(57)【要約】【課題】電子デバイスの製造工程において、有機層形成用組成物の塗膜にはじきが発生しない長尺状積層フィルムを提供すること。【解決手段】導電膜層と、ガスバリア性基材層と、薄膜層とをこの順に有する長尺状積層体を準備する準備工程と、薄膜層の基材層側とは反対側の面に粘着剤層を介して保護フィルムを貼合する貼合工程と、導電膜層をパターニングすることにより導電膜パターンからなる電極層を形成する電極層形成工程と、得られた巻取前フィルムをロール状に巻取る巻取工程とを含み、薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、長尺状積層フィルムの製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状積層フィルムの製造方法であって、
導電膜層と、ガスバリア性基材層と、薄膜層とをこの順に有する長尺状積層体を準備する準備工程と、
前記薄膜層の基材層側とは反対側の面に粘着剤層を介して保護フィルムを貼合する貼合工程と、
前記導電膜層をパターニングすることにより導電膜パターンからなる電極層を形成する電極層形成工程と、
得られた巻取前フィルムをロール状に巻取る巻取工程と
を含み、前記薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、製造方法。
【請求項２】
前記導電膜層のパターニングは、アルカリ処理工程を含むフォトリソグラフィ法により行う、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
ロール状に巻取った長尺状積層フィルムを保管する保管工程をさらに含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
電子デバイスの製造方法であって、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により得られた長尺状積層フィルムの電極上に有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に対向電極を形成する対向電極形成工程と
を含む、製造方法。
【請求項５】
前記有機層は、有機層形成用組成物をインクジェット法により塗布することにより形成する、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記電極形成工程よりも後であり、且つ前記有機層形成工程よりも前に、保護フィルムを剥離する工程をさらに含む、請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
電子デバイスは有機ＥＬデバイスである、請求項４〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
有機層は正孔注入層を含む、請求項４〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
導電膜層と、ガスバリア性基材層と、薄膜層と、粘着剤層と、保護フィルム層とをこの順に有し、前記薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、長尺状積層フィルム。
【請求項１０】
前記ガスバリア性基材層が、プラスチックフィルムとガスバリア層とを有し、前記ガスバリア層が、前記導電膜層と前記プラスチックフィルムとの間に配置されている、請求項９に記載の長尺状積層フィルム。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の長尺状積層フィルムの巻回物である、積層フィルムロール。
【請求項１２】
導電膜パターンからなる電極層と、ガスバリア性基材層と、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有する薄膜層と、粘着剤層と、保護フィルム層とをこの順に有し、前記薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、長尺状積層フィルム。
【請求項１３】
前記ガスバリア性基材層が、プラスチックフィルムとガスバリア層とを有し、前記ガスバリア層が、前記電極層と前記プラスチックフィルムとの間に配置されている、請求項１２に記載の長尺状積層フィルム。
【請求項１４】
請求項１３に記載の長尺状積層フィルムの巻回物である、積層フィルムロール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺状積層フィルム、その製造方法及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明性プラスチックフィルム上に、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム又はそれらの混合物からなる金属酸化物層と、透明電極層とを有する透明電極付きバリアフィルムが知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１３９９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子デバイスの製造工程において、ガスバリア性フィルム上に形成された電極層上に有機層を形成するために有機層形成用組成物を塗布した場合、有機層形成用組成物の塗膜にはじきが発生し、有機層を形成することができない問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、電子デバイスの製造工程において、有機層形成用組成物の塗膜にはじきが発生しない長尺状積層フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の［１］〜［１２］を提供するものである。
［１］  長尺状積層フィルムの製造方法であって、
導電膜層と、ガスバリア性基材層と、薄膜層とをこの順に有する長尺状積層体を準備する準備工程と、
前記薄膜層の基材層側とは反対側の面に粘着剤層を介して保護フィルムを貼合する貼合工程と、
前記導電膜層をパターニングすることにより導電膜パターンからなる電極層を形成する電極層形成工程と、
得られた巻取前フィルムをロール状に巻取る巻取工程と
を含み、前記薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、製造方法。
［２］  前記導電膜層のパターニングは、アルカリ処理工程を含むフォトリソグラフィ法により行う、［１］に記載の製造方法。
［３］  ロール状に巻取った長尺状積層フィルムを保管する保管工程をさらに含む、［１］又は［２］に記載の製造方法。
［４］  電子デバイスの製造方法であって、
［１］〜［４］のいずれかに記載の製造方法により得られた長尺状積層フィルムの電極上に有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に対向電極を形成する対向電極形成工程と
を含む、製造方法。
［５］  前記有機層は、有機層形成用組成物をインクジェット法により塗布することにより形成する、［４］に記載の製造方法。
［６］  前記電極形成工程よりも後であり、且つ前記有機層形成工程よりも前に、保護フィルムを剥離する工程をさらに含む、［４］又は［５］に記載の製造方法。
［７］  電子デバイスは有機ＥＬデバイスである、［４］〜［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］  有機層は正孔注入層を含む、［４］〜［７］のいずれかに記載の製造方法。
［９］  導電膜層と、ガスバリア性基材層と、薄膜層と、粘着剤層と、保護フィルム層とをこの順に有し、前記薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、長尺状積層フィルム。
［１０］  前記ガスバリア性基材層が、プラスチックフィルムとガスバリア層とを有し、前記ガスバリア層が、前記導電膜層と前記プラスチックフィルムとの間に配置されている、［９］に記載の長尺状積層フィルム。
［１１］  ［９］又は［１０］に記載の長尺状積層フィルムの巻回物である、積層フィルムロール。
［１２］  導電膜パターンからなる電極層と、ガスバリア性基材層と、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有する薄膜層と、粘着剤層と、保護フィルム層とをこの順に有し、前記薄膜層は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する、長尺状積層フィルム。
［１３］  前記ガスバリア性基材層が、プラスチックフィルムとガスバリア層とを有し、前記ガスバリア層が、前記電極層と前記プラスチックフィルムとの間に配置されている、［１２］に記載の長尺状積層フィルム。
［１４］  ［１３］に記載の長尺状積層フィルムの巻回物である、積層フィルムロール。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電子デバイスの製造工程において、有機層形成用組成物の塗膜にはじきが発生しない長尺状積層フィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の長尺状積層フィルムの製造方法を模式的に示す長尺状積層体及び長尺状積層フィルムの概略断面図である。
【図２】ガスバリア性基材上に薄膜層を形成する装置の一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の長尺状積層フィルムの電極を形成するフォトリソグラフィ法のフロー図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る長尺状積層フィルムを示す概略断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る長尺状積層フィルムを示す概略断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る長尺状積層フィルムを示す概略断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る長尺状積層フィルムを示す概略断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る長尺状積層フィルムを示す概略断面図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係る長尺状積層フィルムを示す概略断面図である。
【図１０】比較例１の長尺状積層フィルムの薄膜層表面の透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察像である。
【図１１】比較例１の長尺状積層フィルムの電極表面の走査型電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ−ＥＤＸ）による分析結果である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜長尺状積層フィルムの製造方法＞
以下、図面を参照して、本発明の一態様にかかる長尺状積層フィルムの製造方法を説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１０】
図１に示す製造方法は、導電膜層１３と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２とをこの順に有する長尺状積層体１０を準備する準備工程［図１（ａ）］と、前記薄膜層１２の基材層１１側とは反対側の面に粘着剤層１４を介して保護フィルム１５を貼合する貼合工程［図１（ｂ）］と、前記導電膜層１３をパターニングすることにより導電膜パターンからなる電極層１６を形成する電極層形成工程［図１（ｃ）］と、得られた巻取前フィルム３０をロール状に巻取る巻取工程とを含む。
【００１１】
長尺状積層フィルムの製造方法は、準備工程、貼合工程、電極層形成工程及び巻取工程のうち少なくとも一つの工程をロールツーロール方式で行ってもよい。例えば、準備工程をロールツーロール方式で行ってもよいし、準備工程、貼合工程、電極層形成工程及び巻取工程を連続的にロールツーロール方式で行ってもよい。本発明の製造方法によって製造される長尺状積層フィルムの形態は、特に制限されず、シート状やロール状であってよい。
【００１２】
（準備工程）
準備工程［図１（ａ）］では、導電膜層１３と、ガスバリア性基材層１１と、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有する薄膜層１２とをこの順に有する長尺状積層体１０を準備する。
【００１３】
長尺状積層体１０は、例えば長尺状プラスチックフィルムの一方の面に薄膜層１２を形成して薄膜層１２を有するガスバリア性基材１１を得、次いでガスバリア性基材１１のガスバリア層２００側の面に導電膜層１３を形成することにより得られる。
【００１４】
（ガスバリア性基材層）
ガスバリア性基材層１１は、長尺状のプラスチックフィルム等から構成することができる。プラスチックフィルムとしては、例えば透光性を有する熱可塑性樹脂、好ましくは光学的に透明な熱可塑性樹脂で構成されるフィルム等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂；ポリアミド系樹脂；ポリカーボネート系樹脂；ポリスチレン系樹脂；ポリビニルアルコール系樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル系樹脂；アセタール系樹脂；ポリイミド系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂の中でも、耐熱性及び線膨張率が高く、製造コストが低いという観点から好ましくはポリエステル系樹脂及びポリオレフィン系樹脂であり、より好ましくはＰＥＴ及びＰＥＮである。また、これらの樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００１５】
プラスチックフィルムの厚みは、長尺状積層フィルムを製造する際の安定性を考慮して適宜に設定することができる。前記プラスチックフィルムの厚みとしては、真空中においてもフィルムの搬送が可能であるという観点から、５μｍ以上５００μｍ以下の範囲であることが好ましい。後述する薄膜層１２をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、前記プラスチックフィルムを通して放電しつつ薄膜層１２を形成することから、プラスチックフィルムの厚みは５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることがより好ましい。
【００１６】
ガスバリア性を向上させるために、プラスチックフィルムの少なくとも一方の面にガスバリア層２００を形成することができる。ガスバリア層２００は、公知のガスバリア性を有する無機材料から形成される膜であってよい。ガスバリア性を有する無機材料の例としては、ガスバリア性を有する金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物及び金属酸炭化物等が挙げられ、これらのうちの少なくとも２種を含む混合物であってもよい。ガスバリア層２００は、水蒸気の透過防止の観点から好ましくは、ケイ素原子（Ｓｉ）、酸素原子（Ｏ）及び炭素原子（Ｃ）を含有する膜（以下、ＳｉＯＣ膜ともいう）、又はケイ素原子（Ｓｉ）及び窒素原子（Ｎ）を含有する膜（以下、ＳｉＮ膜）から構成する。ＳｉＮ膜は、例えば窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）又は酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）から構成することができる。ガスバリア層２００は１層であってよく、同一又は異なった２以上の層から構成してもよい。ガスバリア層２００を２以上の層から構成する場合、上記のＳｉＯＣ膜とＳｉＮ膜とから構成してもよいし、少なくとも１層を上記ＳｉＯＣ膜又はＳｉＮ膜から構成し、少なくとも別の１層をＳｉＯＣ膜又はＳｉＮ膜とは異なったガスバリア性を有する無機材料を含有する膜（以下、ガスバリア性無機材料含有膜ともいう）から構成することができる。ＳｉＯＣ膜又はＳｉＮ膜とは異なったガスバリア性を有する無機材料としては、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等が挙げられる。ＳｉＯＣ膜、ＳｉＮ膜及びガスバリア性無機材料含有膜は、例えば後述する薄膜層１２の形成方法により形成することができる。
【００１７】
プラスチックフィルムが２以上の層から構成されるガスバリア層２００を有する場合、プラスチックフィルムの薄膜層１２が形成される面とは反対側の面にＳｉＯＣ膜を形成し、ＳｉＯＣ膜のプラスチックフィルム側とは反対側の面にＳｉＮ膜又は金属酸化物を含有する膜を形成することが好ましい。すなわちガスバリア性基材は、ＳｉＮ膜又は金属酸化物を含有する膜からなる層と、ＳｉＯＣ膜からなる層と、プラスチックフィルムとをこの順に有するものであってよい。
【００１８】
プラスチックフィルムが、薄膜層１２が形成される面とは反対側の面に薄膜層と同じ種類の膜から構成されるガスバリア層２００を有する場合、ガスバリア層２００は、薄膜層１２と同時に形成することができるし、ガスバリア層２００を形成した後に薄膜層を形成することもできる。
【００１９】
プラスチックフィルムは、ガスバリア層２００や薄膜層１２との密着性の観点から、基材の表面を清浄するための表面活性処理を施すことが好ましい。このような表面活性処理としては、例えばコロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理等が挙げられる。
【００２０】
プラスチックフィルムは、平坦化層及び易滑化層からなる群から選択される少なくとも１種をさらに有してよい。ガスバリア層２００を形成する側の表面に平坦化層を形成する場合、ガスバリア層２００の表面を平坦化し易くなる傾向にある。また、薄膜層１２を形成する側の表面に易滑化層を形成する場合、フィルムの搬送が行い易くなる傾向にある。
【００２１】
（薄膜層）
薄膜層１２は、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有する膜（ＳｉＯＣ膜）又はケイ素原子及び窒素原子を含有する膜（ＳｉＮ膜）から構成することができる。薄膜層１２を設けることによりガスバリア性基材層１１のガスバリア性をさらに高めることができる。また、ガスバリア性基材層１１がガスバリア層２００を有する場合、ガスバリア層２００を構成する膜と同一の種類及び厚みの薄膜層１２をガスバリア性基材層１１のガスバリア層２００とは反対側の面に設けることにより、長尺状積層体１０の反り（カール）が抑制され易くなる傾向にある。ケイ素原子及び窒素原子を含有する膜（ＳｉＮ膜）としては、例えば窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）又は酸窒化珪素（ＳｉＯＮ）から構成することができる。薄膜層１２の厚みは、例えば１００ｎｍ以上１０μｍ以下であってよい。
【００２２】
薄膜層１２の形成方法としては、例えばプラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ）等が挙げられる。
【００２３】
以下、薄膜層１２がＳｉＯＣ膜である場合における薄膜層１２を形成する方法について説明するが、これに限定されない。薄膜層１２は、ガスバリア性基材１１を一対の成膜ロール上に配置し、一対の成膜ロール間に放電してプラズマを発生させるプラズマ化学気相成長法により形成される層であることがより好ましい。また、このようにして一対の成膜ロール間に放電する際には、一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが好ましい。更に、このようなプラズマ化学気相成長法に用いる成膜ガスとしては有機ケイ素化合物と酸素とを含むものが好ましく、その成膜ガス中の酸素の含有量は、成膜ガス中の前記有機ケイ素化合物の全量を完全酸化するのに必要な理論酸素量以下であることが好ましい。薄膜層１２が連続的な成膜プロセスにより形成された層であることが好ましい。
【００２４】
プラズマ化学気相成長法はペニング放電プラズマ方式のプラズマ化学気相成長法であってよい。
【００２５】
薄膜層１２の形成に用いる成膜ガス中の原料ガスとしては、形成する薄膜層の材質に応じて適宜選択して使用することができる。このような原料ガスとしては、例えばケイ素を含有する有機ケイ素化合物を用いることができる。このような有機ケイ素化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、１．１．３．３−テトラメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンが挙げられる。これらの有機ケイ素化合物の中でも、化合物の取り扱い性及び得られる薄膜層のガスバリア性等の特性の観点から、ヘキサメチルジシロキサン、１．１．３．３−テトラメチルジシロキサンが好ましい。また、これらの有機ケイ素化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２６】
成膜ガスとしては、上記原料ガスの他に反応ガスを用いてもよい。このような反応ガスとしては、上記原料ガスと反応して酸化物、窒化物等の無機化合物となるガスを適宜選択して使用することができる。酸化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、酸素、オゾンを用いることができる。また、窒化物を形成するための反応ガスとしては、例えば、窒素、アンモニアを用いることができる。これらの反応ガスは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができ、例えば酸窒化物を形成する場合には、酸化物を形成するための反応ガスと窒化物を形成するための反応ガスとを組み合わせて使用することができる。
【００２７】
成膜ガスとしては、原料ガスを真空チャンバー内に供給するためにキャリアガスを用いてもよい。さらに、成膜ガスとしては、プラズマ放電を発生させるために放電用ガスを用いてもよい。このようなキャリアガス及び放電用ガスとしては、適宜公知のもの、例えばヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等の希ガス；水素を用いることができる。
【００２８】
このような成膜ガスが原料ガスと反応ガスを含有する場合には、原料ガスと反応ガスの比率としては、原料ガスと反応ガスとを完全に反応させるために理論上必要となる反応ガスの量の比率よりも、反応ガスの比率を過剰にし過ぎないことがバリア性や耐屈曲性の観点から好ましい。また、成膜ガスが有機ケイ素化合物と酸素とを含有するものである場合には、成膜ガス中の有機ケイ素化合物の全量を完全酸化するのに必要な理論酸素量以下であることが好ましい。
【００２９】
図２に示す装置は、ガスバリア性基材１１上に薄膜層１２を形成するのに用いることができる。図２に示す製造装置は、送り出しロール１１１と、搬送ロール１２１、１２２、１２３、１２４と、成膜ロール１３１、１３２と、ガス供給管１４１と、プラズマ発生用電源１５１と、成膜ロール１３１及び１３２の内部に設置された磁場発生装置１６１、１６２と、巻取りロール１７１とを備えている。また、このような製造装置においては、少なくとも成膜ロール１３１、１３２と、ガス供給管１４１と、プラズマ発生用電源１５１と、磁場発生装置１６１、１６２とが図示を省略した真空チャンバー内に配置されている。更に、このような製造装置において前記真空チャンバーは図示を省略した真空ポンプに接続されており、かかる真空ポンプにより真空チャンバー内の圧力を適宜調整することが可能となっている。
【００３０】
このような製造装置においては、一対の成膜ロール（成膜ロール１３１と成膜ロール１３２）を一対の対向電極として機能させることが可能となるように、各成膜ロールがそれぞれプラズマ発生用電源１５１に接続されている。そのため、このような製造装置においては、プラズマ発生用電源１５１により電力を供給することにより、成膜ロール１３１と成膜ロール１３２との間の空間に放電することが可能であり、これにより成膜ロール１３１と成膜ロール１３２との間の空間にプラズマを発生させることができる。なお、このように、成膜ロール１３１と成膜ロール１３２を電極としても利用する場合には、電極としても利用可能なようにその材質や設計を適宜変更すればよい。また、このような製造装置においては、一対の成膜ロール（成膜ロール１３１及び１３２）は、その中心軸が同一平面上において略平行となるようにして配置することが好ましい。このようにして、一対の成膜ロール（成膜ロール１３１及び１３２）を配置することにより成膜レートを倍にできる。そして、このような製造装置によれば、ＣＶＤ法によりガスバリア性基材１１の表面上に薄膜層１２を形成することが可能であり、成膜ロール３１上においてガスバリア性基材１１の表面上に膜成分を堆積させつつ、更に成膜ロール３２上においてもガスバリア性基材１１の表面上に膜成分を堆積させることもできるため、ガスバリア性基材１１の表面上に薄膜層１２を効率よく形成することができる。
【００３１】
また、成膜ロール３１及び成膜ロール３２の内部には、成膜ロールが回転しても回転しないようにして固定された磁場発生装置６１及び６２がそれぞれ設けられている。
【００３２】
さらに、成膜ロール３１及び成膜ロール３２としては適宜公知のロールを用いることができる。このような成膜ロール３１及び３２としては、より効率よく薄膜を形成せしめるという観点から、直径が同一のものを使うことが好ましい。また、このような成膜ロール３１及び３２の直径としては、放電条件、チャンバーのスペース等の観点から、５ｃｍ以上１００ｃｍ以下の範囲とすることが好ましい。
【００３３】
また、このような製造装置においては、ガスバリア性基材１１の表面がそれぞれ対向するように、一対の成膜ロール（成膜ロール３１と成膜ロール３２）上に、ガスバリア性基材１１が配置されている。このようにしてガスバリア性基材１１を配置することにより、成膜ロール３１と成膜ロール３２との間に放電を行ってプラズマを発生させる際に、一対の成膜ロール間に存在するガスバリア性基材１１のそれぞれの表面を同時に成膜することが可能となる。すなわち、このような製造装置によれば、ＣＶＤ法により、成膜ロール３１上にてガスバリア性基材１１の表面上に膜成分を堆積させ、更に成膜ロール３２上にて膜成分を堆積させることができるため、ガスバリア性基材１１の表面上に前記薄膜層１２を効率よく形成することが可能となる。
【００３４】
また、このような製造装置に用いる送り出しロール１１及び搬送ロール２１、２２、２３、２４としては適宜公知のロールを用いることができる。また、巻取りロール７１としても、薄膜層を形成したガスバリア性基材１１を巻取ることが可能なものであればよく、特に制限されず、適宜公知のロールを用いることができる。
【００３５】
また、ガス供給管４１としては原料ガス等を所定の速度で供給又は排出することが可能なものを適宜用いることができる。さらに、プラズマ発生用電源５１としては、適宜公知のプラズマ発生装置の電源を用いることができる。このようなプラズマ発生用電源５１は、これに接続された成膜ロール３１と成膜ロール３２に電力を供給して、これらを放電のための対向電極として利用することを可能とする。このようなプラズマ発生用電源５１としては、より効率よくプラズマＣＶＤを実施することが可能となることから、一対の成膜ロールの極性を交互に反転させることが可能なもの（交流電源など）を利用することが好ましい。また、このようなプラズマ発生用電源５１としては、より効率よくプラズマＣＶＤを実施することが可能となることから、印加電力を１００Ｗ〜１０ｋＷとすることができ且つ交流の周波数を５０Ｈｚ〜５００ｋＨｚとすることが可能なものであることがより好ましい。また、磁場発生装置６１、６２としては適宜公知の磁場発生装置を用いることができる。さらに、ガスバリア性基材１１としては、薄膜層を予め形成させたものを用いることができる。このように、ガスバリア性基材１１として薄膜層を予め形成したものを用いることにより、薄膜層の厚みを厚くすることも可能である。
【００３６】
図２に示す製造装置を用いて、例えば原料ガスの種類、プラズマ発生装置の電極ドラムの電力、真空チャンバー内の圧力、成膜ロールの直径及びフィルムの搬送速度を適宜調整することにより、ガスバリア性基材１１に薄膜層１２を形成することができる。すなわち、図２に示す製造装置を用いて、成膜ガス（原料ガス等）を真空チャンバー内に供給しつつ、一対の成膜ロール（成膜ロール３１及び３２）間に放電を発生させることにより、前記成膜ガス（原料ガス等）がプラズマによって分解され、成膜ロール３１上のガスバリア性基材１１の表面上並びに成膜ロール３２上のガスバリア性基材１１の表面上に、薄膜層がプラズマＣＶＤ法により形成される。なお、このような成膜に際しては、ガスバリア性基材１１が送り出しロール１１や成膜ロール３１等により、それぞれ搬送されることにより、ロールツーロール方式の連続的な成膜プロセスによりガスバリア性基材１１の表面上に薄膜層１２が形成される。
【００３７】
真空チャンバー内の圧力（真空度）は、原料ガスの種類等に応じて適宜調整することができるが、０．５Ｐａ以上５０Ｐａ以下の範囲とすることが好ましい。
【００３８】
また、このようなプラズマＣＶＤ法において、成膜ロール３１及び３２間に放電するために、プラズマ発生用電源５１に接続された電極ドラム（本実施形態においては成膜ロール３１及び３２に設置されている）に印加する電力は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるものであり一概に言えるものでないが、０．１ｋＷ以上１０ｋＷ以下の範囲とすることが好ましい。このような印加電力が前記下限未満ではパーティクルが発生し易くなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると成膜時に発生する熱量が多くなり、成膜時のガスバリア性基材１１表面の温度が上昇してしまい、ガスバリア性基材１１が熱負けして成膜時に皺が発生してしまったり、ひどい場合には熱でフィルムが溶けて、裸の成膜ロール間に大電流の放電が発生して成膜ロール自体を傷めてしまう可能性が生じる。
【００３９】
ガスバリア性基材１１の搬送速度（ライン速度）は、原料ガスの種類や真空チャンバー内の圧力等に応じて適宜調整することができるが、０．２５ｍ／分以上１００ｍ／分以下の範囲とすることが好ましく、０．５ｍ／分以上２０ｍ／分以下の範囲とすることがより好ましい。ライン速度が前記下限未満では、ガスバリア性基材１１に熱に起因する皺の発生しやすくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、形成される薄膜層１２の厚みが薄くなる傾向にある。
【００４０】
（導電膜層）
導電膜層１３は、導電膜から構成される。導電膜は、導電性の金属酸化物から形成された導電膜を含む膜であってよく、好ましくは半透明性の導電性金属酸化物から形成された導電膜を含む膜である。導電性の金属酸化物としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が挙げられる。導電膜層１３は、単層であってもよいし、多層であってもよい。
【００４１】
導電膜は、後述するガスバリア性基材層１１の薄膜層１２とは反対側の面に、従来より公知の方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、ラミネート法又は塗布法等により形成することができる。例えばスパッタリング法は、アルゴンガスや窒素等の不活性ガスを導入したチャンバー内に導電膜を構成する導電性の金属酸化物のターゲットを設置し、高電圧をかけることにより製膜することができる。塗布法は、陽極の材料を含む塗布液を塗布する方法であり、例えばインクジェット法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法およびノズルプリント法等が挙げられる。陽極の材料を含む塗布液の溶媒は、導電膜の材料を溶解できる溶媒であればよい。溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩化物溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒等が挙げられる。
【００４２】
導電膜の厚みは、例えば１ｎｍ以上３００ｎｍ以上であってよく、好ましくは５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である。
【００４３】
（貼合工程）
保護フィルム層１５は、薄膜層１２のガスバリア性基材層１１側とは反対側の面に粘着剤層１４を介して保護フィルムを貼合することにより形成する。これにより、導電膜層１３と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有する保護フィルム層付長尺状積層体２０を得る。
【００４４】
従来、有機ＥＬデバイス等の電子デバイスの製造工程において、長尺状積層フィルムの電極層上に正孔注入層等の有機層を形成するために有機層形成用組成物をインクジェット法により塗布した際、有機層形成用組成物の塗膜全面にはじきが発生し、有機層を形成することができない問題があった。本発明者が上記はじきの原因について透過型電子顕微鏡による観察や、走査型電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ−ＥＤＸ）等を行い詳しく調べたところ、長尺状積層フィルムの電極層側の表面に薄膜層の構成元素（Ｓｉ、Ｏ、Ｃ）が多く検出されることを見出した。この結果、電極層を形成するフォトリソグラフィ法におけるアルカリ処理工程において薄膜層がアルカリ液からダメージを受け、この薄膜層のダメージを受けた部分が剥離しダメージ片となり、引続く巻取工程において長尺状積層フィルムがロール状に巻取られたときに電極層側の面に転写され、その結果、有機層形成用組成物の濡れ性が阻害され、塗膜のはじきが起こることを突止めた。
【００４５】
本発明の製造方法では、薄膜層１２の基材層側とは反対側の面に粘着剤層１４を介して保護フィルム層１５を貼合することから、薄膜層１２はアルカリ処理工程においてアルカリ液と直接接することがなく、また、保護フィルム層１５は粘着剤層１４を介して薄膜層１２に貼合されていることから、アルカリ液が薄膜層１２と保護フィルム層１５との間に入り込まないため、薄膜層１２はアルカリ液からダメージを受けることがない。
【００４６】
保護フィルム層１５を構成する保護フィルムは、電極層形成工程前に薄膜層１２のガスバリア性基材層１１側とは反対側の面に粘着剤層１４を介して貼合することができる。保護フィルム層１５は、引続くフォトリソグラフィ法による電極層形成工程において、薄膜層１２がアルカリ液と直接接触し、アルカリ液からダメージを受けるのを防止することができる。このため、保護フィルム層１５は、フォトリソグラフィ法におけるアルカリ処理工程前であればいずれのタイミングにおいても貼合することができ、例えば準備工程後すぐに貼合してもよく、電極層形成工程においてフォトリソグラフィ法のレジスト膜形成工程、露光工程、現像工程、エッチング工程の前後において貼合してもよく、好ましくはレジスト膜形成工程前に貼合する。
【００４７】
また、保護フィルム層１５は粘着剤層１４を介して薄膜層１２に貼合されていることから、アルカリ液が薄膜層１２と保護フィルム層１５との間に入り込むことがなく、アルカリ液からダメージを受けることがない。また、保護フィルム層１５を粘着剤層１４により薄膜層１２に貼合することで、保管工程において、薄膜層１２と保護フィルム層１５との間に水分が入り込むのを防ぐことができる。
【００４８】
（保護フィルム層）
保護フィルム層１５は通常、保護フィルムから構成される。保護フィルムとしては、後述するフォトリソグラフィ法におけるアルカリ処理工程で用いるアルカリ液から損傷を受けにくい樹脂フィルムを用いることができる。その例として、ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、ポリプロピレンのようなポリプロピレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートのようなポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の熱可塑性樹脂から構成されるフィルム等が挙げられる。中でもポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系樹脂である。基材フィルムは、単層構造であってもよいし多層構造であってもよいが、製造容易性及び製造コスト等の観点から、好ましくは単層構造である。基材フィルムは、一軸延伸フィルムであってもよいし二軸延伸フィルムであってもよいが、フィルムの機械強度、製造容易性及び製造コスト等の観点から、好ましくは二軸延伸フィルムである。
【００４９】
保護フィルム層１５は、後述する電子デバイスの製造工程において、有機層形成工程の前に剥離してよく、後述する電極形成工程の後に剥離してよい。有機層形成工程において長尺状積層フィルムに塗布した有機層形成用組成物に乾燥及び焼成処理を施す前に粘着剤層１４ごと剥離除去するのが好ましく、有機層形成工程における表面処理工程より前に粘着剤層１４ごと剥離除去するのがより好ましい。保護フィルム層１５の厚みは、例えば３０μｍ以上１００μｍ以下であってよい。
【００５０】
（粘着剤層）
粘着剤層１４は、（メタ）アクリル系、ゴム系、ウレタン系、エステル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系のような樹脂を主成分とする粘着剤組成物で構成することができる。中でも、透明性、耐候性、耐熱性等に優れる（メタ）アクリル系樹脂をベースポリマーとする粘着剤組成物が好適である。粘着剤組成物は、活性エネルギー線硬化型、熱硬化型であってもよい。
【００５１】
粘着剤組成物に用いられる（メタ）アクリル系樹脂（ベースポリマー）としては、例えば、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルのような（メタ）アクリル酸エステルの１種又は２種以上をモノマーとする重合体又は共重合体が好適に用いられる。ベースポリマーには、極性モノマーを共重合させることが好ましい。極性モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレートのような、カルボキシル基、水酸基、アミド基、アミノ基、エポキシ基等を有するモノマーを挙げることができる。
【００５２】
粘着剤組成物は、上記ベースポリマーのみを含むものであってもよいが、通常は架橋剤をさらに含有する。架橋剤としては、２価以上の金属イオンであって、カルボキシル基との間でカルボン酸金属塩を形成するもの；ポリアミン化合物であって、カルボキシル基との間でアミド結合を形成するもの；ポリエポキシ化合物やポリオールであって、カルボキシル基との間でエステル結合を形成するもの；ポリイソシアネート化合物であって、カルボキシル基との間でアミド結合を形成するものが例示される。中でも、ポリイソシアネート化合物が好ましい。
【００５３】
活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物とは、紫外線や電子線のような活性エネルギー線の照射を受けて硬化する性質を有しており、活性エネルギー線照射前においても粘着性を有して基材フィルムに密着させることができ、活性エネルギー線の照射によって硬化して密着力の調整ができる性質を有する粘着剤組成物である。活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物は、紫外線硬化型であることが好ましい。活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物は、ベースポリマー、架橋剤に加えて、活性エネルギー線重合性化合物をさらに含有する。さらに必要に応じて、光重合開始剤や光増感剤等を含有させることもある。
【００５４】
粘着剤組成物は、光散乱性を付与するための微粒子、ビーズ（樹脂ビーズ、ガラスビーズ等）、ガラス繊維、ベースポリマー以外の樹脂、粘着性付与剤、充填剤（金属粉やその他の無機粉末等）、酸化防止剤、紫外線吸収剤、染料、顔料、着色剤、消泡剤、腐食防止剤、光重合開始剤等の添加剤を含むことができる。
【００５５】
粘着剤層１４は、上記粘着剤組成物の有機溶剤希釈液を基材フィルム又はセパレートフィルム上に塗布し、乾燥させることにより形成することができる。活性エネルギー線硬化型粘着剤組成物を用いた場合は、形成された粘着剤層１４に、活性エネルギー線を照射することにより所望の硬化度を有する硬化物とすることができる。基材フィルムは、粘着剤層１４を形成する面に予め表面活性化処理を行ってもよい。これにより、粘着剤層と基材フィルムとの間での剥がれが生じにくくなる傾向にある。表面活性化処理としては、コロナ処理、プラズマ処理、放電処理（グロー放電処理等）、火炎処理、オゾン処理、ＵＶオゾン処理、電離活性線処理（紫外線処理、電子線処理等）のような乾式処理；水やアセトン等の溶媒を用いた超音波処理、アルカリ処理、アンカーコート処理のような湿式処理を挙げることができる。これらの処理は、単独で行ってもよいし、２つ以上を組み合わせてもよい。中でも、ロール状の基材フィルムを連続的に処理するうえでは、コロナ処理、プラズマ処理が好ましい。
【００５６】
粘着剤層１４の厚みは、例えば１μｍ以上４０μｍ以下であってよく、好ましくは３μｍ以上２５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上２０μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以上１５μｍ以下である。
【００５７】
保護フィルム層１５は、長尺状積層体１０の片面に粘着剤層１４を介して保護フィルム層１５を重ねて１対の貼合ロール間に通し、保護フィルム層１５と長尺状積層体１０とを上下から押圧することにより貼合することができる。通常、保護フィルム層１５及び長尺状積層体１４はそれぞれ、繰出ロールから連続的に繰出されるとともに連続的に搬送されて、１対の貼合ロール間に導入される。保護フィルム層１５及び長尺状積層体１０の搬送方向はフィルム長手方向であり、通常、両者の搬送方向は平行である。
【００５８】
（電極層形成工程）
導電膜パターンからなる電極層１６は、保護フィルム層付長尺状積層体２０の導電膜層１３をパターニングすることにより形成することができる。導電膜層１３のパターニングは、フォトリソグラフィ法により行うことができる。
【００５９】
フォトリソグラフィ法について、以下、図面を参照しながら説明する。図３に示すフォトリソグラフィ法は、レジスト膜形成工程［図３（ａ）］と、露光工程［図３（ｂ）］と、現像工程［図３（ｃ）］と、エッチング工程［図３（ｄ）］と、アルカリ処理工程［図３（ｅ）］とを含む。
【００６０】
（レジスト膜形成工程）
導電膜層１３上にレジスト膜を形成する。レジスト膜は通常、ドライフィルムレジスト膜を導電膜層１３上に積層することにより形成する。ドライフィルムレジスト膜は、例えばセパレートフィルム上に溶剤に溶解させた感光性樹脂組成物を塗布した後、溶剤を乾燥させ、セパレートフィルム上にドライフィルムレジスト膜形成し、これを導電膜層１３上に貼合し、セパレートフィルムを剥離除去することにより得られる。ドライフィルムレジスト膜の積層は、例えばドライフィルムレジスト積層装置を用いて行う。感光性樹脂組成物は、ネガ型及びポジ型のいずれであってもよい。
【００６１】
感光性樹脂組成物としては、例えばアルカリ可溶性樹脂、光重合開始剤及び光重合性単量体を含む感光性樹脂組成物等が挙げられる。
【００６２】
（露光工程）
ドライフィルムレジスト膜は通常、目的の導電膜パターンを形成するためのフォトマスクを介して露光される。フォトマスク上のパターンは特に限定されず、目的とする用途に応じた電極のパターンを形成することができるフォトマスクが用いられる。
【００６３】
露光に用いられる光源としては、例えば２５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長の光を発生する光源を用いることができる。具体的には、水銀灯、発光ダイオード、メタルハライドランプ、ハロゲンランプ等が挙げられる。露光は、マスクアライナやステッパ等の露光装置を使用することが好ましい。
【００６４】
（現像工程）
露光後のドライフィルムレジスト膜を現像液に接触させて現像することにより、基板上にドライフィルムレジスト膜パターンが形成される。現像により、ドライフィルムレジストの未露光部が現像液に溶解して除去される。
【００６５】
現像液としては、例えば水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ性化合物の水溶液が好ましい。これらのアルカリ性化合物の水溶液中の濃度は、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下であり、より好ましくは０．０３質量％以上５質量％以下である。さらに、現像液は、界面活性剤を含んでいてもよい。
【００６６】
現像方法は、パドル法、ディッピング法及びスプレー法等のいずれでもよい。さらに現像時に基板を任意の角度に傾けてもよい。現像後は水洗・乾燥することが好ましい。
【００６７】
（エッチング工程）
露光したドライフィルムレジスト膜を現像した後、導電膜層１３をエッチングして導電膜パターンからなる電極層１６を形成する。エッチングに用いるエッチング液としては、例えば塩化第二鉄、塩化第二銅の水溶液等が挙げられる。エッチングは、パドル法、ディッピング法及びスプレー法等により行うことができる。エッチング後は水洗・乾燥することが好ましい。
【００６８】
（アルカリ処理工程）
エッチング後、アルカリ液を用いて残存するドライフィルムレジスト膜を除去する。アルカリ液としては、例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等のアルカリ性化合物の水溶液を用いることができる。これらのアルカリ性化合物の水溶液中の濃度は、好ましくは１質量％以上５質量％以下であり、より好ましくは２質量％以上３質量％以下である。さらに、アルカリ液は、界面活性剤を含んでいてもよい。アルカリ処理は、ディッピング法及びスプレー法等により行うことができる。ドライフィルムレジスト膜の除去後は水洗することが好ましい。
【００６９】
本発明の製造方法では、薄膜層１２の基材層側とは反対側の面に粘着剤層１４を介して保護フィルム層１５を貼合することから、薄膜層１２はアルカリ処理工程においてアルカリ液と直接接することがなく、また、保護フィルム層１５は粘着剤層１４を介して薄膜層１２に貼合されていることから、アルカリ液が薄膜層１２と保護フィルム層１５との間に入り込むことがないため、アルカリ液からダメージを受けることがない。
【００７０】
（巻取工程）
得られた導電膜パターンからなる電極層１６と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有する巻取前フィルム３０、すなわち電極層及び保護フィルム層を有する長尺状積層体はロール状に巻取られる。巻取前フィルム３０をロール状に巻取った場合、電極層１６の表面と保護フィルム層１５の表面とが接触することとなる。保護フィルム層１５に用いる保護フィルムはアルカリ液から損傷を受けにくい樹脂フィルムから構成されているため、電極層１６の表面と保護フィルム層１５の表面とが接触した場合であっても、電極層１６は保護フィルム層１５から悪影響を受けない。そのため、引続く電子デバイスの製造工程における有機層形成工程において有機層を良好に形成することができる。巻取は通常、巻取装置を用いてロール状に巻取られる。
【００７１】
（その他の工程）
本発明の製造方法は、巻取工程後、巻取前フィルム３０を巻取った積層フィルムロールを保管する保管工程をさらに含んでいてよい。保管工程では、積層フィルムロールを例えば１日以上６か月以下の期間にわたり保管することができる。
【００７２】
＜電子デバイスの製造方法＞
本発明の一態様に係る電子デバイスの製造方法は、上述の製造方法により得られた長尺状積層フィルムの電極層１６上に有機層を形成する有機層形成工程と、有機層上に対向電極を形成する対向電極形成工程とを含む。上述の製造方法により得られた長尺状積層フィルムがロール状の長尺状積層フィルムである場合、有機層形成工程において、ロール状の長尺状積層フィルムを巻出しながら電極層１６上に有機層を形成することができる。
【００７３】
有機電子デバイスの製造方法は、有機層形成工程及び対向電極形成工程のうち少なくとも一つの工程をロールツーロール方式で行ってよい。例えば有機層形成工程をロールツーロール方式で行ってもよいし、有機層形成工程及び対向電極形成工程を連続的にロールツーロール方式で行ってもよい。
【００７４】
電子デバイスとしては、例えば有機ＥＬデバイス、有機太陽電池、有機フォトディテクタ又は有機トランジスタ等であってよく、好ましくは有機ＥＬデバイスである。
【００７５】
（有機層形成工程）
有機層は、例えば有機層形成用組成物から構成することができる。有機層形成用組成物は、有機層の種類に応じて適宜選択して用いることができる。
【００７６】
電子デバイスが有機ＥＬデバイスである場合、有機層は、陽極および陰極に印加された電力（例えば電圧）に応じて、電荷の移動および電荷の再結合などの有機ＥＬデバイスの発光に寄与する機能部である。有機層としては、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等が挙げられる。電子デバイスが有機ＥＬデバイスである場合、正孔注入層又は発光層を陽極上に形成することができる。本発明の電子デバイスの製造方法では、長尺状積層フィルムの電極層１６を陽極又は陰極とすることができる。
【００７７】
有機層の形成方法としては、例えば有機層形成用組成物を塗布する塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット法が挙げられる。インクジェット法以外の公知の塗布法としては、導電膜１３を塗布法で形成する場合の説明で例示した塗布法が挙げられる。
【００７８】
本発明の製造方法により製造された長尺状積層フィルムを用いる場合、インクジェット法により有機層形成用組成物を電極層１６上に塗布したときでも、有機層形成用組成物の塗膜のはじきが起こらず、有機層を良好に形成することができる。
【００７９】
正孔注入層をインクジェット法により塗布する場合、後述する正孔注入材料と溶媒とを含む有機層形成用組成物をインクジェット法により、例えば乾燥後の膜厚で４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下のサイズの液滴で電極層１６上に塗布することができる。溶媒は、導電膜１３を塗布法で形成する場合の説明で例示した溶媒を用いることができる。
【００８０】
有機層形成用組成物を塗布する前に、長尺状積層フィルムの電極層１６側の表面に、電極層１６と有機層との密着力を高めるための表面処理を施してもよい。表面処理としては、例えばコロナ処理、プラズマ処理、放電処理（グロー放電処理等）、火炎処理、オゾン処理、ＵＶオゾン処理、電離活性線処理（紫外線処理、電子線処理等）のような乾式処理；水やアセトン等の溶媒を用いた超音波処理、アルカリ処理、アンカーコート処理のような湿式処理を挙げることができる。
【００８１】
有機層形成用組成物を塗布した後、有機層形成用組成物の塗膜から溶媒を除去するために乾燥処理を行ってもよく、有機層形成用組成物を硬化するために焼成処理を行ってもよい。
【００８２】
電極層１６が陽極であり、有機層が正孔注入層又は発光層以外の有機層を含む場合、有機層の層構成に応じて陽極側から順に各有機層を形成すればよい。
【００８３】
以下、電子デバイスが有機ＥＬデバイスである場合の有機層について説明する。
【００８４】
電極層１６を陽極とする場合、有機層の層構成の例を以下に示す。
（ａ）（陽極）／正孔注入層／発光層／（蒸着膜／陰極）
（ｂ）（陽極）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／（蒸着膜／陰極）
（ｃ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（蒸着膜／陰極）
（ｄ）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（蒸着膜／陰極）
（ｅ）（陽極）／発光層／（蒸着膜／陰極）
（ｆ）（陽極）／発光層／電子輸送層／（蒸着膜／陰極）
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味する。
【００８５】
正孔注入層は、陽極から発光層への正孔注入効率を改善する機能を有する有機層である。正孔注入層の材料には、公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料としては、例えば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウム等の酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン及びポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体が挙げられる。
【００８６】
正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極により近い正孔輸送層から発光層への正孔注入効率を改善する機能を有する機能層である。正孔輸送層の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送層の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール又はその誘導体、ポリシラン又はその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン又はその誘導体、ピラゾリン又はその誘導体、アリールアミン又はその誘導体、スチルベン又はその誘導体、トリフェニルジアミン又はその誘導体、ポリアニリン又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、ポリアリールアミン又はその誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）又はその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）又はその誘導体等が挙げられる。正孔輸送層の材料としては、例えば特開２０１２−１４４７２２号公報に開示されている正孔輸層材料も挙げられる。
【００８７】
発光層は、光を発する有機層である。発光層の厚さは、例えば１ｎｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは２ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００８８】
有機層は単層の発光層を有していても２層以上の発光層を有していてもよい。電荷発生層を設けずに、複数の発光層を直接的に積層させて有機層を構成してもよい。なお、電荷発生層とは、電極の役割をする層である。
【００８９】
発光層は、通常、主として蛍光およびりん光の少なくとも一方を発光する有機物、または、その有機物とその有機物を補助するドーパント材料とから形成される。ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。発光層に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。
【００９０】
発光層は、所定の波長の光を発光する機能を有する機能層である。発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。発光層の厚さは、例えば１ｎｍ以上１μｍ以下であり、好ましくは２ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００９１】
発光層の材料は、公知の発光層用の材料であればよい。発光層は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、あるいはこの有機物とこれを補助するドーパントを含む。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。発光層に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層を構成する発光材料としては、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、ドーパント材料等が挙げられる。
【００９２】
色素系材料としては、例えばシクロペンダミン又はその誘導体、テトラフェニルブタジエン又はその誘導体、トリフェニルアミン又はその誘導体、オキサジアゾール又はその誘導体、ピラゾロキノリン又はその誘導体、ジスチリルベンゼン又はその誘導体、ジスチリルアリーレン又はその誘導体、ピロール又はその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン又はその誘導体、ペリレン又はその誘導体、オリゴチオフェン又はその誘導体、オキサジアゾールダイマー又はその誘導体、ピラゾリンダイマー又はその誘導体、キナクリドン又はその誘導体、クマリン又はその誘導体等が挙げられる。
【００９３】
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、またはＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等が挙げられる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。
【００９４】
高分子系材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、ポリパラフェニレン又はその誘導体、ポリシラン又はその誘導体、ポリアセチレン又はその誘導体、ポリフルオレン又はその誘導体、ポリビニルカルバゾール又はその誘導体、上記色素材料及び金属錯体材料の少なくとも一方を高分子化した材料等が挙げられる。
【００９５】
ドーパント材料としては、例えばペリレン又はその誘導体、クマリン又はその誘導体、ルブレン又はその誘導体、キナクリドン又はその誘導体、スクアリウム又はその誘導体、ポルフィリン又はその誘導体、スチリル色素、テトラセン又はその誘導体、ピラゾロン又はその誘導体、デカシクレン又はその誘導体、フェノキサゾン又はその誘導体等が挙げられる。
【００９６】
電子輸送層は、陰極又は陰極により近い電子輸送層から発光層への電子注入効率を改善する機能を有する有機層である。電子輸送層を構成する電子輸送材料には、公知の材料を用い得る。電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン又はその誘導体、ベンゾキノン又はその誘導体、ナフトキノン又はその誘導体、アントラキノン又はその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン又はその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン又はその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、ポリキノリン又はその誘導体、ポリキノキサリン又はその誘導体、ポリフルオレン又はその誘導体等が挙げられる。
【００９７】
正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層の厚みは、有機ＥＬデバイスのデバイス性能等に応じて適宜設定され得る。
【００９８】
（対向電極形成工程）
対向電極形成工程では、有機層上に対向電極を形成する。対向電極は、電極層１６が陽極の場合には陰極となり、電極層１６が陰極の場合には陽極となる。対向電極は、電極層１６と同様にして形成することができる。ロールツーロール方式で対向電極を形成してもよい。すなわち、有機層を形成した長尺状積層フィルムをその長手方向に搬送しながら有機層上に対向電極を形成してもよい。
【００９９】
（その他の工程）
電子デバイスが蒸着膜を有する場合、電子デバイスの製造方法は、蒸着膜形成工程をさらに含んでよい。蒸着膜は、無機物から真空蒸着により形成される無機膜である。蒸着膜の厚みは、例えば０.５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、好ましくは２ｎｍ以上７ｎｍ以下である。蒸着膜１４は、電子注入層として働くことができる。蒸着膜は、陰極側の有機層上に形成してよく、有機層側の陰極上に形成してもよい。電子注入層は、陰極から発光層への電子注入効率を改善する機能を有する。
【０１００】
電子デバイスの製造方法は、有機層形成工程前に、保護フィルム１５を剥離する工程をさらに含んでよい。電子デバイスの製造方法は、好ましくは有機層形成工程における表面処理までに、より好ましくは有機層形成工程における乾燥及び焼成処理までに保護フィルム１５を剥離する工程を含む。
【０１０１】
＜長尺状積層フィルム＞
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る長尺状積層フィルム４０は、図４に示す通り、導電膜層１３と、ガスバリア性基材層１１と、ケイ素原子、酸素原子及び炭素原子を含有するか、又はケイ素原子及び窒素原子を含有する薄膜層１２（以下、薄膜層ともいう）と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有する。
【０１０２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る長尺状積層フィルム４０は、図５に示す通り、導電膜層１３と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２（以下、薄膜層ともいう）と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有し、ガスバリア性基材層１１は、プラスチックフィルム２０４とガスバリア層２００とを有し、ガスバリア層２００は、導電膜層１３とプラスチックフィルム２０４との間に配置されている。
【０１０３】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態に係る長尺状積層フィルム４０は、図６に示す通り、導電膜層１３と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有し、ガスバリア性基材層１１は、ＳｉＮ膜又は金属酸化物を含有する膜２０１と、ＳｉＯＣ膜２０２と、平坦化層２０３と、プラスチックフィルム２０４と、易滑化層２０５とからなる。
【０１０４】
本発明の第１実施形態乃至第３実施形態における導電膜層１３、ガスバリア性基材層１１、薄膜層１２、粘着剤層１４及び保護フィルム層１５、ＳｉＮ膜又は金属酸化物を含有する膜２０１、ＳｉＯＣ膜２０２、プラスチックフィルム２０４の例及び好ましいもの、並びに平坦化層２０３と易滑化層２０５の例示は、上述の長尺状積層フィルムの製造方法の説明における例示及び好ましいものが適用される。
【０１０５】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態に係る長尺状積層フィルム５０は、図７に示す通り、導電膜パターンからなる電極層１６（以下、電極層ともいう）と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２（以下、薄膜層ともいう）と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有する。
【０１０６】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態に係る長尺状積層フィルム５０は、図８に示す通り、導電膜パターンからなる電極層１６（以下、電極層ともいう）と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２（以下、薄膜層ともいう）と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有し、ガスバリア性基材層１１は、プラスチックフィルム２０４とガスバリア層２００とを有し、ガスバリア層２００が、電極層１６とプラスチックフィルム２０４との間に配置されている。
【０１０７】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態に係る長尺状積層フィルム５０は、図９に示す通り、電極層１６と、ガスバリア性基材層１１と、薄膜層１２と、粘着剤層１４と、保護フィルム層１５とをこの順に有し、ガスバリア性基材層１１は、ＳｉＮ膜又は金属酸化物膜２０１と、ＳｉＯＣ膜２０２と、平坦化層２０３と、プラスチックフィルム２０４と、易滑化層２０５とからなる。
【０１０８】
本発明の第４実施形態乃至第６実施形態における電極層１６、ガスバリア性基材層１１、薄膜層１２、粘着剤層１４及び保護フィルム層１５、ＳｉＮ膜又は金属酸化物膜２０１、ＳｉＯＣ膜２０２、プラスチックフィルム２０４の例及び好ましいもの、並びに平坦化層２０３と易滑化層２０５の例示は、上述の長尺状積層フィルムの製造方法の説明における例示及び好ましいものが適用される。
【０１０９】
長尺状積層フィルム４０及び５０は、電子デバイスの電極付ガスバリアフィルムとして好適に用いることができる。
【０１１０】
＜積層フィルムロール＞
本発明の一態様に係る積層フィルムロールは、上述の積層フィルムロールである。
【０１１１】
以下、実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【実施例】
【０１１２】
［はじき評価］
実施例及び比較例で得られた長尺状積層フィルムを２００ｍｍ×２００ｍｍの寸法に断裁した。実施例で得られた長尺状積層フィルムについては、ＳｉＯＣ膜上に貼合した保護フィルムを粘着剤層と共に剥離した。紫外線照射装置（テクノビジョン製ＵＶ−Ｏ３装置：ＵＶ３１２）を用いて紫外線照射による表面処理を３分間行った後、インクジェット装置を用いて正孔注入材（ＨＩＬ）を５５ｎｍ相当のサイズの液滴で５０ｍｍ×１５０ｍｍの範囲に塗布した。正孔注入材塗布後に塗布面を目視で確認し、正孔注入材のはじき数をカウントした。実施例及び比較例においてそれぞれ３枚の長尺状積層フィルムについてカウントしたはじき数の平均値を求めた。目視で確認できる異物によるはじきは除外した。
【０１１３】
実施例１
長尺状プラスチックフィルム（厚み１００μｍ、ポリエチレンナフタレートフィルム）のロールをＣＶＤ装置の巻出部にセットし、プラスチックフィルムを巻出しながら、その両面にＳｉＯＣ膜を成膜し、巻取部で巻取りながら長尺状のガスバリア性基材ロールを得た。次いでこのロールをスパッタリング装置の巻出部にセットし、巻出しながら、基材の一方の面にスパッタリング法により、Ａｇ膜（８ｎｍ）およびＩＴＯ膜（７５ｎｍ）を含む導電膜層を所定の厚みになるように電流量を調節しながら形成し、巻取部で巻取った。その後、長尺状の導電膜付ガスバリア性基材ロールを巻出し、一方でセパレートフィルムと貼合された粘着剤層付保護フィルムロールを巻出しながらセパレートフィルムを剥離し、それぞれ一対の貼合ロール間を走行させることにより、ＳｉＯＣ膜（導電膜層が形成されていない方のＳｉＯＣ膜）上に保護フィルム（サンエー化研製：ＳＡＴ２０３８Ｔ）を貼合し、長尺状積層フィルムを得、ロール状に巻取った。
【０１１４】
得られたロール状の長尺状積層フィルムを巻出しながら、導電膜上にドライフィルムレジストを貼合し、導電パターンを形成するためのフォトマスクを介して紫外線を照射し、次いで現像液（Ｎａ２ＣＯ３）をスプレーで噴射し、現像した後、水洗及び乾燥を行った。その後、エッチング液（塩酸・塩鉄系）を収容したエッチング処理槽を通過させ、水洗及び乾燥後、アルカリ液（ＫＯＨ：２．５％）を収容したアルカリ処理槽を通過させてレジスト膜を剥離除去し、水洗及び乾燥し、得られた長尺状積層フィルムをロール状に巻取った。はじき評価の結果を表１に示す。
【０１１５】
比較例１
実施例１において導電膜形成後に保護フィルムを貼合しなかったこと以外は実施例１と同様にして長尺状積層フィルムを得た。はじき評価の結果を表１に示す。
【０１１６】
【表１】
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【０１１７】
図１０は、比較例１の長尺状積層フィルムの薄膜層表面の透過型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察像である。図１０（ａ）は、導電膜のパターニングを行う前の薄膜層表面の観察像である。図１０（ｂ）は、導電膜のパターニングを行った後の薄膜層表面の観察像である。図１０（ｂ）に示される通り、薄膜層表面には薄膜層のダメージ後及びダメージ片である異物付着が観察された。
【０１１８】
図１１は、比較例１の長尺状積層フィルムの電極表面の走査型電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＳＥＭ−ＥＤＸ）による分析結果である。図１１（ａ）は電極表面のＳＥＭ観察像である。図１１（ｂ）〜（ｅ）はそれぞれ、Ｃ、Ｏ、Ｓｉ、ＩｎのＳＥＭ−ＥＤＸ元素マッピング像である。図１１（ｂ）〜（ｄ）ではそれぞれ、図１１（ａ）に示される電極表面の異物付着領域においてＣ、Ｏ、Ｓｉ元素が観察されるのに対し、図１１（ｅ）では電極を構成するＩｎが全面に観察されるだけであった。このように、比較例１において作製した長尺状積層フィルムの電極に薄膜層のダメージ片が付着していることが認められる。
【符号の説明】
【０１１９】
１０  長尺状積層体、１１  ガスバリア性基材、１２  薄膜層、１３  導電膜層、１４  粘着剤層、１５  保護フィルム、１６  電極、２０  保護フィルム層付長尺状積層体、３０  巻取前フィルム、４０，５０  長尺状積層フィルム、１１１  送り出しロール、１２１，１２２，１２３，１２４  搬送ロール、１３１，１３２  成膜ロール、１４１  ガス供給管、１５１  プラズマ発生用電源、１６１，１６２  磁場発生装置、１７１  巻取りロール、２００  ガスバリア層、２０１  窒素原子又はアルミニウム原子を含有する膜、２０２  ケイ素原子，酸素原子及び炭素原子を含有する膜、２０３  平坦化層、２０４  プラスチックフィルム、２０５  易滑化層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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