(57)【要約】【課題】圧電体層を含む積層体からの絶縁膜の剥離が生じ難い、弾性波装置を提供する。【解決手段】本発明の弾性波装置１は、平面視において、第１の領域Ａと、第１の領域Ａに隣接する第２の領域Ｂとを含む主面２ａを有する支持基板２と、支持基板２の第１の領域Ａに設けられている中間層３と、中間層３上に設けられている圧電体層６とを有し、かつ側面を有する積層体１２と、積層体１２の圧電体層６上に設けられているＩＤＴ電極８と、支持基板２の第２の領域Ｂに設けられており、積層体１２の側面を覆うように設けられている絶縁膜７とを備える。支持基板２の主面２ａと、積層体１２の側面とがなす角度を傾斜角度としたときに、積層体１２の側面が、絶縁膜７により覆われている部分において、傾斜角度が異なる部分を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視において、第１の領域と、前記第１の領域に隣接する第２の領域と、を含む主面を有する支持基板と、
前記支持基板の前記第１の領域に設けられている中間層と、前記中間層上に設けられている圧電体層と、を有し、かつ側面を有する積層体と、
前記積層体の前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、
前記支持基板の前記第２の領域に設けられており、前記積層体の前記側面を覆うように設けられている絶縁膜と、
を備え、
前記支持基板の前記主面と、前記積層体の前記側面とがなす角度を傾斜角度としたときに、前記積層体の前記側面が、前記絶縁膜により覆われている部分において、前記傾斜角度が異なる部分を有する、弾性波装置。
【請求項２】
前記圧電体層及び前記中間層がそれぞれ側面を有し、
前記中間層における前記圧電体層に隣接する層の前記側面の前記傾斜角度よりも、前記圧電体層の前記側面の前記傾斜角度が小さい、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記中間層が、それぞれ側面を有する複数の層を有し、
前記複数の層のうち少なくとも１つの層の前記側面の前記傾斜角度が、他の層の前記側面の前記傾斜角度と異なる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記支持基板が高音速支持基板であり、
前記中間層が、前記高音速支持基板上に設けられている低音速膜であり、
前記高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記中間層が、支持基板上に設けられている高音速膜と、前記高音速膜上に設けられている低音速膜と、を有し、
前記高音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記中間層が、前記支持基板上に設けられている音響反射膜であり、
前記音響反射膜が、相対的に音響インピーダンスが高い高音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが低い低音響インピーダンス層と、を有し、前記高音響インピーダンス層及び前記低音響インピーダンス層が交互に積層されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記中間層が、複数の金属層と、前記複数の金属層の間に設けられている絶縁層と、を有し、前記複数の金属層及び前記絶縁層がそれぞれ側面を有し、
前記絶縁層の前記側面上に、前記複数の金属層同士を接続している接続電極が設けられている、請求項３または６に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記圧電体層上から前記絶縁膜上に至っている、金属膜が設けられている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記圧電体層が対向し合う第１の主面及び第２の主面を有し、前記第１の主面上に前記ＩＤＴ電極が設けられており、前記絶縁膜が前記第１の主面上に至っている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記支持基板の前記主面が複数の前記第１の領域を含み、
前記支持基板の前記複数の第１の領域に、前記積層体がそれぞれ設けられており、前記各積層体の前記圧電体層上に前記ＩＤＴ電極がそれぞれ設けられており、
前記各積層体の前記側面が前記絶縁膜により覆われている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、支持基板上に、圧電薄膜を含む多層膜が設けられており、圧電薄膜上にＩＤＴ電極（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が設けられている。支持基板上における多層膜が除去された領域に、多層膜の側面を覆うように絶縁膜が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／０９８６７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の弾性波装置においては、多層膜と絶縁膜との熱膨張係数は異なる。そのため、製造工程における加熱などによる温度変化が生じた際、多層膜と絶縁膜とにおいて膨張または収縮の程度が異なることにより、多層膜から絶縁膜が剥離するおそれがある。このような剥離が生じることにより、例えば、配線の断線が生じるおそれがある。
【０００５】
本発明の目的は、圧電体層を含む積層体からの絶縁膜の剥離が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置は、平面視において、第１の領域と、前記第１の領域に隣接する第２の領域とを含む主面を有する支持基板と、前記支持基板の前記第１の領域に設けられている中間層と、前記中間層上に設けられている圧電体層とを有し、かつ側面を有する積層体と、前記積層体の前記圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、前記支持基板の前記第２の領域に設けられており、前記積層体の前記側面を覆うように設けられている絶縁膜とを備え、前記支持基板の前記主面と、前記積層体の前記側面とがなす角度を傾斜角度としたときに、前記積層体の前記側面が、前記絶縁膜により覆われている部分において、前記傾斜角度が異なる部分を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置によれば、圧電体層を含む積層体からの絶縁膜の剥離が生じ難い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【図８】本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１０】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１１】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す平面図である。なお、図１は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う断面に相当する部分を示す断面図である。
【００１２】
図１に示すように、弾性波装置１は支持基板２を有する。支持基板２は、平面視において、第１の領域Ａと、第１の領域Ａに隣接する第２の領域Ｂとを含む主面２ａを有する。なお、本明細書において平面視とは、図１における上方側から見る方向をいう。本実施形態においては、第２の領域Ｂは第１の領域Ａを囲んでいる。支持基板２の主面２ａ上における第１の領域Ａには中間層３及び圧電体層６を有する積層体１２が設けられている。より具体的には、支持基板２の主面２ａ上に中間層３が設けられており、中間層３上に圧電体層６が設けられている。圧電体層６は、対向し合う第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する。第２の主面６ｂが中間層３側に位置する主面である。中間層３及び圧電体層６はそれぞれ側面を有する。中間層３の側面３ｃ及び圧電体層６の側面６ｃが、積層体１２の側面を構成している。
【００１３】
支持基板２の主面２ａ上における第２の領域Ｂには、積層体１２の側面を覆うように絶縁膜７が設けられている。より具体的には、絶縁膜７は、積層体１２の側面の全部を覆っている。絶縁膜７は、積層体１２の側面から圧電体層６の第１の主面６ａに至っている。なお、絶縁膜７は、必ずしも積層体１２の側面の全部を覆っていなくともよく、圧電体層６の第１の主面６ａに至っていなくともよい。
【００１４】
ここで、支持基板２の主面２ａと、積層体１２の側面とがなす角度を傾斜角度とする。積層体１２の側面が、支持基板２の主面２ａに直交する方向よりも積層体１２の中心側に傾斜している場合には、傾斜角度は９０°未満である。他方、積層体１２の側面が、支持基板２の主面２ａに直交する方向よりも積層体１２の中心側とは反対側に傾斜している場合には、傾斜角度は９０°より大きい。図１に示す積層体１２における中間層３の側面３ｃの傾斜角度及び圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度は９０°未満である。
【００１５】
本実施形態においては、中間層３の側面３ｃの傾斜角度と、圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度とが異なる。より具体的には、圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度は中間層３の傾斜角度よりも小さい。なお、積層体１２の側面が、傾斜角度が異なる部分を有していればよい。
【００１６】
図２に示すように、積層体１２の圧電体層６上には、ＩＤＴ電極８が設けられている。ＩＤＴ電極８に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。圧電体層６上におけるＩＤＴ電極８の弾性波伝搬方向両側には、一対の反射器９Ａ及び反射器９Ｂが設けられている。本実施形態の弾性波装置１は弾性波共振子である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は弾性波共振子には限定されず、複数の弾性波共振子を有するフィルタ装置や、該フィルタ装置を含むマルチプレクサなどであってもよい。
【００１７】
ＩＤＴ電極８は、対向し合う第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７を有する。ＩＤＴ電極８は、第１のバスバー１６にそれぞれ一端が接続されている複数の第１の電極指１８を有する。さらに、ＩＤＴ電極８は、第２のバスバー１７にそれぞれ一端が接続されている複数の第２の電極指１９を有する。複数の第１の電極指１８と複数の第２の電極指１９とは互いに間挿し合っている。ＩＤＴ電極８、反射器９Ａ及び反射器９Ｂは複数の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、単層の金属膜からなっていてもよい。
【００１８】
本実施形態では、絶縁膜７は感光性ポリイミド膜である。なお、絶縁膜７の材料は上記に限定されない。絶縁膜７の材料としては、感光性の絶縁性樹脂が用いられることが好ましい。あるいは、絶縁膜７の材料として、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などによりパターニングすることができる適宜の絶縁性材料を用いてもよい。
【００１９】
圧電体層６はタンタル酸リチウム層である。なお、圧電体層６の材料は上記に限定されず、例えば、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴなどを用いることもできる。
【００２０】
図１に示す中間層３は単層の低音速膜である。低音速膜は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。本実施形態においては、低音速膜は酸化ケイ素膜である。酸化ケイ素はＳｉＯｘで表される。ｘは任意の正数である。弾性波装置１においては、低音速膜を構成する酸化ケイ素はＳｉＯ２である。なお、低音速膜の材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。
【００２１】
なお、中間層３は低音速膜には限定されない。中間層３は、複数の層が積層された積層膜からなっていてもよい。
【００２２】
弾性波装置１においては、支持基板２は相対的に高音速な高音速支持基板である。より具体的には、高音速支持基板を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。本実施形態においては、支持基板２はシリコン基板である。なお、高音速支持基板としての支持基板２の材料は上記に限定されず、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
【００２３】
弾性波装置１は、高音速支持基板としての支持基板２、低音速膜としての中間層３及び圧電体層６がこの順序において積層された積層構造を有するため、弾性波を圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。
【００２４】
図１及び図２に示すように、圧電体層６上から絶縁膜７上に至るように設けられている金属膜１４Ａが設けられている。本実施形態においては、金属膜１４Ａは、ＩＤＴ電極８の第１のバスバー１６に接続されている配線電極である。もっとも、圧電体層６上から絶縁膜７上に至るように設けられている、配線電極以外の金属膜が設けられていてもよい。
【００２５】
本実施形態の特徴は、積層体１２の側面を覆うように設けられている絶縁膜７を有し、かつ積層体１２の側面が、絶縁膜７により覆われている部分において、傾斜角度が異なる部分を有することにある。これにより、積層体１２の側面と絶縁膜７とが接触する界面の面積を大きくすることができ、積層体１２と絶縁膜７との接着力を効果的に大きくすることができる。従って、絶縁膜７の積層体１２からの剥離が生じ難い。
【００２６】
中間層３における圧電体層６に隣接する層の側面３ｃの傾斜角度よりも、圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度が小さいことが好ましい。なお、本実施形態においては中間層３は単層の低音速膜であるため、中間層３における圧電体層６に隣接する層は、中間層３全体である。圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度が小さいことにより、積層体１２と絶縁膜７との界面に加わる応力の力の成分において、剪断方向の成分の割合が大きくなる。ここで、剪断接着力は垂直方向の接着力に比べて大きい。よって、積層体１２からの絶縁膜７の剥離を効果的に抑制することができる。
【００２７】
絶縁膜７は、圧電体層６の第１の主面６ａに必ずしも至っていなくともよい。例えば、図３に示す第１の実施形態の第１の変形例においては、絶縁膜７Ｘは圧電体層６の側面６ｃを含む積層体１２の側面の全部を覆っているが、圧電体層６の第１の主面６ａには至っていない。
【００２８】
もっとも、本実施形態のように、絶縁膜７は、圧電体層６の第１の主面６ａに至っていることが好ましい。それによって、積層体１２と絶縁膜７との界面に加わる応力の力の成分において、剪断方向の成分の割合がより一層大きくなる。従って、絶縁膜７の積層体１２からの剥離がより一層生じ難い。
【００２９】
金属膜１４Ａが圧電体層６上から絶縁膜７上に至るように設けられていることが好ましい。金属は引き延ばす方向の力に対する強度が高いため、積層体１２と絶縁膜７との界面に加わった場合において、中間層３から絶縁膜７が剥離することを効果的に抑制することができる。
【００３０】
金属膜１４Ａは配線電極以外の金属膜であってもよい。なお、図４に示す第１の実施形態の第２の変形例においては、圧電体層６上から絶縁膜７上に至るように、配線電極としての金属膜１４Ａと、配線電極以外の金属膜１４Ｂとが設けられている。それによって、積層体１２からの絶縁膜７の剥離がより一層生じ難く、かつ配線電極の断線が生じ難い。加えて、平面視における積層体１２と絶縁膜７との境界を、金属膜１４Ｂにより覆うことができる。よって、積層体１２と絶縁膜７との界面に水分が侵入することを抑制することができる。
【００３１】
本実施形態においては、絶縁膜７は、積層体１２の側面の平面視における全周において接している。なお、絶縁膜７は、積層体１２の側面の平面視における少なくとも一部に接するように設けられていればよい。
【００３２】
弾性波装置１における積層体１２の各層の側面の傾斜角度は９０°未満であるが、積層体１２は、側面の傾斜角度が９０°以上である層を含んでいてもよい。
【００３３】
図５は、第２の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【００３４】
本実施形態は、中間層２３が、支持基板２と低音速膜２５との間に設けられている高音速膜２４を有する点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第２の実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００３５】
高音速膜２４は相対的に高音速な膜である。より具体的には、高音速膜２４を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜２４の材料はとしては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。
【００３６】
なお、高音速膜２４を有する場合には、支持基板２は高音速支持基板ではなくともよい。この場合には、支持基板２の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、ダイヤモンド、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることができる。
【００３７】
本実施形態の弾性波装置は、高音速膜２４、低音速膜２５及び圧電体層６がこの順序において積層された積層構造を有するため、弾性波を圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。
【００３８】
中間層２３は高音速膜２４及び低音速膜２５を有する積層膜からなる。高音速膜２４は側面２４ｃを有し、低音速膜２５は側面２５ｃを有する。高音速膜２４の側面２４ｃの傾斜角度と低音速膜２５の側面２５ｃの傾斜角度とは異なる。さらに、中間層２３における圧電体層６に隣接する層である低音速膜２５の側面２５ｃの傾斜角度と、圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度とは異なる。このように、本実施形態では、積層体２２の側面が、図５に示す断面視において凹凸構造を有するように、中間層２３の側面及び圧電体層６の側面６ｃがそれぞれ傾斜している。それによって、積層体２２と絶縁膜７との界面の面積を効果的に大きくすることができる。従って、積層体２２からの絶縁膜７の剥離を効果的に抑制することができる。
【００３９】
なお、積層膜からなる中間層２３の側面が、傾斜角度が異なる部分を有する場合には、中間層２３における圧電体層６に隣接する層の側面２５ｃの傾斜角度と圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度とは、必ずしも異なっていなくともよい。もっとも、本実施形態のように、中間層２３における圧電体層６に隣接する層の側面２５ｃの傾斜角度と圧電体層６の側面６ｃの傾斜角度とが異なることにより、積層体２２から絶縁膜７がより一層剥離し難い。
【００４０】
本実施形態のように、積層体２２における中間層２３の側面が、傾斜角度が異なる部分を有する場合には、絶縁膜７は、必ずしも圧電体層６の側面６ｃに至っていなくともよい。この場合においても、積層体２２の側面は、絶縁膜７に覆われている部分において、傾斜角度が異なる部分を有する。これにより、積層体２２から絶縁膜７が剥離し難い。
【００４１】
もっとも、絶縁膜７は、圧電体層６の側面６ｃに至っていることが好ましい。それによって、積層体２２と絶縁膜７との界面の面積を効果的に大きくすることができ、積層体２２からの絶縁膜７の剥離を効果的に抑制することができる。加えて、中間層２３からの圧電体層６の剥離も抑制することができる。
【００４２】
図６は、第３の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【００４３】
本実施形態は、中間層３３が音響反射膜である点及び圧電体層６がニオブ酸リチウム層である点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００４４】
中間層３３としての音響反射膜は、複数の音響インピーダンス層を有する積層膜からなる。より具体的には、音響反射膜は、相対的に音響インピーダンスが低い複数の低音響インピーダンス層と、相対的に音響インピーダンスが高い複数の高音響インピーダンス層とを有する。中間層３３としての音響反射膜においては、低音響インピーダンス層３４、高音響インピーダンス層３５、低音響インピーダンス層３６、高音響インピーダンス層３７及び低音響インピーダンス層３８がこの順序において積層されている。このように、本実施形態では、音響反射膜において、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層３４が音響反射膜において最も圧電体層６側に位置する層である。
【００４５】
中間層３３としての音響反射膜は、低音響インピーダンス層を３層有し、高音響インピーダンス層を２層有する。もっとも、音響反射膜は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。
【００４６】
本実施形態では、各低音響インピーダンス層は酸化ケイ素層である。なお、低音響インピーダンス層の材料は上記に限定されず、例えば、アルミニウムなどを用いることもできる。
【００４７】
各高音響インピーダンス層は、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＴｉ層がこの順序において積層された積層膜からなる。なお、高音響インピーダンス層は単層の金属膜または誘電体膜からなっていてもよい。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、ＰｔまたはＷなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることもできる。
【００４８】
本実施形態の弾性波装置は、音響反射膜を有するため、弾性波を圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。なお、音響反射膜を有する場合には、支持基板２は高音速支持基板ではなくともよい。
【００４９】
低音響インピーダンス層３４は側面３４ｃを有し、低音響インピーダンス層３６は側面３６ｃを有し、低音響インピーダンス層３８は側面３８ｃを有する。高音響インピーダンス層３５は側面３５ｃを有し、高音響インピーダンス層３７は側面３７ｃを有する。本実施形態においては、隣接する低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層においてそれぞれの側面の傾斜角度が異なる。これにより、図６に示す断面視において、中間層３３の側面が凹凸構造を有するように、中間層３３の各層の側面がそれぞれ傾斜している。それによって、積層体３２と絶縁膜７との界面の面積を効果的に大きくすることができる。従って、積層体３２からの絶縁膜７の剥離を効果的に抑制することができる。
【００５０】
図７は、第４の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。
【００５１】
本実施形態は、高音響インピーダンス層３５と、高音響インピーダンス層３７とを接続している接続電極４４を有する点において、第３の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第３の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
【００５２】
本実施形態の高音響インピーダンス層３５及び高音響インピーダンス層３７は金属層であり、低音響インピーダンス層３６は、上記複数の金属層の間に設けられた絶縁層である。接続電極４４は、上記複数の金属層に接続されるように、上記絶縁層の側面３６ｃ上に設けられている。上記複数の金属層は接続電極４４により電気的に短絡されている。これにより、各金属層が同電位となる。それによって、不要な振動モードを抑制することができる。
【００５３】
接続電極４４は、上記絶縁層としての低音響インピーダンス層３６の側面３６ｃ上の、平面視における全周に設けられていることが好ましい。それによって、絶縁層に水分が侵入することを抑制することができる。なお、接続電極４４は、絶縁層の側面３６ｃ上の、平面視における少なくとも一部に設けられていればよい。
【００５４】
本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、図７に示す断面視において、音響反射膜としての中間層３３の側面が凹凸構造を有するように、中間層３３の各層の側面がそれぞれ傾斜している。それによって、積層体３２と絶縁膜７との界面の面積を効果的に大きくすることができ、積層体３２からの絶縁膜７の剥離を効果的に抑制することができる。
【００５５】
図８は、第５の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す断面図である。図９は、第５の実施形態に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極付近を示す平面図である。
【００５６】
図８に示すように、本実施形態の支持基板２の主面２ａが複数の第１の領域Ａを含み、支持基板２の主面２ａ上における複数の第１の領域Ａに、積層体がそれぞれ設けられており、各積層体の圧電体層上にＩＤＴ電極がそれぞれ設けられている点において、第１の実施形態と異なる。なお、各積層体の側面は絶縁膜７により覆われている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第３の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
【００５７】
より具体的には、支持基板２は第１の領域Ａ１及び第１の領域Ａ２を有する。支持基板２の主面２ａ上における第１の領域Ａ１に積層体３２Ａが設けられており、第１の領域Ａ２に積層体３２Ｂが設けられている。積層体３２Ａにおいては、中間層３３Ａ上に圧電体層６Ａが設けられている。積層体３２Ｂにおいては、中間層３３Ｂ上に圧電体層６Ｂが設けられている。積層体３２Ａの圧電体層６Ａ上にＩＤＴ電極８Ａが設けられており、積層体３２Ｂの圧電体層６Ｂ上にＩＤＴ電極８Ｂが設けられている。図９に示すように、ＩＤＴ電極８ＡとＩＤＴ電極８Ｂとは、金属膜１４Ａとしての配線電極により接続されている。本実施形態の弾性波装置は、複数の弾性波共振子を有する弾性波フィルタである。
【００５８】
本実施形態では、１つの積層体毎において１つの弾性波共振子が構成されている。それによって、弾性波共振子において励振された弾性波による他の弾性波共振子に対する影響を抑制することができる。従って、フィルタ特性の劣化を抑制することができる。
【００５９】
加えて、第３の実施形態と同様に、図８に示す断面視において、中間層３３Ａ及び中間層３３Ｂの側面が凹凸構造を有するように、中間層３３Ａ及び中間層３３Ｂの各層の側面がそれぞれ傾斜している。それによって、積層体３２と絶縁膜７との界面の面積を効果的に大きくすることができ、積層体３２からの絶縁膜７の剥離を効果的に抑制することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１…弾性波装置
２…支持基板
２ａ…主面
３…中間層
３ｃ…側面
６，６Ａ，６Ｂ…圧電体層
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
６ｃ…側面
７，７Ｘ…絶縁膜
８，８Ａ，８Ｂ…ＩＤＴ電極
９Ａ，９Ｂ…反射器
１２…積層体
１４Ａ，１４Ｂ…金属膜
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２２…積層体
２３…中間層
２４…高音速膜
２５…低音速膜
２４ｃ，２５ｃ…側面
３２，３２Ａ，３２Ｂ…積層体
３３，３３Ａ，３３Ｂ…中間層
３４…低音響インピーダンス層
３５…高音響インピーダンス層
３６…低音響インピーダンス層
３７…高音響インピーダンス層
３８…低音響インピーダンス層
３４ｃ〜３８ｃ…側面
４４…接続電極
Ａ，Ａ１，Ａ２…第１の領域
Ｂ…第２の領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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