(57)【要約】【課題】静電チャックにより基板及び／又はマスクを安定的に吸着しつつ、静電チャックの電界による膜の膜質や膜厚分布の均一性への影響を低減する。【解決手段】複数の成膜対象領域を有する成膜対象物を吸着するための静電チャックであって、前記成膜対象物の吸着面のうち前記成膜対象領域に対応する領域を含む領域を吸着するための第１領域と、前記成膜対象物の吸着面のうち前記複数の成膜対象領域に対応する領域の間の領域を吸着するための第２領域と、を有し、前記第１領域における前記成膜対象物に対する単位面積当たりの静電引力が、前記第２領域における前記成膜対象物に対する単位面積当たりの静電引力と異なるように構成されることを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の成膜対象領域を有する成膜対象物を吸着するための静電チャックであって、
前記成膜対象物の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記成膜対象物の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域に含まれ、
前記第１領域における前記成膜対象物に対する静電引力が、前記第２領域における前記成膜対象物に対する静電引力と異なるように構成されることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記静電チャックは、前記第１領域における前記成膜対象物に対する静電引力が、前記第２領域における前記成膜対象物に対する静電引力より小さくなるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記第１領域に設けられた第１電極部と、前記第２領域に設けられた第２電極部と、を有し、
前記第１領域に設けられた前記第１電極部の電極密度は、前記第２領域に設けられた前記第２電極部の電極密度より、小さいことを特徴とする請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記第１電極部及び前記第２電極部のそれぞれは、互いの櫛歯部が交互に噛み合うように対向して配置された一対の櫛歯電極を有し、
前記第１電極部の前記櫛歯部間の間隔は、前記第２電極部の前記櫛歯部間の間隔より、広いことを特徴とする請求項３に記載の静電チャック。
【請求項５】
電極部と、少なくとも前記電極部と前記成膜対象物の吸着面との間に介在する誘電体部と、を有し、
前記第１領域における前記誘電体部の厚さは、前記第２領域における前記誘電体部の厚さより、大きいことを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項６】
電極部と、少なくとも前記電極部と前記成膜対象物の吸着面との間に介在する誘電体部と、を有し、
前記第１領域における前記誘電体部の比抵抗は、前記第２領域における前記誘電体部の比抵抗より、大きいことを特徴とする請求項２〜請求項５のいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項７】
電極部と、少なくとも前記電極部と前記成膜対象物の吸着面との間に介在する誘電体部と、を有し、
前記第１領域における前記誘電体部の誘電率は、前記第２領域における前記誘電体部の誘電率より、小さいことを特徴とする請求項２〜請求項６のいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項８】
被吸着体を吸着するための静電チャックであって、
前記被吸着体が吸着される吸着面に平行な第１方向、及び、前記吸着面に平行であり前記第１方向と交差する第２方向に、所定の間隔で離隔してマトリックス状に配置される複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間の第２領域と、を有し、
前記第１領域における前記被吸着体に対する静電引力が、前記第２領域における前記被吸着体に対する静電引力と異なるように構成されることを特徴とする静電チャック。
【請求項９】
前記静電チャックは、前記第１領域における前記被吸着体に対する静電引力が、前記第２領域における前記被吸着体に対する静電引力より小さくなるように構成されることを特
徴とする請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１０】
複数の成膜対象領域を有する成膜対象物を吸着するための静電チャックシステムであって、
電極部を有する静電チャックと、
前記電極部への電圧の印加を制御する制御部と、を有し、
前記静電チャックは、前記成膜対象物の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記成膜対象物の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域とに含まれ、
前記制御部は、前記第１領域に設けられた第１電極部に印加される電圧が、前記第２領域に設けられた第２電極部に印加される電圧と異なるように制御することを特徴とする静電チャックシステム。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第１領域における前記成膜対象物に対する静電引力が、前記第２領域における前記成膜対象物に対する静電引力より小さくなるように、前記第１電極部及び前記第２電極部に印加される電圧を制御する請求項１０に記載の静電チャックシステム。
【請求項１２】
前記制御部は、前記成膜対象物に対する成膜工程の少なくとも一部の期間において、前記第１電極部に印加される電圧が前記第２電極部に印加される電圧と異なるように制御することを特徴とする請求項１０に記載の静電チャックシステム。
【請求項１３】
前記制御部は、前記成膜対象物に対する成膜工程の少なくとも一部の期間において、前記第１電極部に印加される電圧が前記第２電極部に印加される電圧より小さくなるように制御することを特徴とする請求項１２に記載の静電チャックシステム。
【請求項１４】
前記制御部は、前記静電チャックに前記成膜対象物を吸着させる吸着工程では、前記第１電極部に印加される電圧と前記第２電極部に印加される電圧とが同じになるように制御し、前記吸着工程の後に行われる前記成膜対象物に対する成膜工程の少なくとも一部の期間において、前記第１電極部に印加される電圧が前記第２電極部に印加される電圧と異なるように制御することを特徴とする請求項１０に記載の静電チャックシステム。
【請求項１５】
前記制御部は、前記静電チャックに前記成膜対象物を吸着させる吸着工程では、前記第１電極部に印加される電圧と前記第２電極部に印加される電圧とが同じになるように制御し、前記吸着工程の後に行われる前記成膜対象物に対する成膜工程の少なくとも一部の期間において、前記第１電極部に印加される電圧が前記第２電極部に印加される電圧より小さくなるように制御することを特徴とする請求項１４に記載の静電チャックシステム。
【請求項１６】
被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、
電極部を有する静電チャックと、
前記電極部への電圧の印加を制御する制御部と、を有し、
前記静電チャックは、前記被吸着体が吸着される吸着面に平行な第１方向、及び、前記吸着面に平行であり前記第１方向と交差する第２方向に、所定の間隔で離隔してマトリックス状に配置される複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間の第２領域と、を有し、
前記制御部は、前記第１領域に設けられた第１電極部に印加される電圧が、前記第２領域に設けられた第２電極部に印加される電圧と異なるように制御することを特徴とする静電チャックシステム。
【請求項１７】
前記制御部は、前記第１領域における前記被吸着体に対する静電引力が、前記第２領域における前記被吸着体に対する静電引力より小さくなるように、前記第１電極部及び前記第２電極部に印加される電圧を制御する請求項１６に記載の静電チャックシステム。
【請求項１８】
基板の複数の成膜対象領域にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
少なくとも前記基板を吸着するための静電チャックを有し、
前記静電チャックは、請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の静電チャックであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１９】
真空容器をさらに有し、
前記静電チャックは、前記真空容器内に設置されることを特徴とする請求項１８に記載の成膜装置。
【請求項２０】
真空容器をさらに有し、
前記静電チャックは、吸着面に平行な方向に前記真空容器に搬出入可能であることを特徴とする請求項１８に記載の成膜装置。
【請求項２１】
真空容器と、前記真空容器内に配置される成膜源と、をさらに有し、
前記成膜源は、前記基板の長辺方向又は短辺方向に沿って前記基板に対して相対的に移動可能であることを特徴とする請求項１８に記載の成膜装置。
【請求項２２】
前記成膜源は、成膜材料を収納する収納手段と、前記成膜材料を加熱するための加熱手段と、を有することを特徴とする請求項２１に記載の成膜装置。
【請求項２３】
前記成膜源は、スパッタリング用のターゲットを有することを特徴とする請求項２１に記載の成膜装置。
【請求項２４】
基板の複数の成膜対象領域にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
少なくとも前記基板を吸着するための静電チャックシステムを有し、
前記静電チャックシステムは、請求項１０〜請求項１７のいずれか１項に記載の静電チャックシステムであることを特徴とする成膜装置。
【請求項２５】
真空容器と、前記真空容器内に配置される成膜源と、をさらに有し、
前記成膜源は、前記基板の長辺方向又は短辺方向に沿って前記基板に対して相対的に移動可能であることを特徴とする請求項２４に記載の成膜装置。
【請求項２６】
前記成膜源は、成膜材料を収納する収納手段と、前記成膜材料を加熱するための加熱手段と、を有することを特徴とする請求項２５に記載の成膜装置。
【請求項２７】
前記成膜源は、スパッタリング用のターゲットを有することを特徴とする請求項２５に記載の成膜装置。
【請求項２８】
被吸着体を静電チャックに吸着させる方法であって、
前記静電チャックの電極部に第１電圧を印加して、複数の成膜対象領域を有する成膜対象物としての第１被吸着体を前記静電チャックに吸着させる第１吸着工程と、
前記電極部に第２電圧を印加して、第２被吸着体を前記第１被吸着体を介して前記静電チャックに吸着させる第２吸着工程と、
前記第２吸着工程の後に、前記静電チャックの第１領域に設置される第１電極部に、前記静電チャックの第２領域に設置される第２電極部に印加される電圧と異なる大きさの電圧が印加されるように制御する工程と、を有し、
前記第１被吸着体の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記第１被吸着体の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域に含まれることを特徴とする吸着方法。
【請求項２９】
前記制御する工程においては、前記第１電極部に印加される電圧が前記第２電極部に印加される電圧より、小さくなるように制御することを特徴とする請求項２８に記載の吸着方法。
【請求項３０】
複数の成膜対象領域を有する基板にマスクを介して成膜材料を成膜する成膜方法であって、
静電チャックに前記基板を吸着させる第１吸着工程と、
前記基板を介して前記静電チャックに前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記成膜材料を放出させて前記マスクを介して前記基板の前記複数の成膜対象領域に前記成膜材料を成膜する工程と、を有し、
前記成膜する工程の少なくとも一部の期間において、前記静電チャックの第１領域に設置される第１電極部に、前記静電チャックの第２領域に設置される第２電極部に印加される電圧より低い電圧が印加されるように制御し、
前記基板の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記基板の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域に含まれることを特徴とする成膜方法。
【請求項３１】
前記静電チャックに吸着された状態で、前記基板と前記マスクを真空容器内に搬入する工程をさらに有し、
前記成膜する工程は、前記真空容器内に設置された成膜源を用いて行うことを特徴とする請求項３０に記載の成膜方法。
【請求項３２】
前記マスクを真空容器内に搬入する工程と、前記基板を前記真空容器内に搬入する工程と、をさらに有し、
前記第１吸着工程及び前記第２吸着工程は、前記真空容器内に設置された静電チャックにより行われることを特徴とする請求項３０に記載の成膜方法。
【請求項３３】
前記成膜する工程では、成膜源を加熱手段によって加熱して前記成膜源に収納された前記成膜材料を放出することを特徴とする請求項３０〜請求項３２のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項３４】
前記成膜する工程では、前記成膜材料を前記成膜材料のターゲットからスパッタリングによって放出することを特徴とする請求項３０〜請求項３２のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項３５】
請求項３０〜請求項３４のいずれか１項に記載の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャック、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の成膜源から放出された成膜材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に成膜することで、有機物層や金属層を形成する。
【０００３】
上向成膜方式（デポアップ）の成膜装置において、成膜源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に成膜が行われる。このような上向成膜方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周縁部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが成膜精度低下の１つの要因となっている。上向成膜方式以外の方式の成膜装置においても、基板の自重による撓みは生じる可能性がある。
【０００４】
基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開公報２０１８−００５３１４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、静電チャックを用いる成膜装置においては、静電チャックからの静電界のために、基板に成膜される膜の膜質や膜厚分布の均一性が低下する可能性がある。例えば、極性を有する材料を成膜する場合、静電チャックの静電界による誘電分極により膜の特性が変化したり、膜厚分布が不均一になったりすることがあり得る。また、スパッタリングにより成膜する装置の場合、静電チャックの静電界によってプラズマが乱れ、膜質や膜厚分布に影響を与える可能性がある。
【０００７】
特許文献１（韓国公開特許公報第２０１８−００５３１４３号）は、シャドーマスクが形成される部分にのみ電極が形成されている静電チャックで基板とマスクを吸着した状態で成膜を行う構成を開示しているが、この場合、基板及び／又はマスクに十分な大きさの吸着力を作用させることができない可能性がある。特に、大きなサイズの基板とマスクを用いて成膜を行う場合には、特許文献１の構成では、基板及びマスクを安定的に吸着しつつ、膜質や膜厚分布の均一性の高い膜を成膜することは困難となる。
【０００８】
本発明は、静電チャックにより基板及び／又はマスクを安定的に吸着しつつ、静電チャックの電界による膜の膜質や膜厚分布の均一性への影響を低減することができる静電チャック、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及びこれを用いた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１態様による静電チャックは、複数の成膜対象領域を有する成膜対象物を吸着するための静電チャックであって、前記成膜対象物の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記成膜対象物の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域に含まれ、前記第１領域における前記成膜対象物に対する静電引力が、前記第２領域における前記成膜対象物に対する静電引力と異なるように構成されることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２態様による静電チャックは、被吸着体を吸着するための静電チャックであって、前記被吸着体が吸着される吸着面に平行な第１方向、及び、前記吸着面に平行であり前記第１方向と交差する第２方向に、所定の間隔で離隔してマトリックス状に配置される複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間の第２領域と、を有し、前記第１領域における前記被吸着体に対する静電引力が、前記第２領域における前記被吸着体に対する静電引力と異なるように構成されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３態様による静電チャックシステムは、複数の成膜対象領域を有する成膜対象物を吸着するための静電チャックシステムであって、電極部を有する静電チャックと、前記電極部への電圧の印加を制御する制御部と、を有し、前記静電チャックは、前記成膜対象物の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記成膜対象物の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域とに含まれ、前記制御部は、前記第１領域に設けられた第１電極部に印加される電圧が、前記第２領域に設けられた第２電極部に印加される電圧と異なるように制御することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第４態様による静電チャックシステムは、被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、電極部を有する静電チャックと、前記電極部への電圧の印加を制御する制御部と、を有し、前記静電チャックは、前記被吸着体が吸着される吸着面に平行な第１方向、及び、前記吸着面に平行であり前記第１方向と交差する第２方向に、所定の間隔で離隔してマトリックス状に配置される複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間の第２領域と、を有し、前記制御部は、前記第１領域に設けられた第１電極部に印加される電圧が、前記第２領域に設けられた第２電極部に印加される電圧と異なるように制御することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第５態様による成膜装置は、基板の複数の成膜対象領域にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、少なくとも前記基板を吸着するための静電チャックを有し、前記静電チャックは、本発明の第１態様又は第２態様による静電チャックであることを特徴とする。
【００１４】
本発明の第６態様による成膜装置は、基板の複数の成膜対象領域にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、少なくとも前記基板を吸着するための静電チャックシステムを有し、前記静電チャックシステムは、本発明の第３態様又は第４態様による静電チャックシステムであることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第７態様による吸着方法は、被吸着体を静電チャックに吸着させる方法であって、前記静電チャックの電極部に第１電圧を印加して、複数の成膜対象領域を有する成膜対象物としての第１被吸着体を前記静電チャックに吸着させる第１吸着工程と、前記電極部に第２電圧を印加して、第２被吸着体を前記第１被吸着体を介して前記静電チャックに吸着させる第２吸着工程と、前記第２吸着工程の後に、前記静電チャックの第１領域に設置される第１電極部に、前記静電チャックの第２領域に設置される第２電極部に印加される電圧と異なる大きさの電圧が印加されるように制御する工程と、を有し、前記第１被吸着体の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記第１被吸着体の
前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域に含まれることを特徴とする。
【００１６】
本発明の第８態様による成膜方法は、複数の成膜対象領域を有する基板にマスクを介して成膜材料を成膜する成膜方法であって、静電チャックに前記基板を吸着させる第１吸着工程と、前記基板を介して前記静電チャックに前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記成膜材料を放出させて前記マスクを介して前記基板の前記複数の成膜対象領域に前記成膜材料を成膜する工程と、を有し、前記成膜する工程の少なくとも一部の期間において、前記静電チャックの第１領域に設置される第１電極部に、前記静電チャックの第２領域に設置される第２電極部に印加される電圧より低い電圧が印加されるように制御し、前記基板の前記成膜対象領域を吸着するための領域は第１領域に含まれ、前記基板の前記複数の成膜対象領域の間の領域を吸着するための領域は第２領域に含まれることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第９態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第８態様による成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、静電チャックにより基板及び／又はマスクを安定的に吸着しつつ、静電チャックの電界による膜の膜質や膜厚分布の均一性への影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本発明の他の一実施形態による成膜装置の模式図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図である。図４（ｂ）は、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの模式的平面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の一実施形態による静電チャックの模式的断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態による静電チャックの電圧制御を示すグラフである。
【図７】図７は、電子デバイスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２１】
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属等の任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミド等のフィルムが積層された基板であってもよい。また、成膜材料は、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物等）等の任意の材料を選択してもよい。なお、本発明は、加熱蒸発による真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を有する成膜装置
にも、適用することができる。本発明の技術は、具体的には、半導体デバイス、磁気デバ
イス、電子部品等の各種電子デバイスや、光学部品等の製造装置に適用可能である。電子デバイスの具体例としては、発光素子や光電変換素子、タッチパネル等が挙げられる。本発明は、中でも、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）等の有機発光素子や、有機薄膜太陽電池等の有機光電変換素子の製造装置に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置（例えば有機ＥＬ表示装置）や照明装置（例えば有機ＥＬ照明装置）、光電変換素子を備えたセンサ（例えば有機ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）イメージセンサ）も含む。
【００２２】
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
【００２３】
図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板の、マトリクス状に離隔されて配置された複数のデバイス形成領域に有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、デバイス形成領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って該基板を切り出して、複数の小さなサイズのパネルに製作する。このように、本実施形態に係る電子デバイスの製造装置は、基板上に並んで設けられた複数のデバイス領域に対して成膜を行い、その後、デバイス領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って該基板を切り出して複数の電子デバイスを製造する。
【００２４】
本実施形態に係る電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置１の間を繋ぐ中継装置とを有する。
【００２５】
クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を備える。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１及びマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。
【００２６】
搬送室１３内には、基板Ｓ及びマスクＭを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へ基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
【００２７】
成膜装置１１では、成膜源から放出された成膜材料がマスクＭを介して基板Ｓ上に成膜される。搬送ロボット１４からの、又は搬送ロボット１４への、基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ及び基板Ｓの固定、成膜等の一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。
【００２８】
有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、成膜装置１１には、成膜される材料の種類によって、有機膜の成膜装置と、金属性膜の成膜装置とがあり、有機膜の成膜装置は、有機物の成膜材料を蒸着によって基板Ｓに成膜し、金属性膜の成膜装置は、金属性の成膜材料を蒸着又はスパッタリングにより基板Ｓに成膜する。なお、有機物の成膜材料をスパッタリングにより基板Ｓに成膜してもよい。有機ＥＬ表示装置を製造するための製造装置において、どのような成膜装置をどの位置に配置するかは、製造される有機ＥＬ素子の積層構造によって異なり、有機ＥＬ素子の積層構造に応じて、これを成膜するための複数の成膜装置１１が配置される。例えば、後述するように、有機ＥＬ素子の場合、通常、アノードが形成されている基板Ｓ上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、電子注入層、カソードがこの順に積層されている構造を有するが、これらの層を順次成膜することができるように、基板Ｓの搬送の流れ方向に、これに合う成膜装置１１が配置される。
【００２９】
マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクＭと、使用済みのマスクＭとが、２つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクＭを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクＭを成膜装置１１に搬送する。
【００３０】
クラスタ装置１には、基板Ｓの搬送の流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に受け渡すパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に受け渡すためのバッファ室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の１つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の１つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファ室１６に搬送する。
【００３１】
バッファ室１６とパス室１５との間には、基板Ｓの向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファ室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置とで基板Ｓの向きが同じになり、基板処理が容易になる。
【００３２】
パス室１５、バッファ室１６、旋回室１７は、クラスタ装置間を連結する、中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室、バッファ室、旋回室のうち少なくとも１つを有する。
【００３３】
成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファ室１６、旋回室１７等は、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。
【００３４】
有機ＥＬ素子を構成する複数の層の成膜が完了した基板は、有機ＥＬ素子を封止するための封止装置（不図示）や基板を所定のパネルサイズに切断するための切断装置（不図示）等に搬送される。
【００３５】
本実施形態では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバを有してもよく、これらの装置やチャンバ間の配置も限定されない。
【００３６】
例えば、本発明の一実施形態による電子デバイスの製造装置は、図１に示すクラスタタイプではなく、インラインタイプであってもよい。つまり、基板ＳとマスクＭをキャリアに搭載して、一列に並んだ複数の成膜装置の中をキャリアを搬送しながら成膜を行う構成としてもよい。また、クラスタタイプとインラインタイプを組み合わせたタイプの構成でもよい。例えば、有機層の成膜まではクラスタタイプの製造装置で行い、電極層（カソード層）の成膜工程から封止工程及び切断工程等は、インラインタイプの製造装置で行ってもよい。
【００３７】
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。
【００３８】
＜成膜装置＞
図２及び図３は、本発明の実施形態による成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向（第１方向）、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向（第２方向）とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。
【００３９】
図２は、成膜装置１１の一例として、成膜材料を加熱することによって蒸発又は昇華させて、マスクを介して基板に成膜する蒸着成膜装置１１０の一例を示している。蒸着成膜装置１１０は、真空雰囲気又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、成膜源２５と、を有する。
【００４０】
基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来る基板Ｓを受け取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。
【００４１】
マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来るマスクＭを受け取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
【００４２】
マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３によって支持される。マスクＭは、基板Ｓ上の有機ＥＬ表示パネルの形成領域（デバイス形成領域）に対応する有効領域と、有効領域と有効領域の間の周囲領域（基板Ｓ上のスクライブ領域に対応する）を有する。
【００４３】
マスクＭの有効領域には、成膜材料の粒子を通過させるための少なくとも１つの開口が形成される。例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示パネルを製造するのに使われるマスクＭは、有機ＥＬ表示パネル内の有機ＥＬ素子の発光層を形成するために有機ＥＬ素子のＲＧＢ画素パターンに対応する微細な開口パターンが形成された金属製マスクであるファインメタルマスク（Fine Metal Mask）と、有機ＥＬ素子の共通層（正孔注入層、正孔
輸送層、電子輸送層、電子注入層等）を形成するのに使われるオープンマスク（Open Mask）と、を有する。
【００４４】
マスクＭの開口パターンは、成膜材料の粒子を通過させない遮断パターンによって定義される。
【００４５】
基板支持ユニット２２の上方には、基板Ｓ及び／又はマスクＭを静電引力によって吸着し固定するための静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、成膜前に基板Ｓ（第１被吸着体）を吸着して保持し、実施形態によっては、マスクＭ（第２被吸着体）をも吸着し保持する。その後、例えば、静電チャック２４が基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を保持した状態で、成膜を行い、成膜を完了した後に基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）に対する静電チャック２４による保持を解除する。
【００４６】
静電チャック２４は、誘電体又は絶縁体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極等の電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。静電チャック２４がグラジエント力タイプの静電チャックである場合、基板Ｓが絶縁性基板であっても、静電
チャック２４によって良好に吸着することができる。
【００４７】
静電チャック２４は、１つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、１つのプレートで形成される場合、その内部に複数の電気回路を有し、１つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもよい。
【００４８】
本実施形態に係る静電チャック２４は、複数の第１領域と、前記複数の第１領域の間の第２領域と、を有する。後述するように、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）又はマスクＭの有効領域に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第１領域の単位面積当たりの静電引力が、基板Ｓのスクライブ領域又はマスクＭの周囲領域に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第２領域の単位面積当たりの静電引力と異なるように構成又は制御される。
【００４９】
例えば、静電チャック２４の第１領域は、第２領域に比べて相対的に弱い単位面積当たりの吸着力を基板ＳやマスクＭに加えるように、構成又は制御される。
【００５０】
これにより、静電チャック２４の電界による、デバイス形成領域（成膜対象領域）に成膜される膜の膜質や膜厚分布の均一性への影響を低減させながらも、従来の技術に比べて、より安定的に基板Ｓを吸着することができる。
【００５１】
図２には示していないが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。
【００５２】
成膜源２５は、図示していないが、基板Ｓに成膜される成膜材料が収納されるるつぼ、るつぼを加熱するためのヒータ、成膜源２５からの蒸発レートが一定になるまで成膜材料が基板Ｓに飛散することを阻むシャッタ等を有する。成膜源２５は、点（point）成膜源
や線状（linear）成膜源等、用途に従って多様な構成を有することができる。成膜源２５は、少なくとも、基板Ｓの長辺方向又は短辺方向に沿って基板Ｓの成膜面に平行に移動することができるように設置される。これにより、基板Ｓ全体にわたって成膜の厚さを均一にすることができる。また、蒸着成膜装置１１０が真空容器２１内に２つの成膜ステージを有する場合、成膜源２５は、基板Ｓの短辺方向に沿って１つのステージから他のステージに移動することができるように設置される。なお、成膜源２５は、少なくとも、基板Ｓの短辺方向に沿って基板Ｓの成膜面に平行に移動することができるように設置されてもよい。
【００５３】
図２に示していないが、蒸着成膜装置１１０は、基板Ｓに蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ及び膜厚算出ユニットを有する。
【００５４】
真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９等が設けられる。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、又はモータとリニアガイド等で構成される。基板Ｚアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。
【００５５】
位置調整機構２９は、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するための機構である。位
置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。本実施形態では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。
【００５６】
真空容器２１の外側上面には、上述したアクチュエータ及び位置調整機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０を設置してもよい。本実施形態においては、アライメント用カメラ２０は、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対角線に対応する位置、又は、矩形の４つのコーナー部に対応する位置に設置してもよい。
【００５７】
本実施形態の蒸着成膜装置１１０に設置されるアライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。本実施形態による蒸着成膜装置１１０は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラを有してもよい。ラフアライメント用カメラは、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対向する２つの辺の中央に対応する位置に設置されてもよい。
【００５８】
なお、位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ（第１被吸着体）及びマスクＭ（第２被吸着体）の位置情報に基づいて、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。
【００５９】
蒸着成膜装置１１０は、制御部４０を備える。制御部４０は、基板Ｓの搬送及びアライメント、成膜源２５の制御、成膜の制御等の機能を有する。制御部４０はまた、静電チャック２４への電圧の印加を制御する機能、つまり後述する図４（ａ）の電圧制御部４３の機能を有してもよい。
【００６０】
制御部４０は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏ等を持つコンピュータによって構成可能である。この場合、制御部４０の機能はメモリ又はストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを使用してもよく、組込み型のコンピュータ又はＰＬＣ（Programmable Logic Controller）を使用してもよい。又は、制御部４０の機能の一部
又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置毎に制御部が設置されていてもよく、１つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
【００６１】
図３は、成膜装置１１の他の一例として、スパッタ成膜装置１１１を示す。図３（ａ）はＸ軸方向から見た模式図、図３（ｂ）はＹ軸方向から見た模式図、図３（ｃ）はＺ軸方向から見た模式図である。図３のスパッタ成膜装置１１１は、イオン化されたガス粒子を成膜材料のターゲットに衝突させることで、ターゲットの成膜材料を粒子化するという点で、ヒータにより成膜源を加熱して成膜源内の成膜材料を蒸発させて、粒子化する図２の蒸着成膜装置１１０とは異なる。図３において、図２の蒸着成膜装置１１０の構成要素と類似の機能を持つ構成要素には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６２】
図３に示すスパッタ成膜装置１１１は、例えば、マグネトロンスパッタ装置であってもよい。マグネトロンスパッタ装置は、ターゲットの表面に磁場を形成するための磁石を備え、ターゲットの表面近傍にループ状の磁束を形成するように構成される。このような構成によると、磁束に捕捉した電子によってアルゴンガス等の電離を促進させ、プラズマを
ターゲットの近傍に集中させて、ターゲットのスパッタリングの効率を高めることができる。
【００６３】
スパッタ成膜装置１１１は、アルゴン等の不活性ガスが供給される真空容器２１と、真空容器２１内に搬入された基板Ｓと対向して配置される成膜源としての回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂを備える。
【００６４】
回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、それぞれ、円筒形状の回転ターゲット３１０と、電源３２から電力が供給される円筒状のカソード３１１と、回転ターゲット３１０の基板Ｓと対向する側の表面に磁場を形成する磁石ユニット３１２と、を備える。なお、カソード３１１は回転ターゲット３１０のバッキングチューブとして、回転ターゲット３１０と一体に形成されていてもよいし、回転ターゲット３１０そのものがカソード３１１の機能を兼ねていてもよい。
【００６５】
一対の回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、基板Ｓに対して相対移動しながら回転する。本実施形態では、一対の回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、基板Ｓが静止した状態で水平方向（基板Ｓの成膜面に沿った方向）に移動しながら回転し、これによって基板Ｓ上にターゲット粒子を成膜する。一対の回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、基板Ｓに対する相対移動方向に所定間隔を隔てて並列に配置され、一体となって同時に移動するように設置される。
【００６６】
一対の回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂのターゲットを、互いに異なる材料のターゲットにすることで、本実施形態のスパッタ成膜装置１１１は、一対の回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂと基板Ｓを２回相対移動させて、２層の積層膜を成膜することができる。
【００６７】
例えば、１層目の成膜時（１スキャン目）には、一方のターゲットユニット３１Ａによって成膜して、他方のターゲットユニット３１Ｂはアノードとして機能する。
【００６８】
２層目の成膜時（２スキャン目）には、他方のターゲットユニット３１Ｂで成膜して、一方のターゲットユニット３１Ａはアノードとして機能するように、電源３２からの出力電圧が制御される。
【００６９】
このように、成膜時に、一方のターゲットユニットで成膜している間、他方のターゲットユニットがアノードとして機能するので、基板Ｓのスキャン位置に拘わらず、安定した電界が維持され、基板Ｓ全体にわたって、均一な膜厚で成膜することができる。ただし、本発明の一実施形態に係るスパッタ成膜装置１１１は、図３に示す構成に限定されず、ターゲットユニットが２つではなく、他の数（例えば、１つ又は３つ以上の）の構成を持ってもよい。
【００７０】
真空容器２１内の下面側には、回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂを案内する一対の案内レール３３が水平方向に配置される。回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、その両端を支持するエンドブロック３４を介して、案内レール３３に移動可能に支持される。
【００７１】
回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、Ｘ軸と平行な回転軸を有し、それぞれの回転ターゲットの回転軸が、Ｙ軸方向に所定間隔を隔てて平行に配置されている。
【００７２】
エンドブロック３４の駆動機構は、特に図示していないが、リニアモータでもよいし、回転モータの回転運動を直線運動に変換するボールねじ等を用いた機構等であってもよい
。
【００７３】
基板ＳとマスクＭは、真空容器２１の外部（キャリア又は搬送装置）において、静電チャック２４に吸着され、静電チャック２４に吸着された状態で図示していない搬送レールによって真空容器２１内に搬入され、成膜位置に移動する。これによって、基板Ｓ及びマスクＭが大型であっても、基板Ｓ及びマスクＭをより安定的にスパッタ成膜装置１１１内に搬送することができる。このような実施形態においては、成膜装置は、静電チャック２４を有するキャリア又は搬送装置と、スパッタ成膜装置１１１と、を有する。
【００７４】
ただし、本発明はこれに限定されず、基板Ｓ及びマスクＭが真空容器２１内に搬入され、真空容器２１内で静電チャック２４によって吸着されて保持される構成にしてもよい。例えば、真空容器２１内に搬入された基板Ｓは、基板支持ユニット２２によって水平に（ＸＹ平面と平行に）支持され、真空容器２１内に搬入されたマスクＭは、基板Ｓの下方でマスク支持ユニット２３によって支持されるようにしてもよい。このように基板支持ユニット２２によって支持された基板Ｓとマスク支持ユニット２３に支持されたマスクＭは、真空容器２１内に設置された静電チャック２４によって吸着固定される。
【００７５】
図３に示す実施形態に係る静電チャック２４も、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）又はマスクＭの有効領域に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第１領域の単位面積当たりの静電引力が、基板Ｓのスクライブ領域又はマスクＭの周囲領域に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第２領域の単位面積当たりの静電引力と異なるように構成又は制御される。
【００７６】
例えば、静電チャック２４の第１領域は、第２領域に比べて相対的に弱い単位面積当たりの吸着力を基板ＳやマスクＭに加えるように構成又は制御される。これにより、静電チャック２４の電界による基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）の近傍のプラズマの乱れを低減させ、これによりデバイス形成領域（成膜対象領域）に成膜された膜の膜質や膜厚分布の均一性への影響を低減させながらも、従来の技術に比べて、より安定的に基板Ｓを吸着することができる。
【００７７】
図３では、基板Ｓが静止し、回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂが相対的に水平移動する構成を示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、基板Ｓが水平移動し、回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂは、水平移動せずに回転のみをするように構成してもよく、基板Ｓと回転ターゲットユニット３１Ａ、３１Ｂの両方が相対的に水平移動しながら成膜が行われるように構成してもよい。また、図３では回転ターゲットユニットを備えたスパッタ成膜装置１１１について説明したが、本発明はこれに限定はされず、平板状のターゲットを有するプレーナーカソードユニットを備えたスパッタ成膜装置にも適用可能である。
【００７８】
図２及び図３では、蒸着成膜装置１１０及びスパッタ成膜装置１１１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、静電チャック２４によって吸着された基板ＳにマスクＭを介して成膜を行う限り、他の成膜方法を使う成膜装置にも適用することができる。
【００７９】
＜静電チャックシステム及び吸着方法＞
図４〜図６を参照して、本実施形態による静電チャックシステム４１及び吸着方法について説明する。
【００８０】
図４（ａ）は、本実施形態の静電チャックシステム４１の概念的ブロック図であり、図４（ｂ）は、静電チャック２４の模式的平面図である。また、図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の一実施形態による静電チャック２４の構成を説明するための模式的断面図で
ある。
【００８１】
本実施形態の静電チャックシステム４１は、図４（ａ）に示すように、静電チャック２４と、電圧印加部４２と、電圧制御部４３と、を有する。
【００８２】
電圧印加部４２は、静電チャック２４の電極部に静電引力を発生させるための電圧を印加する。
【００８３】
電圧制御部４３は、静電チャックシステム４１の吸着工程又は成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電圧印加部４２から電極部に加えられる電圧の大きさ、電圧の印加開始タイミング、電圧の維持時間、電圧の印加順序等を制御する。
【００８４】
電圧制御部４３は、例えば、静電チャック２４の電極部に備わる複数のサブ電極部２４１、２４１’、２４１”、２４２等への電圧印加をサブ電極部毎に独立に制御することができる。本実施形態では、電圧制御部４３が成膜装置１１の制御部４０とは別途に構成されるが、本発明はこれに限定されず、成膜装置１１の制御部４０に統合されてもよい。
【００８５】
静電チャック２４は、誘電体又は絶縁体（例えば、セラミックの材質）のマトリックス内に金属電極等の電気回路が埋設された構造の静電チャックプレート部２４０を有する。
【００８６】
静電チャックプレート部２４０は、絶縁体マトリクス２４０ｃに埋設された電極部２４０ａと、誘電体部２４０ｂと、を有する。電極部２４０ａは、電圧印加部４２による電圧の印加によって吸着面に被吸着体（例えば、基板ＳやマスクＭ）を吸着させるための吸着力を発生させる。そして、誘電体部２４０ｂは、１つ以上の誘電体物質で形成され、少なくとも電極部２４０ａと吸着面との間に介在する。静電チャックプレート部２４０は、基板Ｓの形状に対応する形状、例えば、矩形の形状を有する。
【００８７】
図４（ａ）及び図４（ｂ）、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、静電チャック２４は、被吸着体（基板Ｓ又はマスクＭ）が吸着される吸着面（ＸＹ面）に平行な第１方向（Ｘ方向）、及び、吸着面に平行であり第１方向（Ｘ方向）と交差する第２方向（Ｙ方向）に、所定の間隔で離隔してマトリックス状に配置される複数の第１領域１０１と、複数の第１領域１０１の間の第２領域１０２と、を有する。本実施形態では、複数の第１領域１０１は、電極部２４０ａの複数のサブ電極部２４１、２４１’、２４１”、２４２等に対応する。第２領域１０２は、第２サブ電極部２４１’、２４１”、２４２’、２４２”等に対応する。本実施形態の電極部２４０ａは、静電チャックプレート部２４０の長手方向（Ｙ方向）及び／又は静電チャックプレート部２４０ａの短手方向（Ｘ方向）に沿って、複数のサブ電極部に分割され、基板Ｓの複数のデバイス形成領域（成膜対象領域）にそれぞれ対応する複数の第１サブ電極部２４１〜２４９と、基板Ｓのスクライブ領域に対応する複数の第２サブ電極部２４１’、２４１”、２４２’、２４２”等を有する。
【００８８】
図４（ｂ）に示すように、複数の第２サブ電極部２４１’、２４１”、２４２’、２４２”等は、Ｘ方向及びＹ方向において、複数の第１サブ電極部２４１〜２４９の間及び静電チャック２４の周縁部に設けられる。
【００８９】
本実施形態において、静電チャック２４は、複数の第１サブ電極部（２４１〜２４９）が設けられた第１領域の単位面積当たりの吸着力が、複数の第２サブ電極部（２４１’、２４１”、２４２”、２４２”等）が設けられた第２領域の単位面積当たりの吸着力より小さくなるように構成又は制御される。例えば、図４（ｂ）に示すように、電極部２４０ａは、基板Ｓのデバイス形成領域に対応する領域であるか、スクライブ領域に対応する領域であるかによって、電極密度が異なるように構成される。この場合、デバイス形成領域
に対応する第１領域に設けられる第１サブ電極部に印加する電圧と、スクライブ領域に対応する第２領域に設けられる第２サブ電極部に印加する電圧と、を同じに制御しても、第１領域における基板Ｓに対する静電引力が第２領域における基板Ｓに対する静電引力より小さくなるように電極密度を構成することができる。一方、電極部２４０ａは、基板Ｓのデバイス形成領域に対応する領域であるか、スクライブ領域に対応する領域であるかによらず、電極密度が同じに構成してもよい。この場合、デバイス形成領域に対応する第１領域に設けられる第１サブ電極部に印加する電圧と、スクライブ領域に対応する第２領域に設けられる第２サブ電極部に印加する電圧と、が異なるように電圧制御を行うことで、第１領域における基板Ｓに対する静電引力が第２領域における基板Ｓに対する静電引力より小さくなるように制御することができる。
【００９０】
各々の第１サブ電極部及び第２サブ電極部は、静電吸着力を発生させるためにプラス（第１極性）及びマイナス（第２極性）の電圧が印加される電極対４４ａ、４４ｂを有する。例えば、それぞれのサブ電極部は、プラス電圧が印加される第１電極４４ａと、マイナス電圧が印加される第２電極４４ｂとを有する。
【００９１】
第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂは、図４（ｂ）に示すように、それぞれ櫛形状を有する。例えば、第１電極４４ａ及び第２電極４４ｂは、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部とを有する。各電極４４ａ、４４ｂの基部は櫛歯部に電圧を供給し、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電吸着力を生じさせる。１つのサブ電極部において、第１電極４４ａの各櫛歯部は、第２電極４４ｂの各櫛歯部と対向し噛み合うように、交互に配置される。このように、各電極４４ａ、４４ｂの各櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、電極間の間隔を狭くすることができ、これにより大きな不均一電界を形成し、グラジエント力によって基板Ｓを安定的に吸着することができる。
【００９２】
本実施形態においては、静電チャック２４のサブ電極部２４１、２４１’、２４１”、２４２等の各電極４４ａ、４４ｂが櫛形状を有すると説明したが、本発明はそれに限定されず、被吸着体との間で静電引力を生じさせることができる限り、多様な形状を持つことができる。
【００９３】
本実施形態の静電チャック２４は、複数のサブ電極部に対応する複数の吸着部を有する。例えば、本実施形態の静電チャック２４は、図４（ｂ）に示すように、複数のサブ電極部２４１、２４１’、２４１”、２４２等に対応する複数の吸着部１４１、１４１’、１４１”、１４２等を有することができる。
【００９４】
吸着部は、静電チャック２４の長手方向（Ｙ軸方向）及び短手方向（Ｘ軸方向）に分割されるように設けられるが、これに限定されず、静電チャック２４の長手方向又は短手方向だけに分割されるように設けられてもよい。複数の吸着部は、物理的に１つのプレートが複数のサブ電極部を持つことで構成されてもよく、物理的に分割された複数のプレートそれぞれが１つ又はそれ以上のサブ電極部を持つことで構成されてもよい。
【００９５】
図４（ｂ）に示す実施形態においては、複数の吸着部それぞれが複数のサブ電極部それぞれに対応するようにしているが、１つの吸着部が複数のサブ電極部に対応するようにしてもよい。
【００９６】
例えば、電圧制御部４３による複数の第１サブ電極部２４１〜２４９への電圧の印加を制御することで、基板Ｓの吸着進行方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に配置された３つの第１サブ電極部２４１、２４２、２４３が１つの第１吸着部を成すようにすることができる。すなわち、３つの第１サブ電極部２４１、２４２、２４３それぞれは、独立に電圧制御が可能であるが、これら３つの第１サブ電極部２４１、２４２、２４３に同時
に同じ電圧が印加されるように制御することで、これら３つの第１サブ電極部２４１、２４２、２４３が１つの吸着部として機能するようにすることができる。複数の吸着部それぞれにおいて独立に基板の吸着を制御することができる限り、その具体的な物理的構造及び電気回路的構造は限定されない。複数の第２サブ電極部（２４１’、２４１”、２４２’、２４２”等）も複数の第２サブ電極部が１つの吸着部を構成するようにすることができる。
【００９７】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す本発明の実施形態によれば、静電チャック２４は、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）又はマスクＭの有効領域に対応する第１領域１０１における基板Ｓ又はマスクＭ等の被吸着体への単位面積当たりの静電引力が、基板Ｓのスクライブ領域又はマスクＭの周囲領域に対応する第２領域１０２における被吸着体への単位面積当たりの静電引力より小さくなるように構成又は制御される。つまり、静電チャック２４は、第１領域１０１の第１サブ電極部から生じる電界が第２領域１０２の第２サブ電極部から生じる電界より小さくなるように構成又は制御される。
【００９８】
これにより、基板Ｓの吸着面のうち静電チャック２４の第１領域１０１に吸着される領域に対応する領域、すなわち基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に及ぼす電界の影響を低減することができ、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に成膜される膜の膜質や膜厚分布の均一性の低下を抑制することができる。スパッタ成膜装置１１１においてはさらに、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）上のプラズマの乱れを低減することができるため、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に成膜される膜の膜質や膜厚分布の均一性の低下をより顕著に抑制することができる。また、基板Ｓのスクライブ領域に対応する領域だけでなく、基板Ｓのデバイス形成領域に対応する領域に対しても吸着力を加えることができ、大型の基板Ｓも安定的に保持することができる。
【００９９】
静電チャック２４の第１領域１０１での単位面積当たりの静電引力が、第２領域１０２での単位面積当たりの静電引力より小さくなるように構成する１つの方法は、静電チャックプレート部２４０を構成する電極部２４０ａに印加される電圧が領域毎（吸着部毎又はサブ電極部毎）に異なるように制御することである。
【０１００】
例えば、静電チャックプレート部２４０が複数のサブ電極部を有し、複数の領域（吸着部）に分割されている場合、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に対応する領域に吸着力を加える第１サブ電極部には、基板Ｓのスクライブ領域に対応する領域に吸着力を加える第２サブ電極部より相対的に低い電圧が印加されるように制御することができる。
【０１０１】
すなわち、本発明の一実施形態によると、電圧制御部４３は、基板Ｓの吸着面のうちデバイス形成領域（成膜対象領域）に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第１領域１０１の第１サブ電極部２４１〜２４９又はこれに対応する第１吸着部１４１〜１４９に印加される電圧が、基板Ｓの吸着面のうちスクライブ領域に対応する領域を吸着する第２領域１０２の第２サブ電極部２４１’、２４１”、２４２’、２４２”等又はこれに対応する第２吸着部１４１’、１４１”、１４２’、１４２”等に印加される電圧より、その大きさが小さくなるように制御する。
【０１０２】
このように、基板Ｓの吸着面のうちデバイス形成領域（成膜対象領域）に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第１領域１０１の第１サブ電極部に印加される電圧を、基板Ｓの吸着面のうちスクライブ領域に対応する領域を吸着する静電チャック２４の第２領域１０２の第２サブ電極部に印加される電圧より小さくすることで、基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に対する静電チャック２４の電界の影響を相対的に低減させながらも、基板Ｓへの吸着力の減少を抑えることができる。また、第１領域１０１の第１サブ
電極部に印加される電圧が第２領域１０２の第２サブ電極部に印加される電圧と異なるように電圧制御部４３の電圧制御を行うことで本発明の固有な効果を達成することができるため、静電チャック２４の構造を簡単にできる。
【０１０３】
図６（ａ）は静電チャック２４の第１サブ電極部２４１〜２４９に印加される電圧の時間変化を示し、図６（ｂ）は静電チャック２４の第２サブ電極部２４１’、２４１”、２４２’、２４２”等に対し印加される電圧の時間変化を示す。それぞれ横軸は時間、縦軸は電圧を表す。例えば、図６（ａ）に示すように、電圧制御部４３は、静電チャック２４による基板Ｓの吸着、マスクＭの吸着が完了した後、成膜プロセスの開始時（ｔ＝Ｔ５）又は成膜プロセスのうちの少なくとも一部の期間において、複数の第１サブ電極部に印加される電圧を第４電圧Ｖ４から、それより小さな第５電圧Ｖ５に下げるように制御する。これに対し、図６（ｂ）に示すように、電圧制御部４３は、第２サブ電極部に印加される電圧は成膜プロセス中に第４電圧Ｖ４に維持されるように制御する。なおここで「電圧Ｖ５が電圧Ｖ４より小さい」というときの電圧の大小関係は、電圧Ｖ５が印加された第１サブ電極部による単位面積当たりの静電吸着力が、電圧Ｖ４が印加された第２サブ電極部による単位面積当たりの静電吸着力より小さくなるような電圧の大小関係を意味し、電圧の極性等の条件によっては数学的な大小関係とは異なる場合がある。
【０１０４】
静電チャック２４の第１領域１０１での単位面積当たりの静電引力が第２領域１０２での単位面積当たりの静電引力より小さくなるように構成する別の方法は、静電チャックプレート部２４０の電極部２４０ａ及び／又は誘電体部２４０ｂを、領域毎に、電気的特性が異なる物質で構成するか、又は、同一の物質であっても電気的特性が異なるように構成することである。例えば、電極部２４０ａを構成する電極の密度を領域毎に異なるようにしてもよく、又は誘電体部２４０ｂを構成する誘電体の種類や厚さ等を領域毎に異なるようにしてもよい。以下、図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照して具体的に説明する。図５（ａ）は静電チャックの２４の領域毎に誘電体部の厚さ、比抵抗、誘電率を異ならせることによって領域毎に静電吸着力を異ならせる構成を概念的に示す図である。図５（ｂ）は静電チャックの２４の領域毎に電極密度を異ならせることによって領域毎に静電吸着力を異ならせる構成を概念的に示す図である。
【０１０５】
図５（ａ）において、静電チャックプレート部２４０の誘電体部２４０ｂは、領域毎に異なる誘電体物質で構成してもよく、同一の誘電体物質であっても、その厚さが異なるようにしてもよい。より具体的に、前者の場合には、静電チャック２４の第１領域１０１を構成する誘電体物質は、第２領域１０２を構成する誘電体物質より、比抵抗を大きくしてもよく、及び／又は、誘電率を小さくしてもよい。後者の場合、静電チャック２４の第１領域１０１での誘電体部２４０ｂの厚さは、第２領域１０２での誘電体部２４０ｂの厚さより厚くすることができる。ここで、「誘電体部２４０ｂの厚さ」とは、該領域１０１、１０２において電極部の下面と、静電チャック２４の吸着面との間の距離を指す。図５（ａ）において、静電チャック２４の第１領域１０１での誘電体部２４０ｂの厚さは、第１サブ電極部２４１の下面と静電チャック２４の吸着面２４０ｃとの距離Ｈ１であり、静電チャック２４の第２領域１０２での誘電体部２４０ｂの厚さは、第２サブ電極部２４１’の下面と静電チャック２４の吸着面２４０ｃとの距離Ｈ２である。また、図５（ａ）において、静電チャック２４の第１領域１０１における誘電体部２４０ｂ１の比抵抗は、静電チャック２４の第２領域１０２における誘電体部２４０ｂ２の比抵抗より大きい。また、図５（ａ）において、静電チャック２４の第１領域１０１における誘電体部２４０ｂ１の誘電率は、静電チャック２４の第２領域１０２における誘電体部２４０ｂ２の誘電率より小さい。なお、図５（ａ）では説明の都合上、上記の誘電体部の厚さ、誘電体物質の比抵抗、誘電体物質の誘電率の全ての条件を第１領域１０１と第２領域１０２とで異ならせる例を説明したが、少なくとも１つの条件を領域毎に異ならせることによって、領域毎に静電吸着力を異ならせればよく、異ならせる条件の組み合わせは限定されない。
【０１０６】
このような実施形態によれば、電極部２４０ａの電極に領域によらず同一の電圧が印加されても、第１領域１０１の第１サブ電極部は、第２領域１０２の第２サブ電極部より単位面積当たりの静電引力が小さくなる。つまり、誘電体部２４０ｂの厚さ、誘電率、及び／又は比抵抗を調節することで、基板Ｓのデバイス形成領域に及ぼす静電チャック２４の電極部からの電界の影響を調節することができる。なお、図５（ａ）では、電極部２４０ａの構成（例えば、電極密度等）を領域毎に異ならせていない例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、領域毎に、誘電体部２４０ａの厚さ、誘電率、又は比抵抗だけでなく、電極密度も異なるように構成してもよい。
【０１０７】
すなわち、図５（ｂ）に概念的に示すように、静電チャックプレート部２４０の電極部２４０ａを構成する電極は、領域に応じて電極密度が異なるように設けることができる。より具体的には、静電チャック２４の第１領域１０１における第１サブ電極部２４１の電極密度が、第２領域１０２における第２サブ電極部２４１’の電極密度よりも小さくなるように、電極が設けられる。例えば、図４（ｂ）に示すように、静電チャックプレート部２４０の電極部２４０ａの各々のサブ電極部が櫛形状を有する一対の電極で構成される場合は、第１領域１０１に設けられた第１サブ電極部の櫛歯部間の間隔を、第２領域１０２に設けられた第２サブ電極部の櫛歯部間の間隔よりも広くすることで、第１領域１０１が第２領域１０２よりも電極密度が小さくなるようにすることができる。すなわち、図４（ｂ）において、部分拡大図Ａは、隣接する第１サブ電極部及び第２サブ電極部２４４、２４４”、２４７の部分を拡大した図であり、第１サブ電極部２４４、２４７の櫛歯部間の間隔ｄ１は第２サブ電極部２４４”の櫛歯部間の間隔ｄ２より広い。また、部分拡大図Ｂは、隣接する第１サブ電極部及び第２サブ電極部２４４、２４４’、２４５の部分を拡大した図であり、第１サブ電極部２４４、２４５の櫛歯部間の間隔ｄ１は第２サブ電極部２４４’の櫛歯部間の間隔ｄ２より広い。
【０１０８】
このような本発明の実施形態によれば、電極部２４０ａの電極に領域によらず同一の電圧が印加されても、電極密度が相対的に小さい第１領域１０１の第１サブ電極部は、第２領域１０２の第２サブ電極部よりも単位面積当たりの静電引力が小さくなり、言い換えると、小さな電界を生じる。従って、電圧制御部４３による電圧制御をより簡単にしながらも、基板Ｓの成膜対象領域に成膜される膜の膜質や膜厚分布の均一性の低下を抑制することができる。なお、図５（ｂ）では、誘電体部２４０ｂの構成（例えば、誘電体の比抵抗や誘電率等）を領域毎に異ならせていない例を示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、領域毎に、電極密度だけでなく、誘電体の比抵抗や誘電率等も異なるように構成してもよい。
【０１０９】
また、図４（ｂ）及び図５（ｂ）においては、有機ＥＬ表示装置の１つの表示パネルのサイズに対応する静電チャック２４の第１領域全体にわたって同じ電極密度を有する例を示したが、本発明はこれに限定されず、基板Ｓの成膜対象領域に成膜される膜の膜質や膜厚分布の均一性の低下や成膜対象領域上のプラズマの乱れを低減することができる限り、第１領域１０１内の位置に応じて、電極密度を異なるようにしてもよい。すなわち、図４（ｂ）、図５（ａ）、図５（ｂ）に示す例では、静電チャック２４に、基板Ｓの複数のデバイス形成領域（成膜対象領域）に対応する複数の第１領域１０１があり、複数の第１領域１０１に対応する複数の吸着部１４１、１４２等が複数の第１サブ電極部２４１、２４２等によって構成されており、複数の第１サブ電極部２４１、２４２等の各々の電極密度（図４（ｂ）の例では一対の櫛形状の電極４４ａ、４４ｂの各々の櫛歯部間の間隔ｄ１）が異なる第１サブ電極部２４１、２４２等の間で同じであるが、例えば第１サブ電極部２４１の電極密度と第１サブ電極部２４２の電極密度とを異ならせてもよい。また、各第１領域の内部において第１サブ電極部の電極密度は均一である。例えば、図４（ｂ）の例では、吸着部１４１に対応する第１領域１０１内の位置によらず一対の櫛形状の電極４４ａ
、４４ｂの各々の櫛歯部間の間隔はｄ１であるが、例えば第１領域１０１内におけるある位置では櫛歯部間の間隔をｄ１ａとし、別の位置では櫛歯部間の間隔をｄ１ｂとするなど、第１領域１０１内の位置によって第１サブ電極部２４１の電極密度を異ならせてもよい。第２領域１０２に対応する吸着部１４１’、１４２’等を構成する第２サブ電極部２４１’、２４２’等についても同様に第２領域１０２内の位置に応じて電極密度を異ならせてもよい。また、電極密度に限らず、誘電体部の諸特性（厚さ、誘電率、比抵抗等）を第１領域１０１内や第２領域１０２内で位置に応じて異ならせてもよい。
【０１１０】
例えば、静電チャック２４の第１領域１０１に対応する基板Ｓの成膜対象領域内に複数の画素を形成し、又は、いずれかの画素内でＲＧＢのサブ画素を形成するために、オープンマスクやファインメタルマスクが使用される場合、基板Ｓの成膜対象領域内の位置に応じて、オープンマスクやファインメタルマスクの遮断部により成膜が行われない部分と、ファインメタルマスクの開口部に対応して成膜が行われる部分と、の両方が存在し得る。これらの部分の間で、電極密度や誘電体の特性／厚さ等が異なるようにしてもよい。これにより、基板Ｓで成膜が行われる領域とそうでない領域とにより細かく対応させて静電チャック２４の電界による影響を調整することができる。
【０１１１】
本発明は、静電チャック２４の第１領域１０１に設置された第１サブ電極部に印加される電圧と第２領域１０２に設置された第２サブ電極部に印加される電圧とを異なるようにする実施形態と、静電チャック２４の電極部２４０ａの電極密度や誘電体部２４０ｂの諸特性（厚さ、誘電率、比抵抗等）を第１領域１０１と第２領域１０２とで異なるようにする実施形態を組み合わせた構成にしてもよい。
【０１１２】
＜成膜プロセス＞
以下、本実施形態による吸着方法を採用した成膜方法について説明する。
【０１１３】
搬送室１３の搬送ロボット１４によって、真空容器２１内にマスクＭが搬入されて、マスク支持ユニット２３に支持された状態で、成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入され、基板支持ユニット２２の支持部に支持される。
【０１１４】
続いて、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降し、基板Ｓに十分に近接又は接触した後に、静電チャック２４の第１サブ電極部及び第２サブ電極部に第１電圧Ｖ１を印加し、基板Ｓを吸着させる（ｔ＝Ｔ１）。
【０１１５】
静電チャック２４への基板Ｓの吸着が完了した状態で（ｔ＝Ｔ２）、静電チャック２４の第１サブ電極部及び第２サブ電極部に印加される電圧をそれぞれ第２電圧Ｖ２に下げる。
【０１１６】
次いで、静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。基板Ｓが計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０で基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影して、基板ＳとマスクＭの相対的な位置ずれを計測する。
【０１１７】
計測の結果、基板ＳのマスクＭに対する相対的位置ずれが閾値を超えることが判明した場合、静電チャック２４を水平方向（ＸＹθ方向）に移動させることで、静電チャック２４に吸着された状態の基板Ｓを水平方向（ＸＹθ方向）に移動させ、基板ＳをマスクＭに対して、位置調整（アライメント）する。
【０１１８】
アライメント工程の後（ｔ＝Ｔ３）、静電チャック２４の第１サブ電極部及び第２サブ電極部に第３電圧Ｖ３を印加して、マスクＭを基板Ｓ越しに静電チャック２４に吸着させ
る。マスクＭの吸着が完了すると（ｔ＝Ｔ４）、静電チャック２４の第１サブ電極部及び第２サブ電極部に印加される電圧を吸着保持電圧である第４電圧Ｖ４に下げる。
【０１１９】
本発明の一実施形態に係る吸着方法及び成膜方法によると、基板ＳとマスクＭが成膜装置１１の真空容器２１内に搬入されて、真空容器２１内に設置された静電チャック２４により吸着固定されるが、本発明はこれに限定されず、例えば、真空容器２１の外側で、例えば、キャリア（不図示）に設置された静電チャックにより基板ＳとマスクＭが吸着固定された状態で、キャリア全体が真空容器２１内に搬入されてもよい。
【０１２０】
本発明の吸着方法及び成膜方法の一実施形態によると、成膜工程の開始時（ｔ＝Ｔ５）又は少なくとも成膜工程の一部の期間において、静電チャック２４の第１領域１０１に設置された第１サブ電極部に印加される電圧を第４電圧Ｖ４から第５電圧Ｖ５（＜Ｖ４）に下げる。これにより、静電チャック２４の第１サブ電極部による電界が基板Ｓのデバイス形成領域に成膜される膜の膜質や膜厚分布又は基板Ｓのデバイス形成領域上のプラズマ分布に影響を与えることを低減しながらも、第１サブ電極部に第５電圧Ｖ５を印加し、電圧印加をオフにはしないことで、静電チャック２４による基板Ｓに印加される全体的な吸着力が過度に減少して基板Ｓの保持が不安定になることを抑制することができる。
【０１２１】
本発明の吸着方法及び成膜方法の他の実施形態によると、静電チャック２４の第１領域１０１の誘電体部の諸特性（厚さ、誘電率、比抵抗等）及び／又は電極密度が第２領域１０２と異なるように構成することにより、成膜工程の間に、第１サブ電極部及び第２サブ電極部に同じ大きさの電圧が印加されても、第１サブ電極部からの電界が基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に成膜される膜の膜質や膜厚分布又は基板Ｓのデバイス形成領域の近傍のプラズマ分布に影響を与えることを抑制することができる。つまり、このような実施形態においては、静電チャック２４の第１サブ電極部に印加される電圧の制御は、図６（ａ）のパターンに従うのではなく、第２サブ電極部と同様に、図６（ｂ）のパターンに従うことになる。これにより、領域毎に電圧制御を異ならせない単純な電圧制御を行いながらも、第１サブ電極部からの電界が基板Ｓのデバイス形成領域（成膜対象領域）に成膜される膜の膜質や膜厚分布又は基板Ｓのデバイス形成領域の近傍のプラズマ分布に影響を与えることを抑制することができる。
【０１２２】
続いて、加熱蒸発又はスパッタリングによって成膜源２５の成膜材料をマスクＭを介して基板Ｓに成膜する。
【０１２３】
所望の厚さに成膜した後（ｔ＝Ｔ６）、静電チャック２４の第１サブ電極部に印加される電圧を第５電圧Ｖ５から第６電圧Ｖ６に下げ、第２サブ電極に印加される電圧を第４電圧Ｖ４から第６電圧Ｖ６に下げて、マスクＭを先に分離する。
【０１２４】
続いて、静電チャック２４の第１サブ電極部及び第２サブ電極部にゼロ（０）又は吸着時とは逆極性の電圧を印加し、基板Ｓを静電チャック２４から分離する。上述した、基板ＳとマスクＭの分離は、吸着の際と同様に、実施形態によって、真空容器２１内で行われてもよく、その外側で行われてもよい。
【０１２５】
なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向成膜方式（デポアップ）の構成としたが、これに限定はされず、基板Ｓが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｓの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。
【０１２６】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下
、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
【０１２７】
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図７（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図７（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
【０１２８】
図７（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組み合わせにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
【０１２９】
図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【０１３０】
図７（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が１つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されることができる。
【０１３１】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
【０１３２】
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び陽極６４が形成された基板６３を準備する。
【０１３３】
陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【０１３４】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【０１３５】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、静電チャックにてマスクを基板越しに保持し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。
【０１３６】
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。
【０１３７】
電子輸送層６７まで形成された基板を金属材料の成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。この際、金属材料の成膜装置は、加熱蒸発方式の成膜装置であってもよく、スパッタリング方式の成膜装置であってもよい。
【０１３８】
本発明によると、静電チャック２４の第１領域１０１における基板Ｓに対する単位面積当たりの静電引力を、第１領域１０１の間に位置する第２領域１０２における基板Ｓに対する単位面積当たりの静電引力より小さくすることで、基板Ｓの成膜対象領域に対する静電チャック２４の電界の影響を低減することができる。
【０１３９】
その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
【０１４０】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【０１４１】
上記実施形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施形態の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形してもよい。
【符号の説明】
【０１４２】
１１：成膜装置
２１：真空容器
２２：基板支持ユニット
２３：マスク支持ユニット
２４：静電チャック
４１：静電チャックシステム
４２：電圧印加部
４３：電圧制御部
１０１：第１領域
１０２：第２領域
２４０：静電チャックプレート部
２４０ａ：電極部
２４０ｂ：誘電体部
【図１】
2020090721.tif 000003
【図２】
2020090721.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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