(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトリソグラフィを用いて配線パターンを形成する際に、導電層同士の接続状態を向上させる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置１は、表面の第１導電層上に現像処理されたレジスト膜が形成された基板Ｇを処理する。基板処理装置１は、大気圧下で生成させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットを有する。プラズマ生成ユニットは、酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスを生成して基板Ｇの表面に向かって吐出した後に、還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスを生成して基板Ｇの表面に向かって吐出する。これにより、第１プラズマガスによってレジスト残渣が除去された後に、第２プラズマガスによって第１導電膜の表面が還元される。これにより、レジスト残渣や第１導電膜の酸化に起因して第１導電膜と第２導電膜との間が剥離したり、接続箇所における電気抵抗が増大するのが抑制される。【選択図】図１
2020107714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の第１導電層上に現像処理されたレジスト膜が形成された基板を処理する基板処理装置であって、
大気圧下で生成させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、
前記基板と前記プラズマ生成ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、
を有し、
前記プラズマ生成ユニットは、
酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスを生成し、前記基板の表面に向かって吐出するとともに、
前記基板の表面に第１プラズマガスを吐出した後で、還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスを生成し、前記基板の表面に向かって吐出する、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、酸素を含む気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する、基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する、基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、水素を含む気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する、基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットは、水素および窒素により構成される気体、または、水素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する、基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記プラズマ生成ユニットを２つ有し、
前記基板を内部において搬送可能な第１チャンバおよび第２チャンバと、
をさらに有し、
２つの前記プラズマ生成ユニットは、
前記第１プラズマガスを生成して、前記第１チャンバ内に吐出する第１プラズマ生成ユニットと、
前記第２プラズマガスを生成して、前記第２チャンバ内に吐出する第２プラズマ生成ユニットと、
を含み、
前記移動機構は、前記基板を、前記第１チャンバ内および前記第２チャンバ内において搬送する、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記基板を内部において搬送可能なチャンバ
をさらに有し、
前記移動機構は、前記チャンバ内において、前記プラズマ生成ユニットに対して前記基板を往復搬送し、
前記プラズマ生成ユニットは、
前記基板の往路において前記第１プラズマガスを前記基板に向かって吐出し、
前記基板の復路において前記第２プラズマガスを前記基板に向かって吐出する、基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
導電材料を成膜する成膜部
をさらに有し、
前記成膜部は、前記第１プラズマガスおよび前記第２プラズマガスが吐出された前記基板の表面に第２導電膜を形成する、基板処理装置。
【請求項９】
表面の第１導電層上に現像処理されたレジスト膜が形成された基板を処理する基板処理方法であって、
ａ）大気圧下において酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスを生成する工程と、
ｂ）前記工程ａ）において生成された前記第１プラズマガスを前記基板の表面に向かって吐出する工程と、
ｃ）大気圧下において還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスを生成する工程と、
ｄ）前記工程ｂ）の後で、前記工程ｃ）において生成された前記第２プラズマガスを前記基板の表面に向かって吐出する工程と、
を有する、基板処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理方法であって、
前記工程ａ）において、酸素を含む気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する、基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理方法であって、
前記工程ａ）において、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する、基板処理方法。
【請求項１２】
請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記工程ｃ）において、水素を含む気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する、基板処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理方法であって、
前記工程ｃ）において、水素および窒素により構成される気体、または、水素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する、基板処理方法。
【請求項１４】
請求項９ないし請求項１３のいずれかに記載の基板処理方法であって、
ｅ）前記工程ｄ）の後で、前記基板の表面に第２導電膜を形成する工程
をさらに有する、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面の電極膜上に形成されたレジスト膜を現像処理した後に、当該基板を処理する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの精密電子装置用基板の製造工程では、基板表面に形成されたレジスト膜を露光・現像することにより、レジストパターンを形成する、所謂フォトリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
近年、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスの小型化に伴い、これらの半導体デバイスを実装するための基板自体も小型化がすすんでいる。このため、プリント基板上に形成される電極や配線を、フォトリソグラフィ技術を用いて高精細に形成する方法が開発されつつある。
【０００４】
半導体デバイスを実装するための基板の製造方法については、例えば、特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の製造方法では、基板上に成膜した銅シード膜（第１の導電膜）上にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィによってレジスト膜パターンを形成し、その上に配線膜（第２の導電膜）を形成した後にレジスト膜パターンを除去している。このようにして、銅シード膜上に第２の導電膜による配線を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１９２８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の基板の製造方法のように、第１の導電膜上にレジストパターンを形成し、その上にさらに第２導電膜を形成する場合、レジストパターンの間の部分が２つの導電膜の接続箇所となる。このような接続箇所において、２つの導電膜同士の付着状態が悪いと、膜が剥離したり、電気的接続状態が悪化したりする等の問題が生じる。
【０００７】
パターンの高精細化に伴い、露光・現像後のレジスト膜において、レジストパターンの端部に微細なレジスト残渣が残る場合がある。レジスト残渣がある状態で、レジスト膜上に導電膜を形成すると、２つの導電膜同士の接触面積が小さくなる虞がある。
【０００８】
また、レジストパターンの形成工程において、レジスト層の下に形成された第１の導電膜のうち、レジストパターンから露出した部分の表面が酸化する場合がある。その場合、第１の導電膜の当該酸化表面の上に、第２の導電膜を形成する際に、第２の導電膜が第１の導電膜に十分付着しない虞がある。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、フォトリソグラフィを用いて配線パターンを形成する際に、導電層同士の接続状態を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、表面の第１導電層上に現像処理されたレジスト膜が形成された基板を処理する基板処理装置であって、大気圧下で生成させたプラズマを含むガスを吐出するプラズマ生成ユニットと、前記基板と前記プラズマ生成ユニットとを相対的に移動させる移動機構と、を有し、前記プラズマ生成ユニットは、酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスを生成し、前記基板の表面に向かって吐出するとともに、前記基板の表面に第１プラズマガスを吐出した後で、還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスを生成し、前記基板の表面に向かって吐出する。
【００１１】
本願の第２発明は、第１発明の基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、酸素を含む気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する。
【００１２】
本願の第３発明は、第２発明の基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する。
【００１３】
本願の第４発明は、第１発明ないし第３発明のいずれかの基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、水素を含む気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する。
【００１４】
本願の第５発明は、第４発明の基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットは、水素および窒素により構成される気体、または、水素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する。
【００１５】
本願の第６発明は、第１発明ないし第５発明のいずれかの基板処理装置であって、前記プラズマ生成ユニットを２つ有し、前記基板を内部において搬送可能な第１チャンバおよび第２チャンバと、をさらに有し、２つの前記プラズマ生成ユニットは、前記第１プラズマガスを生成して、前記第１チャンバ内に吐出する第１プラズマ生成ユニットと、前記第２プラズマガスを生成して、前記第２チャンバ内に吐出する第２プラズマ生成ユニットと、を含み、前記移動機構は、前記基板を、前記第１チャンバ内および前記第２チャンバ内において搬送する。
【００１６】
本願の第７発明は、第１発明ないし第５発明のいずれかの基板処理装置であって、前記基板を内部において搬送可能なチャンバをさらに有し、前記移動機構は、前記チャンバ内において、前記プラズマ生成ユニットに対して前記基板を往復搬送し、前記プラズマ生成ユニットは、前記基板の往路において前記第１プラズマガスを前記基板に向かって吐出し、前記基板の復路において前記第２プラズマガスを前記基板に向かって吐出する。
【００１７】
本願の第８発明は、第１発明ないし第７発明のいずれかの基板処理装置であって、導電材料を成膜する成膜部をさらに有し、前記成膜部は、前記第１プラズマガスおよび前記第２プラズマガスが吐出された前記基板の表面に第２導電膜を形成する。
【００１８】
本願の第９発明は、表面の第１導電層上に現像処理されたレジスト膜が形成された基板を処理する基板処理方法であって、ａ）大気圧下において酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスを生成する工程と、ｂ）前記工程ａ）において生成された前記第１プラズマガスを前記基板の表面に向かって吐出する工程と、ｃ）大気圧下において還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスを生成する工程と、ｄ）前記工程ｂ）の後で、前記工程ｃ）において生成された前記第２プラズマガスを前記基板の表面に向かって吐出する工程と、を有する。
【００１９】
本願の第１０発明は、第９発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）において、酸素を含む気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する。
【００２０】
本願の第１１発明は、第１０発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）において、酸素および窒素により構成される気体、または、酸素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第１プラズマガスを生成する。
【００２１】
本願の第１２発明は、第９発明ないし第１１発明のいずれかの基板処理方法であって、前記工程ｃ）において、水素を含む気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する。
【００２２】
本願の第１３発明は、第１２発明の基板処理方法であって、前記工程ｃ）において、水素および窒素により構成される気体、または、水素およびアルゴンにより構成される気体をプラズマ化して前記第２プラズマガスを生成する。
【００２３】
本願の第１４発明は、第９発明ないし第１３発明のいずれかの基板処理方法であって、  ｅ）前記工程ｄ）の後で、前記基板の表面に第２導電膜を形成する工程をさらに有する。
【発明の効果】
【００２４】
本願の第１発明から第１４発明によれば、第１プラズマガスによってレジスト残渣が除去された後に、第２プラズマガスによって第１導電膜の表面が還元される。これにより、レジスト残渣や第１導電膜の酸化に起因して第１導電膜と第２導電膜との間が剥離したり、接続箇所における電気抵抗が増大したりするのが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の構成を示した概略図である。
【図２】第１実施形態に係る基板処理装置を用いた第２導電層形成工程の流れを示したフローチャートである。
【図３】第１プラズマ処理前後における基板上のレジストパターンおよび第１導電膜の様子を示した概略図である。
【図４】第１実施形態に係る第１プラズマ処理部の構成を示した概略断面図である。
【図５】第１実施形態に係る第１プラズマ生成ユニットの第１ノズルと、基板との位置関係の一例を示した図である。
【図６】第１実施形態に係る第２プラズマ処理部の構成を示した概略断面図である。
【図７】第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示した概略図である。
【図８】一変形例に係るプラズマ生成ユニットのノズルと、基板との位置関係を示した図である。
【図９】他の変形例に係るプラズマ生成ユニットのノズルと、基板との位置関係を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２７】
＜１．第１実施形態＞
＜１−１．基板処理装置の構成＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を示した概略断面図である。本実施形態の基板処理装置１は、半導体パッケージ用の基板Ｇに対して、第１プラズマ処理および第２プラズマ処理を行うための装置である。
【００２８】
図１に示すように、基板処理装置１は、第１プラズマ処理部２と、第２プラズマ処理部３と、移動機構４と、制御部１０とを有する。
【００２９】
第１プラズマ処理部２は、表面に第１導電層およびレジストパターンが形成された基板Ｇに対して、第１プラズマ処理を行う装置である。具体的には、第１プラズマ処理部２は、基板Ｇの表面に対して、酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスを供給する。これにより、現像後のレジストパターンの端部に残る僅かなレジスト残渣を除去する。
【００３０】
第２プラズマ処理部３は、表面に第１導電層およびレジストパターンが形成された基板Ｇに対して、第２プラズマ処理を行う装置である。具体的には、第２プラズマ処理部３は、基板Ｇの表面に対して、還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスを供給する。これにより、第１導電膜のうち、レジストパターンから露出した部分の表面が還元される。
【００３１】
移動機構４は、基板処理装置１内において、基板Ｇと、後述する２つのプラズマ生成ユニット２１，３１とを相対的に移動させる機構である。具体的には、移動機構４は、基板処理装置１内において基板Ｇを水平方向に移動させる。移動機構４は、その上部に基板Ｇを載置しつつ、基板Ｇを搬送方向に移動させる複数の搬送ローラ４１を有する。複数の搬送ローラ４１は、互いに平行に配置される。また、搬送ローラ４１はそれぞれ、図示を省略したモータを駆動源として、水平軸に沿って回転する。これにより、基板Ｇは、水平姿勢で支持されつつ搬送される。
【００３２】
制御部１０は、基板処理装置１の各部を制御する。図１中に概念的に示したように、制御部１０は、ＣＰＵ等の演算処理部１１、ＲＡＭ等のメモリ１２、およびハードディスクドライブ等の記憶部１３を有するコンピュータにより構成されている。また、制御部１０は、第１プラズマ処理部２、第２プラズマ処理部３、および移動機構４の各部と、それぞれ電気的に接続されている。
【００３３】
制御部１０は、記憶部１３に記憶されたコンピュータプログラムやデータを、メモリ１２に一時的に読み出し、当該コンピュータプログラムおよびデータに基づいて、演算処理部１１が演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部の動作を制御する。これにより、基板処理装置１における第１プラズマ処理工程および第２プラズマ処理工程が実行される。
【００３４】
続いて、第１導電層を表面に有する半導体パッケージ用の基板Ｇに対して、第２導電層を形成する工程の一例について、図２を参照しつつ、説明する。図２は、基板処理装置１を用いた第２導電層形成工程の流れを示したフローチャートである。
【００３５】
まず、第１導電膜を表面に有する基板Ｇを用意する。ここで、「基板Ｇが表面に第１導電膜を有する」とは、第１導電膜とは異なる材料で形成された基板Ｇ上に第１導電膜が形成された状態であってもよいし、基板Ｇそのものが第１導電膜であってもよい。第１導電膜の材料には、例えば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、またはその合金が用いられる。
【００３６】
このような基板Ｇに対して、まず、レジスト膜を形成する（ステップＳ１０）。具体的には、基板Ｇの表面にレジスト液を塗布した後、乾燥処理およびプリベーク処理がなされる。これにより、基板Ｇの表面に塗布されたレジスト液が固化され、第１導電膜上に薄膜状の感光性を有するレジスト膜が形成される。
【００３７】
次に、基板Ｇに対して、露光処理がなされる（ステップＳ２０）。露光処理において、レジスト膜には、回路パターンが描画されたマスクを通して遠紫外線が照射される。露光処理後、基板Ｇには、現像処理がなされる（ステップＳ３０）。現像処理において、基板Ｇの表面に現像液が供給されると、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜の一部が現像液に溶解し、残った部分により、レジストパターンが形成される。ここで、レジスト膜としてネガ型のフォトレジストが用いられている場合、現像処理において露光されていない部分が現像液に溶解し、露光された部分が現像処理後に残る。一方、レジスト膜としてポジ型のフォトレジストが用いられている場合、露光された部分が現像処理において除去され、露光されていない部分が現像処理後に残る。そして、リンス処理によって基板Ｇの表面に付着した現像液が除去される。具体的には、基板Ｇの表面にリンス液が供給されて現像液が除去された後、エアナイフによって液切り乾燥され、基板Ｇの表面のリンス液の大部分が除去される。リンス処理後、ポストベーク処理によって基板Ｇの表面に付着したリンス液（水分）が乾燥する。
【００３８】
その後、基板Ｇは、基板処理装置１へと搬入され、第１プラズマ処理部２において、第１プラズマ処理がなされる（ステップＳ４０）。図３は、第１プラズマ処理前後における基板Ｇ上のレジストパターン８および第１導電膜９の様子を示した概略図である。図３において、上段には、第１プラズマ処理前の様子が示されており、下段には、第１プラズマ処理後の様子が示されている。なお、図３の下段において、第１プラズマ処理前のレジストパターンの外形が破線で示されている。
【００３９】
図３に示すように、現像後、かつ、プラズマ処理前のレジストパターン８は、その底部の周囲に、現像処理において除去しきれなかったレジスト残渣８１を有している可能性がある。
【００４０】
近年求められる高精細パターンでは、パターン間の間隔が従来よりも小さい。このように、パターン間の間隔が小さくなるにつれ、現像処理において、パターン間のレジストを溶解させた際に、パターン間の底部まで十分に現像液が対流するのが困難となる。このため、パターンの高精細化に伴って、レジスト残渣８１が生じる可能性が高くなる。
【００４１】
そこで、現像処理後に、第１プラズマ処理がなされる。本実施形態では、第１プラズマ生成ユニット２１により窒素ガスおよび酸素ガスにより構成される第１原料ガスの一部がプラズマ化され、当該酸化力を有するプラズマを含む第１プラズマガスが生成される。そして、第１プラズマガスが、第１ノズル５１を介してレジストパターン８が形成された基板Ｇの表面へと吐出される。
【００４２】
第１プラズマガスがレジストパターン８の表面に接触することにより、レジストパターン８の表面が第１プラズマガスと化学反応を起こして気化する。具体的には、レジスト中の炭素と酸素プラズマとが化学反応を起こして、二酸化炭素となる。その結果、図３中の下段に示すように、レジストパターン８の表面が僅かに削られる。この際に、レジスト残渣８１はテーパ状や凹凸状である場合も多く、表面積が大きいため、第１プラズマガスによって特に削られる。これにより、第１プラズマガスによってレジストパターン８の表面が僅かに削られている間に、レジスト残渣８１の大部分を除去することができる。
【００４３】
レジスト膜の現像工程（ステップＳ３０）や第１プラズマ工程（ステップＳ４０）によって、第１導電膜９の表面は酸化された状態となっている。第１導電膜９の表面が酸化された状態のままで、第１導電膜９上に第２導電膜を形成すると、第１導電膜９と第２導電膜との接続箇所が剥離し易くなったり、電気抵抗が増大したりする虞がある。
【００４４】
そこで、ステップＳ４０の第１プラズマ処理の後、後述する第２導電膜形成工程（ステップＳ６０）の前に、基板Ｇに対して、第２プラズマ処理部３において、第２プラズマ処理がなされる（ステップＳ５０）。
【００４５】
具体的には、ステップＳ５０では、第２プラズマ生成ユニット３１により水素ガスおよびアルゴンガスにより構成される第２原料ガスの一部がプラズマ化され、当該還元力を有するプラズマを含む第２プラズマガスが生成される。そして、第２プラズマガスが、第２ノズル６１を介して基板Ｇの表面へと吐出される。
【００４６】
第２プラズマガスがレジストパターン８から露出する第１導電膜９の表面に接触することにより、第１導電膜９の表面が第２プラズマガスと化学反応を起こす。具体的には、第１導電膜９の表面の酸化物と水素プラズマとが化学反応を起こして、水蒸気となる。その結果、第１導電膜９が還元される。
【００４７】
第２プラズマ処理の完了後、第１導電膜９およびレジストパターン８の上に第２導電膜が形成される（ステップＳ６０）。第２導電膜は、例えば、めっき処理、スパッタリング処理、蒸着処理などによって形成される。
【００４８】
第１プラズマ処理工程（ステップＳ４０）において、レジスト残渣が除去されているため、第２導電膜と接触すべき第１導電膜９の表面がレジストパターン８から露出している。このため、レジスト残渣に起因して第１導電膜９と第２導電膜との接続面積が減少するのが抑制される。したがって、第１導電膜９と第２導電膜との間が剥離したり、接続箇所における電気抵抗が増大したりするのが抑制される。
【００４９】
また、第２プラズマ処理工程（ステップＳ５０）において第１導電膜９の表面が還元されているため、第１導電膜９の酸化に起因して、第１導電膜９と第２導電膜との接続箇所における電気抵抗が増大するのが抑制される。
【００５０】
その後、レジストパターン８が除去される（ステップＳ７０）。これにより、第２導電膜の不要な部分がレジストパターン８とともに除去される。その結果、第２導電膜の一部が残り、配線や電極が形成される。
【００５１】
＜１−２．第１プラズマ処理部の構成＞
次に、図４および図５を参照しつつ、第１プラズマ処理部２の構成について説明する。図４は、第１プラズマ処理部２の構成を示した概略断面図である。図５は、第１プラズマ処理部２内における第１プラズマ生成ユニット２１の第１ノズル５１と、基板Ｇとの位置関係の一例を示した図である。
【００５２】
図４に示すように、第１プラズマ処理部２は、第１チャンバ２０と、第１プラズマ生成ユニット２１とを有する。
【００５３】
第１チャンバ２０は、基板Ｇおよび移動機構４の一部を内部に収容可能な筐体である。第１チャンバ２０の内部において、移動機構４によって基板Ｇが搬送される。第１チャンバ２０は、第１搬入口２０１、第１搬出口２０２、第１プラズマ導入口２０３、および２つの第１排気口２０４を有する。本実施形態では、第１チャンバ２０の底面および天面は水平に配置される。
【００５４】
第１搬入口２０１および第１搬出口２０２は、第１チャンバ２０の側壁に設けられた開口である。第１搬入口２０１は、移動機構４による基板Ｇの搬送方向の上流側に配置される。第１搬出口２０２は、移動機構４による基板Ｇの搬送方向の下流側に配置される。第１搬入口２０１および第１搬出口２０２には、開口を開閉自在に覆うシャッタが設けられていてもよい。なお、図１、図４および図６中、基板Ｇの搬送方向が実線矢印で示されている。
【００５５】
第１搬入口２０１は、基板処理装置１に基板Ｇを搬入するための搬入口である。第１搬出口２０２は、第２プラズマ処理部３の後述する第２搬入口３０１と接続される。これにより、第１搬出口２０２を介して第１プラズマ処理部２から搬出される基板Ｇは、第２搬入口３０１を介して第２プラズマ処理部３へと搬入される。
【００５６】
第１プラズマ導入口２０３は、第１チャンバ２０の天面に配置された貫通孔である。本実施形態では、第１プラズマ導入口２３に第１プラズマ生成ユニット２１の後述するノズル５１の吐出口５１０を有する下端部が配置される。
【００５７】
第１排気口２０４は、それぞれ、第１チャンバ２０の内部と外部とを連通する排気ダクトである。本実施形態の第１排気口２０４は管状のダクトであるが、第１排気口２０４は、単なる貫通孔であってもよい。この第１排気口２０４は、いずれも第１チャンバ２０の天面に設けられているが、第１排気口２０４は第１チャンバ２０の側面や底面に設けられていてもよい。また、本実施形態では、第１チャンバ２０の有する第１排気口２０４は２つであるが、第１排気口２０４は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
【００５８】
第１排気口２０４には、排気する気体に含まれる物質を吸着するためのフィルタが備えられていてもよい。また、第１排気口２０４は、第１チャンバ２０内の気体を吸引する吸引機構に接続されていてもよい。
【００５９】
第１プラズマ生成ユニット２１は、大気圧下で生成させたプラズマを含む第１プラズマガスを吐出する装置である。プラズマ生成ユニット２１は、第１ノズル５１と、第１原料ガス供給部５２とを有する。第１ノズル５１は、吐出口５１０と、一対の電極５１１とを有する。
【００６０】
吐出口５１０は、第１ノズル５１の下端部に設けられる。本実施形態の第１ノズル５１は、水平方向に細長い吐出口５１０を有する、いわゆるスリットノズルである。しかしながら、第１ノズル５１は、複数の吐出口５１０を有していてもよい。一対の電極５１１は、基板Ｇの搬送方向に対向して配置される。また、一対の電極５１１は、その下端部が吐出口５１０に一致するように配置される。一対の電極５１１の上端部には、第１原料ガス供給部５２から下方へ向かう第１原料ガスの気流が供給される。電極５１１間に電圧が印加されることにより、第１原料ガス供給部５２から供給された第１原料ガスが、大気圧下においてプラズマ化される。これにより、大気圧下で発生させたプラズマを含む第１プラズマガスが、吐出口５１０から下方へ向かって吐出される。
【００６１】
図４に示すように、第１ノズル５１は、実線矢印で示す基板Ｇの搬送方向に直交する方向（幅方向）に延びる。また、第１ノズル５１の吐出口５１０は、基板Ｇの幅方向の全体と重なる位置に配置される。これにより、基板Ｇの上面の幅方向の全体に対して、第１プラズマガスを接触させることができる。すなわち、基板Ｇの上面に形成されたレジスト膜の幅方向の全体に対して、第１プラズマガスを接触させることができる。
【００６２】
第１原料ガス供給部５２は、配管部５２０、窒素ガス供給源５２１、酸素ガス供給源５２２、第１バルブ５２３、および第２バルブ５２４を有する。
【００６３】
配管部５２０は、第１ノズル５１と、窒素ガス供給源５２１および酸素ガス供給源５２２とを接続する配管である。窒素ガス供給源５２１は、配管部５２０へ向けて窒素ガスを供給する。酸素ガス供給源５２２は、配管部５２０へ向けて酸素ガスを供給する。
【００６４】
第１バルブ５２３は、窒素ガス供給源５２１からの窒素ガスの供給を制御する。第１バルブ５２３が開放されると、窒素ガス供給源５２１から配管部５２０を介して第１ノズル５１へ窒素ガスが供給される。第１バルブ５２３が閉鎖されると、窒素ガス供給源５２１から第１ノズル５１への窒素ガスの供給が停止する。
【００６５】
第２バルブ５２４は、酸素ガス供給源５２２からの酸素ガスの供給を制御する。第２バルブ５２４が開放されると、酸素ガス供給源５２２から配管部５２０を介して第１ノズル５１へ酸素ガスが供給される。第２バルブ５２４が閉鎖されると、酸素ガス供給源５２２から第１ノズル５１への酸素ガスの供給が停止する。
【００６６】
第１バルブ５２３および第２バルブ５２４が同時に開放されると、窒素ガス供給源５２１から供給された窒素ガスと、酸素ガス供給源５２２から供給された酸素ガスとが混合された第１原料ガスが、配管部５２０を介して第１ノズル５１へと供給される。第１プラズマ処理工程において、第１原料ガスが第１ノズル５１へと供給されるとともに、電極５１１間に電圧が印加される。これにより、窒素および酸素により構成される気体の一部がプラズマ化され、当該プラズマを含む第１プラズマガスが吐出口５１０から吐出される。
【００６７】
上記の構成により、第１プラズマ処理工程において、移動機構４により基板Ｇの少なくとも一部が吐出口５１０の付近に接近すると、吐出口５１０から供給される、酸化力のあるプラズマを含む第１プラズマガスが基板Ｇの上面に接触する。すなわち、移動機構４による基板Ｇの移動範囲には、基板Ｇ上のレジスト膜が第１プラズマガスの吐出範囲内に配置される位置が含まれる。
【００６８】
本実施形態では、移動機構４により支持される基板Ｇと第１チャンバ２０の天面とが略平行である。これにより、基板Ｇの上面に向かって吐出された第１プラズマガスは、基板Ｇ上において水平方向に拡がり、その後第１排気口２０４から第１チャンバ２０の外部へと向かう。なお、図３中、ガスの流れが破線矢印で示されている。
【００６９】
なお、第１バルブ５２３および第２バルブ５２４は、開度を調節可能な流量調節弁であってもよい。流量調節弁を用いれば、第１ノズル５１へ供給される第１原料ガスの流量を調節したり、第１原料ガスに含まれる窒素ガスと酸素ガスの比率を調節したりすることができる。
【００７０】
なお、本実施形態では、酸素と、不活性ガスである窒素とにより構成される気体をプラズマ化し、第１プラズマガスとして基板Ｇの表面に供給している。しかしながら、第１プラズマ処理において第１プラズマ生成ユニット２１が基板Ｇに供給する気体は、これに限られない。例えば、第１プラズマ処理において基板Ｇに供給する気体は、酸素を含む気体をプラズマ化した気体であればよく、酸素と不活性ガスであるアルゴンとにより構成される気体をプラズマ化したものであってもよい。
【００７１】
この基板処理装置１では、第１プラズマ生成ユニット２１が基板Ｇに供給する気体は、大気圧下でプラズマ化された気体である。大気圧下でプラズマを生成することにより、いわゆる真空プラズマ装置と比べて安価にプラズマを生成することができ、かつ、高密度なプラズマを発生させることができる。これにより、プラズマ処理工程において、短時間で効率良くレジスト残渣８１を除去することができる。
【００７２】
また、この第１プラズマ処理部２では、プラズマの生成のための一対の電極５１１が第１ノズル５１内に配置される。これにより、プラズマの生成のための電極の一方が基板Ｇの下に電極が配置される場合と比べて、基板Ｇ上に形成された第１導電層等の膜層やレジストパターンが電圧によりダメージを受けることを回避しながら、プラズマ処理を行うことができる。
【００７３】
＜１−３．第２プラズマ処理部の構成＞
図６は、本実施形態に係る第２プラズマ処理部３の構成を示した概略断面図である。図６に示すように、第２プラズマ処理部３は、第２チャンバ３０と、第２プラズマ生成ユニット３１とを有する。
【００７４】
第２チャンバ３０は、基板Ｇおよび移動機構４の一部を内部に収容可能な筐体である。第２チャンバ３０の内部において、移動機構４によって基板Ｇが搬送可能である。第２チャンバ３０は、第２搬入口３０１、第２搬出口３０２、第２プラズマ導入口３０３、上流側給気口３０４、下流側給気口３０５、上流側第２排気口３０６、および下流側第２排気口３０７を有する。本実施形態では、第２チャンバ３０の底面および天面は水平に配置される。
【００７５】
第２搬入口３０１および第２搬出口３０２は、第２チャンバ３０の側壁に設けられた開口である。第２搬入口３０１は、移動機構４による基板Ｇの搬送方向の上流側に配置される。第２搬出口３０２は、移動機構４による基板Ｇの搬送方向の下流側に配置される。第２搬入口３０１および第２搬出口３０２には、開口を開閉自在に覆うシャッタが設けられていてもよい。
【００７６】
第２搬入口３０１は、第１プラズマ処理部２の第１搬出口２０２と接続される。これにより、第１搬出口２０２を介して第１プラズマ処理部２から搬出される基板Ｇは、第２搬入口３０１を介して第２プラズマ処理部３へと搬入される。第２搬出口３０２は、基板処理装置１から基板Ｇを搬出するための搬出口である。
【００７７】
第２プラズマ導入口３０３は、第２チャンバ３０の天面に配置された貫通孔である。本実施形態では、第２プラズマ導入口３０３は、第２チャンバ３０の搬送方向の略中央に配置される。また、第２プラズマ導入口３０３に第２プラズマ生成ユニット３１の後述するノズル６１の吐出口６１０を有する下端部が配置される。
【００７８】
上流側給気口３０４および下流側給気口３０５はそれぞれ、第２チャンバ３０の天面に配置され、第２チャンバ３０内に不活性ガスを供給する給気ダクトである。上流側給気口３０４は、第２チャンバ３０の天面の搬送方向上流側の端部に配置される。下流側給気口３０５は、第２チャンバ２０の天面の搬送方向下流側の端部に配置される。上流側給気口３０４および下流側給気口３０５は、それぞれ、不活性ガス供給部３２に接続される。不活性ガス供給部３２は、アルゴンや窒素などの不活性ガスを上流側給気口３０４および下流側給気口３０５に供給する。これにより、上流側給気口３０４および下流側給気口３０５から下方へ向かって不活性ガスが吐出される。本実施形態の上流側給気口３０４および下流側給気口３０５は、管状のダクトであるが、単なる貫通孔であってもよい。
【００７９】
上流側第２排気口３０６および下流側第２排気口３０７は、それぞれ、第２チャンバ３０の天面に配置され、第２チャンバ３０の内部の気体を排出する排気ダクトである。上流側第２排気口３０６は、上流側給気口３０４と第２プラズマ導入口３０３との間に配置される。本実施形態では特に、上流側第２排気口３０６は、上流側給気口３０４と搬送方向に隣接して配置される。下流側第２排気口３０７は、プラズマ導入口２３と下流側給気口３０５との間に配置される。本実施形態では特に、下流側第２排気口３０７は、下流側給気口３０５と搬送方向に隣接して配置される。
【００８０】
上流側第２排気口３０６および下流側第２排気口３０７は、それぞれ、第２チャンバ３０内の気体を吸引および回収する気体回収部３３に接続される。気体回収部３３は、例えば、吸引ブロワと、水素成分除去フィルタとを有する排気機構であってもよい。また、気体回収部３３は、吸引ブロワと、排気ガスを貯留可能なガス貯留部とを有するものであってもよい。気体回収部３３が駆動すると、上流側第２排気口３０６および下流側第２排気口３０７から第２チャンバ３０内の気体が吸引排気される。気体回収部２９では、排気された気体に含まれる水素ガスが適切に処理される。
【００８１】
第２プラズマ生成ユニット３１は、大気圧下で生成させたプラズマを含む第２プラズマガスを吐出する装置である。プラズマ生成ユニット３１は、第２ノズル６１と、第２原料ガス供給部６２とを有する。第２ノズル６１は、吐出口６１０と、一対の電極６１１とを有する。
【００８２】
吐出口６１０は、第２ノズル６１の下端部に設けられる。本実施形態の第２ノズル６１は、水平方向に延びる細長い吐出口６１０を有する、いわゆるスリットノズルである。しかしながら、第２ノズル６１は、複数の吐出口６１０を有していてもよい。一対の電極６１１は、基板Ｇの搬送方向に対向して配置される。また、一対の電極６１１は、その下端部が吐出口６１０に一致するように配置される。一対の電極６１１の上端部には、第２原料ガス供給部６２から下方へ向かう第２原料ガスの気流が供給される。電極６１１間に電圧が印加されることにより、第２原料ガス供給部６２から供給された第２原料ガスが、大気圧下においてプラズマ化される。これにより、大気圧下で発生させたプラズマを含む第２プラズマガスが、吐出口６１０から下方へ向かって吐出される。
【００８３】
第２ノズル６１は、第１プラズマ処理部２の第１ノズル５１と同様、基板Ｇの搬送方向に直交する方向（幅方向）に延びる。また、第２ノズル６１の吐出口６１０は、基板Ｇの幅方向の全体と重なる位置に配置される。これにより、基板Ｇの上面の幅方向の全体に対して、第２プラズマガスを接触させることができる。すなわち、基板Ｇの上面に形成された第１導電層の幅方向の全体に対して、第２プラズマガスを接触させることができる。
【００８４】
第２原料ガス供給部６２は、還元性のある第２原料ガスを第２ノズル６１に供給する。第２原料ガス供給部６２は、配管部６２０、第２原料ガス供給源６２１、および第３バルブ６２２を有する。
【００８５】
配管部６２０は、第２ノズル６１と、第２原料ガス供給源６２１とを接続する配管である。第２原料ガス供給源６２１は、配管部６２０へ向けて第２原料ガスを供給する。本実施形態の第２原料ガスは、水素およびアルゴンにより構成される気体である。水素を含むため、第２原料ガスは還元性を有する。水素の燃焼または爆発の下限値は、体積分率４％以下である。このため、第２原料ガスの爆発を抑制するために、第２原料ガスに含まれる水素の体積分率を４％未満とする。第２原料ガスとして、例えば、体積分率３％の水素を含むガスをアルゴンガスにより希釈して、水素の体積分率を１％以下とした気体を用いる。本実施形態では、特に、第２原料ガスとして、体積分率３％の水素を含むガスをアルゴンガスにより希釈して、水素の体積分率を０．１％〜０．２％とした気体を用いる。
【００８６】
第３バルブ６２２は、第２原料ガス供給源６２１からの第２原料ガスの供給を制御する。第３バルブ６２２が開放されると、第２原料ガス供給源６２１から配管部６２０を介して第２ノズル６１へ第２原料ガスが供給される。第３バルブ６２２が閉鎖されると、第２原料ガス供給源６２１から第２ノズル６１への第２原料ガスの供給が停止する。
【００８７】
第２プラズマ処理工程において、第２原料ガスが第２ノズル６１へ供給されるとともに、電極６１１間に電圧が印加される。これにより、水素およびアルゴンにより構成される第２原料ガスの一部がプラズマ化され、当該プラズマを含む第２プラズマガスが吐出口６１０から吐出される。
【００８８】
上記の構成により、第２プラズマ処理工程において、移動機構４により基板Ｇの少なくとも一部が吐出口６１０の付近に接近すると、吐出口６１０から供給される、還元力のあるプラズマを含む第２プラズマガスが基板Ｇの上面に接触する。すなわち、移動機構４による基板Ｇの移動範囲には、基板Ｇ上の第１導電膜９が第２プラズマガスの吐出範囲内に配置される位置が含まれる。
【００８９】
図６には、第２プラズマ処理中におけるガスの流れが破線矢印で示されている。移動機構４により支持される基板Ｇと第２チャンバ３０の天面とが略平行であることにより、基板Ｇの上面に向かって吐出された第２プラズマガスは、基板Ｇ上において水平方向に拡がり、その後上流側第２排気口３０６および下流側第２排気口３０７から第２チャンバ３０の外部へと排出される。
【００９０】
一方、上流側給気口３０４から供給された不活性ガスは、上流側給気口３０４から下方へと向かい、第２搬入口３０１の周囲を通った後に、搬送方向下流側に隣接する上流側第２排気口３０６へと向かう。これにより、第２ノズル６１から吐出され、上流側第２排気口３０６へと向かう第２プラズマガスが、第２搬入口３０１を介して第１チャンバ２０へと漏れるのが抑制される。
【００９１】
また、下流側給気口３０５から供給された不活性ガスは、下流側給気口３０５から下方へと向かい、第２搬出口３０２の周囲を通った後に、搬送方向上流側に隣接する下流側第２排気口３０７へと向かう。これにより、第２ノズル６１から吐出され、下流側第２排気口３０７へと向かう第２プラズマガスが、第２搬出口３０２を介して第２チャンバ３０の外部へと漏れるのが抑制される。このように、水素ガスおよび水素プラズマを含む第２プラズマガスが、意図せずに第２チャンバ３０の外部へと漏れるのが抑制されている。
【００９２】
なお、本実施形態では、水素と不活性ガスであるアルゴンとにより構成される気体をプラズマ化し、第２プラズマガスとして基板Ｇの表面に供給している。しかしながら、第２プラズマ処理において第２プラズマ生成ユニット３１が基板Ｇに供給する気体は、これに限られない。例えば、基板Ｇに供給する気体は、水素を含む気体をプラズマ化した気体であればよく、水素と不活性ガスである窒素とにより構成される気体をプラズマ化したものであってもよい。
【００９３】
この基板処理装置１では、第２プラズマ生成ユニット３１が基板Ｇに供給する気体は、大気圧下でプラズマ化がなされた気体である。大気圧下でプラズマを生成することにより、いわゆる真空プラズマ装置と比べて安価にプラズマを生成することができ、かつ、高密度なプラズマを発生させることができる。これにより、プラズマ処理工程において、短時間で効率良く第１導電層の表面を還元することができる。
【００９４】
また、この第２プラズマ処理部３では、プラズマの生成のための一対の電極６１１がノズル６１内に配置される。これにより、プラズマの生成のための一対の電極の間に基板Ｇが配置される場合と比べて、基板Ｇ上に形成された層やレジストパターンが電圧によりダメージを受けることを回避しながら、プラズマ処理を行うことができる。
【００９５】
＜２．第２実施形態＞
図７は、第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの構成を示した概略断面図である。本実施形態の基板処理装置１Ａは、半導体パッケージ用の基板Ｇに対して、第１プラズマ処理および第２プラズマ処理を行うための装置である。
【００９６】
図７に示すように、基板処理装置１は、単一のプラズマ処理部７Ａと、退避チャンバ１４Ａと、移動機構４Ａと、制御部１０Ａとを有する。移動機構４Ａおよび制御部１０Ａは、第１実施形態の移動機構４および制御部１０と同等であるため、説明を省略する。
【００９７】
プラズマ処理部７Ａは、表面に第１導電膜およびレジストパターンが形成された基板Ｇに対して、第１プラズマ処理と、第２プラズマ処理とを行う装置である。プラズマ処理部７Ａは、チャンバ７０Ａと、プラズマ生成ユニット７１Ａとを有する。
【００９８】
チャンバ７０Ａは、第１実施形態の第２チャンバ３０と同等の構成をしている。チャンバ７０Ａは、搬出入口７０１Ａ、退避口７０２Ａ、プラズマ導入口７０３Ａ、２つの給気口７０４Ａ，７０５Ａおよび２つの排気口７０６Ａ，７０７Ａを有する。２つの給気口７０４Ａ，７０５Ａはそれぞれ、アルゴンや窒素などの不活性ガスを供給する不活性ガス供給部７２Ａに接続される。２つの排気口７０６Ａ、７０７Ａはそれぞれ、チャンバ７０Ａ内の気体を吸引および回収する気体回収部７３Ａに接続される。
【００９９】
退避口７０２Ａは、退避チャンバ１４Ａと連通する連通口となっている。基板Ｇは、退避口７０２Ａを介して、移動機構４Ａによってチャンバ７０Ａと退避チャンバ１４Ａとの間を往復搬送される。
【０１００】
プラズマ生成ユニット７１Ａは、大気圧下で発生させたプラズマを含む第１プラズマガスおよび第２プラズマガスを吐出する装置である。プラズマ生成ユニット７１Ａは、ノズル７４Ａと、第１原料ガス供給部７５Ａと、第２原料ガス供給部７６Ａとを有する。ノズル７４Ａの構成は、第１実施形態の第１ノズル５１および第２ノズル６１と同等である。
【０１０１】
この基板処理装置１において第１プラズマ処理および第２プラズマ処理を行う場合、まず、搬出入口７０１Ａから基板Ｇが搬入されると、基板Ｇは搬出入口７０１Ａから退避口７０２Ａへと向かって搬送される。同時に、第１原料ガス供給部７５Ａからノズル７４Ａへと第１原料ガスが供給される。そして、ノズル７４Ａにおいて生成された第１プラズマガスが基板Ｇへと吐出され、第１プラズマ処理が行われる。
【０１０２】
続いて、基板Ｇは、移動機構４Ａにより、退避チャンバ１４Ａへと基板Ｇが退避される。その間、不活性ガス供給部７２Ａから給気口７０４Ａ，７０５Ａを介してチャンバ７０Ａ内に不活性ガスが供給されるとともに、排気口７０６Ａ，７０７Ａを介して気体回収部７３Ａへとチャンバ７０Ａ内の気体が排気される。これにより、チャンバ７０Ａ内を換気し、チャンバ７０Ａ内に残存する第１プラズマガスを除去する。
【０１０３】
その後、移動機構４Ａにより、基板Ｇを退避チャンバ１４Ａから退避口７０２Ａを介してチャンバ７０Ａ内へと搬入する。退避高７０２Ａから基板Ｇが搬入されると、基板Ｇは退避口７０２Ａから搬出入口７０１Ａへと向かって搬送される。同時に、第２原料ガス供給部７６Ａからノズル７４Ａへと第２原料ガスが供給される。そして、ノズル７４Ａにおいて生成された第２プラズマガスが基板Ｇへと吐出され、第２プラズマ処理が行われる。その後、基板Ｇが搬出入口７０１Ａから搬出される。
【０１０４】
このように、プラズマ生成ユニット７１Ａは、基板Ｇの往路において第１プラズマガスを基板Ｇに向かって吐出する。また、プラズマ生成ユニット７１Ａは、基板Ｇの復路において第２プラズマガスを基板Ｇに向かって吐出する。本実施形態のように、１つのチャンバ７０Ａおよび１つのプラズマ生成ユニット７１Ａを用いて、第１プラズマ処理と第２プラズマ処理とを行ってもよい。
【０１０５】
＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変形実施されてもよい。
【０１０６】
図８は、一変形例に係るプラズマ処理部内におけるプラズマ生成ユニットのノズル５１Ｂと、基板Ｇとの関係を示した図である。
【０１０７】
図８の例のプラズマ処理ユニットのノズル５１Ｂは、５つの分割ノズル５１２Ｂにより構成される。各分割ノズル５１２Ｂは、それぞれ、基板Ｇの幅方向に沿って延びる吐出口を有するスリットノズルである。５つの分割ノズル５１２Ｂは、幅方向に並んで配置される。
【０１０８】
このようにノズル５１Ｂを複数の分割ノズル５１２Ｂに分割することにより、幅方向の位置によって基板Ｇの表面に供給されるプラズマの状態を異ならせることができる。すなわち、分割ノズル５１２Ｂごとに、例えば、吐出するプラズマを含む気体の流量や、プラズマ生成時に電極に印加する電圧値を異ならせることができる。なお、基板Ｇの搬送方向については、ノズル５１Ｂと基板Ｇとの搬送方向の位置関係を考慮して上記の条件を変更するか、あるいは基板Ｇの搬送速度を変更することにより、基板Ｇの表面に供給されるプラズマの状態を異ならせることができる。
【０１０９】
また、分割ノズル５１２Ｂごとに、予め電極間の距離や、吐出口のスリット幅を異ならせていてもよい。このようにすれば、分割ノズル５１２Ｂごとに、基板Ｇの表面に供給されるプラズマの状態を異ならせることができる。
【０１１０】
図９は、他の変形例に係るプラズマ処理部内におけるプラズマ生成ユニットのノズル５１Ｃと、基板Ｇとの関係を示した図である。
【０１１１】
図９の例のプラズマ処理ユニットのノズル５１Ｃは、５つの分割ノズル５１２Ｃにより構成される。各分割ノズル５１２Ｃは、幅方向に千鳥状に配置される。５つの分割ノズル５１２Ｃは、上流側に配置される２つの分割ノズル５１２Ｃを含む第１ノズル列５１３Ｃと、下流側に配置される３つの第２ノズル列５１４Ｃとを形成する。５つの分割ノズル５１２Ｃは、全て幅方向の異なる位置に配置される。幅方向に隣り合う分割ノズル５１２Ｃは、互いに異なるノズル列５１３Ｃ，５１４Ｃに含まれる。幅方向に隣り合う分割ノズル５１２Ｃの幅方向の端部は、搬送方向に重なって配置される。これにより、基板Ｇの幅方向の全ての領域がいずれかのノズル５１Ｃの真下を通過することができる。したがって、基板Ｇの幅方向の全体を、より均一にプラズマ処理することができる。
【０１１２】
図８の例および図９の例のように、プラズマ生成ユニットのノズルは、複数の分割ノズルにより構成されていてもよい。なお、分割ノズルの数は、２〜４個であってもよいし、６個以上であってもよい。このようなノズルは、第１プラズマガスおよび第２プラズマガスの一方または両方を生成するプラズマ生成ユニットに用いられてもよい。
【０１１３】
また、上記の実施形態の移動機構は、静止したプラズマ生成ユニットのノズルに対して、基板を移動させていた。しかしながら、本発明の移動機構は、静止した基板に対して、プラズマ生成ユニットのノズルを移動させるものであってもよい。
【０１１４】
また、上記の実施形態のプラズマ処理部は、１つのノズルまたは１組の分割ノズルを有していたが、本発明はこれに限られない。プラズマ処理部は、搬送方向に並ぶ複数個のノズルまたは複数組の分割ノズルを有していてもよい。このように、搬送方向の複数箇所でプラズマ処理を行うことができれば、基板Ｇの搬送速度を大きくすることができる。すなわち、基板処理の期間を短縮できる。
【０１１５】
また、上記の実施形態の基板処理装置１，１Ａは、第１プラズマ処理および第２プラズマ処理を行う装置であったが、本発明はこれに限られない。第１プラズマ処理のみを行う装置と、第２プラズマ処理のみを行う装置とを組み合わせて使用してもよい。また、第１プラズマ処理および第２プラズマ処理を行うプラズマ処理部の他に、現像処理部や成膜処理部等の他の処理部とともに設置された基板処理装置であってもよい。本発明の基板処理装置は、例えば、第１プラズマ処理および第２プラズマ処理を行うプラズマ処理部と、導電材料を成膜する成膜部とを有してもよい。その場合、成膜部は、第１プラズマガスおよび第２プラズマガスが吐出された基板の表面に第２導電膜を形成する。
【０１１６】
また、上記の実施形態の基板処理装置は、半導体パッケージ用の基板を処理対象としていたが、本発明の基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板、有機ＥＬ表示装置用ガラス基板、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板などの他の精密電子装置用基板を処理対象とするものであってもよい。
【０１１７】
また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１８】
１，１Ａ  基板処理装置
２  第１プラズマ処理部
３  第２プラズマ処理部
４，４Ａ  移動機構
７Ａ  プラズマ処理部
２１  第１プラズマ生成ユニット
３１  第２プラズマ生成ユニット
３２  不活性ガス供給部
３３  気体回収部
５１，５１Ｂ，５１Ｃ，６１，７４Ａ  ノズル
Ｇ  基板
【図１】
2020107714.tif 000003
【図２】
2020107714.tif 000004
【図３】
2020107714.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020107714.tif 000009
【図８】
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【図９】
2020107714.tif 000011