(57)【要約】      （修正有）【課題】ダイオード素子の電圧特性と機械的強度の両立を図る。【解決手段】半導体素子は、第１表面及び第２表面を有する基板１と、第１表面上に形成された凹部１０と、凹部を有する第１表面に熱拡散処理を行うことにより基板内に形成された第1ドープ領域１３とを含む。第１ドープ領域の凹部に対応する部分と第２表面との最短距離は、第１ドープ領域の第１表面の凹部以外に対応する部分と第２表面との最短距離よりも小さい。【選択図】図２（ｂ）
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1表面及び第2表面を有する基板と、
前記第1表面上に形成された第1凹部と、
前記第1凹部を有する前記第1表面に熱拡散処理を行うことにより前記基板内に形成された第1ドープ領域と、
を含み、
前記第1ドープ領域の前記第1凹部に対応する部分と前記第2表面との最短距離は、前記第1ドープ領域の前記第1表面の前記第1凹部以外に対応する部分と前記第2表面との最短距離よりも小さい
半導体素子。
【請求項２】
前記第2表面に熱拡散処理を行うことにより前記基板内に形成された第2ドープ領域をさらに含む請求項1に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第1ドープ領域は、Pドープ領域又はNドープ領域である請求項1に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第1凹部と同じ又は異なる幾何構造を有し、前記第1凹部と対称又は非対称に前記第1表面上に形成された第2凹部をさらに含む請求項1に記載の半導体素子。
【請求項５】
第1表面及び第2表面を有するウエハと、
エッチング処理により前記第1表面に形成された複数の第1凹部であって、これらの複数の第1凹部の位置は、製造されるべきこれらのダイオード素子の位置に対応する複数の第1凹部と、を含む
複数の半導体素子を製造するための半導体基板。
【請求項６】
エッチング処理によりこれらの第1凹部と同時に前記第1表面に形成された複数の第2凹部であって、これらの複数の第２凹部の位置は、製造しようとするこれらのダイオード素子の位置に対応する複数の第2凹部をさらに含む請求項5に記載の複数の半導体素子を製造するための半導体基板。
【請求項７】
これらの第1凹部は、円柱形又は直方体空間である請求項5に記載の複数の半導体素子を製造するための半導体基板。
【請求項８】
請求項5に記載の半導体基板を使用する半導体素子の製造方法であって、
前記半導体基板の第1表面に熱拡散処理を行って前記半導体基板内に第1ドープ領域を形成させることを含み、
前記第1ドープ領域のこれらの第1凹部に対応する部分と前記第2表面との最短距離は、前記第1ドープ領域の前記第1表面のこれらの第1凹部以外に対応する部分と前記第2表面との最短距離よりも小さい
半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記第1ドープ領域の形成前又は形成後に、前記半導体基板の前記第2表面に熱拡散処理を行うことにより前記半導体基板内に第2ドープ領域を形成させることをさらに含む請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第1ドープ領域及び前記第2ドープ領域の形成後に、前記半導体基板の前記第1又は第2表面に熱拡散処理を行うことによりキャリアライフタイムキラー（lifetime killer）が前記半導体基板内にドライブインされるようにすることをさらに含む請求項8又は請求項9に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、当該半導体素子を製造するための基板、及び当該半導体素子の製造方法に関し、特に、凹部を有する半導体素子、当該凹部を有する半導体素子を製造するための基板、及び当該凹部を有する半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知技術の一つは、基板の両面にそれぞれ熱拡散処理によりPドープ（例えば、ホウ素や他のIII A族元素）及びNドープ（例えば、リンや他のIV A族元素）を基板にドライブインした（drive-in）ものである。その処理過程には、長時間及び高温を必要とするので、消費されるエネルギーが高くなり、ダイオード素子の製造過程全体においてエネルギーが最も消費される段階である。一般的には、ドープをドライブインするための熱拡散処理において、温度は通常、1100℃よりも高く、時間は常に150時間を超えるが、Pドープ又はNドープのドライブイン深さは、約150〜180ミクロン（μm）までしか達しない。
【０００３】
ウエハを一定の機械的強度に維持して素子の製造過程における破裂又は破砕を回避するために、業界の実際のプロセスにおいて、通常、プロセスで砕けて歩留まりが低下することを回避するために、4インチのウエハは少なくとも350〜400ミクロンの厚さを必要とする。
【０００４】
一般的には、リンドープ及びホウ素ドープの熱拡散による最大深さは約150ミクロンであり、ウエハの厚さが300ミクロンよりも大きくなると、ウエハの両面にそれぞれリンドープ及びホウ素ドープの熱拡散を行った後、二回の高温でドープがドライブインされていない領域が残ってしまう。ウエハの厚さからそれぞれリンドープ及びホウ素ドープの拡散深さを引くと、二回のドープがされていない領域の厚さ又は幅となり、その数値は、ベース幅（base width）という。
【０００５】
ポアソン方程式（Poisson’s equation）より、PN接合の電荷濃度及びベース幅は、ダイオード素子の電圧特性に影響する。一方、二回のドープがされていない領域は、ダイオード素子において抵抗が最も高い領域であり、電圧を維持するほか、同時に電流導通時の抵抗を招く。換言すれば、ベース幅が大きいほど、ダイオード素子の作動時の導通エネルギー損失も高くなる。したがって、素子構造の設計時、ダイオード素子の順電圧（forward voltage、VF）及び逆電圧（reverse voltage、VR）の特性を制御するためにベース幅を厳格に制御する必要がある。周知技術では、一般的に、十分な基板の厚さ（機械的強度）を提供するためにエピウエハ（Epi wafer）を使用して、ドープが高く且つ厚い基板上にドープが低いエピ半導体層（epi layer）を形成するとともに、素子の電圧特性及び最低抵抗を維持するためにベース幅（前記エピ半導体層の厚さは、ドープ深さと、設定された逆バイアスを維持するベース幅とを加算したものである）を設定する。
【０００６】
なお、高速回復（recovery）特性を有するダイオード素子の設計について、周知方法の一つは、キャリアライフタイムキラー（carrier lifetime killer）を素子にドープし、PN接合の付近の領域に分布させることである。ダイオード素子が順バイアスモードから逆バイアスモードに切り換えられると、素子にドープされたキャリアライフタイムキラーは、PN接合の付近の残りの電荷（即ち、電子と正孔）の再結合を加速させ、電流の完全な遮断に要する時間、即ち逆回復時間（reverse recovery time）を短縮することができる。
【０００７】
キャリアライフタイムキラーのドープは、一般的に、ウエハの表面（Pドープ又はNドープの表面）から白金（Pt）又は金（Au）を熱拡散でドープする。残りの電荷が主にPN接合の付近に存在するので、ダイオード内の残りの電荷の再結合を効果的に加速させるために、白金又は金ドープもPN接合の付近に分布させる必要がある。したがって、PN接合がより深いダイオード素子は、より高温の熱拡散処理がなければ、濃度がより高いキャリアライフタイムキラーをより深いPN接合の付近にドライブインして電子と正孔の再結合を加速させることに足りない。一方、十分なキャリアライフタイムキラーを十分な深さだけドライブインすることができなければ、ダイオード素子の逆回復時間を効果的に短縮することができない。
【０００８】
以上をまとめると、ダイオード素子の製造については、機械的強度及びプロセスの歩留まりを維持するために、ウエハ基板は、一定の厚さを有する必要があるが、このとき、ベース幅を縮小して素子の抵抗を低減させようとすると、ドープが十分な深さまでドライブインされるように熱拡散処理の温度及び/又は時間を増やす必要があり、プロセスでエネルギーをかなり消費するだけではなく、さらにキャリアライフタイムキラーをドープすることでダイオード素子の逆回復時間を短縮することにとっても不利である。したがって、従来、ダイオード素子の設計時、上記したこれらの制限を突破することができずに、状況に応じて折衷することしかできずに、素子のパラメータを制御する柔軟性も乏しかった。
【発明の概要】
【０００９】
従来技術にある問題に対して、本発明は、凹部構造を有するダイオード素子を提案し、その製造方法は、凹部をウエハ基板上に形成した後、熱拡散処理を行う。したがって、凹部に対応する領域では、Pドープ領域とNドープ領域の距離が短縮し、素子全体のベース幅を等価的に減少させる。換言すれば、浅いP、Nドープ領域だけで、周知の、凹部を有していないダイオード素子に相当する電圧/電流特性を得ることができ、熱拡散処理時に消費されるエネルギーを大幅に低減させることができる。
【００１０】
本発明の一つの態様として、第1表面及び第2表面を有する基板を含んで当該第1表面上に凹部を有する半導体素子を提供する。その半導体素子は、当該凹部を有する当該第1表面に熱拡散処理を行うことにより当該基板内に形成された第1ドープ領域をさらに含み、当該第1ドープ領域の当該凹部に対応する部分と当該第2表面との最短距離を、当該第1ドープ領域の当該第1表面の凹部以外に対応する部分と当該第2表面との最短距離よりも小さくする。その半導体素子において、当該第2表面に熱拡散処理を行うことにより当該基板内に形成された第2ドープ領域をさらに含んでもよい。なお、当該凹部は、例えば、円柱形の空間であってもよい。
【００１１】
本発明の他の態様として、第1表面及び第2表面を有するウエハを含み、エッチング処理により当該第1表面に形成された複数の凹部であって、これらの凹部の位置は、製造されるべきこれらのダイオード素子の位置（又は特定の対応位置）に対応する複数の凹部をさらに含む複数の半導体素子を製造するための半導体基板を提供する。その半導体基板において、これらの凹部は、例えば、円柱形の空間であってもよい。
【００１２】
以上のような半導体基板を使用し、本発明のもう一つの態様として、半導体素子の製造方法を提供し、その工程は、当該半導体基板の第1表面に熱拡散処理を行って当該半導体基板内に第1ドープ領域を形成することを含み、この第1ドープ領域のこれらの凹部に対応する部分と当該第2表面との最短距離は、当該第1ドープ領域の当該第1表面の凹部以外に対応する部分と該第2表面との最短距離よりも小さい。ここで説明する半導体素子の製造方法において、当該第1ドープ領域の形成前又は形成後に、当該半導体基板の当該第2表面に熱拡散処理を行うことにより当該半導体基板内に第2ドープ領域を形成してもよい。また、さらに当該第1ドープ領域及び当該第2ドープ領域の形成後、当該半導体基板の当該第1又は第2表面に熱拡散処理を行うことによりキャリアライフタイムキラーが当該半導体基板内にドライブインされるようにしてもよい。
【００１３】
したがって、本発明によれば、少なくとも以下の予期できない効果を達成することができる。
（1）形状、深さ、幅などのような凹部の幾何構造を適切に設計することにより、ダイオード素子の電圧/電流特性をより効果的で且つより柔軟に制御することができ、プロセスにおける他の工程又は条件をより柔軟に調整することもできる。
（2）従来のダイオード素子に凹部構造を追加すれば、ダイオード素子の順電圧VFを低減させることができ、即ち、素子のエネルギー輸送の損失を低減させることができる。
（3）凹部構造を有するダイオード素子は、P、Nドープの深さが比較的に浅い場合に、凹部構造を有していないダイオード素子に相当する電圧/電流特性を達成することができるので、熱拡散処理時の機器のエネルギー消費を低減させるとともに、熱拡散処理に要する時間を減少させ、生産効率を向上させることができる。
（4）凹部構造がダイオードの高速回復に応用されると、PN接合の深さが比較的に浅く、キャリアライフタイムキラーに要するドライブイン深さも低減するので、キャリアライフタイムキラーの熱拡散処理の時間を短縮し、温度を低減させるとともに、ダイオード素子の逆回復時間を短縮することができる。
（5）凹部構造を追加しても十分なウエハの機械的強度を維持し、プロセスにおいて砕ける状況を回避する。換言すれば、前記効果を実現すると同時に、機械的強度及びプロセスの歩留まりを犠牲する必要がない。なお、凹部構造を有するPNダイオード素子がガラスパシベーション処理（glass passivation process、GPP）を行う時、形成すべき溝の深さが比較的に浅いので、相対的にウエハの機械的強度及びプロセス歩留まりを向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】周知のダイオード素子の部分構造の模式図
【図２（ａ）】本発明の凹部を有する半導体基板の模式図
【図２（ｂ）】本発明の凹部を有するダイオード素子の部分構造の模式図
【図２（ｃ）】本発明の2つの凹部を有するダイオード素子の部分構造の模式図
【図３】本発明の複数の凹部を有するウエハの模式図
【図４（ａ）】コンピュータシミュレーションを行うために用いられる従来技術のダイオード素子構造の模式図
【図４（ｂ）】コンピュータシミュレーションを行うために用いられる本発明のダイオード素子構造の模式図
【図４（ｃ）】コンピュータシミュレーションを行うために用いられる他の従来技術のダイオード素子構造の模式図
【図５】図4（a）、図4（b）、図4（c）に示す構造による順電圧のコンピュータシミュレーション結果
【図６】図4（a）、図4（b）、図4（c）に示す構造による逆電圧のコンピュータシミュレーション結果
【図７】本発明のダイオード構造によってキャリアライフタイムキラーのドライブインが行われる模式図
【図８】本発明のダイオード構造によってガラスパシベーション処理が行われる模式図
【具体的な実施形態】
【００１５】
図面を参照し、本発明の具体的な実施形態を次のように説明する。図面に示されている構造や幾何関係は、例示のみを目的とし、実際の装置又は素子の構造や幾何を表現するものでなく、同様に装置又は素子の全ての構成を制限するためのものではない。例えば、熱拡散処理により半導体基板内に形成されたP、Nドープ領域は、ドープ濃度が均一に分布するものではなく、実際には、基板におけるドープされていない領域と明らかな境界がない。しかし、ドープ濃度の臨界値を設定すると、ドープ領域の境界を限定することができる。同様に、ドープ領域の幾何又は構造は文字で説明しにくいので、ドープ領域を説明する場合（例えば、特許請求の範囲中）に、製造方法（例えば、熱拡散処理）で限定することはより適切であり、なぜなら、ドープの分布はドープ及び基板材料の性質、拡散温度及び時間などの条件によって決まるからであり、それは、周知の通常の知識である。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は、材料及びプロセス条件から、それに応じて形成される素子構造又は幾何を容易に推知することができる。
【００１６】
図1は、従来のダイオード素子の部分模式図であり、半導体基板1は、例えば、シリコン（Si）ウエハであってもよく、ドープされている又はドープされていないシリコンウエハを使用することができる。従来のダイオード素子の製造方法の一つは、熱拡散処理により半導体基板1の2つの表面にそれぞれP、Nドープを行って図1に示されている第1ドープ領域11及び第2ドープ領域12を形成するものである。前述したように、歩留まりを維持するとともにP、Nドープ領域の距離（ベース幅）を十分に小さくしようとすると、P、Nドープが十分な深さまでドライブインされるようにしなければならない。即ち、接合が深いダイオード素子を形成するために大きい拡散深さが必要である。それに対して、図2は、本発明で提案したダイオード素子及びその製造方法の模式図である。図1の従来のダイオード構造と異なり、本発明は、図2（a）に示されているように半導体基板1上に凹部10を形成する。次いで、図2（b）に示されているように、半導体基板1の2つの表面にP、Nドープの熱拡散処理を行って第1ドープ領域13及び第2ドープ領域14を形成する。
【００１７】
図3に示されているように、実際のプロセスにおいて、凹部10を有する基板は、ウエハ2をエッチングして複数の凹部20を形成してから、後続の他のプロセスを行う。したがって、これらの凹部20は、ダイ（die）の各々の位置に対応することができる。
【００１８】
図2（b）から分かるように、本発明のダイオードの構造特徴は、主に第1ドープ領域13の分布にある。凹部10を形成してから熱拡散処理を行うので、第1ドープ領域13と第2ドープ領域14は、凹部に対応する部分において近い距離D2を有し、D2は、第1ドープ領域13と第2ドープ領域14の凹部以外に対応する部分における距離D1よりも小さい。換言すれば、凹部10の幾何構造により、第1ドープ領域13と第2ドープ領域14との間の一部の距離を制御することができる。注意すべきなのは、図2に示されている凹部10の断面は矩形であり、対応する立体構造は、円柱形空間又は直方体空間であってもよい。また、矩形断面は本発明の凹部10の一つの実施形態に過ぎず、その断面形状は矩形に限らず、例えば、逆三角形又は逆半円形であってもよい。形状のほか、その幾何寸法（例えば、深さ、幅）もニーズに応じて適切に選択することができ、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が自ら適切に設計することができる。なお、図2には、半導体基板1の1つの表面に1つの凹部10を形成するものしか開示されていないが、1つのダイオード素子（ダイ）の1つ表面に2つ以上の凹部を形成し、或いは、2つの表面ともに凹部を形成してから、ドープの熱拡散処理を行ってもよい。例えば、ダイオード素子の横方向（図2（b）の水平方向）寸法が大きくなる場合に、単一の凹部を形成して所望の電圧特性及び機械的強度を同時に満たすことができなければ、単一のダイ上に2つ以上の凹部を形成することができ、各凹部は、同じ又は異なる幾何構造を有することができる。これによって、設計上の柔軟性が増し、単一の凹部で通常は両立できない電圧特性及び機械的強度を実現する。図2（c）は、単一のダイオード素子に2つの凹部を有する構造模式図を示し、キャリア導通又は再結合のニーズに応じて、その2つの凹部は、空間的に対称又は非対称であるように設計してもよく、また、2つの凹部は、同じ又は異なる形状及び幾何構造を有してもよい（図2（c）に示されている断面のように、第1凹部101及び第2凹部102の断面は矩形であるが、幅が異なってもよい。また、2つの凹部は、図2（c）の横中心点に対して非対称に設けられていてもよい。図2（c）の上方から見下ろすと、第1凹部101及び第2凹部102は、大きさが異なる特定分布であってもよい）。
【００１９】
本発明の実施形態において、凹部の形成及びドープの熱拡散処理は、いずれも周知の半導体製造技術であり、本明細書でプロセスの詳細及びパラメータを詳しく説明しなくても、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は、周知の技術に基づいて実現できるはずである。例えば、PNダイオードについて、凹部は、素子及びプロセス特性によってPドープの表面又はNドープの表面に選択的に形成することができる。
【００２０】
本発明で提案した凹部を有するダイオード素子は、基板上に凹部を形成することにより少なくとも一つのドープ領域の分布を変更し、ダイオード素子の特性を変更することができる。以下、電圧/電流の特性を例として、コンピュータシミュレーションの方式により本発明のダイオード素子の特性向上に対する効果を示す。図4（a）〜図4（c）は、コンピュータシミュレーションを行うために用いられる素子構造を示す。図4（a）は、周知技術のダイオード素子構造を示す。図4（b）は、本発明の凹部を有するダイオード素子構造を示し、そのドープの熱拡散処理の温度及び時間は、図4（a）と同じである。図4（c）は、同様に周知技術のダイオード素子構造を示すが、図4（a）よりも高温及び長時間のドープの熱拡散処理を使用するので、図4（a）よりも、そのドープの拡散深さが深くなり、ベース幅が小さくなる。図4（a）〜図4（c）において、横軸及び縦軸の単位は、いずれもミクロンであり、各素子のドープ極性は、図面に示すとおりである。図5は、図4（a）〜図4（c）の3つの構造に基づく、コンピュータシミュレーションによる順バイアス特性である。図5から分かるように、本発明の素子構造（図4（b））は、同じドープの拡散条件を使用する周知のダイオード素子（図4（a））よりも、順電圧VF（順バイアス時の導通電圧降下）を大幅に低減させることができる。周知のダイオード素子におけるドープの拡散深さ（図4（c））を大幅に深くしても、そのVFは、依然として本発明よりも高くなる。換言すれば、本発明の凹部を有するダイオード素子は、同じドープの拡散条件（同程度のエネルギー消費に相当する）下でより低いVFを得ることができる。かつ、周知技術では、ドープの拡散深さがより深くなっても（エネルギーがより消費されることに相当する）、VFを低減させる効果は、依然として本発明に及ばない。一方、図6は、本発明の素子構造が逆バイアス時に現れる電圧/電流特性は周知技術と明らかな差異がないことを示す。同じ原理に基づいて、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとって、2つ以上の凹部を含むダイオード素子（例えば、図2（c）に示すもの）も類似する電圧/電流特性を有し、且つ、複数の凹部がさらに設計上の柔軟性を増加可能であることを予期することができ、例えば、順電流密度の制御（電流密度が導通抵抗に緊密に関連する）、或いは、小さい凹部の設計（又は、一部に凹部がない）によりダイの特定部位の機械的強度を向上させるが、これに限らない。
【００２１】
前の段落の説明から分かるように、本発明の凹部を有するダイオード素子は、確かに素子の特性を改善（又は少なくとも変更）することができる。したがって、実際の素子の設計過程において、コンピュータシミュレーション技術を用いて、本発明の凹部構造は、応用分野、予想の素子特性、プロセス能力、コストなどの考慮に対して変更し、目的を効果的に達成する素子構造及びプロセス条件のパラメータを得ることができる。換言すれば、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者にとって、簡単な試みだけで最高又は最適な素子構造及びプロセス条件パラメータを決定することができる。実際のプロセスにおいて、エッチング、熱拡散処理、素子構造及び特性の計測などの技術はいずれも、既に十分に成熟したので、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は、簡単な試みだけで本発明の構造を実現するとともにその効果を検証することもできる。
【００２２】
電圧/電流特性以外に、以下、本発明の凹部を有するダイオード素子が有する他の効果をさらに説明する。
【００２３】
ダイオード素子に高速回復の特性を持たせるために、周知手順の一つは、キャリアライフタイムキラー（例えば、金又は白金）を素子のPN接合の付近にドープする。図2（b）に示されている凹部を有するダイオード素子構造に熱拡散処理によりキャリアライフタイムキラーのドープを行うと、図7に示されているような構造を形成することができる。上図、下図には、それぞれ2つの表面から拡散したドライブイン深さ15を示す。本発明のダイオード素子の、キャリアライフタイムキラーのドープに対する有益な効果は、少なくとも2つの側面がある。まず、表面の凹部構造は、キャリアライフタイムキラーが理想の深さまでより容易にドライブインされるようにすることができる。次に、凹部構造を有するダイオード素子は、浅いPNドープ領域を採用できるので、それに応じて、キャリアライフタイムキラーも比較的に浅い深さまでドライブインされればよい。なお、凹部構造がダイ範囲の特定領域及び深さに形成可能であることも、キャリアライフタイムキラーを特定の位置にドープし、所望の特定のダイ逆回復時間及び波形を生じることに寄与する。したがって、上記した説明を参照し、本発明によれば、ダイオード素子上に凹部を形成することにより、ニーズに応じて凹部の形成条件（例えば、P又はNドープの表面に形成されること、凹部数量、各凹部の幾何構造等が挙げられるが、これに限らない）が制御可能であるほか、キャリアライフタイムキラーのドープ条件（例えば、凹部を有している又は凹部を有していない表面から拡散すること、P又はNドープの表面から拡散すること、拡散温度及び時間等が挙げられるが、これに限らない）をさらに制御して所望の素子特性を実現することができる。
【００２４】
周知のダイオードの製造過程において、溝を形成するとともにガラスを埋め込んで図8に示されているような素子構造を形成することを主に含むガラスパシベーションプロセス（glass passivation process、GPP）を増やしてもよい。ガラスを埋め込むための溝16の深さは、第2ドープ領域14の深さの影響を受ける。前述したように、本発明で提案した凹部を有するダイオード素子は、第2ドープ領域14の深さを低減させて溝16に要する深さを低減させることができる。ガラスパシベーションの過程において浅い溝を形成すれば、プロセスの歩留まりを相対的に向上させることができる以外に、ウェットエッチングにより溝を形成する場合、深い溝は、溝の頂部にくちばし状を形成しやすく、よってガラス付着又は被覆効果が不良になりやすい。浅い溝は、これらの問題を回避することができる。
【００２５】
以上は、本発明の実施形態及び効果の例示に過ぎず、すべての可能な変化を徹底的に挙げたものではない。本発明の概念により、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者は、本明細書に開示されている内容に基づいてそれを自ら変更することで本発明の概念に含まれる様々な具体的な変化を実現することができる。出願人が主張する権利範囲は、特許請求の範囲に記載されるとおりであり、各請求項の文言の意味及び均等範囲は、いずれも本特許の権利範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００２６】
1 : 半導体基板
2 : ウエハ
10 : 凹部
11 : 第1ドープ領域
12 : 第2ドープ領域
13 : 第1ドープ領域
14 : 第2ドープ領域
15 : キャリアライフタイムキラーのドライブイン深さ
16 : 溝
20 : 凹部
101 : 第1凹部
102 : 第2凹部
D1 : 距離
D2 : 距離
【図１】
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【図２（ａ）】
2020027935.tif 000004
【図２（ｂ）】
2020027935.tif 000005
【図２（ｃ）】
2020027935.tif 000006
【図３】
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【図４（ａ）】
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【図４（ｂ）】
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【図４（ｃ）】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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