(57)【要約】【課題】比較的低温で結晶性の良好な六方晶窒化ホウ素膜を形成することができる方法および装置を提供する。【解決手段】六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法は、被処理基板を準備する工程と、被処理基板から離れた位置のプラズマ生成領域でホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスのプラズマを生成し、プラズマ生成領域から拡散したプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより被処理基板の表面に六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程とを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法であって、
被処理基板を準備する工程と、
前記被処理基板から離れた位置のプラズマ生成領域でホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ生成領域から拡散したプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより前記被処理基板の表面に六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程と
を含む、方法。
【請求項２】
前記被処理基板は、その表面が触媒機能を有する金属層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記被処理基板は、その表面が半導体または絶縁体である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程は、被処理基板の温度を６００〜８００℃の範囲として行われる、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程は、圧力を１３〜２６００Ｐａの範囲として行われる、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程において、前記プラズマ生成領域で生成されるプラズマは、誘導結合プラズマである、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記誘導結合プラズマは、誘電体からなる処理容器の外側にアンテナを配置し、前記アンテナに高周波電力を供給することにより、前記処理容器内の前記プラズマ生成領域に前記誘導結合プラズマを生成する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ホウ素含有ガスはジボランガスであり、前記窒素含有ガスはアンモニアガスである、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
六方晶窒化ホウ素膜を形成する装置であって、
プラズマを生成するプラズマ生成領域と被処理基板を配置する被処理基板配置領域とを互いに離隔した状態で有する処理容器と、
前記被処理基板配置領域に配置された被処理基板を加熱する加熱機構と、
前記プラズマ生成領域でプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理容器内にホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスを含む処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
を有し、
前記プラズマ生成領域に、前記プラズマ生成機構により前記ホウ素含有ガスおよび前記窒素含有ガスのプラズマが生成され、前記プラズマ生成領域から拡散したプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより前記被処理基板の表面に六方晶窒化ホウ素膜が形成される、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）は、ハニカム状の結晶構造を有する二次元材料であり、種々の優れた特性を有する絶縁体である。このため、ｈ−ＢＮは、基板上に１〜数原子層程度に薄く形成した状態で、半導体素子等への適用が検討されている。
【０００３】
ｈ−ＢＮ膜の製造方法としては、特許文献１、２に記載されているようなＣＶＤ法や、特許文献３の従来技術、および特許文献４に記載されているようなプラズマＣＶＤ法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−１４５７７７号公報
【特許文献２】特開２００９−２９８６２６号公報
【特許文献３】特開２００２−１６０６４号公報
【特許文献４】特開昭６１−１４９４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、比較的低温で結晶性の良好な六方晶窒化ホウ素膜を形成することができる方法および装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る方法は、六方晶窒化ホウ素膜を形成する方法であって、被処理基板を準備する工程と、前記被処理基板から離れた位置のプラズマ生成領域でホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ生成領域から拡散したプラズマを用いたプラズマＣＶＤにより前記被処理基板の表面に六方晶窒化ホウ素膜を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、比較的低温で結晶性の良好な六方晶窒化ホウ素膜を形成することができる方法および装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【図２】ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態により被処理基板上にｈ−ＢＮ膜を形成した状態を示す断面図である。
【図３】ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態の実施に適用可能な処理装置の例を示す断面図である。
【図４】実験例１のサンプル１、２のｈ−ＢＮ膜を形成する際の温度チャートを示す図である。
【図５】サンプル１、２のラマンスペクトルである。
【図６】サンプル１のＴＥＭ像である。
【図７】サンプル２のＴＥＭ像である。
【図８】サンプル３、４のラマンスペクトルである。
【図９】サンプル３のＴＥＭ像である。
【図１０】サンプル１のＸＰＳ分析におけるＢ１ｓのスペクトルである。
【図１１】サンプル１のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルである。
【図１２】サンプル１のＸＰＳ分析におけるＯ１ｓのスペクトルである。
【図１３】サンプル１のＸＰＳ分析による深さ方向の組成分析結果を示す図である。
【図１４】サンプル５のＸＰＳ分析におけるＢ１ｓのスペクトルである。
【図１５】サンプル５のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルである。
【図１６】サンプル５のＸＰＳ分析におけるＯ１ｓのスペクトルである。
【図１７】サンプル５のＸＰＳ分析による深さ方向の組成分析結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態について具体的に説明する。
【００１０】
＜経緯および概要＞
最初に、経緯および概要について説明する。
上述した特許文献１，２では、六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）膜の成膜手法として、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のホウ素化合物と、アンモニア（ＮＨ３）等の窒素化合物とを用いたＣＶＤ法を用いることが記載されている。しかし、成膜温度が７００〜１７００℃と高く、また、結晶性が十分とは言えない。
【００１１】
また、特許文献３には、従来技術として、Ｂ２Ｈ６とＮＨ３を用いてプラズマＣＶＤ法によりｈ−ＢＮ膜を成膜する手法が記載されているが、結晶性が良好なｈ−ＢＮ膜を得られるかどうかについては不明である。特許文献４には、処理容器内のコイルでボラジンガスをプラズマ化し、基板に直流電圧を印加して、プラズマＣＶＤにより膜形成することが記載されている。しかし、良好な結晶性のｈ−ＢＮ膜を形成するには１０００℃以上の高温が必要であることが示されている。
【００１２】
これに対して、一態様では、プラズマ生成領域から離隔した位置に被処理基板を配置し、プラズマ生成領域から拡散したプラズマ、いわゆるリモートプラズマによりプラズマＣＶＤを行う。これにより、高エネルギーで低電子温度のラジカルを主体としたプラズマを被処理基板に到達させることができ、ＣＶＤ反応を促進して、比較的低温で良好な結晶性のｈ−ＢＮ膜を形成することができる。
【００１３】
＜ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態＞
図１は、ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態を示すフローチャートである。図１に示すように、ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態は、被処理基板を準備する工程（ステップ１）と、ホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスを含む処理ガスを用いてリモートプラズマによるプラズマＣＶＤにより被処理基板の表面にｈ−ＢＮ膜を形成する工程（ステップ２）とを有する。
【００１４】
ステップ１における被処理基板としては特に限定されないが、シリコン基板等の半導体基板を有するものを用いることができる。ｈ−ＢＮ膜が形成される表面は、Ｓｉのような半導体であってもＳｉＯ２のような絶縁体であってもよい。表面が半導体の場合は、被処理基板として半導体基板のみを用いればよく、表面がＳｉＯ２の場合は、半導体基板上にＳｉＯ２膜を形成したものを被処理基板として用いればよい。また、被処理基板としては、表面に触媒機能を有する金属層を有していても有していてもよい。触媒金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ａｕ等の遷移金属、またはこれらを含む合金を用いることができる。触媒機能を有する金属層を用いる場合には、金属層を活性化処理により活性化した状態として用いる。触媒機能を有する金属層を用いることにより、次のステップ２において、より低温で良好な結晶性のｈ−ＢＮ膜を形成することができる。
【００１５】
ステップ２においては、被処理基板を処理容器内に収容し、ホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスを含む処理ガスによるリモートプラズマを被処理基板に作用させる。これにより、図２に示すように、被処理基板２００上にｈ−ＢＮ膜２１０を成長させる。
【００１６】
具体的には、処理容器内に被処理基板２００を配置し、被処理基板２００から離れた位置で適宜の手法でホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスを含む処理ガスのプラズマを生成させる。これにより、被処理基板２００へは、プラズマ生成領域から拡散したプラズマが作用する。
【００１７】
このようにプラズマ生成領域から拡散したプラズマは、高エネルギーで低電子温度のラジカル主体のプラズマであるため、被処理基板表面でホウ素含有ガスと窒素含有ガスとによるＣＶＤ反応を促進することができる。このため、比較的低温で良好な結晶性のｈ−ＢＮ膜を形成することができる。また、触媒金属層が存在しない状態でもｈ−ＢＮ膜の形成が可能である。さらに、低電子温度のプラズマであることから、下地へのプラズマダメージも小さい。
【００１８】
この場合、プラズマの生成方式は特に限定されない。例えば誘導結合プラズマや容量結合プラズマを用いることができる。処理ガスは、プラズマ生成ガスとして希ガスを含んでいてもよい。プラズマ生成ガスとして希ガスを用いる場合、希ガスのプラズマを生成した後、ホウ素含有ガスおよび窒素含有ガスを希ガスのプラズマにより解離させることが好ましい。
【００１９】
希ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等を用いることができるが、これらの中ではプラズマを安定に生成できるＡｒが好ましい。希ガスはパージガスとしても使用することができる。パージガスとしてＮ２ガスを用いてもよい。
【００２０】
ホウ素含有ガスとしては、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガス、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）ガス、アルキルボランガス、デカボランガス等を挙げることができる。アルキルボランガスとしては、トリメチルボラン（Ｂ（ＣＨ３）３）ガス、トリエチルボラン（Ｂ（Ｃ２Ｈ５）３）ガスや、Ｂ（Ｒ１）（Ｒ２）（Ｒ３）、Ｂ（Ｒ１）（Ｒ２）Ｈ、Ｂ（Ｒ１）Ｈ２（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はアルキル基）で表されるガス等を挙げることができる。これらの中ではＢ２Ｈ６ガスを好適に用いることができる。
【００２１】
窒素含有ガスとしては、ＮＨ３ガス、ヒドラジンガスを含むヒドラジン系化合物ガス等を用いることができる。これらの中では、ＮＨ３ガスを好適に用いることができる。
【００２２】
また、処理ガスとして、Ｈ２ガスのような水素含有ガスを導入してもよい。水素含有ガスを用いることによりｈ−ＢＮ膜の品質を向上させることができる。
【００２３】
本実施形態のプロセス条件としては、被処理基板の温度が６００〜８００℃であることが好ましく、例えば７００℃である。また、処理容器内の圧力は、１３〜２６００Ｐａ（０．１〜２０Ｔｏｒｒ）であることが好ましく、例えば１４００Ｐａである。
【００２４】
なお、ステップ２のプラズマＣＶＤによるｈ−ＢＮ膜の生成に先立って、被処理基板表面の清浄化を目的とした表面処理を行ってもよい。表面処理としては、被処理基板を好ましくはステップ２と同じ温度に加熱しつつ、例えばＨ２ガスを供給する処理を挙げることができる。この際に希ガスを添加してもよく、プラズマを生成してもよい。
【００２５】
本実施形態の方法で形成されたｈ−ＢＮ膜は、良好な結晶性を有し、原子レベルの優れた表面平坦性や、高い絶縁性、化学的・熱的安定性、低誘電率等のｈ−ＢＮの優れた特性を得ることができる。
【００２６】
＜デバイスへの応用＞
本実施形態の方法で形成されたｈ−ＢＮ膜は、良好な結晶性を有するため、ｈ−ＢＮ本来の上記種々の特性を発揮することができ、半導体装置等の種々のデバイスへの応用が考えられる。
【００２７】
例えば、グラフェン膜と積層することにより、半導体装置として優れた特性を発揮することができる。グラフェンはｈ−ＢＮと同様、ハニカム状（六員環構造）の結晶構造を有し、格子定数がｈ−ＢＮに近似した二次元材料であり、移動度がシリコンの１００倍以上等、種々の優れた特性を有する導電体である。このため、グラフェンを例えばゲート電極に適用することにより極めて高い移動度を得ることができる。
【００２８】
上述したように、本実施形態の方法で製造されたｈ−ＢＮ膜は、平坦性が高く、グラフェンと同様の結晶構造を有するため、その上にゲート電極としてグラフェン膜を形成することにより、極めて高い移動度を得ることができる。具体的には、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２膜を用いた場合の数倍の移動度を得ることができる。
【００２９】
また、グラフェン膜は、プラズマＣＶＤにより成膜できることが知られており、本実施形態の方法でｈ−ＢＮ膜を形成した後、連続してグラフェン膜を形成することも可能である。
【００３０】
＜処理装置＞
次に、上記ｈ−ＢＮ膜の形成方法の一実施形態の実施に適用可能な処理装置の例について説明する。
【００３１】
図３は、処理装置の例を示す模式的に示す断面図である。
この処理装置１００は、軸方向を水平にして配置された円筒状の処理容器１を有する。処理容器１は、耐熱性の誘電体材料、例えば石英やセラミックスで形成されている。処理容器１内には、プラズマ生成領域２と、基板配置領域３とが互いに離隔して存在している。処理容器１の一方の端部および他方の端部は、それぞれ蓋部材５および６により閉塞されるようになっている。
【００３２】
プラズマ生成領域２に対応する処理容器１の外周には、コイル状アンテナ１１が巻回されており、アンテナ１１にはマッチングユニット１２を介してＲＦ電源１３が接続されている。ＲＦ電源１３は例えば１３．５６ＭＨｚの周波数を有し、パワーが可変となっている。マッチングユニット１２は、ＲＦ電源１３の内部（または出力）インピーダンスを負荷インピーダンスに整合させるものである。そして、ＲＦ電源１３からコイル状アンテナ１１に給電することにより、プラズマ生成領域２に誘導電界が形成される。
【００３３】
処理容器１内の基板配置領域３にはトレイ２１が配置されており、トレイ２１には被処理基板２２が収容される。基板配置領域３に対応する処理容器１の外周にはヒータ２３が配置されている。また、被処理基板２２の裏面側には、温度測定用の熱電対２４が設けられている。ヒータ２３および熱電対２４は、ヒータ電源・制御ユニット２５に接続されている。ヒータ電源・制御ユニット２５は、ヒータ２３に給電するとともに、熱電対２４からの信号に基づいて被処理基板２２の温度制御が可能となっている。
【００３４】
処理容器１のプラズマ生成領域２側の端部には、ガス供給配管３１が接続されている。処理装置１００は、さらに処理ガス供給部３２を有しており、処理ガス供給部３２から、ガス供給配管３１を介して処理容器１内へ処理ガスが供給される。処理ガス供給部３２は、ボロン含有ガス、窒素含有ガス、希ガスを供給する。ここでは、ボロン含有ガスとして５％Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス、窒素含有ガスとしてＮＨ３ガス、希ガスとしてＡｒガスを用いる例を示している。これら処理ガスは、処理容器１内のプラズマ生成領域２に生成される誘導電界によりプラズマ化され、誘導結合プラズマＰを生成する。
【００３５】
処理容器１の基板配置領域３側の端部には、排気配管４１が接続されており、排気配管４１には排気ユニット４２が接続されている。排気配管４１には圧力制御バルブ４３が介装されている。排気ユニット４２により排気することにより処理容器１内を真空排気するとともに、圧力計（図示せず）により検出した圧力に基づいて、圧力制御バルブ４３を制御することにより、処理容器１内が所定の圧力に制御される。
【００３６】
処理装置１００は、制御ユニット５０を有している。制御ユニット５０は、典型的にはコンピュータからなり、処理装置１００の各部を制御するようになっている。制御ユニット５０は処理装置１００のプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従って所定の制御を行うことが可能である。
【００３７】
このように構成される処理装置１００により上記実施形態に従ってｈ−ＢＮ膜を形成するに際しては、まず、蓋部材５、６のいずれかを開放して、処理容器１内に被処理基板２２を搬入し、トレイ２１に収容させる。そして、開放した蓋部材を閉塞して、排気ユニット４２により処理容器１内を真空排気し、圧力制御バルブ４３により、処理容器１内を１３〜２６００Ｐａ（０．１〜２０Ｔｏｒｒ）に制御するとともに、ヒータ２３により処理容器１内の基板の温度を６００〜８００℃、例えば７００℃に加熱し、その温度に制御する。
【００３８】
次いで、処理ガス供給部３２から処理容器１内にＡｒガスを供給するとともに、ＲＦ電源１３からコイル状アンテナ１１にＲＦ電力を印加することによりプラズマ生成領域２に誘導結合プラズマＰが生成される。そして、プラズマが着火したタイミングで処理ガス供給部３２から５％Ｂ２Ｈ６／Ｈ２ガス、ＮＨ３ガスを処理容器１内に供給し、これらのガスもプラズマ化させる。
【００３９】
プラズマ生成領域２で生成された誘導結合プラズマＰは、排気流に随伴されて基板配置領域３に拡散し、この拡散したプラズマ、いわゆるリモートプラズマが被処理基板２２に作用する。このようにプラズマ生成領域２から拡散したプラズマは、高エネルギーで低電子温度のラジカル主体のプラズマであるため、被処理基板２２表面でＢ２Ｈ６ガスとＮＨ３ガスとによるＣＶＤ反応を促進することができる。このため、比較的低温で良好な結晶性のｈ−ＢＮ膜を形成することができる。また、触媒金属層が存在しない状態でもｈ−ＢＮ膜の形成が可能である。さらに、低電子温度のプラズマであることから、下地へのプラズマダメージも小さい。
【００４０】
＜実験例＞
次に、実験例について説明する。
【００４１】
［実験例１］
ここでは、図３のホットウォール型の処理装置に、Ｓｉ上にＳｉＯ２／ＴｉＮ／Ｎｉ積層構造（Ｎｉ膜厚１００ｎｍ）が形成された２５×２５ｍｍの被処理基板をセットし、Ｂ２Ｈ６ガスおよびＮＨ３ガスを供給して、リモートプラズマによるプラズマＣＶＤにより膜形成を行った（サンプル１）。処理容器内のベース圧力を４０Ｐａとし、ヒータにより被処理基板の温度を７００℃に上昇させ、プラズマＣＶＤに先立ってＨ２ガスによる表面処理を行った。この際の処理の温度チャートを図４に示す。
【００４２】
表面処理の条件は、温度：７００℃、圧力：２００Ｐａ、Ｈ２ガス流量：１００ｓｃｃｍ、時間：２０ｍｉｎとした。また、プラズマＣＶＤの条件は、温度：７００℃、圧力：１４００Ｐａ、Ｂ２Ｈ６ガス流量：０．１ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス流量：２．０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス流量：１．９ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量：２０ｓｃｃｍ、ＲＦパワー：２０Ｗ、時間：６０ｍｉｎとした。
【００４３】
また、Ｓｉ上にＳｉＯ２膜が形成された２５×２５ｍｍの被処理基板を用いて、サンプル１と同じ条件で膜形成を行ったサンプルも作成した（サンプル２）。
【００４４】
図５はサンプル１、２のラマンスペクトルを示し、図６はサンプル１のＴＥＭ像を示し、図７はサンプル２のＴＥＭ像を示す。
【００４５】
図５に示すように、サンプル１ではラマンスペクトルで１３７０ｃｍ−１に存在するｈ−ＢＮのピークが明確に存在しており、図６から、Ｎｉ界面にＢＮ層構造（結晶）が形成されていることが確認された。また、ＴＥＭ−ＥＥＳＬのエレメントマッピングにより、Ｎｉ表面にＢ、Ｎの元素が確認され、形成された層状構造がｈ−ＢＮであることが裏付けられた。
【００４６】
また、図５に示すように、サンプル２ではラマンスペクトルのｈ−ＢＮのピークがサンプル１よりも小さかった。また、図７から、ＳｉＯ２界面にＢＮ層が形成されていることが確認されたが、層成長の方向がＮｉ上に比べてランダムであり、多くがアモルファスとなっていることが確認された。
【００４７】
比較のため、サンプル１、２と同様の被処理基板に対し、Ｂ２Ｈ６ガスおよびＮＨ３ガスを供給して、プラズマを用いず熱ＣＶＤにより膜形成を行ったサンプルも作成した（サンプル３、４）。ここでは、被処理基板の温度を９００℃として表面処理およびＣＶＤ成膜を行った。表面処理の条件は、温度：９００℃、圧力：２２Ｐａ、Ｈ２ガス流量：１００ｓｃｃｍ、時間：２０ｍｉｎとした。また、熱ＣＶＤの条件は、温度：９００℃、圧力：２０Ｐａ、Ｂ２Ｈ６ガス流量：１ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス流量：２０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス流量：１９ｓｃｃｍ、時間：１５ｍｉｎとした。
【００４８】
図８はサンプル３、４のラマンスペクトルを示し、図９はサンプル３のＴＥＭ像を示す。なお、図９には、ＴＥＭのＦＦＴのパターンを合わせて示している。図８に示すように、ラマンスペクトルによりサンプル３ではｈ−ＢＮのピークが見られたが、サンプル４ではほぼアモルファスであることが確認された。また、図９に示すように、Ｎｉ界面で層状のＢＮが確認されたが、大部分はアモルファスであり、９００℃より低温化してｈ−ＢＮ膜を形成することは困難であることが確認された。
【００４９】
［実験例２］
次に、リモートプラズマによるプラズマＣＶＤで成膜したサンプル１のｈ−ＢＮ膜についてＸＰＳ分析を行った。図１０はサンプル１のＢ１ｓのスペクトル、図１１はサンプル１のＮ１ｓのスペクトル、図１２はサンプル１のＯ１ｓのスペクトルである。また、図１３はサンプル１のＸＰＳ分析による深さ方向の組成分析結果を示すものである。
【００５０】
図１０〜１３に示すように、リモートプラズマによるプラズマＣＶＤで成膜したサンプル１は、成膜温度が７００℃と比較的低温であるにもかかわらず、ｈ−ＢＮ膜中のＢは主にＮと結合を形成していることが確認された。
【００５１】
比較のため、温度を７００℃とした以外は、サンプル３と同様の条件で熱ＣＶＤにより成膜したサンプル５についてＸＰＳ分析を行った。図１４はサンプル５のＢ１ｓのスペクトル、図１５はサンプル５のＮ１ｓのスペクトル、図１６はサンプル５のＯ１ｓのスペクトルである。また、図１７はサンプル５のＸＳＰ分析による深さ方向の組成分析結果を示すものである。
【００５２】
図１４〜１７に示すように、７００℃で熱ＣＶＤにより成膜したサンプル５は、膜中のＢは主にＯと結合を形成し、酸化物となっていることが確認された。
【００５３】
＜他の適用＞
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、誘導結合プラズマで生成したプラズマを用いたが、プラズマの生成方式はこれに限るものではない。また、処理装置についても図３の装置は例示に過ぎず、種々の構成の処理装置を用いることができる。
【００５５】
また、ｈ−ＢＮ膜をするための被処理基板として、Ｓｉ等の半導体基体をベースとした半導体基板を有するものを例にとって説明したが、これに限るものではない。
【符号の説明】
【００５６】
１；処理容器
２；プラズマ生成領域
３；基板配置領域
１１；コイル状アンテナ
１３；ＲＦ電源
２２；被処理基板
２３；ヒータ
３２；処理ガス供給部
４２；排気ユニット
５０；制御ユニット
１００；処理装置
２００；被処理基板
２１０；ｈ−ＢＮ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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