(57)【要約】【課題】高い信頼性を有する表示装置、およびその製造方法を提供する。【解決手段】表示装置は、基板、トランジスタ、平坦化膜、表示素子、隔壁、および少なくとも一つのダムを備える。基板は、表示領域、および表示領域を囲む周辺領域を有する。トランジスタは表示領域上に位置する。平坦化膜は表示領域上に位置し、トランジスタを覆う。表示素子は平坦化膜上に位置し、トランジスタと電気的に接続される画素電極を備える。隔壁は画素電極の端部を覆う。少なくとも一つのダムは、周辺領域上に位置し、平坦化膜から離隔し、表示領域を囲む。少なくとも一つのダムは台座とストッパーを有する。台座は、平坦化膜と隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む。【選択図】図４
2020113421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域、および前記表示領域を囲む周辺領域を有する基板、
前記表示領域上のトランジスタ、
前記表示領域上に位置し、前記トランジスタを覆う平坦化膜、
前記平坦化膜上に位置し、前記トランジスタと電気的に接続される画素電極を備える表示素子、
前記画素電極の端部を覆う隔壁、ならびに
前記周辺領域上に位置し、前記平坦化膜から離隔し、前記表示領域を囲む少なくとも一つのダムを有し、
前記少なくとも一つのダムは、
前記平坦化膜と前記隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む台座、および
前記台座上に位置し、前記台座と接し、無機材料を含むストッパーを有し、
前記少なくとも一つのダムの台座の上面の一部は、前記ストッパーから露出される表示装置。
【請求項２】
前記無機材料は、ケイ素含有無機化合物と０価金属から選択される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記台座は、
前記平坦化膜に含まれる第１の有機化合物を含む第１の層、および
前記第１の層上に位置し、前記第１の層と前記ストッパーに接し、前記隔壁に含まれる第２の有機化合物を含む第２の層を有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ストッパーの側面と前記基板の上面の間の角度は、前記第２の層の側面と前記基板の前記上面の間の角度よりも大きい、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示領域上にパッシベーション膜をさらに有し、
前記パッシベーション膜は、
第１の無機膜、
前記第１の無機膜上の有機膜、および
前記有機膜上の第２の無機膜を有し、
前記少なくとも一つのダムは複数のダムを有し、
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記複数のダムの少なくとも一つと重なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記複数のダムと重なる、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記パッシベーション膜上に樹脂膜をさらに有し、
前記樹脂膜は、前記複数のダムの少なくとも一つと重なる、請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記樹脂膜と重なる領域に位置する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示領域上にタッチセンサをさらに有する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
表示領域、および前記表示領域を囲む周辺領域を有する基板、
前記表示領域上のトランジスタ、
前記表示領域上に位置し、前記トランジスタを覆う平坦化膜、
前記平坦化膜上に位置し、前記トランジスタと電気的に接続される画素電極を備える表示素子、
前記画素電極の端部を覆う隔壁、
前記周辺領域上に位置し、前記平坦化膜から離隔し、前記表示領域を囲む少なくとも一つのダム、ならびに
前記周辺領域上の付加ダムを有し、
前記少なくとも一つのダムは、前記平坦化膜と前記付加ダムに挟まれ、
前記少なくとも一つのダムは、
前記平坦化膜と前記隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む台座、および
前記台座上に位置し、前記台座と接し、無機材料を含むストッパーを有し、
前記少なくとも一つのダムの台座の上面の一部は、前記ストッパーから露出される表示装置。
【請求項１１】
前記無機材料は、ケイ素含有無機化合物と０価金属から選択される、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記台座は、
前記平坦化膜に含まれる第１の有機化合物を含む第１の層、および
前記第１の層上に位置し、前記第１の層と前記ストッパーに接し、前記隔壁に含まれる第２の有機化合物を含む第２の層を有する、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記ストッパーの側面と前記基板の上面の間の角度は、前記第２の層の側面と前記基板の前記上面の間の角度よりも大きい、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記表示領域上にパッシベーション膜をさらに有し、
前記パッシベーション膜は、
第１の無機膜、
前記第１の無機膜上の有機膜、および
前記有機膜上の第２の無機膜を有し、
前記少なくとも一つのダムは複数のダムを有し、
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記複数のダムの少なくとも一つと重なる、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜は、前記複数のダムと重なる、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記複数のダムと重なる絶縁膜をさらに有する、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記絶縁膜は前記付加ダムと重なる、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１の無機膜と前記第２の無機膜の端部は、前記絶縁膜と重なる領域内に位置する、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示領域上のタッチセンサ、および
前記タッチセンサと電気的に接続され、前記絶縁膜上を延伸する配線をさらに有する、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記付加ダムは、前記少なくとも一つのダムを囲む、請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に関する。例えば、有機発光素子に例示される表示素子を各画素に有する表示装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が知られている。有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に有機発光素子（以下、発光素子）を表示素子として備える。発光素子は一対の電極間に有機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）を有しており、一対の電極間に電流を供給することで駆動される。発光素子の駆動中、有機化合物は酸化あるいは還元されて荷電された状態をとり、さらこれらが再結合することによって励起状態が生じる。このような荷電状態や励起状態などの活性種は、電気的に中性の状態、あるいは基底状態と比べて反応性が高いため、他の有機化合物と反応する、あるいは発光素子に浸入した水や酸素などの不純物と容易に反応する。このような反応は発光素子の特性に影響を与え、発光素子の効率の低下や寿命の低減の原因となる。
【０００３】
このような特性劣化を抑制する方法として、無機化合物を含む膜と有機化合物を含む膜が積層された封止膜を用いることが提案されている。このような構造を有する封止膜を発光素子上に形成することで、不純物の侵入が効果的に抑制され、信頼性の高い表示装置を提供することができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１８／０２２６４５４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明に係る実施形態の一つは、高い信頼性を有する表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、基板、トランジスタ、平坦化膜、表示素子、隔壁、および少なくとも一つのダムを備える。基板は、表示領域、および表示領域を囲む周辺領域を有する。トランジスタは表示領域上に位置する。平坦化膜は表示領域上に位置し、トランジスタを覆う。表示素子は平坦化膜上に位置し、トランジスタと電気的に接続される画素電極を備える。隔壁は画素電極の端部を覆う。少なくとも一つのダムは、周辺領域上に位置し、平坦化膜から離隔し、表示領域を囲む。少なくとも一つのダムは台座とストッパーを有する。台座は、平坦化膜と隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む。ストッパーは台座上に位置し、台座と接し、無機材料を含む。少なくとも一つのダムの台座の上面の一部は、ストッパーから露出される。
【０００７】
本発明の実施形態の一つは表示装置である。この表示装置は、基板、トランジスタ、平坦化膜、表示素子、隔壁、少なくとも一つのダム、および付加ダムを備える。基板は、表示領域、および表示領域を囲む周辺領域を有する。トランジスタは表示領域上に位置する。平坦化膜は表示領域上に位置し、トランジスタを覆う。表示素子は平坦化膜上に位置し、トランジスタと電気的に接続される画素電極を備える。隔壁は画素電極の端部を覆う。少なくとも一つのダムは、周辺領域上に位置し、平坦化膜から離隔し、表示領域を囲む。付加ダムは周辺領域上に位置する。少なくとも一つのダムは、台座とストッパーを有し、平坦化膜と付加ダムに挟まれる。台座は、平坦化膜と隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む。ストッパーは台座上に位置し、台座と接し、無機材料を含む。少なくとも一つのダムの台座の上面の一部は、ストッパーから露出される。
【０００８】
本発明の実施形態の一つは表示装置を製造する方法である。この方法は、トランジスタを基板上に形成すること、トランジスタと重なる平坦化膜を形成すること、トランジスタと電気的に接続される画素電極を平坦化膜上に形成すること、画素電極の端部を覆う隔壁を形成すること、および平坦化膜を囲む少なくとも一つのダムを形成することを含む。少なくとも一つのダムは、台座とストッパーを有し、台座は、平坦化膜と隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む。ストッパーは台座上に位置し、台座と接し、無機材料を含む。ストッパーは、少なくとも一つのダムの台座の上面の一部を露出するように形成される。
【０００９】
本発明の実施形態の一つは表示装置を製造する方法である。この方法は、トランジスタを基板上に形成すること、トランジスタを覆う平坦化膜、および平坦化膜を囲む台座の第１の層を同時に形成すること、トランジスタと電気的に接続される画素電極を平坦化膜上に形成すること、画素電極の端部を覆う隔壁、および第１の層上の第２の層を同時に形成すること、ならびに第２の層に接するストッパーを第２の層上に形成することで、第１の層と第２の層とを含む台座、およびストッパーを備えるダムを形成することを含む。ストッパーは、第２の層の上面を露出するように形成される。
【００１０】
本発明の実施形態の一つは表示装置を製造する方法である。この方法は、トランジスタを基板上に形成すること、トランジスタと重なる平坦化膜を形成すること、トランジスタと電気的に接続される画素電極を平坦化膜上に形成すること、画素電極の端部を覆う隔壁を形成すること、平坦化膜を囲む少なくとも一つのダムを形成すること、および付加ダムを形成することを含む。少なくとも一つのダムは、平坦化膜と付加ダムに挟まれる。少なくとも一つのダムは、台座とストッパーを備える。台座は、平坦化膜と隔壁の少なくとも一方に含まれる材料を含む。ストッパーは台座上に位置し、台座と接し、無機材料を含む。ストッパーは、少なくとも一つのダムの台座の上面の一部を露出するように形成される。
【００１１】
本発明の実施形態の一つは表示装置を製造する方法である。この方法は、トランジスタを基板上に形成すること、トランジスタを覆う平坦化膜、平坦化膜を囲む台座の第１の層、および付加ダムを同時に形成すること、トランジスタと電気的に接続される画素電極を平坦化膜上に形成すること、画素電極の端部を覆う隔壁、および第１の層上の第２の層を同時に形成すること、ならびに第２の層に接するストッパーを第２の層上に形成することで、第１の層と第２の層とを含む台座、およびストッパーを備えるダムを形成することを含む。付加ダムは、ダムが平坦化膜と付加ダムに挟まれるように形成される。ストッパーは、第２の層の上面の一部がストッパーから露出されるように形成される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素回路の等価回路。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置のダムの模式的断面図。
【図８】表示装置の製造工程を示す模式的断面図。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造工程を示す模式的断面図。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図２０】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図２１】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図２２】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図２３】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図２４】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図２５】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図２６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図２７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図２８】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図２９】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図３０】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図３１】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図３２】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的上面図。
【図３３】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図３４】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図３５】本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的断面図。
【図３６】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図３７】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【図３８】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１４】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１５】
本明細書と請求項において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１６】
本明細書および請求項において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１７】
本明細書および請求項において、「ある構造体が他の構造体から露出するという」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない態様を意味し、この他の構造体によって覆われていない部分は、さらに別の構造体によって覆われる態様も含む。
【００１８】
＜第１実施形態＞
本実施形態では、一実施形態に係る表示装置１００の構造とその製造方法を記述する。
【００１９】
１．全体構成
表示装置１００の模式的上面図を図１に示す。図１に示すように、表示装置１００は基板１０２を有し、その上に複数の画素１０４が設けられる。画素１０４は複数の行と列を有するマトリクス状に配置される。画素１０４を包含する領域、およびこれを取り囲む領域がそれぞれ基板１０２の表示領域１０６と周辺領域として定義される。
【００２０】
周辺領域には画素１０４を駆動するための駆動回路が設けられる。図１に示した例では、表示領域１０６を挟む二つの走査線駆動回路１０８や、アナログスイッチなどを含む信号線駆動回路１１０が設けられる。表示領域１０６や走査線駆動回路１０８、信号線駆動回路１１０からは、図示しない配線が基板１０２の一辺へ延び、基板１０２の端部で露出されて端子１１２を形成する。端子１１２は、フレキシブル印刷回路（ＦＰＣ）基板などのコネクタ１１６と電気的に接続される。コネクタ１１６上、あるいは基板１０２上には、画素１０４を制御するための駆動ＩＣ１１４をさらに搭載してもよい。なお、信号線駆動回路１１０を周辺領域上に設けず、この機能を駆動ＩＣ１１４によって実現してもよい。
【００２１】
以下の説明では、便宜上、表示装置１００の端子１１２側を下部、端子と反対側を上部とする。基板１０２や表示領域１０６が主に四つの辺で構成される四角形と見做すことができる場合、端子１１２側の辺を下辺、端子１１２と反対側の辺を上辺、上辺と下辺の間の辺を左右辺と呼ぶ。
【００２２】
２．画素
２−１．画素回路
各画素１０４には、表示素子１３０を含む画素回路が設けられる。画素回路は走査線駆動回路１０８や信号線駆動回路１１０などによって駆動される。これにより、表示素子１３０の動作が制御され、その結果、画像を表示領域１０６上に表示することが可能となる。以下、表示素子１３０として発光素子を用いる例を用いて画素回路を説明する。
【００２３】
画素回路の構成は任意に選択することができ、その一例を等価回路として図２に示す。図２に示した画素回路は、表示素子１３０に加え、駆動トランジスタ１５０、発光制御トランジスタ１５４、補正トランジスタ１５２、初期化トランジスタ１５６、書込トランジスタ１５８、保持容量１４０、付加容量１７０を有している。高電位電源線１８０には高電位ＰＶＤＤが与えられ、この電位が電流供給線１８２を介して各列に接続される画素１０４に与えられる。表示素子１３０、駆動トランジスタ１５０、発光制御トランジスタ１５４、補正トランジスタ１５２は、高電位電源線１８０と低電位電源線１８４との間で直列に接続される。低電位電源線１８４には低電位ＰＶＳＳが与えられる。
【００２４】
駆動トランジスタ１５０のゲートは、初期化トランジスタ１５６を介して第１の信号線１８８と電気的に接続されるとともに、書込トランジスタ１５８を介して第２の信号線１８６と電気的に接続される。第１の信号線１８８には初期化信号Ｖｉｎｉが与えられ、第２の信号線１８６には映像信号Ｖｓｉｇが与えられる。書込トランジスタ１５８は、そのゲートに接続される書込制御走査線１９０に与えられる走査信号ＳＧによって動作が制御される。初期化トランジスタ１５６のゲートは、初期化制御信号ＩＧが与えられる初期化制御走査線１９２と接続され、初期化制御信号ＩＧにより動作が制御される。
【００２５】
補正トランジスタ１５２と発光制御トランジスタ１５４のゲートには、補正制御信号ＣＧが印加される補正制御走査線１９４、発光制御信号ＢＧが印加される発光制御走査線１９８がそれぞれ接続される。駆動トランジスタ１５０のドレインには、補正トランジスタ１５２を介し、リセット制御線１９６が接続される。リセット制御線１９６は、走査線駆動回路１０８に設けられるリセットトランジスタ１６０と接続される。リセットトランジスタ１６０はリセット制御信号ＲＧによって制御され、これによりリセット信号線２００に与えられるリセット電位Ｖｒｓｔを補正トランジスタ１５２を介して駆動トランジスタ１５０のドレインに印加することができる。
【００２６】
駆動トランジスタ１５０のソースとゲートとの間に保持容量１４０が設けられ、駆動トランジスタ１５０のソースと低電位電源線１８４の間に付加容量１７０が設けられる。図示しないが、付加容量１７０は、両端子がそれぞれ駆動トランジスタ１５０のソースと高電位電源線１８０に接続されるように配置してもよい。
【００２７】
信号線駆動回路１１０、または／および駆動ＩＣ１１４は、第１の信号線１８８と第２の信号線１８６に初期化信号Ｖｉｎｉと映像信号Ｖｓｉｇをそれぞれ出力する。一方、走査線駆動回路１０８は、書込制御走査線１９０に走査信号ＳＧを出力し、初期化制御走査線１９２に初期化制御信号ＩＧを出力し、補正制御走査線１９４に補正制御信号ＣＧを出力し、発光制御走査線１９８に発光制御信号ＢＧを出力し、リセットトランジスタ１６０のゲートにリセット制御信号ＲＧを出力する。
【００２８】
図２に示した画素回路はあくまで一例であり、トランジスタや容量などの素子の数や接続関係に制約はない。
【００２９】
２−２．断面構造
隣接する二つの画素１０４の断面模式図を図３に示す。図３には、表示素子１３０やこれに接続される保持容量１４０、駆動トランジスタ１５０、付加容量１７０などを含む画素回路、画素回路上に設けられるパッシベーション膜２３０などが示されている。
【００３０】
（１）画素回路
駆動トランジスタ１５０や保持容量１４０などの各種素子は、基板１０２上にアンダーコート２０２を介して設けられる。基板１０２は、この上に形成される回路を支持する機能を有し、ガラスや石英、あるいは高分子を含むことができる。基板１０２にポリイミドやポリアミド、ポリカルボナートなどの高分子を用いることで、表示装置１００に可撓性を付与することができ、いわゆるフレキシブルディスプレイを提供することも可能である。
【００３１】
駆動トランジスタ１５０は、半導体膜２０４、半導体膜２０４上のゲート絶縁膜２０６、ゲート絶縁膜２０６上のゲート電極２１０、ゲート電極２１０上の第１の層間膜２１２、第１の層間膜２１２上のドレイン電極２１４、ソース電極２１６などを有する。半導体膜２０４は、活性領域２０４ａ、活性領域２０４ａを挟持する低濃度不純物領域２０４ｂ、およびこれらを挟持する高濃度不純物領域２０４ｃなどを有してもよい。図３では駆動トランジスタ１５０はトップゲート構造のトランジスタとして描かれているが、画素回路を構成するトランジスタの構造に制約はなく、種々の構造のトランジスタを利用することができる。
【００３２】
保持容量１４０は、半導体膜２０４の一部（高濃度不純物領域２０４ｃ）、その上のゲート絶縁膜２０６、ゲート電極２１０と同一層に存在する容量電極２０８、容量電極２０８上の第１の層間膜２１２、およびソース電極２１６の一部によって構成される。ここで、ゲート絶縁膜２０６と第１の層間膜２１２は、保持容量１４０の誘電体として機能する。
【００３３】
駆動トランジスタ１５０や保持容量１４０の上にはさらに、第２の層間膜２１８とその上の平坦化膜２２０が設けられる。第２の層間膜２１８は、画素回路中のトランジスタや容量などの素子に不純物が浸入することを防ぐために設けられる。平坦化膜２２０によって駆動トランジスタ１５０や保持容量１４０などに起因する凹凸が吸収され、平坦な面が形成される。
【００３４】
平坦化膜２２０と第２の層間膜２１８には、ソース電極２１６に達する開口が設けらる。この開口と平坦化膜２２０の一部を覆う接続パッド２２４がソース電極２１６と接するように設けられるとともに、付加容量電極１７２が平坦化膜２２０上に形成される。接続パッド２２４と付加容量電極１７２を覆うように第３の層間膜１７４がさらに形成される。第３の層間膜１７４は、平坦化膜２２０に設けられた開口において接続パッド２２４の一部を覆わず、接続パッド２２４の上面を露出する。これにより、その上に設けられる表示素子１３０の画素電極１３２と接続パッド２２４間の電気的接続が可能となる。第３の層間膜１７４には、その上に設けられる隔壁（リブ、あるいはバンクとも呼ばれる）２２２と平坦化膜２２０の接触を許容するための開口２２６を設けてもよい。なお、接続パッド２２４や開口２２６の形成は任意である。接続パッド２２４を設けることで、引き続くプロセスにおいてソース電極２１６の表面の酸化を防止することができ、これによる接触抵抗の増大を抑制することができる。開口２２６は、平坦化膜２２０から水や酸素などの不純物を放出するための開口として機能することができ、これを設けることで画素回路中の半導体素子や表示素子１３０の信頼性を向上させることができる。
【００３５】
第３の層間膜１７４上には、接続パッド２２４と付加容量電極１７２と重なるように画素電極１３２が設けられる。画素電極１３２は、第３の層間膜１７４と平坦化膜２２０に設けられる開口において、接続パッド２２４を介してソース電極２１６と電気的に接続される。付加容量電極１７２、第３の層間膜１７４、および画素電極１３２によって付加容量１７０が形成される。したがって、画素電極１３２は付加容量１７０と表示素子１３０によって共有される。
【００３６】
アンダーコート２０２、ゲート絶縁膜２０６、第１の層間膜２１２、第２の層間膜２１８、第３の層間膜１７４には、例えばケイ素を含む無機化合物を用いることができる。ケイ素を含む無機化合物としては、酸素とケイ素を含む酸化ケイ素、酸素とケイ素、および窒素を含む酸化窒化ケイ素や窒化酸化ケイ素、ケイ素と窒素を含む窒化ケイ素などが挙げられる。これらの膜は単層構造を有していてもよく、積層構造を有していてもよい。平坦化膜２２０や隔壁２２２は有機化合物を含む。典型的な有機化合物としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などが例示される。
【００３７】
ゲート電極２１０、容量電極２０８、ドレイン電極２１４、ソース電極２１６は、チタン、モリブデン、タングステン、タンタル、アルミニウム、銅、あるいは、これらの合金を含むように構成される。これらの電極は、例えばアルミニウムや銅などの高い導電性を有する金属をチタン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの高融点金属で挟持した構造を有するように構成してもよい。
【００３８】
表示素子１３０は、画素電極１３２、画素電極１３２上の対向電極１３６、および画素電極１３２と対向電極１３６に挟まれるＥＬ層１３４によって構成される。画素電極１３２は、インジウムとスズの混合酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の混合酸化物（ＩＺＯ）などの可視光に対して透過性を示す導電性酸化物、あるいは銀やアルミニウムなどの金属、もしくはこれらの金属の合金を含む。画素電極１３２は単層構造、積層構造のいずれを有してもよい。積層構造を有する場合、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を含む膜で金属を含む膜を挟持した構造を採用することができる。
【００３９】
ＥＬ層１３４は、画素電極１３２と隔壁２２２を覆うように設けられる。ここでＥＬ層１３４とは、画素電極１３２と対向電極１３６の間に設けられる層全体を指す。ＥＬ層１３４は複数の層から構成することができ、例えば電荷注入層、電荷輸送層、発光層、電荷ブロック層、励起子ブロック層など、種々の機能層を組み合わせて形成することができる。表示素子１３０は、すべての画素１０４間でＥＬ層１３４の構造が同一となる、あるいは隣接する画素１０４間で構造が異なるように構成することができる。例えば発光層の構造や材料を隣接する画素１０４間で異なるようにＥＬ層１３４を形成することで、隣接する画素１０４から異なる発光を得ることができる。すべての画素１０４において同一のＥＬ層１３４を用いる場合には、カラーフィルタを設けることで、複数の発光色を得ることが可能となる。図３では、見やすさを考慮し、代表的な機能層として、ホール注入・輸送層、発光層、電子注入・輸送層が画素電極１３２から順に積層された構造が示されている。
【００４０】
対向電極１３６は複数の画素１０４にわたって形成される。すなわち、対向電極１３６は複数の画素１０４によって共有される。対向電極１３６は、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの透光性を有する導電性酸化物、あるいはアルミニウム、マグネシウム、銀などの金属、もしくは合金を含む。ＥＬ層１３４で得られる発光を画素電極１３２を介して取り出す場合には、導電性酸化物を含むように画素電極１３２を形成し、対向電極１３６は、アルミニウムや銀などの可視光に対する反射率の高い金属を用いて形成される。一方、ＥＬ層１３４で得られる発光を対向電極１３６を介して取り出す場合には、画素電極１３２は、アルミニウムや銀などの可視光に対する反射率の高い金属を含むように形成され、対向電極１３６は可視光に対して透過性を示すように形成される。具体的には、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を含む膜、あるいは銀やマグネシウム、アルミニウムなどの金属を含み、可視光が透過可能な厚さを有する金属薄膜で対向電極１３６を構成することができる。
【００４１】
（２）パッシベーション膜
表示領域１０６上には、表示素子１３０を保護するためのパッシベーション膜２３０が表示素子１３０と重なるように設けられる。パッシベーション膜２３０の構造は任意に選択することができるが、例えば図３に示すように、無機化合物を含む第１の無機膜２３２、有機化合物を含む有機膜２３４、および無機化合物を含む第２の無機膜２３６を有する積層構造をパッシベーション膜２３０に適用することができる。この場合、無機化合物としては上述したケイ素を含有する無機化合物を使用することができる。有機化合物としては、エポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子を使用することができる。
【００４２】
ガス透過性の低い第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６により、外部からの有機膜２３４や表示素子１３０への不純物の侵入を効果的に抑制することができる。有機膜２３４は比較的大きな厚さを有することができ、これにより、隔壁２２２、あるいは異物などに起因する凹凸を吸収して平坦な上面が与えられる。有機膜２３４が有するこの平坦化機能により、この上に形成される第２の無機膜２３６の平坦性が向上するとともに、第２の無機膜２３６に亀裂やピンホールが発生することを防ぐことができ、より効果的に表示装置１００を保護することができる。
【００４３】
（３）その他の構成
パッシベーション膜２３０上には、樹脂膜２４０を設けることができる。樹脂膜２４０は表示領域１０６を保護するとともに、後述するように、表示装置１００の製造時において一時的に端子１１２を覆う第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６を除去するためのマスクとしても機能する。この樹脂膜２４０もエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子を含む。図示しないが、樹脂膜２４０上に偏光板や対向基板などを設けてもよい。
【００４４】
３．周辺領域
３−１．構造
図４に、表示装置１００の四隅の構造の模式的上面図を示す。この図では、表示素子１３０やパッシベーション膜２３０、樹脂膜２４０などの構成は省略されている。以下に述べるように、表示装置１００は、表示領域１０６を囲む少なくとも一つのダム２５０を有している。少なくとも一つのダム２５０は複数のダム２５０で構成されてもよく、図４に示した例では、四つのダム（第１のダム２５０−１、第２のダム２５０−２、第３のダム２５０−３、第４のダム２５０−４）を有する例が示されている。以下、これらの構造を詳細に説明する。
【００４５】
３−２．上部周辺領域
表示領域１０６に対して端子１１２と反対側に位置する領域１１８−１（図１参照）の上面模式図を図５に、図５の鎖線Ａ−Ａ´に沿った断面模式図を図６に示す。これらの図には、周辺領域、および周辺領域に近接する画素１０４の一部が示されている。
【００４６】
（１）周辺回路
図６に示すように、基板１０２上部の周辺領域には、基板１０２の上辺とほぼ平行に延伸する一つ、あるいは複数の配線２７０、低電位電源線１８４、および低電位電源線１８４に接続される第１の接続配線１３８などが設けられる。配線２７０の数や用途、機能には制約はなく、例えば画素電極１３２にＰＶＤＤを与えるための高電位電源線１８０、駆動回路に種々の信号を伝達するための信号線として機能することができる。図６に示した例では、配線２７０、低電位電源線１８４はそれぞれゲート電極２１０、ソース電極２１６（ドレイン電極２１４）と同一の層内に存在する例が示されているが、配線２７０はソース電極２１６（ドレイン電極２１４）と同一の層に存在してもよく、低電位電源線１８４がゲート電極２１０と同一の層に存在してもよい。あるいは、配線２７０や低電位電源線１８４の両方、または一方は、ゲート電極２１０やソース電極２１６（ドレイン電極２１４）とは異なる層に形成される導電膜で形成してもよい。第１の接続配線１３８は、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物、あるいはチタンやタングステン、モリブデン、タンタル、アルミニウムなどの金属を含むように構成される。
【００４７】
対向電極１３６は、表示領域１０６から周辺領域へ延伸し、周辺領域において低電位電源線１８４と電気的に接続される。低電位電源線１８４は表示領域１０６の外周に沿って設けられるため、この構成により、表示領域１０６全体にわたって対向電極１３６にほぼ同一の電位（ＰＶＳＳ）を供給することが可能となる。対向電極１３６と低電位電源線１８４とは直接接してもよいが、図６に示すように、第１の接続配線１３８や第２の接続配線２２８を介して電気的接続が行われてもよい。第２の接続配線２２８は平坦化膜２２０上に位置し、隔壁２２２に形成される複数の開口２２９において一部が隔壁２２２から露出される（図５、図６）。この開口２２９において対向電極１３６と第２の接続配線２２８が接続される。第２の接続配線２２８は画素電極１３２と同一工程で形成することが可能であり、このため、これらは同一の構造を有し、同一の層内に存在することができる。
【００４８】
（２）ダム
表示領域１０６に設けられる平坦化膜２２０は、低電位電源線１８４の一部を覆うように、基板１０２の上辺方向にも延在する（図５、図６）。しかしながら周辺領域では、平坦化膜２２０の一部は除去され、残存する部分によってダム２５０の一部である第１の層２５０ａが形成される。後述するように、平坦化膜２２０と第１の層２５０ａは、有機化合物（第１の有機化合物）を含む材料を用い、同一の工程で形成することができる。したがって、平坦化膜２２０と第１の層２５０ａは同一層内に存在し、同一の組成を有し、同一の有機化合物を含むことができる。なお、図６では、表示素子１３０の下に位置する平坦化膜２２０、および第２の接続配線２２８の下に位置する平坦化膜２２０は分離されているように描かれているが、ソース電極２１６と表示素子１３０の電気的接続に用いられる開口はこれらを完全に分離しない。
【００４９】
隔壁２２２は第２の接続配線２２８の一部を覆うように、基板１０２の上辺方向にも延在する（図５、図６）。しかしながら平坦化膜２２０と同様、周辺領域では隔壁２２２の一部は除去され、残存する部分によってダム２５０の一部である第２の層２５０ｂが形成される。後述するように、隔壁２２２と第２の層２５０ｂは、有機化合物（第２の有機化合物）を含む材料を用い、同一の工程で形成することができる。したがって、隔壁２２２と第２の層２５０ｂは同一層内に存在し、同一の組成を有し、同一の有機化合物を含むことができる。第１の層２５０ａと第２の層２５０ｂによって構成される部分をダム２５０の台座とも呼ぶ。
【００５０】
ダム２５０の断面模式図を図７（Ａ）に示す。各ダム２５０は、第１の層２５０ａ、第１の層２５０ａ上に位置し、第１の層２５０ａと接する第２の層２５０ｂに加え、ストッパー２５０ｃを有する。図５、図６に示した例では、第１のダム２５０−１から第４のダム２５０−４は、それぞれ第１のストッパー２５０ｃ−１から第４のストッパー２５０ｃ−４を有する。台座と同様、各ストッパー２５０ｃも表示領域１０６を囲むように設けることができる（図４）。ストッパー２５０ｃは金属（０価の金属）、あるいは上述したケイ素含有無機化合物を含む。金属としては、アルミニウムやチタン、タングステン、モリブデン、タンタル、銅、あるいはこれを含む合金が挙げられる。ストッパー２５０ｃは、台座の上面、すなわち第２の層２５０ｂの上面の全ては覆わず、一部を覆う。換言すると、ストッパー２５０ｃの底面は、台座の第２の層２５０ｂの上面の一部と接し、第２の層２５０ｂの上面の一部はストッパー２５０ｃから露出する。
【００５１】
第１の層２５０ａと第２の層２５０ｂの高さの総和（すなわち、台座の高さ）Ｈ1は、ストッパー２５０ｃの高さＨ2と比較して大きく、例えば高さＨ1は高さＨ2の２倍以上２５倍以下、２倍以上６倍以下、あるいは２倍以上５倍以下とすることができる（図７（Ａ））。第１の層２５０ａの底面の幅をダム２５０の幅Ｗ1、ストッパー２５０ｃの底面の幅をストッパー２５０ｃの幅Ｗ2とした場合、幅Ｗ1は幅Ｗ2よりも大きく、幅Ｗ2の２倍以上１００倍以下、５倍以上５０倍以下、あるいは１０倍以上３０倍以下となるよう、各台座とストッパー２５０ｃを構成することができる。台座の側面は基板１０２の法線から傾いており、その底面となす角、すなわち基板１０２の上面となす角は９０°より小さい。より具体的には、第２の層２５０ｂの側面と基板１０２の上面の間の角度θ1は９０°より小さい。一方、ストッパー２５０ｃの側面は、基板１０２の法線と平行、あるいはほぼ平行でも良く、あるいは法線から傾いてもよいが、ストッパー２５０ｃの側面とその底面となす角、すなわちストッパー２５０ｃの側面と基板１０２の上面となす角度θ2は角度θ1よりも大きい。このため、ストッパー２５０ｃの側面は、台座の側面と比較してより切り立った構造となる。
【００５２】
各ダム２５０において、ストッパー２５０ｃの数は任意であり、例えば図７（Ｂ）に示すように、各ダム２５０は複数のストッパー２５０ｃを備えてもよい。また、隣接するダム２５０間で第１の層２５０ａは繋がって一体化されていてもよい（図７（Ｃ））。平坦化膜２２０は、少なくともいずれか一つのダム２５０の第１の層２５０ａから分離されるため、第１の層２５０ａに侵入した不純物が平坦化膜２２０を経由して表示領域１０６へ輸送されることが防止される。これは、表示装置１００の高い信頼性に寄与する。
【００５３】
（３）パッシベーション膜と樹脂膜の構造とその制御
パッシベーション膜２３０の第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、有機膜２３４を包み込むように形成され、周辺領域では互いに接する（図６）。すなわち、有機膜２３４は第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６によって封止され、この構造により、有機膜２３４に不純物が浸入することが効果的に防止される。第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、ダム２５０の少なくとも一部と重なる。すなわち、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は一部のダム２５０と重なり、一部のダム２５０は第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６から露出する。樹脂膜２４０は、表示領域１０６においてのみならず、周辺領域でもパッシベーション膜２３０を覆い、その端部は第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６の端部と一致してもよい。換言すると、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、樹脂膜２４０が重なる領域内に位置し、この領域内に閉ざされるように形成される。
【００５４】
第１の層２５０ａ、第２の層２５０ｂ、およびストッパー２５０ｃをそれぞれ備えるダム２５０は、パッシベーション膜２３０や樹脂膜２４０の位置や形状の制御に対して効果的に機能する。具体的には、第１のダム２５０−１、第２のダム２５０−２は、有機膜２３４の形状と位置を制御する機能を有し、一方、第３のダム２５０−３と第４のダム２５０−４は、樹脂膜２４０、および第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６の形状制御に寄与する。表示装置１００の製造方法は後述するが、有機膜２３４や樹脂膜２４０は、インクジェット法や印刷法などを用いて形成される。具体的には、有機膜２３４や樹脂膜２４０の原料となる樹脂、あるいはその前駆体を含む溶液、もしくは懸濁液（以下、これらの溶液と懸濁液を総じて原料液と記す）を第１の無機膜２３２、あるいは第２の無機膜２３６上に吐出・塗布し、その後原料液の溶媒を溜去する、および／または前駆体を反応させることで有機膜２３４や樹脂膜２４０が形成される。一方、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、スパッタリング法や化学気相堆積（ＣＶＤ）法を利用して無機化合物を含む膜を基板１０２のほぼ全面に形成した後、その上に形成される樹脂膜２４０をマスクとしてドライエッチング成形することで形成される。このことを考慮すると、パッシベーション膜２３０と樹脂膜２４０の位置と形状は、有機膜２３４を与える原料液の第１の無機膜２３２上での広がり、および樹脂膜２４０を与える原料液の第２の無機膜２３６上での広がりによって決定される。
【００５５】
有機膜２３４を与える原料液は、表示領域１０６上においてピンホールを形成しないよう、表示領域１０６上を確実に覆うように吐出・塗布されるため、原料液の一部は表示領域１０６からはみ出す。はみ出た原料液は第１のダム２５０−１によって堰き止めることができる。その結果、有機膜２３４を第１のダム２５０−１内に選択的に形成することができる。原料液が第１のダム２５０−１から外側に流出した場合においても、第２のダム２５０−２も原料液を堰き止める機能を有するため、第２のダム２５０−２よりも基板１０２端部側へ有機膜２３４が形成されることが防止される。
【００５６】
同様に、樹脂膜２４０を与える原料液は、表示領域１０６と有機膜２３４を確実に覆うように吐出・塗布されるため、一部は表示領域１０６や有機膜２３４からはみ出す。はみ出た原料液は第３のダム２５０−３によって堰き止められる。その結果、第１のダム２５０−１や第２のダム２５０−２と重なる樹脂膜２４０を第３のダム２５０−３内に選択的に形成することができる。原料液が第３のダム２５０−３から外側に流出した場合には、第４のダム２５０−４によって原料液が堰き止められ、これにより、第４のダム２５０−４よりも基板１０２端部側へ樹脂膜２４０が形成されることが防止される。
【００５７】
特に、本実施形態のダム２５０を用いることで、上述した原料液の広がりをより確実に制御することができる。これを図８（Ａ）から図９（Ｃ）を用いて説明する。
【００５８】
図８（Ａ）はストッパー２５０ｃを持たないダム２５０とその上に形成された第１の無機膜２３２に対し、原料液２５２が表示領域１０６側から近付いた際の断面模式図である。第１の無機膜２３２や第２の無機膜２３６はダム２５０上に形成されるため、これらにもダム２５０に起因する凸部が形成される。表示領域１０６を覆うように吐出・塗布された原料液２５２は、一部が表示領域１０６から周辺領域へ流れ出し、図８（Ａ）に示すように、ダム２５０に達する。原料液２５２の先端が、第１の無機膜２３２の凸部の下端（図中、ａ）に接すると、下端aでは第１の無機膜２３２の表面の角度（すなわち、表面の法線の方向）が大きく変化するため、原料液２５２の端部はこの下端ａやその上の側面で留まる。これは、原料液２５２に表面張力が働くためである。図８（Ａ）の状態に達した後にさらに原料液２５２が加えられても、原料液２５２に作用する重力が表面張力を上回らない限り、原料液２５２がダム２５０を乗り越えて広がらない。
【００５９】
しかしながら、さらに過剰の原料液２５２が加えられると、原料液２５２に作用する重力が表面張力に打ち勝ち、原料液２５２の端部は下端aやその上の側面を超える。後述するように、第１の層２５０aと第２の層２５０ｂは有機化合物を含む感光性樹脂を露光、現像(ウエットエッチング)することで成形されため、側面と上面の間の角は丸みを帯びる。この角の丸みは第１の無機膜２３２にも反映される。このため、一度側面を超えた原料液２５２は側面と上面の間の角で留まることができず、ダム２５０を一挙に乗り越えてしまい、原料液２５２の広がりを制御することができなくなる（図８（Ｂ））。
【００６０】
一方、本実施形態では、ダム２５０はストッパー２５０ｃを有する。このため、ダム２５０上に形成される第１の層２５０aと第２の層２５０ｂは、台座に起因する凸部上に、ストッパー２５０ｃに起因する凸部（図９（Ａ）における点線楕円内の構造）をさらに有する。ストッパー２５０ｃは無機化合物を含む膜をドライエッチングすることで形成される。このため、その側面と基板１０２の上面とがなす角度θ2は角度θ1よりも大きく、また、側面と上面の間の角は、第２の層２５０ｂのそれと比較すると丸みを帯びずに角張り、比較的明確なリッジを与える。このため、原料液２５２の先端が下端ａに達した状態（図９（Ａ））でさらに原料液２５２が吐出・塗布され、原料液が台座に起因する凸部の側面を超えた場合でも、原料液２５２はストッパー２５０ｃに起因する第１の無機膜２３２の凸部の下端（図９（Ｂ）中、ｂ）やその側面、あるいは凸部のリッジ（図９（Ｃ）中、ｃ）で留まることができる。ストッパー２５０ｃによりダム２５０が単に高くなるという効果のみならず、このようなメカニズムが働くため、本実施形態のダム２５０を適用することで、有機膜２３４や樹脂膜２４０の位置や形状をより精密に制御することが可能となる。
【００６１】
３−３．左右辺周辺領域
表示装置１００の左右辺の一部を含む領域１１８−２（図１参照）の上面模式図を図１０に、図１０の鎖線Ｂ−Ｂ´に沿った断面模式図を図１１に示す。以下、領域１１８−１と同一、または類似する構成については説明を割愛することがある。
【００６２】
図１１に示すように、周辺領域には走査線駆動回路１０８に含まれるトランジスタなどが設けられる。領域１１８−１と同様（図６）、対向電極１３６は表示領域１０６から周辺領域へ延伸し、周辺領域において低電位電源線１８４と電気的に接続される。図１０、図１１に示すように、周辺領域には少なくとも一つのダム２５０が設けられ、それぞれのダム２５０はストッパー２５０ｃを備えている。これにより、表示装置１００の左右の辺においても、有機膜２３４や樹脂膜２４０の位置や形状を精密に制御することができる。
【００６３】
３−４．下部周辺領域
表示領域１０６の端子１１２側に位置する領域１１８−３（図１参照）の上面模式図を図１２に、図１２の鎖線Ｃ−Ｃ´に沿った断面模式図を図１３に示す。以下の説明においても、領域１１８−１、１１８−２と同一、または類似する構成については説明を割愛することがある。
【００６４】
図１３に示すように、周辺領域には、アナログスイッチなどを備える信号線駆動回路１１０が形成され、さらに基板１０２の下辺とほぼ平行に延伸する一つ、あるいは複数の配線２７２、低電位電源線１８４、および低電位電源線１８４に接続される第１の接続配線１３８や第２の接続配線２２８などが設けられる。表示領域１０６と基板１０２の端部の間には、画素１０４や駆動回路へ種々の信号や電源を供給するための配線１２２が形成される。配線１２２は異なる層内に形成される複数の導電膜から形成することができ、例えば図１３に示すように、駆動トランジスタ１５０のゲート電極２１０と同一層に存在する配線１２２ａ、およびソース電極２１６（ドレイン電極２１４）と同一層に存在する配線１２２ｂを接続することで形成することができる。配線１２２は基板１０２の端部で露出されて端子１１２を形成する。端子１１２においては、配線１２２の上面は保護導電膜１２４で覆われていてもよい。保護導電膜１２４は、例えば画素電極１３２、あるいは接続パッド２２４と同時に形成され、これらと同一層に存在することができる。対向電極１３６は表示領域１０６から周辺領域へ延伸し、周辺領域において第１の接続配線１３８や第２の接続配線２２８を介して低電位電源線１８４と電気的に接続される。周辺領域には少なくとも一つのダム２５０が設けられ、それぞれのダム２５０はストッパー２５０ｃを備える。これにより、表示装置１００の下辺においても、有機膜２３４や樹脂膜２４０の位置や形状を精密に制御することができる。
【００６５】
表示装置１００では、パッシベーション膜２３０と樹脂膜２４０によって表示素子１３０を含む画素回路が保護されるため、これらの位置や形状を精密に制御することで、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。上述したように表示装置１００では、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０を少なくとも一つ設けることで、有機膜２３４や樹脂膜２４０の位置や形状が精密に制御される。このため、本実施形態を適用することで、不純物が表示装置１００へ侵入することを効果的に抑制することができ、表示装置１００は高い信頼性を示す。
【００６６】
４．製造方法
表示装置１００の製造方法を図１４（Ａ）から図１７（Ｂ）を用いて説明する。これの図は、図６に対応する断面模式図である。
【００６７】
図１４（Ａ）に、基板１０２上に駆動トランジスタ１５０、配線２７０、低電位電源線１８４、およびこれらを覆う第２の層間膜２１８が形成された構造を示す。この構造は公知の方法を適用することで作製できるため、その作製方法の説明は割愛する。
【００６８】
４−１．平坦化膜と第１の層の形成
図１４（Ｂ）に示すように、第２の層間膜２１８をエッチング加工し、第１の接続配線１３８と低電位電源線１８４との電気的接続のための開口を第２の層間膜２１８に形成する。その後、この開口を覆うように、第２の層間膜２１８上に第１の接続配線１３８を形成する（図１４（Ｃ））。第１の接続配線１３８は、スパッタリング法やＣＶＤ法などを適用して形成することができる。
【００６９】
この後、平坦化膜２２０、およびダム２５０の第１の層２５０ａを形成する（図１５（Ａ））。具体的には、まず、表示領域１０６や周辺領域を覆うように、基板１０２のほぼ全面に感光性樹脂を形成する。感光性樹脂は、感光性を有するアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリシロキサン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などから選択される。感光性樹脂の形成は、スピンコート法やディップコーティング法、インクジェット法、印刷法などを適用して行うことができるが、シート状の樹脂を貼り付けることで行ってもよい。引き続き、感光性樹脂に対してフォトマスクを介して露光し、その後エッチャントを用いて現像することで平坦化膜２２０と第１の層２５０ａが形成される。
【００７０】
なお、この段階において、駆動トランジスタ１５０と表示素子１３０との電気的接続のための開口の一部が平坦化膜２２０に形成される（図１５（Ａ））。その後、この開口においてさらに第２の層間膜２１８がエッチングされ、ソース電極２１６が平坦化膜２２０から露出される（図１５（Ｂ））。
【００７１】
４−２．ダムの形成
引き続き、平坦化膜２２０と第２の層間膜２１８に形成された開口を覆うように接続パッド２２４を、平坦化膜２２０の上面の一部を覆うように付加容量電極１７２を形成する。これらもＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。この時、同時に端子１１２において配線１２２を保護する保護導電膜１２４を形成してもよい（図１３参照）。
【００７２】
引き続き、付加容量電極１７２、および接続パッド２２４の一部を覆う第３の層間膜１７４を形成する（図１５（Ｂ））。さらに付加容量電極１７２と重なるように画素電極１３２を、平坦化膜２２０の一部と第１の接続配線１３８と重なるように第２の接続配線２２８を形成する（図１６（Ａ））。これらの膜や配線も、ＣＶＤ法やスパッタリング法を適用して形成することができる。画素電極１３２と第２の接続配線２２８は同時に形成することができるため、これらは同一の構造を有し、同一の層内に存在することができる。画素電極１３２の形成により、付加容量１７０が形成される（図３参照）。
【００７３】
さらに、画素電極１３２の端部を覆うように、かつ、ダム２５０の第１の層２５０ａと重なるように、隔壁２２２とダム２５０の第２の層２５０ｂを形成する（図１６（Ａ））。これらも第１の層２５０ａと同様、感光性樹脂を基板１０２のほぼ全面に塗布し、フォトマスクを介した感光性樹脂の露光、エッチャントを用いる現像を行うことで形成される。この時、開口２２９も同時に形成される。このように隔壁２２２とダム２５０の第２の層２５０ｂを同時に形成することにより、これらは同一の層内に存在し、同一の組成を有し、同一の有機化合物を含むことができる。したがって、ダム２５０は、平坦化膜２２０と隔壁２２２の少なくとも一方に含まれる材料を有する。また、第１の層２５０ａと第２の層２５０ｂはそれぞれ、平坦化膜２２０と隔壁２２２と同一の材料を含み、同一の組成を持つことができる。
【００７４】
この後、ストッパー２５０ｃを形成する。ストッパー２５０ｃは、ＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて基板１０２のほぼ全面に金属膜、あるいはケイ素を含む無機化合物の膜を形成し、これをドライエッチングによって成形することで形成される。以上の工程により、ダム２５０が形成される（図１６（Ｂ））。
【００７５】
４−３．表示素子の形成
その後、隔壁２２２と画素電極１３２を覆うようにＥＬ層１３４を形成し、さらにＥＬ層１３４上に対向電極１３６を形成する（図１７（Ａ））。これらはインクジェット法や印刷法などの湿式成膜法の他、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成される。対向電極１３６はＥＬ層１３４を覆うのみならず、開口２２９において第２の接続配線２２８と接続されるよう、表示領域１０６から周辺領域に亘って形成される。以上の工程により、表示素子１３０が形成される。
【００７６】
４−４．パッシベーション膜の形成
まず、ＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法を利用し、第１の無機膜２３２を基板１０２のほぼ全面に形成する。これにより、表示素子１３０のみならず、ダム２５０が第１の無機膜２３２によって覆われる（図１７（Ａ））。
【００７７】
その後、有機膜２３４を形成する（図１７（Ｂ））。有機膜２３４は、これを与える原料液をインクジェット法や印刷法により表示領域１０６上に吐出・塗布し、その後原料液に含まれる溶媒を溜去する、および／あるいは前駆体を反応させることで形成される。必要に応じ、加熱や光照射を行ってもよい。原料液を吐出・塗布する際、表示領域１０６からはみ出る原料液は、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０（例えば第１のダム２５０−１、第２のダム２５０−２）の堰き止め効果（図９（Ａ）から図９（Ｃ）参照）により、その広がる範囲が規制され、その結果、有機膜２３４の位置や形状が精密に制御される。ここで示した例では、有機膜２３４は第２のダム２５０−２と重ならずに第１のダム２５０−１の一部と重なるように設けられるが、第２のダム２５０−２の一部、あるいは全てと重なるように設けてもよい。
【００７８】
その後、ＣＶＤ法、あるいはスパッタリング法を利用し、有機膜２３４と第１の無機膜２３２の上に第２の無機膜２３６が形成される（図１７（Ｂ））。第２の無機膜２３６も基板１０２のほぼ全面に形成されるため、第２の無機膜２３６は第１のダム２５０−１から第４のダム２５０−４と重なり、第３のダム２５０−３や第４のダム２５０−４上で第１の無機膜２３２は第２の無機膜２３６と接する。この構成によって有機膜２３４は第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６によって封止される。
【００７９】
４−５．樹脂膜の形成
引き続き、樹脂膜２４０を形成する（図１７（Ｂ））。有機膜２３４と同様、樹脂膜２４０も、原料液をインクジェット法や印刷法を利用して形成することができる。原料液を吐出・塗布する際、表示領域１０６からはみ出る原料液は、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０（例えば第３のダム２５０−３、第４のダム２５０−４）の堰き止め効果（図９（Ａ）から図９（Ｃ）参照）により、その広がる範囲が規制され、その結果、樹脂膜２４０の位置や形状が精密に制御される。ここで示した例では、樹脂膜２４０は第４のダム２５０−４と重ならずに第３のダム２５０−３の一部と重なるように設けられるが、第４のダム２５０−４の一部、あるいは全てと重なるように設けてもよい。
【００８０】
その後、樹脂膜２４０をマスクとして用い、ドライエッチング加工を第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６に対して行い、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６を部分的に除去する（図６）。この時、第３のダム２５０−３の一部と第４のダム２５０−４が露出されるだけでなく、端子１１２上に形成される第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６も除去される（図１３参照）。これにより、導電性を有する配線１２２、あるいは保護導電膜１２４が露出し、コネクタ１１６との電気的接続が可能となる。以上の工程により、表示装置１００が製造される。
【００８１】
上述したように、本実施形態の製造方法を適用することで、パッシベーション膜２３０や樹脂膜２４０の位置や形状が精密に制御された表示装置を提供することができる。このため、本実施形態の製造方法により、信頼性の高い表示装置が提供される。
【００８２】
＜第２実施形態＞
本実施形態では、本発明の実施形態の一つに係る表示装置３３０の構造とその製造方法を記述する。第１実施形態と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
【００８３】
１．全体構成
表示装置３３０が第１実施形態の表示装置１００と異なる点の一つは、前者では表示素子１３０と重なるように表示領域１０６上にタッチセンサ３００が設けられる点である。具体的には図１８に示すように、列方向にストライプ状に配列される複数の第１のタッチ電極３０２と、行方向にストライプ状に配列され、第１のタッチ電極３０２と交差する複数の第２のタッチ電極３０４が表示領域１０６上に配置される。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４は、それぞれほぼ四角形の形状を有する複数の四角形領域（ダイアモンド電極）を備える。第１のタッチ電極３０２、あるいは第２のタッチ電極３０４において、隣接するダイアモンド電極はブリッジ電極（後述）によって電気的に接続される。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４は、図１８では示されない絶縁膜（容量絶縁膜３０６）を介して互いに離間して電気的に独立しており、これらの間で容量が形成される。人の指などが第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４を介して表示領域１０６に触れる（以下、この動作をタッチとも呼ぶ）ことで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ３００が形成される。
【００８４】
各ダイアモンド電極は、ＩＴＯやＩＺＯなどの可視光を透過する導電性酸化物を含んでもよく、あるいはメッシュ状の金属膜であってもよい。後者の場合、メッシュの開口部が画素１０４と重なるようにダイアモンド電極を構成することが好ましい。
【００８５】
２．断面構造
隣接する二つの画素１０４の断面模式図を図１９に示す。図１９は図３に対応する。タッチセンサ３００はパッシベーション膜２３０上に設けられる。具体的には、図示しない絶縁膜を介し、第２の無機膜２３６上に第１のタッチ電極３０２や第２のタッチ電極３０４が配置される。第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４上には容量絶縁膜３０６が設けられ、容量絶縁膜３０６に設けられる開口と重なるようにブリッジ電極３０８が形成される。ブリッジ電極３０８により、隣接するダイアモンド電極が電気的に接続される。第１のタッチ電極３０２、第２のタッチ電極３０４、および容量絶縁膜３０６がタッチセンサ３００の基本構造である。図示しないが、容量絶縁膜３０６を挟むように、第１のタッチ電極３０２上に第２のタッチ電極３０４を設けてもよい。この場合、第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４は互いに異なる層に存在する。
【００８６】
タッチセンサ３００上には保護絶縁膜３２０が設けられ、その上に直接、あるいは図示しない絶縁膜を介して偏光板４００を配置することができる。図示しないが、偏光板４００上にはさらに保護絶縁膜や対向基板を配置してもよい。
【００８７】
３．周辺領域
３−１．構造
図２０に、表示装置１００の四隅の構造の模式的上面図を示す。この図では、表示素子１３０やパッシベーション膜２３０、タッチセンサ３００、偏光板４００などの構成は省略されている。表示装置１００と同様、表示装置３３０もストッパー２５０ｃを有するダム２５０が少なくとも一つ、表示領域１０６を囲むように備える。表示装置３３０はさらに、ダム２５０と端子１１２の間に、付加ダム２５４を有する。本実施形態の付加ダム２５４は、表示領域１０６と端子１１２の間の領域に選択的に形成されるが、表示領域１０６やダム２５０を囲むように付加ダム２５４を設けてもよい。
【００８８】
３−２．上部周辺領域
領域１１８−１（図１８参照）の断面模式図を図２１に示す。図２１は図６に対応する。図２１に示すように、表示装置３３０は、周辺領域に緩衝絶縁膜（埋込絶縁膜とも呼ばれる）２４４を備える。緩衝絶縁膜２４４は、ダム２５０、およびダム２５０を覆う第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６を覆う。これにより、ストッパー２５０ｃは緩衝絶縁膜２４４に埋め込まれ、緩衝絶縁膜２４４はダム２５０による凹凸を吸収して平坦な上面となだらかに傾斜する面を与える。また、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、緩衝絶縁膜２４４と重なる領域内に位置し、この領域内に閉ざされる。
【００８９】
緩衝絶縁膜２４４は、表示領域１０６上では画素１０４と重ならないように設けられる。したがって表示領域１０６では、第２の無機膜２３６は緩衝絶縁膜２４４から露出する。緩衝絶縁膜２４４は、その上面と、緩衝絶縁膜２４４から露出する第２の無機膜２３６の上面とが一致するように形成することが好ましい。すなわち、緩衝絶縁膜２４４の上面と、緩衝絶縁膜２４４から露出する第２の無機膜２３６の上面とによって大きな段差が生じないよう、緩衝絶縁膜２４４を形成することが好ましい。緩衝絶縁膜２４４もエポキシ樹脂やアクリル樹脂、ポリカルボナート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などを含み、インクジェット法や印刷法などを適用して形成することができる。
【００９０】
図２１に示した例では、緩衝絶縁膜２４４は基板１０２の端部まで伸び、その端部と基板１０２の端部が一致する。ただし、基板１０２、アンダーコート２０２、ゲート絶縁膜２０６、第１の層間膜２１２、あるいは第２の層間膜２１８の一部が緩衝絶縁膜２４４から露出するように緩衝絶縁膜２４４を構成してもよい。
【００９１】
３−３．左右辺周辺領域
表示装置１００の左右辺の一部を含む領域１１８−２（図１８参照）の断面模式図を図２２に示す。図２２は、図１１に対応する。以下、領域１１８−１と同一、または類似する構成については説明を割愛することがある。
【００９２】
領域１１８−１と同様、図２２に示すように、周辺領域には、ダム２５０、およびダム２５０を覆う第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６を覆う緩衝絶縁膜２４４が設けられる。第１のタッチ電極３０２、あるいは第２のタッチ電極３０４にはリード配線３１０が接続される。リード配線３１０は周辺領域へ延伸し、さらに端子１１２へ延伸する。
【００９３】
３−４．下部周辺領域
表示領域１０６の端子１１２側に位置する領域１１８−３（図１８参照）の断面模式図を図２３に示す。図２３は図１３に対応する。以下の説明においても、領域１１８−１、１１８−２と同一、あるいは類似する構成については説明を割愛することがある。
【００９４】
上述したように、領域１１８−３には、基板１０２の端部とダム２５０の間に付加ダム２５４が設けられる。付加ダム２５４は、平坦化膜２２０と付加ダム２５４によってダム２５０が挟まれるように配置される。付加ダム２５４は、平坦化膜２２０と隔壁２２２の少なくとも一方に含まれる材料を含む。後述するように、付加ダム２５４は平坦化膜２２０と同時、あるいは隔壁２２２と同時に形成することができる。前者の場合、付加ダム２５４は平坦化膜２２０や第１の層２５０ａに含まれる有機化合物を含み、これらと同一の組成を有することができる。後者の場合、付加ダム２５４は隔壁２２２に含まれる有機化合物を含み、これと同一の組成を有することができる。
【００９５】
図２３に示すように、付加ダム２５４は、その高さがダム２５０よりも小さくなるように構成することができる。また、付加ダム２５４は必ずしもストッパー２５０ｃを備える必要は無い。ただし、図示しないが、ダム２５０と同様、付加ダム２５４も二層構造を有してもよく、この場合、ダム２５０の台座と同様の構造を有し、同様の高さを有することができる。
【００９６】
領域１１８−１、１１８−２と同様、周辺領域には、ダム２５０、およびダム２５０を覆う第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６を覆う緩衝絶縁膜２４４が設けられる。図２３に示すように、緩衝絶縁膜２４４は、少なくとも付加ダム２５４の側面、側面と上面の間のリッジ、あるいは上面と接する。緩衝絶縁膜２４４は付加ダム２５４の一部と重なってもよい。タッチセンサ３００からは、第１のタッチ電極３０２、あるいは第２のタッチ電極３０４と接続されるリード配線３１０が第２の無機膜２３６や緩衝絶縁膜２４４上を延伸する。リード配線３１０は第２の無機膜２３６や緩衝絶縁膜２４４と接してもよい。リード配線３１０は端子１１２と電気的に接続され、これにより、タッチを検出するための信号が図示しない外部回路から第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４に供給される。
【００９７】
上述したように、ストッパー２５０ｃは０価の金属を含むように形成することができるため、ストッパー２５０ｃとリード配線３１０が接すると、隣接するリード配線３１０がストッパー２５０ｃによって電気的に接続されてしまい、タッチを検出するための信号を第１のタッチ電極３０２と第２のタッチ電極３０４のそれぞれに独立して与えることができない。しかしながら、緩衝絶縁膜２４４はダム２５０と重なるように設けられ、ストッパー２５０ｃは緩衝絶縁膜２４４によって覆われる。このため、ストッパー２５０ｃはリード配線３１０から絶縁され、ストッパー２５０ｃとリード配線３１０との短絡が防がれる。また、緩衝絶縁膜２４４はダム２５０に起因する凹凸を吸収し、平坦な表面やなだらかに傾斜した上面を形成する。この上面に沿ってリード配線３１０が設けられるため、リード配線３１０の切断を防止することができる。
【００９８】
表示装置１００と同様、表示装置３３０においても、有機膜２３４はインクジェット法や印刷法で形成することができ、その原料液の広がりはダム（例えば第１のダム２５０−１や第２のダム２５０−２）によって制御することができる。このため、有機膜２３４を第１のダム２５０−１、あるいは第２のダム２５０−２内に選択的に形成することができる。その結果、有機膜２３４は第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６に封止され、かつ、これらを含むパッシベーション膜２３０が表示領域１０６を確実に覆うように配置することができる。したがって、表示装置３３０は高い信頼性を示す。
【００９９】
同様に緩衝絶縁膜２４４もインクジェット法や印刷法で形成することができ、その原料液の広がりは付加ダム２５４によって制御される。このため、緩衝絶縁膜２４４を付加ダム２５４内に選択的に形成することができるとともに、ストッパー２５０ｃを緩衝絶縁膜２４４によって覆うことができる。その結果、リード配線３１０の切断や、ストッパー２５０ｃとリード配線３１０間の導通を効果的に防止することができる。
【０１００】
４．製造方法
表示装置３３０の製造方法を図２４（Ａ）から図２７（Ｂ）を用いて説明する。これらの図は、図２３に対応する。
【０１０１】
図２４（Ａ）に、基板１０２上に駆動トランジスタ１５０、配線２７２、配線１２２、信号線駆動回路１１０、第２の層間膜２１８、および第１の接続配線１３８が形成された構造を示す。この構造は公知の方法や第１実施形態で述べた方法を適用することで作製できるため、説明は割愛する。
【０１０２】
４−１．平坦化膜、第１の層、付加ダムの形成
第２の層間膜２１８上に平坦化膜２２０、ダム２５０の第１の層２５０ａ、および付加ダム２５４を同時に形成する。引き続き、第１実施形態で述べたように、駆動トランジスタ１５０と表示素子１３０との電気的接続のための開口において第２の層間膜２１８がエッチングされ、ソース電極２１６が平坦化膜２２０から露出されるとともに、端子１１２が形成される領域において第２の層間膜２１８がエッチングにより除去される（図２４（Ｂ））。引き続き、付加容量電極１７２、第３の層間膜１７４、画素電極１３２、および第２の接続配線２２８を形成する（図２４（Ｃ））。これらの電極や膜はいずれも第１実施形態で述べた方法と同様の方法を適用して形成することができる。図示しないが、付加ダム２５４を隔壁２２２と同時に形成する場合には、平坦化膜２２０と第１の層２５０ａの形成時に付加ダム２５４を形成する必要は無い。
【０１０３】
この後、画素電極１３２の端部を覆うように、かつ、ダム２５０の第１の層２５０ａを覆うように、隔壁２２２とダム２５０の第２の層２５０ｂを形成するとともに、開口２２９を形成する（図２５（Ａ））。平坦化膜２２０と第１の層２５０ａの形成時に付加ダム２５４を形成しない場合には、隔壁２２２を形成する際に付加ダム２５４が形成される。この後、第１実施形態と同様の方法を適用し、ストッパー２５０ｃを形成する（図２５（Ｂ））。
【０１０４】
４−２．表示素子とパッシベーション膜の形成
その後、隔壁２２２と画素電極１３２を覆うように、ＥＬ層１３４を形成し、ＥＬ層１３４上に対向電極１３６を形成する。さらに対向電極１３６上に第１の無機膜２３２を形成する。第１の無機膜２３２は、端子１１２上にも形成される（図２５（Ｂ））。
【０１０５】
その後、有機膜２３４を形成し、さらに有機膜２３４を覆うように第２の無機膜２３６を形成する。第２の無機膜２３６は、端子１１２上にも形成される（図２６（Ａ））。これによりパッシベーション膜２３０が形成される。ＥＬ層１３４や対向電極１３６、パッシベーション膜２３０は、第１実施形態と同様の方法によって形成すればよい。有機膜２３４を与える原料液は、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０（例えば第１のダム２５０−１、あるいは第２のダム２５０−２）により、その広がる範囲が形成され、その結果、有機膜２３４の位置や形状を精密に制御することができる。ここで示した例では、有機膜２３４は第２のダム２５０−２とは重ならず第１のダム２５０−１の一部と重なるように設けられるが、第２のダム２５０−２の一部、あるいは全てと重なるように有機膜２３４を設けてもよい。
【０１０６】
引き続き、表示領域１０６や有機膜２３４、およびダム２５０の一部と重なるレジストマスク２４２を形成する（図２６（Ｂ））。具体的には、インクジェット法や印刷法を利用し、感光性樹脂の溶液、あるいは懸濁液を、有機膜２３４を覆うよう、表示領域１０６や周辺領域上に吐出・塗布し、その後溶媒を溜去することで、感光性樹脂の膜を形成する。その後、フォトマスクを介する露光と現像を行うことでレジストマスク２４２が形成される。この時、感光性樹脂の溶液や懸濁液は、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０（例えば第３のダム２５０−３、あるいは第４のダム２５０−４）により、その広がる範囲が形成され、その結果、レジストマスク２４２の位置や形状を精密に制御することができる。ここで示した例では、レジストマスク２４２は第１のダム２５０−１、第２のダム２５０−２、および第３のダム２５０−３の一部と重なるように設けられるが、第４のダム２５０−４の一部、あるいは全てと重なるようにレジストマスク２４２を設けてもよい。
【０１０７】
その後、レジストマスク２４２をマスクとして用い、ドライエッチング加工を第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６に対して行い、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６を部分的に除去する（図２７（Ａ））。この時、端子１１２上に形成される第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６も除去される。これにより、配線１２２、あるいは保護導電膜１２４が露出し、コネクタ１１６との電気的接続が可能となる。レジストマスク２４２はその後アッシングなどにより除去される。
【０１０８】
この後、緩衝絶縁膜２４４を形成する（図２７（Ｂ））。緩衝絶縁膜２４４は、これを与える原料液をインクジェット法や印刷法により周辺領域に吐出・塗布し、その後原料液に含まれる溶媒を溜去することで形成される。必要に応じ、加熱や光照射を行ってもよい。付加ダム２５４により、この原料液が広がる範囲が規制され、その結果、緩衝絶縁膜２４４の位置や形状を精密に制御することができる。付加ダム２５４を設けることで、緩衝絶縁膜２４４が付加ダム２５４と端子１１２の間に形成されることが防止される。付加ダム２５４と端子１１２の間を折り曲げることで、端子１１２やそれに接続されるコネクタ１１６を基板１０２と重なるように配置することができる。これにより、表示装置３３０を小型の筐体に収納することができ、デザイン性の高い電子デバイスが提供される。この時、折り曲げられる領域に緩衝絶縁膜２４４が存在すると、表示装置３３０が折り曲げにくくなるだけでなく、緩衝絶縁膜２４４にクラックが生じることがあり、これは信頼性の低下の原因となる。しかしながら、付加ダム２５４を設けることで、緩衝絶縁膜２４４の位置や形状を精密に制御することができるため、このような信頼性低下の要因を排除することが可能となる。
【０１０９】
＜第３実施形態＞
本実施形態では、本発明の実施形態の一つに係る表示装置３４０の構造とその製造方法を記述する。第１、第２実施形態と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
【０１１０】
１．周辺領域の構造
表示装置３４０の上部周辺領域、左右辺周辺領域、下部周辺領域の断面模式図をそれぞれ図２８、図２９、図３０に示す。これらの領域はそれぞれ領域１１８−１、１１８−２、１１８−３（（図１、図１８参照）に対応し、図２８から図３０は表示装置３３０の断面模式図（図２１、図２２、図２３）に対応する。これらの図に示すように、表示装置３４０が表示装置３３０と異なる点の一つは、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６が、複数のダム２５０のすべてを覆う点である。第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、付加ダム２５４の一部を覆ってもよい（図３０）。このような構成を採用することで、リード配線３１０をより確実にストッパー２５０ｃから絶縁することが可能となる。
【０１１１】
１．製造方法
表示装置３４０の製造方法を、図３１（Ａ）、図３１（Ｂ）を用いて説明する。これらの図は図３０に対応する。表示装置３３０の製造と同様、パッシベーション膜２３０の第１の無機膜２３２、有機膜２３４、第２の無機膜２３６をダム２５０と付加ダム２５４を覆うように、基板１０２のほぼ全面に形成する（図３１（Ａ））。この段階までで、有機膜２３４の位置と形状は、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０によって制御される。
【０１１２】
この後、レジストマスク２４２を形成する。図３１（Ａ）に示すように、レジストマスク２４２は、ダム２５０のすべてを覆い、付加ダム２５４の一部を覆うように形成するが、付加ダム２５４のすべてを覆うように形成してもよい。レジストマスク２４２は、表示領域１０６やダム２５０、付加ダム２５４を覆うように感光性樹脂を基板１０２のほぼ全面に形成し、その後フォトマスクを介する露光、および現像によって形成することができる。露光は、感光性樹脂が現像後に表示領域１０６、ダム２５０、および付加ダム２５４の一部の上で残存するように行う。
【０１１３】
この後、レジストマスク２４２をエッチングマスクとして用い、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６をドライエッチングする。この過程により、レジストマスク２４２から露出した第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６が除去され、同時に端子１１２において配線１２２、あるいは保護導電膜１２４が露出する（図３１（Ｂ））。その後レジストマスク２４２をアッシングなどにより除去し、さらに第２実施形態で述べたように緩衝絶縁膜２４４を形成する（図３１（Ｂ））。緩衝絶縁膜２４４はインクジェット法や印刷法などによって形成され、その位置や形状は付加ダム２５４によって制御することができる。その後の過程は第２実施形態のそれと同様なので、説明は割愛する。
【０１１４】
＜第４実施形態＞
本実施形態では、本発明の実施形態の一つに係る表示装置３５０の構造とその製造方法を記述する。第１から第４実施形態と同一、類似する構成については説明を割愛することがある。
【０１１５】
１．周辺領域の構造
表示装置３５０が表示装置３３０と相違する点の一つは、レジストマスク２４２の位置や形状を制御するためのダム（例えば表示装置３３０における第３のダム２５０−３や第４のダム２５０−４）を設けない点である。具体的な説明を図３２から図３５を用いて行う。これらの図はそれぞれ、表示装置３５０の四隅の上面模式図、および上部周辺領域、左右辺周辺領域、下部周辺領域の断面模式図であり、表示装置３３０の上面と断面の模式図（図２０から図２３）に対応する。
【０１１６】
これらの図に示されるように、表示装置３５０は二つのダム（第１のダム２５０−１と第２のダム２５０−２）を有しており、第２のダム２５０−２と基板１０２の端部の間には、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０は設けられない。下部周辺領域には付加ダム２５４が設けられる。パッシベーション膜２３０の第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０のすべてと重なるように配置してもよく、一つのダム（第１のダム２５０−１）の全体を覆い、他のダム（ここでは第２のダム２５０−２）の一部を覆うように配置してもよい。図示しないが、第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６は、付加ダム２５４を覆うように設けてもよい。緩衝絶縁膜２４４はダム２５０を覆い、これにより、その上に設けられるリード配線３１０がストッパー２５０ｃから絶縁される。緩衝絶縁膜２４４の位置と形状は、付加ダム２５４によって制御される。
【０１１７】
このような態様を有する表示装置３５０では、ダム２５０の数を低減することができるため、より周辺領域の面積の小さい表示装置を提供することができ、このことは表示装置のデザイン性の向上に寄与する。
【０１１８】
２．製造方法
表示装置３５０の製造方法を図３６（Ａ）から図３８を用いて説明する。これらの図は、図３５に対応する。
【０１１９】
第２実施形態の表示装置３３０と同様に、表示素子１３０までを形成する。図３６（Ａ）は、表示素子１３０までが形成された状態を示す断面模式図である。ここでは、表示領域１０６を囲むダム２５０は二つ形成され、下部周辺領域においては、ダム２５０と端子１１２の間に付加ダム２５４が形成される。
【０１２０】
引き続き、パッシベーション膜２３０を形成する（図３６（Ｂ））。パッシベーション膜２３０は、第２実施形態で述べた方法と同様の方法を適用することで形成することができる。周辺領域に設けられる二つのダム２５０により、有機膜２３４の位置と形状が制御される。
【０１２１】
その後、レジストマスク２４２を形成する。ここで示した例では、レジストマスク２４２は、ダム２５０を覆い、付加ダム２５４を覆わないように形成される（図３７（Ａ））。図示しないが、付加ダム２５４の一部、あるいは全てを覆うようにレジストマスク２４２を形成してもよい。レジストマスク２４２は、第２実施形態で述べたように、感光性樹脂の吐出・塗布、フォトマスクを介した露光、および現像によって形成することができる。フォトマスクによってレジストマスク２４２の位置や形状が制御されるため、表示装置３５０では、レジストマスク２４２の制御のためのダム２５０を別途設けなくてもよい。
【０１２２】
引き続き、レジストマスク２４２から露出した第１の無機膜２３２と第２の無機膜２３６が除去され、同時に端子１１２において配線１２２、あるいは保護導電膜１２４が露出する（図３７（Ｂ））。その後レジストマスク２４２をアッシングなどにより除去し、さらに第２実施形態で述べたように緩衝絶縁膜２４４を形成する（図３８）。緩衝絶縁膜２４４はインクジェット法や印刷法などによって形成され、その位置や形状は付加ダム２５４、あるいは第２のダム２５０−２によって制御することができる。その後の過程は第２実施形態と同様であるため、説明は割愛する。
【０１２３】
以上述べたように、ストッパー２５０ｃを有するダム２５０を表示領域１０６を囲むように少なくとも一つ設けることにより、パッシベーション膜２３０や樹脂膜２４０、レジストマスク２４２、緩衝絶縁膜２４４の位置や形状を精密に制御することが可能となり、これにより、高い信頼性を有する表示装置を再現性良く提供することができる。
【０１２４】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【０１２５】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１２６】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１２７】
１００：表示装置、１０２：基板、１０４：画素、１０６：表示領域、１０８：走査線駆動回路、１１０：信号線駆動回路、１１２：端子、１１４：駆動ＩＣ、１１６：コネクタ、１１８−１：領域、１１８−２：領域、１１８−３：領域、１２２：配線、１２２ａ：配線、１２２ｂ：配線、１２４：保護導電膜、１３０：表示素子、１３２：画素電極、１３４：ＥＬ層、１３６：対向電極、１３８：第１の接続配線、１４０：保持容量、１５０：駆動トランジスタ、１５２：補正トランジスタ、１５４：発光制御トランジスタ、１５６：初期化トランジスタ、１５８：書込トランジスタ、１６０：リセットトランジスタ、１７０：付加容量、１７２：付加容量電極、１７４：第３の層間膜、１８０：高電位電源線、１８２：電流供給線、１８４：低電位電源線、１８６：第２の信号線、１８８：第１の信号線、１９０：書込制御走査線、１９２：初期化制御走査線、１９４：補正制御走査線、１９６：リセット制御線、１９８：発光制御走査線、２００：リセット信号線、２０２：アンダーコート、２０４：半導体膜、２０４ａ：活性領域、２０４ｂ：低濃度不純物領域、２０４ｃ：高濃度不純物領域、２０６：ゲート絶縁膜、２０８：容量電極、２１０：ゲート電極、２１２：第１の層間膜、２１４：ドレイン電極、２１６：ソース電極、２１８：第２の層間膜、２１９：感光性樹脂、２２０：平坦化膜、２２２：隔壁、２２４：接続パッド、２２６：開口、２２８：第２の接続配線、２２９：開口、２３０：パッシベーション膜、２３２：第１の無機膜、２３４：有機膜、２３６：第２の無機膜、２４０：樹脂膜、２４２：レジストマスク、２４４：緩衝絶縁膜、２５０：ダム、２５０−１：第１のダム、２５０ｃ−１：第１のストッパー、２５０−２：第２のダム、２５０ｃ−２：第２のストッパー、２５０−３：第３のダム、２５０ｃ−３：第３のストッパー、２５０−４：第４のダム、２５０ｃ−４：第４のストッパー、２５０ａ：第１の層、２５０ｂ：第２の層、２５０ｃ：ストッパー、２５２：原料液、２５４：付加ダム、２７０：配線、２７２：配線、３００：タッチセンサ、３０２：第１のタッチ電極、３０４：第２のタッチ電極、３０６：容量絶縁膜、３０８：ブリッジ電極、３１０：リード配線、３２０：保護絶縁膜、３３０：表示装置、３４０：表示装置、３５０：表示装置、４００：偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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