(57)【要約】【課題】地磁気の影響を受けにくい電流の検出方法が提供される。【解決手段】導体内を流れる被測定電流の電流値を検出する方法は、以下のことを含む。  ・磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有し、前記被測定電流により発生する磁界を検出するように構成される磁力センサを用意すること。  ・前記磁力センサを前記導体を基準とする所定の位置に固定すること。  なお、前記磁力センサを前記所定の位置に固定することは、前記感度軸方向が鉛直方向に沿うように前記磁力センサを配置することを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体内を流れる被測定電流の電流値を検出する方法であって、
磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有し、前記被測定電流により発生する磁界を検出するように構成された磁力センサを用意することと、
前記磁力センサを前記導体を基準とする所定の位置に固定することと、
を含み、
前記磁力センサを前記所定の位置に固定することは、前記感度軸方向が鉛直方向に沿うように前記磁力センサを配置することを含む、
方法。
【請求項２】
導体内を流れる被測定電流の電流値を検出する電流センサであって、
前記被測定電流により発生する磁界を検出するように構成されている磁力センサと、
前記導体を基準とする所定の位置に前記磁力センサを固定するように構成されている固定部と、
を備えるとともに、使用方向を有し、
前記磁力センサは、磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有し、
前記使用方向は、前記磁力センサの前記感度軸方向が鉛直方向に沿うような方向である、電流センサ。
【請求項３】
前記使用方向は、前記感度軸方向が前記被測定電流により発生する前記磁界の方向に沿うような方向である、
請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有する磁力センサの使用方法であって、
前記感度軸方向が鉛直方向に沿うように前記磁力センサを配置することを含む、
磁力センサの使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流値の検出方法及びに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、分電盤内に配置されるバスバーに取り付けられる電流センサが開示されている。この電流センサは磁気比例式の電流センサであり、複数の磁気センサ素子によって被測定電流による誘導磁界を検出する。磁気センサ素子によって検出された誘導磁界に対応して出力される電圧を基に被測定電流の電流値が算出される。複数個の磁気センサ素子は、被測定電流が流れるバスバーを基準として上下方向及び左右方向に対して線対称の位置となるように配置される。特許文献１によれば、これにより一様な磁場の影響が相殺され、地磁気に磁気センサが曝されても正確な測定がなされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１９−０３５７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のような電流センサでは、複数の磁気センサ素子を所定の位置に正確に配置する必要があり、製造の負担が大きくなりがちである。従って、より簡易な構成により地磁気の影響が低減される電流センサ及び電流値の検出方法が望まれていた。
【０００５】
本発明は、地磁気の影響を受けにくい電流値の簡便な検出方法及び電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点に係る方法は、導体内を流れる被測定電流の電流値を検出する方法であって、以下のことを含む。
・磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有し、前記被測定電流により発生する磁界を検出するように構成される磁力センサを用意すること。
・前記磁力センサを前記導体を基準とする所定の位置に固定すること。
なお、前記磁力センサを前記所定の位置に固定することは、前記感度軸方向が鉛直方向に沿うように前記磁力センサを配置することを含む。
【０００７】
本発明の一観点に係る電流センサは、導体内を流れる被測定電流の電流値を検出する電流センサであって、使用方向を有するとともに、磁力センサと固定部とを備える。前記磁力センサは、前記被測定電流により発生する磁界を検出するように構成されている。前記固定部は、前記導体を基準とする所定の位置に前記磁力センサを固定するように構成されている。前記磁力センサは、磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有する。前記使用方向は、前記磁力センサの前記感度軸方向が鉛直方向に沿うような方向である。
【０００８】
上記一観点に係る電流センサにおいて、前記使用方向は、前記感度軸方向が前記被測定電流により発生する前記磁界の方向に沿うような方向であってもよい。
【０００９】
本発明の一観点に係る方法は、磁界の検出感度が最大となる感度軸方向を有する磁力センサの使用方法であって、以下のことを含む。
・前記感度軸方向が鉛直方向に沿うように前記磁力センサを配置すること。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、地磁気の影響を受けにくい電流値の簡便な検出方法及び電流センサが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】電流センサ及び導体の一例を示す側面図。
【図２】電流センサ及び導体の一例を示す平面図。
【図３】磁気センサの構成例を示す図。
【図４】電流センサの電気的構成の一例を示すブロック図。
【図５】電流センサの使用方法を説明する図。
【図６Ａ】実験方法１を説明する図。
【図６Ｂ】実験方法１を説明する図。
【図７Ａ】実験方法２を説明する図。
【図７Ｂ】実験方法２を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本実施形態に係る電流センサを、図面に基づいて説明する。ただし、以下で説明する本実施形態は、あらゆる点において本発明の例示に過ぎず、その範囲を限定しようとするものではない。本発明の範囲を逸脱することなく種々の改良や変形を行うことができることは言うまでもない。つまり、本発明の実施にあたって、実施形態に応じた具体的構成が適宜採用されてもよい。
【００１３】
＜１．電流センサの構成＞
電流センサ１は、導体を流れる被測定電流Ｉの電流値を検出する装置である。電流センサ１は、被測定電流Ｉが流れる導体に対し、所定の位置に固定可能に構成される。図１は、本実施形態に係る電流センサ１が導体に固定された様子を表す側面図であり、図２は本実施形態に係る電流センサ１が導体に固定された様子を表す平面図である。導体は、特に限定されないが、本実施形態ではバスバー４０である。バスバー４０は、例えば銅、アルミニウム等の金属で平板状に形成されている。以下、電流センサ１が固定されたバスバー４０の面を表面４２、表面４２の反対側の面を裏面４３と称する。バスバー４０の両端にはそれぞれ貫通孔４１が形成されている。貫通孔４１には、コネクタ等を介してケーブルや端子等が電気的に接続され、バスバー４０を含む電流回路が形成される。また、バスバー４０は、複数の電池を連結するタブとしても使用される。
【００１４】
電流センサ１は、バスバー４０を流れる被測定電流Ｉの電流値を計測するように構成される。電流センサ１は、基板２と固定部材３とを備える。固定部材３は、バスバー４０に対して基板２を支持しつつ固定するための部材であり、望ましくは絶縁体材料で形成される。本実施形態では、電流センサ１はそれぞれ直方体形状を有する一対の固定部材３を備える。固定部材３は、基板２の両端部に位置するようにそれぞれ配置されており、固定部材３の４つの側面のうち、１つの側面３０がそれぞれ基板２の第１面２０に固定されている。側面３０と反対側に形成される側面３１は、それぞれバスバー４０の表面４２の所定の位置に固定される。固定部材３と基板２との固定方法は、特に限定されず、物理的方法及び化学的方法のいずれも適用することができる。また、固定部材３とバスバー４０との固定方法も特に限定されず、物理的方法及び化学的方法のいずれも適用することができる。これにより、バスバー４０に対して基板２に含まれる磁力センサ２００（後述する）がバスバー４０を基準として所定の位置に位置決めされた状態で固定される。
【００１５】
基板２は、第１面２０と、第１面２０と反対側に形成される第２面２１とを有する。第１面２０は、電流センサ１がバスバー４０に固定された固定状態においてバスバー４０の表面４２と対向する面である。基板２の第１面２０上には、磁力センサ２００が配置される。固定状態において、磁力センサ２００はバスバー４０の表面４２と対向した状態で、表面４２から所定の距離だけ離間した所定の位置に位置決めされ、固定される。基板２の第２面２１上には、信号処理回路２１１（図４参照）が形成される。信号処理回路２１１は、磁力センサ２００と電気的に接続されており、磁力センサ２００が出力する電圧信号を処理し、出力するための回路である。本実施形態では、信号処理回路２１１は信号処理用のチップ２１０を含んで構成されるが、チップ２１０を含む信号処理回路２１１の構成は、実施の形態に応じて適宜選択することができる。例えば、磁力センサ２００が出力する電圧信号は、必要に応じて増幅されてもよい。また、信号処理回路２１１から出力される信号は、アナログであってもデジタルであってもよい。磁力センサ２００及びチップ２１０は、外部電源又は電池（不図示）によって駆動される。
【００１６】
磁力センサ２００は、磁界に応じた検出信号を出力するように構成されたセンサである。バスバー４０を被測定電流Ｉが流れると、被測定電流Ｉの周りに被測定電流Ｉの大きさに比例した強さの磁界Ｈが発生する。図１及び２に、被測定電流Ｉ及び磁界Ｈの向きを模式的に示す（ただし、被測定電流Ｉ及び磁界Ｈの向きを厳密に示すものではない）。磁力センサ２００によって磁界Ｈを検出することにより、被測定電流Ｉの電流値に応じた出力が得られる。磁力センサ２００は、磁界の検出感度が最大となる感度軸方向Ｕを有するように構成され、磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが磁界Ｈの向きに沿うようにバスバー４０に対して位置決めされて固定される。言い換えると、バスバー４０と磁力センサ２００との相対的な位置関係は、被測定電流Ｉの流れる向きに対して磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが直交するように定められる。
【００１７】
磁力センサ２００の検出感度は、検出する磁界の方向が感度軸方向Ｕに沿うときに最大となり、検出する磁界の方向が感度軸方向Ｕに直交するときに最小（例えば、出力値０）となる。すなわち、磁界の方向及び強度が一定であるとき、磁界の方向に対して磁力センサ２００の感度軸方向Ｕがなす角度に応じて、磁力センサ２００の出力が三角関数的に変化する。なお、磁力センサ２００は、感度軸方向を有するように構成されていれば、後述する構成の磁力センサに特に限定されない。また、磁力センサ２００として公知の磁力センサを適宜使用してもよい。
【００１８】
図３に本実施形態の磁力センサ２００の平面構成図を示す。磁力センサ２００は、矩形状の基板２０１を有する。基板２０１の表面上には、４つの磁気抵抗効果素子として長手方向及び短手方向を有する略長方形状の磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄが４つ形成されている。磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄの１つの角には、磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄの接続用の接続電極２０３ａ〜ｄがそれぞれ２つずつ形成されている。磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄは、それぞれが磁界に応じて抵抗が変化する可変抵抗として機能する。後述するように、磁力センサ２００は、磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄがブリッジ回路を形成するように構成されている。
【００１９】
以下、磁気抵抗効果パターン２０２ａを例に説明する。磁気抵抗効果パターン２０２ａの２つの接続電極２０３ａ，２０３ａは、図３の上下方向に並ぶように略長方形状の一角に配置され、磁性膜２０５によって互いに連結されている。磁性膜２０５は、磁性材料により形成されており、長手方向に磁化容易軸ＥＡが誘導されている。磁性膜２０５は、図３の上下方向に蛇行しつつ左右方向に広がるように配置され、２つの接続電極２０３ａ，２０３ａとの間で平面的なパターンを形成している。磁気抵抗効果は、磁性材料に誘導された磁化容易軸ＥＡの向きと磁性材料を流れる電流の向きとのなす角度に依存して、磁性材料の電気抵抗が変化する現象である。
【００２０】
図３に磁性膜２０５の部分的な拡大図をさらに示す（丸枠内）。磁性膜２０５には、上下方向に対して傾斜した方向に延びる複数の短冊状の導体膜２０６が、バーバーポールのように互いに間隔を空けて積層されている。接続電極２０３ａ，２０３ａに電圧を印加すると、一方の導体膜２０６から他方の導体膜２０６へと向かって電流が流れる。これにより、磁性膜２０５の磁化容易軸ＥＡが延びる方向と異なった方向に電流が流れるため、バイアス磁界を別途用意しなくても、磁気抵抗効果の直線部分を効率よく利用することになり、良好な出力（抵抗変化）が得られる。
【００２１】
磁気抵抗効果パターン２０２ｃは、磁気抵抗効果パターン２０２ａと同様に構成される。一方、磁気抵抗効果パターン２０２ｂ及び２０２ｄは、導体膜２０６の傾斜を含めて磁気抵抗効果パターン２０２ａを左右方向に反転させた形状であることを除き、磁気抵抗効果パターン２０２ａ，ｃと同様に構成される（図３の部分拡大図参照）。すなわち、磁気抵抗効果パターン２０２ａ及び２０２ｃと磁気抵抗効果パターン２０２ｂ及び２０２ｄとは、導体膜２０６から他方の導体膜２０６へと向かって流れる電流の方向が線対称となるように構成されている。これにより、磁力センサ２００は磁界に応じて磁気抵抗効果パターン２０２ａ，ｃの抵抗がＲからＲ＋ΔＲに変化する一方、磁気抵抗効果パターン２０２ｂ，ｄの抵抗がＲからＲ−ΔＲに変化するように構成される。または、磁力センサ２００は磁気抵抗効果パターン２０２ａ，ｃの抵抗がＲからＲ−ΔＲに変化する一方で、磁気抵抗効果パターン２０２ｂ，ｄの抵抗がＲからＲ＋ΔＲに変化するように構成される。
【００２２】
磁力センサ２００は全体として感度軸方向Ｕを有するように構成される。つまり、磁界の方向が磁力センサ２００の感度軸方向Ｕに平行である（磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄの短手方向に沿う）とき、磁力センサ２００の磁界の検出感度が最大となり、磁界の方向が磁力センサ２００の感度軸方向Ｕに直交する（磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄの長手方向に沿う）とき、磁力センサ２００の磁界の検出感度が最小となる。磁界が被測定電流Ｉにより発生する磁界Ｈであるとき、被測定電流Ｉの流れる方向が磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄの長手方向に沿うとき、磁力センサ２００の磁界の検出感度が最大となる。また、被測定電流Ｉの流れる方向が磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄの短手方向に沿うとき、磁力センサ２００の磁界の検出感度が最小となる。
【００２３】
各接続電極２０３ａ〜ｄを形成する材料の例としては、アルミニウム、銅等が挙げられる。また、各磁性膜２０５を形成する材料の例としては、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等が挙げられる。各導体膜２０６を形成する材料の例としては、銅等が挙げられる。
【００２４】
図４は、基板２の電気的な構成を示すブロック図である。図４に示すように、磁気抵抗効果パターン２０２ａ及び２０２ｂは、直列に接続されている。同様に、磁気抵抗効果パターン２０２ｃ及び２０２ｄは、直列に接続されている。さらに、磁気抵抗効果パターン２０２ａと２０２ｄとが接続され、磁気抵抗効果パターン２０２ｂと２０２ｃとが接続されている。なお、磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄは、接続電極２０３ａ〜ｄを介して適宜接続することができる。磁気抵抗効果パターン２０２ａと２０２ｄとの接続、及び磁気抵抗効果パターン２０２ｂと２０２ｃとの接続との間には、電源又は電池によって直流定電圧Ｖｃが印加される。これによって、磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄを利用したブリッジ回路が形成される。
【００２５】
上述したように、磁気抵抗効果パターン２０２ａ，ｃの抵抗と、磁気抵抗効果パターン２０２ｂ，ｄの抵抗とは、一方の組合せの抵抗値が元の抵抗値からある値だけ増加すると、他方の組合せの抵抗値が元の抵抗値から同じ値だけ減少するように構成されている。被測定電流Ｉが図４に矢印で示す方向に流れるとき、図４に矢印で示す方向の磁界Ｈが発生する。このとき、磁気抵抗効果パターン２０２ａ，ｃに係る電圧と磁気抵抗効果パターン２０２ｂ，ｄに係る電圧とは互いに逆の方向に変化する。このため、磁気抵抗効果パターン２０２ａ及び２０２ｂの間の点ｊと磁気抵抗効果パターン２０２ａ及び２０２ｂの間の点ｋとの電位差をより大きくして、ブリッジ回路としての出力を高めることができる。
【００２６】
図４に示すように、ブリッジ回路は信号処理回路２１１に接続される。信号処理回路２１１に含まれるチップ２１０には、例えば磁力センサ２００からの電圧出力を増幅するためのオペアンプ等が含まれていてもよい。また、例えばアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器が含まれていてもよい。さらに、基板２は信号処理回路２１１からの出力信号を有線又は無線により外部の表示器や制御装置等に出力するように構成された公知の通信モジュールを備えていてもよい。通信モジュールと信号処理回路２１１とが接続されることにより、被測定電流Ｉの電流値に応じた出力信号が外部の表示器や制御装置に出力される。外部の表示器は、特に限定されないが、液晶ディスプレイ、液晶素子、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等とすることができる。外部の制御装置は、特に限定されないが、汎用のコンピュータ、タブレット型コンピュータ、スマートフォン、携帯電話等とすることができる。
【００２７】
電流センサ１は、被測定電流Ｉの電流値を検出するために使用される状態において、所定の使用方向を有する。電流センサ１の使用方向は、磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙに沿うような方向である。電流センサ１をその使用方向で使用することにより、磁力センサ２００の出力信号に対する地磁気の影響を排除することができ、電流センサ１の精度を向上させることができる。また、電流センサ１の使用方向は、磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが被測定電流Ｉにより発生する前記磁界Ｈの方向に沿うような方向であることが望ましい。以下、電流センサ１の使用方法を説明する。
【００２８】
＜２．電流センサの使用方法＞
電流センサ１は、使用時の上下方向が定まっている物体に設置され、好適に使用されることができる。電流センサ１は、例えば、移動可能な移動体１００（例えば、車両や船舶等）が備える電気回路を流れる電流の電流値を検出するのに使用することができる。図５に示すように、電流センサ１は移動体１００に搭載されるように構成された電池５０等に設置されることができる。電池５０は、例えば二次電池等、使用時の上下方向が定められていることが望ましい。この場合、バスバー４０は電池５０の筐体に設置されることができる。バスバー４０が電池５０の筐体に対して固定されるのであれば、設置方法は特に限定されない。図５に示すように、電流センサ１は、磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙに沿うように、電池５０に対して固定されたバスバー４０に設置される。
【００２９】
ここで、磁力センサ２００の出力信号は、磁界Ｈ以外の磁界、特に地磁気の影響を受けることがある。つまり、磁力センサ２００の感度軸方向Ｕと地磁気の方向とのなす角度が電流センサ１の使用方向によって変化するような場合、磁力センサ２００が磁界Ｈの磁力に加えて地磁気による磁界を検出してしまうことがある。その結果、被測定電流Ｉの電流値が同じであっても、磁力センサ２００の出力が異なることにより電流センサ１の検出精度が悪化してしまうおそれがある。
【００３０】
しかしながら、電流センサ１が図５の例に示すように設置され、使用方向で使用されるのであれば、磁力センサ２００に対する地磁気の影響を排除することが可能となる。つまり、局所的な地磁気の磁力線は、東西南北のいずれの方向を向いていたとしても地球の水平面に対して平行であると近似することができる。このとき、地磁気の方向が磁力センサ２００の感度軸方向Ｕに直交するため、地磁気に対しては磁力センサ２００の磁界の検出感度が最小（０か、０に近い検出値）となる。よって、被測定電流Ｉにより発生する磁界Ｈの検出感度に対する地磁気の検出感度を大幅に低減することができる。さらに、磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙに沿っている状態であれば、移動体１００が水平面上でどのような進行方向に向きを変えたとしても、地磁気の方向に対して磁力センサ２００の感度軸方向Ｕが直交するような位置関係が維持される。このため、電流センサ１は地磁気の磁力及び方向が変化する環境下であっても精度よく電流値を検出することができ、好適に使用される。
【００３１】
なお、感度軸方向Ｕは厳密に鉛直方向Ｙに沿っていなくてもよい。感度軸方向Ｕと鉛直方向Ｙとが角θをなして交差していても、感度軸方向Ｕと鉛直方向Ｙとが直交する場合と比較して地磁気の影響は低減される。被測定電流Ｉの電流値の検出精度が良好に保たれるのに許容される角θの範囲は、電流センサ１の使用される環境、被測定電流Ｉの電流値の大きさ、及びバスバー４０と磁力センサ２００との間の距離等に応じ、実験及びシミュレーション等に基づいて適宜定めることができる。例えば、電流センサ１付きの電池５０が搭載された車両等が移動する坂道の傾斜角度が予め定められた角θの許容範囲内であれば、被測定電流Ｉの電流値の検出精度を良好に維持しながら電流センサ１を使用することができる。このように、移動体１００が地球の水平面に対して傾斜しながら移動する場合であっても地磁気の影響を低減して精度よく電流値を検出することができる。
【００３２】
以上のように、電流センサ１は簡易な構成でありながら、地磁気が変化するような環境下であっても精度よく被測定電流Ｉの電流値を検出することができる。
【００３３】
＜３．変形例＞
以上、本発明の幾つかの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、種々の変更が可能である。例えば、以下の変更が可能である。また、以下の変形例の要旨は、適宜組み合わせることができる。
【００３４】
＜３−１＞
固定部材３の形状は、導体を基準とする所定の位置に磁力センサ２００を固定することができるものであれば、上記実施形態のものに限定されない。固定部材３の形状や基板２への固定位置は、導体の種類や形状に応じて適宜変更することができる。また、導体が絶縁体で被覆されているような場合は、固定部材３は必ずしも絶縁体材料で形成されていなくてもよい。また、固定部材３は、例えば導体を挟み込むクリップ状部材、導体に巻き付けられるベルト状等部材を含み、導体に対して着脱可能に固定されるように構成されてもよい。
【００３５】
＜３−２＞
磁力センサ２００の構成は上記実施形態の構成に限定されず、感度軸方向を有する公知の磁力検出素子を磁力センサ２００に適宜利用することができる。感度軸方向を有する磁力検出素子としては、磁気抵抗素子の他に、例えば素子内に流れる電流と直角な方向の磁界を検出するホール素子等が挙げられる。また、磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄも、上記実施形態のような構成に限定されず、適宜変更することができる。例えば、上記実施形態では磁気抵抗効果パターン２０２ａ〜ｄによりブリッジ回路を形成したが、ブリッジ回路の構成を変更してもよく、又は省略することも可能である。磁気抵抗効果素子の数も４つに限定されない。例えば、単一の磁気抵抗効果素子に定電流Ｉｏを供給し、磁界Ｈによる磁気抵抗効果素子の電気抵抗の変化を電圧信号により検出するように磁力センサ２００を構成してもよい。
【００３６】
＜３−３＞
電流センサ１の電気的回路構成は、上記実施形態のものに限定されない。例えば、信号処理回路２１１は磁力センサ２００の出力する電圧信号を被測定電流Ｉの電流値（ｍＡ、Ａ等）に変換処理するように構成されてもよい。この場合、電流センサ１は基板２上に信号処理回路２１１に接続される磁力センサ２００とバスバー４０との距離等のパラメータが記憶される記憶部と、磁力センサ２００の出力する電圧信号を被測定電流Ｉの電流値に換算する演算部とを備えてもよい。記憶部は、例えばＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等から構成されることができる。演算部は、例えばＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等から構成されることができる。また、磁力センサ２００、チップ２１０、通信モジュール、ＲＡＭ、ＲＯＭ及びＭＰＵ等の回路を構成する各要素の基板２上の配置は特に限定されず、適宜選択することができる。ただし、磁力センサ２００は被測定電流Ｉのより近位に配置されることが望ましい。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明の実施例について説明する。ただし、以下の実施例は、あくまでも本発明の例示に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
【００３８】
＜実験条件１＞
上記で説明した形状を有する銅製のバスバー４０Ａを用意し、バスバー４０Ａの片面中央部に上記実施形態の電流センサ１Ａを取り付け、所定の電流値（３００Ａ）の電流Ｉｃがバスバー４０Ａの長手方向に流れるような回路を作成した。水平面上にバスバー４０Ａ及び電流センサ１Ａをそれぞれ図６Ａ及びＢに示すような２通りの方法で載置し、それぞれの載置方向において、東西南北の各方角に対する電流センサ１Ａの向きをバスバー４０Ａと共に変化させ、磁力センサ２００Ａの出力信号（Ｖ）を各方角について取得し、地磁気の影響を評価した。図６Ａに示す載置方法（１）は、磁力センサ２００Ａの感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙと直交するような載置方法である。すなわち、バスバー４０Ａが水平面上に平置きされるような載置方法である。一方、図６Ｂに示す載置方法（２）は、磁力センサ２００Ａの感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙに沿うような載置方法である。すなわち、バスバー４０Ａの一方の長い方の側面と、水平面とが接触するような載置方法である。
【００３９】
＜実験結果１＞
載置方法（１）及び載置方法（２）において、各方角における磁力センサ２００Ａの出力信号（Ｖ）は、表１のようになった。
【表１】
2020193876.tif 000003
載置方法（１）では磁力センサ２００Ａの出力信号の方角における差が最大で２．５２３−２．４９８＝０．０２５（Ｖ）であるのに対し、載置方法（２）では磁力センサ２００Ａの出力信号の方角における差が最大で２．５２２−２．５２１＝０．００１（Ｖ）である。つまり、磁力センサ２００Ａの感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙと直交するように電流センサ１Ａを使用すると、地磁気の影響を受けやすくなるが、磁力センサ２００Ａの感度軸方向Ｕが鉛直方向Ｙに沿うように電流センサ１Ａを使用すると、地磁気の影響を良好に抑制し、電流値検出の精度が向上することが分かった。
【００４０】
＜実験条件２＞
実験条件１と同様の電流センサ１Ａ付きバスバー４０Ａ及び電流Ｉｃが流れる回路を作成した。電流センサ１Ａ付きバスバー４０Ａをそれぞれ図７Ａ及び７Ｂに示すような向きで設置した。図７Ａに示す設置方法（１）では、バスバー４０Ａの表面４２を鉛直面に対して傾けることにより、鉛直方向Ｙと磁力センサ２００Ａの感度軸方向Ｕとのなす角θが１５°及び−１５°となるように電流センサ１Ａ付きバスバー４０Ａを設置した。図７Ｂに示す設置方法（２）では、バスバー４０Ａの長い方の側面を水平面に対して傾けることにより、θが１５°及び−１５°となるように電流センサ１Ａ付きバスバー４０Ａを設置した。それぞれの設置方向において、東西南北の各方角に対する電流センサ１Ａの向きをバスバー４０Ａと共に変化させ、磁力センサ２００Ａの出力信号（Ｖ）を各方角について取得した。取得した出力信号のデータから、鉛直方向Ｙに対して感度軸方向Ｕが傾いている場合の地磁気の影響を評価した。
【００４１】
＜実験結果２＞
図７Ａ及び図７Ｂに示す設置方向において、各方角における磁力センサ２００Ａの出力信号（Ｖ）は、表２のようになった。
【表２】
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設置方法（１）では、磁力センサ２００Ａの出力信号の方角における差がθ＝１５°のとき最大０．００８（Ｖ）、θ＝−１５°のとき最大０．０１（Ｖ）となった。設置方法（２）では、磁力センサ２００Ａの出力信号の方角における差がθ＝１５°のとき最大０．０１（Ｖ）、θ＝−１５°のとき最大０．００７（Ｖ）となった。設置方法（１）及び（２）のいずれの場合においても、磁力センサ２００Ａの感度軸方向Ｕと鉛直方向Ｙとが直交する場合と比較して地磁気の影響が良好に抑制されることが分かった。
【符号の説明】
【００４２】
１  電流センサ
２  基板
３  固定部材
４０  バスバー
４１  貫通孔
４２  表面
５０  電池
１００  移動体
２００  磁力センサ
２０１  基板
２０２ａ〜ｄ  磁気抵抗効果パターン
２０３ａ〜ｄ  接続電極
２０５  磁性膜
２０６  導体膜
２１０  チップ
２１１  信号処理回路
ＥＡ  磁化容易軸
Ｙ  鉛直方向
Ｕ  感度軸方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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