(57)【要約】【課題】接続不良を低減することができる配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、絶縁層１３０に、互いに平行に延びる複数の第１の溝１５１を含む第１のパターンと、凸部３３Ａを取り囲む第２の溝２５１を含む第２のパターンとを形成する工程と、複数の第１の溝１５１内と第２の溝２５１内とに金属層を形成することにより、第１のパターン内に互いに平行に延びる複数の配線２１Ａを形成し、第２のパターン内に凸部３３Ａを開口部とするデガスホール３１Ａを形成する工程と、を有する。【選択図】図１５
2020107845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に、互いに平行に延びる複数の第１の溝を含む第１のパターンと、凸部を取り囲む第２の溝を含む第２のパターンとを形成する工程と、
前記複数の第１の溝内と前記第２の溝内とに金属層を形成することにより、前記第１のパターン内に互いに平行に延びる複数の配線を形成し、前記第２のパターン内に前記凸部を開口部とするデガスホールを形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数の第１の溝をラインアンドスペースのパターンで形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属層の上面を前記絶縁層の上面よりも下方に位置させることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記デガスホールの平面形状は円形であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１のパターンと前記第２のパターンとを形成する工程において、前記凸部の内側に第３の溝を形成し、
前記複数の配線と前記デガスホールとを形成する工程において、前記第３の溝内にも前記金属層を形成することにより、前記第３の溝内にパッドを形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
互いに平行に延びる複数の第１の溝を含む第１のパターンと、凸部を取り囲む第２の溝を含む第２のパターンとを含む絶縁層と、
前記複数の第１の溝内に形成された配線と、前記第２のパターン内に形成され、前記凸部を開口部とするデガスホールとを含む金属層と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項７】
前記複数の第１の溝がラインアンドスペースのパターンで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記金属層の上面は前記絶縁層の上面よりも下方に位置することを特徴とする請求項６又は７に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
隣接する導体パターン間のイオンマイグレーションを抑制するために、これら導体パターンの間に凹部を形成した配線基板が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−５１８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、導体パターンの間に凹部を形成した配線基板では、接続不良が生じることがある。
【０００５】
本発明は、接続不良を低減することができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一形態によれば、絶縁層に、互いに平行に延びる複数の第１の溝を含む第１のパターンと、凸部を取り囲む第２の溝を含む第２のパターンとを形成する工程と、前記複数の第１の溝内と前記第２の溝内とに金属層を形成することにより、前記第１のパターン内に互いに平行に延びる複数の配線を形成し、前記第２のパターン内に前記凸部を開口部とするデガスホールを形成する工程と、を有する配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、接続不良を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板のレイアウトを示す図である。
【図２】図１中の微細配線領域及びその近傍を拡大して示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の概略を示す断面図である。
【図４】薄膜層の詳細を示す断面図（その１）である。
【図５】薄膜層の詳細を示す断面図（その２）である。
【図６】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図７】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図８】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図９】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１０】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１１】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１２】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その７）である。
【図１３】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その８）である。
【図１４】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その９）である。
【図１５】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１０）である。
【図１６】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１１）である。
【図１７】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１２）である。
【図１８】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１３）である。
【図１９】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１４）である。
【図２０】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１５）である。
【図２１】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１６）である。
【図２２】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１７）である。
【図２３】第２の実施形態の変形例を示す断面図（その１）である。
【図２４】第２の実施形態の変形例を示す断面図（その２）である。
【図２５】第２の実施形態の変形例を示す断面図（その３）である。
【図２６】フォトレジスト層の他の例を示す断面図である。
【図２７】フォトレジスト層の更に他の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明者は、接続不良が生じる原因を究明すべく鋭意検討を行った。この結果、導体パターンの周辺に設けられているデガスホールの近傍にボイドが存在し、このボイドを起因とする剥がれが生じていることが判明した。また、ボイドが発生する原因として、導体パターン間に形成された微細溝が形成されるところ、この微細溝と同時にデガスホールの内側にも溝が形成されており、この溝内に適切に絶縁層が形成されていないことも判明した。
【００１０】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
【００１１】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は、配線基板に関する。図１は、第１の実施形態に係る配線基板のレイアウトを示す図である。図２は、図１中の微細配線領域及びその近傍を拡大して示す図である。
【００１２】
図１に示すように、第１の実施形態に係る配線基板１は、特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit：ＡＳＩＣ）等の半導体集積回路チップが搭載される第１の領域２と、高帯域幅メモリ（high bandwidth memory：ＨＢＭ）等の半導体メモリチップが搭載される第２の領域３Ａ、３Ｂ、３Ｃ及び３Ｄとを有する。第１の領域２は矩形状の平面形状を備えており、その一つの辺５に沿って第２の領域３Ａ及び３Ｂは並んで配置され、辺５に平行な辺６に沿って第２の領域３Ｃ及び３Ｄが並んで配置されている。以下、辺５及び辺６が延びる方向をＹ方向とし、配線基板１の主面に平行な面内でＹ方向に直交する方向をＸ方向とする。
【００１３】
第１の領域２と第２の領域３Ａとの間に微細配線領域４Ａが設けられている。微細配線領域４Ａは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ａに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。第１の領域２と第２の領域３Ｂとの間に微細配線領域４Ｂが設けられている。微細配線領域４Ｂは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ｂに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。第１の領域２と第２の領域３Ｃとの間に微細配線領域４Ｃが設けられている。微細配線領域４Ｃは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ｃに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。第１の領域２と第２の領域３Ｄとの間に微細配線領域４Ｄが設けられている。微細配線領域４Ｄは、第１の領域２に搭載される半導体集積回路チップと第２の領域３Ｄに搭載される半導体メモリチップとを接続する複数の微細配線を有する。
【００１４】
図２には、微細配線領域４Ａ〜４Ｄのうちの一例として微細配線領域４Ａ及びその近傍を示してある。図２に示すように、微細配線領域４ＡはＸ方向に延びる複数の微細配線２１を有する。複数の微細配線２１は、例えば、ライン幅及びスペース幅が１μｍ〜５μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）のパターンで形成されている。
【００１５】
第１の領域２、第２の領域３Ａ〜３Ｄ、微細配線領域４Ａ〜４Ｄの周辺には、接地領域７が設けられている。接地領域７には、接地された、複数、ここでは３の金属層が設けられており、一つ金属層に複数のデガスホール３１Ａが形成され、他の一つの金属層に複数のデガスホール３１Ｂが形成され、他の一つの金属層に複数のデガスホール３１Ｃが形成されている。デガスホール３１Ａの中心部にアンカービア用パッド３２Ａが設けられ、デガスホール３１Ｂの中心部にアンカービア用パッド３２Ｂが設けられ、デガスホール３１Ｃの中心部にアンカービア用パッド３２Ｃが設けられている。平面視で、デガスホール３１Ａとデガスホール３１Ｃとが重なり合い、アンカービア用パッド３２Ａとアンカービア用パッド３２Ｃとが重なり合う。平面視で、デガスホール３１Ｂがデガスホール３１Ａ及び３１Ｃから離間し、アンカービア用パッド３２Ｂがアンカービア用パッド３２Ａ及び３２Ｃから離間している。例えば、デガスホール３１Ａ〜３１Ｃの直径は５０μｍ〜１５０μｍであり、アンカービア用パッド３２Ａ〜３２Ｃの直径は２０μｍ〜４０μｍである。
【００１６】
次に、配線基板の断面構造について説明する。図３は、第１の実施形態に係る配線基板の概略を示す断面図である。図４及び図５は、薄膜層の詳細を示す断面図である。図４は、図２中のＩ−Ｉ線に沿った断面図に相当し、図５は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図に相当する。
【００１７】
図３に示すように、配線基板１は、ビルドアップ基板１１と、ビルドアップ基板１１の一方の面上に形成された薄膜層１２とを有する。微細配線２１は薄膜層１２に形成されている。以下、ビルドアップ基板１１の薄膜層１２が形成された側を搭載側、その反対側を非搭載側ということがある。
【００１８】
図４に示すように、薄膜層１２は、ビルドアップ基板１１上に形成された第３の絶縁層１３０と、第３の絶縁層１３０に形成された第１の微細配線層５１とを有する。第１の微細配線層５１はシード層１２１と金属めっき層１２２とを含む。例えば、シード層１２１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１２２は銅めっき層である。第１の微細配線層５１は微細配線２１Ａ、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａを有する。微細配線２１Ａは微細配線領域４Ａ〜４Ｄ内に形成され、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａは接地領域７内に形成されている。微細配線２１Ａは微細配線２１の一部である。微細配線２１Ａの上面は第３の絶縁層１３０の上面よりも下方に位置する。
【００１９】
第３の絶縁層１３０には、複数の微細溝１５１と、デガスホール３１Ａの開口部となる凸部３３Ａを取り囲む溝２５１と、凸部３３Ａの内側のアンカービア用パッド３２Ａ用の溝３５１とが形成されている。微細配線２１Ａは複数の微細溝１５１内に形成され、アンカービア用パッド３２Ａは溝３５１内に形成されている。微細溝１５１は、微細配線２１Ａを含むＬ／Ｓパターンのライン部に形成されている。例えば、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａの平面形状は円形である。金属めっき層１２２は金属層の一例であり、第３の絶縁層１３０の微細配線領域４Ａ〜４Ｄ内のパターンが第１のパターンの一例であり、第３の絶縁層１３０の接地領域７内のパターンが第２のパターンの一例である。微細配線２１Ａは配線の一例であり、微細溝１５１は第１の溝の一例であり、溝２５１は第２の溝の一例であり、溝３５１は第３の溝の一例である。
【００２０】
薄膜層１２は、第３の絶縁層１３０上に形成された第４の絶縁層１４０と、第４の絶縁層１４０に形成された第２の微細配線層５２とを有する。第２の微細配線層５２はシード層１３１と金属めっき層１３２とを含む。例えば、シード層１３１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１３２は銅めっき層である。第２の微細配線層５２は微細配線２１Ｂ、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂを有する（図２参照）。微細配線２１Ｂは微細配線領域４Ａ〜４Ｄ内に形成され、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂは接地領域７内に形成されている。微細配線２１Ｂは微細配線２１の一部である。微細配線２１Ｂの上面は第４の絶縁層１４０の上面よりも下方に位置する。
【００２１】
第４の絶縁層１４０には、複数の微細溝１５２と、デガスホール３１Ａの開口部となる凸部（図示せず）を取り囲む溝２５２と、凸部の内側のアンカービア用パッド３２Ｂ用の溝（図示せず）とが形成されている。微細配線２１Ｂは複数の微細溝１５２内に形成され、アンカービア用パッド３２Ｂは凸部の内側のアンカービア用パッド３２Ｂ用の溝内に形成されている。微細溝１５２は、微細配線２１Ｂを含むＬ／Ｓパターンのライン部に形成されている。例えば、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂの平面形状は円形である。金属めっき層１３２は金属層の一例であり、第４の絶縁層１４０の微細配線領域４Ａ〜４Ｄ内のパターンが第１のパターンの一例であり、第４の絶縁層１４０の接地領域７内のパターンが第２のパターンの一例である。微細配線２１Ａは配線の一例であり、微細溝１５１は第１の溝の一例であり、溝２５２は第２の溝の一例であり、アンカービア用パッド３２Ｂ用の溝は第３の溝の一例である。
【００２２】
薄膜層１２は、ビルドアップ基板１１上に形成された第５の絶縁層１５０と、第５の絶縁層１５０に形成された第３の微細配線層５３とを有する。第３の微細配線層５３はシード層１４１と金属めっき層１４２とを含む。例えば、シード層１４１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１４２は銅めっき層である。第３の微細配線層５３は微細配線２１Ｃ、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃを有する。微細配線２１Ｃは微細配線領域４Ａ〜４Ｄ内に形成され、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃは接地領域７内に形成されている。微細配線２１Ｃは微細配線２１の一部である。微細配線２１Ｃの上面は第５の絶縁層１５０の上面よりも下方に位置する。
【００２３】
第４の絶縁層１４０には、複数の微細溝１５３と、デガスホール３１Ｃの開口部となる凸部３３Ｃを取り囲む溝２５３と、凸部３３Ｃの内側のアンカービア用パッド３２Ｃ用の溝３５３とが形成されている。微細配線２１Ｃは複数の微細溝１５３内に形成され、アンカービア用パッド３２Ｃは溝３５３内に形成されている。微細溝１５３は、微細配線２１Ｃを含むＬ／Ｓパターンのライン部に形成されている。例えば、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃの平面形状は円形である。金属めっき層１４２は金属層の一例であり、第５の絶縁層１５０の微細配線領域４Ａ〜４Ｄ内のパターンが第１のパターンの一例であり、第５の絶縁層１５０の接地領域７内のパターンが第２のパターンの一例である。微細配線２１Ｃは配線の一例であり、微細溝１５３は第１の溝の一例であり、溝２５３は第２の溝の一例であり、溝３５３は第３の溝の一例である。
【００２４】
第５の絶縁層１５０にはマイクロビアホール１５０Ａが形成されており、アンカービア用パッド３２Ｃはマイクロビアホール１５０Ａを通じて第２の微細配線層５２に金属接合されている。また、第４の絶縁層１４０にはマイクロビアホール１４０Ａが形成されており（図５参照）、アンカービア用パッド３２Ｂは接地領域７内のマイクロビアホール１４０Ａを通じて第１の微細配線層５１に金属接合されている。従って、第１の微細配線層５１、第２の微細配線層５２及び第３の微細配線層５３は、接地領域７内で互いに金属接合されている。従って、アンカー効果により強い接合強度が得られる。
【００２５】
図５に示すように、薄膜層１２は、第３の微細配線層５３及び第５の絶縁層１５０上に、第３の微細配線層５３の一部上にマイクロビアホール１６０Ａが設けられた第６の絶縁層１６０を有する。薄膜層１２は、更に、微細配線２１の端部に接続され、第５の絶縁層１５０から突出する接続端子６１、６２及び６３を有する。接続端子６１は第１の微細配線層５１の微細配線２１Ａに電気的に接続され、接続端子６２は第２の微細配線層５２の微細配線２１Ｂに電気的に接続され、接続端子６３は第３の微細配線層５３の微細配線２１Ｃに電気的に接続されている。接続端子６１〜６３はシード層１６１と金属めっき層１６２とを含む。例えば、シード層１６１は、チタン膜と、その上の銅膜とを有し、金属めっき層１６２は銅めっき層である。
【００２６】
配線基板１によれば、隣り合う微細配線２１Ａの間に微細溝１５１を分離する凸部が存在するため、隣り合う微細配線２１Ａの間でのイオンマイグレーションを抑制することができる。同様に、隣り合う微細配線２１Ｂの間に微細溝１５２を分離する凸部が存在し、隣り合う微細配線２１Ｃの間に微細溝１５３を分離する凸部が存在するため、隣り合う微細配線２１Ｂの間でのイオンマイグレーション、隣り合う微細配線２１Ｃの間でのイオンマイグレーションを抑制することができる。
【００２７】
また、デガスホール３１Ａ〜３１Ｃの内側に溝が形成されていないため、第３の絶縁層１３０、第４の絶縁層１４０、第５の絶縁層１５０にはボイドが発生しにくい。従って、薄膜層１２内での剥がれを抑制し、剥がれに伴う接続不良を抑制することができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、配線基板の製造方法に関する。図６〜図２２は、第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図である。第２の実施形態では、まず、ビルドアップ基板１１を形成し、その後に、ビルドアップ基板１１上に薄膜層１２を形成する。図６〜図８は、ビルドアップ基板の形成方法を示す断面図である。図９〜図２２は、薄膜層の形成方法を示す断面図である。図９（ａ）〜図２２（ａ）には、図２中のＩ−Ｉ線に沿った断面図に相当する部分を示し、図９（ｂ）〜図２２（ｂ）には、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図に相当する部分を示す。
【００２９】
まず、図６（ａ）に示すように、支持体としてコア配線基板１０１を準備する。コア配線基板１０１はコア基板１０２及び第１の配線層１０４を備えている。コア基板１０２には厚さ方向に貫通するスルーホール１０３Ａが形成されており、スルーホール１０３Ａ内に貫通導体１０３が設けられている。例えば、スルーホール１０３Ａはドリルやレーザを用いた加工等により形成することができ、貫通導体１０３及び第１の配線層１０４はめっき法及びフォトリソグラフィ等により形成することができる。なお、コア配線基板１０１としては、配線基板１が複数個取れる大判の基板が使用される。つまり、コア配線基板１０１は、配線基板１に対応する構造体が形成される複数の領域を有している。
【００３０】
次いで、図６（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側に未硬化の樹脂フィルムを貼付し、加熱処理して硬化させることにより、第１の絶縁層１０５を形成する。第１の絶縁層１０５は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、第１の絶縁層１０５を形成してもよい。その後、コア基板１０２の両側の第１の絶縁層１０５をレーザで加工することにより、第１の配線層１０４の接続部に到達するビアホール１０６を第１の絶縁層１０５に形成する。
【００３１】
続いて、図７（ａ）に示すように、コア基板１０２の両側において、ビアホール１０６内のビア導体を介して第１の配線層１０４に接続される第２の配線層１０７を第１の絶縁層１０５上に形成する。第２の配線層１０７はセミアディティブ法によって形成することができる。
【００３２】
第２の配線層１０７の形成後、図７（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側において、第１の絶縁層１０５上に、第２の配線層１０７の接続部上にビアホール１０９が設けられた第２の絶縁層１０８を形成する。第２の絶縁層１０８は、第１の絶縁層１０５と同様の方法で形成することができる。
【００３３】
更に、同じく図７（ｂ）に示すように、コア基板１０２の両側において、ビアホール１０９内のビア導体を介して第２の配線層１０７に接続される第３の配線層１１０を第２の絶縁層１０８上に形成する。第３の配線層１１０は、第２の配線層１０７と同様の方法に、セミアディティブ法によって形成することができる。但し、コア基板１０２の搭載側では、第２の絶縁層１０８上で第３の配線層１１０に配線パターンを形成せずに、第３の配線層１１０をべた状に形成することができる。
【００３４】
次いで、図８に示すように、コア基板１０２の非搭載側において、第２の絶縁層１０８上にソルダレジスト層１１１を形成する。その後、ソルダレジスト層１１１に第３の配線層１１０の接続部に達する開口部１１２を形成する。
【００３５】
ソルダレジスト層１１１は、感光性のエポキシ樹脂又はアクリル樹脂等の絶縁樹脂から形成される。樹脂フィルムの貼り付け又は液状樹脂の塗布により、ソルダレジスト層１１１を形成してもよい。開口部１１２は、露光及び現像により形成することができる。ソルダレジスト層１１１に非感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂を用いてもよい。この場合、開口部１１２は、レーザ加工又はブラスト処理により形成することができる。
【００３６】
このようにして、ビルドアップ基板１１を形成することができる。
【００３７】
次いで、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、化学機械的研磨（chemical mechanical polishing）法によりビルドアップ基板１１の搭載側の表面を研磨し、第２の絶縁層１０８を露出させる。
【００３８】
その後、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３の配線層１１０及び第２の絶縁層１０８上に第３の絶縁層１３０を形成する。第３の絶縁層１３０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。
【００３９】
続いて、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３の絶縁層１３０上に第１の微細配線層５１を形成する部分に開口部が設けられたフォトレジスト層１９１を形成する。フォトレジスト層１９１は第３の絶縁層１３０との界面近傍に括れ部１９１Ａを有する。例えば、フォトレジスト層１９１は、微細配線２１Ａを形成する部分及びアンカービア用パッド３２Ａを形成する部分に開口部を有し、デガスホール３１Ａを形成する部分を覆う。
【００４０】
次いで、図１２（ａ）及び（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１９１をマスクにして第３の絶縁層１３０をエッチングする。この結果、微細配線２１Ａを形成する領域を含むＬ／Ｓパターンのライン部において、第３の絶縁層１３０に微細溝１５１が形成される。また、アンカービア用パッド３２Ａを形成する領域等において、第３の絶縁層１３０に溝２５１が形成される。
【００４１】
その後、図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、スパッタ法により微細溝１５１及び溝２５１内にシード層１２１を形成する。シード層１２１はフォトレジスト層１９１の上面及び側面にも形成されるが、括れ部１９１Ａ上には形成されない。シード層１２１の形成では、例えば、チタン膜及び銅膜を順次形成する。
【００４２】
続いて、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、フォトレジスト層１９１を、その上面及び側面に形成されたシード層１２１と共に除去する。
【００４３】
次いで、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、無電解めっき法により、シード層１２１上に銅等からなる金属めっき層１２２を形成する。第１の微細配線層５１に、微細配線２１Ａ、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａが形成される。
【００４４】
その後、図１６（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１の微細配線層５１及び第３の絶縁層１３０上に、第１の微細配線層５１の一部上にマイクロビアホール１４０Ａが設けられた第４の絶縁層１４０を形成する。第４の絶縁層１４０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。マイクロビアホール１４０Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成する。
【００４５】
続いて、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すように、第４の絶縁層１４０上に第２の微細配線層５２を形成する部分に開口部が設けられたフォトレジスト層１９２を形成する。フォトレジスト層１９２は第４の絶縁層１４０との界面近傍に括れ部１９２Ａを有する。例えば、フォトレジスト層１９２は、微細配線２１Ｂを形成する部分及びアンカービア用パッド３２Ｂを形成する部分に開口部を有し、デガスホール３１Ｂを形成する部分を覆う。
【００４６】
次いで、フォトレジスト層１９２をマスクにして第４の絶縁層１４０をエッチングする。この結果、微細配線２１Ｂを形成する領域を含むＬ／Ｓパターンのライン部において、第４の絶縁層１４０に微細溝１５２が形成される。また、アンカービア用パッド３２Ｂを形成する領域等において、第４の絶縁層１４０に溝２５２が形成される。
【００４７】
その後、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、スパッタ法により微細溝１５２及び溝２５２内にシード層１３１を形成する。シード層１３１はフォトレジスト層１９２の上面及び側面にも形成されるが、括れ部１９２Ａ上には形成されない。続いて、フォトレジスト層１９２を、その上面及び側面に形成されたシード層１３１と共に除去する。次いで、無電解めっき法により、シード層１３１上に銅等からなる金属めっき層１３２を形成する。第２の微細配線層５２に、微細配線２１Ｂ、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂが形成される（図２参照）。
【００４８】
続いて、図１９（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の微細配線層５２及び第４の絶縁層１４０上に、第２の微細配線層５２の一部上にマイクロビアホール１５０Ａが設けられた第５の絶縁層１５０を形成する。第５の絶縁層１５０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。マイクロビアホール１５０Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成する。
【００４９】
次いで、図２０（ａ）及び（ｂ）に示すように、第５の絶縁層１５０上に第３の微細配線層５３を形成する部分に開口部が設けられたフォトレジスト層１９３を形成する。フォトレジスト層１９３は第５の絶縁層１５０との界面近傍に括れ部１９３Ａを有する。例えば、フォトレジスト層１９３は、微細配線２１Ｃを形成する部分及びアンカービア用パッド３２Ｃを形成する部分に開口部を有し、デガスホール３１Ｃを形成する部分を覆う。
【００５０】
その後、フォトレジスト層１９３をマスクにして第５の絶縁層１５０をエッチングする。この結果、微細配線２１Ｃを形成する領域を含むＬ／Ｓパターンのライン部において、第５の絶縁層１５０に微細溝１５３が形成される。また、アンカービア用パッド３２Ｃを形成する領域等において、第５の絶縁層１５０に溝２５３が形成される。
【００５１】
続いて、図２１（ａ）及び（ｂ）に示すように、スパッタ法により微細溝１５３及び溝２５３内にシード層１４１を形成する。シード層１４１はフォトレジスト層１９３の上面及び側面にも形成されるが、括れ部１９３Ａ上には形成されない。次いで、フォトレジスト層１９３を、その上面及び側面に形成されたシード層１４１と共に除去する。その後、無電解めっき法により、シード層１４１上に銅等からなる金属めっき層１４２を形成する。第３の微細配線層５３に、微細配線２１Ｃ、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃが形成される。
【００５２】
続いて、図２２（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３の微細配線層５３及び第５の絶縁層１５０上に、第３の微細配線層５３の一部上にマイクロビアホール１６０Ａが設けられた第６の絶縁層１６０を形成する。第６の絶縁層１６０は、例えば感光性のエポキシ樹脂等の絶縁樹脂から形成される。マイクロビアホール１６０Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術により形成する。
【００５３】
次いで、マイクロビアホール１６０Ａ内のビア導体を介して第３の微細配線層５３に接続される接続端子６１〜６３を形成する。接続端子６１〜６３は、セミアディティブ法により形成することができ、シード層１６１と金属めっき層１６２とを含む。
【００５４】
その後、図２２（ａ）及び（ｂ）に示す構造体を切断線（図示せず）に沿ってスライサー等により切断する。これにより、配線基板１に対応する構造体が個片化され、大判のコア配線基板１０１から第１の実施形態に係る配線基板１が複数得られる。このようにして、第１の実施形態に係る配線基板１を製造することができる。
【００５５】
この製造方法では、溝２５１内にシード層１２１及び金属めっき層１２２を形成することで、デガスホール３１Ａ及びアンカービア用パッド３２Ａを形成するため、ボイドの原因となる溝を形成せずとも第１の微細配線層５１におけるイオンマイグレーションを抑制することができる。溝２５２内にシード層１３１及び金属めっき層１３２を形成することで、デガスホール３１Ｂ及びアンカービア用パッド３２Ｂを形成するため、ボイドの原因となる溝を形成せずとも第２の微細配線層５２におけるイオンマイグレーションを抑制することができる。溝２５３内にシード層１４１及び金属めっき層１４２を形成することで、デガスホール３１Ｃ及びアンカービア用パッド３２Ｃを形成するため、ボイドの原因となる溝を形成せずとも第３の微細配線層５３におけるイオンマイグレーションを抑制することができる。従って、ボイドに起因する剥がれ及び接続不良を抑制することができる。
【００５６】
なお、図２３（ａ）及び（ｂ）に示すように、シード層１２１が微細溝１５１、溝２５１、溝３５１の底面上だけでなく、側面上に形成されることもある。この場合、図２４（ａ）及び（ｂ）に示すように、金属めっき層１２２の形成までの処理を行い、その後に、図２５（ａ）及び（ｂ）に示すように、シード層１２１のうちで金属めっき層１２２の上面より上方に位置する部分を除去することが好ましい。つまり、金属めっき層１２２の上面が第３の絶縁層１３０の上面よりも下方に位置するように処理することが好ましい。イオンマイグレーションをより確実に抑制するためである。シード層１３１及び１４１についても同様である。
【００５７】
また、フォトレジスト層１９１の断面形状は特に限定されない。例えば、図２６に示すように、フォトレジスト層１９１の断面形状が、第３の絶縁層１３０に近づくほど寸法が小さくなる逆テーパ形状を有していてもよい。この場合、微細溝１５１の側面がフォトレジスト層１９１の上面に隠れるため、微細溝１５１の側面上にシード層１２１が形成されにくくすることができる。また、図２７に示すように、フォトレジスト層１９１の断面形状が、長方形状であってもよい。この場合、微細溝１５１を形成する際に、微細溝１５１の側面がフォトレジスト層１９１の上面に隠れるようなエッチング条件を選択することが好ましい。微細溝１５１の側面上にシード層１２１が形成された場合には、上述のように、金属めっき層１２２の形成後に、金属めっき層１２２の上面より上方に位置する部分を除去することが好ましい。フォトレジスト層１９２及び１９３についても同様である。
【００５８】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。例えば、上述の実施形態ではビルドアップ基板が用いられているが、ビルドアップ基板に代えて支持基板が用いられてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１  配線基板
４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ  微細配線領域
７  接地領域
１１  ビルドアップ基板
１２  薄膜層
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｄ  微細配線
３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ  デガスホール
３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ  アンカービア用パッド
３３Ａ、３３Ｃ：凸部
５１、５２、５３  微細配線層
６１、６２、６３  接続端子
１５１、１５２、１５３  微細溝
２５１、２５２、２５３、３５１、３５３  溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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