(57)【要約】【課題】ビームパーク装置でのパーティクルの飛散を抑制する。【解決手段】ビームパーク装置２４は、ビームラインＡを挟んで対向する一対のパーク電極２５ａ，２５ｂと、一対のパーク電極２５ａ，２５ｂよりもビームラインＡの下流側において一対のパーク電極２５ａ，２５ｂの対向方向にビームラインＡから離れて設けられるビームダンプとを備える。一対のパーク電極２５ａ，２５ｂの少なくとも一方は、ビームラインＡの延びる方向および対向方向の双方と直交する所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体７３ａ〜７３ｆを含む。複数の電極体７３ａ〜７３ｆのそれぞれは、ビームラインの上流側から下流側に向けて延在する。【選択図】図４
2020080242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハに向けてイオンビームが輸送されるビームラインの途中にビームパーク装置を備えるイオン注入装置であって、前記ビームパーク装置は、
前記ビームラインを挟んで対向する一対のパーク電極と、
前記一対のパーク電極よりも前記ビームラインの下流側において前記一対のパーク電極の対向方向に前記ビームラインから離れて設けられるビームダンプと、を備え、
前記一対のパーク電極の少なくとも一方は、前記ビームラインの延びる方向および前記対向方向の双方と直交する所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体を含み、
前記複数の電極体のそれぞれは、前記ビームラインの上流側から下流側に向けて延在することを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
前記複数の電極体の少なくとも一つは、前記所定方向と直交する方向に延在することを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記複数の電極体の少なくとも一つは、前記所定方向に対して斜めに延在することを特徴とする請求項１または２に記載のイオン注入装置
【請求項４】
前記一対のパーク電極の前記対向方向は、重力方向であり、
前記複数の電極体は、少なくとも重力方向下側のパーク電極に設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項５】
前記ビームダンプは、前記ビームラインから重力方向下側に離れた位置に設けられることを特徴とする請求項４に記載のイオン注入装置。
【請求項６】
前記一対のパーク電極の一方は、前記複数の電極体を含み、
前記一対のパーク電極の他方は、前記ビームラインを挟んで前記複数の電極体と対向する平坦面を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項７】
前記一対のパーク電極のそれぞれが前記複数の電極体を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項８】
前記複数の電極体のそれぞれは、前記ビームラインを挟んで対向するパーク電極に向けて露出する部分の少なくとも縁がＲ面取りされていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項９】
前記複数の電極体のそれぞれの前記露出する部分の表面は、平面と、Ｒ面取りされた曲面とを有することを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
前記複数の電極体のそれぞれの前記Ｒ面取りの曲率半径は、５ｍｍ以上３０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項８または９に記載のイオン注入装置。
【請求項１１】
前記複数の電極体の少なくとも一つの側面であって、隣合う電極体と前記所定方向に対向する側面が平坦面であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１２】
前記複数の電極体の少なくとも一つの延在方向に直交する断面は、円形、長円形または楕円形であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１３】
前記複数の電極体を含むパーク電極は、前記所定方向に延在して前記複数の電極体のそれぞれの上流端を接続する上流側接続部をさらに含み、前記上流側接続部は、前記ビームラインを挟んで対向するパーク電極に向けて露出する部分がＲ面取りされていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１４】
前記複数の電極体を含むパーク電極は、前記所定方向に延在して前記複数の電極体のそれぞれの下流端を接続する下流側接続部をさらに含み、前記下流側接続部は、前記ビームラインを挟んで対向するパーク電極に向けて露出する部分がＲ面取りされていることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１５】
前記一対のパーク電極の一方は、前記ビームラインに沿って設けられ、
前記一対のパーク電極の他方は、前記ビームラインの下流側に向かうにつれて前記ビームラインから前記対向方向に離れて前記ビームダンプに近づくように前記ビームラインに対して斜めに設けられることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１６】
前記ビームラインに対して斜めに設けられるパーク電極の傾斜角は、１０度以上３０度以下であることを特徴とする請求項１５に記載のイオン注入装置。
【請求項１７】
前記ビームパーク装置は、前記一対のパーク電極を同電位とすることにより、前記イオンビームを前記ビームラインに沿って下流側に通過させる第１モードと、前記一対のパーク電極間に所定の電圧を印加することにより、前記イオンビームを前記ビームダンプに入射させる第２モードとを切り替えて動作可能であることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１８】
前記ビームパーク装置よりも前記ビームラインの上流側に配置される質量分析磁石と、
前記ビームパーク装置よりも前記ビームラインの下流側に配置され、前記質量分析磁石により偏向されるイオンビームを質量分析するための質量分析スリットと、をさらに備えることを特徴とする請求項１から１７のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記ビームパーク装置の下流側に配置され、前記ビームライン上に挿入してイオンビームを遮蔽可能なインジェクタファラデーカップをさらに備えることを特徴とする請求項１から１８のいずれか一項に記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
ビームラインの途中に配置されるビームパーク装置であって、
前記ビームラインを挟んで対向する一対のパーク電極と、
前記一対のパーク電極よりも前記ビームラインの下流側において前記一対のパーク電極の対向方向に前記ビームラインから離れて設けられるビームダンプと、を備え、
前記一対のパーク電極の少なくとも一方は、前記ビームラインの延びる方向および前記対向方向の双方と直交する所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体を含み、
前記複数の電極体のそれぞれは、前記ビームラインの上流側から下流側に向けて延在することを特徴とするビームパーク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入装置およびビームパーク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、半導体の導電性を変化させる目的、半導体の結晶構造を変化させる目的などのため、半導体ウェハにイオンを注入する工程（イオン注入工程ともいう）が標準的に実施されている。イオン注入工程では、注入対象の半導体ウェハに向けて延びるビームラインに沿ってイオンビームを輸送するイオン注入装置が用いられる。ビームラインの途中には、ビームラインからイオンビームを一時的に退避させ、半導体ウェハにイオンビームが照射されないようにするためのビームパーク装置が設けられることがある。ビームパーク装置は、例えばビームラインを挟んで対向する一対のパーク電極を備え、パーク電極間に印加される電場を用いてイオンビームを偏向させる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５２４２９３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
イオンビームが輸送される真空チャンバ内では、様々な要因によりパーティクルが生じることがあり、上述のパーク電極の表面にもパーティクルが付着することがある。発明者らの知見によれば、パーク電極の表面にパーティクルが付着した状態でイオンビームの退避のためにパーク電極に高電圧を印加すると、パーク電極の表面で放電が発生し、放電時にパーク電極表面のパーティクルが飛散しうることが分かっている。ビームラインに向けてパーティクルが飛散した場合、半導体ウェハへのイオン注入処理に影響を及ぼすおそれがある。
【０００５】
本発明のある態様の例示的な目的のひとつは、ビームパーク装置でのパーティクルの飛散を抑制する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様のイオン注入装置は、ウェハに向けてイオンビームが輸送されるビームラインの途中にビームパーク装置を備える。ビームパーク装置は、ビームラインを挟んで対向する一対のパーク電極と、一対のパーク電極よりもビームラインの下流側において一対のパーク電極の対向方向にビームラインから離れて設けられるビームダンプと、を備える。一対のパーク電極の少なくとも一方は、ビームラインの延びる方向および対向方向の双方と直交する所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体を含む。複数の電極体のそれぞれは、ビームラインの上流側から下流側に向けて延在する。
【０００７】
本発明のさらに別の態様は、ビームラインの途中に配置されるビームパーク装置である。この装置は、ビームラインを挟んで対向する一対のパーク電極と、一対のパーク電極よりもビームラインの下流側において一対のパーク電極の対向方向にビームラインから離れて設けられるビームダンプとを備える。一対のパーク電極の少なくとも一方は、ビームラインの延びる方向および対向方向の双方と直交する所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体を含む。複数の電極体のそれぞれは、ビームラインの上流側から下流側に向けて延在する。
【０００８】
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ビームパーク装置でのパーティクルの飛散を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態に係るイオン注入装置の概略構成を示す上面図である。
【図２】図１のイオン注入装置の概略構成を示す側面図である。
【図３】ビームパーク装置の構成を詳細に示す側面図である。
【図４】図３のビームパーク装置の構成を詳細に示す正面図である。
【図５】第２パーク電極の構成を示す断面図である。
【図６】第２パーク電極の構成を示す上面図である。
【図７】パーティクルの付着を抑制するメカニズムを模式的に示す図である。
【図８】変形例に係る第２パーク電極の構成を示す上面図である。
【図９】変形例に係るビームパーク装置の構成を示す正面図である。
【図１０】図１０（ａ）および（ｂ）は、変形例に係る第２パーク電極の構成を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。また、以下に述べる構成は例示であり、本発明の範囲を何ら限定するものではない。
【００１２】
実施の形態を詳述する前に概要を説明する。本実施の形態は、ウェハに向けてイオンビームが輸送されるビームラインの途中にビームパーク装置が設けられるイオン注入装置である。ビームパーク装置は、ビームラインを挟んで対向する一対のパーク電極と、一対のパーク電極よりもビームラインの下流側において一対のパーク電極の対向方向にビームラインから離れて設けられるビームダンプと、を備える。ビームパーク装置は、パーク電極間に印加される電場を利用してイオンビームを偏向させ、ビームラインから外れたビームダンプにイオンビームを入射させることにより、ビームパーク装置より下流側にイオンビームが通過しないようにする。
【００１３】
イオンビームが輸送される真空チャンバ内では、様々な要因によりパーティクルが生じることがあり、上述のパーク電極の表面にもパーティクルが付着することがある。発明者らの知見によれば、パーク電極の表面にパーティクルが付着した状態でイオンビームの退避のためにパーク電極に高電圧を印加すると、パーク電極の表面で放電が発生し、放電時にパーク電極表面のパーティクルが飛散しうることが分かっている。ビームラインに向けてパーティクルが飛散した場合、下流側の半導体ウェハへのイオン注入処理に影響を及ぼすおそれがある。そこで、本実施の形態では、パーク電極の表面形状をパーティクルが付着しにくい形状とする。具体的には、パーク電極を所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体で構成し、パーティクルが電極体間の隙間に落ちるようにしている。これにより、放電が発生しうるパーク電極の電極面上にパーティクルが残存する可能性を低くし、放電によるパーティクルの飛散を抑制できる。
【００１４】
図１は、実施の形態に係るイオン注入装置１０を概略的に示す上面図であり、図２は、イオン注入装置１０の概略構成を示す側面図である。イオン注入装置１０は、被処理物Ｗの表面にイオン注入処理をするよう構成される。被処理物Ｗは、例えば基板であり、例えば半導体ウェハである。説明の便宜のため、本明細書において被処理物ＷをウェハＷと呼ぶことがあるが、これは注入処理の対象を特定の物体に限定することを意図しない。
【００１５】
イオン注入装置１０は、ビームを一方向に往復走査させ、ウェハＷを走査方向と直交する方向に往復運動させることによりウェハＷの処理面全体にわたってイオンビームを照射するよう構成される。本書では説明の便宜上、設計上のビームラインＡに沿って進むイオンビームの進行方向をｚ方向とし、ｚ方向に垂直な面をｘｙ面と定義する。イオンビームを被処理物Ｗに対し走査する場合において、ビームの走査方向をｘ方向とし、ｚ方向及びｘ方向に垂直な方向をｙ方向とする。したがって、ビームの往復走査はｘ方向に行われ、ウェハＷの往復運動はｙ方向に行われる。
【００１６】
イオン注入装置１０は、イオン源１２と、ビームライン装置１４と、注入処理室１６と、ウェハ搬送装置１８とを備える。イオン源１２は、イオンビームをビームライン装置１４に与えるよう構成される。ビームライン装置１４は、イオン源１２から注入処理室１６へイオンビームを輸送するよう構成される。注入処理室１６には、注入対象となるウェハＷが収容され、ビームライン装置１４から与えられるイオンビームをウェハＷに照射する注入処理がなされる。ウェハ搬送装置１８は、注入処理前の未処理ウェハを注入処理室１６に搬入し、注入処理後の処理済ウェハを注入処理室１６から搬出するよう構成される。イオン注入装置１０は、イオン源１２、ビームライン装置１４、注入処理室１６およびウェハ搬送装置１８に所望の真空環境を提供するための真空排気系（図示せず）を備える。
【００１７】
ビームライン装置１４は、ビームラインＡの上流側から順に、質量分析部２０、ビームパーク装置２４、ビーム整形部３０、ビーム走査部３２、ビーム平行化部３４および角度エネルギーフィルタ（ＡＥＦ；Angular Energy Filter）３６を備える。なお、ビームラインＡの上流とは、イオン源１２に近い側のことをいい、ビームラインＡの下流とは注入処理室１６（またはビームストッパ４６）に近い側のことをいう。
【００１８】
質量分析部２０は、イオン源１２の下流に設けられ、イオン源１２から引き出されたイオンビームから必要なイオン種を質量分析により選択するよう構成される。質量分析部２０は、質量分析磁石２１と、質量分析レンズ２２と、質量分析スリット２３とを有する。
【００１９】
質量分析磁石２１は、イオン源１２から引き出されたイオンビームに磁場を印加し、イオンの質量電荷比Ｍ＝ｍ／ｑ（ｍは質量、ｑは電荷）の値に応じて異なる経路でイオンビームを偏向させる。質量分析磁石２１は、例えばイオンビームにｙ方向（例えば−ｙ方向）の磁場を印加してイオンビームをｘ方向に偏向させる。質量分析磁石２１の磁場強度は、所望の質量電荷比Ｍを有するイオン種が質量分析スリット２３を通過するように調整される。
【００２０】
質量分析レンズ２２は、質量分析磁石２１の下流に設けられ、イオンビームに対する収束／発散力を調整するよう構成される。質量分析レンズ２２は、質量分析スリット２３を通過するイオンビームのビーム進行方向（ｚ方向）の焦点位置を調整し、質量分析部２０の質量分解能Ｍ／ｄＭを調整する。なお、質量分析レンズ２２は必須の構成ではなく、質量分析部２０に質量分析レンズ２２が設けられなくてもよい。
【００２１】
質量分析スリット２３は、質量分析レンズ２２の下流に設けられ、質量分析レンズ２２から離れた位置に設けられる。質量分析スリット２３は、質量分析磁石２１によるビーム偏向方向（ｘ方向）がスリット幅となるように構成され、ｘ方向が相対的に短く、ｙ方向が相対的に長い形状の開口２３ａを有する。
【００２２】
質量分析スリット２３は、質量分解能の調整のためにスリット幅が可変となるように構成されてもよい。質量分析スリット２３は、スリット幅方向に移動可能な二枚の遮蔽体により構成され、二枚の遮蔽体の間隔を変化させることによりスリット幅が調整可能となるように構成されてもよい。質量分析スリット２３は、スリット幅の異なる複数のスリットのうちのいずれか一つに切り替えることによりスリット幅が可変となるよう構成されてもよい。
【００２３】
ビームパーク装置２４は、ビームラインＡからイオンビームを一時的に退避し、下流の注入処理室１６（またはウェハＷ）に向かうイオンビームを遮断するよう構成される。ビームパーク装置２４は、ビームラインＡの途中の任意の位置に配置することができるが、例えば、質量分析レンズ２２と質量分析スリット２３の間に配置できる。質量分析レンズ２２と質量分析スリット２３の間には一定の距離が必要であるため、その間にビームパーク装置２４を配置することで、他の位置に配置する場合よりもビームラインＡの長さを短くすることができ、イオン注入装置１０の全体を小型化できる。
【００２４】
ビームパーク装置２４は、一対のパーク電極２５（２５ａ，２５ｂ）と、ビームダンプ２６と、を備える。一対のパーク電極２５ａ，２５ｂは、ビームラインＡを挟んで対向し、質量分析磁石２１のビーム偏向方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙ方向）に対向する。ビームダンプ２６は、パーク電極２５ａ，２５ｂよりもビームラインＡの下流側に設けられ、ビームラインＡからパーク電極２５ａ，２５ｂの対向方向に離れて設けられる。
【００２５】
第１パーク電極２５ａはビームラインＡよりも重力方向上側に配置され、第２パーク電極２５ｂはビームラインＡよりも重力方向下側に配置される。ビームダンプ２６は、ビームラインＡよりも重力方向下側に離れた位置に設けられ、質量分析スリット２３の開口２３ａの重力方向下側に配置される。ビームダンプ２６は、例えば、質量分析スリット２３の開口２３ａが形成されていない部分で構成される。ビームダンプ２６は、質量分析スリット２３とは別体として構成されてもよい。
【００２６】
ビームパーク装置２４は、一対のパーク電極２５ａ，２５ｂの間に印加される電場を利用してイオンビームを偏向させ、ビームラインＡからイオンビームを退避させる。例えば、第１パーク電極２５ａの電位を基準として第２パーク電極２５ｂに負電圧を印加することにより、イオンビームをビームラインＡから重力方向下方に偏向させてビームダンプ２６に入射させる。図２において、ビームダンプ２６に向かうイオンビームの軌跡を破線で示している。また、ビームパーク装置２４は、一対のパーク電極２５ａ，２５ｂを同電位とすることにより、イオンビームをビームラインＡに沿って下流側に通過させる。ビームパーク装置２４は、イオンビームを下流側に通過させる第１モードと、イオンビームをビームダンプ２６に入射させる第２モードとを切り替えて動作可能となるよう構成される。
【００２７】
質量分析スリット２３の下流にはインジェクタファラデーカップ２８が設けられる。インジェクタファラデーカップ２８は、インジェクタ駆動部２９の動作によりビームラインＡに出し入れ可能となるよう構成される。インジェクタ駆動部２９は、インジェクタファラデーカップ２８をビームラインＡの延びる方向と直交する方向（例えばｙ方向）に移動させる。インジェクタファラデーカップ２８は、図２の破線で示すようにビームラインＡ上に配置された場合、下流側に向かうイオンビームを遮断する。一方、図２の実線で示すように、インジェクタファラデーカップ２８がビームラインＡ上から外された場合、下流側に向かうイオンビームの遮断が解除される。
【００２８】
インジェクタファラデーカップ２８は、質量分析部２０により質量分析されたイオンビームのビーム電流を計測するよう構成される。インジェクタファラデーカップ２８は、質量分析磁石２１の磁場強度を変化させながらビーム電流を測定することにより、イオンビームの質量分析スペクトラムを計測できる。計測した質量分析スペクトラムを用いて、質量分析部２０の質量分解能を算出できる。
【００２９】
ビーム整形部３０は、四重極収束／発散装置（Ｑレンズ）などの収束／発散レンズを備えており、質量分析部２０を通過したイオンビームを所望の断面形状に整形するよう構成されている。ビーム整形部３０は、例えば、電場式の三段四重極レンズ（トリプレットＱレンズともいう）で構成され、三つの四重極レンズ３０ａ，３０ｂ，３０ｃを有する。ビーム整形部３０は、三つのレンズ装置３０ａ〜３０ｃを用いることにより、イオンビームの収束または発散をｘ方向およびｙ方向のそれぞれについて独立に調整しうる。ビーム整形部３０は、磁場式のレンズ装置を含んでもよく、電場と磁場の双方を利用してビームを整形するレンズ装置を含んでもよい。
【００３０】
ビーム走査部３２は、ビームの往復走査を提供するよう構成され、整形されたイオンビームをｘ方向に走査するビーム偏向装置である。ビーム走査部３２は、ビーム走査方向（ｘ方向）に対向する走査電極対を有する。走査電極対は可変電圧電源（図示せず）に接続されており、走査電極対の間に印加される電圧を周期的に変化させることにより、電極間に生じる電界を変化させてイオンビームをさまざまな角度に偏向させる。その結果、イオンビームがｘ方向の走査範囲全体にわたって走査される。図１において、矢印Ｘによりビームの走査方向及び走査範囲を例示し、走査範囲でのイオンビームの複数の軌跡を一点鎖線で示している。
【００３１】
ビーム平行化部３４は、走査されたイオンビームの進行方向を設計上のビームラインＡの軌道と平行にするよう構成される。ビーム平行化部３４は、中央部にイオンビームの通過スリットが設けられた円弧形状の複数の平行化レンズ電極を有する。平行化レンズ電極は、高圧電源（図示せず）に接続されており、電圧印加により生じる電界をイオンビームに作用させて、イオンビームの進行方向を平行に揃える。なお、ビーム平行化部３４は他のビーム平行化装置で置き換えられてもよく、ビーム平行化装置は磁界を利用する磁石装置として構成されてもよい。
【００３２】
ビーム平行化部３４の下流には、イオンビームを加速または減速させるためのＡＤ（Accel／Decel）コラム（図示せず）が設けられてもよい。
【００３３】
角度エネルギーフィルタ（ＡＥＦ）３６は、イオンビームのエネルギーを分析し必要なエネルギーのイオンを下方に偏向して注入処理室１６に導くよう構成されている。角度エネルギーフィルタ３６は、電界偏向用のＡＥＦ電極対を有する。ＡＥＦ電極対は、高圧電源（図示せず）に接続される。図２において、上側のＡＥＦ電極に正電圧、下側のＡＥＦ電極に負電圧を印加させることにより、イオンビームを下方に偏向させる。なお、角度エネルギーフィルタ３６は、磁界偏向用の磁石装置で構成されてもよく、電界偏向用のＡＥＦ電極対と磁界偏向用の磁石装置の組み合わせで構成されてもよい。
【００３４】
このようにして、ビームライン装置１４は、ウェハＷに照射されるべきイオンビームを注入処理室１６に供給する。
【００３５】
注入処理室１６は、ビームラインＡの上流側から順に、エネルギースリット３８、プラズマシャワー装置４０、サイドカップ４２、センターカップ４４およびビームストッパ４６を備える。注入処理室１６は、図２に示されるように、１枚又は複数枚のウェハＷを保持するプラテン駆動装置５０を備える。
【００３６】
エネルギースリット３８は、角度エネルギーフィルタ３６の下流側に設けられ、角度エネルギーフィルタ３６とともにウェハＷに入射するイオンビームのエネルギー分析をする。エネルギースリット３８は、ビーム走査方向（ｘ方向）に横長のスリットで構成されるエネルギー制限スリット（ＥＤＳ；Energy Defining Slit）である。エネルギースリット３８は、所望のエネルギー値またはエネルギー範囲のイオンビームをウェハＷに向けて通過させ、それ以外のイオンビームを遮蔽する。
【００３７】
プラズマシャワー装置４０は、エネルギースリット３８の下流側に位置する。プラズマシャワー装置４０は、イオンビームのビーム電流量に応じてイオンビームおよびウェハＷの表面（ウェハ処理面）に低エネルギー電子を供給し、イオン注入で生じるウェハ処理面の正電荷のチャージアップを抑制する。プラズマシャワー装置４０は、例えば、イオンビームが通過するシャワーチューブと、シャワーチューブ内に電子を供給するプラズマ発生装置とを含む。
【００３８】
サイドカップ４２（４２Ｒ，４２Ｌ）は、ウェハＷへのイオン注入処理中にイオンビームのビーム電流を測定するよう構成される。図２に示されるように、サイドカップ４２Ｒ，４２Ｌは、ビームラインＡ上に配置されるウェハＷに対して左右（ｘ方向）にずれて配置されており、イオン注入時にウェハＷに向かうイオンビームを遮らない位置に配置される。イオンビームは、ウェハＷが位置する範囲を超えてｘ方向に走査されるため、イオン注入時においても走査されるビームの一部がサイドカップ４２Ｒ、４２Ｌに入射する。これにより、イオン注入処理中のビーム電流量がサイドカップ４２Ｒ、４２Ｌにより計測される。
【００３９】
センターカップ４４は、ウェハ処理面におけるビーム電流を測定するよう構成される。センターカップ４４は、駆動部４５の動作により可動となるよう構成され、イオン注入時にウェハＷが位置する注入位置から待避され、ウェハＷが注入位置にないときに注入位置に挿入される。センターカップ４４は、ｘ方向に移動しながらビーム電流を測定することにより、ｘ方向のビーム走査範囲の全体にわたってビーム電流を測定することができる。センターカップ４４は、ビーム走査方向（ｘ方向）の複数の位置におけるビーム電流を同時に計測可能となるように、複数のファラデーカップがｘ方向に並んでアレイ状に形成されてもよい。
【００４０】
サイドカップ４２およびセンターカップ４４の少なくとも一方は、ビーム電流量を測定するための単一のファラデーカップを備えてもよいし、ビームの角度情報を測定するための角度計測器を備えてもよい。角度計測器は、例えば、スリットと、スリットからビーム進行方向（ｚ方向）に離れて設けられる複数の電流検出部とを備える。例えば、スリットを通過したビームをスリット幅方向に並べられる複数の電流検出部で計測することにより、スリット幅方向のビームの角度成分を測定できる。サイドカップ４２およびセンターカップ４４の少なくとも一方は、ｘ方向の角度情報を測定可能な第１角度測定器と、ｙ方向の角度情報を測定可能な第２角度測定器とを備えてもよい。
【００４１】
プラテン駆動装置５０は、ウェハ保持装置５２と、往復運動機構５４と、ツイスト角調整機構５６と、チルト角調整機構５８とを含む。ウェハ保持装置５２は、ウェハＷを保持するための静電チャック等を含む。往復運動機構５４は、ビーム走査方向（ｘ方向）と直交する往復運動方向（ｙ方向）にウェハ保持装置５２を往復運動させることにより、ウェハ保持装置５２に保持されるウェハをｙ方向に往復運動させる。図２において、矢印ＹによりウェハＷの往復運動を例示する。
【００４２】
ツイスト角調整機構５６は、ウェハＷの回転角を調整する機構であり、ウェハ処理面の法線を軸としてウェハＷを回転させることにより、ウェハの外周部に設けられるアライメントマークと基準位置との間のツイスト角を調整する。ここで、ウェハのアライメントマークとは、ウェハの外周部に設けられるノッチやオリフラのことをいい、ウェハの結晶軸方向やウェハの周方向の角度位置の基準となるマークをいう。ツイスト角調整機構５６は、ウェハ保持装置５２と往復運動機構５４の間に設けられ、ウェハ保持装置５２とともに往復運動される。
【００４３】
チルト角調整機構５８は、ウェハＷの傾きを調整する機構であり、ウェハ処理面に向かうイオンビームの進行方向とウェハ処理面の法線との間のチルト角を調整する。本実施の形態では、ウェハＷの傾斜角のうち、ｘ方向の軸を回転の中心軸とする角度をチルト角として調整する。チルト角調整機構５８は、往復運動機構５４と注入処理室１６の壁面の間に設けられており、往復運動機構５４を含むプラテン駆動装置５０全体をＲ方向に回転させることでウェハＷのチルト角を調整するように構成される。
【００４４】
プラテン駆動装置５０は、イオンビームがウェハＷに照射される注入位置と、ウェハ搬送装置１８との間でウェハＷが搬入または搬出される搬送位置との間でウェハＷが移動可能となるようにウェハＷを保持する。図２は、ウェハＷが注入位置にある状態を示しており、プラテン駆動装置５０は、ビームラインＡとウェハＷとが交差するようにウェハＷを保持する。ウェハＷの搬送位置は、ウェハ搬送装置１８に設けられる搬送機構または搬送ロボットにより搬送口４８を通じてウェハＷが搬入または搬出される際のウェハ保持装置５２の位置に対応する。
【００４５】
ビームストッパ４６は、ビームラインＡの最下流に設けられ、例えば、注入処理室１６の内壁に取り付けられる。ビームラインＡ上にウェハＷが存在しない場合、イオンビームはビームストッパ４６に入射する。ビームストッパ４６は、注入処理室１６とウェハ搬送装置１８の間を接続する搬送口４８の近くに位置しており、搬送口４８よりも鉛直下方の位置に設けられる。
【００４６】
イオン注入装置１０は、中央制御装置６０を備える。中央制御装置６０は、イオン注入装置１０の動作全般を制御する。中央制御装置６０は、ハードウェア的には、コンピュータのＣＰＵやメモリをはじめとする素子や機械装置で実現され、ソフトウェア的にはコンピュータプログラム等によって実現され、中央制御装置６０により提供される各種機能は、ハードウェアおよびソフトウェアの連携によって実現されうる。
【００４７】
つづいて、ビームパーク装置２４の構成について詳述する。図３は、ビームパーク装置２４の構成を詳細に示す側面図である。図３において、紙面の上下方向（ｙ方向）は重力方向Ｇと平行である。したがって、第１パーク電極２５ａが重力方向上側に配置され、第２パーク電極２５ｂが重力方向下側に配置されている。
【００４８】
図３は、上述の第１モードで動作するビームパーク装置２４を示しており、パーク電極２５ａ，２５ｂの間を通過するイオンビームＢは、質量分析スリット２３の開口２３ａを通ってビームラインＡの下流側に向かっている。質量分析スリット２３の基部２３ｂは、ステンレスやアルミニウムなどの材料で構成される。ビームパーク装置２４と対向する質量分析スリット２３の上流側の表面２３ｃおよび開口２３ａには、グラファイトなどで構成されるカバー部材２３ｄが設けられる。カバー部材２３ｄを設けることにより、質量分析スリット２３の少なくとも一部がビームダンプ２６として好適に機能しうる。
【００４９】
第１パーク電極２５ａおよび第２パーク電極２５ｂのそれぞれは、ベースプレート８０に対して固定されている。ベースプレート８０は、第１パーク電極２５ａおよび第２パーク電極２５ｂの重力方向下側に配置されている。第１パーク電極２５ａは、ベースプレート８０から重力方向上側に延在する第１支持部材８２により支持される。第２パーク電極２５ｂは、ベースプレート８０から重力方向上側に延在する第２支持部材８４により支持される。第１支持部材８２および第２支持部材８４の取付位置は特に問わないが、例えば、第１支持部材８２をビームラインＡの下流側の位置に設け、第２支持部材８４をビームラインＡの上流側の位置に設けることができる。
【００５０】
第１パーク電極２５ａは、グラファイトやアルミニウムなどの導電性部材の平板６２で構成され、第２パーク電極２５ｂと対向する第１電極面６４が平坦面となるよう構成される。平板６２は、第１電極面６４がビームラインＡと沿うように配置される。平板６２は、ビームラインＡに対して第１電極面６４が厳密に平行となるように配置されてもよいし、ビームラインＡに対する第１電極面６４の傾斜角が５度以下といった小さな角度となるようにビームラインＡに対して第１電極面６４が略平行となるように配置されてもよい。第１パーク電極２５ａと第２パーク電極２５ｂの間での放電を防ぐため、平板６２の縁や角はＲ面取りされている。
【００５１】
第２パーク電極２５ｂは、グラファイトやアルミニウムなどの導電性部材で構成される。第２パーク電極２５ｂは、第１パーク電極２５ａと対向する第２電極面７４の少なくとも一部がビームラインＡに対して斜めに傾斜し、ビームラインＡから離れて質量分析スリット２３の開口２３ａの下方に位置するビームダンプ２６に近づくように構成される。第２電極面７４の傾斜角θ２は、イオンビームＢをビームダンプ２６に向けて退避させるときのビーム偏向角θ１と同じであり、例えば１０度〜３０度程度の角度に設定され、好ましくは１５度〜２５度の角度に設定される。一方、第２パーク電極２５ｂの底面７５は、ビームラインＡと平行である。第２パーク電極２５ｂの底面７５の上流側の位置には第２支持部材８４を接続するための取付部７９が設けられる。
【００５２】
第２パーク電極２５ｂは、本体部７０と、上流側接続部７１と、下流側接続部７２とを有する。本体部７０は、ビームラインＡに対して斜めに傾斜する電極面を有する部分である。本体部７０は、複数の電極体７３（後述する図４の電極体７３ａ〜７３ｆ）で構成される。上流側接続部７１は、本体部７０の上流側に設けられ、複数の電極体７３のそれぞれの上流端を接続する。下流側接続部７２は、本体部７０の下流側に設けられ、複数の電極体７３のそれぞれの下流端を接続する。
【００５３】
第２パーク電極２５ｂの外周面７６には、電源接続部８６が取り付けられる。電源接続部８６は、第２パーク電極２５ｂの外周面７６からｘ方向に延在した後（図４参照）、ビームラインＡの上流側に向けて延びる。電源接続部８６は、切替スイッチ８７を介して電源８８またはグランド８９に接続される。切替スイッチ８７は、ビームパーク装置２４を第１モードで動作させる場合にグランド８９に接続し、ビームパーク装置２４を第２モードで動作させる場合に電源８８の負極に接続する。電源８８の正極はグランド８９に接続されている。
【００５４】
第１パーク電極２５ａ、ベースプレート８０および第１支持部材８２は同電位となるよう構成され、例えばグランド８９に接続される。一方、第２パーク電極２５ｂは、第１パーク電極２５ａに対して負電位が印加されうる。そのため、第２パーク電極２５ｂとベースプレート８０の間の電気的絶縁を確保する必要があり、第２支持部材８４は、碍子などの絶縁部材８４ａを含む。したがって、第２パーク電極２５ｂとベースプレート８０の間は絶縁部材８４ａを介して接続される。
【００５５】
絶縁部材８４ａの周囲には内側絶縁カバー８４ｂおよび外側絶縁カバー８４ｃが設けられる。内側絶縁カバー８４ｂは、ベースプレート８０から第２パーク電極２５ｂに向けて延在し、外側絶縁カバー８４ｃは、第２パーク電極２５ｂからベースプレート８０に向けて延在する。絶縁カバー８４ｂ，８４ｃは、例えば円筒形状であり、軸方向（ｙ方向）に部分的に重なり合う一方で、径方向に離れて設けられる。絶縁カバー８４ｂ，８４ｃは、汚れの付着による絶縁部材８４ａの絶縁性低下を防ぐ。
【００５６】
図４は、ビームパーク装置２４の構成を詳細に示す正面図である。図４は、質量分析スリット２３の位置からビームパーク装置２４をビームラインＡの下流側から上流側に向けて見たときの図である。
【００５７】
第１パーク電極２５ａは、第２パーク電極２５ｂの左右に配置される第１支持部材８２Ｌ，８２Ｒにより支持される。同様に、第２パーク電極２５ｂは、左右に配置される第２支持部材８４Ｌ，８４Ｒにより支持される。第２パーク電極２５ｂの底面７５の左右には、取付部７９Ｌ，７９Ｒが設けられている。第２パーク電極２５ｂの外周面７６には電源接続部８６が取り付けられている。電源接続部８６は、外周面７６と直交する方向（ｘ方向）に延びている。
【００５８】
第２パーク電極２５ｂの本体部７０は、複数の電極体７３ａ，７３ｂ，７３ｃ，７３ｄ，７３ｅ，７３ｆ（総称して電極体７３ともいう）を有する。複数の電極体７３は、紙面の左右方向（ｘ方向）に間隔を空けて配置される。つまり、複数の電極体７３は、ビームラインＡの延びる方向（ｚ方向）およびパーク電極２５ａ，２５ｂの対向方向（ｙ方向）の双方に直交する所定方向（ｘ方向）に間隔を空けて並べられている。複数の電極体７３のそれぞれは、ビームラインＡの上流側から下流側に向けて延在し、例えば、複数の電極体７３が並べられる所定方向（ｘ方向）と直交する方向（ｙｚ平面に沿う方向）に延びる。複数の電極体７３のそれぞれの間には、第２電極面７４から底面７５に向けて本体部７０を貫通する隙間７７が設けられる。
【００５９】
第２パーク電極２５ｂの第２電極面７４の縁や角部はＲ面取りされており、第２電極面７４を構成する上流側接続部７１、下流側接続部７２および電極体７３の表面の少なくとも一部が凸曲面で構成される。例えば、第２電極面７４を構成する上流側接続部７１および下流側接続部７２の表面の少なくとも一部は、ｘ方向に延びる円筒面で構成される。また、第２電極面７４を構成する電極体７３の表面の少なくとも一部は、ｘ方向に直交する所定方向（ｙｚ平面に沿う方向）に延びる円筒面で構成される。
【００６０】
図５は、第２パーク電極２５ｂの構成を示す断面図であり、図４の正面図に対応する。図５は、複数の電極体７３ａ〜７３ｆのそれぞれの断面形状を示している。図示されるように、第２電極面７４を構成する各電極体７３ａ〜７３ｆの上面は、凸曲面で構成されており、図５において円弧状の断面形状となっている。一方、底面７５を構成する各電極体７３ａ〜７３ｆの下面は平坦面となっている。また、各電極体７３ａ〜７３ｆの隣合う電極体と対向する側面７８も平坦面となっている。例えば、隣合う第１電極体７３ａと対向する第２電極体７３ｂの側面７８は平坦面で構成される。
【００６１】
複数の電極体７３ａ〜７３ｆのそれぞれは、適切なＲ面取り加工が可能となる程度の大きさの幅ｗを有することが好ましく、例えば５ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以上の幅ｗを有することが好ましい。複数の電極体７３ａ〜７３ｆのそれぞれの間隔ｄ（つまり、隙間７７の幅）は、パーティクルの落下が容易となる程度の大きさの間隔ｄを有することが好ましく、例えば５ｍｍ以上、好ましくは１０ｍｍ以上の間隔ｄを有することが好ましい。複数の電極体７３ａ〜７３ｆにおけるＲ面取り加工の曲率半径は、例えば５ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
【００６２】
図示する例において、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの幅ｗは、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの間隔ｄよりも大きい。例えば、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの幅ｗは１０ｍｍ〜３０ｍｍ程度であり、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの間隔ｄは５ｍｍ〜１５ｍｍ程度である。各電極体７３の幅ｗを各電極体７３の間隔ｄよりも大きくすることで、イオンビームＢに対してより均一な偏向電場を印加することができる。なお、各電極体７３の幅ｗは、各電極体７３の間隔ｄと同程度であってもよいし、各電極体７３の間隔ｄより小さくてもよい。
【００６３】
図示する例において、複数の電極体７３ａ〜７３ｆのそれぞれの配列方向（ｘ方向）の幅ｗは互いに等しい。なお、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの幅ｗを異ならせてもよい。例えばビームラインＡに近い中央付近の電極体（例えば、第３電極体７３ｃおよび第４電極体７３ｄ）の幅を相対的に小さくし、ビームラインＡから遠い左右端に位置する電極体（例えば、第１電極体７３ａおよび第６電極体７３ｆ）の幅を相対的に大きくしてもよい。
【００６４】
図示する例において、複数の電極体７３ａ〜７３ｆのそれぞれの間隔ｄも互いに等しい。なお、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの間隔ｄを異ならせてもよい。例えば、ビームラインＡに近い中央付近の電極体（例えば、第３電極体７３ｃおよび第４電極体７３ｄ）の間隔を相対的に大きくし、ビームラインＡから離れた左右に位置する電極体（例えば、第１電極体７３ａと第２電極体７３ｂ、または、第５電極体７３ｅと第６電極体７３ｆ）の間隔を相対的に小さくしてもよい。
【００６５】
図６は、第２パーク電極２５ｂの構成を示す上面図であり、第１パーク電極２５ａの位置から見た第２電極面７４の形状を示している。図６では図面の分かりやすさのため、第２電極面７４が占める範囲を網掛けしている。図示されるように、第２電極面７４は、梯子状に構成される。また、第２パーク電極２５ｂの外周面７６は、角部がＲ面取りされた形状を有する。また、複数の電極体７３ａ〜７３ｆの隙間７７を囲う側面７８（または内周面）も角部がＲ面取りされた形状を有する。
【００６６】
以上の構成によれば、第２パーク電極２５ｂの第２電極面７４へのパーティクルの付着を好適に抑制できる。図７は、パーティクルＰの付着を抑制するメカニズムを模式的に示す図であり、図５の断面図に対応する。ビームライン装置１４の内部では、様々な箇所でパーティクルが発生しうるが、例えば、質量分析スリット２３の開口２３ａの周囲やビームダンプ２６においてイオンビームを構成するイオンが堆積したり、イオンビームによりカバー部材２３ｄなどがスパッタされることで昇華したグラファイト等が堆積したりして、堆積物の一部が剥がれ落ちることでパーティクルが生じうる。このようにして発生したパーティクルは、重力方向下側のパーク電極２５の第２電極面７４に向けて落下しうる。
【００６７】
第２電極面７４は、本体部７０、上流側接続部７１および下流側接続部７２の全てにおいて凸曲面で構成されるため、第２電極面７４に到達したパーティクルＰはこの凸曲面に沿って落下しうる。第２パーク電極２５ｂには、第２電極面７４から底面７５に向けて貫通する隙間７７が設けられるため、凸曲面に沿って落下するパーティクルＰは、破線Ｄで示されるように、隙間７７を通って第２パーク電極２５ｂの下方に落ちる。このようにして、第２パーク電極２５ｂの第２電極面７４へのパーティクルＰの付着（残存）を抑制できる。その結果、第２電極面７４に付着するパーティクルに起因するパーク電極２５ａ，２５ｂ間での放電の発生を防ぐことができ、放電によってパーティクルが飛散し、ビームラインＡに沿って下流側にパーティクルが移動するのを防ぐことができる。
【００６８】
以上、本発明を上述の各実施の形態を参照して説明したが、本発明は上述の各実施の形態に限定されるものではなく、各実施の形態の構成を適宜組み合わせたものや置換したものについても本発明に含まれるものである。また、当業者の知識に基づいて各実施の形態における組合せや処理の順番を適宜組み替えることや各種の設計変更等の変形を実施の形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれ得る。
【００６９】
上述の実施の形態では、第２パーク電極２５ｂが本体部７０、上流側接続部７１および下流側接続部７２を有する場合について示したが、上流側接続部７１および下流側接続部７２の少なくとも一方が設けられなくてもよい。
【００７０】
図８は、変形例に係る第２パーク電極１２５ｂの構成を示す上面図であり、上述の図６に対応する。本変形例に係る第２パーク電極１２５ｂは、上流側接続部１７１と、複数の電極体１７３ａ、１７３ｂ，１７３ｃ，１７３ｄ，１７３ｅ，１７３ｆ（総称して電極体１７３ともいう）とを有する。第２パーク電極１２５ｂは、図示されるように櫛歯状に構成され、複数の電極体１７３の上流端が上流側接続部１７１により接続される一方、複数の電極体１７３の下流端１７２は互いに接続されていない。複数の電極体１７３の下流端１７２は、凸曲面を有するように構成される。本変形例においても、上述の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７１】
上述の実施の形態では、第２パーク電極２５ｂの第２電極面７４の全てを凸曲面で構成する場合について示したが、第２電極面７４の一部が平坦面で構成されてもよい。上述の実施の形態では、第２パーク電極２５ｂの側面（外周面７６や内周面７８）を平坦面で構成する場合について示したが、第２パーク電極２５ｂの側面の少なくとも一部が凸曲面で構成されてもよい。例えば、複数の電極体７３のそれぞれが円柱状、長円柱状または楕円柱状に構成されてもよい。複数の電極体７３の延在方向に直交する断面は、円形、長円形または楕円形であってもよい。
【００７２】
図９は、変形例に係るビームパーク装置２２４の構成を示す正面図であり、上述の図４に対応する。本変形例に係る第２パーク電極２２５ｂは、複数の電極体２７３ａ、２７３ｂ，２７３ｃ，２７３ｄ，２７３ｅ，２７３ｆ（総称して電極体２７３ともいう）を有し、上流側接続部や下流側接続部を有しない。各電極体２７３は、円柱状、長円柱状または楕円柱状に構成され、各電極体２７３の上流端２７１および下流端２７２が凸曲面を有するように構成される。各電極体２７３は、例えば、図３および図４に示した取付部７９および第２支持部材８４と類似する構造によりベースプレート８０などの構造体に対して固定される。また、各電極体の側面２７６，２７８は、凸曲面となるように構成される。本変形例においても上述の実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７３】
上述の実施の形態では、重力方向上側に配置される第１パーク電極２５ａを平板６２で構成する場合を示したが、第１パーク電極が所定方向（ｘ方向）に間隔を空けて配置される複数の電極体を有してもよい。つまり、第１パーク電極が梯子状または櫛歯状に構成されてもよいし、所定方向に間隔を空けて配置される複数の電極体のみで構成されてもよい。
【００７４】
上述の実施の形態では、複数の電極体７３を所定方向（ｘ方向）と直交する方向に延在させる場合について示した。変形例においては、複数の電極体を所定方向（ｘ方向）と交差する斜めの方向に延在させてもよい。
【００７５】
図１０（ａ）および（ｂ）は、変形例に係る第２パーク電極３２５ｂの構成を模式的に示す上面図であり、上述の図６に対応する。図１０（ａ）に示されるように、上流側接続部３７１ａから下流側接続部３７２ａに向けて複数の電極体３７３ａをビームラインＡに対して斜めに延在させるとともに、複数の電極体３７３ａを互いに平行に延在させてもよい。また、図１０（ｂ）に示されるように、上流側接続部３７１ｂから下流側接続部３７２ｂに向けて複数の電極体３７３ｂの一部をビームラインＡに対して斜めに延在させる一方で、残りの電極体３７３ｂをビームラインＡに沿って延在させてもよい。また、複数の電極体３７３ｂの間隔が上流側から下流側に向けて徐々に大きくなるようにしてもよい。逆に、複数の電極体３７３ｂの間隔が上流側から下流側に向けて徐々に小さくなるようにしてもよい。
【００７６】
上述の実施の形態では、複数の電極体７３の幅ｗ（太さ）が上流端から下流端まで均一となる場合について示した。変形例においては、複数の電極体７３の幅ｗを上流端から下流端に向けて徐々に大きくしたり、逆に小さくしたりしてもよい。
【００７７】
上述の実施の形態では、第１パーク電極２５ａが平板６２で構成され、第１パーク電極２５ａの第１電極面６４が平坦である場合について示した。変形例では、第１パーク電極２５ａが平板で構成されるのではなく、第１電極面６４が湾曲形状や階段形状となるように構成されてもよい。
【００７８】
上述の実施の形態では、ビームパーク装置２４を第２モードで動作させてイオンビームを退避させる際にイオンビームを重力方向下側に偏向させる構成について示した。変形例においては、イオンビームの退避時にイオンビームを重力方向上側に偏向させるよう構成されてもよい。この場合、相対的に正電圧が印加される第１パーク電極が重力方向下側に配置され、相対的に負電位が印加される第２パーク電極が重力方向上側に配置される。このとき、重力方向下側に配置される第１パーク電極は、所定方向（ｘ方向）に間隔を空けて配置される複数の電極体を有するよう構成され、第２パーク電極と対向する第１電極面が凸曲面で構成されてもよい。一方で、重力方向上側に配置される第２パーク電極は、複数の電極体を有する第１パーク電極と対向する第２電極面が平坦面で構成されてもよく、第２電極面が複数の電極体を有しなくてもよい。その他、第１パーク電極および第２パーク電極のそれぞれが複数の電極体を有してもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１０…イオン注入装置、２１…質量分析磁石、２３…質量分析スリット、２４…ビームパーク装置、２５…パーク電極、２５ａ…第１パーク電極、２５ｂ…第２パーク電極、２６…ビームダンプ、６４…第１電極面、７１…上流側接続部、７２…下流側接続部、７３…電極体、７４…第２電極面、Ａ…ビームライン、Ｂ…イオンビーム、Ｗ…ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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