(57)【要約】      （修正有）【課題】熱膨張率差のある樹脂絶縁層間での剥離が生じないプリント配線板を提供する。【解決手段】高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆに第１ビア導体６０Ｆを形成すると共に、低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体１６０Ｆ１を形成する。そして、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層１５０Ｆとを貫通するスキップビア導体１６０Ｆ２を形成するため、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆとの界面で剥離が生じない。【選択図】図１
2020080353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に形成された第１導体回路と、
前記絶縁層及び前記第１導体回路上に形成された高熱膨張率又は低熱膨張率の第１樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層上に形成された第２導体回路と、
前記第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続する第１ビア導体と、
前記第１樹脂絶縁層及び前記第２導体回路上に形成された前記第１樹脂絶縁層と反対の熱膨張率の第２樹脂絶縁層と、
前記第２樹脂絶縁層上に形成された第３導体回路と、
前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体回路と前記第３導体回路とを接続する第２ビア導体と、
前記第１樹脂絶縁層及び前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体回路と前記第３導体回路とを接続するスキップビア導体と、を有するプリント配線板。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１樹脂絶縁層が高熱膨張率で、芯材を有さず、
前記第２樹脂絶縁層が低熱膨張率で、芯材を有する。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板であって、
前記第１樹脂絶縁層の熱膨張率が、前記第２樹脂絶縁層の熱膨張率の３倍以上である。
【請求項４】
請求項２のプリント配線板であって、
前記第３導体回路の線幅は、前記第２導体回路の線幅よりも広く、
前記第３導体回路の絶縁間隔は、前記第２導体回路の絶縁間隔よりも広い。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板であって、
前記第３導体回路の線幅は、前記第２導体回路の線幅よりも２倍以上広く、
前記第３導体回路の絶縁間隔は、前記第２導体回路の絶縁間隔よりも２倍以上広い。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記スキップビア導体が主として電源、アース用であり、
前記第１ビア導体、前記第２ビア導体が主として信号用である。
【請求項７】
プリント配線板の製造方法であって、
絶縁層上に第１導体回路を形成することと、
前記絶縁層及び前記第１導体回路上に高熱膨張率の第１樹脂絶縁層を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層を貫通する第１貫通孔を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層上に第２導体回路を形成すると共に、前記第１貫通孔に第１ビア導体を形成することと、
前記第１樹脂絶縁層及び前記第２導体回路上に低熱膨張率の第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記第２樹脂絶縁層を貫通する第２貫通孔と、前記第２樹脂絶縁層及び前記第１樹脂絶縁層を貫通するスキップ貫通孔とを形成することと、
前記第２樹脂絶縁層上に第３導体回路を形成すると共に、前記第２貫通孔に第２ビア導体を、前記スキップ貫通孔にスキップビア導体を形成することと、を有する。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１樹脂絶縁層上に前記第２導体回路を形成すると共に、前記第１貫通孔に前記第１ビア導体を形成することが、
前記第１樹脂絶縁層上及び前記第１ビア用貫通孔に第１シード層を形成することと、
前記第１シード層上に第１めっきレジストパターンを形成することと、
前記第１めっきレジストパターンから露出する前記第１シード層上に第１電解めっき膜を形成することと、
前記第１めっきレジストパターンを剥離し、前記第１電解めっき膜から露出する前記第１シード層を剥離すること、から成り、
前記第２樹脂絶縁層上に前記第３導体回路を形成すると共に、前記第２貫通孔に前記第２ビア導体を、前記スキップ貫通孔に前記スキップビア導体を形成することが、
金属箔の積層された樹脂絶縁層用フィルムを硬化させることで前記第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記金属箔上、前記第２ビア用貫通孔、前記スキップ貫通孔に第２シード層を形成することと、
前記第２シード層上に第２めっきレジストパターンを形成することと、
前記第２めっきレジストパターンから露出する前記第２シード層上に第２電解めっき膜を形成することと、
前記第２めっきレジストパターンを剥離し、前記第２電解めっき膜から露出する前記第２シード層、前記金属箔を剥離すること、から成る。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相対的に低密度の導体層と、該低密度の導体層上に形成された高密度の導体層とを有するプリント配線板、および、プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、低密度のビルドアップ層上に高密度のビルドアップ層が形成されたプリント配線板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１５４８００号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１では、低密度のビルドアップ層上に高密度のビルドアップ層が形成され、配線密度が異なるビルドアップ層が直接配置されている。低密度のビルドアップ層と高密度のビルドアップ層とは熱膨張率が異なり、熱膨張率差から低密度のビルドアップ層と高密度のビルドアップ層との界面で剥離が考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、絶縁層上に形成された第１導体回路と、前記絶縁層及び前記第１導体回路上に形成された高熱膨張率又は低熱膨張率の第１樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層上に形成された第２導体回路と、前記第１樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続する第１ビア導体と、前記第１樹脂絶縁層及び前記第２導体回路上に形成された前記第１樹脂絶縁層と反対の熱膨張率の第２樹脂絶縁層と、前記第２樹脂絶縁層上に形成された第３導体回路と、前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第２導体回路と前記第３導体回路とを接続する第２ビア導体と、前記第１樹脂絶縁層及び前記第２樹脂絶縁層を貫通し、前記第１導体回路と前記第３導体回路とを接続するスキップビア導体と、を有する。
また、本発明に係るプリント配線板の製造方法は、絶縁層上に第１導体回路を形成することと、前記絶縁層及び前記第１導体回路上に高熱膨張率の第１樹脂絶縁層を形成することと、前記第１樹脂絶縁層を貫通する第１貫通孔を形成することと、前記第１樹脂絶縁層上に第２導体回路を形成すると共に、前記第１貫通孔に第１ビア導体を形成することと、前記第１樹脂絶縁層及び前記第２導体回路上に低熱膨張率の第２樹脂絶縁層を形成することと、前記第２樹脂絶縁層を貫通する第２貫通孔と、前記第２樹脂絶縁層及び前記第１樹脂絶縁層を貫通するスキップ貫通孔とを形成することと、前記第２樹脂絶縁層上に第３導体回路を形成すると共に、前記第２貫通孔に第２ビア導体を、前記スキップ貫通孔にスキップビア導体を形成することと、を有する。
【０００６】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態のプリント配線板によれば、高熱膨張率（又は低熱膨張率）の第１樹脂絶縁層に第１ビア導体が形成されていると共に、低熱膨張率（又は高熱膨張率）の第２樹脂絶縁層に第２ビア導体が形成されている。そして、高熱膨張率（又は低熱膨張率）の第１樹脂絶縁層と低熱膨張率（又は高熱膨張率）の第２樹脂絶縁層とを貫通するスキップビア導体が形成されているため、高熱膨張率（又は低熱膨張率）の第１樹脂絶縁層と低熱膨張率（又は高熱膨張率）の第２樹脂絶縁層との界面で剥離が生じない。
【０００７】
本発明の実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層に第１ビア導体が形成されると共に、低熱膨張率の第２樹脂絶縁層に第２ビア導体が形成される。そして、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層と低熱膨張率の第２樹脂絶縁層とを貫通するスキップビア導体が形成されるため、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層と低熱膨張率の第２樹脂絶縁層との界面で剥離が生じない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１（Ａ）は本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１は第１実施形態のプリント配線板１０の断面を示す。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０と、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている上側のビルドアップ層５５Ｆと、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている下側のビルドアップ層５５Ｓと、を有する。
【００１０】
コア基板３０は第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有するコア層２０ｚとコア層２０ｚの第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆとコア層２０ｚの第２面Ｓ上に形成されている第４導体層３４Ｓとを有する。コア層２０ｚの樹脂の例は、エポキシ樹脂やＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂である。コア層２０ｚの補強材（芯材）の例はガラスクロスやアラミド繊維である。コア層２０ｚの無機粒子の例はシリカやアルミナである。コア基板は、さらに、コア層２０ｚを貫通するスルーホール導体３６を有する。第１導体層３４Ｆと第４導体層３４Ｓはスルーホール導体３６を介して接続されている。
【００１１】
上側のビルドアップ層５５Ｆは、コア基板３０の第１面Ｆ上の芯材を有さない第１樹脂絶縁層５０Ｆと、第１樹脂絶縁層５０Ｆ上の芯材を有する第２樹脂絶縁層１５０Ｆと、を有する。第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に第２導体層５８Ｆが形成され、第１導体層３４Ｆと第２導体層５８Ｆとは第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第１ビア導体６０Ｆで接続されている。第２導体層５８Ｆ及び第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に形成されている第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第３導体層１５８Ｆが形成され、第２導体層５８Ｆと第３導体層１５８Ｆとは第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第２ビア導体１６０Ｆ１で接続されている。そして、第１導体層３４Ｆと第３導体層１５８Ｆとを接続する第１スキップビア導体１６０Ｆ２が、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通して配置されている。
【００１２】
下側のビルドアップ層５５Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓ上の芯材を有さない第３樹脂絶縁層５０Ｓと、第３樹脂絶縁層５０Ｓ上の芯材を有する第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、を有する。第３樹脂絶縁層５０Ｓ上に第５導体層５８Ｓが形成され、第４導体層３４Ｓと第５導体層５８Ｓとは第３樹脂絶縁層５０Ｓを貫通する第３ビア導体６０Ｓで接続されている。第５導体層５８Ｓ及び第３樹脂絶縁層５０Ｓ上に形成されている第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第６導体層１５８Ｓが形成され、第５導体層５８Ｓと第６導体層１５８Ｓとは第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通する第４ビア導体１６０Ｓ１で接続されている。そして、第４導体層３４Ｓと第６導体層１５８Ｓとを接続する第２スキップビア導体１６０Ｓ２が、第３樹脂絶縁層５０Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通して配置されている。
【００１３】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第３樹脂絶縁層５０Ｓは、芯材を備えない高熱膨張材料（４０ppm）から構成される。例えばＡＢＦ（Ajinomoto Build-up Film：味の素ファインテクノ株式会社製）を用いることができる。第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第３樹脂絶縁層５０Ｓはそれぞれ、無機繊維を含まず、極小無機フィラーを含有する樹脂から構成される。詳しくは、第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第３樹脂絶縁層５０Ｓは、エポキシ系樹脂と、ポリマー系樹脂と、硬化剤とを含む。第２樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓは、芯材を備える低熱膨張材料（１０ppm）から構成される。例えば、ガラスクロス等の芯材とシリカ等の無機粒子とエポキシ等の樹脂で形成されている。第２樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓは、例えばＧＨＰＬ８３０ＮＳ（三菱ガス化学製）プリプレグに銅箔を積層した銅張り積層板を用いることができる。第１樹脂絶縁層５０Ｆ、第３樹脂絶縁層５０Ｓと、第２樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓとは熱膨張率が３倍以上異なる。
【００１４】
芯材を有するコア層２０ｚ上の第１導体層３４Ｆ、芯材を有する第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上の第３導体層１５８Ｆは、銅箔５２、無電解めっき膜６４、電解めっき膜６６から成る。第１導体層３４Ｆと第３導体層１５８Ｆの厚みは相対的に厚く、線幅、線間絶縁距離が大きい。例えば、線幅が１２μｍで、線間絶縁距離１２μｍである。芯材を有さない第１樹脂絶縁層５０Ｆ上の第２導体層５８Ｆは、無電解めっき膜５４、電解めっき膜５６から成る。第２導体層５８Ｆの厚みは相対的に薄く、線幅、線間絶縁距離が小さい。例えば、線幅が５μｍで、線間絶縁距離５μｍである。第１導体層３４Ｆと第３導体層１５８Ｆの線幅、線間絶縁距離は、第２導体層５８Ｆの線幅、線間絶縁距離の倍以上である。第４導体層３４Ｓは第１導体層３４Ｆと同様に形成されている。第５導体層５８Ｓは第２導体層５８Ｆと同様に形成されている。第６導体層１５８Ｓは第３導体層１５８Ｆと同様に形成されている。
【００１５】
第１実施形態のプリント配線板１０によれば、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層１５０Ｆ、同様に、第３樹脂絶縁層５０Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓの熱膨張率は３倍以上異なる。高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆに第１ビア導体６０Ｆが、第３樹脂絶縁層５０Ｓに第３ビア導体６０Ｓが形成されていると共に、低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体１６０Ｆ１が、第４樹脂絶縁層１５０Ｓに第４ビア導体１６０Ｓ１が形成されている。そして、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆとを貫通する第１スキップビア導体１６０Ｆ２が形成されているため、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆとの界面で剥離が生じない。高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓと低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓとを貫通する第２スキップビア導体１６０Ｓ２が形成されているため、高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓと低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓとの界面で剥離が生じない。
【００１６】
第１実施形態のプリント配線板では、第１ビア導体６０Ｆの径Ｄ１（第１樹脂絶縁層５０Ｆの上面での開口径）よりも第２ビア導体１６０Ｆ１の径Ｄ２（第２樹脂絶縁層１５０Ｆの上面での開口径）が大きい。そして、第２ビア導体１６０Ｆの径Ｄ２よりも第１スキップビア導体１６０Ｆ２の径Ｄ３（第２樹脂絶縁層１５０Ｆの上面での開口径）が大きい。第３ビア導体６０Ｓは第１ビア導体６０Ｆと同様に形成されている。第４ビア導体１６０Ｓ１は第２ビア導体１６０Ｆ１と同様に形成されている。第２スキップビア導体１６０Ｓ２は第１スキップビア導体１６０Ｆ２と同様に形成されている。１層の樹脂絶縁層を貫通する小径の第１ビア導体６０Ｆ、第２ビア導体１６０Ｆ１、第３ビア導体６０Ｓ、第４ビア導体１６０Ｓ１は主に信号の伝送用に用いられる。このため、高密度化が容易である。２層の樹脂絶縁層を貫通する大径の第１スキップビア導体１６０Ｆ２、第２スキップビア導体１６０Ｓ２は、主として電源、アース用に用いられる。径Ｄ３が大きいため、低抵抗化が実現できる。
【００１７】
[第１実施形態の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図２〜図６に示される。
図２（Ａ）に示される第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓを有するコア層２０ｚと、コア層２０ｚの第１面Ｆに形成されている第１導体層３４Ｆと、第２面Ｓに形成されている第４導体層３４Ｓと、コア層２０ｚを貫通するスルーホール導体３６とを有するコア基板３０が準備される。第１導体層３４Ｆや第４導体層３４Ｓは、後述される第３導体層１５８Ｆ、第６導体層１５８Ｓと同様にＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）法で形成される。第１導体層３４Ｆ、第４導体層３４Ｓは、銅箔５２、無電解めっき膜６４、電解めっき膜６６から成る。
【００１８】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に樹脂絶縁層用フィルムが貼られ、コア基板３０の第２面Ｓと第４導体層３４Ｓ上に樹脂絶縁層用フィルムが張られ、熱硬化により第１面Ｆ上に第１樹脂絶縁層５０Ｆが、第２面Ｓ上に第３樹脂絶縁層５０Ｓが形成される（図２（Ｂ））。ＣＯ２ガスレーザにて第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し第１導体層３４Ｆへ至る第１貫通孔５１Ｆが形成される。第３樹脂絶縁層５０Ｓを貫通し第４導体層３４Ｓに至る第３貫通孔５１Ｓが形成される（図２（Ｃ））。
【００１９】
無電解銅めっきにより第１樹脂絶縁層５０Ｆ上と第１貫通孔５１Ｆの内壁上に第１シード層５４が形成される。第３樹脂絶縁層５０Ｓ上と第３貫通孔５１Ｓの内壁上に第１シード層５４が形成される（図３（Ａ））。第１シード層５４上に第１めっきレジストパターン５５が形成される（図３（Ｂ））。電解めっきにより、第１めっきレジストパターン５５から露出する第１シード層５４上に第１電解めっき膜５６が形成される。この時、第１貫通孔５１Ｆ、第３貫通孔５１Ｓは第１電解めっき膜５６で充填される。第１貫通孔５１Ｆに第１導体層３４Ｆに接続する第１ビア導体６０Ｆが形成される。第３貫通孔５１Ｓに第４導体層３４Ｓに接続する第３ビア導体６０Ｓが形成される（図３（Ｃ））。
【００２０】
第１めっきレジストパターン５５が除去される（図４（Ａ））。第１電解めっき膜５６から露出する第１シード層５４が除去される。第２導体層５８Ｆと第５導体層５８ＳがＳＡＰ（Semi Additive Process）で形成される（図４（Ｂ））。第２導体層５８Ｆ、第５導体層５８Ｓは、第１シード層（無電解めっき膜）５４、第１電解めっき膜５６から成る。
【００２１】
第１樹脂絶縁層５０Ｆ及び第２導体層５８Ｆ上に銅箔５２を備えるプリプレグが張られ、第３樹脂絶縁層５０Ｓ及び第５導体層５８Ｓ上に銅箔５２を備えるプリプレグが張られ、熱硬化により第２樹脂絶縁層１５０Ｆ、第４樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される（図４（Ｃ））。ＣＯ２ガスレーザが第２樹脂絶縁層１５０Ｆに照射される。銅箔５２及び第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通し、第２導体層５８Ｆへ至る第２貫通孔１５１Ｆ１が形成される。更に、銅箔５２、第２樹脂絶縁層１５０Ｆ、第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通し、第１導体層３４Ｆへ至る第１スキップビア用貫通孔１５１Ｆ２が形成される。ＣＯ２ガスレーザが第４樹脂絶縁層１５０Ｓに照射される。銅箔５２及び第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通し、第５導体層５８Ｓに至る第４貫通孔１５１Ｓ１が形成される。更に、銅箔５２、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ、第３樹脂絶縁層５０Ｓを貫通し、第４導体層３４Ｓへ至る第２スキップビア用貫通孔１５１Ｓ２が形成される。（図５（Ａ））。
【００２２】
無電解めっき処理により第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上と第２貫通孔１５１Ｆ１及び第１スキップビア用貫通孔１５１Ｆ２の内壁上に第２シード層６４が形成される。第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上と第４貫通孔１５１Ｓ１及び第２スキップビア用貫通孔１５１Ｓ２の内壁上に第２シード層６４が形成される（図５（Ｂ））。第２樹脂絶縁層１５０Ｆと第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２めっきレジストパターン６５が形成される（図６（Ａ））。電解めっきにより、第２めっきレジストパターン６５から露出する第２シード層６４上に第２電解めっき膜６６が形成される。この時、第２貫通孔１５１Ｆ１、第４貫通孔１５１Ｓ１、第１スキップビア用貫通孔１５１Ｆ２、第２スキップビア用貫通孔１５１Ｓ２は第２電解めっき膜６６で充填される。第２貫通孔１５１Ｆ１に第２導体層５８Ｆに接続する第２ビア導体１６０Ｆ１が形成される。第４貫通孔１５１Ｓ１に第５導体層５８Ｓに接続する第４ビア導体１６０Ｓ１が形成される。第１スキップビア用貫通孔１５１Ｆ２に第１導体層３４Ｆに接続する第１スキップビア導体１６０Ｆ２が形成される。第２スキップビア用貫通孔１５１Ｓ２に第４導体層３４Ｓに接続する第２スキップビア導体１６０Ｓ２が形成される（図６（Ｂ））。
【００２３】
第２めっきレジストパターン６５が除去される。第２電解めっき膜６６から露出する第２シード層６４及び銅箔５２が除去される。第３導体層１５８Ｆと第６導体層１５８ＳがＭＳＡＰ（Modified Semi Additive Process）で形成される（図１（Ａ））。第３導体層１５８Ｆと第６導体層１５８Ｓは、銅箔５２、第２シード層６４、第２電解めっき膜６６から成る。
【００２４】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆに第１ビア導体６０Ｆが形成されると共に、低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆに第２ビア導体１６０Ｆ１が形成される。そして、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆとを貫通する第１スキップビア導体１６０Ｆ２が形成されるため、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆとの界面で剥離が生じない。
【００２５】
また、高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓに第３ビア導体６０Ｓが形成されると共に、低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓに第４ビア導体１６０Ｓ１が形成される。そして、第３樹脂絶縁層５０Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓとを貫通する第２スキップビア導体１６０Ｓ２が形成されるため、高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓと低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓとの界面で剥離が生じない。
【００２６】
[第２実施形態]
図１（Ｂ）は第２実施形態のプリント配線板１１０の断面を示す。
プリント配線板１０は、第１面Ｆと第１面Ｆと反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０と、コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている上側のビルドアップ層５５Ｆと、コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている下側のビルドアップ層５５Ｓと、を有する。第２実施形態のコア基板３０は、第１実施形態のコア基板と同様である。
【００２７】
上側のビルドアップ層５５Ｆは、コア基板３０の第１面Ｆ上の芯材を有し低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆと、第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上の芯材を有さず高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと、を有する。第２樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第２導体層５８Ｆが形成され、第１導体層３４Ｆと第２導体層５８Ｆとは第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通する第１ビア導体６０Ｆで接続されている。第１樹脂絶縁層５０Ｆ上に第３導体層１５８Ｆが形成され、第２導体層５８Ｆと第３導体層１５８Ｆとは第１樹脂絶縁層５０Ｆを貫通する第２ビア導体１６０Ｆ１で接続されている。そして、第１導体層３４Ｆと第３導体層１５８Ｆとを接続する第１スキップビア導体１６０Ｆ２が、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層１５０Ｆを貫通して配置されている。
【００２８】
下側のビルドアップ層５５Ｓは、コア基板３０の第２面Ｓ上の芯材を有し低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓと、第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上の芯材を有さず高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓと、を有する。第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第５導体層５８Ｓが形成され、第４導体層３４Ｓと第５導体層５８Ｓとは第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通する第３ビア導体６０Ｓで接続されている。第５導体層５８Ｓ及び第４樹脂絶縁層１５０Ｓ上に形成されている第３樹脂絶縁層５０Ｓ上に第６導体層１５８Ｓが形成され、第５導体層５８Ｓと第６導体層１５８Ｓとは第３樹脂絶縁層５０Ｓを貫通する第４ビア導体１６０Ｓ１で接続されている。そして、第４導体層３４Ｓと第６導体層１５８Ｓとを接続する第２スキップビア導体１６０Ｓ２が、第３樹脂絶縁層５０Ｓと第４樹脂絶縁層１５０Ｓを貫通して配置されている。
【００２９】
第２実施形態のプリント配線板では、低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆに第１ビア導体６０Ｆが、第４樹脂絶縁層１５０Ｓに第３ビア導体６０Ｓが形成されていると共に、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆに第２ビア導体１６０Ｆ１が、第３樹脂絶縁層５０Ｓに第４ビア導体１６０Ｓ１が形成されている。そして、第１樹脂絶縁層５０Ｆと第２樹脂絶縁層１５０Ｆとを貫通する第１スキップビア導体１６０Ｆ２が形成されているため、高熱膨張率の第１樹脂絶縁層５０Ｆと低熱膨張率の第２樹脂絶縁層１５０Ｆとの界面で剥離が生じない。高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓと低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓとを貫通する第２スキップビア導体１６０Ｓ２が形成されているため、高熱膨張率の第３樹脂絶縁層５０Ｓと低熱膨張率の第４樹脂絶縁層１５０Ｓとの界面で剥離が生じない。
【符号の説明】
【００３０】
１０      ：プリント配線板
２０ｚ    ：コア層
３０      ：コア基板
３４Ｆ    ：第１導体層
５０Ｆ    ：第１樹脂絶縁層
５２      ：銅箔
５４      ：第１シード層
５５      ：第１めっきレジストパターン
５６      ：第１電解めっき膜
６４      ：第２シード層
６５      ：第２めっきレジストパターン
６６      ：第２電解めっき膜
１５０Ｆ  ：第２樹脂絶縁層
１５８Ｆ  ：第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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