(57)【要約】【課題】電子装置の配線一本あたりの幅が小さいとき、配線の金属体積が減り、配線内で結晶粒が移動できず再成長が進みにくくなる。再成長が進まず結晶粒界が多い状態の配線は、耐腐食性が低く電子装置の動作不良の原因となる。本発明は、信頼性の高い電子装置を実現する。【解決手段】基板と、基板の上方に設けられ、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの層と、Ｎｉ−Ｂの層上に設けられた銅の層とを有する配線とを備える電子装置が提供される。【選択図】図４
2020088135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に設けられ、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの層と、前記Ｎｉ−Ｂの層上に設けられた銅の層とを有する配線と
を備える電子装置。
【請求項２】
前記Ｎｉ−Ｂの層は、非晶質である
請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記銅の層は、１μｍ以上の銅の結晶粒を含む
請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記銅の層は、前記基板に垂直な方向において、１００ｎｍ以下の厚みを有する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項５】
前記銅の層を覆う金属のキャップ層を更に有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項６】
前記キャップ層は、ニッケル、錫、コバルトのいずれかを含む無電解めっき膜である
請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記銅の層と前記キャップ層との間に、パラジウム又は銀の触媒を有する
請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記基板と前記Ｎｉ−Ｂの層との間に設けられた、銅、ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒのいずれかを含む給電層を更に有する
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項９】
前記基板と前記Ｎｉ−Ｂの層との間に設けられた、チタン、クロムのいずれかを含む密着層を更に有する
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記Ｎｉ−Ｂの層は、基板に垂直な方向において、４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の厚みを有する
請求項１〜９のいずれか１項に記載の電子装置。
【請求項１１】
基板の上方に、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの層と、銅の層とを有する配線を形成する
電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記銅の層にアクチベータ処理を行い前記銅の層の周囲にパラジウム又は銀の触媒を形成し、
前記銅の層を覆うニッケル、錫、コバルトのいずれかを含むキャップ層を無電解めっきで形成する
請求項１１に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーバーや、ＨＰＣ（Ｈｉｇｈ−Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｃｏｍｐｕｔｉｎｇ）、あるいはゲーム機、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等の電子装置は、プロセッサ、メモリ等の半導体装置を複数搭載する。複数の半導体装置間は、配線で接続される。半導体プロセス技術の進歩によって半導体装置に形成される端子の微細化が進み、電子装置に形成される配線一本あたりの幅も小さくなっている。
【０００３】
配線を形成する技術の一つとして、基板上に密着層及び給電層を有するシード層をスパッタプロセスによって形成し、シード層上にフォトレジストの露光及び現像によって開口部を有するマスクを形成し、マスクの開口部にて露出されたシード層を電極とした電解メッキによって導電層を形成する方法（セミアディティブプロセス）が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
形成された配線は、常温で放置すると結晶粒が移動し結晶粒同士が結合する再成長を行い、形成直後よりも結晶粒が大きくなり、結晶粒界の数が少なくなる。結晶粒界は腐食の影響を受けやすいため、結晶粒界が少なくなると配線の耐腐食性が高まる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−６９７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子装置の配線一本あたりの幅が１００ｎｍよりも小さいとき、配線の金属体積が減り、配線内で結晶粒が移動できず再成長が進みにくくなる。再成長が進まず結晶粒界が多い状態の配線は、耐腐食性が低く電子装置の動作不良の原因となる。
【０００７】
一つの側面では、本発明は、信頼性の高い電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一つの様態によれば、基板と、基板の上方に設けられ、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの層と、Ｎｉ−Ｂの層上に設けられた銅の層とを有する配線とを備える電子装置が提供される。
【０００９】
一つの様態によれば、基板の上方に、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの層と、銅の層とを有する配線を形成する電子装置の製造方法が、提供される。
【発明の効果】
【００１０】
一つの側面として、本発明は、信頼性の高い電子装置を実現できる。
【００１１】
一つの側面として、本発明は、信頼性の高い電子装置を製造できる電子装置の製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、基板を用意する工程を説明する図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、基板上に密着層を形成する工程を説明する図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、密着層上に給電層を形成する工程を説明する図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、給電層上に配線成長層を形成する工程を説明する図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、レジストパターンを形成する工程を説明する図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、導電層を形成する工程を説明する図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、レジストパターンを除去する工程を示す図である。
【図１Ｈ】図１Ｈは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、シード層（配線成長層、給電層、密着層）をエッチングする工程を示す図である。
【図１Ｉ】図１Ｉは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、配線にアクチベータ処理を行う工程を示す図である。
【図１Ｊ】図１Ｊは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、配線にキャップ層を形成する工程を説明する図である。
【図１Ｋ】図１Ｋは、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法のうち、配線を覆う絶縁層を形成する工程を説明する図である。
【図２Ａ】図２Ａは、比較例の一例にかかる配線基板の製造方法のうち、導電層を形成する工程直後の導電層内の金属結晶粒を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、比較例の一例にかかる配線基板の製造方法のうち、導電層内の金属結晶粒が再成長した後の、導電層内の金属結晶粒を示す図である。
【図３】図３は、比較例の他の例にかかる配線基板の製造方法のうち、導電層内の金属結晶粒を示す図である。
【図４】図４は、第１実施形態にかかる配線基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態にかかる電子装置及び電子装置の製造方法として、配線基板及び配線基板の製造方法について図面を用いて説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１４】
以下、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法として、配線基板の製造方法について、図１Ａ〜図１Ｋを用いて説明する。第１実施形態にかかる配線基板の製造方法は、基板の上方に、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの層と、銅の層とを有する配線を形成する。
【００１５】
第１実施形態にかかる配線基板の製造方法では、セミアディティブプロセスによる配線形成を行う。
【００１６】
図１Ａに示されるように、基板２を用意する。基板２は、集積回路が形成された半導体基板や、配線基板である。基板２は、例えば、シリコンウエハや、樹脂基板である。
【００１７】
次いで、基板２上に金属をスパッタリングし、図１Ｂに示されるように、密着層４ａを形成する。密着層４ａは、例えば、チタンやクロムである。密着層４ａの膜厚は、例えば、０．０１μｍ〜０．１μｍである。
【００１８】
次いで、密着層４ａ上に金属をスパッタリングし、図１Ｃに示されるように、給電層６ａを形成する。給電層６ａの形成は、例えば、無電解メッキによって行ってもよい。後述する導電層形成時の電解メッキ工程にて給電層６ａの抵抗が低くなり導電層の歩留まりを高める観点から、給電層６ａの膜厚は、０．０３μｍ以上であることが好ましい。給電層６ａは、例えば、銅、ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒである。
【００１９】
次いで、給電層６ａ上にＮｉ−Ｂを無電解メッキし、図１Ｄに示されるように、配線成長層８ａを形成する。後述する導電層形成時の電解メッキ工程にて十分な給電を行い、メッキ焦げ等のメッキ不良の発生を防ぎ歩留まりを高める観点から、配線成長層８ａの膜厚は、０．０３μｍ以上が好ましい。無電解メッキは、例えば、加温したメッキ浴に基板を浸漬することで行われる。
【００２０】
形成された密着層４ａと給電層６ａと配線成長層８ａとを併せた三層を、シード層９ａと呼ぶ。シード層９ａは、後述する導電層形成時の電解メッキ工程にて、電極として用いられる。後述するシード層９ａをエッチングする工程にてサイドエッチングによる導電層の剥離を防ぎ、信頼性を高める観点から、配線成長層８ａの膜厚は、０．１μｍ以下であることが好ましい。
【００２１】
配線成長層８ａのメッキレートは、例えば、３０秒で約０．０５μｍである。配線成長層８ａのメッキ形成時間は、膜厚調整が安定となる観点から、１５秒以上が好ましい。
【００２２】
次いで、配線成長層８ａ上にフォトレジストを塗布し、所望の位置に露光し現像することにより所望の形状にパターニングすることで、図１Ｅに示されるように、開口部２２を有するレジスト２０を形成する。レジスト２０の開口部２２は、導電層１０が形成される領域に設けられる。開口部２２によって、レジスト２０に覆われたシード層９ａの一部が露出される。
【００２３】
次いで、レジスト２０の開口部２２の直下に露出されるシード層９ａを電極とする電解メッキにより配線成長層８ａ上に金属メッキを成長させ、レジスト２０の開口部２２内に、図１Ｆに示されるように、導電層１０を形成する。導電層１０の形成する電解メッキでは、例えば、電解銅メッキ液を用い、電流密度を８Ａ／ｄｍ２とし、メッキ温度を３０℃とする。
【００２４】
次いで、レジスト２０を除去し、図１Ｇに示されるように、配線成長層８ａ上に、導電層１０が残る。
【００２５】
次いで、シード層９ａのうち導電層１０で覆われていない部分をウェットエッチングすることでシード層９ａの一部を除去する。その結果、図１Ｈに示されるように、基板２上に電気的に独立した複数の導電層１０が残る。シード層９ａの除去は、例えば、シード層９ａがチタンの密着層４ａと銅の給電層６ａとを含む場合、酢酸と過酸化水素水と水との混合液により銅の給電層６ａを除去した後に、フッ酸と水との混合液によりチタンの密着層４ａを除去する。
【００２６】
次いで、導電層１０が形成された基板２を、触媒金属を含むアクチベータ液の浴槽へ浸漬することで、図１Ｉに示されるように、導電層１０の表面に触媒１２を付着させる。触媒１２は、例えば、パラジウムや銀である。
【００２７】
次いで、導電層１０の表面に無電解メッキし、図１Ｊに示されるように、キャップ層１４を形成する。キャップ層１４は、例えば、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｃｏ、錫、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｂのいずれかである。
【００２８】
次いで、導電層１０に絶縁樹脂を塗布し加熱硬化させ、図１Ｋに示されるように、導電層１０を覆う絶縁層１６を形成する。絶縁層１６の材料は、例えば、ポリイミドである。
【００２９】
配線形成の方法は、セミアディティブプロセスに限られるものではなく、例えば、ダマシンプロセスで行われてもよい。
【００３０】
上記のような製造方法によって製造された配線基板は、配線の耐腐食性が高くなり、経時劣化が少なくなり信頼性が高くなる。
【００３１】
３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの配線成長層８は、微小結晶のない非晶質である。非晶質の配線成長層８上では、導電層１０に含まれる銅の結晶粒が再成長し結晶粒径が１μｍ以上となる。これは、電解メッキ法で形成される金属メッキの結晶粒の大きさが、下層の金属結晶粒の大きさに依存するためである。非晶質の配線成長層８には微小結晶がなく、導電層１０に含まれる結晶粒径が１μｍ未満の銅の結晶粒は不安定となる。結晶粒径が１μｍ未満の銅の結晶粒は、再成長することで安定となる。再成長した導電層１０に含まれる銅の結晶粒は、結晶粒径が１μｍ以上となる。
【００３２】
結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有する導電層１０には、結晶粒界が少なく耐腐食性が高くなる。また、結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有する導電層１０は、アクチベータ処理に起因するボイドの発生を抑制することができるため、配線の導電抵抗が小さくなる。
【００３３】
以下、比較例の一例にかかる配線基板の製造方法について、図２Ａ、図２Ｂを用いて説明する。比較例の一例にかかる配線基板の製造方法は、配線成長層を形成せず導電層を給電層上に直接形成する点で、第１実施形態にかかる配線基板の製造方法と異なる。
【００３４】
図２Ａに示されるように、基板２ｂ上に密着層４ｂが形成され、密着層４ｂ上に給電層６ｂが形成され、給電層６ｂ上に導電層１０ｂが形成されている。形成直後の導電層１０ｂは、結晶粒径が１μｍ未満の銅の結晶粒を有し、結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有さない。導電層１０ｂは、基板２ｂに垂直な方向において、０．１μｍよりも大きい厚みを有する。
【００３５】
導電層１０ｂは、形成されてから常温下で一定時間経過すると、導電層１０ｂに含まれる銅の結晶粒が移動することで結晶粒同士が結合し（再成長）、形成直後よりも銅の結晶粒が大きくなる。一定時間とは、例えば、４時間以上である。
【００３６】
図２Ｂに示されるように、給電層６ｂ上に導電層１０ｂａが形成されている。導電層１０ｂａは、図２Ａに示される導電層１０ｂが一定時間経過したもので、結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有する。結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有する導電層１０ｂａは、結晶粒界が少なくなり耐腐食性が高くなる。
【００３７】
以下、比較例の他の例にかかる配線基板の製造方法について、図３を用いて説明する。比較例の他の例にかかる配線基板の製造方法は、導電層が微細である点で、比較例の一例にかかる配線基板の製造方法と異なる。
【００３８】
図３に示されるように、基板２ｃ上に密着層４ｃが形成され、密着層４ｃ上に給電層６ｃが形成され、給電層６ｃ上に導電層１０ｃが形成されている。形成直後の導電層１０ｃは、結晶粒径が１μｍ未満の銅の結晶粒を有し、結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有さない。導電層１０ｃは、基板２ｃに垂直な方向において、０．１μｍ以下の厚みを有する。
【００３９】
導電層１０ｃは、形成されてから常温下で一定時間経過しても、導電層１０ｃに含まれる銅の結晶粒が再成長しない。再成長しない理由は、導電層１０ｃの体積が図２Ａに示される導電層１０ｂの体積よりも小さく、導電層１０ｃ内で結晶粒が移動できないためである。一定時間経過後も、導電層１０ｃは、結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有さない。再成長せず、結晶粒径が１μｍ以上の銅の結晶粒を有さない導電層１０ｃは、結晶粒界が多く耐腐食性が低い。導電層１０ｃの表面には、結晶粒の境界である結晶粒界が多数交わっており、腐食の起点となる。
【００４０】
また、結晶粒径が１μｍ未満の銅の結晶粒を有する導電層にアクチベータ処理を行うと、導電層１０の表面粒子と触媒１２とが置き換わり、ボイドの発生の原因となる。
【００４１】
第１実施形態にかかる配線基板について、図４を用いて説明する。図４に示されるように、配線基板１は、基板２と、配線３と、絶縁層１６と、引出配線３０と、絶縁層３２とを有する。図示しないが、絶縁層３２上にさらに配線が形成され、半導体装置に接続される端子が形成される。
【００４２】
配線３は、基板２上に形成され、密着層４と、給電層６と、配線成長層８と、導電層１０と、触媒１２と、キャップ層１４とを有する。配線３は複数形成され、配線基板１の配線層である。複数の配線３の幅は、例えば、５μｍである。複数の配線３の間隔は、例えば、１０μｍである。
【００４３】
密着層４は、基板２上に形成される。密着層４は、基板２と、密着層４上に形成される層との密着性を高める。密着層４の膜厚は、例えば、０．０１μｍ〜０．１μｍである。密着層４は、例えば、チタンやクロム等の金属膜である。
【００４４】
給電層６は、密着層４上に形成される。給電層６の膜厚は、例えば、０．０３μｍ〜０．１μｍである。給電層６は、例えば、銅、ニッケル、Ｎｉ−Ｃｒ等の金属膜である。
【００４５】
配線成長層８は、給電層６上に形成される。配線成長層８の膜厚は、膜応力が小さく、配線基板１の信頼性を高める観点から、０．０４μｍ〜０．３μｍが好ましい。配線成長層８は、３．２重量％以上５重量％以下のホウ素を含むＮｉ−Ｂの膜である。
【００４６】
導電層１０は、配線成長層８上に形成される。導電層１０は、配線基板１の導電経路である。導電層１０の膜厚は、例えば、１５μｍである。
【００４７】
触媒１２は、導電層１０の表面に形成される。触媒１２は、例えば、パラジウムや銀である。
【００４８】
キャップ層１４は、導電層１０と、配線成長層８と、給電層６との上に形成される。キャップ層１４は、配線３から絶縁層１６への熱拡散を防止する。キャップ層１４は、例えば、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｃｏ、錫、Ｃｏ−Ｗ、Ｃｏ−Ｂのいずれかである。
【００４９】
絶縁層１６は、複数の配線３を覆う。絶縁層１６は、開口部２８を有する。絶縁層１６は、例えば、ポリイミドである。
【００５０】
引出配線３０は、開口部２８を介して配線３と接続される。
【００５１】
絶縁層３２は、引出配線３０を覆う。絶縁層３２は、開口部３４を有する。開口部３４は、絶縁層３２よりも上部に設けられる導電部と配線３とを接続するため、引出配線３０と絶縁層３２よりも上部に設けられる導電部との導通をとるために設けられる。
【００５２】
上記のような配線基板１は、配線３の耐腐食性が高くなり、経時劣化が少なくなり信頼性が高くなる。
【００５３】
以下、実施例１〜５にかかる配線基板について説明する。
【００５４】
実施例１〜５にかかる配線基板は、図４に示される配線３（密着層４、給電層６、配線成長層８、導電層１０、キャップ層１４）を有する。
【００５５】
（実施例１）
密着層４は、シリコンウエハの基板２上にスパッタリングによって形成された、チタンである。密着層４の膜厚は、０．０３μｍである。
【００５６】
給電層６は、密着層４上にスパッタリングによって形成された、ニッケルである。給電層６の膜厚は、０．０３μｍである。
【００５７】
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、５．０重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．０５μｍである。配線成長層８の無電解メッキは、ニッケルの給電層６の酸化膜を希硫酸にて除去し、密着層４と給電層６とが形成されたシリコンウエハの基板２を約６０℃に加温されたメッキ浴に約４０秒浸漬することで行われた。
【００５８】
導電層１０は、配線成長層８上に電解メッキによって形成された、銅である。導電層１０の膜厚は、１μｍである。導電層１０の基板２と垂直方向の幅は、０．７μｍである。
【００５９】
キャップ層１４は、導電層１０の表面にパラジウムの触媒１２を付着させ、無電解メッキによって形成されたＮｉ−Ｐである。キャップ層１４の膜厚は、０．０５μｍである。
【００６０】
（実施例２）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、３．２重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．０４μｍである。
【００６１】
他の構成については実施例１と同様である。
【００６２】
（実施例３）
密着層４は、シリコンウエハの基板２上にスパッタリングによって形成された、チタンである。密着層４の膜厚は、０．０３μｍである。
【００６３】
給電層６は、密着層４上にスパッタリングによって形成された、銅である。給電層６の膜厚は、０．０５μｍである。
【００６４】
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、３．８重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．０４μｍである。
【００６５】
導電層１０は、配線成長層８上に電解メッキによって形成された、銅である。導電層１０の膜厚は、１μｍである。導電層１０の基板２と垂直方向の幅は、１μｍである。
【００６６】
キャップ層１４は、導電層１０の表面にパラジウムの触媒１２を付着させ、無電解メッキによって形成されたＮｉ−Ｂ−Ｐである。キャップ層１４の膜厚は、０．０５μｍである。
【００６７】
（実施例４）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、３．８重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．２μｍである。
【００６８】
他の構成については実施例３と同様である。
【００６９】
（実施例５）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、３．８重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．３μｍである。
【００７０】
他の構成については実施例３と同様である。
【００７１】
実施例１〜５は、導電層１０の銅の結晶粒径が１μｍ以上となった。１μｍ以上の銅の結晶粒を有する導電層１０は、結晶粒界が少なく耐腐食性が高まる。また、配線３の層間に密着不良は見られなかった。
【００７２】
以下、比較例１〜７にかかる配線基板について説明する。
【００７３】
比較例１〜７にかかる配線基板は、図４に示される配線３（密着層４、給電層６、配線成長層８、導電層１０、キャップ層１４）を有する。
【００７４】
（比較例１）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、３．８重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．５μｍである。
【００７５】
他の構成については実施例３と同様である。
【００７６】
比較例１のように、ニッケル膜中ホウ素含有濃度３．８％の配線成長層８は、０．５μｍ以上の膜厚では配線成長層８自体の応力によって割れてしまう。
【００７７】
（比較例２）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、ニッケルである。配線成長層８の膜厚は、０．０５μｍである。
【００７８】
他の構成については実施例３と同様である。
【００７９】
（比較例３）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、０．３重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．０５μｍである。
【００８０】
他の構成については実施例３と同様である。
【００８１】
比較例２、３のように、ニッケル膜中ホウ素含有濃度０．３％以下の配線成長層８は、形成時に酸化膜が厚く形成されるため、導電層１０をメッキする際にメッキ不良が発生する。
【００８２】
（比較例４）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、０．５重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、３．０μｍである。
【００８３】
他の構成については実施例３と同様である。
【００８４】
（比較例５）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、１．０重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、３．０μｍである。
【００８５】
（比較例６）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、１．６重量％のホウ素を含むＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、３．０μｍである。
【００８６】
他の構成については実施例３と同様である。
【００８７】
比較例４〜６のように、ニッケル膜中ホウ素含有濃度０．５％以上１．６以下の配線成長層８は、ホウ素を含むことで耐酸化性が高くなり、導電層１０のメッキ不良は発生しないが、導電層１０の銅の結晶粒が１μｍ以上に粗大化する効果は得られなかった。
【００８８】
（比較例７）
配線成長層８は、給電層６上に無電解メッキによって形成された、Ｂが６．０重量％含まれるＮｉ−Ｂである。配線成長層８の膜厚は、０．０５μｍである。
【００８９】
他の構成については実施例１と同様である。
【００９０】
比較例７のように、ニッケル膜中ホウ素含有濃度６．０％の配線成長層８は、配線成長層８自体の応力によって割れてしまう。これは、配線成長層８のニッケル膜中ホウ素含有濃度が高くなるほど、配線成長層８を導電メッキにて形成する際に発生するガスが、配線成長層８中に含有され応力を増大させるためである。
【００９１】
以下、実施例１〜５及び比較例１〜７について、配線成長層８のホウ素含有濃度、膜厚、配線３の歩留まり、導電層１０に含まれる銅の結晶粒径を示した表である。
【００９２】
【表１】
2020088135.tif 000003
【００９３】
実施例１にかかる配線基板の配線３と、後述する比較例８にかかる配線基板の配線との、信頼性試験後の電気抵抗値を比較した。
（比較例８）
比較例８にかかる配線基板は、配線（密着層、給電層、導電層、キャップ層）を有する。
【００９４】
密着層は、シリコンウエハの基板上にスパッタリングによって形成された、チタンである。密着層の膜厚は、０．０３μｍである。
【００９５】
給電層は、密着層上にスパッタリングによって形成された、銅である。給電層の膜厚は、０．０５μｍである。
【００９６】
導電層は、給電層上に電解メッキによって形成された、銅である。導電層の膜厚は、１μｍである。導電層の基板と垂直方向の幅は、０．７μｍである。
【００９７】
キャップ層は、導電層の表面にパラジウムの触媒を付着させ、無電解メッキによって形成されたＮｉ−Ｐである。キャップ層の膜厚は、０．０５μｍである。
【００９８】
実施例１にかかる配線基板の配線３と、比較例８にかかる配線基板の配線との、信頼性試験前後の電気抵抗値を、プローバーを用いて測定した。
【００９９】
信頼性試験は、配線基板サンプルに対し吸湿リフローを行った後に、高温加速試験を行った。吸湿リフローは、１２５℃２４時間、６０℃６０％ＲＨ、２６０℃のピークリフローを３回行った。高温加速試験は、配線基板サンプルを２００℃の恒温槽中に２４時間放置した。
【０１００】
信頼性試験前の電気抵抗値に対する信頼性試験後の電気抵抗値上昇率は、実施例１にかかる配線基板の配線３は５．９％、比較例８にかかる配線基板の配線は１１．２％であった。
【０１０１】
信頼性試験後の電気抵抗値上昇率が低いほど、経時劣化の影響を抑え信頼性に優れる。
【符号の説明】
【０１０２】
１    配線基板
２    基板
３    配線
４    密着層
６    給電層
８    配線成長層
９    シード層
１０    導電層
１２    触媒
１４    キャップ層
１６    絶縁層
２０    レジスト
２２    開口部
２８    開口部
３０    引出配線
３２    絶縁層
３４    開口部
【図１Ａ】
2020088135.tif 000004
【図１Ｂ】
2020088135.tif 000005
【図１Ｃ】
2020088135.tif 000006
【図１Ｄ】
2020088135.tif 000007
【図１Ｅ】
2020088135.tif 000008
【図１Ｆ】
2020088135.tif 000009
【図１Ｇ】
2020088135.tif 000010
【図１Ｈ】
2020088135.tif 000011
【図１Ｉ】
2020088135.tif 000012
【図１Ｊ】
2020088135.tif 000013
【図１Ｋ】
2020088135.tif 000014
【図２Ａ】
2020088135.tif 000015
【図２Ｂ】
2020088135.tif 000016
【図３】
2020088135.tif 000017
【図４】
2020088135.tif 000018