(57)【要約】      （修正有）【課題】アナログ／デジタル変換部を持つ撮像素子でチップ面積の増大を防止する。【解決手段】撮像素子は、入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、光電変換部で生成された電荷により生成されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部２００と、を有する。ＡＤ変換部２００は、アナログ信号を基準信号と比較する比較部４０と、基準信号を生成するための第１容量７１が設けられる第１回路層（第１基板１１１）と、第１回路層（第１基板１１１）と積層される、基準信号を生成するための第２容量７２が設けられる第２回路層（第２基板１１２）と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷により生成されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部と、を有する撮像素子であって、
前記ＡＤ変換部は、前記アナログ信号を基準信号と比較する比較部と、前記基準信号を生成するための第１容量が設けられる第１回路層と、前記第１回路層と積層される、前記基準信号を生成するための第２容量が設けられる第２回路層と、を有する撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記比較部は、前記基準信号が入力される入力部を有し、
前記第１容量と第２容量とは前記入力部に接続される撮像素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の撮像素子において、
前記ＡＤ変換部は、前記比較部から出力される信号に基づいてデジタル信号を記憶する記憶部を備える撮像素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１容量は、前記第２容量よりも容量値が小さい容量である撮像素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記比較部と前記第１容量との間隔は、前記比較部と前記第２容量との間隔よりも短い撮像素子。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１容量は、前記第２容量よりも前記比較部に近い位置に設けられる撮像素子。
【請求項７】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記比較部を有する回路層を備え、
前記第１回路層は、前記比較部を備える回路層と前記第２回路層との間に設けられる撮像素子。
【請求項８】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１回路層は、前記比較部と前記第１容量とを有する撮像素子。
【請求項９】
請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１回路層は、前記光電変換部と前記比較部と前記第１容量とを有する撮像素子。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第２回路層は、前記第２容量に並列に接続される第３容量を有する容量調整部を有する撮像素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の撮像素子において、
前記容量調整部は、前記第３容量に直列に接続される第４容量を有する撮像素子。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記光電変換部で生成された電荷による信号が入力され、前記第１容量と前記第２容量とに直列に接続される第５容量を備え、
前記比較部と前記第１容量と前記第２容量と前記第５容量とは、前記光電変換部で生成された電荷による信号を増幅する増幅部を構成する撮像素子。
【請求項１３】
入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部で生成された電荷による信号を基準信号と比較する比較部と、
前記基準信号を生成するための第１容量が設けられる第１回路層と、
前記基準信号を生成するための第２容量が設けられる第２回路層と、を備え、
光が入射する側から前記第１回路層と前記第２回路層とが設けられる撮像素子。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子からの信号に基づいて画像データを生成する画像生成部と、を備える撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオードを有する第１の半導体チップと、アナログ／デジタル変換部を有する第２の半導体チップと、メモリ素子を有する第３の半導体チップとを積層して構成される撮像素子が知られている（特許文献１）。しかし、複数の素子を配置すると、撮像素子のチップ面積が増大してしまうことが知られていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本国特開２０１４−１９５１１２号公報
【発明の概要】
【０００４】
第１の態様によると、撮像素子は、入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷により生成されるアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部と、を有する撮像素子であって、前記ＡＤ変換部は、前記アナログ信号を基準信号と比較する比較部と、前記基準信号を生成するための第１容量が設けられる第１回路層と、前記第１回路層と積層される、前記基準信号を生成するための第２容量が設けられる第２回路層と、を有する。
第２の態様によると、撮像素子は、入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、光電変換部で生成された電荷による信号を基準信号と比較する比較部と、基準信号を生成するための第１容量が設けられる第１回路層と、基準信号を生成するための第２容量が設けられる第２回路層と、を備え、光が入射する側から前記第１回路層と前記第２回路層とが設けられる。
第３の態様によると、撮像装置は、第１の態様または第２の態様の撮像素子と、前記撮像素子からの信号に基づいて画像データを生成する画像生成部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】第１の実施の形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施の形態に係る撮像素子の断面構造を示す図。
【図３】第１の実施の形態に係る画素の構成を示す回路図。
【図４】第１の実施の形態に係るＡＤ変換部および信号生成部の構成を示す回路図。
【図５】第１の実施の形態に係るＡＤ変換部の動作例を説明するための図。
【図６】第２の実施の形態に係るＡＤ変換部および信号生成部の構成を示す回路図。
【図７】第３の実施の形態に係るＰＧＡ部の構成を示す回路図。
【図８】変形例１に係るＡＤ変換部および信号生成部の構成を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る撮像装置の構成を示すブロック図である。撮像装置１は、撮影光学系２、撮像素子３、および制御部４を備える。撮像装置１は、例えばカメラである。撮影光学系（結像光学系）２は、撮像素子３上に被写体像を結像する。撮像素子３は、撮影光学系２により結像する被写体像を撮像して画像信号を生成する。撮像素子３は、例えばＣＭＯＳイメージセンサである。制御部４は、撮像素子３の動作を制御するための制御信号を撮像素子３に出力する。また、制御部４は、撮像素子３から出力された画像信号に対して各種の画像処理を施し、画像データを生成する画像生成部として機能する。なお、撮影光学系２は、撮像装置１から着脱可能にしてもよい。
【０００７】
図２は、第１の実施の形態に係る撮像素子の断面構造を示す図である。図２に示す撮像素子３は、裏面照射型の撮像素子である。撮像素子３は、第１基板１１１と、第２基板１１２と、第３基板１１３と、第４基板１１４とを備える。第１基板１１１、第２基板１１２、第３基板１１３、および第４基板１１４は、それぞれ半導体基板等により構成される。第１基板１１１は第２基板１１２に積層され、第２基板１１２は第３基板１１３に積層され、第３基板１１３は第４基板１１４に積層される。第２基板１１２および第３基板１１３は、シリコン貫通電極等の複数の貫通電極１１０を有する。第１基板１１１、第２基板１１２、第３基板１１３、および第４基板１１４の各々に設けられる回路は、接続部１０９および貫通電極１１０により電気的に接続される。接続部１０９は、例えばバンプや電極等であり、貫通電極１１０は、例えばシリコン貫通電極である。
【０００８】
白抜き矢印で示す入射光Ｌは、Ｚ軸プラス方向へ向かって入射する。また、座標軸に示すように、Ｚ軸に直交する紙面右方向をＸ軸プラス方向、Ｚ軸およびＸ軸に直交する紙面手前方向をＹ軸プラス方向とする。撮像素子３は、入射光Ｌが入射する方向に、第１基板１１１と第２基板１１２と第３基板１１３と第４基板１１４とが積層されている。第１基板１１１は、２次元状に配置される複数の画素１０を含んで構成される。画素１０は、図２に示すＸ軸方向およびＹ軸方向に複数配置されている。画素１０の構成例については、図３を参照して詳細を後述する。
【０００９】
撮像素子３は、さらに、マイクロレンズ層１０１、カラーフィルタ層１０２、パッシベーション層１０３を有する。これらのパッシベーション層１０３、カラーフィルタ層１０２及びマイクロレンズ層１０１は、第１基板１１１に順次積層されている。マイクロレンズ層１０１は、複数のマイクロレンズＭＬを有する。マイクロレンズＭＬは、入射した光を後述する光電変換部１２に集光する。カラーフィルタ層１０２は、複数のカラーフィルタＦを有する。パッシベーション層１０３は、窒化膜や酸化膜で構成される。
【００１０】
図３は、第１の実施の形態に係る撮像素子の画素の構成を示す回路図である。画素１０は、フォトダイオード（ＰＤ）等の光電変換部１２および読み出し部２０を有する。光電変換部１２は、入射した光を電荷に変換し、光電変換された電荷を蓄積する機能を有する。読み出し部２０は、転送部１３と、排出部１４と、フローティングディフュージョン（ＦＤ）１５と、増幅部１６と、電流源１７とを有する。
【００１１】
転送部１３は、信号Ｖｔｘにより制御され、光電変換部１２で光電変換された電荷をフローティングディフュージョン１５に転送する。すなわち、転送部１３は、光電変換部１２およびフローティングディフュージョン１５の間に電荷転送路を形成する。フローティングディフュージョン１５は電荷を保持（蓄積）する。増幅部１６は、フローティングディフュージョン１５に保持された電荷による信号を増幅し、信号線１８に出力する。図３に示す例では、増幅部１６は、ドレイン端子、ゲート端子およびソース端子がそれぞれ、電源ＶＤＤ、フローティングディフュージョン１５および電流源１７に接続されるトランジスタＭ３により構成される。増幅部１６は、電流源１７を負荷電流源としてソースフォロワ回路の一部として機能する。
【００１２】
排出部（リセット部）１４は、信号Ｖｒｓｔにより制御され、フローティングディフュージョン１５の電荷を排出し、フローティングディフュージョン１５の電位をリセット電位（基準電位）にリセットする。転送部１３および排出部１４は、例えば、それぞれトランジスタＭ１、トランジスタＭ２により構成される。読み出し部２０は、転送部１３により光電変換部１２からフローティングディフュージョン１５に転送された電荷に応じた信号を、信号線１８に読み出す。信号線１８に読み出された信号（画素信号）は、直接または増幅回路等により増幅されてＡＤ変換部２００（図４参照）に入力される。
【００１３】
図４は、第１の実施の形態に係る撮像素子のＡＤ変換部および信号生成部の構成を示す回路図である。撮像素子３は、画素１０から出力されるアナログ信号を所定のビット数のデジタル信号に変換する逐次比較型のアナログ／デジタル変換部（ＡＤ変換部）２００と、信号生成部２１０とを含んで構成される。ＡＤ変換部２００は、比較部４０、記憶部５０、および容量部１００を含んで構成され、例えば画素１０毎に設けられる。なお、制御部６０をＡＤ変換部２００に含めてもよい。信号生成部２１０は、画素１０毎に設けられるＡＤ変換部２００に共通に接続される。信号生成部２１０は、一定の電圧となる基準信号Ｖｒｅｆを生成して各ＡＤ変換部２００に供給する。
【００１４】
容量部１００は、第１容量７１と、第２容量７２と、第３容量７３と、第４容量７４と、第５容量７５と、第１スイッチＳＷ８１と、第２スイッチＳＷ８２と、第３スイッチＳＷ８３と、第４スイッチＳＷ８４とを有する。本実施の形態のＡＤ変換部２００では、説明の便宜上、第１容量７１から第５容量７５までしか図示していない。容量部１００には、ＡＤ変換の分解能に応じて、デジタル信号のビット数に対応する複数の容量が設けられる。図４に示す例では、ＡＤ変換部２００は、分解能が４ビットのＡＤ変換器となり、画素１０からの信号を４ビットのデジタル信号に変換する。
【００１５】
第１基板１１１には、画素１０（不図示）と、比較部４０と、第１容量７１と、第５容量７５と、第１スイッチＳＷ８１と、信号生成部２１０とが設けられる。比較部４０は、画素１０毎に設けられ、コンパレータ回路等により構成される。比較部４０は、第１入力部４１と第２入力部４２と出力部４３とを有する。第１入力部４１には、画素１０からの信号が信号Ｖｉｎとして入力される。第２入力部４２には、容量部１００により生成される信号Ｖｃｏｍが入力される。比較部４０は、信号Ｖｉｎと信号Ｖｃｏｍとを比較し、比較結果となる出力信号Ｖｏｕｔを出力部４３から出力する。出力部４３から出力された信号Ｖｏｕｔは、信号線１３０を介して制御部６０に入力される。
【００１６】
第２基板１１２には、第２容量７２と、第３容量７３と、第２スイッチＳＷ８２と、第３スイッチＳＷ８３とが設けられる。第３基板１１３には、第４容量７４および第４スイッチＳＷ８４が設けられる。第１容量７１〜第５容量７５は、それぞれＭＯＳ容量やＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）容量等の素子により構成される。第１スイッチＳＷ８１〜第４スイッチＳＷ８４は、それぞれＭＯＳトランジスタ等の素子により構成される。
【００１７】
第４基板１１４には、記憶部５０および制御部６０が設けられる。記憶部５０は、画素１０毎に設けられ、デジタル信号のビット数に対応して複数のレジスタ（例えばフリップフロップ回路）等により構成される。制御部６０は、比較部４０による比較結果に基づいて、画素１０から出力される信号に対応するデジタル信号を記憶部５０に記憶させる。
【００１８】
容量部１００は、信号生成部２１０から信号線１３１を介して入力される信号Ｖｒｅｆに基づいて、信号Ｖｃｏｍを生成して比較部４０に出力する。信号Ｖｃｏｍは、比較部４０により信号Ｖｉｎとの比較に用いられる基準信号（比較信号）となる。第１容量７１〜第４容量７４は、順に２進数の重みづけ（バイナリウェイト）がされた容量値を有する。例えば、第１容量７１〜第４容量７４は、それぞれ１Ｃ、２Ｃ、４Ｃ、８Ｃの容量値を有する。また、第５容量７５は、１Ｃの容量値を有する。
【００１９】
第１容量７１〜第４容量７４の一方の端子（電極）は、比較部４０の第２入力部４２に接続され、第１容量７１〜第４容量７４の他方の端子（電極）は、それぞれスイッチＳＷ８１〜スイッチＳＷ８４に接続される。スイッチＳＷ８１〜スイッチＳＷ８４はそれぞれ、第１容量７１〜第４容量７４をＧＮＤ線と信号線１３１とに択一的に接続する。これにより、第１容量７１〜第４容量７４の他方の端子は、それぞれＧＮＤ線及び信号線１３１のいずれか一方に接続される。
【００２０】
制御部６０は、記憶部５０を介してスイッチＳＷ８１〜スイッチＳＷ８４に制御信号を出力して、スイッチＳＷ８１〜スイッチＳＷ８４の接続状態を切り替えることにより、第１容量７１〜第４容量７４の電気的な接続先を切り替える。制御部６０は、比較部４０と信号生成部２１０との間に接続される容量の容量値を制御することにより、比較部４０に入力される信号Ｖｃｏｍの信号レベルを変化させる。ＡＤ変換部２００は、信号Ｖｃｏｍを順次変化させて二分探索を複数回行い、画素１０から出力される信号に対応するデジタル信号を生成する。なお、ＡＤ変換部２００の動作例については、図５を参照して詳細を後述する。
【００２１】
本実施の形態では、ＡＤ変換部２００に用いられる第１容量７１〜第４容量７４を、複数の基板に分けて配置する。このため、チップ面積を増大させることなく、複数の容量を配置することができる。この結果、チップ面積を増大させることなく、ＡＤ変換のビット数（分解能）を向上させることができる。また、第１容量７１〜第４容量７４のうちの最小の容量値となる第１容量７１を、第２容量７１等よりも比較部４０に近い位置に配置する。第１容量７１は、下位のビットのデジタル信号を決定するための容量となる。第１容量７１〜第４容量７４のうちの最大の容量値となる第４容量７４は、比較部４０に遠い位置に配置する。換言すれば、小さい容量値を有する容量は、大きい容量値を有する容量よりも比較部４０に近い位置に配置する。第１容量７１〜第４容量７４のうちの最小の容量値となる第１容量７１を、比較部４０に近い位置に設けることで、第１容量７１に対する寄生容量の影響を低減することができる。これにより、高精度なＡＤ変換を実現することができる。
【００２２】
図５は、第１の実施の形態に係るＡＤ変換部の動作例を説明するための図である。図５において、縦軸は信号の電圧レベルを示し、横軸は時刻を示す。図５は、１ビット目（ＭＳＢ）から４ビット目（ＬＳＢ）までの４ビットのＡＤ変換を行う例を示している。
【００２３】
画素１０から出力された信号が比較部４０の第１入力部４１に入力された後、時刻ｔ１までの期間において、制御部６０は、スイッチＳＷ８４に入力される制御信号をハイレベル、スイッチＳＷ８１〜スイッチＳＷ８３にそれぞれ入力される制御信号をローレベルにする。スイッチＳＷ８４にハイレベルが入力されることにより、第４容量７４は、信号線１３１に接続される。スイッチＳＷ８１〜スイッチＳＷ８３にローレベルが入力されることにより、第１容量７１〜第３容量７３は、それぞれＧＮＤ線に接続される。これにより、信号Ｖｃｏｍの電圧は、第１容量７１〜第５容量７５の容量値の和に対する第４容量７４の容量値の比に信号Ｖｒｅｆの電圧Ｖｒｅｆを乗じた１／２Ｖｒｅｆとなる。図５に示す例では、信号Ｖｉｎの電圧は１／２Ｖｒｅｆよりも小さいため、比較部４０は、比較結果としてローレベルの出力信号Ｖｏｕｔを制御部６０に出力する。制御部６０は、比較部４０による比較結果に基づいて、１ビット目（ＭＳＢ）として“０”を記憶部５０に記憶させる。
【００２４】
時刻ｔ２において、制御部６０は、比較結果に基づいて、スイッチＳＷ８４に入力される制御信号をローレベルにする。また、制御部６０は、スイッチＳＷ８３に入力される制御信号をハイレベル、スイッチＳＷ８１およびスイッチＳＷ８２にそれぞれ入力される制御信号をローレベルにする。第４容量７４はＧＮＤ線に接続され、第３容量７３は信号線１３１に接続され、第１容量７１および第２容量７２はＧＮＤ線に接続される。これにより、信号Ｖｃｏｍの電圧は１／４Ｖｒｅｆとなる。信号Ｖｉｎの電圧は１／４Ｖｒｅｆよりも大きいため、比較部４０は、比較結果としてハイレベルの出力信号Ｖｏｕｔを制御部６０に出力する。制御部６０は、比較部４０による比較結果に基づいて、２ビット目として“１”を記憶部５０に記憶させる。
【００２５】
時刻ｔ３において、制御部６０は、比較結果に基づいて、スイッチＳＷ８４に入力される制御信号をローレベル、スイッチＳＷ８３に入力される制御信号をハイレベルとする。また、制御部６０は、スイッチＳＷ８２に入力される制御信号をハイレベル、スイッチＳＷ８１に入力される制御信号をローレベルにする。第４容量７４はＧＮＤ線に接続され、第３容量７３および第２容量７２は信号線１３１に接続され、第１容量７１はＧＮＤ線に接続される。これにより、信号Ｖｃｏｍの電圧は（１／４＋１／８）Ｖｒｅｆとなる。信号Ｖｉｎの電圧は（１／４＋１／８）Ｖｒｅｆよりも小さいため、比較部４０は、比較結果としてローレベルの出力信号Ｖｏｕｔを制御部６０に出力する。制御部６０は、比較部４０による比較結果に基づいて、３ビット目として“０”を記憶部５０に記憶させる。
【００２６】
時刻ｔ４において、制御部６０は、比較結果に基づいて、スイッチＳＷ８４に入力される制御信号をローレベル、スイッチＳＷ８３に入力される制御信号をハイレベル、スイッチＳＷ８２に入力される制御信号をローレベルとする。また、制御部６０は、スイッチＳＷ８１に入力される制御信号をハイレベルにする。第４容量７４はＧＮＤ線に接続され、第３容量７３は信号線１３１に接続され、第２容量７２はＧＮＤ線に接続され、第１容量７１は信号線１３１に接続される。これにより、信号Ｖｃｏｍの電圧は（１／４＋１／１６）Ｖｒｅｆとなる。信号Ｖｉｎの電圧は（１／４＋１／１６）Ｖｒｅｆよりも小さいため、比較部４０は、比較結果としてローレベルの出力信号Ｖｏｕｔを制御部６０に出力する。制御部６０は、比較部４０による比較結果に基づいて、４ビット目（ＬＳＢ）として“０”を記憶部５０に記憶させる。
【００２７】
以上の逐次比較処理により、ＡＤ変換部２００は、画素１０から出力される信号を信号値が“０１００”のデジタル信号に変換する。ＡＤ変換部２００の記憶部５０に記憶されるＡＤ変換結果となるデジタル信号は、後段の信号処理部１７０（不図示）に出力される。信号処理部１７０では、ＡＤ変換部２００から出力される信号に対して、信号量をＡＤ変換ゲインに合わせて補正する処理等の信号処理を行い、画像信号として撮像装置１の制御部４に出力する。
【００２８】
図４に示す第１容量７１〜第４容量７４が接続される信号線１３２は、第１基板１１１と第２基板１１２と第３基板１１３とを通る信号線となり、図２に示す貫通電極１１０やバンプ等の接続部１０９を用いた信号線となる。このため、信号線１３２には、配線の寄生容量や層間の接合容量等により寄生容量が付加される。下位ビットを判定するために用いる第１容量７１は、第２容量７２〜第４容量７４と比較して小さい容量値となり、寄生容量の影響を大きく受ける。そこで、本実施の形態では、第１容量７１を、比較部４０と同じ第１基板１１１に配置する。また、第１容量７１〜第４容量７４のうち最も大きな容量値となる第４容量７４は、寄生容量による影響が比較的少ないことが考えられる。そこで、第４容量７４を、第１基板１１１の比較部４０から遠い第３基板１１３に配置する。これにより、寄生容量による容量値のずれの影響を低減させて、ＡＤ変換の変換誤差を低減させることができる。このように、第１容量７１〜第４容量７４を複数の基板に分けて配置する場合に、寄生容量の影響による容量値のずれを低減させ、ＡＤ変換の精度を向上させることができる。
【００２９】
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）撮像素子３は、入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部１２と、光電変換部１２で生成された電荷による信号と比較するための基準信号（信号Ｖｃｏｍ）が入力される入力部４２を有する比較部４０と、入力部４２に接続される第１容量（例えば、第１容量７１）を有する第１回路層（第１基板１１１）と、第１回路層に積層され、入力部４２に接続される第２容量（例えば、第２容量７２）を有する第２回路層（第２基板１１２）と、を備える。本実施の形態では、第１容量７１〜第４容量７４を複数の基板に分けて配置する。このため、チップ面積を増大させることなく、画素１０からの信号を処理するための複数の容量を配置することができる。また、第１容量７１〜第４容量７４を複数の基板に分けて配置することで、画素１０が有する開口率が低下することを防ぐことができる。
【００３０】
（２）撮像素子３は、入射した光を光電変換して電荷を生成する光電変換部１２と、光電変換部１２で生成された電荷による信号と基準信号（信号Ｖｃｏｍ）との比較に基づく信号を出力する比較部４０と、比較部４０に接続される第１容量（例えば、第１容量７１）を有する第１回路層（第１基板１１１）と、第１回路層に積層され、比較部４０に接続される第２容量（例えば、第２容量７２）を有する第２回路層（第２基板１１２）と、を備える。このようにしたので、チップ面積を増大させることなく、画素１０からの信号を処理するための複数の容量を配置することができる。また、画素１０が有する開口率が低下することを防ぐことができる。
【００３１】
（３）比較部４０から出力される信号に基づいてデジタル信号を記憶する記憶部５０を備える。比較部４０と第１容量と第２容量と記憶部５０とは、光電変換部１２で生成された電荷による信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部２００を構成する。このようにしたので、チップ面積を増大させることなく複数の容量を配置し、ＡＤ変換の分解能を向上させることができる。
【００３２】
（４）第１容量は、第２容量よりも容量値が小さい容量である。本実施の形態では、第１容量７１〜第４容量７４のうち最も小さい容量値となる第１容量７１を、比較部４０に近い位置に配置する。このため、寄生容量の影響による容量値のずれを低減し、微分非直線性（ＤＮＬ）が発生してＡＤ変換の精度が劣化することを防ぐことができる。この結果、高精度なＡＤ変換を実現することができる。
【００３３】
（第２の実施の形態）
図６を参照して、第２の実施の形態に係る撮像素子３を説明する。なお、図中、第１の実施の形態と同一もしくは相当部分には、同一の参照番号を付し、第１の実施の形態に係る撮像素子３との相違点を主に説明する。図６は、第２の実施の形態に係るＡＤ変換部および信号生成部の構成を示す回路図である。第２の実施の形態に係る撮像素子３は、第１容量調整部２２０と、第２容量調整部２３０と、第３容量調整部２４０とを備える。
【００３４】
第１容量調整部２２０〜第３容量調整部２４０は、それぞれ第２容量７２〜第４容量７４に付加される寄生容量の影響を補正する回路である。第１容量調整部２２０は、容量２１１と容量２１２とスイッチＳＷ２１３とスイッチＳＷ２１４とを有する。第１容量調整部２２０の容量２１２は、第２容量７２に対して並列に接続される。容量２１１は、容量２１２に対して直列に接続される。スイッチＳＷ２１４は、制御部６０から出力される制御信号により制御され、容量２１２の電気的な接続先を切り替える。また、スイッチＳＷ２１３は、制御部６０から出力される制御信号により制御され、第２容量７２と容量２１１との間の電気的な接続状態を切り替える。
【００３５】
制御部６０から制御信号を供給してスイッチ２１３及びスイッチ２１４をオンすることにより、第２容量７２には、直列に接続された容量２１１と容量２１２とを合成した容量が付加される。第１容量７１〜第４容量７４を複数の基板に分けて配置する場合は、基板間の容量値のばらつきが生じる。そこで、信号線１３２に形成される寄生容量に応じてスイッチ２１３及びスイッチ２１４の導通状態を制御し、第２容量７２に付加される容量を調整することにより、寄生容量の影響による容量値のばらつきを低減することができる。また、基板間の容量値のばらつきを低減することができる。
【００３６】
また、本実施の形態では、容量２１２は容量２１１を介して第２容量７２に接続されるため、第２容量７２に付加する容量値を微調整することができる。第２容量調整部２３０および第３容量調整部２４０は、第１容量調整部２２０と同様の構成および機能を有するため、説明を省略する。なお、第１容量調整部２２０〜第３容量調整部２４０が有する各々の容量およびスイッチの数は任意の数としてよい。また、容量２１１およびスイッチ２１３を設けないようにしてもよい。この場合、スイッチ２１４をオンすることにより、第２容量７２に容量２１２を直接接続することができ、容量２１１を介して接続する場合と比較して大きな容量を付加することができる。
【００３７】
上述した実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様の作用効果に加えて、次の作用効果が得られる。
（５）第２回路層（第２基板１１２）は、第２容量に並列に接続される第３容量（容量２１２）を有する容量調整部を有する。本実施の形態では、第２容量７２〜第４容量７４に対応して第１容量調整部２２０〜第３容量調整部２４０が配置される。このため、第２容量７２〜第４容量７４に付加される容量を調整することができ、寄生容量の影響による容量値のばらつきを低減することができる。また、基板間の容量値のばらつきを低減することができる。この結果、高精度なＡＤ変換を実現することができる。
（６）容量調整部は、第３容量（容量２１２）に直列に接続される第４容量（容量２１１）を有する。本実施の形態では、直列に接続された容量２１１と容量２１２とを合成した容量を、第２容量７２に付加する。このため、第２容量７２に容量２１２の容量値を付加する場合と比較して小さな容量を付加することができる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
図７を参照して、第３の実施の形態に係る撮像素子３を説明する。なお、図中、第１の実施の形態と同一もしくは相当部分には、同一の参照番号を付し、第１の実施の形態に係る撮像素子３との相違点を主に説明する。図７は、第３の実施の形態に係るＰＧＡ部の構成を示す回路図である。第３の実施の形態に係る撮像素子３は、画素１０から出力される信号を所定のゲイン（増幅率）で増幅するプログラマブルゲインアンプ（ＰＧＡ）部３００を含んで構成される。ＰＧＡ部３００は、例えば画素１０毎に設けられ、増幅部（比較部）３１０と、入力容量Ｃｉと、リセット用ＳＷと、ゲイン設定用スイッチＳＷ１〜ＳＷ４と、帰還容量Ｃｆ１〜Ｃｆ４とを含んで構成される。なお、ＰＧＡ部３００が有する帰還容量およびゲイン設定用スイッチの数は任意の数としてよい。ＰＧＡ部３００には、複数のゲイン設定値に応じて、複数の帰還容量およびゲイン設定用スイッチが設けられる。
【００３９】
第１基板１１１には、画素１０（不図示）と、増幅部３１０と、入力容量Ｃｉと、リセット用ＳＷと、ゲイン設定用スイッチＳＷ１と、帰還容量Ｃｆ１とが設けられる。入力容量Ｃｉの一方の端子には、画素１０から信号Ｖｉｎが入力される。増幅部３１０は、非反転入力端子３１１に入力される信号と反転入力端子３１２に入力される信号との差を増幅した信号を出力端子３１３から出力する。増幅部３１０の非反転入力端子３１１には、一定の電圧となる基準信号Ｖｒｅｆが入力される。リセット用ＳＷは、制御信号ｒｓｔによりオンオフ制御される。リセット用ＳＷがオンすると、増幅部３１０の反転入力端子３１２と出力端子３１３とが電気的に接続され、反転入力端子３１２に入力される信号の電圧が基準信号Ｖｒｅｆの電圧にリセットされる。
【００４０】
第２基板１１２には、ゲイン設定用スイッチＳＷ２〜ＳＷ４と、帰還容量Ｃｆ２〜Ｃｆ４とが設けられる。帰還容量Ｃｆ１〜Ｃｆ４は、例えば、それぞれ１Ｃ、４Ｃ、８Ｃ、１６Ｃの容量値を有する。また、入力容量Ｃｉは、例えば１６Ｃの容量値を有する。
【００４１】
ゲイン設定用スイッチＳＷ１〜ＳＷ４は、それぞれ制御信号ｓｗ１〜ｓｗ４によりオンオフ制御される。ゲイン設定用スイッチＳＷ１〜ＳＷ４をオンオフ制御することにより、増幅部３１０の反転入力端子３１２と出力端子３１３との間に電気的に接続される容量を変更して、ＰＧＡ部３００のゲインを変更することができる。ＰＧＡ部３００のゲインは、入力容量Ｃｉの容量値Ｃｉと制御信号ｓｗ１〜ｓｗ４により選択される帰還容量Ｃｆ１〜Ｃｆ４による容量値Ｃｆとの比（−Ｃｉ／Ｃｆ）となる。また、ＰＧＡ部３００の出力信号Ｖｏｕｔは、例えば次式（１）で表すことができる。
Ｖｏｕｔ＝（−Ｃｉ／Ｃｆ）×ΔＶｉｎ＋Ｖｒｅｆ  ・・・（１）
ＰＧＡ部３００から出力される信号Ｖｏｕｔは、例えばＡＤ変換部２００（不図示）に入力される。
【００４２】
本実施の形態では、ＰＧＡ部３００に用いられる帰還容量Ｃｆ１〜Ｃｆ４を、複数の基板に分けて配置する。このため、チップ面積を増大させることなく、複数の容量を配置することができる。この結果、ＰＧＡ部３００のゲインを変更可能な範囲を大きくすることができる。また、ＰＧＡ部３００のゲインを大きくするためには、容量値Ｃｉを大きくする、または、容量値Ｃｆを小さくする方法があるが、チップ面積の増加を避けるためには容量値Ｃｆを小さくする方法が一般的に用いられる。しかし、容量値Ｃｆを小さくすると寄生容量の影響を大きく受けるため、指定したゲインからの誤差が大きくなる。そこで、帰還容量Ｃｆ１〜Ｃｆ４のうちの最小の容量値となる帰還容量Ｃｆ１を、増幅部３１０に近い位置に配置する。これにより、帰還容量Ｃｆ１に対する寄生容量の影響を低減することができる。これにより、ＰＧＡ部３００のゲインの誤差を低減し、高精度な信号増幅を実現することができる。
【００４３】
上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）光電変換部１２で生成された電荷による信号が入力され、第１容量（例えば、帰還容量Ｃｆ１）と第２容量（例えば、帰還容量Ｃｆ２）とに直列に接続される第５容量（入力容量Ｃｉ）を備え、比較部（増幅部３１０）と第１容量と第２容量と第５容量とは、光電変換部１２で生成された電荷による信号を増幅する増幅部（ＰＧＡ部３００）を構成する。このようにしたので、チップ面積を増大させることなく、複数の容量を配置することができ、ゲインを変更可能な範囲を大きくすることができる。また、本実施の形態では、帰還容量Ｃｆ１〜Ｃｆ４のうちの最小の容量値となる帰還容量Ｃｆ１を、増幅部３１０に近い位置に配置する。このため、帰還容量Ｃｆ１に対する寄生容量の影響を低減することができ、ＰＧＡ部３００のゲインの誤差を低減することができる。
【００４４】
次のような変形も本実施形態の範囲内であり、変形例の一つ、もしくは複数を上述の実施形態と組み合わせることも可能である。
【００４５】
（変形例１）
図８は、変形例１に係るＡＤ変換部および信号生成部の構成を示す回路図である。図８に示す例では、ＡＤ変換部２００の容量部１００は、第１の実施の形態に対して、第６容量７６〜第９容量７９と、第６スイッチＳＷ８６〜第９スイッチＳＷ８９とを更に有する。また、容量部１００は、下位ビット用の容量（第６容量７６〜第９容量７９）と上位ビット用の容量（第１容量７１〜第４容量７４）との間に設けられるスプリット容量８０を有する。図８に示す例では、スプリット容量８０の容量値は（１６／１５）Ｃとなる。ＡＤ変換部２００は、分解能が８ビットのＡＤ変換器となる。
【００４６】
容量部１００に、スプリット容量８０を配置することにより、第１容量７１〜第４容量７４および第６容量７６〜第９容量７９の容量値に順にバイナリウェイトの重みづけをする場合と比較して、容量値の総和を小さくすることができる。例えば、第６容量７６〜第９容量７９の各々の容量値を小さくすることができる。この結果、撮像素子３の回路面積を小さくすることができる。図８に示すようなＡＤ変換部２００は、Ｔｗｏ−Ｓｔｅｐ−Ｃ−Ａｒｒａｙ型のＡＤ変換部等と呼ばれる。また、図８に示すような容量部１００は、ｓｐｌｉｔ−ｃａｐａｃｉｔｏｒ−ＤＡＣ等と呼ばれる。
【００４７】
本変形例では、下位ビット側の容量（第６容量７６〜第９容量７９）のうちの最小の容量値となる第６容量７６を、比較部４０と同じ第１基板１１１に配置する。また、上位ビット側の容量（第１容量７１〜第４容量７４）のうちの最小の容量値となる第１容量７１を、比較部４０と同じ第１基板１１１に配置する。さらに、スプリット容量８０を、比較部４０と同じ第１基板１１１に配置する。これにより、寄生容量による容量値のずれの影響を低減させて、ＡＤ変換の変換誤差を低減させることができる。
【００４８】
（変形例２）
上述した実施の形態および変形例では、本発明を逐次比較型のＡＤ変換部やＴｗｏ−Ｓｔｅｐ−Ｃ−Ａｒｒａｙ型のＡＤ変換部に適用する例について説明した。しかし、巡回型のＡＤ変換部に適用してもよい。
【００４９】
（変形例３）
上述した第１の実施の形態では、第１基板１１１が画素１０と比較部４０と第１容量７１と第５容量７５とを有し、第２基板１１２が第２容量７２および第３容量７３を有し、第３基板１１３が第４容量７４を有し、第４基板１１４が制御部６０および記憶部５０を有し、４つの基板が積層される例について説明した。しかし、基板の数は４つに限定されない。例えば、撮像素子３は、第１基板１１１が画素１０と比較部４０と第１容量７１と第５容量７５とを有し、第２基板１１２が第２容量７２を有し、第３基板１１３が第３容量７３を有し、第４基板１１４が第４容量７４を有し、第５基板１１５が制御部６０および記憶部５０を有する５つの基板が積層されていてもよい。撮像素子３は、第１基板１１１が画素１０と比較部４０と第１容量７１を有し、第２基板１１２が第５容量７５を有し、第３基板１１３が第２容量７２を有し、第４基板１１４が第３容量７３を有し、第５基板１１５が第４容量７４を有し、第６基板１１６が制御部６０および記憶部５０を有する６つの基板が積層されていてもよい。画素１０と比較部４０とは異なる基板に設けられてもよい。また、比較部４０と第１容量７１とは異なる基板に設けられてもよい。例えば、第１基板１１１に比較部４０を配置し、第２基板１１２に第１容量７１を配置し、第３基板１１３に第２容量７２〜第４容量７４を配置してもよい。また、第１容量７１と第２容量７２とが同じ基板に設けられてもよい。この場合、第１容量７１は、第２容量７２よりも比較部４０に近い位置に設けられる。光電変換部１２と比較部４０と第１容量７１とが同じ基板（例えば第１基板１１１）に設けられてもよい。また、光電変換部１２と比較部４０と第１容量７１と第２容量７２とが同じ基板に設けられてもよい。
【００５０】
（変形例４）
第１容量７１〜第９容量７９を１つの容量として説明した。第１容量７１〜第９容量７９はそれぞれ複数の容量から構成されていてもよい。この場合、複数の容量の合成容量が第１容量７１〜第９容量７９のそれぞれの容量となる。また、第１容量７１〜第９容量７９それぞれを同じ容量値を有する複数の容量から構成してもよい。例えば、第１容量７１は容量値１／２Ｃを有し、並列に接続される２つの容量から構成される。並列に接続される２つの容量の合成容量がＣとなり、２つの容量の合成容量Ｃが第１容量７１の容量となる。同様に、第２容量７２は容量値１／２Ｃを有し、並列に接続される４つの容量から構成される。並列に接続される４つの容量の合成容量が２Ｃとなり、４つの容量の合成容量２Ｃが第２容量７２の容量となる。第３容量７３〜第９容量７９も同様である。
なお、容量の容量値、数、接続は上記に限定されない。例えば、第１容量７１は、容量値が３Ｃを有し、直列に接続される３つの容量から構成されてもよい。第２容量７２は、容量値が４Ｃを有し、直列に接続される２つの容量から構成されてもよい。
【００５１】
（変形例５）
上述した実施の形態では、撮像素子３は、裏面照射型の構成とする例について説明した。しかし、撮像素子３を、光が入射する入射面側に配線層を設ける表面照射型の構成としてもよい。
【００５２】
（変形例６）
上述した実施の形態では、光電変換部１２としてフォトダイオードを用いる例について説明した。しかし、光電変換部１２として光電変換膜を用いるようにしてもよい。
【００５３】
（変形例７）
上述の実施の形態で説明した撮像素子３は、カメラ、スマートフォン、タブレット、ＰＣに内臓のカメラ、車載カメラ等に適用されてもよい。
【００５４】
次の優先権基礎出願の開示内容は引用文としてここに組み込まれる。
日本国特許出願２０１６年第１０１２７６号（２０１６年５月２０日出願）
【符号の説明】
【００５５】
３  撮像素子、１２  光電変換部、１０  画素、４０  比較部、２００  ＡＤ変換部
【図１】
2020080538.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2020080538.tif 000008
【図７】
2020080538.tif 000009
【図８】
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