(57)【要約】【課題】異常スコープが生じた場合の対処において有利な技術を提供する。【解決手段】投影光学系を介して原版のパターンを基板上に転写する露光装置は、前記投影光学系を介さずに前記基板に設けられたマークをそれぞれ検出する複数のスコープを有する検出部と、前記基板と前記検出部とを相対的に移動させながら、前記基板に設けられた複数のマークを前記検出部に順次検出させ、前記検出部での検出結果に基づいて前記基板の位置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記複数のスコープにおいて異常スコープが生じた場合に、前記複数のスコープのうち前記異常スコープ以外のスコープに前記複数のマークを検出させる。【選択図】図１
2020027135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系を介して原版のパターンを基板上に転写する露光装置であって、
前記投影光学系を介さずに前記基板に設けられたマークをそれぞれ検出する複数のスコープを有する検出部と、
前記基板と前記検出部とを相対的に移動させながら、前記基板に設けられた複数のマークを前記検出部に順次検出させ、前記検出部での検出結果に基づいて前記基板の位置を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記複数のスコープにおいて異常スコープが生じた場合に、前記複数のスコープのうち前記異常スコープ以外のスコープに前記複数のマークを検出させる、ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数のスコープの中から、前記異常スコープに検出させるべきマーク群を前記異常スコープの代わりに検出させる代替スコープを選択し、前記代替スコープに前記マーク群を検出させる、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数のスコープのうち、前記異常スコープに最も近いスコープを前記代替スコープとして選択する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基板は、複数のショット領域を含み、
前記複数のスコープは、前記複数のショット領域における第１側に設けられたマーク群を検出する第１スコープ群と、前記複数のショット領域における前記第１側とは反対側の第２側に設けられたマーク群を検出する第２スコープ群とを含み、
前記制御部は、前記第１スコープ群および前記第２スコープ群のうち、前記異常スコープを有するスコープ群の中から前記代替スコープを選択する、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記異常スコープ以外のスコープに前記複数のマークを検出させるための検出順序を決定し、決定した前記検出順序に従って前記基板と前記検出部とを相対的に移動させながら前記複数のマークを前記検出部に順次検出させる、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記異常スコープ以外のスコープに前記複数のマークを検出させるときの検出時間が最短になるように前記検出順序を決定する、ことを特徴とすることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記投影光学系を介して前記基板のマークを検出する第２検出部を更に含み、
前記制御部は、前記複数のスコープにおいて異常スコープが生じた場合、前記第２検出部に前記複数のマークを検出させる、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記投影光学系を介さずに前記基板に設けられたマークを検出する複数のスコープにおいて異常スコープが生じた場合に、前記複数のスコープのうち前記異常スコープ以外のスコープに前記複数のマークを検出させる第１検出モードと、前記第２検出部に前記複数のマークを検出させる第２検出モードとにより、前記複数のマークを検出させることが可能である、ことを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記検出部に前記異常スコープが生じた場合、前記異常スコープの数に応じて前記第１検出モードおよび前記第２検出モードのいずれかを選択する、ことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記検出部に前記異常スコープが生じた場合、前記第１検出モードでの検出時間と前記第２検出モードでの検出時間との比較結果に基づいて、第１検出モードおよび前記第２検出モードのいずれかを選択する、ことを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記異常スコープは、前記基板のマークを検出することができなくなったスコープである、ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、を含み、
現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機ＥＬパネル等のフラットパネルや、半導体デバイスの製造には、マスクなどの原版のパターンを、レジストが塗布されたガラスプレートやウェハなどの基板に転写する露光装置が用いられる。このような露光装置では、スループットを向上させるため、原版と基板とのアライメントを高精度かつ高速に行うことが求められており、それには、基板に設けられた複数のマークの検出時間を短縮することが望まれている。
【０００３】
特許文献１には、基板上のマークを投影光学系を介して原版上のマークとともに検出するアライメント検出部と、基板上のマークを投影光学系を介さずに検出するオフアクシス検出部とを有する露光装置が提案されている。特許文献１に記載された露光装置では、オフアクシス検出部において同時に検出ことができるマークの数（即ち、基板上のマークを検出するスコープの数）がアライメント検出部より多くなるようにオフアクシス検出部が構成される。そして、基板上の複数のマークをオフアクシス検出部に検出させることによって検出時間の短縮を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１９８２０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
オフアクシス検出部では、それに含まれる複数のスコープにおいて、基板上のマークを計測できなくなった等の異常を有するスコープ（異常スコープ）が生じる場合がある。この場合、従来の露光装置では、基板上における複数のマークの全てをアライメント検出部に検出させることによって対処していたが、そのような対処では検出時間の点で不利になることがある。
【０００６】
そこで、本発明は、異常スコープが生じた場合の対処において有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、投影光学系を介して原版のパターンを基板上に転写する露光装置であって、前記投影光学系を介さずに前記基板に設けられたマークをそれぞれ検出する複数のスコープを有する検出部と、前記基板と前記検出部とを相対的に移動させながら、前記基板に設けられた複数のマークを前記検出部に順次検出させ、前記検出部での検出結果に基づいて前記基板の位置を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記複数のスコープにおいて異常スコープが生じた場合に、前記複数のスコープのうち前記異常スコープ以外のスコープに前記複数のマークを検出させる、ことを特徴とする。
【０００８】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、例えば、異常スコープが生じた場合の対処において有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】（ａ）アライメント検出部の構成例、（ｂ）オフアクシス検出部の構成例、（ｃ）基板における複数のショット領域および複数の基板側マークの配置例をそれぞれ示す図である。
【図３】露光処理を示すフローチャートである。
【図４】複数の基板側マークの検出方法を示すフローチャートである。
【図５】通常検出モードにおける基板側マークの検出を示す図である。
【図６】オフアクシス検出部の位置と該位置で用いられるスコープとの対応関係を示す図である。
【図７】基板に対するオフアクシス検出部の位置を示す図である。
【図８】検出順序に関する各候補と、オフアクシス検出部の移動距離との関係を示す図である。
【図９】候補１についての検出時間の算出例を示す図である。
【図１０】各候補についての検出時間の算出結果を示す図である。
【図１１】複数の異常スコープが生じた例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下の実施形態では、鉛直方向であるＺ方向に垂直な面内において互いに直行する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。
【００１２】
本発明に係る実施形態の露光装置１００について説明する。露光装置１００は、例えば液晶表示デバイスや有機ＥＬディスプレイなどのフラットパネルや半導体デバイスを製造する際のリソグラフィ工程に使用されるものである。具体的には、露光装置１００は、原版Ｍおよび投影光学系を通過した光で基板Ｗ（基板Ｗ上に塗布されたレジスト）を露光することにより、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの各々に原版Ｍのパターンを転写する処理（露光処理）を行うものである。本実施形態では、露光装置１００を、原版Ｍと基板Ｗとを相対的に走査しながら原版Ｍのパターンを基板Ｗに転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（スキャナ）とするが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（ステッパ）としてもよい。ここで、原版Ｍとしては、例えばマスクやレチクルなどが用いられ、基板Ｗとしては、例えばガラスプレートや半導体ウェハなどが用いられうる。
【００１３】
［露光装置の構成について］
図１は、本実施形態の露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、照明光学系１と、アライメント検出部２（第２検出部）と、原版ステージ３と、投影光学系４と、基板ステージ５と、オフアクシス検出部６（第１検出部）と、制御部７とを含みうる。制御部７は、例えばＣＰＵやメモリを有するコンピュータによって構成されるとともに、装置内の各部に電気的に接続され、装置全体の動作を統括して制御する（即ち、基板Ｗの露光処理を制御する）。
【００１４】
照明光学系１は、光源（不図示）を有し、スリット状（例えば円弧状）に整形された照明光で原版Ｍの一部を照明する。原版ステージ３は、原版Ｍを保持し、少なくともＸ方向およびＹ方向に移動可能に構成されうる。投影光学系４は、原版Ｍに形成されたパターンのうち、照明光学系１によって照明された一部の像を、基板ステージ５により保持された基板Ｗに投影する。基板ステージ５は、基板Ｗを保持し、定盤８の上を、例えばＸ，Ｙ、Ｚ、ωＸ、ωＹ、ωＺの６軸方向に移動可能に構成されうる。原版ステージ３により保持された原版Ｍ、および基板ステージ５により保持された基板Ｗは、投影光学系４を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面および像面）にそれぞれ配置される。制御部７は、原版ステージ３と基板ステージ５とを投影光学系４の投影倍率に応じた速度比で相対的に同期走査（例えばＹ方向）することにより、原版Ｍのパターンを基板上に転写することができる。
【００１５】
次に、アライメント検出部２およびオフアクシス検出部６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２（ａ）は、アライメント検出部２の構成例を示し、図２（ｂ）は、オフアクシス検出部６の構成例を示している。また、図２（ｃ）は、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓおよび複数の基板側マーク９の配置例を示している。
【００１６】
アライメント検出部２（第２検出部）は、例えば、照明光学系１と原版ステージ３（原版Ｍ）との間に配置され、基板Ｗに設けられたマーク９（以下、基板側マーク９）を原版Ｍおよび投影光学系４を介して検出する。これにより、原版Ｍに設けられたマーク（以下、原版側マーク）と基板側マーク９とを同時に検出し、原版側マークと基板側マーク９との相対位置を検出することができる。アライメント検出部２の具体的な構成としては、投影光学系４を介して１つの基板側マーク９を検出（観察）するための視野をそれぞれ有する複数のスコープ（アライメントスコープ）が設けられる。アライメント検出部２の各スコープは、撮像素子および光学素子を含みうる。
【００１７】
本実施形態のアライメント検出部２では、図２（ａ）に示すように、Ｘ方向に沿って配列した２個のスコープ２ａ、２ｂが設けられている。スコープ２ａは、基板Ｗのショット領域Ｓの第１側（−Ｘ方向側）に設けられた基板側マーク９を検出するように配置される。また、スコープ２ｂは、基板Ｗのショット領域Ｓの第２側（第１側の反対側（＋Ｘ方向側））に設けられた基板側マーク９を検出するように配置されうる。
【００１８】
オフアクシス検出部６（第１検出部）は、投影光学系４と基板ステージ５（基板Ｗ）との間に配置され、投影光学系４を介さずに基板側マーク９を検出する。オフアクシス検出部６の具体的な構成としては、投影光学系４を介さずに１つの基板側マーク９を検出（観察）するための視野をそれぞれ有する複数のスコープ（オフアクシススコープ）が設けられる。オフアクシス検出部６の各スコープは、アライメント検出部２の各スコープと同様に、撮像素子および光学素子を含みうる。また、オフアクシス検出部６における複数のスコープは、その数がアライメント検出部２のスコープの数より多く設けられ、より好ましくは、図２に示すように、Ｘ方向に沿って基板上に配列された基板側マークの数と同じになるように設けられるとよい。
【００１９】
本実施形態のオフアクシス検出部６では、図２（ｂ）に示すように、Ｘ方向に沿って配列した８個のスコープ６ａ〜６ｈが設けられている。スコープ６ａ、６ｃ、６ｅおよび６ｇは、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの第１側（−Ｘ方向側）に設けられた基板側マーク９をそれぞれ検出するように配置された第１スコープ群である。また、スコープ６ｂ、６ｄ、６ｆおよび６ｈは、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの第２側（＋Ｘ方向側）に設けられた基板側マーク９をそれぞれ検出するように配置された第２スコープ群である。
【００２０】
［露光処理について］
次に、本実施形態の露光装置１００で行われる露光処理について説明する。図３は、露光装置１００で行われる露光処理を示すフローチャートである。図３に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって行われうる。
【００２１】
Ｓ１では、制御部７は、アライメント検出部２に原版側マークと基板側マーク９とを検出させる。例えば、制御部７は、アライメント検出部２の各スコープ２ａ、２ｂの視野に、原版側マークと基板側マーク９とが１つずつ収まるように原版ステージ３および基板ステージ５を駆動し、原版側マークと基板側マークとを各スコープ２ａ、２ｂに検出させる。Ｓ１の工程では、スループットの観点から、アライメント検出部２（各スコープ２ａ、２ｂ）による検出が１回だけ行われればよく、複数の基板側マーク９の全てに対するアライメント検出部２による検出は行われない。
【００２２】
Ｓ２では、制御部７は、Ｓ１で得られたアライメント検出部２での検出結果に基づいて、原版Ｍと基板Ｗとの相対位置情報を生成する。例えば、制御部７は、各スコープ２ａ、２ｂで検出された原版側マークと基板側マーク９との位置関係を求めることにより、ＸＹ方向およびωＺ方向（回転方向）における原版Ｍと基板Ｗとの位置ずれを相対位置情報として生成することができる。
【００２３】
Ｓ３では、制御部７は、基板ステージ５（基板Ｗ）とオフアクシス検出部６とを相対的にステップ移動させながら、基板Ｗに設けられた複数の基板側マーク９を順次検出させる。Ｓ３の工程では、制御部７は、通常、オフアクシス検出部６（スコープ６ａ〜６ｈ）を用いて、複数の基板側マーク９の検出を行いうる。Ｓ３の具体的な制御内容については後述する。
【００２４】
Ｓ４では、制御部７は、Ｓ３で得られた複数の基板側マーク９の検出結果に基づいて各基板側マーク９の位置を求めることにより、各ショット領域Ｓの配列情報（即ち、各ショット領域Ｓの配置および形状に関する情報）を生成する。このとき、制御部７は、ベースライン量に基づいて補正された各基板側マーク９の位置を用いることにより、アライメント検出部２を基準とした各ショット領域の配列情報を生成することができる。
【００２５】
ここで、ベースライン量とは、アライメント検出部２のスコープによる基板上の検出位置とオフアクシス検出部６のスコープによる基板上の検出位置との差（距離）を示す指標であり、事前に取得（計測）されて設定されうる。例えば、制御部７は、アライメント検出部２のスコープとオフアクシス検出部６のスコープとに基板上の同一マークを検出させ、そのときの基板ステージ５の移動量と、各スコープの視野内での該マークの位置とに基づいてベースライン量を求めることができる。本実施形態では、オフアクシス検出部６のスコープごとにベースライン量が事前に設定されている。例えば、オフアクシス検出部６の第１スコープ群（各スコープ６ａ、６ｃ、６ｅ、６ｇ）については、アライメント検出部２のスコープ２ａに対するベースライン量が設定されている。また、オフアクシス検出部６の第２スコープ群（各スコープ６ｂ、６ｄ、６ｆ、６ｈ）については、アライメント検出部２のスコープ２ｂに対するベースライン量が設定されている。
【００２６】
Ｓ５では、制御部７は、原版ステージ３および基板ステージ５によって原版Ｍと基板Ｗとを相対的に走査しながら、対象ショット領域Ｓの露光処理を行う。当該露光処理では、制御部７は、Ｓ１で生成された原版Ｍと基板Ｗとの相対位置情報と、Ｓ４で生成された各ショット領域の配列情報とに基づいて、原版Ｍと基板Ｗとの相対位置や投影光学系４の投影倍率などの制御（補正）を行いうる。Ｓ６では、制御部７は、基板Ｗにおける複数のショット領域Ｓの全てに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていないショット領域Ｓがある場合にはＳ５に戻り、露光処理を行っていないショット領域Ｓを対象ショット領域Ｓに設定して露光処理を行う。一方、全てのショット領域Ｓに対して露光処理を行った場合には終了する。
【００２７】
［基板側マークの検出（Ｓ３）について］
上述したように構成された露光装置１００では、制御部７は、Ｓ３の工程において、通常、基板上における複数の基板側マーク９の全てをオフアクシス検出部６に検出させる。このようにオフアクシス検出部６を用いると、オフアクシス検出部６はアライメント検出部２よりスコープの数が多く構成されているため、複数の基板側マークの全てをアライメント検出部２に検出させることと比較して検出時間の短縮を図ることができる。
【００２８】
しかしながら、オフアクシス検出部６では、それに含まれる複数のスコープにおいて、基板側マーク９を計測できなくなったり、信号を出力しなくなったりなど、異常を有するスコープ（以下、「異常スコープ」と称する）が生じる場合がある。この場合、従来の露光装置では、複数の基板側マーク９の全てをアライメント検出部２に検出させることによって対処していたが、そのような対処では検出時間の点で不利になることがある。そこで、本実施形態の露光装置１００は、オフアクシス検出部６における複数のスコープの中に異常スコープが生じた場合に、該複数のスコープのうち異常スコープ以外のスコープに複数の基板側マーク９を検出させる第１検出モードを含む。以下に、本実施形態における複数の基板側マークの検出方法（Ｓ３の工程）について説明する。
【００２９】
図４は、本実施形態における複数の基板側マークの検出方法（Ｓ３の工程）を示すフローチャートである。図４に示すフローチャートの各工程は、制御部７によって行われうる。
【００３０】
Ｓ３−１では、制御部７は、オフアクシス検出部６における複数のスコープ６ａ〜６ｈの中に、異常スコープがあるか否かを判断する。例えば、制御部７は、複数のスコープ６ａ〜６ｈの中に、出力値が異常値を示したまま変わらないスコープや、出力値が得られないスコープがある場合には、そのようなスコープを異常スコープとして特定（判断）することができる。異常スコープがないと判断された場合にはＳ３−２に進み、通常検出モードによって複数の基板側マーク９の検出を行う。一方、異常スコープがあると判断された場合にはＳ３−３に進み、第１検出モードによって複数の基板側マーク９の検出を行う。
【００３１】
Ｓ３−２は、通常検出モードによって複数の基板側マーク９の検出を行う工程である。通常検出モードでは、制御部７は、基板ステージ５（基板Ｗ）とオフアクシス検出部６（スコープ６ａ〜６ｈ）とをＹ方向に相対的にステップ移動させながら、オフアクシス検出部６（スコープ６ａ〜６ｈ）に複数の基板側マークを順次検出させる。具体的には、位置１（Ｐｏｓ．１）の基板側マーク９の上方にオフアクシス検出部６が配置されるように基板ステージ５をＹ方向に移動させ（図５（ａ））、オフアクシス検出部６に基板側マーク９を検出させる。それから、位置２（Ｐｏｓ．２）の基板側マークの上方にオフアクシス検出部６が配置されるように基板ステージをＹ方向に移動させ（図５（ｂ））、オフアクシス検出部６に基板側マーク９を検出させる。位置３〜位置６（Ｐｏｓ．３〜６）についても同様の制御を行うことにより、オフアクシス検出部６に複数の基板側マーク９を検出させることができる。
【００３２】
Ｓ３−３〜Ｓ３−７は、異常スコープが生じた場合において、第１検出モードによって複数の基板側マーク９の検出を行う工程である。第１検出モードでは、制御部７は、オフアクシス検出部６における複数のスコープ６ａ〜６ｈのうち異常スコープ以外のスコープに複数の基板側マーク９をそれぞれ検出させる。
【００３３】
Ｓ３−３では、制御部７は、オフアクシス検出部６における複数のスコープ６ａ〜６ｈの中から、異常スコープに検出させるべき基板側マーク群を該異常スコープの代わりに検出させるスコープ（以下、代替スコープと称する）を選択する。例えば、制御部７は、複数のスコープ６ａ〜６ｈのうち、異常スコープに最も近いスコープを代替スコープとして選択してもよいし、異常スコープを有するスコープ群（第１スコープ群、または第２スコープ群）の中から代替スコープを選択してもよい。本実施形態では、スコープ６ｂが異常スコープとして特定（判断）され、異常スコープ６ｂに最も近いスコープ６ｃが代替スコープとして選択される場合について説明する。
【００３４】
Ｓ３−４では、制御部７は、異常スコープ以外のスコープに複数の基板側マーク９を検出させるための検出順序を決定する。本実施形態では、スコープ６ｂが異常スコープであるため、制御部７は、スコープ６ａ、６ｃ〜６ｈに複数の基板側マーク９を検出させるための検出順序を決定する。以下に、検出順序の決定方法の一例について説明する。
【００３５】
まず、制御部７は、異常スコープ６ｂ以外のスコープに複数の基板側マーク９を検出させる際に基板上でステップ移動させるべきオフアクシス検出部６の位置（基板ステージ５とオフアクシス検出部６との相対位置）を、図６に示すように決定する。図６は、異常スコープ６ｂ以外のスコープに複数の基板側マーク９を検出させる際のオフアクシス検出部６の位置と、該位置で用いられるスコープとの対応関係を示す図である。図６では、上述した通常検出モードにおける位置１〜位置６（Ｐｏｓ．１〜６）に加え、位置ａ〜位置ｆ（Ｐｏｓ．ａ〜ｆ）が追加されている。位置ａ（Ｐｏｓ．ａ）は、図７（ａ）に示すように、異常スコープ６ｂで検出すべきであった基板側マーク９ａを代替スコープ６ｃに検出させる際のオフアクシス検出部６の位置である。また、位置ｂ（Ｐｏｓ．ｂ）は、図７（ｂ）に示すように、異常スコープ６ｂで検出すべきであった基板側マーク９ｂを代替スコープ６ｃに検出させる際のオフアクシス検出部６の位置である。同様に、位置ｃ〜ｆ（Ｐｏｓ．ｃ〜ｆ）は、異常スコープ６ｂで検出すべき基板側マーク９ｃ〜９ｆを代替スコープ６ｃにそれぞれ検出させる際のオフアクシス検出部６の位置である。
【００３６】
次に、制御部７は、異常スコープ以外のスコープに複数の基板側マークを検出させるための検出順序に関する複数の候補を挙げ、各候補について、オフアクシス検出部６の移動距離（基板ステージ５とオフアクシス検出部６との相対移動距離）を求める。図８は、検出順序に関する各候補と、オフアクシス検出部６の移動距離との関係を示す図である。図８では、検出順序に関する複数の候補のうち、オフアクシス検出部６の移動距離が短い方の８個の候補を図示しているが、全ての候補を挙げておき、その各候補についてオフアクシス検出部６の移動距離を求めてもよい。
【００３７】
また、制御部７は、検出順序に関する各候補について、オフアクシス検出部６をステップ移動しながら複数の基板側マーク９を検出する際の検出時間を求める。例えば、制御部７は、Ｘ方向へのステップ移動に要する時間、およびＹ方向へのステップ移動に要する時間に関する情報に基づいて、各候補についての検出時間を求めることができる。各方向へのステップ移動に要する時間は、例えば、基板ステージ５の加減速、最高速度、移動距離、検出開始前のオフアクシス検出部６の位置、露光開始前のオフアクシス検出部６の位置に関する情報に基づいて求めることができる。図９は、候補１についての検出時間の算出例を示す図である。このような検出時間の算出は各候補について行われ、図１０に示すように、各候補についての検出時間が求められうる。これにより、制御部７は、検出時間が最短となる候補（図１０では候補３）を、異常スコープ６ｂ以外のスコープに複数の基板側マーク９を検出させるための検出順序として決定することができる。なお、検出時間に関する閾値を事前に設定しておき、該閾値より検出時間が短い候補のうち、所定の条件（例えば、基板ステージ５の負荷や移動ストロークなど）を満たす候補を検出順序として決定してもよい。
【００３８】
ここで、本実施形態では、異常スコープが生じた場合の検出順序をＳ３−４の工程で算出したが、Ｓ３−４の工程の前（例えばＳ３の工程の前）に事前に求めておいてもよい。この場合、Ｓ３−４の工程において、制御部７は、スコープ６ａ〜６ｈのそれぞれを異常スコープとした場合について事前に求めた検出順序に関する情報に基づいて、異常スコープの位置に応じた検出順序を決定することができる。
【００３９】
また、異常スコープは１つに限られず、例えば図１１（ａ）および（ｂ）に示すように、複数の異常スコープが生じる場合がある。この場合においても、上記の方法により検出順序に関する複数の候補を挙げて、各候補について検出時間を算出することにより、検出時間が最短となるように検出順序を決定することができる。図１１（ａ）では、スコープ６ａ、６ｈが異常スコープである場合に、スコープ６ｂ、６ｇを代替スコープとしてそれぞれ用いる例を示している。図１１（ｂ）では、スコープ６ｂ、６ｃが異常スコープである場合に、スコープ６ｄ、６ｅを代替スコープとしてそれぞれ用いる例を示している。複数の異常スコープが生じた場合の検出順序は、Ｓ３−４の工程で算出してもよいし、Ｓ３−４の工程の前に事前に求めておいてもよい。
【００４０】
図４のフローチャートに戻り、Ｓ３−５では、制御部７は、Ｓ３−４で決定した検出順序での検出時間が、複数の基板側マーク９の全てをアライメント検出部２（スコープ２ａ、２ｂ）に検出させた場合の検出時間より短いか否かを判断する。複数の基板側マーク９の全てをアライメント検出部２に検出させた場合の検出時間（以下、アライメント検出部２での検出時間と称することがある）は、実験やシミュレーションなどによって事前に算出されうる。Ｓ３−４で決定した検出順序での検出時間が、アライメント検出部２での検出時間より短い場合にはＳ３−６に進む。一方、アライメント検出部２での検出時間より長い場合にはＳ３−８に進み、第２検出モードによって複数の基板側マーク９の検出を行う。
【００４１】
ここで、本実施形態におけるＳ３−５工程では、Ｓ３−６に進むかＳ３−８に進むかを、Ｓ３−４で決定した検出順序での検出時間とアライメント検出部２での検出時間との比較結果に応じて判断したが、異常スコープの個数に応じて判断してもよい。異常スコープの個数によっては、検出時間の計算をしなくても、異常スコープ以外のオフアクシス検出部６のスコープでの検出時間が、アライメント検出部２での検出時間より明らかに大きくなると判断することができるからである。この場合、Ｓ３−５の工程を、Ｓ３−３の工程の前に行ってもよい。
【００４２】
Ｓ３−６では、制御部７は、Ｓ３−３で選択された代替スコープについてのベースライン量を求める。例えば、本実施形態の場合、上記のＳ４の工程で説明したように、代替スコープ６ｃについては、アライメント検出部のスコープ２ａに対するベースライン量が設定されているだけであり、スコープ２ｂに対してはベースライン量が設定されていない。即ち、代替スコープ６ｃについては、異常スコープ６ｂとの間でベースライン量が設定されたスコープ２ｂに対し、ベースライン量が設定されていない。そのため、制御部７は、代替スコープ６ｃについて、アライメント検出部２のスコープ２ｂに対するベースライン量を設定しうる。ここで、Ｓ３−３において、異常スコープ６ｂを有するスコープ群の中から代替スコープを選択した場合には、Ｓ３−６の工程を行わなくてもよい。
【００４３】
Ｓ３−７では、制御部７は、Ｓ３−４で決定した検出順序に従って、基板ステージ５とオフアクシス検出部６とを相対的にステップ移動させながら、複数の基板側マークをオフアクシス検出部６に順次検出させる。一方、Ｓ３−８は、異常スコープが生じた場合において、第２検出モードによって複数の基板側マークの検出を行う工程である。第２検出モードでは、制御部７は、基板ステージ５とアライメント検出部２とを相対的にステップ移動させながら、アライメント検出部２における複数のスコープ２ａ〜２ｂに複数の基板側マークを順次検出させる。
【００４４】
上述したように、本実施形態の露光装置１００は、オフアクシス検出部６に異常スコープが生じた場合に、異常スコープ以外のスコープに複数の基板側マークを検出させる第１検出モードを含む。これにより、異常スコープが生じた場合において複数の基板側マークを検出するための自由度を向上させ、検出時間の点で有利となる制御を行うことができる。
【００４５】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像（加工）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４６】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４７】
１：照明光学系、２：アライメント検出部、３：原版ステージ、４：投影光学系、５：基板ステージ、６：オフアクシス検出部、７：制御部、９：基板側マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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