(57)【要約】【課題】筐体内におけるスイッチング素子の放熱効率を向上させることができる電気機器のケース及び電力変換装置を提供する。【解決手段】ケース２は、筐体３と、ヒートシンク４と、を備える。ヒートシンク４は、基台４１と、第１のフィン４２と、第２のフィン４３と、を有する。基台４１は、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置される第１の面４１１と、第１の面４１１とは反対側の第２の面４１２と、を含む。第１のフィン４２は、第１の面４１１から突出する。第２のフィン４３は、第２の面４１２から突出する。第１のフィン４２は、筐体３の内部において、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち少なくとも１つよりも上に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスイッチング素子を収容する筐体と、
前記複数のスイッチング素子が配置される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を含む基台と、前記第１の面から突出する第１のフィンと、前記第２の面から突出する第２のフィンと、を有するヒートシンクと、を備え、
前記第１のフィンは、前記筐体の内部において、前記複数のスイッチング素子のうち少なくとも１つよりも上に配置される、
電気機器のケース。
【請求項２】
前記ヒートシンクは、前記筐体とは別体である、
請求項１に記載の電気機器のケース。
【請求項３】
前記筐体は、前記基台の前記第１の面との間に前記複数のスイッチング素子が配置された第１主面を有する基板を収容し、
前記第１のフィンの先端と前記基台との間の距離は、前記基板のうち前記第１主面とは反対側の第２主面と前記基台との間の距離よりも長い、
請求項１又は２に記載の電気機器のケース。
【請求項４】
前記第１のフィンの熱伝導率は、前記筐体の熱伝導率よりも大きい、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項５】
前記筐体には、コンデンサが収容され、
前記ヒートシンクは、前記コンデンサから離れて配置される、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項６】
前記筐体には、コンデンサが収容され、
前記複数のスイッチング素子は、前記コンデンサよりも上に配置される、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項７】
前記複数のスイッチング素子のうち一部のスイッチング素子と前記第１のフィンとは、水平方向において並ぶ、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項８】
前記第１のフィンは、前記複数のスイッチング素子の全てよりも上に配置される、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項９】
前記第１のフィンは、前記基台に取り付けられている、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項１０】
前記第１のフィンは、前記基台と一体である、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項１１】
前記第２のフィンは、前記筐体の外部に露出している、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電気機器のケースと、
前記複数のスイッチング素子を含み、前記電気機器のケースに収容され、前記複数のスイッチング素子を駆動することにより、入力電力を所定の電力に変換して出力する電力変換部と、を備える、
電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は電気機器のケース及び電力変換装置に関し、より詳細には、ヒートシンクを備える電気機器のケース及びこの電気機器のケースを備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１記載のパワーコンディショナ（電力変換装置）は、電力変換部を備えている。電力変換部は、パワーデバイスを有している。パワーデバイスはＩＰＭ（インテリジェントパワーモジュール）に集約され、該ＩＰＭは電力変換部の主基板の裏面側の中央部に実装されている。また、ＩＰＭの裏面側にはＩＰＭを冷却するためのヒートシンクが設けられている。一方、主基板の前面側には、ＤＣリンク部や、その他のキャパシタを構成する複数の電解コンデンサが実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０４６９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１記載のパワーコンディショナでは、パワーデバイス（例えば、スイッチング素子）で発生する熱が、電解コンデンサ等の温度上昇を引き起こすことがあった。そのため、スイッチング素子等のパワーデバイスの放熱効率の向上を求められることがあった。
【０００５】
本開示は、筐体内におけるスイッチング素子の放熱効率を向上させることができる電気機器のケース及び電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る電気機器のケースは、筐体と、ヒートシンクと、を備える。前記筐体は、複数のスイッチング素子を収容する。前記ヒートシンクは、基台と、第１のフィンと、第２のフィンと、を有する。前記基台は、前記複数のスイッチング素子が配置される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を含む。前記第１のフィンは、前記第１の面から突出する。前記第２のフィンは、前記第２の面から突出する。前記第１のフィンは、前記筐体の内部において、前記複数のスイッチング素子のうち少なくとも１つよりも上に配置される。
【０００７】
本開示の一態様に係る電力変換装置は、前記電気機器のケースと、電力変換部と、を備える。前記電力変換部は、前記複数のスイッチング素子を含み、前記電気機器のケースに収容される。前記電力変換部は、前記複数のスイッチング素子を駆動することにより、入力電力を所定の電力に変換して出力する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示は、筐体内におけるスイッチング素子の放熱効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る電気機器のケースを備える電力変換装置の断面図である。
【図２】図２は、同上の電力変換装置の内部の正面図である。
【図３】図３は、同上の電力変換装置の内部の斜視図である。
【図４】図４は、一実施形態との比較例に係る電力変換装置の内部の斜視図である。
【図５】図５は、一実施形態の変形例１に係る電力変換装置の内部の正面図である。
【図６】図６は、一実施形態の変形例２に係る電力変換装置の内部の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態に係る電気機器のケース及び電力変換装置について、図面を用いて説明する。ただし、下記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の１つに過ぎない。下記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。また、下記の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１１】
本実施形態において、電気機器は、より詳細には、電力変換装置１である。電気機器のケースは、より詳細には、電力変換装置１のケース２である。図１〜３に示すように、電力変換装置１は、ケース２と、電力変換部６とを備えている。ケース２は、電力変換部６を収容している。ここで、図１は、図２のＸ１−Ｘ１断面に対応する断面図である。
【００１２】
電力変換部６は、複数（図２では２４個）のスイッチング素子ＳＷ１と、複数（図２では１２個）のコンデンサＣ１と、基板７とを有している。複数のスイッチング素子ＳＷ１の各々は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、又はＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。複数のスイッチング素子ＳＷ１は、一例としてＩＰＭ（Intelligent Power Module）に集約されていてもよい。複数のコンデンサＣ１の各々は、例えば、電解コンデンサである。電力変換装置１は、電源回路が形成された電源基板を更に備えている。電源回路は、例えば、リニアレギュレータを含み、外部電源から入力される電力に基づいて、複数のスイッチング素子ＳＷ１の駆動等に要する所定の電力を生成する。
【００１３】
電力変換部６は、複数のスイッチング素子ＳＷ１を駆動することにより、入力電力を所定の電力に変換して出力する。本実施形態では、電力変換部６は、直流電力をＤＣ−ＤＣ変換するＤＣ−ＤＣコンバータを含む。また、電力変換部６は、直流電力と交流電力とを双方向に変換するインバータ回路を含む。電力変換部６は、複数レベルの電圧を出力可能なマルチレベル電力変換回路を構成している。マルチレベル電力変換回路は、フライングキャパシタ回路を含み、複数のコンデンサＣ１は、例えば、フライングキャパシタ回路の一部である。
【００１４】
複数のスイッチング素子ＳＷ１及び複数のコンデンサＣ１は、基板７に実装されている。基板７は、第１主面７０１と、第２主面７０２とを含む。第１主面７０１には、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置されている。第２主面７０２には、複数のコンデンサＣ１が配置されている。
【００１５】
基板７は、第１部位７１と、第２部位７２とを有している（図２参照）。第１部位７１の形状は、矩形板状である。第１部位７１には、複数のコンデンサＣ１と、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち一部のスイッチング素子ＳＷ１とが配置されている。第２部位７２は、第１部位７１よりも小さい。第２部位７２の形状は、矩形板状である。第２部位７２は、第１部位７１の一の短辺（図２における上辺）の中央から突出している。第２部位７２は、第１部位７１と面一である。第２部位７２には、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち一部のスイッチング素子ＳＷ１が配置されている。
【００１６】
ケース２は、筐体３と、ヒートシンク４とを備えている。
【００１７】
ヒートシンク４は、例えば、アルミニウムを材料として形成されている。ヒートシンク４は、筐体３とは別体である。ヒートシンク４は、筐体３に取り付けられている。
【００１８】
筐体３は、例えば、合成樹脂を材料として形成されている。筐体３は、電気絶縁性を有している。筐体３の外形は、直方体状である。筐体３は、ケース２の外壁の一部を構成している。筐体３は、複数のスイッチング素子ＳＷ１及び複数のコンデンサＣ１を収容している。また、筐体３は、基板７を収容している。
【００１９】
筐体３は、例えば、建物の壁等に取り付けられる。筐体３のうち、壁に取り付けられているときに壁と対向する面を、筐体３の後面３０２とし、後面３０２とは反対側の面を、筐体３の前面３０１とする。以下の説明において、後面３０２から見て前面３０１側を前とし、前面３０１から見て後面３０２側を後とする。また、以下の説明において、上下について言及する場合は、上下とは、筐体３が壁等に取り付けられている場合の上下を意味する。図２の紙面上が、以下の説明における「上」に対応し、図２の紙面下が、以下の説明における「下」に対応する。なお、上記の方向の規定は、電力変換装置１の使用形態を限定する趣旨ではない。
【００２０】
ヒートシンク４は、基台４１と、複数（６つ。図２参照）の第１のフィン４２と、複数の第２のフィン４３とを有している。基台４１は、板状である。図１に示すように、基台４１は、第１の面４１１と、第２の面４１２とを含む。第１の面４１１及び第２の面４１２は、基台４１の厚さ方向と交差する面である。第２の面４１２は、第１の面４１１とは反対側の面である。
【００２１】
第１の面４１１には、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置されている。つまり、複数のスイッチング素子ＳＷ１は、基台４１の第１の面４１１と、基板７の第１主面７０１との間に配置されている。より詳細には、第１の面４１１には、複数のスイッチング素子ＳＷ１が接している。なお、第１の面４１１と複数のスイッチング素子ＳＷ１との間には、熱伝導シート等の部材が挟まれていてもよい。熱伝導シートは、例えば、シリコーン樹脂材料にシリコーン樹脂材料よりも熱伝導率の高いフィラーを含有させた材料からなる。つまり、複数のスイッチング素子ＳＷ１は、ヒートシンク４の第１の面４１１に直接配置されていてもよいし、熱伝導シートを介して間接的に配置されていてもよい。
【００２２】
複数の第１のフィン４２は、基台４１の第１の面４１１から前向き（つまり、第２の面４１２から第１の面４１１へ向かう向き）に突出している。複数の第２のフィン４３は、基台４１の第２の面４１２から後向き（つまり、第１の面４１１から第２の面４１２へ向かう向き）に突出している。複数の第１のフィン４２及び複数の第２のフィン４３の各々は、矩形板状である。複数の第１のフィン４２は、基台４１と一体である。前から見て、複数の第１のフィン４２の長手方向は、上下方向に沿っている（図２参照）。複数の第１のフィン４２は、図２の紙面左右方向（複数の第１のフィン４２の厚さ方向）に並んでいる。複数の第２のフィン４３は、基台４１と一体である。後ろから見て、複数の第２のフィン４３の長手方向は、上下方向に沿っている。複数の第２のフィン４３は、図１の紙面奥行き方向（複数の第２のフィン４３の厚さ方向）に並んでいる。
【００２３】
複数の第１のフィン４２は、基台４１の第１の面４１１の一部の領域のみに設けられている。ヒートシンク４の基台４１の長手方向（上下方向）において、複数の第１のフィン４２の各々の長さＡ１（図１参照）は、複数の第２のフィン４３の各々の長さＡ２（図１参照）よりも短い。基台４１の長手方向において、複数の第２のフィン４３の各々の長さＡ２は、基台４１の長手方向の長さと略等しい。基台４１の長手方向において、複数の第１のフィン４２の各々の長さＡ１は、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置されている領域の長さＡ３（図２参照）よりも短い。
【００２４】
ヒートシンク４において、複数の第１のフィン４２の先端（前端）と基台４１との間の距離Ａ４は、基板７の第２主面７０２と基台４１との間の距離Ａ５よりも長い。ここで、第２主面７０２は、基板７のうち複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置された第１主面７０１とは反対側の面である。
【００２５】
基板７のうち、ヒートシンク４の基台４１と対向する面は、第１主面７０１である。複数のコンデンサＣ１は、第２主面７０２に配置されている。そのため、複数のコンデンサＣ１とヒートシンク４との間に基板７が介在することになる。つまり、ヒートシンク４は、複数のコンデンサＣ１から離れて配置されている。
【００２６】
図２に示すように、複数のスイッチング素子ＳＷ１は、複数のコンデンサＣ１よりも上に配置されている。複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち一部のスイッチング素子ＳＷ１と、複数の第１のフィン４２とは、水平方向において並んでいる。より詳細には、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち、基板７の第２部位７２に配置された複数（４個）のスイッチング素子ＳＷ１が、複数の第１のフィン４２に対して水平方向において並んでいる。より詳細には、基板７の短手方向（図２の紙面左右方向）において、３つの第１のフィン４２と、第２部位７２に配置された複数（４個）のスイッチング素子ＳＷ１と、複数の第１のフィン４２のうち残りの複数（３つ）の第１のフィン４２とがこの順に並んでいる。
【００２７】
また、複数の第１のフィン４２は、筐体３の内部において、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち少なくとも１つよりも上に配置されている。より詳細には、複数の第１のフィン４２は、筐体３の内部において、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち、基板７の第１部位７１に配置された複数（２０個）のスイッチング素子ＳＷ１よりも上に配置されている。
【００２８】
図１に示すように、筐体３の後面３０２には、挿通孔３０４が形成されている。挿通孔３０４には、ヒートシンク４の基台４１が嵌め込まれている。さらに、ヒートシンク４は、筐体３にねじ止めされている。基台４１は、ケース２の外壁の一部を構成している。基台４１の第１の面４１１は、ケース２の内面の一部を構成している。ヒートシンク４の複数の第１のフィン４２は、基台４１から前方に突出している。そのため、複数の第１のフィン４２は、筐体３の内部に位置している。ヒートシンク４の複数の第２のフィン４３は、基台４１から後方に突出している。そのため、複数の第２のフィン４３は、筐体３の外部に露出している。
【００２９】
複数の第１のフィン４２の各々の熱伝導率は、筐体３の熱伝導率よりも大きい。複数の第１のフィン４２の各々の熱伝導率は、筐体３の熱伝導率の１００倍以上であることが好ましい。ヒートシンク４は、例えば、アルミニウムを材料として形成されている。一例として、ヒートシンク４の複数の第１のフィン４２の各々の熱伝導率は１１０〜２４０［Ｗ／ｍ・Ｋ］程度である。筐体３は、例えば、合成樹脂を材料として形成されている。一例として、筐体３の熱伝導率は１［Ｗ／ｍ・Ｋ］未満である。
【００３０】
図３に示すように、ケース２は、第１のカップ２１と、第２のカップ２２とを更に備えている。第１のカップ２１の形状は、前面に開口部２１１を有する箱状である。第２のカップ２２の形状は、前面に開口部２２１を有する箱状である。電力変換部６は、複数のリアクトルを有しており、第１のカップ２１及び第２のカップ２２にはそれぞれ、少なくとも１つのリアクトルが収容されている。
【００３１】
筐体３の後面３０２には、第１のカップ２１が嵌め込まれる開口部と、第２のカップ２２が嵌め込まれる開口部とが形成されている。第１のカップ２１及び第２のカップ２２は、筐体３の後面３０２から後方に突出している。第１のカップ２１及び第２のカップ２２は、上下に並んでいる。
【００３２】
電力変換装置１は、入力フィルタ６２と、出力フィルタ６３と、入力フィルタ６２及び出力フィルタ６３が実装された基板６４とを更に備えている。
【００３３】
基板６４は、筐体３に取り付けられている。基板６４の厚さ方向は、前後方向に沿っている。入力フィルタ６２及び出力フィルタ６３は、基板６４の前面６４１に配置されている。基板６４の前面６４１とは、基板６４の厚さ方向と交差する２面のうち、前側の面である。
【００３４】
入力フィルタ６２及び出力フィルタ６３は、例えば、ローパスフィルタである。電力変換装置１に入力された電力は、入力フィルタ６２により高周波成分を減衰され、電力変換部６へ出力される。電力変換部６から出力された電力は、出力フィルタ６３により高周波成分を減衰され、電力変換装置１の外部へ出力される。
【００３５】
図４に、実施形態の電力変換装置１との比較例に係る電力変換装置１Ｐを示す。比較例の電力変換装置１Ｐは、ヒートシンク４Ｐが、複数の第１のフィン４２と複数の第２のフィン４３とのうち、複数の第１のフィン４２を有していない点で実施形態の電力変換装置１と相違する。また、比較例の電力変換装置１Ｐは、基板７Ｐが、ヒートシンク４Ｐの基台４１のうち、実施形態において複数の第１のフィン４２が設けられている領域を覆っている点で実施形態の電力変換装置１と相違する。
【００３６】
実施形態の電力変換装置１では、ヒートシンク４が複数の第１のフィン４２を有しているので、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱を複数の第１のフィン４２で吸熱し、複数の第２のフィン４３で排熱することができる。これにより、電力変換装置１では、比較例の電力変換装置１Ｐと比較して、筐体３内の温度上昇を低減できる。したがって、複数のコンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。その結果、複数のコンデンサＣ１の寿命を延ばすことができる。
【００３７】
熱解析シミュレーションにより、実施形態の電力変換装置１と比較例の電力変換装置１Ｐとのそれぞれについて、各コンデンサＣ１の温度上昇値を検証した。その結果、実施形態の電力変換装置１では、比較例の電力変換装置１Ｐと比較して、各コンデンサＣ１の温度上昇値は約４％減少した。
【００３８】
なお、実施形態では、複数のスイッチング素子ＳＷ１の周囲の空気の少なくとも一部は、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱により温まり、比重が軽くなって上昇し、複数の第１のフィン４２に到達する。このような空気の移動を妨げないために、筐体３の内部には、ファンを設けていない。
【００３９】
複数の第１のフィン４２は、筐体３の内部において、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち少なくとも１つよりも上に配置されているので、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱は、上昇して複数の第１のフィン４２に到達しやすい。このため、実施形態の電力変換装置１では、複数の第１フィン４２が上記以外の位置に配置される場合と比較して、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱を複数の第１フィン４２が吸熱しやすい。
【００４０】
また、基板７は第１部位７１を有しているだけではなく、第１のフィン４２と水平方向において並ぶ位置に第２部位７２を有しているので、基板７が第１部位７１のみを有している場合と比較して、基板７の面積を大きくできる。
【００４１】
（変形例１）
以下、実施形態の変形例１について、図５を用いて説明する。実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
本変形例の電力変換装置１Ａでは、電力変換部６Ａの基板７Ａは、第１部位７１及び第２部位７２（図２参照）とのうち、第２部位７２を有していない。そのため、複数のスイッチング素子ＳＷ１は、全て第１部位７１に配置されている。
【００４３】
ケース２Ａのヒートシンク４Ａにおいて、第１のフィン４２は、実施形態で第２部位７２が配置されていた領域にも設けられていることが好ましい。これにより、実施形態と比較して第１のフィン４２の個数を増やせるので、ヒートシンク４Ａの吸熱効率が高まる。したがって、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱をヒートシンク４Ａを介して効率的に排熱できる。
【００４４】
複数の第１のフィン４２は、複数のスイッチング素子ＳＷ１の全てよりも上に配置される。これにより、複数の第１のフィン４２と複数のスイッチング素子ＳＷ１との位置関係が逆の場合と比較して、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生して上昇する熱を、複数の第１のフィン４２が吸熱しやすい。
【００４５】
本変形例によれば、実施形態と比較して、ヒートシンク４による吸熱効率を高め、筐体３内の温度上昇を低減できる。その結果、複数のコンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。
【００４６】
（変形例２）
以下、実施形態の変形例２について、図６を用いて説明する。実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４７】
本変形例の電力変換装置１Ｂでは、電力変換部６Ｂの基板７Ｂの第１部位７１Ｂには、複数（図６では３つ）の貫通孔７１０が形成されている。平面視において、各貫通孔７１０の形状は長方形状である。平面視において、各貫通孔７１０の長手方向は、上下方向に沿っている。各貫通孔７１０は、複数のスイッチング素子ＳＷ１の間に形成されている。
【００４８】
ケース２Ｂのヒートシンク４Ｂにおいて、複数の第１のフィン４２のうち一部の第１のフィン４２は、複数の貫通孔７１０に通されている。より詳細には、１つの貫通孔７１０につき１つの第１のフィン４２が通されている。貫通孔７１０に通された第１のフィン４２は、基板７Ｂの第２主面７０２よりも前へ突出している。
【００４９】
本変形例によれば、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱を、貫通孔７１０に通された第１のフィン４２が吸熱できる。しかも、貫通孔７１０に通された第１のフィン４２は、複数のスイッチング素子ＳＷ１に隣接している。したがって、貫通孔７１０に通された第１のフィン４２が存在しない場合と比較して、ヒートシンク４による吸熱効率を高め、筐体３内の温度上昇を低減できる。その結果、複数のコンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。
【００５０】
本変形例は、変形例１と組み合わせて実現されてもよい。
【００５１】
（実施形態のその他の変形例）
次に、実施形態のその他の変形例を列挙する。以下の変形例は、適宜組み合わせて実現されてもよい。また、以下の変形例は、変形例１及び２の少なくとも一方と適宜組み合わせて実現されてもよい。
【００５２】
実施形態のヒートシンク４において、複数の第１のフィン４２は、基台４１と一体であるが、複数の第１のフィン４２のうち少なくとも１つは、基台４１と別体であって、基台４１に取り付けられていてもよい。複数の第１のフィン４２のうち少なくとも１つは、例えば、溶接又は接着により基台４１に取り付けられていてもよい。
【００５３】
また、複数の第２のフィン４３のうち少なくとも１つは、基台４１と別体であって、基台４１に取り付けられていてもよい。複数の第２のフィン４３のうち少なくとも１つは、例えば、溶接又は接着により基台４１に取り付けられていてもよい。
【００５４】
ヒートシンク４は、複数個に分割されていてもよい。
【００５５】
ヒートシンク４の複数の第１のフィン４２のうち少なくとも１つにおいて、前から見て複数の第１のフィン４２の長手方向は、上下方向と交差する方向であってもよい。つまり、複数の第１のフィン４２の各々は、長手方向が上下方向に沿うように配置されていなくてもよい。
【００５６】
また、ケース２は、例えば前面３０１から見て後面３０２が重力方向において下となり、後面３０２から見て前面３０１が重力方向において上となるように設置されてもよい。その場合、複数の第１のフィン４２は、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち少なくとも１つよりも上に配置されることが好ましい。具体的には、複数の第１のフィン４２は、基板７と前面３０１との間に配置されることが好ましい。
【００５７】
基台４１の第１の面４１１には、第１のフィン４２を囲むように溝が形成されていてもよい。ここで、溝は、複数の第１のフィン４２のうち少なくとも１つの周りに形成される。第１の面４１１に溝が形成されることで、基台４１では、溝を越えて熱の移動が起こりにくくなる。つまり、基台４１において、溝が形成された領域の熱抵抗が増加する。これにより、基台４１のうち、溝に囲まれた第１のフィン４２の基端では、温度が低下する。その結果、第１のフィン４２による放熱効率を高めることができる。
【００５８】
（まとめ）
以上説明した実施形態等から、以下の態様が開示されている。
【００５９】
第１の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）は、筐体３と、ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）と、を備える。筐体３は、複数のスイッチング素子ＳＷ１を収容する。ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）は、基台４１と、第１のフィン４２と、第２のフィン４３と、を有する。基台４１は、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置される第１の面４１１と、第１の面４１１とは反対側の第２の面４１２と、を含む。第１のフィン４２は、第１の面４１１から突出する。第２のフィン４３は、第２の面４１２から突出する。第１のフィン４２は、筐体３の内部において、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち少なくとも１つよりも上に配置される。
【００６０】
上記の構成によれば、複数のスイッチング素子ＳＷ１から放出されて上昇する熱を、第１のフィン４２が吸熱して、第２のフィン４３から放熱することができる。したがって、複数のスイッチング素子ＳＷ１の放熱効率が向上する。
【００６１】
また、第２の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１の態様において、ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）は、筐体３とは別体である。
【００６２】
上記の構成によれば、ヒートシンク４と筐体３とを個別に設計可能である。
【００６３】
また、第３の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１又は２の態様において、筐体３は、基板７（又は７Ａ、７Ｂ）を収容する。基板７（又は７Ａ、７Ｂ）は、第１主面（７０１）を有する。第１主面（７０１）と基台４１の第１の面４１１との間には、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置される。第１のフィン４２の先端と基台４１との間の距離Ａ４は、基板７（又は７Ａ、７Ｂ）のうち第１主面（７０１）とは反対側の第２主面（７０２）と基台４１との間の距離Ａ５よりも長い。
【００６４】
上記の構成によれば、距離Ａ４と距離Ａ５との大小関係が逆である場合と比較して、複数のスイッチング素子ＳＷ１からの熱を第１のフィン４２が吸熱しやすい。
【００６５】
また、第４の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、第１のフィン４２の熱伝導率は、筐体３の熱伝導率よりも大きい。
【００６６】
上記の構成によれば、第１のフィン４２の熱伝導率と筐体３の熱伝導率との大小関係が逆である場合と比較して、複数のスイッチング素子ＳＷ１からの熱を第１のフィン４２が吸熱しやすい。
【００６７】
また、第５の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、筐体３には、コンデンサＣ１が収容される。ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）は、コンデンサＣ１から離れて配置される。
【００６８】
上記の構成によれば、複数のスイッチング素子ＳＷ１からの熱がヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）を介してコンデンサＣ１に伝わる可能性を低減できる。これにより、コンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。
【００６９】
また、第６の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜５の態様のいずれか１つにおいて、筐体３には、コンデンサＣ１が収容される。複数のスイッチング素子ＳＷ１は、コンデンサＣ１よりも上に配置される。
【００７０】
上記の構成によれば、ヒートシンク４から放射される熱がコンデンサＣ１に伝わる可能性を低減できる。これにより、コンデンサＣ１の温度上昇を抑制できる。
【００７１】
また、第７の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ｂ）では、第１〜６の態様のいずれか１つにおいて、複数のスイッチング素子ＳＷ１のうち一部のスイッチング素子ＳＷ１と第１のフィン４２とは、水平方向において並ぶ。
【００７２】
上記の構成によれば、複数のスイッチング素子ＳＷ１を配置するスペースを確保しやすい。
【００７３】
また、第８の態様に係る電気機器のケース２Ａでは、第１〜６の態様のいずれか１つにおいて、第１のフィン４２は、複数のスイッチング素子ＳＷ１の全てよりも上に配置される。
【００７４】
上記の構成によれば、複数のスイッチング素子ＳＷ１から放出されて上昇する熱を、第１のフィン４２が吸熱しやすい。
【００７５】
また、第９の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜８の態様のいずれか１つにおいて、第１のフィン４２は、基台４１に取り付けられている。
【００７６】
上記の構成によれば、第１のフィン４２が基台４１と一体成形される場合と比較して、第１のフィン４２及び基台４１の成形が容易である。
【００７７】
また、第１０の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜８の態様のいずれか１つにおいて、第１のフィン４２は、基台４１と一体である。
【００７８】
上記の構成によれば、第１のフィン４２と基台４１とが別個の部材である場合と比較して、ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）における部材の数を減らせる。
【００７９】
また、第１１の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜１０の態様のいずれか１つにおいて、第２のフィン４３は、筐体３の外部に露出している。
【００８０】
上記の構成によれば、ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）は、第２のフィン４３から筐体３の外部へ放熱できる。したがって、ヒートシンク４（又は４Ａ、４Ｂ）の放熱効率が向上する。
【００８１】
第１の態様以外の構成については、電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
【００８２】
また、第１２の態様に係る電力変換装置１（又は１Ａ、１Ｂ）では、第１〜１１の態様のいずれか１つに係るケース２（又は２Ａ、２Ｂ）と、電力変換部６（又は６Ａ、６Ｂ）と、を備える。電力変換部６（又は６Ａ、６Ｂ）は、複数のスイッチング素子ＳＷ１を含み、電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）に収容される。電力変換部６（又は６Ａ、６Ｂ）は、複数のスイッチング素子ＳＷ１を駆動することにより、入力電力を所定の電力に変換して出力する。
【００８３】
上記の構成によれば、複数のスイッチング素子ＳＷ１から放出されて上昇する熱を、第１のフィン４２が吸熱して、第２のフィン４３から放熱することができる。したがって、複数のスイッチング素子ＳＷ１の放熱効率が向上する。
【符号の説明】
【００８４】
１、１Ａ、１Ｂ  電力変換装置
２、２Ａ、２Ｂ  ケース
３  筐体
４、４Ａ、４Ｂ  ヒートシンク
４１  基台
４１１  第１の面
４１２  第２の面
４２  第１のフィン
４３  第２のフィン
６、６Ａ、６Ｂ  電力変換部
７、７Ａ、７Ｂ  基板
７０１  第１主面
７０２  第２主面
Ａ４  距離
Ａ５  距離
Ｃ１  コンデンサ
ＳＷ１  スイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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