(57)【要約】      （修正有）【課題】簡便に放熱性が向上される、光モジュール及び光伝送装置の提供。【解決手段】１又は複数の光サブアセンブリと、１又は複数の光サブアセンブリを制御する１又は複数の制御回路と、第１のケース及び第２のケースを含む、筺体と、を備える、光モジュールであって、筺体１００は、第１のケース１０１及び第２のケース１０２が嵌合されることにより、筺体の内部に、１又は複数の光サブアセンブリと、１又は複数の制御回路と、を格納し、第１のケースの材料は、第２のケースの材料より熱伝導率が高い、ことを特徴とし、第１のケースとの接合箇所にヒートシンクを備える光伝送装置に抜き差しが可能である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は複数の光サブアセンブリと、
前記１又は複数の光サブアセンブリを制御する１又は複数の制御回路と、
第１のケース及び第２のケースを含む、筺体と、
を備える、光モジュールであって、
前記筺体は、前記第１のケース及び前記第２のケースが嵌合されることにより、前記筺体の内部に、前記１又は複数の光サブアセンブリと、前記１又は複数の制御回路と、を格納し、
前記第１のケースの材料は、前記第２のケースの材料より熱伝導率が高い、
ことを特徴とする、前記第１のケースとの接合箇所にヒートシンクを備える光伝送装置に抜き差しが可能な光モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光モジュールであって、
前記第１のケースの材料は銅である、
ことを特徴とする、光モジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光モジュールであって、
前記第２のケースの材料は、亜鉛合金、アルミニウム合金、及びマグネシウム合金からなる群より選択される１である、
ことを特徴とする、光モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記１又は複数の制御回路と前記第１のケースとの間に、前記１又は複数の制御回路及び前記第１のケースそれぞれと物理的に接して配置される、第１の放熱材を、
さらに備える、光モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記１又は複数の光サブアセンブリと前記第１のケースとの間に、前記１又は複数の光サブアセンブリ及び前記第１のケースそれぞれと物理的に接して配置される、第２の放熱材を、
さらに備える、光モジュール。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記１又は複数の光サブアセンブリ及び前記１又は複数の制御回路は前記第１のケースと物理的に接触している、
ことを特徴とする、光モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記第１のケースの上表面のうち前記ヒートシンクと接合する部分の表面粗さは、前記第２のケースの外表面の表面粗さより低い、
ことを特徴とする、光モジュール。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光モジュールであって、
前記第１のケースの上表面のうち前記ヒートシンクと接合する部分の平面度は、前記第２のケースの外表面の平面度より高い、
ことを特徴とする、光モジュール。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の光モジュールが搭載される、光伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール及び光伝送装置に関し、特に、簡便な方法で放熱性を高める技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
光送信機能、又は／及び光受信機能を有する光モジュールが用いられている。かかる光モジュールは、光伝送装置に搭載されるのが一般的である。搭載するための作業工程に鑑みて、かかる光モジュールに、光伝送装置に対して抜き差し可能なプラガブルモジュールが広く使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−００６９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光送信機能や光受信機能を実現するために、一般に、光モジュールは、１又は複数の光サブアセンブリ（ＯＳＡ：Optical SubAssembly）を備えている。また、かかる光モジュールは、１又は複数の制御回路（例えばＩＣ）をさらに備え、１又は複数の制御回路は光サブアセンブリを駆動及び制御する。
【０００５】
特許文献１に、内部で発生する不要な電磁波を遮蔽し、また内部で発生する空洞共振を低減するために金属の箱型ケースを備える光送受信機が開示されている。特許文献１に開示の技術では、箱型ケースは、上部ケース１００及び下部ケース１０１を含んで構成される。上部ケース１００及び下部ケース１０１は、加工性や低コストの観点から、ダイカストで一体成型されており、その材料には亜鉛合金又はアルミニウム合金などが用いられる。
【０００６】
光モジュールが駆動されるとき、１又は複数の光サブアセンブリ及び１又は複数の制御回路は熱を発生する。それゆえ、光モジュールから搭載される光伝送装置へ、発生する熱を放出する必要がある。光モジュールは、１又は複数の光サブアセンブリ及び１又は複数の制御回路を格納する筺体を備えており、発生する熱は筺体より光伝送装置へ放熱される。放熱性を向上させるために、筺体は金属製など熱伝導率が比較的高い材質で形成され、光伝送装置は光モジュールとの接合箇所にヒートシンクを備えている。近年、光モジュールの高機能化に伴い高密度実装が行われている。光モジュールの発熱量も増大している。それに応じて、従来の箱型ケースでは発生する熱を十分に外部へ放熱できなくなっているとの問題が生じている。
【０００７】
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、低コストで放熱性が向上される、光モジュール及び光伝送装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）上記課題を解決するために、本発明に係る光モジュールは、１又は複数の光サブアセンブリと、前記１又は複数の光サブアセンブリを制御する１又は複数の制御回路と、第１のケース及び第２のケースを含む、筺体と、を備える、光モジュールであって、前記筺体は、前記第１のケース及び前記第２のケースが嵌合されることにより、前記筺体の内部に、前記１又は複数の光サブアセンブリと、前記１又は複数の制御回路と、を格納し、前記第１のケースの材料は、前記第２のケースの材料より熱伝導率が高い、ことを特徴とし、前記第１のケースとの接合箇所にヒートシンクを備える光伝送装置に抜き差しが可能である。
【０００９】
（２）上記（１）に記載の光モジュールであって、前記第１のケースの材料は銅であってもよい。
【００１０】
（３）上記（１）又は（２）に記載の光モジュールであって、前記第２のケースの材料は、亜鉛合金、アルミニウム合金、及びマグネシウム合金からなる群より選択される１であってもよい。
【００１１】
（４）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記１又は複数の制御回路と前記第１のケースとの間に、前記１又は複数の制御回路及び前記第１のケースそれぞれと物理的に接して配置される、第１の放熱材を、さらに備えていてもよい。
【００１２】
（５）上記（１）乃至（４）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記１又は複数の光サブアセンブリと前記第１のケースとの間に、前記１又は複数の光サブアセンブリ及び前記第１のケースそれぞれと物理的に接して配置される、第２の放熱材を、さらに備えていてもよい。
【００１３】
（６）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記１又は複数の光サブアセンブリ及び前記１又は複数の制御回路は前記第１のケースと物理的に接触していてもよい。
【００１４】
（７）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記第１のケースの上表面のうち前記ヒートシンクと接合する部分の表面粗さは、前記第２のケースの外表面の表面粗さより低くてもよい。
【００１５】
（８）上記（１）乃至（３）のいずれかに記載の光モジュールであって、前記第１のケースの上表面のうち前記ヒートシンクと接合する部分の平面度は、前記第２のケースの外表面の平面度より高くてもよい。
【００１６】
（９）本発明に係る光伝送装置は、上記（１）乃至（８）のいずれかに記載の光モジュールが搭載される、光伝送装置であってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、低コストで放熱性が向上される、光モジュール及び光伝送装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る光伝送装置及び光モジュールの構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る光モジュールの外観図である。
【図３】本発明の実施形態に係る光伝送装置と光モジュールとの接合箇所を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る光モジュールの構成を示す斜視図である
【図５】本発明の実施形態に係る上ケース又は下ケースに用いる材料の特性を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係る上ケースの内壁熱流束を示す図である。
【図７】関連技術に係る上ケースの内壁熱流束を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、図面に基づき、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、以下に示す図は、あくまで、実施形態の実施例を説明するものであって、図の大きさと本実施例記載の縮尺は必ずしも一致するものではない。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態に係る光伝送装置１及び光モジュール２の構成を示す模式図である。光伝送装置１は、プリント回路基板１１とＩＣ１２を備えている。光伝送装置１は、例えば、大容量のルータやスイッチである。光伝送装置１は、例えば交換機の機能を有しており、基地局などに配置される。光伝送装置１に、複数の光モジュール２が搭載されており、光モジュール２より受信用のデータ（受信用の電気信号）を取得し、ＩＣ１２などを用いて、どこへ何のデータを送信するかを判断し、送信用のデータ（送信用の電気信号）を生成し、プリント回路基板１１を介して、該当する光モジュール２へそのデータを伝達する。
【００２１】
光モジュール２は、送信機能及び受信機能を有するトランシーバである。光モジュール２は、プリント回路基板２１と、光ファイバ３Ａを介して受信する光信号を電気信号に変換する光受信モジュール２３Ａと、電気信号を光信号に変換して光ファイバ３Ｂへ送信する光送信モジュール２３Ｂと、を含んでいる。プリント回路基板２１と、光受信モジュール２３Ａ及び光送信モジュール２３Ｂとは、それぞれフレキシブル基板２２Ａ，２２Ｂ（ＦＰＣ）を介して接続されている。光受信モジュール２３Ａより電気信号がフレキシブル基板２２Ａを介してプリント回路基板２１へ伝送され、プリント回路基板２１より電気信号がフレキシブル基板２２Ｂを介して光送信モジュール２３Ｂへ伝送される。光モジュール２と光伝送装置１とは電気コネクタ５を介して接続される。光受信モジュール２３Ａや光送信モジュール２３Ｂは、プリント回路基板２１に電気的に接続され、光信号／電気信号を電気信号／光信号にそれぞれ変換する。プリント回路基板２１は、光受信モジュール２３Ａより伝送される電気信号を制御する制御回路（例えばＩＣ）や、光送信モジュール２３Ｂへ伝送する電気信号を制御する制御回路（例えばＩＣ）を備えている。
【００２２】
当該実施形態に係る伝送システムは、２個以上の光伝送装置１と２個以上の光モジュール２と、１個以上の光ファイバ３（図示せず：例えば光ファイバ３Ａ，３Ｂ）を含む。各光伝送装置１に、１個以上の光モジュール２が接続される。２個の光伝送装置１にそれぞれ接続される光モジュール２の間を、光ファイバ３が接続している。一方の光伝送装置１が生成した送信用のデータが接続される光モジュール２によって光信号に変換され、かかる光信号を光ファイバ３へ送信される。光ファイバ３上を伝送する光信号は、他方の光伝送装置１に接続される光モジュール２によって受信され、光モジュール２が光信号を電気信号へ変換し、受信用のデータとして当該他方の光伝送装置１へ伝送する。
【００２３】
図２は、当該実施形態に係る光モジュール２の外観図である。当該実施形態に係る光モジュール２は、ＱＳＦＰ−ＤＤ（ＭＳＡ規格）に適応しており、光モジュール２の伝送レートは４００Ｇｂｉｔ／ｓである。図２に示す通り、光モジュール２は、筺体１００を備える。筺体１００は、上ケース１０１（第１のケース）及び下ケース１０２（第２のケース）を含む。
【００２４】
図３は、当該実施形態に係る光伝送装置１と光モジュール２との接合箇所２００を示す模式断面図である。光伝送装置１は、光モジュール２の上ケース１０１との接合箇所２００にヒートシンク３０を備えている。光モジュール２が光伝送装置１に搭載されると、光伝送装置１と光モジュール２との接合箇所２００において、上ケース１０１とヒートシンク３０とが物理的に接することとなる。なお、光モジュール２は、光ファイバへ接続される側の端部に、プルタブ５０をさらに備え、光モジュール２を光伝送装置１に抜き差しする際に、ユーザはプルタブ５０を利用すればよい。特に、光モジュール２を抜く（除去）する際に、プルタブ５０は有用である。
【００２５】
図４は、当該実施形態に係る光モジュール２の構成を示す斜視図である。上ケース１０１と下ケース１０２とが分離された状態で、内部に格納される主要な部品がそれぞれ示されている。簡単のために、主要な部品のみを示しており、それ以外の部品は図示を省略している。図４に示す通り、光モジュール２は、２個の光サブアセンブリ１０４，１０５（１又は複数の光サブアセンブリ）を備えている。図１に示す光受信モジュール２３Ａは、一般に１又は複数の光サブアセンブリを備えるが、ここでは、１個の光サブアセンブリ１０４を備えている。光サブアセンブリ１０４は、４個の１００Ｇｂｉｔ／ｓ級（より具体的にはＰＡＭ４信号による５０ＧＢａｕｄ級）の受信素子を備えたＲＯＳＡ（Receiver Optical SubAssembly）である。すなわち、光サブアセンブリ１０４は４個または４波の光入力とそれに対応した４チャンネルの電気出力を備えている。図１に示す光送信モジュール２３Ｂは、一般に１又は複数の光サブアセンブリを備えるが、ここでは、１個の光サブアセンブリ１０５を備えている。光サブアセンブリ１０５は、１００Ｇｂｉｔ／ｓ級（より具体的にはＰＡＭ４信号による５０ＧＢａｕｄ級）の発光素子を備えたＴＯＳＡ（Transmitter Optical SubAssembly）である。すなわち、光サブアセンブリ１０５は４チャンネルの電気入力とそれに対応した４個または４波の光出力を備えている。光サブアセンブリ１０４，１０５の筐体は箱型である。
【００２６】
光モジュール２は、プリント回路基板２１上に配置される制御用ＩＣ１０６，１０７をさらに備える。ここで、制御用ＩＣ１０６，１０７が、１又は複数の光サブアセンブリを制御する１又は複数の制御回路である。具体的には、制御用ＩＣ１０６はＤＳＰ（Digital Signal Processor）であり、制御用ＩＣ１０７はドライバＩＣである。プリント回路基板２１はさらに図示しない電気部品を有している。プリント回路基板２１は下ケース１０２に格納される。光モジュール２は、放熱シート１１１，１１２，１１３，１１４をさらに備える。放熱シート１１１，１１２はそれぞれ、制御用ＩＣ１０６，１０７の上面に貼付される。ここで、放熱シート１１１，１１２は、１又は複数の制御回路と第１のケースとの間に、１又は複数の制御回路及び第１のケースそれぞれと物理的に接して配置される、第１の放熱材である。放熱シート１１３，１１４はそれぞれ、光サブアセンブリ１０４，１０５のうちボックス型筺体の上面に貼付される。すなわち、放熱シート１１３，１１４はそれぞれ、光サブアセンブリ１０４，１０５の上面の少なくとも一部に貼付される。ここで、放熱シート１１３，１１４は、１又は複数の光サブアセンブリと前第１のケースとの間に、１又は複数の光サブアセンブリ及び第１のケースそれぞれと物理的に接して配置される、第２の放熱材である。
【００２７】
筺体１００は、上ケース１０１及び下ケース１０２が嵌合されることにより、筺体１００の内部に、１又は複数の光サブアセンブリ（ここでは、光サブアセンブリ１０４，１０５）と、１又は複数の制御回路（制御用ＩＣ１０６，１０７）と、を格納する。上ケース１０１及び下ケース１０２が嵌合される状態では、放熱シート１１１，１１２，１１３，１１４は、上ケース１０１の内側（下側）の表面と物理的に接触する。上ケース１０１の内側（下側）の表面が放熱シート１１１，１１２，１１３，１１４を介して光サブアセンブリ１０４，１０５及び制御用ＩＣ１０６，１０７と物理的に接触するよう、光サブアセンブリ１０４，１０５及び制御用ＩＣ１０６，１０７の形状に応じて上ケース１０１の内側の表面は凸凹に加工される。放熱シート１１１，１１２，１１３，１１４は、熱伝導率の高いフィラーを含むシリコン系又はアクリル系などの材料によって形成される熱伝導シートであり、駆動時に光サブアセンブリ１０４，１０５及び制御用ＩＣ１０６，１０７に発生する熱を上ケース１０１に伝導させるための放熱材である。放熱材は放熱シートに限定されることはなく、放熱グリスであってもよい。なお、上ケース１０１と下ケース１０２とは、取付ねじ１２５によって固定される。
【００２８】
当該実施形態に係る光モジュール２の主な特徴は、上ケース１０１（第１のケース）の材料は、下ケース１０２（第２のケース）の材料より熱伝導率が高いことにある。上ケース１０１の材料は銅が望ましい。下ケース１０２の材料は、亜鉛合金、アルミニウム合金、及びマグネシウム合金からなる群より選択される１が望ましい。上ケース１０１の材料が下ケース１０２の材料より熱伝導率が高いことにより、上ケース１０１は放熱性が重視される部材となっている。その結果、当該実施形態に係る光モジュール２が光伝送装置１に装着され光モジュール２が駆動される場合に、光モジュール２の内部で発生した熱を、熱伝導率の高い上ケース１０１を介して光伝送装置１のヒートシンク３０へより放熱することができるとの格別の効果を奏する。
【００２９】
図５は、当該実施形態に係る上ケース１０１又は下ケース１０２に用いる材料の特性を示す図である。２つのアルミニウム合金と亜鉛合金は下ケース１０２の材料であり、銅は上ケース１０１の材料である。アルミニウム合金と亜鉛合金との横に合金の種類をカッコの中に示している。図５に示す通り、上ケース１０１の材料（銅）の熱伝導率は下ケース１０２の材料の熱伝導率よりも高い。さらに加工方法については、上ケース１０１は金属粉末射出成型（Metal Injection Molding：ＭＩＭ）又は切削により、下ケース１０２はダイカスト又は切削により、それぞれ形成される。なお、図５で示す亜鉛合金の種類は一例であり、他にもＺＡＭＡＣ３、ＺＡＭＡＫ５、ＺＤＣ１、ＺＤＣ２等も使われることがある。これらと比べて、銅の熱伝導率はより高い。
【００３０】
銅は、亜鉛合金やアルミニウム合金などと比べて加工工程は高コストとなるが、熱伝導率が高く放熱性に優れている。当該実施形態では、上ケース１０１の材料を銅とすることにより、ヒートシンク３０への放熱性を高めることができている。これに対して、下ケース１０２の材料を、亜鉛合金、アルミニウム合金、又はマグネシウム合金のいずれかとすることにより、放熱性よりも加工工程の低コストを優先させた構造となる。言い換えれば、上ケース１０１の材料及び下ケース１０２の材料をともに銅とするよりも低コストが実現される。
【００３１】
図６は、当該実施形態に係る上ケース１０１の内壁熱流束を示す図である。図７は、関連技術に係る上ケース２０１の内壁熱流束を示す図である。前述の通り、当該実施形態に係る上ケース１０１は銅を用いて形成されている。これに対して、関連技術に係る上ケース２０１は亜鉛合金（ＺＡＭＡＫ３）を用いて形成されている。関連技術に係る光モジュールは、上ケース２０１の構成以外は当該実施形態に係る光モジュール２と同じ構成をしている。図６及び図７はともに、上ケース主要部の内壁熱流束を計算機によりシミュレーションをした結果を示している。関連技術に係る上ケース２０１の内壁では、制御用ＩＣ１０６，１０７の形状を認識することができる。制御用ＩＣ１０６，１０７で発生した熱が上ケースの内壁全体へ流れ出ておらず、発生した熱が制御用ＩＣ１０６，１０７の上方で局在している。これに対して、当該実施形態に係る上ケース１０１の内壁では、制御用ＩＣ１０６，１０７の形状をはっきりと認識できないほどに、制御用ＩＣ１０６，１０７で発生した熱が上ケースの内壁全体へ流れ出ている。関連技術に係る光モジュールと比べて、当該実施形態に係る光モジュール２の内部で発生する熱が外部へより放熱されていることが分かる。
【００３２】
さらに、上ケース１０１とヒートシンク３０との間の伝熱性を向上させるために上ケース１０１の表面を研磨し平面度を高めることや表面粗さをより平滑（低減）させても良い。ここで、平面度とは、平面形体の幾何学的に正しい平面からの狂いの大きさである。また、表面粗さとは、部品の加工面の状態（凹凸）を表すものであり、高さ、深さ、間隔が異なる山、谷が連続する周期的な形状の粗さの度合いである 。下ケース１０２についてもダイカスト成型後に表面研磨などにより平面度を高めることや表面粗さをより平滑にすることも可能だが、コスト面で非常に不利となる。一方、上ケース１０１は下ケース１０２と比べて加工コストが増加する銅を用いており、さらに表面研磨をすることで加工コストは増加するが、表面研磨をしていない亜鉛合金のダイカストと比べると大幅に放熱性を向上させることが可能となり、低消費電力を実現することが可能となる。ここでの上ケース１０１の上表面のうちヒートシンク３０と接合する部分の表面粗さは下ケース１０２の外表面より低く、平面度については高い状態となっている。
【００３３】
以上、本発明の実施形態に係る光モジュール、光伝送装置、及び光伝送システムについて説明した。本発明は上記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能であり、本発明を広く適用することができる。上記実施形態で説明した構成を、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【００３４】
上記実施形態では、光モジュール２はＱＳＦＰ−ＤＤに適応しているが、これに限定されることはなく、他の規格に適応していてもよい。高機能化・高密度実装が求められる規格において、本発明は格別の効果を奏する。
【００３５】
上記実施形態では、上ケース１０１（第１のケース）の材料は銅であるとしたが、これに限定されることなく、下ケース１０２（第２のケース）の材料の熱伝導率より高い材料であれば、他の材料を用いて上ケース１０１が形成されていてもよい。例えば、銅タングステン合金（ＣｕＷ）である。上記実施形態では、制御回路はＤＳＰ及びドライバＩＣとしたが、これに限定されることなく他の構成であってもよい。
【００３６】
上記実施形態では、放熱シート１１１，１１２は、制御用ＩＣ１０６，１０７の上面と上ケース１０１の下面とにそれぞれ物理的に接して配置され、放熱シート１１３，１１４は、光サブアセンブリ１０４，１０５の上面と上ケース１０１の下面とにそれぞれ物理的に接して配置されるが、これに限定されることはない。１又は複数の光サブアセンブリ及び１又は複数の制御回路は第１のケースと物理的に接触していてもよく、１又は複数の光サブアセンブリ及び１又は複数の制御回路は第１のケースと他の物質を介して熱的に接続されていてもよい。なお、ここで他の物質には空気などの気体は含まないものとする。
【００３７】
上記実施形態では、光モジュール２は４チャンネルの光サブアセンブリ１０４，１０５を備えるとしたが、これに限定されることなく、１又は複数の光サブアセンブリを備えていてもよい。上記実施形態では、光サブアセンブリ１０４，１０５の筐体は箱型であるとしたが、これに限定されることはない。光サブアセンブリの筐体が円筒型であってもよい。また、光モジュール２は、光送信機能又は光受信機能のいずれかのみに限定されていてもよい。すなわち、光モジュール２は、光送信サブアセンブリ又は光受信サブアセンブリのいずれかのみを備えていてもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１  光伝送装置、２  光モジュール、３，３Ａ，３Ｂ  光ファイバ、１１，２１  プリント回路基板、１２  ＩＣ、２２Ａ，２２Ｂ  フレキシブル基板、２３Ａ，１００  光受信モジュール、２３Ｂ，光送信モジュール、３０  ヒートシンク、５０  プルタブ、１００  筺体、１０１，２０１  上ケース、１０２  下ケース、１０４，１０５  光サブアセンブリ、１０６，１０７  制御用ＩＣ、１１１，１１２，１１３，１１４  放熱シート、１２５  取付ねじ、２００  接合箇所。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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