(57)【要約】【課題】一部のサブヒータの駆動電力が上限値に達している場合であっても、該一部のサブヒータが担当する領域の温度を設定温度まで上昇させる時間を短くすること。【解決手段】第１の加熱素子グループに対する補正された駆動強度が該補正された駆動強度の上限値に達している場合、第１の加熱素子グループの加熱素子が配された分割領域に近接し、かつ、該分割領域より加熱効率が高い分割領域に配された第２の加熱素子グループに対する前記補正値が、第１の加熱素子グループに対する前記補正値と等しい。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体にインクを吐出する記録素子から成る１または複数の記録素子列と、前記インクを加熱する加熱素子と、温度を検出するセンサとがそれぞれ設けられた素子基板を有し、該素子基板を複数の領域に分割した場合に得られる複数の分割領域のそれぞれに対して、前記加熱素子と前記センサとが配されているインクジェット記録装置であって、
前記分割領域ごとに、該分割領域に配された前記センサによって検出される温度と目標温度との間の差分に基づき、該分割領域に配された前記加熱素子に対する駆動強度を決定する第１決定手段と、
前記分割領域ごとに、前記駆動強度を補正するための補正値を決定する第２決定手段と、
前記分割領域ごとに、前記駆動強度と前記補正値とを加算することで、補正された駆動強度を決定する第３決定手段と、
前記分割領域ごとに、前記補正された駆動強度に従って、前記加熱素子を駆動する駆動手段と
を有し、
第１の加熱素子グループに対する前記補正された駆動強度が該補正された駆動強度の上限値に達している場合、前記第１の加熱素子グループの加熱素子が配された分割領域に近接し、かつ、該分割領域より加熱効率が高い分割領域に配された第２の加熱素子グループに対する前記補正値が、前記第１の加熱素子グループに対する前記補正値と等しいことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
複数の前記素子基板を含む記録ヘッドを更に有することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記記録媒体は、第１の方向に沿って搬送され、
前記記録素子列は、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って伸長し、
前記複数の素子基板は、前記第２の方向に沿って配列され、
前記記録ヘッドは、前記第２の方向に沿って伸長する
ことを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記複数の記録素子列は、それぞれの前記第１の方向における位置が異なるように配されており、前記複数の素子基板のそれぞれは、該複数の記録素子列を有することを特徴とする請求項３に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記複数の素子基板のそれぞれについて、同じ素子基板内において近接する分割領域間で伝わる熱の量が、近接する異なる素子基板間で伝わる熱の量より多く、
前記第１の加熱素子グループは、前記複数の素子基板のそれぞれにおける４隅の分割領域を担当する４つの加熱素子を含むことを特徴とする請求項４に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記複数の素子基板のそれぞれにおいて、前記分割領域ごとの前記補正値の合計は、０であることを特徴とする請求項５に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記複数の素子基板のそれぞれについて、近接する異なる素子基板間で伝わる熱の量が、同じ素子基板内において近接する分割領域間で伝わる熱の量より多く、
前記第１の加熱素子グループは、前記記録ヘッドにおける４隅の分割領域を担当する４つの加熱素子を含むことを特徴とする請求項４に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
前記記録ヘッド内の前記分割領域ごとの前記補正値の合計は、０であることを特徴とする請求項７に記載のインクジェット記録装置。
【請求項９】
前記複数の素子基板のそれぞれの形状は、平行四辺形であり、
前記第１の加熱素子グループは、前記複数の素子基板のそれぞれにおける、前記平行四辺形の内角のうち小さい方に対応する端部に該当する２隅の分割領域を担当する２つの加熱素子を含むことを特徴とする請求項２乃至８の何れか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１０】
前記インクは、前記記録ヘッドを含む循環経路を循環し、
前記素子基板は、該素子基板に前記インクが流入する流入口と、該素子基板から該インクが流出する流出口とを有し、
前記第１の加熱素子グループは、前記複数の素子基板のそれぞれにおける、前記流入口が存在する前記分割領域を担当する加熱素子を含むことを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１１】
前記インクジェット記録装置は、前記記録ヘッドを目標温度まで加熱する第１のモードと、前記目標温度を保持する第２のモードとの何れかで動作し、
前記第２決定手段は、前記インクジェット記録装置が動作しているモードに応じた前記補正値を決定することを特徴とする請求項２乃至１０の何れか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１２】
前記駆動手段は、前記補正された駆動強度に対応するパルス幅で、前記加熱素子を駆動することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１３】
記録媒体にインクを吐出する記録素子から成る１または複数の記録素子列と、前記インクを加熱する加熱素子と、温度を検出するセンサとがそれぞれ設けられた素子基板を有し、該素子基板を複数の領域に分割した場合に得られる複数の分割領域のそれぞれに対して、前記加熱素子と前記センサとが配されているインクジェット記録装置の制御方法であって、
前記分割領域ごとに、該分割領域に配された前記センサによって検出される温度と目標温度との間の差分に基づき、該分割領域に配された前記加熱素子に対する駆動強度を決定するステップと、
前記分割領域ごとに、前記駆動強度を補正するための補正値を決定するステップと、
前記分割領域ごとに、前記駆動強度と前記補正値とを加算することで、補正された駆動強度を決定するステップと、
前記分割領域ごとに、前記補正された駆動強度に従って、前記加熱素子を駆動するステップと
を有し、
第１の加熱素子グループに対する前記補正された駆動強度が該補正
駆動強度の上限値に達している場合、前記第１の加熱素子グループの加熱素子が配された分割領域に近接し、かつ、該分割領域より加熱効率が高い分割領域に配された第２の加熱素子グループに対する前記補正値が、前記第１の加熱素子グループに対する前記補正値と等しいことを特徴とする制御方法。
【請求項１４】
コンピューターに請求項１３に記載の方法を実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット記録装置、その制御方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インクを吐出するための熱エネルギーを生成する複数の記録素子が配置された素子基板を有する記録ヘッドを用いて、記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、記録ヘッドに配置された素子基板を複数の領域に分割し、該分割した領域の夫々に配置されたサブヒータで加熱することによって、素子基板が設定温度となるように制御する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−２２２０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、サブヒータの駆動電力に上限値が設定されており、一部のサブヒータの駆動電力が上限値に達している場合、該一部のサブヒータが担当する領域の温度を設定温度まで上昇させる時間が長くなるという課題がある。
【０００６】
そこで本発明は、上記の課題に鑑み、記録装置の記録ヘッドにおいて、一部のサブヒータの駆動電力が上限値に達している場合であっても、該一部のサブヒータが担当する領域の温度を設定温度まで上昇させる時間を短くすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、記録媒体にインクを吐出する記録素子から成る１または複数の記録素子列と、前記インクを加熱する加熱素子と、温度を検出するセンサとがそれぞれ設けられた素子基板を有し、該素子基板を複数の領域に分割した場合に得られる複数の分割領域のそれぞれに対して、前記加熱素子と前記センサとが配されているインクジェット記録装置であって、前記分割領域ごとに、該分割領域に配された前記センサによって検出される温度と目標温度との間の差分に基づき、該分割領域に配された前記加熱素子に対する駆動強度を決定する第１決定手段と、前記分割領域ごとに、前記駆動強度を補正するための補正値を決定する第２決定手段と、前記分割領域ごとに、前記駆動強度と前記補正値とを加算することで、補正された駆動強度を決定する第３決定手段と、前記分割領域ごとに、前記補正された駆動強度に従って、前記加熱素子を駆動する駆動手段とを有し、第１の加熱素子グループに対する前記補正された駆動強度が該補正された駆動強度の上限値に達している場合、前記第１の加熱素子グループの加熱素子が配された分割領域に近接し、かつ、該分割領域より加熱効率が高い分割領域に配された第２の加熱素子グループに対する前記補正値が、前記第１の加熱素子グループに対する前記補正値と等しいことを特徴とするインクジェット記録装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、一部のサブヒータの駆動電力が上限値に達している場合であっても、該一部のサブヒータが担当する領域の温度を設定温度まで上昇させる時間を短くすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明における記録装置の構成例を示す外観斜視図。
【図２】本発明における記録装置の制御構成の例を示す図。
【図３】第１の実施形態に係る記録ヘッドの構成の概要を説明するための図。
【図４】第１の実施形態に係る保温制御処理のフローチャート。
【図５】第１の実施形態に係るΔＴとＳＨランクとの対応関係を保持するテーブル。
【図６】（ａ）従来の高温環境におけるＳＨランク補正値を説明するための図。（ｂ）このＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の温度変化を説明するための図。
【図７】（ａ）従来の低温環境におけるＳＨランク補正値を説明するための図。（ｂ）このＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の温度変化を説明するための図。
【図８】（ａ）第１の実施形態に係る低温環境におけるＳＨランク補正値を説明するための図。（ｂ）このＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の温度変化を説明するための図。
【図９】第２の実施形態に係る記録ヘッドの構成の概要を説明するための図。
【図１０】（ａ）第２の実施形態に係る低温環境におけるＳＨランク補正値を説明するための図。（ｂ）このＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の温度変化を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施形態について、さらに具体的かつ詳細に説明する。但し、ここで記載されている構成要素の相対配置等は、特定の記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１１】
尚、本明細書において、「記録」（「プリント」という場合もある）とは、文字、図形等有意の情報を形成する場合のみならず、有意無意を問わない。さらに人間が視覚で知覚し得るように顕在化したものであるか否かも問わず、広く記録媒体上に画像、模様、パターン等を形成する、または媒体の加工を行う場合も表すものとする。
【００１２】
また、「記録媒体」とは、一般的な記録装置で用いられる紙のみならず、広く、布、プラスチック・フィルム、金属板、ガラス、セラミックス、木材、皮革等、インクを受容可能なものも表すものとする。
【００１３】
さらに、「インク」（「液体」と言う場合もある）とは、上記「記録（プリント）」の定義と同様広く解釈されるべきものである。従って、記録媒体上に付与されることによって、画像、模様、パターン等の形成または記録媒体の加工、或いはインクの処理（例えば記録媒体に付与されるインク中の色剤の凝固または不溶化）に供される液体などの記録材も表すものとする。
【００１４】
またさらに、「記録素子」とは、特にことわらない限り、インク吐出口乃至これに連通する液路およびインク吐出に利用されるエネルギーを発生する素子を総括して言うものとする。
【００１５】
またさらに、「素子基板」（「ヘッド基板」、「ヒータボード」と言う場合もある）とは、シリコン半導体から成る単なる基体を指し示すものではなく、各素子や配線等が設けられた記録素子基板の構成を差し示すものである。因みに、基板上とは、単に素子基板の上を指し示すだけでなく、素子基板の表面、表面近傍の素子基板内部側をも示すものとする。
【００１６】
本発明の最も重要な特徴をなすインクジェット記録ヘッド（以下、単純に「記録ヘッド」と記載する）では、複数の記録素子から成る記録素子列と、該複数の記録素子を駆動する駆動回路とを同一基板に実装している。また、後述の説明から分かるように、記録ヘッドは複数の素子基板を内蔵し、これらの素子基板をカスケード接続する構造をとっている。従って、本発明の記録ヘッドは、相対的に長い記録幅を実現することができるため、一般に見られるシリアルタイプの記録装置のみならず、その記録幅が記録媒体の幅に相当するようなフルライン記録ヘッドを備えた記録装置にも用いられる。また、本発明の記録ヘッドは、シリアルタイプの記録装置の中でも、Ａ０やＢ０等の大きなサイズの記録媒体に記録する大判プリンタに用いられる。まず、本発明の記録ヘッドが用いられる記録装置について説明する。
【００１７】
＜記録装置の概要について＞
図１は、本発明における記録装置の１例として、フルラインの記録ヘッド１００Ｋ、１００Ｃ、１００Ｍ、１００Ｙと、常に安定したインク吐出を保証するための回復系ユニットとを備えたインクジェット記録装置１の構造を説明するための斜視透視図である。尚、以下では、「インクジェット記録装置１」を単純に「記録装置１」と記載する。
【００１８】
フィーダユニット１７内にセットされた記録用紙１５は、搬送ユニット１６によって図中＋Ｘ方向に搬送され、各色の記録ヘッドにより実際に記録が行われる位置（記録位置とする）に到達する。記録用紙１５への記録では、まず、搬送ユニット１６が記録用紙１５を搬送しながら、記録用紙１５内に設定される基準位置がブラック（Ｋ）インクを吐出する記録ヘッド１００Ｋの下に到達したときに、記録ヘッド１００Ｋからブラックインクを吐出する。同様に、シアン（Ｃ）インクを吐出する記録ヘッド１００Ｃ、マゼンタ（Ｍ）インクを吐出する記録ヘッド１００Ｍ、イエロ（Ｙ）インクを吐出する記録ヘッド１００Ｙの順に、記録用紙１５の基準位置が各色の記録ヘッドの下に到達すると、各色インクを吐出する。このようにしてカラー画像が印刷された記録用紙１５は、スタッカトレイ２０に排出されて堆積される。
【００１９】
記録装置１はさらに、記録ヘッド１００Ｋ、１００Ｃ、１００Ｍ、１００Ｙに供給されるインク毎に交換可能なインクカートリッジ（不図示）を有している。フロントドア１９は、インクカートリッジを交換する際に開閉する扉である。また、記録装置１はさらに、記録ヘッド１００へのインク供給や回復動作のためのポンプユニット（不図示）、記録装置１全体を制御する制御基板（不図示）等も有している。
【００２０】
尚、図１に示す座標、即ち、記録媒体の搬送方向を示すＸ軸と、重力方向を示すＺ軸と、Ｘ軸とＺ軸とに直角に交差するＹ軸との関係は、以降の説明でも共通して用いるものとする。以上が、本発明における記録装置の概要の内容である。
【００２１】
＜記録装置の制御構成について＞
次に、図１を用いて説明した記録装置１の記録制御を実行するための構成（いわゆる、制御構成）について、図２を用いて説明する。図２は、記録装置１の制御回路の構成を示すブロック図である。図２において、コントローラ３０は、ＭＰＵ３１、ＲＯＭ３２、ゲートアレイ（Ｇ．Ａ．）３３、及びＤＲＡＭ３４を含んで構成される。
【００２２】
インタフェース４０は、記録データを入力するインタフェースである。ＲＯＭ３２は、不揮発性の記憶領域であり、ＭＰＵ３１が実行する制御プログラムを格納するＲＯＭである。ＤＲＡＭ３４は、記録データや記録ヘッド１００に供給される記録信号等のデータを一時的に格納するＤＲＡＭである。ゲートアレイ３３は、記録ヘッド１００に対する記録信号の供給制御を行うゲートアレイであり、インタフェース４０、ＭＰＵ３１、ＤＲＡＭ３４間のデータ転送制御も行う。キャリッジモータ９０は、記録ヘッド１００（１００Ｋ、１００Ｃ、１００Ｍ、１００Ｙ）を搬送するためのモータである。搬送モータ７０は、記録媒体を搬送するためのモータである。ヘッドドライバ５０は、記録ヘッド１００を駆動する。モータドライバ６０は、搬送モータ７０を駆動するためのモータドライバであり、モータドライバ８０は、キャリッジモータ９０を駆動するためのモータドライバである。
【００２３】
尚、図１に示すようなフルライン記録ヘッドを用いる構成の記録装置では、キャリッジモータ９０やそのモータを駆動するモータドライバ８０は存在しない。このことを考慮して、図２では、モータドライバ８０及びキャリッジモータ９０に、括弧をつけている。
【００２４】
以上説明した制御回路の動作を説明する。インタフェース４０を介して入力された記録データ（ビットマップ画像データ）は、ＭＰＵ３１及びゲートアレイ３３により、記録信号に変換される。記録信号とは、インク吐出口用の、吐出または非吐出を表すＯＮ／ＯＦＦ信号である。モータドライバ６０、８０が駆動されると共に、ヘッドドライバ５０に送られた記録信号に従って記録ヘッド１００が駆動され、記録が行われる。
【００２５】
以下では、フルライン型の記録ヘッドを例に挙げて、本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、前述したようなシリアルタイプの記録装置の記録ヘッドに本発明を適用しても良い。以上が、本発明における記録装置１の制御構成の内容である。
【００２６】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態について説明する。
【００２７】
＜記録ヘッドの構成について＞
図３は、本実施形態に係る記録ヘッドの構成の概要を説明するための図である。図３に示すように、本実施形態に係る記録ヘッド１００には、記録ヘッド１００が伸長する方向（Ｙ方向）に沿って、複数の素子基板３０１が配列される。尚、図３では説明の便宜上、インクを吐出する記録素子（具体的には吐出口）、及び、この吐出口に対応する熱エネルギーを生成するヒータについては、省略している。
【００２８】
素子基板３０１には、複数のサブヒータ（加熱素子）３０２が設けられる。サブヒータ３０２は、インクを吐出する記録素子（具体的には吐出口）それぞれに対応付けて設けられるヒータとは異なるヒータである。尚、図３では、素子基板３０１を４０個の領域に格子状に分割し、該分割した領域（分割領域とする）の夫々に対応するサブヒータを設ける構成としている。しかし、サブヒータ３０２の数や配置は、特に図３に示すものに限定されず、サブヒータ３０２により素子基板３０１の領域全体の温度調整が可能な数や配置であれば良い。
【００２９】
また、各サブヒータ３０２には、温度検出手段（温度センサ）３０３が設けられる。尚、温度検出手段３０３の数や配置は特に図３に示すものに限定されず、各サブヒータ３０２における温度情報を取得することが可能な数や配置であれば良い。また、素子基板３０１の配列構成や形状も、図３に示すものに限定されない。例えば、素子基板の形状は図示したような長方形ではない平行四辺形の他、長方形、台形等の四角形であっても良い。さらに、記録ヘッド１００は、（素子基板の）複数列から構成されても良いし、或いは、記録ヘッド１００における素子基板の配列は、千鳥配列であっても良い。
【００３０】
＜保温制御処理について＞
以下、本実施形態に係る保温制御処理について、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る、サブヒータ駆動を伴う保温制御処理のフローチャートである。図４に示すフローの各処理は、例えば、ＭＰＵ３１がＲＯＭ３２等に格納されたプログラムを読み出して実行することにより実現される。尚、以下では、各処理の主体をコントローラ３０として説明する。また、以下のフローは、印刷ジョブの実行指示を受け取ったことに応じて開始される。
【００３１】
ステップＳ４００において、コントローラ３０は、各素子基板３０１の分割領域のうち未処理の１つに注目する。本ステップで注目する領域を、注目分割領域とする。例えば、図３に示すケースでは、本ステップにて、４０個の分割領域のうちの１つが、注目分割領域として選ばれる。尚、以降では「ステップＳ〜」を単純に「Ｓ〜」と記載する。
【００３２】
Ｓ４０１において、コントローラ３０は、注目分割領域の温度を取得する。ここで、注目分割領域の温度は、注目分割領域に対応する温度検出手段３０３により取得できる。
【００３３】
Ｓ４０２において、コントローラ３０は、Ｓ４０１で取得した注目分割領域の温度と、目標温度（Ｔｔｇｔとする）との差分（ΔＴとする）を算出する。ここで「目標温度」とは、画像形成を行うために各注目分割領域で維持されるべき温度を示し、デフォルト値として設定されている。尚、本実施形態では、複数の素子基板と各素子基板における複数の分割領域との両方に対して共通の値が、目標温度として用いられるものとする。目標温度の値は予め規定され、ＲＯＭ３２等に保持されている。
【００３４】
Ｓ４０３において、コントローラ３０は、Ｓ４０２で算出した温度差ΔＴに基づき、注目分割領域に対応するサブヒータ３０２に対する駆動強度を示す指標を決定する。具体的には、コントローラ３０は、図５に示すようなテーブルを参照して、Ｓ４０２で算出した温度差ΔＴに対応するサブヒータランクを選択する。サブヒータランク（ＳＨランクと略記する）とは、本実施形態で採用するサブヒータに対する駆動強度を示す指標である。図５は、温度差ΔＴとＳＨランクとの間の対応関係を保持するテーブルを示している。図５（ａ）に示すように、本実施形態のＳＨランクは、０以上３１以下の範囲の値をとることができる。ＳＨランクが大きいほどサブヒータを駆動する際のパルス幅が長くなり、つまり、サブヒータを駆動する時間が長くなる一方で、ＳＨランクが０のとき、サブヒータを駆動しない。
【００３５】
記録装置１の電源をＯＮにした後、１回目の保温制御処理を開始する際、素子基板３０１の温度は環境温度とほぼ等しく、分割領域の温度と目標温度Ｔｔｇｔとの差分（温度差ΔＴ）が大きいので、ＳＨランクは大きくなる。従って、強い駆動強度で駆動されたサブヒータ３０２により、分割領域は急速に加熱される。しばらく加熱されると、温度差ΔＴが小さくなるので、ＳＨランクは小さくなり、分割領域の温度が目標温度Ｔｔｇｔとほぼ等しい状態が維持される。
【００３６】
図５（ａ）は、サブヒータの駆動電力に上限値を設定しない場合の対応関係を示すテーブルであり、図５（ｂ）は、サブヒータの駆動電力に上限値を設定した場合の対応関係を示すテーブルである。ここでサブヒータの駆動電力の「上限値」とは、記録装置１の消費電力を所定量以下に抑えるために予め規定された、補正前と補正後との夫々に対するサブヒータランクの閾値である、これらの閾値は、環境温度や記録する用紙の幅に応じて異なって良い。同一の駆動条件でサブヒータを駆動するような場合であっても、環境温度が低いほど、また、記録する用紙の幅が長いほど、記録装置１の消費電力が大きくなる。従って、記録装置１の消費電力を所定量以下に抑えるためには、サブヒータの駆動電力の上限値を小さくする必要がある。尚、以下では、補正前の上限値が２３、補正後の上限値が３１に設定されているケースについて説明する。
【００３７】
Ｓ４０４において、コントローラ３０は、Ｓ４０３で選択したＳＨランクを補正するための値（ＳＨランク補正値とする）を決定する。本実施形態では、ＳＨランク補正値は、サブヒータ毎の熱特性を考慮しサブヒータ上の位置に応じて予め規定され、サブヒータ上の位置とＳＨランク補正値との関係を保持するテーブルが、ＲＯＭ３２に格納されている。熱特性は大きく分けて、発熱特性と放熱特性という２つの特性がある。発熱特性はサブヒータの製造公差に起因する抵抗ばらつきから決まり、抵抗値が小さいほど電流値が大きくなり、電圧は固定なので発熱量（消費電力）が大きくなる。放熱特性はサブヒータの素子基板上の位置に基づいて決まり、一般的には、素子基板上の端部の方が中央部よりも放熱量が大きくなる。本実施形態は放熱特性に関する補正制御なので、発熱特性については考えない。（つまり、サブヒータの製造公差に起因する抵抗ばらつきは無いものとする。）
【００３８】
図６は、従来の構成を用いて、高温環境においてサブヒータを駆動した際の、素子基板の温度変化を説明する図である。詳しくは、図６（ａ）は、素子基板上の各位置に対応するサブヒータ毎のＳＨランク補正値を示し、素子基板に配されたサブヒータ毎の熱特性に応じたサブヒータのグループ分けを示している。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の、各サブヒータが担当する素子基板の分割領域の温度変化を示している。図６（ａ）に示すように従来の構成では、加熱効率が低い位置に配置されるサブヒータ（具体的には、左上端と左下端と右下端と右上端との４隅のサブヒータ）に対応するパルス幅を長くする。一方で、これらのサブヒータより加熱効率が高い位置に配置されるサブヒータに対応するパルス幅を短くする。これにより、素子基板上の温度ばらつきを低減させている。素子基板上の個々のサブヒータについて、そのデバイスとしての能力（電流に対して発生させられる熱量）は同じだが、配置位置によって加熱効率が異なる。上述したように、左上端と左下端と右下端と右上端との４隅のサブヒータの加熱効率が低い理由は、周りにサブヒータが無い分、熱が逃げ易いためである。
【００３９】
因みに、図６（ａ）では、ＳＨランクの補正前後で素子基板毎の消費電力を等しくするため、素子基板内のＳＨランク補正値の合計が０になるように設定している。素子基板毎の消費電力を、補正前後で等しくすることによって、消費電力に関係する制御への影響を無くすことができる。尚、前述したように、図６は高温環境のケースを示し、環境温度（Ｄ２とする）と目標温度（Ｄ３とする）との差分が比較的小さいので、加熱開始から加熱完了までの時間（加熱時間とする）はＴ２−Ｔ１となり、後述する低温環境のケースと比べると短くなる。また、サブヒータを駆動する電力に余裕があるので、素子基板上の温度ばらつきを発生させることのない、環境温度から目標温度までの加熱制御が可能である。
【００４０】
図４の説明に戻る。Ｓ４０４の後、Ｓ４０５において、コントローラ３０は、注目分割領域に対するサブヒータのＳＨランクを最終的に決定する。具体的には、Ｓ４０３にて図５（ｂ）のテーブルを用いて選択したＳＨランクに、Ｓ４０４にて決定した注目分割領域に対応するＳＨランク補正値（図６（ａ）参照）を加算する。例えばΔＴ＞２．０の場合、加熱効率が低い位置に配置される第１のサブヒータグループ（ＳＨグループと略記する）に属するサブヒータに関しては、補正前のＳＨランクは２３、ＳＨランク補正値は８であるので、補正後のＳＨランクは３１となる。尚、補正値を加算した結果、３１より大きくなる場合は３１に設定し、０より小さくなる場合は０に設定する。
【００４１】
Ｓ４０６において、コントローラ３０は、Ｓ４０５で決定したＳＨランクに対応するパルス幅で、各サブヒータ３０２を駆動する。
【００４２】
Ｓ４０７において、コントローラ３０は、未処理の分割領域があるか判定する。本ステップの判定結果が真の場合、処理はＳ４００に戻り、次の注目分割領域が選択される。一方、本ステップの判定結果が偽の場合、一連の処理は終了する。以上が、本実施形態における保温制御処理の内容である。
【００４３】
＜第１の実施形態の具体例＞
＜＜従来の構成の場合＞＞
本実施形態における具体例について説明する前に、まず、従来の構成における動作例について説明する。図７は、従来の構成を用いて、低温環境においてサブヒータを駆動した際の、素子基板の温度変化を説明する図である。詳しくは、図７（ａ）は、素子基板上の各位置に対応するサブヒータ毎のＳＨランク補正値を示し、素子基板に配されたサブヒータ毎の熱特性に応じたサブヒータのグループ分けを示している。ここで、図に示すように、加熱効率が最も低い位置に配置されるサブヒータ群、具体的には、左上端と左下端と右下端と右上端との４隅のサブヒータを、第１のサブヒータグループ（ＳＨグループと略記する。加熱素子グループともいう。）とする。また、第１のＳＨグループのサブヒータに何れかの方向で近接（隣接ともいう）し、かつ第１のＳＨグループのサブヒータより加熱効率が高い位置に配置されるサブヒータ群を第２のＳＨグループとする。
【００４４】
図７（ｂ）は、図７（ａ）に示すＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の、各サブヒータが担当する素子基板の分割領域の温度変化を示している。前述したように、図７は低温環境のケースを示し、環境温度（Ｄ１とする。但しＤ１＜Ｄ２。）と目標温度Ｄ３との差分が比較的大きいので、加熱時間はＴ４−Ｔ１となり、図６（ｂ）に示したケースより長い。また、サブヒータを駆動する電力に余裕がないので、加熱効率が低い第１のＳＨグループに属する各サブヒータが担当する分割領域に関し、加熱効率が高い第２のＳＨグループに属する各サブヒータが担当する分割領域と比較して、加熱中の温度が低くなる。即ち、図７（ｂ）に示すように、第１のＳＨグループに属するサブヒータは、設定できる最大のＳＨランクに対応する最長のパルス幅でサブヒータを駆動しても、第２のＳＨグループに属するサブヒータよりも加熱時間が長くなる。尚、本例における「最大のＳＨランク」とは、サブヒータランク上限値２３にサブヒータランク補正値８を加算した補正後のサブヒータランク値３１である。
【００４５】
＜＜本実施形態の場合＞＞
次に、本実施形態に係る構成における動作例について説明する。図８は、本実施形態に係る構成を用いて、低温環境においてサブヒータを駆動した際の、素子基板の温度変化を説明する図である。詳しくは、図８（ａ）は、素子基板上の各位置に対応するサブヒータ毎のＳＨランク補正値を示し、素子基板に配されたサブヒータ毎の熱特性に応じたサブヒータのグループ分けを示している。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示すＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の、各サブヒータが担当する素子基板の分割領域の温度変化を示している。尚、前述したように、本実施形態における素子基板とその分割領域の形状は、平行四辺形であるが（図３参照）、図８（ａ）では、説明上、素子基板を長方形で表し、分割領域を正方形で表している。
【００４６】
図８（ａ）に示すように、第１のＳＨグループに対応するサブヒータランク補正値は、従来例と同じく８である。ところが、第２のＳＨグループに対応するＳＨランクが８であり、従来例のそれと比較して高い。因みに、従来例の第２のＳＨグループに対するＳＨランクは０である（図７（ａ）参照）。
【００４７】
従って、本実施形態に係る第２のＳＨグループの各サブヒータが担当する分割領域の温度は、加熱中、従来例に係る第２のＳＨグループの各サブヒータが担当する分割領域の温度より高くなる。その結果、本実施形態では、第２のＳＨグループのサブヒータから第１のＳＨグループのサブヒータに伝達される熱量が、従来例より多くなる。よって、第１のＳＨグループの温度を環境温度Ｄ１から目標温度Ｄ３まで上昇させるために要する加熱時間はＴ３−Ｔ１となり、従来例の加熱時間であるＴ４−Ｔ１より短くなる。
【００４８】
＜本実施形態の効果、変形例について＞
このように本実施形態では、第１のＳＨグループに供給する電力は従来例と同じだが、第２のＳＨグループに供給する電力を多くし、その分だけ第１、第２のＳＨグループ以外のサブヒータに供給する電力を少なくする。例えば、図８（ａ）のケースでは、素子基板の中央に位置する１２個のサブヒータの夫々に対する補正値を−８としている。
【００４９】
本実施形態により、素子基板全体に供給する電力（素子基板毎の消費電力）を変えることなく、素子基板全体の加熱時間を短くすることができる。
【００５０】
＜＜変形例１＞＞
前述の形態では、素子基板内で近接するサブヒータから伝わる熱よりも素子基板間で近接するサブヒータから伝わる熱の方が小さくなる構成（断熱構成）について説明した。しかし、素子基板内で近接するサブヒータから伝わる熱（分割領域間で伝わる熱）と、素子基板間で近接するサブヒータから伝わる熱とがほぼ等しくなる構成（非断熱構成）に本実施形態を適用しても良い。
【００５１】
以下、詳しく説明する。前述の実施形態では、各素子基板における四隅のサブヒータの加熱効率が低くなるものとした。これに対し、本変形例では、記録ヘッド全体における四隅のサブヒータの加熱効率が低くなる。具体的に、記録ヘッド全体における四隅のサブヒータとは、図３のケースを挙げて説明すると、記録ヘッド１００左端の素子基板の左上と左下のサブヒータ、及び、記録ヘッド右端の素子基板の右上と右下とのサブヒータである。このように本変形例では、記録ヘッドの第１の方向（Ｘ方向）の端部かつ第２の方向（Ｙ方向）の端部を含まない素子基板は、加熱効率が低いサブヒータ（第１のＳＨグループ）を有さない。よって、記録ヘッドの第１の方向の端部かつ第２の方向の端部を含む素子基板に供給する電力を多くする一方で、その分だけ記録ヘッドの第１の方向の端部かつ第２の方向の端部を含まない素子基板に供給する電力を少なくする。但しこのとき、記録ヘッド内のＳＨランク補正値の合計が０となるように設定する必要がある。
【００５２】
＜＜変形例２＞＞
前述の形態では、各素子基板において、第１の方向（Ｘ方向）の端部と第２の方向（Ｙ方向）の端部との四隅のサブヒータの加熱効率が同程度に低い場合を説明したが、本実施形態はこのような場合に限定されない。例えば、各素子基板の左上と右下とのサブヒータの加熱効率が、各素子基板の左下と右上とのサブヒータの加熱効率よりも小さい場合に、本実施形態を適用して良い。或いは、各素子基板の左下と右上とのサブヒータの加熱効率が、各素子基板の左上と右下とのサブヒータの加熱効率よりも小さい場合に、本実施形態を適用しても良い。
【００５３】
具体的な１例として、各素子基板の形状が平行四辺形であり、かつ各素子基板の左上と右下との内角（２隅の内角）が、左下と右上との内角（他の２隅の内角）よりも小さい場合を説明する。この場合、小さい方の内角に対応する領域（各素子基板の左上と右下）の方が、大きい方の内角に対応する領域（各素子基板の左下と右上）よりも放熱し易い。即ち、各素子基板において、左上と右下におけるサブヒータの加熱効率は、左下と右上におけるサブヒータの加熱効率より低くなる。従って、各素子基板において、左上と右下に対応するサブヒータを第１のＳＨグループに属するものとし、これらのサブヒータに隣接するサブヒータを第２のＳＨグループに属するものとすれば良い。
【００５４】
第１のＳＨグループに属するサブヒータに供給する電力は従来例と同じだが、第２のＳＨグループに属するサブヒータに供給する電力を多くする。また、その分だけ第１、第２のサブヒータグループ以外のサブヒータに供給する電力を少なくする。これによって、素子基板全体に供給する電力を変えることなく、素子基板全体の加熱時間を短くすることができる。
【００５５】
［第２の実施形態］
第１の実施形態では、各素子基板の端部におけるサブヒータまたは記録ヘッドの端部におけるサブヒータの加熱効率が低い場合を説明した。本実施形態では、１つの素子基板が複数のインク供給口を有し、該インク供給口を経由してインクが記録装置１内を循環する場合を説明する。
【００５６】
＜記録ヘッドの構成について＞
図９は、本実施形態に係る記録ヘッドの構成の概要を説明するための図である。尚、記録ヘッドにおけるサブヒータと温度センサとの位置関係に関しては、本実施形態においても、第１の実施形態と同じ構成（図３参照）を採用するものとする。図３が、サブヒータと温度センサとの位置関係を示しているのに対し、図９は、サブヒータとインク供給口との位置関係を示している。インクは流入側のインク供給口（流入口ともいう）９０１から素子基板内に流入し、素子基板内の各記録素子にインクが供給される。供給されたインクを用いて記録媒体への記録が行われる。記録に用いられなかったインクは、流出側のインク供給口（流出口ともいう）９０２から素子基板外に流出する。素子基板から流出したインクは、記録装置１内の循環経路を経由し、再度素子基板に流入する。
【００５７】
保温制御を実施している場合、記録ヘッド１００の温度は目標温度とほぼ同じである一方、記録装置１内の循環経路の温度は環境温度とほぼ同じである。目標温度は環境温度よりも高いため、流入側のインク供給口９０１からは冷たい（環境温度に近い）インクが流入し、素子基板内を流れる間に徐々に加熱される。その後、流出側のインク供給口９０２からは温かい（目標温度に近い）インクが流出し、循環経路を流れる間に徐々に冷却される。このように、流入側のインク供給口９０１に常に冷たいインクが供給されるため、この流入側のインク供給口９０１に対応するサブヒータの加熱効率が低くなる。
【００５８】
図１０は、本実施形態に係る構成を用いて、低温環境においてサブヒータを駆動した際の、素子基板の温度変化を説明するための図である。詳しくは、図１０（ａ）は、素子基板上の各位置に対応するサブヒータ毎のＳＨランク補正値を示し、サブヒータ毎の熱特性に応じたサブヒータのグループ分けを示している。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示すＳＨランク補正値を適用してサブヒータを駆動した際の、各サブヒータが担当する素子基板の分割領域の温度変化を示している。尚、前述したように、本実施形態における素子基板とその分割領域の形状は、平行四辺形であるが（図９参照）、図１０（ａ）では、説明上、素子基板を長方形で表し、分割領域を正方形で表している。
【００５９】
本実施形態では、加熱効率が低いサブヒータ（第１のＳＨグループに属するサブヒータ）夫々の位置は、流入側のインク供給口９０１が配される位置と同じである。図１０（ａ）に示すように、図８（ａ）と同様に、第１のＳＨグループに属するサブヒータに供給する電力は、従来例と同じにする。また、加熱効率が第１のＳＨグループより高く、かつ第１のＳＨグループに属するサブヒータに近接するサブヒータ（即ち、第２のＳＨグループに属するサブヒータ）に供給する電力を多くする。また、その分だけ第１、第２のサブヒータグループ以外のサブヒータに供給する電力を少なくする。
【００６０】
＜本実施形態の効果について＞
本実施形態により、素子基板全体に供給する電力（素子基板毎の消費電力）を変えることなく、素子基板全体の加熱時間を短くすることができる。
【００６１】
［その他の実施形態］
前述の実施形態では、記録ヘッドの構成に基づき一意に決まる、固定値のＳＨランク補正値を用いた（図８（ａ）、図１０（ａ）参照）。しかし、記録装置の加熱モードに応じて、適用するＳＨランク補正値を変更してもよい。具体的には、目標温度まで加熱する第１の加熱モード（印刷前）と、達成した目標温度を保持する第２の加熱モード（印刷中）とで、異なるＳＨランク補正値を適用しても良い。
【００６２】
以下、詳しく説明する。まず、印刷前に保温制御と循環制御を開始するが、循環制御の立ち上げにある程度時間がかかるため、適正な流量でインクが循環する前に、記録ヘッドの温度が目標温度に到達してしまう。従って、印刷前は、循環制御に起因する流入側のインク供給口９０１に対応するサブヒータの加熱効率は低下しない一方、素子基板３０１の端部におけるサブヒータの加熱効率は低下する。よって、印刷前は、第１の実施形態と同様のサブヒータランク補正値を適用すれば良い。
【００６３】
また、印刷中は適正な流量でインクが循環するため、循環制御により、流入側のインク供給口９０１に対応するサブヒータの加熱効率は低下する。前述したように、素子基板３０１の端部のサブヒータの加熱効率も低下するが、循環制御による加熱効率の低下の度合いと比べると、無視できるほど小さい。よって、印刷中は第２の実施形態と同様のＳＨランク補正値を適用すれば良い。
【００６４】
尚、本発明は上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムをネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピューターにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１  記録装置、
３０  コントローラ、
３１  ＭＰＵ、
３２  ＲＯＭ、
３４  ＤＲＡＭ、
１００  記録ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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