(57)【要約】【課題】長期保管後のフィルム表面へのオリゴマーの析出や表面劣化による密着性の低下が少ないポリエステルフィルムを提供する。【解決手段】ポリエステルフィルムであって、少なくとも片面の表面が、全反射減衰法による赤外分光分析測定（ＡＴＲ−ＩＲ測定）によって得られるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｔ、ゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度をＡｇ、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）をＡｔ／Ａｇとした場合に、次の（１）、（２）を満たすポリエステルフィルム。（１）表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が１．００以上１．５０以下であること。（２）前記トランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５と、表面から深さ１．０μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ１．０／Ａｇ１．０が次の（式１）を満たすこと。（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）×１．１≦Ａｔ０．５／Ａｇ０．５・・・（式１）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステルフィルムであって、少なくとも片側の表面が、全反射減衰法による赤外分光分析測定（ＡＴＲ−ＩＲ測定）によって得られるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｔ、ゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度をＡｇ、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）をＡｔ／Ａｇとした場合に、次の（１）、（２）を満たすポリエステルフィルム。
（１）表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が１．００以上１．５０以下であること。
（２）前記トランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５と、表面から深さ１．０μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ１．０／Ａｇ１．０が次の（式１）を満たすこと。
（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）×１．１≦Ａｔ０．５／Ａｇ０．５・・・（式１）
【請求項２】
前記表面の、高さが１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起密度をＡ（個／ｍｍ２）とした場合、Ａが１．５×１０８以上１．０×１０１０以下である請求項１に記載のポリエステルフィルム。
【請求項３】
前記表面を構成する層が粒子や添加剤を実質的に含まない請求項１または２に記載のポリエステルフィルム。
【請求項４】
前記表面を構成する層の固有粘度が０．６以上である請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項５】
前記表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５のばらつきが１．０％未満である請求項１〜４のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項６】
ヘイズが０．１％以上１．０％以下である請求項１〜５のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項７】
前記（１）、（２）を満たすフィルム表面において、表面から深さ０．０５μｍまでの領域におけるラマン分光によって得られる結晶化度をχｃ０．０５（％）、表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるラマン分光によって得られる結晶化度をχｃ０．５（％）とした場合、次の（式２）で表されるχｃ０．５（％）とχｃ０．０５（％）の変化量Δχｃ（％）が６．０％以下である請求項１〜６のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
Δχｃ（％）＝｜χｃ０．５（％）−χｃ０．０５（％）｜・・・（式２）
【請求項８】
ドライフィルムレジスト支持体用フィルムとして用いられる請求項１〜７のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項９】
積層セラミックコンデンサーを製造する工程においてグリーンシート成形の支持体用フィルムとして用いられる請求項１〜７のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項１０】
塗布型デジタル記録方式の磁気記録媒体用ベースフィルムに用いられる請求項１〜７のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも片側のフィルム表面近傍において、トランス配座構造をとるポリエステル樹脂とゴーシュ配座構造をとるポリエステル樹脂が特定の比率であるポリエステルフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
熱可塑性樹脂はその加工性の良さから、様々な工業分野に利用されている。また、これら熱可塑性樹脂をフィルム状に加工した製品は工業用途、光学製品用途、包装用途、磁気記録テープ用途など今日の生活において重要な役割を果たしている。近年、電子情報機器において、小型化、高集積化が進み、それに伴って、電子情報機器の作製に用いられるフィルムには加工性の向上が求められている。特に、電子情報機器の作製には、工程フィルム表面にフォトレジストなどの光学的加工やセラミックコンデンサー離型を目的とした機能層が積層されている。また磁気記録テープ用途においてもデータの高密度記録のため磁性粒子を精密に敷き詰めた機能層がフィルム表面に設けられている。このため機能層との長期的な密着性が重要となり、長期保存後にフィルム表面でのオリゴマーなどの異物析出やフィルム表面の湿熱劣化による機能層との密着性低下を防ぐことへの要求が高まっている。特に、光学用途においては、フィルム表面の異物析出においては、工程汚染や光学加工工程時時に露光阻害を生じる原因となるため、異物抑制への要求は非常に高くなっている。
【０００３】
上記の要求に応える方法としては、フィルムを構成する樹脂に結晶構造のような高密度な秩序構造を導入する方法が挙げられる。かかる方法によれば、フィルム内部から表面へかけての異物析出を防ぐとともに、大気中の水分がフィルム表面から内部への侵入を防ぐこと、および樹脂自体の耐久性を向上させることが可能である。例えば特許文献１には、製膜後のフィルムを高温に熱しながらグロー放電処理を施すことで相関密着性やオリゴマーのフィルム表面への析出を抑制する技術が、特許文献２には、耐熱性の高いシクロヘキサン環を有するポリエステル樹脂を用いることでオリゴマーのフィルム表面への析出を抑制する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１１７９０４号公報
【特許文献２】特開２００５−５９２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されているように製膜後に高温下でグロー放電を施す場合、オリゴマーのフィルム表面への析出抑制や密着性は改善できる一方で、フィルム表面へのダメージが大きいため、透明性が低下したり、フィルム厚みが薄いと破れやシワが入りやすく生産性が低下したりすることが課題になる。また、特許文献２に記載されているように、耐熱性ポリエステル樹脂を用いる場合、オリゴマーのフィルム表面への析出は一定程度抑制されるものの、長期間保管後の表層湿熱劣化は抑制できず、長期保管後のフィルム表面へのオリゴマーの析出や表面劣化による密着性の低下が少ないといった課題がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、長期保管した後においても、オリゴマーのフィルム表面への析出や表面劣化による密着性の低下が少ないポリエステルフィルムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を取る。すなわち、
［Ｉ］ポリエステルフィルムであって、少なくとも片側の表面が、全反射減衰法による赤外分光分析測定（ＡＴＲ−ＩＲ測定）によって得られるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｔ、ゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度をＡｇ、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）をＡｔ／Ａｇとした場合に、次の（１）、（２）を満たすポリエステルフィルム。
（１）表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が１．００以上１．５０以下であること。
（２）前記トランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５と、表面から深さ１．０μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ１．０／Ａｇ１．０が次の（式１）を満たすこと。
（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）×１．１≦Ａｔ０．５／Ａｇ０．５・・・（式１）
［ＩＩ］前記表面の、高さが１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起密度をＡ（個／ｍｍ２）とした場合、Ａが１．５×１０８以上１．０×１０１０以下である［Ｉ］に記載のポリエステルフィルム。
［ＩＩＩ］前記表面を構成する層が粒子や添加剤を実質的に含まない［Ｉ］または［ＩＩ］に記載のポリエステルフィルム。
［ＩＶ］前記表面を構成する層の固有粘度が０．６以上である［Ｉ］〜［ＩＩＩ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
［Ｖ］前記表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５のばらつきが１％未満である［Ｉ］〜［ＩＩＶ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
［ＶＩ］ヘイズが０．１％以上１．０％以下である［Ｉ］〜［Ｖ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
［ＶＩＩ］前記（１）、（２）を満たすフィルム表面において、表面から深さ０．０５μｍまでの領域におけるラマン分光によって得られる結晶化度をχｃ０．０５（％）、表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるラマン分光によって得られる結晶化度をχｃ０．５（％）とした場合、次の（式２）で表されるχｃ０．５（％）とχｃ０．０５（％）の変化量Δχｃ（％）が６．０％以下である［Ｉ］〜［ＶＩ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
Δχｃ（％）＝｜χｃ０．５（％）−χｃ０．０５（％）｜・・・（式２）
［ＶＩＩＩ］ドライフィルムレジスト支持体用フィルムとして用いられる［Ｉ］〜［ＶＩ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
［ＩＸ］積層セラミックコンデンサーを製造する工程においてグリーンシート成形の支持体用フィルムとして用いられる［Ｉ］〜［ＶＩＩ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
［Ｘ］塗布型デジタル記録方式の磁気記録媒体用ベースフィルムに用いられる［Ｉ］〜［ＶＩＩ］のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のポリエステルフィルムは長期保管後のフィルム表面へのオリゴマーの析出や表面劣化による密着性の低下が少ない特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のポリエステルフィルムの表面から深さ０．５μｍまでの領域、表面から深さ１．０μｍまでの領域の説明図。
【図２】本発明のポリエステルフィルムに含まれるポリエステル樹脂分子鎖とその中に存在するゴーシュ配座Ａｇとトランス配座Ａｔの説明図。
【図３】本発明のポリエステルフィルムの表面処理を施した面に形成する突起とその突起高さの説明図。
【図４】２層構成（Ｐ１層／Ｐ２層）である場合の本発明のポリエステルフィルム。
【図５】３層構成（Ｐ１層／Ｐ２層／Ｐ１層）である場合の本発明のポリエステルフィルム。
【図６】３層構成（Ｐ１層／Ｐ２層／Ｐ３層）である場合の本発明のポリエステルフィルム。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を詳細に説明する。
（ポリエステル樹脂）
本発明はポリエステル樹脂を主成分として構成されるポリエステルフィルムに関する。ここでいう主成分とはフィルムの全成分１００重量％において、５０重量％を超えて１００重量％以下含有している成分を示す。
【００１１】
本発明で言うポリエステル樹脂は、ジカルボン酸構成成分とジオール構成成分を重縮合してなるものである。なお、本明細書内において、構成成分とはポリエステル樹脂を加水分解することで得ることが可能な最小単位のことを示す。
【００１２】
かかるポリエステル樹脂を構成するジカルボン酸構成成分としては、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，５−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，８−ナフタレンジカルボン酸、４，４’−ジフェニルジカルボン酸、４，４’−ジフェニルエーテルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸、もしくはそのエステル誘導体が挙げられる。
【００１３】
また、かかるポリエステル樹脂を構成するジオール構成成分としては、エチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール等の脂肪族ジオール類、シクロヘキサンジメタノール、スピログリコールなどの脂環式ジオール類、上述のジオールが複数個連なったものなどが挙げられる。
【００１４】
また、近年、環境負荷の観点から化石燃料由来の原料からの脱却とバイオマス由来原料への切り替えが求められており、本発明のポリエステルフィルムの環境負荷を減らすことを目的として、バイオマスに由来する上記例示のジオール構成成分を好適に用いることができる。バイオマスの具体的な例としては、サトウキビ、テンサイなどの糖質資源やトウモロコシ、米、イモ類などでんぷん資源があげられる。
【００１５】
前述のポリエステル樹脂の中でも、機械特性、透明性、分子配向性の観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート（ＰＥＮ）が好適に用いられる。
【００１６】
本発明のポリエステルフィルムは、二軸配向していることが好ましい。二軸配向していることにより、フィルムの機械強度を向上させることができる。ここでいう二軸配向とは、広角Ｘ線回折で二軸配向のパターンを示すものをいう。ポリエステルフィルムは、一般に未延伸状態のポリエステルシートをシート長手方向および幅方向に延伸し、その後熱処理を施し結晶配向を完了させることにより、得ることができる。詳しくは後述する。
【００１７】
（ポリエステルフィルムの表面近傍）
本発明のポリエステルフィルムは、少なくとも片側の表面が、全反射減衰法による赤外分光分析測定（ＡＴＲ−ＩＲ測定）によって得られるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｔ、ゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度をＡｇ、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）をＡｔ／Ａｇとした場合に、次の（１）、（２）を満たす必要がある。（以降、（１）、（２）を満たす表面を、単に前記表面という場合がある）。
（１）表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が１．００以上１．５０以下であること。
（２）前記トランス配座比Ａｔ０．５／Ａｇ０．５と、表面から深さ１．０μｍまでの領域におけるトランス配座比Ａｔ１．０／Ａｇ１．０が次の（式１）を満たすこと。
（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）×１．１≦Ａｔ０．５／Ａｇ０．５・・・（式１）
本発明のポリエステルフィルムにおける、表面から深さ０．５μｍまでの領域におけるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）であるＡｔ０．５／Ａｇ０．５は、ポリエステルフィルム表面から極近傍の領域（以降、表面から深さ０．５μｍまでの領域のことを領域αと呼ぶ場合がある）におけるポリエステル樹脂分子鎖中に存在するトランス配座およびゴーシュ配座の比を反映している。ポリエステル樹脂分子鎖中において、トランス配座、ゴーシュ配座とは、図２に示す配座を有するものである（図２において、Ｒ１〜Ｒ４は、ポリエステル樹脂分子鎖中の側鎖、ヘテロ原子を有する官能基、および水素原子を表す）。トランス配座は、ポリエステル主鎖中の炭素−炭素単結合において、立体的に大きなポリエステル主鎖骨格が１８０度反対の同一平面状に並んだ状態であり、分子鎖が密に折りたたまれた秩序構造を形成する。一方、ゴーシュ配座は、ポリエステル主鎖中の炭素−炭素単結合において、立体的に大きなポリエステル主鎖骨格が６０度、あるいは１２０度に位置した捻じれた状態にあり、分子鎖の折りたたみは起こりにくい構造である。Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が１．００未満である場合、トランス配座を持つ分子鎖が密に折りたたまれできる秩序構造が少なくなり、オリゴマーや水分子の通過を抑制できなくなる。その結果、長期保存後に他の機能層との密着性が低下したり、オリゴマーなどの異物析出による工程汚染、透明性の低下や、光学加工工程での露光阻害を引き起こしたりする場合がある。またＡｔ０．５／Ａｇ０．５が１．５０を超える場合、トランス配座をとる分子鎖によって形成する秩序構造体のサイズが大きくなることでポリエステルフィルムのヘイズが高まり、光学加工工程での露光阻害を引き起こしたりする場合がある。Ａｔ０．５／Ａｇ０．５の好ましい範囲としては、１．０３以上１．５０以下であり、さらに好ましい範囲としては、１．１０以上、１．３０以下である。また、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５のばらつきは１．０％未満であることが好ましい。Ａｔ０．５／Ａｇ０．５のばらつきが１．０％より大きい場合、本発明のポリエステルフィルムを磁気記録テープ用途に用いる際、機能層剥離抑制の効果が部分的に発現しなくなる場合がある。より好ましくは０．９５％以下である。
【００１８】
本発明のポリエステルフィルムにおける、表面から深さ１．０μｍまでの領域におけるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）であるＡｔ１．０／Ａｇ１．０は、前述のフィルム表面から極近傍よりも深い位置までの領域（以降、表面から深さ１．０μｍまでの領域のことを領域βと呼ぶ場合がある）におけるポリエステル樹脂分子鎖中に存在するトランス配座およびゴーシュ配座の比を反映している。Ａｔ１．０／Ａｇ１．０は０．６０以上０．９５以下の範囲にあることが好ましく、さらに好ましい範囲としては、０．８０以上、０．９０以下である。Ａｔ１．０／Ａｇ１．０が０．６０未満である場合、ポリエステルフィルムの二軸配向が不十分であり、製膜工程、およびその後の加工工程において破れやすくなることで生産性が低下する場合がある。Ａｔ１．０／Ａｇ１．０が０．９５を超える場合、トランス配座をとる分子鎖によって形成する秩序構造体のサイズおよび秩序構造体の個数が多くなることで、ポリエステルフィルムのヘイズが高まり、光学加工工程での露光阻害を引き起こしたりする場合がある。
【００１９】
本発明のポリエステルフィルムにおける、領域αにおけるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）であるＡｔ０．５／Ａｇ０．５と、領域βにおけるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）であるＡｔ１．０／Ａｇ１．０が（式１）を満たすことは、領域βに比べ領域αのポリエステル樹脂の方が構成する分子鎖中においてトランス体配座が多く存在することを示す。
（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）×１．１≦Ａｔ０．５／Ａｇ０．５・・・（式１）
フィルム表面から極近傍の領域αにおけるトランス配座比（Ａｔ０．５／Ａｇ０．５）が、フィルム表面から極近傍よりも深い位置までの領域βでのトランス配座比（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）の１．１倍より大きくなることで、領域βでのポリエステル樹脂分子鎖中のトランス配座によって誘起される秩序構造体が粗大化せずポリエステルフィルムの透明性を保ちながら、領域αにおいて特異的に存在する秩序構造体がオリゴマーや水分の通過を防ぐことで、本発明の特徴である長期保存後のフィルム表面へのオリゴマー析出抑制と表面劣化による機能層密着性の低下抑制を達成できる。領域αでのトランス配座比（Ａｔ０．５／Ａｇ０．５）が領域βでのトランス配座比（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）の１．１倍以下の場合、フィルム表面から極近傍の領域αからフィルム表面から極近傍よりも深い位置までの領域βにかけてのトランス配座比が均一であることから、ポリエステルフィルム表面から極近傍の領域αの結晶化度が上がることで脆化し、機能層との密着性が低下する場合がある。好ましい範囲としては、領域αでのトランス配座比（Ａｔ０．５／Ａｇ０．５）が領域βでのトランス配座比（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）の１．１５倍以上であることがより好ましく、領域αでのトランス配座比（Ａｔ０．５／Ａｇ０．５）が領域βでのトランス配座比（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）の１．２倍以上であることが更に好ましい。
【００２０】
本発明のポリエステルフィルムにおける、領域αにおけるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）であるＡｔ０．５／Ａｇ０．５、および領域βにおけるトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度とゴーシュ配座に由来する吸収ピークの強度との比（トランス配座比）であるＡｔ１．０／Ａｇ１．０を制御することで方法は特に限定されない。
【００２１】
一般的に、ポリエステルフィルムに配向を付与すると、ポリエステルフィルム中のポリエステル主鎖骨格は配向方向に秩序構造を形成するため、トランス配座構造の比率が、ゴーシュ配座構造の比率に比べて高くできる。したがって、ポリエステルフィルムに強く配向を付与すれば、トランス配座比（Ａｔ０．５／Ａｇ０．５、Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）を高くすることができる。しかしながら、単にポリエステルフィルムに配向を付与する方法では、フィルム表面から極近傍の領域αのトランス配座比と、フィルム表面から極近傍よりも深い位置までの領域βのトランス配座比に差を設けるのは困難である。
【００２２】
領域α、領域βのトランス配座比を制御する方法としては、例えば、フィルム表面に放電処理を施した後、延伸して配向を付与せしめる方法が挙げられる。かかる方法によると、フィルム表面への放電処理によって、ポリエステルフィルムのフィルム表面から極近傍の領域において、トランス配座に比べて熱力学的に安定性の低いゴーシュ配座部分が選択的に分解される（分子鎖中のトランス配座部はゴーシュ配座部よりも秩序構造を取りやすいため、プラズマ励起気体によって分子鎖切断されてもすぐに再結合しやすく、結果ゴーシュ配座部が多く切断される）ことで、フィルム表面から極近傍の領域においてトランス配座部を多く残存させ、その後に延伸することで分子鎖を伸ばしトランス配座に由来する秩序構造体を増加させることが可能である。
【００２３】
また、領域α、領域βのトランス配座比を制御する方法としては、ポリエステルフィルムの延伸工程における加熱を、複数本の加熱ロールを通過させる方法や、赤外線ヒーターを用いることで段階的に昇温する方法も挙げられる。かかる方法によると、ポリエステルフィルムを室温から徐々に加熱させることによって、ポリエステルフィルムの表面から極近傍の領域αを、表面から極近傍よりも深い位置までの領域βに比べて、ポリエステル樹脂分子鎖中のゴーシュ配座をより熱力学的に安定なトランス配座へと多く転移させ、延伸により形成するトランス配座に由来する秩序構造体をポリエステルフィルムの表面から極近傍の領域αにおいてより増加させることが可能である。
【００２４】
ポリエステルフィルムの領域αへのダメージを少なくする観点および、トランス配座比のばらつきを小さくする観点からは、幅方向に制御が容易である放電処理後に延伸する方法が好ましい。また、後述するポリエステルフィルム表面に高さ１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起を形成させる観点からも放電処理後に延伸する方法が好ましい。
【００２５】
ポリエステルフィルムを延伸する方法としては、延伸ロールを用いて延伸ロールの周速差を用いて延伸する方法、フィルム幅方向端部をクリップなどで把持し当該クリップの間隔を制御することで延伸する方法などがある。本発明において、ポリエステルフィルムの延伸を、延伸ロールを介した手法を用いる場合、前述の領域α、領域βのトランス配座比を制御する方法を採用すると、延伸ロールに供されるポリエステルフィルムの放電処理に伴う濡れ性変化や加熱処理に伴う表面温度の上昇により、ポリエステルフィルムが延伸ロールに粘着する場合がある。ポリエステルフィルムと延伸ロールとの粘着が発生すると、延伸工程での破れが発生し歩留まりが悪くなるだけでなく、延伸不良となることでポリエステル樹脂分子鎖中のトランス配座に由来する秩序構造体の増加が不十分になる場合がある。このため、ポリエステルフィルムの延伸を、延伸ロールを介した手法を用いる場合、前述の領域α、領域βのトランス配座比を制御する方法と合わせて延伸ロールを非粘着性ロールとすることが好ましい。ここで非粘着ロールとはポリエステルフィルムとロールとの粘着を防ぐものであれば特に限定されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（“テフロン”（登録商標））製やシリコーン製のロールを挙げることができ、これらは一般に用いられるハードクロムメッキなどが施された金属ロールやセラミック製のロールよりもロール粘着を防ぐ事ができるため好ましい。中でもロール粘着下限温度が高いシリコーン製ロールを用いることが最も好ましい。また、ロールを全く用いない延伸手法として同時２軸延伸を上記手法と組み合わせて用いることも、非粘着ロールとの組み合わせた場合と同様に好ましい。
【００２６】
放電処理としてはコロナ放電処理や、真空もしくは大気圧下でのグロー放電によるプラズマ処理を挙げることができるが、インラインでの製膜適応性や処理均一性が高く、ポリエステルフィルムへのダメージが少ない大気圧グロー放電によるプラズマ処理が最も好ましい。ここでいう大気圧とは７００Ｔｏｒｒ〜７８０Ｔｏｒｒの範囲である。
【００２７】
大気圧グロー放電処理は、相対する電極とアースロール間に処理対象のフィルムを導き、装置中にプラズマ励起性気体を導入し、電極間に高周波電圧を印加することにより、該気体をプラズマ励起させ電極間においてグロー放電を行うものである。これによりポリエステルフィルム表面極近傍においてプラズマ励起気体を介した分子鎖切断が生じる。分子鎖中のトランス配座部はゴーシュ配座部よりも秩序構造を取りやすいため、プラズマ励起気体によって分子鎖切断されてもすぐに再結合しやすく、結果ゴーシュ配座部が多く切断される。
【００２８】
プラズマ励起性気体とは前記のような条件においてプラズマ励起されうる気体をいう。プラズマ励起性気体としては、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガス、窒素、二酸化炭素、酸素、またはテトラフルオロメタンのようなフロン類およびそれらの混合物などが挙げられる。また、プラズマ励起性気体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の混合比で組み合わせてもよい。プラズマによって励起された場合に活性が高くなる観点から、アルゴン、酸素、二酸化炭素のうちの少なくとも１種を含むことが好ましく、酸素を含むことがより好ましい。プラズマ処理における高周波電圧の周波数は１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの範囲が好ましい。また、以下方法で求められる放電処理強度（Ｅ値）は、１０〜２０００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２がフィルムへのダメージを最小限とし分子鎖切断を行う観点から好ましく、より好ましくは７０〜５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２である。放電処理強度（Ｅ値）が低すぎると、トランス配座を増加させることができない場合があり、放電処理強度（Ｅ値）が高すぎると、ポリエステルフィルムにダメージを与えてしまい製膜中の破れや欠点を誘発する場合がある。
＜放電処理強度（Ｅ値）の求め方＞
Ｅ＝Ｖｐ×Ｉｐ／（Ｓ×Ｗｔ）
Ｅ：Ｅ値（Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２）
Ｖｐ：印加電圧（Ｖ）
Ｉｐ：印加電流（Ａ）
Ｓ：処理速度（ｍ／ｍｉｎ）
Ｗｔ：処理幅（ｍ）
大気圧グロー放電によるプラズマ処理はポリエステルフィルムの延伸前でも一軸延伸後でも構わないが、延伸前に行う方がより延伸工程におけるトランス配座に由来する秩序構造体の形成を促進できるため好ましい。
【００２９】
複数本の加熱ロールを通過させることや、赤外線ヒーターを用いる場合、室温からポリエステルフィルムの主成分たるポリエステル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）までフィルム表面温度を徐々に上げることが好ましい。加熱速度が高い場合、ポリエステルフィルムの表面から極近傍の領域αおよび表面から極近傍よりも深い位置までの領域βの熱結晶化が同程度に進行し、領域αと領域βのトランス配座比に差を設けるのが困難となったり、熱結晶化が急激に進行することでポリエステルフィルムが白濁し透明性が失われたり、フィルムが脆くなることで製膜中の破れが頻発したりする場合がある。
【００３０】
本発明のポリエステルフィルムは、前記表面において、表面から深さ０．０５μｍの最表層領域（以降、表面から深さ０．０５μｍまでの領域のことを領域γと呼ぶ場合がある）における後述するラマン分光法により得られる結晶化度をχｃ０．０５（％）とし、表面から深さ０．５μｍの領域（領域α）における後述するラマン分光法により得られる結晶化度をχｃ０．５（％）とした場合、次の（式２）にて表される結晶化度の深さ方向の結晶化度変化量Δχｃ（％）が６．０％以下であることが好ましい。
Δχｃ＝｜χｃ０．５（％）−χｃ０．０５（％）｜・・・（式２）
Δχｃ（％）は前述の領域αにおけるトランス配座をとるポリエステル分子鎖が最表層（領域γ）にどれだけ集中しているかを表しており、後述の理由からΔχｃ（％）が小さいほど最表層の結晶化度が高いことを表している。Δχｃ（％）が６．０％より大きい場合、表面に硬い結晶構造が集中していないため、製膜工程や後加工工程でのキズ付き性が低下する場合が有る。Δχｃ（％）のより好ましい範囲は２．０％以上５．５％以下である。
【００３１】
なお、Δχｃ（％）を求める際のχｃ０．０５（％）およびχｃ０．５（％）は、後述する傾斜断面出し加工を行うことにより、領域α、領域γのみを削り出したサンプルをラマン分光装置にて直接測定することにより求められる。この傾斜断面出し加工は、加工処理を行う際に測定サンプルに負荷がかかるため、結晶化度の値に影響を与えるが、その影響は、極表層の薄い部分である領域γの方が、領域αに比べて大きい。そのため、傾斜断面出し加工後、ラマン分光測定により得られるχｃ０．０５（％）は、χｃ０．５（％）よりも傾斜断面出しの影響が大きいため結晶化度が低くなる傾向にあるところ、傾斜断面出し加工後においても式２を満たすようなχｃ０．０５（％）、χｃ０．５（％）を有することが、最表層の結晶化度が特異的に高いことを示すと考えている。Δχｃ（％）を好ましい範囲とする方法は前記の領域α、領域βのトランス配座比を制御する方法を用いることができるが、表面から深さ０．０５μｍの最表層領域の結晶化度を特異的に増加させるためには、ポリエステルフィルムに施す表面処理の及ぶ領域が最表層のみとなる大気圧グロー放電処理が好ましく、加熱ロールや、赤外線ヒーター加熱を用いる手法では熱処理が深い領域まで分散し結晶化度の増加が不十分でロール走行時のキズが悪化する場合がある。
【００３２】
本発明のポリエステルフィルムは、前述の（１）、（２）を満たすフィルム表面（前述の（１）、（２）を満たすフィルム表面を、前記表面という場合がある）における高さ１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起の個数をＡ（個／ｍｍ２）とした場合、Ａが１．５×１０８以上１．０×１０１０以下であることが好ましい。個数Ａは、前記表面に存在する突起高さが１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起の総個数を表しており、本発明のポリエステルフィルムと他の機能層とを積層して用いる際に、ポリエステルフィルムと他の機能層との密着性を高める補強材の役割（機能層に対し機能層と水平に過度な応力がかかった場合に生じる剥離、例えば、後述する磁気記録テープ用途での走行試験時における磁性層剥離を抑制する役割）を有する。個数Ａ（個／ｍｍ２）のより好ましい範囲としては、２．５×１０８以上１．０×１０９以下であり、さらに好ましい範囲としては３．０×１０８以上１．０×１０９以下である。個数Ａ（個／ｍｍ２）が１．５×１０８未満の場合、前述の走行試験において機能層剥離が悪化する場合があり、１．０×１０１０を超える場合、ポリエステルフィルムに張り合わせる機能層の剛性が、高さが１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起部分の剛性により高まることで、走行時に読み取りヘッドを機能層中の金属粒子などで傷つけやすくなる場合がある。
【００３３】
本発明のポリエステルフィルムは、前記表面を有する層の固有粘度（ＩＶ）は、０．６０ｄｌ／ｇ以上であることが好ましい。ＩＶは、分子鎖の長さを反映した数字であり、分子鎖が長い方が、長期保存後にオリゴマーが発生しにくくなるため好ましい。ＩＶが０．６０ｄｌ／ｇ以上とすることで、前述の（１）（２）を満たすことによって、オリゴマーのフィルム表面への析出を抑制するという本発明の効果を十分に得ることができる。より好ましくは０．６８ｄｌ／ｇ以上であり、さらに好ましくは０．７０ｄｌ／ｇ以上である。
【００３４】
また、本発明のポリエステルフィルムは、前記表面を有する層の末端カルボキシル基量は、１〜４５当量／ｔであることが好ましい。末端カルボキシル基量を４５当量／ｔ以下とすることで、ポリエステル鎖のトランス配座比を高めることが容易となり、長期保管後のフィルム表面へのオリゴマーの析出を抑制することが可能となる。また、末端カルボキシル基量を１当量／ｔ以上とすることで、長期保管後の密着性を高めることが容易となる。より好ましくは３〜４０当量／ｔであり、さらに好ましくは５〜２０当量／ｔである。
【００３５】
本発明のポリエステルフィルは、ドライフィルムレジスト支持体用フィルムなどの高い光線透過性（透明性）が求められる用途で用いる場合、ヘイズが０．１％以上１．０％以下であることが好ましい。ヘイズが１．０％を超える場合、光学加工工程フィルムに使用した祭に透過光が散乱されてしまい、例えばドライフィルムレジスト支持体用途では、レジスト配線に欠点が発生する場合がある。ヘイズが０．１％未満の場合、フィルム視認性が悪化し、巻取り工程でのフィルム屑混入に気づけずフィルムロール欠点が多発する場合がある。より好ましくは０．２％以上１．０％以下であり、さらに好ましくは０．３％以上０．９％以下である。
【００３６】
本発明のポリエステルフィルムは、単膜構成であっても他の樹脂を積層した２層以上の構成であってもよい。２層構成とする場合、前記表面を有する層をＰ１層、積層する層をＰ２層と称する場合、Ｐ１層の突起を有する表面が最外層になるように配したＰ１層／Ｐ２層構成とすることが好ましい。３層構成とする場合、２種３層構成（Ｐ１層／Ｐ２層／Ｐ１層）でも、更に別の樹脂を積層した異種３層構成（Ｐ１層／Ｐ２層／Ｐ３層）であってもよい。
【００３７】
Ｐ１層とＰ２層、Ｐ３層等の他の樹脂層を積層する方法としては特に制限されないが、後述する共押出法や、製膜途中のフィルムに他の樹脂層原料を押出機に投入して溶融押出して口金から押出しながらラミネートする方法（溶融ラミネート法）、製膜後のフィルム同士を接着剤層とを介して積層する方法などを用いることができ、中でも前述処理による突起形成と積層を同時に行える共押出法が好ましく用いられる。
【００３８】
本発明のポリエステルフィルムは、本発明の特性を損なわない範囲で、帯電防止を目的にＡＳ剤（帯電防止剤）を添加したり、使用用途に応じた光学特性を付与する目的で染料、色素や有機および無機の波長変換材料を添加したり、滑り性や巻取り性を向上させる目的で有機粒子または無機粒子、あるいはその両方を含有しても構わない。ただし、本発明の特性を最大限得るためには、実質的に添加剤や粒子を含有しないことが好ましい。ここで実質的に添加剤や粒子を含有しないとは、ポリエステルフィルムに対する添加剤、粒子それぞれの含有量が５００ｐｐｍ以下であることを表す。さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下、最も好ましくは１０ｐｐｍ以下である。上記範囲を超えて添加剤や粒子を含有する場合、トランス配座に由来する秩序構造体の形成が阻害されオリゴマー析出抑制効果が低下したり、ポリエステルフィルム内に亀裂や空隙に形成する原因となり、長期保存後の機能層との密着性が低下したりする場合がある。
【００３９】
（ポリエステルフィルムの製造方法）
本発明に用いられるポリエステル樹脂を得る方法としては、常法による重合方法が採用できる。例えば、テレフタル酸等のジカルボン酸構成成分またはそのエステル形成性誘導体と、エチレングリコール等のジオール構成成分またはそのエステル形成性誘導体とを公知の方法でエステル交換反応あるいはエステル化反応させた後、溶融重合反応を行うことによって得ることができる。また、必要に応じ、溶融重合反応で得られたポリエステル樹脂を、ポリエステル樹脂の融点温度以下にて、固相重合反応を行っても良い。
【００４０】
本発明のポリエステルフィルムは、従来公知の製造方法で得ることが出来るが、延伸、熱処理工程を以下の条件で製造することにより、トランス配座比を制御し上述の通り好ましい物性を持つ表面とすることができる。
【００４１】
本発明のポリエステルフィルムは、必要に応じて乾燥した原料を押出機内で加熱溶融し、口金から冷却したキャストドラム上に押し出してシート状に加工する方法（溶融キャスト法）を使用することができる。その他の方法として、原料を溶媒に溶解させ、その溶液を口金からキャストドラム、エンドレスベルト等の支持体上に押し出して膜状とし、次いでかかる膜層から溶媒を乾燥除去させてシート状に加工する方法（溶液キャスト法）等も使用することができる。
【００４２】
２層以上の積層ポリエステル樹脂フィルムを溶融キャスト法により製造する場合、積層ポリエステルフィルムを構成する層毎に押出機を用い、各層の原料を溶融せしめ、これらを押出装置と口金の間に設けられた合流装置にて溶融状態で積層したのち口金に導き、口金からキャストドラム上に押し出してシート状に加工する方法（共押出法）が好適に用いられる。該積層シートは、表面温度２０℃以上６０℃以下に冷却されたドラム上で静電気により密着冷却固化し、未延伸フィルムを作製する。キャストドラムの温度は、より好ましくは２５℃以上６０℃以下、さらに好ましくは３０℃以上５５℃以下である。２０℃以下では夏場に未延伸フィルム表面に結露が発生し、シートへの大気圧グロー放電処理を阻害したり、加熱ロールや赤外線ヒーターによる加熱にムラが生じたりすることで、トランス配座比のばらつきが大きくなる場合がある。６０℃を超えると、キャストドラムにフィルムが貼り付き、未延伸フィルムを得ることが困難になる場合がある。
【００４３】
次いで、必要に応じて、ここで得られた未延伸フィルムに大気圧グロー放電によるプラズマ処理などの表面処理を施す。これらの表面処理は未延伸フィルムを得た直後でも、縦および／又は横方向に延伸した後でも良いが、本発明では未延伸フィルムに表面処理することが好ましい。また、表面処理を施す面はキャストドラムに接していた面（ドラム面）でもキャストドラムに接していない面（非ドラム面）のいずれでも良い。
【００４４】
その後、未延伸フィルムを二軸延伸し、二軸配向せしめる。延伸方法としては、逐次二軸延伸法又は同時二軸延伸法どちらともを用いることができる。以下、逐次二軸延伸法に関して記載を行う。
【００４５】
（逐次二軸延伸法）
未延伸フィルムを逐次二軸延伸する場合の延伸条件に関しては特に制限されるものでは無いが、本発明のポリエステルフィルムがポリエステル樹脂を主成分とする場合、長手方向の延伸としては、未延伸フィルムを７０℃以上に加熱されたロール群に導き、長手方向（縦方向、すなわちシートの進行方向）に延伸し、２０〜５０℃の温度のロール群で冷却することが好ましい。前述の通り、延伸工程で使用するロールは非粘着ロールであることが好ましい。
【００４６】
未延伸フィルムを延伸温度まで加熱する際、複数本の加熱ロールを通過させたり、赤外線ヒーターを用いて段階的に昇温したりすることで、領域αと領域βのトランス配座比に差を設けるのが容易となる。複数本の加熱ロールを用いて加熱する場合、５本以上の加熱ロールを用いることが好ましく、また、隣り合う２つのロール間の温度差が１０℃以下とすることが好ましい。赤外線ヒーターを用いて加熱する場合、赤外線ヒーターによって加熱される区間を５ｍ以上設け、かつ、かかる区間における昇温速度が、１ｍあたり１０℃以下となるようにすることが好ましい。
【００４７】
長手方向の延伸における加熱ロール温度の下限についてはシートの延伸性を損なわない限り特に制限はないが、使用するポリエステル樹脂のガラス転移温度＋５℃が好ましい。また、長手方向の延伸倍率の好ましい範囲は３倍〜５倍である。より好ましい範囲としては３倍〜４倍である。長手方向の延伸倍率が３倍未満であると、配向結晶化が進行せずフィルム強度が著しく低下する。一方で、延伸倍率が５倍を超える場合、延伸に伴うポリエステル樹脂の配向結晶化が進行することで脆くなると共に製膜時の破れが発生する場合がある。
【００４８】
続いて、長手方向に直角な方向（幅方向）の延伸に関しては、フィルムの両端をクリップで把持しながらテンターに導き、７０〜１６０℃の温度に加熱された雰囲気中にて、長手方向に直角な方向（幅方向）への２〜５倍の延伸、およびその後、延伸されたフィルムを熱処理し、フィルム内部の分子配向構造の安定化を行うことが好ましい。熱処理時にフィルムの受けた熱履歴温度に関しては、後述する示差走査熱量計（ＤＳＣ）にて測定される融点温度の直下に現れる微小吸熱ピーク（以下、Ｔｍｅｔａと称することがある。）温度にて確認することができるが、テンター装置設定温度としては例えばポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）が主成分である場合には、一般にテンター内の最高温度が２００℃以上２５０℃以下であるように設定することが好ましく、他のポリエステル樹脂を主成分とする際は、当該ポリエステル樹脂の融点−５５℃以上融点−５℃以下に設定することが好ましい。ポリエチレンテレフタレートが主成分である場合においては、熱処理温度が２００℃を下回る場合、他のポリエステル樹脂を主成分とする場合においては、当該ポリエステル樹脂の融点−５５℃を下回る場合、前記、トランス配座に由来する秩序構造体の形成が十分に成長できず結果として前述の好ましい範囲の突起を形成することが困難になる場合がある。一方、ポリエチレンテレフタレートが主成分であり、２５０℃を超えて熱処理を施す場合、他のポリエステル樹脂を主成分とする場合においては、当該ポリエステル樹脂の融点−５℃を超えて熱処理を施す場合、フィルムが融解し破れが多発し生産性が低下する場合がある。ポリエチレンテレフタレートが主成分である場合の熱処理温度のより好ましい範囲としては２２０℃以上２４５℃以下である。
【００４９】
熱処理時にフィルムの受けた熱履歴温度を表すＴｍｅｔａの範囲としては、ポリエチレンテレフタレートを主成分とする場合、前述の理由から１９０℃以上２４５℃以下であることが好ましい。より好ましい範囲としては２１０℃以上２４０℃以下である。
【００５０】
更に熱処理した後に、フィルムに寸法安定性を付与することを目的として、０％以上６％以下の範囲でリラックス（弛緩）処理を行ってもよい。
延伸倍率は、長手方向と幅方向それぞれ３〜５倍とするが、その面積倍率（縦延伸倍率×横延伸倍率）は９〜２０倍であることが好ましく、９〜１８倍であることがより好ましい。面積倍率が９倍未満であると、得られる二軸延伸フィルムの耐久性が不十分となり、面積倍率が２０倍を超えると延伸時に破れを生じ易くなる傾向がある。
【００５１】
（ポリエステルフィルム）
上記のようにして得られる本発明のポリエステルフィルムは、長期保存後のフィルム表面へのオリゴマーの析出を抑制し、表面劣化に伴う機能層との密着性に優れる。その特性を活かして、例えば、離型フィルム（特にドライフィルムレジスト支持体用フィルムや積層セラミックコンデンサーの製造に用いるグリーンシート成形の支持体用フィルム）や、磁気記録媒体用ベースフィルムとして好適に用いられる。
【００５２】
従来のポリエステルフィルムをドライフィルムレジスト支持体用フィルムとして用いる場合は、以下のような課題を有していた。長期間保存された場合、オリゴマーがフィルム表面に析出したりすることでレジスト層との層間剥離が発生し、レジスト層の精度やレジストの生産性が低下する。ドライフィルムレジスト支持体用フィルムには高い滑り性が要求されるところ、従来においては、滑り性向上のためにフィルム表面を有する層に粒子を含有させる方法が用いられていたが、長期間保存された場合、フィルム表面を有する層に含有する粒子が起点となり、フィルム表面へのオリゴマーの析出が促進させる。本発明のポリエステルフィルムは、長期保存後もオリゴマーのフィルム表面への析出やかかる機能層剥離の問題発生を抑制することが可能であるため、ドライフィルムレジスト支持体用フィルムとして好適に用いることができる。
【００５３】
また、従来のポリエステルフィルムを、積層セラミックコンデンサーの製造に用いるグリーンシート成形の支持体用フィルムとして用いる場合は、以下のような課題を有していた。近年、積層セラミックコンデンサーは小型・高容量化が進んでいる。そのため、グリーンシート製品を巻き上げた際にグリーンシートに支持体用フィルムに起因する不純物（オリゴマーなど）が残存した場合、その後の工程にて異物となり、キズやへこみを生じさせと大きな問題となる。本発明のポリエステルフィルムは、長期保存後もオリゴマーのフィルム表面への析出やかかる機能層剥離の問題発生を抑制することが可能であるため、グリーンシート成形の支持体用フィルムとして好適に用いることができる。
【００５４】
また、従来のポリエステルフィルムを、磁気記録媒体用ベースフィルムとして使用される場合は、以下のような課題を有していた。近年、磁気記録媒体はさらなる高密度記録化が要求されている。更なる高密度記録を達成するためには、磁性層の薄膜化や微粒子磁性体を使用し磁性層表面の平滑性をさらに向上させることが有効である。製造工程でのロール状態、およびデータテープとしてカートリッジに巻き取られ長期保存された場合、データの読み書きに際し、衝撃により読み取りヘッドとの接触により磁性層が剥がれ落ちデータが欠落する問題があった。本発明のポリエステルフィルムは、長期保存後もオリゴマー発生やかかる機能層剥離の問題発生を抑制することが可能であるため、磁気記録媒体用ベースフィルム、特に塗布型デジタル記録方式の磁気記録媒体用ベースフィルムとして好適に用いることができる。
【００５５】
［特性の評価方法］
Ａ．ＡＴＲ−ＩＲ（全反射減衰法による赤外分光分析測定）による評価
（ｉ）領域αのトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度Ａｔ０．５
後述の測定方法に従い得られる領域α（表面から深さ０．５μｍの範囲）におけるポリエステルフィルム表面のＩＲスペクトル（８００〜１４００ｃｍ−１の範囲）において、トランス配座に隣接するエステル結合のＣ−Ｏ伸縮振動に由来するピークにおけるピークトップ（極大点）の強度（ポリエチレンテレフタレートの場合では１１２０±８ｃｍ−１に出現するピークのピークトップ（極大点）の強度）を、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｔ０．５とした。
【００５６】
（ｉｉ）領域αのゴーシュ配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｇ０．５ 
後述の測定方法に従い得られる領域α（表面から深さ０．５μｍの範囲）におけるポリエステルフィルム表面のＩＲスペクトル（８００〜１４００ｃｍ−１の範囲）において、ゴーシュ配座に隣接するエステル結合のＣ−Ｏ伸縮振動に由来するピークにおけるピークトップ（極大点）の強度（ポリエチレンテレフタレートの場合では１１００±８ｃｍ−１に出現するピークのピークトップ（極大点）の強度）を、ゴーシュ配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｇ０．５とした。
【００５７】
（ｉｉｉ）領域βのトランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度Ａｔ１．０
後述の測定方法に従い得られる領域β（表面から深さ１．０μｍの範囲）におけるポリエステルフィルム表面のＩＲスペクトル（８００〜１４００ｃｍ−１の範囲）において、トランス配座に隣接するエステル結合のＣ−Ｏ伸縮振動に由来するピークにおけるピークトップ（極大点）の強度（ポリエチレンテレフタレートの場合では１１２０±８ｃｍ−１に出現するピークのピークトップ（極大点）の強度）を、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｔ１．０とした。
【００５８】
（ｉｖ）領域βのゴーシュ配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｇ１．０ 
後述の測定方法に従い得られる領域β（表面から深さ１．０μｍの範囲）におけるポリエステルフィルム表面のＩＲスペクトル（８００〜１４００ｃｍ−１の範囲）において、ゴーシュ配座に隣接するエステル結合のＣ−Ｏ伸縮振動に由来するピークにおけるピークトップ（極大点）の強度（ポリエチレンテレフタレートの場合では１１００±８ｃｍ−１に出現するピークのピークトップ（極大点）の強度）を、トランス配座のポリエステルに由来する吸収ピークの強度をＡｇ１．０とした。
【００５９】
（ｖ）領域αのトランス配座比（Ａｔ０．５／Ａｇ０．５）
前項（ｉ）、（ｉｉ）に記載の方法にて、測定サンプルから得られるＡｔ０．５を同一測定サンプルＡｇ０．５にて除した値Ａｔ０．５／Ａｇ０．５を求める。９個の測定サンプルより求まるＡｔ０．５／Ａｇ０．５の平均値をポリエステルフィルムの領域αのトランス配座比とした。
（ｖｉ）領域βのトランス配座比（Ａｔ１．０／Ａｇ１．０）
前項（ｉｉｉ）、（ｉｖ）に記載の方法にて、測定サンプルから得られるＡｔ１．０を同一測定サンプルＡｇ１．０にて除した値Ａｔ１．０／Ａｇ１．０を求める。９個の測定サンプルより求まるＡｔ１．０／Ａｇ１．０の平均値をポリエステルフィルムの領域βのトランス配座比とした。
（ｖｉｉ）領域αのトランス配座比のばらつき
前項（ｖ）に記載の方法にて、９個の測定サンプルからＡｔ０．５／Ａｇ０．５の標準偏差を（ｖ）の平均値にて除した値（％）をポリエステルフィルムの領域αのトランス配座比のばらつきとした。
【００６０】
［ＡＴＲ−ＩＲ測定方法］
（装置構成）
・装置：Ｂｒｕｋｅｒ社製  フーリエ変換赤外分光計（ＦＴ−ＩＲ）  ＴＥＮＳＯＲＩＩ
・付属装置：一回反射型ＡＴＲ測定付属装置（Ｔｈｅ  ＳｅａｇｕｌｌＴＭ）
ゲルマニウム製  ＡＴＲ結晶
・測定方式：全反射減衰法（ＡＴＲ法）
（測定条件）
・光源：グローバー
・検出器：ＭＴＣ（Ｈｇ−Ｃｄ−Ｔｅ）
・分解能：４ｃｍ−１
・積算回数：５１２回
・サンプルセット：光の入射方向が後述する測定サンプルの長手方向に来るように置く
・入射角：領域α測定時  ６０°（表面検出深さ約０．５μｍ）
領域β測定時  ３０°（表面検出深さ約１．０μｍ）
各深さ測定は、サンプルを取り外すことなく入射角を変えて連続で測定する。
（測定サンプル）
・測定サンプル作成方法：評価を行うポリエステルフィルムより３ｃｍ角の正方形状サンプルをポリエステルフィルムの長手方向×幅方向に渡り９点（３点×３点）切り出す。この際、各サンプル同士が最低でも５ｃｍ以上離してサンプリングを行う。
・サンプル調整：２３℃、６５％ＲＨ、２４時間静置
・ＡＴＲ−ＩＲ測定環境：２３℃、６５％ＲＨ
・測定値：前述の通り、９個の測定サンプルごとにＡｔ０．５、Ａｇ０．５、Ａｔ１．０、Ａｇ１．０を測定し求まるＡｔ０．５／Ａｇ０．５およびＡｔ１．０／Ａｇ１．０それぞれの平均値をポリエステルフィルムの持つＡｔ０．５／Ａｇ０．５およびＡｔ１．０／Ａｇ１．０として扱う。
【００６１】
Ｂ．ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による評価
（ｉ）高さ１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起の個数Ａ（個／ｍｍ２）
以下の測定方法によって得られるフィルム表面の画像を、付属の解析ソフト（ＮａｎｏＳｃｏｐｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｖｅｒｓｉｏｎ  １．４０）を用い解析する。得られるフィルム表面のＨｅｉｇｈｔ  Ｓｅｎｓｏｒ画像を下記するＦｌａｔｔｅｎ処理のみを施した後、Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ解析モードを下記の通り設定することで、フィルム表面の基準面が自動的に決定される。該基準面から、突起高さの閾値（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  Ｈｅｉｇｈｔ）を１ｎｍ、１０ｎｍと定め、各閾値で得られる突起個数をカウントする。突起高さの閾値（Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  Ｈｅｉｇｈｔ）が１ｎｍ（Ｒ１ｎｍ）での１μｍ２当たりの突起密度の平均値（Ｄｅｎｓｉｔｙ行、Ｍｅａｎ列の値）を１ｍｍ２当たりに換算した数値をＮ１ｎｍ（個／ｍｍ２）、１０ｎｍ（Ｒ１０ｎｍ）での１μｍ２当たりの突起密度の平均値（Ｄｅｎｓｉｔｙ行、Ｍｅａｎ列の値）を１ｍｍ２当たりに換算した数値をＮ１０ｎｍ（個／ｍｍ２）とした時、次の式で求められる値をその測定画像の高さ１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起の個数Ａ（個／ｍｍ２）とする。
Ａ（個／ｍｍ２）＝Ｎ１ｎｍ（個／ｍｍ２）−Ｎ１０ｎｍ（個／ｍｍ２）
前記解析を各サンプルにおける２０か所の測定画像全てにおいて行い、その平均値をサンプルの高さ１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起の個数Ａ（個／ｍｍ２）とする。
【００６２】
［ＡＦＭ測定方法］
・装置：Ｂｒｕｋｅｒ社製  原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）
Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ  Ｉｃｏｎ  ｗｉｔｈ  ＳｃａｎＡｓｙｓｔ
・カンチレバー：窒化ケイ素製プローブ  ＳｃａｎＡｓｙｓｔ  Ａｉｒ
・走査モード：ＳｃａｎＡｓｙｓｔ
・走査速度：０．９７７Ｈｚ
・走査方向：後述する方法にて作製した測定サンプルの幅方向に走査を行う
・測定視野：１μｍ四方
・サンプルライン：５１２
・Ｐｅａｋ  Ｆｏｒｃｅ  ＳｅｔＰｏｉｎｔ：０．０１９５Ｖ〜０．０２０５Ｖ
・Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｇａｉｎ：１０〜２０
・ＬＰ  Ｄｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  ＢＷ：４０  ｋＨｚ
・サンプル調整：２３℃、６５％ＲＨ、２４時間静置
・ＡＦＭ測定環境：２３℃、６５％ＲＨ
・測定サンプル作成方法：ＡＦＭ試料ディスク（直径１５ｍｍ）の片面に両面テープを貼りつけ、ＡＦＭ試料ディスクと、約１５ｍｍ×１３ｍｍ（長手方向×幅方向）に切り出した本発明のポリエステルフィルムの前記表面（測定面）とは逆側の面とを張り合わせ、測定サンプルとした。
【００６３】
・サンプル測定回数：各サンプル同士が少なくとも５μｍ以上離れるように場所を変え、２０回測定を行う。
【００６４】
・測定値：測定した２０か所の画像に関して前述の解析を行い、各数値を測定しその平均値をサンプルの持つ各数値として扱う。
［Ｆｌａｔｔｅｎ処理］
・Ｆｌａｔｔｅｎ  Ｏｒｄｅｒ：３ｒｄ
・Ｆｌａｔｔｅｎ  Ｚ  Ｔｈｒｅｓｈｈｏｌｄｉｎｇ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ：Ｎｏ  ｔｈｅｒｅｓｈｏｌｄｉｎｇ
・Ｆｉｎｄ  Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ｆｏｒ：ｔｈｅ  ｗｈｏｌｅ  ｉｍａｇｅ
・Ｆｌａｔｔｅｎ  Ｚ  Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  ％：０．００  ％
・Ｍａｒｋ  Ｅｘｃｌｕｄｅｄ  Ｄａｔａ：Ｙｅｓ
［Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓモード設定］
（Ｄｅｔｅｃｔタブ）
・Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ  Ｈｅｉｇｈｔ：各値に応じて入力
・Ｆｅａｔｕｒｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ：Ａｂｏｖｅ
・Ｘ  Ａｘｉｓ：Ａｂｓｏｌｕｔｅ
・Ｎｕｍｂｅｒ  Ｈｉｓｔｏｇｒａｍ  Ｂｉｎｓ：５１２
・Ｈｉｓｔｏｇｒａｍ  Ｆｉｌｔｅｒ  Ｃｕｔｏｆｆ：０．００  ｎｍ
・Ｍｉｎ  Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｐｅａｋ：１．００  ｎｍ
・Ｌｅｆｔ  Ｐｅａｋ  Ｃｕｔｏｆｆ：０．０００００％
・Ｒｉｇｈｔ  Ｐｅａｋ  Ｃｕｔｏｆｆ：０．０００００％
（Ｍｏｄｉｆｙタブ）
・Ｂｅｕｇｈｂｉｒｈｏｏｄ  Ｓｉｚｅ：３
・Ｎｕｍｂｅｒ  Ｐｉｘｅｌｓ  Ｏｆｆ：１
・一切のＤｉｌａｔｅ／Ｅｒｏｄｅ操作を行わない。
（Ｓｅｌｅｃｔタブ）
・Ｉｍａｇｅ  Ｃｕｒｓｏｒ  Ｍｏｄｅ：Ｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｓｅｌｅｃｔ
・Ｂｏｕｎｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ：Ｙｅｓ
・Ｎｏｎ−Ｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｖｅ  Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ：Ｎｏ
・Ｈｅｉｇｈｔ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ：Ｒｅｌａｔｉｖｅ  Ｔｏ  Ｍａｘ  Ｐｅａｋ
・Ｎｕｍｂｅｒ  Ｈｉｓｔｏｇｒａｍ  Ｂｉｎｓ：５０
・前記数値を求めるに際し、解析画像中の特定のピーク、エリアを選択しない。
・Ｄｉａｍｅｔｅｒ、Ｈｅｉｇｈｔ、Ａｒｅａ全てのヒストグラムで特定の場所を選択しない。
【００６５】
Ｃ．ヘイズ
（ｉ）初期ヘイズ（Ｈ０）
一辺が５ｃｍの正方形状のフィルムサンプルを３点（３個）準備する。次にサンプルを２３℃、６０％ＲＨにおいて、４０時間放置する。それぞれのサンプルを日本電色工業（株）製濁度計「ＮＤＨ５０００」を用いて、ＪＩＳ「透明材料のヘイズの求め方」（Ｋ７１３６  ２０００年版）に準ずる方式で実施した。それぞれの３点（３個）のヘイズの値を平均して、ポリエステルフィルムの初期ヘイズＨ０（％）の値とした。
（ｉｉ）長期保存後のヘイズ（Ｈ１）
前項（ｉ）で作成したサンプルを、長期保存状態の加速試験として８５℃、８５％に設定した恒温恒湿器（エスペック（株）社製）に１００時間投入する。得られたサンプルを前項（ｉ）と同様の方法にてヘイズを測定し得られた３点のヘイズを平均して、ポリエステルフィルムの長期保存後のヘイズＨ１（％）とした。
（ｉｉｉ）長期保存後のヘイズ変化量（ΔＨ）
前項（ｉ）、（ｉｉ）より得られるＨ０、Ｈ１を用いて以下の式３に従って得られるΔＨをポリエステルフィルムの長期保存後のヘイズ変化量ΔＨとし、下記の通りで評価を行った。
ΔＨ（％）＝Ｈ１（％）−Ｈ０（％）・・・（式３）
Ａ：ΔＨが０．４０以下
Ｂ：ΔＨが０．４０より大きく０．５５以下
Ｃ：ΔＨが０．５５より大きく０．７０以下
Ｄ：ΔＨが０．７０より大きい
長期保存後のヘイズ変化量はＡ〜Ｃが良好で有り、その中で最もＡが優れている。
【００６６】
Ｄ．長期保存後の密着力
ポリエステルフィルムよりＡ４サイズにサンプルを切り出し、前項Ｃ−（ｉｉ）と同様の加速処理を施した後、ＪＩＳ Ｋ５４００  ８．５（１９９９年）に従い１００マスの碁盤目試験を実施した。Ａ４サンプル内の３か所にて前述の碁盤目試験を行い、剥離したマス数の平均値をポリエステルフィルムの長期保存後の密着力とし、以下の通りで評価を行った。
Ａ：剥離したマスの平均が１０個以内
Ｂ：剥離したマスの平均が１１個以上２５個以内
Ｃ：剥離したマスの平均が２６個以上５０個以内
Ｄ：剥離したマスの平均が５１個以上
長期保存後の密着力はＡ〜Ｃが良好で有り、その中で最もＡが優れている。
【００６７】
Ｅ．フィルム厚み
フィルム厚みは、ダイヤルゲージを用い、ＪＩＳ Ｋ７１３０（１９９２年）Ａ−２法に準じて、フィルムを１０枚重ねた状態で任意の５ヶ所について厚さを測定した。その平均値を１０で除した値をサンプルのフィルム厚みとした。
【００６８】
フィルムが積層フィルムである場合、下記の方法にて、各層の厚みを求めた。フィルム断面を、フィルム幅方向に平行な方向にミクロトームで切り出す。該断面を走査型電子顕微鏡で５０００倍の倍率で観察し、積層各層の厚み比率を求める。求めた積層比率と上記したフィルム厚みから、各層の厚みを算出する。
【００６９】
Ｆ．フィルムの固有粘度ＩＶ（ｄｌ／ｇ）
オルトクロロフェノール１００ｍｌに本発明のフィルムを溶解させ（溶液濃度Ｃ＝１．２ｇ／ｄｌ）、その溶液の２５℃での粘度を、オストワルド粘度計を用いて測定する。また、同様に溶媒の粘度を測定する。得られた溶液粘度、溶媒粘度を用いて、下記（ａ）式により、［η］（ｄｌ／ｇ）を算出し、得られた値でもって固有粘度（ＩＶ）とする。
（ａ）ηｓｐ／Ｃ＝［η］＋Ｋ［η］２・Ｃ
（ここで、ηｓｐ＝（溶液粘度（ｄｌ／ｇ）／溶媒粘度（ｄｌ／ｇ））―１、Ｋはハギンス定数（０．３４３とする）である）。
【００７０】
本発明のポリエステルフィルムが積層構成である場合、前記表面を持つ層（Ｐ１層）のＩＶはＰ１層のみを常法により削り出し、前述の方法で測定を行う。
【００７１】
Ｇ．末端カルボキシル基量（表中ではＣＯＯＨ量と記載する。）
末端カルボキシル基量については、Ｍａｕｌｉｃｅの方法に準じて、以下の方法にて測定した。（文献Ｍ．Ｊ． Ｍａｕｌｉｃｅ， Ｆ． Ｈｕｉｚｉｎｇａ，  Ａｎａｌ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ，２２  ３６３（１９６０））
測定試料（積層構成の場合、ポリエステルフィルムのみを分離したもの）２ｇをｏ−クレゾール／クロロホルム（重量比７／３）５０ｍＬに温度８０℃にて溶解し、０．０５ＮのＫＯＨ／メタノール溶液によって滴定し、末端カルボキシル基濃度を測定し、当量／ポリエステル樹脂１ｔｏｎの値で示した。なお、滴定時の指示薬はフェノールレッドを用いて、黄緑色から淡紅色に変化したところを滴定の終点とした。なお、測定試料を溶解させた溶液に無機粒子などの不溶物がある場合は、溶液を濾過して不溶物の重量測定を行い、不溶物の重量を測定試料重量から差し引いた値を測定試料重量とする補正を実施した。
【００７２】
Ｈ．融点（Ｔｍ）、微小吸熱ピーク（Ｔｍｅｔａ）
ＪＩＳ Ｋ７１２１−１９８７に従って示差走査熱量計として、セイコーインスツルメンツ社製ＤＳＣ（ＥＸＳＴＡＲ  ＤＳＣ６２２０）を用いて、試料５ｍｇをアルミニウム製受皿上、室温（２５℃）から３００℃まで、昇温速度２０℃／分で昇温した。そのとき、観測される融解の吸熱ピークのピーク温度を融点（Ｔｍ）、Ｔｍ直下の微小吸熱ピークをＴｍｅｔａとした。
【００７３】
Ｉ．フォトレジスト特性
（ｉ）初期フォトレジスト特性（Ｐ０）
以下ａ．からｃ．の方法により評価を行う。
ａ．片面鏡面研磨した６インチＳｉウエハー上に、東京応化（株）製のネガレジスト“ＰＭＥＲＮ−ＨＣ６００”を塗布し、大型スピナーで回転させることによって厚み７μｍのレジスト層を作製する。次いで、窒素循環の通風オーブンを用いて７０℃の温度条件で約２０分間の前熱処理を行う。
ｂ．本発明のポリエステルフィルムの前記表面をレジスト層と接触するように重ね、ゴム製のローラーを用いて、レジスト層上にポリエステルフィルムをラミネートし、その上に、クロム金属でパターニングされたレチクルを配置し、そのレクチル上からＩ線（波長３６５ｎｍにピークをもつ紫外線）ステッパーを用いて露光を行う。
ｃ．レジスト層からポリエステルフィルムを剥離した後、現像液Ｎ−Ａ５が入った容器にレジスト層を入れ約１分間の現像を行う。その後、現像液から取り出し、水で約１分間の洗浄を行う。現像後に作成された線状レジストパターンのＬ／Ｓ（μｍ）（Ｌｉｎｅ  ａｎｄ  Ｓｐａｃｅ）＝８／８μｍの３０本の状態を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて約８００〜３０００倍率で観察し、線状パターンに幅２．４μｍ以上の欠けのある本数Ｐ０（本）で以下のように評価した。
【００７４】
Ａ：欠けのある本数Ｐ０が５本以下
Ｂ：欠けのある本数Ｐ０が６から１０本
Ｃ：欠けのある本数Ｐ０が１１から１５本
Ｄ：欠けのある本数Ｐ０が１６本以上
初期フォトレジスト特性はＡ〜Ｃが良好であり、その中で最もＡが優れている。
（ｉｉ）長期保存後のフォトレジスト特性（Ｐ１）
ポリエステルフィルムを長期保存の加速試験として８５℃、８５％に設定した恒温恒湿器（エスペック（株）社製）に１００時間投入した後、前項ｂ．ｃ．と同様にしてフォトレジスト性Ｐ１（本）を評価した。
（ｉｉｉ）長期保存後のフォトレジスト性悪化量
前項（ｉ）、（ｉｉ）にて得られた欠けのある本数Ｐ０、Ｐ１を用いて、式４に従いフォトレジスト性悪化量ΔＰを求め、以下のように評価した。
ΔＰ（本）＝Ｈ１（本）−Ｈ０（本）・・・（式４）
Ａ：ΔＰが３本以下
Ｂ：ΔＰが４本以上５本以下
Ｃ：ΔＰが６本以上７本以下
Ｄ：ΔＰが８本以上
（ｉｖ）長期保存後のレジスト層密着性評価
前項（ｉｉ）にて得られた加速試験を施したポリエステルフィルムとレジスト層との積層シートに対し、レジスト層側からＪＩＳ Ｋ５４００  ８．５（１９９９年）に従い１００マスの碁盤目試験を実施した。１０か所に関して同様の試験を行い剥離したマス目の平均値を長期保存後のレジスト層との密着性とし、以下のように評価した。
Ａ：剥離したマスの平均が１０個以内
Ｂ：剥離したマスの平均が１１個以上２５個以内
Ｃ：剥離したマスの平均が２６個以上５０個以内
Ｄ：剥離したマスの平均が５１個以上
長期保存後のレジスト層との密着性はＡ〜Ｃが良好であり、その中で最もＡが優れている。
（ｖ）密着性のばらつき評価
前項（ｉｖ）にて行った１０か所の碁盤目評価に関して、１０点での剥離したマス数の標準偏差から密着性のばらつきを以下のように評価した。
Ａ：剥離したマスの標準偏差が６個以下
Ｂ：剥離したマスの標準偏差が７個以上１０個以下
Ｃ：剥離したマスの標準偏差が１０個以上１４個以下
Ｄ：剥離したマスの標準偏差が１５個以上
密着性のばらつきはＡ〜Ｃが良好であり、その中で最もＡが優れている。
【００７５】
Ｊ．グリーンシート成形用離型層との長期保管後の密着性評価
以下ａ．からｂ．の方法により長期保管後の離型層との密着性評価を行う。
ａ．離型層の塗布
本発明のポリエステルフィルムを、長期保存状態の加速試験として８５℃、８５％に設定した恒温恒湿器（エスペック（株）社製）に１００時間投入する。得られたポリエステルフィルムの前記表面に、架橋プライマー層（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製商品名ＢＹ２４−８４６）を固形分１質量％に調整した塗布液を塗布／乾燥し、乾燥後の塗布厚みが０．１μｍとなるようにグラビアコーターで塗布し、１００℃で２０秒乾燥硬化した。その後１時間以内に付加反応型シリコーン樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製商品名ＬＴＣ７５０Ａ）１００質量部、白金触媒（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製商品名ＳＲＸ２１２）２質量部を固形分５質量％に調整した塗布液を、乾燥後の塗布厚みが０．１μｍとなるようにグラビアコートで塗布し、１２０℃で３０秒乾燥硬化した後に巻き取り、離型フィルムを得た。
ｂ．密着性評価
離型層側からＪＩＳ Ｋ５４００  ８．５（１９９９年）に従い１００マスの碁盤目試験を実施した。１０か所に関して同様の試験を行い剥離したマス目の平均値を長期保存後の離型層との密着性とし、以下のように評価した。
Ａ：剥離したマスの平均が５個以内
Ｂ：剥離したマスの平均が６個以上１０個以内
Ｃ：剥離したマスの平均が１１個以上２０個以内
Ｄ：剥離したマスの平均が２１個以上
長期保存後の離型層との密着性はＡ〜Ｃが良好であり、その中で最もＡが優れている。
【００７６】
Ｋ．長期保存後の磁性層密着性評価
本発明のポリエステルフィルムの磁性層密着性評価は、下記の方法にて評価を行った。長期保存状態の加速試験として８５℃、８５％に設定した恒温恒湿器（エスペック（株）社製）に１００時間投入したポリエステルフィルムを１ｍ幅にスリットし、張力２００Ｎで搬送させ、前記表面側に後述する非磁性層形成用塗布液と磁性層形成用塗布液とを重層塗布、また前記表面とは反対面側に後述するバックコート層形成用塗布液を塗布し、さらに１２．６５ｍｍ（１／２インチ）幅にスリットし、パンケーキを作成する。
【００７７】
（以下、「部」とあるのは「質量部」を意味する。）
磁性層形成用塗布液
バリウムフェライト磁性粉末                          １００部
（板径：２０．５ｎｍ、板厚：７．６ｎｍ、
板状比：２．７、Ｈｃ：１９１ｋＡ／ｍ（≒２４００Ｏｅ）
飽和磁化：４４Ａｍ２／ｋｇ、ＢＥＴ比表面積：６０ｍ２／ｇ）
ポリウレタン樹脂                                      １２部
質量平均分子量  １０，０００
スルホン酸官能基  ０．５ｍｅｑ／ｇ
α−アルミナ  ＨＩＴ６０（住友化学社製）              ８部
カーボンブラック  ＃５５（旭カーボン社製）
粒子サイズ０．０１５μｍ                        ０．５部
ステアリン酸                                        ０．５部
ブチルステアレート                                      ２部
メチルエチルケトン                                  １８０部
シクロヘキサノン                                    １００部
非磁性層形成用塗布液
非磁性粉体  α酸化鉄                                １００部
平均長軸長０．０９μｍ、ＢＥＴ法による比表面積  ５０ｍ２／ｇ
ｐＨ  ７
ＤＢＰ吸油量  ２７〜３８ｍｌ／１００ｇ
表面処理層Ａｌ２Ｏ３  ８質量％
カーボンブラック                                      ２０部
“コンダクテックス”（登録商標）ＳＣ−Ｕ（コロンビアンカーボン社製）
ポリウレタン樹脂  ＵＲ８２００（東洋紡社製）          １８部
フェニルホスホン酸                                      ３部
シクロヘキサノン                                    ３００部
メチルエチルケトン                                  ３００部
ブチルステアレート                                      １部
ステアリン酸                                            ２部
上記の塗布液のそれぞれについて、各成分をニ−ダで混練した。１．０ｍｍφのジルコニアビーズを分散部の容積に対し６５％充填する量を入れた横型サンドミルに、塗布液をポンプで通液し、２，０００ｒｐｍで１２０分間（実質的に分散部に滞留した時間）、分散させた。得られた分散液にポリイソシアネ−トを非磁性層の塗料には５．０部、磁性層の塗料には２．５部を加え、さらにメチルエチルケトン３部を加え、１μｍの平均孔径を有するフィルターを用いて濾過し、非磁性層形成用および磁性層形成用の塗布液をそれぞれ調製した。
【００７８】
得られた非磁性層形成用塗布液を、本発明のポリエステルフィルムの前記表面上に、乾燥後の厚さが０．８μｍになるように塗布乾燥させた。その後、磁性層形成用塗布液を乾燥後の磁性層の厚さが０．０７μｍになるように塗布を行い、磁性層がまだ湿潤状態にあるうちに６，０００Ｇ（６００ｍＴ）の磁力を持つコバルト磁石と６，０００Ｇ（６００ｍＴ）の磁力を持つソレノイドにより配向させ乾燥させた。
続いて、前記表面とは反対面側にカレンダ後の厚みが０．５μｍとなるようにバックコート層形成用塗布液（カーボンブラック  平均粒子サイズ：１７ｎｍ  １００部、炭酸カルシウム平均粒子サイズ：４０ｎｍ  ８０部、αアルミナ  平均粒子サイズ：２００ｎｍ  ５部をポリウレタン樹脂、ポリイソシアネートに分散）を塗布した。次いでカレンダで温度９０℃、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）にてカレンダ処理を行った後、６５℃で、７２時間キュアリングした。さらに、スリット品の送り出し、巻き取り装置を持った装置に不織布とカミソリブレードが磁性面に押し当たるように取り付け、テープクリーニング装置で磁性層の表面のクリーニングを行い、磁気テープを得た。
【００７９】
得られたテープ原反を１２．６５ｍｍ（１／２インチ）幅にスリットし、それをＬＴＯ用のケースに組み込み、磁気記録テープの長さが９６０ｍのデータストレージカートリッジを作成した。このデータストレージを、ＩＢＭ社製ＬＴＯ７ドライブを用いて２３℃５０％ＲＨの環境で１００回の記録・読み出し操作を行なった（記録波長０．５５μｍ）。１００回操作時のエラーレートを以下の式５にて算出し、以下のように評価を行った。
【００８０】
エラーレート＝（エラービット数）／（書き込みビット数）・・・（式５）
Ａ：エラーレートが１．０×１０−６未満
Ｂ：エラーレートが１．０×１０−６以上、１．０×１０−５未満
Ｃ：エラーレートが１．０×１０−５以上、１．０×１０−４未満
Ｄ：エラーレートが１．０×１０−４以上
長期保存後の磁性層との密着性評価としてはＡ〜Ｃが良好であり、その中で最もＡが優れている。
【００８１】
Ｋ．ラマン分光法による結晶化度の深さ方向変化量評価
以下ａ．からｅ．の方法により結晶化度の深さ方向変化量Δχｃ（％）を求めた。
ａ．傾斜断面出しサンプル作製
本発明のポリエステルフィルムの前記表面とは反対面側を湿式研磨加工することにより、傾斜断面出しサンプルを作製した（傾斜角は３．０度）。断面出し端部ではレーザーのスポット径１μｍに対し、表面から深さ方向に５０ｎｍ領域の情報を得ることができる。
傾斜断面出し加工の精度確認は光学顕微鏡像を用いた干渉縞観察から行うことができる。光学顕微鏡にて傾斜断面出しサンプルのエッジ部にμｍオーダーの干渉縞が確認できた場合、傾斜断面エッジからの距離でフィルム厚みがｎｍオーダー程度変化していることが確認できる。また、異なる２つのサンプルを測定する際も干渉縞のコントラスト周期を合わせることで傾斜断面だしサンプルの厚みをｎｍオーダーで揃えてを作成していることを確認することができる。
ｂ．ラマン分光測定装置
前記ａ．項に記載の本発明のポリエステルフィルム傾斜断面出しサンプルをレーザーラマン分光装置ｉｎ  Ｖｉａ（ＲＥＮＩＳＨＡＷ社  製）を用い、以下の条件にて測定を行った。
［測定条件］
・測定モード：顕微ラマン
・対物レンズ：×１００
・レーザービーム径：１×１０μｍ  Ｌｉｎｅ
・光源：半導体レーザー  ５３２ｎｍ
・レーザーパワー：１００ｍＷ
・回折格子：Ｓｉｎｇｌｅ  ３０００（−１）ｇｒ／ｍｍ
・スリット：６５μｍ
・検出器：ＣＣＤ／ＲＥＮＩＳＨＡＷ  １０２４×２５６
結晶性の測定は、傾斜断面出しサンプルにおいて断面加工方向にレーザーを移動させることで表面から各深さ領域までのラマンスペクトルを取得した。
ｃ．領域γの結晶化度χｃ０．０５（％）
前記ａ．項、ｂ．項に記載の方法にて、傾斜断面サンプルの傾斜断面端部を０μｍ 位置とし、１μｍ位置（フィルムの深さ方向分解能：表面から深さ５０ｎｍ以下）までの領域にレーザー光（ビーム径：１μｍ）を照射しラマンスペクトルを得た。
得られたラマンスペクトルに対し、１７３０ｃｍ−１付近に現れるＣ＝Ｏ伸縮ラマンバンドの半値全幅をΔν１７３０とし、次の（式６）、（式７）を用いて表面から深さ０．０５μｍまでの領域（領域γ）における換算密度ρ０．０５（ｇ／ｃｍ３）および結晶化度χｃ０．０５（％）を求めた。照射するレーザー光の傾斜断面端部から位置を変えることなく場所を変え２回測定を行い、それら平均値を本発明のポリエステルフィルムの表面から深さ０．０５μｍまでの領域の結晶化度χｃ０．０５（％）とした。
ρ０．０５（ｇ／ｃｍ３）＝（３０５−Δν１７３０）／２０９・・・（式６）
χｃ０．０５（％）＝１００×（ρ０．０５−１．３３５）／（１．４５５−１．３３５）・・・（式７）
ｄ．領域αの結晶化度χｃ０．５（％）
傾斜断面サンプルの傾斜断面端部を０μｍ 位置とし、９μｍ位置から１０μｍ位置（フィルムの深さ方向分解能：表面から深さ５００ｎｍ以下）までの領域にレーザー光（ビーム径：１μｍ）を照射しラマンスペクトルを得た。前記ｃ．項と同様に（式８）、（式９）を用いて表面から深さ０．５μｍまでの領域（領域α）における換算密度ρ０．５（ｇ／ｃｍ３）および結晶化度χｃ０．５（％）を求めた。照射するレーザー光の傾斜断面端部から位置を変えることなく場所を変え２回測定を行い、それら平均値を本発明のポリエステルフィルムの表面から深さ０．５μｍまでの領域の結晶化度χｃ０．５（％）とした。
ρ０．５（ｇ／ｃｍ３）＝（３０５−Δν１７３０）／２０９・・・（式８）
χｃ０．５（％）＝１００×（ρ０．５−１．３３５）／（１．４５５−１．３３５）・・・（式９）
ｅ．結晶化度の深さ方向変化量Δχｃ（％）
前記ｃ．項、ｄ．項にて求めたχｃ０．０５（％）およびχｃ０．０５（％）を用い次の（式１０）を用いて本発明のポリエステルフィルムの結晶化度の深さ方向変化量Δχｃ（％）とした。
【００８２】
Δχｃ（％）＝｜χｃ０．５（％）−χｃ０．０５（％）｜・・・（式１０）
Ｌ．ロール走行キズ評価
本発明のポリエステルフィルムを、フィルム幅を１２．６５ｍｍのテープ状にスリットしたものをテープ走行試験機ＳＦＴ−７００型（（株）横浜システム研究所製）を使用し、２３℃６５％ＲＨ雰囲気下にて、フィルムに荷重１００ｇをかけた状態で走行させた。
［測定条件］
・ガイド径：６ｍｍΦ
・ガイド材質：ＳＵＳ２７（表面粗度０．２Ｓ）
・巻き付け角：９０°
・走行距離：１０ｃｍ
・走行速度：３．３ｃｍ／秒
１０ｃｍのテープ走行を同一箇所に対して１０回実施し、走行試験前後の金属ロールとの接触面側のキズを目視観察し、走行方向に１ｍｍ以上の長さを持つキズの増加本数を数える。各サンプルに関して任意の５か所に対して試験を行いその平均値をそのサンプルの傷つき耐性とし、下記の通りで評価を行った。
【００８３】
Ａ：キズの増加本数が０〜５本
Ｂ：キズの増加本数が６〜１０本
Ｃ：キズの増加本数が１１〜２０本
Ｄ：キズの増加本数が２１本以上
ロール走行キズ評価はＡ〜Ｃが良好で有り、その中で最もＡが優れている。
【実施例】
【００８４】
以下、本発明について実施例を挙げて説明するが、本発明は必ずしもこれらに限定されるものではない。
【００８５】
［ＰＥＴ−１の製造］テレフタル酸およびエチレングリコールから、三酸化アンチモンを触媒として、常法により重合を行い、実質的に粒子を含有しない溶融重合ＰＥＴを得た。得られた溶融重合ＰＥＴのガラス転移温度は８１℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．６２であった。その後、常法により固相重合を行い、固相重合ＰＥＴを得た。得られた固相重合ＰＥＴのガラス転移温度は８１℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．８１であった。
【００８６】
［ＰＥＴ−２の製造］前項ＰＥＴ−１と同様に重合を行い、ガラス転移温度は８１℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．６５の固層重合ＰＥＴを得た。
【００８７】
［ＭＢ−Ａの製造］前項ＰＥＴ−１の重合に際し、ＰＥＴに対する含有量が１重量％となるように、エチレングリコールに分散させた２次平均粒子径が４０ｎｍの微小シリカ粒子（シリカ−１）を添加し、マスターペレットＭＢ−Ａを得た。得られたＭＢ−Ａのガラス転移温度は８１℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．７８であった。
【００８８】
［ＭＢ−Ｂ製造］前項ＰＥＴ−１の重合に際し、ＰＥＴに対する含有量が１重量％となるように、エチレングリコールに分散させた２次平均粒子径が２００ｎｍの大径シリカ粒子（シリカ−２）を添加し、マスターペレットＭＢ−Ｂを得た。得られたＭＢ−Ａのガラス転移温度は８１℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．７５であった。
【００８９】
［ＭＢ−Ｃ製造］前項ＰＥＴ−１の重合に際し、ＰＥＴに対する含有量が５重量％となるように、添加剤として結晶核剤であるステアリン酸ナトリウム（結晶核剤‐１）を添加し、マスターペレットＭＢ−Ｃを得た。得られたＭＢ−Ｃのガラス転移温度は８２℃、融点は２５５℃、固有粘度は０．７４であった。
【００９０】
（実施例１）
ＰＥＴ−１を１８０℃で２時間半減圧乾燥した後、押出機に供給し、溶融押出してフィルターで濾過した後、ダイを介し冷却ロール上に静電印可キャスト法を用いて、４０℃に保ったキャスティングドラムに巻き付け冷却固化して未延伸フィルムを得た。この未延伸フィルムを相対する電極とアースロール間に導き、装置中に窒素ガスを導入し、Ｅ値が１６０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２となる条件で大気圧グロー放電処理を行った。
処理後の未延伸フィルムを、シリコーン製ロールを具備した縦延伸工程において９０℃で縦延伸を行った後、横延伸工程を行うことからなる表２に記載条件における逐次二軸延伸機により、長手方向に３．６倍（３６０％）、および幅方向にそれぞれ４．５倍（４５０％）、トータルで１６．２倍延伸しその後、定長下２４０℃で熱処理した。その後、幅方向に弛緩処理を施し、フィルム厚みが５μｍ、１６μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、表４に示す通り全ての特性が良好な二軸配向ポリエステルフィルムであった。
深さ方向の結晶化度変化量Δχｃ（％）は後述の比較例１に対し減少していることからフィルム最表層の領域γにて結晶化度が特異的に増加したことが示唆された。
【００９１】
（実施例２）
大気圧グロー放電処理でのＥ値を５００Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２に変更した以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、大気圧グロー放電処理のＥ値増加により、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が増加することで長期保存後のヘイズ変化量、フォトレジスト性が実施例１よりも良好となった。その一方で、表層の秩序構造体が増加しヘイズが増加することにより初期フォトレジスト性が低下するも実用性には問題ない範囲であり、その他特性は良好な二軸配向ポリエステルフィルムであった。
【００９２】
（実施例３）
大気圧グロー放電処理を行わず、縦延伸工程にてシリコーンロールを３０℃から９０℃まで２℃刻みで加熱した３０本のシリコーンロールを通したのち、９０℃に加熱されたシリコーンロールで延伸を行った以外は実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が低下することで、長期保存後のフォトレジスト性、レジスト層との密着性とそのばらつき、長期保存後の離型層との密着性、長期保存後の磁性層との密着性が実施例１よりも低下し、深さ方向の結晶化度変化量Δχｃ（％）が実施例１に比べて増大することでロール走行キズ数が悪化するものの、実用性には問題ない範囲であった。
【００９３】
（実施例４）
大気圧グロー放電処理を行わず、縦延伸工程にて３ｍ毎にフィルム温度が６℃上がるように設定された長さ３０ｍ赤外線ヒーターを用いて未延伸フィルムを２５℃から８５℃に熱した後、９０℃に加熱されたシリコーンロールで延伸した以外は実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５は実施例２よりも良好であり、長期保存後のフォトレジスト性は実施例１より悪いものの実施例２よりは良好であった。その一方で、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５とＡｔ１，０／Ａｇ１．０の差が小さくなっており、長期保存後のレジスト層との密着性、長期保存後の離型層との密着性、長期保存後の磁性層との密着性は実施例３と同様に実用性には問題ない範囲で低下した。また、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５のばらつきが実施例１、３よりも大きく長期保存後のレジスト層との密着性ばらつきは実施例３よりも低下し深さ方向の結晶化度変化量Δχｃ（％）が実施例１に比べて増大することでロール走行キズ数が悪化したが実用上問題の無い範囲であった
（実施例５、６）
大気圧グロー放電処理でのＥ値を８０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２（実施例５）、および７０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２（実施例６）に変更した以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、大気圧グロー放電処理のＥ値を下げることにより、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が減少し表層の秩序構造体が減少することで、長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性、長期保存後の離型層との密着性、長期保存後の磁性層との密着性が実施例１に比べて低下したが、実用性には問題ない範囲であった。また実施例６においては、前期表面に形成する高さ１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の突起個数が減少することで、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５ながら、長期保存後の磁性層との密着性が実施例５よりも低下し、また深さ方向の結晶化度変化量Δχｃ（％）が実施例１に比べて増大することでロール走行キズ数が悪化したが実用上問題の無い範囲であった。
【００９４】
（実施例７）
ＰＥＴ−２を用いた以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、ポリエステル樹脂の固有粘度（ＩＶ）が低下し分子鎖が短くなることで秩序構造体が形成しやすくなり実施例１よりもＡｔ０．５／Ａｇ０．５がわずかに増加した、その一方で、分子鎖が短くなったことでオリゴマーが発生しやすくなり、長期保存後のヘイズ変化量は実施例１と同等レベルであった。全ての特性は実施例１同様に優れた二軸配向ポリエステルフィルムであった。
【００９５】
（実施例８）
粒子濃度が表１に記載の通りとなるようにマスターペレットＭＢ−Ａを添加した以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、粒子添加が起点となることで長期保存後のレジスト層との密着性、離型層との密着性、磁性層との密着性が実施例１に比べて低下したが、実用性には問題ない範囲であった。
【００９６】
（実施例９）
実施例１と同様にＰ１層原料としてＰＥＴ−１を用い、Ｐ２層原料としてＰＥＴ−１
およびマスターペレットＭＢ−Ｂを粒子濃度が表１に記載の通りとなるように混合し、１８０℃で２時間半減圧乾燥した後、押出機に供給し、溶融押出してフィルターで濾過した後、ダイを介し冷却ロール上に静電印可キャスト法を用いた以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。前述のＳＥＭ観察より積層比（Ｐ１層：Ｐ２層）は４：１であった。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、粒子添加により初期フォトレジスト性が実施例１に対して実用性に問題にならない範囲で低下するも、前期表面を有するＰ１側は実施例１と同様に効果を有するため、その他特性は良好な二軸配向ポリエステルフィルムであった。
【００９７】
（実施例１０）
実施例１と同様にして得た未延伸フィルムを同時二軸延伸した以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、実施例１と同様に全ての特性に優れた二軸配向ポリエステルフィルムであった。
【００９８】
（比較例１）
実施例１と同様の方法で未延伸フィルムを得た後、大気圧グロー放電処理を行わずにハードクロムメッキを施した金属ロールを具備した縦延伸機を通した後、横延伸を行う逐次二軸延伸を行った以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が本願範囲外まで低下し、またＡｔ０．５／Ａｇ０．５とＡｔ１．０／Ａｇ１．０との差が小さくなり、長期保存後のフォトレジスト性、レジスト層との密着性離型層との密着性、および磁性層との密着性が実施例１に比べ大幅に劣る二軸配向ポリエステルフィルムであった。また製膜時にロール粘着によるフィルム破れが多発し、深さ方向の結晶化度変化量Δχｃ（％）が大幅に増大することでロール走行キズ数が著しく低下した。
【００９９】
（比較例２）
実施例１と同様の方法で未延伸フィルムにＥ値が１６０Ｗ・ｍｉｎ／ｍ２となる条件で大気圧グロー放電処理を施した後、ハードクロムメッキを施した金属ロールを具備した縦延伸機を通した後、横延伸を行う逐次二軸延伸を行った以外は、実施例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が比較例１対比で増加するものの本願範囲外であり、長期保存後のフォトレジスト性、レジスト層との密着性離型層との密着性、および磁性層との密着性が実施例１に比べ大幅に劣る二軸配向ポリエステルフィルムであった。また製膜時にロール粘着によるフィルム破れが多発した。
【０１００】
（比較例３）
実施例１と同様の方法で未延伸フィルムを得た後、大気圧グロー放電処理を行わずに実施例１と同様の逐次二軸延伸を施した。その後、得られた二軸配向ポリエステルフィルムを２００℃に加熱したオーブンで３０分アニール処理を施し、厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、アニール処理にともない、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５が本願範囲外まで上昇することで、初期フォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性、離型層との密着性、および磁性層との密着性が実施例１に比べ大幅に劣る二軸配向ポリエステルフィルムであった。また長期保存後のレジスト層との密着性のばらつき、ロール走行キズ数も大幅に劣化した。
【０１０１】
（比較例４）
結晶核剤の添加濃度が表１に記載の通りとなるようにマスターペレットＭＢ−Ｃを添加した以外は、比較例１と同様にして厚み５μｍ、１８μｍ、２５μｍの二軸配向ポリエステルフィルムを得た。得られた二軸配向ポリエステルフィルムの物性、表面特性は厚みによらず表３に示す通りであった（ヘイズのみ、厚み１６μｍフィルムでの値）。
初期及び長期保存後のフォトレジスト性、長期保存後のレジスト層との密着性とそのばらつき、およびロール走行キズ数評価を厚み１６μｍのフィルムにて、および長期保存後の離型層との密着性を厚み２５μｍのフィルムにて、長期保存後の磁性層との密着性を厚み５μｍのフィルムにて評価を行った。結果、フィルム全体に結晶核剤が存在するため、Ａｔ０．５／Ａｇ０．５とＡｔ１．０／Ａｇ１．０との差が小さくなり、長期保存後のレジスト層との密着性、離型層との密着性、および磁性層との密着性が実施例１に比べ大幅に劣る二軸配向ポリエステルフィルムであった。また、結晶核剤により秩序構造体が大きく形成することで初期ヘイズが高くなり、結果、初期フォトレジスト性およびロール走行キズ数が実施例１に比べ大幅に劣る二軸配向ポリエステルフィルムであった。
【０１０２】
【表１】
2020147751.tif 000002
【０１０３】
【表２】
2020147751.tif 000003
【０１０４】
【表３】
2020147751.tif 000004
【０１０５】
【表４】
2020147751.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明のポリエステルフィルムは、長期保存後のオリゴマー発生と表面劣化による機能層との密着性低下を抑制することができるため、片面に感光樹脂組成物を体積して使用されるドライフィルムレジスト支持体用フィルムや積層セラミックコンデンサーを製造する工程においてグリーンシート成形の支持体用フィルム、塗布型デジタル記録方式の磁気記録媒体用ベースフィルムとして好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１．ポリエステルフィルム
２．ポリエステルフィルムの表面
３．表面から深さ０．５μｍまでの領域（領域α）
４．表面から深さ１．０μｍまでの領域（領域β）
５．ポリエステル樹脂分子鎖モデル図
６．ゴーシュ配座をとる分子鎖モデル図とその構造式
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はポリエステル樹脂分子鎖中の側鎖、ヘテロ原子を有する官能基、および水素原子を意味する。
７．トランス配座をとる分子鎖モデル図とその構造式
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はポリエステル樹脂分子鎖中の側鎖、ヘテロ原子を有する官能基、および水素原子を意味する。
８．ＡＦＭ解析における基準面（高さ０ｎｍ）
９．高さ１ｎｍ線（Ｒ１ｎｍ）
１０．高さ１０ｎｍ線（Ｒ１０ｎｍ）
１１．Ｐ１層
１２．Ｐ２層
１３．Ｐ３層
・   
【図１】
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【図２】
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【図３】
2020147751.tif 000008
【図４】
2020147751.tif 000009
【図５】
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【図６】
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