(57)【要約】【課題】基板又は電子デバイスに残存する分離層及び接着層の残渣を低減することができる、電子部品の製造方法、及び当該方法に用いるキットを提供する。【解決手段】光を透過する支持基体と、光の照射により変質する分離層と、接着層と、基板又は電子デバイスとが、この順に積層された積層体における前記分離層に、前記支持基体を介して光を照射し、前記分離層を変質させることにより、前記基板又は電子デバイスを前記支持基体から分離する分離工程と、前記分離工程の後、第１の溶剤を用いて、前記基板又は電子デバイスに付着する接着層を膨潤させる膨潤工程と、前記膨潤工程の後、第２の溶剤を用いて、前記膨潤させた接着層を溶解し、前記接着層を除去する除去工程と、を有する、電子部品の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を透過する支持基体と、光の照射により変質する分離層と、接着層と、基板又は電子デバイスとが、この順に積層された積層体における前記分離層に、前記支持基体を介して光を照射し、前記分離層を変質させることにより、前記基板又は電子デバイスを前記支持基体から分離する分離工程と、
前記分離工程の後、第１の溶剤を用いて、前記基板又は電子デバイスに付着する接着層を膨潤させる膨潤工程と、
前記膨潤工程の後、第２の溶剤を用いて、前記膨潤させた接着層を溶解し、前記接着層を除去する除去工程と、
を有する、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記第１の溶剤は、前記第２の溶剤よりも高い極性を有する溶剤である、
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記接着層が、少なくとも１種の樹脂を含み、
前記第１の溶剤は、そのハンセン溶解度パラメータと、前記樹脂のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離Ｒａ（ＭＰａ１／２）の値が、５≦Ｒａ≦１０を満たす溶剤である、
請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記第１の溶剤は、下記式（ｖ１）を満たす溶剤である、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【数１】
2020107754.tif 000009
［上記式中、Ｖａｄ１は前記第１の溶剤に浸漬する前の前記接着層の体積を示し、Ｖａｄ２は前記第１の溶剤に浸漬した後の前記接着層の体積を示す。］
【請求項５】
前記第１の溶剤が、エステル結合、エーテル結合、及びケトン基からなる群より選択される構造を少なくとも１個有する溶剤を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記第２の溶剤が、炭化水素系溶剤である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記分離層が、硬化膜から構成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法に用いられるキットであって、
前記接着層を膨潤させる第１の溶剤と、前記接着層を溶解させる第２の溶剤と、
を含む、キット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法、及びキットに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を含む半導体パッケージ（電子部品）には、対応サイズに応じて様々な形態が存在し、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）、ＰＬＰ（Panel Level Package）等がある。
半導体パッケージの技術としては、ファンイン型技術、ファンアウト型技術が挙げられる。ファンイン型技術による半導体パッケージとしては、ベアチップ端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型ＷＬＰ（Fan-in Wafer Level Package）等が知られている。ファンアウト型技術による半導体パッケージとしては、該端子をチップエリア外に再配置する、ファンアウト型ＷＬＰ（Fan-out Wafer Level Package）等が知られている。
【０００３】
近年、特にファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型ＰＬＰ（Fan-out Panel Level Package）に応用される等、半導体パッケージにおける、よりいっそうの高集積化、薄型化及び小型化等を実現し得る方法として注目を集めている。
【０００４】
半導体パッケージの小型化を図るためには、組み込まれる素子における基板の厚さを薄くすることが重要となる。しかしながら、基板の厚さを薄くすると、その強度が低下し、半導体パッケージ製造の際に基板の破損を生じやすくなる。これに対し、基板に支持基体を貼り合わせた積層体が採用されている。
特許文献１には、光透過性の支持基体と、基板とを、支持基体側に設けられた光熱変換層（分離層）及び接着層を介して貼り合わせ、基板を加工処理した後、支持基体側から分離層に放射エネルギー（光）を照射して分離層を変質させて分解することにより、加工処理後の基板と、支持基体とを分離して積層体を製造する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−６４０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のように、分離層を変質させて、加工処理後の基板又は電子デバイスを支持基体から分離した後は、通常、洗浄処理により、基板又は電子デバイスから分離層や接着層の残渣を除去する。しかしながら、分離層が硬化膜等で構成されている場合、基板等に付着する分離層残渣の洗浄・除去が十分に行えないおそれがある。基板等に分離層残渣が残る場合、接着層の洗浄・除去の妨げにもなり、基板等に分離層や接着層の残渣が残存することが問題となる。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、基板又は電子デバイスに残存する分離層及び接着層の残渣を低減することができる、電子部品の製造方法、及び当該方法に用いるキットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、光を透過する支持基体と、光の照射により変質する分離層と、接着層と、基板又は電子デバイスとが、この順に積層された積層体における前記分離層に、前記支持基体を介して光を照射し、前記分離層を変質させることにより、前記基板又は電子デバイスを前記支持基体から分離する分離工程と、前記分離工程の後、第１の溶剤を用いて、前記基板又は電子デバイスに付着する接着層を膨潤させる膨潤工程と、前記膨潤工程の後、第２の溶剤を用いて、前記膨潤させた接着層を溶解し、前記接着層を除去する除去工程と、を有する、電子部品の製造方法。である。
【０００８】
本発明の第２の態様は、前記第１の態様にかかる電子部品の製造方法に用いられるキットであって、前記接着層を膨潤させる第１の溶剤と、前記接着層を溶解させる第２の溶剤と、を含む、キットである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板又は電子デバイスに残存する分離層及び接着層の残渣を低減することができる、電子部品の製造方法、及び当該方法に用いるキットが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる電子部品の製造方法における分離工程を説明する図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる電子部品の製造方法における膨潤工程及び除去工程を説明する図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる電子部品の製造方法を適用可能な積層体の製造方法の一部の概略を説明する図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる電子部品の製造方法を適用可能な積層体の製造方法における工程の一部を説明する図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる電子部品の製造方法を適用可能な積層体の製造方法における工程の一部を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（−Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（−ＣＨ２−）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。
【００１２】
「ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレンのエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。「ヒドロキシスチレン誘導体から誘導される構成単位」とは、ヒドロキシスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。
「ヒドロキシスチレン誘導体」とは、ヒドロキシスチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子を有機基で置換したもの；α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいヒドロキシスチレンのベンゼン環に、水酸基以外の置換基が結合したもの等が挙げられる。尚、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
ヒドロキシスチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。
【００１３】
上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素数１〜５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、１〜５が好ましく、１が最も好ましい。
【００１４】
本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。
【００１５】
（電子部品の製造方法）
本発明の第１の態様にかかる電子部品の製造方法は、光を透過する支持基体と、光の照射により変質する分離層と、接着層と、基板又は電子デバイスとが、この順に積層された積層体における前記分離層に、前記支持基体を介して光を照射し、前記分離層を変質させることにより、前記基板又は電子デバイスを前記支持基体から分離する分離工程と、前記分離工程の後、第１の溶剤を用いて、前記基板又は電子デバイスに付着する接着層を膨潤させる膨潤工程と、前記膨潤工程の後、第２の溶剤を用いて、前記膨潤させた接着層を溶解し、前記接着層を除去する除去工程と、を有することを特徴とする。
【００１６】
図１及び図２は、本実施形態の電子部品の製造方法の一実施形態を説明する概略工程図である。
図１は、分離工程の一例を説明する図である。図１（ａ）に示す積層体１００は、支持基体１及び分離層２からなる支持体１２、接着層３、並びに基板４、封止材層５及び配線層６からなる電子デバイス４５６を備えている。積層体１００では、支持基体１、分離層２、接着層３、及び基板４又は電子デバイス４５６は、この順に積層されている。なお、積層体１００において、電子デバイス４５６は、加工処理された基板４に置き換えられてもよい。
図１（ａ）は、支持基体１を介して、分離層２に光を照射している図である。図１（ｂ）は、光の照射により分離層２が変質し、変質した分離層２’となった状態を示す。図１（ｃ）は、支持基体１を電子デバイス４５６から分離した状態を示す。支持基体１から分離した電子デバイス４５６には、接着層３が付着しており、さらに分離層２’の残渣が付着して残存している。これを積層体２００として示している。
【００１７】
図２は、膨潤工程及び除去工程の一例を説明する図である。図２（ａ）は、膨潤工程の一例を説明する図である。図２（ａ）では、分離工程後の積層体２００に、スプレー１１から、第１の溶剤１０を噴霧して、第１の溶剤１０を接着層３に接触させて、接着層３を膨潤させている。図２（ｂ）は、除去工程の一例を説明する図である。図２（ｂ）では、スプレー２１から、第２の溶剤２０を噴霧して、第２の溶剤２０を膨潤した接着層３’に接触させて、接着層３’を溶解し、分離層２’の残渣と共に接着層３’を除去している。図２（ｃ）は、分離層２’及び接着層３’が除去された電子デバイス４５６を示す。
【００１８】
［分離工程］
分離工程は、光を透過する支持基体と、光の照射により変質する分離層と、接着層と、基板又は電子デバイスとが、この順で積層された積層体から、前記支持基体を介して光を照射し、前記分離層を変質させることにより、前記基板又は電子デバイスを前記支持基体から分離する工程である。
【００１９】
図１（ａ）に示す分離層２は、光の照射により変質する変質する材料から構成されており、支持基体１と接着層３との間に配置されている。支持基体１は、光を透過する材料から構成されている。そのため、図１（ａ）に示すように、支持基体１を介して分離層２に光（矢印）を照射することにより、分離層２を変質させることができる。
【００２０】
本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層をわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。また、分離層の変質は、吸収した光のエネルギーによる（発熱性又は非発熱性の）分解、架橋、立体配置の変化又は官能基の解離（そして、これらにともなう分離層の硬化、脱ガス、収縮又は膨張）等であり得る。
【００２１】
このように、分離層２を変質させることによって、変質した分離層２’とし、分離層２の接着力を低下させることができる（図１の（ｂ））。したがって、積層体１００にわずかな力を加えることで、積層体１００から支持基体１を分離することが可能になる（図１の（ｃ））。
【００２２】
分離層２を変質させ得る波長としては、例えば６００ｎｍ以下の範囲が挙げられる。
照射する光の種類及び波長は、支持基体１の透過性、及び分離層２の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層２を変質させて、支持基体１と基板４又は電子デバイス４５６とを容易に分離可能な状態とすることができる。
【００２３】
レーザ光を照射する場合、レーザ光照射条件の一例として、以下の条件を挙げることができる。
レーザ光の平均出力値は、１．０Ｗ以上、５．０Ｗ以下が好ましく、３．０Ｗ以上、４．０Ｗ以下がより好ましい。レーザ光の繰り返し周波数は、２０ｋＨｚ以上、６０ｋＨｚ以下が好ましく、３０ｋＨｚ以上、５０ｋＨｚ以下がより好ましい。レーザ光の走査速度は、１００ｍｍ／ｓ以上、１００００ｍｍ／ｓ以下が好ましい。
【００２４】
また、パルス光のビームスポット径及びパルス光の照射ピッチは、隣接するビームスポットが重ならず、かつ分離層２を変質させることが可能なピッチであればよい。
【００２５】
分離層２に光（矢印）を照射して分離層２を変質させた後、図１（ｃ）に示すように、基板４又は電子デバイス４５６から支持基体１を分離する。
例えば、支持基体１と基板４又は電子デバイス４５６とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持基体１と基板４又は電子デバイス４５６とを分離する。具体的には、支持基体１又は基板４若しくは電子デバイス４５６側の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持基体１と基板４又は電子デバイス４５６とを分離することができる。
積層体１００に加える力は、積層体１００の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が３００ｍｍ程度の積層体であれば、０．１〜５ｋｇｆ（０．９８〜４９Ｎ）程度の力を加えることによって、支持基体１と基板４又は電子デバイス４５６とを好適に分離することができる。
【００２６】
図１（ｃ）に示すように、支持基体１と分離された基板４又は電子デバイス４５６には、接着層３が付着しており、さら分離層２’の残渣が残っている。
【００２７】
［膨潤工程］
膨潤工程は、前記分離工程の後、第１の溶剤を用いて、前記基板又は電子デバイスに付着する接着層を膨潤させる工程である。
【００２８】
図２の（ａ）に示すように、膨潤工程では、接着層３を第１の溶剤で処理することにより、接着層３を膨潤させる。本明細書において、接着層が「膨潤する」とは、溶剤が接着層内に浸潤することにより、接着層の体積が増加する現象を意味する。接着層を、接着層を膨潤させる作用を有する溶剤に接触させることにより、当該溶剤が接着層内に浸潤し、浸潤した当該溶剤の体積分だけ接着層の体積が増加する。すなわち、接着層が膨潤する。
【００２９】
＜第１の溶剤＞
本工程で用いる第１の溶剤は、接着層を膨潤させる作用を有する溶剤である。第１の溶剤は、接着層の組成に応じて、適宜選択することができる。前記接着層は、後述する接着剤組成物を用いて形成される。かかる接着剤組成物は、支持基体及び分離層から構成される支持体と、基板又は電子デバイスとを接着可能なものであれば、特に限定されないが、少なくとも１種の樹脂を含むことが好ましい。
【００３０】
かかる第１の溶剤としては、例えば、以下の（ａ）〜（ｃ）のいずれか１つ以上を満たす溶剤が挙げられる。
（ａ）後述する第２の溶剤よりも、極性が高い。
（ｂ）そのハンセン溶解度パラメータと、前記樹脂のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離Ｒａ（ＭＰａ１／２）の値が、５≦Ｒａ≦１０を満たす。
（ｃ）下記式（ｖ１）を満たす。
【００３１】
【数１】
2020107754.tif 000002
［上記式中、Ｖａｄ１は第１の溶剤に浸漬する前の接着層の体積を示し、Ｖａｄ２は第１の溶剤に浸漬した後の接着層の体積を示す。］
【００３２】
≪（ａ）について≫
第１の溶剤としては、後述する第２の溶剤よりも、極性が高いことが好ましい。この溶剤の極性は、例えば、ＬｏｇＰ値を指標とすることができる。
「ＬｏｇＰ値」とは、オクタノール／水分配係数（Ｐｏｗ）の対数値をいう。「ＬｏｇＰ値」は、広範囲の化合物に対し、その親水性／疎水性を特徴づけることのできる有効なパラメータである。ＬｏｇＰ値は、一般的には、実験によらず計算によって分配係数は求められ、例えば、ＣＡＣｈｅ  Ｗｏｒｋ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｐｒｏ  Ｖｅｒｓｉｏｎ  ６．１．１２．３３により計算された値を示す。
ＬｏｇＰ値が０をはさんでプラス側に大きくなると疎水性が増し、マイナス側で絶対値が大きくなると水溶性が増す（高極性である）ことを意味する。ＬｏｇＰ値は、有機化合物の水溶性と負の相関があり、有機化合物の親疎水性を見積もるパラメータとして広く利用されている。
【００３３】
すなわち、第１の溶剤のＬｏｇＰ値は、第２の溶剤のＬｏｇＰ値よりも低いことが好ましい。
第１の溶剤のＬｏｇＰ値は、接着層に含まれる樹脂に応じて変動し得るが、例えば、ＬｏｇＰ値として３以下が挙げられる。第１の溶剤のＬｏｇＰ値の範囲としては、例えば、−１以上３以下、０以上３以下、又は０以上２以下等が挙げられる。
【００３４】
≪（ｂ）について≫
また、第１の溶剤としては、例えば、そのハンセン溶解度パラメータと、前記樹脂のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離Ｒａ（ＭＰａ１／２）の値が、５≦Ｒａ≦１０を満たす溶剤が挙げられる。
ハンセン溶解度パラメータは、例えば、Ｃｈａｒｌｅｓ  Ｍ．Ｈａｎｓｅｎによる「Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ」，ＣＲＣ  Ｐｒｅｓｓ（２００７）及びＡｌｌａｎ  Ｆ．Ｍ．Ｂａｒｔｏｎ（１９９９）編集の「Ｔｈｅ  ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ａｎｄ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｈｅｓｉｏｎ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ，」（１９９９）において、Ｃｈａｒｌｅｓ  Ｈａｎｓｅｎにより説明されている溶解度パラメータ及び凝集特性に基づいた、所定のパラメータから算出できる。
【００３５】
ハンセン溶解度パラメータは、数値定数として理論的に計算され、溶媒材料が特定の溶質を溶解させる能力を予測するのに有用なツールである。
ハンセン溶解度パラメータは、実験的に及び理論的に誘導された下記３つのハンセン溶解度パラメーター（即ち、δＤ、δＰ及びδＨ）を組み合わせることにより、材料の全体的な強度及び選択性の尺度とすることができる。ハンセン溶解度パラメータの単位は、ＭＰａ１／２又は（Ｊ／ｃｃ）１／２で付与される。
・δＤ：分子間の分散力に由来するエネルギー。
・δＰ：分子間の極性力に由来するエネルギー。
・δＨ：分子間の水素結合力に由来するエネルギー。
【００３６】
これらの３つのパラメーター（即ち、δＤ、δＰ及びδＨ）を、ハンセン空間としても既知の３次元内の点に関する座標としてプロットする。
この３次元空間（ハンセン空間）内で、２種の分子がより接近する程、互いに溶解する可能性がより高くなることを示す。ハンセン空間内で、２種の分子（分子（１）及び（２））が近接しているか否かを評価するためには、ハンセン溶解度パラメータ間の相互作用間距離（Ｒａ）を求める。Ｒａは、以下の式により計算される。
【００３７】
【数２】
2020107754.tif 000003
［上記式において、
δｄ１、δｐ１、及びδｈ１は、それぞれ、分子（１）のδＤ、δＰ、及びδＨを示す。
δｄ２、δｐ２、及びδｈ２は、それぞれ、分子（２）のδＤ、δＰ、及びδＨを示す。］
【００３８】
すなわち、第１の溶剤のハンセン溶解度パラメータと、接着層に含まれる樹脂のハンセン溶解度パラメータとの相互間距離Ｒａは、以下の式により計算することができる。
【００３９】
【数３】
2020107754.tif 000004
［上記式において、
δｄＳ、δｐＳ、及びδｈＳは、それぞれ、第１の溶剤のδＤ、δＰ、及びδＨを示す。
δｄｐ、δｐｐ、及びδｈｐは、それぞれ、接着層に含まれる樹脂のδＤ、δＰ、及びδＨを示す。］
【００４０】
第１の溶剤及び接着層に含まれる樹脂のハンセン溶解度パラメータは、「Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｍｏｄｅｌｉｎｇ  Ｐｒｏ」ソフトウェア，ｖｅｒｓｉｏｎ  ５．１．９（ＣｈｅｍＳＷ，Ｆａｉｒｆｉｅｌｄ  ＣＡ，ｗｗｗ．ｃｈｅｍｓｗ．ｃｏｍ）、Ｄｙｎａｃｏｍｐ  ＳｏｆｔｗａｒｅからのＨａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ、又はＨａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ；Ｃｈａｒｌｅｓ  Ｍ．  Ｈａｎｓｅｎ）等により計算することができる。
接着層に含まれる樹脂が複数の樹脂を混合した混合樹脂である場合、ハンセン溶解度パラメータは、当該混合樹脂のハンセン溶解度パラメータとして算出してもよい。混合樹脂のハンセン溶解度パラメータは、例えば、接着層に含まれる各樹脂のモル比、各樹脂を構成する構成単位の種類、及び各樹脂における各構成単位のモル比を入力データとし、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ；Ｃｈａｒｌｅｓ  Ｍ．  Ｈａｎｓｅｎ）を用いて計算することにより、算出することができる。
また、第１の溶剤として混合溶剤を用いる場合、ハンセン溶解度パラメータは、当該混合溶剤のハンセン溶解度パラメータとして算出してもよい。混合溶剤のハンセン溶解度パラメータは、例えば、各溶剤の種類及び混合比（モル比）を入力データとし、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ；Ｃｈａｒｌｅｓ  Ｍ．  Ｈａｎｓｅｎ）を用いて計算することにより、算出することができる。
相互作用間距離Ｒａも、上記例示したソフトウェアを用いて算出してもよい。
【００４１】
≪（ｃ）について≫
また、第１の溶剤としては、例えば、下記式（ｖ１）を満たす溶剤が挙げられる。
【００４２】
【数４】
2020107754.tif 000005
［上記式中、Ｖａｄ１は第１の溶剤に浸漬する前の接着層の体積を示し、Ｖａｄ２は第１の溶剤に浸漬した後の接着層の体積を示す。］
【００４３】
上記式（ｖ１）を満たす溶剤は、当該溶剤に接着層を浸漬した場合に、当該浸漬前の接着層の体積Ｖａｄ１に対して、当該浸漬後の接着層の体積Ｖａｄ２が１％以上増加する溶剤である。上記式（ｖ１）において、Ｖａｄ２／Ｖａｄ１は、１．０２以上が好ましく、１．０３以上がより好ましい。Ｖａｄ２／Ｖａｄ１の上限値はとくに制限されるものではないが、たとえば、１．７５以下である。
【００４４】
溶剤が、上記式（ｖ１）を満たすか否かは、例えば、ガラス板やシリコンウェーハ等の適当な基体上に接着層を形成し、前記接着層を溶剤に浸漬して、当該浸漬後の接着層の体積Ｖａｄ２を、当該浸漬前の接着層の体積Ｖａｄ１と比較することにより、確認することができる。接着層の体積Ｖａｄ１、Ｖａｄ２は、例えば、タリサーフ  ＣＣＩシリーズ（ＴＡＹＬＯＲ  ＨＯＢＳＯＮ社製）などの３次元表面性状測定機で３次元に測定した結果から計算することにより求めることができる。また、接着層の体積Ｖａｄ１、Ｖａｄ２は、光学系膜厚測定器で測定した結果から計算しても良い。
【００４５】
第１の溶剤としては、上記（ａ）〜（ｃ）のいずれか１つ以上を満たすものが好ましく、上記（ａ）〜（ｃ）のいずれか２つ以上を満たすものがより好ましく、上記（ａ）〜（ｃ）の全てを満たすものがさらに好ましい。
【００４６】
第１の溶剤の具体例としては、極性基を含む溶剤が挙げられ、例えば、エステル系溶剤、エーテル系溶剤、及びケトン系溶剤等が挙げられる。
エステル系溶剤の具体例としては、例えば、、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等が挙げられる。
エーテル系溶剤の具体例としては、例えば、テトラヒドロフラン，シクロペンチルメチルエーテル，ｔ−ブチルメチルエーテル，アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）等が挙げられる。
ケトン系溶剤の具体例としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン、Ｎ−メチルピロリドン、シクロペンタノン、シクロヘプタノン等が挙げられる。
【００４７】
第１の溶剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上の混合溶剤であってもよい。混合溶剤としては、例えば、エステル系溶剤及びエーテル系溶剤の混合溶剤、エーテル系溶剤及びケトン系溶剤の混合溶剤、エステル系溶剤及びケトン系溶剤の混合溶剤等が挙げられる。
【００４８】
・任意成分
第１の溶剤は、適宜、添加剤等の任意成分が添加されていてもよい。任意成分は、特に限定されないが、例えば、界面活性剤が挙げられる。
【００４９】
第１の溶剤が界面活性剤を含む場合、界面活性剤としては、ノニオン性界面活性剤及びシリコン系界面活性剤が挙げられる。
ノニオン系界面活性剤としては、例えば、アセチレングリコール系界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル等が挙げられる。中でも、アセチレングリコール系界面活性剤及びポリオキシエチレンアルキルエーテルがより好ましい。
アセチレングリコール系界面活性剤は、市販品として入手可能であり、例えば、エアープロダクツアンドケミカルズ社（米国）製のサーフィノールシリーズが挙げられる。具体的には、サーフィノール１０４Ｅ、サーフィノール４２０、サーフィノール４４０、サーフィノール４６５、サーフィノール４８５等が挙げられる。
【００５０】
ポリオキシエチレンアルキルエーテルは、市販品として入手可能であり、例えば、第一工業製薬株式会社製のノイゲンシリーズ、株式会社日本触媒製のソフタノールシリーズ、及び青木油脂工業株式会社製のファインサーフシリーズ等が挙げられる。具体的には、ノイゲンＸＬ−４０、ノイゲンＸＬ−８０、ノイゲンＴＤＳ−５０、ノイゲンＴＤＳ−７０、ソフタノール３０、ソフタノール５０、ソフタノール７０、ソフタノール９０、ファインサーフＴＤ−７０、ファインサーフＴＤ−７５、ファインサーフＴＤ−８０等が挙げられる。
【００５１】
シリコン系界面活性剤としては、例えば、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ポリエステル変性ポリジメチルシロキサン、及びアラルキル変性ポリメチルアルキルシロキサン等が挙げられる。
シリコン系界面活性剤は、市販品として入手可能であり、例えば、ビックケミー・ジャパン株式会社製のＢＹＫ−３３１、ＢＹＫ−３１０、及びＢＹＫ−３２２等を挙げることができる。
【００５２】
第１の溶剤が界面活性剤を含む場合、界面活性剤は１種であってもよく、２種以上であってもよい。
第１の溶剤が界面活性剤を含む場合、界面活性剤の合計の割合は、０．１質量％以上、１０質量％以下の範囲内で添加されていることが好ましく、０．１質量％以上、５質量％以下の範囲内で添加されていることがより好ましい。界面活性剤の添加量が０．１質量％以上、１０質量％以下の範囲内であれば、溶剤に界面活性剤を好適に溶解させておくことができる。
【００５３】
本工程において、第１の溶剤を用いて接着層を膨潤させる方法は、第１の溶剤を接着層に接触させることができれば、その方法は特に限定されず、接着層の溶解等に一般的に用いられる方法を適用することができる。例えば、図２（ａ）の例では、スプレー１１によって第１の溶剤１０を噴霧することで、第１の溶剤１０を接着層３に接触させている。スプレー１１としては、典型的には流体スプレーノズルを挙げることができる。
また、第１の溶剤に、接着層が付着する基板又は電子デバイスを浸漬することにより、第１の溶剤に接着層を接触させてもよい。あるいは、残存する分離層の残渣を介して接着層上に第１の溶剤を盛ることで、第１の溶剤に接着層を接触させてもよい。
図２（ａ）の例では、接着層３上に、変質した分離層２’が残っているが、接着層３に対して第１の溶剤１０を噴霧することにより、又は積層体２００を第１の溶剤に浸漬することにより、第１の溶剤１０は、変質した分離層２’を通過して接着層３に接触する。これにより、接着層３に第１の溶剤１０が浸潤し、接着層３が膨潤する。
【００５４】
本実施形態にかかる電子部品の製造方法では、本工程により、接着層を膨潤させることにより、後述の除去工程において、分離層の残渣及び接着層の洗浄性が向上し、除去工程後に基板又は電子デバイスに残存する分離層や接着層の残渣を低減することができる。
【００５５】
本工程では、第１の溶剤を用いて接着層３を膨潤させた後、スプレー１１等で第１の溶剤を噴霧することにより、接着層３に残留する分離層２’の残渣を洗い流してもよい。第１の溶剤により接着層３が膨潤しているため、第１溶剤のスプレー噴霧により、分離層２’を容易に除去することができる。第１の溶剤で分離層の残渣を洗い流すことにより、後述の除去工程における接着層の除去を効率よく行うことができる。
【００５６】
［除去工程］
除去工程は、前記膨潤工程の後、第２の溶剤を用いて、前記膨潤させた接着層を溶解し、前記接着層を除去する工程である。
【００５７】
図２の（ｂ）に示すように、除去工程では、前記膨潤工程により膨潤した接着層３’を第２溶剤で処理することにより、接着層３’を溶解し、変質し分離層２’の残渣と共に接着層３’を除去する。前述の膨潤工程により接着層３が膨潤して、膨潤した接着層３’となっているため、本工程において、接着層３’の溶解に伴い分離層２’の残渣も除去することができる。
【００５８】
＜第２の溶剤＞
本工程で用いる第２の溶剤は、接着層を溶解する作用を有する溶剤である。第２の溶剤は、接着層を溶解できるものであれば特に限定されず、接着層の組成に応じて、適宜選択することができる。
かかる第２の溶剤としては、例えば、そのハンセン溶解度パラメータと、接着層に含まれる樹脂のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離Ｒａ（ＭＰａ１／２）の値が、５未満である溶剤、等が挙げられる。第２の溶剤は、前記第１の溶剤よりも極性が低いものが好ましい。
【００５９】
第２の溶剤の具体例としては、炭化水素系溶剤が挙げられる。炭化水素系溶剤は、脂肪族炭化水素系溶剤であってもよく、芳香族炭化水素系溶剤であってもよい。
脂肪族炭化水素系溶剤としてはアルカン系の炭化水素溶剤が挙げられる。アルカン系の炭化水素系溶剤は、直鎖状、分岐鎖状、及び環状のいずれであってもよい。直鎖状又は分岐鎖状アルカンの炭化水素系溶剤としては、例えば、炭素数４〜２０の直鎖状若しくは分岐鎖状アルカンが挙げられ、例えば、ブタン、ペンタン、２−メチルブタン、３−メチルペンタン、ヘキサン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ヘプタン、オクタン、２，２，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン、トリデカン、ペンタデカン、テトラデカン、ヘキサデカン等が挙げられる。環状アルカンの炭化水素系溶剤としては、例えば、炭素数４〜２０の環状アルカンが挙げられ、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタンなどのモノシクロアルカン；デカリンなどのビシクロアルカン等が挙げられる。
これらの中でも、アルカン系の炭化水素系溶剤としては、エチルシクロヘキサン及びデカリンが好ましい。
また、脂肪族炭化水素系溶剤としては、テルペン系の炭化水素溶剤も挙げられる。テルペン系の炭化水素溶剤としては、例えば、Ｄ−リモネン、Ｐ−メンタン等が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。
また、炭化水素系溶剤は、例えば、蒸留等によって炭化水素系溶剤の沸点よりもさらに沸点の高い不純物を除去することが好ましい。これにより、接着剤を洗浄により除去したときに、炭化水素系溶剤が含んでいる高沸点の不純物が基板に残渣として残ることを防止することができる。
【００６０】
・任意成分
第２の溶剤は、適宜、添加剤等の任意成分が添加されていてもよい。任意成分は、特に限定されないが、例えば、界面活性剤が挙げられる。界面活性剤としては、前記第１の溶剤で挙げたものと同様のものが挙げられる。界面活性剤の含有量としても、前記第１の溶剤で挙げた含有量と同様の含有量が挙げられる。
【００６１】
本工程において、第２の溶剤を用いて接着層を溶解する方法は、第２の溶剤を接着層に接触させることができれば、その方法は特に限定されず、接着層の溶解等に一般的に用いられる方法を適用することができる。例えば、図２（ｂ）の例では、スプレー２１によって第２の溶剤２０を噴霧することで、第２の溶剤２０を接着層３’に接触させている。スプレー２１としては、典型的には流体スプレーノズルを挙げることができる。第２の溶剤をスプレー２１によって噴霧することで、接着層３’に第２の溶剤２０を押し当てることができる。これにより、基板４又は電子デバイス４５６に付着する接着層３及び分離層２’の残渣を押し流すことができ、好適に基板４又は電子デバイス４５６を洗浄することができる。
また、第２の溶剤に、接着層が付着する基板又は電子デバイスを浸漬することにより、第２の溶剤に接着層を接触させて、接着層を溶解してもよい。あるいは、接着層上に第２の溶剤を盛ることで、第２の溶剤に接着層を接触させてもよい。
【００６２】
前記膨潤工程により膨潤した接着層３’は、本工程により容易に除去することができる。また、接着層３’の溶解に伴い、基板４又は電子デバイス４５６に付着する分離層２’も同時に除去することができる。そのため、接着層及び分離層の残渣の少ない、良好な状態の電子部品５０を得ることができる。
【００６３】
本実施形態の電子部品の製造方法は、上記の除去工程の後、さらに、電子部品５０に対してソルダーボール形成、ダイシング、又は酸化膜形成等の処理を行ってもよい。
【００６４】
本実施形態の電子部品の製造方法によれば、膨潤工程において、基板又は電子デバイスに付着する接着層を膨潤させた後、除去工程において、膨潤させた接着層を溶解する。この際、接着層と共に分離層の残渣も効率よく除去することができる。そのため、膨潤工程を有しない従来の洗浄方法と比較して、基板又は電子デバイスに付着する接着層及び分離層の残渣を低減することができる。これにより、良好な状態の電子部品を得ることができる。
【００６５】
［積層体の各構成］
本実施形態の製造方法に用いる、光を透過する支持基体と、光の照射により変質する分離層と、接着層と、基板又は電子デバイスとが、この順に積層された積層体の構成例について、図１（ａ）の積層体１００を参照して説明する。
【００６６】
＜支持体＞
支持体は、基板を支持する部材であり、接着層を介して支持体上に基板又は電子デバイスが固定される。支持体は、支持基体及び分離層から構成される。例えば、図１（ａ）に示す積層体１００は、支持基体１と、支持基体１上に設けられた分離層２と、からなる支持体１２を備えている。
【００６７】
≪支持基体≫
支持基体は、光を透過する特性を有し、基板又は電子デバイスを支持する部材である。図１（ａ）に示すのように、支持基体は、分離層及び接着層を介して基板に貼り合わされる。支持基体としては、デバイスの薄化、基板の搬送、基板への実装等の際に、基板の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していることが好ましい。また、支持基体は、分離層を変質させることができる波長の光を透過するものが好ましい。
支持基体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等が用いられる。支持基体の形状としては、例えば矩形、円形等が挙げられるが、これに限定されない。
また、支持基体としては、さらなる高密度集積化や生産効率の向上のために、円形である支持基体のサイズを大型化したもの、平面視における形状が四角形である大型パネルを用いることもできる。
【００６８】
支持基体は、前記のような材料からなる基体上に、コーティング層等を有するものであってもよい。前記コーティング層は、単層であってもよく、複数層であってもよい。コーティング層としては、例えば、硬化樹脂を含む層（硬化膜）が挙げられる。前記硬化樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、炭化水素系モノマー及びアクリルモノマーの共重合体等が挙げられるが、これらに限定されない。前記コーティング層は、例えば、支持基体と分離層との間に配置することができる。
【００６９】
≪分離層≫
分離層は、接着層に隣接し、光の照射により変質して、支持体に貼り合わされる基板又は電子デバイスから支持基体を分離可能とする層である。
分離層は、後述の分離層形成用組成物を用いて形成することができ、例えば、分離層形成用組成物が含有する成分を熱硬化又は光硬化することにより、又は化学気相堆積（ＣＶＤ）法により形成される。
本実施形態にかかる電子部品の製造方法では、上記膨潤工程を含むことにより、従来の洗浄方法では除去が困難であった硬化膜からなる分離層に対しても、良好な洗浄性を示す。そのため、本実施形態にかかる方法は、分離層が熱硬化膜又は光硬化膜である積層体に対して、好適に適用することができる。
【００７０】
分離層は、支持基体を透過して照射される光を吸収することによって好適に変質する。
分離層は、光を吸収する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲で、光を吸収する構造を有していない材料が配合された層であってもよい。
【００７１】
分離層の厚さは、例えば０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、０．３μｍ以上、１μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。分離層の厚さが０．０５μｍ以上、５０μｍ以下の範囲内であれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から１μｍ以下の範囲内であることが特に好ましい。
【００７２】
分離層は、接着層に接する側の面が平坦である（凹凸が形成されていない）ことが好ましく、これにより、接着層の形成が容易に行え、かつ、基板又は電子デバイスと、支持基体とを均一に貼り付けることが容易となる。
【００７３】
〔分離層形成用組成物〕
分離層を形成するための材料である分離層形成用組成物は、例えば、フェノール骨格を有する樹脂成分、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体、フルオロカーボン、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、赤外線吸収物質、反応性ポリシルセスキオキサン、又はを含有するものが挙げられる。
また、分離層形成用組成物は、任意成分としてフィラー、可塑剤、熱酸発生剤成分、光酸発生剤成分、有機溶剤成分、界面活性剤、増感剤、又は支持基体の分離性を向上し得る成分等を含有してもよい。
【００７４】
・フェノール骨格を有する樹脂成分
分離層は、フェノール骨格を有する樹脂成分を含有していてもよい。フェノール骨格を有することで、加熱等により容易に変質（酸化等）して光反応性が高まる。
ここでいう「フェノール骨格を有する」とは、ヒドロキシベンゼン構造を含んでいることを意味する。
フェノール骨格を有する樹脂成分は、膜形成能を有し、好ましくは分子量が１０００以上である。当該樹脂成分の分子量が１０００以上であることにより、膜形成能が向上する。当該樹脂成分の分子量は、１０００〜３００００がより好ましく、１５００〜２００００がさらに好ましく、２０００〜１５０００が特に好ましい。当該樹脂成分の分子量が、前記の好ましい範囲の上限値以下であることにより、分離層形成用組成物の溶剤に対する溶解性が高められる。
尚、樹脂成分の分子量としては、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）を用いるものとする。
【００７５】
フェノール骨格を有する樹脂成分としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ヒドロキシフェニルシルセスキオキサン樹脂、ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン樹脂、フェノール骨格含有アクリル樹脂、下記一般式（Ｐ２）で表される繰り返し単位を有する樹脂（以下、「樹脂（Ｐ２）」という）等が挙げられる。これらの中でも、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、樹脂（Ｐ２）等がより好ましい。
【００７６】
【化１】
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［式中、Ｌｐ１は、２価の連結基である。ＲＰは、（ｎＰ０＋１）価の芳香族炭化水素基である。ｎＰ０は、１〜３の整数である。］
【００７７】
前記式（Ｐ２）中、Ｌｐ１は、２価の連結基であり、ヘテロ原子を含む２価の連結基が好ましい。Ｌｐ１としては、所望の特性を付与するため、種々の骨格を導入した連結基が挙げられる。
前記式（Ｐ２）中、ＲＰは、（ｎＰ０＋１）価の芳香族炭化水素基である。
ＲＰにおける芳香族炭化水素基としては、芳香環から（ｎＰ０＋１）個の水素原子を除いた基が挙げられる。ここでの芳香環は、４ｎ＋２個のπ電子をもつ環状共役系であれば特に限定されず、単環式でも多環式でもよい。芳香環の炭素数は５〜３０であることが好ましく、炭素数５〜２０がより好ましく、炭素数６〜１５がさらに好ましく、炭素数６〜１２が特に好ましい。該芳香環として具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の芳香族炭化水素環；前記芳香族炭化水素環を構成する炭素原子の一部がヘテロ原子で置換された芳香族複素環等が挙げられる。芳香族複素環におけるヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等が挙げられる。芳香族複素環として具体的には、ピリジン環、チオフェン環等が挙げられる。
また、ＲＰにおける芳香族炭化水素基としては、２以上の芳香環を含む芳香族化合物（例えばビフェニル、フルオレン等）から（ｎＰ０＋１）個の水素原子を除いた基も挙げられる。
前記式（Ｐ２）中、ｎＰ０は、１〜３の整数であり、１又は２が好ましく、１が特に好ましい。
【００７８】
上記樹脂（Ｐ２）としては、アミノフェノール類、アミノナフトール類又はアニリン類と、１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物と、を反応させて生成する樹脂を用いることもできる。
アミノフェノール類としては、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、４−アミノ−３−メチルフェノール、２−アミノ−４−メチルフェノール、３−アミノ−２−メチルフェノール、５−アミノ−２−メチルフェノール等が挙げられる。アミノナフトール類としては、１−アミノ−２−ナフトール、３−アミノ−２−ナフトール、５−アミノ−１−ナフトール等が挙げられる。
１分子中にエポキシ基を２つ有する化合物としては、例えば商品名がＥＰＩＣＬＯＮ８５０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０（ＤＩＣ株式会社製）、ｊＥＲＹＸ−４０００（三菱化学株式会社製）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−２１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−２１２、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−８１０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−８３０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９２０、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−９３０（ナガセケムテックス株式会社製）などのジオール型エポキシ樹脂；ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−７１１、ＤＥＮＡＣＯＬ ＥＸ−７２１（ナガセケムテックス株式会社製）、ｊＥＲ１９１Ｐ（三菱化学株式会社製）などのジカルボン酸エステル型エポキシ樹脂； Ｘ−２２−１６３、ＫＦ−１０５（信越化学工業株式会社製）などのシリコーン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
かかる反応の際の加熱処理温度は、６０℃以上２５０℃以下とすることが好ましく、８０℃以上１８０℃以下とすることがより好ましい。
【００７９】
・光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体
分離層は、光吸収性を有している構造を含む繰り返し単位を有する重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。
光吸収性を有している構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含む原子団が挙げられる。光吸収性を有している構造は、より具体的には、カルド構造、又は該重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造（ビスフェニルスルホン構造）、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造が挙げられる。
上記の光吸収性を有している構造は、その種類に応じて、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光の波長は、１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、１００〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８０】
上記の光吸収性を有している構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ（波長２５４ｎｍ以上、４３６ｎｍ以下）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）、ＸｅＣｌレーザ（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＦレーザ（波長３５１ｎｍ）若しくは固体ＵＶレーザ（波長３５５ｎｍ）から発せられる光、又はｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）若しくはｉ線（波長３６５ｎｍ）等である。
【００８１】
・無機物
分離層は、無機物からなるものであってもよい。この無機物は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される１種類以上が好適に挙げられる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物であり、例えば金属酸化物、金属窒化物が挙げられる。
このような無機物としては、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、及びカーボンからなる群より選ばれる１種類以上が挙げられる。
尚、カーボンとは、炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えばダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等を包含する。
上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。
【００８２】
無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は非レーザ光を適宜用いればよい。
無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着（ＣＶＤ）、メッキ、プラズマＣＶＤ、スピンコート等の公知の技術により、支持基体上に形成され得る。
【００８３】
・赤外線吸収性の構造を有する化合物
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有していてもよい。この、赤外線吸収性の構造を有する化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。
赤外線吸収性を有している構造、又はこの構造を有する化合物としては、例えば、アルカン、アルケン（ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式）、アルキン（一置換、二置換）、単環式芳香族（ベンゼン、一置換、二置換、三置換）、アルコールもしくはフェノール類（自由ＯＨ、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級）、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、１，３−ジケトンのエノール、ｏ−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸（二量体、カルボン酸アニオン）、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン（β−、γ−、δ−）、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物（共役、非共役、環式、非環式）、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン（脂肪族、芳香族）、第二級アミン（脂肪族、芳香族）、第三級アミン（脂肪族、芳香族）、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合（脂肪族、芳香族、単量体、二量体）、メルカプタンもしくはチオフェノールもしくはチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Ｓｉ−Ａ１結合（Ａ１は、Ｈ、Ｃ、Ｏ又はハロゲン）、Ｐ−Ａ２結合（Ａ２は、Ｈ、Ｃ又はＯ）又はＴｉ−Ｏ結合が挙げられる。
【００８４】
上記の炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば−ＣＨ２Ｃｌ、−ＣＨ２Ｂｒ、−ＣＨ２Ｉ、−ＣＦ２−、−ＣＦ３、−ＣＨ＝ＣＦ２、−ＣＦ＝ＣＦ２、フッ化アリール又は塩化アリール等が挙げられる。
【００８５】
上記のＳｉ−Ａ１結合を含む構造としては、例えば、ＳｉＨ、ＳｉＨ２、ＳｉＨ３、Ｓｉ−ＣＨ３、Ｓｉ−ＣＨ２−、Ｓｉ−Ｃ６Ｈ５、ＳｉＯ−脂肪族、Ｓｉ−ＯＣＨ３、Ｓｉ−ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｓｉ−ＯＣ６Ｈ５、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ、Ｓｉ−ＯＨ、ＳｉＦ、ＳｉＦ２又はＳｉＦ３等が挙げられる。Ｓｉ−Ａ１結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格又はシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。
【００８６】
上記のＰ−Ａ２結合を含む構造としては、例えば、ＰＨ、ＰＨ２、Ｐ−ＣＨ３、Ｐ−ＣＨ２−、Ｐ−Ｃ６Ｈ５、Ａ３３−Ｐ−Ｏ（Ａ３は脂肪族基又は芳香族基）、（Ａ４Ｏ）３−Ｐ−Ｏ（Ａ４はアルキル基）、Ｐ−ＯＣＨ３、Ｐ−ＯＣＨ２ＣＨ３、Ｐ−ＯＣ６Ｈ５、Ｐ−Ｏ−Ｐ、Ｐ−ＯＨ又はＯ＝Ｐ−ＯＨ等が挙げられる。
【００８７】
上記のＴｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、例えば、（ｉ）テトラ−ｉ−プロポキシチタン、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトラキス（２−エチルヘキシルオキシ）チタン又はチタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン；（ｉｉ）ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン又はプロパンジオキシチタンビス（エチルアセトアセテート）等のキレートチタン；（ｉｉｉ）ｉ−Ｃ３Ｈ７Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）２−Ｏ−］ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７又はｎ−Ｃ４Ｈ９Ｏ−［−Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ４Ｈ９）２−Ｏ−］ｎ−ｎ−Ｃ４Ｈ９等のチタンポリマー；（ｉｖ）トリ−ｎ−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−ｉ−プロポキシチタンジイソステアレート又は（２−ｎ−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ）トリブトキシチタン等のアシレートチタン；（ｖ）ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。
これらの中でも、Ｔｉ−Ｏ結合を含む化合物としては、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（トリエタノールアミナト）チタン（Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）２［ＯＣ２Ｈ４Ｎ（Ｃ２Ｈ４ＯＨ）２］２）が好ましい。
【００８８】
上記の赤外線吸収性の構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記の赤外線吸収性の構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば１〜２０μｍの範囲内であり、２〜１５μｍの範囲内をより好適に吸収することができる。
さらに、上記構造がＳｉ−Ｏ結合、Ｓｉ−Ｃ結合又はＴｉ−Ｏ結合である場合には、９〜１１μｍの範囲内が好ましい。
【００８９】
尚、上記の各構造が吸収できる赤外線の波長は、当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献：ＳＩＬＶＥＲＳＴＥＩＮ・ＢＡＳＳＬＥＲ・ＭＯＲＲＩＬＬ著「有機化合物のスペクトルによる同定法（第５版）−ＭＳ、ＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶの併用−」（１９９２年発行）第１４６頁から第１５１頁の記載を参照することができる。
【００９０】
分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶剤に溶解することができ、固化して固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持基体と基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が９０％より低いことが好ましく、赤外線の透過率が８０％より低いことがより好ましい。
【００９１】
・赤外線吸収物質
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。この赤外線吸収物質は、光を吸収することによって変質するものであればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。
赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。
【００９２】
・反応性ポリシルセスキオキサン
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより形成される分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
【００９３】
「反応性ポリシルセスキオキサン」とは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンをいう。当該シラノール基、又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができる。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を有していれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。
【００９４】
反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、７０〜９９モル％であることが好ましく、８０〜９９モル％であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が、前記の好ましい範囲内であれば、赤外線（好ましくは遠赤外線、より好ましくは波長９〜１１μｍの光）を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。
【００９５】
反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００〜５００００であることが好ましく、１０００〜１００００であることがより好ましい。
反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量（Ｍｗ）が、前記の好ましい範囲内であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。
【００９６】
反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のＳＲ−１３、ＳＲ−２１、ＳＲ−２３又はＳＲ−３３（商品名）等を挙げられる。
【００９７】
＜接着層＞
接着層は、支持体に、基板又は電子デバイスを固定するための層である。図１（ａ）に示すように、接着層３は、支持体１２における分離層２上に形成され、基板４又は電子デバイス４５６を支持体１２に接着する。接着層は、後述の接着剤組成物を用いて形成することができ、接着剤組成物の乾燥体から構成される。
接着層の厚さは、例えば、接着層の厚さは、例えば１μｍ以上、２００μｍ以下の範囲内であることが好ましく、５μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。
【００９８】
〔接着剤組成物〕
接着剤組成物として、例えば、アクリル系、ノボラック系、ナフトキノン系、炭化水素系、ポリイミド系、エラストマー、ポリサルホン系等の当該分野において公知の種々の接着剤組成物が使用可能である。
【００９９】
接着剤組成物としては、例えば熱可塑性樹脂、希釈剤、及び、添加剤等のその他成分を含有しているものが挙げられる。かかる熱可塑性樹脂は、接着力を発現するものであればよく、例えば、炭化水素樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー樹脂、ポリサルホン系樹脂等、又はこれらを組み合わせたもの等を好ましく用いることができる。
【０１００】
・炭化水素樹脂
炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィンポリマー（以下、「樹脂（Ａ）」ということがある。）、並びに、テルペン樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下、「樹脂（Ｂ）」ということがある。）等が挙げられるが、これに限定されない。
【０１０１】
樹脂（Ａ）としては、例えば、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体が好適に挙げられる。
シクロオレフィンポリマーは、シクロオレフィンモノマーと共重合可能なモノマーを単量体単位として有していてもよい。
【０１０２】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性（低い熱分解、熱重量減少性）の観点から好ましい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、５モル％以上であることが好ましく、１０モル％以上であることがより好ましく、２０モル％以上であることがさらに好ましい。また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性及び溶液での経時安定性の観点からは８０モル％以下であることが好ましく、７０モル％以下であることがより好ましい。
【０１０３】
また、樹脂（Ａ）を構成する単量体成分として、直鎖状又は分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。樹脂（Ａ）を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性及び柔軟性の観点からは１０〜９０モル％であることが好ましく、２０〜８５モル％であることがより好ましく、３０〜８０モル％であることがさらに好ましい。
【０１０４】
なお、樹脂（Ａ）は、例えば、シクロオレフィンモノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。
単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従って適宜設定すればよい。
【０１０５】
樹脂（Ａ）として用い得るシクロオレフィンポリマーの市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「ＴＯＰＡＳ（商品名）」、三井化学株式会社製の「ＡＰＥＬ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＯＲ（商品名）」、日本ゼオン株式会社製の「ＺＥＯＮＥＸ（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製の「ＡＲＴＯＮ（商品名）」等が挙げられる。
【０１０６】
樹脂（Ａ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが好ましく、７０℃以上であることが特に好ましい。樹脂（Ａ）のガラス転移温度が６０℃以上であると、高温環境に曝されたときに接着層の軟化を抑制することができる。
【０１０７】
樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられる。ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられる。石油樹脂としては、例えば、脂肪族又は芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂がより好ましい。
【０１０８】
樹脂（Ｂ）の軟化点は特に限定されないが、８０〜１６０℃であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であると、高温環境に曝されたときに軟化することを抑制することができ、接着不良を生じない。
【０１０９】
樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されないが、３００〜３，０００であることが好ましい。樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３００以上であると、耐熱性が十分なものとなり、高温環境下において脱ガス量が少なくなる。一方、樹脂（Ｂ）の重量平均分子量が３，０００以下であると、炭化水素系溶剤への接着層の溶解速度が良好なものとなる。このため、支持体を分離した後のデバイス層上の接着層の残渣を迅速に溶解し、除去することができる。なお、本実施形態における樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【０１１０】
炭化水素樹脂としては、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを混合したものを用いてもよい。混合することにより、耐熱性が良好なものとなる。例えば、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）との混合割合としては、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることが、高温環境時の熱耐性、及び柔軟性に優れるので好ましい。
【０１１１】
・アクリル−スチレン系樹脂
アクリル−スチレン系樹脂としては、例えば、スチレン又はスチレンの誘導体と、（メタ）アクリル酸エステル等とを単量体として用いて重合した樹脂が挙げられる。
【０１１２】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル、脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル、芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル、炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては、アルキル基がｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお、当該アルキル基は、分岐鎖状であってもよい。
【０１１３】
炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては、既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば、アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−エチルヘキシル基、イソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル基、ラウリル基、トリデシル基等からなるアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【０１１４】
脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが、イソボルニルメタアクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【０１１５】
芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されるものではないが、芳香族環としては、例えばフェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェノキシメチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。また、芳香族環は、炭素数１〜５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有していてもよい。具体的には、フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【０１１６】
・マレイミド系樹脂
マレイミド系樹脂としては、例えば、単量体として、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−イソブチルマレイミド、Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド、Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド、Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド、Ｎ−ラウリルマレイミド、Ｎ−ステアリルマレイミド等のアルキル基を有するマレイミド、Ｎ−シクロプロピルマレイミド、Ｎ−シクロブチルマレイミド、Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド、Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【０１１７】
・エラストマー
エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいることが好ましく、当該「スチレン単位」は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数１〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。また、当該スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であることがより好ましい。さらに、エラストマーは、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であることが好ましい。
【０１１８】
スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、後述する炭化水素系の溶剤に容易に溶解するので、より容易かつ迅速に接着層を除去することができる。また、スチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上記の範囲内であることにより、レジストリソグラフィーに用いられるレジスト溶剤（例えばＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ等）、酸（フッ化水素酸等）、アルカリ（ＴＭＡＨ等）に対して優れた耐性を発揮する。
【０１１９】
なお、エラストマーには、上述した（メタ）アクリル酸エステルをさらに混合してもよい。
【０１２０】
スチレン単位の含有量は、より好ましくは１７重量％以上であり、また、より好ましくは４０重量％以下である。
【０１２１】
重量平均分子量のより好ましい範囲は２０，０００以上であり、また、より好ましい範囲は１５０，０００以下である。
【０１２２】
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内であり、エラストマーの重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、種々のエラストマーを用いることができる。例えば、ポリスチレン−ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、及び、これらの水添物、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー（ＳｅｐｔｏｎＶ９４６１（株式会社クラレ製）、ＳｅｐｔｏｎＶ９４７５（株式会社クラレ製））、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、ＳｅｐｔｏｎＶ９８２７（株式会社クラレ製））、ポリスチレン−ポリ（エチレン−エチレン／プロピレン）ブロック−ポリスチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ−ＯＨ：末端水酸基変性）等が挙げられ、エラストマーのスチレン単位の含有量及び重量平均分子量が上述の範囲内であるものを用いることができる。
【０１２３】
また、エラストマーの中でも水添物がより好ましい。水添物であれば熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【０１２４】
また、エラストマーの中でも両端がスチレンのブロック重合体であるものがより好ましい。熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示すからである。
【０１２５】
より具体的には、エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンを両末端にブロックすることでより高い耐熱性を示す。さらに、炭化水素系溶剤への溶解性及びレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
【０１２６】
接着剤組成物に含まれるエラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン（商品名）」、株式会社クラレ製「ハイブラー（商品名）」、旭化成株式会社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ株式会社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。
【０１２７】
接着剤組成物に含まれるエラストマーの含有量としては、例えば、接着剤組成物全量を１００重量部として、５０重量部以上、９９重量部以下の範囲内が好ましく、６０重量部以上、９９重量部以下の範囲内がより好ましく、７０重量部以上、９５重量部以下の範囲内が最も好ましい。これらの範囲内にすることにより、耐熱性を維持しつつ、基板を支持体に好適に固定することができる。
【０１２８】
また、エラストマーは、複数の種類を混合してもよい。すなわち、接着剤組成物は複数の種類のエラストマーを含んでいてもよい。そして、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含んでいればよい。また、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、スチレン単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲内である、又は、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲内であれば、本発明の範疇である。また、接着剤組成物において、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲内となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が３０重量％である株式会社クラレ製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ４０３３と、スチレン単位の含有量が１３重量％であるセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２０６３とを重量比１対１で混合すると、接着剤に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は２１〜２２重量％となり、従って１４重量％以上となる。また、例えば、スチレン単位が１０重量％のものと６０重量％のものとを重量比１対１で混合すると３５重量％となり、上記の範囲内となる。本発明はこのような形態でもよい。また、接着剤組成物に含まれる複数の種類のエラストマーは、全て上記の範囲内でスチレン単位を含み、かつ、上記の範囲内の重量平均分子量であることが最も好ましい。
【０１２９】
・ポリサルホン系樹脂
接着剤組成物は、ポリサルホン系樹脂を含んでいてもよい。接着層３をポリサルホン系樹脂によって形成することにより、封止体形成工程において高温の処理を行っても、その後の工程において接着層３を溶解し、封止体７から支持基体１を剥離することができる。接着層３がポリサルホン樹脂を含んでいれば、封止体形成工程において、例えば、３００℃以上という高温で処理する高温プロセスを用いることができる。
【０１３０】
ポリサルホン系樹脂は、下記一般式（ａｄ１）で表される構成単位、及び、下記一般式（ａｄ２）で表される構成単位のうちの少なくとも１種の構成単位からなる構造を有している。
【０１３１】
【化２】
2020107754.tif 000007
［式中、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５、ＲＣ３及びＲＣ４は、それぞれ独立して、フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基からなる群より選択される基であり、Ｘ’は、炭素数１〜３のアルキレン基である。］
【０１３２】
ポリサルホン系樹脂は、式（ａｄ１）で表されるポリサルホン構成単位及び式（ａｄ２）で表されるポリエーテルサルホン構成単位のうちの少なくとも１つを備えていることによって、支持体上に接着層を形成した後、高い温度条件の処理を行っても、分解及び重合等により接着層が不溶化することを防止することができる。また、ポリサルホン系樹脂は、上記式（ａｄ１）で表されるポリサルホン構成単位からなるポリサルホン樹脂であれば、より高い温度に加熱しても安定である。
【０１３３】
ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０，０００以上、７０，０００以下の範囲内であることが好ましく、３０，０００以上、５０，０００以下の範囲内であることがより好ましい。ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、３０，０００以上の範囲内であれば、例えば、３００℃以上の高い温度において用いることができる接着剤組成物を得ることができる。また、ポリサルホン系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）が、７０，０００以下の範囲内であれば、溶剤によって好適に溶解することができる。つまり、溶剤によって好適に除去することができる接着剤組成物を得ることができる。
【０１３４】
・希釈溶剤
希釈溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、イソノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐鎖状の炭化水素、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等の環状炭化水素、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ジフェニルメンタン、１，４−テルピン、１，８−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−１−オール、テルピネン−４−オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファー、ｄ−リモネン、ｌ−リモネン、ジペンテン等のテルペン系溶剤；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル−ｎ−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メトキシブチルアセテート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。
【０１３５】
・その他の成分
接着剤組成物は、本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、接着剤の性能を改良するための付加的樹脂、硬化性モノマー、重合禁止剤、重合開始剤、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤、及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。
【０１３６】
＜基板又は電子デバイス＞
基板又は電子デバイスは、接着層を介して支持体に仮接着される。図１（ａ）に示すように、基板４又は電子デバイス４５６は、分離層２及び接着層３を介して、支持基体１に固定される。
【０１３７】
≪基板≫
基板としては、特に制限はなく、特に限定されず、半導体用の基板として一般的に用いられるものであってよい。基板（ベアチップ）は、支持体に支持された状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。基板には、例えば集積回路や金属バンプ等の構造物が実装されるていてもよい。
基板としては、典型的には、シリコンウェーハ基板が挙げられるが、これに限定されず、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等であってもよい。基板は、半導体素子又はその他素子であってもよく、単層又は複数層の構造を有し得る。
【０１３８】
≪電子デバイス≫
電子デバイスとしては、特に制限はなく、半導体基板の表面に、各種機械構造や回路が形成されたものであることができる。電子デバイスは、好ましくは、金属又は半導体により構成される部材と、前記部材を封止又は絶縁する樹脂と、の複合体であってもよい。電子デバイスは、後述する再配線層、及び／又は半導体素子若しくはその他素子が、封止材又は絶縁材で封止又は絶縁されたものであってもよく、単層又は複数層の構造を有し得る。電子デバイスは、金属または半導体により構成される部材と、前記部材を封止または絶縁する樹脂と、の複合体であることが好ましい。具体的には、電子デバイスは、封止材層および配線層の少なくとも一方を含み、さらに半導体基板を含むことができる。
図１（ａ）に示す積層体１００では、電子デバイス４５６は、基板４と封止材層５、および配線層６により構成されている。
【０１３９】
〔封止材層〕
封止材層は、半導体基板を封止するために設けられるものであり、封止材を用いて形成される。封止材には、金属または半導体により構成される部材を絶縁または封止可能な部材が用いられる。
封止材としては、例えば、樹脂組成物を用いることができる。封止材層５は、個々の半導体基板４毎に設けられているものではなく、接着層３上の基板４全部を覆うように設けられていることが好ましい。封止材に用いられる樹脂は、金属または半導体を封止および／または絶縁可能なものであれば、特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂又はシリコーン系樹脂等が挙げられる。
封止材は、樹脂のほか、フィラー等の他の成分を含んでいてもよい。フィラーとしては、例えば、球状シリカ粒子等が挙げられる。
【０１４０】
〔配線層〕
配線層は、ＲＤＬ（Redistribution Layer：再配線層）とも呼ばれ、基板に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。配線層は、誘電体（酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性エポキシ等の感光性樹脂など）の間に導電体（例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金）によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
【０１４１】
なお、図１（ａ）の積層体では、支持基体１と分離層２とが隣接しているが、これに限定されず、支持基体１と分離層２との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は、光を透過する材料から構成されていればよい。これによれば、分離層２への光の入射を妨げることなく、積層体１００に好ましい性質等を付与する層を適宜追加できる。分離層２を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、全ての波長の光を透過させる必要はなく、分離層２を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過する材料から適宜選択し得る。
【０１４２】
［積層体の製造方法］
上記構成を備える積層体は、例えば、分離層形成工程、接着層形成工程、基板固定工程、封止工程、研削工程、配線層形成工程等を有する方法により製造することができる。以下、図３〜５を参照し、前記各工程について説明する。
【０１４３】
＜分離層形成工程＞
分離層形成工程は、支持基体上の一方に、分離層形成用組成物を用いて分離層を形成して、支持体を得る工程である。
図３（ａ）では、支持基体１上に、分離層形成用組成物を用いることにより分離層２が形成されている。
【０１４４】
支持基体１上への分離層２の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布、化学気相成長（ＣＶＤ）等の方法が挙げられる。
例えば、分離層形成用組成物が硬化性モノマー又は硬化性樹脂及び熱重合開始剤を含有する場合、支持基体１上に塗布された分離層形成用組成物を加熱することで、分離層形成用組成物の熱硬化膜としての分離層２を得ることができる。加熱条件は、熱重合開始剤における１分間半減温度、及び１時間半減温度に基づいて適宜設定すればよく、例えば５０〜３００℃の範囲内の温度において、真空下、又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行うことがより好ましい。
また、分離層形成用組成物が硬化性モノマー又は硬化性樹脂及び光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、光硬化膜としての分離層２を得ることができる。露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。
【０１４５】
＜接着層形成工程＞
接着層形成工程は、分離層２上に、接着剤組成物を用いて接着層を形成する工程である。
図３（ｂ）では、支持体１２の分離層２側の面に、接着剤形成用組成物を用いて接着層３が形成されている。
【０１４６】
支持体１２上への接着層３の形成方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。そして、支持体１２上に、接着剤を塗布して加熱するか、又は、減圧環境下で接着剤組成物に含まれている溶剤成分を除去する。
【０１４７】
その後、接着層３が硬化性モノマー及び熱重合開始剤を含有する場合、加熱により、当該硬化性モノマーを重合させるとよい。接着層３を加熱する条件は、熱重合開始剤における１分間半減温度、及び１時間半減温度に基づいて適宜設定すればよく、例えば５０〜３００℃の範囲内の温度において、真空下、又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、不活性ガス雰囲気下で行うことがより好ましい。
【０１４８】
また、接着層３が硬化性モノマー及び光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、硬化性モノマーを重合させるとよい。露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。
【０１４９】
＜基板固定工程＞
基板固定工程は、接着層を介して、支持体上に基板（ベアチップ）を固定する工程である。
図４（ｂ）では、分離層２が形成された支持基体１（支持体１２）と、基板４とが、接着層３を介して積層され、支持体１２、接着層３、基板４の順に積み重なった積層体３０が得られている。
【０１５０】
接着層３を介して支持体１２上に基板４を固定する方法は、接着層３上の所定位置に基板４を配置し、真空下で加熱（例えば１００℃程度）しつつ、ダイボンダー等によって支持体１２と基板４とを圧着することにより行うことができる。
【０１５１】
＜封止工程＞
封止工程は、支持体上に固定された基板を、封止材を用いて封止する工程である。
図４（ｃ）では、接着層３を介して支持体１２に固定された基板４の全体が、封止材層５により封止された積層体４０が得られている。積層体４０において、基板４および封止材層５は、電子デバイス４５を構成する。
【０１５２】
封止工程においては、例えば１３０〜１７０℃に加熱された封止材が、高粘度の状態を維持しつつ、基板４を覆うように、接着層３上に供給され、圧縮成形されることによって、接着層３上に封止材層５が設けられた積層体４０が作製される。
その際、温度条件は、例えば１３０〜１７０℃である。
基板４に加えられる圧力は、例えば５０〜５００Ｎ／ｃｍ２である。
【０１５３】
封止材層５は、個々の基板４毎に設けられているものではなく、接着層３上の基板４全部を覆うように設けられていることが好ましい。
【０１５４】
＜研削工程＞
研削工程は、前記封止工程の後、封止体における封止材部分（封止材層５）を、基板の一部が露出するように研削する工程である。
封止材部分の研削は、例えば図５（ｂ）に示すように、封止材層５を、基板４とほぼ同等の厚さになるまで削ることにより行う。
【０１５５】
＜配線層形成工程＞
配線層形成工程は、前記研削工程の後、前記の露出した基板上に配線層を形成する工程である。
図５（ｃ）では、基板４及び封止材層５上に、配線層６が形成されている。これにより、積層体２００を得ることができる。積層体２００において、基板４、封止材層５および配線層６は、電子デバイス４５６を構成する。
【０１５６】
配線層６を形成する方法としては、例えば、以下の方法が挙げられる。
まず、封止材層５上に、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えばスパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えばスピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により、封止材層５上に、感光性樹脂を塗布することで形成することができる。
【０１５７】
続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線を形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー（レジストリソグラフィー）等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理としては、例えば、ポジ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理、ネガ型レジスト材料を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。
【０１５８】
かかる積層体１００は、基板４に設けられた端子がチップエリア外に広がる配線層６に実装される、ファンアウト型技術に基づく過程において作製される積層体である。
上記積層体１００を得た後、さらに、配線層６上にバンプの形成、又は素子の実装を行ってもよい。配線層６上への素子の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。
【０１５９】
（電子部品の製造方法に用いられるキット）
本発明の第２の態様にかかるキットは、前記接着層を膨潤させる第１の溶剤と、前記接着層を溶解させる第２の溶剤と、を含むことを特徴とする。かかるキットは、上記第１の態様にかかる電子部品の製造方法に用いることができる。
【０１６０】
接着層を膨潤させる第１の溶剤は、上記第１の態様にかかる電子部品の製造方法における第１の溶剤と同様である。
接着層を溶解させる第２の溶剤は、上記第１の態様にかかる電子部品の製造方法における第２の溶剤と同様である。
第１の溶剤による膨潤、及び第２の溶剤による溶解の対象となる接着層は、上記第１の態様にかかる電子部品の製造方法における接着層と同様である。
【実施例】
【０１６１】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【０１６２】
＜積層体の作製＞
ベアガラス支持基体（１２インチ、厚さ０．７ｍｍ）上に、分離層形成用組成物をスピン塗布し、温度９０℃で３００秒間の条件で加熱し、続いて、温度１５０℃で３００秒間の条件で加熱することにより溶剤を除去して、膜を形成した。次いで、この形成された膜を、大気環境下、３００℃で１０分間の条件で焼成して、ベアガラス支持基体上に厚さ０．３μｍの分離層を形成することにより、分離層付き支持基体を得た（分離層形成工程）。
その後、この分離層上に、接着剤組成物をスピン塗布し、９０℃で４分間、１６０℃で４分間、２２０℃で４分間加熱することにより、分離層上に厚さ５０μｍの接着層を形成した（接着層形成工程）。
次いで、ダイボンダー（ＴＲＥＳＫＹ社製）を用い、ダイボンダーのプレートを１５０℃に加熱し、３５Ｎの圧力で１秒間、前記接着層上に、２ｍｍ角のシリコン製のベアチップを圧着した。シリコン製のベアチップを配置後、窒素雰囲気下、２００℃で１時間加熱して、積層体を得た（基板固定工程）。
【０１６３】
分離層形成用組成物には、以下のものを用いた。
ＴＺＮＲ（登録商標）−ＣＴＲＬ９（東京応化工業株式会社製）：アミノフェノール骨格を有する樹脂（ＧＳＰ−０１、ＧＳＰ―０２（群栄化学工業株式会社製））
接着剤組成物には、以下のものを用いた。
ＴＺＮＲ（登録商標）−Ａ４０１７（東京応化工業株式会社製）：Ｈ１０５１（旭化成株式会社製）及びＳｅｐｔｏｎ２００２（株式会社クラレ製）を含むエラストマー接着剤。
【０１６４】
＜電子部品の製造＞
（実施例１〜３、比較例１）
［分離工程］
前記積層体の支持基体側から、分離層に対し、走査速度６４００ｍｍ／秒、周波数４０ｋＨｚ、出力（電流値）２２Ａ、照射ピッチ１８０μｍの条件にて、波長５３２ｎｍのレーザ光を照射した。その後、前記積層体から、支持基体を分離した。
【０１６５】
［膨潤工程］
支持基体を分離した積層体の接着層に対して、表１の「膨潤工程」に示す各例の溶剤を基板上に盛り、１分間の静置を行った。その後、［膨潤工程］に示す各例の溶剤についてスプレー噴霧を１分間行い、分離層の除去を行った。
【０１６６】
［除去工程］
前記膨潤工程後、前記積層体の接着層に対して、表１の「除去工程」に示す各例の溶剤のスプレー噴霧を７分間行い、ベアチップに付着する接着層を溶解して除去した。
【０１６７】
＜評価＞
除去工程後に、ベアチップに付着する分離層及び接着層の残渣を観察し、以下に示す評価基準に従い、洗浄除去性を評価した。その結果を、表１に「洗浄性」として示した。
評価基準
○：膨潤工程前に比べて分離層・接着層の残渣が大きく低減した場合
×：膨潤工程前に比べて分離層・接着層の残渣がほとんど低減しなかった場合
【０１６８】
【表１】
2020107754.tif 000008
【０１６９】
表１中、各略号はそれぞれ以下の意味を有する。
（Ｓ１）−１：酢酸ブチル（ＬｏｇＰ：１．８２、Ｒａ：５．６９、接着層の体積増加率：１．０２）
（Ｓ１）−２：シクロヘキサノン（ＬｏｇＰ：０．０８１、Ｒａ：７．８６、接着層の体積増加率：１．０４）
（Ｓ１）−３：酢酸ブチル／シクロヘキサノン＝８０／２０の混合溶剤。（Ｒａ：５．８２、接着層の体積増加率：１．０２）
（Ｓ）−１：ＴＺＮＲ（登録商標）−ＳＬ  Ｒｅｍｏｖｅｒ（東京応化工業株式会社製）、モノエタノールアミン／ＰＧＭＥの混合溶剤（Ｒａ：１５．１１、接着層の体積増加率：１．００）
（Ｓ２）−１：ＴＺＮＲ−ＨＣ  Ｔｈｉｎｎｅｒ（東京応化工業株式会社製）
【０１７０】
表１に示す結果から、実施例１〜３の製造方法を用いた場合、ベアチップに付着する分離層及び接着層の残渣が低減し、良好な状態のベアチップを得ることができた。
【０１７１】
＜相互作用間距離Ｒａ＞
上記において、Ｒａは、溶剤のハンセン溶解度パラメータと、接着層に含まれる樹脂のハンセン溶解度パラメータとの相互作用間距離を表す。接着層に含まれる樹脂、及び溶剤のハンセン溶解度パラメータ、並びに相互作用間距離Ｒａは、ソフトウェアＨａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ；Ｃｈａｒｌｅｓ  Ｍ．  Ｈａｎｓｅｎ）を用いて算出した。
接着層に含まれる樹脂のハンセン溶解度パラメータは、接着層に含まれる各樹脂のモル比、各樹脂を構成する構成単位の種類、及び各樹脂における各構成単位のモル比を入力データとし、前記ソフトウェアを用いて、混合樹脂のハンセン溶解度パラメータとして算出した。混合溶剤についてのハンセン溶解度パラメータは、各溶剤の種類及び混合比（モル比）を入力データとし、前記ソフトウェアを用いて、混合溶剤のハンセン溶解度パラメータとして算出した。
相互作用間距離Ｒａは、前記混合樹脂のハンセン溶解度パラメータと、各溶剤のハンセン溶解度パラメータ（混合溶剤の場合は混合溶剤のハンセン溶解度パラメータ）とを入力データとして、前記ソフトウェアを用いて算出した。
【０１７２】
＜接着層の体積増加率（Ｖａｄ２／Ｖａｄ１）の測定＞
前記各溶剤に示す接着層の体積増加率（Ｖａｄ２／Ｖａｄ１）は、以下の方法で測定した。
ベアガラス支持基体（１２インチ、厚さ０．７ｍｍ）上に、上記の接着剤組成物をスピン塗布し、９０℃で４分間、１６０℃で４分間、２２０℃で４分間加熱することにより、支持基体上に厚さ５０μｍの接着層を形成した。タリサーフ  ＣＣＩシリーズ（ＴＡＹＬＯＲ  ＨＯＢＳＯＮ社製）を用いて、接着層を３次元に測定し、接着層の体積Ｖａｄ１を求めた。次いで、表１の［膨潤工程］に示す各例の溶剤に、前記接着層付き支持基体を１分間浸漬した。その後、タリサーフ  ＣＣＩシリーズを用いて、接着層を３次元に測定し、接着層の体積Ｖａｄ２を求めた。前記Ｖａｄ１及びＶａｄ２の値から、接着層の体積増加率（Ｖａｄ２／Ｖａｄ１）を求めた。
【符号の説明】
【０１７３】
１  支持基体
２  分離層
３  接着層
３’  膨潤した接着層
４  基板
５  封止材層
６  配線層
１０  第１の溶剤
１１  ノズル
２０  第２の溶剤
２１  ノズル
１２  支持体
３０  積層体
４０  積層体
５０  電子部品
１００  積層体
１００’  積層体
２００  積層体
４５６  電子デバイス
【図１】
2020107754.tif 000010
【図２】
2020107754.tif 000011
【図３】
2020107754.tif 000012
【図４】
2020107754.tif 000013
【図５】
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