(57)【要約】【課題】外部端子を封止樹脂ボディーの上面から突出させた樹脂封止型の半導体装置を製造する際に、タイバー等を取り除くことができるリード加工装置を適用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リード加工装置１では、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａを上に向けて、外部端子６１が突出する方向が上方になるように、半導体装置５１が配置される。一方の外部端子６１と他方の外部端子６１との間にダイプレート５が挿入される。ダイプレート５と対向するように、ストリッパ７が配置される。その状態で、ダイプレート５に向けて、外部端子６１が突出する方向とは交差する方向にパンチ４１を移動させることによって、タイバー６９等が切除される。ダイプレート５には、パンチ４１が挿通される挿通孔５ａが形成されている。【選択図】図１
2020113789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を封止樹脂によって封止した封止樹脂ボディーが形成され、前記半導体素子と外部とを電気的に接続する、タイバーによって繋がれている複数の外部端子が、前記封止樹脂ボディーの表面から第１方向に突出した状態の半導体装置に加工を施すリード加工装置であって、
前記表面から前記複数の外部端子が突出する前記第１方向が上方になるように、前記封止樹脂ボディーの前記表面を上に向けて前記半導体装置が配置された状態で、前記封止樹脂ボディーの前記表面に向かって前記第１方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子と対向するように配置され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って挿通孔が形成されたダイプレートと、
前記複数の外部端子に対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記複数の外部端子に対して前記ダイプレートが配置されている側とは反対側から前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって、前記第２方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子を繋いでいる前記タイバーを切除し、前記封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除するパンチと
を備えた、リード加工装置。
【請求項２】
前記複数の外部端子と対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記ダイプレートとの間に前記複数の外部端子を介在させる態様で前記ダイプレートと対向するように配置されるストリッパを含む、請求項１記載のリード加工装置。
【請求項３】
前記ダイプレートと前記ストリッパとの間に前記複数の外部端子を挟み込んだ状態で、前記ストリッパが前記ダイプレートに向かって付勢される、請求項２記載のリード加工装置。
【請求項４】
前記ダイプレートでは、前記封止樹脂ボディーの前記表面に対向する下部における、前記複数の外部端子が位置する側の角部にテーパ部が設けられた、請求項１記載のリード加工装置。
【請求項５】
前記ダイプレートにおける前記複数の外部端子と対向する側部は、コーティング材によって覆われている、請求項１記載のリード加工装置。
【請求項６】
前記複数の外部端子は、前記封止樹脂ボディーの前記表面からそれぞれ突出し、前記第２方向に距離を隔てて対向する複数の第１外部端子および複数の第２外部端子を含み、
前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子との間に前記ダイプレートが挿入されて、前記ダイプレートが前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子とに対向している状態において、
前記パンチは、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって前記第２方向に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第１外部端子を繋いでいる第１タイバーを切除する第１パンチと、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって前記第２方向とは反対向きの第３方向に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第２外部端子を繋いでいる第２タイバーを切除する第２パンチと
を含む、請求項１記載のリード加工装置。
【請求項７】
前記複数の外部端子と対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記ダイプレートとの間に前記複数の外部端子を介在させる態様で前記ダイプレートと対向するように配置されるストリッパを含み、
前記ストリッパは、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第１外部端子を介在させる態様で対向配置される第１ストリッパと、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第２外部端子を介在させる態様で対向配置される第２ストリッパと
を含む、請求項６記載のリード加工装置。
【請求項８】
前記ダイプレートと前記第１ストリッパとの間に前記複数の第１外部端子を挟み込んだ状態で、前記第１ストリッパが前記ダイプレートに向かって付勢されるとともに、前記ダイプレートと前記第２ストリッパとの間に前記複数の第２外部端子を挟み込んだ状態で、前記第２ストリッパが前記ダイプレートに向かって付勢される、請求項７記載のリード加工装置。
【請求項９】
前記複数の外部端子は、
前記封止樹脂ボディーの前記表面からそれぞれ突出し、前記第２方向に距離を隔てて対向する複数の第１外部端子および複数の第２外部端子と、
前記封止樹脂ボディーの前記表面からそれぞれ突出し、前記第２方向と交差する第４方向に距離を隔てて対向する複数の第３外部端子および複数の第４外部端子と
を含み、
前記複数の第１外部端子、前記複数の第２外部端子、前記複数の第３外部端子および前記複数の第４外部端子とに囲まれた領域に前記ダイプレートが挿入されて、前記ダイプレートが、前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子と前記複数の第３外部端子と前記複数の第４外部端子とに対向している状態において、
前記パンチは、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって前記第２方向に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第１外部端子を繋いでいる第１タイバーを切除する第１パンチと、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって前記第２方向とは反対向きの第３方向に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第２外部端子を繋いでいる第２タイバーを切除する第２パンチと、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって前記第４方向に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第３外部端子を繋いでいる第３タイバーを切除する第３パンチと、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって前記第４方向とは反対向きの第５方向に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第４外部端子を繋いでいる第４タイバーを切除する第４パンチと
を含む、請求項１記載のリード加工装置。
【請求項１０】
前記複数の外部端子と対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記ダイプレートとの間に前記複数の外部端子を介在させる態様で前記ダイプレートと対向するように配置されるストリッパを含み、
前記ストリッパは、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第１外部端子を介在させる態様で対向配置される第１ストリッパと、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第２外部端子を介在させる態様で対向配置される第２ストリッパと、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第３外部端子を介在させる態様で対向配置される第３ストリッパと、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第４外部端子を介在させる態様で対向配置される第４ストリッパと
を含む、請求項９記載のリード加工装置。
【請求項１１】
前記半導体装置が載置される下金型と、
前記ダイプレートを含む上金型と
を有し、
前記上金型および前記下金型のいずれかを、前記第１方向に沿って型締めを行う動作に伴って、
前記複数の外部端子が、前記ダイプレートと前記ストリッパとの間に挟み込まれる動作と、
前記パンチが、前記ダイプレートの前記挿通孔に挿通される態様で前記第２方向に沿って移動することにより、前記タイバーを切除する動作と
が行われる、請求項２、３、７、８、１０のいずれか１項に記載のリード加工装置。
【請求項１２】
半導体素子を封止樹脂によって封止した封止樹脂ボディーが形成され、前記半導体素子と外部とを電気的に接続する、タイバーによって繋がれている複数の外部端子が、前記封止樹脂ボディーの表面から第１方向に突出した状態の半導体装置に加工を施すリード加工装置であって、
前記表面から前記複数の外部端子が突出する前記第１方向が横方向になるように、前記封止樹脂ボディーの前記表面を縦にして前記半導体装置が配置された状態で、前記封止樹脂ボディーの前記表面に向かって前記第１方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子と対向するように配置され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って挿通孔が形成されたダイプレートと、
前記複数の外部端子に対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記複数の外部端子に対して前記ダイプレートが配置されている側とは反対側から前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって、前記第２方向に沿って縦方向に移動させることにより、前記複数の外部端子を繋いでいる前記タイバーを切除し、前記封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除するパンチと
を備えた、リード加工装置。
【請求項１３】
前記複数の外部端子は、前記封止樹脂ボディーの前記表面からそれぞれ突出し、前記第２方向に距離を隔てて対向する複数の第１外部端子および複数の第２外部端子を含み、
前記複数の外部端子と対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記ダイプレートとの間に前記複数の外部端子を介在させる態様で前記ダイプレートと対向するように配置されるストリッパを有し、
前記ストリッパは、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第１外部端子を介在させる態様で対向配置される第１ストリッパと、
前記ダイプレートとの間に前記複数の第２外部端子を介在させる態様で対向配置される第２ストリッパと
を含み、
前記ダイプレートと前記第１ストリッパとの間に前記複数の第１外部端子を挟み込んだ状態で、前記第１ストリッパが前記ダイプレートに向かって付勢されるとともに、前記ダイプレートと前記第２ストリッパとの間に前記複数の第２外部端子を挟み込んだ状態で、前記第２ストリッパが前記ダイプレートに向かって付勢される、請求項１２記載のリード加工装置。
【請求項１４】
前記ダイプレートでは、前記挿通孔が貫通孔として形成され、
前記タイバーとして、前記複数の第１外部端子は第１タイバーによって繋がれ、
前記タイバーとして、前記複数の第２外部端子は第２タイバーによって繋がれ、
前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子との間に前記ダイプレートが挿入されて、前記ダイプレートが前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子とに対向している状態において、
前記パンチは、前記縦方向として、上から下または前記下から前記上へ移動させることにより、前記第１タイバーおよび前記第２タイバーの一方を切除して、前記貫通孔に挿通された後、前記第１タイバーおよび前記第２タイバーの他方を切除する、請求項１３記載のリード加工装置。
【請求項１５】
前記ダイプレートでは、前記挿通孔が貫通孔として形成され、
前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子との間に前記ダイプレートが挿入されて、前記ダイプレートが前記複数の第１外部端子と前記複数の第２外部端子とに対向している状態において、
前記パンチは、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって、前記縦方向として上から下へ移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第１外部端子を繋いでいる第１タイバーを切除する第１パンチと、
前記挿通孔に挿通させる態様で前記ダイプレートに向かって、前記縦方向として前記下から前記上に移動させることにより、前記タイバーとして、前記複数の第２外部端子を繋いでいる第２タイバーを切除する第２パンチと
を含む、請求項１３記載のリード加工装置。
【請求項１６】
前記ダイプレートが配置され、前記半導体装置が載置される下金型と、
前記下金型と対向するように配置され、前記パンチを含む上金型と
を含み、
前記上金型は、前記第１方向と交差する方向に傾いた第１傾斜面が形成された部分を含み、
前記ダイプレートは、前記第１傾斜面と摺動する第２傾斜面が形成され、
前記パンチは、前記上金型と前記下金型とを型締めする動作により、前記上金型とともに前記第１方向に沿って移動するととともに、
前記第１傾斜面と前記第２傾斜面とが互いに摺動することによって、前記第１方向に沿った前記型締めする動作が、前記第２方向に沿った動きに変換されて、前記ダイプレートが前記第２方向に沿って移動する、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のリード加工装置。
【請求項１７】
前記ダイプレートには、前記挿通孔に連通するとともに、前記挿通孔から離れる方向に延在し、切除された前記タイバーを排出する排出孔が形成された、請求項１３記載のリード加工装置。
【請求項１８】
前記パンチは、前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって上方に移動し、
前記排出孔が前記挿通孔に連通している開口端の下端は、前記パンチの上死点よりも低い位置にある、請求項１７記載のリード加工装置。
【請求項１９】
前記パンチは、前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって上方に移動し、
前記排出孔が前記挿通孔に連通している開口端の下端は、前記開口端から離れた前記排出孔における他の下端よりも高い位置にある、請求項１７記載のリード加工装置。
【請求項２０】
前記パンチは、前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって上方に移動し、
前記ダイプレートには、前記排出孔が前記挿通孔に連通している開口端とは前記挿通孔を挟んで反対側の位置に、前記開口端に向けて空気を噴出する空気噴射口が形成された、請求項１７記載のリード加工装置。
【請求項２１】
前記パンチは、前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって上方に移動し、
前記パンチの上端部には、前記排出孔が前記挿通孔に連通する開口端に向かって下がる態様で傾斜した傾斜部が設けられた、請求項１７記載のリード加工装置。
【請求項２２】
前記パンチは、前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって上方に移動し、
前記排出孔は、前記排出孔が前記挿通孔に連通している開口端から離れる方向に向かって吸引する吸引孔として設けられた、請求項１７記載のリード加工装置。
【請求項２３】
前記パンチは、前記封止樹脂ボディーから突出する前記樹脂バリのみを切除する部分を含む、請求項１〜２２のいずれか１項に記載のリード加工装置。
【請求項２４】
請求項１〜２３のいずれか１項に記載のリード加工装置によって加工された半導体装置であって、
前記半導体素子が封止樹脂によって封止されているとともに、前記半導体素子と外部とを電気的に接続する外部端子を備え、
前記外部端子は、前記半導体素子が搭載されている搭載面と交差する方向に前記封止樹脂の表面から突出している、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リード加工装置およびそれを用いて製造された半導体装置に関し、特に、半導体素子を封止した封止樹脂ボディーから突出するリードを加工するリード加工装置と、そのリード加工装置を適用して製造された半導体装置とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、半導体素子（半導体チップ）を樹脂によって封止した樹脂封止型の半導体装置がある。この種の半導体装置では、まず、リードフレームに半導体素子が搭載された後、トランスファーモールド等の樹脂封止金型を用い、樹脂封止金型内に樹脂を充填することによって半導体素子が封止される。
【０００３】
次に、半導体素子を樹脂封止したリードフレームに対し、リード加工装置によってリード加工が行われる。外部端子となるインナーリードを繋ぐタイバーを切断するとともに、樹脂封止金型から滲み出した樹脂バリを取り除く処理が行われる。その後、外部リード端子に対し、基板に実装される形状に曲げる加工が行われて、樹脂封止型の半導体装置が完成する。なお、リード加工装置を開示した特許文献の一例として、特許文献１がある。
【０００４】
樹脂封止型の半導体装置では、外部端子は、半導体素子を封止した封止樹脂ボディーの表面から突出している。ここで、半導体素子として、メモリ等が形成された半導体素子を樹脂封止した樹脂封止型の半導体装置では、外部端子は、半導体素子が搭載されている搭載面とほぼ平行に、封止樹脂ボディーの側面から突出している。
【０００５】
封止樹脂ボディーの側面から外部端子が突出する樹脂封止型の半導体装置では、リード加工装置のパンチが上下方向に可動することによって、タイバーと樹脂バリとが取り除かれることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３４４４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体素子には、電力を制御するパワー半導体素子等を含む半導体素子がある。外部端子が封止樹脂ボディーの側面から突出している樹脂封止型の半導体装置の場合、樹脂封止型の半導体装置が冷却用フィン等に搭載された状態では、外部端子と冷却用フィン等との距離が比較的短い。このため、外部端子と冷却フィン等との沿面距離が短くなってしまい、半導体素子に高電圧が印加された場合には、外部端子と冷却フィン等との間の電気的な絶縁を確保できない場合が想定される。
【０００８】
そこで、パワー半導体素子等を含む半導体素子を封止した樹脂封止型の半導体装置では、沿面距離を確保するために、外部端子を、封止樹脂ボディーの表面のうち、半導体素子の搭載面とほぼ直交する方向に、封止樹脂ボディーの表面（上面）から突出させた構造が提案されている。
【０００９】
しかしながら、外部端子を封止樹脂ボディーの上面から突出させた樹脂封止型の半導体装置の場合、パンチが上下方向に可動するリード加工装置では、タイバーと樹脂バリとを取り除くことができないという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、一の目的は、外部端子を封止樹脂ボディーの上面から突出させた樹脂封止型の半導体装置を製造する際に、タイバー等を取り除くことができるリード加工装置を提供することであり、他の目的は、そのようなリード加工装置を適用して製造された半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る一のリード加工装置は、半導体素子を封止樹脂によって封止した封止樹脂ボディーが形成され、半導体素子と外部とを電気的に接続する、タイバーによって繋がれている複数の外部端子が、封止樹脂ボディーの表面から突出した状態の半導体装置に加工を施すリード加工装置であって、ダイプレートとパンチとを備えている。ダイプレートは、表面から複数の外部端子が突出する第１方向が上方になるように、封止樹脂ボディーの表面を上に向けて半導体装置が配置された状態で、封止樹脂ボディーの表面に向かって第１方向に沿って移動させることにより、複数の外部端子と対向するように配置される。ダイプレートには、第１方向と交差する第２方向に沿って挿通孔が形成されている。パンチは、複数の外部端子に対向するようにダイプレートが配置された状態で、複数の外部端子に対してダイプレートが配置されている側とは反対側からダイプレートの挿通孔に向かって、第２方向に沿って移動させることにより、複数の外部端子を繋いでいるタイバーを切除し、封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除する。
【００１２】
本発明に係る他のリード加工装置は、半導体素子を封止樹脂によって封止した封止樹脂ボディーが形成され、半導体素子と外部とを電気的に接続する、タイバーによって繋がれている複数の外部端子が、封止樹脂ボディーの表面から突出した状態の半導体装置に加工を施すリード加工装置であって、ダイプレートとパンチとを備えている。ダイプレートは、表面から複数の外部端子が突出する第１方向が横方向になるように、封止樹脂ボディーの表面を縦にして半導体装置が配置された状態で、封止樹脂ボディーの表面に向かって第１方向に沿って移動させることにより、複数の外部端子と対向するように配置される。ダイプレートには、第１方向と交差する第２方向に沿って挿通孔が形成されている。パンチは、複数の外部端子に対向するようにダイプレートが配置された状態で、複数の外部端子に対してダイプレートが配置されている側とは反対側からダイプレートの挿通孔に向かって、第２方向に沿って縦方向に移動させることにより、複数の外部端子を繋いでいるタイバーを切除し、封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除する。
【００１３】
本発明に係る半導体装置は、上述したリード加工装置によって加工が施された半導体装置であって、半導体素子が封止樹脂ボディーによって封止されているとともに、半導体素子と外部とを電気的に接続する外部端子を備えている。外部端子は、半導体素子が搭載されている搭載面と交差する方向に封止樹脂ボディーの表面から突出している。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る一のリード加工装置によれば、半導体素子が搭載されている搭載面と交差する方向に封止樹脂ボディーの表面から突出している外部端子のタイバーと樹脂バリとを、パンチによって切除することができる。
【００１５】
本発明に係る他のリード加工装置によれば、半導体素子が搭載されている搭載面と交差する方向に封止樹脂ボディーの表面から突出している外部端子のタイバーと樹脂バリとを、パンチによって切除することができる。
【００１６】
本発明に係る半導体装置によれば、半導体装置が冷却フィン等に実装された状態で、外部端子と冷却フィン等との沿面距離を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】各実施の形態に係るリード加工装置による加工の対象となる樹脂封止型の半導体装置の第１例を示す一側面図である。
【図２】図１に示す樹脂封止型の半導体装置の他の側面図である。
【図３】図１および図２に示す樹脂封止型の半導体装置の、タイバー等を切除する工程前の状態を示す他の側面図である。
【図４】各実施の形態に係るリード加工装置による加工の対象となる樹脂封止型の半導体装置の第２例を示す上面図である。
【図５】図４に示す樹脂封止型の半導体装置の一側面図である。
【図６】図４に示す樹脂封止型の半導体装置の他の側面図である。
【図７】図４、図５および図６に示す樹脂封止型の半導体装置の、タイバー等を切除する工程前の状態を示す上面図である。
【図８】図４、図５および図６に示す樹脂封止型の半導体装置の、タイバー等を切除する工程前の状態を示す一側面図である。
【図９】図４、図５および図６に示す樹脂封止型の半導体装置の、タイバー等を切除する工程前の状態を示す他の側面図である。
【図１０】図４、図５および図６に示す樹脂封止型の半導体装置の、タイバー等を切除する工程前の状態を示すさらに他の側面図である。
【図１１】各実施の形態に係るリード加工装置による加工の対象となる樹脂封止型の半導体装置の第３例を示す上面図である。
【図１２】図１１に示す樹脂封止型の半導体装置の一側面図である。
【図１３】図１１に示す樹脂封止型の半導体装置の他の側面図である。
【図１４】実施の形態１に係るリード加工装置の基本概念を模式的に示す断面図である。
【図１５】同実施の形態において、リード加工装置の具体的な構造の一例を示す断面図である。
【図１６】同実施の形態において、図１５に示すリード加工装置によるリード加工を説明するための一動作を示す断面図である。
【図１７】同実施の形態において、図１６に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図１８】同実施の形態において、図１７に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図１９】同実施の形態において、図１８に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図２０】比較例に係るリード加工装置が適用される樹脂封止型の半導体装置の、タイバー等を除去する工程前の状態を示す上面図である。
【図２１】比較例に係るリード加工装置の構造を示す断面図である。
【図２２】比較例に係るリード加工装置によるリード加工を説明するための一動作を模式的に示す断面図である。
【図２３】図２２に示す動作の後に行われる動作を模式的に示す断面図である。
【図２４】図２３に示す動作の後に行われる動作を模式的に示す断面図である。
【図２５】比較例に係るリード加工装置によってリードが加工された樹脂封止型の半導体装置の上面図である。
【図２６】比較例に係るリード加工装置によってリードが加工された後、リードフレームから取り外された樹脂封止型の半導体装置を示す上面図である。
【図２７】同実施の形態において、第１変形例に係るリード加工装置を模式的に示す断面図である。
【図２８】同実施の形態において、第２変形例に係るリード加工装置を模式的に示す断面図である。
【図２９】実施の形態２に係るリード加工装置の基本概念を模式的に示す断面図である。
【図３０】同実施の形態において、リード加工装置の具体的な構造の一例を示す断面図である。
【図３１】同実施の形態において、図３０に示すリード加工装置によるリード加工を説明するための一動作を示す断面図である。
【図３２】同実施の形態において、図３１に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図３３】同実施の形態において、図３２に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図３４】同実施の形態において、図３３に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図３５】実施の形態３に係るリード加工装置の基本概念を模式的に示す断面図である。
【図３６】同実施の形態において、リード加工装置の具体的な構造の一例を示す断面図である。
【図３７】同実施の形態において、図３６に示すリード加工装置によるリード加工を説明するための一動作を示す断面図である。
【図３８】同実施の形態において、図３７に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図３９】同実施の形態において、図３８に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図４０】同実施の形態において、図３９に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図４１】同実施の形態において、第１変形例に係るリード加工装置を模式的に示す断面図である。
【図４２】実施の形態４に係るリード加工装置の基本概念を模式的に示す断面図である。
【図４３】同実施の形態において、リード加工装置の具体的な構造の一例を示す断面図である。
【図４４】同実施の形態において、図４３に示すリード加工装置によるリード加工を説明するための一動作を示す断面図である。
【図４５】同実施の形態において、図４４に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図４６】同実施の形態において、図４５に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図４７】同実施の形態において、図４６に示す動作の後に行われる動作を示す断面図である。
【図４８】同実施の形態において、第１変形例に係るリード加工装置を模式的に示す断面図である。
【図４９】同実施の形態において、第２変形例に係るリード加工装置におけるダイプレートの部分を模式的に示す部分断面図である。
【図５０】同実施の形態において、第３変形例に係るリード加工装置におけるダイプレートの部分を模式的に示す部分断面図である。
【図５１】同実施の形態において、第４変形例に係るリード加工装置におけるダイプレートの部分を模式的に示す部分断面図である。
【図５２】同実施の形態において、第５変形例に係るリード加工装置におけるダイプレートの部分を模式的に示す部分断面図である。
【図５３】同実施の形態において、第６変形例に係るリード加工装置を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
はじめに、各実施の形態に係るリード加工装置が適用される樹脂封止型の半導体装置の構造について説明する。
【００１９】
（第１例）
図１および図２に示すように、第１例に係る樹脂封止型の半導体装置５１では、ダイスパッド５３に搭載された半導体素子５５が、封止樹脂ボディー５７に封止されている。樹脂封止型の半導体装置５１と外部とを電気的に接続する外部端子６１が、封止樹脂ボディー５７から突出している。外部端子６１と半導体素子５５とは、金属細線５９によって電気的に接続されている。
【００２０】
樹脂封止型の半導体装置５１が冷却フィン（図示せず）等に実装された状態において、外部端子６１と冷却フィン等との沿面距離を確保する必要がある。このため、実装された状態においては、外部端子６１は、封止樹脂ボディー５７の上面（表面５７ａ）から上方（第１方向）に向かって突出している。封止樹脂ボディー５７からみると、外部端子６１は、半導体素子５５がダイスパッド５３に搭載されている搭載面６０とほぼ直交する方向（第１方向）に、表面５７ａから突出している。
【００２１】
上述した樹脂封止型の半導体装置５１の製造工程では、まず、ダイスパッド５３に搭載された半導体素子５５が、封止樹脂によって封止されて封止樹脂ボディー５７が形成される。この時点では、図３に示すように、複数の外部端子６１がタイバー６９によって繋がれた状態にある。また、その外部端子６１が封止樹脂ボディー５７から突出している部分では、金型内において封止樹脂ボディー５７を形成する際に滲み出した封止樹脂が、樹脂バリ７１として残された状態にある。そのタイバー６９と樹脂バリ７１とが、後述するリード加工装置によって切除されることになる。
【００２２】
（第２例）
図４、図５および図６に示すように、第２例に係る樹脂封止型の半導体装置５１では、樹脂封止型の半導体装置５１と外部とを電気的に接続する外部端子６１が、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから突出している。封止樹脂ボディー５７内には、第１例と同様に、半導体素子（図示せず）が封止されている。外部端子６１は、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから、半導体素子の搭載面に対してほぼ直交する方向（第１方向）に突出している。
【００２３】
外部端子６１は、主端子６１ａと制御端子６１ｂとを含む。主端子６１ａの一部と制御端子６１ｂとは、封止樹脂ボディー５７の短手方向に距離を隔てて対向するように配置されている。残りの主端子６１ａは、封止樹脂ボディー５７の長手方向の一端部に配置されている。
【００２４】
なお、主端子６１ａに繋がる部分には、ナット穴６５が設けられている。また、封止樹脂ボディー５７には、ベース板６３が装着されている。ベース板６３には、固定用のねじ穴６７が設けられている。
【００２５】
上述した樹脂封止型の半導体装置５１の製造工程では、まず、半導体素子（図示せず）が、封止樹脂によって封止されて封止樹脂ボディーが形成される。この時点では、図７、図８、図９および図１０に示すように、複数の外部端子６１がタイバー６９によって繋がれた状態にある。また、その外部端子６１が封止樹脂ボディー５７から突出している部分では、金型内において封止樹脂ボディー５７を形成する際に滲み出した封止樹脂が、樹脂バリ７１として残された状態にある。そのタイバー６９と樹脂バリ７１とが、後述するリード加工装置によって切除されることになる。
【００２６】
（第３例）
図１１、図１２および図１３に示すように、第３例に係る樹脂封止型の半導体装置５１では、封止樹脂ボディー５７の長手方向の一端部に配置されている主端子６１ａが、封止樹脂ボディーの表面５７ａに平行になるように曲げられている点を除いて、第２例に係る樹脂封止型の半導体装置５１の構造と実質的に同じである。このため、同一部材には同一符号を付し、その説明を繰り返さないこととする。
【００２７】
上述した樹脂封止型の半導体装置５１の製造工程では、まず、半導体素子（図示せず）が、封止樹脂によって封止されて封止樹脂ボディーが形成される。この時点では、図７、図８、図９および図１０に示すのと同様に、複数の外部端子６１がタイバー６９によって繋がれた状態にある。また、その外部端子６１が封止樹脂ボディー５７から突出している部分では、金型内において封止樹脂ボディー５７を形成する際に滲み出した封止樹脂が、樹脂バリ７１として残された状態にある。
【００２８】
そのタイバー６９と樹脂バリ７１とが、後述するリード加工装置によって切除されることになる。タイバー６９等が切除された後、封止樹脂ボディー５７の長手方向の一端部に配置されている主端子６１ａが、封止樹脂ボディーの表面５７ａに平行になるように曲げられることになる。
【００２９】
以下、封止樹脂ボディーから突出する複数の外部端子を繋いでいるタイバー等を切除するリード加工装置について、説明する。
【００３０】
実施の形態１．
まず、実施の形態１に係るリード加工装置の基本概念を、模式的な図を用いて説明する。図１４に示すように、リード加工装置１では、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａを上に向けて、表面５７ａから外部端子６１が突出する方向（第１方向）が上方になるように、樹脂封止型の半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が配置される。対向する一方の外部端子６１と他方の外部端子６１との間にダイプレート５が挿入されて、ダイプレート５が、外部端子６１の側方に外部端子６１と対向するように配置される。
【００３１】
また、外部端子６１とは距離を隔ててダイプレート５と対向するように、ストリッパ７が配置される。ここでは、ダイプレート５と外部端子６１との間にクリアランスが設けられるともに、ストリッパ７と外部端子６１との間にクリアランスが設けられる態様で、ダイプレート５とストリッパ７とが配置される。
【００３２】
その状態で、外部端子６１が突出する方向とは交差する方向（第２方向）からパンチ４１を、ダイプレート５に向けて移動させることによって、タイバー６９および樹脂バリ７１が切除される。ダイプレート５には、パンチ４１が挿通される挿通孔５ａが形成されている。挿通孔５ａは、切除されたタイバー６９および樹脂バリ７１のカット屑を排出する排出孔としての機能を有する。
【００３３】
次に、リード加工装置の構造について、より具体的に説明する。図１５に示すように、リード加工装置１は、上金型３と下金型２３とを備えている。上金型３は、ダイプレート５、ストリッパ７、ロッキングブロック９、可動ストリッパプッシャ１１、プッシャプレート１３、上金型天板１７、戻しばね１５、プッシュばね１９および上金型枠ブロック２１を備えている。
【００３４】
ダイプレート５には、パンチ４１が挿通される挿通孔５ａが形成されている。挿通孔５ａは、ダイプレート５をＸ軸方向に貫通する態様で形成されている。ストリッパ７には、傾斜面７ａが設けられている。可動ストリッパプッシャ１１には傾斜面１１ａが設けられている。傾斜面７ａと傾斜面１１ａとは互いに摺動する。ロッキングブロック９には、傾斜面９ａが設けられている。
【００３５】
戻しばね１５は、ロッキングブロック９と上金型天板１７との間の可動ストリッパプッシャ１１の部分に装着されている。プッシュばね１９は、ダイプレート５と上金型天板１７との間に装着されている。ダイプレート５およびストリッパ７等は、上金型枠ブロック２１内に設けられている。なお、上金型３の上には、上金型３に接するように上プレス定板２が配置されている。また、パンチ４１およびストリッパ７等は、リード加工装置１（または封止樹脂ボディー５７）の中心線ＣＬに対して対称に配置されている。
【００３６】
下金型２３は、下金型ブロック２５、スライドガイドレール２７および下金型枠ブロック２９を備えている。下金型ブロック２５には、半導体装置５１（封止樹脂ボディー）が載置される。スライドガイドレール２７には、パンチ４１が載置されている。パンチ４１には、傾斜面４１ａが設けられている。パンチ４１の傾斜面４１ａとロッキングブロック９の傾斜面９ａとは、互いに摺動する。下金型ブロック２５およびスライドガイドレール２７は、下金型枠ブロック２９内に設けられている。なお、下金型２３の下には、下金型２３に接するように下プレス定板２２が配置されている。
【００３７】
上述したリード加工装置１では、上金型３をＹ軸方向に沿って移動させる動作に伴い、パンチ４１がＸ軸方向に沿って移動することで、外部端子６１を繋いでいるタイバー等が切除されることになる。次に、その動作について説明する。
【００３８】
まず、下金型ブロック２５に半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が載置される。次に、図１６に示すように、上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、ダイプレート５が、対向する外部端子６１の間に挿入される。このとき、ダイプレート５と外部端子６１との間には、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度のクリアランスが設けられることが好ましい。
【００３９】
次に、図１７および図１８に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）が行われる。上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）に伴い、可動ストリッパプッシャ１１の傾斜面１１ａとストリッパ７の傾斜面７ａとが互いに摺動する。この摺動によって、可動ストリッパプッシャ１１のＹ軸負方向の動きが、ストリッパ７のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、ストリッパ７が外部端子６１（ダイプレート５）に近づく。
【００４０】
また、ロッキングブロック９の傾斜面９ａとパンチ４１の傾斜面４１ａとが互いに摺動する。この摺動によって、ロッキングブロック９のＹ軸負方向の動きが、パンチ４１のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、パンチ４１が外部端子６１（ダイプレート５）に近づく。
【００４１】
次に、図１９に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）を行い、上金型２を下金型２３に接触させる。この動作（Ｙ軸負方向）に伴い、可動ストリッパプッシャ１１のＹ軸負方向の動きが、ストリッパ７のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、ストリッパ７が外部端子６１（ダイプレート５）にさらに近づく。このとき、ストリッパ７と外部端子６１との間には、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度のクリアランスが設けられることが好ましい。
【００４２】
また、ロッキングブロック９のＹ軸負方向の動きが、パンチ４１のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、パンチ４１は、外部端子６１（ダイプレート５）にさらに近づき、タイバー６９と樹脂バリ７１とを切除した後、ダイプレート５の挿通孔５ａに挿通される。切除されたタイバー６９と樹脂バリ７１とは、パンチ４１によって、挿通孔５ａへ追いやられる。
【００４３】
こうして、複数の外部端子６１を繋いでいたタイバー６９が切除されて、個々の外部端子６１に分けられる。また、封止樹脂ボディー５７から滲み出した樹脂バリ７１も、切除されることになる。
【００４４】
その後、上金型３を上げる動作（Ｙ軸正方向）が行われる。この動作により、パンチ４１とストリッパ７とは、上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）とは反対向きの動作を行う。パンチ４１は、挿通孔５ａから引き抜かれ、外部端子６１から遠ざかる。また、ストリッパ７は外部端子６１から遠ざかり、ダイプレート５は、封止樹脂ボディー５７から遠ざかる。
【００４５】
パンチ４１、ストリッパ７およびダイプレート５等が初期の位置に戻った状態で、半導体装置５１がリード加工装置１から取り出される。取り出された半導体装置５１は、たとえば、外装工程および検査工程等を経た後、製品として出荷される。
【００４６】
上述したリード加工装置では、半導体装置５１の封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから、半導体素子５５が搭載されている搭載面６０（図１参照）とほぼ直交する方向に突出した複数の外部端子６１を繋いでいるタイバー等を切除することができる。このことについて、比較例に係るリード加工装置と比較して説明する。
【００４７】
まず、比較例に係るリード加工装置が適用される樹脂封止型の半導体装置について説明する。
【００４８】
図２０に示すように、樹脂封止型の半導体装置１５１では、リードフレーム１６１のダイスパッド１５３に搭載された半導体素子１５５が、トランスファーモールド法等、金型内に充填された樹脂（封止樹脂ボディー１５７）によって封止されている。ダイスパッド１５３は、吊りリード１６５によって、リードフレーム１６１に繋がっている。
【００４９】
封止樹脂ボディー１５７からは、外部端子となるリードフレーム１６１の部分が露出する。この外部端子となるリードフレーム１６１の部分は、半導体素子１５３が搭載されている搭載面とほぼ平行に、封止樹脂ボディー１５７の側面から突出する態様で露出している。また、外部端子となるリードフレーム１６１の部分が露出している部分では、金型内から滲み出した封止樹脂が、樹脂バリ１７１として残っている。
【００５０】
外部端子となるリードフレーム１６１の部分は、インナーリード１６３および金属細線１５９によって、半導体素子１５５と電気的に接続されている。また、外部端子となるリードフレーム１６１の部分は、タイバー１６９によってリードフレーム１６１に繋がっている。
【００５１】
次に、そのリードフレーム１６１を加工を施すリード加工装置について説明する。図２１に示すように、リード加工装置１０１は、上金型１０３と下金型１２３とを備えている。上金型１０３は、上金型チェイスブロック１０５、可動ストリッパ型１０７、上金型可動プレート１０９、パンチ１４１、上金型可動ロッド１１１、戻しばね１１５、プッシュばね１１３および上金型枠ブロック１２１を備えている。
【００５２】
パンチ１４１は、上金型可動プレート１０９の下面に装着され、上金型可動ロッド１１１は、上金型可動プレート１０９の上面に装着されている。戻しばね１１５は、上金型可動プレート１０９と上金型チェイスブロック１０５との間に装着されている。プッシュばね１１３は、可動ストリッパ型１０７と上金型天板１１７との間に装着されている。
【００５３】
下金型１２３は、下金型チェイスブロック１２５、下金型ブロック１２７および下金型枠ブロック１２９を備えている。下金型チェイスブロック１２５には、半導体装置１５１（封止樹脂ボディー１５７）が載置される。また、下金型チェイスブロック１２５には、パンチ１４１が挿通される挿通孔１２５ａが設けられている。
【００５４】
次に、上述したリード加工装置１０１の動作について、模式的な図を用いて説明する。図２２に示すように、まず、下金型チェイスブロック１２５に、半導体装置１５１が載置される。次に、図２３に示すように、上金型１０３を下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、リードフレーム１６１を上金型１０３を下金型１２３とで挟み込む。次に、図２４に示すように、パンチ１４１をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、パンチ１４１がリードフレーム１６１に近づき、タイバー１６９と樹脂バリ１７１とが切除される。切除されたタイバー１６９と樹脂バリ１７１は、挿通孔１２５ａへ排出される。
【００５５】
次に、上金型１０３を上げる動作（Ｙ軸正方向）が行われて、半導体装置１５１がリード加工装置１０１から取り出される。図２５に示すように、取り出された半導体装置１５１では、タイバー１６９が切除されて、外部端子となるリードフレーム１６１の部分が形成される。また、封止樹脂ボディー１５７に残された樹脂バリ１７１（図２０参照）も切除されている。
【００５６】
次に、外部端子となるリードフレーム１６１の部分が、リードフレーム１６１から切り離される。また、ダイスパッド１５３とリードフレーム１６１とを繋いでいる吊りリード１６５が切断される。こうして、図２６に示すように、個片化された樹脂封止型の半導体装置１５１が形成される。その後、外部端子１８１を一定の方向に曲げる加工を施すことによって、樹脂封止型の半導体装置（図示せず）が完成する。
【００５７】
比較例に係るリード加工装置の加工対象とされる樹脂封止型の半導体装置では、外部端子となるリードフレーム１６１の部分が、半導体素子１５３が搭載されている搭載面とほぼ平行に、封止樹脂ボディー１５７の側面から突出する態様で露出している（図２０および図２１参照）。
【００５８】
リード加工装置１０１には、樹脂封止型の半導体装置１５１は、半導体素子１５５の搭載面が、下金型１２３の載置面とほぼ平行になるように、下金型１２３に載置されて、その状態で、Ｙ方向に沿って移動するパンチ１４１によってタイバー１６９等が切除されることになる。
【００５９】
一方、樹脂封止型の半導体装置が冷却フィン等に実装された状態において、外部端子と冷却フィン等との沿面距離を確保するために、図１等に示すように、半導体素子５５の搭載面６０とほぼ直交する方向に、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから外部端子６１が突出した樹脂封止型の半導体装置５１がある。
【００６０】
この種の樹脂封止型の半導体装置５１の場合、半導体素子５５の搭載面６０が下金型２３における載置面とほぼ平行になるように、封止樹脂ボディー５７を下金型２３に配置させると、外部端子６１は上方（Ｙ軸正方向）に向かって、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから突出した状態になる。このため、比較例に係るリード加工装置１０１では、Ｙ軸方向に沿って移動するパンチ１４１によって、Ｙ軸正方向に突出する外部端子６１を繋いでいるタイバー等を切除することができない。
【００６１】
比較例に係るリード加工装置１２１に対して、実施の形態１に係るリード加工装置１では、上金型３のＹ軸負方向の動きが、パンチ４１のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換される。これにより、Ｙ軸正方向に突出する外部端子６１を繋いでいるタイバー等を、Ｘ軸方向に沿って移動するパンチ４１によって切除することができる。
【００６２】
また、上金型３のＹ軸負方向の動きに伴って、外部端子６１の側方に外部端子６１と対向するように、ダイプレート５が配置される。これにより、パンチ４１がダイプレート５に近づいてタイバー６９等を切除する際には、外部端子６１はダイプレート５に支持された状態になる。その結果、外部端子６１がパンチ４１の移動方向に曲げられることなくタイバー６９等を切除することができる。
【００６３】
さらに、上金型３のＹ軸負方向の動きに伴って、ダイプレート５との間に外部端子６１を介在させる態様で、ダイプレート５と対向するようストリッパ７が配置される。これにより、上金型３のＹ軸正方向の動きに伴って、パンチ４１がダイプレート５から離れる際には、外部端子６１はストリッパ７に支持された状態になる。その結果、外部端子６１が、パンチ４１の移動方向に曲げられることなく、パンチ４１をダイプレート５から離すことができる。
【００６４】
上述したリード加工装置１では、外部端子６１の側方に外部端子６１と対向するように配置されるダイプレート５は、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから、対向するように突出している一方の外部端子６１と他方の外部端子６１との間に、ダイプレート５が挿入される態様で配置される。
【００６５】
このとき、封止樹脂ボディー５７から突出する外部端子６１の傾き等の配置のばらつきによっては、ダイプレート５が挿入される際に、ダイプレート５が外部端子６１に干渉してしまうことが想定される。ダイプレート５が外部端子６１に干渉すると、外部端子６１の表面が損傷するおそれがある。また、外部端子６１に形成された表面処理層が剥がれてしまうおそれがある。さらに、外部端子６１が変形してしまうおそれがある。
【００６６】
そこで、そのような想定される不具合を回避するための手法について、模式的な図を用いて説明する。まず、図２７に示すように、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａに接触（対向）するダイプレート５の下部における外部端子６１側の角部に、テーパ部５ｃを設けることが望ましい。また、図２８に示すように、ダイプレート５における外部端子６１と対向する側面に、コーティング材５ｄを設けることが望ましい。コーティング材５ｄとしては、たとえば、炭化チタン（ＴｉＣ）またはＤＬＣ（Diamond-Like Carbon）を適用することができる。
【００６７】
さらに、ダイプレート５と外部端子６１との間にクリアランスを設けるとともに、ストリッパ７と外部端子６１との間にクリアランスを設けることが望ましい。そのクリアランスとしては、それぞれ０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度確保されるように、ダイプレート５と、ストリッパ７と、封止樹脂ボディー５７が載置される下金型ブロック２５とを位置調整しておくことが望ましい。
【００６８】
実施の形態２．
まず、実施の形態２に係るリード加工装置の基本概念を、模式的な図を用いて説明する。図２９に示すように、リード加工装置１では、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａを上に向けて、表面５７ａから外部端子６１が突出する方向（第１方向）が上方になるように、樹脂封止型の半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が配置される。その配置された樹脂封止型の半導体装置５１に対して、ダイプレート５とストリッパ７とで外部端子６１を挟み込んで加圧する態様で、ダイプレート５とストリッパ７とが配置される。
【００６９】
その状態で、外部端子６１が突出する方向とは交差する方向（第２方向）からパンチ４１を、ダイプレート５に向けて移動させることによって、タイバー６９および樹脂バリ７１が切除される。ダイプレート５には、パンチ４１が挿通されて、切除されたタイバー６９および樹脂バリ７１のカット屑を排出する挿通孔５ａが形成されている。
【００７０】
次に、リード加工装置の構造について、より具体的に説明する。図３０に示すように、リード加工装置１には、上金型可動プレート８と、その上金型可動プレート８を上方から付勢する上定板可動ロッド６とが設けられている。上金型可動プレート８とロッキングブロック９との間には、戻しばね１５が配置されている。
【００７１】
上金型可動プレート８には傾斜面８ａが設けられている。ストリッパ７には、傾斜面８ａと互いに摺動する傾斜面７ａが設けられている。なお、これ以外の構成については、図１５に示すリード加工装置１と実質的に同じなので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除きその説明を繰り返さないこととする。
【００７２】
上述したリード加工装置１では、上金型３をＹ軸方向に沿って移動させる動作に伴い、ダイプレート５とストリッパ７との間に外部端子６１が挟み込まれ、その状態で、Ｘ軸方向に沿って移動するパンチ４１によって、外部端子６１を繋いでいるタイバー等が切除されることになる。次に、その動作について説明する。
【００７３】
まず、図３１に示すように、下金型ブロック２５に半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が載置される。次に、図３２に示すように、上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、ダイプレート５が、対向する外部端子６１の間に挿入される。
【００７４】
次に、図３３に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）が行われる。上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）に伴い、上金型可動プレート８の傾斜面８ａとストリッパ７の傾斜面７ａとが互いに摺動する。この摺動によって、上金型可動プレート８のＹ軸負方向の動きが、ストリッパ７のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、ストリッパ７が外部端子６１（ダイプレート５）に近づく（矢印参照）。
【００７５】
また、上定板可動ロッド６を下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、傾斜面８ａと傾斜面７ａとが互いに摺動することで、ストリッパ７が外部端子６１に当接し、プッシュばね１９の弾性力によってストリッパ７がダイプレート５に向かって付勢されながら、外部端子６１がストリッパ７とダイプレート５との間に挟み込まれる。すなわち、外部端子６１は、ストリッパ７とダイプレート５とで挟み込まれた状態で加圧保持されることになる。
【００７６】
また、上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）に伴い、ロッキングブロック９の傾斜面９ａとパンチ４１の傾斜面４１ａとが互いに摺動する。この摺動によって、ロッキングブロック９のＹ軸負方向の動きが、パンチ４１のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、パンチ４１が外部端子６１（ダイプレート５）に近づく（矢印参照）。
【００７７】
次に、図３４に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）を行い、上金型３を下金型２３に接触させる。この動作（Ｙ軸負方向）に伴い、ロッキングブロック９の傾斜面９ａとパンチ４１の傾斜面４１ａとが互いに摺動する。
【００７８】
この摺動によって、ロッキングブロック９のＹ軸負方向の動きが、パンチ４１のＸ軸方向（正方向と負方向）の動きに変換されて、パンチ４１は、外部端子６１（ダイプレート５）にさらに近づき、タイバー６９と樹脂バリ７１とを切除した後、ダイプレート５の挿通孔５ａに挿通される。切除されたタイバー６９と樹脂バリ７１とは、パンチ４１によって、挿通孔５ａへ追いやられる。
【００７９】
こうして、複数の外部端子６１を繋いでいたタイバー６９が切除されて、個々の外部端子６１に分けられる。また、封止樹脂ボディー５７に残されている樹脂バリ７１も、切除されることになる。
【００８０】
その後、上金型３を上げる動作（Ｙ軸正方向）に伴い、パンチ４１は、挿通孔５ａから引き抜かれ、外部端子６１から遠ざかる。また、ストリッパ７は外部端子６１から遠ざかり、ダイプレート５は、封止樹脂ボディー５７から遠ざかる。
【００８１】
パンチ４１、ストリッパ７およびダイプレート５等が初期の位置に戻った状態で、半導体装置５１がリード加工装置１から取り出される。取り出された半導体装置５１は、たとえば、外装工程および検査工程等を経た後、製品として出荷される。
【００８２】
上述したリード加工装置１では、前述したリード加工装置１（図１５参照）と同様に、対向する外部端子６１の間にダイプレート５を挿入し、そのダイプレート５に向けてパンチ４１を動かすことで、外部端子６１を繋いでいるタイバー６９等を切除することができる。すなわち、比較例に係るリード加工装置１０１（図２１参照）では、搭載面６０と交差する方向に封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから突出する外部端子６１等（図１参照）を加工の対象することができなかったのに対して、上述したリード加工装置１では、この種の樹脂封止型の半導体装置５１の外部端子６１等を加工の対象とすることができる。
【００８３】
さらに、上述したリード加工装置１では、前述したリード加工装置１（図１５参照）の効果に加えて、次のような効果が得られる。外部端子６１を繋いでいたタイバー６９等を切除する際に、外部端子６１は、ストリッパ７がダイプレート５に向かって付勢されながら、ストリッパ７とダイプレート５とで挟み込まれることになる。
【００８４】
これにより、パンチ４１によってタイバー６９等を切除する際の衝撃が、外部端子６１が突出している封止樹脂ボディー５７の付け根の部分に及ぶのを抑制することができる。その結果、封止樹脂ボディー５７にクラックが生じるのを防止することができる。
【００８５】
なお、上述したリード加工装置１では、Ｘ軸方向に距離を隔てて対向する複数の外部端子６１の間にダイプレート５を挿入し、そのダイプレート５に対して、一対のストリッパ７が配置される態様について説明した。つまり、加工の対象として、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａの端部に沿って互いに対向するように外部端子６１が配置された半導体装置５１（Dual In Line package）を例に挙げた。
【００８６】
半導体装置５１としては、さらに、Ｘ軸方向と交差する方向（紙面に垂直な方向）に距離を隔てて対向する態様で封止樹脂ボディー１５７から他の複数の外部端子を突出させた半導体装置（図示せず）を加工の対象としてもよい。すなわち、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａの端部に沿って４方向に外部端子が配置された半導体装置（Quad Flat Package）も、加工の対象とされる。この場合には、リード加工装置１は、Ｘ軸方向に距離を隔てて配置される一対のストリッパ７に加えて、Ｘ軸方向と交差する方向（紙面に垂直な方向）に距離を隔てて配置される他の一対のストリッパ（図示せず）を備えることになる。
【００８７】
実施の形態３．
まず、実施の形態３に係るリード加工装置の基本概念を、模式的な図を用いて説明する。図３５に示すように、リード加工装置１では、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａを横に向けて、表面５７ａから外部端子６１が突出する方向（第１方向）が横方向（Ｘ軸負方向）になるように、樹脂封止型の半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が配置される。対向する一方の外部端子６１と他方の外部端子６１との間にダイプレート５が挿入されて、ダイプレート５が、外部端子６１の直下または直上に外部端子６１と対向するように配置される。そのダイプレート５とで外部端子６１を挟み込むように、ストリッパ７が配置される。
【００８８】
その状態で、外部端子６１が突出する方向とは交差する方向（第２方向）からパンチ４１を、ダイプレート５に向けて移動（Ｙ軸負方向）させることによって、タイバー６９および樹脂バリ７１が切除される。ダイプレート５には、パンチ４１が挿通される挿通孔５ａが形成されている。
【００８９】
次に、リード加工装置の構造について、より具体的に説明する。図３６に示すように、リード加工装置１は、上金型３と下金型２３とを備えている。上金型３は、上金型チェイスブロック１２、ストリッパ７、パンチプレート１０、パンチ４１、上金型天板１７、戻しばね１５、プッシュばね１９および上金型枠ブロック２１を備えている。
【００９０】
パンチ４１は、ストリッパ７を貫通する態様で装着されている。戻しばね１５は、パンチ４１と上金型天板１７との間に装着されている。プッシュばね１９は、ストリッパ７と上金型天板１７との間に装着されている。上金型チェイスブロック１２には、傾斜面１２ａが設けられている。パンチ４１およびストリッパ７等は、上金型枠ブロック２１内に設けられている。上金型３の上には、上金型３に接するように上プレス定板２が配置されている。
【００９１】
下金型２３は、ダイプレート５、ダイホルダー２８、下金型チェイスブロック２６、下金型ブロック２５および下金型枠ブロック２９を備えている。ダイプレート５には、挿通孔５ａが形成されている。挿通孔５ａは、Ｙ軸方向に沿って形成されている。また、ダイプレート５には、傾斜面５ｂが設けられている。ダイプレート５の傾斜面５ｂと上金型チェイスブロック１２の傾斜面１２ａとが、互いに摺動する。
【００９２】
ダイホルダー２８には、半導体装置５１（封止樹脂ボディー）が載置される。ダイプレート５は、下金型チェイスブロック２６に配置されている。下金型２３の下には、下金型２３に接するように下プレス定板２２が配置されている。
【００９３】
上述したリード加工装置１では、上金型３をＹ軸方向に沿って移動させる動作に伴い、パンチ４１もＹ軸方向に沿って移動することで、外部端子６１を繋いでいるタイバー等が切除されることになる。次に、その動作について説明する。
【００９４】
図３７に示すように、まず、ダイホルダー２８に半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が載置される。次に、図３８に示すように、上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、上金型チェイスブロック１２の傾斜面１２ａがダイプレート５の傾斜面５ｂに当接し、上金型チェイスブロック１２の傾斜面１２ａとダイプレート５の傾斜面５ｂとが互いに摺動する。この摺動によって、上金型チェイスブロック１２のＹ軸負方向の動きが、ダイプレート５のＸ軸正方向の動きに変換されて、ダイプレート５が、対向する外部端子６１の間に挿入される（矢印参照）。
【００９５】
次に、図３９に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）が行われる。上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）に伴い、ストリッパ７がダイプレート５に近づき、ストリッパ７が外部端子６１に当接する（矢印参照）。
【００９６】
次に、図４０に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）を行い、上金型３を下金型２３に接触させる。この動作（Ｙ軸負方向）に伴い、パンチ４１は、プッシュばね１９の弾性力によってダイプレート５に向かって付勢されながら、外部端子６１がストリッパ７とダイプレート５との間に挟み込まれる。すなわち、外部端子６１は、ストリッパ７とダイプレート５とで挟み込まれた状態で加圧保持されることになる。
【００９７】
また、上金型３を下げる動作に伴い、パンチ４１も下がり、パンチ４１は、外部端子６１（ダイプレート５）にさらに近づき、タイバー６９と樹脂バリ７１とを切除した後、ダイプレート５の挿通孔５ａに挿通される。切除されたタイバー６９と樹脂バリ７１とは、挿通孔５ａの底へ落とされる。
【００９８】
こうして、複数の外部端子６１を繋いでいたタイバー６９が切除されて、個々の外部端子６１に分けられる。また、封止樹脂ボディー５７に残されている樹脂バリ７１も、切除されることになる。
【００９９】
その後、上金型３を上げる動作（Ｙ軸正方向）に伴い、パンチ４１は、挿通孔５ａから引き抜かれて、外部端子６１から遠ざかる。また、ストリッパ７は外部端子６１から遠ざかり、ダイプレート５は、封止樹脂ボディー５７から遠ざかる。
【０１００】
パンチ４１、ストリッパ７およびダイプレート５等が初期の位置に戻った状態で、樹脂封止型の半導体装置５１がリード加工装置１から取り出される。次に、取り出した樹脂封止型の半導体装置５１のタイバーが切除された一方の外部端子を下に向けてリード加工装置１のダイホルダー２８に載置し、一方の外部端子と同様に、他方の外部端子を繋いでいるタイバー等を切除する。他方の外部端子のタイバー等が切除された樹脂封止型の半導体装置５１は、たとえば、外装工程および検査工程等を経た後、製品として出荷される。
【０１０１】
上述したリード加工装置１では、すでに説明したリード加工装置１（図１５参照）と同様に、対向する外部端子６１の間にダイプレート５を挿入し、そのダイプレート５に向けてパンチ４１を移動させることで、外部端子６１を繋いでいるタイバー６９等を切除することができる。すなわち、比較例に係るリード加工装置１０１（図２１参照）では、搭載面６０と交差する方向に封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから突出する外部端子６１等（図１参照）を加工の対象することができなかったのに対して、上述したリード加工装置１では、この種の樹脂封止型の半導体装置５１の外部端子６１等を加工の対象とすることができる。
【０１０２】
さらに、上述したリード加工装置１では、上金型３を型締めする方向（Ｙ軸方向）とパンチ４１が移動する方向（Ｙ軸方向）とが同じ方向とされる。これにより、上金型３を型締めする方向（Ｙ軸方向）の動きを、その方向と交差する方向（Ｘ軸方向）の動きに変換してパンチ４１を移動させる場合と比べて、傾斜面４１ａ、９ａの摺動抵抗がなくなり、型締めする能力を有効に使うことができる。また、互いに摺動する傾斜面４１ａ、９ａを設ける必要がなくなり、リード加工装置１の小型化に寄与することができる。
【０１０３】
なお、上述したリード加工装置１では、対向する外部端子６１に対して、一方の外部端子６１を繋いでいるタイバー等を切除した後、他方の外部端子６１を繋いでいるタイバー等を切除する場合の構造を例に挙げた。リード加工装置としては、一方の外部端子６１を繋いでいるタイバー等と、他方の外部端子６１を繋いでいるタイバー等とを、同時に切除するようにしてもよい。
【０１０４】
この場合には、図４１に示すように、たとえば、ダイプレート５に形成される挿通孔５ａを、ダイプレート５を上下に貫通する貫通孔として形成することで、パンチ４１の１回の動作によって、一方の外部端子６１を繋いでいるタイバー等と、他方の外部端子６１を繋いでいるタイバー等とを、同時に切除することができる。
【０１０５】
実施の形態４．
まず、実施の形態４に係るリード加工装置の基本概念を、模式的な図を用いて説明する。図４２に示すように、リード加工装置１では、封止樹脂ボディー５７の表面５７ａを横に向けて、表面５７ａから外部端子６１が突出する方向（第１方向）が横方向（Ｘ軸負方向）になるように、樹脂封止型の半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が配置される。対向する一方の外部端子６１と他方の外部端子６１との間にダイプレート５が挿入されて、ダイプレート５が、外部端子６１の直下または直上に外部端子６１と対向するように配置される。そのダイプレート５とストリッパ７とで外部端子６１が挟み込まれるとともに、ダイプレート５と下ストリッパブロック３１とで外部端子６１が挟み込まれる。
【０１０６】
その状態で、外部端子６１が突出する方向（Ｘ軸負方向）とはそれぞれ交差する、上からダイプレート５に向かって（Ｙ軸負方向）パンチ４１を移動させるとともに、下からダイプレート５へ向かって（Ｙ軸正方向）パンチ４１を移動させることによって、タイバー６９および樹脂バリ７１が切除される。ダイプレート５には、双方のパンチ４１が挿通される挿通孔５ａが貫通孔として形成されている。
【０１０７】
次に、リード加工装置の構造について、より具体的に説明する。図４３に示すように、下金型２３は、下ストリッパブロック３１、パンチ４１、下金型チェイスブロック３３、下金型天板３９、戻しばね３７、下金型枠ブロック２９およびダイプレート５を備えている。ダイプレート５には、挿通孔５ａがダイプレート５を上下に貫通する態様で形成されている。
【０１０８】
パンチ４１は、下ストリッパブロック３１を貫通する態様で装着されている。戻しばね３７は、下金型天板３９と下金型チェイスブロック３３との間に装着されている。なお、これ以外に構成については、図３６に示すリード加工装置１と同様なので、同一部材には同一符号を付し、必要である場合を除いてその説明を繰り返さないこととする。
【０１０９】
上述したリード加工装置１では、上金型３をＹ軸方向に沿って移動させる動作に伴い、双方のパンチ４１もＹ軸方向（正方向と負方向）に沿って移動することで、外部端子６１を繋いでいるタイバー等が、パンチ４１の１回の動作によって切除されることになる。次に、その動作について説明する。
【０１１０】
図４４に示すように、まず、下ストリッパブロック３１に半導体装置５１（封止樹脂ボディー５７）が載置される。次に、図４５に示すように、上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）によって、上金型チェイスブロック１２の傾斜面１２ａがダイプレート５の傾斜面５ｂに当接し、上金型チェイスブロック１２の傾斜面１２ａとダイプレート５の傾斜面５ｂとが互いに摺動する。この摺動によって、上金型チェイスブロック１２のＹ軸負方向の動きが、ダイプレート５のＸ軸正方向の動きに変換されて、ダイプレート５が、対向する外部端子６１の間に挿入される（矢印参照）。
【０１１１】
次に、図４６に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）が行われる。上金型３を下げる動作（Ｙ軸負方向）に伴い、ストリッパ７がダイプレート５に近づき、ストリッパ７が外部端子６１に当接する（矢印参照）。
【０１１２】
次に、図４７に示すように、上金型３をさらに下げる動作（Ｙ軸負方向）を行い、上金型３を下金型２３に接触させる。この動作（Ｙ軸負方向）に伴い、パンチ４１は、プッシュばね１９の弾性力によってダイプレート５に向かって付勢されながら、外部端子６１がストリッパ７とダイプレート５との間に挟み込まれる。すなわち、外部端子６１は、ストリッパ７とダイプレート５とで挟み込まれた状態で加圧保持されることになる。
【０１１３】
また、上金型３を下げる動作に伴い、パンチ４１も下がり、パンチ４１は、一方の外部端子６１（ダイプレート５）にさらに近づき、タイバー６９と樹脂バリ７１とを切除した後、ダイプレート５の挿通孔５ａに挿通される。
【０１１４】
さらに、下金型天板３９を上げる動作（Ｙ軸正方向）に伴い、パンチ４１も上がり、パンチ４１は、他方の外部端子６１（ダイプレート５）に近づき、タイバー６９と樹脂バリ７１とを切除した後、ダイプレート５の挿通孔５ａに挿通される。
【０１１５】
こうして、一方の外部端子６１を繋いでいたタイバー６９と他方の外部端子を繋いでいたタイバー６９とが、１回の加工処理によって切除されて、個々の外部端子６１に分けられる。また、封止樹脂ボディー５７に残されている樹脂バリ７１も、切除されることになる。
【０１１６】
その後、上金型３を上げる動作（Ｙ軸正方向）と下金型天板３９を下げる動作（Ｙ軸負方向）とに伴い、双方のパンチ４１は、挿通孔５ａから引き抜かれ、外部端子６１から遠ざかる。また、ストリッパ７と下ストリッパブロック３１とは、外部端子６１から遠ざかり、ダイプレート５は、封止樹脂ボディー５７から遠ざかる。
【０１１７】
双方のパンチ４１、ストリッパ７、下ストリッパブロック３１およびダイプレート５等が初期の位置に戻った状態で、樹脂封止型の半導体装置５１がリード加工装置１から取り出される。取り出された樹脂封止型の半導体装置５１は、たとえば、外装工程および検査工程等を経た後、製品として出荷される。
【０１１８】
上述したリード加工装置１では、すでに説明したリード加工装置１（図１５参照）と同様に、対向する外部端子６１の間にダイプレート５を挿入し、そのダイプレート５に向けてパンチ４１を移動させることで、外部端子６１を繋いでいるタイバー６９等を切除することができる。すなわち、比較例に係るリード加工装置１０１（図２１参照）では、搭載面６０と交差する方向に封止樹脂ボディー５７の表面５７ａから突出する外部端子６１等（図１参照）を加工の対象することができなかったのに対して、上述したリード加工装置１では、この種の樹脂封止型の半導体装置５１の外部端子６１等を加工の対象とすることができる。
【０１１９】
また、上述したリード加工装置１では、上金型３等を型締めする方向（Ｙ軸方向）とパンチ４１が移動する方向（Ｙ軸方向）とが同じ方向とされる。これにより、上金型３を型締めする方向（Ｙ軸方向）の動きを、その方向と交差する方向（Ｘ軸方向）の動きに変換してパンチ４１を移動させる場合と比べて、傾斜面４１ａ、９ａの摺動抵抗がなくなり、型締めする能力を有効に使うことができる。また、互いに摺動する傾斜面４１ａ、９ａを設ける必要がなくなり、リード加工装置１の小型化に寄与することができる。
【０１２０】
さらに、上述したリード加工装置１では、上金型３に装着されたパンチ４１により一方の外部端子６１を繋いでいるタイバー６９等を切除することができ、また、下金型２３に装着されたパンチ４１によって他方の外部端子６１を繋いでいるタイバー６９等を切除することができる。これにより、対向して突出する外部端子６１において、切除する部分の設計の自由度を確保することができる。
【０１２１】
また、１本のパンチによって対向する双方の外部端子のタイバー等を切除する場合と比べて、パンチ４１の長さを短く設定することができ、パンチ４１を折れにくくすることができる。
【０１２２】
さらに、プッシュばね１９および戻しばね１５、３７のばねの弾性力を調整することによって、上金型３のパンチ４１と下金型２３のパンチ４１との移動のタイミングをずらすこともできる。上金型３のパンチ４１と下金型２３のパンチ４１との移動のタイミングをずらしてタイバー等を切除することで、同時にタイバー等を切除する場合と比べて、切除する際の力を半分にすることができ、リード加工装置の小型化にさらに寄与することができる。
【０１２３】
実施の形態３および実施の形態４においてそれぞれ説明したリード加工装置１では、パンチ４１は、型締めの方向に沿って上下方向（Ｙ軸方向）に移動する。このため、ダイプレート５に挿通される挿通孔５ａも、上下方向（Ｙ軸方向）に形成されている。ダイプレート５に上下方向（Ｙ軸方向）に形成された挿通孔５ａでは、切除されたタイバー６９等を、すみやかに挿通孔５ａから移動させる必要がある。
【０１２４】
そこで、図４８に示すように、ダイプレート５に、パンチ４１が挿通される挿通孔５ａに連通するカット屑排出孔５ｅを、挿通孔５ａと交差する方向に設けるようにしてもよい。この場合には、上金型のパンチ４１と下金型のパンチ４１とによってそれぞれ切除されたタイバー６９および樹脂バリ７１を、挿通孔５ａからカット屑排出孔５ｅへ移動させることで、切除されたタイバー６９等によって上金型３または下金型２３が損傷するのを抑制することができる。
【０１２５】
また、図４９に示すように、カット屑排出孔５ｅが挿通孔５ａに連通する開口端の下端の位置は、下金型２３に装着されたパンチ４１の上死点の位置よりも低いことが望ましい。これにより、下金型２３に装着されたパンチ４１の先端に切除されたタイバー等が残ってしまい、次のパンチ４１の動作によってタイバー等の切除不良が発生するのを抑制することができる。
【０１２６】
さらに、図５０に示すように、カット屑排出孔５ｅが挿通孔５ａに連通する開口端に傾斜面を設けてもよい。傾斜面を設けることで、一旦カット屑排出孔５ｅへ移動したタイバー６９等が、再び、パンチ４１の先端に乗り上げてしまうのを防止することができる。
【０１２７】
さらに、図５１に示すように、挿通孔５ａからカット屑排出孔５ｅへ向けて空気を噴射する空気排出孔４５を設けてもよい。これにより、パンチ４１によって切除されたタイバー６９と樹脂バリ７１を確実にカット屑排出孔５ｅへ送り込むことができ、タイバー６９等が挿通孔５ａに残留することによるタイバー６９等の切除不良を抑制することができる。
【０１２８】
さらに、図５２に示すように、下金型２３に装着されたパンチ４１の先端に、カット屑排出孔５ｅが挿通孔５ａに連通する開口端に向けて下がるように傾斜した傾斜面４１ａを設けてもよい。パンチ４１の先端に傾斜面４１ａを設けることで、パンチ４１の先端に載ったままの状態になるのを確実に抑制することができる。
【０１２９】
さらに、図５３に示すように、カット屑排出孔５ｅを吸引孔として、カット屑排出孔５ｅが挿通孔５ａに連通する開口端から反対画に向かって吸引することで、パンチ４１によって切除されたタイバー６９および樹脂バリ７１を、挿通孔５ａからカット屑排出孔５ｅへ確実に移動させることができる。
【０１３０】
なお、各実施の形態において説明したリード加工装置については、必要に応じて種々組み合わせることが可能である。また、パンチ４１としては、タイバー６９と樹脂バリ７１とを切除する他に、樹脂バリ７１のみを切除する部分を備えていることが望ましい。この場合には、たとえば、図３に示される外部端子６１のうち、端に位置する外部端子６１のさらに外側に位置する樹脂バリ７１の部分を切除することができる。
【０１３１】
今回開示された実施の形態は例示であってこれに制限されるものではない。本発明は上記で説明した範囲ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、封止樹脂ボディーの表面から半導体素子の搭載面と交差する方向に外部端子が突出した樹脂封止型の半導体装置のリード加工に有効に利用される。
【符号の説明】
【０１３３】
１  リード加工装置、２  上プレス定板、３  上金型、５  ダイプレート、５ａ  パンチ挿通孔、５ｂ  傾斜面、５ｃ  テーパ部、５ｄ  コーティング材、５ｅ  カット屑排出孔、６  上定板可動ロッド、７  ストリッパ、７ａ  傾斜面、８  上金型可動プレート、８ａ  傾斜面、９  ロッキングブロック、９ａ  傾斜面、１０  パンチプレート、１１  可動ストリッパプッシャ、１１ａ  傾斜面、１２  上金型チェイスブロック、１２ａ  傾斜面、１３  プッシャプレート、１５  戻しばね、１７  上金型天板、１９  プッシュばね、２１  上金型枠ブロック、２２  下プレス定板、２３  下金型、２５  下金型ブロック、２６  下金型チェイスブロック、２７  スライドガイドレール、２８  ダイホルダー、２９  下金型枠ブロック、３１  下ストリッパブロック、３３  下金型チェイスブロック、３５  下金型ベースブロック、３７  戻しばね、３９  下金型天板、４１  パンチ、４１ａ  傾斜面、４５  空気排出孔、５１  半導体装置、５３  ダイスパッド、５５  半導体素子、５７  封止樹脂ボディー、５７ａ  表面、５９  金属細線、６０  搭載面、６１  外部端子、６１ａ  主端子、６１ｂ  制御端子、６３  ベース板、６５  ナット穴、６７  ねじ穴、６９  タイバー、７１  樹脂バリ。 
【図１】
2020113789.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020113789.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
2020113789.tif 000050
【図４９】
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【図５０】
2020113789.tif 000052
【図５１】
2020113789.tif 000053
【図５２】
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【図５３】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年4月16日(2020.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を封止樹脂によって封止することで、封止樹脂ボディーを形成する工程と、
リード加工装置を用意する工程と、
前記封止樹脂ボディーを前記リード加工装置に配置する工程と、
前記リード加工装置によって、前記封止樹脂ボディーに加工を施す工程と、
前記封止樹脂ボディーに加工を施した後、前記封止樹脂ボディーを前記リード加工装置から取り出す工程と
を有し、
前記封止樹脂ボディーを形成する工程では、前記封止樹脂ボディーは、タイバーによって繋がれた複数の外部端子が、前記封止樹脂ボディーの表面から第１方向に向かって突出する態様で形成され、
前記リード加工装置を用意する工程は、
前記封止樹脂ボディーの前記表面から前記複数の外部端子が突出する前記第１方向が上方になるように、前記封止樹脂ボディーの前記表面を上に向けて前記封止樹脂ボディーが配置された状態で、前記封止樹脂ボディーの前記表面に向かって前記第１方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子と対向するように配置され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って挿通孔が形成されたダイプレートと、
前記複数の外部端子に対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記複数の外部端子に対して前記ダイプレートが配置されている側とは反対側から前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって、前記第２方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子を繋いでいる前記タイバーを切除し、前記封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除するパンチと
を備えた、前記リード加工装置を用意する工程を含み、
前記リード加工装置によって、前記封止樹脂ボディーに加工を施す工程は、
前記第１方向が上方になるように、前記封止樹脂ボディーの前記表面を上に向けて前記封止樹脂ボディーを配置した状態で、前記ダイプレートを前記封止樹脂ボディーの前記表面に向かって前記第１方向に沿って移動させることにより、前記ダイプレートを前記複数の外部端子と対向するように配置する工程と、
前記ダイプレートが前記複数の外部端子に対向するように配置された状態で、前記パンチを、前記複数の外部端子に対して前記ダイプレートが配置されている側とは反対側から前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって、前記第２方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子を繋いでいる前記タイバーを切除し、前記封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体素子を封止樹脂によって封止することで、封止樹脂ボディーを形成する工程と、
リード加工装置を用意する工程と、
前記封止樹脂ボディーを前記リード加工装置に配置する工程と、
前記リード加工装置によって、前記封止樹脂ボディーに加工を施す工程と、
前記封止樹脂ボディーに加工を施した後、前記封止樹脂ボディーを前記リード加工装置から取り出す工程と
を有し、
前記封止樹脂ボディーを形成する工程では、前記封止樹脂ボディーは、タイバーによって繋がれた複数の外部端子が、前記封止樹脂ボディーの表面から第１方向に向かって突出する態様で形成され、
前記リード加工装置を用意する工程は、
前記表面から前記複数の外部端子が突出する前記第１方向が横方向になるように、前記封止樹脂ボディーの前記表面を縦にして前記封止樹脂ボディーが配置された状態で、前記封止樹脂ボディーの前記表面に向かって前記第１方向に沿って移動させることにより、前記複数の外部端子と対向するように配置され、前記第１方向と交差する第２方向に沿って挿通孔が形成されたダイプレートと、
前記複数の外部端子に対向するように前記ダイプレートが配置された状態で、前記複数の外部端子に対して前記ダイプレートが配置されている側とは反対側から前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって、前記第２方向に沿って縦方向に移動させることにより、前記複数の外部端子を繋いでいる前記タイバーを切除し、前記封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除するパンチと
を備えた、前記リード加工装置を用意する工程を含み、
前記リード加工装置により、前記封止樹脂ボディーに加工を施す工程は、
前記第１方向が横方向になるように、前記封止樹脂ボディーの前記表面を縦にして前記封止樹脂ボディーを配置した状態で、前記ダイプレートを前記封止樹脂ボディーの前記表面に向かって前記第１方向に沿って移動させることにより、前記ダイプレートを前記複数の外部端子と対向するように配置する工程と、
前記ダイプレートが前記複数の外部端子に対向するように配置された状態で、前記パンチを、前記複数の外部端子に対して前記ダイプレートが配置されている側とは反対側から前記ダイプレートの前記挿通孔に向かって、前記第２方向に沿って縦方向に移動させることにより、前記複数の外部端子を繋いでいる前記タイバーを切除し、前記封止樹脂ボディーから突出する樹脂バリを切除する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記封止樹脂ボディーを前記リード加工装置から取り出す工程の後、
外装工程と、
検査工程と
を備えた、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、外部端子を封止樹脂ボディーの上面から吐出させた樹脂封止型の半導体装置を、タイバー等を取り除くリード加工装置を適用して製造する半導体装置の製造方法を提供することである。