(57)【要約】【課題】はんだ接続部の応力吸収性能を向上させることができる半導体ユニット、電子機器および半導体ユニット製造方法を提供する。【解決手段】配線板２と半導体素子３との間に絶縁性部材４が配置され、絶縁性部材４の貫通孔４１を通過するはんだ接続部５１によって電気接続部５が構成されている。はんだ接続部５１が絶縁性部材４の貫通孔４１を通過していることで、はんだ付けの工程において、溶融したはんだ金属が貫通孔４１によって保持され、自重によって垂れ下がりにくい。従って、絶縁性部材４のＺ方向寸法を適宜に設定することにより、はんだ接続部５１のＺ方向寸法を大きくすることができ、応力吸収性能を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線板と、前記配線板に重なるように配置される半導体素子と、前記配線板の電極と前記半導体素子の電極とを接続する電気接続部と、を備えた半導体ユニットであって、
前記配線板と前記半導体素子との間に配置される絶縁性部材をさらに備え、
前記絶縁性部材には、前記配線板と前記半導体素子との対向方向に沿って延在する複数の貫通孔が形成され、
前記電気接続部は、前記複数の貫通孔のそれぞれを通過するはんだ接続部を有して構成されていることを特徴とする半導体ユニット。
【請求項２】
前記絶縁性部材は、前記はんだ接続部よりも弾性率が低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体ユニット。
【請求項３】
前記配線板の電極および前記半導体素子の電極は、面内における所定位置を変形基準位置として、当該変形基準位置から遠くに位置するものほど、前記変形基準位置から延びる変形方向の寸法が大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体ユニット。
【請求項４】
互いに対応する前記配線板の電極および前記はんだ接続部について、前記絶縁性部材の線膨張係数をα１とし、前記配線板の線膨張係数をα２とし、当該はんだ接続部の接合温度をＴとし、基準室温をＴｒとし、前記変形基準位置と当該はんだ接続部との間の面内距離をｒ１とし、前記変形基準位置と当該電極との間の面内距離をｒ２とした際に、当該電極の前記変形方向の寸法Ｄ１が、式（１）を満足することを特徴とする請求項３に記載の半導体ユニット。
【数１】
2020088274.tif 000006
【請求項５】
互いに対応する前記半導体素子の電極および前記はんだ接続部について、前記絶縁性部材の線膨張係数をα１とし、前記半導体素子の線膨張係数をα３とし、当該はんだ接続部の接合温度をＴとし、基準室温をＴｒとし、前記変形基準位置と当該はんだ接続部との間の面内距離をｒ１とし、前記変形基準位置と当該電極との間の面内距離をｒ３とした際に、当該電極の前記変形方向の寸法Ｄ２が、式（１）を満足することを特徴とする請求項３に記載の半導体ユニット。
【数２】
2020088274.tif 000007
【請求項６】
前記配線板と前記半導体素子とを連結する連結部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ユニット。
【請求項７】
前記連結部が前記絶縁性部材に挿通されることにより、前記絶縁性部材が前記配線板および前記半導体素子に対して固定されることを特徴とする請求項６に記載の半導体ユニット。
【請求項８】
前記絶縁性部材の線膨張係数が３００ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体ユニット。
【請求項９】
前記絶縁性部材の弾性率が３０Ｍｐａ以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体ユニット。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体ユニットを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
配線板と、前記配線板に重なるように配置される半導体素子と、前記配線板の電極と前記半導体素子の電極とを接続する電気接続部と、を備えた半導体ユニットを製造する半導体ユニット製造方法であって、
前記配線板と前記半導体素子との間に、これらの対向方向に沿って延在する複数の貫通孔が形成された絶縁性部材を配置し、
はんだ金属を溶融することにより、前記複数の貫通孔のそれぞれを通過するはんだ接続部を形成し、複数の当該はんだ接続部によって前記電気接続部を構成することを特徴とする半導体ユニット製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ユニット、電子機器および半導体ユニット製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子が配線板に実装された半導体ユニットとして、半導体素子の電極と配線板の電極とがはんだ付けされることで電気的に接続されたものが知られている。このような半導体ユニットでは、配線板の線膨張係数と半導体素子の線膨張係数とが異なることがあり、高温下に配置されたり使用により温度上昇したりした場合に、線膨張係数の差によって、はんだ金属に応力が加わることがある。
【０００３】
そこで、線膨張係数の差によって生じる応力を吸収するために、基板（配線板）から金属配線（電極）を突出させ、この金属配線の先端にはんだボールを設けた接続構造が提案されている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載された接続構造では、金属配線が変形することにより、線膨張係数の差によって生じる応力を吸収可能となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されたように金属配線を変形させる構成では、線膨張係数の差が大きくなった場合に応力を吸収しきれない場合があり、応力吸収性能をさらに向上させることが望まれていた。そこで、配線板と半導体素子との対向方向においてはんだ接続部の寸法を大きくするといった対応が考えられる。しかしながら、対向方向と鉛直方向とを略一致させてはんだ付けする場合、はんだ接続部の対向方向寸法は、はんだ金属の自重と、はんだ金属と電極との間の表面張力と、の関係によって上限が決まってしまう。従って、はんだ接続部の対向方向寸法を大きくすることで応力吸収性能を向上させることは困難であった。
【０００５】
本発明の目的は、はんだ接続部の応力吸収性能を向上させることができる半導体ユニット、電子機器および半導体ユニット製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、配線板と、前記配線板に重なるように配置される半導体素子と、前記配線板の電極と前記半導体素子の電極とを接続する電気接続部と、を備えた半導体ユニットであって、前記配線板と前記半導体素子との間に配置される絶縁性部材をさらに備え、前記絶縁性部材には、前記配線板と前記半導体素子との対向方向に沿って延在する複数の貫通孔が形成され、前記電気接続部は、前記複数の貫通孔のそれぞれを通過するはんだ接続部を有して構成されていることを特徴とする半導体ユニット
である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の半導体ユニットによれば、はんだ接続部が絶縁性部材の貫通孔を通過していることで、はんだ付けの工程において、溶融したはんだ金属が貫通孔によって保持され、自重によって垂れ下がりにくい。従って、絶縁性部材の対向方向寸法を適宜に設定することにより、はんだ接続部の対向方向寸法を大きくすることができ、応力吸収性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体ユニットを示す断面図である。
【図２】前記半導体ユニットの配線板の上面を示す平面図である。
【図３】前記半導体ユニットの半導体素子の下面を示す平面図である。
【図４】前記配線板の電極と、前記半導体ユニットにおける絶縁性部材の線膨張係数と、の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体ユニットを示す断面図である。
【図６】本発明の実施例１〜１１の条件を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施形態を図面に基づいて説明する。尚、第２実施形態においては、第１実施形態で説明する構成部材と同じ構成部材及び同様な機能を有する構成部材には、第１実施形態と同じ符号を付すとともに説明を省略する。
【００１０】
［第１実施形態］
本実施形態の半導体ユニット１Ａは、図１に示すように、配線板２と、半導体素子３と、絶縁性部材４と、電気接続部５と、を備える。以下では、配線板２の面内に沿うとともに互いに略直交する２方向をＸ方向およびＹ方向とし、配線板２の板厚方向（面直方向）をＺ方向とする。また、特に記載がない限り、Ｚ方向は鉛直方向と略一致しているものとする。
【００１１】
配線板２は、半導体素子３が実装される実装基板であって、図２に示すように、上面２１側に複数の電極２２が設けられている。また、配線板２は、例えば板厚１ｍｍ程度のガラスエポキシを基材として構成されている。尚、図１には１つの半導体素子３のみが示されているが、配線板２には複数の半導体素子が実装されてもよい。
【００１２】
半導体素子３は、全体がＸＹ平面に沿って延びる板状に形成され、Ｚ方向を対向方向として配線板２の上面２１側に重なるように配置される。半導体素子３は、例えば、ガラスエポキシを基材とする再配線層３１と、再配線層３１の上面側（即ち配線板２とは反対側）にダイボンディングされたシリコン製のチップ３２と、チップ３２を上面側から覆うエポキシ製の保護層３３と、を有する。
【００１３】
半導体素子３には、図３に示すように、再配線層３１の下面３１１側に複数の電極３４が設けられている。半導体素子３における複数の電極３４は、配線板２の複数の電極２２のそれぞれに対応して配置されており、具体的には、Ｚ方向において対向するように配置されている。尚、半導体素子は、下面側に電極が設けられたものに限定されず、その側面から電極が突出したものであってもよい。
【００１４】
配線板２の電極２２および半導体素子３の電極３４は、いずれも円形となっており、対応する電極２２、３４同士の直径が同程度となっている。配線板２の電極２２および半導体素子３の電極３４は、ＸＹ平面において中心部Ｏから遠くに位置するものほど直径が大きい。各々の電極２２、３４は、中心部Ｏから自身の中心に向かって延びる方向が変形方向となる。即ち、電極２２、３４の変形方向寸法は直径に等しい。
【００１５】
このとき、電極２２、３４の直径は、中心部Ｏから遠ざかるにしたがって３段階以上で大きくなっていることが好ましい。また、隣り合う電極２２、３４同士は所定の間隔を空けて配置されている。従って、中心部Ｏに近い領域ほど電極２２、３４の密度が高くなっている。
【００１６】
尚、中心部Ｏは、半導体素子３が熱変形する際の中心となる位置（変形基準位置）であって、例えば、半導体素子３が円板状である場合にはその円の中心とすればよく、長方形状である場合には対角線の交点とすればよく、他の形状である場合には重心とすればよい。
【００１７】
絶縁性部材４は、全体がＸＹ平面に沿って延びる板状に形成され、Ｚ方向において配線板２と半導体素子３との間に挟まれるように配置される。絶縁性部材４には、Ｚ方向に沿って延在する複数の貫通孔４１が形成されている。貫通孔４１の数は、配線板２の電極２２および半導体素子３の電極３４の数と同数である。
【００１８】
また、複数の貫通孔４１の位置は、配線板２の複数の電極２２および半導体素子３の電極３４のそれぞれに対応している。貫通孔４１は例えば円筒状に形成されているものとする。複数の貫通孔４１の直径は互いに等しいものとするが、電極２２、３４と同様に、ＸＹ平面において中心部Ｏから遠くに位置するものほど直径が大きくなっていてもよい。
【００１９】
尚、絶縁性部材４は、配線板２および半導体素子３のいずれに対しても直接には固定されていないものとするが、配線板２または半導体素子３に対して固定されてもよい。
【００２０】
電気接続部５は、配線板２の電極２２と半導体素子３の電極３４とを電気的に接続するためのものであって、複数のはんだ接続部５１によって構成されている。はんだ接続部５１は、複数の貫通孔４１のそれぞれを通過するように構成されている。即ち、はんだ金属を溶融させて貫通孔４１に充填することによりはんだ接続部５１が構成され、はんだ接続部５１は円柱状となっている。
【００２１】
尚、はんだ金属の貫通孔４１への充填方法は任意であり、例えば棒状のはんだ金属を予め貫通孔４１に挿通しておくとともにはんだ金属を溶融させてもよいし、溶融したはんだ金属を貫通孔４１内に供給してもよい。
【００２２】
さらに、互いに対応する配線板２の電極２２およびはんだ接続部５１について、絶縁性部材４の線膨張係数をα１とし、配線板２の線膨張係数をα２とし、はんだ接続部５１の接合温度をＴとし、基準室温をＴｒとし、ＸＹ平面における中心部Ｏとはんだ接続部５１との間の距離をｒ１とし、ＸＹ平面における中心部Ｏと電極２２との間の距離をｒ２とした際に、電極２２の直径Ｄ１が式（１）を満足する。
【００２３】
【数１】
2020088274.tif 000003
【００２４】
即ち、はんだ金属を溶融させる際に、絶縁性部材４および配線板２が接合温度Ｔまで加熱されると仮定すると、はんだ接続部５１と電極２２とは、線膨張係数α１、α２、および、中心部Ｏと間の距離ｒ１、ｒ２に応じて位置ずれする。このとき、直径Ｄ１が上記式（１）を満足することにより、はんだ接続部５１と電極２２とがＸＹ平面内で重なりを有し、これらを電気的に接続することができる。尚、距離ｒ１と距離ｒ２とは互いに等しくてもよい。
【００２５】
さらに、互いに対応する半導体素子３の電極３４およびはんだ接続部５１について、半導体素子３の線膨張係数をα３とし、ＸＹ平面における中心部Ｏと電極３４との間の距離をｒ３とした際に、電極３４の直径Ｄ２が式（２）を満足する。
【００２６】
【数２】
2020088274.tif 000004
【００２７】
即ち、はんだ金属を溶融させる際に、絶縁性部材４および半導体素子３が接合温度Ｔまで加熱されると仮定すると、はんだ接続部５１と電極３４とは、線膨張係数α１、α３、および、中心部Ｏとの間の距離ｒ１、ｒ３に応じて位置ずれする。このとき、直径Ｄ２が上記式（２）を満足することにより、はんだ接続部５１と電極３４とがＸＹ平面内で重なりを有し、これらを電気的に接続することができる。尚、距離ｒ１と距離ｒ３とは互いに等しくてもよい。
【００２８】
はんだ接続部５１の接合温度Ｔは、はんだ接続部５１を構成するはんだ金属の融点に応じて適宜に設定され、例えば、融点の１．０５倍や、融点よりも５Ｋ高い温度であればよい。また、基準室温Ｔｒは、はんだ接続作業が実施される室内の想定温度であればよく、例えば２０℃であればよい。
【００２９】
図４に、式（１）を等式とした場合の絶縁性部材４の線膨張係数をα１と、電極２２の直径Ｄ１との関係の一例を示す。例えば電極２２の直径Ｄ１を１ｍｍ以下に設定した場合、線膨張係数α１は、１３０ｐｐｍ／Ｋ以下となる。従って、この条件においては、線膨張係数α１が１３０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。
【００３０】
ここで、絶縁性部材４の具体的な特性について説明する。絶縁性部材４の線膨張係数は、３００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、上記のように１３０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。また、絶縁性部材４の弾性率は、３０Ｍｐａ以下であることが好ましい。これらの特性を満たす材質としては、フッ素ゴムやシリコーンが例示される。
【００３１】
半導体ユニット１Ａは、例えばヘッドアップディスプレイ装置等の車載用の電子機器に搭載されたり、熱源を有する電子機器に搭載されたりする。電子機器の使用状態や外部環境によっては、半導体ユニット１Ａの温度が上昇する。
【００３２】
このとき、配線板２の線膨張係数α２と半導体素子３の線膨張係数α３との差によって電極２２と電極３４とが位置ずれしようとする。即ち、はんだ接続部５１にせん断応力が加わり、はんだ接続部５１がＺ方向に対して傾斜するように変形することで応力が吸収される。絶縁性部材４ははんだ接続部５１よりも弾性率が低く変形容易に構成されており、はんだ接続部５１の変形を阻害しないようになっている。
【００３３】
はんだ接続部５１が変形する際のせん断ひずみ量は、はんだ接続部５１のＸＹ平面内の寸法と、Ｚ方向寸法と、の比率によって決まり、はんだ接続部５１のＺ方向寸法を大きくするほど、せん断ひずみ量を低減することができる。
【００３４】
このような本実施形態によれば、以下のような効果がある。即ち、はんだ接続部５１が絶縁性部材４の貫通孔４１を通過していることで、はんだ付けの工程において、溶融したはんだ金属が貫通孔４１によって保持され、自重によって垂れ下がりにくい。従って、絶縁性部材４のＺ方向寸法を適宜に設定することにより、はんだ接続部５１のＺ方向寸法を大きくすることができ、応力吸収性能を向上させることができる。
【００３５】
また、はんだ接続部５１が絶縁性部材４の貫通孔４１を通過していることで、はんだ接続部５１の形状の設定自由度が高く、強度を向上させやすい。さらに、絶縁性部材４を設けたり、はんだ接続部５１の形状を適宜に設定したりすることにより、配線板２と半導体素子３との相対振動の共振周波数を適宜に設定することができる。即ち、半導体ユニット１Ａに対して外部から加わる衝撃の周波数（予測値）と、相対振動の共振周波数と、をずらすことができる。
【００３６】
さらに、絶縁性部材４がはんだ接続部５１よりも弾性率が低いことで、はんだ接続部５１に応力を吸収させやすくすることができる。
【００３７】
また、電極２２、３４が、ＸＹ平面において中心部Ｏから遠くに位置するものほど直径が大きいことで、はんだ金属を溶融させる際に電極２２、３４同士の位置ずれが生じやすい領域において、はんだ接続部５１と電極２２、３４とを接続しやすくすることができる。さらに、電極２２、３４同士の位置ずれが生じにくい領域においては電極２２、３４を小径とし、電極２２、３４の密度を向上させることができる。
【００３８】
また、絶縁性部材４の線膨張係数を３００ｐｐｍ／Ｋ以下とすれば、はんだ金属を溶融させる際に電極２２、３４同士の位置ずれを生じにくくし、電極２２、３４同士を小径として電極密度を向上させることができる。さらに、絶縁性部材４の線膨張係数を１３０ｐｐｍ／Ｋ以下とすれば、はんだ金属を溶融させる際に電極２２、３４同士の位置ずれをより生じにくくし、電極２２、３４同士を小径として電極密度を向上させることができる。
【００３９】
また、絶縁性部材４の弾性率を３０Ｍｐａ以下とすれば、はんだ接続部５１が変形する際に絶縁性部材４が抵抗となりにくく、はんだ接続部５１を長寿命化することができる。さらに、絶縁性部材４の線膨張係数を３００ｐｐｍ／Ｋ以下とし、且つ、弾性率を３０Ｍｐａ以下とすれば、はんだ接続部５１をより長寿命化することができる。
【００４０】
［第２実施形態］
本実施形態の半導体ユニット１Ｂは、図５に示すように、配線板２と、半導体素子３と、絶縁性部材４と、電気接続部５と、連結部６と、を備える。即ち、本実施形態の半導体ユニット１Ｂは、第１実施形態の半導体ユニット１Ａに連結部６が追加されたものである。
【００４１】
連結部６は、絶縁物によって、Ｚ方向に沿って延びる柱状に形成され、配線板２と半導体素子３とを連結し、これにより、配線板２と半導体素子３とがＸＹ平面内で相対移動不能となる。尚、連結部６は円柱状であってもよいし角柱状であってもよい。絶縁性部材４は連結部６を貫通しており、これにより、絶縁性部材４は、配線板２および半導体素子３に対して固定され、ＸＹ平面内で相対移動不能となる。
【００４２】
本実施形態では、連結部６が設けられていることにより、配線板２、半導体素子３および絶縁性部材４が熱変形する際の中心（変形基準位置）は、連結部６が設けられた位置となる。このとき、連結部６の中心を変形基準位置としてもよいし、連結部６の外周部を変形基準位置としてもよい。
【００４３】
このような本実施形態によれば、前記第１実施形態の効果に加え、以下のような効果がある。即ち、配線板２と半導体素子３とがＸＹ平面内で移動不能に連結されていることで、はんだ金属を溶融させるプロセス中に、外的要因（熱風や振動、各部材間の摩擦係数の差異等）によって配線板２に対して半導体素子３全体が位置ずれすることを抑制することができる。
【００４４】
また、絶縁性部材４が配線板２および半導体素子３に対してＸＹ平面内で移動不能となっていることで、上記外的要因によって配線板２および半導体素子３に対して絶縁性部材４全体が位置ずれすることを抑制することができる。
【００４５】
なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的が達成できる他の構成等を含み、以下に示すような変形等も本発明に含まれる。
【００４６】
例えば、前記第１実施形態では、絶縁性部材４がはんだ接続部５１よりも弾性率が低いであるものとしたが、絶縁性部材４は、はんだ接続部５１が応力を吸収するために変形することを許容する程度の弾性率を有していればよい。
【００４７】
また、前記第１実施形態では、電極２２、３４が円状であり、中心部Ｏから遠くに位置するものほど直径が大きいものとしたが、配線板および半導体素子の電極を矩形状等の他の形状とするとともに、中心部Ｏから遠くに位置するものほど変形方向の寸法を大きくしてもよい。このとき、変形方向とは、中心部Ｏと各々の電極とを結ぶ方向である。
【００４８】
また、前記第１実施形態では、中心部Ｏから遠くに位置する電極２２、３４ほど直径が大きく、且つ、電極２２、３４の直径Ｄ１、Ｄ２が式（１）、（２）を満足するものとしたが、配線板および半導体素子の電極の直径（変形方向寸法）は適宜に設定されればよい。例えば、はんだ金属を溶融する際に各部材がどの程度温度上昇するのかを予め測定しておき、式（１）、（２）の溶融温度Ｔに代えて各部材の温度を用いてもよい。また、必要な電極数が少ない場合や要求される電極密度が低い場合、複数の電極の直径（変形方向寸法）を互いに等しくしてもよい。
【００４９】
また、前記第１実施形態では、絶縁性部材４の線膨張係数が３００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、弾性率が３０Ｍｐａ以下であることが好ましいとしたが、絶縁性部材４の各特性は、配線板２、半導体素子３および接続部５１の材質や形状、特性等に応じて適宜に設定されればよい。
【００５０】
また、前記第２実施形態では、絶縁性部材４が連結部６を貫通することにより、絶縁性部材４が配線板２および半導体素子３に対してＸＹ平面内で移動不能となっているものとしたが、連結部は、絶縁性部材４の外側において配線板２と半導体素子３とを連結するものであってもよい。また、絶縁性部材４を囲むように複数の連結部を配置することにより、絶縁性部材４を配線板２および半導体素子３に対してＸＹ平面内で移動不能としてもよい。
【００５１】
その他、本発明を実施するための最良の構成、方法などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、且つ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
【００５２】
従って、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではない。それらの形状、材質などの限定の一部、もしくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５４】
前記第１実施形態の半導体ユニット１Ａにおいて、絶縁性部材４の弾性率を１、１０、３０、１００ＭＰａのいずれかに設定するとともに、線膨張係数を３０、１００、３００ｐｐｍ／Ｋのいずれかに設定し、これらを実施例１〜１１とした。各実施例の特性は表１および図６に示す通りである。
【００５５】
【表１】
2020088274.tif 000005
【００５６】
上記の実施例１〜１１について、温度上昇と温度低下とを繰り返し、はんだ接続部５１を繰り返し変形させた際の耐久性をシミュレーションにより評価した。尚、温度は１００℃〜―４０℃の間で変化させた。はんだ接続部５１が破断に至るまでの温度上昇と温度低下のサイクル数（破断サイクル）を表１に示す。
【００５７】
実施例１〜８において、破断サイクルが２０００回以上となり、特に良好な結果が得られた。即ち、線膨張係数３００ｐｐｍ／Ｋ以下かつ弾性率１０ＭＰａの条件と、線膨張係数１００ｐｐｍ／Ｋ以下かつ弾性率３０ＭＰａの条件と、において特に良好な結果が得られた（図６において破線で囲まれた領域）。また、実施例９〜１１においても、破断サイクルが３００回以上となり、良好な結果が得られた。
【符号の説明】
【００５８】
１Ａ、１Ｂ  半導体ユニット
２          配線板
２２        電極
３          半導体素子
３４        電極
４          絶縁性部材
４１        貫通孔
５          電気接続部
５１        はんだ接続部
６          連結部
Ｏ          中心部（変形基準位置）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００５９】
【特許文献１】特開２００１−１２７１１１号公報
【図１】
2020088274.tif 000008
【図２】
2020088274.tif 000009
【図３】
2020088274.tif 000010
【図４】
2020088274.tif 000011
【図５】
2020088274.tif 000012
【図６】
2020088274.tif 000013