(57)【要約】【課題】ソフトスタート動作を含む適正な起動動作を実現する。【解決手段】絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、二次側制御回路が二次側電圧（ＶＳ）に基づいて起動すると所定の移行準備動作を経てソフトスタート制御及び安定化制御を実行する。ソフトスタート制御では、所定ノードでのソフトスタート電圧（ＶＳＳ）と二次側電圧に基づくフィードバック電圧（ＶＦＢ）とに基づき一次側のスイッチング素子のオン及びオフを通信用トランスを介し一次側制御回路に指示することで二次側電圧を目標電圧（ＶＴＧ）に向けて上昇させ、その後の安定化制御では、基準電圧（ＶＲＥＦ）とフィードバック電圧とに基づきスイッチング素子のオン及びオフを通信用トランスを介し一次側制御回路に指示することで二次側電圧を目標電圧にて安定化させる。移行準備動作が行われているとき所定ノードにフィードバック電圧を設定する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用トランスの一次側及び二次側を互いに絶縁しつつ、前記電力用トランスの一次側巻線に接続されたスイッチング素子をスイッチングすることにより、一次側における一次側電圧から二次側における二次側電圧を生成する絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、
一次側に配置されて前記スイッチング素子をスイッチングさせる一次側制御回路と、
ソフトスタート回路、及び、サンプルホールド回路を有し、二次側に配置される二次側制御回路と、
前記一次側制御回路及び前記二次側制御回路間の通信を実現する通信用トランスと、を備え、
前記二次側制御回路は、前記二次側電圧を駆動電圧として用いて動作する回路であって、前記二次側電圧に基づき起動すると、所定の準備動作を経て、ソフトスタート制御及び安定化制御を実行し、
前記ソフトスタート回路は、前記二次側制御回路の起動後、前記ソフトスタート制御が行われるときに、時間経過とともに上昇するソフトスタート電圧を所定ノードに生成し、
前記二次側制御回路は、
前記ソフトスタート制御において、前記所定ノードにおける前記ソフトスタート電圧と前記二次側電圧に基づくフィードバック電圧とに基づき、前記スイッチング素子のオン及びオフを前記通信用トランスを介して前記一次側制御回路に指示することにより前記二次側電圧を所定の目標電圧に向けて上昇させ、
前記ソフトスタート制御の後の前記安定化制御において、所定の基準電圧と前記フィードバック電圧とに基づき、前記スイッチング素子のオン及びオフを前記通信用トランスを介して前記一次側制御回路に指示することにより前記二次側電圧を前記目標電圧にて安定化させ、
前記サンプルホールド回路は、前記準備動作が行われているとき、前記所定ノードに前記フィードバック電圧を設定する
ことを特徴とする絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項２】
前記サンプルホールド回路は、前記所定ノードと前記フィードバック電圧が加わるノードとの間に設けられたスイッチを有し、前記準備動作が行われているとき、前記スイッチをオンとすることで前記所定ノードに前記フィードバック電圧を設定し、前記準備動作が完了すると前記スイッチをオフとする
ことを特徴とする請求項１に記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項３】
前記ソフトスタート電圧は、前記スイッチがオンとされている区間では前記フィードバック電圧と一致し、その後、前記スイッチがオフとされると、前記ソフトスタート回路により時間経過とともに上昇する
ことを特徴とする請求項２に記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項４】
前記二次側制御回路は、
前記ソフトスタート電圧及び前記基準電圧の内の低い方の電圧と、前記フィードバック電圧との誤差に応じた誤差信号を生成するエラーアンプと、
前記誤差信号に基づき前記スイッチング素子のターンオンタイミング及びターンオフタイミングを特定する信号を生成する信号生成部と、
前記ソフトスタート制御及び前記安定化制御において、前記信号生成部による生成信号に基づき、前記スイッチング素子をオン状態とすべきこと又はオフ状態とすべきことを指示するコマンド信号を前記通信用トランスを介して前記一次側制御回路に伝達するコマンド送信部と、を備える
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項５】
前記二次側制御回路は、前記準備動作の完了後、前記ソフトスタート電圧が前記基準電圧より低いときに前記ソフトスタート制御を実行し、前記ソフトスタート電圧が前記基準電圧より高くなると前記安定化制御を実行する
ことを特徴とする請求項４に記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項６】
前記準備動作は、所定の準備用信号を前記通信用トランスを介し前記二次側制御回路から前記一次側制御回路に伝達する動作を含み、
前記一次側制御回路は、前記準備用信号の受信に応答して前記スイッチング素子のターンオン又はターンオフを伴う応答動作を実行し、
前記電力用トランスの二次側巻線における一方の端子には、前記スイッチング素子のスイッチングに応答して変動する電圧が発生し、
前記二次側制御回路は、前記一方の端子における電圧に基づき前記応答動作が行われたか否かを判定する判定部を備え、前記応答動作が行われたと判定されたとき、前記準備動作を完了させて前記ソフトスタート制御に移行する
ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項７】
前記通信用トランスは、前記二次側制御回路から前記一次側制御回路への信号伝達を実現する第１パルストランスと、前記一次側制御回路から前記二次側制御回路への信号伝達を実現する第２パルストランスと、を備え、
前記準備動作は、所定の準備用信号を前記第１パルストランスを介し前記二次側制御回路から前記一次側制御回路に伝達する動作を含み、
前記一次側制御回路は、前記準備用信号の受信に応答して、所定の応答信号を前記第２パルストランスを介して前記二次側制御回路に伝達する応答動作を実行し、
前記二次側制御回路は、前記応答信号の受信状況に基づき前記応答動作が行われたか否かを判定する判定部を備え、前記応答動作が行われたと判定されたとき、前記準備動作を完了させて前記ソフトスタート制御に移行する
ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項８】
前記一次側制御回路が前記一次側電圧に基づいて起動すると、前記一次側制御回路にて前記スイッチング素子のスイッチングを伴う所定のバースト動作が行われ、
前記二次側制御回路は、前記バースト動作により上昇した前記二次側電圧に基づいて起動する
ことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項９】
交流電圧を全波整流する整流回路と、
全波整流された電圧を平滑化することで直流電圧を生成する平滑コンデンサと、
前記直流電圧としての一次側電圧から直流の二次側電圧を出力電圧として生成する、請求項１〜８の何れかに記載の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータと、を備えた
ことを特徴とするＡＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項１０】
交流電圧を受けるプラグと、
請求項９に記載のＡＣ／ＤＣコンバータと、
前記ＡＣ／ＤＣコンバータを収容する筐体と、を備えた
ことを特徴とする電源アダプタ。
【請求項１１】
請求項９に記載のＡＣ／ＤＣコンバータと、
前記ＡＣ／ＤＣコンバータの出力電圧に基づき駆動される負荷と、を備えた
ことを特徴とする電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ、ＡＣ／ＤＣコンバータ、電源アダプタ及び電気機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
第１タイプの絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータでは、二次側電圧に応じたフィードバック信号をフォトカプラ等を用いて一次側に伝達し、一次側制御回路が電力用トランスの一次側巻線に接続されたスイッチングトランジスタをフィードバック信号に応じてスイッチング制御することにより、二次側電圧の安定化を図る（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１９７６８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これとは別の第２タイプの絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータでは、二次側に設けられた二次側制御回路にて一次側のスイッチングトランジスタの制御を行う。即ち例えば、二次側制御回路において、二次側電圧に基づくフィードバック電圧を所定の基準電圧と比較することにより二次側電圧を所望の目標電圧に一致させるためのＰＷＭ信号を生成し、生成したＰＷＭ信号に基づくパルス信号を通信用トランスを介して一次側に伝達することで一次側のスイッチングトランジスタをオン／オフ制御する。
【０００５】
一方、絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータに限定されず、各種のＤＣ／ＤＣコンバータにおいては、起動の際に出力電圧を目標電圧に向けて緩やかに上昇させるソフトスタート機能が搭載されることが多い。
【０００６】
第２タイプの絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータでは、二次側電圧が或る程度上昇して二次側制御回路が起動してからでないと、二次側制御回路によるソフトスタート動作を開始することはできない。このため、従来のソフトスタート機能では生じないような、望ましくない事情が発生することがある。これについては後に詳説される。
【０００７】
本発明は、ソフトスタート動作を含む適正な起動動作の実現に寄与する絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ、並びに、それを利用したＡＣ／ＤＣコンバータ、電源アダプタ及び電気機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータは、電力用トランスの一次側及び二次側を互いに絶縁しつつ、前記電力用トランスの一次側巻線に接続されたスイッチング素子をスイッチングすることにより、一次側における一次側電圧から二次側における二次側電圧を生成する絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、一次側に配置されて前記スイッチング素子をスイッチングさせる一次側制御回路と、ソフトスタート回路、及び、サンプルホールド回路を有し、二次側に配置される二次側制御回路と、前記一次側制御回路及び前記二次側制御回路間の通信を実現する通信用トランスと、を備え、前記二次側制御回路は、前記二次側電圧を駆動電圧として用いて動作する回路であって、前記二次側電圧に基づき起動すると、所定の準備動作を経て、ソフトスタート制御及び安定化制御を実行し、前記ソフトスタート回路は、前記二次側制御回路の起動後、前記ソフトスタート制御が行われるときに、時間経過とともに上昇するソフトスタート電圧を所定ノードに生成し、前記二次側制御回路は、前記ソフトスタート制御において、前記所定ノードにおける前記ソフトスタート電圧と前記二次側電圧に基づくフィードバック電圧とに基づき、前記スイッチング素子のオン及びオフを前記通信用トランスを介して前記一次側制御回路に指示することにより前記二次側電圧を所定の目標電圧に向けて上昇させ、前記ソフトスタート制御の後の前記安定化制御において、所定の基準電圧と前記フィードバック電圧とに基づき、前記スイッチング素子のオン及びオフを前記通信用トランスを介して前記一次側制御回路に指示することにより前記二次側電圧を前記目標電圧にて安定化させ、前記サンプルホールド回路は、前記準備動作が行われているとき、前記所定ノードに前記フィードバック電圧を設定する構成（第１の構成）である。
【０００９】
上記第１の構成に係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記サンプルホールド回路は、前記所定ノードと前記フィードバック電圧が加わるノードとの間に設けられたスイッチを有し、前記準備動作が行われているとき、前記スイッチをオンとすることで前記所定ノードに前記フィードバック電圧を設定し、前記準備動作が完了すると前記スイッチをオフとする構成（第２の構成）であっても良い。
【００１０】
上記第２の構成に係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記ソフトスタート電圧は、前記スイッチがオンとされている区間では前記フィードバック電圧と一致し、その後、前記スイッチがオフとされると、前記ソフトスタート回路により時間経過とともに上昇する構成（第３の構成）であっても良い。
【００１１】
上記第１〜第３の構成の何れかに係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記二次側制御回路は、前記ソフトスタート電圧及び前記基準電圧の内の低い方の電圧と、前記フィードバック電圧との誤差に応じた誤差信号を生成するエラーアンプと、前記誤差信号に基づき前記スイッチング素子のターンオンタイミング及びターンオフタイミングを特定する信号を生成する信号生成部と、前記ソフトスタート制御及び前記安定化制御において、前記信号生成部による生成信号に基づき、前記スイッチング素子をオン状態とすべきこと又はオフ状態とすべきことを指示するコマンド信号を前記通信用トランスを介して前記一次側制御回路に伝達するコマンド送信部と、を備える構成（第４の構成）であっても良い。
【００１２】
上記第４の構成に係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記二次側制御回路は、前記準備動作の完了後、前記ソフトスタート電圧が前記基準電圧より低いときに前記ソフトスタート制御を実行し、前記ソフトスタート電圧が前記基準電圧より高くなると前記安定化制御を実行する構成（第５の構成）であっても良い。
【００１３】
上記第１〜第５の構成の何れかに係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記準備動作は、所定の準備用信号を前記通信用トランスを介し前記二次側制御回路から前記一次側制御回路に伝達する動作を含み、前記一次側制御回路は、前記準備用信号の受信に応答して前記スイッチング素子のターンオン又はターンオフを伴う応答動作を実行し、前記電力用トランスの二次側巻線における一方の端子には、前記スイッチング素子のスイッチングに応答して変動する電圧が発生し、前記二次側制御回路は、前記一方の端子における電圧に基づき前記応答動作が行われたか否かを判定する判定部を備え、前記応答動作が行われたと判定されたとき、前記準備動作を完了させて前記ソフトスタート制御に移行する構成（第６の構成）であっても良い。
【００１４】
上記第１〜第５の構成の何れかに係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記通信用トランスは、前記二次側制御回路から前記一次側制御回路への信号伝達を実現する第１パルストランスと、前記一次側制御回路から前記二次側制御回路への信号伝達を実現する第２パルストランスと、を備え、前記準備動作は、所定の準備用信号を前記第１パルストランスを介し前記二次側制御回路から前記一次側制御回路に伝達する動作を含み、前記一次側制御回路は、前記準備用信号の受信に応答して、所定の応答信号を前記第２パルストランスを介して前記二次側制御回路に伝達する応答動作を実行し、前記二次側制御回路は、前記応答信号の受信状況に基づき前記応答動作が行われたか否かを判定する判定部を備え、前記応答動作が行われたと判定されたとき、前記準備動作を完了させて前記ソフトスタート制御に移行する構成（第７の構成）であっても良い。
【００１５】
上記第１〜第７の構成の何れかに係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータにおいて、前記一次側制御回路が前記一次側電圧に基づいて起動すると、前記一次側制御回路にて前記スイッチング素子のスイッチングを伴う所定のバースト動作が行われ、前記二次側制御回路は、前記バースト動作により上昇した前記二次側電圧に基づいて起動する構成（第８の構成）であっても良い。
【００１６】
本発明に係るＡＣ／ＤＣコンバータは、交流電圧を全波整流する整流回路と、全波整流された電圧を平滑化することで直流電圧を生成する平滑コンデンサと、前記直流電圧としての一次側電圧から直流の二次側電圧を出力電圧として生成する、上記第１〜第８の構成の何れかに係る絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータと、を備えた構成（第９の構成）である。
【００１７】
本発明に係る電源アダプタは、交流電圧を受けるプラグと、上記第９の構成に係るＡＣ／ＤＣコンバータと、前記ＡＣ／ＤＣコンバータを収容する筐体と、を備えた構成（第１０の構成）である。
【００１８】
本発明に係る電気機器は、上記第９の構成に係るＡＣ／ＤＣコンバータと、前記ＡＣ／ＤＣコンバータの出力電圧に基づき駆動される負荷と、を備えた構成（第１１の構成）である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ソフトスタート動作を含む適正な起動動作の実現に寄与する絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ、並びに、それを利用したＡＣ／ＤＣコンバータ、電源アダプタ及び電気機器を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータの全体構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係り、ＡＣ／ＤＣコンバータに含まれるＤＣ／ＤＣコンバータの構成図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係り、同期整流が行われるときの各種信号の波形図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係り、ＤＣ／ＤＣコンバータの動作の流れを示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係り、バースト動作に関わる構成を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係り、パルストランス部の双方向通信用の構成を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係り、パルストランス部の一方向通信用の構成を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係り、二次側制御回路の一部構成図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係り、二次側制御回路内の複数の信号と一次側のスイッチングトランジスタの状態との関係を示す図である。
【図１０】仮想構成に係る起動時のタイミングチャート図である。
【図１１】本発明の第１実施形態の構成に係る起動時のタイミングチャート図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に属する実施例ＥＸ１＿１に係り、移行準備動作の説明図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に属する実施例ＥＸ１＿２に係り、移行準備動作の説明図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に属する実施例ＥＸ１＿４に係り、移行準備動作の説明図である。
【図１５】本発明の第２実施形態に係り、異常発生に関わる構成を示す図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る電源アダプタの構成を示す図である。
【図１７】本発明の第４実施形態に係る電気機器の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態の例を、図面を参照して具体的に説明する。参照される各図において、同一の部分には同一の符号を付し、同一の部分に関する重複する説明を原則として省略する。尚、本明細書では、記述の簡略化上、情報、信号、物理量、素子又は部位等を参照する記号又は符号を記すことによって、該記号又は符号に対応する情報、信号、物理量、素子又は部位等の名称を省略又は略記することがある。例えば、後述の“Ｍ１”によって参照されるスイッチングトランジスタは（図２参照）、スイッチングトランジスタＭ１と表記されることもあるし、トランジスタＭ１と略記されることもあり得るが、それらは全て同じものを指す。
【００２２】
まず、本発明の実施形態の記述にて用いられる幾つかの用語について説明を設ける。レベルとは電位のレベルを指し、任意の信号又は電圧についてハイレベルはローレベルよりも高い電位を有する。任意の信号又は電圧について、信号又は電圧がハイレベルにあるとは信号又は電圧のレベルがハイレベルにあることを意味し、信号又は電圧がローレベルにあるとは信号又は電圧のレベルがローレベルにあることを意味する。信号についてのレベルは信号レベルと表現されることがあり、電圧についてのレベルは電圧レベルと表現されることがある。任意の信号又は電圧において、ローレベルからハイレベルへの切り替わりをアップエッジと称し、ローレベルからハイレベルへの切り替わりのタイミングをアップエッジタイミングと称する。同様に、任意の信号又は電圧において、ハイレベルからローレベルへの切り替わりをダウンエッジと称し、ハイレベルからローレベルへの切り替わりのタイミングをダウンエッジタイミングと称する。
【００２３】
ＭＯＳＦＥＴを含むＦＥＴ（電界効果トランジスタ）として構成された任意のトランジスタについて、オン状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が導通状態となっていることを指し、オフ状態とは、当該トランジスタのドレイン及びソース間が非導通状態（遮断状態）となっていることを指す。ＦＥＴに分類されないトランジスタについても同様である。ＭＯＳＦＥＴは、特に記述無き限り、エンハンスメント型のＭＯＳＦＥＴであると解して良い。ＭＯＳＦＥＴは“metal-oxide-semiconductor field-effect transistor”の略称である。ＰＷＭはパルス幅変調（Pulse Width Modulation）の略称である。
【００２４】
任意のスイッチは１以上のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）にて構成することができ、或るスイッチがオン状態のときには当該スイッチの両端間が導通する一方で或るスイッチがオフ状態のときには当該スイッチの両端間が非導通となる。以下、任意のトランジスタ又はスイッチについて、オン状態、オフ状態を、単に、オン、オフと表現することもある。任意のトランジスタ又はスイッチについて、オフ状態からオン状態への切り替わりをターンオンと表現し、オン状態からオフ状態への切り替わりをターンオフと表現する。また、任意のトランジスタについて、トランジスタがオン状態となっている区間をオン区間と称することがあり、トランジスタがオフ状態となっている区間をオフ区間と称することがある。任意のスイッチについても同様である。ハイレベル又はローレベルの信号レベルをとる任意の信号について、当該信号のレベルがハイレベルとなる区間をハイレベル区間と称し、当該信号のレベルがローレベルとなる区間をローレベル区間と称する。ハイレベル又はローレベルの電圧レベルをとる任意の電圧についても同様である。
【００２５】
＜＜第１実施形態＞＞
本発明の第１実施形態を説明する。図１は、第１実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータ１の全体構成図である。ＡＣ／ＤＣコンバータ１は、フィルタ２と、整流回路３と、絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータ４であるＤＣ／ＤＣコンバータ４と、平滑コンデンサＣ１と、出力コンデンサＣ２と、を備える。出力コンデンサＣ２はＤＣ／ＤＣコンバータ４の構成要素に含まれると解しても構わない。詳細は後述の説明から明らかとなるが、ＡＣ／ＤＣコンバータ１では、一次側電圧ＶＰからトランスを用いスイッチング方式にて二次側電圧ＶＳを生成する。
【００２６】
ＡＣ／ＤＣコンバータ１は、ＡＣ／ＤＣコンバータ１の一次側に配置された一次側回路とＡＣ／ＤＣコンバータ１の二次側に配置された二次側回路とから成り、一次側回路と二次側回路とは互いに電気的に絶縁される。尚、ＤＣ／ＤＣコンバータ４に注目した場合、上記一次側回路はＤＣ／ＤＣコンバータ４の一次側に配置された一次側回路であって、且つ、上記二次側回路はＤＣ／ＤＣコンバータ４の二次側に配置された二次側回路であると解される。フィルタ２、整流回路３及び平滑コンデンサＣ１は一次側回路に配置され、出力コンデンサＣ２は二次側回路に配置される。ＤＣ／ＤＣコンバータ４は一次側回路と二次側回路に亘って配置される。
【００２７】
一次側回路におけるグランドは“ＧＮＤ１”にて参照され、二次側回路におけるグランドは“ＧＮＤ２”にて参照される。一次側電圧ＶＰを含む、一次側回路における電圧は、グランドＧＮＤ１を基準とする電圧である。二次側電圧ＶＳを含む、二次側回路における電圧は、グランドＧＮＤ２を基準とする電圧である。一次側回路及び二次側回路の夫々において、グランドは０Ｖ（ゼロボルト）の基準電位を有する導電部（所定電位点）を指す又は基準電位そのものを指す。但し、グランドＧＮＤ１とグランドＧＮＤ２は互いに絶縁されているため、互いに異なる電位を有し得る。
【００２８】
フィルタ２は、ＡＣ／ＤＣコンバータ１に入力された交流電圧ＶＡＣのノイズを除去する。交流電圧ＶＡＣは商用交流電圧であって良い。整流回路３は、フィルタ２を通じて供給された交流電圧ＶＡＣを全波整流するダイオードブリッジ回路である。平滑コンデンサＣ１は全波整流された電圧を平滑化することで直流電圧を生成する。平滑コンデンサＣ１にて生成された直流電圧は一次側電圧ＶＰとして機能する。一次側電圧ＶＰは一対の入力端子ＴＭ１Ｈ及びＴＭ１Ｌ間に加わる。詳細には、平滑コンデンサＣ１の低電位側の端子はグランドＧＮＤ１に接続されると共に入力端子ＴＭ１Ｌに接続され、平滑コンデンサＣ１の高電位側の端子は入力端子ＴＭ１Ｈに接続される。そして、入力端子ＴＭ１Ｌにおける電位を基準に入力端子ＴＭ１Ｈに一次側電圧ＶＰが加わる。
【００２９】
ＤＣ／ＤＣコンバータ４は、一次側電圧ＶＰをスイッチング方式にて電力変換（直流−直流変換）することで、所定の目標電圧ＶＴＧにて安定化された二次側電圧ＶＳを生成する。二次側電圧ＶＳはＡＣ／ＤＣコンバータ１の出力電圧に相当し、一対の出力端子ＴＭ２Ｈ及びＴＭ２Ｌ間に加わる。詳細には、出力コンデンサＣ２の低電位側の端子はグランドＧＮＤ２に接続されると共に出力端子ＴＭ２Ｌに接続され、出力コンデンサＣ２の高電位側の端子は出力端子ＴＭ２Ｈに接続される。そして、出力端子ＴＭ２Ｌにおける電位を基準に出力端子ＴＭ２Ｈに二次側電圧ＶＳが加わる。一対の入力端子ＴＭ１Ｈ及びＴＭ１ＬはＤＣ／ＤＣコンバータ４における入力端子対に相当すると考えて良く、一対の出力端子ＴＭ２Ｈ及びＴＭ２ＬはＡＣ／ＤＣコンバータ１又はＤＣ／ＤＣコンバータ４における出力端子対に相当すると考えて良い。
【００３０】
図１には負荷ＬＤも示されている。負荷ＬＤは、ＡＣ／ＤＣコンバータ１の負荷であると考えることもできるし、ＤＣ／ＤＣコンバータ４に注目すればＤＣ／ＤＣコンバータ４の負荷であると考えることもできる。負荷ＬＤは、一対の出力端子ＴＭ２Ｈ及びＴＭ２Ｌに接続され、二次側電圧ＶＳに基づき駆動する任意の負荷である。例えば、負荷ＬＤは、マイクロコンピュータ、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、電源回路、照明機器、アナログ回路又はデジタル回路である。
【００３１】
図２に、ＡＣ／ＤＣコンバータ１に設けられるＤＣ／ＤＣコンバータ４の内部構成例を示す。ＤＣ／ＤＣコンバータ４は、一次側巻線Ｗ１及び二次側巻線Ｗ２を有する電力用トランスであるトランスＴＲを備える。トランスＴＲにおいて、一次側巻線Ｗ１と二次側巻線Ｗ２とは電気的に絶縁されつつ互いに逆極性にて磁気結合されている。
【００３２】
ＤＣ／ＤＣコンバータ４の一次側回路（換言すればＡＣ／ＤＣコンバータ１の一次側回路）には、一次側巻線Ｗ１に加えて、一次側制御回路１０と、一次側電源回路１１と、平滑コンデンサＣ１と、スイッチング素子の例としてのスイッチングトランジスタＭ１と、センス抵抗ＲＣＳと、が設けられる。ＤＣ／ＤＣコンバータ４に注目した場合、平滑コンデンサＣ１は入力コンデンサＣ１とも称される。上述したように、入力端子ＴＭ１Ｌ及びＴＭ１Ｈ間に入力コンデンサＣ１が設けられ、入力コンデンサＣ１の両端子間に一次側電圧ＶＰが加わる。
【００３３】
スイッチングトランジスタＭ１はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）として構成されている。一次側巻線Ｗ１の一端は入力端子ＴＭ１Ｈに接続されて直流の一次側電圧ＶＰを受ける。一次側巻線Ｗ１の他端はスイッチングトランジスタＭ１のドレインに接続され、スイッチングトランジスタＭ１のソースはセンス抵抗ＲＣＳを介してグランドＧＮＤ１に接続される。一次側電源回路１１は、一次側電圧ＶＰを直流―直流変換することで所望の電圧値を有する電源電圧ＶＣＣを生成して一次側制御回路１０に供給する。一次側制御回路１０は電源電圧（駆動電圧）ＶＣＣに基づいて駆動する。
【００３４】
一次側制御回路１０はスイッチングトランジスタＭ１のゲートに接続され、スイッチングトランジスタＭ１のゲートに駆動信号ＤＲＶを供給することでスイッチングトランジスタＭ１をスイッチング駆動する。駆動信号ＤＲＶは、信号レベルがローレベル及びハイレベル間で切り替わる矩形波状の信号である。トランジスタＭ１のゲートにローレベル、ハイレベルの信号が供給されているとき、トランジスタＭ１は、夫々、オフ状態、オン状態となる。
【００３５】
ＤＣ／ＤＣコンバータ４の二次側回路（換言すればＡＣ／ＤＣコンバータ１の二次側回路）には、二次側巻線Ｗ２に加えて、二次側制御回路２０と、同期整流トランジスタＭ２と、ダイオードＤ２と、分圧抵抗Ｒ１〜Ｒ４と、出力コンデンサＣ２と、が設けられる。同期整流トランジスタＭ２（以下、ＳＲトランジスタＭ２と称され得る）はＮチャネル型のＭＯＳＦＥＴとして構成されている。ダイオードＤ２はＳＲトランジスタＭ２の寄生ダイオードである。故に、ＳＲトランジスタＭ２のソースからドレインに向かう方向を順方向としてダイオードＤ２がＳＲトランジスタＭ２に並列接続されることになる。ダイオードＤ２は寄生ダイオードとは別に設けられたダイオードであっても良い。
【００３６】
二次側巻線Ｗ２の一端は出力端子ＴＭ２Ｈに接続され、故に二次側巻線Ｗ２の一端には二次側電圧ＶＳが加わる。二次側巻線Ｗ２の他端はＳＲトランジスタＭ２のドレインに接続される。二次側巻線Ｗ２の他端での電圧（換言すればＳＲトランジスタＭ２のドレイン電圧）を“ＶＤＲ”にて表す。二次側巻線Ｗ２の他端及びＳＲトランジスタＭ２のドレイン間の接続ノードは分圧抵抗Ｒ１の一端に接続され、分圧抵抗Ｒ１の他端は分圧抵抗Ｒ２を介してグランドＧＮＤ２に接続される。このため、分圧抵抗Ｒ１及びＲ２間の接続ノードには電圧ＶＤＲの分圧である電圧ＶＡが加わる。一方、二次側電圧ＶＳが加わる出力端子ＴＭ２Ｈは分圧抵抗Ｒ３の一端に接続され、分圧抵抗Ｒ３の他端は分圧抵抗Ｒ４を介してグランドＧＮＤ２に接続される。このため、分圧抵抗Ｒ３及びＲ４間の接続ノードには二次側電圧ＶＳの分圧である電圧ＶＢが加わる。当然であるが、電圧ＶＤＲ、ＶＡ及びＶＢは、二次側電圧ＶＳと同様にグランドＧＮＤ２を基準とする電圧である。
【００３７】
ＳＲトランジスタＭ２のソースはグランドＧＮＤ２に接続される。上述したように、出力端子ＴＭ２Ｈ及びＴＭ２Ｌ間に出力コンデンサＣ２が設けられ、故に出力コンデンサＣ２の両端子間に二次側電圧ＶＳが加わる。
【００３８】
二次側制御回路２０は二次側電圧ＶＳを電源電圧（駆動電圧）として用いて駆動する。二次側制御回路２０は、ＳＲトランジスタＭ２のゲート電圧を制御することでＳＲトランジスタＭ２のオン、オフを制御する。二次側制御回路２０は、当該制御を、電圧ＶＡに基づき又は電圧ＶＡ及びＶＢに基づき行っても良く、この際、トランジスタＭ１及びＭ２が同時にオンとならないようにＳＲトランジスタＭ２のゲート電圧を制御することができる。
【００３９】
ＤＣ／ＤＣコンバータ４において、一次側回路と二次側回路とに亘ってパルストランス部３０が設けられている。パルストランス部３０は、一次側制御回路１０及び二次側制御回路２０間の通信を実現するための通信用トランスであり、１以上のパルストランスを備えて構成される。パルストランス部３０を介した通信は絶縁形式の通信である（即ち一次側回路と二次側回路とを絶縁した状態での通信である）。制御回路１０及び２０間の通信は、制御回路１０及び２０の内の一方から他方への信号伝達のみが可能な一方向通信、又は、制御回路１０及び２０間の双方向通信である。
【００４０】
一次側制御回路１０は、センス抵抗ＲＣＳでの電圧降下に相当する電流センス電圧ＶＣＳに基づいて駆動信号ＤＲＶを生成することができる他、パルストランス部３０を介した二次側制御回路２０の制御の下で、駆動信号ＤＲＶを生成することもできる。
【００４１】
一次側制御回路１０には複数の端子が設けられており、一次側制御回路１０に設けられた複数の端子には、スイッチングトランジスタＭ１のゲートに接続される端子ＴＭ１１と、電源電圧ＶＣＣを受ける端子ＴＭ１２と、グランドＧＮＤ１に接続される端子ＴＭ１３と、電流センス電圧ＶＣＳを受ける端子ＴＭ１４と、一次側にてパルストランス部３０に接続される端子ＴＭ１５と、が含まれる。端子ＴＭ１５は２以上の端子にて構成されることもある。
【００４２】
二次側制御回路２０には複数の端子が設けられており、二次側制御回路２０に設けられた複数の端子には、ＳＲトランジスタＭ２のゲートに接続される端子ＴＭ２１と、二次側電圧ＶＳを受ける端子ＴＭ２２と、グランドＧＮＤ２に接続される端子ＴＭ２３と、電圧ＶＡを受ける端子ＴＭ２４と、電圧ＶＢを受ける端子ＴＭ２５と、二次側にてパルストランス部３０に接続される端子ＴＭ２６と、が含まれる。端子ＴＭ２６は２以上の端子にて構成されることもある。
【００４３】
このように構成されたＤＣ／ＤＣコンバータ４では、スイッチングトランジスタＭ１をスイッチングすることにより（換言すればスイッチングトランジスタＭ１をスイッチング制御することにより）一次側電圧ＶＰから二次側電圧ＶＳを得ることができる。即ち、スイッチングトランジスタＭ１のオン区間において一次側巻線Ｗ１にエネルギが蓄積され、蓄積されたエネルギがスイッチングトランジスタＭ１のオフ区間にて二次側巻線Ｗ２から放出されることにより出力コンデンサＣ２が充電されて二次側電圧ＶＳが得られる。エネルギが二次側巻線Ｗ２から放出される際にＳＲトランジスタＭ２をオンにしておくことで損失の低減が図られる。
【００４４】
尚、一次側電源回路１１を設ける代わりに、トランスＴＲに補助巻線を設けておき、補助巻線を含んで構成される自己電源回路にて一次側制御回路１０の電源電圧ＶＣＣが生成されるようにしても良い。
【００４５】
また、センス抵抗ＲＣＳを介して流れる電流を一次側電流と称し、記号“ＩＰ”にて参照する。一次側電流ＩＰは、入力端子ＴＭ１Ｈから一次側巻線Ｗ１及びスイッチングトランジスタＭ１を通じてグランドＧＮＤ１へと流れる電流である。二次側回路において、グランドＧＮＤ２から二次側巻線Ｗ２を通じて出力端子ＴＭ２Ｈへと流れる電流を二次側電流と称し、記号“ＩＳ”にて表す。
【００４６】
［同期整流時の信号波形例］
図３に、ＤＣ／ＤＣコンバータ４において行われ得る同期整流の際の各信号波形例を示す。図３の例では、タイミングｔＡ１及びｔＡ２間の区間においてスイッチングトランジスタＭ１がオン状態とされ、その後、タイミングｔＡ５までの区間においてスイッチングトランジスタＭ１がオフ状態とされる。
【００４７】
スイッチングトランジスタＭ１のオン区間において、一次側巻線Ｗ１に電流ＩＰが流れ、電圧ＶＤＲが二次側電圧ＶＳよりも電圧ＶＯＲ２だけ高くなる。電圧ＶＯＲ２はスイッチングトランジスタＭ１のオン区間において二次側巻線Ｗ２に生じる誘起電圧である。タイミングｔＡ２にてスイッチングトランジスタＭ１がターンオフすると、電圧ＶＤＲ及びＶＡがグランドＧＮＤ２より低い電圧まで急峻に低下し、ダイオードＤ２を通じて二次側電流ＩＳが流れる。二次側制御回路２０は、スイッチングトランジスタＭ１がターンオフすると速やかにＳＲトランジスタＭ２をターンオンすることができる。例えば、電圧ＶＡが所定の負のターンオン判定電圧（例えば−１００ｍＶ）を下回ったことが二次側制御回路２０にて検知されたとき、二次側制御回路２０はＳＲトランジスタＭ２をターンオンすることができる。タイミングｔＡ３はＳＲトランジスタＭ２のターンオンタイミングを表す。
【００４８】
ＳＲトランジスタＭ２がターンオンした後、二次側電流ＩＳはＳＲトランジスタＭ２のチャネルを通じて流れ、二次側電流ＩＳの大きさはトランスＴＲの蓄積エネルギの低下と共に低下してゆく。タイミングｔＡ３の後のタイミングｔＡ４において、二次側制御回路２０は、ＳＲトランジスタＭ２をターンオフする。例えば、二次側制御回路２０は、電圧ＶＡが所定の負のターンオフ判定電圧（例えば−１０ｍＶ）以上となったことを受けてＳＲトランジスタＭ２をターンオフすることができる。ターンオフ判定電圧の電位はターンオン判定電圧の電位よりも高い。その後、タイミングｔＡ５にてスイッチングトランジスタＭ１がターンオンされる。以後、同様の動作が繰り返される。
【００４９】
このようなＳＲトランジスタＭ２の制御方式はコンパレータ方式と称される。後述されるように、ＤＣ／ＤＣコンバータ４では、二次側制御回路２０が主体となってスイッチングトランジスタＭ１のオン／オフを制御することができ、この場合にはコンパレータ方式は使用されない（但し、使用されても良い）。何れにせよ、トランジスタＭ１及びＭ２が同時にオンとならないように、トランジスタＭ１及びＭ２が制御される。
【００５０】
［動作フローチャート］
図４はＤＣ／ＤＣコンバータ４の動作フローチャートである。ステップＳＴＰ１の段階では、一次側電圧ＶＰ及び二次側電圧ＶＳが０Ｖであるとし、続くステップＳＴＰ２において、一次側電圧ＶＰが上昇することで一次側制御回路１０が起動可能な駆動電圧ＶＣＣが生成されて一次側制御回路１０が起動するものとする。一次側制御回路１０が起動すると、まずステップＳＴＰ３において一次側制御回路１０によりバースト動作（バースト充電動作）が開始される。バースト動作により、二次側回路において、二次側電圧ＶＳが０Ｖを起点に（即ちグランドＧＮＤ２の電位を起点に）上昇してゆき、ステップＳＴＰ４にて二次側電圧ＶＳが所定の起動電圧ＶＷＫに達することで二次側制御回路２０が起動する。二次側制御回路２０は、端子ＴＭ２２（図２参照）に加わる二次側電圧ＶＳが起動電圧ＶＷＫに達するまでは起動することができない。起動電圧ＶＷＫは、二次側電圧ＶＳが安定化されるべき上記目標電圧ＶＴＧよりも低い。
【００５１】
一次側制御回路１０の起動後、少なくとも二次側制御回路２０が起動するまでは、ＤＣ／ＤＣコンバータ４において一次側制御が行われる。一次側制御は、二次側制御回路２０に依らず一次側制御回路１０が単独で行うトランジスタＭ１のスイッチング制御を含み、バースト動作は一次側制御による動作である。
【００５２】
バースト動作について説明する。バースト動作では、二次側制御回路２０に依らず、一次側制御回路１０が単独で、スイッチングトランジスタＭ１のスイッチング制御を行う。バースト動作では、例えば、トランジスタＭ１をターンオンした後、電流センス電圧ＶＣＳの値が所定値に達した時点でトランジスタＭ１をターンオフするという動作を周期的に繰り返し実行する。
【００５３】
図５に、バースト動作を実現するために、一次側制御回路１０に設けておくことのできる構成の例を示す。図５の例において、オシレータ１１１、電圧源１１２、コンパレータ１１３及び駆動信号生成部１１４が、一次側制御回路１０に設けられる。
【００５４】
オシレータ１１１は、所定の周波数を有する矩形波信号を生成及び出力する。オシレータ１１１からの矩形波信号は、ローレベル又はハイレベルの信号レベルをとる二値化信号であり、当該矩形波信号において所定の周波数でアップエッジが生じる。電圧源１１２は所定の基準電圧Ｖｒを生成する。基準電圧Ｖｒは、グランドＧＮＤ１の電位を基準にとした、所定の正の直流電圧値を有する。コンパレータ１１３において、非反転入力端子に電流センス電圧ＶＣＳが入力され、反転入力端子に基準電圧Ｖｒが入力される。コンパレータ１１３は、電圧ＶＣＳ及びＶｒを比較して、“ＶＣＳ＞Ｖｒ”であればハイレベルの比較結果信号を出力し、“ＶＣＳ＜Ｖｒ”であればローレベルの比較結果信号を出力する。“ＶＣＳ＝Ｖｒ”であれば比較結果信号はハイレベル又はローレベルとなる。
【００５５】
駆動信号生成部１１４は、バースト動作において、オシレータ１１１の出力信号とコンパレータ１１３の出力信号に基づき駆動信号ＤＲＶを生成する。生成された駆動信号ＤＲＶはスイッチングトランジスタＭ１のゲートに供給される（図２参照）。駆動信号ＤＲＶがローレベルである状態を起点に考えると、駆動信号生成部１１４は、バースト動作において、オシレータ１１１の出力信号にアップエッジが生じるタイミングにて駆動信号ＤＲＶをハイレベルに切り替え、その後、コンパレータ１１３からの比較結果信号がハイレベルになることに応答して駆動信号ＤＲＶをローレベルに切り替える。尚、駆動信号生成部１１４において、駆動信号ＤＲＶのアップエッジの後、一定時間は比較結果信号に依らず駆動信号ＤＲＶをハイレベルに維持するマスク処理が適用されると良い。
【００５６】
尚、少なくとも二次側制御回路２０が起動する前にはＳＲトランジスタＭ２がオフに維持されている。ＳＲトランジスタＭ２がオフの状態でスイッチングトランジスタＭ１がスイッチングされたとき、二次側電流ＩＳはダイオードＤ２を通じて流れて出力コンデンサＣ２の充電に供される。
【００５７】
図４を再度参照し、ステップＳＴＰ４にて二次側制御回路２０が起動するとステップＳＴＰ５に至る。ステップＳＴＰ５では二次側制御回路２０により所定の移行準備動作が実行される。移行準備動作が完了すると、ステップＳＴＰ６において二次側制御回路２０によりソフトスタート制御が行われ、その後、ステップＳＴＰ７において二次側制御回路２０により安定化制御が行われる。以後は、安定化制御が継続実行される。
【００５８】
ソフトスタート制御は、二次側電圧ＶＳを所定の目標電圧ＶＴＧに向けて緩やかに上昇させるための制御である。ソフトスタート制御による二次側電圧ＶＳの上昇を通じて二次側電圧ＶＳが一旦目標電圧ＶＴＧに達すると、以後は安定化制御が実行される。安定化制御は、二次側電圧ＶＳを所定の目標電圧ＶＴＧにて安定化させるための制御である。ソフトスタート制御も安定化制御もスイッチングトランジスタＭ１のスイッチングを通じて実現されるが、ソフトスタート制御及び安定化制御におけるトランジスタＭ１のスイッチングは、二次側制御回路２０の制御の下で実行される。即ち、移行準備動作の完了後にはＤＣ／ＤＣコンバータ４において二次側制御が行われる。二次側制御は、二次側制御回路２０が行うトランジスタＭ１のスイッチング制御（二次側制御回路２０の指示の下で行われるトランジスタＭ１のスイッチング制御）を含み、ソフトスタート制御及び安定化制御は二次側制御に属する。
【００５９】
移行準備動作では、一次側制御から二次側制御に移行するための準備が行われる。ステップＳＴＰ３にて開始されるバースト動作は、移行準備動作の開始と同時に、或いは、移行準備動作の実行区間中に、或いは、移行準備動作の完了時に停止される。二次側制御に属するソフトスタート制御及び安定化制御では、パルストランス部３０を用いた制御回路１０及び２０間の通信が利用されるため、移行準備動作では通信が正常に行われるのかといった確認が行われ、移行準備動作の正常完了を以って二次側制御に移行する。
【００６０】
［パルストランス部］
図６にパルストランス部３０の双方向通信用の構成例を示す。双方向通信用の構成例を採用することで、制御回路１０及び２０間の双方向通信が可能である。
【００６１】
ここで、一次側制御回路１０から二次側制御回路２０に対しパルストランス部３０を介して送信される信号を記号“Ｓ１”により参照する。信号Ｓ１の内、一次側回路内を伝搬する信号を特に記号“Ｓ１ａ”によって参照し、二次側回路内を伝搬する信号を特に記号“Ｓ１ｂ”によって参照する。信号Ｓ１ａ及びＳ１ｂの形態は任意であるが、パルス信号にて構成されるデジタル信号であって良い。
二次側制御回路２０から一次側制御回路１０に対しパルストランス部３０を介して送信される信号を記号“Ｓ２”により参照する。信号Ｓ２の内、一次側回路内を伝搬する信号を特に記号“Ｓ２ａ”によって参照し、二次側回路内を伝搬する信号を特に記号“Ｓ２ｂ”によって参照する。信号Ｓ２ａ及びＳ２ｂの形態は任意であるが、パルス信号にて構成されるデジタル信号であって良い。
パルス信号は、ローレベルを起点として微小なパルス幅だけ信号レベルがハイレベルとなる矩形波信号である。
【００６２】
図６に示される双方向通信用の構成例において、パルストランス部３０は、信号Ｓ１を伝達するための第１パルストランスブロックと、信号Ｓ２を伝達するための第２パルストランスブロックと、を備える。第１パルストランスブロックは、一次側送信部３１、パルストランス３２及び二次側受信部３３から成り、第２パルストランスブロックは、二次側送信部３４、パルストランス３５及び一次側受信部３６から成る。パルストランス３２及び３５は、各々に、一次側回路内に配置された一次側巻線と二次側回路内に配置された二次側巻線とを備え、一次側巻線と二次側巻線は互いに絶縁されつつ磁気結合している。
【００６３】
一次側制御回路１０及び二次側制御回路２０の内、一次側制御回路１０から信号（Ｓ１）を送信するケースを一次側送信ケースと称する。一次側送信ケースにおいて、一次側制御回路１０は信号Ｓ１ａを一次側送信部３１に出力し、一次側送信部３１は信号Ｓ１ａに基づくパルス信号をパルストランス３２の一次側巻線に印加する。この印加によりパルストランス３２の二次側巻線に生じた電圧に基づき、二次側受信部３３は信号Ｓ１ｂを生成する。信号Ｓ１ａに含まれる情報は信号Ｓ１ｂにも含まれ、信号Ｓ１ａと信号Ｓ１ｂは互いに等価であると考えて良い。信号Ｓ１の送信とは厳密には信号Ｓ１ａの送信を意味し、信号Ｓ１の受信とは厳密には信号Ｓ１ｂの受信を意味するが、以下では、特に必要の無い限り、信号Ｓ１ａ及びＳ１ｂをまとめて信号Ｓ１と表現する。
【００６４】
一次側制御回路１０及び二次側制御回路２０の内、二次側制御回路２０から信号（Ｓ２）を送信するケースを二次側送信ケースと称する。二次側送信ケースにおいて、二次側制御回路２０は信号Ｓ２ｂを二次側送信部３４に出力し、二次側送信部３４は、信号Ｓ２ｂに基づくパルス信号をパルストランス３５の二次側巻線に印加する。この印加によりパルストランス３５の一次側巻線に生じた電圧に基づき、一次側受信部３６は信号Ｓ２ａを生成する。信号Ｓ２ｂに含まれる情報は信号Ｓ２ａにも含まれ、信号Ｓ２ｂと信号Ｓ２ａは互いに等価であると考えて良い。信号Ｓ２の送信とは厳密には信号Ｓ２ｂの送信を意味し、信号Ｓ２の受信とは厳密には信号Ｓ２ａの受信を意味するが、以下では、特に必要の無い限り、信号Ｓ２ａ及びＳ２ｂをまとめて信号Ｓ２と表現する。
【００６５】
図７にパルストランス部３０の一方向通信用の構成例を示す。本実施形態において、以下で想定される一方向通信は、二次側制御回路２０から一次側制御回路１０への信号伝達のみが可能となる通信であるとする。そうすると、一方向通信用の構成例に係るパルストランス部３０は、上述の第１パルストランスブロック（３１、３２、３３）及び第２パルストランスブロック（３４、３５、３６）の内、第２パルストランスブロックのみを備え、上記二次側送信ケースにおける信号Ｓ２の送受信のみが可能である。
【００６６】
尚、図６の構成例において、一次側送信部３１及び受信部３６の内の少なくとも一方は一次側制御回路１０に設けられていると考えても構わないし、二次側送信部３４及び受信部３３の内の少なくとも一方は二次側制御回路２０に設けられていると考えても構わない。同様に、図７の構成において、二次側送信部３４は二次側制御回路２０に設けられていると考えても構わない。
【００６７】
［二次側制御回路の構成］
図８に、二次側制御回路２０に設けられた、二次側制御の実現に関わる構成を示す。二次側制御回路２０には、内部電源回路２１と、回路群２２と、が設けられる。内部電源回路２１は二次側電圧ＶＳに基づき内部電源電圧Ｖｒｅｇの生成を行う。二次側制御回路２０の起動後において、内部電源電圧Ｖｒｅｇは所定の正の直流電圧値を持ち、回路群２２内の構成要素は内部電源電圧Ｖｒｅｇに基づき駆動する。内部電源回路２１及び回路群２２を含め、二次側制御回路２０内で取り扱われる電圧及び信号は、全て、グランドＧＮＤ２の電位を基準とする電圧及び信号である。
【００６８】
回路群２２は、電流源２２１、コンデンサ２２２、基準電圧源２２３、エラーアンプ２２４、スロープ信号生成部２２５、ＰＷＭコンパレータ２２６、コマンド送信部２２７、フィードバック電圧生成回路２２８、スイッチ２２９及び移行準備処理部２３０を備える。
【００６９】
電流源２２１は、内部電源電圧Ｖｒｅｇが加わる端子とノードＮＳＳとの間に設けられ、内部電源電圧Ｖｒｅｇが加わる端子からノードＮＳＳに向けて電流を供給する。電流源２２１にて供給される電流は定電流である（但し定電流でなくても良い）。コンデンサ２２２はノードＮＳＳとグランドＧＮＤ２との間に設けられた積分コンデンサである。電流源２２１の供給電流によりコンデンサ２２２が充電され、ノードＮＳＳにコンデンサ２２２の充電電圧が加わる。ノードＮＳＳにおける電圧（即ちコンデンサ２２２の充電電圧）をソフトスタート電圧と称し、記号“ＶＳＳ”にて参照する。電流源２２１とコンデンサ２２２により、二次側制御回路２０の起動後に、ノードＮＳＳにおけるソフトスタート電圧ＶＳＳを０Ｖ（グランドＧＮＤ２の電位）から緩やかに上昇させるソフトスタート回路ＳＳが形成される。但し、ソフトスタート電圧ＶＳＳの上昇には制限があり、ソフトスタート電圧ＶＳＳが所定の上限電圧に達した後は、ソフトスタート電圧ＶＳＳは上限電圧にて固定される。
【００７０】
基準電圧源２２３は所定の基準電圧ＶＲＥＦを生成及び出力する。基準電圧ＶＲＥＦは所定の正の直流電圧値を有する。基準電圧ＶＲＥＦはソフトスタート電圧ＶＳＳにおける上限電圧よりも低い。
【００７１】
エラーアンプ２２４は、第１及び第２の非反転入力端子と反転入力端子と出力端子を備え、第１の非反転入力端子、第２の非反転入力端子、反転入力端子に、夫々、ノードＮＳＳにおけるソフトスタート電圧ＶＳＳ、基準電圧源２２３からの基準電圧ＶＲＥＦ、ノードＮＦＢにおけるフィードバック電圧ＶＦＢが入力される。エラーアンプ２２４は、第１及び第２の非反転入力端子への入力電圧の内、低い方の電圧を第１比較電圧とし、反転入力端子への入力電圧を第２比較電圧として、第１比較電圧及び第２比較電圧を比較し、第１比較電圧及び第２比較電圧間の誤差に応じた電圧信号である誤差信号ＳＥＲＲを生成して自身の出力端子から出力する。誤差信号ＳＥＲＲの信号値は、第２比較電圧を基準として、第１比較電圧が高くなるほど大きくなり、第１比較電圧が低くなるほど小さくなる。尚、任意の電圧信号において、電圧信号の信号値は、当該電圧信号の電圧値を示す。
【００７２】
スロープ信号生成部２２５は、所定のＰＷＭ周波数を有した電圧信号であるスロープ信号ＳＳＬＰを生成する。スロープ信号ＳＳＬＰは、ＰＷＭ周波数の逆数の周期（以下、ＰＷＭ周期とする）で周期的に増減する三角波又は鋸波状の電圧信号である。
【００７３】
ＰＷＭコンパレータ２２６は、非反転入力端子、反転入力端子及び出力端子を備える。ＰＷＭコンパレータ２２６において、非反転入力端子には誤差信号ＳＥＲＲが入力され、反転入力端子にはスロープ信号ＳＳＬＰが入力される。ＰＷＭコンパレータ２２６は、誤差信号ＳＥＲＲ及びスロープ信号ＳＳＬＰを比較し、それらの高低関係に応じたＰＷＭ信号である信号ＳＰＷＭを自身の出力端子から出力する。信号ＳＰＷＭはハイレベル又はローレベルの信号レベルをとる二値化信号である。誤差信号ＳＥＲＲの信号値がスロープ信号ＳＳＬＰの信号値より高い（大きい）区間において信号ＳＰＷＭはハイレベルとなり、それ以外の区間において信号ＳＰＷＭはローレベルとなる。但し、“ＳＥＲＲ＝ＳＳＬＰ”のとき、信号ＳＰＷＭはハイレベルとなり得る。スロープ信号生成部２２５及びＰＷＭコンパレータ２２６によりＰＷＭ信号生成部ＰＷＭ＿Ｇが形成される。
【００７４】
コマンド送信部２２７は、信号ＳＰＷＭに基づき、スイッチングトランジスタＭ１のターンオン又はターンオフを指示するコマンド信号ＣＭＤをパルストランス部３０に対し出力する。コマンド信号ＣＭＤは信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される（信号Ｓ２について図６又は図７参照）。但し、コマンド信号部２２７によるコマンド信号ＣＭＤの送信は、移行準備動作の完了前には行われず、移行準備動作の完了後、ソフトスタート制御が行われている区間と安定化制御が行われている区間において行われる。
【００７５】
フィードバック電圧生成回路２２８は、電圧ＶＢ（図２参照）に基づくフィードバック電圧ＶＦＢを生成及び出力する。フィードバック電圧ＶＦＢはノードＮＦＢに加わる。例えば、回路２２８は電圧ＶＢを増幅するアンプ（ボルテージフォロアを含む）にて構成される。回路２２８はフィルタを含んでいて良い。ここでは、フィードバック電圧ＶＦＢは電圧ＶＢを所定のゲイン倍（１倍であっても良い）した電圧であるとする。尚、回路２２８の設置を省略し、抵抗Ｒ３及びＲ４間の接続ノードをノードＮＦＢに直接接続するようにしても良い。何れにせよ、フィードバック電圧ＶＦＢは二次側電圧ＶＳに比例する電圧となる。
【００７６】
スイッチ２２９はノードＮＳＳとノードＮＦＢとの間に設けられ、制御信号ＳＳＨに基づきオン／オフが制御される。制御信号ＳＳＨは“０”又は“１”の値を持つ。制御信号ＳＳＨの値が“０”であるときスイッチ２２９はオフ状態となり、制御信号ＳＳＨの値が“１”であるときスイッチ２２９はオン状態となる。スイッチ２２９がオフ状態であるときには、ノードＮＳＳ及びＮＦＢ間がスイッチ２２９により遮断されるため（非接続とされるため）、ノードＮＳＳにおける電圧（即ちソフトスタート電圧ＶＳＳ）は、電流源２２１の動作に依存して定まる。スイッチ２２９がオン状態であるときには、ノードＮＳＳ及びＮＦＢ間がスイッチ２２９を介して接続され、ノードＮＳＳにおける電圧（即ちソフトスタート電圧ＶＳＳ）は、電流源２２１の動作に依らず、ノードＮＦＢにおける電圧（即ちフィードバック電圧ＶＦＢ）と一致せしめられる。
【００７７】
移行準備処理部２３０は、スイッチ２２９に対して制御信号ＳＳＨを供給する。移行準備処理部２３０は、移行準備動作が行われている区間において制御信号ＳＳＨの値を“１”とし、移行準備動作が完了してソフトスタート制御及び安定化制御が行われる区間において制御信号ＳＳＨの値を“０”とする。また、移行準備処理部２３０は、二次側制御回路２０の起動後、必要な信号Ｓ２をパルストランス部３０を通じて一次側制御回路１０に伝達することで移行準備動作を実現するが、詳細は後述される。移行準備処理部２３０に設けられる判定部２３１についても後述される。
【００７８】
図９に、二次側制御（ソフトスタート制御又は安定化制御）が行われる区間における信号ＳＥＲＲ、ＳＳＬＰ、ＳＰＷＭ及びＣＭＤの関係をスイッチングトランジスタＭ１の状態と共に示す。ＰＷＭ周期分の長さを有する区間をＰＷＭ区間と称する。ＰＷＭ区間はＰＷＭ周波数で繰り返し発生する。ここでは、各ＰＷＭ区間において、ＰＷＭ区間の開始タイミングでスロープ信号ＳＳＬＰが初期信号値を有し、時間経過と共にスロープ信号ＳＳＬＰの信号値が初期信号値を起点に単調増加してゆくものとする。各ＰＷＭ区間において、ＰＷＭ区間の開始と同時に信号ＳＰＷＭにアップエッジが生じ、その後、“ＳＳＬＰ＞ＳＥＲＲ”となった時点で信号ＳＰＷＭにダウンエッジが生じる。故に、誤差信号ＳＥＲＲの信号値が高くなるにつれ、信号ＳＰＷＭのデューティが増大する。
【００７９】
信号ＳＰＷＭのデューティとは、信号ＳＰＷＭのローレベル区間及びハイレベル区間の合計区間に対して、信号ＳＰＷＭのハイレベル区間が占める割合を指す（換言すれば各ＰＷＭ区間において信号ＳＰＷＭのハイレベル区間が占める割合を指す）。
【００８０】
コマンド信号ＣＭＤには、スイッチングトランジスタＭ１をオン状態とすべきことを指示するコマンド信号ＣＭＤＯＮと、スイッチングトランジスタＭ１をオフ状態とすべきことを指示するコマンド信号ＣＭＤＯＦＦと、がある。コマンド信号ＣＭＤＯＮはスイッチングトランジスタＭ１のターンオンを指示する信号として機能する一方でコマンド信号ＣＭＤＯＦＦはスイッチングトランジスタＭ１のターンオフを指示する信号として機能する、と解しても良い。二次側制御において、コマンド送信部２２７は、信号ＳＰＷＭのアップエッジが生じたタイミングにてコマンド信号ＣＭＤＯＮをパルストランス部３０に対して出力し、信号ＳＰＷＭのダウンエッジが生じたタイミングにてコマンド信号ＣＭＤＯＦＦをパルストランス部３０に対して出力する。コマンド信号ＣＭＤＯＮ、ＣＭＤＯＦＦは、信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される（信号Ｓ２について図６又は図７参照）。
【００８１】
二次側制御において、一次側制御回路１０は、コマンド信号ＣＭＤＯＮを信号Ｓ２として受信すると、コマンド信号ＣＭＤＯＮに従いハイレベルの駆動信号ＤＲＶをトランジスタＭ１のゲートに供給することでトランジスタＭ１をオン状態とし、コマンド信号ＣＭＤＯＦＦを信号Ｓ２として受信すると、コマンド信号ＣＭＤＯＦＦに従いローレベルの駆動信号ＤＲＶをトランジスタＭ１のゲートに供給することでトランジスタＭ１をオフ状態とする。このため、二次側制御に属するソフトスタート制御及び安定化制御では、伝送遅延等の遅延を無視すれば、信号ＳＰＷＭのハイレベル区間にトランジスタＭ１がオン状態となり、信号ＳＰＷＭのローレベル区間にトランジスタＭ１がオフ状態となる。
【００８２】
故に、ソフトスタート制御及び安定化制御において、トランジスタＭ１のデューティは、信号ＳＰＷＭのデューティと実質的に一致する。トランジスタＭ１のデューティとは、トランジスタＭ１のオン区間及びオフ区間の合計区間に対してトランジスタＭ１のオン区間が占める割合を指す（換言すれば各ＰＷＭ区間においてトランジスタＭ１のオン区間が占める割合を指す）。
【００８３】
基準電圧ＶＲＥＦに基づいて目標電圧ＶＴＧが定まり、安定化制御では、フィードバック電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦに一致するように信号ＳＰＷＭが生成されることで二次側電圧ＶＳが目標電圧ＶＴＧにて安定化される。
【００８４】
コマンド信号ＣＭＤＯＮ及びＣＭＤＯＦＦは共にパルス信号の形態で制御回路１０及び２０間を伝送されて良く、コマンド信号ＣＭＤＯＮとしてのパルス信号とコマンド信号ＣＭＤＯＦＦとしてのパルス信号は、互いに同じ波形を有する信号であって良い。この場合、ソフトスタート制御及び安定化制御において、一次側制御回路１０は、信号Ｓ２としてパルス信号を受信するたびにトランジスタＭ１を交互にターンオン、ターンオフすれば良い。
【００８５】
上述の説明から理解されるよう、信号ＳＰＷＭにより、トランジスタＭ１のターンオンタイミング及びターンオフタイミングが特定される。スロープ信号生成部２２５及びＰＷＭコンパレータ２２６を含んで形成されるＰＷＭ信号生成部ＰＷＭ＿Ｇは、誤差信号ＳＥＲＲに基づきトランジスタＭ１をターンオンタイミング及びターンオフタイミングを特定する信号ＳＰＷＭを生成する、と言える。
【００８６】
尚、二次側制御回路２０には、ＳＲトランジスタＭ２のオン／オフを制御する同期整流制御部（不図示）が設けられている。移行準備動作の完了前にはＳＲトランジスタＭ２はオフ状態に固定されている。ソフトスタート制御及び安定化制御において、同期整流制御部は、信号ＳＰＷＭのハイレベル区間にてＳＲトランジスタＭ２をオフ状態とし、信号ＳＰＷＭのローレベル区間の全部又は一部にてＳＲトランジスタＭ２をオン状態とする。
【００８７】
［スイッチ２２９の意義について］
スイッチ２２９の意義について説明する。まず、スイッチ２２９が存在せず、ノードＮＳＳ及びＮＦＢが常に非接続とされる仮想構成について考える。
【００８８】
図１０に仮想構成の起動直後の動作波形を示す。仮想構成において、タイミングｔＢ１に必要な駆動電圧ＶＣＣが一次側制御回路１０に入力されることで一次側制御回路１０が起動する。この段階では、二次側電圧ＶＳは０Ｖであるとする。一次側制御回路１０が起動すると一次側制御によるバースト動作が行われて二次側電圧ＶＳが上昇してゆく。そして、タイミングｔＢ２にて二次側制御回路２０が起動すると、上述の移行準備動作を経て二次側制御に移行することになる。図１０の例では、移行準備動作の実行中にはトランジスタＭ１のスイッチングが停止されることが想定されている。
【００８９】
仮想構成では、タイミングｔＢ２を起点にソフトスタート電圧ＶＳＳが０Ｖから徐々に上昇してゆく。一方、タイミングｔＢ２では、既に二次側制御回路２０が起動可能な程度に二次側電圧ＶＳが高まっているのでフィードバック電圧ＶＦＢも相応に高い。故に、仮想構成では、タイミングｔＢ２の後、移行準備動作が完了したとしても、ソフトスタート電圧ＶＳＳがフィードバック電圧ＶＦＢに追いつくまで、トランジスタＭ１のスイッチングが停止され（又はトランジスタＭ１のデューティが非常に小さくなり）、二次側電圧ＶＳが所望の目標電圧ＶＴＧに達するまでの時間が長くなる。
【００９０】
或いは、図１０に示す例とは異なるが、移行準備動作が比較的長くかかることで二次側制御の開始時点でのソフトスタート電圧ＶＳＳがフィードバック電圧ＶＦＢを上回っていると、ソフトスタート機能が働かずに二次側電圧ＶＳのオーバーシュートが生じることもある。これを確実に回避するべく、移行準備動作が完了してからソフトスタート電圧ＶＳＳを０Ｖから上昇させる場合には、移行準備動作の完了後、ソフトスタート電圧ＶＳＳがフィードバック電圧ＶＦＢに追いつくまでの時間が図１０の例よりも更に長くなる。
【００９１】
これを考慮し、図８の構成では、ノードＮＳＳ及びＮＦＢ間にスイッチ２２９を設けて移動準備動作が行われるときに、スイッチ２２９をオンとする。図１１に、図８の構成に関する起動直後の動作波形を示す。タイミングｔＣ１に必要な駆動電圧ＶＣＣが一次側制御回路１０に入力されることで一次側制御回路１０が起動する。この段階では、二次側電圧ＶＳは０Ｖであるとする。一次側制御回路１０が起動すると一次側制御によるバースト動作が行われて二次側電圧ＶＳが上昇してゆく。そして、タイミングｔＣ２にて二次側制御回路２０が起動すると、上述の移行準備動作を経てタイミングｔＣ３を境に二次側制御に移行することになる。尚、図１１の例では、移行準備動作の実行中にトランジスタＭ１のスイッチングが停止されることが想定されている。また、図１１では、図示の便宜上、フィードバック電圧ＶＦＢの実線波形とソフトスタート電圧ＶＳＳの破線波形を若干互いに上下にずらして示している。
【００９２】
図８の構成では、タイミングｔＣ２からタイミングｔＣ３に至る直前までスイッチ２２９がオン状態とされ、タイミングｔＣ３を境にスイッチ２２９がオン状態からオフ状態へと切り替えられて、以後、スイッチ２２９はオフ状態に固定される。このため、タイミングｔＣ３にて二次側制御が開始される段階において、ソフトスタート電圧ＶＳＳがフィードバック電圧ＶＦＢに一致しており、以後、フィードバック電圧ＶＦＢのレベルを起点にして、ソフトスタート回路ＳＳによりソフトスタート電圧ＶＳＳが緩やかに上昇してゆく。タイミングｔＣ３より後のタイミングｔＣ４は、ソフトスタート電圧ＶＳＳが基準電圧ＶＲＥＦに達したタイミングを表し、タイミングｔＣ４より後のタイミングｔＣ５は、ソフトスタート電圧ＶＳＳが基準電圧ＶＲＥＦよりも高い所定の上限電圧に達したタイミングを表す。
【００９３】
タイミングｔＣ３にて移行準備動作が完了した後、ソフトスタート電圧ＶＳＳが基準電圧ＶＲＥＦより低いときには（即ちタイミングｔＣ４までは）、ソフトスタート制御が実行される。ソフトスタート制御では、ソフトスタート電圧ＶＳＳとフィードバック電圧ＶＦＢとの比較結果に基づき電圧ＶＳＳ及びＶＦＢが互いに一致するように信号ＳＥＲＲ及びＳＰＷＭが生成される。タイミングｔＣ３及びｔＣ５間においてソフトスタート電圧ＶＳＳは所定の上昇率にて緩やかに上昇してゆくため、二次側電圧ＶＳも対応する上昇率にて緩やかに上昇してゆく。そして、ソフトスタート電圧ＶＳＳが基準電圧ＶＲＥＦに達すると（基準電圧ＶＲＥＦより高くなると）安定化制御が実行される。安定化制御では、基準電圧ＶＲＥＦとフィードバック電圧ＶＦＢとの比較結果に基づき電圧ＶＲＥＦ及びＶＦＢが互いに一致するように信号ＳＥＲＲ及びＳＰＷＭが生成されることで、二次側電圧ＶＳが所望の目標電圧ＶＴＧにて安定化される。
【００９４】
このように、二次側制御回路２０は、二次側電圧ＶＳに基づき起動すると、所定の移行準備動作を経て、ソフトスタート制御及び安定化制御を実行する。
ソフトスタート回路ＳＳは、二次側制御回路２０の起動後、ソフトスタート制御が行われるときに、時間経過とともに上昇するソフトスタート電圧ＶＳＳを所定ノードＮＳＳに生成する。
二次側制御回路２０は、ソフトスタート制御において、所定ノードＮＳＳにおけるソフトスタート電圧ＶＳＳと二次側電圧ＶＳに基づくフィードバック電圧ＶＦＢとに基づき、スイッチングトランジスタＭ１のオン及びオフをパルストランス部３０を介して一次側制御回路１０に指示することにより二次側電圧ＶＳを所定の目標電圧ＶＴＧに向けて所定の上昇率で緩やかに上昇させてゆく。
ソフトスタート制御の後の安定化制御において、二次側制御回路２０は、所定の基準電圧ＶＲＥＦとフィードバック電圧ＶＦＢとに基づき、スイッチングトランジスタＭ１のオン及びオフをパルストランス部３０を介して一次側制御回路１０に指示することにより二次側電圧を目標電圧ＶＴＧにて安定化させる。
スイッチ２２９を含んで構成されるサンプルホールド回路は、移行準備動作が行われているとき、所定ノードＮＳＳにフィードバック電圧ＶＦＢを設定する（換言すれば、ソフトスタート電圧ＶＳＳにフィードバック電圧ＶＦＢを設定する）。
【００９５】
上述の構成により、二次側制御への移行後、ソフトスタートを有効に機能させつつ、速やかに二次側電圧ＶＳを目標電圧ＶＴＧに向けて上昇させ且つ安定化させることができる。
【００９６】
上記サンプルホールド回路は、スイッチ２２９に加えて、移行準備処理部２３０を更に構成要素として含んでいると考えても良い。サンプルホールド回路は、所定ノードＮＳＳとフィードバック電圧ＶＦＢが加わるノードＮＦＢとの間に設けられたスイッチ２２９を有し、移行準備動作が行われているとき、スイッチ２２９をオンとすることで所定ノードＮＳＳにフィードバック電圧ＶＦＢを設定し（換言すればソフトスタート電圧ＶＳＳにフィードバック電圧ＶＦＢを設定し）、移行準備動作が完了するとスイッチ２２９をオフとする。
【００９７】
故に、ソフトスタート電圧ＶＳＳは、スイッチ２２９がオンとされている区間ではフィードバック電圧ＶＦＢと一致し、その後、スイッチがオフ２２９とされると、ソフトスタート回路ＳＳにより時間経過とともに上昇することになる。
【００９８】
第１実施形態は以下の実施例ＥＸ１＿１〜ＥＸ１＿４を含む。実施例ＥＸ１＿１〜ＥＸ１＿４の中で、移行準備動作の具体例などを説明する。第１実施形態にて上述した事項は、特に記述無き限り且つ矛盾無き限り、以下の実施例ＥＸ１＿１〜ＥＸ１＿４に適用され、各実施例において、第１実施形態での上述事項と矛盾する事項については各実施例での記載が優先されて良い。
【００９９】
［実施例ＥＸ１＿１］
実施例ＥＸ１＿１を説明する。実施例ＥＸ１＿１では、移行準備動作の具体例を説明する。図６に示す双方向通信用の構成例でも、図７に示す一方向通信用の構成例でも、実施例ＥＸ１＿１に係る移行準備動作を実現できる。
【０１００】
図１２を参照し、実施例ＥＸ１＿１に係る移行準備動作を説明する。図１２のタイミングｔＤ１は図１１のタイミングｔＣ２に相当する。任意の整数ｉに関し、タイミングｔＤｉ＋１はタイミングｔＤｉよりも後のタイミングであるとする。タイミングｔＤ１における二次側制御回路２０の起動に連動して移行準備処理部２３０も起動すると、処理部２３０は、電圧ＶＤＲに基づき、現在のスイッチングトランジスタＭ１の状態を判定するオン／オフ判定処理を行うことができる。即ち例えば、処理部２３０は、オン／オフ判定処理において、電圧ＶＤＲに基づく電圧ＶＡを参照し、電圧ＶＡが正の所定電圧以上であればトランジスタＭ１がオン状態にあると判断する一方、そうでなければトランジスタＭ１がオン状態にあると判断する（図２及び図３参照）。オン／オフ判定処理は処理部２３０内の判定部２３１（図８）により実現されるものであっても良い。
【０１０１】
処理部２３０は、オン／オフ判定処理を利用し、トランジスタＭ１がオン状態であると判断される区間中のタイミングｔＤ２にて、パルストランス部３０に対し信号３１１を出力する。望ましくは、トランジスタＭ１のターンオンが確認されたら即座に信号３１１を出力する。信号３１１は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。一次側制御回路１０は信号３１１の受信に応答してバースト動作を終了し、この際、駆動信号生成部１１４（図５参照）は駆動信号ＤＲＶをローレベルにしてトランジスタＭ１をターンオフさせる。
【０１０２】
処理部２３０は、信号３１１の出力後も電圧ＶＡを監視してオン／オフ判定処理を継続実行する。
【０１０３】
信号３１１の出力後、所定の正常応答時間内にトランジスタＭ１がオフ状態になったことがオン／オフ判定処理により確認されると、処理部２３０は、タイミングｔＤ３にてパルストランス部３０に対し信号３１２を出力する。信号３１２は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。駆動信号生成部１１４は、信号３１２の受信に応答して駆動信号ＤＲＶをハイレベルにすることでトランジスタＭ１をターンオンさせる。
【０１０４】
信号３１２の出力後、所定の正常応答時間内にトランジスタＭ１がオン状態になったことがオン／オフ判定処理により確認されると、処理部２３０は、タイミングｔＤ４にてパルストランス部３０に信号３１３を出力する。信号３１３は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。駆動信号生成部１１４は、信号３１３の受信に応答して駆動信号ＤＲＶをローレベルにすることでトランジスタＭ１をターンオフさせる。
【０１０５】
信号３１３の出力後、所定の正常応答時間内にトランジスタＭ１がオフ状態になったことがオン／オフ判定処理により確認されると、処理部２３０は、タイミングｔＤ５にてパルストランス部３０に信号３１４を出力する。信号３１４は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。駆動信号生成部１１４は、信号３１４の受信に応答して駆動信号ＤＲＶをハイレベルにすることでトランジスタＭ１をターンオンさせる。
【０１０６】
信号３１４の出力後、所定の正常応答時間内にトランジスタＭ１がオン状態になったことがオン／オフ判定処理により確認されると、処理部２３０は、タイミングｔＤ６にてパルストランス部３０に信号３１５を出力する。信号３１５は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。駆動信号生成部１１４は、信号３１５の受信に応答して駆動信号ＤＲＶをローレベルにすることでトランジスタＭ１をターンオフさせる。
【０１０７】
信号３１５の出力後、所定の正常応答時間内にトランジスタＭ１がオフ状態になったことがオン／オフ判定処理により確認されると、処理部２３０は、所定の移行完了条件が成立したと判断して移行準備動作を完了する。タイミングｔＤ２における信号３１１の送信から始まり、移行完了条件が成立したと判断されるタイミングｔＤ７までの動作が、移行準備動作に相当する。移行準備動作が完了すると二次側制御が開始される。移行準備動作の完了後、二次側制御において、上述のコマンド信号ＣＭＤの出力が行われる。図１２の例では、タイミングｔＤ８において、二次側制御下での最初のコマンド信号ＣＭＤであるコマンド信号ＣＭＤＯＮが出力される。
【０１０８】
処理部２３０は、移行準備動作が行われる区間にて制御信号ＳＳＨの値を“１”とすることによりスイッチ２２９をオン状態とし、二次側制御が行われる区間では制御信号ＳＳＨの値を“０”とすることによりスイッチ２２９をオフ状態とする。図１２の例では、タイミングｔＤ２からタイミングｔＤ７までにおいて制御信号ＳＳＨの値は“１”とされ、それ以外では制御信号ＳＳＨの値は“０”とされる。尚、移行準備動作が行われる区間の全てにおいてスイッチ２２９がオン状態とされる必要は無く、移行準備動作が行われる区間の一部のみにおいてスイッチ２２９がオン状態とされていても良い。但し、刻々と変化し得るフィードバック電圧ＶＦＢを、二次側制御の開始直前において正しくソフトスタート電圧ＶＳＳに設定すべく、少なくとも二次側制御が開始される直前の区間（例えばタイミングｔＤ５及びｔＤ７間の区間）においてはスイッチ２２９をオン状態としておくことが望ましい。
【０１０９】
信号３１１〜３１５は、移行準備動作の実行時に二次側制御回路２０からパルストランス部３０を介し一次側制御回路１０に伝達される準備用信号に相当する。一次側制御回路１０は、準備用信号（３１１〜３１５）の受信に応答してトランジスタＭ１のターンオン又はターンオフを伴う応答動作を行う。パルストランス部３０において、準備用信号の伝達を担うパルストランスはパルストランス３５である（図６及び図７参照）。
処理部２３０は、電圧ＶＤＲに基づくオン／オフ判定処理により、応答動作が正しく行われたか否かを判定し、応答動作が正しく行われたと判定したとき、移行準備動作を完了させる。応答動作が正しく行われたか否かの判定は判定部２３１（図８）により行われると解して良い。移行準備動作の完了を以って二次側制御に移行し、二次側制御に移行すると、まずソフトスタート制御が実行され、その後に安定化制御が実行される。
【０１１０】
図１２の例では応答動作が正しく行われているが、準備用信号の伝達ミス等が生じると応答動作が正しく行われない。例えば、信号３１１の出力後、所定の正常応答時間が経過してもトランジスタＭ１がオフ状態になったことが確認されなかった場合、処理部２３０は、準備用信号（ここでは信号３１１）に対する応答動作が正しく行われなかったと判断して所定のエラー対応処理を行う。信号３１２〜３１５に対しても同様である。即ち例えば、信号３１２の出力後、所定の正常応答時間が経過してもトランジスタＭ１がオン状態になったことが確認されなかった場合、処理部２３０は、準備用信号（ここでは信号３１２）に対する応答動作が正しく行われなかったと判断してエラー対応処理を行って良い。
【０１１１】
エラー対応処理として、例えば、移行準備動作を最初から改めて行うことができる（即ち信号３１１〜３１５の出力を伴う一連の処理を信号３１１の出力から改めて行うことができる）。
【０１１２】
図１２の例では、準備用信号によるトランジスタＭ１のターンオン及びターンオフの組を２組分実施している。１組目は信号３１２及び３１３によるターンオン及びターンオフの組であり、２組目は信号３１４及び３１５によるターンオン及びターンオフの組である。仮に準備用信号によるトランジスタＭ１のターンオン及びターンオフの組が１組分しかない場合、準備用信号が正しく一次側制御回路１０に伝達されていなかったとしても、準備用信号による応答動作が行われたときのスイッチングと同様のスイッチングが、偶然、トランジスタＭ１に生じることがあり、結果、応答動作が正しく行われたと御認識される可能性がある。この可能性を極力低減するべく、図１２の例では、安全をみて、トランジスタＭ１のターンオン及びターンオフの組を２組分実施している。この観点からすれば、準備用信号によるトランジスタＭ１のターンオン及びターンオフの組は３組以上あっても良い。
【０１１３】
［実施例ＥＸ１＿２］
実施例ＥＸ１＿２を説明する。実施例ＥＸ１＿２では、移行準備動作の他の具体例を説明する。図６に示す双方向通信用の構成例でも、図７に示す一方向通信用の構成例でも、実施例ＥＸ１＿２に係る移行準備動作を実現できる。
【０１１４】
図１３を参照し、実施例ＥＸ１＿２に係る移行準備動作を説明する。図１３のタイミングｔＥ１は図１１のタイミングｔＣ２に相当する。任意の整数ｉに関し、タイミングｔＥｉ＋１はタイミングｔＥｉよりも後のタイミングであるとする。タイミングｔＥ１における二次側制御回路２０の起動に連動して移行準備処理部２３０も起動すると、処理部２３０は、電圧ＶＤＲに基づき（図２の構成では電圧ＶＡに基づき）上述のオン／オフ判定処理を行うことができる。
【０１１５】
処理部２３０は、上述のオン／オフ判定処理を利用し、トランジスタＭ１がオン状態であると判断される区間中のタイミングｔＥ２にて、パルストランス部３０に対し信号３２１を出力する。望ましくは、トランジスタＭ１のターンオンが確認されたら即座に信号３２１を出力する。信号３２１は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。一次側制御回路１０は信号３２１の受信に応答してバースト動作を終了し、この際、駆動信号生成部１１４（図５参照）は駆動信号ＤＲＶをローレベルにしてトランジスタＭ１をターンオフさせる。
【０１１６】
処理部２３０は、信号３２１の出力後も電圧ＶＡを監視してオン／オフ判定処理を継続実行する。
【０１１７】
信号３２１の出力後、所定の正常応答時間内にトランジスタＭ１がオフ状態になったことが確認され、且つ、トランジスタＭ１のオフ状態が所定のオフ継続判定時間以上に亘って継続していることが確認されたとき、処理部２３０は、所定の移行完了条件が成立したと判断して移行準備動作を完了する。上記オフ継続判定時間は、バースト動作におけるトランジスタＭ１のスイッチング周波数に基づいて設定され、例えば、バースト動作におけるトランジスタＭ１のスイッチング周波数の逆数よりも長く設定される。タイミングｔＥ２における信号３２１の送信から始まり、移行完了条件が成立したと判断されるタイミングｔＥ３までの動作が、移行準備動作に相当する。移行準備動作が完了すると二次側制御が開始される。移行準備動作の完了後、二次側制御において、上述のコマンド信号ＣＭＤの出力が行われる。図１３の例では、タイミングｔＥ４において、二次側制御下での最初のコマンド信号ＣＭＤであるコマンド信号ＣＭＤＯＮが出力される。
【０１１８】
処理部２３０は、移行準備動作が行われる区間にて制御信号ＳＳＨの値を“１”とすることによりスイッチ２２９をオン状態とし、二次側制御が行われる区間には制御信号ＳＳＨの値を“０”とすることによりスイッチ２２９をオフ状態とする。図１３の例では、タイミングｔＥ２からタイミングｔＥ３までにおいて制御信号ＳＳＨの値は“１”とされ、それ以外では制御信号ＳＳＨの値は“０”とされる。尚、既に述べたように、移行準備動作が行われる区間の全てにおいてスイッチ２２９がオン状態とされる必要は無く、移行準備動作が行われる区間の一部のみにおいてスイッチ２２９がオン状態とされていても良い。但し、刻々と変化し得るフィードバック電圧ＶＦＢを、二次側制御の開始直前において正しくソフトスタート電圧ＶＳＳに設定すべく、少なくとも二次側制御が開始される直前の区間においてはスイッチ２２９をオン状態としておくことが望ましい。
【０１１９】
信号３２１は、移行準備動作の実行時に二次側制御回路２０からパルストランス部３０を介し一次側制御回路１０に伝達される準備用信号に相当する。一次側制御回路１０は、準備用信号（３２１）の受信に応答してトランジスタＭ１のターンオフを伴う応答動作を行う。パルストランス部３０において、準備用信号の伝達を担うパルストランスはパルストランス３５である（図６及び図７参照）。
処理部２３０は、電圧ＶＤＲに基づくオン／オフ判定処理により、応答動作が正しく行われたか否かを判定し、応答動作が正しく行われたと判定したとき、移行準備動作を完了させる。応答動作が正しく行われたか否かの判定は判定部２３１（図８）により行われると解して良い。移行準備動作の完了を以って二次側制御に移行し、二次側制御に移行すると、まずソフトスタート制御が実行され、その後に安定化制御が実行される。
【０１２０】
図１２の例では応答動作が正しく行われているが、準備用信号の伝達ミス等が生じると応答動作が正しく行われない。例えば、信号３２１の出力後、所定の正常応答時間が経過してもトランジスタＭ１がオフ状態になったことが確認されなかった場合、或いは、信号３２１の出力後、トランジスタＭ１がオフ状態になったが、所定のオフ継続判定時間の経過を待たずにトランジスタＭ１がオン状態と戻ったと判断される場合、処理部２３０は、準備用信号（ここでは信号３２１）に対する応答動作が正しく行われなかったと判断して所定のエラー対応処理を行う。エラー対応処理として例えば移行準備動作を最初から改めて行うことができる。
【０１２１】
［実施例ＥＸ１＿３］
実施例ＥＸ１＿３を説明する。実施例ＥＸ１＿１及びＥＸ１＿２では、何れも、第１応答確認方法が採用されている。図６に示す双方向通信用の構成例でも、図７に示す一方向通信用の構成例でも、第１応答確認方法を採用可能である。
【０１２２】
第１応答確認方法では、移行準備動作において所定の準備用信号を二次側制御回路２０からパルストランス部３０を介し一次側制御回路１０に伝達し、且つ、一次側制御回路１０は、準備用信号の受信に応答してトランジスタＭ１のターンオン又はターンオフを伴う応答動作を実行する。そして、第１応答確認方法に係る二次側制御回路２０は、電圧ＶＤＲに基づいて応答動作が正しく行われたか否かを判定し、応答動作が正しく行われたと判定したとき、移行準備動作を完了させる。移行準備動作の完了を以って二次側制御に移行し、二次側制御に移行すると、まずソフトスタート制御が実行され、その後に安定化制御が実行される。
【０１２３】
第１応答確認方法の具体的な実現例は、実施例ＥＸ１＿１及びＥＸ１＿２に限定されず、応答動作の実行有無を二次側制御回路２０にて確認できるのであれば、任意である。
【０１２４】
例えば、図５のオシレータ１１１の出力信号の周波数を互いに異なる第１周波数及び第２周波数間で変更可能にオシレータ１１１を構成しておき、一次側制御回路１０は、準備用信号の受信前において、オシレータ１１１の出力信号の周波数を第１周波数に設定した状態でバースト動作を行うようにしておく。そして、二次側制御回路２０からの準備用信号を受信すると、一次側制御回路１０は、バースト動作を停止せずに継続実行し、この際、オシレータ１１１の出力信号の周波数を第１周波数から第２周波数に切り替える。処理部２３０は、準備用信号の送信後、電圧ＶＤＲに基づく（図２の構成では電圧ＶＡに基づく）上述のオン／オフ判定処理を利用して、バースト動作におけるトランジスタＭ１のスイッチング周波数が第２周波数に変更されたかを確認し、該スイッチング周波数が第２周波数に変更されたと確認される場合に応答動作が正しく行われたと判定すれば良い。仮に、該スイッチング周波数が第２周波数に変更されていなければ、所定のエラー対応処理を実行すればよい。
【０１２５】
尚、実施例ＥＸ１＿１及びＥＸ１＿２に示した方法では、トランジスタＭ１のオン区間中に初回の準備用信号（３１１、３２１）を送信し、初回の準備用信号の受信に応答してトランジスタＭ１がターンオフされているが、トランジスタＭ１のオフ区間中に初回の準備用信号を送信し、初回の準備用信号の受信に応答してトランジスタＭ１がターンオンされるようにしても良い。
【０１２６】
［実施例ＥＸ１＿４］
実施例ＥＸ１＿４を説明する。実施例ＥＸ１＿４では、図６に示す双方向通信用の構成例の採用が前提とされる。当該前提の下、以下の第２応答確認方法を採用することもできる。
【０１２７】
図１４を参照して第２応答確認方法を説明する。実施例ＥＸ１＿４に係る一次側制御回路１０には、パルストランス部３０に対して信号Ｓ１を出力可能な応答信号送信部１３０が設けられている。
【０１２８】
一次側制御によるバースト動作に伴う二次側電圧ＶＳの上昇により二次側制御回路２０が起動し、二次側制御回路２０の起動に連動して移行準備処理部２３０も起動すると、処理部２３０は、信号Ｓ２として所定の準備用信号３５１をパルストランス部３０に対して出力する。準備用信号３５１は信号Ｓ２としてパルストランス部３０を通じ一次側制御回路１０に伝達される。パルストランス部３０において、準備用信号３５１の伝達を担うパルストランスはパルストランス３５である（図６参照）。
【０１２９】
一次側制御回路１０で準備用信号３５１が受信されると、応答信号送信部１３０は、準備用信号３５１の受信に応答する所定の応答信号３５２を、信号Ｓ１としてパルストランス部３０に出力する。応答信号３５２は信号Ｓ１としてパルストランス部３０を通じ二次側制御回路２０に伝達される。パルストランス部３０において、応答信号３５２の伝達を担うパルストランスはパルストランス３２である（図６参照）。
【０１３０】
準備用信号３５１を送信してから所定のタイムアウト時間内に二次側制御回路２０で応答信号３５２が受信されると、移行準備処理部２３０は、所定の移行完了条件が成立したと判断して移行準備動作を完了する。準備用信号３５１の送信から始まり、移行完了条件が成立したと判断されるタイミング（即ち応答信号３５２の受信タイミング）までの動作が、移行準備動作に相当する。移行準備動作が完了すると二次側制御が開始される。移行準備動作の完了後、二次側制御において、上述のコマンド信号ＣＭＤの出力が行われる。
【０１３１】
このように、第２応答確認方法では、移行準備動作において所定の準備用信号３５１を第１パルストランス（３５）を介し二次側制御回路２０から一次側制御回路１０に伝達する。
一次側制御回路１０は、準備用信号３５１の受信に応答して所定の応答信号３５２を第２パルストランス（３２）を介して二次側制御回路１０に伝達する応答動作を実行する。
処理部２３０は、移行準備動作において、応答信号３５２の受信状況に基づき応答動作が行われたか否かを判定し、応答動作が行われたと判定されたとき、移行準備動作を完了させる。応答動作が正しく行われたか否かの判定は判定部２３１（図８）により行われると解して良い。移行準備動作の完了を以って二次側制御に移行し、二次側制御に移行すると、まずソフトスタート制御が実行され、その後に安定化制御が実行される。
【０１３２】
第２応答確認方法において、準備用信号３５１を送信してから所定のタイムアウト時間内に二次側制御回路２０で応答信号３５２が受信されなかったとき、処理部２３０は、応答動作が行われなかったと判断して所定のエラー対応処理を行う。エラー対応処理として、例えば、移行準備動作を改めて行うことができる（即ち準備用信号３５１の出力を改めて行うことができる）。
【０１３３】
一次側制御回路１０は、準備用信号３５１の受信に応答した応答動作において応答信号３５２を送信すると共にトランジスタＭ１のスイッチングを停止させて良い（即ちバースト動作を終了させて良い）。この場合、二次側制御回路２０は、応答信号３５２の受信後、二次側制御による初回のコマンド信号ＣＭＤとしてコマンド信号ＣＭＤＯＮを送信し、一次側制御回路１０は、コマンド信号ＣＭＤＯＮを受信に応答してトランジスタＭ１をターンオンさせる。以後、二次側制御における動作は、図９等を参照して上述した通りである。
【０１３４】
一次側制御回路１０は、準備用信号３５１の受信に応答した応答動作において応答信号３５２を送信するが、この際、一次側制御でのトランジスタＭ１のスイッチングを継続するようにしても良い（即ちバースト動作を継続しても良い）。但し、この場合、二次側制御による初回のコマンド信号ＣＭＤはコマンド信号ＣＭＤＯＦＦであると良い。即ち、一次側制御回路１０は、準備用信号３５１の受信後、初回のコマンド信号ＣＭＤを受信すると、バースト動作を終了して、その時のトランジスタＭ１の状態に拘らず、トランジスタＭ１をオフ状態とすると良い。
【０１３５】
＜＜第２実施形態＞＞
本発明の第２実施形態を説明する。第２実施形態及び後述の第３〜第５実施形態は第１実施形態を基礎とする実施形態であり、第２〜第５実施形態において特に述べない事項に関しては、矛盾の無い限り、第１実施形態の記載が第２〜第５実施形態にも適用される。第２実施形態の記載を解釈するにあたり、第１及び第２実施形態間で矛盾する事項については第２実施形態の記載が優先されて良い（後述の第３〜第５実施形態についても同様）。矛盾の無い限り、第１〜第５実施形態の内、任意の複数の実施形態を組み合わせても良い。
【０１３６】
二次側制御への移行後、ＤＣ／ＤＣコンバータ４内で何らかの異常が発生することでトランジスタＭ１のスイッチングが一時的に停止し、その後に、スイッチングが復帰することがある。このような場合にも、第１実施形態で述べた、フィードバック電圧ＶＦＢのソフトスタート電圧ＶＳＳへの設定が有益に機能する。これについて具体例を挙げる。
【０１３７】
二次側制御への移行が完了して安定化制御（図４のステップＳＴＰ７）が行われているときにおいて、ＤＣ／ＤＣコンバータ４内で何らかの異常が発生してトランジスタＭ１のスイッチングが一時的に停止したことを考える。
【０１３８】
例えば、上記異常としてＤＣ／ＤＣコンバータ４にてサーマル異常が発生したことを考える。ＤＣ／ＤＣコンバータ４には温度保護回路ＰＰが設けられている（図１５（ａ）参照）。温度保護回路ＰＰは、ＤＣ／ＤＣコンバータ４内の特定の部位の温度を検出して検出温度が所定の異常温度以上となっていることが確認されるとサーマル異常が発生したと判断してサーマル異常発生信号を出力する。特定の部位は例えば、トランジスタＭ１、一次側制御回路１０又は二次側制御回路２０である。温度保護回路ＰＰは、サーマル異常の検出後も上記温度の検出を継続し、検出温度が上記異常温度よりも低い所定の解除温度以下となっていることが確認されるとサーマル異常が解消したと判断してサーマル異常解除信号を出力する。尚、温度保護回路ＰＰは、一次側制御回路１０及び二次側制御回路２０の何れかに設けられていても良いし、一次側制御回路１０及び二次側制御回路２０の夫々に設けられていても良い。
【０１３９】
二次側制御回路２０は、二次側制御によりトランジスタＭ１のスイッチングを行っているときにサーマル異常が発生するとトランジスタＭ１のスイッチングを停止し、サーマル異常が解消するとトランジスタＭ１のスイッチングを再開する。
【０１４０】
サーマル異常に応答してトランジスタＭ１のスイッチングが停止している区間では、二次側電圧ＶＳが低下してゆくが、その低下によって二次側制御回路２０の動作が停止する前にサーマル異常が解消して上記の如くトランジスタＭ１のスイッチングが再開された場合を考える。この場合、トランジスタＭ１のスイッチング停止区間において、二次側電圧ＶＳの低下に連動してフィードバック電圧ＶＦＢも低下するが、ソフトスタート電圧ＶＳＳは、それほど低下していない状況も考えられる。ソフトスタート電圧ＶＳＳがフィードバック電圧ＶＦＢよりも随分高い状態でスイッチングが再開されると、再開時のトランジスタＭ１のデューティが相当に大きくなって二次側電圧ＶＳにオーバーシュートが発生することがある。
【０１４１】
これを考慮し、スイッチングの再開前にスイッチ２２９（図８）を一時的にオンとする復帰前処理を行うと良い。
【０１４２】
具体的には例えば、サーマル異常の発生が検知されたとき、温度保護回路ＰＰからのサーマル異常発生信号が処理部２３０に送られる。異常の発生に関わるスイッチングの停止及び再開を制御する異常対応部２３２が処理部２３０に設けられている（図１５（ｂ）参照）。異常対応部２３２はコマンド送信部２２７の動作を制御できる。
【０１４３】
具体的には、処理部２３０内の異常対応部２３２は、サーマル異常発生信号を受信すると、コマンド送信部２２７にコマンド信号ＣＭＤの送信を停止させる。但し、このとき、コマンド送信部２２７は、最後にコマンド信号ＣＭＤＯＦＦに相当するコマンド信号ＣＭＤを送信してからコマンド信号ＣＭＤの送信を停止するものとする。
【０１４４】
その後、サーマル異常の解除が検知されたとき、温度保護回路ＰＰからのサーマル異常解除信号が処理部２３０に送られる。処理部２３０内の異常対応部２３２は、サーマル異常解除信号を受信すると、“１”の制御信号ＳＳＨの送信を通じて所定時間だけスイッチ２２９をオン状態とした後に“０”の制御信号ＳＳＨの送信を通じてスイッチ２２９をオフ状態に戻し、スイッチ２２９をオフ状態に戻してからマンド送信部２２７にコマンド信号ＣＭＤの送信を再開させる。再開時における最初のコマンド信号ＣＭＤはコマンド信号ＣＭＤＯＮとして機能する。
【０１４５】
スイッチング再開直前のスイッチ２２９のターンオンにより、スイッチング再開直前のフィードバック電圧ＶＦＢをソフトスタート電圧ＶＳＳに対して設定することができるため、スイッチング再開時にもソフトスタート機能が有効に機能して二次側電圧ＶＳのオーバーシュートを回避できる。
【０１４６】
尚、温度保護回路ＰＰが一次側制御回路１０に設けられている場合、フォトカプラ等を用いて、サーマル異常発生信号及びサーマル異常解除信号を温度保護回路ＰＰから処理部２３０に伝達すれば良い。サーマル異常に注目して異常の発生時の動作及び異常からの復帰動作を説明したが、異常発生時にトランジスタＭ１のスイッチング停止を伴う任意の異常に対して、上述の方法を適用可能である。
【０１４７】
＜＜第３実施形態＞＞
本発明の第３実施形態を説明する。ＡＣ／ＤＣコンバータ１に含まれるＤＣ／ＤＣコンバータ４として絶縁同期整流型ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を上述したが、ＤＣ／ＤＣコンバータ４は、一次側巻線Ｗ１に加わる一次側電圧ＶＰからスイッチング方式によりトランスＴＲの二次側において二次側電圧ＶＳを生成する絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータであれば任意である。
【０１４８】
例えば、図２に示したＤＣ／ＤＣコンバータ４では、いわゆるローサイドアプリケーションが採用されているが、ハイサイドアプリケーションが採用されても良い。ハイサイドアプリケーションが採用されたＤＣ／ＤＣコンバータ４では、ＳＲトランジスタＭ２が出力端子ＴＭ２Ｈ側に設けられ、二次側電圧ＶＳが加わる出力端子ＴＭ２ＨとトランスＴＲの二次側巻線Ｗ２との間にＳＲトランジスタＭ２が直列に挿入される。この他、本発明の主旨を損なわない形態で、二次側回路におけるＳＲトランジスタＭ２の配置位置を変更することが可能である。
【０１４９】
また例えば、ＤＣ／ＤＣコンバータ４は、ダイオード整流方式を採用したＤＣ／ＤＣコンバータ（絶縁ダイオード整流型ＤＣ／ＤＣコンバータ）であっても良い。この場合、ＤＣ／ＤＣコンバータ４において、図２のＳＲトランジスタＭ２及び寄生ダイオードＤ２の代わりに、整流ダイオードを二次側回路に設ける。整流ダイオードは二次側巻線Ｗ２とコンデンサＣ２との間に挿入され、一次側巻線Ｗ１から二次側巻線Ｗ２に伝搬された電力を整流する。
【０１５０】
また例えば、ＤＣ／ＤＣコンバータ４を、フォワード方式の絶縁型ＤＣ／ＤＣコンバータとして構成しても良く、この場合にも、同期整流方式及びダイオード整流方式の何れが採用されて良い。
【０１５１】
＜＜第４実施形態＞＞
本発明の第４実施形態を説明する。
【０１５２】
ＡＣ／ＤＣコンバータ１を用いて電源アダプタを構成しても良い。図１６は、ＡＣ／ＤＣコンバータ１を備える電源アダプタ６２０を示す図である。電源アダプタ６２０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ１、プラグ６２１、筐体６２２及び出力コネクタ６２３を備え、筐体６２２内にＡＣ／ＤＣコンバータ１が収容及び配置される。プラグ６２１は図示されないコンセントから商用交流電圧ＶＡＣを受け、ＡＣ／ＤＣコンバータ１はプラグ６２１を通じて入力された商用交流電圧ＶＡＣから直流の二次側電圧ＶＳを生成する。二次側電圧ＶＳが、出力コネクタ６２３を通じ、図示されない任意の電気機器に供給される。電気機器としては、ノート型パーソナルコンピュータ、情報端末機、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話機（スマートフォンに分類されるものを含む）、携帯オーディオプレイヤなどが例示される。
【０１５３】
ＡＣ／ＤＣコンバータ１を備える電気機器を構成しても良い。図１７（ａ）及び（ｂ）は、ＡＣ／ＤＣコンバータ１を備える電気機器６４０を示す図である。図１７（ａ）及び（ｂ）に示される電気機器６４０はディスプレイ装置であるが、電気機器６４０の種類は特に限定されず、オーディオ機器、冷蔵庫、洗濯機、掃除機など、ＡＣ／ＤＣコンバータを内蔵する機器であれば任意である。電気機器６４０は、ＡＣ／ＤＣコンバータ１、プラグ６４１、筐体６４２及び負荷６４３を備え、筐体６４２内にＡＣ／ＤＣコンバータ１及び負荷６４３が収容及び配置される。プラグ６４１は図示されないコンセントから商用交流電圧ＶＡＣを受け、ＡＣ／ＤＣコンバータ１はプラグ６４１を通じて入力された商用交流電圧ＶＡＣから直流の二次側電圧ＶＳを生成する。生成された二次側電圧ＶＳは負荷６４３に供給される。負荷６４３は図１の負荷ＬＤに相当する。負荷６４３は、二次側電圧ＶＳに基づいて駆動する任意の負荷であって良く、例えば、マイコンコンピュータ、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、電源回路、照明機器、アナログ回路又はデジタル回路である。
【０１５４】
＜＜第５実施形態＞＞
本発明の第５実施形態を説明する。第５実施形態では、第１〜第４実施形態に適用可能な応用技術、変形技術などを説明する。
【０１５５】
ＤＣ／ＤＣコンバータ４をＡＣ／ＤＣコンバータ１の構成要素として用いることを上述したが、本発明は、これに限定されない。即ち例えば、ＤＣ／ＤＣコンバータ４は、直流電圧を生成する任意の電圧源（例えばバッテリ）の出力電圧を一次側電圧ＶＰとして受けて、二次側電圧ＶＳを生成するものであっても構わない。
【０１５６】
一次側制御回路１０、二次側制御回路２０及びパルストランス部３０を１チップの半導体基板上に集積化した半導体装置ＳＭＣ１を構成するようにしても良い。一次側制御回路１０、二次側制御回路２０及びパルストランス部３０が集積化された１チップの半導体基板が樹脂にて構成されたパッケージ（筐体）に収容されて封止されることで半導体装置ＳＭＣ１が構成される。
【０１５７】
或いは、一次側制御回路１０を第１半導体基板上に集積化した第１チップと、二次側制御回路２０を第２半導体基板上に集積化した第２チップと、パルストランス部３０を第３半導体基板上に集積化した第３チップとを作成し、第１〜第３チップを共通のパッケージ（筐体）に収容して封止することで半導体装置ＳＭＣ２を構成しても良い。
【０１５８】
但し、一次側制御回路１０及び二次側制御回路２０を別々の半導体装置として構成するようにしても良い。即ち、一次側制御回路１０を第１半導体基板上に集積化した第１チップを第１パッケージに収容して封止することで半導体装置ＳＭＣ３Ａを構成し、これとは別に、二次側制御回路２０を第２半導体基板上に集積化した第２チップを第２パッケージに収容して封止することで半導体装置ＳＭＣ３Ｂを構成しても良い。この場合、パルストランス部３０は、半導体装置ＳＭＣ３Ａ及びＳＭＣ３Ｂとは別に設けられたディスクリート部品であって良いが、パルストランス部３０を第３半導体基板上に集積化した第３チップを第３パッケージに収容して封止することで半導体装置ＳＭＣ３Ｃを構成しても良い。半導体装置ＳＭ１、ＳＭＣ２及びＳＭＣ３Ｃにおいて、既存の集積回路プロセスを利用し、パルストランスを構成することが可能である。
【０１５９】
一次側制御回路１０が集積化された半導体装置（ＳＭ１、ＳＭＣ２又はＳＭＣ３Ａ）に、スイッチングトランジスタＭ１が更に集積化されて含まれていても良いし、センス抵抗ＲＣＳが更に集積化されて含まれていても良い。
【０１６０】
二次側制御回路２０が集積化された半導体装置（ＳＭ１、ＳＭＣ２又はＳＭＣ３Ｂ）に、ＳＲトランジスタＭ２が更に集積化されて含まれていても良いし、分圧抵抗Ｒ１及びＲ２が更に集積化されて含まれていても良いし、分圧抵抗Ｒ３及びＲ４が更に集積化されて含まれていても良い。
【０１６１】
上述の主旨を損なわない形で、任意の信号又は電圧に関して、それらのハイレベルとローレベルの関係を逆にしても良い。また、上述の主旨を損なわない形で、ＦＥＴのチャネル型を任意に変更可能である。即ち例えば、スイッチングトランジスタＭ１がＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴとして構成されるよう、ＤＣ／ＤＣコンバータ４の構成が変形されても良い。
【０１６２】
上述の任意のトランジスタは、任意の種類のトランジスタであって良い。例えば、ＭＯＳＦＥＴとして上述された任意のトランジスタ（特に例えばスイッチングトランジスタＭ１）を、接合型ＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）又はバイポーラトランジスタに置き換えることも可能である。任意のトランジスタは第１電極、第２電極及び制御電極を有する。ＦＥＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がドレインで他方がソースであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がゲートである。ＩＧＢＴに属さないバイポーラトランジスタにおいては、第１及び第２電極の内の一方がコレクタで他方がエミッタであり且つ制御電極がベースである。
【０１６３】
本発明の実施形態は、特許請求の範囲に示された技術的思想の範囲内において、適宜、種々の変更が可能である。以上の実施形態は、あくまでも、本発明の実施形態の例であって、本発明ないし各構成要件の用語の意義は、以上の実施形態に記載されたものに制限されるものではない。上述の説明文中に示した具体的な数値は、単なる例示であって、当然の如く、それらを様々な数値に変更することができる。
【符号の説明】
【０１６４】
１  ＡＣ／ＤＣコンバータ
２  フィルタ
３  整流回路
４  ＤＣ／ＤＣコンバータ
１０  一次側制御回路
２０  二次側制御回路
３０  パルストランス部（通信用トランス）
Ｍ１  スイッチングトランジスタ（スイッチング素子）
Ｍ２  同期整流トランジスタ
ＴＲ  トランス
Ｗ１  一次側巻線
Ｗ２  二次側巻線
ＳＳ  ソフトスタート回路
ＰＷＭ＿Ｇ  ＰＷＭ信号生成部
２２４  エラーアンプ
２２７  コマンド送信部
２２９  スイッチ
２３０  移行準備処理部
【図１】
2020205659.tif 000003
【図２】
2020205659.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020205659.tif 000012
【図１１】
2020205659.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2020205659.tif 000015
【図１４】
2020205659.tif 000016
【図１５】
2020205659.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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