(57)【要約】【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。【解決手段】基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の酸化絶縁膜を形成して、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成する。【選択図】図１
2020113794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、前記酸化物半導体膜の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置する半導体装置。
【請求項３】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置し、
前記第２の領域は、ドーパントを含む半導体装置。
【請求項４】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置し、
前記第２の領域は、窒素、リン、砒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを含む半導体装置。
【請求項５】
チャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、を有するトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置し、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりも高い導電性を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ゲート電極及び前記第１の電極は、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金の単層構造または積層構造を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
トランジスタなどの半導体素子を含む回路を有する半導体装置及びその作製方法に関する
。例えば、電源回路に搭載されるパワーデバイス、メモリ、サイリスタ、コンバータ、イ
メージを有する発光表示装置等を部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置
全般を指し、電気光学装置、発光表示装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置で
ある。
【背景技術】
【０００３】
液晶表示装置に代表されるように、ガラス基板等に形成されるトランジスタはアモルファ
スシリコン、多結晶シリコンなどによって構成されている。アモルファスシリコンを用い
たトランジスタは電界効果移動度が低いもののガラス基板の大面積化に対応することがで
きる。また、多結晶シリコンを用いたトランジスタの電界効果移動度は高いがガラス基板
の大面積化には適していないという欠点を有している。
【０００４】
シリコンを用いたトランジスタに対して、酸化物半導体を用いてトランジスタを作製し、
電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半導体とし
て、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物を用いてトランジスタを作製し、表示装置
の画素のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献１及び特許文献２で開示されてい
る。
【０００５】
ところで、特に酸化物半導体においては、水素がキャリアの供給源となることが指摘され
ている。そのため、酸化物半導体の形成時に水素が混入しないような措置を講じることが
求められる。また、酸化物半導体のみならず、酸化物半導体に接するゲート絶縁膜の水素
を低減することで、しきい値電圧の変動を低減している（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献３】特開２００９−２２４４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体の側面が減圧
雰囲気に曝されると、酸化物半導体中の酸素が脱離してしまい、酸素欠陥（酸素空孔ある
いは酸素欠損とも呼ぶ。）が形成されてしまう。酸化物半導体において酸素欠陥が形成さ
れた領域は、キャリアが流れやすいため、トランジスタの電気特性に影響する。代表的に
はトランジスタのソース及びドレインの間においてリーク電流が高くなるという問題があ
る。
【０００８】
そこで、本発明の一態様は、酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良
好なトランジスタ及びその作製方法を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の
酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行い、第１の酸化物半導体膜に含まれる水素を
脱離させつつ、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部を第１の酸化物半導体膜に拡散さ
せ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の
酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成した後、第２の
酸化絶縁膜を形成し、当該第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半
導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に一
対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様は、基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の
酸化物半導体膜を形成し、該第１の酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、第２の酸
化物半導体膜を形成する。次に、第１の酸化絶縁膜及び第２の酸化物半導体膜を覆う第２
の酸化絶縁膜を形成した後、加熱処理を行って、第１の酸化絶縁膜及び第２の酸化絶縁膜
に含まれる酸素の一部を第２の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減
させた第３の酸化物半導体膜を形成する。次に、第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチング
して、第３の酸化物半導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導
体膜及び保護膜上に一対の電極、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成することを特徴と
する。
【００１１】
本発明の一態様は、基板上に第１の酸化絶縁膜を形成し、該第１の酸化絶縁膜上に第１の
酸化物半導体膜を形成し、第１の酸化物半導体膜上に一対の電極を形成する。次に、第１
の酸化物半導体膜を選択的にエッチングし第２の酸化物半導体膜を形成する。次に、第１
の酸化絶縁膜、一対の電極、及び第２の酸化物半導体膜を覆う第２の酸化絶縁膜を形成し
た後、加熱処理を行って、第１の酸化絶縁膜及び第２の酸化絶縁膜に含まれる酸素の一部
を第２の酸化物半導体膜に拡散させ、水素濃度及び酸素欠陥を低減させた第３の酸化物半
導体膜を形成する。次に、第２の酸化絶縁膜を選択的にエッチングして、第３の酸化物半
導体膜の端部を覆う保護膜を形成する。この後、第３の酸化物半導体膜及び保護膜上に、
ゲート絶縁膜、及びゲート電極を形成することを特徴とする。
【００１２】
第１の酸化絶縁膜及び第２の酸化絶縁膜は、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜
を用いて形成する。加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜としては、化学量論比を
満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素
の一部が脱離する酸化絶縁膜は、加熱により酸素が脱離するため、加熱により第１の酸化
物半導体膜または第２の酸化物半導体膜に酸素を拡散させることができる。加熱により酸
素の一部が脱離する酸化絶縁膜の代表例としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニ
ウム、酸化イットリウム等がある。
【００１３】
本発明の一態様においては、少なくとも第１の酸化絶縁膜と接する状態で第１の酸化物半
導体膜または第２の酸化物半導体膜を加熱することで、第１の酸化絶縁膜に含まれる酸素
を第１の酸化物半導体膜または第２の酸化物半導体膜に拡散させ、酸素欠陥を低減するこ
とができる。また、第１の酸化絶縁膜と、第１の酸化物半導体膜または第２の酸化物半導
体膜との界面における界面準位を低減することができる。この結果、トランジスタのしき
い値電圧のマイナスシフトを低減することができる。
【００１４】
また、第３の酸化物半導体膜の端部を保護膜で覆った後、一対の電極、ゲート絶縁膜、及
びゲート電極を形成するため、第３の酸化物半導体膜の側面は減圧雰囲気に曝されない。
また、一対の電極の作製工程において、第３の酸化物半導体膜の側面がエッチング雰囲気
に曝されない。これらのため、第３の酸化物半導体膜の側面における酸素欠陥の生成を低
減することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様において、上記保護膜、ゲート電極、一対の電極をマスクとして第
３の酸化物半導体膜にドーパントを添加することで、セルフアラインで一対のドーパント
を含む領域を形成することを特徴とする。ドーパントとしては、水素、ヘリウム、ネオン
、アルゴン、クリプトン、キセノンの少なくともいずれか一以上であり、一対のドーパン
トを含む領域のドーパントの濃度を、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１９
ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。この結果、ゲート電極と重畳する第１の酸化物半導体領
域と、第１の酸化物半導体領域を挟む一対のドーパントを含む領域と、一対の電極と重畳
し且つ一対のドーパントを含む領域を挟む一対の第２の酸化物半導体領域とを形成するこ
とができる。第１の酸化物半導体領域はチャネル領域として機能し、ドーパントを含む領
域は電界緩和領域として機能する。このため、トランジスタの短チャネル効果を抑制する
ことができる。また、ゲート電極と、一対の電極とが重畳していないため、寄生容量を低
減することができ、トランジスタを高速動作させることができる。
【００１６】
また、上記のドーパントの添加した後に、加熱処理を行ってもよい。
【００１７】
酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことがで
きる。
【００１８】
また、酸化物半導体は、非単結晶であって、そのａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、
または、六角形、または正三角形、正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂直な方向
から見て、金属原子が層状、または、金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む材料
とすることもできる。
【００１９】
なお、本明細書では、非単結晶であって、そのａｂ面に垂直な方向から見て、三角形、ま
たは、六角形、または正三角形、正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂直な方向か
ら見て、金属原子が層状、または、金属原子と酸素原子が層状に配列した相を含む材料を
、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｓ）酸化物半導体という。
【００２０】
ＣＡＡＣ酸化物半導体とは単結晶ではないが、また、非晶質のみから形成されているもの
でもない。また、ＣＡＡＣ酸化物半導体は結晶化した部分（結晶部分）を含むが、１つの
結晶部分と他の結晶部分の境界を明確に判別できないこともある。ＣＡＡＣ酸化物半導体
を構成する酸素の一部あるいは全部は窒素で置換されてもよい。また、ＣＡＡＣ酸化物半
導体を構成する個々の結晶部分のｃ軸は一定の方向（例えば、ＣＡＡＣ酸化物半導体を支
持する基板面やＣＡＡＣ酸化物半導体の表面等に垂直な方向）に揃っていてもよい。ある
いは、ＣＡＡＣ酸化物半導体を構成する個々の結晶部分のａｂ面の法線は一定の方向（例
えば、ＣＡＡＣ酸化物半導体を支持する基板面、ＣＡＡＣ酸化物半導体の表面等に垂直な
方向）を向いていてもよい。
【００２１】
ＣＡＡＣ酸化物半導体は、その組成等に応じて、導体または絶縁体となりうる。また、そ
の組成等に応じて、可視光に対して透明であったり不透明であったりする。このようなＣ
ＡＡＣ酸化物半導体の例として、膜状に形成され、膜表面、或いは、基板面、或いは、界
面に垂直な方向から観察すると三角形、または、六角形の原子配列が認められ、且つ、そ
の膜断面を観察すると金属原子、または、金属原子と酸素原子（あるいは窒素原子）の層
状配列が認められる材料を挙げることもできる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一態様によって、酸化物半導体膜の酸素欠陥を低減することができる。この結果
、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減すると共に、トランジスタのソー
ス及びドレインにおけるリーク電流を低減することが可能であり、トランジスタの電気特
性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する上面図及び断面図である。
【図２】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する上面図である。
【図７】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する上面図及び断面図である。
【図８】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の一態様に係る半導体装置を説明する上面図及び断面図である。
【図１０】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の一態様に係る半導体装置及びその作製方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の一態様に係る半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の一態様を示す半導体装置を説明する回路図である。
【図１５】本発明の一態様を示す半導体装置を説明する回路図である。
【図１６】本発明の一態様を示す半導体装置を説明する回路図である。
【図１７】本発明の一態様を示す半導体装置を説明する回路図である。
【図１８】ＣＰＵの具体例を示す半導体装置を説明するブロック図及びその一部の回路図である。
【図１９】本発明の一態様である半導体装置を用いた表示装置を説明する上面図及び断面図である。
【図２０】液晶の動作モードを説明する断面図である。
【図２１】液晶の動作モードを説明する断面図である。
【図２２】液晶の動作モードを説明する断面図である。
【図２３】液晶の動作モードを説明する上面図及び断面図である。
【図２４】画素電極の構造を説明する上面図である。
【図２５】画素電極の構造を説明する上面図である。
【図２６】保護回路の一形態を示す回路図及び上面図である。
【図２７】計算に用いたモデルを説明する図である。
【図２８】計算に用いたモデルを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説
明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様
々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の
構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には、同一の符号を異なる図面間
で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、膜の厚さ、または領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
【００２６】
また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるため
に付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「
第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、リーク電流の低減が可能なトランジスタの構造及び作製方法について
、図１乃至図３を用いて説明する。
【００２８】
図１は、本実施の形態に示すトランジスタの上面図及び断面図である。図１（Ａ）は、本
実施の形態に示すトランジスタの上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の一点鎖線Ａ
−Ｂに対応する断面図であり、図１（Ｃ）は図１（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄに対応する断面
図であり、図１（Ｄ）は図１（Ａ）の一点鎖線Ｅ−Ｆに対応する断面図である。なお、図
１（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタの構成要素の一部（例えば、
ゲート絶縁膜１１１、絶縁膜１２５など）を省略している。
【００２９】
図１に示すトランジスタは、基板１０１上に設けられる酸化絶縁膜１０２と、酸化絶縁膜
１０２上に設けられる酸化物半導体膜１２０と、酸化物半導体膜１２０の端部を覆う保護
膜１０７と、保護膜１０７上に形成され、且つ酸化物半導体膜１２０に接する一対の電極
１０９と、保護膜１０７、一対の電極１０９、及び酸化物半導体膜１２０を覆うゲート絶
縁膜１１１と、ゲート絶縁膜１１１上であって、且つ酸化物半導体膜１２０と重畳するゲ
ート電極１１３とを有する。また、ゲート絶縁膜１１１及びゲート電極１１３を覆う絶縁
膜１２５を有してもよい。また、酸化物半導体膜１２０は、ゲート電極１１３と重畳する
酸化物半導体領域１１９と、酸化物半導体領域１１９を挟む一対のドーパントを含む領域
１１５、１１７と、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７を挟み、且つ一対の電極
１０９と接する一対の酸化物半導体領域１２１、１２３を有する。なお、酸化物半導体領
域１１９はチャネル領域として機能し、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７は電
界緩和領域として機能し、一対の酸化物半導体領域１２１、１２３において、一対の電極
１０９と接する領域はソース領域及びドレイン領域として機能する。なお、保護膜１０７
が覆う酸化物半導体膜１２０の端部とは、少なくとも酸化物半導体膜１２０の側面であり
、さらに酸化物半導体膜１２０の表面の一部を含んでもよい。
【００３０】
基板１０１の材質などに大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の
耐熱性を有している必要がある。例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サフ
ァイア基板などを、基板１０１として用いてもよい。また、シリコンや炭化シリコンなど
の単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板
、ＳＯＩ基板などを適用することも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられ
たものを、基板１０１として用いてもよい。
【００３１】
また、基板１０１として、可撓性基板を用いてもよい。基板１０１と酸化絶縁膜１０２の
間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させ
た後、基板１０１より分離し、他の基板に転載するのに用いることができる。その際、半
導体装置は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。
【００３２】
酸化絶縁膜１０２は、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を用いて形成する。加
熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多く
の酸素を含む酸化絶縁膜を用いることが好ましい。加熱により酸素の一部が脱離する酸化
絶縁膜は、加熱により酸素が脱離するため、加熱により酸化半導体膜に酸素を拡散させる
ことができる。酸化絶縁膜１０２は、代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニ
ウム、酸化イットリウム等で形成することができる。
【００３３】
酸化絶縁膜１０２は、５０ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。
酸化絶縁膜１０２を厚くすることで、酸化絶縁膜１０２の酸素脱離量を増加させることが
できると共に、酸化絶縁膜１０２及び後に形成される酸化物半導体膜との界面における界
面準位を低減することが可能である。
【００３４】
ここで、「加熱により酸素の一部が脱離する」とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏ
ｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：昇温脱離ガス分光法）分析にて、酸素原子に
換算しての酸素の放出量が１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、好ましくは３．０
×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であることをいう。
【００３５】
ここで、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量の測定方法について、以下
に説明する。
【００３６】
ＴＤＳ分析したときの気体の脱離量は、スペクトルの積分値に比例する。このため、絶縁
膜のスペクトルの積分値の標準試料の基準値に対する比により、気体の放出量を計算する
ことができる。標準試料の基準値とは、所定の原子を含む試料の、スペクトルの積分値に
対する原子の密度の割合である。
【００３７】
例えば、標準試料である所定の密度の水素を含むシリコンウェハのＴＤＳ分析結果、及び
絶縁膜のＴＤＳ分析結果から、絶縁膜の酸素分子の脱離量（ＮＯ２）は、数式１で求める
ことができる。ここで、ＴＤＳ分析で得られる質量数３２で検出されるスペクトルの全て
が酸素分子由来と仮定する。質量数３２のものとしてＣＨ３ＯＨがあるが、存在する可能
性が低いものとしてここでは考慮しない。また、酸素原子の同位体である質量数１７の酸
素原子及び質量数１８の酸素原子を含む酸素分子についても、自然界における存在比率が
極微量であるため考慮しない。
【００３８】
【数１】
2020113794.tif 000003
【００３９】
ＮＨ２は、標準試料から脱離した水素分子を密度で換算した値である。ＳＨ２は、標準試
料をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値である。ここで、標準試料の基準値を、Ｎ
Ｈ２／ＳＨ２とする。ＳＯ２は、絶縁膜をＴＤＳ分析したときのスペクトルの積分値であ
る。αは、ＴＤＳ分析におけるスペクトル強度に影響する係数である。数式１の詳細に関
しては、特開平６−２７５６９７公報を参照する。なお、上記絶縁膜の酸素の脱離量は、
電子科学株式会社製の昇温脱離分析装置ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ／Ｗを用い、標準試料と
して１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の水素原子を含むシリコンウェハを用いて測定した
。
【００４０】
また、ＴＤＳ分析において、酸素の一部は酸素原子として検出される。酸素分子と酸素原
子の比率は、酸素分子のイオン化率から算出することができる。なお、上述のαは酸素分
子のイオン化率を含むため、酸素分子の放出量を評価することで、酸素原子の脱離量につ
いても見積もることができる。
【００４１】
なお、ＮＯ２は酸素分子の脱離量である。絶縁膜においては、酸素原子に換算したときの
酸素の放出量は、酸素分子の脱離量の２倍となる。
【００４２】
上記構成において、加熱により酸素放出される絶縁膜は、酸素が過剰な酸化シリコン（Ｓ
ｉＯＸ（Ｘ＞２））であってもよい。酸素が過剰な酸化シリコン（ＳｉＯＸ（Ｘ＞２））
とは、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積当たりに含むものである。単位
体積当たりのシリコン原子数及び酸素原子数は、ラザフォード後方散乱法により測定した
値である。
【００４３】
酸化絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素が供給されることで、酸化絶縁膜及び酸化物半導体
膜の界面準位を低減できる。この結果、トランジスタの動作などに起因して生じうる電荷
などが、上述の酸化絶縁膜及び酸化物半導体膜の界面に捕獲されることを抑制することが
でき、しきい値電圧のマイナスシフトを低減できる、電気特性の劣化の少ないトランジス
タを得ることができる。
【００４４】
さらに、酸化物半導体膜の酸素欠損に起因して電荷が生じる場合がある。一般に、酸化物
半導体膜の酸素欠損は、一部がドナーとなりキャリアである電子を生じる。この結果、ト
ランジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。この傾向はバックチャネ
ル側で生じる酸素欠損において顕著である。なお、本明細書におけるバックチャネルとは
、図１（Ｂ）に示す酸化物半導体領域１１９において酸化絶縁膜１０２との界面近傍を指
す。酸化絶縁膜から酸化物半導体膜に酸素が十分に脱離されることにより、しきい値電圧
がマイナス方向へシフトする要因である、酸化物半導体膜の酸素欠損を補うことができる
。
【００４５】
即ち、酸化物半導体膜に酸素欠損が生じると、酸化絶縁膜と酸化物半導体膜との界面にお
ける電荷の捕獲を抑制することが困難となるところ、酸化絶縁膜に、加熱により酸素脱離
される絶縁膜を設けることで、酸化物半導体膜及び酸化絶縁膜の界面準位、ならびに酸化
物半導体膜の酸素欠損を低減し、酸化物半導体膜及び酸化絶縁膜の界面における電荷捕獲
の影響を小さくすることができる。
【００４６】
酸化物半導体膜１２０としては、少なくとも、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一
種以上の元素を含む酸化物半導体膜である。代表的には、四元系金属酸化物であるＩｎ−
Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系
金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、
Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−
Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−
Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、一元系金属酸化物であるＺｎＯ、ＳｎＯ、ＩｎＯなどを用いる
ことができる。また、上記酸化物半導体に酸化シリコンを含んでもよい。ここで、例えば
、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料とは、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）を有する酸化物、という意味であり、その組成比は特に問わない。また、インジウム
とガリウムと亜鉛以外の元素を含んでいてもよい。このとき、上記酸化物半導体膜におい
ては、化学量論比に対し、酸素を過剰にすると好ましい。酸素を過剰にすることで酸化物
半導体膜の酸素欠損に起因するキャリアの生成を抑制することができる。
【００４７】
酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いる場合、原子数比で、Ｉｎ／Ｚｎ＝
０．５〜５０、好ましくはＩｎ／Ｚｎ＝１〜２０、さらに好ましくはＩｎ／Ｚｎ＝１．５
〜１５とする。Ｚｎに対するＩｎの原子数比を好ましい前記範囲とすることで、トランジ
スタの電界効果移動度を向上させることができる。ここで、化合物の原子数比がＩｎ：Ｚ
ｎ：Ｏ＝Ｘ：Ｙ：Ｚのとき、Ｚ＞１．５Ｘ＋Ｙとする。
【００４８】
なお、酸化物半導体膜１２０に形成することが可能な金属酸化物は、エネルギーギャップ
が２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上である。このよう
に、エネルギーギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を
低減することができる。
【００４９】
なお、酸化物半導体膜１２０は、非晶質構造であってもよい。
【００５０】
また、酸化物半導体膜１２０は、非単結晶であって、そのａｂ面に垂直な方向から見て、
三角形、または、六角形、または正三角形、正六角形の原子配列を有し、且つ、ｃ軸に垂
直な方向から見て、金属原子が層状、または、金属原子と酸素原子が層状に配列した相を
含む材料、即ちｃ軸配向結晶材料を用いて形成してもよい。
【００５１】
酸化物半導体膜１２０には、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒素が含まれてもよ
い。
【００５２】
酸化物半導体膜１２０において、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度は、１×１
０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下
であることが望ましい。アルカリ金属及びアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合する
とキャリアを生成することがあり、トランジスタのオフ電流の上昇の原因となるためであ
る。
【００５３】
酸化物半導体膜１２０は、水素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは
１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３
以下、さらに好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが好ましい。酸
化物半導体及び水素の結合により、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子が生
じてしまう。これらのため、酸化物半導体膜中の水素濃度を低減することで、しきい値電
圧のマイナスシフトを低減することができる。
【００５４】
ここでは、酸化物半導体膜１２０として非晶質構造の酸化物半導体膜を形成する。
【００５５】
酸化物半導体膜１２０の厚さは、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、更に好ましくは３ｎｍ以上３
０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５６】
酸化物半導体膜１２０において、保護膜１０７、一対の電極１０９、ゲート電極１１３に
覆われていない領域に、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７を設ける。一対のド
ーパントを含む領域１１５、１１７は、窒素、リン、または砒素などの１５族元素が含ま
れている。または、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７には、水素、ヘリウム、
ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンの少なくともいずれか一以上のドーパントが含
まれている。
【００５７】
一対のドーパントを含む領域１１５、１１７に含まれるドーパントの濃度は、５×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１
８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。
【００５８】
また、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７はドーパントを含むため、キャリア密
度または欠陥を増加させることができる。このため、ドーパントを含まない酸化物半導体
領域１１９と比較して導電性を高めることができる。なお、ドーパント濃度を増加させす
ぎると、ドーパントがキャリアの移動を阻害することになり、一対のドーパントを含む領
域１１５、１１７の導電性を低下させることになる。
【００５９】
一対のドーパントを含む領域１１５、１１７は、導電率が１０Ｓ／ｃｍ以上１０００Ｓ／
ｃｍ以下、好ましくは１００Ｓ／ｃｍ以上１０００Ｓ／ｃｍ以下とすることが好ましい。
【００６０】
酸化物半導体膜１２０において、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７を有するこ
とで、チャネル領域として機能する酸化物半導体領域１１９の端部に加わる電界を緩和さ
せることができる。このため、トランジスタの短チャネル効果を抑制することができる。
【００６１】
なお、酸化物半導体膜１２０において、一対の電極１０９、ゲート電極１１３、及び保護
膜１０７に覆われている領域は、酸化物半導体領域１２１、１２３に示すように、窒素、
リン、または砒素などの１５族元素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノンの少なくともいずれか一以上のドーパントを、イオンドーピング法、イオン注入
法、プラズマ処理法等で添加していない。
【００６２】
保護膜１０７は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、及び窒化
シリコン膜の単層または積層で形成することができる。また、保護膜１０７において、少
なくとも酸化物半導体膜１２０に接する領域において、酸化絶縁膜１０２に示すような、
加熱により酸素が脱離する酸化絶縁膜を用いることが好ましい。
【００６３】
保護膜１０７の厚さは、３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上
１０００ｎｍ以下とすることで、酸化物半導体膜１２０の端部へのドーパントの添加を妨
げると共に、酸化物半導体膜１２０及び一対の電極１０９の間での絶縁性を保つことがで
きる。また、保護膜１０７が端部において酸化物半導体膜１２０の表面を覆う距離は、５
０ｎｍ以下、更に好ましくは２０ｎｍ以下とすると、マスクずれが生じても確実に酸化物
半導体膜１２０の側面を保護膜で覆うことができる。
【００６４】
保護膜１０７が酸化物半導体膜１２０の端部を覆うことで、酸化物半導体膜１２０の側面
と、一対の電極１０９とが接触せず、当該領域におけるリーク電流の発生を抑制すること
ができる。
【００６５】
一対の電極１０９は導電材料として、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イ
ットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単
体金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いる。例えば
、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二
層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニ
ウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上に重ねてアルミニ
ウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。なお、酸化イ
ンジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。なお、一対の電極
１０９は配線としても機能する。
【００６６】
ゲート絶縁膜１１１は、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウムまたは酸化ガリウムなどを用いればよく
、積層または単層で設ける。また、ゲート絶縁膜１１１は、酸化絶縁膜１０２に示すよう
な、加熱により酸素が脱離する酸化絶縁膜を用いてもよい。ゲート絶縁膜１１１に加熱に
より酸素が脱離する膜を用いることで、酸化物半導体膜に生じる酸素欠損を修復すること
ができ、トランジスタの電気特性の劣化を抑制できる。
【００６７】
また、ゲート絶縁膜１１１として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ）、窒素が添加
されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙＮｚ）、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート（ＨｆＡｌｘＯｙＮｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−
ｋ材料を用いることでゲートリークを低減できる。
【００６８】
ゲート絶縁膜１１１の厚さは、１ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以上５
０ｎｍ以下とするとよい。
【００６９】
なお、ゲート絶縁膜１１１は、酸化物半導体領域１１９上にのみ形成され、一対のドーパ
ントを含む領域１１５、１１７を覆っていない構造としてもよい。
【００７０】
ゲート電極１１３は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タン
グステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した
金属元素を組み合わせた合金などを用いて形成することができる。また、マンガン、ジル
コニウムのいずれか一または複数から選択された金属元素を用いてもよい。また、ゲート
電極１１３は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを含
むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チ
タン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二
層構造、窒化タンタル膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタ
ン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがあ
る。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネ
オジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは
窒化膜を用いてもよい。
【００７１】
また、ゲート電極１１３は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸
化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化
物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加し
たインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を適用することもできる。また、
上記透光性を有する導電性材料と、上記金属元素の積層構造とすることもできる。
【００７２】
また、ゲート電極１１３とゲート絶縁膜１１１との間に、ゲート絶縁膜１１１に接する材
料層として、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｓｎ−Ｏ膜や、窒
素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｏ膜や、窒素を含むＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜や、窒素を含むＳｎ−Ｏ膜や
、窒素を含むＩｎ−Ｏ膜や、金属窒化膜（ＩｎＮ、ＺｎＮなど）を設けることが好ましい
。これらの膜は５ｅＶ、好ましくは５．５ｅＶ以上の仕事関数を有し、トランジスタの電
気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素
子を実現できる。例えば、窒素を含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いる場合、少なくとも
酸化物半導体膜１２０より高い窒素濃度、具体的には７原子％以上の窒素を含むＩｎ−Ｇ
ａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いる。
【００７３】
絶縁膜１２５は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンな
どを用いればよく、積層または単層で設ける。
【００７４】
本実施の形態に示すトランジスタは、酸化物半導体膜１２０の端部を保護膜１０７で覆っ
ているため、保護膜１０７で覆われている酸化物半導体膜１２０の領域は、ドーパントが
添加されない。このため、当該領域におけるリーク電流の発生を低減することができる。
また、一対の電極１０９及びゲート電極１１３が重畳しないため、一対の電極１０９及び
ゲート電極１１３の間に生じる寄生容量を低減することができる。このため、トランジス
タの高速動作が可能である。また、酸化物半導体膜１２０の水素濃度が低いため、トラン
ジスタの電気特性及び信頼性を高めることができる。
【００７５】
なお、本実施の形態においては、一対の電極１０９の対向領域が直線状のトランジスタを
用いて説明したが、一対の電極１０９の対向領域を適宜、Ｕ字状、Ｃ字状等としてもよい
。このような構造のトランジスタは、チャネル幅を大きくすることが可能であり、オン電
流を高くすることができる。
【００７６】
次に、図１に示すトランジスタの作製方法について、図２及び図３を用いて説明する。
【００７７】
図２（Ａ）に示すように、基板１０１上に酸化絶縁膜１０２を形成する。次に、酸化絶縁
膜１０２上に酸化物半導体膜１０３を形成する。
【００７８】
酸化絶縁膜１０２は、スパッタリング法、ＣＶＤ法等により形成する。なお、加熱により
酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜は、スパッタリング法を用いることで形成しやすいため
好ましい。
【００７９】
加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜をスパッタリング法により形成する場合は、
成膜ガス中の酸素量が高いことが好ましく、酸素、または酸素及び希ガスの混合ガス等を
用いることができる。代表的には、成膜ガス中の酸素濃度を６％以上１００％以下にする
ことが好ましい。
【００８０】
加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜の代表例として酸化シリコン膜を形成する場
合、石英（好ましくは合成石英）をターゲットに用い、基板温度３０℃以上４５０℃以下
（好ましくは７０℃以上２００℃以下）、基板とターゲットの間の距離（Ｔ−Ｓ間距離）
を２０ｍｍ以上４００ｍｍ以下（好ましくは４０ｍｍ以上２００ｍｍ以下）、圧力を０．
１Ｐａ以上４Ｐａ以下（好ましくは０．２Ｐａ以上１．２Ｐａ以下）、高周波電源を０．
５ｋＷ以上１２ｋＷ以下（好ましくは１ｋＷ以上５ｋＷ以下）、成膜ガス中のＯ２／（Ｏ
２＋Ａｒ）割合を１％以上１００％以下（好ましくは６％以上１００％以下）として、Ｒ
Ｆスパッタリング法により酸化シリコン膜を形成することが好ましい。なお、石英（好ま
しくは合成石英）ターゲットに代えてシリコンターゲットを用いることもできる。なお、
成膜ガスとしては、酸素のみを用いてもよい。
【００８１】
酸化物半導体膜１０３は、スパッタリング法、塗布法、印刷法、パルスレーザー蒸着法等
により形成することができる。
【００８２】
ここでは、酸化物半導体膜１０３は、スパッタリング法により、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下
、更に好ましくは３ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さで形成する。
【００８３】
次に、酸化物半導体膜を成膜するスパッタリング装置について、以下に詳細を説明する。
【００８４】
酸化物半導体膜を成膜する処理室は、リークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下
とすることが好ましく、それによりスパッタリング法により成膜する際、膜中への不純物
の混入を低減することができる。
【００８５】
リークレートを低くするには、外部リークのみならず内部リークを低減する必要がある。
外部リークとは、微小な穴やシール不良などによって真空系の外から気体が流入すること
である。内部リークとは、真空系内のバルブなどの仕切りからの漏れや内部の部材からの
放出ガスに起因する。リークレートを１×１０−１０Ｐａ・ｍ３／秒以下とするためには
、外部リーク及び内部リークの両面から対策をとる必要がある。
【００８６】
外部リークを減らすには、処理室の開閉部分はメタルガスケットでシールするとよい。メ
タルガスケットは、フッ化鉄、酸化アルミニウム、または酸化クロムによって被覆された
金属材料を用いると好ましい。メタルガスケットはＯリングと比べ密着性が高く、外部リ
ークを低減できる。また、フッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロムなどの不動態によっ
て被覆された金属材料を用いることで、メタルガスケットから生じる水素を含む放出ガス
が抑制され、内部リークも低減することができる。
【００８７】
処理室の内壁を構成する部材として、水素を含む放出ガスの少ないアルミニウム、クロム
、チタン、ジルコニウム、ニッケルまたはバナジウムを用いる。また、前述の材料を鉄、
クロム及びニッケルなどを含む合金材料に被覆して用いてもよい。鉄、クロム及びニッケ
ルなどを含む合金材料は、剛性があり、熱に強く、また加工に適している。ここで、表面
積を小さくするために部材の表面凹凸を研磨などによって低減しておくと、放出ガスを低
減できる。あるいは、前述の成膜装置の部材をフッ化鉄、酸化アルミニウム、酸化クロム
などの不動態で被覆してもよい。
【００８８】
さらに、スパッタガスを処理室に導入する直前に、スパッタガスの精製機を設けることが
好ましい。このとき、精製機から処理室までの配管の長さを５ｍ以下、好ましくは１ｍ以
下とする。配管の長さを５ｍ以下または１ｍ以下とすることで、配管からの放出ガスの影
響を長さに応じて低減できる。
【００８９】
処理室の排気は、ドライポンプなどの粗引きポンプと、スパッタイオンポンプ、ターボ分
子ポンプ及びクライオポンプなどの高真空ポンプとを適宜組み合わせて行うとよい。ター
ボ分子ポンプは大きいサイズの分子の排気が優れる一方、水素や水の排気能力が低い。そ
こで、水の排気能力の高いクライオポンプ及び水素の排気能力の高いスパッタイオンポン
プを組み合わせることが有効となる。
【００９０】
処理室の内側に存在する吸着物は、内壁に吸着しているために処理室の圧力に影響しない
が、処理室を排気した際のガス放出の原因となる。そのため、リークレートと排気速度に
相関はないが、排気能力の高いポンプを用いて、処理室に存在する吸着物をできる限り脱
離し、予め排気しておくことが重要である。なお、吸着物の脱離を促すために、処理室を
ベーキングしてもよい。ベーキングすることで吸着物の脱離速度を１０倍程度大きくする
ことができる。ベーキングは１００℃以上４５０℃以下で行えばよい。このとき、不活性
ガスを導入しながら吸着物の除去を行うと、排気するだけでは脱離しにくい水などの脱離
速度をさらに大きくすることができる。
【００９１】
このように、酸化物半導体膜１０３の成膜工程において、更に好ましくは酸化絶縁膜の成
膜工程において、処理室の圧力、処理室のリークレートなどにより、不純物の混入を極力
抑えることによって、酸化物半導体膜に含まれる水素を含む不純物の混入を低減すること
ができる。また、酸化絶縁膜から酸化物半導体膜への水素などの不純物の拡散を低減する
ことができる。
【００９２】
酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共に、酸
素が脱離した格子（あるいは酸素が脱離した部分）には欠陥が形成されてしまう。このた
め、酸化物半導体膜の成膜工程において、水素を含む不純物を極めて減らすことにより、
酸化物半導体膜の欠陥を低減することが可能である。このため、不純物をできるだけ除去
し、高純度化させた酸化物半導体膜をチャネル領域とすることにより、トランジスタの信
頼性を高めることができる。
【００９３】
スパッタリング法において、プラズマを発生させるための電源装置は、ＲＦ電源装置、Ａ
Ｃ電源装置、ＤＣ電源装置等を適宜用いることができる。
【００９４】
ターゲットとしては、亜鉛を含む金属酸化物ターゲットを用いることができる。ターゲッ
トとしては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、三元
系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸
化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ａｌ−
Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、二元系金属酸化物
であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物や、一元系金属酸化物
であるＺｎＯ系金属酸化物、ＳｎＯ系金属酸化物などのターゲットを用いることができる
。
【００９５】
ターゲットの一例として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む金属酸化物ターゲットを、Ｉｎ２
Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］の組成比とする。また、Ｉｎ２Ｏ
３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲット、また
はＩｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：４［ｍｏｌ数比］の組成比を有するターゲ
ット、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２：１：８［ｍｏｌ数比］の組成比を有するタ
ーゲットを用いることもできる。また、Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ＝２５：１［ｍｏｌ数比］〜
１：４の組成比を有するターゲットを用いることもできる。
【００９６】
なお、スパッタリングガスは、希ガス（代表的にはアルゴン）雰囲気、酸素雰囲気、希ガ
ス及び酸素の混合ガスを適宜用いる。また、スパッタリングガスには、水素を含む不純物
が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【００９７】
なお、酸化絶縁膜１０２及び酸化物半導体膜１０３は連続的に形成することが好ましい。
酸化絶縁膜１０２を形成した後、大気に曝さず酸化物半導体膜１０３を形成することで、
酸化絶縁膜１０２及び酸化物半導体膜１０３界面における水素の付着を低減することがで
きる。または、加熱装置を有するマルチチャンバーのスパッタリング装置において、酸化
絶縁膜１０２を形成し、加熱装置で酸化絶縁膜１０２を加熱して水素を脱離させた後、酸
化絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜１０３を形成してもよい。
【００９８】
次に、基板１０１に加熱処理を施して、酸化物半導体膜より水素を放出させると共に、酸
化絶縁膜１０２に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜１０３と、酸化絶縁膜１０２及
び酸化物半導体膜１０３の界面近傍に拡散させる。この結果、図２（Ｂ）に示すように、
水素濃度及び酸素欠陥が低減された酸化物半導体膜１０４を形成することができる。
【００９９】
該加熱処理の温度は、酸化物半導体膜から水素を放出させると共に、酸化絶縁膜１０２に
含まれる酸素の一部を放出させ、さらには酸化物半導体膜に拡散させる温度が好ましく、
代表的には、１５０℃以上基板歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下、更に
好ましくは３００℃以上４５０℃以下とする。
【０１００】
また、該加熱処理は、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置を用い
ることができる。ＲＴＡを用いることで、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で熱処
理を行うことができる。そのため、酸化物半導体膜からの水素の放出、及び酸化絶縁膜１
０２から酸化物半導体膜１０３への酸素拡散の時間を短縮することができる。
【０１０１】
加熱処理は、不活性ガス雰囲気で行うことができ、代表的には、ヘリウム、ネオン、アル
ゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス、または窒素雰囲気で行うことが好ましい。また
、酸素雰囲気及び減圧雰囲気で行ってもよい。処理時間は３分〜２４時間とする。
【０１０２】
酸化物半導体膜中における酸素欠損はドナーとなり、キャリアである電子が生じてしまう
。酸化物半導体膜１０３が酸化絶縁膜１０２を覆う状態で加熱処理を行うことで、酸化絶
縁膜１０２に含まれる酸素の一部が酸化物半導体膜１０３に拡散するため、酸化物半導体
膜１０３に含まれる酸素欠損を低減することができる。また、酸化絶縁膜１０２が酸化物
半導体膜１０３に覆われており、酸化絶縁膜１０２の表面が露出していないため、酸化絶
縁膜１０２から酸化物半導体膜１０３へ拡散せず外部へ放出する量を低減することができ
るため、酸化物半導体膜の酸素欠陥、及び酸化絶縁膜１０２及び酸化物半導体膜１０３の
界面の界面準位を低減することができる。
【０１０３】
また、酸化物半導体膜１０３の成膜工程において、処理室の圧力、処理室のリークレート
などにより、不純物の混入を極力抑えることによって、酸化絶縁膜１０２及び酸化物半導
体膜１０３に含まれる水素を含む不純物の混入を低減することができる。また、酸化絶縁
膜１０２から酸化物半導体膜１０３への水素を含む不純物の拡散を低減することができる
。また、加熱処理により酸化物半導体膜１０３中の水素濃度を低減することができる。酸
化物半導体においては、水素との結合により、水素の一部がドナーとなり、キャリアであ
る電子が生じてしまう。このため、酸化物半導体膜の成膜工程及びその後の加熱工程にお
いて、不純物、代表的には水素を極めて減らすことにより、酸化物半導体膜の欠陥を低減
することが可能である。
【０１０４】
次に、該酸化物半導体膜１０４上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化物半導
体膜１０４を選択的にエッチングして、酸化物半導体膜１０５を形成する（図２（Ｃ）参
照）。
【０１０５】
酸化物半導体膜１０４をエッチングするためのマスクは、フォトリソグラフィ工程、イン
クジェット法、印刷法等を適宜用いることができる。また、酸化物半導体膜のエッチング
はウエットエッチングまたはドライエッチングを適宜用いることができる。この後、マス
クを除去する。なお、マスクを除去するために、剥離液を用いると、酸化物半導体膜１０
５の側面から酸素が脱離する場合があるため、マスクの除去方法としてアッシングを用い
てもよい。
【０１０６】
次に、図２（Ｄ）に示すように、酸化絶縁膜１０２及び酸化物半導体膜１０５上に酸化絶
縁膜１０６を形成する。酸化絶縁膜１０６は、酸化絶縁膜１０２と同様に、熱により酸素
の一部が脱離する酸化絶縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶
縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜を用いること
が好ましい。
【０１０７】
また、酸化絶縁膜１０６の成膜方法は、酸化絶縁膜１０２と同様の成膜方法を適宜選択す
ることができる。なお、酸化絶縁膜１０６を形成する際において、酸化物半導体膜１０５
の側面から酸素の脱離量を低減するため、酸化絶縁膜１０６の成膜温度は、可能な限り低
い温度、好ましくは室温で成膜することが望ましい。
【０１０８】
なお、酸化物半導体膜１０５の側面において酸素脱離により酸素欠陥が生じたとしても、
酸化絶縁膜１０６として、熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を用いることで、後
の加熱処理により、酸化物半導体膜１０５の側面における酸素欠陥を低減することができ
る。
【０１０９】
次に、酸化絶縁膜１０６上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化絶縁膜１０６
を選択的にエッチングして、保護膜１０７を形成する。この後、マスクを除去する（図２
（Ｅ）参照）。保護膜１０７は、少なくとも、酸化物半導体膜１０５の端部を覆うため、
後の作製工程において、酸化物半導体膜１０５の側面が減圧雰囲気に曝されることがない
。また、後のエッチング工程において、酸化物半導体膜１０５の側壁がエッチャントに曝
されない。これらの結果、酸化物半導体膜１０５の側面からの酸素脱離、及びそれに伴う
酸素欠陥の生成を妨げることができる。また、酸化物半導体膜１０５の側面と、一対の電
極１０９とが接触しないため、酸化物半導体膜１０５の側面付近の領域におけるリーク電
流の発生を抑制することができる。
【０１１０】
次に、図３（Ａ）に示すように、印刷法またはインクジェット法により一対の電極１０９
を形成する。若しくは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で導電膜を形成した後、
該導電膜上にマスクを形成して導電膜をエッチングして、一対の電極１０９を形成する。
導電膜上に形成するマスクは、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を適宜
用いることができる。なお、マスクを用いて一対の電極１０９を形成した場合は、この後
マスクを除去する。
【０１１１】
次に、図３（Ｂ）に示すように、酸化物半導体膜１０５、保護膜１０７、及び一対の電極
１０９上に、ゲート絶縁膜１１１を形成した後、ゲート絶縁膜１１１上にゲート電極１１
３を形成する。
【０１１２】
ゲート絶縁膜１１１は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スパッタリング法などで形成する。
【０１１３】
ゲート電極１１３は、印刷法またはインクジェット法により形成する。若しくは、スパッ
タリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等で導電膜を形成した後、該導電膜上にマスクを形成して
導電膜をエッチングして、ゲート電極１１３を形成する。導電膜上に形成するマスクは、
印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を適宜用いることができる。なお、マ
スクを用いてゲート電極１１３を形成した場合は、この後マスクを除去する。
【０１１４】
次に、図３（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０５にドーパントを添加する処理を行
って、ドーパントを含む領域１１５、１１７を形成する。ゲート電極１１３及び一対の電
極１０９をマスクにしてドーパントを添加することにより、セルフアラインでドーパント
が添加されたドーパントを含む領域１１５、１１７、及びドーパントが添加されない酸化
物半導体領域１１９、１２１、１２３を形成することができる。なお、ドーパントを含む
領域１１５、１１７は、電界緩和領域として機能する。また、酸化物半導体領域１１９、
一対のドーパントを含む領域１１５、１１７、及び一対の酸化物半導体領域１２１、１２
３を酸化物半導体膜１２０と示す。
【０１１５】
酸化物半導体膜１０５にドーパントを添加する方法として、イオンドーピング法またはイ
オンインプランテーション法を用いることができる。また、添加するドーパントとしては
、窒素、リン、若しくは砒素などの１５族元素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、ク
リプトン、またはキセノンから少なくとも一つを選択する。ここでは、一対の電極１０９
及びゲート電極１１３がマスクとなるため、ドーパントが添加される領域であるドーパン
トを含む領域１１５、１１７、ゲート電極１１３と重畳すると共にドーパントを含む領域
１１５、１１７に挟まれる酸化物半導体領域１１９、一対の電極１０９に重畳すると共に
ドーパントを含む領域１１５、１１７を挟む酸化物半導体領域１２１、１２３をセルフア
ラインで形成することができる。
【０１１６】
また、上記酸化物半導体膜１０５へのドーパントの添加は、酸化物半導体膜１０５を覆っ
て、絶縁膜などが形成されている状態を示したが、酸化物半導体膜１０３が露出している
状態でドーパントの添加を行ってもよい。
【０１１７】
さらに、上記ドーパントの添加はイオンドーピング法またはイオンインプランテーション
法などによる注入以外の方法でも行うことができる。例えば、添加する元素を含むガス雰
囲気にてプラズマを発生させて、被添加物に対してプラズマ処理を行うことによって、ド
ーパントを添加することができる。上記プラズマを発生させる装置としては、ドライエッ
チング装置やプラズマＣＶＤ装置、高密度プラズマＣＶＤ装置などを用いることができる
。
【０１１８】
次に、絶縁膜１２５を形成し、加熱処理を行う。絶縁膜１２５は、例えば、熱酸化法、Ｃ
ＶＤ法またはスパッタリング法などで形成する。また、当該加熱処理の温度は、代表的に
は、１５０℃以上４５０℃以下、好ましくは２５０℃以上３２５℃以下とする。または、
２５０℃から３２５℃まで徐々に温度上昇させながら加熱してもよい。
【０１１９】
当該加熱処理により、保護膜１０７から酸化物半導体膜１２０に酸素が拡散し、酸化物半
導体膜１２０の側面における酸素欠陥を低減することができる。また、ドーパントを含む
領域１１５、１１７の抵抗を低減することができる。なお、当該加熱処理において、ドー
パントを含む領域１１５、１１７は、結晶状態でも非晶質状態でもよい。
【０１２０】
ここで、酸化物半導体膜の上面及び側面における酸素の欠損しやすさについて、以下のモ
デルを用いて計算を行い検証した結果について説明する。なお、ＣＡＡＣ酸化物半導体は
、一側面に複数の結晶面を有することから計算が複雑になる。そのため、ここではｃ軸に
配向したウルツ鉱構造であるＺｎＯ単結晶を用いて計算を行った。結晶のモデルとしては
、図２７に示すように、ｃ軸に平行な面と垂直な面でそれぞれ切断し、（００１）表面、
（１００）表面、及び（１１０）表面を作製した。
【０１２１】
表面構造を作製した後、図２８（Ａ）乃至図２８（Ｃ）に示すように（１００）表面、（
１１０）表面、及び（００１）表面から酸素が抜ける場合の計算を行い、その抜けやすさ
を各表面で比較した。
【０１２２】
結晶構造を（００１）面が表面になるように切断したモデルを作製した。ただし、計算は
３次元周期構造で行うため、（００１）表面が２つ存在する真空領域が１ｎｍのスラブモ
デルを作製した。同様にして、側面は（００１）面と垂直な面と想定されるため、側面の
一例として（１００）面と（１１０）面が表面に出たスラブモデルを作製した。この２つ
の面を計算することで、（００１）に垂直な面における酸素の抜けやすさの傾向を見るこ
とができる。この場合も真空領域は１ｎｍである。原子数は（１００）表面モデル、（１
１０）表面モデル、（００１）表面モデルでそれぞれ、６４、１０８、１０８原子とした
。また、上記３構造の表面から酸素を抜いた構造を作製した。
【０１２３】
計算には密度汎関数法のプログラムであるＣＡＳＴＥＰを用いた。密度汎関数の方法とし
て平面波基底擬ポテンシャル法を用い、汎関数はＧＧＡＰＢＥを用いた。始めにウルツ構
造の４原子のユニットセルにおいて、格子定数を含めた構造最適化を行った。次に、最適
化された構造をもとにして、表面構造を作製した。その後、作製した表面構造の酸素が欠
損有りの構造と欠損無しの構造において、格子定数を固定した構造最適化を行った。エネ
ルギーは構造最適化後のものを使用している。
【０１２４】
カットオフエネルギーとして、ユニットセルの計算では３８０ｅＶ、表面構造の計算では
３００ｅＶを用いた。ｋ点として、ユニットセルの計算では９×９×６、（１００）表面
モデルの計算では３×２×１、（１１０）表面モデルの計算では１×２×２、（００１）
表面モデルの計算では２×２×１を用いた。
【０１２５】
上記の表面構造に、酸素欠損有りの構造のエネルギーと酸素分子のエネルギーの半分を足
した値から、酸素欠損無しの構造のエネルギーを引いたエネルギー差（ここでは、束縛エ
ネルギーとよぶ。）を計算した。束縛エネルギーの小さい表面で酸素が抜けやすいと言え
る。
【０１２６】
【数２】
2020113794.tif 000004
【０１２７】
数式２により得られた各表面の束縛エネルギーを表１に示す。
【０１２８】
【表１】
2020113794.tif 000005
【０１２９】
表１に示す結果より、（００１）表面と比べ、（１００）表面及び（１１０）表面は束縛
エネルギーが小さく、酸素が抜けやすいと言える。即ち、表面に垂直な方向にｃ軸を有し
、該ｃ軸に配向したＺｎＯ膜は上面よりも側面の方が酸素が抜けやすいことが分かる。Ｃ
ＡＡＣ酸化物半導体の一例であるＺｎＯについても、様々な結晶面が混ざり合っているが
、ＺｎＯ単結晶と同種の結晶面を側面に有している。そのため、ＺｎＯ単結晶における酸
素の抜けやすさと同様の傾向があると言える。
【０１３０】
また、酸化物半導体膜を選択的にエッチングするとき、例えばドライエッチングにおいて
酸化物半導体膜の側面が塩素ラジカル、フッ素ラジカル等を含むプラズマに曝されると、
酸化物半導体膜の側面に露出する金属原子と、塩素ラジカル、フッ素ラジカル等とが結合
する。このとき、金属原子と塩素原子、フッ素原子が結合して脱離するため、酸化物半導
体膜中に当該金属原子と結合していた酸素原子が活性となる。活性となった酸素原子は容
易に反応し、脱離しやすい。そのため、酸化物半導体膜の側面には酸素欠損が生じやすい
。
【０１３１】
これらのため、本実施の形態で説明するトランジスタは、加熱により酸素の一部が脱離す
る酸化絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行って、酸化物半導体膜にお
ける酸素欠陥と、酸化絶縁膜及び酸化物半導体膜の界面における界面準位を低減すること
ができる。また、酸化物半導体膜を選択的にエッチングした後、エッチングされた酸化物
半導体膜の端部を覆う保護膜として、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を用い
て形成する。この結果、エッチングされた酸化物半導体膜の側面が減圧雰囲気及びエッチ
ャントに曝されないため、酸化物半導体膜の側面における酸素欠陥の生成を低減すること
ができる。さらに、この後の加熱工程により、保護膜から酸化物半導体膜に酸素拡散が生
じるため、酸化物半導体膜の側面に酸素欠陥が生じたとしても、当該酸素欠陥を補償する
ことができる。この結果、トランジスタのしきい値電圧のマイナスシフトを低減すると共
に、トランジスタのソース及びドレインにおけるリーク電流を低減することが可能であり
、トランジスタの電気特性を向上させることができる。
【０１３２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１と異なる作製方法により、図１に示すトランジスタを作
製する方法について、図３及び図４を用いて説明する。
【０１３３】
実施の形態１と同様に、図４（Ａ）に示すように、基板１０１上に酸化絶縁膜１０２を形
成する。次に、酸化絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜１０３を形成する。なお、酸化絶縁
膜１０２及び酸化物半導体膜１０３は連続的に形成することが好ましい。または、加熱装
置を有するマルチチャンバーのスパッタリング装置において、酸化絶縁膜１０２を形成し
た後、加熱装置で酸化絶縁膜１０２を加熱して水素を脱離させた後、酸化絶縁膜１０２上
に酸化物半導体膜１０３を形成してもよい。
【０１３４】
次に、該酸化物半導体膜１０３上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化物半導
体膜１０３を選択的にエッチングして、酸化物半導体膜１３１を形成する。この後、マス
クを除去する。次に、酸化物半導体膜１３１上に酸化絶縁膜１０６を形成する（図４（Ｂ
）参照）。酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１０６は、熱により酸素の一部が脱離する酸
化絶縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜としては、化学
量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜を用いることが好ましい。
【０１３５】
次に、基板１０１に加熱処理を施して、酸化物半導体膜１３１から水素を放出させると共
に、酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１０６に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜１
３１と、酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１０６における酸化物半導体膜１３１の界面近
傍とに拡散させる。この結果、図４（Ｃ）に示すように、水素濃度及び酸素欠陥が低減さ
れた酸化物半導体膜１０５を形成することができる。
【０１３６】
本実施の形態では、実施の形態１と比較して、酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１０６か
ら酸化物半導体膜１３１に酸素を拡散させる点が異なる。本実施の形態では、酸化物半導
体膜１３１の表面のみでなく、酸化物半導体膜１３１の側面も酸化絶縁膜１０６に覆われ
ているため、上記加熱処理により、酸化物半導体膜１３１における酸素欠陥、及び酸化物
半導体膜１３１及び酸化絶縁膜１０２、１０６との界面における界面準位を低減すると共
に、酸化物半導体膜１３１の側面における酸素欠陥に酸素が供給されるため、酸化物半導
体膜１３１の側面に酸素欠陥が生じたとしても、当該酸素欠陥を補償することができる。
【０１３７】
また、酸化絶縁膜１０６上にブロッキング膜を設けることで、上記加熱処理において、酸
化絶縁膜１０６から酸素が外部に放出するのを妨げることができる。ブロッキング膜とし
ては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜
、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、ダイヤモンドライクカーボン等が
ある。
【０１３８】
次に、酸化絶縁膜１０６上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化絶縁膜１０６
を選択的にエッチングして、保護膜１０７を形成する（図４（Ｄ）参照）。保護膜１０７
は、少なくとも、酸化物半導体膜１０５の端部を覆う。この結果、後の作製工程において
、酸化物半導体膜１０５の側面が減圧雰囲気に曝されることがない。また、後のエッチン
グ工程において、酸化物半導体膜１０５の側壁がエッチャントに曝されない。これらの結
果、酸化物半導体膜１０５の側面からの酸素脱離、及びそれに伴う酸素欠陥の生成を妨げ
ることができる。また、酸化物半導体膜１０５の側面と、一対の電極１０９とが接触しな
いため、酸化物半導体膜１０５の側面付近の領域におけるリーク電流の発生を抑制するこ
とができる。
【０１３９】
この後、図３の工程を経ることで、図１と同様に、しきい値電圧のマイナスシフトと、ソ
ース及びドレインにおけるリーク電流とが低減されたトランジスタを作製することができ
る。
【０１４０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２と異なるトランジスタの作製方法につ
いて、図３、図５及び図６を用いて説明する。ここでは、実施の形態１に示すトランジス
タの作製方法の別形態として説明するが、実施の形態２を適宜適用することができる。な
お、図６は、絶縁膜１４５の作製工程における上面図であり、図５（Ａ）は図６の一点鎖
線Ａ−Ｂの断面図に相当する。
【０１４１】
実施の形態１と同様に、図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）の工程の後、図５（Ａ）及び図６に示
すように、開口部１４１、１４３を有する絶縁膜１４５を形成する。次に、図５（Ｂ）に
示すように、酸化物半導体膜１０５及び絶縁膜１４５上に導電膜１４７を形成する。導電
膜１４７は、実施の形態１に示す一対の電極１０９の材料及び作製方法を適宜用いること
ができる。
【０１４２】
次に、実施の形態１と同様に、導電膜１４７上にマスクを形成した後、当該マスクを用い
て導電膜１４７を選択的にエッチングして、一対の電極１０９を形成する。次に、酸化物
半導体膜１０５の端部を覆うように絶縁膜１４５をエッチングして、保護膜１０７を形成
する。以上の工程により、酸化物半導体膜１０５の端部を覆う保護膜１０７と、酸化物半
導体膜１０５に接する一対の電極１０９を形成することができる。保護膜１０７は、酸化
物半導体膜１０５の端部を覆うため、後の作製工程において、酸化物半導体膜１０５の側
面が減圧雰囲気に曝されることがない。また、後のエッチング工程において、酸化物半導
体膜１０５の側壁がエッチャントに曝されない。これらの結果、酸化物半導体膜１０５の
側面からの酸素脱離、及びそれに伴う酸素欠陥の生成を妨げることができる。また、酸化
物半導体膜１０５の側面と、一対の電極１０９とが接触しないため、酸化物半導体膜１０
５の側面付近の領域におけるリーク電流の発生を抑制することができる。
【０１４３】
この後、実施の形態１と同様の工程により、図３の工程を経ることでしきい値電圧のマイ
ナスシフトと、ソース及びドレインにおけるリーク電流とが低減されたトランジスタを作
製することができる。
【０１４４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１及び実施の形態２と異なる構造のトランジスタの構造及
び作製方法について、図２、図３、図７、及び図８を用いて説明する。ここでは、実施の
形態１に示すトランジスタの作製方法の別形態として説明するが、実施の形態２に適宜適
用することができる。
【０１４５】
図７は、本実施の形態に示すトランジスタの上面図及び断面図である。図７（Ａ）は、本
実施の形態に示すトランジスタの上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の一点鎖線Ｅ
−Ｆに対応する断面図である。なお、図７（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、ト
ランジスタの構成要素の一部（例えば、絶縁膜１５３など）を省略している。
【０１４６】
図７に示すトランジスタは、基板１０１上に設けられる酸化絶縁膜１０２と、酸化絶縁膜
１０２上に設けられる酸化物半導体膜１２０と、酸化物半導体膜１２０の端部を覆うと共
に、一部がゲート絶縁膜として機能する保護膜１５０と、保護膜１５０上に形成され、且
つ酸化物半導体膜１２０に接する一対の電極１０９と、保護膜１５０上であって、且つ酸
化物半導体膜１２０と重畳するゲート電極１５１とを有する。また、一対の電極１０９、
酸化物半導体膜１２０、保護膜１５０、及びゲート電極１５１を覆う絶縁膜１５３を有す
る。また、絶縁膜１５３に設けられる開口部において、一対の電極１０９と接続する一対
の配線１５５を有する。また、酸化物半導体膜１２０は、ゲート電極１５１と重畳する酸
化物半導体領域１１９と、酸化物半導体領域１１９を挟む一対のドーパントを含む領域１
１５、１１７と、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７を挟み、且つ一対の電極１
０９と接する一対の酸化物半導体領域１２１、１２３を有する。なお、一対のドーパント
を含む領域１１５、１１７は電界緩和領域として機能し、一対の酸化物半導体領域１２１
、１２３はソース領域及びドレイン領域として機能する。
【０１４７】
本実施の形態では、保護膜１５０が、酸化物半導体膜１２０の端部を覆うと共に、ゲート
絶縁膜として用いることを特徴とする。この結果、工程数を削減することができる。なお
、ゲート電極１５１及び一対の電極１０９は同じ層で形成されているため、一部がゲート
電極１５１である走査線と、一対の電極１０９と接続する信号線が接触しないように、一
対の電極１０９に電気的に接続する一対の配線１５５と、一部がゲート電極１５１である
走査線とを絶縁膜１５３を介して交差させている。
【０１４８】
次に、図７に示すトランジスタの作製方法について、図２、図３、及び図８を用いて説明
する。
【０１４９】
実施の形態１と同様に、図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）の工程の後、図８（Ａ）に示すように
、開口部を有する絶縁膜１４５を形成した後、酸化物半導体膜１０５及び絶縁膜１４５上
に導電膜１４７を形成する。
【０１５０】
次に、導電膜１４７上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて導電膜１４７を選択的
にエッチングして、一対の電極１０９及びゲート電極１５１を形成する。この後、マスク
を除去する。次に、一対の電極１０９、絶縁膜１４５、及びゲート電極１５１上にマスク
を形成した後、一対の電極１０９及びゲート電極１５１に覆われていない絶縁膜１４５に
おいて、酸化物半導体膜１０５の端部を覆うように絶縁膜１４５をエッチングして、酸化
物半導体膜１０５の端部を覆うと共に、ゲート絶縁膜として機能する保護膜１５０を形成
する。この後、マスクを除去する。
【０１５１】
次に、実施の形態１と同様の工程により、図３（Ｃ）の工程により、酸化物半導体膜１０
５にドーパントを添加する処理を行って、ドーパントを含む領域１１５、１１７を形成す
る。ゲート電極１５１及び一対の電極１０９をマスクにしてドーパントを添加することに
より、セルフアラインでドーパントが添加されたドーパントを含む領域１１５、１１７、
及びドーパントが添加されない酸化物半導体領域１１９、１２１、１２３を形成すること
ができる。なお、ドーパントを含む領域１１５、１１７は、電界緩和領域として機能する
。また、酸化物半導体領域１１９、一対のドーパントを含む領域１１５、１１７、及び一
対の酸化物半導体領域１２１、１２３を酸化物半導体膜１２０と示す。
【０１５２】
次に、酸化物半導体膜１２０、一対の電極１０９、保護膜１５０上に絶縁膜１５３を形成
した後、絶縁膜１５３上にマスクを形成し、絶縁膜１５３を選択的にエッチングして開口
部を形成する。この後、マスクを除去する。次に、当該開口部において、一対の電極１０
９に接する一対の配線１５５を形成し、加熱処理を行う（図８（Ｃ）参照。）。当該加熱
処理により、保護膜１５０から酸化物半導体膜１２０に酸素が拡散し、酸化物半導体膜１
２０の側面における酸素欠陥を低減することができる。また、ドーパントを含む領域１１
５、１１７の抵抗を低減することができる。なお、当該加熱処理において、ドーパントを
含む領域１１５、１１７は、結晶状態でも非晶質状態でもよい。
【０１５３】
絶縁膜１５３は、実施の形態１に示す絶縁膜１２５と同様の材料及び形成方法を適宜用い
ることができる。または、絶縁膜１５３として、ポリイミド、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂等の有機樹脂を用いて形成してもよい。
【０１５４】
一対の配線１５５は、一対の電極１０９と同様の材料及び形成方法を適宜用いることがで
きる。
【０１５５】
以上の工程により、図７に示すような、しきい値電圧のマイナスシフトと、ソース及びド
レインにおけるリーク電流とが低減されたトランジスタを作製することができる。
【０１５６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態４と異なる構造のトランジスタ及びその
作製方法について、図９乃至図１１を用いて説明する。
【０１５７】
図９は、本実施の形態に示すトランジスタの上面図及び断面図である。図９（Ａ）は、本
実施の形態に示すトランジスタの上面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の一点鎖線Ｇ
−Ｈに対応する断面図であり、図９（Ｃ）は図９（Ａ）の一点鎖線Ｉ−Ｊに対応する断面
図である。なお、図９（Ａ）では、煩雑になることを避けるため、トランジスタの構成要
素の一部（例えば、ゲート絶縁膜２１１、絶縁膜２２５など）を省略している。
【０１５８】
図９（Ａ）に示すトランジスタは、基板１０１上に設けられる酸化絶縁膜１０２と、酸化
絶縁膜１０２上に設けられる酸化物半導体膜２２０と、酸化物半導体膜２２０に接する一
対の電極２０９と、酸化物半導体膜２２０の端部を覆うと共に、一対の電極２０９の一部
を覆う保護膜２０７と、保護膜２０７、一対の電極２０９、酸化物半導体膜２２０を覆う
ゲート絶縁膜２１１と、ゲート絶縁膜２１１上であって、且つ酸化物半導体膜２２０と重
畳するゲート電極２１３とを有する。また、ゲート絶縁膜２１１及びゲート電極２１３を
覆う絶縁膜２２５を有してもよい。また、酸化物半導体膜２２０は、ゲート電極２１３と
重畳する酸化物半導体領域２１９と、酸化物半導体領域２１９を挟む一対のドーパントを
含む領域２１５、２１７と、一対のドーパントを含む領域２１５、２１７を挟み、且つ一
対の電極２０９と接する一対の酸化物半導体領域２２１、２２３を有する。なお、酸化物
半導体領域２１９はチャネル領域として機能し、一対のドーパントを含む領域２１５、２
１７は電界緩和領域として機能し、一対の酸化物半導体領域２２１、２２３はソース領域
及びドレイン領域として機能する。
【０１５９】
なお、酸化物半導体膜２２０、一対の電極２０９、保護膜２０７、ゲート絶縁膜２１１、
ゲート電極２１３、及び絶縁膜２２５はそれぞれ、実施の形態１に示す酸化物半導体膜１
２０、一対の電極１０９、保護膜１０７、ゲート絶縁膜１１１、ゲート電極１１３、及び
絶縁膜１２５と同様の材料を適宜用いることができる。また、酸化物半導体領域２１９、
一対のドーパントを含む領域２１５、２１７、一対の酸化物半導体領域２２１、２２３は
それぞれ、実施の形態１に示す酸化物半導体領域１１９、一対のドーパントを含む領域１
１５、１１７、一対の酸化物半導体領域１２１、１２３と同様の材料を適宜用いることが
できる。
【０１６０】
次に、図９に示すトランジスタの作製方法について、図１０及び図１１を用いて説明する
。
【０１６１】
実施の形態１と同様に、図１０（Ａ）に示すように、基板１０１上に酸化絶縁膜１０２を
形成する。次に、酸化絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜１０３を形成する。なお、酸化絶
縁膜１０２及び酸化物半導体膜１０３は連続的に形成することが好ましい。または、加熱
装置を有するマルチチャンバーのスパッタリング装置において、酸化絶縁膜１０２を形成
した後、加熱装置で酸化絶縁膜１０２を加熱して水素を脱離させた後、酸化絶縁膜１０２
上に酸化物半導体膜１０３を形成してもよい。
【０１６２】
次に、基板１０１に加熱処理を施して、酸化物半導体膜からより水素を放出させると共に
、酸化絶縁膜１０２に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜と、酸化絶縁膜１０２にお
ける酸化物半導体膜の界面近傍とに拡散させる。この結果、図１０（Ｂ）に示すように、
水素濃度及び酸素欠陥が低減された酸化物半導体膜１０４を形成することができる。
【０１６３】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、酸化物半導体膜１０４上に、一対の電極２０９を形成
する。一対の電極２０９は、実施の形態１に示す一対の電極１０９と同様に形成すること
ができる。
【０１６４】
なお、本実施の形態では、酸化絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜１０３を形成した後、加
熱処理を行って酸化絶縁膜１０２に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜と、酸化絶縁
膜１０２における酸化物半導体膜の界面近傍に拡散させる処理を行ったが、上記一対の電
極２０９を形成するための導電膜を形成した後、上記加熱処理を行ってもよい。
【０１６５】
次に、酸化物半導体膜１０４及び一対の電極２０９上にマスクを形成した後、酸化物半導
体膜１０４を選択的にエッチングして、酸化物半導体膜２０５を形成する（図１０（Ｄ）
参照。）当該工程により、図９（Ａ）の酸化物半導体膜２２０で示すように、一対の電極
２０９と重畳し、且つ一部が露出する酸化物半導体膜２０５を形成することができる。こ
の後、マスクを除去する。なお、マスクを除去するために、剥離液を用いると、酸化物半
導体膜２０５の側面から酸素が脱離する場合があるため、マスクの除去方法としてアッシ
ングを用いてもよい。
【０１６６】
次に、図１１（Ａ）に示すように、酸化物半導体膜２０５及び一対の電極２０９上に酸化
絶縁膜２０６を形成する。酸化絶縁膜２０６は、実施の形態１に示す酸化絶縁膜１０６と
同様に、熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の
一部が脱離する酸化絶縁膜としては、化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸
化絶縁膜を用いることが好ましい。
【０１６７】
酸化物半導体膜２０５の側面において酸素脱離により酸素欠陥が生じたとしても、酸化絶
縁膜２０６として、熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を用いることで、後の加熱
処理により、酸化物半導体膜２０５の側面における酸素欠陥を低減することができる。
【０１６８】
次に、酸化絶縁膜２０６上にマスクを形成した後、当該マスクを用いて酸化絶縁膜２０６
を選択的にエッチングして、保護膜２０７を形成する。この後、マスクを除去する（図１
１（Ｂ）参照）。当該工程により、一対の電極２０９の一部を覆うと共に、一対の電極２
０９から露出した酸化物半導体膜２０５の端部を覆う保護膜２０７を形成することができ
る。この結果、後の作製工程において、酸化物半導体膜２０５の側面が減圧雰囲気に曝さ
れることがない。また、後のエッチング工程において、酸化物半導体膜２０５の側壁がエ
ッチャントに曝されない。さらには、一対の電極を形成した後、酸化物半導体膜１０４を
エッチングして酸化物半導体膜２０５を形成し、その後に酸化物半導体膜２０５の側面を
覆う絶縁膜を形成するため、一対の電極と重畳する酸化物半導体膜が形成される。これら
の結果、酸化物半導体膜２０５の側面からの酸素脱離、及びそれに伴う酸素欠陥の生成を
妨げることができる。酸化物半導体膜２０５の側面と、一対の電極２０９とが接触しない
ため、酸化物半導体膜２０５の側面付近の領域におけるリーク電流の発生を抑制すること
ができる。
【０１６９】
次に、図１１（Ｃ）に示すように、実施の形態１と同様に、酸化物半導体膜２０５、保護
膜２０７、及び一対の電極２０９上に、ゲート絶縁膜２１１を形成した後、ゲート絶縁膜
２１１上にゲート電極２１３を形成する。
【０１７０】
次に、図１１（Ｄ）に示すように、酸化物半導体膜２０５にドーパントを添加する処理を
行って、ドーパントを含む領域２１５、２１７を形成する。ゲート電極２１３及び一対の
電極２０９をマスクにしてドーパントを添加することにより、セルフアラインでドーパン
トが添加されたドーパントを含む領域２１５、２１７、及びドーパントが添加されない酸
化物半導体領域２１９、２２１、２２３を形成することができる。なお、ドーパントを含
む領域２１５、２１７は、電界緩和領域として機能する。
【０１７１】
次に、絶縁膜２２５を形成し、加熱処理を行う。当該加熱処理により、保護膜２０７から
酸化物半導体膜２０５に酸素が拡散し、酸化物半導体膜の側面における酸素欠陥を低減す
ることができる。また、酸化物半導体膜２０５からの酸素の脱離を低減すると共に、ドー
パントを含む領域２１５、２１７の抵抗を低減することができる。なお、当該加熱処理に
おいて、ドーパントを含む領域２１５、２１７は、結晶状態でも非晶質状態でもよい。
【０１７２】
以上の工程により、図９に示すような、しきい値電圧のマイナスシフトと、ソース及びド
レインにおけるリーク電流とが低減されたトランジスタを作製することができる。
【０１７３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態５と異なる構造のトランジスタについて
、図１２を用いて説明する。
【０１７４】
本実施の形態に示すトランジスタの断面構造について、図１２を用いて説明する。
【０１７５】
図１２に示すトランジスタは、基板１０１上に設けられる酸化絶縁膜１０２と、酸化絶縁
膜１０２上に設けられる一対の電極の一方１６１と、一対の電極の一方１６１と接する酸
化物半導体膜１６３と、酸化物半導体膜１６３の端部及び一対の電極の一方１６１の一部
を覆う保護膜１６５と、保護膜１６５上に形成され、且つ酸化物半導体膜１６３に接する
一対の電極の他方１６７と、保護膜１６５、酸化物半導体膜１６３、及び一対の電極の他
方１６７を覆うゲート絶縁膜１６９と、ゲート絶縁膜１６９を介して酸化物半導体膜１６
３と重畳するゲート電極１７１とを有する。また、ゲート絶縁膜１６９及びゲート電極１
７１を覆う絶縁膜１７３を有してもよい。
【０１７６】
酸化物半導体膜１６３は、ゲート電極１７１と重畳する酸化物半導体領域１７５と、酸化
物半導体領域１７５を挟む一対のドーパントを含む領域１７７、１７９と、一対のドーパ
ントを含む領域１７７、１７９を挟み、且つ一対の電極の一方１６１及び他方１６７と接
する一対の酸化物半導体領域１８１、１８３を有する。なお、酸化物半導体領域１７５は
チャネル領域として機能し、一対のドーパントを含む領域１７７、１７９は電界緩和領域
として機能し、一対の酸化物半導体領域１８１、１８３はソース領域及びドレイン領域と
して機能する。
【０１７７】
次に、本実施の形態に示すトランジスタの作製方法について、以下に説明する。ここでは
、実施の形態１に示すトランジスタの作製方法の応用形態として説明するが、実施の形態
２乃至実施の形態５に適宜適用することができる。
【０１７８】
本実施の形態に示すトランジスタは、酸化絶縁膜１０２上に酸化物半導体膜１０３を形成
する前に、一対の電極の一方１６１を形成する。次に、実施の形態１と同様の工程を経て
、選択的にエッチングされた酸化物半導体膜上に保護膜１６５を形成した後、一対の電極
の他方１６７を形成する。この後、実施の形態１と同様に、ゲート絶縁膜１６９、ゲート
電極１７１を形成する。次に、ゲート電極、保護膜１６５、及び一対の電極の他方１６７
をマスクとしてドーパントを添加することで、酸化物半導体領域１７５、一対のドーパン
トを含む領域１７７、１７９、及び一対の酸化物半導体領域１８１、１８３を有する酸化
物半導体膜１６３を形成することができる。また、この後、絶縁膜１７３を形成した後、
実施の形態１と同様に加熱処理を行ってもよい。
【０１７９】
以上の工程により、図１２に示すトランジスタを作製することができる。
【０１８０】
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態６と異なる保護膜の作製方法について、
図１３を用いて説明する。
【０１８１】
図１３（Ａ）に示すように、基板１０１上に酸化絶縁膜１０２を形成する。次に、後に保
護膜となる酸化絶縁膜１９１を酸化絶縁膜１０２上に形成する。なお、酸化絶縁膜１９１
は、図１３（Ｄ）に示すような、後に形成される酸化物半導体膜１９７が位置する領域に
おいて、酸化絶縁膜１０２を露出するように形成する。
【０１８２】
酸化絶縁膜１９１は、酸化絶縁膜１０２と同様に、熱により酸素の一部が脱離する酸化絶
縁膜を用いて形成する。加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜としては、化学量論
比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化絶縁膜を用いることが好ましい。
【０１８３】
次に、図１３（Ｂ）に示すように、酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１９１上に酸化物半
導体膜１９２を形成する。この後、実施の形態１と同様に、加熱処理を施して、酸化物半
導体膜１９２から水素を放出させると共に、酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１９１に含
まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜１９２と、酸化絶縁膜１０２及び酸化絶縁膜１９１
における酸化物半導体膜１９２の界面近傍とに拡散させる。この結果、図１３（Ｃ）に示
すように、水素濃度及び酸素欠陥が低減された酸化物半導体膜１９３を形成することがで
きる。（図１３（Ｃ）参照）。
【０１８４】
次に、少なくとも酸化物半導体膜１９３を研磨し、酸化絶縁膜１９１の厚さの影響を受け
ず、表面が平坦な酸化物半導体膜１９７と、酸化物半導体膜１９７と同様の厚さであり、
且つ表面が酸化物半導体膜１９７と同様に平坦である保護膜１９５を形成することができ
る。また、酸化物半導体膜１９７の側面は、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜
である保護膜１９５と接するため、酸化物半導体膜１９７の側面に酸素欠陥を有していて
も、後の加熱処理により酸素欠陥を低減することができる。
【０１８５】
なお、この結果、保護膜との表面における凹凸差が少なく、且つ側面の酸素欠陥を低減で
きる酸化物半導体膜を形成することができる。このため、後に酸化物半導体膜１９７上に
形成するゲート絶縁膜の厚さを薄くすることができる。また、後に形成するゲート電極の
加工精度を高めることができる。なお、本実施の形態においては、酸化絶縁膜１０２から
酸化物半導体膜への酸素供給方法として、実施の形態１を用いたが、実施の形態２と同様
に、酸化物半導体膜１９２上に酸化絶縁膜を形成した後、加熱処理して、酸化物半導体膜
１９２を挟む酸化絶縁膜から、酸化物半導体膜１９２に酸素を供給した後、酸化物半導体
膜及び該酸化物半導体膜上の酸化物絶縁膜の凸部をエッチングすることで、保護膜との表
面における凹凸差が少なく、且つ酸素欠陥を低減した酸化物半導体膜を形成することがで
きる。
【０１８６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、実施の形態１乃至実施の形態７に示す酸化物半導体膜１０３、１９２
にＣＡＡＣ酸化物半導体を用いて形成する方法について、説明する。なお、ここでは酸化
物半導体膜１０３を用いて説明する。
【０１８７】
ＣＡＡＣ酸化物半導体を用いて酸化物半導体膜１０３を形成する第１の方法について、以
下に説明する。
【０１８８】
ＣＡＡＣ酸化物半導体を用いて酸化物半導体膜１０３を形成する方法は、実施の形態１に
示す酸化物半導体膜１０３の方法において、スパッタリング法を用いる場合、基板温度を
１５０℃以上４５０℃以下、好ましくは２００℃以上３５０℃以下とすることで、酸化物
半導体膜中への水分（水素を含む）などの混入を防ぎつつ、結晶を含むＣＡＡＣ酸化物半
導体を形成することができる。
【０１８９】
上記形成方法によりＣＡＡＣ酸化物半導体を用いて酸化物半導体膜１０３を形成した後の
加熱処理により、酸化物半導体膜１０３からより水素を放出させると共に、酸化絶縁膜１
０２に含まれる酸素の一部を、酸化物半導体膜１０３と、酸化絶縁膜１０２及び酸化物半
導体膜１０３の界面近傍とに拡散させることができると共に、当該加熱処理により、より
結晶性の高いＣＡＡＣ酸化物半導体を有する酸化物半導体膜１０４を形成することができ
る。
【０１９０】
次に、ＣＡＡＣ酸化物半導体を用いて酸化物半導体膜１０３を形成する第２の方法につい
て、以下に説明する。
【０１９１】
酸化絶縁膜１０２上に第１の酸化物半導体膜を形成する。第１の酸化物半導体膜は、一原
子層以上１０ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上５ｎｍ以下とする。
【０１９２】
第１の酸化物半導体膜の形成時、基板温度を１５０℃以上４５０℃以下、好ましくは２０
０℃以上３５０℃以下とすることが好ましい。これにより、形成した第１の酸化物半導体
膜中に含まれる水分（水素を含む）などの不純物の混入を低減させることができる。さら
に、第１の酸化物半導体膜の結晶性を向上させることができ、配向性の高いＣＡＡＣ酸化
物半導体を用いて酸化物半導体膜を形成することができる。
【０１９３】
なお、第１の酸化物半導体膜の形成後、第１の加熱処理を行ってもよい。該第１の加熱処
理により、第１の酸化物半導体膜から、より水分（水素含む）を脱離させることができ、
さらに結晶性も向上させることができる。該第１の加熱処理を行うことにより、配向性の
高いＣＡＡＣ酸化物半導体を形成することができる。また、該第１の加熱処理は、２００
℃以上基板の歪み点未満、好ましくは２５０℃以上４５０℃以下とする。
【０１９４】
また該第１の加熱処理は、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）装置を
用いることができる。ＲＴＡを用いることで、短時間に限り、基板の歪み点以上の温度で
熱処理を行うことができる。そのため、非晶質領域に対して結晶領域の割合の多い酸化物
半導体膜を形成するための時間を短縮することができる。
【０１９５】
該第１の加熱処理は、不活性ガス雰囲気で行うことができ、代表的には、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン、クリプトン等の希ガス、または窒素雰囲気で行うことが好まし
い。また、酸素雰囲気及び減圧雰囲気で行ってもよい。処理時間は３分〜２４時間とする
。処理時間を長くするほど非晶質領域に対して結晶領域の割合の多い酸化物半導体膜を形
成することができるが、２４時間を超える熱処理は生産性の低下を招くため好ましくない
。
【０１９６】
次に、第１の酸化物半導体膜上に第２の酸化物半導体膜を成膜する。第２の酸化物半導体
膜は、第１の酸化物半導体膜と同様の方法で成膜することができる。
【０１９７】
第２の酸化物半導体膜を成膜する際、基板加熱しながら成膜することで、第１の酸化物半
導体膜を種結晶に、第２の酸化物半導体膜を結晶化させることができる。このとき、第１
の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜が同一の元素から構成されることをホモ成長と
いう。または、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物半導体膜とが、少なくとも一種以上
異なる元素から構成されることをヘテロ成長という。
【０１９８】
なお、第２の酸化物半導体膜を成膜した後、第２の加熱処理を行ってもよい。第２の加熱
処理は、第１の加熱処理と同様の方法で行えばよい。第２の加熱処理を行うことによって
、非晶質領域に対して結晶領域の割合の多い酸化物半導体膜とすることができる。または
、第２の加熱処理を行うことによって、第１の酸化物半導体膜を種結晶に、第２の酸化物
半導体膜を結晶化させることができる。このとき、第１の酸化物半導体膜と第２の酸化物
半導体膜が同一の元素から構成されるホモ成長としても構わない。または、第１の酸化物
半導体膜と第２の酸化物半導体膜とが、少なくとも一種以上異なる元素から構成されるヘ
テロ成長としても構わない。
【０１９９】
以上の方法で、ＣＡＡＣ酸化物半導体を用いて酸化物半導体膜１０３を形成することがで
きる。酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水となると共
に、酸素が脱離した格子（あるいは酸素が脱離した部分）には欠陥が形成されてしまう。
このため、酸化物半導体膜の成膜工程において、不純物を極めて減らすことにより、酸化
物半導体膜の欠陥を低減することが可能である。このため、不純物をできるだけ除去し、
高純度化させたＣＡＡＣ酸化物半導体を用いた酸化物半導体膜によってチャネル領域を形
成することにより、トランジスタに対する光照射やＢＴ試験前後でのしきい値電圧の変化
量が少ない安定した電気的特性を有することができる。
【０２００】
なお、上記第１の加熱処理及び第２の加熱処理において、酸化絶縁膜１０２から酸化物半
導体膜への酸素が拡散する場合がある。この場合は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）の間の加
熱処理を行わなくとも、酸化物半導体膜１０３の欠陥を低減することが可能であるため、
加熱工程数を削減することができる。
【０２０１】
（実施の形態９）
図１４（Ａ）に半導体装置を構成する記憶素子（以下、メモリセルとも記す）の回路図の
一例を示す。メモリセルは、酸化物半導体以外の材料（例えば、シリコン、ゲルマニウム
、炭化シリコン、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、有機化合物など）をチャネル形成領域に
用いたトランジスタ１１６０と酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ１
１６２によって構成される。
【０２０２】
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ１１６２は、実施の形態１乃至実
施の形態８に従って作製することができる。なお、酸化物半導体をチャネル形成領域に用
いたトランジスタを、図中においてＯＳと示す。
【０２０３】
図１４（Ａ）に示すように、トランジスタ１１６０のゲート電極と、トランジスタ１１６
２のソース電極またはドレイン電極の一方とは、電気的に接続されている。また、第１の
配線ＳＬ（１ｓｔ  Ｌｉｎｅ：ソース線とも呼ぶ）とトランジスタ１１６０のソース電極
とは、電気的に接続され、第２の配線ＢＬ（２ｎｄ  Ｌｉｎｅ：ビット線とも呼ぶ）とト
ランジスタ１１６０のドレイン電極とは、電気的に接続されている。そして、第３の配線
Ｓ１（３ｒｄ  Ｌｉｎｅ：第１信号線とも呼ぶ）とトランジスタ１１６２のソース電極ま
たはドレイン電極の他方とは、電気的に接続され、第４の配線Ｓ２（４ｔｈ  Ｌｉｎｅ：
第２信号線とも呼ぶ）と、トランジスタ１１６２のゲート電極とは、電気的に接続されて
いる。
【０２０４】
酸化物半導体以外の材料、例えば単結晶シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジス
タ１１６０は十分な高速動作が可能なため、トランジスタ１１６０を用いることにより、
記憶内容の読み出しなどを高速に行うことが可能である。また、酸化物半導体をチャネル
形成領域に用いたトランジスタ１１６２は、トランジスタ１１６０に比べてオフ電流が小
さいという特徴を有している。このため、トランジスタ１１６２をオフ状態とすることで
、トランジスタ１１６０のゲート電極の電位を極めて長時間にわたって保持することが可
能である。
【０２０５】
ゲート電極の電位が保持可能という特徴を生かすことで、次のように、情報の書き込み、
保持、読み出しが可能である。
【０２０６】
はじめに、情報の書き込み及び保持について説明する。まず、第４の配線Ｓ２の電位を、
トランジスタ１１６２がオン状態となる電位として、トランジスタ１１６２をオン状態と
する。これにより、第３の配線Ｓ１の電位が、トランジスタ１１６０のゲート電極に与え
られる（書き込み）。その後、第４の配線Ｓ２の電位を、トランジスタ１１６２がオフ状
態となる電位として、トランジスタ１１６２をオフ状態とすることにより、トランジスタ
１１６０のゲート電極の電位が保持される（保持）。
【０２０７】
トランジスタ１１６２のオフ電流は極めて小さいため、トランジスタ１１６０のゲート電
極の電位は長時間にわたって保持される。例えば、トランジスタ１１６０のゲート電極の
電位がトランジスタ１１６０をオン状態とする電位であれば、トランジスタ１１６０のオ
ン状態が長時間にわたって保持されることになる。また、トランジスタ１１６０のゲート
電極の電位がトランジスタ１１６０をオフ状態とする電位であれば、トランジスタ１１６
０のオフ状態が長時間にわたって保持される。
【０２０８】
次に、情報の読み出しについて説明する。上述のように、トランジスタ１１６０のオン状
態またはオフ状態が保持された状態において、第１の配線ＳＬに所定の電位（定電位）が
与えられると、トランジスタ１１６０のオン状態またはオフ状態に応じて、第２の配線Ｂ
Ｌの電位は異なる値をとる。例えば、トランジスタ１１６０がオン状態の場合には、第１
の配線ＳＬの電位に対して、第２の配線ＢＬの電位が近づくことになる。また、トランジ
スタ１１６０がオフ状態の場合には、第２の配線ＢＬの電位は変化しない。
【０２０９】
このように、情報が保持された状態において、第２の配線ＢＬの電位と、所定の電位とを
比較することで、情報を読み出すことができる。
【０２１０】
次に、情報の書き換えについて説明する。情報の書き換えは、上記情報の書き込み及び保
持と同様に行われる。つまり、第４の配線Ｓ２の電位を、トランジスタ１１６２がオン状
態となる電位として、トランジスタ１１６２をオン状態とする。これにより、第３の配線
Ｓ１の電位（新たな情報に係る電位）が、トランジスタ１１６０のゲート電極に与えられ
る。その後、第４の配線Ｓ２の電位を、トランジスタ１１６２がオフ状態となる電位とし
て、トランジスタ１１６２をオフ状態とすることにより、新たな情報が保持された状態と
なる。
【０２１１】
このように、開示する発明に係るメモリセルは、再度の情報の書き込みによって直接的に
情報を書き換えることが可能である。このためフラッシュメモリなどにおいて必要とされ
る消去動作が不要であり、消去動作に起因する動作速度の低下を抑制することができる。
つまり、メモリセルを有する半導体装置の高速動作が実現される。
【０２１２】
また、図１４（Ａ）のメモリセルを発展させたメモリセルの回路図の一例を図１４（Ｂ）
に示す。
【０２１３】
図１４（Ｂ）に示すメモリセル１１００は、第１の配線ＳＬ（ソース線）と、第２の配線
ＢＬ（ビット線）と、第３の配線Ｓ１（第１信号線）と、第４の配線Ｓ２（第２信号線）
と、第５の配線ＷＬ（ワード線）と、トランジスタ１１６４（第１のトランジスタ）と、
トランジスタ１１６１（第２のトランジスタ）と、トランジスタ１１６３（第３のトラン
ジスタ）と、から構成されている。トランジスタ１１６４及びトランジスタ１１６３は、
酸化物半導体以外の材料をチャネル形成領域に用いており、トランジスタ１１６１は酸化
物半導体をチャネル形成領域に用いている。
【０２１４】
ここで、トランジスタ１１６４のゲート電極と、トランジスタ１１６１のソース電極また
はドレイン電極の一方とは、電気的に接続されている。また、第１の配線ＳＬと、トラン
ジスタ１１６４のソース電極とは、電気的に接続され、トランジスタ１１６４のドレイン
電極と、トランジスタ１１６３のソース電極とは、電気的に接続されている。そして、第
２の配線ＢＬと、トランジスタ１１６３のドレイン電極とは、電気的に接続され、第３の
配線Ｓ１と、トランジスタ１１６１のソース電極またはドレイン電極の他方とは、電気的
に接続され、第４の配線Ｓ２と、トランジスタ１１６１のゲート電極とは、電気的に接続
され、第５の配線ＷＬと、トランジスタ１１６３のゲート電極とは電気的に接続されてい
る。
【０２１５】
次に、回路の動作の具体的な例について説明する。なお、以下の説明で例示する電位、電
圧等の数字は適宜変更しても構わない。
【０２１６】
メモリセル１１００への書込みを行う場合は、第１の配線ＳＬを０Ｖ、第５の配線ＷＬを
０Ｖ、第２の配線ＢＬを０Ｖ、第４の配線Ｓ２を２Ｖとする。データ”１”を書き込む場
合には第３の配線Ｓ１を２Ｖ、データ”０”を書き込む場合には第３の配線Ｓ１を０Ｖと
する。このとき、トランジスタ１１６３はオフ状態、トランジスタ１１６１はオン状態と
なる。なお、書き込み終了にあたっては、第３の配線Ｓ１の電位を変化させる前に、第４
の配線Ｓ２を０Ｖとして、トランジスタ１１６１をオフ状態にする。
【０２１７】
その結果、データ”１”書込み後にはトランジスタ１１６４のゲート電極に接続されるノ
ード（以下、ノードＡ）の電位が約２Ｖ、データ”０”書込み後にはノードＡの電位が約
０Ｖとなる。ノードＡには、第３の配線Ｓ１の電位に応じた電荷が蓄積されるが、上述し
たようにトランジスタ１１６１のオフ電流は極めて小さいため、トランジスタ１１６４の
ゲート電極の電位は長時間にわたって保持される。
【０２１８】
次に、メモリセルの読み出しを行う場合は、第１の配線ＳＬを０Ｖ、第５の配線ＷＬを２
Ｖ、第４の配線Ｓ２を０Ｖ、第３の配線Ｓ１を０Ｖとし、第２の配線ＢＬに接続されてい
る読出し回路を動作状態とする。このとき、トランジスタ１１６３はオン状態、トランジ
スタ１１６１はオフ状態となる。
【０２１９】
データ”０”、つまりノードＡが約０Ｖの状態であればトランジスタ１１６４はオフ状態
であるから、第２の配線ＢＬと第１の配線ＳＬ間の抵抗は高い状態となる。一方、データ
”１”、つまりノードＡが約２Ｖの状態であればトランジスタ１１６４がオン状態である
から、第２の配線ＢＬと第１の配線ＳＬ間の抵抗は低い状態となる。読出し回路は、メモ
リセルの抵抗状態の違いから、データ”０”，”１”を読み出すことができる。なお、書
込み時の第２の配線ＢＬは０Ｖとしたが、フローティング状態や０Ｖ以上の電位に充電さ
れていても構わない。読み出し時の第３の配線Ｓ１は０Ｖとしたが、フローティング状態
や０Ｖ以上の電位に充電されていても構わない。
【０２２０】
なお、データ”１”とデータ”０”は便宜上の定義であって、逆であっても構わない。ま
た、上述した動作電圧は一例である。動作電圧は、データ”０”の場合にトランジスタ１
１６４がオフ状態となり、データ”１”の場合にトランジスタ１１６４がオン状態となる
ように、また、書込み時にトランジスタ１１６１がオン状態、書込み時以外ではオフ状態
となるように、また、読み出し時にトランジスタ１１６３がオン状態となるように選べば
よい。特に２Ｖの代わりに、周辺の論理回路の電源電位ＶＤＤを用いてもよい。
【０２２１】
本実施の形態では理解の簡単のため、最小記憶単位（１ビット）のメモリセルについて説
明したが、メモリセルの構成はこれに限られるものではない。複数のメモリセルを適当に
接続して、より高度な半導体装置を構成することもできる。例えば、上記メモリセルを複
数用いて、ＮＡＮＤ型やＮＯＲ型の半導体装置を構成することが可能である。配線の構成
も図１４（Ａ）や図１４（Ｂ）に限定されず、適宜変更することができる。
【０２２２】
図１５に、ｍ×ｎビットの記憶容量を有する本発明の一態様に係る半導体装置のブロック
回路図を示す。
【０２２３】
図１５に示す半導体装置は、ｍ本の第５の配線ＷＬ（１）〜ＷＬ（ｍ）及びｍ本の第４の
配線Ｓ２（１）〜Ｓ２（ｍ）と、ｎ本の第２の配線ＢＬ（１）〜ＢＬ（ｎ）及びｎ本の第
３の配線Ｓ１（１）〜Ｓ１（ｎ）と、マトリクス状に配置された縦ｍ個（行）×横ｎ個（
列）（ｍ、ｎは自然数）のメモリセル１１００（１、１）〜１１００（ｍ、ｎ）を有する
メモリセルアレイ１１１０と、第２の配線ＢＬ及び第３の配線Ｓ１と接続する駆動回路１
１１１や、第４の配線Ｓ２及び第５の配線ＷＬと接続する駆動回路１１１３や、読出し回
路１１１２といった周辺回路によって構成されている。他の周辺回路として、リフレッシ
ュ回路等が設けられてもよい。
【０２２４】
各メモリセルの代表として、メモリセル１１００（ｉ、ｊ）を考える。ここで、メモリセ
ル１１００（ｉ、ｊ）（ｉは１以上ｍ以下の整数、ｊは１以上ｎ以下の整数）は、第２の
配線ＢＬ（ｊ）、第３の配線Ｓ１（ｊ）、第５の配線ＷＬ（ｉ）及び第４の配線Ｓ２（ｉ
）、及び第１の配線にそれぞれ接続されている。第１の配線ＳＬには第１の配線電位Ｖｓ
が与えられている。また、第２の配線ＢＬ（１）〜ＢＬ（ｎ）及び第３の配線Ｓ１（１）
〜Ｓ１（ｎ）は第２の配線ＢＬ及び第３の配線Ｓ１と接続する駆動回路１１１１及び読出
し回路１１１２に、第５の配線ＷＬ（１）〜ＷＬ（ｍ）及び第４の配線Ｓ２（１）〜Ｓ２
（ｍ）は第４の配線Ｓ２及び第５の配線ＷＬを介して駆動回路１１１３にそれぞれ接続さ
れている。
【０２２５】
図１５に示した半導体装置の動作について説明する。本構成では、行ごとの書込み及び読
出しを行う。
【０２２６】
第ｉ行のメモリセル１１００（ｉ、１）〜１１００（ｉ、ｎ）に書込みを行う場合は、第
１の配線ＳＬの電位Ｖｓを０Ｖ、第５の配線ＷＬ（ｉ）を０Ｖ、第２の配線ＢＬ（１）〜
ＢＬ（ｎ）を０Ｖ、第４の配線Ｓ２（ｉ）を２Ｖとする。このときトランジスタ１１６１
は、オン状態となる。第３の配線Ｓ１（１）〜Ｓ１（ｎ）は、データ”１”を書き込む列
は２Ｖ、データ”０”を書き込む列は０Ｖとする。なお、書き込み終了にあたっては、第
３の配線Ｓ１（１）〜Ｓ１（ｎ）の電位を変化させる前に、第４の配線Ｓ２（ｉ）を０Ｖ
として、トランジスタ１１６１をオフ状態にする。また、非選択の第５の配線は０Ｖ、非
選択の第４の配線は０Ｖとする。
【０２２７】
その結果、データ”１”の書込みを行ったメモリセルのトランジスタ１１６４のゲート電
極に接続されるノード（以下、ノードＡ）の電位は約２Ｖ、データ”０”の書込みを行っ
たメモリセルのノードＡの電位は約０Ｖとなる。また、非選択メモリセルのノードＡの電
位は変わらない。
【０２２８】
第ｉ行のメモリセル１１００（ｉ、１）〜１１００（ｉ、ｎ）の読み出しを行う場合は、
第１の配線の電位Ｖｓを０Ｖ、第５の配線ＷＬ（ｉ）を２Ｖ、第４の配線Ｓ２（ｉ）を０
Ｖ、第３の配線Ｓ１（１）〜Ｓ１（ｎ）を０Ｖとし、第２の配線ＢＬ（１）〜ＢＬ（ｎ）
に接続されている読出し回路を動作状態とする。読出し回路では、例えば、メモリセルの
抵抗状態の違いから、データ”０”，”１”を読み出すことができる。なお、第５の配線
ＷＬ（ｉ）以外の第５の配線ＷＬは０Ｖ、第４の配線Ｓ２（ｉ）以外の第４の配線Ｓ２は
０Ｖとする。なお、書込み時の第２の配線ＢＬは０Ｖとしたが、フローティング状態や０
Ｖ以上の電位に充電されていても構わない。読出し時の第３の配線Ｓ１は０Ｖとしたが、
フローティング状態や０Ｖ以上の電位に充電されていても構わない。
【０２２９】
本実施の形態によって、酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタと接続するノ
ードの電位を極めて長時間にわたって保持することが可能であるため、小さい消費電力に
て、情報の書き込み、保持、読み出しが可能なメモリセルを作製することができる。
【０２３０】
（実施の形態１０）
本実施の形態では、容量素子を有するメモリセルの回路図の一例を示す。図１６（Ａ）に
示すメモリセル１１７０は、第１の配線ＳＬ、第２の配線ＢＬ、第３の配線Ｓ１、第４の
配線Ｓ２と、第５の配線ＷＬと、トランジスタ１１７１（第１のトランジスタ）と、トラ
ンジスタ１１７２（第２のトランジスタ）と、容量素子１１７３とから構成されている。
トランジスタ１１７１は、酸化物半導体以外の材料をチャネル形成領域に用いており、ト
ランジスタ１１７２はチャネル形成領域に酸化物半導体を用いている。
【０２３１】
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタ１１７２は、実施の形態１乃至８
に従って作製することができる。
【０２３２】
ここで、トランジスタ１１７１のゲート電極と、トランジスタ１１７２のソース電極また
はドレイン電極の一方と、容量素子１１７３の一方の電極とは、電気的に接続されている
。また、第１の配線ＳＬと、トランジスタ１１７１のソース電極とは、電気的に接続され
、第２の配線ＢＬと、トランジスタ１１７１のドレイン電極とは、電気的に接続され、第
３の配線と、トランジスタ１１７２のソース電極またはドレイン電極の他方とは、電気的
に接続され、第４の配線と、トランジスタ１１７２のゲート電極とは、電気的に接続され
、第５の配線と、容量素子１１７３の他方の電極とは、電気的に接続されている。
【０２３３】
次に、回路の動作について具体的に説明する。
【０２３４】
メモリセル１１７０への書込みを行う場合は、第１の配線ＳＬを０Ｖ、第５の配線ＷＬを
０Ｖ、第２の配線ＢＬを０Ｖ、第４の配線Ｓ２を２Ｖとする。データ”１”を書き込む場
合には第３の配線Ｓ１を２Ｖ、データ”０”を書き込む場合には第３の配線Ｓ１を０Ｖと
する。このとき、トランジスタ１１７２はオン状態となる。なお、書き込み終了にあたっ
ては、第３の配線Ｓ１の電位を変化させる前に、第４の配線Ｓ２を０Ｖとして、トランジ
スタ１１７２をオフ状態にする。
【０２３５】
その結果、データ”１”の書込み後にはトランジスタ１１７１のゲート電極に接続される
ノード（以下、ノードＡ）の電位が約２Ｖ、データ”０”の書込み後にはノードＡの電位
が約０Ｖとなる。
【０２３６】
メモリセル１１７０の読み出しを行う場合は、第１の配線ＳＬを０Ｖ、第５の配線ＷＬを
２Ｖ、第４の配線Ｓ２を０Ｖ、第３の配線Ｓ１を０Ｖとし、第２の配線ＢＬに接続されて
いる読出し回路を動作状態とする。このとき、トランジスタ１１７２は、オフ状態となる
。
【０２３７】
第５の配線ＷＬを２Ｖとした場合のトランジスタ１１７１の状態について説明する。トラ
ンジスタ１１７１の状態を決めるノードＡの電位は、第５の配線ＷＬ−ノードＡ間の容量
Ｃ１と、トランジスタ１１７１のゲート電極−ソース電極とドレイン電極間の容量Ｃ２に
依存する。
【０２３８】
なお、読出し時の第３の配線Ｓ１は０Ｖとしたが、フローティング状態や０Ｖ以上の電位
に充電されていても構わない。データ”１”とデータ”０”は便宜上の定義であって、逆
であっても構わない。
【０２３９】
書き込み時の第３の配線Ｓ１の電位は、書込み後にトランジスタ１１７２がオフ状態とな
り、また、第５の配線ＷＬ電位が０Ｖの場合にトランジスタ１１７１がオフ状態である範
囲で、データ”０”、”１”の電位をそれぞれ選べばよい。読出し時の第５の配線ＷＬ電
位は、データ”０”の場合にトランジスタ１１７１がオフ状態となり、データ”１”の場
合にトランジスタ１１７１がオン状態となるように選べばよい。例えば、トランジスタ１
１７１のしきい値電圧とすればよい。上述したトランジスタ１１７１の状態を変えない範
囲であれば、どのようなしきい値電圧でも構わない。
【０２４０】
また、第１のゲート電極、及び第２のゲート電極を有する選択トランジスタと、容量素子
を有するメモリセルを用いるＮＯＲ型の半導体記憶装置の例について図１６（Ｂ）を用い
て説明する。
【０２４１】
図１６（Ｂ）に示すメモリセルアレイは、ｉ行（ｉは３以上の自然数。）ｊ列（ｊは３以
上の自然数。）にマトリクス状に配列された複数のメモリセル１１８０と、ｉ本のワード
線ＷＬ（ワード線ＷＬ＿１〜ＷＬ＿ｉ）と、ｉ本の容量線ＣＬ（容量線ＣＬ＿１〜ＣＬ＿
ｉ）と、ｉ本のゲート線ＢＧＬ（ゲート線ＢＧＬ＿１〜ＢＧＬ＿ｉ）と、ｊ本のビット線
ＢＬ（ビット線ＢＬ＿１〜ＢＬ＿ｊ）と、ソース線ＳＬと、を具備する。ここで、ｉ及び
ｊは便宜上３以上の自然数としているが、本実施の形態に示すメモリセルアレイの行数及
び列数は、それぞれ３以上に限定されるものではない。１行又は１列のメモリセルアレイ
としてもよいし、２行又は２列のメモリセルアレイとしてもよい。
【０２４２】
図１６（Ｂ）に示すメモリセルアレイは、ｉ行（ｉは３以上の自然数）ｊ列（ｊは３以上
の自然数）にマトリクス状に配列された複数のメモリセル１１８０と、ｉ本のワード線Ｗ
Ｌ（ワード線ＷＬ＿１乃至ワード線ＷＬ＿ｉ）と、ｉ本の容量線ＣＬ（容量線ＣＬ＿１乃
至容量線ＣＬ＿ｉ）と、ｉ本のゲート線ＢＧＬ（ゲート線ＢＧＬ＿１乃至ゲート線ＢＧＬ
＿ｉ）と、ｊ本のビット線ＢＬ（ビット線ＢＬ＿１乃至ビット線ＢＬ＿ｊ）と、ソース線
ＳＬと、を具備する。
【０２４３】
さらに、複数のメモリセル１１８０のそれぞれ（メモリセル１１８０（Ｍ，Ｎ）（ただし
、Ｎは１以上ｊ以下の自然数、Ｍは１以上ｉ以下の自然数）ともいう）は、トランジスタ
１１８１（Ｍ，Ｎ）と、容量素子１１８３（Ｍ，Ｎ）と、トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ
）と、を備える。
【０２４４】
なお、半導体記憶装置において、容量素子は、第１の容量電極、第２の容量電極、並びに
第１の容量電極及び第２の容量電極に重畳する誘電体層により構成される。容量素子は、
第１の容量電極及び第２の容量電極の間に印加される電圧に応じて電荷が蓄積される。
【０２４５】
トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）は、ｎチャネル型トランジスタであり、ソース電極、ド
レイン電極、第１のゲート電極、及び第２のゲート電極を有する。なお、本実施の形態の
半導体記憶装置において、必ずしもトランジスタ１１８１をｎチャネル型トランジスタに
しなくてもよい。
【０２４６】
トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）のソース電極及びドレイン電極の一方は、ビット線ＢＬ
＿Ｎに接続され、トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）の第１のゲート電極は、ワード線ＷＬ
＿Ｍに接続され、トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）の第２のゲート電極は、ゲート線ＢＧ
Ｌ＿Ｍに接続される。トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）のソース電極及びドレイン電極の
一方がビット線ＢＬ＿Ｎに接続される構成にすることにより、メモリセル毎に選択的にデ
ータを読み出すことができる。
【０２４７】
トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）は、メモリセル１１８０（Ｍ，Ｎ）において選択トラン
ジスタとしての機能を有する。
【０２４８】
トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）としては、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたト
ランジスタを用いることができる。また、トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）において、ソ
ース電極、ドレイン電極、及びチャネル形成領域、並びに第１のゲート電極または第２の
ゲート電極は、実施の形態１乃至８に示す、一対の電極、酸化物半導体膜、及びゲート電
極の、構造及び作製方法を適宜適用することができる。
【０２４９】
トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ）は、Ｐチャネル型トランジスタである。なお、本実施の
形態の半導体記憶装置において、必ずしもトランジスタ１１８２をｐチャネル型トランジ
スタにしなくてもよい。
【０２５０】
トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ）のソース電極及びドレイン電極の一方は、ソース線ＳＬ
に接続され、トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ）のソース電極及びドレイン電極の他方は、
ビット線ＢＬ＿Ｎに接続され、トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ）のゲート電極は、トラン
ジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）のソース電極及びドレイン電極の他方に接続される。
【０２５１】
トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ）は、メモリセル１１８０（Ｍ，Ｎ）において、出力トラ
ンジスタとしての機能を有する。トランジスタ１１８２（Ｍ，Ｎ）としては、例えば単結
晶シリコンをチャネル形成領域に用いるトランジスタを用いることができる。
【０２５２】
容量素子１１８３（Ｍ，Ｎ）の第１の容量電極は、容量線ＣＬ＿Ｍに接続され、容量素子
１１８３（Ｍ，Ｎ）の第２の容量電極は、トランジスタ１１８１（Ｍ，Ｎ）のソース電極
及びドレイン電極の他方に接続される。なお、容量素子１１８３（Ｍ，Ｎ）は、保持容量
としての機能を有する。
【０２５３】
ワード線ＷＬ＿１乃至ワード線ＷＬ＿ｉのそれぞれの電圧は、例えばデコーダを用いた駆
動回路により制御される。
【０２５４】
ビット線ＢＬ＿１乃至ビット線ＢＬ＿ｊのそれぞれの電圧は、例えばデコーダを用いた駆
動回路により制御される。
【０２５５】
容量線ＣＬ＿１乃至容量線ＣＬ＿ｉのそれぞれの電圧は、例えばデコーダを用いた駆動回
路により制御される。
【０２５６】
ゲート線ＢＧＬ＿１乃至ゲート線ＢＧＬ＿ｉのそれぞれの電圧は、例えばゲート線駆動回
路を用いて制御される。
【０２５７】
ゲート線駆動回路は、例えばダイオード及び第１の容量電極がダイオードのアノード及び
ゲート線ＢＧＬに電気的に接続される容量素子を備える回路により構成される。
【０２５８】
トランジスタ１１８１の第２のゲート電極の電圧を調整することにより、トランジスタ１
１８１の閾値電圧を調整することができる。従って、選択トランジスタとして機能するト
ランジスタ１１８１の閾値電圧を調整し、オフ状態におけるトランジスタ１１８１のソー
ス電極及びドレイン電極の間に流れる電流を極力小さくすることができる。よって、記憶
回路におけるデータの保持期間を長くすることができる。また、データの書き込み及び読
み出しに必要な電圧を従来の半導体装置より低くすることができるため、消費電力を低減
することができる。
【０２５９】
本実施の形態によって、酸化物半導体をチャネル領域に用いたトランジスタに接続するノ
ードの電位を極めて長時間にわたって保持することが可能であるため、小さい消費電力に
て、情報の書き込み、保持、読み出しが可能なメモリセルを作製することができる。なお
、図１６（Ｂ）に示すメモリセルアレイにおいて、メモリセル１１８０の代わりに、図１
６（Ａ）に示すメモリセル１１７０を用いることができる。なお、この際、メモリセル１
１７０に合わせて、適宜配線を設ける。
【０２６０】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２６１】
（実施の形態１１）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すトランジスタを用いた半導体装置の例について
、図１７を参照して説明する。
【０２６２】
図１７（Ａ）には、いわゆるＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  
Ｍｅｍｏｒｙ）に相当する構成の半導体装置の一例を示す。図１７（Ａ）に示すメモリセ
ルアレイ１１２０は、複数のメモリセル１１３０がマトリクス状に配列された構成を有し
ている。また、メモリセルアレイ１１２０は、ｍ本の第１の配線ＢＬ、及びｎ本の第２の
配線ＷＬを有する。なお、本実施の形態においては、第１の配線ＢＬをビット線ＢＬと呼
び、第２の配線ＷＬをワード線ＷＬと呼ぶ。
【０２６３】
メモリセル１１３０は、トランジスタ１１３１と、容量素子１１３２と、から構成されて
いる。トランジスタ１１３１のゲート電極は、第２の配線ＷＬ（ワード線ＷＬ）と接続さ
れている。また、トランジスタ１１３１のソース電極またはドレイン電極の一方は、第１
の配線ＢＬ（ビット線ＢＬ）と接続されており、トランジスタ１１３１のソース電極また
はドレイン電極の他方は、容量素子の電極の一方と接続されている。また、容量素子の電
極の他方は容量線ＣＬと接続され、一定の電位が与えられている。トランジスタ１１３１
には、先の実施の形態に示すトランジスタが適用される。
【０２６４】
先の実施の形態において示した酸化物半導体をチャネル形成領域に用いるトランジスタは
、単結晶シリコンをチャネル形成領域に用いたトランジスタに比べてオフ電流が小さいと
いう特徴を有する。このため、いわゆるＤＲＡＭとして認識されている図１７（Ａ）に示
す半導体装置に当該トランジスタを適用する場合、実質的な不揮発性メモリを得ることが
可能である。
【０２６５】
図１７（Ｂ）には、いわゆるＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍ
ｅｍｏｒｙ）に相当する構成の半導体装置の一例を示す。図１７（Ｂ）に示すメモリセル
アレイ１１４０は、複数のメモリセル１１５０がマトリクス状に配列された構成とするこ
とができる。また、メモリセルアレイ１１４０は、第１の配線ＢＬ、第２の配線ＢＬＢ（
反転ビット線）、第３の配線ＷＬ、電源線Ｖｄｄ、及び接地電位線Ｖｓｓを有する。
【０２６６】
メモリセル１１５０は、第１のトランジスタ１１５１、第２のトランジスタ１１５２、第
３のトランジスタ１１５３、第４のトランジスタ１１５４、第５のトランジスタ１１５５
、及び第６のトランジスタ１１５６を有している。第１のトランジスタ１１５１と第２の
トランジスタ１１５２は、選択トランジスタとして機能する。また、第３のトランジスタ
１１５３と第４のトランジスタ１１５４のうち、一方はｎチャネル型トランジスタ（ここ
では、第４のトランジスタ１１５４）であり、他方はｐチャネル型トランジスタ（ここで
は、第３のトランジスタ１１５３）である。つまり、第３のトランジスタ１１５３と第４
のトランジスタ１１５４によってＣＭＯＳ回路が構成されている。同様に、第５のトラン
ジスタ１１５５と第６のトランジスタ１１５６によってＣＭＯＳ回路が構成されている。
【０２６７】
第１のトランジスタ１１５１、第２のトランジスタ１１５２、第４のトランジスタ１１５
４、第６のトランジスタ１１５６は、ｎチャネル型のトランジスタであり、先の実施の形
態において示したトランジスタを適用することができる。第３のトランジスタ１１５３と
第５のトランジスタ１１５５は、ｐチャネル型のトランジスタであり、酸化物半導体以外
の材料（例えば、単結晶シリコンなど）をチャネル形成領域に用いる。
【０２６８】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み
合わせて用いることができる。
【０２６９】
（実施の形態１２）
酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを少なくとも一部に用いてＣＰＵ
（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）を構成することができる。
【０２７０】
図１８（Ａ）は、ＣＰＵの具体的な構成を示すブロック図である。図１８（Ａ）に示すＣ
ＰＵは、基板１１９０上に、演算回路（ＡＬＵ：Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  ｌｏｇｉｃ  ｕ
ｎｉｔ）１１９１、ＡＬＵコントローラ１１９２、インストラクションデコーダ１１９３
、インタラプトコントローラ１１９４、タイミングコントローラ１１９５、レジスタ１１
９６、レジスタコントローラ１１９７、バスインターフェース（Ｂｕｓ  Ｉ／Ｆ）１１９
８、書き換え可能なＲＯＭ１１９９、及びＲＯＭインターフェース（ＲＯＭ  Ｉ／Ｆ）１
１８９を有している。基板１１９０は、半導体基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板などを用い
る。ＲＯＭ１１９９及びＲＯＭ  Ｉ／Ｆ１１８９は、別チップに設けてもよい。もちろん
、図１８（Ａ）に示すＣＰＵは、その構成を簡略化して示した一例にすぎず、実際のＣＰ
Ｕはその用途によって多種多様な構成を有している。
【０２７１】
バスインターフェース１１９８を介してＣＰＵに入力された命令は、インストラクション
デコーダ１１９３に入力され、デコードされた後、ＡＬＵコントローラ１１９２、インタ
ラプトコントローラ１１９４、レジスタコントローラ１１９７、タイミングコントローラ
１１９５に入力される。
【０２７２】
ＡＬＵコントローラ１１９２、インタラプトコントローラ１１９４、レジスタコントロー
ラ１１９７、タイミングコントローラ１１９５は、デコードされた命令に基づき、各種制
御を行なう。具体的にＡＬＵコントローラ１１９２は、ＡＬＵ１１９１の動作を制御する
ための信号を生成する。また、インタラプトコントローラ１１９４は、ＣＰＵのプログラ
ム実行中に、外部の入出力装置や、周辺回路からの割り込み要求を、その優先度やマスク
状態から判断し、処理する。レジスタコントローラ１１９７は、レジスタ１１９６のアド
レスを生成し、ＣＰＵの状態に応じてレジスタ１１９６の読み出しや書き込みを行なう。
【０２７３】
また、タイミングコントローラ１１９５は、ＡＬＵ１１９１、ＡＬＵコントローラ１１９
２、インストラクションデコーダ１１９３、インタラプトコントローラ１１９４、及びレ
ジスタコントローラ１１９７の動作のタイミングを制御する信号を生成する。例えばタイ
ミングコントローラ１１９５は、基準クロック信号ＣＬＫ１を元に、内部クロック信号Ｃ
ＬＫ２を生成する内部クロック生成部を備えており、内部クロック信号ＣＬＫ２を上記各
種回路に供給する。
【０２７４】
図１８（Ａ）に示すＣＰＵでは、レジスタ１１９６に、メモリセルが設けられている。レ
ジスタ１１９６のメモリセルには、実施の形態９乃至実施の形態１１に記載されているメ
モリセルを用いることができる。
【０２７５】
図１８（Ａ）に示すＣＰＵにおいて、レジスタコントローラ１１９７は、ＡＬＵ１１９１
からの指示に従い、レジスタ１１９６における保持動作の選択を行う。すなわち、レジス
タ１１９６が有するメモリセルにおいて、位相反転素子によるデータの保持を行うか、容
量素子によるデータの保持を行うかを、選択する。位相反転素子によるデータの保持が選
択されている場合、レジスタ１１９６内のメモリセルへの、電源電圧の供給が行われる。
容量素子におけるデータの保持が選択されている場合、容量素子へのデータの書き換えが
行われ、レジスタ１１９６内のメモリセルへの電源電圧の供給を停止することができる。
【０２７６】
電源停止に関しては、図１８（Ｂ）または図１８（Ｃ）に示すように、メモリセル群と、
電源電位ＶＤＤまたは電源電位ＶＳＳの与えられているノード間に、スイッチング素子を
設けることにより行うことができる。以下に図１８（Ｂ）及び図１８（Ｃ）の回路の説明
を行う。
【０２７７】
図１８（Ｂ）及び図１８（Ｃ）では、メモリセルへの電源電位の供給を制御するスイッチ
ング素子に、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを含む記憶回路の構
成の一例を示す。
【０２７８】
図１８（Ｂ）に示す記憶装置は、スイッチング素子１１４１と、メモリセル１１４２を複
数有するメモリセル群１１４３とを有している。具体的に、各メモリセル１１４２には、
実施の形態９乃至実施の形態１１に記載されているメモリセルを用いることができる。メ
モリセル群１１４３が有する各メモリセル１１４２には、スイッチング素子１１４１を介
して、ハイレベルの電源電位ＶＤＤが供給されている。さらに、メモリセル群１１４３が
有する各メモリセル１１４２には、信号ＩＮの電位と、ローレベルの電源電位ＶＳＳの電
位が与えられている。
【０２７９】
図１８（Ｂ）では、スイッチング素子１１４１として、酸化物半導体をチャネル形成領域
に有するトランジスタを用いており、該トランジスタは、そのゲート電極に与えられる信
号ＳｉｇＡによりスイッチングが制御される。
【０２８０】
なお、図１８（Ｂ）では、スイッチング素子１１４１がトランジスタを一つだけ有する構
成を示しているが、特に限定されず、トランジスタを複数有していてもよい。スイッチン
グ素子１１４１が、スイッチング素子として機能するトランジスタを複数有している場合
、上記複数のトランジスタは並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよ
いし、直列と並列が組み合わされて接続されていてもよい。
【０２８１】
また、図１８（Ｂ）では、スイッチング素子１１４１により、メモリセル群１１４３が有
する各メモリセル１１４２への、ハイレベルの電源電位ＶＤＤの供給が制御されているが
、スイッチング素子１１４１により、ローレベルの電源電位ＶＳＳの供給が制御されてい
てもよい。
【０２８２】
また、図１８（Ｃ）には、メモリセル群１１４３が有する各メモリセル１１４２に、スイ
ッチング素子１１４１を介して、ローレベルの電源電位ＶＳＳが供給されている、記憶装
置の一例を示す。スイッチング素子１１４１により、メモリセル群１１４３が有する各メ
モリセル１１４２への、ローレベルの電源電位ＶＳＳの供給を制御することができる。
【０２８３】
メモリセル群と、電源電位ＶＤＤまたは電源電位ＶＳＳの与えられているノード間に、ス
イッチング素子を設け、一時的にＣＰＵの動作を停止し、電源電圧の供給を停止した場合
においてもデータを保持することが可能であり、消費電力の低減を行うことができる。具
体的には、例えば、パーソナルコンピュータのユーザーが、キーボードなどの入力装置へ
の情報の入力を停止している間でも、ＣＰＵの動作を停止することができ、それにより消
費電力を低減することができる。
【０２８４】
ここでは、ＣＰＵを例に挙げて説明したが、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐ
ｒｏｃｅｓｓｏｒ）、カスタムＬＳＩ、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌ
ｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）等のＬＳＩにも応用可能である。
【０２８５】
本実施の形態は、上記実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０２８６】
（実施の形態１３）
実施の形態１乃至実施の形態８で例示したトランジスタを用いた表示装置の一形態を図１
９に示す。
【０２８７】
図１９（Ａ）は、トランジスタ７５０及び液晶素子７１３を、第１の基板７０１と第２の
基板７０６との間にシール材７０５によって封止したパネルの上面図であり、図１９（Ｂ
）は、図１９（Ａ）の一点鎖線Ｍ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０２８８】
第１の基板７０１上に設けられた画素部７０２を囲むようにして、シール材７０５が設け
られ、画素部７０２上に第２の基板７０６が設けられている。よって画素部７０２は、第
１の基板７０１とシール材７０５と第２の基板７０６とによって、液晶層７０８と共に封
止されている。
【０２８９】
また、第１の基板７０１上のシール材７０５によって囲まれている領域とは異なる領域に
、入力端子７２０を有し、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ
）７１８ａ、ＦＰＣ７１８ｂが接続されている。ＦＰＣ７１８ａは、別途異なる基板に作
製された信号線駆動回路７０３と電気的に接続され、ＦＰＣ７１８ｂは、別途異なる基板
に作製された走査線駆動回路７０４と電気的に接続されている。画素部７０２に与えられ
る各種信号及び電位は、ＦＰＣ７１８ａ及びＦＰＣ７１８ｂを介して、信号線駆動回路７
０３及び走査線駆動回路７０４から供給される。
【０２９０】
なお、別途異なる基板に作製された駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく
、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方法、ワイヤボンディング方法、ＴＣＰ（Ｔａ
ｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）方法、或いはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａ
ｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方法などを用いることができる。
【０２９１】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう。）を用いるこ
とができる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体
も適用することができる。
【０２９２】
図１９に示す表示装置は、電極７１５及び配線７１６を有しており、電極７１５及び配線
７１６はＦＰＣ７１８ａが有する端子と異方性導電膜７１９を介して、電気的に接続され
ている。
【０２９３】
電極７１５は、第１の電極７３０と同じ導電膜から形成され、配線７１６は、トランジス
タ７５０のソース電極及びドレイン電極と同じ導電膜から形成されている。
【０２９４】
なお、画素部７０２に設けられたトランジスタ７５０は表示素子と電気的に接続し、表示
パネルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素
子を用いることができる。
【０２９５】
液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリー
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。トランジスタ
７５０として、実施の形態１乃至実施の形態８に示すような酸化物半導体膜を用いたトラ
ンジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して１／３以下、好ましくは
１／５以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。
【０２９６】
本実施の形態で用いる酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、加熱処理により水素濃度
を低くすることができる。そのため、オフ状態における電流値（オフ電流値）を低くする
ことができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オ
ン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくす
ることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。また、酸化物半導体膜を用いた
トランジスタは、保持容量を設けなくても、液晶素子に印加された電位の保持が可能とな
る。
【０２９７】
また、実施の形態１乃至実施の形態８に示すような酸化物半導体膜を用いたトランジスタ
は、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、液晶表
示装置の画素部に上記トランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができ
る。また、上記トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部に作り分けて作製
することもできるため、液晶表示装置の部品点数を削減することができる。
【０２９８】
図１９は、表示素子として液晶素子を用いた表示装置の形態を示している。図１９におい
て、表示素子である液晶素子７１３は、第１の電極７３０、第２の電極７３１、及び液晶
層７０８を含む。なお、液晶層７０８を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜７３
２、絶縁膜７３３が設けられている。第２の電極７３１は第２の基板７０６側に設けられ
、第１の電極７３０と第２の電極７３１とは液晶層７０８を介して積層する構成となって
いる。
【０２９９】
また、スペーサ７３５は、第２の基板７０６上に絶縁膜で形成された柱状のスペーサであ
り、液晶層７０８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお球状の
スペーサを用いても良い。
【０３００】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、液晶層７０８に、サーモトロピック液晶、低分
子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いること
ができる。これらの液晶材料は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュ
ービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【０３０１】
また、液晶層７０８に、配向膜を用いないブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相
は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等
方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため
、温度範囲を改善するためにカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層に用いる
。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が１ミリ秒以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜
を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こ
される静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減す
ることができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
【０３０２】
また、液晶材料の固有抵抗率は、１×１０９Ω・ｃｍ以上であり、好ましくは１×１０１
１Ω・ｃｍ以上であり、さらに好ましくは１×１０１２Ω・ｃｍ以上である。なお、本明
細書における固有抵抗率の値は、２０℃で測定した値とする。
【０３０３】
本実施の形態に示す液晶表示装置には、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード
、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆ
ｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ
ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐ
ｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、垂直配向（ＶＡ）モード、ＭＶＡ
（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶ
（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｓｕｐｅｒ−Ｖｉｅｗ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖ
ｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＴＢＡ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｂｅｎ
ｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）などの動作モードなどを適宜用いることができる。
【０３０４】
また、液晶表示装置において、ブラックマトリクス（遮光層）、偏光部材、位相差部材、
反射防止部材などの光学部材（光学基板）などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相
差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなど
を用いてもよい。
【０３０５】
また、バックライトとして複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いて、時間分割表示方式
（フィールドシーケンシャル駆動方式）を行うことも可能である。フィールドシーケンシ
ャル駆動方式を適用することで、カラーフィルタを用いることなく、カラー表示を行うこ
とができる。
【０３０６】
また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いる
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、ＲＧＢ（Ｒは
赤、Ｇは緑、Ｂは青を表す）の三色に限定されない。例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白を表す）
、またはＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお
、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、本発明はカ
ラー表示の液晶表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の液晶表示装置に適用
することもできる。
【０３０７】
ここで、液晶表示装置の代表的な駆動方法について、幾つかの液晶の動作モードを例に挙
げて説明する。液晶表示装置には、液晶の駆動方法に、基板に対して直交に電圧を印加す
る縦電界方式、基板に対して平行に電圧を印加する横電界方式がある。
【０３０８】
まず、図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）に、ＴＮモードの液晶表示装置の画素構成を説明す
る断面模式図を示す。
【０３０９】
互いに対向するように配置された第１の基板３１０１及び第２の基板３１０２に、表示素
子を有する層３１００が挟持されている。また、第１の基板３１０１側に第１の偏光板３
１０３が形成され、第２の基板３１０２側に第２の偏光板３１０４が形成されている。第
１の偏光板３１０３の吸収軸と、第２の偏光板３１０４の吸収軸は、クロスニコルの状態
で配置されている。
【０３１０】
なお、図示しないが、バックライト等は、第２の偏光板３１０４の外側に配置される。第
１の基板３１０１、及び第２の基板３１０２上には、それぞれ第１の電極３１０８、第２
の電極３１０９が設けられている。そして、バックライトと反対側、つまり視認側の電極
である第１の電極３１０８は、透光性を有するように形成する。
【０３１１】
このような構成を有する液晶表示装置において、ノーマリホワイトモードの場合、第１の
電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に電圧が印加（縦電界方式とよぶ。）されると
、図２０（Ａ）に示すように、液晶分子３１０５は縦に並んだ状態となる。すると、バッ
クライトからの光は第１の偏光板３１０３を通過することができず、黒色表示となる。
【０３１２】
また、図２０（Ｂ）に示すように、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に電
圧が印加されていないときは、液晶分子３１０５は横に並び、平面内で捩れている状態と
なる。その結果、バックライトからの光は第１の偏光板３１０３を通過することができ、
白色表示となる。また、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に印加する電圧
を調節することにより、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示
が行われる。
【０３１３】
なお、ＴＮモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すればよい。
【０３１４】
次に、図２０（Ｃ）及び図２０（Ｄ）に、ＶＡモードの液晶表示装置の画素構成を説明す
る断面模式図を示す。ＶＡモードは、無電界の時に液晶分子３１０５が基板に垂直となる
ように配向されているモードである。
【０３１５】
図２０（Ａ）及び図２０（Ｂ）と同様に、第１の基板３１０１、及び第２の基板３１０２
上には、それぞれ第１の電極３１０８、第２の電極３１０９が設けられている。バックラ
イトと反対側、つまり視認側の電極である第１の電極３１０８は、透光性を有するように
形成する。第１の基板３１０１側には、第１の偏光板３１０３が形成され、第２の基板３
１０２側に第２の偏光板３１０４が形成されている。また、第１の偏光板３１０３の吸収
軸と、第２の偏光板３１０４の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されている。
【０３１６】
このような構成を有する液晶表示装置において、第１の電極３１０８及び第２の電極３１
０９の間に電圧が印加される（縦電界方式）と、図２０（Ｃ）に示すように液晶分子３１
０５は横に並んだ状態となる。すると、バックライトからの光は、第１の偏光板３１０３
を通過することができ、白色表示となる。
【０３１７】
また、図２０（Ｄ）に示すように、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に電
圧が印加されていないときは、液晶分子３１０５は縦に並んだ状態となる。その結果、第
２の偏光板３１０４により偏光されたバックライトからの光は、液晶分子３１０５の複屈
折の影響を受けることなくセル内を通過する。このため、偏光されたバックライトからの
光は、第１の偏光板３１０３を通過することができず、黒色表示となる。また、第１の電
極３１０８及び第２の電極３１０９の間に印加する電圧を調節することにより、階調を表
現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
【０３１８】
次に、図２０（Ｅ）及び図２０（Ｆ）に、ＭＶＡモードの液晶表示装置の画素構成を説明
する断面模式図を示す。ＭＶＡモードは一画素を複数に分割し、それぞれの部分の配向方
向を異ならせて、視野角依存性を互いに補償する方法である。図２０（Ｅ）に示すように
、ＭＶＡモードでは、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９上に配向制御用に断面
が三角の突起物３１５８及び３１５９が設けられている。なお、他の構成はＶＡモードと
同等である。
【０３１９】
第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に電圧が印加される（縦電界方式）と、
図２０（Ｅ）に示すように液晶分子３１０５は突起物３１５８及び３１５９の面に対して
液晶分子３１０５の長軸が概ね垂直となるように配向する。すると、バックライトからの
光は、第１の偏光板３１０３を通過することができ、白色表示となる。
【０３２０】
また、図２０（Ｆ）に示すように、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に電
圧が印加されていないときは、液晶分子３１０５は縦に並んだ状態となる。その結果、バ
ックライトからの光は、第１の偏光板３１０３を通過することができず、黒色表示となる
。また、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に印加する電圧を調節すること
により、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
【０３２１】
ＭＶＡモードの他の例を上面図及び断面図を図２３に示す。図２３（Ａ）において、第２
の電極は、くの字型のように屈曲したパターンに形成されており、第２の電極３１０９ａ
、第２の電極３１０９ｂ、第２の電極３１０９ｃとなっている。図２３（Ｂ）で示すよう
に、第２の電極３１０９ａ、３１０９ｂ、３１０９ｃ上に配向膜である絶縁層３１６２が
形成されている。第１の電極３１０８上には突起物３１５８が第２の電極３１０９ｂと重
畳するように形成されている。第１の電極３１０８及び突起物３１５８上に配向膜である
絶縁層３１６３が形成されている。
【０３２２】
次に、図２１（Ａ）及び図２１（Ｂ）に、ＯＣＢモードの液晶表示装置の画素構成を説明
する断面模式図を示す。ＯＣＢモードは、液晶層内で液晶分子３１０５が視野角依存性を
補償するように配向しており、これはベンド配向とよばれる。
【０３２３】
図２０と同様に、第１の基板３１０１、及び第２の基板３１０２上には、それぞれ第１の
電極３１０８、第２の電極３１０９が設けられている。バックライトと反対側、つまり視
認側の電極である第１の電極３１０８は、透光性を有するように形成する。第１の基板３
１０１側には、第１の偏光板３１０３が形成され、第２の基板３１０２側に第２の偏光板
３１０４が形成されている。また、第１の偏光板３１０３の吸収軸と、第２の偏光板３１
０４の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されている。
【０３２４】
このような構成を有する液晶表示装置において、第１の電極３１０８及び第２の電極３１
０９に一定の電圧が印加される（縦電界方式）と、図２１（Ａ）に示すように黒色表示が
行われる。このとき液晶分子３１０５は縦に並んだ状態となる。すると、バックライトか
らの光は、第１の偏光板３１０３を通過することができず、黒色表示となる。
【０３２５】
また、図２１（Ｂ）に示すように、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に一
定の電圧が印加されると、液晶分子３１０５はベンド配向の状態となる。その結果、バッ
クライトからの光は、第１の偏光板３１０３を通過することができ、白色表示となる。ま
た、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に印加する電圧を調節することによ
り、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる。
【０３２６】
このようなＯＣＢモードでは、液晶層内で液晶分子３１０５の配列により視野角依存性を
補償できる。
【０３２７】
次に、図２１（Ｃ）及び図２１（Ｄ）に、ＦＬＣモード及びＡＦＬＣモードの液晶表示装
置の画素構成を説明する断面模式図を示す。
【０３２８】
図２０と同様に、第１の基板３１０１、及び第２の基板３１０２上には、それぞれ第１の
電極３１０８、第２の電極３１０９が設けられている。そして、バックライトと反対側、
つまり視認側の電極である第１の電極３１０８は、透光性を有するように形成する。そし
て第１の基板３１０１側には、第１の偏光板３１０３が形成され、第２の基板３１０２側
に第２の偏光板３１０４が形成されている。また、第１の偏光板３１０３の吸収軸と、第
２の偏光板３１０４の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されている。
【０３２９】
このような構成を有する液晶表示装置において、第１の電極３１０８及び第２の電極３１
０９に電圧が印加（縦電界方式と呼ぶ）されると、液晶分子３１０５はラビング方向から
ずれた方向で横に並んでいる状態となる。その結果、バックライトからの光は、第１の偏
光板３１０３を通過することができ、白色表示となる。
【０３３０】
また、図２１（Ｄ）に示すように、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に電
圧が印加されていないときは、液晶分子３１０５はラビング方向に沿って横に並んだ状態
となる。すると、バックライトからの光は、第１の偏光板３１０３を通過することができ
ず、黒色表示となる。また、第１の電極３１０８及び第２の電極３１０９の間に印加する
電圧を調節することにより、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像
表示が行われる。
【０３３１】
なお、ＦＬＣモード及びＡＦＬＣモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すれ
ばよい。
【０３３２】
次に、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に、ＩＰＳモードの液晶表示装置の画素構成を説明
する断面模式図を示す。ＩＰＳモードは、液晶分子３１０５を基板に対して常に平面内で
回転させるモードであり、電極は一方の基板側のみに設けた横電界方式をとる。
【０３３３】
ＩＰＳモードは一方の基板に設けられた一対の電極により液晶を制御することを特徴とす
る。そのため、第２の基板３１０２上に一対の電極３１５０、電極３１５１が設けられて
いる。一対の電極３１５０、電極３１５１は、それぞれ透光性を有するとよい。第１の基
板３１０１側には、第１の偏光板３１０３が形成され、第２の基板３１０２側に第２の偏
光板３１０４が形成されている。また、第１の偏光板３１０３の吸収軸と、第２の偏光板
３１０４の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されている。
【０３３４】
このような構成を有する液晶表示装置において、一対の電極３１５０、電極３１５１に電
圧が印加されると、図２２（Ａ）に示すように液晶分子３１０５はラビング方向からずれ
た電気力線に沿って配向する。すると、バックライトからの光は、第１の偏光板３１０３
を通過することができ、白色表示となる。
【０３３５】
また、図２２（Ｂ）に示すように、一対の電極３１５０、電極３１５１の間に電圧が印加
されていないとき、液晶分子３１０５は、ラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。
その結果、バックライトからの光は、第１の偏光板３１０３を通過することができず、黒
色表示となる。また、一対の電極３１５０、電極３１５１の間に印加する電圧を調節する
ことにより、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる
。
【０３３６】
ＩＰＳモードで用いることできる一対の電極３１５０及び３１５１の例を図２４に示す。
図２４（Ａ）乃至（Ｃ）の上面図に示すように、一対の電極３１５０及び３１５１が互い
違いとなるように形成されており、図２４（Ａ）では電極３１５０ａ及び電極３１５１ａ
はうねりを有する波状形状であり、図２４（Ｂ）では電極３１５０ｂ及び電極３１５１ｂ
は櫛歯状であり一部重なっている形状であり、図２４（Ｃ）では電極３１５０ｃ及び電極
３１５１ｃは櫛歯状であり電極同士がかみ合うような形状である。
【０３３７】
次に、図２２（Ｃ）及び図２２（Ｄ）に、ＦＦＳモードの液晶表示装置の画素構成を説明
する断面模式図を示す。ＦＦＳモードはＩＰＳモードと同じ横電界方式であるが、図２２
（Ｃ）及び図２２（Ｄ）に示すように、電極３１５０上に絶縁膜を介して電極３１５１が
形成される構造である。
【０３３８】
一対の電極３１５０、電極３１５１は、それぞれ透光性を有するとよい。そして第１の基
板３１０１側には、第１の偏光板３１０３が形成され、第２の基板３１０２側に第２の偏
光板３１０４が形成されている。また、第１の偏光板３１０３の吸収軸と、第２の偏光板
３１０４の吸収軸は、クロスニコルの状態で配置されている。
【０３３９】
このような構成を有する液晶表示装置において、一対の電極３１５０、電極３１５１に電
圧が印加されると、図２２（Ｃ）に示すように液晶分子３１０５はラビング方向からずれ
た電気力線に沿って配向する。すると、バックライトからの光は、第１の偏光板３１０３
を通過することができ、白色表示となる。
【０３４０】
また、図２２（Ｄ）に示すように、一対の電極３１５０、電極３１５１の間に電圧が印加
されていないとき、液晶分子３１０５は、ラビング方向に沿って横に並んだ状態となる。
その結果、バックライトからの光は、第１の偏光板３１０３を通過することができず、黒
色表示となる。また、一対の電極３１５０、電極３１５１の間に印加する電圧を調節する
ことにより、階調を表現することができる。このようにして、所定の映像表示が行われる
。
【０３４１】
ＦＦＳモードで用いることできる一対の電極３１５０及び３１５１の例を図２５に示す。
図２５（Ａ）乃至（Ｃ）の上面図に示すように、電極３１５０上に様々なパターンに形成
された電極３１５１が形成されており、図２５（Ａ）では電極３１５０ａ上の電極３１５
１ａは屈曲したくの字形状であり、図２５（Ｂ）では電極３１５０ｂ上の電極３１５１ｂ
は櫛歯状で電極同士がかみ合うような形状であり、図２５（Ｃ）では電極３１５０ｃ上の
電極３１５１ｃは櫛歯状の形状である。
【０３４２】
なお、ＩＰＳモード及びＦＦＳモードに使用される液晶材料は、公知のものを使用すれば
よい。または、ブルー相を示す液晶を用いてもよい。
【０３４３】
なお、図１９において、第１の基板７０１及び第２の基板７０６として、実施の形態１に
示す基板１０１を適宜用いることができる。または、第１の基板７０１及び第２の基板７
０６として、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチッ
ク基板などを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓ
ｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ  ｆｌ
ｕｏｒｉｄｅ）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いるこ
とができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟ん
だ構造のシートを用いることもできる。
【０３４４】
液晶表示装置は光源または表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過す
る画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に
対して透光性とする。
【０３４５】
表示素子に電圧を印加する第１の電極及び第２の電極（画素電極、共通電極、対向電極な
どともいう。）においては、取り出す光の方向、電極が設けられる場所、及び電極のパタ
ーン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【０３４６】
第１の電極７３０、第２の電極７３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（ＩＴＯともいう。）、インジウ
ム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材
料を用いることができる。また、１枚乃至１０枚のグラフェンシートよりなる材料を用い
てもよい。
【０３４７】
また、第１の電極７３０及び第２の電極７３１として、導電性高分子（導電性ポリマーと
もいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、い
わゆるπ電子共役系導電性高分子を用いることができる。例えば、ポリアニリンまたはそ
の誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンまたはその誘導体、もしくは
アニリン、ピロールおよびチオフェンの２種以上からなる共重合体若しくはその誘導体な
どがあげられる。
【０３４８】
また、反射型の液晶表示装置の場合、第１の電極７３０及び第２の電極７３１のいずれか
一方はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（
Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバ
ルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ
）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、またはその合金、もしくはその窒化物から一つ、
または複数種を用いて形成することができる。
【０３４９】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、保護回路を設けることが好
ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。ここで、本実施の形
態の表示装置に用いることが可能な保護回路の一形態について、図２６を用いて説明する
。
【０３５０】
保護回路９９７は、ｎ型のトランジスタ９７０ａ及び９７０ｂによって構成されており、
それぞれダイオードと同様の特性を示すように、ゲート端子がドレイン端子と接続されて
いる。なお、トランジスタ９７０ａ及び９７０ｂとして、実施の形態１乃至実施の形態８
で説明したトランジスタを適宜用いてもよい。
【０３５１】
トランジスタ９７０ａの第１端子（ゲート）と第３端子（ドレイン）は第１の配線９４５
に接続され、第２端子（ソース）は第２の配線９６０に接続されている。また、トランジ
スタ９７０ｂの第１端子（ゲート）と第３端子（ドレイン）は第２の配線９６０に接続さ
れ、第２端子（ソース）は第１の配線９４５に接続されている。すなわち、図２６（Ａ）
で示す保護回路は、二つのトランジスタのそれぞれが整流方向を逆向きにして、第１の配
線９４５と第２の配線９６０を接続する構成を備えている。言い換えると、整流方向が第
１の配線９４５から第２の配線９６０に向かうトランジスタと、整流方向が第２の配線９
６０から第１の配線９４５に向かうトランジスタを、第１の配線９４５と第２の配線９６
０の間に有する構成である。
【０３５２】
上記の保護回路は、第２の配線９６０が静電気等により正または負に帯電した場合、その
電荷を打ち消す方向に電流が流れる。例えば、第２の配線９６０が正に帯電した場合は、
その正電荷を第１の配線９４５に逃がす方向に電流が流れる。この動作により、帯電した
第２の配線９６０に接続している回路や素子の静電破壊または誤動作を防止することがで
きる。また、帯電した第２の配線９６０と他の配線が絶縁層を介して交差する構成におい
て、該絶縁層が絶縁破壊される現象を防止することができる。
【０３５３】
なお、保護回路は上記構成に限定されない。例えば、整流方向が第１の配線９４５から第
２の配線９６０に向かう複数のトランジスタと、整流方向が第２の配線９６０から第１の
配線９４５に向かう複数のトランジスタを有する構成であってもよい。また、奇数個のト
ランジスタを使って保護回路を構成することもできる。
【０３５４】
図２６（Ａ）に例示した保護回路は様々な用途に適用することができる。例えば、第１の
配線９４５を表示装置の共通配線とし、第２の配線９６０を複数の信号線の一とし、その
間に当該保護回路を適用することができる。保護回路が設けられた信号線に接続された画
素トランジスタは、配線の帯電による静電破壊やしきい値電圧のシフト等の不具合から保
護される。
【０３５５】
なお、該保護回路は液晶表示装置の他の回路にも適用できるのはもちろんのこと、他の実
施の形態に示す半導体装置にも適宜用いることができる。
【０３５６】
次に、基板上に保護回路９９７を構成する形態を説明する。保護回路９９７の上面図の一
例を図２６（Ｂ）に示す。ここでは、実施の形態１に示すトランジスタを用いて説明する
。なお、煩雑になることを避けるため、トランジスタの構成要素の一部（例えば、保護膜
、ゲート絶縁膜、絶縁膜など）を省略している。
【０３５７】
トランジスタ９７０ａはゲート電極９１１ａを有し、ゲート電極９１１ａは第１の配線９
４５と接続している。トランジスタ９７０ａのソース電極は第２の配線９６０と接続され
、ドレイン電極は第１の電極９１５ａを介して第１の配線９４５と接続している。また、
トランジスタ９７０ａはソース電極とドレイン電極の間にゲート電極９１１ａと重畳する
半導体層９１３を備える。
【０３５８】
トランジスタ９７０ｂはゲート電極９１１ｂを有し、ゲート電極９１１ｂはコンタクトホ
ール９２５ｂを介して第２の配線９６０と接続している。トランジスタ９７０ｂのドレイ
ン電極は第２の配線９６０と接続され、ソース電極は第１の電極９１５ａとコンタクトホ
ール９２５ａを介して第１の配線９４５と接続している。また、トランジスタ９７０ｂは
ソース電極とドレイン電極の間にゲート電極９１１ｂと重畳する半導体層９１４を備える
。
【０３５９】
以上のように実施の形態１乃至実施の形態８で例示したトランジスタを保護回路のトラン
ジスタに適用することで、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。なお、実
施の形態１乃至実施の形態８で例示したトランジスタは上述の表示機能を有する半導体装
置のみでなく、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置など様々
な機能を有する半導体装置に適用することが可能である。
【０３６０】
なお、本実施の形態においては、表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置を表示装
置の一形態として説明したが、これ限定されない。例えば、表示素子として発光素子を用
いることで、表示装置の一形態として発光表示装置とすることができる。また、表示素子
として電気泳動素子を用いるで、表示装置の一形態として電気泳動表示装置とすることが
できる。
【０３６１】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【図１】
2020113794.tif 000006
【図２】
2020113794.tif 000007
【図３】
2020113794.tif 000008
【図４】
2020113794.tif 000009
【図５】
2020113794.tif 000010
【図６】
2020113794.tif 000011
【図７】
2020113794.tif 000012
【図８】
2020113794.tif 000013
【図９】
2020113794.tif 000014
【図１０】
2020113794.tif 000015
【図１１】
2020113794.tif 000016
【図１２】
2020113794.tif 000017
【図１３】
2020113794.tif 000018
【図１４】
2020113794.tif 000019
【図１５】
2020113794.tif 000020
【図１６】
2020113794.tif 000021
【図１７】
2020113794.tif 000022
【図１８】
2020113794.tif 000023
【図１９】
2020113794.tif 000024
【図２０】
2020113794.tif 000025
【図２１】
2020113794.tif 000026
【図２２】
2020113794.tif 000027
【図２３】
2020113794.tif 000028
【図２４】
2020113794.tif 000029
【図２５】
2020113794.tif 000030
【図２６】
2020113794.tif 000031
【図２７】
2020113794.tif 000032
【図２８】
2020113794.tif 000033
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月23日(2020.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、前記第１の電極上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、前記酸化物半導体膜の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、前記第１の電極上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置する半導体装置。
【請求項３】
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、前記第１の電極上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置し、
前記第２の領域は、ドーパントを含む半導体装置。
【請求項４】
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、前記第１の電極上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置し、
前記第２の領域は、窒素、リン、砒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、又はキセノンを含む半導体装置。
【請求項５】
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に位置し、前記チャネル形成領域と重なる領域を有するゲート電極と、前記酸化物半導体膜の側面に接する領域及び前記酸化物半導体膜の上面に接する領域を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に位置し、前記ゲート電極と同じ層からなる第１の電極と、前記第１の電極上の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜の上面、前記第１の電極の上面、及び前記ゲート電極の上面は、前記第２の絶縁膜に接する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の電極と接する第１の領域と、前記第２の絶縁膜に接する第２の領域とを有し、
前記トランジスタのチャネル長方向の断面視において、前記第２の領域は、前記第１の領域と前記チャネル形成領域との間に位置し、
前記第２の領域は、前記チャネル形成領域よりも高い導電性を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ゲート電極及び前記第１の電極は、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成分とする合金の単層構造または積層構造を有する半導体装置。