(57)【要約】      （修正有）【課題】発光効率が高い発光素子を提供する。【解決手段】第１の電極１０１と第２の電極１０２と、第１の電極および第２の電極の間に設けられたＥＬ層１５０と、を有する発光素子であって、ＥＬ層は、第１の領域と第２の領域１８０とを有し、第１の領域は、第１の注入層１１１ａと第１の発光層１２０と第２の発光層１３０とを有し、第２の領域は、第２の注入層１１１ｂと第１の発光層１２０と第２の発光層１３０とを有し、第１の注入層は、第１の電極に接する領域を有し、第２の注入層は、第１の電極に接する領域を有し、第１の発光層は、第１の発光材料と第１のホスト材料とを有し、第２の発光層は、第２の発光材料と第２のホスト材料とを有し、第１の発光材料は、第２の発光材料とは異なる発光スペクトルを有する発光を呈する機能を有し、第１の領域が呈することができる光の色は、第２の領域が呈することができる光の色と異なる。【選択図】図１
2020205452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に設けられたＥＬ層と、を有する発光素子であって、
前記ＥＬ層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域と前記第２の領域との間に隔壁を有し、
前記第１の領域は、第１の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
前記第２の領域は、第２の注入層と、前記第１の発光層と、前記第２の発光層と、を有し、
前記第１の注入層の導電率は、前記第２の注入層の導電率と異なり、
前記第１の発光層は、第１の発光材料と、第１のホスト材料と、を有し、
前記第２の発光層は、第２の発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、
前記第２のホスト材料は、第１の化合物と、第２の化合物と、を有し、
前記第１の化合物と、前記第２の化合物と、が励起錯体を形成することができ、
前記第１のホスト材料の三重項励起エネルギー準位は、前記第１の化合物の三重項励起エネルギー準位より低く、
前記第１のホスト材料の三重項励起エネルギー準位は、前記第２の化合物の三重項励起エネルギー準位より低く、
前記第１の発光材料は、前記第２の発光材料とは異なる発光スペクトルを有する発光を呈する機能を有し、
前記第１の領域が呈することができる光の色は、前記第２の領域が呈することができる光の色と、異なる、発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の発光材料は、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有し、
前記第２の発光材料は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する、発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のホスト材料の一重項励起エネルギー準位は、前記第１の発光材料の一重項励起エネルギー準位より高く、
前記第１のホスト材料の三重項励起エネルギー準位は、前記第１の発光材料の三重項励起エネルギー準位より低い、発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の発光層と、前記第２の発光層、とが接する領域を有する、発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の発光材料は、一重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有し、
前記第２の発光材料は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する、発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子と、カラーフィルタ及びトランジスタの少なくとも一と、を有する表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の表示装置と、筐体またはタッチセンサの少なくとも一と、を有する電子機器。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子と、筐体またはタッチセンサの少なくとも一と、を有する照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、発光素子、または該発光素子を有する表示装置、電子機器、及び照
明装置に関する。
【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明
の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様
は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マ
ター）に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野
としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶
装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる
。
【背景技術】
【０００３】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）
を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだ構成である。この素子の電極
間に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
【０００４】
上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れ、バッ
クライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製で
き、応答速度が高いなどの利点も有する。
【０００５】
また、上述の発光素子を表示装置に用いる場合、画素中の各副画素にそれぞれ互いに異
なる色を発光する機能を有するＥＬ層を設ける方法（以下、塗り分け方式と呼ぶ）と、画
素中の副画素に例えば白色を発光する機能を有する共通のＥＬ層を設け、各副画素にそれ
ぞれ異なる色の光を透過する機能を有するカラーフィルタを設ける方法（以下、カラーフ
ィルタ方式と呼ぶ）がある。
【０００６】
カラーフィルタ方式の利点としては、全副画素でＥＬ層を共通とすることができるため
、塗り分け方式と比較して、ＥＬ層の材料の損失が少なく、またＥＬ層形成時のパターン
形成に要するコストを少なくできるため、表示装置を低コストで高い生産性をもって製造
できることが挙げられる。次に、塗り分け方式においては、各副画素のＥＬ層の材料が互
いに混入することを防ぐために、各副画素間に余白が必要となるが、カラーフィルタ方式
では当該余白が不要であるため、より画素の密度が高く高精細な表示装置を実現すること
が挙げられる。
【０００７】
上記発光素子は、ＥＬ層に含まれる発光性の物質の種類によって、様々な発光色を提供
することができる。特に、照明装置、及びカラーフィルタ方式の表示装置への応用を考え
た場合、白色発光またはそれに近い色の発光が高効率で得られる発光素子が求められてい
る。また、消費電力の少ない発光素子が求められている。
【０００８】
発光素子の発光効率を向上させるためには、発光素子からの光の取出し効率を向上させ
ることが重要である。発光素子からの光の取り出し効率を向上させるために、一対の電極
間で光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を採用し、特定波
長における光強度を増加させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
また、白色を発光する発光素子として、複数のＥＬ層の間に電荷発生層を設ける素子（
タンデム素子ともいう）が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２−１８２１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
タンデム素子は、異なる発光色を有する発光材料をそれぞれ異なるＥＬ層に用いること
ができるため、白色発光素子を作製するのに好適である。しかしながら、タンデム素子は
成膜層数が多いため、製造工程が多く製造コストが高いという課題がある。
【００１２】
また、フルカラー表示が可能な表示装置を製造する方法として、塗り分け方式では、微
細な開口を有するシャドウマスクを用いて必要な副画素のみに該発光層を蒸着する工程が
必要であるため、シャドウマスクの開口部を所望の位置に配置（アライメントともいう）
する精度が高く要求される。また、発光層を必要な副画素に塗り分けるときに、隣接する
副画素に発光性の物質が混入する場合があるため、表示装置の製造における歩留りが低下
するという課題がある。また、高精細な表示が可能な表示装置においては、さらに高いア
ライメント精度が要求されるため、表示装置の製造における歩留りが低下し、製造コスト
が増大するという課題がある。
【００１３】
これに対して、カラーフィルタ方式では、上記のような微細な開口を有するシャドウマ
スクが不要なため、表示装置を高い生産性をもって製造することができる。しかしながら
、カラーフィルタ方式では、白色発光する発光層を、各副画素に共通に成膜するため、各
副画素に必要のない色の発光も含んでしまう。そのため、カラーフィルタ方式は、塗り分
け方式と比べて、光の利用効率が悪いという課題がある。
【００１４】
また、光取り出し効率を向上する手段であるマイクロキャビティ構造は、各副画素に必
要な発光色に適するよう電極間の光学距離を調整するため、ＥＬ層及び電極の膜厚を調整
する必要があり、副画素を作り分けるためのフォトマスクまたはシャドウマスクが必要と
なる。したがって、表示装置の製造における歩留りが低下し、製造コストが増大するとい
う課題がある。
【００１５】
そのため、生産性の優れた発光素子が求められている。白色を呈する発光素子の発光効
率を高めることが求められている。また、光の利用効率が高い発光素子が求められている
。
【００１６】
したがって、本発明の一態様では、新規な発光素子を提供することを課題の一とする。
または、本発明の一態様では、発光効率が高い発光素子を提供することを課題の一とする
。または、複数の発光層を有するＥＬ層を含む新規な発光素子を提供することを課題の一
とする。または、本発明の一態様では、成膜工程数が比較的少なく、製造しやすい発光素
子を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、消費電力が低減され
た発光素子を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な発光
装置を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様では、新規な表示装置を
提供することを課題の一とする。
【００１７】
なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必
ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載
から自ずと明らかであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能であ
る。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一態様は、ＥＬ層が有する注入層を異ならせることで、キャリア再結合領域を
制御し、複数の発光層を有するＥＬ層から呈する発光の発光色を制御することが可能な発
光素子である。
【００１９】
また、本発明の一態様は、複数の発光層を有するＥＬ層を含む発光素子において、比較
的少ない成膜層数で製造可能な発光素子である。
【００２０】
したがって、本発明の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、第１の電極および第２
の電極の間に設けられたＥＬ層と、を有する発光素子であって、ＥＬ層は、第１の領域と
、第２の領域と、を有し、第１の領域は、第１の注入層と、第１の発光層と、第２の発光
層と、を有し、第２の領域は、第２の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有
し、第１の注入層は、第１の電極に接する領域を有し、第２の注入層は、第１の電極に接
する領域を有し、第１の発光層は、第１の発光材料と、第１のホスト材料と、を有し、第
２の発光層は、第２の発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、第１の発光材料は、第
２の発光材料とは異なる発光スペクトルを有する発光を呈する機能を有し、第１の領域が
呈することができる光の色は、第２の領域が呈することができる光の色と、異なる発光素
子である。
【００２１】
また、本発明の他の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、ＥＬ層と
、を有する発光素子であって、ＥＬ層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、第１の
領域は、第１の電極と、第２の電極との間に設けられ、第２の領域は、第２の電極と、第
３の電極との間に設けられ、第１の領域は、第１の注入層と、第１の発光層と、第２の発
光層と、を有し、第２の領域は、第２の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を
有し、第１の注入層は、第１の電極に接する領域を有し、第２の注入層は、第３の電極に
接する領域を有し、第１の発光層は、第１の発光材料と、第１のホスト材料と、を有し、
第２の発光層は、第２の発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、第１の発光材料は、
第２の発光材料とは異なる発光スペクトルを有する発光を呈する機能を有し、第１の領域
が呈することができる光の色は、第２の領域が呈することができる光の色と、異なる発光
素子である。
【００２２】
また、本発明の他の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、ＥＬ層と
、を有する発光素子であって、ＥＬ層は、第１の領域と、第２の領域と、を有し、第１の
領域は、第１の電極と、第２の電極との間に設けられ、第２の領域は、第２の電極と、第
３の電極との間に設けられ、第１の領域は、第１の注入層と、第１の発光層と、第２の発
光層と、を有し、第２の領域は、第２の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を
有し、第１の注入層は、第２の電極に接する領域を有し、第２の注入層は、第２の電極に
接する領域を有し、第１の発光層は、第１の発光材料と、第１のホスト材料と、を有し、
第２の発光層は、第２の発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、第１の発光材料は、
第２の発光材料と異なる発光スペクトルを有する発光を呈する機能を有し、第１の領域が
呈することができる光の色は、第２の領域が呈することができる光の色と、異なる発光素
子である。
【００２３】
また、本発明の他の一態様は、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、ＥＬ層と
、を有する発光素子であって、ＥＬ層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、
を有し、第１の領域、及び第２の領域は、第１の電極と、第２の電極との間に設けられ、
第３の領域は、第２の電極と、第３の電極との間に設けられ、第１の電極は、可視光を透
過する機能を有する第１の導電膜を有し、第３の電極は、可視光を透過する機能を有する
第２の導電膜を有し、第１の領域は、第１の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と
、を有し、第２の領域は、第２の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、
第３の領域は、第２の注入層と、第１の発光層と、第２の発光層と、を有し、第１の領域
において、第１の注入層は、第１の電極に接する領域を有し、第２の領域において、第２
の注入層は、第１の電極に接する領域を有し、第３の領域において、第２の注入層は、第
３の電極に接する領域を有し、第１の発光層は、第１の発光材料と、第１のホスト材料と
、を有し、第２の発光層は、第２の発光材料と、第２のホスト材料と、を有し、第１の発
光材料は、第２の発光材料とは異なる発光スペクトルを有する発光を呈する機能を有し、
第２の導電膜は、第１の導電膜より、膜厚が厚い領域を有し、第２の注入層は、第１の注
入層より、膜厚が厚い領域を有し、第３の領域が呈する光は、第２の領域が呈する光より
、発光スペクトルのピーク波長が長波長であり、第２の領域が呈する光は、第１の領域が
呈する光より、発光スペクトルのピーク波長が長波長である発光素子である。
【００２４】
また、上記構成において、第１の領域が呈する発光は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満
の波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有し、第２の領域が呈する発光は
、４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを
有し、第３の領域が呈する発光は、５８０ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域に少なくと
も一つの発光スペクトルピークを有すると好ましい。
【００２５】
また、上記各構成において、第１の電極と、第３の電極と、が同じ材料を有する領域を
有する発光素子が好ましい。
【００２６】
また、上記各構成において、第１の注入層は、第１のアクセプター材料と、第１のドナ
ー材料と、を有し、第２の注入層は、第２のアクセプター材料と、第２のドナー材料と、
有すると好ましい。
【００２７】
また、上記各構成において、第１の注入層は、第１のアクセプター材料と、第１のドナ
ー材料と、を有し、第２の注入層は、第１のアクセプター材料と、第２のドナー材料と、
を有すると好ましい。
【００２８】
また、上記各構成において、第１の注入層は、第１のアクセプター材料と、第１のドナ
ー材料と、を有し、第２の注入層は、第２のアクセプター材料と、第１のドナー材料と、
を有すると好ましい。
【００２９】
また、上記各構成において、第１の注入層は、第１のアクセプター材料と、第１のドナ
ー材料と、を有し、第２の注入層は、第１のアクセプター材料と、第１のドナー材料と、
を有し、第１の注入層が有する第１のアクセプター材料と、第１のドナー材料と、の混合
比は、第２の注入層が有する第１のアクセプター材料と、第１のドナー材料と、の混合比
と異なると好ましい。
【００３０】
また、上記各構成において、第１のドナー材料のＨＯＭＯ準位は、第２のドナー材料の
ＨＯＭＯ準位と異なると好ましい。
【００３１】
また、上記各構成において、ＥＬ層は、キャリア輸送層を有し、キャリア輸送層は、第
１の注入層と接する領域を有し、キャリア輸送層は、第２の注入層と接する領域を有し、
キャリア輸送層は、キャリア輸送性材料を有し、キャリア輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、
第１のドナー材料のＨＯＭＯ準位と、第２のドナー材料のＨＯＭＯ準位と、の間に位置す
ると好ましい。
【００３２】
また、上記各構成において、ＥＬ層は、キャリア輸送層を有し、キャリア輸送層は、第
１の注入層と接する領域を有し、キャリア輸送層は、第２の注入層と接する領域を有し、
キャリア輸送層は、キャリア輸送性材料を有し、キャリア輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、
第１のドナー材料のＨＯＭＯ準位または第２のドナー材料のＨＯＭＯ準位の一方と等しく
、第１のドナー材料のＨＯＭＯ準位または第２のドナー材料のＨＯＭＯ準位の他方と異な
ると好ましい。
【００３３】
また、上記各構成において、第１の注入層の導電率は、第２の注入層の導電率と異なる
と好ましい。
【００３４】
また、上記各構成において、第１の発光材料は、紫色、青色、または青緑色の中から選
ばれる、少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有し、第２の
発光材料は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少なくとも一つ
の波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有すると好ましい。
【００３５】
また、上記各構成において、第１のホスト材料の一重項励起エネルギー準位は、第１の
発光材料の一重項励起エネルギー準位より高く、第１のホスト材料の三重項励起エネルギ
ー準位は、第１の発光材料の三重項励起エネルギー準位より低いと好ましい。
【００３６】
また、上記各構成において、第２のホスト材料は、第１の化合物と、第２の化合物と、
を有し、第１の化合物と、第２の化合物と、が励起錯体を形成すると好ましい。
【００３７】
また、上記構成において、第１のホスト材料の三重項励起エネルギー準位は、第１の化
合物の三重項励起エネルギー準位より低く、第１のホスト材料の三重項励起エネルギー準
位は、第２の化合物の三重項励起エネルギー準位より低いと好ましい。
【００３８】
また、上記各構成において、第１の発光層と、第２の発光層、とが接する領域を有する
発光素子が好ましい。
【００３９】
また、上記各構成において、第１の発光材料は、一重項励起エネルギーを発光に変換で
きる機能を有し、第２の発光材料は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有
すると好ましい。
【００４０】
また、本発明の他の一態様は、上記各構成の発光素子と、カラーフィルタ及びトランジ
スタの少なくとも一と、を有する表示装置である。また、本発明の他の一態様は、当該表
示装置と、筐体またはタッチセンサの少なくとも一と、を有する電子機器である。また、
本発明の他の一態様は、上記各構成の発光素子と、筐体またはタッチセンサの少なくとも
一と、を有する照明装置である。また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だ
けでなく、発光装置を有する電子機器も範疇に含める。従って、本明細書中における発光
装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置に
コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、Ｔ
ＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられた表示モジュール、
ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられた表示モジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃ
ｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装された表示モジュー
ルも発光装置を含む場合がある。
【発明の効果】
【００４１】
本発明の一態様により、新規な発光素子を提供することができる。または、本発明の一
態様では、発光効率が高い発光素子を提供することができる。または、複数の発光層を有
するＥＬ層を含む新規な発光素子を提供することができる。または、本発明の一態様では
、成膜工程数が比較的少なく、製造しやすい発光素子を提供することができる。または、
本発明の一態様では、消費電力が低減された発光素子を提供することができる。または、
本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様
では、新規な表示装置を提供することができる。
【００４２】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、
必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかであり、明細書、図面、請求項などの記載
から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図２】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図３】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図４】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図５】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図６】本発明の一態様の発光素子の作製方法を説明する断面模式図。
【図７】本発明の一態様の発光素子の作製方法を説明する断面模式図。
【図８】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図９】本発明の一態様の発光素子のエネルギー準位の相関を説明する模式図。
【図１０】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図１１】本発明の一態様の発光素子の断面模式図。
【図１２】本発明の一態様の表示装置を説明する上面図及び断面模式図。
【図１３】本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。
【図１４】本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。
【図１５】本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。
【図１６】本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。
【図１７】本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。
【図１８】本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図。
【図１９】本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図及び回路図。
【図２０】本発明の一態様の表示装置の画素回路を説明する回路図。
【図２１】本発明の一態様の表示装置の画素回路を説明する回路図。
【図２２】本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す斜視図。
【図２３】本発明の一態様の表示装置、及びタッチセンサの一例を示す断面図。
【図２４】本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す断面図。
【図２５】本発明の一態様に係るタッチセンサのブロック図及びタイミングチャート図。
【図２６】本発明の一態様に係るタッチセンサの回路図。
【図２７】本発明の一態様の表示モジュールを説明する斜視図。
【図２８】本発明の一態様の電子機器について説明する図。
【図２９】本発明の一態様の発光装置を説明する斜視図及び断面図。
【図３０】本発明の一態様の発光装置を説明する断面図。
【図３１】本発明の一態様の照明装置及び電子機器を説明する図。
【図３２】本発明の一態様の照明装置について説明する図。
【図３３】実施例に係る、試料の電流密度−電圧特性を説明する図。
【図３４】実施例に係る、試料の電流密度−電圧特性を説明する図。
【図３５】実施例に係る、試料の電流密度−電圧特性を説明する図。
【図３６】実施例に係る、発光素子を説明する断面模式図。
【図３７】実施例に係る、発光素子の電流効率−輝度特性を説明する図。
【図３８】実施例に係る、発光素子の輝度−電圧特性を説明する図。
【図３９】実施例に係る、発光素子の電界発光スペクトルを説明する図。
【図４０】実施例に係る、発光素子の電流効率−輝度特性を説明する図。
【図４１】実施例に係る、発光素子の輝度−電圧特性を説明する図。
【図４２】実施例に係る、発光素子の電界発光スペクトルを説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下
の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細
を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内
容に限定して解釈されない。
【００４５】
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、
実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、
必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００４６】
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いており、
工程順又は積層順を示さない場合がある。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又
は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載され
ている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合が
ある。
【００４７】
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを
指す符号は異なる図面間でも共通して用いる場合がある。
【００４８】
また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ
替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変
更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」
という用語に変更することが可能な場合がある。
【００４９】
また、本明細書等において、一重項励起状態は、励起エネルギーを有する一重項状態の
ことである。また、一重項励起エネルギー準位の最も低い準位（Ｓ１準位）は、最も低い
一重項励起状態の励起エネルギー準位のことである。また、三重項励起状態は、励起エネ
ルギーを有する三重項状態のことである。また、三重項励起エネルギー準位の最も低い準
位（Ｔ１準位）は、最も低い三重項励起状態の励起エネルギー準位のことである。
【００５０】
また、本明細書等において蛍光材料とは、一重項励起状態から基底状態へ緩和する際に
可視光領域に発光を与える材料である。燐光材料とは、三重項励起状態から基底状態へ緩
和する際に、室温において可視光領域に発光を与える材料である。換言すると燐光材料と
は、三重項励起エネルギーを可視光へ変換可能な材料の一つである。
【００５１】
なお、本明細書等において、室温とは、０℃以上４０℃以下のいずれかの温度をいう。
【００５２】
また、色とは、一般に色相（単色光の波長に相当）、彩度（あざやかさ即ち白みを帯び
ていない度合）および明度（明るさ即ち光の強弱）の三要素によって規定される。また、
本明細書等において色とは、上述の三要素のうちのいずれか一つの要素のみ、または任意
で選んだ２つの要素のみを示してもよい。また、本明細書において、２つの光の色が異な
るとは、上述の三要素のうちいずれか少なくとも一つが異なることをいい、さらに、２つ
の光のスペクトルの形状若しくは各ピークの相対強度の分布が異なることをも含む。
【００５３】
また、本明細書等において、青色の波長領域とは、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満の波
長領域であり、青色の発光は該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有す
る。また、緑色の波長領域とは、４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の波長領域であり、緑色
の発光は該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、赤色の波
長領域とは、５８０ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の波長領域であり、赤色の発光は該波長領域
に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。
【００５４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子について、図１乃至図７を用いて以下説
明する。
【００５５】
＜発光素子の構成例１＞
まず、本発明の一態様の発光素子の構成について、図１を用いて、以下説明する。
【００５６】
図１は、本発明の一態様の発光素子２５０の断面模式図である。
【００５７】
発光素子２５０は、一対の電極（電極１０１及び電極１０２）を有し、該一対の電極間
に設けられたＥＬ層１００を有する。ＥＬ層１００は、少なくとも発光層１５０を有する
。
【００５８】
また、発光素子２５０は、領域２１０ａ及び領域２１０ｂを有する。領域２１０ａにお
いて、ＥＬ層１００は、電極１０１に接するキャリア注入層１１１ａを有し、領域２１０
ｂにおいて、ＥＬ層１００は、電極１０１に接するキャリア注入層１１１ｂを有する。
【００５９】
また、図１に示すＥＬ層１００は、発光層１５０、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂ
の他に、キャリア輸送層１１２、キャリア輸送層１１８、及びキャリア注入層１１９等の
機能層を有する。また、発光層１５０は、少なくとも発光層１２０および発光層１３０を
有する。
【００６０】
なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、電極１０１を陽極として、電極１
０２を陰極として説明するが、発光素子２５０の構成としては、その限りではない。つま
り、電極１０１を陰極とし、電極１０２を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順
番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子
輸送層と、電子注入層と、が積層する順番とすればよい。したがって、キャリア注入層１
１１ａ、１１１ｂが、正孔注入層であっても電子注入層であってもよい。また、キャリア
輸送層１１２、キャリア輸送層１１８、及びキャリア注入層１１９は、それぞれ正孔輸送
層、電子輸送層、及び電子注入層であってもよく、または電子輸送層、正孔輸送層、及び
正孔注入層であってもよい。
【００６１】
なお、ＥＬ層１００の構成は、図１に示す構成に限定されず、キャリア輸送層１１２、
キャリア輸送層１１８、及びキャリア注入層１１９の中から選ばれた少なくとも一つを有
する構成とすればよい。または、ＥＬ層１００は、キャリア（正孔もしくは電子）の注入
障壁を低減する、キャリア（正孔もしくは電子）の輸送性を向上する、キャリア（正孔も
しくは電子）の輸送性を阻害する、または電極による消光現象を抑制する、ことができる
等の機能を有する機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっ
ても、複数の層が積層された構成であってもよい。
【００６２】
本発明の一態様の発光素子２５０においては、一対の電極（電極１０１及び電極１０２
）間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）が、それぞ
れＥＬ層１００に注入され、電流が流れる。そして、注入されたキャリア（電子及び正孔
）が再結合することによって、励起子が形成される。発光材料を有する発光層１５０にお
いて、キャリア（電子及び正孔）が再結合し、励起子が形成されると、発光層１５０が有
する発光材料が励起状態となり、発光材料から発光が得られる。
【００６３】
したがって、キャリア（電子及び正孔）の再結合する領域（キャリア再結合領域ともい
う）が、発光層１５０内に分布するよう制御することが、発光効率を高める上で重要とな
る。また、発光層１５０内でキャリアが再結合することで、発光層１５０内に発光材料が
発光する領域（発光領域ともいう）を形成される。
【００６４】
発光素子２５０のように、発光層１５０が発光層１２０及び発光層１３０という少なく
とも２つの発光層を有するとき、図１で示すように、発光領域１８０は発光層１２０及び
発光層１３０内の領域に分布する。このとき、発光層１２０および発光層１３０のうち、
一方の発光層でより多くのキャリアが再結合する場合、発光領域１８０は該一方の発光層
により多く分布するため、該一方の発光層からの発光が多くなり、他方の発光層からの発
光が少なくなる。または、双方の発光層でバランスよくキャリアが再結合する場合、発光
領域１８０は双方の発光層にバランスよく分布するため、双方の発光層が呈する発光をバ
ランスよく得ることが可能となる。
【００６５】
発光素子のキャリア再結合領域および発光領域が分布する領域は、正孔注入層と、正孔
輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、におけるキャリア（電子及び正孔）
注入性およびキャリア輸送性によって、影響を受ける。そのため、該キャリア注入性およ
びキャリア輸送性を制御することで、キャリア再結合領域および発光領域が分布する領域
を制御することができる。中でも、一対の電極の一方と接するキャリア注入層のキャリア
注入性及びキャリア輸送性は、キャリア再結合領域及び発光領域が分布する領域への影響
が大きい。したがって、キャリア注入層のキャリア注入性またはキャリア輸送性の少なく
とも一方を変化させることで、キャリア再結合領域および発光領域が分布する領域を変化
させることができる。
【００６６】
例えば、発光素子２５０において、キャリア注入層１１１ａのキャリア注入性を高くす
ることで、領域２１０ａにおける発光領域１８０を、発光層１５０内のキャリア輸送層１
１２から遠く、キャリア輸送層１１８に近い領域、すなわち発光層１３０からより多くの
発光が得られるよう制御することができる。また、キャリア注入層１１１ｂのキャリア注
入性を低くすることで、領域２１０ｂにおける発光領域１８０を、発光層１５０内のキャ
リア輸送層１１２に近く、キャリア輸送層１１８から遠い領域、すなわち発光層１２０か
らより多くの発光が得られるよう制御することができる。
【００６７】
発光層１５０が有する発光層１２０と、発光層１３０と、で発光色が異なる場合、キャ
リア再結合領域および発光領域が分布する領域を制御することで、一方の発光層が呈する
発光色を強めることが可能となる。すなわち、領域２１０ａと領域２１０ｂとが呈する発
光を、互いに異なる発光色または発光スペクトルを有する発光にすることができる。また
、領域２１０ａと領域２１０ｂとで、異なる色の発光を取り出すことが必要な場合、上記
構成によって領域２１０ａと領域２１０ｂとで、それぞれ所望の発光色になるよう、発光
領域１８０を制御することで、光の取り出し効率を向上させることが可能となる。
【００６８】
キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが正孔注入層である場合、キャリア注入層１１１ａ
、１１１ｂとして、例えば、電極１０１の仕事関数と同程度または小さいイオン化ポテン
シャルを有する材料を用いることで、電極１０１からキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂ
への正孔注入性を向上させることができる。また、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂと
して、例えば、電極１０１の仕事関数より大きいイオン化ポテンシャルを有する材料を用
いることで、電極１０１とキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂとの界面に正孔注入障壁が
生じるため、電極１０１からキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂの正孔注入性を低下させ
ることができる。
【００６９】
すなわち、本発明の一態様は、キャリア注入層１１１ａとキャリア注入層１１１ｂとが
、互いに異なるイオン化ポテンシャルを有する材料を有することで、キャリア注入層１１
１ａおよびキャリア注入層１１１ｂのキャリア注入性を、互いに異なる注入性にすること
ができる発光素子である。または、本発明の一態様は、キャリア注入層１１１ａとキャリ
ア注入層１１１ｂとが、互いに異なる最高被占軌道（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｐｉｅｄ
Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ、ＨＯＭＯともいう）準位を有する材料を有する
ことで、キャリア注入層１１１ａおよびキャリア注入層１１１ｂの正孔注入性を、互いに
異なる注入性にすることができる発光素子である。または、本発明の一態様は、キャリア
注入層１１１ａとキャリア注入層１１１ｂとが、互いに異なる最低空軌道（Ｌｏｗｅｓｔ
Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ、ＬＵＭＯともいう）準
位を有する材料を有することで、キャリア注入層１１１ａおよびキャリア注入層１１１ｂ
の電子注入性を、互いに異なる注入性にすることができる発光素子である。そうすること
で、発光素子２５０の領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア再結合領域および発光領
域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【００７０】
また、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが正孔注入層である場合、キャリア注入層１
１１ａ、１１１ｂとして、例えば、キャリア輸送層１１２に用いる材料よりＨＯＭＯ準位
が低い材料を用いることで、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂからキャリア輸送層１１
２への正孔輸送性を向上させることができる。または、キャリア輸送層１１２に用いる材
料よりＨＯＭＯ準位が高い材料を用いることで、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂとキ
ャリア輸送層１１２との界面に正孔注入障壁が生じるため、キャリア注入層１１１ａ、１
１１ｂからキャリア輸送層１１２への正孔輸送性を低下させることができる。
【００７１】
また、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが電子注入層である場合、キャリア注入層１
１１ａ、１１１ｂとして、例えば、キャリア輸送層１１２に用いる材料よりＬＵＭＯ準位
が高い材料を用いることで、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂからキャリア輸送層１１
２への電子輸送性を向上させることができる。または、キャリア輸送層１１２に用いる材
料よりＬＵＭＯ準位が低い材料を用いることで、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂとキ
ャリア輸送層１１２との界面で電子注入障壁が生じるため、キャリア注入層１１１ａ、１
１１ｂからキャリア輸送層１１２への電子輸送性を低下させることができる。
【００７２】
すなわち、本発明の一態様は、キャリア輸送層１１２が有する材料のＨＯＭＯ準位が、
キャリア注入層１１１ａが有する材料のＨＯＭＯ準位と、キャリア注入層１１１ｂが有す
る材料のＨＯＭＯ準位と、の間に位置する発光素子である。または、キャリア輸送層１１
２が有する材料のＨＯＭＯ準位が、キャリア注入層１１１ａが有する材料のＨＯＭＯ準位
もしくはキャリア注入層１１１ｂが有する材料のＨＯＭＯ準位の一方と等しく、他方と異
なる発光素子である。そうすることで、領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア再結合
領域および発光領域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【００７３】
または、本発明の一態様は、キャリア輸送層１１２が有する材料のＬＵＭＯ準位が、キ
ャリア注入層１１１ａが有する材料のＬＵＭＯ準位と、キャリア注入層１１１ｂが有する
材料のＬＵＭＯ準位と、の間に位置する発光素子である。または、キャリア輸送層１１２
が有する材料のＬＵＭＯ準位が、キャリア注入層１１１ａが有する材料のＬＵＭＯ準位も
しくはキャリア注入層１１１ｂが有する材料のＬＵＭＯ準位の一方と等しく、他方と異な
る発光素子である。そうすることで、領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア再結合領
域および発光領域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【００７４】
また、キャリア注入層１１１ａの導電率は、キャリア注入層１１１ｂの導電率と異なる
ことが好ましい。そうすることで、キャリア注入層１１１ａと、キャリア注入層１１１ｂ
とのキャリア輸送性を互いに異なるキャリア輸送性とすることができ、領域２１０ａと領
域２１０ｂとでキャリア再結合領域および発光領域が分布する領域を変化させることがで
きる。
【００７５】
キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが電子注入層である場合、キャリア注入層１１１ａ
、１１１ｂとしては、電極１０１からの電子注入性が高い材料を有すると好ましい。例え
ば、第１族金属、第２族金属、またはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用い
ることができる。
【００７６】
また、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂに、有機材料（アクセプター材料）と電子供
与体（ドナー材料）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、
電子供与体によって該有機材料に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優
れている。この場合、該有機材料としては、発生した電子の輸送に優れた材料（電子輸送
性材料）であることが好ましく、具体的には、金属錯体及び複素芳香族化合物等を用いる
ことができる。電子供与体としては、有機材料に対し電子供与性を示す材料であればよい
。具体的には、第１族金属、第２族金属、またはこれらの酸化物などを挙げることができ
る。
【００７７】
また、電子注入層として機能するキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが該複合材料で構
成される場合、電子輸送性材料（アクセプター材料）を変えることで、電子注入層の電子
注入性を変化させることができる。または、電子供与体（ドナー材料）を変えることで、
電子注入層の電子注入性を変化させることができる。または、電子輸送性材料（アクセプ
ター材料）と、電子供与体（ドナー材料）との混合比を変化させることで、電子注入層の
電子注入性を変化させることができる。
【００７８】
また、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが正孔注入層である場合、キャリア注入層１
１１ａ、１１１ｂとしては、電極１０１からの正孔注入性が高い材料を用いればよい。例
えば、遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、または芳香族アミンなどによって形成さ
れると好ましい。
【００７９】
また、正孔注入層として機能するキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂに、ドナー材料と
しての機能を有する正孔輸送性材料と、電子受容体（アクセプター材料）とを含む複合材
料を用いることができる。該複合材料は、アクセプター材料によって正孔輸送性材料（ド
ナー材料）から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生するため、正孔注入性および正
孔輸送性に優れる。
【００８０】
また、正孔注入層として機能するキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが正孔輸送性材料
（ドナー材料）と、アクセプター材料とを含む複合材料で構成される場合、正孔輸送性材
料（ドナー材料）を変えることで、正孔注入層の正孔注入性を変化させることができる。
または、アクセプター材料を変えることで、正孔注入層の正孔注入性を変化させることが
できる。または、正孔輸送性材料（ドナー材料）とアクセプター材料との混合比を変化さ
せることで、正孔注入層の正孔注入性を変化させることができる。
【００８１】
以上のように、本発明の一態様は、ＥＬ層が少なくとも２つの発光層を有し、第１の領
域においてＥＬ層が第１のアクセプター材料と第１のドナー材料とを有する第１の注入層
を有し、第２の領域においてＥＬ層が第２のアクセプター材料と第２のドナー材料とを有
する第２の注入層を有する発光素子である。または、本発明の一態様は、ＥＬ層が少なく
とも２つの発光層を有し、第１の領域においてＥＬ層が第１のアクセプター材料と第１の
ドナー材料とを有する第１の注入層を有し、第２の領域においてＥＬ層が第１のアクセプ
ター材料と第２のドナー材料とを有する第２の注入層を有する発光素子である。または、
本発明の一態様は、ＥＬ層が少なくとも２つの発光層を有し、第１の領域においてＥＬ層
が第１のアクセプター材料と第１のドナー材料とを有する第１の注入層を有し、第２の領
域においてＥＬ層が第２のアクセプター材料と第１のドナー材料とを有する第２の注入層
を有する発光素子である。または、本発明の一態様は、ＥＬ層が少なくとも２つの発光層
を有し、第１の領域においてＥＬ層が第１のアクセプター材料と第１のドナー材料とを有
する第１の注入層を有し、第２の領域においてＥＬ層が第１のアクセプター材料と第１の
ドナー材料とを有する第２の注入層を有し、第１の注入層が有する第１のアクセプター材
料と第１のドナー材料との混合比は、第２の注入層が有する第１のアクセプター材料と第
１のドナー材料との混合比と異なる発光素子である。そうすることで、第１の領域と第２
の領域とで、キャリア再結合領域及び発光領域が分布する領域を互いに異なる領域とする
ことができる。その結果、第１の領域のＥＬ層が呈する発光色と第２の領域のＥＬ層が呈
する発光色とで、互いに異なる発光色にすることができる。
【００８２】
なお、第１の領域においてＥＬ層が第１のドナー材料を有する第１の注入層を有し、第
２の領域においてＥＬ層が第２のドナー材料を有する第２の注入層を有するとき、第１の
ドナー材料のＨＯＭＯ準位は、第２のドナー材料のＨＯＭＯ準位と異なる、ことが好まし
い。または、ＥＬ層が第１の領域および第２の領域において、それぞれ第１の注入層およ
び第２の注入層と接するキャリア輸送層を有するとき、該キャリア輸送層が有するキャリ
ア輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、第１のドナー材料のＨＯＭＯ準位と、第２のドナー材料
のＨＯＭＯ準位と、の間に位置する、ことが好ましい。または、ＥＬ層が第１の領域およ
び第２の領域において、それぞれ第１の注入層および第２の注入層と接するキャリア輸送
層を有するとき、該キャリア輸送層が有するキャリア輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、第１
のドナー材料のＨＯＭＯ準位または第２のドナー材料のＨＯＭＯ準位の一方と等しく、他
方と異なることが好ましい。このとき、これら注入層及びキャリア輸送層は、それぞれ正
孔注入層及び正孔輸送層として機能するため、ＨＯＭＯ準位の違いによって、陽極から正
孔注入層への正孔注入性、または正孔注入層から正孔輸送層への正孔注入性を異なる正孔
注入性とすることができ、第１の領域と第２の領域とで、キャリア再結合領域及び発光領
域が分布する領域を互いに異なる領域とすることができる。その結果、第１の領域のＥＬ
層が呈する発光色と第２の領域のＥＬ層が呈する発光色とで、互いに異なる発光色にする
ことができる。
【００８３】
また、第１の領域においてＥＬ層が第１のアクセプター材料を有する第１の注入層を有
し、第２の領域においてＥＬ層が第２のアクセプター材料を有する第２の注入層を有する
とき、第１のアクセプター材料のＬＵＭＯ準位は、第２のアクセプター材料のＬＵＭＯ準
位と異なる、ことが好ましい。または、ＥＬ層が第１の領域および第２の領域において、
それぞれ第１の注入層および第２の注入層と接するキャリア輸送層を有するとき、該キャ
リア輸送層が有するキャリア輸送性材料のＬＵＭＯ準位は、第１のアクセプター材料のＬ
ＵＭＯ準位と、第２のアクセプター材料のＬＵＭＯ準位と、の間に位置する、ことが好ま
しい。または、ＥＬ層が第１の領域および第２の領域において、それぞれ第１の注入層お
よび第２の注入層と接するキャリア輸送層を有するとき、該キャリア輸送層が有するキャ
リア輸送性材料のＬＵＭＯ準位は、第１のアクセプター材料のＬＵＭＯ準位または第２の
アクセプター材料のＬＵＭＯ準位の一方と等しく、他方と異なることが好ましい。このと
き、これら注入層及びキャリア輸送層は、それぞれ電子注入層及び電子輸送層として機能
するため、ＬＵＭＯ準位の違いによって、陰極から電子注入層への電子注入性、または、
電子注入層から電子輸送層への電子注入性を異なる電子注入性とすることができ、第１の
領域と第２の領域とで、キャリア再結合領域及び発光領域が分布する領域を互いに異なる
領域とすることができる。したがって、第１の領域のＥＬ層が呈する発光色と第２の領域
のＥＬ層が呈する発光色とで、互いに異なる発光色にすることができる。
【００８４】
＜発光素子の構成例２＞
次に、図１に示す発光素子２５０と異なる構成例について、図２（Ａ）を用いて、以下
説明を行う。
【００８５】
図２（Ａ）は、本発明の一態様の発光素子を示す断面模式図である。なお、図２（Ａ）
において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、
符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する場合がある。
【００８６】
図２（Ａ）で示す発光素子２５２は、電極１０１、電極１０２、電極１０３、及びＥＬ
層１００を有する。ＥＬ層１００は、少なくとも発光層１５０を有し、発光層１５０は、
発光層１２０および発光層１３０を有する。また、ＥＬ層１００は、電極１０１と電極１
０２とでＥＬ層１００が挟持される領域２１０ａと、電極１０３と電極１０２とでＥＬ層
１００が挟持される領域２１０ｂとを有する。また、ＥＬ層１００は、領域２１０ａにお
いて、電極１０１に接するキャリア注入層１１１ａを有し、領域２１０ｂにおいて、電極
１０３に接するキャリア注入層１１１ｂを有する。
【００８７】
すなわち、発光素子２５２は、領域２１０ａにおける電極１０１と、電極１０１に接す
るキャリア注入層１１１ａとの構成が、領域２１０ｂにおける電極１０３と、電極１０３
に接するキャリア注入層１１１ｂとの構成と、異なる発光素子である。
【００８８】
電極１０１と電極１０３とが互いに異なる仕事関数を有する導電性材料を有するとき、
キャリア注入層１１１ａが有する材料のイオン化ポテンシャルと電極１０１の仕事関数と
の差が、キャリア注入層１１１ｂが有する材料のイオン化ポテンシャルと電極１０３の仕
事関数との差と、異なる差になるよう、キャリア注入層１１１ａ、キャリア注入層１１１
ｂ、電極１０１、及び電極１０３を選択すればよい。そうすることで、領域２１０ａと領
域２１０ｂとで互いに異なるキャリア注入性を有する発光素子を作製することができる。
その結果、発光素子２５２の領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア再結合領域および
発光領域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【００８９】
発光層１５０が有する発光層１２０と、発光層１３０と、で発光色が異なる場合、キャ
リア再結合領域および発光領域が分布する領域を制御することで、一方の発光層が呈する
発光色を強めることが可能となる。すなわち、領域２１０ａと領域２１０ｂとが呈する発
光を異なる発光にすることができる。また、領域２１０ａと領域２１０ｂとで、異なる色
の発光を取り出すことが必要な場合、上記構成によって領域２１０ａと領域２１０ｂとで
、それぞれ所望の発光色になるよう発光領域を制御することで、光の取り出し効率を向上
させることが可能となる。
【００９０】
なお、電極１０１の膜厚は、電極１０３の膜厚と、異なる膜厚であってもよい。その場
合、電極１０１と電極１０２との光学距離を領域２１０ａが呈する発光の発光色に適した
光学距離になるよう、また電極１０２と電極１０３との光学距離を領域２１０ｂが呈する
発光の発光色に適した光学距離になるよう、それぞれ調整することで、光取り出し効率を
向上させることができ、好適である。具体的には、電極１０１乃至電極１０３が有する導
電性材料の屈折率が、発光層１５０が有する材料の屈折率より小さい場合においては、電
極１０１と電極１０２との光学距離がｍ１λ１／２（ｍ１は自然数、λ１はＥＬ層１００
中の領域２１０ａが呈する光の波長、をそれぞれ表す）となるよう電極１０１、電極１０
２または／およびＥＬ層１００の膜厚を調整すればよい。もしくは、電極１０２と電極１
０３との光学距離がｍ２λ２／２（ｍ２は自然数、λ２はＥＬ層１００中の領域２１０ｂ
が呈する光の波長、をそれぞれ表す）となるよう電極１０２、電極１０３または／および
ＥＬ層１００の膜厚を調整すればよい。
【００９１】
なお、発光素子２５２における他の構成については、発光素子２５０の構成を参酌すれ
ばよい。
【００９２】
＜発光素子の構成例３＞
次に、図１に示す発光素子２５０と異なる構成例について、図２（Ｂ）を用いて、以下
説明を行う。
【００９３】
図２（Ｂ）は、本発明の一態様の発光素子を示す断面模式図である。なお、図２（Ｂ）
において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、
符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、そ
の詳細な説明は省略する場合がある。
【００９４】
図２（Ｂ）で示す発光素子２５４は、電極１０１、電極１０２、電極１０３、及びＥＬ
層１００を有する。ＥＬ層１００は、キャリア注入層１１１と発光層１５０とを有し、発
光層１５０は、発光層１２０および発光層１３０を有する。また、ＥＬ層１００は、電極
１０１と電極１０２とでＥＬ層１００が挟持される領域２１０ａと、電極１０３と電極１
０２とでＥＬ層１００が挟持される領域２１０ｂとを有する。また、ＥＬ層１００は、領
域２１０ａにおいて、電極１０２に接するキャリア注入層１１９ａを有し、領域２１０ｂ
において、電極１０２に接するキャリア注入層１１９ｂを有する。
【００９５】
すなわち、発光素子２５４は、領域２１０ａにおける電極１０１と、電極１０２に接す
るキャリア注入層１１９ａとの構成が、領域２１０ｂにおける電極１０３と、電極１０２
に接するキャリア注入層１１９ｂとの構成と異なる発光素子である。なお、発光素子２５
４においては少なくとも、領域２１０ａにおいてＥＬ層１００がキャリア注入層１１９ａ
を有し、領域２１０ｂにおいてＥＬ層１００がキャリア注入層１１９ｂを有する構成とす
ればよく、電極１０１と電極１０３とは、同じであってもよい。
【００９６】
例えば、発光素子２５４において、キャリア注入層１１９ａのキャリア注入性を低くす
ることで、領域２１０ａにおける発光領域を、発光層１５０内のキャリア輸送層１１２か
ら遠く、キャリア輸送層１１８に近い領域、すなわち発光層１３０からより多くの発光が
得られるよう制御することができる。また、キャリア注入層１１９ｂのキャリア注入性を
高くすることで、領域２１０ｂにおける発光領域を、発光層１５０内のキャリア輸送層１
１２に近く、キャリア輸送層１１８から遠い領域、すなわち発光層１２０からより多くの
発光が得られるよう制御することができる。
【００９７】
発光層１５０が有する発光層１２０と、発光層１３０と、で発光色が異なる場合、キャ
リア再結合領域および発光領域が分布する領域を制御することで、一方の発光層が呈する
発光色を強めることが可能となる。すなわち、領域２１０ａと領域２１０ｂとが呈する発
光を異なる発光にすることができる。また、領域２１０ａと領域２１０ｂとで、異なる色
の発光を取り出すことが必要な場合、上記構成によって領域２１０ａと領域２１０ｂとで
、それぞれ所望の発光色になるよう発光領域を制御することで、光の取り出し効率を向上
させることが可能となる。
【００９８】
したがって、本発明の一態様は、キャリア注入層１１９ａとキャリア注入層１１９ｂと
が、互いにＨＯＭＯ準位の異なる材料を有することで、キャリア注入層１１９ａおよびキ
ャリア注入層１１９ｂの正孔注入性を、互いに異なる注入性にすることができる発光素子
である。または、本発明の一態様は、キャリア注入層１１９ａとキャリア注入層１１９ｂ
とが、互いにＬＵＭＯ準位の異なる材料を有することで、キャリア注入層１１９ａおよび
キャリア注入層１１９ｂの電子注入性を、互いに異なる注入性にすることができる発光素
子である。そうすることで、発光素子２５４の領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア
再結合領域および発光領域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【００９９】
また、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂが正孔注入層である場合、キャリア注入層１
１９ａ、１１９ｂとしては、例えば、キャリア輸送層１１８に用いる材料よりＨＯＭＯ準
位が低い材料を用いることで、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂからキャリア輸送層１
１８への正孔輸送性を向上させることができる。または、キャリア輸送層１１８に用いる
材料よりＨＯＭＯ準位が高い材料を用いることで、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂと
キャリア輸送層１１８との界面で正孔注入障壁が生じるため、キャリア注入層１１９ａ、
１１９ｂからキャリア輸送層１１８への正孔輸送性を低下させることができる。
【０１００】
また、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂが電子注入層である場合、キャリア注入層１
１９ａ、１１９ｂとしては、例えば、キャリア輸送層１１８に用いる材料よりＬＵＭＯ準
位が高い材料を用いることで、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂからキャリア輸送層１
１８への電子輸送性を向上させることができる。または、キャリア輸送層１１８に用いる
材料よりＬＵＭＯ準位が低い材料を用いることで、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂと
キャリア輸送層１１８との界面で電子注入障壁が生じるため、キャリア注入層１１９ａ、
１１９ｂからキャリア輸送層１１８への電子輸送性を低下させることができる。
【０１０１】
すなわち、本発明の一態様は、キャリア輸送層１１８が有する材料のＨＯＭＯ準位が、
キャリア注入層１１９ａが有する材料のＨＯＭＯ準位と、キャリア注入層１１９ｂが有す
る材料のＨＯＭＯ準位と、の間に位置する発光素子である。または、キャリア輸送層１１
８が有する材料のＨＯＭＯ準位が、キャリア注入層１１９ａが有する材料のＨＯＭＯ準位
もしくはキャリア注入層１１９ｂが有する材料のＨＯＭＯ準位の一方と等しく、他方と異
なる発光素子である。そうすることで、領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア再結合
領域および発光領域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【０１０２】
または、本発明の一態様は、キャリア輸送層１１８が有する材料のＬＵＭＯ準位が、キ
ャリア注入層１１９ａが有する材料のＬＵＭＯ準位と、キャリア注入層１１９ｂが有する
材料のＬＵＭＯ準位と、の間に位置する発光素子である。または、キャリア輸送層１１８
が有する材料のＬＵＭＯ準位が、キャリア注入層１１９ａが有する材料のＬＵＭＯ準位も
しくはキャリア注入層１１９ｂが有する材料のＬＵＭＯ準位の一方と等しく、他方と異な
る発光素子である。そうすることで、領域２１０ａと領域２１０ｂとでキャリア再結合領
域および発光領域が分布する領域を変化させることができるため、好ましい。
【０１０３】
また、キャリア注入層１１９ａの導電率は、キャリア注入層１１９ｂの導電率と異なる
ことが好ましい。そうすることで、キャリア注入層１１９ａと、キャリア注入層１１９ｂ
とのキャリア輸送性を互いに異なるキャリア輸送性とすることができ、領域２１０ａと領
域２１０ｂとでキャリア再結合領域および発光領域が分布する領域を変化させることがで
きる。
【０１０４】
キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂが電子注入層である場合、発光素子２５０において
例示したキャリア注入層１１１ａ、１１１ｂが電子注入層である場合に用いることができ
る材料および構成を用いることができる。また、キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂが正
孔注入層である場合、発光素子２５０において例示したキャリア注入層１１１ａ、１１１
ｂが正孔注入層である場合に用いることができる材料および構成を用いることができる。
【０１０５】
なお、電極１０１の膜厚は、電極１０３の膜厚と、異なる膜厚であってもよい。その場
合、電極１０１と電極１０２との光学距離を領域２１０ａが呈する発光の発光色に適した
光学距離になるよう、また電極１０２と電極１０３との光学距離を領域２１０ｂが呈する
発光の発光色に適した光学距離になるよう、それぞれ調整することで、光取り出し効率を
向上させることができ、好適である。具体的には、電極１０１乃至電極１０３が有する導
電性材料の屈折率が、発光層１５０が有する材料の屈折率より小さい場合においては、電
極１０１と電極１０２との光学距離がｍ１λ１／２（ｍ１は自然数、λ１はＥＬ層１００
中の領域２１０ａが呈する光の波長、をそれぞれ表す）となるよう電極１０１、電極１０
２または／およびＥＬ層１００の膜厚を調整すればよい。もしくは、電極１０２と電極１
０３との光学距離がｍ２λ２／２（ｍ２は自然数、λ２はＥＬ層１００中の領域２１０ｂ
が呈する光の波長、をそれぞれ表す）となるよう電極１０２、電極１０３または／および
ＥＬ層１００の膜厚を調整すればよい。
【０１０６】
なお、発光素子２５４における他の構成については、発光素子２５０または発光素子２
５２の構成を参酌すればよい。
【０１０７】
＜発光素子の構成例４＞
次に、図１に示す発光素子２５０と異なる構成例について、図３を用いて、以下説明を
行う。
【０１０８】
図３は、本発明の一態様の発光素子を示す断面模式図である。なお、図３において、図
１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略す
る場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明
は省略する場合がある。
【０１０９】
図３で示す発光素子２５６は、電極１０１、電極１０２、電極１０３、及びＥＬ層１０
０を有する。ＥＬ層１００は、少なくとも発光層１５０を有し、発光層１５０は、発光層
１２０および発光層１３０を有する。また、ＥＬ層１００は、電極１０１と電極１０２と
でＥＬ層１００が挟持される領域２１０ａと、電極１０３と電極１０２とでＥＬ層１００
が挟持される領域２１０ｂとを有する。また、ＥＬ層１００は、領域２１０ａにおいて、
電極１０１に接するキャリア注入層１１１ａと、電極１０２に接するキャリア注入層１１
９ａとを有し、領域２１０ｂにおいて、電極１０３に接するキャリア注入層１１１ｂと、
電極１０２に接するキャリア注入層１１９ｂとを有する。
【０１１０】
すなわち、発光素子２５６は、領域２１０ａにおける電極１０１と、電極１０１に接す
るキャリア注入層１１１ａと、電極１０２に接するキャリア注入層１１９ａとの構成が、
領域２１０ｂにおける電極１０３と、電極１０３に接するキャリア注入層１１１ｂと、電
極１０２に接するキャリア注入層１１９ｂとの構成と、異なる発光素子である。なお、発
光素子２５６においては少なくとも、領域２１０ａにおいてＥＬ層１００がキャリア注入
層１１１ａ、１１９ａを有し、領域２１０ｂにおいてＥＬ層１００がキャリア注入層１１
１ｂ、１１９ｂを有する構成とすればよく、電極１０１と電極１０３とは、同じであって
もよい。
【０１１１】
例えば、発光素子２５６において、キャリア注入層１１１ａのキャリア注入性を高くし
、キャリア注入層１１９ａのキャリア注入性を低くすることで、領域２１０ａにおける発
光領域を、発光層１５０内のキャリア輸送層１１２から遠く、キャリア輸送層１１８から
近い領域、すなわち発光層１３０からより多くの発光が得られるよう制御することができ
る。キャリア注入層１１１ａとキャリア注入層１１９ａとにおけるキャリア注入性を制御
することで、効果的にキャリア再結合領域および発光領域が分布する領域を制御すること
ができる。また、キャリア注入層１１１ｂのキャリア注入性を低くし、キャリア注入層１
１９ｂのキャリア注入性を高くすることで、領域２１０ｂにおける発光領域を、発光層１
５０内のキャリア輸送層１１２に近く、キャリア輸送層１１８から遠い領域、すなわち発
光層１２０からより多くの発光が得られるよう制御することができる。キャリア注入層１
１１ｂとキャリア注入層１１９ｂとにおけるキャリア注入性を制御することで、効果的に
キャリア再結合領域および発光領域が分布する領域を制御することができる。
【０１１２】
発光層１５０が有する発光層１２０と発光層１３０とで発光色が異なる場合、キャリア
再結合領域および発光領域が分布する領域を制御することで、一方の発光層が呈する発光
色を強めることが可能となる。すなわち、領域２１０ａと領域２１０ｂとが呈する発光を
異なる発光にすることができる。また、領域２１０ａと領域２１０ｂとで、異なる色の発
光を取り出すことが必要な場合、上記構成によって領域２１０ａと領域２１０ｂとで、そ
れぞれ所望の発光色になるよう発光領域を制御することで、光の取り出し効率を向上させ
ることが可能となる。
【０１１３】
なお、発光素子２５６における他の構成については、発光素子２５０、発光素子２５２
または発光素子２５４の構成を参酌すればよい。
【０１１４】
＜発光素子の構成例５＞
次に、図１に示す発光素子２５０と異なる構成例について図４（Ａ）（Ｂ）を用いて以
下に説明する。
【０１１５】
図４（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光素子を示す断面模式図である。なお、図４
（Ａ）（Ｂ）において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパ
ターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符
号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１１６】
図４（Ａ）（Ｂ）は、一対の電極間に、発光層１５０を有する発光素子の構成例である
。図４（Ａ）に示す発光素子２５８は、基板２００と反対の方向に光を取り出す上面射出
（トップエミッション）型の発光素子、図４（Ｂ）に示す発光素子２６０は、基板２００
側に光を取り出す下面射出（ボトムエミッション）型の発光素子である。ただし、本発明
の一態様はこれに限定されず、発光素子が呈する光を発光素子が形成される基板２００の
上方および下方の双方に取り出す両面射出（デュアルエミッション）型であっても良い。
【０１１７】
発光素子２５８及び発光素子２６０は、基板２００上に電極１０１と、電極１０２と、
電極１０３と、電極１０４とを有する。また、電極１０１と電極１０２との間、電極１０
２と電極１０３との間、及び電極１０２と電極１０４との間に、発光層１５０を有する。
また、電極１０１に接するキャリア注入層１１１ａと、電極１０３および電極１０４に接
するキャリア注入層１１１ｂと、を有する。また、キャリア輸送層１１２と、キャリア輸
送層１１８と、キャリア注入層１１９と、を有する。また、発光層１５０は、発光層１２
０と、発光層１３０と、を有する。
【０１１８】
発光層１２０と発光層１３０とは、互いに異なる色を呈する機能を有する発光材料を有
することが好ましい。また、発光層１２０及び発光層１３０は、一方または双方で２層が
積層された構成としてもよい。２層の発光層に、互いに異なる色を呈する機能を有する２
種類の発光材料を用いることで、複数の発光を同時に得ることができる。特に発光層１２
０と、発光層１３０と、が呈する発光により、白色となるよう、各発光層に用いる発光材
料を選択すると好ましい。また、発光層１２０または発光層１３０は、一方または双方で
３層以上が積層された構成としても良く、発光材料を有さない層が含まれていても良い。
【０１１９】
また、電極１０１は、導電膜１０１ａと、導電膜１０１ａ上に接する導電膜１０１ｂと
、を有する。また、電極１０３は、導電膜１０３ａと、導電膜１０３ａ上に接する導電膜
１０３ｂと、を有する。電極１０４は、導電膜１０４ａと、導電膜１０４ａ上に接する導
電膜１０４ｂと、を有する。
【０１２０】
発光素子２５８はトップエミッション型であるため、電極１０１、電極１０３及び電極
１０４は、光を反射する機能を有することが好ましく、電極１０２は、光を透過する機能
を有することが好ましい。
【０１２１】
また、発光素子２６０はボトムエミッション型であるため、電極１０１、電極１０３及
び電極１０４は、光を透過する機能を有することが好ましく、電極１０２は、光を反射す
る機能を有することが好ましい。
【０１２２】
図４（Ａ）に示す発光素子２５８、及び図４（Ｂ）に示す発光素子２６０は、電極１０
１と電極１０２とでＥＬ層が挟持された領域２２２Ｂと、電極１０２と電極１０３とでＥ
Ｌ層が挟持された領域２２２Ｇと、電極１０２と電極１０４とでＥＬ層が挟持された領域
２２２Ｒとを有する。また、領域２２２Ｂ、領域２２２Ｇ、及び領域２２２Ｒの間に、隔
壁１４５を有する。隔壁１４５は、絶縁性を有する。隔壁１４５は、電極１０１、電極１
０３、及び電極１０４の端部を覆い、該電極と重畳する開口部を有する。隔壁１４５を設
けることによって、基板２００上の電極を電極１０１、電極１０３、及び電極１０４のよ
うに、それぞれ島状に分離することが可能となる。
【０１２３】
隔壁１４５としては、絶縁性であればよく、無機材料または有機材料を用いて形成され
る。該無機材料としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シ
リコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が挙げられる。該有機材料としては、例
えば、アクリル樹脂、またはポリイミド樹脂等の感光性の樹脂材料が挙げられる。
【０１２４】
なお、キャリア注入層１１１ａと、キャリア注入層１１１ｂとは、隔壁１４５と重畳す
る領域において、互いに重なる領域を有していてもよい。
【０１２５】
また、キャリア注入層１１１ａとキャリア注入層１１１ｂとが、それぞれ異なる材料を
有する場合、電極１０１と、電極１０３及び電極１０４とで、それぞれＥＬ層へのキャリ
アの注入性が異なる構成であることが好ましい。
【０１２６】
例えば、陽極の仕事関数より大きいイオン化ポテンシャルを有する材料をキャリア注入
層１１１ａ、１１１ｂに用いた場合、陽極からＥＬ層へ注入される正孔と、陰極からＥＬ
層へ注入される電子とが再結合する領域（再結合領域）が、比較的陽極側に密に分布する
。一方で、陽極の仕事関数と同程度または小さいイオン化ポテンシャルを有する材料をキ
ャリア注入層１１１ａ、１１１ｂに用いた場合、正孔と電子とが再結合する領域（再結合
領域）は、比較的陰極側に密に分布する。
【０１２７】
また、図４（Ａ）（Ｂ）のように、発光層１５０が複数の層（発光層１２０及び発光層
１３０）で構成される場合、正孔または電子の注入性が変化し、発光層１５０内での正孔
と電子とが再結合する領域が変化すると、発光層１２０と発光層１３０とが呈する光の強
度の比が変化する。したがって、発光層１２０と発光層１３０とで呈する光の色が異なる
場合、発光素子全体として取り出される光のスペクトルの形状（各波長成分の相対強度比
）が変化することとなる。すなわち、領域２２２Ｂと、領域２２２Ｇ及び領域２２２Ｒと
が呈する光の色を制御することが可能となる。また、領域２２２Ｂと、領域２２２Ｇ及び
領域２２２Ｒとが呈する発光を異なる発光にすることができる。また、領域２２２Ｂと、
領域２２２Ｇ及び領域２２２Ｒとで、異なる色の発光を取り出すことが必要な場合、上記
構成によって領域２２２Ｂと、領域２２２Ｇ及び領域２２２Ｒとで、それぞれ所望の発光
色になるよう発光領域を制御することで、光の取り出し効率を向上させることが可能とな
る。
【０１２８】
例えば、発光素子２５８及び発光素子２６０において、キャリア注入層１１１ａのキャ
リア注入性を低くすることで、領域２２２Ｂにおける発光領域を、発光層１５０内のキャ
リア輸送層１１２に近く、キャリア輸送層１１８から遠い領域、すなわち発光層１２０か
らより多くの発光が得られるよう制御することができる。また、キャリア注入層１１１ｂ
のキャリア注入性を高くすることで、領域２２２Ｇ及び領域２２２Ｒにおける発光領域を
、発光層１５０内のキャリア輸送層１１２から遠く、キャリア輸送層１１８に近い領域、
すなわち発光層１３０からより多くの発光が得られるよう制御することができる。
【０１２９】
このとき、発光層１２０が紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、少なくとも一
つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有することで、領
域２２２Ｂは青色の発光を呈する構成とすることができる。また、発光層１３０が緑色、
黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少なくとも一つの波長領域に発光ス
ペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有することで、領域２２２Ｇは緑色の発
光を呈し、領域２２２Ｒは赤色の発光を呈する構成とすることができる。このような構成
を有する発光素子２５８または発光素子２６０を、表示装置の画素に用いることで、フル
カラー表示が可能な表示装置を作製することができる。なお、それぞれの発光層の膜厚は
、同じであっても良いし、異なっていても良い。
【０１３０】
また、発光素子２５８及び発光素子２６０は、領域２２２Ｂ、領域２２２Ｇ、及び領域
２２２Ｒから呈される光が取り出される方向に、それぞれ光学素子２２４Ｂ、光学素子２
２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｒを有する基板２２０を有する。各領域から呈される光は、
各光学素子を介して発光素子外部に射出される。すなわち、領域２２２Ｂから呈される光
は、光学素子２２４Ｂを介して射出され、領域２２２Ｇから呈される光は、光学素子２２
４Ｇを介して射出され、領域２２２Ｒから呈される光は、光学素子２２４Ｒを介して射出
される。
【０１３１】
また、光学素子２２４Ｂ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｒは、入射される光
から特定の色を呈する光を選択的に透過する機能を有する。例えば、光学素子２２４Ｂを
介して射出される領域２２２Ｂから呈される光は、青色を呈する光となり、光学素子２２
４Ｇを介して射出される領域２２２Ｇから呈される光は、緑色を呈する光となり、光学素
子２２４Ｒを介して射出される領域２２２Ｒから呈される光は、赤色を呈する光となる。
【０１３２】
光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂには、例えば、着色層（
カラーフィルタともいう）、バンドパスフィルタ、多層膜フィルタなどを適用できる。ま
た、光学素子に色変換素子を適用することができる。色変換素子は、入射される光を、当
該光の波長より長い波長の光に変換する光学素子である。色変換素子として、量子ドット
を用いる素子であると好適である。量子ドットを用いることにより、表示装置の色再現性
を高めることができる。
【０１３３】
なお、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂ上に複数の光学素
子を重ねて設けてもよい。他の光学素子としては、例えば円偏光板及び反射防止膜などを
設けることができる。円偏光板を、表示装置の発光素子が発する光が取り出される側に設
けると、表示装置の外部から入射した光が、表示装置の内部で反射されて、外部に射出さ
れる現象を防ぐことができる。また、反射防止膜を設けると、表示装置の表面で反射され
る外光を弱めることができる。これにより、表示装置が発する発光を、鮮明に観察できる
。
【０１３４】
なお、図４（Ａ）（Ｂ）において、各光学素子を介して各領域から射出される光を、青
色（Ｂ）を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、赤色（Ｒ）を呈する光、として、それぞれ
破線の矢印で模式的に図示している。
【０１３５】
また、各光学素子の間には、遮光層２２３を有する。遮光層２２３は、隣接する領域か
ら発せられる光を遮光する機能を有する。なお、遮光層２２３を設けない構成としても良
い。
【０１３６】
遮光層２２３としては、外光の反射を抑制する機能を有する。または、遮光層２２３と
しては、隣接する発光素子から発せられる光の混色を防ぐ機能を有する。遮光層２２３と
しては、金属、黒色顔料を含んだ樹脂、カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化
物の固溶体を含む複合酸化物等を用いることができる。
【０１３７】
さらに、発光素子２５８及び発光素子２６０は、マイクロキャビティ構造を有すると好
ましい。
【０１３８】
発光層１２０、及び発光層１３０から射出される光は、一対の電極（例えば、電極１０
１と電極１０２）の間で共振される。また、発光層１２０及び発光層１３０は、射出され
る光のうち所望する波長の光の強度が強まる位置に形成される。例えば、電極１０１の反
射領域から発光層１２０の発光領域までの光学距離と、電極１０２の反射領域から発光層
１２０の発光領域までの光学距離と、を調整することにより、発光層１２０から射出され
る光の強度を強めることができる。また、電極１０３および電極１０４の反射領域から発
光層１３０の発光領域までの光学距離と、電極１０２の反射領域から発光層１３０の発光
領域までの光学距離と、を調整することにより、発光層１３０から射出される光の強度を
強めることができる。すなわち、複数の発光層（ここでは、発光層１２０及び発光層１３
０）を積層する発光素子の場合、発光層１２０及び発光層１３０のそれぞれの光学距離を
最適化することが好ましい。
【０１３９】
なお、電極１０１乃至電極１０４の反射領域を厳密に決定することは困難であるため、
電極１０１乃至電極１０４の任意の領域を反射領域と仮定することで、発光層１２０また
は発光層１３０から射出される光の強度を強める光学距離を導出してもよい。また、発光
層１２０および発光層１３０の発光領域を厳密に決定することは困難であるため、発光層
１２０および発光層１３０の任意の領域を発光領域と仮定することで、発光層１２０およ
び発光層１３０から射出される光の強度を強める光学距離を導出してもよい。
【０１４０】
また、発光素子２５８及び発光素子２６０においては、各領域で導電膜（導電膜１０１
ｂ、導電膜１０３ｂ、及び導電膜１０４ｂ）の厚さを調整することで、発光層１２０及び
発光層１３０から呈される光のうち所望する波長の光の強度を強めることができる。なお
、各領域でキャリア注入層１１１ａ及びキャリア注入層１１１ｂの厚さを異ならせること
で、発光層１２０及び発光層１３０から呈される光のうち所望する波長の光の強度を強め
ても良い。
【０１４１】
例えば、電極１０１乃至電極１０４において、光を反射する機能を有する導電性材料の
屈折率が、発光層１２０または発光層１３０の屈折率よりも小さい場合においては、電極
１０１が有する導電膜１０１ｂの膜厚を、電極１０１と電極１０２との間の光学距離がｍ
ＢλＢ／２（ｍＢは自然数、λＢは領域２２２Ｂで強める光の波長を、それぞれ表す）と
なるよう調整する。同様に、電極１０３が有する導電膜１０３ｂの膜厚を、電極１０３と
電極１０２との間の光学距離がｍＧλＧ／２（ｍＧは自然数、λＧは領域２２２Ｇで強め
る光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。さらに、電極１０４が有する導電膜
１０４ｂの膜厚を、電極１０４と電極１０２との間の光学距離がｍＲλＲ／２（ｍＲは自
然数、λＲは領域２２２Ｒで強める光の波長を、それぞれ表す）となるよう調整する。
【０１４２】
上記のように、マイクロキャビティ構造を設け、各領域の一対の電極間の光学距離を調
整することで、各電極近傍における光の散乱および光の吸収を抑制し、高い光取り出し効
率を実現することができる。なお、上記構成においては、導電膜１０１ｂ、導電膜１０３
ｂ、導電膜１０４ｂは、光を透過する機能を有することが好ましい。また、導電膜１０１
ｂ、導電膜１０３ｂ、導電膜１０４ｂ、を構成する材料は、互いに同じであっても良いし
、異なっていても良い。また、導電膜１０１ｂ、導電膜１０３ｂ、導電膜１０４ｂは、そ
れぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
【０１４３】
なお、図４（Ａ）に示す発光素子２５８、上面射出型の発光素子であるため、導電膜１
０１ａ、導電膜１０３ａ、及び導電膜１０４ａは、光を反射する機能を有することが好ま
しい。また、電極１０２は、光を透過する機能と、光を反射する機能とを有することが好
ましい。
【０１４４】
また、図４（Ｂ）に示す発光素子２６０は、下面射出型の発光素子であるため、導電膜
１０１ａ、導電膜１０３ａ、導電膜１０４ａは、光を透過する機能と、光を反射する機能
と、を有することが好ましい。また、電極１０２は、光を反射する機能を有することが好
ましい。
【０１４５】
また、発光素子２５８及び発光素子２６０において、導電膜１０１ａ、導電膜１０３ａ
、または導電膜１０４ａ、に同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。導
電膜１０１ａ、導電膜１０３ａ、導電膜１０４ａ、に同じ材料を用いる場合、発光素子２
５８及び発光素子２６０の製造コストを低減できる。なお、導電膜１０１ａ、導電膜１０
３ａ、導電膜１０４ａは、それぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
【０１４６】
以上のように、発光素子２５０で例示したキャリア注入層を有する発光素子２５８また
は発光素子２６０を、表示装置の画素に用いることで、発光効率の高い表示装置を作製す
ることができる。すなわち、発光素子２５８または発光素子２６０を有する表示装置は、
消費電力を低減することができる。
【０１４７】
なお、発光素子２５８及び発光素子２６０における他の構成については、発光素子２５
０、発光素子２５２、発光素子２５４および発光素子２５６の構成を参酌すればよい。
【０１４８】
＜発光素子の構成例６＞
次に、図４に示す発光素子２５８、発光素子２６０と異なる構成例について図５（Ａ）
（Ｂ）を用いて以下に説明する。
【０１４９】
図５（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の発光素子を示す断面模式図である。なお、図５
（Ａ）（Ｂ）において、図４（Ａ）（Ｂ）に示す符号と同様の機能を有する箇所には、同
様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所に
は、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０１５０】
図５（Ａ）（Ｂ）は、一対の電極間に、発光層１５０を有する発光素子の構成例である
。図５（Ａ）に示す発光素子２６２は、基板２００と反対の方向に光を取り出す上面射出
（トップエミッション）型の発光素子、図５（Ｂ）に示す発光素子２６４は、基板２００
側に光を取り出す下面射出（ボトムエミッション）型の発光素子である。ただし、本発明
の一態様はこれに限定されず、発光素子が呈する光を発光素子が形成される基板２００の
上方および下方の双方に取り出す両面射出（デュアルエミッション）型であっても良い。
【０１５１】
発光素子２６２及び発光素子２６４は、基板２００上に電極１０１と、電極１０２と、
電極１０３とを有する。また、電極１０１と電極１０２との間、及び電極１０２と電極１
０３との間に、発光層１５０を有する。さらに、キャリア輸送層１１２と、キャリア輸送
層１１８と、キャリア注入層１１９と、を有する。また、発光層１５０は、発光層１２０
と、発光層１３０と、を有する。
【０１５２】
発光層１２０と発光層１３０とは、互いに異なる色を呈する機能を有する発光材料を有
することが好ましい。また、発光層１２０及び発光層１３０は、一方または双方で２層が
積層された構成としてもよい。２層の発光層に、互いに異なる色を呈する機能を有する２
種類の発光材料を用いることで、複数の発光を同時に得ることができる。特に発光層１２
０と、発光層１３０と、が呈する発光により、白色となるよう、各発光層に用いる発光材
料を選択すると好ましい。また、発光層１２０または発光層１３０は、一方または双方で
３層以上が積層された構成としても良く、発光材料を有さない層が含まれていても良い。
【０１５３】
また、発光素子２６２及び発光素子２６４は、電極１０１と電極１０２とでＥＬ層が挟
持された領域２２２Ｂおよび領域２２２Ｇと、電極１０２と電極１０３とでＥＬ層が挟持
された領域２２２Ｒとを有する。領域２２２Ｂにおいては電極１０１に接するキャリア注
入層１１１ａを有し、領域２２２Ｇにおいては電極１０１に接するキャリア注入層１１１
ｂを有し、領域２２２Ｒにおいては電極１０３に接するキャリア注入層１１１ｂを有する
。
【０１５４】
また、図５（Ａ）に示す発光素子２６２において、電極１０１は、導電膜１０１ａと、
導電膜１０１ａ上の導電膜１０１ｂと、導電膜１０１ａ下の導電膜１０１ｃとを有する。
また、電極１０３は、導電膜１０３ａと、導電膜１０３ａ上の導電膜１０３ｂと、導電膜
１０３ａ下の導電膜１０３ｃとを有する。すなわち、発光素子２６２は、導電膜１０１ａ
が、導電膜１０１ｂと、導電膜１０１ｃとで挟持された電極１０１の構成を有する。また
、導電膜１０３ａが、導電膜１０３ｂと、導電膜１０３ｃとで挟持された電極１０３の構
成を有する。
【０１５５】
発光素子２６２において、導電膜１０１ｂと導電膜１０１ｃとが、異なる材料で形成さ
れてもよく、同じ材料で形成されても良い。また、導電膜１０３ｂと導電膜１０３ｃとが
、異なる材料で形成されてもよく、同じ材料で形成されても良い。電極１０１および／ま
たは電極１０３が、導電膜１０１ａ、導電膜１０３ａを同じ導電性材料で挟持する構成を
有する場合、エッチング工程によるパターン形成が容易になるため好ましい。
【０１５６】
なお、発光素子２６２において、導電膜１０１ｂまたは導電膜１０１ｃ、もしくは導電
膜１０３ｂまたは導電膜１０３ｃにおいて、いずれか一方のみを有する構成としてもよい
。
【０１５７】
発光素子２６２はトップエミッション型であるため、電極１０１および電極１０３は、
光を反射する機能を有することが好ましく、電極１０２は、光を透過する機能を有するこ
とが好ましい。
【０１５８】
また、発光素子２６４はボトムエミッション型であるため、電極１０１および電極１０
３は、光を透過する機能を有することが好ましく、電極１０２は、光を反射する機能を有
することが好ましい。
【０１５９】
また、キャリア注入層１１１ａとキャリア注入層１１１ｂとが、それぞれ異なる材料を
有する場合、電極１０１と電極１０３とで、それぞれＥＬ層へのキャリアの注入性が異な
る構成であることが好ましい。
【０１６０】
例えば、発光素子２６２及び発光素子２６４において、キャリア注入層１１１ａのキャ
リア注入性を低くすることで、領域２２２Ｂにおける発光領域を、発光層１５０内のキャ
リア輸送層１１２に近く、キャリア輸送層１１８から遠い領域、すなわち発光層１２０か
らより多くの発光が得られるよう制御することができる。また、キャリア注入層１１１ｂ
のキャリア注入性を高くすることで、領域２２２Ｇ及び領域２２２Ｒにおける発光領域を
、発光層１５０内のキャリア輸送層１１２から遠く、キャリア輸送層１１８に近い領域、
すなわち発光層１３０からより多くの発光が得られるよう制御することができる。
【０１６１】
このとき、発光層１２０が紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる、少なくとも一
つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有することで、領
域２２２Ｂは青色の発光を呈する構成とすることができる。また、発光層１３０が緑色、
黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる、少なくとも一つの波長領域に発光ス
ペクトルピークを呈する機能を有する発光材料を有することで、領域２２２Ｇは緑色の発
光を呈し、領域２２２Ｒは赤色の発光を呈する構成とすることができる。このような構成
を有する発光素子２６２または発光素子２６４を、表示装置の画素に用いることで、フル
カラー表示が可能な表示装置を作製することができる。また、それぞれの発光層の膜厚は
、同じであっても良いし、異なっていても良い。
【０１６２】
また、領域２２２Ｂにおいては、電極１０１とキャリア注入層１１１ａの膜厚を調整す
ることで、電極１０１の反射領域から発光層１２０の発光領域までの光学距離と、電極１
０２の反射領域から発光層１２０の発光領域までの光学距離とを、発光層１２０から射出
される光の強度が強まるよう調整でき、領域２２２Ｂで所望する波長の光の強度を強める
ことができる。また、領域２２２Ｇにおいては、電極１０１とキャリア注入層１１１ｂの
膜厚を調整することで、電極１０１の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距
離と、電極１０２の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距離とを、発光層１
３０から射出される光の強度が強まるよう調整でき、領域２２２Ｇで所望する波長の光の
強度を強めることができる。また、領域２２２Ｒにおいては、電極１０３とキャリア注入
層１１１ｂの膜厚を調整することで、電極１０３の反射領域から発光層１３０の発光領域
までの光学距離と、電極１０２の反射領域から発光層１３０の発光領域までの光学距離と
を、発光層１３０から射出される光の強度が強まるよう調整でき、領域２２２Ｒで所望す
る波長の光の強度を強めることができる。
【０１６３】
さらに、発光素子２６２及び発光素子２６４は、マイクロキャビティ構造を有すると好
ましい。
【０１６４】
発光素子２６２がマイクロキャビティ構造を有するとき、導電膜１０１ｂおよび導電膜
１０３ｂは光を透過する機能を有することが好ましい。この場合、導電膜１０１ｂおよび
導電膜１０３ｂの膜厚を調整することで、領域２２２Ｂ、領域２２２Ｇ及び領域２２２Ｒ
各領域が呈する光の強度を強めることができる。
【０１６５】
上記構成において、領域２２２Ｂ、領域２２２Ｇ、及び領域２２２Ｒにおける強める光
の波長が異なるため、各領域の光学距離は互いに異なる光学距離となる。本発明の一態様
の発光素子２６２及び発光素子２６４においては、領域２２２Ｂと領域２２２Ｇとで電極
構造が同一であるため、パターン形成に必要なフォトマスクの枚数を減らすことができ、
製造コストを低減することができる。また、領域２２２Ｇと領域２２２Ｒとでキャリア注
入層１１１ｂの構造が同一であるため、パターン形成に必要なシャドウマスクの枚数を減
らすことができ、製造コストを低減することができる。また、発光素子の製造における歩
留りを向上させることができる。
【０１６６】
なお、発光素子２６２および発光素子２６４において、電極１０１と電極１０３に同じ
材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。電極１０１と電極１０３に同じ材料
を用いる場合、該発光素子の製造コストを低減できる。なお、電極１０１および電極１０
３、または導電膜１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０３ａ、１０３ｂ、及び１０３ｃは
、それぞれ２層以上の層が積層された構成であっても良い。
【０１６７】
以上のように、発光素子２５０で例示したキャリア注入層を有する発光素子２６２また
は発光素子２６４を、表示装置の画素に用いることで、発光効率の高い表示装置を作製す
ることができる。また、製造過程における成膜工程数が比較的少なく表示装置を作製する
ことができる。すなわち、発光素子２６２または発光素子２６４を有する表示装置は、消
費電力を低減することができる。また、該表示装置は製造しやすい表示装置である。
【０１６８】
なお、発光素子２６２及び発光素子２６４における他の構成については、発光素子２５
８または発光素子２６０の構成を参酌すればよい。
【０１６９】
＜発光素子の構成要素＞
次に、本発明の一態様に係わる発光素子の構成要素の詳細について、以下説明を行う。
【０１７０】
≪正孔注入層≫
キャリア注入層１１１、１１１ａ、及び１１１ｂ、またはキャリア注入層１１９、１１
９ａ、及び１１９ｂが正孔注入層である場合、正孔注入層としては、一対の電極の一方（
電極１０１または電極１０２）からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進
する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、または芳香族アミンな
どによって形成される。遷移金属酸化物としては、例えばモリブデン酸化物、バナジウム
酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、及びマンガン酸化物などが挙げられる
。フタロシアニン誘導体としては、例えばフタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）及び銅フタ
ロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等の金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミン
としてはベンジジン誘導体及びフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフ
ェン及びポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされた
ポリチオフェンであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸
）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などがその代表例である。
【０１７１】
正孔注入層として、正孔輸送性材料（ドナー材料）と、これに対して電子受容性を示す
材料（アクセプター材料）の複合材料を有する層を用いることもできる。または、電子受
容性を示す材料を含む層と正孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料
間では定常状態、または電界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す
材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、及びヘキサアザトリフェニレン
誘導体などの有機アクセプターを挙げることができる。具体的には、７，７，８，８−テ
トラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、
クロラニル、及び２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１
２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）等の電子吸引基（ハロゲン基また
はシアノ基）を有する化合物である。また、遷移金属酸化物、例えば第４族から第８族金
属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タン
タル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、及び酸化レニウ
ムなどである。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやす
いため好ましい。
【０１７２】
正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１
×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的に
は、例えば芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体など
を用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。
【０１７３】
これら正孔輸送性の高い材料として、例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’
−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰ
ＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ
］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）
アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジ
アミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。
【０１７４】
また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、例えば、３−［Ｎ−（４−ジフェニ
ルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚ
ＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミ
ノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾー
ル（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ
−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビ
ス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フ
ェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰ
ＣＮ１）等を挙げることができる。
【０１７５】
また、カルバゾール誘導体としては、他に、例えば、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル
）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニ
ル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリ
ル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。
【０１７６】
また、芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−
ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−
ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アン
トラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフ
ェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アント
ラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、
２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−
メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，
１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０−ビス［２−（１
−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（
１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフ
チル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−
ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル
、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’
−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−
テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロ
ネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度
を有し、炭素数１４乃至炭素数４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。
【０１７７】
なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香
族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル
（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］
アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
【０１７８】
また、例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニル
トリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジ
フェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルア
ミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、及びポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ
，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を
用いることもできる。
【０１７９】
また、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル
）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４
’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）
トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチ
ル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’
，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ
）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ト
リフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−
ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−
フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：Ｂ
ＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニ
ルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−
イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−
９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン
（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フ
ルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニ
ルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：Ｄ
ＰＡＳＦ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フ
ェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ
）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（
９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢ
Ｂ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミ
ン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル
）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−
Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバ
ゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−
Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメ
チル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９−ジメチル−Ｎ−
フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フル
オレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−
９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミ
ン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−
フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７−ビス
［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−
ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フ
ェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−
ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジ
メチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等
を用いることができる。また、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニ
ル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’−ビス（９−
フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル
）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェ
ニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオ
レン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−Ｉ
Ｉ）、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）
（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベ
ンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−
９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−Ｉ
ＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フ
ェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）、４−［３−（トリフェニレン
−２−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ−ＩＩ）等のアミン
化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、ト
リフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質
は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よ
りも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。
【０１８０】
≪電子注入層≫
キャリア注入層１１１、１１１ａ、及び１１１ｂ、またはキャリア注入層１１９、１１
９ａ、及び１１９ｂが電子注入層である場合、電子注入層としては、一対の電極の一方（
電極１０１または電極１０２）からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する
機能を有し、例えば第１族金属、第２族金属、またはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭
酸塩などを用いることができる。また、電子輸送性材料と、これに対して電子供与性（ド
ナー性）を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、
第１族金属、第２族金属、またはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には
、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（
ＣａＦ２）、及びリチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、及びアルカリ土
類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ
３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層にエレクトライ
ドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混
合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。
【０１８１】
また、電子注入層に、有機材料（アクセプター材料）と電子供与体（ドナー材料）とを
混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機
材料に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機
材料としては、発生した電子の輸送に優れた材料（電子輸送性材料）であることが好まし
く、具体的には、例えば金属錯体及び複素芳香族化合物等の電子輸送性材料を用いること
ができる。電子供与体としては、有機材料に対し電子供与性を示す物質であればよい。具
体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び希土類金属が好ましく、例えばリチウ
ム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、及びイッテルビウム等が挙げら
れる。また、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物が好ましく、例えばリチウ
ム酸化物、カルシウム酸化物、及びバリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシ
ウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：Ｔ
ＴＦ）等の有機材料を用いることもできる。
【０１８２】
電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１
×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましく、含窒素複
素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族、及び金属錯体などを用いることができ
る。具体的には、例えば、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子
、またはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、例えば、オキサジアゾ
ール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジ
ン誘導体、及びピリミジン誘導体などが挙げられる。
【０１８３】
具体的には、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａ
ｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌ
ｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称
：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）ア
ルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略
称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げら
れる。また、この他ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（
略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども
用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，
３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２
−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキ
サジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（
４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，
４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイ
ル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３
−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾ
ール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バ
ソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物、２−［３−（ジベンゾチオフェン
−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−
ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベン
ゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ
−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（
略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−
９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ
）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキ
サリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−
４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−Ｉ
Ｉ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：
４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリ
ミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、４，６−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾ
ール−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン
骨格を有する複素環化合物、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３
−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，
５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物
、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３
５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称
：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４’−ビス（５−メチ
ルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合
物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポ
リ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−
ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジ
イル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）
のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃ
ｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い
物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１８４】
≪正孔輸送層≫
正孔輸送層は正孔輸送性材料を含む層である。キャリア輸送層１１２、またはキャリア
輸送層１１８が正孔輸送層であるとき、正孔輸送性材料には正孔注入層の材料として例示
した材料を使用することができる。正孔輸送層は正孔注入層に注入された正孔を発光層１
５０へ輸送する機能を有するため、正孔注入層のＨＯＭＯ準位と同じ、または近いＨＯＭ
Ｏ準位を有することが好ましい。または、正孔注入層のＨＯＭＯ準位より低いＨＯＭＯ準
位を有する正孔輸送層を用いることで、発光層１５０への正孔注入を抑制することができ
るため、発光層１５０におけるキャリア再結合領域および発光領域が分布する領域を制御
することができる。
【０１８５】
上記正孔輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物
質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以
外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上
記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
【０１８６】
≪電子輸送層≫
電子輸送層は電子注入層を経て一対の電極の他方（電極１０１または電極１０２）から
注入された電子を発光層１５０へ輸送する機能を有する。キャリア輸送層１１２、または
１１８が電子輸送層であるとき、電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高
い材料を用いることができ、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料で
あることが好ましい。電子輸送性材料としては、例えば含窒素複素芳香族化合物のような
π電子不足型複素芳香族及び金属錯体などを用いることができる。具体的には、電子注入
層に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配
位子、オキサゾール配位子、またはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾー
ル誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン
誘導体、ピリミジン誘導体などが挙げられる。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質
であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、キャリア輸送層
１１８は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。
【０１８７】
また、電子輸送層と発光層１５０との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても
良い。これは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量
添加した層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを
調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことに
より発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
【０１８８】
≪発光層≫
発光層１５０が有する発光層１２０または発光層１３０の一方は、紫色、青色、または
青緑色の中から選ばれる少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能
を有する第１の発光材料を有する。また、他方は、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤
色の中から選ばれる少なくとも一つの波長領域に発光スペクトルピークを呈する機能を有
する第２の発光材料を有する。また、各発光層は、発光材料に加えて、ホスト材料を含ん
で構成される。ホスト材料としては、電子輸送性材料または正孔輸送性材料の一方または
双方を有する構成が好ましい。
【０１８９】
また、第１の発光材料、第２の発光材料としては、一重項励起エネルギーを発光に変換
できる機能を有する発光材料、または三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有
する発光材料を用いることができる。なお、上記発光材料としては、例えば以下が挙げら
れる。
【０１９０】
一重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する発光材料としては、蛍光を発す
る物質が挙げられ、例えば、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フ
ェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１
０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称
：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニ
ル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４
−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリ
フェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−
（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ
）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−ア
ントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］
−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：
ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン
（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ
−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡ
Ｐｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニ
ル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，
６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’
−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス
（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（
略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，
１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−
フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，
１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略
称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル
］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰ
Ａ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベ
ンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマ
リン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ
−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２
−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：
２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡ
ＰｈＡ）、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：
ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１
−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）
フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル
（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−
１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イ
リデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４
−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１
４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［
１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛
２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テト
ラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラ
ン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１
Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリ
デン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジ
メチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリ
ル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７
−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジ
ン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：
ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、５，１０，１５，２０−テトラフェニルビスベンゾ［５，６］イン
デノ［１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ］ペリレン、などのアントラセン骨格
、テトラセン骨格、クリセン骨格、フェナントレン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、ス
チルベン骨格、アクリドン骨格、クマリン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨
格などを有する物質を用いることができる。
【０１９１】
また、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する発光材料としては、例え
ば、燐光を発する物質が挙げられる。
【０１９２】
青色または緑色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２−［５−（２
−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ
ール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐ
ｔｚ−ｄｍｐ）３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−ト
リアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３）、トリス［４−（３−
ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３）、トリス［３−（５−ビフ
ェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を
有する有機金属イリジウム錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５
−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍ
ｐｔｚ１−ｍｐ）３）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，
２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）３）
のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ｆａｃ−トリス［１
−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェ
ニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属
イリジウム錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２
’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、
ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（
ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフ
ルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート
（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフ
ェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とす
る有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾール骨格を有
する有機金属イリジウム錯体は、信頼性及び発光効率に優れるため、特に好ましい。
【０１９３】
また、緑色または黄色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４−メチ
ル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３）、
トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉ
ｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリ
ミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチ
ルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス
［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６
−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチ
ル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−
κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ））、（
アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリ
ジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト
）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチル
アセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウ
ム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格
を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ
２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ
））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（
ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ
））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル
−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略
称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フ
ェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，
Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ
））など有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナント
ロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））のような希土
類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム
錯体は、信頼性及び発光効率に際だって優れるため、特に好ましい。
【０１９４】
また、黄色または赤色に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリル
メタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６−ビス（３−メチル
フェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ））、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジ
ナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（
ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセト
ナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ
（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバ
ロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、（ア
セチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格
を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキノリナト
−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（
ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，
８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ
）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロ
パンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ
）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセト
ナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐ
ｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有
する有機金属イリジウム錯体は、信頼性及び発光効率に際だって優れるため、特に好まし
い。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得ら
れる。
【０１９５】
発光層のホスト材料として用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例え
ば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４
−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１
０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビ
ス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス
［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビ
ス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）など
の金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７
）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）
−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベン
ゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）
、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９
−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ
−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなど
の芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体
、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香
族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎ
ｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル
］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−
９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、
Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］
フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、２ＰＣＡＰＡ、
６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、ＤＢＣ１、９−［４−（１０−
フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、
３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ
−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−
９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、７−［４−（
１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール
（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フ
ェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−
フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４
’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフ
ェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン
（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン
（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（
スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（ス
チルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−ト
リ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５
，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどを挙げることができる。これら及
び様々な物質の中から、上記発光材料のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャッ
プを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光材料が燐光を
発する物質である場合、ホスト材料としては、発光材料の三重項励起エネルギー（基底状
態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい物質を選択
すれば良い。
【０１９６】
また、発光層のホスト材料として、複数の材料を用いる場合、励起錯体（エキサイプレ
ックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）を形成する２種類の化合物
を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、様々なキャリア輸送性材料を適宜用い
ることができるが、効率よく励起錯体を形成するために、電子輸送性材料と、正孔輸送性
材料とを組み合わせることが特に好ましい。
【０１９７】
なぜならば、電子輸送性材料と、正孔輸送性材料とを組み合わせて励起錯体を形成する
ホスト材料とする場合、電子輸送性材料及び正孔輸送性材料の混合比率を調節することで
、発光層における正孔と電子のキャリアバランスを最適化することが容易となる。発光層
における正孔と電子のキャリアバランスを最適化することにより、発光層中で電子と正孔
の再結合が起こる領域が偏ることを抑制できる。再結合が起こる領域の偏りを抑制するこ
とで、発光素子の信頼性を向上させることができる。
【０１９８】
電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族及
び金属錯体などを用いることができる。具体的には、電子注入層または電子輸送層に用い
ることができる電子輸送性材料を用いることができる。中でも、ピリジン骨格、ジアジン
骨格、及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に
、ジアジン（ピリミジン及びピラジン）骨格及びトリアジン骨格を有する複素環化合物は
、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。
【０１９９】
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族（例えばカルバゾール誘導体及びイ
ンドール誘導体）又は芳香族アミンなどを好適に用いることができる。具体的には、正孔
注入層または正孔輸送層に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。中
でも、芳香族アミン骨格を有する化合物及びカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性
が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。
【０２００】
なお、励起錯体を形成するホスト材料の組み合わせとしては、上述した化合物に限定さ
れることなく、キャリアを輸送でき、且つ励起錯体を形成できる組み合わせであり、当該
励起錯体の発光が、発光物質の吸収スペクトルにおける最も長波長側の吸収帯（発光物質
の一重項基底状態から一重項励起状態への遷移に相当する吸収）と重なっていればよく、
他の材料を用いても良い。
【０２０１】
また、上記正孔輸送性材料と電子輸送性材料とが、効率よく励起錯体を形成するために
は、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位が電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位より高く、正孔輸送
性材料のＬＵＭＯ準位が電子輸送性材料のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。具体的
には、正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位と電子輸送性材料のＨＯＭＯ準位とのエネルギー差
は、好ましくは０．０５ｅＶ以上であり、より好ましくは０．１ｅＶ以上であり、さらに
好ましくは０．２ｅＶ以上である。また、正孔輸送性材料のＬＵＭＯ準位と電子輸送性材
料のＬＵＭＯ準位とのエネルギー差は、好ましくは０．０５ｅＶ以上であり、より好まし
くは０．１ｅＶ以上であり、さらに好ましくは０．２ｅＶ以上である。
【０２０２】
また、発光層の発光材料またはホスト材料として、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌ
ｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）体
を用いても良い。熱活性化遅延蛍光体は、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネル
ギー準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起状態から一重項励起状態へエネ
ルギーを変換する機能を有する材料である。
【０２０３】
熱活性化遅延蛍光体としては、一種類の材料から構成されていても良く、複数の材料か
ら構成されていても良い。例えば、熱活性化遅延蛍光体が、一種類の材料から構成される
場合、以下の材料を用いることができる。
【０２０４】
まずフラーレン及びその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙
げられる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ
）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有
ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィ
リン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ  ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化ス
ズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ  ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ
２（Ｈｅｍａｔｏ  ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯
体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ  ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化ス
ズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔ
ｉｏ  Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げ
られる。
【０２０５】
また、一種の材料から構成される熱活性化遅延蛍光体としては、例えば２−（ビフェニ
ル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−
１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、２−｛４−［３−（
Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェ
ニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２
−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１
，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０
−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−ト
リアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−
１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，
９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−
ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アント
ラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不
足型複素芳香環を有する複素環化合物も用いることができる。該複素環化合物は、π電子
過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性
が高く、好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結
合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプ
ター性が共に強く、一重項励起状態の準位と三重項励起状態の準位の差が小さくなるため
、特に好ましい。
【０２０６】
また、熱活性化遅延蛍光体をホスト材料として用いる場合、励起錯体を形成する２種類
の材料を組み合わせて用いることが好ましい。この場合、上記に示した励起錯体を形成す
る組み合わせである電子輸送性材料と、正孔輸送性材料とを用いることが特に好ましい。
【０２０７】
また、発光層１２０または発光層１３０において、ホスト材料および発光材料以外の材
料を有していても良い。
【０２０８】
なお、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、
それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の
方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子
輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物または高
分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。
【０２０９】
なお、量子ドットとしては、コロイド状量子ドット、合金型量子ドット、コア・シェル
型量子ドット、コア型量子ドット、などを用いてもよい。また、２族と１６族、１３族と
１５族、１３族と１７族、１１族と１７族、または１４族と１５族の元素グループを含む
材料を用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫
黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（
Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドットを用いても
よい。
【０２１０】
≪一対の電極≫
電極１０１及び電極１０２は、発光層１５０へ正孔と電子を注入する機能を有する。電
極１０１及び電極１０２は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物または積
層体などを用いて形成することができる。金属としてはアルミニウム（Ａｌ）が典型例で
あり、その他、銀（Ａｇ）、タングステン、クロム、モリブデン、銅、チタンなどの遷移
金属、リチウム（Ｌｉ）及びセシウムなどのアルカリ金属、カルシウム、及びマグネシウ
ム（Ｍｇ）などの第２族金属を用いることができる。遷移金属としてイッテルビウム（Ｙ
ｂ）などの希土類金属を用いても良い。合金としては、上記金属を含む合金を使用するこ
とができ、例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどが挙げられる。導電性化合物としては、例えば
、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯ）、珪素または
酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉ
ｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化イ
ンジウムなどの金属酸化物が挙げられる。導電性化合物としてグラフェンなどの無機炭素
系材料を用いても良い。上述したように、これらの材料の複数を積層することによって電
極１０１及び電極１０２の一方または双方を形成しても良い。
【０２１１】
また、発光層１５０から得られる発光は、電極１０１及び電極１０２の一方または双方
を通して取り出される。したがって、電極１０１及び電極１０２の少なくとも一つは可視
光を透過する機能を有する。光を透過する機能を有する導電性材料としては、可視光の透
過率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつその抵
抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。また、光を取り出す方の電
極は、光を透過する機能と、光を反射する機能と、を有する導電性材料により形成されて
も良い。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４
０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が
挙げられる。光を取り出す方の電極に金属及び合金などの光透過性の低い材料を用いる場
合には、可視光を透過できる程度の厚さ（例えば、１ｎｍ以上３０ｎｍ以下の厚さ）で電
極１０１及び電極１０２の一方または双方を形成すればよい。
【０２１２】
なお、本明細書等において、光を透過する機能を有する電極には、可視光を透過する機
能を有し、且つ導電性を有する材料を用いればよく、例えば上記のようなＩＴＯに代表さ
れる酸化物導電体層に加えて、酸化物半導体層、または有機物を含む有機導電体層を含む
。有機物を含む有機導電体層としては、例えば、有機材料（アクセプター材料）と電子供
与体（ドナー材料）とを混合してなる複合材料を含む層、有機材料（ドナー材料）と電子
受容体（アクセプター材料）とを混合してなる複合材料を含む層等が挙げられる。また、
透明導電膜の抵抗率としては、好ましくは１×１０５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１
×１０４Ω・ｃｍ以下である。
【０２１３】
また、電極１０１及び電極１０２の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、
塗布法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パル
スレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適
宜用いることができる。
【０２１４】
なお、電極１０３及び電極１０４、または導電膜１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０
３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０４ａ、及び１０４ｂにおいても、上記に挙げた材料を用
いることができる。
【０２１５】
≪基板≫
また、本発明の一態様に係る発光素子は、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に
作製すればよい。基板上に作製する順番としては、電極１０１側から順に積層しても、電
極１０２側から順に積層しても良い。
【０２１６】
なお、本発明の一態様に係る発光素子を形成できる基板としては、例えばガラス、石英
、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性
基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボ
ネート、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無
機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子、及び光学素子の作製工程に
おいて支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。または、発光素
子、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。
【０２１７】
例えば、本発明等においては、様々な基板を用いて発光素子を形成することが出来る。
基板の種類は、特に限定されない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶
基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属
基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステ
ン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状
の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホ
ウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓
性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下が挙げられる。例
えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表され
るプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の樹脂などがある。または、
一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル
などがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無
機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板
などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばら
つきが少なく、電流能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。
このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高
集積化を図ることができる。
【０２１８】
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光素子を形成してもよ
い。または、基板と発光素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光素
子を一部または全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いるこ
とができる。その際、耐熱性の劣る基板または可撓性の基板にも発光素子を転載できる。
なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構
造の構成、または基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができ
る。
【０２１９】
つまり、ある基板を用いて発光素子を形成し、その後、別の基板に発光素子を転置し、
別の基板上に発光素子を配置してもよい。発光素子が転置される基板の一例としては、上
述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、
麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテー
ト、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板な
どがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光素子、耐熱性の高い発光素
子、軽量化された発光素子、または薄型化された発光素子とすることができる。
【０２２０】
また、上述した基板上に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、ＦＥＴと
電気的に接続された電極上に発光素子を作製してもよい。これにより、ＦＥＴによって発
光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。
【０２２１】
＜発光素子の作製方法＞
次に、本発明の一態様の発光素子の作製方法について、図６及び図７を用いて以下説明
を行う。なお、ここでは、図４（Ａ）に示す発光素子２５８の作製方法について説明する
。
【０２２２】
図６及び図７は、本発明の一態様の発光素子の作製方法を説明するための断面図である
。
【０２２３】
以下で説明する発光素子２５８の作製方法は、第１乃至第７の７つのステップを有する
。
【０２２４】
≪第１のステップ≫
第１のステップは、発光素子の電極の一部（具体的には、電極１０１を構成する導電膜
１０１ａ、電極１０３を構成する導電膜１０３ａ、及び電極１０４を構成する導電膜１０
４ａ）を、基板２００上に形成する工程である（図６（Ａ）参照）。
【０２２５】
本実施の形態においては、基板２００上に、反射性の導電膜を形成し、該導電膜を所望
の形状に加工することで、導電膜１０１ａ、導電膜１０３ａ、及び導電膜１０４ａを形成
する。上記反射性の導電膜としては、例えばアルミニウムとニッケルとランタンの合金膜
（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ膜）を用いる。このように、導電膜１０１ａ、導電膜１０３ａ、及び
導電膜１０４ａを、同一の導電膜を加工する工程を経て形成することで、製造コストを安
くすることができるため好適である。
【０２２６】
なお、第１のステップの前に、基板２００上に複数のトランジスタを形成してもよい。
また、上記複数のトランジスタと、導電膜１０１ａ、導電膜１０３ａ、及び導電膜１０４
ａとを、それぞれ電気的に接続させてもよい。
【０２２７】
≪第２のステップ≫
第２のステップは、電極１０１を構成する導電膜１０１ａ上に導電膜１０１ｂを、電極
１０３を構成する導電膜１０３ａ上に導電膜１０３ｂを、電極１０４を構成する導電膜１
０４ａ上に導電膜１０４ｂを、形成する工程である。導電膜１０１ｂ、１０３ｂ、１０４
ｂと、第１のステップで形成した導電膜１０１ａ、１０３ａ、１０４ａとを形成すること
で、電極１０１、電極１０３、及び電極１０４を形成する。本実施の形態においては、導
電膜１０１ｂ、導電膜１０３ｂ、及び導電膜１０４ｂとして、ＩＴＳＯ膜を用いる（図６
（Ｂ）参照）。
【０２２８】
なお、導電膜１０１ｂ、導電膜１０３ｂ、及び導電膜１０４ｂの形成方法としては、複
数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各領域で適したマイクロ
キャビティ構造となる膜厚で、導電膜１０１ｂ、導電膜１０３ｂ、及び導電膜１０４ｂを
形成することができる。
【０２２９】
≪第３のステップ≫
第３のステップは、発光素子の各電極の端部を覆う隔壁１４５を形成する工程である（
図６（Ｃ）参照）。
【０２３０】
隔壁１４５は、電極と重なるように開口部を有する。該開口部によって露出する導電膜
が発光素子の陽極として機能する。本実施の形態では、隔壁１４５として、ポリイミド樹
脂を用いる。
【０２３１】
なお、第１乃至第３のステップにおいては、ＥＬ層（有機化合物を含む層）を損傷する
おそれがないため、さまざまな成膜方法及び微細加工技術を適用できる。本実施の形態で
は、スパッタリング法を用いて、反射性の導電膜を成膜した後、スパッタリング法を用い
て透明性の導電膜を成膜し、リソグラフィ法を用いて、該導電膜のパターンを形成し、そ
の後ウエットエッチング法を用いて、該導電膜を島状に加工して、電極１０１、電極１０
３、及び電極１０４を形成する。
【０２３２】
≪第４のステップ≫
第４のステップは、キャリア注入層１１１ａ、キャリア注入層１１１ｂを形成する工程
である（図７（Ａ）参照）。
【０２３３】
キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂとしては、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を
含む材料とを共蒸着することで形成することができる。なお、共蒸着とは、異なる複数の
物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
【０２３４】
なお、キャリア注入層１１１ａおよびキャリア注入層１１１ｂの形成方法としては、複
数回に分けて形成してもよい。複数回に分けて形成することで、各領域で適したマイクロ
キャビティ構造となる膜厚で、キャリア注入層１１１ａおよびキャリア注入層１１１ｂを
形成することができる。
【０２３５】
≪第５のステップ≫
第５のステップは、キャリア輸送層１１２、発光層１２０、発光層１３０、キャリア輸
送層１１８、キャリア注入層１１９、及び電極１０２を形成する工程である（図７（Ｂ）
参照）。
【０２３６】
キャリア輸送層１１２としては、正孔輸送性材料を蒸着することで形成することができ
る。
【０２３７】
発光層１２０としては、紫色、青色、または青緑色の中から選ばれる少なくとも一つの
波長領域に発光を呈する第１の発光材料を蒸着することで形成することができる。第１の
発光材料としては、蛍光性の有機化合物を用いることができる。また、該蛍光性の有機化
合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例えば、蛍光性
の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホスト材料に該
ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。
【０２３８】
発光層１３０としては、緑色、黄緑色、黄色、橙色、または赤色の中から選ばれる少な
くとも一つの波長領域に発光を呈する第２の発光材料を蒸着することで形成することがで
きる。第２の発光材料としては、燐光性の有機化合物を用いることができる。また、該燐
光性の有機化合物は、単独で蒸着してもよいが、他の材料と混合して蒸着してもよい。例
えば、燐光性の有機化合物をゲスト材料とし、ゲスト材料より励起エネルギーが大きなホ
スト材料に該ゲスト材料を分散して蒸着してもよい。また、発光層１３０として、２層の
構成としてもよい。その場合、２層の発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を呈する発
光材料を有することが好ましい。
【０２３９】
キャリア輸送層１１８としては、電子輸送性の高い物質を蒸着することで形成すること
ができる。また、キャリア注入層１１９としては、電子注入性の高い物質を蒸着すること
で形成することができる。
【０２４０】
電極１０２としては、反射性を有する導電膜と、透光性を有する導電膜を積層すること
で形成することができる。また、電極１０２としては、単層構造、または積層構造として
もよい。
【０２４１】
上記工程を経て、電極１０１、電極１０３、及び電極１０４上に、それぞれ領域２２２
Ｒ、領域２２２Ｇ、及び領域２２２Ｂを有する発光素子が基板２００上に形成される。
【０２４２】
≪第６のステップ≫
第６のステップは、基板２２０上に遮光層２２３、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４
Ｇ、及び光学素子２２４Ｂを形成する工程である（図７（Ｃ）参照）。
【０２４３】
遮光層２２３としては、黒色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成する。その後、基
板２２０及び遮光層２２３上に、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２
２４Ｂを形成する。光学素子２２４Ｒとしては、赤色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に
形成する。また、光学素子２２４Ｇとしては、緑色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形
成する。また、光学素子２２４Ｂとしては、青色顔料の含んだ樹脂膜を所望の領域に形成
する。
【０２４４】
≪第７のステップ≫
第７のステップは、基板２００上に形成された発光素子と、基板２２０上に形成された
遮光層２２３、光学素子２２４Ｒ、光学素子２２４Ｇ、及び光学素子２２４Ｂと、を貼り
合わせ、封止材を用いて封止する工程である（図示しない）。
【０２４５】
以上の工程により、図４（Ａ）に示す発光素子２５８を形成することができる。
【０２４６】
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。または、他の実施の形
態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定
されない。例えば、本発明の一態様では、第１の領域と第２の領域とを有し、第１の領域
は第１の注入層と第１の発光層と第２の発光層とを有し、第２の領域は第２の注入層と第
１の発光層と第２の発光層とを有し、第１の注入層は第１の電極と接し、第２の注入層は
第１の電極と接し、第１の発光層と第２の発光層は、互いに異なる発光スペクトルを有す
る発光を呈する機能を有する発光材料を有し、第１の領域が呈する光の色は、第２の領域
が呈する光の色と異なる場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。
場合によっては、または、状況に応じて、本発明の一態様では、例えば、ＥＬ層は２つの
発光層を有さなくともよい。または、第１の領域または第２の領域を有さなくてもよい。
または、第１の領域は第１の注入層を有さなくてもよい。または、第２の領域は第２の注
入層を有さなくてもよい。または、第１の注入層は第１の電極と接しなくてもよい。また
は、第２の注入層は第１の電極と接しなくてもよい。または、第１の領域が呈する光の色
は、第２の領域が呈する光の色と異ならなくてもよい。または、発光層を塗り分け方式で
形成してもよい。
【０２４７】
以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることがで
きる。
【０２４８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子の発光機構について、図８乃至図１１を
用いて以下説明する。図８乃至図１１において、図１に示す符号と同様の機能を有する箇
所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有
する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。
【０２４９】
＜発光素子の構成例７＞
図８は、発光素子４５０の断面模式図である。
【０２５０】
図８に示す発光素子４５０は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）の間にＥＬ層
４００が挟まれた構造である。なお、発光素子４５０において、電極４０１が陽極として
機能し、電極４０２が陰極として機能するとして、以下説明を行うが、逆であっても構わ
ない。
【０２５１】
また、ＥＬ層４００は、発光層１５０を有し、発光層１５０は、発光層１２０と発光層
１３０とを有する。また、発光素子４５０において、ＥＬ層４００として、発光層１２０
及び発光層１３０の他に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、電子輸送層４１８、及
び電子注入層４１９が図示されているが、これらの積層構造は一例であり、発光素子４５
０におけるＥＬ層４００の構成はこれらに限定されない。例えば、ＥＬ層４００において
、上記各層の積層順を変えてもよい。または、ＥＬ層４００において、上記各層以外の機
能層を設けてもよい。該機能層としては、例えば、キャリア（電子またはホール）を注入
する機能、キャリアを輸送する機能、キャリアを抑止する機能、キャリアを発生する機能
を有する構成とすればよい。
【０２５２】
なお、発光素子４５０が有する電極４０１と、電極４０２と、正孔注入層４１１と、正
孔輸送層４１２と、電子輸送層４１８と、電子注入層４１９は、実施の形態１に示す、電
極１０１と、電極１０２と、キャリア注入層１１１、１１１ａ、１１１ｂと、キャリア輸
送層１１２と、キャリア輸送層１１８と、キャリア注入層１１９、１１９ａ、１１９ｂと
、それぞれ同様の機能を有する。したがって、本実施の形態においては、その詳細な説明
は省略する。
【０２５３】
また、発光層１２０は、ホスト材料１２１とゲスト材料１２２とを有する。また、発光
層１３０は、ホスト材料１３１とゲスト材料１３２とを有し、ホスト材料１３１は有機化
合物１３１＿１と有機化合物１３１＿２とを有する。なお、ゲスト材料１２２が蛍光性の
発光材料（蛍光材料）、ゲスト材料１３２が燐光性の発光材料（燐光材料）として、以下
説明する。
【０２５４】
≪第１の発光層の発光機構≫
まず、発光層１２０の発光機構について、以下説明を行う。
【０２５５】
発光層１２０では、キャリアの再結合により励起子が生成し、励起子が生成した化合物
は励起状態となる。ゲスト材料１２２と比較してホスト材料１２１は大量に存在するので
、励起状態は、ほぼホスト材料１２１の励起状態として存在する。キャリアの再結合によ
って生じる一重項励起子と三重項励起子の比（以下、励起子生成確率）は約１：３となる
。
【０２５６】
はじめに、ホスト材料１２１の三重項励起エネルギー準位の最も低い準位（Ｔ１準位）
がゲスト材料１２２のＴ１準位よりも高い場合について、以下説明する。
【０２５７】
ホスト材料１２１の三重項励起状態からゲスト材料１２２にエネルギー移動（三重項エネ
ルギー移動）が生じる。しかしながら、ゲスト材料１２２が蛍光材料であるため、三重項
励起状態は可視光領域に発光を与えない。したがって、ホスト材料１２１の三重項励起状
態を発光として利用することが難しい。よって、ホスト材料１２１のＴ１準位がゲスト材
料１２２のＴ１準位よりも高い場合においては、注入したキャリアのうち、約２５％を超
えて発光に利用することが難しい。
【０２５８】
次に、発光層１２０におけるホスト材料１２１と、ゲスト材料１２２とのエネルギー準
位の相関を図９（Ａ）に示す。なお、図９（Ａ）における表記及び符号は、以下の通りで
ある。
・Ｈｏｓｔ（１２１）：ホスト材料１２１
・Ｇｕｅｓｔ（１２２）：ゲスト材料１２２（蛍光材料）
・ＳＦＨ：ホスト材料１２１のＳ１準位
・ＴＦＨ：ホスト材料１２１のＴ１準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光材料）のＳ１準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光材料）のＴ１準位
【０２５９】
図９（Ａ）に示すように、ゲスト材料のＴ１準位（図９（Ａ）において、ＴＦＧ）がホ
スト材料のＴ１準位（図９（Ａ）において、ＴＦＨ）よりも高い構成である。
【０２６０】
また、図９（Ａ）に示すように、三重項−三重項消滅（ＴＴＡ：Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒ
ｉｐｌｅｔ  Ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）によって、三重項励起子同士が近接することに
より、三重項励起エネルギーの一部が一重項励起エネルギーに変換され、ホスト材料１２
１のＳ１準位（ＳＦＨ）に移動する。ホスト材料のＳ１準位（ＳＦＨ）からは、それより
もエネルギーの低いゲスト材料１２２（蛍光材料）のＳ１準位（ＳＦＧ）へエネルギー移
動が起こり（図９（Ａ）Ｒｏｕｔｅ  Ａ参照）、ゲスト材料（蛍光材料）が発光する。
【０２６１】
なお、ホスト材料のＴ１準位（ＴＦＨ）がゲスト材料のＴ１準位（ＴＦＧ）よりも低い
ため、ＴＦＧは失活することなくＴＦＨにエネルギー移動（図９（Ａ）に示すＲｏｕｔｅ
Ｂ参照）し、ＴＴＡに利用される。
【０２６２】
発光層１２０を上述の構成とすることで、発光層１２０のゲスト材料１２２からの発光
を、効率よく得ることが可能となる。したがって、ホスト材料１２１のＳ１準位（ＳＦＨ
）は、ゲスト材料１２２のＳ１準位（ＳＦＧ）より高いことが好ましい。また、ホスト材
料１２１のＴ１準位（ＴＦＨ）は、ゲスト材料１２２のＴ１準位（ＴＦＧ）より低いこと
が好ましい。
【０２６３】
≪第２の発光層の発光機構≫
次に、発光層１３０の発光機構について、以下説明を行う。
【０２６４】
発光層１３０においてホスト材料１３１が有する有機化合物１３１＿１と有機化合物１
３１＿２とは励起錯体を形成する組み合わせであることが好ましい。
【０２６５】
発光層１３０における励起錯体を形成する有機化合物１３１＿１と有機化合物１３１＿
２との組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方
が正孔輸送性を有する材料（正孔輸送性材料）であり、他方が電子輸送性を有する材料（
電子輸送性材料）であることが、より好ましい。この場合、ドナー−アクセプター型の励
起状態を形成しやすくなり、効率よく励起錯体を形成することができるようになる。また
、正孔輸送性材料と電子輸送性材料との組み合わせによって、有機化合物１３１＿１と有
機化合物１３１＿２の組み合わせを構成する場合、その混合比によってキャリアバランス
を容易に制御することができる。具体的には正孔輸送性材料：電子輸送性材料＝１：９か
ら９：１（重量比）の範囲が好ましい。また、該構成を有することで、容易にキャリアバ
ランスを制御することができることから、再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
【０２６６】
発光層１３０における有機化合物１３１＿１と、有機化合物１３１＿２と、ゲスト材料
１３２とのエネルギー準位の相関を図９（Ｂ）に示す。なお、図９（Ｂ）における表記及
び符号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ（１３１＿１）：有機化合物１３１＿１
・Ｈｏｓｔ（１３１＿２）：有機化合物１３１＿２
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：ゲスト材料１３２（燐光材料）
・ＳＰＨ：有機化合物１３１＿１（ホスト材料）のＳ１準位
・ＴＰＨ：有機化合物１３１＿１（ホスト材料）のＴ１準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料１３２（燐光材料）のＴ１準位
・ＳＥ：励起錯体のＳ１準位
・ＴＥ：励起錯体のＴ１準位
【０２６７】
本発明の一態様の発光素子においては、発光層１３０においてホスト材料１３１が有す
る有機化合物１３１＿１と有機化合物１３１＿２が励起錯体を形成する。励起錯体のＳ１
準位（ＳＥ）と励起錯体のＴ１準位（ＴＥ）は互いに隣接することになる（図９（Ｂ）Ｒ
ｏｕｔｅ  Ｃ参照）。
【０２６８】
励起錯体は、２種類の物質からなる励起状態であり、光励起の場合、励起状態となった
一方の物質が他方の基底状態の物質と相互作用することによって形成される。そして、光
を発することによって基底状態となると、励起錯体を形成していた２種類の物質はまた元
の別々の物質として振舞う。電気励起の場合は、一方のカチオン分子（ホールを有する）
と他方のアニオン分子（電子を有する）が近接することで励起錯体を形成できる。すなわ
ち電気励起においては、いずれの分子においても励起状態を形成することなく励起錯体が
形成できるため、駆動電圧の低減につながる。そして、励起錯体の（ＳＥ）と（ＴＥ）の
双方のエネルギーを、ゲスト材料１３２（燐光材料）のＴ１準位へ移動させて発光が得ら
れる（図９（Ｂ）Ｒｏｕｔｅ  Ｄ参照）。
【０２６９】
なお、上記に示すＲｏｕｔｅ  Ｃ及びＲｏｕｔｅ  Ｄの過程を、本明細書等においてＥ
ｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼
称する場合がある。別言すると、発光素子４５０は、励起錯体からゲスト材料１３２（燐
光材料）へのエネルギーの供与がある。
【０２７０】
また、有機化合物１３１＿１及び有機化合物１３１＿２は、一方がホールを、他方が電
子を受け取ることで励起錯体を形成する。または、一方が励起状態となると、他方と相互
作用することで励起錯体を形成する。したがって、発光層１３０における励起子のほとん
どが励起錯体として存在する。励起錯体は、有機化合物１３１＿１及び有機化合物１３１
＿２のどちらよりもバンドギャップは小さくなるため、励起錯体が形成されることにより
、駆動電圧を下げることができる。
【０２７１】
発光層１３０を上述の構成とすることで、発光層１３０のゲスト材料１３２（燐光材料
）からの発光を、効率よく得ることが可能となる。
【０２７２】
≪第１の発光層と第２の発光層の発光機構≫
発光層１２０及び発光層１３０のそれぞれの発光機構について、上記説明したが、発光
素子４５０に示すように、発光層１２０と、発光層１３０とが互いに接する構成を有する
場合、発光層１２０と発光層１３０の界面において、励起錯体から発光層１２０のホスト
材料１２１へのエネルギー移動（とくに三重項励起準位のエネルギー移動）が起こったと
しても、発光層１２０にて上記三重項励起エネルギーを発光に変換することができる。
【０２７３】
なお、発光層１２０のホスト材料１２１のＴ１準位が、発光層１３０が有する有機化合
物１３１＿１及び有機化合物１３１＿２のＴ１準位よりも低いと好ましい。また、発光層
１２０において、ホスト材料１２１のＳ１準位がゲスト材料１２２（蛍光材料）のＳ１準
位よりも高く、且つ、ホスト材料１２１のＴ１準位がゲスト材料１２２（蛍光材料）のＴ
１準位よりも低いと好ましい。
【０２７４】
具体的には、発光層１２０にＴＴＡを用い、発光層１３０にＥｘＴＥＴを用いる場合の
エネルギー準位の相関を図９（Ｃ）に示す。なお、図９（Ｃ）における表記及び符号は、
以下の通りである。
・Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  ＥＭＬ（１２０）：発光層１２０（蛍光発光層）
・Ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ  ＥＭＬ（１３０）：発光層１３０（燐光発光層）
・ＳＦＨ：ホスト材料１２１のＳ１準位
・ＴＦＨ：ホスト材料１２１のＴ１準位
・ＳＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光材料）のＳ１準位
・ＴＦＧ：ゲスト材料１２２（蛍光材料）のＴ１準位
・ＳＰＨ：有機化合物１３１＿１（ホスト材料）のＳ１準位
・ＴＰＨ：有機化合物１３１＿１（ホスト材料）のＴ１準位
・ＴＰＧ：ゲスト材料１３２（燐光材料）のＴ１準位
・ＳＥ：励起錯体のＳ１準位
・ＴＥ：励起錯体のＴ１準位
【０２７５】
図９（Ｃ）に示すように、励起錯体は励起状態でしか存在しないため、励起錯体と励起
錯体との間の励起子拡散は生じにくい。また、励起錯体の励起準位（ＳＥ及びＴＥ）は、
発光層１３０の有機化合物１３１＿１（すなわち、燐光材料のホスト材料）の励起準位（
ＳＰＨ及びＴＰＨ）よりも低いので、励起錯体から有機化合物１３１＿１へのエネルギー
の拡散も生じない。すなわち、燐光発光層（発光層１３０）内において、励起錯体の励起
子拡散距離は短いため、燐光発光層（発光層１３０）の効率を保つことが可能となる。ま
た、蛍光発光層（発光層１２０）と燐光発光層（発光層１３０）の界面において、燐光発
光層（発光層１３０）の励起錯体の三重項励起エネルギーの一部が、蛍光発光層（発光層
１２０）に拡散したとしても、その拡散によって生じた蛍光発光層（発光層１２０）の三
重項励起エネルギーは、ＴＴＡを通じて発光されるため、エネルギー損失を低減すること
が可能となる。
【０２７６】
以上のように、発光素子４５０は、発光層１３０にＥｘＴＥＴを利用し、且つ発光層１
２０にＴＴＡを利用することで、エネルギー損失が低減されるため、高い発光効率の発光
素子とすることができる。また、発光素子４５０に示すように、発光層１２０と、発光層
１３０とが互いに接する構成とする場合、上記エネルギー損失が低減されるとともに、Ｅ
Ｌ層４００の層数を低減させることができる。したがって、製造コストの少ない発光素子
とすることができる。
【０２７７】
なお、発光層１２０と発光層１３０とは互いに接していない構成であっても良い。この
場合、発光層１３０中で生成する、ホスト材料１３１またはゲスト材料１３２（燐光材料
）の励起状態から発光層１２０中のホスト材料１２１、またはゲスト材料１２２（蛍光材
料）へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐこと
ができる。したがって、発光層１２０と発光層１３０の間に設ける層は数ｎｍ程度の厚さ
があればよい。具体的には、１ｎｍ以上５ｎｍ以下が好適である。
【０２７８】
発光層１２０と発光層１３０の間に設ける層は単一の材料で構成されていても良いが、
正孔輸送性材料と電子輸送性材料の両者が含まれていても良い。単一の材料で構成する場
合、バイポーラー性材料を用いても良い。ここでバイポーラー性材料とは、電子と正孔の
移動度の比が１００以下である材料を指す。また、正孔輸送性材料または電子輸送性材料
などを使用しても良い。もしくは、そのうちの少なくとも一つは、発光層１３０のホスト
材料（有機化合物１３１＿１または有機化合物１３１＿２）と同一の材料で形成しても良
い。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。さらに、
正孔輸送性材料と電子輸送性材料とで励起錯体を形成しても良く、これによって励起子の
拡散を効果的に防ぐことができる。具体的には、発光層１３０のホスト材料（有機化合物
１３１＿１または有機化合物１３１＿２）またはゲスト材料１３２（燐光材料）の励起状
態から、発光層１２０のホスト材料１２１またはゲスト材料１２２（蛍光材料）へのエネ
ルギー移動を防ぐことができる。
【０２７９】
また、発光素子４５０においては、発光層１２０が正孔輸送層４１２側、発光層１３０
が電子輸送層４１８側として説明したが、本発明の一態様の発光素子としては、これに限
定されない。例えば、図１０（Ａ）に示す発光素子４５０ａのように、発光層１２０が電
子輸送層４１８側、発光層１３０が正孔輸送層４１２側であっても構わない。
【０２８０】
なお、発光素子４５０では、キャリアの再結合領域はある程度の分布を持って形成され
ることが好ましい。このため、発光層１２０または発光層１３０において、適度なキャリ
アトラップ性があることが好ましく、特に、発光層１３０が有するゲスト材料１３２（燐
光材料）が電子トラップ性を有していることが好ましい。
【０２８１】
なお、発光層１２０からの発光が、発光層１３０からの発光よりも短波長側に発光のピ
ークを有する構成とすることが好ましい。短波長の発光を呈する燐光材料を用いた発光素
子は輝度劣化が早い傾向がある。そこで、短波長の発光を蛍光発光とすることによって、
輝度劣化の小さい発光素子を提供することができる。
【０２８２】
また、発光層１２０と発光層１３０とで異なる発光波長の光を得ることによって、多色
発光の素子とすることができる。この場合、発光スペクトルは異なる発光ピークを有する
発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる
。
【０２８３】
また、上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層１２０と発光層１３０
との光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。
【０２８４】
また、発光層１２０および発光層１３０のいずれか一方または双方に発光波長の異なる
複数の発光物質を用いることによって、三原色、または４色以上の発光色からなる演色性
の高い白色発光を得ることもできる。この場合、発光層１２０を層状にさらに分割し、当
該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。
【０２８５】
例えば、図１０（Ｂ）に示すように、発光層１３０が発光層１３０＿１および発光層１
３０＿２という複数の発光層を有する場合、発光層１３０＿１は、ホスト材料１３１およ
びゲスト材料１３２を有し、発光層１３０＿２は、ホスト材料１３６およびゲスト材料１
３７を有する構成が好ましい。この場合、ホスト材料１３１が有する有機化合物１３１＿
１および有機化合物１３１＿２は励起錯体を形成する組み合わせであることが好ましく、
ホスト材料１３６が有する有機化合物１３６＿１および有機化合物１３６＿２は励起錯体
を形成する組み合わせであることが好ましい。そうすることで、発光層１３０＿１および
発光層１３０＿２の双方で高い発光効率を有する発光を得ることができる。
【０２８６】
また、上記構成において、発光層１３０が２種類の異なるゲスト材料（ゲスト材料１３
２およびゲスト材料１３７）を有するとき、発光層１２０におけるゲスト材料１２２は、
青色の発光を呈し、発光層１３０におけるゲスト材料の一方は、緑色の発光を呈し、他方
は赤色の発光を呈することが好ましい。または、発光層１２０におけるゲスト材料１２２
は、４００ｎｍ以上４８０ｎｍ未満に発光スペクトルピークを有する発光を呈し、発光層
１３０におけるゲスト材料の一方は４８０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満に発光スペクトルピー
クを有する発光を呈し、他方は５８０ｎｍ以上７４０ｎｍ以下に発光スペクトルピークを
有する発光を呈することが好ましい。そうすることで、青色、緑色、赤色の三原色を有す
る発光素子を作製することができるため、当該発光素子は、演色性の高い発光素子となる
。または、表示装置に好適に用いることができる発光素子となる。
【０２８７】
なお、図１０（Ｂ）において、有機化合物１３１＿１と有機化合物１３６＿１とは、同
じ化合物を用いても異なる化合物を用いても良い。有機化合物１３１＿１と有機化合物１
３６＿１とで同じ化合物を用いる場合、発光素子の作製が容易となるため好ましい。有機
化合物１３１＿２と有機化合物１３６＿２とにおいても同様である。
【０２８８】
また、発光層１３０＿１と発光層１３０＿２において、有機化合物１３１＿１および有
機化合物１３１＿２の一方、または有機化合物１３６＿１および有機化合物１３６＿２の
一方のみを有する構成であってもよい。発光層１３０＿１および発光層１３０＿２に用い
る有機化合物１３１＿１、１３１＿２、及び有機化合物１３６＿１、１３６＿２は、発光
素子に適したキャリアバランスまたは発光色となるよう、適宜選択すればよい。
【０２８９】
なお、上記の構成と、実施の形態１で示したキャリア注入層（正孔注入層または電子注
入層）の構造と、を組み合わせることで、キャリア再結合領域および発光領域が分布する
領域を制御し、高い発光効率を有する発光素子を作製することができる。すなわち、正孔
注入層４１１および電子注入層４１９として、キャリア注入層１１１ａ、１１１ｂまたは
キャリア注入層１１９ａ、１１９ｂを用いることで、キャリア再結合領域が分布する領域
が制御された領域を有する発光素子を作製することができる。
【０２９０】
また、実施の形態１で示した、複数の異なる電極構造およびキャリア注入層を副画素に
有する発光素子に、上記構成を用いることで、一対の電極に挟持された発光素子において
、第１の注入層を有する第１の領域においては、発光層１２０または発光層１３０の一方
の発光強度が強く、第２の注入層を有する第２の領域においては、発光層１２０または発
光層１３０の他方の発光強度が強くすることができる。すなわち、本発明の一態様のキャ
リア注入層を有することで、発光層を塗り分けることなく、各副画素から異なる発光色を
取り出すことができる。そのため、光の利用効率が良い表示装置を、歩留りを下げること
なく作製することができる。すなわち、消費電力の低い表示装置を作製することができる
。また、表示装置の製造コストを低減することができる。
【０２９１】
＜発光素子の構成要素＞
次に、発光層１２０及び発光層１３０に用いることのできる材料について、以下説明す
る。
【０２９２】
≪第１の発光層に用いることのできる材料≫
発光層１２０中では、ホスト材料１２１が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１２２
（蛍光材料）は、ホスト材料１２１中に分散される。ホスト材料１２１のＳ１準位は、ゲ
スト材料１２２（蛍光材料）のＳ１準位よりも高く、ホスト材料１２１のＴ１準位は、ゲ
スト材料１２２（蛍光材料）のＴ１準位よりも低いことが好ましい。
【０２９３】
ホスト材料１２１として、特に、アントラセン誘導体またはテトラセン誘導体が好まし
い。これらの誘導体はＳ１準位が高く、Ｔ１準位が低いからである。また、実施の形態１
で例示したホスト材料を利用することができる。
【０２９４】
ゲスト材料１２２（蛍光材料）としては、例えばピレン誘導体、アントラセン誘導体、
トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘
導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリ
ジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げら
れる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。また、実施の形態１で例示
した一重項励起エネルギーを発光に変える発光性物質を利用することができる。
【０２９５】
≪第２の発光層に用いることのできる材料≫
発光層１３０中では、ホスト材料１３１（有機化合物１３１＿１および有機化合物１３
１＿２）が重量比で最も多く存在し、ゲスト材料１３２（燐光材料）は、ホスト材料１３
１（有機化合物１３１＿１および有機化合物１３１＿２）中に分散される。発光層１３０
のホスト材料１３１（有機化合物１３１＿１および有機化合物１３１＿２）のＴ１準位は
、発光層１２０のゲスト材料１２２（蛍光材料）のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
【０２９６】
ホスト材料１３１（有機化合物１３１＿１および有機化合物１３１＿２）としては、含
窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族及び金属錯体などを用いることが
できる。具体的には、亜鉛及びアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾール誘導体、
トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキ
サリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジン誘導体、
トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、及びフェナントロリン誘導体な
どが挙げられる。他の例としては、π電子過剰型複素芳香族（例えばカルバゾール誘導体
及びインドール誘導体）又は芳香族アミンなどを好適に用いることができる。また、実施
の形態１で示した電子輸送性材料および正孔輸送性材料を用いることができる。
【０２９７】
また、有機化合物１３１＿１と有機化合物１３１＿２とは、励起錯体を形成できる組み
合わせが好ましい。具体的には、実施の形態１で示した電子輸送性材料および正孔輸送性
材料を用いることができる。この場合、励起錯体の発光ピークが燐光材料の三重項ＭＬＣ
Ｔ（Ｍｅｔａｌ  ｔｏ  Ｌｉｇａｎｄ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯
、より具体的には、最も長波長側の吸収帯と重なるように有機化合物１３１＿１、有機化
合物１３１＿２、およびゲスト材料１３２（燐光材料）を選択することが好ましい。これ
により、発光効率が飛躍的に向上した発光素子とすることができる。ただし、燐光材料に
替えて熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ａｃｔｉｖａｔｅｄ  ｄｅｌａｙｅｄ  
ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料を用いる場合においては、最も長波長側の吸
収帯は一重項の吸収帯であることが好ましい。
【０２９８】
ゲスト材料１３２（燐光材料）としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機
金属錯体、または金属錯体が挙げられ、中でも有機イリジウム錯体、例えばイリジウム系
オルトメタル錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ−トリアゾール配
位子、１Ｈ−トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配
位子、ピラジン配位子、またはイソキノリン配位子などが挙げられる。金属錯体としては
、ポルフィリン配位子を有する白金錯体などが挙げられる。また、実施の形態１で例示し
た三重項励起エネルギーを発光に変換できる発光材料を利用することができる。
【０２９９】
また、発光層１３０に含まれる発光材料としては、三重項励起エネルギーを発光に変換
できる材料であればよい。該三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料としては、燐
光材料の他に、ＴＡＤＦ材料が挙げられる。したがって、燐光材料と記載した部分に関し
ては、ＴＡＤＦ材料と読み替えても構わない。なお、ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態
をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可
能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱
活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエ
ネルギー差が好ましくは０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、さらに好ましくは０ｅＶ以上０．１
ｅＶ以下であることが挙げられる。
【０３００】
また、熱活性化遅延蛍光を示す材料は、単独で三重項励起状態から逆項間交差により一
重項励起状態を生成できる材料であっても良いし、励起錯体を形成する複数の材料から構
成されても良い。
【０３０１】
熱活性化遅延蛍光材料が、一種類の材料から構成される場合、具体的には、実施の形態
１で示した熱活性化遅延蛍光体を用いることができる。
【０３０２】
また、発光層１２０に含まれる発光材料と発光層１３０に含まれる発光材料の発光色に
限定は無く、同じでも異なっていても良い。各々から得られる発光が混合されて素子外へ
取り出されるので、例えば両者の発光色が互いに補色の関係にある場合、発光素子は白色
の光を与えることができる。発光素子の信頼性を考慮すると、発光層１２０に含まれる発
光材料の発光ピーク波長は発光層１３０に含まれる発光材料のそれよりも短いことが好ま
しい。
【０３０３】
なお、発光層１２０及び発光層１３０は、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェッ
ト法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。
【０３０４】
＜発光素子の構成例８＞
次に、図８に示す構成と異なる構成の発光素子について、図１１を用いて説明を行う。
図１１は、発光素子４５２の断面模式図である。
【０３０５】
図１１に示す発光素子４５２は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）の間に、複
数の発光ユニット（図１１においては、発光ユニット４０６及び発光ユニット４０８）を
有する。１つの発光ユニットは、図１で示すＥＬ層１００または図８で示すＥＬ層４００
と同様な構成を有する。つまり、図１で示した発光素子２５０および図８で示した発光素
子４５０は、１つの発光ユニットを有し、発光素子４５２は、複数の発光ユニットを有す
る。なお、発光素子４５２において、電極４０１が陽極として機能し、電極４０２が陰極
として機能するとして、以下説明するが、発光素子４５２の構成としては、逆であっても
構わない。
【０３０６】
また、図１１に示す発光素子４５２において、発光ユニット４０６と発光ユニット４０
８とが積層されており、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８との間には電荷発生層
４１５が設けられる。なお、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８は、同じ構成でも
異なる構成でもよい。例えば、発光ユニット４０６に、図１で示すＥＬ層１００または図
８で示すＥＬ層４００を用いると好ましい。
【０３０７】
すなわち、発光素子４５２は、発光層１５０と、発光層１４０と、を有する。また、発
光ユニット４０６は、発光層１５０の他に、正孔注入層４１１、正孔輸送層４１２、電子
輸送層４１３、及び電子注入層４１４を有する。また、発光層１５０は、発光層１２０お
よび発光層１３０を有する。また、発光ユニット４０８は、発光層１４０の他に、正孔注
入層４１６、正孔輸送層４１７、電子輸送層４１８、及び電子注入層４１９を有する。
【０３０８】
なお、発光素子４５２が有する電極４０１と、電極４０２と、正孔注入層４１１、４１
６と、正孔輸送層４１２、４１７と、電子輸送層４１３、４１８と、電子注入層４１４、
４１９は、実施の形態１に示す、電極１０１と、電極１０２と、キャリア注入層１１１、
１１１ａ、１１１ｂと、キャリア輸送層１１２と、キャリア輸送層１１８と、キャリア注
入層１１９、１１９ａ、１１９ｂと、それぞれ同様の機能を有する。したがって、本実施
の形態においては、その詳細な説明は省略する。
【０３０９】
電荷発生層４１５は、正孔輸送性材料に電子受容体であるアクセプター性物質が添加さ
れた構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体であるドナー性物質が添加された構成
であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０３１０】
電荷発生層４１５に、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料が含まれる場合、該
複合材料には実施の形態１に示す正孔注入層に用いることができる複合材料を用いればよ
い。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、
高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いるこ
とができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上で
ある有機化合物を適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質
であれば、これら以外の物質を用いてもよい。有機化合物とアクセプター性物質の複合材
料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実
現することができる。なお、発光ユニット４０８のように、発光ユニットの陽極側の面が
電荷発生層４１５に接している場合は、電荷発生層４１５が発光ユニットの正孔注入層ま
たは正孔輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには正孔注入層または正
孔輸送層を設けなくとも良い。
【０３１１】
なお、電荷発生層４１５は、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と他
の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機
化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、ドナー性物質の中から選ばれた一の
化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有
機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、透明導電膜を含む層とを組み合わ
せて形成してもよい。
【０３１２】
なお、発光ユニット４０６と発光ユニット４０８とに挟まれる電荷発生層４１５は、電
極４０１と電極４０２とに電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、
他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図１１において、電極
４０１の電位の方が電極４０２の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発
生層４１５は、発光ユニット４０６に電子を注入し、発光ユニット４０８に正孔を注入す
る。
【０３１３】
なお、電荷発生層４１５は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性（具体的に
は、電荷発生層４１５に対する可視光の透過率が４０％以上）を有することが好ましい。
また、電荷発生層４１５は、一対の電極（電極４０１及び電極４０２）よりも低い導電率
であっても機能する。
【０３１４】
上述した材料を用いて電荷発生層４１５を形成することにより、発光層が積層された場
合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０３１５】
また、図１１においては、２つの発光ユニットを有する発光素子について説明したが、
３つ以上の発光ユニットを積層した発光素子についても、同様に適用することが可能であ
る。発光素子４５２に示すように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕
切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿
命な発光素子を実現できる。また、消費電力が低い発光素子を実現することができる。
【０３１６】
なお、複数のユニットのうち、少なくとも一つのユニットに、図１で示すＥＬ層１００
または図８で示すＥＬ層４００の構成を適用することによって、発光効率の高い、発光素
子を提供することができる。
【０３１７】
また、発光ユニット４０８が有する発光層１４０に、図８で示す発光層１２０または発
光層１３０を用いると好ましい。すなわち、発光ユニット４０６及び発光ユニット４０８
の双方が、発光層１２０及び発光層１３０の一方または双方を有する構成となり、発光ユ
ニット４０６及び発光ユニット４０８の双方から、発光層１２０及び発光層１３０の一方
または双方が呈する発光を得ることができる。
【０３１８】
なお、上記各構成において、発光ユニット４０６および発光ユニット４０８に用いるゲ
スト材料（蛍光材料または燐光材料）としては、同じであっても異なっていてもよい。発
光ユニット４０６と発光ユニット４０８とで同じゲスト材料を有する場合、発光素子４５
２は少ない電流値で高い発光輝度を呈する発光素子となり好ましい。また、発光ユニット
４０６と発光ユニット４０８とで異なるゲスト材料を有する場合、発光素子４５２は多色
発光を呈する発光素子となり好ましい。特に、演色性の高い白色発光、または少なくとも
赤色と緑色と青色とを有する発光、になるようゲスト材料を選択することが好適である。
【０３１９】
なお、発光ユニット４０６、発光ユニット４０８、及び電荷発生層１１５は、蒸着法（
真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、グラビア印刷等の方法で形成すること
ができる。
【０３２０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
【０３２１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について、図１２乃至図１８を用いて説
明する。
【０３２２】
＜表示装置の構成例１＞
図１２（Ａ）は表示装置６００を示す上面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）の一点鎖線
Ａ−Ｂ、及び一点鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面図である。表示装置６００は、駆動回路部（
信号線駆動回路部６０１、及び走査線駆動回路部６０３）、並びに画素部６０２を有する
。なお、信号線駆動回路部６０１、走査線駆動回路部６０３、及び画素部６０２は、発光
素子の発光を制御する機能を有する。
【０３２３】
また、表示装置６００は、素子基板６１０と、封止基板６０４と、シール材６０５と、
シール材６０５で囲まれた領域６０７と、引き回し配線６０８と、ＦＰＣ６０９と、を有
する。
【０３２４】
なお、引き回し配線６０８は、信号線駆動回路部６０１及び走査線駆動回路部６０３に
入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ６０９からビデ
オ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰ
Ｃ６０９しか図示されていないが、ＦＰＣ６０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉ
ｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ）が取り付けられていても良い。
【０３２５】
また、信号線駆動回路部６０１は、Ｎチャネル型のトランジスタ６２３とＰチャネル型
のトランジスタ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。なお、信号線駆動回
路部６０１または走査線駆動回路部６０３は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路、また
はＮＭＯＳ回路を用いることが出来る。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路部を
形成したドライバと画素とを同一の表面上に設けた表示装置を示すが、必ずしもその必要
はなく、駆動回路部を基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０３２６】
また、画素部６０２は、スイッチング用のトランジスタ６１１と、電流制御用のトラン
ジスタ６１２と、電流制御用のトランジスタ６１２のドレインに電気的に接続された下部
電極６１３と、を有する。なお、下部電極６１３の端部を覆って隔壁６１４が形成されて
いる。隔壁６１４としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
【０３２７】
また、被覆性を良好にするため、隔壁６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面
が形成されるようにする。例えば、隔壁６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用
いた場合、隔壁６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ以上３μｍ以下）を有する曲
面を持たせることが好ましい。また、隔壁６１４として、ネガ型の感光性樹脂、またはポ
ジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。
【０３２８】
なお、トランジスタ（トランジスタ６１１、６１２、６２３、６２４）の構造は、特に
限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタを用いてもよい。また、トランジスタの
極性についても特に限定はなく、Ｎチャネル型およびＰチャネル型のトランジスタを有す
る構造、及びＮチャネル型のトランジスタまたはＰチャネル型のトランジスタのいずれか
一方のみからなる構造を用いてもよい。また、トランジスタに用いられる半導体膜の結晶
性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることが
できる。また、半導体材料としては、１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体（酸化物
半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジスタとしては、例えば、
エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ
以上の酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるた
め好ましい。該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは
、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ
）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、または
ネオジム（Ｎｄ）を表す）等が挙げられる。
【０３２９】
下部電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および上部電極６１７がそれぞれ形成されてい
る。なお、下部電極６１３は、陽極として機能し、上部電極６１７は、陰極として機能す
る。
【０３３０】
また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート
法等の種々の方法によって形成される。また、ＥＬ層６１６を構成する他の材料としては
、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良
い。
【０３３１】
なお、下部電極６１３、ＥＬ層６１６、及び上部電極６１７により、発光素子６１８が
形成される。発光素子６１８は、実施の形態１及び実施の形態２の構成を有する発光素子
である。なお、画素部は複数の発光素子が形成される場合、実施の形態１及び実施の形態
２に記載の発光素子と、それ以外の構成を有する発光素子の両方が含まれていても良い。
【０３３２】
また、シール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、
素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた領域６０７に発光素
子６１８が備えられた構造になっている。なお、領域６０７には、充填材が充填されてお
り、不活性気体（窒素及びアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５に用いる
ことができる紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂で充填される場合もあり、例えば、ＰＶＣ
（ポリビニルクロライド）系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂
、シリコーン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）系樹脂、またはＥＶＡ（エチレンビ
ニルアセテート）系樹脂を用いることができる。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥
剤を設けると水分の影響による劣化を抑制することができ、好ましい構成である。
【０３３３】
また、発光素子６１８と互いに重なるように、光学素子６２１が封止基板６０４の下方
に設けられる。また、封止基板６０４の下方には、遮光層６２２が設けられる。光学素子
６２１及び遮光層６２２としては、それぞれ、実施の形態１に示す光学素子、及び遮光層
と同様の構成とすればよい。
【０３３４】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂またはガラスフリットを用いるのが好ましい
。また、これらの材料はできるだけ水分及び酸素を透過しにくい材料であることが望まし
い。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板、石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒ  Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）
、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０３３５】
以上のようにして、実施の形態１及び実施の形態２に記載の発光素子及び光学素子を有
する表示装置を得ることができる。
【０３３６】
＜表示装置の構成例２＞
次に、表示装置の別の一例について、図１３（Ａ）（Ｂ）及び図１４を用いて説明を行
う。なお、図１３（Ａ）（Ｂ）及び図１４は、本発明の一態様の表示装置の断面図である
。
【０３３７】
図１３（Ａ）には基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート
電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０
２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光素子の下部電極１０
２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光素子の上部電極
１０２６、封止層１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２などが図示されている
。
【０３３８】
また、図１３（Ａ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、
緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を透明な基材１０３３に設けて
いる。また、遮光層１０３５をさらに設けても良い。着色層及び遮光層が設けられた透明
な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び遮光層
は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図１３（Ａ）においては、着色層
を透過する光は赤、緑、青となることから、３色の画素で映像を表現することができる。
【０３３９】
図１３（Ｂ）では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の
着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁
膜１０２０との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止
基板１０３１の間に設けられていても良い。
【０３４０】
図１４では、光学素子の一例として、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層
１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を第１の層間絶縁膜１０２０と第２の層間絶縁膜
１０２１との間に形成する例を示している。このように、着色層は基板１００１と封止基
板１０３１の間に設けられていても良い。
【０３４１】
また、以上に説明した表示装置では、トランジスタが形成されている基板１００１側に
光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の表示装置としたが、封止基板１０３１側に
発光を取り出す構造（トップエミッション型）の表示装置としても良い。
【０３４２】
＜表示装置の構成例３＞
トップエミッション型の表示装置の断面図の一例を図１５（Ａ）（Ｂ）に示す。図１５
（Ａ）（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置を説明する断面図であり、図１３（Ａ）（Ｂ
）及び図１４に示す駆動回路部１０４１、周辺部１０４２等を省略して例示している。
【０３４３】
この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。トランジスタと発
光素子の陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の表示装置
と同様に形成する。その後、電極１０２２を覆うように、第３の層間絶縁膜１０３７を形
成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第
２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成することができる。
【０３４４】
発光素子の下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極とするが、陰
極であっても構わない。また、図１５（Ａ）（Ｂ）のようなトップエミッション型の表示
装置である場合、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂは光を反射する機能を有
することが好ましい。また、ＥＬ層１０２８上に上部電極１０２６が設けられる。上部電
極１０２６は光を反射する機能と、光を透過する機能を有し、下部電極１０２４Ｒ、１０
２４Ｇ、１０２４Ｂと、上部電極１０２６との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、
特定波長における光強度を増加させると好ましい。
【０３４５】
図１５（Ａ）のようなトップエミッションの構造では、着色層（赤色の着色層１０３４
Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１
で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように遮
光層１０３５を設けても良い。なお、封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いると
好適である。
【０３４６】
また、図１５（Ａ）においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ着色
層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図１５（Ｂ）に示すように
、緑色の着色層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、及び青色の着色層１０３４Ｂを設
けて、赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行う構成としてもよい。図１５（Ａ）に示す
ように、発光素子と、該発光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を
抑制できるといった効果を奏する。一方で、図１５（Ｂ）に示すように、発光素子と、緑
色の着色層を設けずに、赤色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合、緑色
の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くできるとい
った効果を奏する。
【０３４７】
＜表示装置の構成例４＞
以上に示す表示装置は、３色（赤色、緑色、青色）の副画素を有する構成を示したが、
４色（赤色、緑色、青色、黄色、または赤色、緑色、青色、白色）の副画素を有する構成
としてもよい。図１６乃至図１８は、下部電極１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、及
び１０２４Ｙを有する表示装置の構成である。図１６（Ａ）（Ｂ）及び図１７は、トラン
ジスタが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の
表示装置であり、図１８（Ａ）（Ｂ）は、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（ト
ップエミッション型）の表示装置である。
【０３４８】
図１６（Ａ）は、光学素子（着色層１０３４Ｒ、着色層１０３４Ｇ、着色層１０３４Ｂ
、着色層１０３４Ｙ）を透明な基材１０３３に設ける表示装置の例である。また、図１６
（Ｂ）は、光学素子（着色層１０３４Ｒ、着色層１０３４Ｇ、着色層１０３４Ｂ、着色層
１０３４Ｙ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する表示
装置の例である。また、図１７は、光学素子（着色層１０３４Ｒ、着色層１０３４Ｇ、着
色層１０３４Ｂ、着色層１０３４Ｙ）を第１の層間絶縁膜１０２０と第２の層間絶縁膜１
０２１との間に形成する表示装置の例である。
【０３４９】
着色層１０３４Ｒは赤色の光を透過し、着色層１０３４Ｇは緑色の光を透過し、着色層
１０３４Ｂは青色の光を透過する機能を有する。また、着色層１０３４Ｙは黄色の光を透
過する機能、または青色、緑色、黄色、赤色の中から選ばれる複数の光を透過する機能を
有する。着色層１０３４Ｙが青色、緑色、黄色、赤色の中から選ばれる複数の光を透過す
る機能を有するとき、着色層１０３４Ｙを透過した光は白色であってもよい。黄色または
白色の発光を呈する発光素子は発光効率が高いため、着色層１０３４Ｙを有する表示装置
は、消費電力を低減することができる。
【０３５０】
また、図１８に示すトップエミッション型の表示装置においては、下部電極１０２４Ｙ
を有する発光素子においても、図１５（Ａ）の表示装置と同様に、上部電極１０２６との
間で、マイクロキャビティ構造を有する構成が好ましい。また、図１８（Ａ）の表示装置
では、着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３
４Ｂ、及び黄色の着色層１０３４Ｙ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができ
る。
【０３５１】
マイクロキャビティ、及び黄色の着色層１０３４Ｙを介して呈される発光は、黄色の領
域に発光スペクトルを有する発光となる。黄色は視感度が高い色であるため、黄色の発光
を呈する発光素子は発光効率が高い。すなわち、図１８（Ａ）の構成を有する表示装置は
、消費電力を低減することができる。
【０３５２】
また、図１８（Ａ）においては、複数の発光素子と、該複数の発光素子にそれぞれ着色
層を設ける構成を例示したが、これに限定されない。例えば、図１８（Ｂ）に示すように
、黄色の着色層を設けずに、赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、及び青
色の着色層１０３４Ｂを設けて、赤、緑、青、黄の４色、または赤、緑、青、白の４色で
フルカラー表示を行う構成としてもよい。図１８（Ａ）に示すように、発光素子と、該発
光素子にそれぞれ着色層を設ける構成とした場合、外光反射を抑制できるといった効果を
奏する。一方で、図１８（Ｂ）に示すように、発光素子と、黄色の着色層を設けずに、赤
色の着色層、緑色の着色層、及び青色の着色層を設ける構成とした場合、黄色または白色
の発光素子から射出された光のエネルギー損失が少ないため、消費電力を低くできるとい
った効果を奏する。
【０３５３】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態及び本実施の形態中の他の構成と適
宜組み合わせることが可能である。
【０３５４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置について、図１９乃至
図２１を用いて説明を行う。
【０３５５】
なお、図１９（Ａ）は、本発明の一態様の表示装置を説明するブロック図であり、図１
９（Ｂ）は、本発明の一態様の表示装置が有する画素回路を説明する回路図である。
【０３５６】
＜表示装置に関する説明＞
図１９（Ａ）に示す表示装置は、表示素子の画素を有する領域（以下、画素部８０２と
いう）と、画素部８０２の外側に配置され、画素を駆動するための回路を有する回路部（
以下、駆動回路部８０４という）と、素子の保護機能を有する回路（以下、保護回路８０
６という）と、端子部８０７と、を有する。なお、保護回路８０６は、設けない構成とし
てもよい。
【０３５７】
駆動回路部８０４の一部、または全部は、画素部８０２と同一基板上に形成されている
ことが望ましい。これにより、部品数や端子数を減らすことが出来る。駆動回路部８０４
の一部、または全部が、画素部８０２と同一基板上に形成されていない場合には、駆動回
路部８０４の一部、または全部は、ＣＯＧやＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂ
ｏｎｄｉｎｇ）によって、実装することができる。
【０３５８】
画素部８０２は、Ｘ行（Ｘは２以上の自然数）Ｙ列（Ｙは２以上の自然数）に配置され
た複数の表示素子を駆動するための回路（以下、画素回路８０１という）を有し、駆動回
路部８０４は、画素を選択する信号（走査信号）を出力する回路（以下、走査線駆動回路
８０４ａという）、画素の表示素子を駆動するための信号（データ信号）を供給するため
の回路（以下、信号線駆動回路８０４ｂ）などの駆動回路を有する。
【０３５９】
走査線駆動回路８０４ａは、シフトレジスタ等を有する。走査線駆動回路８０４ａは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号が入力され、信号を出力す
る。例えば、走査線駆動回路８０４ａは、スタートパルス信号、クロック信号等が入力さ
れ、パルス信号を出力する。走査線駆動回路８０４ａは、走査信号が与えられる配線（以
下、走査線ＧＬ＿１乃至ＧＬ＿Ｘという）の電位を制御する機能を有する。なお、走査線
駆動回路８０４ａを複数設け、複数の走査線駆動回路８０４ａにより、走査線ＧＬ＿１乃
至ＧＬ＿Ｘを分割して制御してもよい。または、走査線駆動回路８０４ａは、初期化信号
を供給することができる機能を有する。ただし、これに限定されず、走査線駆動回路８０
４ａは、別の信号を供給することも可能である。
【０３６０】
信号線駆動回路８０４ｂは、シフトレジスタ等を有する。信号線駆動回路８０４ｂは、
端子部８０７を介して、シフトレジスタを駆動するための信号の他、データ信号の元とな
る信号（画像信号）が入力される。信号線駆動回路８０４ｂは、画像信号を元に画素回路
８０１に書き込むデータ信号を生成する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは
、スタートパルス、クロック信号等が入力されて得られるパルス信号に従って、データ信
号の出力を制御する機能を有する。また、信号線駆動回路８０４ｂは、データ信号が与え
られる配線（以下、データ線ＤＬ＿１乃至ＤＬ＿Ｙという）の電位を制御する機能を有す
る。または、信号線駆動回路８０４ｂは、初期化信号を供給することができる機能を有す
る。ただし、これに限定されず、信号線駆動回路８０４ｂは、別の信号を供給することも
可能である。
【０３６１】
信号線駆動回路８０４ｂは、例えば複数のアナログスイッチなどを用いて構成される。
信号線駆動回路８０４ｂは、複数のアナログスイッチを順次オン状態にすることにより、
画像信号を時分割した信号をデータ信号として出力できる。
【０３６２】
複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査信号が与えられる複数の走査線ＧＬの一つを
介してパルス信号が入力され、データ信号が与えられる複数のデータ線ＤＬの一つを介し
てデータ信号が入力される。また、複数の画素回路８０１のそれぞれは、走査線駆動回路
８０４ａによりデータ信号のデータの書き込み及び保持が制御される。例えば、ｍ行ｎ列
目の画素回路８０１は、走査線ＧＬ＿ｍ（ｍはＸ以下の自然数）を介して走査線駆動回路
８０４ａからパルス信号が入力され、走査線ＧＬ＿ｍの電位に応じてデータ線ＤＬ＿ｎ（
ｎはＹ以下の自然数）を介して信号線駆動回路８０４ｂからデータ信号が入力される。
【０３６３】
図１９（Ａ）に示す保護回路８０６は、例えば、走査線駆動回路８０４ａと画素回路８
０１の間の配線である走査線ＧＬに接続される。または、保護回路８０６は、信号線駆動
回路８０４ｂと画素回路８０１の間の配線であるデータ線ＤＬに接続される。または、保
護回路８０６は、走査線駆動回路８０４ａと端子部８０７との間の配線に接続することが
できる。または、保護回路８０６は、信号線駆動回路８０４ｂと端子部８０７との間の配
線に接続することができる。なお、端子部８０７は、外部の回路から表示装置に電源及び
制御信号、及び画像信号を入力するための端子が設けられた部分をいう。
【０３６４】
保護回路８０６は、自身が接続する配線に一定の範囲外の電位が与えられたときに、該
配線と別の配線とを導通状態にする回路である。
【０３６５】
図１９（Ａ）に示すように、画素部８０２と駆動回路部８０４にそれぞれ保護回路８０
６を設けることにより、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：
静電気放電）などにより発生する過電流に対する表示装置の耐性を高めることができる。
ただし、保護回路８０６の構成はこれに限定されず、例えば、走査線駆動回路８０４ａに
保護回路８０６を接続した構成、または信号線駆動回路８０４ｂに保護回路８０６を接続
した構成とすることもできる。または、端子部８０７に保護回路８０６を接続した構成と
することもできる。
【０３６６】
また、図１９（Ａ）においては、走査線駆動回路８０４ａと信号線駆動回路８０４ｂに
よって駆動回路部８０４を形成している例を示しているが、この構成に限定されない。例
えば、走査線駆動回路８０４ａのみを形成し、別途用意された信号線駆動回路が形成され
た基板（例えば、単結晶半導体膜、多結晶半導体膜で形成された駆動回路基板）を実装す
る構成としても良い。
【０３６７】
＜画素回路の構成例＞
図１９（Ａ）に示す複数の画素回路８０１は、例えば、図１９（Ｂ）に示す構成とする
ことができる。
【０３６８】
図１９（Ｂ）に示す画素回路８０１は、トランジスタ８５２、８５４と、容量素子８６
２と、発光素子８７２と、を有する。
【０３６９】
トランジスタ８５２のソース電極及びドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（データ線ＤＬ＿ｎ）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ８５２のゲート
電極は、ゲート信号が与えられる配線（走査線ＧＬ＿ｍ）に電気的に接続される。
【０３７０】
トランジスタ８５２は、データ信号のデータの書き込みを制御する機能を有する。
【０３７１】
容量素子８６２の一対の電極の一方は、電位が与えられる配線（以下、電位供給線ＶＬ
＿ａという）に電気的に接続され、他方は、トランジスタ８５２のソース電極及びドレイ
ン電極の他方に電気的に接続される。
【０３７２】
容量素子８６２は、書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
【０３７３】
トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続される。さらに、トランジスタ８５４のゲート電極は、トランジスタ８５２の
ソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続される。
【０３７４】
発光素子８７２のアノード及びカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、トランジスタ８５４のソース電極及びドレイン電極の他方に電気的に接続
される。
【０３７５】
発光素子８７２としては、実施の形態１及び実施の形態２に示す発光素子を用いること
ができる。
【０３７６】
なお、電位供給線ＶＬ＿ａ及び電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが与
えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
【０３７７】
図１９（Ｂ）の画素回路８０１を有する表示装置では、例えば、図１９（Ａ）に示す走
査線駆動回路８０４ａにより各行の画素回路８０１を順次選択し、トランジスタ８５２を
オン状態にしてデータ信号のデータを書き込む。
【０３７８】
データが書き込まれた画素回路８０１は、トランジスタ８５２がオフ状態になることで
保持状態になる。さらに、書き込まれたデータ信号の電位に応じてトランジスタ８５４の
ソース電極とドレイン電極の間に流れる電流量が制御され、発光素子８７２は、流れる電
流量に応じた輝度で発光する。これを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
【０３７９】
また、画素回路に、トランジスタのしきい値電圧等の変動の影響を補正する機能を持た
せてもよい。図２０（Ａ）（Ｂ）及び図２１（Ａ）（Ｂ）に画素回路の一例を示す。
【０３８０】
図２０（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０３＿１乃至３
０３＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図２０（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０１＿１乃至３０１＿５、並びに配線３０２＿１及び配線３０
２＿２が電気的に接続されている。なお、トランジスタ３０３＿１乃至３０３＿６につい
ては、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる。
【０３８１】
図２０（Ｂ）に示す画素回路は、図２０（Ａ）に示す画素回路に、トランジスタ３０３
＿７を追加した構成である。また、図２０（Ｂ）に示す画素回路には、配線３０１＿６及
び配線３０１＿７が電気的に接続されている。ここで、配線３０１＿５と配線３０１＿６
とは、それぞれ電気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０３＿７について
は、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる。
【０３８２】
図２１（Ａ）に示す画素回路は、６つのトランジスタ（トランジスタ３０８＿１乃至３
０８＿６）と、容量素子３０４と、発光素子３０５と、を有する。また、図２１（Ａ）に
示す画素回路には、配線３０６＿１乃至３０６＿３、並びに配線３０７＿１乃至３０７＿
３が電気的に接続されている。ここで配線３０６＿１と配線３０６＿３とは、それぞれ電
気的に接続されていてもよい。なお、トランジスタ３０８＿１乃至３０８＿６については
、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる。
【０３８３】
図２１（Ｂ）に示す画素回路は、２つのトランジスタ（トランジスタ３０９＿１及びト
ランジスタ３０９＿２）と、２つの容量素子（容量素子３０４＿１及び容量素子３０４＿
２）と、発光素子３０５と、を有する。また、図２１（Ｂ）に示す画素回路には、配線３
１１＿１乃至配線３１１＿３、配線３１２＿１、及び配線３１２＿２が電気的に接続され
ている。また、図２１（Ｂ）に示す画素回路の構成とすることで、例えば、電圧入力−電
流駆動方式（ＣＶＣＣ方式ともいう）とすることができる。なお、トランジスタ３０９＿
１及び３０９＿２については、例えばＰチャネル型のトランジスタを用いることができる
。
【０３８４】
また、本発明の一態様の発光素子は、表示装置の画素に能動素子を有するアクティブマ
トリクス方式、または、表示装置の画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式の
それぞれの方式に適用することができる。
【０３８５】
アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化及び高輝度化をはかることが出来る。
【０３８６】
アクティブマトリクス方式以外では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線
形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向
上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないた
め、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来
る。
【０３８７】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０３８８】
（実施の形態５）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子を有する表示装置、及び該表示装
置に入力装置を取り付けた電子機器について、図２２乃至図２６を用いて説明を行う。
【０３８９】
＜タッチパネルに関する説明１＞
なお、本実施の形態において、電子機器の一例として、表示装置と、入力装置とを合わ
せたタッチパネル２０００について説明する。また、入力装置の一例として、タッチセン
サを有する場合について説明する。
【０３９０】
図２２（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図２２（Ａ）（
Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
【０３９１】
タッチパネル２０００は、表示装置２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図２
２（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基
板２５９０を有する。なお、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０はいずれも
可撓性を有する。ただし、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０のいずれか一
つまたは全てが可撓性を有さない構成としてもよい。
【０３９２】
表示装置２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することが
できる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９
（１）と電気的に接続する。また、複数の配線２５１１は、信号線駆動回路２５０３ｓ（
１）からの信号を複数の画素に供給することができる。
【０３９３】
基板２５９０は、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する
複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回
され、その一部は端子を構成する。そして、該端子はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接
続される。なお、図２２（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０
と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極及び配線等を実線で示してい
る。
【０３９４】
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０３９５】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式な
どがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０３９６】
なお、図２２（Ｂ）に示すタッチセンサ２５９５は、投影型静電容量方式のタッチセン
サを適用した構成である。
【０３９７】
なお、タッチセンサ２５９５には、指等の検知対象の近接または接触を検知することが
できる、様々なセンサを適用することができる。
【０３９８】
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有す
る。電極２５９１は、複数の配線２５９８のいずれかと電気的に接続し、電極２５９２は
複数の配線２５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
【０３９９】
電極２５９２は、図２２（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数
の四辺形が角部で接続される形状を有する。
【０４００】
電極２５９１は四辺形であり、電極２５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し
配置されている。
【０４０１】
配線２５９４は、電極２５９２を挟む二つの電極２５９１と電気的に接続する。このと
き、電極２５９２と配線２５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい
。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減
できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減すること
ができる。
【０４０２】
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りう
る。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介
して電極２５９２を、電極２５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける
構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に
絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい
。
【０４０３】
＜表示装置に関する説明＞
次に、図２３（Ａ）を用いて、表示装置２５０１の詳細について説明する。図２３（Ａ
）は、図２２（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
【０４０４】
表示装置２５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。該画素は表示素
子と、該表示素子を駆動する画素回路とを有する。
【０４０５】
以下の説明においては、白色の光を射出する発光素子を表示素子に適用する場合につい
て説明するが、表示素子はこれに限定されない。例えば、隣接する画素毎に射出する光の
色が異なるように、発光色が異なる発光素子を適用してもよい。
【０４０６】
基板２５１０及び基板２５７０としては、例えば、水蒸気の透過率が１×１０−５ｇ・
ｍ−２・ｄａｙ−１以下、好ましくは１×１０−６ｇ・ｍ−２・ｄａｙ−１以下である可
撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、基板２５１０の熱膨張率と、基
板２５７０の熱膨張率とが、およそ等しい材料を用いると好適である。例えば、線膨張率
が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−
５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。
【０４０７】
なお、基板２５１０は、発光素子への不純物の拡散を防ぐ絶縁層２５１０ａと、可撓性
基板２５１０ｂと、絶縁層２５１０ａ及び可撓性基板２５１０ｂを貼り合わせる接着層２
５１０ｃと、を有する積層体である。また、基板２５７０は、発光素子への不純物の拡散
を防ぐ絶縁層２５７０ａと、可撓性基板２５７０ｂと、絶縁層２５７０ａ及び可撓性基板
２５７０ｂを貼り合わせる接着層２５７０ｃと、を有する積層体である。
【０４０８】
接着層２５１０ｃ及び接着層２５７０ｃとしては、例えば、ポリエステル、ポリオレフ
ィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアク
リル、ウレタン、エポキシを用いることができる。また、シロキサン結合を有する樹脂を
含む材料を用いることができる。
【０４０９】
また、基板２５１０と基板２５７０との間に封止層２５６０を有する。封止層２５６０
は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。また、図２３（Ａ）に示すように、封止
層２５６０側に光を取り出す場合は、封止層２５６０は光学的な接合層を兼ねることがで
きる。
【０４１０】
また、封止層２５６０の外周部にシール材を形成してもよい。当該シール材を用いるこ
とにより、基板２５１０、基板２５７０、封止層２５６０、及びシール材で囲まれた領域
に発光素子２５５０Ｒを有する構成とすることができる。なお、封止層２５６０として、
不活性気体（窒素及びアルゴン等）を充填してもよい。また、当該不活性気体内に、乾燥
剤を設けて、水分等を吸着させる構成としてもよい。また、紫外線硬化樹脂または熱硬化
樹脂を充填してもよい。また、上述のシール材としては、例えば、エポキシ系樹脂または
ガラスフリットを用いるのが好ましい。また、シール材に用いる材料としては、水分及び
酸素を透過しない材料を用いると好適である。
【０４１１】
また、表示装置２５０１は、画素２５０２Ｒを有する。また、画素２５０２Ｒは発光モ
ジュール２５８０Ｒを有する。
【０４１２】
画素２５０２Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給すること
ができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。なお、トランジスタ２５０２ｔは、画素回
路の一部として機能する。また、発光モジュール２５８０Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、
着色層２５６７Ｒとを有する。
【０４１３】
発光素子２５５０Ｒは、下部電極と、上部電極と、下部電極と上部電極の間にＥＬ層と
を有する。発光素子２５５０Ｒとして、例えば、実施の形態１及び実施の形態２に示す発
光素子を適用することができる。
【０４１４】
また、下部電極と上部電極との間で、マイクロキャビティ構造を採用し、特定波長にお
ける光強度を増加させてもよい。
【０４１５】
また、封止層２５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層２５６０は、発
光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒに接する。
【０４１６】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子
２５５０Ｒが発する光の一部は着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の発
光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
【０４１７】
また、表示装置２５０１には、光を射出する方向に遮光層２５６７ＢＭが設けられる。
遮光層２５６７ＢＭは、着色層２５６７Ｒを囲むように設けられている。
【０４１８】
着色層２５６７Ｒとしては、特定の波長領域の光を透過する機能を有していればよく、
例えば、赤色の波長領域の光を透過するカラーフィルタ、緑色の波長領域の光を透過する
カラーフィルタ、青色の波長領域の光を透過するカラーフィルタ、黄色の波長領域の光を
透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、様々な材料を
用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法な
どで形成することができる。
【０４１９】
また、表示装置２５０１には、絶縁層２５２１が設けられる。絶縁層２５２１はトラン
ジスタ２５０２ｔを覆う。なお、絶縁層２５２１は、画素回路に起因する凹凸を平坦化す
るための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与し
てもよい。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ２５０２ｔ等の信頼性の低下を
抑制できる。
【０４２０】
また、発光素子２５５０Ｒは、絶縁層２５２１の上方に形成される。また、発光素子２
５５０Ｒが有する下部電極には、該下部電極の端部に重なる隔壁２５２８が設けられる。
なお、基板２５１０と、基板２５７０との間隔を制御するスペーサを、隔壁２５２８上に
形成してもよい。
【０４２１】
走査線駆動回路２５０３ｇ（１）は、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃ
とを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができ
る。
【０４２２】
また、基板２５１０上には、信号を供給することができる配線２５１１が設けられる。
また、配線２５１１上には、端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９には、ＦＰ
Ｃ２５０９（１）が電気的に接続される。また、ＦＰＣ２５０９（１）は、ビデオ信号、
クロック信号、スタート信号、リセット信号等を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２
５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０４２３】
また、表示装置２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。図
２３（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について、例示し
ているが、これに限定されず、例えば、図２３（Ｂ）に示す、トップゲート型のトランジ
スタを表示装置２５０１に適用する構成としてもよい。
【０４２４】
また、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔの極性については、特に限
定はなく、Ｎチャネル型およびＰチャネル型のトランジスタを有する構造、Ｎチャネル型
のトランジスタまたはＰチャネル型のトランジスタのいずれか一方のみからなる構造を用
いてもよい。また、トランジスタ２５０２ｔ及び２５０３ｔに用いられる半導体膜の結晶
性についても特に限定はない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることが
できる。また、半導体材料としては、１４族の半導体（例えば、ケイ素を有する半導体）
、化合物半導体（酸化物半導体を含む）、有機半導体等を用いることができる。トランジ
スタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔのいずれか一方または双方に、エネルギーギ
ャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物
半導体を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができるため好ましい。
当該酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇ
ａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、またはＮｄを表す）等が挙げられる。
【０４２５】
＜タッチセンサに関する説明＞
次に、図２３（Ｃ）を用いて、タッチセンサ２５９５の詳細について説明する。図２３
（Ｃ）は、図２２（Ｂ）に示す一点鎖線Ｘ３−Ｘ４間の断面図に相当する。
【０４２６】
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０上に千鳥状に配置された電極２５９１及び電極
２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５
９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。
【０４２７】
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性
を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸
化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる
。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状
に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法と
しては、熱を加える方法等を挙げることができる。
【０４２８】
例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜し
た後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターン形成技術により、不要な部分を除去して
、電極２５９１及び電極２５９２を形成することができる。
【０４２９】
また、絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂
、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウ
ムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【０４３０】
また、電極２５９１に達する開口が絶縁層２５９３に設けられ、配線２５９４が隣接す
る電極２５９１と電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を高
めることができるため、配線２５９４に好適に用いることができる。また、電極２５９１
及び電極２５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線２５９４に好
適に用いることができる。
【０４３１】
電極２５９２は、一方向に延在し、複数の電極２５９２がストライプ状に設けられてい
る。また、配線２５９４は電極２５９２と交差して設けられている。
【０４３２】
一対の電極２５９１が１つの電極２５９２を挟んで設けられる。また、配線２５９４は
一対の電極２５９１を電気的に接続している。
【０４３３】
なお、複数の電極２５９１は、１つの電極２５９２と必ずしも直交する方向に配置され
る必要はなく、０度より大きく９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０４３４】
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。また
、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８としては、例えば、アルミ
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、またはパラジウム等の金属材料、及び該金属材料を含む合金材料を用いるこ
とができる。
【０４３５】
なお、絶縁層２５９３及び配線２５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ２５９５
を保護してもよい。
【０４３６】
また、接続層２５９９は、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）を電気的に接続させる
。
【０４３７】
接続層２５９９としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０４３８】
＜タッチパネルに関する説明２＞
次に、図２４（Ａ）を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図２４
（Ａ）は、図２２（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ５−Ｘ６間の断面図に相当する。
【０４３９】
図２４（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図２３（Ａ）で説明した表示装置２５０
１と、図２３（Ｃ）で説明したタッチセンサ２５９５と、を貼り合わせた構成である。
【０４４０】
また、図２４（Ａ）に示すタッチパネル２０００は、図２３（Ａ）及び図２３（Ｃ）で
説明した構成の他、接着層２５９７と、反射防止層２５６７ｐと、を有する。
【０４４１】
接着層２５９７は、配線２５９４と接して設けられる。なお、接着層２５９７は、タッ
チセンサ２５９５が表示装置２５０１に重なるように、基板２５９０を基板２５７０に貼
り合わせている。また、接着層２５９７は、透光性を有すると好ましい。また、接着層２
５９７としては、熱硬化性樹脂、または紫外線硬化樹脂を用いることができる。例えば、
アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いるこ
とができる。
【０４４２】
反射防止層２５６７ｐは、画素に重なる位置に設けられる。反射防止層２５６７ｐとし
て、例えば円偏光板を用いることができる。
【０４４３】
次に、図２４（Ａ）に示す構成と異なる構成のタッチパネルについて、図２４（Ｂ）を
用いて説明する。
【０４４４】
図２４（Ｂ）は、タッチパネル２００１の断面図である。図２４（Ｂ）に示すタッチパ
ネル２００１は、図２４（Ａ）に示すタッチパネル２０００と、表示装置２５０１に対す
るタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同
様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用する。
【０４４５】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図２４（Ｂ）に
示す発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール２５８０Ｒの外部に射出される。
【０４４６】
また、タッチセンサ２５９５は、表示装置２５０１の基板２５１０側に設けられている
。
【０４４７】
接着層２５９７は、基板２５１０と基板２５９０の間にあり、表示装置２５０１とタッ
チセンサ２５９５を貼り合わせる。
【０４４８】
図２４（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光素子から射出される光は、基板２５１０及び基
板２５７０のいずれか一方または双方を通して射出されればよい。
【０４４９】
＜タッチパネルの駆動方法に関する説明＞
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図２５（Ａ）（Ｂ）を用いて説明を行
う。
【０４５０】
図２５（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図２５
（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、
図２５（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変
化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。ま
た、図２５（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量
２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換
えてもよい。
【０４５１】
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路
である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電
極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等によ
り容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または
接触を検出することができる。
【０４５２】
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１−Ｙ６の配線
での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、
または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または
接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検
出は、積分回路等を用いて行えばよい。
【０４５３】
次に、図２５（Ｂ）には、図２５（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入
出力波形のタイミングチャートを示す。図２５（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での
被検知体の検出を行うとする。また図２５（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タ
ッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ
１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している
。
【０４５４】
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−
Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６
の配線の電圧の変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接
または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化す
る。
【０４５５】
このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知
することができる。
【０４５６】
＜センサ回路に関する説明＞
また、図２５（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設ける
パッシブマトリクス型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを有する
アクティブマトリクス型のタッチセンサとしてもよい。アクティブマトリクス型のタッチ
センサに含まれるセンサ回路の一例を図２６に示す。
【０４５７】
図２６に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ
２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
【０４５８】
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に
電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１
のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方が
トランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたは
ドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳ
Ｓが与えられる。
【０４５９】
次に、図２６に示すセンサ回路の動作について説明する。まず、信号Ｇ２としてトラン
ジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲー
トが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２と
してトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が
保持される。
【０４６０】
続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化する
ことに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
【０４６１】
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノ
ードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電
流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出するこ
とができる。
【０４６２】
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、
酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにト
ランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を
長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リ
フレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
【０４６３】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０４６４】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する表示モジュール及び電子機器に
ついて、図２７及び図２８を用いて説明を行う。
【０４６５】
＜表示モジュールに関する説明＞
図２７に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
た表示装置８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有
する。
【０４６６】
本発明の一態様の発光素子は、例えば、表示装置８００６に用いることができる。
【０４６７】
上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４及び表示装置８
００６のサイズに合わせて、形状及び寸法を適宜変更することができる。
【０４６８】
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサを表示装置８
００６に重畳して用いることができる。また、表示装置８００６の対向基板（封止基板）
に、タッチセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。また、表示装置８００６
の各画素内に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。
【０４６９】
フレーム８００９は、表示装置８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作
により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレー
ム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
【０４７０】
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
も良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は
、商用電源を用いる場合には、省略可能である。
【０４７１】
また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
【０４７２】
＜電子機器に関する説明＞
図２８（Ａ）乃至図２８（Ｇ）は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐
体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、又
は操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、
加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電
場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する
機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有することができる。
【０４７３】
図２８（Ａ）乃至図２８（Ｇ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。
例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッ
チセンサ機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（
プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々な
コンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信ま
たは受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して表
示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図２８（Ａ）乃至図２８（Ｇ）に
示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有すること
ができる。また、図２８（Ａ）乃至図２８（Ｇ）には図示していないが、電子機器には、
複数の表示部を有する構成としてもよい。また、該電子機器にカメラ等を設け、静止画を
撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を記録媒体（外部またはカメラに内蔵
）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
【０４７４】
図２８（Ａ）乃至図２８（Ｇ）に示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
【０４７５】
図２８（Ａ）は、携帯情報端末９１００を示す斜視図である。携帯情報端末９１００が
有する表示部９００１は、可撓性を有する。そのため、湾曲した筐体９０００の湾曲面に
沿って表示部９００１を組み込むことが可能である。また、表示部９００１はタッチセン
サを備え、指やスタイラスなどで画面に触れることで操作することができる。例えば、表
示部９００１に表示されたアイコンに触れることで、アプリケーションを起動することが
できる。
【０４７６】
図２８（Ｂ）は、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は
、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具
体的には、スマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、
スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を省略して図示しているが、図
２８（Ａ）に示す携帯情報端末９１００と同様の位置に設けることができる。また、携帯
情報端末９１０１は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、
３つの操作ボタン９０５０（操作アイコンまたは単にアイコンともいう）を表示部９００
１の一の面に表示することができる。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９０
０１の他の面に表示することができる。なお、情報９０５１の一例としては、電子メール
、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）、及び電話などの着信を知らせる
表示、電子メール及びＳＮＳなどの題名、電子メール及びＳＮＳなどの送信者名、日時、
時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示さ
れている位置に、情報９０５１の代わりに、操作ボタン９０５０などを表示してもよい。
【０４７７】
図２８（Ｃ）は、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は
、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、
情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば、携
帯情報端末９１０２の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状
態で、その表示（ここでは情報９０５３）を確認することができる。具体的には、着信し
た電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位
置に表示する。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく、表示
を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０４７８】
図２８（Ｄ）は、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末
９２００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信
、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。また、表
示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこと
ができる。また、携帯情報端末９２００は、通信規格された近距離無線通信を実行するこ
とが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハン
ズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６を
有し、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。ま
た接続端子９００６を介して充電を行うこともできる。なお、充電動作は接続端子９００
６を介さずに無線給電により行ってもよい。
【０４７９】
図２８（Ｅ）（Ｆ）（Ｇ）は、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図であ
る。また、図２８（Ｅ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態の斜視図であり、図２８
（Ｆ）が携帯情報端末９２０１を展開した状態または折り畳んだ状態の一方から他方に変
化する途中の状態の斜視図であり、図２８（Ｇ）が携帯情報端末９２０１を折り畳んだ状
態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開し
た状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２
０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００
に支持されている。ヒンジ９０５５を介して２つの筐体９０００間を屈曲させることによ
り、携帯情報端末９２０１を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させるこ
とができる。例えば、携帯情報端末９２０１は、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲
げることができる。
【０４８０】
本実施の形態において述べた電子機器は、何らかの情報を表示するための表示部を有す
ることを特徴とする。ただし、本発明の一態様の発光素子は、表示部を有さない電子機器
にも適用することができる。また、本実施の形態において述べた電子機器の表示部におい
ては、可撓性を有し、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる構成、または折り
畳み可能な表示部の構成について例示したが、これに限定されず、可撓性を有さず、平面
部に表示を行う構成としてもよい。
【０４８１】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
【０４８２】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を有する発光装置について、図２９及び
図３０を用いて説明する。
【０４８３】
本実施の形態で示す、発光装置３０００の斜視図を図２９（Ａ）に、図２９（Ａ）に示
す一点鎖線Ｅ−Ｆ間に相当する断面図を図２９（Ｂ）に、それぞれ示す。なお、図２９（
Ａ）において、図面の煩雑さを避けるために、構成要素の一部を破線で表示している。
【０４８４】
図２９（Ａ）（Ｂ）に示す発光装置３０００は、基板３００１と、基板３００１上の発
光素子３００５と、発光素子３００５の外周に設けられた第１の封止領域３００７と、第
１の封止領域３００７の外周に設けられた第２の封止領域３００９と、を有する。
【０４８５】
また、発光素子３００５からの発光は、基板３００１及び基板３００３のいずれか一方
または双方から射出される。図２９（Ａ）（Ｂ）においては、発光素子３００５からの発
光が下方側（基板３００１側）に射出される構成について説明する。
【０４８６】
また、図２９（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光装置３０００は、発光素子３００５が第
１の封止領域３００７と、第２の封止領域３００９とに、囲まれて配置される二重封止構
造である。二重封止構造とすることで、発光素子３００５側に入り込む外部の不純物（例
えば、水、酸素など）を、好適に抑制することができる。ただし、第１の封止領域３００
７及び第２の封止領域３００９を、必ずしも設ける必要はない。例えば、第１封止領域３
００７のみの構成としてもよい。
【０４８７】
なお、図２９（Ｂ）において、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９は
、基板３００１及び基板３００３と接して設けられる。ただし、これに限定されず、例え
ば、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３０
０１の上方に形成される絶縁膜、または導電膜と接して設けられる構成としてもよい。ま
たは、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９の一方または双方は、基板３
００３の下方に形成される絶縁膜、または導電膜と接して設けられる構成としてもよい。
【０４８８】
基板３００１及び基板３００３としては、それぞれ先の実施の形態１に記載の基板２０
０と、基板２２０と同様の構成とすればよい。発光素子３００５としては、先の実施の形
態１及び実施の形態２に記載の発光素子と同様の構成とすればよい。
【０４８９】
第１の封止領域３００７としては、ガラスを含む材料（例えば、ガラスフリット、ガラ
スリボン等）を用いればよい。また、第２の封止領域３００９としては、樹脂を含む材料
を用いればよい。第１の封止領域３００７として、ガラスを含む材料を用いることで、生
産性及び封止性を高めることができる。また、第２の封止領域３００９として、樹脂を含
む材料を用いることで、耐衝撃性及び耐熱性を高めることができる。ただし、第１の封止
領域３００７と、第２の封止領域３００９とは、これに限定されず、第１の封止領域３０
０７が樹脂を含む材料で形成され、第２の封止領域３００９がガラスを含む材料で形成さ
れてもよい。
【０４９０】
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、
酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化セシウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸
化ホウ素、酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸
化鉛、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、二酸化マ
ンガン、酸化モリブデン、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タングステン、酸化ビスマス、
酸化ジルコニウム、酸化リチウム、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス
、バナジン酸塩ガラス又はホウケイ酸ガラス等を含む。赤外光を吸収させるため、少なく
とも一種類以上の遷移金属を含むことが好ましい。
【０４９１】
また、上述のガラスフリットとしては、例えば、基板上にフリットペーストを塗布し、
これに加熱処理、またはレーザ照射などを行う。フリットペーストには、上記ガラスフリ
ットと、有機溶媒で希釈した樹脂（バインダとも呼ぶ）とが含まれる。また、ガラスフリ
ットにレーザ光の波長の光を吸収する吸収剤を添加したものを用いても良い。また、レー
ザとして、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧレーザまたは半導体レーザなどを用いることが好ましい
。また、レーザ照射の際のレーザの照射形状は、円形でも四角形でもよい。
【０４９２】
また、上述の樹脂を含む材料としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリ
アミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレ
タン、エポキシを用いることができる。また、シロキサン結合を有する樹脂を含む材料を
用いることができる。
【０４９３】
なお、第１の封止領域３００７及び第２の封止領域３００９のいずれか一方または双方
にガラスを含む材料を用いる場合、当該ガラスを含む材料と、基板３００１との熱膨張率
が近いことが好ましい。上記構成とすることで、熱応力によりガラスを含む材料または基
板３００１にクラックが入るのを抑制することができる。
【０４９４】
例えば、第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用い、第２の封止領域３００９
に樹脂を含む材料を用いる場合、以下の優れた効果を有する。
【０４９５】
第２の封止領域３００９は、第１の封止領域３００７よりも、発光装置３０００の外周
部に近い側に設けられる。発光装置３０００は、外周部に向かうにつれ、外力等による歪
みが大きくなる。よって、歪みが大きくなる発光装置３０００の外周部側、すなわち第２
の封止領域３００９に、樹脂を含む材料によって封止し、第２の封止領域３００９よりも
内側に設けられる第１の封止領域３００７にガラスを含む材料を用いて封止することで、
外力等の歪みが生じても発光装置３０００が壊れにくくなる。
【０４９６】
また、図２９（Ｂ）に示すように、基板３００１、基板３００３、第１の封止領域３０
０７、及び第２の封止領域３００９に囲まれた領域には、第１の領域３０１１が形成され
る。また、基板３００１、基板３００３、発光素子３００５、及び第１の封止領域３００
７に囲まれた領域には、第２の領域３０１３が形成される。
【０４９７】
第１の領域３０１１及び第２の領域３０１３としては、例えば、希ガスまたは窒素ガス
等の不活性ガスが充填されていると好ましい。なお、第１の領域３０１１及び第２の領域
３０１３としては、大気圧状態よりも減圧状態であると好ましい。
【０４９８】
また、図２９（Ｂ）に示す構成の変形例を図２９（Ｃ）に示す。図２９（Ｃ）は、発光
装置３０００の変形例を示す断面図である。
【０４９９】
図２９（Ｃ）は、基板３００３の一部に凹部を設け、該凹部に乾燥剤３０１８を設ける
構成である。それ以外の構成については、図２９（Ｂ）に示す構成と同じである。
【０５００】
乾燥剤３０１８としては、化学吸着によって水分等を吸着する物質、または物理吸着に
よって水分等を吸着する物質を用いることができる。例えば、乾燥剤３０１８として用い
ることができる物質としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウム及び酸化バリウム等）、硫酸塩、金属ハロゲン化物、過塩素酸塩、ゼオライト
、シリカゲル等が挙げられる。
【０５０１】
次に、図２９（Ｂ）に示す発光装置３０００の変形例について、図３０（Ａ）（Ｂ）（
Ｃ）（Ｄ）を用いて説明する。なお、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は、図２９（Ｂ）
に示す発光装置３０００の変形例を説明する断面図である。
【０５０２】
図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す発光装置は、第２の封止領域３００９を設けず
に、第１の封止領域３００７とした構成である。また、図３０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）
に示す発光装置は、図２９（Ｂ）に示す第２の領域３０１３の代わりに領域３０１４を有
する。
【０５０３】
領域３０１４としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロ
ン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシ
を用いることができる。また、シロキサン結合を有する樹脂を含む材料を用いることがで
きる。
【０５０４】
領域３０１４として、上述の材料を用いることで、いわゆる固体封止の発光装置とする
ことができる。
【０５０５】
また、図３０（Ｂ）に示す発光装置は、図３０（Ａ）に示す発光装置の基板３００１側
に、基板３０１５を設ける構成である。
【０５０６】
基板３０１５は、図３０（Ｂ）に示すように凹凸を有する。凹凸を有する基板３０１５
を、発光素子３００５の光を取り出す側に設ける構成とすることで、発光素子３００５か
らの光の取出し効率を向上させることができる。なお、図３０（Ｂ）に示すような凹凸を
有する構造の代わりに、拡散板として機能する基板を設けてもよい。
【０５０７】
また、図３０（Ｃ）に示す発光装置は、図３０（Ａ）に示す発光装置が基板３００１側
から光を取り出す構造であったのに対し、基板３００３側から光を取り出す構造である。
【０５０８】
図３０（Ｃ）に示す発光装置は、基板３００３側に基板３０１５を有する。それ以外の
構成は、図３０（Ｂ）に示す発光装置と同様である。
【０５０９】
また、図３０（Ｄ）に示す発光装置は、図３０（Ｃ）に示す発光装置の基板３００３、
３０１５を設けずに、基板３０１６を設ける構成である。
【０５１０】
基板３０１６は、発光素子３００５の近い側に位置する第１の凹凸と、発光素子３００
５の遠い側に位置する第２の凹凸と、を有する。図３０（Ｄ）に示す構成とすることで、
発光素子３００５からの光の取出し効率をさらに、向上させることができる。
【０５１１】
したがって、本実施の形態に示す構成を実施することにより、水分及び酸素などの不純
物による発光素子の劣化が抑制された発光装置を実現することができる。または、本実施
の形態に示す構成を実施することにより、光取出し効率の高い発光装置を実現することが
できる。
【０５１２】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせること
ができる。
【０５１３】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光素子を様々な照明装置及び電子機器に適用す
る一例について、図３１及び図３２を用いて説明する。
【０５１４】
本発明の一態様の発光素子を、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する
発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。
【０５１５】
また、本発明の一態様を適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、
例えば、ダッシュボード、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。
【０５１６】
図３１（Ａ）は、多機能端末３５００の一方の面の斜視図を示し、図３１（Ｂ）は、多
機能端末３５００の他方の面の斜視図を示している。多機能端末３５００は、筐体３５０
２に表示部３５０４、カメラ３５０６、照明３５０８等が組み込まれている。本発明の一
態様の発光装置を照明３５０８に用いることができる。
【０５１７】
照明３５０８は、本発明の一態様の発光装置を用いることで、面光源として機能する。
したがって、ＬＥＤに代表される点光源と異なり、指向性が少ない発光が得られる。例え
ば、照明３５０８とカメラ３５０６とを組み合わせて用いる場合、照明３５０８を点灯ま
たは点滅させて、カメラ３５０６により撮像することができる。照明３５０８としては、
面光源としての機能を有するため、自然光の下で撮影したような写真を撮影することがで
きる。
【０５１８】
なお、図３１（Ａ）、（Ｂ）に示す多機能端末３５００は、図２８（Ａ）乃至図２８（
Ｇ）に示す電子機器と同様に、様々な機能を有することができる。
【０５１９】
また、筐体３５０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角
速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、
電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含む
もの）、マイクロフォン等を有することができる。また、多機能端末３５００の内部に、
ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、多
機能端末３５００の向き（縦か横か）を判断して、表示部３５０４の画面表示を自動的に
切り替えるようにすることができる。
【０５２０】
表示部３５０４は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部３
５０４に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部３５０４に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシ
ング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。なお、表示部３５
０４に本発明の一態様の発光装置を適用してもよい。
【０５２１】
図３１（Ｃ）は、防犯用のライト３６００の斜視図を示している。ライト３６００は、
筐体３６０２の外側に照明３６０８を有し、筐体３６０２には、スピーカ３６１０等が組
み込まれている。本発明の一態様の発光装置を照明３６０８に用いることができる。
【０５２２】
ライト３６００としては、例えば、照明３６０８を握持する、掴持する、または保持す
ることで発光することができる。また、筐体３６０２の内部には、ライト３６００からの
発光方法を制御できる電子回路を備えていてもよい。該電子回路としては、例えば、１回
または間欠的に複数回、発光が可能なような回路としてもよいし、発光の電流値を制御す
ることで発光の光量が調整可能なような回路としてもよい。また、照明３６０８の発光と
同時に、スピーカ３６１０から大音量の警報音が出力されるような回路を組み込んでもよ
い。
【０５２３】
ライト３６００としては、あらゆる方向に発光することが可能なため、例えば、暴漢等
に向けて光、または光と音で威嚇することができる。また、ライト３６００にデジタルス
チルカメラ等のカメラ、撮影機能を有する機能を備えてもよい。
【０５２４】
図３２は、発光素子を室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光素子
は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面
を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成すること
もできる。本実施の形態で示す発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い
。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の
壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５０１、８５０２、８
５０３に、タッチセンサを設けて、電源のオンまたはオフを行ってもよい。
【０５２５】
また、発光素子をテーブルの表面側に用いることによりテーブルとしての機能を備えた
照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光素子を用いるこ
とにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【０５２６】
以上のようにして、本発明の一態様の発光装置を適用して照明装置及び電子機器を得る
ことができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに
限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０５２７】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用
いることができる。
【実施例１】
【０５２８】
本実施例では、本発明の一態様の発光素子に適用可能なキャリア注入層のキャリア注入
性及びキャリア輸送性について測定した例を示す。
【０５２９】
本実施例では、正孔注入層として、ドナー材料として機能する正孔輸送性材料とアクセ
プター材料として機能する遷移金属酸化物、具体的には酸化モリブデン（略称：ＭｏＯ３
）との複合材料を有する試料を作製し、その電流密度−電圧特性を測定した結果について
示す。作製した試料は、試料Ａ１乃至試料Ａ３、試料Ｂ１乃至試料Ｂ１０、及び試料Ｃ１
乃至試料Ｃ８である。また、複合材料に用いた正孔輸送性材料の構造と略称を、以下に示
す。
【０５３０】
【化１】
2020205452.tif 000003
【０５３１】
＜試料の作製＞
電極１０１として、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を厚さが
１１０ｎｍになるよう形成した。なお、電極１０１の面積としては、４ｍｍ２（２ｍｍ×
２ｍｍ）とした。
【０５３２】
また、試料Ａ１乃至Ａ３においては、電極１０１上の正孔注入層として、正孔輸送性材
料とＭｏＯ３との複合材料を厚さが２００ｎｍになるよう形成した。試料Ａ１においては
、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：Ｎ
ＰＢ）とＭｏＯ３とを重量比（ＮＰＢ：ＭｏＯ３）が１：０．２５になるよう共蒸着した
。また、試料Ａ２においては、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニ
ル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：Ｄ
ＮＴＰＤ）とＭｏＯ３とを重量比（ＤＮＴＰＤ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるよう共蒸
着した。また、試料Ａ３においては、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチ
ル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）とＭｏＯ３とを重量比（ｔ−ＢｕＤＮＡ：Ｍ
ｏＯ３）が１：０．５になるよう共蒸着した。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそ
れぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着方法である。
【０５３３】
また、試料Ｂ２乃至Ｂ９、及び試料Ｃ２乃至Ｃ７においては、電極１０１上の正孔注入
層として、正孔輸送性材料とＭｏＯ３との複合材料を厚さが５０ｎｍになるよう形成した
。試料Ｂ２乃至Ｂ９においては、ＮＰＢとＭｏＯ３とをモル比（ＮＰＢ：ＭｏＯ３）がそ
れぞれ１：０．０２、１：０．０４、１：０．１、１：０．２、１：０．４、１：１、１
：２、１：４になるよう共蒸着した。また、試料Ｃ２乃至Ｃ７においては、ＤＮＴＰＤと
ＭｏＯ３とをモル比（ＤＮＴＰＤ：ＭｏＯ３）がそれぞれ１：０．１、１：０．５、１：
１、１：２、１：５、１：１０になるよう共蒸着した。また、比較として、試料Ｂ１にお
いてはＮＰＢを、試料Ｃ１においてはＤＮＴＰＤを、試料Ｂ１０および試料Ｃ８において
は、ＭｏＯ３を、それぞれ厚さが５０ｎｍになるよう蒸着した。
【０５３４】
正孔注入層上に電極１０２として、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが２００ｎｍになるよ
う蒸着した。以上の工程によって、試料Ａ１乃至Ａ３、試料Ｂ１乃至Ｂ１０、及び試料Ｃ
１乃至Ｃ８を作製した。上記作製した試料は、一対の電極（電極１０１及び電極１０２）
間に正孔注入層のみが挟持された試料であるため、電極から正孔注入層への正孔注入性、
及び正孔注入層の正孔輸送性を評価することができる。
【０５３５】
作成した試料Ａ１乃至Ａ３の電流密度−電圧特性を図３３に、試料Ｂ１乃至Ｂ１０の電
流密度−電圧特性を図３４に、試料Ｃ１乃至Ｃ８の電流密度−電圧特性を図３５に、それ
ぞれ示す。なお、図３３乃至図３５においては、電極１０１（ＩＴＳＯ膜）を陽極として
、電極１０２（Ａｌ膜）を陰極として測定を行った。
【０５３６】
図３３のように、正孔注入層に用いた複合材料においてドナー材料として機能する正孔
輸送性材料が異なることで、試料Ａ１乃至Ａ３の電流密度−電圧特性に差が生じる結果と
なった。
【０５３７】
また、複合材料に用いた正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位の測定結果を表１に示す。なお
、表１に示す正孔輸送性材料の薄膜状態におけるＨＯＭＯ準位は、各化合物のイオン化ポ
テンシャルの値を大気中にて光電子分光法（理研計器製、ＡＣ−２）にて測定し、得られ
たイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算した結果より求めた。
【０５３８】
【表１】
2020205452.tif 000004
【０５３９】
表１のように、試料Ａ１、Ａ２及びＡ３が有する正孔輸送性材料のＨＯＭＯ準位は、互
いに異なる値を有する。そのため、試料Ａ１、Ａ２及びＡ３の正孔注入性および正孔輸送
性が異なる結果となったといえる。
【０５４０】
また、図３４及び図３５のように、正孔注入層に用いた複合材料において、正孔輸送性
材料（ドナー材料）とＭｏＯ３（アクセプター材料）との混合比が異なることで、正孔注
入層の正孔注入性および正孔輸送性が大きく異なる結果となった。
【０５４１】
正孔注入層に用いる複合材料おいては、アクセプター材料によってドナー材料から電子
が引き抜かれて正孔が発生する。そのため、アクセプター材料とドナー材料との混合比（
モル比）が同等、またはアクセプター材料の混合比が高い場合、アクセプター材料によっ
てドナー材料から引き抜かれる電子が多くなり、正孔注入層中で正孔が発生しやすくなる
ため、正孔注入層の正孔注入性または正孔輸送性を向上させることができる。また、アク
セプター材料とドナー材料との混合比（モル比）においてドナー材料の混合比が高い場合
、アクセプター材料によってドナー材料から引き抜かれる電子が少なくなり、正孔注入層
中で発生する正孔が少なくなるため、正孔注入層の正孔注入性または正孔輸送性を低減さ
せることができる。
【０５４２】
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる
。
【実施例２】
【０５４３】
本実施例では、本発明の一態様の発光素子である発光素子１乃至発光素子４の作製例を
示す。本実施例で作製した発光素子の断面模式図を図３６（Ａ）に示す。また、素子構造
を表２に示す。また、本実施例で使用した化合物の構造と略称を以下に示す。
【０５４４】
【化２】
2020205452.tif 000005
【０５４５】
【化３】
2020205452.tif 000006
【０５４６】
【表２】
2020205452.tif 000007
【０５４７】
＜発光素子１の作製＞
基板５１０上に電極５０１として、ＩＴＳＯ膜を、厚さが１１０ｎｍになるように形成
した。なお、電極５０１の電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
【０５４８】
次に、電極５０１上にＥＬ層を形成した。正孔注入層５１１としては、１，３，５−ト
リ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）および酸化
モリブデン（ＭｏＯ３）を重量比（ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：ＭｏＯ３）が１：０．１になるよ
うに、且つ厚さが３５ｎｍになるように共蒸着した。すなわち、正孔注入層５１１をドナ
ー材料とアクセプター材料との複合材料によって形成した。正孔注入層５１１において、
ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩがドナー材料であり、ＭｏＯ３がアクセプター材料である。
【０５４９】
次に、正孔輸送層５１２として、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９
−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）を厚さが１０ｎｍになるように蒸
着した。
【０５５０】
次に、発光層５２０としては、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニ
ル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）およびＮ，Ｎ
’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオ
レン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡ
Ｐｒｎ）を重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）が１：０．０２
になるように、且つ厚さが１０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層５２０におい
て、ｃｇＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎがゲスト材料
（蛍光材料）である。
【０５５１】
次に、発光層５３０の１層目としては、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル
）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢ
ｑ−ＩＩ）およびＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−
２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉ
Ｆ）が０．８：０．２になるように、且つ厚さが２ｎｍになるように共蒸着した。続いて
、発光層５３０の２層目として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及び（ア
セチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリ
ミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））を重量
比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）
）が０．８：０．２：０．０６になるように、且つ厚さが２０ｎｍになるように共蒸着し
た。発光層５３０において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩおよびＰＣＢＢｉＦがホスト材
料であり、Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）がゲスト材料（燐光材料）である。
【０５５２】
また、発光層５３０上に、電子輸送層５１８として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩとバ
ソフェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）とを厚さがそれぞれ２０ｎｍ、１５ｎｍになるよう順
次、蒸着した。次に、電子注入層５１９として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を厚さが１ｎ
ｍになるように蒸着した。
【０５５３】
また、電極５０２としては、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが１３０ｎｍになるように形
成した。
【０５５４】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、有機ＥＬ用封止材を用いて、ＥＬ層
を形成した基板５１０に封止基板５５０を固定することで、発光素子１を封止した。具体
的には、基板５１０に形成したＥＬ層の周囲に封止材を塗布し、該基板５１０と封止基板
５５０とを貼り合わせ、波長が３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃にて１
時間熱処理した。以上の工程により発光素子１を得た。
【０５５５】
＜発光素子２乃至発光素子４の作製＞
発光素子２乃至発光素子４は、先に示す発光素子１の作製と、正孔注入層５１１の構成
のみが異なり、それ以外の工程は、発光素子１と同様の作製方法とした。
【０５５６】
発光素子２の正孔注入層５１１としては、ＮＰＢおよびＭｏＯ３を重量比（ＮＰＢ：Ｍ
ｏＯ３）が１：０．１になるように、且つ厚さが３５ｎｍになるように共蒸着した。すな
わち、正孔注入層５１１をドナー材料とアクセプター材料との複合材料によって形成した
。正孔注入層５１１において、ＮＰＢがドナー材料であり、ＭｏＯ３がアクセプター材料
である。
【０５５７】
発光素子３の正孔注入層５１１としては、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩおよびＭｏＯ３を重量比（
ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが３５ｎｍになるよ
うに共蒸着した。すなわち、正孔注入層５１１をドナー材料とアクセプター材料との複合
材料によって形成した。正孔注入層５１１において、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩがドナー材料であ
り、ＭｏＯ３がアクセプター材料である。
【０５５８】
発光素子４の正孔注入層５１１としては、ＰＣＰＰｎおよびＭｏＯ３を重量比（ＰＣＰ
Ｐｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが３５ｎｍになるように共蒸着し
た。すなわち、正孔注入層５１１をドナー材料とアクセプター材料との複合材料によって
形成した。正孔注入層５１１において、ＰＣＰＰｎがドナー材料であり、ＭｏＯ３がアク
セプター材料である。
【０５５９】
＜発光素子の動作特性＞
次に、作製した発光素子１乃至発光素子４の発光特性について測定した。なお、測定は
室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０５６０】
ここで、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子の発光特性を以下の表３に示す。ま
た、発光素子の電流効率−輝度特性を図３７に、輝度−電圧特性を図３８に示す。また、
発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流したときの電界発光スペクトルを図
３９に示す。
【０５６１】
【表３】
2020205452.tif 000008
【０５６２】
図３９に示すように、発光素子１、発光素子３、及び発光素子４の電界発光スペクトル
ピークからは、蛍光材料である１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎが呈する青色発光、及び燐
光材料であるＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が呈する黄色発光が観測された。すな
わち、発光素子１、発光素子３、及び発光素子４においては、発光色の異なる蛍光材料と
燐光材料の双方を発光させることができた。また、表３に示すように、蛍光材料と燐光材
料の双方からの発光が得られながら、外部量子効率は１０％以上と高い値が得られている
。したがって、本発明の一態様の発光層を用いることで、蛍光材料と燐光材料の双方が効
率よく発光する発光素子を作製することができた。
【０５６３】
一方、発光素子２の電界発光スペクトルからは、蛍光材料である１，６ｍＭｅｍＦＬＰ
ＡＰｒｎが呈する青色発光のみが観測された。発光層５２０および発光層５３０に用いた
化合物および発光層の構成は、発光素子１と発光素子２とで同じである。したがって、発
光素子１と発光素子２とで正孔注入層５１１を変えることで、発光領域が変化し、発光色
が変化したといえる。すなわち、正孔注入層５１１に用いるドナー材料を変えることで、
発光素子の発光領域が分布する領域を制御することができた。なお、発光素子２の外部量
子効率は５％以上であり、蛍光材料からの発光を呈する発光素子としては十分に高い発光
効率を示した。したがって、発光素子２においては、一対の電極から注入されたキャリア
のほとんどが発光層５２０において再結合し、発光に利用することができている。
【０５６４】
なお、図３８及び表３に示すように、発光素子１乃至発光素子４は、いずれも低い電圧
で駆動している。そのため、本発明の一態様によって、消費電力が低減された発光素子を
作製することができることが分かった。
【０５６５】
また、発光素子１乃至発光素子４において正孔注入層５１１に用いたドナー材料のＨＯ
ＭＯ準位を測定した結果、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ、ＰＣＰＰｎ、ＮＰＢのＨＯＭＯ準位はそれ
ぞれ、−６．２０ｅＶ、−５．９１ｅＶ、−５．３８ｅＶであった。なお、ＨＯＭＯ準位
の測定方法については、実施例１を参酌すればよい。
【０５６６】
すなわち、発光素子１においては、正孔輸送層５１２が有する材料のＨＯＭＯ準位が、
正孔注入層５１１が有するドナー材料のＨＯＭＯ準位より高く、発光素子２においては、
正孔輸送層５１２が有する材料のＨＯＭＯ準位が、正孔注入層５１１が有するドナー材料
のＨＯＭＯ準位より低い。したがって、発光素子１においては、正孔注入層５１１から正
孔輸送層５１２への正孔注入性が良好であるため、発光層５２０および発光層５３０の双
方で一対の電極から注入されたキャリアが再結合し、発光層５２０および発光層５３０の
双方からの発光が観測される。一方、発光素子２においては、正孔注入層５１１と正孔輸
送層５１２との界面において正孔注入障壁が存在するため、発光層に正孔が輸送されにく
い。したがって、正孔輸送層５１２に近い発光層５２０において、より多くのキャリアが
再結合する。そのため、発光素子２においては、発光層５２０からの青色発光のみが観測
される。
【０５６７】
また、発光素子３においては、正孔輸送層５１２が有する材料のＨＯＭＯ準位が、正孔
注入層５１１が有するドナー材料のＨＯＭＯ準位より高く、発光素子４においては、正孔
輸送層５１２が有する材料のＨＯＭＯ準位と、正孔注入層５１１が有するドナー材料のＨ
ＯＭＯ準位が等しい。したがって、発光素子３及び発光素子４の双方において、正孔注入
層５１１から正孔輸送層５１２への正孔注入性が良好であるため、発光層５２０および発
光層５３０の双方で一対の電極から注入されたキャリアが再結合し、発光層５２０および
発光層５３０の双方からの発光が観測される。ただし、発光素子３の方が発光素子４より
も正孔注入層５１１から正孔輸送層５１２への正孔注入性が良好であるため、発光素子３
においては、電子輸送層５１８に近い発光層５３０において、より多くのキャリアが再結
合し発光する。そのため、発光素子３と発光素子４とでキャリア再結合領域および発光領
域が分布する領域が異なるため、電界発光スペクトルおよび発光色に違いが生じる。
【０５６８】
また、発光素子１と発光素子３は、正孔注入層５１１に用いた化合物は同じであるが、
ドナー材料とアクセプター材料との混合比が互いに異なる発光素子である。その結果、発
光素子１と発光素子３とで、電界発光スペクトルが変化する結果が得られた。先の実施例
１で例示したように、ドナー材料とアクセプター材料の混合比を変えることで正孔注入層
５１１の正孔注入性が変化するため、一対の電極から注入されたキャリアの再結合領域及
び発光領域が分布する領域が変化する。その結果、発光層５２０と発光層５３０とが呈す
る発光の割合が変化したため、発光素子１と発光素子３とで電界発光スペクトルの形状が
異なる形状になったといえる。
【０５６９】
以上のように、本発明の一態様によって、発光スペクトルまたは発光色が異なる領域を
有する発光素子を作製することができる。また、発光効率が高い発光素子を作製すること
ができる。また、成膜工程が比較的少なく、製造しやすい、多色発光を呈する発光素子を
作製することができる。
【０５７０】
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる
。
【実施例３】
【０５７１】
本実施例では、本発明の一態様である発光素子５および発光素子６の作製例を示す。本
実施例で作製した発光素子の断面模式図を図３６（Ｂ）に示す。また、素子構造の詳細を
表４に示す。また、本実施例で使用した化合物の構造と略称を以下に示す。なお、その他
の化合物については、先の実施例２で示した化合物を用いた。
【０５７２】
【化４】
2020205452.tif 000009
【０５７３】
【表４】
2020205452.tif 000010
【０５７４】
＜発光素子５の作製＞
基板５１０上に電極５０１として、ＩＴＳＯ膜を、厚さが１１０ｎｍになるように形成
した。なお、電極５０１の電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。
【０５７５】
次に、電極５０１上にＥＬ層を形成した。電子注入層５１９としては、銅フタロシアニ
ン（略称：ＣｕＰｃ）と、Ｂｐｈｅｎと、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）とを厚さがそれぞれ
２ｎｍ、５ｎｍ、０．１５ｎｍになるよう順次、蒸着した。
【０５７６】
次に、電子輸送層５１８として、Ｂｐｈｅｎと、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩとを厚さ
がそれぞれ１０ｎｍ、１５ｎｍになるよう順次、蒸着した。
【０５７７】
次に、発光層５３０の１層目として、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及
びＩｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）を重量比（２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢ
ＢｉＦ：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ））が０．９：０．１：０．０６になるよう
に、且つ厚さが２０ｎｍになるように共蒸着した。続いて、発光層５３０の２層目として
は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを厚さが２ｎｍになるように蒸着した。発光層５３０に
おいて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩおよびＰＣＢＢｉＦがホスト材料であり、Ｉｒ（ｍ
ｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）がゲスト材料（燐光材料）である。
【０５７８】
次に、発光層５２０としては、ｃｇＤＢＣｚＰＡおよび１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ
を重量比（ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）が１：０．０２になるよ
うに、且つ厚さが１０ｎｍになるように共蒸着した。なお、発光層５２０において、ｃｇ
ＤＢＣｚＰＡがホスト材料であり、１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎがゲスト材料（蛍光材
料）である。
【０５７９】
次に、正孔輸送層５１２として、ＰＣＰＰｎを厚さが２０ｎｍになるように蒸着した。
続いて、正孔注入層５１１として、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩおよびＭｏＯ３を重量比（ＤＢＴ３
Ｐ−ＩＩ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが２０ｎｍになるように共蒸
着した。すなわち、正孔注入層５１１をドナー材料とアクセプター材料の複合材料によっ
て形成した。正孔注入層５１１において、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩがドナー材料であり、ＭｏＯ
３がアクセプター材料である。
【０５８０】
また、電極５０２としては、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが１５０ｎｍになるように形
成した。
【０５８１】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、有機ＥＬ用封止材を用いて、ＥＬ層
を形成した基板５１０に封止基板５５０を固定することで、発光素子５を封止した。具体
的には、基板５１０に形成したＥＬ層の周囲に封止材を塗布し、該基板５１０と封止基板
５５０とを貼り合わせ、波長が３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射し、８０℃にて１
時間熱処理した。以上の工程により発光素子５を得た。
【０５８２】
＜発光素子６の作製＞
発光素子６は、先に示す発光素子５の作製と、電極１０１、電子注入層５１９、及び正
孔注入層５１１の構成のみが異なり、それ以外の工程は、発光素子５と同様の作製方法と
した。
【０５８３】
発光素子６においては、基板５１０上の電極５０１として、ＩＴＳＯ膜を、厚さが７０
ｎｍになるように形成した。なお、電極５０１の電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ
）とした。
【０５８４】
次に、電極５０１上の電子注入層５１９の１層目として、ＰＣＰＰｎおよびＭｏＯ３を
重量比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが７０ｎｍになる
ように共蒸着した。すなわち、電子注入層５１９は、電荷発生層として機能する複合材料
を有する構成であり、該複合材料をドナー材料とアクセプター材料とによって形成した。
電子注入層５１９において、ＰＣＰＰｎがドナー材料であり、ＭｏＯ３がアクセプター材
料である。続いて、電子注入層５１９の２層目乃至４層目として、ＣｕＰｃと、Ｂｐｈｅ
ｎと、Ｌｉ２Ｏとを厚さがそれぞれ２ｎｍ、５ｎｍ、０．１５ｎｍになるよう順次、蒸着
した。
【０５８５】
また、発光素子６における正孔注入層５１１として、ＰＣＰＰｎおよびＭｏＯ３を重量
比（ＰＣＰＰｎ：ＭｏＯ３）が１：０．５になるように、且つ厚さが２０ｎｍになるよう
に共蒸着した。すなわち、正孔注入層５１１をドナー材料とアクセプター材料との複合材
料によって形成した。正孔注入層５１１において、ＰＣＰＰｎがドナー材料であり、Ｍｏ
Ｏ３がアクセプター材料である。
【０５８６】
＜発光素子の動作特性＞
次に、作製した発光素子５及び発光素子６の発光特性について測定した。なお、測定は
室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０５８７】
ここで、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子の発光特性を以下の表５に示す。ま
た、発光素子の電流効率−輝度特性を図４０に、輝度−電圧特性を図４１に示す。また、
発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流したときの電界発光スペクトルを図
４２に示す。
【０５８８】
【表５】
2020205452.tif 000011
【０５８９】
図４２に示すように、発光素子５及び発光素子６の電界発光スペクトルピークからは、
蛍光材料である１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎが呈する青色発光、及び燐光材料であるＩ
ｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）が呈する黄色発光が観測された。すなわち、発光素子
５及び発光素子６においては、発光色の異なる蛍光材料と燐光材料の双方を発光させるこ
とができた。また、表５に示すように、蛍光材料と燐光材料の双方から発光が得られなが
ら、外部量子効率は１０％以上と高い値が得られている。したがって、本発明の一態様の
発光層を用いることで、蛍光材料と燐光材料の双方が効率よく発光する発光素子が作製す
ることができた。
【０５９０】
なお、図４１及び表５に示すように、発光素子５及び発光素子６は、いずれも低い電圧
で駆動している。そのため、本発明の一態様によって、消費電力が低減された発光素子を
作製することができることが分かった。
【０５９１】
また、先の実施例２で示したように、発光素子５においては、正孔輸送層５１２が有す
る材料のＨＯＭＯ準位が、正孔注入層５１１が有するドナー材料のＨＯＭＯ準位より高く
、発光素子６においては、正孔輸送層５１２が有する材料のＨＯＭＯ準位と、正孔注入層
５１１が有するドナー材料のＨＯＭＯ準位が等しい。そのため、発光素子５及び発光素子
６の双方において、正孔注入層５１１から正孔輸送層５１２への正孔注入性が良好である
が、発光素子５の方が発光素子６よりも正孔注入性が良好である。
【０５９２】
また、発光素子６においては、電子注入層５１９がドナー材料とアクセプター材料とで
形成される複合材料で形成されている。一方、発光素子５においては、電子注入層５１９
が複合材料を有さない構成である。そのため、発光素子６の方が発光素子５よりも電子注
入性が良好である。
【０５９３】
すなわち、発光素子５と発光素子６とは、正孔注入層５１１および電子注入層５１９の
双方の構成が互いに異なる発光素子である。発光素子５においては、発光素子６より正孔
注入性が良好であり、発光素子６においては、発光素子５より電子注入性が良好であるこ
とから、発光素子５においては、一対の電極から注入されたキャリアのうち、より多くの
キャリアが電子輸送層５１８に近い発光層５３０において再結合し、発光素子６において
は、より多くのキャリアが正孔輸送層５１２に近い発光層５２０において再結合する。
【０５９４】
したがって、発光素子５と発光素子６とで、キャリア再結合領域および発光領域が分布
する領域に違いが生じる。その結果、電界発光スペクトルおよび発光色が異なる結果が得
られたといえる。
【０５９５】
以上のように、本発明の一態様によって、発光スペクトルまたは発光色が異なる領域を
有する発光素子を作製することができる。また、発光効率が高い発光素子を作製すること
ができる。また、成膜工程が比較的少なく、製造しやすい、多色発光を呈する発光素子を
作製することができる。
【０５９６】
以上、本実施例に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる
。
【符号の説明】
【０５９７】
１００    ＥＬ層
１０１    電極
１０１ａ    導電膜
１０１ｂ    導電膜
１０１ｃ    導電膜
１０２    電極
１０３    電極
１０３ａ    導電膜
１０３ｂ    導電膜
１０３ｃ    導電膜
１０４    電極
１０４ａ    導電膜
１０４ｂ    導電膜
１１１    キャリア注入層
１１１ａ    キャリア注入層
１１１ｂ    キャリア注入層
１１２    キャリア輸送層
１１５    電荷発生層
１１８    キャリア輸送層
１１９    キャリア注入層
１１９ａ    キャリア注入層
１１９ｂ    キャリア注入層
１２０    発光層
１２１    ホスト材料
１２２    ゲスト材料
１３０    発光層
１３０＿１    発光層
１３０＿２    発光層
１３１    ホスト材料
１３１＿１    有機化合物
１３１＿２    有機化合物
１３２    ゲスト材料
１３６    ホスト材料
１３６＿１    有機化合物
１３６＿２    有機化合物
１３７    ゲスト材料
１４０    発光層
１４５    隔壁
１５０    発光層
１８０    発光領域
２００    基板
２１０ａ    領域
２１０ｂ    領域
２２０    基板
２２２Ｂ    領域
２２２Ｇ    領域
２２２Ｒ    領域
２２３    遮光層
２２４Ｂ    光学素子
２２４Ｇ    光学素子
２２４Ｒ    光学素子
２５０    発光素子
２５２    発光素子
２５４    発光素子
２５６    発光素子
２５８    発光素子
２６０    発光素子
２６２    発光素子
２６４    発光素子
３０１＿１    配線
３０１＿５    配線
３０１＿６    配線
３０１＿７    配線
３０２＿１    配線
３０２＿２    配線
３０３＿１    トランジスタ
３０３＿６    トランジスタ
３０３＿７    トランジスタ
３０４    容量素子
３０４＿１    容量素子
３０４＿２    容量素子
３０５    発光素子
３０６＿１    配線
３０６＿３    配線
３０７＿１    配線
３０７＿３    配線
３０８＿１    トランジスタ
３０８＿６    トランジスタ
３０９＿１    トランジスタ
３０９＿２    トランジスタ
３１１＿１    配線
３１１＿３    配線
３１２＿１    配線
３１２＿２    配線
４００    ＥＬ層
４０１    電極
４０２    電極
４０６    発光ユニット
４０８    発光ユニット
４１１    正孔注入層
４１２    正孔輸送層
４１３    電子輸送層
４１４    電子注入層
４１５    電荷発生層
４１６    正孔注入層
４１７    正孔輸送層
４１８    電子輸送層
４１９    電子注入層
４５０    発光素子
４５０ａ    発光素子
４５２    発光素子
５０１    電極
５０２    電極
５１０    基板
５１１    正孔注入層
５１２    正孔輸送層
５１８    電子輸送層
５１９    電子注入層
５２０    発光層
５３０    発光層
５５０    封止基板
６００    表示装置
６０１    信号線駆動回路部
６０２    画素部
６０３    走査線駆動回路部
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    領域
６０８    配線
６０９    ＦＰＣ
６１０    素子基板
６１１    トランジスタ
６１２    トランジスタ
６１３    下部電極
６１４    隔壁
６１６    ＥＬ層
６１７    上部電極
６１８    発光素子
６２１    光学素子
６２２    遮光層
６２３    トランジスタ
６２４    トランジスタ
８０１    画素回路
８０２    画素部
８０４    駆動回路部
８０４ａ    走査線駆動回路
８０４ｂ    信号線駆動回路
８０６    保護回路
８０７    端子部
８５２    トランジスタ
８５４    トランジスタ
８６２    容量素子
８７２    発光素子
１００１    基板
１００２    下地絶縁膜
１００３    ゲート絶縁膜
１００６    ゲート電極
１００７    ゲート電極
１００８    ゲート電極
１０２０    層間絶縁膜
１０２１    層間絶縁膜
１０２２    電極
１０２４Ｂ    下部電極
１０２４Ｇ    下部電極
１０２４Ｒ    下部電極
１０２４Ｙ    下部電極
１０２５    隔壁
１０２６    上部電極
１０２８    ＥＬ層
１０２９    封止層
１０３１    封止基板
１０３２    シール材
１０３３    基材
１０３４Ｂ    着色層
１０３４Ｇ    着色層
１０３４Ｒ    着色層
１０３４Ｙ    着色層
１０３５    遮光層
１０３６    オーバーコート層
１０３７    層間絶縁膜
１０４０    画素部
１０４１    駆動回路部
１０４２    周辺部
２０００    タッチパネル
２００１    タッチパネル
２５０１    表示装置
２５０２Ｒ    画素
２５０２ｔ    トランジスタ
２５０３ｃ    容量素子
２５０３ｇ    走査線駆動回路
２５０３ｓ    信号線駆動回路
２５０３ｔ    トランジスタ
２５０９    ＦＰＣ
２５１０    基板
２５１０ａ    絶縁層
２５１０ｂ    可撓性基板
２５１０ｃ    接着層
２５１１    配線
２５１９    端子
２５２１    絶縁層
２５２８    隔壁
２５５０Ｒ    発光素子
２５６０    封止層
２５６７ＢＭ    遮光層
２５６７ｐ    反射防止層
２５６７Ｒ    着色層
２５７０    基板
２５７０ａ    絶縁層
２５７０ｂ    可撓性基板
２５７０ｃ    接着層
２５８０Ｒ    発光モジュール
２５９０    基板
２５９１    電極
２５９２    電極
２５９３    絶縁層
２５９４    配線
２５９５    タッチセンサ
２５９７    接着層
２５９８    配線
２５９９    接続層
２６０１    パルス電圧出力回路
２６０２    電流検出回路
２６０３    容量
２６１１    トランジスタ
２６１２    トランジスタ
２６１３    トランジスタ
２６２１    電極
２６２２    電極
３０００    発光装置
３００１    基板
３００３    基板
３００５    発光素子
３００７    封止領域
３００９    封止領域
３０１１    領域
３０１３    領域
３０１４    領域
３０１５    基板
３０１６    基板
３０１８    乾燥剤
３５００    多機能端末
３５０２    筐体
３５０４    表示部
３５０６    カメラ
３５０８    照明
３６００    ライト
３６０２    筐体
３６０８    照明
３６１０    スピーカ
８０００    表示モジュール
８００１    上部カバー
８００２    下部カバー
８００３    ＦＰＣ
８００４    タッチセンサ
８００５    ＦＰＣ
８００６    表示装置
８００９    フレーム
８０１０    プリント基板
８０１１    バッテリ
８５０１    照明装置
８５０２    照明装置
８５０３    照明装置
８５０４    照明装置
９０００    筐体
９００１    表示部
９００３    スピーカ
９００５    操作キー
９００６    接続端子
９００７    センサ
９００８    マイクロフォン
９０５０    操作ボタン
９０５１    情報
９０５２    情報
９０５３    情報
９０５４    情報
９０５５    ヒンジ
９１００    携帯情報端末
９１０１    携帯情報端末
９１０２    携帯情報端末
９２００    携帯情報端末
９２０１    携帯情報端末
【図１】
2020205452.tif 000012
【図２】
2020205452.tif 000013
【図３】
2020205452.tif 000014
【図４】
2020205452.tif 000015
【図５】
2020205452.tif 000016
【図６】
2020205452.tif 000017
【図７】
2020205452.tif 000018
【図８】
2020205452.tif 000019
【図９】
2020205452.tif 000020
【図１０】
2020205452.tif 000021
【図１１】
2020205452.tif 000022
【図１２】
2020205452.tif 000023
【図１３】
2020205452.tif 000024
【図１４】
2020205452.tif 000025
【図１５】
2020205452.tif 000026
【図１６】
2020205452.tif 000027
【図１７】
2020205452.tif 000028
【図１８】
2020205452.tif 000029
【図１９】
2020205452.tif 000030
【図２０】
2020205452.tif 000031
【図２１】
2020205452.tif 000032
【図２２】
2020205452.tif 000033
【図２３】
2020205452.tif 000034
【図２４】
2020205452.tif 000035
【図２５】
2020205452.tif 000036
【図２６】
2020205452.tif 000037
【図２７】
2020205452.tif 000038
【図２８】
2020205452.tif 000039
【図２９】
2020205452.tif 000040
【図３０】
2020205452.tif 000041
【図３１】
2020205452.tif 000042
【図３２】
2020205452.tif 000043
【図３３】
2020205452.tif 000044
【図３４】
2020205452.tif 000045
【図３５】
2020205452.tif 000046
【図３６】
2020205452.tif 000047
【図３７】
2020205452.tif 000048
【図３８】
2020205452.tif 000049
【図３９】
2020205452.tif 000050
【図４０】
2020205452.tif 000051
【図４１】
2020205452.tif 000052
【図４２】
2020205452.tif 000053