(57)【要約】【課題】樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える構成において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板を実現する。【解決手段】樹脂多層基板１０１は、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する樹脂基材３０と、第１主面ＶＳ１のみに形成される実装電極Ｐ１，Ｐ２と、第２主面ＶＳ２に形成される保護層２と、樹脂基材３０に形成される導体パターン４１，４２，４３と、を備える。樹脂基材３０は複数の第１樹脂層１１，１２，１３，１４を含んで形成され、保護層２は、第２主面ＶＳ２を有する第１樹脂層１４の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる。導体パターン４１，４２，４３は、第２主面ＶＳ２と保護層２との界面以外、および保護層２以外に形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成される、樹脂多層基板。
【請求項２】
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成される、樹脂多層基板。
【請求項３】
前記複数の樹脂層は、前記複数の第１樹脂層とは異なる樹脂材料からなる、第２樹脂層を含む、請求項１または２に記載の樹脂多層基板。
【請求項４】
前記第２樹脂層の少なくとも一つは、前記複数の第１樹脂層のうち２つの第１樹脂層に挟まれる請求項３に記載の樹脂多層基板。
【請求項５】
前記保護層は、前記第２主面の全面に形成される、請求項１から４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項６】
前記複数の樹脂層は、熱可塑性樹脂からなる、請求項１から５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項７】
前記樹脂基材に形成される層間接続導体をさらに備え、
前記導体パターンの数は複数であり、
複数の前記導体パターンの２つは、１つの前記層間接続導体を介して互いに接続される、請求項１から６のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項８】
前記導体パターンの数は複数であり、
複数の前記導体パターンは、前記複数の樹脂層の表面のうち、前記第１主面側の面にそれぞれ配置される、請求項１から７のいずれかに記載の樹脂多層基板。
【請求項９】
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続される、電子機器。
【請求項１０】
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続される、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂多層基板に関し、特に、複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、樹脂基材の表面に形成される保護層とを備えた樹脂多層基板、およびその樹脂多層基板を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材の表面に、保護層が形成された樹脂多層基板が知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、樹脂基材の表面に形成される導体パターンと、上記導体パターンを覆うように樹脂基板の表面に積層される保護層と、を備えた樹脂多層基板が開示されている。この構成により、樹脂基材の表面の導体パターンの酸化や、上記導体パターンと外部に存在する導体との接触等が抑制される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１８／０３７８７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の樹脂多層基板では、表面に外部からの衝撃を受けたときに、その衝撃（外力）が導体パターンに直接加わることを防ぐことができるが、保護層に加わった外力は直下の導体パターンに伝わりやすい。そのため、上記導体パターンが損傷（例えば、変形、剥離および破損等）しやすく、上記樹脂多層基板の電気的特性が変化してしまう虞がある。
【０００６】
本発明の目的は、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える構成において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板およびそれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の樹脂多層基板は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成されることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の樹脂多層基板は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を含んで形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂基材のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を備え、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成されることを特徴とする。
【０００９】
導体パターンが第２主面と保護層との界面に形成される場合には、第２主面側から受けた衝撃が直接導体パターンに加わって、上記導体パターンが損傷（例えば、変形、剥離および破損等）しやすい。また、第２主面に硬質な保護層が形成されていない場合にも、第２主面側から受けた衝撃によって、上記導体パターンが損傷しやすい。
【００１０】
一方、この構成によれば、硬質な保護層が上記導体パターンに直接接しておらず、導体パターンと保護層との間に保護層よりも変形しやすい樹脂層が介在している。そのため、第２主面側から受けた衝撃が導体パターンに伝わることを抑制でき、外部からの衝撃に起因する導体パターンの損傷を抑制できる。したがって、外部からの衝撃による導体パターンの変形に起因した、樹脂多層基板の電気的特性の変化が抑制される。
【００１１】
本発明における電子機器は、
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、および前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続されることを特徴とする。
【００１２】
本発明における電子機器は、
樹脂多層基板と、前記樹脂多層基板が接続される他の部材と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
互いに対向する第１主面および第２主面を有し、複数の第１樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して形成される樹脂基材と、
前記第１主面のみに形成される実装電極と、
前記第２主面に形成され、前記複数の樹脂層のうち、前記第２主面を有する第１樹脂層の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する保護層と、
前記樹脂基材に形成される導体パターンと、
を有し、
前記導体パターンは、前記第２主面と前記保護層との界面以外、前記保護層以外に形成され、
前記樹脂多層基板の前記実装電極は、前記他の部材に接続されることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える樹脂多層基板を他の部材に接続した場合において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、樹脂基材と、樹脂基材に形成される導体パターンと、樹脂基材の表面に形成される保護層と、を備える構成において、外力が加わった際の上記導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板およびそれを備える電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。
【図３】図３は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図である。
【図６】図６は、樹脂多層基板１０３の製造工程を順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１７】
《第１の実施形態》
図１は、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図である。
【００１８】
樹脂多層基板１０１は、樹脂基材３０、導体パターン４１，４２，４３、実装電極Ｐ１，Ｐ２、層間接続導体Ｖ１、保護層１，２等を備える。
【００１９】
樹脂基材３０は、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板であり、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有する。樹脂基材３０は、熱可塑性樹脂を主成分とする素体である。
【００２０】
図１に示すように、樹脂基材３０の第１主面ＶＳ１には、実装電極Ｐ１，Ｐ２および保護層１が形成されている。樹脂基材３０の第２主面ＶＳ２には、保護層２が形成されている。樹脂基材３０の内部には、導体パターン４１，４２，４３および層間接続導体Ｖ１が形成されている。なお、樹脂基材３０には、これ以外の導体パターンや層間接続導体が形成されているが、図示省略している。
【００２１】
樹脂基材３０は、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４）を積層して形成される積層体である。具体的には、樹脂基材３０は、第１樹脂層１１，１２，１３，１４をこの順に積層して形成される。複数の第１樹脂層１１，１２，１３，１４は、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の樹脂（熱可塑性樹脂）平板である。第１樹脂層１１，１２，１３，１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主成分とする樹脂シートである。
【００２２】
第１樹脂層１１の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。実装電極Ｐ１は、第１樹脂層１１の第１端（図１における第１樹脂層１１の左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ２は、第１樹脂層１１の第２端（図１における第１樹脂層１１の右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【００２３】
第１樹脂層１２の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４１が形成されている。第１樹脂層１３の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４２が形成されている。導体パターン４１は、第１樹脂層１２の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。また、第１樹脂層１２には層間接続導体Ｖ１が形成されている。
【００２４】
第１樹脂層１３の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４２が形成されている。導体パターン４２は、第１樹脂層１３の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【００２５】
第１樹脂層１４の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４３が形成されている。導体パターン４３は、第１樹脂層１４の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４３は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。
【００２６】
保護層１は、第１樹脂層１１の下面（樹脂基材３０の第１主面ＶＳ１）に積層される保護膜であり、平面形状が第１樹脂層１１と略同じである。保護層１には、実装電極Ｐ１，Ｐ２の位置に応じた位置にそれぞれ形成された複数の開口を有する。そのため、第１樹脂層１１の下面に保護層１が形成された場合でも、上記複数の開口から実装電極Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ外部に露出する。保護層１は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００２７】
保護層２は、第１樹脂層１４の上面（樹脂基材３０の第２主面ＶＳ２）に積層される保護膜であり、平面形状が第１樹脂層１４と略同じである。保護層２は、第２主面を有する第１樹脂層１４の樹脂材料（例えば、液晶ポリマー）よりも硬質な絶縁樹脂からなる。保護層２は、例えばポリイミド（ＰＩ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００２８】
実装電極Ｐ１，Ｐ２は樹脂基材３０の第１主面ＶＳ１のみに形成される。また、図１に示すように、樹脂多層基板１０１が有する導体パターン４１，４２，４３は、第２主面ＶＳ２と保護層２との界面以外、および保護層２以外に形成されている。
【００２９】
なお、本実施形態では、保護層２が第２主面ＶＳ２の全面に形成されている。また、２つの導体パターン４１，４２は、１つの層間接続導体Ｖ１を介して互いに接続されている。
【００３０】
次に、樹脂多層基板１０１の実装例について、図を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は表面実装部品である。
【００３１】
電子機器３０１は、樹脂多層基板１０１および回路基板２０１等を備える。回路基板２０１の第１面Ｓ１には、外部電極ＥＰ１，ＥＰ２および保護層３が形成されている。回路基板２０１は、例えばガラス・エポキシ基板である。
【００３２】
本実施形態では、回路基板２０１が本発明における「他の部材」の一例である。
【００３３】
樹脂多層基板１０１は回路基板２０１に実装されている。具体的には、樹脂多層基板１０１の実装電極Ｐ１は、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ１に接続されている。樹脂多層基板１０１の実装電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ２に接続されている。なお、図示省略するが、回路基板２０１の第１面Ｓ１には他のチップ部品等も実装される。
【００３４】
図２に示すように、樹脂多層基板１０１は、樹脂基材３０の第１主面ＶＳ１と回路基板２０１の第１面Ｓ１とが対向するように、回路基板２０１に実装される。そのため、樹脂基材３０の第２主面ＶＳ２側は外部に露出している。そして、樹脂基材３０の第２主面ＶＳ２側は、樹脂多層基板１０１の実装後、例えば、第１面Ｓ１に他の電子部品を実装する際のマウントヘッドの接触や、第１面Ｓ１にシールドケースを配置する際のシールドケースの接触などにより、第２主面ＶＳ２側に外部から衝撃が加わる虞がある（図２における白抜き矢印を参照）。
【００３５】
導体パターンが第２主面ＶＳ２と保護層２との界面に形成される場合には、第２主面ＶＳ２側から受けた衝撃が導体パターンに直接加わって、上記導体パターンが損傷（例えば、変形、剥離および破損等）しやすい。また、第２主面ＶＳ２に硬質な保護層２が形成されていない場合にも、第２主面ＶＳ２側から受けた衝撃によって、上記導体パターンが損傷しやすい。
【００３６】
一方、本実施形態では、第２主面ＶＳ２（実装面とは反対側の面）を有する第１樹脂層１４（図１を参照）よりも硬質な保護層２が、第２主面ＶＳ２に形成されている。また、樹脂基材３０に形成される導体パターン４３は、第２主面ＶＳ２と保護層２との界面以外、および保護層２以外に形成されている。この構成によれば、硬質な保護層２が導体パターン４３に直接接しておらず、導体パターン４３と保護層２との間に、保護層２よりも変形しやすい第１樹脂層１４（図１を参照）が介在している。そのため、第２主面ＶＳ２側から受けた衝撃が導体パターン４３に伝わることを抑制でき、外部からの衝撃に起因する導体パターン４３の損傷を抑制できる。したがって、外部からの衝撃による導体パターン４３の変形に起因した、樹脂多層基板１０１の電気的特性の変化が抑制される。
【００３７】
また、保護層２は導体ではないため、樹脂基材３０に形成される導体パターン４１，４２，４３と保護層２とは容量結合しない。そのため、第２主面ＶＳ２側から衝撃が加わった際に保護層２が変形したとしても、保護層２が導体である場合（第２主面ＶＳ２に導体パターンを形成した場合）に比べて、樹脂多層基板の電気的特性は変化し難い。
【００３８】
また、本実施形態では、保護層２が第２主面ＶＳ２の全面に形成されている。この構成によれば、硬質な保護層２が第２主面ＶＳ２の一部に形成されている場合に比べて、第２主面ＶＳ２側から衝撃が加わった際の導体パターンの損傷がさらに抑制される。
【００３９】
さらに、本実施形態では、２つの導体パターン４１，４２が、１つの層間接続導体Ｖ１を介して互いに接続されている。異なる樹脂層に形成される２以上の層間接続導体を積層方向（Ｚ軸方向）に連続して直接接続する場合（第２の実施形態に係る層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を参照）には、複数の樹脂層の積層時の積みずれにより接続不良が生じやすい。一方、上記構成によれば、異なる樹脂層に形成される層間接続導体同士を接続することがないため、積層時の積みずれに起因した接続不良は生じ難くできる。
【００４０】
本実施形態では、導体パターン４１，４２，４３が、複数の樹脂層のうち第１主面ＶＳ１側の面（図１における第１樹脂層１１，１２，１３，１４の下面）にそれぞれ配置されている。この構成によれば、第１主面ＶＳ１側の面に導体パターンが配置された樹脂層と、第２主面ＶＳ２側の面に導体パターンが配置された樹脂層と、を積層して形成される樹脂基材に比べて（第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２を参照）、樹脂層の層数を少なくでき、樹脂多層基板の製造工程を削減できる。
【００４１】
本実施形態では、樹脂基材３０が、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４）を積層して形成される。この構成によれば、後に詳述するように、複数の樹脂層を一括プレスすることにより、樹脂基材３０を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、本実施形態では、樹脂基材３０が熱可塑性樹脂の素体である。この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。
【００４２】
なお、本実施形態では、保護層２が、第２主面ＶＳ２を有する第１樹脂層１４の樹脂材料よりも硬質な絶縁樹脂からなる例を示したが、第２主面ＶＳ２に形成される保護層２はこの構成に限定されるものではない。保護層２は、例えば第２主面ＶＳ２を有する第１樹脂層１４の樹脂材料よりも硬質のフィラーを含有する硬質な材料であってもよい。
【００４３】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図３は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図３では、説明の都合上、ワンチップ（個片）の図で説明するが、実際の樹脂多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板１０１が含まれる基板を言う。このことは、以降に示す製造工程を示した断面図でも同様である。
【００４４】
まず、図３中の（１）に示すように、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４）を準備する。第１樹脂層１１，１２，１３，１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主成分とする樹脂シートである。
【００４５】
その後、第１樹脂層１１，１２，１３，１４にそれぞれ導体パターンを形成する。具体的には、第１樹脂層の下面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、第１樹脂層１１の下面に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成し、第１樹脂層１２の下面に導体パターン４１を形成し、第１樹脂層１３の下面に導体パターン４２を形成し、第１樹脂層１４の下面に導体パターン４３を形成する。
【００４６】
また、第１樹脂層１２には層間接続導体Ｖ１が形成される。層間接続導体Ｖ１は、例えば第１樹脂層１２にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。
【００４７】
次に、第１樹脂層１１，１２，１３，１４の順に積層（載置）する。その後、積層方向（Ｚ軸方向）に、複数の第１樹脂層１１，１２，１３，１４を加熱プレス（一括プレス）することにより、図３中の（２）に示す樹脂基材３０を形成する。
【００４８】
その後、図３中の（３）に示すように、樹脂基材３０の第１主面ＶＳ１に保護層１を形成し、樹脂基材３０の第２主面ＶＳ２に保護層２を形成する。保護層２は、第２主面ＶＳ２を有する第１樹脂層１４の樹脂材料（例えば、液晶ポリマー）よりも硬質の絶縁樹脂からなる。保護層１，２は、樹脂基材３０の表面に接着材で貼り付けてもよく、樹脂基材３０の表面に塗布した後に硬化させてもよい。
【００４９】
保護層１は、例えばポリイミド（ＰＩ）やポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。保護層２は、例えばポリイミド（ＰＩ）等のカバーレイフィルムや、例えばエポキシ樹脂を主成分とするソルダーレジスト膜である。
【００５０】
最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図３中の（３）に示す樹脂多層基板１０１を得る。
【００５１】
この製造方法により、外力が加わった際の導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制した、樹脂多層基板を容易に製造できる。
【００５２】
また、この製造方法によれば、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４）を一括プレスすることにより、樹脂基材３０を容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。
【００５３】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、複数の層間接続導体が接続された樹脂多層基板の例を示す。
【００５４】
図４は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図である。
【００５５】
樹脂多層基板１０２は、樹脂基材３０Ａ、および樹脂基材３０Ａの内部に形成される層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。
【００５６】
以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。
【００５７】
樹脂基材３０Ａは、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４，１５）を積層して形成される積層体である。具体的には、樹脂基材３０Ａは、第１樹脂層１１，１２，１３，１４，１５をこの順に積層して形成される。複数の第１樹脂層１１，１２，１３，１４，１５は、第１の実施形態で説明した第１樹脂層１１，１２，１３，１４と同じものである。
【００５８】
第１樹脂層１１の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２は、第１の実施形態で説明したものと同じである。
【００５９】
第１樹脂層１２の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には導体パターン４１が形成されている。導体パターン４１は、第１の実施形態で説明したものと同じである。また、第１樹脂層１２には層間接続導体Ｖ１１が形成されている。
【００６０】
第１樹脂層１３の上面（第２主面ＶＳ２側の面）には、導体パターン４２が形成されている。導体パターン４２は第１樹脂層１３の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。また、第１樹脂層１３には層間接続導体Ｖ１２が形成されている。
【００６１】
第１樹脂層１４の上面（第２主面ＶＳ２側の面）には、導体パターン４３が形成されている。導体パターン４３は、第１樹脂層１４の中央付近に配置される矩形の導体パターンである。
【００６２】
また、第１樹脂層１１の下面（樹脂基材３０Ａの第１主面ＶＳ１）には保護層１が形成され、第１樹脂層１５の上面（樹脂基材３０Ａの第２主面ＶＳ２）には保護層１が形成されている。保護層１，２は、第１の実施形態で説明したものと実質的に同じである。
【００６３】
本実施形態では、２つの導体パターン４１，４２が、２つの層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２を介して互いに接続されている。
【００６４】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０２でも、外力が加わった際の導体パターンの損傷に起因する電気的特性の変化を抑制できるという樹脂多層基板１０１と同様の作用・効果を奏する。但し、複数の樹脂層の積みずれに起因する接続不良を抑制するという点で、第１の実施形態のように２つの導体パターンが、１つの層間接続導体を介して接続されている構成が好ましい。
【００６５】
なお、本実施形態では、第１主面ＶＳ１側の面に導体パターンが配置された樹脂層（第１樹脂層１１）と、第２主面ＶＳ２側の面に導体パターンが配置された樹脂層（第１樹脂層１４，１５）と、を積層して形成される樹脂基材３０Ａを備える例を示したが、樹脂基材を形成する樹脂層の層数を少なくする点および製造工程の削減の点では、第１の実施形態で示した構成が好ましい。すなわち、樹脂層の層数を少なくする点および製造工程の削減の点では、複数の導体パターンは、複数の樹脂層のうち第１主面ＶＳ１側の面にそれぞれ配置される構成が好ましい。複数の導体パターンを、複数の樹脂層の第１主面ＶＳ１側の面にそれぞれ配置すれば、図４に示すような保護層２と導体パターン４３との間に、導体パターンが形成されていない第１樹脂層１５を配置する必要はない。また、第１樹脂層１３の第２主面ＶＳ２側の面に配置された導体パターン４２と、第１樹脂層１２の第１主面ＶＳ１側の面に配置された導体パターン４１とを接続するために、２つの層間接続導体を積層方向に接続する必要もない。
【００６６】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、樹脂基材が、異なる樹脂材料からなる複数の樹脂層を含んだ例を示す。
【００６７】
図５は、第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図である。
【００６８】
樹脂多層基板１０３は、樹脂基材３０Ｂを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０３の他の構成については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。
【００６９】
以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。
【００７０】
樹脂基材３０Ｂは、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４および第２樹脂層２１，２２，２３）を積層して形成される積層体である。具体的には、樹脂基材３０Ｂは、第１樹脂層１１、第２樹脂層２１、第１樹脂層１２、第２樹脂層２２、第１樹脂層１３、第２樹脂層２３および第１樹脂層１４をこの順に積層して形成される。第２樹脂層２１，２２，２３は、第１樹脂層１１，１２，１３，１４とは異なる樹脂材料からなる層である。
【００７１】
第１樹脂層１１，１２，１３，１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主成分とする樹脂シートである。第２樹脂層２１，２２，２３は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。
【００７２】
第１樹脂層１１の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、実装電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。第１樹脂層１２の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４１が形成されている。第１樹脂層１３の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４２が形成されている。第１樹脂層１４の下面（第１主面ＶＳ１側の面）には、導体パターン４３が形成されている。実装電極Ｐ１，Ｐ２および導体パターン４１，４２，４３は、第１の実施形態で説明したものと同じである。
【００７３】
このように、樹脂基材は、異なる樹脂材料からなる複合積層体であってもよい。
【００７４】
本実施形態では、第２樹脂層が、複数の第１樹脂層のうち２つの第１樹脂層に挟まれている。具体的には、図５に示すように、第２樹脂層２１が２つの第１樹脂層１１，１２に挟まれ、第２樹脂層２２が２つの第１樹脂層１２，１３に挟まれ、第２樹脂層２３が２つの第１樹脂層１３，１４に挟まれている。この構成によれば、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面が複数存在するため、第１樹脂層と第２樹脂層との線膨張係数の違いや外力が掛かることによって生じる応力が、上記接合面の一つに集中することなく分散される。そのため、樹脂層間の線膨張係数の相違や、外部から衝撃が加わった場合でも、第１樹脂層と第２樹脂層との接合面が一つである樹脂基材に比べて、層間剥離の発生を抑制できる。
【００７５】
なお、本実施形態では、複数の第２樹脂層２１，２２，２３全てが、２つの第１樹脂層に挟まれる例を示したが、この構成に限定されるものではない。また、複数の第２樹脂層の少なくとも一つが、２つの第１樹脂層に挟まれていれば、上記作用・効果を奏する。但し、層間剥離の発生を抑制する点では、複数の第２樹脂層全てが、それぞれ２つの第１樹脂層に挟まれていることが好ましい。なお、第２樹脂層は複数に限定されず、一層でもよい。
【００７６】
本実施形態では、樹脂基材３０Ｂが、第１樹脂層１１，１２，１３，１４よりも高周波特性に優れる第２樹脂層２１，２２，２３を含んで形成されている。そのため、樹脂基材が第１樹脂層１１，１２，１３，１４のみで形成される場合に比べて、高周波特性に優れる樹脂多層基板を実現できる。具体的に説明すると、第２樹脂層２１，２２，２３の比誘電率（ε２）は、第１樹脂層１１，１２，１３，１４の比誘電率（ε１）よりも低い（ε２＜ε１）。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に構成する場合に、樹脂基材３０Ｂに形成される信号線（導体パターン）の線幅を広くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、本実施形態では、第２樹脂層２１，２２，２３の誘電正接（ｔａｎδ２）が、第１樹脂層１１，１２，１３，１４の誘電正接（ｔａｎδ１）よりも小さい（ｔａｎδ２＜ｔａｎδ１）。そのため、樹脂基材が複数の第１樹脂層１１，１２，１３，１４のみを積層して形成される場合に比べて、誘電損失を低減できる。
【００７７】
本実施形態に係る樹脂多層基板１０３は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図６は、樹脂多層基板１０３の製造工程を順に示す断面図である。
【００７８】
まず、図６中の（１）に示すように、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４および第２樹脂層２１，２２，２３）を準備する。第１樹脂層１１，１２，１３，１４は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主成分とする樹脂シートである。第２樹脂層２１，２２，２３は、例えばパーフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）やポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。
【００７９】
その後、第１樹脂層１１，１２，１３，１４にそれぞれ導体パターンを形成する。具体的には、第１樹脂層１１，１２，１３，１４の下面に金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、第１樹脂層１１の下面に実装電極Ｐ１，Ｐ２を形成し、第１樹脂層１２の下面に導体パターン４１を形成し、第１樹脂層１３の下面に導体パターン４２を形成し、第１樹脂層１４の下面に導体パターン４３を形成する。
【００８０】
また、図示省略するが、第１樹脂層１１，１２，１３，１４および第２樹脂層２１，２２，２３には、層間接続導体が形成される。層間接続導体は、例えば、樹脂層にレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで硬化させることによって設けられる。
【００８１】
次に、第１樹脂層１１、第２樹脂層２１、第１樹脂層１２、第２樹脂層２２、第１樹脂層１３、第２樹脂層２３および第１樹脂層１４の順に積層（載置）する。その後、積層方向（Ｚ軸方向）に、複数の樹脂層（第１樹脂層１１，１２，１３，１４および第２樹脂層２１，２２，２３）を加熱プレス（一括プレス）することにより、図６中の（２）に示す樹脂基材３０Ｂを形成する。
【００８２】
その後、樹脂基材３０Ｂの第１主面ＶＳ１に保護層１を形成し、樹脂基材３０Ｂの第２主面ＶＳ２に保護層２を形成する。保護層２は、第２主面ＶＳ２を有する第１樹脂層１４の樹脂材料（例えば、液晶ポリマー）よりも硬質の樹脂材料からなる。
【００８３】
最後に、集合基板から個々の個片に分離して、図６中の（３）に示す樹脂多層基板１０３を得る。
【００８４】
《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、回路基板に実装される表面実装部品である例を示したが、本発明の樹脂多層基板の用途はこれに限定されるものではない。本発明の樹脂多層基板は、例えば、二つの回路基板同士を接続するケーブルであってもよく、回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよい。また、樹脂多層基板には必要に応じてコネクタ（他の部材）が設けられていてもよい。
【００８５】
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂基材の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。また、樹脂多層基板は、一部が曲げられた曲げ部を有していてもよい。
【００８６】
また、以上に示した各実施形態では、４，５または７の樹脂層を積層して形成される樹脂基材について示したが、本発明の樹脂基材はこの構成に限定されるものではない。樹脂基材を形成する樹脂層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。なお、以上に示した各実施形態では、保護層２が第２主面ＶＳ２の全面に形成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。保護層２は第２主面ＶＳ２の一部に形成されていてもよい。また、本発明の樹脂多層基板において、第１主面ＶＳ１に形成される保護層１は必須ではない。
【００８７】
以上に示した各実施形態では、樹脂基材が、熱可塑性樹脂からなる素体である例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材は熱硬化性樹脂からなる素体でもよい。なお、以上に示した各実施形態では、樹脂基材が、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層を積層して形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層と、熱硬化性樹脂からなる樹脂層との積層体であってもよい。また、樹脂基材は、複数の樹脂層を加熱プレス（一括プレス）してその表面同士を融着するものに限らず、各樹脂間に接着層を有する構成でもよい。例えば、樹脂層同士が接着層を介して貼り付けられていてもよく、複数の樹脂層のいずれかが接着性を有する層であってもよい。
【００８８】
なお、以上に示した各実施形態では、樹脂基材に矩形の導体パターン４１，４２，４３が形成された樹脂多層基板の例を示したが、この構成に限定されるものではない。樹脂基材に形成される導体パターンの形状・個数・配置は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、樹脂多層基板に形成される回路は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナ線路等）が形成されていてもよい。さらに、樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。
【００８９】
以上に示した各実施形態では、矩形の実装電極Ｐ１，Ｐ２が、樹脂基材の第１主面ＶＳ１に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。実装電極の形状・個数は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。実装電極の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、円弧形、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等であってもよい。また、実装電極の配置は、第１主面ＶＳ１に形成されるのであれば、適宜変更可能である。
【００９０】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【符号の説明】
【００９１】
ＥＰ１，ＥＰ２…外部電極
Ｐ１，Ｐ２…実装電極
Ｓ１…回路基板の第１面
Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ１２…層間接続導体
ＶＳ１…樹脂基材の第１主面
ＶＳ２…樹脂基材の第２主面
１，２…保護層
３…保護層
５…導電性接合材
１１，１２，１３，１４，１５…第１樹脂層（樹脂層）
２１，２２，２３…第２樹脂層（樹脂層）
３０，３０Ａ，３０Ｂ…樹脂基材
４１，４２，４３…導体パターン
１０１，１０２，１０３…樹脂多層基板
２０１…回路基板（他の部材）
３０１…電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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