(57)【要約】【課題】  リン酸系の窒化ケイ素のエッチング液では、窒化ケイ素のエッチング選択性を向上させるために可溶性ケイ酸塩を溶存させるが、純度とエッチング液への溶解効率を両立させ、ハンドリング性の良い高純度ケイ酸源がなかった。【解決手段】  金属不純物含有量の少ない高純度ケイ酸と、テトラメチルアンモニウムなどの有機アルカリとを反応させて、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ及びＣｕの含有量がいずれも１ｍｇ／Ｌ以下の溶液またはゾルを得、これを窒化ケイ素エッチング液の添加剤に用いる。金属不純物含有量の少ない高純度ケイ酸は、蒸留可能なケイ素化合物、例えば、四塩化ケイ素、トリクロロシラン等のシラン類や、テトラメチルシラン、テトラエチルシラン等のアルコキシシラン類を原料として、燃焼法（シラン類）やゾルゲル法（アルコキシシラン類）で製造できる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ酸有機アルカリ及び水を含んでなり、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ及びＣｕの含有量がいずれも１ｍｇ／Ｌ以下である窒化ケイ素エッチング液用添加剤。
【請求項２】
さらにリン酸を含む請求項１記載の窒化ケイ素エッチング液用添加剤。
【請求項３】
高純度ケイ酸を有機アルカリ水溶液と反応させる請求項１又は２に記載の窒化ケイ素エッチング液用添加剤の製造方法。
【請求項４】
高純度ケイ酸が、ケイ素化合物を蒸留し、次いで蒸留後のケイ素化合物をケイ酸へと変換することにより製造されるものである請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
液温が１２０℃以上の窒化ケイ素エッチング液に対して、請求項１又は２記載の窒化ケイ素エッチング液用添加剤を加える、窒化ケイ素エッチング液中の可溶性ケイ酸塩濃度の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は窒化ケイ素のエッチング液用添加剤及び添加方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、液晶表示装置、位相シフトマスクなどの電子部品の製造工程では、選択的にシリコン窒化膜を除去するウェットエッチングが行われている。そして、例えば、半導体装置においては、ウェーハ上に素子分離酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を形成させる際のハードマスクとして窒化ケイ素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）が用いられている。このような窒化膜の除去には、加熱したリン酸水溶液を用いる、いわゆる熱リン酸法によるウェットエッチングが一般的に行われている。エッチング液であるリン酸水溶液は、酸化ケイ素膜に対する窒化ケイ素膜のエッチング速度が高いという特性を有しているので、酸化ケイ素膜からなる素子分離酸化膜を除去することなく窒化ケイ素膜からなるハードマスクを選択的に除去できるということで用いられてきている。
【０００３】
ウェットエッチングに関するエッチング液としては、シリコン酸化膜のエッチングレートが非常に小さい窒化ケイ素膜のエッチング液（特許文献１）や、窒化物系半導体層の表面に保護膜を形成した後にヘテロ基板材料を溶解するエッチング液（特許文献２）などが提案されている。
【０００４】
また、窒化ケイ素のエッチングを繰り返すことにより可溶性ケイ酸塩やリン酸アンモニウムが蓄積していくことと、リン酸液に含まれる可溶性ケイ酸塩の濃度が増すことにより酸化ケイ素膜のエッチング速度は著しく低下するが、窒化ケイ素膜のエッチング速度はあまり低下しないので、可溶性ケイ酸塩の濃度を増すことにより酸化ケイ素膜に対する窒化ケイ素膜のエッチング選択性を向上できることが示唆されている（特許文献３）。つまり、酸化ケイ素膜に対する窒化ケイ素膜の選択的なエッチングを行うためには可溶性ケイ酸塩の濃度を管理しなければならない。
【０００５】
一方、可溶性ケイ酸塩の濃度が高くなりすぎるとケイ酸が析出するので、これを防ぐためにアルミニウム、カリウム、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、モリブデン、ハフニウム、ニッケルおよびクロム等の塩（特許文献４）や有機第４級アンモニウム塩、有機第４級ホスホニウム塩（特許文献５）をエッチング液に添加させる技術が提案されている。
【０００６】
また、あえてアルキルシラン類やヘキサフルオロケイ酸塩を添加してリン酸液に含まれる可溶性ケイ酸塩の濃度を高めることも提案されている（特許文献６）。しかし、これらは沸点が低く、熱リン酸法では使用時に一部が揮散する。
【０００７】
ところで、一般的なケイ酸源は、ケイ酸アルカリ金属塩やケイ酸（シリカ）が挙げられるが、ケイ酸アルカリ金属塩はアルカリ金属が多量に含まれるために、半導体製造工程で用いられる窒化ケイ素エッチング液におけるケイ素源としては使用できない。沈殿法シリカやゲル法シリカは原料にケイ酸ナトリウムカレットを用いており、ケイ酸ナトリウムカレット由来の金属不純物を完全に除去するのは難しく、やはり使用は困難である。
【０００８】
金属不純物をほとんど含まない高純度ケイ酸として四塩化ケイ素等のシラン類を原料とする乾式法シリカが知られているが、このシリカ粉末をケイ酸源として窒化ケイ素エッチング液に直接添加しようとすると、微粉末を高温の液体であるリン酸に投入することになり、濃度制御やスケーリング等、工学的な課題が多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−５８５００号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４３１４号公報
【特許文献３】特開２００８−０７１８０１号公報
【特許文献４】特開２０１７−１１８０９２号公報
【特許文献５】特開２０１８−５６１８５号公報
【特許文献６】特開２００８−３１１４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、上記の課題に鑑みて、リン酸系の窒化ケイ素のエッチング液に対して、窒化ケイ素のエッチング選択性を向上させるために可溶性ケイ酸塩を溶存させる添加剤であって、純度とエッチング液への溶解効率を両立させ、ハンドリング性の良い添加剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、窒化ケイ素のエッチング液のケイ酸源について鋭意検討した結果、シリカを有機アルカリで溶解した水溶液が前記目的に使用可能なことを見出し、さらに検討を進めた結果、本発明を完成させた。
【００１２】
即ち本発明は、ケイ酸有機アルカリ及び水を含んでなり、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ及びＣｕの含有量がいずれも１ｍｇ／Ｌ以下である窒化ケイ素エッチング用添加剤及び添加方法である。
【００１３】
当該添加剤は、更にリン酸を含んでいることが好ましい。
【００１４】
上記添加剤は、高純度ケイ酸を有機アルカリ水溶液と反応、溶解させて製造することができる。
【発明の効果】
【００１５】
ケイ酸有機アルカリ及び水を含んでなる組成物を高純度ケイ酸添加剤として窒化ケイ素エッチング液に使用することにより、窒化ケイ素エッチング選択性を向上させる可溶性ケイ酸と可溶性ケイ酸の析出を抑制できる有機アルカリを同時に供給することができる。また、高純度の可溶性ケイ酸源を液体の形でエッチング液に供給することができるのでハンドリング性も良く、ケイ酸有機アルカリ中のケイ酸はイオンとして存在するために揮発によるロスも抑えることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の窒化ケイ素エッチング液用添加剤はケイ酸有機アルカリ及び水を含んでなるものである。当該窒化ケイ素エッチング液は、各種半導体の製造時に窒化ケイ素膜の除去に使用され、例えば３Ｄ−ＮＡＮＤ型のフラッシュメモリの製造に用いられる。
【００１７】
本発明の窒化ケイ素エッチング液用添加剤（以下、「本発明の添加剤」という場合がある）は、ケイ酸有機アルカリを含む。当該ケイ酸は窒化ケイ素エッチング液におけるケイ酸濃度を制御し、これによりエッチング速度を制御するための成分である。
【００１８】
純粋なケイ酸はシリカとも言われる固体であり、中性では実質的に水に溶解しないが、アルカリ水溶液にはイオンを形成して溶解する。ここで、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物からなる無機アルカリを用いると、当該アルカリ金属による半導体製造時のコンタミの恐れが生じるため、本発明においては有機アルカリを使用するものである。また無機アルカリである水酸化アンモニウム、所謂アンモニア水は水中での解離が弱いのでシリカの溶解能力が低く、好ましくない。
【００１９】
当該有機アルカリは、公知の有機アルカリを採用できるが、好ましくは（水酸化）第４級アンモニウムであり、窒素原子の置換基が全てアルキル基であるものがより好ましく、さらにはアルキル基の炭素数が１〜４であるものが好ましい。アルキル基の炭素数が４以下であれば、有機性が高すぎず、シリカに対する良好な溶解能力があり、様々な濃度で本発明の添加剤を調整することが容易となる。さらにアルキル基の炭素数が少ない方がエッチング液の機能に寄与しない第４級アルキルアンモニウムの質量濃度を低くでき、経済的に有利である。特に好ましくは、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリンである。
【００２０】
本発明の添加剤において、シリカと有機アルカリのシリカ／有機アルカリモル比（以後、モル比と略記）は、１〜３０が好ましい。モル比が１より少ないと溶存させるケイ酸塩の量が少なく、非効率である。また、モル比が３０を超えるとケイ酸が溶け残り、沈殿することがある。溶液とゾルの境界はモル比１０〜１６にあることが多く、モル比は１〜１６がより好ましい。
【００２１】
なお上記の通り、本発明の添加剤はモル比により液状の場合とゾル状の場合があり、そのどちらでも良いが、好ましくは液状のものである。
【００２２】
本発明の添加剤におけるケイ酸有機アルカリの濃度は、ＳｉＯ２換算の濃度で４０質量％以下であることが好ましい。濃度が高い方が、添加剤としての使用量がすくなくて済むが、濃度が高すぎるとガラス化して窒化ケイ素エッチング液に溶解させにくい。好ましくは、１０質量％以下である。一方、下限は０．０１質量％以上とすることが好ましい。
【００２３】
本発明の添加剤には、さらにリン酸が含まれていることが好ましい。即ち、窒化ケイ素エッチング液は、通常、リン酸を主成分として含む液である。従って、本発明の添加剤の添加により、エッチング液における当該リン酸濃度が低下することを防止するためにリン酸を含有させておくことが好ましい。この理由に照らし、リン酸の濃度は添加対象となる窒化ケイ素エッチング液におけるリン酸濃度と合致させておくことが好ましい。なお、一般的な窒化ケイ素エッチング液におけるリン酸濃度は８０質量％以上、９５質量％以下である。
【００２４】
前述の通り、本発明の添加剤は、半導体の製造時に使用される。そのために、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ及びＣｕの質量基準での含有量がいずれも１ｍｇ／Ｌ以下でなくてはならない。これら６種の金属は不純物として混入しやすい金属であり、これらがいずれも１ｍｇ／Ｌ以下であれば、他の金属（Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｎ及びＡｌ等）も同等以下の濃度と言える。金属イオン濃度は、１００ｎｇ／Ｌ以下であることがより好ましく、１ｎｇ／Ｌ以下が特に好ましい。なお各金属元素の濃度は、定法に従い高周波プラズマ発光（ＩＣＰ）分析法により定量することができる。
【００２５】
また塩素イオン等のハロゲンイオンも少ない方が好ましく、１０ｍｇ／Ｌ以下が好ましく、１ｍｇ／Ｌ以下がより好ましい。さらにパーティクル量も著しく少ないことが望まれる。
【００２６】
本発明の添加剤の製造方法は特に限定されるものではないが、好適には高純度ケイ酸を有機アルカリ水溶液と反応させ、該ケイ酸を溶解させることにより製造できる。以下、この方法について詳述する。
【００２７】
上記高純度ケイ酸とは、金属不純物量が各元素あたり１ｍｇ／Ｌ以下であるケイ酸（いわゆるシリカ）を意味する。このような高純度ケイ酸を有機アルカリに溶解させることにより、製造される添加剤中の金属不純物及びハロゲンを少なくすることができる。
【００２８】
当該高純度ケイ酸は、原料として蒸留可能なケイ素化合物を用いて製造することが可能である。即ち、ケイ素化合物を蒸留することにより、金属不純物を分離でき、これをケイ酸の製造原料に用いることにより高純度のケイ酸が製造できる。蒸留可能なケイ素化合物はシラン化合物やケイ素アルコキシドが挙げられる。シラン化合物の例は、モノシラン、ジシラン等の水素化ケイ素類、四塩化ケイ素、トリクロロシラン、ジクロロシラン、モノクロロシラン等のハロゲン化シラン類、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン等のハロゲン化アルキルシラン類等が挙げられる。ケイ素アルコキシドの例は、テトラメチルオルソシリケート及びその重合物、テトラエチルオルソシリケート及びその重合物、テトラプロピルオルソシリケート及びその重合物、テトラブチルオルソシリケート及びその重合物、等が挙げられる。
【００２９】
一方、天然ケイ砂をアルカリとともに溶融してガラスカレットにし、これを溶解させて作った水ガラスを原料にしたケイ酸類は、一般的に、沈殿法シリカやゲル法シリカと呼ばれるもので、圧倒的な流通量はあるものの金属イオン含有量が高く、本発明の添加剤の原料に用いることは好ましくない。即ち、そのままでは半導体製造に用いるには金属不純物量が多すぎる。むろん、当該金属不純物の除去（精製）を行えば使用可能とできるが、工業的には、前記したケイ素化合物の蒸留の方が有利である。
【００３０】
上記のように蒸留により高純度化したケイ素化合物を、当該ケイ素化合物に応じて公知の方法でケイ酸へと変換する。当該変換方法としては、燃焼法、加水分解法、イオン交換法のいずれの方法でもよい。一般的にシラン類は燃焼法で粒子状のシリカへと変換される。また、ケイ素アルコキシドは加水分解法やイオン交換法によりコロイド状のシリカへと変換される。なお、ケイ素化合物を蒸留し、次いでケイ酸へと変換する方法で製造されたケイ酸（シリカ）は、工業的に多量に製造されており、本発明の添加剤を製造するには、そのようなシリカのなかで前記したような高純度ケイ酸に相当するものを商業的に入手して使用してもよい。特に塩素化シランを原料にして燃焼法で製造したシリカは、高純度、且つ、比較的安価に流通しており好適に使用できる。
【００３１】
上記のような高純度ケイ酸を、有機アルカリ、好ましくは前述したような水酸化第４級アルキルアンモニウムの水溶液と接触させ、反応・溶解する。当該有機アルカリも高純度なものであることが好ましく、具体的には、金属イオン濃度が各元素当たり１ｍｇ／Ｌ以下、好ましくは１００ｎｇ／Ｌ以下、特に好ましくは１ｎｇ／Ｌ以下である。このような高純度の水酸化第４級アルキルアンモニウムとしては、第４級アルキルアンモニウムの塩化物や炭酸化物を有機電解法により水酸化物にしたものが好ましく、また、そのようなものも商業的に入手可能である。このような有機アルカリは水溶液として製造、流通されるのが一般的であり、これに含まれる水は、そのまま本発明の添加剤の成分としてよい。
【００３２】
当該高純度ケイ酸と有機アルカリ水溶液との接触方法は特に限定されないが、好適には、超純水に縣濁させたケイ酸に有機アルカリ水溶液を加え、４０〜９０℃で撹拌して溶解する方法である。この際の温度は、中和熱や加温により到達させることができる。
【００３３】
また、本発明の添加剤にリン酸を配合する場合には、上記の如くしてケイ酸有機アルカリ水溶液を調製した後に、当該水溶液とリン酸を混合することが好ましい。
【００３４】
なおリン酸を配合する場合は、当該リン酸も半導体製造用などとして製造・販売される高純度リン酸を用いることが好ましい。
【００３５】
本発明の添加剤は、窒化ケイ素エッチング液に添加、溶解させて使用される。当該エッチング液に溶解させるには、撹拌させたエッチング液に本発明の添加剤の溶液またはゾルを添加する。撹拌は、撹拌器、ポンプ撹拌、ラインミキシングなど一般的な撹拌方式を用いることができる。
【００３６】
本発明の添加剤の使用にあたって、窒化ケイ素エッチング液に溶解させる際には、窒化ケイ素エッチング液は１２０℃以上である必要がある。温度が低い場合、窒化ケイ素エッチング液の溶解力が不十分になるために、リンケイ酸ガラスのような不溶物が生じる場合がある。十分な溶解力を得るために窒化ケイ素エッチング液は１５０℃以上にしておくことが好ましい。
【００３７】
本発明の添加剤を添加することにより制御される窒化ケイ素エッチング液中の可溶性ケイ酸塩濃度は、エッチングの状況により決まるので、限定することはできないが、１６０℃リン酸水溶液での飽和溶解度以下であり、一般的にはシリカ換算での濃度で５，０００ｍｇ／Ｌ以下である。なお、シリカ濃度は高周波プラズマ発光（ＩＣＰ）分析法により定量することができる。
【実施例】
【００３８】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
模擬エッチング液
各実施例、比較例では、模擬エッチング液として水を５質量％含むリン酸を使用した。なお、この模擬エッチング液を１６０℃で１０分間加熱、放冷後、液中のシリカ濃度をＩＣＰ分析法により定量した結果、液中のシリカ濃度は定量下限以下だった。
【００４０】
容器の洗浄とブランク値の確認
各実施例、比較例では、フッ素樹脂製ビーカーを濃硫酸と３０％過酸化水素水の混合物（混合比３：１）で洗浄し、次いで超純水で十分リンスしたものを使用した。
【００４１】
上記方法で洗浄したフッ素樹脂製ビーカーに超純水１００ｇを入れ、１０分間室温で撹拌した。この超純水中の金属イオン量（Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ及びＣｕ）をＩＣＰで測定したところ、いずれも測定下限（０．０１ｍｇ／Ｌ）未満であった。
【００４２】
実施例１
四塩化ケイ素を原料とした高純度の燃焼法シリカ（株式会社トクヤマ製、商品名レオロシール、金属不純物  各元素で１ｍｇ／Ｌ以下）１０質量部、高純度２５質量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ、株式会社トクヤマ製、商品名ＳＤ−２５、金属不純物  各元素で０．１ｍｇ／Ｌ以下）２５質量部、超純水６５質量部を洗浄したフッ素樹脂製ビーカーに入れ、フッ素樹脂製時計皿で覆った後、ホットスターラーで撹拌した。この時のモル比は９．７である。
【００４３】
温度６５℃で３０分撹拌した後に中を観察したところ、固形物は認められなかった。更に、レーザーポインターを液に照射したところ、光路が認められなかったことから完全にケイ酸テトラメチルアンモニウムとして溶解したと判断した。これを冷却し、添加剤１とした。添加剤１のケイ酸濃度を８５０℃での強熱残分として測定したところ９．８質量％であった。また金属イオン量を測定し、表１に記載した。
【００４４】
フッ素樹脂製ビーカーに模擬エッチング液１００ｇを入れて１６０℃に加熱し、上記で調整した添加剤１を０．１０ｇ添加して１０分間撹拌した。この際に添加されたケイ酸量の計算値は、エッチング液に対してシリカ換算で９８ｍｇ／ｋｇとなる。
【００４５】
この添加剤１を添加した模擬エッチング液から約１０ｍＬを抜出し、放冷後、シリカ濃度を測定した。残りをＰＴＥＦ製メンブレンフィルター（孔径１０μｍ）でろ過し、残渣率を測定した。これらの結果を表１に記載した。残渣率は極めて低く、本発明の添加剤は、エッチング液へのケイ素添加剤として良好な性能を有するものと言える。
【００４６】
実施例２
四塩化ケイ素を原料とした高純度の燃焼法シリカ５質量部、市販の２５質量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（ＴＢＡＨ、金属不純物  各元素で０．１ｍｇ／Ｌ以下）４０質量部、超純水５５質量部を使用すること以外、実施例１と同様の操作を行った。この時のモル比は８．６である。
【００４７】
温度８５℃で３０分撹拌した後に中を観察したところ、固形物は認められなかった。更に、レーザーポインターを液に照射したところ、光路が認められなかったことから完全にケイ酸テトラブチルアンモニウムとして溶解したと判断した。これを冷却し、添加剤２とした。添加剤２のケイ酸濃度を８５０℃での強熱残分として測定したところ４．９質量％であった。また金属イオン量を測定し、表１に記載した。
【００４８】
続いて、添加剤１を０．１０ｇ添加する代わりに、添加されるケイ酸量の計算値が同じく９８ｍｇ／ｋｇとなるように上記添加剤２を０．２０ｇ添加すること以外は実施例１と同様の操作を行った。シリカ濃度と残渣率を測定し、結果を表１に記載した。残渣率は極めて低く、本発明の添加剤は、エッチング液へのケイ素添加剤として良好な性能を有するものと言える。
【００４９】
比較例１
市販の沈殿法シリカ（原料：水ガラス、金属不純物  各元素１０〜２０００ｍｇ／Ｌ）を使うこと以外、実施例１と同様の操作を行い、比較サンプル１を得た。この比較サンプル１の金属イオン量を測定し、表１に記載したが、各金属イオンの濃度が非常に高かった。即ち、純度の低い沈殿法シリカを用いると、実施例と同様の方法では本発明の添加剤を製造できなかった。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
比較例２
四塩化ケイ素を原料とした高純度の燃焼法シリカ１０質量％、市販の２５％アンモニア水溶液１質量％、超純水８９質量％を、参考例１と同様の方法で洗浄したフッ素樹脂製ビーカーに入れ、フッ素樹脂製時計皿で覆った後、ホットスターラーで撹拌した。この時のモル比は１１である。６０℃で１時間撹拌したが、シリカ粒子はアンモニア水溶液に溶けきれないために液は白濁し、エッチング液への添加剤としては不適と判断された。
【００５２】
比較例３
本発明の添加剤を調製せず、エッチング液に直接ケイ酸源となるシリカを投入することを試みた。即ち、シリカ０．０１ｇを１６０℃に加熱した模擬エッチング液にスパチュラを用いて添加した。
【００５３】
模擬エッチング液に投入されたシリカの微粒子は短時間で溶解したが、投入で使用したスパチュラやビーカーの壁面にシリカが付着したために定量的に添加できなかった。
【００５４】
比較例４
本発明の添加剤に換えて、有機ケイ素化合物をケイ素源として用いる方法を検討した。即ち、模擬エッチング液に添加剤１を０．１０ｇ添加する代わりに市販のテトラエチルオルソシリケート（金属不純物  各元素で０．１ｍｇ／Ｌ以下）を０．３５ｇ添加すること以外は実施例１と同様の操作を行ってシリカ濃度と残渣率を測定した。その結果、残渣率は１％未満であり問題なかったものの、テトラエチルオルソシリケートの添加量から計算される理論シリカ濃度１００ｍｇ／ｋｇに対して、実測されたシリカ濃度は４０ｍｇ／ｋｇに過ぎず、シリカ分のロスが多く、非効率な方法であると判断される。なおこれは、添加時にテトラエチルオルソシリケートが揮散したためと考えられる。
【００５５】
添加方法参考例
室温の模擬エッチング液１００ｇに実施例１で調製した添加剤１を０．１０ｇ添加した。添加後、直ちに白い綿状の固形分が発生した。この固形分は、１６０℃に加熱して１時間撹拌を継続しても消滅（溶解）しなかった。この結果から、本発明の添加剤の使用時（エッチング液への添加時）には、エッチング液が高温の状態で行う必要があることが理解される。