(57)【要約】【課題】広い範囲に形成された白欠陥や複雑な形状の白欠陥であっても、短時間で高精度に修正することができるパターンの修正方法を提供する。【解決手段】透明基板と、上記透明基板の表面に設けられたマスクパターンおよびアライメントマークと、を有するフォトマスクにおける白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、欠陥位置特定工程と、設計データ抽出工程と、データ変換工程と、レジスト層形成工程と、パターン描画工程と、上記マスクパターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、を有することを特徴とするパターンの修正方法【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板の表面に設けられたマスクパターンおよびアライメントマークと、を有するフォトマスクにおける前記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、
前記アライメントマークの位置を基準とする前記白欠陥の形成領域の位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記マスクパターンの設計データから、前記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき前記マスクパターンの一部の設計データを抽出する設計データ抽出工程と、
前記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換するデータ変換工程と、
前記透明基板の表面および前記マスクパターンの表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記欠陥修正用描画データを用いて、前記アライメントマークの位置を基準として、前記修正領域における前記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画するパターン描画工程と、
前記パターンが描画された前記レジスト層を現像することにより、前記マスクパターンの一部が設けられるべき前記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、
前記レジストパターンの表面および前記レジストパターンから露出する前記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、
前記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、
を有することを特徴とするパターンの修正方法。
【請求項２】
前記設計データ抽出工程を行う前に、前記白欠陥を有するマスクパターンの実測データに、前記設計データを適合させ、適合された設計データを得る設計データ適合工程を有し、前記設計データ抽出工程では、前記適合された設計データから、前記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき前記マスクパターンの一部の適合された設計データを抽出することを特徴とする請求項１に記載のパターンの修正方法。
【請求項３】
前記設計データ適合工程が、
前記設計データを回転させ、前記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＹ軸の方向と、前記設計データのＹ軸の方向とを一致させる工程と、
前記設計データのＹ軸に対するＸ軸の角度を変更することにより、前記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＸ軸の方向と、前記設計データのＸ軸の方向を一致させ、前記白欠陥を有するマスクパターンのデータと、前記設計データとの直交度を一致させる工程と、
前記白欠陥を有するマスクパターンのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さに対し、前記設計データのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さを一致させる工程と、を有することを特徴とする請求項２に記載のパターンの修正方法。
【請求項４】
前記設計データ適合工程が、
前記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの前記実測データにおける位置に、前記設計データにおける前記複数の特定パターンの位置を一致させて、適合された設計データを得る工程を有することを特徴とする請求項２または３に記載のパターンの修正方法。
【請求項５】
前記設計データ適合工程が、
前記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの前記実測データにおける位置の実測値から、近似式を用いた補正を行うことにより補正データを作成し、前記設計データにおける前記複数の特定パターンの位置を、前記補正データにおける前記複数の特定パターンの位置に一致させて、適合された設計データを得る工程を有することを特徴とする請求項２または３に記載のパターンの修正方法。
【請求項６】
前記データ変換工程では、
前記マスクパターンに全面にわたって特定された複数個所のパターンの線幅の前記実測データにおける値と、前記設計データにおける値とを対比して線幅比率を求め、前記複数個所における線幅比率を示すマップを作成し、前記マップに基づき前記欠陥修正用描画データにおける照射出力を制御することを特徴とする請求項１から５までのいずれかの請求項に記載のパターンの修正方法。
【請求項７】
透明基板と、前記透明基板の表面に設けられたマスクパターンと、を有するフォトマスクにおける前記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、
前記白欠陥の形成領域の位置を特定する欠陥位置特定工程と、
前記透明基板の表面および前記マスクパターンの表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記白欠陥の形成領域のみにおける前記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画するパターン描画工程と、
前記パターンが描画された前記レジスト層を現像することにより、前記マスクパターンの一部が設けられるべき前記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、
前記レジストパターンの表面および前記レジストパターンから露出する前記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、
前記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、
を有することを特徴とするパターンの修正方法。
【請求項８】
前記フォトマスクが、前記透明基板の表面に設けられたアライメントマークをさらに有し、
前記欠陥位置特定工程において、前記アライメントマークの位置を基準とする前記白欠陥の形成領域の位置を特定するパターンの修正方法であり、
前記マスクパターンの設計データから、前記白欠陥の形成領域に設けられるべき前記マスクパターンの一部の設計データを抽出する設計データ抽出工程と、前記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換するデータ変換工程と、をさらに有し、
前記パターン描画工程において、前記欠陥修正用描画データを用いて、前記アライメントマークを基準として、前記パターンを描画することを特徴とする請求項７に記載のパターンの修正方法。
【請求項９】
前記設計データ抽出工程を行う前に、前記白欠陥を有するマスクパターンの実測データに、前記設計データを適合させ、適合された設計データを得る設計データ適合工程を有し、前記設計データ抽出工程では、前記適合された設計データから、前記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき前記マスクパターンの一部の適合された設計データを抽出することを特徴とする請求項８に記載のパターンの修正方法。
【請求項１０】
前記設計データ適合工程が、
前記設計データを回転させ、前記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＸ軸の方向と、前記設計データのＸ軸の方向とを一致させる工程と、
前記設計データのＸ軸に対するＹ軸の角度を変更することにより、前記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＹ軸の方向と、前記設計データのＹ軸の方向を一致させ、前記白欠陥を有するマスクパターンのデータと、前記設計データとの直交度を一致させる工程と、
前記白欠陥を有するマスクパターンのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さに対し、前記設計データのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さを一致させる工程と、を有することを特徴とする請求項９に記載のパターンの修正方法。
【請求項１１】
前記設計データ適合工程が、
前記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの前記実測データにおける位置に、前記設計データにおける前記複数の特定パターンの位置を一致させて、適合された設計データを得る工程を有することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のパターンの修正方法。
【請求項１２】
前記設計データ適合工程が、
前記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの前記実測データにおける位置の実測値から、近似式を用いた補正を行うことにより補正データを作成し、前記設計データにおける前記複数の特定パターンの位置を、前記補正データにおける前記複数の特定パターンの位置に一致させて、適合された設計データを得る工程を有することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のパターンの修正方法。
【請求項１３】
前記アライメントマークを用いた前記欠陥位置特定工程では、前記請求項９から請求項１２までのいずれかの請求項に記載の前記設計データ適合工程により適合ざれた設計データを用いて、前記白欠陥の形成領域の位置を特定することを特徴とする請求項８に記載のパターンの修正方法。
【請求項１４】
前記データ変換工程では、
前記マスクパターンに全面にわたって特定された複数個所のパターンの線幅の前記実測データにおける値と、前記設計データにおける値とを対比して線幅比率を求め、前記複数個所における線幅比率を示すマップを作成し、前記マップに基づき前記欠陥修正用描画データにおける照射出力を制御することを特徴とする請求項８から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のパターンの修正方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４までのいずれかの請求項に記載のパターン修正方法を用いたパターン修正工程を有することを特徴とする大型フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンの修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等のフラットパネルディスプレイおよび半導体装置の製造時における微細加工の方法として、従来から、バイナリマスクや位相シフトマスク等のフォトマスクを用いたフォトリソグラフィーが好適に用いられている。フラットパネルディスプレイおよび半導体装置の製造時の歩留まりは、フォトマスクのパターンにおける欠陥の有無により左右される。フォトマスクのパターンの欠陥には、本来必要な一部が欠損している白欠陥と、不要な余剰部である黒欠陥とがある。
【０００３】
これらの欠陥の修正方法については、例えば、数μｍ程度の微細な欠陥を修正する方法は概ね確立されている。具体的には、白欠陥にデポジション用ガスを供給しながら荷電ビームを照射することにより修正膜を堆積する方法や、黒欠陥にアシストガスを供給しながら荷電ビームを照射することによりエッチングする方法が確立されている。
【０００４】
また、上述した欠陥の修正方法としては、これらの方法の他にも各種の方法が知られている。例えば、特許文献１には、バイナリマスクにおける遮光パターンに形成された白欠陥にリフトオフ法を用いて修正クロムパターンを形成することにより、白欠陥を修正する方法が記載されている。さらに、特許文献２には、位相シフトマスクにおける半透明パターンに形成された白欠陥または黒欠陥の箇所に投影露光装置の解像限界以下の遮光部を形成することにより、白欠陥または黒欠陥を修正する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６１−７０７２４号公報
【特許文献２】特開平６−１３８６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、例えば、１０００μｍ角を超えるような広い範囲に形成された白欠陥を、上述した修正膜を堆積する方法により修正する場合には、修正時間が長大となることがある。また、マスクパターンにおける複数のライン状のパターン部に跨るように形成された白欠陥等のような複雑な形状の白欠陥については、上述したような従来の修正方法では、短時間で修正することが困難となることがあり、さらには位置や寸法を高精度に修正することが困難となることがある。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり広い範囲に形成された白欠陥や複雑な形状の白欠陥であっても、短時間で高精度に修正することができるパターンの修正方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、透明基板と、上記透明基板の表面に設けられたマスクパターンおよびアライメントマークと、を有するフォトマスクにおける上記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定する欠陥位置特定工程と、上記マスクパターンの設計データから、上記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の設計データを抽出する設計データ抽出工程と、上記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換するデータ変換工程と、上記透明基板の表面および上記マスクパターンの表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記欠陥修正用描画データを用いて、上記アライメントマークの位置を基準として、上記修正領域における上記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画するパターン描画工程と、上記パターンが描画された上記レジスト層を現像することにより、上記マスクパターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、を有することを特徴とするパターンの修正方法を提供する。
【０００９】
本発明によれば、広い範囲に形成された白欠陥や複雑な形状の白欠陥であっても、短時間で高精度に修正することができる。
【００１０】
本発明においては、上記設計データ抽出工程を行う前に、上記白欠陥を有するマスクパターンの実測データに、上記設計データを適合させ、適合された設計データを得る設計データ適合工程を有し、上記設計データ抽出工程では、上記適合された設計データから、上記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の適合された設計データを抽出することが好ましい。
【００１１】
上述した上記設計データ適合工程は、上記設計データを回転させ、上記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＹ軸の方向と、上記設計データのＹ軸の方向とを一致させる工程と、上記設計データのＹ軸に対するＸ軸の角度を変更することにより、上記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＸ軸の方向と、上記設計データのＸ軸の方向を一致させ、上記白欠陥を有するマスクパターンのデータと、上記設計データとの直交度を一致させる工程と、上記白欠陥を有するマスクパターンのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さに対し、上記設計データのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さを一致させる工程と、を有することが好ましい。
【００１２】
また、上記設計データ適合工程は、上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの上記実測データにおける位置に、上記設計データにおける上記複数の特定パターンの位置を一致させて、適合された設計データを得る工程を有するものであってもよい。
【００１３】
さらに、上記設計データ適合工程は、上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの上記実測データにおける位置の実測値から、近似式を用いた補正を行うことにより補正データを作成し、上記設計データにおける上記複数の特定パターンの位置を、上記補正データにおける上記複数の特定パターンの位置に一致させて、適合された設計データを得る工程を有することが好ましい。
より正確に白欠陥の修正を行うことができるからである。
【００１４】
また、上記データ変換工程では、上記マスクパターンに全面にわたって特定された複数個所のパターンの線幅の上記実測データにおける値と、上記設計データにおける値とを対比して線幅比率を求め、上記複数個所における線幅比率を示すマップを作成し、上記マップに基づき上記欠陥修正用描画データにおける照射出力を制御することがこのましい。
修正部分と修正部分以外とのマスクパターンの線幅を一致させることができるからであある。
【００１５】
また、本発明は、透明基板と、上記透明基板の表面に設けられたマスクパターンと、を有するフォトマスクにおける上記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、上記白欠陥の形成領域の位置を特定する欠陥位置特定工程と、上記透明基板の表面および上記マスクパターンの表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記白欠陥の形成領域のみにおける上記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画するパターン描画工程と、上記パターンが描画された上記レジスト層を現像することにより、上記マスクパターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、を有することを特徴とするパターンの修正方法を提供する。
【００１６】
また、上記発明においては、上記フォトマスクが、上記透明基板の表面に設けられたアライメントマークをさらに有し、上記欠陥位置特定工程において、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定するパターンの修正方法であり、上記マスクパターンの設計データから、上記白欠陥の形成領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の設計データを抽出する設計データ抽出工程と、上記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換するデータ変換工程と、をさらに有し、上記パターン描画工程において、上記欠陥修正用描画データを用いて、上記アライメントマークを基準として、上記パターンを描画することが好ましい。
【００１７】
上記設計データ抽出工程を行う前に、上記白欠陥を有するマスクパターンの実測データに、上記設計データを適合させ、適合された設計データを得る設計データ適合工程を有し、上記設計データ抽出工程では、上記適合された設計データから、上記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の適合された設計データを抽出することが好ましい。
【００１８】
上記設計データ適合工程は、上記設計データを回転させ、上記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＸ軸の方向と、上記設計データのＸ軸の方向とを一致させる工程と、上記設計データのＸ軸に対するＹ軸の角度を変更することにより、上記白欠陥を有するマスクパターンのデータのＹ軸の方向と、上記設計データのＹ軸の方向を一致させ、上記白欠陥を有するマスクパターンのデータと、上記設計データとの直交度を一致させる工程と、上記白欠陥を有するマスクパターンのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さに対し、上記設計データのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さを一致させる工程と、を有することが好ましい。
また、上記設計データ適合工程は、上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの上記実測データにおける位置に、上記設計データにおける上記複数の特定パターンの位置を一致させて、適合された設計データを得る工程を有するものであってもよい。
【００１９】
さらに、上記設計データ適合工程は、上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの上記実測データにおける位置の実測値から、近似式を用いた補正を行うことにより補正データを作成し、上記設計データにおける上記複数の特定パターンの位置を、上記補正データにおける上記複数の特定パターンの位置に一致させて、適合された設計データを得る工程を有することが好ましい。
白欠陥内のマスクパターンと白欠陥外のマスクパターンとを段差無く繋ぐことができるからである。
【００２０】
また、上記アライメントマークを用いた上記欠陥位置特定工程では、上述した設計データ適合工程により適合ざれた設計データを用いて、上記白欠陥の形成領域の位置を特定することが好ましい。白欠陥の位置を正確に特定することができるからである。
【００２１】
上記データ変換工程では、上記マスクパターンに全面にわたって特定された複数個所のパターンの線幅の上記実測データにおける値と、上記設計データにおける値とを対比して線幅比率を求め、上記複数個所における線幅比率を示すマップを作成し、上記マップに基づき上記欠陥修正用描画データにおける照射出力を制御することが好ましい。白欠陥内外のマスクパターンの線幅を一致させることができるからである。
【００２２】
本発明においては、上述したパターン修正方法を用いたパターン修正工程を有する大型フォトマスクの製造方法を提供する。本発明によれば、正確な修正工程を有することにより、より効率的に大型フォトマスクを製造することができるといった効果を有する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明においては、広い範囲に形成された白欠陥や複雑な形状の白欠陥であっても、短時間で高精度に修正することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施態様のパターンの修正方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】第１実施態様のパターンの修正方法により修正されるフォトマスクの一例を示す概略図である。
【図３】第１実施態様のパターンの修正方法の一例を示す概略工程平面図である。
【図４】図３（ａ）〜図３（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図３（ｆ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】第１実施態様のパターンの修正方法により修正されるフォトマスクの他の例における一部を示す概略平面図である。
【図７】第２実施態様のパターンの修正方法の一例を示すフローチャートである。
【図８】第２実施態様のパターンの修正方法により修正されるフォトマスクの一例を示す概略図である。
【図９】第２実施態様のパターンの修正方法の一例を示す概略工程平面図である。
【図１０】図９（ａ）〜図９（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】図９（ｆ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１２】第３実施態様のパターンの形成方法の一例を示す概略工程平面図である。
【図１３】図１２（ａ）〜図１２（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１４】第４実施態様のパターンの形成方法の一例を示す概略工程平面図である。
【図１５】図１４（ａ）〜図１４（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１６】設計データ適合工程の第１の方法を説明するための説明図である。
【図１７】設計データ適合工程の第２の方法を説明するための説明図である。
【図１８】データ変換工程におけるデータの修正を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明は、フォトマスクのマスクパターンにおける白欠陥の形成領域を含む修正領域に欠陥修正用マスクパターンを形成する白欠陥の修正方法である第１実施態様、およびフォトマスクのマスクパターンにおける白欠陥の形成領域のみに欠陥修正用マスクパターンを形成する白欠陥の修正方法である第２実施態様に大別される。以下、第１実施態様および第２実施態様を中心に詳細に説明する。
【００２６】
Ｉ．第１実施態様
第１実施態様のパターンの修正方法は、透明基板と、上記透明基板の表面に設けられたマスクパターンおよびアライメントマークと、を有するフォトマスクにおける上記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定する欠陥位置特定工程と、上記マスクパターンの設計データから、上記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の設計データを抽出する設計データ抽出工程と、上記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換するデータ変換工程と、上記透明基板の表面および上記マスクパターンの表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記欠陥修正用描画データを用いて、上記アライメントマークの位置を基準として、上記修正領域における上記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画するパターン描画工程と、上記パターンが描画された上記レジスト層を現像することにより、上記マスクパターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、を有することを特徴とする。
【００２７】
第１実施態様のパターンの修正方法としては、上記欠陥修正用マスク材膜および上記欠陥修正用マスクパターンを用いて、上記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するものであれば特に限定されず、例えば、欠陥修正用遮光膜および欠陥修正用遮光パターンを用いて、遮光パターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法でもよいし、欠陥修正用半透明膜および欠陥修正用半透明パターンを用いて、半透明パターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法でもよい。
【００２８】
ここで、上記遮光パターンとは、上記フォトマスクを用いたフォトリソグラフィーにおいて露光光を遮ることにより、被転写体に所望のパターンを転写する機能を有するものであれば特に限定されず、例えば、バイナリマスクにおける遮光パターンや位相シフトマスクにおける遮光パターン等が挙げられる。そして、上記欠陥修正用遮光膜および上記欠陥修正用遮光パターンは、上記遮光パターンを修正可能なものであれば特に限定されず、例えば、上記遮光パターンと同様の材料が用いられたものである。また、上記半透明パターンとは、上記フォトマスクを用いたフォトリソグラフィーにおいて露光光の一部を透過させることにより、被転写体に所望のパターンを転写する機能を有するものであれば特に限定されず、例えば、位相シフトマスクにおける位相シフトパターン等が挙げられる。そして、上記欠陥修正用半透明膜および上記欠陥修正用半透明パターンは、上記半透明パターンを修正可能なものであれば特に限定されず、例えば、上記半透明パターンと同様の材料が用いられたものである。
【００２９】
以下では、第１実施態様のパターンの修正方法として、特に上記欠陥修正用遮光膜および上記欠陥修正用遮光パターンを用いて、上記遮光パターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法について説明する。
【００３０】
このようなパターンの修正方法の一例について図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施態様のパターンの修正方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は、第１実施態様のパターンの修正方法により修正されるフォトマスクの一例の概略平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示される領域Ａの拡大図であり、図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。図３（ａ）〜図３（ｆ）は、本例のパターンの修正方法を示す概略工程平面図であり、図２（ｂ）に対応する領域を示している。図４（ａ）〜図４（ｆ）は、それぞれ、図３（ａ）〜図３（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。さらに、図５は、図３（ｆ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００３１】
図２に示されるフォトマスク１００は、透明基板１０と、透明基板１０の表面１０ｆにおけるパターン形成領域１０ｐに設けられた遮光パターン２０Ｐと、透明基板１０の表面１０ｆにおける外周領域１０ｃに設けられたアライメントマーク２０Ａと、を有するバイナリマスクである。遮光パターン２０Ｐは、複数のライン状の遮光部２０Ｌがスペース部２０Ｓを挟んで並ぶように設けられたパターンである。本例のパターンの修正方法は、フォトマスク１００における遮光パターン２０Ｐの白欠陥２０Ｐｄを修正するものである。
【００３２】
本例のパターンの修正方法においては、まず、図１に示すように欠陥位置特定工程Ｓ１１を行う。すなわち、図２ならびに図３（ａ）および図４（ａ）に示されるように、外観検査装置（図示せず）を用いて、フォトマスク１００における遮光パターン２０Ｐにおける白欠陥２０Ｐｄを検査し、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とする白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄの位置を特定する。具体的には、透明基板１０の表面１０ｆをアライメントマーク２０Ａの位置を基準とするＸＹ座標系（以下、「ＸＹ座標系」と略す。）とした上で、遮光パターン２０Ｐにおける複数のライン状の遮光部２０Ｌに跨るように形成された白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄの輪郭の各座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を特定する。
【００３３】
次に、図１に示すように設計データ抽出工程Ｓ１２を行う。すなわち、遮光パターン２０Ｐの設計データから、白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄを含む矩形の修正領域Ｍに設けられるべき遮光パターン２０Ｐの一部の設計データを抽出する。具体的には、まず、図３（ａ）および図４（ａ）に示されるように、ＸＹ座標系において、各座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄを含む矩形の修正領域Ｍの対角の座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を特定する。続いて、ＸＹ座標系における各座標での遮光パターンの有無といった形式で外観検査装置に記憶された遮光パターン２０Ｐの設計データから、これらの座標を対角とする矩形の修正領域Ｍ内の各座標での遮光パターンの有無のデータを抽出する。
【００３４】
次に、図１に示すようにデータ変換工程Ｓ１３を行う。すなわち、上述した矩形の修正領域Ｍに設けられるべき遮光パターン２０Ｐの一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換する。具体的には、レーザーまたは電子線描画装置（図示せず）の制御部により、該一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換する。欠陥修正用描画データは、後述するパターン描画工程Ｓ１５おいて、ＸＹ座標系における座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を対角とする矩形の修正領域Ｍ内の遮光パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画するように描画装置を制御するために用いられるデータであり、例えば、レーザーまたは電子線の照射位置等を含む。
【００３５】
次に、図１に示すようにレジスト層形成工程Ｓ１４を行う。すなわち、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示されるように、透明基板１０の表面１０ｆおよび遮光パターン２０Ｐの表面２０Ｐｆに、ポジ型レジストを用いたレジスト層３０を形成する。
【００３６】
次に、図１に示すようにパターン描画工程Ｓ１５を行う。すなわち、図３（ｃ）および図４（ｃ）に示されるように、上述した欠陥修正用描画データを用いて、アライメントマーク２０Ａの位置を基準として、ＸＹ座標系における座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を対角とする矩形の修正領域Ｍ内の遮光パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する。なお、アライメント描画機能とは、パターンＰを描画する時に、アライメントマーク２０Ａの位置を描画装置で読み取り、欠陥修正用描画データにおける白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄおよび修正領域Ｍの位置を示すＸＹ座標系と、描画装置がパターンＰを描画する領域の位置を指示するＸＹ座標系とを、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とする同一のＸＹ座標系とすることにより、白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄに対する位置精度が高いパターンＰの描画を可能とする機能である。
【００３７】
次に、図１に示すように現像工程Ｓ１６を行う。すなわち、図３（ｄ）および図４（ｄ）に示されるように、パターンＰが描画されたレジスト層３０を現像することにより、レジスト層３０のパターンＰが描画された部分を溶解させてレジストパターン３０Ｐを形成する。
【００３８】
次に、図１に示すように遮光膜形成工程Ｓ１７を行う。すなわち、図３（ｅ）および図４（ｅ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐから露出する透明基板１０の表面１０ｆおよび遮光パターン２０Ｐの表面２０Ｐｆならびにレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに欠陥修正用遮光膜４０を形成する。
【００３９】
次に、図１に示すようにレジストパターン除去工程Ｓ１８を行う。すなわち、図３（ｆ）および図４（ｆ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐを除去することにより、レジストパターン３０Ｐと一緒にレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに形成された欠陥修正用遮光膜４０を除去するリフトオフ法によって、欠陥修正用遮光パターン４０Ｐを形成する。白欠陥２０Ｐｄは、欠陥修正用遮光パターン４０Ｐで補填されて修正される。この際には、矩形の修正領域Ｍにおける白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄを除いた領域にも欠陥修正用遮光パターン４０Ｐが形成されるため、図３（ｆ）および図５に示されるように、矩形の修正領域Ｍにおける白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄを除いた領域の遮光パターン２０Ｐの表面２０Ｐｆに欠陥修正用遮光パターン４０Ｐが形成される。
【００４０】
本態様においては、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定し、上記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき上記遮光パターンの一部の設計データを上記遮光パターンの設計データから抽出する。そして、上記一部の設計データを変換した欠陥修正用描画データを用いて、上記アライメントマークの位置を基準として、上記修正領域における上記レジスト層に電子線またはレーザーでパターンを描画することにより、上記遮光パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する。その上で、リフトオフ法を用いて、上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面の領域に欠陥修正用遮光パターンを形成することにより、上記白欠陥を修正する。よって、フォトマスクの遮光パターンにおける広い範囲に形成された白欠陥や複雑な形状の白欠陥であっても、短時間で高精度に修正することができる。
【００４１】
また、リフトオフ法を用いるために、欠陥修正用遮光パターンを形成するためにエッチングを行う必要がないので、上記修正領域付近のマスクパターンが、例えば、エッチング液の浸み込み等により荒れて、欠陥が生じるおそれがない。また、上記修正領域内における白欠陥の無い正常なマスクパターンに対して、誤って二度目のエッチングが行われることにより、その線幅および形状が変化するおそれがない。さらに、上記フォトマスクにおける広範囲にわたり、様々な設計変更によるマスクパターンを付加する修正を行うことができるので、例えば、上記フォトマスクにバーコード、ネーム、枠部等を付加することができる。
【００４２】
１．欠陥位置特定工程
上記欠陥位置特定工程においては、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定する。
【００４３】
上記白欠陥の形成領域の位置を特定する方法としては、特に限定されないが、例えば、図１に示される欠陥位置特定工程Ｓ１１のように、外観検査装置（図示せず）を用いて、透明基板１０の表面１０ｆをアライメントマーク２０Ａの位置を基準とするＸＹ座標系とした上で、白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄの輪郭の各座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を特定する方法等が挙げられる。
【００４４】
２．設計データ抽出工程
上記設計データ抽出工程においては、上記遮光パターンの設計データから、上記白欠陥の形成領域を含む修正領域に設けられるべき上記遮光パターンの一部の設計データを抽出する。
【００４５】
上記修正領域としては、上記透明基板の表面における上記白欠陥の形成領域を含む領域であれば特に限定されるものではなく、例えば、図３（ａ）に示される矩形の修正領域Ｍのように上記白欠陥の形成領域より広い範囲でもよいし、上記白欠陥の形成領域と一致する領域でもよい。上記修正領域が上記白欠陥の形成領域より広い範囲である場合には、例えば、厚みの均一性が必要のない遮光パターンの修正に使用することができる。一方、上記修正領域が上記白欠陥の形成領域と一致する領域である場合には、上記修正領域おける上記白欠陥の形成領域を除いた領域の上記遮光パターンの表面に不要な欠陥修正用遮光パターンが形成されることがないので、例えば、厚みの均一性が重要となる半透明パターンの修正に使用することができる。
【００４６】
なお、上記修正領域の位置は、上記白欠陥の形成領域の位置と同様に上記アライメントマークの位置を基準とする位置として特定することができる。このように特定する方法としては、特に限定されないが、例えば、図１に示される設計データ抽出工程Ｓ１２のように、ＸＹ座標系において、各座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥２０Ｐｄの形成領域Ｄを含む矩形の修正領域Ｍの対角の座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を特定する方法等が挙げられる。
【００４７】
上記マスクパターンの設計データとしては、特に限定されないが、例えば、図１に示される設計データ抽出工程Ｓ１２で用いられる遮光パターンＰの設計データのように、ＸＹ座標系における各座標での遮光パターンの有無といった形式の設計データ等が挙げられる。
【００４８】
上記マスクパターンの設計データから上記修正領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の設計データを抽出する方法としては、特に限定されないが、例えば、図１に示される設計データ抽出工程Ｓ１２のように、ＸＹ座標系における各座標での遮光パターンの有無といった形式の設計データから、座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を対角とする矩形の修正領域Ｍ内の各座標での遮光パターンの有無のデータを抽出する方法等が挙げられる。
【００４９】
３．設計データ適合工程
本態様においては、上記設計データ抽出工程を行う前に、上記白欠陥を有するマスクパターンの実測データ（以下、白欠陥マスク実測データとする場合がある。）に、上記設計データを適合させ、適合された設計データを得る設計データ適合工程を有していてもよい。
【００５０】
上記設計データ抽出工程で抽出された設計データを、白欠陥の修正に適用する際には、設計データを補正する必要がある場合がある。すなわち、マスクパターン製造時における、例えば、熱膨張、マスクや基板の歪等の種々の環境要因により、実際に形成されたマスクパターンと設計データ上でのマスクパターンとでは、若干異なるものとなる場合がある。したがって、抽出された設計データを用いて白欠陥の修正、すなわち白欠陥内にパターンを形成してしまうと、設計データ通りのパターンが形成されるため、実際に形成されたパターンと、位置がずれたり、傾きが異なったりといった不具合が生じる可能性があるといった問題が生じる可能性がある。
【００５１】
したがって、本態様においては、設計データを実際に設けられたマスクパターンと適合させるための、以下に示すような補正を行うことが好しく、上述したような設計データ適合工程を有することが好ましい。
このような設計データ適合工程は、上記設計データ抽出工程の前に行うのであれば、行う時期は特に限定されず、例えば欠陥位置特定工程の前に行われてもよい。
【００５２】
本態様における設計データ適合工程は、上述した通り上記白欠陥マスク実測データに、上記設計データを適合させるものであれば特に限定されないが、例えば、以下の方法を挙げることができる。
【００５３】
（１）第１の方法
上記設計データ適合工程における第１の方法としては、図１６に示すような方法を用いることができる。まず、設計データによるマスクパターンαと、白欠陥マスク実測データによるマスクパターンβとを準備する（図１６（１））。次いで、上記設計データによるマスクパターンαを回転させ、上記設計データによるマスクパターンαのＹ軸の方向と、白欠陥マスク実測データによるマルクパターンβのＹ軸の方向を一致させる（図１６（２））。そして、上記設計データによるマスクパターンαのＹ軸に対するＸ軸の角度を変更することにより、上記白欠陥マスク実測データによるマスクパターンβのＸ軸の方向と、上記設計データによるマスクパターンαのＸ軸の方向を一致させ、マスクパターンαにおけるＸ軸およびＹ軸の直交度と、マスクパターンβにおけるＸ軸およびＹ軸の直交度を一致させる（図１６（３））。次いで、白欠陥マスク実測データによるマスクパターンβのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さに対し、上記設計データによるマスクパターンαのＸ軸方向およびＹ軸方向の長さを一致させる(図１６（４）および（５）)。
【００５４】
上述したような方法により設計データの補正を行うことにより、設計データによるマスクパターンの全体的な角度や大きさを、白欠陥マスク実測データによるマスクパターンに合わせることができ、このようにして得られた適合された設計データを用いて修正した白欠陥内のパターンが白欠陥外のパターンと食い違うことを抑えることを可能とすることができる。
【００５５】
（２）第２の方法
上記設計データ適合工程における第２の方法としては、上記実測データにおける上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの位置に、上記設計データにおける上記複数の特定パターンの位置を一致させて、適合された設計データを得る方法である。
【００５６】
マスクパターン全面にわたって配置された複数の特定パターン毎に位置の補正を行うことができることから、白欠陥マスク実測データによるマスクパターンに部分的に歪み等が生じた場合でも、設計データを白欠陥マスク実測データに適合させることができる。
【００５７】
ここで、マスクパターン全面にわたって配置された複数の特定パターンについて説明する。
特定パターンとは、位置の特定が容易な特徴のあるパターンをいい、例えば、マスク面内にアレイ配列されたチップの回路に含まれる特殊なパターンや、アレイ配列されたチップの回路周辺に配置されているアライメントマーク等を挙げることができる。
【００５８】
また、この特定パターンは、等間隔で配置されたものであってもよく、ランダムな間隔で配置されたものであってもよい。この特定パターンの配置密度としては、上述した設計データの適合ができるのであれば、特に限定はされず、求められる補正精度によるものではあるが、通常３０個／ｍ２以上、中でも６０個／ｍ２以上、特に１００個／ｍ２以上であり、上限は特に限定されるものではないが、２００個／ｍ２以下である。
【００５９】
上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの上記実測データにおける位置の実測値は、例えば異物の存在や検出の際のエラー等により正確では無い特異値を示すことがある。このため、上記マスクパターンに全面にわたって配置された複数の特定パターンの上記実測データにおける位置の実測値から、近似式を用いた補正を行うことにより補正データを作成し、上記設計データにおける上記複数の特定パターンの位置を、上記補正データにおける上記複数の特定パターンの位置に一致させて、適合された設計データを得る方法を用いることが好ましい。
【００６０】
ここで、近似式を用いた補正の方法としては、例えば、４次近似の場合、下記式により、ＸおよびＹ共に近似することができる。
Ｘ＝ ax4＋by4＋cx3y＋dx2y2＋exy3＋gx3＋hy3＋ix2y＋jxy2＋lx2＋my2＋nxy＋ox＋py＋q
Ｙ＝ a’x4＋b’y4＋c’x3y＋d’x2y2＋e’xy3＋g’x3＋h’y3＋I’x2y＋j’xy2＋l’x2＋m’y2+n’xy＋o’x＋p’y＋q’
（各ポイントの測定座標x,yを入れ、回帰分析にてエラー量に小さくなる係数（a〜q、a’〜q’）を求める。）
【００６１】
図１７は、上述した第２の方法を示すものであり、四角およびひし形で示されたポイントが、特定パターンの位置を示すものである。図１７に示す例では、特定パターンは等間隔な位置でパターン全体に配置されている。図１７の例では、Ａで示されるものが設計データによるパターンであり、Ｂで示されるので白欠陥マスク実測データによるパターンであり、Ｃで示されるのが、上述した近似式による補正が施された値によるパターンである。
上記第２の方法では、上記Ａで示される設計データを上記Ｂに支援される白欠陥マスク実測データに適合させる方法でもよく、上記Ｃに示される近似式による補正が施されたデータに適合される方法であってもよい。
【００６２】
４．データ変換工程
上記データ変換工程においては、上記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換する。
【００６３】
ここで、「欠陥修正用描画データ」とは、後述するパターン描画工程において、所望の領域の上記レジスト層に電子線またはレーザーを照射することにより上記パターンを描画するようにレーザー描画装置または電子線描画装置を制御するために用いられるデータであり、例えば、レーザーまたは電子線の照射位置、照射出力等を含む。
【００６４】
上記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換する方法としては、例えば、レーザー描画装置または電子線描画装置の制御部により変換する方法等が挙げられる。
【００６５】
ここで、上記データ変換工程において得られた上記欠陥修正用描画データに基づいた出力で、レーザーもしくは電子線を照射して、白欠陥内にパターンを形成した際に、周囲のパターンとパターンの太さが異なるといった問題が生じる可能性がある。これは、以下の理由によるものである。
【００６６】
すなわち、白欠陥周囲のパターンは、上記設計データに基づいて形成されたものではあるが、形成時の装置の作動誤差等の種々の要因により設計データ通りの線幅で形成されない場合がある。したがって、設計データから上記データ変換工程で得られた欠陥修正用描画データの通りに出力して描画した場合は、上述したように白欠陥周囲のパターンと線幅に違いが生じてしまう可能性がある。
【００６７】
このような問題に対応するために、上記データ変換工程では、上記マスクパターンに全面にわたって特定された複数個所のパターンの線幅の実測データにおける値と、上記設計データにおける線幅の値とを対比して線幅比率を求め、上記複数個所における線幅比率を示すマップを作成し、上記マップに基づき上記欠陥修正用描画データにおけるレーザー等の照射出力を制御することが好ましい。
【００６８】
上記マップに基づいてデータ変換工程を行い、欠陥修正用画像データを得ることにより、白欠陥内部のパターンと白欠陥周囲のパターンとの線幅を均一なものとすることができる。
上記複数個所としては、マスクパターン全面にわたって均等に配置されたものであってもよく、またランダムに配置されたものであってもよい。
具体的には、マスク面内にアレイ配列されたチップの回路に含まれる特殊なパターンの個所や、アレイ配列されたチップの回路周辺に配置されているアライメントマークの個所等を挙げることができる。
また、複数個所の密度としては、求められる補正の精度により異なるものではあるが、通常３０個／ｍ２以上、中でも６０個／ｍ２以上、特に１００個／ｍ２以上であり、上限は特に限定されるものではないが、２００個／ｍ２以下である。
【００６９】
図１８は、マスクパターン全面にわたって特定された複数の位置における上記線幅比率の一例を示すものである。図中白丸で表された位置では、パターンの線幅の実測データにおける値が設計データにおける値より小さいことを示し、グレーの丸は、パターンの線幅の実測データにおける値が設計データにおける値より大きいことを示すものであり、丸の大きさは両者の差の大きさを示すものである。
【００７０】
図１８に示すマスクパターンの面内寸法分布から、補間近似および多高次元近似の分布補正マップを作成する。例えばマスクパターン全面が色の濃淡で示されるような分布補正マップを作成する。このような分布補正マップに基づいて、修正位置の補正描画時のレーザーもしくは電子線の照射出力を調整することにより、白欠陥内部と外部とのパターンの線幅を均一なものとすることができる。すなわち、上記分布補正マップを加味した上記データ変換工程を行い、これにより上記欠陥修正用描画データを得、これに基づいてレーザーや電子線の出力を制御することにより、上述した効果を得ることができる。
【００７１】
５．レジスト層形成工程
上記レジスト層形成工程においては、上記透明基板の表面および上記遮光パターンの表面にレジスト層を形成する。
【００７２】
上記レジスト層の厚みとしては、上記透明基板および上記遮光パターンを覆うことができれば特に限定されないが、例えば１０ｎｍ〜１０μｍの範囲内である。中でも０．１μｍ〜１μｍの範囲内が好ましく、特に０．３μｍ〜０．８μｍの範囲内が好ましい。
【００７３】
上記レジスト層に用いられるレジストとしては、特に限定されず、例えば、一般的にフォトリソグラフィーに用いられるポジ型レジストまたはネガ型レジストを用いることができるが、通常は、ポジ型レジストを用いる。上記レジスト層の形成方法は、特に限定されず、例えば、一般的な方法を用いることができる。
【００７４】
６．パターン描画工程
上記パターン描画工程においては、上記欠陥修正用描画データを用い、例えば描画装置を制御することにより、上記アライメントマークの位置を基準とするアライメント描画機能を使用するなど、上記アライメントマークの位置を基準として、上記修正領域における上記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画する。
【００７５】
上記レジスト層にポジ型レジストを用いる場合、上記パターン描画工程では、例えば、図１に示すパターン描画工程Ｓ１５のように、上記修正領域内の遮光パターン有りの領域の上記レジスト層に電子線またはレーザーを照射することにより上記パターンを描画する。一方、上記レジスト層にネガ型レジストを用いる場合、上記パターン描画工程では、上記修正領域内の遮光パターン有りの領域を除いた領域の上記レジスト層に電子線またはレーザーを照射することにより上記パターンを描画する。これにより、後述する現像工程において、上記遮光パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成することができる。
【００７６】
上記パターンを描画する方法としては、例えば、上記欠陥修正用描画データを用いて、レーザー描画装置または電子線描画装置を制御することにより、上記アライメント描画機能を使用して、上記欠陥修正用描画データに含まれる照射位置の領域の上記レジスト層にレーザーまたは電子線を照射することにより上記パターンを描画する方法等が挙げられる。このような方法としては、例えば、図１に示されるパターン描画工程Ｓ１５のように、上記欠陥修正用描画データを用いてレーザー描画装置または電子線描画装置を制御することにより、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とするアライメント描画機能を使用して、ＸＹ座標系における座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を対角とする矩形の修正領域Ｍ内の遮光パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する方法等が挙げられる。
【００７７】
ここで、「アライメント描画機能」とは、上記パターンを描画する時に、上記アライメントマークの位置を描画装置で読み取り、上記欠陥修正用描画データにおける上記白欠陥の形成領域および上記修正領域の位置を示すＸＹ座標系と、描画装置が上記パターンを描画する領域の位置を指示するＸＹ座標系とを、上記アライメントマークの位置を基準とする同一のＸＹ座標系とすることにより、上記白欠陥の形成領域に対する位置精度が高いパターンの描画を可能とする機能である。
【００７８】
７．現像工程
上記現像工程においては、上記パターンが描画された上記レジスト層を現像することにより、上記遮光パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する。
【００７９】
上記レジスト層の現像方法としては、上記レジストパターンを高精度に形成することができる方法であれば特に限定されず、例えば、一般的なレジスト層の現像方法を用いることができる。
【００８０】
上記遮光パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域としては、例えば、上述したＸＹ座標系における座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ２）、（Ｘ３，Ｙ４）、および（Ｘ４，Ｙ４）を対角とする矩形の修正領域Ｍ内の遮光パターン有りの各座標で指定される領域等が挙げられる。
【００８１】
８．遮光膜形成工程
上記遮光膜形成工程においては、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用遮光膜を形成する。
【００８２】
上記修正領域が上記白欠陥の形成領域より広い範囲である場合には、上記レジストパターンから上記遮光パターンの表面が露出するので、上記遮光膜形成工程においては、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に加えて、上記レジストパターンから露出する上記遮光パターンの表面に上記欠陥修正用遮光膜を形成する。
【００８３】
上記欠陥修正用遮光膜の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、およびイオンプレーティング法等が挙げられる。
【００８４】
９．レジストパターン除去工程
上記レジストパターン除去工程においては、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用遮光パターンを形成する。
【００８５】
上記レジストパターン除去工程では、上記レジストパターンを除去することにより、上記レジストパターンと一緒に上記レジストパターンの表面に形成された上記欠陥修正用遮光膜を除去するリフトオフ法によって、欠陥修正用遮光パターンを形成する。これにより、上記遮光パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域に高精度に欠陥修正用遮光パターンを形成することができる。
【００８６】
なお、上記遮光膜形成工程において、上記レジストパターンから露出する上記遮光パターンの表面に上記欠陥修正用遮光膜が形成される場合、上記レジストパターン除去工程では、上記透明基板の表面の領域に加えて上記遮光パターンの表面の領域に欠陥修正用遮光パターンが形成される。
【００８７】
上記レジストパターンの除去方法としては、例えば、一般的にフォトリソグラフィーに用いられる方法と同様の方法が用いられる。具体的には、例えば薬液やガスを用いて剥膜または剥離する方法等が挙げられる。
【００８８】
１０．パターンの修正方法
上記パターンの修正方法は、フォトマスクにおける遮光パターンに形成された白欠陥を修正するものである。
【００８９】
（１）フォトマスク
上記フォトマスクは、透明基板と、上記透明基板の表面に設けられた遮光パターンおよびアライメントマークと、を有する。
【００９０】
ａ．透明基板
上記透明基板の光透過性としては、特に限定されず、例えば、一般的なフォトマスクに用いられる透明基板と同程度にすることができるが、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長領域の光に対する透過率が８０％以上であるものが好ましく、中でも８５％以上、特に９０％以上であるものが好ましい。純度が高い透明基板の方が、通過する光の材料内での散乱が少なく、さらに屈折率も低いため、迷光の発生を抑制できるからである。
【００９１】
上記透明基板の大きさとしては、例えば、少なくとも一辺が３５０ｍｍ以上の大きさを有するフォトマスクとすることができればよく、上記フォトマスクの用途等に応じて適宜選択することができ、特に限定されないが、４５０ｍｍ×５５０ｍｍ以上であることが好ましく、中でも４５０ｍｍ×５５０ｍｍ〜２０００ｍｍ×２２００ｍｍの範囲内、特には４５０ｍｍ×５５０ｍｍ〜１８００ｍｍ×２０００ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００９２】
上記透明基板の厚みとしては、上記フォトマスクの材料や用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、４ｍｍ〜３０ｍｍ程度であり、中でも８ｍｍ〜２１ｍｍの範囲内であることが好ましい。
【００９３】
上記透明基板としては、光透過性を有するものであり、一般的なフォトマスクに用いられる透明基板を使用することができる。上記透明基板としては、例えば、光学研磨された低膨張ガラス（アルミノホウ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラス）、合成石英ガラスを挙げることができる。中でも合成石英ガラスが好適に用いられる。熱膨張率が小さく、フォトマスクを製造しやすいからである。また、樹脂製透明基板を用いることもできる。
【００９４】
ｂ．遮光パターン
上記遮光パターンの形状としては、例えば、図２に示されるように複数のライン状の遮光部がライン状のスペース部を挟んで並ぶように設けられたＬ＆Ｓパターン形状やドット形状等が挙げられる。
【００９５】
ここで、上記遮光パターンの好ましい形状について説明する。図６（ａ）〜図６（ｄ）は、それぞれ、第１実施態様のパターンの修正方法により修正されるフォトマスクの他の例における一部を示す概略平面図である。
【００９６】
図６（ａ）示されるフォトマスク１００は、透明基板１０と、透明基板１０の表面１０ｆに設けられた遮光パターン２０Ｐを有し、遮光パターン２０Ｐは曲率を有する側面２０Ｐｓを含む。また、図６（ｂ）示されるフォトマスク１００において、遮光パターン２０Ｐは、幅ｄ１が１μｍ以下のライン状の遮光部２０Ｌを含み、幅ｄ２が１μｍ以下のスペース部２０Ｓが設けられたものである。また、図６（ｃ）示されるフォトマスク１００において、遮光パターン２０Ｐは透明基板１０の表面１０ｆとの段差が０．５μｍ以下の段差部２０Ｄを含む。さらに、図６（ｄ）示されるフォトマスク１００において、遮光パターン２０Ｐは円形である。
【００９７】
上記遮光パターンの形状としては、図６（ａ）〜図６（ｄ）示されるように、曲率を有する側面２０Ｐｓを含む形状、幅ｄ１が１μｍ以下のライン状の遮光部２０Ｌを含む形状、幅ｄ２が１μｍ以下のスペース部２０Ｓが設けられた形状、段差が０．５μｍ以下の段差部２０Ｄを含む形状等が好ましい。これらの箇所に形成される複雑な形状の白欠陥を修正する場合には特に高精度な修正が求められるので、複雑な形状の白欠陥を高精度に修正できるといった作用効果が顕著となるからである。
【００９８】
上記遮光パターンの遮光性としては、特に限定されず、例えば、一般的なバイナリマスクに用いられる遮光パターンと同程度にすることができるが、例えば、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長領域の光に対する光学濃度（ＯＤ）が４．５以上であることが好ましい。
【００９９】
上記遮光パターンの幅としては、特に限定されず、例えば、一般的なバイナリマスクに用いられる遮光パターンと同程度にすることができる。具体的には、上記遮光パターンの形状がＬ＆Ｓパターン形状である場合等には、上記遮光パターンにおける遮光部の幅は、例えば、０．１μｍ以上１０．０μｍ未満の範囲内にすることができる。ここで、上記遮光部の幅とは、平面視形状の短手方向の寸法で規定されるものである。なお、上記遮光部の幅としては、サブミクロンオーダーで寸法が制御された幅が好ましい。上記サブミクロンオーダーで寸法が制御された幅とは、０．１μｍ単位で寸法が制御された幅を意味し、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ未満の幅である。
【０１００】
上記遮光パターンの厚みとしては、特に限定されず、例えば、一般的なバイナリマスクに用いられる遮光パターンと同程度にすることができるが、例えば、１００ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。薄過ぎると所望の遮光性を得ることが困難となるからであり、厚過ぎると上記遮光パターンを精度良く加工することが困難となるからである。
【０１０１】
上記遮光パターンの材料としては、所望の遮光性を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、クロム（Ｃｒ）、酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、モリブデンシリサイド酸化物（ＭｏＳｉＯ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化タンタル（ＴａＯ）、タンタルシリサイド酸化物（ＴａＳｉＯ）等が挙げられる。
【０１０２】
上記遮光パターンの形成方法としては、特に限定されないが、例えば、上記透明基板の表面に遮光層を形成した上で、遮光層の表面に所望形状のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして遮光層をウェットエッチングで加工する方法、または、ドライエッチングで加工する方法等が挙げられる。
【０１０３】
ｃ．アライメントマーク
上記アライメントマークとしては、描画機で読み取ることができ、上記パターンを描画する位置の精度を補正できるものであれば特に限定されないが、例えば、図２（ａ）に示されるアライメントマーク２０Ａのように、上記透明基板の表面における外周領域に設けられた一般的なアライメントマーク等が挙げられる。
【０１０４】
上記アライメントマークの形状は、特に限定されず、目的に応じて適宜定めることができる。上記アライメントマークの遮光性、幅、厚み、材料、および形成方法については、上記遮光パターンと同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１０５】
ｄ．フォトマスク
上記フォトマスクとしては、上記遮光パターンをマスクパターンとして有するものであれば特に限定されず、図２に示されるフォトマスク１００のように上記遮光パターンのみをマスクパターンとして有するバイナリマスクの他にも、例えば、上記遮光パターンおよび半透明パターンをマスクパターンとして有する位相シフトマスク等が挙げられる。なお、該位相シフトマスクとしては、例えば、後述する「ＩＩ．第２実施態様」に記載される半透明パターンおよび遮光パターンを有する位相シフトマスク等が挙げられる。
【０１０６】
（２）用途
上記パターンの修正方法は、上記バイナリマスクにおける上記遮光パターンに形成された白欠陥を修正する用途に用いてもよいし、上記位相シフトマスクおよびその他のフォトマスクにおける上記遮光パターンに形成された白欠陥を修正する用途に用いてもよい。
【０１０７】
上記パターンの修正方法は、上記遮光パターンにおける１０００μｍ角を超えるような広い範囲に形成された白欠陥を修正するために用いることが好ましい。白欠陥を短時間で修正できるといった作用効果が顕著となるからである。また、上記パターンの修正方法は、例えば、図２に示されるように、上記遮光パターンにおける複数の遮光部に跨るように形成された白欠陥を修正するために用いることが好ましい。複雑な形状の白欠陥を高精度に修正できるといった作用効果が顕著となるからである。
【０１０８】
ＩＩ．第２実施態様
第２実施態様のパターンの修正方法は、透明基板と、上記透明基板の表面に設けられたマスクパターンと、を有するフォトマスクにおける上記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法であって、上記白欠陥の形成領域の位置を特定する欠陥位置特定工程と、上記透明基板の表面および上記マスクパターンの表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、上記白欠陥の形成領域のみにおける上記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画するパターン描画工程と、上記パターンが描画された上記レジスト層を現像することにより、上記マスクパターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用マスク材膜を形成するマスク材膜形成工程と、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用マスクパターンを形成するレジストパターン除去工程と、を有することを特徴とする。
【０１０９】
第２実施態様のパターンの修正方法としては、上記欠陥修正用マスク材膜および上記欠陥修正用マスクパターンを用いて、上記マスクパターンに形成された白欠陥を修正するものであれば特に限定されず、例えば、欠陥修正用半透明膜および欠陥修正用半透明パターンを用いて、半透明パターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法でもよいし、欠陥修正用遮光膜および欠陥修正用遮光パターンを用いて、遮光パターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法でもよい。なお、上記半透明パターン、上記欠陥修正用半透明膜、および上記欠陥修正用半透明パターン、ならびに上記遮光パターン、上記欠陥修正用遮光膜、および上記欠陥修正用遮光パターンについては、上記「Ｉ．第１実施態様」の項目に記載されたものと同様であるために、ここでの説明は省略する。
【０１１０】
以下では、第２実施態様のパターンの修正方法として、特に上記欠陥修正用半透明膜および上記欠陥修正用半透明パターンを用いて、上記半透明パターンに形成された白欠陥を修正するパターンの修正方法について説明する。
【０１１１】
このような第２実施態様のパターンの修正方法の一例について図面を参照しながら説明する。図７は、第２実施態様のパターンの修正方法の一例を示すフローチャートである。図８（ａ）は、第２実施態様のパターンの修正方法により修正されるフォトマスクの一例の概略平面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）に示される領域Ａの拡大図であり、図８（ｃ）は、図８（ｂ）のＡ−Ａ線断面図である。図９（ａ）〜図９（ｆ）は、本例のパターンの修正方法を示す概略工程平面図であり、図８（ｂ）に対応する領域を示している。図１０（ａ）〜図１０（ｆ）は、それぞれ、図９（ａ）〜図９（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。さらに、図１１は、図９（ｆ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【０１１２】
図８に示されるフォトマスク１００は、透明基板１０と、透明基板１０の表面１０ｆにおけるパターン形成領域１０ｐに設けられた遮光パターン２０Ｐおよび半透明パターン５０Ｐと、透明基板１０の表面１０ｆにおける外周領域１０ｃに設けられたアライメントマーク２０Ａと、を有する位相シフトマスクである。遮光パターン２０Ｐは、複数のライン状の遮光部２０Ｌが並ぶように設けられたパターンであり、半透明パターン５０Ｐは、ライン状の遮光部２０Ｌの表面２０Ｌｆおよびそれに隣接する透明基板１０の表面１０ｆの領域にライン状の半透明部５０Ｌがスペース部５０Ｓを挟んで並ぶように設けられたパターンである。本例のパターンの修正方法は、フォトマスク１００における半透明パターン５０Ｐの白欠陥５０Ｐｄを修正するものである。
【０１１３】
本例のパターンの修正方法においては、まず、図７に示すように欠陥位置特定工程Ｓ２１を行う。すなわち、図８ならびに図９（ａ）および図１０（ａ）に示されるように、外観検査装置（図示せず）を用いて、フォトマスク１００における半透明パターン５０Ｐにおける白欠陥５０Ｐｄを検査し、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄの位置を特定する。具体的には、透明基板１０の表面１０ｆをアライメントマーク２０Ａの位置を基準とするＸＹ座標系（以下、「ＸＹ座標系」と略す。）とした上で、半透明パターン５０Ｐにおける複数のライン状の半透明部５０Ｌに跨るように形成された白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄの輪郭の各座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を特定する。
【０１１４】
次に、図７に示すように設計データ抽出工程Ｓ２２を行う。すなわち、半透明パターン５０Ｐの設計データから、白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄに設けられるべき半透明パターン５０Ｐの一部の設計データを抽出する。具体的には、ＸＹ座標系における各座標での半透明パターンの有無といった形式で外観検査装置に記憶された半透明パターン５０Ｐの設計データから、ＸＹ座標系における座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄ内の各座標での半透明パターンの有無のデータを抽出する。
【０１１５】
次に、図７に示すようにデータ変換工程Ｓ２３を行う。すなわち、上述した白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄに設けられるべき半透明パターン５０Ｐの一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換する。具体的には、描画装置（図示せず）の制御部により、該一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換する。欠陥修正用描画データは、後述するパターン描画工程Ｓ２５おいて、ＸＹ座標系における座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄ内の半透明パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画するようにレーザー描画装置または電子線描画装置を制御するために用いられるデータであり、例えば、レーザーまたは電子線の照射位置等を含む。
【０１１６】
次に、図７に示すようにレジスト層形成工程Ｓ２４を行う。すなわち、図９（ｂ）および図１０（ｂ）に示されるように、透明基板１０の表面１０ｆ、遮光パターン２０Ｐの表面２０Ｐｆ、および半透明パターン５０Ｐの表面５０Ｐｆに、ポジ型レジストを用いたレジスト層３０を形成する。
【０１１７】
次に、図７に示すようにパターン描画工程Ｓ２５を行う。すなわち、図９（ｃ）および図１０（ｃ）に示されるように、上述した欠陥修正用描画データを用いて、アライメントマーク２０Ａの位置を基準として、ＸＹ座標系における座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄのみにおける、半透明パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する。この際、白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄの外に存在する半透明パターン５０Ｐの表面５０Ｐｆには、パターンＰは描画されない。なお、アライメント描画機能とは、パターンＰを描画する時に、アライメントマーク２０Ａの位置を描画装置で読み取り、欠陥修正用描画データにおける白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄの位置を示すＸＹ座標系と、描画装置がパターンＰを描画する領域の位置を指示するＸＹ座標系とを、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とする同一のＸＹ座標系とすることにより、白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄに対する位置精度が高いパターンＰの描画を可能とする機能である。
【０１１８】
次に、図７に示すように現像工程Ｓ２６を行う。すなわち、図９（ｄ）および図１０（ｄ）に示されるように、パターンＰが描画されたレジスト層３０を現像することにより、レジスト層３０のパターンＰが描画された部分を溶解させてレジストパターン３０Ｐを形成する。
【０１１９】
次に、図７に示すように半透明膜形成工程Ｓ２７を行う。すなわち、図９（ｅ）および図１０（ｅ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐから露出する透明基板１０の表面１０ｆおよび遮光パターン２０Ｐの表面２０Ｐｆならびにレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに欠陥修正用半透明膜６０を形成する。
【０１２０】
次に、図７に示すようにレジストパターン除去工程Ｓ２８を行う。すなわち、図９（ｆ）および図１０（ｆ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐを除去することにより、レジストパターン３０Ｐと一緒にレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに形成された欠陥修正用半透明膜６０を除去するリフトオフ法によって、欠陥修正用半透明パターン６０Ｐを形成する。白欠陥５０Ｐｄは、欠陥修正用半透明パターン６０Ｐで補填されて修正される。この際には、白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄを除いた領域には欠陥修正用半透明パターン６０Ｐが形成されないため、図９（ｆ）および図５に示されるように、半透明パターン５０Ｐの表面５０Ｐｆに欠陥修正用半透明パターン６０Ｐが形成されることはない。
【０１２１】
本態様においては、上記白欠陥の形成領域の位置を特定し、上記白欠陥の形成領域に設けられるべき上記半透明パターンの一部の設計データを上記半透明パターンの設計データから抽出する。そして、上記一部の設計データを変換した欠陥修正用描画データを用いて、上記レジスト層に電子線またはレーザーでパターンを描画することにより、上記半透明パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する。その上で、リフトオフ法を用いて、上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面の領域に欠陥修正用半透明パターンを形成することにより、上記白欠陥を修正する。よって、フォトマスクの半透明パターンにおける広い範囲に形成された白欠陥や複雑な形状の白欠陥であっても、短時間で高精度に修正することができる。
【０１２２】
また、リフトオフ法を用いるために、欠陥修正用半透明パターンを形成するためにエッチングを行う必要がないので、上記白欠陥の形成領域付近のマスクパターンが、例えば、エッチング液の浸み込み等により荒れて、欠陥が生じるおそれがない。また、上記白欠陥の形成領域内における白欠陥の無い正常なマスクパターンに対して、誤って二度目のエッチングが行われることにより、その線幅および形状が変化するおそれがない。さらに、上記フォトマスクにおける広範囲にわたり、様々な設計変更によるマスクパターンを付加する修正を行うことができるので、例えば、上記フォトマスクにバーコード、ネーム、枠部等を付加することができる。
【０１２３】
１．欠陥位置特定工程
上記欠陥位置特定工程においては、上記白欠陥の形成領域の位置を特定する。
【０１２４】
上記白欠陥の形成領域の位置を特定する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、図７に示される欠陥位置特定工程Ｓ２１のように、上記透明基板の表面に設けられたアライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定する方法でもよいし、その他の方法でもよい。その他の方法としては、例えば、外観検査装置を用いて撮像される上記半透明パターンの画像内における上記白欠陥の形成領域の相対的な位置を特定する方法等が挙げられる。上記白欠陥の形成領域の位置を特定する方法としては、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定する方法等が好ましい。上記白欠陥の形成領域の位置を高精度に特定できるからである。
【０１２５】
２．レジスト層形成工程
上記レジスト層形成工程においては、上記透明基板の表面および上記半透明パターンの表面にレジスト層を形成する。
【０１２６】
上記レジスト層については、上記「Ｉ．第１実施態様  ４．レジスト層形成工程」の項目に記載されたレジスト層と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１２７】
３．パターン描画工程
上記パターン描画工程においては、上記白欠陥の形成領域のみにおける上記レジスト層に対して、レーザーまたは電子線でパターンを描画する。本実施態様において、白欠陥の形成領域「のみ」におけるレジスト層に対してパターン描画するとは、白欠陥ではない半透明パターン（修正の必要がない半透明パターンの領域）の表面上に形成されたレジスト層には、パターン描画されないことを意味するものである。このようにパターン描画することにより、後の工程において、欠陥修正用半透明膜を白欠陥部分のみに形成することができ、既存の半透明パターン（修正の必要がない半透明パターンの領域）上に不要な欠陥修正用半透明膜が形成されることがないため、修正後の半透明パターンの厚みを均一なものとすることができる。例えば、フォトマスクが位相シフトマスクであり、修正されるパターンが半透明パターンである場合、修正後の半透明パターンの厚みが不均一であると、位相シフト効果を得ることができなくなる場合があるが、本実施態様は、このような厚みの均一性が重要となるパターンの修正にも好適に使用することができる。
【０１２８】
上記レジスト層にポジ型レジストを用いる場合、上記パターン描画工程では、例えば、図７に示すパターン描画工程Ｓ２５のように、上記白欠陥の形成領域内の半透明パターン有りの領域の上記レジスト層に電子線またはレーザーを照射することにより上記パターンを描画する。一方、上記レジスト層にネガ型レジストを用いる場合、上記パターン描画工程では、上記白欠陥の形成領域内の半透明パターン有りの領域を除いた領域の上記レジスト層に電子線またはレーザーを照射することにより上記パターンを描画する。これにより、後述する現像工程において、上記半透明パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成することができる。
【０１２９】
上記パターンを描画する方法としては、例えば、後述する欠陥修正用描画データを用いて、レーザー描画装置または電子線描画装置を制御することにより、上記欠陥修正用描画データに含まれる照射位置の領域の上記レジスト層にレーザーまたは電子線を照射することにより上記パターンを描画する方法等が挙げられる。このような方法としては、例えば、図７に示されるパターン描画工程Ｓ２５のように、上記欠陥修正用描画データを用いて、上記描画装置を制御することにより、ＸＹ座標系における座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄ内の半透明パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する方法等が挙げられる。
【０１３０】
４．現像工程
上記現像工程においては、上記パターンが描画された上記レジスト層を現像することにより、上記半透明パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する。
【０１３１】
上記レジスト層の現像方法については、上記「Ｉ．第１実施態様  ６．現像工程」の項目に記載されたレジスト層の現像方法と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１３２】
上記半透明パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域としては、例えば、上述したＸＹ座標系における座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄ内の半透明パターン有りの各座標で指定される領域等が挙げられる。
【０１３３】
５．半透明膜形成工程
上記半透明膜形成工程においては、上記レジストパターンの表面および上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面に欠陥修正用半透明膜を形成する。
【０１３４】
上記欠陥修正用半透明膜の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法、およびイオンプレーティング法等が挙げられる。
【０１３５】
６．レジストパターン除去工程
上記レジストパターン除去工程においては、上記レジストパターンを除去することにより、欠陥修正用半透明パターンを形成する。
【０１３６】
上記レジストパターン除去工程では、上記レジストパターンを除去することにより、上記レジストパターンと一緒に上記レジストパターンの表面に形成された上記欠陥修正用半透明膜を除去するリフトオフ法によって、欠陥修正用半透明パターンを形成する。これにより、上記半透明パターンの一部が設けられるべき上記透明基板の表面の領域に高精度に欠陥修正用半透明パターンを形成することができる。
【０１３７】
上記レジストパターンの除去方法については、上記「Ｉ．第１実施態様  ８．レジストパターン除去工程」の項目に記載されたレジストパターンの除去方法と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１３８】
７．パターンの修正方法
上記パターンの修正方法は、フォトマスクにおける半透明パターンに形成された白欠陥を修正するものである。
【０１３９】
（１）パターンの修正方法
上記パターンの修正方法としては、上記フォトマスクが、上記透明基板の表面に設けられたアライメントマークをさらに有し、上記欠陥位置特定工程において、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定するパターンの修正方法であり、上記マスクパターンの設計データから、上記白欠陥の形成領域に設けられるべき上記マスクパターンの一部の設計データを抽出する設計データ抽出工程と、上記一部の設計データを欠陥修正用描画データに変換するデータ変換工程と、をさらに有し、上記パターン描画工程において、上記欠陥修正用描画データを用いて、例えば描画装置を制御することにより、上記アライメントマークを基準とするアライメント描画機能を使用するなど、上記アライメントマークを基準として、上記パターンを描画する修正方法が好ましい。上記欠陥位置特定工程において、上記アライメントマークの位置を基準とする上記白欠陥の形成領域の位置を特定することができ、上記パターン描画工程において、上記設計データから得られる上記欠陥修正用描画データを用いて、上記アライメントマークの位置を基準とする位置にパターンを描画することができるので、白欠陥をより高精度に修正することができるからである。
【０１４０】
ａ．アライメントマークおよびそれを用いた欠陥位置特定工程
上記アライメントマークについては、上記「Ｉ．第１実施態様  ９．パターンの修正方法  （１）フォトマスク  ｃ．アライメントマーク」の項目に記載されたアライメントマークと同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１４１】
上記アライメントマークを用いた上記欠陥位置特定工程においては、白欠陥を有するマスクパターンから、白欠陥の形成領域の位置をＸＹ座標系で特定し、設計データから特定された位置のデータを抽出する必要がある。しかしながら、上記白欠陥を有するマスクパターンは、パターン形成時に種々の要因により若干の大きさの相違や歪が生じていことから、上記白欠陥を有するマスクパターンで特定されたＸＹ座標系で特定される位置をそのまま設計データのマスクパターンのＸＹ座標系に適用した場合、設計データによるマスクパターン上の位置が異なる可能性がある。
【０１４２】
したがって、予め設計データを上記「Ｉ．第１実施態様  ３．設計データ適合工程」で説明した、第１の方法および第２の方法の少なくとも一方で、白欠陥を有するマスクパターンのデータに適合された設計データを用いることが好ましく、特に両方の方法で適合された設計データを用いることが好ましい。
このような適合された設計データによるマスクパターン上において、白欠陥の形成領域の位置を特定し、適合された設計データから特定された位置データを抽出することにより、正確な位置のデータを得ることができる。
【０１４３】
他の方法としては、白欠陥を有するマスクパターンの画像を準備し、上記画像と上記適合された設計データのマスクパターンとを照合し、上記画像の白欠陥部分に相当する上記適合された設計データのマスクパターン上の領域を、上記適合された設計データのマスクパターンから切り取ることにより、白欠陥部分の設計データを抽出することも可能である。
【０１４４】
ｂ．設計データ抽出工程
上記設計データ抽出工程においては、上記半透明パターンの設計データから、上記白欠陥の形成領域に設けられるべき上記半透明パターンの一部の設計データを抽出する。
【０１４５】
上記半透明パターンの設計データとしては、特に限定されないが、例えば、図７に示される設計データ抽出工程Ｓ２２で用いられる半透明パターン５０Ｐの設計データのように、ＸＹ座標系における各座標での半透明パターンの有無といった形式の設計データ等が挙げられる。
【０１４６】
上記半透明パターンの設計データから上記白欠陥の形成領域に設けられるべき上記半透明パターンの一部の設計データを抽出する方法としては、特に限定されないが、例えば、図７に示される設計データ抽出工程Ｓ２２のように、透明基板１０の表面１０ｆをアライメントマーク２０Ａの位置を基準とするＸＹ座標系とした上で、ＸＹ座標系における各座標での半透明パターンの有無といった形式の設計データから、座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄ内の各座標での半透明パターンの有無のデータを抽出する方法等が挙げられる。
【０１４７】
ｃ．設計データ適合工程およびデータ変換工程
設計データ適合工程、およびデータ変換工程については、上記「Ｉ．第１実施態様」の項で説明したものと同様であるので、ここでの説明は、省略する。
【０１４８】
ｄ．パターン描画工程
上記パターン描画工程においては、上記欠陥修正用描画データを用いて描画装置を制御することにより、上記アライメントマークを基準とするアライメント描画機能を使用して、上記パターンを描画することが好ましい。
【０１４９】
上記パターンを描画する方法としては、例えば、上記欠陥修正用描画データを用いて、レーザー描画装置または電子線描画装置を制御することにより、上記アライメント描画機能を使用して、上記欠陥修正用描画データに含まれる照射位置の領域の上記レジスト層にレーザーまたは電子線を照射することにより上記パターンを描画する方法等が挙げられる。このような方法としては、例えば、図７に示されるパターン描画工程Ｓ２５のように、上記欠陥修正用描画データを用いてレーザー描画装置または電子線描画装置を制御することにより、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とするアライメント描画機能を使用して、ＸＹ座標系における座標（Ｘｉ，Ｙｉ）〜（Ｘｎ，Ｙｎ）を輪郭とする白欠陥５０Ｐｄの形成領域Ｄ内の半透明パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する方法等が挙げられる。
【０１５０】
ここで、「アライメント描画機能」とは、上記パターンを描画する時に、上記アライメントマークの位置を描画装置で読み取り、上記欠陥修正用描画データにおける上記白欠陥の形成領域を示すＸＹ座標系と、描画装置が上記パターンを描画する領域の位置を指示するＸＹ座標系とを、上記アライメントマークの位置を基準とする同一のＸＹ座標系とすることにより、上記白欠陥の形成領域に対する位置精度が高いパターンの描画を可能とする機能である。
【０１５１】
（２）フォトマスク
上記フォトマスクは、透明基板と、上記透明基板の表面に設けられた半透明パターンと、を有する。
【０１５２】
上記透明基板については、上記「Ｉ．第１実施態様  ９．パターンの修正方法  （１）フォトマスク  ａ．透明基板」の項目に記載された透明基板と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１５３】
上記半透明パターンの形状については、上記「Ｉ．第１実施態様  ９．パターンの修正方法  （１）フォトマスク  ｂ．遮光パターン」の項目に記載された遮光パターンの形状と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１５４】
上記半透明パターンの光透過性としては、特に限定されず、例えば、一般的な位相シフトマスクに用いられる半透明パターンと同程度にすることができるが、３１３ｎｍ〜４３６ｎｍの波長領域の光に対する透過率が１０％〜６０％の範囲内であることが好ましい。
【０１５５】
上記半透明パターンの幅としては、特に限定されず、例えば、一般的な位相シフトマスクに用いられる半透明パターンと同程度にすることができる。上記半透明パターンの形状がＬ＆Ｓパターン形状である場合等における上記半透明部の幅については、上記「Ｉ．第１実施態様  ９．パターンの修正方法  （１）フォトマスク  ｂ．遮光パターン」の項目に記載された遮光部の幅と同様であるため、ここでの説明を省略する。
【０１５６】
上記半透明パターンの厚みとしては、特に限定されず、例えば、一般的な位相シフトマスクに用いられる半透明パターンと同程度にすることができるが、例えば、１００ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。位相シフトの効果が良好に得られるからである。
【０１５７】
上記半透明パターンの材料としては、上記透過率を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）、モリブデンシリサイド窒化物（ＭｏＳｉＮ）、モリブデンシリサイド酸化窒化物（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、チタン酸化窒化物（ＴｉＯＮ）等が挙げられる。
【０１５８】
上記半透明パターンの形成方法としては、例えば、上記透明基板の表面に半透明層を形成した上で、半透明層の表面に所望形状のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして半透明層をウェットエッチングで加工する方法等が挙げられる。
【０１５９】
上記フォトマスクとしては、上記半透明パターンをマスクパターンとして有するものであれば特に限定されず、図８に示されるフォトマスク１００のように上記半透明パターンおよび遮光パターンをマスクパターンとして有する位相シフトマスクの他にも、例えば、上記半透明パターンのみをマスクパターンとして有する位相シフトマスク等が挙げられる。
【０１６０】
（３）用途
上記パターンの修正方法は、上記位相シフトマスクにおける上記半透明パターンに形成された白欠陥を修正する用途に用いてもよいし、その他のフォトマスクにおける上記半透明パターンに形成された白欠陥を修正する用途に用いてもよい。
【０１６１】
上記パターンの修正方法は、上記半透明パターンにおける１０００μｍ角を超えるような広い範囲に形成された白欠陥を修正するために用いることが好ましい。白欠陥を短時間で修正できるといった作用効果が顕著となるからである。また、上記パターンの修正方法は、例えば、図８に示されるように、上記半透明パターンにおける複数の半透明部に跨るように形成された白欠陥を修正するために用いることが好ましい。複雑な形状の白欠陥を高精度に修正できるといった作用効果が顕著となるからである。
【０１６２】
ＩＩＩ．その他の実施態様
本発明は、その他の実施態様として、第１実施態様のパターンの修正方法と共通する方法を用いて、フォトマスクに新規の遮光パターンを形成する第３実施態様、および第２実施態様のパターンの修正方法と共通する方法を用いて、フォトマスクに新規の半透明パターンを形成する第４実施態様を提供する。
【０１６３】
（Ｉ）第３実施態様
第３実施態様のパターンの形成方法の一例について図面を参照しながら説明する。図１２（ａ）〜図１２（ｆ）は、本例のパターンの形成方法を示す概略工程平面図であり、図１２（ａ）は、上述した図２（ａ）に示される領域Ｂの拡大図である。図１３（ａ）〜図１３（ｆ）は、それぞれ、図１２（ａ）〜図１２（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【０１６４】
本例のパターンの形成方法においては、まず、図２ならびに図１２（ａ）および図１３（ａ）に示されるように、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とする矩形の新規パターン形成領域Ｎの位置を特定する。具体的には、透明基板１０の表面１０ｆをアライメントマーク２０Ａの位置を基準とするＸＹ座標系（以下、「ＸＹ座標系」と略す。）とした上で、矩形の新規パターン形成領域Ｎの対角の座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を特定する。
【０１６５】
次に、設計データ抽出工程を行う。すなわち、遮光パターンの設計データから、矩形の新規パターン形成領域Ｎに設けられるべき新規の遮光パターン４０ＮＰの設計データを抽出する。具体的には、ＸＹ座標系における各座標での新規の遮光パターンの有無といった形式で外観検査装置（図示せず）に記憶された遮光パターンの設計データから、座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を対角とする矩形の新規パターン形成領域Ｎ内の各座標での新規の遮光パターンの有無のデータを抽出する。
【０１６６】
次に、データ変換工程を行う。すなわち、上述した矩形の新規パターン形成領域Ｎに設けられるべき新規の遮光パターン４０ＮＰの設計データを新規パターン形成用描画データに変換する。具体的には、描画装置（図示せず）の制御部により、該設計データを新規パターン形成用描画データに変換する。新規パターン形成用描画データは、後述するパターン描画工程おいて、ＸＹ座標系における座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を対角とする矩形の新規パターン形成領域Ｎ内の遮光パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画するように描画装置を制御するために用いられるデータであり、例えば、レーザーまたは電子線の照射位置等を含む。
【０１６７】
次に、レジスト層形成工程を行う。すなわち、図１２（ｂ）および図１３（ｂ）に示されるように、透明基板１０の表面１０ｆに、ポジ型レジストを用いたレジスト層３０を形成する。
【０１６８】
次に、パターン描画工程を行う。すなわち、図２ならびに図１２（ｃ）および図１３（ｃ）に示されるように、上述した新規パターン形成用描画データを用いて、描画装置を制御することにより、ＸＹ座標系における座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を対角とする矩形の新規パターン形成領域Ｎ内の遮光パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する。
【０１６９】
次に、現像工程を行う。すなわち、図１２（ｄ）および図１３（ｄ）に示されるように、パターンＰが描画されたレジスト層３０を現像することにより、レジスト層３０のパターンＰが描画された部分を溶解させてレジストパターン３０Ｐを形成する。
【０１７０】
次に、遮光膜形成工程を行う。すなわち、図１２（ｅ）および図１３（ｅ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐから露出する透明基板１０の表面１０ｆおよびレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに新規パターン形成用遮光膜４０Ｎを形成する。
【０１７１】
次に、レジストパターン除去工程を行う。すなわち、図１２（ｆ）および図１３（ｆ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐを除去することにより、レジストパターン３０Ｐと一緒にレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに形成された新規パターン形成用遮光膜４０Ｎを除去するリフトオフ法によって、新規の遮光パターン４０ＮＰを形成する。
【０１７２】
本発明においては、新規パターン形成領域の位置を特定し、上記新規パターン形成領域に設けられるべき新規の遮光パターンの設計データを遮光パターンの設計データから抽出する。そして、上記新規の遮光パターンの設計データを変換した新規パターン形成用描画データを用いて、上記レジスト層に電子線またはレーザーでパターンを描画することにより、上記新規パターン形成領域が設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する。その上で、リフトオフ法を用いて、上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面の領域に新規の遮光パターンを形成する。よって、フォトマスクにおいて、大きいサイズの新規の遮光パターンや複雑な新規の遮光パターンを短時間で高精度に形成することができる。
【０１７３】
（ＩＩ）第４実施態様
第４実施態様のパターンの形成方法の一例について図面を参照しながら説明する。図１４（ａ）〜図１４（ｆ）は、第４実施態様のパターンの形成方法の一例を示す概略工程平面図であり、図１４（ａ）は、上述した図８（ａ）に示される領域Ｂの拡大図である。図１５（ａ）〜図１５（ｆ）は、それぞれ、図１４（ａ）〜図１４（ｆ）のＡ−Ａ線断面図である。
【０１７４】
本例のパターンの形成方法においては、まず、図８ならびに図１４（ａ）および図１５（ａ）に示されるように、アライメントマーク２０Ａの位置を基準とする矩形の新規パターン形成領域Ｎの位置を特定する。具体的には、透明基板１０の表面１０ｆをアライメントマーク２０Ａの位置を基準とするＸＹ座標系（以下、「ＸＹ座標系」と略す。）とした上で、矩形の新規パターン形成領域Ｎの対角の座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を特定する。
【０１７５】
次に、設計データ抽出工程を行う。すなわち半透明パターンの設計データから、矩形の新規パターン形成領域Ｎに設けられるべき新規の半透明パターン６０ＮＰの設計データを抽出する。具体的には、ＸＹ座標系における各座標での新規の半透明パターンの有無といった形式で外観検査装置（図示せず）に記憶された半透明パターンの設計データから、座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を対角とする矩形の新規パターン形成領域Ｎ内の各座標での新規の半透明パターンの有無のデータを抽出する。
【０１７６】
次に、データ変換工程を行う。すなわち、上述した矩形の新規パターン形成領域Ｎに設けられるべき新規の半透明パターン６０ＮＰの設計データを新規パターン形成用描画データに変換する。具体的には、描画装置（図示せず）の制御部により、該設計データを新規パターン形成用描画データに変換する。新規パターン形成用描画データは、後述するパターン描画工程おいて、ＸＹ座標系における座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を対角とする矩形の新規パターン形成領域Ｎ内の半透明パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画するように描画装置を制御するために用いられるデータであり、例えば、レーザーまたは電子線の照射位置等を含む。
【０１７７】
次に、レジスト層形成工程を行う。すなわち、図１４（ｂ）および図１５（ｂ）に示されるように、透明基板１０の表面１０ｆに、ポジ型レジストを用いたレジスト層３０を形成する。
【０１７８】
次に、パターン描画工程を行う。すなわち、図８ならびに図１４（ｃ）および図１５（ｃ）に示されるように、上述した新規パターン形成用描画データを用いて、描画装置を制御することにより、ＸＹ座標系における座標（Ｘ５，Ｙ５）、（Ｘ６，Ｙ６）、（Ｘ７，Ｙ７）、および（Ｘ８，Ｙ８）を対角とする矩形の新規パターン形成領域Ｎ内の半透明パターン有りの各座標で指定される領域のレジスト層３０にレーザーまたは電子線を照射することによりパターンＰを描画する。
【０１７９】
次に、現像工程を行う。すなわち、図１４（ｄ）および図１５（ｄ）に示されるように、パターンＰが描画されたレジスト層３０を現像することにより、レジスト層３０のパターンＰが描画された部分を溶解させてレジストパターン３０Ｐを形成する。
【０１８０】
次に、遮光膜形成工程を行う。すなわち、図１４（ｅ）および図１５（ｅ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐから露出する透明基板１０の表面１０ｆおよびレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに新規パターン形成用半透明膜６０Ｎを形成する。
【０１８１】
次に、レジストパターン除去工程を行う。すなわち、図１４（ｆ）および図１５（ｆ）に示されるように、レジストパターン３０Ｐを除去することにより、レジストパターン３０Ｐと一緒にレジストパターン３０Ｐの表面３０Ｐｆに形成された新規パターン形成用半透明膜６０Ｎを除去するリフトオフ法によって、新規の半透明パターン６０ＮＰを形成する。
【０１８２】
本発明においては、新規パターン形成領域の位置を特定し、上記新規パターン形成領域に設けられるべき新規の半透明パターンの設計データを半透明パターンの設計データから抽出する。そして、上記新規の半透明パターンの設計データを変換した新規パターン形成用描画データを用いて、上記レジスト層に電子線またはレーザーでパターンを描画することにより、上記新規の半透明パターンが設けられるべき上記透明基板の表面の領域を露出するレジストパターンを形成する。その上で、リフトオフ法を用いて、上記レジストパターンから露出する上記透明基板の表面の領域に新規の半透明パターンを形成する。よって、フォトマスクにおいて、大きいサイズの新規の半透明パターンや複雑な新規の半透明パターンを短時間で高精度に形成することができる。
【０１８３】
ＩＶ．大型フォトマスクの製造方法
本発明の大型フォトマスクの製造方法は、上記Ｉ．からＩＩＩ．までに説明したパターン修正方法を用いたパターン修正工程を有することを特徴とするものである。
本発明における大型フォトマスクは、例えばフラットパネルディスプレイやカラーフィルタ等の製造時のフォトリソグラフィプロセス、より具体的には露光プロセス等において用いられるものである。
【０１８４】
本発明の大型フォトマスクの製造方法は、外観検査工程等において白欠陥が発見された場合、上述したパターン修正工程を有するパターン修正工程を有することを特徴とするものであり、その他の工程は従来行われている工程と同様であるので、ここでの説明は、省略する。
【０１８５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【０１８６】
１００…フォトマスク
１０…透明基板
２０Ｐ…遮光パターン
２０Ｐｄ…遮光パターンの白欠陥
２０Ａ…アライメントマーク
３０Ｐ…レジストパターン
４０Ｐ…欠陥修正用遮光パターン
５０Ｐ…半透明パターン
５０Ｐｄ…半透明パターンの白欠陥
６０Ｐ…欠陥修正用半透明パターン
【図１】
2020008828.tif 000003
【図２】
2020008828.tif 000004
【図３】
2020008828.tif 000005
【図４】
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【図５】
2020008828.tif 000007
【図６】
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【図７】
2020008828.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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