(57)【要約】【課題】対象膜の形成前に、対象膜の形成を阻害するＳＡＭを基板の特定の領域から除去できる、技術を提供する。【解決手段】第１材料が露出する第１領域、および前記第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域を有する基板を準備する工程と、前記基板に処理ガスを供給することにより、前記第１領域および前記第２領域のうちの前記第２領域に選択的に中間膜を形成する工程と、前記中間膜の形成後に、前記第１領域および前記第２領域に自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記基板を加熱することにより前記中間膜を昇華させ、前記第２領域から前記中間膜および前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、前記中間膜の昇華後に、前記第１領域に前記自己組織化単分子膜を残した状態で、前記第１領域および前記第２領域のうちの前記第２領域に選択的に対象膜を形成する工程とを含む、成膜方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１材料が露出する第１領域、および前記第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板に処理ガスを供給することにより、前記第１領域および前記第２領域のうちの前記第２領域に選択的に中間膜を形成する工程と、
前記中間膜の形成後に、前記第１領域および前記第２領域に自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前記基板を加熱することにより前記中間膜を昇華させ、前記第２領域から前記中間膜および前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、
前記中間膜の昇華後に、前記第１領域に前記自己組織化単分子膜を残した状態で、前記第１領域および前記第２領域のうちの前記第２領域に選択的に対象膜を形成する工程とを含む、成膜方法。
【請求項２】
前記中間膜は、ケイフッ化アンモニウムの膜である、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記第１材料は、金属を含む導電材料、または当該導電材料の表面酸化によって形成される酸化物であり、
前記第２材料は、ケイ素を含む絶縁材料である、請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記中間膜を形成する処理ガスは、フッ化水素ガスとアンモニアガスとを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記対象膜は、ケイ素を含む絶縁材料であり、
前記中間膜を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記中間膜を昇華させる工程と、前記対象膜を形成する工程とが繰り返し行われる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記中間膜の形成前に、前記第２領域を表面酸化することにより、前記第２領域に露出する酸化ケイ素膜を形成する工程を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記中間膜の形成前に、前記第１領域に金属が露出するように、当該金属の表面酸化で生じた金属酸化膜を除去する工程を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記中間膜の形成前に、前記第２領域を表面酸化することにより、前記第２領域に露出する酸化ケイ素膜を形成する工程と、
前記酸化ケイ素膜の形成後であって前記中間膜の形成前に、前記第１領域に金属が露出するように、当該金属の表面酸化で生じた金属酸化膜を除去する工程を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項９】
処理容器と、
前記処理容器の内部で前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部で保持されている前記基板を加熱する加熱器と、
前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給装置と、
前記処理容器の内部からガスを排出するガス排出装置と、
前記処理容器に対して前記基板を搬入出する搬送装置と、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の成膜方法を実施するように、前記加熱器、前記ガス供給装置、前記ガス排出装置および前記搬送装置を制御する制御装置とを備える、成膜装置。
【請求項１０】
前記処理容器は、複数設けられ、
前記制御装置は、前記中間膜を形成する工程と前記自己組織化単分子膜を形成する工程とを一の前記処理容器の内部で実施し、且つ前記中間膜を昇華させる工程を他の一の前記処理容器の内部で実施する、請求項９に記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記制御装置は、前記中間膜を昇華させる工程と前記対象膜を形成する工程とを同一の前記処理容器の内部で実施する、請求項１０に記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記処理容器は、複数設けられ、
前記制御装置は、前記中間膜を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記中間膜を昇華させる工程と、前記対象膜を形成する工程とを互いに異なる前記処理容器の内部で実施する、請求項９に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記制御装置は、前記中間膜を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜を形成する工程と、前記中間膜を昇華させる工程と、前記対象膜を形成する工程とを同一の前記処理容器の内部で実施する、請求項９に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜方法および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、フォトリソグラフィ技術を用いずに、基板の特定の領域に選択的に対象膜を形成する技術が開示されている。具体的には、対象膜の形成を阻害する自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ：ＳＡＭ）を基板の一部の領域に形成し、基板の残りの領域に対象膜を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００７−５０１９０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示の一態様は、対象膜の形成前に、対象膜の形成を阻害するＳＡＭを基板の特定の領域から除去できる、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様の成膜方法は、
第１材料が露出する第１領域、および前記第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域を有する基板を準備する工程と、
前記基板に処理ガスを供給することにより、前記第１領域および前記第２領域のうちの前記第２領域に選択的に中間膜を形成する工程と、
前記中間膜の形成後に、前記第１領域および前記第２領域に自己組織化単分子膜を形成する工程と、
前記基板を加熱することにより前記中間膜を昇華させ、前記第２領域から前記中間膜および前記自己組織化単分子膜を除去する工程と、
前記中間膜の昇華後に、前記第１領域に前記自己組織化単分子膜を残した状態で、前記第１領域および前記第２領域のうちの前記第２領域に選択的に対象膜を形成する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００６】
本開示の一態様によれば、対象膜の形成前に、対象膜の形成を阻害するＳＡＭを基板の特定の領域から除去できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は、図１に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。
【図３】図３は、第２実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。
【図５】図５は、第３実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。
【図６】図６は、図５に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。
【図７】図７は、第４実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。
【図８】図８は、図７に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。
【図９】図９は、図１〜図８に示す成膜方法を実施する成膜装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
【０００９】
図１は、第１実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。図２は、図１に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。図２（ａ）は工程Ｓ１０１で準備される基板の状態を示し、図２（ｂ）は工程Ｓ１０２で得られる基板の状態を示し、図２（ｃ）は工程Ｓ１０３で得られる基板の状態を示し、図２（ｄ）は工程Ｓ１０４で得られる基板の状態を示し、図２（ｅ）は工程Ｓ１０５で得られる基板の状態を示す。
【００１０】
成膜方法は、図２（ａ）に示すように基板１０を準備する工程Ｓ１０１を含む。準備することは、例えば、後述する処理容器１２０（図９参照）の内部に基板１０を搬入することを含む。基板１０は、第１材料が露出する第１領域Ａ１と、第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域Ａ２とを有する。第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とは、基板１０の板厚方向片側に設けられる。
【００１１】
第１領域Ａ１の数は、図２（ａ）では１つであるが、複数でもよい。例えば２つの第１領域Ａ１が第２領域Ａ２を挟むように配置されてもよい。同様に、第２領域Ａ２の数は、図２（ａ）では１つであるが、複数でもよい。例えば２つの第２領域Ａ２が第１領域Ａ１を挟むように配置されてもよい。
【００１２】
なお、図２（ａ）では第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のみが存在するが、第３領域がさらに存在してもよい。第３領域は、第１材料および第２材料とは異なる第３材料が露出する領域である。第３領域は、第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との間に配置されてもよいし、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の外に配置されてもよい。
【００１３】
第１材料は、例えば導電材料の表面酸化によって形成される酸化物である。導電材料は、例えばＣｕ、Ｗ、Ｃｏ、またはＲｕ等の金属である。これらの金属の表面は、大気中で時間の経過と共に自然に酸化される。その酸化物が第１材料である。なお、第１材料は、本実施形態では導電材料の表面酸化によって形成される酸化物であるが、導電材料であってもよい。酸化物の膜は、還元処理によって除去可能である。
【００１４】
第２材料は、例えばケイ素（Ｓｉ）を含む絶縁材料であり、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、または炭化ケイ素などである。以下、酸化ケイ素を、酸素とケイ素との組成比に関係なく「ＳｉＯ」とも表記する。同様に、窒化ケイ素をＳｉＮとも表記し、酸窒化ケイ素をＳｉＯＮとも表記し、炭化ケイ素をＳｉＣとも表記する。第２材料は、本実施形態ではＳｉＯである。
【００１５】
基板１０は、例えば、上記の導電材料で形成される導電膜１１と、上記の絶縁材料で形成される絶縁膜１２とを有する。導電膜１１の表面には、大気中で、金属酸化膜１３が時間の経過と共に自然に形成される。金属酸化膜１３は、還元処理によって除去可能である。
【００１６】
また、基板１０は、導電膜１１と絶縁膜１２が形成される下地基板１４を有する。下地基板１４は、例えばシリコンウェハなどの半導体基板である。なお、下地基板１４は、ガラス基板などであってもよい。
【００１７】
なお、基板１０は、下地基板１４と導電膜１１との間に、下地基板１４および導電膜１１とは異なる材料で形成される下地膜をさらに有してもよい。同様に、基板１０は、下地基板１４と絶縁膜１２との間に、下地基板１４および絶縁膜１２とは異なる材料で形成される下地膜をさらに有してもよい。
【００１８】
成膜方法は、図２（ｂ）に示すように、基板１０に処理ガスを供給することにより、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のうちの第２領域Ａ２に選択的に中間膜２０を形成する工程Ｓ１０２を含む。中間膜２０は、後述するＳＡＭ（自己組織化単分子膜）３０の形成後に加熱され、昇華される。なお、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２に加えて第３領域が存在する場合、第３領域には中間膜２０が形成されてもよいし、形成されなくてもよい。
【００１９】
中間膜２０は、例えばケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）の膜である。ケイフッ化アンモニウムの膜は、比較的低温（例えば９０℃以上１２０℃以下）で昇華するので、容易に昇華でき、第２領域Ａ２からＳＡＭ３０を除去できる。
【００２０】
中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）に用いる処理ガスは、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスとを含む。ＨＦガスとＮＨ３ガスとを含む処理ガスは、ＳｉＯと化学反応することにより、ケイフッ化アンモニウムの膜を形成する。
【００２１】
中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）に用いる処理ガスは、ＨＦガスとＮＨ３ガスとの他に、窒素（Ｎ２）ガスまたはアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスを含んでもよい。不活性ガスは、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスを希釈する。
【００２２】
導電膜１１は金属で形成され、半金属であるケイ素（Ｓｉ）を含まないので、導電膜１１が自然に酸化されたとしても、第１領域Ａ１にはＳｉＯが露出しない。つまり、第１材料はＳｉＯではない。従って、第１領域Ａ１には、ケイフッ化アンモニウムの膜が形成されない。ケイフッ化アンモニウムの膜は、ＳｉＯの露出する領域に形成されるからである。
【００２３】
一方、第２材料がＳｉＯである場合、第２領域Ａ２ではＳｉＯが露出する。従って、第２領域Ａ２に選択的にケイフッ化アンモニウムの膜が形成される。なお、第２材料がＳｉＮ、ＳｉＯＮ、またはＳｉＣなどである場合については後述する。
【００２４】
ケイフッ化アンモニウムの形成は、減圧雰囲気で行われる。ケイフッ化アンモニウムの形成は、その昇華を抑制すべく、例えば５０℃以下で行われ、好ましくは３０℃以下で行われる。
【００２５】
成膜方法は、図２（ｃ）に示すように中間膜２０の形成後に、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２にＳＡＭ３０を形成する工程Ｓ１０３を含む。ＳＡＭ３０は、基板１０に有機化合物を化学吸着することにより形成され、後述する対象膜４０の形成を阻害する。
【００２６】
ＳＡＭ３０を形成する有機化合物は、特に限定されないが、例えば、シラン系化合物である。シラン系化合物は、例えば、一般式Ｒ−ＳｉＨ３−ｘＣｌｘ（ｘ＝１、２、３）で表される化合物、またはＲ´−Ｓｉ（Ｏ−Ｒ）３で表される化合物（シランカップリング剤）である。ここで、Ｒ、Ｒ´は、アルキル基またはアルキル基の水素の少なくとも一部をフッ素に置換した基等の官能基である。その官能基の末端基は、ＣＨ系、ＣＦ系のいずれでもよい。また、Ｏ−Ｒは、加水分解可能な官能基、例えばメトキシ基、エトキシ基である。シランカップリング剤の一例として、オクタメチルトリメトキシシラン（ＯＴＳ）が挙げられる。
【００２７】
シラン系化合物は、例えばガスの状態で基板１０に対して供給され、基板１０に化学吸着する。シラン系化合物は、ＯＨ基を有する表面に化学吸着しやすいので、金属よりも金属化合物に化学吸着しやすく、特に酸化金属に化学吸着しやすい。そこで、シラン系化合物を第１領域Ａ１に化学吸着すべく、第１領域Ａ１に露出する材料としては、導電材料の表面酸化によって形成される酸化物が用いられる。
【００２８】
成膜方法は、図２（ｄ）に示すように、第２領域Ａ２から中間膜２０およびＳＡＭ３０を除去すべく、基板１０を加熱することにより中間膜２０を昇華させる工程Ｓ１０４を含む。中間膜２０の昇華によって、ＳＡＭ３０のリフトオフが実施される。
【００２９】
中間膜２０は第２領域Ａ２に選択的に形成されているので、ＳＡＭ３０は第２領域Ａ２から選択的に除去される。中間膜２０は第１領域Ａ１には形成されないので、第１領域Ａ１にはＳＡＭ３０が残る。
【００３０】
中間膜２０は、例えばケイフッ化アンモニウムの膜である。ケイフッ化アンモニウムの膜は、比較的低温（例えば９０℃以上１２０℃以下）で昇華するので、第１領域Ａ１におけるＳＡＭ３０の熱分解を抑制しつつ、第２領域Ａ２からＳＡＭ３０を除去できる。
【００３１】
本実施形態によれば、ドライ処理でＳＡＭ３０を除去できるので、ウォーターマーク等の発生を抑制できる。また、プラズマレスでＳＡＭ３０を除去できるので、基板１０のダメージを抑制できる。
【００３２】
成膜方法は、図２（ｅ）に示すように、中間膜２０の昇華後に、第１領域Ａ１に残るＳＡＭ３０を用いて、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のうちの第２領域Ａ２に選択的に対象膜４０を形成する工程Ｓ１０５を含む。対象膜４０は、ＳＡＭ３０とは異なる材料、例えば金属、金属化合物または半導体で形成される。ＳＡＭ３０は対象膜４０の形成を阻害するので、対象膜４０は第２領域Ａ２に選択的に形成される。なお、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２に加えて第３領域が存在する場合、第３領域には対象膜４０が形成されてもよいし、形成されなくてもよい。
【００３３】
対象膜４０は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成される。対象膜４０は、例えば絶縁材料で形成される。第２領域Ａ２に元々存在する絶縁膜１２に、さらに絶縁膜である対象膜４０を積層できる。
【００３４】
対象膜４０は、例えば、ケイ素を含む絶縁材料で形成される。ケイ素を含む絶縁材料は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）などである。
【００３５】
対象膜４０がケイ素を含む絶縁材料である場合、例えば対象膜４０がＳｉＯである場合、対象膜４０の表面に再び中間膜２０を形成することが可能である。従って、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）と、ＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と、対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを繰り返し実施できる。その結果、厚さの厚い対象膜４０を形成できる。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、中間膜２０の形成後に、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の両方にＳＡＭ３０を形成するので、ＳＡＭ３０を選択的に形成するための酸化処理または還元処理などの表面改質処理が不要になる。酸化処理または還元処理は第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の片方のみに施すのは困難であるが、そのような表面改質処理が不要になる。中間膜２０の選択的な形成は、露出する材料の違いを利用するので、簡単に実施できる。
【００３７】
また、本実施形態によれば、第２領域Ａ２に選択的に中間膜２０を形成し、中間膜２０を昇華させることにより第２領域Ａ２からＳＡＭ３０を除去する。つまり、本実施形態によれば、中間膜２０の昇華によって、ＳＡＭ３０のリフトオフを実施する。よって、対象膜４０の形成前に、対象膜４０の形成を阻害するＳＡＭ３０を第２領域Ａ２から除去できる。その結果、ＳＡＭ３０の形成される領域を第１領域Ａ１に限定でき、対象膜４０の形成される領域を第２領域Ａ２に限定できる。
【００３８】
なお、成膜方法は、基板１０の準備（工程Ｓ１０１）と、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）との間に、別の工程を含んでもよい。別の工程として、例えば、金属酸化膜１３を成長する工程、または金属酸化膜１３のＯＨ基の密度を上げる工程が挙げられる。これらの工程によって、シラン系化合物を第１領域Ａ１に密に化学吸着でき、対象膜４０を第２領域Ａ２により選択的に形成できる。
【００３９】
金属酸化膜１３の成長は、導電膜１１の表面を積極的に酸化することによって実施される。また、ＯＨ基の密度増加は、例えば金属酸化膜１３を水素プラズマに曝すことによって実施される。水素プラズマは、ＯＨ基の密度を増加できる反面、金属酸化膜１３を薄化するので、予め金属酸化膜１３を成長しておくことが有効である。金属酸化膜１３の成長は、言い換えると、金属酸化膜１３の膜厚増加である。
【００４０】
図３は、第２実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。図４は、図３に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。図４（ａ）は工程Ｓ１０１で準備される基板の状態を示し、図４（ｂ）は工程Ｓ２０１で得られる基板の状態を示し、図４（ｃ）は工程Ｓ１０２で得られる基板の状態を示し、図４（ｄ）は工程Ｓ１０３で得られる基板の状態を示し、図４（ｅ）は工程Ｓ１０４で得られる基板の状態を示し、図４（ｆ）は工程Ｓ１０５で得られる基板の状態を示す。以下、本実施形態の成膜方法と上記第１実施形態の成膜方法との相違点について主に説明する。
【００４１】
成膜方法は、図４（ａ）に示すように、基板１０を準備する工程Ｓ１０１を含む。基板１０は、第１材料が露出する第１領域Ａ１と、第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域Ａ２とを有する。第２材料は、ＳｉＯ以外のケイ素を含む絶縁材料であり、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮまたはＳｉＣなどである。第２領域Ａ２にＳｉＯが露出しないので、このままでは第２領域Ａ２に中間膜２０が形成されない。中間膜２０であるケイフッ化アンモニウムの膜は、ＳｉＯの露出する領域に形成されるからである。
【００４２】
そこで、成膜方法は、図４（ｂ）に示すように、中間膜２０の形成前に、第２領域Ａ２を表面酸化することにより、第２領域Ａ２に露出する酸化ケイ素膜１５を形成する工程Ｓ２０１を含む。酸化ケイ素膜１５は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮまたはＳｉＣなどで形成される絶縁膜１２の表面を、酸素（Ｏ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、または水蒸気（Ｈ２Ｏ）ガスなどの酸化ガスに曝すことにより形成される。酸化は、室温で行われてもよいし、酸化を促進すべく高温で行われてもよい。また、酸化を促進すべく、酸化ガスをプラズマ化してもよい。なお、酸化は、ドライ処理ではなく、ウェット処理で行われてもよい。
【００４３】
第２領域Ａ２を表面酸化する時に、第１領域Ａ１も一緒に表面酸化でき、金属酸化膜１３を成長できる。金属酸化膜１３は導電膜１１の表面が酸化したものであるので、第１領域Ａ１にはＳｉＯが露出しない。
【００４４】
成膜方法は、図４（ｃ）に示すように、基板１０に処理ガスを供給することにより、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２のうちの第２領域Ａ２に選択的に中間膜２０を形成する工程Ｓ１０２を含む。中間膜２０は例えばケイフッ化アンモニウムの膜である。ケイフッ化アンモニウムの膜は、ＳｉＯが露出しない第１領域Ａ１には形成されずに、ＳｉＯが露出する第２領域Ａ２に選択的に形成される。
【００４５】
なお、図４（ｃ）では、図４（ｂ）に示す酸化ケイ素膜１５の全てが中間膜２０に置換され、中間膜２０と絶縁膜１２との間に酸化ケイ素膜１５が残存しないが、酸化ケイ素膜１５が残存してもよい。酸化ケイ素膜１５が残存しても、中間膜２０の昇華によってＳＡＭ３０のリフトオフを実施できるからである。
【００４６】
成膜方法は、図４（ｄ）に示すＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、図４（ｅ）に示す中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と、図４（ｆ）に示す対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを含む。これらの工程Ｓ１０３〜Ｓ１０５は、上記第１実施形態の工程Ｓ１０３〜Ｓ１０５と同様であるので、説明を省略する。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様に、中間膜２０の形成後に、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の両方にＳＡＭ３０を形成するので、また、第２領域Ａ２に選択的に中間膜２０を形成し、中間膜２０を昇華させることにより第２領域Ａ２からＳＡＭ３０を除去するので、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、上記第１実施形態とは異なり、中間膜２０の形成前に、第２領域Ａ２を表面酸化することにより、第２領域Ａ２に露出する酸化ケイ素膜１５を形成する。酸化ケイ素膜１５は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮまたはＳｉＣなどで形成される絶縁膜１２の表面を酸化することにより形成される。絶縁膜１２がＳｉＯ以外のケイ素を含む絶縁材料で形成される場合にも、第２領域Ａ２にＳｉＯを露出でき、その結果、第２領域Ａ２にケイフッ化アンモニウムの膜を形成できる。
【００４９】
図５は、第３実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。図６は、図５に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。図６（ａ）は工程Ｓ１０１で準備される基板の状態を示し、図６（ｂ）は工程Ｓ３０１で得られる基板の状態を示し、図６（ｃ）は工程Ｓ１０２で得られる基板の状態を示し、図６（ｄ）は工程Ｓ１０３で得られる基板の状態を示し、図６（ｅ）は工程Ｓ１０４で得られる基板の状態を示し、図６（ｆ）は工程Ｓ１０５で得られる基板の状態を示す。以下、本実施形態の成膜方法と上記第１実施形態の成膜方法との相違点について主に説明する。
【００５０】
成膜方法は、図６（ａ）に示すように、基板１０を準備する工程Ｓ１０１を含む。基板１０は、第１材料が露出する第１領域Ａ１と、第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域Ａ２とを有する。第１材料は、導電材料の表面酸化によって形成される酸化物である。導電材料は、例えばＣｕ、Ｗ、Ｃｏ、またはＲｕ等の金属である。これらの金属の表面は、大気中で時間の経過と共に自然に酸化される。その酸化物が第１材料である。一方、第２材料はＳｉＯである。
【００５１】
本実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、ＳＡＭ３０の材料として、シラン系化合物に代えて、チオール系化合物が用いられる。チオール系化合物は、例えば一般式Ｒ−ＳＨで表される化合物である。ここで、Ｒは、脂肪族炭化水素基、脂肪族炭化水素基の炭素原子もしくは水素原子がヘテロ原子と置換されたもの、芳香族炭化水素基、または芳香族炭化水素基の炭素原子もしくは水素原子がヘテロ原子と置換されたものである。
【００５２】
チオール系化合物は、シラン系化合物と同様に、ガスの状態で基板１０に対して供給され、基板１０に化学吸着する。チオール系化合物は、シラン系化合物とは異なり、基本的には、金属化合物に化学吸着することなく、金属に化学吸着する。第１領域Ａ１に露出する第１材料は導電材料の表面酸化によって形成される酸化物であるので、このままでは第１領域Ａ１にＳＡＭ３０が形成されない。
【００５３】
そこで、成膜方法は、図６（ｂ）に示すように、中間膜２０の形成前に、第１領域Ａ１に露出する金属酸化膜１３を除去する工程Ｓ３０１を含む。金属酸化膜１３は、例えば導電膜１１の表面が自然に酸化されたものである。金属酸化膜１３を除去することにより、導電膜１１を露出でき、導電膜１１にチオール系化合物を化学吸着できる。
【００５４】
金属酸化膜１３の除去は、例えば、金属酸化膜１３をギ酸（ＣＨ２Ｏ２）ガスまたは水素（Ｈ２）ガスなどの還元ガスに曝すことにより実施される。水素ガスは、通常、プラズマ化される。金属酸化膜１３の除去は、ドライ処理ではなく、ウェット処理で行われてもよく、例えば希フッ酸で洗浄することにより実施されてもよい。
【００５５】
金属酸化膜１３の除去時に、絶縁膜１２はほとんど還元されない。絶縁膜１２を形成するＳｉＯは、Ｃｕ、Ｗ、ＣｏまたはＲｕ等の金属の酸化物に比べて、安定性に優れるからである。それゆえ、金属酸化膜１３の除去後に、第２領域Ａ２にはＳｉＯが露出したままである。
【００５６】
成膜方法は、図６（ｃ）に示す中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）と、図６（ｄ）に示すＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、図６（ｅ）に示す中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と、図６（ｆ）に示す対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを含む。これらの工程Ｓ１０２〜Ｓ１０５は、上記第１実施形態の工程Ｓ１０２〜Ｓ１０５と同様であるので、説明を省略する。
【００５７】
チオール系化合物は、上記の通り、基本的には、金属化合物に化学吸着することなく、金属に化学吸着する。但し、その選択性は完全ではないので、金属化合物にも僅かにチオール系化合物が吸着する。従って、工程Ｓ１０３において第１領域Ａ１だけではなく第２領域Ａ２にもＳＡＭ３０が形成されてしまう。このような選択性の破れを、中間膜２０の昇華に伴うＳＡＭ３０のリフトオフによって解消でき、ＳＡＭ３０を第１領域Ａ１のみに残すことができる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様に、中間膜２０の形成後に、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の両方にＳＡＭ３０を形成するので、また、第２領域Ａ２に選択的に中間膜２０を形成し、中間膜２０を昇華させることにより第２領域Ａ２からＳＡＭ３０を除去するので、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００５９】
また、本実施形態によれば、上記第１実施形態とは異なり、中間膜２０の形成前に、第１領域Ａ１に露出する金属酸化膜１３を除去する。金属酸化膜１３は、例えば導電膜１１の表面が自然に酸化されたものである。金属酸化膜１３を除去することにより、導電膜１１を露出でき、導電膜１１にチオール系化合物を化学吸着できる。
【００６０】
図７は、第４実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。図８は、図７に示す各工程での基板の状態の一例を示す側面図である。図８（ａ）は工程Ｓ１０１で準備される基板の状態を示し、図８（ｂ）は工程Ｓ４０１で得られる基板の状態を示し、図８（ｃ）は工程Ｓ４０２で得られる基板の状態を示し、図８（ｄ）は工程Ｓ１０２で得られる基板の状態を示し、図８（ｅ）は工程Ｓ１０３で得られる基板の状態を示し、図８（ｆ）は工程Ｓ１０４で得られる基板の状態を示し、図８（ｇ）は工程Ｓ１０５で得られる基板の状態を示す。以下、本実施形態の成膜方法と上記第１実施形態の成膜方法との相違点について主に説明する。
【００６１】
成膜方法は、図８（ａ）に示すように、基板１０を準備する工程Ｓ１０１を含む。基板１０は、第１材料が露出する第１領域Ａ１と、第１材料とは異なる第２材料が露出する第２領域Ａ２とを有する。第１材料は、導電材料の表面酸化によって形成される酸化物である。導電材料は、例えばＣｕ、Ｗ、Ｃｏ、またはＲｕ等の金属である。これらの金属の表面は、大気中で時間の経過と共に自然に酸化される。その酸化物が第１材料である。
【００６２】
一方、第２材料は、上記第１実施形態とは異なり、上記第２実施形態と同様に、ＳｉＯ以外のケイ素を含む絶縁材料であり、例えばＳｉＮ、ＳｉＯＮまたはＳｉＣなどである。第２領域Ａ２にＳｉＯが露出しないので、このままでは第２領域Ａ２に中間膜２０が形成されない。中間膜２０であるケイフッ化アンモニウムの膜は、ＳｉＯの露出する領域に形成されるからである。
【００６３】
そこで、成膜方法は、図８（ｂ）に示すように、中間膜２０の形成前に、第２領域Ａ２を表面酸化することにより、第２領域Ａ２に露出する酸化ケイ素膜１５を形成する工程Ｓ４０１を含む。この工程Ｓ４０１は、上記第２実施形態の工程Ｓ２０１と同様であるので、説明を省略する。
【００６４】
ところで、本実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、上記第３実施形態と同様に、ＳＡＭ３０の材料として、シラン系化合物に代えて、チオール系化合物が用いられる。チオール系化合物は、シラン系化合物とは異なり、基本的には、金属化合物に化学吸着することなく、金属に化学吸着する。第１領域Ａ１に露出する第１材料は導電材料の表面酸化によって形成される酸化物であるので、このままでは第１領域Ａ１にＳＡＭ３０が形成されない。
【００６５】
そこで、成膜方法は、図８（ｃ）に示すように、酸化ケイ素膜１５の形成後であって中間膜２０の形成前に、第１領域Ａ１に露出する金属酸化膜１３を除去する工程Ｓ４０２を含む。この工程Ｓ４０２は、上記第３実施形態の工程Ｓ３０１と同様であるので、説明を省略する。
【００６６】
ここで、酸化ケイ素膜１５の形成後に金属酸化膜１３を除去するのは、酸化ケイ素膜１５は、金属酸化膜１３に比べて、安定性に優れるからである。つまり、金属酸化膜１３の除去時に酸化ケイ素膜１５も薄化されるが、酸化ケイ素膜１５の薄化速度は金属酸化膜１３の薄化速度に比べて遅いので、酸化ケイ素膜１５を残したまま、金属酸化膜１３を除去できるからである。
【００６７】
成膜方法は、図８（ｄ）に示す中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）と、図８（ｅ）に示すＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、図８（ｆ）に示す中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と、図８（ｇ）に示す対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを含む。これらの工程Ｓ１０２〜Ｓ１０５は、上記第１実施形態の工程Ｓ１０２〜Ｓ１０５と同様であるので、説明を省略する。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態と同様に、中間膜２０の形成後に、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の両方にＳＡＭ３０を形成するので、また、第２領域Ａ２に選択的に中間膜２０を形成し、中間膜２０を昇華させることにより第２領域Ａ２からＳＡＭ３０を除去するので、上記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６９】
また、本実施形態によれば、上記第１実施形態とは異なり、上記第２実施形態と同様に、中間膜２０の形成前に、第２領域Ａ２を表面酸化することにより、第２領域Ａ２に露出する酸化ケイ素膜１５を形成するので、上記第２実施形態と同様の効果が得られる。
【００７０】
また、本実施形態によれば、上記第１実施形態とは異なり、上記第３実施形態と同様に、中間膜２０の形成前に、第１領域Ａ１に露出する金属酸化膜１３を除去するので、上記第３実施形態と同様の効果が得られる。ここで、酸化ケイ素膜１５の形成後に金属酸化膜１３を除去するのは、酸化ケイ素膜１５は、金属酸化膜１３に比べて、安定性に優れるからである。
【００７１】
図９は、図１〜図８に示す成膜方法を実施する成膜装置の一例を示す断面図である。成膜装置１００は、処理ユニット１１０と、搬送装置１７０と、制御装置１８０とを備える。処理ユニット１１０は、処理容器１２０と、基板保持部１３０と、加熱器１４０と、ガス供給装置１５０と、ガス排出装置１６０とを有する。
【００７２】
処理ユニット１１０は、図９には１つのみ図示するが、複数であってもよい。複数の処理ユニット１１０は、いわゆるマルチチャンバーシステムを形成する。複数の処理ユニット１１０は、真空搬送室１０１を囲むように配置される。真空搬送室１０１は、真空ポンプによって排気され、予め設定された真空度に保持される。真空搬送室１０１には、搬送装置１７０が鉛直方向および水平方向に移動可能に、且つ鉛直軸周りに回転可能に配置される。搬送装置１７０は、複数の処理容器１２０に対して基板１０を搬送する。処理容器１２０の内部の処理室１２１と、真空搬送室１０１とは、これらの気圧がいずれも大気圧よりも低い気圧である時に連通し、基板１０の搬入出が行われる。真空搬送室１０１の代わりに大気搬送室が設けられる場合とは異なり、基板１０の搬入出時に大気が大気搬送室から処理室１２１の内部に流れ込むのを防止できる。処理室１２１の気圧を下げるための待ち時間を削減でき、基板１０の処理速度を向上できる。
【００７３】
処理容器１２０は、基板１０が通過する搬入出口１２２を有する。搬入出口１２２には、搬入出口１２２を開閉するゲートＧが設けられる。ゲートＧは、基本的に搬入出口１２２を閉じており、基板１０が搬入出口１２２を通る時に搬入出口１２２を開く。搬入出口１２２の開放時に、処理容器１２０の内部の処理室１２１と、真空搬送室１０１とが連通する。搬入出口１２２の開放前に、処理室１２１と真空搬送室１０１とは、いずれも、真空ポンプによって排気され、予め設定された気圧に維持される。
【００７４】
基板保持部１３０は、処理容器１２０の内部で基板１０を保持する。基板保持部１３０は、基板１０の処理ガスに曝される表面を上に向けて、基板１０を下方から水平に保持する。基板保持部１３０は、枚葉式であって、一枚の基板１０を保持する。なお、基板保持部１３０は、バッチ式でもよく、同時に複数枚の基板１０を保持してもよい。バッチ式の基板保持部１３０は、複数枚の基板１０を、鉛直方向に間隔をおいて保持してもよいし、水平方向に間隔をおいて保持してもよい。
【００７５】
加熱器１４０は、基板保持部１３０で保持されている基板１０を加熱する。加熱器１４０は、例えば電気ヒータであり、電力供給によって発熱する。加熱器１４０は、例えば、基板保持部１３０の内部に埋め込まれ、基板保持部１３０を加熱することにより、基板１０を所望の温度に加熱する。なお、加熱器１４０は、石英窓を介して基板保持部１３０を加熱するランプを含んでもよい。この場合、石英窓が堆積物で不透明になるのを防止すべく、加熱器１４０が基板保持部１３０を加熱する間、基板保持部１３０と石英窓との間にアルゴンガスなどの不活性ガスが供給されてもよい。また、加熱器１４０は、処理容器１２０の外部から処理容器１２０の内部に配置される基板１０を加熱してもよい。
【００７６】
なお、処理ユニット１１０は、基板１０を加熱する加熱器１４０だけではなく、基板１０を冷却する冷却器をさらに有してもよい。基板１０の温度を高速で昇温できるだけではなく、基板１０の温度を高速で降温できる。一方、基板１０の処理が室温で行われる場合、処理ユニット１１０は加熱器１４０および冷却器を有しなくてもよい。
【００７７】
ガス供給装置１５０は、基板１０に対して予め設定された処理ガスを供給する。処理ガスは、上記の工程Ｓ１０２、Ｓ１０３、Ｓ１０４、Ｓ１０５、Ｓ２０１、Ｓ３０１、Ｓ４０１、Ｓ４０２毎に用意される。
【００７８】
中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）に用いる処理ガスは、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガスとアンモニア（ＮＨ３）ガスとを含み、これらのガスを希釈する不活性ガスをさらに含んでもよい。
【００７９】
ＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）に用いる処理ガスは、例えば、シラン系化合物またはチオール系化合物のガスを含み、これらのガスを希釈する不活性ガスをさらに含んでもよい。
【００８０】
中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）に用いる処理ガスは、例えば、窒素ガスまたはアルゴンガスなどの不活性ガスである。不活性ガスは、パージガスとして供給され、中間膜２０の昇華に伴って発生するガスを処理容器１２０の内部から外部に追い出す。不活性ガスは、基板１０の温度を調節する伝熱ガスとして供給されてもよい。なお、中間膜２０の昇華時に、処理ガスは処理容器１２０の内部に供給されなくてもよい。つまり、真空中で、中間膜２０の昇華が実施されてもよい。
【００８１】
対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）に用いる処理ガスは、対象膜４０の材料ガスである。対象膜４０の形成方法は、例えばＣＶＤ法またはＡＬＤ法である。対象膜４０の材料ガスは、化学反応を促進すべく、高温に加熱されてもよい。また、対象膜４０の材料ガスは、化学反応を促進すべく、プラズマ化されてもよい。
【００８２】
例えば、対象膜４０としてＳｉＯ膜をＡＬＤ法で形成する場合、処理ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスなどのＳｉ含有ガスと、オゾン（Ｏ３）ガスなどの酸化ガスとが、基板１０に対して交互に供給される。Ｓｉ含有ガスおよび酸化ガスの他に、水素（Ｈ２）ガスなどの改質ガスが基板１０に対して供給されてもよい。
【００８３】
また、対象膜４０としてＳｉＮ膜をＡＬＤ法で形成する場合、処理ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスなどのＳｉ含有ガスと、アンモニア（ＮＨ３）ガスなどの窒化ガスとが、基板１０に対して交互に供給される。Ｓｉ含有ガスおよび窒化ガスの他に、水素（Ｈ２）ガスなどの改質ガスが基板１０に対して供給されてもよい。
【００８４】
酸化ケイ素膜１５の形成（工程Ｓ２０１または工程Ｓ４０１）に用いる処理ガスは、例えば、酸素（Ｏ２）ガス、オゾン（Ｏ３）ガス、または水蒸気（Ｈ２Ｏ）ガスなどの酸化ガスである。酸化は、室温で行われてもよいし、酸化を促進すべく高温で行われてもよい。また、酸化を促進すべく、酸化ガスをプラズマ化してもよい。なお、酸化は、ドライ処理ではなく、ウェット処理で行われてもよい。
【００８５】
金属酸化膜１３の除去（工程Ｓ３０１または工程Ｓ４０２）に用いる処理ガスは、例えば、ギ酸（ＣＨ２Ｏ２）ガスまたは水素（Ｈ２）ガスなどの還元ガスである。水素ガスは、通常、プラズマ化される。なお、金属酸化膜１３の除去は、ドライ処理ではなく、ウェット処理で行われてもよく、例えば希フッ酸で洗浄することにより実施されてもよい。
【００８６】
ガス供給装置１５０は、基板１０に対して予め設定された処理ガスを供給する。処理ガスは、例えば、工程Ｓ１０２、Ｓ１０３、Ｓ１０４、Ｓ１０５、Ｓ２０１、Ｓ３０１、Ｓ４０１、Ｓ４０２毎に用意される。これらの工程は、それぞれが互いに異なる処理容器１２０の内部で実施されてもよいし、任意の組合せの２つ以上が同じ処理容器１２０の内部で連続的に実施されてもよい。後者の場合、ガス供給装置１５０は、工程の順番に従って、複数種類の処理ガスを、予め設定された順番で基板１０に対して供給する。
【００８７】
ガス供給装置１５０は、例えば、ガス供給管１５１を介して処理容器１２０と接続される。ガス供給装置１５０は、処理ガスの供給源と、各供給源から個別にガス供給管１５１まで延びる個別配管と、個別配管の途中に設けられる開閉バルブと、個別配管の途中に設けられる流量制御器とを有する。開閉バルブが個別配管を開くと、供給源からガス供給管１５１に処理ガスが供給される。その供給量は流量制御器によって制御される。一方、開閉バルブが個別配管を閉じると、供給源からガス供給管１５１への処理ガスの供給が停止される。
【００８８】
ガス供給管１５１は、ガス供給装置１５０から供給される処理ガスを、処理容器１２０の内部、例えばシャワーヘッド１５２に供給する。シャワーヘッド１５２は、基板保持部１３０の上方に設けられる。シャワーヘッド１５２は、内部に空間１５３を有し、空間１５３に溜めた処理ガスを多数のガス吐出孔１５４から鉛直下方に向けて吐出する。シャワー状の処理ガスが、基板１０に対して供給される。
【００８９】
ガス排出装置１６０は、処理容器１２０の内部からガスを排出する。ガス排出装置１６０は、排気管１６１を介して処理容器１２０と接続される。ガス排出装置１６０は、真空ポンプなどの排気源と、圧力制御器とを有する。排気源を作動させると、処理容器１２０の内部からガスが排出される。処理容器１２０の内部の気圧は、圧力制御器によって制御される。
【００９０】
制御装置１８０は、例えばコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１８１と、メモリなどの記憶媒体１８２とを備える。記憶媒体１８２には、成膜装置１００において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御装置１８０は、記憶媒体１８２に記憶されたプログラムをＣＰＵ１８１に実行させることにより、成膜装置１００の動作を制御する。また、制御装置１８０は、入力インターフェース１８３と、出力インターフェース１８４とを備える。制御装置１８０は、入力インターフェース１８３で外部からの信号を受信し、出力インターフェース１８４で外部に信号を送信する。
【００９１】
制御装置１８０は、図１〜図８に示す成膜方法のいずれかを実施するように、加熱器１４０、ガス供給装置１５０、ガス排出装置１６０、および搬送装置１７０を制御する。制御装置１８０は、ゲートＧも制御する。
【００９２】
ところで、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）およびＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）では、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）に比べて、基板１０の温度が低く、例えば５０℃以下、好ましくは３０℃以下である。これにより、ＳＡＭ３０の形成完了前に、中間膜２０が消失するのを抑制できる。
【００９３】
一方、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）では、中間膜２０を消失すべく、基板１０の温度が比較的高く、例えば９０℃以上である。なお、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）では、中間膜２０の昇華後に十分な膜厚のＳＡＭ３０が第１領域Ａ１に残るように、基板１０の温度は例えば１２０℃以下である。
【００９４】
上記の通り、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）およびＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）とでは、基板１０の温度が異なる。
【００９５】
そこで、制御装置１８０は、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）とＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）とを一の処理容器１２０の内部で実施し、且つ中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）を他の一の処理容器１２０の内部で実施してもよい。内部温度が異なる２つの処理容器１２０の間で基板１０を搬送することで基板１０の温度を変更できるので、処理容器１２０の内部温度の調整にかかる時間を削減できる。
【００９６】
なお、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）およびＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）では、基板１０の温度が室温であってもよい。この場合、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）とＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）とを実施する処理ユニット１１０は、加熱器１４０を有しなくてもよい。
【００９７】
ところで、対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）は、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と同様に、高温で実施される。対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）が高温で実施されるのは、対象膜４０の成膜速度の観点からである。
【００９８】
そこで、制御装置１８０は、中間膜の昇華（工程Ｓ１０４）と対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを同一の処理容器１２０の内部で実施してもよい。複数の処理容器１２０の間で基板１０を搬送する時間を削減でき、基板１０の処理速度を向上できる。また、処理ユニット１１０の数を低減でき、成膜装置１００を小型化できる。
【００９９】
制御装置１８０は、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）と、ＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と、対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを互いに異なる処理容器１２０の内部で実施してもよい。処理ガスの種類で処理容器１２０を替えるので、複数種類の処理ガス同士の意図しない化学反応を抑制でき、意図しない生成物の発生を抑制できる。
【０１００】
また、制御装置１８０は、中間膜２０の形成（工程Ｓ１０２）と、ＳＡＭ３０の形成（工程Ｓ１０３）と、中間膜２０の昇華（工程Ｓ１０４）と、対象膜４０の形成（工程Ｓ１０５）とを同一の処理容器１２０の内部で実施してもよい。複数の処理容器１２０の間で基板１０を搬送する時間を削減でき、基板１０の処理速度を向上できる。また、処理ユニット１１０の数を低減でき、成膜装置１００を小型化できる。
【０１０１】
以上、本開示に係る成膜方法および成膜装置の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態などに限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、および組合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。
【符号の説明】
【０１０２】
１０    基板
１１    導電膜
１２    絶縁膜
１３    金属酸化膜
１４    下地基板
１５    酸化ケイ素膜
２０    中間膜
３０    ＳＡＭ（自己組織化単分子膜）
４０    対象膜
１００  成膜装置
１１０  処理ユニット
１２０  処理容器
１３０  基板保持部
１４０  加熱器
１５０  ガス供給装置
１６０  ガス排出装置
１７０  搬送装置
１８０  制御装置
【図１】
2020147792.tif 000003
【図２】
2020147792.tif 000004
【図３】
2020147792.tif 000005
【図４】
2020147792.tif 000006
【図５】
2020147792.tif 000007
【図６】
2020147792.tif 000008
【図７】
2020147792.tif 000009
【図８】
2020147792.tif 000010
【図９】
2020147792.tif 000011