(57)【要約】【課題】コストの低減を図りつつ簡易な構成で分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングするウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの裏面を水溶性の液状樹脂で被覆する樹脂被覆ステップＳＴ２と、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面から照射し、アブレーション加工によって液状樹脂を分割予定ラインに沿って除去するレーザー加工ステップＳＴ３と、ウエーハの裏面にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、液状樹脂が除去されたウエーハの領域をエッチングしてウエーハを分割するプラズマエッチングステップＳＴ４と、ウエーハの裏面に水を供給し、液状樹脂を洗浄して除去する洗浄ステップＳＴ６とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極が形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
環状のフレームの開口を覆うように外周部が装着された粘着テープにウエーハの表面側を貼着するフレーム支持ステップと、
該フレーム支持ステップ実施後、ウエーハの裏面を水溶性の液状樹脂で被覆する樹脂被覆ステップと、
該樹脂被覆ステップ実施後、該ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面から照射し、アブレーション加工によって該液状樹脂を該分割予定ラインに沿って除去するレーザー加工ステップと、
該レーザー加工ステップ実施後、ウエーハの裏面にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該液状樹脂が除去された該ウエーハの領域をエッチングして該ウエーハを分割するプラズマエッチングステップと、
該ウエーハの裏面に水を供給し、該液状樹脂を洗浄して除去する洗浄ステップと、
を備えるウエーハの加工方法。
【請求項２】
該プラズマエッチングステップ実施後、プラズマエッチングでウエーハに形成された分割溝に沿ってレーザー光線を照射しウエーハ表面でデバイスを形成する機能層を分割する機能層分割ステップをさらに備える請求項１に記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
該ウエーハの裏面には、電極バンプ、金属膜又は配線層が形成されている請求項１または２に記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスが形成されるシリコンやガリウムヒ素、ＳｉＣ、サファイアなどからなるウエーハを個々のデバイスチップに分割するために、切削ブレードによるダイシングやレーザー光線によるレーザー加工が用いられる。切削ブレードは破砕加工のため、チップのエッジに欠けが発生してチップの抗折強度に限界（上限）が発生する。また、ウエーハ内部にレーザー光線で形成した改質層を破断起点としてデバイスチップに分割した場合でも、僅かながらもチップの側面に形成された亀裂によって、チップの抗折強度に限界（上限）が発生する。
【０００３】
とくに、半導体デバイスチップは技術革新にともない年々小さく薄く加工される。そのため、チップのエッジの欠けや側面の亀裂に起因する抗折強度低下の影響は大きい。そこで、プラズマ加工によってウエーハをダイシングする技術が開発されている（例えば、特許文献１参照）。この種の技術では、ウエーハをプラズマ加工する際に、デバイスがエッチングされることを防ぐため、デバイスの表面をマスクで覆う必要がある。通常、マスクといえばホトレジストや石英ガラス基板に高精度に作る物なので高コストになるが、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割するためのマスクであれば、高精度は不要ということで、レーザーアブレーションによるマスクを形成する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４４４７３２５号公報
【特許文献２】特許第６１８８５８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、分割予定ラインにはＴＥＧ（Test  Element  Group）などの金属構造物が形成されていることもあり、レーザーアブレーションで加工しても僅かに金属が残ってしまい、残った金属がプラズマエッチングを阻害するという課題が残されていた。また、従来のデバイス形成で用いるレジスト層をマスク材にして用いると、アッシングによるレジスト層の除去が必要になり、高コストになるという課題もあった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、コストの低減を図りつつ簡易な構成で分割予定ラインに沿ってプラズマエッチングするウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に電極が形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、環状のフレームの開口を覆うように外周部が装着された粘着テープにウエーハの表面側を貼着するフレーム支持ステップと、該フレーム支持ステップ実施後、ウエーハの裏面を水溶性の液状樹脂で被覆する樹脂被覆ステップと、該樹脂被覆ステップ実施後、該ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面から照射し、アブレーション加工によって該液状樹脂を該分割予定ラインに沿って除去するレーザー加工ステップと、該レーザー加工ステップ実施後、ウエーハの裏面にプラズマ状態のエッチングガスを供給し、該液状樹脂が除去された該ウエーハの領域をエッチングして該ウエーハを分割するプラズマエッチングステップと、該ウエーハの裏面に水を供給し、該液状樹脂を洗浄して除去する洗浄ステップと、を備えるものである。
【０００８】
この構成において、該プラズマエッチングステップ実施後、プラズマエッチングでウエーハに形成された分割溝に沿ってレーザー光線を照射しウエーハ表面でデバイスを形成する機能層を分割する機能層分割ステップをさらに備えてもよい。また、該ウエーハの裏面には、電極バンプ、金属膜又は配線層が形成されていてもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ウエーハの裏面に水溶性の液状樹脂で被覆し、分割予定ラインに沿ってアブレーション加工を行なうことで液状樹脂を該分割予定ラインに沿って除去するため、液状樹脂によるエッチングマスクを簡易な構成で作成することができる。また、エッチングマスクは水で洗浄して除去できるため、エッチングマスクの被覆及び洗浄が簡易的にでき、コストを低く抑えることができる。また、液状樹脂により被覆されるウエーハの裏面には、ＴＥＧなどの金属構造物が形成されていないため、金属構造物の無い裏面をアブレーション加工して液状樹脂を除去するため、金属構造物の除去残りを防止できる。更に、電極やデバイスが形成されたウエーハの表面側は、粘着テープが貼着されて保護されるため、プラズマエッチングされることもないし、アブレーション加工によるデブリの付着を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。
【図３】図３は、フレーム支持ステップを示す斜視図である。
【図４】図４は、樹脂被覆ステップを示す側断面図である。
【図５】図５は、レーザー加工ステップを示す側断面図である。
【図６】図６は、レーザー加工ステップ後のウエーハを模式的に示す斜視図である。
【図７】図７は、レーザー加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。
【図８】図８は、プラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。
【図９】図９は、プラズマエッチングステップ後のウエーハの要部の断面図である。
【図１０】図１０は、機能層分割ステップを示すウエーハの要部の断面図である。
【図１１】図１１は、機能層分割ステップ後のウエーハの要部の断面図である。
【図１２】図１２は、洗浄ステップを示す側断面図である。
【図１３】図１３は、本実施形態に係るウエーハの加工方法が適用される別の例のウエーハの要部の断面図である。
【図１４】図１４は、本実施形態に係るウエーハの加工方法が適用される別の例のウエーハの要部の断面図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係るウエーハの加工方法が適用される別の例のウエーハの要部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
本実施形態に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態に係るウエーハの加工方法の加工対象であるウエーハの一例を示す斜視図である。図２は、ウエーハの加工方法の手順を示すフローチャートである。
【００１３】
本実施形態では、ウエーハ１は、シリコン、サファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハ１は、図１に示すように、基板２の表面３に機能層４が積層され、かつ機能層４でデバイス５が形成されている。機能層４は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）により構成されている。
【００１４】
デバイス５は、交差する複数の分割予定ライン６で区画された各領域にそれぞれ形成されたＩＣ、ＬＳＩ等を含む。デバイス５を構成する回路は、機能層４により形成されて基板２の表面３に形成され、各デバイス５の表面にはそれぞれ電極７が露出して設けられている。また、ウエーハ１は、分割予定ライン６の少なくとも一部において、基板２の表面３側にＴＥＧ（Test  Element  Group）８または金属膜（不図示）が形成されている。ＴＥＧ８は、デバイス５に発生する設計上や製造上の問題を見つけ出すための評価用の素子である。図１には、デバイス５（分割予定ライン６で区画された領域）に形成された電極７、及び、分割予定ライン６に形成されたＴＥＧ８の一例を示したが、デバイス５に形成される電極７及び分割予定ライン６に形成されるＴＥＧ８の位置、大きさ、及び数などは適宜変更することが可能である。
【００１５】
本実施形態に係るウエーハの加工方法は、ウエーハ１を分割予定ライン６に沿って個々のデバイス５に分割する方法である。ウエーハの加工方法は、図２に示すように、フレーム支持ステップＳＴ１と、樹脂被覆ステップＳＴ２と、レーザー加工ステップＳＴ３と、プラズマエッチングステップＳＴ４と、機能層分割ステップＳＴ５と、洗浄ステップＳＴ６とを備える。
【００１６】
（フレーム支持ステップ）
図３は、フレーム支持ステップを示す斜視図である。フレーム支持ステップＳＴ１は、上記したウエーハ１を、粘着テープ２００を介して環状フレーム２０１に支持させるステップである。本実施形態では、図３に示すように、環状フレーム２０１はウエーハ１よりも大径な開口２０１Ａを有し、この開口２０１Ａを覆うように粘着テープ２００の外周部２００Ａを環状フレーム２０１の下面に貼着（装着）する。そして、環状フレーム２０１の開口２０１Ａに露出する粘着テープ２００にウエーハ１の表面３の機能層４側（表面側）を貼着する。このフレーム支持ステップＳＴ１では、ウエーハ１は基板２の裏面９側が露出して環状フレーム２０１に粘着テープ２００を介して支持される。
【００１７】
（樹脂被覆ステップ）
図４は、樹脂被覆ステップを示す側断面図である。樹脂被覆ステップＳＴ２は、レーザー加工ステップＳＴ３を実施する前に、ウエーハ１の裏面９にプラズマエッチングに対して耐性を有する樹脂膜１０を被覆するステップである。樹脂被覆ステップＳＴ２は、図４に示すように、粘着テープ２００を介してウエーハ１の機能層４側をスピンコータ２０のスピンナーテーブル２１に吸引保持し、環状フレーム２０１をクランパ２２によりクランプする。この状態で、スピンナーテーブル２１を軸心回りに回転させつつ塗布ノズル２３から液状樹脂２４をウエーハ１の裏面９に滴下する。この際、塗布ノズル２３はウエーハ１の直径方向に往復移動する。滴下された液状樹脂２４は、スピンナーテーブル２１の回転により発生する遠心力によって、ウエーハ１の裏面９上を中心側から外周側に向けて流れていき、ウエーハ１の裏面９の全面に塗布される。
【００１８】
液状樹脂２４は、例えば、ポリビニルアルコール（polyvinyl  alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl  pyrrolidone：ＰＶＰ）等のプラズマエッチングに対して耐性を有しかつ水溶性の液状樹脂が用いられる。
【００１９】
樹脂被覆ステップＳＴ２では、ウエーハ１の裏面９に水溶性の液状樹脂２４を塗布した後、液状樹脂２４を硬化させることにより、ウエーハ１の裏面９全体に液状樹脂２４が硬化して構成されたプラズマエッチング用の樹脂膜１０を被覆する。
【００２０】
（レーザー加工ステップ）
図５は、レーザー加工ステップを示す側断面図である。図６は、レーザー加工ステップ後のウエーハを模式的に示す斜視図である。図７は、レーザー加工ステップ後のウエーハの要部の断面図である。レーザー加工ステップＳＴ３は、全面に樹脂膜１０が形成されたウエーハ１に裏面９側からレーザー光線を分割予定ライン６に沿って照射することで分割予定ライン６に沿った領域の樹脂膜１０を除去するステップである。
【００２１】
レーザー加工ステップＳＴ３では、図５に示すように、粘着テープ２００を介して、ウエーハ１の機能層４側をレーザー加工装置３０のチャックテーブル３１に吸引保持し、環状フレーム２０１をクランパ３２によりクランプする。この状態で、レーザー加工装置３０の図示しない赤外線カメラによりウエーハ１を撮像して、分割予定ライン６の位置を割り出した後、レーザー光線照射手段３３とチャックテーブル３１とを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射手段３３からレーザー光線３３Ａを分割予定ライン６に沿って照射する（アブレーション加工）。
【００２２】
レーザー加工ステップＳＴ３は、例えば下記の加工条件でアブレーション加工を実施する。レーザー光線３３Ａの波長は、ウエーハ１と液状樹脂２４とに対して吸収性を有する波長が採用される。この加工条件は、一例であり、これに限るものではない。
[加工条件]
レーザー光線              ：ＹＡＧ／ＹＶＯ４
波長                      ：３５５ｎｍ
平均出力                  ：２Ｗ
繰り返し周波数            ：５０ｋＨｚ
照射スポット径            ：φ３０μｍ
チャックテーブルの送り速度：１００ｍｍ／ｓ
【００２３】
このような加工条件に基づき、アブレーション加工を実施すると、図６に示すように、分割予定ライン６に相当する領域の樹脂膜１０が除去されて加工溝（分割溝）１１が形成される。これにより、ウエーハ１の裏面９には樹脂膜１０からエッチングマスクが形成される。この加工溝１１は、図７に示すように、樹脂膜１０及び基板２の裏面９の表層部分を除去して該基板２を露出させている。
【００２４】
（プラズマエッチングステップ）
図８は、プラズマエッチングステップで用いられるエッチング装置の構成を示す断面図である。図９は、プラズマエッチングステップ後のウエーハの要部の断面図である。プラズマエッチングステップＳＴ４は、図８に示すエッチング装置４０のチャックテーブル４４で粘着テープ２００側を保持したウエーハ１を裏面９側からプラズマエッチングして、加工溝１１をウエーハ１の基板２の表面３に向かって進行させ、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するステップである。
【００２５】
プラズマエッチングステップＳＴ４は、図８に示すエッチング装置４０のシャッター４１を下降させて開口部４２を開口させた状態で、開口部４２から環状フレーム２０１に支持されたウエーハ１をチャンバ４３の内部に進入し、裏面９が図７中の上を向いて露出した状態でチャックテーブル４４に静電吸着される。この状態で、シャッター４１により開口部４２を閉め、ガス排出部４５の作動によりチャンバ４３の内部を減圧排気する。
【００２６】
次に、エッチングガス供給手段４６を下降させ、ガス供給部４７からガス流通孔４８にエッチングガスとしてフッ素系安定ガスを供給し、エッチングガス供給手段４６の下面の噴出部４９からエッチングガスを噴出させる。そして、高周波電源５０からエッチングガス供給手段４６とチャックテーブル４４との間に高周波電圧を印加してエッチングガスをプラズマ化させる。また、ウエーハ１にバイアス電圧を印加して、プラズマ中のイオンをウエーハ１の裏面９に引き込んで加工溝１１の溝底をエッチングする。これにより、図９に示すように、加工溝１１の溝底が裏面９から表面３に向けてウエーハ１厚み分だけエッチングされて、該加工溝１１が機能層４に到達している。ウエーハ１は、基板２が加工溝１１により分割され、加工溝１１内に機能層４が露出して残っている。
【００２７】
本実施形態では、エッチングガスとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）または四フッ化炭素（ＣＦ４）のフッ素系安定ガスが用いられる。ただし、これ以外にも、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、テトラフルオロエチレン（Ｃ２Ｆ４）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）等のうち少なくとも一つのフッ素系安定ガスを用いてもよい。
【００２８】
（機能層分割ステップ）
図１０は、機能層分割ステップを示すウエーハの要部の断面図である。図１１は、機能層分割ステップ後のウエーハの要部の断面図である。機能層分割ステップＳＴ５は、プラズマエッチングステップＳＴ４を実施した後、基板２を分割した加工溝１１の溝底に残った機能層４に、上記したレーザー加工装置３０が機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３３Ａを照射し、機能層４を加工溝１１に沿って除去するステップである。
【００２９】
機能層分割ステップＳＴ５では、レーザー加工装置３０が、チャックテーブル３１（図５）に粘着テープ２００を介してウエーハ１の機能層４側を保持し、図１０に示すように、レーザー光線照射手段３３とチャックテーブルとを分割予定ライン６に沿って相対的に移動させながらレーザー光線照射手段３３から機能層４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３３Ａを加工溝１１の溝底に露出した機能層４に照射する。機能層分割ステップＳＴ５では、各分割予定ライン６において、加工溝１１の溝底で露出した機能層４にアブレーション加工を施して、図１１に示すように、加工溝１１の溝底で露出した機能層４を分割する機能層分割部１２を形成し、ウエーハ１を個々のデバイス５に分割する。なお、機能層分割ステップＳＴ５では、分割予定ライン６に形成された上記したＴＥＧ８（図１）も分割される。すべての分割予定ライン６において加工溝１１の溝底で露出した機能層４が分割されると、洗浄ステップＳＴ６に進む。
【００３０】
（洗浄ステップ）
図１２は、洗浄ステップを示す側断面図である。洗浄ステップＳＴ６は、液状樹脂２４からなる樹脂膜１０を洗浄して除去するステップである。洗浄ステップＳＴ６は、粘着テープ２００を介してウエーハ１（各デバイス５）の裏面を図１２に示す洗浄装置６０のスピンナーテーブル６１に吸引保持し、環状フレーム２０１をクランパ６２によりクランプする。この状態で、スピンナーテーブル６１を軸心回りに回転させつつ洗浄ノズル６３から洗浄水６４をウエーハ１の裏面９に向けて供給する。この際、洗浄ノズル６３はウエーハ１の直径方向に往復移動する。供給された洗浄水６４は、スピンナーテーブル６１の回転により発生する遠心力によって、各デバイス５の裏面上を中心側から外周側に向けて流れていき、各デバイス５の裏面を覆った樹脂膜１０を溶解し、裏面が露出した状態のデバイス５（チップ）が残存する。なお、洗浄水６４としては、例えば純水を用いることができる。最後に、残存したデバイス５（チップ）をピックアップして終了する。
【００３１】
本実施形態に係るウエーハの加工方法は、ウエーハ１の裏面９を水溶性の液状樹脂による樹脂膜１０で被覆する樹脂被覆ステップＳＴ２と、ウエーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３３Ａをウエーハ１の裏面９側から照射し、アブレーション加工によって樹脂膜１０を分割予定ライン６に沿って除去するレーザー加工ステップＳＴ３とを備えるため、樹脂膜１０によるエッチングマスクを簡易な構成で作成することができる。また、樹脂膜１０は、洗浄ステップＳＴ６により水で洗浄して除去できるため、樹脂膜１０は、被覆及び洗浄が簡易的にでき、加工コストを低く抑えることができる。
【００３２】
また、ウエーハの加工方法は、ウエーハ１の裏面９を水溶性の液状樹脂による樹脂膜１０で被覆する。この裏面９には、ＴＥＧ８などの金属構造物が形成されていない。このため、ＴＥＧ８の無い裏面９をアブレーション加工して樹脂膜１０を分割予定ライン６に沿って除去するため、ＴＥＧ８の除去残りを防止できる。更に、電極７やデバイス５が形成されたウエーハ１の基板２の表面３側には、粘着テープ２００が貼着されて保護されるため、デバイス５が直接プラズマエッチングされることもないし、電極７やデバイス５にアブレーション加工によるデブリが付着することを防止できる。
【００３３】
また、ウエーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３でウエーハ１に形成された加工溝１１に沿ってレーザー光線３３Ａを照射しウエーハ１の基板２の表面３でデバイス５を形成する機能層４を分割する機能層分割ステップＳＴ５を備えるため、低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）等の機能層４を基板から剥離させることなく、機能層２が積層されたウエーハ１を個々のデバイス５に分割することができる。
【００３４】
また、ウエーハの加工方法は、プラズマエッチングステップＳＴ３において、基板２を分割予定ライン６に沿って分割するために、個々に分割されたデバイス５の側面がプラズマエッチングによって除去された面である。このために、ウエーハの加工方法は、切削加工による欠けが個々に分割されたデバイス５の側面に残らず、抗折強度が高いデバイス５を製造できる、という効果も奏する。
【００３５】
上記した実施形態では、ウエーハの加工方法が適用されるウエーハ１は上記した構成に限るものではない。例えば、図１３に示すように、基板２の裏面９全面に金属膜１０１が形成されたウエーハ１００を上記した加工手順で分割することができる。この場合、レーザー加工ステップＳＴ３において、裏面９側からレーザー光線を分割予定ライン６に沿って照射することで分割予定ライン６に沿った領域の樹脂膜１０と金属膜１０１とを除去する。このレーザー加工ステップＳＴ３により、分割予定ライン６に沿った領域で基板２の裏面９が露出するため、プラズマエッチングステップＳＴ４、機能層分割ステップＳＴ５により個々のデバイス５に分割することができる。また、金属膜１０１は、樹脂膜１０によって保護されるため、アブレーション加工によるデブリが金属膜１０１に付着することを防止できる。
【００３６】
また、図１４に示すように、デバイス５に対応する領域で基板２を貫通する貫通電極１１１と、基板２の裏面９側で貫通電極１１１に接続される電極バンプ１１２とを備えたＴＳＶ（through-silicon  via）ウエーハ１１０を上記した加工手順で分割することもできる。ＴＳＶウエーハ１１０の電極バンプ１１２は、図１４に示すように、デバイス５に対応する領域に形成されており、分割予定ライン６に沿った領域には形成されていない。このため、上記した加工手順によって、ＴＳＶウエーハ１１０を個々のデバイス５に分割することができる。また、電極バンプ１１２は、樹脂膜１０によって保護されるため、アブレーション加工によるデブリが電極バンプ１１２に付着することを防止できる。
【００３７】
また、図１５に示すように、デバイス５に対応する領域で基板２を貫通する貫通電極１２１と、基板２の裏面９側で貫通電極１２１に接続される再配線層（配線層）１２２とを備えたインターポーザー基板（ウエーハ）１２０を上記した加工手順で分割することもできる。インターポーザー基板１２０の再配線層１２２も、図１５に示すように、デバイス５に対応する領域に形成されており、分割予定ライン６に沿った領域には形成されていない。このため、上記した加工手順によって、インターポーザー基板１２０を個々のデバイス５に分割することができる。また、再配線層１２２は、樹脂膜１０によって保護されるため、アブレーション加工によるデブリが再配線層１２２に付着することを防止できる。
【００３８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では、基板２の表面３側に機能層４を備えた構成としたが、機能層４を備えないウエーハに適用することも可能である。この場合には、プラズマエッチングステップＳＴ４の後、機能層分割ステップＳＴ５が実施されずに洗浄ステップＳＴ６に移行する。
【符号の説明】
【００３９】
１  ウエーハ
２  基板
４  機能層
５  デバイス
６  分割予定ライン
７  電極
８  ＴＥＧ
９  裏面
１０  樹脂膜
１１  加工溝
１２  機能層分割部
２０  スピンコータ
２４  液状樹脂
３０  レーザー加工装置
３３Ａ  レーザー光線
４０  エッチング装置
６０  洗浄装置
６３  洗浄ノズル
６４  洗浄水
１００  ウエーハ
１０１  金属膜
１１０  ＴＳＶウエーハ（ウエーハ）
１１２  電極バンプ
１２０  インターポーザー基板（ウエーハ）
１２２  再配線層（配線層）
２００  粘着テープ
２０１  環状フレーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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