(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、前処理ライン３と、塗布ライン４と、現像処理ラインと、第１搬送部１０と、第２搬送部９Ｂと、第３搬送部１１とを備える。前処理ライン３は、基板に前処理を行う。塗布ライン４は、前処理ライン３に対して並列に配置され、前処理が行われた基板Ｓに処理液を塗布する。現像処理ラインは、前処理ライン３の上方、または下方に配置され、処理液が塗布された基板Ｓに現像処理を行う。第１搬送部１０は、前処理ライン３と塗布ライン４との間に設けられ、前処理ライン３から塗布ライン４に基板Ｓを搬送する。第２搬送部９Ｂは、第１搬送部１０に対して直列に配置され、外部装置を介して現像処理ラインに基板Ｓを搬送する。第３搬送部１１は、第１搬送部１０に対して直列に配置され、現像処理ラインから基板Ｓを搬送する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に前処理を行う前処理ラインと、
前記前処理ラインに対して並列に配置され、前記前処理が行われた前記基板に処理液を塗布する塗布ラインと、
前記前処理ラインの上方、または下方に配置され、前記処理液が塗布された前記基板に現像処理を行う現像処理ラインと、
前記前処理ラインと前記塗布ラインとの間に設けられ、前記前処理ラインから前記塗布ラインに前記基板を搬送する第１搬送部と、
前記第１搬送部に対して直列に配置され、外部装置を介して前記現像処理ラインに前記基板を搬送する第２搬送部と、
前記第１搬送部に対して直列に配置され、前記現像処理ラインから前記基板を搬送する第３搬送部と
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記第１搬送部と前記第３搬送部との間に配置され、前記処理液が塗布された前記基板が前記第１搬送部によって載置される載置部
を備える請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第３搬送部は、
前記載置部から前記基板を搬送可能である
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記載置部は、
前記処理液が塗布された前記基板に熱処理を行う熱処理部である
請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１搬送部と前記第２搬送部との間に配置され、前記載置部から前記基板が前記第１搬送部によって搬送され、前記基板に熱処理を行う熱処理部
を備え、
前記載置部は、
前記処理液が塗布された前記基板に減圧乾燥処理を行う減圧乾燥部であり、
前記第２搬送部は、
前記熱処理部から前記基板を搬送する
請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記熱処理部は、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記加熱部によって加熱された前記基板を冷却する冷却部と
を備え、
前記冷却部は、
前記処理液が塗布された前記基板が前記第１搬送部によって搬入され、かつ冷却された前記基板が前記第１搬送部によって搬出される
請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記熱処理部は、
前記処理液が塗布された前記基板が前記第１搬送部によって搬送される搬入部と、
前記第１搬送部とは異なる第４搬送部によって前記搬入部から前記基板が搬送され、前記基板を加熱する加熱部と、
前記第４搬送部によって前記加熱部から前記基板が搬送され、前記加熱部によって加熱された前記基板を冷却する冷却部と
を備える請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１搬送部に対して直列に配置され、前記現像処理が行われた前記基板を加熱する現像加熱部
を備え、
前記第３搬送部は、
前記現像処理ラインから前記現像加熱部に前記基板を搬送する
請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前処理ラインによって前処理が行われた基板を、前記前処理ラインと、前記前処理ラインに対して並列に配置され、前記基板に処理液を塗布する塗布ラインとの間に設けられた第１搬送部によって前記塗布ラインに搬送する第１搬送工程と、
前記処理液が塗布された前記基板を、前記第１搬送部に対して直列に配置された第２搬送部によって、前記前処理ラインの上方、または下方に配置され、現像処理を行う現像処理ラインに外部装置を介して搬送する第２搬送工程と、
前記現像処理が行われた前記基板を、前記第１搬送部に対して直列に配置された第３搬送部によって前記現像処理ラインから搬送する第３搬送工程と
を有する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、第１搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、フォトレジスト膜を基板に形成し、基板が露光された後に第２搬送ラインに沿って基板を搬送しつつ、現像処理を基板に行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５８２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板処理装置の全長を短くする技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、前処理ラインと、塗布ラインと、現像処理ラインと、第１搬送部と、第２搬送部と、第３搬送部とを備える。前処理ラインは、基板に前処理を行う。塗布ラインは、前処理ラインに対して並列に配置され、前処理が行われた基板に処理液を塗布する。現像処理ラインは、前処理ラインの上方、または下方に配置され、処理液が塗布された基板に現像処理を行う。第１搬送部は、前処理ラインと塗布ラインとの間に設けられ、前処理ラインから塗布ラインに基板を搬送する。第２搬送部は、第１搬送部に対して直列に配置され、外部装置を介して現像処理ラインに基板を搬送する。第３搬送部は、第１搬送部に対して直列に配置され、現像処理ラインから基板を搬送する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板処理装置の全長を短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す左側方図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。
【図４Ａ】図４Ａは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。
【図４Ｆ】図４Ｆは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。
【図４Ｇ】図４Ｇは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その７）である。
【図４Ｈ】図４Ｈは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その８）である。
【図４Ｉ】図４Ｉは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その９）である。
【図４Ｊ】図４Ｊは、第１実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１０）である。
【図５】図５は、第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その１）である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その２）である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その３）である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その４）である。
【図６Ｅ】図６Ｅは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その５）である。
【図６Ｆ】図６Ｆは、第２実施形態に係る基板処理装置における基板の搬送経路を示す図（その６）である。
【図７】図７は、変形例に係る基板処理装置における第１熱処理ユニットをＸ軸正方向から見た概略構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により開示される基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。
【０００９】
以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す。Ｘ軸方向、およびＹ軸方向は、水平方向である。
【００１０】
また、ここでは、Ｘ軸正方向を前方とし、Ｘ軸負方向を後方とする前後方向を規定し、Ｙ軸負方向を左方とし、Ｙ軸正方向を右方とする左右方向を規定する。また、Ｚ軸正方向を上方とし、Ｚ軸負方向を下方とする上下方向を規定する。
【００１１】
（第１実施形態）
＜全体構成＞
第１実施形態に係る基板処理装置１について図１、および図２を参照し説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１の一部の概略構成を示す左側方図である。
【００１２】
基板処理装置１は、カセットステーション２と、第１処理ライン３（前処理ラインの一例）と、第２処理ライン４（塗布ラインの一例）と、第３処理ライン５（現像処理ラインの一例）とを備える。また、基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）（載置部、減圧乾燥部の一例）６と、第１熱処理ユニット７（載置部、熱処理部の一例）と、第２熱処理ユニット８とを備える。また、基板処理装置１は、第２搬送部９Ｂを含むインターフェースステーション９と、第１搬送部１０と、第３搬送部１１と、制御装置１２とを備える。
【００１３】
カセットステーション２には、複数のガラス基板Ｓ（以下、「基板Ｓ」と称する。）を収容するカセットＣが載置される。カセットステーション２は、複数のカセットＣを載置可能な載置台１３と、カセットＣと第１処理ライン３との間、および後述する検査ユニット（ＩＰ）６５とカセットＣとの間で基板Ｓの搬送を行う搬送装置１４とを備える。なお、基板Ｓは、矩形状である。また、カセットステーション２は、外部装置として設けられてもよい。すなわち、基板処理装置１は、カセットステーション２を含まない構成であってもよい。
【００１４】
搬送装置１４は、搬送アーム１４ａを備える。搬送アーム１４ａは、水平方向（前後方向、および左右方向）および鉛直方向への移動が可能である。また、搬送装置１４は、鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
【００１５】
第１処理ライン３は、第２処理ライン４に搬送される基板Ｓに前処理を行う。具体的には、第１処理ライン３には、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２０と、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、プレヒートユニット（ＰＨ）２２と、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２３と、第１冷却ユニット（ＣＯＬ）２４とが含まれる。
【００１６】
第１処理ライン３では、ユニット２０〜２４は、カセットステーション２から露光システム６０の露光装置６１に向かう方向に並んで配置される。具体的には、ユニット２０〜２４は、エキシマＵＶ照射ユニット２０、スクラブ洗浄ユニット２１、プレヒートユニット２２、アドヒージョンユニット２３、および第１冷却ユニット２４の順にＸ軸正方向に沿って配置される。第１処理ライン３は、第３処理ライン５の上方に配置される。なお、第１処理ライン３は、第３処理ライン５の下方に配置されてもよい。
【００１７】
エキシマＵＶ照射ユニット２０は、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光を照射し、基板Ｓ上に付着した有機物を除去する。
【００１８】
スクラブ洗浄ユニット２１は、有機物が除去された基板Ｓに、洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））を供給しつつ、ブラシなどの洗浄部材によって基板Ｓの表面を洗浄する。またスクラブ洗浄ユニット２１は、ブロワーなどによって洗浄した基板Ｓを乾燥させる。
【００１９】
プレヒートユニット２２は、スクラブ洗浄ユニット２１によって乾燥された基板Ｓを加熱し、基板Ｓをさらに乾燥させる。
【００２０】
アドヒージョンユニット２３は、乾燥された基板Ｓにヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けて、基板Ｓに疎水処理を行う。
【００２１】
第１冷却ユニット２４は、疎水処理が行われた基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却する。第１冷却ユニット２４によって冷却された基板Ｓは、第１冷却ユニット２４に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される搬出部２５に搬送される。なお、搬出部２５は、第１冷却ユニット２４に含まれてもよい。
【００２２】
第１処理ライン３では、基板ＳはＸ軸正方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１５によって搬送される。コロ搬送機構１５は、複数のコロ１５ａを駆動装置（不図示）で回転させることで、基板Ｓを搬送する。コロ搬送機構１５は、図２において一部を記載し、他は省略する。平流し搬送とは、基板Ｓが水平に保たれた状態、またはＹ軸方向に傾斜した状態で、所定の方向、例えば、Ｘ軸方向に沿って搬送されることである。なお、基板Ｓは、コンベア搬送機構などによって平流し搬送されてもよい。
【００２３】
第１処理ライン３では、基板Ｓの長辺（長手方向）が搬送方向（Ｘ軸正方向）に平行となる状態で基板Ｓが平流し搬送される。以下では、基板Ｓの長辺が基板Ｓの搬送方向に平行となる状態で搬送されることを、「長辺流し搬送」と称する。また、基板Ｓの短辺が基板Ｓの搬送方向に平行となる状態で搬送されることを「短辺流し搬送」と称する。
【００２４】
第２処理ライン４は、基板Ｓにフォトレジスト液（処理液の一例）を塗布し、フォトレジスト膜を形成する形成処理を行う。第２処理ライン４は、第１処理ライン３に対して並列に配置される。具体的には、第２処理ライン４は、第１処理ライン３の左方に配置される。すなわち、第１処理ライン３、および第２処理ライン４は、左右方向に並んで配置される。第２処理ライン４には、第１処理ライン３の第１冷却ユニット２４によって冷却された基板Ｓが第１搬送部１０によって搬送される。
【００２５】
第２処理ライン４には、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２７が含まれる。フォトレジスト塗布ユニット２７は、基板Ｓ上にフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓ上にフォトレジスト膜を形成する。
【００２６】
第２処理ライン４では、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、浮上式の搬送機構（不図示）によって搬送される。浮上式の搬送機構は、例えば、左右方向の両端で基板Ｓを下方から支持し、基板Ｓに向けて下方から圧縮空気を吹き付けて基板Ｓを水平に保持しつつ、基板Ｓを移動させる。
【００２７】
なお、第２処理ライン４では、フォトレジスト液を塗布する箇所付近の基板Ｓの搬送に浮上式の搬送機構が用いられ、その他の箇所では基板Ｓの搬送に、例えば、コロ搬送機構１５が用いられてもよい。第２処理ライン４では、基板Ｓは長辺流し搬送される。また、第２処理ライン４では、基板Ｓは載置台に載置された状態で搬送され、フォトレジスト膜が形成されてもよい。
【００２８】
第１搬送部１０は、第１処理ライン３と第２処理ライン４との間に配置される。第１搬送部１０は、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１０Ａを備える。また、第１搬送部１０は、前後方向に沿った移動、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
【００２９】
第１搬送部１０は、第１処理ライン３から第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する第１搬送処理（第１搬送工程の一例）を行う。また、第１搬送部１０は、第２処理ライン４から減圧乾燥ユニット６に基板Ｓを搬送する第２搬送処理を行う。また、第１搬送部１０は、減圧乾燥ユニット６から第１熱処理ユニット７に基板Ｓを搬送する第３搬送処理を行う。また、第１搬送部１０は、第４搬送処理（第２搬送工程の一例）の一部を行う。具体的には、第１搬送部１０は、第４搬送処理の一部として、第１熱処理ユニット７からインターフェースステーション９に基板Ｓを搬送する。
【００３０】
減圧乾燥ユニット６は、第２処理ライン４に対して直列に配置される。具体的には、減圧乾燥ユニット６は、第２処理ライン４に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。減圧乾燥ユニット６には、第２処理ライン４によってフォトレジスト膜が形成された基板Ｓが第１搬送部１０によって搬送される。
【００３１】
減圧乾燥ユニット６は、フォトレジスト膜が形成された基板Ｓに減圧乾燥処理を行う。具体的には、減圧乾燥ユニット６は、基板Ｓ上に形成されたフォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥させる。なお、減圧乾燥ユニット６は、上下方向に複数段配置されてもよい。
【００３２】
第１熱処理ユニット７は、第１搬送部１０に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。第１熱処理ユニット７には、減圧乾燥ユニット６によって減圧乾燥処理が行われた基板Ｓが第１搬送部１０によって搬送される。すなわち、第１熱処理ユニット７には、基板Ｓが第１搬送部１０によって載置される。
【００３３】
第１熱処理ユニット７は、減圧乾燥処理が行われた基板Ｓに第１熱処理を行う。第１熱処理ユニット７には、第１加熱ユニット（ＰＥ／ＢＡＫＥ）３０（加熱部の一例）と、第２冷却ユニット（ＣＯＬ）３１（冷却部の一例）とが含まれる。
【００３４】
第１熱処理ユニット７では、第１搬送部１０によって基板Ｓが第２冷却ユニット３１に搬入される。また、第１熱処理ユニット７では、第１搬送部１０によって第２冷却ユニット３１から基板Ｓが搬出される。第１熱処理ユニット７には、コロ搬送機構や、コンベア搬送機構や、搬送アームなどの内部搬送機構（不図示）が設けられ、第２冷却ユニット３１と第１加熱ユニット３０との間で基板Ｓを搬送することができる。
【００３５】
なお、第１熱処理ユニット７では、第１搬送部１０によって基板Ｓが第１加熱ユニット３０に搬入されてもよい。そして、第１熱処理ユニット７では、第２冷却ユニット３１によって冷却した基板Ｓを第１加熱ユニット３０から搬出してもよい。
【００３６】
第１加熱ユニット３０は、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓ、すなわちフォトレジスト膜が形成され、減圧乾燥された基板Ｓを加熱する。フォトレジスト膜が乾燥された基板Ｓは、内部搬送機構によって第２冷却ユニット３１から第１加熱ユニット３０に搬送される。第１加熱ユニット３０は、基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に含まれる溶剤などを除去する。第１加熱ユニット３０は、プレート式の加熱ユニットであり、基板Ｓがプレート（不図示）に載置された状態で、プレートを加熱することで基板Ｓを加熱する。なお、第１加熱ユニット３０は、複数設けられてもよい。
【００３７】
第２冷却ユニット３１は、第１加熱ユニット３０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第１加熱ユニット３０によって加熱された基板Ｓは、内部搬送機構によって第２冷却ユニット３１に搬送される。第２冷却ユニット３１は、例えば、プレート式の冷却ユニットであり、さらに基板Ｓに冷風を吹き付けて基板Ｓを冷却してもよい。第２冷却ユニット３１によって冷却された基板Ｓは、第１搬送部１０によって搬出される。なお、第２冷却ユニット３１は、複数設けられてもよい。
【００３８】
インターフェースステーション９は、第１搬送部１０、および第２処理ライン４に対してＸ軸正方向側に隣接するように配置される。具体的には、インターフェースステーション９は、露光装置６１と、第１搬送部１０、および第２処理ライン４との間に配置される。インターフェースステーション９は、ロータリーステージ（ＲＯＴ）９Ａと、第２搬送部９Ｂとを備える。
【００３９】
ロータリーステージ９Ａは、第２処理ライン４に対してＸ軸正方向側に隣接するように配置される。ロータリーステージ９Ａには、第１熱処理ユニット７によって第１熱処理が行われた基板Ｓが第１搬送部１０によって搬送される。
【００４０】
ロータリーステージ９Ａは、基板Ｓを水平方向に９０度または−９０度回転させる。なお、ロータリーステージ９Ａは、基板Ｓの温度を調整する温調装置を設けてもよい。
【００４１】
第２搬送部９Ｂは、第１搬送部１０に対して直列に配置される。具体的には、第２搬送部９Ｂは、第１搬送部１０に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。第２搬送部９Ｂは、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）９Ｃを備える。また、第２搬送部９Ｂは、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
【００４２】
第２搬送部９Ｂは、第４搬送処理の一部を行う。具体的には、第２搬送部９Ｂは、ロータリーステージ９Ａから露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部９Ｂは、露光装置６１から露光システム６０の周辺装置６２に基板Ｓを搬送する。なお、周辺装置６２に搬送された基板Ｓは、外部装置である周辺装置６２から第３処理ライン５に搬送される。すなわち、第２搬送部９Ｂは、周辺装置６２を介して基板Ｓを第３処理ライン５に搬送する。
【００４３】
なお、インターフェースステーション９は、露光装置６１によって露光された基板Ｓを一時的に載置するバッファ部（不図示）を備えてもよい。バッファ部は、例えば、周辺装置６２の上方に配置される。これにより、例えば、第３処理ライン５において処理に遅延が生じた場合に、基板処理装置１は、露光が終了した基板Ｓをバッファ部に一時的に載置し、基板Ｓに対する処理、形成処理や、第１熱処理などを継続して行うことができる。
【００４４】
露光システム６０は、露光装置６１と、周辺装置（ＥＥ／ＴＩＴＬＥＲ）６２とを備える。
【００４５】
露光装置６１は、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。
【００４６】
周辺装置６２は、第３処理ライン５に対してＸ軸正方向側に隣接するように配置される。周辺装置６２は、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）とを備える。周辺露光装置は、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去する。タイトラーは、基板Ｓに管理用コードを書き込む。
【００４７】
第３処理ライン５は、露光システム６０によって露光された基板Ｓに現像処理を行う。第３処理ライン５は、周辺装置６２から搬送される基板Ｓに現像処理を行う。言い換えると、第３処理ライン５は、周辺装置６２を介して第２搬送部９Ｂによって搬送された基板Ｓに現像処理を行う。
【００４８】
第３処理ライン５は、第１処理ライン３の下方に配置される。第３処理ライン５は、周辺装置６２よりもＸ軸負方向側に配置される。なお、第３処理ライン５、および周辺装置６２は、第１処理ライン３よりも上方に配置されてもよい。
【００４９】
第３処理ライン５では、基板ＳはＸ軸負方向に沿って平流し搬送される。第３処理ライン５では、基板Ｓは短辺平流し搬送される。例えば、基板Ｓは、コロ搬送機構１５によって搬送される。
【００５０】
第３処理ライン５には、現像ユニット（ＤＥＶ）４０と、洗浄ユニット（ＲＩＮ）４１と、乾燥ユニット（ＤＲＹ）４２とが含まれる。第３処理ライン５では、ユニット４０〜４２は、現像ユニット４０、洗浄ユニット４１、および乾燥ユニット４２の順にＸ軸負方向に沿って配置される。
【００５１】
現像ユニット４０は、周辺装置６２から搬送された基板Ｓに対し、露光されたフォトレジスト膜を現像液により現像する。洗浄ユニット４１は、フォトレジスト膜を現像した基板Ｓ上の現像液を洗浄液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ））によって洗い流す。乾燥ユニット４２は、洗浄液によって洗い流した基板Ｓ上の洗浄液を乾燥させる。乾燥ユニット４２によって乾燥された基板Ｓは、乾燥ユニット４２に対してＸ軸負方向側に隣接して配置された搬出部４３に搬送される。なお、搬出部４３は、乾燥ユニット４２に含まれてもよい。
【００５２】
基板処理装置１では、第３処理ライン５は、第１処理ライン３の下方に配置されている。そのため、洗浄ユニット４１に供給される洗浄液と、第１処理ライン３のスクラブ洗浄ユニット２１に供給される洗浄液を共通の洗浄液タンク（不図示）から供給することができる。また、基板処理装置１は、洗浄ユニット４１、およびスクラブ洗浄ユニット２１と、洗浄液タンクとを接続する配管（不図示）を短くすることができる。
【００５３】
第３処理ライン５によって現像処理が行われた基板Ｓは、第３搬送部１１によって搬出部４３から第２熱処理ユニット８に搬送される。
【００５４】
第２熱処理ユニット８は、現像処理が行われた基板Ｓに第２熱処理を行う。第２熱処理ユニット８は、第２加熱ユニット（ＰＯ／ＢＡＫＥ）５０（現像加熱部の一例）と、第３冷却ユニット（ＣＯＬ）５１とを備える。
【００５５】
第２加熱ユニット５０は、現像処理が行われた基板Ｓを加熱する。第２加熱ユニット５０は、第３搬送部１１に対してＸ軸負方向側に隣接するように配置される。具体的には、第２加熱ユニット５０は、第３搬送部１１とカセットステーション２との間に配置される。第２加熱ユニット５０は、例えば、上下方向に複数段配置される。
【００５６】
第２加熱ユニット５０には、第３処理ライン５によって現像処理が行われた基板Ｓが第３搬送部１１によって搬送される。第２加熱ユニット５０は、リンス液が乾燥された基板Ｓを加熱し、フォトレジスト膜に残る溶剤、およびリンス液を除去する。第２加熱ユニット５０は、第１加熱ユニット３０と同様に、プレート式の加熱ユニットである。
【００５７】
第３冷却ユニット５１は、第３処理ライン５の搬出部４３の上方に配置され、第２加熱ユニット５０によって加熱された基板Ｓを冷却する。第３冷却ユニット５１には、第２加熱ユニット５０によって溶剤、およびリンス液が除去された基板Ｓが、第３搬送部１１によって搬送される。第３冷却ユニット５１によって冷却された基板Ｓは、第３搬送部１１によって検査ユニット６５に搬送される。なお、第３冷却ユニット５１は、複数設けられてもよい。第３冷却ユニット５１は、検査ユニット６５の上方にも配置されてもよい。
【００５８】
第３搬送部１１は、第１搬送部１０に対して直列に配置される。第３搬送部１１は、第１搬送部１０よりもＸ軸負方向側に配置される。なお、第３搬送部１１と第１搬送部１０との間には、第１熱処理ユニット７が配置される。第３搬送部１１は、水平方向に伸縮可能な搬送アーム（ＳＡ）１１Ａを備える。また、第３搬送部１１は、上下方向に沿った移動、および鉛直軸を中心とする旋回が可能である。
【００５９】
第３搬送部１１は、第３処理ライン５から第２加熱ユニット５０に基板Ｓを搬送する第５搬送処理（第３搬送工程の一例）を行う。また、第３搬送部１１は、第３冷却ユニット５１から検査ユニット６５に基板Ｓを搬送する第６搬送処理を行う。また、第３搬送部１１は、第２熱処理ユニット８において基板Ｓの搬送を行う。具体的には、第３搬送部１１は、第２加熱ユニット５０から第３冷却ユニット５１に基板Ｓを搬送する。
【００６０】
検査ユニット６５は、フォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査を行う。検査ユニット６５によって検査が行われた基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。
【００６１】
基板処理装置１では、第１搬送部１０、第２搬送部９Ｂ、および第３搬送部１１は、Ｘ軸方向に沿って並んで配置される。具体的には、基板処理装置１では、第１搬送部１０、第２搬送部９Ｂ、および第３搬送部１１は、Ｘ軸正方向に沿って、第３搬送部１１、第１搬送部１０、および第２搬送部９Ｂの順に並んで配置される。
【００６２】
制御装置１２は、例えば、コンピュータであり、制御部１２Ａと記憶部１２Ｂとを備える。記憶部１２Ｂは、例えば、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、フラッシュメモリ（Flash  Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。
【００６３】
制御部１２Ａは、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ＲＡＭ、入出力ポート等を含むマイクロコンピュータや各種回路を含む。マイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、カセットステーション２や、各処理ライン３〜５などの制御を実現する。
【００６４】
なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されており、記憶媒体から制御装置１２の記憶部１２Ｂにインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００６５】
＜基板処理＞
次に、第１実施形態に係る基板処理について図３、および図４Ａ〜図４Ｊを参照し説明する。図３は、第１実施形態に係る基板処理を示すフローチャートである。図４Ａ〜図４Ｊは、第１実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１〜その１０）である。なお、図４Ａ〜図４Ｊは、説明のため、第１処理ライン３と第３処理ライン５とを並べて記載している。
【００６６】
基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。基板処理装置１は、図４Ａに示すように、カセットステーション２から第１処理ライン３に基板Ｓを搬送し、基板Ｓを平流し搬送しつつ、基板Ｓに前処理を行う。
【００６７】
基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１１）。基板処理装置１は、図４Ｂに示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓを第１処理ライン３から第２処理ライン４に搬送する。
【００６８】
基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１２）。基板処理装置１は、図４Ｂに示すように、基板Ｓを平流し搬送しつつ、フォトレジスト塗布ユニット２７によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。
【００６９】
基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１３）。基板処理装置１は、図４Ｃに示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓを第２処理ライン４から減圧乾燥ユニット６に搬送する。
【００７０】
基板処理装置１は、減圧乾燥処理を行う（Ｓ１４）。基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６によって基板Ｓを減圧乾燥させる。
【００７１】
基板処理装置１は、第３搬送処理を行う（Ｓ１５）。基板処理装置１は、図４Ｄに示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓを減圧乾燥ユニット６から第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１に搬送する。
【００７２】
基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１６）。基板処理装置１は、図４Ｅに示すように、第２冷却ユニット３１から第１加熱ユニット３０に基板Ｓを搬送し、第１加熱ユニット３０によって基板Ｓを加熱する。
【００７３】
さらに、基板処理装置１は、第１加熱ユニット３０によって加熱した基板Ｓを第２冷却ユニット３１に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット３１によって基板Ｓを冷却する。
【００７４】
基板処理装置１は、第４搬送処理を行う（Ｓ１７）。基板処理装置１は、図４Ｆに示すように、基板Ｓを第１搬送部１０によって第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１から、インターフェースステーション９のロータリーステージ９Ａに搬送する。そして、基板処理装置１は、ロータリーステージ９Ａによって水平方向に９０度または−９０度回転した基板Ｓを第２搬送部９Ｂによって露光システム６０の露光装置６１に搬送する。また、基板処理装置１は、基板Ｓを第２搬送部９Ｂによって露光装置６１から周辺装置６２に搬送する。
【００７５】
基板処理装置１は、現像処理を行う（Ｓ１８）。具体的には、基板処理装置１は、図４Ｇに示すように、基板Ｓを周辺装置６２から第３処理ライン５に搬送する。そして、基板処理装置１は、基板Ｓを平流し搬送しつつ、現像ユニット４０によって基板Ｓを現像する。また、基板処理装置１は、現像した基板Ｓを洗浄ユニット４１によって洗い流し、乾燥ユニット４２によって乾燥させる。
【００７６】
基板処理装置１は、第５搬送処理を行う（Ｓ１９）。基板処理装置１は、図４Ｈに示すように、基板Ｓを第３搬送部１１によって第３処理ライン５の搬出部４３から第２熱処理ユニット８の第２加熱ユニット５０に搬送する。
【００７７】
基板処理装置１は、第２熱処理を行う（Ｓ２０）。具体的には、基板処理装置１は、基板Ｓを第２加熱ユニット５０によって加熱する。そして、基板処理装置１は、図４Ｉに示すように、加熱した基板Ｓを第３搬送部１１によって第３処理ライン５の搬出部４３の上方に配置された第３冷却ユニット５１に搬送し、基板Ｓを冷却する。
【００７８】
基板処理装置１は、第６搬送処理を行う（Ｓ２１）。基板処理装置１は、図４Ｊに示すように、第３搬送部１１によって基板Ｓを第３冷却ユニット５１から検査ユニット６５に搬送する。検査が終了した基板Ｓは、カセットステーション２に搬送される。
【００７９】
＜効果＞
基板処理装置１は、基板Ｓに前処理を行う第１処理ライン３と、第１処理ライン３に対して並列に配置され、前処理が行われた基板Ｓにフォトレジスト液を塗布する第２処理ライン４とを備える。また、基板処理装置１は、第１処理ライン３の上方に配置され、フォトレジスト液が塗布された基板Ｓに現像処理を行う第３処理ライン５を備える。また、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第２処理ライン４との間に設けられ、第１処理ライン３から第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する第１搬送部１０を備える。また、基板処理装置１は、第１搬送部１０に対して直列に配置され、周辺装置６２を介して第３処理ライン５に基板Ｓを搬送する第２搬送部９Ｂを備える。また、基板処理装置１は、第１搬送部１０に対して直列に配置され、第３処理ライン５から基板Ｓを搬送する第３搬送部１１を備える。
【００８０】
これにより、基板処理装置１は、前処理を行う第１処理ライン３と、フォトレジスト膜を形成する第２処理ライン４とを左右方向に並べて配置することができる。そのため、基板処理装置１は、Ｘ軸方向（前後方向）の長さ、すなわち、基板処理装置１の全長を短くすることができる。
【００８１】
また、基板処理装置１は、第１処理ライン３と第３処理ライン５とを上下方向に積層して配置することで、Ｙ軸方向（左右方向）の長さが長くなることを抑制することができる。また、基板処理装置１は、例えば、第１処理ライン３のスクラブ洗浄ユニット２１と、第３処理ライン５の洗浄ユニット４１とに同じ洗浄液タンクから洗浄液を供給することができる。また、基板処理装置１は、各洗浄ユニット２１、４１と、洗浄液タンクとを接続する配管を短くすることができる。すなわち、基板処理装置１は、共通の洗浄液タンクを使用しつつ、洗浄液タンクと各洗浄ユニット２１、４１とを接続する配管を短くすることができる。そのため、基板処理装置１は、装置全体を小型化するとともに、コストを削減することができる。
【００８２】
また、基板処理装置１は、第１搬送部１０を第１処理ライン３と第２処理ライン４との間に配置し、かつ第２搬送部９Ｂ、および第３搬送部１１を第１搬送部１０に対して直列に配置する。具体的には、基板処理装置１は、第１搬送部１０、第２搬送部９Ｂ、および第３搬送部１１をＸ軸方向に沿って配置する。
【００８３】
これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３や、第３処理ライン５におけるＸ軸方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。
【００８４】
基板処理装置１は、第１搬送部１０と第３搬送部１１との間に配置され、基板Ｓが第１搬送部１０によって搬送される第１熱処理ユニット７を備える。
【００８５】
これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３や、第２処理ライン４におけるＸ軸方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。また、基板処理装置１は、第１処理ライン３から第２処理ライン４への第１搬送処理、および減圧乾燥ユニット６から第１熱処理ユニット７への第３搬送処理を同一の第１搬送部１０によって行うことができる。そのため、基板処理装置１は、搬送部の数を少なくし、コストを削減することができる。
【００８６】
また、基板処理装置１は、第１熱処理ユニット７として、基板Ｓを加熱する第１加熱ユニット３０と、第１加熱ユニット３０によって加熱された基板Ｓを冷却する第２冷却ユニット３１とを備える。そして、基板処理装置１は、第１搬送部１０によって基板Ｓを第２冷却ユニット３１に搬入し、かつ第１搬送部１０によって第２冷却ユニット３１から基板Ｓを搬出する。すなわち、第１搬送部１０は、第１加熱ユニット３０内に挿入されない。
【００８７】
また、基板処理装置１は、第１加熱ユニット３０と第２冷却ユニット３１とを１つの第１熱処理ユニット７として設けることで、第１加熱ユニット３０と第２冷却ユニット３１との間で第１搬送部１０を用いずに基板Ｓを搬送させることができる。
【００８８】
これにより、基板処理装置１は、第１搬送部１０が加熱されることを防止することができる。そのため、基板処理装置１は、第１搬送部１０によって基板Ｓを搬送する場合に、第１搬送部１０から基板Ｓに熱が伝わることを抑制することができる。従って、第２処理ライン４に搬送される基板Ｓの温度が高くなることを抑制し、基板Ｓにフォトレジスト液の塗布斑が発生することを抑制することができる。また、基板処理装置１は、第１搬送部１０から基板Ｓへ熱が伝わることを抑制する熱転写対策を施さずに、基板Ｓを第１搬送部１０によって搬送することができる。従って、基板処理装置１は、コストを削減することができる。また、基板処理装置１は、第１搬送部１０による搬送工数を少なくすることができる。
【００８９】
また、基板処理装置１は、第２熱処理ユニット８の第２加熱ユニット５０を、第１搬送部１０に対して直列に配置する。そして、基板処理装置１は、第３搬送部１１によって第３処理ライン５から基板Ｓを第２加熱ユニット５０に搬送する。
【００９０】
これにより、基板処理装置１は、第１処理ライン３や、第３処理ライン５におけるＸ軸方向の長さを短くすることができ、基板処理装置１の全長を短くすることができる。
【００９１】
（第２実施形態）
＜全体構成＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１について図５を参照し説明する。図５は、第２実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。ここでは、第１実施形態とは異なる箇所を中心に説明する。なお、第２実施形態に係る基板処理装置１では、第１実施形態と同じ構成については、第１実施形態と同じ符号を付している。また、第１実施形態と同じ構成の一部についての説明は、省略する。
【００９２】
減圧乾燥ユニット６は、第１搬送部１０に対して直列に配置され、第１搬送部１０に対してＸ軸負方向側に隣接して配置される。減圧乾燥ユニット６は、第１搬送部１０と第３搬送部１１との間に配置される。
【００９３】
第１熱処理ユニット７は、第１搬送部１０に対して直列に配置され、第１搬送部１０に対してＸ軸正方向側に隣接して配置される。第１熱処理ユニット７は、第１搬送部１０とインターフェースステーション９との間に配置される。第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１は、前後方向の両端に開口部（不図示）を有しており、前方から第１搬送部１０によって基板Ｓを搬入することができる。また、第２冷却ユニット３１は、後方から第２搬送部９Ｂによって基板Ｓを搬出することができる。
【００９４】
インターフェースステーション９では、ロータリーステージ９Ａは、第２搬送部９Ｂに対して左方に配置される。
【００９５】
第１搬送部１０は、第１処理ライン３から第２処理ライン４に基板Ｓを搬送する第１搬送処理を行う。また、第１搬送部１０は、第２処理ライン４から減圧乾燥ユニット６に基板Ｓを搬送する第２搬送処理を行う。また、第１搬送部１０は、減圧乾燥ユニット６から第１熱処理ユニット７に基板Ｓを搬送する第３搬送処理を行う。
【００９６】
第２搬送部９Ｂは、第１熱処理ユニット７からインターフェースステーション９に基板Ｓを搬送し、インターフェースステーション９から露光システム６０へ基板Ｓを搬送する第４搬送処理を行う。具体的には、第２搬送部９Ｂは、第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１から、インターフェースステーション９のロータリーステージ９Ａに基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部９Ｂは、ロータリーステージ９Ａから露光システム６０の露光装置６１に基板Ｓを搬送する。また、第２搬送部９Ｂは、露光装置６１から露光システム６０の周辺装置６２に基板Ｓを搬送する。すなわち、第２搬送部９Ｂは、第１熱処理ユニット７から周辺装置６２を介して基板Ｓを第３処理ライン５に搬送する。
【００９７】
＜基板処理＞
次に、第２実施形態に係る基板処理装置１における基板処理について図３、および図６Ａ〜図６Ｇを参照し説明する。第２実施形態に係る基板処理装置１における基板処理のフローチャートは、第１実施形態と同様である。図６Ａ〜図６Ｇは、第２実施形態に係る基板処理装置１における基板Ｓの搬送経路を示す図（その１〜その７）である。なお、図６Ａ〜図６Ｊは、説明のため、第１処理ライン３と第３処理ライン５とを並べて記載している。
【００９８】
基板処理装置１は、前処理を行う（Ｓ１０）。基板処理装置１は、図６Ａに示すように、カセットステーション２から第１処理ライン３に基板Ｓを搬送し、基板Ｓを平流し搬送しつつ、基板Ｓに前処理を行う。
【００９９】
基板処理装置１は、第１搬送処理を行う（Ｓ１１）。基板処理装置１は、図６Ｂに示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓを第１処理ライン３から第２処理ライン４に搬送する。
【０１００】
基板処理装置１は、フォトレジスト膜の形成処理を行う（Ｓ１２）。基板処理装置１は、図６Ｂに示すように、基板Ｓを平流し搬送しつつ、フォトレジスト塗布ユニット２７によって基板Ｓにフォトレジスト液を塗布し、基板Ｓにフォトレジスト膜を形成する。
【０１０１】
基板処理装置１は、第２搬送処理を行う（Ｓ１３）。基板処理装置１は、図６Ｃに示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓを第２処理ライン４から減圧乾燥ユニット６に搬送する。
【０１０２】
基板処理装置１は、減圧乾燥処理を行う（Ｓ１４）。基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６によって基板Ｓを減圧乾燥させる。
【０１０３】
基板処理装置１は、第３搬送処理を行う（Ｓ１５）。基板処理装置１は、図６Ｄに示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓを減圧乾燥ユニット６から第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１に搬送する。
【０１０４】
基板処理装置１は、第１熱処理を行う（Ｓ１６）。基板処理装置１は、図６Ｅに示すように、第２冷却ユニット３１から第１加熱ユニット３０に基板Ｓを搬送し、第１加熱ユニット３０によって基板Ｓを加熱する。
【０１０５】
さらに、基板処理装置１は、第１加熱ユニット３０によって加熱した基板Ｓを第２冷却ユニット３１に搬送する。そして、基板処理装置１は、第２冷却ユニット３１によって基板Ｓを冷却する。
【０１０６】
基板処理装置１は、第４搬送処理を行う（Ｓ１７）。基板処理装置１は、図６Ｆに示すように、基板Ｓを第１搬送部１０によって第１熱処理ユニット７の第２冷却ユニット３１から、インターフェースステーション９のロータリーステージ９Ａに搬送する。そして、基板処理装置１は、ロータリーステージ９Ａによって水平方向に９０度または−９０度回転した基板Ｓを第２搬送部９Ｂによって露光システム６０の露光装置６１に搬送する。また、基板処理装置１は、基板Ｓを第２搬送部９Ｂによって露光装置６１から周辺装置６２に搬送する。
【０１０７】
現像処理（Ｓ１８）〜第６搬送処理（Ｓ２１）までの処理、および基板Ｓの搬送経路については、第１実施形態と同じであり、詳しい説明は省略する。
【０１０８】
＜効果＞
基板処理装置１は、第１搬送部１０と第３搬送部１１との間に配置され、第１搬送部１０によって基板Ｓが搬送され、基板Ｓに減圧乾燥処理を行う減圧乾燥ユニット６を備える。また、基板処理装置１は、第１搬送部１０と第２搬送部９Ｂとの間に配置され、減圧乾燥ユニット６から第１搬送部１０によって基板Ｓが搬送される第１熱処理ユニット７を備える。第２搬送部９Ｂは、第１熱処理ユニット７から基板Ｓを搬送する。
【０１０９】
これにより、基板処理装置１は、第１搬送部１０による搬送工数を少なくすることができる。そのため、基板処理装置１は、例えば、第１搬送部１０による基板搬送の待ち時間を短くし、装置全体における基板Ｓの処理時間を短くすることができる。
【０１１０】
また、基板処理装置１は、例えば、減圧乾燥ユニット６と、第１熱処理ユニット７とが第２処理ライン４に対して直列に配置される場合よりもＸ軸方向における第１搬送部１０の長さを短くすることができる。そのため、基板処理装置１は、Ｘ軸方向における第１搬送部１０の移動距離、すなわち移動時間を短くし、装置全体における基板Ｓの処理時間を短くすることができる。
【０１１１】
また、基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６の左方に図５でハッチングを示す領域にポンプなどの補機を配置することができ、装置全体を小型化することができる。
【０１１２】
（変形例）
次に、本実施形態の変形例について説明する。
【０１１３】
変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４において基板Ｓに複数回、処理液を塗布してもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト膜を形成する前に、反射防止膜を形成してもよい。この場合、変形例に係る基板処理装置１は、フォトレジスト塗布ユニット２７に複数のノズルを備える。
【０１１４】
変形例に係る基板処理装置１は、第１搬送部１０によって第１処理ライン３から搬送された基板Ｓに、フォトレジスト塗布ユニット２７で反射防止膜を形成する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、減圧乾燥ユニット６、第１熱処理ユニット７により各処理を行い、第１搬送部１０によって基板Ｓを再びフォトレジスト塗布ユニット２７に搬入する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、反射防止膜を形成した基板Ｓに、フォトレジスト塗布ユニット２７によってフォトレジスト膜を形成する。
【０１１５】
このように、変形例に係る基板処理装置１は、第２処理ライン４によって複数回の処理液の塗布を行うことができる。すなわち、変形例に係る基板処理装置１は、複数回の処理液の塗布を行う場合に、第１搬送部１０によって基板Ｓを第１熱処理ユニット７から第２処理ライン４に搬送することができる。そのため、変形例に係る基板処理装置１は、Ｘ軸方向における装置の長さを短くすることができる。なお、変形例に係る基板処理装置１は、複数回の処理液を塗布するユニットを上下方向に積層してもよい。
【０１１６】
また、変形例に係る基板処理装置１は、現像処理を行わない装置であってもよい。変形例に係る基板処理装置１は、例えば、第１実施形態に係る基板処理装置１の構成において、第１処理ライン３によって基板Ｓを洗浄し、第２処理ライン４によって処理液を塗布した後に、第１搬送部１０によって第１熱処理ユニット７の上部に基板Ｓを載置する。そして、変形例に係る基板処理装置１は、第３搬送部１１によって載置された基板Ｓを検査ユニット６５や、カセットステーション２に搬送してもよい。例えば、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに複数回の処理液の塗布を行い、基板Ｓに偏光膜を形成する装置であってもよい。なお、第１熱処理ユニット７への基板Ｓの載置方法としては、例えば、第２冷却ユニット３１の前後方向の両端に開口部を設け、第３搬送部１１によって基板Ｓを第２冷却ユニット３１から搬送可能としてもよい。
【０１１７】
このように、変形例に係る基板処理装置１は、基板Ｓに複数回の処理液を塗布する装置におけるＸ軸方向の長さを短くすることができる。
【０１１８】
また、変形例に係る基板処理装置１は、例えば、第１搬送部１０において複数の搬送アームを有し、複数の搬送アームによって基板Ｓを搬送してもよい。
【０１１９】
また、変形例に係る基板処理装置１は、第１熱処理ユニット７において、第１加熱ユニット３０、および第２冷却ユニット３１を上下方向に複数段設けてもよい。変形例に係る基板処理装置１は、例えば、図７に示すように、第１搬送部１０によって基板Ｓが搬入される搬入部（ＰＡＳ）７０と、第１加熱ユニット３０と、第２冷却ユニット３１とを上下方向に積層する。図７は、変形例に係る基板処理装置１における第１熱処理ユニット７をＸ軸正方向から見た概略構成を示すブロック図である。
【０１２０】
そして、変形例に係る基板処理装置１は、第４搬送部７１によって基板Ｓを搬入部７０から第１加熱ユニット３０に搬送する。また、変形例に係る基板処理装置１は、第４搬送部７１によって基板Ｓを第１加熱ユニット３０から第２冷却ユニット３１に搬送する。
【０１２１】
これにより、変形例に係る基板処理装置１は、上記実施形態と同様に第１搬送部１０が加熱されることを抑制し、第１搬送部１０から基板Ｓに熱が伝わることを抑制することができる。
【０１２２】
上記実施形態、および変形例の構成を適宜組み合わせた基板処理装置であってもよい。
【０１２３】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【０１２４】
１      基板処理装置
３      第１処理ライン（前処理ライン）
４      第２処理ライン（塗布ライン）
５      第３処理ライン（現像処理ライン）
６      減圧乾燥ユニット（載置部）
７      第１熱処理ユニット（載置部、熱処理部）
８      第２熱処理ユニット
９Ｂ    第２搬送部
１０    第１搬送部
１１    第３搬送部
２７    フォトレジスト塗布ユニット
３０    第１加熱ユニット（加熱部）
３１    第２冷却ユニット（冷却部）
５０    第２加熱ユニット（現像加熱部）
５１    第３冷却ユニット
６０    露光システム
６１    露光装置
６２    周辺装置（外部装置）
【図１】
2020107747.tif 000003
【図２】
2020107747.tif 000004
【図３】
2020107747.tif 000005
【図４Ａ】
2020107747.tif 000006
【図４Ｂ】
2020107747.tif 000007
【図４Ｃ】
2020107747.tif 000008
【図４Ｄ】
2020107747.tif 000009
【図４Ｅ】
2020107747.tif 000010
【図４Ｆ】
2020107747.tif 000011
【図４Ｇ】
2020107747.tif 000012
【図４Ｈ】
2020107747.tif 000013
【図４Ｉ】
2020107747.tif 000014
【図４Ｊ】
2020107747.tif 000015
【図５】
2020107747.tif 000016
【図６Ａ】
2020107747.tif 000017
【図６Ｂ】
2020107747.tif 000018
【図６Ｃ】
2020107747.tif 000019
【図６Ｄ】
2020107747.tif 000020
【図６Ｅ】
2020107747.tif 000021
【図６Ｆ】
2020107747.tif 000022
【図７】
2020107747.tif 000023