(57)【要約】【課題】リード端子の扁平部、特に、丸棒部に近接する肩部が封口体と接触しない構造にすることで、封口体の変形に伴うストレスによる漏れ電流を低減できる構造の電解コンデンサを提供することを目的とする。【解決手段】電解コンデンサ１は、リード端子５が接合された陽極箔２ａと、リード端子６が接合された陰極箔２ｃとがセパレータ２ｄを介して巻回されてコンデンサ素子２が形成され、コンデンサ素子２に電解質２ｅが導入されており、且つ、リード端子５とリード端子６とが封口体３の貫通穴３ｃ，３ｃにそれぞれ挿通されている構成であり、リード端子５の第２扁平部５ａ２とリード端子６の第２扁平部６ａ２のいずれかないしは両方が封口体３と非接触である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有するリード端子を備え、前記リード端子が陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合箇所で接合され前記陽極箔と前記陰極箔とがセパレータを介して巻回されてコンデンサ素子が形成され、前記コンデンサ素子に電解質が導入されており、且つ、前記リード端子が封口体の貫通穴にそれぞれ挿通されている構成であり、
前記扁平部は、前記第１段差部に接する第１扁平部と、前記第１扁平部から延設され前記接合箇所を含む第２扁平部とを有し、
前記リード端子のいずれかないしは両方における前記第２扁平部と前記封口体とが非接触であること
を特徴とする電解コンデンサ。
【請求項２】
前記リード端子のうち少なくとも前記陽極箔と接合される陽極リード端子は、
前記第１扁平部の幅寸法が前記丸棒部の外径寸法以下の大きさに設定されており、
前記第２扁平部の幅寸法が前記丸棒部の外径寸法を超える大きさに設定されており、且つ、前記第２扁平部と前記封口体とが非接触であること
を特徴とする請求項１記載の電解コンデンサ。
【請求項３】
前記電解質は、導電性高分子化合物を含むこと
を特徴とする請求項１または２記載の電解コンデンサ。
【請求項４】
前記電解質は、導電性高分子分散液または導電性高分子溶液のいずれかないしは両方から形成された導電性高分子化合物を含んでおり、
前記導電性高分子化合物の平均粒子径は、１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下であること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
【請求項５】
前記コンデンサ素子は、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を含有していること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
【請求項６】
前記コンデンサ素子は、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホン基、アミド基、またはリン酸エステル基からなる親水性の官能基を持つ、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を１種以上含有していること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
【請求項７】
各前記リード端子における、少なくとも前記第１扁平部、前記第１段差部、前記丸棒部のいずれかに、樹脂からなる絶縁膜が形成されていること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
【請求項８】
前記コンデンサ素子を収納する有底形状のケースを備え、
前記ケースの開口側が前記封口体によって封止されていること
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
電解コンデンサは、リード端子が各々接合している状態の陽極箔と陰極箔とがセパレータを介して巻回されて形成されたコンデンサ素子に、電解質が導入されている構成である。
【０００３】
リード端子は、扁平部と第１段差部と丸棒部と第２段差部と引出端子とからなる。
【０００４】
従来、封口体を有する構造の電解コンデンサにおいて、リード端子の塑性変形によってリード端子の化成被膜が亀裂することに起因する漏れ電流の抑制を課題として、リード端子の扁平部における、棒状部と二次化成領域との間の中間領域に、ディスペンサーによってアクリル樹脂を塗布して絶縁性樹脂被膜で被覆するとともに、棒状部には絶縁性樹脂被膜で被覆しない構造のリード端子が提案されている（特許文献１：特開２０１８−０２２８７８号公報）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１８−０２２８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１記載の方法は、リード端子製造の際や電解コンデンサ製造の際のストレスにより樹脂層が剥がれてしまうといった問題があり、漏れ電流の抑制対策としては不十分である。
【０００７】
一例として、電解コンデンサ製造の際、コンデンサ素子に導電性高分子化合物からなる固体電解質を導入するための工程で、リード端子の扁平部、特に丸棒部に近接する肩部に導電性高分子化合物が付着する。そのため、嵌合工程や封口工程で封口体が変形する際にリード端子に外力が加わって前記肩部にストレスが加わることで漏れ電流が大きくなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされ、リード端子の扁平部、特に、丸棒部に近接する肩部が封口体と接触しない構造にすることで、封口体の変形に伴うストレスによる漏れ電流を低減できる構造の電解コンデンサを提供することを目的とする。
【０００９】
一実施形態として、以下に開示するような解決手段により、前記課題を解決する。
【００１０】
本発明の電解コンデンサは、扁平部と第１段差部と丸棒部と引出端子とを有するリード端子を備え、前記リード端子が陽極箔と陰極箔とにそれぞれ接合箇所で接合され前記陽極箔と前記陰極箔とがセパレータを介して巻回されてコンデンサ素子が形成され、前記コンデンサ素子に電解質が導入されており、且つ、前記リード端子が封口体の貫通穴にそれぞれ挿通されている構成であり、前記扁平部は、前記第１段差部に接する第１扁平部と、前記第１扁平部から延設され前記接合箇所を含む第２扁平部とを有し、前記リード端子のいずれかないしは両方における前記第２扁平部と前記封口体とが非接触であることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、組立時やリフロー時に封口体の変形に伴うストレスが生じた場合においても、漏れ電流を抑制できる。
【００１２】
前記リード端子のうち少なくとも前記陽極箔と接合される陽極リード端子は、前記第１扁平部の幅寸法が前記丸棒部の外径寸法以下の大きさに設定されており、前記第２扁平部の幅寸法が前記丸棒部の外径寸法を超える大きさに設定されており、且つ、前記第２扁平部と前記封口体とが非接触であることが好ましい。この構成によれば、漏れ電流を効果的に抑制できるとともに、陽極箔との電気接続が確実かつ十分に行える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、組立時やリフロー時に封口体の変形に伴うストレスが生じた場合においても、漏れ電流を抑制できる。したがって、漏れ電流を低減した構造の電解コンデンサが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る電解コンデンサの概略構造を示す部分断面図である。
【図２】図２は図１の電解コンデンサの部分拡大図である。
【図３】図３Ａは第１の実施形態におけるリード端子の概略の正面図であり、図３Ｂは図３Ａのリード端子の概略の側面図である。
【図４】図４は第１の実施形態におけるリード端子を陽極箔（または陰極箔）に接合した状態の図である。
【図５】図５は第１の実施形態における陽極リード端子が接合された陽極箔（および陰極リード端子が接合された陰極箔）とセパレータとをそれぞれ重ね合わせて巻回している状態の図である。
【図６】図６Ａは第１の実施形態における化成処理の準備段階の図であり、図６Ｂは図６Ａの化成処理の準備段階に続く浸漬段階の図であり、図６Ｃは図６Ｂの化成処理の浸漬段階に続く引き上げ段階の図である。
【図７】図７Ａは第１の実施形態における分散液充填処理の準備段階の図であり、図７Ｂは図７Ａの分散液充填処理の準備段階に続く浸漬段階の図であり、図７Ｃは図７Ｂの分散液充填処理の浸漬段階に続く引き上げ段階の図である。
【図８】図８Ａは第１の実施形態における水溶性高分子化合物導入処理の準備段階の図であり、図８Ｂは図８Ａの水溶性高分子化合物導入処理の準備段階に続く浸漬段階の図であり、図８Ｃは図８Ｂの水溶性高分子化合物導入処理の浸漬段階に続く引き上げ段階の図である。
【図９】図９Ａは第１の実施形態における嵌合処理の準備段階の図であり、図９Ｂは図９Ａの嵌合処理の準備段階に続く挿通段階の図であり、図９Ｃは図９Ｂの嵌合処理の挿通段階に続く嵌合段階の図である。
【図１０】図１０は第１の実施形態に係るコンデンサ素子の要部を模式的に示す図である。
【図１１】図１１Ａは第２の実施形態における絶縁膜が形成されたリード端子の概略の正面図であり、図１１Ｂは図１１Ａのリード端子の概略の側面図である。
【図１２】図１２は第２の実施形態におけるリード端子を陽極箔（または陰極箔）に接合した状態の図である。
【図１３】図１３Ａは第１の実施形態に係る電解コンデンサの製造手順を示すフローチャート図であり、図１３Ｂは第２の実施形態に係る電解コンデンサの製造手順を示すフローチャート図である。
【図１４】図１４Ａは比較例におけるリード端子の概略の正面図であり、図１４Ｂは図１４Ａのリード端子の概略の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
以下、図面を参照して、本発明の第１の実施形態について詳しく説明する。図１は、第１の電解コンデンサ１の例を示す概略図であり、部分断面図である。図２は、図１の電解コンデンサ１における破線で囲んだ部分Ｐ１を正面側から見たときのリード端子５と封口体３との関係を示す断面図であり、部分拡大図である。電解コンデンサ１は、電解質２ｅが導入されている巻回型のコンデンサ素子２と、リード端子５及びリード端子６と、貫通穴３ｃが二箇所に形成された封口体３と、コンデンサ素子２を収納する有底形状のケース４とを備えており、ケース４の開口側が封口体３によって封止されている構成である。
【００１６】
ここで、電解コンデンサ１の各部の位置関係を説明し易くするため、図中にＸ，Ｙ，Ｚの矢印で向きを示している。電解コンデンサ１を実際に使用する際には、これらの向きに限定されず、どのような向きで使用しても支障ない。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００１７】
図１の例では、ケース４の開口側の側面に横絞り部４ｂが形成され、且つ、開口端部４ａが曲げられている。ケース４の開口側は、コンデンサ素子２が配設されておらず、封口体３の第１面３ａの一部や、リード端子５（６）の引出端子５ｆ（６ｆ）が露出している。封口体３は、ケース４の横絞り部４ｂと開口端部４ａとによって支持固定されている。リード端子５（６）は、丸棒部５ｄ（６ｄ）が封口体３の貫通穴３ｃに嵌合しており、封口体３によって支持固定されている。
【００１８】
ケース４は有底筒状であり、アルミニウム等の金属からなる。封口体３は、水分の浸入や酸化皮膜修復物質の飛散を防止するために高気密性を有し、ケース４の内側形状に合わせた略円柱形状となっている。そして、第1面３ａと第２面３ｂとには、リード端子５の丸棒部５ｄとリード端子６の丸棒部６ｄとが各々挿通される貫通穴３ｃが２個所に形成されている。ここで、第1面３ａと第２面３ｂとは互いに逆向きとなっており、第1面３ａを上面とした場合、第２面３ｂは下面となる。
【００１９】
封口体３は、絶縁性ゴム組成物からなる。一例として、封口体３は、イソブチレン・イソプレンゴム、ブチルゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴム、又はその他既知のエラストマーからなる。
【００２０】
先ず、第１の実施形態に係るコンデンサ素子２の構造等について説明する。なお、コンデンサ素子２の製造手順等の説明については後述する。
【００２１】
図１０は、第１の実施形態の電解コンデンサ１におけるコンデンサ素子２の要部を模式的に示す図である。陽極箔２ａと陰極箔２ｃとはアルミニウム、タンタル、ニオブ等の弁金属から形成されている。陽極箔２ａの表面は、エッチング処理により粗面化された後、化成処理によって酸化皮膜２ｂが形成されている。陰極箔２ｃの表面は、陽極箔２ａと同様にエッチング処理により粗面化された後、自然酸化皮膜２ｈが形成されている。陽極箔２ａと陰極箔２ｃとは、一例として、アルミニウムからなる。
【００２２】
陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間にはセパレータ２ｄが配設されている。セパレータ２ｄは、導電性の高分子や水溶性の高分子と化学的に馴染み易いセルロース繊維、または、耐熱性に優れたナイロン、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）等の合成樹脂で形成されたものが適用される。セパレータ２ｄは、一例として、耐熱性セルロース紙である。
【００２３】
第１の実施形態は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な電解液、水溶性高分子化合物、又はその他既知の酸化皮膜修復物質をコンデンサ素子２に導入することができる。
【００２４】
第１の実施形態は、導電性高分子化合物からなる電解質２ｅがコンデンサ素子２に導入されている。微粒子状の導電性高分子化合物からなる電解質２ｅは、サイズがナノメートルオーダーとなっている。
【００２５】
また、水溶性高分子化合物１３がコンデンサ素子２に含浸されている。水溶性高分子化合物１３は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂおよび陰極箔２ｃの酸化皮膜２ｈを修復可能な水分を保持しているので、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復できる。
【００２６】
電解質２ｅは、一例として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリピロール（ＰＰｙ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリチオフェン（ＰＴ）、又はその他既知の導電性高分子化合物を含む。
【００２７】
第１の実施形態は、導電性高分子分散液または導電性高分子溶液のいずれかないしは両方から形成された導電性高分子化合物を含むことが好ましい。これによれば、高耐電圧化が可能となり、一例として、耐電圧を１００[Ｖ]まで高めることができる。
【００２８】
電解質２ｅは、ポリスチレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸のいずれか１種以上をドーパントとした導電性高分子化合物を含むことが好ましい。これによれば、導電性が安定する。
【００２９】
コンデンサ素子２は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能なポリアルキレンオキサイド、水溶性シリコーン若しくは分岐ポリエーテル又はこれらの誘導体からなる酸化皮膜修復物質を１種以上含有していることが好ましい。これらは酸素原子を多く有し、高い酸化力を有するため、電解コンデンサ１を長時間使用した場合に、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂに欠損が生じた場合でも高い酸化力を欠損部の修復に使用できるため、漏れ電流を抑制することができる。
【００３０】
水溶性高分子化合物１３がポリアルキレンオキサイドの場合には、その分子量は１００以上かつ１０００以下であることが好ましい。分子量が１００よりも小さい場合には封口体３を透過して外部に飛散し易くなる傾向がある。一方、分子量が１０００よりも大きい場合には低温での等価直列抵抗（ＥＳＲ）が大きくなる傾向がある。
【００３１】
水溶性高分子化合物１３が水溶性シリコーン、分岐ポリエーテル、ポリアルキレンオキサイドの誘導体、水溶性シリコーンの誘導体、又は分岐ポリエーテルの誘導体の場合には、その分子量が２００以上かつ３０００以下であることが好ましい。分子量が２００よりも小さい場合には封口体３を透過して外部に飛散し易くなる傾向がある。一方、分子量が３０００よりも大きい場合には低温での等価直列抵抗（ＥＳＲ）が大きくなる傾向がある。
【００３２】
コンデンサ素子２は、ヒドロキシ基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、スルホン基、アミド基、またはリン酸エステル基からなる親水性の官能基を持つ、前記陽極箔の酸化皮膜を修復可能な酸化皮膜修復物質を１種以上含有していることが好ましい。これにより、主鎖に水素結合を発現する結合鎖を含む水溶性高分子化合物１３が安定して得られる。
【００３３】
コンデンサ素子２は、分子量の異なる２種以上の水溶性高分子化合物の混合体からなる、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な酸化皮膜修復物質を含有していることが好ましい。
【００３４】
ここで、電解コンデンサ１に水溶性高分子化合物１３が溶解した水溶性高分子溶液を含有させる場合、低温における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低くするという観点からは、分子量の小さい水溶性高分子化合物を用いるのが好ましい。分子量の大きい高分子は１０[℃]以下の低温で凝固が始まるため、凝固が始まる時に固体電解質のネットワークを破壊して電解コンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増大を引き起こす虞がある。一方、分子量の小さい水溶性高分子化合物は分子量の大きい水溶性高分子化合物よりも凝固点が低いことから、分子量の小さい水溶性高分子化合物を用いた電解コンデンサ１を１０[℃]以下の低温状態においたときに水溶性高分子化合物が凝固しにくくなり、微粒子状の導電性高分子化合物からなる固体電解質のネットワークが破壊され難くなる。従って、等価直列抵抗（ＥＳＲ）が高くなることを抑制できるとともに、低温での特性安定性に優れた電解コンデンサ１となる。その反面、分子量の小さい水溶性高分子化合物は、封口体３を透過しやすい性質があるため、単独でこれを用いたのでは、水溶性高分子溶液を長期にわたり保持しにくくなることがある。
【００３５】
そこで、第１の実施形態は、水溶性高分子化合物１３として、分子量の異なる２種類以上の水溶性高分子化合物を用いる。これにより、分子量の小さい水溶性高分子化合物と、当該分子量の小さい水溶性高分子化合物よりも分子量の大きい水溶性高分子化合物とを混合して用いることにより、低温時の凝固ストレスを緩和することで低温における等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低くできる効果と水溶性高分子溶液が封口体３を透過して外部に飛散しにくくなるという効果が両方共に可能となり、その結果、第１の実施形態は、低温特性が良好であり、かつ、長寿命の電解コンデンサ１となる。
【００３６】
電解質２ｅは、一例として、微粒子状の導電性高分子化合物２ｅからなる。ここで、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、１[ｎｍ]以上かつ３００[ｎｍ]以下である。導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径が１[ｎｍ]未満である場合には、微粒子状の導電性高分子化合物を作製するのが困難となる場合がある。一方、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径が３００[ｎｍ]よりも大きい場合には、陽極箔２ａ表面のエッチングピット（凹部）に導電性高分子化合物２ｅを導入するのが困難となる場合がある。このような観点から言えば、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２[ｎｍ]以上であることがより好ましく、３[ｎｍ]以上であることがより一層好ましい。また、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２００[ｎｍ]以下であることがより好ましく、１００[ｎｍ]以下であることがより一層好ましい。
【００３７】
引き続き、第１の実施形態に係るリード端子５及びリード端子６について、以下に説明する。
【００３８】
図３Ａはリード端子５（６）の概略の正面図であり、図３Ｂはリード端子５（６）の概略の側面図である。リード端子５（６）は、扁平部５ａ（６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）と第２段差部５ｅ（６ｅ）と引出端子５ｆ（６ｆ）とが連なって一体化している構造体である。
【００３９】
リード端子５（６）における引出端子５ｆ（６ｆ）は、一例として、錫めっきされた銅被覆鋼線（ＣＰ線）からなる。これにより、外部の基板等への半田付けが容易となる。なお、引出端子５ｆ（６ｆ）は、丸ピンとする場合や角ピンとする場合がある。
【００４０】
引出端子５ｆ（６ｆ）は、一例として、第２段差部５ｅ（６ｅ）に既知の溶接技術によって溶接される。扁平部５ａ（６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）とは、一例として、ホウ酸やアジピン酸等を含む既知の化成液によって予め化成処理されて、酸化皮膜が形成されている。
【００４１】
扁平部５ａ（６ａ）は、第１段差部５ｃ（６ｃ）に接する第１扁平部５ａ１（６ａ１）と、第１扁平部５ａ１（６ａ１）から延設される第２扁平部５ａ２（６ａ２）とからなる。
【００４２】
ここで、リード端子５は陽極箔２ａに接合される陽極リード端子であり、リード端子６は陰極箔２ｃに接合される陰極リード端子である。
【００４３】
陽極リード端子５の引出端子５ｆの長さは、陰極リード端子６の引出端子６ｆの長さよりも長くなっている。これにより、極性を容易に視認できる。
【００４４】
第１の実施形態は、引出端子５ｆと引出端子６ｆとの長さの違いを除いて、陽極リード端子５と陰極リード端子６とは、同一形状かつ同一構造としてよい。続いて、陽極リード端子５の構造について、以下に説明する。
【００４５】
陽極リード端子５における扁平部５ａと第１段差部５ｃと丸棒部５ｄとは、一例として、アルミニウムからなり、プレス加工によって成形される。
【００４６】
図３Ａに示すように、正面視において、第１扁平部５ａ１の幅寸法（図中のＹ方向の幅寸法）Ｗ１は、丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１以下の大きさに設定されている。つまり、第１扁平部５ａ１の幅寸法Ｗ１の最大値は、丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１の最大値以下の大きさである。
【００４７】
また、図３Ａに示すように、正面側から見たときの第２扁平部５ａ２の幅寸法（図中のＹ方向の幅寸法）Ｗ２は、丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１を超える大きさに設定されている。つまり、第２扁平部５ａ２の幅寸法Ｗ２の最大値は、丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１の最大値を超える大きさである。
【００４８】
図４は、陽極リード端子５を陽極箔２ａに接合した状態の図である。陽極リード端子５は、第２扁平部５ａ２における複数の接合箇所５ｂ１、５ｂ２、５ｂ３で陽極箔２ａと接合されており、電気接続が可能な状態となっている。図４の例では、第２扁平部５ａ２は、複数の接合箇所５ｂ１、５ｂ２、５ｂ３を通る幅寸法は、いずれも、第１扁平部５ａ１（６ａ１）との境界を通る幅寸法よりも大きい。これにより、扁平部５ａと陽極箔２ａとの接触抵抗を十分に小さくできる。
【００４９】
一例として、扁平部５ａと陽極箔２ａとを重ね合わせて、針等で所定箇所を突き通して、出来たバリ部分をプレス加工して複数の接合箇所５ｂ１，５ｂ２，５ｂ３を所定間隔で形成し、電気接続が可能な状態とする。接合箇所５ｂ１，５ｂ２，５ｂ３は複数個所形成されていれば電気接続状態が安定するので、上記以外に、接続箇所が二箇所の場合や四箇所の場合がある。
【００５０】
略円柱形状の丸棒部５ｄは第１段差部５ｃよりも外径が一様に大きい。第１段差部５ｃは丸棒部５ｄよりも扁平な形状であって、扁平部５ａよりも所定方向（図３ＢのＸ方向）の厚みが大きい。扁平部５ａは薄板形状で所定方向（図３ＢのＸ方向）の厚みが小さい。
【００５１】
陽極箔２ａは扁平部５ａよりもさらに薄い箔形状である。図３Ａ、図３Ｂ、図４では、扁平部５ａにおける第１段差部５ｃとの境界Ｖ１を破線で示している。
【００５２】
続いて、第１の実施形態に係る電解コンデンサ１の製造方法について、以下に説明する。
【００５３】
図１３Ａは、電解コンデンサ１の製造手順を示すフローチャート図である。電解コンデンサ１は、一例として、接合ステップＳ２、素子形成ステップＳ３、導入ステップＳ４、嵌合ステップＳ５、封口ステップＳ６、エージングステップＳ７の順に製造される。
【００５４】
なお、電解コンデンサ１の製造手順は、上記の手順に限定されず、上記以外に、導入ステップＳ４と嵌合ステップＳ５との順序を入れ替えることが可能である。さらに、上記以外に、エージングステップＳ７の後に、封口ステップＳ６を設けることが可能であり、また、エージングステップＳ７の後に、嵌合ステップＳ５および封口ステップＳ６を設けることが可能である。
【００５５】
接合ステップＳ２は、一例として、上述のとおり、扁平部５ａと陽極箔２ａとを重ね合わせて、針等で所定箇所を突き通して、出来たバリ部分をプレス加工して複数の接合箇所５ｂ１，５ｂ２，５ｂ３を所定間隔で形成し、陽極箔２ａと接合して電気接続可能とする。陰極箔２ｃについても同様である。
【００５６】
素子形成ステップＳ３は、一例として、図５に示すように、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間にセパレータ２ｄを挟んで両電極箔を隔離した状態とし、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとをセパレータ２ｄを介して巻回して円筒形状とする。そして、テープまたはフィルム等を円筒形状の外周部に貼り付けて巻回状態を保持する（不図示）。
【００５７】
素子形成ステップＳ３における化成処理は、一例として、図６Ａに示すように、化成液１１を入れた化成液槽５１を準備する。次に、図６Ｂに示すように、化成処理前段階のコンデンサ素子２ｉを化成液槽５１内の化成液１１に浸漬するとともに、引出端子５ｆと化成液１１との間に所定電圧を所定時間印加する。一例として、１００[Ｖ]の電圧を、５[分]印加して、陽極箔２ａの端部に存在する酸化皮膜欠損部及び表面に存在することがある酸化皮膜欠損部を修復する（不図示）。そして、図６Ｃに示すように、化成液槽５１から引き上げて、乾燥し、化成処理された状態のコンデンサ素子２ｊにする。
【００５８】
化成液１１は、例えば、アジピン酸アンモニウム、ホウ酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、グルタル酸アンモニウム、アゼライン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム、セバシン酸アンモニウム、ピメリン酸アンモニウム、スベリン酸アンモニウム等の水溶液が挙げられる。
【００５９】
導入ステップＳ４は、化成処理された状態のコンデンサ素子２ｊに電解質２ｅを導入する。一例として、電解質２ｅとして導電性高分子化合物を導入する第１導入処理を行い、その後、電解質２ｅとして導電性高分子化合物が導入された状態のコンデンサ素子２に、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な水溶性高分子化合物１３を導入する第２導入処理を行う。
【００６０】
導入ステップＳ４における第１導入処理は、一例として、図７Ａに示すように、分散液１２を入れた分散液槽５２を準備する。次に、図７Ｂに示すように、化成処理された状態のコンデンサ素子２ｊを分散液槽５２内の分散液１２に浸漬する。そして、図７Ｃに示すように、分散液槽５２から引き上げて、乾燥し、第１導入処理された状態のコンデンサ素子２ｋにする。
【００６１】
第１の実施形態は、電解質２ｅは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ポリ（４−スチレンスルホン酸）をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ポリピロール（ＰＰｙ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリチオフェン（ＰＴ）、又はその他既知の微粒子状の導電性高分子化合物からなる。
【００６２】
導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、一例として、１[ｎｍ]以上３００[ｎｍ]以下である。導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径が１[ｎｍ]未満である場合には、微粒子状の導電性高分子化合物を作製するのが困難となる場合がある。一方、導電性高分子化合物の平均粒子径が３００[ｎｍ]よりも大きい場合には、陽極箔２ａ表面のエッチングピット（凹部）に導電性高分子化合物２ｅを導入するのが困難となる場合がある。このような観点によれば、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２[ｎｍ]以上であることがより好ましく、また、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、３[ｎｍ]以上であることがより一層好ましい。そして、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、２００[ｎｍ]以下であることがより好ましく、また、導電性高分子化合物２ｅの平均粒子径は、１００[ｎｍ]以下であることがより一層好ましい。
【００６３】
第１の実施形態は、高分子分散液１２における導電性高分子化合物２ｅの濃度は、一例として、０．１[ｖｏｌ％]以上かつ１０[ｖｏｌ％]以下である。導電性高分子化合物２ｅの濃度が０．１[ｖｏｌ％]よりも低い場合には、導電性高分子化合物２ｅの量が少なく、所望のコンデンサ特性を発揮できない可能性がある。一方、導電性高分子化合物２ｅの濃度が１０[ｖｏｌ％]よりも高い場合には、分散液１２に導電性高分子化合物２ｅが均質に分散しない可能性がある。このような観点から言えば、導電性高分子化合物２ｅの濃度は、１[ｖｏｌ％]以上であることが好ましく、また、導電性高分子化合物２ｅの濃度は、２[ｖｏｌ％]以上であることがより好ましい。そして、導電性高分子化合物２ｅの濃度は、７[ｖｏｌ％]以下であることが好ましく、また、導電性高分子化合物２ｅの濃度は、３[ｖｏｌ％]以下であることがより好ましい。
【００６４】
導入ステップＳ４における第２導入処理は、一例として、図８Ａに示すように、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な水溶性高分子化合物１３を入れた溶液槽５３を準備する。次に、図８Ｂに示すように、第１導入処理された状態のコンデンサ素子２ｋを溶液槽５３内の水溶性高分子化合物１３に浸漬する。そして、図８Ｃに示すように、溶液槽５３から引き上げて、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２にする。
【００６５】
第１の実施形態におけるコンデンサ素子２は、微粒子状の導電性高分子化合物２ｅが導入されており、尚且つ、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能な水溶性高分子化合物１３がコンデンサ素子２に含浸している。
【００６６】
コンデンサ素子２は、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂを修復可能なポリアルキレンオキサイド、水溶性シリコーン若しくは分岐ポリエーテル又はこれらの誘導体からなる酸化皮膜修復物質を１種以上含有していることが好ましい。これらの水溶性高分子化合物は酸素原子を多く有し、高い酸化力を有するため、電解コンデンサ１を長時間使用した場合においても、その高い酸化力によって、陽極箔２ａの酸化皮膜２ｂの欠損部を修復するので、漏れ電流を抑制できる。
【００６７】
嵌合ステップＳ５は、一例として、図９Ａに示すように、ケース４と封口体３とを準備する。次に、図９Ｂに示すように、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２をケース４に収納するとともに、陽極リード端子５の丸棒部５ｄと、陰極リード端子６の丸棒部６ｄをそれぞれ封口体３の貫通穴３ｃ、３ｃに嵌合する。これにより、図９Ｃに示すように、ケース４と封口体３とが嵌合状態となる。
【００６８】
封口ステップＳ６は、一例として、ケース４の開口側にカシメ加工を施して、ケース４の開口側の側面に横絞り部４ｂを形成し、尚且つ、開口端部４ａを曲げる。このカシメ加工によって、図１に示すように、封口体３を、ケース４の横絞り部４ｂと開口端部４ａとによって支持固定する。つまり、封口体３とコンデンサ素子２とは、有底形状のケース４に収納されており、封口体３は、ケース４の開口側の成形加工によって支持固定されている。
【００６９】
エージングステップＳ７は、ケース４の開口側が封口体３とリード端子５（６）とによって封口された後に、外装スリーブをケース４に取り付ける等して、外装スリーブを熱加工するとともに、エージング処理を行う。エージング処理は、高温条件下で所定時間、電圧印加を行い、水溶性高分子化合物１３の酸化皮膜修復作用を用いて、陽極箔２ａの接合箇所５ｂ１、５ｂ２、５ｂ３や断面等の金属地金部分と酸化皮膜２ｂの弱い部分を再化成する。これにより、漏れ電流を安定させる。また、エージング処理には、予期しない初期不良の除去といったデバッキング効果もある。
【００７０】
上述した第１の実施形態は、図２に示すように、陽極箔２ａに接合される陽極リード端子５は、第１扁平部５ａ１の幅寸法Ｗ１の最大値が丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１の最大値以下の大きさに設定されており、第２扁平部５ａ２の幅寸法Ｗ２の最大値が外径寸法Ｋ１の最大値を超える大きさに設定されており、且つ、第２扁平部５ａ２と封口体３とが非接触である。この構成によれば、導電性高分子化合物２ｅが陽極リード端子５に付着した状態で組立時やリフロー時に封口体３の変形に伴うストレスが生じた場合においても、漏れ電流を抑制できる。また、一例として、接合箇所５ｂ１、５ｂ２、５ｂ３の数を幅方向に増やしたり、接合箇所５ｂ１、５ｂ２、５ｂ３が占める面積を拡大させたり、カシメ接合と超音波溶接など複数の接合方法を併用したりすることが可能になり、陽極リード端子５と陽極箔２ａとの電気接続が確実かつ十分に行える。さらに、一例として、事前の化成処理などにより第２扁平部５ａ２に酸化皮膜が形成された陽極リード端子５を接合することとした場合には、より確実に漏れ電流を抑制できるとともに、第２扁平部５ａ２に酸化皮膜が形成された陽極リード端子５と、表面に酸化皮膜が形成された陽極箔２ａとの電気接続が確実かつ十分に行える。
【００７１】
また、陰極箔２ｃに接合される陰極リード端子６についても同様に、第１扁平部６ａ１の幅寸法Ｗ１の最大値が丸棒部６ｄの外径寸法Ｋ１の最大値以下の大きさに設定されており、第２扁平部６ａ２の幅寸法Ｗ２の最大値が外径寸法Ｋ１の最大値を超える大きさに設定されており、且つ、第２扁平部６ａ２と封口体３とが非接触である。この構成によれば、陰極リード端子６と陽極リード端子５とで部品の標準化が図れる。また、陰極リード端子６と陰極箔２ｃとの電気接続が確実かつ十分に行える。さらに、第１扁平部を有していない形状の陰極リード端子を用いた構成と同等以上の漏れ電流の抑制効果が得られる。
【００７２】
なお、電解コンデンサ１の製造手順は、上記の手順に限定されず、上記以外に、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２をケース４に収納した後で、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃに嵌合する場合がある。また、上記以外に、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃに嵌合した後で、第２導入処理された状態のコンデンサ素子２をケース４に収納する場合がある。
【００７３】
（第２の実施形態）
図１１Ａは第２の実施形態に係る絶縁膜７が形成された陽極リード端子５（および陰極リード端子６）の概略の正面図であり、図１１Ｂは図１１Ａの概略の側面図である。第２の実施形態では、上述の第１の実施形態と相違する点を中心に説明する。
【００７４】
第２の実施形態は、上述の第１の実施形態に係るリード端子５（６）の所定箇所に、樹脂からなる絶縁膜７が形成される。
【００７５】
樹脂からなる絶縁膜７が形成される箇所は、少なくとも第１扁平部５ａ１（６ａ１）、第１段差部５ｃ（６ｃ）、丸棒部５ｄ（６ｄ）のいずれかである。絶縁膜７は、一例として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、又はその他既知の樹脂からなる。
【００７６】
一例として、第１扁平部５ａ１（６ａ１）に限定して樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、第１段差部５ｃ（６ｃ）に限定して樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、丸棒部５ｄ（６ｄ）に限定して樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。これにより、固体電解質２ｅが陽極リード端子５や陰極リード端子６に付着することを防止できる。
【００７７】
一例として、第１扁平部５ａ１（６ａ１）と第１段差部５ｃ（６ｃ）とに樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、第１扁平部５ａ１（６ａ１）、第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。これにより、固体電解質２ｅが陽極リード端子５や陰極リード端子６に付着することを防止できる。
【００７８】
一例として、リード端子５（６）の第１段差部５ｃ（６ｃ）における、少なくとも封口体３と接する部分に樹脂からなる絶縁膜７が形成されており、且つ、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）における、少なくとも封口体３と接する部分に樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）における、全周に亘って樹脂からなる絶縁膜７が形成されており、且つ、リード端子５（６）の第１段差部５ｃ（６ｃ）における、封口体３と接する部分に樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、リード端子５（６）の丸棒部５ｄ（６ｄ）における、全周に亘って樹脂からなる絶縁膜７が形成されており、且つ、リード端子５（６）の第１段差部５ｃ（６ｃ）における、全周に亘って樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。この構成により、樹脂からなる絶縁膜７が、封口体３における貫通穴３ｃと陽極リード端子５や陰極リード端子６との隙間を塞いで互いに密着した固着状態または融着状態となるので、陽極リード端子５や陰極リード端子６の位置が固定されて扁平部５ａ（６ａ）に外力が加わるのを防止する。
【００７９】
一例として、上記の構成に加えて、リード端子５（６）の第１扁平部５ａ１（６ａ１）が封口体３と接する構成とした場合における、少なくとも封口体３と接する部分に樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。一例として、上記の構成に加えて、リード端子５（６）の第１扁平部５ａ１（６ａ１）における、全周に亘って樹脂からなる絶縁膜７が形成されている場合がある。この構成により、樹脂からなる絶縁膜７が、封口体３における貫通穴３ｃの第２面３ｂ側における陽極リード端子５や陰極リード端子６との隙間を塞いで互いに密着した固着状態または融着状態となるので、陽極リード端子５や陰極リード端子６の位置が固定されて扁平部５ａ（６ａ）に外力が加わるのを防止する。
【００８０】
ここで、電解コンデンサ１の使用に際し、一例として、陽極リード端子５（および陰極リード端子６）を半田付けする。半田付け方式には、リフロー炉等を使用するリフロー方式、又は、半田槽等を使用するフロー方式があり、若しくは、半田ごてを使用する方法がある。
【００８１】
ゴムの線膨張係数は、鋼の線膨張係数の５倍〜２０倍ある。したがって、封口体３の線膨張係数は、陽極リード端子５及び陰極リード端子６の線膨張係数よりも遥かに大きい。このため、半田付けの際に、加熱によって封口体３が膨張して、封口体３の貫通穴３ｃにおける、第１段差部５ｃ（６ｃ）と封口体３との間や、丸棒部５ｄ（６ｄ）と封口体３との間に隙間が生じる場合がある。少なくとも第１段差部５ｃ（６ｃ）または丸棒部５ｄ（６ｄ）に絶縁膜７が形成されていることで、外力が加わった際に、絶縁膜７の緩衝作用によって、陽極リード端子５や陰極リード端子６へのストレスが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。
【００８２】
絶縁膜７を構成する絶縁性樹脂のＡＳＴＭ Ｄ６３８に準拠する引張試験にて試験片が示す引張破断伸度が小さすぎると、外力によるストレスを受けた場合に絶縁膜７にクラックが生じやすくなってしまう。そこで、ＡＳＴＭ Ｄ６３８に準拠する引張試験にて試験片が示す引張破断伸度が２[％]以上の絶縁性樹脂からなる絶縁膜７にする。これによって、絶縁膜７に外力が加わってストレスが生じた場合においても、絶縁膜７にクラックが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。上記引張破断伸度は、好ましくは１５[％]以上であり、より好ましくは５０[％]以上であり、さらに好ましくは２００[％]以上である。なお、ＡＳＴＭ Ｄ６３８と基本的には同様の規格であるＩＳＯ５２７またはＪＩＳ Ｋ７１６１に対応させて引張破断伸度を規定することも可能である。
【００８３】
絶縁膜７は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂からなることが好ましい。この構成によれば、これら樹脂の線膨張係数が、ゴムと鋼との中間レベルの線膨張係数を有しているので、半田付け等の加熱によって封口体３が膨張した場合でも、樹脂からなる絶縁膜７によって、封口体３の貫通穴３ｃにおける、第１段差部５ｃ（６ｃ）と封口体３との間や、丸棒部５ｄ（６ｄ）と封口体３との間に隙間が生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。
【００８４】
絶縁膜７は、熱可塑性樹脂からなることが好ましい。この構成によれば、製造時の熱処理、若しくは、使用時のリフロー、フロー、半田付け、又は熱衝撃等により封口体３が膨張した場合でも、絶縁膜７が軟化し融着して固着状態となるので、絶縁膜７の緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。
【００８５】
絶縁膜７は、リード端子５（６）と封口体３とに、固着または融着していることが好ましい。この構成によれば、製造時の熱処理、若しくは、使用時のリフロー、フロー、半田付け、又は熱衝撃等を経ることで、絶縁膜７が軟化し、封口体３の貫通穴３ｃにおける、第１段差部５ｃ（６ｃ）と封口体３との間や、丸棒部５ｄ（６ｄ）と封口体３との間に生じる隙間を塞ぎ、その後、融着して固着状態となる。したがって、使用時に漏れ電流が大きくなることを防止でき、繰り返し熱衝撃等が加わった場合でも、その都度、絶縁膜７が軟化し、融着して固着状態となるので、漏れ電流の抑制効果が持続する。
【００８６】
また、絶縁膜７が、少なくとも第１扁平部５ａ１（６ａ１）、第１段差部５ｃ（６ｃ）、丸棒部５ｄ（６ｄ）のいずれかに予め形成されていることで、製造プロセスにおいて、微量な電解質２ｅであっても、リード端子５（６）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止することができ、漏れ電流を抑制できる。
【００８７】
絶縁膜７は、融点が６０[℃]以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、熱処理を除いた製造時の温度域では、絶縁膜７が固着状態となっているので、リード端子５（６）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。
【００８８】
絶縁膜７は、融点が１２５[℃]以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、使用時の温度域では、絶縁膜７が固着状態となっているので、リード端子５（６）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。
【００８９】
絶縁膜７は、融点が１５０[℃]以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、電解コンデンサ１の使用時に電流が重畳され発熱している場合においても、絶縁膜７が固着状態となっているので、リード端子５（６）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。
【００９０】
絶縁膜７は、融点が２６０[℃]以下の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、リード端子５（６）の半田付けとして、例えば、ピーク温度が２６０[℃]のリフローを実施すると、絶縁膜７が軟化し、その後、融着して固着状態となるので、第１段差部５ｃ（６ｃ）並びに丸棒部５ｄ（６ｄ）と、封口体３の貫通穴３ｃとに隙間が生じることを防止でき、緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなるとともに、漏れ電流の抑制効果が持続する。
【００９１】
絶縁膜７は、結晶性樹脂からなることが好ましい。これによれば、温度が−２０[℃]を下回る低温域、温度が−２０[℃]以上かつ１００[℃]以下の温度域、及び温度が１００[℃]を超える高温域に亘る広範囲の温度域で、絶縁膜７が固着状態となっているので、リード端子５（６）の表面に電解質２ｅが付着するのを防止できる。上記に加えて、結晶性樹脂は、耐薬品性に優れているので、特に、化成処理等の製造過程で使用される薬品と接触する場合や、電解質導入等の製造過程での酸化皮膜修復物質等と接触する場合においても、絶縁膜７による漏れ電流の抑制効果が持続する。そして、結晶性樹脂は、外力が繰り返し加わることによる歪みや摩耗に対する強度が高いので、製造時や使用時にリード端子５（６）にストレスが加わる場合や、封口体３の膨張・収縮等の変形によってストレスが加わる場合においても、絶縁膜７による漏れ電流の抑制効果が持続する。
【００９２】
絶縁膜７は、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれか１種以上の絶縁性樹脂からなることが好ましい。これによれば、耐熱性に優れたものとなる。
【００９３】
絶縁膜７は、特に、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合樹脂（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（ＰＦＡ）、又はテトラフルオロエチレン・エチレン共重合樹脂（ＥＴＦＥ）が好ましい。これによれば、耐熱性及び耐薬品性に優れたものとなる。
【００９４】
絶縁性で熱可塑性樹脂からなる絶縁膜７は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、スチレン・アクリロニトリル共重合体（ＡＳ）、スチレン・ブタジエン・アクリロニトリル共重合体（ＡＢＳ）、ポリエチレン（ＰＥ）、エチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、変成アクリル（ＭＳ）、酢酸セルロース（ＣＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）、三フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）、四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン共重合（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・エチレン共重合（ＥＴＦＥ）、又はポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）が挙げられる。
【００９５】
絶縁性で熱可塑性樹脂からなる絶縁膜７は、特に、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリアミド（ＰＡ）、四フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン六フッ化プロピレン共重合（ＦＥＰ）、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン・エチレン共重合（ＥＴＦＥ）が好ましい。これによれば、リード端子５（６）の曲げ等のストレスに対する追従性及び耐薬品性に優れたものとなる。
【００９６】
絶縁膜７は、その厚さが薄いほど貫通穴３ｃとの嵌合が容易となる。一方、絶縁膜７は、その厚さが薄すぎると、外力によるストレスを受けやすくなってしまう。そこで、第２の実施形態は、絶縁膜７の厚さを０．１[μｍ]以上にする。絶縁膜７の厚さは、好ましくは１[μｍ]以上であり、より好ましくは３[μｍ]以上である。
【００９７】
絶縁膜７は、その厚さが厚いほど強度が高くなる。一方、絶縁膜７は、その厚さが厚すぎると、貫通穴３ｃとの嵌合の容易性が低下してしまう。そこで、第２の実施形態は、絶縁膜７の厚さを５００[μｍ]以下にする。絶縁膜７の厚さは、好ましくは１００[μｍ]以下であり、より好ましくは５０[μｍ]以下である。
【００９８】
続いて、第２の実施形態に係る電解コンデンサ１の製造方法について、以下に説明する。第２の実施形態では、上述の第１の実施形態と相違する点を中心に説明する。
【００９９】
図１３Ｂは、第２の実施形態に係る電解コンデンサ１の製造手順を示すフローチャート図である。電解コンデンサ１は、一例として絶縁膜形成ステップＳ１、接合ステップＳ２、素子形成ステップＳ３、導入ステップＳ４、嵌合ステップＳ５、封口ステップＳ６、エージングステップＳ７の順に製造される。
【０１００】
なお、電解コンデンサ１の製造手順は、上記の手順に限定されず、上記以外に、絶縁膜形成ステップＳ１と接合ステップＳ２との順序を入れ替えることが可能であり、また、上記以外に、素子形成ステップＳ３の後に、絶縁膜形成ステップＳ１を設けることが可能である。そして、上記以外に、導入ステップＳ４と嵌合ステップＳ５との順序を入れ替えることが可能である。さらに、上記以外に、エージングステップＳ７の後に、封口ステップＳ６を設けることが可能であり、また、エージングステップＳ７の後に、嵌合ステップＳ５および封口ステップＳ６を設けることが可能である。
【０１０１】
第２の実施形態は、絶縁膜形成ステップＳ１における塗布方法は、転写法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法、バーコート法、又はその他既知の塗布方法、若しくはこれら塗布方法の組み合わせが適用できる。
【０１０２】
絶縁膜形成ステップＳ１は、一例として、熱可塑性樹脂が溶解している樹脂溶液を、リード端子５（６）の所定範囲に塗布することで絶縁膜７を形成する。
【０１０３】
絶縁膜形成ステップＳ１は、一例として、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第１扁平部５ａ１（６ａ１）、第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）に絶縁膜７を形成する。
【０１０４】
接合ステップＳ２は、一例として、図１２に示すように、接合部５ｂと陽極箔２ａとを重ね合わせて、針等で所定箇所を突き通して、出来たバリ部分をプレス加工して複数の接合箇所５ｂ１，５ｂ２，５ｂ３を所定間隔で形成し、陽極箔２ａと接合して電気接続可能とする。陰極箔２ｃについても同様である。
【０１０５】
ここで、リード端子５（６）において、樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲は、陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）と重ならない範囲となっていることが好ましい。これによれば、接合部５ｂ（６ｂ）と陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）とを密着でき、リード端子５（６）と陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）との間の抵抗値を抑えることができる。
【０１０６】
第２の実施形態における素子形成ステップＳ３、導入ステップＳ４、嵌合ステップＳ５、封口ステップＳ６、及びエージングステップＳ７は、上述の第１の実施形態と同じである。
【０１０７】
第２の実施形態は、導入ステップＳ４の前段階で、リード端子５（６）の所定箇所に、樹脂からなる絶縁膜７を形成する。これにより、導入ステップＳ４の第1導入処理において、固体電解質２ｅがリード端子５（６）の所定箇所に付着することを防止でき、漏れ電流を抑制できる。
【０１０８】
第２の実施形態は、リード端子５（６）の長手方向における樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲は、封口体３の厚み寸法の０．１倍以上かつ２．５倍以下である。樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲が封口体３の厚み寸法の０．１倍よりも小さい場合には、リード端子５（６）の半田付け時において封口体３の熱膨張によるストレス等の影響で漏れ電流が大きくなる可能性がある。一方、樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲が封口体３の厚み寸法の２．５倍よりも大きい場合には、リード端子５（６）と陽極箔２ａ（陰極箔２ｃ）との間の抵抗値が大きくなることでコンデンサ特性に影響する可能性がある。
【０１０９】
このような観点から言えば、リード端子５（６）の長手方向における樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲は封口体３の厚み寸法の０．３倍以上であることが好ましく、また、樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲は封口体３の厚み寸法の０．５倍以上であることがより好ましい。そして、樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲は封口体３の厚み寸法の２．０倍以下であることが好ましく、また、樹脂からなる絶縁膜７が形成される範囲は封口体３の厚み寸法の１．５倍以下であることがより好ましい。
【０１１０】
リフローでの使用を考慮した場合、樹脂からなる絶縁膜７は、ピーク温度が２６０℃で時間が１０秒のリフローの際の熱により軟化し融着して固着状態となり、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間の隙間を塞いで互いに密着した固着状態となる構成が好ましい。この構成により、貫通穴３ｃと第１段差部５ｃ（６ｃ）、及び貫通穴３ｃと丸棒部５ｄ（６ｄ）との間に隙間が生じることを防止でき、緩衝作用により第１段差部５ｃ（６ｃ）及び丸棒部５ｄ（６ｄ）へのストレスが生じ難くなるとともに、漏れ電流の抑制効果が持続する。
【０１１１】
続いて、電解コンデンサ１の実施例１について、以下に説明する。
【０１１２】
[実施例１]
実施例１は、陽極リード端子５の形状は図３Ａと図３Ｂに示すとおりであり、また、陰極リード端子６の形状は図１４Ａと図１４Ｂに示すとおりである。
【０１１３】
実施例１における陽極リード端子５は、第１扁平部５ａ１の幅寸法Ｗ１の最大値が丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１の最大値と同じ大きさに設定されており、第２扁平部５ａ２の幅寸法Ｗ２の最大値が外径寸法Ｋ１の最大値を超える大きさに設定されている。
【０１１４】
実施例１における陰極リード端子１０６は、扁平部１０６ａと第１段差部６ｃと丸棒部６ｄと第２段差部６ｅと引出端子６ｆとが連なって一体化している構造体である。扁平部１０６ａは、第１段差部６ｃに接する扁平部のみからなる。つまり、図３Ａに示すような第１扁平部を有していない。陰極リード端子１０６は、扁平部１０６ａの幅寸法Ｗ３の最大値が、外径寸法Ｋ１の最大値と同じ大きさ又は外径寸法Ｋ１の最大値を超える大きさに設定されている。そして、組立時に、扁平部１０６ａは、封口体３と接触している。
【０１１５】
実施例１は、リード端子５の第２扁平部５ａ２と、エッチング処理を施して誘電体酸化皮膜２ｂを形成したアルミニウム箔からなる陽極箔２ａとを、複数の接合箇所にてカシメ接合して電気接続可能とした。また、リード端子１０６の扁平部１０６ａと、エッチング処理を施したアルミニウム箔からなる陰極箔２ｃとを、複数の接合箇所にてカシメ接合して電気接続可能とした。
【０１１６】
次に、リード端子５が接合された陽極箔２ａと、リード端子１０６が接合された陰極箔２ｃとの間にセパレータ２ｄを介在させて巻回することにより、巻回形のコンデンサ素子２を形成した。
【０１１７】
次に、コンデンサ素子２を化成液層中のアジピン酸アンモニウム水溶液に浸漬するとともに、陽極２ａ側のリード端子５と化成液の間に７０[Ｖ]の電圧を５[分]印加して、陽極箔２ａの端部に存在する酸化皮膜欠損部及び陽極箔２ａ表面の酸化皮膜欠損部を修復し、その後、１０５[℃]の温度で５[分]乾燥した。
【０１１８】
次に、コンデンサ素子２における、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に、微粒子状の導電性高分子化合物からなる固体電解質２ｅを導入した。固体電解質２ｅの導入工程においては、固体電解質２ｅを溶媒に分散させた固体電解質分散液１２を空隙に充填した後、溶媒を除去することにより、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に固体電解質２ｅを導入した。
【０１１９】
次に、陽極箔２ａと陰極箔２ｃとの間の空隙に、液体状の水溶性高分子化合物１３を、固体電解質２ｅを取り囲むように導入した。
【０１２０】
そして、イソブチレン・イソプレンゴムからなる封口体３を用いて、コンデンサ素子２のリード端子５（リード端子１０６）における、丸棒部５ｄ（６ｄ）及び第１段差部５ｃ（６ｃ）を、封口体３の貫通穴３ｃ，３ｃに嵌合するとともに、コンデンサ素子２を金属ケース４に挿入し、その後、金属ケース４の開口端近傍にカシメ加工を施し、封口体３を支持固定した。組立時に、リード端子５の第２扁平部５ａ２は封口体３と非接触であった。
【０１２１】
上記のようにして電解コンデンサ１（定格電圧３５[Ｖ]、静電容量１５０[μＦ]）を作製した。
【０１２２】
続いて、上述した実施例１の試作と並行して試作した比較例１の電解コンデンサについて、以下に説明する。
【０１２３】
[比較例１]
比較例１における陽極リード端子１０５と陰極リード端子１０６の形状は図１４Ａと図１４Ｂに示すとおりである。陽極リード端子１０５（陰極リード端子１０６）は、扁平部１０５ａ（１０６ａ）と第１段差部５ｃ（６ｃ）と丸棒部５ｄ（６ｄ）と第２段差部５ｅ（６ｅ）と引出端子５ｆ（６ｆ）とが連なって一体化している構造体である。扁平部１０５ａ（１０６ａ）は、第１段差部５ｃ（６ｃ）に接する扁平部のみからなる。つまり、陽極リード端子１０５（陰極リード端子１０６）は、図３Ａに示すような第１扁平部を有していない。陽極リード端子１０５（陰極リード端子１０６）は、扁平部１０５ａ（１０６ａ）の幅寸法Ｗ３が外径寸法Ｋ１以上の大きさに設定されている。そして、組立時に、扁平部１０５ａ（扁平部１０６ａ）は、封口体３と接触している。
【０１２４】
実施例１との違いは、比較例１は陽極リード端子１０５を用いていることである。それ以外は、実施例１と同様の製造条件で比較例１の電解コンデンサを作製した。そして、実施例１と比較例１とについて、直流電圧３５[V]を印加した時の漏れ電流値を測定し、評価した。
【０１２５】
上記のように作製した実施例１と、比較例１の各電解コンデンサについて、３５[Ｖ]の電圧を印加した時の漏れ電流を測定した。ここで、電圧印加後１分経過した時点の漏れ電流値を１分値と定義し、また、電圧印加後５分経過した時点の漏れ電流値を５分値と定義する。表１にその結果を示す。
【０１２６】
【表１】
2020107663.tif 000003
【０１２７】
表１に示すように、比較例１は電圧印加後の漏れ電流が大きく、１分値は実施例１の１６倍、５分値は実施例１の３７倍程度だった。一方、実施例１は比較例１に比べて、漏れ電流が大幅に抑制されていた。
【０１２８】
表１の結果から、実施例１のように、扁平部５ａにおける丸棒部５ｄの外径寸法Ｋ１を超える大きさの部分５ａ１（６ａ１）が、封口体３と接触しない構成とすることで、組立時に封口体からのストレスが生じた場合においても、漏れ電流を抑制できたものと考えられる。
【０１２９】
上述の実施例１の構成は適宜変更することができる。一例として、陽極リード端子５に加えて陰極リード端子６を用いる構成とすることで、部品の標準化が図れる。また、陰極リード端子６と陰極箔２ｃとの電気接続が確実かつ十分に行える。さらに、第１扁平部を有していない形状の陰極リード端子を用いた実施例１と同等以上の漏れ電流の抑制効果が得られる。
【０１３０】
上述の実施例１は適宜変更することができる。一例として、陽極リード端子５は、少なくとも第１扁平部５ａ１、第１段差部５ｃ、丸棒部５ｄのいずれかに、樹脂からなる絶縁膜７を形成する構成とする場合がある。また、陰極リード端子６についても同様である。絶縁膜７が形成されていることで、外力が加わった際に、絶縁膜７の緩衝作用によって、陽極リード端子５や陰極リード端子６へのストレスが生じ難くなり、漏れ電流を抑制できる。
【０１３１】
本発明は、上述の実施例に限定されることなく、本発明を逸脱しない範囲において種々変更が可能である。
【符号の説明】
【０１３２】
１  電解コンデンサ
２  コンデンサ素子
２ａ  陽極箔
２ｂ  酸化皮膜
２ｃ  陰極箔
２ｄ  セパレータ
２ｅ  電解質（導電性高分子化合物）
２ｈ  酸化皮膜
３  封口体
３ａ  第１面
３ｂ  第２面
３ｃ  貫通穴
４  ケース
５  リード端子（陽極リード端子）
６  リード端子（陰極リード端子）
５ａ、６ａ  扁平部
５ａ１、６ａ１  第１扁平部
５ａ２、６ａ２  第２扁平部
５ｂ１、５ｂ２、５ｂ３、６ｂ１、６ｂ２、６ｂ３  接合箇所
５ｃ、６ｃ  第１段差部
５ｄ、６ｄ  丸棒部
５ｅ、６ｅ  第２段差部
５ｆ、６ｆ  引出端子
７  絶縁膜
１１  化成液
１２  分散液
１３  水溶性高分子化合物
Ｋ１  丸棒部の外形寸法
Ｗ１  第１扁平部の幅寸法
Ｗ２  第２扁平部の幅寸法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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