(57)【要約】【課題】本発明の目的は、撥液性の向上されたピクセル定義層を有するディスプレイ装置と、その装置における有機発光素子の有機層を容易に形成する製造方法と、を提供することにある。【解決手段】本発明に係るディスプレイ装置は、トランジスタを含む回路素子層、トランジスタと接続された第１電極、第１電極と対向する第２電極、第１電極と第２電極との間に配置される有機層、第１電極を露出させる第１開口部が定義された第１ピクセル定義層及び第１ピクセル定義層上に配置され、第１開口部と重畳する第２開口部が定義された第２ピクセル定義層を含むディスプレイ素子層、並びに素子層上に配置された封入層を備え、第１ピクセル定義層の上面は、有機層から露出される。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを含む回路素子層と、
前記トランジスタと接続された第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される有機層、前記第１電極を露出させる第１開口部が定義された第１ピクセル定義層及び前記第１ピクセル定義層上に配置され、前記第１開口部と重畳する第２開口部が定義された第２ピクセル定義層を含むディスプレイ素子層と、
前記ディスプレイ素子層上に配置された封入層と、を備え、
前記第１ピクセル定義層の上面は、前記有機層から露出されたことを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記有機層に対する第２ピクセル定義層の撥液性は、前記第１ピクセル定義層の撥液性よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記有機層は、前記第１ピクセル定義層のうち前記第１開口部を定義する側面と前記第１電極に接触する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記第１開口部の一方向での幅は、前記第２開口部の前記一方向での幅よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記第１開口部及び前記第２開口部のそれぞれは、複数提供され、
前記第１開口部及び前記第１開口部と対応する前記第２開口部は、平面上で互いに重畳することを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記第１電極は、複数提供され、それぞれが対応する前記第１開口部と重畳し、
前記第２電極は、前記第１電極と重畳することを特徴とする、請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記第２電極は、前記第２ピクセル定義層、前記第１ピクセル定義層の前記上面と前記有機層をカバーすることを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記封入層は、
前記第２電極をカバーする第１封入無機層、前記第１封入無機層と対向する第２封入無機層、及び前記第１封入無機層と前記第２封入無機層との間に配置される封入有機層を含むことを特徴とする、請求項７に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第２ピクセル定義層は、前記有機層と離隔されたことを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第１ピクセル定義層のうち前記第１開口部を定義する側面及び前記第２ピクセル定義層のうち前記第２開口部を定義する側面は、互いに段階的な構造であることを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、および有機発光層のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
第１開口部が定義された第１ピクセル定義層と、
前記第１ピクセル定義層上に配置され、前記第１開口部と重畳する第２開口部が定義された第２ピクセル定義層と、
前記第１開口部によって露出される第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層を含む有機発光素子と、を備え、
前記第２ピクセル定義層の前記有機層に対する撥液性は、前記第１ピクセル定義層の前記有機層に対する撥液性よりも大きいことを特徴とする、ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第１ピクセル定義層の上面は、
前記有機層から露出されたことを特徴とする、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記有機層は、前記第１ピクセル定義層のうち前記第１開口部を定義する側面と前記第１電極に接触することを特徴とする、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記第２ピクセル定義層は、前記有機層と離隔されたことを特徴とする、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記有機層は、前記第１開口部及び前記第２開口部のそれぞれに重畳することを特徴とする、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第１開口部の一方向での幅は、前記第２開口部の前記一方向での幅よりも小さいことを特徴とする、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に関し、詳細には、工程の信頼性が向上したディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ装置は、携帯が可能な薄型のフラットパネルディスプレイ装置に代替される傾向にある。フラットパネルディスプレイ装置の中でも、発光ディスプレイ装置は、自己発光型ディスプレイ装置として視野角が広く、コントラストが優れているだけでなく、応答速度が速いという利点を有していて、次世代ディスプレイ装置として注目されている。なお、有機発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光ディスプレイ装置は、無機発光ディスプレイ装置に比べて輝度、駆動電圧、応答速度、並びに多色特性の実現の観点から優れている。
【０００３】
有機発光ディスプレイ装置は、天然色画面を実現するために赤色光、緑色光、及び青色光を放出するサブピクセルを含む。赤色サブピクセルでは、赤色光を発する有機発光層が形成され、緑色サブピクセルは、緑色光を発する有機発光層が形成され、青色サブピクセルでは、青色光を発する有機発光層が形成される。
【０００４】
このとき、有機発光層が望みのサブピクセルに形成されないか、又は隣接したサブピクセルに形成されると、異なる色を発光する有機発光層が混ざって有機発光ディスプレイ装置の画質が低下するという問題点がある。
【０００５】
特に、有機発光層を形成するにあたって、ノズルを用いて、溶液を下に落とすノズルプリンティング技法を利用する場合には、これらの問題点に起因して画質を向上させるのに限界が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第８３８９３２３号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／０００７３９８号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００５／０１９１７８１号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００７／００７１８８５号明細書
【特許文献５】特許第４８５７６８８号公報
【特許文献６】韓国登録特許第１０−０６０６９４８号公報
【特許文献７】韓国登録特許第１０−０６１９４８６号公報
【特許文献８】韓国公開特許第１０−２０１６−０１２９９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、撥液性の向上されたピクセル定義層を有するディスプレイ装置と、その装置における有機発光素子の有機層を容易に形成する製造方法と、を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るディスプレイ装置は、トランジスタを含む回路素子層、前記トランジスタと接続された第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される有機層、前記第１電極を露出させる第１開口部が定義された第１ピクセル定義層及び前記第１ピクセル定義層上に配置され、前記第１開口部と重畳する第２開口部が定義された第２ピクセル定義層を含むディスプレイ素子層、並びに前記素子層上に配置された封入層を備え、前記第１ピクセル定義層の上面は、前記有機層から露出される。
【０００９】
前記有機層に対する第２ピクセル定義層の撥液性は、前記第１ピクセル定義層の撥液性よりも大きいことを特徴とする。
【００１０】
前記有機層は、前記第１ピクセル定義層のうち前記第１開口部を定義する第１ピクセル定義層の側面及び前記第１電極と接触することを特徴とする。
【００１１】
前記第１開口部の一方向での幅は、前記第２開口部の前記一方向での幅よりも小さいことを特徴とする。
【００１２】
前記第１開口部及び前記第２開口部のそれぞれは、複数で提供され、前記第１開口部及び前記第１開口部に対応する前記第２開口部は、平面上で互いに重畳することを特徴とする。
【００１３】
前記第１電極は、複数で提供され、それぞれが対応する前記第１開口部と重畳し、前記第２電極は、前記第１電極と重畳することを特徴とする。
【００１４】
前記第２電極は、前記第２ピクセル定義層、前記第１ピクセル定義層の前記上面、及び前記有機層をカバーすることを特徴とする。
【００１５】
前記封入層は、前記第２電極をカバーする第１封入無機層、前記第１封入無機層と対向する第２封入無機層、及び前記第１封入無機層と前記第２封入無機層との間に配置される封入有機層を含むことを特徴とする。
【００１６】
前記第２ピクセル定義層は、前記有機層と離隔されたことを特徴とする。
【００１７】
前記第１ピクセル定義層のうち前記第１開口部を定義する側面及び前記第２ピクセル定義層のうち前記第２開口部を定義する側面は、互いに階段状の構造であることを特徴とする。
【００１８】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、及び有機発光層のうち少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置は、第１開口部が定義される第１ピクセル定義層と、前記第１ピクセル定義層上に配置されて前記第１開口部と重畳する第２開口部が定義される第２ピクセル定義層と、有機発光素子と、を備える。前記有機発光素子は、前記第１開口部によって露出される第１電極、前記第１電極と対向する第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層を含む。前記第２ピクセル定義層の前記有機層に対する撥液性は、前記第１ピクセル定義層の前記有機層に対する撥液性よりも大きいことを特徴とする。
【００２０】
前記第１ピクセル定義層の上面は、前記有機層から露出されたことを特徴とする。
【００２１】
前記有機層は、前記第１ピクセル定義層のうち前記第１開口部を定義する側面及び前記第１電極と接触することを特徴とする。
【００２２】
前記第２ピクセル定義層は、前記有機層と離隔されたことを特徴とする。
【００２３】
前記有機層は、前記第１開口部及び前記第２開口部のそれぞれに重畳することを特徴とする。
【００２４】
前記第１開口部の一方向での幅は、前記第２開口部の前記一方向での幅よりも小さいことを特徴とする。
【００２５】
本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の製造方法は、第１電極が形成されたベース基板上に第１材料をコーティングして予備的（ｐｒｅｌｉｍｉｎａｒｙ）な第１ピクセル定義層を形成する段階と、予備的な第１ピクセル定義層で第１電極を露出する第１開口部を形成して第１ピクセル定義層を形成する段階と、第１ピクセル定義層上にプラズマ処理を実行する段階と、第１有機物質を提供して予備的な有機層を形成する段階と、第１ピクセル定義層上に第２材料をコーティングして予備的な第２ピクセル定義層を形成する段階と、予備的な第２ピクセル定義層で第１開口と重畳する第２開口を形成することにより第２ピクセル定義層を形成する段階と、第２有機物質を提供することにより有機層を形成する段階と、を備える。有機層の厚さは、予備的な有機層の厚さより大きいことを特徴とする。
【００２６】
有機層を形成することは、第１開口部および第２開口部を充填する第２有機物質を提供し、第２有機物質を乾燥させることを含むことを特徴とする。
【００２７】
第２有機物質の乾燥後、第１ピクセル定義層の上面が有機層から露出されることを特徴とする。
【００２８】
予備的な有機層の形成は、第１ピクセル定義層の上面を露出させるために第１開口部で第１有機物質を提供する段階と、前記第１有機物質を乾燥させる段階と、を備えることを特徴とする。
【００２９】
第１有機物質の乾燥後、第１ピクセル定義層の上面が予備的な有機層から露出されることを特徴とする。
【００３０】
第１有機物質は第２有機物質と同一であることを特徴とする。
【００３１】
予備的な第１ピクセル定義層は、第１有機物質に対して初期の撥液性を有してもよい。第１ピクセル定義層は、第１有機物質に対して、初期の撥液性よりも低い第１撥液性を有してもよい。第１撥液性は、プラズマ処理により初期の撥液性を低下させることで得られることを特徴とする。
【００３２】
第１有機物質は、第２有機物質と異なることを特徴とする。
【００３３】
前記方法は、第２ピクセル定義層の形成後に、予備的な有機層を除去する段階と、をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によると、プラズマ処理の進行後に減少した第１ピクセル定義層の撥液性を補完するために、第２ピクセル定義層を第１ピクセル定義層上に配置させることで、信頼性の向上した有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示する斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示する断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示するブロック図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示されたピクセルの等価回路図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態によるディスプレイパネルの一部分を簡略に図示する平面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示する断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示する拡大された断面図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示する断面図である。
【図５Ａ】ピクセル定義層の撥液性による有機物質の充填率の差を示すグラフである。
【図５Ｂ】ピクセル定義層の撥液性による有機物質の充填率の差を示すグラフである。
【図５Ｃ】ピクセル定義層の撥液性による有機物質の充填率の差を示すグラフである。
【図５Ｄ】ピクセル定義層の撥液性による有機物質の充填率の差を示すグラフである。
【図６Ａ】ピクセル定義層のプラズマ処理による有機物質の充填状態の変化を示す平面図である。
【図６Ｂ】ピクセル定義層のプラズマ処理による有機物質の充填状態の変化を示す平面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｃ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｄ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｅ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｆ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｇ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｈ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｉ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図７Ｊ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ｃ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ｄ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ｅ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ｆ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図９Ｇ】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法を図示する断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置を図示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本明細書では、ある構成要素（又は領域、層、部分など）が、他の構成要素に対して「上にある」、「接続される」、又は「結合される」と述べられている場合に、これは、他の構成要素上に直接配置／接続／結合されることができるか、又はそれらの間に第３構成要素が配置される可能性もあることを意味する。
【００３７】
同一の図面符号は同一の構成要素を指し示す。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は、技術的な内容の効果的な説明のために誇張されたものである。
【００３８】
「及び／又は」は、関連する構成要素が定義されうる、１つ以上の組み合わせをすべて含む。
【００３９】
第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるものの、前記構成要素は、前記用語によって限定されてはならない。前記用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的でのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱せずに、第１構成要素は、第２構成要素として命名されることができ、同様に第２構成要素も第１構成要素として命名されることができる。単数の表現は、文脈上明らかに別のことを示していると判定されない限り、複数の表現を含む。
【００４０】
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示されたエレメントの相関関係を説明するために使用される。前記用語は、相対的な概念で、図面に示されている方向を基準に説明される。
【００４１】
別の方法で定義されていない限り、本明細書で使用されたすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野における当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義された用語のような用語は、関連技術のコンテキストでの意味と一致する意味を有するものと解釈されるべきで、明細書で明示的に定義されない限り、理想的な、又は過度に形式的な意味に解釈されてはならない。
【００４２】
「含む」または「有する」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在を指定しようとするものであり、一つ又はそれ以上の他の特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在若しくは付加可能性を予め排除しないものと理解されなければならない。以下、図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。
【００４３】
図１は、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の斜視図である。図２は、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の断面図である。図３Ａは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置のブロック図である。図３Ｂは、図３Ａに図示されたピクセルの等価回路図である。図３Ｃは、本発明の一実施形態によるディスプレイパネルの一部分を簡略に図示した平面図である。以下、図１〜図３Ｃを参照して、本発明に係るディスプレイ装置を説明する。
【００４４】
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置（ＤＤ）は、ディスプレイ面（ＤＤ−ＩＳ）を介してイメージ（ＩＭ）をディスプレイする。ディスプレイ面（ＤＤ−ＩＳ）は、第１方向（ＤＲ１）及び第２方向（ＤＲ２）が定義する面と平行である。ディスプレイ面（ＤＤ−ＩＳ）の法線方向、すなわちディスプレイ装置（ＤＤ）の厚さ方向は、第３方向（ＤＲ３）と称される。
【００４５】
本実施形態において、携帯電話端末に適用されうるディスプレイ装置（ＤＤ）を例として図示した。図示していないものの、マザーボードに実装された電子モジュール、カメラモジュール、電源モジュールなどがディスプレイ装置（ＤＤ）とともにブラケット／ケースなどに配置されることにより、携帯電話端末を構成する。本発明に係るディスプレイ装置（ＤＤ）は、テレビ、モニター、などのような大型電子装置をはじめ、タブレット、カーナビゲーション、ゲーム機、スマートウォッチなどのような中小型電子装置などに適用されうる。
【００４６】
一実施形態によるアクティブ領域（ＤＤ−ＤＡ）は、長方形である。非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）は、活性領域（ＤＤ−ＤＡ）と隣接する。非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）は、活性領域（ＤＤ−ＤＡ）を取り囲むことができる。ただし、これに限定されず、活性領域（ＤＤ−ＤＡ）の形状と非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）の形状は、補完的にデザインされ、非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）は、省略されることができる。
【００４７】
図２を参照すると、ディスプレイ装置（ＤＤ）は、ベース層（ＢＬ）、回路素子層（ＣＬ）、ディスプレイ素子層（ＯＬ）、及び封入層（ＴＦＥ）を含む。
【００４８】
ベース層（ＢＬ）は、ディスプレイ装置（ＤＤ）の他のエレメントが配置される基底層である。ベース層（ＢＬ）は、合成樹脂層を含む。ディスプレイ装置（ＤＤ）の製造時に利用される作業基板上に合成樹脂層を形成する。以降、合成樹脂層上に導電層及び絶縁層などを形成する。作業基板が除去されると、合成樹脂層は、ベース層（ＢＬ）に対応する。合成樹脂層は、フレキシブルなポリイミド系の樹脂層である。なお、ベース層（ＢＬ）は、リジッド（ｒｉｇｉｄ）なガラス基板、金属基板、又は有機／無機複合材料基板などであってもよく、いずれか一つの実施形態に限定されるものではない。
【００４９】
回路素子層（ＣＬ）は、ベース層（ＢＬ）上に配置される。回路素子層（ＣＬ）は、少なくとも一つの絶縁層と回路素子を含む。回路素子層（ＣＬ）に含まれている絶縁層は、少なくとも一つの無機層及び／又は少なくとも一つの有機層を含む。回路素子は、信号ライン、ピクセルの駆動回路などを含む。コーティングや蒸着等による絶縁層、半導体層及び導電層の形成工程と、フォトリソグラフィ工程による絶縁層、半導体層及び導電層のパターニング工程を介して回路素子層（ＣＬ）が形成される。
【００５０】
ディスプレイ素子層（ＯＬ）は、回路素子層（ＣＬ）上に配置されて回路素子層（ＣＬ）と電気的に接続される。ディスプレイ素子層（ＯＬ）は、後述する有機発光素子（ＯＤ：図４Ａ）を含む。ディスプレイ素子層（ＯＬ）は、後述するピクセル定義層（ＰＬＥ：図４Ａ）のような有機層を包含できる。
【００５１】
封入層（ＴＦＥ）はディスプレイ素子層（ＯＬ）上に配置される。封入層（ＴＦＥ）はディスプレイ素子層（ＯＬ）をカバーし、外部から流入される水分や酸素を遮断してディスプレイ素子層（ＯＬ）を保護する。封入層（ＴＦＥ）は、複数の無機層及び有機層を含む薄膜の形態で提供される。
【００５２】
図３Ａに示されたように、ディスプレイ装置（ＤＰ）は、タイミング制御部（ＴＣ）、ゲート駆動部（ＳＤ）、データ駆動部（ＤＧ）、並びにピクセル領域（ＰＸＰ）を含む。一方、これは例として示されたものであり、本発明の一実施形態で、タイミング制御部（ＴＣ）、ゲート駆動部（ＳＤ）、データ駆動部（ＤＧ）のうち少なくともいずれか一つは、ディスプレイ装置（ＤＤ）とは別途に提供される。一実施形態に係るタイミング制御部（ＴＣ）、ゲート駆動部（ＳＤ）、データ駆動部（ＤＧ）、並びにピクセル領域（ＰＸＰ）は、回路素子層（ＣＬ）に形成される。
【００５３】
タイミング制御部（ＴＣ）は、入力映イメージ信号を受信し、ディスプレイ装置（ＤＤ）の動作モードに適合するように変換されたイメージデータ（ＩＤＡＴＡ）と多様な制御信号（ＳＣＳ、ＤＣＳ）を出力する。
【００５４】
ゲート駆動部（ＳＤ）は、タイミング制御部（ＴＣ）からゲート駆動制御信号（ＳＣＳ）を受信する。ゲート駆動制御信号（ＳＣＳ）を供給されたゲート駆動部（ＳＤ）は、複数のゲート信号を生成する。ゲート信号は、ディスプレイ装置（ＤＤ）に順次供給される。
【００５５】
データ駆動部（ＤＧ）は、タイミング制御部（ＴＣ）からデータ駆動制御信号（ＤＣＳ）と変換された映像データ（ＩＤＡＴＡ）を受信する。ゲート駆動部（ＳＤ）は、データ駆動制御信号（ＤＣＳ）と変換された映像データ（ＩＤＡＴＡ）に基づいて、複数のデータ信号を生成する。データ信号は、ディスプレイ装置（ＤＤ）に供給される。
【００５６】
ディスプレイ装置（ＤＤ）は、外部から電気的信号を印加されてイメージをディスプレイする。ディスプレイ装置（ＤＤ）は、複数のゲートライン（ＳＬ１〜ＳＬｎ）、複数のデータライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）、及び複数のピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）を含む。
【００５７】
ゲートライン（ＳＬ１〜ＳＬｎ）は、第１方向（ＤＲ１）に配列され、第１方向（ＤＲ１）と交差する第２方向（ＤＲ２）に延長される。ゲートライン（ＳＬ１〜ＳＬｎ）は、ゲート駆動部（ＳＤ）からゲート信号を順次供給される。
【００５８】
データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）は、ゲートライン（ＳＬ１〜ＳＬｎ）に絶縁されるように交差する。データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）は、第２方向（ＤＲ２）に配列され、第１方向（ＤＲ１）に延長される。データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）は、ゲート駆動部（ＳＤ）からデータ信号を受信する。
【００５９】
ディスプレイ装置（ＤＤ）は、外部から第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）及び第２電源電圧（ＥＬＶＳＳ）を供給される。ピクセルの（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）それぞれは、対応するゲート信号に応答してターンオン（ｔｕｒｎ  ｏｎ）される。ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）のそれぞれは、第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）及び第２電源電圧（ＥＬＶＳＳ）を受信して、対応するデータ信号に応答して光を生成する。第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）は、第２電源電圧（ＥＬＶＳＳ）よりも高いレベルの電圧である。
【００６０】
ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）は、ゲートライン（ＳＬ１〜ＳＬｎ）のうち対応するゲートラインに接続され、ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）は、データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）のうち対応するデータラインに接続される。
【００６１】
ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）のそれぞれは、対応するゲートラインからゲート信号を受信し、対応するデータラインからデータ信号を受信する。ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）のそれぞれは、対応するゲート信号に応答してターンオンされる。ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）のそれぞれは、対応するデータ信号に応答してイメージを構成する光を生成する。
【００６２】
ピクセル（ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ）のそれぞれは、少なくとも１つのトランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、並びに有機発光素子を含む。図３Ｂには、ゲートライン（ＳＬ１〜ＳＬｎ）のうち１つのゲートライン（ＳＬ）、データライン（ＤＬ１〜ＤＬｍ）のうち１つのデータライン（ＤＬ）、及び電源ライン（ＰＬ）に接続された１つのピクセル（ＰＸ）の等価回路が例として示された。
【００６３】
ピクセル（ＰＸ）は、第１トランジスタ（Ｔ１）、第２トランジスタ（Ｔ２）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、並びに有機発光素子（ＯＤ）を含む。第１トランジスタ（Ｔ１）は、入力電極、及び出力電極を含む。第１トランジスタ（Ｔ１）は、ゲートライン（ＧＬ）に印加されたゲート信号に応答して対応するデータライン（ＤＬ）に印加されたデータ信号を出力する。
【００６４】
キャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１トランジスタ（Ｔ１）に接続された第１キャパシタ電極及び第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）を受信する第２キャパシタ電極を含む。キャパシタ（Ｃｓｔ）は、第１トランジスタ（Ｔ１）から受信したデータ信号に対応する電圧と第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）との間の差に対応する電荷量を充電する。
【００６５】
第２トランジスタ（Ｔ２）は、第１トランジスタ（Ｔ１）の出力電極及びキャパシタ（Ｃｓｔ）の第１キャパシタ電極に接続された制御電極、電源ライン（ＰＬ）を介して提供された第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）を受信する入力電極、及び出力電極を含む。第２トランジスタ（Ｔ２）の出力電極は、有機発光素子（ＯＤ）に接続される。
【００６６】
第２トランジスタ（Ｔ２）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）に貯蔵された電荷量に対応して有機発光素子（ＯＤ）に流れる駆動電流を制御する。キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電荷量に応じて、第２トランジスタ（Ｔ２）のターンオン時間が決定される。実質的に第２トランジスタ（Ｔ２）の出力電極は、有機発光素子（ＯＤ）に第１電源電圧（ＥＬＶＤＤ）より低いレベルの電圧を供給する。
【００６７】
有機発光素子（ＯＤ）は、第２トランジスタ（Ｔ２）に接続された第１電極及び第２電源電圧（ＥＬＶＳＳ）を受信する第２電極を含む。有機発光素子（ＯＤ）は、第１電極と第２電極との間に配置された発光パターンを含む。
【００６８】
有機発光素子（ＯＤ）は、第２トランジスタ（Ｔ２）のターンオン区間内で発光される。有機発光素子（ＯＤ）で生成された光の色は、発光パターンをなす物質によって決定される。例えば、有機発光素子（ＯＤ）で生成された光の色は、赤色、緑色、青色、及び白色のいずれか一つである。
【００６９】
図３Ｃを参照すると、ディスプレイ装置（ＤＤ）は、有機発光素子（ＯＤ）から生成された光が放出される複数の発光領域及び発光領域に隣接する非発光領域に区分される。図３Ｃには、発光領域のうちの一部の発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）の含まれている領域が示された。
【００７０】
発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）は、非発光領域（ＮＰＸＡ）を間に置いて互いに離隔される。発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）は、多様な形態に配列される。例えば、発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）はマトリックス状に配列されることができる。これにより、非発光領域（ＮＰＸＡ）は格子形状を有する。ただし、これは例としてのものであり、発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）の配列形態は、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００７１】
発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）は、後述するピクセル定義層（ＰＬＥ）の複数提供された第１開口部（ＯＰ１）と対応する。なお、発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）は、後述する有機発光素子（ＯＤ：図４参照）の第１電極（Ｅ１：図４参照）と重畳して配置される。図３Ｃには、発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）と重畳する第１電極（Ｅ１）を点線で示した。
【００７２】
図４Ａは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の断面図である。図４Ｂは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の断面図である。図４Ｃは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の一構成を図示する拡大された断面図である。図５Ａから図５Ｄは、ピクセル定義層の撥液性による有機物質の充填率の差を示すグラフである。図６Ａ及び図６Ｂは、ピクセル定義層のプラズマ処理による有機物質の充填状態の変化を示す平面図である。
【００７３】
図４Ａを参照すると、回路素子層（ＣＬ）は、トランジスタ（ＴＲ）と複数の絶縁層（ＢＩ、ＩＬ１、ＩＬ２、ＩＨ）を含む。回路素子層（ＣＬ）は、ベース層（ＢＬ）上に配置される。
【００７４】
バリア層（ＢＩ）は、ベース層（ＢＬ）上に配置される。バリア層（ＢＩ）は、ベース層（ＢＬ）をカバーする。バリア層（ＢＩ）は、無機物質を含む絶縁層である。例えば、バリア層（ＢＩ）は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、及び酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）のうち少なくとも一つを含む。バリア層（ＢＩ）は、多層構造の無機層に形成される。バリア層（ＢＩ）は、外部からの汚染物質が流入されることを防止する。
【００７５】
図示されていないが、一実施形態に係るディスプレイ装置（ＤＤ）は、バッファ層（図示せず）をさらに含むことができる。バッファ層は、バリア層（ＢＩ）上に配置されることができる。バッファ層は、無機物又は有機物を含む。バッファ層は、後述する半導体パターン（ＳＬＰ）や第１絶縁層（ＩＬ１）に対しバリア層（ＢＩ）よりも高い粘着力を有する。これにより、回路素子層（ＣＬ）は、ベース層（ＢＬ）上に安定的に形成される。
【００７６】
トランジスタ（ＴＲ）は、半導体パターン（ＳＬ）、制御電極（ＣＥ）、入力電極（ＩＥ）、及び出力電極（ＯＥ）を含む。トランジスタ（ＴＲ）は、制御電極（ＣＥ）を介して、半導体パターン（ＳＬ）での電荷移動を制御して、入力電極（ＩＥ）から入力される電気信号を出力電極（ＯＥ）を介して出力する。図４Ａは、図３Ｂに示されたトランジスタ（ＴＲ１、ＴＲ２）のうち、第２トランジスタ（Ｔ２）（つまり、駆動トランジスタ）に該当する１つのトランジスタ（ＴＲ）を示した。
【００７７】
半導体パターン（ＳＬ）は、バリア層（ＢＩ）上に配置される。半導体パターン（ＳＬ）は、結晶半導体物質、金属酸化物半導体物質、多結晶シリコン、およびアモルファスシリコンの少なくともいずれか１つを含む。一実施形態に係るトランジスタ（ＴＲ）は、半導体パターン（ＳＬ）上に配置された制御電極（ＣＥ）を図示したが、これに限定されるものではなく、制御電極（ＣＥ）がベース層（ＢＬ）上に配置され、第１絶縁層（ＩＬ１）によってカバーされ、第１絶縁層（ＩＬ１）上に半導体パターン（ＳＬ）が配置されるボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ−ｇａｔｅ）構造を有することができ、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００７８】
第１絶縁層（ＩＬ１）は、半導体パターン（ＳＬ）と制御電極（ＣＥ）との間に配置される。第１絶縁層（ＩＬ１）は、ベース層（ＢＬ）と半導体パターン（ＳＬ）をカバーする。第１絶縁層（ＩＬ１）は無機物質を包含し、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００７９】
制御電極（ＣＥ）は、半導体パターン（ＳＬ）上に配置される。制御電極（ＣＥ）は、第１絶縁層（ＩＬ１）を間に置いて、半導体パターン（ＳＬ）と離隔される。制御電極（ＣＥ）は、半導体パターン（ＳＬ）と重畳する。
【００８０】
第２絶縁層（ＩＬ２）は、制御電極（ＣＥ）と入力電極（ＩＥ）との間や制御電極（ＣＥ）と出力電極（ＯＥ）の間に配置されることができる。第２絶縁層（ＩＬ２）は、第１絶縁層（ＩＬ１）と制御電極（ＣＥ）をカバーする。第２絶縁層（ＩＬ２）は無機物質を包含し、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【００８１】
入力電極（ＩＥ）及び出力電極（ＯＥ）は、第２絶縁層（ＩＬ２）上に配置される。入力電極（ＩＥ）及び出力電極（ＯＥ）は、第１絶縁層（ＩＬ１）及び第２絶縁層（ＩＬ２）を貫通して半導体パターン（ＳＬ）にそれぞれ接続される。ただし、これは例として示したものであり、入力電極（ＩＥ）及び出力電極（ＯＥ）は、半導体パターン（ＳＬ）に直接接続される可能性もある。
【００８２】
第３絶縁層（ＩＨ）は、第２絶縁層（ＩＬ２）上に配置される。第３絶縁層（ＩＨ）は、トランジスタ（ＴＲ）をカバーする。第３絶縁層（ＩＨ）は、トランジスタ（ＴＲ）とディスプレイ素子層（ＯＬ）との間に配置され、トランジスタ（ＴＲ）とディスプレイ素子層（ＯＬ）を電気的に絶縁させる。
【００８３】
ディスプレイ素子層（ＯＬ）は、ピクセル定義層（ＰＬＥ）と有機発光素子（ＯＤ）を含む。
【００８４】
有機発光素子（ＯＤ）は、第１電極（Ｅ１）、第２電極（Ｅ２）、正孔制御層（ＨＬ）、及び有機発光層（ＥＬ）を含む。有機発光素子（ＯＤ）は、アクティブ領域（ＤＤ−ＤＡ）と重畳する。本発明に係る有機発光素子（ＯＤ）は、有機発光層（ＥＬ）及び正孔制御層（ＨＬ）のうちの少なくともいずれか１つの層を含むものとして定義される。
【００８５】
第１電極（Ｅ１）は、第３絶縁層（ＩＨ）上に配置される。第１電極（Ｅ１）は、第３絶縁層（ＩＨ）を貫通してトランジスタ（ＴＲ）に電気的に接続される。第１電極（Ｅ１）は、複数提供される。複数の第１電極のそれぞれは、図３Ｃに説明した発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）のうち対応する発光領域に重畳して配置される。
【００８６】
第２電極（Ｅ２）は、第１電極（Ｅ１）上に配置される。第２電極（Ｅ２）は、第１電極（Ｅ１）と対向して配置される。第２電極（Ｅ２）は、複数の第１電極とピクセル定義層（ＰＬＥ）と重畳して配置される。例えば、第２電極（Ｅ２）は、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）及び有機発光層（ＥＬ）をカバーする。第２電極（Ｅ２）は、ベース層（ＢＬ）の前面に配置される一体の形状を有してもよい。
【００８７】
第２電極（Ｅ２）は、光学的に透明な透過型電極を含む。たとえば、第２電極（Ｅ２）は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・亜鉛・ガリウム酸化物（ＩＧＺＯ）、及びこれらの混合物／化合物のうちの少なくともいずれか１つを含むことができる。これにより、ディスプレイ装置（ＤＤ）は、前面に映像を表示する。ただし、これは例として示されたものであり、映像を表示する方向に応じて、第２電極（Ｅ２）は、反射型電極又は半透過型電極で形成されてもよく、いずれかの実施形態に限定されない。
【００８８】
有機発光層（ＥＬ）は、第１電極（Ｅ１）と第２電極（Ｅ２）との間に配置される。有機発光層（ＥＬ）は、複数提供され、対応する第１電極のそれぞれに重畳する。有機発光素子（ＯＤ）は、第１電極（Ｅ１）と第２電極（Ｅ２）との間の電位差に応じて有機発光層（ＥＬ）を活性化させ、光を生成する。
【００８９】
一実施形態に係る有機発光層（ＥＬ）は、低分子又は高分子の有機物を含む。例えば、有機発光層（ＥＬ）で赤色可視光線を発光する場合、テトラフェニルナフタセン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）（ルブレン：Ｒｕｂｒｅｎｅ）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユウロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ｄｂｍ）３（ｐｈｅｎ））、トリス［４，４′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２′）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体（Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）３＊２（ＰＦ６））、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン：ｔｈｅｎｏｙｌｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｏｎｅ）３（Ｅｕ（ＴＴＡ）３）、ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ｂｕｔｙｌ−６−（１，１，７，７−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｊｕｌｏｌｉｄｙｌ−９−ｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ：ＤＣＪＴＢ）  などを包含でき、その外にポリフルオレン系高分子（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリビニル系高分子（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ）などのような高分子発光物質を包含できる。
【００９０】
また、緑色の可視光線を発光する有機発光層（ＥＬ）である場合には、緑色発光材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ  ６）  ２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７，−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジノ−［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン（Ｃ５４５Ｔ）、Ｎ，Ｎ′−ジメチル−キナクリドン（ＤＭＱＡ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）などを含むことができ、その他にポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などのような高分子発光物質を包含できる。
【００９１】
また、青色可視光線を発光する有機発光層（ＥＬ）である場合には、青色発光材料であるオキサジアゾールダイマー染料（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ  ｄｉｍｅｒ  ｄｙｅｓ（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ））、スピロ化合物（ｓｐｉｒｏ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物（ｔｒｉａｒｙｌａｍｉｎｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）、ビス（スチリル）アミン（ｂｉｓ（ｓｔｙｒｙｌ）ａｍｉｎｅ）（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、４，４′−ビス（９−エチル−３−カルバゾールビニレン）−１，１′−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＰＢｅ）、９Ｈ−カルバゾール−３，３′−（１，４−フェニレン−ジ−２，１−エテン−ジイル）ビス［９−エチル−（９Ｃ）］（ＢＣｚＶＢ）、４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、４，４′−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＢＤＡＶＢｉ）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウムＩＩＩ（ＦＩｒＰｉｃ）などを包含でき、そのほかにポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などのような高分子発光物質を含む。
【００９２】
一実施形態に係る有機発光層（ＥＬ）が低分子有機物質を含む場合、電子制御層をさらに含む。電子制御層は、電子輸送層及び電子注入層を含む。
【００９３】
電子制御層は複数提供されることができる。電子制御層のそれぞれは、インクジェットプリンティング方法により対応する発光領域（図３Ｃ参照）上に提供される。これにより、電子制御層は、格子状の非発光領域（図３Ｃ参照）によって区画される。
【００９４】
正孔制御層（ＨＬ）は、第１の電極（Ｅ１）と有機発光層（ＥＬ）との間に配置される。正孔制御層（ＨＬ）は、正孔注入層および正孔輸送層を包含できる。
【００９５】
正孔制御層（ＨＬ）は、正孔注入層及び正孔輸送層の一方に対する単層構造を有してもよいし、又は正孔注入物質及び正孔輸送物質の両方からなる単層構造を有することもできる。あるいは、正孔制御層（ＨＬ）は、複数の異なる物質からなる単層構造を有したり、第１電極（Ｅ１）から順番に積層された正孔注入層／正孔輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／正孔バッファ層、正孔注入層／正孔バッファ層、正孔輸送層／正孔バッファ層又は正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層の構造を有してもよいが、これに限定されるものではない。
【００９６】
正孔制御層（ＨＬ）は、真空蒸着技法、スピンコーティング技法、キャスト技法、ＬＢ技法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング技法、レーザープリンティング技法、レーザー熱転写技法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）など、多様な技法を用いて形成することができる。
【００９７】
正孔注入層は、例えば、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）などのフタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）の化合物、ＤＮＴＰＤ（Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ′−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４′−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４′，４″−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４，４′４″−Ｔｒｉｓ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２−ＴＮＡＴＡ（４，４′，４″−ｔｒｉｓ｛Ｎ，−２−ｎａｐｈｔｈｙｌ｝−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ｝−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ  ｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ′−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−ｌ−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、トリフェニルアミンを含むポリエーテルケトン（ＴＰＡＰＥＫ）、４−Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ−４′−ｍｅｔｈｙｌｄｉｐｈｅｎｙｌｉｏｄｏｎｉｕｍ  Ｔｅｔｒａｋｉｓ（ｐｅｎｔａｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｂｏｒａｔｅ］、ＨＡＴ−ＣＮ（ｄｉｐｙｒａｚｉｎｏ［２，３−ｆ：２′，３′−ｈ］ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ−２，３，６，７，１０，１１−ｈｅｘａｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｌｅ）などを含むこともできる。
【００９８】
正孔輸送層は、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカバゾール系誘導体、フルオレン（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ′−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４′−ｄｉａｍｉｎｅ）、ＴＣＴＡ（４，４′，４″−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）などのようなトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ′−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−ｌ−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＴＡＰＣ（４，４′−Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｉｄｅｎｅ  ｂｉｓ［Ｎ，Ｎ−ｂｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ］）、ＨＭＴＰＤ（４，４′−Ｂｉｓ［Ｎ，Ｎ′−（３−ｔｏｌｙｌ）ａｍｉｎｏ］−３，３′−ｄｉｍｅｔｈｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）、又はｍＣＰ（１，３−Ｂｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）などを含むこともできる。
【００９９】
前述したように、正孔制御層（ＨＬ）は、正孔注入層および正孔輸送層のほかに、正孔バッファ層及び電子ブロッキング層のうち少なくとも一つをさらに含む。
【０１００】
正孔バッファ層は、有機発光層（ＥＬ）から放出される光の波長に応じた共振距離を補償して光放出効率を増加させることができる。正孔バッファ層に含まれる物質としては、正孔制御層（ＨＬ）に含まれる物質を使用できる。電子ブロッキング層は、電子輸送領域から正孔輸送領域への電子注入を防止する役割を行う層である。
【０１０１】
一実施形態に係る有機発光層（ＥＬ）は、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）物質を含む。量子ドットのコアは、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物及びこれらの組み合わせから選択される。
【０１０２】
ＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ及びこれらの混合物からなる群から選択されるが２元素化合物と、ＡｇＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、から構成される群から選択される。
【０１０３】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、およびこれらの混合物からなる群から選択されるが２元素化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物と、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、から構成される群から選択される。
【０１０４】
ＩＶ−ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択されるが２元素化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、から構成される群から選択される。ＩＶ族元素ではＳｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される。ＩＶ族化合物としてはＳｉＣ、ＳｉＧｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物であってもよい。
【０１０５】
このとき、２元素化合物、３元素化合物又は４元素化合物は、均一な濃度で粒子内に存在してもよいし、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同じ粒子内に存在するものであってもよい。また、一つの量子ドットが、他の量子ドットを取り囲むコア／シェル構造を有することもできる。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有してもよい。
【０１０６】
いくつかの実施形態では、量子ドットは、前述したナノ結晶を含むコアと前記コアを取り囲むシェルと、を含むコア／シェル構造を有してもよい。量子ドットのシェルは、コアの化学的変性を防止して、半導体特性を維持するための保護層の役割及び／又は量子ドットの電気泳動特性を付与するためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）の役割を遂行する。シェルは、単層または複数層でできている。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有してもよい。量子ドットのシェルの例としては、金属又は非金属の酸化物、半導体化合物、又はこれらの組み合わせなどを挙げられる。
【０１０７】
例えば、金属又は非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの２元素化合物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの３元素化合物を例示できるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【０１０８】
また、前記半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどを例示することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【０１０９】
量子ドットは、約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（Ｆｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  ｏｆ  Ｈａｌｆ  Ｍａｘｉｍｕｍ：ＦＷＨＭ）を有することができ、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。なお、これらの量子ドットを介して発光される光は、全方向に放出されるところ、広視野角が向上される。
【０１１０】
なお、量子ドットの形状は、当分野で一般的に使用される形態のものに特に限定されないものの、より具体的には、球形、ピラミッド型、マルチアーム型（ｍｕｌｔｉ−ａｒｍ）、又は立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、板状ナノ粒子などの形態のものが使用されることができる。
【０１１１】
量子ドットは、粒子の大きさに応じて放出する光の色を調節することができ、これにより、量子ドットは、青、赤、緑などの多様な発光色を有することができる。
【０１１２】
封入層（ＴＦＥ）は、有機発光素子（ＯＤ）上に配置される。本実施形態で、封入層（ＴＦＥ）は、第１封入無機層（ＬＩＬ）、封入有機層（ＯＥＬ）、及び第２封入無機層（ＵＩＬ）を含む。
【０１１３】
第１封入無機層（ＬＩＬ）はディスプレイ素子層（ＯＬ）上に配置される。第１封入無機層（ＬＩＬ）は、ベース層（ＢＬ）の前面に配置された第２電極（Ｅ２）をカバーする。第２封入無機層（ＵＩＬ）は、第１封入無機層（ＬＩＬ）上に配置される。第１封入無機層（ＬＩＬ）及び第２封入無機層（ＵＩＬ）は封入有機層（ＯＥＬ）を密封する。第１封入無機層（ＬＩＬ）及び第２封入無機層（ＵＩＬ）のそれぞれは無機物質を包含できる。例えば、第１封入無機層（ＬＩＬ）及び第２封入無機層（ＵＩＬ）のそれぞれは、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、炭化シリコン（ＳｉＣｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、及び酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）のうちの少なくともいずれか一つを含む。
【０１１４】
封入有機層（ＯＥＬ）は、第１封入無機層（ＬＩＬ）と第２封入無機層（ＵＩＬ）との間に配置される。封入有機層（ＯＥＬ）は有機物を含む。例えば、封入有機層（ＯＥＬ）はエポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ）、及びポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）のうち少なくともいずれか一つを含む。
【０１１５】
第１封入無機層（ＬＩＬ）及び第２封入無機層（ＵＩＬ）は平面上でディスプレイ装置（ＤＤ）の前面に配置される一体の形状を有してもよい。第１封入無機層（ＬＩＬ）及び第２封入無機層（ＵＩＬ）のそれぞれは、封入有機層（ＯＥＬ）と部分的に重畳する。これにより、第１封入無機層（ＬＩＬ）及び第２封入無機層（ＵＩＬ）は、いくつかの領域では、封入有機層（ＯＥＬ）を間に置いて第３方向（ＤＲ３）で互いに離隔され、他のいくつかの領域では、第３方向（ＤＲ３）で直接接触する。封入層（ＴＦＥ）は、有機発光素子（ＯＤ）を密封して、外部から流入される異物から有機発光素子（ＯＤ）を保護する。
【０１１６】
本発明に係るピクセル定義層（ＰＬＥ）は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）及び第２ピクセル定義層（ＰＤ２）を含む。
【０１１７】
第１ピクセル定義層（ＰＤ１）は、第３絶縁層（ＩＨ）上に配置される。第１ピクセル定義層（ＰＤ１）は、第１開口部（ＯＰ１）が定義されることができる。詳細には、第１開口部（ＯＰ１）は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）を貫通して露出された第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１側面（ＰＤ１−Ｓ）から定義される。
【０１１８】
一実施形態に係る第１側面（ＰＤ１−Ｓ）は、第１電極（Ｅ１）から第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１上面（ＰＤ１−Ｕ）に向けるアセントシェープ（ａｓｃｅｎｔ  ｓｈａｐｅ）で傾斜する。これにより、第１開口部（ＯＰ１）の断面上での形状は、台形の形状を有する。ただし、これに限定されるものではなく、第１側面（ＰＤ１−Ｓ）は、第１電極（Ｅ１）と第１上面（ＰＤ１−Ｕ）と垂直を成すことができ、いずれか一つの実施形態に限定されない。
【０１１９】
第１の開口部（ＯＰ１）は、第１電極（Ｅ１）の少なくとも一部を露出させる。一実施形態によると、第１開口部（ＯＰ１）は、複数提供して対応する第１電極と重畳する。複数提供された第１開口部は、実質的に図３Ｃに説明した発光領域（ＰＸＡ２２、ＰＸＡ２３、ＰＸＡ２４、ＰＸＡ３２、ＰＸＡ３３、ＰＸＡ３４）と対応する。
【０１２０】
本発明によると、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１上面（ＰＤ１−Ｕ）は、有機層（正孔制御層（ＨＬ）及び有機発光層（ＥＬ）のいずれか一つ）から露出される。
【０１２１】
一実施形態に基づいて有機層がインクジェットプリンティング工程により形成される場合には、有機層を形成する有機物質を第１開口部（ＯＰ１）上に充填した後、乾燥、ベーク（ｂａｋｅ）工程などを介して目的しようとする厚さに有機層を成膜する。
【０１２２】
このとき、有機物質が第１開口部（ＯＰ１）の内部にのみ充填されるようにするために、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）は、有機物質の撥液性を有する。これにより、有機物質によって形成された有機層は、第１開口部（ＯＰ１）の内部、すなわち、第１電極（Ｅ１）と第１側面（ＰＤ１−Ｓ）にのみ接触されるように配置され、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）を露出させるように配置されることができる。有機層の形成過程は、後述する。
【０１２３】
第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）上に配置される。第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は、第２開口部（ＯＰ２）が定義される。詳細には、第２開口部（ＯＰ２）は、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）を貫通して露出された第２ピクセル定義層（ＰＤ２）の第２側面（ＰＤ２−Ｓ）から定義される。
【０１２４】
一実施形態に係る第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１上面（ＰＤ１−Ｕ）上で第２ピクセル定義層（ＰＤ２）の第２上面（ＰＤ２−Ｕ）に向ける方向に傾斜する。ただし、これに限定されるものではなく、第２側面（ＰＤ２−Ｓ）は、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）及び第２上面（ＰＤ２−Ｕ）と垂直を成すことができ、いずれか一つの実施形態に限定されない。
【０１２５】
第２開口部（ＯＰ２）は、第１開口部（ＯＰ１）と重畳する。一実施形態によると、第２開口部（ＯＰ２）は、複数提供され、対応する第１開口部と重畳する。
【０１２６】
本発明によると、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は有機層と離隔される。第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は、有機層（正孔制御層（ＨＬ）及び有機発光層（ＥＬ）の中のいずれか一つ）を形成する有機物質に対する撥液性を有する。これにより、有機層は、第１の開口部（ＯＰ１）の内部にのみ配置され、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は有機層と離隔して配置される。
【０１２７】
図４Ｂを参照すると、断面上で一方向における第１開口部（ＯＰ１）の第１幅（Ｗ１）は、第２開口部（ＯＰ２）の第２幅（Ｗ２）よりも小さい。
［０１２８］
第１幅（Ｗ１）は、傾斜を有する第１側面（ＰＤ１−Ｓ）により定義された第１開口部（ＯＰ１）の最大幅であり、第２幅（Ｗ２）は、傾斜を有する第２側面（ＰＤ２−Ｓ）により定義された第２開口部（ＯＰ２）の最大幅である。
【０１２８】
第１ピクセル定義層（ＰＤ１）は有機層（正孔制御層（ＨＬ）と有機発光層（ＥＬ）のいずれか一つ）を形成する有機物質に対する第１撥液性を有する。第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は有機層（正孔制御層（ＨＬ）と有機発光層（ＥＬ）のいずれか一つ）を形成する有機物質に対する第２撥液性を有する。ピクセル定義層（ＰＤ１、ＰＤ２）の撥液性は、撥液特性を有する物質を塗布して形成される。例えば、ピクセル定義層（ＰＤ１、ＰＤ２）にフッ素系（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ）成分を含む物質を塗布してベーク工程を実行し、フッ素がピクセル定義層（ＰＤ１、ＰＤ２）の外表面に凝集されて撥液性を有する。一実施形態に係る第２撥液性は、第１撥液性よりも大きい可能性がある。
【０１２９】
第１撥液性と第２発液性の差は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上にプラズマ処理を行うことによって、発生される。一実施形態によると、第１電極（Ｅ１）上に残っている残留物は、有機発光素子（ＯＤ）の信頼性の低下に影響を与える。第１ピクセル定義層（ＰＤ１）を形成するフォトリソグラフィ工程後、第１の電極（Ｅ１）上に残っている残留物を除去するためにプラズマ処理が遂行される。プラズマ処理後、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１撥液性が低下する。プラズマ処理により、第１ピクセル定義（ＰＤ１）の外表面に凝集されたフッ素成分が第１ピクセル定義層（ＰＤ１）との結合力が減少して剥離されていくことにより、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１撥液性は低下される。
【０１３０】
第１ピクセル定義層（ＰＤ１）及び第２ピクセル定義層（ＰＤ２）に含まれている撥液性物質が同じ場合には、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）の第２撥液性は、プラズマ処理を行った第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１撥液性よりも大きい値を有する。
【０１３１】
撥液性の違いに応じて、有機物質をプリンティングしてピクセル定義層の（ＰＤ１、ＰＤ２）の開口部（ＯＰ１、ＯＰ２）に充填させる場合には、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）が有する撥液性よりも比較的大きな撥液性を有する第２ピクセル定義層（ＰＤ２）には、有機物質がカバーされない可能性がある。これにより、ピクセル定義層（ＰＤ１、ＰＤ２）の高さを増加させることによって、有機物質が開口部（ＯＰ１、ＯＰ２）内に充填される充填率を増加させることができ、撥液性の違いにより目的しようとする第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１開口部（ＯＰ１）に有機層を形成することができる。
【０１３２】
本発明によると、有機発光素子（ＯＤ）の有機層をインクジェットプリンティング工程により形成する。有機層を形成するための有機物質は、ピクセル定義層（ＰＬＥ）に定義された開口部（ＯＰ１、ＯＰ２）に充填されて乾燥及びベーク工程を介して成膜される。
【０１３３】
インクジェットプリンティング工程時の不要な領域に有機物質が塗布されることを防止するために、本発明に係るピクセル定義層（ＰＤ１、ＰＤ２）は、撥液性を有するため、有機物質を効率的に充填させることができる。
【０１３４】
さらに、プラズマ処理の進行から生じた第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の撥液性の減少を補完するために、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）を、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上に配置させることで、目的しよう量の有機物質を充填して、信頼性が向上した有機発光素子（ＯＤ）を提供できる。
【０１３５】
図５Ａは、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）にプラズマ処理をしていない場合の接触角（ＣＡ１）を示したグラフである。図５Ｂ〜図５Ｄは、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）を形成した後、第１電極（Ｅ１）上に残っている残留物を除去するためにプラズマ処理をした後の接触角（ＣＡ２、ＣＡ３、ＣＡ４）を示したグラフである。以下、図５Ａ〜図５Ｄ及び表１を参照して、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）のプラズマ処理に対する撥液性の減少について説明する。
【０１３６】
【表１】
2020080310.tif 000003
【０１３７】
表１を参照すると、最大充填量は、接触角度に応じて、第１開口部（ＯＰ１）内に充填される有機物質の量を示したものである。以下、説明する比較例及び実験例のそれぞれの接触角は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）と第１開口部（ＯＰ１）に充填された有機物質（ＨＬ−Ａ）がなす角度を示したものである。
【０１３８】
比較例は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）にプラズマ処理を行わずに、第１開口部（ＯＰ１）に有機物質（ＨＬ−Ａ）を充填させた場合の最大充填量を示したものであり、これによる接触角（ＣＡ１）を表示した。
【０１３９】
図５Ａに示されたように、比較例に係る第１接触角（ＣＡ１）が５０度のとき、第１開口部（ＯＰ１）に有機物質（ＨＬ−Ａ）を充填させうる最大充填量は８４ｐｌである。
【０１４０】
第１実験例〜第３実験例は、プラズマ処理後に、第１開口部（ＯＰ１）の有機物質（ＨＬ−Ａ）を充填させた場合、それぞれの接触角を示したものである。
【０１４１】
図５Ｂに示されたように、第１実験例による第２接触角（ＣＡ２）が４０度のとき、有機物質（ＨＬ−Ａ）を第１開口部（ＯＰ１）に充填させうる最大充填量は６６ｐｌである。
【０１４２】
図５Ｃに示されたように、第２実験例による第３接触角（ＣＡ３）が３０度のとき、有機物質（ＨＬ−Ａ）を第１開口部（ＯＰ１）に充填させることができる最大充填量は５１ｐｌである。
【０１４３】
図５Ｄに示されたように、第３実験例による第４接触角（ＣＡ４）が２０度のとき、有機物質（ＨＬ−Ａ）を第１開口部（ＯＰ１）に充填させうる最大充填量は３６ｐｌである。
【０１４４】
第１〜第３実験例のように、接触角が大きくなるに伴い、開口部内に充填される有機物質の充填量が増加する。充填量が増加するにつれて、目的とする厚さの有機層を形成できるので、信頼性が向上したディスプレイ装置を提供できる。
【０１４５】
実験例と同様に、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）のプラズマ処理を行った場合には、プラズマ処理を進めていない比較例よりも小さい接触角を有し、有機物質（ＨＬ−Ａ）を第１開口部（ＯＰ１）に充填させることができる最大充填量は、接触角が減少するにつれて、減少する。
【０１４６】
図６Ａは、プラズマ処理を行っていない第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上に有機層を形成した平面図を図示したものであり、図６Ｂは、プラズマ処理を行った第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上に同じ量の有機物質を塗布して有機層を形成した平面図を示したものである。
【０１４７】
図６Ａを参照すると、プラズマ処理をしていない第１ピクセル定義層（ＰＤ１）に形成された比較有機層（ＮＯＬ）は、非発光領域（ＮＰＸＡ）と重畳するように形成される。一方、図６Ｂを参照すると、プラズマ処理をした第１ピクセル定義層（ＰＤ１）に形成された実験有機層（ＯＦＬ）の一部は、非発光領域（ＮＰＸＡ）と重なるように形成される。これは、プラズマ処理（ＰＤ１）によって減少した撥液性によって、有機物質が第１開口部（ＯＰ１）以外の領域である非発光領域（ＮＰＸＡ）にオーバーフロー（ｏｖｅｒ  ｆｌｏｗ）されて形成された可能性がある。
【０１４８】
このように、プリンティング工程により有機発光素子（ＯＤ）の有機層を形成する場合には、有機発光素子（ＯＤ）の信頼性向上のために、第１電極（Ｅ１）上に残っている残留物を除去するためにプラズマ処理が要求され、プラズマ処理によって、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の撥液性が減少し、目的の量の有機物質を第１開口部（ＯＰ１）内に充填させる場合、非発光領域（ＮＰＸＡ）へオーバーフロー（ｏｖｅｒ  ｆｌｏｗ）される問題が発生することがある。
【０１４９】
本発明によると、プラズマ処理によって減少した第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の撥液性を補完するために、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）を、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上に配置させることで、目的の量の有機物質を充填して、信頼性が向上した有機発光素子（ＯＤ）を提供できる。
【０１５０】
図４Ｃを参照すると、図４Ａとは異なり、一実施形態に係るディスプレイ装置（ＤＤ−１）は、電子制御層（ＥＣＬ）を含む。一実施形態によると、正孔制御層（ＨＬ）と有機発光層（ＥＬ）は、インクジェットプリンティング工程により形成されて第１開口部（ＯＰ１）の内部に配置され、電子制御層（ＥＣＬ）は、蒸着工程によりベース層（ＢＬ）の全上面に配置される。したがって、一実施形態に係る正孔制御層（ＨＬ）は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）と有機層（正孔制御層（ＨＬ）と有機発光層（ＥＬ）のいずれか１つ）をカバーする。電子制御層（ＥＣＬ）は、図４Ａの説明で述べたように有機発光層（ＥＬ）に含まれている電子輸送層及び電子注入層を包含できる。
【０１５１】
図７Ａ〜図７Ｊは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法の断面図である。図１〜図４Ｂに説明した構成と同じ構成には同じ参照符号を使用し、重複した説明は省略する。以下、図７Ａ〜図７Ｊを参照して、本発明に係るディスプレイ装置の製造方法を説明する。
【０１５２】
図７Ａを参照すると、本発明に係るディスプレイ装置の製造方法は、予備的な第１ピクセル定義層を形成する段階を含む。予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）は、第１電極（Ｅ１）が形成されたベース基板（ＳＢ）上に配置される。一実施形態に係るベース基板（ＳＢ）は、図４Ａで説明したベース層（ＢＩ）、回路素子層（ＣＬ）を含む層である。本発明に係る予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）は、所定の有機物質に対する撥液性を有する。所定の有機物質は、後述する第１有機物質（ＨＬ−Ａ）及び第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）の中のいずれか１つである。
【０１５３】
続いて、図７Ｂを参照すると、第１ピクセル定義層を形成する段階を含む。第１ピクセル定義層（ＰＤ１）は予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）に、第１開口部（ＯＰ１）を形成することによって形成される。
【０１５４】
第１開口部（ＯＰ１）は、予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）に、フォトリソグラフィ工程を実行して形成される。第１開口部（ＯＰ１）を形成するフォトリソグラフィ工程は、第１マスク（ＭＳ１）を利用して実行される。第１開口部（ＯＰ１）は、第１電極（Ｅ１）を露出させるように予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）を貫通して形成される。
【０１５５】
本発明によれば、フォトリソグラフィ工程を通して、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）を形成すときに、第１電極（Ｅ１）上に予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）をなす物質の中から除去されていない残留物（ＰＤ１−Ｐ）が残っている可能性がある。残留物（ＰＤ１−Ｐ）は、有機発光素子（ＯＤ：図４Ａ参照）の信頼性を低下させる。
【０１５６】
続いて、図７Ｃを参照すると、プラズマ処理を実行する段階を含む。プラズマ処理を実行する段階は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上で行われる。プラズマ処理（ＰＴ）を介して、第１電極（Ｅ１）の上面（Ｅ１−Ｕ）に残っている残留物（ＰＤ１−Ｐ）を除去する。これにより、信頼性が向上した有機発光素子（ＯＤ）を提供する。
【０１５７】
ただし、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）上でプラズマ処理（ＰＴ）が行われる場合には、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の撥液性は低下される。例えば、予備的な第１ピクセル定義層（ＰＤ１−Ａ）が所定の有機物質（第１物質）に対する初期の撥液性を有し、プラズマ処理（ＰＴ）の後に、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）が前記有機物質（第１物質）に対する第１撥液性を有する場合には、第１撥液性は、プラズマ処理（ＰＴ）によって初期発液性から減少して得られたものとして定義される。
【０１５８】
第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の撥液性が低下するに伴い、以後、有機物質をプリンティングして有機層を形成する過程で有機物質が第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）にオーバーフローする問題が発生する。
【０１５９】
続いて、図７Ｄ及び図７Ｅを参照すると、予備的な有機層を形成する段階を含む。予備的な有機層（ＨＬ１）はインクジェットプリンティング工程により形成される。例えば、予備的な有機層を形成する段階は、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）が露出されるように第１開口部（ＯＰ１）の内部に第１有機物質（ＨＬ−Ａ）を提供する段階、及び第１有機物質（ＨＬ−Ａ）を乾燥させる段階を含む。
【０１６０】
一実施形態によると、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）は、第１有機物質（ＨＬ−Ａ）から露出される。すなわち、第１有機物質（ＨＬ−Ａ）は、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）にオーバーフローされないことがある。これは、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）は、プラズマ処理（ＰＴ）により撥液性が低下されたが、第１ピクセル定義層（ＤＰ１）の最大充填率に合わせて、第１有機物質（ＨＬ−Ａ）を充填させることで制御できる。
【０１６１】
予備的な有機層（ＨＬ１）は、第１有機物質（ＨＬ−Ａ）に含まれている有機溶媒（ｓｏｌｖｅｎｔ）を除去することによって形成される。
【０１６２】
本発明に係る第１上面（ＰＤ１−Ｕ）は、予備的な有機層（ＨＬ１）から露出される。予備的な有機層（ＨＬ１）は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１有機物質（ＨＬ−Ａ）に対する撥液性によって、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）上に形成されずに、第１開口部（ＯＰ１）の内部にのみ形成する。
【０１６３】
続いて、図７Ｆを参照すると、予備的な第２ピクセル定義層を形成する段階を含む。予備的な第２ピクセル定義層（ＰＤ２−Ａ）は、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の第１上面（ＰＤ１−Ｕ）と予備的な有機層（ＨＬ１）をカバーする。本発明に係る予備的な第２ピクセル定義層（ＰＤ２−Ａ）は、所定の有機物質に対する撥液性を有する。所定の有機物質は、上述した第１有機物質（ＨＬ−Ａ）及び後述する第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）のいずれか１つである。
【０１６４】
続いて、図７Ｇを参照すると、第２ピクセル定義層を形成する段階を含む。第２ピクセル定義層（ＰＤ２）は、予備的な第２ピクセル定義層（ＰＤ２−Ａ）に、第２開口部（ＯＰ２）を形成することによって形成される。
【０１６５】
第２開口部（ＯＰ２）は、予備的な第２ピクセル定義層（ＰＤ２−Ａ）に、フォトリソグラフィ工程を実行して形成される。第２開口部（ＯＰ２）を形成するフォトリソグラフィ工程は、第２マスク（ＭＳ２）を利用して行われる。第２開口部（ＯＰ２）は、第１開口部（ＯＰ１）と重なるように予備的な第２ピクセル定義層（ＰＤ２−Ａ）が貫通されて形成される。
【０１６６】
続いて、図７Ｈと７Ｉを参照すると、上部有機層を形成する段階を含む。上部有機層（ＨＬ２）はインクジェットプリンティング工程により形成される。例えば、上部有機層（ＨＬ２）を形成する段階は、第１開口部（ＯＰ１）及び第２開口部（ＯＰ２）が充填されるように、第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）を提供する段階と、第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）を乾燥させる段階と、を含む。
【０１６７】
上部有機層（ＨＬ２）は、第１ノズル（ＮＺ１）を利用して、第１開口部（ＯＰ１）及び第２の開口部（ＯＰ２）の内部に、第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）を充填させることによって形成される。例えば、第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）は、予備的な有機層（ＨＬ１）、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）、第２側面（ＰＤ２−Ｓ）がカバーされるように、第１開口部（ＯＰ１）及び第２開口部（ＯＰ２）に充填される。第２上面（ＰＤ２−Ｕ）は、第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）から露出される。
【０１６８】
上部有機層（ＨＬ２）は、第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）に含まれている有機溶媒（ｓｏｌｖｅｎｔ）を除去することによって形成される。
【０１６９】
一実施形態によると、第１有機物質（ＨＬ−Ａ）及び第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）が同一の物質で構成された場合、予備的な有機層（ＨＬ１）及び上部有機層（ＨＬ２）は、有機層（ＨＬ）として定義される。
【０１７０】
第１有機物質（ＨＬ−Ａ）及び第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）が同一である場合には、有機層（ＨＬ）の厚さは、予備的な有機層（ＨＬ１）と上部有機層（ＨＬ２）と合計として定義され、有機層（ＨＬ）の厚さは、予備的な有機層（ＨＬ１）の厚さよりも厚く形成される。
【０１７１】
本発明に係る有機層（ＨＬ）は２回のインクジェットプリンティング工程により形成されるにつれて、目的しようとする厚さの有機層（ＨＬ）の形成が可能である。したがって、有機発光素子（ＯＤ）の信頼性が改善される。
【０１７２】
本発明に係る第１上面（ＰＤ１−Ｕ）は、有機層（ＨＬ）から露出され、第２ピクセル定義層は、有機層（ＨＬ２）から離間される。有機層（ＨＬ）は、ピクセル定義層（ＰＤ１、ＰＤ２）の撥液性によって、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）上に形成されずに、第１開口部（ＯＰ１）の内部にのみに形成される。
【０１７３】
以後、図７Ｊを参照すると、ベース基板（ＳＢ）上に複数の蒸着、コーティング工程を介して有機発光素子（ＯＤ）と封入層（ＴＦＥ）を形成する。
【０１７４】
一実施形態によると、有機発光素子（ＯＤ）に含まれている有機層（ＨＬ）は、図４Ａに説明した正孔制御層（ＨＬ）と同じ層である。
【０１７５】
図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法の断面図である。図１〜図７Ｊに説明した構成と同じ構成に対して、同じ参照符号を使用し、重複した説明は省略する。
【０１７６】
図８Ａには、図７Ｅの構成と対応する構成が図示された。一実施形態によると、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）に追加の撥液性の処理段階をさらに含む。追加の撥液性の処理段階は、予備的な有機層（ＨＬ１）が形成された後に、実行される。
【０１７７】
追加の撥液性の処理段階は、プラズマ処理（ＰＴ）によって低下した撥液性を補うために、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）上で実行される。追加の撥液性の処理段階は、反応ガスとしてフッ素化合物（ＣＦ４）を使用する。フッ素化合物（ＣＦ４）に含まれているフッ素（Ｆ）が分解され、フッ素イオンが生成され、生成されたフッ素イオンは、第１ピクセル定義層（ＰＤ１）の上面（ＰＤ１−Ｕ）に吸着される。フッ素（Ｆ）の上面（ＰＤ１−Ｕ）に吸着された撥液層（ＦＬ）をドット状に示した。撥液層（ＦＬ）が形成された上面（ＰＤ１−Ｕ）は、低い表面エネルギーを有し、以後塗布された有機物質の疎水性表面を有する。
【０１７８】
続いて、図８Ｂを参照すると、撥液層（ＦＬ）が形成されたベース基板（ＳＢ）上に、インクジェット工程及び蒸着工程を介して有機発光素子（ＯＤ）を形成する。
【０１７９】
図９Ａ〜図９Ｇは、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の製造方法の断面図である。図１〜図７Ｊに説明した構成と同じ構成に対し同じ参照符号を使用し、重複した説明は省略する。
【０１８０】
図９Ａには、図７Ｃの構成と対応する構成が図示された。一実施形態によれば、ベース基板（ＳＢ）上に第１電極（Ｅ１）を露出させる第１開口部（ＯＰ１）が形成された第１ピクセル定義層（ＰＤ１）が提供される。
【０１８１】
続いて、図９Ｂ及び９Ｃを参照すると、保護層を形成する段階を含む。保護層（ＰＴＬ）はインクジェットプリンティング工程により形成される。例えば、保護層を形成する段階は、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）が露出されるように第１開口部（ＯＰ１）の内部に第１有機物質（ＰＴＬ−Ａ）を提供する段階と、第１有機物質（ＰＴＬ−Ａ）を乾燥させる段階と、を含む。
【０１８２】
一実施形態によると、第１上面（ＰＤ１−Ｕ）は、保護層（ＰＴＬ）から露出される。保護層（ＰＴＬ）は、第１の有機物質（ＰＴＬ−Ａ）に含まれている有機溶媒（ｓｏｌｖｅｎｔ）を除去することによって形成される。
【０１８３】
続いて、図９Ｄ及び図９Ｅを参照すると、第２ピクセル定義層を形成する段階を含む。第２ピクセル定義層を形成する段階は、図７Ｇで説明した第２ピクセル定義層を形成する段階と同様に実行される。
【０１８４】
以後、図９Ｆを参照すると、保護層を除去する段階を含む。図７Ｈに説明した一実施形態は、第１有機物質（ＨＬ−Ａ）及び第２有機物質（ＨＬ−Ｂ）が同一の物質からなる場合を含む。これにより、有機層（ＨＬ）は、２回のインクジェットプリンティング工程により形成される。
【０１８５】
これとは異なり、一実施形態によると、保護層（ＰＴＬ）をなす第１有機物質（ＰＴＬ−Ａ）及び上部有機層（ＨＬ２：図７Ｉ参照）をなす第２有機物質（ＨＬ−Ｂ：図７Ｈ）が異なる場合には、保護層（ＰＴＬ）は、第２ピクセル定義層（ＰＤ２）を形成するための機能層として使用された後、有機層（ＨＬ：図７Ｊ）を形成する前に実行される工程で除去される。
【０１８６】
図１０は、本発明の一実施形態に係るディスプレイ装置の断面図である。図１〜図４Ｃに説明した構成と同じまたは類似した構成と同じまたは類似した参照符号を使用し、重複した説明は省略する。図１０には、図４Ａに説明した回路素子層（ＣＬ）の構成が省略されて示された。
【０１８７】
図１０を参照すると、一実施形態に係るディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）は、少なくとも一つ以上の発光層を含む有機発光素子（ＯＤ−Ａ）を含む。一実施形態に係るディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）は、カバーパネル（ＣＵ）をさらに含む。カバーパネル（ＣＵ）は、Ｗウィンドウ層（ＷＭ）と光学層（ＣＦ）を含む。
【０１８８】
一実施形態に係る有機発光素子（ＯＤ−Ａ）は、第１電極（Ｅ１）、第２電極（Ｅ２）、複数の発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）、電荷生成層（ＣＧＬ）、複数の正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）、並びに複数の電子制御層（ＥＣＬ１、ＥＣＬ２）を含む。
【０１８９】
複数の発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）は、第１電極層（Ｅ１）と第２電極層（Ｅ２）との間に配置される。発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）のそれぞれは、ホスト物質（ｈｏｓｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ）とドーパント物質（ｄｏｐａｎｔ  ｍａｔｅｒｉａｌ）を含む。発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）のそれぞれは、ホスト物質に燐光または蛍光の発光物質をドーパントとして使用して形成する。
【０１９０】
ホスト物質は、通常使用される物質であれば特に限定されないが、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＣＢＰ（４，４′−ｂｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−１，１′−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｂａｚｏｌｅ））、ＡＤＮ（９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４，４′，４″−Ｔｒｉｓ（ｃａｒｂａｚｏｌ−９−ｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（２，４，６−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（３−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４，４′−ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−２，２′−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２−Ｍｅｔｈｙｌ−９，１０−ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）などが使用される。
【０１９１】
ホスト物質とドーパント物質の組み合わせにより、当該層の発光色を決定することができる。たとえば、当該層が赤色を発光するときは、当該層は、ＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）（ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｏｙｌｍｅｔｈａｎａｔｏ）ｐｈｅｎａｎｔｈｏｒｏｌｉｎｅ  ｅｕｒｏｐｉｕｍ）又はペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を含む蛍光物質を包含する。
【０１９２】
このとき、当該層に含まれるドーパント物質は、例えば、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）とＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ  ｐｌａｔｉｎｕｍ）のような金属錯体（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択される。
【０１９３】
また、例えば、当該層が緑色を発光するときは、当該層は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）を含む蛍光物質を包含する。このとき、当該層に含まれるドーパント物質は、例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ−ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）のような金属錯体（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）または有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択される。
【０１９４】
また、例えば、当該層がブルー色（ｂｌｕｅ  ｃｏｌｏｒ）を発光するときは、当該層はスピロ−ＤＰＶＢｉ（ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ）、スピロ−６Ｐ（ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、ＤＳＢ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌ−ａｒｙｌｅｎｅ）、ＰＦＯ（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系高分子及びＰＰＶ（ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）  ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系高分子からなる群から選択された、いずれか一つを含む蛍光物質を包含する。このとき、当該層に含まれるドーパント物質は、例えば、（４，６−Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒｐｉｃのような金属錯体（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）又は有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択される。
【０１９５】
複数の発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）は、第１発光層（ＥＭＬ１）及び第１発光層（ＥＭＬ１）上に配置された第２発光層（ＥＭＬ２）を含む。本実施形態では、第１発光層（ＥＭＬ１）及び第２発光層（ＥＭＬ２）は、互いに異なる色を有する光をそれぞれ生成する。
【０１９６】
第１発光層（ＥＭＬ１）は、第１光を生成する。第１発光層（ＥＭＬ１）は、第２発光層（ＥＭＬ２）に比べて相対的に第１電極層（Ｅ１）の近くに配置される。
【０１９７】
第１発光層（ＥＭＬ１）は、第２発光層（ＥＭＬ２）に比べて相対的に短い波長の光を生成する。第１光は、概ね４５０ｎｍ〜５９５ｎｍの波長範囲を有する。例えば、第１光は、ブルー色を有する光である。
【０１９８】
第２発光層（ＥＭＬ２）は、第２光を生成する。第２発光層（ＥＭＬ２）は、第１発光層（ＥＭＬ１）に比べて相対的に第１電極層（Ｅ１）から離れて配置される。第２発光層（ＥＭＬ２）は、第２発光層（ＥＭＬ２）に比べて相対的に長い波長を有する光を生成する。
【０１９９】
第２光は、第１光と組み合わされて白色の光を生成できる色を有する。第２光は、概ね５７０ｎｍ〜５９０の波長範囲を有する。例えば、第２光は、黄色光である
【０２００】
一方、これは例示として図示したものであり、本発明の一実施形態に係る第１及び第２の発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）は、多様な色の光を生成するように設計され、いずれか１つの実施形態に限定されない。
【０２０１】
一方、第１及び第２発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）は、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング技法、レーザープリンティング技法、レーザー熱転写技法（Ｌａｓｅｒ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）などのような多様な方法を利用して形成される。
【０２０２】
電荷発生層（ＣＧＬ）は、第１と第２発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）との間に配置されて一つの発光層で発生した電流効率を２倍に増加させる。電荷発生層（ＣＧＬ）に電圧が印加されると、酸化還元反応が発生して錯体を形成することにより電荷を生成する。
【０２０３】
電荷発生層（ＣＧＬ）は、ｎ−ｔｙｐｅアリールアミン系物質を含むか、又はｐ−ｔｙｐｅ金属酸化物を含む。例えば、電荷発生層（ＣＧＬ）はアリールアミン系の有機化合物、金属、金属酸化物、炭化物、フッ化物、又はそれらの混合物からなる電荷発生化合物を含む。
【０２０４】
例えば、アリールアミン系の有機化合物は、α−ＮＰＤ、２−ＴＮＡＴＡ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ｓｐｒｉｏ−ＴＡＤ、又はｓｐｒｉｏ−ＮＰＢである。例えば、金属は、セシウム（Ｃｓ）、モリブデン（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）、チタニウム（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、バリウム（Ｂａ）、又はリチウム（Ｌｉ）である。また、例えば、金属酸化物、炭化物、およびフッ化物は、Ｒｅ２Ｏ７、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｃｓ２ＣＯ３、ＢａＦ、ＬｉＦ、又はＣｓＦである。
【０２０５】
第１正孔制御層（ＨＣＬ１）は、第１電極層（Ｅ１）と第１発光層（ＥＭＬ１）との間に配置される。第２正孔制御層（ＨＣＬ２）は、電荷発生層（ＣＧＬ）と第２発光層（ＥＭＬ２）との間に配置される。
【０２０６】
第１電極層（Ｅ１）がアノード電極層として定義されるとき、第１電極層（Ｅ１）から注入された正孔は、第１正孔制御層（ＨＣＬ１）を経由して第１発光層（ＥＭＬ１）に達する。電荷発生層（ＣＧＬ）で生成された正孔は、第２正孔制御層（ＨＣＬ２）を経由して第２発光層（ＥＭＬ２）に達する。
【０２０７】
第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、正孔注入領域、正孔輸送領域、バッファ領域、及び電子ブロッキング領域のうち少なくともいずれか一つの領域を含む。第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、単一の物質からなる単一層、複数の異なる材料からなる単一層、または複数の異なる材料からなる複数の層を含む多層構造を有する。
【０２０８】
例えば、第１および第２正孔の制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、正孔注入領域に対応する正孔注入層、正孔輸送領域に対応する正孔輸送層、および正孔注入機能及び正孔輸送機能を同時に有する単一層のうち少なくともいずれか一つを含む。
【０２０９】
第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、正孔注入物質や正孔輸送物質の少なくともいずれか１つで構成される。正孔注入物質や正孔輸送物質は、それぞれ公知の物質である。
【０２１０】
正孔輸送物質は、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、フッ素（ｆｌｕｏｒｉｎｅ）系誘導体、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ′−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−［１，１−ｂｉｐｈｅｎｙｌ］−４，４′−ｄｉａｍｉｎｅ）、ＴＣＴＡ（４，４′，４″−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）などのようなトリフェニルアミン系誘導体、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ′−ｄｉ（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、またはＴＡＰＣ（４，４′−Ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｉｄｅｎｅ  ｂｉｓ［Ｎ，Ｎ−ｂｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｅｎａｍｉｎｅ）などを含むが、これに限定されるものではない。正孔注入物質は、例えば、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）などのフタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）化合物、ＤＮＴＰＤ（Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ′−ｂｉｓ−［４−（ｐｈｅｎｙｌ−ｍ−ｔｏｌｙｌ−ａｍｉｎｏ）−ｐｈｅｎｙｌ］−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４′−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４，４′，４″−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４，４′４″−Ｔｒｉｓ（Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２ＴＮＡＴＡ（４，４′，４″−ｔｒｉｓ  ｛Ｎ，−（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ｝−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））、ＰＡＮＩ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ  ｓｕｌｆｏｎｉｃａｃｉｄ）、およびＰＡＮＩ／ＰＳＳ（（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／  Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））のうち少なくともいずれか一つを含むことができるが、これに限定されるものではない。
【０２１１】
第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、第１および第２発光層（ＥＭＬ１、ＥＭＬ２）と類似した工程により形成される。例えば、第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）、インクジェットプリンティング技法、レーザープリンティング技法、レーザー熱転写技法（Ｌａｓｅｒ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）など、多様な方法を利用して形成することができる。
【０２１２】
一方、第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、正孔ブロッキング領域に対応する正孔ブロッキング層を含む。このとき、第１および第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、公知の正孔ブロッキング物質を含む。なお、第１及び第２正孔制御層（ＨＣＬ１、ＨＣＬ２）のそれぞれは、電荷生成物質をさらに含むこともできる。
【０２１３】
第１電子制御層（ＥＣＬ１）は、第１発光層（ＥＭＬ１）と電荷発生層（ＣＧＬ）との間に配置される。電荷発生層（ＣＧＬ）で生成された電子は、第１電子制御層（ＥＣＬ１）を経由して第１発光層（ＥＭＬ１）に達する。
【０２１４】
第２電子制御層（ＥＣＬ２）は、第２発光層（ＥＭＬ２）と第２電極層（Ｅ２）との間に配置される。第２電極層（Ｅ２）がカソード電極層であるとき、第２電極層（Ｅ２）から注入された電子は、第２電子制御層（ＥＣＬ２）を経由して第２発光層（ＥＭＬ２）に達する。
【０２１５】
第１および第２電子制御層（ＥＣＬ１、ＥＣＬ２）のそれぞれは、電子注入領域、電子輸送領域、および正孔ブロッキング領域のうち少なくともいずれか一つの領域を含む。第１および第２電子制御層（ＥＣＬ１、ＥＣＬ２）のそれぞれは、単一の物質からなる単一層、複数の異なる物質からなる単一層、または複数の異なる物質からなる複数の層を含む多層構造を有する。
【０２１６】
例えば、第１および第２電子制御層（ＥＣＬ１、ＥＣＬ２）のそれぞれは、電子注入領域に対応する電子注入層、電子輸送領域に対応する電子輸送層、並びに電子注入機能及び電子輸送機能を同時に有する単一層のうち少なくともいずれか一つを含む。
【０２１７】
第１および第２電子制御層（ＥＣＬ１、ＥＣＬ２）のそれぞれは、電子輸送物質及び電子注入物質の少なくともいずれか一つを含む。例えば、電子輸送物質は、Ａｌｑ３（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＴＰＢｉ（１，３，５−Ｔｒｉ（１−ｐｈｅｎｙｌ−１Ｈ−ｂｅｎｚｏ［ｄ］ｉｍｉｄａｚｏｌ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）、ＢＣＰ（２，９−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４，７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−５  ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４−（Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−３，５−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，３，４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１，Ｏ８）−（１，１′−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４  ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ２（ｂｅｒｙｌｌｉｕｍｂｉｓ（ｂｅｎｚｏｑｕｉｎｏｌｉｎ−１０−ｏｌａｔｅ））、ＡＤＮ（９，１０−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、及びこれらの混合物を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【０２１８】
なお、例えば、電子注入物質は、ＬｉＦ、ＬｉＱ（Ｌｉｔｈｉｕｍ  ｑｕｉｎｏｌａｔｅ）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂのようなランタノイド金属、またはＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属、電子輸送物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ  ｍｅｔａｌｌｉｃ  ｓａｌｔ）が混合された物質などであるが、これに限定されるものではない。
【０２１９】
有機金属塩は、エネルギーバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ  ｂａｎｄ  ｇａｐ）が約４ｅＶ以上の物質になる。具体的には、例えば、有機金属塩は、金属アセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、金属ベンゾアート（ｍｅｔａｌ  ｂｅｎｚｏａｔｅ）、金属のアセトアセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）または金属ステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含む。
【０２２０】
第１および第２電子制御層（ＥＣＬ１、ＥＣＬ２）のそれぞれは、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェットプリンティング技法、レーザープリンティング法、レーザー熱転写技法などのような多様な方法を利用して形成される。
【０２２１】
カバーパネル（ＣＵ）は、ウィンドウ層（ＷＭ）と光学層（ＣＦ）を含む。カバーパネル（ＣＵ）は、封入層（ＴＦＥ）上に配置されてディスプレイ素子層（ＯＬ）の全面をカバーする。ウィンドウ層（ＷＭ）は、外部に露出される前面を含む。ディスプレイ素子層（ＯＬ）にディスプレイされるイメージは、ウィンドウ層（ＷＭ）の前面を通して外部から視認される。
【０２２２】
ウィンドウ層（ＷＭ）は、単層または多層構造を有する。たとえば、ウィンドウ層（ＷＭ）は接着剤で結合された複数のプラスチックフィルムの積層構造を有したり、接着剤で結合されたガラス基板とプラスチックフィルムの積層構造を有したりすることもできる。ウィンドウ層（ＷＭ）は、光学的に透明である。たとえば、ウィンドウ層（ＷＭ）は、ガラスまたはプラスチックを含む。
【０２２３】
ウィンドウ層（ＷＭ）の前面は、平面上で透過領域とベゼル領域に区分される。透過領域は、ディスプレイ素子層（ＯＬ）から提供された光を透過させる領域である。透過領域は、ディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）のアクティブ領域（ＤＤ−ＤＡ）と対応する形状を有する。例えば、透過領域は、アクティブ領域（ＤＤ−ＤＡ）の前面または少なくとも一部と重なる。続いて、ディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）のアクティブ領域（ＤＤ−ＤＡ）にディスプレイされるイメージ（ＩＭ）は、透過領域を通して外部から視認される。
【０２２４】
ベゼル領域は透過領域に比べて相対的に光透過率が低い領域である。ベゼル領域は透過領域の形状を定義する。ベゼル領域は、透過領域に隣接し、透過領域を取り囲む、クローズドループ（ｃｌｏｓｅｄ  ｌｏｏｐ）形状を有する。
【０２２５】
ベゼル領域は、所定の色を有する。ベゼル領域は、非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）をカバーして、非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）が外部から視認されることを遮断する。例えば、ディスプレイ素子層（ＯＬ）で生成された光が非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）に漏れる場合には、ベゼル領域によって漏れる光を遮断して、非アクティブ領域（ＤＤ−ＮＤＡ）が外部から視認されることを遮断する。
【０２２６】
カバーパネル（ＣＵ）は、封入層（ＴＦＥ）のうち、第２封入無機層（ＵＩＬ）上に配置される。光学層（ＣＦ）は、透過領域に配置された隔壁層（ＷＡ）、反射層（ＣＣ）、遮光層（ＡＢＭ）、および色フィルター層（ＣＰ）を含む。
【０２２７】
隔壁層（ＷＡ）は、ウィンドウ層（ＷＭ）上に配置される。例えば、隔壁層（ＷＡ）は、ウィンドウ層（ＷＭ）の裏面上に配置される。隔壁層（ＷＡ）は、ウィンドウ層（ＷＭ）の裏面に配置されて、外部からウィンドウ層（ＷＭ）の前面に流入される光によってディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）のエレメントが視認されることを防止する。隔壁層（ＷＡ）は、光を遮断する有機物質を含む。隔壁層（ＷＡ）は、所定の色を有する。例えば、隔壁層（ＷＡ）は、青色を有してもよい。
【０２２８】
隔壁層（ＷＡ）は、複数の開口部が定義される。ウィンドウ層（ＷＭ）の裏面の少なくとも一部は、隔壁層（ＷＡ）から開口部を介して露出される。
【０２２９】
反射層（ＣＣ）は、ウィンドウ層（ＷＭ）の裏面に配置される。反射層（ＣＣ）は、隔壁層（ＷＡ）とともに、外部から流入される光によってディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）のエレメントが視認されることを防止する。
【０２３０】
反射層（ＣＣ）は、第１〜第３反射パターン（ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３）を含む。第１〜第３反射パターン（ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３）のそれぞれは、開口部のうち対応する開口部に配置される。
【０２３１】
第１〜第３反射パターン（ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３）は、異なる色の光を遮断・透過させることができる。例えば、第１反射パターン（ＣＣ１）は、青色光のみを透過させることができ、第２反射パターン（ＣＣ２）は、青色光を遮断し、赤色光のみを透過させることができる。第３反射パターン（ＣＣ３）は、青色光を遮断し、緑色光だけを透過させることができる。
【０２３２】
第１〜第３反射パターン（ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３）のそれぞれは、異なる色の光を遮断する有機物質を含む。第１〜第３反射パターン（ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３）のそれぞれは、異なる色を有する。例えば、第１反射パターン（ＣＣ１）は青色、第２反射パターン（ＣＣ２）は赤色、第３反射パターン（ＣＣ３）は、緑色を有する。
【０２３３】
一実施形態に係る第１反射パターン（ＣＣ１）は、隔壁層（ＷＡ）と同じ工程によって形成される。これにより、第１反射パターン（ＣＣ１）は、隔壁層（ＷＡ）は同じ物質を含むことができ、同じ色を有する。説明の便宜上、第１反射パターン（ＣＣ１）と隔壁層（ＷＡ）は、点線を介して、別のエレメントとして図示されたが、第１反射パターン（ＣＣ１）は、実質的に隔壁層（ＷＡ）の一部であってもよい。
【０２３４】
遮光層（ＡＢＭ）は隔壁層（ＷＡ）上に配置される。遮光層（ＡＢＭ）は、アクティブ領域（ＤＤ−ＤＡ）と重畳しない。遮光層（ＡＢＭ）は、光を透過させない物質を含む。例えば、遮光層（ＡＢＭ）はクロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）のうち少なくともいずれか一つを含む金属粒子、前記金属粒子の酸化物、または有機物質を含む。
【０２３５】
色フィルター層（ＣＰ）は、ディスプレイ装置（ＤＤ−Ａ）から提供された光の色再現性を向上させる。色フィルター層（ＣＰ）は、第１〜第３色パターン（ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３）を含む。第１〜第３色パターン（ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３）のそれぞれは、対応する第１〜第３反射パターン（ＣＣ１、ＣＣ２、ＣＣ３）と重畳して配置される。例えば、第１色パターン（ＣＰ１）は、第１反射パターン（ＣＣ１）上に配置される。第２色パターン（ＣＰ２）は、第２反射パターン（ＣＣ２）上に配置され、第３色パターン（ＣＰ１）は、第３反射パターン（ＣＣ３）上に配置される。
【０２３６】
本発明に係る第１色パターン（ＣＰ１）は、ディスプレイ素子層（ＯＬ）から供給される光と同じ色を表示する。例えば、ディスプレイ素子層（ＯＬ）により発生された青色光は、第１色パターン（ＣＰ１）をそのまま透過する。青色光を放出する領域に該当する第１色パターン（ＣＰ１）は、別途の蛍光体又は量子ドットなしに入射された青色光を透過する物質を含む。第１色パターン（ＣＰ１）は散乱体をさらに包含できる。
【０２３７】
例えば、第１色パターン（ＣＰ１）は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、感光性樹脂などのポリマー、青染料、青色顔料のうち少なくともいずれか一つ以上を包含できるが、青色光を変換せずに散乱させる物質であれば、これに限定されず、多様に変形される。
【０２３８】
第２色パターン（ＣＰ２）及び第３色パターン（ＣＰ３）は、それぞれ光を変換させる複数の量子ドットを含む。量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）は、コアを含む。量子ドットのコアは、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物及びこれらの組み合わせから選択される。
【０２３９】
ＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ及びこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物と、ＡｇＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、から構成される群から選択される。
【０２４０】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、およびこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、から構成される群から選択される。
【０２４１】
ＩＶ−ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物からなる群から選択される。ＩＶ族元素ではＳｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される。ＩＶ族化合物としてはＳｉＣ、ＳｉＧｅ、およびこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物であってもよい。
【０２４２】
このとき、２元素化合物、３元素化合物または４元素化合物は、均一な濃度で粒子内に存在してもよいし、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同じ粒子内に存在するものであってもよい。また、一つの量子ドットが、他の量子ドットを取り囲むコア／シェル構造を有することもできる。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が、中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有してもよい。
【０２４３】
いくつかの実施形態では、量子ドットは、前述したナノ結晶を含むコアと、コアを囲むシェルを含むコア／シェル構造を有してもよい。量子ドットのシェルは、コアの化学的変性を防止して、半導体特性を維持するための保護層の役割及び／又は量子ドットに電気泳動特性を付与するためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）の役割を実行する。シェルは、単層又は多層でできている。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有してもよい。量子ドットのシェルの例としては、金属または非金属の酸化物、半導体化合物、またはこれらの組み合わせなどを挙げられる。
【０２４４】
例えば、金属又は非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの２元素化合物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４、  ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの３元素化合物を例として挙げられるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【０２４５】
なお、半導体化合物は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどを例として挙げられるが、本発明がこれに限定されるものではない。
【０２４６】
量子ドットは、約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（Ｆｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  ｏｆ  Ｈａｌｆ  Ｍａｘｉｍｕｍ：ＦＷＨＭ）を有することができ、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。さらに、これらの量子ドットを介して発光される光は、全方向に放出されるところ、広視野角が向上される。
【０２４７】
なお、量子ドットの形状は、当分野において一般的に使用される形態のものに特に限定されないが、より具体的には、球形、ピラミッド型、マルチアーム（ｍｕｌｔｉ−ａｒｍ）であり、立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、板状ナノ粒子などの形態のものが使用される。
【０２４８】
量子ドットは、粒子の大きさに応じて放出される光の色を調節することができ、これにより、量子ドットは、青、赤、緑などの多様な発光色を有することができる。
【０２４９】
以上では、本発明の好適な実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練された当業者または当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の思想と技術領域から逸脱せずに、本発明を多様に修正及び変更させうることが理解できるはずである。
【０２５０】
したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められるべきであろう。
【符号の説明】
【０２５１】
ＤＤ：ディスプレイ装置
ＰＬＥ：ピクセル定義層
ＰＤ１：第１ピクセル定義層
ＰＤ２：第２ピクセル定義層
ＯＤ：有機発光素子
ＢＬ：ベース層
ＣＬ：回路素子層
ＯＬ：ディスプレイ素子層
ＴＦＥ：封入層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
2020080310.tif 000022
【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
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【図７Ｊ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
2020080310.tif 000031
【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
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【図１０】
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