(57)【要約】【課題】III 族窒化物半導体からなる発光素子の製造方法において、サファイアからなる基板裏面の面取りを簡易に実現すること。【解決手段】基板１０の裏面１０ｂの各辺をダイシングブレードを用いて研削することで面取りする。ここで、ダイシングブレードは、その回転軸を含む断面形状の辺の一部が、面取りの断面形状の辺と一致したものを用いる。ｒ面を露出させる面取りのためのダイシングブレード３０は、その回転軸を含む断面形状の辺の一部に、傾斜角度がｒ面と一致する直線の辺３０ａを有している。図７に示すように、ダイシングブレード３０の回転面が基板１０の第１側面１０ｃと平行な状態となるように配置し、ダイシングブレード３０の辺３０ａを、基板１０裏面１０ｂの辺に当てて研削することで、ｒ面を露出させる面取りを行うことができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｃ面を主面とするサファイアからなる基板の表面上にIII 族窒化物半導体からなる素子構造を有し、前記基板の裏面の各辺が面取りされた発光素子の製造方法であって、
前記面取りは、ダイシングブレードを用いて行い、
前記ダイシングブレードの回転軸を含む断面形状の辺の一部は、前記面取りの断面形状の辺と一致している、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記基板の前記面取りは、前記基板の面方位に沿った面とする、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記基板の前記面取りは、前記基板のｒ面またはｎ面とする、ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板の前記面取りは、２段以上の斜面とする、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記基板の前記面取りは、曲面とする、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記ダイシングブレードの粒度は、＃８００〜＃４０００とする、ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板の前記面取りは、前記基板の素子ごとの分離と同時に行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記基板の裏面をＲａが０．３μｍ以下に平坦化する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記発光素子の発光波長はＵＶＣ帯である、ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III 族窒化物半導体からなる発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
III 族窒化物半導体からなるフリップチップ型の紫外発光素子では、サファイア基板内部で反射して外部に取り出されない光が多く存在する。このような光を取り出す方法として、サファイア基板裏面の面取りが行われている。
【０００３】
特許文献１には、サファイア基板の裏面側の辺を面取りして角錐台状、半球状などの形状とすることで、サファイア基板内部で反射する光を取り出すことができると記載されている。また、特許文献１には、面取りはレーザーによって切断することにより行うことが記載されている。また、特許文献１には、面取りした斜面がランダムなラフネスを有するように加工することで、光の取り出し率が向上すると記載されている。
【０００４】
特許文献２には、サファイア基板の裏面を角錐台状に加工し、角を丸めることが記載されている。サファイア基板の側面を傾斜させる加工は、レーザーを用いて行うことが記載され、角を丸める加工はブラスト処理により行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−６８０１０号公報
【特許文献２】特開２００４−２８９０４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、サファイアはチッピング（結晶の欠け）を生じやすく、光取り出し向上に適した形状に加工することは困難であった。また、レーザーを用いた研削では、装置コストが高く、またサファイアが変質して光吸収してしまう問題があった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、III 族窒化物半導体からなる紫外発光の発光素子の製造方法において、サファイアからなる基板の面取り加工を簡便に行うことができる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、サファイアからなる基板の表面上にIII 族窒化物半導体からなる素子構造を有し、基板の裏面の各辺が面取りされた発光素子の製造方法であって、面取りは、ダイシングブレードを用いて行い、ダイシングブレードの回転軸を含む断面形状の辺の一部は、面取りの断面形状の辺と一致している、ことを特徴とする発光素子の製造方法である。
【０００９】
本発明において、基板の面取りは、基板の面方位に沿った面とすることが好ましく、特にｒ面、ｎ面とすることが好ましい。面取りの際の基板のチッピングを抑制することができる。
【００１０】
本発明において、基板の面取りは、２段以上の斜面とすることが好ましい。光取り出し率を向上させることができる。
【００１１】
本発明において、基板の面取りは、曲面とすることが好ましい。光取り出し率を向上させることができる。
【００１２】
本発明において、ダイシングブレードの粒度は、＃８００〜＃４０００とすることが好ましい。面取りした面を十分に平坦化することができ、光取り出し率を向上させることができる。
【００１３】
本発明において、面取りは、前記基板の素子ごとの分離と同時に行うとよい。製造工程を簡略化することができる。
【００１４】
本発明において、基板の裏面をＲａが０．３μｍ以下に平坦化することが好ましい。光取り出し率を向上させることができる。
【００１５】
本発明において、発光素子の発光波長はＵＶＣ帯であることが好ましい。従来、ＵＶＣ帯の発光素子は光取り出し率が低かったが、本発明により光取り出し率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、サファイアからなる基板の面取り加工を簡便に行うことができ、発光素子の光取り出し率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施例１の発光素子の構成を示した断面図。
【図２】実施例１の発光素子の構成を示した平面図。
【図３】実施例１の変形例の発光素子の構成を示した平面図。
【図４】実施例１の発光素子の製造工程を示した図。
【図５】ダイシングブレードの断面を示した図。
【図６】ダイシングブレードの断面を示した図。
【図７】面取りの工程を示した図。
【図８】面取りの工程を示した図。
【図９】ダイシングブレードの変形例を示した図。
【図１０】ダイシングブレードの変形例を示した図。
【図１１】ダイシングブレードの変形例を示した図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施例について図を参照に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００１９】
図１は、実施例１の紫外発光の発光素子の構成を示した断面図である。図１のように、実施例１の発光素子は、サファイアからなる基板１０と、基板１０上に設けられた素子構造とを有している。また、図２は、実施例１の発光素子を素子構造側とは反対側から見た平面図である。実施例１の発光素子は、基板１０側から光を取り出すフリップチップ型の素子である。
【００２０】
基板１０は、サファイアからなり、直方体の一部を面取りして角錐台状とした形状である。直方体の各面は、ｃ面（（０００１）面）、ｍ面（（１−１００）面）、ａ面（（１１−２０）面）である。なお、本来は数字の上にバーを付ける表記について、本明細書では使用できないため、マイナス符号で代用している。また基板１０の高さ（ｃ軸方向の幅）は９００μｍである。
【００２１】
基板１０は、図２に示すように、２つのｃ面のうち、一方のｃ面には素子構造が設けられている。以下、この素子構造が設けられている側のｃ面を基板１０の表面１０ａとし、他方のｃ面を基板１０の裏面１０ｂと呼ぶことにする。また、基板１０のａ面は第１側面１０ｃとし、ｍ面は第２側面１０ｄとする。基板１０の表面１０ａは正方形であり、一辺が１０００μｍである。
【００２２】
また、基板１０は、図２に示すように、基板１０裏面１０ｂの各辺が平面により面取りされている。基板１０の裏面１０ｂと第１側面１０ｃが交わる辺は、ｎ面（（１１−２３）面）に面取りされ、基板１０の裏面１０ｂと第２側面１０ｄが交わる辺は、ｒ面（（１−１０２）面）に面取りされている。このｎ面は第１斜面１０ｅ、ｒ面は第２斜面１０ｆと呼ぶことにする。このように基板１０裏面１０ｂは面方位に沿って面取りされているため、チッピングが抑制されている。
【００２３】
なお、実施例１では基板１０裏面１０ｂの面取りは１段であるが、２段の面取りとしてもよい。つまり、１段の面取りにより生じる面（第１斜面１０ｅ、第２斜面１０ｆ）の各辺をさらに面取りして、傾斜角度の異なる２つの斜面１０ｇ、１０ｈにより面取りしてもよい（図３（ａ）参照）。また、実施例１では面取りは平面で行っているが、曲面１０ｉで面取りしてもよい（図３（ｂ）参照）。なお、図３では基板１０の部分のみを示し、素子構造部分は省略している。このように面取りを２段としたり曲面とすることにより、形状がレンズ状、半球状により近づくため、光取り出し率をより向上させることができる。２段の面取りとする場合、２つの斜面のうち少なくとも一方を面方位に沿った面とすることが好ましく、両方の斜面を面方位に沿った面とすることがより好ましい。チッピング抑制のためである。もちろん、３段以上の面取りとしてもよい。
【００２４】
基板１０の裏面１０ｂ、第１斜面１０ｅ、第２斜面１０ｆは、十分に平坦化されている。たとえば、算術平均粗さＲａが０．３μｍ以下となるように設定されている。これにより、光取り出し率がより向上されている。平坦化することで光取り出し率が向上する理由は、次のように推測される。第１に、面取りにより斜面を形成したことで基板１０界面に臨界角未満の角度で入射する光の割合が増えているためである。第２に、面の荒れ方が光取り出し向上に適したモードとなっていないためである。より好ましくはＲａが０．２μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下である。
【００２５】
なお、実施例１では、基板１０の裏面１０ｂ、第１斜面１０ｅ、および第２斜面１０ｆを平坦化しているが、裏面１０ｂのみを平坦化してもよいし、第１斜面１０ｅと第２斜面１０ｆのみを平坦化してもよい。また、第１側面１０ｃや第２側面１０ｄを平坦化してもよい。光取り出し率を向上させることができる。ただし、平坦化による光取り出し率向上の寄与が最も大きいのは裏面１０ｂであるため、少なくとも裏面１０ｂは平坦化されていることが好ましい。
【００２６】
また、実施例１では、基板１０の高さを９００μｍとしているが、これに限るものではない。ただし、基板１０の高さが大きいほど光取り出し率は向上する。また、基板１０の高さが大きくなるにつれて光取り出し率の向上は飽和していく。そこで、加工の容易さなどとのバランスの観点から、基板１０の高さは、平面視での基板１０の内接円の直径に対して、０．８〜１．５倍の高さとすることが好ましい。実施例１の場合、平面視での基板１０の内接円の直径は、基板１０表面１０ａの一辺の長さに相当する。
【００２７】
次に、基板１０上に設けられた素子構造について説明する。素子構造は、図３に示すように、ｎ層１１、発光層１２、ｐ層１３、透明電極１４、ｐ電極１５、ｎ電極１６、第１層間絶縁膜１７、第２層間絶縁膜１８を有している。また、ｐ電極１５は、ｐコンタクト部１５ａ、ｐ中間電極部１５ｂ、ｐパッド部１５ｃで構成されている。また、ｎ電極１６は、ｎコンタクト部１６ａ、ｎ中間電極部１６ｂ、ｎパッド部１６ｃで構成されている。
【００２８】
ｎ層１１は、基板１０の表面１０ａ上に、バッファ層（図示しない）を介して設けられている。バッファ層は、低温成長させたＡｌＮと高温成長させたＡｌＮの積層である。ｎ層１１は、ｎ−ＡｌＧａＮからなる。
【００２９】
発光層１２は、ｎ層１１上に井戸層と障壁層を１〜３回繰り返し積層した構造である。井戸層、障壁層ともにアンドープのＡｌＧａＮからなり、障壁層のＡｌ組成比は井戸層のＡｌ組成比よりも高く設定されている。また、井戸層のＡｌ組成比は、発光波長がＵＶＣ帯（波長２００〜２８０ｎｍ）となるように設定されている。
【００３０】
ｐ層１３は、発光層１２上に設けられている。ｐ層１３は、発光層１２側から順に、ｐ−ＡｌＧａＮからなる電子ブロック層と、ｐ−ＧａＮからなるｐコンタクト層とを積層させた構造である。
【００３１】
ｐ層１３表面にはドット状に複数の孔２０が設けられている。その孔２０はｎ層１１に達する深さであり、孔の底面にはｎ層１１が露出する。
【００３２】
透明電極１４は、ｐ層１３上に全面にわたって設けられている。透明電極の材料は、ＩＺＯである。ＩＺＯ以外にも、ＩＴＯ、ＩＣＯ、ＺｎＯなどを用いることができる。
【００３３】
絶縁膜１９は、透明電極１４上、孔２０の側面、および底面に露出するｎ層１１上にわたって連続して設けられている。絶縁膜１９は、たとえばＳｉＯ2 である。絶縁膜１９をＤＢＲ構造とすることで光取り出し率を高めてもよい。絶縁膜１９のうち透明電極１４上の領域には、複数のドット状の孔２１が設けられている。また、絶縁膜１９のうち孔２１の底面に露出するｎ層１１上の領域にも孔２２がそれぞれ設けられている。孔２１、２２は絶縁膜１９を貫通している。
【００３４】
ｐコンタクト部１５ａは、絶縁膜１９上であって透明電極１４の上部に当たる位置に設けられている。また、ｐコンタクト部１５ａは、孔２１を埋めるように設けられている。このようにして孔２１を介して透明電極１４とｐコンタクト部１５ａとが接続されている。
【００３５】
ｎコンタクト部１６ａは、孔２２により露出されたｎ層１１上にそれぞれ設けられている。
【００３６】
第１層間絶縁膜１７は、絶縁膜１９上、ｐコンタクト部１５ａ上、およびｎコンタクト部１６ａ上にわたって設けられている。第１層間絶縁膜１７のうち、ｐコンタクト部１５ａ上およびｎコンタクト部１６ａ上の領域には、孔２３が設けられている。孔２３は、第１層間絶縁膜１７を貫通している。第１層間絶縁膜１７の材料はＳｉＯ2 などである。
【００３７】
ｐ中間電極部１５ｂおよびｎ中間電極部１６ｂは、第１層間絶縁膜１７上の所定領域にそれぞれ離間して設けられている。また、ｐ中間電極部１５ｂおよびｎ中間電極部１６ｂは、孔２３を埋めるようにして設けられている。これにより、ｐ中間電極部１５ｂとｐコンタクト部１５ａ、ｎ中間電極部１６ｂとｎコンタクト部１６ａは、孔２３を介して接続されている。
【００３８】
第２層間絶縁膜１８は、第１層間絶縁膜１７上、ｐ中間電極部１５ｂ上、およびｎ中間電極部１６ｂ上にわたって設けられている。第２層間絶縁膜１８のうち、ｐ中間電極部１５ｂおよびｎ中間電極部１６ｂ上の領域には、孔２４が設けられている。孔２４は第２層間絶縁膜１８を貫通している。第２層間絶縁膜１８の材料はＳｉＯ2 などである。
【００３９】
ｐパッド部１５ｃおよびｎパッド部１６ｃは、第２層間絶縁膜１８上にそれぞれ離間して設けられている。また、ｐパッド部１５ｃおよびｎパッド部１６ｃは、孔２４を埋めるようにして設けられている。これにより、ｐパッド部１５ｃとｐ中間電極部１５ｂ、ｎパッド部１６ｃとｎ中間電極部１６ｂは、孔２４を介して接続されている。
【００４０】
なお、素子構造は実施例１に示したものに限らず、従来知られる任意の構造でよく、発光波長もＵＶＣ帯に限るものではない。ただし、光取り出しの困難さの点から本発明は紫外発光（特にＵＶＣ帯）の発光素子に有効である。
【００４１】
素子構造の発光領域の面積は、基板１０の表面１０ａの面積よりも小さくすることが好ましい。より点発光に近くなり、基板１０の面取りによる光取り出し率向上の効果をより高めることができる。たとえば、素子構造の発光領域は、平面視において基板１０裏面１０ｂとおよそ一致させることが好ましい。
【００４２】
次に、実施例１の発光素子の製造工程について、図を参照に説明する。
【００４３】
まず、主面をｃ面とするサファイアからなる基板１０を用意し、基板１０の表面１０ａ上に、ＭＯＣＶＤ法によって、バッファ層（図示しない）、ｎ層１１、発光層１２、ｐ層１３を順に積層する。次に、ｐ層１３の所定領域をｎ層１１が露出するまでドライエッチングして孔２０を形成する（図４（ａ）参照）。
【００４４】
次に、ｐ層１３上にスパッタや蒸着により透明電極１４を形成する。次に、透明電極１４上、孔２０側面、および孔２０底面に露出するｎ層１１上に連続してＣＶＤ法により絶縁膜１９を形成する（図４（ｂ）参照）。
【００４５】
次に、絶縁膜１９のうち、透明電極１４上および孔２０底面に露出するｎ層１１上の領域をドライエッチングして絶縁膜１９を貫通させ、孔２１、２２を形成する。そして、絶縁膜１９上にｐコンタクト部１５ａを形成し、孔２２底面に露出するｎ層１１上にｎコンタクト部１６ａを形成する。また、ｐコンタクト部１５ａは孔２１を埋めるようにして形成し、これによりｐコンタクト部１５ａと透明電極１４とを接続する（図４（ｃ）参照）。ｐコンタクト部１５ａ上およびｎコンタクト部１６ａは蒸着により形成する。
【００４６】
次に、絶縁膜１９上、ｐコンタクト部１５ａ上、およびｎコンタクト部１６ａ上に連続してＣＶＤ法により第１層間絶縁膜１７を形成する。次に、第１層間絶縁膜１７のうち、ｐコンタクト部１５ａ上およびｎコンタクト部１６ａ上の領域をドライエッチングして第１層間絶縁膜１７を貫通させ、孔２３を形成する。そして、第１層間絶縁膜１７上の所定位置に、蒸着によってｐ中間電極部１５ｂおよびｎ中間電極部１６ｂをそれぞれ離間して形成する（図４（ｄ）参照）。また、ｐ中間電極部１５ｂおよびｎ中間電極部１６ｂは、孔２３を埋めるようにして形成し、これによりｐ中間電極部１５ｂとｐコンタクト部１５ａ、ｎ中間電極部１６ｂとｎコンタクト部１６ｂとを接続する。
【００４７】
次に、第１層間絶縁膜１７上、ｐ中間電極部１５ｂおよびｎ中間電極部１６ｂ上に連続してＣＶＤ法により第２層間絶縁膜１８を形成する。次に、第１層間絶縁膜１７のうち、ｐ中間電極部１５ｂ上およびｎ中間電極部１６ｂ上の領域をドライエッチングして第２層間絶縁膜１８を貫通させ、孔２４を形成する。そして、第２層間絶縁膜１８上の所定位置に、蒸着によってｐパッド部１５ｃおよびｎパッド部１６ｃをそれぞれ離間して形成する（図４（ｅ）参照）。以上によって基板１０表面１０ａ上に素子構造を形成する。
【００４８】
次に、基板１０をダイシングして個々の素子ごとに分離する。ダイシングは、ダイシングブレードを用いる方法やレーザーを用いる方法など各種方法を用いることができる。また、ダイシングは、基板１０側面にａ面、ｍ面が露出する方向に行う。このダイシングにより、基板１０は直方体となり、基板１０の側面はａ面である第１側面１０ｃ、第１側面１０ｃに直交するｍ面である第２側面１０ｄとなる。
【００４９】
次に、ダイシングブレードを用いて基板１０の裏面１０ｂを研磨して平坦化し、Ｒａが０．３μｍ以下とするようにする。最初は粒度の小さなダイシングブレードを用いて研磨し、その後に粒度の大きなダイシングブレードを用いることで効率的に平坦化することができる。このように基板１０の裏面１０ｂを平坦化することで、光取り出し率の向上を図ることができる。なお、この工程は面取り工程の後に行ってもよい。また、ダイシングブレードではなく化学機械研磨などの方法によって平坦化を行ってもよい。
【００５０】
次に、基板１０の裏面１０ｂの各辺をダイシングブレードを用いて研削することで面取りする。ここで、ダイシングブレードは、その回転軸を含む断面形状の辺の一部が、面取りの断面形状の辺と一致したものを用いる。
【００５１】
実施例１では、基板１０の裏面１０ｂの各辺のうち、ａ面である第１側面１０ｃと接続する辺についてはｒ面、ｍ面である第２側面１０ｄと接続する辺についてはｎ面が露出するように面取りする。そこで、図５、６に示す２種類のダイシングブレード３０、３１を用いる。
【００５２】
図５は、ダイシングブレード３０の回転軸を含む面での断面図である。図５のように、ｒ面を露出させる面取りのためのダイシングブレード３０は、その回転軸を含む断面形状の辺の一部に、傾斜角度がｒ面と一致する直線の辺３０ａを有している。つまり、辺３０ａは、ダイシングブレード３０の回転軸に対して５７．６１°の角度を有している。また、ダイシングブレード３０は、回転軸に垂直な軸に対して線対称であり、辺３０ａも線対称に２つ有している。
【００５３】
図７に示すように、ダイシングブレード３０の回転面が基板１０の第１側面１０ｃと平行な状態となるように配置し、ダイシングブレード３０の辺３０ａを、基板１０裏面１０ｂの各辺のうち第１側面１０ｃに接続する辺に当てて研削することで、ｒ面（第１斜面１０ｅ）を露出させる面取りを行うことができる。また、ｒ面である第１斜面１０ｅはサファイアの面方位に沿った面であるため、研削の際にチッピングが生じることが抑制されている。なお、図８に示すように、隣接する２つの素子両方にダイシングブレード３０の辺３０ａを当てるようにすることで、２つの素子の面取りを一度に行ってもよい。
【００５４】
図６は、ダイシングブレード３１の回転軸を含む面での断面図である。図６のように、ｎ面を露出させる面取りのためのダイシングブレード３１は、その回転軸を含む断面形状の辺の一部に、傾斜角度がｎ面と一致する直線の辺３１ａを有している。つまり、辺３１ａは、ダイシングブレード３１の回転軸に対して６１．２２°の角度を有している。図７と同様に、ダイシングブレードの辺３１ａを、基板１０裏面１０ｂの各辺のうち第２側面１０ｄと接続する辺に当てて研削することで、ｎ面（第２斜面１０ｆ）を露出させる面取りを行うことができる。また、ｎ面である第２斜面１０ｆはサファイアの面方位に沿った面であるため、研削の際にチッピングが生じることが抑制されている。
【００５５】
なお、辺３０ａ、３１ａの傾斜角度はｒ面、ｎ面の傾斜角度と完全に一致している必要はない。所望の面方位に対して±１°程度の誤差は許容され、その場合もチッピングは抑制される。
【００５６】
このように、所望の面取り形状に合わせたダイシングブレードを用いることで、容易に所望の形状の面取りを行うことができる。また、面取りにより露出する面をサファイアの面方位に沿った面としているため、ダイシングブレードによる研削の際のチッピングが抑制されている。
【００５７】
ダイシングブレードの粒度は大きなものを用いることが好ましく、＃８００〜＃４０００を用いることが好ましい。面取りした面の平坦性が向上し、Ｒａが０．３μｍ以下となるようにすることができ、光取り出し率を向上させることができる。また、最初に粒度の小さなダイシングブレードを用い、その後に粒度のより大きなダイシングブレードを用いることで、効率的に面取りした面の平坦化を図ることができる。
【００５８】
ダイシングブレードの回転速度は、代表値として１５０００ｒｐｍとすることが好ましい。この範囲であれば、面取りの際のチッピングを十分に抑制することができる。
【００５９】
ダイシングブレードの送り速度は、代表値として２ｍｍ／ｓとすることが好ましい。この範囲であれば、面取りの際のチッピングを十分に抑制することができる。
【００６０】
なお、実施例１では基板１０を素子ごとに分離する工程と面取りとを別々の工程としているが、同時に行ってもよい。同時に行うことで、製造工程を簡素化することができる。図９は、チップ分離と面取りを同時に行う場合のダイシングブレード３２の断面図（回転軸を含む面での断面）である。図９のように、ダイシングブレード３２は線対称に構成され、面取りのための傾斜した辺３２ａと、辺３２ａに接続する垂直の辺３２ｂとを有する。辺３２ｂは、ダイシングにより基板１０を個々の素子に分離させ、基板１０の第１側面１０ｃあるいは第２側面１０ｄを露出させるための部分である。２つの辺３２ｂの間隔が、チップ分離のストリート幅となる。
【００６１】
また、実施例１では、面取りは平面で１段としているが、曲面で行う場合や２段以上とする場合も、ダイシングブレードを用いて一度の加工により行うことができる。
【００６２】
図１０は、面取りを曲面で行う場合のダイシングブレード３３の回転軸を含む面での断面図である。図１０のように、ダイシングブレード３３は、その回転軸を含む断面形状の辺の一部に、曲線の辺３３ａを有している。この曲線の辺３３ａを基板１０の裏面１０ｂの各辺に当てて研削することで、面取りを曲面により行うことができ、図３（ｂ）のような形状とすることができる。また、その曲面１０ｉの断面の辺は、ダイシングブレード３３の曲線の辺３３ａに一致させることができる。
【００６３】
図１１は、面取りを２段の平面で行う場合のダイシングブレード３４の断面図（回転軸を含む面での断面）である。図１１のように、ダイシングブレード３４は、その回転軸を含む断面形状の辺の一部に、傾斜角度の異なる直線の辺３４ａ、３４ｂを有し、辺３４ａと辺３４ｂは一端で接続されている。この辺３４ａ、３４ｂを基板１０の裏面１０ｂの各辺に当てて研削することで、面取りを２段により行うことができ、図３（ａ）のような形状とすることができる。また、面取りによる２段の斜面の傾斜角度は、ダイシングブレード３４の辺３４ａ、３４ｂの傾斜角度に一致させることができる。
【００６４】
以上、実施例１の発光素子の製造方法によれば、サファイア基板の面取り加工を簡便に行うことができる。また、サファイアの面方位に沿った面で面取りを行っているため、チッピングを抑制することができる。
【００６５】
次に、実施例１に関する実験例を説明する。実施例１と同一の素子構造を有し、面取りを行っていない発光素子において、基板１０の裏面１０ｂをダイシングブレードによって平坦化した場合と平坦化する前とで光出力を比較した。平坦化前の表面粗さＲａは０．４ｍｍ、平坦化後の表面粗さＲａは０．００５μｍであった。このように、基板１０の裏面１０ｂを平坦化することによって光出力は８％向上していた。また、このことから、面取りした面についても、平坦化することで光出力が向上するものと推察される。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、殺菌、照明、樹脂硬化などのための紫外発光素子の製造に有効である。
【符号の説明】
【００６７】
１：基板
２：素子構造
１１：ｎ層
１２：発光層
１３：ｐ層
１４：透明電極
１５：ｐ電極
１６：ｎ電極
１７：第１層間絶縁膜
１８：第２層間絶縁膜
１９：絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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