(57)【要約】【課題】カソードルミネッセンスを効率よく採光できるルミネッセンス分析装置１００を提供する。【解決手段】  上面に試料が載置される試料台１と、該試料台１上の試料に電子線が照射されて発せられるカソードルミネッセンスのうち、上方に出るカソードルミネッセンスを反射して所定の採光面に導くための第１導光機構２とを備え、前記試料から出るカソードルミネッセンスのうち、下方にでるカソードルミネッセンスを上方に反射する反射面が前記試料台１の上面１ａに形成されているようにした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に試料が載置される試料台と、該試料台上の試料に電子線が照射されて発せられるカソードルミネッセンスのうち、上方に出るカソードルミネッセンスを反射して所定の採光面に導くための第１導光機構とを備えたルミネッセンス分析装置であって、
前記試料から出るカソードルミネッセンスのうち、下方にでるカソードルミネッセンスを上方に反射する反射面が前記試料台の上面に形成されていることを特徴とするルミネッセンス分析装置。
【請求項２】
上面に試料が載置される試料台と、該試料台上の試料に電子線が照射されて発せられるカソードルミネッセンスのうち、上方に出るカソードルミネッセンスを反射して所定の採光面に導くための第１導光機構とを備えたルミネッセンス分析装置であって、
前記試料台がカソードルミネッセンスを透過するものであり、
前記第１導光機構が、試料に向かって、前記上方に出るカソードルミネッセンスを反射するものであり、
前記試料台の下方に、試料台を透過して下方に向かうカソードルミネッセンスを前記採光面に導く第２導光機構が設けられていることを特徴とするルミネッセンス分析装置。
【請求項３】
前記第１導光機構が上方に出るカソードルミネッセンスを反射する反射鏡を有しており、この反射鏡の反射面を被膜により形成している請求項１又は２記載のルミネッセンス分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料に電子線を照射した際に発されるカソードルミネッセンスを採光する分析装置等に関し、特に電子顕微鏡に好適に用いられるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のルミネッセンス分析装置は、例えば電子顕微鏡に挿入されて使用されるものであり、特許文献１に記載されているように、試料から出るカソードルミネッセンスを反射して検出器へ導くための反射鏡（楕円鏡）を有している。
【０００３】
しかしながら、カソードルミネッセンスは、試料の電子線照射部位から全方向に射出されるところ、上述したルミネッセンス分析装置においては、楕円鏡が試料の上方にしか設けられていないため、下方に射出されたカソードルミネッセンスを採光することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１０５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上述した問題に鑑みてなされたものであり、カソードルミネッセンスを効率よく採光できるルミネッセンス分析装置を提供することをその主たる所期課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
すなわち、本発明に係るルミネッセンス分析装置は、上面に試料が載置される試料台と、該試料台上の試料に電子線が照射されて発せられるカソードルミネッセンスのうち、上方に出るカソードルミネッセンスを反射して所定の採光面に導くための第１導光機構とを備えており、前記試料から出るカソードルミネッセンスのうち、下方にでるカソードルミネッセンスを上方に反射する反射面が前記試料台の上面に形成されていることを特徴とするものである。
【０００７】
このようなものであれば、試料台の反射面で、下方にでるカソードルミネッセンスも反射させて集めることができ、光量を増加させることができる。
【０００８】
さらに、従来のものと比べて、試料台の上面を反射面にすればよいだけであるから、厚みなどを変えることなく、コンパクト性を維持できる。
【０００９】
また、本発明に係るルミネッセンス分析装置は、上面に試料が載置される試料台と、該試料台上の試料に電子線が照射されて発せられるカソードルミネッセンスのうち、上方に出るカソードルミネッセンスを反射して所定の採光面に導くための第１導光機構とを備えたものであって、前記試料台がカソードルミネッセンスを透過するものであり、前記第１導光機構が、試料に向かって、前記上方に出るカソードルミネッセンスを反射するものであり、前記試料台の下方に、試料台を透過して下方に向かうカソードルミネッセンスを前記採光面に導く第２導光機構が設けられているものであってもよい。
【００１０】
このようなものであれば、上方にでたカソードルミネッセンスは、第１導光機構によって試料側に反射され、該試料を透過して、下方にでるカソードルミネッセンスとともに、第２導光機構により採光面に導かれることになる。したがって、前述同様、試料から出る上下双方のカソードルミネッセンスを採光することができ、光量を増加させることができる。
【００１１】
さらに、反射鏡を、電子線軸線を中心とした回転対象形状とすることができるので、電子線の加速電圧制御のためのリターディング等による磁場の乱れの影響を可及的に低減させることができる。
【発明の効果】
【００１２】
上述した本発明によれば、試料台上に載置された試料からでる上下双方のカソードルミネッセンスを採光できるので、光検出器での光量増大による分析精度の向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係るルミネッセンス分析装置及びこれが搭載される電子顕微鏡の全体を示す模式的概要図である。
【図２】同実施形態におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図３】同実施形態における入力手段の一例を示す模式図である。
【図４】同実施形態の変形例におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図５】同実施形態におけるカソードルミネッセンスの集光形態を示すシミュレーション結果である。
【図６】本発明の第２実施形態におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図７】同実施形態の変形例における試料台を示す模式的平面図である。
【図８】同実施形態の他の変形例におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図９】同変形例での分析情報を示す例示図である。
【図１０】本発明の第３実施形態におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図１１】本発明の第４実施形態におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図１２】同実施形態におけるルミネッセンス分析装置を後方から視た模式図である。
【図１３】同実施形態の変形例におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【図１４】本発明の第５同実施形態におけるルミネッセンス分析装置の機能ブロック図である。
【図１５】同実施形態において、シミュレーションによって得られたＣＬ像である。
【図１６】本発明の第６実施形態におけるルミネッセンス分析装置の主要部を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の各実施形態に係るルミネッセンス分析装置１００（以下、単に分析装置１００ともいう。）を、図面を参照して説明する。
【００１５】
＜第１実施形態＞
本実施形態に係るルミネッセンス分析装置１００は、図１に示すように、既存の電子顕微鏡２００に後付けで取り付けられるものである。
【００１６】
このルミネッセンス分析装置１００の説明に先立って、まずは電子顕微鏡２００の概要構成について述べておく。
【００１７】
この電子顕微鏡２００は、周知のとおり、電子線を射出する電子線源（図示しない）及び該電子線源から射出された電子線を試料に照射する電磁レンズ系（図示しない）が組み込まれた鏡筒２０１と、電子線を照射された試料からでる二次電子を検出するＳＥ検出器２０２と、ＳＥ検出器２０２の出力信号であるＳＥ信号を増幅・変換等して、映像信号などといったパソコン等で受付可能な規格信号にする信号処理器２０３と、前記信号処理器２０３からの信号を受信してディスプレイ２０５等に表示するパソコンなどの情報処理装置２０４とを備えたものである。同図中、符号２０６は、試料が収容される真空チャンバを示している。
【００１８】
次に、前記ルミネッセンス分析装置１００について説明する。
【００１９】
このルミネッセンス分析装置１００は、前記鏡筒２０１における電子線射口に臨む位置に配置される試料台１と、カソードルミネッセンスを受光する受光センサであるＣＬセンサ３と、前記試料台１上に載置された試料に電子線が照射されて発せられるカソードルミネッセンスを採光してＣＬセンサ３に導く第１導光機構２と、前記ＣＬセンサ３の感度等を制御するとともにＣＬセンサ３が出力する受光信号を、前記信号処理器２０３で受け付け得る信号に変換する制御変換器４とを備えている。
【００２０】
各部を説明する。
【００２１】
前記試料台１は、図２に示すように、導電性を有した平板状をなすものであり、電子線軸線との交点を中心とした所定範囲に試料を載置する試料載置面１ａがその上面に設定してある。この試料載置面１ａは、カソードルミネッセンスを正反射する鏡面となっている。また、ここでの試料は、例えば図７に示すＧａＮウエハのような、カソードルミネッセンスをその厚み方向に透過する透光性を有した薄板状のものである。
【００２２】
なお、「試料台１の上面」とは、試料台１における試料が載置される面のことをいい、鉛直方向における絶対的な上面を指すものではない。上方、下方も同じである。
【００２３】
前記ＣＬセンサ３は、例えば光電子増倍管とその後段に設けられたプリアンプとからなるものであるが、ここでは、分光されないカソードルミネッセンスが入射するように構成された、いわゆるパンクロマティックＣＬ検出器と称されるものである。
【００２４】
前記第１導光機構２は、図１、図２に示すように、前記カソードルミネッセンスを反射して採光面であるＣＬセンサ３の受光面に集光する反射鏡２１を備えたものである。この反射鏡２１は、試料台１の上方に配置され、下方が開口した部分楕円鏡である。そして、その一方の焦点が電子線の試料表面に対する照射位置に設定されており、他方の焦点がＣＬセンサ３の受光面に設定されている。図２中、符号２ａは、反射鏡２１の中央部に設けられた電子線を通過させるための電子線通過孔を示している。
【００２５】
なお、ＣＬセンサ３と反射鏡２１の間に光ファイバー等のライトガイドを設け、このライトガイドを介してカソードルミネッセンスをＣＬセンサ３に導いてもよい。その場合は、ライトガイドの入射面が採光面となる。
【００２６】
前記制御変換器４は、アナログ電気回路及びデジタル電気回路からなる電子回路であり、機能的にいえば、図１に示すように、ＣＬセンサ３の感度を調整するための入力手段４３、４４と、前記入力手段４３、４４で設定された感度となるように、ＣＬセンサ３を制御する（ここでは光電子増倍管に対する印加電圧を制御する）制御部４１と、前記ＣＬセンサ３から出力される出力信号を前記信号処理器２０３で受け付け可能な信号であるＣＬ信号に変換する変換部４２とを備えたものである。
【００２７】
ところで、前記ＣＬセンサ３は、前述のとおり、光電子増倍管で構成されているため、その感度（ゲイン）が印加電圧に対して指数的に変動する。したがって、その感度調整のための入力手段の構成を、単純に可変抵抗の操作で印加電圧を比例的に変化させるといったものにすると、入力手段の操作量に対し、感度が指数関数的に変動してしまい、感度の微調整が難しくなる。
【００２８】
そこで、この実施形態では、図１、図３に示すように、入力手段として、ゲイン調整つまみ４３とレンジセレクタ４４との２種を設けておき、ゲイン調整つまみ４３については、その操作量と受光センサ３の感度変化とが線形になるように、該ゲイン調整つまみ４３と光電子増倍管の電圧印加端子との間に、対数変換回路（図示しない）を設けている。他方、このような線形なゲイン調整つまみ４３だけでは、光電子増倍管における印加電圧の幅広い入力範囲に対応できないため、レンジセレクタ４４によって光電子増倍管のゲインの指数をセレクトできるようにしている。
【００２９】
さらにこの制御部にはミキシング機能が付与してあり、電子顕微鏡の検出器の出力信号であるＳＥ信号を受信するとともに、前記受光センサの出力信号であるＣＬ信号を受信し、これら２つの信号の値を入力として、それに所定の演算を施し、１つの出力とすることができるように構成してある。所定の演算とは、和、差、積、比率などに係る種々の関数で表されるものである。
【００３０】
しかして、このようなものであれば、試料から出るカソードルミネッセンスのうち、上方に出るカソードルミネッセンスのみならず、下方に出るカソードルミネッセンスも試料台１の反射面１ａが上方に反射することにより、反射鏡２１によって同様に集めることができるので、ＣＬセンサ３に入るカソードルミネッセンスの光量を増加させることができる。
【００３１】
また、従来のものと比べて、試料台１の上面を反射面１ａにすればよいだけであるから、厚みなどを変えることなく、コンパクト性を維持できる。
【００３２】
なお、図２に示すように、試料における電子線照射部位から直接上方に（反射鏡２１側に）出るカソードルミネッセンス（同図中実線で示す。以下、上方カソードルミネッセンスともいう。）と、下方に出て反射面１ａで反射し上方に出るカソードルミネッセンス（同図中は破線で示す。以下、下方カソードルミネッセンスともいう。）とでは、試料の厚み分の光路長が異なるため、採光面において位置ずれが少なくとも生じる。また、その位置ずれは、本発明者の鋭意努力により、ＣＬセンサ３の受光面において上下方向であることがシミュレーションにより見出された（図５（ａ）参照）。そこで、図４に示すように、その上下のずれ量を緩和するためのシリンドリカルレンズ５を、反射鏡２１と採光面（ＣＬセンサ３の受光面）との間に設けてもよい。
【００３３】
このようにすれば、図５（ｂ）に示すように、カソードルミネッセンスをより小さな径でＣＬセンサ３に集光できるため、受光面の小さな小型の受光センサ３を採用できるようになる。
【００３４】
また、反射面１ａで反射したカソードルミネッセンスは、ＣＬセンサ３の受光面において横方向にも広がるので、それをも緩和するために、トロイダルレンズを用いてもよい。
【００３５】
さらに、この実施形態では、反射鏡２１の焦点が試料表面に設定されており、上方カソードルミネッセンスは位置ずれなく、下方カソードルミネッセンスのみに位置ずれが生じていた。このように反射鏡２１の焦点を片方だけずらすと、受光面では極端に片方向にずれる場合がある。
【００３６】
そこで、これを試料表面と試料裏面の間、例えば試料の厚み方向中央位置に設定してもよい。このようにすると、反射鏡２１の焦点が試料表面と反射面１ａとの両方にずれることになり、試料表面から上方に出るカソードルミネッセンスの位置ずれが新たに生じるが、下方に出て反射面１ａで反射し上方に出るカソードルミネッセンスの位置ずれは小さくなり、トータルとしてみた場合に、シリンドリカルレンズでこれを集めることにより、ＣＬセンサ受光面での光径を最適化して最小にすることができる。
【００３７】
＜第２実施形態＞
この実施形態におけるルミネッセンス分析装置１００は、図６、図７に示すように、試料台が、カソードルミネッセンスを透過する透光性を有したものである点、反射鏡２１が下方に開口し、電子線軸線を中心とする回転対称な放物面である点、及び、試料台１の下方にカソードルミネッセンスをＣＬセンサ３に導く第２導光機構６が設けられている点において前記実施形態と異なる。
【００３８】
試料台１は、図６に示すように、例えば、石英ガラスなどで形成してカソードルミネッセンスに対しての透光性を有するようにしたものである。ただし、この場合は、電子線の照射による試料の帯電を防止するために、その表面をＩＴＯ膜等で被覆して導電性を持たせておくことが好ましい。また、試料載置面１ａのみ、あるいは試料載置面１ａの中心部だけを透光性を有する部材で形成してもよいし、図７に示すように、試料台１に厚み方向に貫通する貫通孔を設けてもよい。この場合は、試料台１の透光部位以外を金属など、導線性をもつ材料で形成すればよい。
【００３９】
反射鏡２１は、図６に示すように、その焦点が試料における電子線照射部位に設定された、例えば凹球面状のものであり、試料から上方に向かって放射されるカソードルミネッセンスを、当該電子線照射部位に集光するように構成されている。
【００４０】
第２導光機構６は、図６に示すように、ここでは試料台１の下方において、その光軸が電子線の軸線と合致するように配置された１以上の光学凸レンズ６１を備えた集光光学系である。
【００４１】
しかしてこのようなものであれば、上方にでたカソードルミネッセンスは、反射鏡２１（放物鏡）によって下向きに平行化され、試料に向かい、下方にでるカソードルミネッセンスとともに、第２導光機構６により採光面に導かれることになる。なお、上方に出て反射鏡２１で下方に反射したカソードルミネッセンスと、試料から直接下方に出たカソードルミネッセンスとでは、やや集光径が異なることになるが、ＣＫセンサ３の受光面に、双方が十分入射するように設定してある。したがって、前述同様、試料から出る上下双方のカソードルミネッセンスを採光することができ、光量を増加させることができる。
【００４２】
さらに、反射鏡２１が、電子線軸線を中心とした回転対象形状にしてあるので、電子線の加速電圧制御のためのリターディング等による磁場の乱れの影響を可及的に低減させることができる。
なお、反射鏡２１は、電子線軸線を中心とした回転対象形状であればよく、例えば楕円面や球面としてもよい。球面や楕円面にして、試料におけるカソードルミネッセンスの発光点に、反射したカソードルミネッセンスを集めるようにすれば、下方に直接出たカソードルミネッセンスとの光路をほぼ同一にでき、ＣＬセンサ３の受光面に最小径でカソードルミネッセンスを集めることができる。
【００４３】
また、図８に示すように、前記第２導光機構６を介して、試料の下方から励起レーザ光を照射し、試料から発されるフォトルミネッセンス（２光子ＰＬ、多光子ＰＬを含む）を検出できるようにしてもよい。要するに、カソードルミネッセンスの光学系とフォトルミネッセンスの光学系とを対向配置させるわけである。
【００４４】
このようなものによれば、図９に示すように、試料同一箇所において、表面の細かい情報はカソードルミネッセンスにより、他方、内部の情報はフォトルミネッセンスにより、配置精度よく複合分析ができるようになる。また、光学系の一部（反射鏡２１及び第２導光機構６）を共用できるので、コンパクトかつ安価な実現に資することができる。
【００４５】
＜第３実施形態＞
この実施形態では、図１０に示すように、カソードルミネッセンスをＣＬセンサ３と光ファイバ３Ａとの双方に同時に導く分岐導光機構７が設けられている。
【００４６】
ここでは、試料台１の上方に設けられた反射鏡２１の反射面が放物面になっており、この反射鏡２１で反射したカソードルミネッセンスが平行光となるように構成してある。平行光化されたカソードルミネッセンスは、試料を収容する真空チャンバー２０６の外壁に設けた透光窓Ｗを介して、チャンバー２０６の外側に導かれるように構成してあり、チャンバー外側に取り出されたカソードルミネッセンスの光路上に、分岐導光機構７を構成するハーフミラー７１が設けられている。そして、このハーフミラー７１で反射したカソードルミネッセンスが、光ファイバー３Ａに、該ハーフミラー７１を透過したカソードルミネッセンスがＣＬセンサ３にそれぞれ同時に導かれるように構成してある。
【００４７】
なお、光ファイバ３Ａの出射端には、図示しないが分光計が設けてあり、カソードルミネッセンスの波長ごとの強度スペクトルが測定できるようにしてある。
【００４８】
＜第４実施形態＞
この実施形態では、第３実施形態における分岐導光機構７に代わって、図１１、図１２に示すように、チャンバー外側に取り出されたカソードルミネッセンスを、ＣＬセンサ３と光ファイバ３Ａとのいずれか一方に選択的に導く選択導光機構８が設けられている。
【００４９】
この選択導光機構８は、平行光化されたカソードルミネッセンスの光路上に設けられた第２反射鏡８１と、この第２反射鏡８１を光軸周りに回転可能に支持する支持機構８２とを備えたものである。前記第２反射鏡８１は、その反射面が例えば放物面であり、平行光化されたカソードルミネッセンスを収斂光にして反射する。
【００５０】
そして、この第２反射鏡８１を所定の第１角度に設定することにより、ＣＬセンサ３の受光面にカソードルミネッセンスが光径を縮小されて導かれる一方、この第２反射鏡８１を所定の第２角度に設定することにより、光ファイバ３Ａの入射面にカソードルミネッセンスが集光して導かれるように構成してある。
【００５１】
なお、図１３に示すように、カソードルミネッセンスの採光面に至るまでの光路上（ここでは、チャンバー２０６の外部であって、選択導光機構８の前）にフィルタ選択機構９を設けてもよい。このフィルタ選択機構は、複数種類の光学フィルタ９１を保持し、そのいずれかいずれか１以上を選択的に前記カソードルミネッセンス光路上に配置し、またはいずれの光学フィルタ９１もカソードルミネッセンス光路上からは退避させることが可能なものである。
【００５２】
そして、例えば、ＣＬセンサ３で測定する場合には、いずれの光学フィルタ９１もカソードルミネッセンス光路上からは退避させ（図１３（ａ））、光ファイバ３Ａを介して測定する場合には、試料に応じた１又は複数の光学フィルタ９１をカソードルミネッセンス光路上に配置する（図１３（ｂ））ようにしている。
【００５３】
＜第５実施形態＞
この実施形態では、カソードルミネッセンスに基づいて得られた画像データを修正する画像修正部１０が設けられている。この画像修正部１０は、コンピュータのプログラムによって実現される機能要素であり、例えば、図１４に示すように、前記信号処理器２０３に当該画像処理部１０としての機能を付与してもよいし、前記情報処理装置２０４に該画像処理部としての機能を付与してもよい。
【００５４】
この画像処理部１０は、入力として、電子線の加速電圧と、カソードルミネッセンスに基づいて得られたＣＬ像とが与えられると、このＣＬ像を加速電圧に応じて補正し、出力するものである。加速電圧に応じた補正方法は予め関数やテーブルによって定められており、その関数やテーブルは実験等によって求められてメモリに格納されている。
【００５５】
原理的に説明する。電子線の加速電圧を上げるほど、カソードルミネッセンス像がボケる傾向がある（図１５にシミュレーション結果を示す）。これは、すなわち加速電圧が高ければ、試料内部にまで電子線が潜り込み、そこでカソードルミネッセンスが射出されるため、試料表面から射出されたカソードルミネッセンスに画像焦点を合わせ込んで調整していたものが、電子線の加速電圧を上がることにより、ボケ画像となるわけである。そこで、この実施形態では、画像修正部が、加速電圧をパラメータとするボケ関数(PSF)で補正できるので、ウェハの貫通転位の重なりを分離し、カウント精度を向上できる。そしてその結果、例えば試料の欠陥を精度よく評価できるようになる。
【００５６】
＜第６実施形態＞
この実施形態では、図１６に示すように、ＳＥ検出器等に用いられているシンチレータＳ、すなわち、二次電子が照射されるとそのエネルギを吸収して蛍光を発する物質を、真空チャンバ２０６内に設けておき、このシンチレータＳから射出される蛍光をも、ＣＬセンサ３が受光できるように構成している。
【００５７】
ＳＥ検出器２０２は、構造上、二次電子が照射されて光を発するシンチレータと、そのシンチレータから出た光を検出する光電子増倍管のような光センサとからなるものであり、従来、このシンチレータから受光センサ側ではなく、反対方向（前方）に出る光が迷光となってＣＬセンサに入光し、ノイズの原因となっていた。
【００５８】
この実施形態では、技術思想的には、この迷光にＳＥＭ情報が含まれていることに着目し、これを積極的にＣＬセンサ３で検知して、ＳＥＭ情報として処理するようにしたものである。
【００５９】
このとき、カソードルミネッセンスとシンチレータＳからの光とを区別する必要があるが、例えば、シンチレータの材質を選択することで、発光波長を調整し、光学フィルタとの組み合わせにより、ＣＬセンサ３で同時取り込みを行った後、ＳＥＭ情報（ＳＥＭ像など）とＣＬ情報（ＣＬ像など）とも切り分けを可能としている。
【００６０】
このようなものであれば、ＳＥ検出器を不要とでき、構成の簡素化や低価格化を図ることができる。
【００６１】
なお、シンチレータＳの配置や引込電圧を調整することで、二次電子の空間分布フィルタやエネルギフィルタとして機能させることもできる。
【００６２】
＜第８実施形態＞
この実施形態では、図示しないが、反射鏡の反射面を、電鋳などによる被膜形成によって実現している。かかる被膜は導電性を有する。このようなものであれば、反射鏡の反射面を除く本体部分に、例えば樹脂など、金属以外の種々の材料も用いることができるようになるので、設計自由度が向上し、軽量化、剛性向上、低価格化などに資することができるようになる。
【００６３】
＜その他の実施形態＞
前記支持体１１及び試料台１は、その基端部を進退可能なアーム（図示しない）によって支持され、このアームを進退駆動させることによって、真空室内に送り込まれる。
【００６４】
このアームを例えばテレスコピック構造のような、多段伸縮機構で形成してもよい。このことによって、短いアームで支持体１１及び試料台１を長距離送り込むことができるようになる。
【００６５】
さらに、電子顕微鏡として、電子線を照射された試料からでる二次電子を検出するもののみならず、反射電子、透過電子、Ｘ線などの二次エネルギ線を検出するものにも同様に適用可能である。その場合はＳＥ検出器の代わりに、反射電子検出器（BSE検出器）、透過電子検出器、X線検出器等を用いればよい。もちろん、これら各検出器から出る信号とＣＬ信号とを入力として、１出力とする前記ミキシング機能を設けてもよい。
【００６６】
その他、本発明は、前記各図示例や説明に限られるものではなく、例えば各実施形態の構成要素の一部を組み合わせるなど、種々変形可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１００・・・ルミネッセンス分析装置
１・・・試料台
２・・・第１導光機構
１ａ・・・試料台の上面
６・・・第２導光機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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