(57)【要約】      （修正有）【課題】抵抗の小さい良質なオーミック接触を有する電極−ｐ型ガリウム系半導体の積層体とその製造方法を提供する。【解決手段】ＧａＮ又はＧａＮ混晶等のＧａを含むｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１１と、電極１３と、前記ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１１と前記電極１３の間に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層１２とを１０ｎｍ以上１μｍ以下の膜厚で形成した積層体。前記接触抵抗低減層１２はスパッタ法で形成し、その成膜温度は６００℃未満とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層と、
電極と、
前記半導体層と前記電極の間に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層と、を有する、積層体。
【請求項２】
前記半導体層がＧａＮ又はＧａＮを含む混晶を含む、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記電極が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｌから選択される金属、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＲｈＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＰｄＯ、ＰｔＯ、ＣｕＡｌＯ２及びＣｕＧａＯ２をから選択される酸化物、ＴｉＮ、ＴａＮ及びＳｉＮｘから選択される窒化物、並びに、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる群より選択される少なくとも一つを含む、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
前記電極が２層以上の積層構造を有し、前記積層構造の各層が、前記金属、前記酸化物及び前記窒化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む、請求項３に記載の積層体。
【請求項５】
前記接触抵抗低減層の厚さが１０ｎｍ以上１μｍ以下である、請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の積層体を含む、半導体装置。
【請求項７】
ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層上に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層を形成し、
次いで、前記接触抵抗低減層に接するように電極を形成する、積層体の製造方法。
【請求項８】
前記半導体層がＧａＮ又はＧａＮを含む混晶を含む、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記電極が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｌから選択される金属、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＲｈＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＰｄＯ、ＰｔＯ、ＣｕＡｌＯ２及びＣｕＧａＯ２をから選択される酸化物、ＴｉＮ、ＴａＮ及びＳｉＮｘから選択される窒化物、並びに、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる群より選択される少なくとも一つを含む、請求項７又は８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記接触抵抗低減層の成膜温度を６００℃未満とする、請求項７〜９のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１１】
前記接触抵抗低減層を、Ｏ２、Ａｒ及びＮ２から選択される少なくとも一つをスパッタガスに使用したスパッタ法で形成する、請求項７〜１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
前記電極を、Ｏ２、Ａｒ及びＮ２から選択される少なくとも一つをスパッタガスに使用したスパッタ法で形成する、請求項７〜１１のいずれかに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード及びレーザーダイオード等のように、窒化ガリウム半導体を用いる光素子（Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｌａｔｅｄ  ｄｅｖｉｃｅｓ）を実現するためには、半導体と電極との間に良質なオーミック接触を形成することが非常に重要である。
従来からｐ型窒化ガリウム半導体においては、ニッケル（Ｎｉ）を基本とする薄膜電極構造、即ち、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）の金属薄膜が、オーミック接触を形成するための薄膜電極構造として広く使用されている。最近では、Ｎｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｐｔ／Ｎｉ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ等、多様なオーミック接触金属システムが開発されている。
【０００３】
しかしながら、現在でもｐ型窒化ガリウム半導体において良質なオーミック接触を形成するには、解決すべき課題がある。特に、ｐ型窒化ガリウム半導体の形成時に使用される雰囲気ガスであるアンモニア（ＮＨ３）の水素（Ｈ）が、ｐ型ドーパントであるＭｇと結合して電気的に絶縁性を有するＭｇ−Ｈ複合体を形成するため、実効キャリア濃度が低下し、表面抵抗値が上昇する。その結果、良質なオーミック接触を形成することが困難となるという問題がある。また、キャリア（ホール）注入が低下するために、高品位の光素子を製造することが困難となる。
そのため、良質なオーミック接触を実現する方法が求められていた。
【０００４】
特許文献１には、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を、Ｚｒのような水素を吸蔵する能力を有する金属又は合金と共に熱処理することによって、高いキャリア濃度を有するｐ型窒化ガリウム系化合物半導体とし、半導体のキャリア濃度を高めることによって、金属とのオーミック接触を形成することが記載されている。しかしながら、半導体を４００℃以上で熱処理することが必須であるため、半導体へ熱によるダメージが入る懸念があった。
【０００５】
特許文献２には、窒化ガリウム上に、ニッケル、金−亜鉛合金、及び金（Ｎｉ／Ａｕ−Ｚｎ／Ａｕ）を順に薄膜蒸着させてオーミック接触を形成することが記載されている。しかしながら、本手法も金属の融点付近での熱処理が必須であるため、半導体へ熱によるダメージが入る懸念があった。
【０００６】
また、半導体と電極との間に形成されるオーミックコンタクト層として、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ等の導電性酸化物や、ＴｉＮ等の導電性窒化物を使用することが提案されている。しかしながら、導電性酸化物及び窒化物の仕事関数は小さく調節が難しいため、オーミックコンタクト層と半導体の界面で大きな電圧降下が生ずる（ショットキー接触：ｓｃｈｏｔｔｋｙ  ｃｏｎｔａｃｔ）。その結果、半導体素子の動作電圧が高くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３５７９６号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９９３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的の１つは、抵抗の小さい良質なオーミック接触を有する電極−ｐ型ガリウム系半導体の積層体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、以下の積層体等が提供される。
１．ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層と、電極と、前記半導体層と前記電極の間に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層と、を有する、積層体。
２．前記半導体層がＧａＮ又はＧａＮを含む混晶を含む、１に記載の積層体。
３．前記電極が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｌから選択される金属、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＲｈＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＰｄＯ、ＰｔＯ、ＣｕＡｌＯ２及びＣｕＧａＯ２をから選択される酸化物、ＴｉＮ、ＴａＮ及びＳｉＮｘから選択される窒化物、並びに、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる群より選択される少なくとも一つを含む、１又は２に記載の積層体。
４．前記電極が２層以上の積層構造を有し、前記積層構造の各層が、前記金属、前記酸化物及び前記窒化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む、３に記載の積層体。
５．前記接触抵抗低減層の厚さが１０ｎｍ以上１μｍ以下である、１〜４のいずれかに記載の積層体。
６．１〜５のいずれかに記載の積層体を含む、半導体装置。
７．ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層上に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層を形成し、次いで、前記接触抵抗低減層に接するように電極を形成する、積層体の製造方法。
８．前記半導体層がＧａＮ又はＧａＮを含む混晶を含む、７に記載の製造方法。
９．前記電極が、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｔｉ及びＡｌから選択される金属、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＲｈＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＰｄＯ、ＰｔＯ、ＣｕＡｌＯ２及びＣｕＧａＯ２をから選択される酸化物、ＴｉＮ、ＴａＮ及びＳｉＮｘから選択される窒化物、並びに、ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる群より選択される少なくとも一つを含む、７又は８に記載の製造方法。
１０．前記接触抵抗低減層の成膜温度を６００℃未満とする、７〜９のいずれかに記載の製造方法。
１１．前記接触抵抗低減層を、Ｏ２、Ａｒ及びＮ２から選択される少なくとも一つをスパッタガスに使用したスパッタ法で形成する、７〜１０のいずれかに記載の製造方法。
１２．前記電極を、Ｏ２、Ａｒ及びＮ２から選択される少なくとも一つをスパッタガスに使用したスパッタ法で形成する、７〜１１のいずれかに記載の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、抵抗の小さい良質なオーミック接触を有する電極−ｐ型ガリウム系半導体の積層体が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る発光ダイオードの概略構成図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードの概略構成図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードの概略構成図である。
【図５】実施例及び比較例で作製した積層体の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の一実施形態に係る積層体は、ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層と、電極と、有し、かつ、半導体層と電極の間に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層を有する。
図１は、本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。
積層体１は、半導体層１１と、接触抵抗低減層１２と、電極１３がこの順に積層した構成を有する。半導体層１１と電極１３の間に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層１２を介在させることにより、抵抗の小さい良好なオーミック接触を形成することができる。
【００１３】
本実施形態において、半導体層はガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む。該化合物としては、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、等が挙げられる。半導体層は、ＧａＮ又はＧａＮを含む混晶を含むことが好ましい。
ｐ型ドーパントとしては、公知であるＭｇ等が使用できる。
【００１４】
半導体層は、例えば、半導体層を形成するための支持基板上にエピタキシャル成長させることにより形成できる。支持基板は、半導体層を形成できれば、特に限定されないが、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイアを好適に用いることができる。
また、半導体層を異なる材料の上に形成することもできる。例えば、接触抵抗低減層に接する面にＧａＮを用い、その支持基板としてＳｉを用いることができる。
【００１５】
半導体層の厚さは、所望の電気特性が得られるように、適宜調整することができる。例えば、１０ｎｍ〜２ｍｍの範囲が好ましい。
【００１６】
半導体層が、ｐ型半導体又はｎ型半導体であるかは、ホール効果測定により判定する。高抵抗でホール効果測定が困難である場合は、フォトルミネッセンス（ＰＬ）によるアクセプタ由来のピーク（３８５〜４００ｎｍ）の有無や、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）によって、アクセプタ元素（Ｍｇ等）及びドナー元素（Ｓｉ等）の含有量を比較し、どちらが１桁以上多く含まれているか否かで判定する。
【００１７】
接触抵抗低減層は、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む層であり、ＲｕＯ２等のＲｕＯｘを含むことが好ましい。接触抵抗低減層は、半導体層の表面の一部又は全面に接するように、電極と半導体層の間に形成される。接触抵抗低減層が、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含んでいることは、例えば、ＳＩＭＳにより確認することができる。
接触抵抗低減層は本質的に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物からなることが好ましい。例えば、９０％重量以上、９５重量％以上、又は９９重量％以上が、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物であってもよい。また、接触抵抗低減層は、接触抵抗低減層のみからなってもよい。この場合、不可避不純物を含んでもよい。
【００１８】
接触抵抗低減層の厚さは、所望の接触抵抗低減効果が得られるように、適宜調整することができる。例えば、１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましく、さらに、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。厚さ等の断面形状は、例えば、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又は透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により確認することができる。
【００１９】
接触抵抗低減層は、非晶質層であってもよく、また、多結晶層であってもよい。さらに、非晶質成分と結晶成分が混在した層であってもよい。接触抵抗低減層の結晶性は、ＴＥＭの格子像から判別できる。
【００２０】
接触抵抗低減層の電気抵抗率（２５℃）は、１×１０−１Ωｍ以下であることが好ましい。１×１０−１Ωｍ以下であると、例えば、半導体装置の電極として使用した際に、導電性が十分であり、電流注入効率も高い。
尚、接触抵抗低減層の電気抵抗率とは、ガラス基板上に接触抵抗低減層単体を形成した試料の測定値である。電気抵抗率は、例えば、ホール効果測定装置で測定できる。
【００２１】
電極は、接触抵抗低減層の半導体層と接している反対側の面上に形成できれば、特に限定されない。例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｌ等の金属，ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＲｈＯ２、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＰｄＯ、ＰｔＯ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２等の酸化物，ＴｉＮ、ＴａＮ、ＳｉＮｘ等の窒化物，ｐｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）が挙げられる。
電極を通過させて光を取り出す場合、電極は光透過性を有する透明導電性酸化物又は透明導電性窒化物であることが好ましい。
【００２２】
電極は、単層であってもよく、また、２層以上の積層であってもよい。例えば、接触抵抗低減層に接する方に、Ｎｉを含む層を形成し、Ｎｉ層上に酸化を防ぐために、Ａｕ層を積層することができる。また、電極を構成する各層が、上述した金属、酸化物及び窒化物からなる群より選択される少なくとも一つを含んでいてもよい。
【００２３】
電極の厚さは、所望の電気特性が得られるように適宜調整することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【００２４】
本実施形態の積層体は、例えば、ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層上に、Ｒｕを含む酸化物又はＲｕを含む酸窒化物を含む接触抵抗低減層を形成し、次いで、接触抵抗低減層に接するように電極を形成する工程を有する製造方法によって得られる。
【００２５】
上記製法において、半導体層、接触抵抗低減層及び電極の形成方法は特に限定されない。例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）、抵抗線加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ成膜、原子層堆積（ＡＬＤ）成膜、熱ＣＶＤ法、平行平板型プラズマＣＶＤ成膜、有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ成膜、誘導結合プラズマＣＶＤ成膜、スピンコート法を用いることができる。
スパッタ成膜の場合、酸素含入雰囲気下で、金属ターゲットの反応性スパッタも好適に用いることができる。これにより、絶縁体ターゲットを用いるスパッタに比べて成膜レートが向上する。
【００２６】
半導体層の熱ダメージを低減する観点から、接触抵抗低減層の成膜温度は６００℃未満とすることが好ましく、４００℃以下とすることがより好ましい。
【００２７】
また、半導体層の熱ダメージを低減する観点から、接触抵抗低減層は、Ｏ２、Ａｒ及びＮ２から選択される少なくとも一つをスパッタガスに使用したスパッタ法で形成することが好ましい。
同様に、電極も、Ｏ２、Ａｒ及びＮ２から選択される少なくとも一つをスパッタガスに使用したスパッタ法で形成することが好ましい。
【００２８】
本実施形態の積層体は、発光ダイオード、レーザーダイオード等の半導体装置の構成部材に使用できる。例えば、窒化ガリウム半導体を用いた青・緑色及び紫外線を発する短波長発光ダイオード及びレーザーダイオードの電極と半導体層の界面に良好なオーミック接触を形成することができる。
以下、本実施形態の積層体を使用した半導体装置として、発光ダイオードの具体例を、図面を用いて説明する。尚、本発明の半導体装置は以下の例に限定されない。
【００２９】
図２は、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードの概略構成図である。
発光ダイオード２では、基板２０上に、ｎ型ＧａＮ系半導体層２１が積層され、該半導体層２１上の端部付近の一部には電極２３（陰極）が、ｎ−ＧａＮ系半導体層２１上の、電極２３及びその周辺以外の箇所には、発光層２２が形成されている。発光ダイオード２は、発光層２２上に、本発明の積層体１（半導体層（ｐ型ＧａＮ系半導体層）１１、接触抵抗低減層１２及び電極（陽極）１３）が形成された構造を有する。
【００３０】
図３は、本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードの概略構成図である。
発光ダイオード３は、電極２３（陰極）と、基板２０と、ｎ型ＧａＮ系半導体層２１と、発光層２２と、本発明の積層体１（半導体層（ｐ型ＧａＮ系半導体層）１１、接触抵抗低減層１２及び電極（陽極）１３）が、この順に積層された構造を有する。
【００３１】
図４は、本発明の他の実施形態に係る発光ダイオードの概略構成図である。
発光ダイオード４は、基板２０と、電極２３（陰極）と、ｎ型ＧａＮ系半導体層２１と、発光層２２と、本発明の積層体１（半導体層（ｐ型ＧａＮ系半導体層）１１、接触抵抗低減層１２及び電極（陽極）１３）が、この順に積層された構造を有する。
【００３２】
上記発光ダイオード２〜４では、電極１３と電極２３間に電圧を印可すると、半導体層１１にはホールが、ｎ−ＧａＮ系半導体層２１には電子が注入される。注入されたホール及び電子が発光層２２で再結合することにより発光する。
【００３３】
上述した各実施形態の構成部材は、特に制限はなく、公知のものを使用できる。また公知の成膜技術を適用することにより、製造することができる。
本発明では、優れた電流−電圧特性及び低い接触抵抗値を有する高品位のオーミック接触を有する半導体装置が得られる。
【実施例】
【００３４】
実施例１
実施例及び比較例で作製した積層体の概略断面図を図５に示す。
支持基板３０である単結晶ｎ型ＧａＮ半導体基板上に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により、ｐ型ＧａＮ半導体層１１を成膜した。ｐ型ＧａＮ半導体層１１を成膜した基板３０を、超音波洗浄器（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ  ｂａｔｈ）中に入れ、トリクロロエチレンで５分間、アセトンで５分間、メタノールで５分間、最後に蒸留水で５分間洗浄した。その後、酸素雰囲気で７５０℃、５分間の活性化アニールを行った。
活性化アニールした基板３０を、エリアマスクとともにスパッタリング装置（アネルバ社製：Ｅ−２００−Ｓ）にセットし、直径２インチのＲｕターゲットを用い、スパッタガスにＯ２を用い、２５℃で出力をＤＣ５０Ｗとして、ｐ型ＧａＮ半導体層１１上に接触抵抗低減層１２であるルテニウム酸化物（ＲｕＯｘ）を１００ｎｍ成膜した。
次いで、ＥＢ蒸着装置（アルバック社製）にエリアマスクとともにセットし、ＲｕＯｘ上に、電極１３であるＡｕを２００ｎｍ成膜して、ｐ−ＧａＮ／ＲｕＯｘ／Ａｕの積層体を作製した。尚、蒸着のため成膜中に輻射熱で温度が２５℃から８０℃に上昇した。
得られた積層体について、比抵抗／ホール測定システム（東陽テクニカ製：ＲｅｓｉＴｅｓｔ８３００）を使用して比抵抗を測定した。比抵抗は９．８１×１０−１Ωｃｍであった。
【００３５】
また、実施例１で得た積層体を、急速加熱炉の中に入れ、空気又は酸素雰囲気下において、５２５℃で５分間加熱してアニールした。アニール後の比抵抗は１．６９×１０−１Ωｃｍであった。
積層体の構成及び比抵抗の測定結果を表１に示す。
【００３６】
【表１】
2020027905.tif 000003
【００３７】
比較例１
実施例１の接触抵抗低減層１２（ＲｕＯｘ）を形成せずに、電極をＮｉ及びＡｕの積層とした。具体的に、実施例１と同様にして活性化アニールしたｐ型ＧａＮ半導体付き基板を、エリアマスクとともにＥＢ蒸着装置（アルバック社製）にセットした。ｐ型ＧａＮ半導体層上に、電極としてＮｉを２０ｎｍ蒸着し、さらに、Ｎｉ上にＡｕを２００ｎｍ成膜し、ｐ−ＧａＮ／Ｎｉ／Ａｕの積層体を作製した。尚、蒸着のため成膜中に輻射熱で温度が２５℃から８０℃に上昇した。
得られた積層体について、実施例１と同様に評価した。測定結果を表１に示す。
【００３８】
比較例２
実施例１の接触抵抗低減層１２において、ＲｕＯｘの代りにＩｒＯｘを使用した。具体的に、実施例１と同様にして、活性化アニールしたｐ型ＧａＮ半導体付き基板を、エリアマスクとともにスパッタリング装置（アネルバ社製：Ｅ−２００−Ｓ）にセットし、直径２インチのＩｒターゲットを用いて、スパッタガスにＯ２を用い、２５℃で出力をＤＣ５０Ｗとして、ｐ型ＧａＮ半導体層上にＩｒＯｘを１００ｎｍ成膜した。
次いで、ＥＢ蒸着装置（アルバック社製）にセットし、ＩｒＯｘ上に、Ａｕを２００ｎｍ成膜して、ｐ−ＧａＮ／ＩｒＯｘ／Ａｕの積層体を作製した。
得られた積層体について、実施例１と同様に評価した。測定結果を表１に示す。
【００３９】
接触抵抗低減層にＲｕＯｘを使用した実施例１では、電極にＮｉ及びＡｕを使用した比較例１と比べて比抵抗が小さく、良質なオーミック接触を形成していることが確認できる。また、Ｒｕと同じ白金族であるＩｒの酸化物を接触抵抗低減層に使用した比較例２と比べても、良質なオーミック接触を形成していることが確認できる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の一実施形態に係る積層体は、発光ダイオード、レーザーダイオード等の半導体装置の構成部材に使用できる。
【符号の説明】
【００４１】
１    積層体
１１  半導体層（ガリウムを含むｐ型III−Ｖ族化合物を含む半導体層）
１２  接触抵抗低減層
１３  電極
２，３，４  発光ダイオード（半導体装置）
２０  基板
２１  ｎ型ＧａＮ系半導体層
２２  発光層
２３  電極
３０  支持基板
【図１】
2020027905.tif 000004
【図２】
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【図３】
2020027905.tif 000006
【図４】
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【図５】
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