(57)【要約】【課題】配線ユニットに形成された間隔の狭い電極と、樹脂基板に形成された間隔の広い電極と、の両方に半導体チップをバンプで接合させること。【解決手段】樹脂基板と、第１半導体チップ及び第２半導体チップと、前記樹脂基板の上面に設けられ、第１配線と前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層と、前記樹脂基板の上面に埋め込まれ、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記複数の第１電極よりも狭い間隔で配置されて前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有し、前記複数の第２電極の上面が前記複数の第１電極の上面よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置する配線ユニットと、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第１電極とを接合する第１バンプと、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第２電極とを接合する、前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプと、を備える半導体装置。【選択図】図１
2020113613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板と、
第１半導体チップ及び第２半導体チップと、
前記樹脂基板の上面に設けられ、第１配線と前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層と、
前記樹脂基板の上面に埋め込まれ、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記複数の第１電極よりも狭い間隔で配置されて前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有し、前記複数の第２電極の上面が前記複数の第１電極の上面よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置する配線ユニットと、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第１電極とを接合する第１バンプと、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第２電極とを接合する、前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプと、を備える半導体装置。
【請求項２】
前記配線ユニットは、基板と、前記基板上に設けられ、前記第２配線及び前記複数の第２電極が設けられた第２配線層と、を備える、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板は、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板、有機基板、又は金属基板である、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線ユニットの前記複数の第２電極が設けられた面に設けられ、前記複数の第２電極を露出する開口を有する絶縁膜を備える、請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記樹脂基板を上面から下面に貫通し、前記第１配線層の前記第１配線に接続された貫通ビアを備える、請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記樹脂基板の下面に前記第１配線層及び前記配線ユニットと重なって設けられ、前記貫通ビアに接続された第３配線と前記第３配線に接続された複数の第３電極とを有する第３配線層を備える、請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
第１半導体チップと第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有する配線ユニットを準備する工程と、
前記配線ユニットが樹脂基板の上面に埋め込まれ且つ前記複数の第２電極が前記樹脂基板の上面から離れて位置する前記樹脂基板を形成する工程と、
第１配線と前記複数の第２電極よりも広い間隔で配置されて前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層を、前記複数の第２電極が前記複数の第１電極よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置するように前記樹脂基板の上面に形成する工程と、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを第１バンプによって前記複数の第１電極に接合する工程と、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプによって前記複数の第２電極に接合する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記配線ユニットを準備する工程は、ウエハ状の基板上に前記第２配線及び前記複数の第２電極が設けられた複数の第２配線層を形成する工程と、前記基板を切断して前記複数の第２配線層を個片化することで前記配線ユニットを形成する工程と、を備える、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂基板を形成する工程は、粘着シートに前記配線ユニットの前記複数の第２電極が形成された面を押し付けて固定する工程と、前記配線ユニットを埋め込むように前記粘着シート上にモールド樹脂を塗布して硬化させた後に前記粘着シートを剥離して前記配線ユニットが埋め込まれた前記樹脂基板を形成する工程と、を備える、請求項７または８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の第１電極又は前記複数の第２電極に前記第１バンプ及び前記第２バンプのうちの一方のバンプを形成する工程と、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップに前記第１バンプ及び前記第２バンプのうちの他方のバンプを形成する工程と、を備え、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記複数の第１電極に接合する工程及び前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記複数の第２電極に接合する工程は、前記一方のバンプを形成する工程及び前記他方のバンプを形成する工程を行った後、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記第１バンプ及び前記第２バンプによって前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極に同時に接合する、請求項７から９のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップ間の接続及び半導体チップと外部回路との接続を、微細配線が形成された半導体基板（例えばシリコンインターポーザ）を介して行う技術が知られている。また、複数の半導体チップ間を接続する配線を有する半導体基板が、半導体チップを外部回路に接続する配線が設けられた樹脂基板に埋め込まれた半導体装置が知られている（例えば、特許文献１）。これにより、複数の半導体チップ間を接続する半導体基板を小さくすることができ、部品コストを低く抑えることができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１１４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の半導体装置では、樹脂基板に形成された電極の上面と、樹脂基板に埋め込まれた半導体基板（配線ユニット）に形成された電極の上面と、が同一面になっている。この場合、配線ユニットに形成された電極の間隔が樹脂基板に形成された電極の間隔よりも狭い場合では、樹脂基板に形成された電極と配線ユニットに形成された電極との両方に半導体チップをバンプで接合させることが難しい。
【０００５】
１つの側面では、配線ユニットに形成された間隔の狭い電極と、樹脂基板に形成された間隔の広い電極と、の両方に半導体チップをバンプで接合させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの態様では、樹脂基板と、第１半導体チップ及び第２半導体チップと、前記樹脂基板の上面に設けられ、第１配線と前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層と、前記樹脂基板の上面に埋め込まれ、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記複数の第１電極よりも狭い間隔で配置されて前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有し、前記複数の第２電極の上面が前記複数の第１電極の上面よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置する配線ユニットと、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第１電極とを接合する第１バンプと、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第２電極とを接合する、前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプと、を備える半導体装置である。
【０００７】
１つの態様では、第１半導体チップと第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有する配線ユニットを準備する工程と、前記配線ユニットが樹脂基板の上面に埋め込まれ且つ前記複数の第２電極が前記樹脂基板の上面から離れて位置する前記樹脂基板を形成する工程と、第１配線と前記複数の第２電極よりも広い間隔で配置されて前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層を、前記複数の第２電極が前記複数の第１電極よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置するように前記樹脂基板の上面に形成する工程と、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを第１バンプによって前記複数の第１電極に接合する工程と、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプによって前記複数の第２電極に接合する工程と、を備える半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
１つの側面として、配線ユニットに形成された間隔の狭い電極と、樹脂基板に形成された間隔の広い電極と、の両方に半導体チップをバンプで接合させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ａの拡大図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｃ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図（その４）である。
【図６】図６は、比較例１に係る半導体装置の断面図である。
【図７】図７は、課題を説明するための図である。
【図８】図８は、実施例１の変形例１に係る半導体装置の断面図である。
【図９】図９（ａ）は、実施例２に係る半導体装置の断面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）の領域Ａの拡大図である。
【図１０】図１０は、実施例３に係る半導体装置の断面図である。
【図１１】図１１は、実施例４に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１（ａ）は、実施例１に係る半導体装置の断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）の領域Ａの拡大図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、実施例１の半導体装置１００は、樹脂基板１０の上面１２に配線ユニット２０が埋め込まれている。樹脂基板１０は、例えば熱硬化性樹脂で形成されていて、フィラーを含有していてもよい。一例として、樹脂基板１０は、シリカフィラーを含有するエポキシ樹脂で形成されていてもよい。なお、樹脂基板１０は、熱可塑性樹脂で形成されていてもよい。
【００１２】
配線ユニット２０は、基板２２と、基板２２上に設けられた配線層２４と、を含む。基板２２の厚さは、例えば０．３ｍｍ〜０．６ｍｍ程度である。配線層２４の厚さは、例えば５μｍ〜２０μｍ程度である。基板２２は、例えばガラス基板、シリコンなどの半導体基板、セラミックス基板、樹脂などの有機材料で形成された有機基板、或いは銅又はステンレスなどの金属で形成された金属基板である。配線層２４は、絶縁膜２６と、絶縁膜２６に設けられた配線２８と、絶縁膜２６の上面に設けられ、配線２８に接して電気的に接続された電極３０と、を含む。絶縁膜２６は、例えば酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜などの無機絶縁膜である。配線２８及び電極３０は、例えば銅又はアルミニウムなどの金属で形成されている。配線２８のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば５μｍ／５μｍ以下であり、高密度化の点からは２μｍ／２μｍ以下が好ましい。電極３０は、例えば上面視で１辺の長さが５０μｍ以下の矩形形状をしているが、直径が５０μｍ以下の円形形状など、その他の大きさ及び形状であってもよい。
【００１３】
配線ユニット２０は、例えば樹脂基板１０に基板２２が埋め込まれていて、配線層２４は樹脂基板１０の上面１２よりも上側に位置している。基板２２は、例えば厚さの７０％以上が樹脂基板１０に埋め込まれていてもよいし、８０％以上が埋め込まれていてもよいし、９０％以上が埋め込まれていてもよい。基板２２は、配線層２４の電極３０が樹脂基板１０の上面１２からある程度離れて位置するように、樹脂基板１０に埋め込まれている部分が基板２２の厚さの９５％以下である場合でもよいし、９０％以下である場合でもよいし、８５％以下である場合でもよい。
【００１４】
樹脂基板１０の上面１２に配線層４０が設けられている。配線層４０は、配線ユニット２０の周囲に設けられている。配線層４０は、配線ユニット２０に接して設けられていてもよいし、配線ユニット２０から離れて設けられていてもよい。配線層４０は、配線ユニット２０の周りを完全に囲むようにして設けられていてもよい。
【００１５】
配線層４０は、絶縁膜４２と、絶縁膜４２に設けられた配線４４と、配線４４に接して電気的に接続された電極４６と、を含む。配線層４０の上面に絶縁膜５０が設けられている。絶縁膜５０は、例えば樹脂絶縁膜である感光性エポキシ樹脂膜、感光性ポリイミド膜、又は一般的なソルダーレジスト膜である。絶縁膜５０は、電極４６を露出する開口が設けられている。なお、電極４６は、例えば配線４４のうちの絶縁膜５０の開口から露出する部分であってもよい。電極４６は、例えば上面視で直径が１００μｍ以上の円形形状をしているが、１辺の長さが１００μｍ以上の矩形形状など、その他の大きさ及び形状であってもよい。絶縁膜４２は、例えば樹脂膜などの有機絶縁膜である。配線４４は、例えば銅又はアルミニウムなどの金属で形成されている。電極４６は、例えば銅又はアルミニウムなどの金属で形成されていて、表面にニッケル及び金などの金属層が設けられていてもよい。表面に設けられた金属層はめっきで形成されていてもよい。配線４４のＬ／Ｓは、配線ユニット２０の配線２８のＬ／Ｓよりも大きく、例えば２０μｍ／２０μｍ程度である。配線４４のＬ／Ｓが大きいのは、樹脂基板１０の耐熱性などの点から、無機絶縁膜に配線を形成する際に用いる半導体プロセスを適用することが難しいためである。
【００１６】
配線ユニット２０の電極３０の上面は、配線層４０の電極４６の上面よりも樹脂基板１０の上面１２から離れている。電極３０の上面の樹脂基板１０の上面１２からの距離Ｌ１は、例えば３０μｍ〜７０μｍ程度である。電極４６の上面の樹脂基板１０の上面１２からの距離Ｌ２は、例えば１５μｍ〜３０μｍ程度である。
【００１７】
半導体チップ６０及び６２が、樹脂基板１０上にフリップチップ実装されている。半導体チップ６０及び６２は、バンプ６４によって、配線層４０の電極４６に接合されている。また、半導体チップ６０及び６２は、バンプ６４よりも小さな形状のバンプ６６によって、配線ユニット２０の電極３０に接合されている。バンプ６６は、樹脂基板１０の上面１２に垂直な方向及び平行な方向の両方でバンプ６４よりも小さな形状をしている。半導体チップ６０及び６２と配線ユニット２０の電極３０との間隔は、例えば半導体チップ６０及び６２と配線層４０の電極４６との間隔の１／２以下となっている。バンプ６４及び６６は、例えば半田バンプである。半導体チップ６０及び６２は、例えばＬＳＩ（Large-scale Integrated Circuit）チップである。例えば、半導体チップ６０及び６２の一方はＣＰＵ（Central Processing Unit）で、他方はメモリであってもよい。
【００１８】
図２（ａ）から図５（ｂ）は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示す図である。図２（ａ）のように、ウエハ状の基板２２上に、絶縁膜２６と配線２８（図２（ａ）では不図示）と電極３０を含む複数の配線層２４を形成する。配線層２４の形成は、一般的に知られている半導体プロセスを用いることができる。例えば、絶縁膜２６は、スパッタリング法又は化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成することができる。配線２８及び電極３０は、例えばスパッタリング法及びエッチング法、又は、真空蒸着法及びリフトオフ法、などを用いて形成することができる。配線層２４を形成した後、例えばダイシングソーを用いてウエハ状の基板２２を切削して、複数の配線層２４を個片化してチップ化する。これにより、図２（ｂ）のように、基板２２上に、絶縁膜２６と、絶縁膜２６に設けられた配線２８と、配線２８に接して電気的に接続された電極３０と、を含む配線層２４が設けられた配線ユニット２０が形成される。
【００１９】
図３（ａ）のように、ウエハ状の支持基板９０上に、粘着シート９２を貼り付ける。支持基板９０は、例えばガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板、又は金属基板などを用いることができる。ウエハ状の支持基板９０は、例えば厚さが０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度、直径が１００ｍｍ〜２００ｍｍ程度である。粘着シート９２は、加熱により発泡する熱発泡型粘着層を有していてもよいし、紫外線が照射されることで発泡する紫外線発泡型粘着層を有していてもよい。粘着シート９２は、例えばベース基材となるフィルム９６の一方の面に支持基板９０に粘着する感圧型粘着層である粘着層９４が設けられ、他方の面に熱発泡型粘着層又は紫外線発泡型粘着層である粘着層９８が設けられた積層構造をしていてもよい。フィルム９６の厚さは例えば２０μｍ〜１００μｍ程度、粘着層９４の厚さは例えば５μｍ〜１０μｍ程度、粘着層９８の厚さは例えば２０μｍ〜１００μｍ程度である。
【００２０】
図３（ｂ）のように、図２（ｂ）で作製した配線ユニット２０を、電極３０が形成されている上面が粘着層９８に接するように例えばフリップチップボンダー又はチップマウンターなどを用いて、粘着シート９２に押し付けて固定する。このとき、配線ユニット２０を粘着シート９２に押し付ける荷重を適切な大きさとすることで、配線ユニット２０を構成する基板２２の一部まで粘着層９８に埋め込まれるようにすることが好ましい。また、配線ユニット２０が粘着層９８に埋め込まれる量は粘着層９８の厚さにも依存することから、粘着層９８の厚さを２０μｍ〜１００μｍ程度の適切な厚さにすることが好ましい。
【００２１】
図３（ｃ）のように、粘着シート９２上に、液状又は顆粒状のモールド樹脂を塗布し、その後、成形用の金型を用いて板状に熱で仮硬化させ、上面１２（図３（ｃ）では下側を向いた面）に配線ユニット２０が埋め込まれた樹脂基板１０を形成する。このときに、上述した配線ユニット２０を粘着シート９２に押し付ける荷重及び／又は粘着層９８の厚さを調整することに加え又はこれらに代えて、熱硬化時での収縮量の大きなモールド樹脂を用いてもよい。これにより、後述する完全硬化後において、樹脂基板１０の上面１２からの配線ユニット２０の電極３０の突出量が適切な大きさになるようにする。例えば、完全硬化後において、樹脂基板１０の上面１２から配線ユニット２０の電極３０の上面までの距離を３０μｍ〜７０μｍ程度となるようにする。なお、熱硬化時の収縮量の大きなモールド樹脂は、収縮量の大きい樹脂材料、或いは、モールド樹脂に含まれるフィラーの種類及び／又は含有量を調整することなどで得ることができる。例えば、シリカフィラーを含有するエポキシ樹脂をモールド樹脂に用いる場合、シリカフィラーの含有量を減らすことで熱硬化時の収縮量を大きくすることができる。シリカフィラーの含有量は、８５重量％以下が好ましく、８０重量％以下がより好ましく、７５重量％以下が更に好ましい。
【００２２】
図３（ｄ）のように、粘着層９８が熱発泡性粘着層である場合、粘着層９８に熱を加えることで、樹脂基板１０から粘着シート９２及び支持基板９０を剥離する。粘着層９８が紫外線発泡型粘着層である場合、粘着層９８に紫外線を照射することで、樹脂基板１０から粘着シート９２及び支持基板９０を剥離する。その後、仮硬化より高い温度で樹脂基板１０を完全硬化させる。これにより、樹脂基板１０の上面１２に、上面１２から突出して配線ユニット２０が埋め込まれた構造が得られる。すなわち、配線ユニット２０の電極３０が、樹脂基板１０の上面１２から離れて設けられた構造が得られる。
【００２３】
図４（ａ）のように、樹脂基板１０の上面１２の配線ユニット２０が埋め込まれた領域以外の領域に、配線層４０を形成する。配線層４０の形成は、一般的に知られている製造方法を用いることができる。例えば、樹脂基板１０の上面１２に、感光性エポキシ樹脂、感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂、又は感光性ポリイミド樹脂などの感光性樹脂を塗布して露光、現像、及び硬化などを行って絶縁膜４２を形成する。次いで、絶縁膜４２上にシード層を形成した後、配線４４が形成される領域に開口を有するレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクに電気めっきを行って配線４４を形成する。次いで、レジスト膜及びレジスト膜の下に残存するシード層をウエットエッチング及び／又はドライエッチングで除去する。次いで、配線４４を覆う絶縁膜４２を形成する。次いで、絶縁膜４２のうちの電極４６を形成する領域をウエットエッチング法又はドライエッチング法で除去して開口を形成する。又は、感光性樹脂を塗布して露光、現像、及び硬化などを行って開口部を有する絶縁膜４２を形成する。次いで、絶縁膜４２上に開口の側面に沿うようにシード層を形成した後、絶縁膜４２上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をマスクに電気めっきを行って絶縁膜４２の開口内に電極４６を形成する。次いで、レジスト膜及びレジスト膜の下に残存するシード層をウエットエッチング及び／又はドライエッチングで除去する。
【００２４】
更に必要に応じて、図４（ｂ）のように、配線層４０上に、電極４６上に開口を有する絶縁膜５０を形成する。絶縁膜５０を形成した後、絶縁膜５０の開口で露出している電極４６の表面にニッケルと金のめっき処理を施してもよい。
【００２５】
図４（ｃ）のように、絶縁膜５０の開口で露出している電極４６に、例えば半田からなるバンプ６４を形成する。バンプ６４は、レジスト膜を用いてはんだめっきを行うことで形成してもよいし、半田ペーストを印刷してリフローすることで形成してもよいし、半田ボールを搭載することで形成してもよい。これにより、例えば直径が８０μｍ以上で同等の大きさの半田ボールからなる複数のバンプ６４が形成される。バンプ６４を形成した後、ウエハ状の樹脂基板１０を個片化してチップ化する。
【００２６】
図５（ａ）のように、半導体チップ６０及び６２の電極面に、例えば半田からなるバンプ６６を形成する。バンプ６６は、レジスト膜を用いてはんだめっきを行うことで形成することが好ましい。これにより、例えば直径が６０μｍ以下で同等の大きさの半田ボールからなる複数のバンプ６６が形成される。
【００２７】
図５（ｂ）のように、半導体チップ６０及び６２を、バンプ６４及び６６を用いて、樹脂基板１０にフリップチップ実装する。バンプ６４は、半導体チップ６０及び６２の電極面と配線層４０の電極４６とを接合し、バンプ６６は、半導体チップ６０及び６２の電極面と配線ユニット２０の電極３０とを接合する。その後、必要に応じて、半導体チップ６０及び６２と配線ユニット２０及び配線層４０との間にアンダーフィル材を充填してもよい。
【００２８】
ここで、発明者が行った実施例１の半導体装置１００の製造方法について説明する。まず、ウエハ状のシリコン基板からなる基板２２上に、絶縁膜２６と、Ｌ／Ｓが１μｍ／１μｍの配線２８と、１辺が５０μｍの矩形形状をした電極３０と、を有する複数の配線層２４を形成した。その後、ダイシングソーを用いてウエハ状の基板２２を切削し、複数の配線層２４を個片化して配線ユニット２０を形成した。
【００２９】
次いで、直径が１５０ｍｍで、厚さが１ｍｍのガラス基板からなるウエハ状の支持基板９０上に、粘着シート９２を貼り付けた。粘着シート９２は、厚さが５μｍの粘着層９４と、厚さが５０μｍのフィルム９６と、厚さが７０μｍの熱発泡型粘着層からなる粘着層９８と、の３層構造とした。次いで、配線ユニット２０を、電極３０が形成されている上面が粘着層９８に接するようにフリップチップボンダーを用いて粘着シート９２に押し付けて固定した。次いで、粘着シート９２上にシリカフィラーを８５重量％で含有するエポキシ樹脂からなる液状のモールド樹脂を塗布し、成形用の金型を用いて１５０℃で板状に熱硬化させた。これにより、直径が１５０ｍｍで、厚さが０．８ｍｍのウエハ状の樹脂基板１０が形成された。
【００３０】
次いで、粘着層９８に１８０℃の熱を加えて、樹脂基板１０を粘着シート９２及び支持基板９０から剥離した。その後、ウエハ状の樹脂基板１０を２００℃、１時間の熱処理を行って完全硬化させた。これにより、樹脂基板１０の上面１２に配線ユニット２０が埋め込まれ、配線ユニット２０の電極３０の上面が樹脂基板１０の上面１２から５５μｍ離れて位置した構造が得られた。
【００３１】
次いで、ウエハ状の樹脂基板１０の上面１２の配線ユニット２０が埋め込まれた領域も含めてスピンコート法を用いて感光性エポキシワニスを塗布し、プリベーク後にガラスマスクを介して露光及び現像、硬化などを行って、厚さ５μｍの絶縁膜４２を形成した。この時、配線ユニット２０が埋め込まれた領域は、現像時に絶縁膜４２を除去した。次いで、スパッタリング法を用いて、絶縁膜４２上に厚さ０．１μｍのチタン層と厚さ０．３μｍの銅層を成膜してシード層を形成した。次いで、シード層上に、配線４４が形成される領域に開口を有するフォトレジスト膜を形成した。フォトレジスト膜をマスクとした電気めっき法によって、シード層上に銅層を形成した。次いで、フォトレジスト膜を除去した後、フォトレジスト膜の下に残存していたシード層をウエットエッチングとドライエッチングを用いて除去して配線４４を形成した。配線４４のＬ／Ｓは２０μｍ／２０μｍとした。
【００３２】
次いで、感光性エポキシワニスを用いて、絶縁膜４２のうちの電極４６を形成する領域を現像時に除去して開口し、配線４４を覆う硬化後の厚さ５μｍの絶縁膜４２を形成した。次いで、絶縁膜４２上に開口の側面を覆うようにチタン層と銅層からなるシード層を形成した。次いで、絶縁膜４２上にフォトレジスト膜を形成し、フォトレジスト膜をマスクとした電気めっき法によって、シード層上に銅層を形成した。次いで、フォトレジスト膜を除去した後、フォトレジスト膜の下に残存していたシード層をウエットエッチングとドライエッチングを用いて除去して電極４６を形成した。
【００３３】
次いで、配線層４０上に、電極４６上に直径１００μｍの開口を有する絶縁膜５０を形成した。その後、絶縁膜５０の開口で露出する電極４６の表面にニッケルと金のめっき処理を施した。次いで、絶縁膜５０の開口で露出する電極４６の上面に、半田ペーストを印刷してリフローすることで、直径が１００μｍの半田ボールであるバンプ６４を形成した。その後、ウエハ状の樹脂基板１０を個片化してチップ化した。
【００３４】
予めウエハ状態でレジスト膜を用いてはんだめっきを行うことで、個片化した時の半導体チップ６０及び６２の電極面に直径が５０μｍの半田ボールからなるバンプ６６を形成した。そして、フリップチップボンダーを用い、半導体チップ６０及び６２を、配線層４０の電極４６にバンプ６４で接合させ、配線ユニット２０の電極３０にバンプ６６で接合させて、樹脂基板１０にフリップチップ実装した。最後に、半導体チップ６０及び６２と配線ユニット２０及び配線層４０との隙間にアンダーフィル材を充填した。
【００３５】
ここで、比較例の半導体装置について説明する。図６は、比較例１に係る半導体装置の断面図である。比較例１の半導体装置８００では、シリコン基板を用いて形成され、貫通電極８１２を有するインターポーザ８１０に複数の半導体チップ８２０〜８２４がバンプ８３０によってフリップチップ実装されている。半導体チップ８２０〜８２４は、インターポーザ８１０に形成された配線８１４によって互いに電気的に接続している。インターポーザ８１０は、バンプ８３２によってプリント基板８４０の上面に実装されている。プリント基板８４０の下面にはバンプ８３４が設けられている。
【００３６】
比較例１では、複数の半導体チップ８２０〜８２４がインターポーザ８１０に実装されている。インターポーザ８１０は、プリント基板８４０に比べて高密度配線が可能である。このため、半導体チップ８２０〜８２４の間を高密度配線で電気的に接続できるとともに、半導体チップ８２０〜８２４を近接して集積することができる。これにより、バス幅を広げ且つ配線での伝送ロスを低減できるため、低消費電力を実現できる。例えば半導体チップ８２２がＣＰＵで、半導体チップ８２０及び８２４がメモリの場合に、バス幅が広がることによってメモリバンド幅を向上させることができる。
【００３７】
しかしながら、インターポーザ８１０は、半導体チップ８２０〜８２４の全てが実装されるように、半導体チップ８２０〜８２４の総面積以上の面積を備えた大きな形状をしている。言い換えると、インターポーザ８１０は、半導体チップ８２０〜８２４をまとめて囲む領域よりも大きな形状をしている。このように、インターポーザ８１０は大きな形状をしているため、１枚のウエハ状のシリコン基板から取り出せる個数が少なく、コストが増大してしまう。
【００３８】
これに対し、実施例１では、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、半導体チップ６０と６２を電気的に接続させる配線２８は、配線ユニット２０に形成されている。半導体チップ６０及び６２を外部回路に電気的に接続する配線４４は、樹脂基板１０の配線層４０に形成されている。これにより、半導体チップ６０と６２の間を電気的に接続させる配線２８を有する配線ユニット２０を、半導体チップ６０及び６２の総面積よりも小さな面積を有する形状とすることができる。言い換えると、配線ユニット２０を、半導体チップ６０及び６２をまとめて囲む領域よりも小さな形状とすることができる。このため、図２（ａ）及び図２（ｂ）のように、１枚のウエハ状の基板２２から多くの配線ユニット２０を取り出すことが可能となり、コストの増大を抑制することができる。
【００３９】
また、実施例１では、配線ユニット２０に設けられ、半導体チップ６０と６２を電気的に接続させる配線２８に接続された電極３０は、配線層４０に設けられた電極４６よりも狭い間隔で配置されている。このため、配線ユニット２０の電極３０に接合するバンプ６６は、配線層４０の電極４６に接合するバンプ６４よりも小さな形状となっている。ここで、例えば、配線ユニット２０の電極３０の上面と配線層４０の電極４６の上面とが同一面になっている場合に生じる課題について図７を用いて説明する。図７のように、配線ユニット２０の電極３０の上面と配線層４０の電極４６の上面とが同一面の場合、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６によって電極３０と電極４６の両方に接合させることは難しい。これに対し、実施例１では、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、配線ユニット２０の電極３０の上面が、配線層４０の電極４６の上面よりも樹脂基板１０の上面１２から離れて位置している。これにより、バンプ６６がバンプ６４よりも小さな形状をしている場合でも、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６によって配線ユニット２０の電極３０と配線層４０の電極４６の両方に接合させることができる。
【００４０】
配線ユニット２０は、図１（ａ）及び図１（ｂ）のように、基板２２と、基板２２上に設けられ、半導体チップ６０と６２の間を接続する配線２８と配線２８に接続された電極３０とを有する配線層２４と、を含んでいる。これにより、配線２８の配線密度を高密度にすることができ、半導体チップ６０と６２の間のバス幅を広くすることができる。基板２２は、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板、有機基板、又は金属基板であってもよい。無機材料に用いる半導体プロセスを適用して配線２８の配線密度を高密度にする点から、基板２２は、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板、又は金属基板である場合が好ましい。また、低コスト化の点からは、基板２２は、ガラス基板又は金属基板である場合が好ましい。
【００４１】
実施例１によれば、図２（ｂ）のように、配線２８と複数の電極３０とを有する配線ユニット２０を準備する。図３（ｄ）のように、配線ユニット２０が樹脂基板１０の上面１２に埋め込まれ且つ複数の電極３０が樹脂基板１０の上面１２から離れて位置する樹脂基板１０を形成する。図４（ｂ）のように、配線４４と電極３０よりも広い間隔で配置されて配線４４に接続された電極４６とを有する配線層４０を、電極３０が電極４６よりも樹脂基板１０の上面１２から離れて位置するように樹脂基板１０の上面１２に形成する。図５（ｂ）のように、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４で配線層４０の電極４６に接合させる。半導体チップ６０及び６２をバンプ６４よりも小さな形状のバンプ６６で配線ユニット２０の電極３０に接合させる。これにより、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６によって配線ユニット２０の電極３０と配線層４０の電極４６の両方に接合させることができる。
【００４２】
図２（ａ）及び図２（ｂ）のように、ウエハ状の基板２２上に複数の配線層２４を形成した後、基板２２を切断して複数の配線層２４を個片化することで配線ユニット２０を形成する。これにより、配線層２４に含まれる配線２８の配線密度を高密度にすることができる。
【００４３】
図３（ｂ）のように、支持基板９０上に貼り付けられた粘着シート９２に配線ユニット２０の電極３０が形成された面を押し付ける。図３（ｃ）及び図３（ｄ）のように、配線ユニット２０を埋め込むように粘着シート９２上にモールド樹脂を塗布して仮硬化させた後に粘着シート９２及び支持基板９０を剥離して、その後に完全硬化させることにより、配線ユニット２０が埋め込まれた樹脂基板１０を形成する。これにより、配線ユニット２０の電極３０の上面を樹脂基板１０の上面１２から所定距離だけ離すことができる。
【００４４】
図４（ｃ）のように、配線層４０の電極４６にバンプ６４を形成する。図５（ａ）のように、例えば予めウエハ状態で半導体チップ６０及び６２の電極面に、レジスト膜を用いてはんだめっきを行うことで、個片化した時の半導体チップ６０及び６２の電極面にバンプ６４よりも小さい形状のバンプ６６を形成する。その後、図５（ｂ）のように、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６を用いて配線層４０の電極４６及び配線ユニット２０の電極３０に同時に接合する。これにより、大きさの異なるバンプ６４及び６６を形成でき、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６によって配線ユニット２０の電極３０と配線層４０の電極４６の両方に接合できる。
【００４５】
なお、実施例１では、図４（ｃ）のように、配線層４０の電極４６にバンプ６４を形成し、図５（ａ）のように、半導体チップ６０及び６２にバンプ６４を形成する。そして、図５（ｂ）のように、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６で配線ユニット２０の電極３０と配線層４０の電極４６に接合する場合を例に示したが、この場合に限られない。配線ユニット２０の電極３０にバンプ６６を形成し、半導体チップ６０及び６２にバンプ６４を形成する。そして、半導体チップ６０及び６２をバンプ６４及び６６で配線ユニット２０の電極３０と配線層４０の電極４６に接合する場合でもよい。
【００４６】
バンプ６４は、大きな形状を得る点から、はんだバンプの場合が好ましい。バンプ６６は、小さな形状とする点から、はんだバンプの場合に限られず、銅ピラーなどの金属ピラーの場合でもよい。なお、金属ピラーの場合は、ピラー先端にはんだ層が形成されていることが好ましい。
【００４７】
図８は、実施例１の変形例１に係る半導体装置の断面図である。図８のように、実施例１の変形例１の半導体装置１１０では、樹脂基板１０の上面１２に設けられた配線層４０は、配線４４が２層以上の複数層設けられた多層配線層となっている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）と同じであるため説明を省略する。
【００４８】
ここで、発明者が行った実施例１の変形例１の半導体装置１１０の製造方法について説明する。まず、ウエハ状のガラス基板からなる基板２２上に、絶縁膜２６と、Ｌ／Ｓが２μｍ／２μｍの配線２８と、直径が５０μｍの円形状をした電極３０と、を有する複数の配線層２４を形成した。その後、ダイシングソーを用いてウエハ状の基板２２を切削し、複数の配線層２４を個片化して配線ユニット２０を形成した。
【００４９】
次いで、直径が１５０ｍｍで、厚さが０．３ｍｍのステンレス基板からなるウエハ状の支持基板９０上に、粘着シート９２を貼り付けた。粘着シート９２は、厚さが５μｍの粘着層９４と、厚さが３０μｍのフィルム９６と、厚さが８０μｍの熱発泡型粘着層からなる粘着層９８と、の３層構造とした。次いで、配線ユニット２０を、電極３０が形成されている上面が粘着層９８に接するようにフリップチップボンダーを用いて粘着シート９２に押し付けて固定した。次いで、粘着シート９２上にシリカフィラーを８０重量％で含有するエポキシ樹脂からなる液状のモールド樹脂を塗布し、成形用の金型を用いて１５０℃で板状に熱硬化させた。これにより、直径が１５０ｍｍで、厚さが０．６ｍｍのウエハ状の樹脂基板１０が形成された。
【００５０】
次いで、粘着層９８に１８０℃の熱を加えて、樹脂基板１０を粘着シート９２及び支持基板９０から剥離した。その後、ウエハ状の樹脂基板１０を２１０℃、１時間の熱処理を行って完全硬化させた。これにより、樹脂基板１０の上面１２に配線ユニット２０が埋め込まれ、配線ユニット２０の電極３０の上面が樹脂基板１０の上面１２から６０μｍ離れて位置した構造が得られた。
【００５１】
次いで、ウエハ状の樹脂基板１０の上面１２の配線ユニット２０が埋め込まれた領域も含めてスピンコート法を用いて感光性エポキシワニスを塗布し、プリベーク後にガラスマスクを介して露光及び現像、硬化などを行って、厚さ５μｍの絶縁膜４２を形成した。この時、配線ユニット２０が埋め込まれた領域は、現像時に絶縁膜４２を除去した。次いで、スパッタリング法を用いて、絶縁膜４２上に厚さ０．１μｍのチタン層と厚さ０．３μｍの銅層を成膜してシード層を形成した。次いで、シード層上に、１層目の配線４４が形成される領域に開口を有するフォトレジスト膜を形成した。フォトレジスト膜をマスクとした電気めっき法によって、シード層上に銅層を形成した。次いで、フォトレジスト膜を除去した後、フォトレジスト膜の下に残存していたシード層をウエットエッチングとドライエッチングを用いて除去して１層目の配線４４を形成した。
【００５２】
次いで、感光性エポキシワニスを用いて、絶縁膜４２のうちのビアを形成する領域を現像時に除去して開口し、１層目の配線４４を覆う硬化後の厚さ５μｍの絶縁膜４２を形成した。次いで、絶縁膜４２上に開口の側面を覆うようにチタン層と銅層からなるシード層を形成した。次いで、ビア及び２層目の配線４４が形成される領域に開口を有するフォトレジスト膜を形成した。フォトレジスト膜をマスクとした電気めっき法によって、シード層上に銅層を形成した。次いで、フォトレジスト膜を除去した後、フォトレジスト膜の下に残存していたシード層をウエットエッチングとドライエッチングを用いて除去してビアと２層目の配線４４を形成した。１層目及び２層目の配線４４のＬ／Ｓは２５μｍ／２５μｍとした。
【００５３】
次いで、感光性エポキシワニスを用いて、絶縁膜４２のうちの電極４６を形成する領域を現像時に除去して開口し、２層目の配線４４を覆う硬化後の厚さ５μｍの絶縁膜４２を形成した。次いで、絶縁膜４２上に開口の側面を覆うようにチタン層と銅層からなるシード層を形成した。次いで、絶縁膜４２上にフォトレジスト膜を形成し、フォトレジスト膜をマスクとした電気めっき法によって、シード層上に銅層を形成した。次いで、フォトレジスト膜を除去した後、フォトレジスト膜の下に残存していたシード層をウエットエッチングとドライエッチングを用いて除去して電極４６を形成した。
【００５４】
次いで、配線層４０上に、電極４６上に直径１１０μｍの開口を有する絶縁膜５０を形成した。その後、絶縁膜５０の開口で露出する電極４６の表面にニッケルと金のめっき処理を施した。次いで、絶縁膜５０の開口で露出する電極４６の上面に、半田ペーストを印刷してリフローすることで、直径が１００μｍの半田ボールであるバンプ６４を形成した。その後、ウエハ状の樹脂基板１０を個片化してチップ化した。
【００５５】
予めウエハ状態で半導体チップ６０及び６２の電極面に、レジスト膜を用いてはんだめっきを行うことで、個片化した時の半導体チップ６０及び６２の電極面に直径が４０μｍの半田ボールからなるバンプ６６を形成した。そして、フリップチップボンダーを用い、半導体チップ６０及び６２を、配線層４０の電極４６にバンプ６４で接合させ、配線ユニット２０の電極３０にバンプ６６で接合させて、樹脂基板１０にフリップチップ実装した。最後に、半導体チップ６０及び６２と配線ユニット２０及び配線層４０との隙間にアンダーフィル材を充填した。
【００５６】
配線層４０は、実施例１のように、配線４４が１層設けられた単層の配線層の場合でもよいし、実施例１の変形例１のように、配線４４が複数層設けられた多層配線層の場合でもよい。
【実施例２】
【００５７】
図９（ａ）は、実施例２に係る半導体装置の断面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）の領域Ａの拡大図である。図９（ａ）及び図９（ｂ）のように、実施例２の半導体装置２００では、配線ユニット２０の上面に、電極３０を露出する開口を有する絶縁膜３２が形成されている。絶縁膜３２は、例えば樹脂絶縁膜である感光性エポキシ樹脂膜、感光性ポリイミド膜、又は一般的なソルダーレジスト膜である。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）と同じであるため説明を省略する。
【００５８】
実施例２によれば、配線ユニット２０の上面に電極３０を露出する開口を有する絶縁膜３２が設けられている。これにより、複数の電極３０の間隔が狭い場合でも、隣接するバンプ６４が意図せずに接触して短絡することを抑制できる。
【実施例３】
【００５９】
図１０は、実施例３に係る半導体装置の断面図である。図１０のように、実施例３の半導体装置３００では、樹脂基板１０の上面１２から下面１４にかけて貫通し、配線層４０の配線４４に接して電気的に接続された複数の貫通ビア７０が設けられている。貫通ビア７０は、例えば銅又はニッケルなどの金属で形成されている。貫通ビア７０は、例えばレーザを用いて樹脂基板１０にビアホールを形成し、ビアホールの内部にめっき法などによって導電性材料を埋め込むことで形成できる。樹脂基板１０の下面１４に、貫通ビア７０を露出する開口を有する絶縁膜７２が設けられている。絶縁膜７２は、例えば樹脂絶縁膜である感光性エポキシ樹脂膜、感光性ポリイミド膜、又は一般的なソルダーレジスト膜である。絶縁膜７２の開口で露出した貫通ビア７０の下面にバンプ７４が設けられている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）と同じであるため説明を省略する。
【００６０】
実施例３によれば、配線層４０の配線４４に接続して、樹脂基板１０を上面１２から下面１４にかけて貫通する貫通ビア７０が設けられている。これにより、半導体チップ６０及び６２を樹脂基板１０の下面１４から外部回路に接続することが可能となる。
【実施例４】
【００６１】
図１１は、実施例４に係る半導体装置の断面図である。図１１のように、実施例４の半導体装置４００では、実施例３の半導体装置３００と同様に、樹脂基板１０の上面１２から下面１４にかけて貫通し、配線層４０の配線４４に接して電気的に接続された複数の貫通ビア７０が設けられている。樹脂基板１０の下面１４に、絶縁膜８２と、絶縁膜８２に設けられた配線８４と、配線８４に接して電気的に接続された電極８６と、を有する配線層８０が設けられている。貫通ビア７０は、配線層８０の配線８４に接して電気的に接続されている。配線層８０の下面に絶縁膜７２が設けられている。絶縁膜７２には、電極８６を露出する開口が設けられている。なお、電極８６は、例えば配線８４のうちの絶縁膜７２の開口から露出する部分であってもよい。電極８６は、上面視で円形形状をしていてもよいし、矩形形状をしていてもよいし、その他の形状であってもよい。絶縁膜８２は、例えば樹脂膜などの有機絶縁膜である。配線８４は、例えば銅又はアルミニウムなどの金属で形成されている。電極８６は、例えば銅又はアルミニウムなどの金属で形成されていて、表面にニッケル及び金などの金属層が設けられていてもよい。表面に設けられた金属層はめっきで形成されていてもよい。絶縁膜７２の開口で露出した電極８６にバンプ７４が設けられている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）と同じであるため説明を省略する。
【００６２】
実施例４によれば、樹脂基板１０の下面１４に、配線層４０及び配線ユニット２０と重なって、樹脂基板１０を貫通する貫通ビア７０に接続された配線８４と配線８４に接続された複数の電極８６とを有する配線層８０が設けられている。これにより、配線ユニット２０の直下にも半導体チップ６０及び６２を外部回路に接続するための電極８６及びバンプ７４を配置することができ、端子数を増やすことができる。
【００６３】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００６４】
なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。
（付記１）樹脂基板と、第１半導体チップ及び第２半導体チップと、前記樹脂基板の上面に設けられ、第１配線と前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層と、前記樹脂基板の上面に埋め込まれ、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記複数の第１電極よりも狭い間隔で配置されて前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有し、前記複数の第２電極の上面が前記複数の第１電極の上面よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置する配線ユニットと、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第１電極とを接合する第１バンプと、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記複数の第２電極とを接合する、前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプと、を備える半導体装置。
（付記２）前記配線ユニットは、基板と、前記基板上に設けられ、前記第２配線及び前記複数の第２電極が設けられた第２配線層と、を備える、付記１記載の半導体装置。
（付記３）前記基板は、ガラス基板、半導体基板、セラミックス基板、有機基板、又は金属基板である、付記２記載の半導体装置。
（付記４）前記配線ユニットの前記複数の第２電極が設けられた面に設けられ、前記複数の第２電極を露出する開口を有する絶縁膜を備える、付記１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
（付記５）前記樹脂基板を上面から下面に貫通し、前記第１配線層の前記第１配線に接続された貫通ビアを備える、付記１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
（付記６）前記樹脂基板の下面に前記貫通ビアに接して設けられた第３バンプを備える、付記５記載の半導体装置。
（付記７）前記樹脂基板の下面に前記第１配線層及び前記配線ユニットと重なって設けられ、前記貫通ビアに接続された第３配線と前記第３配線に接続された複数の第３電極とを有する第３配線層を備える、付記５記載の半導体装置。
（付記８）前記第３配線層の下面に前記複数の第３電極に接して設けられた第３バンプを備える、付記７記載の半導体装置。
（付記９）前記第１バンプ及び前記第２バンプは半田バンプである、付記１から８のいずれか一項記載の半導体装置。
（付記１０）前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記配線ユニットとの間隔は、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと前記第１配線層との間隔の１／２以下である、付記１から９のいずれか一項記載の半導体装置。
（付記１１）第１半導体チップと第２半導体チップの間を接続する第２配線と前記第２配線に接続された複数の第２電極とを有する配線ユニットを準備する工程と、前記配線ユニットが樹脂基板の上面に埋め込まれ且つ前記複数の第２電極が前記樹脂基板の上面から離れて位置する前記樹脂基板を形成する工程と、第１配線と前記複数の第２電極よりも広い間隔で配置されて前記第１配線に接続された複数の第１電極とを有する第１配線層を、前記複数の第２電極が前記複数の第１電極よりも前記樹脂基板の上面から離れて位置するように前記樹脂基板の上面に形成する工程と、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを第１バンプによって前記複数の第１電極に接合する工程と、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記第１バンプよりも小さな形状の第２バンプによって前記複数の第２電極に接合する工程と、を備える半導体装置の製造方法。
（付記１２）前記配線ユニットを準備する工程は、ウエハ状の基板上に前記第２配線及び前記複数の第２電極が設けられた複数の第２配線層を形成する工程と、前記基板を切断して前記複数の第２配線層を個片化することで前記配線ユニットを形成する工程と、を備える、付記１１記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）前記樹脂基板を形成する工程は、粘着シートに前記配線ユニットの前記複数の第２電極が形成された面を押し付けて固定する工程と、前記配線ユニットを埋め込むように前記粘着シート上にモールド樹脂を塗布して硬化させた後に前記粘着シートを剥離して前記配線ユニットが埋め込まれた前記樹脂基板を形成する工程と、を備える、付記１１または１２記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）前記複数の第１電極又は前記複数の第２電極に前記第１バンプ及び前記第２バンプのうちの一方のバンプを形成する工程と、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップに前記第１バンプ及び前記第２バンプのうちの他方のバンプを形成する工程と、を備え、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記複数の第１電極に接合する工程及び前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記複数の第２電極に接合する工程は、前記一方のバンプを形成する工程及び前記他方のバンプを形成する工程を行った後、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップを前記第１バンプ及び前記第２バンプによって前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極に同時に接合する、付記１１から１３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００６５】
１０  樹脂基板
１２  上面
１４  下面
２０  配線ユニット
２２  基板
２４  配線層
２６  絶縁膜
２８  配線
３０  電極
３２  絶縁膜
４０  配線層
４２  絶縁膜
４４  配線
４６  電極
５０  絶縁膜
６０、６２  半導体チップ
６４、６６  バンプ
７０  貫通ビア
７２  絶縁膜
７４  バンプ
８０  配線層
８２  絶縁膜
８４  配線
８６  電極
９０  支持基板
９２  粘着シート
９４、９８  粘着層
９６  フィルム
１００、１１０、２００、３００、４００  半導体装置
【図１】
2020113613.tif 000003
【図２】
2020113613.tif 000004
【図３】
2020113613.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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