(57)【要約】【課題】半導体パッケージを搬送用トレイに収納する際、および搬送用トレイで搬送する際に、半導体パッケージが搬送用トレイの側壁と接触することにより、半導体パッケージの端面に欠けおよび半導体パッケージ端面からのダストが発生する。【解決手段】少なくとも合成樹脂層を有する複層構造を備えており、前記合成樹脂層の端面が、複層構造を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備える半導体パッケージの技術を提供する。【選択図】図１
2020027837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも合成樹脂層を有する複層構造を備えており、
前記合成樹脂層の端面が他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備える、
半導体パッケージ。
【請求項２】
ガラス層とシリコン層との間に前記合成樹脂層が形成されている、
請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体パッケージを収納する収納部が複数配設されており、
該収納部に前記半導体パッケージが収納された、
半導体パッケージの搬送用トレイ。
【請求項４】
ウェーハの一方の面から前記合成樹脂層に至るまで第一の溝を形成する第一工程と、
前記ウェーハの他方の面から前記合成樹脂層の前記第一の溝の最深部に連通するまで第二の溝を形成することによって、前記合成樹脂層の端面が他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備えるように前記第二の溝を形成する第二工程と、
により、少なくとも合成樹脂層を有する複層構造を備えたウェーハを個片化する、半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記第一工程の前記第一の溝並びに前記第二工程の前記第二の溝を、次の（１）から（３）のうちいずれか一つまたは複数の組み合わせの加工によって形成する、
請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
（１）レーザー切削加工
（２）砥石切削加工
（３）ウェットエッチング加工
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、半導体パッケージ、半導体パッケージを収納する搬送用トレイ、および半導体パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器等の小型化ならびに高密度化、およびそれに伴う半導体パッケージの微小化等の要求により、該半導体パッケージの大きさを半導体チップの大きさに極力近づけた、いわゆるチップサイズパッケージ構造の半導体パッケージが用いられている。
【０００３】
さらに、生産効率向上のため、複数の半導体チップが形成された後、ウェーハ状態のまま一括してパッケージングし、その後個片化して半導体パッケージを得る、いわゆるウェーハレベルパッケージ技術が提案されている。このような技術により製造されたチップサイズパッケージ構造を有する半導体パッケージは、一般的にウェーハレベルチップサイズパッケージ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ、略してＷＬＣＳＰ）と呼ばれる。なお、半導体パッケージを得るためウェーハを個片化する工程は、ダイシング工程とも呼ばれ、例えば分割、分離、切断、切削等の加工により行われる。
【０００４】
半導体パッケージを製造する工程は、従来、以下の順で行われてきた。すなわち、半導体パッケージを製造する工程は、回路パターンが形成された半導体チップをウェーハから個片化するダイシング工程、半導体チップをリードフレーム等に配置するマウント工程、前記半導体チップと前記リードフレームとを配線接続するワイヤーボンディング工程、ワイヤーボンディングされた前記半導体チップと前記リードフレームとを樹脂等で被覆封止するモールド工程からなる。しかし、近年においては、前記リードフレームおよび前記ワイヤーボンディングを用いることなく、半導体チップの裏面に形成されたパッドに、半導体チップを反転して、例えば半田ボールによるバンプを配置するなどにより、外部と接続される端子を形成して配線する、いわゆるフリップチップ実装と呼ばれる技術により行われることもある。ウェーハレベルパッケージ技術においては、一般的には、個片化前のウェーハの状態で前記フリップチップ実装の技術を用いて配線され、モールド工程等の工程を経た後に個片化される。
【０００５】
これらの半導体パッケージは、半導体パッケージの大きさを半導体チップの大きさと極力近づけるため、半導体パッケージの全体、特に半導体パッケージの電極面およびその反対面以外の面は樹脂等による封止がされておらず、半導体チップが露出している場合もある。このため、これらの半導体パッケージを搬送用のトレイに収納する際に、当該半導体パッケージの端面が前記トレイの側壁と擦れ、ダストが発生するという問題があった。また半導体パッケージを前記トレイに収納して搬送する際の振動により、半導体パッケージの端面が前記トレイの側壁と接触し半導体パッケージに欠けが発生するという問題があった。これらの問題の対策について、多くの技術が開示されている。
【０００６】
特許文献１では、突起電極が形成されてなる半導体素子と、突起電極形成側の面の封止樹脂層とを具備する半導体パッケージにおいて、前記半導体パッケージの外周部分でかつ前記封止樹脂層に段付き部を形成した半導体パッケージについての技術が開示されている。
【０００７】
特許文献２では、立方形状を有し、電極を有する面とその反対面とを除く他の四面それぞれ一部に、保護樹脂層が形成されている半導体素子についての技術が開示されている。
【０００８】
しかし、先行技術文献に開示された技術は、上記問題を解決するために、新たな加工工程を追加する必要があり、生産性という観点では望ましいものではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２５１４９３号公報
【特許文献２】特開２００８−０１６６０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本技術では、ウェーハから個片化された半導体パッケージにおいて、新たな加工工程を追加することなく、半導体パッケージに欠けが発生せず、またダストも発生することのない技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本技術は、少なくとも合成樹脂層を有する複層構造を備えており、前記合成樹脂層の端面が前記複層構造を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備える、半導体パッケージについての技術を提供する。本技術の一つの実施態様に従い、ガラス層およびシリコン層の間に前記合成樹脂層が形成されていてもよい。本技術は、本技術の一つの実施形態に係る半導体パッケージを収納する収納部を複数有し、前記半導体パッケージが前記収納部に収納された半導体パッケージの搬送用トレイについての技術を提供する。本技術は、ウェーハの一方の面から前記合成樹脂層に至るまで第一の溝を形成する第一工程と、前記ウェーハの他方の面から前記合成樹脂層の前記第一の溝の最深部に連通するまで、前記合成樹脂層の端面が前記複層構造を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備えるように前記第二の溝を形成する第二工程と、により個片化する半導体パッケージの製造方法を提供する。また、本技術は、本技術の一つの実施態様に従い、前記第一工程の第一の溝並びに前記第二工程の第二の溝を、レーザー切削加工、砥石切削加工、ウェットエッチング加工のうち、いずれか一つまたは複数の組み合わせの加工によって形成してもよい。
【００１２】
ここで、半導体パッケージとは、半導体チップに、前期半導体チップが外部と接続するための端子を形成する配線処理、および前記配線等を樹脂等で被覆する封止処理を施しパッケージされたものをいう。前記半導体チップは、複層構造に含まれるものであってもよい。
【００１３】
本技術により、半導体パッケージが搬送用のトレイに収納される際に、前記トレイの壁と擦れることによるダストの発生、および該半導体パッケージが前記トレイに収納されて搬送される際に、振動して前記トレイの側壁と接触することによる当該半導体パッケージの端面の欠けの発生を抑えるという効果を得ることができる。また、上記有利な効果を得るために新たな工程を追加する必要がないので、生産性を低下させることもない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本技術に係る第１の実施形態である半導体パッケージの例を表した図である。
【図２】図２は、本技術に係る第２の実施形態である半導体パッケージの例を表した図である。
【図３】図３は、本技術に係る第１の実施形態の半導体パッケージを搬送用トレイに移載する様子を上面から表した図である。
【図４】図４は、本技術に係る第２の実施形態の半導体パッケージを搬送用トレイに収納する様子を側面から表した図である。
【図５】図５は、本技術に係る第１の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例を表した図である。
【図６】図６は、本技術に係る第２の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例を表した図である。
【図７】図７は、本技術に係る第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例を表した図である。
【図８】図８は、本技術に係る第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の変形例を表した図である。
【図９】図９は、本技術に係る第２の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例を表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術を実施するための好適な態様について説明する。なお、以下に説明する実施態様は、本技術の代表的な実施態様を示したものであり、本技術がこれらの実施態様に限定されるものではない。なお、本技術の説明は以下の順序で行う。
１．半導体パッケージの第１の実施形態の例
２．半導体パッケージの第２の実施形態の例
３．半導体パッケージの効果の説明
４．第１の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例
５．第２の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例
６．第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例
７．第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の変形例
８．第２の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例
【００１６】
１．半導体パッケージの第１の実施形態の例
【００１７】
以下で、本技術に係る半導体パッケージの例を、図１を参照しながら説明する。図１は、本技術に係る半導体パッケージ１００の断面の模式図である。
【００１８】
本技術に係る半導体パッケージ１００は、上述した通り、パッケージ処理後のサイズが内部の半導体チップのサイズと極力近いものとする構造、いわゆるチップサイズパッケージ構造が採用されている。さらにウェーハの状態でパッケージ処理までされ、その後個片化される、いわゆるウェーハレベルチップサイズパッケージ技術が採用されている。すなわち、本技術に係る半導体パッケージ１００は、従来技術に係る半導体パッケージが外部からの衝撃等から半導体チップを保護する目的で有していた、半導体チップを覆う封止部を有していない。
【００１９】
本技術に係る半導体パッケージ１００は、少なくとも合成樹脂層１１２を有する複層構造１１０を備えており、半導体パッケージ１００の端面に、前記複層構造１１０を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部１０５を備えている。これにより、半導体パッケージ１００が、搬送用のトレイに収納される際に、前記トレイの側壁３５１と擦れることによるダストの発生を抑えることができ、また、前記トレイに収納されて搬送される際に、振動等により半導体パッケージの端面と前記トレイの側壁とが接触することによる半導体パッケージ１００の端面への欠けの発生を防止することができる。
【００２０】
図１に示される半導体パッケージ１００は、少なくとも、ガラス層１１１、合成樹脂層１１２、シリコン層１１３および配線層１１４から構成される複層構造１１０を有している。前記合成樹脂層１１２はガラス層１１１とシリコン層１１３との間にあり、かつ前記合成樹脂層１１２の端面が前記複層構造１１０を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部１０５を備えている。前記最外縁部１０５は、さらに尖端形状を有していてもよい。
【００２１】
ガラス層１１１は、外部および／またはシリコン層側１１３からの光を透過させる役割を有する。ガラス層１１１の材料は、光を透過するものであれば、特に材料を限定されることはないが、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、硼珪クラウンガラス（いわゆるＢＫ７）の他、サファイア（ＡＬ２Ｏ３）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を含む、可視光を透過する材料であってもよい。また、例えば、ジンクセレン（ＺｎＳｅ）、シリコン（Ｓｉ）などを含む材料であってもよい。
【００２２】
また、前記ガラス層１１１の材料は、透明プラスチック樹脂材でもよい。前記ガラス層１１１の材料が、透明プラスチック樹脂材である場合には、前記複層構造１１０を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部１０５を備える層は、該透明プラスチック樹脂材と前記合成樹脂層１１２の材料のうち、より弾性率の高い方の材料の層としてもよい。
【００２３】
合成樹脂層１１２は、ガラス層１１１とシリコン層１１３との間にあり、光を透過させる役割を有する。前記合成樹脂層１１２の材料は、光を透過させて、かつ弾性を有するものであれば特に材料を限定されることはない。また、前記合成樹脂層１１２の材料は、光透過性、気密性を有していてもよく、また、ガラス層１１１の材料と、シリコン層１１３の材料とを貼り合わせることができる性質を有していてもよい。
【００２４】
前記合成樹脂層１１２の材料は、例えば、フェノール系の材料を含んでいてもよい。前記合成樹脂層１１２の材料は、ゴム系の材料を含んでいてもよい。
【００２５】
前記合成樹脂層１１２の厚みは、例えば、２５ｕｍ〜１００ｕｍであり得る。
【００２６】
シリコン層１１３は、主にガラス層１１１および合成樹脂層１１２を透過してきた光を電気信号に変換する役割を有する。該シリコン層１１３の、前記合成樹脂層１１２と接する面には、光電変換するための素子を有していてもよい。シリコン層１１３の材料は、半導体の性質を有するものであれば特に材料を限定されることはないが、例えばケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）を含むものでもよい。また、シリコン層１１３の材料は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）であってもよい。また、シリコン層１１３は、合成樹脂層１１２側に向けて発光する役割を有していてもよい。
【００２７】
配線層１１４は、半導体パッケージ１００への電源供給や外部と電気信号の入出力をする役割を有する。配線層１１４の表面には、前記のための回路部が形成されており、電極ならびに配線が設けられ、これらが、例えば絶縁材料により封止されている。配線層１１４を形成する方法は、一般的に行われる方法で製造されてよく、特に製造する方法を限定されることはない。さらに配線層１１４のシリコン層１１３との接する面に電気的に絶縁するための絶縁層を具備していてもよい。
【００２８】
２．半導体パッケージの第２の実施形態の例
【００２９】
以下で、本技術に係る半導体パッケージの第２の実施形態の例を、図２を参照しながら説明する。図２は、本技術に係る第２の実施形態の半導体パッケージの断面の模式図である。
【００３０】
図２に示される半導体パッケージ２００は、少なくとも、ガラス層２１１、合成樹脂層２１２、シリコン層２１３および配線層２１４から構成される複層構造２１０を有しており、前記合成樹脂層２１２の端面が前記複層構造を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部２０５を備えている。半導体パッケージ２００の前記最外縁部２０５は、さらに尖端形状を有していてもよい。半導体パッケージ２００のシリコン層２１３および配線層２１４の端面は略垂直になっており、前記シリコン層２１３の端面と前記合成樹脂層２１２の最外縁部２０５には段差が存在する。シリコン層２１３の端面の合成樹脂層２１２と接する部分の前記段差には内Ｒ形状を有していてもよい。半導体パッケージ２００は、半導体パッケージ２００のシリコン層２１３および配線層２１４の端面が、ウェットエッチング加工により形成されていてもよい。その他については第１の実施形態の半導体パッケージの例と同様であるため省略する。
【００３１】
さらに、半導体パッケージ２００のガラス層２１１の端面は、略垂直になっており、ガラス層２１１の端面と合成樹脂層２１２の最外縁部２０５とは段差が存在してもよい。シリコン層２１３の端面の合成樹脂層２１２との前記段差は内Ｒ形状を有していてもよい。半導体パッケージ２００の端面は、ガラス層２１１および合成樹脂層２１２の端面が、ウェットエッチング加工により形成されていてもよい。
【００３２】
３．本技術に係る半導体パッケージの効果の説明
【００３３】
本技術に係る半導体パッケージ１００および半導体パッケージ２００の、効果の説明について説明する。なお、下記では、ウェーハ３００は、フレーム３３０を具備する粘着テープ３２０の上に配置されている場合について説明を行うが、ウェーハ３００は、複数のピンが配設された、前記粘着テープ３２０を使わない治具の上に配置されてもよい。
【００３４】
搬送用トレイ３４０への移載について、図３に従い説明する。粘着テープ３２０の上にはフレーム３３０およびウェーハ３００が配置されている。ウェーハ３００は、上述の通り、少なくともガラス層３１１、合成樹脂層３１２、シリコン層３１３、および配線層３１４により構成された複層構造３１０を有している。
【００３５】
ウェーハ３００は、配線層３１４の表面に形成されたストリート３０５に沿って溝３０６が形成され個片化される。前記ストリート３０５とは、各半導体パッケージ１００の回路部の間隙であり、前記間隙は個片化する際に溝３０６を形成する加工代となる。配線層３１４の表面に形成された前記ストリート３０５に溝３０６が形成されて個片化され、半導体パッケージ１００となる。半導体パッケージ１００は移載用のコレット３６０によりピックアップされ垂直に持ち上げられることで、粘着テープ３２０から分離される。移載用のコレット３６０によるピックアップは、例えば半導体パッケージ１００の上面を真空吸着することにより行われる
【００３６】
なお、個片化されたウェーハ３００は、ピックアップの際に、粘着テープ３２０を引張して半導体パッケージ１００同士の間隔を拡張した状態でピックアップを行ってもよい。これにより、個片化される際に形成された溝３０６が狭い場合でも、隣り合う半導体パッケージ１００間の距離を拡げることができ、ピックアップの際に半導体パッケージ１００同士が擦れる恐れをなくすことができる。
【００３７】
また、ピックアップの際に、粘着テープ３２０に、例えばＵＶ照射を行うことにより粘着テープ３２０の粘着力を弱めた状態で行ってもよい。これにより、粘着テープ３２０との粘着力が強い場合でも、ピックアップの際に粘着力を弱め、半導体パッケージ１００を確実にピックアップすることができる。
【００３８】
次に、本技術に係る半導体パッケージ１００の搬送用トレイ３４０への収納について、図４に従い説明する。移載用のコレット３６０により個片化されたウェーハ３００からピックアップされた半導体パッケージ１００は、搬送用トレイ３４０の収納される所定の収納部３５０の上方に搬送された後、収納部３５０の高さまで降下され、移載用のコレット３６０から、例えば真空開放されることによりリリースされ、収納部３５０に収納される。したがって、本技術に係る製造方法の第一工程における一方の面は配線層１１４の面であり、第二工程における他方の面はガラス層１１１の面であることが望ましい。ガラス層１１１の面を第二工程の加工する面とすることで、前記第二工程後前記搬送用トレイへの移載前に、ウェーハ３００または半導体パッケージ１００を反転させる工程を省略することができ、生産性を低下させることがない。
【００３９】
４．第１の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例
【００４０】
以下で、本技術に係る半導体パッケージ１００を収納した搬送用トレイ５００について、図５を参照しながら説明する。搬送用トレイ５００には、半導体パッケージ１００が搬送用トレイ３４０に収納されたている。搬送用トレイ５００は、搬送用トレイ３４０と半導体パッケージ１００とからなり、搬送用トレイ３４０には、半導体パッケージの収納部３５０が複数設けられており、前記収納部３５０に半導体パッケージ１００が収納されている。なお、本技術に係る半導体パッケージ２００を収納した搬送用トレイ６００について、図６に示す。搬送用トレイ６００は、図５で示した搬送用トレイ５００と搬送用トレイ３４０に収納された半導体パッケージ１００を、半導体パッケージ２００に置き換えたものであるため、説明は省略する。
【００４１】
収納部３５０の水平方向の寸法は、半導体パッケージ１００の水平方向の寸法よりもわずかに大きくなっている。搬送用トレイ３４０の収納部の水平方向の寸法が、半導体パッケージ１００の水平方向の寸法よりもわずかに大きくなっていることにより、半導体パッケージ１００が移載用のコレット３６０にピックアップされて収納する際に半導体パッケージ１００の端面が搬送用トレイ３４０の側壁３５１と接触することがなく、また、搬送中に半導体パッケージ１００が収納部３５０の内で大きく移動することがない。このため半導体パッケージを破損することなく収納し、搬送することができる。すなわち、生産性を低下させることがない。
【００４２】
図５に示される搬送用トレイ３４０は、半導体パッケージ１００が収納される収納部３５０を複数有している。基本的に一つの収納部３５０に対して、半導体パッケージ１００は一つ収納される。収納部３５０の水平方向の寸法は、半導体パッケージ１００の水平方向の寸法よりもわずかに大きくなっている。これにより、半導体パッケージ１００を収納部３５０に収納する際に、半導体パッケージ１００が側壁３５１と接触することがなく、かつ半導体パッケージ１００を搬送用トレイ５００で搬送する際に、半導体パッケージ１００が収納部３５０内で大きく移動することがない。
【００４３】
半導体パッケージ１００の端面は合成樹脂層１１２による最外縁１０５を有しているため、半導体パッケージ１００の端面と側壁３５１とが接触しても、半導体パッケージ１００に欠けが発生することがない。また、さらに半導体パッケージ１００の端面が側壁３５１と擦れてもダストの発生を抑えることができる。
【００４４】
搬送用トレイ３４０の収納部３５０の底面に孔を有していてもよい。前記孔を有することで、収納部に収納された半導体パッケージ１００を取り出す際に、下から棒状のもので半導体パッケージ１００をリフトアップして取り出すことができる。また、搬送用トレイ３４０の収納部３５０の底面の、該半導体パッケージ１００が搭載される部分は、一段高くなっていてもよい。これにより、前記半導体パッケージ１００が搭載される前記部分のみを水平にするだけで、収納部３５０に半導体パッケージ１００を水平に収納することができる。さらに、搬送用トレイ３４０の側壁３５１の上端の角部３５２は、面取り加工がされていてもよい。これにより、半導体パッケージ１００を収納する際に、当該半導体パッケージ１００の端面と搬送用トレイ３４０の側壁３５１の前記上端とが接触した場合でも、半導体パッケージ１００の端面からのダストの発生および欠けの発生を抑えることができる。
【００４５】
搬送用トレイ３４０の材料は、一般的に使用される樹脂材であれば特に限定されないが、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、アクリロ二トリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）その他生分解系材料の樹脂材でもよい。また、これらの樹脂材に、例えばカーボンブラック、カーボンファイバー、セラミックファイバーなどを含有して導電性を付与した樹脂材であってもよい。搬送用トレイ３４０の材料に導電性を持たせることで、搬送用トレイ３４０に静電気が溜まることを回避でき、半導体パッケージ１００が静電破壊されるのを防ぐことができる。また、搬送用トレイ３４０の材料は、耐熱性を有する樹脂材であってもよい。
【００４６】
搬送用トレイ３４０は、前記樹脂材を金型に射出することにより成型する、いわゆる射出成型により作られたものであってもよい。
【００４７】
ここで、半導体パッケージ１００のサイズが、ＪＥＤＥＣ規格に則っている場合には、規格化された所定の搬送用トレイ３４０を使用してもよい。これにより半導体パッケージ１００ごとに搬送用トレイ３４０を準備する必要がないため、生産性を向上することができる。
【００４８】
本技術に係る半導体パッケージ１００では、半導体パッケージ１００の端面に、合成樹脂層１１２の、突出した最外縁１０５を有する。前記合成樹脂層１１２の材料は、材料の弾性率が前記複層構造３１０を構成する他の層の材料よりも高い。これにより、半導体パッケージ１００の端面等が、例えば、搬送用トレイ３４０の側壁３５１と接触した場合でも、半導体パッケージ１００の端面からのダストの発生および半導体パッケージの端面の欠けの発生を抑えることができる。半導体パッケージ１００の端面が搬送用トレイ３４０と接触する場合としては、移載用のコレット３６０によりピックアップされた半導体パッケージ１００が、搬送用トレイ３４０の収納部３５０の高さまで降下する際に、搬送用トレイ３４０の側壁３５１の上端の角部３５２と接触する場合、または収納された半導体パッケージ１００が搬送される際の振動により移動することにより搬送用トレイ３４０の収納部３５０の側壁３５１と接触する場合、などがある。
【００４９】
半導体パッケージ１００の端面は、さらに最外縁部１０５に、尖端を有していてもよい。半導体パッケージ１００の端面の最外縁部１０５が尖端を有することで、半導体パッケージ１００が搬送用トレイ３４０の側壁３５１と接触して擦れた場合でも、さらに半導体パッケージ端面からのダストの発生および半導体パッケージの端面の欠けの発生を抑えることができる。
【００５０】
５．第２の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例
【００５１】
以下で、本技術に係る第２の実施形態の半導体パッケージ２００が収納された搬送用トレイ６００について、図６を参照しながら説明する。搬送用トレイ３４０は、半導体パッケージ２００を収納する収納部３５０を複数有している。図６に示される搬送用トレイ３４０の収納部３５０には半導体パッケージ２００が収納されている。一つの収納部３５０に対して、半導体パッケージ１００は基本的に一つ収納される。半導体パッケージ２００は、側壁３５１があることで、収納部３５０に収納された半導体パッケージ１００は移動が収納部３５０内に制限され、他の半導体パッケージ１００と接触することがない。
【００５２】
半導体パッケージ２００の端面は合成樹脂層２１２による最外縁２０５を有しているため、半導体パッケージ２００の端面と側壁３５１とが接触しても、半導体パッケージ２００に欠けが発生することがない。また、さらに半導体パッケージ２００の端面が側壁３５１と擦れてもダストの発生を抑えることができる。
その他については、第１の実施形態の半導体パッケージを収納した搬送用トレイの例と同様であるため省略する。
【００５３】
６．第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例
【００５４】
以下に、本技術に係る半導体パッケージ１００の製造方法を、図７を参照しながら説明する。図７（ａ）では、ウェーハ３００とフレーム３３０が、粘着テープ３２０の上に配置されている。ウェーハ３００の構成は、ガラス層３１１、合成樹脂層３１２、シリコン層３１３、および配線層３１４により構成された複層構造３１０を有している。
【００５５】
本技術に係る半導体パッケージ１００の製造方法は、第一工程でレーザー切削加工により、ウェーハ３００に第一の溝７１１を形成し、第二工程でレーザー切削加工により前記ウェーハ３００に第二の溝７２１を形成するものとする。また、本技術に係る半導体パッケージ１００の製造方法は、ウェーハ３００の第一工程で加工される側の面を配線層１１４側の面、ウェーハ３００の第二工程で加工される側の面をガラス層１１１側の面として説明を行う。本技術に係る半導体パッケージ１００の製造方法は、第一工程と第二工程とは、同時に行われてもよい。
【００５６】
なお、本技術に係る第１の実施形態の半導体パッケージ１００の製造方法の例においては、第一工程に係る加工を、レーザー切削加工、砥石切削加工およびウェットエッチング加工のいずれか一つまたはこれらの組み合わせにより行ってもよい。また、第二工程に係る加工を、レーザー切削加工、砥石切削加工およびウェットエッチング加工のいずれか一つまたはこれらの組み合わせにより行ってもよい。例えば、前記第一工程を、レーザー切削加工により、配線層３１４の表面のストリート３０５に溝を形成した後、さらに砥石切削加工若しくはウェットエッチング加工により、前記溝にさらに前記合成樹脂層３１２に至るまで溝を形成することにより第一の溝７１１を形成してもよい。または、例えば、前記ウェーハ３００の表面に、砥石切削加工により、配線層３１４の表面のストリート３０５に溝を形成した後、前記溝にさらにレーザー切削加工若しくはウェットエッチング加工により前記合成樹脂層３１２至るまで溝を形成することにより第一の溝７１１を形成してもよい。または、例えば、ウェットエッチング加工により、配線層３１４の表面の前記ストリート３０５に溝を形成した後、前記溝にさらにレーザー切削加工若しくは砥石切削加工により前記合成樹脂層３１２至るまで溝を形成することにより第一の溝７１１が形成されてもよい。このように、第一工程に係る第一の溝を複数の加工方法を組み合わせて行うことにより、加工の品質または／および速度をより向上させることができる。
【００５７】
本技術に係る第１の実施形態の半導体パッケージ１００の製造方法の例においては、第一工程において、ウェーハ３００の表面に配線層３１４の表面に形成された回路パターンのストリート３０５の両外縁にレーザー切削加工により溝を形成した後、厚い砥石刃８１０を用いた砥石切削加工により、前記ストリート３０５の中央に、シリコン層１１３に到達する溝が形成される。さらにその後、薄い砥石刃８１０を用いた砥石切削加工により、前記ストリート３０５の中央に、合成樹脂層３１２に到達する溝を形成することで第一の溝７１１を形成してもよい。
【００５８】
レーザー切削加工の原理は、いわゆるパルス幅の短いレーザー光７１０を用いたレーザー切削加工においては、一般的には、被加工物にレーザー光７１０が照射されると、被加工物のレーザー光７１０が照射された部分がレーザー光７１０のエネルギーを吸収される。これにより、被加工物のレーザー光７１０が照射された部分が瞬時に溶融、蒸発し誘起プラズマが生起され、同時に発生する圧力波によって被加工物のレーザー光７１０が照射された部分の微小溶融部が爆発的に除去される。レーザー切削加工に用いられるレーザー光のパルス幅によっては、該部レーザー光７１０が照射された部分の材料が局所的に溶融または気化することにより溝が形成される場合もある。前記被加工物のレーザー光７１０が照射された部分が溶融または気化したものが再凝固することもあり、デブリとも呼ばれる。このように、被加工物の表面にレーザー光７１０を照射し、誘起プラズマの発生とともに被加工物の表面の構成物質が爆発的に放出される現象を利用する加工は、レーザーアブレーション加工とも呼ばれる。
【００５９】
レーザー切削加工における加工条件としては、レーザー光７１０のパルス幅のほかに、例えば、レーザー光７１０の波長、エネルギー出力、周波数といったものがある。レーザー光７１０の波長は、被加工物の材料により異なり、被加工物の材料に吸収されやすいものが用いられる。その他レーザー切削加工の加工条件は、レーザー光７１０の前記波長の他、被加工物の表面でのレーザー光７１０のエネルギーの吸収のし易さ、被加工物内でのエネルギーの伝播のし易さ、被加工物の厚み、レーザー切削加工の除去量、その他デブリの飛散または排出のし易さなどの加工の品質のほか、加工に掛かる時間などにより決定される。
【００６０】
次に、レーザー切削加工による溝の形成について説明を行う。レーザー光７１０による溝を形成する加工は、基本的に、レーザー光７１０の焦点を被加工物の表面に位置させて該表面から所定の深さまでの穴を形成した後、前記穴の底面に焦点を位置させて、さらに当該穴の底面の近傍に当該穴の底面から所定の深さまでの穴を形成する。これらの加工を繰り返すことで最終的に必要とする深さの穴を形成する。このとき、被加工物のレーザー光７１０の照射された部分の周辺も、レーザー光７１０のエネルギーが、該レーザー光７１０が照射された部分から熱伝導することにより熱影響を受ける。つまり、被加工物のレーザー光７１０の出射口に近い部分ほど、レーザー光７１０からエネルギーを得る時間が長く、加工されやすい。すなわち、レーザー光７１０による加工は、基本的に同じ材料内であればレーザー光７１０の出射口に近いほど形成される穴の径は広くなる。
【００６１】
また、穴を形成する位置を水平方向に移動させていくことで、溝を形成することができる。この場合、形成される溝の幅は、穴の場合と同様に、レーザー光７１０の出射口に近い部分ほど広くなる。逆にいえば、レーザー光７１０により形成される第一の溝７１１は、レーザー光７１０の出射口から遠くなるにしたがい、形成される第一の溝７１１の幅が狭くなる。合成樹脂層１１２においては、合成樹脂層１１２のレーザー光７１０の出射口に近い位置に形成される第一の溝７１１の幅は、レーザー光７１０の出射口から遠い位置に形成される第一の溝７１１の幅よりも広い。
【００６２】
図７（ａ）では、ウェーハ３００とフレーム３３０とが、粘着テープ３２０の上に配置されている。ウェーハ３００は、少なくともガラス層１１１、合成樹脂層１１２、シリコン層１１３および配線層１１４により複層構造が構成されている。第一工程では、ガラス層１１１が粘着テープ３２０に接するように配置されている。
【００６３】
本実施形態の例に係る第一工程におけるレーザー切削加工は、Ｚ方向に移動可能なレーザー光７１０を出射する図示しない出射口と、図示しないＸ、Ｙおよびθ方向に走査可能な加工テーブルを備えたレーザー切削加工装置において行われる。前記レーザー切削加工装置の前記加工テーブルには、ウェーハ３００および粘着テープ３２０を具備したフレーム３３０が固定されており、前記出射口から出射されるレーザー光７１０に対して、該加工テーブルがＸ方向に走査することによりウェーハ３００の表面に形成された回路パターンのストリート３０５に沿って第一の溝７１１が形成され、加工テーブルがＹ方向に移動することにより第一の溝８１１を形成する位置を変えることができ、さらに、加工テーブルがθ方向に回転することにより、第一の溝８１１を形成する方向を変えることができる。
【００６４】
さらに前記加工テーブルは、ウェーハ３００および粘着テープ３２０を具備したフレーム３３０を止着することができる、図示しない止着部を有していてもよい。前記止着部のフレーム３３０が止着される面の、粘着テープ３２０を介してウェーハ３００が搭載される範囲は、高い面精度を有している。また、前記止着部における止着方法は、例えば、前記フレーム３３０が具備する粘着テープの裏面を真空吸着にすることより行われてもよい。これにより、ウェーハ３００のレーザー光７１０の出射口との距離は、加工テーブルがＸおよび／またはＹ方向に走査しても一定に保つことができる。すなわち、第一の溝７１１の深さを一定に保つことができる。
【００６５】
レーザー切削加工装置は、レーザー光７１０の出射口側に、走査するウェーハ３００の表面との距離を計測する計測部有していてもよい。さらに、レーザー切削加工装置は、前記計測部での計測結果に基づいて、レーザー光７１０の出射口をリアルタイムにＺ方向に移動させてレーザー切削加工してもよい。これにより、加工テーブルがＸおよび／またはＹ方向に走査した際に、ウェーハ３００のレーザー光７１０の出射口との距離が変化した場合でも、前記計測部で計測された結果に基づいて、追従してＺ方向に移動することで、前記距離を一定に保つことができる。すなわち、第一の溝７１１の深さを、さらに一定に保つことができる。
【００６６】
本実施態様の例に係る第一工程において、レーザー光７１０は、ウェーハ３００の配線層１１４の表面に形成された回路パターンのストリート３０５に沿って、配線層１１４の表面から合成樹脂層１１２に至るまで第一の溝７１１を形成する。
【００６７】
本実施態様の例に係る第一工程におけるレーザー切削加工の加工条件は、一般的にシリコンの加工に使用されるものであれば特に限定されることはないが、レーザー光７１０の波長は、例えば、２６６〜１０６４ｎｍであってもよい。本実施態様の例の、第一工程におけるレーザー切削加工のレーザー光７１０の波長にこれらの波長を用いることで、被加工物に照射したレーザー光７１０は効率よく配線層３０４およびシリコン層３０３に吸収される。本実施態様の例の、第一工程におけるレーザー切削加工の加工条件は、例えば、レーザー光７１０の波長は、１０６４ｎｍ、パルスエネルギーが１０ｕＪ、ビーム径が２０ｕｍであってもよい。
【００６８】
本実施態様の例に係る第一工程におけるレーザー切削加工のレーザー光７１０は、時間的に間隔を置いてパルス状に出射されたものでもよい。レーザー光７１０がパルス状に出射されることで、レーザー切削加工による配線層３０４およびシリコン層３０３への熱影響を少なくすることができる。本実施態様の例の第一工程におけるレーザー切削加工のレーザー光７１０のパルス幅は、例えば、ナノ秒幅、ピコ秒幅の他、フェムト秒幅であってもよい。
【００６９】
本実施態様の例に係る第一工程と第二工程とは、前述の通り、同時に行われてもよい。これにより加工に掛かる時間を短縮することができる。また、第一工程後、第二工程前に、ウェーハ３００は表裏を反転してフレームを有する粘着テープに配置されてもよい。第二工程前にウェーハ３００の表裏を反転させることで、第二工程で加工する面に粘着テープが存在しなくなるため、レーザー切削加工によって生じたデブリを容易に第二の溝７２１から排出することができる。すなわち、加工の品質を維持することができる。
【００７０】
本実施態様の例に係る第一工程において、レーザー光７１０により形成される溝の状況を、リアルタイムで観察しながらレーザー切削加工してもよい。観察される対象は、例えば、レーザー光７１０が溝を形成している材料であってもよく、またはレーザー光７１０が形成している溝の底面の位置であってもよい。
【００７１】
前記溝を形成している材料をリアルタイムで観察する方法は、例えば材料がレーザー切削加工される際に生起される誘起プラズマを観察するものでもよい。また、前記溝の底面の位置をリアルタイムで観察する方法は、例えば、材料がレーザー切削加工される際に材料が溶融・気化された状態を観察するものでもよく、材料がレーザー切削加工された後に再凝固したデブリを観察するものでもよい。また、溝の底面の位置を観察する方法は、、例えばレーザー測長による方法でもよい。
【００７２】
本実施態様の例に係る第一工程と第二工程においては、レーザー切削加工前に、ウェーハ３００の加工する面の、少なくとも溝を形成する部分に、保護膜が形成されていてもよい。前記保護膜の材料は、水溶性の材料の溶液であってもよく、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液であってもよい。前記保護膜は、前記ウェーハ３００をレーザー切削加工する際に一緒に加工され、その後、水で洗浄されることによりウェーハ３００から前記デブリと共に除去することができる。これにより、レーザー切削加工で生じたデブリが、前記ウェーハ３００に直接付着して凝固することを防ぐことができ、特殊な洗浄工程など新たな工程を追加する必要がない。すなわち、生産性を落とすことがない。
【００７３】
前記保護膜の厚みは、例えば２ｕｍであり得る。前記保護膜を形成する方法は、特に限定されることはないが、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップ式などの方法により形成することができる。
【００７４】
本実施態様の例の第二工程において、レーザー光７２０は、配線層１１４に形成されている回路パターン、または第一工程により配線層１１４若しくは合成樹脂層１１２に形成された第一の溝７１１に沿って、ガラス層１１１側から照射され、ガラス層１１１から合成樹脂層１１２までについて第二の溝７２１を形成する（図７（ｂ））。第二工程で形成された第二の溝７２１が、第一工程で形成された溝７１２と連通することで、ウェーハ３００は個片化される（図７（ｃ））。
【００７５】
ここで、レーザー光７１０同様、上述の通り、基本的に出射口に近いほど加工されやすい。すなわち、レーザー光７１０により形成された第一の溝７１１は、レーザー光７１０の出射光から離れるにしたがい、第一の溝７１１の幅が狭くなる。例えば合成樹脂層１１２においてレーザー光７２０により形成される第二の溝７２１の形状は、レーザー光７２０の出射口に近い位置では第二の溝７２１の幅が広く、レーザー光７２０の出射口から遠くなるにしたがって第二の溝７２１の幅が狭くなるような形状となっている。このようにして、本実施態様の例の第二工程において第二の溝７２１は形成される。
【００７６】
本実施態様の例の第二工程におけるレーザー切削加工の加工条件は、レーザー光７２０の波長は、一般的にガラス材等のレーザー加工に使用されるものであれば特に限定されないが、レーザー光７２０は、例えば、波長が１０６４ｎｍであり、パルスエネルギーが３０ｕＪであり、ビーム径が２０ｕｍであってもよい。その他、レーザー光７２０によるレーザー切削加工はレーザー光７１０によるレーザー切削加工と原理が基本的に同じであるため、説明は省略する。
【００７７】
７．第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の変形例
【００７８】
以下に、本技術に係る半導体パッケージの製造方法の変形例を、図８を参照しながら説明する。図８（ａ）では、ウェーハ３００とフレーム３３０が、粘着テープ３２０の上に配置されている。ウェーハ３００の構成は、上述した第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例で説明したものと同じ構成であるため、説明を省略する。第一工程において、ウェーハ３００は、高速回転する主軸に取り付けられた砥石刃８１０により、配線層３１４の表面に形成された回路パターンのストリート３０５に沿って、配線層３１４の表面から合成樹脂層３１２に到達する第一の溝８１１が形成される。
【００７９】
本実施態様の変形例に係る第一工程における砥石切削加工は、高速回転可能な主軸に取り付けられた砥石刃８１０と、図示しないＸ、Ｙおよびθ方向に走査可能な加工テーブルを備えた装置において行われる。前記装置の前記加工テーブルには、ウェーハ３００および粘着テープ３２０を具備したフレーム３３０が固定されており、前記高速回転中の砥石刃８１０に対して、該加工テーブルがＸ方向に走査することによりウェーハ３００の表面に形成された回路パターンのストリート３０５に第一の溝８１１が形成され、加工テーブルがＹ方向に走査することにより第一の溝８１１を形成するストリート３０５の位置を変えることができ、さらに、加工テーブルがθ方向に捜査することにより、第一の溝８１１を形成する方向を変えることができる。
【００８０】
本実施態様の変形例に係る第一工程における砥石切削加工において使用される砥石刃８１０は、予め刃の断面形状を、刃の最外周に向かうにつれて薄くなるようなテーパ形状に仕上げられている。これにより、当該砥石刃８１０によって形成される第一の溝８１１は、配線層３１４に形成される第一の溝８１１の幅が広く、合成樹脂層３１２に形成される第一の溝８１１の幅が狭くなるような形状となっている。
【００８１】
本実施態様の変形例に係る第一工程における砥石切削加工による第一の溝８１１の形成は、ウェーハ３００を高速回転する砥石刃８１０に対して一回だけ走査させることで行われてもよく、また複数回に渡り走査させて行われてもよい。例えば、形成する溝の深さを走査させるごとに深くしながら行われてもよい。
【００８２】
本実施態様の変形例に係る第一工程における砥石切削加工において、使用される砥石刃８１０は、例えば、ダイヤモンドの砥粒を結合剤等と練り合わせ、円盤状に成形し、焼成したものが用いられてもよい。砥石切削加工にダイヤモンドの砥粒と結合剤からできた砥石刃８１０を用いることで、前記ダイヤモンドの砥粒が被加工物を加工することにより摩耗した場合でも、前記ダイヤモンドの砥粒が脱落し、新たなダイヤモンドの砥粒により加工を継続することができる。これにより砥石切削加工における加工の品質および速度を一定に維持することができる。このように、砥石切削加工により砥粒が摩耗しても、該砥粒が自ら脱落して新たな砥粒により砥石切削加工を行うことを自生発刃と呼ぶ。前記砥石刃８１０は、例えば、直径７．５ｃｍ以下で、厚み１０ｕｍ〜１００ｕｍであってもよい。
【００８３】
本実施態様の変形例に係る第一工程における砥石切削加工において該砥石刃８１０が取り付けられる高速回転する主軸は、例えば、モーターの回転により最大１０万ｒｐｍで回転するものが用いられてもよい。本実施形態の変形例に係る第一工程における砥石切削加工の加工条件は、例えば、前記主軸の回転数が３５００ｒｐｍであり、前記加工テーブルのＸ軸方向の移動速度は、３０ｍｍ／ｓｅｃであり得る。
【００８４】
本実施態様の変形例に係る第一工程における砥石切削加工は、さらに、砥石切削加工時に切削水が、砥石刃と被加工物との加工点に流水されて行われてもよい。前記切削水を加工点に流水することで、砥石切削加工により被加工物から発生した加工屑を除去するとともに、高速回転する砥石刃８１０と被加工物との摩擦により発生した熱を除去することができる。これにより切削加工の品質を確保することができる。
【００８５】
本実施態様の変形例に係る第一工程の後の処理については、上述した本実施態様の例で説明したものと同様である。すなわち、第二工程において、ガラス層３１１の面側からレーザー光８２０によりガラス層３１１から合成樹脂層３１２に第二の溝８２１が形成され、第一の溝８１１と連通されることによりウェーハ３００は個片化され、半導体パッケージ１００が形成される。
【００８６】
本実施態様の変形例に係る第二工程においては、レーザー切削加工だけでなく、砥石切削加工より第二の溝７２１を形成してもよい。本実施態様の例に係る第二工程における砥石切削加工の加工条件は、例えば、前記主軸の回転数が２５００ｒｐｍであり、前記加工テーブルのＸ軸方向の移動速度は、２０ｍｍ／ｓｅｃであり得る。
【００８７】
８．第２の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例
以下に、本技術に係る半導体パッケージの製造方法を、図９を参照しながら説明する。
図９（ａ）では、ウェーハ３００とフレーム３３０が粘着テープ３２０の上に配置されている。ウェーハ３００の構成は、上述した第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例で説明したものと同じであるため、説明を省略する。
【００８８】
本技術の実施態様の例に係る第一工程において、ウェットエッチング加工により、配線層３１４およびシリコン層３１３に、配線層３１４の表面のストリート３０５に沿って、第一の溝９１１が形成される。
【００８９】
ウェットエッチング加工に用いられるエッチング溶液は、当技術分野においてシリコン材等のウェットエッチング加工に一般的に使用されるものであれば何でもよく、特に限定されることはないが、好ましくは、エッチングレートの結晶方位依存性、エッチングの保護膜として用いる材料との選択性、ＬＳＩプロセスとの適合性、および毒性が低く取り扱いが容易であることなどの性質を有することが望ましい。前記エッチング溶液が結晶方位依存性を有することで、被加工材を特定の結晶方位の方向へ深くウェットエッチング加工することができる。
【００９０】
ウェットエッチング加工に用いられるシリコンに対する結晶異方性を有する前記エッチング溶液としては、好適には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、エチレンジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ；（ＣＨ３）４ＮＯＨ）の水溶液が用いられる。ＬＳＩプロセスとの適合性の観点からは、これらの中でも、シリコンのウェットエッチング加工に用いられる前記エッチング溶液としては、特に、水酸化アンモニウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムが優れている。さらに、シリコンのウェットエッチング加工に用いられる前記エッチング溶液としては、不揮発性であり、毒性が低く取り扱いが容易である、水酸化テトラメチルアンモニウムの水溶液が優れている。シリコンのウェットエッチング加工に用いられる前記エッチング溶液は、例えば、６０℃の酸化テトラメチルアンモニウムの２５ｗｔ％水溶液であってもよい。
【００９１】
ウェットエッチング加工は、配線層３１４の表面に保護膜を塗布した後に、リソグラフィにより保護膜の、配線層３１４の表面に形成された回路パターンのストリート３０５に該当する部分を感光させ、その後プラズマ加工により前記保護膜の感光させた部分を灰化して除去した後に行われてもよく、配線層３１４に形成された回路パターンの加工代の部分の保護膜を電子ビーム等により除去した後に行われてもよく、または、ナノインプリント技術を用いて配線層３１４の表面に形成された回路パターンのストリート３０５を除く部分に保護膜を形成しプラズマ加工された後に行われてもよい。
【００９２】
第一工程の後の処理については、上述した第１の実施形態の半導体パッケージの製造方法の例で説明したものと同様のため省略する。すなわち、第二工程においてガラス層３１１の面側からレーザー光９２０により、ガラス層３１１から合成樹脂層３１２まで第二の溝９２１が形成され、該第二の溝９２１が前記第一の溝９１１と連通することにより個片化され、半導体パッケージ２００が形成される。
【００９３】
ここで、半導体パッケージ２００の端面について、一般的には、ウェットエッチング加工により形成される第一の溝９１１の底面の形状は角部に略Ｒ形状を有した形状となる。これは第一の溝９１１の底面付近では、エッチャントの循環が、第一の溝９１１の他の部分に比べて十分でなくなることにより加工効率が落ちためである。仮に当該第一の溝９１１の底面付近の加工効率の低下を補うべく加工時間を長くした場合、ウェットエッチング加工は等方性であるため第一の溝９１１の他の部分の加工も進んでしまい、半導体パッケージ２００の性能に影響が出かねない。このため、一般的にはある程度の第一の溝９１１の形状が得られた時点で加工を停止することとなる。すなわち、一般的にはウェットエッチングにより形成される第一の溝９１１の底面の形状は角部にＲ形状を有した形状となる。
【００９４】
なお、合成樹脂層３１２は、第一の溝９１１を形成する際にウェットエッチング加工されてもよい。
【００９５】
図９においては、第一工程において第一の溝９１１をウェットエッチング加工、第二工程において第二の溝９２１をレーザー切削加工により形成した場合の図を示しているが、これに限らず、第二工程において第二の溝９２１をウェットエッチング加工により形成する場合もあり得る。第二工程おいて第二の溝９２１をウェットエッチング加工により形成した場合には、第二の溝９２１の形状は、第一の溝９１１と同様、底面の角部にＲ形状を有した形状となる。また、第二工程において第二の溝９２１をウェットエッチング加工により形成した場合、合成樹脂層２１２は、第一工程において第一の溝９１１および／または第二工程において第二の溝９２１を形成する際にウェットエッチング加工されてもよい。さらに、第二工程において第二の溝９２１をウェットエッチング加工により形成した場合、第一の溝９１１の最深部と第二の溝９２１とが連通してもよい。
【００９６】
なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕少なくとも合成樹脂層を有する複層構造を備えており、前記合成樹脂層の端面が他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備える、半導体パッケージ。
〔２〕少なくとも合成樹脂層を有する複層構造を備えており、前記合成樹脂層の端面が、前記複層構造の他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備える、半導体パッケージ。
〔３〕ガラス層およびシリコン層の間に前記合成樹脂層が形成されている、〔１〕〜〔２
〕に記載の半導体パッケージ。
〔４〕前記合成樹脂層は前記複層構造を構成するガラス層およびシリコン層の間に形成されている、〔１〕〜〔２〕に記載の半導体パッケージ。
〔５〕〔１〕〜〔４〕に記載の半導体パッケージを収納する収納部が複数配設されており、該収納部に前記半導体パッケージが収納された半導体パッケージの搬送用トレイ。
〔６〕ウェーハの一方の面から前記合成樹脂層に至るまで第一の溝を形成する第一工程と、前記ウェーハの他方の面から前記合成樹脂層の前記溝の最深部に連通するまで第二の溝を形成することによって、前記合成樹脂層の端面が他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備えるように前記溝を形成する第二工程と、により個片化する、半導体パッケージの製造方法。
〔７〕ウェーハの一方の面から前記合成樹脂層に至るまで第一の溝を形成する第一工程と、前記ウェーハの他方の面から前記合成樹脂層の前記溝の最深部に連通するまで、前記合成樹脂層の端面が前記複層構造を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を備えるように前記第二の溝を形成する第二工程と、により個片化する、半導体パッケージの製造方法。
〔８〕ウェーハの一方の面から前記合成樹脂層に至るまで第一の溝を形成する第一工程と、前記ウェーハの他方の面から前記合成樹脂層の前記溝の最深部に連通するまで第二の溝を形成する第二工程とにより、前記合成樹脂層の端面に前記複層構造を構成する他の層の端面よりも外方に突出した最外縁部を形成し、ウェーハを個片化する、半導体パッケージの製造方法。
〔９〕前記第一工程の第一の溝並びに前記第二工程の第二の溝を、レーザー切削加工、砥石切削加工およびウェットエッチング加工のいずれか一つまたは複数の組み合わせの加工によって形成する、〔６〕〜〔８〕に記載の半導体パッケージの製造方法。
【符号の説明】
【００９７】
１００、２００：半導体パッケージ、１１０、２１０、３１０：複層構造、１１１、２１１、３１１：ガラス層、１１２、２１２、３１２：合成樹脂層、１１３、２１３、３１３：シリコン層、１１４、２１４、３１４：配線層、１０５、２０５：最外縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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