(57)【要約】【課題】膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造する。【解決手段】減圧可能な反応容器の内部に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、前記反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、前記円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記円筒状基体の端部と前記円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、前記堆積膜の形成を行い、前記導電性材料が導電性シートであり、そのシート厚が５μｍ以上５０μｍ以下で、引張強度が５０Ｎ／ｍｍ２以上１００Ｎ／ｍｍ２以下、電気抵抗が０．８Ω／ｃｍ２以下の導電性シートである。【選択図】  図３
2020008672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器の内部に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力とを導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、
該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行い、
該導電性材料が導電性シートであり、該導電性シートは、シート厚が５μｍ以上５０μｍ以下であり、引張強度が５０Ｎ／ｍｍ２以上１００Ｎ／ｍｍ２以下であり、電気抵抗が０．８Ω／ｃｍ２以下であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記導電性シートは、金属ナノ粒子を担持または含有した導電性シートである請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水素およびハロゲン（例えばフッ素、塩素）の少なくとも一方で補償されたアモルファスシリコン（以下、“ａ−Ｓｉ”とも略記する。）を用いた電子写真感光体が実用化されている。
この種の堆積膜を形成する際には、堆積膜の膜厚、膜特性の均一化が求められることが多い。特に、電子写真感光体は、均一性が画像特性に大きく影響を与えるため、大面積領域に均一な堆積膜を形成する技術が必要となる。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて円筒状基体に堆積膜形成を行う電子写真感光体の製造方法においては、円筒状基体の端部と中央部とでは堆積膜の膜質および膜厚が不均一となりやすい。このため、得られる画像には濃度ムラ等のいわゆる画質低下を起こす場合があった。
こうした課題を克服する提案として、例えば、基体が放電強度の不均一な部分の影響を受けることなく堆積膜を形成するために、基体に相接する補助基体を設けることを特徴とする堆積膜形成方法が提案されている（特許文献１参照）。
特許文献１においては、基体端部で起きていた放電強度の不均一な部分を基体に影響が及ばない所まで遠ざけることで、放電強度が安定した領域で基体上に堆積膜を形成させることができることが開示されている。その結果、基体全体にわたって均一な膜質、膜厚を得ることが可能となったことが開示されている。
【０００４】
また、別の提案として、基体の表面にａ−Ｓｉ膜を生成させ、次いでこの被膜基体を所定の寸法に切断するａ−Ｓｉ感光体の製造方法が提案されている（特許文献２参照）。
特許文献２においては、感光体の両端部はそれ以外の成膜面に比べて定常的な成膜が行われないため、両端部をカットすることによって除去して、均質な成膜特性をもつ感光体が得られることが開示されている。
さらに、基体に相接する補助基体と基体との間に導電性のペーストを塗布して成膜を行うことを特徴とする堆積膜形成方法が提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公昭６１−５３４３２号公報
【特許文献２】特開昭６３−７３２６５号公報
【特許文献３】特開２０１２−１１８４６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、上記のような方策により堆積膜の特性の均一化が図られてきた。しかし、近年、このような堆積膜を利用した装置の高機能化、例えば電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、堆積膜の特性の均一性が従来以上に求められている。
例えば、電子写真プロセスを利用した近年の高画質カラー装置では、階調性が重視されているため、従来では実用上の問題とならなかった堆積膜の特性の不均一性でも、形成画像に視覚可能なムラを生じさせる可能性がある。そのため、上述したような従来技術だけでは十分に満足が得られる堆積膜の特性の均一性を確保することが難しくなってきている。
【０００７】
また、近年では複写用紙サイズの大型化が進んでおり、感光体の印字領域もそれに伴い広くなってきている。そのため、堆積膜の均一性を確保する領域も従来にも増して広く求められるようになっている。さらに、コピー一枚当たりの単価が年々安くなってきているため、均一性の高い堆積膜を製造するためのコストに対してコストダウンが強く求められようにもなっている。
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、製造コストを抑制し、膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を形成することができる電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明によれば、
減圧可能な反応容器の内部に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器の内部に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力とを導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、
該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、前記堆積膜の形成を行い、
該導電性材料が導電性シートであり、該導電性シートは、シート厚が５μｍ以上５０μｍ以下であり、引張強度が５０Ｎ／ｍｍ２以上１００Ｎ／ｍｍ２以下であり、電気抵抗が０．８Ω／ｃｍ２以下である電子写真感光体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、製造コストを抑制しながら、端部領域帯電ムラ、周方向帯電ムラおよび画像濃度ムラなどの膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】電子写真感光体の製造装置の模式図。
【図２】円筒状基体と円筒状補助基体との接触部の拡大模式図。
【図３】本発明に係る円筒状基体の設置方法を示す模式図。
【図４】導電性シートの設置状態を示す模式図。
【図５】本発明に係る別の円筒状基体の設置方法を示す模式図。
【図６】電子写真感光体の層構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明者らは、前述のカラー用電子写真装置に用いる感光体の開発検討を行う過程において、画像濃度のわずかなムラが発生するという問題に直面した。
画像濃度ムラの原因は、感光体の電位特性のムラであり、特に感光体の端部領域の電位の変化が主な要因であることが分かってきた。
【００１２】
本発明者らは堆積膜特性の均一性を向上させるために、堆積膜形成装置の構成について鋭意検討を行った。
その結果、特に放電電力として高周波電力を使用する際には、円筒状基体と円筒状補助基体との間での高周波電力に対するアース面が不連続となる場合に、帯電特性のムラが顕著になることを見出した。ここでいうアース面が不連続となる場合とは、直流電力に対しては導通がとれているが、高周波電力に対しては導通が不十分になることである。
【００１３】
特許文献１に開示されたような従来技術だけでは上記個所における高周波電力に対するアース面が不十分であることから、円筒状基体の上下端において生成されるプラズマが不均一となり、堆積膜特性の均一性が十分に得られない場合があることが判った。
また、特許文献２に開示された別の従来技術では、前述の画像特性のある程度の改善は認められるものの、さらなる改善が必要となる。
【００１４】
例えば、膜形成後に円筒状に基体を切断する際に生じる基体のひずみにより、周方向での画像濃度の不均一が生じる場合があった。そのため、基体にひずみを生じさせないように留意して切断加工等するために時間を要し生産性の改善が必要であった。
このような表面の状態では、直流電力に対しては十分な導通が確保されているものの、高周波電力は表皮効果により接触状態の影響を受けやすいために導通が十分に確保されない場合がある。そのため、円筒状基体から補助基体にかけてのプラズマから見た電位の均一性は十分に確保できない場合がある。その結果、図１で示した構成の場合、円筒状基体１０２の上端と下端とにおいてにおいて生成されるプラズマが不均一となり、堆積膜の均一性がそこなわれる場合がある。
【００１５】
また、特許文献３に開示された別の従来技術では、堆積膜の均一性は向上するが、堆積膜を形成した後に、円筒状基体の接触部に塗布した導電性材料を除去する工程が入るため製造効率が悪くなる場合がある。
そこで本発明者らは、シート状の導電性材料を円筒状基体と円筒状補助基体との間に介在させることによって、円筒状基体と円筒状補助基体との間に存在する微視的な隙間を埋めて、高周波電力に対するアース面が不連続となることを低減させた。
【００１６】
その結果、円筒状基体の端部領域においても均一な堆積膜を得ることができ、円筒状基体全領域の堆積膜の均一性を向上させることが可能となった。また、シート状の導電性材料を用いることで、ペースト状の導電性材料と異なり堆積膜形成後の除去工程が不要となる。さらに、導電性シートの場合は再利用も可能となる。
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１７】
（円筒状基体および補助基体の設置方法）
図３は本発明を説明するための模式図である。本発明において、円筒状基体３０１は基体ホルダー３０４に保持された状態で堆積膜形成を行う。設置の方法は、図３に示すように円筒状基体３０１の上下に円筒状補助基体３０２、３０３を設置する。
この際、図３（ａ）に示すように円筒状基体３０１と補助基体３０２、３０３との接触部に導電性材料である導電性シート３０５を設置する。
円筒状基体３０１と補助基体３０２、３０３との接触部に導電性シート３０５を設置することによって本発明の効果を得ることができる。
【００１８】
図３（ｂ）は設置後の模式図である。このように、円筒状基体３０１と円筒状補助基体３０２、３０３との接触部に導電性シート３０５を配置することで、微視的な隙間が埋められ、円筒状基体と円筒状補助基体との間での高周波電力に対するアース面が不連続となることを防止する効果が得られる。
【００１９】
図３（ｃ）は基体ホルダー３０４と図３（ａ）における下部側の円筒状補助基体３０３とが一体となったタイプの基体ホルダーに円筒状基体３０１が保持された状態を示した模式図である。本発明においては、図３（ｃ）に示した構成の基体ホルダーを用いることも有効である。
【００２０】
図２は円筒状基体と円筒状補助基体との接触部の拡大模式図である。
図２（ａ）は従来の円筒状基体と円筒状補助基体との接触部の拡大模式図であり、すなわち導電性材料が介在していない状態である。図２（ａ）に示すように、円筒状基体と円筒状補助基体との接触部は、巨視的には密着しているように見えても、微視的には接触面の表面粗さの関係で非接触部分が存在する。そして、前述の説明で示したように高周波電力に対するアース面が不連続になっていると推測される。特に、高周波の進行方向に対して垂直方向に非接触部分が連続している場合、影響が大きいことが見出された。
【００２１】
一方、図２（ｂ）に示すように、本発明では円筒状基体と円筒状補助基体との接触部に導電性シートを設置しているため、微視的な凹凸部分が導電性シートに喰い込み、円筒状基体と円筒状補助基体との非接触部分が消滅する。その結果、円筒状基体と円筒状補助基体（以下、単に「補助基体」とも記載する。）との間での高周波電力に対するアース面が不連続となることを防止する効果が得られると推測される。
【００２２】
（導電性材料・導電性シート）
本発明における効果を得ることができる導電性材料は、導電性が高く、柔軟性がある薄膜が好ましく、特に金属の導電性シート、金属マイクロ粒子または金属ナノ粒子を含有させた導電性シートを用いることが好ましい。また、導電性シートの表面に、金属マイクロ粒子または金属ナノ粒子を担持させたものを用いるとより好ましい。
【００２３】
金属の導電性シートとしては、アルミニウム、銅、ニッケル等の導電性が高く、シート状の薄膜に加工しやすい材料が好ましい。そして、金属マイクロ粒子または金属ナノ粒子を含有させた導電性シートの母材としては、シリコンゴムや耐熱性導電ゴム等の成膜時の高温に耐えられる材料が好ましい。金属マイクロ粒子、金属ナノ粒子としては、銅ナノ粒子や銀ナノ粒子等の導電性が高い材料が好ましい。また、金属粒子の代わりにカーボンナノチューブを用いてもよい。
【００２４】
導電性シートは、柔軟性が低すぎると本発明の効果が得られにくい場合がある。逆に、柔軟性が高すぎると、成膜後に導電性シートを剥がしにくい場合がある。このため、使用する導電性シートは、シート厚が５μｍ以上５０μｍ以下、引張強度が５０Ｎ／ｍｍ２以上１００Ｎ／ｍｍ２以下、電気抵抗が０．８Ω／ｃｍ２以下のものとする。
【００２５】
導電性シートは、電気抵抗が低いほど本発明では効果的であるが、０．８Ω／ｃｍ２以下以下（四探針法による測定値）であれば本発明では十分な効果が得られる。電気抵抗は、含有する金属マイクロ粒子や金属ナノ粒子の量や種類によって調整が可能である。また、導電性シートの表面に、金属マイクロ粒子や金属ナノ粒子を担持することは、微視的な凹凸部分が形成する隙間を埋めるためには有効な手段である。
本発明で用いる導電性シートとしては、市販の導電性シート（金属薄膜）を用いることができる。例えば、アルミニウムシート：アルミニウム箔（ｎｉｐｐａｋｕ  ｆｏｉｌ）三菱アルミニウム（株）製、銅シート：銅フィルム  東レＫＰフィルム（株）製等を用いることができる。
【００２６】
（設置方法）
円筒状基体および補助基体を基体ホルダーに設置した状態で導電性材料である導電性シートが全周に途切れることのない状態となることが好ましい。
図４は円筒状基体に補助基体が設置されたときの接触部の導電性材料の状態を示した模式図である。図４に示すように、円筒状基体４０１を基体ホルダー４０４に設置した状態で導電性シート４０５が全周に途切れることのなく配置されることが好ましい。
【００２７】
微視的な凸凹部で形成される隙間を埋める導電性シートの効果をより高めるためには、円筒状基体と導電性シートとの接触面積、および補助基体と導電性シートとの接触面積を広げることが有効である。
例えば、図５に示すように円筒状基体と補助基体の接触部の形状を工夫することは有効な手段である。図５に示すように、円筒状基体５０１と補助基体５０２、５０３はそれぞれの接触部が一方が凹部、他方が凸部となり、はまり合う形状になっている。
また、円筒状基体と補助基体を長手方向から押し付けることは、微視的な凹凸部の導電性シートへの喰い込みが増加するため、より本発明の効果を得るには有効な手段となる。
【００２８】
（成膜工程）
次に、ａ−Ｓｉ感光体を作製する成膜工程について詳述する。
図１は、本発明の電子写真感光体を作製するために供される、１３．５６ＭＨｚの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による堆積装置の一例を模式的に示した図である。
この装置は大別すると、減圧可能な反応容器１０１と、反応容器内を減圧するための排気装置１０８とから構成されている。反応容器１０１内には、基体加熱用ヒーター１０３、アースに接続されている基体受け台１１４、原料ガス導入管１０５が設置されている。又、反応容器の炉壁を兼ねる高周波印加電極１０６は導電性材料からなり、絶縁碍子１１３によって絶縁されている。高周波印加電極１０６にはマッチングボックス１１１を介して１３．５６ＭＨzの高周波電源１１２が接続されている。
不図示の原料ガス供給装置のボンベは原料ガス導入バルブ１０９を介して反応容器１０１内の原料ガス導入管１０５に接続されている。
【００２９】
以下、成膜工程について具体的に説明する。
前述の基体ホルダー１０４に設置した円筒状基体１０２および補助基体１０７を、反応容器１０１内の基体加熱ヒーター１０３を包含するように基体受け台１１４に設置する。
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス導入バルブ１０９を開き、メインバルブ１１５を開いて反応容器１０１および原料ガス導入管１０５を排気する。真空計１１０の読みが０．６７Ｐａ以下になった時点で加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）を原料ガス導入管１０５より反応容器１０１に導入する。
【００３０】
次いで、反応容器１０１内が所望の圧力になるように加熱用ガスの流量および、メインバルブ１１５の開口あるいは排気装置１０８の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体１０２を基体加熱ヒーター１０３により加熱し、円筒状基体１０２の温度を１５０℃〜４５０℃の所望の温度に制御する。円筒状基体１０２が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスの流量を徐々にゼロにするとともに、堆積膜形成用の原料ガスを不図示のミキシングパネルにより混合した後に反応容器１０１内に徐々に導入する。
【００３１】
堆積膜形成用の原料ガスとしては、例えば以下のものが挙げられる。例えばシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）などの材料ガスや水素（Ｈ２）、ヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガス、またジボラン（Ｂ２Ｈ６）、ホスフィン（ＰＨ３）などのドーピングガス。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所望の流量になるように調整する。その際、反応容器１０１内が０．１Ｐａから数１００Ｐａの圧力を維持するよう真空計１１０を見ながらメインバルブ１１５の開口あるいは排気装置１０８の排気速度を調整する。
【００３２】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体１０２の上に堆積層の形成を行う。内圧が安定したことを確認した後、高周波電源１１２を所望の電力に設定して高周波電力を高周波印加電極１０６に供給し、反応容器１０１の内部に高周波グロー放電を生起させる。このときマッチングボックス１１１を調整し、反射波が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整する。この放電エネルギーによって反応容器１０１内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状基体１０２の上に所定の堆積層が形成される。
なお、膜形成を行っている間は基体受け台１１４および円筒状基体１０２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させても良い。
【００３３】
以上で、堆積層の形成を終えるが、複数の堆積層（たとえば下部阻止層と光導電層など）を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。原料ガス流量や、圧力等を光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、中間層の形成を行うこともできる。
すべての堆積膜形成が終わった後、メインバルブ１１５を閉じ、反応容器１０１内に不活性ガスを導入して大気圧に戻した後、円筒状基体１０２を取り出す。
【実施例】
【００３４】
以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
〔実施例１〕
図１に示す堆積膜形成装置を用いて、円筒状基体３０１上の表面に、表１に示す条件で、図６に示す層構成の電子写真感光体の作製を行った。
図６の中の符号６０１は円筒状基体、６０２は下部阻止層、６０３は光導電層、６０４は上部阻止層、６０５は表面保護層をそれぞれ示す。
【００３５】
本実施例では、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、円筒状基体３０１の上下に補助基体３０２、３０３をセットして堆積膜形成を行った。円筒状基体３０１および補助基体３０２、３０３は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように基体ホルダー３０４にセットした。
円筒状基体３０１は、アルミニウムよりなる外径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍのものを用いた。円筒状基体の厚さは、（円筒状基体の外径−円筒状基体の内径）／２である。
補助基体３０２は、円筒状基体３０１と同じ外径８４ｍｍ、厚さ３ｍｍとし、補助基体３０２、および基体ホルダー３０４の材質としてはＡｌ−Ｍｇ系合金５０５２を用いた。
【００３６】
本実施例では、基体ホルダー３０４に円筒状基体３０１をセットする際、補助基体３０２と円筒状基体３０１との接触部に導電性シートを設置した。
導電性シートとしては、下記の２種類を用いた。
アルミニウムシート：アルミニウム箔（ｎｉｐｐａｋｕ  ｆｏｉｌ）三菱アルミニウム（株）製、厚さ１２μｍ、引張強度６０Ｎ／ｍｍ２、電気抵抗０．３Ω／ｃｍ２
銅シート：銅フィルム  東レＫＰフィルム（株）、厚さ５μｍ、引張強度１００Ｎ／ｍｍ２、電気抵抗０．１Ω／ｃｍ２
このようにセットした円筒状基体を図１に示す堆積膜形成装置に設置し、先述した手順に従って、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表１に示す作製条件で１０本の電子写真感光体を作製した。
【００３７】
【表１】
2020008672.tif 000003
【００３８】
作製した電子写真感光体は、キヤノン（株）製ｉＲＣ６８００をマイナス帯電可能に改造した複写機に設置し、端部領域での帯電ムラ、周方向帯電ムラ、画像濃度ムラの電子写真特性について評価を行った。
各項目は、以下の方法で実施し、作製した電子写真感光体の各々１０本全てについて評価を行った。
判定には１０本の電子写真感光体の平均値を用いた。
【００３９】
（端部領域帯電ムラ）
主帯電器の電流値を−１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。このとき、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。暗部表面電位は周方向の平均値とした。電子写真感光体の端部から１０ｃｍの領域について２ｃｍおきに暗部表面電位を測定し、得られた各位置の値の最大値と最小値の電位差を求めた。電子写真感光体の両端部について前記電位差を求め、得られた２つの値のうちの大きいほうを暗部表面電位の端部領域帯電ムラとした。
そして比較例１の電子写真感光体の端部領域帯電ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。Ｂランク以上で本発明の効果が得られていると考える。
【００４０】
Ａ＋        ７０％未満
Ａ          ７０％以上８０％未満
Ｂ          ８０％以上９０％未満      
Ｃ          ９０％以上１１０％未満
Ｄ          １１０％以上
【００４１】
（周方向帯電ムラ）
端部領域帯電ムラと同様に電位表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。電子写真感光体の端部から５ｃｍの位置での暗部表面電位を測定し、周方向の電位の最大値と最小値の電位差を周方向帯電ムラとした。
そして比較例１の電子写真感光体の周方向帯電ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。Ｂランク以上で本発明の効果が得られていると考える。
【００４２】
Ａ＋        ７０％未満
Ａ          ７０％以上８０％未満
Ｂ          ８０％以上９０％未満      
Ｃ          ９０％以上１１０％未満
Ｄ          １１０％以上
【００４３】
（画像濃度ムラ）
中間調チャートを原稿台に置き画像濃度が０．５となるように調整してＡ３用紙にシアン色でコピーし、得られたＡ３コピー画像の縦方向および横方向夫々３ｃｍおきに反射濃度計（マクベス社製ＲＤ９１４）で画像濃度を測定した。Ａ３コピー画像の画像濃度の最大値と最小値の差を画像濃度ムラとした。
そして比較例１の電子写真感光体の画像濃度ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。Ｂランク以上で本発明の効果が得られていると考える。
【００４４】
Ａ＋        ７０％未満
Ａ          ７０％以上８０％未満
Ｂ          ８０％以上９０％未満      
Ｃ          ９０％以上１１０％未満
Ｄ          １１０％以上
【００４５】
〔実施例２〕
実施例１と同様の円筒状基体、補助基体を用い、電子写真感光体の形成を行った。
本実施例においても、基体ホルダー３０４に円筒状基体３０１をセットする際、補助基体３０２と円筒状基体３０１との接触部に導電性シートを設置した。
導電性シートとしては、銅ナノ粒子を含有したシートの厚さが１０μｍであり、電気抵抗が０．３Ω／ｃｍ２または０．８Ω／ｃｍ２である２種類のシリコンゴムを用いた。
このようにセットした円筒状基体を図１に示す堆積膜形成装置に設置し、先述した手順に従って、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表１に示す作製条件で１０本の電子写真感光体を作製し、得られた電子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
【００４６】
〔比較例１〕
実施例１と同様の円筒状基体、補助基体を用い、電子写真感光体の形成を行った。
本比較例では、基体ホルダー３０４に円筒状基体３０１をセットする際には、従来例と同様に導電性シートの設置は行わなかった。
このようにセットした円筒状基体を図１に示す堆積膜形成装置に設置し、実施例１と同様に、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表１に示す作製条件で１０本の電子写真感光体を作製し、得られた電子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
実施例１、２および比較例１の評価結果を表２にまとめて示す。
【００４７】
【表２】
2020008672.tif 000004
【００４８】
表２の評価結果に示すように、円筒状基体と補助基体の接触部にいずれの導電性シートを設置した場合においてもすべての項目において、導電性シート用いない比較例に比べ良好な結果となった。
また、金属の導電性シートを用いた実施例１は、実施例２の電気抵抗が０．８Ω／ｃｍ２であるシリコンゴムに比べて良好な結果となった。また、シリコンゴムは電気抵抗が０．３Ω／ｃｍ２のほうが０．８Ω／ｃｍ２より良好な結果であった。
また、前述のペースト状の導電性材料を用いた場合のふき取り作業に要する時間を削減できるため効率化が図られた。
次に、実施例１に対して導電性シート（アルミニウムシート）の厚さを変更した。
【００４９】
〔比較例２〜４〕
比較例２〜４は、厚さおよび引張強度が表３に示す値であること以外は、実施例１と同様とした。
そして、比較例２〜４について実施例１と同様に、ＲＦプラズマＣＶＤ法により表１に示す作製条件で１０本の電子写真感光体を作製し、得られた電子写真感光体の評価は、実施例１と同様に行った。
比較例２、比較例３、および比較例４の評価結果を表３にまとめて示す。
【００５０】
【表３】
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【００５１】
表３の評価結果に示すように、導電性シートの厚さを変えた場合、実施例に対して悪化する結果となった。
比較例２、比較例３で導電性シートの厚さを厚くした場合に、評価が悪化した理由としては２つ考えられる。１つは、導電性シートの厚さを厚くすることで、同じ抵抗率の材料を用いた場合でも電気抵抗が上昇し、導通が悪化したと考えられる。もう一つは、厚くすることで引張強度が上昇し、柔軟性が低下することで、微視的な凹凸を埋める効果が低下したことが考えられる。
【００５２】
また、比較例４で導電性シートの厚さを薄くした場合に、評価が悪化した理由としては、設置の際に導電性シートが薄す過ぎるために、作業性が悪く、破れ等が発生したために微視的な凹凸を埋める効果が得られなかったと考えられる。さらに、薄くなり引張強度が低下したため、成膜後にシートを除去する作業に時間を要した。
【００５３】
上記のように、微視的な凹凸を埋めることができ、電気抵抗を低下させることができ、作業性を向上させることができるという観点から、導電性シートの厚さ、引張強度および電気抵抗は以下の範囲とすることによって効果が得られることを確認した。
厚さ：５μｍ以上５０μｍ以下
引張強度：５０Ｎ／ｍｍ２以上１００Ｎ／ｍｍ２以下
電気抵抗：０．８Ω／ｃｍ２以下
このような導電性シートを用いることによって、製造コストを抑制しながら、膜特性の均一性に優れた電子写真感光体を製造することができる。
【符号の説明】
【００５４】
３０１・・・円筒状基体
３０２、３０３・・・円筒状補助基体
３０４・・・基体ホルダー
３０５・・・導電性シート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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