(57)【要約】【課題】基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子において、導電部の外表面の突起の形状が従来の形状とは異なる新規な導電性粒子を提供する。【解決手段】本発明に係る導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置された導電部３とを備え、導電部３が外表面に、複数の第１の突起部３ａを有し、導電部３が外表面に、第２の突起部３ｂを有するか又は有さず、第１の突起部３ａは外表面に複数の突起を有し、第２の突起部３ｂは外表面に複数の突起を有さず、第１の突起部３ａが全体で、基部から先端に向けて先細りしている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が外表面に、以下の複数の第１の突起部を有し、
前記導電部が外表面に、以下の第２の突起部を有するか又は有さず、
前記第１の突起部が全体で、基部から先端に向けて先細りしている、導電性粒子。
第１の突起部：第１の突起部が外表面に複数の突起を有する
第２の突起部：第２の突起部が外表面に複数の突起を有さない
【請求項２】
前記導電部の外表面積１００％中、前記第１の突起部がある部分の表面積の割合が、５％以上であるか、又は、前記第１の突起部と前記第２の突起部との数の合計１００％中、前記第１の突起部の数の割合が５％以上である、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記導電部の外表面積１００％中、前記第１の突起部がある部分の表面積が、５％以上である、請求項２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記第１の突起部と前記第２の突起部との数の合計１００％中、前記第１の突起部の数の割合が５％以上である、請求項２又は３に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記第１の突起部において、前記第１の突起部における複数の突起が全体で、多方向に向かって突出している、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記第１の突起部の基部の外形が凹凸状である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記第１の突起部が、塊状粒子の凝集体ではなく、１つの連続した導電部分である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
複数の前記第１の突起部の平均高さが、５ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】
前記導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１０】
前記導電部が、第１の導電部と、第２の導電部とを含み、
前記第１の導電部が、前記基材粒子の表面上に配置されており、前記第２の導電部が、前記第１の導電部に接するように前記第１の導電部の外表面上に配置されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１１】
前記第１の導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１０に記載の導電性粒子。
【請求項１２】
前記第２の導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１０又は１１に記載の導電性粒子。
【請求項１３】
前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１５】
第１の接続対象部材と、
第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、  前記接続部の材料が、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。これらの異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、基材粒子と、該基材粒子の表面に形成された導電層とを備える導電性粒子が開示されている。上記導電層は、ニッケル又はニッケル合金を含有する。上記導電層は、表面に塊状微粒子の凝集体である突起を有する。
【０００５】
下記の特許文献２には、芯材粒子の表面に、金属又は合金の皮膜が形成された導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、上記皮膜の表面から突出した突起部を複数有する。上記突起部は、上記金属又は合金の粒子が列状に複数個連結した粒子連結体から構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３０２７１６号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１３８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１，２に記載の導電性粒子では、導電部の外表面に突起が形成されている。しかしながら、特許文献１，２に記載のような導電性粒子とは全く異なる新たな導電性粒子の開発が望まれている。例えば、導電性粒子における導電部の外表面の突起の形状が異なれば、導電性粒子に異なる性質が付与される可能性がある。
【０００８】
特に、導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、一般に、電極間に導電性粒子を配置して、加熱及び加圧が行われる。特許文献１，２に記載の導電性粒子では、突起が折れやすく、電極間の接続抵抗が高くなることがある。また、折れた突起によって、絶縁不良が生じることがある。
【０００９】
本発明の目的は、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子において、導電部の外表面の突起の形状が従来の形状とは異なる新規な導電性粒子を提供することである。
【００１０】
また、本発明の限定的な目的は、導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部が外表面に、以下の複数の第１の突起部を有し、前記導電部が外表面に、以下の第２の突起部を有するか又は有さず、前記第１の突起部が全体で、基部から先端に向けて先細りしている、導電性粒子が提供される。
【００１２】
第１の突起部：第１の突起部が外表面に複数の突起を有する
第２の突起部：第２の突起部が外表面に複数の突起を有さない
【００１３】
前記導電部の外表面積１００％中、前記第１の突起部がある部分の表面積の割合が、５％以上であるか、又は、前記第１の突起部と前記第２の突起部との数の合計１００％中、前記第１の突起部の数の割合が５％以上である。
【００１４】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面積１００％中、前記第１の突起部がある部分の表面積の割合が、５％以上であってもよく、前記第１の突起部と前記第２の突起部との数の合計１００％中、前記第１の突起部の数の割合が５％以上であってもよい。
【００１５】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の突起部において、前記第１の突起部における複数の突起が全体で、多方向に向かって突出している。
【００１６】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の突起部の基部の外形が凹凸状である。
【００１７】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の突起部の基部の平均径の、前記第１の突起部の高さの１／２部分での平均径に対する比が、１．２以上である。
【００１８】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の突起部が、塊状粒子の凝集体ではなく、１つの連続した導電部分である。
【００１９】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、複数の前記第１の突起部の平均高さが、５ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である。
【００２０】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【００２１】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、第１の導電部と、第２の導電部とを含み、前記第１の導電部が、前記基材粒子の表面上に配置されており、前記第２の導電部が、前記第１の導電部に接するように前記第１の導電部の外表面上に配置されている。
【００２２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【００２３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第２の導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【００２４】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える。
【００２５】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。
【００２６】
本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、上記導電部が外表面に、上記の特定の複数の第１の突起部を有し、上記導電部が外表面に、上記の特定の第２の突起部を有するか又は有さず、上記第１の突起部が全体で、基部から先端に向けて先細りしているので、上記導電部の外表面の上記第１の突起部の形状が従来の形状とは異なり、新しい上記第１の突起部の形状による新たな効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図６】図６は、製造された導電性粒子の画像を示す図である。
【図７】図７は、製造された導電性粒子の画像を示す図である。
【図８】図８は、製造された導電性粒子の断面画像を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００３０】
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。上記導電部は外表面に、以下の複数の第１の突起部（本明細書において、突起と記載することもある）を有する。上記導電部は外表面に、以下の第２の突起部（本明細書において、突起と記載することもある）を有するか又は有さない。
【００３１】
第１の突起部：第１の突起部が外表面に複数の突起を有する
第２の突起部：第２の突起部が外表面に複数の突起を有さない
【００３２】
上記第１の突起部の外表面の上記突起は、上記第１の突起部に形成された小突起である。上記導電部は外表面に、上記第２の突起部を有していてもよく、上記第２の突起部を有していなくてもよい。
【００３３】
本発明に係る導電性粒子では、上記第１の突起部が全体で、基部から先端に向けて先細りしている。１つの第１の突起部を全体でみたときに、基部から先端に向けて先細りしている。上記第２の突起部は、上記第１の突起部とは異なる突起部である。上記第２の突起部は、上記第１の突起部の外表面の上記突起とは異なる。
【００３４】
なお、上記第１の突起部の基部は、上記第１の突起部の、導電部の上記第１の突起部が形成されていない部分に連なる部分である。上記第１の突起部の先端は、上記第１の突起部の、導電性粒子の中心から最も離れた位置である。
【００３５】
本発明では、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子において、導電部の外表面の突起の形状が従来の形状とは異なる新規な導電性粒子が提供されている。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部の外表面の上記第１の突起部の形状が従来の形状とは異なり、新しい上記第１の突起部の形状に起因する新たな効果が発揮される。
【００３６】
例えば、外表面に複数の突起を有する第１の突起部が全体で、基部から先端に向けて先細りしていることで、第１の突起部が折れにくくなる。特に、第１の突起部の基部付近において折れにくくなる。上記導電性粒子は、このような性能が求められる用途に好適に用いられる。例えば、導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、一般に、電極間に導電性粒子を配置して、加熱及び加圧が行われる。本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、第１の突起部が折れにくく、接続抵抗を低くすることができる。また、第１の突起部が先端付近で折れたとしても、第１の突起部は基部付近では折れにくく、第１の突起部の基部付近が残るため、接続抵抗を低くすることができる。特に、導電性粒子の表面及び電極の表面に、酸化膜が形成されていることが多い。本発明に係る導電性粒子を用いれば、導電性粒子の表面及び電極の表面の酸化膜を突起が貫通しやすいため、電極間の接続抵抗を低くすることができ、導通信頼性を高めることができる。さらに、電極を表面に有する接続対象部材によっては、高い圧力での電極間の電気的な接続が求められることがある。本発明に係る導電性粒子を用いることで、電極間を高い圧力で接続したとしても、接続後に接続抵抗を効果的に低くすることができる。さらに、折れた突起による絶縁不良の発生を抑えることができ、絶縁信頼性を高めることができる。また、第１の突起部が基部付近において折れにくく、第１の突起部が先端付近で折れたとしても折れた突起の体積を少なくすることができるため、絶縁信頼性を高めることができる。
【００３７】
なお、本発明に係る導電性粒子では、表面に導電部が形成されているので、導電性粒子と呼ぶが、本発明に係る導電性粒子の用途は、導電接続用途に限定されない。本発明に係る導電性粒子は、導電性が求められる用途以外にも用いることができる。例えば、本発明に係る導電性粒子は、ギャップ制御材（スペーサ）としても用いることができる。
【００３８】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、（構成１）上記導電部の外表面積１００％中、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐが、５％以上であるか、又は、（構成２）上記第１の突起部と上記第２の突起部との数の合計１００％中、上記第１の突起部の数の割合Ｑが５％以上であることが好ましい。導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、（構成１）上記導電部の外表面積１００％中、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐが、５％以上であってもよく、２５％以上であってもよく、５０％以上であってもよく、更に、（構成２）上記第１の突起部と上記第２の突起部との数の合計１００％中、上記第１の突起部の数の割合Ｑが５％以上であってもよく、２５％以上であってもよく、５０％以上であってもよい。導通信頼性及び絶縁信頼性を更に一層高める観点からは、（構成１）上記導電部の外表面積１００％中、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐが、５％以上であり、かつ、（構成２）上記第１の突起部と上記第２の突起部との数の合計１００％中、上記第１の突起部の数の割合Ｑが５％以上であることが好ましく、上記割合Ｐが２５％以上であり、かつ上記割合Ｑが２５％以上であることがより好ましく、上記割合Ｐが５０％以上であり、かつ上記割合Ｑが５０％以上であることが更に好ましい。
【００３９】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面積１００％中、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐは、より好ましくは７０％以上、更に好ましくは９０％以上である。上記導電部の外表面積１００％中、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐは、好ましくは９８％以下である。
【００４０】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の突起部と上記第２の突起部との数の合計１００％中、上記第１の突起部の数の割合Ｑはより好ましくは７０％以上、更に好ましくは９０％以上である。上記第１の突起部と上記第２の突起部との数の合計１００％中、上記第１の突起部の数の割合Ｑは好ましくは１００％（全部）以下である。
【００４１】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の突起部において、上記第１の突起部における複数の突起が全体で、多方向に向かって突出していることが好ましい。
【００４２】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の突起部の基部の外形が凹凸状であることが好ましい。上記第１の突起部の基部の外形が、球体の一部の形状を複数有する形状であることが好ましい。
【００４３】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の突起部の基部の平均径Ｂの、上記第１の突起部の高さの１／２部分での平均径Ｃに対する比（平均径Ｂ／平均径Ｃ）は、好ましくは１．２以上、より好ましくは２．０以上である。上記比（平均径Ｂ／平均径Ｃ）は、好ましくは１０．０以下である。
【００４４】
上記第１の突起部の高さの１／２部分での平均径Ｃは、導電性粒子１個に含まれる第１の突起部の高さ１／２部分での径の平均である。第１の突起部の高さ１／２部分での径は、１つの第１の突起部の高さ１／２部分での径のそれぞれの最大径である。
【００４５】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記第１の突起部が、塊状粒子の凝集体ではないことが好ましく、１つの連続した導電部分であることが好ましい。上記第１の突起部の外表面は、１つの連続した導電部分であることが好ましい。
【００４６】
複数の上記第１の突起部の平均高さＡは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記第１の突起部の平均高さＡが上記下限以上であると、第１の突起部による接触性及び貫通性がより一層高くなる。上記第１の突起部の平均高さＡが上記上限以下であると、突起が過度に折れにくくなる。なお、折れた突起は、電極間の接続抵抗を上昇させることがある。
【００４７】
上記第１の突起部の平均高さＡは、導電性粒子１個に含まれる第１の突起部の高さの平均である。上記第１の突起部の高さは、導電性粒子の中心と第１の突起部の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、第１の突起部及び第２の突起部が無いと想定した場合の導電部の仮想線（図１に示す破線Ｌ２）上（第１の突起部及び第２の突起部が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上）から第１の突起部の先端までの距離を示す。すなわち、図１においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から第１の突起部の先端までの距離を示す。
【００４８】
複数の上記第１の突起部の基部の平均径Ｂは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記平均径Ｂが上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記平均径Ｂが上記上限以下であると、突起による接触性及び貫通性がより一層高くなる。
【００４９】
上記第１の突起部の基部の平均径Ｂは、導電性粒子１個に含まれる第１の突起部の基部の径の平均である。第１の突起部の基部の径は、１つの第１の突起部における基部のそれぞれの最大径である。導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、第１の突起部及び第２の突起部が無いと想定した場合の導電部の仮想線部分（図１に示す破線Ｌ２）の端部が、上記第１の突起部の基部であり、上記仮想線部分の端部間距離が第１の突起部の径である。
【００５０】
複数の上記第１の突起部の平均高さＡの、複数の上記第１の突起部の基部の平均径Ｂに対する比（平均高さＡ／平均径Ｂ）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上であり、好ましくは５．０以下、より好ましくは３．０以下である。上記比（平均高さＡ／平均径Ｂ）が上記下限以上であると、突起による接触性及び貫通性がより一層高くなる。上記比（平均高さＡ／平均径Ｂ）が上記上限以下であると、第１の突起部が過度に折れにくくなる。また、上記比（平均高さＡ／平均径Ｂ）が上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間を電気的に接続したときに、接続されてはならない横方向に隣接する電極間が電気的に接続され難い。
【００５１】
上記導電性粒子１個あたりの上記導電部の外表面の、上記第１の突起部は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記第１の突起部の数の上限は特に限定されない。上記第１の突起部の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。
【００５２】
導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記基材粒子の荷重値１ｍＮでの変形率は、好ましくは３％以上、より好ましくは３０％以上であり、好ましくは６０％以下、より好ましくは３６％以下である。導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記基材粒子の荷重値５ｍＮでの変形率は、好ましくは１０％以上、より好ましくは４５％以上であり、好ましくは７０％以下、より好ましくは５５％以下である。導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記基材粒子の荷重値１ｍＮでの圧縮回復率は、好ましくは５％以上、より好ましくは８％以上であり、好ましくは８０％以下、より好ましくは１５％以下である。導通信頼性を効果的に高める観点からは、上記基材粒子の荷重値５ｍＮでの圧縮回復率は、好ましくは５％以上、より好ましくは２５％以上であり、好ましくは６０％以下、より好ましくは３５％以下である。
【００５３】
導電性粒子の変形率及び圧縮回復率は、以下のようにして測定できる。
【００５４】
試料台上に導電性粒子を散布する。散布された導電性粒子１個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径１００μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、導電性粒子の中心方向に、２５℃で、導電性粒子に１ｍＮ又は５ｍＮ（反転荷重値）を与える。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。荷速度は０．３３ｍＮ／秒とする。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行う。この間の荷重−圧縮変位を測定する。上記微小圧縮試験機として、例えば、フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」等が用いられる。
【００５５】
圧縮回復率（％）＝［（Ｌ１−Ｌ２）／Ｌ１］×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
Ｌ２：負荷を解放するときの反転荷重値から原点用荷重値に至るまでの除荷変位
圧縮変形率（％）＝Ｌ１／Ｄ×１００
Ｌ１：負荷を与えるときの原点用荷重値から反転荷重値に至るまでのまでの圧縮変位
Ｄ：粒子直径
【００５６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。なお、各実施形態における異なる部分構成は、適宜置き換えて、組み合わせることが可能である。
【００５７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００５８】
図１に示すように、導電性粒子１は、基材粒子２と、導電部３とを備える。
【００５９】
導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。導電部３は連続皮膜である。
【００６０】
導電性粒子１は導電性の表面に、複数の突起を有する。導電部３は外表面に、複数の第１の突起部３ａを有する。複数の第１の突起部３ａの形状は、上述した形状である。導電部３は外表面に、複数の第２の突起部３ｂを有する。複数の第２の突起部３ｂの形状は、上述した形状である。
【００６１】
導電部３は、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。複数の第１の突起部３ａ及び複数の第２の突起部３ｂを除く部分が、導電部３の上記第１の部分である。複数の第１の突起部３ａ及び複数の第２の突起部３ｂは、導電部３の厚みが厚い上記第２の部分である。
【００６２】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００６３】
図２に示すように、導電性粒子１Ａは、基材粒子２と、導電部３Ａとを備える。
【００６４】
導電部３Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１Ａは導電性の表面に、複数の突起を有する。導電部３Ａは外表面に、複数の第１の突起部３Ａａを有する。導電部３Ａは外表面に、第２の突起部を有さない。
【００６５】
導電性粒子１，１Ａのように、第２の突起部３ｂが存在していてもよく、第２の突起部３ｂが存在していなくてもよい。
【００６６】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００６７】
図３に示すように、導電性粒子１Ｂは、基材粒子２と、導電部３Ｂとを備える。
【００６８】
導電性粒子１と導電性粒子１Ｂとでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１では、１層構造の導電部３が形成されているのに対し、導電性粒子１Ｂでは、多層（２層）の導電部３Ｂが形成されている。
【００６９】
導電部３Ｂは、第１の導電部３ＢＡ及び第２の導電部３ＢＢを有する。第１，第２の導電部３ＢＡ，３ＢＢは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部３ＢＢとの間に、第１の導電部３ＢＡが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の導電部３ＢＡが配置されており、第１の導電部３ＢＡの表面上に第２の導電部３ＢＢが配置されている。第１の導電部３ＢＡの外形は球状である。導電性粒子１Ｂは導電性の表面に、複数の第２の突起部３Ｂｂを有する。導電部３Ｂは、外表面に複数の第１の突起部３Ｂａを有する。第２の導電部３ＢＢは外表面に、複数の第１の突起部３ＢＢａを有する。第２の導電部３ＢＢは外表面に、複数の第２の突起部３ＢＢｂを有する。
【００７０】
図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００７１】
図４に示すように、導電性粒子１Ｃは、基材粒子２と、導電部３と、絶縁性物質４を備える。導電性粒子１Ｃは導電性の表面に、複数の突起を有する。
【００７２】
導電性粒子１Ｃは、導電性粒子１の外表面に絶縁性物質４が配置された導電性粒子である。導電部３の外表面上に、絶縁性物質４が配置されている。本実施形態では、絶縁性物質４は、絶縁性粒子である。導電部３の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質４により被覆されている。絶縁性物質４は絶縁性を有する材料により形成されている。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有することが好ましい。
【００７３】
また、図６，７に、実際に製造された導電性粒子の画像を示した。さらに、図８に、製造された導電性粒子の断面画像を示した。図６〜８に示す導電性粒子は、導電部の外表面に複数の第１の突起部を少なくとも有する。
【００７４】
以下、導電性粒子をより詳しく説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。
【００７５】
（導電性粒子）
［基材粒子］
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有していてもよく、コアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。
【００７６】
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続に、より一層適した導電性粒子が得られる。
【００７７】
上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【００７８】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００７９】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００８０】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００８１】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００８２】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００８３】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００８４】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００８５】
上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。
【００８６】
上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼結させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【００８７】
上記コアの粒径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００８８】
上記コアの粒径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、最大径を意味する。また、コアの粒径は、コアを任意の粒径測定装置により測定した平均粒径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析などの原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。
【００８９】
上記シェルの厚みは、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは２００ｎｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。上記シェルの厚みは、基材粒子１個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みを制御可能である。
【００９０】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００９１】
上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、より一層好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは１．５μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは３００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に一層好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。基材粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が充分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が狭くなる。
【００９２】
上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【００９３】
［導電部］
上記導電部の上記突起が無い部分の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の上記突起が無い部分の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。
【００９４】
上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の上記突起が無い部分の厚みは、特に最外層が金層である場合の金層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電層の上記突起が無い部分の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。
【００９５】
上記導電部の上記突起が無い部分の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。
【００９６】
上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。
【００９７】
上記導電部は導電層であることが好ましい。上記導電部の材料である金属は特に限定されない。上記導電部の材料である金属としては、金、銀、銅、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ルテニウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。
【００９８】
電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウム、銅がより好ましい。電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、第１の突起部を有する上記導電部は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、銅と、ニッケルと、リン又はボロンとを含むことがより好ましい。上記導電部の材料は、リン及びボロンなどを含む合金であってもよい。上記導電部では、ニッケルとタングステン又はモリブデンとが合金化していてもよい。
【００９９】
電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、上記第１の導電部は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、銅と、ニッケルと、リン又はボロンとを含むことがより好ましい。電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、上記第２の導電部は、銅、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、銀、金、白金、イリジウム、コバルト、鉄、タングステン、モリブデン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、銅と、ニッケルと、リン又はボロンとを含むことがより好ましい。
【０１００】
電極間の接続抵抗を効果的に低くし、上記導電部における結晶化度をより一層好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部は、銅又はニッケルを含むことが好ましく、ニッケルを含むことが好ましい。この場合、ニッケルなどの金属は、他の金属と合金化していてもよい。
【０１０１】
外表面に複数の第１の突起部を有する上記導電部１００重量％中、銅又はニッケルの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上、更に好ましくは４０重量％以上であり、好ましくは１００重量％（全量）以下である。上記導電部におけるニッケルの含有量が上記下限以上、及び上記上限以下であることが好ましい。
【０１０２】
上記導電部はニッケルを主金属として含むことが好ましい。ニッケルを含む導電部全体１００重量％中、ニッケルの含有量は５０重量％以上であることが好ましい。ニッケルを含む導電部１００重量％中、ニッケルの含有量は好ましくは６５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上である。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。突起をより一層折れ難くし、接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記第２の導電部におけるニッケルの含有量が、上記第１の導電部におけるニッケルの含有量よりも多いことが好ましい。
【０１０３】
第１の突起部を有する上記導電部はリン又はボロンを含むことが好ましく、上記ニッケルを含む導電部はリン又はボロンを含むことが好ましい。上記導電部がリン又はボロンを含む場合に、リン又はボロンを含む導電部１００重量％中、リンとボロンとの合計の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは３重量％以上であり、好ましくは１０重量％以下である。リンとボロンとの合計の含有量が上記上限以下であると、導電部の抵抗がより一層低くなり、またニッケルなどの金属の含有量が相対的に多くなるので、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１０４】
特に、リンの含有量が５重量％以上であると、接続抵抗の信頼性がより一層高くなり、リンの含有量が１０重量％を超えると、密着性が向上し、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。
【０１０５】
上記導電部におけるニッケル、ボロン及びリンの含有量を制御する方法としては、例えば、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ニッケルめっき液のｐＨを制御する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ボロン含有還元剤の濃度を調整する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、リン含有還元剤の濃度を調整する方法、並びにニッケルめっき液中のニッケル濃度を調整する方法等が挙げられる。
【０１０６】
上記導電部は、１つの層により形成されていてもよく、複数の層（多層）により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、単層であってもよく、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が多層の導電部である場合に、導電部の最も外側に位置する導電部が、外表面に複数の第１の突起部を有する。導電部が複数の層により形成されている場合には、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層又はパラジウム層であることがより好ましく、金層であることが特に好ましい。最外層がこれらの好ましい導電部である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。
【０１０７】
粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【０１０８】
導電部の外表面に第１の突起部を形成する方法としては、下記の方法が挙げられる。
【０１０９】
還元剤を用いて金属錯体の還元反応により金属核を生成し、金属核を導電部に吸着することで析出突起を形成する方法、金属芯材又は無機芯材をめっき液中に添加し複合めっきにより複合突起を形成する方法等が挙げられる。
【０１１０】
第１の突起部が全体で、基部から先端に向けて先細りしている形状を有するようにする観点では、還元剤を用いて金属錯体の還元反応により金属核を生成し、金属核を導電部に吸着することで析出突起を形成する方法が好ましい。
【０１１１】
無電解めっきにより形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、ニッケルとリンとを含む合金めっき層を形成する方法の一例を説明する。
【０１１２】
上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。
【０１１３】
上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が好適に用いられる。また、上記還元剤として、ボロン含有還元剤を用いることで、ボロンを含む導電層を形成できる。
【０１１４】
上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物及び上記リン含有還元剤を含むニッケルめっき浴が好適に用いられる。ニッケルめっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、ニッケルを析出させることができ、ニッケルとリンとを含む導電層を形成できる。
【０１１５】
上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル及び塩化ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、ニッケル塩であることが好ましい。
【０１１６】
上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。
【０１１７】
無電解めっきにより形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、ニッケルを含む合金めっき層及び導電部の外表面にしている第１の突起部を形成する方法の例を説明する。
【０１１８】
上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。
【０１１９】
上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。
【０１２０】
上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、錯化剤、還元剤、金属安定剤を含有するめっき液を用いる無電解ニッケル−ボロン合金めっき方法において、還元剤としてボロン含有還元剤を含むニッケル−ボロン合金めっき液を用いることが好ましい。
【０１２１】
ニッケル−ボロン合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、ニッケル−ボロン合金を析出させることができ、ニッケル及びボロンを含む導電層を形成できる。
【０１２２】
上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。
【０１２３】
上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。上記ボロン含有還元剤に加えて、リン含有還元剤を用いてもよい。上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸、及び次亜リン酸ナトリウムが挙げられる。
【０１２４】
上記錯化剤は、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも１種の錯化剤を含有することが好ましい。
【０１２５】
上記金属安定剤の添加により、めっき液の安定性が向上し、基材粒子への被覆性が良いめっき膜が形成される。上記金属安定剤としては、鉛化合物、ビスマス化合物、及びタリウム化合物、バナジウム化合物等が挙げられる。上記金属安定剤の具体例としては、化合物を構成する金属（鉛、ビスマス、タリウム、バナジウム）の硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩及び塩酸塩等が挙げられる。環境への影響を考慮すると、ビスマス化合物又はタリウム化合物又はバナジウム化合物が好ましい。
【０１２６】
導電部の外表面積１００％中、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐ、又は、上記第１の突起部と上記第２の突起部との数の合計１００％中、上記第１の突起部の数の割合Ｑは、突起核の形成量と突起成長速度に依存し、還元剤滴下による突起形成反応と突起部のめっき被覆による突起成長反応を繰り返すサイクル数で制御することができる。例えば、突起形成めっき液を滴下し、突起形成を行う（突起形成工程）。その後、ニッケルめっき液を滴下し、無電解ニッケルめっきを行う。ニッケルめっき液の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施す（Ｎｉめっき工程）。上記の突起形成工程とニッケルめっき工程を１回行う時を１サイクルとする。また、上記の突起形成工程とニッケルめっき工程を２回繰り返し行う時を２サイクルとする。
【０１２７】
サイクル数は、１回以上であることが好ましい。また、突起形成反応及び突起成長反応中は、突起核の分散性を向上するために、超音波攪拌を行うことが好ましい。
【０１２８】
複数の上記第１の突起部の平均高さＡの、複数の上記第１の突起部の基部の平均径Ｂに対する比（平均高さＡ／平均径Ｂ）は、突起部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間又はめっき液の滴下速度で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上であり、好ましくは１００℃以下である。めっき時間は好ましくは５分以上である。特に第１の突起部を形成するためには、析出反応速度を促進する観点から、めっき温度はより好ましくは３０℃以上、より好ましくは８０℃以下であり、まためっき時間は好ましくは５分以上である。
【０１２９】
上記第１の突起部及び上記第２の突起部が無い部分における導電部全体の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。導電部全体の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。導電部全体の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。上記導電部の厚みは、導電部が複数の導電部（第１の導電部と第２の導電部）を有する場合には、導電部全体の厚み（第１，第２の導電部の合計の厚み）を示す。
【０１３０】
上記導電部が複数の導電部を有する場合に、最外層の上記第１の突起部及び上記第２の突起部が無い部分における導電部の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆を均一にでき、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が内層の導電部よりも高価である場合に、最外層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。
【０１３１】
上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定可能である。
【０１３２】
［芯物質］
上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の第１の突起部を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電部の表面に第１の突起部を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよく、芯物質を用いないことが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電部の外表面を隆起させるための芯物質を有さないことが好ましい。上記導電部が、上記導電部の外表面を隆起させるための芯物質を含まないことが好ましい。上記導電性粒子が上記芯物質を有する場合に、上記芯物質は、上記導電部の内部又は内側に配置されることが好ましい。
【０１３３】
上記導電性粒子の表面に第１の突起部を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。上記第１の突起部を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上に、第１の導電部を形成した後、該第１の導電部上に芯物質を配置し、次に第２の導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面上に導電部を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。
【０１３４】
上記基材粒子の表面上に芯物質を配置させる方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【０１３５】
上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ及びジルコニア等が挙げられる。酸化膜の貫通効果を高めるには、芯物質が硬い方が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。
【０１３６】
上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、更に好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。
【０１３７】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１３８】
上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電部を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電部を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。
【０１３９】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１４０】
上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【０１４１】
上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０１４２】
［絶縁性物質］
本発明に係る導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電部が外表面に複数の第１の突起部を有するので、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
【０１４３】
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【０１４４】
上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。
【０１４５】
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。
【０１４６】
上記導電部の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。
【０１４７】
上記導電部の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。
【０１４８】
上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁性物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。
【０１４９】
上記絶縁性物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。
【０１５０】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は回路接続材料であることが好ましい。
【０１５１】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１５２】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂又は湿気硬化性樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０１５３】
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０１５４】
本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０１５５】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０１５６】
上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０１５７】
（接続構造体）
本発明に係る導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０１５８】
上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部の材料が上述した導電性粒子であるか、又は、上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である接続構造体であることが好ましい。上記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は、上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されていることが好ましい。
【０１５９】
図５に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。
【０１６０】
図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１とバインダー樹脂（硬化したバインダー樹脂など）とを含む。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料により形成されている。接続部５４は、導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。なお、図５では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１Ａ，１Ｂ，１Ｃなどの他の導電性粒子を用いてもよい。
【０１６１】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。
【０１６２】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。
【０１６３】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。
【０１６４】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０１６５】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１６６】
（実施例１）
基材粒子Ａとして、粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）を用意した。
【０１６７】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。
【０１６８】
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０１６９】
また、ジメチルアミンボラン２．０ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む突起形成めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０１７０】
また、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０１７１】
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（突起形成工程）。このようにして、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）を得た。
【０１７２】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０１７３】
上記の突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を合計１０サイクル繰り返し行った。
【０１７４】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、懸濁液を得た。
【０１７５】
その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１７６】
（実施例２）
突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を合計６サイクル繰り返し行った。
【０１７７】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は３６分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、懸濁液を得た。
【０１７８】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１７９】
（実施例３）
突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を１サイクル行った。
【０１８０】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は５６分間で、無電解ニッケルめっきを行った。
【０１８１】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１８２】
（実施例４）
分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０１８３】
上記の突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を１サイクル行った。
【０１８４】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は５８分間で、無電解ニッケルめっきを行った。
【０１８５】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１８６】
（実施例５）
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は９０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った（突起形成工程）。
【０１８７】
突起形成工程の突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度を１０ｍＬ／分から９０ｍＬ／分に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１８８】
（実施例６）
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（突起形成工程）。
【０１８９】
突起形成工程の突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度を１０ｍＬ／分から１ｍＬ／分に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１９０】
（実施例７）
分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は５０ｍＬ／分、滴下時間は２分間で、突起形成を行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０１９１】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１９２】
（実施例８）
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は８０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った（突起形成工程）。
【０１９３】
突起形成工程の突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度を１０ｍＬ／分から８０ｍＬ／分に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１９４】
（実施例９）
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は４５ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った（突起形成工程）。
【０１９５】
突起形成工程の突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度を１０ｍＬ／分から４５ｍＬ／分に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１９６】
（実施例１０）
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った（突起形成工程）。
【０１９７】
突起形成工程の突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度を１０ｍＬ／分から２ｍＬ／分に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０１９８】
（実施例１１）
分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は４分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０１９９】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２００】
（実施例１２）
硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、硝酸ビスマス３０ｐｐｍ、及びタングステン酸ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。Ｎｉめっき工程のニッケルめっき液（Ｄ）にタングステン酸ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを上記のように添加したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０２０１】
このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２０２】
（実施例１３）
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍの溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２０３】
また、ジメチルアミンボラン２．０ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む突起形成めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２０４】
また、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０２０５】
また、シアン化金カリウム０．０１ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２０ｍｏｌ／Ｌ、エチレンジアミン四酢酸０．０８ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌを含む金めっき液（Ｆ）（ｐＨ９．０）を用意した。
【０２０６】
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（突起形成工程）。
【０２０７】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０２０８】
上記の突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を合計１０サイクル繰り返し行った。
【０２０９】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。
【０２１０】
その後、分散状態の粒子混合液に上記金めっき液（Ｆ）を徐々に滴下し、金めっきを行った。金めっき液（Ｆ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、金めっきを行った。
【０２１１】
その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン−金導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２１２】
樹脂粒子の表面のニッケル−ボロン導電層をニッケル−ボロン−金導電層に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０２１３】
（実施例１４）
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍの溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２１４】
また、ジメチルアミンボラン２．０ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む突起形成めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２１５】
また、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０２１６】
また、塩化パラジウム０．０１ｍｏｌ／Ｌ、ギ酸ナトリウム０．５ｍｏｌ／Ｌ、エチレンジアミン０．１ｍｏｌ／Ｌ、及びＤＬ−りんご酸０．２５ｍｏｌ／Ｌを含むパラジウムめっき液（Ｇ）（ｐＨ７．０）を用意した。
【０２１７】
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（突起形成工程）。
【０２１８】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０２１９】
上記の突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を合計１０サイクル繰り返し行った。
【０２２０】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。
【０２２１】
その後、分散状態の粒子混合液に上記パラジウムめっき液（Ｇ）を徐々に滴下し、パラジウムめっきを行った。パラジウムめっき液（Ｇ）の滴下速度は２ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、パラジウムめっきを行った。
【０２２２】
その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン−パラジウム導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２２３】
樹脂粒子の表面のニッケル−ボロン導電層をニッケル−ボロン−パラジウム導電層に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０２２４】
（実施例１５）
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍの溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２２５】
また、次亜リン酸ナトリウム２．５ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む突起形成めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２２６】
また、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．５ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、硝酸ビスマス３０ｐｐｍ、及びタングステン酸ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０２２７】
６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（突起形成工程）。
【０２２８】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０２２９】
上記の突起形成工程とＮｉめっき工程の一連操作を合計１０サイクル繰り返し行った。
【０２３０】
その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−リン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。突起形成めっき液（Ｃ）及びニッケルめっき液（Ｄ）の還元剤を次亜リン酸ナトリウム２．５ｍｏｌ／Ｌに変更し、ニッケルめっき液（Ｄ）中にタングステン酸ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを添加し、めっき温度を４０℃から６０℃に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０２３１】
（実施例１６）
無電解純ニッケルめっき液（Ｄ２）として、硫酸ニッケル０．２３ｍｏｌ／Ｌ、硫酸ヒドラジニウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びグリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む無電解純ニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２３２】
Ｎｉめっき工程のニッケルめっき液（Ｄ）を無電解純ニッケルめっき液（Ｄ２）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。
【０２３３】
このようにして、樹脂粒子の表面に純ニッケル導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２３４】
（実施例１７）
基材粒子Ａとして、粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）を用意した。
【０２３５】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。
【０２３６】
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２３７】
また、ジメチルアミンボラン２．０ｍｏｌ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌを含む突起形成めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２３８】
また、第１の導電部形成するために、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．３ｍｏｌ／Ｌ、クエン酸ナトリウム０．１５ｍｏｌ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、タングステン酸ナトリウム０．０２ｍｏｌ／Ｌ及び硝酸ビスマス１５ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０２３９】
また、第２の導電部形成するために、ニッケルめっき液（Ｅ）として、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸ヒドラジニウム１．００ｍｏｌ／Ｌ及びグリシン０．１５ｍｏｌ／Ｌを含む無電解純ニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２４０】
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（突起形成工程）。このようにして、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｆ）を得た。
【０２４１】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｆ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを施した（第１の導電層めっき工程）。
【０２４２】
上記の突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を合計１０サイクル繰り返し行った。
【０２４３】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。このようにして、懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２４４】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み５１ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｈ）を得た。
【０２４５】
その後、第２の導電層を形成するために、分散状態の懸濁液（Ｈ）に上記無電解純ニッケルめっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解純ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｅ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解純ニッケルめっきを行った。このようにして、懸濁液（Ｉ）を得た。
【０２４６】
その後、懸濁液（Ｉ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面に第１のニッケル−タングステン−ボロン導電層（厚み５１ｎｍ）を配置し、第１のニッケル−タングステン−ボロン導電層の外表面に第２の純ニッケル導電層（厚み５３ｎｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２４７】
（実施例１８）
基材粒子Ａを、粒子径のみが異なり、粒子径が２．５μｍである基材粒子Ｂに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２４８】
（実施例１９）
基材粒子Ａを、粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子Ｃに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２４９】
（実施例２０）
粒子径が２．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｄ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｄに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２５０】
（実施例２１）
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ−４１−１０５３」）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０−１７ａｔｍ、３５０℃で２時間焼成して、粒子径が３．０μｍの有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｅ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｅに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２５１】
（実施例２２〜２６）
基材粒子Ｆ〜Ｈは以下のようにして作製した。
【０２５２】
基材粒子Ｆの作製：
エチレングリコールジメタクリレート８００重量部と、スチレンモノマー２００重量部とを混合し、混合液を得た。得られた混合液に過酸化ベンゾイル２０重量部を加えて、均一に溶解するまで攪拌し、モノマー混合液を得た。分子量約１７００のポリビニルアルコールを純水に溶解させた２重量％水溶液４０００重量部を、反応釜に入れた。この中に、得られたモノマー混合液を入れ、４時間攪拌することで、モノマーの液滴が所定の粒径になるように、粒径を調整した。この後、８５℃の窒素雰囲気下で９時間反応を行い、モノマー液滴の重合反応を行って、基材粒子Ｆを得た。
【０２５３】
基材粒子Ｇの作製：
エチレングリコールジメタクリレート８００重量部と、スチレンモノマー２００重量部とを、１，４−ブタンジオールジアクリレート１００重量部と、イソボルニルメタクリレート９００重量部とに変更したこと以外は、基材粒子Ｆの作製と同様にして重合体粒子を得た。
【０２５４】
基材粒子Ｈの作製：
粒子径を表１の通り変更したこと以外は、基材粒子Ｇの作製と同様にして基材粒子Ｈを得た。
【０２５５】
基材粒子Ａを、下記の表１に示す基材粒子Ｆ〜Ｈのいずれかに変更し、ニッケル−ボロン導電層の厚みを表１の通り変更したこと以外は実施例１と同様にして、表２に示す物性を有する、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２５６】
（実施例２７）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。
【０２５７】
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。
【０２５８】
実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。
【０２５９】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。
【０２６０】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２６１】
（比較例１）
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下速度は１００ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、突起形成を行った。突起形成めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌せずにニッケルめっきを施した（突起形成工程）。
【０２６２】
分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分で、滴下時間は５分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌せずにニッケルめっきを施した（Ｎｉめっき工程）。
【０２６３】
上記の突起形成工程からＮｉめっき工程の一連操作を１サイクル行った。
【０２６４】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の粒子混合液に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２５ｍＬ／分、滴下時間は５８分間で、無電解ニッケルめっきを行った。
【０２６５】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２６６】
（比較例２）
金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）を用いて、実施例１で用いた樹脂粒子の表面に金属ニッケル粒子を付着させた後に、導電層を形成して、導電部の外表面に突起を形成した。
【０２６７】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面が突起を有する導電層である粒子を得た。
【０２６８】
（評価）
（１）導通信頼性（接続抵抗の評価）
得られた導電性粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ−５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
【０２６９】
Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍであるＩＴＯ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである銅電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。
【０２７０】
上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、０．５ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。接続構造体を得るために、電極間を０．５ＭＰａの低圧で接続した。
【０２７１】
得られた接続構造体１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０２７２】
［導通信頼性の判定基準］
○○○：接続抵抗が２．０Ω以下
○○：接続抵抗が２．０Ωを超え、３．０Ω以下
○：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
△：接続抵抗が５．０Ωを超え、１０Ω以下
×：接続抵抗が１０Ωを超える
【０２７３】
（２）絶縁信頼性
上記（１）の評価で得られた接続構造体１５個を、８５℃及び湿度８５％にて５００時間放置した。放置後の接続構造体において、隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定して、絶縁抵抗の平均値を算出した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。
【０２７４】
［絶縁信頼性の判定基準］
○○：絶縁抵抗が１０００ＭΩ以上
○：絶縁抵抗が１００ＭΩ以上、１０００ＭΩ未満
△：絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、１００ＭΩ未満
×：絶縁抵抗が１０ＭΩ未満
【０２７５】
（３）導電性粒子の変形率及び圧縮回復率の評価
実施例２２〜２６で得られた導電性粒子を１ｍＮ及び５ｍＮで圧縮したときの変形率と回復率を下記測定方法で、微小圧縮試験機（フィッシャー社製「フィッシャースコープＨ−１００」）を用いて測定した。
【０２７６】
試料台上に導電性粒子を散布した。散布された導電性粒子１個について、微小圧縮試験機を用いて、円柱（直径５０μｍ、ダイヤモンド製）の平滑圧子端面で、導電性粒子の中心方向に、２５℃で、導電性粒子に１ｍＮ又は５ｍＮ（反転荷重値）を与えた。荷重速度は０．３３ｍＮ／ｓであった。その後、原点用荷重値（０．４０ｍＮ）まで除荷を行った。この間の荷重−圧縮変位を測定し、上記式から変形率及び圧縮回復率を求めた。
【０２７７】
結果を下記の表１，２に示す。下記の表１では、上記第１の突起部がある部分の表面積の割合Ｐ、上記第１の突起部の数の割合Ｑ、複数の上記第１の突起部の平均高さＡ、複数の上記第１の突起部の基部の平均径Ｂ、第１の突起部の高さの１／２部分での平均径Ｃを示した。なお、全ての実施例において、１）上記第１の突起部において、上記第１の突起部における複数の突起が全体で、多方向に向かって突出しており、２）上記第１の突起部の基部の外形が凹凸状であり、３）上記第１の突起部の基部の外形が、球体の一部の形状を複数有する形状であり、４）上記第１の突起部が、塊状粒子の凝集体ではなく、１つの連続した導電部分であった。
【０２７８】
【表１】
2020113545.tif 000003
【０２７９】
【表２】
2020113545.tif 000004
【符号の説明】
【０２８０】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…導電性粒子
２…基材粒子
３，３Ａ，３Ｂ…導電部（導電層）
３ａ，３Ａａ，３Ｂａ…第１の突起部
３ｂ，３Ｂｂ…第２の突起部
３ＢＡ…第１の導電部
３ＢＢ…第２の導電部
３ＢＢａ…第１の突起部
３ＢＢｂ…第２の突起部
４…絶縁性物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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