(57)【要約】      （修正有）【課題】長期間にわたって液体成形可能な材料におけるパルセーションを十分に減衰することができるパルセーションダンパーを提供する。【解決手段】ハウジング２０２ａ，ｂと、少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラム２０４であって、ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、それぞれが第１の区画に流体連通するインレットポート２２８及びアウトレットポートであって、液体が前記インレットポートを介して第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供する。前記第２の区画内に配置された、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、を備え、フルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるパルセーションダンパー。【選択図】図４
2020088384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分配システムのためのパルセーションダンパーであって、
ハウジングと、
少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラムであって、前記ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、
それぞれが前記第１の区画に流体連通するインレットポート及びアウトレットポートであって、それによって、液体が前記インレットポートを介して前記第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供するインレットポート及びアウトレットポートと、
前記第２の区画内に配置された少なくとも１つの気体であって、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、
を備え、
前記少なくとも１つのフルオロポリマー層のフルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択されることを特徴とするパルセーションダンパー。
【請求項２】
前記フルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る気体の前記気体透過速度が１．５×１０−６ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択されることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項３】
前記フルオロポリマーは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）及びエチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項４】
前記少なくとも１つの気体は、複数の気体を含み、前記複数の気体の各気体は、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有することを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項５】
前記フルオロポリマーは、ポリフッ化ビニリデンであることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項６】
前記少なくとも１つの気体は、キセノン、六フッ化硫黄、窒素及びそれらの混合物からなるグループから選択されることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項７】
前記少なくとも１つの気体は、キセノン又は六フッ化硫黄であることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項８】
前記フルオロポリマーは、ポリフッ化ビニリデンであり、前記少なくとも１つの気体は、キセノン又は六フッ化硫黄であることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項９】
前記第２の区画は、前記少なくとも１つの気体の少なくとも５０体積％を備えることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの気体は、
（ａ）キセノン又は六フッ化硫黄と、
（ｂ）窒素
の混合物を備えることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１１】
前記ダイアフラムは、本質的に、前記少なくとも１つのフルオロポリマー層からなることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの気体は、本質的に、キセノン又は六フッ化硫黄からなることを特徴とする請求項１１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１３】
前記第２の区画は、前記キセノン又は前記六フッ化硫黄の少なくとも７５体積％を備えることを特徴とする請求項１２に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１４】
前記フルオロポリマーは、ポリフッ化ビニリデンであることを特徴とする請求項１３に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１５】
前記ハウジングは、上部ハウジングと、下部ハウジングとを備え、
前記ダイアフラムの一部は、前記上部ハウジングの一部と前記下部ハウジングの一部との間に挟まれていることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１６】
前記上部ハウジングの一部と前記ダイアフラムの一部との間に配置された第１のガスケットと、
前記ダイアフラムの一部と前記下部ハウジングの一部との間に配置された第２のガスケットと、
を更に備えることを特徴とする請求項１５に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１７】
前記下部ハウジングの一部又は前記上部ハウジングの一部を取り囲む固定部材を更に備え、前記固定部材は、前記第１及び第２のガスケットを介して、前記下部ハウジングの一部と前記上部ハウジングの一部との間で前記ダイアフラムの一部を封止するように構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１８】
前記第２の区画と流体連通する気体インレットポートを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のパルセーションダンパー。
【請求項１９】
分配システムであって、
液体を分配するディスペンサと、
前記液体を保管するリザーバと、
前記リザーバと前記ディスペンサとの間で前記液体を循環させる１つ以上のポンプと、
前記液体がパルセーションダンパーを通過する際に前記液体におけるパルセーションを減衰させるパルセーションダンパーと、
を備え、
前記パルセーションダンパーは、
ハウジングと、
少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラムであって、前記ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、
それぞれが前記第１の区画に流体連通するインレットポート及びアウトレットポートであって、それによって、前記液体が前記インレットポートを介して前記第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供するインレットポート及びアウトレットポートと、
前記第２の区画内に配置された少なくとも１つの気体であって、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、
を備え、
前記少なくとも１つのフルオロポリマー層のフルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択されることを特徴とする分配システム。
【請求項２０】
物品を製造する方法であって、
成形可能な液体をディスペンサにポンピングすることと、
パルセーションダンパーを介して、前記成形可能な液体におけるパルセーションを減衰させることと、
を備え、
前記パルセーションダンパーは、
ハウジングと、
少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラムであって、前記ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、
それぞれが前記第１の区画に流体連通するインレットポート及びアウトレットポートであって、それによって、前記成形可能な液体が前記インレットポートを介して前記第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供するインレットポート及びアウトレットポートと、
前記第２の区画内に配置された少なくとも１つの気体であって、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、
を備え、
前記少なくとも１つのフルオロポリマー層のフルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択され、
前記方法は、
前記成形可能な液体の一部を基板上に分配することと、
前記基板上に分配された前記成形可能な液体のパターン又は層を形成することと、
前記物品を製造するために、前記形成されたパターン又は層を処理することと、
を備えることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願の開示は、一般的には、パルセーションダンパーに関し、特に、ナノインプリントリソグラフィシステムなどの分配（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）システムで用いられるガス保持を備えたパルセーションダンパーに関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノ製造は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する非常に小さい構造の製造を含む。ナノ製造がかなりの影響を及ぼした１つの用途は、集積回路の製造である。半導体プロセス産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させながら、より大きな生産歩留まりを追求し続けている。
ナノ製造の改善は、より大きなプロセス制御を提供すること、及び／又は、スループットを改善することを含み、形成される構造の最小フィーチャ寸法の継続的な縮小も可能にする。
【０００３】
今日用いられている１つのナノ製造技術は、一般的に、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれている。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、集積デバイスの１つ以上の層（レイヤ）を製造することを含む様々な用途で有用である。集積デバイスの例は、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ−ＲＡＭ、Ｆｅ−ＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＥＭＳなどを含むが、これらに限定されない。例示的なナノインプリントリソグラフィシステム及びプロセスは、米国特許第８，３４９，２４１号、米国特許第８，０６６，９３０号及び米国特許第６，９３６，１９４号などの多数の刊行物に詳細に記載されており、これらは全て参照により本明細書に組み込まれる。
【０００４】
上述した特許のそれぞれに開示されたナノインプリントリソグラフィ技術は、成形可能な材料（重合可能な）層におけるレリーフパターンの形成、及び、レリーフパターンに対応するパターンを下にある基板の中及び／又は上に転写することを記載している。パターニングプロセスは、基板から離間したテンプレートを使用し、成形可能な液体がテンプレートと基板との間に与えられる。成形可能な液体は、成形可能な液体と接触するテンプレートの表面の形状に一致するパターンを有する固体層を形成するために固化される。固化後、テンプレートは、テンプレートと基板とが離間するように、固化層から引き離される。そして、基板及び固化層は、エッチングプロセスなどの付加的なプロセスを受けて、固化層におけるパターンに対応するレリーフイメージを基板に転写する。パターン化基板は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能な材料除去、ダイシング、ボンディング及びパッケージングなどを含むデバイス（物品）製造のための公知の工程及びプロセスを更に受けることができる。
【０００５】
特定のナノインプリントリソグラフィシステムを含む特定の分配システムは、ディスペンサとの間で液体成形可能な材料を供給する再循環流体システムを含む。再循環流体システムは、リザーバからディスペンサに液体成形可能な材料を送るために、供給ラインにポンプを含む。再循環流体システムは、ディスペンサからリザーバに液体成形可能な材料を引き戻すために、リターンラインにもポンプを含む。ポンプのそれぞれは、ポンプ作用の結果として、液体成形可能な材料にパルセーションを導入する。しかしながら、ディスペンサによる液滴配置精度は、供給ラインとリターンラインとの間の差圧の変動、及び、ディスペンサの面でのメニスカス圧力の変動によって悪影響を受ける。ポンプによって導入されるパルセーションは、液体成形可能な材料がパルセーションダンパーを通過する際に、液体成形可能な材料におけるパルセーションを減衰するパルセーションダンパーを介して緩和することができる。パルセーションダンパーが液体成形可能な材料におけるパルセーションを十分に減衰し続けることができる時間が長いほど、ナノインプリントリソグラフィシステムは、ダンパーメンテナンスを必要とせずに、材料を分配し続けることができ、その結果、生産性が向上する。
【０００６】
従って、当技術分野では、２ヶ月以上のオーダーなどの長期間にわたって液体成形可能な材料におけるパルセーションを十分に減衰することができるパルセーションダンパーが必要とされている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
幾つかの例示的な実施形態におけるパルセーションダンパーは、ハウジングと、少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラムであって、前記ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、それぞれが前記第１の区画に流体連通するインレットポート及びアウトレットポートであって、それによって、液体が前記インレットポートを介して前記第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供するインレットポート及びアウトレットポートと、前記第２の区画内に配置された少なくとも１つの気体であって、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、を備え、前記少なくとも１つのフルオロポリマー層のフルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択されることを特徴とする。
【０００８】
幾つかの例示的な実施形態における分配システムは、液体を分配するディスペンサと、前記液体を保管するリザーバと、前記リザーバと前記ディスペンサとの間で前記液体を循環させる１つ以上のポンプと、前記液体がパルセーションダンパーを通過する際に前記液体におけるパルセーションを減衰させるパルセーションダンパーと、を備え、前記パルセーションダンパーは、ハウジングと、少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラムであって、前記ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、それぞれが前記第１の区画に流体連通するインレットポート及びアウトレットポートであって、それによって、前記液体が前記インレットポートを介して前記第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供するインレットポート及びアウトレットポートと、前記第２の区画内に配置された少なくとも１つの気体であって、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、を備え、前記少なくとも１つのフルオロポリマー層のフルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択されることを特徴とする。
【０００９】
幾つかの例示的な実施形態における物品を形成する方法は、成形可能な液体をディスペンサにポンピングすることと、パルセーションダンパーを介して、前記成形可能な液体におけるパルセーションを減衰させることと、を備え、前記パルセーションダンパーは、ハウジングと、少なくとも１つのフルオロポリマー層を備えるダイアフラムであって、前記ハウジングを第１の区画と第２の区画とに分割するダイアフラムと、それぞれが前記第１の区画に流体連通するインレットポート及びアウトレットポートであって、それによって、前記成形可能な液体が前記インレットポートを介して前記第１の区画に入り、前記アウトレットポートを介して前記第１の区画から出るための流路を提供するインレットポート及びアウトレットポートと、前記第２の区画内に配置された少なくとも１つの気体であって、０．３６ｎｍ以上の動的直径を有する少なくとも１つの気体と、を備え、前記少なくとも１つのフルオロポリマー層のフルオロポリマー、及び、前記少なくとも１つの気体は、前記ダイアフラムを通る前記少なくとも１つの気体の気体透過速度が０ｍｂａｒ＊Ｌ／秒〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／秒であるように選択され、前記方法は、前記成形可能な液体の一部を基板上に分配することと、パターン層を生成するために、分配された前記成形可能な液体にパターンを形成することと、パターン固化層を生成するために、前記パターン層を固化することと、パターン基板を生成するために、前記パターン固化層の前記パターンに対応するレリーフイメージを前記基板に転写することと、前記パターン基板を前記物品に処理することと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
更なる特徴は、添付図面を参照して、例示的な実施形態の以下の説明から明らかにされるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、基板から離間したテンプレート及びモールドを有する例示的なナノインプリントリソグラフィシステムの図である。
【図２】図２は、図１のナノインプリントリソグラフィシステムの再循環流体システムの概略フローチャートである。
【図３】図３は、図１のナノインプリントリソグラフィシステムのパルセーションダンパーの一例の斜視図である。
【図４】図４は、図３のパルセーションダンパーの立体分解図である。
【図５】図５は、図３のパルセーションダンパーの上面図である。
【図６】図６は、図５の線６−６に沿ってみた、図３のパルセーションダンパーの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
説明を参照する際に、開示される例の完全な理解を提供するために、特定の詳細が説明される。その他の例において、本開示を不必要に長くしないように、周知の方法、手順、構成要素及び材料は、詳細には説明されていない。
【００１３】
要素又は部分が別の要素又は部分「の上に（ｏｎ）」、「に対して（ａｇａｉｎｓｔ）」、「に接続される（ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｏ）」又は「に結合される（ｃｏｕｐｌｅｄ  ｔｏ）」と言及される場合、それが、直接的に、その他の要素又は部分、の上に、に対して、に接続される、又は、に結合される、或いは、介在する要素又は部分が存在してもよいことを理解されたい。一方、要素が別の要素又は部分「の直接上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）」、「に直接接続される（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ  ｔｏ）」又は「に直接結合される（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｔｏ）」と言及される場合、介在する要素又は部分は存在しない。使用時、「及び／又は」のタームは、そのように提供される場合、関連するリストされた項目の１つ以上の任意及び全ての組み合わせを含む。
【００１４】
「下（ｕｎｄｅｒ）」、「真下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上（ｕｐｐｅｒ）」、「近位（ｐｒｏｘｉｍａｌ）」、「遠位（ｄｉｓｔａｌ）」などの空間的に相対的なタームは、種々の図面に示されるように、別の要素又はフィーチャに対する１つの要素又はフィーチャの関係を説明するための説明及び／又は例示を容易にするために使用される。しかしながら、空間的に相対的なタームは、図面に示される姿勢（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）に加えて、使用又は動作におけるデバイスの異なる姿勢を包含することが意図されていることを理解されたい。例えば、図面におけるデバイスがターンオーバーされる場合、その他の要素又はフィーチャの「下（ｂｅｌｏｗ）」又は「真下（ｂｅｎｅａｔｈ）」として記載される要素は、その他の要素又はフィーチャの「上（ａｂｏｖｅ）」に配向される。従って、「下（ｂｅｌｏｗ）」などの相対的な空間的なタームは、上及び下の姿勢の両方を包含することができる。デバイスは、別の方法で配向されてもよく（９０度回転される、又は、その他の姿勢で）、ここで使用される空間的に相対的な記述子は、それに応じて解釈されるべきである。
【００１５】
第１、第２、第３などのタームは、ここでは、様々な要素、構成要素、領域、部分及び／又はセクションを説明するために使用される。これらの要素、構成要素、領域、部分及び／又はセクションは、これらのタームによって限定されるべきではないことを理解されたい。これらの用語は、１つの要素、構成要素、領域、部分又はセクションを別の領域、部分又はセクションから区別するためにのみ使用されている。従って、以下で説明する第１の要素、構成要素、領域、部分又はセクションは、ここでの教示から逸脱することなく、第２の要素、構成要素、領域、部分又はセクションと称することができる。
【００１６】
ここで使用される専門用語は、特定の実施形態を説明することだけを目的とし、限定することを意図するものではない。ここで使用されるように、単数形「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、文脈がそわないことを明確に示さない限り、複数形も含むことが意図されている。「含む（ｉｎｃｌｄｕｅｓ）」及び／又は「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ」」のタームは、本明細書で使用される場合、規定されたフィーチャ、整数、工程、操作、要素及び／又は構成要素の存在を特定するが、明確に規定していない１つ以上のその他のフィーチャ、整数、工程、操作、要素、構成要素及び／又はそれらのグループの存在又は追加を除外しないことを理解されたい。「位置（ｐｏｓｉｔｉｏｎ）」又は「位置決め（ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ）」のタームは、空間的位置及び角度姿勢の両方を含むものとして理解されるべきである。
【００１７】
以下の説明において、開示された発明を実施することができる実施形態の例示である添付の図面を参照する。しかしながら、当業者は、本開示の新規性及び範囲から逸脱することなく、その他の構造的及び機能的変更を開発することができることが理解されるべきである。
【００１８】
図１は、実施形態を実施することができるナノインプリントリソグラフィシステム１００の図である。ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２の上にレリーフパターンを形成するために用いられる。基板１０２は、基板チャック１０４に結合することができる。基板チャック１０４は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャックなどであってもよいが、これらに限定されない。
【００１９】
基板１０２及び基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０６によって更に支持されてもよい。基板位置決めステージ１０６は、ｘ、ｙ、ｚ、θ及びφ軸の１つ以上に沿った並進及び／又は回転運動を提供する。基板位置決めステージ１０６、基板１０２及び基板チャック１０４は、ベース（不図示）の上に位置決めしてもよい。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部であってもよい。
【００２０】
基板１０２から離間してテンプレート１０８がある。テンプレート１０８は、基板１０２に向かって延在するメサ（モールドとも称される）１１０を有する本体を含む。メサ１１０は、その上にパターニング面１１２を有する。或いは、テンプレート１０８は、メサ１１０なしで形成されてもよく、この場合、基板１０２に面するテンプレートの面は、モールド１１０と同等であり、パターニング面１１２は、基板１０２に面するテンプレート１０８の面である。
【００２１】
テンプレート１０８及び／又はモールド１１０は、これらに限定されないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、硬化サファイアなどを含む材料から形成される。パターニング面１１２は、複数の離間したテンプレート凹部１１４及び／又はテンプレート凸部１１６によって定義されるフィーチャを備えるが、本発明の実施形態は、そのような構成（例えば、平面）に限定されない。パターニング面１１２は、基板１０２の上に形成されるパターンの基礎を形成するパターンを定義する。別の実施形態において、パターニング面１１２は、フィーチャレスであり、その場合、平面が基板の上に形成される。
【００２２】
テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に結合することができる。テンプレートチャック１１８は、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック及び／又はその他の同様なチャック型であってもよいが、これらに限定されない。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８にわたって変化する応力、圧力及び／又は張力をテンプレート１０８に与えるように構成されていてもよい。テンプレートチャック１１８は、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド及びテンプレート１０８が少なくともｚ軸方向、及び、潜在的にその他の方向（例えば、ｘ、ｙ、θ及びφ軸）に移動可能であるように、ブリッジ１２０に移動可能に結合されるインプリントヘッドに結合されてもよい。位置決めシステムは、テンプレート１０８を移動させる１つ以上のモータを含んでいてもよい。
【００２３】
ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体ディスペンサ１２２を更に備える。流体ディスペンサ１２２は、ブリッジに移動可能に結合されてもよい。実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びテンプレートチャック１２０は、１つ以上の位置決め構成要素を共有する。別の実施形態において、流体ディスペンサ１２２及びテンプレートチャック１２０は、互いに独立して移動する。流体ディスペンサ１２２は、基板１０２の上に液体成形可能な材料１２４（例えば、重合可能な材料）をパターンで堆積させることができる。付加的な成形可能な材料１２４は、ドロップ分配、スピンコーティング、浸漬コーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積などの技術を用いて、基板１０２に追加することもできる。液体成形可能な材料１２４は、設計検討に応じて、モールド１１２と基板１０２との間に所望の堆積が定義される前及び／又は後に、基板１０２の上に分配されてもよい。液体成形可能な材料１２４は、米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許第８，０７６，３８６号に記載されているようなモノマーを含む混合物を備え、これらは両方とも参照により本明細書に組み込まれる。
【００２４】
異なる流体ディスペンサ１２２は、液体成形可能な材料１２４を分配するために、異なる技術を用いてもよい。液体成形可能な材料１２４が噴射可能である場合、成形可能な材料を分配するために、インクジェット型ディスペンサが用いられてもよい。例えば、サーマルインクジェット、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）ベースのインクジェット及び圧電インクジェットは、噴射可能な液体を分配するための一般的な技術である。
【００２５】
ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、露光パス１２８に沿って化学線エネルギーを導くエネルギーソース１２６を更に備える。インプリントヘッド及び基板位置決めステージ１０６は、テンプレート１０８及び基板１０２を露光パス１２８と重ね合わせて位置決めするように構成されている。同様に、カメラ１３６は、カメラ１２８の撮像視野が露光パス１２８と重ね合わされるように位置決めされる。
【００２６】
ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板位置決めステージ１０６、インプリントヘッド、流体ディスペンサ１２２、ソース１２６及び／又はカメラ１３６などの１つ以上の構成要素及び／又はサブシステムと通信する１つ以上のプロセッサ１３２（コントローラ）によって調整、制御及び／又は命令され、非一時的コンピュータ可読メモリ１３４に記憶されたコンピュータ可読プログラムの指示に基づいて動作する。プロセッサ１３２は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ及び汎用コンピュータのうちの１つ以上である、又は、含む。プロセッサ１３２は、専用に構築されたコントローラであってもよいし、又は、コントローラであるように構成された汎用コンピューティングデバイスであってもよい。非一時的コンピュータ可読メモリの例は、これらに限定されないが、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−Ｒａｙ、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続された非一時的コンピュータ可読記憶デバイス及びインターネット接続された非一時的コンピュータ可読記憶デバイスを含む。
【００２７】
インプリントヘッド、基板位置決めステージ１０６又はその両方は、液体成形可能な材料１２４によって充填される所望の堆積を定義するために、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させる。例えば、インプリントヘッドは、モールド１１０が液体成形可能な材料１２４と接触するように、テンプレート１０８に力を与える。所望の体積が液体成形可能な材料１２４で充填された後、ソース１２６は、エネルギー、例えば、化学線（ＵＶ）を生成し、液体成形可能な材料１２４を硬化、固化、及び／又は、基板表面１３０及びパターニング面１１２の形状に一致して架橋させて、基板１０２の上にパターン層を定義する。液体成形可能な材料１２４は、基板１０２の上にパターン層を形成する液体成形可能な材料１２４にテンプレートが接触している間に硬化される。従って、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、パターニング面１１２のパターンの逆である凹部及び凸部を有するパターン層を形成するために、インプリントプロセスを用いる。
【００２８】
インプリントプロセスは、基板表面１３０にわたって広がる複数のインプリントフィールドにおいて繰り返し行われる。インプリントフィールドのそれぞれは、メサ１１０と同じサイズであってもよいし、メサ１１０のパターン領域と同じサイズであってもよい。メサ１１０のパターン領域は、デバイスのフィーチャである基板１０２の上のパターンをインプリントするあめに用いられる、又は、デバイスのフィーチャを形成するための後続のプロセスで用いられる、パターニング面１１２の領域である。メサ１１０のパターン領域は、押し出しを防止するために用いられる流体制御フィーチャを含んでいてもよいし、含んでいなくてもよい。別の実施形態において、基板１０２は、基板１０２又はメサ１１０でパターニングされる基板１０２の領域と同じサイズの１つのインプリントフィールドのみを有する。別の実施形態において、インプリントフィールドは、オーバーラップする。インプリントフィールドの幾つかは、基板１０２の境界と交差するパーシャルインプリントフィールドであってもよい。
【００２９】
パターン層は、各インプリントフィールドにおいて基板表面１３０の最高点を超える残膜厚（ＲＬＴ）を有する残膜層を有するように形成されてもよい。パターン層は、厚さを有する残膜層の上に延在する凸部などの１つ以上の特徴を含んでいてもよい。これらの凸部は、メサ１１０における凹部１１４と一致する。
【００３０】
図２は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の再循環流体システム１３８の概略フローチャートである。図２は、液体成形可能な材料１２４が、液体成形可能な材料１２４を収容するリザーバ１４０から流体ディスペンサ１２２に流れ、複数の導管１３を介して流体ディスペンサ１２２からリザーバ１４０に戻る、再循環流体システム１３８の流路を概略的に示す。再循環流体システム１３８は、流体を流体ディスペンサ１２２に押し出す第１のポンプ１４２と、流体を流体ディスペンサ１２２からリザーバ１４０に戻すための第２のポンプ１４４とを含む。流体供給システム１３８は、流体ディスペンサ１２２のすぐ上流に（即ち、流体ディスペンサ１２２に向かって移動する流路に）第１の圧力センサ１４６を含み、流体ディスペンサ１２２のすぐ下流に（即ち、リザーバ１４０に向かって移動するリターン流路に）第２の圧力センサ１４８を含んでいてもよい。流体ディスペンサ１２２のすぐ上流及びすぐ下流の圧力を計測することによって、流体供給システム１３８は、コントローラ１３２を介して、流体ディスペンサ１２２における差圧を決定することができる。差圧は、メニスカス圧力にほぼ等しい。メニスカス圧力は、流体ディスペンサ１２２の前の計測された流体圧力と流体ディスペンサ１２２の後の計測された流体圧力との差として規定することができる。第１の圧力センサ１４６及び第２の圧力センサ１４８から知られている流体ディスペンサ１２２における差圧／メニスカス圧力によって、コントローラ１３２は、流体ディスペンサ１２２の面におけるメニスカス圧力と同様に、供給とリターンとの間に所定の差圧を生成するために、ポンプ１４６及び１４８のそれぞれの速度を制御する。流体ディスペンサ１２２の面におけるメニスカス圧力の安定性は、液滴配置と直接的な相関関係を有する。ナノインプリントリソグラフィシステムの場合である、ディスペンサが１ｐｌ（ピコリットル）未満の体積を有する液滴を分配する場合、メニスカス圧力の変動が±１ｍｂａｒを超えると、液滴配置精度が低下し始める。より好ましくは、十分な液滴配置精度を達成するために、メニスカス圧力の変動は、±０．５ｍｂａｒ未満であることが望ましい。
【００３１】
第１及び第２のポンプ１４２、１４４が作動されると、第１及び第２のポンプ１４２、１４４からのパルセーションが、流体供給システム１３８の導管１３９を通って移動する液体成形可能な材料１２４に導入される。図２に示すように、流体成形可能な材料１２４におけるパルセーションを減衰するために、ナノインプリントリソグラフィシステム１００の流体供給システム１３８は、２つのパルセーションダンパー２００ａ、２００ｂを含む。パルセーションダンパー２００ａの１つは、リザーバ１４０から流体ディスペンサ１２２に向かって移動する液体成形可能な材料１２４の流路にあり、他方のパルセーションダンパー２００ｂは、流体ディスペンサ１２２からリザーバ１４０に向かって移動する液体成形可能な材料１２４の流路にある。パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂの構成及び機能は、以下に詳細に説明される。
【００３２】
上述した分配動作の間、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体供給システム１３８を介して、リザーバ１４０から流体ディスペンサ１２２に液体成形可能な材料１２４を供給し、分配されなかった液体成形可能な材料１２４をリザーバ１４０に戻す。リザーバ１４０から始まって、分配動作の間、第１のポンプ１４２は、コントローラ１３２の制御下で、リザーバ１４０から流体ディスペンサ１２２に向かう方向に、所定の流量（例えば、約１０、１００、１５０、２００、３００、５００又は６００ｍｌ／分）で所定の体積の液体成形可能な材料１２４をポンピングする。上述したように、第１のポンプ１４２の速度は、第１及び第２の圧力センサ１４６、１４８によって計測された差圧に基づいて、コントローラ１３２によって制御される。リザーバ１４０を出た後、第１のポンプ１４２からの圧力を受けて、液体成形可能な材料１２４は、フィルタ１５０を通過する。フィルタ１５０は、流体循環システムの機械的構成要素（ポンプ、バルブなど）によって生成されたパーティクル及び気泡を除去する。ポンプ及びバブルなどの機械的構成要素は、流体がこれらの機械的構成要素を通過する際に、パーティクルの最大のソースである傾向があり、機械的作用は、それらの表面にパーティクルを放出させる。次に、液体成形可能な材料１２４は、フィルタ１５０を通過した後、第１のパルセーションダンパー２００ａを通過する。パルセーションダンパー２００ａは、それがパルセーションダンパー２００ａを通過する際に、液体成形可能な材料１２４の体積におけるパルセーションを減衰する。液体成形可能な材料１２４が減衰され、第１のパルセーションダンパー２００ａを出た後、液体成形可能な材料１２４は、流体ディスペンサ１２２に続き、正確に制御された量の液体成形可能な材料１２４が分配される。
【００３３】
分配されなかった液体成形可能な材料１２４の一部は、第２のポンプ１４４によって与えられるポンプ作用の結果として、流体リターンパスに沿ってリザーバ１４０に戻り続ける。上述したように、リターンパスは、コントローラが、所定の差圧及び／又はメニスカス圧力を維持するために、第１のポンプ１４２及び第２のポンプ１４４を制御するように、コントローラ１３２に圧力情報を継続的に提供する第２の圧力センサ１４８を含む。第１及び第２の圧力センサ１４６、１４８によって提供される情報に基づいてコントローラ１３２によって制御される、第２のポンプ１４４からのポンプ作用を受けて、液体成形可能な材料１２４は、第２のパルセーションダンパー２００ｂに入る。第１のパルセーションダンパー２００ａと同様に、第２のパルセーションダンパー２００ｂは、それがパルセーションダンパー２００ｂを通過する際に、液体成形可能な材料１２４の体積におけるパルセーションを減衰する。液体成形可能な材料１２４におけるパルセーションが減衰され、第２のダンパー２００ｂを出た後、液体成形可能な材料１２４は、リザーバ１４０に続き、液体成形可能な材料１２４は、リザーバの液体成形可能な材料１２４と組み合わされる。フローサイクルは、ナノインプリントリソグラフィシステム１００が分配プロセスである限り継続する。
【００３４】
第１のパルセーションダンパー２００ａ及び第２のパルセーションダンパー２００ｂによる減衰の結果として、メニスカスでの液体成形可能な材料１２４におけるパルセーションは、±１．０ｍｂａｒ、より好ましくは、±０．５ｍｂａｒに低減される。
【００３５】
パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂについて、図３は、パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂの例示的な実施形態の斜視図である。図４は、パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂの立体分解図である。図５は、パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂの上面図である。図６は、図５の線６−６に沿ってみた、パルセーションダンパー１００の断面図である。図面に示されるように、パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂのそれぞれは、同じ構成を有する。換言すれば、流体供給システム１３８は、２つの同じパルセーションダンパーを含む。図３乃至図６に示すように、パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂは、一般的に、ハウジング２０２と、ダイアフラム２０４と、１つ以上のガスケット２０６ａ、２０６ｂとを含む。例示的な実施形態において、第１のガスケット２０６ａ及び第２のガスケット２０６ｂが含まれ、Ｏリングであってもよい。ガスケットは、フルオロポリマー材料（例えば、ペルフルオロエラストマー（ＦＦＫＭ）、フルオロエラストマー（ＦＫＭ）、延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）など）などの化学的耐性材料から構成されていてもよい。液体成形可能な材料１２４が化学的に攻撃的でない別の実施形態において、化学的に攻撃的でない液体成形可能な材料１２４に適したその他のタイプのエラストマーを用いることができる。ハウジング２０２は、下部ハウジング２０２ａと、上部ハウジング２０２ｂとを備える。下部ハウジング２０２ａ及び上部ハウジング２０２ｂは、金属又はプラスチック材料で構成される。実施形態において、上部ハウジング２０２ｂは、その剛性及び硬度のために十分なシール面を形成するステンレス鋼又はその他の材料で構成されている。実施形態において、下部ハウジング２０２ａは、液体成形可能な材料１２４を汚染しないペルフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）又はその他の材料で構成されている。下部ハウジング２０２ａ及び上部ハウジング２０２ｂは、ダイアフラム２０４がハウジング２０２の内部で堅くクランプされ、１つ以上のガスケット２０６ａ、２０６ｂで堅くシールされるように、互いに固定されてもよい。パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂは、クランプ力を均等に分配することによってシールを達成するために、固定部材２０５を更に含んでいてもよい。実施形態において、固定部材２０５は、複数のボルトを備えたステンレス鋼リングであってもよい。
【００３６】
図４及び図６に最もよく見られるように、下部ハウジング２０２ａは、キャビティ２１０ａを定義するベース部分２０８ａを含む。下部ハウジング２０２ａは、ベース部分２０８ａの上部部分２０９ａの外周に広がり、ベース部分２０８ａの上部部分２０９ａから外の方へ延在するリップ２１２ａを更に含む。リップ２１２ａは、キャビティ２１０ａにおける内側エッジ２２０ａと、外側エッジ２２２ａとを含む。リップ２１２ａは、リップ２１２ａの上面２１６ａに形成された溝２１４ａを含む。溝２１４ａは、溝２１４ａがキャビティ２１０ａの内面２１８ａに隣接するように、キャビティ２１０ａの外周を囲むように延在してもよい。換言すれば、図４及び図６に見られるように、溝２１４ａは、リップ２１２ａの外側エッジ２２２ａよりもリップ２１２ａの内側エッジ２２０ａに近接していてもよい。
【００３７】
図４及び図６に最もよく見られるように、リップ２１２ａの内側エッジ２２０ａ及びリップ２１２ａの外側エッジ２２２ａは、内側エッジ２２０ａから外側エッジ２２２ａに延在する領域２２４ａを定義する。換言すれば、リップ２１２ａは、リップ２１２ａの幅を横切って延在する領域２２４ａを含む。溝２１４ａは、この領域２２４ａに形成されてもよい。領域２２４ａは、１つ以上の貫通孔２２６ａを含む。貫通孔２２６ａは、以下でより詳細に説明する固定部材２０５を介して、上部ハウジング２０２ｂを下部ハウジング２０２ａに堅く固定することを可能にする。図４に最もよく見られるように、複数の貫通孔２２６ａは、リップ２１２ａに含まれていてもよい。例えば、２個から２０個の貫通孔、より好ましくは、６個から１６個の貫通孔、より好ましくは、８個から１６個の貫通孔、より好ましくは、１０個から１４個の貫通孔があってもよい。貫通孔の数は、パルセーションダンパーのサイズ及び特定の用途に依存する。例えば、より小さいパルセーションダンパーは、より多くの数の貫通孔を有するより大きいパルセーションダンパーと比較して、より小さい数の貫通孔を有する。従って、貫通孔の数は、特定のパルセーションダンパー及び特定の用途に基づいて最適化される。
【００３８】
下部ハウジング２０２ａは、キャビティ２１０ａと連通するインレットポート２２８を更に含んでいてもよい。インレットポート２２８は、ハウジング２０２の外側の液体（例えば、液体成形可能な材料１２４）を、インレット流路（例えば、チューブ１３９）を介して、液体ソース（例えば、リザーバ１４０）からキャビティ２１０ａに移動させる様式を提供する。下部ハウジング２０２ａは、キャビティ２１０ａと連通する１つ以上のアウトレットポート２３０を含んでいてもよい。１つ以上のアウトレットポート２３０は、液体成形可能な材料１２４を、アウトレット流路（例えば、チューブ１３９）を介して、キャビティ２１０ａの内側からハウジング２０２の外側のディスペンサ１２２に移動させる様式を提供する。
【００３９】
上部ハウジング２０２ｂは、下部ハウジング２０２ａのフィーチャに対応するフィーチャを含んでいてもよい。上部ハウジング２０２ｂは、同様に、キャビティ２１０ｂ（図６）を定義するベース部分２０８ｂと、ベース部分２０８ｂの下部部分２０９ｂの外周に広がり、ベース部分２０８ｂの下部部分２０９ｂから外の方へ延在するリップ２１２ｂとを含む。リップ２１２ｂは、同様に、キャビティ２１０ｂにおける内側エッジ２２０ｂと、外側エッジ２２２ｂとを含む。リップ２１２ｂは、リップ２１２ｂの下面に形成され、第２のガスケット２０６ｂを受け入れるための溝２１４ｂ（図６）を含む。溝２１４ｂは、溝２１４ｂがキャビティ２１０ｂの内面２１８ｂに隣接するように、キャビティ２１０ｂの外周を囲むように延在してもよい。換言すれば、下部ハウジング２０２ａと同様に、上部ハウジング２０２ｂの溝２１４ｂは、リップ２１２ｂの外側エッジ２２２ｂよりもリップ２１２ｂの内側エッジ２２０ｂに近接していてもよい。
【００４０】
リップ２１２ｂの内側エッジ２２０ｂ及びリップ２１２ｂの外側エッジ２２２ｂは、同様に、内側エッジ２２０ｂから外側エッジ２２２ｂに延在する領域２２４ｂを定義する。換言すれば、リップ２１２ｂは、同様に、リップ２１２ｂの幅である領域２２４ｂを含む。上部ハウジング２０２ｂの溝は、この領域２２４ｂに形成されてもよい。領域２２４ｂは、１つ以上の貫通孔２２６ｂを含む。貫通孔２２６ｂは、以下でより詳細に説明する固定部材２０５を介して、上部ハウジング２０２ｂを下部ハウジング２０２ａに堅く固定することを可能にする。図４に示すように、複数の貫通孔２２６ｂは、リップ２１２ｂに含まれていてもよい。例えば、２個から２０個の貫通孔、より好ましくは、６個から１６個の貫通孔、より好ましくは、８個から１６個の貫通孔、より好ましくは、１０個から１４個の貫通孔があってもよい。貫通孔２２６ｂの配置及び数は、貫通孔２２６ａの配置及び数に対応する。上部ハウジング２０２ｂは、キャビティ２１０ｂと連通するインレットポート２３２を更に含んでいてもよい。インレットポート２３２は、ハウジング２０２の外側の気体を、インレット流路（不図示）を介して、気体ソースからキャビティ２１０ｂに移動させる様式を提供する。パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂで用いるのに適した気体は、以下でより詳細に説明する。特に、上部ハウジング２０２ｂには、アウトレットポートがない。上部ハウジング２０２ｂは、ダイアフラム２０４の上の領域の圧力（即ち、以下に説明する第２の区画の圧力）を計測するための圧力センサ２３１を含んでいてもよい。
【００４１】
ダイアフラム２０４は、下部ハウジング２０２ａ及び上部ハウジング２０２ｂのフィーチャの幾つかに対応するフィーチャを含む。ダイアフラム２０４は、同様に、キャビティ２１０ｃを定義するベース部分２０８ｃと、ベース部分２０８ｃの上部部分の外周に広がり、ベース部分２０８ｃの上部エッジから外の方へ延在するリップ２１２ｃとを含む。リップ２１２ｃは、同様に、キャビティ２１０ｃにおける内側エッジ２２０ｃと、外側エッジ２２２ｃとを含む。リップ２１２ｃの内側エッジ２２０ｃ及びリップ２１２ｃの外側エッジ２２２ｃは、内側エッジ２２０ｃから外側エッジ２２２ｃに延在する領域２２４ｃを定義する。換言すれば、リップ２１２ｃは、同様に、リップ２１２ｃの幅である領域２２４ｃを含む。領域２２４ｃは、１つ以上の貫通孔２２６ｃ（図４）を含む。貫通孔２２６ｃは、ダイアフラム２０４を、上部ハウジング２０２ｂと下部ハウジング２０２ｂとの間に堅く固定することを可能にし、以下でより詳細に説明する。図４に示すように、複数の貫通孔２２６ｃは、リップ２１２ｃに含まれていてもよい。例えば、２個から２０個の貫通孔、より好ましくは、６個から１６個の貫通孔、より好ましくは、８個から１６個の貫通孔、より好ましくは、１０個から１４個の貫通孔があってもよい。貫通孔２２６ｃの配置及び数は、貫通孔２２６ａ、２２６ｂの配置及び数に対応する。
【００４２】
図４及び図６に最もよく見られるように、固定部材２０５は、キャビティ２１０ｄを定義するプレート２１２ｄを含む。プレート２１２ｄは、サイズ及び形状において、下部ハウジング２０２ａ、上部ハウジング２０２ｂ及びダイアフラム２０４のリップ２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃに対応する。換言すれば、プレート２１２ｄは、同様に、キャビティ２１０ｄにおける内側エッジ２２０ｄと、外側エッジ２２２ｄとを含む。プレート２１２ｄの内側エッジ２２０ｄ及びプレート２１２ｄの外側エッジ２２２ｄは、同様に、内側エッジ２２０ｄから外側エッジ２２２ｄに延在する領域２２４ｄを定義する。換言すれば、プレート２１２ｄは、同様に、プレート２１２ｄの幅である領域２２４ｄを含む。領域２２４ｄは、１つ以上の貫通孔２２６ｄを含む。複数の貫通孔２２６ｄは、プレート２１２ｄに含まれていてもよい。例えば、２個から２０個の貫通孔、より好ましくは、６個から１６個の貫通孔、より好ましくは、８個から１６個の貫通孔、より好ましくは、１０個から１４個の貫通孔があってもよい。貫通孔２２６ｄの配置及び数は、貫通孔２２６ａ、２２６ｂ、２２６ｃの配置及び数に対応する。固定部材２０５は、整列した孔２２６ａ、２２６ｂ、２２６ｃ、２２６ｄの全てを貫通する複数のファスナー２３４を更に含む。ファスナー２３４は、ボルト（ナットで固定される）、ねじなどであってもよい。孔は、ファスナーを受け入れるために、必要に応じて、ねじ切りされていてもよい。当業界で周知の任意の適切なファスナーが用いられる。
【００４３】
図６に示すように、パルセーションダンパー２００、２００ｂは、上部ハウジング２０２ｂ、第１のガスケット２０６ａ、ダイアフラム２０４、第２のガスケット２０６ｂ、下部ハウジング２０２ａ及び固定部材２０５の構成要素が上から下になるように組み立てられる。より詳細には、第１のガスケット２０６ａは、第１のガスケット２０６ａが上部ハウジング２０２ｂのリップ２１２ｂに物理的に接触するように、上部ハウジング２０２ｂのリップ２１２ｂとの溝２１４ｂの内部に位置する。ダイアフラム２０４は、第１のガスケット１０６ａがダイアフラム２０４のリップ２１２ｃに物理的に接触するように、位置する。更に、ダイアフラム２０４は、ダイアフラム２０４の貫通孔２２６ｃが上部ハウジング２０２ｂの貫通孔２２６ｂと整列するように、位置する。このようにして、ダイアフラム２０４のリップ２１２ｃの上面２１６ｃ（即ち、上部ハウジング２０２ｂに面するリップ２１２ｃの面）は、上部ハウジング２０２ｂのリップ２１２ｂの下面に物理的に接触する。同様に、第２のガスケット２０６ｂは、ガスケット２０６ｂが下部ハウジング２０２ａのリップ２１２ａに物理的に接触するように、下部ハウジング２０２ａのリップ２１２ａの溝の内部に位置する。ダイアフラム２０４は、第２のガスケット２０６ｂがダイアフラム２０４のリップ２１２ｂに物理的に接触するように、位置する。更に、ダイアフラム２０４は、ダイアフラム２０４の貫通孔２２６ｃが下部ハウジング１０２ａの貫通孔２２６ａと整列するように、位置する。固定部材２０５は、固定部材２０５の貫通孔２２６ｄが下部ハウジング２０２ａの貫通孔２２６ｃと整列するように、位置する。
【００４４】
上述の配置によって、ダイアフラム２０４のリップ２１２ｃの下面（即ち、下部ハウジング２０２ａに面するリップ２１２ｃの面）は、下部ハウジング２０２ａのリップ２１２ａの上面２１６ａに物理的に接触する。下部ハウジング２０２ａのリップ２１２ａの下面（即ち、固定部材２０５に面するリップ２１２ａの面）は、固定部材２０５の上面２１６ｄに物理的に接触する。更に、この配置によって、下部ハウジング２０２ａの貫通孔２２６ａは、上部ハウジング２０２ｂの貫通孔２２６ｂと整列される。換言すれば、下部ハウジングの貫通孔２２６ａのそれぞれは、上部ハウジング２０２ｂの対応する貫通孔２２６ｂと整列し、また、ダイアフラム２０４の対応する貫通孔２２６ｃ及び固定機構２０５の対応する貫通孔２２６ｄと整列する。全ての貫通孔２２６ａ、２２６ｃ、２２６ｄが整列した状態において、ファスナー２３４は、ダイアフラム２０４を下部ハウジング２０２ａと上部ハウジング２０２ｂとの間に堅く固定するために、整列した貫通孔２２６ａ、２２６ｂ、２２６ｃ、２２６ｄに挿入される。換言すれば、この配置によって、ダイアフラム２０４は、第１のガスケット２０６ａ及び第２のガスケット２０６ｂがダイアフラム２０４の各面の間に流体シールを提供する状態において、下部ハウジング２０２ａと上部ハウジング２０２ｂとの間に堅く挟まれる。従って、下部ハウジング２０２ａ、ダイアフラム２０４及び上部ハウジング２０２ｂが固定部材２０５を介して互いに堅く固定されると、ダイアフラム２０４と下部ハウジング２０２ａとの間に（第２のガスケット２０６ｂを介して）流体密封シールがあり、また、ダイアフラム２０４と上部ハウジング２０２ａとの間に（第１のガスケット２０６ａを介して）流体密封シールがある。
【００４５】
パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂの構成要素の上述の構造配置によれば、ダイアフラム２０４は、ハウジング２０２を第１の区画２３６と第２の区画２３８とを分割し、第１の区画２３６は、第２の区画２３８から封止される。液体成形可能な材料１２４が第１の区画２３６を満たすにつれて、第１の区画の体積は増加し、ダイアフラム２０４が下部ハウジングのベース部分２０８ａの底部から上昇することにつれて、第２の区画２３８の体積は減少する。下部ハウジングのベース部分２０８ａは、ダイアフラム２０４が下側ハウジングのベース部分２０８ａに対して封止することを防止する、液体用インレットポート２２８及び液体用アウトレットポート２３０の上のガードを含む。第１の区画における気体の圧力は、ダイアフラム２０４が下部ハウジング２０２ａの底面又は上部ハウジング２０２ｂの上面に接触しないような圧力である。換言すれば、第１の区画２３６は、ダイアフラム２０４の下面／外面と、下部ハウジング２０２ａの内面２１８ａとによって定義される空間（即ち、図６のダイアフラム２０４の下の領域）であり、第２の区画２３８は、上部ハウジング２０２ｂの下面／内面２１８ｂと、ダイアフラム２０４の上面／内面とによって定義される空間（即ち、図６のダイアフラム２０４の上の領域）である。図６に最もよく見られるように、ダイアフラム２０４のベース部分２０８ｃは、下部ハウジング２０２ａの底部に向かって下の方に延在しているため、第１の区画２３６は、第２の区画２３８が気体で新たに満たされた場合に、第２の区画２３８よりも著しく小さい体積を有する。例えば、第１の区画２３６に対する第２の区画２３８の体積の比率は、第２の区画２３８が気体で新たに満たされた場合、１００：１で開始される。しかしながら、数ヶ月（例えば、２ヶ月を超える）後、第１の区画２３６に対する第２の区画２３８の体積の比率は、最終的に、多くの気体がダイアフラムを透過するため、１：１００程度に低くなる。第２の区画が気体で再充填されると、第１の区画２３６に対する第２の区画２３８の体積の比率は、１：１００の比率に戻る。
【００４６】
第１の区画２３６は、それが第１の区画２３６の内外を流れるときに液体成形可能な材料１２４を含み、第２の区画２３８は、後述する少なくとも１つの気体を含む。液体成形可能な材料１２４は、インレットポート２２８を介して、第１の区画２３６に入り、アウトレットポート２３０から第１の区画２３６を出る。動作において、上述したように、液体成形可能な材料１２４は、第１及び第２のポンプ１４２、１４４の影響の下で、第１の区画２３６の内外に継続的に流れる。少なくとも１つの気体は、ダンパーの動作前に、インレットポート２３２を介して、第２の区画２３８に充填される。そして、少なくとも１つの気体が第２の区間２３８に保持されるように、インレットポート２３２が閉じられる。換言すれば、動作において、液体成形可能な材料１２４が第１の区画２３６の内外に継続的に送られる間、少なくとも１つの気体は第２の区画２３８に継続的に送られない。以下でより詳細に議論されるように、「少なくとも１つの気体」は、正確に１つの気体が第２の区画２３８に導入される実施形態、及び、気体の混合物が第２の区画２３８に導入される実施形態を意味することが理解されるべきである。
【００４７】
液体成形可能な材料１２４が第１の区画２３６を通過すると、液体成形可能な材料１２４に存在するパルセーションが減衰される。減衰は、第２の区画２３８の内部に含まれる気体の圧縮によって生じる。液体成形可能な材料１２４は非圧縮性であり、気体は圧縮性であるため、第２の区画２３８のみがパルセーションを吸収する。実施形態において、第２の区画２３８は、第１の区画２３６における液体成形可能な材料１２４の圧力よりも低い圧力のガスで満たされる。実施形態において、第２の区画２３８は、最初に、第１の区画２３６における液体成形可能な材料１２４の圧力の８０％である圧力の気体で充填される。実施形態において、第２の区画２３８は、最初に、第１の区画２３６における液体成形可能な材料１２４の圧力の３０％である圧力の気体で充填される。例えば、気体は、１７〜１８ｐｓｉ絶対圧力の圧力まで第２の区画２３８に充填されてもよい。第２の区画２３８における気体の圧力は、最初、大気圧より高くもてよい。時間が経過すると（例えば、数ヶ月）、気体は、第２の区画２３８から漏れ出し、ダンパーの性能は、ダイアフラムがハウジングにつくまで徐々に低下し、その時点で、ダンパーは、液体成形可能な材料１２４におけるパルセーションを減衰させるように機能しなくなる。好ましい実施形態において、第２の区画２３８における気体は、ダンパーが液体成形可能な材料１２４におけるパルセーションを減衰させることができなくなる前に再充填される。
【００４８】
ダイアフラムの構成及び少なくとも１つの気体の組成は、ダイアフラム２０４を通る少なくとも１つの気体の気体透過速度（ＧＴＲ）が０ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ〜１＊１０−５ｍｂｒ＊Ｌ／ｓｅｃ、１＊１０−１５ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ〜１＊１０−６ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ、又は、１＊１０−１２ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ〜１＊１０−７ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ、１＊１０−１０ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ〜１＊１０−８ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃであるように、選択される。別の実施形態において、ＧＴＲは、１．５＊１０−６ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃ〜１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃであってもよい。例えば、１つの例示的な側面において、ダイアフラム２０４を通る少なくとも１つの気体のＧＴＲは、１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃである。ここで用いられる「気体透過速度（ｇａｓ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｒａｔｅ）」のタームは、単位時間に、ダイアフラムの平行面の単位を通過する気体の量を意味する。ダイアフラムを通る少なくとも１つの気体のＧＴＲを決定するための好ましい方法は、以下の通りである。まず、ダイアフラム２０４が露出するように、パルセーションダンパー２００のベース部分２０８ａの中央における１インチ×１インチの断面が除去される。ダイアフラムの厚さは、膜の中心でマイクロメーターを用いて計測される。次に、パルセーションダンパーの全ての構成要素が超純水で３分間すすがれ、半導体グレードのイソプロピルアルコールで乾燥される。超純水は、１５ＭΩ＊ｃｍ以上の比抵抗を有するべきである。そして、第２の区画２３８は、１１．７ｐｓｉの絶対圧力に排気される。ダイアフラム２０４は可撓性であるため、排気工程の間、それはつぶれ、それにより、多くの空気（例えば、９９％以上）を第２の区画２３８から排気する。次に、第２の区画２３８は、１７．７ｐｓｉの絶対圧力に、気体又は気体混合物で充填される。第２の区画２３８における気体の体積は、気体又は気体混合物の約９９％以上であり、第２の区画２３８の残りの体積は、空気である。そして、ダイアフラム以外のいかなる領域から気体又は気体混合物が漏れていないことを確かめるために、気体特定漏れ検出器が用いられる。次に、気体又は気体混合物の漏れが、気体特定漏れ検出器を用いて、１インチ×１インチのセクションで計測される。気体特定漏れ検出器は、注目する特定の気体を検出するように構成された、当業界で周知の任意の適切な検出器である。例えば、気体特定漏れ検出器は、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光法、中空陰極ランプ分光法、赤外線又は紫外線（ＵＶ）分光法、熱伝導率、電気化学、光電離などであってもよい。デバイスは、５×１０−７Ｌ＊ｍｂａｒ／ｓｅｃの最低気体検知を有するべきである。試験の間の環境条件は、２３℃、１４．７ｐｓｉの絶対大気圧、且つ、５０％の相対湿度である。気体混合物が用いられる場合、気体のそれぞれを同時に計測することができる検出器が用いられてもよいし、各気体検出器が特定のガスを検出する複数の気体検出器が用いられてもよい。計測された漏れは、ＧＴＲ値を提供する。
【００４９】
上述の条件下で試験されるＧＴＲは、上述のリストされたＧＴＲ値を満たすために分配システムで用いられる場合、パルセーションダンパーがこれらの条件下で動作しなければならないことを意味しないことを理解されたい。むしろ、上述のリストされたＧＴＲ値は、気体とダイアフラムとの特定の組み合わせが、上述の手順の下で試験された場合に、ダイアフラムの特定の厚さ、特定の動作温度、特定の動作圧力、特定の相対湿度などにかかわらず、上述のリストされたＧＴＲ値を提供する場合に満たされることを理解されたい。例えば、特定の分配システムで用いられる特定のパルセーションダンパーは、３０℃、１６ｐｓｉ、７５％の相対湿度などで動作する、ダイアフラムと組み合わせた気体を備えていてもよい。ＧＴＲは、これらの条件下で、上述の提供されたＧＴＲ値の範囲外であってもよい。しかしながら、上述の試験手順に従って、同じダイアフラムを通して同じ気体のＧＴＲを試験し、ＧＴＲが上述の提供されたＧＴＲ値の範囲内であることがわかった場合、上述のリストされたＧＴＲ値は、それにもかかわらず満たされる。換言すれば、この仮定の例において、パルセーションダンパーは、分配システムに用いられる場合に、異なるＧＴＲを有するにもかかわらず、上述のＧＴＲ値を満たす。
【００５０】
上述の提供されたＧＴＲを有するパルセーションダンパーは、特に、パルセーションダンパーが、第１の区画２３６を通って移動する液体成形可能な材料１２４の圧力の変動を減衰させるために、ナノインプリントリソグラフィシステム１００に用いられる場合に、従来のパルセーションダンパーと比較して、明確な利点を提供する。パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂを用いてナノインリソグラフィシステム１００でプリントする場合、パルセーションダンパーは、液体成形可能な材料１２４のメニスカス圧力の変動を、±１ｍｂａｒ未満、より好ましくは、±０．５ｂｍａｒ未満に制限することが望ましい。パルセーションダンパーがダイアフラムを介して過剰な気体を損失する場合、パルセーションダンパーは、液体成形可能な材料の圧力変動を±１ｍｂａｒ未満、又は、より好ましくは、±０．５ｍｂａｒ未満に保つように、もはや動作することができない。これは、気体が第２の区画２３８を出る際に、減衰プロセスを行うために、減衰能力が第２の区画２３８における気体がなくなるまで減少するために起こる。ダイアフラムは、最終的に、上部ハウジングの内面に接触し、剛性体積として作用する。従って、気体がハウジングを出ると、減衰能力は、ダイアフラムが上部ハウジングに接触した後、ダンパーがもはや完全に機能しなくなるまで、継続的に減少する。上述したように、パルセーションダンパーが圧力変動を±１ｍｂａｒ未満、より好ましくは、±０．５ｍｂａｒ未満に制限することができなければ、ナノインプリントリソグラフィシステム（例えば、液滴の体積が１ピコリットル未満である場合）における液滴の配置精度は、許容可能な性能レベルを超えて低下する。上述のリストされたＧＴＲ値によって、気体は、非常にゆっくりと、ダイアフラム２０４を通過する。換言すれば、気体は、第２の区画２３８の内部に高度に保持される。時間が経過すると、気体は、必然的に、ダイアフラムを通過する。しかしながら、ダイアフラムを通る気体のＧＴＲが非常に高いパルセーションダンパーと比較すると、気体は、非常に速い速度でダイアフラムを通過する。例えば、１＊１０−５ｍｂａｒ＊Ｌ／ｓｅｃを超えるＧＴＲを備えるパルセーションダンパーにおいて、特に、パルセーションダンパーがナノリンプリントリソグラフィシステムに用いられる場合、臨界量の気体は、区画に気体を充填する１ヶ月以内にダイアフラムを通過する。臨界量の気体がダイアフラムを通過すると、パルセーションダンパーは、流体のメニスカス圧力変動を、±１ｍｂａｒ未満、より好ましくは、±０．５ｍｂａｒ未満に制限することができなくなる。換言すれば、ナノインプリントリソグラフィシステムのオペレータは、パルセーションダンパーが適切に機能し続けるために、約１ヶ月ごとに、区画に新たな気体を補充しなければならない。しかしながら、ダイアフラムを通る気体の上述のリストされたＧＴＲ値によって、パルセーションダンパーは、２ヶ月以上、更には、１年又は２年まで、第１の区画を通って移動する液体成形可能な材料１２４の圧力の変動を、±１ｍｂａｒ未満、又は、より好ましくは、±０．５ｍｂａｒ未満に防止するように機能し続けることができる。従って、ＧＴＲの低減により、オペ���ータは、ナノインプリントリソグラフィシステム１００を操作し、第２の区画１３８における気体を補充する必要がある前に、２倍以上の時間にわたって、適切な液滴配置精度を維持することができる。
【００５１】
ダイアフラム２０４を通る少なくとも１つの気体の上述したＧＴＲ値は、第なフラムの適切な構成を選択すること、及び、互いを組み合わせて用いる気体の適切な組成を選択することによって、達成されてもよい。換言すれば、ダイアフラム２０４を通る気体の通過は、ダイアフラムの構成及び気体の組成の両方に依存する。
【００５２】
少なくとも１つの気体は、好ましくは、０．３６ｍｍ以上、より好ましくは、０．３８ｎｍ以上、より好ましくは、０．４０ｎｍ以上、より好ましくは、０．４５ｎｍ以上、より好ましくは、０．５０ｎｍ以上の動的直径（ｋｉｎｅｔｉｃ  ｄｉａｍｅｔｅｒ）を有する。動的直径の上限は、これらの範囲のそれぞれに対して、０．６０ｎｍであってもよい。例えば、気体は、１つの例示的な実施形態において、０．３９６ｎｍの動的直径を有してもよいし、別の例示的な実施形態において、０．５５ｎｍの動的直径を有してもよい。少なくとも１つの気体が複数の気体を含む（例えば、少なくとも１つの気体が気体混合物である）場合、気体のそれぞれの動的直径は、上述した動的直径を有する。気体は、好ましくは、気体のＧＴＲに直接影響しないその他の特性を有する。気体は、好ましくは、不活性である。気体は、好ましくは、パルセーションダンパーを通過する液体成形可能な材料の組成と相互作用しない、又は、変化させない。気体は、好ましくは、上部ハウジング及び下部ハウジング及びガスケットを含むパルセーションダンパーの構成要素の構成と反応しない、又は、変化させない。気体は、好ましくは、不燃性であり、窒息剤ではない。一部の例では、環境への懸念が関連する場合、気体は、温室効果ガスではないことが好ましい。
【００５３】
少なくとも１つの気体は、キセノン（Ｘｅ）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）、窒素（Ｎ２）、一酸化炭素（ＣＯ）、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、ジフルオロジクロロメタン（ＣＦ２Ｃｌ２）、プロペン（Ｃ３Ｈ６）、テトラフルオロメタン（ＣＦ４）、ｉ−ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、クリプトン（Ｋｒ）、ベンザイン（Ｃ６Ｈ６）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、オクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）、ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）及びそれらの混合物からなるグループから選択される。少なくとも１つの気体は、好ましくは、Ｘｅ、ＳＦ６、Ｎ２及びそれらの混合物からなるグループから選択される。
【００５４】
第２の区画２３８は、上述した気体の正確に１つ、又は、上述した気体の任意の混合物を備えてもよい。換言すれば、「少なくとも１つの気体」の用語は、正確に１つの気体を用いることだけではなく、気体の任意の組み合わせを用いることも意味する。第２の区画２３８の全ての利用可能体積に基づいて、第２の区画２３８内の気体の含有量は、気体又は気体混合物の少なくとも１０体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の少なくとも３０体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の少なくとも５０体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の少なくとも７５体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の少なくとも９０体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の少なくとも９５体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の少なくとも９９体積％、より好ましくは、気体又は気体混合物の１００体積％（又は可能な限り近い）とすることができる。気体が第２の区画２３８の体積の１００％未満を占める場合、第２の区画２３８の残りの体積は、大気であってもよい。
【００５５】
１つの例示的な側面において、第２の区画２３８の全体積の少なくとも１０体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも３０体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも５０体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも７５体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９０体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９５体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９９体積％はＸｅであり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の１００体積％（又は可能な限り近い）はＸｅである。これらの例のそれぞれに対する第２の区画２３８における残りの体積は、上述した気体の任意のその他の気体、又は、上述したガスの任意の混合物であってもよい。例えば、気体の残りの体積は、Ｎ２であってもよい。別の側面において、残りの体積は、大気であってもよい。
【００５６】
別の例示的な側面において、第２の区画２３８の全体積の少なくとも１０体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも３０体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも５０体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも７５体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９０体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９５体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９９体積％はＳＦ６であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の１００体積％（又は可能な限り近い）はＳＦ６である。これらの例のそれぞれに対する第２の区画２３８における残りの体積は、上述した気体の任意のその他の気体、又は、上述したガスの任意の混合物であってもよい。例えば、気体の残りの体積は、Ｎ２であってもよい。別の側面において、残りの体積は、大気であってもよい。
【００５７】
１つの例示的な側面において、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９０体積％はＮ２であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９５体積％はＮ２であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９８体積％はＮ２であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の少なくとも９９体積％はＮ２であり、より好ましくは、第２の区画２３８の全体積の１００体積％（又は可能な限り近い）はＮ２である。これらの例のそれぞれに対する第２の区画２３８における残りの体積は、上述した気体の任意のその他の気体、又は、上述したガスの任意の混合物であってもよい。例えば、気体の残りの体積は、大気であってもよい。
【００５８】
気体混合物が用いられる場合、上述の提供されたＧＴＲ値は、気体混合物の全体を表すことを理解されたい。特に、気体混合物のＧＴＲ値は、混合物における個々の気体の体積による加重平均を表す。例えば、少なくとも１つの気体が５０％のＸｅ、２５％のＳＦ６及び２５％のＮ２の混合物である場合、混合物全体のＧＴＲ値は、混合物におけるそれらの相対体積に基づく、個々の気体のそれぞれのＧＴＲの加重平均である（即ち、この例では、平均ＧＴＲを決定する場合に、ＸｅのＧＴＲが０．５の係数によって重み付けされ、ＳＦ６のＧＴＲが０．２５の係数によって重み付けされ、Ｎ２のＧＴＲが０．２５の係数によって重み付けされる）。従って、上述の提供されたＧＴＲ値は、個々の気体及び気体混合物の両方を表す。
【００５９】
第２の区画２３８を少なくとも１つの気体で充填する場合、第２の区画２３８を充填する前に、まず、第２の区画が排気される。第２の区画２３８を排気した後、少なくとも１つの気体が第２のチャンバ２３８に充填される。排気圧力及び気体充填圧力は、第２の区画２３８における気体の所望の圧力及び量を達成するように選択される。例えば、第２の区画２３８は、１１．７ｐｓｉの絶対圧力に排気され、気体は、第２の区画における気体の９９％以上の体積を達成するために、１７．７ｐｓｉの絶対圧力に充填される。
【００６０】
ダイアフラム２０４は、ダイアフラム２０４が気体と組み合わされて用いられる場合に、組み合わせがダイアフラムを通る気体の上述のリストされたＧＴＲをもたらすような構成を有する。特に、ダイアフラムは、少なくとも１つのフルオロポリマー層を備える。換言すれば、ダイアフラム２０４は、層のうちの少なくとも１つがフルオロポリマーからなる／で構成される多層構造を備える。多層構造は、層のうちの１つ又は全てがフルオロポリマーからなる／で構成される複数の層（例えば、２、３、４など、又は、それ以上の層）を含む。別の側面において、「少なくとも１つの」フルオロポリマー層は、ダイアフラム２０４のただ１つの層であってもよい。換言すれば、「少なくとも１つ」は、正確に１つの層を包含することを理解されたい。従って、ダイアフラム２０４は、フルオロポリマーから実質的になる、又は、からなる、単一の、均一に成形された構造からなる。
【００６１】
フルオロポリマーは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）及びそれらの混合物からなるグループから選択される。より好ましくは、フルオロポリマーは、ＰＶＤＦ、ＰＦＡ、ＰＴＦ、ＰＣＴＦＥ及びそれらの混合物からなるグループから選択される。１つの例示的な側面において、フルオロポリマーは、ＰＶＤＦである。
【００６２】
ダイアフラムの構成は、材料が以下の金属イオン洗浄度試験方法の下で、１０億分の２（ｐｐｂ）未満の金属イオン洗浄度を有するように、選択される。均一な厚さを有する１インチ×１インチの材料が準備される。サンプルは、超純水（０．１重量ｐｐｂのアニオン不純物レベル又は１８メガオーム＊ｃｍ以上の比抵抗の最大個々の金属を有する水）で３分間すすがれる。それぞれが２００ｍｌの内部体積を有する、ＰＦＡからなる対照容器及びＰＦＡからなる試験容器を取得する。サンプルは、試験容器に設置される。試験容器及び対照容器の両方は、残りは超純水である、２００ｍｌの１％の硝酸で充填される。サンプルは、完全に沈められる。サンプルは、２３℃、１４．７ｐｓｉの絶対圧力及び５０％の相対湿度で１時間浸漬される。５０ｍｌの流体は、試験容器及び対照容器のそれぞれから抽出される。抽出された流体は、それぞれ、誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）解析を用いて、流体に含まれるＡｌ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｋ、Ｎａ、Ｓｎ又はＺｎイオンについて試験される。対照サンプルは、試験の精度を確認するために用いられる。サンプル流体が２ｐｐｂ未満のイオンを含む場合、材料は、十分な金属イオン清浄度を有する。
【００６３】
上述のリストされたフルオロポリマーは、上述のリスとされた気体と組み合わせて用いられる場合、上述のリストされたＧＴＲ値を提供する。しかしながら、その他の材料は、気体透過に障害を加えることによって、ダイアフラムに用いることができる。材料を通る気体透過を減少させる１つの例示的なオプションは、金属化である。金属化は、金属の薄膜（例えば、１００〜２５０オングストロームの厚さ）が別の材料に堆積される、当業界で周知のプロセスである。この場合、上述のリストされた気体と組み合わせて用いられる場合に上述のリストされたＧＴＲを提供しない材料は、それにもかからず、金属化された後、上述のリストされたＧＴＲを提供することができる。金属は、アルミニウム、ニッケル及びクロムからなるグループから選択される。好ましくは、金属は、アルミニウムである。堆積される金属層の厚さは、１００〜２５０オングストロームである。金属層は、ダイアフラムの表面上に堆積されてもよい。１つの例示的な実施形態において、上部ハウジングに面するダイアフラムの面（即ち、気体に面するダイアフラムの面）のみが金属化されてもよい。この場合、下部ハウジングに面するダイアフラムの面は、金属が第１の区画を通って流れる液体成形可能な材料に接触するため、金属化されない。この配置は、金属と液体との間の潜在的な反応を回避する。しかしながら、下部ハウジングに面するダイアフラムの面は、金属が液体成形可能な材料と非反応性である場合には、金属化されてもよい。ダイアフラムの面が金属化される場合、ダイアフラムの材料は、ＰＶＤＦ、ＰＶＦ、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＴＦＥ、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、ナイロン及びポリプロピレンからなるグループから選択される。
【００６４】
ダイアフラム２０４は、多層であっても単層であっても、１０μｍ〜５００μｍ、２０μｍ〜３００μｍ、５０μｍ〜２００μｍ又は８０μｍ〜１５０μｍの合計厚さを有する。選択された厚さは、ダイアフラムの特定の材料の弾性係数に基づいて最適化される。より厚いダイアフラムは、ダイアフラムを通る気体のＧＴＲを減少させることをアシストするが、過度に厚いダイアフラムは、液体におけるパルセーションを最適に減衰させない。ＰＶＤＦの単層は、５０〜４００μｍの厚さを有する。ＰＦＡの単層は、５０〜４００μｍの厚さを有する。ＰＴＦＥの単層は、５０〜４００μｍの厚さを有する。ＰＣＴＦＥの単層は、４０〜３００μｍの厚さを有する。ＰＦＶの単層は、４０〜３００μｍの厚さを有する。ＦＥＰの単層は、５０〜４００μｍの厚さを有する。多層ダイアフラムにおいて、多層構造のフルオロポリマー層は、１０μｍ〜１００μｍ、１５μｍ〜５０μｍ又は１８μｍ〜２５μｍである。例えば、フルオロポリマー層は、２０μｍであってもよい。
【００６５】
上述したように、パルセーションダンパー２００ａ、２００ｂは、ポンプ１４２、１４４の作用によって引き起こされる液体成形可能な材料１２４における振動を減衰させるために、ナノインプリントリソグラフィシステム１００に用いられる。従って、液体成形可能な材料１２４から物品を製造する方法は、上述した物品の製造方法において、上述したパルセーションダンパー２００ａ、２００ｂを用いることを含む。換言すれば、方法は、テンプレートを用いて、液体成形可能な材料１２４のレリーフパターン又は平面層を形成することを含む。また、方法は、レリーフパターンに対応するパターンを、下にある基板１０２の中及び／又は上に転写することを含む。形成は、基板１０２から離間したテンプレート１０８を用いることを含み、液体成形可能な材料１２４は、ディスペンサ１２２を介して、テンプレート１０８と基板１０２との間に与えられる。液体成形可能な材料１２４は、ディスペンサ１２２との間を移動し、コントローラ１３２の制御下で、上述したようなパルセーションダンパー２００ａ、２００ｂによって減衰される。そして、液体成形可能な材料１２４は、液体成形可能な材料に接触しているテンプレート１０８の面の形状に一致するパターンを有する固体層を形成するために、固化される。固化の後、テンプレート１０８は、テンプレート１０８と基板１０２とが離間するように、固体層から引き離される。そして、基板１０２及び固化層は、固化層におけるパターンに対応するレリーフイメージを基板に転写するために、エッチングプロセスなどの追加のプロセスを受ける。パターン基板は、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能な材料除去、ダイシング、ボンディング及びパッケージングなどを含む、デバイス（物品）製造のための周知の工程及びプロセスを更に受ける。製造方法の追加的な詳細は、図１の議論において上述に見出される。ここに記載されたパルセーションダンパー２００ａ、２００ｂは、上述したナノインプリントリソグラフィシステム１００のように、分配される流体におけるパルセーションの減衰が望まれる、任意の周知の物品製造方法に用いることができることを理解されたい。
【００６６】
実施例
実施例１−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％がＸｅガスで充填され、残りの体積が大気であるように、Ｘｅガスで充填される。
【００６７】
実施例２−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％がＳＦ６ガスで充填され、残りの体積が大気であるように、ＳＦ６ガスで充填される。
【００６８】
実施例３−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％が気体混合物で充填され、残りの体積が大気であるように、７５％のＸｅガスと２５％の窒素ガスとの混合物で充填される。
【００６９】
実施例４−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％が気体混合物で充填され、残りの体積が大気であるように、７５％のＳＦ６ガスと２５％の窒素ガスとの混合物で充填される。
【００７０】
実施例５−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％が気体混合物で充填され、残りの体積が大気であるように、５０％のＳＦ６ガスと５０％のＸｅガスとの混合物で充填される。
【００７１】
実施例６−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の７５％がＸｅガスで充填され、残りの体積が大気であるように、Ｘｅガスで充填される。
【００７２】
実施例７−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の７５％がＳＦ６ガスで充填され、残りの体積が大気であるように、ＳＦ６ガスで充填される。
【００７３】
実施例８−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の９５％がＮ２ガスで充填され、残りの体積が大気であるように、Ｎ２ガスで充填される。
【００７４】
実施例９−ダイアフラムが１００％のＰＶＤＦの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の７５％が気体混合物で充填され、残りの体積が大気であるように、５０％のＳＦ６ガスと５０％のＸｅガスとの混合物で充填される。
【００７５】
実施例１０−ダイアフラムが１００％のＰＦＡの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％がＸｅガスで充填され、残りの体積が大気であるように、Ｘｅガスで充填される。
【００７６】
実施例１１−ダイアフラムが１００％のＰＦＡの単一１２５μｍ厚層である、図３乃至図６に示すパルセーションダンパー。第２の区画は、排気され、第２の区画の体積の実質的に１００％がＳＦ６ガスで充填され、残りの体積が大気であるように、ＳＦ６ガスで充填される。
【００７７】
本開示は、例示的な実施形態を参照して説明されたが、本発明は、開示された例示的な実施形態に限定されないことを理解されたい。以下の特許請求の範囲は、そのような全ての変更や同等の構造及び機能を包含するように、最も広い解釈が与えられるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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