(57)【要約】【課題】簡素な構造で光の利用効率を高めることができる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置の第１基板１０において、第２遮光膜１ｈを覆う第２絶縁膜４６の傾斜部４６１と、第２絶縁膜４６を覆う第３絶縁膜４５との第１界面４７１が、第１遮光膜１ｇと重なる領域に設けられている。このため、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に通過する光は、第１遮光膜１ｇに向かおうとしても、第１界面４７１での屈折によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。第１絶縁膜４４は、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる領域と、第２遮光膜１ｈと平面視で重ならない領域とに設けられており、界面４７は、第１絶縁膜４４より第１基板１０とは反対側のみに設けられている、このため、基板に到達する深い凹部を高屈折材料で埋めた特殊な構造を採用する必要がない。【選択図】図５
2020085982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１遮光膜と、
前記第１遮光膜を覆う第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の前記第１遮光膜とは反対側に設けられた第２遮光膜と、
前記第２遮光膜を覆い、傾斜部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜を覆い、屈折率が前記第２絶縁膜より大きい第３絶縁膜と、
を備え、
前記第１絶縁膜は、前記第２遮光膜と重なる領域と、前記第２遮光膜と重ならない領域とに設けられ、
前記第１遮光膜は、前記第２遮光膜よりも幅広に形成されており、
前記第２絶縁膜の傾斜部と前記第３絶縁膜との界面が前記第１遮光膜と重なる領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、平面視で画素電極の端部と重なり、
前記第１遮光膜の一部は、前記第２遮光膜から平面視で張り出しており、
前記界面は、前記第１遮光膜のうち、前記第２遮光膜から張り出している領域に重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記第２絶縁膜は、前記第２遮光膜の側面のみを覆っていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記第２絶縁膜は、前記第２遮光膜の側面および前記第２遮光膜の前記第１絶縁膜と反対側の面を覆っていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から４までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光膜に対して前記第２遮光膜と反対側に設けられた第３遮光膜と、
前記第３遮光膜と前記第１遮光膜との間で前記第３遮光膜を覆う第４絶縁膜と、
を備え、
前記第３遮光膜の一部は、前記第１遮光膜から平面視で張り出しており、
前記界面は、前記第３遮光膜のうち、平面視で前記第１遮光膜から張り出した部分と重なる領域に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記傾斜部は、凸曲面状に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第３絶縁膜は、画素電極と接していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１遮光膜および前記第２遮光膜が設けられた第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から８までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方面側に遮光膜が設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置では、基板の一方面側に画素電極の縁と重なる遮光膜が設けられており、基板に入射した光のうち、遮光膜に到達した光は、表示に寄与しない。そこで、屈折率が異なる絶縁膜の界面を利用して、遮光膜に向かおうとする光を、遮光膜が形成されていない開口領域に偏向する技術が提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の技術では、上層側の遮光膜の側面から横方向に離間した位置に界面を設け、下層側の遮光膜のうち、上層側の遮光膜から張り出した部分に向けて斜めに進行しようとする光を開口領域に向けて反射させる。特許文献２に記載の技術では、上層側の遮光膜の下面から基板まで到達する界面を設け、下層側の遮光膜に向かおうとする光を開口領域に向けて反射させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２５１４４号公報
【特許文献２】特開２０１２−２０８４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、上層側の遮光膜の側面から横方向に離間した位置に界面が設けられている。このため、上層側の遮光膜の側面の近傍を基板に対して垂直に進行する光は、下層側の遮光膜で遮られてしまい、表示に寄与しないので、光の利用効率を高めることができない。特許文献２に記載の技術では、基板に到達する深い凹部を高屈折材料で埋めることにより、上層側の遮光膜の下面から基板まで到達する界面を設けるという特殊な構造であるため、遮光膜より下層側の構造を大幅に変更する必要がある。それ故、特許文献１、２に記載の技術のいずれにおいても、簡素な構造で、上層側の遮光膜の側面の近傍を基板に対して垂直に進行する光を表示に寄与させることができないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、第１遮光膜と、前記第１遮光膜を覆う第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の前記第１遮光膜とは反対側に設けられた第２遮光膜と、前記第２遮光膜を覆い、傾斜部を有する第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜を覆い、屈折率が前記第２絶縁膜より大きい第３絶縁膜と、を備え、前記第１絶縁膜は、前記第２遮光膜と重なる領域と、前記第２遮光膜と重ならない領域とに設けられ、前記第１遮光膜は、前記第２遮光膜よりも幅広に形成されており、前記第２絶縁膜の傾斜部と前記第３絶縁膜との界面が前記第１遮光膜と重なる領域に設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本発明を適用した電気光学装置は、投射型表示装置や直視型表示装置等、各種電子機器に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態１に係る電気光学装置の一態様を示す平面図。
【図２】図１に示す電気光学装置の断面図。
【図３】図１に示す電気光学装置において隣り合う複数の画素の平面図。
【図４】図３に示す電気光学装置のＦ−Ｆ′断面図。
【図５】図３に示す第１基板のＧ−Ｇ′断面図。
【図６】図１に示す電気光学装置の製造方法を示す工程断面図。
【図７】本発明の実施形態２に係る電気光学装置の説明図。
【図８】図７に示す界面の形成方法を示す説明図。
【図９】本発明の実施形態３に係る電気光学装置の説明図。
【図１０】本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第１基板１０に形成した各層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板１０が位置する側とは反対側（第２基板２０が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板１０が位置する側を意味する。また、第２基板２０に形成した各層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第２基板２０が位置する側とは反対側（第１基板１０が位置する側）を意味し、下層側とは第２基板２０が位置する側を意味する。
【００１０】
［実施形態１］
（電気光学装置の構成）
図１は、本発明の実施形態１に係る電気光学装置１００の一態様を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面図である。図１および図２に示すように、電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、第１基板１０と第２基板２０とが対向している。シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、第１基板１０と第２基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層等の電気光学層８０が配置されている。従って、電気光学装置１００は液晶装置として構成されている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分が形成されており、かかる途切れ部分は、液晶材料の注入後、封止材１０５によって塞がれている。なお、液晶材料を滴下法で封入する場合は、注入口は形成されない。
【００１１】
第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。
【００１２】
第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板であり、第１基板１０の第２基板２０側の一方面１０ｓ側において、表示領域１０ａの外側には、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成され、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００１３】
第１基板１０の一方面１０ｓにおいて、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透光性の複数の画素電極９ａ、および複数の画素電極９ａの各々に電気的に接続するトランジスター（図２には図示せず）がマトリクス状に形成されている。画素電極９ａに対して第２基板２０側には第１配向膜１６が形成されており、画素電極９ａは、第１配向膜１６によって覆われている。
【００１４】
第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性基板である。第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面２０ｓ側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して第１基板１０側には第２配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されており、第２配向膜２６によって覆われている。第２基板２０の一方面２０ｓと共通電極２１との間には、樹脂、金属または金属化合物からなる遮光膜２７が形成され、遮光膜２７と共通電極２１との間に透光性の保護層２８が形成されている。遮光膜２７は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り２７ａとして形成されている。遮光膜２７は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光膜２７ｂ（ブラックマトリクス）としても形成されている。第１基板１０の周辺領域１０ｂのうち、見切り２７ａと平面視で重なるダミー画素領域１０ｃには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。なお、第２基板２０には、画素電極９ａと平面視で重なるレンズが形成されることもある。
【００１５】
第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯｘ（ｘ＜２）、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第１基板１０および第２基板２０に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置１００は、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置として構成されている。
【００１６】
第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。
【００１７】
電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１がＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から電気光学層８０に入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本実施形態では、矢印Ｌで示すように、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。
【００１８】
（画素の具体的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、図３に示す電気光学装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。なお、図３では、各層を以下の線で表してある。また、図３では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
遮光膜８ａ＝細くて長い破線
半導体膜３１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ａ＝太い一点鎖線
定電位線７ａおよび中継電極７ｂ＝太い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
【００１９】
図３に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、複数の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは、画素間領域のうち、Ｘ軸方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ軸方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応してトランジスター３０が形成されており、トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第１基板１０の一方面１０ｓ側には容量線５ａが形成されており、容量線５ａには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。容量線５ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。トランジスター３０の上層側には定電位線７ａが形成されており、定電位線７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。トランジスター３０の下層側には遮光膜８ａが形成されており、遮光膜８ａは、走査線３ａおよびデータ線６ａと重なるように延在している。
【００２０】
図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる遮光膜８ａが形成されている。本形態において、遮光膜８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、タングステン、窒化チタン等の遮光膜からなる。遮光膜８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｂと遮光膜８ａを導通させた構成とする。
【００２１】
第１基板１０において、遮光膜８ａの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層側に、半導体膜３１ａを備えたトランジスター３０が形成されている。本形態において、トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体膜３１ａと、半導体膜３１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体膜３１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えた薄膜トランジスター（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）である。本形態において、ゲート電極３ｂは走査線３ａの一部からなる。トランジスター３０は、半導体膜３１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁膜３２を有している。半導体膜３１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁膜３２を介して対向するチャネル領域３１ｇを備えているとともに、チャネル領域３１ｇの両側にソース領域３１ｂおよびドレイン領域３１ｃを備えている。トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域３１ｂおよびドレイン領域３１ｃは各々、チャネル領域３１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域３１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００２２】
半導体膜３１ａは、ポリシリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁膜３２は、半導体膜３１ａを熱酸化した酸化シリコンからなる第１ゲート絶縁膜３２ａと、減圧ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコンからなる第２ゲート絶縁膜３２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光膜からなる。
【００２３】
ゲート電極３ｂの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成され、層間絶縁膜４２の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体膜３１ａのドレイン領域３１ｃと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４２およびゲート絶縁膜３２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してドレイン領域３１ｃに導通している。
【００２４】
ドレイン電極４ａの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層５５ａが形成されており、誘電体層５５ａの上層側には容量線５ａが形成されている。誘電体層５５ａとしては、酸化シリコンやシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光膜からなる。容量線５ａは、誘電体層５５ａを介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００２５】
容量線５ａの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜が第４絶縁膜４３として形成されており、第４絶縁膜４３の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光膜からなる。データ線６ａは、第４絶縁膜４３、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４２およびゲート絶縁膜３２を貫通するコンタクトホール４３ａを介してソース領域３１ｂに導通している。中継電極６ｂは、第４絶縁膜４３およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４３ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００２６】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側には酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜が第１絶縁膜４４として形成されており、第１絶縁膜４４の上層側には、定電位線７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。定電位線７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の遮光性の導電膜からなる。中継電極７ｂは、第１絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。定電位線７ａは、データ線６ａと重なるように延在している。なお、定電位線７ａを容量線５ａと導通させて、容量線として利用してもよい。
【００２７】
定電位線７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、酸化シリコン等からなる透光性の層間絶縁膜が第３絶縁膜４５として形成されており、第３絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。第３絶縁膜４５には、中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域３１ｃに電気的に接続している。第３絶縁膜４５の表面は平坦化されている。画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる透光性の第１配向膜１６が形成されている。
【００２８】
（界面４７の構成）
図５は、図３に示す第１基板１０のＧ−Ｇ′断面図であり、第１基板１０と画素電極９ａとの間で半導体膜３１ａに平面視で重なる遮光膜１ｅとして、遮光膜８ａ、容量線５ａ、データ線６ａ、定電位線７ａが示されている。
【００２９】
図３、図４および図５に示すように、本実施形態の電気光学装置１００では、第１基板１０と画素電極９ａとの間で、平面視で画素電極９ａの縁に沿うと共に画素電極９ａの端部と重なるように、遮光膜８ａ、容量線５ａ、データ線６ａ、および定電位線７ａが延在している。これらの配線は、遮光膜１ｅを構成しており、遮光膜１ｅと平面視で重なる領域が遮光部１０ｇである。また、遮光部１０ｇで挟まれた領域が透光部１０ｈである。また、データ線６ａおよび定電位線７ａと同一の導電膜によって構成された中継電極６ｂ、７ｂも遮光膜１ｅである。
【００３０】
本形態においては、以下に示すように、容量線５ａ、データ線６ａ、および定電位線７ａは各々、本発明における「第３遮光膜１ｉ」、本発明における「第１遮光膜１ｇ」、および本発明における「第２遮光膜１ｈ」として構成されている。
容量線５ａ＝第３遮光膜１ｉ
データ線６ａ＝第１遮光膜１ｇ
定電位線７ａ＝第２遮光膜１ｈ
【００３１】
従って、第１基板１０の画素電極９ａが設けられた一方面１０ｓ側には、平面視で画素電極９ａの端部に一部が重なる第１遮光膜１ｇ（データ線６ａ）と、第１遮光膜１ｇを覆う第１絶縁膜４４と、第１絶縁膜４４の第１遮光膜１ｇとは反対側で第１遮光膜１ｇと重なる第２遮光膜１ｈ（定電位線７ａ）とが形成されている。また、第１基板１０には、第１遮光膜１ｇに対して第２遮光膜１ｈと反対側で第１遮光膜１ｇに重なる第３遮光膜１ｉ（容量線５ａ）と、第３遮光膜１ｉと第１遮光膜１ｇとの間で第３遮光膜１ｉを覆う第４絶縁膜４３とが設けられている。
【００３２】
ここで、第１絶縁膜４４は、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる領域と、第２遮光膜１ｈと平面視で重ならない領域とに設けられている。より具体的には、第１絶縁膜４４、第３絶縁膜４５、および第４絶縁膜４３はいずれも、層間絶縁膜として第１基板１０の略全面に形成されている。従って、第１絶縁膜４４、第３絶縁膜４５、および第４絶縁膜４３はいずれも、第１遮光膜１ｇ、第２遮光膜１ｈ、および第３遮光膜１ｉと平面視で重なる領域と、第１遮光膜１ｇ、第２遮光膜１ｈ、および第３遮光膜１ｉと平面視で重ならない領域とに設けられている。
【００３３】
本形態において、第１遮光膜１ｇ、第２遮光膜１ｈ、および第３遮光膜１ｉは、平面視で画素電極９ａの縁に沿って延在するとともに画素電極の端部と重なっており、互いに重なっている。但し、第１遮光膜１ｇのＹ軸方向の幅は、第２遮光膜１ｈのＹ軸方向の幅より広い。このため、第１遮光膜１ｇの一部は、平面視で第２遮光膜１ｈから幅方向の両側に張り出している。また、第３遮光膜１ｉのＹ軸方向の幅は、第１遮光膜１ｇのＹ軸方向の幅、および第２遮光膜１ｈのＹ軸方向の幅より広い。このため、第３遮光膜１ｉの一部は、平面視で第１遮光膜１ｇおよび第２遮光膜１ｈから幅方向の両側に張り出している。
【００３４】
このように構成した第１基板１０には、第２遮光膜１ｈの少なくとも側面１ｈ１を覆う透光性の第２絶縁膜４６が設けられており、第３絶縁膜４５は第２絶縁膜４６を覆っている。第３絶縁膜４５は、最上層の層間絶縁膜であり、画素電極９ａと接している。
【００３５】
ここで、第２絶縁膜４６と第３絶縁膜４５とは屈折率が相違している。従って、第２絶縁膜４６と第３絶縁膜４５との間には界面４７が存在している。本形態において、第３絶縁膜４５は、第２絶縁膜４６より屈折率が大きい。例えば、第２絶縁膜４６は、酸化シリコンからなり、屈折率が１．４６である。第３絶縁膜４５は、例えば、酸窒化シリコンからなり、屈折率が１．５８〜１．６８である。
【００３６】
第２絶縁膜４６は、第１基板１０の一方面１０ｓに対して傾斜した傾斜部４６１を有しており、第２絶縁膜４６と第３絶縁膜４５との間には、傾斜部４６１と第３絶縁膜４５との間には傾斜した第１界面４７１が存在する。本形態において、傾斜部４６１は曲面からなる。従って、傾斜部４６１と第３絶縁膜４５との第１界面４７１は曲面になっている。より具体的には、傾斜部４６１は凸曲面になっていることから、第１界面４７１は、第３絶縁膜４５の側に突出した凸曲面状になっている。
【００３７】
第１界面４７１は、第１遮光膜１ｇのうち、平面視で第２遮光膜１ｈから張り出している領域１ｇ０に平面視で重なっている。また、第１界面４７１は、第３遮光膜１ｉのうち、第１遮光膜１ｈから張り出した領域１ｉ０と平面視で重なっている。従って、第１界面４７１は、第３遮光膜１ｉのうち、第２遮光膜１ｇから張り出した領域と平面視で重なっている。
【００３８】
本形態において、第２絶縁膜４６は、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１のみを覆っており、第２遮光膜１ｈの第１遮光膜１ｇとは反対側の面１ｈ２を覆っていない。
【００３９】
また、第２絶縁膜４６は、傾斜部４６１から第１基板１０の側に延在する平面４６２を有していることから、界面４７は、曲面状の第１界面４７１から第１基板１０の側に延在する平面状の第２界面４７２を有している。
【００４０】
（電気光学装置１００の製造方法）
図６は、図１に示す電気光学装置１００の製造方法を示す説明図であり、図５に示す界面４７を形成する方法を示す工程断面図である。
【００４１】
図５を参照して説明した界面４７を形成するには、図６に示す第２遮光膜形成工程ＳＴ１１において、第２遮光膜１ｈを形成する。次に、第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１２において、第２遮光膜１ｈおよび第１絶縁膜４４の表面を覆うように第２絶縁膜４６を成膜する。次に、エッチバック工程ＳＴ１３において、第２絶縁膜４６にエッチバックを行い、第２遮光膜１ｈの面１ｈ２が露出するまで第２絶縁膜４６を除去する。その結果、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１のみを覆う第２絶縁膜４６が形成され、第２絶縁膜４６は、第２遮光膜１ｈの面１ｈ２を覆わない構造となる。しかる後に、図５に示すように、第２絶縁膜４６を覆うように第３絶縁膜４５を形成する。その結果、第２絶縁膜４６の傾斜部４６１と第３絶縁膜４５との間に第１界面４７１が形成される。
【００４２】
このような方法によれば、図６に示す第２絶縁膜成膜工程ＳＴ１２において成膜する第２絶縁膜４６の膜厚によって傾斜部４６１および第１界面４７１の曲率を制御することができる。なお、図４に示すように、中継電極７の側面にも第２絶縁膜４６が形成される。
【００４３】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、第１基板１０において、第２遮光膜１ｈを覆う第２絶縁膜４６の傾斜部４６１と、第２絶縁膜４６を覆う第３絶縁膜４５との第１界面４７１が、第１遮光膜１ｇと重なる領域に設けられている。このため、図５に矢印Ｌ１で示すように、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に通過する光が第１遮光膜１ｇに向かおうとしても、第１界面４７１での屈折によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。従って、第１遮光膜１ｇの一部が第２遮光膜１ｈから平面視で張り出している場合でも、第１基板１０に入射した光が表示に寄与する割合を高めることができる。また、図５に矢印Ｌ１で示すように、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に通過する光が第３遮光膜１ｉに向かおうとしても、第１界面４７１での屈折によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。従って、第３遮光膜１ｉの一部が第２遮光膜１ｈから平面視で張り出している場合でも、第１基板１０に入射した光が表示に寄与する割合を高めることができる。また、図５に矢印Ｌ２で示すように、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１に向かって斜め方向に進行する光は、第２絶縁膜４６と第３絶縁膜４５との界面４７で反射して透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。従って、本形態によれば、光の利用効率を高めることができる。
【００４４】
また、第１絶縁膜４４は、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる領域と、第２遮光膜１ｈと平面視で重ならない領域とに設けられており、界面４７は、第１絶縁膜４４より第１基板１０とは反対側のみに設けられている。このため、基板に到達する深い凹部を高屈折材料で埋めた特殊な構造を採用する必要がないので、工程上の負荷が小さい。それ故、本形態によれば、工程上の負荷が小さい簡素な構成で、上層側の第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に進行する光を表示に寄与させることができる。
【００４５】
また、第２絶縁膜４６は、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１のみを覆っているため、図６に示すエッチバック工程ＳＴ１３を利用することによって、傾斜部４６１を備えた第２絶縁膜４６を容易に形成することができる。さらに、画素電極９ａは、第３絶縁膜４５と接しており、画素電極９ａに近い上層側の位置に第２絶縁膜４６が設けられている。このため、第１基板１０に入射した光を表示に効率よく寄与させることができる。
【００４６】
［実施形態２］
図７は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００の説明図であり、図３に示すＧ−Ｇ′線に沿って第１基板１０を切断したときの断面図である。図８は、図７に示す界面４７の形成方法を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００４７】
図７に示すように、本形態でも、実施形態１と同様、第１基板１０の画素電極９ａが設けられた一方面１０ｓ側には、平面視で画素電極９ａの縁に沿って延在する第１遮光膜１ｇ（データ線６ａ）と、第１遮光膜１ｇを覆う第１絶縁膜４４と、第１絶縁膜４４の第１遮光膜１ｇとは反対側で第１遮光膜１ｇと重なって延在する第２遮光膜１ｈ（定電位線７ａ）とが形成されている。また、第１基板１０には、第１基板１０と第１遮光膜１ｇとの間で第１遮光膜１ｇに重なって延在する第３遮光膜１ｉ（容量線５ａ）と、第３遮光膜１ｉと第１遮光膜１ｇとの間で第３遮光膜１ｉを覆う第４絶縁膜４３とが設けられている。また、第１絶縁膜４４は、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる領域と、第２遮光膜１ｈと平面視で重ならない領域とに設けられている。
【００４８】
第１基板１０には、第２遮光膜１ｈの少なくとも側面１ｈ１を覆う透光性の第２絶縁膜４６が設けられており、第３絶縁膜４５は第２絶縁膜４６を覆っている。第３絶縁膜４５は、最上層の層間絶縁膜であり、画素電極９ａと接している。また、第３絶縁膜４５は、第２絶縁膜４６より屈折率が大きい。例えば、第２絶縁膜４６は、酸化シリコンからなり、第３絶縁膜４５は、酸窒化シリコンからなる。このため、第２絶縁膜４６と第３絶縁膜４５との間には界面４７が存在している。
【００４９】
本形態において、第２絶縁膜４６は、第１絶縁膜４４と平面視で重なる第１部分４６３と、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる第２部分４６４とを有している。従って、第２絶縁膜４６は、第２遮光膜１ｈの第１遮光膜１ｇとは反対側の面１ｈ２、および第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１を覆っている。
【００５０】
ここで、第２絶縁膜４６は、第２遮光膜１ｈの第１遮光膜１ｇとは反対側の面１ｈ２のＹ軸方向の端部、および側面１ｈ１と平面視で重なる領域に、第１基板１０の一方面１０ｓに対して傾斜した傾斜部４６６を有しており、第２絶縁膜４６と第３絶縁膜４５との間には、傾斜部４６６と第３絶縁膜４５との間には傾斜した第１界面４７６が存在する。なお、Ｙ軸方向において、傾斜部４６６の間は、第１基板１０の一方面１０ｓと平行な平面４６７になっており、平面４６７と第３絶縁膜４５との間は平面状の第２界面４７７になっている。
【００５１】
本形態において、傾斜部４６６は曲面からなる。従って、傾斜部４６６と第３絶縁膜４５との第１界面４７６は曲面になっている。より具体的には、傾斜部４６６は凸曲面になっていることから、第１界面４７６は、第３絶縁膜４５の側に突出した凸曲面状になっている。従って、第２部分４６４は、第２遮光膜１ｈとは反対側に略半球状に突出した凸部になっている。
【００５２】
第１界面４７６は、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１に平面視で重なっているとともに、第２遮光膜１ｈのＹ軸方向の両側端部に平面視で重なっている。また、第１界面４７６は、第１遮光膜１ｇのうち、平面視で第２遮光膜１ｈから張り出している領域１ｇ０に平面視で重なっている。また、第１界面４７１は、第３遮光膜１ｉのうち、第２遮光膜１ｈから張り出した領域１ｉ０と平面視で重なっている。従って、第１界面４７１は、第３遮光膜１ｉのうち、第１遮光膜１ｇから張り出した領域と平面視で重なっている。
【００５３】
図７を参照して説明した第１界面４７６を形成するには、図８に示す第１成膜工程ＳＴ２１において、酸化シリコンからなる第１膜４６８を形成した後、第１膜４６８の表面をパターニングし、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる位置に第２遮光膜１ｈと反対側に突出した凸部４６５を形成する。
【００５４】
次に、図９に示す第２成膜工程ＳＴ２２において、酸化シリコンからなる第２膜４６９を形成する。次に、図９に示すエッチバック工程ＳＴ２３において、第２膜４６９にエッチバックを行い、凸部４６５が露出するまで第２膜４６９を除去する。その結果、第２遮光膜１ｈの全面を覆う第２絶縁膜４６が形成される。しかる後に、図７に示すように、第２絶縁膜４６を覆うように第３絶縁膜４５を形成する。その結果、第２絶縁膜４６の傾斜部４６６と第３絶縁膜４５との間に第１界面４７６が形成される。
【００５５】
このような方法によれば、図９に示す第１成膜工程ＳＴ２１において形成した凸部４６５の高さ、および第２成膜工程ＳＴ２２で形成した第２膜４６９の膜厚によって傾斜部４６６および第１界面４７６の曲率を制御することができる。
【００５６】
以上説明したように、第１基板１０において、第２遮光膜１ｈを覆う第２絶縁膜４６の傾斜部４６６と、第２絶縁膜４６を覆う第３絶縁膜４５との第１界面４７６が、第１遮光膜１ｇと重なる領域に設けられている。このため、図８に矢印Ｌ３で示すように、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に通過する光が第２遮光膜１ｈに向かおうとしても、第１界面４７６での屈折によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。また、図８に矢印Ｌ４で示すように、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に通過する光が第１遮光膜１ｇに向かおうとしても、第１界面４７６での反射によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。従って、第１遮光膜１ｇの一部が第２遮光膜１ｈから平面視で張り出している場合でも、第１基板１０に入射した光が表示に寄与する割合を高めることができる。また、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１の近傍を第１基板１０に対して垂直に通過する光は、第３遮光膜１ｉに向かおうとしても、第１界面４７１での反射によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。従って、第３遮光膜１ｉの一部が第２遮光膜１ｈから平面視で張り出している場合でも、第１基板１０に入射した光が表示に寄与する割合を高めることができる。また、図８に矢印Ｌ５で示すように、第２遮光膜１ｈの側面１ｈ１に向かって斜め方向に進行する光は、第１界面４７１での屈折によって透光部１０ｈに向かい、表示に寄与する。従って、本形態によれば、光の利用効率を高めることができる。
【００５７】
また、第１絶縁膜４４は、第２遮光膜１ｈと平面視で重なる領域と、第２遮光膜１ｈと平面視で重ならない領域とに設けられており、界面４７は、第１絶縁膜４４より第１基板１０とは反対側のみに設けられている、このため、基板に到達する深い凹部を高屈折材料で埋めた特殊な構造を採用する必要がないので、工程上の負荷が小さい。それ故、本形態によれば、工程上の負荷が小さい簡素な構成で光の利用効率を高めることができる。
【００５８】
さらに、画素電極９ａは、第３絶縁膜４５と接しており、画素電極９ａに近い位置に第２絶縁膜４６が設けられている。このため、第１基板１０において、上層側に第２絶縁膜４６が位置することになるので、第１基板１０に入射した光を表示に効率よく寄与させることができる。
【００５９】
［実施形態３］
図９は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００の説明図であり、図３に示すＧ−Ｇ′線に沿って第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６０】
実施形態１、２では、第２遮光膜１ｈに対してのみ第２絶縁膜４６を設けたが、図９に示すように、第２遮光膜１ｈ、第１遮光膜１ｇ、および第３遮光膜１ｉの各々に第２絶縁膜４６および第３絶縁膜４５を設けてもよい。
【００６１】
［別の実施形態］
上記実施形態では、容量線５ａ、データ線６ａ、および定電位線７ａが各々、本発明における「第３遮光膜１ｉ」、本発明における「第１遮光膜１ｇ」、および本発明における「第２遮光膜１ｈ」として構成されていたが、本発明における「第３遮光膜１ｉ」、「第１遮光膜１ｇ」、および「第２遮光膜１ｈ」が上記の配線と異なる配線によって構成されている場合に本発明を適用してもよい。例えば、走査線３ａおよび容量線５ａが各々、「第１遮光膜１ｇ」および「第２遮光膜１ｈ」として本発明を適用してもよい。
【００６２】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。図８は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図である。図１０には、偏光板等の光学素子の図示を省略してある。図１０に示す投射型表示装置２１００は、電気光学装置１００を用いた電子機器の一例である。
【００６３】
図１０に示す投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００がライトバルブとして用いられ、装置を大きくすることなく高精細で明るい表示が可能である。この図に示されるように、投射型表示装置２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれ、変調される。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６４】
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。
【００６５】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００６６】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。
【符号の説明】
【００６７】
１ｅ、８ａ…遮光膜、１ｇ…第１遮光膜、１ｈ…第２遮光膜、１ｉ…第３遮光膜、１ｈ１…側面、３ａ…走査線、５ａ…容量線、６ａ…データ線、７ａ…定電位線、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ｇ…遮光部、１０ｈ…透光部、４３…第４絶縁膜、４４…第１絶縁膜、４５…第３絶縁膜、４６…第２絶縁膜、４７…界面、８０…電気光学層、１００…電気光学装置、４６１、４６６…傾斜部、４６３…第１部分、４６４…第２部分、４６５…凸部、４６８…第１膜、４６９…第２膜、４７１、４７６…第１界面、４７２、４７７…第２界面、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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