(57)【要約】【課題】フレキシブルデバイスを簡便に作製するためのＳＯＩ基板の製造方法、およびＳｉ薄膜の転写、ならびにＳＩＭＯＸ基板を提供する。【解決手段】ＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の製造方法であって、酸素イオン注入層を形成する際、シリコン基板の表面に、予めフォトレジストを使用してフォトリソグラフィーを行いマスクパターンを形成し、該マスクパターンを形成した状態で酸素イオンの注入を行うことによって、酸素イオン注入層中に酸素イオンが注入されていない未注入領域を形成しておき、該未注入領域を形成した状態で熱処理を施すことで、ＢＯＸ層中に、シリコンピラーであるピンホールを予め意図的に形成しておいたフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板を製造するＳＯＩ基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板に酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコン基板に熱処理を施して前記酸素イオン注入層をＢＯＸ層に変え、該ＢＯＸ層上にＳｉ薄膜を有するＳＯＩ基板を製造するＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の製造方法であって、
前記酸素イオン注入層を形成する際、前記シリコン基板の表面に、予めフォトレジストを使用してフォトリソグラフィーを行いマスクパターンを形成し、該マスクパターンを形成した状態で前記酸素イオンの注入を行うことによって、前記酸素イオン注入層中に前記酸素イオンが注入されていない未注入領域を形成しておき、
該未注入領域を形成した状態で前記熱処理を施すことで、前記ＢＯＸ層中に、シリコンピラーであるピンホールを予め意図的に形成しておいたフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板を製造することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
前記マスクパターンを形成するとき、一辺が１μｍから３μｍの正方形のマスクを５μｍから１０μｍの間隔で配置することを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項３】
前記マスクパターンを形成するとき、直径が１μｍから３μｍの円のマスクを５μｍから１０μｍの間隔で配置することを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項４】
Ｓｉ薄膜の転写方法であって、
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のＳＯＩ基板の製造方法によりＳＯＩ基板を製造して用意する工程と、
前記Ｓｉ薄膜に、前記ＢＯＸ層に通じる開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じて前記ＳＯＩ基板の前記ＢＯＸ層をエッチングして、前記Ｓｉ薄膜との間に中空部を形成する工程と、
前記Ｓｉ薄膜の表面をフレキシブル基板に密着させる工程と、
前記Ｓｉ薄膜を前記ＳＯＩ基板から引き離して、前記フレキシブル基板に転写する工程と、
を有することを特徴とするＳｉ薄膜の転写方法。
【請求項５】
シリコン基板上にＢＯＸ層を有し、該ＢＯＸ層上にＳｉ薄膜を有するＳＩＭＯＸ基板であって、
前記ＢＯＸ層中に、
一辺が１μｍから３μｍの四角柱または直径が１μｍから３μｍの円柱のシリコンピラーが、５μｍから１０μｍの間隔で配置されているフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁膜上に形成されたＳｉ薄膜を有するＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造方法に関し、より詳しくはフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板の製造方法及びそれを用いたＳｉ薄膜の転写方法、並びにＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プラスチック等のフレキシブル基板上にデバイスを形成する試みがなされている。その中で、特許文献１及び、非特許文献１に開示されているように、完成したＳＯＩ基板を用いてＳＯＩ層に部分的に窓開けを行い、ＢＯＸ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）層を露出させたのち、ＨＦエッチングを行って、ＨＦが横方向に染み込むことでＢＯＸがエッチングされピラー（柱）を形成する方法がある。ピラー形成後に、ＳＯＩ層をＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などに貼り付け、ピラー部を境にして基板から剥離し、ＳＯＩ層をＰＥＴなどの上に形成することでフレキシブル基板上にデバイスが作製されたＳＯＩ層を転写する方法である。
【０００３】
図４は、特許文献１に記載されている従来のＳｉ薄膜転写方法の工程の概略を示している。
まずスタート基板としてＳＯＩ基板を用意し、それにフォトリソグラフィーを行い、部分的にＳｉ薄膜（ＳＯＩ層）を除去する（ＳＯＩ島形成）。ここからＨＦにてＢＯＸ層をエッチングしてピラー状に残留させる必要がある。エッチング後は、ＳＯＩ層表面とＰＥ（ポリエチレン）等のフレキシブル基板とを密着して貼り付ける。その後、ＳＯＩ層をフレキシブル基板へと剥離して転写する。
なお、上記エッチング工程において、均一な酸化膜であるＢＯＸ層の一部を等方エッチングであるＨＦでエッチングして一部を残すのは非常に難しい。そのために、その後の剥離工程の歩留まりに影響することも考えられる。これを改善する手法として、図４に示すようにＢＯＸ層の一部にイオン注入を行ってその部分の膜質を改質し、ＨＦによるエッチングレートを部分的に変える手法も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１７９５８０号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ５３，  ０１８００４  （２０１４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、ＳＯＩ基板のＳＯＩ層（Ｓｉ薄膜）を剥離・転写するためにＢＯＸ層内にピラーを形成する必要がある。このピラー形成のためには、材料であるＳＯＩ基板のＢＯＸ層に対して部分的なイオン注入を行ったり、ＢＯＸ層を横方向にエッチング除去する際のエッチング時間を調整する必要があり、工程が複雑である。
【０００７】
そこで、本発明者がフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板について鋭意研究を行ったところ、ＳＯＩ基板製造の段階で、ＢＯＸ層中にピラーを形成しておき、ＳＯＩ層を剥離することを念頭においた基板を作ることができれば、簡便にフレキシブル基板上に転写することが可能になると考えた。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、フレキシブルデバイスを簡便に作製するためのＳＯＩ基板の製造方法、およびＳｉ薄膜の転写方法、ならびにＳＩＭＯＸ基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、シリコン基板に酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコン基板に熱処理を施して前記酸素イオン注入層をＢＯＸ層に変え、該ＢＯＸ層上にＳｉ薄膜を有するＳＯＩ基板を製造するＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ基板の製造方法であって、
前記酸素イオン注入層を形成する際、前記シリコン基板の表面に、予めフォトレジストを使用してフォトリソグラフィーを行いマスクパターンを形成し、該マスクパターンを形成した状態で前記酸素イオンの注入を行うことによって、前記酸素イオン注入層中に前記酸素イオンが注入されていない未注入領域を形成しておき、
該未注入領域を形成した状態で前記熱処理を施すことで、前記ＢＯＸ層中に、シリコンピラーであるピンホールを予め意図的に形成しておいたフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板を製造することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法を提供する。
【００１０】
このようなＳＯＩ基板の製造方法であれば、ＳＯＩ基板製造の段階でＢＯＸ層中に、従来のＳｉ薄膜の転写法におけるピラーの代わりとなるピンホールを形成し、後にＳｉ薄膜を剥離・転写することを念頭においたＳＯＩ基板を作ることができる。そして、該製造したＳＯＩ基板をフレキシブルデバイスの作製時に用いることで、フレキシブル基板へのＳｉ薄膜の転写において、従来のような複雑な工程を行うことなく、単純な工程で、簡便に転写することが可能になる。そして従来よりも転写成功率を向上させることができ、デバイス製造において歩留りの向上や高品質化、低コスト化を図ることができる。
【００１１】
ここで、前記マスクパターンを形成するとき、一辺が１μｍから３μｍの正方形のマスクを５μｍから１０μｍの間隔で配置することができる。
または、前記マスクパターンを形成するとき、直径が１μｍから３μｍの円のマスクを５μｍから１０μｍの間隔で配置することができる。
【００１２】
このようにすれば、四角柱や円柱のシリコンピラー（ピンホール）をＢＯＸ層中に、Ｓｉ薄膜遊離防止のため、またＳｉ薄膜転写のために、より適切な密度で形成することができる。このため、Ｓｉ薄膜の転写成功率をより一層高くすることができる。また転写の際の剥離工程において、シリコンピラーによるバリの発生を抑制し、バリの除去などの余計な工程が必要になるのを効果的に防ぐことができる。
【００１３】
また本発明は、Ｓｉ薄膜の転写方法であって、
上記ＳＯＩ基板の製造方法によりＳＯＩ基板を製造して用意する工程と、
前記Ｓｉ薄膜に、前記ＢＯＸ層に通じる開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じて前記ＳＯＩ基板の前記ＢＯＸ層をエッチングして、前記Ｓｉ薄膜との間に中空部を形成する工程と、
前記Ｓｉ薄膜の表面をフレキシブル基板に密着させる工程と、
前記Ｓｉ薄膜を前記ＳＯＩ基板から引き離して、前記フレキシブル基板に転写する工程と、
を有することを特徴とするＳｉ薄膜の転写方法を提供する。
【００１４】
このような転写方法であれば、従来では複雑な工程が必要とされたフレキシブル基板へのＳｉ薄膜の転写を、単純な工程で簡単に行うことが可能になる。
【００１５】
また本発明は、シリコン基板上にＢＯＸ層を有し、該ＢＯＸ層上にＳｉ薄膜を有するＳＩＭＯＸ基板であって、
前記ＢＯＸ層中に、
一辺が１μｍから３μｍの四角柱または直径が１μｍから３μｍの円柱のシリコンピラーが、５μｍから１０μｍの間隔で配置されているフレキシブルデバイス作製用のＳＯＩ基板であることを特徴とするＳＩＭＯＸ基板を提供する。
【００１６】
このようなＳＩＭＯＸ基板であれば、Ｓｉ薄膜の遊離防止やＳｉ薄膜の転写に適した密度での四角柱や円柱のシリコンピラーがＢＯＸ層中に配置されている。従ってフレキシブル基板へＳｉ薄膜を転写する際、簡便に転写することができ、転写成功率を高くすることができる。このため、デバイス製造において高歩留り、高品質化、低コスト化を図ることができる。また転写の際の剥離工程において、シリコンピラーによるバリの発生を抑制し、バリ除去などの余計な工程が必要になるのを効果的に防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明のＳＯＩ基板の製造方法およびＳｉ薄膜の転写方法、ならびにＳＩＭＯＸ基板であれば、ＢＯＸ層中にピンホールと呼ばれるシリコン酸化膜になっていない部分（シリコンピラー）が含まれており、これが従来のＳｉ薄膜の転写方法におけるピラーの代わりとなる。そしてこのシリコンピラーが予め形成されていることにより、フレキシブル基板へのＳｉ薄膜の転写工程が単純化され、従来よりも簡便かつ確実に行うことができ、デバイス製造において高歩留り、高品質化、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のＳＩＭＯＸ基板の一例を示す概略図である。
【図２】本発明のＳＯＩ基板の製造方法およびＳｉ薄膜の転写方法の工程の一例を示すフロー図である。
【図３】表面異物、ＢＯＸ層、ピンホールの位置関係を示す説明図である。
【図４】従来のＳｉ薄膜転写方法の工程の一例を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明について図面を参照して実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
ＳＩＭＯＸ法とは、シリコン基板に酸素をイオン注入し、高温で熱処理することにより、酸素が過飽和に含まれている領域（酸素イオン注入層）を埋め込み酸化膜（ＢＯＸ層）に変換するもので、該ＢＯＸ層上にＳｉ薄膜が残りＳＯＩが形成される技術である。
酸素イオンを注入する際に、基板表面に付着したパーティクル等の表面異物の影響により酸素イオンが基板内に注入されず、埋め込み酸化膜が形成されずにシリコンが残存した部分（未注入領域）ができることがある。熱処理をしてもこの部分が酸化膜にされずにＳｉのままの状態となり、ＢＯＸ層中におけるピンホールと定義されている。図３に、表面異物、ＢＯＸ層、ピンホールの位置関係を示す。
ピンホールが存在すると埋め込み酸化膜の絶縁性が保たれず、デバイスの歩留まり低下の直接的な原因の一つとなる。そのため、ピンホールはＳＩＭＯＸ法によるＳＯＩ作製プロセスにおいて重要な項目である。
【００２０】
特開平９−２６０６２２号公報の（０００３）〜（０００５）によれば、このようなピンホールは、低ドーズＳＩＭＯＸ基板では３０個／ｃｍ２、ＩＴＯＸ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）技術を用いたＳＩＭＯＸ基板でも５個／ｃｍ２程度は存在するため、この密度を低減することがＳＩＭＯＸ基板の１つの技術課題となっている。すなわち、従来のＳＩＭＯＸ基板の製造においては、意図せず発生してしまうピンホールをできるだけ低減しようとしている。
【００２１】
これに対し本発明は、前述したように、このようなピンホールを積極的に利用するところに特徴がある。従来の製法で作製されたＳＩＭＯＸ基板においては、上記のように意図せず発生するピンホールの密度は数個〜数十個／ｃｍ２程度であり、Ｓｉ薄膜の転写に利用するには少なすぎるため、本発明においてはピンホールを意図的に形成する。それによって密度の増加を図る。このように、本発明におけるＳＯＩ基板の製造条件は、従来のＳＩＭＯＸ基板の製法の目的とは相反する条件であり、そのような条件の下、ＳＩＭＯＸ基板を作製するものであり、それをＳｉ薄膜の転写に利用する。
【００２２】
以下、本発明のＳＩＭＯＸ基板について、図１を参照して説明する。
本発明のＳＩＭＯＸ基板１は、ＳＩＭＯＸ法により製造されたＳＯＩ基板であり、フレキシブルデバイス作製用のものである。図１に示すように、シリコン単結晶基板２上にＢＯＸ層３を有し、ＢＯＸ層３の上にＳｉ薄膜（ＳＯＩ層４）を有している。そして、ＢＯＸ層３中には、シリコンピラー５が複数配置されている。この各々のシリコンピラー５は、一辺が１μｍから３μｍの四角柱または直径が１μｍから３μｍの円柱の形状であることが好ましい。すなわち、ＳＩＭＯＸ基板１を上から見たとき、正方形または円となっている。このような形状のシリコンピラーが５μｍから１０μｍの間隔で配置されていることが好ましい。
【００２３】
このようなものであれば、ＢＯＸ層３中にシリコンピラー５を予め有しているため、ＳＯＩ層４をフレキシブル基板へ転写するとき、従来法のような複雑で難しい工程は必要とせず、単純で簡単な工程で転写することができ、歩留り、品質、コスト面での改善を図ることができる。
また、上記のようなシリコンピラー５の形状および配置は、転写の際の剥離工程において、シリコンピラーによるバリの発生を抑制するのに適している。このため、バリを除去するための余分な工程の必要性をなくすのに効果的である。
【００２４】
次に、上記のようなＳＩＭＯＸ基板１を製造する本発明のＳＯＩ基板の製造方法と、該ＳＩＭＯＸ基板１を用いた本発明のＳｉ薄膜の転写方法について、図２を参照して説明する。
最初にスタート基板として、シリコン単結晶基板２’を準備する（工程１）。
基板表面に予めフォトレジストを使用して所定の密度でフォトリソグラフィーを行いパターンを形成し（工程２）、このレジストパターン（マスクパターン）を酸素イオン注入のシャドーマスク６として使用する。なお、本発明の製造方法において、パターン密度は特に限定されず、適宜決定することができる。特には下記のようなマスクの大きさ、配置とすることができる。
【００２５】
マスクの大きさや形状は１μｍから３μｍの正方形または直径１μｍから３μｍの円とし、５μｍから１０μｍの間隔で配置すると、後工程でのＳｉ薄膜（ＳＯＩ層）の転写成功率をより高くすることができる。マスク６であるレジストは、この後に続く酸素イオン注入工程の条件次第では灰化してしまう可能性があるが、注入イオンのマスクとなれば良い。
またレジストパターンの密度であるが、前述したように特に限定されるわけではないが、高密度に配置しすぎると、後の剥離用のＳＯＩ島形成のパターンニングに高精度を要求することになり工程が煩雑になるので適宜調整すると良い。また形状は、上述したように正方形や円など、出来るだけ等方的なものが良い。これはこの後のエッチングがＨＦによる等方エッチングであり、エッチング残渣を残さないようにするためである。またパターンサイズが大きすぎると後の剥離工程でバリの原因となり易い。またパターン配置が疎らすぎると剥離前のＳＯＩ層を保持するのが難しくなる。そこで、前述したような形状、サイズ、配置とすると、上記のエッチング残渣やバリの発生などの問題が生じるのをより効果的に抑制することができるので好ましい。これらの問題を別途除去するための余計な工程を施す必要もなくすことができる。
【００２６】
次の工程として、酸素をイオン注入しシリコン単結晶基板２’の中に酸素過剰な層（酸素イオン注入層７）を作る（工程３）。この際、基板上のマスクパターンの影響で酸素イオンが遮られ、酸素イオンが注入されない領域（未注入領域８）が形成される。従来は、ＳＩＭＯＸ基板の製造時、この酸素イオン注入を２回に分けて行うなどして、このＢＯＸ層中のピンホールとなる未注入領域を極力減らしていた。しかしながら本発明では、そのまま次のアニール工程に進めて、酸素イオン注入層７を酸化し、シリコン酸化膜（ＢＯＸ層３）とする（工程４）。このＢＯＸ層３中において、上記の未注入領域８のシリコンはアニール工程を施しても酸化されることもなく、該酸化されていないシリコンはピラー状に残留することになる。このような本発明のＳＯＩ基板の製造方法により、シリコン単結晶基板２上にＢＯＸ層３、ＳＯＩ層４を有し、意図的にＢＯＸ３層中にピンホール（シリコンピラー５）を予め形成したＳＯＩ基板を製造することができる（すなわち、図１のＳＩＭＯＸ基板１）。
【００２７】
次にこのようにして製造して用意したＳＯＩ基板を用いて本発明のＳｉ薄膜の転写方法を行う。まず、フォトリソグラフィーとエッチングによりＳＯＩ層４に部分的に窓開けを行って（開口部９の形成）、ＳＯＩ島１０を形成する（工程５）。
さらにＨＦにて開口部９を通じてＢＯＸ層３をエッチングし、ＢＯＸ層３中に中空部１１を形成するとともにシリコンピラー５を残す（工程６）。
この状態で、ＳＯＩ層４の表面をポリエチレン等のフレキシブル基板１２上に密着して貼りつける（工程７）。このとき、例えば水を介して密着させることができ、密着後に加熱して水を乾燥させることができる。
加熱により水が乾燥することによって、ＳＯＩ層４はシリコン単結晶基板２側から引き離され、フレキシブル基板１２側への転写が行われる（工程８）。
【００２８】
以上のような本発明のＳＯＩ基板の製造方法およびＳｉ薄膜の転写方法によって、従来とは異なり、複雑で条件の厳しい工程を行うことなく、簡便にＳｉ薄膜（ＳＯＩ層）をフレキシブル基板へと転写することが可能である。単純な工程で行うことができ、転写成功率の改善を図ることができる。それによって、フレキシブルデバイスの作製において、高歩留り、高品質化、低コスト化を実現することが可能になる。
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
抵抗率１０Ω・ｃｍのボロンドープ、直径２００ｍｍ、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶ウェーハを準備し、該ウェーハ表面にポジレジストにてフォトリソグラフィーを行い、２μｍ角の四角形状のパターンを１０μｍ間隔で配置した。その後、このウェーハに酸素イオンを４Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２、加速エネルギー１８０ｋｅＶで注入した。この後１３５０℃で４時間、酸素濃度０．５％のＡｒガス雰囲気下でアニールを行い、ＳＩＭＯＸ基板を形成した。ＢＯＸ層中には、上記レジストパターンに対応して四角柱のピンホール（シリコンピラー）が形成されていた。
【００３０】
これにフォトリソグラフィーにより再度パターン形成を行い、１ｍｍ２のＳＯＩ島を形成した（ＳＯＩ島の周辺部は下地の酸化膜（ＢＯＸ層）が露出）。これを３％ＨＦ水溶液にＨＮＯ３を３％添加した水溶液中に浸漬してＳＯＩ島直下の酸化膜をエッチングし、ＳＯＩ層とシリコン単結晶ウェーハの間にシリコンピラーのみが残るようにした（他領域は中空部）。この後、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂からなるフレキシブル基板に水を介在させて貼り合わせ、加熱して水を乾燥させた後にシリコンピラー部分を引きはがすことによってＳＩＭＯＸ基板のＳＯＩ層（Ｓｉ薄膜）をフレキシブル基板に転写することができた。
【００３１】
（実施例２）
抵抗率１０Ω・ｃｍのボロンドープ、直径２００ｍｍ、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶ウェーハを準備し、該ウェーハ表面にポジレジストにてフォトリソグラフィーを行い、直径２μｍの円のパターンを１０μｍ間隔で配置した。その後、このウェーハに酸素イオンを４Ｅ１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２、加速エネルギー１８０ｋｅＶで注入した。この後１３５０℃で４時間、酸素濃度０．５％のＡｒガス雰囲気下でアニールを行い、さらにＩＴＯＸ処理として１３５０℃で４時間、酸化性雰囲気下でアニールを行いＳＩＭＯＸ基板を形成した。ＢＯＸ層中には、上記レジストパターンに対応して四角柱のピンホール（シリコンピラー）が形成されていた。
【００３２】
これにフォトリソグラフィーにより再度パターン形成を行い、１ｍｍ２のＳＯＩ島を形成した（ＳＯＩ島の周辺部は下地の酸化膜（ＢＯＸ層）が露出）。これを３％ＨＦ水溶液にＨＮＯ３を３％添加した水溶液中に浸漬してＳＯＩ島直下の酸化膜をエッチングし、ＳＯＩ層とシリコン単結晶ウェーハの間にシリコンピラーのみが残るようにした（他領域は中空部）。この後、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂からなるフレキシブル基板に水を介在させて貼り合わせ、加熱して水を乾燥させた後にシリコンピラー部分を引きはがすことによってＳＩＭＯＸ基板のＳＯＩ層（Ｓｉ薄膜）をフレキシブル基板に転写することができた。
【００３３】
実施例１、２のいずれも、エッチング時間の調整など複雑で厳しい条件の工程を行うことなく、そのような従来法よりも簡単に、かつ、転写成功率も高く転写することができた。
【００３４】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００３５】
１…本発明のＳＩＭＯＸ基板、  ２、２’…シリコン単結晶基板、  ３…ＢＯＸ層、
４…ＳＯＩ層、  ５…シリコンピラー、  ６…マスク、
７…酸素イオン注入層、  ８…未注入領域、  ９…開口部、
１０…ＳＯＩ島、  １１…中空部、  １２…フレキシブル基板。
【図１】
2020088059.tif 000003
【図２】
2020088059.tif 000004
【図３】
2020088059.tif 000005
【図４】
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