(57)【要約】【課題】従来のテストシステムよりも配線工数が嵩み難いテストシステムを実現する。【解決手段】テストシステム（１）は、統合コントローラ（１８）と、測定回路（１１）と、ドライバ（１３，１４）と、ＡＤコンバータ（１５）と、遮断コントローラ（１６）と、動特性コントローラ（１７）と、を備えている。測定回路（１１）と、測定回路（１１）に含まれるセンサ（１１ｐ１，１１ｐ２，１１ｎ１，１１ｎ２）から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤコンバータ（１５）は、テストヘッド（１０）に内蔵されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの動特性試験を行うテストシステムであって、
統合コントローラと、
電流センサ又は電圧センサである一又は複数のセンサを含む測定回路と、
前記測定回路に含まれるスイッチを制御するドライバと、
前記センサから出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、
前記デジタル信号を参照して遮断信号を生成する遮断コントローラと、
前記統合コントローラから取得した動作コマンド及び前記遮断コントローラから取得した前記遮断信号を参照して、前記ドライバを制御する動特性コントローラと、を備え、
少なくとも前記測定回路及び前記ＡＤコンバータがテストヘッドに内蔵されている、
ことを特徴とするテストシステム。
【請求項２】
前記測定回路及び前記ＡＤコンバータに加えて、前記ドライバ、前記遮断コントローラ、及び前記動特性コントローラが前記テストヘッドに内蔵されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のテストシステム。
【請求項３】
前記ＡＤコンバータ及び前記遮断コントローラが、前記テストヘッドに内蔵されたデジタイザボードに実装されており、前記動特性コントローラが、前記テストヘッドに内蔵され、前記デジタイザボードに接続されたメザニンカードに実装されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のテストシステム。
【請求項４】
半導体デバイスの動特性試験を行うテストシステムに含まれるテストヘッドであって、
電流センサ又は電圧センサである一又は複数のセンサを含む測定回路と、
前記センサから出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、を内蔵している、
ことを特徴とするテストヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの動特性試験を行うテストシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、パワー半導体デバイスの特性試験を行うテストシステムが開示されている。特許文献１に記載のテストシステムにおいては、テストヘッドの内部に設けられた測定回路（電流センサ及び電圧センサを含む）を用いて、半導体デバイスの動特性試験を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−６７５５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のテストシステムにおいては、以下の点で改善の余地が残されていた。
【０００５】
すなわち、特許文献１に記載のテストシステムにおいては、通常、テストヘッドの内部に設けられた測定回路にて得られた測定結果を、テストヘッドの外部に設けられたデジタイザ及びインターセプタにアナログ信号として伝送する構成が採用される。このため、アナログ信号を伝送するテストヘッドとデジタイザとの間の配線に関して、厳しい制約条件が課される。例えば、スキューを抑えるためには、電圧配線と電流配線とを等長配線にする必要がある。また、各配線と周辺導体（例えば、筐体）との間の相互誘導の変動を抑えるには、ダクト配線を行ったり、配線固定を行ったりする必要がある。このため、配線工数が嵩み易く、その結果、製造コストが上昇し易いという問題があった。
【０００６】
本発明の一態様は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、従来のテストシステムよりも配線工数が嵩み難いテストシステムを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様１に係るテストシステムは、半導体デバイスの動特性試験を行うテストシステムであって、統合コントローラと、電流センサ又は電圧センサである一又は複数のセンサを含む測定回路と、前記測定回路に含まれるスイッチを制御するドライバと、前記センサから出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、前記デジタル信号を参照して遮断信号を生成する遮断コントローラと、前記統合コントローラから取得した動作コマンド及び前記遮断コントローラから取得した前記遮断信号を参照して、前記ドライバを制御する動特性コントローラと、を備え、少なくとも前記測定回路及び前記ＡＤコンバータがテストヘッドに内蔵されている。
【０００８】
上記の構成によれば、センサから出力されたアナログ信号は、測定回路と共にテストヘッドに内蔵されたＡＤコンバータによってデジタル信号に変換される。したがって、特許文献１に記載のテストシステムのように、テストヘッドとデジタイザ（テストヘッドの外部に設けられている）との間の配線に関して、スキューを抑えるために電圧配線と電流配線とを等長配線にする必要がない（テストヘッド内における等長配線の実現は、テストヘッド−デジタイザ間の等長配線の実現よりも容易である）。また、テストヘッドとデジタイザとの間の配線に関して、相互誘導の変動を抑えるために、ダクト配線を行ったり、配線固定を行ったりする必要がない。したがって、従来のテストシステム（例えば、特許文献１に記載のテストシステム）よりも配線工数の嵩みにくいテストシステムを実現することができる。
【０００９】
本発明の態様２に係るテストシステムにおいては、態様１に係るテストシステムの構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記測定回路及び前記ＡＤコンバータに加えて、前記ドライバ、前記遮断コントローラ、及び前記動特性コントローラが前記テストヘッドに内蔵されている、構成が採用されている。
【００１０】
上記の構成によれば、デジタル信号が伝送されるＡＤコンバータから遮断コントローラまでの配線、及び、遮断信号が伝送される遮断コントローラから動特性コントローラまでの配線を短くすることがすることができる。また、テストヘッドに設ける必要のある通信インタフェースを、統合コントローラと通信を行うための通信インタフェースのみにすることができる。したがって、テストシステムの構成をより簡潔にすることができる。
【００１１】
本発明の態様３に係るテストシステムにおいては、態様２に係るテストシステムの構成に加えて、以下の構成が採用されている。すなわち、前記ＡＤコンバータ及び前記遮断コントローラが、前記テストヘッドに内蔵されたデジタイザボードに実装されており、前記動特性コントローラが、前記テストヘッドに内蔵され、前記デジタイザボードに接続されたメザニンカードに実装されている、構成が採用されている。
【００１２】
上記の構成によれば、テストヘッド内部の構成を簡潔にすることができる。
【００１３】
本発明の態様４に係るテストヘッドは、半導体デバイスの動特性試験を行うテストシステムに含まれるテストヘッドであって、電流センサ又は電圧センサである一又は複数のセンサを含む測定回路と、前記センサから出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤコンバータと、を内蔵している。
【００１４】
上記の構成によれば、センサから出力されたアナログ信号は、測定回路と共にテストヘッドに内蔵されたＡＤコンバータによってデジタル信号に変換される。したがって、本態様に係るテストヘッドを備えたテストシステムにおいては、特許文献１に記載のテストシステムのように、テストヘッドとデジタイザ（テストヘッドの外部に設けられている）との間の配線に関して、スキューを抑えるために電圧配線と電流配線とを等長配線にする必要がない。また、本態様に係るテストヘッドを備えたテストシステムにおいては、テストヘッドとデジタイザとの間の配線に関して、相互誘導の変動を抑えるために、ダクト配線を行ったり、配線固定を行ったりする必要がない。したがって、本態様に係るテストヘッドを用いれば、特許文献１に記載のテストシステムと比べて、配線工数の嵩みにくいテストシステムを実現することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、従来のテストシステムよりも配線工数が嵩み難いテストシステムを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るテストシステムの構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示したテストシステムが備える測定回路の構成を示す回路図である。
【図３】図１に示したテストシステムの実装例を示すブロックである。
【図４】図４に示したテストシステムの実装例においてＰＣからデジタイザボードに送出されるパケットの構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（テストヘッドの構成）
本発明の一実施形態に係るテストシステム１の構成について、図１を参照して説明する。図１は、テストシステム１の構成を示すブロック図である。
【００１８】
テストシステム１は、半導体デバイスＤの動特性試験を行うためのシステムである。特性試験の対象となる半導体デバイスＤとしては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタなどの個別半導体デバイス、及び、個別半導体デバイスを集積したＩＣ（Integrated Circuit）の双方が想定される。本実施形態では特に、Ｐ端子、Ｎ端子、Ｏ端子を備えたＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を想定する。
【００１９】
テストシステム１は、図１に示すように、測定回路１１と、ＤＵＴドライバ１２と、ゲートドライバ１３（特許請求の範囲における「ドライバ」の一例）と、リレードライバ１４（特許請求の範囲における「ドライバ」の一例）と、ＡＤコンバータ１５と、遮断コントローラ１６と、動特性コントローラ１７と、統合コントローラ１８と、光ケーブル１９と、を備えている。測定回路１１、ＤＵＴドライバ１２、ゲートドライバ１３、リレードライバ１４、ＡＤコンバータ１５、遮断コントローラ１６、及び動特性コントローラ１７は、テストヘッド１０に内蔵されており、テストヘッド１０と統合コントローラ１８とは、光ケーブル１９により接続されている。ここで、「テストヘッド１０に内蔵されている」とは、テストヘッド１０の筐体の内部に収容されていることを指す。
【００２０】
測定回路１１は、半導体デバイスＤの各端子を流れる電流及び／又は半導体デバイスＤの各端子の電圧を測定するための回路である。測定回路１１は、半導体デバイスＤの各端子に接続される電流センサ及び／又は電圧センサを含んでいる。本実施形態においては、半導体デバイスＤのＰ端子に接続される電圧センサ１１ｐ１及び電流センサ１１ｐ２、並びに、半導体デバイスＤのＮ端子に接続される電圧センサ１１ｎ１及び電流センサ１１ｎ２を含んでいる。また、測定回路１１は、電流測定及び／又は電圧測定の測定条件を変更するためのトランジスタスイッチ及びリレースイッチを含んでいる。測定回路１１の構成例については、参照する図面を代えて後述する。
【００２１】
ＤＵＴドライバ１２は、半導体デバイスＤにゲート電圧を印可するための回路である。ＤＵＴドライバ１２は、半導体デバイスに印可するゲート電圧の大きさを、後述する動特性コントローラ１７から供給されるゲート電圧設定信号ＧＶＳを参照して設定する。
【００２２】
ゲートドライバ１３は、測定回路１１に含まれるトランジスタスイッチを制御する（例えば、オン状態からオフ状態へと、或いは、オフ状態からオン状態へと切り替える）ための回路である。ゲートドライバ１３は、測定回路１１に含まれるトランジスタスイッチをどの状態に切り替えるかを、後述する動特性コントローラ１７から供給されるゲート駆動信号ＧＤＳを参照して決定する。
【００２３】
リレードライバ１４は、測定回路１１に含まれるリレースイッチを制御する（例えば、オン状態からオフ状態へと、或いは、オフ状態からオン状態へと切り替える）ための回路である。リレードライバ１４は、測定回路１１に含まれるリレースイッチをどの状態に切り替えるかを、後述する動特性コントローラ１７から供給されるリレー駆動信号ＲＤＳを参照して設定する。
【００２４】
ＡＤコンバータ１５は、測定回路１１に含まれる電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１及び電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２から出力されたアナログ信号ＡＳｐ１，ＡＳｎ１，ＡＳｐ２，ＡＳｎ２を、それぞれ、デジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２に変換する。ＡＤコンバータ１５にて生成されたデジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２は、測定結果を表す出力信号として統合コントローラ１８に出力されると共に、遮断コントローラ１６に供給される。
【００２５】
遮断コントローラ１６は、ＡＤコンバータ１５から取得したデジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２を参照して遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２を生成する。遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１は、例えば、デジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｎ１の示す電圧値が予め定められた閾値（過電圧閾値）を超えたときに値１を取り、そうでないときに値０を取るデジタル信号である。遮断信号ＩＳｐ２，ＩＳｎ２は、デジタル信号ＤＳｐ２，ＤＳｎ２の示す電流値が予め定められた閾値（過電流閾値）を超えたときに値１を取り、そうでないときに値０を取るデジタル信号である。遮断コントローラ１６にて生成された遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２は、動特性コントローラ１７に供給される。
【００２６】
動特性コントローラ１７は、統合コントローラ１８から取得した動作コマンドＣｍｄ、及び、遮断コントローラ１６から取得した遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２を参照して、電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１及び電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２の測定レンジを制御すると共に、上述したゲート電圧設定信号ＧＶＳ、ゲート駆動信号ＧＤＳ、及びリレー駆動信号ＲＤＳを生成する。動特性コントローラ１７にて生成されたゲート電圧設定信号ＧＶＳ、ゲート駆動信号ＧＤＳ、及びリレー駆動信号ＲＤＳは、それぞれ、上述したＤＵＴドライバ１２、ゲートドライバ１３、及びリレードライバ１４を制御するために利用される。
【００２７】
以上のように、本実施形態に係るテストシステム１は、（１）統合コントローラ１８と、（２）電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１及び電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２を含む測定回路１１と、（３）測定回路１１に含まれるトランジスタスイッチを制御するゲートドライバ１３及び測定回路１１に含まれるリレースイッチを制御するリレードライバ１４と、（４）電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１及び電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２から出力されたアナログ信号ＡＳｐ１，ＡＳｐｎ１，ＡＳｐ２，ＡＳｎ２をデジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｐｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２に変換するＡＤコンバータ１５と、（５）デジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｐｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２を参照して遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２を生成する遮断コントローラ１６と、統合コントローラ１８から取得した動作コマンドＣｍｄ及び遮断コントローラ１６から取得した遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２を参照して、ゲートドライバ１３及びリレードライバ１４を制御する動特性コントローラ１７と、を備えている。
【００２８】
そして、本実施形態に係るテストシステム１においては、測定回路１１とＡＤコンバータ１５とをテストヘッド１０に内蔵する構成が採用されている。このため、電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１及び電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２から出力されたアナログ信号ＡＳｐ１，ＡＳｐｎ１，ＡＳｐ２，ＡＳｎ２は、測定回路１１と共にテストヘッド１０に内蔵されたＡＤコンバータ１５によってデジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｐｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２に変換される。したがって、特許文献１に記載のテストシステムのように、テストヘッドとデジタイザ（テストヘッドの外部に設けられている）との間の配線に関して、スキューを抑えるために電圧配線と電流配線とを等長配線にする必要がない。また、テストヘッドとデジタイザとの間の配線に関して、相互誘導の変動を抑えるために、ダクト配線を行ったり、配線固定を行ったりする必要がない。したがって、従来のテストシステム（例えば、特許文献１に記載のテストシステム）よりも配線工数の嵩みにくいテストシステムを実現することができる。
【００２９】
更に、本実施形態に係るテストシステム１においては、測定回路１１及びＡＤコンバータ１５に加えて、ゲートドライバ１３及びリレードライバ１４、遮断コントローラ１６、動特性コントローラ１７をテストヘッド１０に内蔵する構成が採用されている。このため、デジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｐｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２が伝送されるＡＤコンバータ１５から遮断コントローラ１６までの配線、及び、遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２が伝送される遮断コントローラ１６から動特性コントローラ１７までの配線を短くすることができる。また、テストヘッド１０に設ける必要のある通信インタフェースを、統合コントローラ１８と通信を行うための通信インタフェースのみにすることができる。したがって、テストシステム１の構成をより簡潔にすることができる。
【００３０】
（測定回路の構成例）
テストシステム１が備える測定回路１１の構成例について、図２を参照して説明する。図２は、測定回路１１の構成例を示す回路図である。
【００３１】
測定回路１１は、半導体デバイスＤの動特性試験を行うための測定回路であり、図２に示すように、コンデンサバンク１１０と、第１選択回路１１１と、過電流防止回路１１２と、高速遮断回路１１３と、第２選択回路１１４と、電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１と、電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２と、を備えている。
【００３２】
コンデンサバンク１１０は、測定回路１１の電力源となる回路であり、一端が半導体デバイスＤのＰ端子に接続されており、他端が半導体デバイスＤのＮ端子に接続されている。コンデンサバンク１１０は、コンデンサ１１０１と、コンデンサ１１０１に直列に接続されたトランジスタスイッチ１１０２と、により構成されている。コンデンサ１１０１は、例えば、フィルムコンデンサにより構成される。トランジスタスイッチ１１０２は、例えば、トランジスタＱｐと、トランジスタＱｐに並列に接続された還流ダイオードＤｐとにより構成される。
【００３３】
第１選択回路１１１は、半導体デバイスＤに含まれるトランジスタＱｄｐ，Ｑｄｎのどちらを測定の対象とするかを選択するための回路であり、コンデンサバンク１１０に並列に接続されている。第１選択回路１１１は、直列接続された２つのトランジスタスイッチ１１１１，１１１２により構成されている。トランジスタスイッチ１１１１は、例えば、トランジスタＱｈｐと、トランジスタＱｈｐに並列に接続された還流ダイオードＤｈｐとにより構成される。トランジスタスイッチ１１１２は、例えば、トランジスタＱｈｎと、トランジスタＱｈｎに並列に接続された還流ダイオードＤｎｐとにより構成される。２つのトランジスタスイッチ１１１１，１１１２の中間点Ｃｓは、動特性試験において負荷となるリアクトルＬを介して半導体デバイスＤのＯ端子に接続されている。
【００３４】
過電流防止回路１１２は、リアクトルＬに蓄積されたエネルギーを消費するための回路であり、リアクトルＬに並列に接続されている。過電流防止回路１１２は、直列接続された２つのトランジスタスイッチ１１２１，１１２２により構成されている。トランジスタスイッチ１１２１は、例えば、トランジスタＱｉｆと、トランジスタＱｉｆに並列に接続された還流ダイオードＤｉｒとにより構成される。トランジスタスイッチ１１２２は、例えば、トランジスタＱｉｒと、トランジスタＱｉｒに並列に接続された還流ダイオードＤｉｒとにより構成される。
【００３５】
高速遮断回路１１３は、リアクトルＬに蓄積されたエネルギーを過電流防止回路１１２に消費させるか否かを切り替えるための回路であり、リアクトルＬに直列に接続されている。高速遮断回路１１３は、直列接続された２つのトランジスタスイッチ１１３１，１１３２により構成されている。トランジスタスイッチ１１３１は、例えば、トランジスタＱｃｆと、トランジスタＱｃｆに並列に接続された還流ダイオードＤｃｒとにより構成される。トランジスタスイッチ１１３２は、例えば、トランジスタＱｃｒと、トランジスタＱｃｒに並列に接続された還流ダイオードＤｃｒとにより構成される。
【００３６】
第２選択回路１１４は、半導体デバイスＤに含まれるトランジスタＱｄｐ，Ｑｄｎのどちらを短絡耐量測定の対象とするかを選択するための回路であり、コンデンサバンクに並列に接続されている。第２選択回路１１４は、直列接続された２つのリレースイッチ１１４１，１１４２により構成されている。第２選択回路１１４に含まれる２つのリレースイッチ１１４１，１１４２の中間点Ｃｔは、リアクトルＬを介して第１選択回路１１１に含まれる２つのトランジスタスイッチ１１１１，１１１２の中間点Ｃｓに接続されると共に、半導体デバイスＤのＯ端子に接続されている。
【００３７】
電圧センサ１１ｐ１は、半導体デバイスＤのＰ端子の電圧を検出するためのセンサであり、半導体デバイスのＰ端子に接続されている。電流センサ１１ｐ２は、Ｐ端子を介して半導体デバイスＤに流入する、又は、半導体デバイスＤから流出する電流を検出するためのセンサであり、その電流の電流路上に設けられている。
【００３８】
電圧センサ１１ｎ１は、半導体デバイスＤのＮ端子の電圧を検出するためのセンサであり、半導体デバイスのＮ端子に接続されている。電流センサ１１ｎ２は、Ｎ端子を介して半導体デバイスＤに流入する、又は、半導体デバイスＤから流出する電流を検出するためのセンサであり、その電流の電流路上に設けられている。
【００３９】
測定回路１１に含まれるトランジスタスイッチ１１０２，１１１１，１１１２，１１２１，１１２２，１１３１，１１３２の開閉は、上述したゲートドライバ１３が、ゲート駆動信号ＧＤＳを参照して行う。また、測定回路１１に含まれるリレースイッチ１１４１，１１４２の開閉は、上述したリレードライバ１４が、リレー駆動信号ＲＤＳを参照して行う。また、測定回路１１に含まれる電圧センサ１１ｐ１，１１ｎ１及び電流センサ１１ｐ２，１１ｎ２の測定レンジは、上述した動特性コントローラが動作コマンドＣｍｄを参照して切り替える。
【００４０】
なお、測定回路１１の構成は、特許文献１に記載のテストシステムが備える測定回路の構成と基本的に同一である。測定回路１１の更なる詳細については、特許文献１を参照されたい。
【００４１】
（テストシステムの実装例）
テストシステム１の実装例について、図３を参照して説明する。図３は、テストシステム１の実装例を示すブロック図である。
【００４２】
図３に示す実装例において、テストヘッド１０は、デジタイザボード１０Ａと、メザニンカード１０Ｂと、測定回路１１と、ＤＵＴドライバ１２と、ゲートドライバ１３と、リレードライバ１４と、により構成されている。ＡＤコンバータ１５は、４つのＡＤコンバータとして、デジタイザボード１０Ａに実装されている。遮断コントローラ１６は、デジタルコンパレータとして、デジタイザボード１０Ａに実装されている。動特性コントローラ１７は、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）として、メザニンカード１０Ｂに実装されている。統合コントローラ１８としては、ＰＣ（Personal Computer）が用いられている。
【００４３】
統合コントローラ１８及びデジタイザボード１０Ａは、光コネクタの一種であるＳＦＰ（Small Form Factor Pluggable）コネクタを備えており、光ケーブル１９を介して互いに接続される。デジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２のデジタイザボード１０Ａ（のＡＤコンバータ１５）から統合コントローラ１８への伝送は、この光ケーブル１９を介して行われる。
【００４４】
また、デジタイザボード１０Ａ及びメザニンカード１０Ｂは、ＬＶＤＳ（Low Voltage Differential Signaling）コネクタを備えており、直接又は不図示のメタルケーブルを介して互いに接続される。遮断信号ＩＳｐ１，ＩＳｎ１，ＩＳｐ２，ＩＳｎ２のデジタイザボード１０Ａ（の遮断コントローラ１６）からメザニンカード１０Ｂ（の動特性コントローラ１７）への伝送は、このＬＶＤＳコネクタを介して行われる。
【００４５】
また、メザニンカード１０Ｂは、光ドライバを備えており、ゲート駆動信号ＧＤＳを光信号としてゲートドライバ１３に送出すると共に、リレー駆動信号ＲＤＳを光信号としてリレードライバ１４に送出する。また、メザニンカード１０Ｂは、ＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）を備えており、バスを介してＤＵＴドライバ１２に接続されている。ゲート電圧設定信号ＧＶＳのメザニンカード１０Ｂ（の動特性コントローラ１７）からＤＵＴドライバ１２への伝送は、このバスを介して行われる。
【００４６】
なお、統合コントローラ１８からメザニンカード１０Ｂ（の動特性コントローラ１７）への動作コマンドＣｍｄの伝送は、以下のように行われる。まず、動作コマンドＣｍｄは、光ケーブル１９を介してＰＣからデジタイザボード１０Ａへと伝送される。次に、動作コマンドＣｍｄは、ＬＶＤＳコネクタを介してデジタイザボード１０Ａからメザニンカード１０Ｂへと伝送される。
【００４７】
このため、統合コントローラ１８とデジタイザボード１０Ａとの間で送受信されるパケットＰは、図４に示すように、（１）統合コントローラ１８により生成され、デジタイザボード１０Ａにより解釈される命令を格納するデジタイザ領域と、（２）統合コントローラ１８により生成され、メザニンカード１０Ｂにより解釈される命令（動作コマンドＣｍｄ）を格納する動特性コントローラ領域と、（３）デジタイザボード１０Ａにより生成され、統合コントローラ１８により参照されるサンプリングデータ（デジタル信号ＤＳｐ１，ＤＳｎ１，ＤＳｐ２，ＤＳｎ２）を格納するサンプリングデータ領域と、が含まれている。デジタイザボード１０Ａは、このパケットＰを統合コントローラ１８から受信すると、このパケットＰの動特性コントローラ領域から動作コマンドＣｍｄを読み出して、読み出した動作コマンドＣｍｄをメザニンカード１０Ｂに送出する。
【００４８】
以上のように、本実装例に係るテストシステム１においては、ＡＤコンバータ１５及び遮断コントローラ１６が、テストヘッド１０に内蔵されたデジタイザボード１０Ａに実装されており、動特性コントローラ１７が、テストヘッド１０に内蔵され、デジタイザボード１０Ａに接続されたメザニンカードに実装されている。したがって、テストヘッド１０の内部構成を簡潔にすることができる。
【００４９】
（付記事項）
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。上述した実施形態に含まれる個々の技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１                  テストシステム
１０                テストヘッド
１１                測定回路
１１ｐ１，１１ｎ１  電圧センサ
１１ｐ２，１１ｎ２  電流センサ
１２                ＤＵＴドライバ
１３                ゲートドライバ
１４                リレードライバ
１５                ＡＤコンバータ
１６                遮断コントローラ
１７                動特性コントローラ
１８                統合コントローラ
１９                光ケーブル
１０Ａ              デジタイザボード
１０Ｂ              メザニンカード
【図１】
2020165906.tif 000003
【図２】
2020165906.tif 000004
【図３】
2020165906.tif 000005
【図４】
2020165906.tif 000006