(57)【要約】【課題】多重色画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置の提供。【解決手段】導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を、直流電圧のみが印加される帯電方式により帯電させる帯電手段、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段、並びに、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さず、被転写体の走行方向に向かって並列に配置されている少なくとも２つの画像形成ユニットと、  前記トナー像を被転写体の表面に転写する転写手段と、  を備える画像形成装置。【選択図】図１
2020027195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を、直流電圧のみが印加される帯電方式により帯電させる帯電手段、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段、並びに、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さず、被転写体の走行方向に向かって並列に配置されている少なくとも２つの画像形成ユニットと、
前記トナー像を被転写体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項２】
前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子である請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記下引層が、さらに電子受容性化合物を含有する請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記感光層が、下記一般式（ＣＴ１）および下記一般式（ＣＴ２）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む電荷輸送材料と、ポリカーボネート樹脂を含む結着樹脂とを含む請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【化１】
2020027195.tif 000035
（一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【化２】
2020027195.tif 000036
（一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。）
【請求項５】
前記ポリカーボネート樹脂が、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂である請求項４に記載の画像形成装置。
【化３】
2020027195.tif 000037
（一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）
【請求項６】
前記感光層が、さらに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤である請求項６に記載の画像形成装置。
【化４】
2020027195.tif 000038
（一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）
【請求項８】
前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤である請求項６に記載の画像形成装置。
【化５】
2020027195.tif 000039
（一般式（ＢＰ）中、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【請求項９】
導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さず、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置、及びプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、「少なくとも電子写真感光体への帯電、画像露光、現像、転写、クリーニング及び除電の各工程からなるサイクルに従って画像形成を行う電子写真方法において、前記サイクルの前又は後に、電子写真感光体を帯電させた後、画像露光なしで、物質を該電子写真感光体に付与する工程を設けたことを特徴とする電子写真方法。」が開示されている。
特許文献２には、「支持体と、該支持体上に少なくとも感光層を有する感光体において、前記感光体における最表層が少なくとも無機微粒子、バインダー樹脂、及び電荷輸送剤を含有し、該バインダー樹脂の含有量が前記最表層の全固形分に対し５０質量％以上であり、かつ前記感光体における特定の式で表される静電容量変化率が３０％以下であることを特徴とする感光体。」が開示されている。
特許文献３には、「面移動可能に配置した電子写真感光体と、該電子写真感光体を除電する前露光手段と、前記電子写真感光体表面に接触配置され直流電圧が印加されることによって前記電子写真感光体表面を帯電する帯電部材と、を備えた画像形成装置において、前記前露光手段が、前記電子写真感光体の吸収波長域内の光であり、かつ吸収ピーク波長よりも長波長の光を含む、ことを特徴とする画像形成装置。」が開示されている。
特許文献４には、「特定の単層型電子写真感光体を使用し、前記感光体の進行方向に沿って、少なくとも主帯電工程、露光工程、現像工程、転写工程とを備え、前記転写工程で印加される電圧は、帯電工程で印加される電圧とは逆極性であることを特徴とする除電工程を有さない反転現像式デジタル画像形成装置。」が開示されている。
特許文献５には、「基体上に、少なくとも電荷発生剤と、正孔輸送剤と、結着樹脂と、を含む感光層を有する電子写真感光体を備えるとともに、除電手段を省略した除電レスタイプの画像形成装置であって、前記正孔輸送剤が、特定のアミン化合物を含むことを特徴とする除電レスタイプの画像形成装置。」が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１５４４１９号公報
【特許文献２】特開２００５−１９６１０６号公報
【特許文献３】特開平０７−０４４０７５号公報
【特許文献４】特開２００１−３１２０７５号公報
【特許文献５】特開２００８−２８１７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、直流電圧のみを印加する帯電方式の帯電手段を採用し、転写後の感光体表面の残留電位を除電する除電手段を備えていない装置構成を採用した画像形成ユニットを複数備えた画像形成装置が知られている。このような画像形成装置で、複数色のトナーを重ね合わせて表現した画像（多重色画像）を形成した場合、前画像の履歴が残ることによる残像現象（以下、ゴーストともいう）が生じることがある。
【０００５】
本発明の課題は、２つ以上の画像形成ユニットが被転写体の走行方向に向かって並列に配置された画像形成装置であって、画像形成ユニットが、直流電圧のみ印加する帯電方式の帯電手段、導電性基体上に設けられた下引層を有する電子写真感光体、及び現像手段を備え、電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えていない画像形成装置において、下引層の静電容量が、０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２を超える電子写真感光体が適用されている場合に比べ、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の手段により解決される。
【０００７】
＜１＞
導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を、直流電圧のみが印加される帯電方式により帯電させる帯電手段、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段、並びに、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さず、被転写体の走行方向に向かって並列に配置されている少なくとも２つの画像形成ユニットと、
前記トナー像を被転写体の表面に転写する転写手段と、
を備える画像形成装置。
＜２＞
前記金属酸化物粒子が、酸化亜鉛粒子である＜１＞に記載の画像形成装置。
＜３＞
前記下引層が、さらに電子受容性化合物を含有する＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置。
【０００８】
＜４＞
前記感光層が、下記一般式（ＣＴ１）および下記一般式（ＣＴ２）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む電荷輸送材料と、ポリカーボネート樹脂を含む結着樹脂とを含む＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【０００９】
【化１】
2020027195.tif 000003
【００１０】
（一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。）
【００１１】
【化２】
2020027195.tif 000004
【００１２】
（一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。）
【００１３】
＜５＞
前記ポリカーボネート樹脂が、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位と、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位と、を含むポリカーボネート樹脂である＜４＞に記載の画像形成装置。
【００１４】
【化３】
2020027195.tif 000005
【００１５】
（一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。）
【００１６】
＜６＞
前記感光層が、さらに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤からなる群より選択される少なくとも１種を含む＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の画像形成装置。
＜７＞
前記ヒンダードフェノール系酸化防止剤が、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤である＜６＞に記載の画像形成装置。
【００１７】
【化４】
2020027195.tif 000006
【００１８】
（一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。）
【００１９】
＜８＞
前記ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤である＜６＞に記載の画像形成装置。
【００２０】
【化５】
2020027195.tif 000007
【００２１】
（一般式（ＢＰ）中、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。）
【００２２】
＜９＞
導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さず、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
【発明の効果】
【００２３】
＜１＞に係る発明によれば、２つ以上の画像形成ユニットが被転写体の走行方向に向かって並列に配置された画像形成装置であって、画像形成ユニットが、直流電圧のみ印加する帯電方式の帯電手段、導電性基体上に設けられた下引層を有する電子写真感光体、及び現像手段を備え、電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えていない画像形成装置において、下引層の静電容量が、０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２を超える電子写真感光体が適用されている場合に比べ、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
＜２＞に係る発明によれば、下引層に酸化チタン粒子の金属酸化物粒子を含む電子写真感光体が適用されている場合に比べ、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、下引層に、さらに電子受容性化合物が含まれている電子写真感光体が適用されている場合であっても、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００２４】
＜４＞、＜５＞に係る発明によれば、感光層が、一般式（ＣＴ１）および一般式（ＣＴ２）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む電荷輸送材料と、ポリカーボネート樹脂を含む結着樹脂とを含む子写真感光体が適用されている場合であっても、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
＜６＞〜＜８＞に係る発明によれば、感光層が、電荷輸送材料および結着樹脂のみ含む子写真感光体が適用されている場合に比べ、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００２５】
＜９＞に係る発明によれば、導電性基体上に設けられた下引層が設けられた電子写真感光体を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を備えていない、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジにおいて、下引層の静電容量が、０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２を超える電子写真感光体が適用されている場合に比べ、２つ以上の色が重ねられた多重色の画像を形成したときのゴーストの発生が抑制されるプロセスカートリッジが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る画像形成装置の他の例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置に適用される電子写真感光体の層構成の一例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の一例である実施形態について説明する。
【００２８】
［画像形成装置（及びプロセスカートリッジ）］
本実施形態に係る画像形成装置は、導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層を有する電子写真感光体、前記電子写真感光体の表面を、直流電圧のみが印加される帯電方式により帯電させる帯電手段、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成手段、並びに、トナーを含む現像剤により、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像を現像してトナー像を形成する現像手段を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さず、被転写体の走行方向に向かって並列に配置されている少なくとも２つ画像形成ユニットを備える。さらに、トナー像を被転写体の表面に転写する転写手段を備える。
【００２９】
本実施形態に係る画像形成装置は、記録媒体の表面に転写されたトナー像を定着する定着手段を備える装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えた装置；電子写真感光体の温度を上昇させ、相対温度を低減させるための電子写真感光体加熱部材を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
【００３０】
中間転写方式の装置の場合、転写手段は、例えば、表面にトナー像が転写される中間転写体と、電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写手段と、中間転写体の表面に転写されたトナー像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写手段と、を有する構成が適用される。
なお、本実施形態に係る画像形成装置が中間転写方式の装置の場合、被転写体は中間転写体が該当する。一方、本実施形態に係る画像形成装置が直接転写方式の場合、被転写体は記録媒体が該当する。
【００３１】
本実施形態に係る画像形成装置は、乾式現像方式の画像形成装置、湿式現像方式（液体現像剤を利用した現像方式）の画像形成装置のいずれであってもよい。
【００３２】
ここで、本実施形態に係る画像形成装置において、「画像形成ユニット」は、前述したように、電子写真感光体、帯電手段、静電潜像形成手段、及び現像手段を備えた画像形成手段である。画像形成ユニットは、この他に、トナー像の転写後、帯電前の電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング手段を備えてもよい。
【００３３】
なお、本実施形態に係る画像形成装置において、例えば、各画像形成ユニットにおける電子写真感光体を備える部分が、画像形成装置に対して着脱されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。
すなわち、画像形成装置に着脱される本実施形態に係るプロセスカートリッジは、導電性基体、前記導電性基体上に設けられ、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下であり、金属酸化物粒子を含む下引層、及び前記下引層上に設けられた感光層とを有する電子写真感光体を備え、前記電子写真感光体の表面を除電する除電手段を有さない。
【００３４】
近年、電子写真方式の画像形成装置は、高速化、高画質化といった性能向上に加え、環境負荷低減、小型化および低価格化の要求が高まっている。それら要求に対応するため、画像形成装置には、帯電手段として、直流電圧のみを印加する接触帯電方式の採用が進められている。また、転写手段によってトナー像が被転写体に転写された後、帯電手段によって電子写真感光体の表面が帯電される前において、トナー像を被転写体へ転写した際に生じる、電子写真感光体表面の電位差を消去するための除電手段が設けない構造の採用が進んでいる。
【００３５】
電子写真方式の画像形成装置は、転写工程において、逆バイアスの印加によって、感光体表面から転写手段に向う静電気力がトナー像に作用され、感光体表面上のトナー像が転写体上に転写される。そして、トナー像が転写された後の感光体表面では、トナー像が存在する領域と、トナー像が存在しない領域との間で、残留する電位に差が生じる。
【００３６】
複数の画像形成ユニットが、被転写体の走行方向に向かって並列に配置されている画像形成装置（以下、「タンデム方式の画像形成装置」とも称する）において、多重色で画像を形成した場合、多重色トナー像が存在する領域と存在しない領域との間で生じる転写後の残留電位の差は、トナー像が重ねられた厚さにより顕著になる。
【００３７】
転写手段によってトナー像が被転写体に転写された後、帯電手段によって電子写真感光体の表面が帯電される前に、除電手段を備えていない画像形成装置で画像を形成した場合、感光体表面に上記の電位差が生じている状態で、感光体表面が次サイクルで帯電される。このとき、直流電圧のみで印加する帯電方式の帯電手段で感光体表面を帯電させると、転写前の多重色トナー像が存在していた部分に対応して、感光体表面への放電が生じ難くなるため、感光体表面に電位ムラが生じる。そのため、多重色トナー像が存在しない領域である白紙部及び画像濃度の低い画像（以下、ハーフトーン画像と称する）の画像部では、ゴースト（以下、このゴーストを多重色ゴーストと称する場合がある。）が発生する。
なお、１色のみで画像が形成される場合、転写後の感光体表面に１色のトナー像が存在していた領域と存在していない領域との間で生じる程度の電位差では、ゴーストの発生が生じ難い。また、感光体表面に交流電圧が印加される場合には、感光体表面の電位差が均されるため、ゴーストは生じ難い。
【００３８】
これに対し、本実施形態に係る画像形成装置によって、多重色画像を形成すると、多重色ゴーストの発生が抑制される。これは次のように考えられる。下引層の静電容量を小さくすることで、逆バイアスの印加によって、下引層を通じて導電性基体へ電荷が流れやすくなる。このため、多重色トナー像の転写後、帯電される前の感光体表面では、電位差が生じる領域の形成が抑制される。この結果、直流電圧のみで印加した場合の感光体表面への放電が安定化されるため、多重色画像を形成したときの多重色ゴーストの発生が抑制されると推測される。
【００３９】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。
【００４０】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。図１は、タンデム方式の多色画像形成装置において、複数設けられた画像形成ユニットのうちの一つを模式的に表している。本実施形態に係る画像形成装置１００は、図１に示すように、電子写真感光体７の周辺に、帯電装置８（帯電手段の一例）、露光装置９（静電潜像形成手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、を備える画像形成ユニット３００と、転写装置４０（一次転写装置）と、中間転写体５０とを備える。また、画像形成装置１００内の各装置及び各部材と接続され、各装置及び各部材の動作を制御する制御装置６２も備えている。そして、図１に示す画像形成装置１００は、転写装置４０によって、電子写真感光体７の表面のトナー像が中間転写体５０に転写された後、帯電装置８によって感光体７の表面が帯電される前に、感光体７の表面に残留した電荷を除電する除電装置（除電手段の一例）を有さない、イレーズレス方式の画像形成装置である。また、帯電装置８は、直流のみが印加される帯電方式の帯電装置である。
【００４１】
なお、画像形成装置１００において、露光装置９は画像形成ユニット３００の開口部から電子写真感光体７に露光し得る位置に配置されており、転写装置４０は中間転写体５０を介して電子写真感光体７に対向する位置に配置されており、中間転写体５０はその一部が電子写真感光体７に接触して配置されている。図示しないが、中間転写体５０に転写されたトナー像を記録媒体（例えば用紙）に転写する二次転写装置も有している。なお、中間転写体５０、転写装置４０（一次転写装置）、及び二次転写装置（不図示）が転写手段の一例に相当する。また、画像形成ユニット３００は、プロセスカートリッジであってもよい。
【００４２】
図１における画像形成ユニット３００は、ハウジング内に、電子写真感光体７、帯電装置８（帯電手段の一例）、現像装置１１（現像手段の一例）、及びクリーニング装置１３（クリーニング手段の一例）を一体に支持している。クリーニング装置１３は、クリーニングブレード（クリーニング部材の一例）１３１を有しており、クリーニングブレード１３１は、電子写真感光体７の表面に接触するように配置されている。なお、クリーニング部材は、クリーニングブレード１３１の態様ではなく、導電性又は絶縁性の繊維状部材であってもよく、これを単独で、又はクリーニングブレード１３１と併用してもよい。
【００４３】
なお、図１には、画像形成装置として、必要に応じて、潤滑材を電子写真感光体７の表面に供給する繊維状部材（ロール状）、及び、クリーニングを補助する繊維状部材（平ブラシ状）を備えていてもよい。
【００４４】
図２は、本実施形態に係る画像形成装置の他の一例を示す概略構成図である。
図２に示す画像形成装置１２０は、画像形成ユニット３００を４つ搭載したタンデム方式の多色画像形成装置の態様を模式的に表している。画像形成装置１２０では、被転写体である中間転写体５０上に４つの画像形成ユニット３００がそれぞれ並列に配置されており、１色に付き１つの電子写真感光体が使用される構成となっている。なお、画像形成装置１２０の画像形成ユニット３００は、画像形成装置１００と同様の構成を有している。
【００４５】
以下、本実施形態に係る画像形成装置の各構成について説明する。
【００４６】
−帯電装置−
帯電装置８としては、例えば、導電性又は半導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器が使用される。また、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も使用される。
帯電装置８は、例えば、画像形成装置１００に設けられた制御装置６２に電気的に接続されており、制御装置６２により駆動制御されて、帯電装置８に直流電圧のみが印加される。帯電装置８は、印加された帯電電圧に応じた帯電電位に、電子写真感光体７を帯電させる。
【００４７】
−露光装置−
露光装置９としては、例えば、電子写真感光体７表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を、定められた像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体の分光感度領域内とする。半導体レーザの波長としては、７８０ｎｍ付近に発振波長を有する近赤外が主流である。しかし、この波長に限定されず、６００ｎｍ台の発振波長レーザや青色レーザとして４００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下に発振波長を有するレーザも利用してもよい。また、カラー画像形成のためにはマルチビームを出力し得るタイプの面発光型のレーザ光源も有効である。
【００４８】
−現像装置−
現像装置１１としては、例えば、現像剤を接触又は非接触させて現像する一般的な現像装置が挙げられる。現像装置１１としては、上述の機能を有している限り特に制限はなく、目的に応じて選択される。例えば、一成分系現像剤又は二成分系現像剤をブラシ、ローラ等を用いて電子写真感光体７に付着させる機能を有する公知の現像器等が挙げられる。中でも現像剤を表面に保持した現像ローラを用いるものが好ましい。
【００４９】
現像装置１１に使用される現像剤は、トナー単独の一成分系現像剤であってもよいし、トナーとキャリアとを含む二成分系現像剤であってもよい。また、現像剤は、磁性であってもよいし、非磁性であってもよい。これら現像剤は、周知のものが適用される。
【００５０】
−クリーニング装置−
クリーニング装置１３は、クリーニングブレード１３１を備えるクリーニングブレード方式の装置が用いられる。
なお、クリーニングブレード方式以外にも、ファーブラシクリーニング方式、現像同時クリーニング方式を採用してもよい。
【００５１】
−転写装置−
転写装置４０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
【００５２】
−中間転写体−
中間転写体５０としては、半導電性を付与したポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ゴム等を含むベルト状のもの（中間転写ベルト）が使用される。また、中間転写体の形態としては、ベルト状以外にドラム状のものを用いてもよい。
【００５３】
−制御装置−
制御装置６２は、画像形成装置全体の制御及び各種演算を行うコンピュータとして構成されている。具体的には、制御装置６２は、例えば、ＣＰＵ（中央処理装置；  Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、各種プログラムを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、プログラムの実行時にワークエリアとして使用されるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、各種情報を記憶する不揮発性メモリ、及び入出力インターフェース（Ｉ／Ｏ）を備えている。ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ、及びＩ／Ｏの各々は、バスを介して接続されている。そして、Ｉ／Ｏには、電子写真感光体７、帯電装置８、露光装置９、現像装置１１、転写装置４０、クリーニング装置１３等の画像形成装置１００の各部が接続されている。
【００５４】
なお、ＣＰＵは、例えば、ＲＯＭや不揮発性メモリに記憶されているプログラム（例えば、画像形成シーケンスや回復シーケンス等）の制御プログラム）実行し、画像形成装置１００の各部の動作を制御する。ＲＡＭは、ワークメモリとして使用される。ＲＯＭや不揮発性メモリには、例えば、ＣＰＵが実行するプログラムやＣＰＵの処理に必要なデータ等が記憶されている。なお、制御プログラムや各種データは、記憶部等の他の記憶装置に記憶されていてもよいし、通信部を介して外部から取得されてもよい。
【００５５】
また、制御装置６２には、各種ドライブが接続されていてもよい。各種ドライブとしては、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）メモリなどのコンピュータ読み取り可能な可搬性の記録媒体Ｐからデータを読み込んだり、記録媒体Ｐに対してデータを書き込んだりする装置が挙げられる。各種ドライブを備える場合には、可搬性の記録媒体Ｐに制御プログラムを記録しておいて、これを対応するドライブで読み込んで実行してもよい。
【００５６】
（画像形成動作）
次に、図２を参照して、図２に示す画像形成装置１２０の画像形成動作について説明する。まず、中間転写体５０の走行方向上流側に設けられた画像形成ユニット３００において、トナー像が形成され、中間転写体５０に転写される。次に、中間転写体５０の走行方向下流側に設けられた画像形成ユニット３００において、トナー像が形成され、中間転写体５０に転写される。このとき、中間転写体５０の走行方向上流側に設けられた画像形成ユニット３００により形成されたトナー像上に、中間転写体５０の走行方向下流側に設けられた画像形成ユニット３００により形成されたトナー像が重ねられ、多重色トナー像を含むトナー像が形成される。中間転写体５０に転写されたトナー像は、図示しない二次定着装置により記録媒体の表面に定着される。
【００５７】
トナー像は、以下のようにして形成される。まず、電子写真感光体７の表面が帯電装置８により帯電される。次に、露光装置９は、帯電された電子写真感光体７の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、電子写真感光体７上に画像情報に応じた静電潜像が形成される。現像装置１１では、トナーを含む現像剤により、電子写真感光体７の表面に形成された静電潜像が現像される。これにより、電子写真感光体７の表面に、トナー像が形成される。転写装置４０では、電子写真感光体７の表面に形成されたトナー像が中間転写体５０へ転写される。トナー像を転写した後の電子写真感光体７の表面は、クリーニング装置１３によりクリーニングされ、電子写真感光体７の表面に残留した電荷を除電する工程を経ずに、次サイクルの画像形成動作が行われる。
【００５８】
次に、本実施形態に係る画像形成装置が備える電子写真感光体について説明する。
【００５９】
以下、図面を参照しつつ、本実施形態に係る画像形成装置に適用される電子写真感光体を詳細に説明する。
図３は、本実施形態に係る画像形成装置に適用される電子写真感光体の層構成の一例を模式的に示す概略部分断面図である。
【００６０】
図３に示す電子写真感光体７Ａは、導電性基体４上に、下引層１、電荷発生層２、及び電荷輸送層３がこの順序で積層された構造を有する。そして、電荷発生層２及び電荷輸送層３が感光層５を構成している。電子写真感光体７Ａでは、下引層１の単位面積当たりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下である。
なお、電子写真感光体７Ａは、必要に応じて、その他の層を設けてもよい。その他の層としては、例えば、電荷輸送層３の外周面に設けられる保護層等が挙げられる。本実施形態に係る画像形成装置に適用される電子写真感光体は、図３に示す構造に限定されず、感光層が単層型感光層であってもよい。
【００６１】
以下、本実施形態に係る画像形成装置に適用される電子写真感光体の一例として、図３に示す感光体７Ａの各層について詳細に説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００６２】
（導電性基体）
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ未満であることをいう。
【００６３】
導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。なお、非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。
【００６４】
粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。
【００６５】
粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。
【００６６】
陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。
【００６７】
陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。
【００６８】
導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。
【００６９】
ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。
【００７０】
（下引層）
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。
【００７１】
本実施形態に係る画像形成装置において、電子写真感光体に設けられた下引層は、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下（好ましくは、０．４×１０−９Ｆ／ｃｍ２以上０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下、より好ましくは、０．５×１０−９Ｆ／ｃｍ２以上０．６×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下）である。
単位面積あたりの静電容量の下限値は特に限定されず、例えば、０．４×１０−９Ｆ／ｃｍ２以上であってもよい。
前述のように、下引層における単位面積あたりの静電容量が上記範囲であることにより、０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２よりも大きい場合に比べて多重色ゴーストが抑制される。
【００７２】
ここで、下引層における単位面積あたりの静電容量を求める方法について説明する。
例えば、電子写真感光体の各層を構成する導電性有機膜の等価回路としては、一般的に、抵抗（抵抗値：Ｒ）とコンデンサー（静電容量：Ｃ）との並列回路が適用される。抵抗値Ｒ、及び静電容量Ｃが不明な並列回路において、抵抗値Ｒと静電容量Ｃとを解析・算出する方法として、コール・コールプロット（Ｃｏｌｅ・Ｃｏｌｅ  Ｐｌｏｔ）解析が挙げられる。
コール・コールプロット解析とは、抵抗値Ｒ及び静電容量Ｃが不明の並列回路（例えば、導電性有機膜）の両端に電極を取り付け、両電極間に、周波数を変化させながら交流電圧を印加し、印加させた電圧と得られた電流の位相関係を解析する方法である。この方法により、上記並列回路の抵抗値Ｒ及び静電容量Ｃを求め、静電容量Ｃの値と取り付けた電極の面積の値とから、単位面積あたりの静電容量を求める。
【００７３】
具体的には、例えば、まず下引層の外周面に対向電極としてφ６ｍｍの金電極を真空蒸着法にて形成し、常温常湿（２２℃／５０％ＲＨ）において、ソーラトロン社製インピーダンスアナライザー１２６０９６Ｗ型により測定を行う。
測定条件としては、例えば、ＤＣバイアス（直流印加電圧）：０Ｖ、ＡＣ（交流印加電圧）：±１Ｖ、周波数：１Ｈｚ以上１００Ｈｚ以下の範囲が挙げられる。
得られた測定結果から、コール・コールプロット解析により上記静電容量Ｃが求められ、対向電極の電極面積Ｓ（ｃｍ２）で除することにより、下引層における単位面積あたりの静電容量が算出される。
【００７４】
なお、測定対象となる感光体から、上記単位面積あたりの静電容量を測定する方法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
まず、測定対象となる感光体を準備する。次に、例えば、下引層を被覆している電荷発生層、及び電荷輸送層等の感光層をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶剤を用いて除去し、下引層を露出させる。そして、露出された下引層上に真空蒸着法やスパッタ法等の手段により金電極を装着して、測定用試料とする。そして、この測定用試料について測定を行い、単位面積あたりの静電容量を求める。
【００７５】
下引層における単位面積あたりの静電容量を制御する方法としては、特に制限されるものではないが、下引層が結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを含有する層である場合、例えば、下引層内における金属酸化物粒子の分散度を調整する方法、金属酸化物粒子の粒径を調整する方法、金属酸化物粒子の表面処理量（すなわち、金属酸化物粒子の表面処理に用いる表面処理剤の量）を調整する方法、金属酸化物粒子の含有量（金属酸化物粒子の表面に表面処理剤が付着している場合は表面処理剤も含む含有量）を調整する方法、金属酸化物粒子の表面処理剤の種類と結着樹脂の種類との組み合わせを変える方法、及び電子受容性化合物の含有量を調整する方法、並びにこれらを組み合わせる方法等が挙げられる。
【００７６】
具体的には、各種材料の種類、組み合わせ、及び含有量等の条件によって適切な調整方法が変わるが、例えば、金属酸化物粒子の分散度を下げると下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の分散度を上げると下引層の静電容量が上がる傾向がある。つまり、金属酸化物粒子の粒子径分布として、幅広（ブロード）になるように分散させることが好ましい。
金属酸化物粒子を分散させた下引層形成用塗布液の塗膜を形成して下引層を形成する場合、形成された下引層の膜中に、例えば、金属酸化物粒子の一次粒子とともに、一次粒子が凝集した二次粒子が存在することがある。二次粒子の金属酸化物粒子は、一次粒子に比べて粒径が大きく、この二次粒子の存在によって電荷が移動する経路が形成されやすい。そのため、例えば、金属酸化物粒子の分散度を調整して、二次粒子の金属酸化物粒子を制御することによって、下引層の単位面積当たりの静電容量が制御される。
具体的には、金属酸化物粒子の分散度が低い場合（すなわち金属酸化物粒子の分散粒径が大きい場合）、下引層中での電荷の移動度が高くなり、単位面積当たりの静電容量が低下し易くなる。一方、金属酸化物粒子の分散度が高い場合（すなわち金属酸化物粒子の分散粒径が小さい場合）、下引層中での電荷の移動度が低くなり、単位面積当たりの静電容量が増大し易くなる傾向がある。
なお、分散度を調整する方法は、例えば、下引層形成用塗布液を形成する際における金属酸化物粒子の分散時間等によって調整する方法が挙げられる。
【００７７】
また、例えば、金属酸化物粒子の粒径を大きくすると下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の粒径を小さくすると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
さらに、金属酸化物粒子としてアミノ基を有するシランカップリング剤により表面処理した酸化亜鉛粒子を用い、結着樹脂としてアセタール樹脂を用いた場合、例えば、金属酸化物粒子の表面処理量を多くすると金属酸化物粒子の分散度が下がることで下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の表面処理量を少なくすると金属酸化物粒子の分散度が上がることで下引層の静電容量が上がる傾向がある。
また、例えば、金属酸化物粒子の含有量を多くすると結着樹脂量が少なくなることで下引層の静電容量が下がり、金属酸化物粒子の含有量を少なくすると結着樹脂量が多くなることで下引層の静電容量が上がる傾向がある。
また、例えば、電子受容性化合物の含有量を多くすると下引層の静電容量が下がり、電子受容性化合物の含有量を少なくすると下引層の静電容量が上がる傾向がある。
以下、下引層の一例として、結着樹脂と金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを含有する層について、材料、製造方法、及び特性等を説明する。
【００７８】
−金属酸化物粒子−
金属酸化物粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１０２Ωｃｍ以上１０１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する金属酸化物粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。
【００７９】
金属酸化物粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ２／ｇ以上がよい。
金属酸化物粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。
【００８０】
金属酸化物粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。
【００８１】
金属酸化物粒子は、表面処理が施されていてもよい。金属酸化物粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。
【００８２】
表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。
【００８３】
アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８４】
シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。
【００８６】
表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。
【００８７】
ここで、下引層は、金属酸化物粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。
【００８８】
−電子受容性化合物−
電子受容性化合物は、下引層中に、金属酸化物粒子と共に分散して含まれていてもよいし、金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。電子受容性化合物が金属酸化物粒子の表面に付着した状態で含まれる場合、電子受容性化合物は、金属酸化物粒子の表面と化学反応する材料、又は金属酸化物粒子の表面に吸着する材料であることが好ましく、金属酸化物粒子の表面に選択的に存在し得る。
【００８９】
電子受容性化合物としては、例えば、キノン骨格、アントラキノン骨格、クマリン骨格、フタロシアニン骨格、トリフェニルメタン骨格、アントシアニン骨格、フラボン骨格、フラーレン骨格、ルテニウム錯体骨格、キサンテン骨格、ベンゾキサジン骨格、ポルフィリン骨格等を有する電子受容性化合物が挙げられる。
なお、電子受容性化合物は、これら骨格に、酸性基（例えば、水酸基、カルボキシル基、スルホニル基等）、アリール基、アミノ基等の置換基で置換された化合物であってもよい。
【００９０】
特に、電子受容性化合物としては、下引層における単位面積あたりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、アントラキノン骨格を有する電子受容性化合物が好ましく、ヒドロキシアントラキノン骨格（水酸基を持つアントラキノン骨格）を有する電子受容性化合物がより好ましい。
【００９１】
ヒドロキシアントラキノン骨格を有する電子受容性化合物として具体的には、例えば、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。
【００９２】
【化６】
2020027195.tif 000008
【００９３】
一般式（１）中、ｎ１及びｎ２は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。但し、ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及びｎ２が同時に０を表さない）。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。
【００９４】
また、電子受容性化合物としては、下記一般式（２）で表される化合物であってもよい。
【００９５】
【化７】
2020027195.tif 000009
【００９６】
一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、及びｎ４は、各々独立に０以上３以下の整数を表す。ｍ１及びｍ２は、各々独立に０又は１の整数を示す。ｎ１及びｎ２の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ１及びｎ２が同時に０を表さない）。ｎ３及びｎ４の少なくとも一方は、各々独立に１以上３以下の整数を表す（つまり、ｎ３及びｎ４が同時に０を表さない）。ｒは、２以上１０以下の整数を示す。Ｒ１１及びＲ１２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は炭素数１以上１０以下のアルコキシ基を表す。
【００９７】
ここで、一般式（１）及び（２）中、Ｒ１１及びＲ１２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、又は分枝状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、好ましくは１以上８以下のアルキル基、より好ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ１１及びＲ１２が表す炭素数１以上１０以下のアルコキシ基（アルコキシル基）としては、直鎖状、又は分枝状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコキシ基としては、好ましくは１以上８以下のアルコキシル基、より好ましくは１以上６以下のアルコキシル基である。
【００９８】
電子受容性化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００９９】
【化８】
2020027195.tif 000010
【０１００】
【化９】
2020027195.tif 000011
【０１０１】
【化１０】
2020027195.tif 000012
【０１０２】
電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。
【０１０３】
乾式法は、例えば、金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。
【０１０４】
湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、金属酸化物粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を金属酸化物粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に金属酸化物粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。
【０１０５】
なお、電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を金属酸化物粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。
【０１０６】
電子受容性化合物の含有量は、例えば、下引層中の全固形分に対して０．０１質量％以上２０質量％以下が挙げられ、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下である。
電子受容性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも小さい場合に比べて、電子受容性化合物のアクセプターとしての効果が得られやすい。また、電子受容性化合物の含有量が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、金属酸化物粒子同士の凝集を引き起こして下引層内に金属酸化物粒子が偏在しすぎることが起こりにくく、金属酸化物粒子が偏在しすぎることによる残留電位の上昇、黒点の発生、ハーフトーン濃度ムラ等が起こりにくい。
また、電子受容性化合物の含有量は、下引層における単位面積当たりの静電容量を前記範囲に調整する観点から、下引層中の全固形分に対して、０．５質量％以上２．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以上１．０質量％以下がより好ましい。
【０１０７】
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。
【０１０８】
これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
【０１０９】
下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。
【０１１０】
添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１１１】
ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
【０１１２】
チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
【０１１３】
アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
【０１１４】
これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１１５】
下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。
【０１１６】
下引層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。
【０１１７】
下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。
【０１１８】
下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。
【０１１９】
下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１２０】
下引層の膜厚は、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１２１】
（中間層）
図示は省略するが、下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。
【０１２２】
これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。
【０１２３】
中間層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【０１２４】
中間層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。なお、中間層を下引層として使用してもよい。
【０１２５】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。
【０１２６】
電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。
【０１２７】
これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、特開平５−２６３００７号公報、特開平５−２７９５９１号公報等に開示されたヒドロキシガリウムフタロシアニン；特開平５−９８１８１号公報等に開示されたクロロガリウムフタロシアニン；特開平５−１４０４７２号公報、特開平５−１４０４７３号公報等に開示されたジクロロスズフタロシアニン；特開平４−１８９８７３号公報等に開示されたチタニルフタロシアニンがより好ましい。
【０１２８】
一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；特開２００４−７８１４７号公報、特開２００５−１８１９９２号公報に開示されたビスアゾ顔料等が好ましい。
【０１２９】
４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ、有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ−型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。
【０１３０】
これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ−型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。ｎ−型の電荷発生材料としては、例えば、特開２０１２−１５５２８２号公報の段落［０２８８］〜［０２９１］に記載された化合物（ＣＧ−１）〜（ＣＧ−２７）が挙げられるがこれに限られるものではない。
なお、ｎ−型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ−型とする。
【０１３１】
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１０１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。
【０１３２】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。
【０１３３】
電荷発生層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０１３４】
電荷発生層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。なお、電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。
【０１３５】
電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。
【０１３６】
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
なお、この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。
【０１３７】
電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０１３８】
電荷発生層の膜厚は、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０１３９】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。
【０１４０】
電荷輸送材料としては、ｐ−ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７−トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４１】
電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。
【０１４２】
【化１１】
2020027195.tif 000013
【０１４３】
構造式（ａ−１）中、ＡｒＴ１、ＡｒＴ２、及びＡｒＴ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ６Ｈ４−Ｃ（ＲＴ４）＝Ｃ（ＲＴ５）（ＲＴ６）、又は−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）を示す。ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６、ＲＴ７、及びＲＴ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１４４】
【化１２】
2020027195.tif 000014
【０１４５】
構造式（ａ−２）中、ＲＴ９１及びＲＴ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。ＲＴ１０１、ＲＴ１０２、ＲＴ１１１及びＲＴ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、−Ｃ（ＲＴ１２）＝Ｃ（ＲＴ１３）（ＲＴ１４）、又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）を示し、ＲＴ１２、ＲＴ１３、ＲＴ１４、ＲＴ１５及びＲＴ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。
【０１４６】
ここで、構造式（ａ−１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ−２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ７）（ＲＴ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝Ｃ（ＲＴ１５）（ＲＴ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。
【０１４７】
高分子電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、特開平８−１７６２９３号公報、特開平８−２０８８２０号公報等に開示されているポリエステル系の高分子電荷輸送材料は特に好ましい。なお、高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。
【０１４８】
電荷輸送材料は、上記以外にも、電荷移動度の観点から、下記一般式（ＣＴ１）で表されるブタジエン系電荷輸送材料、及び下記一般式（ＣＴ２）で表されるエナミン系電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことも好ましい。
【０１４９】
・ブタジエン系電荷輸送材料
以下、ブタジエン系電荷輸送材料について説明する。ブタジエン系電荷輸送材料は、下記一般式（ＣＴ１）で表される。
【０１５０】
【化１３】
2020027195.tif 000015
【０１５１】
一般式（ＣＴ１）中、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。ｎ及びｍは、各々独立に、０、１又は２を表す。
【０１５２】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１５３】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１５４】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１５５】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１５６】
なお、一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１５７】
一般式（ＣＴ１）において、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ１１及びＲＣ１２同士、ＲＣ１３及びＲＣ１４同士、ＲＣ１５及びＲＣ１６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。
【０１５８】
一般式（ＣＴ１）において、ｎ及びｍは、１であることが好ましい。
【０１５９】
一般式（ＣＴ１）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表し、ｍ及びｎが１又は２を表することが好ましく、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子、又はメチル基を表し、ｍ及びｎが１を表すことがより好ましく、ＲＣ１１、ＲＣ１２、ＲＣ１３、ＲＣ１４、ＲＣ１５、及びＲＣ１６が水素原子を表し、ｍ及びｎが１を表すことがさらに好ましい。
つまり、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、下記構造式（ＣＴ１Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ１−３））であることがより好ましい。
【０１６０】
【化１４】
2020027195.tif 000016
【０１６１】
以下に、ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（ＣＴ１−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物１５は、「例示化合物（ＣＴ１−１５）」と以下表記する。
【０１６２】
【化１５】
2020027195.tif 000017
【０１６３】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１６４】
ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０１６５】
・エナミン系電荷輸送材料
以下、エナミン系電荷輸送材料について説明する。エナミン系電荷輸送材料は、下記一般式（ＣＴ２）で表される。
【０１６６】
【化１６】
2020027195.tif 000018
【０１６７】
一般式（ＣＴ２）中、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上３０以下のアリール基を表し、隣接する２つの置換基同士が結合して炭化水素環構造を形成してもよい。
【０１６８】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０１６９】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すアルキル基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基、イソウンデシル基、ｓｅｃ−ウンデシル基、ｔｅｒｔ−ウンデシル基、ネオウンデシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ−ドデシル基、ｔｅｒｔ−ドデシル基、ネオドデシル基、イソトリデシル基、ｓｅｃ−トリデシル基、ｔｅｒｔ−トリデシル基、ネオトリデシル基、イソテトラデシル基、ｓｅｃ−テトラデシル基、ｔｅｒｔ−テトラデシル基、ネオテトラデシル基、１−イソブチル−４−エチルオクチル基、イソペンタデシル基、ｓｅｃ−ペンタデシル基、ｔｅｒｔ−ペンタデシル基、ネオペンタデシル基、イソヘキサデシル基、ｓｅｃ−ヘキサデシル基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシル基、ネオヘキサデシル基、１−メチルペンタデシル基、イソヘプタデシル基、ｓｅｃ−ヘプタデシル基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシル基、ネオヘプタデシル基、イソオクタデシル基、ｓｅｃ−オクタデシル基、ｔｅｒｔ−オクタデシル基、ネオオクタデシル基、イソノナデシル基、ｓｅｃ−ノナデシル基、ｔｅｒｔ−ノナデシル基、ネオノナデシル基、１−メチルオクチル基、イソイコシル基、ｓｅｃ−イコシル基、ｔｅｒｔ−イコシル基、ネオイコシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１７０】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上２０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−イコシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基、イソウンデシルオキシ基、ｓｅｃ−ウンデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ウンデシルオキシ基、ネオウンデシルオキシ基、イソドデシルオキシ基、ｓｅｃ−ドデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ドデシルオキシ基、ネオドデシルオキシ基、イソトリデシルオキシ基、ｓｅｃ−トリデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−トリデシルオキシ基、ネオトリデシルオキシ基、イソテトラデシルオキシ基、ｓｅｃ−テトラデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−テトラデシルオキシ基、ネオテトラデシルオキシ基、１−イソブチル−４−エチルオクチルオキシ基、イソペンタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ペンタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンタデシルオキシ基、ネオペンタデシルオキシ基、イソヘキサデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキサデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキサデシルオキシ基、ネオヘキサデシルオキシ基、１−メチルペンタデシルオキシ基、イソヘプタデシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプタデシルオキシ基、ネオヘプタデシルオキシ基、イソオクタデシルオキシ基、ｓｅｃ−オクタデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクタデシルオキシ基、ネオオクタデシルオキシ基、イソノナデシルオキシ基、ｓｅｃ−ノナデシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノナデシルオキシ基、ネオノナデシルオキシ基、１−メチルオクチルオキシ基、イソイコシルオキシ基、ｓｅｃ−イコシルオキシ基、ｔｅｒｔ−イコシルオキシ基、ネオイコシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０１７１】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表すアリール基としては、炭素数６以上３０以下（好ましくは６以上２０以下、より好ましくは６以上１６以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニリル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましい。
【０１７２】
なお、一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０１７３】
一般式（ＣＴ２）において、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６の隣接する二つの置換基同士（例えばＲＣ２１及びＲＣ２２同士、ＲＣ２３及びＲＣ２４同士、ＲＣ２５及びＲＣ２６同士）が連結した炭化水素環構造における、当該置換基同士を連結する基としては、単結合、２，２’−メチレン基、２，２’−エチレン基、２，２’−ビニレン基などが挙げられ、これらの中でも単結合、２，２’−メチレン基が好ましい。
ここで、炭化水素環構造として具体的には、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造、シクロアルカンポリエン構造等が挙げられる。
【０１７４】
一般式（ＣＴ２）において、電荷輸送能の高い感光層（電荷輸送層）形成の点から、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、又は炭素数１以上２０以下のアルコキシ基を表すことが好ましく、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が水素原子、メチル基、メトキシ基を表すことがより好ましく、ＲＣ２１、ＲＣ２２、ＲＣ２３、ＲＣ２４、ＲＣ２５、及びＲＣ２６が水素原子を表すことがさらに好ましい。
つまり、エナミン系電荷輸送材料（ＣＴ２）は、下記構造式（ＣＴ２Ａ）で示される電荷輸送材料（例示化合物（ＣＴ２−３））であることがより好ましい。
【０１７５】
【化１７】
2020027195.tif 000019
【０１７６】
以下に、エナミン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、以下の例示化合物番号は、例示化合物（ＣＴ２−番号）と以下表記する。具体的には、例えば、例示化合物１５は、「例示化合物（ＣＴ２−１５）」と以下表記する。
【０１７７】
【化１８】
2020027195.tif 000020
【０１７８】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
【０１７９】
電荷輸送層は、多重色ゴーストの発生が抑制される点で、トリアリールアミン誘導体の電荷輸送材料およびベンジジン誘導体の電荷輸送材料を含むことが好ましく、下記一般式（ＣＴ１）および下記一般式（ＣＴ２）からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことも好ましい。
【０１８０】
−結着樹脂−
結着樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はこれらの共重合型等）、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上混合して用いてもよい。
【０１８１】
これら結着樹脂野中でも、ポリカーボネート樹脂（例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＺ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＴＰ等の単独重合型、又はこれらの共重合型等）が好ましい。ポリカーボネート樹脂（すなわち、カーボネート結合を有する高分子化合物）は、特に限定されない。ポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビフェニル骨格及びビスフェノール骨格の少なくとも一方を有する構造単位を含むポリカーボネート樹脂（以下「ＢＰポリカーボネート樹脂」ともいう）が挙げられる。
すなわち、ＢＰポリカーボネート樹脂としては、例えば、ビフェニル骨格を有する構造単位で構成された単独重合体、ビスフェノール骨格を有する構造単位で構成された単独重合体のほか、ビフェニル骨格を有する構造単位及びビスフェノール骨格を有する構造単位の少なくとも１種を含んで構成された共重合体が挙げられる。ＢＰポリカーボネート樹脂は、多重色ゴーストの発生が抑制される点で、ビスフェノール骨格を有する構造単位で構成された単独重合体が好ましい。
なお、ビスフェノール骨格としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＢ骨格、ビスフェノールＢＰ骨格、ビスフェノールＣ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＺ骨格等が挙げられる。
【０１８２】
ＢＰポリカーボネート樹脂として具体的には、例えば、ジヒドロキシビフェニル化合物の単独重合体、ジヒドロキシビスフェノール化合物の単独重合体、及びこれらの共重合体が挙げられる。これらの重合体は、例えば、上記化合物を原料として用い、ホスゲン等の炭酸エステル形成性化合物との重縮合又はビスアリールカーボネートとのエステル交換反応等の方法によって得られる。
【０１８３】
ジヒドロキシビフェニル化合物は、ビフェニル骨格を有し、ビフェニル骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビフェニル化合物である。ジヒドロキシビフェニル化合物としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチルビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジシクロヘキシルビフェニル、３，３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジフェニルビフェニル等が挙げられる。
これらジヒドロキシビフェニル化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。
【０１８４】
ジヒドロキシビスフェノール化合物は、ビスフェノール骨格を有し、ビスフェノール骨格の２つのベンゼン環に、各々、一つのヒドロキシル基を有するビスフェノール化合物である。ジヒドロキシビスフェノール化合物としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテル、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等が挙げられる。
これらビスフェノール化合物は、１種単独で用いてもよいし、複数併用してもよい。
【０１８５】
これらの中でも、ＢＰポリカーボネート樹脂は、電荷輸送層の耐摩耗性の点から、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位及び下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位の少なくとも１つを含むポリカーボネート樹脂であることが好ましい。つまり、好ましいＢＰポリカーボネート樹脂として、下記一般式（ＰＣＡ）で示される構造単位で構成された単独重合体、下記一般式（ＰＣＢ）で示される構造単位で構成された単独重合体、及びこれらの共重合体が挙げられる。
【０１８６】
【化１９】
2020027195.tif 000021
【０１８７】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上６以下のアルキル基、炭素数５以上７以下のシクロアルキル基、又は、炭素数６以上１２以下のアリール基を表す。ＸＰ１は、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基、アルキレン基、又は、シクロアルキレン基を表す。      
【０１８８】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４が表すアルキル基としては、炭素数１以上６以下（好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１８９】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４が表すシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチルが挙げられる。
【０１９０】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、及びＲＰ４が表すアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等が挙げられる。
【０１９１】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＸＰ１が表すアルキレン基としては、炭素数１以上１２以下（好ましくは炭素数１以上６以下、より好ましくは炭素数１以上３以下）の直鎖状又は分岐状のアルキレン基が挙げられる。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基、ｎ−ウンデシレン基、ｎ−ドデシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基、イソウンデシレン基、ｓｅｃ−ウンデシレン基、ｔｅｒｔ−ウンデシレン基、ネオウンデシレン基、イソドデシレン基、ｓｅｃ−ドデシレン基、ｔｅｒｔ−ドデシレン基、ネオドデシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキル基が好ましい。
【０１９２】
一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＸＰ１が表すシクロアルキレン基としては、炭素数３以上１２以下（好ましくは炭素数３以上１０以下、より好ましくは炭素数５以上８以下）のシクロアルキレン基が挙げられる。
シクロアルキレン基として具体的には、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基、シクロドデカニレン基等が挙げられる。
これらの中でも、シクロアルキレン基としては、シクロヘキシレン基が好ましい。
【０１９３】
なお、一般式（ＰＣＡ）及び（ＰＣＢ）中、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、及びＸＰ１が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルキル基（例えば炭素数１以上６以下のアルキル基）、シクロアルキル基（例えば炭素数５以上７以下のシクロアルキル基）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基等）等が挙げられる。
【０１９４】
一般式（ＰＣＡ）において、ＲＰ１、及びＲＰ２は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表すことが好ましく、ＲＰ１、及びＲＰ２は、水素原子を表すことがより好ましい。
一般式（ＰＣＢ）において、ＲＰ３、及びＲＰ４は、各々独立に、水素原子、又は炭素数１以上６以下のアルキル基を表し、ＸＰ１がアルキレン基、又はシクロアルキレン基を表すことが好ましい。
【０１９５】
一般式（ＰＣＡ）及び一般式（ＰＣＢ）の具体例としては、例えば以下のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１９６】
【化２０】
2020027195.tif 000022
【０１９７】
【化２１】
2020027195.tif 000023
【０１９８】
【化２２】
2020027195.tif 000024
【０１９９】
【化２３】
2020027195.tif 000025
【０２００】
ＢＰポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量としては、例えば２０，０００以上８０，０００以下が好ましい。
なお、ＢＰポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量の測定方法としては、次の方法により測定される値である。樹脂１ｇをメチレンクロライド１００ｃｍ３に均一溶解し、２５℃の測定環境下でウベローデ粘度計により、その比粘度ηｓｐを測定し、ηｓｐ／ｃ＝〔η〕＋０．４５〔η〕２ｃの関係式（ただしｃは濃度（ｇ／ｃｍ３））より極限粘度〔η〕（ｃｍ３／ｇ）をもとめ、Ｈ．Ｓｃｈｎｅｌｌによって与えられている式、〔η〕＝１．２３×１０−４Ｍｖ０．８３の関係式より粘度平均分子量Ｍｖを求める。
【０２０１】
ここで、ＢＰポリカーボネート樹脂の含有量は、例えば、電荷輸送層全体対して、１０質量％以上９０質量％以下が好ましく、３０質量％以上９０質量％以下がより好ましく、５０質量％以上９０質量％以下が更に好ましい。
【０２０２】
電荷輸送層に用いる結着樹脂は、ＢＰポリカーボネート樹脂を含む場合、ＢＰポリカーボネート樹脂以外の樹脂を含有していてもよい。例えば、ＢＰポリカーボネート樹脂以外の結着樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。
【０２０３】
電荷輸送層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０２０４】
電荷輸送層に含まれる添加剤としては、例えば、フッ素含有樹脂粒子、フッ素含有分散剤、紫外線吸収剤、及び酸化防止剤等が挙げられる。
【０２０５】
フッ素含有樹脂粒子について説明する。
フッ素含有樹脂粒子としては、例えば、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体の粒子の中から１種又は２種以上を選択するのが望ましい。これらの中でも、フッ素含有樹脂粒子としては、特に、４フッ化エチレン樹脂粒子、フッ化ビニリデン樹脂粒子が望ましい。
【０２０６】
フッ素含有樹脂粒子の個数平均一次粒径は、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることがよく、望ましくは０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
なお、この個数平均一次粒径は、感光層（電荷輸送層）から試料片を得て、これをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により例えば倍率５０００倍以上で観察し、一次粒子状態のフッ素樹脂粒子の最大径を測定し、これを５０個の粒子について行った平均値とする。なお、ＳＥＭとして日本電子製ＪＳＭ−６７００Ｆを使用し、加速電圧５ｋＶの二次電子画像を観察する。
【０２０７】
フッ素含有樹脂粒子の市販品としては、例えば、ルブロン（登録商標）シリーズ（ダイキン工業株式会社製）、テフロン（登録商標）シリーズ（デュポン製）、ダイニオン（登録商標）シリーズ（住友３Ｍ製）等が挙げられる。
【０２０８】
フッ素含有樹脂粒子の含有量は、電荷輸送層の全固形分に対して、１質量％以上３０質量％以下が好ましく、３質量％以上２０質量％以下がより好ましく、５質量％以上１５質量％以下が更に好ましい。
【０２０９】
フッ素含有分散剤について説明する。
フッ素含有分散剤は、例えば、電荷輸送層形成用塗布液中における上記フッ素含有樹脂粒子の分散安定剤として用いる。
フッ素含有分散剤としては、例えば、フッ化アルキル基を有する重合性化合物を単独重合又は共重合した重合体（以下「フッ化アルキル基含有重合体」とも称する）が挙げられる。
【０２１０】
フッ素含有分散剤として具体的には、フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートの単独重合体、フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートとフッ素原子を有さないモノマーとのランダム又はブロック共重合体等が挙げられる。なお、（メタ）アクリレートとは、アクリレート及びメタクリレートの双方を意味する。
フッ化アルキル基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル（メタ）アククリレートが挙げられる。
フッ素原子を有さないモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシトリエチレングリコール（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、エチルカルビトール（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチルｏ−フェニルフェノール（メタ）アクリレート、ｏ−フェニルフェノールグリシジルエーテル（メタ）アクリレートが挙げられる。
【０２１１】
その他、フッ素含有分散剤として具体的には、米国特許５６３７１４２号明細書、特許第４２５１６６２号公報などに開示されたブロック又はブランチポリマーも挙げられる。更に、フッ素含有分散剤として具体的には、フッ素系界面活性剤も挙げられる。
【０２１２】
フッ素含有分散剤の市販品としては、例えば、ＧＦ３００、ＧＦ４００（東亞合成社製）、サーフロン（登録商標）シリーズ（ＡＧＣセイミケミカル社製）、フタージェントシリーズ（ネオス社製）、ＰＦシリーズ（北村化学社製）、メガファック（登録商標）シリーズ（ＤＩＣ製）、ＦＣシリーズ（３Ｍ製）等が挙げられる。
【０２１３】
フッ素含有分散剤の重量平均分子量は、例えば、２０００以上２５００００以下が好ましく、３０００以上１５００００以下がより好ましく、２００００以上１０００００以下が更に好ましい。
フッ素含有分散剤の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定される値である。ＧＰＣによる分子量測定は、例えば、測定装置として東ソー製ＧＰＣ・ＨＬＣ−８１２０を用い、東ソー製カラム・ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｍ＋ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｍ（７．８ｍｍＩ．Ｄ．３０ｃｍ）を使用し、クロロホルム溶媒で行い、この測定結果から単分散ポリスチレン標準試料により作製した分子量校正曲線を使用して算出する。
【０２１４】
フッ化アルキル基含有共重合体の含有量は、例えば、フッ素含有樹脂粒子の質量に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましく、１質量％以上７質量％以下がより好ましく１質量％以上５質量％以下がさらに好ましい。
なお、フッ化アルキル基含有共重合体は、１種を単独でまたは２種以上を併用してもよい。
【０２１５】
酸化防止剤について説明する。
酸化防止剤として、その代表的なものは、例えば、電子写真感光体の内部または表面に存在する酸化性物質に対して、光、熱、放電などの条件下で酸素の作用を防止または抑制する性質を有する物質が挙げられる。
酸化防止剤としては、ラジカル重合禁止剤、過酸化物分解剤等が挙げられる。ラジカル重合禁止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系酸化防止剤、ヒンダードアミン系酸化防止剤、ジアリルアミン系酸化防止剤、ジアリルジアミン系酸化防止剤、ハイドロキノン系酸化防止剤等の公知の酸化防止剤が挙げられる。過酸化物分解剤としては、有機硫黄系（例えばチオエーテル系）酸化防止剤、リン酸系酸化防止剤、ジチオカルバミン酸塩系酸化防止剤、チオウレア系酸化防止剤、ベンズイミダゾール系酸化防止剤等の公知の酸化防止剤が挙げられる。
これの中でも、酸化防止剤としては、ラジカル重合禁止剤がよく、特にヒンダードフェノール系酸化防止剤が好ましく、ヒンダードアミン系酸化防止剤が好ましい。さらに、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤がより好ましい。酸化防止剤としては、一分子中に、酸化防止作用を持つ異なる骨格を２つ以上有する酸化防止剤（例えば、ヒンダードフェノール骨格とヒンダードアミン骨格とを有する酸化防止剤等）であってもよい。
【０２１６】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤について説明する。
ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、ヒンダードフェノール環を有する化合物である。
【０２１７】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤において、ヒンダードフェノール環は、例えば、炭素数４以上８以下のアルキル基（例えば炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基）が少なくとも一つ置換されたフェノール環である。より具体的には、ヒンダードフェノール環は、例えば、フェノール性水酸基に対してオルトの位置が三級アルキル基（例えばｔｅｒｔ−ブチル基）で置換されたフェノール環である。
【０２１８】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、
１）ヒンダードフェノール環を１つ有する酸化防止剤、
２）ヒンダードフェノール環を２つ以上４つ以下有し、且つ直鎖又は分岐状の２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基からなる連結基、又は２価以上４価以下の脂肪族炭化水素基の炭素−炭素の結合間に、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−）及びエーテル結合（−Ｏ−）の少なくとも一方が介在した連結基で、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が連結された酸化防止剤、
３）２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環と、一つのベンゼン環（未置換、又はアルキル基等で置換された置換ベンゼン環）又はイソシアヌレート環とを有し、２つ以上４つ以下のヒンダードフェノール環が、各々、ベンゼン環又はイソシアヌレート環とアルキレン基を介して連結された酸化防止剤、
等が挙げられる。
【０２１９】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤として具体的には、例えば、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、スチレン化フェノール、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシビフェニル、ｎ−オクタデシル−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）−プロピオネート、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２−ｔ−ブチル−６−（３’−ｔ−ブチル−５’−メチル−２’−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、４，４’−ブチリデン−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオ−ビス−（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルベンジル）イソシアヌレート、テトラキス−［メチレン−３−（３’，５’，−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、３，９−ビス［２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン等が挙げられる。
【０２２０】
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤としては、多重色ゴーストの抑制の点から、下記一般式（ＨＰ）で示される酸化防止剤が好ましい。
【０２２１】
【化２４】
2020027195.tif 000026
【０２２２】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２は、各々独立に、炭素数４以上８以下の分岐状のアルキル基を表す。
ＲＨ３、及びＲＨ４は、各々独立に、水素原子、又は、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。
ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下のアルキレン基を表す。
【０２２３】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、及びＲＨ２が表すアルキル基としては、炭素数４以上８以下（好ましくは炭素数４以上６以下）の分岐状のアルキル基が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基が好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。
【０２２４】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ３、及びＲＨ４としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは炭素数１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０２２５】
一般式（ＨＰ）中、ＲＨ５は、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状アルキレン基を表す。
直鎖状のアルキレン基として具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ブチレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−ヘキシレン基、ｎ−ヘプチレン基、ｎ−オクチレン基、ｎ−ノニレン基、ｎ−デシレン基等が挙げられる。
分岐状のアルキレン基として具体的には、イソプロピレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ−ブチレン基、ｔｅｒｔ−ブチレン基、イソペンチレン基、ネオペンチレン基、ｔｅｒｔ−ペンチレン基、イソヘキシレン基、ｓｅｃ−ヘキシレン基、ｔｅｒｔ−ヘキシレン基、イソヘプチレン基、ｓｅｃ−ヘプチレン基、ｔｅｒｔ−ヘプチレン基、イソオクチレン基、ｓｅｃ−オクチレン基、ｔｅｒｔ−オクチレン基、イソノニレン基、ｓｅｃ−ノニレン基、ｔｅｒｔ−ノニレン基、イソデシレン基、ｓｅｃ−デシレン基、ｔｅｒｔ−デシレン基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ブチレン基等の低級アルキレン基が好ましい。
【０２２６】
なお、一般式（ＨＰ）中、ＲＨ１、ＲＨ２、ＲＨ３、ＲＨ４、及びＲＨ５が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子）、アルコキシ基（例えば炭素数１以上４以下のアルコキシ基）、アリール基（例えばフェニル基、ナフチル基等）等が挙げられる。
【０２２７】
一般式（ＨＰ）において、多重色ゴーストの抑制の点から、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表すことが好ましく、ＲＨ１、及びＲＨ２がｔｅｒｔ−ブチル基を表し、ＲＨ３、及びＲＨ４が炭素数１以上３以下のアルキル基（特にメチル基）を示し、ＲＨ５が炭素数１以上４以下のアルキレン基（特にメチレン基）を表すことがより好ましい。
具体的には、ヒンダードフェノール系酸化防止剤は、例示化合物（ＨＰ−３）で示されるヒンダードフェノール系酸化防止剤が特に好ましい。
【０２２８】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤の分子量は、多重色ゴーストの抑制の点から、３００以上１０００以下が好ましく、３００以上９００以下がより好ましく、３００以上８００以下が更に好ましい。
【０２２９】
以下に、ヒンダードフェノール系酸化防止剤の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０２３０】
【化２５】
2020027195.tif 000027
【０２３１】
【化２６】
2020027195.tif 000028
【０２３２】
ヒンダードフェノール系酸化防止剤の市販品としては、例えば、イルガノックス１０７６、イルガノックス１０１０、イルガノックス１０９８、イルガノックス２４５、イルガノックス１３３０、イルガノックス３１１４、イルガノックス１０７６（以上、ＢＡＳＦジャパン社製）、スミライザーＭＤＰ-Ｓ（住友化学社製）等が挙げられる。
【０２３３】
紫外線吸収剤について説明する。
紫外線吸収剤は、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤が好ましい。
具体的には、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、多重色ゴーストの抑制の点から、下記一般式（ＢＰ）で示される紫外線吸収剤が好ましい。
【０２３４】
【化２７】
2020027195.tif 000029
【０２３５】
一般式（ＢＰ）中、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基、又は、炭素数６以上１０以下のアリール基を表す。
【０２３６】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。これらの中でも、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【０２３７】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すアルキル基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられる。
直鎖状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等が挙げられる。
分岐状のアルキル基として具体的には、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ−ヘプチル基、ｔｅｒｔ−ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ−ノニル基、ｔｅｒｔ−ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ−デシル基、ｔｅｒｔ−デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、アルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基等の低級アルキル基が好ましい。
【０２３８】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すアルコキシ基としては、炭素数１以上１０以下（好ましくは１以上６以下、より好ましくは１以上４以下）の直鎖状又は分岐状のアルコキシ基が挙げられる。
直鎖状のアルコキシ基として具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基等が挙げられる。
分岐状のアルコキシ基として具体的には、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ−ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘキシルオキシ基、イソヘプチルオキシ基、ｓｅｃ−ヘプチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ヘプチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｓｅｃ−ノニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ノニルオキシ基、イソデシルオキシ基、ｓｅｃ−デシルオキシ基、ｔｅｒｔ−デシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、アルコキシ基としては、メトキシ基が好ましい。
【０２３９】
一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表すアリール基としては、炭素数６以上１０以下（好ましくは６以上９以下、より好ましくは６以上８以下）のアリール基が挙げられる。
アリール基として具体的には、フェニル基、ナフチル基などが挙げられる。
これらの中でも、アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【０２４０】
なお、一般式（ＢＰ）において、ＲＢ１、ＲＢ２、及びＲＢ３が表す上記各置換基は、さらに置換基を有する基も含む。この置換基としては、上記例示した原子および基（例えばハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基など）が挙げられる。
【０２４１】
一般式（ＢＰ）において、特に、多重色ゴーストの抑制の点から、ＲＢ１、及びＲＢ２が水素原子を表し、ＲＢ３が炭素数１以上３以下のアルコキシ基を表すことが好ましい。
具体的には、紫外線吸収剤は、下記構造式（ＢＰＡ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤（例示化合物（ＢＰ−３））であることが特に好ましい。
【０２４２】
【化２８】
2020027195.tif 000030
【０２４３】
以下に、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤（一般式（ＢＰ）で示されるベンゾフェノン系紫外線吸収剤）の具体例を示すが、これに限定されるわけではない。
【０２４４】
【化２９】
2020027195.tif 000031
【０２４５】
なお、上記例示化合物中の略記号は、以下の意味を示す。また、置換基の前に付す番号は、ベンゼン環に対する置換位置を示している。
・−ＣＨ３：メチル基
・−Ｃ２Ｈ５：エチル基
・−（ＣＨ２）７−ＣＨ３：オクチル基
・−ＯＣＨ３：メトキシ基
・−ＯＨ：ヒドロキシ基
【０２４６】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【０２４７】
電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、周知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
【０２４８】
電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
【０２４９】
電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０２５０】
（保護層）
保護層は、必要に応じて感光層上に設けられる。保護層は、例えば、帯電時の感光層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する目的で設けられる。
そのため、保護層は、硬化膜（架橋膜）で構成された層を適用することがよい。これら層としては、例えば、下記１）又は２）に示す層が挙げられる。
【０２５１】
１）反応性基及び電荷輸送性骨格を同一分子内に有する反応性基含有電荷輸送材料を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり当該反応性基含有電荷輸送材料の重合体又は架橋体を含む層）
２）非反応性の電荷輸送材料と、電荷輸送性骨格を有さず、反応性基を有する反応性基含有非電荷輸送材料と、を含む組成物の硬化膜で構成された層（つまり、非反応性の電荷輸送材料と、当該反応性基含有非電荷輸送材料の重合体又は架橋体と、を含む層）
【０２５２】
反応性基含有電荷輸送材料の反応性基としては、連鎖重合性基、エポキシ基、−ＯＨ、−ＯＲ［但し、Ｒはアルキル基を示す］、−ＮＨ２、−ＳＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳｉＲＱ１３−Ｑｎ（ＯＲＱ２）Ｑｎ［但し、ＲＱ１は水素原子、アルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表し、ＲＱ２は水素原子、アルキル基、トリアルキルシリル基を表す。Ｑｎは１〜３の整数を表す］等の周知の反応性基が挙げられる。
【０２５３】
連鎖重合性基としては、ラジカル重合しうる官能基であれば特に限定されるものではなく、例えば、少なくとも炭素二重結合を含有する基を有する官能基である。具体的には、ビニル基、ビニルエーテル基、ビニルチオエーテル基、スチリル基（フェニルビニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基等が挙げられる。なかでも、その反応性に優れることから、連鎖重合性基としては、ビニル基、スチリル基（フェニルビニル基）、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びそれらの誘導体から選択される少なくとも一つを含有する基であることが好ましい。
【０２５４】
反応性基含有電荷輸送材料の電荷輸送性骨格としては、電子写真感光体における公知の構造であれば特に限定されるものではなく、例えば、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の含窒素の正孔輸送性化合物に由来する骨格であって、窒素原子と共役している構造が挙げられる。これらの中でも、トリアリールアミン骨格が好ましい。
【０２５５】
これら反応性基及び電荷輸送性骨格を有する反応性基含有電荷輸送材料、非反応性の電荷輸送材料、反応性基含有非電荷輸送材料は、周知の材料から選択すればよい。
【０２５６】
保護層には、その他、周知の添加剤が含まれていてもよい。
【０２５７】
保護層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、トルエン、キシレン等の芳香族系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル等のセロソルブ系溶剤；イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶剤等が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。
なお、保護層形成用塗布液は、無溶剤の塗布液であってもよい。
【０２５８】
保護層形成用塗布液を感光層（例えば電荷輸送層）上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。
【０２５９】
保護層の膜厚は、例えば、好ましくは１μｍ以上２０μｍ以下、より好ましくは２μｍ以上１０μｍ以下の範囲内に設定される。
【０２６０】
（単層型感光層）
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、電荷発生材料と電荷輸送材料と、必要に応じて、結着樹脂、及びその他周知の添加剤と、を含む層である。なお、これら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。
そして、単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。また、単層型感光層中、電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して５質量％以上５０質量％以下がよい。
単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。
単層型感光層の膜厚は、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下がよく、好ましくは１０μｍ以上４０μｍ以下である。
【０２６１】
なお、本実施形態に係る画像形成装置に用いる電子写真感光体は、多重色ゴースト発生抑制の点で、以下の下引層と感光層とを組み合わせて設けられていることが好ましい。
下引層は、単位面積あたりの静電容量が０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下（好ましくは、０．４×１０−９Ｆ／ｃｍ２以上０．７×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下、より好ましくは、０．５×１０−９Ｆ／ｃｍ２以上０．６×１０−９Ｆ／ｃｍ２以下）である。また、下引層には、金属酸化物粒子として、酸化亜鉛粒子を含み、さらに、電子受容性化合物（好ましくは、ヒドロキシアントラキノン骨格を有する電子受容性化合物）を含むことが好ましい。
感光層は、前述のトリアリールアミン誘導体の電荷輸送材料、前述の一般式（ＣＴ１）で表されるブタジエン系の電荷輸送材料、及び一般式（ＣＴ２）で表されるエナミン系の電荷輸送材料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む電荷輸送材料と、ポリカーボネート樹脂を含む結着樹脂が好ましい。ポリカーボネート樹脂は、ＢＰポリカーボネート樹脂でもよい。さらに、感光層は、分子量３００以上のヒンダードフェノール系酸化防止剤およびベンゾフェノン系紫外線吸収剤からなる群より選択される少なくとも１種を含むことも好ましい。また、感光層は、フッ素含有樹脂粒子およびフッ素含分散剤の少なくとも１種を含むことも好ましい。
【実施例】
【０２６２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例において、特に限定のないかぎり「部」は「質量部」を意味し、「％」は「質量％」を意味する。
【０２６３】
＜電子写真感光体１の作製＞
［下引層の形成］
酸化亜鉛粒子（テイカ株式会社製、体積平均一次粒径：７０ｎｍ、比表面積：１５ｍ２／ｇ）１００質量部をメタノール５００質量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（表面処理剤）として、ＫＢＭ６０３（信越化学工業製、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）を酸化亜鉛粒子１００質量部に対し１．５質量部添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて除去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理したシランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
【０２６４】
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子６０質量部と、電子受容性化合物としてアリザリン０．６質量部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３４７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５質量部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学工業製）１５質量部とを、メチルエチルケトン８５質量部と混合した混合液を得た。この混合液３８質量部と、メチルエチルケトン２５質量部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間の分散（すなわち分散時間を４時間とする分散）を行い、分散液を得た。
得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５質量部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１３０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４．０質量部とを添加し、下引層形成用の塗布液を得た。
この塗布液を、浸漬塗布法にて直径２４ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、硬化温度：１９０℃、硬化時間：３０分の条件で乾燥硬化を行い、厚さ３５μｍの下引層を得た。
【０２６５】
［電荷発生層の形成］
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角（２θ±０．２゜）が少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜、及び２８．３゜の位置に回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶１５質量部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０質量部、及びｎ−ブチルアルコール３００質量部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散して電荷発生層形成用の塗布液を得た。この電荷発生層形成用の塗布液を前記下引層上に浸漬塗布し、乾燥して、厚さが０．２μｍの電荷発生層を得た。
【０２６６】
［電荷輸送層の形成］
（電荷輸送層形成用塗布液１の調製）
４フッ化エチレン樹脂粒子８質量部（平均粒径：０．２μｍ）およびフッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（重量平均分子量：８００００）０．０２質量部をテトラヒドロフラン３質量部およびトルエン２質量部と共に４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
次に、電荷輸送材料として後述の構造式（ＣＴａ−１Ａ）に示すトリス［４−（４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエニル）フェニル］アミンを４質量部、バインダー樹脂としてビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：４０，０００）６質量部、酸化防止剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．１質量部をテトラヒドロフラン２４部と混合して混合液を調整し、この混合液とトルエン１１部とを混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。この混合溶解液Ｂに４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａ液を加えて攪拌混合した後、貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興行株式会社製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧して、分散処理を４回繰り返した。この液に、フッ素変性シリコーンオイル（商品名：ＦＬ−１００、信越化学工業社製）を１０ｐｐｍ添加し、攪拌して電荷輸送層用塗布液を得た。
この塗布液を電荷発生層上に塗布して１１５℃で２５分間乾燥し、膜厚が３０μｍの電
荷輸送層を形成し、電子写真感光体１を得た。
【０２６７】
＜電子写真感光体２の作製＞
後述の構造式（ＣＴａ−１Ａ）に示す電荷輸送材料に代えて、前述の構造式（ＣＴ２−３）に示す構造を有するエナミン誘導体４質量部に変更した以外は、電子写真感光体１の作製と同様にして、電子写真感光体２を得た。
【０２６８】
＜電子写真感光体３の作製＞
ヒンダードフェノール系酸化防止剤「例示化合物（ＨＰ−１）、分子量７７５」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）を電荷輸送層にさらに含有させた以外は、電子写真感光体１の作製と同様にして、電子写真感光体３を得た。
【０２６９】
＜電子写真感光体４の作製＞
紫外線吸収剤として、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤「例示化合物（ＢＰ−１）」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）を電荷輸送層にさらに含有させた以外は、電子写真感光体１の作製と同様にして、電子写真感光体４を得た。
【０２７０】
＜電子写真感光体５〜８の作製＞
下引層に用いた材料種、感光層に用いた材料種を表１に示すように変更した以外は、電子写真感光体１の作製と同様にして、各電子写真感光体を得た。
【０２７１】
＜電子写真感光体９、１０の作製＞
下引層の厚さを表１に示すように変更した以外は、電子写真感光体３の作製と同様にして、各電子写真感光体を得た。
【０２７２】
＜電子写真感光体１１の作製＞
下引層形成用塗布液の調整において、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて分散時間の４時間を２時間に変えた以外は、電子写真感光体３の作製と同様にして、電子写真感光体１１を得た。
【０２７３】
＜電子写真感光体１２の作製＞
下引層形成用塗布液の調整において、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて分散時間の４時間を６時間に変え、下引層の厚さを表１に示すように変更した以外は、電子写真感光体３の作製と同様にして、電子写真感光体１２を得た。
【０２７４】
＜電子写真感光体Ｃ１の作製＞
下引層の膜厚を１９μmにした以外は、電子写真感光体１の作製と同様にして、電子写真感光体Ｃ１を得た。
【０２７５】
＜電子写真感光体Ｃ２の作製＞
紫外線吸収剤として、「例示化合物（ＨＰ−１）、分子量７７５」３．２質量部（全電荷輸送材料合計量１００質量％に対して８．０質量％）を使用した以外は電子写真感光体Ｃ１の作製と同様にして、電子写真感光体Ｃ２を得た。
【０２７６】
＜電子写真感光体Ｃ３の作製＞
下引層形成用塗布液の調整において、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて分散時間の４時間を１４時間に変え、下引層の厚さを表１に示すように変更した以外は、電子写真感光体１の作製と同様にして、電子写真感光体Ｃ３を得た。
【０２７７】
［実施例１〜１２、比較例１〜３］
上記で得られた各電子写真感光体を、画像形成装置（富士ゼロックス社製：ＤｏｃｕＰｒｉｎｔ  Ｃ２１１０）から除電手段を取り除いた改造機に搭載し、各例の画像形成装置として、以下の評価を行った。なお、静電容量の測定は、既述の方法にしたがって行った。結果を表１に示す。
【０２７８】
（多重色ゴーストの評価）
温度２２℃、湿度５０％の環境下で、３次色の画像濃度５０％のハーフトーン画像を形成した後、次のサイクルの白紙画像およびハーフトーン画像に現れる多重色ゴーストを目視にて観察し、下記評価基準により評価した。
−評価基準−
Ａ（◎）：目視上多重色ゴースト未発生
Ｂ（○）：目視上多重色ゴーストの発生が認められるが、合格レベルである。
Ｃ（×）：目視上多重色ゴーストの発生が認められ、不合格レベルである。
【０２７９】
【表１】
2020027195.tif 000032
【０２８０】
表１中の略称の詳細は以下の通りである。
ＡＱ１−９：電子受容性化合物の例示化合物（１−９）
ＣＴａ−１Ａ：トリス［４−（４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエニル）フェニル］アミン（下記構造式（ＣＴａ−１Ａ）で表される電荷輸送材料）
ＣＴ２−３：エナミン系電荷輸送材料（ＣＴ２）の例示化合物（ＣＴ２−３）
ＣＴ１−３：ブタジエン系電荷輸送材料（ＣＴ１）の例示化合物（ＣＴ１−３）
ＰＣ−Ｚ：ＰＣＺ５００：ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（ビスフェノールＺの単独重合型ポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量４万）
ＰＣ−ＢＰ：下記構造式（ＰＣ−１）で示されるポリカーボネート共重合体（ｐｍ：ｐｎ＝２５：７５、重量平均分子量：５３０００）
ＨＰ−１  ：ヒンダードフェノール系酸化防止剤の例示化合物（ＨＰ−１）
ＢＰ−１  ：ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例示化合物（ＢＰ−１）
【０２８１】
上記結果から、本実施例の電子写真感光体は、比較例の電子写真感光体に比べ、白紙画像、ハーフトーン画像ともに、多重色ゴーストの発生が抑制されていることが分かる。
【０２８２】
【化３０】
2020027195.tif 000033
【０２８３】
【化３１】
2020027195.tif 000034
【符号の説明】
【０２８４】
１  下引層、２  電荷発生層、３  電荷輸送層、４  導電性基体、７  電子写真感光体、７Ａ  電子写真感光体、８  帯電装置、９  露光装置、１１  現像装置、１３  クリーニング装置、１４  潤滑材、４０  転写装置、５０  中間転写体、１００  画像形成装置、１２０  画像形成装置、１３１  クリーニングブレード、３００  画像形成ユニット（プロセスカートリッジ）
【図１】
2020027195.tif 000040
【図２】
2020027195.tif 000041
【図３】
2020027195.tif 000042