(57)【要約】【課題】複数の回路部の間における、めっき厚のバラつきを抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面及び裏面を有する第１絶縁層と、第１絶縁層の表面に配置された配線部と、表面及び裏面を有すると共に、第１絶縁層の表面側に配置された第２絶縁層と、第１絶縁層の側縁に配置されると共に、配線部に電気的に接続された端子部とを備える配線基板である。配線部は、それぞれ個別の回路を構成する複数の回路部と、複数の回路部と端子部とを電気的に接続する補助配線部と、第２絶縁層に被覆されず、かつ、複数の回路部と補助配線部の一部とを被覆するめっき層とを有する。めっき層は、補助配線部上で端子部からの経路長が一定以上となる離間領域において、補助配線部を被覆する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面を有する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の表面に配置された配線部と、
表面及び裏面を有すると共に、前記第１絶縁層の表面側に配置された第２絶縁層と、
前記第１絶縁層の側縁に配置されると共に、前記配線部に電気的に接続された少なくとも１つの端子部と、
を備える配線基板であって、
前記配線部は、
それぞれ個別の回路を構成する複数の回路部と、
前記複数の回路部と前記少なくとも１つの端子部とを電気的に接続する補助配線部と、
前記第２絶縁層に被覆されず、かつ、前記複数の回路部と前記補助配線部の一部とを被覆するめっき層と、
を有し、
前記めっき層は、前記補助配線部上で前記少なくとも１つの端子部からの経路長が一定以上となる離間領域において、前記補助配線部を被覆する、配線基板。
【請求項２】
前記補助配線部は、
前記少なくとも１つの端子部から延伸する幹部と、
前記幹部と前記複数の回路部とを連結する複数の枝部と、
を有し、
前記めっき層は、前記幹部のうち前記離間領域にある部分を少なくとも被覆する、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層の平面形状は四角形であり、
前記少なくとも１つの端子部は、前記第１絶縁層の１つの側縁に配置される、請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記複数の回路部は、前記補助配線部によって、一方向に隣接する他の回路部とのみ互いに連結される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記めっき層の平均厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記補助配線部のうち、前記複数の回路部を個片化するための切断予定線と重なる部分は、前記第２絶縁層で被覆される、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の表面に配置された配線部と、前記第１絶縁層の表面側に配置された第２絶縁層と、前記第１絶縁層の側縁に配置されると共に、前記配線部に電気的に接続された少なくとも１つの端子部と、を備える配線基板の製造方法であって、
前記第１絶縁層と、前記少なくとも１つの端子部と、それぞれ個別の回路を構成する複数の回路部と、前記複数の回路部と前記少なくとも１つの端子部とを電気的に接続する補助配線部と、前記第２絶縁層とを有する積層体を用意する工程と、
電解めっきを用い、前記複数の回路部と、前記補助配線部のうち前記第２絶縁層に被覆されていない露出部分とにめっき層を形成する工程と、
を備え、
前記積層体を用意する工程では、前記複数の回路部と、前記補助配線部上で前記少なくとも１つの端子部からの経路長が一定以上となる離間領域とを前記露出部分とする、配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記積層体を用意する工程において、前記補助配線部のうち、前記複数の回路部を個片化するための切断予定線と重なる部分を前記第２絶縁層で被覆する、請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記めっき層の形成後、前記積層体の切断により、前記複数の回路部を個片化する工程をさらに備える、請求項７又は請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板、及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁層と回路部とを備える配線基板の製造過程において、通常、複数の配線基板が１つのシートにまとめられた多数個取り配線基板が製造される。最終製品の配線基板は、多数個取り配線基板が複数に分割され、個片化されることで得られる。個片化された配線基板には、それぞれ回路部が設けられる。
【０００３】
絶縁層に回路部を形成する方法として、めっきを用いたセミアディティブ法が公知である。セミアディティブ法では、絶縁層に設けた導電性の下地層に対し、回路部を形成しない部分を絶縁材でマスクしてから電解めっきを行うことで、回路部を形成する。
【０００４】
多数個取り配線基板においては、複数の回路部それぞれに電気を導通させるために、めっきにおける接点（つまり端子部）と、複数の回路部とを電気的に接続する補助配線部が設けられる。補助配線部は、回路部を構成しないため、絶縁材によって被覆される。
【０００５】
このような多数個取り配線基板において、電解めっきで回路部を形成する際に、回路部の間でめっき厚にバラつきが生じることがある。そこで、ダミーめっきパターンを設けることで、めっき厚のバラつきを低減する方法が考案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−８８２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のようにダミーめっきパターンを設けることで、めっき膜の成長速度が制限されるため、めっき厚のバラつきを低減できる。しかし、この方法によるめっき厚のバラつきの低減には限界がある。
【０００８】
本開示の一局面は、複数の回路部の間におけるめっき厚のバラつきを抑制できる配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討した結果、配線基板におけるめっき用の端子部との距離によって補助配線部による回路部までの経路における総抵抗値の差異に起因して、めっき厚にバラつきが生じることを見出した。
【００１０】
この知見に基づいた本開示の一態様は、表面及び裏面を有する第１絶縁層と、第１絶縁層の表面に配置された配線部と、表面及び裏面を有すると共に、第１絶縁層の表面側に配置された第２絶縁層と、第１絶縁層の側縁に配置されると共に、配線部に電気的に接続された少なくとも１つの端子部と、を備える配線基板である。
【００１１】
配線部は、それぞれ個別の回路を構成する複数の回路部と、複数の回路部と少なくとも１つの端子部とを電気的に接続する補助配線部と、第２絶縁層に被覆されず、かつ、複数の回路部と補助配線部の一部とを被覆するめっき層と、を有する。めっき層は、補助配線部上で少なくとも１つの端子部からの経路長が一定以上となる離間領域において、補助配線部を被覆する。
【００１２】
このような構成によれば、端子部からの経路長が一定以上となる離間領域においてめっき層が補助配線部を被覆しているため、離間領域における補助配線部の抵抗値が低減される。そのため、端子部からの経路が長い回路部までの抵抗値と、端子部の近くに配置された回路部までの抵抗値との差を小さくできる。その結果、複数の回路部の間におけるめっき厚のバラつきを抑制できる。
【００１３】
また、本開示によれば、めっき用の端子部の数を増加させることなく、端子部から複数の回路部までの抵抗値の差を小さくすることができるので、配線基板の生産効率の低下が避けられる。
【００１４】
本開示の一態様では、補助配線部は、少なくとも１つの端子部から延伸する幹部と、幹部と複数の回路部とを連結する複数の枝部と、を有してもよい。めっき層は、幹部のうち離間領域にある部分を少なくとも被覆してもよい。このような構成によれば、各回路部までの経路における総抵抗値に大きく影響する幹部の抵抗値が低減されるので、複数の回路部の間におけるめっき厚のバラつきを容易かつ確実に低減できる。
【００１５】
本開示の一態様では、第１絶縁層の平面形状は四角形であってもよい。少なくとも１つの端子部は、第１絶縁層の１つの側縁に配置されてもよい。本開示によれば、このように１つの側縁のみに端子部が配置可能な配線基板に対しても、めっき厚のバラつきを低減することができる。
【００１６】
本開示の一態様では、複数の回路部は、補助配線部によって、一方向に隣接する他の回路部とのみ互いに連結されてもよい。本開示によれば、回路部の配置の制約から、複数の回路部が一方向にのみ連結された配線基板に対しても、めっき厚のバラつきを低減することができる。
【００１７】
本開示の一態様では、めっき層の平均厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下であってもよい。このような構成によれば、一定のめっき厚を有しつつ、めっき厚のバラつきが低減された配線基板を得ることができる。
【００１８】
本開示の一態様では、補助配線部のうち、複数の回路部を個片化するための切断予定線と重なる部分は、第２絶縁層で被覆されてもよい。このような構成によれば、切断予定線と重なる部分にめっき層が形成されないため、配線基板が切断し易くなる。そのため、配線基板の切断作業における作業性の低下を抑制できる。
【００１９】
本開示の別の態様は、第１絶縁層と、第１絶縁層の表面に配置された配線部と、第１絶縁層の表面側に配置された第２絶縁層と、第１絶縁層の側縁に配置されると共に、配線部に電気的に接続された少なくとも１つの端子部と、を備える配線基板の製造方法である。
【００２０】
配線基板の製造方法は、第１絶縁層と、少なくとも１つの端子部と、それぞれ個別の回路を構成する複数の回路部と、複数の回路部と少なくとも１つの端子部とを電気的に接続する補助配線部と、第２絶縁層とを有する積層体を用意する工程と、電解めっきを用い、複数の回路部と、補助配線部のうち第２絶縁層に被覆されていない露出部分とにめっき層を形成する工程とを備える。積層体を用意する工程では、複数の回路部と、補助配線部上で少なくとも１つの端子部からの経路長が一定以上となる離間領域とを露出部分とする。
【００２１】
このような構成によれば、端子部からの経路長が一定以上となる離間領域において補助配線部にめっき層が形成されるため、離間領域における補助配線部の抵抗値が低減される。そのため、端子部から離間領域に配置された回路部までの抵抗値と、端子部から他の領域に配置された回路部までの抵抗値との差を小さくできる。その結果、複数の回路部の間におけるめっき厚のバラつきを抑制できる。
【００２２】
本開示の一態様では、積層体を用意する工程において、補助配線部のうち、複数の回路部を個片化するための切断予定線と重なる部分を第２絶縁層で被覆してもよい。このような構成によれば、切断予定線と重なる部分がめっきされないので、配線基板の切断作業における作業性の低下を抑制しつつ、めっき厚のバラつきを低減できる。
【００２３】
本開示の一態様では、めっき層の形成後、積層体の切断により、複数の回路部を個片化する工程をさらに備えてもよい。このような構成によれば、個片化された複数の配線基板をめっき厚のバラつきが抑制された状態で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１Ａは、実施形態の配線基板の模式的な平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩＢ−ＩＢ線での模式的な断面図である。
【図２】図１とは異なる実施形態の配線基板の模式的な平面図である。
【図３】図１及び図２とは異なる実施形態の配線基板の模式的な平面図である。
【図４】図１から図３とは異なる実施形態の配線基板の模式的な平面図である。
【図５】実施形態の配線基板の製造方法のフロー図である。
【図６】図１から図４とは異なる実施形態の配線基板の模式的な平面図である。
【図７】図１から図４及び図６とは異なる実施形態の配線基板の模式的な平面図である。
【図８】図１から図４、図６及び図７とは異なる実施形態の配線基板の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本開示が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．構成］
図１Ａ，１Ｂに示す配線基板１は、第１絶縁層２と、配線部３と、第２絶縁層４と、１つの端子部５とを備える。
【００２６】
＜絶縁層＞
第１絶縁層２及び第２絶縁層４は、それぞれ、セラミック又は絶縁性樹脂を主成分とする。「主成分」とは、９０質量％以上含まれる成分である。
【００２７】
第１絶縁層２及び第２絶縁層４を構成するセラミックとしては、例えばアルミナ、ベリリア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、ガラス等が挙げられる。これらのセラミックは単体で、又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００２８】
第１絶縁層２及び第２絶縁層４は、それぞれ、表面及び裏面を有する。第２絶縁層４は、第１絶縁層２の表面側に配置されている。具体的には、第２絶縁層４は、第１絶縁層２の表面のうち、後述する配線部３が配置されていない領域を被覆するように、第１絶縁層２に重ね合わされている。また、第２絶縁層４には、配線部３のめっき層３３が露出する開口又は切欠きが形成されている。
【００２９】
第１絶縁層２及び第２絶縁層４の平面形状（つまり、配線基板１の平面形状）は、四角形である。第１絶縁層２及び第２絶縁層４の第１側縁２Ａには、後述する端子部５を構成する凹部が形成されている。
【００３０】
なお、本明細書では、第１絶縁層２の端子部５が設けられた第１側縁２Ａと平行な軸をＹ軸、第１側縁２Ａと垂直な第２側縁２Ｂと平行な軸をＸ軸とする。
【００３１】
＜配線部＞
配線部３は、第１絶縁層２の表面に配置されている。配線部３は、複数の回路部３１と、補助配線部３２と、めっき層３３とを有する。
【００３２】
（回路部）
複数の回路部３１は、それぞれ個別の独立した回路を構成している。各回路部３１は、配線基板１を個片化した際に、各個片における回路を構成する。つまり、配線基板１は、いわゆる多数個取り配線基板である。
【００３３】
本実施形態における複数の回路部３１は、いわゆる下地層に相当する。各回路部３１は、回路部３１に積層されためっき層３３と共に、個片化された配線基板における回路を構成する。
【００３４】
本実施形態では、複数の回路部３１は、Ｘ軸と平行な方向（以下、「Ｘ方向」ともいう。）と、Ｙ軸と平行な方向（以下、「Ｙ方向」ともいう。）とに並んで配置されている。複数の回路部３１におけるＸ方向の間隔及びＹ方向の間隔はそれぞれ等しい。
【００３５】
（補助配線部）
補助配線部３２は、複数の回路部３１と端子部５とを電気的に接続するための配線である。補助配線部３２は、１つの幹部３２Ａと、複数の枝部３２Ｂとを有する。
【００３６】
幹部３２Ａは、端子部５から直接延伸する部位である。幹部３２Ａには、回路部３１は直接連結されていない。本実施形態では、幹部３２Ａは、第１側縁２Ａの近傍に配置され、Ｙ方向に延伸している。幹部３２Ａの幅は、複数の枝部３２Ｂの幅と同じであってもよいが、抵抗を小さくする観点から、複数の枝部３２Ｂの幅よりも大きくするとよい。
【００３７】
複数の枝部３２Ｂは、幹部３２Ａと複数の回路部３１とを連結する部位である。複数の枝部３２Ｂには、幹部３２Ａと回路部３１とを連結するものと、回路部３１同士を連結するものとが含まれる。
【００３８】
本実施形態では、複数の枝部３２Ｂは、幹部３２ＡからＸ方向のみに延伸している。したがって、複数の回路部３１は、補助配線部３２によって、Ｘ方向に隣接する他の回路部３１とのみ互いに連結されている。
【００３９】
本実施形態における補助配線部３２は、第２絶縁層４又は後述するめっき層３３によって被覆されており、第２絶縁層４の表面には露出していない。
【００４０】
回路部３１及び補助配線部３２は、主成分として金属を含む。この金属としては、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、これらの合金等が挙げられる。
【００４１】
（めっき層）
めっき層３３は、第２絶縁層４に被覆されていない（つまり、第２絶縁層４の表面に露出している）。また、めっき層３３は、複数の回路部３１と補助配線部３２の一部とを被覆している。
【００４２】
めっき層３３は、補助配線部３２上で端子部５からの経路長が一定以上となる離間領域Ｒにおいて、補助配線部３２を被覆している。具体的には、めっき層３３は、幹部３２Ａ全体（つまり、幹部３２Ａのうち離間領域Ｒにある部分と、離間領域Ｒにない部分との双方）を被覆している。
【００４３】
離間領域Ｒは、他の回路部３１（例えば、端子部５の近傍に配置された回路部３１）に比較して、端子部５からの経路長が大きくなる回路部３１（例えば、第２側縁２Ｂの近傍に配置された回路部３１）への経路が含まれる領域である。
【００４４】
めっき層３３は、補助配線部３２において離間領域Ｒの少なくとも一部を被覆すればよい。離間領域Ｒには、枝部３２Ｂも含まれる。なお、本実施形態では、枝部３２Ｂはめっき層３３によって被覆されていない。
【００４５】
例えば、図２に示すように、めっき層３３は、幹部３２Ａのうち端子部５に近い部分を被覆しなくてもよい。この部分は、めっき層３３の代わりに第２絶縁層４によって被覆される。
【００４６】
さらに、図２に示すように、離間領域Ｒにおいて、複数の枝部３２Ｂの一部をめっき層３３で被覆してもよい。このとき、端子部５からの経路長が大きい枝部３２Ｂの被覆部分を経路長が小さい枝部３２Ｂの被覆部分よりも長くすることで、複数の回路部３１の間におけるめっき厚のバラつきを効果的に抑制できる。
【００４７】
めっき層３３の平均厚みとしては、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。めっき層３３の平均厚みが１０μｍより小さいと、めっき厚のバラつきの抑制効果が乏しくなる。一方、めっき層３３の平均厚みが２００μｍより大きいと、めっき層３３の形成が困難となるおそれがある。めっき層３３の材質としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。
【００４８】
＜端子部＞
端子部５は、電解めっき装置の電極が電気的に接続可能なメタル層を有する。メタル層は、配線部３に電気的に接続されている。
【００４９】
端子部５は、上述したように、第１絶縁層２の第１側縁２Ａに配置されている。本実施形態では、端子部５は、第１側縁２ＡのＸ方向における中央部に配置され、補助配線部３２の幹部３２Ａと接続されている。
【００５０】
［１−２．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１ａ）端子部５からの経路長が一定以上となる離間領域Ｒにおいてめっき層３３が補助配線部３２を被覆しているため、離間領域Ｒにおける補助配線部３２の抵抗値が低減される。
【００５１】
そのため、端子部５からの経路が長い回路部３１までの抵抗値と、端子部５の近くに配置された回路部３１までの抵抗値との差を小さくできる。その結果、複数の回路部３１の間におけるめっき厚のバラつきを抑制できる。
【００５２】
また、めっき用の端子部５の数を増加させることなく、端子部５から複数の回路部３１までの抵抗値の差を小さくすることができるので、配線基板１の生産効率の低下が避けられる。
【００５３】
（１ｂ）めっき層３３が少なくとも幹部３２Ａにおいて補助配線部３２を被覆していることで、各回路部３１までの経路における総抵抗値に大きく影響する幹部３２Ａの抵抗値が低減される。その結果、複数の回路部３１の間におけるめっき厚のバラつきを、容易かつ確実に低減できる。
【００５４】
（１ｃ）１つの側縁のみに端子部５が配置可能な配線基板１に対しても、めっき厚のバラつきを低減することができる。
（１ｄ）回路部３１の配置の制約から、複数の回路部３１が一方向にのみ連結された配線基板１に対しても、めっき厚のバラつきを低減することができる。
【００５５】
［２．第２実施形態］
［２−１．構成］
図３に示す配線基板１Ａは、第１絶縁層（図示省略）と、配線部１３と、第２絶縁層４と、１つの端子部５とを備える。配線基板１Ａの第１絶縁層、第２絶縁層４及び端子部５は、図１の配線基板１と同様であるため、説明を省略する。
【００５６】
＜配線部＞
配線部１３は、第１絶縁層の表面に配置されている。配線部１３は、複数の回路部１３１と、補助配線部１３２と、めっき層１３３とを有する。回路部１３１は、図１の配線基板１の回路部３１と同じものである。また、配線部１３の材質は、図１の配線基板１の配線部３と同様である。
【００５７】
補助配線部１３２は、複数の回路部１３１と端子部５とを電気的に接続するための配線である。本実施形態の補助配線部１３２は、１つの幹部１３２Ａと、複数の枝部１３２Ｂとを有する。
【００５８】
幹部１３２Ａは、端子部５から直接延伸する部位である。幹部１３２Ａには、回路部１３１は直接連結されていない。本実施形態では、幹部１３２Ａは、第１側縁２Ａの近傍に配置されＹ方向に延伸した第１部１３２Ｃと、第１部１３２ＣからそれぞれＸ方向に延伸した３つの第２部１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆとを有する。
【００５９】
複数の回路部１３１は、３つの第２部１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆの間に配置されている。つまり、複数の回路部１３１は、幹部１３２Ａで区画された２つのブロック領域に分けられて配置されている。
【００６０】
複数の枝部１３２Ｂは、幹部１３２Ａと複数の回路部１３１とを連結する部位である。本実施形態では、複数の枝部１３２Ｂは、幹部１３２Ａの第２部１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆ同士を連結するようにＹ方向に延伸している。したがって、複数の回路部１３１は、補助配線部１３２によって、Ｙ方向に隣接する他の回路部１３１とのみ互いに連結されている。
【００６１】
めっき層１３３は、第２絶縁層４に被覆されておらず、かつ、複数の回路部１３１と補助配線部１３２の一部とを被覆している。めっき層１３３は、幹部１３２Ａのうち、第１部１３２Ｃの全体と、第２部１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆのそれぞれ一部とを被覆している。
【００６２】
本実施形態では、補助配線部１３２のうち、複数の回路部１３１を個片化するための（つまり、複数の回路部１３１を含む領域を分離するための）切断予定線Ｃと重なる部分は、第２絶縁層４で被覆されている。
【００６３】
具体的には、幹部１３２Ａの第２部１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆにおいて、Ｙ軸と平行な切断予定線Ｃと重なる複数の部分は、第２絶縁層４で被覆されており、これらの部分にはめっき層１３３は形成されていない。
【００６４】
なお、幹部１３２Ａは、図４に示すように、第２部１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆそれぞれの中間点をＹ方向に連結する第３部１３２Ｇを有してもよい。第３部１３２Ｇは、全体がめっき層１３３によって被覆されている。
【００６５】
図４では、複数の回路部１３１は、幹部１３２Ａで区画された４つのブロック領域に分けられて配置されている。また、複数の枝部１３２Ｂは、Ｘ方向に延伸して各回路部１３１を連結している。
【００６６】
［２−２．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（２ａ）補助配線部１３２のうち、切断予定線Ｃと重なる部分が第２絶縁層４で被覆されることで、切断予定線Ｃと重なる部分にめっき層が形成されないため、配線基板１が切断し易くなる。その結果、配線基板１の切断作業における作業性の低下を抑制しつつ、めっき厚のバラつきを低減できる。
【００６７】
［３．第３実施形態］
［３−１．構成］
図５に示す配線基板の製造方法は、積層体用意工程Ｓ１０と、めっき層形成工程Ｓ２０と、個片化工程Ｓ３０とを備える。
【００６８】
＜積層体用意工程＞
本工程では、第１絶縁層と、端子部と、それぞれ個別の回路を構成する複数の回路部と、複数の回路部と端子部とを電気的に接続する補助配線部と、第２絶縁層とを有する積層体を用意する。
【００６９】
第１絶縁層及び第２絶縁層としてセラミック絶縁層を用いる場合は、例えば以下の手順によって上記積層体を形成できる。まず、端子部を設けた未焼成のセラミックグリーンシートの表面に、未焼結状態の複数の回路部と補助配線部とを設ける。この未焼結配線は、例えば、導電ペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することで形成できる。
【００７０】
続いて、未焼結配線を形成したセラミックグリーンシートの表面に、めっき層形成工程Ｓ２０でめっきする箇所に開口又は切欠きを設けた別のセラミックグリーンシートを重ね合わせ、圧着する。圧着後、重ね合わせたセラミックグリーンシートを焼成することで、上記積層体が得られる。
【００７１】
また、焼成前又は焼成後の第１絶縁層の表面に、めっき又はスパッタリングによって回路部と補助配線部とを設けた後、第２絶縁層を積層してもよい。
【００７２】
本工程では、焼成前又は焼成後の第２絶縁層に対し、複数の回路部と、補助配線部上で端子部からの経路長が一定以上となる離間領域とに重なる部分に開口又は切欠きを設ける。つまり、複数の回路部と離間領域とを、第２絶縁層に被覆されていない露出部分とする。なお、樹脂製の絶縁層を使用する場合は、第１絶縁層と第２絶縁層との積層後に、第２絶縁層に開口又は切欠きを形成してもよい。
【００７３】
また、図３及び図４の配線基板１Ａ（つまり第２実施形態の配線基板）を製造する場合は、本工程では、補助配線部のうち、複数の回路部を個片化するための切断予定線と重なる部分を第２絶縁層で被覆する。
【００７４】
＜めっき層形成工程＞
本工程では、電解めっきを用い、複数の回路部と、補助配線部のうち第２絶縁層に被覆されていない露出部分とにめっき層を形成する。電解めっきでは、端子部に電極であるめっきラックが接続され、配線部に通電が行われる。
【００７５】
＜個片化工程＞
本工程では、めっき層の形成後、積層体の切断予定線での切断により、複数の回路部を個片化する。これにより、回路部をそれぞれ有する複数の個片化された配線基板が得られる。
【００７６】
［３−２．効果］
以上詳述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（３ａ）個片化された複数の配線基板をめっき厚のバラつきが抑制された状態で製造することができる。
【００７７】
［４．他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限定されることなく、種々の形態を採り得ることは言うまでもない。
【００７８】
（４ａ）上記実施形態の配線基板において、複数の回路部は、必ずしも一方向にのみ互いに連結されなくてもよい。例えば、図６に示す配線基板１Ｂのように、補助配線部２３２の枝部２３２Ｂによって、複数の回路部２３１がＸ方向及びＹ方向に格子状に連結されてもよい。なお、配線基板１Ｂでは、補助配線部２３２の幹部２３２Ａのうち、切断予定線Ｃと重なる部分が第２絶縁層４で被覆されている。
【００７９】
（４ｂ）上記実施形態の配線基板において、補助配線部の幹部は、複数の回路部を囲うように配置されてもよい。例えば、図７に示す配線基板１Ｃのように、第１絶縁層の４つの側縁２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄに沿ってめっき層３３３に被覆された幹部３３２Ａが配置されてもよい。図７の幹部３３２Ａは、第１絶縁層の側縁と重なる位置に形成されている。全ての回路部３３１は、幹部３３２Ａの内側（つまり、第１絶縁層の側縁を内側にオフセットした線で囲まれる領域）に配置されている。
【００８０】
（４ｃ）上記実施形態の配線基板は、１つの側縁に配置された複数の端子部を備えてもよい。また、上記実施形態の配線基板は、複数の側縁に端子部が配置されてもよい。例えば、図８に示す配線基板１Ｄのように、第１絶縁層の第１側縁２Ａと、第１側縁２Ａと対向する第３側縁２Ｃとにそれぞれ端子部５，６が設けられてもよい。
【００８１】
（４ｄ）上記実施形態の配線基板において、めっき層は、補助配線部上で端子部からの経路長が一定以上となる離間領域において補助配線部を被覆できれば、必ずしも補助配線部の幹部を被覆しなくてもよい。つまり、めっき層は、補助配線部の枝部のみを被覆してもよい。
【００８２】
（４ｅ）上記実施形態の配線基板は、３層以上の絶縁層を備えてもよい。つまり、本開示の配線基板は、２層構造に限定されない。
【００８３】
（４ｆ）上記実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素として分散させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に統合したりしてもよい。また、上記実施形態の構成の一部を省略してもよい。また、上記実施形態の構成の少なくとも一部を、他の上記実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。
【符号の説明】
【００８４】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…配線基板、２…第１絶縁層、
２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ…側縁、３，１３…配線部、４…第２絶縁層、
５，６…端子部、３１，１３１，２３１，３３１…回路部、
３２，１３２，２３２…補助配線部、３２Ａ，１３２Ａ，２３２Ａ，３３２Ａ…幹部、
３２Ｂ，１３２Ｂ，２３２Ｂ…枝部、３３，１３３，３３３…めっき層、
１３２Ｃ…第１部、１３２Ｄ，１３２Ｅ，１３２Ｆ…第２部、１３２Ｇ…第３部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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