(57)【要約】【課題】磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきによる導体層が形成される基板の製造において、磁性粉体に由来する沈殿物や析出物の生成を抑制することができる基板の製造方法の提供。【解決手段】磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきにより導体層が形成される基板の製造方法であって、（Ａ）磁性層表面を酸溶液で処理する酸処理工程、及び（Ｂ）酸溶液で表面を処理した磁性層上に導体層を形成する工程、を含む、基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきにより導体層が形成される基板の製造方法であって、
（Ａ）磁性層表面を酸溶液で処理する酸処理工程、及び
（Ｂ）酸溶液で表面を処理した磁性層上に導体層を形成する工程、を含む、基板の製造方法。
【請求項２】
（Ｂ）工程は、無電解めっき処理を行い、導体層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（Ａ）工程における酸溶液の濃度が、３Ｎ以上である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
（Ａ）工程における酸溶液の濃度が、３Ｎ以上４０Ｎ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
（Ａ）工程における酸溶液が、無機酸を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
（Ａ）工程における酸溶液が、塩酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
（Ａ）工程における酸溶液が、塩酸である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
（Ａ）工程後（Ｂ）工程前に、
（３）磁性層表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング工程をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
（３）工程後（Ｂ）工程前に、
（４）磁性層表面に触媒を付与する触媒化工程、及び
（５）触媒を活性化する触媒活性化工程、をこの順でさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
（Ｂ）工程は、無電解めっき処理を行った後、さらに電解めっき処理を行い、導体層を形成する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
（Ａ）工程の前に、
（１）スルーホールにペースト状の樹脂組成物を充填し、樹脂組成物を硬化させ、磁性層を形成する工程、をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
（１）工程後（Ａ）工程前に、
（２）磁性層の表面を研磨する工程、をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基板が、パターン導体層により形成されたインダクタ素子を有するインダクタ基板である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
磁性層が、磁性粉体及びバインダー樹脂を含む樹脂組成物を硬化して形成されたものである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
バインダー樹脂が、熱硬化性樹脂を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
磁性粉体の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９８質量％以下である、請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
磁性粉体が、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
磁性粉体が、酸化鉄粉を含み、該酸化鉄粉がＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトを含む、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
磁性粉体が、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉を含む、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきにより導体層が形成される基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーインダクタ、高周波帯域用インダクタ、コモンモードチョークコイルと呼ばれるインダクタは、携帯電話機、スマートフォンなどの情報端末に数多く搭載されている。従来は独立したインダクタ部品が回路基板上に実装されていたが、近年は回路基板の導体パターンによりコイルを形成し、インダクタを回路基板の内部に設ける手法が行われるようになってきている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、多層基板の複数層に複数回巻きの渦巻状導体パターンを形成し、各層の導体パターンの端を上層及び下層と層間接続し、全体としてらせん状のコイルを形成した、インダクタが内蔵された多層回路基板が開示されている。また特許文献２には、回路基板の薄型化のため、インダクタ基板を回路基板のコア基板に内蔵することが開示されている。
【０００４】
このように絶縁層上に形成される複数の導体パターンによりインダクタを形成したインダクタ基板を製造する場合、絶縁層を形成するための材料として磁性粉体を含有する樹脂組成物を用いることが考えられる。磁性粉体を含む絶縁層（磁性層）を用いれば、インダクタンス値を高くすることができ、またインダクタ外への磁力線の漏れも防ぐことができる。例えば、特許文献２には、支持体付き樹脂シートの樹脂組成物層を構成する樹脂組成物に磁性粉体を含有させ、形成される絶縁層を磁性体とすることが開示されている。
【０００５】
また、例えば、特許文献３には、インダクタ部品用の回路基板におけるスルーホールを、磁性粉体を含む樹脂組成物で充填して、磁性体コアを形成し、回路基板の配線層の形成されたコイルの中心に、該磁性体コアを配置することで、小型で高いインダクタンスを達成したインダクタ基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１６５０４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１８６４４０号公報
【特許文献３】特開２０１６−１９７６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これらインダクタ基板の製造においては、磁性粉体を含む磁性層上に、導体層を形成することがあり、コスト面で有利な湿式めっきにより導体層を形成することが望まれる。
【０００８】
しかし、本発明者らが、磁性層上への湿式めっきによる導体層の形成を鋭意検討したところ、湿式めっきを行うプロセスにおいて、磁性層中に含まれる磁性粉体に由来すると考えられる沈殿物や析出物が生成し、浴及び基板等を汚染することを見出した。特に、無電解めっきを行う場合に、磁性層表面にパラジウム等の触媒を付与した後、該触媒を還元剤で活性化する触媒活性化工程において汚染が顕著となることが見出した。
【０００９】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきによる導体層が形成される基板の製造において、磁性粉体に由来する沈殿物や析出物の生成を抑制することができる基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記目的を達成すべく、鋭意検討した結果、湿式めっきの前に、磁性層表面を酸溶液で処理することにより、湿式めっきにおける磁性粉体由来の沈殿物や析出物を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
［１］  磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきにより導体層が形成される基板の製造方法であって、
（Ａ）磁性層表面を酸溶液で処理する酸処理工程、及び
（Ｂ）酸溶液で表面を処理した磁性層上に導体層を形成する工程、を含む、基板の製造方法。
［２］  （Ｂ）工程は、無電解めっき処理を行い、導体層を形成する、［１］に記載の方法。
［３］  （Ａ）工程における酸溶液の濃度が、３Ｎ以上である、［１］又は［２］に記載の方法。
［４］  （Ａ）工程における酸溶液の濃度が、３Ｎ以上４０Ｎ以下である、［１］〜［３］のいずれかに記載の方法。
［５］  （Ａ）工程における酸溶液が、無機酸を含む、［１］〜［４］のいずれかに記載の方法。
［６］  （Ａ）工程における酸溶液が、塩酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種である、［１］〜［５］のいずれかに記載の方法。
［７］  （Ａ）工程における酸溶液が、塩酸である、［１］〜［６］のいずれかに記載の方法。
［８］  （Ａ）工程後（Ｂ）工程前に、
（３）磁性層表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング工程をさらに含む、［１］〜［７］のいずれかに記載の方法。
［９］  （３）工程後（Ｂ）工程前に、
（４）磁性層表面に触媒を付与する触媒化工程、及び
（５）触媒を活性化する触媒活性化工程、をこの順でさらに含む、［８］に記載の方法。
［１０］  （Ｂ）工程は、無電解めっき処理を行った後、さらに電解めっき処理を行い、導体層を形成する、［１］〜［９］のいずれかに記載の方法。
［１１］  （Ａ）工程の前に、
（１）スルーホールにペースト状の樹脂組成物を充填し、樹脂組成物を硬化させ、磁性層を形成する工程、をさらに含む、［１］〜［１０］のいずれかに記載の方法。
［１２］  （１）工程後（Ａ）工程前に、
（２）磁性層の表面を研磨する工程、をさらに含む、［１１］に記載の方法。
［１３］  基板が、パターン導体層により形成されたインダクタ素子を有するインダクタ基板である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の方法。
［１４］  磁性層が、磁性粉体及びバインダー樹脂を含む樹脂組成物を硬化して形成されたものである、［１］〜［１３］のいずれかに記載の方法。
［１５］  バインダー樹脂が、熱硬化性樹脂を含む、［１４］に記載の方法。
［１６］  熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂である、［１５］に記載の方法。
［１７］  磁性粉体の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、７０質量％以上９８質量％以下である、［１１］〜［１６］のいずれかに記載の方法。
［１８］  磁性粉体が、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種である、［１］〜［１７］のいずれかに記載の方法。
［１９］  磁性粉体が、酸化鉄粉を含み、該酸化鉄粉がＮｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトを含む、［１］〜［１８］のいずれかに記載の方法。
［２０］  磁性粉体が、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉を含む、［１］〜［１９］のいずれかに記載の方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、湿式めっきを行うにあたって、磁性層中の磁性粉体に由来する沈殿物や析出物の生成を抑制することができる基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのコア基板の模式的な断面図である。
【図２】図２は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのスルーホールを形成したコア基板の模式的な断面図である。
【図３】図３は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのスルーホール内にめっき層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【図４】図４は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのスルーホール内にスルーホール充填用ペーストを充填させた様子を示す模式的な断面図である。
【図５】図５は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としての充填させたスルーホール充填用ペーストを熱硬化させた硬化物の様子を示す模式的な断面図である。
【図６】図６は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としての硬化物を研磨した後の様子を示す模式的な断面図である。
【図７】図７は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としての研磨した面上に導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【図８】図８は、基板の製造方法の第１実施形態の一例としてのパターン導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【図９】図９は、基板の製造方法の第２実施形態の一例としての（α）工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１０】図１０は、基板の製造方法の第２実施形態の一例としての（α）工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１１】図１１は、基板の製造方法の第２実施形態の一例としての（β）工程を説明するための模式的な断面図である。
【図１２】図１２は、基板の製造方法の第２実施形態の一例としてのパターン導体層を形成した様子を示す模式的な断面図である。
【図１３】図１３は、一例としての基板の製造方法の第２実施形態により得た基板を含むインダクタ部品をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。
【図１４】図１４は、一例としてのＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断した基板の製造方法の第２実施形態により得た基板を含むインダクタ部品の切断端面を示す模式的な図である。
【図１５】図１５は、一例としての基板の製造方法の第２実施形態により得た基板を含むインダクタ部品のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置により、製造されたり、使用されたりするとは限らない。
【００１５】
本発明の基板の製造方法について説明する前に、磁性層を形成し得る樹脂組成物について説明する。
【００１６】
［樹脂組成物］
樹脂組成物は、（ａ）磁性粉体及び（ｂ）バインダー樹脂を含む。樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（ｃ）分散剤、（ｄ）硬化促進剤、及び（ｅ）その他の添加剤を含み得る。
【００１７】
＜（ａ）磁性粉体＞
樹脂組成物は、（ａ）磁性粉体を含有する。（ａ）磁性粉体としては、例えば、純鉄粉末；Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト、Ｙ系フェライト、酸化鉄粉（ＩＩＩ）、四酸化三鉄などの酸化鉄粉；Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、あるいはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末などの鉄合金系金属粉；Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金類、が挙げられる。
【００１８】
中でも、（ａ）磁性粉体としては、酸化鉄粉及び鉄合金系金属粉から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。酸化鉄粉としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、及びＺｎから選ばれる少なくとも１種を含むフェライトを含むことが好ましい。また、鉄合金系金属粉としては、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、及びＣｏから選ばれる少なくとも１種を含む鉄合金系金属粉を含むことが好ましい。
【００１９】
（ａ）磁性粉体としては、市販の磁性粉体を用いることができる。用いられ得る市販の磁性粉体の具体例としては、パウダーテック社製「Ｍ０５Ｓ」；山陽特殊製鋼社製「ＰＳＴ−Ｓ」；エプソンアトミックス社製「ＡＷ２−０８」、「ＡＷ２−０８ＰＦ２０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ１０Ｆ」、「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、「Ｆｅ−３．５Ｓｉ−４．５ＣｒＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−５０ＮｉＰＦ２０Ｆ」、「Ｆｅ−８０Ｎｉ−４ＭｏＰＦ２０Ｆ」；ＪＦＥケミカル社製「ＬＤ−Ｍ」、「ＬＤ−ＭＨ」、「ＫＮＩ−１０６」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０６ＧＳ」、「ＫＮＩ−１０９」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳＭ」、「ＫＮＩ−１０９ＧＳ」；戸田工業社製「ＫＮＳ−４１５」、「ＢＳＦ−５４７」、「ＢＳＦ−０２９」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−１２５」、「ＢＳＮ−７１４」、「ＢＳＮ−８２８」、「Ｓ−１２８１」、「Ｓ−１６４１」、「Ｓ−１６５１」、「Ｓ−１４７０」、「Ｓ−１５１１」、「Ｓ−２４３０」；日本重化学工業社製「ＪＲ０９Ｐ２」；ＣＩＫナノテック社製「Ｎａｎｏｔｅｋ」；キンセイマテック社製「ＪＥＭＫ−Ｓ」、「ＪＥＭＫ−Ｈ」：ＡＬＤＲＩＣＨ社製「Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｏｘｉｄｅ」等が挙げられる。磁性粉体は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００２０】
（ａ）磁性粉体は、球状であることが好ましい。磁性粉体の長軸の長さを短軸の長さで除した値（アスペクト比）としては、好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下、さらに好ましくは１．２以下である。一般に、磁性粉体は球状ではない扁平な形状であるほうが、比透磁率を向上させやすい。しかし、特に球状の磁性粉体を用いる方が、通常、磁気損失を低くでき、また好ましい粘度を有するペーストを得る観点から好ましい。
【００２１】
（ａ）磁性粉体の平均粒径は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上である。また、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは９μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以下である。
【００２２】
（ａ）磁性粉体の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、磁性粉体の粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、磁性粉体を超音波により水に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「ＬＡ−５００」、島津製作所社製「ＳＡＬＤ−２２００」等を使用することができる。
【００２３】
（ａ）磁性粉体の比表面積は、比透磁率を向上させる観点から、好ましくは０．０５ｍ２／ｇ以上、より好ましくは０．１ｍ２／ｇ以上、さらに好ましくは０．３ｍ２／ｇ以上である。また、好ましくは１０ｍ２／ｇ以下、より好ましくは８ｍ２／ｇ以下、さらに好ましくは５ｍ２／ｇ以下である。（ａ）磁性粉体の比表面積は、ＢＥＴ法によって測定できる。
【００２４】
（ａ）磁性粉体の含有量（体積％）は、比透磁率を向上させ及び損失係数を低減させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００体積％とした場合、好ましくは１０体積％以上、より好ましくは２０体積％以上、さらに好ましくは３０体積％以上である。また、好ましくは８５体積％以下、より好ましくは８０体積％以下、さらに好ましくは７５体積％以下である。
【００２５】
（ａ）磁性粉体の含有量（質量％）は、比透磁率を向上させ及び損失係数を低減させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上である。また、好ましくは９８質量％以下、より好ましくは９５質量％以下、さらに好ましくは９０質量％以下である。
【００２６】
＜（ｂ）バインダー樹脂＞
樹脂組成物は、（ｂ）バインダー樹脂を含有する。（ｂ）バインダー樹脂は、（ａ）磁性粉体を樹脂組成物中に分散・結合させ、磁性層を形成し得る樹脂であれば特に限定されない。
【００２７】
（ｂ）バインダー樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、酸無水物系樹脂等の熱硬化性樹脂；フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂が挙げられる。（ｂ）バインダー樹脂としては、配線板の絶縁層を形成する際に使用される熱硬化性樹脂を用いることが好ましく、中でもエポキシ樹脂が好ましい。（ｂ）バインダー樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで、フェノール系樹脂、ナフトール系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂、活性エステル系樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボジイミド系樹脂、アミン系樹脂、及び酸無水物系樹脂のように、エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させられる成分をまとめて「硬化剤」ということがある。
【００２８】
−熱硬化性樹脂−
熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂は、例えば、グリシロール型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；トリスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂；ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂等の縮合環構造を有するエポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；グリシジルエステル型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【００２９】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。また、エポキシ樹脂は、芳香族構造を有することが好ましく、２種以上のエポキシ樹脂を用いる場合は少なくとも１種が芳香族構造を有することがより好ましい。芳香族構造とは、一般に芳香族と定義される化学構造であり、多環芳香族及び芳香族複素環をも含む。エポキシ樹脂の不揮発成分１００質量％に対して、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは７０質量％以上である。
【００３０】
エポキシ樹脂には、温度２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。）と、温度２５℃で固体状のエポキシ樹脂（以下「固体状エポキシ樹脂」ということがある。）とがある。（ｂ）成分としてエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、液状エポキシ樹脂及び固体状エポキシ樹脂を組み合わせて含んでいてもよいが、比透磁率を高くするために磁性粉体を多く含有させる場合等に、樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるのを防ぎ、ペースト状にし易くする観点から、液状エポキシ樹脂のみを含むことが好ましい。
【００３１】
液状エポキシ樹脂としては、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、グリシロール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＦ型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「８２８ＵＳ」、「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「６３０」、「６３０ＬＳＤ」、ＡＤＥＫＡ社製の「ＥＤ−５２３Ｔ」（グリシロール型エポキシ樹脂（アデカグリシロール））、「ＥＰ−３９８０Ｓ」（グリシジルアミン型エポキシ樹脂）、「ＥＰ−４０８８Ｓ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）、「ＥＸ−２０１」（環状脂肪族グリシジルエーテル）、「ＺＸ１６５８」、「ＺＸ１６５８ＧＳ」（液状１，４−グリシジルシクロヘキサン）；ナガセケムテックス社製の「ＥＸ−７２１」（グリシジルエステル型エポキシ樹脂）；ダイセル社製の「セロキサイド２０２１Ｐ」（エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂）、「ＰＢ−３６００」（ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
固体状エポキシ樹脂としては、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２Ｈ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（ナフタレン型４官能エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」、「ＨＰ−７２００ＨＨ」、「ＨＰ−７２００Ｈ」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ３」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４」、「ＥＸＡ−７３１１−Ｇ４Ｓ」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）；日本化薬社製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノール型エポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）；日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＥＳＮ４７５Ｖ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）；三菱ケミカル社製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）、「ＹＸ８８００」（アントラセン型エポキシ樹脂）；大阪ガスケミカル社製の「ＰＧ−１００」、「ＣＧ−５００」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７７６０」（ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂）、「ＹＬ７８００」（フルオレン型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０１０」（固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１０３１Ｓ」（テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３３】
（ｂ）成分として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、好ましくは１：０．１〜１：４、より好ましくは１：０．３〜１：３．５、さらに好ましくは１：０．６〜１：３である。
【００３４】
（ｂ）成分としてのエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜５０００ｇ／ｅｑ．、より好ましくは５０ｇ／ｅｑ．〜３０００ｇ／ｅｑ．、さらに好ましくは８０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．、さらにより好ましくは１１０ｇ／ｅｑ．〜１０００ｇ／ｅｑ．である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗さの小さい磁性層をもたらすことができる。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００３５】
（ｂ）成分としてのエポキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１００〜５０００、より好ましくは２５０〜３０００、さらに好ましくは４００〜１５００である。ここで、エポキシ樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００３６】
活性エステル系樹脂としては、１分子中に１個以上の活性エステル基を有する樹脂を用いることができる。中でも、活性エステル系樹脂としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する樹脂が好ましい。当該活性エステル系樹脂は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系樹脂が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系樹脂がより好ましい。
【００３７】
カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。
【００３８】
フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン１分子にフェノール２分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。
【００３９】
活性エステル系樹脂の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる２価の構造単位を表す。
【００４０】
活性エステル系樹脂の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル系樹脂として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＨＰＣ−８０００Ｈ−６５ＴＭ」、「ＥＸＢ−８０００Ｌ−６５ＴＭ」（ＤＩＣ社製）；ナフタレン構造を含む活性エステル系樹脂として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」、「ＥＸＢ−８１５０−６５Ｔ」（ＤＩＣ社製）；フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系樹脂として「ＤＣ８０８」（三菱ケミカル社製）；フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系樹脂として「ＹＬＨ１０２６」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０３０」（三菱ケミカル社製）、「ＹＬＨ１０４８」（三菱ケミカル社製）；等が挙げられる。
【００４１】
フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系樹脂がより好ましい。
【００４２】
フェノール系樹脂及びナフトール系樹脂の具体例としては、例えば、明和化成社製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ−４９５Ｖ」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ社製の「ＴＤ−２０９０」、「ＬＡ−７０５２」、「ＬＡ−７０５４」、「ＬＡ−１３５６」、「ＬＡ−３０１８−５０Ｐ」、「ＥＸＢ−９５００」等が挙げられる。
【００４３】
ベンゾオキサジン系樹脂の具体例としては、ＪＦＥケミカル社製の「ＪＢＺ−ＯＤ１００」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＪＢＺ−ＯＰ１００Ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）、「ＯＤＡ−ＢＯＺ」（ベンゾオキサジン環当量２１８）；四国化成工業社製の「Ｐ−ｄ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）、「Ｆ−ａ」（ベンゾオキサジン環当量２１７）；昭和高分子社製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」（ベンゾオキサジン環当量４３２）等が挙げられる。
【００４４】
シアネートエステル系樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル、等の２官能シアネート樹脂；フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂；これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー；などが挙げられる。シアネートエステル系樹脂の具体例としては、ロンザジャパン社製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＵＬＬ−９５０Ｓ」（多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」、「ＢＡ２３０Ｓ７５」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００４５】
カルボジイミド系樹脂の具体例としては、日清紡ケミカル社製のカルボジライト（登録商標）Ｖ−０３（カルボジイミド基当量：２１６）、Ｖ−０５（カルボジイミド基当量：２６２）、Ｖ−０７（カルボジイミド基当量：２００）；Ｖ−０９（カルボジイミド基当量：２００）；ラインケミー社製のスタバクゾール（登録商標）Ｐ（カルボジイミド基当量：３０２）が挙げられる。
【００４６】
アミン系樹脂としては、１分子内中に１個以上のアミノ基を有する樹脂が挙げられ、例えば、脂肪族アミン類、ポリエーテルアミン類、脂環式アミン類、芳香族アミン類等が挙げられ、中でも、本発明の所望の効果を奏する観点から、芳香族アミン類が好ましい。アミン系樹脂は、第１級アミン又は第２級アミンが好ましく、第１級アミンがより好ましい。アミン系硬化剤の具体例としては、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルアニリン）、ジフェニルジアミノスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシリレンジアミン、ジエチルトルエンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジヒドロキシベンジジン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、３，３−ジメチル−５，５−ジエチル−４，４−ジフェニルメタンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、等が挙げられる。アミン系樹脂は市販品を用いてもよく、例えば、日本化薬社製の「ＫＡＹＡＢＯＮＤ  Ｃ−２００Ｓ」、「ＫＡＹＡＢＯＮＤ  Ｃ−１００」、「カヤハードＡ−Ａ」、「カヤハードＡ−Ｂ」、「カヤハードＡ−Ｓ」、三菱ケミカル社製の「エピキュアＷ」等が挙げられる。
【００４７】
酸無水物系樹脂としては、１分子内中に１個以上の酸無水物基を有する樹脂が挙げられる。酸無水物系樹脂の具体例としては、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、水素化メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロ−３−フラニル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンソフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、オキシジフタル酸二無水物、３，３’−４，４’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２−Ｃ］フラン−１，３−ジオン、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、スチレンとマレイン酸とが共重合したスチレン・マレイン酸樹脂などのポリマー型の酸無水物などが挙げられる。
【００４８】
（ｂ）成分としてエポキシ樹脂及び硬化剤を含有する場合、エポキシ樹脂とすべての硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．０１〜１：５の範囲が好ましく、１：０．５〜１：３がより好ましく、１：１〜１：２がさらに好ましい。ここで、「エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在するエポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。
【００４９】
−熱可塑性樹脂−
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは３万以上、より好ましくは５万以上、さらに好ましくは１０万以上である。また、好ましくは１００万以下、より好ましくは７５万以下、さらに好ましくは５０万以下である。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として島津製作所社製「ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａ」を、カラムとして昭和電工社製「Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌ」を、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度を４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００５０】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、日鉄ケミカル＆マテリアル社製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱ケミカル社製の「ＹＬ７５００ＢＨ３０」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、「ＹＸ７５５３」、「ＹＸ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ７７６９ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【００５１】
アクリル樹脂としては、熱膨張率及び弾性率をより低下させる観点から、官能基含有アクリル樹脂が好ましく、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂がより好ましい。
【００５２】
官能基含有アクリル樹脂の数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは１００００〜１００００００であり、より好ましくは３００００〜９０００００である。
【００５３】
官能基含有アクリル樹脂の官能基当量は、好ましくは１０００〜５００００であり、より好ましくは２５００〜３００００である。
【００５４】
ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル樹脂としては、ガラス転移温度が２５℃以下のエポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂が好ましく、その具体例としては、ナガセケムテックス社製「ＳＧ−８０Ｈ」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：３５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．０７ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１１℃））、ナガセケムテックス社製「ＳＧ−Ｐ３」（エポキシ基含有アクリル酸エステル共重合体樹脂（数平均分子量Ｍｎ：８５００００ｇ／ｍｏｌ、エポキシ価０．２１ｅｑ／ｋｇ、ガラス転移温度１２℃））が挙げられる。
【００５５】
ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の電化ブチラール「４０００−２」、「５０００−Ａ」、「６０００−Ｃ」、「６０００−ＥＰ」、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、「ＫＳ−１」などのＫＳシリーズ、「ＢＬ−１」などのＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【００５６】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のポリイミド）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のポリイミド）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【００５７】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」（ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド）等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【００５８】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のビニル基を有するオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「ＯＰＥ−２Ｓｔ  １２００」等が挙げられる。
【００５９】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【００６０】
中でも、熱可塑性樹脂としては、重量平均分子量が３万以上１００万以下の、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチラール樹脂、及びアクリル樹脂から選ばれる１種以上であることが好ましい。
【００６１】
（ｂ）バインダー樹脂の含有量は、（ａ）磁性粉体を樹脂組成物中に分散・結合させ、磁性層を形成し得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは１質量％以上、より好ましくは３質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上である。上限は、本発明の効果が奏される限りにおいて特に限定されないが、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下である。
【００６２】
＜（ｃ）分散剤＞
樹脂組成物は、任意の成分として、さらに（ｃ）分散剤を含んでいてもよい。（ｃ）分散剤を用いることにより、（ａ）成分の分散性を向上させることができる。
【００６３】
（ｃ）分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸等のリン酸エステル系分散剤；ドデシルベンゼルスルホン酸ナトリウム、ラウリル酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテルサルフェートのアンモニウム塩等のアニオン性分散剤；オルガノシロキサン系分散剤、アセチレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド等の非イオン性分散剤等が挙げられる。これらの中でも、アニオン性分散剤が好ましい。分散剤は１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００６４】
リン酸エステル系分散剤は、市販品を用いることができる。市販品として、例えば東邦化学工業社製「フォスファノール」シリーズの「ＲＳ−４１０」、「ＲＳ−６１０」、「ＲＳ−７１０」等が挙げられる。
【００６５】
オルガノシロキサン系分散剤としては、市販品として、ビックケミー社製「ＢＹＫ３４７」、「ＢＹＫ３４８」等が挙げられる。
【００６６】
ポリオキシアルキレン系分散剤としては、市販品として、日油社製「マリアリム」シリーズの「ＡＫＭ−０５３１」、「ＡＦＢ−１５２１」、「ＳＣ−０５０５Ｋ」、「ＳＣ−１０１５Ｆ」及び「ＳＣ−０７０８Ａ」、並びに「ＨＫＭ−５０Ａ」等が挙げられる。ポリオキシアルキレン系分散剤とは、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンアルキルアミド等をまとめた総称である。
【００６７】
アセチレングリコールとしては、市販品として、Ａｉｒ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ  ａｎｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ  Ｉｎｃ．製「サーフィノール」シリーズの「８２」、「１０４」、「４４０」、「４６５」及び「４８５」、並びに「オレフィンＹ」等が挙げられる。
【００６８】
（ｃ）分散剤の含有量は、本発明の効果を顕著に発揮させる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．４質量％以上であり、上限は、好ましくは５質量％以下、より好ましくは３質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【００６９】
＜（ｄ）硬化促進剤＞
樹脂組成物は、任意の成分として、さらに（ｄ）硬化促進剤を含んでいてもよい。（ｄ）硬化促進剤を用いることにより、バインダー樹脂の硬化を効果的に進行させて、硬化物の機械的強度を高めることができる。（ｄ）硬化促進剤としては、例えば、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。硬化促進剤は、樹脂組成物の粘度を低下させる観点から、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、イミダゾール系硬化剤がより好ましい。硬化促進剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７０】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられ、４−ジメチルアミノピリジン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセンが好ましい。
【００７１】
アミン系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、味の素ファインテクノ社製の「ＰＮ−５０」、「ＰＮ−２３」、「ＭＹ−２５」等が挙げられる。
【００７２】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが好ましい。
【００７３】
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、四国化成工業社製の「２ＭＺＡ−ＰＷ」、「２ＰＨＺ−ＰＷ」、三菱ケミカル社製の「Ｐ２００−Ｈ５０」等が挙げられる。
【００７４】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。
【００７５】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エンが好ましい。
【００７６】
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。
【００７７】
（ｄ）硬化促進剤としては、アミン系硬化促進剤及びイミダゾール系硬化促進剤から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、イミダゾール系硬化促進剤であることがより好ましい。
【００７８】
（ｄ）硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物の粘度を下げる観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を１００質量％とした場合、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは０．３質量％以上である。上限は、好ましくは３質量％以下、より好ましくは２質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下である。
【００７９】
＜（ｅ）その他の添加剤＞
樹脂組成物は、さらに必要に応じて、（ｅ）その他の添加剤を含んでいてもよい。斯かるその他の添加剤としては、例えば、ホウ酸トリエチル等の硬化遅延剤、難燃剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【００８０】
＜樹脂組成物の製造方法＞
樹脂組成物は、例えば、配合成分を、３本ロール、回転ミキサー、高速回転ミキサーなどの撹拌装置を用いて撹拌する方法によって製造できる。樹脂組成物は、製造後等に脱泡を行ってよい。例えば、静置による脱泡、遠心分離による脱泡、真空脱泡、撹拌脱泡、及びこれらの組合せ等による脱泡が挙げられる。
【００８１】
基板の磁性層を形成するにあたって、樹脂組成物は、ペースト状の樹脂組成物（磁性ペースト）の形態で用いてもよく、該樹脂組成物の層を含む磁性シートの形態で用いてもよい。
【００８２】
［磁性ペースト］
樹脂組成物は、液状のバインダー樹脂等を使用することにより、有機溶剤を含まなくともペースト状の磁性ペーストとすることができる。磁性ペーストが有機溶媒を含む場合、その含有量は、磁性ペーストの全質量に対して、好ましくは１．０質量％未満、より好ましくは０．８質量％以下、さらに好ましくは０．５質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下である。下限は、特に制限はないが０．００１質量％以上、又は含有しないことである。磁性ペースト中の有機溶剤の含有量が少ない、または有機溶剤を含まないことにより、有機溶剤の揮発によるボイドの発生を抑制することができ、さらに取扱い性、作業性にも優れたものとすることができる。
【００８３】
磁性ペーストの粘度は、２５℃で好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２５Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、５０Ｐａ・ｓ以上であり、通常２００Ｐａ・ｓ未満、好ましくは１８０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１６０Ｐａ・ｓ以下である。粘度は、磁性ペーストの温度を２５±２℃に保ち、Ｅ型粘度計を用いて測定することができる。
【００８４】
［磁性シート］
磁性シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、樹脂組成物で形成された樹脂組成物層とを含む。
【００８５】
樹脂組成物層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは２５０μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１５０μｍ以下、１００μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、特に限定されないが、通常、５μｍ以上等とし得る。
【００８６】
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。
【００８７】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【００８８】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属（例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等）との合金からなる箔を用いてもよい。
【００８９】
支持体は、樹脂組成物層と接合する面にマット処理、コロナ処理を施してあってもよい。
【００９０】
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される１種以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック社製の「ＳＫ−１」、「ＡＬ−５」、「ＡＬ−７」、東レ社製の「ルミラーＴ６０」、帝人社製の「ピューレックス」、ユニチカ社製の「ユニピール」等が挙げられる。
【００９１】
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、５μｍ〜７５μｍの範囲が好ましく、１０μｍ〜６０μｍの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚さが上記範囲であることが好ましい。
【００９２】
磁性シートは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。なお、樹脂組成物がペースト状の場合、ダイコーター等を用いて支持体上に直接樹脂組成物を塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【００９３】
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００９４】
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の方法により実施してよい。乾燥条件は特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３分間〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【００９５】
磁性シートにおいて、樹脂組成物層の支持体と接合していない面（即ち、支持体とは反対側の面）には、支持体に準じた保護フィルムをさらに積層することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、１μｍ〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。磁性シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。磁性シートが保護フィルムを有する場合、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。
【００９６】
［基板の製造方法］
本発明の基板の製造方法は、磁性粉体を含む磁性層上に湿式めっきにより導体層が形成される基板の製造方法であって、
（Ａ）磁性層表面を酸溶液で処理する酸処理工程、及び
（Ｂ）酸溶液で表面を処理した磁性層上に導体層を形成する工程を含む。
【００９７】
湿式めっきにより導体層を形成するには、例えば、磁性層表面を、界面活性剤で処理するコンディショニング工程、界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去するマイクロエッチング工程、磁性層表面に触媒を付与する触媒化工程、触媒を活性化する触媒活性化工程、及び磁性層上に導体層を形成する工程を順に行うことが考えられる。
【００９８】
磁性粉体は、シリカ等の無機充填材とは異なり、酸に溶解しやすいという性質をもつ。このため、マイクロエッチング工程にて用いる液が酸性である場合、その液に溶解した磁性粉体が、触媒化工程でのアルカリ条件下で析出物及び沈殿物（以下、「析出物及び沈殿物」をまとめて不溶物等ということがある。）が発生してしまう。また、触媒活性化工程では、通常、触媒を活性化させるために、通常は酸性の還元剤溶液を用いるので磁性粉体が溶出した後、磁性粉体中の鉄等の金属が還元剤によって還元され、還元浴内に大量の不溶物等が発生してしまう。磁性粉体の含有量が多いほど、より大量の不溶物等が発生し、還元浴及び基板等を汚染してしまう。
【００９９】
これに対し、本発明では、（Ａ）磁性層表面を酸溶液で処理する酸処理工程を含む。磁性層表面に存在する磁性粉体を酸溶液で溶解させることで、不溶物等の原因となり得る磁性層表面の磁性粉体の量を減少させることができ、その結果、触媒化工程及び触媒活性化工程において発生する不溶物等の発生を抑制することが可能となる。さらには、通常、（Ａ）工程を経ても、得られた導体層と磁性層との間の界面で剥離や膨れはなく、ピール強度も（Ａ）工程を行わない場合と同等である。また、（Ａ）工程を経た製造方法により得られた基板は、通常、周波数が１０〜２００ＭＨｚの範囲で比透磁率の向上、及び損失係数の低減が可能である。上述したメカニズムは、前記のように例示した工程を含む基板の製造方法以外にも適用することができる。
【０１００】
以下、基板の製造方法の第１実施形態及び第２実施形態について説明する。但し、本発明に係る基板の製造方法は、以下に例示する第１及び第２実施形態に限定されない。
【０１０１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態の基板の製造方法は、（Ａ）工程を行う前に磁性層を有する基板を用意する工程を行うことが好ましい。
【０１０２】
基板の製造方法の第１実施形態における磁性層を有する基板を用意する工程は、
（１）スルーホールに樹脂組成物を充填し、樹脂組成物を硬化させ、磁性層を形成する工程を含むことが好ましく、
（１）工程後（Ａ）工程前に、
（２）磁性層の表面を研磨する工程をさらに含むことがより好ましい。
【０１０３】
−（１）工程−
（１）工程を行うにあたって、樹脂組成物を準備する工程を含んでいてもよい。樹脂組成物は、上記において説明したとおりである。第１実施形態では、磁性ペーストを用いて磁性層を形成することが好ましい。
【０１０４】
また、（１）工程を行うにあたって、図１に一例を示すように、支持基板１１、並びに該支持基板１１の両表面に設けられた銅箔等の金属からなる第１金属層１２、及び第２金属層１３を備えるコア基板１０を準備する工程を含んでいてもよい。支持基板１１の材料の例としては、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。
【０１０５】
また、図２に一例を示すように、コア基板１０にスルーホール１４を形成する工程を含んでいてもよい。スルーホール１４は、例えば、ドリル、レーザー照射、プラズマ照射等により形成することができる。具体的には、ドリル等を用いてコア基板１０に貫通穴を形成することにより、スルーホール１４を形成することができる。
【０１０６】
スルーホール１４の形成は、市販されているドリル装置を用いて実施することができる。市販されているドリル装置としては、例えば、日立ビアメカニクス社製「ＮＤ−１Ｓ２１１」等が挙げられる。
【０１０７】
コア基板１０にスルーホール１４を形成した後、図３に一例を示すように、コア基板１０の粗化処理を行い、スルーホール１４内、第１金属層１２の表面上、及び第２金属層１３の表面上にめっき層２０を形成する工程を含んでいてもよい。
【０１０８】
前記の粗化処理としては、乾式及び湿式のいずれの粗化処理を行ってもよい。乾式の粗化処理の例としては、プラズマ処理等が挙げられる。また、湿式の粗化処理の例としては、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に行う方法が挙げられる。
【０１０９】
めっき層２０は、めっき法により形成され、めっき法によりめっき層２０が形成される手順は、後述する（Ｂ）工程における導体層の形成と同様である。
【０１１０】
スルーホール１４内にめっき層２０を形成されたコア基板１０を用意した後で、図４に一例を示すように、樹脂組成物３０ａをスルーホール１４へ充填する。充填方法としては、例えば、スキージを介してスルーホール１４へ樹脂組成物３０ａを充填する方法、カートリッジを介して樹脂組成物３０ａを充填する方法、マスク印刷して樹脂組成物３０ａを充填する方法、ロールコート法、インクジェット法等が挙げられる。樹脂組成物３０ａは磁性ペーストであることが好ましい。
【０１１１】
スルーホール１４内に樹脂組成物３０ａを充填後、樹脂組成物３０ａを熱硬化して、図５に一例を示すように、スルーホール１４内に磁性層３０を形成する。樹脂組成物３０ａの熱硬化条件は、樹脂組成物３０ａの組成や種類によっても異なるが、硬化温度は好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。樹脂組成物３０ａの硬化時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは１２０分以下、より好ましくは１００分以下、さらに好ましくは９０分以下である。
【０１１２】
（１）工程における磁性層３０の硬化度としては、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上である。硬化度は、例えば示差走査熱量測定装置を用いて測定することができる。
【０１１３】
樹脂組成物３０ａを熱硬化させる前に、樹脂組成物３０ａに対して、硬化温度よりも低い温度で加熱する予備加熱処理を施してもよい。例えば、樹脂組成物３０ａを熱硬化させるのに先立ち、通常５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物３０ａを、通常５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）、予備加熱してもよい。
【０１１４】
−（２）工程−
（２）工程では、図６に一例を示すように、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することにより除去し、平坦化する。研磨方法としては、コア基板１０から突出又は付着している余剰の磁性層３０を研磨することができる方法を用いることができる。このような研磨方法としては、例えば、バフ研磨、ベルト研磨等が挙げられる。市販されているバフ研磨装置としては石井表記社製「ＮＴ−７００ＩＭ」等が挙げられる。
【０１１５】
磁性層の研磨面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層とのめっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【０１１６】
（２）工程後（Ａ）工程前に、磁性層の硬化度をさらに高める等の目的で、必要により熱処理工程を行ってもよい。熱処理工程における温度は上記した硬化温度に準じて行えばよく、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であり、好ましくは２４０℃以下、より好ましくは２２０℃以下、さらに好ましくは２００℃以下である。熱処理時間は、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは１５分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは７０分以下、さらに好ましくは６０分以下である。
【０１１７】
−（Ａ）磁性層表面を酸溶液で処理する酸処理工程−
（Ａ）工程は、磁性層表面を酸溶液で処理する工程である。具体的には、磁性層表面を酸溶液と接触させる。この処理により、磁性層の表面にある磁性粉体を除去することができる。よって、不溶物等の発生を抑制することが可能となる。
【０１１８】
酸溶液としては、磁性粉体を溶解させることができるものを用いることができる。このような酸溶液としては、無機酸を用いることができる。無機酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸が挙げられる。中でも、磁性粉体を効果的に溶解させる観点から、塩酸、硫酸及び硝酸から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、塩酸がより好ましい。
【０１１９】
酸溶液の濃度としては、酸の種類により異なるが、不溶物等の発生を抑制する観点から、規定度で、好ましくは３Ｎ以上、より好ましくは５Ｎ以上、さらに好ましくは６Ｎ以上、７Ｎ以上、８Ｎ以上、１０Ｎ以上であり、好ましくは４０Ｎ以下、より好ましくは３６Ｎ以下、さらに好ましくは３０Ｎ以下、２０Ｎ以下、１５Ｎ以下である。
【０１２０】
酸溶液の温度としては、不溶物等の発生を抑制する観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上、さらに好ましくは２０℃以上であり、好ましくは１００℃以下、より好ましくは７０℃以下、さらに好ましくは６０℃以下である。
【０１２１】
（Ａ）工程は、磁性層を酸溶液に浸漬させることにより行う。浸漬時間としては、不溶物等の発生を抑制する観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは３分以上、さらに好ましくは５分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは４５分以下、さらに好ましくは３０分以下である。
【０１２２】
磁性層表面に存在する磁性粉体が酸溶液で溶解すると、磁性層表面の色に変化が起こる。詳細には、（Ａ）工程前の磁性層表面は磁性粉体の色であるが、酸溶液により磁性層表面に存在する磁性粉体が溶解することで磁性粉体の周囲に存在するバインダー樹脂の色が見えるようになる。磁性層表面の色の変化が起き、磁性粉体の色が見えなくなったときに、（Ａ）工程を終了させてもよい。
【０１２３】
（Ａ）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。
【０１２４】
（Ａ）工程終了後、湿式めっきにより（Ｂ）酸溶液で表面を処理した磁性層上に導体層を形成する工程を行うが、（Ａ）工程終了後（Ｂ）工程前に、
（３）磁性層表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング工程を含むことが好ましく、
（３）工程後（Ｂ）工程前に、
（４）磁性層表面に触媒を付与する触媒化工程、及び
（５）触媒を活性化する触媒活性化工程をこの順でさらに含むことがより好ましい。
【０１２５】
また、（３）工程後（４）工程前に、
（３−１）界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去するマイクロエッチング工程を含んでいてもよい。
【０１２６】
（３）〜（５）工程を（Ａ）工程終了後に行うことで、特に（４）工程及び（５）工程において発生する不溶物等の発生を抑制することが可能となる。
【０１２７】
−（３）工程−
（３）工程では、通常、界面活性剤を含む溶液と磁性層表面とを接触させることで、磁性層表面の洗浄とともに、（４）工程における触媒の吸着を容易にできるように表面電荷を調整する。
【０１２８】
（３）工程で使用する界面活性剤を含む溶液としては、磁性層表面の洗浄とともに、（４）工程における触媒の吸着を容易にできるように表面電荷を調整することができる界面活性剤を含む溶液を用いることができる。このような溶液としては、界面活性剤を含むアルカリ溶液、界面活性剤を含む酸溶液等が挙げられるが、不溶物等を抑制する観点から界面活性剤を含むアルカリ溶液が好ましい。
【０１２９】
界面活性剤を含むアルカリ溶液のｐＨとしては、好ましくは７を超え、より好ましくは８以上、さらに好ましくは１０以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは１４以下、１３以下等とし得る。界面活性剤を含む酸溶液のｐＨとしては、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは７未満、６以下等とし得る。
【０１３０】
界面活性剤としては、例えば、アルキルアミン塩、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルベンジルアンモニウム塩等のカチオン性界面活性剤；オレイン酸ナトリウム等の脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルスルホコハク酸塩、ナフタレンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル硫酸塩、アルカンスルホネートナトリウム塩、アルキルジフェニルエーテルスルホン酸ナトリウム塩等のアニオン性界面活性剤；ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチフェニルエーテル、ポリオキシエチレンソルビトールテトラオレエート、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン共重合体等の非イオン性界面活性剤等が挙げられる。
【０１３１】
界面活性剤は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えばアトテックジャパン社製の「セキュリガンド９０２」、上村工業社製「ＰＥＤ−１０４」等が挙げられる。
【０１３２】
（３）工程の処理時間としては、触媒の吸着を容易にする観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、さらに好ましくは３分以上であり、好ましくは２０分以下、より好ましくは１５分以下、さらに好ましくは１０分以下である。
【０１３３】
界面活性剤を含む溶液の温度としては、触媒の吸着を容易にする観点から、好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、さらに好ましくは５０℃以上であり、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下、さらに好ましくは７０℃以下である。
【０１３４】
（３）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。
【０１３５】
−（３−１）工程−
（３−１）工程では、通常、マイクロエッチング液と磁性層表面とを接触させることで、界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去する。界面活性剤が不要な部位としては、例えば銅箔基板等が挙げられる。
【０１３６】
マイクロエッチング液としては、塩酸、硫酸、過酸化水素水、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム塩及びこれらの組み合わせからなる液等が挙げられる。
【０１３７】
マイクロエッチング液の濃度としては、界面活性剤を不要な部位のみから除去する観点から、規定度で、通常は２Ｎ以下、好ましくは１．５Ｎ以下、より好ましくは１Ｎ以下であり、界面活性剤の除去を容易にする観点から、好ましくは０．１Ｎ以上、より好ましくは０．２Ｎ以上、さらに好ましくは０．５Ｎ以上である。
【０１３８】
マイクロエッチング液の温度としては、界面活性剤の除去を容易にする観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上、さらに好ましくは２０℃以上であり、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以下である。
【０１３９】
（３−１）工程の処理時間としては、界面活性剤の除去を容易にする観点から、好ましくは１０秒以上、より好ましくは１５秒以上、さらに好ましくは３０秒以上であり、好ましくは６０秒以下、より好ましくは５０秒以下、さらに好ましくは４０秒以下である。
【０１４０】
（３−１）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。
【０１４１】
−（４）工程−
（４）工程では、磁性層表面に触媒を付与することで、磁性層と導体層との間の密着性を向上させることができる。通常、（４）工程では、触媒を含有する溶液に磁性層を浸漬し、磁性層表面に触媒を吸着させる。
【０１４２】
触媒としては、例えば、パラジウム塩、パラジウム錯化合物、スズ・パラジウムの錯塩、スズ・パラジウムコロイド、等が挙げられる。
【０１４３】
触媒を含有する溶液は、通常、アルカリ性の溶液を用いる。これにより、不溶物等の発生を顕著に抑制することができる。このアルカリ性の溶液のｐＨとしては、好ましくは７を超え、より好ましくは８以上、さらに好ましくは１０以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは１４以下、１３以下等とし得る。
【０１４４】
また、触媒を含有する溶液の濃度としては、磁性層全体に触媒を吸着させる観点から、規定度で、好ましくは１ｍｍｏｌ／Ｌ以上、より好ましくは５ｍｍｏｌ／Ｌ以上、さらに好ましくは１０ｍｍｏｌ／Ｌ以上であり、好ましくは５００ｍｍｏｌ／Ｌ以下、より好ましくは３００ｍｍｏｌ／Ｌ以下、さらに好ましくは１００ｍｍｏｌ／Ｌ以下である。
【０１４５】
触媒を含有する溶液は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「アクチベーター・ネオガンド８３４」、日本カニゼン社製の「ブラウンシューマー」等が挙げられる。
【０１４６】
（４）工程の処理時間としては、磁性層全体に触媒を吸着させる観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、さらに好ましくは３分以上であり、好ましくは２０分以下、より好ましくは１５分以下、さらに好ましくは１０分以下である。
【０１４７】
触媒を含有する溶液の温度としては、磁性層全体に触媒を吸着させる観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上であり、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは４０℃以下である。
【０１４８】
（４）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。
【０１４９】
−（５）工程−
（５）工程では、触媒を活性化することで、磁性層と導体層との間の密着性を向上させることができる。通常、（５）工程では、触媒が付与された磁性層を還元剤溶液に浸漬し触媒の核を生成させ、磁性層表面に付与された触媒を活性化させる。
【０１５０】
（５）工程で用いられる還元剤としては、例えば、次亜リン酸塩、ジメチルアミンボランと有機酸のカリウム塩の混合液等が挙げられる。
【０１５１】
還元剤溶液は、通常、酸性の溶液を用いる。これにより、不溶物等の発生を顕著に抑制することができる。この酸性溶液のｐＨとしては、好ましくは１以上、より好ましくは２以上、さらに好ましくは３以上である。上限は特に制限はないが、好ましくは７未満、６以下等とし得る。
【０１５２】
また、還元剤溶液中の還元剤濃度としては、磁性層表面に付与された触媒を活性化させる観点から、規定度で、好ましくは０．３Ｎ以上、より好ましくは０．４Ｎ以上、さらに好ましくは０．５Ｎ以上であり、好ましくは３Ｎ以下、より好ましくは２Ｎ以下、さらに好ましくは１Ｎ以下である。
【０１５３】
還元剤溶液は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製「リデューサーアクセラレーター８１０ｍｏｄ．」、「リデューサーネオガントＷＡ」、日本カニゼン社製「Ｋ−ＰＶＤ」等が挙げられる。
【０１５４】
（５）工程の処理時間としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは１分以上、より好ましくは２分以上、さらに好ましくは３分以上であり、好ましくは２０分以下、より好ましくは１５分以下、さらに好ましくは１０分以下である。
【０１５５】
還元剤溶液の温度としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上であり、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５０℃以下、さらに好ましくは４０℃以下である。
【０１５６】
（５）工程終了後、必要に応じて水洗処理を行ってもよい。
【０１５７】
−（Ｂ）工程−
（Ｂ）工程では、図７に一例を示すように、（Ａ）工程にて酸溶液で表面を処理した磁性層３０上に、湿式めっきにより導体層４０を形成する。さらに、導体層４０を形成後、図８に一例を示すように、エッチング等の処理により導体層４０、第１金属層１２、第２金属層１３、及びめっき層２０の一部を除去してパターン導体層４１を形成してもよい。
【０１５８】
導体層の材料としては、例えば、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ、インジウム等の単金属；金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムの群から選択される２種以上の金属の合金が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金、銅ニッケル合金、銅チタン合金を用いることが好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅、又はニッケルクロム合金を用いることがより好ましく、銅を用いることがさらに好ましい。
【０１５９】
（Ｂ）工程の好適な実施形態では、無電解めっき処理を行い、導体層を形成することが好ましく、無電解めっき処理を行った後、さらに電解めっき処理を行い、導体層を形成することがより好ましい。よって、（Ｂ）工程は、セミアディティブ法、フルアディティブ法等によって磁性層の表面にめっきし導体層を形成することが好ましい。（Ｂ）工程は、導体層の製造のしやすさの観点から、セミアディティブ法により導体層を形成することが好ましい。
【０１６０】
セミアディティブ法の詳細は、まず、磁性層の表面に、無電解めっき処理によりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっき処理により導体層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。
【０１６１】
無電解めっき処理は、無電解めっき液に磁性層を浸漬させて行う。無電解めっき処理としては、例えば、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解ニッケル−タングステンめっき、無電解スズめっき、無電解金めっき等が挙げられ、無電解銅めっきが好ましい。
【０１６２】
無電解めっき処理に用いる無電解めっき液としては、例えば、銅、ニッケル、タングステン、錫、金、パラジウム、ＰｄＣｌ２等の金属イオンを含有する液が挙げられる。また、無電解めっき液は、還元剤などのその他の添加剤を含んでいてもよい。無電解めっき液は、市販品を用いることができる。市販品としては、例えば、上村工業社製の「スルカップＰＥＡ」や、日本カニゼン社製の「Ｓ−ＫＰＤ」等が挙げられる。
【０１６３】
無電解めっき処理の処理時間としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは１０分以上、より好ましくは２０分以上、さらに好ましくは３０分以上であり、好ましくは６０分以下、より好ましくは５０分以下、さらに好ましくは４０分以下である。
【０１６４】
無電解めっき処理の処理温度としては、導体層形成の効率化の観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上であり、好ましくは６０℃以下、より好ましくは５５℃以下、さらに好ましくは５０℃以下である。
【０１６５】
無電解めっき処理によりめっきシード層を形成した後、めっきシード層上に、ドライフィルムを積層する。その後、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部が露出するようにフォトマスクを用いて所定の条件で露光、現像を行い、マスクパターンを形成する。露光及び現像条件は、すでに公知の条件にて行うことできる。
【０１６６】
ドライフィルムとしては、フォトレジスト組成物からなる感光性のドライフィルムを用いることができる。このようなドライフィルムとしては、例えば、ノボラック樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
【０１６７】
マスクパターンは、電解銅めっき処理におけるめっきマスクとして使用する。電解めっき処理後、マスクパターンは除去される。
【０１６８】
電解めっき処理は、めっき浴に無電解めっき処理後の磁性層を浸漬させて行う。その際、めっき浴に電流を流して行う。電解めっき処理としては、電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解スズめっき、電解金めっき等が挙げられ、電解銅めっきが好ましい。
【０１６９】
電解めっき処理に用いるめっき浴としては、硫酸銅、ピロリン酸銅、シアン化銅等を含む浴が挙げられる。
【０１７０】
電解めっき処理の処理時間としては、触媒を活性化させる観点から、好ましくは３０分以上、より好ましくは４０分以上、さらに好ましくは５０分以上であり、好ましくは９０分以下、より好ましくは８０分以下、さらに好ましくは７０分以下である。
【０１７１】
電解めっき処理の処理温度としては、導体層形成の効率化の観点から、好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上、さらに好ましくは２０℃以上であり、好ましくは５０℃以下、より好ましくは４０℃以下、さらに好ましくは３０℃以下である。
【０１７２】
電解めっき処理の電流密度としては、導体層形成の効率化の観点から、好ましくは１．０Ａ／ｄｍ２以上、より好ましくは１．５Ａ／ｄｍ２以上、さらに好ましくは２．０Ａ／ｄｍ２以上であり、好ましくは４．０Ａ／ｄｍ２以下、より好ましくは３．５Ａ／ｄｍ２以下、さらに好ましくは３．０Ａ／ｄｍ２以下である。
【０１７３】
導体層形成後、導体層のピール強度を向上させる等の目的で、必要によりアニール処理を行ってもよい。アニール処理は、例えば、基板を１５０〜２００℃で２０〜９０分間加熱することにより行うことができる。
【０１７４】
パターン導体層の厚さは、薄型化の観点から、好ましくは７０μｍ以下であり、より好ましくは６０μｍ以下であり、さらに好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは４０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、２０μｍ以下、１５μｍ以下又は１０μｍ以下である。下限は好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上である。
【０１７５】
＜第２実施形態＞
以下、基板の製造方法の第２実施形態について説明する。第１実施形態と説明が重複する箇所は適宜説明を省略する。
【０１７６】
第２実施形態の基板の製造方法は、（Ａ）工程を行う前に磁性層を有する基板を用意する工程を行うことが好ましい。第２実施形態では、磁性シートを用いて磁性層を形成することが好ましい。
【０１７７】
基板の製造方法の第２実施形態における磁性層を有する基板を用意する工程は、
（α）磁性シートを、樹脂組成物層が内層基板と接合するように内層基板に積層し、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する工程、及び
（β）磁性層に穴あけ加工を行う工程を含むことが好ましく、
（γ）磁性層の表面を粗化面とする粗化工程をさらに含んでもよい。
【０１７８】
−（α）工程−
（α）工程を行うにあたって、磁性シートを準備する工程を含んでいてもよい。磁性シートは、上記において説明したとおりである。
【０１７９】
（α）工程において、図９に一例を示すように、支持体３３０と、該支持体３３０上に設けられた樹脂組成物層３２０ａとを含む磁性シート３１０を、樹脂組成物層３２０ａが内層基板２００と接合するように、内層基板２００に磁性シート３１０を積層させる。
【０１８０】
内層基板２００は、絶縁性の基板である。内層基板２００の材料としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の絶縁性基材が挙げられる。内層基板２００は、その厚さ内に配線等が作り込まれた内層回路基板であってもよい。
【０１８１】
図９に一例を示すように、内層基板２００は、第１主表面２００ａ上に設けられる第１導体層４２０と、第２主表面２００ｂ上に設けられる外部端子２４０とを有している。第１導体層４２０は、複数の配線を含んでいる。図示例ではインダクタ素子のコイル状導電性構造体４００を構成する配線のみが示されている。外部端子２４０は図示されていない外部の装置等と電気的に接続するための端子である。外部端子２４０は、第２主表面２００ｂに設けられる導体層の一部として構成することができる。
【０１８２】
第１導体層４２０、外部端子２４０、その他の導体層を構成し得る導体材料としては、第１実施形態の「−（Ｂ）工程−」欄において説明した導体層の材料と同様である。
【０１８３】
第１導体層４２０、外部端子２４０、その他の導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。また、第１導体層４２０、外部端子２４０、その他の導体層の厚さは、第１実施形態におけるパターン導体層と同様である。
【０１８４】
第１導体層４２０及び外部端子２４０のライン（Ｌ）／スペース（Ｓ）比は特に制限されないが、表面の凹凸を減少させて平滑性に優れる磁性層を得る観点から、通常、９００／９００μｍ以下、好ましくは７００／７００μｍ以下、より好ましくは５００／５００μｍ以下、さらに好ましくは３００／３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００／２００μｍ以下である。ライン／スペース比の下限は特に制限されないが、スペースへの樹脂組成物層の埋め込みを良好にする観点から、好ましくは１／１μｍ以上である。
【０１８５】
内層基板２００は第１主表面２００ａから第２主表面２００ｂに至るように内層基板２００を貫通する複数のスルーホール２２０を有している。スルーホール２２０にはスルーホール内配線２２０ａが設けられている。スルーホール内配線２２０ａは、第１導体層４２０と外部端子２４０とを電気的に接続している。
【０１８６】
樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、例えば、支持体３３０側から、磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着することにより行うことができる。磁性シート３１０を内層基板２００に加熱圧着する部材（以下、「加熱圧着部材」ともいう。）としては、例えば、加熱された金属板（ステンレス（ＳＵＳ）鏡板等）又は金属ロール（ＳＵＳロール）等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を磁性シート３１０に直接的に接触させてプレスするのではなく、内層基板２００の表面の凹凸に磁性シート３１０が十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材からなるシート等を介してプレスするのが好ましい。
【０１８７】
加熱圧着する際の温度は、好ましくは８０℃〜１６０℃、より好ましくは９０℃〜１４０℃、さらに好ましくは１００℃〜１２０℃の範囲であり、加熱圧着する際の圧力は、好ましくは０．０９８ＭＰａ〜１．７７ＭＰａ、より好ましくは０．２９ＭＰａ〜１．４７ＭＰａの範囲であり、加熱圧着する際の時間は、好ましくは２０秒間〜４００秒間、より好ましくは３０秒間〜３００秒間の範囲である。磁性シートと内層基板との接合は、圧力２６．７ｈＰａ以下の減圧条件下で実施することが好ましい。
【０１８８】
磁性シート３１０の樹脂組成物層３２０ａと内層基板２００との接合は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアプリケーター等が挙げられる。
【０１８９】
磁性シート３１０と内層基板２００との接合の後に、常圧下（大気圧下）、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された磁性シート３１の平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理とは、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。
【０１９０】
磁性シートを内層基板に積層した後、樹脂組成物層を熱硬化して磁性層を形成する。図１０に一例を示すように、内層基板２００に接合させた樹脂組成物層３２０ａを熱硬化し第１磁性層３２０を形成する。熱硬化の条件は第１実施形態の「−（１）工程−」欄において説明した熱硬化の条件と同様である。
【０１９１】
支持体３３０は、（α）工程の熱硬化後と（β）工程との間に除去してもよく、（β）工程の後に剥離してもよい。
【０１９２】
また、（α）工程は、磁性シートを内層基板上に積層する代わりに、ペースト状の樹脂組成物を内層基板上に直接塗布又は印刷することにより行ってもよい。
【０１９３】
−（β）工程−
（β）工程において、図１１に一例を示すように、第１磁性層３２０に穴あけ加工をし、ビアホール３６０を形成する。ビアホール３６０は、第１導体層４２０と、後述する第２導体層４４０とを電気的に接続するための経路となる。ビアホール３６０の形成は「−（１）工程−」欄において説明したスルーホールの形成と同様の方法により行うことができる。
【０１９４】
−（γ）工程−
（β）工程後（γ）磁性層の表面を粗化面とする粗化工程を行ってもよい。（γ）工程における粗化方法としては、第１実施形態の「−（２）工程−」欄において説明したものと同様の研磨により行うことができる。
【０１９５】
（γ）工程後の磁性層の粗化面の算術平均粗さ（Ｒａ）としては、導体層とのめっき密着性を向上させる観点から、好ましくは３００ｎｍ以上、より好ましくは３５０ｎｍ以上、さらに好ましくは４００ｎｍ以上である。上限は、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは９００ｎｍ以下、さらに好ましくは８００ｎｍ以下である。表面粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。
【０１９６】
−（Ａ）工程−
（Ａ）工程は、第１磁性層表面を酸溶液で処理する工程である。磁性層表面を酸溶液で処理することにより、不溶物等の発生を抑制することが可能となる。（Ａ）工程は第１実施形態において説明したとおりである。
【０１９７】
（Ａ）工程終了後、湿式めっきにより（Ｂ）酸溶液で表面を処理した磁性層上に導体層を形成する工程を行うが、（Ａ）工程終了後（Ｂ）工程前に、
（３）磁性層表面を、界面活性剤を含む溶液で処理するコンディショニング工程を含むことが好ましく、
（３）工程後（Ｂ）工程前に、
（４）磁性層表面に触媒を付与する触媒化工程、及び
（５）触媒を活性化する触媒活性化工程をこの順でさらに含むことがより好ましい。
【０１９８】
また、（３）工程後（４）工程前に、
（３−１）界面活性剤が不要な部位から界面活性剤を除去するマイクロエッチング工程を含んでいてもよい。（３）〜（５）工程は第１実施形態において説明したとおりである。
【０１９９】
−（Ｂ）工程−
（Ｂ）工程では、図１２に一例を示すように、（Ａ）工程にて酸溶液で表面を処理した第１磁性層３２０上に、第２導体層４４０を形成する。第２導体層４４０の形成方法は、第１実施形態において説明したとおりである。なお、この工程により、ビアホール３６０内にビアホール内配線３６０ａが併せて形成される。第２導体層４４０を形成することで導体層４００が形成する。第２導体層４４０は、複数の配線を含んでいる。
【０２００】
第２導体層４４０を構成し得る導体材料は、第１導体層４２０と同様である。第２導体層４４０は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。第２導体層４４０が複層構造である場合、磁性層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケルクロム合金の合金層であることが好ましい。また、第２導体層４４０の厚さは、第１導体層４２０の厚さと同様である。
【０２０１】
第１導体層４２０及び第２導体層４４０は、例えば後述する図１３〜１５に一例を示すように、渦巻状に設けられていてもよい。一例において、第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２０の渦巻状の配線部のうちの中心側の一端に電気的に接続されている。第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａにより第１導体層４２のランド４２０ａに電気的に接続されている。よって第２導体層４４０の渦巻状の配線部のうちの外周側の他端はビアホール内配線３６０ａ、ランド４２０ａ、スルーホール内配線２２０ａを経て外部端子２４０に電気的に接続される。
【０２０２】
コイル状導電性構造体４００は、第１導体層４２０の一部分である渦巻状の配線部、第２導体層４４０の一部分である渦巻状の配線部、第１導体層４２０の渦巻状の配線部と第２導体層４４０の渦巻状の配線部とを電気的に接続しているビアホール内配線３６０ａにより構成されている。
【０２０３】
（Ｂ）工程後、さらに導体層上に磁性層を形成する工程を行ってもよい。詳細は、図１４に一例を示すように、第２導体層４４０及びビアホール内配線３６０ａが形成された第１磁性層３２０上に第２磁性層を形成する。第２磁性層は既に説明した工程と同様の工程により形成すればよい。
【０２０４】
＜基板の物性等＞
本発明の基板の製造方法は、（Ａ）工程を含むため、無電解めっきプロセスにおける不溶物等の量を抑制できるという特性を示す。不溶物等の沈殿量としては、好ましくは３００ｍｇ／Ｌ未満、より好ましくは２５０ｍｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは２１０ｍｇ／Ｌ以下である。下限は特に限定されないが、０．００１ｍｇ／Ｌ以上等とし得る。不溶物量等の測定は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【０２０５】
（Ａ）工程を経て製造された基板において、通常、めっきにより形成された導体層と磁性層との間のピール強度は、（Ａ）工程がなされずに製造された基板の磁性層と導体層との間のピール強度と同等であるという特性を示す。即ち、（Ａ）工程による酸処理を行ってもピール強度が劣ることはない。ピール強度としては、好ましくは０．０５ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．１ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．２ｋｇｆ／ｃｍ以上である。上限は特に限定されないが、１０ｋｇｆ／ｃｍ以下等とし得る。ピール強度の測定は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
【０２０６】
本発明の基板の製造方法にて製造される基板としては、回路基板、パターン導体層により形成されたインダクタ素子を有するインダクタ基板であることが好ましい。
【０２０７】
［インダクタ基板］
インダクタ基板は、本発明の基板の製造方法により得られた基板を含む。このようなインダクタ基板は、基板の製造方法の第１実施形態により得られた基板を含む場合、前記の樹脂組成物の硬化物の周囲の少なくとも一部に導体によって形成されたインダクタ素子を有する。このようなインダクタ基板は、例えば特開２０１６−１９７６２４号公報に記載のものを適用できる。
【０２０８】
また、基板の製造方法の第２実施形態により得られた基板を含む場合、インダクタ基板は、樹脂組成物（樹脂組成物層）の硬化物である磁性層と、この磁性層に少なくとも一部分が埋め込まれた導電性構造体とを有しており、この導電性構造体と、磁性層の厚さ方向に延在し、かつ導電性構造体に囲まれた磁性層のうちの一部分によって構成されるインダクタ素子を含んでいる。ここで図１３は、インダクタ素子を内蔵するインダクタ基板をその厚さ方向の一方からみた模式的な平面図である。図１４は、ＩＩ−ＩＩ一点鎖線で示した位置で切断したインダクタ基板の切断端面を示す模式的な図である。図１５は、インダクタ基板のうちの第１導体層の構成を説明するための模式的な平面図である。
【０２０９】
インダクタ基板１００は、図１３及び図１４に一例として示されるように、複数の磁性層（第１磁性層３２０、第２磁性層３４０）及び複数の導体層（第１導体層４２０、第２導体層４４０）を有する、即ちビルドアップ磁性層及びビルドアップ導体層を有するビルドアップ配線板である。また、インダクタ基板１００は、内層基板２００を備えている。
【０２１０】
図１４より、第１磁性層３２０及び第２磁性層３４０は一体的な磁性層としてみることができる磁性部３００を構成している。よってコイル状導電性構造体４００は、磁性部３００に少なくとも一部分が埋め込まれるように設けられている。すなわち、本実施形態のインダクタ基板１００において、インダクタ素子はコイル状導電性構造体４００と、磁性部３００の厚さ方向に延在し、かつコイル状導電性構造体４００に囲まれた磁性部３００のうちの一部分である芯部によって構成されている。
【０２１１】
図１５に一例として示されるように、第１導体層４２０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部と、スルーホール内配線２２０ａと電気的に接続される矩形状のランド４２０ａとを含んでいる。図示例では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とランド４２０ａを迂回する迂回部を含んでいる。図示例では第１導体層４２０の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり反時計回りに巻いている形状を有している。
【０２１２】
同様に、第１磁性層３２０上には第２導体層４４０が設けられている。第２導体層４４０はコイル状導電性構造体４００を構成するための渦巻状の配線部を含んでいる。図１３又は図１４では渦巻状の配線部は直線状部と直角に屈曲する屈曲部とを含んでいる。図１３又は図１４では第２導体層４４の渦巻状の配線部は全体の輪郭が略矩形状であって、中心側からその外側に向かうにあたり時計回りに巻いている形状を有している。
【０２１３】
このようなインダクタ基板は、半導体チップ等の電子部品を搭載するための配線板として用いることができ、かかる配線板を内層基板として使用した（多層）プリント配線板として用いることもできる。また、かかる配線板を個片化したチップインダクタ部品として用いることもでき、該チップインダクタ部品を表面実装したプリント配線板として用いることもできる。
【０２１４】
また、かかる配線板を用いて、種々の態様の半導体装置を製造することができる。かかる配線板を含む半導体装置は、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に好適に用いることができる。
【実施例】
【０２１５】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、量を表す「部」及び「％」は、別途明示のない限り、それぞれ「質量部」及び「質量％」を意味する。
【０２１６】
＜実施例１＞
エポキシ樹脂（「ＺＸ−１０５９」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）１５質量部、反応性希釈剤（「ＺＸ−１６５８」、環状脂肪族ジグリジルエ−テル、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）５質量部、分散剤（「ＲＳ−７１０」、高分子アニオン系分散剤、東邦化学社製）１質量部、硬化促進剤（「２ＭＺＡ−ＰＷ」、イミダゾール系硬化促進剤、四国化成社製）１質量部、磁性粉体（「Ｍ０５Ｓ」、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、平均粒径３μｍ、パウダーテック社製）１５０質量部を混合し、ペースト状の樹脂組成物を調製した。
【０２１７】
印刷基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層版（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．８ｍｍ、松下電工社製Ｒ１５１５Ａ）の両面をマイクロエッチング剤（メック社製ＣＺ８１００）にて１μｍエッチングして銅表面の粗化処理を行ったものを用意した。用意した印刷基板上に、作製した樹脂組成物をドクターブレードにて均一に塗布し、およそ１２０μｍ厚のペースト層を形成した。ペースト層を１３０℃で３０分間加熱し、さらに１４５℃で３０分加熱することにより熱硬化し、磁性層を形成した。形成した磁性層の表面のバフ研磨を実施した後、高圧水洗（０．１ＭＰａ、１５秒）により洗浄し、１８０℃で３０分加熱することにより熱処理を行った。作製した基板を５ｃｍ角に切断し、１２Ｎの塩酸に２５℃で１０分間浸漬した。この基板を評価基板とした。
【０２１８】
＜実施例２＞
実施例１において、磁性粉体（「Ｍ０５Ｓ」、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、平均粒径３μｍ、パウダーテック社製）１５０質量部を、磁性粉体（「ＡＷ２−０８ＰＦ３Ｆ」、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金（アモルファス）、平均粒径３μｍ、エプソンアトミックス社製）２１０質量部に変えた。以上の事項以外は実施例１と同様にして評価基板を調製した。
【０２１９】
＜比較例１＞
実施例１において、１２Ｎの塩酸に２５℃で１０分間浸漬させる塩酸処理を行わなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして評価基板を作製した。
【０２２０】
＜比較例２＞
実施例２において、１２Ｎの塩酸に２５℃で１０分間浸漬させる塩酸処理を行わなかった。以上の事項以外は実施例２と同様にして評価基板を作製した。
【０２２１】
＜参考例１＞
実施例１において、磁性粉体（「Ｍ０５Ｓ」、Ｆｅ−Ｍｎ系フェライト、平均粒径３μｍ、パウダーテック社製）１５０質量部を、シリカ（「ＳＣ２０５０」、アドマテックス社製）６０質量部に変え、１２Ｎの塩酸に２５℃で１０分間浸漬させる塩酸処理を行わなかった。以上の事項以外は実施例１と同様にして評価基板を作製した。
【０２２２】
＜無電解めっきプロセスにおける不溶物量の評価＞
実施例１〜２、比較例１〜２及び参考例１で作製した評価基板（５ｃｍ角）を、還元用溶液（「リデューサーアクセラレーター８１０ｍｏｄ．」、アトテックジャパン社製、６０ｍｌ、「リデューサーネオガントＷＡ」、アトテックジャパン社製、３ｍｌ）を入れた浴に４０℃で２４時間浸漬した。浴中に析出した沈殿物をろ紙（桐山製作所社製、Ｎｏ．５Ｂ  ６０φ）を用いて不溶物としてろ別し、５時間真空乾燥させた後に精密天秤を用いて不溶物量の測定を行い、以下の基準で評価した。
○：不溶物量が３００ｍｇ未満
×：不溶物量が３００ｍｇ以上
【０２２３】
＜銅メッキピール強度の評価＞
実施例１〜２、比較例１〜２及び参考例１で作製した評価基板を、ＰｄＣｌ２を含む溶液（アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント８３４」）と水酸化ナトリウムの混合液に４０℃で５分間浸漬し、次に還元液（アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントＷＡ」と「リデューサーアクセレレーター８１０ｍｏｄ.」の混合液）に３０℃で５分間浸漬させた後、無電解銅めっき液（上村工業社製「スルカップＰＥＡ」）とホルムアルデヒドの混合液に３５℃で３０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、硫酸銅電解めっき液(アトテックジャパン社製「アディティブクプラシドＨＬ」と硫酸銅五水和物、硫酸の混合液)に２２℃にて６０分間浸漬させ、磁性層上に３０μｍの厚さで導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて６０分間行った。この基板をピール強度評価基板とした。
【０２２４】
このピール強度評価基板の導体層に、幅１０ｍｍ、長さ１００ｍｍの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具（ティー・エス・イー社製、オートコム型試験機「ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ」）で掴み、室温中にて、５０ｍｍ／分の速度で垂直方向に３５ｍｍを引き剥がした時の荷重（ｋｇｆ／ｃｍ）を測定した。
【０２２５】
【表１】
2020088285.tif 000002
【０２２６】
実施例１、２より、本発明である（Ａ）工程を行うことで得られた基板は不溶物の量を大きく抑えられることがわかった。一方、（Ａ）工程を行っていない比較例１、２は、多量の不溶物が析出された。また、参考例１における不溶物量と比較し、実施例１、２の結果が大きく外れていないことから、磁性粉体由来の不溶物の析出が大きく抑えられたことがわかった。
また、（Ａ）工程を行っても、銅メッキピール強度の結果に大きな差はなく、物性の低下が起こっていないことも確認された。
【０２２７】
＜回路基板の製造＞
内層基板として、ガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板（銅箔の厚さ１８μｍ、基板厚み０．８ｍｍ、松下電工社製Ｒ１５１５Ａ）を用意した。
【０２２８】
上記内層基板に実施例１で調製したペースト状の樹脂組成物を印刷し、ペースト層を形成した。ペースト層を形成した後、１３０℃で３０分間加熱し、さらに１４５℃で３０分間加熱した。その後、ペースト層の表面をバフ研磨した。さらに１８０℃で３０分間加熱することによりペースト層を熱硬化し、磁性層を得た。
【０２２９】
磁性層を、高圧水洗（０．１ＭＰａ、１５秒）により洗浄し、１８０℃で３０分加熱することにより熱処理を行い、その後１２Ｎの塩酸に２５℃で１０分間浸漬した。
【０２３０】
次に、コンディショニング工程として、磁性層を、アトテックジャパン社製のクリーナー・セキュリガンド９０２に６０℃で５分間浸漬し、水洗処理後、ソフトエッチング液（Ｎａ２Ｓ２Ｏ８：１００ｇ／Ｌ，Ｈ２ＳＯ４（７５％ａｑ．）１４．２ｍｌ／Ｌ）に３０℃で１分間浸漬した後、水洗処理を行った。
【０２３１】
次いで触媒付与工程として、磁性層を、ＰｄＣｌ２含有のアクチベーター・ネオガンド８３４（アトテックジャパン社製）に３５℃で５分間浸漬し、水洗を行った。
【０２３２】
触媒活性化工程として、磁性層を、アトテックジャパン社製の還元液（リデューサー・ネオガンドＷＡ：５ｍｌ／Ｌ、リデューサー・アクセレーター８１０ｍｏｄ：１００ｍｌ／Ｌ）に３０℃で５分間浸漬した。
【０２３３】
導体層を形成する工程として、ＰｄＣｌ２を含む溶液（アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント８３４」）と水酸化ナトリウムの混合液に４０℃で５分間浸漬し、次に無電解銅めっき液に２５℃で２０分間浸漬した。１５０℃にて３０分間加熱してアニール処理を行った後に、硫酸銅電解めっき液(アトテックジャパン社製「アディティブクプラシドＨＬ」と硫酸銅五水和物、硫酸の混合液)に２２℃にて６０分間浸漬させ、磁性層上に３０μｍの厚さの導体層を形成した。次に、アニール処理を１８０℃にて３０分間行った後さらに１８０℃にて６０分間行った。次にエッチングレジストを形成し、エッチングによるパターン形成し、回路基板を得た。
【０２３４】
この回路基板は、磁性層の表面と導体層との間の界面で剥離や膨れは無く、めっき密着性は良好であった。
【符号の説明】
【０２３５】
１０    コア基板
１１    支持基板
１２    第１金属層
１３    第２金属層
１４    スルーホール
２０    めっき層
３０ａ  樹脂組成物
３０    磁性層
４０    導体層
４１    パターン導体層
１００      インダクタ基板
２００      内層基板
２００ａ    第１主表面
２００ｂ    第２主表面
２２０      スルーホール
２２０ａ    スルーホール内配線
２４０      外部端子
３００      磁性部
３１０      磁性シート
３２０ａ    樹脂組成物層
３２０      第１磁性層
３３０      支持体
３４０      第２磁性層
３６０      ビアホール
３６０ａ    ビアホール内配線
４００      コイル状導電性構造体
４２０      第１導体層
４２０ａ    ランド
４４０      第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020088285.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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