(57)【要約】【課題】最表層のめっき層をなす貴金属の電着量を極力削減してコストを極力低減可能で、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止してＬＥＤ素子搭載側のパッド部及びリード部の反射機能を良好に保持可能な多列型リードフレームの提供。【解決手段】第１の帯状領域１−Ａと第２の帯状領域１−Ｂを備えた多列型リードフレームであって、リードフレーム基材１０の全面に電解加工で形成された最表層が貴金属めっき層からなる積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４を有し、積層めっき層Ａ１、Ａ２は、第１の帯状領域と第２の帯状領域とで最表層のめっき層の厚みが異なり、積層めっき層Ａ３、Ａ４は、第１の帯状領域と第２の帯状領域とで最表層のめっき層の厚みが異なり、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みは、第１の帯状領域に形成された積層めっき層Ａ１、Ａ３の厚みよりも薄い。【選択図】図１
2020088228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームであって、
リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、
半導体素子を搭載する表面側の前記積層めっき層は、前記第１の帯状領域と、前記第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、
外部と接続する裏面側の前記積層めっき層は、前記第１の帯状領域と、前記第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、
前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴とする多列型リードフレーム。
【請求項２】
前記積層めっき層は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項１に記載の多列型リードフレーム。
【請求項３】
前記積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であることを特徴とする請求項１に記載の多列型リードフレーム。
【請求項４】
前記Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項３に記載の多列型リードフレーム。
【請求項５】
前記裏面側の前記第２の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多列型リードフレーム。
【請求項６】
前記表面側の前記第２の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多列型リードフレーム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の多列型リードフレームと、前記多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、前記リフレクタ樹脂部からなる内側面と前記リードフレーム領域が前記リフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備えることを特徴とする多列型ＬＥＤ用リードフレーム。
【請求項８】
請求項７に記載の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、
前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、
前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項９】
個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームの製造方法であって、
リードフレーム基材をなす金属板の両面に、前記第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
エッチング加工を行い、前記金属板に前記多列型リードフレーム形状を形成する工程と、
前記金属板の両面の前記レジストマスクを除去する工程と、
前記金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、
前記金属板の一方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、前記金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、前記金属板の他方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、前記第１のアノードとは表面積が異なる第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して前記金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、
を有することを特徴とする多列型リードフレームの製造方法。
【請求項１０】
個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームであって、
リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、
前記積層めっき層における前記最表層の貴金属めっき層以外のめっき層は、前記金属板の全面にわたって等しい厚みを有し、
前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層と、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有し、
前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、
前記裏面側の前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記表面側の前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい、
ことを特徴とする多列型リードフレーム。
【請求項１１】
前記積層めっき層は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項１０に記載の多列型リードフレーム。
【請求項１２】
前記積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であることを特徴とする請求項１０に記載の多列型リードフレーム。
【請求項１３】
前記Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項１２に記載の多列型リードフレーム。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれかに記載の多列型リードフレームと、前記多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、前記リフレクタ樹脂部からなる内側面と前記リードフレーム領域が前記リフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備えることを特徴とする多列型ＬＥＤ用リードフレーム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、
前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、
前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１６】
個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームの製造方法であって、
リードフレーム基材をなす金属板の両面に、前記第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
エッチング加工を行い、前記金属板に前記多列型リードフレーム形状を形成する工程と、
前記金属板の両面の前記レジストマスクを除去する工程と、
前記金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、
前記金属板の一方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、前記金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、前記金属板の他方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、前記第１のアノードと表面積及び前記金属板からの距離が等しい第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して前記金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、
を有することを特徴とする多列型リードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた、多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多列型リードフレームには、金属板に対しエッチング加工を行い、金属板から所定のリードフレーム形状を形成するとともに、必要なめっきを施すことにより製造されるタイプのものがある。
【０００３】
このタイプの多列型リードフレームの製造では、例えば、金属板の表裏両面にドライフィルムレジストを貼付け、所定のパターンが形成されたマスクを用いて露光を行い、現像を行って金属板の表裏両面にエッチング用レジストマスクを形成し、エッチング処理により金属板を所望のリードフレーム形状に形成し、その後、金属板の表裏両面に形成されたエッチング用レジストマスクを除去し、めっき加工を行い、リードフレーム形状に形成された金属板の全面に同じめっき層を形成する。また、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームの製造において、さらに、その後、反射樹脂を用いてリフレクタを形成する場合がある。
【０００４】
ところで、リードフレームの全面にめっき層を形成するタイプの多列型リードフレームの製造方法においては、半導体素子を搭載するパッド部や半導体素子の電極とのワイヤボンディングを行うリード部以外の箇所（例えば、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に位置する第２の帯状領域）にもパッド部やリード部と同様にめっき層が形成されることになるため、パッド部やリード部の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量が増えてコスト高となるという問題がある。第２の帯状領域は、パッド部やリード部とは異なり、反射特性や導電特性を持たせる必要性がない。従って、このような第２の帯状領域に、最表層のめっき層を構成する貴金属を使用する分、無駄なコストが増えることになる。
【０００５】
しかるに、従来、多列型ＬＥＤ用リードフレームの製造に際し、めっき層としての貴金属の使用量を削減する技術としては、例えば、次の特許文献１に記載されたものがある。
【０００６】
特許文献１に記載のものには、多列型ＬＥＤ用リードフレームの製造において、金属板の表裏両面にエッチング用レジストマスクを形成し、エッチング加工を行い、金属板を所定のリードフレーム形状に形成した後、金属板の表裏それぞれに異なる電流によって貴金属めっき層を形成することで、ＬＥＤ素子搭載領域を有する表面側のめっき層に比べて裏面側のめっき層の厚みを薄くすることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１６−１８１７３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載の金属板の表裏それぞれに異なる電流によって貴金属めっき層を形成することで、ＬＥＤ素子搭載領域を有する表面側のめっき層に比べて裏面側のめっき層の厚みを薄くする技術では、ＬＥＤ素子搭載領域を有する表面側のめっき層において、パッド部やリード部以外の箇所の反射特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量が増えてコスト高となるという問題を解消できない。また、特許文献１に記載の技術では、マトリックス状に配列されたリードフレーム領域のブロックを有する第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に位置する第２の帯状領域に形成される貴金属めっき層の削減余地が残されている。
【０００９】
第２の帯状領域は、リードフレーム領域のブロックを有する第１の帯状領域の外側に位置する。しかるに、電着めっきには、構造物の外周付近のめっき厚が厚くなり易いという特性があるため、第２の帯状領域は、めっき厚が厚くなり易い。その結果、多列型リードフレームの製造において、最表層に貴金属めっきを施した場合、第２の帯状領域に形成される、最表層のめっき層を構成する貴金属を使用する分の無駄なコストが大きくなり易い。
また、この第２の帯状領域のめっき厚が個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域のめっき厚よりも厚くなると、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域に備わる個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部の面と金型との間に隙間を生じる虞がある。そして、第１の帯状領域に備わる個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部のめっき厚が第２の帯状領域のめっき厚より薄くなる分の隙間に沿ってリフレクタ樹脂のバリが生じて、個々のリードフレーム領域における反射面として機能する、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の面の一部を覆い、ＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がある。
【００１０】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することが可能で、また、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止し、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明による多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームであって、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、半導体素子を搭載する表面側の前記積層めっき層は、前記第１の帯状領域と、前記第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、外部と接続する裏面側の前記積層めっき層は、前記第１の帯状領域と、前記第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴としている。
【００１２】
また、本発明による多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームであって、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、前記積層めっき層における前記最表層の貴金属めっき層以外のめっき層は、前記金属板の全面にわたって等しい厚みを有し、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層と、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有し、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、前記裏面側の前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記表面側の前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい、ことを特徴としている。
【００１３】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記積層めっき層は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層であるのが好ましい。
【００１４】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であるのが好ましい。
【００１５】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層であるのが好ましい。
【００１６】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄い場合に、前記裏面側の前記第２の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いのが好ましい。
【００１７】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい場合に、前記裏面側の前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みは、前記表面側の前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと等しいのが好ましい。
【００１８】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄い場合に、前記表面側の前記第２の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いのが好ましい。
【００１９】
なお、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄い場合に、前記金属板の半導体素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚さに対し、外部機器へ半田接続する裏面側の第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚さが５０％〜９０％、好ましくは７０％、表面側の第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚さが２６％〜４９％、好ましくは３０％、裏面側の第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚さが５％〜２５％、好ましくは２０％であるのが良い。
【００２０】
更には、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい場合に、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚さに対し、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚さが５％〜４９％、好ましくは３０％であるのが良い。
【００２１】
また、本発明による多列型ＬＥＤ用リードフレームは、上記本発明のいずれかの多列型リードフレームと、前記多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、前記リフレクタ樹脂部からなる内側面と前記リードフレーム領域が前記リフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備えることを特徴としている。
【００２２】
また、本発明によるＬＥＤパッケージの製造方法は、上記本発明の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることを特徴としている。
【００２３】
また、本発明による多列型リードフレームの製造方法は、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成する前記最表層の貴金属めっき層の厚みを、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成する前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄くする場合に用いる、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームの製造方法であって、リードフレーム基材をなす金属板の両面に、前記第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、エッチング加工を行い、前記金属板に前記多列型リードフレーム形状を形成する工程と、前記金属板の両面の前記レジストマスクを除去する工程と、前記金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、前記金属板の一方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、前記金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、前記金属板の他方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、前記第１のアノードとは表面積が異なる第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して前記金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、を有することを特徴としている。
【００２４】
また、本発明による多列型リードフレームの製造方法は、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成する前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成する前記最表層の貴金属めっき層の厚みとを等しくする場合に用いる、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームの製造方法であって、リードフレーム基材をなす金属板の両面に、前記第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、エッチング加工を行い、前記金属板に前記多列型リードフレーム形状を形成する工程と、前記金属板の両面の前記レジストマスクを除去する工程と、前記金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、前記金属板の一方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、前記金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、前記金属板の他方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、前記第１のアノードと表面積及び前記金属板からの距離が等しい第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して前記金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することが可能で、また、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止し、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る多列型リードフレームの一例を概略的に示す説明図で、(a)は平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＡ−Ａ拡大断面図である。
【図２】図１の多列型リードフレームにおけるリードフレーム領域のパターンの一例を概略的に示す説明図で、(a)は部分平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＢ−Ｂ断面図、(c)は(b)の部分拡大図である。
【図３】図２の多列型リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。
【図４】図３の製造工程における電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成するときの説明図で、(a)はリードフレーム形状の金属板に対するアノード、遮蔽板の配置を金属板の短辺方向からみた断面図、(b)は(a)の金属板に対する遮蔽板の配置を示す平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る多列型リードフレームの一例を概略的に示す説明図で、(a)は平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＣ−Ｃ拡大断面図である。
【図６】図５の多列型リードフレームにおけるリードフレーム領域のパターンの一例を概略的に示す説明図で、(a)は部分平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＤ−Ｄ断面図、(c)は(b)の部分拡大図である。
【図７】図６の多列型リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。
【図８】図７の製造工程における電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成するときの説明図で、(a)はリードフレーム形状の金属板に対するアノード、遮蔽板の配置を金属板の短辺方向からみた断面図、(b)は(a)の金属板に対する遮蔽板の配置を示す平面図である。
【図９】本発明の各実施形態に係る多列型リードフレームの製造工程によって製造された多列型リードフレームを用いたＬＥＤパッケージの製造工程の一例を示す説明図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る多列型リードフレームの例を概略的に示す説明図で、(a)は平面図、(b)は(a)の要部の一例を模式的に示すＥ−Ｅ拡大断面図、(c)は(a)の要部の他の例を模式的に示すＥ−Ｅ拡大断面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態に係る多列型リードフレームの例を概略的に示す説明図で、(a)は平面図、(b)は(a)の要部の一例を模式的に示すＦ−Ｆ拡大断面図、(c)は(a)の要部の他の例を模式的に示すＦ−Ｆ拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
実施形態の説明に先立ち、本発明の作用効果について説明する。
【００２８】
本発明の第１の形態の多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームであって、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層は、第１の帯状領域と、第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、外部と接続する裏面側の積層めっき層は、第１の帯状領域と、第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みは、第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成となっている。
本発明の第１の形態の多列型リードフレームは、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い多列型リードフレームに好適である。
【００２９】
本発明の第１の形態の多列型リードフレームのように、半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層が、第１の帯状領域と、第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、外部と接続する裏面側の積層めっき層が、第１の帯状領域と、第２の帯状領域とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みが、第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、パッド部やリード部の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量を大幅に低減することができる。そして、裏面側の第１の帯状領域に形成される積層めっき層の厚みが、表面側の第１の帯状領域に形成される積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とすることで、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することができるようになる。
【００３０】
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームのように、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みが、第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域に備わる個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【００３１】
なお、本発明の第１の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、積層めっき層を、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層で構成する。また、好ましくは、積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層で構成する。さらに、好ましくは、Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層で構成する。
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、裏面側の第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みが、表面側の第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とする。
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、表面側の第２の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みが、裏面側の第１の帯状領域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とする。
【００３２】
このような本発明の第１の形態の多列型リードフレームは、リードフレーム基材をなす金属板の両面に、第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、エッチング加工を行い、金属板に多列型リードフレーム形状を形成する工程と、金属板の両面のレジストマスクを除去する工程と、金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、金属板の一方の面側に、第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、金属板の他方の面側に、第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、第１のアノードとは表面積が異なる第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、を有することによって製造可能である。
【００３３】
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームは、多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、リフレクタ樹脂部からなる内側面とリードフレーム領域がリフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備える多列型ＬＥＤ用リードフレームとして構成することができる。
【００３４】
また、本発明の第１の形態のＬＥＤパッケージは、本発明の第１の形態の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることによって製造可能である。
【００３５】
従って、本発明の第１の形態によれば、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することが可能で、また、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止し、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法が得られる。
【００３６】
また、本発明の第２の形態の多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームであって、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、積層めっき層における最表層の貴金属めっき層以外のめっき層は、金属板の全面にわたって等しい厚みを有し、金属板の表面側の第１の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層と、金属板の裏面側の第１の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有し、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、第１の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、裏面側の第２の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みと、表面側の第２の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい構成となっている。
本発明の第２の形態の多列型リードフレームは、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい多列型リードフレームに適用できる。
【００３７】
本発明の第２の形態の多列型リードフレームのように、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、パッド部やリード部の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量を大幅に低減することができるようになる。
【００３８】
また、本発明の第２の形態の多列型リードフレームのように、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域に備わる個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【００３９】
なお、本発明の第２の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、積層めっき層を、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層で構成する。また、好ましくは、積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層で構成する。さらに、好ましくは、Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層で構成する。
【００４０】
このような本発明の第２の形態の多列型リードフレームは、リードフレーム基材をなす金属板の両面に、第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、エッチング加工を行い、金属板に多列型リードフレーム形状を形成する工程と、金属板の両面のレジストマスクを除去する工程と、金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、金属板の一方の面側に、第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、金属板の他方の面側に、第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、第１のアノードと表面積及び金属板からの距離が等しい第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、を有することによって製造可能である。
【００４１】
また、本発明の第２の形態の多列型リードフレームは、多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、リフレクタ樹脂部からなる内側面とリードフレーム領域がリフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備える多列型ＬＥＤ用リードフレームとして構成することができる。
【００４２】
また、本発明の第２の形態のＬＥＤパッケージは、本発明の第１の形態の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることによって製造可能である。
【００４３】
従って、本発明の第２の形態によれば、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することが可能で、また、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止し、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法が得られる。
【００４４】
以下、本発明の多列型リードフレーム及びその製造方法の実施形態について図面を用いて説明する。
【００４５】
第１実施形態
図１は本発明の第１実施形態に係る多列型リードフレームの一例を概略的に示す説明図で、(a)は平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＡ−Ａ拡大断面図である。図２は図１の多列型リードフレームにおけるリードフレーム領域のパターンの一例を概略的に示す説明図で、(a)は部分平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＢ−Ｂ断面図、(c)は(b)の部分拡大図である。図３は図２の多列型リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。図４は図３の製造工程における電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成するときの説明図で、(a)は最表層以外のめっき層が形成されたリードフレーム形状の金属板に対するアノード、遮蔽板の配置を金属板の短辺方向からみた断面図、(b)は(a)の金属板に対する遮蔽板の配置を示す平面図である。
なお、本発明における各実施形態の図面では、要部説明の便宜上、めっき層の厚みを、リードフレーム基材をなす金属板の厚みよりも大きく示すとともに、リードフレーム基材をなす金属板の厚みを各部で同じ、且つ、平面に示してある。なお、本発明の各実施形態に適用されるリードフレームにおけるリードフレーム領域のパターンは、図示のものに限定されず、どのようなパターンであってもよい。また、例えば、以下に示すパッド部やリード部におけるリードフレーム基材をなす金属板の外縁部にリフレクタ樹脂との密着性を向上させるための凹部を設けた構成であっても良いし、連結部におけるリードフレーム基材をなす金属板の厚みがパッド部やリード部におけるリードフレーム基材をなす金属板の厚みに比べて薄い構成であってもよい。
【００４６】
第１実施形態の多列型リードフレーム１は、図１(a)、図１(b)に示すように、第１の帯状領域１−Ａと、第２の帯状領域１−Ｂを備えている。
第１の帯状領域１−Ａは、例えば、図２(a)に示すように、パッド部１１とリード部１２とを有する個々のリードフレーム領域１ｎ（図２(a)においては、夫々一点鎖線の矩形で示すパッケージ外形ラインが相当する）がマトリックス状に配列されたブロックを有している。なお、図２(a)の例では、個々のリードフレーム領域１ｎの間には、吊りリード及びダムバー等からなる連結部１３を備えている。また、マトリックス状に配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックの外周には、枠部２を備えている。
第２の帯状領域１−Ｂは、図１(a)に示すように、第１の帯状領域１−Ａの長辺両側に位置する。
そして、図１の例の多列型リードフレーム１では、第１の帯状領域１−Ａは、リードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有し、第２の帯状領域１−Ｂは、第１の帯状領域１−Ａの長辺両側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２のみを有した構成となっている。
なお、図１の例では、リードフレーム領域１ｎのブロックの配列を、リードフレーム基材の長辺方向に複数列、短辺方向に１行配列された態様としたが、リードフレーム領域１ｎのブロックの配列態様は、図１の例に限定されるものではなく、例えば、リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に複数列、短辺方向に複数行配列された態様であってもよい。
リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に複数列、短辺方向に複数行配列された態様の多列型リードフレームの場合、第１の帯状領域１−Ａは、リードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２と、リードフレーム基材の長辺に沿う方向において、隣接するリードフレーム領域１ｎのブロック同士の間に位置する枠部２を有し、第２の帯状領域１−Ｂは、第１の帯状領域１−Ａの長辺両側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２のみを有した構成とする。
また、本実施形態の多列型リードフレーム１は、図１(b)、図２(b)、図２(c)に示すように、リードフレーム基材をなす金属板１０における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４を有している。なお、本実施形態では、積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層で構成されている。なお、積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、上記の構成以外に、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であってもよい。Ｎｉを含む積層めっき層は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層とすることができる。後で説明する第２実施形態についても同様である。
【００４７】
積層めっき層Ａ１は、半導体素子を搭載する表面側の第１の帯状領域１−Ａの面の上に形成されている。
積層めっき層Ａ２は、半導体素子を搭載する表面側の第２の帯状領域１−Ｂの面の上に形成されている。
積層めっき層Ａ３は、外部と接続する裏面側の第１の帯状領域１−Ａの面の上に形成されている。
積層めっき層Ａ４は、外部と接続する裏面側の第２の帯状領域１−Ｂの面の上に形成されている。
半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１と積層めっき層Ａ２とは、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なっている。
また、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３と積層めっき層Ａ４とは、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なっている。
また、積層めっき層Ａ２の厚みは、積層めっき層Ａ１の厚みに比べて薄く、積層めっき層Ａ４の厚みは、積層めっき層Ａ３の厚みに比べて薄くなっている。
即ち、表側の面、裏側の面の夫々において、第２の帯状領域１−Ｂの面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、第１の帯状領域１−Ａの面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄くなっている。
そして、本実施形態の多列型リードフレーム１においては、金属板１０の半導体素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層Ａ１の厚さに対し、外部機器へ半田接続する裏面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層Ａ３の厚さが５０％〜９０％、好ましくは７０％、表面側の第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ２の厚さが２６％〜４９％、好ましくは３０％、裏面側の第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ４の厚さが５％〜２５％、好ましくは２０％となっている。なお、積層めっき層Ａ１の厚さに対して積層めっき層Ａ３の厚みが厚くてもよく、積層めっき層Ａ２の厚さに対して積層めっき層Ａ４の厚みが厚くてもよい。
なお、図２の例では、本実施形態の多列型リードフレーム１は、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるための多列型ＬＥＤ用リードフレームとして構成されており、図２(a)において斜線のハッチングで示した領域には、リフレクタ樹脂部１５が形成されている。
【００４８】
このように構成された第１実施形態の多列型リードフレーム１は、次のようにして製造することができる。なお、ここでは、便宜上、リードフレーム領域が図２に示したパターンに設計された多列型リードフレームの製造について説明することとする。
銅合金又はニッケル系合金からなるリードフレーム基材をなす金属板１０を準備する（図３(a)参照）。次に、リードフレーム基材１０の両面にレジスト層Ｒ１を形成する（図３(b)参照）。次に、第１の帯状領域にパッド部、リード部、連結部、枠部を有する個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、両面夫々のレジスト層Ｒ１を露光、現像し、エッチング用のレジストマスク３０を形成する（図３(c)参照）。次に、両面からエッチング加工を施し、金属板１０にパッド部１１、リード部１２、連結部１３、枠部２を有する個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状を形成し（図３(d)参照）、エッチング加工後にエッチング用のレジストマスク３０を除去する（図３(e)参照）。なお、多列型リードフレーム形状は、前記エッチング加工以外にプレス加工により形成してもよい。
次に、めっき槽内で、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に所定の電解加工（ここでは、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、表面積及び金属板１０からの距離が同じアノードを金属板１０の表裏両側に配置して行った電解加工）により所定のめっき層を形成する。なお、ここでは、順に、Ｎｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を形成する。
次に、めっき槽内に、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し（図４(a)、図４(b)参照）、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成し、金属板１０の一方の面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２を完成させる。また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を配置し（図４(a)、図４(b)参照）、第１のアノード３７とは表面積が異なる（ここでは、表面積が小さい）第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成して金属板１０の他方の面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４を完成させる。
これにより、ＬＥＤ素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２は、第１の帯状領域１−Ａと、第２の帯状領域１−Ｂとで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４は、第１の帯状領域１−Ａと、第２の帯状領域１−Ｂとで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層Ａ１、Ａ３の厚みに比べて薄い本実施形態の多列型リードフレームが得られる（図３(f)参照）。また、ＬＥＤ素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２は、多列型リードフレーム１の短辺に沿う方向に位置する枠部２と、長辺に沿う方向に位置する枠部２とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、短辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みが長辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みよりも厚くなっている。また、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４は、多列型リードフレーム１の短辺に沿う方向に位置する枠部２と、長辺に沿う方向に位置する枠部２とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、短辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みが長辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みよりも厚くなっている。
また、図４(b)において、多列型リードフレームの短辺に沿う方向であって、リードフレーム領域１ｎの上面を通るいかなる切断面において、同様の切断面としてよい。
【００４９】
上述のように、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールは、カソードとなるリードフレーム形状に形成された金属板１０に対し、金属板１０の一方の面側の第１のアノード３７の表面積と、金属板１０の他方の面側の第２のアノード３８の表面積とを、所望する最表層の貴金属めっき層の厚みの比率に応じて異ならせるとともに、金属板１０の一方の面側に第１の遮蔽板３５、金属板１０の他方の面側の夫々に第２の遮蔽板３６を配置することによって行う。めっき層の厚みの比率としては、金属板１０のＬＥＤ素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層Ａ１の厚さに対し、外部機器へ半田接続する側の裏面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層Ａ３の厚さが５０％〜９０％、好ましくは７０％、表面側の第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ２の厚さが２６％〜４９％好ましくは３０％、裏面側の第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ４の厚さが５％〜２５％、好ましくは２０％となるように、形成する最表層の貴金属めっき層の厚みを異ならせると良い。なお、積層めっき層Ａ１の厚さに対して積層めっき層Ａ３の厚みを厚くしてもよく、積層めっき層Ａ２の厚さに対して積層めっき層Ａ４の厚みを厚くしてもよい。
【００５０】
なお、図４に示した、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールにおいては、金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で離し、且つ、その位置において第１及び第２の遮蔽板３５、３６が、第１のアノード３７及び、第２のアノード３８の夫々から見た状態において、第２の帯状領域１−Ｂを覆い、さらに第２の帯状領域１−Ｂよりも０．１ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ幅を有するような配置構成にするのが好ましい。
金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍを下回る距離に近づけると、製品と接触して傷が付く虞がある。一方、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、２０．０ｍｍを上回る距離に離すと、めっき厚が増えて第２の帯状領域１−Ｂにおいて極薄の状態が得られなくなる。
また、第２の帯状領域１−Ｂを覆いさらに第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が０．１ｍｍを下回ると、第２の帯状領域１−Ｂのめっき厚が増えてしまう。一方、第２の帯状領域１−Ｂを覆いさらに第１の帯状領域にまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が２０．０ｍｍを上回ると、めっき槽内の液流が乱れ易くなりめっきムラが生じてしまう。
【００５１】
次に、パッド部１１とリード部１２との間及びパッド部１１とリード部１２の外周近傍から外側にわたりリフレクタ樹脂を充填し、連結部１３を覆い、パッド部１１とリード部１２との間に介在するとともに、パッド部１１及びリード部１２の外周を、パッド部１１のＬＥＤ素子搭載面に搭載したときのＬＥＤ素子２０よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部１５を、モールド金型を用いて形成する（図３(g)参照）。これにより、リフレクタ樹脂部を備えた多列型ＬＥＤ用リードフレームとなる。
【００５２】
第１実施形態の多列型リードフレーム１によれば、半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２が、第１の帯状領域１−Ａと、第２の帯状領域１−Ｂとで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４が、第１の帯状領域１−Ａと、第２の帯状領域１−Ｂとで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層の厚みＡ１、Ａ３に比べて薄い構成としたので、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての特性を良好に保ちつつ、パッド部１１やリード部１２の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるためのめっき層としての貴金属の使用量を大幅に低減することができる。そして、裏面側の第１の帯状領域１−Ａに形成される積層めっき層Ａ３の厚みが、表面側の第１の帯状領域１−Ａに形成される積層めっき層Ａ１の厚みに比べて薄い構成とすることで、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することができる。
【００５３】
また、本実施形態の多列型リードフレーム１によれば、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された積層めっき層Ａ１、Ａ３の厚みに比べて薄い構成としたので、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域１−Ａに備わる個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【００５４】
また、図１(b)で示すように、断面視で矩形状の金属板１０の表面にめっきを施す場合、角部の近傍にめっきが厚く形成されることがある。このような場合、例えば、多列型リードフレームまたは多列型ＬＥＤ用リードフレームを格納するマガジンに多列型リードフレーム等を挿入する際に、角部に形成された厚いめっき部分が欠け、リードフレーム領域１ｎ上にその欠けためっき部分が配置される可能性がある。しかし、本発明の第１の形態の多列型リードフレームによると、金属板１０の角部近傍のめっき厚みを薄くすることができるため、リードフレーム領域１ｎ上に不要なめっき部分が意図せず配置される可能性を低減することができる。
また、図２(a)で示す多列型リードフレームの長辺に沿う方向に位置する枠部２には、めっき搬送装置やモールド金型等に固定するための孔部（図示省略）が形成されることがある。このような場合に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する長辺に沿う方向に位置する枠部２の表面側および裏面側において、積層めっき層の厚みを薄くすることで、孔部内にめっきバリが生じる可能性を低減することができる。これにより、多列型リードフレームをめっき搬送装置等に固定する際に、位置決めの精度を向上させて固定することができる。
【００５５】
第２実施形態
図５は本発明の第２実施形態に係る多列型リードフレームの一例を概略的に示す説明図で、(a)は平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＣ−Ｃ拡大断面図である。図６は図５の多列型リードフレームにおけるリードフレーム領域のパターンの一例を概略的に示す説明図で、(a)は部分平面図、(b)は(a)の要部を模式的に示すＤ−Ｄ断面図、(c)は(b)の部分拡大図である。図７は図６の多列型リードフレームの製造工程の一例を示す説明図である。図８は図７の製造工程における電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成するときの説明図で、(a)はリードフレーム形状の金属板に対するアノード、遮蔽板の配置を金属板の短辺方向からみた断面図、(b)は(a)の金属板に対する遮蔽板の配置を示す平面図である。
【００５６】
第２実施形態の多列型リードフレーム１は、図５(b)に示す積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における最表層の貴金属めっき層（ここではＡｇめっき層）以外のめっき層が、図５(a)に示す金属板１０の全面にわたって等しい厚みを有している。
また、金属板１０の表面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層と、金属板１０の裏面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有している。
また、図５(b)に示す積層めっき層Ａ２における最表層の貴金属めっき層の厚みは、積層めっき層Ａ１における最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、積層めっき層Ａ４における最表層の貴金属めっき層の厚みは、積層めっき層Ａ２における最表層の貴金属めっき層の厚みと等しくなっている。
即ち、表側の面、裏側の面の夫々において、第２の帯状領域１−Ｂの面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、第１の帯状領域１−Ａの面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄くなっている。
そして、本実施形態の多列型リードフレーム１においては、金属板１０の表面側、裏面側の夫々における、第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚さに対し、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚さが５％〜４９％、好ましくは３０％となっている。
また、本実施形態の多列型リードフレーム１は、図６(a)に示すように、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるための多列型ＬＥＤ用リードフレームとして構成されており、図６(a)において斜線のハッチングで示した領域には、リフレクタ樹脂部１５が形成されている。
その他の構成は、第１実施形態の多列型リードフレームと略同じである。
【００５７】
このように構成された第２実施形態の多列型リードフレーム１は、次のようにして製造することができる。なお、ここでは、便宜上、リードフレーム領域が図６に示したパターンに設計された多列型リードフレームの製造について説明することとする。
本実施形態の多列型リードフレームの製造において、金属板１０の準備（図７(a)参照）、レジスト層Ｒ１の形成（図７(b)参照）、エッチング用のレジストマスク３０の形成（図７(c)参照）、エッチング加工による多列型リードフレーム形状の形成（図７(d)参照）、エッチング用のレジストマスク３０の除去（図７(e)参照）までは、図３(a)〜図３(e)を用いて説明した第１実施形態の多列型リードフレームの製造工程におけるものと略同じであり、その次のめっき層の形成工程における最表層の貴金属めっき層の形成手法が第１実施形態の多列型リードフレームの製造におけるものとは異なる。
第２実施形態の多列型リードフレームの製造におけるめっき層の形成工程では、まず、めっき槽内で、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に所定の電解加工（ここでは、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、表面積及び金属板１０からの距離が同じアノードを金属板１０の表裏両側に配置して行った電解加工）により所定のめっき層を形成する。なお、ここでは、順に、Ｎｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を形成する。
次に、めっき槽内に、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し（図８(a)、図８(b)参照）、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成し、金属板１０の一方の面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２を完成させる。また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を、第１の遮蔽板３５と金属板１０からの距離が等しい（Ｌ１＝ｌ２）位置に配置し（図８(a)、図８(b)参照）、第１のアノード３７と表面積及び金属板１０からの距離Ｌ３、Ｌ４が等しい第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成して金属板１０の他方の面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４を完成させる。
これにより、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、裏面側の第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、表面側の第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みと等しい、本実施形態の多列型リードフレームが得られる（図７(f)参照）。
【００５８】
上述のように、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールは、カソードとなるリードフレーム形状に形成された金属板１０に対し、金属板１０の一方の面側の第１のアノード３７の表面積及び金属板１０からの距離Ｌ３と、金属板１０の他方の面側の第２のアノード３８の表面積及び金属板１０からの距離Ｌ４とを等しくするとともに、金属板１０の一方の面側に配置する第１の遮蔽板３５と、金属板１０の他方の面側に配置する第２の遮蔽板３６とを金属板１０からの距離が等しい（Ｌ１＝ｌ２）位置に配置することによって行う。めっき層の厚みの比率としては、金属板１０のＬＥＤ素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚さ、外部機器へ半田接続する側の裏面側の第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚さに対し、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚さが５％〜４９％、好ましくは３０％となるように、形成する最表層の貴金属めっき層の厚みを異ならせると良い。
【００５９】
なお、図８に示した、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールにおいては、金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で離し、且つ、その位置において第１及び第２の遮蔽板３５、３６が、第１のアノード３７及び、第２のアノード３８の夫々から見た状態において、第２の帯状領域１−Ｂを覆い、さらに第２の帯状領域１−Ｂよりも０．１ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ幅を有するような配置構成にするのが好ましい。
金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍを下回る距離に近づけると、製品と接触して傷が付く虞がある。一方、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、２０．０ｍｍを上回る距離に離すと、めっき厚が増えて第２の帯状領域１−Ｂにおいて極薄の状態が得られなくなる。
また、第２の帯状領域１−Ｂを覆いさらに第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が０．１ｍｍを下回ると、第２の帯状領域１−Ｂのめっき厚が増えてしまう。一方、第２の帯状領域１−Ｂを覆いさらに第１の帯状領域にまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が２０．０ｍｍを上回ると、めっき槽内の液流が乱れ易くなりめっきムラが生じてしまう。
次に、第１実施形態と同様にして、リフレクタ樹脂部１５を形成する（図７(g)参照）ことにより、リフレクタ樹脂部を備えた多列型ＬＥＤ用リードフレームとなる。
【００６０】
第２実施形態の多列型リードフレーム１によれば、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成としたので、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての特性を良好に保ちつつ、貴金属の使用量を大幅に低減することができる。
【００６１】
また、本実施形態の多列型リードフレーム１によれば、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成としたので、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域１−Ａに備わる個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【００６２】
また、図５(b)で示すように、断面視で矩形状の金属板１０の表面にめっきを施す場合、角部の近傍にめっきが厚く形成されることがある。このような場合、例えば、多列型リードフレームまたは多列型ＬＥＤ用リードフレームを格納するマガジンに多列型リードフレーム等を挿入する際に、角部に形成された厚いめっき部分が欠け、リードフレーム領域１ｎ上にその欠けためっき部分が配置される可能性がある。しかし、本発明の第２の形態の多列型リードフレームによると、金属板１０の角部近傍のめっき厚みを薄くすることができるため、リードフレーム領域１ｎ上に不要なめっき部分が意図せず配置される可能性を低減することができる。
また、図６(a)で示す多列型リードフレームの長辺に沿う方向に位置する枠部２には、めっき搬送装置やモールド金型等に固定するための孔部（図示省略）が形成されることがある。このような場合に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する長辺に沿う方向に位置する枠部２の表面側および裏面側において、積層めっき層の厚みを薄くすることで、孔部内にめっきバリが生じる可能性を低減することができる。これにより、多列型リードフレームをめっき搬送装置等に固定する際に、位置決めの精度を向上させて固定することができる。
【００６３】
次に、本発明の各実施形態の多列型リードフレーム１を用いたＬＥＤパッケージの製造について図面を用いて説明する。なお、ここでは便宜上、ＬＥＤパッケージの製造工程の説明に第１実施形態の多列型リードフレームを用いることとする。図９は図３の製造工程により製造した第１実施形態の多列型リードフレーム１を用いたＬＥＤパッケージの製造工程の一例を示す説明図である。
【００６４】
まず、図３(g)に示した、リフレクタ樹脂部１５を備えた多列型ＬＥＤ用リードフレーム１を準備する（図９(a)参照）。多列型ＬＥＤ用リードフレームは、上面側に複数の凹部を備える。凹部は、リフレクタ樹脂部１５からなる内側面と、リードフレーム領域１ｎがリフレクタ樹脂部１５から露出した内底面とで形成される。多列型ＬＥＤ用リードフレームにおいて、リフレクタ樹脂部１５の一部は、第２の帯状領域１−Ｂに位置する積層めっき層Ａ２および／または積層めっき層Ａ４を被覆する。第２の帯状領域１−Ｂに位置する積層めっき層Ａ２および積層めっき層Ａ４は厚みが薄いため、下地のめっき層の成分または金属板１０の銅等の成分が最表層となる貴金属めっき層の表面に析出しやすい。これにより、リフレクタ樹脂部１５と、第２の帯状領域１−Ｂに位置する積層めっき層Ａ２および／または積層めっき層Ａ４との密着強度が向上する。また、第２の帯状領域１−Ｂに位置する積層めっき層の厚みを第１の帯状領域１−Ａに位置する積層めっき層の厚みよりも薄くすることで、第１の帯状領域１−Ａと第２の帯状領域１−Ｂとの境界に高低差を設けることができ、多列型リードフレーム１にリフレクタ樹脂部１５となる樹脂材料を成形する際に、第２の帯状領域１−Ｂにその樹脂材料が流れ込みやすくなる。これにより、リフレクタ樹脂部１５が第２の帯状領域１−Ｂを広範囲に被覆することができ、密着強度の高い多列型ＬＥＤ用リードフレームとすることができる。なお、多列型ＬＥＤ用リードフレームは、上記の製造工程により製造して準備してもよく、また予め製造された多列型ＬＥＤ用リードフレームを購入する等により準備してもよい。
次に、多列型ＬＥＤ用リードフレーム１のパッド部１１に形成された積層めっき層Ａ１の上面にＬＥＤ素子２０を搭載するとともに、ＬＥＤ素子２０の電極とパッド部１２に形成された積層めっき層Ａ１の上面とをボンディングワイヤ１４を介して接続する（図９(b)参照）。ＬＥＤ素子２０は、発光ダイオード素子などを用いることができ、可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を好適に用いることができる。また、ＬＥＤ素子２０は、一の面に一対の電極を有し、一対の電極とリードフレーム領域１ｎの上面とが対向するようにリードフレーム領域１ｎの上面上に実装することもできる。
次に、多列型ＬＥＤ用リードフレーム１のリフレクタ樹脂部１５で囲まれ、ＬＥＤ素子２０が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、透明樹脂部１６を形成して、リフレクタ樹脂部１５で囲まれた内部空間を封止する（図９(c)参照）。
【００６５】
次に、リフレクタ樹脂部１５における、パッド部１１及びリード部１２の外周を囲む部位（図１(a)に示したパッケージ外形ライン）を連結部１３、さらには、枠部２とともに切断する（図９(d)参照）。切断方法としては、例えば、リードカット金型、ダイシングソー又はレーザー光を用いて切断することができる。これにより、本実施形態の多列型ＬＥＤ用リードフレーム１を用いた製品単位のＬＥＤパッケージが完成する（図９(e)参照）。
【００６６】
ここで、ＬＥＤパッケージのパッド部１１およびリード部１２において、表面側にある最表層の貴金属めっきの厚みを、例えば、裏面側にある最表層の貴金属めっきの厚みよりも厚くした場合、表面側にある最表層の貴金属めっきの平坦度が高くなりＬＥＤ素子２０から出射される光を効果的に上方に反射しつつ、裏面側の最表層の貴金属めっきの厚みが薄いことによりＬＥＤパッケージの１個にかかるコストを低減することができる。また、表面側にある最表層の貴金属めっきが厚いことで、凹部の開口部から入り込む硫黄等の成分による硫化の進行を抑制する、または遅らせることが可能となる。その結果、例えば、ボンディングワイヤ１４の一端とリードフレーム領域１ｎとの接続部において、ボンディングワイヤ１４が断線する可能性を低減することができる。また、ＬＥＤパッケージのパッド部１１およびリード部１２において、表面側にある最表層の貴金属めっきの厚みを、例えば、裏面側にある最表層の貴金属めっきの厚みよりも薄くした場合、裏面側にある最表層の貴金属めっきの表面に例えば母材の銅等の成分が析出する可能性を低減することができる。その結果、ＬＥＤパッケージを半田等の接合部材を介して実装基板に実装する際にＬＥＤパッケージと接合部材との接合強度を向上することができる。なお、ＬＥＤパッケージのパッド部１１およびリード部１２において、表面側にある最表層の貴金属めっきの厚みは、裏面側にある最表層の貴金属めっきの厚みと同じであってもよい。
【実施例】
【００６７】
（実施例１）
次に、本発明の多列型リードフレームの実施例について説明する。なお、以下の各実施例の製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
まず、リードフレームの基材となる金属板１０として厚さ０．２ｍｍの銅材を用いて（図３(a)参照）、ＬＥＤ素子が搭載される金属板１０の両面に、レジスト層Ｒ１を形成し（図３(b)参照）、第１の帯状領域にパッド部、リード部、連結部、枠部を有する個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状を形成するためのパターンが描画されたガラスマスクを用いて露光・現像を行い、エッチング用のレジストマスク３０を形成した（図３(c)参照）。
次に、エッチング用のレジストマスク３０から露出している金属板１０の領域に対して、エッチング加工を行い、個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有するパッド部１１、リード部１２、連結部１３、枠部２を有する所定の多列型リードフレーム形状を形成した（図３(d)参照）。
次に、金属板１０の両面のエッチング用のレジストマスク３０を除去した（図３(e)参照）。
次に、めっき槽内で、金属板１０の全面に所定の電解加工（ここでは、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、面積の同じアノードを用いた電解加工）により設定厚さ１μｍのＮｉめっきと設定厚さ０．０２μｍのＰｄめっきと設定厚さ０．００５μｍのＡｕめっきを順に施した。
次に、めっき槽内に、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａに対しては２．５μｍ、第２の帯状領域１−Ｂに対しては０．８μｍの設定厚さのＡｇめっきを施し、また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を配置し、第１のアノード３７とは表面積が異なる（ここでは、表面積が小さい）第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａに対しては２．０μｍ、第２の帯状領域１−Ｂに対しては０．５μｍの設定厚さのＡｇめっき層を施して、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に積層された４層構成のめっき層が形成された多列型リードフレームを得た（図３(f)参照）。実施例１の多列型リードフレームでは、Ａｇめっき層は、表１に示す厚さに形成された。
【表１】
2020088228.tif 000003
Ａｇめっき層の厚さ（平均値）  
【００６８】
（実施例２）
最表層の貴金属めっき層を形成する前のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層の形成までは、実施例１と同様の製造手法を用いた。
最表層の貴金属めっき層の形成に際し、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａに対しては２．５μｍ、第２の帯状領域１−Ｂに対しては０．８μｍの設定厚さのＡｇめっきを施し、また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂに対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を配置し、第１のアノード３７と表面積が等しい第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａに対しては２．５μｍ、第２の帯状領域１−Ｂに対しては０．８μｍの設定厚さのＡｇめっき層を施して、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に積層された４層構成のめっき層が形成された多列型リードフレームを得た（図７(f)参照）。実施例２の多列型リードフレームでは、Ａｇめっき層は、表２に示す厚さに形成された。
【表２】
2020088228.tif 000004
Ａｇめっき層の厚さ（平均値）
【００６９】
（比較例１）
最表層の貴金属めっき層の形成に際し、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、面積の同じアノードを用いた電解加工により全面に設定厚さ２．５μｍのＡｇめっきを施す以外は、実施例１と同様の製造手法を用いて、比較例１の多列型リードフレームを製造した。比較例１の多列型リードフレームでは、Ａｇめっき層は、表３に示す厚さに形成された。
【表３】
2020088228.tif 000005
Ａｇめっき層の厚さ（平均値）
【００７０】
（比較例２）
最表層の貴金属めっき層の形成に際し、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、面積の異なるアノードを用いた電解加工により、表面側に設定厚さ２．５μｍのＡｇめっきを施し、裏面側に設定厚さ２．０μｍのＡｇめっきを施す以外は、実施例１と同様の製造手法を用いて、比較例２の多列型リードフレームを製造した。比較例２の多列型リードフレームでは、Ａｇめっき層は、表４に示す厚さに形成された。
【表４】
2020088228.tif 000006
Ａｇめっき層の厚さ（平均値）
【００７１】
実施例１、実施例２、比較例１及び比較例２の夫々の製造手法で多列型リードフレームのサンプルを夫々１０００枚ずつ作成し、作成した夫々１０００枚ずつのサンプルのＡｇめっき厚を測定し、平均値を算出した。作成した実施例１、比較例１及び比較例２の夫々の多列型リードフレームのサンプルのＡｇめっき厚の平均値は、実施例１が表１、実施例２が表２、比較例１が表３、比較例２が表４に示すとおりの数値となった。
【００７２】
Ａｇめっきの電着量削減効果の検証
実施例１、実施例２、比較例１、比較例２の夫々の多列型リードフレームのサンプルに対し、測定したＡｇめっき厚から電着量を算出して、電着量削減の効果を検証した。比較例１のＡｇめっき厚さを異ならせるためのコントロールを行わない手法による電解加工を行って製造した多列型リードフレームにおけるＡｇめっきの電着量を１００％とした場合、比較例２のＡｇめっき厚さを異ならせるためのコントロールを表面と裏面のみ行い、同じ側の面における箇所ごとには行わない手法による電解加工を行って製造した多列型リードフレームにおけるＡｇめっきの電着量は８６％であった。
これに対し、実施例１のＡｇめっき厚さを異ならせるためのコントロールを同じ側の面における箇所ごとと、表面と裏面に対して行った手法による電解加工を行って製造した多列型リードフレームにおけるＡｇめっきの電着量は７９％であり、表面側と裏面側のコントロールのみを行った比較例２の多列型リードフレームに比べて、Ａｇめっきの電着量がさらに７％程度削減できることが確認された。
また、実施例２のＡｇめっき厚さを異ならせるためのコントロールを第１の帯状領域と第２の帯状領域と、に対して行った手法による電解加工を行って製造した多列型リードフレームにおけるＡｇめっきの電着量は８３％であり、表面側と裏面側のコントロールのみを行った比較例２の多列型リードフレームに比べて、Ａｇめっきの電着量がさらに３％程度削減できることが確認された。
【００７３】
リフレクタ樹脂形成による反射面へのバリ発生枚数の比較
実施例１、実施例２、比較例１、比較例２の夫々１０００枚ずつの多列型リードフレームのサンプルに対し、モールド金型を用いてリフレクタ樹脂部１５を形成した（図３(g)参照）。
次に、リフレクタ樹脂部１５を形成した実施例１、実施例２、比較例１、比較例２の夫々１０００枚ずつの多列型ＬＥＤ用リードフレームのサンプルを５０倍顕微鏡にて観察し、反射面へのリフレクタ樹脂のバリの発生の有無を調べ、実施例１、実施例２、比較例１、比較例２の多列型ＬＥＤ用リードフレームについて、反射面へのリフレクタ樹脂のバリの発生が確認されたサンプルの枚数を比較した。
その結果、Ａｇめっき層が表１に示す厚さに形成された実施例１の多列型ＬＥＤ用リードフレームでは、ＬＥＤ素子搭載側の面へのリフレクタ樹脂のバリが発生したサンプルは０枚であった。
また、Ａｇめっき層が表２に示す厚さに形成された実施例２の多列型ＬＥＤ用リードフレームにおいても、実施例１の多列型ＬＥＤ用リードフレームと同様、ＬＥＤ素子搭載側の面へのリフレクタ樹脂のバリが発生したサンプルは０枚であった。
これに対し、Ａｇめっき層が表３に示す厚さに形成された比較例１の多列型ＬＥＤ用リードフレームでは、ＬＥＤ素子搭載側の面への樹脂バリの発生は、マトリックス状に配列されたリードフレーム領域１ｎのブロック内における中央に位置するリードフレーム領域１ｎに検出され、サンプル１０００枚中で２３枚に発生が認められた。
また、Ａｇめっき層が表４に示す厚さに形成された比較例２の多列型ＬＥＤ用リードフレームでは、ＬＥＤ素子搭載側の面へのリフレクタ樹脂のバリの発生は、マトリックス状に配列されたリードフレーム領域１ｎのブロック内における中央に位置するリードフレーム領域１ｎに検出され、サンプル１０００枚中で１２枚に発生が認められた。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳説したが、本発明は、上述した各実施形態及び各実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した各実施形態及び各実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００７５】
例えば、複数列でリードフレーム領域１ｎのブロックが長辺方向に複数列、短辺方向に複数行配列された態様の多列型リードフレームにおいて、行ごとに、第１の帯状領域１−Ａが、リードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有し、第２の帯状領域１−Ｂが、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａの長辺両側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２を有した構成とするとともに、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａにおける、半導体素子を搭載する表面側の面に積層めっき層Ａ１、外部と接続する裏面側の面に積層めっき層Ａ３を形成するとともに、夫々の行の第２の帯状領域１−Ｂにおける表面側の面に積層めっき層Ａ２、裏面側の面に積層めっき層Ａ４を形成してもよい。
【００７６】
より詳しくは、例えば、図１０(a)に示すように、リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に３列、短辺方向に２行配列された態様の多列型リードフレームの場合、１行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有する領域を１行目の第１の帯状領域１−Ａ(1)とし、２行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有してなる領域を２行目の第１の帯状領域１−Ａ(2)とする。
そして、夫々の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)における長辺両側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２を、第２の帯状領域１−Ｂとする。
図１０(a)の例では、第１の帯状領域１−Ａ(1)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（上辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、１行目の第２の帯状領域１−Ｂ(1)となり、第１の帯状領域１−Ａ(1)と第１の帯状領域１−Ａ(2)との間に位置する枠部２が、２行目の第２の帯状領域１−Ｂ(2)となり、第１の帯状領域１−Ａ(2)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（下辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、３行目の第２の帯状領域１−Ｂ(3)となる。
そして、図３、図４（あるいは図７、図８）を用いて説明したのと略同様の手法を用いて、図１０(b)（あるいは図１０(c)）に示すように、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)における、半導体素子を搭載する表面側の面に積層めっき層Ａ１、外部と接続する裏面側の面に積層めっき層Ａ３を形成するとともに、夫々の行の第２の帯状領域１−Ｂ(1)〜１−Ｂ(3)における表面側の面に積層めっき層Ａ２、裏面側の面に積層めっき層Ａ４を形成してもよい。
【００７７】
また、例えば、図１１(a)に示すように、リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に３列、短辺方向に３行配列された態様の多列型リードフレームの場合、１行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有する領域を１行目の第１の帯状領域１−Ａ(1)とし、２行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有してなる領域を２行目の第１の帯状領域１−Ａ(2)とし、３行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有してなる領域を３行目の第１の帯状領域１−Ａ(3)とする。
そして、夫々の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)、１−Ａ(3)における長辺両側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２を、第２の帯状領域１−Ｂとする。
図７(a)の例では、第１の帯状領域１−Ａ(1)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（上辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、１行目の第２の帯状領域１−Ｂ(1)となり、第１の帯状領域１−Ａ(1)と第１の帯状領域１−Ａ(2)との間に位置する枠部２が、２行目の第２の帯状領域１−Ｂ(2)となり、第１の帯状領域１−Ａ(2)と第１の帯状領域１−Ａ(3)との間に位置する枠部２が、３行目の第２の帯状領域１−Ｂ(3)となり、第１の帯状領域１−Ａ(3)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（下辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、４行目の第２の帯状領域１−Ｂ(4)となる。
そして、図３、図４（あるいは図７、図８）を用いて説明したのと略同様の手法を用いて、図１１(b)（あるいは図１１(c)）に示すように、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)、１−Ａ(3)における、半導体素子を搭載する表面側の面に積層めっき層Ａ１、外部と接続する裏面側の面に積層めっき層Ａ３を形成するとともに、夫々の行の第２の帯状領域１−Ｂ(1)、１−Ｂ(2)、１−Ｂ(3)、１−Ｂ(4)における表面側の面に積層めっき層Ａ２、裏面側の面に積層めっき層Ａ４を形成してもよい。
【００７８】
また、本発明の各実施形態及び各実施例では、多列型ＬＥＤ用リードフレームの例を用いて説明したが、本発明の多列型ＬＥＤ用リードフレームは、ＬＥＤ素子の他の半導体素子を搭載するための多列型リードフレームにも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明の多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法は、エッチング加工により所定のリードフレーム形状に形成された金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有する多列型リードフレームを製造することが必要とされる分野に有用である。
【符号の説明】
【００８０】
１          多列型リードフレーム
１−Ａ、１−Ａ(1)、１−Ａ(2)、１−Ａ(3)        第１の帯状領域
１−Ｂ、１−Ｂ(1)、１−Ｂ(2)、１−Ｂ(3)、１−Ｂ(4)        第２の帯状領域
１ｎ        個々のリードフレーム領域
２          枠部
１０        リードフレーム基材（金属板）
１１        パッド部
１２        リード部
１３        連結部
１３ａ      吊りリード
１３ｂ      ダムバー
１４        ボンディングワイヤ
１５        リフレクタ樹脂部
１６        透明樹脂部
２０        半導体素子
３０        エッチング用レジストマスク
３５        第１の遮蔽板
３６        第２の遮蔽板
３７        第１のアノード
３８        第２のアノード
Ａ１        ＬＥＤ素子を搭載する表面側の第１の帯状領域１−Ａの面の上に形成された積層めっき層
Ａ２        ＬＥＤ素子を搭載する表面側の第２の帯状領域１−Ｂの面の上に形成された積層めっき層
Ａ３        外部と接続する裏面側の第１の帯状領域１−Ａの面の上に形成された積層めっき層
Ａ４        外部と接続する裏面側の第２の帯状領域１−Ｂの面の上に形成された積層めっき層
Ｒ１        レジスト層
【図１】
2020088228.tif 000007
【図２】
2020088228.tif 000008
【図３】
2020088228.tif 000009
【図４】
2020088228.tif 000010
【図５】
2020088228.tif 000011
【図６】
2020088228.tif 000012
【図７】
2020088228.tif 000013
【図８】
2020088228.tif 000014
【図９】
2020088228.tif 000015
【図１０】
2020088228.tif 000016
【図１１】
2020088228.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月30日(2020.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、該第１の帯状領域に備わる前記連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた多列型リードフレームにおいて、
リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、
半導体素子を搭載する表面側の前記積層めっき層は、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、
外部と接続する裏面側の前記積層めっき層は、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、
前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴とする多列型リードフレーム。
【請求項２】
前記積層めっき層は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項１に記載の多列型リードフレーム。
【請求項３】
前記積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であることを特徴とする請求項１に記載の多列型リードフレーム。
【請求項４】
前記Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項３に記載の多列型リードフレーム。
【請求項５】
前記裏面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多列型リードフレーム。
【請求項６】
前記表面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多列型リードフレーム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の多列型リードフレームと、前記多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、前記リフレクタ樹脂部からなる内側面と前記リードフレーム領域が前記リフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備えることを特徴とする多列型ＬＥＤ用リードフレーム。
【請求項８】
請求項７に記載の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、
前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、
前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項９】
個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームの製造方法であって、
リードフレーム基材をなす金属板の両面に、前記第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
エッチング加工を行い、前記金属板に前記多列型リードフレーム形状を形成する工程と、
前記金属板の両面の前記レジストマスクを除去する工程と、
前記金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、
前記金属板の一方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、前記金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、前記金属板の他方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、前記第１のアノードとは表面積が異なる第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して前記金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、
を有することを特徴とする多列型リードフレームの製造方法。
【請求項１０】
個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、該第１の帯状領域に備わる前記連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた多列型リードフレームにおいて、
リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、
前記積層めっき層における前記最表層の貴金属めっき層以外のめっき層は、前記金属板の全面にわたって等しい厚みを有し、
前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層と、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有し、
前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、
前記裏面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記表面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい、
ことを特徴とする多列型リードフレーム。
【請求項１１】
前記積層めっき層は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項１０に記載の多列型リードフレーム。
【請求項１２】
前記積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であることを特徴とする請求項１０に記載の多列型リードフレーム。
【請求項１３】
前記Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層であることを特徴とする請求項１２に記載の多列型リードフレーム。
【請求項１４】
請求項１０〜１３のいずれかに記載の多列型リードフレームと、前記多列型リードフレームと一体に形成されるリフレクタ樹脂部とを備え、上面側に、前記リフレクタ樹脂部からなる内側面と前記リードフレーム領域が前記リフレクタ樹脂部から露出した内底面とで形成される複数の凹部を備えることを特徴とする多列型ＬＥＤ用リードフレーム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の多列型ＬＥＤ用リードフレームを準備する工程と、
前記多列型ＬＥＤ用リードフレームの前記凹部にＬＥＤ素子を載置する工程と、
前記ＬＥＤ素子が載置された前記多列型ＬＥＤ用リードフレームを個片化し、複数のＬＥＤパッケージを得る工程と、を備えることを特徴とするＬＥＤパッケージの製造方法。
【請求項１６】
個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも長辺両側に第２の帯状領域を備えた多列型リードフレームの製造方法であって、
リードフレーム基材をなす金属板の両面に、前記第１の帯状領域に個々のリードフレーム領域がマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応したエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
エッチング加工を行い、前記金属板に前記多列型リードフレーム形状を形成する工程と、
前記金属板の両面の前記レジストマスクを除去する工程と、
前記金属板の全面に所定の電解加工により所定のめっき層を形成する工程と、
前記金属板の一方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板を配置し、第１のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して、前記金属板の一方の面側の積層めっき層を完成させるとともに、前記金属板の他方の面側に、前記第２の帯状領域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板を配置し、前記第１のアノードと表面積及び前記金属板からの距離が等しい第２のアノードを用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層を形成して前記金属板の他方の面側の積層めっき層を完成させる工程と、
を有することを特徴とする多列型リードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、第１の帯状領域に備わる連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた、多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、リードフレームの全面にめっき層を形成するタイプの多列型リードフレームの製造方法においては、半導体素子を搭載するパッド部や半導体素子の電極とのワイヤボンディングを行うリード部以外の箇所（例えば、個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、第１の帯状領域に備わる連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域）にもパッド部やリード部と同様にめっき層が形成されることになるため、パッド部やリード部の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量が増えてコスト高となるという問題がある。第２の帯状領域は、パッド部やリード部とは異なり、反射特性や導電特性を持たせる必要性がない。従って、このような第２の帯状領域に、最表層のめっき層を構成する貴金属を使用する分、無駄なコストが増えることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載の金属板の表裏それぞれに異なる電流によって貴金属めっき層を形成することで、ＬＥＤ素子搭載領域を有する表面側のめっき層に比べて裏面側のめっき層の厚みを薄くする技術では、ＬＥＤ素子搭載領域を有する表面側のめっき層において、パッド部やリード部以外の箇所の反射特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量が増えてコスト高となるという問題を解消できない。また、特許文献１に記載の技術では、個々のリードフレーム領域が連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、第１の帯状領域に備わる連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域に形成される貴金属めっき層の削減余地が残されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減してコストを極力低減し、且つ、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止してＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明による多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、該第１の帯状領域に備わる前記連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた多列型リードフレームにおいて、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、半導体素子を搭載する表面側の前記積層めっき層は、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、外部と接続する裏面側の前記積層めっき層は、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いことを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明による多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、前記第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、前記第１の帯状領域に備わる前記連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた多列型リードフレームにおいて、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、前記積層めっき層における前記最表層の貴金属めっき層以外のめっき層は、前記金属板の全面にわたって等しい厚みを有し、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層と、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有し、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みは、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、前記裏面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記表面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい、ことを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄い場合に、前記裏面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いのが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい場合に、前記裏面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みは、前記表面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと等しいのが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄い場合に、前記表面側の前記第２の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みは、前記裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記積層めっき層の厚みに比べて薄いのが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みが、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みより薄い場合に、前記金属板の半導体素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚さに対し、外部機器へ半田接続する裏面側の第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚さが５０％〜９０％、好ましくは７０％、表面側の第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚さが２６％〜４９％、好ましくは３０％、裏面側の第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚さが５％〜２５％、好ましくは２０％であるのが良い。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
更には、本発明の多列型リードフレームにおいては、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい場合に、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚さに対し、前記表面側、前記裏面側の夫々における、前記第２の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚さが５％〜４９％、好ましくは３０％であるのが良い。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明によれば、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減してコストを極力低減し、且つ、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止してＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法が得られる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の第１の形態の多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、第１の帯状領域に備わる連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた多列型リードフレームにおいて、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層は、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、外部と接続する裏面側の積層めっき層は、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みは、第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成となっている。
本発明の第１の形態の多列型リードフレームは、金属板の裏面側の第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、金属板の表面側の第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い多列型リードフレームに好適である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の第１の形態の多列型リードフレームのように、半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層を、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、外部と接続する裏面側の積層めっき層が、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、パッド部やリード部の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量を大幅に低減することができる。そして、裏面側の第１の帯状領域の全域に形成される積層めっき層の厚みが、表面側の第１の帯状領域の全域に形成される積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とすることで、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減して、コストを極力低減することができるようになる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームのように、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域に備わる個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
なお、本発明の第１の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、積層めっき層を、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層で構成する。また、好ましくは、積層めっき層は、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層で構成する。さらに、好ましくは、Ｎｉを含む積層めっき層は、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層で構成する。
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、裏面側の第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みが、表面側の第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とする。
また、本発明の第１の形態の多列型リードフレームにおいては、好ましくは、表面側の第２の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みが、裏面側の第１の帯状領域の全域に形成された積層めっき層の厚みに比べて薄い構成とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
従って、本発明の第１の形態によれば、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減してコストを極力低減し、且つ、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止してＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法が得られる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明の第２の形態の多列型リードフレームは、個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する第１の帯状領域と、第１の帯状領域の少なくとも両方の長辺の外側に位置し、第１の帯状領域に備わる連結部と接続する枠部からなる第２の帯状領域と、を備えた多列型リードフレームにおいて、リードフレーム基材をなす金属板における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層を有し、積層めっき層における最表層の貴金属めっき層以外のめっき層は、金属板の全面にわたって等しい厚みを有し、金属板の表面側の第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層と、金属板の裏面側の第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有し、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、裏面側の第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みと、表面側の第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい構成となっている。
本発明の第２の形態の多列型リードフレームは、前記金属板の裏面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みと、前記金属板の表面側の前記第１の帯状領域の全域に形成された前記最表層の貴金属めっき層の厚みとが等しい多列型リードフレームに適用できる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明の第２の形態の多列型リードフレームのように、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、パッド部やリード部の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるための最表層のめっき層を構成する貴金属の使用量を大幅に低減することができるようになる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、本発明の第２の形態の多列型リードフレームのように、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域の全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成とすれば、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域に備わる個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域における表面側のパッド部及びリード部側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
従って、本発明の第２の形態によれば、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減してコストを極力低減し、且つ、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ樹脂のバリ発生を防止してＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部及びリード部の反射面としての機能を良好に保つことが可能な多列型リードフレーム、多列型ＬＥＤ用リードフレーム及びそれらの製造方法並びにＬＥＤパッケージの製造方法が得られる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第１実施形態の多列型リードフレーム１は、図１(a)、図１(b)に示すように、第１の帯状領域１−Ａと、第２の帯状領域１−Ｂを備えている。
第１の帯状領域１−Ａは、例えば、図２(a)に示すように、パッド部１１とリード部１２とを有する個々のリードフレーム領域１ｎ（図２(a)においては、夫々一点鎖線の矩形で示すパッケージ外形ラインが相当する）が連結部１３に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有している。なお、図２(a)の例では、個々のリードフレーム領域１ｎの間には、吊りリード及びダムバー等からなる連結部１３を備えている。また、マトリックス状に配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックの外周には、枠部２を備えている。
第２の帯状領域１−Ｂは、図１(a)に示すように、第１の帯状領域１−Ａの両方の長辺の外側に位置する。
そして、図１の例の多列型リードフレーム１では、第１の帯状領域１−Ａは、リードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有し、第２の帯状領域１−Ｂは、第１の帯状領域１−Ａの両方の長辺の外側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２のみを有した構成となっている。
なお、図１の例では、リードフレーム領域１ｎのブロックの配列を、リードフレーム基材の長辺方向に複数列、短辺方向に１行配列された態様としたが、リードフレーム領域１ｎのブロックの配列態様は、図１の例に限定されるものではなく、例えば、リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に複数列、短辺方向に複数行配列された態様であってもよい。
リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に複数列、短辺方向に複数行配列された態様の多列型リードフレームの場合、第１の帯状領域１−Ａは、リードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２と、リードフレーム基材の長辺に沿う方向において、隣接するリードフレーム領域１ｎのブロック同士の間に位置する枠部２を有し、第２の帯状領域１−Ｂは、第１の帯状領域１−Ａの両方の長辺の外側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２のみを有した構成とする。
また、本実施形態の多列型リードフレーム１は、図１(b)、図２(b)、図２(c)に示すように、リードフレーム基材をなす金属板１０における表裏両面及び側面の全面に、電解加工により形成された、金属の組合せ及び積層順が同じで、最表層のめっき層が貴金属めっき層からなる積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４を有している。なお、本実施形態では、積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に形成されためっき層で構成されている。なお、積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は、上記の構成以外に、Ｃｕ／Ａｇの順に形成されためっき層またはＮｉを含む積層めっき層であってもよい。Ｎｉを含む積層めっき層は、例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ／ＡｇまたはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕの順に形成されためっき層とすることができる。後で説明する第２実施形態についても同様である。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
積層めっき層Ａ１は、半導体素子を搭載する表面側の第１の帯状領域１−Ａの全域の面の上に形成されている。
積層めっき層Ａ２は、半導体素子を搭載する表面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域の面の上に形成されている。
積層めっき層Ａ３は、外部と接続する裏面側の第１の帯状領域１−Ａの全域の面の上に形成されている。
積層めっき層Ａ４は、外部と接続する裏面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域の面の上に形成されている。
半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１と積層めっき層Ａ２とは、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なっている。
また、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３と積層めっき層Ａ４とは、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なっている。
また、積層めっき層Ａ２の厚みは、積層めっき層Ａ１の厚みに比べて薄く、積層めっき層Ａ４の厚みは、積層めっき層Ａ３の厚みに比べて薄くなっている。
即ち、表側の面、裏側の面の夫々において、第２の帯状領域１−Ｂの全域の面の上に形成され最表層の貴金属めっき層の厚みは、第１の帯状領域１−Ａの全域の面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄くなっている。
そして、本実施形態の多列型リードフレーム１においては、金属板１０の半導体素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層Ａ１の厚さに対し、外部機器へ半田接続する裏面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層Ａ３の厚さが５０％〜９０％、好ましくは７０％、表面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ２の厚さが２６％〜４９％、好ましくは３０％、裏面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ４の厚さが５％〜２５％、好ましくは２０％となっている。なお、積層めっき層Ａ１の厚さに対して積層めっき層Ａ３の厚みが厚くてもよく、積層めっき層Ａ２に対して積層めっき層Ａ４の厚みが厚くてもよい。
なお、図２の例では、本実施形態の多列型リードフレーム１は、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるための多列型ＬＥＤ用リードフレームとして構成されており、図２(a)において斜線のハッチングで示した領域には、リフレクタ樹脂部１５が形成されている。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
このように構成された第１実施形態の多列型リードフレーム１は、次のようにして製造することができる。なお、ここでは、便宜上、リードフレーム領域が図２に示したパターンに設計された多列型リードフレームの製造について説明することとする。
銅合金又はニッケル系合金からなるリードフレーム基材をなす金属板１０を準備する（図３(a)参照）。次に、リードフレーム基材１０の両面にレジスト層Ｒ１を形成する（図３(b)参照）。次に、第１の帯状領域にパッド部、リード部、連結部、枠部を有し、パッド部、リード部を有する個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状に対応するパターンが描画されたガラスマスクを用いて、両面夫々のレジスト層Ｒ１を露光、現像し、エッチング用のレジストマスク３０を形成する（図３(c)参照）。次に、両面からエッチング加工を施し、金属板１０にパッド部１１、リード部１２、連結部１３、枠部２を有し、パッド部１１、リード部１２を有する個々のリードフレーム領域が連結部１３に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状を形成し（図３(d)参照）、エッチング加工後にエッチング用のレジストマスク３０を除去する（図３(e)参照）。なお、多列型リードフレーム形状は、前記エッチング加工以外にプレス加工により形成してもよい。
次に、めっき槽内で、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に所定の電解加工（ここでは、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、表面積及び金属板１０からの距離の同じアノードを金属板１０の表裏両側に配置して行った電解加工）により所定のめっき層を形成する。なお、ここでは、順に、Ｎｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を形成する。
次に、めっき槽内に、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し（図４(a)、図４(b)参照）、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成し、金属板１０の一方の面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２を完成させる。また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を配置し（図４(a)、図４(b)参照）、第１のアノード３７とは表面積が異なる（ここでは、表面積が小さい）第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成して金属板１０の他方の面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４を完成させる。
これにより、ＬＥＤ素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２は、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａに形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４は、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層Ａ１、Ａ３の厚みに比べて薄い本実施形態の多列型リードフレームが得られる（図３(f)参照）。また、ＬＥＤ素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２は、多列型リードフレーム１の短辺に沿う方向に位置する枠部２と、長辺に沿う方向に位置する枠部２とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、短辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みが長辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みよりも厚くなっている。また、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４は、多列型リードフレーム１の短辺に沿う方向に位置する枠部２と、長辺に沿う方向に位置する枠部２とで、最表層の貴金属めっき層の厚みが異なり、短辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みが長辺に沿う方向に位置する枠部２の積層めっき層の厚みよりも厚くなっている。
また、図４(b)において、多列型リードフレームの短辺に沿う方向であって、リードフレーム領域１ｎの上面を通るいかなる切断面において、同様の切断面としてよい。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上述のように、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールは、カソードとなるリードフレーム形状に形成された金属板１０に対し、金属板１０の一方の面側の第１のアノード３７の表面積と、金属板１０の他方の面側の第２のアノード３８の表面積とを、所望する最表層の貴金属めっき層の厚みの比率に応じて異ならせるとともに、金属板１０の一方の面側に第１の遮蔽板３５、金属板１０の他方の面側の夫々に第２の遮蔽板３６を配置することによって行う。めっき層の厚みの比率としては、金属板１０のＬＥＤ素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層Ａ１の厚さに対し、外部機器へ半田接続する側の裏面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層Ａ３の厚さが５０％〜９０％、好ましくは７０％、表面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ２の厚さが２６％〜４９％好ましくは３０％、裏面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ４の厚さが５％〜２５％、好ましくは２０％となるように、形成する最表層の貴金属めっき層の厚みを異ならせると良い。なお、積層めっき層Ａ１の厚さに対して積層めっき層Ａ３の厚みを厚くしてもよく、積層めっき層Ａ２に対して積層めっき層Ａ４の厚みを厚くしてもよい。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
なお、図４に示した、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールにおいては、金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で離し、且つ、その位置において第１及び第２の遮蔽板３５、３６が、第１のアノード３７及び、第２のアノード３８の夫々から見た状態において、第２の帯状領域１−Ｂの全域を覆い、さらに第２の帯状領域１−Ｂよりも０．１ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ幅を有するような配置構成にするのが好ましい。
金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍを下回る距離に近づけると、製品と接触して傷が付く虞がある。一方、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、２０．０ｍｍを上回る距離に離すと、めっき厚が増えて第２の帯状領域１−Ｂにおいて極薄の状態が得られなくなる。
また、第２の帯状領域１−Ｂの全域を覆いさらに第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が０．１ｍｍを下回ると、第２の帯状領域１−Ｂのめっき厚が増えてしまう。一方、第２の帯状領域１−Ｂの全域を覆いさらに第１の帯状領域にまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が２０．０ｍｍを上回ると、めっき槽内の液流が乱れ易くなりめっきムラが生じてしまう。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
第１実施形態の多列型リードフレーム１によれば、半導体素子を搭載する表面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２が、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、外部と接続する裏面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４が、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層の厚みＡ１、Ａ３に比べて薄い構成としたので、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての特性を良好に保ちつつ、パッド部１１やリード部１２の面に要求される反射特性や導電特性を持たせるためのめっき層としての貴金属の使用量を大幅に低減することができる。そして、裏面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成される積層めっき層Ａ３の厚みが、表面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成される積層めっき層Ａ１の厚みに比べて薄い構成とすることで、最表層のめっき層を構成する貴金属の電着量を極力削減してコストを極力低減することができる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、本実施形態の多列型リードフレーム１によれば、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された積層めっき層Ａ２、Ａ４の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された積層めっき層Ａ１、Ａ３の厚みに比べて薄い構成としたので、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域１−Ａに備わる個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
第２実施形態の多列型リードフレーム１は、図５(b)に示す積層めっき層Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４における最表層の貴金属めっき層（ここではＡｇめっき層）以外のめっき層が、図５(a)に示す金属板１０の全面にわたって等しい厚みを有している。
また、金属板１０の表面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層と、金属板１０の裏面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層とが等しい厚みを有している。
また、図５(b)に示す積層めっき層Ａ２における最表層の貴金属めっき層の厚みは、積層めっき層Ａ１における最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、積層めっき層Ａ４における最表層の貴金属めっき層の厚みは、積層めっき層Ａ２における最表層の貴金属めっき層の厚みと等しくなっている。
即ち、表側の面、裏側の面の夫々において、第２の帯状領域１−Ｂの全域の面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、第１の帯状領域１−Ａの全域の面の上に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄くなっている。
そして、本実施形態の多列型リードフレーム１においては、金属板１０の表面側、裏面側の夫々における、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚さに対し、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚さが５％〜４９％、好ましくは３０％となっている。
また、本実施形態の多列型リードフレーム１は、図６(a)に示すように、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いるための多列型ＬＥＤ用リードフレームとして構成されており、図６(a)において斜線のハッチングで示した領域には、リフレクタ樹脂部１５が形成されている。
その他の構成は、第１実施形態の多列型リードフレームと略同じである。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このように構成された第２実施形態の多列型リードフレーム１は、次のようにして製造することができる。なお、ここでは、便宜上、リードフレーム領域が図６に示したパターンに設計された多列型リードフレームの製造について説明することとする。
本実施形態の多列型リードフレームの製造において、金属板１０の準備（図７(a)参照）、レジスト層Ｒ１の形成（図７(b)参照）、エッチング用のレジストマスク３０の形成（図７(c)参照）、エッチング加工による多列型リードフレーム形状の形成（図７(d)参照）、エッチング用のレジストマスク３０の除去（図７(e)参照）までは、図３(a)〜図３(e)を用いて説明した第１実施形態の多列型リードフレームの製造工程におけるものと略同じであり、その次のめっき層の形成工程における最表層の貴金属めっき層の形成手法が第１実施形態の多列型リードフレームの製造におけるものとは異なる。
第２実施形態の多列型リードフレームの製造におけるめっき層の形成工程では、まず、めっき槽内で、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に所定の電解加工（ここでは、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、表面積及び金属板１０からの距離の同じアノードを金属板１０の表裏両側に配置して行った電解加工）により所定のめっき層を形成する。なお、ここでは、順に、Ｎｉめっき層とＰｄめっき層とＡｕめっき層を形成する。
次に、めっき槽内に、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し（図８(a)、図８(b)参照）、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成し、金属板１０の一方の面側の積層めっき層Ａ１、Ａ２を完成させる。また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を、第１の遮蔽板３５と金属板１０からの距離が等しい（Ｌ１＝Ｌ２）位置に配置し（図８(a)、図８(b)参照）、第１のアノード３７と表面積及び金属板１０からの距離Ｌ３、Ｌ４が等しい第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層（ここでは、Ａｇめっき層）を形成して金属板１０の他方の面側の積層めっき層Ａ３、Ａ４を完成させる。
これにより、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄く、裏面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みは、表面側の第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みと等しい、本実施形態の多列型リードフレームが得られる（図７(f)参照）。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
上述のように、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールは、カソードとなるリードフレーム形状に形成された金属板１０に対し、金属板１０の一方の面側の第１のアノード３７の表面積及び金属板１０からの距離Ｌ３と、金属板１０の他方の面側の第２のアノード３８の表面積及び金属板１０からの距離Ｌ４とを等しくするとともに、金属板１０の一方の面側に配置する第１の遮蔽板３５と、金属板１０の他方の面側に配置する第２の遮蔽板３６とを金属板１０からの距離が等しい（Ｌ１＝Ｌ２）位置に配置することによって行う。めっき層の厚みの比率としては、金属板１０のＬＥＤ素子搭載とワイヤボンディングを行う表面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚さ、外部機器へ半田接続する側の裏面側の第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚さに対し、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚さが５％〜４９％好ましくは３０％となるように、形成する最表層の貴金属めっき層の厚みを異ならせると良い。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
なお、図８に示した、めっき工程内での最表層の貴金属めっき厚のコントロールにおいては、金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で離し、且つ、その位置において第１及び第２の遮蔽板３５、３６が、第１のアノード３７及び、第２のアノード３８の夫々から見た状態において、第２の帯状領域１−Ｂの全域を覆い、さらに第２の帯状領域１−Ｂよりも０．１ｍｍ以上２０．０ｍｍ以下の範囲で第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ幅を有するような配置構成にするのが好ましい。
金属板１０の第２の帯状領域１−Ｂに対し、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、０．５ｍｍを下回る距離に近づけると、製品と接触して傷が付く虞がある。一方、第１及び第２の遮蔽板３５、３６を、２０．０ｍｍを上回る距離に離すと、めっき厚が増えて第２の帯状領域１−Ｂの全域において極薄の状態が得られなくなる。
また、第２の帯状領域１−Ｂの全域を覆いさらに第１の帯状領域１−Ａにまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が０．１ｍｍを下回ると、第２の帯状領域１−Ｂのめっき厚が増えてしまう。一方、第２の帯状領域１−Ｂの全域を覆いさらに第１の帯状領域にまで及ぶ第１及び第２の遮蔽板３５、３６の幅が２０．０ｍｍを上回ると、めっき槽内の液流が乱れ易くなりめっきムラが生じてしまう。
次に、第１実施形態と同様にして、リフレクタ樹脂部１５を形成する（図７(g)参照）ことにより、リフレクタ樹脂部を備えた多列型ＬＥＤ用リードフレームとなる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
第２実施形態の多列型リードフレーム１によれば、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成としたので、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての特性を良好に保ちつつ、貴金属の使用量を大幅に低減することができる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、本実施形態の多列型リードフレーム１によれば、表面側、裏面側の夫々における、第２の帯状領域１−Ｂの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みが、第１の帯状領域１−Ａの全域に形成された最表層の貴金属めっき層の厚みに比べて薄い構成としたので、ＬＥＤパッケージ製品の製造に用いる多列型ＬＥＤ用リードフレームを製造する場合において、リフレクタ形成工程で樹脂形成金型を金属板にクランプしたときに、第１の帯状領域１−Ａに備わる個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２の面と樹脂形成金型との間に隙間が生じる虞がなく、個々のリードフレーム領域１ｎにおける表面側のパッド部１１及びリード部１２側にリフレクタ樹脂のバリが生じない。その結果、リフレクタ樹脂のバリがＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の面の一部を覆ってＬＥＤ素子の組み込まれたＬＥＤパッケージに輝度低下などの悪影響を及ぼす虞がなく、ＬＥＤ素子を搭載する表面側のパッド部１１及びリード部１２の反射面としての機能を良好に保つことができる。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
まず、図３(g)に示した、リフレクタ樹脂部１５を備えた多列型ＬＥＤ用リードフレーム１を準備する（図９(a)参照）。多列型ＬＥＤ用リードフレームは、上面側に複数の凹部を備える。凹部は、リフレクタ樹脂部１５からなる内側面と、リードフレーム領域１ｎがリフレクタ樹脂部１５から露出した内底面とで形成される。多列型ＬＥＤ用リードフレームにおいて、リフレクタ樹脂部１５の一部は、第２の帯状領域１−Ｂに位置する積層めっき層Ａ２および／または積層めっき層Ａ４を被覆する。第２の帯状領域１−Ｂの全域に位置する積層めっき層の厚みを第１の帯状領域１−Ａの全域に位置する積層めっき層の厚みよりも薄くすることで、第１の帯状領域１−Ａと第２の帯状領域１−Ｂとの境界に高低差を設けることができ、多列型リードフレーム１にリフレクタ樹脂部１５となる樹脂材料を成形する際に、第２の帯状領域１−Ｂにその樹脂材料が流れ込みやすくなる。これにより、リフレクタ樹脂部１５が第２の帯状領域１−Ｂを広範囲に被覆することができ、密着強度の高い多列型ＬＥＤ用リードフレームとすることができる。なお、多列型ＬＥＤ用リードフレームは、上記の製造工程により製造して準備してもよく、また予め製造された多列型ＬＥＤ用リードフレームを購入する等により準備してもよい。
次に、多列型ＬＥＤ用リードフレーム１のパッド部１１に形成された積層めっき層Ａ１の上面にＬＥＤ素子２０を搭載するとともに、ＬＥＤ素子２０の電極とパッド部１２に形成された積層めっき層Ａ１の上面とをボンディングワイヤ１４を介して接続する（図９(b)参照）。ＬＥＤ素子２０は、発光ダイオード素子などを用いることができ、可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を好適に用いることができる。また、ＬＥＤ素子２０は、一つの面に一対の電極を有し、一対の電極とリードフレーム領域１ｎの上面とが対向するようにリードフレーム領域１ｎの上面上に実装することもできる。
次に、多列型ＬＥＤ用リードフレーム１のリフレクタ樹脂部１５で囲まれ、ＬＥＤ素子２０が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、透明樹脂部１６を形成して、リフレクタ樹脂部１５で囲まれた内部空間を封止する（図９(c)参照）。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ここで、ＬＥＤパッケージのパッド部１１およびリード部１２において、表面側にある最表層の貴金属めっきの厚みを、例えば、裏面側にある最表層の貴金属めっきの厚みよりも厚くした場合、表面側にある最表層の貴金属めっきの平坦度が高くなりＬＥＤ素子２０から出射される光を効果的に上方に反射しつつ、裏面側の最表層の貴金属めっきの厚みが薄いことによりＬＥＤパッケージの１個にかかるコストを低減することができる。また、表面側にある最表層の貴金属めっきが厚いことで、凹部の開口部から入り込む硫黄等の成分による硫化の進行を抑制する、または遅らせることが可能となる。その結果、例えば、ボンディングワイヤ１４の一端とリードフレーム領域１ｎとの接続部において、ボンディングワイヤ１４が断線する可能性を低減することができる。また、ＬＥＤパッケージのパッド部１１およびリード部１２において、裏面側にある最表層の貴金属めっきの厚みを、例えば、表面側にある最表層の貴金属めっきの厚みよりも厚くした場合、裏面側にある最表層の貴金属めっきの表面に例えば母材の銅等の成分が析出する可能性を低減することができる。その結果、ＬＥＤパッケージを半田等の接合部材を介して実装基板に実装する際にＬＥＤパッケージと接合部材との接合強度を向上することができる。なお、ＬＥＤパッケージのパッド部１１およびリード部１２において、表面側にある最表層の貴金属めっきの厚みは、裏面側にある最表層の貴金属めっきの厚みと同じであってもよい。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（実施例１）
次に、本発明の多列型リードフレームの実施例について説明する。なお、以下の各実施例の製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、周知の処理であるので便宜上説明を省略する。
まず、リードフレームの基材となる金属板１０として厚さ０．２ｍｍの銅材を用いて（図３(a)参照）、ＬＥＤ素子が搭載される金属板１０の両面に、レジスト層Ｒ１を形成し（図３(b)参照）、第１の帯状領域にパッド部、リード部、連結部、枠部を有し、パッド部、リード部を有する個々のリードフレーム領域が連結部に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状を形成するためのパターンが描画されたガラスマスクを用いて露光・現像を行い、エッチング用のレジストマスク３０を形成した（図３(c)参照）。
次に、エッチング用のレジストマスク３０から露出している金属板１０の領域に対して、エッチング加工を行い、パッド部１１、リード部１２、連結部１３、枠部２を有し、パッド部１１、リード部１２を有する個々のリードフレーム領域が連結部１３に連結されてマトリックス状に配列されたブロックを有する所定の多列型リードフレーム形状を形成した（図３(d)参照）。
次に、金属板１０の両面のエッチング用のレジストマスク３０を除去した（図３(e)参照）。
次に、めっき槽内で、金属板１０の全面に所定の電解加工（ここでは、金属板１０の表裏両面側に、遮蔽板は配置せず、かつ、面積の同じアノードを用いた電解加工）により設定厚さ１μｍのＮｉめっきと設定厚さ０．０２μｍのＰｄめっきと設定厚さ０．００５μｍのＡｕめっきを順に施した。
次に、めっき槽内に、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａの全域に対しては２．５μｍ、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対しては０．８μｍの設定厚さのＡｇめっきを施し、また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を配置し、第１のアノード３７とは表面積が異なる（ここでは、表面積が小さい）第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａの全域に対しては２．０μｍ、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対しては０．５μｍの設定厚さのＡｇめっき層を施して、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に積層された４層構成のめっき層が形成された多列型リードフレームを得た（図３(f)参照）。実施例１の多列型リードフレームでは、Ａｇめっき層は、表１に示す厚さに形成された。
【表１】
2020088228.tif 000018
Ａｇめっき層の厚さ（平均値）     
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（実施例２）
最表層の貴金属めっき層を形成する前のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層の形成までは、実施例１と同様の製造手法を用いた。
最表層の貴金属めっき層の形成に際し、金属板１０の一方の面側（ここでは、表面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第１の遮蔽板３５を配置し、第１のアノード３７を用いた電解加工を行い、最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａの全域に対しては２．５μｍ、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対しては０．８μｍの設定厚さのＡｇめっきを施し、また、同時に、金属板１０の他方の面側（ここでは、裏面側）に、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対応する所定部位のみを遮蔽する第２の遮蔽板３６を配置し、第１のアノード３７と表面積が等しい第２のアノード３８を用いた電解加工により最表層の貴金属めっき層として、第１の帯状領域１−Ａの全域に対しては２．５μｍ、第２の帯状領域１−Ｂの全域に対しては０．８μｍの設定厚さのＡｇめっき層を施して、リードフレーム形状に形成された金属板１０の全面に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ／Ａｇの順に積層された４層構成のめっき層が形成された多列型リードフレームを得た（図７(f)参照）。実施例２の多列型リードフレームでは、Ａｇめっき層は、表２に示す厚さに形成された。
【表２】
2020088228.tif 000019
Ａｇめっき層の厚さ（平均値）     
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
例えば、複数列でリードフレーム領域１ｎのブロックが長辺方向に複数列、短辺方向に複数行配列された態様の多列型リードフレームにおいて、行ごとに、第１の帯状領域１−Ａが、リードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有し、第２の帯状領域１−Ｂが、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａの両方の長辺の外側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２を有した構成とするとともに、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａの全域における、半導体素子を搭載する表面側の面に積層めっき層Ａ１、外部と接続する裏面側の面に積層めっき層Ａ３を形成するとともに、夫々の行の第２の帯状領域１−Ｂの全域における表面側の面に積層めっき層Ａ２、裏面側の面に積層めっき層Ａ４を形成してもよい。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
より詳しくは、例えば、図１０(a)に示すように、リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に３列、短辺方向に２行配列された態様の多列型リードフレームの場合、１行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有する領域を１行目の第１の帯状領域１−Ａ(1)とし、２行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有してなる領域を２行目の第１の帯状領域１−Ａ(2)とする。
そして、夫々の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)における両方の長辺の外側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２を、第２の帯状領域１−Ｂとする。
図１０(a)の例では、第１の帯状領域１−Ａ(1)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（上辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、１行目の第２の帯状領域１−Ｂ(1)となり、第１の帯状領域１−Ａ(1)と第１の帯状領域１−Ａ(2)との間に位置する枠部２が、２行目の第２の帯状領域１−Ｂ(2)となり、第１の帯状領域１−Ａ(2)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（下辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、３行目の第２の帯状領域１−Ｂ(3)となる。
そして、図３、図４（あるいは図７、図８）を用いて説明したのと略同様の手法を用いて、図１０(b)（あるいは図１０(c)）に示すように、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)の全域における、半導体素子を搭載する表面側の面に積層めっき層Ａ１、外部と接続する裏面側の面に積層めっき層Ａ３を形成するとともに、夫々の行の第２の帯状領域１−Ｂ(1)〜１−Ｂ(3)の全域における表面側の面に積層めっき層Ａ２、裏面側の面に積層めっき層Ａ４を形成してもよい。
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
また、例えば、図１１(a)に示すように、リードフレーム領域１ｎのブロックがリードフレーム基材の長辺方向に３列、短辺方向に３行配列された態様の多列型リードフレームの場合、１行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有する領域を１行目の第１の帯状領域１−Ａ(1)とし、２行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有してなる領域を２行目の第１の帯状領域１−Ａ(2)とし、３行目における、リードフレーム基材の長辺方向に３列配列されたリードフレーム領域１ｎのブロックと、リードフレーム基材の短辺に沿う方向に位置する枠部２を有してなる領域を３行目の第１の帯状領域１−Ａ(3)とする。
そして、夫々の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)、１−Ａ(3)における両方の長辺の外側のリードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２を、第２の帯状領域１−Ｂとする。
図７(a)の例では、第１の帯状領域１−Ａ(1)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（上辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、１行目の第２の帯状領域１−Ｂ(1)となり、第１の帯状領域１−Ａ(1)と第１の帯状領域１−Ａ(2)との間に位置する枠部２が、２行目の第２の帯状領域１−Ｂ(2)となり、第１の帯状領域１−Ａ(2)と第１の帯状領域１−Ａ(3)との間に位置する枠部２が、３行目の第２の帯状領域１−Ｂ(3)となり、第１の帯状領域１−Ａ(3)の長辺におけるリードフレーム基材の端辺側（下辺側）の、リードフレーム基材の長辺に沿う方向に位置する枠部２が、４行目の第２の帯状領域１−Ｂ(4)となる。
そして、図３、図４（あるいは図７、図８）を用いて説明したのと略同様の手法を用いて、図１１(b)（あるいは図１１(c)）に示すように、夫々の行の第１の帯状領域１−Ａ(1)、１−Ａ(2)、１−Ａ(3)の全域における、半導体素子を搭載する表面側の面に積層めっき層Ａ１、外部と接続する裏面側の面に積層めっき層Ａ３を形成するとともに、夫々の行の第２の帯状領域１−Ｂ(1)、１−Ｂ(2)、１−Ｂ(3)、１−Ｂ(4)の全域における表面側の面に積層めっき層Ａ２、裏面側の面に積層めっき層Ａ４を形成してもよい。