(57)【要約】【課題】半導体層とソース・ドレイン電極との電気的接触抵抗が低く、半導体層のパターニング性が良いため簡易に作製可能であり、トランジスタ特性が良好である薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを備える画像表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極およびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ第１の金属層と、第１の金属層の側面に積層された第２の金属層とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とを含む薄膜トランジスタであって、
前記ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ第１の金属層と、前記第１の金属層の側面に積層された第２の金属層とを含む、薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第２の金属層が、銀、金、白金、パラジウム、銅のいずれかを含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第１の金属層が、モリブデンまたはモリブデンの合金を含む、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第２の金属層に表面修飾処理がなされている、請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第１の金属層および前記第２の金属層のそれぞれに、異なる表面修飾処理がなされている、請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁性の基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、有機半導体層を形成する工程とを有し、
前記ソース電極およびドレイン電極を形成する工程は、
第１の金属層が形成された後、前記第１の金属層の側面に第２の金属層が積層される工程と、前記第１の金属層および前記第２の金属層に表面処理を行う工程とを有する、薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜トランジスタを用いた画像表示媒体を含む、画像表示装置。
【請求項８】
前記画像表示媒体は、電気泳動方式で表示する電気泳動体である、請求項７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜トランジスタを用いた、センサー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在半導体材料の主流はシリコン系（Ｓｉ系）である。シリコン系材料を用いて半導体層を形成する方法としては、シリコンをスパッタやＣＶＤ等のドライ法で成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングする方法が一般的である。
【０００３】
一方で、フレキシブル化、軽量化、低コスト化などの観点から有機半導体を用いたトランジスタ（有機トランジスタ）の研究が盛んになっている（非特許文献１参照）。一般に有機半導体を用いる場合、ウェット法である印刷プロセスが可能となる。この印刷技術を用いることで、フォトリソグラフィー法よりも装置や製造上のコストが下がり、また、真空や高温を必要としないことから、プラスチック基材が利用できるなどのメリットが挙げられる。
【０００４】
その応用分野は広く、薄型、軽量の電子ペーパーのようなフレキシブルディスプレイに限らず、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグやセンサーなどへの応用も見込まれている。
【０００５】
このような理由により、現在では有機半導体を用いたトランジスタが注目されている。
【０００６】
有機半導体を有するトランジスタでは、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース・ドレイン電極層が形成されている基板に有機半導体層を形成するボトムコンタクト型トランジスタが用いられる。ボトムコンタクト型トランジスタには、有機半導体層を形成後に、電極層の形成プロセスがないため、有機半導体層が化学的、物理的ダメージを受けにくいという利点がある。
【０００７】
しかしながら、有機半導体を用いたトランジスタには、上記のような利点があるが、有機半導体層と電極との間に大きな電気的接触抵抗が介在するためＴＦＴ特性が低いという問題点がある。
【０００８】
このような問題を解決するため、ソース・ドレイン電極に酸化物層／金属層の積層構成を用いる方法が検討されている。その方法では、酸化物層に電荷注入性のよい材料を用いて、電極層−有機半導体層間の電荷注入障壁を下げようと試みられている（特許文献１）。
【０００９】
さらには、金属電極を例えば末端にチオール基を有する有機化合物で表面修飾して有機薄膜層を形成し、金属電極表面の濡れ性や仕事関数を制御する試みもなされている。特許文献２では、金属と化学的結合を生じる官能基を有する電極表面処理剤を用いたＴＦＴが示されている。
【００１０】
また、ソース・ドレイン電極の材料としては仕事関数の大きい金（Ａｕ）のような貴金属が使用されてきたが、金はコストが高く、パターニングが困難であり、トランジスタアレイのような大きな面積のものを形成するには不向きである。
【００１１】
また、電極層を積層する場合、工程数が増加することや位置あわせの精度が必要となるなど、プロセスの難易度が上がってしまうという問題点もある。
【００１２】
さらには、半導体層に印刷法を用いる場合、ソース・ドレイン電極、絶縁膜層の濡れ性の影響が大きいことからそれぞれの層の濡れ性を制御することが重要となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１０−００３７４７号公報
【特許文献２】特開２００８−０６０１１７号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Ｆｒａｎｃｉｓ  Ｇａｒｎｉｅｒ，  ｅｔ  ａｌ．，  “Ａｌｌ−Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  Ｒｅａｌｉｚｅｄ  ｂｙ  Ｐｒｉｎｔｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ”，  Ｓｃｉｅｎｃｅ  Ｖｏｌ．２６５、１６８４（１９９４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、半導体層とソース・ドレイン電極との電気的接触抵抗が低く、半導体層のパターニング性が良いため簡易に作製可能であり、トランジスタ特性が良好である薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び該薄膜トランジスタを備える画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するための本発明の一局面は、絶縁性の基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とを含む薄膜トランジスタであって、ソース電極およびドレイン電極は、それぞれ第１の金属層と、第１の金属層の側面に積層された第２の金属層とを含む、薄膜トランジスタである。
【００１７】
また、第２の金属層が、銀、金、白金、パラジウムのいずれかを含んでもよい。
【００１８】
また、第１の金属層が、モリブデンまたはモリブデンの合金を含んでもよい。
【００１９】
また、第２の金属層に表面修飾処理がなされていてもよい。
【００２０】
また、第１の金属層および第２の金属層のそれぞれに、異なる表面修飾処理がなされていてもよい。
【００２１】
また、本発明の他の局面は、絶縁性の基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁層を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、有機半導体層を形成する工程とを有し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程は、第１の金属層が形成された後、第１の金属層の側面に第２の金属層が積層される工程と、第１の金属層および第２の金属層に表面処理を行う工程とを有する、薄膜トランジスタの製造方法である。
【００２２】
また、本発明の他の局面は、上述の薄膜トランジスタを用いた画像表示媒体を含む、画像表示装置である。
【００２３】
また、画像表示媒体は、電気泳動方式で表示する電気泳動体であってもよい。
【００２４】
また、本発明の他の局面は、上述の薄膜トランジスタを用いた、センサー装置である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、半導体層とソース・ドレイン電極間との電気的接触抵抗が低く、半導体層のパターニング性が良いため簡易に作製可能であり、トランジスタ特性が良好である薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを備える画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜トランジスタの断面図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る薄膜トランジスタの断面図
【図３】本発明の第３の実施形態に係る薄膜トランジスタの断面図
【図４】本発明の薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極の形成方法を示す模式図
【図５】比較例に係る薄膜トランジスタの断面図
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて詳細に説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
図１に、本発明の第１の実施形態に係る薄膜トランジスタ１００の断面図を示す。薄膜トランジスタ１００は、基板１と、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、ソース電極４と、ドレイン電極５と、ソース電極４とドレイン電極５との間に積層された半導体層６と、半導体層６上に積層された保護層７とを含む。ソース電極４およびドレイン電極５は、それぞれ後述する第１の金属層８と、第１の金属層８の側面に積層して形成された第２の金属層９とを含む。次に、薄膜トランジスタ１００の製造方法及び各構成について説明をする。
【００２９】
初めに、絶縁性の基板１を準備する。基材１に用いる材料は特に限定されるものではないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネートなどのフレキシブルなプラスチック材料、石英などのガラス基材やシリコンウェハーなどがある。
【００３０】
次に、基板１上にゲート電極２を形成する。ゲート電極２に用いる材料は特に限定されるものではないが、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ等の金属や、ＩＴＯ等の透明導電膜を使用することができる。ゲート電極２の形成方法としては、蒸着やスパッタ成膜後にフォトリソグラフィー法で形成してもよいが、印刷法（スクリーン印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、反転オフセット印刷等）を用いることができる。印刷を用いる場合、銀（Ａｇ）インク、ニッケル（Ｎｉ）インク、銅（Ｃｕ）インク等を用いることができる。特に、フレキソ印刷、反転オフセット印刷は、薄膜印刷が可能で平坦性に優れており、ゲート電極２の形成方法として好適である。
【００３１】
次に、基板１、ゲート電極２上にゲート絶縁膜３を形成する。ゲート絶縁膜３の材料は酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化イットリウム（ＹＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）などの酸化物系絶縁材料や窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯＮ）や、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のポリアクリレート、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）等の樹脂材料、ポリシルセスキオキサン（ＰＳＱ）のような有機／無機ハイブリッド樹脂を使用することができるが、これらに限定されるものではない。これらは単層であっても、２層以上積層してもよいし、成長方向に向けて組成を傾斜したものでも構わない。
【００３２】
ゲート絶縁膜３の形成方法については、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、レーザーアブレーション法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、ホットワイヤーＣＶＤ法等の真空成膜法や、スピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法等のウェット成膜法等を適宜材料に応じて用いることが出来る。
【００３３】
次に、ゲート絶縁膜３の上に第１の金属層８と第２の金属層９とを含むソース電極４およびドレイン電極５を形成する。第１の金属層８の材料には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）やその他ＭｏＮｂのようなモリブデン合金などの金属材料を用いることができる。
【００３４】
第１の金属層８は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。パターン形成部分をレジストにより保護し、エッチングによって不要部分を除去して行う。エッチング工程後に第２の金属層９の形成を行い、その後に第１の金属層８上のレジストを剥離する。
【００３５】
第２の金属層９の材料には、銀、金、白金、パラジウムを用いることができる。これら貴金属系の金属は仕事関数が大きく、有機半導体への正孔注入障壁が小さくなり、好ましい。また、表面修飾層を形成することでさらに接触抵抗を小さくすることが可能である。第２の金属層９を形成する方法としては、特に限定されるものではないが、第２の金属塩の水溶液に浸漬させる方法が挙げられる。
【００３６】
第２の金属層９を側面のみに積層して形成し、特に仕事関数の大きい貴金属系の金属を選択することで有機半導体材料への正孔注入障壁が小さくなることで、接触抵抗が小さくなる。また、上面となる第１の金属層８上に第２の金属層９とは異なる疎水性の大きい表面修飾処理層を形成することができ、その後に形成する半導体層６の印刷性を向上させることが可能となる。
【００３７】
第１の金属層８上への表面修飾層１０の形成には、金属層または酸素原子との親和性を有し、表面修飾を施すことのできる各種材料を用いることができる。有機薄膜層に用いることができる材料のなかでも、好ましくは自己組織化単分子膜（ＳＡＭｓ）剤として知られる材料が好適ある。
【００３８】
第１の金属層および第２の金属層のそれぞれに表面修飾層を行ってもよい。図２に、第２の金属層９の側面に表面修飾層１１を設けたソース電極４およびドレイン電極５を備える第２の実施形態に係る薄膜トランジスタ１０１の断面図を示す。また、図３に、第１の金属層８の上面に表面修飾層１０を設けるとともに、第２の金属層９の側面に表面修飾層１１を設けたソース電極４およびドレイン電極５を備える第３の実施形態に係る薄膜トランジスタ１０２の断面図を示す。
【００３９】
表面修飾層１０に用いる材料としては、フッ素原子、フェニル基を有するカルボン酸、ホスホン酸類、その他にはシランカップリング剤などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。半導体層６の印刷性を制御するためには疎水性の高いフッ素原子が含まれている方が好ましい。
【００４０】
第２の金属層９の側面に形成される表面修飾層１１の材料には、フッ素原子を含むチオール化合物などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。このような表面修飾材料を用いることで有機半導体への正孔注入を改善でき、電気的接触抵抗を下げることができる。
【００４１】
これら第１の金属層９及び第２の金属層１０上の表面修飾層１０、１１は、上述の有機薄膜層材料の溶液に第１の金属層９及び第２の金属層１０が形成された基板を浸漬させることによって行うことができる。また、その後加熱処理を行っても良い。
【００４２】
次に、ゲート絶縁膜３、ソース電極４およびドレイン電極５上に、ソース電極４とドレイン電極５とを接続するように半導体層６を形成する。半導体層６の材料としては、ペンタセン、テトラセン、フタロシアニン、ペリレン、チオフェン、ベンゾジチオフェン、アントラジチオフェン、およびそれらの誘導体のような低分子系有機半導体材料および、カーボンナノチューブのような炭素化合物、ポリチオフェン、ポリアリルアミン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子系有機半導体材料を用いることができるが、これらに限定されるものではない。半導体層６の形成方法としては、例えば、凸版印刷法、反転オフセット印刷法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコート法、スピンコート法等公知の方法を好適に用いることができる。また、フレキソ印刷も、大面積化が容易であるので好ましい。また、半導体層６の形状は特に限定されるものではなく、ドットなどの島状形状であっても、ソース配線に平行な向きのストライプ形状であっても良い。
【００４３】
次に、半導体層６上に保護層７を形成する。保護層７は半導体層６を保護するために形成される。保護層７は少なくとも半導体層６のチャネル部分と重なる領域を覆うように形成される必要がある。
【００４４】
保護層７の材料としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、ハフニウムアルミネート、酸化ジルコニウム、酸化チタン等の無機材料、または、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール）、フッ素系樹脂等の絶縁材料が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００４５】
保護層７の形成方法は、凸版印刷法、反転オフセット印刷法、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコート法、スピンコート法等公知の方法を好適に用いることができるが、工程が低温で、工程数が少なく、安価な印刷法で形成することが好ましい。特にスクリーン印刷はインク粘度の適用範囲が広く、インク材料選択性が高く、インク使用効率が高く、また、大面積化が容易であり好ましい。また、フレキソ印刷も、大面積化が容易であるので好ましい。また、保護層７の形状は特に限定されるものではなく、ドットなどの島状形状であっても、ソース配線に平行な向きのストライプ形状であっても良い。
【００４６】
＜画像表示装置＞
複数の薄膜トランジスタ１００、１０１、１０２をマトリクス状に配置することにより、薄膜トランジスタアレイとすることができる。薄膜トランジスタアレイは、画像表示媒体と組み合わせて画像表示装置に用いることができる。画像表示媒体としては、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置及び無機ＥＬ表示装置等の各画像表示媒体を用いることができる。画像表示装置としては電子ペーパー、有機ＥＬ表示装置または液晶表示装置に用いることができる。
【００４７】
また、本発明の薄膜トランジスタ１００、１０１、１０２は、圧力センサー、光学センサー、化学センサー、バイオセンサーなどのセンサー装置に用いることができる。以下、実施例を元に説明する。
【実施例１】
【００４８】
本発明の各実施形態に係る薄膜トランジスタアレイ基板を製造し、その評価を行った結果を示す。薄膜トランジスタ１０３の基材１の材料として、ポリイミド（宇部興産製）を用いた。基材１の上にアルミニウムをスパッタ法により１００ｎｍ成膜し、ポジレジストを用いたフォトリソグラフィー、エッチング、レジスト剥離によりゲート電極２を形成した。次にゲート電極２を形成した基材１の上にアクリル系樹脂をダイコーターにより塗布して、１８０℃で１時間乾燥させてゲート絶縁膜３を形成した。
【００４９】
次に、ソース電極４、ドレイン電極５の形成方法について、図４を用いて説明する。
初めに、図４の（ａ）に示すように、ゲート絶縁膜３の上にスパッタリング法によりＭｏＮｂ層３０を１００ｎｍ成膜した。
次に、図４の（ｂ）に示すように、ポジレジスト３１をスピンコートにより塗布した。次に、図４の（ｃ）に示すように、露光、現像を行い、レジスト３１をパターニングして、パターニングされたレジスト層３２を得た。次に、図４の（ｄ）に示すように、ＭｏＮｂ層３０のエッチングを行い、第１の金属層８をパターニングした。次に、図４の（ｅ）に示すように、０．１ｍＭの銀を含む水溶液に浸漬させ、第１の金属層８の側面に第２の金属層９を形成した。次に、図４の（ｆ）に示すように、レジスト３１を剥離した。次に、図４の（ｇ）に示すように、ペンタフルオロチオフェノール溶液（東京化成工業製）に浸漬させ、第２の金属層９の側面に第２の表面修飾層１１を形成した。次に、図４の（ｈ）に示すように、ペルフルオロオクタンホスホン酸をイソプロピルアルコールに溶解させ５ｍｍｏｌ溶液を作製し、１時間浸漬させ、ホットプレート１４０℃で１時間焼成し、第１の表面修飾層１０を形成した。このように、図４の（ａ）〜（ｈ）に示した工程を経て、ソース電極４及びドレイン電極５を形成した。
【００５０】
次に、半導体材料として、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）（Ａｌｄｒｉｃｈ製）をテトラリン（関東化学製）に２重量％で溶解させたものをインキとして用い、フレキソ印刷法にて半導体６を形成した。第１の表面修飾層１０は疎水性であるため、半導体材料がソース電極４、ドレイン電極５上面に塗れ広がることなく、良好に印刷可能であった。
【００５１】
次に、半導体層６上にフッ素樹脂をフレキソ印刷法によって塗布し、１００℃で乾燥して、保護層７とした。
【００５２】
製造した薄膜トランジスタ１０３のトランジスタ特性を測定した。測定は半導体パラメータアナライザーＢ１５００Ａ（アジレント製）を用いて行った。
【００５３】
測定の結果、このようにして作製された実施例１に係る薄膜トランジスタ１００において、トランジスタのＩｏｎとＩｏｆｆ電流値の比であるオンオフ比が１０４となり、良好なトランジスタ特性を示すことが確認できた。
【実施例２】
【００５４】
ソース電極４及びドレイン電極５の第１の表面修飾層１０がないこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタ１０１を作製した。第１の表面修飾層１０がないため、半導体層６のパターニングが第１の金属層８側に広がってしまったが、オンオフ比が１０４となり、良好なトランジスタ特性を確認することができた。
【実施例３】
【００５５】
ソース電極４及びドレイン電極５の第１の表面修飾層１０、第２の表面修飾層１１がないこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタ１０２を作製した。表面修飾層を形成していないため、電気的接触抵抗が高く、オンオフ比が１０３となったが、良好なトランジスタ特性を確認することができた。
【比較例】
【００５６】
比較例として、以下に説明する薄膜トランジスタを作製した。図５に、比較例に係る薄膜トランジスタ５００の断面図を示す。比較例に係る薄膜トランジスタ５００は、ソース電極２１、ドレイン電極２２の形成方法が異なること以外は実施例１と同様である。具体的には、ＭｏＮｂをスパッタリング法により１００ｎｍ成膜し、ポジレジストを用いた露光、現像、エッチング、レジスト剥離し、ソース電極２１、ドレイン電極２２とした。
【００５７】
その結果、半導体層とソース・ドレイン電極間の電気的接触抵抗が大きく、Ｉｏｎが小さく、オンオフ比１０２となり、良好なトランジスタ特性は得られなかった。
【００５８】
＜画像表示装置＞
実施例１、２、３で作製した薄膜トランジスタ１００〜１０２をマトリクス状に配置し、薄膜トランジスタアレイとし、対向電極との間に挟んだ電気泳動方式の画像表示媒体を駆動したところ、表示の切り換えも問題なく良好に表示可能であることが確認された。
【００５９】
比較例で作製した薄膜トランジスタ５００をマトリクス状に配置し、薄膜トランジスタアレイとし、対向電極との間に挟んだ電気泳動方式の画像表示媒体を駆動したところ、オンオフ比が小さく、良好な表示をすることができなかった。
【００６０】
＜電気的接触抵抗評価＞
実施例１、２、３、比較例それぞれの半導体層とソース・ドレイン電極間の接触抵抗の評価を行った。評価は、半導体パラメータアナライザーＢ１５００Ａ（アジレント製）を用いて、出力特性を測定し、その出力特性の結果からＴＬＭ法（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌｉｎｅ  Ｍｅｔｈｏｄ）を用いて、接触抵抗を算出した。接触抵抗の測定結果は、１０５Ωｃｍ以下であるものを「＋＋」、１０５Ωｃｍより大きく〜１０６Ωｃｍ未満のものを「＋」、１０６Ωｃｍ以上であるものを「−」として表１に示す。表１にはそれぞれのオンオフ比とその結果の判定を合わせて表記している。オンオフ比について、１０４以上である場合は良好で安定したトランジスタ特性を有するものとして「＋＋」で示し、オンオフ比が１０３のトランジスタ特性であったものは「＋」で示し、１０３未満である場合はトランジスタ特性が良好でないものとして「−」で示した。表１に示すように、第２の金属層９を形成し、表面修飾層を形成したものは最も良好な特性を示した。また、表面修飾層を形成しなかった場合でも、第２の金属層９を形成することにより良好な特性を示した。
【００６１】
【表１】
2020027897.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、画像表示装置、ＲＦＩＤタグ、センサー等に有用である。
【符号の説明】
【００６３】
１    基板
２    ゲート電極
３    絶縁膜層
４    ソース電極
５    ドレイン電極
６    半導体層
７    保護層
８    第１の金属層
９    第２の金属層
１０  第１の表面修飾層
１１  第２の表面修飾層
２１  ソース電極
２２  ドレイン電極
３０  スパッタ金属膜
３１  レジスト
３２  パターニングされたレジスト
１００、１０１、１０２、５００    薄膜トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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