(57)【要約】【課題】本発明は内部電極の端部に配置される酸化領域を調節することにより、信頼性を向上させることができる積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一実施形態によれば、誘電体層を含み、互いに対向する第１の面及び第２の面、上記第１の面と第２の面を連結する第３の面及び第４の面、及び上記第１の面から第４の面と連結され、且つ互いに対向する第５の面及び第６の面を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に配置され、上記第１及び第２の面に露出し、且つ上記第３の面又は第４の面に一端が露出する複数の内部電極と、上記第１の面及び第２の面に露出した上記内部電極の端部上に配置された第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部と、を含み、上記第１の面及び第２の面に露出した上記内部電極全体に対して１０％未満の内部電極の端部に酸化領域が配置された、積層セラミックキャパシタを提供する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含み、互いに対向する第１の面及び第２の面、前記第１の面と第２の面を連結する第３の面及び第４の面、及び前記第１の面から第４の面と連結され、且つ互いに対向する第５の面及び第６の面を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に配置され、前記第１及び第２の面に露出し、且つ前記第３の面又は第４の面に一端が露出する複数の内部電極と、
前記第１の面及び第２の面に露出した前記内部電極の端部上に配置された第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部と、
を含み、
前記第１の面及び第２の面に露出した前記内部電極全体において１０％未満の内部電極の端部に酸化領域が配置された、積層セラミックキャパシタ。
【請求項２】
前記第１及び第２のサイドマージン部はサイドマージン部の外側面に隣接した第１の領域と、前記第１の面及び第２の面に露出した内部電極に隣接した第２の領域に分けられ、前記第２の領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量が第１の領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量よりも多い、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項３】
前記第２の領域のマグネシウム（Ｍｇ）の含量は、前記第１及び第２のサイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）に対して１０モル以上３０モル以下である、請求項２に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項４】
前記複数の内部電極のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さに対して、最外側に配置される内部電極の末端と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さの比率が０．９以上１．０以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項５】
前記複数の内部電極のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さに対して、前記セラミック本体の角と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さの比率が０．９以上１．０以下である、請求項１から４のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項６】
前記誘電体層の厚さが０．４μｍ以下であり、前記内部電極の厚さが０．４μｍ以下である、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項７】
前記第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部は平均厚さが２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から６のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項８】
複数の第１の内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第１のセラミックグリーンシート及び複数の第２の内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第２のセラミックグリーンシートを設ける段階と、
前記第１の内部電極パターンと前記第２の内部電極パターンが交差するように前記第１のセラミックグリーンシートと前記第２のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層本体を形成する段階と、
前記第１の内部電極パターンと第２の内部電極パターンの末端が幅方向に露出した側面を有するように前記セラミックグリーンシート積層本体を切断する段階と、
前記第１の内部電極パターンと第２の内部電極パターンの末端が露出した側面に第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部を形成する段階と、
前記切断された積層本体を焼成して誘電体層と内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、
を含み、
前記セラミック本体の側面に露出した前記内部電極全体に対して１０％未満の内部電極の端部に酸化領域が配置された、積層セラミックキャパシタの製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２のサイドマージン部は、サイドマージン部の外側面に隣接した第１の領域と第１及び第２の内部電極に隣接した第２の領域に分けられ、前記第２の領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量は第１の領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量よりも多い、請求項８に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の領域のマグネシウム（Ｍｇ）の含量は、前記第１及び第２のサイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）に対して１０モル以上３０モル以下である、請求項９に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２のセラミックグリーンシートの厚さは０．６μｍ以下であり、第１及び第２の内部電極パターンの厚さは０．５μｍ以下である、請求項８から１０のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
【請求項１２】
前記内部電極のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さに対して、最外側に配置される内部電極の末端と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さの比率が０．９以上１．０以下である、請求項８から１１のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
【請求項１３】
前記内部電極のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さに対して、前記セラミックグリーンシート積層本体の角と接する前記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さの比率が０．９以上１．０以下である、請求項８から１２のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
【請求項１４】
前記第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部は、平均厚さが２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項８から１３のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部電極の端部に配置される酸化領域を調節することにより、信頼性を向上させることができる積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にキャパシタ、インダクタ、圧電素子、バリスタ又はサーミスタなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、本体の内部に形成された内部電極、及び上記内部電極と接続されるようにセラミック本体の表面に設置された外部電極を備える。
【０００３】
最近では、電子製品が小型化及び多機能化するにつれてチップ部品も小型化及び高機能化する傾向にあるため、積層セラミックキャパシタにおいてもサイズが小さく、且つ容量が大きい高容量の製品が求められている。
【０００４】
積層セラミックキャパシタの小型化及び高容量化のためには電極有効面積の最大化（容量の実現に必要な有効体積分率を増加）が求められる。
【０００５】
上記のように小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを実現するために、積層セラミックキャパシタを製造するにあたり、内部電極が本体の幅方向に露出するようにすることにより、マージンのない設計を通じて内部電極の幅方向の面積を最大化し、且つこのようなチップ製作後、焼成前段階でチップの幅方向の電極露出面にサイドマージン部を別途付着して完成する方法が適用されている。
【０００６】
しかし、上記方法においてサイドマージン部を形成する過程で、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面にボイド（ｖｏｉｄ）が多く生成されて信頼性が低下する可能性がある。
【０００７】
また、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面に生成されたボイド（ｖｏｉｄ）によって電界の集中が発生し、これにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が低くなるという問題が発生する。
【０００８】
また、上記ボイド（ｖｏｉｄ）によって外側の焼結緻密度の低下による耐湿信頼性の低下が引き起こされる可能性がある。
【０００９】
一般に、上記セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面に生成されたボイド（ｖｏｉｄ）を酸化膜で形成して絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）及び耐湿信頼性を向上させているが、その効果が十分でないという問題がある。
【００１０】
したがって、超小型及び高容量の製品において絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）及び耐湿信頼性の低下を防ぐことができる研究が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−０１３６９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、内部電極の端部に配置される酸化領域を調節することにより、信頼性を向上させることができる積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、誘電体層を含み、互いに対向する第１の面及び第２の面、上記第１の面と第２の面を連結する第３の面及び第４の面、及び上記第１の面から第４の面と連結され、且つ互いに対向する第５の面及び第６の面を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に配置され、上記第１及び第２の面に露出し、且つ上記第３の面又は第４の面に一端が露出する複数の内部電極と、上記第１の面及び第２の面に露出した上記内部電極の端部上に配置された第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部と、を含み、上記第１の面及び第２の面に露出した上記内部電極全体に対して１０％未満の内部電極の端部に酸化領域が配置された積層セラミックキャパシタが提供される。
【００１４】
本発明の他の実施形態によれば、複数の第１の内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第１のセラミックグリーンシート、及び複数の第２の内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第２のセラミックグリーンシートを設ける段階と、上記第１の内部電極パターンと上記第２の内部電極パターンが交差するように上記第１のセラミックグリーンシートと上記第２のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層本体を形成する段階と、上記第１の内部電極パターンと第２の内部電極パターンの末端が幅方向に露出した側面を有するように、上記セラミックグリーンシート積層本体を切断する段階と、上記第１の内部電極パターンと第２の内部電極パターンの末端が露出した側面に第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部を形成する段階と、上記切断された積層本体を焼成して誘電体層と内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、上記セラミック本体の側面に露出した上記内部電極全体において１０％未満の内部電極の端部に酸化領域が配置された積層セラミックキャパシタの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、第１及び第２のサイドマージン部が配置されたセラミック本体の面に露出した内部電極全体において１０％未満の内部電極の端部に酸化領域が配置されるように調節することにより、ボイド（Ｖｏｉｄ）及び酸化領域の比率を減らして絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を増加させ、信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図である。
【図２】図１のセラミック本体の外観を示す斜視図である。
【図３】図２のセラミック本体の焼成前のセラミックグリーンシート積層本体を示す斜視図である。
【図４】図２のＡ方向から見た側面図である。
【図５ａ】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。
【図５ｂ】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。
【図５ｃ】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。
【図５ｄ】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す斜視図である。
【図５ｅ】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。
【図５ｆ】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の実施例と比較例による絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
【００１８】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図である。
【００１９】
図２は図１のセラミック本体の外観を示す斜視図である。
【００２０】
図３は図２のセラミック本体の焼成前のセラミックグリーンシート積層本体を示す斜視図である。
【００２１】
図４は図２のＡ方向から見た側面図である。
【００２２】
図１から図４を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、セラミック本体１１０と、上記セラミック本体１１０の内部に形成される複数の内部電極１２１、１２２と、及び上記セラミック本体１１０の外表面に形成される外部電極１３１、１３２と、を含む。
【００２３】
上記セラミック本体１１０は、互いに対向する第１の面１及び第２の面２と、上記第１の面と第２の面を連結する第３の面３及び第４の面４と、上面と下面である第５の面５及び第６の面６を有することができる。
【００２４】
上記第１の面１及び第２の面２はセラミック本体１１０の幅方向において対面する面、上記第３の面３及び第４の面４は長さ方向において対面する面、上記第５の面５及び第６の面６は厚さ方向において対面する面と定義することができる。
【００２５】
上記セラミック本体１１０の形状は特に制限されないが、図示のように直方体状であればよい。
【００２６】
上記セラミック本体１１０の内部に形成された複数の内部電極１２１、１２２はセラミック本体の第３の面３又は第４の面４に一端が露出する。
【００２７】
上記内部電極１２１、１２２は互いに異なる極性を有する第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２を一対とすることができる。
【００２８】
第１の内部電極１２１の一端は第３の面３に露出し、第２の内部電極１２２の一端は第４の面４に露出することができる。
【００２９】
上記第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２の他端は第３の面３又は第４の面４から一定の間隔をおいて形成される。
【００３０】
上記セラミック本体の第３の面３及び第４の面４には第１及び第２の外部電極１３１、１３２が形成されて上記内部電極とそれぞれ電気的に接続されることができる。
【００３１】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、上記セラミック本体１１０の内部に配置され、上記第１及び第２の面１、２に露出し、且つ上記第３の面３又は第４の面４に一端が露出する複数の内部電極１２１、１２２と、上記第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２の端部上に配置された第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３と、を含む。
【００３２】
上記セラミック本体１１０の内部には複数の内部電極１２１、１２２が形成される。上記複数の内部電極１２１、１２２の各末端は、上記セラミック本体１１０の幅方向の面である第１の面１及び第２の面２に露出し、露出した端部上に第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３が配置される。
【００３３】
第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３の平均厚さは、２μｍ以上１０μｍ以下であればよい。
【００３４】
本発明の一実施形態によれば、上記セラミック本体１１０は、複数の誘電体層１１１が積層された積層体と、上記積層体の両側面に配置される第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３とで構成されることができる。
【００３５】
上記複数の誘電体層１１１は焼結された状態であり、隣接する誘電体層同士の境界は確認できないほど一体化されていることができる。
【００３６】
上記セラミック本体１１０の長さは、セラミック本体の第３の面３から第４の面４までの距離に該当する。
【００３７】
上記誘電体層１１１の長さはセラミック本体の第３の面３と第４の面４の間の距離を形成する。
【００３８】
これに制限されるものではないが、本発明の一実施形態によれば、セラミック本体の長さは４００〜１４００μｍであればよい。より具体的には、セラミック本体の長さは４００〜８００μｍ、または、６００〜１４００μｍでもよい。
【００３９】
上記誘電体層１１１上に内部電極１２１、１２２が形成されることができ、内部電極１２１、１２２は焼結によって一つの誘電体層を間に挟んで上記セラミック本体の内部に形成されることができる。
【００４０】
図３を参照すると、誘電体層１１１に第１の内部電極１２１が形成される。上記第１の内部電極１２１は誘電体層の長さ方向に対しては全体的に形成されない。即ち、第１の内部電極１２１の一端は、セラミック本体の第４の面４から所定の間隔をおいて形成されることができ、第１の内部電極１２１の他端は、第３の面３まで形成されて第３の面３に露出することができる。
【００４１】
セラミック本体の第３の面３に露出した第１の内部電極の端部は第１の外部電極１３１と接続される。
【００４２】
第１の内部電極とは反対に、第２の内部電極１２２の一端は、第３の面３から所定の間隔をおいて形成され、第２の内部電極１２２の他端は、第４の面４に露出して第２の外部電極１３２と接続される。
【００４３】
上記内部電極は、高容量積層セラミックキャパシタの実現のために４００層以上積層されることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００４４】
上記誘電体層１１１は第１の内部電極１２１の幅と同一の幅を有することができる。即ち、上記第１の内部電極１２１は誘電体層１１１の幅方向に対しては全体的に形成されることができる。
【００４５】
これに制限されるものではないが、本発明の一実施形態によれば、誘電体層の幅及び内部電極の幅は１００〜９００μｍであればよい。より具体的には、誘電体層の幅及び内部電極の幅は１００〜５００μｍ、または、１００〜９００μｍでもよい。
【００４６】
セラミック本体が小型化するにつれ、サイドマージン部の厚さが積層セラミックキャパシタの電気的特性に影響を及ぼす可能性がある。本発明の一実施形態によれば、サイドマージン部の厚さが１０μｍ以下で形成され、小型化した積層セラミックキャパシタの特性を向上させることができる。
【００４７】
即ち、サイドマージン部の厚さが１０μｍ以下で形成され、容量を形成する内部電極の重なり面積を最大限に確保することにより、高容量及び小型積層セラミックキャパシタを実現することができる。
【００４８】
このようなセラミック本体１１０は、キャパシタの容量形成に寄与する部分としての活性部と、活性部の上下部にそれぞれ形成された上下マージン部としての上部及び下部カバー部と、で構成されることができる。
【００４９】
上記活性部は誘電体層１１１を挟んで複数の第１及び第２の内部電極１２１、１２２を繰り返し積層して形成されることができる。
【００５０】
上記上部及び下部カバー部は、内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同一の材料及び構成を有することができる。
【００５１】
即ち、上記上部及び下部カバー部はセラミック材料を含むことができ、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系セラミック材料を含むことができる。
【００５２】
上記上部及び下部カバー部はそれぞれ２０μｍ以下の厚さを有することができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００５３】
本発明の一実施形態において内部電極と誘電体層は同時に切断されて形成されるものであり、内部電極の幅と誘電体層の幅は同一に形成されることができる。これに関するより具体的な事項は後述する。
【００５４】
本実施形態において、誘電体層の幅は内部電極の幅と同一に形成される。これにより、セラミック本体１１０の幅方向の第１及び第２の面に内部電極１２１、１２２の末端が露出することができる。
【００５５】
上記内部電極１２１、１２２の末端が露出したセラミック本体１１０の幅方向の両側面には第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３が形成されることができる。
【００５６】
上記第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３の厚さは１０μｍ以下であればよい。上記第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３の厚さが小さいほど、セラミック本体内に形成される内部電極の重なり面積が相対的に広くなることができる。
【００５７】
上記第１のサイドマージン部１１２及び第２のサイドマージン部１１３の厚さはセラミック本体１１０の側面に露出する内部電極のショートを防止することができる厚さであれば特に制限されないが、２μｍ以上であればよい。
【００５８】
上記第１及び第２のサイドマージン部の厚さが２μｍ未満であると、外部衝撃に対する機械的強度が低下する恐れがあり、上記第１及び第２のサイドマージン部の厚さが１０μｍを超えると、内部電極の重なり面積が相対的に減少して積層セラミックキャパシタの高容量を確保しにくくなる可能性がある。
【００５９】
積層セラミックキャパシタの容量を最大化するために、誘電体層を薄膜化する方法、薄膜化した誘電体層を高積層化する方法、内部電極のカバレッジを向上させる方法などが考えられている。
【００６０】
また、容量を形成する内部電極の重なり面積を向上させる方法が考えられている。
【００６１】
内部電極の重なり面積を増やすためには内部電極が形成されていないマージン部領域を最小化させる必要がある。
【００６２】
特に、積層セラミックキャパシタが小型化するほど、内部電極の重なり領域を増やすためにはマージン部領域を最小化させる必要がある。
【００６３】
本実施形態によれば、誘電体層の幅方向全体に内部電極が形成され、サイドマージン部の厚さが１０μｍ以下に設定されているため、内部電極の重なり面積が広いという特徴を有する。
【００６４】
一般に、誘電体層が高積層化するほど、誘電体層及び内部電極の厚さは薄くなる。したがって、内部電極がショートする現象が頻繁に発生する可能性がある。また、誘電体層の一部にのみ内部電極が形成される場合は、内部電極による段差が発生して絶縁抵抗の加速寿命や信頼性が低下する可能性がある。
【００６５】
しかし、本実施形態によれば、薄膜の内部電極及び誘電体層を形成しても、内部電極が誘電体層の幅方向に対して全体的に形成されるため、内部電極の重なり面積が大きくなり、積層セラミックキャパシタの容量を大きくすることができる。
【００６６】
また、内部電極による段差を減少させることで絶縁抵抗の加速寿命が向上し、容量特性に優れ、且つ信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを提供することができる。
【００６７】
本発明の一実施形態によれば、上記第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２全体において１０％未満の内部電極の端部に酸化領域１４０が配置される。
【００６８】
一般に、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面にボイド（ｖｏｉｄ）が多く生成されて信頼性が低下する可能性がある。
【００６９】
また、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面に生成されたボイド（ｖｏｉｄ）によって電界の集中が発生し、これにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が低くなるという問題が発生する。
【００７０】
また、上記ボイド（ｖｏｉｄ）によって外側の焼結緻密度の低下による耐湿信頼性の低下が引き起こされる可能性がある。
【００７１】
上記の問題を解決すべく、上記セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面に生成されたボイド（ｖｏｉｄ）を酸化膜で形成する方法があるが、その効果が十分でないという問題がある。
【００７２】
即ち、上記ボイド（ｖｏｉｄ）による絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）及び耐湿信頼性の低下という問題を解決するためには内部電極の端部が導電性金属で満たされていることが最も好ましい。
【００７３】
本発明の一実施形態によれば、上記第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２全体において１０％未満の内部電極の端部に酸化領域１４０が配置されることにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を増加させ、信頼性を向上させることができる。
【００７４】
即ち、上記第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２全体においてその端部に酸化領域１４０が配置された内部電極の比率を１０％未満に調節することにより、内部電極の端部に配置された酸化領域を最小化し、且つその端部が導電性金属で満たされるようにする。
【００７５】
上記のように、セラミック本体１１０の第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２の端部が導電性金属で満たされる比率が９０％を超えるように調節することにより、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面にボイド（ｖｏｉｄ）が多数生成されるか、内部電極の端部に配置された酸化領域が内部電極全体に対して１０％以上を占める従来の場合に比べて、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の増加及び耐湿信頼性の向上により優れた効果を有する。
【００７６】
上記第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極全体において１０％以上の内部電極の端部に酸化領域が配置される場合には、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面にボイド（ｖｏｉｄ）が多数生成される従来と比較したとき、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）の増加及び耐湿信頼性の向上に効果があるが、本発明の一実施形態のように１０％未満の内部電極の端部に酸化領域１４０が配置された場合と比べると、その効果は少ない。
【００７７】
一方、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面に生成されるボイド（ｖｏｉｄ）及び内部電極の端部に形成される酸化領域の発生を抑制するためには、内部電極全体の端部を導電性金属で満たすことが最も良いが、このように内部電極全体の端部に酸化領域が全くないように製作することは非常に困難である。
【００７８】
したがって、上記セラミック本体１１０の第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極全体においてその端部に酸化領域が配置される内部電極の比率の下限値は０％であることが最もよいが、本発明の一実施形態では工程上の限界により０％は除くようにする。
【００７９】
上記導電性金属は内部電極に含まれる導電性金属と同一であり、例えば、ニッケル（Ｎｉ）であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【００８０】
本発明の一実施形態によれば、上記セラミック本体１１０の第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２全体において１０％未満の内部電極の端部に酸化領域１４０が配置されるように調節する方法は、第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３を形成する過程で接着剤が塗布された側面用セラミックシートをセラミック本体の側面に転写し、焼成過程で密着力を上昇させ、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面及び露出した内部電極の端部にボイド（Ｖｏｉｄ）又は酸化領域の発生を抑制することにより制御されることができる。
【００８１】
これに関する詳細な事項は後述する。
【００８２】
図４を参照すると、上記第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３は、サイドマージン部１１２、１１３の外側面に隣接した第１の領域１１２ａ、１１３ａと、上記セラミック本体１１０の第１の面１及び第２の面２に露出した内部電極１２１、１２２に隣接した第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに分けられ、上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量は第１の領域１１２ａ、１１３ａに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量より多ければよい。
【００８３】
上記セラミック本体１１０の側面に配置された第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３が組成の互いに異なる２個の領域に分けられ、且つ上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量は第１の領域１１２ａ、１１３ａに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量よりも多くなるように調節することにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を増加させ、信頼性を向上させることができる。
【００８４】
具体的には、セラミック本体に隣接したサイドマージン部の第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量を調節することにより、セラミック本体の幅方向の側面に露出した内部電極の末端の酸化層の長さを制御することができる。これにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を増加させ、耐湿信頼性が向上することができる。
【００８５】
本発明の一実施形態によれば、セラミック本体に隣接したサイドマージン部の第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量を調節することにより、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面にボイド（ｖｏｉｄ）が生成されることを抑制することができる。
【００８６】
上記のようにセラミック本体とサイドマージン部が接触する界面にボイド（ｖｏｉｄ）が生成されることを抑制する場合、最も大きな電界の集中が発生するボイド（ｖｏｉｄ）数の減少によって電界の集中を緩和することができる。これにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が増加し、ショート不良が減少することができる。
【００８７】
また、上記セラミック本体１１０の側面に配置された第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３が組成の互いに異なる２個の領域に分けられ、且つ各領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量を異ならせることにより、第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３の緻密度を向上させて耐湿特性を改善することができる。
【００８８】
具体的には、上記第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３の第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）含量が外側の第１の領域１１２ａ、１１３ａに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）含量より多くなるように調節することにより、上記第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３の第１の領域１１２ａ、１１３ａの緻密度を向上させて耐湿特性を改善することができる。
【００８９】
特に、上記サイドマージン部１１２、１１３の外側面に隣接した上記第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３の第１の領域１１２ａ、１１３ａに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）含量を小さくすることにより、第１の外部電極１３１及び第２の外部電極１３２との密着力が向上することができる。
【００９０】
上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量が第１の領域１１２ａ、１１３ａに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量よりも多くなるように調節する方法としては、積層セラミックキャパシタ製作過程でセラミック本体形成用誘電体の組成と第１及び第２のサイドマージン部形成用誘電体の組成を互いに異ならせることにより調節が可能である。
【００９１】
即ち、セラミック本体形成用誘電体の組成とは異なり、第１及び第２のサイドマージン部形成用誘電体の組成においてマグネシウム（Ｍｇ）の含量を増加させ、焼結及び焼成過程で拡散によってマグネシウム（Ｍｇ）の含量を調節する場合、上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量が第１の領域１１２ａ、１１３ａに含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量よりも多くなるように調節することができる。
【００９２】
これにより、内部電極の端部に集中する電界を緩和することができ、積層セラミックキャパシタの主な不良の一つである絶縁破壊を防ぎ、積層セラミックキャパシタの信頼性を向上させることができる。
【００９３】
本発明の一実施形態によれば、上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂのマグネシウム（Ｍｇ）の含量は、上記第１及び第２のサイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）に対して１０モル以上３０モル以下であればよい。
【００９４】
上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂのマグネシウム（Ｍｇ）の含量が上記第１及び第２のサイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）に対して１０モル以上３０モル以下になるように調節することにより、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を増加させ、耐湿信頼性を向上させることができる。
【００９５】
上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂのマグネシウム（Ｍｇ）の含量が上記第１及び第２のサイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）に対して１０モル未満の場合、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面でのボイド（ｖｏｉｄ）の生成抑制が十分でなく、絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が低くなり、ショート不良が増加する可能性がある。
【００９６】
一方、上記第２の領域１１２ｂ、１１３ｂのマグネシウム（Ｍｇ）の含量が上記第１及び第２のサイドマージン部に含まれるチタン（Ｔｉ）に対して３０モルを超える場合には、焼結性の低下によって信頼性低下及び絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）のばらつきの問題が発生する可能性がある。
【００９７】
本発明の一実施形態によれば、上記誘電体層１１１の厚さは０．４μｍ以下、上記内部電極１２１、１２２の厚さは０．４μｍ以下の超小型積層セラミックキャパシタを特徴とする。
【００９８】
本発明の一実施形態のように、上記誘電体層１１１の厚さは０．４μｍ以下、上記内部電極１２１、１２２の厚さは０．４μｍ以下の薄膜の誘電体層と内部電極が適用された場合、セラミック本体とサイドマージン部との界面に発生するボイド（ｖｏｉｄ）及び内部電極の端部に形成される酸化領域による信頼性問題は非常に重要な争点である。
【００９９】
即ち、従来の積層セラミックキャパシタの場合には、セラミック本体の幅方向の面に露出した内部電極の端部に形成される酸化領域の密度又は全ての内部電極に対して酸化領域が形成された内部電極の比率を調節しなくても信頼性に大きな問題はなかった。
【０１００】
しかし、本発明の一実施形態のように薄膜の誘電体層及び内部電極が適用される製品においては、セラミック本体とサイドマージン部が接触する界面に生成されたボイド（ｖｏｉｄ）及びセラミック本体の幅方向の面に露出した内部電極の端部に形成される酸化領域の密度によるＢＤＶ及び信頼性の低下を防ぐために、セラミック本体の幅方向の面に露出した内部電極の端部に酸化領域が形成されないように調節しなければならない。
【０１０１】
即ち、本発明の一実施形態では、上記第１の面１及び第２の面２に露出した上記内部電極１２１、１２２全体においてその端部に酸化領域１４０が配置された内部電極の比率を１０％未満に調節することにより、誘電体層１１１と第１及び第２の内部電極１２１、１２２の厚さが０．４μｍ以下の薄膜の場合にも絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を増加させ、耐湿信頼性を向上させることができる。
【０１０２】
但し、上記薄膜が、誘電体層１１１と第１及び第２の内部電極１２１、１２２の厚さが０．４μｍ以下であることを意味するわけではなく、従来の製品より薄い厚さの誘電体層と内部電極を含むという概念で理解されることができる。
【０１０３】
一方、上記第１の領域１１２ａ、１１３ａの幅は１２μｍ以下であり、第２の領域１１２ｂ、１１３ｂの幅は３μｍ以下であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
【０１０４】
図４を参照すると、上記複数の内部電極１２１、１２２のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ１に対して、最外側に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ２の比率は１．０以下であればよい。
【０１０５】
中央部に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ１に対して、最外側に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ２の比率の下限値は特に制限されないが、０．９以上であることが好ましい。
【０１０６】
本発明の一実施形態によれば、従来とは異なり、セラミックグリーンシートをセラミック本体の側面に付着して上記第１又は第２のサイドマージン部を形成するため、第１又は第２のサイドマージン部の位置毎の厚さが一定である。
【０１０７】
即ち、従来は、セラミックスラリーを塗布又は印刷する方式でサイドマージン部を形成したため、サイドマージン部の位置毎の厚さの偏差が大きかった。
【０１０８】
具体的には、従来は、セラミック本体の中央部に配置される内部電極の末端と接する第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さが、他の領域の厚さに比べて厚かった。
【０１０９】
例えば、従来は、中央部に配置される内部電極の末端と接する第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さに対して、最外側に配置される内部電極の末端と接する第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さの比率は０．９未満程度とその偏差が大きい。
【０１１０】
このようにサイドマージン部の位置毎の厚さの偏差が大きい従来の場合、同一サイズの積層セラミックキャパシタにおいてサイドマージン部が占める部分が大きいため、容量形成部のサイズを大きく確保することができず、高容量確保に困難があった。
【０１１１】
これに対し、本発明の一実施形態によれば、第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３の平均厚さが２μｍ以上１０μｍ以下であり、上記複数の内部電極１２１、１２２のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ１に対して、最外側に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ２の比率は０．９以上１．０以下であるため、サイドマージン部の厚さが薄くて厚さの偏差が小さく、容量形成部のサイズを大きく確保することができる。
【０１１２】
本発明の一実施形態では、従来とは異なり、セラミックグリーンシートをセラミック本体の側面に付着して形成するため、第１又は第２のサイドマージン部の位置による厚さが一定である。
【０１１３】
これにより、高容量積層セラミックキャパシタの実現が可能である。
【０１１４】
一方、図４を参照すると、上記複数の内部電極１２１、１２２のうち、中央部に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ１に対して、上記セラミック本体１１０の角と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ３の比率は１．０以下であればよい。
【０１１５】
中央部に配置される内部電極の末端と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ１に対して、上記セラミック本体１１０の角と接する上記第１又は第２のサイドマージン部領域の厚さｔｃ３の比率の下限値は０．９以上であることが好ましい。
【０１１６】
上記特徴により、サイドマージン部の領域毎の厚さの偏差が小さくて容量形成部のサイズを大きく確保することができる。これにより、高容量積層セラミックキャパシタの実現が可能である。
【０１１７】
図５ａから図５ｆは本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を概略的に示す断面図及び斜視図である。
【０１１８】
本発明の他の実施形態によれば、複数の第１の内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第１のセラミックグリーンシート及び複数の第２の内部電極パターンが所定の間隔をおいて形成された第２のセラミックグリーンシートを設ける段階と、上記第１の内部電極パターンと上記第２の内部電極パターンが交差するように上記第１のセラミックグリーンシートと上記第２のセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層本体を形成する段階と、上記第１の内部電極パターンと第２の内部電極パターンの末端が幅方向に露出した側面を有するように上記セラミックグリーンシート積層本体を切断する段階と、上記第１の内部電極パターンと第２の内部電極パターンの末端が露出した側面に第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部を形成する段階と、上記切断された積層本体を焼成して誘電体層と第１及び第２の内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、上記第１及び第２のサイドマージン部は当該サイドマージン部の外側面に隣接した第１の領域と上記第１及び第２の内部電極に隣接した第２の領域に分けられ、上記第２の領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量が第１の領域に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含量よりも多い、積層セラミックキャパシタの製造方法が提供される。
【０１１９】
以下、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。
【０１２０】
図５ａに示すように、セラミックグリーンシート２１１上に所定の間隔をおいて複数のストライプ状の第１の内部電極パターン２２１を形成する。上記複数のストライプ状の第１の内部電極パターン２２１は互いに平行に形成されることができる。
【０１２１】
上記セラミックグリーンシート２１１はセラミック粉末、有機溶剤及び有機バインダを含むセラミックペーストで形成されることができる。
【０１２２】
上記セラミック粉末は高い誘電率を有する物質であり、これに制限されるものではないが、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料又はチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系材料などを用いることができ、好ましくはチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）パウダーが用いられることができる。上記セラミックグリーンシート２１１が焼成されると、セラミック本体１１０を構成する誘電体層１１１になる。
【０１２３】
ストライプ状の第１の内部電極パターン２２１は、導電性金属を含む内部電極ペーストによって形成されることができる。上記導電性金属は、これに制限されるものではないが、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、又はこれらの合金であればよい。
【０１２４】
上記セラミックグリーンシート２１１上にストライプ状の第１の内部電極パターン２２１を形成する方法は特に制限されないが、例えば、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法のような印刷法により形成されることができる。
【０１２５】
また、図示されてはいないが、他のセラミックグリーンシート２１１上に、所定の間隔をおいて複数のストライプ状の第２の内部電極パターン２２２を形成することができる。
【０１２６】
以下、第１の内部電極パターン２２１が形成されたセラミックグリーンシートを第１のセラミックグリーンシート、第２の内部電極パターン２２２が形成されたセラミックグリーンシートを第２のセラミックグリーンシートと称することができる。
【０１２７】
次に、図５ｂに示すように、ストライプ状の第１の内部電極パターン２２１とストライプ状の第２の内部電極パターン２２２が交差積層されるように第１及び第２のセラミックグリーンシートを交互に積層することができる。
【０１２８】
その後、上記ストライプ状の第１の内部電極パターン２２１により第１の内部電極１２１を形成することができ、ストライプ状の第２の内部電極パターン２２２により第２の内部電極１２２を形成することができる。
【０１２９】
本発明の他の実施形態によれば、上記第１及び第２のセラミックグリーンシートの厚さｔｄは０．６μｍ以下であり、第１及び第２の内部電極パターンの厚さｔｅは０．５μｍ以下である。
【０１３０】
本発明は、誘電体層の厚さが０．４μｍ以下、内部電極の厚さは０．４μｍ以下の薄膜を有する超小型高容量積層セラミックキャパシタであることを特徴とする。したがって、上記第１及び第２のセラミックグリーンシートの厚さｔｄは０．６μｍ以下であり、第１及び第２の内部電極パターンの厚さｔｅは０．５μｍ以下であることを特徴とする。
【０１３１】
図５ｃは本発明の一実施例により第１及び第２のセラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層本体２２０を示す断面図であり、図５ｄは第１及び第２のセラミックグリーンシートが積層されたセラミックグリーンシート積層本体２２０を示す斜視図である。
【０１３２】
図５ｃ及び図５ｄを参照すると、複数の平行なストライプ状の第１の内部電極パターン２２１が印刷された第１のセラミックグリーンシートと複数の平行なストライプ状の第２の内部電極パターン２２２が印刷された第２のセラミックグリーンシートが交互に積層されている。
【０１３３】
より具体的には、第１のセラミックグリーンシートに印刷されたストライプ状の第１の内部電極パターン２２１の中央部と第２のセラミックグリーンシートに印刷されたストライプ状の第２の内部電極パターン２２２の間の間隔が重なるように積層されることができる。
【０１３４】
次に、図５ｄに示すように、上記セラミックグリーンシート積層本体２２０は、複数のストライプ状の第１の内部電極パターン２２１及びストライプ状の第２の内部電極パターン２２２を横切るように切断されることができる。即ち、上記セラミックグリーンシート積層本体２２０は、互いに直交するＣ１−Ｃ１及びＣ２−Ｃ２の切断線に沿って切断された積層本体２１０になることができる。
【０１３５】
より具体的には、ストライプ状の第１の内部電極パターン２２１及びストライプ状の第２の内部電極パターン２２２を長さ方向に切断することにより、一定の幅を有する複数の内部電極に分割することができる。このとき、積層されたセラミックグリーンシートも内部電極パターンと共に切断する。これにより、誘電体層は内部電極の幅と同一の幅を有するように形成されることができる。
【０１３６】
また、Ｃ２−Ｃ２の切断線に沿って個別のセラミック本体のサイズに合わせて切断することができる。即ち、第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部を形成する前に棒状積層体をＣ２−Ｃ２の切断線に沿って個別のセラミック本体のサイズに切断することにより、複数の積層本体２１０を形成することができる。
【０１３７】
即ち、棒状積層体を、重なっている第１の内部電極の中心部と第２の内部電極の間に形成され、所定の間隔が同一の切断線に沿って切断されるように切断することができる。これにより、第１の内部電極及び第２の内部電極の一端は切断面に交互に露出することができる。
【０１３８】
その後、上記積層本体２１０の第１及び第２の側面に第１のサイドマージン部及び第２のサイドマージン部を形成することができる。
【０１３９】
次に、図５ｅに示すように、上記積層本体２１０の第１及び第２の側面それぞれに、第１のサイドマージン部２１２及び第２のサイドマージン部（図示せず）を形成することができる。
【０１４０】
具体的には、第１のサイドマージン部２１２の形成方法として、接着剤（図示せず）が塗布された側面用セラミックグリーンシート２１２をゴム材質のパンチング弾性材３００の上部に配置する。
【０１４１】
次に、上記積層本体２１０の第１の側面が上記接着剤（図示せず）の塗布された側面用セラミックグリーンシート２１２と向かい合うように上記積層本体２１０を９０度回転した後、上記積層本体２１０を上記接着剤（図示せず）が塗布された側面用セラミックグリーンシート２１２に加圧密着させる。
【０１４２】
上記積層本体２１０を上記接着剤（図示せず）の塗布された側面用セラミックグリーンシート２１２に加圧密着させて側面用セラミックグリーンシート２１２を上記積層本体２１０に転写する場合、上記ゴム材質のパンチング弾性材３００によって上記側面用セラミックグリーンシート２１２は上記積層本体２１０の側面の角部まで形成され、残りの部分は切断されることができる。
【０１４３】
図５ｆは、側面用セラミックグリーンシート２１２が上記積層本体２１０の側面の角部まで形成されたことを示している。
【０１４４】
その後、上記積層本体２１０を回転することにより、積層本体２１０の第２の側面に第２のサイドマージン部を形成することができる。
【０１４５】
次に、上記積層本体２１０の両側面に第１及び第２のサイドマージン部が形成された積層本体をか焼及び焼成して、誘電体層と第１及び第２の内部電極を含むセラミック本体を形成することができる。
【０１４６】
本発明の一実施形態によれば、側面用セラミックグリーンシート２１２の上部に接着剤が塗布されているため、従来とは異なり、低い温度と低い圧力条件で側面用セラミックグリーンシート２１２を積層本体２１０の側面に転写することができる。
【０１４７】
これにより、積層本体２１０に加わるダメージを最小化することができ、焼成後の積層セラミックキャパシタの電気的特性低下を防ぐことができ、信頼性を向上させることができる。
【０１４８】
また、接着剤が塗布された側面用セラミックグリーンシート２１２を積層本体２１０の側面に転写し焼成過程で加圧することにより、積層本体と側面用セラミックグリーンシートの間の密着力を上昇させることができる。
【０１４９】
これにより、焼成後、セラミック本体とサイドマージン部の間の界面ではボイド（Ｖｏｉｄ）の生成が抑制され、本発明の一実施形態のようにセラミック本体の第１の面及び第２の面に露出した上記内部電極１２１、１２２全体においてその端部に酸化領域１４０が配置された内部電極の比率を１０％未満にして酸化領域の発生を抑制することができる。
【０１５０】
その後、上記第１の内部電極が露出したセラミック本体の第３の側面と上記第２の内部電極が露出したセラミック本体の第４の側面にそれぞれ外部電極を形成することができる。
【０１５１】
本発明の他の実施形態によれば、側面用セラミックグリーンシートは薄くて厚さの偏差が小さいため、容量形成部のサイズを大きく確保することができる。
【０１５２】
具体的には、焼成後の第１及び第２のサイドマージン部１１２、１１３の平均厚さが２μｍ以上１０μｍ以下であり、位置毎の厚さの偏差が小さいため、容量形成部のサイズを大きく確保することができる。
【０１５３】
これにより、高容量積層セラミックキャパシタの実現が可能である。
【０１５４】
その他、上述した本発明の一実施形態における特徴と同一の部分に関する説明は重複を避けるためにここでは省略する。
【０１５５】
以下、実験例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、これは発明の具体的な理解のためのものに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
【０１５６】
実験例
本発明の一実施形態により、従来のサイドマージン部を形成する比較例と、本発明のように内部電極の端部に形成される酸化領域が抑制されるようにサイドマージン部を形成した実施例をそれぞれ準備した。
【０１５７】
そして、幅方向に内部電極が露出してマージンがないグリーンチップの電極露出部に、上記比較例と実施例のように側面用セラミックグリーンシートを付着してサイドマージン部を形成することができるようにセラミックグリーンシート積層本体を形成した。
【０１５８】
チップの変形を最小化した条件で一定の温度と圧力を加えてセラミックグリーンシート積層本体の両面に側面形成用セラミックグリーンシートを付着し、０６０３サイズ（横×縦×高さ：０．６ｍｍ×０．３ｍｍ×０．３ｍｍ）の積層セラミックキャパシタグリーンチップを製作した。
【０１５９】
このように製作が完了した積層セラミックキャパシタ試験片を４００℃以下、窒素雰囲気でか焼工程を経て焼成温度１２００℃以下、水素濃度０．５％Ｈ２以下の条件で焼成した後、外観不良、絶縁抵抗及び耐湿特性などの電気的特性を総合的に確認した。
【０１６０】
図６は本発明の実施例と比較例による絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）を比較したグラフである。
【０１６１】
図６において、実施例はセラミック本体の第１の面及び第２の面に露出した内部電極全体に対してその端部に酸化領域が配置された内部電極の比率を１０％未満として製作した場合であり、比較例１は従来の積層セラミックキャパシタ構造であり、セラミック本体の第１の面及び第２の面に露出した内部電極全体に対してその端部に酸化領域が配置された内部電極の比率を８０％以上とした場合であり、比較例２はセラミック本体の第１の面及び第２の面に露出した内部電極全体に対してその端部に形成されたボイド（Ｖｏｉｄ）の比率が８０％以上の場合である。
【０１６２】
実施例の場合、従来の積層セラミックキャパシタである比較例１及び２に比べて絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が増加したことが分かる。
【０１６３】
比較例１の場合、比較例２よりは絶縁破壊電圧（Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ  Ｖｏｌｔａｇｅ、ＢＤＶ）が増加するが、本発明の実施例よりは低いため、本発明の一実施形態のようにセラミック本体の第１の面及び第２の面に露出した内部電極全体においてその端部に酸化領域が配置された内部電極の比率を１０％未満に調節することが好ましい。
【０１６４】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１６５】
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１１２、１１３  第１及び第２のサイドマージン部
１２１、１２２  第１及び第２の内部電極
１３１、１３２  第１及び第２の外部電極
１４０  酸化領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図６】
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