(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、複数の半導体レーザバーの端面を一括してコーティングする際に、製造コストを増加させることなく金属電極の圧着を抑制することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法は、一列に配列された複数の半導体レーザ素子を含み、表面および裏面に複数の半導体レーザ素子の金属電極を有し、側面に半導体レーザ素子の発光端面６を有し、表面または裏面のいずれかの方向に反りを有する半導体レーザバーを複数準備し、複数の半導体レーザバーを、それぞれの発光端面６を同一方向に向け、かつ反りの方向が交互になるように積層し、積層した状態で発光端面６にコーティング膜を形成する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一列に配列された複数の半導体レーザ素子を含み、表面および裏面に前記複数の半導体レーザ素子の金属電極を有し、側面に前記半導体レーザ素子の発光端面を有し、前記表面または前記裏面のいずれかの方向に反りを有する半導体レーザバーを複数準備し、
複数の前記半導体レーザバーを、それぞれの前記発光端面を同一方向に向け、かつ反りの方向が交互になるように積層し、
前記積層した状態で前記発光端面にコーティング膜を形成し、
前記コーティング膜が形成された前記半導体レーザバーから複数の前記半導体レーザ素子を分割する、
半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項２】
複数の前記半導体レーザバーを積層する際、隣り合い、反りの方向が向かい合う２つの前記半導体レーザバーの間にのみ、前記金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止用バーを挿入する、
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項３】
前記半導体レーザバーは、その中央部において前記表面または裏面のうち反り方向と反対の面に、前記金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止膜を有し、
前記圧着防止膜の形成位置における前記半導体レーザバーの厚みは、前記金属電極の形成位置における前記半導体レーザバーの厚み以上である、
請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
前記半導体レーザバーは、その両端部および前記中央部において、前記表面または裏面のうち反り方向と反対の面に、前記圧着防止膜を有する、
請求項３に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
一列に配列された複数の半導体レーザ素子を含み、表面および裏面に前記複数の半導体レーザ素子の金属電極を有し、側面に前記半導体レーザ素子の発光端面を有し、中央部および両端部における前記表面または前記裏面のいずれかに前記金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止膜が形成された半導体レーザバーを複数準備し、
複数の前記半導体レーザバーを、それぞれの前記発光端面を同一方向に向けて積層し、
前記積層した状態で前記発光端面にコーティング膜を形成し、
前記コーティング膜が形成された前記半導体レーザバーから複数の前記半導体レーザ素子を分割する、
半導体レーザ素子の製造方法であって、
前記圧着防止膜が形成された前記中央部および前記両端部の少なくともいずれかにおける前記半導体レーザバーの厚みは、前記金属電極の形成位置における前記半導体レーザバーの厚みよりも大きい、
半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
前記半導体レーザバーは、前記表面または前記裏面のいずれかの方向に反りを有し、
複数の前記半導体レーザバーを積層する際、各前記半導体レーザバーの反りの方向が同一になるように積層する、
請求項５に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項７】
前記金属電極はＡｕ電極である、
請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ素子の発光端面のコーティングに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハは結晶方位に沿って割れやすいという劈開性を有しており、ウェハの劈開面が半導体レーザ素子の発光端面となる。発光端面保護と反射率制御のため、半導体レーザ素子の発光端面にはコーティング膜が形成される。コーティング膜は、生産性を考慮して複数の半導体レーザバーに対して同時に形成される。半導体レーザバーとは、複数の半導体素子が一列に配置されたバーであり、半導体素子が形成されたウェハを劈開して得られる。
【０００３】
具体的には、複数の半導体レーザバーが、各発光端面が同一方向を向くように積層してコーティング冶具に固定され、固定された状態で各発光端面にコーティング膜が形成される。このように複数の半導体レーザバーがコーティング冶具に固定された状態では、ある半導体レーザバーの表面または裏面の金属電極が、別の半導体レーザバーの表面または裏面の金属電極と接触する。そのため、これらの金属電極がコーティング膜を形成する際の熱により圧着し、コーティング後に各半導体レーザバーを分離できないという問題が発生する。
【０００４】
この問題に対して特許文献１には、半導体レーザバー間にダミーバーを挿入することで、金属電極同士が接触しないようにする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４６６８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の方法によれば、ダミーバーを挿入する分だけコーティング冶具へ積載できる半導体レーザバーの数が減少するため、生産性が悪化し製造コストが増加するという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、複数の半導体レーザバーの発光端面を一括してコーティングする際に、製造コストを増加させることなく金属電極の圧着を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の半導体レーザ素子の製造方法は、一列に配列された複数の半導体レーザ素子を含み、表面および裏面に複数の半導体レーザ素子の金属電極を有し、側面に半導体レーザ素子の発光端面を有し、表面または裏面のいずれかの方向に反りを有する半導体レーザバーを複数準備し、複数の半導体レーザバーを、それぞれの発光端面を同一方向に向け、かつ反りの方向が交互になるように積層し、積層した状態で発光端面にコーティング膜を形成し、コーティング膜が形成された半導体レーザバーから複数の半導体レーザ素子を分割する。
【０００９】
本発明の第２の半導体レーザ素子の製造方法は、一列に配列された複数の半導体レーザ素子を含み、表面および裏面に複数の半導体レーザ素子の金属電極を有し、側面に半導体レーザ素子の発光端面を有し、中央部および両端部における表面または裏面のいずれかに金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止膜が形成された半導体レーザバーを複数準備し、複数の半導体レーザバーを、それぞれの発光端面を同一方向に向けて積層し、積層した状態で発光端面にコーティング膜を形成し、コーティング膜が形成された半導体レーザバーから複数の半導体レーザ素子を分割する、半導体レーザ素子の製造方法であって、圧着防止膜が形成された中央部および両端部の少なくともいずれかにおける半導体レーザバーの厚みは、金属電極の形成位置における半導体レーザバーの厚みよりも大きい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１の半導体レーザ素子の製造方法によれば、コーティング時に隣り合う半導体レーザバーの金属電極同士が少なくとも局所的にしか接触しないため、金属電極同士が圧着しないか、圧着してもコーティング後に分離することが可能である。また、全半導体レーザバーの間にダミーバーを挿入しなくても良いため、多数の半導体レーザバーに対して一括してコーティングを行うことができ、製造コストを小さくすることが可能である。
【００１１】
本発明の第２の半導体レーザ素子の製造方法によれば、圧着防止膜によって隣り合う半導体レーザバーの金属電極同士の接触を防ぐため、コーティング時に金属電極同士が圧着することを防ぐことができる。また、全半導体レーザバーの間にダミーバーを挿入しなくても良いため、多数の半導体レーザバーに対して一括してコーティングを行うことができ、製造コストを小さくすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態１の半導体レーザ素子の構成を示す斜視図である。
【図２】半導体ウェハの上面図である。
【図３】半導体レーザバーの斜視図である。
【図４】第１比較例における複数の半導体レーザバーの積層体を発光端面の側から見た図である。
【図５】第１比較例における複数の半導体レーザバーの積層体の斜視図である。
【図６】第２比較例における複数の半導体レーザバーの積層体を発光端面の側から見た図である。
【図７】第２比較例における複数の半導体レーザバーの積層体の斜視図である。
【図８】実施の形態１の半導体レーザバーを発光端面の側から見た図である。
【図９】実施の形態１の半導体レーザバーの積層体を発光端面の側から見た図である。
【図１０】実施の形態１の半導体レーザバーの積層体に荷重を加えた状態を示す図である。
【図１１】隣り合う半導体レーザバーの表面Ａｕ電極間に圧着防止用バーを配置した状態を示す図である。
【図１２】実施の形態２の半導体レーザバーを発光端面の側から見た図である。
【図１３】実施の形態２の半導体レーザバーの積層体を発光端面の側から見た図である。
【図１４】実施の形態２の半導体レーザバーの積層体に荷重をかけた状態を示す図である。
【図１５】実施の形態３の半導体レーザバーを発光端面の側から見た図である。
【図１６】実施の形態３の半導体レーザバーの積層体を発光端面の側から見た図である。
【図１７】実施の形態３の半導体レーザバーの積層体に荷重をかけた状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ−１．構成＞
図１は、実施の形態１の半導体レーザ素子５の構成を示す斜視図である。半導体レーザ素子５は、半導体基板２、多層構造３、表面Ａｕ電極７、裏面Ａｕ電極８およびコーティング膜９を備えている。多層構造３は、半導体基板２の表面に形成され、レーザ発振可能な構造である。表面Ａｕ電極７は、多層構造３の表面に形成される。裏面Ａｕ電極８は、半導体基板２の裏面に形成される。コーティング膜９は、多層構造３の側面のうち、発光端面６となる一対の側面に形成される。本実施の形態では、半導体レーザ素子５の表面電極と裏面電極にＡｕ電極が用いられるが、これは金属電極の一例であり、他の金属、例えばＡｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ等、拡散接合する他の金属が用いられても良い。
【００１４】
＜Ａ−２．製造工程＞
次に、半導体レーザ素子５の形成過程を大まかに説明する。
【００１５】
図２は、半導体ウェハ１の上面図である。まず、半導体ウェハ１の面内に多層構造３を形成する。一般的な多層構造３は、有機金属気相成長法を用いて有機金属とキャリアガスの化学反応によりエピタキシャル成長させた薄膜を複数積層することにより形成される。そして、多層構造３の表面と半導体ウェハ１の裏面に、それぞれ表面Ａｕ電極７および裏面Ａｕ電極８となるＡｕ金属膜を形成し、半導体プロセスにより半導体レーザ素子パターンを形成する。これにより、半導体ウェハ１の面内に多数の半導体レーザ素子５がアレイ状に配列される。図２には１５行４列の半導体レーザ素子５を示している。
【００１６】
次に、半導体ウェハ１の劈開性を利用して複数の半導体レーザバー４を分割する。半導体ウェハ１の面内にアレイ状に配列された半導体レーザ素子５の一行分または一列分が１つの半導体レーザバー４である。１つの半導体レーザバー４は、複数の半導体レーザ素子５を含んでいる。図３は、７つの半導体レーザ素子５を含む半導体レーザバー４の斜視図を示している。半導体レーザバー４の長手方向の側面は、半導体ウェハ１の劈開面であり半導体レーザ素子５の発光端面６である。発光端面６には、発光端面６の保護および発光端面６におけるレーザの反射率を制御するため、コーティング膜９が形成される。通常、コーティング膜９は真空蒸着法またはスパッタリング法により形成される。
【００１７】
最後に、劈開性を利用して半導体レーザバー４を複数の半導体レーザ素子５に分割し、図１に示す半導体レーザ素子５が得られる。
【００１８】
次に、第１比較例によるコーティング膜９の形成プロセスを説明する。一般的に、生産性の向上を図るため、複数の半導体レーザバー４に対して一括してコーティング膜９が形成される。そのため、複数の半導体レーザバー４を各々の発光端面６が同一方向を向くように積層する。図４は、第１比較例における複数の半導体レーザバー４の積層体を発光端面６の側から見た図であり、図５は複数の半導体レーザバー４の積層体の斜視図である。なお、半導体レーザバー４の積層体には電極面に垂直な方向から挟み込むように荷重が加えられ、半導体レーザバー４が動いたり倒れたりしないようにしている。従って、半導体レーザバー４の表面Ａｕ電極７は、隣り合う半導体レーザバー４の裏面Ａｕ電極８と一定の圧力がかかった状態で接触する。この状態でコーティング膜９が形成されると、コーティング膜９の形成プロセス時の温度上昇によってＡｕが拡散接合し、接触状態にある表面Ａｕ電極７と裏面Ａｕ電極８が圧着してしまう。圧着すると、半導体レーザバー４を個別に分離することが不可能となり、不良となる。
【００１９】
そこで、第２比較例では、隣り合う半導体レーザバー４の間に圧着防止用バー１０を挿入することで、半導体レーザバー４の表面Ａｕ電極７と裏面Ａｕ電極８が接触しないようにする。図６は、第２比較例における複数の半導体レーザバー４の積層体を発光端面６の側から見た図であり、図７は複数の半導体レーザバー４の積層体の斜視図である。圧着防止用バー１０は、半導体レーザバー４の電極材、すなわち本例ではＡｕと拡散接合しない材質で作られている。しかし、第２比較例によれば、半導体レーザバー４の積層体の厚みが圧着防止用バー１０の厚み分だけ大きくなるため、コーティング冶具にセットできる半導体レーザバー４の数が少なくなる。例えば、圧着防止用バー１０の厚みが半導体レーザバー４の厚みと同等であるとすれば、圧着防止用バー１０を用いることによりコーティング冶具にセットできる半導体レーザバー４の数は半減する。従って、１度にコーティングできる半導体レーザバー４の数は少なくなり、生産性が低下し、製造コストが上昇してしまう。
【００２０】
そこで、実施の形態１では、半導体レーザバーに反りを設け、反りの方向が交互になるように複数の半導体レーザバーを積層することにより、上記の問題を解決する。図８は、実施の形態１の半導体レーザバー１１を発光端面６の側から見た図である。図８に示す半導体レーザバー１１は、裏面側に反りを有する表面側に凸の形状である。しかし、半導体レーザバー１１は表面側に反りを有する裏面側に凸の形状であっても良い。なお、半導体レーザバー１１は、反り以外の点では半導体レーザバー４と同様である。
【００２１】
半導体レーザバー１１の反りは、薄膜の内部応力の制御、および表面側と裏面側の膜構成または膜厚の違いにより得られる。具体的には、エピタキシャル成長、スパッタまたは蒸着による半導体薄膜または絶縁膜の形成時に、基板温度制御または熱膨張係数を考慮して薄膜の材料を選択することにより、薄膜の内部応力を制御することが可能である。例えば、薄膜が基板に比べ膨張率が大きい場合は、冷却した際に薄膜に引張り応力が生じ、半導体レーザバー１１は裏面側に凸の形状となる。また、薄膜形成時に格子定数の異なる材料を積層させることで膜応力が生じ、基板が弾性変形することでも反った形状となる。
【００２２】
以下の説明では、半導体レーザバー１１を表面側に凸の形状とする。まず、複数の半導体レーザバー１１に対して一括してコーティング膜９を形成するため、複数の半導体レーザバー１１を、各々の発光端面６が同一方向を向くように積層する。図９は、複数の半導体レーザバー１１の積層体を発光端面６の側から見た図である。図９に示すように、複数の半導体レーザバー１１は反りの向きが交互になるように配置される。これにより、隣り合う半導体レーザバー１１間で表面Ａｕ電極７同士または裏面Ａｕ電極８同士が対向する。半導体レーザバー１１は裏面側に反りを有しているため、隣り合う半導体レーザバー１１の裏面Ａｕ電極８間には隙間１４があり、裏面Ａｕ電極８同士は接触しない。なお、隣り合う半導体レーザバー１１の両端部では裏面同士が接触するが、両端部には裏面Ａｕ電極８が形成されていないため、裏面Ａｕ電極８同士が接触することはなくＡｕの拡散接合は起こらない。あるいは、両端部に裏面Ａｕ電極８が形成されているとしても、裏面Ａｕ電極８同士の接触は局所的なもので接触面積が小さいことから、裏面Ａｕ電極８同士が圧着したとしてもコーティング膜９の形成後に分離が可能である。同様に、隣り合う半導体レーザバー１１の中央部では表面Ａｕ電極７同士が接触するが、その接触は局所的なものであり接触面積が小さいことから、表面Ａｕ電極７同士が圧着したとしてもコーティング膜９の形成後に分離が可能である。
【００２３】
最後に、半導体レーザバー１１の積層体に電極面に垂直な方向から挟み込むように荷重を加え、固定する。この荷重は、図１０に示すように、隣り合う半導体レーザバー１１の裏面Ａｕ電極８間に僅かに隙間１４が生じる程度に制御される。
【００２４】
上記の説明では、積層する複数の半導体レーザバー１１を全て表面側に凸の形状としたが、表面側に凸の形状の半導体レーザバー１１と裏面側に凸の形状の半導体レーザバー１１とが混在していても良い。その場合、隣り合う半導体レーザバー１１間で表面Ａｕ電極７と裏面Ａｕ電極８が対向するが、表面Ａｕ電極７同士、または裏面Ａｕ電極８同士が対向する上記の例と同様の効果を奏する。
【００２５】
＜Ａ−３．変形例＞
図１０の例で、半導体レーザバー１１に荷重を加える際、表面Ａｕ電極７同士の接触面積が増加する場合がある。この接触面積の増加が問題となる場合は、図１１に示すように、隣り合う半導体レーザバー１１の表面Ａｕ電極７間に圧着防止用バー１０を配置し、表面Ａｕ電極７同士の接触を防いでも良い。反りの方向が互いに離れる方向となる隣り合う半導体レーザバー１１間に圧着防止用バー１０を配置することで、隣り合う半導体レーザバー１１の中央部でＡｕ電極同士が接触し拡散接合することを防ぐことができる。圧着防止用バー１０の材質は、半導体レーザバー１１の電極材と拡散接合せず、コーティング膜の形成プロセスの温度に耐え、コーティング膜９の形成もしくは半導体レーザ素子５の性能または信頼性に影響を与えない素材であればよく、具体的にはＳｉ、ＩｎＰ、ＳＵＳ、ＧａＡｓなどである。
【００２６】
＜Ａ−４．効果＞
実施の形態１で説明した半導体レーザ素子の製造方法は、表面または裏面のいずれかの方向に反りを有する半導体レーザバー１１を複数準備し、複数の半導体レーザバー１１を、それぞれの発光端面６を同一方向に向け、かつ反りの方向が交互になるように積層し、積層した状態で発光端面６にコーティング膜９を形成し、コーティング膜９が形成された半導体レーザバー１１から複数の半導体レーザ素子５を分割する。これにより、金属材料の拡散接合により隣り合う半導体レーザバー１１の金属電極同士が圧着することを防止するか、コーティング膜９の形成後に分離可能な程度に抑制することができる。従って、金属電極同士の圧着に起因する半導体レーザ素子５の不良の発生を抑制できる。
【００２７】
また、実施の形態１によれば、半導体レーザバー１１を積層する際に圧着防止用バー１０を用いないため、一度に多数の半導体レーザバー１１をコーティング冶具にセットしてコーティングすることが可能であり、生産性の向上と製造コストの低減が実現できる。
【００２８】
また、実施の形態１によれば、金属電極同士を接触させないために、金属電極の位置を変更したり、段差構造等を形成したりする必要がないため、数十μｍ以下の高精度な位置合わせが不要であり、製造コストの低減を実現する。
【００２９】
また、実施の形態１の変形例として説明した半導体レーザ素子の製造方法によれば、複数の半導体レーザバー１１を積層する際、隣り合い、反りの方向が向かい合う２つの半導体レーザバー１１の間にのみ、金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止用バー１０を挿入する。そのため、全ての半導体レーザバー１１間に圧着防止用バー１０を配置する場合に比べて圧着防止用バー１０の配置本数を半減できる。従って、一度に多数の半導体レーザバー１１をコーティング冶具にセットしてコーティングすることが可能であり、生産性の向上と製造コストの低減を実現する。
【００３０】
＜Ｂ．実施の形態２＞
＜Ｂ−１．構成＞
図１２は、実施の形態２の半導体レーザバー１６を発光端面６の側から見た図である。半導体レーザバー１６の中央部の表面には、表面Ａｕ電極７に代えて圧着防止膜１５が形成されている。それ以外の点で、半導体レーザバー１６は実施の形態１の半導体レーザバー１１と同様である。圧着防止膜１５は、電極と拡散接合しない材料からなり、望ましくはエッチングにより除去可能な有機絶縁膜または無機絶縁膜である。圧着防止膜１５は、真空蒸着法またはスパッタリング法により形成される。
【００３１】
複数の半導体レーザバー１６に対して一括してコーティング膜９を形成するため、複数の半導体レーザバー１６を、各々の発光端面６が同一方向を向くように積層する。図１３は、半導体レーザバー１６の積層体を発光端面６の側から見た図であり、図１４は、図１３に示す半導体レーザバー１６の積層体に荷重をかけた状態を示す図である。図１３に示すように、隣り合う２つの半導体レーザバー１６の各々の中央部の表面は、互いに接触する。しかし、半導体レーザバー１６の中央部の表面には圧着防止膜１５が形成されているため、図１３に示す複数の半導体レーザバー１６を積層した状態、さらには図１４に示すように電極面に垂直な方向から挟み込むように荷重をかけて半導体レーザバー１６を固定した状態において、表面Ａｕ電極７同士の接触、さらには拡散接合を防止できる。
【００３２】
圧着防止膜１５が表面Ａｕ電極７同士の接触を防ぐ役割を果たすためには、圧着防止膜１５の形成位置における半導体レーザバー１６の厚さが、表面Ａｕ電極７の形成位置の半導体レーザバー１６の厚さと同等またはそれよりも厚くなければならない。この条件を満たす限り、圧着防止膜１５の厚さは限定されないが、圧着防止膜１５が薄いほど、コーティング膜９を一度に形成可能な半導体レーザバー１６の数を増やすことができるため望ましい。
【００３３】
上記の例では、半導体レーザバー１６を表面側に凸の形状としたため、半導体レーザバー１６の中央部の表面に表面Ａｕ電極７に代えて圧着防止膜１５を形成した。しかし、半導体レーザバー１６を裏面側に凸の形状とする場合は、半導体レーザバー１６の中央部の裏面に裏面Ａｕ電極８に代えて圧着防止膜１５を形成する。すなわち、圧着防止膜１５は半導体レーザバー１６が凸となる側の面に形成される。また、図１２では、圧着防止膜１５を半導体レーザバー１６の中央部の表面に形成したが、中央部および両端部の表面に形成しても良い。
【００３４】
隣り合う半導体レーザバー１６の両端部において裏面同士が接触するが、裏面の両端部には裏面Ａｕ電極８が形成されていないため、裏面Ａｕ電極８同士は接触せず、拡散接合は起こらない。あるいは、裏面Ａｕ電極８同士が接触して拡散接合するとしても接触面積が小さいため、コーティング膜９の形成後に分離が可能である。
【００３５】
＜Ｂ−２．効果＞
実施の形態２の半導体レーザバー１６は、その中央部において、表面または裏面のうち反り方向と反対の面に、金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止膜１５を有する。従って、実施の形態２の半導体レーザ素子の製造方法によれば、実施の形態１の効果に加えて以下の効果を奏する。すなわち、発光端面６をコーティングするために複数の半導体レーザバー１６を積層した際、半導体レーザバー１６の中央部におけるＡｕ電極の接触および拡散接合を防止することができる。
【００３６】
＜Ｃ．実施の形態３＞
＜Ｃ−１．構成＞
図１５は、実施の形態３の半導体レーザバー１７を発光端面６の側から見た図である。図１５において、半導体レーザバー１７の中央部と両端部の表面には、表面Ａｕ電極７に代えて圧着防止膜１５が形成されている。これ以外の点で半導体レーザバー１７は実施の形態２の半導体レーザバー１６と同様である。
【００３７】
複数の半導体レーザバー１７に対して一括してコーティング膜９を形成するため、複数の半導体レーザバー１７を、各々の発光端面６が同一方向を向くように積層する。図１６は、複数の半導体レーザバー１７の積層体を発光端面６の側から見た図である。図１６に示すように、複数の半導体レーザバー１７は、反りの向きが同一方向になるように配置される。このとき、半導体レーザバー１７の裏面Ａｕ電極８は、当該半導体レーザバー１７の直下に配置される半導体レーザバー１７の表面の圧着防止膜１５と接触し、表面Ａｕ電極７とは接触しない。これにより、隣り合う半導体レーザバー１７間で裏面Ａｕ電極８と表面Ａｕ電極７とが拡散接合により圧着することを防ぐことができる。
【００３８】
圧着防止膜１５の厚さは、以下の条件を満たすように形成される。すなわち、圧着防止膜１５の形成位置における半導体レーザバー１７の厚さは、表面Ａｕ電極７の形成位置の半導体レーザバー１７の厚さと比べて、中央部のみ同等または厚くし、両端部では薄くする。あるいは、圧着防止膜１５の形成位置における半導体レーザバー１７の厚さは、表面Ａｕ電極７の形成位置の半導体レーザバー１７の厚さと比べて、両端部のみ同等または厚くし、中央部では薄くする。あるいは、圧着防止膜１５の形成位置における半導体レーザバー１７の厚さは、表面Ａｕ電極７の形成位置の半導体レーザバー１７の厚さと比べて、中央部と両端部において、同等または厚くする。これにより、図１６に示す半導体レーザバー１７を積層した状態、さらには図１７の矢印２０，２１で示すように電極面に荷重をかけて半導体レーザバー１７を固定した状態においても、表面Ａｕ電極７と裏面Ａｕ電極８の接触を防止し、拡散接合による圧着を防止することができる。
【００３９】
なお、上記の説明では、半導体レーザバー１７を表面側に凸の形状としたが、裏面側に凸の形状であっても良い。また、反りの方向を同一とすれば、表面側に凸の形状の半導体レーザバー１７と裏面側に凸の形状の半導体レーザバー１７とを混在して積層しても良い。さらには、半導体レーザバー１７は反りを有していなくても良い。また、上記の説明では、圧着防止膜１５が半導体レーザバー１７の表面に形成されると説明したが、圧着防止膜１５は、半導体レーザバー１７の反りの有無または方向とは無関係に、半導体レーザバー１７の裏面の中央部と両端部に形成されても良い。
【００４０】
＜Ｃ−２．効果＞
このように、実施の形態３によれば、Ａｕ同士の拡散接合を回避することで圧着を防止することが可能となるため不良の発生を抑制できるとともに、コーティング膜形成時の処理数が圧着防止用バー１０を各半導体レーザバー１７間に配置した場合と比較して倍増できるため、生産性や製造コスト低減が実現できる。また、複数の半導体レーザバーの電極同士が接触しないように電極位置を変更したり、段差構造等により物理的に接触させない構造としたりする必要がないという理由からも製造コスト低減を実現できる。
【００４１】
実施の形態３の半導体レーザ素子の製造方法によれば、複数の半導体レーザバー１７を準備し、複数の半導体レーザバー１７を、それぞれの発光端面６を同一方向に向けて積層し、積層した状態で発光端面６にコーティング膜９を形成し、コーティング膜９が形成された半導体レーザバー１７から複数の半導体レーザ素子５を分割する。半導体レーザバー１７は、一列に配列された複数の半導体レーザ素子５を含み、表面および裏面に複数の半導体レーザ素子５の金属電極を有し、側面に半導体レーザ素子５の発光端面６を有し、中央部および両端部における表面または裏面のいずれかに金属電極の金属材料と拡散接合しない材料からなる圧着防止膜１５が形成されている。そして、圧着防止膜１５が形成された中央部および両端部の少なくともいずれかにおける半導体レーザバー１７の厚みは、金属電極の形成位置における半導体レーザバー１７の厚みよりも大きい。従って、半導体レーザバー１７を積層する際に、半導体レーザバー１７の圧着防止膜１５が他の半導体レーザバー１７と接触するため、金属電極同士が接触して金属材料が拡散接合することを防ぐことができる。
【００４２】
また、半導体レーザバー１７は、表面または裏面のいずれかの方向に反りを有する。そして、実施の形態３の半導体レーザ素子の製造方法によれば、複数の半導体レーザバー１７を積層する際、各半導体レーザバー１７の反りの方向が同一になるように積層する。従って、半導体レーザバー１７を積層する際に、半導体レーザバー１７の圧着防止膜１５が他の半導体レーザバー１７と接触するため、金属電極同士が接触して金属材料が拡散接合することを防ぐことができる。
【００４３】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１  半導体ウェハ、２  半導体基板、３  多層構造、４，１１，１６，１７  半導体レーザバー、５  半導体レーザ素子、６  発光端面、７  表面Ａｕ電極、８  裏面Ａｕ電極、９  コーティング膜、１０  圧着防止用バー、１４  隙間、１５  圧着防止膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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