(57)【要約】      （修正有）【課題】光電子デバイスに近接した物体の存在を検出する方法を提供する。【解決手段】（ａ）発光光電子素子４０５、３３０５、２０５と光電流発生光電子素子４０４、３３０４、２０４とを備える光電子デバイス１０５を提供することと、（ｂ）発光光電子素子に有効順バイアス電圧を印加し、光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することと、（ｃ）光を散乱または反射することができる物体２１またはそれらの組み合わせを、光が出てくる光電子デバイスの表面上の点から０．１〜５ｍｍの距離に移動させ、発光光電素子によって発せられた光を反射または散乱させて、光が光電流発生光電子素子上に落ちるようにさせることと、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子デバイスに近接した物体の存在を検出する方法であって、
（ａ）光電流発生光電子素子を備える光電子デバイスを、前記光電子デバイスの外部で発生する外光が前記光電子デバイス上に落ちる環境において提供することと、
（ｂ）前記光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することであって、適切な波長及び十分な強度の前記外光が前記光電流発生光電子素子に光電流を発生させる、印加することと、
（ｃ）前記光電子デバイスの表面上の点から０．１〜５ｍｍの距離に不透明物体を移動することであって、前記不透明物体に十分な前記外光を遮断させて、前記光電流発生光電子素子によって発生される前記光電流に検出可能な低減を生じさせる、移動することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記光電子デバイスが、量子ドット及びナノロッドからなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光電子デバイスが、ナノロッドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記物体が、スタイラスまたは人間の身体の一部分である、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
いくつかの光電子デバイスは、２つ以上の光電子素子を含む。いくつかの光電子デバイスでは、適切な電界が印加されると１つ以上の光電子素子（発光素子）が発光するように構成され、一方他の光電子素子（吸収素子）は、適切な波長範囲の波長を有する光が当たると電流を発生するように構成される。吸収素子は、デバイスの外側の空間を通って進みその後デバイスに当たる光に応答することがしばしば望ましい。そのような状況では、発光素子によって発せられた光が、デバイス自体内の経路に沿って進み、吸収素子に到達することは望ましくない。加えて、光が当たったときに、吸収素子が迅速に応答して（すなわち、短い立ち上がり時間で）光電流を発生することが望ましい。
【０００２】
米国特許出願公開第２０１４／００３６１６８号は、有機発光ダイオードのアレイを記載しており、このアレイは、光感知機能並びに発光機能のために使用することができる。発光ダイオードからの光が、完全にデバイス内にある経路を進んで吸収ダイオードに到達しない、改善されたデバイスを提供することが望ましい。改善された立ち上がり時間を有する光電子デバイスを提供することも望ましい。改善されたデバイスは、デバイスの外部にある物体の検出、ライトペンまたはレーザーポインターのような特定のデバイスからの光の検出、及びライトペンまたはレーザーポインターによってトレースされた経路に対応する画像の生成を含めて、様々な目的のために望ましく使用される。
【０００３】
以下は、本発明の記述である。
【０００４】
本発明の第１の態様は、発光光電子素子と光電流発生光電子素子とを備えるデバイスであって、デバイスは、デバイス内の経路を介して発光光電子素子によって発せられた光が光電流発生光電子素子に到達することを防止する不透明素子をさらに備える。
【０００５】
本発明の第２の態様は、光電子素子と、光電子素子に接続された回路とを備える光電子デバイスであって、
光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを備え、
回路は、光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を回路が提供する構成と、光電子素子が感応する光が光電子素子に当たるときに、光電素子に光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を回路が提供する構成との間で、光電子素子をスイッチングすることができるように構成される。
【０００６】
本発明の第３の態様は、光電子デバイスに近接した物体の存在を検出する方法であって、
（ａ）発光光電子素子と光電流発生光電子素子とを備える光電子デバイスを提供することであって、
デバイスは、発光光電子素子によって発せられた光の一部が光電子デバイスを出るように構成されており、
デバイスは、光電子デバイスを出て、外部物体によって散乱または反射される発光光電子素子によって発せられた光が、光電流発生光電子素子に当たることができるように構成されている、提供することと、
（ｂ）発光光電子素子に有効順バイアス電圧を印加し、光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することと、
（ｃ）光を散乱または反射することができる物体またはそれらの組み合わせを、光が出てくる光電子デバイスの表面上の点から０．１〜５ｍｍの距離に移動させ、発光光電素子によって発せられた光を反射または散乱させて、光が光電流発生光電子素子上に落ちるようにさせることと、を含む。
【０００７】
本発明の第４の態様は、光電子デバイスに近接した物体の存在を検出する方法であって、
（ａ）光電子デバイスの外部で発生する外光が光電子デバイス上に落ちる環境において、光電流発生光電子素子を備える光電子デバイスを提供すること、
（ｂ）光電流発生光電子素子に有効逆バイアス電圧を印加することであって、ここで適切な波長及び十分な強度の外光が光電流発生光電子素子に光電流を発生させる、印加することと、
（ｃ）光電子デバイスの表面上の点から０．１〜５ｍｍの距離に不透明物体を移動することであって、不透明物体に十分な外光を遮断させて、光電流発生光電子素子によって発生される光電流に検出可能な低減を生じさせる、移動することと、を含む。
【０００８】
本発明の第５の態様は、光電素子のアレイ上に画像を生成する方法であって、
（ａ）光電子素子のアレイ及び各光電子素子に接続された回路を備えるデバイスを提供することであって、
光電子素子は、複数の量子ドットまたは複数のナノロッドを含み、
回路は、光電子素子を発光させる有効順バイアス電圧を回路が提供する構成と、光電子素子が感応する光が光電子素子に当たるときに、光電素子に光電流を発生することができるようにさせる有効逆バイアス電圧を回路が提供する構成との間で、各光電子素子を独立してスイッチングすることができるように構成される、提供することと、
（ｂ）２つ以上の光電子素子に有効逆バイアスを印加すること、
（ｃ）個々の有効逆バイアスされた光電子素子から光電流の開始を検出し、個々の光電子素子のバイアスを有効順バイアスに変化させることによって光電流に応答する回路を提供することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
以下は、図面の簡単な説明である。
【００１０】
【図１】発光光電子素子（「ＬＥＯＥ」）または光電流発生光電子素子（「ＰＧＯＥ」）であり得る光電子素子の概略図である。
【図２】光電子素子の一実施形態の概略図である。
【図３】２つの隣接する光電子素子を有するデバイスの一実施形態を示し、デバイス内にいくつかの可能な光路を示している。
【図４】外部物体と、不透明素子及び外部物体を有するデバイスの一実施形態を示す。
【図５】外部物体と、不透明素子を有するデバイスの別の実施形態を示す。
【図６】光電子素子のアレイを含むデバイスに使用することができる不透明素子の実施形態の２つの視図を示す。
【図７】光電子素子のアレイを含むデバイスに使用することができる不透明素子の実施形態の２つの視図を示す。
【図８】ナノロッドの概略スケッチである。
【図９】コア／シェル量子ドットの概略スケッチである。
【図１０】実施例３に記載されたデバイスによって発生された光電流を示し、外部物体の検出を実証する。
【図１１】下記の実施例に記載される光電子素子の４×４アレイを構築する際に使用されるステップを示す。
【００１１】
以下は、本発明の詳細な説明である。
【００１２】
本明細書で使用される場合、以下の用語は、文脈上他に明確に示されていない限り、指定された定義を有する。
【００１３】
「吸収層」等の用語は、電極（アノードとカソード）の間に位置する層であり、適切な波長の光に曝されると正孔及び電子を生成し、適切な有効逆バイアス電界が存在する場合
には、互いに分離して電流を形成する。
【００１４】
「活性層」等の用語は、電極（アノード及びカソード）の間に位置する層である。活性層は、吸収層または発光層、あるいはバイアス電圧に応じて吸収層または発光層のいずれかとして作用することができる層であってもよい。
【００１５】
「アノード」は、正孔注入層、正孔輸送層、または発光層等の発光層側に位置する層に正孔を注入する。アノードは、基板上に配置される。アノードは、典型的には、金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物、導電性ポリマー、及びそれらの組み合わせから製造される。
【００１６】
各活性層はバンドギャップによって特徴付けられる。発光層のバンドギャップは、光電子素子を有効順バイアス下に置いて、発せられる光の強度を光周波数の関数として測定することによって特徴付けられる。発せられる光の最大強度に対応する光の周波数は、本明細書ではｖｅ呼ばれ、ｖｅは発光層のバンドギャップを特徴付ける。光電流発生層のバンドギャップは、光電子素子を有効逆バイアス下に置き、光電子素子を様々な周波数の光に曝し、光電流を光周波数の関数として測定することによって特徴付けられる。最大光電流に対応する光の周波数は、本明細書では光電流発生層の特性応答周波数ｖｄとして知られており、ｖｄは、光電流発生層のバンドギャップを特徴付ける。
【００１７】
「カソード」は、発光層側に位置する層（すなわち、電子注入層、電子輸送層、または発光層）に電子を注入する。カソードは、典型的には、金属、金属酸化物、金属ハロゲン化物、導電性ポリマー、またはそれらの組み合わせから製造される。
【００１８】
「有効順バイアス」は、光電子素子のアノード及びカソードに印加される電圧である。「順バイアス」電圧は、アノードに印加される電圧がカソードに印加される電圧に対して正であることを意味する。順バイアスは、電圧が光電子素子を発光させるのに十分な大きさを有するとき、「有効」である。
【００１９】
「有効逆バイアス」は、光電子素子のアノード及びカソードに印加される電圧である。有効逆バイアスは、光電子素子が感応する光が当たったときに光電子素子が光電流を発生することを可能にする。一般に、絶対逆バイアスとは、アノードに印加される電圧がカソードに印加される電圧に対して負であることを意味する。ほとんどの光電流発生光電子素子は、それらが逆バイアス下にあるとき、またはゼロバイアス電圧であるときに感応する光が当たったときに光電流を発生することができる。多くの光電流発生光電子素子は、それらが比較的小さい順バイアス下にあるときに感応する光が当たったときに光電流を発生することもできる。したがって、有効逆バイアスは、多くの光電子素子について、小さい電圧の順バイアスからゼロ電圧まで及び中程度の絶対逆バイアスに及ぶ範囲の電圧である。
【００２０】
「電子注入層」または「ＥＩＬ」等の用語は、有効順バイアス下の光電子素子において、カソードから注入された電子を電子輸送層に効率的に注入する層である。いくつかの光電子素子はＥＩＬを持ち、あるものはそうではない。
【００２１】
「電子輸送層」または「ＥＴＬ」等の用語は、活性層と電子注入層との間に配置される層である。有効順バイアス電界に置かれたとき、電子輸送層は、カソードから注入された電子を発光層に向かって輸送する。ＥＴＬの材料または組成は、典型的には、注入された電子を効率的に輸送するために高い電子移動度を有する。ＥＴＬはまた、典型的には、ホールの通過を阻止する傾向がある。
【００２２】
「電子ボルト」または「ｅＶ」は、１ボルトの電位差を横切って移動する単一の電子の電荷によって得られる（または損失する）エネルギーの量である。
【００２３】
「発光層」等の用語は、電極（アノード及びカソード）の間に位置する層であり、有効順バイアス電界に置かれると、正孔注入層を介してアノードから注入された正孔と電子輸送層を介してカソードから注入された電子との再結合によって励起され、発光層は一次発光源となる。
【００２４】
本明細書で使用される場合、「外光」は、本発明の光電子デバイスの外部で発する光である。
【００２５】
Ｆ４ＴＣＮＱは、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−ｐ−キノジメタンである。
【００２６】
本明細書で使用される場合、「ヘテロ接合」は、２つの異なる半導体間の界面である表面である。
【００２７】
「正孔注入層」または「ＨＩＬ」等の用語は、有効逆バイアス下の光電子素子において、アノードから注入された正孔を正孔輸送層に効率的に注入する層である。いくつかの光電子素子はＨＩＬを持ち、あるものはそうではない。
【００２８】
「正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（または「ＨＴＬ」）」等の用語は、正孔を輸送する材料から成る層を指す。高い正孔移動度が望ましい。ＨＴＬは、発光層によって輸送された電子の通過を阻止することを助けるために使用される。小さな電子親和力は、典型的には、電子を阻止するために必要とされる。ＨＴＬは、望ましくは、隣接するＥＭＬ層からの励起子移動を阻止するためにより大きな三重項を有するべきである。
【００２９】
本明細書で使用される場合、「ナノロッド」（ＮＲ）は、第１の軸を有する物品である。ナノロッドは、第１の軸の周りに回転対称性を有する。第１の軸に垂直な任意の方向におけるナノロッドの長さに対する第１の軸の方向におけるナノロッドの長さ（「軸方向長さ」）の比は２：１以上である。ナノロッドの軸方向長さは２００ｎｍ以下である。ナノロッドは、２つ以上の異なる半導体を含む。「二重ヘテロ接合ナノロッド（ＤＨＮＲ）は、２つ以上の異なるヘテロ接合を有するナノロッドである。
【００３０】
本明細書で使用する「不透明」という用語は、可視スペクトルにおける光エネルギーの１％以下を透過する物品を指す。不透明な物品は、吸収、散乱、反射、またはそれらの組み合わせを含む任意の機構による光の透過を防止し得る。
【００３１】
本明細書で使用される場合、「光電子素子」は、発光光電子素子（発光ダイオード（ＬＥＤ）とも呼ばれる）、または光電流発生光電子素子（フォトダイオード（ＰＤ）とも呼ばれる）のいずれかの物品である。ＬＥＤは、適切な電圧（「有効順バイアス」電圧）が印加されたときに発光する物品である。ＰＤは、適切な電圧（「有効逆バイアス」電圧）が印加されたときに、ＰＤが感応する波長の光がＰＤに当たると電流を発生する物品である。一部の物品は、有効順バイアス電圧下で光を発することができ、逆電圧が印加されている間に特定の波長の光が当たると光電流を発生することもできる。すなわち、一部の物品は、印加される電圧に応じて、ＬＥＤとして、またはＰＤとして機能することができる。印加された有効順バイアス電圧を有し、光を発する光電子素子は、本明細書では、「発光モード」または「ＬＥＤモード」にあると言われる。印加された有効逆バイアス電圧を有し、光電子素子が感応する波長の光が当たると光電流を発生することができる光電子素
子は、本明細書では、「検出モード」または「ＰＤモード」にあると言われる。
【００３２】
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホネートとの混合物である。
【００３３】
本明細書で使用される場合、「有機」化合物は、１つ以上の炭素原子を含む化合物である。「有機化合物」という用語には、以下のもの：水素以外の任意の元素と炭素の二成分化合物、金属シアン化物、金属カルボニル、ホスゲン、硫化カルボニル、及び金属炭酸塩は含まれない。有機でない化合物は無機である。純粋な元素は、本明細書では無機化合物とみなされる。
【００３４】
本明細書で使用される場合、「量子ドット」（ＱＤ）は、１〜２５ｎｍの直径を有する物品である。量子ドットは、１つ以上の無機半導体を含む。
【００３５】
「基板」は、有機発光デバイスの支持体である。基板に適した材料の非限定的な例には、石英板、ガラス板、金属板、金属箔、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、及びポリスルホン等のポリマー樹脂からのプラスチックフィルムが含まれる。
【００３６】
ＴＦＢは、ポリ（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−ａｌｔ−（１，４−フェニレン−（（４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレンである。
【００３７】
図１は、光電子素子の概略図を示す。これらの層は、図１に示すように互いに接触している。透明層１は、いかなる透明材料であってもよい。好ましい透明材料はガラスである。光電子素子を構築する好ましい方法は、ガラスの層で始まり、次に他の層を順番に適用することであるので、透明材料はしばしば「基板」と呼ばれる。アノード層２も透明であることが好ましい。アノード層２の好ましい材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。活性層３は、適切な「順方向」バイアス電圧を受けたときに光を発することができ、または、適切な波長の光に曝されたとき、かつ適切な「逆」バイアス電圧を受けたときに光電流を発生することができ、または、バイアス電圧に応じて光を発するか光電流を発生させることができる材料を含む。バイアス電圧は、電圧源または回路５によって印加される。カソード層４は、好ましくは金属である。光電子素子を動作させることが所望される場合、電圧源または回路５は、任選択的に、ワイヤ６を介してアノード層及びカソード層に接続される。電圧源６と光電子素子との間の接続は、スイッチまたはスイッチング回路（図示せず）によって任意選択的に確立及び／または中断されてもよい。図１に示す電気回路は、好ましくは電流感知デバイス２０を含み、それは、回路の任意の点に位置し得る。
【００３８】
光電子素子に有効順バイアスを供給することが望ましい場合、電圧源または回路は、アノード２に印加される電圧がカソード４に印加される電圧に対して正であるように、アノード２及びカソード４に電圧を印加する。印加電圧の大きさは、少なくとも活性層３を発光させるのに十分な大きさである。有効順バイアスの印加電圧の典型的な大きさは、１〜１０ボルトである。
【００３９】
光電子素子に有効逆バイアスを供給することが望ましい場合、電圧源または回路は、アノード２に印加される電圧がカソード４に印加される電圧に対して負であるように、アノード２及びカソード４に電圧を印加する。印加電圧の大きさは、少なくとも活性層３が感応する光が活性層３に入射するときに光電流が発生するように十分に大きい。印加電圧の大きさは、活性材料の破壊及び破壊から生じる一定の電流の流れを回避するように十分に低く保たれる。有効逆バイアスの印加電圧の典型的な大きさは、−０．１〜１０ボルト（すなわち、大きさ０．１ボルトの小さい順バイアスから、０ボルトを通して、大きさ１０
ボルトの絶対逆バイアスまで）である。光電流が発生される場合、それは好ましくは電流検出器２０によって検出され、追加の処理回路（図示せず）に任意選択的に接続される。
【００４０】
いくつかの実施形態では、電圧源または回路５は、有効順バイアスまたは有効逆バイアスのいずれかを光電子素子に印加することができる制御回路を含む。いくつかの実施形態では、制御回路は、バイアスを順方向から逆方向及び／または逆方向から順方向に反転させ、そのような反転は、例えば、時間シーケンスによって、または光電子デバイスの外部で発生するか、または制御回路内で発生する刺激に対する応答によって制御されてもよい。
【００４１】
図２は、光電子素子の一実施形態の概略図を示す。図２において、活性層は正孔注入層（ＨＩＬ）３１、正孔輸送層（ＨＴＬ）３２、活性層３３、及び電子注入層（ＥＩＬ）３４を含む。任意選択的に、光電子素子は、例えば、次の１つ以上：ＨＩＬ３１に隣接する１つ以上の追加のＨＩＬ、及び／または発光あるいは吸収層に隣接しかつＥＩＬに隣接する１つ以上の電子輸送層（ＥＴＬ）を含む追加の層を包含することもできる。
【００４２】
発光または吸収層３３は、任意の活性光電子材料であってもよい。例えば、発光または吸収層３３は、１つ以上のヘテロ接合を形成するために２つ以上のドープされたまたはドープされていない無機半導体を含んでもよく、無機半導体は、層状または複数の粒子の形態で構成されていてもよい。好ましくは、発光または吸収層３３は、それぞれが１つ以上のヘテロ接合を含む複数の無機粒子を含む。好ましくは、複数の無機粒子は、量子ドットまたはナノロッドである。別の例では、発光または吸収層３３は、エレクトロルミネセンス有機分子または２つ以上の有機分子の混合物を含んでもよい。
【００４３】
量子ドットの中では、第ＩＩ−ＶＩ族材料、第ＩＩＩ−Ｖ族材料、第ＩＶ族材料、第Ｖ族材料、またはそれらの組み合わせを含むものが好ましい。量子ドットは、好ましくはＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ及びＩｎＡｓから選択された１つ以上を含む。好ましくは、量子ドットは、上記材料の２つ以上を含む。例えば、化合物は、単純混合状態で存在する２つ以上の量子ドット、２つ以上の化合物結晶が同一の結晶、例えばコア−シェル構造または勾配構造を有する結晶、内で部分的に分けられている混合混晶、または２つ以上のナノ結晶を含む化合物を含んでもよい。好ましくは、量子ドットは、コアと、コアを包む１つ以上のシェルとを有する包囲構造を有し、ここでコアの組成はシェルの組成とは異なる。そのような実施形態では、コアは、好ましくはＣｄＳｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＡｇＩｎＺｎＳ、及びＺｎＯから選択される１つ以上の材料を含む。シェルは、好ましくはＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＴｉＯ、ＳｒＳｅ、及びＨｇＳｅから選択される１つ以上の材料を含む。いくつかの実施形態では、量子ドットは、コア、コアを取り囲む第１のシェル、及び第１のシェルを取り囲む第２のシェルを含む。存在する場合、第２のシェルは、好ましくはＣｄｓ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＴｉＯ、ＳｒＳｅ、ＨｇＳｅ、ＩＩ−ＩＶ族の合金から選択される１つ以上の材料を含み、より好ましくはＣｄｓ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＰｂＳ、ＴｉＯ、ＳｒＳｅ、及びＨｇＳｅから選択される。第２のシェルが存在する場合、好ましくはコア、第１のシェル、及び第２のシェルは、３つの異なる組成を有する。いくつかの実施形態では、量子ドットは、Ｍｎ、Ｃｕ及びＡｇなどのドーパント元素の１つ以上の原子を含むことができる。この場合、ドーパント原子または複数の原子は、コア内または量子ドットの第１シェル内に位置することができる。
【００４４】
好ましい量子ドットは、外側表面に付着した有機配位子を有する。好ましい配位子は、好ましくは８〜２５個の炭素原子を有する炭化水素鎖を含む。配位子は、好ましくは、炭
素及び水素以外の原子を含む化学基、例えばカルボキシル基を介して無機半導体の最も外側の表面に付着する。
【００４５】
量子ドットの好適実施形態を図９に示す。無機半導体コア９０２は、異なる無機半導体９０１によって囲まれている。最外殻半導体９０１の表面には、有機配位子分子９０３が付着している。
【００４６】
ナノロッド中で、第１の軸に垂直な任意の方向におけるナノロッドの長さに対するナノロッドの軸方向長さの比は２：１以上であり、好ましくは５：１以上であり、より好ましくは１０：１以上である。ナノロッドの軸方向長さは２００ｎｍ以下であり、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。ナノロッドは、２つ以上の異なる半導体を含む。好ましいナノロッドは、各端部に、円筒形ロッドと接触する単一のエンドキャップまたは複数のエンドキャップを配置した円筒形ロッドを含む。円筒形ロッドの所定の端部のエンドキャップも互いに接触する。エンドキャップは、好ましくは、一次元ナノ粒子を不動態化する働きをする。好ましくは、円筒形ロッドの各端部において、ナノロッドは、第１のエンドキャップと、第１のエンドキャップを部分的または完全に取り囲む第２のエンドキャップとを含む。第１のエンドキャップと第２のエンドキャップは、好ましくは互いに異なる組成を有する。好ましくは、各エンドキャップは１つ以上の半導体を含む。好ましくは、円筒形ロッドは半導体を含む。好ましくは、円筒形ロッドの組成は、第１のエンドキャップの組成及び第２のエンドキャップの組成の両方とは異なる。ナノロッドは、好ましくはＩＩ−ＶＩ族（ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等）及びＩＩＩ−Ｖ族（ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、Ａ１Ｓｂ等）及びＩＶ族（Ｇｅ、Ｓｉ、Ｐｂ等）の材料、及びそれらの合金、またはそれらの混合物を含む半導体を含む。
【００４７】
好ましいナノロッドを図８に示す。ナノロッド１１００は、第１の端部１１０４及び第２の端部１１０６を有する円筒形ロッド１１０２を含む。第１のエンドキャップ１１０８は、円筒形ロッドの第１の端部１１０４及び第２の端部１１０６に配置され、円筒形ロッド１１０２と直接接触する。第１のエンドキャップ１１０８と円筒形ロッドの第１の端部１１０４との間の界面は、第１のヘテロ接合１１０３を形成する。好ましくは、第１のエンドキャップ１１０８は、円筒形ロッド１１０２の端部に接触し、円筒形ロッド１１０２の長手方向部分に接触しない。第１のエンドキャップ１１０８は、円筒形のロッド１１０２の全体を取り囲んでいないことが好ましい。
【００４８】
第２のエンドキャップ１１１０は、第１のエンドキャップ１１０８と接触し、円筒形ロッド１１０２の一端または両端で第１のエンドキャップ１１０８を取り囲んでいる。第２のエンドキャップ１１１０は、第１のエンドキャップ１１０８を部分的または完全に取り囲んでもよい。第２のエンドキャップ１１１０は、円筒形ロッド１１０２の全体を取り囲んでいないことが好ましい。
【００４９】
第２のエンドキャップ１１１０と第１のエンドキャップ１１０８との間の界面は、第２のヘテロ接合１１０９を形成する。したがって、図８のナノロッド１１００は二重ヘテロ接合ナノ粒子である。より多くのエンドキャップが第２のエンドキャップ１１１０上に配置される場合、ナノ粒子１１００は２つより多くのヘテロ接合を有し得る。例示的な実施形態において、ナノ粒子１１００は、３つ以上のヘテロ接合、好ましくは４つ以上のヘテロ接合、または好ましくは５つ以上のヘテロ接合を有してもよい。
【００５０】
好ましくは、円筒形ロッドが第１のエンドキャップと接触するヘテロ接合は、Ｉ型または準ＩＩ型バンドアライメントを有する。好ましくは、第２エンドキャップが第１エンド
キャップに接触する点は、Ｉ型または準ＩＩ型バンドアライメントを有する。
【００５１】
図３は、複数の光電子素子を含む光電子デバイスの概略断面図を示す。このようなデバイスは、任意選択的に２つより多い光電子素子を含んでもよい。好ましくは、デバイスは、複数の光電子素子の平面アレイを含む。例えば、追加の光電子素子が存在し得て、図３の図面の平面内に一列に構成されてもよく、これらの光電子素子の各々は、図３の図面の平面に垂直な光電子素子の列の一部であってもよい。
【００５２】
図３において、１つの光電子素子は、カソード４０１、ＥＩＬ３４０１、発光層３３０１、ＨＴＬ３２、ＨＩＬ３１、アノード２０１及び透明層１を含む。発光層３３０１は、発光層を発光させるために有効順バイアス電圧がカソード４０１及びアノード２０１に印加されたことを示すために「発光」と表示されている。有効順バイアス電圧は、図３に示されていない回路によって供給される。図３において、他方の光電子素子は、カソード４０２、ＥＩＬ３４０２、吸収層３３０２、ＨＴＬ３２、ＨＩＬ３１、アノード２０２、及び透明層１を含む。吸収層３３０２は、吸収層に光を吸収させて光電流を発生させるために、有効逆バイアス電圧がカソード４０２及びアノード２０２に印加されたことを示すために「吸収」と表示される。有効逆バイアス電圧は、図３に示されていない回路によって供給される。
【００５３】
また、図３には、予期できる、光が発光層から吸収層へ進むためにデバイス内に取り込まれる可能性のある可能な経路８及び９が示されている。光電子素子間の距離が小さい（１ｍｍ未満）ことが好ましく、したがって発光層３３０１と吸収層３３０２との間の隙間に外部物体が存在しにくいので、経路９はデバイス内にあると考えられる。３つの経路７は、デバイスから出る光を示す。
【００５４】
図４は、図４に示す実施形態において隣接する光電子素子の各対が不透明素子１０によってその隣接部から分離されている点を除いて、図３に示されたものと同様の光電子デバイスの実施形態を示す。図４に示すように、この実施形態では、ＨＴＬは、発光光電子素子用のＨＴＬ３２０５と、光電流発生光電子素子用のＨＴＬ３２０４とに分離される。また、図４に示すように、この実施形態では、ＨＩＬは、発光光電子素子用のＨＩＬ３１０５と、光電流発生光電子素子用のＨＩＬ３１０４とに分離される。
【００５５】
不透明素子１０は、任意の不透明な材料で作り得る。いくつかの適切な材料は、例えば、カーボンブラックのような１種以上の充填剤を任意選択的に含むポリマーである。適切な材料には、ＫＡＰＴＯＮ（商標）Ｂポリイミドブラックフィルム（ＤｕＰｏｎｔ製）がある。
【００５６】
また、図４には、発光層からデバイスの外部の大気に光がとり得る経路１４が示されている。図４は、デバイスの外部に位置する外部物体２１が光を反射または散乱させ、光の一部が経路１５を介してデバイスに戻り、吸収層に当たり、それに応答して光電流を発生する状況を示す。不透明素子１０は、発光層から吸収層へデバイス内の経路に沿って光が進むのを阻止することを考慮に入れている。
【００５７】
図５は、図３に示すものと同様の光電子デバイスを示す。図５に示すデバイスでは、透明層１は、それぞれ吸収層及び発光層の上に位置する透明アイテム１０５及び１０６と、透明アイテム１０５と１０６との間の不透明素子１１とで置き換えられている。好ましい実施形態では、図５は、図３について上述したように、光電子素子の平面アレイの一部である２つの光電子素子を示す。そのような実施形態では、不透明素子１１は、不透明層でアレイを覆うアイテムであることが好ましい。不透明素子１１のそのような実施形態が、図６に上面図及び図７に斜視図で示されている。不透明素子１１は、それぞれが発光層ま
たは吸収層の上に位置することが好ましいスルーホール１０７、１０８、１０９、及び１１０を有する。スルーホール１０７、１０８、１０９、及び１１０は、任意の固体材料の空の部分であってもよく、または１つ以上の透明な固体を含んでもよい。
【００５８】
図５の不透明素子１１に適した材料は、図４の不透明素子１０の材料と同じである。
【００５９】
図５に示すデバイスのいくつかの実施形態の動作において、図３の経路９と同様の光経路（図５には示されていない）は、吸収層３３０２による有意な光電流の発生を引き起こすのに十分な強度の光を伝えないことが企図されている。そのような実施形態では、本発明の利益は、不透明素子１１の存在から得られ、さらに不透明素子は必要とされないことが企図されている。
【００６０】
本発明の光電子デバイスは、多種多様な目的に有用である。好ましくは、光電子素子の平面アレイが形成される。そのようなアレイは、例えばコンピュータまたはスマートフォン用の表示画面のような表示画面の一部として有用である。
【００６１】
使用の際に、光電子素子は、各光電子素子にバイアスを供給する回路に接続される。いくつかの実施形態では、いくつかの光電子素子は有効順バイアス下に置かれ、他の光電子素子は有効逆バイアスのもとに置かれ、各光電子素子はデバイスが使用されるタスクの持続時間の間そのバイアスを維持する。他の実施形態では、各光電子素子はバイアス下に置かれ、１つ以上の素子のバイアスは、人間の操作者によって変更されてもよく、あるいは回路が、例えば、タイマーまたは光が有効に逆バイアスされた光電子素子上に当たって光電流を生成するなどの何らかの刺激に応答すると自動的に変更されてもよい。
【００６２】
いくつかの実施形態では、１つ以上の光電子素子は、有効順バイアスから有効逆バイアスに、及び逆に、繰り返して連続的に切り替わるバイアス下に置かれる。好ましくは、スイッチングは、人間の目が、光電子素子が交互に発光して暗いと知覚しないように、好ましくは、人間の目が、光電子素子が連続的に発光していると知覚するように、十分に頻繁に行われる。好ましいスイッチング速度は２０Ｈｚ以上であり、より好ましくは５０Ｈｚ以上、より好ましくは１００Ｈｚ以上、より好ましくは２００Ｈｚ以上、より好ましくは５００Ｈｚ以上である。そのような実施形態では、単一の光電子素子が、発光している間は表示素子として、発光していない間は入射光の検出器として、両方で機能することができ、人間の観察者は、素子が両方の機能を同時に実行していたことを知覚し得る。
【００６３】
本発明の光電子デバイスの１つの好ましい用途は、デバイスの外部であるがデバイスの近くにある物体の存在を検出するためのものである。このような機能は、例えば、タッチスクリーン上の特定の位置での「タッチ」を知らせるために指またはスタイラスのような他の物体の存在を検出するために有用である。図４に示すように、タッチスクリーンは光電子素子のアレイを含むことが好ましく、その一部は発光するために有効順バイアスされ、一方他のものは有効逆バイアスされる。制御回路は、どの光電子素子を有効順バイアスにして発光させるかを選ぶ。例えば、「ボタン」の形状に構成された光電子素子は、有効順方向にバイアスされて発光することができ、したがって、見る人にはボタンとして現れる。発光光電子素子の近くで、近接して、有効逆バイアスの光電子素子があることが好ましい。
【００６４】
外部物体の検出のために本発明の光電子デバイスを使用する１つの方法は、「反射」法である。反射法では、例えば、スタイラス、指、または人間の手の他の部分などの外部物体２１がデバイスに近づくと、外部物体が十分に接近すると、有効順バイアス素子によって発せられた光は、外部物体から反射または散乱し、１つ以上の有効逆バイアス素子に当たるように戻ってくる。有効逆バイアス素子は、その後電流検出回路によって検出される
光電流を発生し、コンピュータまたはスマートフォンは、「ボタン」上の「タッチ」に応答する。外部物体を検出する反射法では、１つ以上の有効順バイアス素子によって発せられた光は、外部物体によって反射または散乱された後に、１つ以上の有効逆バイアス素子によって、理想的には２つ以上の逆バイアス素子によって検出され得ることが企図されている。
【００６５】
外部物体を検出するのに反射法を用いる場合、本発明の第１の態様で説明したように、光電素子デバイスは不透明素子を含むことが好ましい。外部物体の例には、指、人間の手の他の部分、腕、スタイラス、機械的アーム、及びステンシルが含まれる。
【００６６】
外部物体を検出する反射法の利点は、外部物体が光電子デバイスと物理的に接触する必要がないことが企図されている。好ましくは、本発明のデバイスは、外部物体が０．１ｍｍ〜５ｍｍの距離にあるときに、外部物体がデバイスからの光を散乱または反射してデバイスに戻すように構成される。
【００６７】
本発明の光電子デバイスを使用する別の方法は、「シャドウ」法である。シャドウ法では、光電子デバイスは比較的明るい外部照明を有する環境で動作する。外部照明は、光電子デバイス内の光電流発生素子が感応する光の波長を含む。外光は、光電子デバイス内にあって検出モードにある光電子素子が光電流を発生するほど十分に強くあるべきである。このような条件下では、アレイ内の多くの光電子素子が検出モードにあり、光電流を連続的に検出することになる。外部物体が光電子デバイスの表面に接近すると、その物体は光電子デバイスの表面に影を投じる。影が検出モードの光電子素子上に落ちると、その光電子素子からの光電流が低下し、光電流の低下が光電子デバイスに取り付けられた回路によって検出される。このような低下が起きると、回路は応答を引き起こすことができる。例えば、「ボタン」の近くにある１つ以上の光電子素子に光電流の低下が起きた場合、コンピュータまたはスマートフォンはあたかもそのボタンに「タップ」があったかのように反応することができる。
【００６８】
外部物体を検出するシャドウ法の利点は、外部物体が光電子デバイスと物理的に接触する必要がないことが企図されている。好ましくは、本発明のデバイスは、外部物体が０．１ｍｍ〜５ｍｍの距離にあるときに、外部物体が十分に周囲光を遮断して光電子デバイスに１つ以上の光電子素子の光電流の低下を検出させるように構成される。
【００６９】
外部物体の検出は、本発明の様々な実施形態によって達成し得る。例えば、同種の構成で、デバイスの発光素子と吸収素子は、バイアス電圧に唯一の差異を有して、お互いに同一であってもよい。このような同種の実施形態は、製造の単純さという利点を有する。あるいは、異種の構成で、比較的大きなバンドギャップを有するいくつかの光電子素子を発光素子として使用することができ、一方若干小さいバンドギャップの光電子素子を検出素子として使用し得る。光電子素子は、典型的には有効順バイアス下で発せられた光のピーク波長を有し、これは有効逆バイアスにおいて最も感度が高い光の波長より幾分短い。したがって、異種の構成は、発せられた光のピーク波長を検出素子の最高感度の波長と一致させるように設計することができる。
【００７０】
外部物体が検出される別の実施形態は、光電子デバイスが、複数の有効順バイアスされた光電子素子及び複数の有効逆バイアスされた素子を含む複数の同一の光電子素子を包含する実施形態である。有効順バイアスされた光電子素子によって発せられた光は、外部物体によって反射または散乱され得て、反射または散乱された光は、有効逆バイアスされた１つ以上の光電子素子によって検出され得る。
【００７１】
本発明のデバイスの別の好ましい使用は、例えばレーザーまたは発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）のような特定の光源の検出用である。特定の光源は、ハンドヘルド光源、例えばレーザーポインター、ハンドヘルドＬＥＤ、ライトワンド、照明された先端を有するスタイラス、おもちゃライトガン、照明されたワンド、または照明された手袋、であってもよい。任意の特定の光源は、発光強度対光学周波数の発光スペクトルを有する。特定の光源によって発せられた最大光強度を与える光周波数は、特定の光源の特性周波数ｖｓである。
【００７２】
本発明の光電子デバイスの光電子素子は、それらの組成物または検出回路のいずれかにおいて、特定の光源に応答するように構成することができる。検出光電子素子は、例えば強度、色、偏光、またはそれらの組み合わせを含む任意の手段によって、周囲光などの他の光源と弁別することができる。特定の光源が検出光電子素子に当たると、関連する回路は、例えば、特定の光源が当たった検出素子を有効逆バイアスから有効順バイアスに切り替えることができ、このためその素子を検出モードから発光モードに切り替えることができる。次に、アレイは、特定の光源に当たった特定の素子から発光する。このようにして、人は、画面を横切ってレーザーポインターを移動させることによって遠くから画面に描画することができ、その人のジェスチャーは画面に表示される画像になる。特定の光源が当たった光電子素子に近接する光電子素子を発光モードに切り替えさせる回路によって、特定の光源に当たった光電子素子も発光モードに切り替えられたか否かに関わらず、同じ効果を得ることができる。
【００７３】
好ましくは、特定の光源の特性光周波数ｖｓは、光電子デバイス内の有効逆バイアスされた光電子素子の特性光周波数ｖｄよりも高い。
【００７４】
以下は、本発明の実施例である。
【００７５】
試験方法は以下の通りである。
【００７６】
応答性は以下のように測定した。半径１ｍｍ、波長５３２ｎｍのレーザーを光減衰器を介して入射させ、光強度を１０μＷ〜１００ｍＷに変化させた。入射光の光パワーは、積分球フォトダイオードパワーセンサー（Ｔｈｏｒｌａｂｓ、Ｓ１４０）を使用して較正した。Ｉ−Ｖ特性は、ソースメーター（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ、２６０２）を使用して得た。
【００７７】
スペクトル応答は以下のようにして測定した。モノクロメーター（Ｊｏｂｉｎ  Ｙｖｏｎ  Ｈｏｒｉｂａ、ＦｌｕｏｒｏＭａｘ−３）を通過させたキセノンランプによって提供された単色照明で、デジタルロックインアンプ（スタンフォードリサーチシステムズ、ＳＲ８３０）によって異なる波長の光電流を測定した。ソースメーターによって０Ｖまたは−２ＶのバイアスをＬＲ−ＬＥＤデバイスに印加し、照明を約１００Ｈｚで機械的にチョップした。各波長での照射強度を、較正されたＳｉ光検出器（Ｎｅｗｐｏｒｔ  ７１６５０）を使用して較正した。
【００７８】
ソースメーター（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ、２６０２）と連結した分光放射計（Ｓｐｅｃｔｒａｓｃａｎ、ＰＲ−６５５）を使用してＬＥＤ特性を記録した。ＥＱＥは、注入された電子の数に対する発せられた光子の数の比として計算された。それぞれ、駆動電流密度に対する出力輝度の比、及び駆動電力に対する光束出力の比として、電流効率及び電力効率が得られた。すべてのデバイス測定は大気中で行った。
【００７９】
時間的な周波数応答は、活性材料としてＤＨＮＲを有するフォトダイオード上に、活性化レーザー光を周波数ｆで動作する振幅変調器を通して照射することによって測定された。ＤＨＮＲ−ＰＤによって発生された光電流は、変調器と連携するロックインアンプによって検出された。光電流信号強度は変調器周波数の関数として測定した。光電流信号は、１０Ｈｚ〜１０００Ｈｚの変調器周波数範囲にわたってほぼ一定であった。変調器の周波
数が１０００Ｈｚを超えて増加すると、光電流信号は約５ｄＢ増加し、周波数が増加し続けると、光電流信号は急激に減少した。光電流が１０Ｈｚで得られた信号より３ｄＢ下がった（すなわち、観察された光電流が１０Ｈｚでの光電流値の０．７０７倍以下の値に低下した）変調器周波数をｆ３ｄｂと名付けた。ＰＤの応答時間は１／ｆ３ｄｂである。活性化レーザー光の２つの異なる波長が使用された：７３０ｎｍ及び４００ｎｍ。
【００８０】
調製例１：量子ドット合成：
反応は、Ｎ２雰囲気下の標準シュレンクライン（Ｓｃｈｌｅｎｋ  ｌｉｎｅ）で行った。工業用トリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）（９０％）、工業用トリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）（９０％）、工業用オクチルアミン（ＯＡ）（９０％）、工業用トリオクチルアミン（ＴＯＡ）（９０％）、工業用オクタデセン（ＯＤＥ）（９０％）、ＣｄＯ（９９．５％）、酢酸亜鉛（９９．９９％）、Ｓ粉末（９９．９９８％）、Ｓｅ粉末（９９．９９％）は、シグマアルドリッチ（Ｓｉｇｍａ  Ａｌｄｒｉｃｈ）から入手した。ＡＣＳグレードのクロロホルム、及びメタノールは、フィッシャーサイエンティフィック（Ｆｉｓｃｈｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）から入手した。すべての化学物質は、受け取ったまま使用した。
【００８１】
赤色量子ドットの合成
赤色ＣｄＳｅ／ＣｄＳ／ＺｎＳは、確立された方法と同様の様態で調製した。［Ｌｉｍ、Ｊ．他、Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｈｉｇｈｌｙ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｓ  ａｎｄ  ｔｈｅｉｒ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｔｏ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ．  Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９、１９２７−１９３２、２００７］。２００ｍｌの三ツ口丸底フラスコ中の１．６ｍｍｏｌのＣｄＯ粉末（０．２０６ｇ）、６．４ｍｍｏｌのＯＡ及び４０ｍＬのＴＯＡを、真空下１５０℃で３０分間脱気した。次いで、溶液をＮ２雰囲気下で３００℃に加熱した。３００℃で、予めグローブボックス中で調製した０．４ｍＬの１．０Ｍ  ＴＯＰ：ＳｅをＣｄ含有反応混合物に迅速に注入した。４５秒後、６ｍｌのＴＯＡに溶解した１．２ｍｍｏｌのｎ−オクタンチオールを１ｍＬ  ｍｉｎ−１の速度でシリンジポンプを介してゆっくり注入した。次いで、反応混合物を３００℃でさらに３０分間攪拌した。同時に、ＴＯＡに溶解した１６ｍｌの０．２５Ｍ  亜鉛オレイン酸溶液を酢酸亜鉛を含む別の反応フラスコ中で調製した。亜鉛オレイン酸溶液をＣｄＳｅ反応フラスコ中にゆっくり注入し、続けて６ｍｌのＴＯＡに溶解した６．４ｍｍｏｌのｎ−オクタンチオールを１ｍＬ  ｍｉｎ−１の速度でシリンジポンプを使用して注入した。
【００８２】
緑色量子ドットの合成
緑色ＣｄＳｅ／ＺｎＳ（勾配組成シェル）量子ドットを、確立された方法と同様の様態で調製した。［Ｂａｅ，Ｗ．他、Ｈｉｇｈｌｙ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  Ｇｒｅｅｎ−Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ  Ｂａｓｅｄ  ｏｎ  ＣｄＳｅ／ＺｎＳ  Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔｓ  ｗｉｔｈ  ａ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｇｒａｄｉｅｎｔ，Ａｄｖ．  Ｍａｔｅｒ．２１、１６９０−１６９４、２００９］０．２ｍｍｏｌのＣｄＯ、４ｍｍｏｌの酢酸亜鉛、４ｍｍｏｌのＯＡ及び１５ｍｌのＯＤＥを１００ｍｌの３口丸底フラスコ内で調製し、真空下１２０℃で３０分間脱気した。溶液をＮ２雰囲気下で３００℃に加熱した。３００℃で、０．１ｍｍｏｌのＳｅ及び２ｍｌのＴＯＰに溶解した３．５ｍｍｏｌのＳｅをシリンジを使用して反応フラスコに迅速に注入した。次いで、空気ジェットによって急速に冷却する前に、反応溶液を３００℃でさらに１０分間撹拌した。
【００８３】
調製例２：双方向性スクリーンの製作
スピンコートされたＱＤ  ＬＥＤ／光検出器（ＰＤ）のために、デバイスはＩＴＯコートされたガラス基板（シート抵抗１５〜２５Ω／□）上に製作された。予めパターン化さ
れたＩＴＯ基板をアセトンとイソプロパノールで連続して洗浄し、次いでＵＶ−オゾンで１５分間処理した。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｃｌｅｖｉｏｓ（商標）Ｐ  ＶＰ  ＡＩ  ４０８３）を４０００ｒｐｍでＩＴＯ上にスピンコートし、空気中１２０℃で５分間、グローブボックス内１８０℃で１５分間焼成した。その後、ＴＦＢ（Ｈ．Ｗ．Ｓａｎｄｓ  Ｃｏｒｐ．）を、３０００ｒｐｍでｍ−キシレン（５ｍｇ／ｍｌ）を使用してスピンコートし、続いてグローブボックス内１８０℃で３０分間焼成した。クロロホルムとメタノール混合物（体積比１：１）で２回洗浄した後、最終的にクロロホルム溶液（〜３０ｍｇ／ｍｌ）内でＱＤを分散させ、２０００ｒｐｍでＴＦＢ層の頂部上にスピンキャストし、その後引き続いて１８０℃で３０分間アニールした。
【００８４】
ＺｎＯ（ＺｎＯ用のブタノール中３０ｍｇ／ｍｌ）を３０００ｒｐｍでスピンコートし、１００℃で３０分間アニールした。ＺｎＯナノ粒子は、文献［Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．１８、１８８９−１８９４（２００８）］に付き従って合成された。簡潔には、メタノール（６５ｍｌ）中の水酸化カリウム（１．４８ｇ）の溶液をメタノール（１２５ｍｌ）溶液中の酢酸亜鉛二水和物（２．９５ｇ）に加え、反応混合物を６０℃で２時間撹拌した。次いで、混合物を室温に冷却し、沈殿物をメタノールで２回洗浄した。ＥＴＬスピンキャストの後、１００ｎｍの厚さのＡｌカソードを１Å／秒の速度で電子ビーム蒸発器により堆積させた。ＱＤ  ＬＥＤとＱＤ  ＰＤの最終製品をカーボンテープ（ＴＥＤ  Ｐｅｌｌａ、ＩＮＣ）を使用して一緒に結合した（図３）。カーボンテープはＱＤ  ＬＥＤとＱＤ  ＰＤの界面に置かれたため、緑色光を透明ガラス基板を介して緑色ＱＤ  ＬＥＤから赤色ＱＤ  ＰＤに転送され得なかった。
【００８５】
実施例３：実施例２の双方向性スクリーンを使用した外部物体の検出の実証。
図１０に実験結果を示す。グラフは赤色ＱＤ  ＰＤの暗電流を示す。ステップ１では、赤色ＱＤ  ＰＤのみをオンにするために、有効逆バイアスが赤色ＱＤピクセルにのみ印加されている。−２Ｖでは、赤色ＱＤ  ＰＤは約４マイクロアンペアの電流を有する。ステップ２では、緑色ＱＤ  ＬＥＤをオンにするために、緑色ＱＤピクセルに有効順バイアスが印加される。ＱＤピクセルは光学的に絶縁されているため、赤色ＱＤ  ＰＤの電流はステップ１と同じ４マイクロアンペアである。ステップ３では、４インチのシリコンウェハを双方向性タッチスクリーンの５ｍｍ前に置く。この時点で、赤色ＰＤの電流は３０マイクロアンペアであり、これは８倍大きい。これは、緑色ＱＤ  ＬＥＤからの緑色光がシリコンウェハの表面から反射し、赤色ＱＤ  ＰＤに当たって電流がさらに増加するためである。結論として、双方向性タッチスクリーンは、その前５ｍｍの位置にあるシリコンウェハを検出することができた。
【００８６】
不透明素子が存在しない比較デバイスも試験した。緑色のＱＤ  ＬＥＤが発光しているとき、外部の物体が存在しないときでも、赤色のＱＤ  ＰＤが光電流を発生していた。外部物体が存在する場合、赤色ＱＤ  ＰＤからの光電流は外部物体が存在しない場合の光電流よりも大幅に大きくはなかった。比較デバイスでは、緑色ＱＤ  ＬＥＤからの相当量の光が、１つ以上の直接経路（すなわち、外部物体からの反射または散乱を必要としない経路）を介して赤色ＱＤ  ＰＤに到達したと考えられる。
【００８７】
外光源の影響を排除するために、デバイスの測定を暗所で行った。
【００８８】
調製例４：ナノロッドの合成
ＣｄＳナノロッド（ＮＲ）種の合成：最初に５０ｍＬの三ツ口丸底フラスコ中の２．０ｇのトリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）、０．６７ｇのオクタデシルホスホン酸（ＯＤＰＡ）及び０．１２８ｇのＣｄＯを真空下１５０℃で３０分間脱気し、次いでＡｒ下で３７０℃に加熱した。Ｃｄ−ＯＤＰＡ複合体が３７０℃で形成された後、１．５ｍＬのトリオクチルホスフィン（ＴＯＰ）に溶解した１６ｍｇのＳをシリンジでフラスコに
迅速に加えた。結果として、反応混合物を３３０℃に急冷し、ＣｄＳの成長を行った。１５分後、室温まで冷却することによりＣｄＳ  ＮＲの成長を停止させた。最終溶液をクロロホルムに溶解し、２０００ｒｐｍで遠心分離した。沈殿物をクロロホルムに再溶解し、次のステップのための溶液として調製した。ＣｄＳ  ＮＲのこの溶液は、１００倍希釈したときにＣｄＳバンド端吸収ピークで光学濃度が０．１（１ｃｍ光路長に対して）であった。
【００８９】
ＣｄＳ／ＣｄＳｅナノロッドヘテロ構造（ＮＲＨ）種の合成。ＣｄＳ  ＮＲを形成し、反応混合物を３３０℃から２５０℃に冷却した後、１．０ｍＬのＴＯＰに溶解した２０ｍｇのＳｅをシリンジポンプを介して４ｍｌ／時間の速度で２５０℃でゆっくりと添加した（総注入時間〜１５分）。次いで、室温に急速に冷却する前に、反応混合物を２５０℃でさらに１０分間撹拌した。最終溶液をクロロホルムに溶解し、２０００ｒｐｍで遠心分離した。沈殿物をクロロホルムに再溶解し、次のステップのための溶液として調製した。ＣｄＳ／ＣｄＳｅ  ＮＲＨのこの溶液は、１００倍希釈したときにＣｄＳバンド端吸収ピークで光学濃度が０．１（１ｃｍ光路長に対して）であった。
【００９０】
ＣｄＳ／ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅデュアルヘテロ接合ナノロッド（ＤＨＮＲ）の合成。ＣｄＳ／ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ  ＤＨＮＲは、ＺｎＳｅをＣｄＳ／ＣｄＳｅナノロッドへテロ構造上に成長させることによって合成した。Ｚｎ前駆体として、６ｍＬのオクタデセン、１．１３ｇ（４ｍｍｏｌ）のオレイン酸、及び０．１８ｇ（１．０ｍｍｏｌ）酢酸亜鉛を１５０℃で３０分間脱気した。混合物をＮ２雰囲気下で２５０℃に加熱し、その結果、１時間後に亜鉛−オレイン酸塩が形成された。次に、５０℃に冷却した後、２ｍＬの予め調製したＣｄＳ／ＣｄＳｅ原液を亜鉛−オレイン酸塩溶液に注入した。クロロホルムを真空下、７０℃で３０分間蒸発させた。ＺｎＳｅの成長は、１．０ｍｌのＴＯＰに溶解した１８．５ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）のＳｅを含むＳｅ前駆体を、１８０℃から３００℃に加熱しながら反応混合物にゆっくりと注入することによって開始された。ＣｄＳ／ＣｄＳｅナノロッドヘテロ構造上のＺｎＳｅの厚さは、注入されたＳｅの量によって制御された。所望の量のＳｅ前駆体を注入した後に、加熱マントルを除去することによってＺｎＳｅの成長を終了させた。結果として得られたナノロッドは、図８に示す構造を有していた。
【００９１】
ナノロッドを含む個々の光電子素子は、次の層：ガラス、ＩＴＯ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ混合物、ＴＦＢ：Ｆ４ＴＣＮＱ混合物、ＮＲ層、ＺｎＯ、アルミニウム、を有して構築された。
【００９２】
実施例５：光電子素子の特性
個々の光電子素子の特性を上記のようにして決定した。以下の表において、ナノロッドを含む個々の光電子素子は「ＮＲ−ＬＥＤ」と呼ばれ、量子ドットを含む個々の光電子素子は「ＱＤ−ＬＥＤ」と呼ばれる。以下の参考文献に掲載されている結果に従って、ＮＲ−ＬＥＤ及びＱＤ−ＬＥＤを、吸収／発光材料が有機化合物または有機化合物の混合物である様々な発光ダイオード（ＬＥＤ）（有機発光ダイオード、またはＯＬＥＤ）と比較した。
【００９３】
参考文献１．Ｏｒｇａｎｉｃ  ｂｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ｗｉｔｈ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ａｎｄ  ｓｅｎｓｉｎｇ  ａｂｉｌｉｔｉｅｓ，Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ４６，１３２８（２００７）
参考文献２．Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｂｌｕｅ  ｌｅｄ  ａｎｄ  ｖｉｓｉｂｌｅ−ｂｌｉｎｄ  ｕｖ  ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｃ１１５，２４６２（２０１１）
参考文献３．Ｈｉｇｈ  ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ  ｗｉｔｈ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｉｖｅ  ａｎｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ  ａ  ｃｈａｒｇｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ−ｆｅａｔｕｒｅｄ  ｎａｐｈｔｈａｌｉｍｉｄｅ  ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  １０５，０６３３０３（２０１４）
参考文献４．Ｈｉｇｈ  ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ  ｗｉｔｈ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｒｅａｌｉｚｅｄ  ｂｙ  ａ  ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  ｅｍｉｔｔｅｒ，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  １０７，０４３３０３（２０１５）
参考文献５．Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ａｎｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ  ｉｎ  Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｔｉｏｎ  Ｎａｎｏｒｏｄ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ，ＡＣＳ  Ｎａｎｏ  ９，８７８（２０１５）
【００９４】
【表１】
2020113542.tif 000003
【００９５】
【表２】
2020113542.tif 000004
【００９６】
上記の表において、ＱＤ及びＮＲの両方は、様々なＯＬＥＤと比較して、優れた吸収範囲、輝度、及び立ち上がり時間を有することに留意されたい。さらに、ＮＲは、応答性及び立ち上がり時間においてＱＤよりも優れている。
【００９７】
実施例６：ナノロッドで作製したデバイスの応答時間
個々のＰＤは、上記のＮＲを使用して作製した。応答時間は上記のように測定した。結果は、以下の通りであった。
【００９８】
【表３】
2020113542.tif 000005
【００９９】
実施例７：光電子素子の４×４アレイ
４×４正方形アレイ内の１６個の光電子素子のアレイを以下のように製作した。図１１Ａ〜図１１Ｅに示すように、デバイスを、ガラス基板上のパターン形成された酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）上に製作した。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｃｌｅｖｉｏｓ  Ｐ  ＶＰ  ＡＩ  ４０８３）導電性ポリマーをＩＴＯ上に４０００ｒｐｍでコートし、空気中１２０℃で５分間アニールした。デバイスをグローブボックスに移し、１８０℃で２０分間アニールした。次に、ｍ−キシレンに溶解したＴＦＢ／Ｆ４ＴＣＮＱ混合物の７ｍｇ／ｍＬ溶液を３０００ｒｐｍでスピンコートし、１８０℃で３０分間アニールした。１：１の体積比のクロロホルムとメタノールで２回洗浄した後、クロロホルム中でナノロッド（上記のように合成）（６０ｍｇ／ｍＬ）を２０００ｒｐｍでスピンコートし、引き続き１８０℃で３０分間アニールした。ブタノール中のＺｎＯの３０ｍｇ／ｍＬ溶液を次に３０００ｒｐｍでスピンコートし、１００℃で３０分間アニールした。次に、１００ｎｍの厚さのＡｌカソードを電子ビーム蒸着技術によって堆積させた。グローブボックス内でエポキシ（ＮＯＡ８６）を使用して、デバイスをカバーガラスでカプセル封入した。
【０１００】
市販のＡｒｄｕｉｎｏのＵｎｏとＭｅｇａ（Ａｒｄｕｉｎｏ社）を使用して、双方向ディスプレイアプリケーション用のデバイスを制御した。ＡｒｄｕｉｎｏでＬＥＤデバイスをオンするために有効順バイアスを加えることに加えて、それは光電流を測定し、外光源からトリガー信号を中継することができる。ボードは、Ａｒｄｕｉｎｏ統合開発環境（ＩＤＥ）ソフトウェアでプログラミングできる。
【０１０１】
実施例８：４×４アレイで特定の光源の検出の実証
特定の光源は緑色レーザーであった。最初に、すべての１６の光電子素子を有効逆バイアスに入れた。関連する回路は、特定の光電子素子の電流検出器が電流を検出したときに、バイアスが有効逆バイアスから有効順バイアスに反転し、有効逆バイアスに逆戻りする前に１秒間有効順バイアスに留まるように構成された。レーザーをオンにして光電子素子の１つに狙いをつけると、その素子は黄色光で輝き始め、再び暗くなる前に１秒間光ったままで留まった。ペンが１つの光電子素子から次の光電子素子へと移動するにつれて、レーザー光が照射された光電子素子は輝き、１秒間光っていた。ペンの動きは、例えば４つの光電子素子のうちの３つの三角形のようないくつかのパターンをトレースし、光電子素子のアレイは、暗い状態に戻る前に１秒間同じパターンで発光した。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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