(57)【要約】【課題】デラミの発生及び伝搬を低減する積層基板及び積層基板製造方法を提供する。【解決手段】導体層２０１及び２０２は、絶縁材料層１の上面に設けられ、貫通部を備える。絶縁材料層２は、導体層２０１及び２０２を被覆し、絶縁材料層１の上面に積層される。ビアホールは、絶縁材料層２の上面から絶縁材料層２を貫通して少なくとも絶縁材料層１の内部に達し、且つ、導体層２０１及び２０２の貫通部を含むように設けられる。樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁部材がビアホールに充填されて形成される。絶縁材料層３は、絶縁材料層２の上面に積層され、樹脂ビア１０１〜１０３と一体に形成される。導体層２０１及び２０２の一部は、ビアホール内に露出する。絶縁部材は、ビアホール内に露出する導体層２０１及び２０２の上面を被覆し、且つ、導体層２０１及び２０２の貫通部を介してビアホール内に露出する導体層２０１及び２０２の下面を被覆する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面  に設けられ、貫通部  を備えた導体層と、
前記導体層を被覆し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上面から前記第２絶縁層を貫通して少なくとも前記第１絶縁層の内部に達し、且つ、前記導体層の貫通部を含むように設けられたビアホールと、
前記ビアホールに充填された絶縁部材と、
前記第２絶縁層の上面に積層され、前記絶縁部材と一体に形成された第３絶縁層と、
を有し、
前記導体層の一部は、前記ビアホール内に露出し、
前記絶縁部材は、前記ビアホール内に露出する前記導体層の上面を被覆し、且つ、前記導体層の貫通部を介して前記ビアホール内に露出する前記導体層の下面を被覆する
ことを特徴とする積層基板。
【請求項２】
前記導体層はグランドプレーン又は電源プレーンであることを特徴とする請求項１に記載の積層基板。
【請求項３】
前記貫通部は、導体層の内側に形成された貫通孔又は導体層の外周に形成された切り欠きを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層基板。
【請求項４】
前記貫通部は、複数の前記貫通孔を有し、
前記ビアホールは、前記複数の貫通孔の全てを内包する
ことを特徴とする請求項３に記載の積層基板。
【請求項５】
前記第１絶縁層の上面に設けられ、電気的接続に用いる導体パッドと、
記第２絶縁層を貫通し、前記導体パッドに接続された導通部材と
をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の積層基板。
【請求項６】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上面に設けられ、電気的接続に用いる導体パッドと、
前記導体パッドを被覆し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を貫通し、前記導体パッドに接続された導通部材と、
前記第２絶縁層の上面から前記第２絶縁層を貫通して少なくとも前記第１絶縁層の内部に達し、且つ、前記第２絶縁層における形状が前記導通部材と同じ形状であるビアホールと、
前記ビアホール内に充填された絶縁部材と、
前記第２絶縁層の上面に積層され、前記絶縁部材と一体に形成された第３絶縁層と、
を備えたことを特徴とする積層基板。
【請求項７】
第１絶縁層上に、貫通部を備えた導体層を形成する工程と、
前記導体層を被覆するように前記第１絶縁層上に第２絶縁層を積層する工程と、
前記第２絶縁層の上面から前記第２絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１絶縁層の内部に達し、且つ、前記導体層の貫通部を含むようにビアホールを形成する工程と、
前記ビアホール内を絶縁部材により充填するとともに、前記第２絶縁層上に第３絶縁層を積層する工程と、
を有し、
前記ビアホールを絶縁部材により充填する工程において、前記ビアホール内の前記導体層の上面側を被覆するとともに、前記導体層の貫通部を介して前記導体層の下面側を被覆するように絶縁部材を充填する
ことを特徴とする積層基板製造方法。
【請求項８】
第１絶縁層上に電気的接続に用いる導体パッドを形成する工程と、
前記導体パッドを被覆するように前記第１絶縁層上に第２絶縁層を積層する工程と、
前記第２絶縁層の上面から前記第２絶縁層を厚み方向に貫通して前記導体パッド上に第１ビアホールを形成する工程と、
前記第２絶縁層の上面から前記第２絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１絶縁層の内部に達し、前記第１ビアホールと同形状の第２ビアホールを形成する工程と、
前記第２ビアホールをマスクで覆い、前記第１ビアホールに導通部材を形成する工程と、
前記第２ビアホールを絶縁部材で充填するとともに、前記第２絶縁層上に第３絶縁層を積層する工程と、
を備えたことを特徴とする積層基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層基板及び積層基板製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器は高性能化の一途を辿っている。電子機器の高性能化に伴い、各種の電子部品を搭載する配線基板は、高密度実装化が進み、配線を複数層に渡って形成した積層基板が一般的となっている。
【０００３】
積層基板は、一般にコア基板の上下に積層された複数の絶縁層及び配線層と、配線層間を互いに接続するビアとを含む、多層配線基板である。このような積層基板は、例えばビルドアップ法により形成され、ビルドアップ基板とも呼ばれる。
【０００４】
絶縁材料層と銅で形成された導体層とを順次積み上げて形成される積層基板においては、一般的には以下の３つの界面が存在する。第１の界面は、絶縁材料層の表面上に別の絶縁材料層が直接積層された状態の界面である。第２の界面は、絶縁材料層の表面上に導体層がめっきされた状態の界面である。第３の界面は、表面粗化処理又は密着層が形成された導体層の表面上に絶縁材料層が積層された状態の界面である。さらに、絶縁材料層を貫通して導体層と接続する導体ビアが形成されている場合、導体層上に導体ビアがめっきされた状態の界面が存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２５１７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
積層基板には製造工程及び電子部品搭載工程などにおいて、熱が加えられる様々な処理が施される。このような処理における各種熱履歴により各々の界面に発生した応力が、界面の密着力よりも大きくなると、界面の剥離が生じる。以下では、界面の剥離をデラミ（delamination）と呼ぶ。
【０００７】
前述の第１の界面である絶縁材料層表面上に別の絶縁材料層が直接積層された界面ではデラミの発生及び他の界面で発生したデラミの伝搬が危惧される。
【０００８】
さらに、金属と樹脂とが接する界面は樹脂と樹脂とが接する界面よりも密着力が弱い。そのため、前述の第２及び第３の界面においては、導体層表面に密着力を高めるための粗化処理や密着層の形成などが行われる。しかし、ダミーパターン、グランドプレーン又は電源プレーンのように広い面積を有する導体層と絶縁材料層とが接する界面の場合には、密着力が弱い界面が連続してしまうため、デラミの発生やデラミが伝搬するリスクが高まる。
【０００９】
そして、デラミが発生すると、その部分に水分が溜まり易くなり、後工程の熱履歴においてデラミにより形成された空間の膨れが生じるおそれがある。そして、デラミにより形成された空間の膨れは新たなデラミの発生に繋がるおそれがある。さらに、デラミが導体層と導体ビアとにより形成される界面に達すると、導体層間の電気的な導通が切断されることになり、電気的接続信頼性が低下するおそれがある。
【００１０】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、デラミの発生及び伝搬を低減する積層基板及び積層基板製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の開示する積層基板及び積層基板製造方法の一つの態様において、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面  に設けられ、貫通部  を備えた導体層と、前記導体層を被覆し、前記第１絶縁層の上面に積層された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上面から前記第２絶縁層を貫通して少なくとも前記第１絶縁層の内部に達し、且つ、前記導体層の貫通部を含むように設けられたビアホールと、前記ビアホールに充填された絶縁部材と、前記第２絶縁層の上面に積層され、前記絶縁部材と一体に形成された第３絶縁層とを有する。前記導体層の一部は、前記ビアホール内に露出する。前記絶縁部材は、前記ビアホール内に露出する前記導体層の上面を被覆し、且つ、前記導体層の貫通部を介して前記ビアホール内に露出する前記導体層の下面を被覆する。
【発明の効果】
【００１２】
１つの側面では、本発明は、デラミの発生及び伝搬を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施例に係るビルドアップ基板の概略断面図である。
【図２】図２は、図１における樹脂ビアが貫通する導体層のII−II断面図である。
【図３】図３は、図１における樹脂ビアが貫通する導体層のIII−III断面図である。
【図４】図４は、図１における樹脂ビア１０３のIV−IV断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｈ】図５Ｈは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図５Ｉ】図５Ｉは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【図６Ａ】図６Ａは、デガスホールを介したレーザーによるアブレーションについて説明するための図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、デガスホールを貫通するビアの他の形状を表す図である。
【図７】図７は、図５Ｇにおけるビア３５の先端部分の拡大図である。
【図８】図８は、外周部の切り欠きと貫通孔を有する導体層の一例の図である。
【図９】図９は、図８におけるIX-IX断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本願の開示する積層基板及び積層基板製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施例により本願の開示する積層基板及び積層基板製造方法が限定されるものではない。
【実施例】
【００１５】
図１は、実施例に係るビルドアップ基板の概略断面図である。ビルドアップ基板５は、複数の層を有する板であり、一層毎に絶縁材料の積層、穴あけ加工、配線形成などを繰り返すことによって多層構造のプリント基板を作製するビルドアップ工法を用いて作成された基板である。
【００１６】
ビルドアップ基板５は、図１に示すように、少なくとも絶縁材料層１〜３を有する構成である。ここで、図１では３層の絶縁材料層１〜３を記載したが、積層される層の数に制限はない。また、図１で最下層となる絶縁材料層１は、ビルドアップ基板５を構成するコア層であってもよい。絶縁材料層１〜３は、例えば、２０μｍ〜５０μｍの厚さを有する。また、絶縁材料層１〜３が、「第１絶縁層」、「第２絶縁層」及び「第３絶縁層」の一例にあたる。
【００１７】
なお、図１では絶縁材料層３の積層が完了した工程までのビルドアップ基板５の構成を示した。本実施例では省略したが、実際には、図１の状態以降の工程についてはビルドアップ法を用いることで、ビルドアップ基板５が完成する。
【００１８】
以下の説明では、絶縁材料層１〜３が有する面のうち、新たに絶縁材料層が積層される側の面、すなわち、図１の紙面に向かって上側の面を「上面」という。例えば、絶縁材料層１の絶縁材料層２側の面が絶縁材料層１の上面である。また、絶縁材料層２の絶縁材料層３側の面が絶縁材料層２の上面である。また、上面に対して反対側の面、すなわち、図１の紙面に向かって下側の面を「下面」という。例えば、絶縁材料層２の絶縁材料層１側の面が絶縁材料層２の下面である。
【００１９】
絶縁材料層１の下面側に、導体層４０１〜４０３が配設される。導体層４０１〜４０３は、銅を材料とする部材である。
【００２０】
絶縁材料層１と絶縁材料層２との間には導体層２０１及び２０２が配設される。導体層２０１及び２０２は、銅を材料とする部材である。導体層２０１及び２０２は、ビルドアップ基板５の積層方向と直交する方向へ延びる板状の部材である。以下の説明では、積層方向に直交する方向を平面方向と言う。導体層２０１及び２０２についても、絶縁材料層２側の面、すなわち図１の紙面に向かって上側の面を「上面」といい、絶縁材料層１側の面、すなわち図１の紙面に向かって下側の面を「下面」という。
【００２１】
図２は、図１における樹脂ビアが貫通する導体層のII−II断面図である。導体層２０１は、図２に示すように、中央に貫通孔２１０を有する。ここで、図２では、貫通孔２１０の形状を円形としたが、貫通孔２１０の形状はこれに限らず、例えば四角形や三角形でもよい。
【００２２】
図３は、図１における樹脂ビアが貫通する導体層のIII−III断面図である。導体層２０２は、図３に示すように、小さい孔である貫通孔２２０が密集するように配置される。貫通孔２２０は、例えば、デガスホールである。デガスホールは、ダミーパターン、グランドプレーン及び電源プレーンに設けられるガス抜き用の孔である。ここで、図２では、貫通孔２２０の形状を四角形としたが、貫通孔２２０の形状はこれに限らず、例えば円形や三角形でもよい。また、本実施例では、貫通孔２２０としてデガスホールを使用したが、これに限らず、例えば、デガスホールが存在しない場所であっても、樹脂ビアのために導体層２０２に小さい孔である貫通孔２２０を密集させて開けてもよい。または、メッシュ状に形成されたダミーパターン、グランドプレーン及び電源プレーンの複数の孔を貫通孔２２０として用いてもよい。
【００２３】
絶縁材料層１には、導通ビア３０１が配設される。導通ビア３０１は、絶縁材料層１を貫通するビアに導体が充填され、導体層４０３に接合された部材である。導通ビア３０１は、絶縁材料層１を挟む導体層同士を導通させる。
【００２４】
また、絶縁材料層２には、導通ビア３０２が配設される。導通ビア３０２は、絶縁材料層２を貫通するビアに導体が充填され、絶縁材料層２を挟む導体層に接合された部材を指す。導通ビア３０２は、絶縁材料層２を挟む導体層同士を導通させる。この導通ビア３０２が、「導通部材」の一例にあたる。
【００２５】
また、ビルドアップ基板５は、樹脂ビア１０１〜１０３を有する。樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁材料層３の形成時に、絶縁材料層２を貫通して絶縁材料層１に達する穴に絶縁材料が充填されて形成される、絶縁材料層３と一体の部材である。樹脂ビア１０１〜１０３は、例えば、直径５０μｍ〜１００μｍである。この樹脂ビア１０１〜１０３が「絶縁部材」の一例にあたり、樹脂ビア１０１〜１０３を形成する穴が「ビアホール」の一例にあたる。
【００２６】
絶縁材料層１〜３及び樹脂ビア１０１〜１０３は、密着性に優れた材料を用いられることが好ましい。例えば、絶縁材料層１〜３及び樹脂ビア１０１〜１０３は、フィラーが多く収縮量が小さい材料を用いられる。また、例えば、絶縁材料層１〜３は、電気特性の高い樹脂が用いられる。例えば、絶縁材料層１〜３及び樹脂ビア１０１〜１０３として、エポキシ系の樹脂が用いられる。
【００２７】
樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁材料層１及び２が積層された状態で且つ絶縁材料層３が積層されるのと同時に、絶縁材料層２の上面から絶縁材料層１に向かって積層方向に開けられたビアホールに、絶縁材料を充填することで形成される。本実施例では、樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁材料層３の一部として形成される。樹脂ビア１０１〜１０３が絶縁材料層３の一部として形成された状態が、「第３絶縁層と絶縁部材とは一体の部材」の状態である。
【００２８】
また、本実施例では、樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁材料層２内における形状が、導通ビア３０２と同じ形状を有する。例えば、樹脂ビア１０１〜１０３及び導通ビア３０２の絶縁材料層２内の形状は、絶縁材料層２の上面から下面に向かって縮径するテーパー形状である。ただし、樹脂ビア１０１〜１０３及び導通ビア３０２の絶縁材料層２内の形状は他の形状でもよく、例えば、平面方向に対して垂直な形でもよい。
【００２９】
樹脂ビア１０１は、絶縁材料層２を貫通し絶縁材料層１の内部に達する。樹脂ビア１０１は、例えば、絶縁材料層１の３分の１まで達する。また、樹脂ビア１０１は、導体層２０１の貫通孔２１０を介して導体層２０１を挟むように設けられる。すなわち、樹脂ビア１０１は、絶縁材料層２側から絶縁材料層１の方向に向けて充填され、貫通孔２１０を介して導体層２０１の絶縁材料層１側の面へ回り込み導体層２０１の下面を覆うように形成される。また、図２に示すように、樹脂ビア１０１は、導体層２０１の貫通孔２１０及び絶縁材料層１に開けられた穴を埋める。
【００３０】
樹脂ビア１０２は、絶縁材料層２を貫通し絶縁材料層１の内部に達する。樹脂ビア１０２は、例えば、絶縁材料層１の３分の１まで達する。また、樹脂ビア１０２は、導体層２０２の各貫通孔２２０を介して導体層２０２を挟むように設けられる。すなわち、樹脂ビア１０２は、絶縁材料層２側から絶縁材料層１の方向に向けて充填され、各貫通孔２２０を介して導体層２０２の絶縁材料層１側の面へ回り込み導体層２０２の下面を覆うように形成される。また、図３に示すように、樹脂ビア１０２は、導体層２０２の各貫通孔２２０及び絶縁材料層１に開けられた穴を埋める。
【００３１】
樹脂ビア１０３は、絶縁材料層２を貫通し絶縁材料層１の内部に達する。樹脂ビア１０３は、例えば、絶縁材料層１の３分の１まで達する。図４は、図１における樹脂ビア１０３のIV−IV断面図である。図４に示すように、樹脂ビア１０３は、絶縁材料層２と絶縁材料層１との界面を跨ぎ、且つ、絶縁材料層１に開けられた穴を埋める。
【００３２】
樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁材料層１及び２と接合される。樹脂ビア１０１〜１０３が絶縁材料層１及び２と接合することで、絶縁材料層３の密着する領域が増え、密着力が向上する。樹脂ビア１０１〜１０３は、密着力を高めるために、整列して並べられることが好ましい。
【００３３】
樹脂ビア１０１及び１０２は、それぞれ導体層２０１及び２０２を挟むように設けられるため、アンカー効果により導体層２０１及び２０２と絶縁材料層３との密着力が向上する。また、樹脂ビア１０１及び１０２は絶縁材料層３と一体に形成されるため、前述のアンカー効果により、絶縁材料層２と絶縁材料層３との間の密着力も向上する。
【００３４】
ここで、図１では、絶縁材料層１〜３を分かり易くするために各層の間に隙間を空けたが、実際には絶縁材料層１〜３はそれぞれが接合され密着する。
【００３５】
次に、図５Ａ〜５Ｉを参照して、実施例に係るビルドアップ基板５の製造方法について説明する。図５Ａ〜５Ｉは、実施例に係るビルドアップ基板の製造方法を示す図である。
【００３６】
図５Ａに示すように、絶縁材料層１が配置される。絶縁材料層１は、図では省略しているが、ビルドアップ基板５の製造に用いられる支持体やビルドアップ基板５を構成するコア層もしくは他の絶縁材料層の上に積層される。ここでは、絶縁材料層１の下面側に導体層４０１〜４０３が配設されている。導体層４０１〜４０３は、例えば、電解銅めっきにより、ビルドアップ基板５の製造に用いられる支持体やビルドアップ基板５を構成するコア層もしくは他の絶縁材料層（不図示）の上に形成される。また、導体層４０１〜４０３の表面に、絶縁材料層１との密着性を高めるための粗化処理や密着層を形成するようにしてもよい。
【００３７】
次に、図５Ｂに示すように、絶縁材料層１の上面から導体層４０３に向けてレーザーによるアブレーションにより穴を開け、導体層４０３に達するビア３１を形成する。具体的には、レーザー照射により、樹脂である絶縁材料層１が熱で昇華する。この時、金属である導体層４０３はレーザー照射されても昇華しづらいため、ビア３１は導体層４０１が底になる。
【００３８】
次に、ビア３１内の樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理を行う。デスミア処理としては、例えばウェットデスミア法などを用いることができる。次に、ビア３１を含む絶縁材料層１の上面に無電解銅めっきが施され、シード層３２が形成される。ここで、シード層３２は、無電解銅めっき以外にも、スパッタ法など種々の方法により形成されてもよい。
【００３９】
次に、ビア３１を含む絶縁材料層１の上面のシード層３２上に、ＤＦＲ（Dry  Film  Resist）がラミネートされる。次に、露光及び現像が行われ、ＤＦＲパターン３３が形成される。本実施例では、導体層２０１が形成される位置に、貫通孔２１０を形成するためのパターン３３１が形成される。また、導体層２０２が形成される位置に、貫通孔２２０を形成するためのパターン３３２が形成される。次に、ＤＦＲパターン３３に対して、電解銅めっきが施される。これにより、導体層２０１及び２０２が形成される。この場合、パターン３３１及び３３２の場所には電解銅めっきが施されない。また、この電解銅めっきによりビア３１にはビアフィルめっきが施され、導体層４０３に接続された導通ビア３０１が形成される。これにより、図５Ｃに示す状態となる。
【００４０】
次に、剥離液を使用してＤＦＲを剥離して除去する。次に、絶縁材料層１の上面に露出するシード層３２をエッチングにより除去する。これにより、図５Ｄに示す状態となる。ここで、導体層２０１に貫通孔２１０が形成される。また、導体層２０２に貫通孔２２０が形成される。
【００４１】
次に、図５Ｅに示すように、絶縁材料層１の上面に絶縁材料層２が積層される。なお、絶縁材料層２を積層する工程の前に、導体層２０１〜２０２の表面に、絶縁材料層２との密着性を高めるための粗化処理や密着層の形成などをしてもよい。
【００４２】
次に、図５Ｆに示すように、絶縁材料層２の上面からのレーザーによるアブレーションにより、ビア３４〜３７が形成される。具体的には、レーザー照射により、樹脂である絶縁材料層２は熱で昇華する。
【００４３】
ビア３４は、導通ビア３０１の上面に届くように穴が開けられる。金属はレーザーが照射されても昇華しづらいため、ビア３４は、導通ビア３０１の上面が底となる。
【００４４】
また、貫通孔２１０及び２２０を通してレーザーによりアブレーションされ、絶縁材料層１における導体層２０１及び２０２の裏の領域も昇華する。これに対して、金属はレーザーが照射されても昇華しづらいため、導体層２０１を残してビア３６が形成され、導体層２０２を残してビア３５が形成される。
【００４５】
ここで、図６Ａを参照して、ビア３５のアブレーションについて説明する。図６Ａは、デガスホールを介したレーザーによるアブレーションについて説明するための図である。
【００４６】
レーザーは、デガスホールである貫通孔２２０を通して絶縁材料層１に穴を開ける。絶縁材料層１のアブレーションを始めると、貫通孔２２０毎に穴が形成される。さらに、レーザーが照射されると、絶縁材料層１における各貫通孔２２０の下の穴同士が平面方向に繋がり、底部分が凹凸形状であるビア３５が形成される。
【００４７】
ここで、本実施例では、ビア３５として、導体層２０２の各貫通孔２２０の絶縁材料層１側の空間を繋げる穴を形成したが、ビア３５の形状はこれでなくてもよい。例えば、ビア３５の絶縁材料層１側の部分は、図６Ｂのように、絶縁材料層１に貫通孔２２０毎に別個の穴が形成された形状、すなわち、各貫通孔２２０の下の穴同士が平面方向に繋がらない形状であってもよい。図６Ｂは、デガスホールを貫通するビアの他の形状を表す図である。
【００４８】
図５Ｆに戻って説明を続ける。ビア３７は、絶縁材料層１の内部に達するように穴が開けられる。ビア３４〜３７の絶縁材料層２における形状は同じ形状となる。ここで、ビア３４〜３７は、同じ工程で同時にレーザー照射が行われ穴があけられるので、ビア３４〜３７の数が増えても、製造工程は増加しない。
【００４９】
その後、ビア３４〜３７内の樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理を行った後に、ビア３４〜３７を含む絶縁材料層２の上面に無電解銅めっきが施されシード層３８が形成される。これにより、図５Ｇに示す状態となる。
【００５０】
ここで、図７は、図５Ｇにおけるビア３５の先端部分の拡大図である。図７に示すように、導体層２０２における開口部２２０の間の各部材の周りもシード層３８で覆われる。
【００５１】
図５Ｇに戻って説明を続ける。次に、絶縁材料層２の上面側に形成されたシード層３８の上に、ＤＦＲがラミネートされる。次に、露光及び現像が行われ、ＤＦＲパターン３９が形成される。この時、ビア３５〜３７は、開口が塞がれる。次に、ＤＦＲパターン３９に対して、電解銅めっきが施される。これにより、ビア３４にはビアフィルめっきが施され、導通ビア３０１に接続された導通ビア３０２が形成される。また、ビア３５〜３７は開口が塞がれているので、ビア３５〜３７には電解銅めっきが施されない。これにより、図５Ｈに示す状態となる。
【００５２】
次に、剥離液を使用してＤＦＲを剥離して除去する。さらに、エッチングによりビア３５〜３７内及び絶縁材料層２の上面に露出するシード層３８、並びに、ビア３５及び３６内に露出するシード層３２及び３８を除去する。例えば、図７に示した導体層２０２における開口部２２０の間の各部材の周りのシード層３８及び開口部２２０の間の各部材の下のシード層３２が、エッチングにより除去される。これにより、図５Ｉに示す状態となる。
【００５３】
次に、絶縁材料層２の上面上に絶縁材料層３が積層される。この際、ビア３５〜３７に絶縁材料が充填される。この場合、導体層２０１の貫通孔２１０や導体層２０２の貫通孔２２０を経由して絶縁材料層１側に絶縁材料が流れ込み、ビア３５及び３６の絶縁材料層１側の空間にも絶縁材料が充填される。これにより、図１に示した樹脂ビア１０１〜１０３及び絶縁材料層３が形成される。すなわち、ビア３５及び３６内に露出する導体層２０１及び２０２の上面及び下面を被覆し、導体層２０１の貫通孔２１０及び導体層２０２の貫通孔２２０を充填する樹脂ビア１０１及び１０２が絶縁材料層３と一体に形成される。
【００５４】
なお、本実施例では、絶縁材料層３の積層工程以降については説明を省略したが、以降の工程についてはビルドアップ法を用いて、ビルドアップ基板５を完成させる。
【００５５】
さらに、本実施例では、絶縁材料層１〜３を積層したが、絶縁材料層３の上にさらに１つ又は複数の絶縁材料層を積層してもよい。その場合、同様に樹脂ビア１０１〜１０３を設けることが好ましい。
【００５６】
ここで、本実施例では、樹脂ビア１０１〜１０３として絶縁材料層２を貫通し次の絶縁材料層１に達する形状としたが、樹脂ビア１０１〜１０３は、絶縁材料層２を貫通し、さらに絶縁材料層１及び絶縁材料層１の下層にある複数の絶縁材料層（不図示）を貫通するようにしてもよい。その場合、樹脂ビア１０１及び１０２は、導体層２０１又は２０２以外の導体層を貫通するように設けてもよい。
【００５７】
さらに、本実施例では、導体層２０１及び２０２が貫通孔２１０や２２０を有する場合で説明したが、樹脂ビア１０１又は１０２が貫通する導体層２０１及び２０２は、他の形状であってもよい。
【００５８】
図８は、外周部の切り欠きと貫通孔を有する導体層の一例の図である。図８は、図２及び３と同様に、切り欠き及び貫通孔を有する導体層２０４を樹脂ビア１０４が貫通した状態の平面方向の断面を表す。導体層２０４は、切り欠き２４１及び貫通孔２４２を有する。
【００５９】
また、図９は、図８におけるIX-IX断面図である。図９に示すように、導体層２０４を貫通する樹脂ビア１０４は、貫通孔２４２及び切り欠き２４１を介して絶縁材料層１側に回り込み、導体層２０４を挟むように設けられる。また、樹脂ビア１０４は、貫通孔２４２の下の穴と切り欠き２４１の下の穴とが平面方向に繋がり、底部分が凹凸形状である。このように、外周部の切り欠き２４１を有する導体層２０４を用いてもよい。
【００６０】
以上に説明したように、本実施例に係る積層基板は、１つの絶縁材料層を貫通し他の絶縁材料層に達する樹脂ビアが設けられる。これにより、密着する面が増えるため密着性が高まりデラミの発生を抑制することができる。また、絶縁材料層と絶縁材料層との界面もしくは、絶縁材料層と導体層との界面を跨ぐように樹脂ビアが設けられるため、各界面を伝搬するデラミの進展を抑制することができる。また、導体層を挟むように樹脂ビアが形成されることで、アンカー効果により導体層と絶縁材料層とのデラミの発生及び伝搬を抑制することができる。また、デラミの伝搬を抑えることで、デラミが導体層と導通ビアとの界面に達することを抑制することができ、電気的な導通を確保して電気的接続信頼性を維持することができる。
【００６１】
また樹脂ビアは絶縁材料により形成されているため、樹脂ビアを設ける導体層としてグランドプレーンもしくは電源プレーンを用いる場合であっても、該導体層に不要な電気的接続が発生するおそれはない。したがって、樹脂ビアを設けることによる配線デザイン上の制約はほとんど増えない。
【符号の説明】
【００６２】
１〜３  絶縁材料層
５  ビルドアップ基板
１０１〜１０４  樹脂ビア
２０１，２０２，２０４  導体層
２１０，２２０，２４２  貫通孔
２４１  切り欠き
３０１，３０２  導通ビア
４０１〜４０３  導体層
【図１】
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【図２】
2020113609.tif 000004
【図３】
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【図４】
2020113609.tif 000006
【図５Ａ】
2020113609.tif 000007
【図５Ｂ】
2020113609.tif 000008
【図５Ｃ】
2020113609.tif 000009
【図５Ｄ】
2020113609.tif 000010
【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
2020113609.tif 000014
【図５Ｉ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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