(57)【要約】      （修正有）【課題】疑似欠陥検出が抑制された検査装置を提供する。【解決手段】パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射する照射源と、パターンから照射により生じる検査画像を取得する検査画像取得回路と、検査画像と第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得する第１の差分信号取得回路と、第１の閾値と第１の差分信号の第１の比較を行う第１の比較回路と、第１の閾値より大きい第２の閾値と第１の差分信号の第２の比較を行う第２の比較回路と、検査画像と第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得する第２の差分信号取得回路と、第１の閾値と第２の差分信号の第３の比較を行う第３の比較回路と、検査画像が欠陥及び疑似欠陥を有するか否かを判断する判断回路と、を備える。【選択図】図７
2020085757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射する照射源と、
前記パターンから前記照射により生じる検査画像を取得する検査画像取得回路と、
前記検査画像と、前記検査画像の参照となる第１の参照画像と、を用いて、前記検査画像と前記第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得する第１の差分信号取得回路と、
第１の閾値と前記第１の差分信号の第１の比較を行う第１の比較回路と、
前記第１の比較において、前記第１の差分信号が前記第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、前記第１の閾値より大きい第２の閾値と前記第１の差分信号の第２の比較を行う第２の比較回路と、
前記第２の比較において、前記第１の差分信号が前記第２の閾値より小さい第２の信号を有する場合には、前記第２の信号を所定の欠陥カテゴリごとに分類を行う欠陥カテゴリ分類回路と、
前記分類が行われた前記第２の信号の個数が前記所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、前記第２の信号の個数が前記欠陥個数閾値より大きい前記所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行い、前記分類が行われた前記第２の信号の個数が前記所定の欠陥カテゴリごとに設けられた前記欠陥個数閾値より大きくない場合には検査を終了するパラメータ調整回路と、
前記調整が行われた前記補正パラメータを用いて第２の参照画像を生成する参照画像生成回路と、
前記検査画像と、前記第２の参照画像と、を用いて、前記検査画像と前記第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得する第２の差分信号取得回路と、
前記第１の閾値と前記第２の差分信号の第３の比較を行う第３の比較回路と、
前記第１の比較において、前記第１の差分信号が前記第１の信号を有しない場合には、前記検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、前記第２の比較において、前記第１の差分信号が前記第２の信号を有しない場合には、前記検査画像は前記疑似欠陥を有しないと判断し、前記第３の比較において、前記第２の差分信号が前記第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には前記検査画像は前記欠陥を有するものと判断し、前記第３の比較において、前記第２の差分信号が前記第３の信号を有しない場合には前記検査画像は前記欠陥を有しないものと判断する判断回路と、
を備える検査装置。
【請求項２】
前記第１の差分信号が前記第１の閾値より大きい場合には、さらに前記検査画像、前記第１の参照画像及び前記第１の差分信号を保存する画像保存部をさらに備える請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記第１の参照画像は前記パターンの設計データと前記補正パラメータから生成された画像である請求項１又は請求項２記載の検査装置。
【請求項４】
前記第１の参照画像は前記欠陥を有しない前記パターンから生じた画像である請求項１又は請求項２記載の検査装置。
【請求項５】
パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射し、
前記パターンから前記照射により生じる検査画像を取得し、
前記検査画像と、前記検査画像の参照となる第１の参照画像と、を用いて、前記検査画像と前記第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得し、
第１の閾値と前記第１の差分信号の第１の比較を行い、
前記第１の比較において、前記第１の差分信号が前記第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、前記第１の閾値より大きい第２の閾値と前記第１の差分信号の第２の比較を行い、
前記第２の比較において、前記第１の差分信号が前記第２の閾値より小さい第２の信号を有する場合には、前記第２の信号を所定の欠陥カテゴリごとに分類を行い、
前記分類が行われた前記第２の信号の個数が前記所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、前記第２の信号の個数が前記欠陥個数閾値より大きい前記所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行い、
前記分類が行われた前記第２の信号の個数が前記所定の欠陥カテゴリごとに設けられた前記欠陥個数閾値より大きくない場合には検査を終了し、
前記調整が行われた前記補正パラメータを用いて第２の参照画像を生成し、
前記検査画像と、前記第２の参照画像と、を用いて、前記検査画像と前記第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得し、
前記第１の閾値と前記第２の差分信号の第３の比較を行い、
前記第１の比較において、前記第１の差分信号が前記第１の信号を有しない場合には、前記検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、
前記第２の比較において、前記第１の差分信号が前記第２の信号を有しない場合には、前記検査画像は前記疑似欠陥を有しないと判断し、
前記第３の比較において、前記第２の差分信号が前記第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には前記検査画像は前記欠陥を有するものと判断し、
前記第３の比較において、前記第２の差分信号が前記第３の信号を有しない場合には前記検査画像は前記欠陥を有しないものと判断する、
検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査装置及び検査方法に関する。例えば、電子線によるマルチビームを照射して放出されるパターンの２次電子画像を取得してパターンを検査する検査装置及び検査方法に関する。
【０００２】
近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する）を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。
【０００３】
そして、多大な製造コストのかかるＬＳＩの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、１ギガビット級のＤＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）に代表されるように、ＬＳＩを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになっている。近年、半導体ウェハ上に形成されるＬＳＩパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。よって、半導体ウェハ上に転写された超微細パターンの欠陥を検査する検査装置の高精度化が必要とされている。その他、歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。このため、ＬＳＩ製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査する検査装置の高精度化が必要とされている。
【０００４】
検査手法としては、拡大光学系を用いて半導体ウェハ等のウェハやリソグラフィマスク等のマスクといった試料の上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「ｄｉｅ  ｔｏ  ｄｉｅ（ダイ−ダイ）検査」や、パターン設計されたＣＡＤデータをマスクにパターン描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ（設計パターンデータ）を検査装置に入力して、これをベースに設計画像データ（参照画像）を生成して、この設計データと、パターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「ｄｉｅ  ｔｏ  ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ−データベース）検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、検査対象基板はステージ（試料台）上に載置され、ステージが動くことによって光束が試料上を走査し、検査が行われる。検査対象基板には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。検査対象基板を透過あるいは反射した光は光学系を介して、センサ上に結像される。センサで撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、一致しない場合には、パターン欠陥有りと判定する。
【０００５】
上述した検査装置では、レーザ光を検査対象基板に照射して、この透過像或いは反射像を撮像することにより、光学画像を取得する。これに対して、直線上に同一ピッチで配列されるビーム列が複数列並ぶようなアレイ配列の複数の電子ビームで構成されるマルチビームを検査対象基板に照射して、検査対象基板から放出される各ビームに対応する２次電子を検出して、パターン像を取得する検査装置の開発も進んでいる。かかるマルチビームを含む電子ビームを用いた検査装置では、検査対象基板の小領域毎に走査して２次電子を検出する。
【０００６】
特許文献１には、画像データから擬似欠陥を検出しない第１の閾値を算出し、第１の閾値の最小値に対応する画像データを参照画像データとして選択する。そして、選択された参照画像データと他の画像データを比較し、比較結果に基づいて他の画像データごとに疑似欠陥を検出しない第２の閾値を算出する。そして、第２の閾値と参照画像データに基づいて検査条件情報を設定することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１１８８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、疑似欠陥検出が抑制された検査装置及び検査方法を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様の検査装置は、パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射する照射源と、パターンから照射により生じる検査画像を取得する検査画像取得回路と、検査画像と、検査画像の参照となる第１の参照画像と、を用いて、検査画像と第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得する第１の差分信号取得回路と、第１の閾値と第１の差分信号の第１の比較を行う第１の比較回路と、第１の比較において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、第１の閾値より大きい第２の閾値と第１の差分信号の第２の比較を行う第２の比較回路と、第２の比較において、第１の差分信号が第２の閾値より小さい第２の信号を有する場合には、第２の信号を所定の欠陥カテゴリごとに分類を行う欠陥カテゴリ分類回路と、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、第２の信号の個数が欠陥個数閾値より大きい所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行い、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きくない場合には検査を終了するパラメータ調整回路と、調整が行われた補正パラメータを用いて第２の参照画像を生成する参照画像生成回路と、検査画像と、第２の参照画像と、を用いて、検査画像と第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得する第２の差分信号取得回路と、第１の閾値と第２の差分信号の第３の比較を行う第３の比較回路と、第１の比較において、第１の差分信号が第１の信号を有しない場合には、検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、第２の比較において、第１の差分信号が第２の信号を有しない場合には、検査画像は疑似欠陥を有しないと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には検査画像は欠陥を有するものと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第３の信号を有しない場合には検査画像は欠陥を有しないものと判断する判断回路と、を備える。
【００１０】
上述の検査装置において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい場合には、さらに検査画像、第１の参照画像及び第１の差分信号を保存する画像保存部をさらに備えることが好ましい。
【００１１】
上述の検査装置において、第１の参照画像はパターンの設計データと補正パラメータから生成された画像であることが好ましい。
【００１２】
上述の検査装置において、第１の参照画像は欠陥を有しないパターンから生じた画像であることが好ましい。
【００１３】
本発明の一態様の検査方法は、パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射し、パターンから照射により生じる検査画像を取得し、検査画像と、検査画像の参照となる第１の参照画像と、を用いて、検査画像と第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得し、第１の閾値と第１の差分信号の第１の比較を行い、第１の比較において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、第１の閾値より大きい第２の閾値と第１の差分信号の第２の比較を行い、第２の比較において、第１の差分信号が第２の閾値より小さい第２の信号を有する場合には、第２の信号を所定の欠陥カテゴリごとに分類を行い、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、第２の信号の個数が欠陥個数閾値より大きい所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行い、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きくない場合には検査を終了し、調整が行われた補正パラメータを用いて第２の参照画像を生成し、検査画像と、第２の参照画像と、を用いて、検査画像と第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得し、第１の閾値と第２の差分信号の第３の比較を行い、第１の比較において、第１の差分信号が第１の信号を有しない場合には、検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、第２の比較において、第１の差分信号が第２の信号を有しない場合には、検査画像は疑似欠陥を有しないと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には検査画像は欠陥を有するものと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第３の信号を有しない場合には検査画像は欠陥を有しないものと判断する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様によれば、疑似欠陥検出が抑制された検査装置及び検査方法の提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態の検査装置の模式構成図である。
【図２】第１の実施形態の成形アパーチャアレイ部材の構成を示す概念図である。
【図３】第１の実施形態の検査装置内のビームの軌道を説明するための図である。
【図４】第１の実施形態におけるウェハ上のパターンの検査画像を取得する方法を示す模式図である。
【図５】第１の実施形態におけるビームスキャン領域（検査画像取得領域）での、複数の電子ビームの照射のされ方を示す模式図である。
【図６】第１の実施形態の検査方法のフローチャートである。
【図７】第１の実施形態における、第１の差分信号と、第１の閾値及び第２の閾値の関係を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
（実施形態）
本実施形態の検査装置は、パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射する照射源と、パターンから照射により生じる検査画像を取得する検査画像取得回路と、検査画像と、検査画像の参照となる第１の参照画像と、を用いて、検査画像と第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得する第１の差分信号取得回路と、第１の閾値と第１の差分信号の第１の比較を行う第１の比較回路と、第１の比較において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、第１の閾値より大きい第２の閾値と第１の差分信号の第２の比較を行う第２の比較回路と、第２の比較において、第１の差分信号が第２の閾値より小さい第２の信号を有する場合には、第２の信号を所定の欠陥カテゴリごとに分類を行う欠陥カテゴリ分類回路と、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、第２の信号の個数が欠陥個数閾値より大きい所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行い、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きくない場合には検査を終了するパラメータ調整回路と、調整が行われた補正パラメータを用いて第２の参照画像を生成する参照画像生成回路と、検査画像と、第２の参照画像と、を用いて、検査画像と第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得する第２の差分信号取得回路と、第１の閾値と第２の差分信号の第３の比較を行う第３の比較回路と、第１の比較において、第１の差分信号が第１の信号を有しない場合には、検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、第２の比較において、第１の差分信号が第２の信号を有しない場合には、検査画像は疑似欠陥を有しないと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には検査画像は欠陥を有するものと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第３の信号を有しない場合には検査画像は欠陥を有しないものと判断する判断回路と、を備える。
【００１８】
本実施形態の検査方法は、パターンを有する試料に照明光又は電子線を照射し、パターンから照射により生じる検査画像を取得し、検査画像と、検査画像の参照となる第１の参照画像と、を用いて、検査画像と第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得し、第１の閾値と第１の差分信号の第１の比較を行い、第１の比較において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、第１の閾値より大きい第２の閾値と第１の差分信号の第２の比較を行い、第２の比較において、第１の差分信号が第２の閾値より小さい第２の信号を有する場合には、第２の信号を所定の欠陥カテゴリごとに分類を行い、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、第２の信号の個数が欠陥個数閾値より大きい所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行い、分類が行われた第２の信号の個数が所定の欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きくない場合には検査を終了し、調整が行われた補正パラメータを用いて第２の参照画像を生成し、検査画像と、第２の参照画像と、を用いて、検査画像と第２の参照画像の差分となる第２の差分信号を取得し、第１の閾値と第２の差分信号の第３の比較を行い、第１の比較において、第１の差分信号が第１の信号を有しない場合には、検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、第２の比較において、第１の差分信号が第２の信号を有しない場合には、検査画像は疑似欠陥を有しないと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には検査画像は欠陥を有するものと判断し、第３の比較において、第２の差分信号が第３の信号を有しない場合には検査画像は欠陥を有しないものと判断する。
【００１９】
そして、第１の参照画像はパターンの設計データと補正パラメータから生成された画像である。
【００２０】
本実施形態の検査装置及び検査方法は、ｄｉｅ  ｔｏ  ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ−データベース）検査装置及びｄｉｅ  ｔｏ  ｄａｔａｂａｓｅ（ダイ−データベース）検査方法である。
【００２１】
また、本実施形態の検査装置及び検査方法は、試料に電子線を照射する検査装置及び検査方法である。
【００２２】
図１は、本実施形態における検査装置の構成を示す構成図である。図１において、基板に形成されたパターンを検査する検査装置１００は、荷電粒子ビーム検査装置の一例である。電子ビームは、荷電粒子ビームの一例である。検査装置１００は、電子光学画像取得機構（画像取得機構）１５５、及び制御系回路１６０（制御部）を備えている。電子光学画像取得機構１５５は、電子ビームカラム１０２（電子鏡筒）、検査室１０３、検出回路１０６、ストライプパターンメモリ１２３、駆動機構１２７、及びレーザ測長システム１２２を備えている。電子ビームカラム１０２内には、電子銃（照射源）２０１、照明レンズ２０２、成形アパーチャアレイ基板２０３、縮小レンズ２０５、制限アパーチャ基板２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８、副偏向器２０９、一括ブランキング偏向器２１２、ビームセパレーター２１４、投影レンズ２２４、２２６、偏向器２２８、及びマルチ検出器２２２が配置されている。
【００２３】
検査室１０３内には、少なくともＸＹ平面上を移動可能なＸＹステージ（試料台）１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、検査対象となるチップパターンが形成された基板（試料）１０１が配置される。基板１０１には、露光用マスクやシリコンウェハ等の半導体基板が含まれる。基板１０１は、例えば、パターン形成面を上側に向けてＸＹステージ１０５に配置される。また、ＸＹステージ１０５上には、検査室１０３の外部に配置されたレーザ測長システム１２２から照射されるレーザ測長用のレーザ光を反射するミラー２１６が配置されている。マルチ検出器２２２は、電子ビームカラム１０２の外部で検出回路１０６に接続される。検出回路１０６は、ストライプパターンメモリ１２３に接続される。
【００２４】
制御系回路１６０では、コンピュータとなる制御計算機１１０が、バス１２０を介して、位置回路１０７、展開回路１１１、ステージ制御回路１１４、レンズ制御回路１２４、ブランキング制御回路１２６、偏向制御回路１２８、画像保存部１３２、検査画像取得回路１３８、第１の差分信号取得回路１３９、第１の比較回路１４０、第２の比較回路１４１、欠陥カテゴリ分類回路１４２、補正パラメータ調整回路１４３、参照画像生成回路１４４、第２の差分信号取得回路１４５、第３の比較回路１４６、判断回路１４７、閾値保存部１４８、補正パラメータ保存部１４９、欠陥個数閾値保存部１５０、磁気ディスク装置等の設計データ保存部１０９、モニタ１１７、メモリ１１８、プリンタ１１９、に接続されている。また、ストライプパターンメモリ１２３は、検査画像取得回路１３８に接続されている。また、ＸＹステージ１０５は、ステージ制御回路１１４の制御の下に駆動機構１２７により駆動される。駆動機構１２７では、例えば、Ｘ方向、Ｙ方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ−Ｙ−θ）モータの様な駆動系が構成され、ＸＹステージ１０５が移動可能となっている。これらの、図示しないＸモータ、Ｙモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることが出来る。ＸＹステージ１０５は、ＸＹθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能である。そして、ＸＹステージ１０５の移動位置はレーザ測長システム１２２により測定され、位置回路１０７に供給される。レーザ測長システム１２２は、ミラー２１６からの反射光を受光することによって、レーザ干渉法の原理でＸＹステージ１０５の位置を測長する。
【００２５】
電子銃２０１には、図示しない高圧電源回路が接続され、電子銃２０１内の図示しないフィラメントと引出電極間への高圧電源回路からの加速電圧の印加と共に、所定の引出電極の電圧の印加と所定の温度のカソード（フィラメント）の加熱によって、カソードから放出された電子群が加速させられ、電子ビームとなって放出される。照明レンズ２０２、縮小レンズ２０５、対物レンズ２０７、及び投影レンズ２２４，２２６は、例えば電磁レンズが用いられ、共にレンズ制御回路１２４によって制御される。また、ビームセパレーター２１４もレンズ制御回路１２４によって制御される。一括ブランキング偏向器２１２、及び偏向器２２８は、それぞれ少なくとも２極の電極群により構成され、ブランキング制御回路１２６によって制御される。主偏向器２０８、及び副偏向器２０９は、それぞれ少なくとも４極の電極群により構成され、偏向制御回路１２８によって制御される。
【００２６】
基板１０１が複数のチップ（ダイ）パターンが形成された半導体ウェハである場合には、かかるチップ（ダイ）パターンのパターンデータが検査装置１００の外部から入力され、設計データ保存部１０９に格納される。基板１０１が露光用マスクである場合には、かかる露光用マスクにマスクパターンを形成する基になる設計パターンデータが検査装置１００の外部から入力され、設計データ保存部１０９に格納される。
【００２７】
ここで、図１では、本実施形態を説明する上で必要な構成を記載している。検査装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。
【００２８】
図２は、本実施形態における成形アパーチャアレイ部材の構成を示す概念図である。図２において、成形アパーチャアレイ基板２０３には、２次元状（行列状）の横（Ｘ方向）Ｎ列×縦（ｙ方向）Ｎ’段（Ｎは２以上の整数、Ｎ’は１以上の整数）の穴（開口部）２２がｘ，ｙ方向（ｘ：第１の方向、ｙ：第２の方向）に所定の配列ピッチＬで形成されている。なお、マルチビームの縮小倍率がａ倍（マルチビーム径を１／ａに縮小して基板１０１に照射する場合）、基板１０１上でのｘ，ｙ方向に対するマルチビームのビーム間ピッチをｐとする場合、配列ピッチＬは、Ｌ＝（ａ×ｐ）の関係となる。図２の例では、Ｎ＝５、Ｎ’＝５の５×５本のマルチビーム形成用の穴２２が形成される場合を示している。次に検査装置１００における電子光学画像取得機構１５５の動作について説明する。
【００２９】
図３は、本実施形態における検査装置内のビームの軌道を説明するための図である。電子銃（放出源）２０１から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２によりほぼ垂直に成形アパーチャアレイ基板２０３全体を照明する。成形アパーチャアレイ基板２０３には、図２に示すように、矩形の複数の穴（開口部）２２が形成され、電子ビーム２００は、すべての複数の穴２２が含まれる領域を照明する。複数の穴２２の位置に照射された電子ビーム２００の各一部が、かかる成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２をそれぞれ通過することによって、例えば矩形或いは円形の複数の電子ビーム（マルチビーム、複数の電子ビーム）２０ａ〜２０ｄ（図１及び図３の実線）が形成される。
【００３０】
形成されたマルチビーム２０ａ〜２０ｄは、この後、クロスオーバー（Ｃ．Ｏ．）を形成し、マルチビーム２０のクロスオーバー位置に配置されたビームセパレーター２１４を通過した後、縮小レンズ２０５によって縮小され、制限アパーチャ基板２０６に形成された中心の穴に向かって進む。ここで、成形アパーチャアレイ基板２０３と縮小レンズ２０５との間に配置された一括ブランキング偏向器２１２によって、マルチビーム２０ａ〜２０ｄ全体が一括して偏向された場合には、この偏向されたマルチビーム２０ａ〜２０ｄ全体は制限アパーチャ基板２０６の中心の穴から位置が外れ、制限アパーチャ基板２０６によって遮蔽される。一方、一括ブランキング偏向器２１２によって偏向されなかったマルチビーム２０ａ〜２０ｄ全体は、図１に示すように制限アパーチャ基板２０６の中心の穴を通過する。かかる一括ブランキング偏向器２１２のＯＮ／ＯＦＦによって、ブランキング制御が行われ、ビームのＯＮ／ＯＦＦが一括制御される。このように、制限アパーチャ基板２０６は、一括ブランキング偏向器２１２によってビームＯＦＦの状態になるように偏向されたマルチビーム２０ａ〜２０ｄ全体を遮蔽する。そして、ビームＯＮになってからビームＯＦＦになるまでに形成された、制限アパーチャ基板２０６を通過したビーム群により、マルチビーム２０ａ〜２０ｄが形成される。制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０ａ〜２０ｄは、対物レンズ２０７により焦点が合わされ、所望の縮小率のパターン像（ビーム径）となり、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって、制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチビーム２０全体が同方向に一括して偏向され、各ビームの基板１０１上のそれぞれの照射位置に照射される。かかる場合に、主偏向器２０８によって、各ビームが走査する後述する単位検査領域の基準位置をそれぞれ照射するようにマルチビーム２０全体を一括偏向すると共に、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、トラッキング偏向を行う。そして、副偏向器２０９によって、各ビームがそれぞれ対応する単位検査領域内のＮ×Ｎ’個のサブ領域を走査するようにマルチビーム２０全体を一括偏向する。一度に照射されるマルチビーム２０は、理想的には成形アパーチャアレイ基板２０３の複数の穴２２の配列ピッチＬ（＝ａｐ）に上述した所望の縮小率（１／ａ）を乗じたピッチで並ぶことになる。このように、電子ビームカラム１０２は、一度に２次元状のＮ×Ｎ’本のマルチビーム２０を基板１０１に照射する。基板１０１の所望する位置にマルチビーム２０が照射されたことに起因して基板１０１からマルチビーム２０の各ビームに対応する２次電子の束（マルチ２次電子３００）（図１及び図３の点線）が放出される。
【００３１】
基板１０１から放出されたマルチ２次電子３００は、対物レンズ２０７によって、マルチ２次電子３００の中心側に屈折させられ、制限アパーチャ基板２０６に形成された中心の穴に向かって進む。制限アパーチャ基板２０６を通過したマルチ２次電子３００は、縮小レンズ２０５によって光軸とほぼ平行に屈折させられ、ビームセパレーター２１４に進む。
【００３２】
ここで、ビームセパレーター２１４はマルチビーム２０が進む方向（光軸）に直交する面上において電界と磁界を直交する方向に発生させる。電界は電子の進行方向に関わりなく同じ方向に力を及ぼす。これに対して、磁界はフレミング左手の法則に従って力を及ぼす。このため電子の侵入方向によって電子に作用する力の向きを変化させることが出来る。ビームセパレーター２１４に上側から侵入してくるマルチビーム２０（１次電子ビーム）には、電界による力と磁界による力が打ち消し合い、マルチビーム２０は下方に直進する。これに対して、ビームセパレーター２１４に下側から侵入してくるマルチ２次電子３００には、電界による力と磁界による力がどちらも同じ方向に働き、マルチ２次電子３００は斜め上方に曲げられる。
【００３３】
斜め上方に曲げられたマルチ２次電子３００は、投影レンズ２２４、２２６によって、屈折させられながらマルチ検出器２２２に投影される。マルチ検出器２２２は、投影されたマルチ２次電子３００を検出する。マルチ検出器２２２は、図示しないダイオード型の２次元センサを有する。そして、マルチビーム２０の各ビームに対応するダイオード型の２次元センサ位置において、マルチ２次電子３００の各２次電子がダイオード型の２次元センサに衝突して、電子を発生し、２次電子画像データを後述する画素毎に生成する。マルチ検出器２２２がマルチ２次電子３００を検出しない場合には、偏向器２２８でマルチ２次電子３００をブランキング偏向することで受光面にマルチ２次電子３００を到達させないようにすればよい。
【００３４】
図４は、本実施形態におけるウェハ上のパターンの検査画像を取得する方法を示す模式図である。
【００３５】
図４（ａ）は、ウェハＷ上に複数のショットＳが形成されていることを示す模式図である。それぞれのショットＳ内に、検査装置１００の検査対象となるパターンが形成されている。それぞれのショットＳは、例えばマスクを用いた１回の露光により形成されているが、複数回の露光により形成されていても良い。
【００３６】
図４（ｂ）は、検査ダイＤ内における、マルチビーム２０のスキャンのされ方を示す模式図である。図４（ｂ）においては、検査終了領域Ｚ、検査ストライプＵ、ビームスキャン領域（検査画像取得領域）Ｔ及び検査開始領域Ｒが、それぞれ示されている。
【００３７】
図４（ｃ）は、検査ストライプＵ内におけるウェハＷの移動について示す模式図である。ビームスキャン領域Ｔを横切るように、検査ストライプＵ（ウェハＷ）を移動させる。
【００３８】
図５は、本実施形態におけるビームスキャン領域Ｔ（検査画像取得領域）での、複数の電子ビーム（マルチビーム２０）の照射のされ方を示す模式図である。なお、成形アパーチャアレイ基板２０３（図２）に３×３＝９本のマルチビーム形成用の穴２２が形成されているものとして説明をする。
【００３９】
パターンの検査を行う際には、検査対象となる検査ダイＤをマルチビーム２０によりスキャンする。マルチビーム２０は、検査ダイＤ内のビームスキャン領域（検査画像取得領域）Ｔに照射されている。このときに、ウェハＷを、例えばＸ方向と反対の方向に、ビームスキャン領域Ｔを横切るように移動させる（図４（ｃ）参照）。ウェハＷの移動と共にマルチビーム２０をＹ方向及びＹ方向と反対の方向に移動させることにより、ビームスキャン領域Ｔ全体をスキャン（走査）し、ビームスキャン領域Ｔの検査画像を取得する。
【００４０】
上述の作業をおこなうことにより、検査ストライプＵ内の検査画像の取得を行う。検査ストライプＵ内の検査が終了したら、ウェハＷをＹ方向に検査ストライプＵのＹ方向の長さ分だけ移動させ、ウェハＷをＸ方向に移動させてさらに検査画像を取得する。これを、ビームスキャン領域Ｔが、検査開始領域から検査終了領域を横切るまで続けて、検査ダイＤ内全体の検査画像を取得する。
【００４１】
なお、図４（ｂ）においては、検査ダイＤとショットＳの大きさは等しいものとされているが、例えばショットＳの中に検査ダイＤが複数個形成されていても良い。
【００４２】
図６は、本実施形態の検査方法のフローチャートである。
【００４３】
まず、ＸＹステージ１０５上に、検査対象である、パターンが形成されたウェハＷ（基板１０１）を載置する。
【００４４】
次に、制御計算機１１０は、参照画像生成回路１４４を用いて、上述の設計データと補正パラメータから、後述する検査画像の参照となる第１の参照画像を生成する（Ｓ１０１）。ここで、設計データは、設計データ保存部１０９に保存されている。また、補正パラメータは、補正パラメータ保存部１４９に保存されている。そこで、制御計算機１１０は、設計データ保存部１０９から設計データを読み出し、展開回路１１１を用いて設計データを展開する。また、制御計算機１１０は、補正パラメータ保存部１４９から補正パラメータを読み出す。そして、制御計算機１１０は、参照画像生成回路１４４を用いて、補正パラメータと、展開された設計データと、から第１の参照画像を生成する。
【００４５】
本実施形態の第１の参照画像の生成においては、検査するパターンの形状又は特性の違いにより、異なる第１の参照画像が生成されるようにしている。一例を挙げて説明をすると、ラインアンドスペースパターンの場合は、基板１０１面内でラインが延びている方向に垂直な方向におけるラインのずれは、そのラインがつながっている限り大きな問題は生じにくいため、欠陥として検出しなくても良い。このため、第１の参照画像の生成においては、ラインが延びている方向に垂直な方向におけるラインのずれを平均化処理等することにより、検出しなくても良い疑似欠陥の検出が行われてオペレータの欠陥レビューの負荷が増加しないようにしている。補正パラメータとは、設計データから参照画像を作成する際に用いられる、パターンの形状又は特性の違いにより変化するパラメータである。なお、補正パラメータは、例えば補正パラメータ保存部１４９に保存されている。
【００４６】
次に、制御計算機１１０は、電子銃２０１を用いて、パターンを有する試料（ウェハＷ（基板１０１））に電子線を照射する（Ｓ１０３）。
【００４７】
次に、制御計算機１１０は、検査画像取得回路１３８を用いて、パターンから生じる検査画像を取得する（Ｓ１０５）。
【００４８】
次に、制御計算機１１０は、第１の差分信号取得回路１３９を用いて、検査画像と第１の参照画像から、検査画像と第１の参照画像の差分となる第１の差分信号を取得する（Ｓ１０７）。
【００４９】
次に、制御計算機１１０は、第１の比較回路１４０を用いて、第１の閾値と第１の差分信号との第１の比較を行う（Ｓ１０９）。ここで第１の閾値は、例えば閾値保存部１４８に保存されている。
【００５０】
第１の比較において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい第１の信号を有しない場合、制御計算機１１０は、判断回路１４７を用いて、検査画像は欠陥及び疑似欠陥を有しないと判断し、検査を終了する（Ｓ１１１、Ｓ１１３）。一方、第１の比較において、第１の差分信号が第１の閾値より大きい第１の信号を有する場合には、制御計算機１１０は、第２の比較回路１４１を用いて、第１の閾値より大きい第２の閾値と第１の差分信号との第２の比較を行う（Ｓ１１１、Ｓ１１５）。
【００５１】
なお、第１の差分信号が第１の閾値より大きい場合は、検査画像、第１の参照画像及び第１の差分信号を、例えば画像保存部１３２に保存して、検査に役立てても良い。
【００５２】
第２の比較において、第１の差分信号が第２の閾値より大きい第２の信号を有しない場合、制御計算機１１０は、判断回路１４７を用いて、検査画像は疑似欠陥を有しないと判断し、言い換えると、検出された欠陥はすべて真の欠陥である判断し、検査を終了する（Ｓ１１７、Ｓ１１９）。
【００５３】
一方、第２の比較において、第１の差分信号が第２の閾値より大きい第２の信号を有する場合には、制御計算機１１０は、欠陥カテゴリ分類回路１４２を用いて、所定の欠陥カテゴリごとに第２の信号の分類を行う（Ｓ１１７、Ｓ１２１）。
【００５４】
図７は、本実施形態における、第１の差分信号と、第１の閾値及び第２の閾値の関係を示す模式図である。横軸は、各検査ストライプＵ内の座標に相当する。縦軸は、反応値（第１の差分信号）の強度を示している。本来は、第１の閾値（欠陥検出閾値、ＴＨ１）を用いて欠陥の検出を行うものである。しかし、疑似欠陥が多い場合、第１の閾値より大きい第１の差分信号（第１の信号）が多数検出されてしまうため、どの信号が真の欠陥でどの信号が疑似欠陥なのかを判別する上で、オペレータ等に大きな負荷がかかることとなる。そこで、本実施形態では、第１の閾値より大きな第２の閾値を導入している。そして、第２の閾値より大きな第１の差分信号であれば、これは十分に大きいため、疑似欠陥ではなく真の欠陥による信号と考える。
【００５５】
一方、第２の閾値より小さな第２の信号については、上述のとおり、所定の欠陥カテゴリごとに分類を行う。ここで、「所定の欠陥カテゴリ」としては、例えば、プロセスに起因する欠陥カテゴリ（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｍｏｄｅｌ）、電子ビーム照射に起因する欠陥カテゴリ（ＳＥＭ  Ｍｏｄｅｌ）が考えられる。
【００５６】
プロセスに起因する欠陥カテゴリとしては、例えば、「コーナー丸め」による欠陥カテゴリ、「寸法バイアス」による欠陥カテゴリ、「ライン幅縮退」による欠陥カテゴリが挙げられる。
【００５７】
「コーナー丸め」による欠陥カテゴリとは、露光してレジストの現像を行った際に、たとえ設計データ上は角張ったパターンであっても、露光する波長のボケや、レジストに含まれる高分子の主鎖の長さの関係のため、角が丸くなることにより生じる欠陥のカテゴリである。
【００５８】
「寸法バイアス」による欠陥カテゴリとは、例えば、露光された部分が現像液に対して溶解するポジ型レジストの場合、露光時間が長過ぎると溶解する部分が大きくなり過ぎてしまうため、寸法が設計値とずれてしまうことにより生じる欠陥のカテゴリである。
【００５９】
「ライン端縮退」による欠陥カテゴリとは、露光されたレジストの現像を行った際に、ラインパターンの端が設計値と比較して縮むことにより生じる欠陥のカテゴリである。
【００６０】
なお、このほかのプロセスに起因する欠陥カテゴリとしては、例えば、同じパターンであったとしても、そのパターンが孤立して１個だけ設けられている場合と、そのパターンが連続して数多く設けられている（パターン密度が高い）場合では、出来上がりの寸法のずれ方が異なることに伴う欠陥のカテゴリがある。
【００６１】
電子ビーム照射に起因する欠陥カテゴリとしては、例えば、「コントラストによる欠陥カテゴリ」、「ビーム径に伴う欠陥カテゴリ」、「Ｃｈａｒｇｅ効果による欠陥カテゴリ」が挙げられる。
【００６２】
「コントラストによる欠陥カテゴリ」とは、例えば、電子ビームを照射した場所により電子ビームの強度が異なってしまっていた場合に、それぞれの場所に応じてレジストの露光のされ方が異なることにより生じる欠陥のカテゴリである。
【００６３】
「ビーム径に伴う欠陥カテゴリ」とは、想定よりも電子ビームのビーム径が大きくなっていた、又は小さくなっていたために、レジストの露光のされ方が異なることにより生じる欠陥のカテゴリである。
【００６４】
「Ｃｈａｒｇｅ効果による欠陥カテゴリ」とは、電子ビームを同じ場所に当てすぎたためその場所が帯電してしまったために生じる欠陥のカテゴリである。
【００６５】
次に、上述の分類が行われた後の、それぞれの欠陥カテゴリの第２の信号の個数が、それぞれの欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きい場合には、制御計算機１１０は、補正パラメータ調整回路１４３を用いて、第２の信号の個数が欠陥個数閾値より大きい所定の欠陥カテゴリに対応する補正パラメータの調整を行う（Ｓ１２３、Ｓ１２７）。調整された補正パラメータは、例えば補正パラメータ保存部１４９に保存される。逆に、上述の分類が行われた後の、それぞれの欠陥カテゴリの第２の信号の個数が、それぞれの欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きくない場合には、検査を終了する（Ｓ１２３）。
【００６６】
言い換えると、上述の「コーナー丸め」による欠陥カテゴリ、「寸法バイアス」による欠陥カテゴリ、「ライン幅縮退」による欠陥カテゴリ、「コントラストによる欠陥カテゴリ」「ビーム径に伴う欠陥カテゴリ」、「Ｃｈａｒｇｅ効果による欠陥カテゴリ」ごとに、例えばそれぞれ欠陥個数閾値ＣＮＴ１、ＣＮＴ２、ＣＮＴ３、ＣＮＴ４、ＣＮＴ５及びＣＮＴ６を設定する。次に、欠陥カテゴリごとに、第２の信号の個数と、それぞれの欠陥個数閾値を比較する。次に第２の信号の個数が欠陥個数閾値より大きい欠陥カテゴリについては、その欠陥カテゴリに起因する疑似欠陥が少なくなる参照画像が生成されるように、補正パラメータを調整する。なお欠陥個数閾値は、例えば欠陥個数閾値保存部１５０に保存されているものとする。
【００６７】
一方、上述の分類が行われた後の、それぞれの欠陥カテゴリの第２の信号の個数が、それぞれの欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値より大きくない場合、第１の参照画像は、すでに疑似欠陥がある程度少なくなるように十分に調整されているということである。この場合には、本実施形態の検査を終了しても良い。また、例えば個々の第２の信号が疑似欠陥かあるいは真の欠陥かという点について検査をおこなっても良い。
【００６８】
次に、制御計算機１１０は、参照画像生成回路１４４を用いて、調整が行われた補正パラメータから、第２の参照画像を生成する（Ｓ１２９）。
【００６９】
次に、制御計算機１１０は、第２の差分信号取得回路１４５を用いて、検査画像と第２の参照画像から、検査画像と第２の参照画像との差分となる第２の差分信号を取得する（Ｓ１３１）。
【００７０】
次に、制御計算機１１０は、第２の比較回路１４１を用いて、第１の閾値と第２の差分信号との第３の比較を行う（Ｓ１３３）。言い換えると、第２の差分画像は、その欠陥カテゴリに起因する疑似欠陥が少なくなるように調整されたものであるから、ここでは第２の閾値より小さい第１の閾値を用いて、真の欠陥を検出しようとしている。
【００７１】
そして、制御計算機１１０は、判断回路１４７を用いて、第２の差分信号が第１の閾値より大きい第３の信号を有する場合には、検査画像は欠陥を有するものとする（Ｓ１３５、Ｓ１３９）。一方。第２の差分信号が第１の閾値より大きい第３の信号を有しない場合には、検査画像は欠陥を有しないものとする（Ｓ１３５、Ｓ１３７）。
【００７２】
参照画像を作成する際には、検査するパターンの形状をあらかじめ考慮して検出される疑似欠陥の数が少なくなるように、補正パラメータを調整して参照画像を作成する。しかし、例えばラインアンドスペースのパターンが多いものと予想して参照画像を作成していたにも関わらず、検査をしてみたらホールパターンが多かった、という場合には、参照画像の作り込みが十分でなかったため、検出される疑似欠陥の数が多くなってしまったということが生じうる。
【００７３】
そこで、本実施形態の検査装置及び検査方法では、第１の閾値より大きく第２の閾値より小さい信号について、欠陥カテゴリごとに分類を行う。そして、それぞれの欠陥カテゴリごとに設けられた欠陥個数閾値と信号の数を比較し、所定の欠陥カテゴリに属する信号の数が多過ぎる場合には、適宜補正パラメータを調整して、その欠陥カテゴリに関する疑似欠陥が検出されにくくなるように参照画像をつくりなおす。これにより、疑似欠陥検出が抑制された検査装置及び検査方法の提供が可能となるものである。
【００７４】
特に電子線を用いた検査の場合は、検査画像にノイズが多く、欠陥を検出しようと思っても、参照画像の作り込みの程度が十分でない場合、検出される疑似欠陥の個数が１０００個や１００００個といったように大変多くなってしまう。さらに、ウェハの検査を行う場合には、下層にデバイスパターンがあるためそのデバイスパターンからどのような２次電子が生じるかを予想することが難しい。このため、本実施形態のように参照画像をつくりなおす検査装置及び検査方法は好ましいものである。
【００７５】
本実施形態によれば、疑似欠陥検出が抑制された検査装置及び検査方法の提供が可能となる。
【００７６】
（第２の実施形態）
本実施形態の検査装置及び検査方法では、第１の参照画像は欠陥を有しないパターンから生じた画像である点で、第１の実施形態と異なっている。すなわち、本実施形態の検査装置及び検査方法は、「ｄｉｅ  ｔｏ  ｄｉｅ（ダイ−ダイ）検査装置」及び「ｄｉｅ  ｔｏ  ｄｉｅ（ダイ−ダイ）検査方法」である。ここで、第１の実施形態と重複する点については、記載を省略する。
【００７７】
ｄｉｅ  ｔｏ  ｄｉｅ（ダイ−ダイ）検査であっても、疑似欠陥の検出が抑制されるように参照画像を生成する（つくりなおす）ことは有用である。
【００７８】
本実施形態によれば、疑似欠陥検出が抑制された検査装置及び検査方法の提供が可能となる。
【００７９】
以上の説明において、一連の「〜回路」は、処理回路を含み、この処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いてもよい。或いは、異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。プロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、或いはＲＯＭ（リードオンリメモリ）等の記録媒体に記録されればよい。また、「〜記憶部」、「〜保存部」又は記憶装置は、たとえば磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）などの記録媒体を含む。
【００８０】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。上述の実施形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。
【００８１】
例えば、上述の実施形態では、ウェハＷ上に形成されたパターンの検査を例にあげて説明をおこなったが、マスク上に形成されたパターンの検査であっても好ましく説明をすることが出来る。
【００８２】
また、上述の実施形態では、電子線を照射する照射源を用いた検査装置及び検査方法に基づいて説明を行ったが、照明光を照射する照射源を用いた場合であっても好ましく検査を行う事が出来ることは勿論である。
【００８３】
実施形態では、検査装置及び検査方法の構成やその製造方法等、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる検査装置及び検査方法の構成を適宜選択して用いることが出来る。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての検査装置及び検査方法は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲によって定義されるものである。
【符号の説明】
【００８４】
２０  マルチビーム
２２  穴
２７  領域
２８，３６  画素
３０，３３０  検査領域
３１  走査領域
３２  ストライプ領域
３３  トラッキング領域
３４  照射領域
３５  フレーム領域
５０，５２  記憶装置
５６  分割部
５８  位置合わせ部
６０  比較部
１００  検査装置
１０１  基板
１０２  電子ビームカラム
１０３  検査室
１０５  ＸＹステージ（試料台）
１０６  検出回路
１０７  位置回路
１０９  設計データ保存部
１１０  制御計算機
１１１  展開回路
１１４  ステージ制御回路
１１７  モニタ
１１８  メモリ
１１９  プリンタ
１２２  レーザ測長システム
１２０  バス
１２３  ストライプパターンメモリ
１２４  レンズ制御回路
１２６  ブランキング制御回路
１２７  駆動機構
１２８  偏向制御回路
１３２  画像保存部
１３８  検査画像取得回路
１３９  第１の差分信号取得回路
１４０  第１の比較回路
１４１  第２の比較回路
１４２  欠陥カテゴリ分類回路
１４３  補正パラメータ調整回路
１４４  参照画像生成回路
１４５  第２の差分信号取得回路
１４６  第３の比較回路
１４７  判断回路
１４８  閾値保存部
１４９  補正パラメータ保存部
１５０  欠陥個数閾値保存部
１５５  光学画像取得部
１６０  制御系回路
２００  電子ビーム
２０１  電子銃（照射源）
２０２  照明レンズ
２０３  成形アパーチャアレイ基板
２０５  縮小レンズ
２０６  制限アパーチャ基板
２０７  対物レンズ
２０８  主偏向器
２０９  副偏向器
２１２  一括ブランキング偏向器
２１４  ビームセパレーター
２１６  ミラー
２２２  マルチ検出器
２２４，２２６  投影レンズ
２２８  偏向器
３００  マルチ２次電子
３３２  チップ
Ｗ      ウェハ
Ｓ      ショット
Ｄ      検査ダイ
Ｚ      検査終了領域
Ｕ      検査ストライプ
Ｔ      ビームスキャン領域（検査画像取得領域）
Ｒ      検査開始領域
【図１】
2020085757.tif 000003
【図２】
2020085757.tif 000004
【図３】
2020085757.tif 000005
【図４】
2020085757.tif 000006
【図５】
2020085757.tif 000007
【図６】
2020085757.tif 000008
【図７】
2020085757.tif 000009