(57)【要約】      （修正有）【課題】隣接する画素の発光素子へのリーク電流が抑制され、隣接する画素の意図しない発光が抑制された表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、絶縁表面上に配置された第１画素電極２１２及び第２画素電極２１２と、第１画素電極２１２と第２画素電極２１２との間で、第１画素電極２１２の端部及び第２画素電極２１２の端部を覆うバンク２１３と、第１画素電極２１２、第２画素電極２１２、及びバンク２１３を覆う第１補助層２１５と、第１画素電極２１２上に設けられた第１発光層と、第２画素電極２１２上に設けられた第２発光層と、第１発光層、第２発光層、及びバンク２１３上に設けられた第２補助層２１７と、第２補助層２１７上に設けられ、第１膜厚を有する第１領域及び第１膜厚よりも薄い第２膜厚を有する第２領域を有し、第２領域がバンク２１３と重畳する対向電極２１８と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に配置された第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間で、前記第１画素電極の端部及び前記第２画素電極の端部を覆うバンクと、
前記第１画素電極、前記第２画素電極、及び前記バンクを覆う第１補助層と、
前記第１画素電極上に設けられた第１発光層と、
前記第２画素電極上に設けられた第２発光層と、
前記第１発光層、前記第２発光層、及び前記バンク上に設けられた第２補助層と、
前記第２補助層上に設けられ、第１膜厚を有する第１領域及び前記第１膜厚よりも薄い第２膜厚を有する第２領域を有し、前記第２領域が前記バンクと重畳する対向電極と、を有する、表示装置。
【請求項２】
前記第１膜厚は、前記第２膜厚に対して、２０％以上７０％以下の範囲で薄い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１領域は、前記第１画素電極と重畳し、
前記第２領域は、前記第１補助層及び前記第２補助層と重畳する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２領域は、前記バンク上で前記第１発光層の端部及び前記第２発光層の端部と重畳する、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記対向電極の前記第２領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗は、前記第１領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗よりも高い、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
絶縁表面上に配置された第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間で、前記第１画素電極の端部及び前記第２画素電極の端部を覆うバンクと、
前記第１画素電極、前記第２画素電極、及び前記バンクを覆う第１補助層と、
前記第１画素電極上に設けられた第１発光層と、
前記第２画素電極上に設けられた第２発光層と、
前記第１発光層、前記第２発光層、及び前記バンク上に設けられた第２補助層と、
前記第２補助層上に設けられた対向電極と、
前記対向電極上に設けられ、第１膜厚を有する第１領域及び前記第１膜厚よりも薄い第２膜厚を有する第２領域を有し、前記第２領域が前記バンクと重畳する第１絶縁層と、を有する、表示装置。
【請求項７】
前記第２領域は、前記第１膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄い、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１領域は、前記第１画素電極と重畳し、
前記第２領域は、前記第１補助層及び前記第２補助層と重畳する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２領域は、前記バンク上で前記第１発光層の端部及び前記第２発光層の端部と重畳する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１絶縁層の前記第２領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗は、前記第１領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗よりも高い、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１絶縁層上に第２絶縁層、及び前記第２絶縁層上に第３絶縁層をさらに有する、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記対向電極と前記第１絶縁層との間に、第２絶縁層及び第３絶縁層をさらに有する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
絶縁表面上に配置された第１画素電極及び第２画素電極と、
前記第１画素電極と前記第２画素電極との間で、前記第１画素電極の端部及び前記第２画素電極の端部を覆うバンクと、
前記第１画素電極、前記第２画素電極、及び前記バンクを覆う第１補助層と、
前記第１画素電極上に設けられた第１発光層と、
前記第２画素電極上に設けられた第２発光層と、
前記第１発光層、前記第２発光層、及び前記バンク上に設けられた第２補助層と、
前記第２補助層上に設けられ、第１領域及び前記第１領域よりも紫外線の透過率が高い第２領域を有し、前記第２領域は前記バンクと重畳する構造体と、を有する、表示装置。
【請求項１４】
前記構造体は、前記第２領域の第２膜厚が、前記第１領域の第１膜厚よりも薄い、請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記構造体は、前記第２膜厚は、前記第１膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄い、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記構造体の前記第２領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗は、前記第１領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗よりも高い、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第１領域は、前記第１画素電極と重畳し、
前記第２領域は、前記第１補助層及び前記第２補助層と重畳する、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２領域は、前記バンク上で前記第１発光層の端部及び前記第２発光層の端部と重畳する、請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記構造体の前記第２領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗は、前記第１領域と重畳する前記第１補助層及び前記第２補助層の抵抗よりも高い、請求項１８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置、及び表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）表示装置が挙げられる。有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された複数の画素の各々に、表示素子として電界発光素子（以下、発光素子という）を有している。発光素子は、一対の電極間に、電界発光性を示す有機化合物を含む層（以下、発光層）を有している。一対の電極間に電流を供給することで、これらの電極から発光層へキャリア（ホール、電子）が注入されるとホールと電子は、発光層内で再結合して励起状態となる。励起状態が基底状態に緩和する過程のエネルギーが発光として取り出されることよって表示装置としての機能が発現される。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置では、一般的に、電圧の印加時に発光層に効率的にキャリアが注入されるように、電極と発光層との間に、キャリア移動性を有する補助的な層を設けている。例えば、補助的な層として、アノードと発光層との間に、正孔輸送層や、正孔注入層が設けられる。また、カソードと発光層との間には、電子輸送層や電子注入層が設けられる。これらの補助的な層は、例えば、蒸着法などにより、複数の画素が配列された表示領域に亘って連続的に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−８５９１３号公報
【特許文献２】特開２０１６−１０３３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の表示装置では、有機層を構成する補助的な層が、複数の画素に跨って連続的に形成されることで、隣接する画素間でキャリアのリーク、つまり、隣接する画素へのリーク電流が生じていた。隣接する画素へのリーク電流は、当該隣接する画素の意図しない発光を招くという問題がある。具体的には、リーク電流により、画像の劣化が生じるおそれがある。また、隣接する画素の発光色が異なる場合、リーク電流により色再現性（色純度）の低下が生じるおそれがある。特に、高精細化による画素サイズの縮小に伴い、隣接する画素の開口部（又は発光領域）が接近すると、当該問題が顕著となる。
【０００６】
上記問題に鑑み、本発明は、隣接する画素の発光素子へのリーク電流が抑制され、隣接する画素の意図しない発光が抑制された表示装置を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、絶縁表面上に配置された第１画素電極及び第２画素電極と、第１画素電極と第２画素電極との間で、第１画素電極の端部及び第２画素電極の端部を覆うバンクと、第１画素電極、第２画素電極、及びバンクを覆う第１補助層と、第１画素電極上に設けられた第１発光層と、第２画素電極上に設けられた第２発光層と、第１発光層、第２発光層、及びバンク上に設けられた第２補助層と、第２補助層上に設けられ、第１膜厚を有する第１領域及び第１膜厚よりも薄い第２膜厚を有する第２領域を有し、第２領域がバンクと重畳する対向電極と、を有する。
【０００８】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、絶縁表面上に配置された第１画素電極及び第２画素電極と、第１画素電極と第２画素電極との間で、第１画素電極の端部及び第２画素電極の端部を覆うバンクと、第１画素電極、第２画素電極、及びバンクを覆う第１補助層と、第１画素電極上に設けられた第１発光層と、第２画素電極上に設けられた第２発光層と、第１発光層、第２発光層、及びバンク上に設けられた第２補助層と、第２補助層上に設けられた対向電極と、対向電極上に設けられ、第１膜厚を有する第１領域及び第１膜厚よりも薄い第２膜厚を有する第２領域を有し、第２領域がバンクと重畳する第１絶縁層と、を有する。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、絶縁表面上に配置された第１画素電極及び第２画素電極と、第１画素電極と第２画素電極との間で、第１画素電極の端部及び第２画素電極の端部を覆うバンクと、第１画素電極、第２画素電極、及びバンクを覆う第１補助層と、第１画素電極上に設けられた第１発光層と、第２画素電極上に設けられた第２発光層と、第１発光層、第２発光層、及びバンク上に設けられた第２補助層と、第２補助層上に設けられ、第１領域及び第１領域よりも紫外線の透過率が高い第２領域を有し、第２領域はバンクと重畳する構造体と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す表示装置のＡ１−Ａ２線に沿って切断した断面の一例である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素レイアウトを示す図である。
【図４】図３に示す表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図３に示す表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】図３に示す表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【図９】図３に示す表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【図１０】図３に示す表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【図１１】図３に示す表示装置のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の各実施形態において、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その技術的思想の要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１２】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、図示の形状そのものが本発明の解釈を限定するものではない。また、図面において、明細書中で既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、別図であっても同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【００１３】
ある一つの膜を加工して複数の構造体を形成した場合、各々の構造体は異なる機能、役割を有する場合があり、また各々の構造体はそれが形成される下地が異なる場合がある。しかしながら、これら複数の構造体は、同一の工程で同一層として形成された膜に由来するものであり、同一の材料を有する。従って、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１４】
ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接して、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１５】
「ある構造体が他の構造体から露出する」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない領域を意味する。ただしこの他の構造体によって覆われていない部分が、さらに別の構造体によって覆われている場合も含む。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構造について、図１乃至図５Ｄを参照して説明する。
【００１７】
〈表示装置１００の構成〉
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す平面図である。表示装置１００は、基板１０１、周辺領域１０２、表示領域１０３を含む。
【００１８】
表示領域１０３は基板１０１上に設けられる。表示領域１０３は、複数の画素１０９を含む。複数の画素１０９は、マトリクス状に配列されている。複数の画素１０９の配列数は任意である。例えば、行方向にｍ個、列方向にｎ個の画素１０９が配列される（ｍ及びｎは整数）。複数の画素１０９の各々は、図１に図示されていないが、少なくとも選択トランジスタ、駆動トランジスタ、及び発光素子を有する画素回路から構成される。
【００１９】
周辺領域１０２は表示領域１０３を囲むように設けられる。なお、周辺領域１０２とは、表示領域１０３から基板１０１の端部までの領域をいう。別言すれば、周辺領域１０２は、基板１０１上で表示領域１０３が設けられる以外の領域（すなわち、表示領域１０３の外側の領域）をいうものとする。周辺領域１０２は、駆動回路１０４、端子１０７を含む。駆動回路１０４は、表示領域１０３を挟むように設けられている。また、周辺領域１０２には、ドライバＩＣ１０５が設けられていていてもよい。ドライバＩＣ１０５は、端子１０７と接続されている。端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８（ＦＰＣ）と接続されている。
【００２０】
駆動回路１０４は、画素１０９と接続される走査線と接続され、走査線駆動回路として機能する。また、ドライバＩＣ１０５は、画素１０９と接続される信号線に接続され、信号線駆動回路が組み込まれている。なお、図１においては、ドライバＩＣ１０５に、信号線駆動回路が組み込まれている例を示すが、ドライバＩＣ１０５とは別に、基板１０１上に信号線駆動回路が設けられていてもよい。
【００２１】
ドライバＩＣ１０５は、ＩＣチップのような形態で基板１０１上に配置されている。また、ドライバＩＣ１０５は、図示しないが、フレキシブルプリント回路基板１０８上に設けてもよい。
【００２２】
複数の画素１０９の各々には、ドライバＩＣ１０５から信号線を介して、映像信号が与えられる。また、各画素１０９には、ドライバＩＣ１０５から駆動回路１０４と、走査線とを介して各画素１０９を選択する信号が与えられる。これらの信号により、画素１０９が有するトランジスタを駆動させて、映像信号に応じた画面表示を行うことができる。
【００２３】
〈表示装置１００の構成〉
本実施形態では、表示装置１００の断面の一例について、図２を参照して説明する。図２は、図１に示す表示装置１００のＡ１−Ａ２線に沿って切断した断面図である。
【００２４】
図２に示すように、表示領域１０３は、複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂを有している。図２では、複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂが有する発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂが発光する色によって区別している。例えば、画素１０９Ｒの発光素子２１０Ｒは赤色を発光し、画素１０９Ｇの発光素子２１０Ｇは緑色を発光し、画素１０９Ｂの発光素子２１０Ｂは青色を発光する。
【００２５】
基板１０１上には、下地層１１０を介して、トランジスタ１２０及び容量素子１３０が設けられている。
【００２６】
基板１０１として、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。基板１０１が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。基板１０１として、フレキシブル基板を用いることにより、表示装置１００を折り曲げることができる。
【００２７】
基板１０１上には、下地層１１０が設けられる。下地層１１０は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層である。下地層１１０は、単層構造を有していてもよいし、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを組み合わせた積層構造を有してもよい。本実施形態では、下地層１１０として、窒化シリコン層１１１、酸化シリコン層１１２、及び窒化シリコン層１１３の三層構造で設ける場合について示す。この構成は、基板１０１との密着性や、後述するトランジスタ１２０に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すれば良い。
【００２８】
トランジスタ１２０は、半導体層１１４、ゲート絶縁膜１１５、ゲート電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１２２、１２３を有する。トランジスタ１２０は、Ｎｃｈ型トランジスタであってもよいし、Ｐｃｈ型トランジスタであってもよい。本実施形態では、トランジスタ１２０は、Ｎｃｈ型トランジスタを用いる場合について説明する。
【００２９】
半導体層１１４は、アモルファス、ポリシリコン、酸化物半導体を用いることができる。本実施形態では、ポリシリコンを用いる場合について説明する。Ｎｃｈ型トランジスタでは、半導体層１１４に、チャネル領域１１４ａと、高濃度不純物領域１１４ｄ、１１４ｅ（ソース領域又はドレイン領域）との間に、低濃度不純物領域１１４ｂ、１１４ｃを設けた構造を有する。
【００３０】
ゲート絶縁膜１１５として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層を用いることができる。ゲート電極１１７としては、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料で構成される導電層を用いることができる。ソース電極又はドレイン電極１２２、ソース電極又はドレイン電極１２３は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料で構成される導電層を用いることができる。
【００３１】
容量素子１３０は、ゲート絶縁膜１１５を間に挟んで、一対の電極で形成される。容量素子１３０の一方の電極として、半導体層１１４の高濃度不純物領域１１４ｄを用い、他方の電極として、導電層１１８を用いる。導電層１１８は、ゲート電極と同じ膜から形成される。
【００３２】
トランジスタ１２０及び容量素子１３０を覆うように、層間絶縁層１１９が設けられている。酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層である。また、層間絶縁層１１９上には、ソース電極又はドレイン電極１２２、１２３が設けられている。ソース電極又はドレイン電極１２２、１２３は、ゲート絶縁膜１１５及び層間絶縁層１１９に設けられたコンタクトホールを介して、半導体層１１４（高濃度不純物領域１１４ｄ、１１４ｅ）と接続される。
【００３３】
層間絶縁層１１９上に、平坦化膜１２１が設けられる。平坦化膜１２１は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。平坦化膜１２１は、ソース電極又はドレイン電極１２３の一部を露出させるコンタクトホールを有する。コンタクトホールは、後述する画素電極２１２とソース電極又はドレイン電極１２３とを電気的に接続するために設けられる。
【００３４】
平坦化膜１２１に設けられたコンタクトホールには、透明導電層１２５が設けられる。透明導電層１２５は、平坦化膜１２１が有するコンタクトホールに重畳し、コンタクトホールの底面で露出されたソース電極又はドレイン電極１２３と電気的に接続する。透明導電層１２５として、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えば、ＩＺＯ、ＺｎＯ）を用いることができる。また、平坦化膜１２１上には、透明導電層１２４が設けられる。透明導電層１２５と透明導電層１２４とは、同じ材料により形成される。
【００３５】
また、透明導電層１２５上には、絶縁層２１１が設けられる。絶縁層２１１として、窒化シリコン層などを使用することが好ましい。絶縁層２１１には、ソース電極又はドレイン電極１２３と、透明導電層１２５とが重畳する領域において、コンタクトホールが形成されている。
【００３６】
また、絶縁層２１１上には、画素電極２１２が設けられている。画素電極２１２は、絶縁層２１１に設けられたコンタクトホールを介して、透明導電層１２５と接続されている。これにより、画素電極２１２は、ソース電極又はドレイン電極１２３と電気的に接続される。また、画素電極２１２と、絶縁層２１１と、透明導電層１２４とにより、容量素子１４０が構成される。
【００３７】
絶縁層２１１上には、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂが設けられている。発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂはそれぞれ、画素電極２１２、補助層２１５、補助層２１７、対向電極２１８を有している。また、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂはそれぞれ、発光する色に応じて、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂを有している。また、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂをそれぞれ分離するためのバンク２１３が設けられている。発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂの構成の詳細な説明は、図４以降で詳細に説明する。
【００３８】
発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂ上には、封止膜２２０が設けられている。封止膜２２０は、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂに水分が侵入することを防止すために設けられる。封止膜２２０として、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料、及びポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。図２では、封止膜２２０として、無機絶縁層２２１、有機絶縁層２２２、無機絶縁層２２３を用いる例を示している。
【００３９】
図示しないが、封止膜２２０上には、偏光板が設けられていてもよい。偏光板は、封止膜２２０上に、粘着材を用いて貼りつけられていてもよい。または、封止膜２２０上に粘着材を用いて基板が貼り付けられ、さらに基板上に粘着材を介して偏光板が貼り付けられていてもよい。
【００４０】
〈発光素子の構成〉
次に、本実施形態に係る表示装置１００の画素が有する発光素子の構成について図３及び図４を参照して説明する。
【００４１】
図３は、表示領域１０３にマトリクス状に配列された複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂのレイアウトを示す平面図であるまた、図４は、図３に示すＢ１−Ｂ２線に沿って切断したときの断面図である。図４に示すように、画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに設けられる発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂの断面を示している。なお、図４において、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂのそれぞれに接続されるトランジスタ１２０の断面については図示を省略している。
【００４２】
図３に示すように、複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂがマトリクス状に配置されている。図３では、画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂを構成する一部の層を示している。また、図３では、画素電極２１２と、バンク２１３の開口部２１４と、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂを示している。複数の画素電極２１２は、マトリクス状に配置されている。また、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂはそれぞれ、行方向に隣接する画素電極２１２の間では不連続であり、列方向に隣接する画素電極２１２の間では連続している。
【００４３】
図４に示すように、複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂは、それぞれ発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂを有している。ここでは、代表的に画素１０９Ｇを例として、発光素子２１０の具体的な構成について説明する。発光素子２１０Ｇは、画素電極２１２、有機層２１９、対向電極２１８を有する。
【００４４】
画素電極２１２は、発光素子２１０Ｇを構成する陽極として機能する。画素電極２１２は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成となる。トップエミッション型である場合、画素電極２１２は、反射性を有する材料を用いる。例えば、画素電極２１２として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電層と金属膜との積層構造を用いる。一方、ボトムエミッション型である場合、画素電極２１２は、透光性を有する材料を用いる。例えば、上述した透明導電層を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の表示装置を例に挙げて説明する。
【００４５】
図４に示すように、画素電極２１２の端部を覆うように、バンク２１３と呼ばれる絶縁層が設けられている。隣接する画素電極２１２の端部を覆うようにバンク２１３を設けることにより、隣接する画素（例えば、画素１０９Ｇと画素１０９Ｂ）を離隔することができる。バンク２１３には、画素電極２１２の上面を露出するように開口部２１４が設けられている。バンク２１３の開口部２１４が、発光素子２１０Ｇの発光領域となる。開口部２１４は、内壁がテーパー形状となることが好ましい。これにより、発光層の形成時に、画素電極２１２の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。
【００４６】
図４に示すように、バンク２１３の開口部２１４を覆い、バンク２１３上に設けられた有機層２１９が設けられている。有機層２１９は、補助層２１５、発光層２１６Ｇ、及び補助層２１７を有する。補助層２１５、発光層２１６Ｇ、及び補助層２１７のそれぞれは、公知の構造や公知の材料を用いることが可能であり、材料は特に限定されない。
【００４７】
補助層２１５は、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨って、表示領域１０３全体に設けられている。補助層２１５として、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一つが設けられている。なお、補助層２１５は、発光層２１６が発光する色毎に、異なる膜厚の領域があってもよい。
【００４８】
補助層２１５上に、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂが設けられている。発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂは、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を発光する。発光層２１６Ｒ、発光層２１６Ｇ、発光層２１６Ｂはそれぞれ、バンク２１３上で分離されている。図４では、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂのそれぞれの端部が互いに分離されている例を示すが、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂのそれぞれの端部が互いに重なっていてもよい。
【００４９】
発光層２１６上に、補助層２１７が一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨って、表示領域１０３全体に設けられている。補助層２１７として、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一つが設けられている。
【００５０】
補助層２１７上に、対向電極２１８が設けられている。対向電極２１８は、発光素子２１０を構成する陰極として機能する。本実施形態に係る表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極２１８として、透光性を有する材料が用いられる。対向電極２１８として、例えば、ＭｇＡｇ薄膜又は透明導電層（例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯなど）を用いる。
【００５１】
また、対向電極２１８上に、封止膜２２０が設けられている。封止膜２２０として、例えば、窒化シリコンなどの無機絶縁層を用いることが好ましい。対向電極２１８上に封止膜２２０を設けることにより、外部から発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂに水分が侵入することを抑制することができる。
【００５２】
従来の表示装置では、有機層を構成する補助的な層が、複数の画素に跨って連続的に形成されることで、隣接する画素間でキャリアのリーク、つまり、隣接する画素へのリーク電流が生じうる。隣接する画素へのリーク電流は、当該隣接する画素の意図しない発光を招くという問題がある。具体的には、リーク電流により、画像の劣化が生じるおそれがある。また、隣接する画素の発光色が異なる場合、リーク電流により色再現性（色純度）の低下が生じるおそれがある。特に、高精細化による画素サイズの縮小に伴い、隣接する画素の開口部（又は発光領域）が接近すると、当該問題が顕著となる。
【００５３】
そこで、本発明の一実施形態は、隣接する画素の発光素子へのリーク電流が抑制され、隣接する画素の意図しない発光が抑制された表示装置を提供することを目的の一つとする。
【００５４】
本実施形態では、図３及び図４に示すように、対向電極２１８は、バンク２１３と重畳する領域Ｒ２と、開口部２１４と重畳する領域Ｒ１とを有する。領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚よりも薄い。より具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、２０％以上７０％以下の範囲で薄い。
【００５５】
対向電極２１８において、領域Ｒ２の膜厚が、領域Ｒ１の膜厚よりも薄いことにより、領域Ｒ２において、外部から入射される紫外線の透過率が高くなる。これにより、領域Ｒ２を透過して、外部からの紫外線が有機層２１９に照射される。領域Ｒ２において、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。高精細化に伴い画素サイズが縮小され、隣接する画素の開口部が接近しても、リーク電流を抑制することで、画像が劣化することを抑制することができる。また、隣接する画素の発光色が異なる場合であっても、リーク電流による色再現性の低下を抑制することができる。
【００５６】
領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の中央部の少なくとも一部と重畳していることが好ましい。また、領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の全体と重畳することがより好ましい。
【００５７】
領域Ｒ２は、バンク２１３上で、少なくとも補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１７Ｂの端部と重畳せず、補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の少なくとも一方と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の両方と重畳することが好ましい。
【００５８】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂからの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、２０％以上７０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【００５９】
〈表示装置の製造方法〉
次に、図１及び図２に示す表示装置１００の製造方法について、図５Ａ乃至図５Ｄを参照して説明する。
【００６０】
まず、図５Ａに示すように、基板１０１上に、下地層１１０を形成する。下地層１１０は、窒化シリコン層１１１、酸化シリコン層１１２、窒化シリコン層１１３の順で形成される。
【００６１】
次に、下地層１１０上に、トランジスタ１２０及び容量素子１３０を形成する。まず、島状の半導体層１１４と、島状の半導体層１１４を覆うゲート絶縁膜１１５と、ゲート電極１１７及び導電層１１８を順に形成する。島状の半導体層１１４に適宜不純物を添加することで、低濃度不純物領域１１４ｂ、１１４ｃと、高濃度不純物領域１１４ｄ、１１４ｅと、を形成する。また、半導体層１１４のうち、ゲート電極１１７と重畳する領域は、チャネル領域１１４ａとなる。
【００６２】
次に、ゲート電極１１７及び導電層１１８上に、層間絶縁層１１９を形成する。次に、層間絶縁層１１９及びゲート絶縁膜１１５にコンタクトホールを形成する。次に、層間絶縁層１１９上に、ソース電極又はドレイン電極１２２、１２３を形成する。ソース電極又はドレイン電極１２２、１２３は、コンタクトホールを介して、高濃度不純物領域１１４ｄ、１１４ｅと接続される。
【００６３】
ソース電極又はドレイン電極１２２、１２３上に、平坦化膜１２１を形成し、平坦化膜１２１に、コンタクトホールを形成する。次に、平坦化膜１２１上に、透明導電層１２４と、平坦化膜１２１のコンタクトホールに、透明導電層１２５を形成する。
【００６４】
次に、透明導電層１２４、１２５上に、絶縁層２１１を形成し、絶縁層２１１に、コンタクトホールを形成する。絶縁層２１１上に、画素電極２１２を形成する。画素電極２１２は、絶縁層２１１のコンタクトホールを介して、ソース電極又はドレイン電極１２３と接続される。
【００６５】
図５Ａに示すように、複数の画素電極２１２は、マトリクス状に配置される。画素電極２１２として、上述したように、反射性を有する材料を用いる。例えば、画素電極２１２として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電層と金属膜との積層構造を用いる。
【００６６】
次に、複数の画素電極２１２の端部を覆うバンク２１３を形成する。バンク２１３は、複数の画素電極２１２上に有機絶縁層を形成し、画素電極２１２の一部を露出するように加工することで形成される。このとき、バンク２１３の開口部２１４の内壁をテーパー形状となるように形成することで、有機層２１９の形成時に、画素電極２１２の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。
【００６７】
次に、図５Ｂに示すように、補助層２１５、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂ、補助層２１７を形成する。補助層２１５、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂ、及び補助層２１７は、公知の材料を用いて、蒸着法により形成しても良いし、印刷法により形成しても良い。
【００６８】
補助層２１７は、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一つを有する。補助層２１７は、複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように形成する。
【００６９】
補助層２１５の上に、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂを形成する。発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂは、画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂごとに分離されて設けられる。図３に示すように、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂはそれぞれ、列方向の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨って形成してもよい。
【００７０】
次に、複数の発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂを覆うように、補助層２１７を形成する。補助層２１７は、電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一つを有する。補助層２１７は、複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように形成される。
【００７１】
次に、図５Ｃに示すように、補助層２１７上に、透明導電層２１８ａを形成する。透明導電層２１８ａは、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように、表示領域１０３全体に形成する。透明導電層２１８ａは、例えば、蒸着法により、酸化インジウム系透明導電層（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電層（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）を用いて形成される。
【００７２】
次に、図５Ｄに示すように、透明導電層２１８ａ上であって、バンク２１３の開口部２１４と重畳する領域に、さらに透明導電層２１８ｂを形成する。透明導電層２１８ｂは、蒸着法により、マスクを用いて、部分的に形成される。透明導電層２１８ｂは、透明導電層２１８ａと同じ材料で形成される。または、透明導電層２１８ｂは、透明導電層２１８ａと異なる材料で形成されてもよい。このように部分的に透明導電層２１８ｂを形成することにより、領域Ｒ２と、領域Ｒ１とで膜厚の異なる対向電極２１８を形成することができる。
【００７３】
以上の工程により、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂを形成することができる。
【００７４】
次に、対向電極２１８上に、封止膜２２０を形成することにより、図２に示す表示装置１００を形成することができる。封止膜２２０は、水分が発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂに侵入することを抑制する緻密な膜で形成されることが好ましい。封止膜２２０として、例えば、窒化シリコンを用いる。
【００７５】
本実施形態に係る表示装置１００は、図４に示すように、対向電極２１８において、領域Ｒ２の膜厚が、領域Ｒ１の膜厚よりも薄く形成されることより、領域Ｒ２において、外部から入射される紫外線の透過率が高くなる。これにより、外部からの紫外線は、領域Ｒ２を透過して、有機層２１９に照射される。領域Ｒ２を透過して、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。
【００７６】
ここで、外部から入射される紫外線は、例えば、表示装置１００の使用時における太陽光による紫外線である。表示装置１００の使用時において、表示面に紫外線が照射されることにより、領域Ｒ２を透過して、有機層２１９の抵抗を高めることができる。また、表示装置１００に長時間、紫外線が照射されることで、有機層２１９の抵抗を高めることができる。
【００７７】
また、外部から入射される紫外線は、例えば、表示装置１００の製造時におけるＵＶランプによる紫外線であってもよい。表示装置１００の製造時とは、例えば、対向電極２１８の形成後であってもよいし、封止膜２２０の形成後であってもよいし、表示装置１００の完成後であって、表示装置１００を筐体に組み込む前であってもよい。
【００７８】
領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の中央部の少なくとも一部と重畳していることが好ましい。また、領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の全体と重畳することがより好ましい。
【００７９】
領域Ｒ２は、バンク２１３上で、少なくとも補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１７Ｂの端部と重畳せず、補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の少なくとも一方と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の両方と重畳することが好ましい。
【００８０】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６からの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【００８１】
なお、本実施形態では、対向電極２１８において、補助層２１７上に、透明導電層２１８ａを、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように、表示領域１０３全体に形成した後、部分的に透明導電層２１８ｂを形成する例について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。例えば、補助層２１７上に、部分的に透明導電層２１８ｂを形成した後に、透明導電層２１８ａを、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように、表示領域１０３全体に形成してもよい。
【００８２】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態とは一部異なる構成を有する表示装置１００について、図６乃至図７Ｂを参照して説明する。図６は、図３に示す表示装置１００のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【００８３】
〈画素１０９の構成〉
図６では、画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに設けられる発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂの断面を示している。なお、図６において、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂのそれぞれに接続されるトランジスタ１２０の断面については図示を省略している。
【００８４】
発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂはそれぞれ、画素電極２１２、有機層２１９、対向電極２１８Ａを有する。また、有機層２１９は、補助層２１５、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂ、及び補助層２１７を有する。なお、画素電極２１２から補助層２１７までの構成は、第１実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【００８５】
補助層２１７上に、対向電極２１８Ａが設けられている。本実施形態では、対向電極２１８Ａは、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨って、表示領域１０３全体に形成される。
【００８６】
対向電極２１８Ａ上に、封止膜２２０Ａが設けられている。封止膜２２０として、例えば、窒化シリコンなどの無機絶縁層を用いることが好ましい。対向電極２１８Ａ上に封止膜２２０Ａを設けることにより、外部から発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂに水分が侵入することを抑制することができる。
【００８７】
本実施形態では、図６に示すように、封止膜２２０Ａは、バンク２１３と重畳する領域Ｒ２と、開口部２１４と重畳する領域Ｒ１とを有する。具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚よりも薄い。より具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄い。
【００８８】
封止膜２２０Ａにおいて、領域Ｒ２の膜厚が、領域Ｒ１の膜厚よりも薄いことにより、外部から入射される紫外線の透過率が高くなる。これにより、領域Ｒ２を透過して、外部からの紫外線が有機層２１９に照射される。領域Ｒ２において、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。高精細化に伴い画素サイズが縮小され、隣接する画素の開口部が接近しても、リーク電流を抑制することで、画像が劣化することを抑制することができる。また、隣接する画素の発光色が異なる場合であっても、リーク電流による色再現性の低下を抑制することができる。
【００８９】
〈製造方法〉
まず、図７Ａに示すように、絶縁層２１１上に、複数の画素電極２１２から対向電極２１８Ａまでを形成する。複数の画素電極２１２から対向電極２１８Ａまでを形成する工程は、図５Ａ乃至図５Ｃの工程を参照すればよいため、詳細な説明は省略する。
【００９０】
次に、対向電極２１８Ａ上に、無機絶縁層２２１ａを形成する。無機絶縁層２２１ａは、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨って、表示領域１０３全体に形成される。無機絶縁層２２１ａは、例えば、スパッタリング法により、窒化シリコンを用いて形成する。
【００９１】
次に、図７Ｂに示すように、無機絶縁層２２１ａ上であって、バンク２１３の開口部２１４と重畳する領域に、さらに無機絶縁層２２１ｂを形成する。無機絶縁層２２１ｂは、無機絶縁層２２１ａと同じ材料で形成される。または、無機絶縁層２２１ｂは、無機絶縁層２２１ａと異なる材料で形成されてもよい。このように部分的に無機絶縁層２２１ｂを形成することにより、領域Ｒ２と、領域Ｒ１とで膜厚の異なる封止膜２２０Ａを形成することができる。
【００９２】
封止膜２２０Ａにおいて、領域Ｒ２の膜厚が、領域Ｒ１の膜厚よりも薄いことにより、外部から入射される紫外線の透過率が高くなる。これにより、外部からの紫外線は、領域Ｒ２を透過して、有機層２１９に照射される。領域Ｒ２を透過して、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。
【００９３】
領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の中央部の少なくとも一部と重畳していることが好ましい。また、領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の全体と重畳することがより好ましい。
【００９４】
領域Ｒ２は、バンク２１３上で、少なくとも補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１７Ｂの端部と重畳せず、補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の少なくとも一方と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の両方と重畳することが好ましい。
【００９５】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６からの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【００９６】
なお、本実施形態では、封止膜２２０において、対向電極２１８Ａ上に、無機絶縁層２２２ａを、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように、表示領域１０３全体に形成した後、部分的に無機絶縁層２２２ｂを形成する例について説明したが、本発明の一実施形態はこれに限定されない。例えば、対向電極２１８Ａ上に、部分的に無機絶縁層２２２ｂを形成した後に、無機絶縁層２２２ａを、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨るように、表示領域１０３全体に形成してもよい。
【００９７】
（第３実施形態）
本実施形態では、第２実施形態とは一部異なる構成を有する表示装置１００について、図８を参照して説明する。本実施形態では、封止膜２２０Ｂの構成が第２実施形態で説明した封止膜２２０Ａの構成と異なっている。図８は、図３に示す表示装置１００のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【００９８】
〈画素１０９の構成〉
図８では、画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに設けられる発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂの断面を示している。なお、図６において、発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂのそれぞれに接続されるトランジスタ１２０の断面については図示を省略している。
【００９９】
発光素子２１０Ａは、画素電極２１２、有機層２１９、対向電極２１８を有する。また、有機層２１９は、補助層２１５、発光層２１６、及び補助層２１７を有する。なお、画素電極２１２から対向電極２１８Ａまでの構成は、第２実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１００】
対向電極２１８Ａ上に、封止膜２２０Ｂが設けられている。本実施形態では、封止膜２２０Ｂは、無機絶縁層２２１Ｂ、有機絶縁層２２２Ｂ、無機絶縁層２２３Ｂの三層構造を有している。また、対向電極２１８Ａ側に設けられる無機絶縁層２２１Ｂは、バンク２１３と重畳する領域Ｒ２と、開口部２１４と重畳する領域Ｒ１とを有する。具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚よりも薄い。より具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄い。
【０１０１】
無機絶縁層２２１Ｂにおいて、領域Ｒ２の膜厚が、領域Ｒ１の膜厚よりも薄いことにより、外部から入射される紫外線の透過率が高くなる。これにより、領域Ｒ２を透過して、外部からの紫外線が有機層２１９に照射される。領域Ｒ２において、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。高精細化に伴い画素サイズが縮小され、隣接する画素の開口部が接近しても、リーク電流を抑制することで、画像が劣化することを抑制することができる。また、隣接する画素の発光色が異なる場合であっても、リーク電流による色再現性の低下を抑制することができる。
【０１０２】
領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の中央部の少なくとも一部と重畳していることが好ましい。また、領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の全体と重畳することがより好ましい。
【０１０３】
領域Ｒ２は、バンク２１３上で、少なくとも補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１７Ｂの端部と重畳せず、補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の少なくとも一方と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の両方と重畳することが好ましい。
【０１０４】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６からの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【０１０５】
（第４実施形態）
本実施形態では、第３実施形態とは一部異なる構成を有する表示装置１００について、図９を参照して説明する。本実施形態では、封止膜２２０Ｃの構成が第３実施形態で説明した封止膜２２０Ｂの構成と異なっている。図９は、図３に示す表示装置１００のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【０１０６】
発光素子２１０Ａは、画素電極２１２、有機層２１９、対向電極２１８Ａを有する。また、有機層２１９は、補助層２１５、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂ、及び補助層２１７を有する。なお、画素電極２１２から対向電極２１８Ａまでの構成は、第２実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１０７】
対向電極２１８Ａ上に、封止膜２２０Ｃが設けられている。本実施形態では、封止膜２２０Ｃは、無機絶縁層２２１Ｃ、有機絶縁層２２２Ｃ、無機絶縁層２２３Ｃの三層構造を有している。また、無機絶縁層２２１Ｃ及び有機絶縁層２２２Ｃは、一様な膜厚で複数の画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、１０９Ｂに跨って形成され、表示領域１０３全体に形成されている。
【０１０８】
また、有機絶縁層２２２Ｃ上に設けられる無機絶縁層２２３Ｃは、バンク２１３と重畳する領域Ｒ２と、開口部２１４と重畳する領域Ｒ１とを有する。具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚よりも薄い。より具体的には、領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０%以下の範囲で薄い。
【０１０９】
本実施形態では、無機絶縁層２２３Ｃ上に、さらに有機絶縁層２２４が設けられている。表示装置１００に外部から応力が加えられた場合に、無機絶縁層２２３Ｃの領域Ｒ２においてクラックが入ることを抑制することができる。
【０１１０】
無機絶縁層２２３Ｃにおいて、領域Ｒ２の膜厚が、領域Ｒ１の膜厚よりも薄いことにより、外部から入射される紫外線の透過率が高くなる。これにより、領域Ｒ２を透過して、外部からの紫外線が有機層２１９に照射される。領域Ｒ２において、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。高精細化に伴い画素サイズが縮小され、隣接する画素の開口部が接近しても、リーク電流を抑制することで、画像が劣化することを抑制することができる。また、隣接する画素の発光色が異なる場合であっても、リーク電流による色再現性の低下を抑制することができる。
【０１１１】
領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の中央部の少なくとも一部と重畳していることが好ましい。また、領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の全体と重畳することがより好ましい。
【０１１２】
領域Ｒ２は、バンク２１３上で、少なくとも補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１７Ｂの端部と重畳せず、補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の少なくとも一方と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の両方と重畳することが好ましい。
【０１１３】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６からの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【０１１４】
（第５実施形態）
本実施形態では、第３実施形態とは一部異なる構成を有する表示装置１００について、図１０を参照して説明する。本実施形態では、封止膜２２０Ｄの無機絶縁層２２３Ｄの構成が第４実施形態で説明した封止膜２２０Ｂの無機絶縁層２３３Ｂの構成と異なっている。図１０は、図３に示す表示装置１００のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【０１１５】
発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂは、画素電極２１２、有機層２１９、対向電極２１８Ａを有する。また、有機層２１９は、補助層２１５、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｇ、及び補助層２１７を有する。なお、画素電極２１２から対向電極２１８Ａまでの構成は、第２実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１１６】
対向電極２１８Ａ上に、封止膜２２０Ｄが設けられている。本実施形態では、封止膜２２０Ｄは、無機絶縁層２２１Ｄ、有機絶縁層２２２Ｄ、無機絶縁層２２３Ｄの三層構造を有している。また、無機絶縁層２２１Ｄは、複数の画素１０９に跨って形成され、表示領域１０３全体に形成されている。
【０１１７】
また、有機絶縁層２２２Ｄ上に設けられる無機絶縁層２２３Ｄは、バンク２１３と重畳する領域Ｒ２には設けられておらず、開口部２１４と重畳する領域Ｒ１にのみ設けられている。
【０１１８】
本実施形態では、無機絶縁層２２３Ｄ上に、さらに有機絶縁層２２４が設けられている。これにより、有機絶縁層２２２Ｄ上に形成された無機絶縁層２２３Ｄによる凹凸を緩和することができる。
【０１１９】
無機絶縁層２２３Ｄが、領域Ｒ２には設けられておらず、領域Ｒ１に設けられていることにより、領域Ｒ２において、外部からの紫外線が有機層２１９に照射されやすくなる。領域Ｒ２において、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。
【０１２０】
領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の中央部の少なくとも一部と重畳していることが好ましい。また、領域Ｒ１は、バンク２１３の開口部２１４の全体と重畳することがより好ましい。
【０１２１】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６からの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【０１２２】
（第６実施形態）
本実施形態では、第５実施形態とは一部異なる構成を有する表示装置１００について、図１１を参照して説明する。本実施形態では、封止膜２２０Ｅの無機絶縁層２２３Ｅの構成が第５実施形態で説明した封止膜２２０Ｄの無機絶縁層２２３Ｄの構成と異なっている。図１１は、図３に示す表示装置１００のＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面の一例である。
【０１２３】
発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂは、画素電極２１２、有機層２１９、対向電極２１８Ａを有する。また、有機層２１９は、補助層２１５、発光層２１６Ｒ、２１６Ｇ、２１６Ｂ、及び補助層２１７を有する。なお、画素電極２１２から対向電極２１８Ａまでの構成は、第２実施形態と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１２４】
対向電極２１８Ａ上に、封止膜２２０Ｅが設けられている。本実施形態では、封止膜２２０Ｅは、無機絶縁層２２１Ｅ、有機絶縁層２２２Ｅ、無機絶縁層２２３Ｅの三層構造を有している。また、無機絶縁層２２１Ｅは、複数の画素１０９に跨って形成され、表示領域１０３全体に形成されている。
【０１２５】
また、有機絶縁層２２２Ｅ上に設けられる無機絶縁層２２３Ｅは、バンク２１３と重畳する領域Ｒ２にのみ設けられており、開口部２１４と重畳する領域Ｒ１には設けられていない。
【０１２６】
本実施形態では、無機絶縁層２２３Ｅ上に、さらに有機絶縁層２２５が設けられている。これにより、有機絶縁層２２２Ｅ上に形成された無機絶縁層２２３Ｅによる凹凸を緩和することができる。
【０１２７】
本実施形態では、無機絶縁層２２３Ｅは、有機絶縁層２２５よりも、紫外線を透過する材料で形成されている。無機絶縁層２２３Ｅが、領域Ｒ１には設けられておらず、領域Ｒ２に設けられていることにより、領域Ｒ２において、外部からの紫外線が有機層２１９に照射されやすくなる。領域Ｒ２において、紫外線が有機層２１９に照射されることで、有機層２１９において、領域Ｒ２と重畳する領域Ｒ４の抵抗は、領域Ｒ１と重畳する領域Ｒ４の抵抗よりも高くなる。有機層２１９における領域Ｒ４の抵抗が高くなることで、隣接する画素１０９間の境界において、キャリアの移動を抑制することができる。したがって、隣接する画素１０９間のリーク電流を抑制することができる。
【０１２８】
領域Ｒ２は、バンク２１３上で、少なくとも補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１７Ｂの端部と重畳せず、補助層２１５及び補助層２１７と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の少なくとも一方と重畳することが好ましい。また、領域Ｒ２は、発光層２１６Ｇの端部及び発光層２１６Ｂの端部の両方と重畳することが好ましい。
【０１２９】
また、外部からの紫外線は、領域Ｒ１を透過しないことが好ましく、領域Ｒ１の膜厚は、発光層２１６からの発光を透過する膜厚であることが好ましい。したがって、対向電極２１８の領域Ｒ２の膜厚は、領域Ｒ１の膜厚に対して、３０％以上５０％以下の範囲で薄いことが好ましい。
【０１３０】
なお、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３１】
１００：表示装置、１０１：基板、１０２：周辺領域、１０３：表示領域、１０４：駆動回路、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路基板、１０９：画素、１１０：下地層、１１１：窒化シリコン層、１１２：酸化シリコン層、１１３：窒化シリコン層、１１４：半導体層、１１４ａ：チャネル領域、１１４ｂ：低濃度不純物領域、１１４ｃ：低濃度不純物領域、１１４ｄ：高濃度不純物領域、１１４ｅ：高濃度不純物領域、１１５：ゲート絶縁膜、１１７：ゲート電極、１１８：導電層、１２０：トランジスタ、１２１：平坦化膜、１２２：ソース電極又はドレイン電極、１２３：ソース電極又はドレイン電極、１２５：透明導電層、１３０：容量素子、２１０：発光素子、２１０Ａ：発光素子、２１１：絶縁層、２１２：画素電極、２１３：バンク、２１４：開口部、２１５：補助層、２１６：発光層、２１７：補助層、２１８：対向電極、２１８ａ：透明導電層、２１８ｂ：透明導電層、２１８Ａ：対向電極、２１９：有機層、２２０：封止膜、２２０Ａ：封止膜、２２０Ｂ：封止膜、２２０Ｃ：封止膜、２２０Ｄ：封止膜、２２１Ｂ：無機絶縁層、２２１Ｃ：無機絶縁層、２２１Ｄ：無機絶縁層、２２２Ｂ：有機絶縁層、２２２Ｃ：有機絶縁層、２２２Ｄ：有機絶縁層、２２３Ｂ：無機絶縁層、２２３Ｃ：無機絶縁層、２２３Ｄ：無機絶縁層
【図１】
2020027760.tif 000003
【図２】
2020027760.tif 000004
【図３】
2020027760.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2020027760.tif 000008
【図５Ｃ】
2020027760.tif 000009
【図５Ｄ】
2020027760.tif 000010
【図６】
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【図７Ａ】
2020027760.tif 000012
【図７Ｂ】
2020027760.tif 000013
【図８】
2020027760.tif 000014
【図９】
2020027760.tif 000015
【図１０】
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【図１１】
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