(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハ処理の全体について平坦化技術の改良が可能な装置を提供する。【解決手段】基板１２を保持し、第１チャッキング領域及び第１キャッキング領域から延びた隣接領域２０を含んた基板ホルダ１４を有し、スーパーストレート１８を保持するように構成されたスーパーストレートホルダ２８を含む。スーパーストレートホルダは、第２チャッキング領域を含む。第２チャッキング領域は、第１チャッキング領域より大きく、スーパーストレートホルダは、隣接領域とスーパーストレートとの間の第１ギャップＤ１および基板とスーパーストレートとの間の第２ギャップＤ２を形成している基板ホルダに面し、第１ギャップと第２ギャップとの間にガス供給システムを含む。スーパーストレートホルダは、第１ギャップを小さくし、第２ギャップを大きくするように、保持されたスーパーストレートの形状を変更する。【選択図】図４
2020027939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
第１領域を有する第１チャッキング領域、および、前記キャッキング領域から延びた隣接領域を有し、基板を保持するように構成された基板ホルダと、
第２領域を有する第２チャッキング領域を含み、スーパーストレートを保持するように構成されたスーパーストレートホルダと、を備え、
前記第２領域は、前記第１領域より大きく、
前記スーパーストレートホルダは、前記隣接領域と前記スーパーストレートとの間の第１ギャップおよび前記基板と前記スーパーストレートとの間の第２ギャップを形成している前記基板ホルダに面し、
前記装置は、更に、前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間のガス供給システムを備え、
前記スーパーストレートホルダは、前記第１ギャップを小さくし、前記第２ギャップを大きくするように、保持された前記スーパーストレートの形状を変更する。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記ガス供給システムは、前記基板ホルダの前記隣接領域の中にある。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記隣接領域は、全周的に前記第１チャッキング領域を取り囲み、ガスの流れを前記基板から離れるように方向付ける少なくとも１つの凹部を含む。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記スーパーストレートの縁は、前記スーパーストレートの中心よりも前記隣接領域に近い。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、
前記スーパーストレートホルダは、保持された前記スーパーストレートの形状を凸形状に変更する。
【請求項６】
請求項４に記載の装置であって、
前記スーパーストレートホルダは、保持された前記スーパーストレートの形状を波形状に変更する。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１ギャップは、前記第２ギャップよりも、前記基板の中心から遠い。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記ガス供給システムは、複数のポートを含み、前記複数のポートは、前記隣接領域の縁と前記第１チャッキング領域との間にある。
【請求項９】
平坦化のための方法であって、
保持された基板から延びた表面領域を含む基板ホルダの上に保持された前記基板の表面から第１距離にスーパーストレートを位置決めすること、
前記スーパーストレートと前記基板ホルダの前記表面領域との間に第１距離を有する第１ギャップと、前記スーパーストレートと前記基板の前記表面との間に前記第１距離より大きい第２距離を有する第２ギャップと、の間にガスの流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整すること、および、
前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間の領域に、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートとの間を流れるガスを流すこと、を含む。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記第２ギャップは、前記第１ギャップよりも、前記基板の中心に近い。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記第１ギャップの前記第１距離は、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートの間の導入された前記ガスを保持する。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、
前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間の前記領域に前記ガスを流しながら前記第１ギャップの前記第１距離を小さくするように前記スーパーストレートの少なくとも一部を移動させること、を更に含む。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、
前記基板の前記表面と前記スーパーストレートとの間に前記ガスを導入した後に、前記第１ギャップの前記第１距離を大きくし、前記第２ギャップの前記第２距離を小さくするように前記スーパーストレートの前記形状を更に調整すること、および、
その後、前記基板の前記表面の上の成形性材料に接触するように前記スーパーストレートを下降させること、
を更に含む。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記第２距離は、前記第１距離の２倍である。
【請求項１５】
請求項９に記載の方法であって、
前記基板に隣接する、前記基板ホルダの前記表面領域における少なくとも１つのスロットを通して第２ガスを除去すること、を更に含む。
【請求項１６】
請求項９に記載の方法であって、
流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整することは、前記スーパーストレートを凸形状に曲げることを含む。
【請求項１７】
請求項９に記載の方法であって、
流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整することは、前記スーパーストレートを波形状に曲げることを含む。
【請求項１８】
物品を製造する方法であって、
保持された基板から延びた表面領域を有する基板ホルダの上に保持された前記基板の上に成形性材料を分配すること、
前記スーパーストレートと前記基板の前記表面領域との間に第１距離を有する第１ギャップと、前記スーパーストレートと前記基板の前記表面との間に前記第１距離より大きい第２距離を有する第２ギャップと、の間にガスの流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整すること、
前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間の領域に、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートとの間を流れるガスを流すこと、
前記第１ギャップの前記第１距離が前記第２ギャップの前記第２距離より大きいように前記スーパーストレートの前記形状を調整すること、
前記成形性材料を前記スーパーストレートと接触させること、および、
前記基板の上に平坦層が形成されるように前記成形性材料を硬化させること、を含む。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記物品は電子デバイスを含み、前記基板は半導体基板を含む。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記基板は、前記成形性材料が分配されるときに平坦ではない表面を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理に関し、より詳細には半導体製造における表面の平坦化に関する。
【背景技術】
【０００２】
平坦化技術は、半導体ウェハ上に電子デバイスを製造するのに有用である。そのような技術は、成形性材料をウェハ上に堆積させるための流体分配システムの使用を含みうる。スーパーストレートは、分配された材料がウェハ上で固化する前に、分配された材料を平坦化および／またはパターニングする。
【０００３】
しかしながら、スーパーストレートが基板上のディスペンス材料と接触すると、未充填欠陥などの欠陥が発生する可能性がある。ウェハ処理の全体について平坦化技術の改良が望まれている。
【発明の概要】
【０００４】
１つの側面において、装置は、基板を保持するように構成された基板ホルダを含みうる。前記基板ホルダは、第１領域を有する第１チャッキング領域、および、前記キャッキング領域から延びた隣接領域を含みうる。前記装置は、更に、スーパーストレートを保持するように構成されたスーパーストレートホルダを含みうる。前記スーパーストレートホルダは、第２領域を有する第２チャッキング領域を含みうる。前記第２領域は、前記第１領域より大きくてよく、前記スーパーストレートホルダは、前記隣接領域と前記スーパーストレートとの間の第１ギャップおよび前記基板と前記スーパーストレートとの間の第２ギャップを形成している前記基板ホルダに面する。前記装置は、更に、前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間のガス供給システムを含みうる。前記スーパーストレートホルダは、前記第１ギャップを小さくし、前記第２ギャップを大きくするように、保持された前記スーパーストレートの形状を変更しうる。
【０００５】
他の側面において、前記ガス供給システムは、前記基板ホルダの前記隣接領域の中にありうる。
【０００６】
他の側面において、前記隣接領域は、全周的に前記第１チャッキング領域を取り囲んでよく、ガスの流れを前記基板から離れるように方向付ける少なくとも１つの凹部を含みうる。
【０００７】
更に他の側面において、前記スーパーストレートの縁は、前記スーパーストレートの中心よりも前記隣接領域に近くてよい。
【０００８】
他の側面において、前記スーパーストレートホルダは、保持された前記スーパーストレートの形状を凸形状に変更する。
【０００９】
更なる側面において、前記スーパーストレートホルダは、保持された前記スーパーストレートの形状を波形状に変更する。
【００１０】
他の側面において、前記第１ギャップは、前記第２ギャップよりも、前記基板の中心から遠い。
【００１１】
他の側面において、前記ガス供給システムは、複数のポートを含んでよく、前記複数のポートは、前記隣接領域の縁と前記第１チャッキング領域との間にあってよい。
【００１２】
他の側面において、平坦化のための方法は、基板の表面から第１距離にスーパーストレートを位置決めすることを含みうる。前記基板は、基板ホルダの上に保持されうる。前記基板ホルダは、保持された前記基板から延びた表面領域を含みうる。前記平坦化のための方法は、更に、第１ギャップと第２ギャップとの間にガスの流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整することを含みうる。前記第１ギャップは、前記スーパーストレートと前記基板ホルダの前記表面領域との間に第１距離を有しうる。前記第２ギャップは、前記スーパーストレートと前記基板の前記表面との間に第２ギャップを有してよく、前記第２ギャップは、前記第１距離より大きい第２距離を有しうる。前記平坦化のための方法は、更に、前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間の領域にガスを流すことを含みうる。前記ガスは、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートとの間を流れうる。
【００１３】
他の側面において、前記第２ギャップは、前記第１ギャップよりも、前記基板の中心に近くてもよい。
【００１４】
前記第１ギャップの前記第１距離は、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートの間の導入された前記ガスを保持しうる。
【００１５】
他の側面において、前記平坦化のための方法は、更に、前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間の前記領域に前記ガスを流しながら前記第１ギャップの前記第１距離を小さくするように前記スーパーストレートの少なくとも一部を移動させること含みうる。
【００１６】
他の側面において、前記平坦化のための方法は、更に、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートとの間に前記ガスを導入した後に、前記第１ギャップの前記第１距離を大きくし、前記第２ギャップの前記第２距離を小さくするように前記スーパーストレートの前記形状を更に調整すること、および、その後、前記基板の前記表面の上の成形性材料に接触するように前記スーパーストレートを下降させること含みうる。
【００１７】
１つの側面において、前記第２距離は、前記第１距離の２倍であってもよい。
【００１８】
１つの側面において、前記平坦化の方法は、更に、前記基板に隣接する、前記基板ホルダの前記表面領域における少なくとも１つのスロットを通して第２ガスを除去すること含みうる。
【００１９】
他の側面において、流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整することは、前記スーパーストレートを凸形状に曲げることを含みうる。
【００２０】
他の側面において、流れの抵抗を形成するように前記スーパーストレートの形状を調整することは、前記スーパーストレートを波形状に曲げることを含みうる。
【００２１】
１つの側面において、物品を製造する方法は、基板の上に成形性材料を分配することを含みうる。前記基板は、基板保持部の上に保持されうる。前記基板ホルダは、保持された前記基板から延びた表面領域を有しうる。物品を製造する前記方法は、更に、第１ギャップと第２ギャップとの間にガスの流れの抵抗を形成するようにスーパーストレートの形状を調整することを含みうる。前記第１ギャップは、前記スーパーストレートと前記基板の前記表面領域との間に第１距離を有してよく、前記第２ギャップは、前記スーパーストレートと前記基板の前記表面との間に第２距離を有してよく、前記第２距離は、前記第１距離より大きくてよい。物品を製造する前記方法は、更に、前記第１ギャップと前記第２ギャップとの間の領域にガスを流すことを含んでよく、前記ガスは、前記基板の前記表面と前記スーパーストレートとの間を流れうる。物品を製造する前記方法は、更に、前記第１ギャップの前記第１距離が前記第２ギャップの前記第２距離より大きいように前記スーパーストレートの前記形状を調整すること、前記成形性材料を前記スーパーストレートと接触させること、および、前記基板の上に平坦層が形成されるように前記成形性材料を硬化させることを含みうる。
【００２２】
他の側面において、前記物品は電子デバイスを含んでよく、前記基板は半導体基板を含んでよい。
【００２３】
他の側面において、前記基板は、前記成形性材料が分配されるときに平坦ではない表面を有しうる。
【００２４】
実施形態は例として示されており、添付の図面に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】例示的なインプリントリソグラフィシステムの側面図。
【図２】パターニングされた層を形成した後の、一実施形態による、変動するトポグラフィおよびスーパーストレートを有するデバイス基板の断面図。
【図３】平坦化前駆体材料を分配した後の図２の基板およびスーパーストレートの断面図。
【図４】スーパーストレートが１つの実施形態に従って調整されたときの図３の基板およびスーパーストレートの断面図。
【図５】平坦化層を形成した後の図４の基板、パターニングされた層およびスーパーストレートの断面図。
【図６】スーパーストレートが他の実施形態に従って調整されたときの図３の基板およびスーパーストレートの断面図。
【図７】１つの実施形態に従う隣接領域の上面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
当業者であれば、図中の要素は単純化および明瞭化のために示されており、必ずしも一定の縮尺で描かれていないことを理解するであろう。例えば、図中の要素のいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解を向上させるのを助けるために他の要素に対して誇張されている場合がある。
【００２７】
図面と組み合わせた以下の説明は、本明細書に開示される教示を理解するのを助けるために提供される。以下の説明は、本教示の具体的な実装形態および実施形態に焦点を合わせるであろう。この焦点は、教示を説明するのを助けるために提供されており、教示の範囲または適用性に対する限定として解釈されるべきではない。
【００２８】
他に定義されない限り、本明細書で使用されるすべての技術的および科学的用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有する。材料、方法、および実施例は例示的なものにすぎず、限定的であることを意図しない。本明細書に記載されていない範囲で、特定の材料および処理行為に関する多くの詳細は従来通りであり、インプリントおよびリソグラフィの分野の教科書および他の出典に見出すことができる。
【００２９】
図１を参照する。本明細書に記載された実施形態に従う装置１０は、平坦化に備えて基板１２の上の環境の制御において使用されうる。基板１２は、シリコンウェハなどの半導体基材であってもよいが、ガラス、サファイア、スピネルなどの絶縁基材を含んでもよい。基板１２は、基板ホルダ１４に結合されうる。基板ホルダ１４は、真空チャックであってもよいが、他の実施形態では、基板ホルダ１４は、真空、ピン型、溝型、静電式、電磁式などを含む任意のチャックでありうる。基板１２および基板ホルダ１４は、更にステージ１６によって支持されてもよい。ステージ１６は、Ｘ、Ｙ、またはＺ方向について並進運動または回転運動を提供してもよい。基板１２および基板ホルダ１４は、全周にわたって隣接領域２０によって取り囲まれてもよい。一実施形態では、隣接領域２０は、基板ホルダ１４の一部である単一部分であってもよい。他の実施形態において、隣接領域２０は、基板ホルダ１４から離れた分離された部分であってもよい。隣接領域２０は、長方形、円形、六角形、または他の任意の幾何学的形状とすることができる。一実施形態では、隣接領域２０は少なくとも１つの凹部２２を含みうる（図７）。一実施形態では、少なくとも１つの凹部２２は、基板１２および基板ホルダ１４に隣接する内縁から該内縁の反対側の外縁まで延びる。ステージ１６、基板１２、基板ホルダ１４、および隣接領域２０は、ベース（図示せず）上に位置決めされうる。
【００３０】
基板１２から離間してスーパーストレート１８があってもよい。とりわけ、スーパーストレート１８は、基板１２の周囲の雰囲気の制御において使用されうる。スーパーストレート１８は、スーパーストレートホルダ２８に結合されうる。スーパーストレート１８は、スーパーストレートホルダ２８によって保持され、スーパーストレート１８の形状は、スーパーストレートホルダ２８によって調整されうる。一実施形態では、スーパーストレートホルダ２８は、スーパーストレート１８を保持し調整するのを助けるために圧力システム６０を含みうる。スーパーストレートホルダ２８は、スーパーストレート１８をチャッキング領域７０内において保持するように構成されうる。スーパーストレートホルダ２８は、真空型、ピン型、溝型、静電型、電磁石型、または他の同様のホルダタイプとして構成されうる。一実施形態では、スーパーストレートホルダ２８またはインプリントヘッド２６がスーパーストレート１８のＸ、Ｙ、またはＺ方向について並進運動または回転運動を可能にするように、スーパーストレートホルダ２８は、インプリントヘッド２６に結合されうる。圧力システム６０は、スーパーストレート１８の形状修正を可能にするようにスーパーストレートホルダ２８に結合されうる。一実施形態では、圧力システム６０は、スーパーストレート１８の形状を調整するように正の圧力または真空のいずれかの圧力をホルダ２８の様々なゾーンに与えることによってスーパーストレート１８の形状を調整するように使用されうる。一実施形態では、圧力システム６０は、正の圧力と真空の両方の組み合わせを、スーパーストレートホルダ２８の様々なゾーンに与える。
【００３１】
一実施形態では、スーパーストレート１８は、基板１２、基板ホルダ１４、および隣接領域２０よりも大きい表面積を有することができる。別の実施形態では、スーパーストレートは、基板１２よりも大きい表面積を有することができる。一実施形態では、スーパーストレートホルダ２８のチャッキング領域は、基板ホルダ１４のチャッキング領域よりも大きくすることができる。例えば、直径３００ｍｍの基板１２については、スーパーストレートは、４５０ｍｍ〜６００ｍｍの直径を有することができる。一実施形態では、スーパーストレート１８は、基板１２の直径の２倍の直径を有することができる。一実施形態では、スーパーストレート１８は、基板１２の直径より少なくとも５％大きい直径、または、基板１２の直径より少なくとも１０％、または、少なくとも２０％、または、少なくとも２５％、または、少なくとも４０％、または、少なくとも５０％大きい直径を有することができる。
【００３２】
一実施形態では、スーパーストレート１８は、本体を含むことができる。本体は、ガラス系材料、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、フルオロカーボンポリマー、サファイア、スピネル、他の類似の材料、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。ガラス系材料は、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、アルカリバリウムケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、石英、合成溶融シリカなどを含むことができる。スーパーストレート１８は、堆積酸化物、陽極酸化アルミナ、有機シラン、有機ケイ酸塩材料、有機ポリマー、無機ポリマー、およびそれらの任意の組み合わせを含むことができる。本体は、３０ミクロメートルから２０００マイクロメートルの範囲内の厚さを有することができる。
【００３３】
装置１０は、基板１２とスーパーストレート１８との間にヘリウムなどのパージガスを供給するために使用されるパージガスシステム２４を更に含むことができる。一実施形態では、パージガスシステムは、隣接領域２０に接続されうる。別の実施形態では、パージガスシステム２４は、基板１２とスーパーストレート１８との間にパージガスを供給するための様々な導管２１を含みうる。一実施形態では、様々な導管２１は、隣接領域２０内にあり、隣接領域内に開口部を有することができる。一実施形態では、パージガスはヘリウムとすることができる。装置１０は、基板１２の第１面４４上に平坦化前駆体材料３４を堆積させるために使用される流体分配（分注）システム３２を更に含むことができる。例えば、平坦化前駆体材料３４は、樹脂などの重合性材料を含むことができる。平坦化前駆体材料３４は、液滴分配、スピンコーティング、ディップコーティング、押出しコーティング、またはそれらの組み合わせなどの技法を使用して、１つまたは複数の層で基板１２上に配置することができる。平坦化前駆体材料３４は、スーパーストレート１８と基板１２との間に所望の体積が画定される前に、基板１２上に分配（分注）されうる。一実施形態において、平坦化前駆体材料３４は、紫外線、熱などを用いて硬化されうるモノマー混合物を含みうる。
【００３４】
装置１０は、経路４２に沿って直接エネルギー４０に結合されたエネルギー源３８を更に含むことができる。ヘッド２６およびステージ１６は、経路４２と重ね合わせてスーパーストレート１８および基板１２を位置決めするように構成されうる。装置１０は、ステージ１６、パージガスシステム２４、ヘッド２６、流体分配システム３２、またはエネルギー源３８と通信する論理要素５４によって調整されてもよく、任意選択でメモリ５６に記憶されたコンピュータ可読プログラム上で動作してもよい。論理素子５４は、プロセッサ（例えば、マイクロプロセッサまたはマイクロコントローラの中央処理装置）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）などとすることができる。プロセッサ、ＦＰＧＡ、またはＡＳＩＣは装置内にありうる。別の実施形態（図示せず）では、論理要素は、装置１０の外部のコンピュータとすることができ、装置１０と双方向に結合される。
【００３５】
図２〜図５は、スーパーストレート１８がリソグラフィシステムにおいて平坦化に備えて基板１２の上の環境を制御するのに使用されるプロセスを示している。図２〜図５の特徴は、理解を容易にするために誇張されている。図２は、表面３１を有する半導体ウェハなどの基板１２、および、基板１２の表面３１の上のパターニングされた層３３の断面図を含んでいる。パターニングされた層３３は、既に形成されたデバイス層またはレジスト層でありうる。
【００３６】
図２から分かるように、パターニングされた層３３は、その表面３１にわたって完全に平坦ではないかもしれず、変動しているかもしれない。パターニングされた層３３のトポグラフィの変動は、パターニングが始まる前の基板１２の平坦性の変動に起因するかもしれないし、製造工程中の堆積およびパターニングにおける平坦性に起因するかもしれない。平坦化プロセスを実行することによって、いずれの非平坦性の原因も軽減され、それによって欠陥が減少し、最終的な積層体における均一性が増す。更に図２を参照すると、基板ホルダ１４は、基板１２をチャックするように構成されたチャッキング領域６８と、チャッキング領域６８を越えて延びる表面を有する隣接領域６４とを含みうる。一実施形態において、スーパーストレートホルダ２８のチャッキング領域７０は、基板ホルダ１４のチャッキング領域６８よりも大きいかもしれない。
【００３７】
図１および図３を参照する。装置１０を用いて、パターニングされた層３３の上に、平坦化前駆体材料３４が形成されうる。平坦化前駆体材料３４のために液滴吐出法を用いる場合、流体ドロップレットパターンに従ってパターニングされた層３３の上に平坦化前駆体材料３４の流体ドロップレットを分配しながら、基板１２および流体分配システム３２の流体分配ポートが相対的に移動する。パターニングされた層３３の上に平坦化前駆体材料３４が堆積された後、基板１２とスーパーストレート１８との間の雰囲気６２を制御することが望ましいかもしれない。スーパーストレートと基板との間の雰囲気６２を制御することは、平坦化前駆体材料３４を形成する、および／または、その後に、形成された層内、または、形成された層とスーパーストレートとの間に捕捉される、ガスおよび／またはガスポケットの悪影響を回避できる。例えば、ヘリウムのようなパージガスが、例えば大気のようなガスを置換しうる。スーパーストレートが成形性材料と接触すると、スーパーストレートと成形性材料との間に閉じ込められた空気が未充填不良を引き起こす可能性がある。しかしながら、Ｈｅのような、大気よりも小さな分子を有するパージガスは、大気中に見られるより大きな分子、すなわちＮ２またはＯ２よりも、ガラススーパーストレートを通ってより容易に消散しうる。したがって、雰囲気を制御することによって、ガスの捕捉およびその結果としての未充填不良を減らすことができる。
【００３８】
このような雰囲気制御を容易にするために、より具体的には、大気への、または、スーパーストレート１８と基板１２との領域へのパージガスの流れを容易にするために、領域６２から離れるガスの流れに対する抵抗を形成するスーパーストレート１８自体の形状が調整されうる。図１、図４、図５および図６を参照すると、スーパーストレートホルダ２８は、第１期間中に隣接領域２０とスーパーストレート１８との間に第１ギャップＤ１を形成し、また、基板１２とスーパーストレート１８との間に第２ギャップＤ２を形成するように、スーパーストレート１８の形状を調整しうる。Ｄ１がＤ２よりも小さい場合、ギャップＤ１でのスーパーストレート１８と基板１２との間のガスの流れに対してより大きい抵抗があり、ギャップＤ２の領域へのガスの流れの抵抗が小さい。これは、ギャップＤ２領域または雰囲気を例えばパージガスで満たすこと、および維持することの双方を容易にする。一実施形態では、スーパーストレートホルダ２８は、スーパーストレート１８を基板１２（図４）に面する凸形状に調整しうる。一実施形態では、圧力システム６０は、矢印で示すように、あるゾーンではスーパーストレート１８に圧力を加えず、また、正の圧力を加え、それと異なるゾーンでは真空圧を加える。図４の一実施形態では、スーパーストレートホルダ２８がスーパーストレート１８を調整すると、第１ギャップＤ１は減少し、第２ギャップＤ２は増加する。別の実施形態では、スーパーストレートホルダ２８は、スーパーストレート１８を基板１２に面する波形に調整しうる（図６）。一実施形態では、圧力システム６０は、第１ゾーンに真空圧力、第２ゾーンに真空圧力、第３ゾーンに正の圧力を加える。ここで、第３ゾーンは、第１ゾーンと第２ゾーンとの間にある。一実施形態では、第２ギャップＤ２は、第１ギャップＤ１の距離の２倍の距離を有するかもしれない。別の実施形態では、第２ギャップＤ２は、Ｄ１よりも、基板１２の中心に近いかもしれない。所与のガスの流れおよび雰囲気体積について、第１ギャップＤ１の距離は、所望の流動抵抗を達成するように選択されうる。一実施形態では、第１ギャップＤ１は、少なくとも１マイクロメートルまたは５マイクロメートルまたは１０マイクロメートルまたは２０マイクロメートルまたは４０マイクロメートルまたは５０マイクロメートルでありうる。一実施形態では、第１ギャップＤ１は、５００マイクロメートル以下、４５０マイクロメートル以下、または３００マイクロメートル以下、または１００マイクロメートル以下でありうる。一実施形態では、第２ギャップＤ２は、少なくとも０．８ｍｍ、１ｍｍ、または１．５ｍｍでありうる。一実施形態では、第２ギャップＤ２は、３ｍｍまたは２．５ｍｍまたは２ｍｍまたは１．８ｍｍ以下でありうる。
【００３９】
スーパーストレートホルダ２８は、ガス供給システム２４がパージガスを第１ギャップＤ１と第２ギャップＤ２との間に流す第２期間中、スーパーストレート１８を調整位置に保持しうる。言い換えれば、スーパーストレートホルダ２８の影響を受けるようにスーパーストレート１８の形状を変化させると、Ｄ２に向かうガスの流れを容易にし、Ｄ１の外側へのガスの流れを制限するように、Ｄ１の距離を減少させ、Ｄ２の距離を増加させうる。一実施形態では、ガス供給システム２４は、１〜２０秒の間で、パージガスを流してもよい。一実施形態では、パージガスはヘリウムでありうる。別の実施形態では、パージガスは、ヘリウム、水素、窒素、二酸化炭素、およびキセノンを含むガスの群から選択されるガスでありうる。パージガスは、隣接領域２０内の１つまたは複数の導管２１を介して第１ギャップＤ１と第２ギャップＤ２との間に導入することができる。一実施形態では、１つまたは複数の導管２１は、基板１２を全周的に取り囲みうる。別の実施形態では、１つまたは複数の導管２１は、隣接領域２０内に分散パターンで配置されうる。更に別の実施形態では、１つまたは複数の導管２１は、第１間隙Ｄ１と第２間隙Ｄ２との間にありうる。
【００４０】
調整がないと、第１ギャップＤ１は第２ギャップＤ２より大きくなり、ガスシステムは、基板１２の中心の周りにパージガスを流し維持することがより困難になるであろう。しかし、スーパーストレートホルダ２８を含む圧力システム３０は、スーパーストレート１８を変形位置において調整し保持するので、スーパーストレート１８は、基板１２／隣接領域２０とスーパーストレート１８との間の環境のパージガスの流れのダイナミクスに影響を及ぼし、第２ギャップＤ２の近傍においてパージガスが中心に向かって速く流れるようにする。加えて、第１ギャップＤ１を減少させることにより、スーパーストレートホルダ２８は、パージガスを充填しかつパージガスがスーパーストレート１８と基板１２との間の領域内に閉じ込められたままとなるようにパージガスの流れを制限することによって、第１ギャップＤ１と第２ギャップＤ２との間の雰囲気を促進し維持する。更なる実施形態では、スーパーストレートホルダ２８は、ホルダ１２の中心付近の領域を基板１２から上方に離れるように調整し、パージガスがスーパーストレート１８と基板１２との間の領域へ進入することを更に容易にするように局所的な真空を生成する。
【００４１】
更に、スーパーストレート１８を調整することによって、ガス供給システム２４はスーパーストレート１８と基板１２との間のパージガスの量を減らすことができる。ガス供給システム２４がパージガスを第２ギャップＤ２に向かって流すので、システム内に既に存在するガス、即ち、雰囲気および／またはパージガスが、第２ギャップＤ２を通して基板１２から離れるように流れうる。一実施形態では、ガス供給システム２４がパージガスを第２ギャップＤ２に向かって流すので、雰囲気ガスは、基板１２から離れるように隣接領域２０を通して流れうる。一実施形態では、隣接領域２０は、基板ホルダ１６を全周的に取り囲みうる。一実施形態では、凹部２２は、基板ホルダ１６に隣接する内面から外縁まで延びうる。一実施形態では、隣接領域２０は、基板１２から離れる方向にガスの流れを向けるように構成された少なくとも１つの凹部２２を有しうる。隣接領域２０は、基板ホルダ１６から分離した１つの部分、または、基板ホルダ１６の連続した部分でありうる。
【００４２】
図１および図５を参照すると、基板１２とスーパーストレート１８との間にパージガスを流した後、スーパーストレートホルダ２８は、スーパーストレート１８が実質的に平坦または平面になるようにスーパーストレート１８を調整しうる。別の実施形態では、基板１２とスーパーストレート１８との間にパージガスを流した後、スーパーストレートホルダ２８は、スーパーストレート１８が凹形状になるようにスーパーストレート１８を調整しうる。一実施形態では、第３期間中、第２ギャップＤ２は第１ギャップＤ１より小さくてもよい。スーパーストレート１８は、平坦化前駆体材料３４と接触させることができ、平坦化前駆体材料３４は、スーパーストレート１８とパターニングされた層３３との間の空間に広がり、その空間を満たす。平坦化前駆体材料３４は、平坦化層５０（図５）を形成するように硬化しうる（例えば、光硬化または熱硬化）。平坦化層５０を形成した後、スーパーストレート１８を基板１２およびパターニングされた層３３から分離されうる。
【００４３】
一般的な説明または実施例において上記で説明されたすべての動作が必要とされるわけではなく、特定の動作の一部が必要とされないこと、および説明された動作に加えて１つまたは複数のさらなる動作が行われうる。更に、動作が列挙される順序は必ずしもそれらが実行される順序ではない。
【００４４】
利益、他の利点、および問題に対する解決策は、特定の実施形態に関して上記で説明されている。ただし、利益、利点、問題の解決策、および利益、利点、解決策が発生またはより顕著になる可能性のある機能は、いずれかの重要な、必須の、または本質的な特徴として解釈されるべきではない。
【００４５】
すべての本明細書に記載された実施形態の明細書および例示は、様々な実施形態の構造の一般的な理解を提供することを意図している。明細書および図解は、本明細書に記載の構造または方法を使用する装置およびシステムのすべての要素および特徴の網羅的かつ包括的な説明として役立つことを意図するものではない。別々の実施形態はまた、単一の実施形態において組み合わせて提供されてもよく、逆に、簡潔にするために単一の実施形態の文脈で説明されている様々な特徴もまた別々にまたは任意のサブコンビネーションで提供されうる。更に、範囲で述べられた値への言及は、その範囲内のあらゆる値を含む。本明細書を読んだ後においてが、他の多くの実施形態が当業者には明らかであろう。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的置換、論理的置換、または他の変更を行うことができるように、他の実施形態を使用して本開示から導き出すことができる。したがって、本開示は限定的ではなく例示的とみなされるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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