(57)【要約】      （修正有）【課題】製造効率を高めることができる時計用部品、ムーブメント、時計および時計用部品の製造方法を提供する。【解決手段】表面１４と、裏面１５と、表面１４および裏面１５と交差する側面とを有するシリコン製の時計用部品１０であって、表面１４側に形成される第１凹部１４１と、裏面１５側に形成される第２凹部１５１と、第１凹部１４１および第２凹部１５１のいずれか一方と側面とを連通する連通溝１８とを有する。【選択図】図５
2020020718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と、裏面と、前記表面および前記裏面と交差する側面とを有するシリコン製の時計用部品であって、
前記表面側に形成される第１凹部と、
前記裏面側に形成される第２凹部と、
前記第１凹部および前記第２凹部のいずれか一方と前記側面とを連通する連通溝とを有する
ことを特徴とする時計用部品。
【請求項２】
請求項１に記載の時計用部品において、
平面視で前記第１凹部と前記第２凹部とが重なる位置に、前記表面側と前記裏面側とを貫通する貫通部が形成される
ことを特徴とする時計用部品。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の時計用部品において、
前記第１凹部は前記第２凹部と異なる形状である
ことを特徴とする時計用部品。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の時計用部品がアンクルであることを特徴とする時計用部品。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の時計用部品を備えることを特徴とするムーブメント。
【請求項６】
請求項５に記載のムーブメントを備えることを特徴とする時計。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の時計用部品の製造方法であって、
シリコン基板の一方の面部に第１レジストパターンを形成する第１レジストパターン形成工程と、
前記第１レジストパターンが形成された前記一方の面部側をエッチングする第１エッチング工程と、
前記一方の面部側にドライフィルムを貼付するドライフィルム貼付工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面部とは反対側の他方の面部に第２レジストパターンを形成する第２レジストパターン形成工程と、
前記第２レジストパターンが形成された前記他方の面部側をエッチングする第２エッチング工程とを有する
ことを特徴とする時計用部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、時計用部品、ムーブメント、時計および時計用部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
機械式時計には、歯車等に代表される数多くの時計用部品が搭載されている。従来、時計用部品は金属材料を機械加工することにより形成されているが、近年では、時計用部品の材料としてシリコンを含む基材が用いられるようになっている。特に、表裏で形状が異なる複雑な構造を有する時計用部品が、シリコンを含む基材から製造されることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１では、第１シリコン・ウェハおよび第２シリコン・ウェハをそれぞれエッチング加工し、シリコン製部品の一方の面側を構成する第１要素と、他方の面側を構成する第２要素とを別々に製造する。そして、この第１要素と第２要素とを接着させることにより、表裏で形状の異なるシリコン製部品を製造している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１０−５０９０７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のシリコン製部品では、別々に製造した第１要素と第２要素とを接着させる際に、これらを高温の炉内で２〜４時間加熱酸化処理する必要がある。つまり、特許文献１では、シリコン製部品を製造するために、エッチング加工工程の他に、長い時間を要する加熱酸化処理工程を必要とする。そのため製造効率が低下するといった問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の時計用部品は、表面と、裏面と、前記表面および前記裏面と交差する側面とを有するシリコン製の時計用部品であって、前記表面側に形成される第１凹部と、前記裏面側に形成される第２凹部と、前記第１凹部および前記第２凹部のいずれか一方と前記側面とを連通する連通溝とを有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の時計用部品において、平面視で前記第１凹部と前記第２凹部とが重なる位置に、前記表面側と前記裏面側とを貫通する貫通部が形成されることが好ましい。
【０００８】
本発明の時計用部品において、前記第１凹部は前記第２凹部と異なる形状であることが好ましい。
【０００９】
本発明の時計用部品は、アンクルであることが好ましい。
【００１０】
本発明のムーブメントは、上記時計用部品を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明の時計は、上記ムーブメントを備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明の時計用部品の製造方法であって、シリコン基板の一方の面部に第１レジストパターンを形成する第１レジストパターン形成工程と、前記第１レジストパターンが形成された前記一方の面部側をエッチングする第１エッチング工程と、前記一方の面部側にドライフィルムを貼付するドライフィルム貼付工程と、前記シリコン基板の前記一方の面部とは反対側の他方の面部に第２レジストパターンを形成する第２レジストパターン形成工程と、前記第２レジストパターンが形成された前記他方の面部側をエッチングする第２エッチング工程とを有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態の時計を示す正面図。
【図２】前記実施形態のムーブメントを示す図。
【図３】前記実施形態のアンクルを示す正面図。
【図４】前記実施形態のアンクルを示す背面図。
【図５】前記実施形態のアンクルを示す斜視図。
【図６】前記実施形態のアンクルを示す断面図。
【図７】前記実施形態のアンクルの製造工程を示す概略図。
【図８】前記実施形態のアンクルを製造するエッチング装置を示す概略図。
【図９】前記実施形態のアンクルの製造途中の状態を示す概略図。
【図１０】他の実施形態に係るアンクルの製造途中を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
［ムーブメントおよび時計］
図１は、本実施形態の時計１を示す正面図であり、図２は、ムーブメント１００を裏蓋側から見た図である。
【００１５】
時計１は、ユーザーの手首に装着される腕時計であり、外装ケース２と、外装ケース２内に設けられた文字板３と、時針４Ａと、分針４Ｂと、秒針４Ｃと、日車６と、外装ケース２の側面に設けられたりゅうず７とを備えている。
【００１６】
時計１は、図２に示すような外装ケース２内に収容されたムーブメント１００を備えている。ムーブメント１００は、地板１１０、一番受け１２０、テンプ受け１３０を備えている。地板１１０と一番受け１２０との間には、図示略のぜんまいが収納された香箱車８１と、図示略の二番車と、三番車８３と、四番車８４と、ガンギ車８５とが配置されている。また、地板１１０とテンプ受け１３０との間には、アンクル１０、テンプ８７等が配置されている。ムーブメント１００は、指針である時針４Ａ、分針４Ｂ、秒針４Ｃを駆動する。
また、ムーブメント１００には、ぜんまいを巻き上げる巻上げ機構９０として、巻真９１、つづみ車９２、きち車９３、丸穴車９４、第１中間車９５、第２中間車９６が設けられている。これにより、りゅうず７の回転操作による回転を、図示略の角穴車に伝達し、図示略の香箱真を回転して、ぜんまいを巻き上げることができる。これらは一般的な機械式ムーブメントと同じであるため、説明を省略する。
【００１７】
［アンクル］
次に、アンクル１０の構成について、図３から図６を用いて説明する。
図３は、アンクル１０の概略を示す正面図であり、図４は、アンクル１０の概略を示す背面図であり、図５は、アンクル１０の概略を示す斜視図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。
図３から図６に示すように、アンクル１０は、単結晶のシリコン製の時計用部品であり、表面である第１面１４と、裏面である第２面１５と、第１面１４および第２面１５と交差する側面１６とを有する。本実施形態では、アンクル１０の厚さｔは約４３０μｍとされている。
アンクル１０には、アンクル腕１１Ａ，１１Ｂ、アンクル竿１１Ｃの３つのアンクルビーム１１が形成される。
【００１８】
３つのアンクルビーム１１のうち、２つのアンクル腕１１Ａ，１１Ｂの先端には爪石部１２Ａ，１２Ｂが一体に形成されている。また、残り１つのアンクル竿１１Ｃの先端には剣先１３が一体に形成されている。
【００１９】
また、アンクル１０には、第１面１４側に第１凹部１４１が形成され、第２面１５側に第２凹部１５１が形成されている。さらに、第１面１４側のアンクル竿１１Ｃの先端には段差１４２が形成されている。
第１凹部１４１は、平面視において、三角形の底面に半円が結合されたような形状となっており、３つのアンクルビーム１１が交わる箇所に形成されている。
第２凹部１５１は、平面視において、五角形の２つの辺に台形が結合されたような形状となっている。このように、本実施形態では、第１凹部１４１は第２凹部１５１と異なる形状とされている。
また、第２凹部１５１は、平面視において、第１凹部１４１の底面部に形成されている。すなわち、平面視において、第１凹部１４１と第２凹部１５１とが重なる位置には、アンクル１０の第１面１４側と第２面１５側とを貫通する貫通部１７が形成されている。この貫通部１７には、軸真であるアンクル真１９が挿通される。
【００２０】
このように構成されたアンクル１０は、アンクル真１９を中心に回転した際に、爪石部１２Ａまたは爪石部１２Ｂが、図２に示すガンギ車８５の歯部の先端に接触するようになっている。また、この際、アンクル竿１１Ｃが、地板１１０に設けられた図示略の２本のドテピンに接触し、これによってアンクル１０は、同方向にそれ以上回転しないようになっている。その結果、ガンギ車８５の回転も一時的に停止する。
【００２１】
また、第１凹部１４１には、側面１６に連通する連通溝１８が形成されている。連通溝１８は、後述するアンクル１０の製造工程において、第１凹部１４１内の空気を排気する際の通路として利用される。そのため、連通溝１８は空気を排気するのに好適な寸法とされており、例えば、幅Ｗは約５０μｍとされている。ただし、連通溝１８の幅Ｗはこれに限られるものではなく、後述するアンクル１０の製造工程において空気を短時間で排出可能な寸法であればよく、例えば、３μｍ以上とされていればよい。
【００２２】
［アンクルの製造工程］
次に、上記のようなアンクルの製造方法について、図面に基づいて説明する。
図７Ａ〜図７Ｇは、アンクルの製造工程を示す断面図である。
本実施形態では、図７Ａに示すような厚さｔ１のシリコン基板２０を母材とし、当該シリコン基板２０の一方の面部２１側と、一方の面部２１とは反対側の面である他方の面部２２側との両側をエッチングすることにより、アンクル１０を製造する。本実施形態では、例えば、厚さｔ１が約４３０μｍのシリコン基板２０を母材としてアンクル１０を製造する。なお、シリコン基板２０の厚さｔ１はこれに限られるものではなく、製造する時計用部品の仕様によって適宜選択できる。
【００２３】
具体的には、まず、図７Ａに示すシリコン基板２０の一方の面部２１に対して、例えばフォトリソグラフィー法を用いて、第１レジストパターンＲ１を形成する（第１レジストパターン形成工程）。図７Ｂは、シリコン基板２０の一方の面部２１に第１レジストパターンＲ１が形成された状態を示す図である。第１レジストパターンＲ１は、開口部Ｒ１Ａを有する。なお、後述する第１エッチング工程において、一方の面部２１の開口部Ｒ１Ａに対応する位置がエッチングされる。
【００２４】
次に、図７Ｃに示すように、第１レジストパターンＲ１をマスクとして、シリコン基板２０にエッチングを施す。エッチングとしては、例えば、誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma：ＩＣＰ）によるディープ・リアクティブ・イオンエッチング（Deep Reactive Ion Etching：ＤＲＩＥ）を用いることができる。
【００２５】
図８は、エッチング装置２００を示す概略図である。
図８に示すエッチング装置２００は、真空チャンバー２０１と、ステージ２０２と、コイル２０３とを有する。
真空チャンバー２０１は、エッチングが行われる反応室であり、その内部にステージ２０２およびコイル２０３を収容している。
【００２６】
上記のエッチング装置２００のステージ２０２上に、図７Ｂに示すシリコン基板２０をセットする。この際、シリコン基板２０の他方の面部２２側がステージ２０２の上面に対向するようにセットする。そして、当該真空チャンバー２０１内の気圧を所定の真空圧、例えば１〜３０Ｐａ程度にまで低下させる。
続いて、例えば、ＳＦ６等のエッチングガスを真空チャンバー２０１内に導入し、コイル２０３に高周波数の大電流を流すことによって、エッチングガスによるプラズマを発生させる。そして、ステージ２０２にバイアスをかけることにより、エッチングガスによるプラズマの粒子が第１レジストパターンＲ１の開口部Ｒ１Ａからシリコン基板２０の一方の面部２１に引き込まれる。これにより、シリコン基板２０が一方の面部２１側から第１レジストパターンＲ１に沿って厚さ方向に略垂直にエッチングされ、凹部が形成される。
次に、例えば、Ｃ４Ｆ８等のデポジションガスを真空チャンバー２０１内に導入し、コイル２０３に高周波数の大電流を流すことによって、デポジションガスによるプラズマを発生させる。そして、ステージ２０２にバイアスをかけることにより、デポジションガスによるプラズマの粒子が第１レジストパターンＲ１の開口部Ｒ１Ａからシリコン基板２０の一方の面部２１に引き込まれる。これにより、上記エッチングにより形成された凹部の側壁に保護膜が形成される。つまり、凹部の側壁がデポジションされる。
そして、上記のようなエッチングとデポジションとを繰り返し実施する、いわゆるボッシュプロセスと呼ばれるサイクルエッチング処理を実施することにより、シリコン基板２０の一方の面部２１に深さｔ２の凹部を形成する（第１エッチング工程）。本実施形態では、深さｔ２として、例えば、約２６０μｍの凹部が形成される。なお、第１エッチング工程で形成される凹部の深さはこれに限られるものではなく、製造する時計用部品の形状に応じて、適宜変更できる。
【００２７】
また、この際、シリコン基板２０の他方の面部２２側、すなわちシリコン基板２０のステージ２０２にセットされた面側は、ヘリウムガス等の冷却ガスにより冷却される。これにより、第１エッチング工程において、シリコン基板２０は１０℃程度の温度に維持される。そのため、シリコン基板２０の温度上昇を抑制できるので、温度上昇によってエッチングガスによるプラズマとシリコン基板２０とが過剰に反応してしまうことを抑制できる。したがって、エッチングの垂直性が損なわれることを防ぐことができ、一方の面部２１側のエッチングの加工精度を高くすることができる。
【００２８】
次に、シリコン基板２０を真空チャンバー２０１内から取り出し、第１レジストパターンＲ１を除去して、図７Ｄに示す状態にする。第１レジストパターンＲ１の除去は、発煙硝酸や有機溶剤等でのウェットエッチング、あるいは、酸素プラズマアッシング等により行うことができる。
図９は、図７Ｄの状態のシリコン基板２０の斜視図である。
図９に示すように、シリコン基板２０は、この段階でアンクル１０の第１面１４側が形成された状態になっている。すなわち、シリコン基板２０の一方の面部２１は、アンクル１０の第１面１４を構成する。また、上記したように、アンクル１０の第１面１４側には、第１凹部１４１と、当該第１凹部１４１とアンクル１０の側面１６とを連通する連通溝１８とが形成されている。
さらに、アンクル１０の側面１６を切り出すための外周凹部２３が形成されており、当該外周凹部２３は、溝部２４によりシリコン基板２０の側面部２５と連通している。
なお、段差１４２は外周凹部２３と連続して形成される。
【００２９】
次に、図７Ｅに示すように、シリコン基板２０の一方の面部２１にドライフィルムＦを貼付する（ドライフィルム貼付工程）。本実施形態では、ドライフィルムＦとして、ポリエステルフィルム等の支持体にフォトレジストを均一に塗布したものを使用する。これにより、後述する第２エッチング工程において、プラズマ化したエッチングガスによりドライフィルムＦが損傷することを防ぐことができる。
また、シリコン基板２０の他方の面部２２に対して、例えばフォトリソグラフィー法を用いて、第２レジストパターンＲ２を形成する（第２レジストパターン形成工程）。第２レジストパターンＲ２は、開口部Ｒ２Ａを有する。後述する第２エッチング工程において、他方の面部２２の開口部Ｒ２Ａに対応する位置がエッチングされる。なお、図７Ｅでは、シリコン基板２０の上下を反転させ、他方の面部２２側を上側にした状態を示している。
【００３０】
次に、図７Ｅの状態のシリコン基板２０を、再び真空チャンバー２０１内のステージ２０２にセットする。この際、上記とは逆に、一方の面部２１側がステージ２０２の上面に対向するようにセットする。そして、上記と同様に、真空チャンバー２０１内の気圧を所定の真空圧にまで低下させる。この際、第１凹部１４１内の空気は、図９に示す連通溝１８、外周凹部２３および溝部２４を介してシリコン基板２０の側面部２５から排気される。
【００３１】
続いて、７Ｅの状態のシリコン基板２０にボッシュプロセスによるエッチングを施す（第２エッチング工程）。これにより、図７Ｆに示すように、シリコン基板２０が他方の面部２２側から第２レジストパターンＲ２に沿って厚さ方向に略垂直にエッチングされ、深さｔ３の凹部が形成される（第２エッチング工程）。本実施形態では、深さｔ３として、例えば、約２６０μｍの凹部が形成される。なお、第１エッチング工程と同様に、第２エッチング工程で形成される凹部の深さはこれに限られるものではなく、製造する時計用部品の形状に応じて、適宜変更できる。
また、一方の面部２１側と他方の面部２２側とでエッチングした箇所が重なる部分には、一方の面部２１側から他方の面部２２側までシリコン基板２０を貫通する貫通孔が形成される。すなわち、図３に示す貫通部１７が形成される。
この際、第１エッチング工程と同様に、一方の面部２１側は冷却ガスにより冷却されているが、当該一方の面部２１側にはドライフィルムＦが貼付されているので、貫通部１７を介して冷却ガスが一方の面部２１側から他方の面部２２側に抜けてしまうことがない。そのため、第２エッチング工程においても、シリコン基板２０を効率的に冷却することができるので、温度上昇によってエッチングガスによるプラズマとシリコン基板２０とが過剰に反応することを抑制できる。したがって、エッチングの垂直性が損なわれることを防ぐことができ、他方の面部２２側のエッチングの加工精度を高くすることができる。
【００３２】
そして、シリコン基板２０を真空チャンバー内から取り出し、第２レジストパターンＲ２およびドライフィルムＦを除去して、図７Ｇに示す状態にする。
最後に、シリコン基板２０からアンクル１０を構成する部分を取り外して、アンクル１０を製造する。
【００３３】
［本実施形態の作用効果］
このような本実施形態によれば、以下のような作用効果が得られる。
アンクル１０は、表面である第１面１４と、裏面である第２面１５と、第１面１４および第２面１５と交差する側面１６とを有する単結晶のシリコン製の時計用部品であって、第１面１４側に形成される第１凹部１４１と、第２面１５側に形成される第２凹部１５１と、第１凹部１４１と側面１６とを連通する連通溝１８とを有する。
本実施形態では、母材としてのシリコン基板２０に対して、一方の面部２１側をエッチングし、その後、他方の面部２２側をエッチングすることにより、上記のようなアンクル１０を製造する。この際、一方の面部２１側を加工後、他方の面部２２側を加工する前に、一方の面部２１側にドライフィルムＦを貼付する。これにより、他方の面部２２側を加工する際に、一方の面部２１側を冷却ガスで冷却することを可能にして、シリコン基板２０の温度上昇によるプラズマとシリコン基板２０との過剰反応を防止している。
ここで、仮に、第１凹部１４１に連通溝１８が形成されない場合、一方の面部２１にドライフィルムＦを貼付すると第１凹部１４１は密閉空間となる。そのため、他方の面部２２側を加工する際に真空チャンバー内の気圧を真空圧に低下させても、第１凹部１４１の内部は大気圧で維持されることになる。そうすると、第１凹部１４１内外の気圧差が発生するため、ドライフィルムＦが損傷してしまうおそれがある。
一方、本実施形態では、連通溝１８、外周凹部２３および溝部２４を介して第１凹部１４１内の空気が排気される。すなわち、第１凹部１４１の内部は真空圧になるので、第１凹部１４１内外において気圧差が発生することはない。そのため、ドライフィルムＦが気圧差によって損傷することはない。
このように、本実施形態では、第１凹部１４１と側面１６と連通する連通溝１８を設けることにより、冷却ガスにより冷却しながら、シリコン基板２０の両側をエッチングすることを可能にしている。つまり、１枚のシリコン基板２０の両側を高い加工精度でエッチングすることができる。そのため、アンクル１０の製造工程において、第１面１４側と第２面１５側とを別々のシリコン基板から製造し、それらを接着させてアンクル１０を製造する必要がないので、アンクル１０の製造効率を高めることができる。
また、本実施形態では、アンクル１０を１枚のシリコン基板２０から製造することができる。そうすると、第１面１４側と第２面１５側とを別々に製造し、それらを接着させて製造した場合に形成されるような接着部が存在しない。そのため、接着部が剥離するおそれがなく、部品強度を高くすることができる。
【００３４】
本実施形態では、平面視において、第１凹部１４１と第２凹部１５１とが重なる位置に、第１面１４側と第２面１５側とを貫通する貫通部１７が形成される。これにより、当該貫通部１７にアンクル真１９を挿通することができるので、アンクル真１９を軸真にして、アンクル１０を回転可能に構成することができる。すなわち、回転可能とされる部品に本実施形態の時計用部品を適用することができる。
【００３５】
本実施形態では、第１凹部１４１は第２凹部１５１とは異なる形状である。そのため、アンクル１０のように、表裏で形状が異なるような複雑な構造を有する部品に、形状の部品に本実施形態の時計用部品を適用することができる。
【００３６】
［他の実施形態］
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００３７】
上記実施形態では、シリコン基板２０から１個のアンクル１０を製造する場合を例示して説明したが、これに限られず、１枚のシリコン基板から複数のアンクルを製造するようにしてもよい。
図９は、シリコン基板２０Ａから複数のアンクルを製造する場合の、製造途中を示す概略図である。図１０に示すように、シリコン基板２０Ａからアンクル１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの３つのアンクルを製造するようにしてもよい。
また、この場合、図１０に示すように、アンクル１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの側面１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃを切り出すための外周凹部２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃをそれぞれ互いに連通させ、さらに当該外周凹部２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃを溝部２４Ａ，２４Ｂにてシリコン基板２０Ａの側面部２５Ａ，２５Ｂに連通させるようにしてもよい。これにより、上記の製造工程において、第１凹部１４１Ａ，１４１Ｂ，１４１Ｃ内の空気を、連通溝１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ、外周凹部２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃおよび溝部２４Ａ，２４Ｂを介して、シリコン基板２０Ａの側面部２５Ａ，２５Ｂから排気することができる。なお、外周凹部２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃをそれぞれ互いに連通させず、外周凹部２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃのそれぞれが、シリコン基板２０Ａの側面部２５Ａ，２５Ｂに連通するようにしてもよい。
【００３８】
上記実施形態では、第１凹部１４１と側面１６とを連通する連通溝１８が形成されていたが、これに限られない。例えば、第２凹部１５１と側面１６とを連通する連通溝１８が形成されていてもよい。この場合、アンクル１０の製造工程において、第２凹部１５１が形成される第２面１５側からエッチングするようにする。これにより、第２面１５側をエッチングした後、第１面１４側をエッチングする際に、第２面１５側にドライフィルムＦが貼付されても第２凹部１５１は密閉空間にならないので、気圧差によってドライフィルムＦが損傷してしまうことを防ぐことができる。
また、第１凹部１４１および第２凹部１５１の両方に連通溝１８が形成されるようにしてもよい。この場合、第１凹部１４１が形成される第１面１４側および第２凹部１５１が形成される第２面１５側のどちらを先にエッチングしても、上記のようにドライフィルムＦの損傷を防ぐことができるので、製造工程の自由度を高くすることができる。
【００３９】
上記実施形態では、第１面１４側と第２面１５側とを貫通する貫通部１７が形成されていたが、これに限られず、例えば、貫通部１７が形成されないような部品に本実施形態の時計用部品を適用することができる。
この場合、当該時計用部品の外周を切り出すための貫通部から冷却ガスが抜けてしまうことを防ぐことを目的にして、ドライフィルムが貼付される。
【００４０】
上記実施形態では、第１凹部１４１と第２凹部１５１とは異なる形状であったが、これに限られず、例えば、第１面１４側に形成される第１凹部１４１と第２面１５側に形成される第２凹部１５１とは同じ形状であってもよい。すなわち、第１面１４側と第２面１５側とが同じ形状であるような部品に、本実施形態の時計用部品を適用してもよい。
【００４１】
上記実施形態では、時計用部品として、アンクル１０を例示したがこれに限られず、例えば、丸穴車などであってもよい。また、これらの時計用部品は、１種類単独で、または、２種類以上を組み合わせて、ムーブメントに搭載してもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１…時計、２…外装ケース、３…文字板、４Ａ…時針、４Ｂ…分針、４Ｃ…秒針、６…日車、７…りゅうず、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…アンクル、１１…アンクルビーム、１１Ａ，１１Ｂ…アンクル腕、１１Ｃ…アンクル竿、１２Ａ，１２Ｂ…爪石部、１３…剣先、１４…第１面（表面）、１５…第２面（裏面）、１６，１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…側面、１７…貫通部、１８，１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ…連通溝、２０，２０Ａ…シリコン基板、２１…一方の面部、２２…他方の面部、２３，２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ…外周凹部、２４，２４Ａ，２４Ｂ…溝部、２５，２５Ａ，２５Ｂ…側面部、１００…ムーブメント、１４１，１４１Ａ，１４１Ｂ，１４１Ｃ…第１凹部、１５１…第２凹部、Ｒ１…第１レジストパターン、Ｒ２…第２レジストパターン。
【図１】
2020020718.tif 000003
【図２】
2020020718.tif 000004
【図３】
2020020718.tif 000005
【図４】
2020020718.tif 000006
【図５】
2020020718.tif 000007
【図６】
2020020718.tif 000008
【図７】
2020020718.tif 000009
【図８】
2020020718.tif 000010
【図９】
2020020718.tif 000011
【図１０】
2020020718.tif 000012