(57)【要約】【課題】平面サイズの小型化および放熱性向上を両立できる半導体装置を実現する。【解決手段】表面１ａおよび裏面１ｂを有する半導体チップ１と、複数のリード２１を有してなるリードフレーム２と、モールド樹脂４とを備える半導体装置において、リード２１は、薄肉部２１１と厚肉部２１２とを有してなり、薄肉部２１１と半導体チップ１とが表面１ａ上に配置されたはんだ３を介して電気的に接続されている。半導体チップ１は、その一部がリード２１のうち薄肉部２１１と厚肉部２１２との段差により生じる空間に収容されると共に、裏面１ｂがモールド樹脂４から露出している。これにより、半導体チップ１とリード２１の一部とが平面視したときに重畳でき、これらの距離をワイヤボンディングする場合よりも小さくできるため、平面サイズが小型化されると共に、半導体チップ１の裏面１ｂが露出することで放熱性を向上できる構造となる。【選択図】図３
2020107734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（１ａ）と裏面（１ｂ）とを有し、高周波信号を伝送する半導体チップ（１）と、
複数のリード（２１）を有してなるリードフレーム（２）と、
前記表面上に配置されたはんだ（３）と、
前記半導体チップの一部および前記リードフレームの一部を覆うモールド樹脂（４）とを備え、
前記リードは、薄肉部（２１１）と厚肉部（２１２）とによりなり、
前記薄肉部は、前記リードのうち前記半導体チップ側の一端に位置し、前記表面に対する法線方向から見て前記表面の一部と重畳すると共に、前記はんだを介して前記半導体チップと電気的に接続されており、
前記半導体チップは、前記裏面が前記モールド樹脂から露出すると共に、前記表面の一部が前記薄肉部の一部と重なっている、半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームを第１リードフレームとし、前記リードを第１リードとし、前記薄肉部を第１薄肉部とし、前記厚肉部を第１厚肉部として、
前記第１リードフレームとは前記モールド樹脂を隔てて配置され、前記第１リードフレームよりも厚み方向の寸法が大きい第２リードフレーム（５）をさらに有し、
前記第２リードフレームは、複数の第２リード（５１）を有してなり、
前記第２リードは、第２薄肉部（５１１）と第２厚肉部（５１２）とを有してなり、
前記第２薄肉部は、前記第２リードのうち前記半導体チップ側の一端に位置し、前記法線方向から見て前記表面の一部と重畳すると共に、前記はんだを介して前記半導体チップと電気的に接続されており、
前記第２薄肉部のうち前記はんだと接合する部分は、その厚みが前記第２薄肉部の残部より大きく、前記第２厚肉部よりも小さい接続部（５１３）とされている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２リードフレームのうち前記高周波信号の伝送経路上に配置される電子部品（６）をさらに有し、
前記第１リードフレームは、前記第２リードフレームの一部と電気的に接続された被連結リード（２２）をさらに有してなり、
前記第２リードフレームは、前記被連結リードと電気的に接続された連結リード（５２）と、前記連結リードに隣接する隣接リード（５３）とをさらに有してなり、
前記電子部品は、一端が前記連結リードに搭載され、他端が前記隣接リードに搭載されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記被連結リードは、前記第１厚肉部に厚み方向に沿って形成された貫通孔（２２２）を備える第１連結部（２２１）を有すると共に、前記貫通孔に前記連結リードの一部である第２連結部（５２３）が挿入されており、
前記第１連結部および前記第２連結部は、前記裏面に対する法線方向から見て、連結用バンプ（８）に覆われており、
前記連結用バンプは、前記第１連結部および前記第２連結部それぞれに電気的に接続されることで、前記連結リードと前記被連結リードとを電気的に接続している、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電子部品は、一端が前記第２厚肉部と同じ厚みとされた前記連結部上に搭載され、他端が前記隣接リードのうち前記第２厚肉部と異なる部分であって、前記第２厚肉部と同じ厚みとされた被搭載部（５３１）上に搭載されている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップは、前記表面と前記裏面とを繋ぐ面である側面（１ｃ）に、前記半導体チップよりも前記モールド樹脂との密着性が高い材料で構成された剥離防止膜が形成されている、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームと半導体チップとをワイヤを介さずに接続した構造を備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化や軽量化に伴い、これに搭載される半導体装置についても小型化や軽量化が要求されている。また、外部と高周波信号のやり取りが行われる半導体チップを備える半導体装置は、高周波信号の損失を低減するため、高周波信号の伝送経路におけるインダクタンスを小さくすることが要求される。このような要求に応える構造とされた半導体装置としては、例えば、特許文献１に記載の半導体装置が挙げられる。
【０００３】
特許文献１に記載の半導体装置は、半導体チップと、リードフレームと、これらを覆うモールド樹脂とを備え、リードフレーム上にはんだを介して半導体チップが搭載されると共に、アウターリード以外がモールド樹脂に覆われたフルモールド構造とされている。
【０００４】
この半導体装置は、上面視にて半導体チップとリードフレームと一部重畳しているため、平面サイズの小型化が可能な構造である。また、この半導体装置では、半導体チップとリードフレームとがはんだにより接続されているため、ワイヤで接続される場合に比べて、高周波信号の伝送経路のインダクタンスが小さくなるため、高周波信号の伝送における損失を低減できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−６４１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この半導体装置は、半導体チップがすべて熱伝導性の低い樹脂材料で構成されたモールド樹脂に覆われており、半導体チップの熱が外部に放出されにくい構造である。
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、高周波信号の伝送における損失を低減すると共に、平面サイズの小型化および半導体チップの放熱性向上が両立できる構造の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の半導体装置は、表面（１ａ）と裏面（１ｂ）とを有し、高周波信号を伝送する半導体チップ（１）と、複数のリード（２１）を有してなるリードフレーム（２）と、表面上に配置されたはんだ（３）と、半導体チップの一部およびリードフレームの一部を覆うモールド樹脂（４）とを備える。このような構成において、リードは、薄肉部（２１１）と厚肉部（２１２）とによりなり、薄肉部は、リードのうち半導体チップ側の一端に位置し、表面に対する法線方向から見て表面の一部と重畳すると共に、はんだを介して半導体チップと電気的に接続されており、半導体チップは、裏面がモールド樹脂から露出すると共に、表面の一部が薄肉部の一部と重なっている。
【０００９】
これにより、半導体チップが、表面に対する法線方向から見て、その表面の一部がリードのうち薄肉部の一部と重なることとなる。言い換えると、半導体チップが、リードの厚肉部と薄肉部との段差により生じる空間に一部が収容されることで、表面に対する法線方向から見て、半導体チップとリードフレームとが一部重畳した配置とされた構造となり、平面サイズが従来よりも小型化できる。また、半導体チップが表面に配置されたはんだを介してリードと電気的に接続されており、ワイヤを用いる場合よりもインダクタンスが小さく、高周波信号の伝送における損失を低減できる。さらに、半導体チップの裏面がモールド樹脂から露出した構造であるため、半導体チップで生じる熱を熱伝導性の低い樹脂材料を介さずに外部に放出でき、放熱性が向上する。
【００１０】
なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置を示す下面レイアウト図である。
【図３】図２中のIII-III間の断面を示す断面図である。
【図４Ａ】第１実施形態の半導体装置の製造方法のうち半導体チップの用意工程を示す図である。
【図４Ｂ】第１実施形態の半導体装置の製造方法のうちリードフレームを構成する金属板の用意工程を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ａ、図４Ｂに続く工程であって、半導体チップとリードフレームを構成する金属板との接合工程を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く工程であって、モールド樹脂の成形工程を示す図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く工程であって、金属板からリードフレームの構成部分を切断・分離する工程を示す図である。
【図５】第２実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。
【図６】第２実施形態の半導体装置を示す下面レイアウト図である。
【図７】図５、図６中のVII-VII間の断面を示す断面図である。
【図８Ａ】第２実施形態の半導体装置の製造方法のうち半導体チップの用意工程を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程であって、半導体チップと第１リードフレームとの接合の工程を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｂの工程を、上面視した様子を示す図である。
【図８Ｄ】図８Ｂの工程後において、金属板から第１リードフレームの構成部分を切断・分離した後の様子を示す図である。
【図８Ｅ】第２実施形態の半導体装置の製造方法のうち第２リードフレームを構成する金属板の用意工程を示す図である。
【図８Ｆ】図８Ｄに続く工程であって、半導体チップと第２リードフレームとの接合の工程を示す図である。
【図８Ｇ】図８Ｆの工程を、上面視した様子を示す図である。
【図８Ｈ】図８Ｆの工程後に金属板から第２リードフレームの構成部分を切断・分離した後の様子を示す図である。
【図８Ｉ】図８Ｈに続く工程であって、モールド樹脂の成形工程を示す図である。
【図９Ａ】第２実施形態の半導体装置の製造工程のうち半導体チップと第１リードフレームとのはんだ接合の工程の他の一例を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を示す図である。
【図１０】第３実施形態の半導体装置を示す上面レイアウト図である。
【図１１】第３実施形態の半導体装置を示す下面レイアウト図である。
【図１２】図１０、図１１中のXII-XII間の断面を示す断面図である。
【図１３】図１１中のXIII-XIII間の断面を示す断面図である。
【図１４】図１３中のXIV内領域の断面を拡大して示す拡大断面図である。
【図１５】第１リードフレームのうち被連結リードと第２リードフレームのうち連結リードとの接続部分を上面視した様子を示す模式図である。
【図１６】図１０、図１１中のXVI-XVI間の断面を示す断面図である。
【図１７Ａ】第３実施形態の半導体装置の製造方法のうち半導体チップと第１リードフレームを構成する金属板との接合工程を、上面視した様子を示す図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａの工程後に、金属板から第１リードフレームを切断・分離した後の状態を示す上面レイアウト図である。
【図１７Ｃ】第３実施形態の半導体装置のうち第２リードフレームを構成する金属板を用意する工程を、上面視した様子を示す図である。
【図１７Ｄ】図１７Ｃに続く工程であって、半導体チップと第２リードフレームを構成する金属板との接合工程を、上面視した様子を示す図である。
【図１７Ｅ】図１７Ｄに続く工程であって、電子部品の搭載工程を示す図である。
【図１７Ｆ】図１７Ｅの工程後に、金属板から第２リードフレームを切断・分離した後の状態を示す上面レイアウト図である。
【図１８】他の実施形態における第１リードフレームを複数備えた金属板の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１３】
（第１実施形態）
第１実施形態の半導体装置Ｓ１について、図１〜図３を参照して述べる。本実施形態の半導体装置Ｓ１は、例えば、携帯電話などの小型の電子部品において、高周波スイッチング電源などの高周波信号が用いられる用途に適用されると好適であるが、勿論、他の用途にも適用され得る。
【００１４】
図１では、見易くして理解を助けるため、後述するモールド樹脂４の外郭を二点鎖線で示し、モールド樹脂４に覆われた後述する半導体チップ１およびリードフレーム２を実線で示している。図２では、構成の理解を助けるため、リードフレーム２のうちモールド樹脂４で覆われた部分を破線で示している。
【００１５】
半導体装置Ｓ１は、例えば図１に示すように、半導体チップ１と、リードフレーム２と、モールド樹脂４とを備える。半導体装置Ｓ１は、例えば図３に示すように、半導体チップ１の表面１ａとリードフレーム２の一部とを電気的に接続するはんだ３をさらに有してなる。半導体装置Ｓ１は、例えば図２に示すように、半導体チップ１の裏面１ｂがモールド樹脂４から露出しており、半導体チップ１の放熱に優れたいわゆるハーフモールド構造とされている。半導体装置Ｓ１は、本実施形態では、例えば図２に示すように、リードフレーム２のうち半導体チップ１の裏面１ｂ側の面がモールド樹脂４から露出しており、ＱＦＮ（Quad Flat Non-lead packageの略）構造とされている。
【００１６】
半導体チップ１は、主としてシリコンなどの半導体材料により構成され、例えば、図３に示すように、表裏の関係にある表面１ａおよび裏面１ｂと、表面１ａと裏面１ｂとを繋ぐ面である側面１ｃとを有する四角形板状とされる。半導体チップ１は、高周波信号の伝送が行われる図示しない集積回路および電極パッドが表面１ａ側に形成されており、通常の半導体プロセスで製造される。
【００１７】
半導体チップ１は、図１、図２に示すように、平面視にてその周囲にリードフレーム２を構成する複数のリード２１が配置されると共に、図３に示すように、図示しない電極パッド上にはんだ３が配置され、はんだ３を介してリード２１と電気的に接続されている。半導体チップ１は、図１に示すように、表面１ａに対する法線方向（以下「表面法線方向」という）から見て、表面１ａの一部がリード２１の一部と重畳する配置とされている。
【００１８】
具体的には、半導体チップ１は、その一部が、図３に示すように、リード２１のうち薄肉部２１１と厚肉部２１２との段差により生じる空間に収容され、薄肉部２１１の一部と重畳する配置とされている。これにより、半導体チップ１とリード２１との距離が短くなり、半導体装置Ｓ１の平面サイズが小型化される。
【００１９】
半導体チップ１は、側面１ｃにモールド樹脂４との密着性の高い材料で構成された図示しない剥離防止膜が形成されていてもよい。この場合、例えば温度変化が大きい環境に晒された際に、線膨張係数差に起因する半導体チップ１とモールド樹脂４との伸縮差が生じても、これらの界面における剥離発生を抑制できる。なお、モールド樹脂４との密着性の高い材料は、任意であるが、例えばポリイミドなどが用いられ得る。
【００２０】
半導体チップ１は、裏面１ｂに電極処理、例えばＴｉ／Ｎｉ／Ａｕなどの薄膜が形成されていてもよい。これにより、半導体チップ１の放熱性がさらに向上する効果が得られると共に、裏面１ｂがはんだなどにより外部の基板のランドに接続されることで、半導体チップ１の電位を固定することも可能となる。
【００２１】
なお、半導体チップ１は、板状とされていればよく、四角形板状に限られず、多角形板状などの他の任意の形状とされ得る。
【００２２】
リードフレーム２は、例えばＣｕやＦｅなどの金属材料によりなり、図１に示すように、上面視にて半導体チップ１の周囲に配置された複数のリード２１を有してなる。リードフレーム２は、例えば、１枚の金属板にプレス打ち抜き加工などを施し、複数のリード２１となる領域を成形した後、エッチングにより後述する薄肉部２１１を形成することにより得られる。
【００２３】
リード２１は、例えば図３に示すように、表裏の関係にある一面２１ａおよび他面２１ｂを有する板状とされると共に、一面２１ａと他面２１ｂとを繋ぐ厚み方向における厚みが異なる薄肉部２１１と厚肉部２１２とを有してなる。一面２１ａは、図３に示すように、半導体チップ１の表面１ａと同じ側の面である。他面２１ｂは、半導体チップ１の裏面１ｂと同じ側の面である。
【００２４】
なお、平面視にてリード２１のうち半導体チップ１側の一端とその反対側の他端とを繋ぐ方向を当該リード２１の延設方向として、図１、２では、平面視にて、複数のリード２１が四方それぞれにおいて４本ずつ延設方向を揃えて配置された例を示している。しかしながら、複数のリード２１は、半導体チップ１を囲むように配置されていればよく、上記の例に限定されず、本数や配置については適宜変更されてもよい。
【００２５】
薄肉部２１１は、図３に示すように、リード２１のうち半導体チップ１側の一端側に配置されると共に、はんだ３を介して半導体チップ１と電気的に接続されている。薄肉部２１１は、例えばリード２１の他面２１ｂ側からエッチングを行うことにより形成される。
【００２６】
厚肉部２１２は、図３に示すように、リード２１のうち半導体チップ１の反対側の他端側に配置されている。図３に示すように、厚肉部２１２のうち一面２１ａと他面２１ｂとを繋ぐ面を壁面２１ｃとして、厚肉部２１２は、本実施形態では、壁面２１ｃおよび他面２１ｂがモールド樹脂４から露出している。
【００２７】
なお、厚肉部２１２は、図２に示すように、平面視にてモールド樹脂４の外郭の内側に配置されているが、同外郭の外側まで延設されていてもよいし、同外郭よりも内側に配置され、壁面２１ｃがモールド樹脂４に覆われていてもよい。また、厚肉部２１２は、四角柱状とされているが、これに限られず、円柱状などの他の形状とされてもよい。
【００２８】
薄肉部２１１と厚肉部２１２との段差は、半導体チップ１の厚みとはんだ３の厚みとを加算した厚みと同程度である。例えば、リード２１の厚みが２００μｍ、半導体チップ１の厚みが８０μｍ、はんだ３の厚みが２０μｍである場合、薄肉部２１１と厚肉部２１２との段差は、１００μｍ程度とされる。言い換えると、薄肉部２１１を形成する際のエッチングでは、はんだ３が配置された半導体チップ１が収容できるように、そのエッチングの深さが決定される。
【００２９】
はんだ３は、図２に示すように、半導体チップ１の表面１ａ上に配置され、半導体チップ１とリード２１の薄肉部２１１とを電気的に接続している。はんだ３は、例えば、電解メッキなどにより、半導体チップ１の表面１ａの図示しない電極パッド上にバンプとして形成される。なお、本実施形態では、バンプとしてのはんだ３を例としているが、半導体チップ１とリード２１とを接続できる構成であればよく、例えば柱状のメタルピラーにＳｎなどを接合材として載せた物として構成されてもよい。
【００３０】
モールド樹脂４は、図２に示すように、半導体チップ１の一部、リードフレーム２の一部およびはんだ３を覆う封止部材であり、例えばエポキシ樹脂などの樹脂材料により構成される。モールド樹脂４は、本実施形態では、半導体チップ１の裏面１ｂ、リード２１の他面２１ｂおよび壁面２１ｃ以外の部分を覆っており、例えば、コンプレッション成形などにより成形される。
【００３１】
以上が、本実施形態の半導体装置Ｓ１の基本的な構成である。この半導体装置Ｓ１は、高周波信号の伝送経路が半導体チップ１、はんだ３およびリード２１で構成されるため、リード２１と半導体チップ１とがワイヤで接続される場合よりもインダクタンスが小さく、高周波信号の伝送時の損失が低減される構造である。
【００３２】
次に、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法の一例について、図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明する。
【００３３】
まず、図４Ａに示すように、通常の半導体プロセスにより製造される半導体チップ１を用意する。この半導体チップ１は、表面１ａに図示しない集積回路および電極パッドが形成されており、不図示の電極パッド上にバンプとしてのはんだ３を備える。
【００３４】
また、図４Ｂに示すように、複数のリード２１が形成された金属板２０を用意する。例えば、Ｃｕなどによりなる金属板２０をプレス打ち抜き加工を施し、リード２１となる部分を複数形成したのち、エッチングにより薄肉部２１１を形成することで、図４Ｂに示した状態の金属板２０となる。このとき、金属板２０のうち複数のリード２１を構成する部分は、平面視にて枠体状のタイバー２０１により連結された状態とされている。
【００３５】
なお、図４Ａ、図４Ｂに示す工程は、どちらが先に行われてもよいし、並行して行われてもよい。また、リード２１を構成する厚肉部２１２とタイバー２０１との間の部分については、後述するリードカットの工程で切断しやすくするため、図４Ｂに示すように、薄肉部２１１と同様に他の部分よりも肉厚が薄くされる。
【００３６】
続いて、図４Ｃに示すように、半導体チップ１および金属板２０を接着してこれらを保持するための保持部材１００を用意し、半導体チップ１と金属板２０とを一時的に保持する。このとき、例えば、半導体チップ１もしくは金属板２０またはその両方に図示しないアライメントマークを形成しておき、薄肉部２１１と半導体チップ１のバンプ（はんだ３）とが所定の位置で当接するように配置する。なお、保持部材１００は、半導体チップ１および金属板２０を少なくともモールド樹脂４の成形工程まで一時的に保持できるものであればよく、例えばシリコン樹脂などにより構成される。そして、この状態とされたワークを加熱することで、バンプを溶融させ、再硬化させることで、図４Ｃに示す状態となる。
【００３７】
なお、このような工程でリード２１と半導体チップ１とをはんだ３で接合することで、複数のリード２１と半導体チップ１とを一括接合でき、個々のリード２１と半導体チップ１とを順次接合するワイヤボンディングに比べて、接合工程をより短時間化できる。そのため、生産性が向上する効果が得られる。また、第１リード２１と半導体チップ１との接合後、半導体チップ１の側面１ｃに、モールド樹脂４を構成する樹脂材料との密着性の高いポリイミドを含む塗液をスプレー塗布し、剥離防止膜を形成してもよい。
【００３８】
次いで、図４Ｄに示すように、モールド樹脂４の外形に沿った形状とされたキャビティ３０１ａを備える上型３０１と、下型３０２と、によりなる金型３００を用意し、この金型３００に図４Ｃに示す工程後のワークをセットする。このとき、図４Ｄに示すように、ワークのうち半導体チップ１およびリード２１を構成する部分をキャビティ３０１ａ内に配置する。また、この金型３００のキャビティ３０１ａに、モールド樹脂４を構成する樹脂材料を投入する。そして、例えばコンプレッション成形などにより、半導体チップ１およびリード２１を覆うモールド樹脂４を形成する。モールド樹脂４の成形後、ワークを金型３００から離型する。
【００３９】
なお、モールド樹脂４の成形時に保持部材１００に半導体チップ１の裏面１ｂおよびリード２１の他面２１ｂが覆われていることで、これらの部分がモールド樹脂４から露出することとなる。また、モールド樹脂４の成形後に保持部材１００をワークから剥離するが、次のリードカットの工程後に保持部材１００を剥離しても構わない。
【００４０】
そして、図４Ｅの破線矢印で示すように、厚肉部２１２とタイバー２０１とをプレス打ち抜き加工などにより切断して分離する。また、必要に応じて、半導体チップ１の裏面１ｂに放熱性をさらに向上させるための電極処理を施してもよい。この電極処理は、半導体チップ１を用意する段階でなされてもよいし、モールド樹脂４の成形後であってもよく、任意の時点で行われる。
【００４１】
以上の工程により、本実施形態の半導体装置Ｓ１を製造することができる。なお、上記の製造方法は、一例であり、工程の順番などが適宜変更されてもよい。また、モールド樹脂４を成形する前に、リードカットの工程を行うと、リード２１の壁面２１ｃがモールド樹脂４で覆われた構造の半導体装置を製造できる。
【００４２】
本実施形態によれば、半導体チップ１とリードフレーム２とをはんだ３により接合しているため、ワイヤボンディングに比べて、高周波信号の伝送経路におけるインダクタンスが小さくなり、高周波信号の伝送での損失が低減される。また、半導体チップ１がリード２１の薄肉部２１１と厚肉部２１２との段差により生じる空間に収容され、半導体チップ１とリード２１の一部とが上面視にて重畳する配置とされることで、平面サイズが小型化される。さらに、半導体チップ１の裏面１ｂがモールド樹脂４から露出しているため、半導体チップ１で生じる熱を外部に放出しやすくなり、放熱性が向上する。
【００４３】
そのため、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、平面サイズの小型化および放熱性向上が両立すると共に、高周波信号の伝送での損失が低減される構造となる。
【００４４】
なお、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、半導体チップ１がリード２１の薄肉部２１１と厚肉部２１２との段差により生じる空間に収容され、かつワイヤを用いずにリード２１と半導体チップ１１とが接続される。そのため、半導体チップ１がリードフレーム２上に搭載される構造に比べて、半導体チップ１の厚み分だけ低背化でき、ワイヤを用いないことでモールド樹脂４の厚みを減らすことができる。つまり、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、従来の構造に比べて、薄型化の効果が得られる。
【００４５】
（第２実施形態）
第２実施形態の半導体装置Ｓ２について、図５〜図７を参照して述べる。
【００４６】
図５では、図１と同様に、モールド樹脂４の外郭を二点鎖線で示し、半導体チップ１および後述するリードフレーム５を実線で示している。図６では、図２と同様に、半導体装置Ｓ２のうちモールド樹脂４で覆われた部分を破線で示している。
【００４７】
本実施形態の半導体装置Ｓ２は、図７に示すように、厚み方向においてリードフレーム２とは寸法が異なる第２のリードフレーム５をさらに有し、第２のリードフレーム５もはんだ３を介して半導体チップ１に接合されている点で上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点について主に説明する。
【００４８】
以下、リードフレーム２とリードフレーム５とを区別し、構成の理解を助けるため、便宜的に、前者を「第１リードフレーム２」と称し、後者を「第２リードフレーム５」と称する。また、同様の目的で、便宜的に、第１リードフレーム２を構成するリード２１を「第１リード２１」と称し、第２リードフレーム５を構成する後述のリード５１を「第２リード５１」と称する。
【００４９】
半導体チップ１は、本実施形態では、図７に示すように、第１リード２１との接続に用いられるバンプ（はんだ３）よりもチップ中心側に、第２リード５１との接続に用いられるバンプ（はんだ３）が複数配置されている。
【００５０】
第１リードフレーム２は、本実施形態では、図６に示すように、厚肉部２１２の他面２１ｂのみがモールド樹脂４から露出している。
【００５１】
第２リードフレーム５は、例えば第１リードフレーム２と同様にＣｕなどの金属材料で構成され、図５に示すように、複数の第２リード５１を有してなる。第２リードフレーム５は、第１リードフレーム２と同様に、例えば金属板にプレス打ち抜き加工を施した後、エッチングにより後述する薄肉部５１１を形成することで得られる。
【００５２】
第２リード５１は、図７に示すように、厚み方向の寸法が第１リード２１よりも大きく、半導体チップ１側の一端とその反対側の他端とを繋ぐ延設方向における寸法が第１リード２１のそれよりも大きくされている。第２リード５１は、図７に示すように、断面視にて第１リード２１を跨ぐと共に、モールド樹脂４を隔てた配置とされている。第２リード５１は、図５に示すように、表面法線方向から見て、第１リード２１と重畳する配置とされ、第１リード２１を覆っている。第２リード５１は、裏面１ｂに対する法線方向から見て、第１リード２１よりも外側において、厚肉部５１２がモールド樹脂４から露出している。
【００５３】
なお、図５、図６では、第２リード５１が第１リード２１と延設方向を揃えて配置され、その延設方向における外郭が第１リード２１のそれと完全に重なった状態で重畳した配置の例を示しているが、この例に限定されるものではない。例えば、第２リード５１は、第１リード２１の少なくとも一部と重畳し、厚み方向の異なる位置に配置された多層配線として機能すればよく、その数や配置については適宜変更されてもよい。
【００５４】
複数の第２リード５１は、図５に示すように、平面視にて半導体チップ１の周囲に配置されている。第２リード５１は、図７に示すように、薄肉部５１１と厚肉部５１２とを有してなり、薄肉部５１１のうち半導体チップ１と接続される部分が当該薄肉部５１１の残部よりも厚みが大きい接続部５１３とされている。第２リード５１は、図７に示すように、表裏の関係にある上面５１ａおよび下面５１ｂを有してなり、厚肉部５１２のうち半導体チップ１の裏面１ｂ側の面が下面５１ｂとされ、その反対側が上面５１ａとされている。
【００５５】
薄肉部５１１は、図７に示すように、第１リード２１と同様に、半導体チップ１側の一端側に配置されると共に、その端部が接続部５１３とされている。接続部５１３は、はんだ３を介して半導体チップ１と電気的に接続されている。薄肉部５１１および接続部５１３は、例えばエッチングを二段階で行うことなどにより形成されることができる。例えば、一段階目のエッチングにより第２リード５１の一部の領域を所定の厚みとなるまで削った後、図示しないマスクを用いて接続部５１３および厚肉部５１２となる部分を覆い、二段階のエッチングにより残部を薄くする。例えば、このような方法により、薄肉部５１１、厚肉部５１２および接続部５１３を備える第２リード５１を形成できる。
【００５６】
厚肉部５１２は、図６に示すように、下面５１ｂがモールド樹脂４から露出すると共に、図７に示すように、第１リード２１の厚肉部２１２よりも厚みが大きくされている。
【００５７】
薄肉部５１１と厚肉部５１２との段差は、第１リード２１と薄肉部５１１とが接触しないように、第１リード２１の厚肉部２１２の厚みよりも大きくされている。
【００５８】
なお、厚み方向における第１リード２１と第２リード５１との隙間は、モールド樹脂４の成形時にその樹脂材料が入り込むことができる程度の寸法（例えば、限定するものではないが、１０μｍ〜２０μｍ）とされている。また、第１リード２１の薄肉部２１１および厚肉部２１２をそれぞれ「第１薄肉部」、「第１厚肉部」とした場合、第２リード５１の薄肉部５１１および厚肉部５１２は、それぞれ「第２薄肉部」、「第２厚肉部」と称し得る。
【００５９】
次に、本実施形態の半導体装置Ｓ２の製造方法の一例について、図８Ａ〜図８Ｉを参照して説明する。
【００６０】
図８Ｃでは、断面を示すものではないが、見易くするため、はんだ３にハッチングを施すと共に、表面法線方向からは目視できないタイバー２０１、薄肉部２１１および厚肉部２１２の境界部分を破線で示している。図８Ｇでは、表面法線方向からは目視できないタイバー５０１、薄肉部５１１、厚肉部５１２および接続部５１３の境界部分を破線で示している。
【００６１】
なお、ここでは、本実施形態の半導体装置Ｓ２の製造工程のうち上記第１実施形態の半導体装置Ｓ１と相違する部分を主に説明し、重複する部分については簡単に説明する。
【００６２】
まず、図８Ａに示すように、第１リード２１および第２リード５１との接合に用いられるバンプ（はんだ３）が形成された半導体チップ１を用意する。そして、上記第１実施形態と同様に、第１リード２１を備える金属板２０を用意し、プレス打ち抜き加工およびエッチングを行い、薄肉部２１１を形成する。その後、図８Ｂに示すように、保持部材１００に半導体チップ１と金属板２０とを位置合わせしつつ貼り付けて、これらの保持を行う。
【００６３】
なお、このとき、半導体チップ１は、図８Ｃに示すように、表面法線方向から見て、第１リード２１の薄肉部２１１により外郭側のバンプ（はんだ３）が覆われつつ、当該バンプよりもチップ中心側のバンプ（はんだ３）が金属板２０から露出した状態となる。その後、このワークを加熱し、バンプを溶融させ、再硬化させることで、第１リード２１と半導体チップ１とを電気的に接続する。
【００６４】
続いて、図８Ｄに示すように、保持部材１００に半導体チップ１および金属板２０を保持した状態でリードカットを行い、タイバー２０１を切断して分離する。また、図８Ｅに示すように、複数の第２リード５１を備える金属板５０を用意する。この金属板５０は、複数の第１リード２１を備える金属板２０と同様に、プレス打ち抜き加工およびエッチングを施すことで、複数の第２リード５１が形成された状態とされる。また、金属板５０は、この時点では、複数の第２リード５１が枠体状のタイバー５０１により連結された状態とされている。
【００６５】
次いで、図８Ｆに示すように、保持部材１００にさらに金属板５０を貼り付け、半導体チップ１のうち第１リード２１と接続されていないバンプと、第２リード５１のうち接続部５１３とを当接させる。このとき、例えば金属板５０に図示しないアライメントマークを印字しておき、このアライメントマークを目印に半導体チップ１と金属板５０との位置合わせを行う。そして、この状態のワークを加熱し、バンプを溶融・再硬化をさせることで、図８Ｆに示すように、第２リード５１の接続部５１３と半導体チップ１とがはんだ３を介して電気的に接続する。
【００６６】
なお、図８Ｆの工程後のワークを平面視すると、図８Ｇに示すように、半導体チップ１のバンプが第２リード５１の接続部５１３に覆い隠されると共に、第１リード２１が第２リード５１に覆い隠された状態となる。
【００６７】
そして、第１リードフレーム２と同様の手順で、リードカットを行い、第２リード５１とタイバー５０１とを切断・分離し、図８Ｈに示す状態とする。続けて、図８Ｉに示すように、モールド樹脂４の外形に沿った形状とされたキャビティ３１１ａを有する上型３１１と、下型３１２とによりなる金型３１０を用意する。その後、このワークを金型３１０にセットし、半導体チップ１、第１リードフレーム２および第２リードフレーム５をキャビティ３１１ａ内に配置する。そして、モールド樹脂４を構成する樹脂材料をキャビティ３１１ａ内に投入し、例えばコンプレッション成形によりモールド樹脂４を成形する。
【００６８】
モールド樹脂４を成形した後、ワークを金型３１０から離型し、保持部材１００をワークから剥がす。
【００６９】
なお、必要に応じて、第１リード２１の他面２１ｂおよび第２リード５１の下面５１ｂ上に電解メッキなどによりバンプを形成してもよい。また、上記第１実施形態と同様に、半導体チップ１の側面１ｃにポリイミドなどによる剥離防止膜を形成してもよく、さらに裏面１ｂに放熱性向上のための電極処理を施してもよい。
【００７０】
以上の工程により、本実施形態の半導体装置Ｓ２を製造することができるが、上記の例は一例であり、工程の順序や方法などが一部変更されてもよい。
【００７１】
例えば、第１リード２１を備える金属板２０と半導体チップ１との位置合わせおよび仮固定としては、図９Ａに示すように、金属板２０の一面２１ａを保持部材１００に貼り付け、その薄肉部２１１にバンプが当接するように半導体チップ１を載せてもよい。この状態でワークを加熱し、半導体チップ１の表面１ａ上のバンプを溶解・再硬化させることで、第１リード２１と半導体チップ１とを接合する。その後、図９Ｂに示すように、別途用意した第２の保持部材１１０に半導体チップ１の裏面１ｂおよび第１リード２１の他面２１ｂを貼り付け、これを反転させる。そして、ワークを第２の保持部材１１０に保持させたまま、保持部材１００をこのワークから剥がすことで、図８Ｂと同様の状態になる。このように、半導体装置Ｓ２の製造工程の一部を適宜変更してもよい。
【００７２】
本実施形態によれば、第２リード５１が第１リード２１を跨ぎつつ、第２リード５１の薄肉部５１１の一部が半導体チップ１の表面１ａの一部と重畳する配置とされるため、第２リード５１と半導体チップ１との平面上の距離が短くできる構造である。そのため、上記第１実施形態と同様に、平面サイズの小型化および放熱性向上が両立できる半導体装置Ｓ２となる。また、第１リードフレーム２と第２リードフレーム５とが重畳されているため、多層配線の機能が付加された構造となる。
【００７３】
（第３実施形態）
第３実施形態の半導体装置Ｓ３について、図１０〜図１６を参照して述べる。
【００７４】
図１０では、図１と同様に、モールド樹脂４の外郭を二点鎖線で示し、半導体チップ１、第２リードフレーム５および後述する電子部品６を実線で示している。図１１では、図２と同様に、半導体装置Ｓ３のうちモールド樹脂４で覆われた部分を破線で示すと共に、見易くするため、後述するバンプ７および連結用バンプ８を省略している。図１４では、見易くするため、モールド樹脂４を省略している。図１５では、後述する被連結リード２２と連結リード５２との配置を分かり易くするため、連結リード５２の外郭を破線で示している。
【００７５】
本実施形態の半導体装置Ｓ３は、図１０に示すように、第１リードフレーム２と第２リードフレーム５とを有してなり、かつ複数の第２リード５１の一部であって隣接する２つの第２リード５１に高周波信号のノイズ低減に用いられる電子部品６が搭載されている。半導体装置Ｓ３は、図１２および図１３に示すように、バンプ７と連結用バンプ８とをさらに備え、電子部品６が搭載される２つの第２リード５１の一方が、複数の第１リード２１のうちの１つと連結用バンプ８を介して電気的に接続されている。半導体装置Ｓ３は、これらの点で上記第１実施形態と相違する。本実施形態では、この相違点のうち上記第２実施形態と異なる点について主に説明し、上記第２実施形態と共通する点については簡単に説明する。
【００７６】
第１リードフレーム２は、本実施形態では、図１０に示すように、複数の第１リード２１に加えて、第２リードフレーム５の一部と電気的に接続された被連結リード２２を有してなる。
【００７７】
第２リードフレーム５は、本実施形態では、図１０に示すように、複数の第２リード５１に加えて、被連結リード２２と電気的に接続された連結リード５２と、連結リード５２に隣接するリードである隣接リード５３とを有してなる。
【００７８】
被連結リード２２は、図１３に示すように、第１リード２１とほぼ同様の構成であり、はんだ３を介して半導体チップ１と電気的に接続されている。被連結リード２２は、図１４に示すように、第１リード２１でいう厚肉部２１２に相当する部分が、厚み方向に沿って形成された貫通孔２２２を備える第１連結部２２１とされている点において第１リード２１と相違する。被連結リード２２は、図１１に示すように、例えば、隣接する第１リード２１とその延設方向を揃えて配置されている。
【００７９】
第１連結部２２１は、本実施形態では、例えば四角柱筒状とされ、円柱状の貫通孔２２２が形成されている。第１連結部２２１は、図１４もしくは図１５に示すように、貫通孔２２２内に連結リード５２に形成された第２連結部５２３が挿入されている。第１連結部２２１は、図１３もしくは図１４に示すように、半導体チップ１の裏面１ｂと同様に、裏面１ｂ側において第２連結部５２３と共にモールド樹脂４から露出している。
【００８０】
なお、第１連結部２２１は、第２連結部５２３が挿入される形状であればよく、上記した形状に限られず、円柱筒状などの他の形状とされてもよい。また、貫通孔２２２についても同様に、円柱状に限られず、第２連結部５２３の立体的形状に合わせて、四角柱状などの他の形状とされてもよい。
【００８１】
第１連結部２２１および第２連結部５２３のうち裏面１ｂ側においてモールド樹脂４から露出した部分は、図１４に示すように、１つの連結用バンプ８により覆われており、この連結用バンプ８を介して電気的に接続されている。このような構成とされることで、被連結リード２２は、連結リード５２と電気的に接続されている。
【００８２】
連結リード５２は、１つの薄肉部５２１および２つの厚肉部５２２を備え、薄肉部５２１の両端が厚肉部５２２に接続された構成とされている。連結リード５２は、例えば図１０に示すように、電気的に接続される被連結リード２２と交差する方向に延設されている。連結リード５２は、図１４に示すように、２つの厚肉部５２２のうち一方が被連結リード２２の貫通孔２２２に挿入される第２連結部５２３とされている。連結リード５２は、図１１に示すように、半導体チップ１の裏面１ｂに対する法線方向から見て、第２連結部５２３および厚肉部５２２がモールド樹脂４から露出している。連結リード５２は、図１３に示すように、裏面１ｂ側において、第２連結部５２３が連結用バンプ８に覆われている。
【００８３】
なお、連結リード５２は、図１３に示す例では、厚肉部５２２が裏面１ｂ側においてバンプ７に覆われているが、バンプ７により覆われていなくてもよい。例えば、連結リード５２がグラウンド電位とされ、連結用バンプ８が外部の回路基板のうちグラウンド電位とされた部分に接続されるような場合には、厚肉部５２２が裏面１ｂ側においてバンプ７に覆われていなくても特に支障はない。
【００８４】
第２連結部５２３は、第１連結部２２１と対をなす部位であり、例えば、円柱形状とされ、厚肉部５２２と同じ厚みとされている。第２連結部５２３は、第１連結部２２１と当接しておらず、第１連結部２２１と距離を隔てて配置されている。第１連結部２２１と第２連結部５２３との隙間は、モールド樹脂４の成形時にこれを構成する樹脂材料が入り込んでも下面のバンプで導通を取ることができる間隔であれば良い。この間隔は、例えば、はんだでバンプを形成するのであれば２０μｍ以下とされるのが望ましい。
【００８５】
隣接リード５３は、例えば図１０に示すように、連結リード５２とその延設方向を揃えた配置とされると共に、延設方向に対して交差する方向に形成され、電子部品６が搭載された被搭載部５３１を有してなる。隣接リード５３は、第２リード５１とほぼ同じ構成であるが、薄肉部５１１から延設された被搭載部５３１をさらに備える点で第２リード５１と相違する。
【００８６】
被搭載部５３１は、図１０に示すように、その領域の一部に電子部品６が搭載される部位である。被搭載部５３１のうち電子部品６が搭載される部分は、図１６に示すように、厚肉部５１２とされ、電子部品６が載せられることによる隣接リード５３の撓みを抑止する構造とされている。被搭載部５３１のうち厚肉部分は、図１１に示すように、裏面１ｂ側においてモールド樹脂４から露出しているが、この露出部分がバンプ７に覆われていてもよいし、覆われていなくてもよい。
【００８７】
電子部品６は、複数の第２リードフレーム５のうち高周波信号の伝送経路に配置され、高周波信号のノイズを低減するための部品であり、例えばインダクタやコンデンサとされる。電子部品６は、例えば、図１０や図１６に示すように、その一端が連結リード５２のうち厚肉部５１２に搭載され、他端が隣接リード５３のうち被搭載部５３１の厚肉部５１２に搭載されている。つまり、電子部品６は、不図示のはんだにより、連結リード５２および隣接リード５３に搭載され、これらのリードを橋渡ししている。なお、電子部品６の静電容量や抵抗値などの電気的特性は、半導体装置Ｓ３の設計に合わせて適宜変更される。
【００８８】
バンプ７および連結用バンプ８は、外部の回路基板などに接続する際に用いられる接続部材であり、はんだなどの金属材料により構成される。バンプ７および連結用バンプ８は、例えば、すずの電解メッキなどにより同時に形成される。
【００８９】
バンプ７は、裏面１ｂ側において第１リード２１および第２リード５１がモールド樹脂４から露出する部分、および裏面１ｂ側において隣接リード５３がモールド樹脂４から露出する部分であって、被搭載部５３１と異なる部分を覆っている。
【００９０】
連結用バンプ８は、図１３に示すように、裏面１ｂ側において第１連結部２２１および第２連結部５２３がモールド樹脂４から露出する部分を跨ぎつつ、これらを覆っている。
【００９１】
本実施形態の半導体装置Ｓ３は、例えば、連結リード５２および隣接リード５３の一方が高周波信号の伝送経路、他方がグラウンド電位とされ、コンデンサとされた電子部品６がこれらのリードを橋渡ししており、高周波信号のノイズが低減される構成とされる。
【００９２】
次に、本実施形態の半導体装置Ｓ３の製造方法の一例について、図１７Ａ〜図１７Ｆを参照して説明する。
【００９３】
図１７Ｃ、図１７Ｄ、図１７Ｅでは、理解を助けるため、表面法線方向からでは見えない厚肉部５２２および第２連結部５２３の境界部分を破線で示し、図１７Ｆでは、第２連結部５２３の境界部分を破線で示している。
【００９４】
なお、ここでは、本実施形態の半導体装置Ｓ３の製造工程のうち上記各実施形態の半導体装置Ｓ１およびＳ２と相違する部分を主に説明し、重複する部分については簡単に説明する。
【００９５】
まず、図１７Ａに示すように、半導体チップ１と、複数の第１リード２１および被連結リード２２を有してなる第１リードフレーム２を備える金属板２０とを用意し、不図示の保持部材１００上に半導体チップ１と金属板２０とを貼り付けて保持する。そして、この状態のワークを加熱し、半導体チップ１の表面１ａ上のバンプを溶解させた後、再硬化させることで、半導体チップ１と複数のリード２１および被連結リード２２とを電気的に接続する。この時点では、複数の第１リード２１および被連結リード２２は、枠体状のタイバー２０１により連結された状態とされている。また、図１７Ａに示す金属板２０は、例えば、Ｃｕなどの金属板にプレス打ち抜き加工およびエッチングを施すことにより得られる。
【００９６】
なお、半導体チップ１および金属板２０を不図示の保持部材１００に貼り付ける際には、不図示のアライメントマークにより、半導体チップ１と第１リードフレーム２との位置合わせを行う。
【００９７】
続いて、プレス打ち抜き加工により、複数のリード２１および被連結リード２２とタイバー２０１とを切断・分離すると、図１７Ｂに示す状態となる。また、図１７Ｃに示すように、複数の第２リード５１、連結リード５２および隣接リード５３を有してなる金属板５０を用意する。なお、この金属板５０は、金属板２０と同様の工程により得られる。
【００９８】
次いで、図１７Ｄに示すように、第１リードフレーム２が接続された半導体チップ１と、金属板５０とを不図示のアライメントマークなどにより位置合わせしつつ、不図示の保持部材１００に貼り付けてこれらを保持する。そして、半導体チップ１の表面１ａ上のバンプを再溶解させ、再硬化させることで、半導体チップ１と第２リード５１および隣接リード５３とを電気的に接続する。
【００９９】
なお、この時点において、例えば図１５に示すように、被連結リード２２は、貫通孔２２２に連結リード５２の第２連結部５２３が挿入されている。ただ、被連結リード２２は、第２連結部５２３と当接しておらず、連結用バンプ８が形成されていない状態であるため、まだ連結リード５２とは電気的に接続されていない。
【０１００】
そして、図１７Ｅに示すように、連結リード５２のうち厚肉部５２２と隣接リード５３の被搭載部５３１のうち厚肉部とを橋渡しするように、電子部品６をはんだ付けにより搭載する。
【０１０１】
続いて、プレス打ち抜き加工により、第２リード５１、連結リード５２および隣接リード５３と、タイバー５０１とを切断・分離する。これにより、ワークは、図１７Ｆに示す状態となる。その後、上記第２実施形態と同様に、不図示の金型を用意して図１７Ｆに示す状態のワークをセットし、コンプレッション成形によりモールド樹脂４を成形する。
【０１０２】
最後に、モールド樹脂４成形後のワークを不図示の金型から離型した後、電解メッキなどによりバンプ７および連結用バンプ８を形成する。これにより、第１連結部２２１と第２連結部５２３とが連結用バンプ８を介して接続され、被連結リード２２と連結リード５２とが電気的に接続される。
【０１０３】
なお、第１連結部２２１と第２連結部５２３との隙間すべてがモールド樹脂４に充填されなかった場合であっても、連結用バンプ８を形成することは可能である。例えば、第１連結部２２１および第２連結部５２３それぞれに独立したバンプを形成し、これらを溶解させ、一体化させる。その後に、一体化した溶解バンプを再硬化させることにより、第１連結部２２１と第２連結部５２３とを跨ぐ１つの連結用バンプ８を形成できる。
【０１０４】
本実施形態によれば、上記第２実施形態と同じ効果が得られるのに加え、高周波信号の伝送経路に電子部品６が配置されることで、高周波信号のノイズを低減できる効果が得られる構造の半導体装置Ｓ３となる。また、半導体装置Ｓ３の内部にノイズ低減用の電子部品６を内蔵しているため、高周波信号の伝送経路をその分だけ短くすることができ、より高周波信号の伝送時の損失を低減できる。
【０１０５】
（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態に示した半導体装置は、本発明の半導体装置の一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【０１０６】
（１）例えば、上記各実施形態では、１つの第１リードフレーム２を備える１つの金属板２０と、１つの半導体チップ１とを位置合わせし、これらをはんだ３を介して接合する製造方法について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、複数の半導体チップ１と、図１８に示すように複数の第１リードフレーム２を備える１つの金属板２０とを用意し、複数の半導体チップ１と複数の第１リードフレーム２とを同時に位置合わせし、接合してもよい。これは、第２リードフレーム５を備える金属板５０についても同様である。
【０１０７】
（２）上記第２実施形態では、図９Ａ、図９Ｂに示したように、半導体チップ１と金属板２０との位置合わせおよび接合の工程の他の一例を示したが、上記第１、第３実施形態の半導体装置Ｓ１、Ｓ３の製造工程に適用されてもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１              半導体チップ
２              第１リードフレーム
２１            第１リード
２２            被連結リード
２１１、５１１  薄肉部
２１２、５１２  厚肉部
３              バンプもしくは柱状のメタルピラーにＳｎなどを接合材として載せた物
４              モールド樹脂
５              第２リードフレーム
５１            第２リード
５２            連結リード
５３            隣接リード
６              電子部品
【図１】
2020107734.tif 000003
【図２】
2020107734.tif 000004
【図３】
2020107734.tif 000005
【図４Ａ】
2020107734.tif 000006
【図４Ｂ】
2020107734.tif 000007
【図４Ｃ】
2020107734.tif 000008
【図４Ｄ】
2020107734.tif 000009
【図４Ｅ】
2020107734.tif 000010
【図５】
2020107734.tif 000011
【図６】
2020107734.tif 000012
【図７】
2020107734.tif 000013
【図８Ａ】
2020107734.tif 000014
【図８Ｂ】
2020107734.tif 000015
【図８Ｃ】
2020107734.tif 000016
【図８Ｄ】
2020107734.tif 000017
【図８Ｅ】
2020107734.tif 000018
【図８Ｆ】
2020107734.tif 000019
【図８Ｇ】
2020107734.tif 000020
【図８Ｈ】
2020107734.tif 000021
【図８Ｉ】
2020107734.tif 000022
【図９Ａ】
2020107734.tif 000023
【図９Ｂ】
2020107734.tif 000024
【図１０】
2020107734.tif 000025
【図１１】
2020107734.tif 000026
【図１２】
2020107734.tif 000027
【図１３】
2020107734.tif 000028
【図１４】
2020107734.tif 000029
【図１５】
2020107734.tif 000030
【図１６】
2020107734.tif 000031
【図１７Ａ】
2020107734.tif 000032
【図１７Ｂ】
2020107734.tif 000033
【図１７Ｃ】
2020107734.tif 000034
【図１７Ｄ】
2020107734.tif 000035
【図１７Ｅ】
2020107734.tif 000036
【図１７Ｆ】
2020107734.tif 000037
【図１８】
2020107734.tif 000038