(57)【要約】【課題】ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ処理を適切に行うことができる技術を提供する。【解決手段】ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ動作を制御する制御装置は、各前記メモリデバイスにおける前記ＮＡＮＤメモリの保存内容を確認する確認部と、前記保存内容の確認結果に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する決定部と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ動作を制御する制御装置であって、
各前記メモリデバイスにおける前記ＮＡＮＤメモリの保存内容を確認する確認部と、
前記保存内容の確認結果に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する決定部と、
を備える、制御装置。
【請求項２】
前記決定部は、前記保存内容を比較して各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する場合に、前記保存内容にＯＳイメージを含む前記メモリデバイスを、前記ＯＳイメージを含まない前記メモリデバイスに比べて優先する、請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
各前記メモリデバイスの誤り検出情報又は誤り訂正情報を取得する情報取得部を更に備え、
前記決定部は、前記誤り検出情報又は前記誤り訂正情報に更に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する、請求項１又は２に記載の制御装置。
【請求項４】
各前記メモリデバイスの所定処理の最終実行時間を取得する時間取得部を更に備え、
前記所定処理には、ライト処理、イレース処理およびリフレッシュ処理のうちの少なくともいずれか１つの処理が含まれ、
前記決定部は、前記最終実行時間に更に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する、請求項１から３のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
決定した前記リフレッシュ処理のタイミングにおいて前記メモリデバイスが稼働中である場合に、当該稼働中の前記メモリデバイスよりも後に前記リフレッシュ処理が予定されている前記メモリデバイスを優先して前記リフレッシュ処理を行わせる、請求項１から４のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項６】
前記メモリデバイスごとのリフレッシュ処理の優先度に関する情報をユーザに知らせる通知装置を制御する通知制御部を更に備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項７】
前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングについてユーザによる設定を可能とする入力装置を制御する入力制御部を更に備える、請求項６に記載の制御装置。
【請求項８】
ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ動作を制御装置によって制御する方法であって、
各前記メモリデバイスにおける前記ＮＡＮＤメモリの保存内容を確認する確認工程と、
前記保存内容の確認結果に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する決定工程と、
を備える、制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（以下、ＮＡＮＤメモリと記載する）を有するメモリデバイスのリフレッシュ制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ｅＭＭＣ（embedded Multi Media Card）やＳＳＤ（Solid State Drive）等の、ＮＡＮＤメモリを有するメモリデバイスが知られている。ＮＡＮＤメモリを有するメモリデバイスにおいては、例えば、外部からアクセスが無い状態の継続、経年劣化、リードディスターブ現象等によりメモリ内部の電荷が抜け、記憶された情報が失われることが知られている。このために、例えば特許文献１に開示されるように、ＮＡＮＤメモリを有するメモリデバイスにおいては、メモリに通電して電荷を復活させる処理（リフレッシュ処理）が行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１４８８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、電子機器の中には、ＮＡＮＤメモリを有するメモリデバイスを複数搭載する機器がある。このような電子機器においては、複数のメモリデバイスのうち、どのメモリデバイスからリフレッシュ処理を行うかを判断することが必要になる。リフレッシュ処理を行うメモリデバイスの順番が不適切であると、メモリデバイスに記憶された大切な情報が失われる可能性が高くなる。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みて、ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ処理を適切に行うことができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために本発明の制御装置は、ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ動作を制御する制御装置であって、各前記メモリデバイスにおける前記ＮＡＮＤメモリの保存内容を確認する確認部と、前記保存内容の確認結果に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する決定部と、を備える構成（第１の構成）になっている。
【０００７】
上記第１の構成の制御装置において、前記決定部は、前記保存内容を比較して各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する場合に、前記保存内容にＯＳイメージを含む前記メモリデバイスを、前記ＯＳイメージを含まない前記メモリデバイスに比べて優先する構成（第２の構成）であることが好ましい。
【０００８】
上記第１又は第２の構成の制御装置は、各前記メモリデバイスの誤り検出情報又は誤り訂正情報を取得する情報取得部を更に備え、前記決定部は、前記誤り検出情報又は前記誤り訂正情報に更に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する構成（第３の構成）であってよい。
【０００９】
上記第１から第３のいずれかの構成の制御装置は、各前記メモリデバイスの所定処理の最終実行時間を取得する時間取得部を更に備え、前記所定処理には、ライト処理、イレース処理およびリフレッシュ処理のうちの少なくともいずれか１つの処理が含まれ、前記決定部は、前記最終実行時間に更に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する構成（第４の構成）であってよい。
【００１０】
上記第１から第４のいずれかの構成の制御装置において、決定した前記リフレッシュ処理のタイミングにおいて前記メモリデバイスが稼働中である場合に、当該稼働中の前記メモリデバイスよりも後に前記リフレッシュ処理が予定されている前記メモリデバイスを優先して前記リフレッシュ処理を行わせる構成（第５の構成）が採用されてよい。
【００１１】
上記第１から第５のいずれかの構成の制御装置は、前記メモリデバイスごとのリフレッシュ処理の優先度に関する情報をユーザに知らせる通知装置を制御する通知制御部を更に備える構成（第６の構成）であってよい。
【００１２】
上記第６の構成の制御装置は、前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングについてユーザによる設定を可能とする入力装置を制御する入力制御部を更に備える構成（第７の構成）であってよい。
【００１３】
上記目的を達成するために本発明の制御方法は、ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ動作を制御装置によって制御する方法であって、各前記メモリデバイスにおける前記ＮＡＮＤメモリの保存内容を確認する確認工程と、前記保存内容の確認結果に基づき各前記メモリデバイスのリフレッシュ処理のタイミングを決定する決定工程と、を備える構成（第８の構成）になっている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＮＡＮＤメモリを有する複数のメモリデバイスのリフレッシュ処理を適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るリフレッシュ制御システムの構成を示す図
【図２】第１実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャート
【図３】第１実施形態のリフレッシュ制御処理の変形例を示すフローチャート
【図４】本発明の第２実施形態に係るリフレッシュ制御システムの構成を示す図
【図５】第２実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャート
【図６】第２実施形態のリフレッシュ制御処理の変形例を示すフローチャート
【図７】本発明の第３実施形態に係るリフレッシュ制御システムの構成を示す図
【図８】第３実施形態のリフレッシュ制御システムにおいて実行される時間記録処理の一例を示すフローチャート
【図９】第３実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャート
【図１０】本発明の第４実施形態に係るリフレッシュ制御システムの構成を示す図
【図１１Ａ】第４実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理例の一部を示すフローチャート
【図１１Ｂ】第４実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理例の一部を示すフローチャート
【図１１Ｃ】第４実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理例の一部を示すフローチャート
【図１２】本発明の第５実施形態に係るリフレッシュ制御システムの構成を示す図
【図１３】第５実施形態のリフレッシュ制御システムにおける優先度情報の通知処理の一例を示すフローチャート
【図１４】優先度情報を表示する表示画面の一例を示す図
【図１５】第５実施形態のリフレッシュ制御システムにおけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係るリフレッシュ制御システムＳＹＳ１の構成を示す図である。図１に示すように、リフレッシュ制御システムＳＹＳ１は、制御装置１と複数のメモリデバイス２とを備える。本実施形態では、メモリデバイス２の数は複数であるが、場合によっては、メモリデバイス２の数は単数であってもよい。
【００１８】
メモリデバイス２は、メモリコントローラ２１とＮＡＮＤメモリ２２とを有する。なお、メモリデバイス２は、例えば、ｅＭＭＣ、ＳＳＤ、ＳＤメモリカード（登録商標）、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ等であってよい。メモリコントローラ２１は、ＮＡＮＤメモリ２２の動作を制御する。例えば、メモリコントローラ２１は、ＮＡＮＤメモリ２２に対してデータの書込み、読出し、および消去を行う。また、メモリコントローラ２１は、ＮＡＮＤメモリ２２のリフレッシュ処理を行う。なお、メモリデバイス２におけるリフレッシュ処理は、ＪＥＤＥＣ規格に基づき実行される。その他、メモリコントローラ２１は、例えば、ＮＡＮＤメモリ２２の不良ブロックの管理、誤り訂正、論理アドレスから物理アドレスへの変換等の制御を行う。
【００１９】
複数のメモリデバイス２のそれぞれは、制御装置１に接続される。本実施形態では、複数のメモリデバイス２は、制御装置１の単一のインターフェースに並列に接続されている。ただし、これは例示にすぎず、例えば、複数のメモリデバイス２のそれぞれが、制御装置１のインターフェースに別々に接続されてもよい。
【００２０】
制御装置１は、複数のメモリデバイス２の動作を制御する。制御装置１は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、及び、ＲＯＭ（Read Only Memory）などを備えるコンピュータで構成される。制御装置１はホスト機器に含まれる。ホスト機器は、例えばパーソナルコンピュータ、携帯端末（例えばスマートフォンやタブレット）、車載機器（例えばナビゲーション装置）、家電（例えばテレビ）等の電子機器である。
【００２１】
制御装置１は、ＮＡＮＤメモリ２２を有する複数のメモリデバイス２のリフレッシュ動作を制御する。リフレッシュ処理は、メモリデバイス２を製造するメーカー（メモリメーカー）により、使用できる処理の種類が異なる場合がある。このために、制御装置１は、メモリメーカーを特定してリフレッシュ処理の内容を決定し、各メモリデバイス２のリフレッシュ動作を制御する。本実施形態では、バックグラウンド処理による自動リフレッシュ機能は使用されない。これは、複数のメモリデバイス２の中にバックグラウンド処理によるリフレッシュ処理に非対応のデバイスが含まれる可能性があることや、アイドル状態の不定期動作でバックグラウンド処理によるリフレッシュ処理が確実に完結できるか不明確であることを考慮するものである。
【００２２】
なお、制御装置１は、各メモリデバイス２に対して、１回のリフレッシュ処理サイズおよびリフレッシュ周期を事前に決定しておくことが好ましい。リフレッシュ処理は、当該決定事項にしたがって実行される。１回のリフレッシュ処理サイズおよびリフレッシュ周期は、例えば、メモリの使用頻度、メモリ内の書込み可能容量、データ保持条件（リテンション特性）、および、全領域リフレッシュにかけられる時間を予め設定することにより求めることが好ましい。なお、メモリの使用頻度は、例えば車載機器を想定した場合、１日当たりの乗車時間等によって設定することができる。
【００２３】
制御装置１は、確認部１１と決定部１２とを備える。なお、確認部１１および決定部１２は、制御装置１の機能部である。確認部１１および決定部１２の機能は、制御装置１がメモリデバイス２等に記憶されるコンピュータプログラムを実行することによって実現される。
【００２４】
確認部１１は、各メモリデバイス２におけるＮＡＮＤメモリ２２の保存内容を確認する。本実施形態では、保存内容の確認として、ＮＡＮＤメモリ２２にＯＳ（Operation System）イメージが保存されるか否かの確認が行われる。すなわち、確認部１１は、各メモリデバイス２に対してＯＳイメージが保存されているか否かを確認する。例えば、制御装置１にＯＳがロードされることにより、制御装置１は当該ＯＳイメージを保存する記憶媒体を認識することが可能になる。このために、制御装置１は、各メモリデバイス２に対してＯＳイメージが保存されるか否かを確認することが可能になる。
【００２５】
なお、本実施形態では、保存内容の確認として、ＮＡＮＤメモリ２２にＯＳイメージが保存されるか否かの確認が行われる構成としたが、これは例示にすぎない。例えば、保存内容の確認として、ＮＡＮＤメモリ２２に保存されるプログラムやデータの重要度が確認される構成等としてよい。プログラムやデータの重要度については、例えばユーザが設定できる構成としてよく、ユーザの設定した基準にしたがって各ＮＡＮＤメモリ２２の保存内容の重要度が判断されてよい。
【００２６】
決定部１２は、保存内容の確認結果に基づき各メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定する。換言すると、決定部１２は、保存内容の確認結果に基づき、複数のメモリデバイス２に対してリフレッシュ処理を行う順番を決定する。これによれば、メモリデバイス２が保存するプログラムやデータの重要度に応じてリフレッシュ処理のタイミングを決定することができ、重要度の高いプログラムやデータを失う可能性を低減することができる。
【００２７】
本実施形態では、決定部１２は、複数のメモリデバイス２間の保存内容を比較してリフレッシュ処理の優先度を決定する。詳細には、決定部１２は、保存内容を比較して各メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定する場合に、保存内容にＯＳイメージを含むメモリデバイス２を、ＯＳイメージを含まないメモリデバイス２に比べて優先する。これによれば、システムの起動に不可欠なＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が優先して行われるために、ＯＳイメージが失われる可能性を低減できる。すなわち、本実施形態によれば、システムの起動が出来ないという事態の発生確率を低減することができる。
【００２８】
図２は、第１実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ１におけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャートである。本実施形態では、リフレッシュ制御処理は、システムの電源オン中に自動的に実行される。まず、制御装置１は、自身に接続されているメモリデバイス２のリストアップを行う（ステップＳ１）。制御装置１は、例えば、自身に接続されているメモリデバイス２に番号等を割り振り、各メモリデバイス２を区別した状態で認識する。
【００２９】
次に、制御装置１は、複数のメモリデバイス２の中に、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が有るか否かを確認する（ステップＳ２）。当該確認は、確認部１１による各メモリデバイス２におけるＮＡＮＤメモリ２２の保存内容の確認処理に基づいて行われる。通常は、複数のメモリデバイス２のうちのいずれかにＯＳイメージが保存されており、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２は存在する。ただし、ＯＳイメージは、制御装置１に接続される、メモリデバイス２以外の記憶媒体（例えばＮＯＲ型フラッシュメモリを有するメモリデバイスや、ハードディスク等）に含まれてもよいために、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が存在しないこともあり得る。ＯＳイメージを保存する複数のメモリデバイス２が存在することも有り得る。
【００３０】
ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が有る場合（ステップＳ２でＹｅｓ）、制御装置１（決定部１２）は、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ３）。これにより、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。
【００３１】
ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了した場合、および、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が無い場合（ステップＳ２でＮｏ）、他のメモリデバイス２があるか否かが確認される（ステップＳ４）。なお、他のメモリデバイス２は、ＯＳイメージを保存しないメモリデバイス２である。他のメモリデバイス２は、ＯＳ以外のプログラムやデータをＮＡＮＤメモリ２２に保存する。
【００３２】
他のメモリデバイス２が存在する場合（ステップＳ４でＹｅｓ）、制御装置１（決定部１２）は、他のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ５）。これにより、他のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。なお、他のメモリデバイス２は複数の場合も有り得る。この場合には、例えば、ステップＳ１でリストアップされた番号の小さい順にリフレッシュ処理が行われてよい。また、後述する優先順位の決定手法を用いて、複数の他のメモリデバイス２の優先順位を決定した後に、当該優先順位にしたがってリフレッシュ処理が行われてもよい。
【００３３】
一方、ステップＳ４において他のメモリデバイス２が存在しない場合（ステップＳ４でＮｏ）、制御装置１によるリフレッシュ制御は一旦終了される。当該リフレッシュ制御処理の終了後も、制御装置１によりリフレッシュ制御処理は適当のタイミングで繰り返し行われる。このことは、後述の第２から第５実施形態にも当てはまる。
【００３４】
図３は、第１実施形態のリフレッシュ制御処理の変形例を示すフローチャートである。制御装置１は、自身に接続されているメモリデバイス２のリストアップを行う（ステップＳ１）。制御装置１は、複数のメモリデバイス２の中に、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が有るか否かを確認する（ステップＳ２）。ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が有る場合（ステップＳ２でＹｅｓ）、制御装置１は、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が非稼働（アイドル状態）であるか否かを確認する（ステップＳ２Ａ）。この点、図２のフローチャートと異なる。詳細には、制御装置１は、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２に対してリード（読出し）処理の実行を指示し、当該指示に対する応答データにより非稼働か否かを確認する。
【００３５】
ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が非稼働である場合（ステップＳ２ＡでＹｅｓ）、制御装置１は、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ３）。これにより、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。
【００３６】
ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了した場合、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が無い場合（ステップＳ２でＮｏ）、および、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が稼働中（非アイドル状態）である場合（ステップＳ２ＡでＮｏ）、他のメモリデバイス２があるか否かが確認される（ステップＳ４）。
【００３７】
他のメモリデバイス２が存在する場合（ステップＳ４でＹｅｓ）、制御装置１は、当該他のメモリデバイス２をリフレッシュ処理の候補とし、当該リフレッシュ候補デバイスが非稼働であるか否かを確認する（ステップＳ４Ａ）。この点、図２のフローチャートと異なる。リフレッシュ候補デバイスが非稼働か否かの確認手法は、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２の場合と同様である。
【００３８】
リフレッシュ候補デバイスが非稼働である場合（ステップＳ４ＡでＹｅｓ）、制御装置１は、リフレッシュ候補デバイスのリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ５）。これにより、リフレッシュ候補デバイスのリフレッシュ処理が行われる。
【００３９】
リフレッシュ候補デバイスのリフレッシュ処理が完了した場合、他のメモリデバイス２が存在しなかった場合（ステップＳ４でＮｏ）、リフレッシュ候補デバイスが稼働中である場合（ステップＳ４ＡでＮｏ）、全てのメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了したか否かが確認される（ステップＳ６）。この点、図２のフローチャートと異なる。全てのメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了した場合には（ステップＳ６でＹｅｓ）、制御装置１によるリフレッシュ制御処理は終了される。一方、全てのメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了していない場合には（ステップＳ６でＮｏ）、ステップＳ２に戻ってステップＳ２以降の処理が繰り返される。ステップＳ６からステップＳ２に戻る場合には、既にリフレッシュ処理が完了したメモリデバイス２は、リフレッシュ処理の対象から外される。
【００４０】
変形例のリフレッシュ制御処理では、制御装置１は、決定したリフレッシュ処理のタイミングにおいてメモリデバイス２が稼働中である場合に、当該稼働中のメモリデバイス２よりも後にリフレッシュ処理が予定されているメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行わせる。これによれば、稼働中のメモリデバイス２のリフレッシュ処理は、当該メモリデバイス２が非稼働になるまで待って行われるのではなく、一旦後回しにされる。そして、順番を飛ばすことによって生じた空き時間に、他のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が実行される。このために、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を効率良く行うことができる。
【００４１】
＜２．第２実施形態＞
図４は、本発明の第２実施形態に係るリフレッシュ制御システムＳＹＳ２の構成を示す図である。第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、リフレッシュ制御システムＳＹＳ２は、制御装置１Ａとメモリデバイス２とを備える。メモリデバイス２の構成は第１実施形態と同様である。制御装置１Ａも概ね第１実施形態の制御装置１と同様の構成であるが、機能部の構成が異なる。第１実施形態と重複する部分については特に必要がない場合には説明を省略する。
【００４２】
制御装置１Ａは、情報取得部１３と決定部１２Ａとを備える。情報取得部１３および決定部１２Ａの機能は、制御装置１Ａがメモリデバイス２等に記憶されるコンピュータプログラムを実行することによって実現される。
【００４３】
情報取得部１３は、各メモリデバイス２の誤り検出情報又は誤り訂正情報を取得する。誤り検出は、メモリコントローラ２１がＮＡＮＤメモリ２２からデータを読み出す際に、データに符号誤り（エラー）が発生したことを検出することである。誤り訂正は、メモリコントローラ２１がＮＡＮＤメモリ２２からデータを読み出す際に、データに符号誤りが発生した場合に誤りを訂正することである。情報取得部１３が取得する誤り検出情報には、エラー検出数が含まれる。情報取得部１３が取得する誤り訂正情報には、エラー訂正数が含まれる。本実施形態では、情報取得部１３は、各メモリデバイス２の誤り訂正情報を取得する。
【００４４】
なお、誤り検出や誤り訂正といった機能は、メモリデバイス２に備えられる機能である。ただし、複数のメモリデバイス２の中には、これらの機能を有さないメモリデバイス２が存在することが有り得る。このようなメモリデバイス２に対しては、情報取得部１３は、誤り検出情報や誤り訂正情報を取得できないことを検出する。誤り検出情報や誤り訂正情報を取得できるか否かの判断は、例えば、メモリデバイス２との通信コマンドの中に誤り検出や誤り訂正に関するコマンドが存在するか否かによって判断できる。
【００４５】
決定部１２Ａは、誤り検出情報又は誤り訂正情報に基づき各メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定する。本実施形態では、決定部１２Ａは、誤り訂正情報に基づき各メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定する。詳細には、決定部１２Ａは、エラー訂正数が多いメモリデバイス２ほど、リフレッシュ処理の優先度を高くする。これによれば、ＮＡＮＤメモリ２２に記憶される情報が消える可能性が高いメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行うことができる。
【００４６】
図５は、第２実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ２におけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャートである。本実施形態においても、リフレッシュ制御処理は、システムの電源オン中に自動的に実行される。まず、制御装置１Ａは、自身に接続されているメモリデバイス２のリストアップを行う（ステップＳ１１）。メモリデバイス２のリストアップの手法は第１実施形態と同様である。
【００４７】
次に、制御装置１Ａに接続されるメモリデバイス２の数だけ、エラー訂正数取得処理が繰り返される（ステップＳ１２）。エラー訂正数取得処理が実行される順番は特に限定されない。エラー訂正数取得処理は、例えば、ステップＳ１１でリストアップされた番号の小さいメモリデバイス２から順に実行されてよい。
【００４８】
エラー訂正数取得処理においては、まず、制御装置１Ａ（情報取得部１３）は、処理対象のメモリデバイス２から誤り訂正情報を取得可能であるか否かを確認する（ステップＳ１２１）。誤り訂正情報を取得可能である場合（ステップＳ１２１でＹｅｓ）、情報取得部１３は処理対象のメモリデバイス２に対して誤り訂正情報の取得を指示する（ステップＳ１２２）。これにより、処理対象のメモリデバイス２では所定のリード処理が実行され、誤り訂正情報が取得される。
【００４９】
情報取得部１３は、処理対象のメモリデバイス２における誤り訂正情報の取得が正常終了であったか否かを確認する（ステップＳ１２３）。正常終了であった場合には（ステップＳ１２３でＹｅｓ）、情報取得部１３は、処理対象のメモリデバイス２から取得したエラー訂正数を確定する。
【００５０】
誤り訂正情報を取得不能である場合（ステップＳ１２１でＮｏ）、および、誤り訂正情報の取得が正常終了でなかった場合（ステップＳ１２３でＮｏ）、情報取得部１３は、エラー訂正数をゼロに確定する（ステップＳ１２４）。制御装置１Ａに接続される全てのメモリデバイス２に対してエラー訂正数取得処理が完了すると、次のステップＳ１３に移行する。
【００５１】
エラー訂正数取得処理が全てのメモリデバイス２について完了すると、制御装置１Ａ（決定部１２Ａ）は、メモリデバイス２ごとに取得したエラー訂正数に基づきリフレッシュ処理の優先順位を決定する（ステップＳ１３）。詳細には、決定部１２Ａは、エラー訂正数が多いデバイスの優先順位を高く設定する。すなわち、エラー訂正数の多いメモリデバイス２から順番にリフレッシュ処理が行われるように順番を決定する。なお、エラー訂正数が同じメモリデバイス２が複数生じることが有り得る。この場合には、例えば、ステップＳ１１でリストアップされた番号の小さい順にリフレッシュ処理が行われてよい。また、例えばＮＡＮＤ２２の保存内容に応じて優先順位を決めてリフレッシュ処理が行われてもよい。
【００５２】
次に、制御装置１Ａに接続されるメモリデバイス２の数だけ、ステップＳ１３で決定した優先順位にしたがってリフレッシュ処理が繰り返される（ステップＳ１４）。制御装置１Ａ（決定部１２Ａ）は、ステップＳ１３で決定された優先順位によって順番に決まる処理対象のメモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ１４１）。これにより、処理対象のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。全てのメモリデバイス２についてリフレッシュ処理が行われることにより、制御装置１によるリフレッシュ制御処理は終了される。
【００５３】
第２実施形態においても、第１実施形態の場合と同様に、制御装置１Ａは、決定したリフレッシュ処理のタイミングにおいてメモリデバイス２が稼働中である場合に、当該稼働中のメモリデバイス２よりも後にリフレッシュ処理が予定されているメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行わせることとしてよい。これにより、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を効率良く行うことができる。
【００５４】
図６は、第２実施形態のリフレッシュ制御処理の変形例を示すフローチャートである。図６において、前半部分のフローは図５のステップＳ１１〜ステップＳ１３と同じであるために記載が省略されている。変形例においては、決定部１２Ａによってリフレッシュ処理の優先順位が決定されると（ステップＳ１３）、制御装置１Ａ（決定部１２Ａ）は、リフレッシュ候補のメモリデバイス２が非稼働であるか否かを確認する（ステップＳ１５）。リフレッシュ候補のメモリデバイス２が非稼働である場合（ステップＳ１５でＹｅｓ）、制御装置１Ａは、リフレッシュ候補のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ１６）。これにより、リフレッシュ候補のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。
【００５５】
一方、リフレッシュ候補のメモリデバイス２が稼働中である場合（ステップＳ１５でＮｏ）、制御装置１Ａは、リフレッシュ候補のメモリデバイス２を、当該稼働中のメモリデバイス２の次に優先順が高いメモリデバイス２に変更する（ステップＳ１７）。リフレッシュ候補の変更後、ステップＳ１５に戻ってステップＳ１５以降の処理が繰り返される。
【００５６】
リフレッシュ候補のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了すると、全てのメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了したか否かが確認される（ステップＳ１８）。全てのメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了した場合には（ステップＳ１８でＹｅｓ）、制御装置１Ａによるリフレッシュ制御処理は終了される。一方、全てのメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了していない場合には（ステップＳ１８でＮｏ）、ステップＳ１５に戻ってステップＳ１５以降の処理が繰り返される。
【００５７】
＜３．第３実施形態＞
図７は、本発明の第３実施形態に係るリフレッシュ制御システムＳＹＳ３の構成を示す図である。第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、リフレッシュ制御システムＳＹＳ３は、制御装置１Ｂとメモリデバイス２とを備える。メモリデバイス２の構成は第１実施形態と同様である。制御装置１Ｂも概ね第１実施形態の制御装置１と同様の構成であるが、機能部の構成が異なる。第１実施形態と重複する部分については特に必要がない場合には説明を省略する。
【００５８】
制御装置１Ｂは、時間取得部１４と決定部１２Ｂとを備える。時間取得部１４および決定部１２Ｂの機能は、制御装置１Ｂがメモリデバイス２等に記憶されるコンピュータプログラムを実行することによって実現される。
【００５９】
時間取得部１４は、各メモリデバイス２の所定処理の最終実行時間を取得する。所定処理には、ライト（書込み）処理、イレース（消去）処理およびリフレッシュ処理のうちの少なくともいずれか１つの処理が含まれる。本実施形態では、所定処理には、ライト処理、イレース処理およびリフレッシュ処理が含まれる。
【００６０】
制御装置１Ｂは、ライト処理等の所定処理を行わせるためにメモリデバイス２にアクセスした場合に、アクセス日時の記録を行う。本実施形態では、記録された当該アクセス日時の取得により、所定処理の最終実行時間を取得する。なお、最終実行時間は、アクセス日時ではなく、例えば、各メモリデバイス２において所定処理が完了した時間等であってもよい。また、時間の記録場所は、各メモリデバイス２が有するＮＡＮＤメモリ２２であってよいが、制御装置１Ｂに接続される他の記憶媒体等であってもよい。
【００６１】
決定部１２Ｂは、所定処理の最終実行時間に基づき各メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定する。本実施形態では、決定部１２Ｂは、所定処理の最終実行時間が一番古い（早い）メモリデバイス２ほど、リフレッシュ処理の優先度を高くする。これによれば、ＮＡＮＤメモリ２２に記憶される情報が消える可能性が高いメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行うことができる。
【００６２】
図８は、第３実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ３において実行される時間記録処理の一例を示すフローチャートである。図８に示すように、制御装置１Ｂは、ライト処理、イレース処理およびリフレッシュ処理のうちのいずれかを実行させるためにメモリデバイス２にアクセスすると（ステップＳ２１）、当該アクセス日時を記録する処理を行う（ステップＳ２２）。
【００６３】
アクセス日時の記録は、ライト処理等の所定処理が実行されたメモリデバイス２に記録されてもよいが、制御装置１に接続されるハードディスク等の他の記憶媒体に記録されてもよい。他の記憶媒体に記録する場合には、アクセス日時と、アクセスされたメモリデバイス２がいずれのメモリデバイス２であるかを識別可能な情報とが記憶媒体に記録される。本実施形態では、アクセス日時の記録は、ライト処理等の所定処理が実行されるごとに上書きされ、更新される。ただし、これは例示であり、アクセスがあった日時を全て記録したり、最新のアクセス日時から新しい順に複数個のアクセス日時を記録したりする構成等としてもよい。
【００６４】
図９は、第３実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ３におけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャートである。本実施形態においても、リフレッシュ制御処理は、システムの電源オン中に自動的に実行される。まず、制御装置１Ｂ（時間取得部１４）は、自身に接続されている各メモリデバイス２の最終アクセス日時を取得する（ステップＳ３１）。
【００６５】
次に、制御装置１Ｂ（決定部１２Ｂ）は、メモリデバイス２ごとに取得した最終アクセス日時（最終実行時間）に基づきリフレッシュ処理の優先順位を決定する（ステップＳ３２）。詳細には、決定部１２Ｂは、最終アクセス日時が古いデバイスの優先順位を高く設定する。すなわち、最終アクセス日時が古いメモリデバイス２から順番にリフレッシュ処理が行われるように順番を決定する。
【００６６】
次に、制御装置１Ｂに接続されるメモリデバイス２の数だけ、ステップＳ３２で決定した優先順位にしたがってリフレッシュ処理が繰り返される（ステップＳ３３）。詳細には、制御装置１Ｂ（決定部１２Ｂ）が優先順位により順番に決まる処理対象のメモリデバイス２にリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ３３１）。これにより、処理対象のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。全てのメモリデバイス２についてリフレッシュ処理が行われることにより、制御装置１によるリフレッシュ制御処理は終了される。
【００６７】
第３実施形態においても、第１実施形態および第２実施形態と同様に、制御装置１Ｂは、決定したリフレッシュ処理のタイミングにおいてメモリデバイス２が稼働中である場合に、当該稼働中のメモリデバイス２よりも後にリフレッシュ処理が予定されているメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行わせることとしてよい。これにより、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を効率良く行うことができる。当該処理は、第２実施形態の図６で説明した処理と同様とできるために、ここでは説明を省略する。なお、図９に示すステップＳ３３の繰り返し処理を図６に示す構成に変更すればよい。
【００６８】
＜４．第４実施形態＞
図１０は、本発明の第４実施形態に係るリフレッシュ制御システムＳＹＳ４の構成を示す図である。第４実施形態においても、第１実施形態と同様に、リフレッシュ制御システムＳＹＳ４は、制御装置１Ｃとメモリデバイス２とを備える。メモリデバイス２の構成は第１実施形態と同様である。制御装置１Ｃも概ね第１実施形態の制御装置１と同様の構成であるが、機能部の構成が異なる。第４実施形態の制御装置１は、第１から第３実施形態の制御装置１、１Ａ、１Ｂを組み合わせた構成である。第１〜第３実施形態と重複する部分については特に必要がない場合には説明を省略する。
【００６９】
制御装置１Ｃは、確認部１１と、情報取得部１３、時間取得部１４と、決定部１２Ｃとを備える。これら各部１１、１３、１４、１２Ｃの機能は、制御装置１Ｃがメモリデバイス２等に記憶されるコンピュータプログラムを実行することによって実現される。確認部１１、情報取得部１３および時間取得部１４の構成は、第１〜第３実施形態で説明した構成と同様であるために説明を省略する。
【００７０】
決定部１２Ｃは、確認部１１における保存内容の確認結果と、情報取得部１３で取得した誤り訂正情報（又は誤り検出情報）と、時間取得部１４で取得した最終実行時間とに基づき各メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定する。これによれば、システムにおいて重要な情報を保存するメモリデバイス２、および、記憶された情報が消える可能性が高いメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行うことができる。
【００７１】
図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃは、それぞれ、第４実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ４におけるリフレッシュ制御処理例の一部を示すフローチャートである。リフレッシュ制御処理は、図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃに示すフローチャートを全て実行することによって完了する。リフレッシュ制御処理は、システムの電源オン中に自動的に実行される。また、本実施形態においても、第３実施形態（図８）で説明した時間記録処理が実行される。
【００７２】
図１１Ａに示すように、まず、制御装置１Ｃ（時間取得部１４）は、自身に接続されている各メモリデバイス２の最終アクセス日時を取得する（ステップＳ４１）。次に、制御装置１Ｃに接続されるメモリデバイス２の数だけ、取得した最終アクセス日時の古い順に所定の繰り返し処理が行われる（ステップＳ４２）。
【００７３】
当該繰り返し処理においては、まず、最終アクセス日時に基づき処理対象とされたメモリデバイス２と最終アクセス日時（タイムスタンプ）が同じメモリデバイス２が無いか否かが確認される（ステップＳ４２１）。同じタイムスタンプのメモリデバイス２が無い場合（ステップＳ４２１でＹｅｓ）、制御装置１Ｃ（決定部１２Ｃ）は、現在の処理対象のメモリデバイス２をリフレッシュ処理の対象に決定し、当該処理対象のメモリデバイス２にリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ４２２）。これにより、処理対象のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。処理対象のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了すると、次に処理対象となるメモリデバイス２が存在する場合には、次の処理対象についてステップＳ４２１以降の処理が行われる。次に処理対象となるメモリデバイス２が無い場合には、リフレッシュ制御処理が終了される。
【００７４】
一方、同じタイムスタンプのメモリデバイス２が存在する場合（ステップＳ４２１でＮｏ）、制御装置１Ｃは図１１Ｂに示す処理を実行する。すなわち、制御装置１Ｃ（確認部１１）は、同じタイムスタンプを有するメモリデバイス２の中に、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が有るか否かを確認する（ステップＳ４２３）。
【００７５】
ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が有る場合（ステップＳ４２３でＹｅｓ）、制御装置１Ｃ（決定部１２Ｃ）は、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ４２４）。これにより、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。
【００７６】
ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了した場合、および、ＯＳイメージを保存するメモリデバイス２が無い場合（ステップＳ４２３でＮｏ）、ＯＳイメージを保存しないメモリデバイス２（他のメモリデバイス２）の数が１つであるか否かが確認される（ステップＳ４２５）。
【００７７】
他のメモリデバイス２の数が１つである場合（ステップＳ４２５でＹｅｓ）、制御装置１Ｃ（決定部１２Ｃ）は、当該１つの他のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を行うことに決定し、当該メモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ４２６）。これにより、他のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。他のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が完了すると、次に処理対象になるメモリデバイス２が有る場合には、次の処理対象についてステップＳ４２１以降の処理が行われる。次の処理対象が無い場合には、リフレッシュ制御処理が終了される。
【００７８】
一方、他のメモリデバイス２の数が複数存在する場合（ステップＳ４２５でＮｏ）、制御装置１Ｃは、図１１Ｃに示す処理を実行する。すなわち、制御装置１Ｃ（情報取得部１３）は、タイムスタンプが同じ、且つ、ＯＳイメージを保存しないメモリデバイス２の数だけ、エラー訂正数取得処理を繰り返す（ステップＳ４２７）。
【００７９】
エラー訂正数取得処理においては、制御装置１Ｃは、処理対象のメモリデバイス２から誤り訂正情報を取得可能であるか否かを確認する（ステップＳ４２７１）。誤り訂正情報を取得可能である場合（ステップＳ４２７１でＹｅｓ）、制御装置１Ｃは処理対象のメモリデバイス２に対して誤り訂正情報の取得を指示する（ステップＳ４２７２）。これにより、処理対象のメモリデバイス２では所定のリード処理が実行され、誤り訂正情報が取得される。
【００８０】
制御装置１Ｃは、処理対象のメモリデバイス２における誤り訂正情報の取得が正常終了であったか否かを確認する（ステップＳ４２７３）。正常終了であった場合には（ステップＳ４２７３でＹｅｓ）、制御装置１Ｃは、処理対象のメモリデバイス２から取得したエラー訂正数を確定する。
【００８１】
誤り訂正情報を取得不能である場合（ステップＳ４２７１でＮｏ）、および、誤り訂正情報の取得が正常終了でなかった場合（ステップＳ４２７３でＮｏ）、制御装置１Ｃは、エラー訂正数をゼロに確定する（ステップＳ４２７４）。エラー訂正数取得処理の対象となった全てのメモリデバイス２に対してエラー訂正数取得処理が完了すると、次のステップＳ４２８に移行する。
【００８２】
ステップＳ４２７で処理対象となった全てのメモリデバイス２についてエラー訂正数取得処理が完了すると、制御装置１Ｃ（決定部１２Ｃ）は、メモリデバイス２ごとに取得したエラー訂正数に基づきリフレッシュ処理の優先順位を決定する（ステップＳ４２８）。そして、処理対象となったメモリデバイス２の数だけ、ステップＳ４２８で決定した優先順位にしたがってリフレッシュ処理が繰り返される（ステップＳ４２９）。制御装置１Ｃ（決定部１２Ｃ）は、ステップＳ４２８で決定された優先順位によって順番に決まる処理対象のメモリデバイス２に対してリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ４２９１）。これにより、処理対象のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。ステップＳ４２９で繰り返し処理の対象となった全てのメモリデバイス２についてリフレッシュ処理が行われると、次に処理対象となるメモリデバイス２が有る場合には、次の処理対象についてステップＳ４２１以降の処理が行われる。次に処理対象となるメモリデバイス２が無い場合には、リフレッシュ制御処理が終了される。
【００８３】
なお、本実施形態では、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定するに際し、確認部１１における保存内容の確認結果と、情報取得部１３で取得される誤り訂正情報と、時間取得部１４で取得される最終実行時間とのうち、時間取得部１４で取得される最終実行時間を最も重視する構成とした。ただし、これは例示にすぎない。保存内容の確認結果と、誤り訂正情報と、最終実行時間とのうち、いずれを重視するかは適宜変更されてよい。例えば、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングを決定するに際し、確認部１１における保存内容の確認結果が最も重視されてもよい。２番目に重視されるものも、本実施形態の構成から適宜変更されてよい。
【００８４】
また、本実施形態では、複数のメモリデバイス２のリフレッシュタイミングを決定するに際し、確認部１１における保存内容の確認結果と、情報取得部１３で取得される誤り訂正情報と、時間取得部１４で取得される最終実行時間との３つ情報を組み合わせる構成としたが、これは例示にすぎない。これら３つの情報うちのいずれか２つの情報のみが組み合わされる構成としてもよい。
【００８５】
また、本実施形態においても、制御装置１Ｃは、決定したリフレッシュ処理のタイミングにおいてメモリデバイス２が稼働中である場合に、当該稼働中のメモリデバイス２よりも後にリフレッシュ処理が予定されているメモリデバイス２を優先してリフレッシュ処理を行わせることとしてよい。これにより、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を効率良く行うことができる。
【００８６】
＜５．第５実施形態＞
図１２は、本発明の第５実施形態に係るリフレッシュ制御システムＳＹＳ５の構成を示す図である。第５実施形態においても、第１実施形態と同様に、リフレッシュ制御システムＳＹＳ５は、制御装置１Ｄとメモリデバイス２とを備える。ただし、第５実施形態においては、リフレッシュ制御システムＳＹＳ５はＨＭＩ（Human Machine Interface）部３を更に備える。メモリデバイス２の構成は第１実施形態と同様である。第５実施形態の説明にあたって、第１〜第４実施形態と重複する部分については特に必要がない場合には説明を省略する。
【００８７】
ＨＭＩ部３は、制御装置１Ｄと接続され、制御装置１Ｄと情報のやり取りを可能に設けられる。ＨＭＩ部３と制御装置１Ｄとは、有線又は無線によって接続されてよい。ＨＭＩ部３は、通知装置３１と入力装置３２とを備える。通知装置３１は、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等の表示装置であってよい。通知装置３１は、表示装置に限られず、例えば音声出力装置等であってもよい。入力装置３２は、例えばタッチパネル、ボタン、キーボード、マウス、リモコン等であってよい。
【００８８】
制御装置１Ｄは、確認部１１と、情報取得部１３と、時間取得部１４と、通知制御部１５と、入力制御部１６と、決定部１２Ｄとを備える。これら各部１１、１３〜１６、１２Ｄは、制御装置１Ｄの機能部である。これらの各部１１、１３〜１６、１２Ｄの機能は、制御装置１Ｄがメモリデバイス２等に記憶されるコンピュータプログラムを実行することによって実現される。確認部１１、情報取得部１３および時間取得部１４の構成は、第１〜第４実施形態で説明した構成と同様であるために説明を省略する。
【００８９】
通知制御部１５は、メモリデバイス２ごとのリフレッシュ処理の優先度に関する情報（以下、単に優先度情報と記載する）をユーザに知らせる通知装置３１を制御する。これによれば、複数のメモリデバイス２のうちリフレッシュ処理を優先して行うべきメモリデバイス２がいずれであるかをユーザが把握することが可能になる。
【００９０】
本実施形態では、通知装置３１は表示装置であり、通知制御部１５は通知装置３１の表示画面を介して優先度情報をユーザに知らせる。優先度情報は、メモリデバイス２ごとの優先度を例えば文字、数値、記号等を用いて直接的に通知する構成であってよい。ただし、優先度情報は、優先度を直接的に通知する構成でなく、ユーザが優先度を判断するための材料を通知する構成であってもよい。
【００９１】
入力制御部１６は、メモリデバイス２のリフレッシュ処理のタイミングについてユーザによる設定を可能とする入力装置３２を制御する。これによれば、複数のメモリデバイス２に対するリフレッシュ処理の順番をユーザが決定することが可能になる。すなわち、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理の順番について、制御装置１Ｄによる自動設定と、ユーザによるマニュアル設定とを選択することを可能にできる。
【００９２】
決定部１２Ｄは、第４実施形態の決定部１２Ｃと同様に、確認部１１における保存内容の確認結果と、情報取得部１３で取得した誤り訂正情報（又は誤り検出情報）と、時間取得部１４で取得した最終実行時間とに基づきメモリデバイス２ごとのリフレッシュ処理のタイミングを決定する。ただし、決定部１２Ｄは、ユーザからの指示があった場合には、リフレッシュ処理のタイミングの自動決定を行わない。この点、第４実施形態の構成と異なる。
【００９３】
図１３は、第５実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ５における優先度情報の通知処理の一例を示すフローチャートである。当該通知処理は、システムの電源オン中の適当なタイミングで実行される。まず、制御装置１Ｄ（時間取得部１４）は、自身に接続されている各メモリデバイス２の最終アクセス日時を取得する（ステップＳ５１）。
【００９４】
次に、制御装置１Ｄ（情報取得部１３）は、自身に接続されている各メモリデバイス２の誤り訂正情報を取得する（ステップＳ５２）。詳細には、制御装置１Ｄは、各メモリデバイス２のエラー訂正数を取得すべく、図５に示すステップＳ１２（ステップＳ１２１〜ステップＳ１２４を含む）の繰り返し処理を行う。
【００９５】
次に、制御装置１Ｄ（確認部１１）は、自身に接続されている各メモリデバイス２の保存内容を確認する（ステップＳ５３）。詳細には、保存内容の確認として、各メモリデバイス２のＮＡＮＤメモリ２２にＯＳイメージが保存されるか否かの確認が行われる。なお、ステップＳ５１〜ステップ５３の順番は、適宜入れ替えられてよい。
【００９６】
次に、制御装置１Ｄ（通知制御部１５）は、ステップＳ５１〜ステップＳ５３の処理結果に基づき優先度情報を通知する処理を行う（ステップＳ５４）。本実施形態では、優先度情報は表示画面に表示される。図１４は、優先度情報を表示する表示画面の一例を示す図である。図１４に示す例では、メモリデバイス２ごとに、ＯＳイメージの有無、エラー訂正数、最終アクセス日時、および、優先度が表示されている。
【００９７】
優先度は、リフレッシュ処理を早く実行すべきか否かの指標を与えるものであり、リフレッシュ処理を速く実行すべきメモリデバイス２ほど優先度が高くされる。優先度は、制御装置１Ｄが、ＯＳイメージの有無、エラー訂正数および最終アクセス日時に基づいて決定する。図１４に示す例では、優先度は一例として記号で示され、○が最も重要度が高く、○、△、×の順に優先度が低下する。重要度が重複する場合には、同じ記号が与えられる。
【００９８】
なお、図１４に示す例において、優先度は、リフレッシュ処理の優先度を直接的に通知するものである。また、ＯＳイメージの有無、エラー訂正数および最終アクセス日時は、ユーザが優先度を判断するための材料を通知するものである。前者と後者とのうち、いずれか一方のみが表示画面に表示される構成としてもよい。
【００９９】
本実施形態では、優先度情報の表示とともに、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理の順番の設定がユーザに要求される。このために、制御装置１Ｄ（入力制御部１６））は、ユーザによる設定が完了したか否かの確認を行う（ステップＳ５５）。なお、ユーザは、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理の順番の設定を入力装置３２によって行う。
【０１００】
ユーザによる設定が完了した場合には（ステップＳ５５でＹｅｓ）、制御装置１Ｄは設定内容を記憶媒体に保存する処理を行い（ステップＳ５６）、通知処理を終了する。記憶媒体は、メモリデバイス２でもよいが、他の記憶媒体でもよい。ユーザによる設定が完了しなかった場合には（ステップＳ５５でＮｏ）、制御装置１Ｄは処理を終了する。設定が完了したか否かは、例えば所定時間内にユーザによる設定が行われたか否かによって判断されてよい。また、ユーザが優先順位の設定の意思がないことを入力装置３２により示し場合に、設定が完了しなかったと判断してよい。
【０１０１】
図１５は、第５実施形態のリフレッシュ制御システムＳＹＳ５におけるリフレッシュ制御処理の一例を示すフローチャートである。リフレッシュ制御は、例えば、優先度情報の通知処理の終了により開始される。制御装置１Ｄ（決定部１２Ｄ）は、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理の順番に関してユーザ設定があるか否かを確認する（ステップＳ６１）。ユーザ設定がある場合には、当該設定情報が記憶媒体に保存されている。このために、制御装置１Ｄはユーザ設定の有無を確認することができる。
【０１０２】
ユーザ設定がある場合には（ステップＳ６１でＹｅｓ）、制御装置１Ｄ（決定部１２Ｄ）は、ユーザ設定に基づき複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理を行うことを決定する。制御装置１Ｄは、自身に接続されるメモリデバイス２の数だけ、ユーザ設定によって決められた優先順位にしたがってリフレッシュ処理を繰り返すことを決定する（ステップＳ６２１）。これにより、制御装置１Ｄは、優先順位にしたがって順番に決まる処理対象のメモリデバイス２にリフレッシュ処理の実行を指示する（ステップＳ６２１）。当該指示により、処理対象のメモリデバイス２のリフレッシュ処理が行われる。処理対象の全てのメモリデバイス２についてリフレッシュ処理が行われると、リフレッシュ処理が終了される。
【０１０３】
一方、ユーザ設定がない場合には（ステップＳ６１でＮｏ）、制御装置１Ｄ（決定部１２Ｄ）は、自動リフレッシュ制御を行うことに決定する。自動リフレッシュ制御は、例えば、上述した図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１１Ｃで示す一連の処理とすることができる。本実施形態では、複数のメモリデバイス２のリフレッシュ処理について、自動制御と手動制御との選択を行うことができるので便利である。
【０１０４】
＜６．留意事項＞
本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。また、本明細書中に示される複数の実施形態及び変形例は可能な範囲で組み合わせて実施されてよい。
【０１０５】
例えば、以上においては、コンピュータプログラムに従ったＣＰＵの演算処理によってソフトウェア的に各種の機能が実現されると説明したが、これらの機能のうちの少なくとも一部は電気的なハードウェア回路により実現されてもよい。また逆に、ハードウェア回路によって実現されるとした機能のうちの少なくとも一部は、ソフトウェア的に実現されてもよい。
【０１０６】
また、制御装置１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄが備える各機能部は、概念的な構成要素である。１つの構成要素が実行する機能を複数の構成要素に分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてよい。
【符号の説明】
【０１０７】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ・・・制御装置
２・・・メモリデバイス
１１・・・確認部
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ・・・決定部
１３・・・情報取得部
１４・・・時間取得部
１５・・・通知制御部
１６・・・入力制御部
２２・・・ＮＡＮＤメモリ
３１・・・通知装置
３２・・・入力装置
【図１】
2020027676.tif 000003
【図２】
2020027676.tif 000004
【図３】
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【図４】
2020027676.tif 000006
【図５】
2020027676.tif 000007
【図６】
2020027676.tif 000008
【図７】
2020027676.tif 000009
【図８】
2020027676.tif 000010
【図９】
2020027676.tif 000011
【図１０】
2020027676.tif 000012
【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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