(57)【要約】【課題】  ＭＥＭＳ構造を採用しても熱バランスの収束が早く、熱応答性に優れた赤外線センサを提供すること。【解決手段】  空洞部２ａを内側に有した枠状のフレーム部２と、フレーム部上から空洞部上にわたって形成された絶縁性支持膜３と、空洞部直上の絶縁性支持膜上に設けられ互いに離間した第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂと、第１の感熱素子の上に形成された第１の絶縁性保護膜５Ａと、第２の感熱素子の上に形成された第２の絶縁性保護膜５Ｂと、第２の感熱素子の直上に設けられた赤外線遮蔽部６とを備え、第１の絶縁性保護膜と第２の絶縁性保護膜とが、少なくとも一部で接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞部を内側に有した枠状のフレーム部と、
前記フレーム部上から前記空洞部上にわたって形成された絶縁性支持膜と、
前記空洞部直上の前記絶縁性支持膜上に設けられ互いに離間した第１の感熱素子及び第２の感熱素子と、
前記第１の感熱素子の上に形成された第１の絶縁性保護膜と、
前記第２の感熱素子の上に形成された第２の絶縁性保護膜と、
前記第２の感熱素子の直上に設けられた赤外線遮蔽部とを備え、
前記第１の絶縁性保護膜と前記第２の絶縁性保護膜とが、少なくとも一部で接続されていることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の赤外線センサにおいて、
前記第１の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間及び前記第２の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間に下部金属膜を備え、
前記下部金属膜が、前記第１の感熱素子の直下から前記第２の感熱素子の直下まで連続して延在していることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の赤外線センサにおいて、
前記第１の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間及び前記第２の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間に下部絶縁層を備え、
前記下部絶縁層が、前記第１の感熱素子の直下から前記第２の感熱素子の直下まで連続して延在していることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の赤外線センサにおいて、
前記第１の絶縁性保護膜と前記第２の絶縁性保護膜との間にスリット部を有していることを特徴とする赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、測定対象物からの赤外線を検知して該測定対象物の温度等を測定する赤外線センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、測定対象物から輻射により放射される赤外線を非接触で検知して測定対象物の温度を測定する温度センサとして、赤外線センサが使用されている。
例えば、特許文献１には、絶縁性フィルムと、該絶縁性フィルムの一方の面に互いに離間させて設けられた第１の感熱素子及び第２の感熱素子と、絶縁性フィルムの一方の面に形成され第１の感熱素子に接続された導電性の第１の配線膜及び第２の感熱素子に接続された導電性の第２の配線膜と、第２の感熱素子に対向して絶縁性フィルムの他方の面に設けられた赤外線反射膜とを備えた赤外線センサが提案されている。
【０００３】
また、赤外線センサの熱容量を低減して応答性を向上させるために、例えば特許文献２及び３には、いわゆるＭＥＭＳ構造を採用した赤外線センサが記載されている。このＭＥＭＳ構造を採用した赤外線センサでは、枠状のフレーム部の内側に形成された薄膜上に複数のセンサ部を設けた構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１０２７９１号公報
【特許文献２】特開２０１４−２１９３３４号公報
【特許文献３】特開平１１−１４４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記ＭＥＭＳ構造を採用した赤外線センサでは、受光側（検知側）のセンサ部と補償側のセンサ部とが分断させて土台となる薄膜部でしか接続されていないため、互いに熱結合し難く、受光側と補償側との熱バランスの収束が遅くなることで、温度安定に時間がかかり、熱応答性が悪いという問題があった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ＭＥＭＳ構造を採用しても熱バランスの収束が早く、熱応答性に優れた赤外線センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係る赤外線センサは、空洞部を内側に有した枠状のフレーム部と、前記フレーム部上から前記空洞部上にわたって形成された絶縁性支持膜と、前記空洞部直上の前記絶縁性支持膜上に設けられ互いに離間した第１の感熱素子及び第２の感熱素子と、前記第１の感熱素子の上に形成された第１の絶縁性保護膜と、前記第２の感熱素子の上に形成された第２の絶縁性保護膜と、前記第２の感熱素子の直上に設けられた赤外線遮蔽部とを備え、前記第１の絶縁性保護膜と前記第２の絶縁性保護膜とが、少なくとも一部で接続されていることを特徴とする。
【０００８】
この赤外線センサでは、第１の絶縁性保護膜と第２の絶縁性保護膜とが、少なくとも一部で接続されているので、連結され繋がった第１の絶縁性保護膜と第２の絶縁性保護膜とを介して第１の感熱素子と第２の感熱素子とが熱結合することで熱伝導が素早く行われるようになる。したがって、受光側と補償側との間で相互に環境温度の変化を効率的に伝えることができ、受光側と補償側との熱バランスの収束が早くなり、熱応答性が向上する。
【０００９】
第２の発明に係る赤外線センサは、第１の発明において、前記第１の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間及び前記第２の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間に下部金属膜を備え、前記下部金属膜が、前記第１の感熱素子の直下から前記第２の感熱素子の直下まで連続して延在していることを特徴とする。
すなわち、この赤外線センサでは、下部金属膜が、第１の感熱素子の直下から第２の感熱素子の直下まで連続して延在しているので、下部金属膜を介して第１の感熱素子と第２の感熱素子とがさらに熱結合して熱バランスの収束がより速くなる。さらに、下部金属膜が赤外線を反射する膜（下部赤外線反射膜）である場合、下部赤外線反射膜が第１の感熱素子を透過した上方からの赤外線を再び上方に反射して第１の感熱素子へ戻すことで、高い受光効率を得ることができる。また、下部金属膜により、下方から第１の感熱素子又は第２の感熱素子に入光する赤外線を遮光することができ、ノイズ成分を抑制してより高精度な測定が可能になる。
【００１０】
第３の発明に係る赤外線センサは、第１又は第２の発明のいずれかにおいて、前記第１の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間及び前記第２の感熱素子と前記絶縁性支持膜との間に下部絶縁層を備え、前記下部絶縁層が、前記第１の感熱素子の直下から前記第２の感熱素子の直下まで連続して延在していることを特徴とする。
すなわち、この赤外線センサでは、下部絶縁層が、第１の感熱素子の直下から第２の感熱素子の直下まで連続して延在しているので、下部絶縁層を介して第１の感熱素子と第２の感熱素子とがさらに熱結合して熱バランスの収束が速くなる。
【００１１】
第４の発明に係る赤外線センサは、第１から第３の発明のいずれかにおいて、前記第１の絶縁性保護膜と前記第２の絶縁性保護膜との間にスリット部を有していることを特徴とする。
すなわち、この赤外線センサでは、第１の絶縁性保護膜と第２の絶縁性保護膜との間にスリット部を有しているので、第１の感熱素子と第２の感熱素子との間の一部にスリット部による空気層を設けることで、第１の感熱素子と第２の感熱素子との温度差が付け易くなる。すなわち、接続された第１の絶縁性保護膜と第２の絶縁性保護膜とによる熱バランスの向上に加え、スリット部の位置や長さ等に応じて感度と応答性とのバランスを調整することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る赤外線センサによれば、第１の絶縁性保護膜と第２の絶縁性保護膜とが、少なくとも一部で接続されているので、受光側と補償側との間で相互に環境温度の変化を効率的に伝えることができ、受光側と補償側との熱バランスの収束が早くなり、熱応答性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る赤外線センサの第１実施形態を示す断面図（図３のＡ−Ａ線断面図）である。
【図２】第１実施形態において、赤外線センサをステム部材上に実装した状態を示す概略的な断面図である。
【図３】第１実施形態において、赤外線センサを示す平面図である。
【図４】本発明に係る赤外線センサの第２実施形態を示す断面図（図５のＢ−Ｂ線断面図）である。
【図５】第２実施形態において、赤外線センサを示す平面図である。
【図６】本発明に係る赤外線センサの第３実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明に係る赤外線センサの第４実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明に係る赤外線センサの第５実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明に係る赤外線センサの第６実施形態を示す平面図である。
【図１０】本発明に係る赤外線センサの第７実施形態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る赤外線センサの第１実施形態を、図１から図３を参照しながら説明する。なお、以下の説明に用いる図面の一部では、各部を認識可能又は認識容易な大きさとするために必要に応じて縮尺を適宜変更している。
【００１５】
本実施形態の赤外線センサ１は、図１から図３に示すように、空洞部２ａを内側に有した枠状のフレーム部２と、フレーム部２上から空洞部２ａ上にわたって形成された絶縁性支持膜３と、空洞部２ａ直上の絶縁性支持膜３上に形成され互いに離間した第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂと、第１の感熱素子４Ａの上に形成された第１の絶縁性保護膜５Ａと、第２の感熱素子４Ｂの上に形成された第２の絶縁性保護膜５Ｂと、第２の感熱素子４Ｂの直上に設けられた赤外線遮蔽部６とを備えている。
【００１６】
上記第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとは、少なくとも一部で接続されている。本実施形態では、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとが連続する一層の保護膜であり、互いに絶縁性支持膜３の中間部（第１の感熱素子４Ａと第２の感熱素子４Ｂとの間）で接続された状態で成膜されている。
また、本実施形態の赤外線センサ１は、第１の絶縁性保護膜５Ａ上に形成され第１の感熱素子４Ａの直上に設けられた赤外線吸収膜７を備えている。
【００１７】
上記フレーム部２は、例えば単結晶シリコンで形成されており、単結晶シリコン基板上に絶縁性支持膜３を成膜した後、エッチング等により絶縁性支持膜３を残して単結晶シリコン基板に空洞部２ａを形成したものである。
上記絶縁性支持膜３は、例えばＳｉ−Ｏ／Ｓｉ−Ｎ／Ｓｉ−Ｏ等の絶縁性の複数層で構成されたダイヤフラム部である。
【００１８】
すなわち、本実施形態の赤外線センサ１は、フレーム部２及び絶縁性支持膜３上に第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂを設けた、いわゆるＭＥＭＳ構造を有したものである。
本実施形態の赤外線センサ１は、図２に示すように、例えば上部に複数のピン部材Ｐが突出したステム部材８の上に半田材等で接着されて使用される。
【００１９】
上記第１の感熱素子４Ａは、受光側（検知側）のセンサ部であり、上記第２の感熱素子４Ｂは、補償用のセンサ部である。
第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂは、絶縁性支持膜３上にサーミスタ材料で形成された感熱膜１１と、感熱膜１１の上及び下の少なくとも一方に互いに対向して形成された一対の対向電極１２とを備えている。
本実施形態の一対の対向電極１２は、感熱膜１１の上に互いに対向して櫛型状にパターン形成された櫛型電極であり、複数の櫛部１２ａを有している。
【００２０】
また、絶縁性支持膜３上には、一対の対向電極１２に接続された複数のパターン配線１３が形成されている。上記パターン配線１３の端部には、ステム部材８上の配線又はピン部材Ｐとワイヤーボンディング等で接続されるパッド部１３ａが形成されている。
なお、各パターン配線１３は、感熱膜１１からパッド部１３ａまでの距離を等価に設定している。
また、第１の感熱素子４Ａの一対の対向電極１２のうち一方と第２の感熱素子４Ｂの一対の対向電極１２のうち一方とは、パターン配線１３で接続されている。
【００２１】
上記感熱膜１１は、例えばスピネル組成物や窒化物組成物等のサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部である。例えば、感熱膜１１は、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎのサーミスタ材料で矩形状に形成されている。すなわち、本実施形態の感熱膜１１は、一般式：ＴｉｘＡｌｙＮｚ（０．７０≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．９５、０．４≦ｚ≦０．５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で示される金属窒化物からなり、その結晶構造が、六方晶系のウルツ鉱型の単相である。
【００２２】
上記対向電極１２及びパターン配線１３は、Ａｕ／Ｃｒ，Ａｕ／Ｔｉ，Ｐｔ／Ｔｉ等の複数の金属層でパターン形成されている。
上記第１の絶縁性保護膜５Ａ及び第２の絶縁性保護膜５Ｂは、例えばＳｉ−Ｏ（ＳｉＯ２等）等の絶縁層で形成されている。
【００２３】
上記赤外線遮蔽部６は、第２の絶縁性保護膜５Ｂ上であって第２の感熱素子４Ｂの直上に略四角形状に形成された赤外線反射膜である。この赤外線遮蔽部６は、第２の絶縁性保護膜５Ｂよりも高い赤外線反射率を有する材料で形成され、例えば金薄膜等で形成されている。なお、金薄膜の他に、例えば鏡面のアルミニウム蒸着膜やアルミニウム箔等で形成しても構わない。この赤外線遮蔽部６は、第２の感熱素子４Ｂよりも大きなサイズでこれを覆うように形成されている。
【００２４】
上記赤外線吸収膜７は、第１の感熱素子４Ａの直上であって第１の絶縁性保護膜５Ａよりも赤外線吸収性が高い材料で形成されている。赤外線吸収膜７は、例えば、カーボンブラック等の赤外線吸収材料を含む膜，赤外線吸収性ガラス膜（二酸化珪素を７１％含有するホウケイ酸ガラス膜など），アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）膜，金黒膜，多孔質金属膜等で形成されているもの等が採用可能である。
【００２５】
なお、感熱膜１１は例えば厚さ２００ｎｍに設定され、絶縁性支持膜３は例えば厚さ１０００ｎｍに設定されている。また、赤外線遮蔽部６及び赤外線吸収膜７は例えば厚さ１００ｎｍに設定され、第１の絶縁性保護膜５Ａ及び第２の絶縁性保護膜５Ｂは例えば厚さ５００ｎｍに設定されている。
【００２６】
本実施形態の赤外線センサ１の製造方法は、例えばまず結晶面方位（１００）のシリコン基板上にプラズマＣＶＤ法等により絶縁性支持膜３を成膜し、さらに絶縁性支持膜３上に感熱膜１１及び対向電極１２をスパッタやＰＶＤ等で成膜すると共にエッチング等によってパターン形成し、第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂを構成する。
【００２７】
次に、第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂを覆うように絶縁性支持膜３上に第１の絶縁性保護膜５Ａ及び第２の絶縁性保護膜５Ｂを塗布法，スパッタやＣＶＤ等で成膜し、さらに第１の絶縁性保護膜５Ａ及び第２の絶縁性保護膜５Ｂ上に赤外線遮蔽部６及び赤外線吸収膜７をスパッタ等でパターン形成する。
次に、シリコン基板の裏面側をマスクを用いてＲＩＥ等で窓あけのエッチングすることで絶縁性支持膜３を残して空洞部２ａを有したフレーム部２を形成し、ＭＥＭＳ構造の赤外線センサ１が作製される。
【００２８】
このように本実施形態の赤外線センサ１では、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとが、少なくとも一部で接続されているので、連結され繋がった第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとを介して第１の感熱素子４Ａと第２の感熱素子４Ｂとが熱結合することで熱伝導が素早く行われるようになる。したがって、受光側と補償側との間で相互に環境温度の変化を効率的に伝えることができ、受光側と補償側との熱バランスの収束が早くなり、熱応答性が向上する。
【００２９】
次に、本発明に係る温度センサの第２から第７実施形態について、図４から図１０を参照して以下に説明する。なお、以下の各実施形態の説明において、上記実施形態において説明した同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。
【００３０】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ等のサーミスタ材料で形成された感熱膜１１と櫛型の一対の対向電極１２とで構成されているのに対し、第２実施形態の赤外線センサ２１では、図４及び図５に示すように、第１の感熱素子２４Ａ及び第２の感熱素子２４Ｂが、誘電体材料で形成された感熱膜２５と感熱膜２５の上下に形成された一対の対向電極２２とで構成されている点である。
【００３１】
すなわち、第２実施形態では、感熱膜２５が、誘電率の温度依存性があるＢＴ，ＢＳＴ，ＳＢＴ，ＰＺＴ，ＰＬＺＴ等の誘電体材料で矩形状に形成されている。
また、一対の対向電極２２は、静電容量を稼ぐために誘電体材料の感熱膜２５の上下に矩形状に形成され感熱膜２５を挟むように設けられている。
【００３２】
次に、第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが絶縁性支持膜３上に直接形成されているのに対し、第３実施形態の赤外線センサ３１では、図６に示すように、絶縁性支持膜３上の下部金属膜３３を介して第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが形成されている点である。
すなわち、第３実施形態の赤外線センサ３１は、第１の感熱素子４Ａと絶縁性支持膜３との間及び第２の感熱素子４Ｂと絶縁性支持膜３との間に下部金属膜３３を備えている。
【００３３】
上記下部金属３３は、第１の感熱素子４Ａの直下から第２の感熱素子４Ｂの直下まで連続して延在している。
下部金属膜３３は、例えば金薄膜や鏡面のアルミニウム蒸着膜やアルミニウム箔等で形成されている。また、下部金属膜３３と第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂとの間に絶縁膜を介在させることで、導電性の下部金属膜３３を採用しても、下部金属膜３３と第１の感熱素子４Ａ又は第２の感熱素子４Ｂとの導通を防ぐことができる。なお、第１の感熱素子４Ａおよび第２の感熱素子４Ｂの対向電極１２が、感熱膜１１の直上に形成された櫛型電極である場合、複数の櫛部１２ａ間の距離に比べて感熱膜１１の膜厚が充分に大きければ（例えば１０倍以上など）、感熱膜１１の直下に下部金属膜３３を配しても赤外線の測定にはほとんど影響しない。
【００３４】
このように第３実施形態の赤外線センサ３１では、下部金属膜３３が、第１の感熱素子４Ａの直下から第２の感熱素子４Ｂの直下まで連続して延在しているので、下部金属膜３３を介して第１の感熱素子４Ａと第２の感熱素子４Ｂとがさらに熱結合して熱バランスの収束が速くなる。
さらに、下部金属膜３３が赤外線を反射する膜（下部赤外線反射膜）である場合、下部赤外線反射膜が第１の感熱素子４Ａを透過した上方からの赤外線を再び上方に反射して第１の感熱素子４Ａへ戻すことで、高い受光効率を得ることができる。
また、下部金属膜３３により、下方から第１の感熱素子４Ａ又は第２の感熱素子４Ｂに入光する赤外線を遮光することができ、ノイズ成分を抑制してより高精度な測定が可能になる。
【００３５】
次に、第４実施形態と第３実施形態との異なる点は、第３実施形態では、第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが下部金属膜３３上に形成されているのに対し、第４実施形態の赤外線センサ４１では、図７に示すように、絶縁性支持膜３上の下部絶縁層４３上に第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが形成されている点である。
すなわち、第４実施形態の赤外線センサ４１は、第１の感熱素子４Ａと絶縁性支持膜３との間及び第２の感熱素子４Ｂと絶縁性支持膜３との間に下部絶縁層４３を備えている。
【００３６】
上記下部絶縁層４３は、第１の感熱素子４Ａの直下から第２の感熱素子４Ｂの直下まで連続して延在している。
下部絶縁層４３は、例えばＳｉ−Ｏ系材料等の絶縁性材料で形成されている。
このように第４実施形態の赤外線センサ４１では、下部絶縁層４３が、第１の感熱素子４Ａの直下から第２の感熱素子４Ｂの直下まで連続して延在しているので、下部絶縁層４３を介して第１の感熱素子４Ａと第２の感熱素子４Ｂとがさらに熱結合して熱バランスの収束が速くなる。
【００３７】
次に、第５実施形態と第３実施形態との異なる点は、第３実施形態では、第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが下部金属膜３３上に直接形成されているのに対し、第５実施形態の赤外線センサ５１では、図８に示すように、絶縁性支持膜３上に下部金属膜３３と下部絶縁層４３とが形成され、その上に第１の感熱素子４Ａ及び第２の感熱素子４Ｂが形成されている点である。
すなわち、第５実施形態の赤外線センサ５１は、下部金属膜３３と下部絶縁層４３との両方による相乗効果を得ることができ、第１の感熱素子４Ａと第２の感熱素子４Ｂとの熱バランスの収束が速くなる。
【００３８】
次に、第６及び第７実施形態と第２実施形態との異なる点は、第２実施形態では、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとが互いに第１の感熱素子２４Ａと第２の感熱素子２４Ｂとの間に沿って連続して接続されているのに対し、第６及び第７実施形態の赤外線センサ６１，７１では、図９及び図１０に示すように、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとの間にスリット部Ｓ１，Ｓ２が形成されている点である。
【００３９】
すなわち、第６実施形態の赤外線センサ６１は、図９に示すように、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとの間に１つのスリット部Ｓ１が形成され、第７実施形態の赤外線センサ７１は、図１０に示すように、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとの間に２つのスリット部Ｓ２が形成されている。
上記スリット部Ｓ１，Ｓ２は、第１の感熱素子２４Ａと第２の感熱素子２４Ｂとの間に設けられており、第６実施形態では、スリット部Ｓ１の両端側で第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとが接続されている。また、第７実施形態では、２つのスリット部Ｓ２の両端側と、２つのスリット部Ｓ２の間とで第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとが接続されている。
【００４０】
このように第６及び第７実施形態の赤外線センサ６１，７１では、第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとの間にスリット部Ｓ１，Ｓ２を有しているので、第１の感熱素子２４Ａと第２の感熱素子２４Ｂとの間の一部にスリット部Ｓ１，Ｓ２による空気層を設けることで、第１の感熱素子２４Ａと第２の感熱素子２４Ｂとの温度差が付け易くなる。すなわち、接続された第１の絶縁性保護膜５Ａと第２の絶縁性保護膜５Ｂとによる熱バランスの向上に加え、スリット部Ｓ１，Ｓ２の位置や長さ等に応じて感度と応答性とのバランスを調整することができる。
【００４１】
なお、スリット部Ｓ１，Ｓ２内に第１の絶縁性保護膜５Ａ及び第２の絶縁性保護膜５Ｂよりも熱伝導度が高い物質を埋めることで、より応答性が高くなる。また、スリット部Ｓ１，Ｓ２内に第１の絶縁性保護膜５Ａ及び第２の絶縁性保護膜５Ｂよりも熱伝導度が低い物質を埋めることで、感度を向上させることができる。
【００４２】
なお、本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、感熱膜を有した第１の感熱素子及び第２の感熱素子を採用しているが、感熱素子として、チップサーミスタ等のサーミスタや焦電素子等を採用しても構わない。
【符号の説明】
【００４３】
１、２１，３１，４１，５１，６１，７１…赤外線センサ、２…フレーム部、２ａ…空洞部、３…絶縁性支持膜、４Ａ，２４Ａ…第１の感熱素子、４Ｂ，２４Ｂ…第２の感熱素子、５Ａ…第１の絶縁性保護膜、５Ｂ…第２の絶縁性保護膜、６…赤外線遮蔽部、３３…下部金属膜、４３…下部絶縁層、Ｓ１，Ｓ２…スリット部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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