜Ｒｈ０７のうちの少なくとも１つは、アリール基である。前記のアルキル基又はアリール基は、置換基を有していてもよい。］
【００４９】
・（Ｔ）成分のカチオン部について
前記式（Ｔ−ｃａ−１）中、Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、炭素数１〜１０が好ましく、炭素数１〜５がより好ましく、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基がさらに好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましい。
【００５０】
Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアルキル基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、環式基等が挙げられる。
【００５１】
アルキル基の置換基としてのアルコキシ基は、炭素数１〜５のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基がより好ましく、メトキシ基、エトキシ基がさらに好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルキル基の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等の水素原子の一部又は全部が前記ハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
アルキル基の置換基としてのカルボニル基は、アルキル基を構成するメチレン基（−ＣＨ２−）を置換する基（＞Ｃ＝Ｏ）である。
アルキル基の置換基としての環式基は、芳香族炭化水素基、脂環式炭化水素基（多環式であってもよく、単環式であってもよい）が挙げられる。ここでの芳香族炭化水素基は、後述のＲｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアリール基と同様のものが挙げられる。ここでの脂環式炭化水素基において、単環式の脂環式炭化水素基としては、モノシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましい。該モノシクロアルカンとしては、炭素数３〜６のものが好ましく、具体的にはシクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。また、多環式の脂環式炭化水素基としては、ポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基が好ましく、該ポリシクロアルカンとしては、炭素数７〜３０のものが好ましい。中でも、該ポリシクロアルカンとしては、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカン等の架橋環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカン；ステロイド骨格を有する環式基等の縮合環系の多環式骨格を有するポリシクロアルカンがより好ましい。
【００５２】
前記式（Ｔ−ｃａ−１）中、Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアリール基は、芳香環を少なくとも１つ有する炭化水素基である。
この芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、５〜２０がより好ましく、６〜１５がさらに好ましく、６〜１２が特に好ましい。
芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアリール基として具体的には、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基；２つ以上の芳香環を含む芳香族化合物（たとえばビフェニル、フルオレン等）から水素原子を１つ除いた基；前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基（たとえば、ベンジル基、フェネチル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、１−ナフチルエチル基、２−ナフチルエチル基等のアリールアルキル基など）等が挙げられる。前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環に結合するアルキレン基の炭素数は、１〜４であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることが特に好ましい。これらの中でも、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から水素原子を１つ除いた基、前記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がより好ましく、前記芳香族炭化水素環から水素原子を１つ除いた基、前記芳香族炭化水素環の水素原子の１つがアルキレン基で置換された基がさらに好ましい。
【００５３】
Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアリール基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基、環式基、アルキルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００５４】
アリール基の置換基としてのアルキル基は、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることが好ましい。
アリール基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明は、上述したアルキル基の置換基としてのアルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、カルボニル基、環式基についての説明と同様である。
アリール基の置換基としてのアルキルカルボニルオキシ基において、アルキル部分の炭素数は１〜５が好ましく、アルキル部分はメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられ、これらの中でも、メチル基、エチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
【００５５】
但し、前記式（Ｔ−ｃａ−１）中、Ｒｈ０１〜Ｒｈ０４のうちの少なくとも１つは、置換基を有していてもよいアリール基である。
以下に、前記式（Ｔ−ｃａ−１）で表されるカチオンの具体例を示す。
【００５６】
【化６】
2020107649.tif 000008
【００５７】
前記式（Ｔ−ｃａ−２）中、Ｒｈ０５〜Ｒｈ０７におけるアルキル基、アリール基についての説明は、それぞれ、上述したＲｈ０１〜Ｒｈ０４におけるアルキル基、アリール基についての説明と同様である。
【００５８】
但し、前記式（Ｔ−ｃａ−２）中、Ｒｈ０５〜Ｒｈ０７のうちの少なくとも１つは、置換基を有していてもよいアリール基である。
以下に、前記式（Ｔ−ｃａ−２）で表されるカチオンの具体例を示す。
【００５９】
【化７】
2020107649.tif 000009
【００６０】
・（Ｔ）成分のアニオン部について
（Ｔ）成分のアニオン部としては、例えば、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸アニオン等が挙げられる。
これらの中でも、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、パーフルオロブタンスルホン酸アニオンが好ましく、６フッ化リン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオンがより好ましい。
【００６１】
本実施形態の分離層形成用組成物においては、（Ｔ）成分として、例えば商品名がサンエイドＳＩ−４５、ＳＩ−４７、ＳＩ−６０、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１４５、Ｉ−１５０、ＳＩ−１６０、ＳＩ−１８０Ｌ、ＳＩ−Ｂ３、ＳＩ−Ｂ２Ａ、ＳＩ−Ｂ３Ａ、ＳＩ−Ｂ４、ＳＩ−３００（以上、三新化学工業株式会社製）；ＣＩ−２９２１、ＣＩ−２９２０、ＣＩ−２９４６、ＣＩ−３１２８、ＣＩ−２６２４、ＣＩ−２６３９、ＣＩ−２０６４（日本曹達株式会社製）；ＣＰ−６６、ＣＰ−７７（株式会社ＡＤＥＫＡ製）；ＦＣ−５２０（３Ｍ社製）；Ｋ―ＰＵＲＥ  ＴＡＧ−２３９６、ＴＡＧ−２７１３Ｓ、ＴＡＧ−２７１３、ＴＡＧ−２１７２、ＴＡＧ−２１７９、ＴＡＧ−２１６８Ｅ、ＴＡＧ−２７２２、ＴＡＧ−２５０７、ＴＡＧ−２６７８、ＴＡＧ−２６８１、ＴＡＧ−２６７９、ＴＡＧ−２６８９、ＴＡＧ−２６９０、ＴＡＧ−２７００、ＴＡＧ−２７１０、ＴＡＧ−２１００、ＣＤＸ−３０２７、ＣＸＣ−１６１５、ＣＸＣ−１６１６、ＣＸＣ−１７５０、ＣＸＣ−１７３８、ＣＸＣ−１６１４、ＣＸＣ−１７４２、ＣＸＣ−１７４３、ＣＸＣ−１６１３、ＣＸＣ−１７３９、ＣＸＣ−１７５１、ＣＸＣ−１７６６、ＣＸＣ−１７６３、ＣＸＣ−１７３６、ＣＸＣ−１７５６、ＣＸＣ−１８２１、ＣＸＣ−１８０２−
６０、ＣＸＣ−２６８９（以上、ＫＩＮＧ  ＩＮＤＵＳＴＲＹ社製）等の市販品を用いることができる。
【００６２】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｔ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物においては、上記の中でも、（Ｔ）成分として六フッ化リン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、パーフルオロブタンスルホン酸塩が好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸塩がより好ましく、トリフルオロメタンスルホン酸の第４級アンモニウム塩がさらに好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が（Ｔ）成分を含有する場合、（Ｔ）成分の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、１〜１５質量部がより好ましく、２〜１０質量部がさらに好ましい。
（Ｔ）成分の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、光の照射により変質しやすくなる（分離層の光反応性が高められる）。例えば、焼成することにより、波長６００ｎｍ以下の範囲の光を好適に吸収することが可能な焼成体を容易に形成することができる。加えて、耐薬品性もより向上する。
【００６３】
≪光酸発生剤≫
本実施形態の分離層形成用組成物は、さらに、光酸発生剤を含有してもよい。
かかる分離層形成用組成物は光酸発生剤を含有することでも、上述のように（Ｔ）成分を含有する場合と同様、焼成時の加熱等に、光酸発生剤から発生する酸の作用によって分離層は酸化が促進されるため、光の照射により変質しやすくなる（分離層の光反応性が高められる）。
光酸発生剤としては、例えば、スルホニウム塩などのオニウム塩系酸発生剤が好適に挙げられる。
【００６４】
オニウム塩系酸発生剤における、好ましいカチオン部としては、スルホニウムカチオン、ヨードニウムカチオンが挙げられる。
【００６５】
オニウム塩系酸発生剤における、好ましいアニオン部としては、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］−）；テトラキス［（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）４］−）；ジフルオロビス（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ６Ｆ５）２ＢＦ２］−）；トリフルオロ（ペンタフルオロフェニル）ボレート（［（Ｃ６Ｆ５）ＢＦ３］−）；テトラキス（ジフルオロフェニル）ボレート（［Ｂ（Ｃ６Ｈ３Ｆ２）４］−）等が挙げられる。また、下記一般式（ｂ０−２ａ）で表されるアニオンも好ましい。
【００６６】
【化８】
2020107649.tif 000010
［式中、Ｒｂｆ０５は、置換基を有していてもよいフッ素化アルキル基である。ｎｂ１は、１〜５の整数である。］
【００６７】
前記式（ｂ０−２ａ）中、Ｒｂｆ０５におけるフッ素化アルキル基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜８であることがより好ましく、炭素数１〜５であることがさらに好ましい。なかでもＲｂｆ０５としては、炭素数１〜５のフッ素化アルキル基が好ましく、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基がより好ましく、トリフルオロメチル基又はペンタフルオロエチル基がさらに好ましい。
前記式（ｂ０−２ａ）中、ｎｂ１は、１〜４の整数が好ましく、２〜４の整数がより好ましく、３が最も好ましい。
ｎｂ１が２以上の場合、複数のＲｂｆ０５は、同一であってもよく、それぞれ異なっていてもよい。
【００６８】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する光酸発生剤は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物が光酸発生剤を含有する場合、光酸発生剤の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、１〜１５質量部がより好ましく、２〜１０質量部がさらに好ましい。
光酸発生剤の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、光の照射により変質しやすくなる（分離層の光反応性が高められる）。例えば、焼成することにより、波長６００ｎｍ以下の範囲の光を好適に吸収することが可能な焼成体を容易に形成することができる。加えて、耐薬品性もより向上する。
【００６９】
≪感光剤成分≫
感光剤成分（以下「（Ｃ）成分」ともいう。）としては、例えば、下記化学式（ｃ１）で表されるフェノール性水酸基含有化合物と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物と、のエステル化反応生成物（以下「（Ｃ１）成分」ともいう。）が好適なものとして挙げられる。
【００７０】
【化９】
2020107649.tif 000011
【００７１】
１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物としては、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル化合物等が挙げられ、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物が好ましい。
【００７２】
以下に、（Ｃ１）成分の好適な具体例を示す。
【００７３】
【化１０】
2020107649.tif 000012
［式（ｃ１−１）中、Ｄ１〜Ｄ４は、それぞれ独立に水素原子、又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表す。Ｄ１〜Ｄ４のうち少なくとも１つは、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を表す。］
【００７４】
前記（Ｃ１）成分のエステル化率は、５０〜７０％であることが好ましく、５５〜６５％であることがより好ましい。該エステル化率が５０％以上であると、アルカリ現像後の膜減りがより抑制され、残膜率が高まる。該エステル化率が７０％以下であれば、保存安定性がより向上する。
ここでいう「エステル化率」とは、前記式（ｃ１−１）で表される化合物については、式（ｃ１−１）中のＤ１〜Ｄ４が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基で置換されている割合を示す。
前記（Ｃ１）成分は、非常に安価でありながら、高感度化を図れる点からも好ましい。
【００７５】
また、（Ｃ）成分としては、前記（Ｃ１）成分以外のその他感光剤成分（以下これを「（Ｃ２）成分」ともいう。）を用いることができる。
（Ｃ２）成分としては、例えば、下記のフェノール性水酸基含有化合物（（ｃ２−ｐｈｅ）成分）と、１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸化合物（好ましくは、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル化合物、又は、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル化合物）と、のエステル化反応生成物が好適なものとして挙げられる。
【００７６】
前記（ｃ２−ｐｈｅ）成分としては、例えば、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，３，５−トリメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，５−ジメチルフェニル）−２，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メトキシ−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、ビス（５−シクロヘキシル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−３，４−ジヒドロキシフェニルメタン、ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−ヒドロキシフェニルメタン、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１−［１−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（２’，３’，４’−トリヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（２’，４’−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−２−（３’−フルオロ−４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）−２−（４’−ヒドロキシ−３’，５’−ジメチルフェニル）プロパン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）メタン、２，３，４−トリヒドロキシフェニル−４’−ヒドロキシフェニルメタン、１，１−ジ（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，４−ビス［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−５−ヒドロキシフェノール等が挙げられる。
【００７７】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｃ）成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物においては、上記の中でも、（Ｃ）成分として（Ｃ１）成分を用いることが好ましい。
本実施形態の分離層形成用組成物が（Ｃ）成分を含有する場合、（Ｃ）成分の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、９５質量部以下であることが好ましく、５０〜９５質量部がより好ましく、６０〜９０質量部がさらに好ましい。
（Ｃ）成分の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、分離層の光反応性がより高められる。
【００７８】
≪有機溶剤成分≫
本実施形態の分離層形成用組成物は、塗布作業性等を調整するため、有機溶剤成分（以下「（Ｓ）成分」ともいう。）を含有してもよい。
（Ｓ）成分としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素；シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素；ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシプロピルアセテート、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等が挙げられる。
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する（Ｓ）成分は、１種でもよく２種以上でもよい。
【００７９】
本実施形態の分離層形成用組成物において、（Ｓ）成分の使用量は、特に限定されず、支持基体等に塗布可能な濃度で、塗布膜厚や塗布性に応じて適宜設定される。好ましくは、分離層形成用組成物中の上記（Ｐ）成分の総量が、該組成物の全質量（１００質量％）に対して、７０質量％以下、より好ましくは１０〜５０質量％の範囲内となるように（Ｓ）成分は用いられる。
【００８０】
≪界面活性剤≫
本実施形態の分離層形成用組成物は、塗布作業性等を調整するため、界面活性剤を含有してもよい。
界面活性剤としては、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤が挙げられる。シリコーン系界面活性剤には、例えばＢＹＫ−０７７、ＢＹＫ−０８５、ＢＹＫ−３００、ＢＹＫ−３０１、ＢＹＫ−３０２、ＢＹＫ−３０６、ＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３１０、ＢＹＫ−３２０、ＢＹＫ−３２２、ＢＹＫ−３２３、ＢＹＫ−３２５、ＢＹＫ−３３０、ＢＹＫ−３３１、ＢＹＫ−３３３、ＢＹＫ−３３５、ＢＹＫ−３４１、ＢＹＫ−３４４、ＢＹＫ−３４５、ＢＹＫ−３４６、ＢＹＫ−３４８、ＢＹＫ−３５４、ＢＹＫ−３５５、ＢＹＫ−３５６、ＢＹＫ−３５８、ＢＹＫ−３６１、ＢＹＫ−３７０、ＢＹＫ−３７１、ＢＹＫ−３７５、ＢＹＫ−３８０、ＢＹＫ−３９０（以上、ＢＹＫ  Ｃｈｅｍｉｅ社製）等を用いることができる。フッ素系界面活性剤としては、例えばＦ−１１４、Ｆ−１７７、Ｆ−４１０、Ｆ−４１１、Ｆ−４５０、Ｆ−４９３、Ｆ−４９４、Ｆ−４４３、Ｆ−４４４、Ｆ−４４５、Ｆ−４４６、Ｆ−４７０、Ｆ−４７１、Ｆ−４７２ＳＦ、Ｆ−４７４、Ｆ−４７５、Ｆ−４７７、Ｆ−４７８、Ｆ−４７９、Ｆ−４８０ＳＦ、Ｆ−４８２、Ｆ−４８３、Ｆ−４８４、Ｆ−４８６、Ｆ−４８７、Ｆ−１７２Ｄ、ＭＣＦ−３５０ＳＦ、ＴＦ−１０２５ＳＦ、ＴＦ−１１１７ＳＦ、ＴＦ−１０２６ＳＦ、ＴＦ−１１２８、ＴＦ−１１２７、ＴＦ−１１２９、ＴＦ−１１２６、ＴＦ−１１３０、ＴＦ−１１１６ＳＦ、ＴＦ−１１３１、ＴＦ−１１３２、ＴＦ−１０２７ＳＦ、ＴＦ−１４４１、ＴＦ−１４４２（以上、ＤＩＣ株式社製）；ポリフォックスシリーズのＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、ＰＦ−６５２０（以上、オムノバ社製）等を用いることができる。
【００８１】
本実施形態の分離層形成用組成物が含有する界面活性剤は、１種でもよく２種以上でもよい。
本実施形態の分離層形成用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、（Ｐ）成分１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部であることが好ましく、０．０２〜２質量部がより好ましく、０．０３〜１質量部がさらに好ましい。
界面活性剤の含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、分離層形成用組成物を支持基体上に塗布した際に、平坦性の高い分離層を容易に形成することができる。
【００８２】
（分離層付き支持基体）
本発明の第２の態様に係る分離層付き支持基体は、支持基体と、前記第１の態様に係る分離層形成用組成物を用いて前記支持基体上に形成された分離層と、を備えたものである。
本実施形態の分離層付き支持基体は、支持基体上に、上述した実施形態の分離層形成用組成物を用いて形成された分離層を備える。したがって、かかる分離層付き支持基体においては、光反応性、耐薬品性が高められている。
【００８３】
＜支持基体＞
支持基体は、光を透過する特性を有する。支持基体は、基板を支持する部材であり、分離層を介して基板に貼り合わされる。そのため、支持基体としては、封止体の薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、上面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。
【００８４】
＜分離層＞
分離層は、上述した実施形態の分離層形成用組成物を用いて形成することができ、分離層形成用組成物が含有する樹脂成分（Ｐ）を焼成することにより形成される焼成体からなる層である。この分離層は、支持基体を透過して照射される光を吸収することによって好適に変質する。
尚、分離層は、本発明における本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよいが、光反応性、分離性の観点から、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましい。
【００８５】
ここでいう焼成体とは、（Ｐ）成分を含有する組成物を焼成したものをいう。この焼成体は、大気環境下、つまり、酸素が存在する環境下、（Ｐ）成分を含有する組成物を焼成することで形成されており、当該組成物の少なくとも一部が炭化している。本実施形態における分離層を構成する焼成体は、波長６００ｎｍ以下の範囲の光を好適に吸収することができ、好ましくは高い耐薬品性を備える。
【００８６】
分離層が「変質する」とは、分離層が外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象をいう。分離層は、光を吸収することによって脆くなり、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。かかる分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることで起こる。
【００８７】
分離層の厚さは、例えば０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内であることが特に好ましい。
【００８８】
例えば図１に示す積層体１０において、分離層は、接着層に接する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、接着層の形成が容易に行え、かつ、支持基体と基板とを均一に貼り付けることが容易となる。
【００８９】
本実施形態の分離層付き支持基体は、後述の［分離層形成工程］の操作を同様にして行うことにより製造することができる。
【００９０】
本実施形態の分離層付き支持基体は、上述した実施形態の分離層形成用組成物を適用した分離層が設けられているため、光反応性が高められており、好ましくは耐薬品性も高められている。
【００９１】
（積層体）
本発明の第３の態様に係る積層体は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えたものである。この分離層は、上述した実施形態の分離層形成用組成物の焼成体である。
図１に示した通り、本実施形態の積層体１０は、支持基体１上に分離層２、接着層３、基板４がこの順に積層したものである。
【００９２】
支持基体１についての説明は、上記＜支持基体＞における説明と同様である。
分離層２についての説明は、上記＜分離層＞における説明と同様である。
【００９３】
＜接着層＞
接着層３は、支持基体１と基板４とを貼り合わせるための層であり、接着層形成用組成物を用いて形成することができる。
かかる接着層形成用組成物は、例えば熱可塑性樹脂、希釈剤、及び、添加剤等のその他成分を含有しているものが挙げられる。この熱可塑性樹脂としては、接着力を発現するものであればよく、炭化水素樹脂（好ましくはシクロオレフィンポリマー等）、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等の１種又は２種以上がることができる。希釈剤としては、上記（Ｓ）成分と同様のものが挙げられる。その他成分としては、接着層の性能を改良するための付加的樹脂、硬化性モノマー、光重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、熱重合禁止剤、界面活性剤等が挙げられる。
【００９４】
接着層３の厚さは、例えば０．１μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
接着層の厚さが０．１μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、支持基体１と基板４とをより良好に貼り合わせることができる。また、接着層の厚さが１μｍ以上であることにより、基板を支持基体上に充分に固定することができ、接着層の厚さが１０μｍ以下であることにより、後の除去工程において接着層を容易に除去することができる。
【００９５】
＜基板＞
基板４は、支持基体１に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板４には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装される。
基板４としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が用いられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等を用いてもよい。
【００９６】
本実施形態において、素子は、半導体素子又はその他素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。尚、素子が半導体素子である場合、封止基板をダイシングすることにより得られる電子部品は半導体装置となる。
【００９７】
上述した実施形態の積層体は、上述した実施形態の分離層形成用組成物を適用した分離層が設けられているため、光反応性が高められて（光の照射により好適に変質して）積層体からの支持基体の分離性が良好である。
加えて、実施形態の積層体は、上述した実施形態の分離層形成用組成物を適用した分離層が設けられているため、耐薬品性が高められている。これにより、実施形態の積層体は、エッチング処理、リソグラフィー処理等で用いられる薬品等の影響によって破損しにくい。
【００９８】
上述した実施形態の積層体においては、支持基体１と分離層２とが隣接しているが、これに限定されず、支持基体１と分離層２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は、光を透過する材料から構成されていればよい。これによれば、分離層２への光の入射を妨げることなく、積層体１０に好ましい性質等を付与する層を適宜追加できる。分離層２を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、全ての波長の光を透過させる必要はなく、分離層２を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過する材料から適宜選択し得る。
【００９９】
また、上述した実施形態の積層体は、支持基体１と基板４とを貼り合わせるための接着層３を備えているが、これに限定されず、支持基体１と基板４との間に分離層２のみを備えたものでもよい。この場合においては、例えば、接着層の機能も兼ね備えた分離層が用いられる。
【０１００】
（積層体の製造方法）
本発明の第４の態様は、光を透過する支持基体と、基板との間に、分離層を備えた積層体の製造方法であって、分離層形成工程と、積層工程と、を有する。
【０１０１】
＜第１実施形態＞
図２は、積層体の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図２（ａ）は、分離層形成工程を説明する図であり、図２（ｂ）は、積層工程を説明する図である。
本実施形態の積層体の製造方法においては、上記一般式（ｐ１）で表される繰り返し単位を有する樹脂成分（（Ｐ）成分）が有機溶剤成分（（Ｓ）成分）に溶解した分離層形成用組成物が用いられている。また、炭化水素樹脂が（Ｓ）成分に溶解した接着層形成用組成物が用いられている。
【０１０２】
［分離層形成工程］
実施形態における分離層形成工程は、支持基体上の一方に、上述した実施形態の分離層形成用組成物を塗布し、その後に焼成することにより分離層を形成する工程である。
図２（ａ）では、支持基体１上に、上述した実施形態の分離層形成用組成物を塗布し、その後に焼成することにより分離層２が形成されている（すなわち、分離層付き支持基体が作製されている）。
【０１０３】
支持基体１上への分離層形成用組成物の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。
【０１０４】
分離層形成工程では、加熱環境下、又は減圧環境下、支持基体１上に塗布された分離層形成用組成物の塗工層から（Ｓ）成分を除去して成膜する。（Ｓ）成分の除去は、例えばベーク処理を、８０〜１５０℃の温度条件にて１２０〜３６０秒間施して行うことができる。
その後、大気環境下、前記の塗工層から（Ｓ）成分が除去されて成る膜を焼成して、焼成体からなる分離層２を形成する。
【０１０５】
前記の塗工層から（Ｓ）成分が除去されて成る膜を焼成する際の温度は、（Ｐ）成分の種類に応じて適宜設定され、例えば２００℃以上とすることが好ましく、２５０℃以上とすることがより好ましい。焼成する際の温度が、前記の好ましい範囲の下限値以上であれば、波長６００ｎｍ以下の範囲の光を吸収することができる分離層をより安定に形成することができる。
焼成する際の温度の上限値は、特に限定されないが、例えば８００℃以下とすることが好ましく、より好ましくは６００℃以下である。
【０１０６】
焼成時間は、３分間以上、３時間以下とすることが好ましく、より好ましくは３分間以上、３０分間以下である。これにより、波長６００ｎｍ以下の範囲の光を吸収することができる分離層を確実に形成することができる。
【０１０７】
［積層工程］
実施形態における積層工程は、前記分離層を形成した前記支持基体と、前記分離層を形成していない前記基板とを、前記分離層と前記接着層とを介して積層する工程である。
図２（ｂ）では、分離層２が形成された支持基体１と、分離層２を形成していない基板４とが、分離層２と接着層３とを介して積層され、支持基体１、分離層２、接着層３、基板４の順に積み重なった積層体１０が得られている。
【０１０８】
積層工程の具体的な方法としては、分離層２上に、接着層形成用組成物を塗布し、加熱することにより接着層３を形成し、その後、支持基体１と基板４とを貼り合わせる方法が挙げられる。
【０１０９】
分離層２上への接着層形成用組成物の塗布方法は、特に限定されないが、上述した支持基体１上への分離層形成用組成物の塗布方法と同様にして行えばよい。
接着層３を形成する際のベーク処理は、例えば、温度を上昇させつつ段階的に加熱することにより行い、接着層形成用組成物から（Ｓ）成分を除去することで接着層３を形成する。
【０１１０】
支持基体１と基板４とを貼り合わせる方法は、接着層３上の所定位置に基板４を配置し、真空下で加熱（例えば１００℃程度）しつつ、ダイボンダー等によって支持基体１と基板４とを圧着することにより行う。
【０１１１】
第１実施形態の積層体の製造方法によれば、上述した実施形態の分離層形成用組成物を適用して分離層が設けられるため、光反応性が高められて積層体からの支持基体の分離性が良好であり、好ましくは耐薬品性が高い積層体を製造することができる。
【０１１２】
上述した本実施形態の積層体の製造方法においては、分離層２が支持基体１上に形成されていたが、これに限定されず、分離層２が基板４上に形成されていてもよい。
上述した本実施形態の積層体の製造方法においては、接着層３が分離層２上に形成されていたが、これに限定されず、接着層３が基板４上に形成されていてもよい。
また、分離層２は、支持基体１上及び基板４上の両方に形成されていてもよく、この場合、支持基体１と基板４とは、分離層２、接着層３及び分離層２を介して貼り合わされる。
【０１１３】
＜第２実施形態＞
図３は、積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図３（ａ）は、第１実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図３（ｂ）は、封止工程を説明する図である。
かかる他の実施形態の積層体の製造方法は、上記の分離層形成工程及び積層工程に加えて、さらに、封止工程を有する。
【０１１４】
［封止工程］
実施形態における封止工程は、前記積層工程の後、前記接着層を介して前記支持基体に貼り合わされた前記基板を、封止材により封止して封止体を作製する工程である。
図３（ｂ）では、接着層３上に配置された基板４の全体が、封止材により封止された封止体２０（積層体）が得られている。
【０１１５】
封止工程においては、例えば１３０〜１７０℃に加熱された封止材が、高粘度の状態を維持しつつ、基板４を覆うように、接着層３上に供給され、圧縮成形されることによって、接着層３上に封止材層５が設けられた封止体２０（積層体）が作製される。
【０１１６】
封止材には、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂を含有する組成物を用いることができる。封止材層５は、個々の基板４毎に設けられているものではなく、接着層３上の基板４全部を覆うように設けられていることが好ましい。
【０１１７】
第２実施形態の積層体の製造方法によれば、上述した実施形態の分離層形成用組成物を適用して分離層及び接着層の上に基板（配線層）を備えた封止基板を好適に形成することが可能である。
【０１１８】
＜第３実施形態＞
図４は、積層体の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図４（ａ）は、第２実施形態の製造方法により製造された封止体を示す図であり、図４（ｂ）は、研削工程を説明する図であり、図４（ｃ）は、再配線形成工程を説明する図である。
かかる他の実施形態の積層体の製造方法は、上記の分離層形成工程、積層工程及び封止工程に加えて、さらに、研削工程と再配線形成工程とを有する。
【０１１９】
［研削工程］
実施形態における研削工程は、前記封止工程の後、封止体２０における封止材部分（封止材層５）を、基板４の一部が露出するように研削する工程である。
封止材部分の研削は、例えば図４（ｂ）に示すように、封止材層５を、基板４とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。
【０１２０】
［再配線形成工程］
実施形態における再配線形成工程は、前記研削工程の後、前記の露出した基板４上に再配線層６を形成する工程である。
再配線層は、ＲＤＬ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：再配線層）とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。例えば、再配線層は、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）に、導電体（アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金、銀等の金属及び銀−錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
【０１２１】
再配線層６を形成する方法としては、まず、封止材層５上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止材層５上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。
【０１２２】
続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。
配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。
【０１２３】
このように、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理等を行う際、分離層２は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ、又はレジスト材料を溶解するためのレジスト溶剤に曝される。特に、ファンアウト型技術においては、レジスト溶剤として、ＰＧＭＥＡ、シクロペンタノン、シクロヘプタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）又はシクロヘキサノン等が用いられる。
しかしながら、上述した実施形態の分離層形成用組成物を用いて分離層を形成することにより、分離層は高い耐薬品性を備えている。このため、分離層は、酸、アルカリのみならず、レジスト溶剤に曝されても、溶解又は剥離しにくい。
このように、封止材層５上に、再配線層６を好適に形成することができる。
【０１２４】
第３実施形態の積層体の製造方法によれば、支持基体１と、分離層２と、接着層３と、基板４を覆う封止材層５と、再配線層６と、がこの順に積層されてなる積層体３０を安定に製造することができる。
かかる積層体３０は、基板４に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層６に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。
【０１２５】
本実施形態の積層体の製造方法においては、さらに、再配線層６上にバンプの形成、又は素子の実装を行うことができる。再配線層６上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。
【０１２６】
（電子部品の製造方法）
本発明の第５の態様に係る電子部品の製造方法は、前記第４の態様に係る積層体の製造方法により積層体を得た後、分離工程と、除去工程と、を有する。
【０１２７】
図５は、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。図５（ａ）は、第３実施形態の製造方法により製造された積層体を示す図であり、図５（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図５（ｃ）は、除去工程を説明する図である。
【０１２８】
［分離工程］
実施形態における分離工程は、支持基体１を介して分離層２に光（矢印）を照射して、分離層２を変質させることにより、積層体３０から支持基体１を分離する工程である。
【０１２９】
図５（ａ）に示すように、分離工程では、支持基体１を介して、分離層２に光（矢印）を照射することで、分離層２を変質させる。
分離層２を変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲が挙げられる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体１の透過性、及び分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持基体１と基板４とを容易に分離可能な状態とすることができる。
【０１３０】
レーザ光を照射する場合、レーザ光照射条件の一例として、以下の条件を挙げることができる。
レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下が好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下が好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
【０１３１】
分離層２に光（矢印）を照射して分離層２を変質させた後、図５（ｂ）に示すように、積層体３０から支持基体１を分離する。
例えば、支持基体１と基板４とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持基体１と基板４とを分離する。具体的には、支持基体１又は基板４側（再配線層６）の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体１と基板４とを分離することができる。
積層体３０に加える力は、積層体３０の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ（０．９８〜４９Ｎ）程度の力を加えることによって、支持基体１と基板４とを好適に分離することができる。
【０１３２】
［除去工程］
実施形態における除去工程は、前記分離工程の後、基板４に付着する接着層３及び分離層２を除去する工程である。
図５（ｂ）では、分離工程の後、基板４に接着層３及び分離層２が付着している。本実施形態では、除去工程において、基板４に付着する接着層３及び分離層２を除去することにより、図５（ｃ）に示す電子部品４０が得られている。
【０１３３】
基板４に付着する接着層３等を除去する方法としては、例えば、洗浄液を用いて接着層３及び分離層２の残渣を除去する方法、又はプラズマを照射する方法が挙げられる。
洗浄液には、有機溶剤を含有する洗浄液が好適に用いられる。有機溶剤としては、分離層形成用組成物に配合の有機溶剤、接着層形成用組成物に配合の有機溶剤を用いることが好ましい。
【０１３４】
＜その他実施形態＞
図６は、半導体パッケージ（電子部品）の製造方法の他の実施形態を説明する概略工程図である。図６（ａ）は、本発明を適用した積層体の他の実施形態を示す模式図であり、図６（ｂ）は、分離工程を説明する図であり、図６（ｃ）は、除去工程を説明する図である。
【０１３５】
図６（ａ）に示す実施形態の積層体５０は、最表面５１ｓ側から、支持基体５１、分離層５２、配線層５７、基板５４、封止材層５５がこの順に積層したものである。
【０１３６】
支持基体５１についての説明は、上記＜支持基体＞における説明と同様である。
分離層５２についての説明は、上記＜分離層＞における説明と同様である。
【０１３７】
配線層５７は、例えば、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）に、導電体（アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金、銀等の金属及び銀−錫合金等の合金）によって配線が形成されたものが挙げられる。
基板５４についての説明は、上記＜基板＞における説明と同様である。
封止材層５５は、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂を含有する組成物を用いて形成されたものが挙げられる。
【０１３８】
積層体５０は、例えば、以下のようにして製造することができる。
まず、支持基体５１の最表面５１ｓと反対側の面に、分離層５２を形成する。かかる分離層５２の形成は、上記［分離層形成工程］と同様にして行えばよい。
次いで、分離層５２の支持基体５１と反対側の面に、配線層５７を形成する。かかる配線層５７の形成は、上記［再配線形成工程］と同様にして行えばよい。
次いで、配線層５７の分離層５２と反対側の面に、例えばバンプを介して、基板５４を貼り合わせる。
次いで、配線層５７に貼り合わされた基板５４を覆うように封止材により封止して、封止材層５５を形成する。かかる封止材層５５の形成は、上記［封止工程］と同様にして行えばよい。これにより、積層体５０が製造される。
【０１３９】
図６（ａ）に示すように、実施形態における分離工程では、支持基体５１を介して分離層５２に光（矢印）を照射して、分離層５２を変質させる。
分離層５２に光（矢印）を照射して分離層５２を変質させた後、図６（ｂ）に示すように、積層体５０から支持基体５１を分離する。かかる分離工程における操作は、上記［分離工程］における操作と同様にして行えばよい。
【０１４０】
図６（ｃ）に示すように、実施形態における除去工程では、前記分離工程の後、配線層５７に付着する分離層５２を除去することにより、電子部品６０が得られている。
配線層５７に付着する分離層５２を除去する方法としては、例えば、プラズマを照射する方法、又は洗浄液を用いて分離層５２の残渣を除去する方法が挙げられる。前記プラズマとしては、酸素プラズマが好適に用いられる。
【０１４１】
本実施形態の電子部品の製造方法は、上記の除去工程の後、さらに、電子部品に対してソルダーボール形成、ダイシング、又は酸化膜形成等の処理を行ってもよい。
【実施例】
【０１４２】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【０１４３】
＜樹脂成分（Ｐ）＞
本実施例においては、以下に示す樹脂（Ｐ−１）〜（Ｐ−５）を用いた。
樹脂（Ｐ−１）：下記化学式（ｐ１−１）で表される繰り返し単位を有する樹脂、重量平均分子量５３８０、分子量分散度１．６２
樹脂（Ｐ−２）：下記化学式（ｐ１−２）で表される繰り返し単位を有する樹脂、重量平均分子量５５００、分子量分散度１．６０
樹脂（Ｐ−３）：下記化学式（ｐ１−３）で表される繰り返し単位を有する樹脂、重量平均分子量５２２０、分子量分散度１．７２
樹脂（Ｐ−４）：下記化学式（ｐ１−４）で表される繰り返し単位を有する樹脂、重量平均分子量１１６００、分子量分散度２．１７
樹脂（Ｐ−５）：ナフトールノボラック型フェノール樹脂、重量平均分子量５０００、分子量分散度３．９０
【０１４４】
【化１１】
2020107649.tif 000013
【０１４５】
＜分離層形成用組成物の調製＞
（実施例１〜５、比較例１〜２）
表１に示す各成分を混合して溶解し、各例の分離層形成用組成物（樹脂成分濃度３５質量％）をそれぞれ調製した。
【０１４６】
【表１】
2020107649.tif 000014
【０１４７】
表１中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。［  ］内の数値は配合量（質量部）である。
（Ｐ）−１：樹脂（Ｐ−１）
（Ｐ）−２：樹脂（Ｐ−２）
（Ｐ）−３：樹脂（Ｐ−３）
（Ｐ）−４：樹脂（Ｐ−４）
（Ｐ）−５：樹脂（Ｐ−５）
（Ｔ）−１：ＣＸＣ２６８９
（Ｓ）−１：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
【０１４８】
＜分離層の形成＞
ベアガラス支持基体（１２インチ、厚さ０．７ｍｍ）上に、各例の分離層形成用組成物をそれぞれスピン塗布し、温度１００℃で３００秒間の条件で加熱し、続いて、温度１５０℃で３００秒間の条件で加熱することにより溶剤を除去して、膜厚１．８μｍの膜を形成した。
次いで、形成された膜を、大気環境下、温度３００℃で２０分間の条件で焼成して、ベアガラス支持基体上に分離層を形成することにより、分離層付き支持基体を得た。その際に形成された分離層の厚さを表２に示した。
【０１４９】
［分離層における光の透過率の評価］
上述した＜分離層の形成＞において、各例の分離層形成用組成物を用いて形成した焼成前の状態の膜、及び焼成後の状態の膜（分離層）に対し、分光分析測定装置ＵＶ−３６００（株式会社島津製作所製）を用いて、波長３８０〜７８０ｎｍの光を照射することにより、ベアガラス支持基体上に形成された各膜における波長５３２ｎｍの光の透過率（％）を評価した。この評価結果を表２に示した。
【０１５０】
［分離層におけるレーザ反応性の評価］
各例の分離層形成用組成物を用いて形成した分離層に対し、走査速度３０００ｍｍ／秒、周波数４０ｋＨｚ、出力（電流値）２４Ａ、照射ピッチ１４０μｍの条件にて、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射することにより、レーザ反応性の評価を行った。
かかるレーザ反応性の評価は、顕微鏡ＶＨＸ−６００（Ｋｅｙｅｎｃｅ社製）を用いて、分離層に照射されたレーザ光の痕跡の状態を観察し、分離層表面におけるレーザ光の痕跡の大きさ（レーザ打痕径／μｍ）を求めることにより行った。この評価結果を表２に示した。
【０１５１】
【表２】
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【０１５２】
表２に示す結果から、実施例１〜５の分離層形成用組成物を用いて形成された分離層は、いずれも、比較例１〜２の分離層形成用組成物を用いて形成された分離層に比べて、光の透過率が低いこと、レーザ打痕径が大きいこと、が分かる。
すなわち、本発明を適用した分離層形成用組成物によれば、光反応性が高められて積層体からの支持基体の分離性を良好にする分離層を形成できること、が確認された。
【０１５３】
＜積層体の製造＞
上述した＜分離層の形成＞と同様の方法により、ベアガラス支持基体（１２インチ、厚さ０．７ｍｍ）上に、各実施例の分離層形成用組成物をそれぞれスピン塗布し、温度１００℃で３００秒間の条件で加熱し、続いて、温度１５０℃で３００秒間の条件で加熱することにより溶剤を除去して、膜を形成した。次いで、この形成された膜を、大気環境下、３００℃で２０分間の条件で焼成して、ベアガラス支持基体上に厚さ０．５μｍの分離層を形成した（分離層形成工程）。
一方、半導体ウェーハ基板（１２インチ、シリコン）に、接着剤組成物ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１２（東京応化工業株式会社製）をスピン塗布し、９０℃、１６０℃、２２０℃の温度で各４分間ベークして、膜厚５０μｍの接着層を形成した。
次に、前記の、分離層を形成したベアガラス支持基体と、接着層を形成した半導体ウェーハ基板とを、半導体ウェーハ基板、接着層、分離層及びベアガラス支持基体がこの順になるように重ね合わせ、真空下（５Ｐａ）、２１５℃の条件において、４０００ｋｇｆ（約３９．２ｋＮ）の貼付圧力により２分間押圧した。これにより、ベアガラス支持基体と半導体ウェーハ基板とを、分離層と接着層とを介して積層して、積層体を得た（積層工程）。
【０１５４】
積層体を得た後、積層体の支持基体側から、分離層に対し、走査速度３０００ｍｍ／秒、周波数４０ｋＨｚ、出力（電流値）２４Ａ、照射ピッチ１４０μｍの条件にて、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した（分離工程）。この後、ｐ−メンタンを用いて接着層の洗浄除去を行った（除去工程）。
以上の操作により、積層体が備える半導体ウェーハ基板から、支持基体が分離することが確認された。
【０１５５】
＜電子部品の製造例（１）＞
上述した＜分離層の形成＞と同様の方法により、ベアガラス支持基体（１２インチ、厚さ０．７ｍｍ）上に、各実施例の分離層形成用組成物をそれぞれスピン塗布し、温度１００℃で３００秒間の条件で加熱し、続いて、温度１５０℃で３００秒間の条件で加熱することにより溶剤を除去して、膜を形成した。次いで、この形成された膜を、大気環境下、３００℃で２０分間の条件で焼成して、ベアガラス支持基体上に厚さ０．５μｍの分離層を形成することにより、分離層付き支持基体を得た（分離層形成工程）。
その後、この分離層上に、接着剤組成物ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１２（東京応化工業株式会社製）をスピン塗布し、９０℃、１６０℃、２２０℃の温度で各４分間ベークして、膜厚５０μｍの接着層を形成した。
次いで、ダイボンダー（ＴＲＥＳＫＹ社製）を用い、ダイボンダーのプレートを１５０℃に加熱し、３５Ｎの圧力で１秒間、前記接着層上に、２ｍｍ角のシリコン製のベアチップを圧着した。シリコン製のベアチップを配置後、窒素雰囲気下、２００℃で１時間加熱して、積層体を得た（積層工程）。
【０１５６】
得られた積層体を、５０℃に加熱したプレート上に載置し、エポキシ樹脂を含む封止剤１２ｇを、ベアチップを覆うように乗せて、１０Ｐａよりも低い減圧条件下、貼付装置を用い、１３０℃に加熱した押圧用プレートにて１トンの圧力を加え、５分間圧縮した。このようにして、接着層上に配置されたベアチップを封止材により封止して、封止体を作製した（封止工程）。
【０１５７】
封止体を作製した後、封止体の支持基体側から、分離層に対し、走査速度３０００ｍｍ／秒、周波数４０ｋＨｚ、出力（電流値）２４Ａ、照射ピッチ１４０μｍの条件にて、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した（分離工程）。この後、ｐ−メンタンを用いて接着層の洗浄除去を行った（除去工程）。
以上の操作により、封止体から、支持基体が分離することが確認された。上記のようにして電子部品を得た。
【０１５８】
＜電子部品の製造例（２）＞
上述した＜分離層の形成＞と同様の方法により、ベアガラス支持基体（１２インチ、厚さ０．７ｍｍ）上に、各実施例の分離層形成用組成物をスピン塗布し、温度９０℃で１８０秒間の条件で加熱することにより溶剤を除去して、膜を形成した。次いで、この形成された膜を、大気環境下、３００℃で１０分間の条件で焼成して、ベアガラス支持基体上に厚さ０．３５μｍの分離層を形成することにより、分離層付き支持基体を得た（分離層形成工程）。
次いで、前記分離層上に、配線層形成用材料（商品名ＴＭＭＲ  Ｓ２０００）を塗布し、大気環境下、９０℃で３分間の条件で焼成することにより、分離層上に厚さ１０μｍの配線層を形成して、積層体を得た。
【０１５９】
配線層を形成した後、積層体のベアガラス支持基体側から、分離層に対し、照射量２００ｍＪ／ｃｍ２、出力（電流値）２２Ａ、照射ピッチ８０μｍの条件にて、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した。次いで、洗浄液としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に浸漬した後、９０℃で５分間の条件でベークした。続けて、さらに、窒素雰囲気下、２００℃で６０分間の条件による焼成を３回繰り返して行うことにより、積層体から支持基体を分離させた（分離工程）。その後、配線層の分離層側の面に、酸素プラズマを照射（電力２０００Ｗ、酸素の流量２０００ｓｃｃｍ、圧力７５Ｐａ、温度５０℃、照射時間５分間）し、配線層に付着した分離層の除去を行った（除去工程）。
以上の操作により、積層体から、支持基体が分離することが確認された。上記のようにして電子部品を得た。
【符号の説明】
【０１６０】
１  支持基体、２  分離層、３  接着層、４  基板、５  封止材層、６  再配線層、１０  積層体、２０  封止体、３０  積層体、４０  電子部品、５０  積層体、５１  支持基体、５２  分離層、５４  基板、５５  封止材層、５７  配線層、６０  電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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