(57)【要約】【課題】透過型の有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制して輝度ムラの発生を抑制する。【解決手段】透過型の有機ＥＬ表示パネル１０であって、光透過性の基板１００ｘと、基板上に、行方向に複数の有機ＥＬ素子１００を含む画素１００ｅが、列方向に複数個、列設された画素列１００ｅｌが、行方向に画素列の幅より大きい間隔を隔てて複数本、並設されてなる画素列群１００ｅｌｇと、を備え、ひとつの画素１００ｅに含まれる複数の有機ＥＬ素子１００は、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料の何れかを含み、基板１００ｘ上の間隔に相当する部分を基板の非画素領域１０ａ２とするとき、当該非画素領域１０ａ２における画素列１００ｅｌと行方向に隣り合う部分の上方には、複数の有機発光材料の何れかを含むダミー発光層１２３Ａが形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過型の有機ＥＬ表示パネルであって、
光透過性の基板と、
前記基板上に、行方向に複数の有機ＥＬ素子を含む画素が、列方向に複数個、列設された画素列が、行方向に前記画素列の幅より大きい間隔を隔てて複数本、並設されてなる画素列群とを備え、
ひとつの前記画素に含まれる前記複数の有機ＥＬ素子は、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料の何れかを含み、
前記基板上の前記間隔に相当する部分を前記基板の非画素領域とするとき、当該非画素領域における前記画素列と行方向に隣り合う部分の上方に、前記複数の有機発光材料の何れかを含むダミー発光層が形成されている
有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
前記非画素領域において、前記ダミー発光層が存在する部分は、前記ダミー発光層が存在しない部分よりも厚み方向の可視光透過率が低い
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
前記ダミー発光層は、ひとつの前記画素に含まれる前記複数の有機発光材料をすべて含む
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
前記複数本の画素列と隣り合う複数の前記ダミー発光層のうち、
行方向において前記基板の外縁に近い周辺部ダミー発光層は、行方向において前記基板の内方に近い中央部ダミー発光層よりも、含まれる有機発光材料の量が多い
請求項１から３の何れかに記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
前記周辺部ダミー発光層は、前記中央部ダミー発光層よりも、行方向の幅が広い
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
前記周辺部ダミー発光層は、前記中央部ダミー発光層よりも、厚みが厚い
請求項４に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項７】
前記基板は基材と、前記基材の上面に形成された有機材料からなる平坦化層を含み、
前記ダミー発光層は、前記平坦化層を凹陥させた溝に形成されている
請求項１から６の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項８】
前記基板上面には、列方向に複数の列バンクが延伸されており、
前記画素列においては、隣り合った前記列バンクの間の画素間隙に、前記有機ＥＬ素子に対応する画素電極と、前記複数の有機発光材料の何れかを含む発光層が形成されており、
前記非画素領域においては、隣り合った前記列バンクの間の非画素間隙のうち、行方向において最も前記画素列に近いダミー間隙に、前記ダミー発光層が形成されている
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項９】
前記ダミー発光層が形成される非画素間隙を挟む列バンクは、前記画素間隙に挟まれた前記列バンクよりも高さが高い
請求項８に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１０】
前記画素列においては、前記基板上面に列方向に複数の列バンクが延伸されており、隣り合った前記列バンクの間の画素間隙に、前記有機ＥＬ素子に対応する画素電極と、前記複数の有機発光材料の何れかを含む発光層が形成されており、
前記非画素領域においては、画素間隙を形成する前記列バンクのうち行方向もおいて最も外方に位置する第１の列バンクに隣り合って、前記第１の列バンクとの間にダミー間隙を形成する第２の列バンクのみが形成されており、前記ダミー間隙に前記ダミー発光層が形成されている
請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１１】
前記画素列の行方向の両側に位置する２つの前記ダミー発光層は、列方向の端部で行方向につながっている
請求項１から１０の何れか１項に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項１２】
透過型の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板上方に、副画素電極が列方向に複数個列設された副画素電極の列が、行方向に第１の間隔を隔てて並設された副画素電極の列群を、行方向に前記第１の間隔より広い第２の間隔を隔てて複数本、並設する工程と、
前記基板上の前記副画素電極の列群が存在する部分では複数本の前記副画素電極の列それぞれを行方向に挟むように、前記基板上の前記第２の間隔に相当する部分では行方向における前記副画素電極のピッチで、前記基板上面に複数の列バンクを列方向に延伸させて形成する工程と、
隣り合った前記列バンクの間のうち、前記副画素電極が存在する画素間隙と、少なくとも画素間隙と行方向に隣り合う前記副画素電極が存在しない非画素間隙とに、前記有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、
前記インクに含まれる溶媒を蒸発させて、前記画素間隙に発光層を、前記画素間隙と行方向に隣り合う非画素間隙にダミー発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に対向電極を形成する工程とを有する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
ひとつの前記副画素電極の列群に含まれる前記複数の副画素電極の列に対応する画素間隙には、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料を含むインクが塗布され、
前記画素間隙と行方向に隣り合い前記副画素電極が存在しない非画素間隙には、前記複数の有機発光材料を含むインクから選択される１以上の有機発光材料を含むインクが塗布される
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記インクを塗布する工程において、画素間隙に対する発光色の異なる複数の有機発光材料を含むインクが塗布は、単位面積当たりの溶媒蒸発時間が大きいインクから順に塗布を行う
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
透過型の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板上方に、副画素電極が列方向に複数個列設された副画素電極の列が、行方向に第１の間隔を隔てて複数本の並設された副画素電極の列群を、行方向に前記第１の間隔より広い第２の間隔を隔てて複数本、並設する工程と、
前記基板上の前記副画素電極の列群が存在する部分では複数本の前記副画素電極の列それぞれを行方向に挟むように、前記基板上の前記第２の間隔に相当する部分では行方向における前記副画素電極のピッチで、前記基板上面に複数の列バンクを列方向に延伸させて形成する工程と、
隣り合う前記列バンクの間のうち、前記副画素電極が存在する画素間隙には有機発光材料を含むインクを塗布するとともに、少なくとも画素間隙と行方向に隣り合い前記副画素電極が存在しない非画素間隙にダミー溶媒を塗布する工程と、
前記インクに含まれる溶媒及び前記ダミー溶媒を蒸発させて、前記画素間隙に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上方に対向電極を形成する工程とを有する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルに関し、特に、光透過性の基板の背面のからの入射光と有機ＥＬ素子から発せられる光とを表面側から出射する透過型の有機ＥＬ表示パネルの画質改善技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビ等の表示装置に用いられる表示パネルとして、基板上に有機ＥＬ素子を行列状に複数配列した有機ＥＬ表示パネルが実用化されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、一対の電極の間に有機発光材料を含む発光層が配設された構造を有している。１つの有機ＥＬ素子の発光層と、隣り合う有機ＥＬ素子の発光層とは、絶縁材料からなるバンクで仕切られている。有機ＥＬ素子は、駆動時に、一対の電極対間に電圧が印加され、発光層に注入されるホールと電子との再結合に伴って発光する。
【０００４】
上述の有機ＥＬ表示パネルを製造する場合、特に、発光層等の作製においては、例えば、液滴吐出法（インクジェット法）を用いることにより、有機発光材料のインク液を基板上に吐出、塗布し、乾燥させる。
【０００５】
このとき、基板上の塗布領域における周辺部では、塗布されたインク液から蒸発した溶媒分子の分圧が低いため、基板上の塗布領域の中央部と比較すると、速く乾きはじめる。このように基板上に塗布されたインク液の乾燥時間の差は、基板上の塗布領域での発光層の膜厚ムラを引き起こし、輝度ムラの要因となる場合があった。これに対し、塗布領域内での有機ＥＬ薄膜の膜厚の均一化を図る手法として、塗布領域の周囲や、隣りあう表示画素間に、有機発光材料を含む組成物を塗布する技術が提案されている（例えば、特許文献１、２）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２５９７１８号公報
【特許文献２】特開２００４−８７５０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、光透過性の基板の背面のからの入射光と有機ＥＬ素子から発せられる光とを表面側から出射する透過型の有機ＥＬ表示パネルを想定した場合、光透過性の領域を確保するために基板上に面内の画素密度が低下するか、あるいは、画素密度が低い領域が発生する。そのため、反射型の有機ＥＬ表示パネルと比べて基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラが顕著に発生し輝度ムラの要因となるということが懸念される。
【０００８】
本開示は、透過型の有機ＥＬ表示パネルにおいて、想定される基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制して輝度ムラの発生を抑制する有機ＥＬ表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルは、透過型の有機ＥＬ表示パネルであって、光透過性の基板と、前記基板上に、行方向に複数の有機ＥＬ素子を含む画素が、列方向に複数個、列設された画素列が、行方向に前記画素列の幅より大きい間隔を隔てて複数本、並設されてなる画素列群と、を備え、ひとつの前記画素に含まれる前記複数の有機ＥＬ素子は、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料の何れかを含み、前記基板上の前記間隔に相当する部分を前記基板の非画素領域とするとき、当該非画素領域における前記画素列と行方向に隣り合う部分の上方には、前記複数の有機発光材料の何れかを含むダミー発光層が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、透過型の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上方に、副画素電極が列方向に複数個列設された副画素電極の列が、行方向に第１の間隔を隔てて並設された副画素電極の列群を、行方向に前記第１の間隔より広い第２の間隔を隔てて複数本、並設する工程と、前記基板上の前記副画素電極の列群が存在する部分では複数本の前記副画素電極の列それぞれを行方向に挟むように、前記基板上の前記第２の間隔に相当する部分では行方向における前記副画素電極のピッチで、前記基板上面に複数の列バンクを列方向に延伸させて形成する工程と、隣り合った前記列バンクの間のうち、前記副画素電極が存在する画素間隙と、少なくとも画素間隙と行方向に隣り合う前記副画素電極が存在しない非画素間隙とに、前記有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、前記インクに含まれる溶媒を蒸発させて、前記画素間隙に発光層を、前記画素間隙と行方向に隣り合う非画素間隙にダミー発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に対向電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、有機ＥＬ表示パネルの製造方法によると、透過型の有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。その結果、面内に膜厚のアンバランスの方向や程度が異なる副画素が混在することに起因して、低視野角から視認したときに副画素の膜厚のアンバランスの方向や程度に応じて大きな輝度ばらつきを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の平面図である。
【図２】図１におけるＡ部の模式平面図である。
【図３】図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
【図４】有機ＥＬ表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｇ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図１２】（ａ）は有機ＥＬ表示パネル１０、（ｂ）比較例における発光層の形成過程を示す模式断面図である。
【図１３】（ａ）は、１つの有機ＥＬ表示パネル１０の実施例１、２、比較例における一枚の有機ＥＬ表示パネル内の発光層の断面プロファイルの測定位置を示す模式平面図、（ｂ）は１つの有機ＥＬ発光層内の発光層の表面の高さの測定位置を示す模式断面図である。
【図１４】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、それぞれ、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例１、２及び比較例における列バンクと発光層の断面プロファイルの測定結果である。
【図１５】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の実施例１、（ｂ）は、実施例２及び比較例の各測定部における赤色の発光層の高さａ、ｂの差｜ｂ−ａ｜である。
【図１６】有機ＥＬ表示パネル１０の実施例１、２及び比較例の各測定部における赤色の発光層の高さａ、ｂの差｜ｂ−ａ｜の平均及び分散を示した図である。
【図１７】（ａ）から（ｃ）は、変形例１に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ａの発光層の形成過程を示す、図１におけるＡ部と同じ部分の模式平面図である。
【図１８】比較例の各測定部の位置と、各測定部における赤色の発光層の高さの差｜ｂ−ａ｜を、基板１００ｘの周辺部に位置する測定部と当該測定部における測定値に丸印を付して表した図である。
【図１９】変形例２に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｂにおける、図１のＡ部と同じ部分の模式平面図である。
【図２０】変形例３に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｃにおける、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図２１】変形例４に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｄにおける、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【図２２】変形例５に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｅにおける、図１のＡ部と同じ部分の模式平面図である。
【図２３】変形例８に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｆにおいて、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ断面で切断した模式断面図である。
【図２４】変形例８に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｆにおける、図１のＡ部と同じ部分の模式平面図である。
【図２５】変形例９に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｇの模式平面図である。
【図２６】変形例１０に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｈの模式平面図である。
【図２７】実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の回路構成を示す模式ブロック図である。
【図２８】有機ＥＬ表示装置に用いる有機ＥＬ表示パネル１０の各副画素１００ｓｅにおける回路構成を示す模式回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、透過型の有機ＥＬ表示パネルであって、光透過性の基板と、前記基板上に、行方向に複数の有機ＥＬ素子を含む画素が、列方向に複数個、列設された画素列が、行方向に前記画素列の幅より大きい間隔を隔てて複数本、並設されてなる画素列群とを備え、ひとつの前記画素に含まれる前記複数の有機ＥＬ素子は、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料の何れかを含み、前記基板上の前記間隔に相当する部分を前記基板の非画素領域とするとき、当該非画素領域における前記画素列と行方向に隣り合う部分の上方に、前記複数の有機発光材料の何れかを含むダミー発光層が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
係る構成により、透過型の有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。その結果、面内に膜厚のアンバランスの方向や程度が異なる副画素が混在することに起因して、低視野角から視認したときに副画素の膜厚のアンバランスの方向や程度に応じて大きな輝度ばらつきを抑制できる。そのため、低視野角からの視認性を高めることができ、表示画像に対する視野角は看者と背景対象物との位置関係の影響により変動することに起因して、反射型の表示パネルに比べて低視野角における高い視認性が求められる透過型の表示パネルとして有効に利用できる。
【００１５】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記非画素領域において、前記ダミー発光層が存在する部分は、前記ダミー発光層が存在しない部分よりも厚み方向の可視光透過率が低い構成としてもよい。
【００１６】
係る構成により、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制するとともに、非画素間隙のうちダミー発光層が存在しない部分において可視光透過率を向上することができ、透過型の表示パネルとして透過像の視認性を向上することができる。
【００１７】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記ダミー発光層は、ひとつの前記画素に含まれる前記複数の有機発光材料をすべて含む構成としてもよい。
【００１８】
係る構成により、青（Ｂ）、緑（Ｇ）及び赤（Ｒ）のインクを塗布するすべての走査において、ダミー間隙内にインクをあふれる限界まで満たした状態にして画素間隙内へインクを塗布することができることができる。その結果、画素領域における画素間隙のうち非画素領域との境界に近い間隙において、画素領域の外方におけるインク膜厚の増加はより一層抑制することができる。
【００１９】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記複数本の画素列と隣り合う複数の前記ダミー発光層のうち、行方向において前記基板の外縁に近い周辺部ダミー発光層は、行方向において前記基板の内方に近い中央部ダミー発光層よりも、含まれる有機発光材料の量が多い構成としてもよい。
【００２０】
係る構成により、基板の周辺部において、画素領域における画素間隙のうち非画素領域との境界に近い画素間隙において、画素領域の外方におけるインク膜厚が顕著に増加するという現象を抑制できる。
【００２１】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記周辺部ダミー発光層は、前記中央部ダミー発光層よりも、行方向の幅が広い構成としてもよい。
【００２２】
係る構成により、行方向において前記基板の外縁に近い周辺部ダミー発光層は、行方向において前記基板の内方に近い中央部ダミー発光層よりも、含まれる有機発光材料の量が多い構成を実現できる。
【００２３】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において前記周辺部ダミー発光層は、前記中央部ダミー発光層よりも、厚みが厚い構成としてもよい。
【００２４】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記基板は基材と、前記基材の上面に形成された有機材料からなる平坦化層を含み、前記ダミー発光層は、前記平坦化層を凹陥させた溝に形成されている構成としてもよい。
【００２５】
係る構成により、平面視におけるダミー発光層の幅を異ならせることなく、ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填するインクの量を基板の中央部よりも周辺部において増加することができる。
【００２６】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記基板上面には、列方向に複数の列バンクが延伸されており、前記画素列においては、隣り合った前記列バンクの間の画素間隙に、前記有機ＥＬ素子に対応する画素電極と、前記複数の有機発光材料の何れかを含む発光層が形成されており、前記非画素領域においては、隣り合った前記列バンクの間の非画素間隙のうち、行方向において最も前記画素列に近いダミー間隙に、前記ダミー発光層が形成されている構成としてもよい。
【００２７】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記ダミー発光層が形成される非画素間隙を挟む列バンクは、前記画素間隙に挟まれた前記列バンクよりも高さが高い構成としてもよい。
【００２８】
係る構成により、行方向において前記基板の外縁に近い周辺部ダミー発光層は、行方向において前記基板の内方に近い中央部ダミー発光層よりも、含まれる有機発光材料の量が多い構成を実現できる。
【００２９】
本開示の実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、透過型の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上方に、副画素電極が列方向に複数個列設された副画素電極の列が、行方向に第１の間隔を隔てて並設された副画素電極の列群を、行方向に前記第１の間隔より広い第２の間隔を隔てて複数本、並設する工程と、前記基板上の前記副画素電極の列群が存在する部分では複数本の前記副画素電極の列それぞれを行方向に挟むように、前記基板上の前記第２の間隔に相当する部分では行方向における前記副画素電極のピッチで、前記基板上面に複数の列バンクを列方向に延伸させて形成する工程と、隣り合った前記列バンクの間のうち、前記副画素電極が存在する画素間隙と、少なくとも画素間隙と行方向に隣り合う前記副画素電極が存在しない非画素間隙とに、前記有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、前記インクに含まれる溶媒を蒸発させて、前記画素間隙に発光層を、前記画素間隙と行方向に隣り合う非画素間隙にダミー発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に対向電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００３０】
係る構成により、画素間隙のうち、非画素領域との境界に近い間隙では、ダミー間隙に塗布されたダミー発光層のインクが存在することにより、周縁部分の中央部分に対する溶媒蒸気圧の低下が抑制される。そのため、間隙では、画素領域の外方に位置するインク部分と内方に位置するインク部分との溶媒の蒸発速度の差は減少する。
【００３１】
そのため、画素領域における画素間隙のうち非画素領域との境界に近い間隙において、画素領域の外方におけるインク膜厚の増加は抑制することができる。すなわち、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制して輝度ムラの発生を抑制することができる。
【００３２】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、ひとつの前記副画素電極の列群に含まれる前記複数の副画素電極の列に対応する画素間隙には、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料を含むインクが塗布され、前記画素間隙と行方向に隣り合い前記副画素電極が存在しない非画素間隙には、前記複数の有機発光材料を含むインクから選択される１以上の有機発光材料を含むインクが塗布される構成としてもよい。
【００３３】
係る構成により、ひとつの画素に含まれる複数の有機ＥＬ素子は、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料の何れかを含む構成において、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制して輝度ムラの発生を抑制することができる。
【００３４】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記インクを塗布する工程において、画素間隙に対する発光色の異なる複数の有機発光材料を含むインクが塗布は、単位面積当たりの溶媒蒸発時間が大きいインクから順に塗布を行う構成としてもよい。
【００３５】
係る構成により、塗布された溶媒蒸発時間が小さいインクを溶媒蒸気圧の高い雰囲気中に置きその乾燥を抑制することができる。その結果、溶媒蒸発時間が小さいインクにおける画素領域の外方におけるインク膜厚が増加する現象を抑制することができる。
【００３６】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素列においては、前記基板上面に列方向に複数の列バンクが延伸されており、隣り合った前記列バンクの間の画素間隙に、前記有機ＥＬ素子に対応する画素電極と、前記複数の有機発光材料の何れかを含む発光層が形成されており、前記非画素領域においては、画素間隙を形成する前記列バンクのうち行方向もおいて最も外方に位置する第１の列バンクに隣り合って、前記第１の列バンクとの間にダミー間隙を形成する第２の列バンクのみが形成されており、前記ダミー間隙に前記ダミー発光層が形成されている構成としてもよい。
【００３７】
係る構成により、表示パネルの裏側にある対象物（背景対象物）の像の視認性を向上することができる。
【００３８】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、前記画素列の行方向の両側に位置する２つの前記ダミー発光層は、列方向の端部で行方向につながっている構成としてもよい。
【００３９】
係る構成により、画素領域内の画素間隙に塗布された発光層のインクが、画素領域の列方向の周辺部において溶媒の蒸発速度が相対的に大きく、列方向の周辺部から溶媒の乾燥は始まる現象を抑制できる。その結果、画素領域の列方向の周辺部において副画素内で列方向に発光層の膜厚のアンバランスが生じ、副画素電対として必要な平均膜厚が得られず副画素の輝度が低下することを抑制できる。特に、画素領域の列方向の周辺部において低視野角から視認したときに大きな輝度ばらつきが生じることを抑制できる。
【００４０】
また、別の態様では、上記の何れかの態様において、透過型の有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、基板を準備する工程と、前記基板上方に、副画素電極が列方向に複数個列設された副画素電極の列が、行方向に第１の間隔を隔てて複数本の並設された副画素電極の列群を、行方向に前記第１の間隔より広い第２の間隔を隔てて複数本、並設する工程と、前記基板上の前記副画素電極の列群が存在する部分では複数本の前記副画素電極の列それぞれを行方向に挟むように、前記基板上の前記第２の間隔に相当する部分では行方向における前記副画素電極のピッチで、前記基板上面に複数の列バンクを列方向に延伸させて形成する工程と、隣り合う前記列バンクの間のうち、前記副画素電極が存在する画素間隙には有機発光材料を含むインクを塗布するとともに、少なくとも画素間隙と行方向に隣り合い前記副画素電極が存在しない非画素間隙にダミー溶媒を塗布する工程と、前記インクに含まれる溶媒及び前記ダミー溶媒を蒸発させて、前記画素間隙に発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に対向電極を形成する工程とを有する構成としてもよい。
【００４１】
係る構成により、ダミーの溶媒を塗布した非画素間隙には乾燥後に有機発光材料が残らないために、完成した表示パネルにおいて画素間隙に隣り合う非画素間隙の可視光透過率を向上することができ、透過型の表示パネルとして透過像の視認性を向上することができる。
【００４２】
≪実施の形態≫
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０（以後、「表示パネル１０」と称する）について、図面を用いて説明する。なお、図面は模式図であって、その縮尺は実際とは異なる場合がある。
【００４３】
＜表示パネル１０の全体構成＞
図１は、実施の形態に係る表示パネル１０の平面図である。本明細書では、図におけるＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を、それぞれ表示パネル１０における、行方向、列方向、厚み方向とする。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルであって、光透過性の基板１００ｘと上部基板１３０とが対向配置された基本構造を有し、基板１００ｘの背面のからの入射光と有機ＥＬ素子から発せられる光とを表面側から出射する透過型の有機ＥＬ表示パネルである。
【００４４】
同図に示すように表示パネル１０は、平面視したとき、画像表示領域１０ａと、画像表示領域１０ａの基板外方に位置する周辺領域１０ｂとを有する。画像表示領域１０ａでは、光透過性の基板１００ｘ表面側に複数の有機ＥＬ素子が、例えば、Ｘ方向及び／又はＹ方向に所定の間隔を空けてマトリクス状に配列され構成されている構成を採る。本実施の形態では、図１に示すように、表示パネル１０には、画像表示領域１０ａには、基板上１００ｘに、複数の単位画素１００ｅが列方向に複数個、列設された画素列１００ｅｌが、行方向に画素列１００ｅｌの行方向の幅より大きい間隔を隔てて複数本が並設されてなる画素列群１００ｅｌｇを構成している。それぞれの単位画素１００ｅは、行方向に並んだ発光色の異なる複数の副画素１００ｓｅを含み、１つの副画素１００ｓｅが１つの有機ＥＬ素子１００から構成されている。ひとつの画素１００ｅに含まれる複数の有機ＥＬ素子１００は、本例では、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光色の有機ＥＬ素子１００からなる。
【００４５】
＜表示パネル１０の画像表示領域１０ａの構成＞
基板上１００ｘ上の画像表示領域１０ａは、画素列１００ｅｌがある画素領域１０ａ１と画素列１００ｅｌがない非画素領域１０ａ２が交互に配置された構成を採る。非画素領域１０ａ２の行方向の幅は画素領域１０ａ１の行方向の幅に対し、例えば、１倍以上５倍以下としてもよい。以上の構成により、表示パネル１０は、画素列群１００ｅｌｇが画素領域１０ａ１にある画素１００ｅを点灯させることにより全体としてディスプレイとして機能し、看者は画素列群１００ｅｌｇが表示する表示画像と非画素領域１０ａ２の背面のから透過光とを視認することができる。
【００４６】
図２は、図１におけるＡ部の拡大図である。表示パネル１０の画像表示領域１０ａ内の一部を示す模式平面図であって、後述する発光層１２３、電子輸送層１２４、対向電極１２５、封止層１２６、前面板１３１を取り除いた状態を示した図である。
【００４７】
表示パネル１０は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）に、各々が画素を構成する複数の有機ＥＬ素子１００が上記した態様にて配され、上面より光を発するトップエミッション型の構成を有する。
【００４８】
図２に示すように、表示パネル１０における基板１００ｘの画素領域１０ａ１には、副画素１００ｓｅに対応して複数の画素電極１１９が基板１００ｘ上に行及び列方向にそれぞれ所定の距離だけ離れた状態でマトリックス状に配されている。画素電極１１９は、平面視において矩形形状であり、光反射材料からなり光透過性を有しない。画素電極１１９の下方には、画素電極１１９とＴＦＴのソースＳ1とを接続する接続凹部（コンタクトホ
ール、不図示）が設けられている。
【００４９】
図２に示すように、表示パネル１０は、基板１００ｘ上を区画してＲＧＢ各色の発光単位を規制する列バンク５２２Ｙが配されている。列バンク５２２Ｙの形状は、いわゆるライン状のバンク形式を採用し、画素領域１０ａ１では、行方向に隣り合う２つの画素電極１１９を挟んで、各条が列方向に延伸する列バンク５２２Ｙが行方向に並設されている。また、非画素領域１０ａ２にも、画素領域１０ａ１と同一の間隔で、列バンク５２２Ｙが行方向に並設されている。
【００５０】
隣り合う列バンク５２２Ｙ間を間隙５２２ｚと定義し、画素領域１０ａ１における青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光色の副画素１００ｓｅに対応する間隙を間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲ（区別しないときは「画素間隙５２２ｚＰ」とし、行方向における間隙５２２ｚＢの右方と間隙５２２ｚＲの右方に位置するそれぞれの間隙をダミー間隙５２２ｚＡとする。なお、後述するが、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲには、それぞれ各色発光層１２３Ｂ、１２３Ｇ、１２３Ｒが形成され、ダミー間隙５２２ｚＡには、ダミー発光層１２３Ａが形成される。
【００５１】
また、ダミー間隙５２２ｚＡには、対向電極１２５の電流容量を補うために複数の補助電極（不図示）が基板１００ｘ上の画素列ｅｌに沿って列方向にわたり連続して敷設されていてもよい。
【００５２】
＜画像表示領域１０ａにおける各部の構成＞
表示パネル１０における有機ＥＬ素子１００の構成について、図３を用いて説明する。図３は、図２におけるＸ１−Ｘ１で切断した模式断面図である。
【００５３】
図３に示すように、表示パネル１０においては、Ｚ軸方向下方に薄膜トランジスタが形成された基板１００ｘ（ＴＦＴ基板）が構成され、その上に有機ＥＬ素子部、前面板１３１が積層されている。有機ＥＬ素子部は、その主な構成として、平坦化層１１８、画素電極１１９、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、列バンク５２２Ｙ、有機発光層１２３、電子輸送層１２４、対向電極１２５、封止層１２６の各層から構成される。
【００５４】
（基板１００ｘ）
基板１００ｘは表示パネル１０の支持部材であり、基材（不図示）と、基材上に形成されたＴＦＴ層（不図示）とを有する。
【００５５】
基材は、表示パネル１０の支持部材であり平板状である。基材の材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド材料、アルミナ等の絶縁性材料のいずれかで形成することができる。透光性を有する材料を用いることにより、透過型表示パネルとして利用することが可能となる。また、可撓性を有するプラスチック材料として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。材料としては、電気絶縁性を有する材料、例えば、樹脂材料を用いることができる。
【００５６】
ＴＦＴ層は、基材の表面に副画素毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む副画素回路が形成されている。ＴＦＴ層は、基材上面に形成された電極、半導体層、絶縁層などの多層構造からなる。
【００５７】
［平坦化層１１８］
基材上及びＴＦＴ層の上面には平坦化層１１８が設けられている。基板１００ｘの上面に位置する平坦化層１１８は、ＴＦＴ層と画素電極１１９との間の電気的絶縁性を確保すると共に、ＴＦＴ層の上面に段差が存在してもそれを平坦化して、画素電極１１９を形成する下地面への影響を抑える機能を持つ。平坦化層１１８の材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、ノボラック型フェノール系樹脂等の有機絶縁材料、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料を用いることができる。平坦化層１１８には、画素電極１１９と対応するＴＦＴの副画素回路のソースＳ1とを接続するためにのコンタクトホール（不図示）が開設されている。
【００５８】
（有機ＥＬ素子１００）
［画素電極１１９］
基板１００ｘにおける画像表示領域１０ａの上面に位置する平坦化層１１８上には、副画素１００ｓｅに対応して画素電極１１９が設けられている。
【００５９】
画素電極１１９は、発光層１２３へキャリアを供給するためのものであり、例えば陽極として機能した場合は、発光層１２３へホールを供給する。金属層としては、シート抵抗が小さく、高い光反射性を有する材料として、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）等からなる。画素電極１１９の厚みは、例えば、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下としてもよい。
【００６０】
画素電極１１９の形状は、例えば、概矩形形状をした平板状である。平坦化層１１８のコンタクトホール上には、画素電極１１９の一部を基板１００ｘ方向に凹入された画素電極１１９の接続電極（不図示）が形成されており、接続凹部の底で画素電極１１９と対応する画素のソースＳ1 に接続される配線とが接続される。
【００６１】
なお、画素電極１１９の表面にさらに公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。
【００６２】
［ホール注入層１２０］
画素電極１１９上には、ホール注入層１２０が積層されている。ホール注入層１２０は、画素電極１１９から注入されたホールをホール輸送層１２１へ輸送する機能を有する。
【００６３】
ホール注入層１２０は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。ホール注入層１２０の厚みは、例えば、数ｎｍ〜数十ｎｍとしてもよい。
【００６４】
［列バンク５２２Ｙ］
画素電極１１９、ホール注入層１２０の端縁を被覆するように絶縁物からなるバンクが形成されている。列バンク５２２Ｙ同士の間には間隙５２２ｚが形成され、画素領域１０ａ１では、画素間隙５２２ｚＰの底部には、複数の画素電極１１９がＹ方向に列設され、その上に機能層としてのホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、有機発光層１２３、電子輸送層１２４が形成されている。また、非画素領域１０ａ１にある間隙５２２ｚのうち、行方向において画素領域１０ａ１の両側において隣り合うダミー間隙５２２ｚＡにはダミー発光層１２３Ａが形成される。
【００６５】
列バンク５２２Ｙの形状は、列方向に延伸する線状であり、行方向に平行に切った断面は、上方を先細りとする順テーパー台形状である。列バンク５２２Ｙは、画素領域１０ａ１では、発光層１２３をウェット法で形成するときに、発光層１２３の材料となる有機化合物を含んだインクの行方向への流動を堰き止めて塗布されたインクがあふれ出ないようにする構造物として機能する。また、列バンク５２２Ｙは、画素領域１０ａ１では、行方向の基部により行方向における各副画素１００ｓｅの発光領域１００ａの外縁を規定する。
【００６６】
列バンク５２２Ｙは、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）、あるいは、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料からなる。
【００６７】
［ホール輸送層１２１］
画素領域１０ａ１における間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内のホール注入層１２０上、ホール輸送層１２１が積層される。ホール輸送層１２１は、ホール注入層１２０から注入されたホールを発光層１２３へ輸送する機能を有する。ホール輸送層１２１は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはアミン系有機高分子であるポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物、あるいは、ＴＦＢ(poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-(1、4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino)-1、4-phenylene))などを用い
ることができる。
【００６８】
さらに、図３に示すように、ダミー間隙５２２ｚＡ内の平坦化層１１８上に、ダミーのホール輸送層１２１を形成してもよい。
【００６９】
［発光層１２３、ダミー発光層１２３Ａ］
画素領域１０ａ１における間隙５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ内のホール輸送層１２１上、及びダミー間隙５２２ｚＡ内のホール輸送層１２１（ホール輸送層１２１が無い場合には平坦化層１１８上）には、発光層１２３が積層されている。発光層１２３は、有機化合物からなる層であり、電圧を印加されることにより内部でホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢ、ダミー間隙５２２ｚＡ内では、発光層１２３は、列方向に延伸するように線状に設けられている。赤色間隙５２２ｚＲ、緑色間隙５２２ｚＧ、青色間隙５２２ｚＢには、それぞれ各色に発光する発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂが形成されている。ダミー間隙５２２ｚＡには、発光に寄与しないダミー発光層１２３Ａが形成される。
【００７０】
表示パネル１０では、発光層１２３の材料には、湿式印刷法を用い成膜できる発光性の有機材料を用いる。具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【００７１】
［電子輸送層１２４］
列バンク５２２Ｙ及び列バンク５２２Ｙにより規定された間隙５２２ｚ内の発光層１２３上を被覆するように電子輸送層１２４が積層して形成されている。電子輸送層１２４は、対向電極１２５からの電子を発光層１２３へ輸送するとともに、発光層１２３への電子の注入を制限する機能を有する。表示パネル１０では、少なくとも表示領域全体に連続した状態で形成されている。
【００７２】
電子輸送層１２４に用いる電子輸送性が高い有機材料として、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。フッ化ナトリウムで形成された層を含んでいてもよい。また、アルカリ金属、又は、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成された層を含んでいてもよい。
【００７３】
［対向電極１２５］
電子輸送層１２４上に、対向電極１２５が形成されている。対向電極１２５は、画素電極１１９と対になって発光層１２３を挟むことで通電経路を作る。対向電極１２５は、発光層１２３へキャリアを供給し、例えば陰極として機能した場合は、発光層１２３へ電子を供給する。表示パネル１０では、対向電極１２５は各発光層１２３に共通の電極となっている。対向電極１２５は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）などを薄膜化した電極を用い形成される。また、金属層に加え、あるいは単独で酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）若しくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）など光透過性を有する導電材料が用いてもよい。
【００７４】
［封止層１２６］
対向電極１２５を被覆するように、封止層１２６が積層形成されている。封止層１２６は、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３、電子輸送層１２４、対向電極１２５が水分や空気などに触れて劣化することを抑制するためのものである。封止層１２６は、対向電極１２５の上面を覆うように設けられている。また、トップエミッション型の場合においては、ディスプレイとして良好な光取り出し性を確保するために高い透光性を有する、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの透光性無機材料を用い形成される。また、透光性無機材料の層の上に、アクリル樹脂、シリコン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【００７５】
［接合層１２７］
封止層１２６の上方には、上部基板１３０の下側の主面にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が配されており、接合層１２７により接合されている。接合層１２７は、基板１００ｘと前面板１３１とを貼り合わせるとともに、各層が水分や空気に晒されることを防止する機能を有する。接合層１２７の材料は、例えば、樹脂接着剤等からなり、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの透光性材料樹脂材料を採用することができる。
【００７６】
（前面板１３１の各部構成）
［上部基板１３０］
接合層１２７の上に、上部基板１３０にカラーフィルタ層１３２が形成された前面板１３１が設置・接合されている。上部基板１３０には、トップエミッション型では、例えば、カバーガラス、透明樹脂フィルムなどの光透過性材料が用いられる。また、上部基板１３０により、表示パネル１０、剛性向上、水分や空気などの侵入防止などを図ることができる。
【００７７】
［カラーフィルタ層１３２］
上部基板１３０には画素の各色自己発光領域１００ａに対応する位置にカラーフィルタ層１３２が形成されている。カラーフィルタ層１３２は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層であり、各色画素から出射された光を透過させて、その色度を矯正する機能を有する。例えば、本例では、間隙５２２ｚＲ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＢの上方に、赤色、緑色、青色のカラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｇ、１３２Ｂが各々形成されている。カラーフィルタ層１３２としては、公知の樹脂材料（例えば市販製品として、ＪＳＲ株式会社製カラーレジスト）等を採用することができる。
【００７８】
［遮光層１３３］
上部基板１３０には、各画素の発光領域１００ａ間の境界に対応する位置に遮光層１３３が形成されている。遮光層１３３は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）に対応する波長の可視光を透過させないために設けられる黒色樹脂層であって、例えば光吸収性及び遮光性に優れる黒色顔料を含む樹脂材料からなる。例えば、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、これに、例えば、カーボンブラック顔料、チタンブラック顔料、金属酸化顔料、有機顔料など遮光性材料の黒色顔料を添加してなる樹脂材料からなる。
【００７９】
＜表示パネル１０の製造方法＞
表示パネル１０の製造方法について、図４〜１１を用いて説明する。図４は、表示パネル１０の製造工程のフローチャートである。図５〜１１における各図は、表示パネル１０の製造における各工程での状態を示す図２（画像表示領域１０ａ）におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。
【００８０】
［基板１００ｘの作成］
複数のＴＦＴや配線（ＴＦＴ層）を基板１００ｘに形成する（図４におけるステップＳ１、図５（ａ））。
【００８１】
［平坦化層１１８の形成］
基板１００ｘを被覆するように、上述の平坦化層１１８の構成材料（感光性の樹脂材料）をフォトレジストとして塗布し、表面を平坦化することにより平坦化層１１８を形成する（図４：ステップＳ２、図５（ｂ））。具体的には、一定の流動性を有する樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板１００ｘ１の上面に沿って、ＴＦＴ層による基板１００ｘ１上の凹凸を埋めるように塗布したのち焼成する。
【００８２】
平坦化層１１８における、ＴＦＴ素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール（不図示）を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
【００８３】
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極を形成する。接続電極層の上部は、その一部が平坦化層１１８上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
【００８４】
［画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成］
次に、画素電極１１９、ホール注入層１２０の形成を行う。
【００８５】
先ず、平坦化層１１８を形成した後、平坦化層１１８の表面にドライエッチング処理を行い成膜前洗浄を行う。
【００８６】
次に、平坦化層１１８の表面に成膜前洗浄を行った後、画素領域１０ａ１では画素電極１１９を形成するための画素電極用の金属膜１１９ｘをスパッタリング法、真空蒸着法などの気相成長法により平坦化層１１８の表面に成膜する（図４：ステップＳ３、図５（ｃ））。本例では、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金からなる膜をスパッタリング法により成膜する。成膜した後に焼成を行ってもよい。
【００８７】
さらに、金属膜１１９ｘの表面に成膜前洗浄を行った後、引き続き真空雰囲気下で、画素領域１０ａ１ではホール注入層１２０を形成するための金属膜１２０’を気相成長法により金属膜１１９ｘの表面に成膜する（図４：ステップＳ４、図５（ｄ））。本例では、タングステンをスパッタリング法により成膜する。成膜した後に焼成を行ってもよい。
【００８８】
その後、感光性樹脂等からなるフォトレジスト層ＦＲを塗布したのち、所定の開口部が施されたフォトマスクＰＭを載置し、その上から紫外線照射を行いフォトレジストを露光し、そのフォトレジストにフォトマスクが有するパターンを転写する（図６（ａ））。次に、フォトレジスト層ＦＲを現像によってパターニングする。
【００８９】
その後、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲを介して、画素領域１０ａ１では、金属膜１２０’にドライエッチング処理を施してパターニングを行い、ホール注入層１２０を形成する。
【００９０】
続けて、パターニングされたフォトレジスト層ＦＲ及びホール注入層１２０を介して、画素領域１０ａ１では、金属膜１１９ｘにウエットエッチング処理を施ししてパターニングを行い、画素電極１１９を形成する。
【００９１】
最後に、フォトレジスト層ＦＲを剥離して、画素領域１０ａ１では、同一形状にパターニングされた画素電極１１９及びホール注入層１２０の積層体を形成する。（図４：ステップＳ５、図６（ｂ））。
【００９２】
［列バンク５２２Ｙの形成］
ホール注入層１２０を形成した後、ホール注入層１２０を覆うように列バンク５２２Ｙを形成する。列バンク５２２Ｙの形成工程では、ホール注入層１２０上に、スピンコート法などを用い、列バンク５２２Ｙの構成材料（例えば、感光性樹脂材料）からなる膜を積層形成する。そして、樹脂膜の上方にマスクを配して露光し、その後で現像することにより、樹脂膜をパターニングして間隙５２２ｚを開設して列バンク５２２Ｙを形成する（図４：ステップＳ６、図７（ａ））。このとき、列バンク５２２Ｙに対する焼成工程において、金属が酸化されホール注入層１２０として完成する。
【００９３】
［有機機能層の形成］
画素領域１０ａ１では、列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内に形成されたホール注入層１２０上に対して、ホール輸送層１２１、発光層１２３を順に積層形成する。非画素領域１０ａ１では、ダミー間隙５２２ｚＡ内の平坦化層１１８上にホール輸送層１２１を形成する。
【００９４】
ホール輸送層１２１は、インクジェット法やグラビア印刷法によるウェットプロセスを用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内及びダミー間隙５２２ｚＡ内に塗布した後、溶媒を揮発除去させる、あるいは、焼成することによりなされる（図４：ステップＳ７、図７（ｂ））。ＲＧＢの各副画素に形成されるホール輸送層１２１は、ＲＧＢの各副画素によって膜厚が異なって形成されてもよい。
【００９５】
発光層１２３の形成は、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内及びダミー間隙５２２ｚＡ内に塗布した後、焼成することによりなされる（図４：ステップＳ８、図８（ａ））。
【００９６】
具体的には、基板１００ｘは、列バンク５２２ＹがＹ方向に沿った状態で液滴吐出装置の動作テーブル上に載置され、Ｙ方向に沿って複数のノズル孔がライン状に配置されたインクジェットヘッド３０１をＸ方向に基板１００ｘに対し相対的に移動しながら、各ノズル孔から列バンク５２２Ｙ同士の画素間隙５２２ｚＰ内及びダミー間隙５２２ｚＡ内に設定された着弾目標を狙ってインク１８の液滴を着弾させることによって行う。
【００９７】
この工程では、副画素形成領域となる間隙５２２ｚＢ、間隙５２２ｚＧ、間隙５２２ｚＲ、及びダミー間隙５２２ｚＡ内に、インクジェット法により青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）いずれかの有機発光層の材料を含むインク１８をそれぞれ充填し、充填したインクを減圧下で乾燥させ、ベーク処理することによって、発光層１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ、及びダミー発光層１２３Ａを形成する。ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填するインクは、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）いずれかの有機発光層の材料を含むインク１８であってもよい。
【００９８】
基板１００ｘに対して赤色、緑色、青色発光層の何れかを形成するためのインクの塗布が終わると、その基板に別の色のインクを塗布し、次にその基板に３色目のインクを塗布する工程が繰り返し行われ、３色のインクを順次塗布する。このとき、ダミー間隙５２２ｚＡ内へのインクの塗布は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）いずれかの有機発光層の材料を含むインクの塗布と同一のインクジェットヘッド３０１の走査の中で行ってもよい。これにより、基板１００ｘ上には、青色発光層１２３Ｂ、緑色発光層１２３Ｇ、赤色発光層１２３Ｒ及びダミー発光層１２３Ａが、図の紙面横方向に繰り返して並んで形成される。
【００９９】
なお、ホール注入層１２０のホール輸送層１２１、発光層１２３の形成方法は上記の方法には限定されず、例えばディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等の公知の方法によりインクを滴下・塗布してもよい。
【０１００】
なお、ホール輸送層１２１を形成する前に、インクジェット法を用い、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料を含むインクを間隙５２２ｚ内に塗布した後、溶媒を揮発除去、あるいは焼成してもよい。
【０１０１】
［電子輸送層１２４の形成］
発光層１２３を形成した後、表示パネル１０の発光エリア全面（画像表示領域１０ａ）にわたって、真空蒸着法などにより電子輸送層１２４を形成する（図４：ステップＳ９、図８（ｂ））。
【０１０２】
真空蒸着法を用いる理由は有機膜である発光層１２３に損傷を与えないためと、高真空化で行う真空蒸着法は成膜対象の分子が基板に向かって垂直方向に直進的に成膜される。電子輸送層１２４は、発光層１２３の上に、金属酸化物又はフッ化物を真空蒸着法などにより成膜する。あるいは、有機材料と金属材料との共蒸着法により成膜する。なお、電子輸送層１２４の膜厚は、光学的な光取り出しとして最も有利となる適切な膜厚とする。
【０１０３】
［対向電極１２５の形成］
電子輸送層１２４を形成した後、電子輸送層１２４を被覆するように、対向電極１２５を形成する（図４：ステップＳ１０、図９（ａ））。対向電極１２５は、金属、金属酸化物を主成分とする膜を、下地層を被覆するように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。
【０１０４】
［封止層１２６の形成］
対向電極１２５を被覆するように封止層１２６を形成する（図４：ステップＳ１１、図９（ｂ））。封止層１２６は、ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用い形成できる。
【０１０５】
［前面板１３１の形成］
前面板１３１の製造工程では、透明な上部基板１３０を準備し、紫外線硬化樹脂（例えば紫外線硬化アクリル樹脂）材料を主成分とし、黒色顔料を添加してなる遮光層の材料（１３３Ｘ）を透明な上部基板１３０に塗布する（図１０（ａ））。遮光層の材料の膜１３３´の上面に所定の開口部が施されたパターンマスクＰＭを重ね、紫外線照射を行う（図１０（ｂ））。パターンマスクＰＭ及び未硬化の遮光層１３３を除去して現像しキュアすると、例えば、概矩形状の断面形状の遮光層１３３が完成する（図１０（ｃ））。次に、遮光層１３３を形成した上部基板１３０表面に、紫外線硬化樹脂成分を主成分とするカラーフィルタ層１３２（例えば、Ｇ）の材料１３２Ｇを塗布し（図１０（ｄ））、所定のパターンマスクＰＭを載置し紫外線照射を行う（図１０（ｅ））。その後はキュアを行い、パターンマスクＰＭ及び未硬化のペースト１３２Ｇを除去して現像すると、カラーフィルタ層１３２Ｇが形成される（図１０（ｆ））。この工程を各色のカラーフィルタ材料について繰り返すことで、カラーフィルタ層１３２Ｒ、１３２Ｂを形成する（図１０（ｇ））。以上で前面板１３１が形成される（図４：ステップＳ１２）。
【０１０６】
［前面板１３１と背面パネルとの貼り合わせ］
次に、基板１００ｘから封止層１２６までの各層からなる背面パネルに、アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂などの紫外線硬化型樹脂を主成分とする接合層１２７の材料を塗布する（図１１（ａ））。
【０１０７】
続いて、塗布した材料に紫外線照射を行い、背面パネルと前面板１３１との相対的位置関係を合せた状態で両基板を貼り合わせる。その後、両基板を焼成して封止工程を完了すると、表示パネル１０が完成する（図４：ステップＳ１３、図１１（ｂ））。
【０１０８】
＜効  果＞
（発光層の形成過程におけるダミー発光層の影響について）
以下、表示パネル１０の効果について説明する。
【０１０９】
図１２は、発光層の形成過程を示す模式断面図であり、（ａ）は表示パネル１０、（ｂ）比較例に係るは表示パネル１０Ｘにおける状態を示した図である。同図は、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ断面で切断した模式断面図である。
【０１１０】
比較例に係る表示パネル１０Ｘは、行方向における画素間隙５２２ｚＰの両側の間隙５２２ｚにダミー発光層１２３Ａ及びホール輸送層１２１が形成されない点で表示パネル１０と相違する。したがって、表示パネル１０Ｘでは、非画素領域１０ａ２は全幅において光透過性を有する。表示パネル１０Ｘの他の構成は表示パネル１０の各構成と同じである。表示パネル１０Ｘでは、インクジェット法を用い構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内に塗布した後、焼成することにより発光層１２３が形成される。
【０１１１】
この表示パネル１０Ｘでは、図１２（ｂ）に示すように、基板１００ｘ上の画素領域１０ａ１内の画素間隙５２２ｚＰに塗布された発光層１２３のインクは、画素領域１０ａ１の周辺部において溶媒の蒸発速度が相対的に大きく、周辺部から溶媒の乾燥は始まる。その理由は、ウエットプロセスに於いては、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの中央部分と周縁部分とでは、周縁部分の方が中央部分よりも溶媒蒸気圧が低くなることにより溶媒の乾燥速度が大きいためである。ここで、成膜エリアとは、ウエットプロセスによりインクを塗布するエリアであり、図１２（ａ）に示した画素領域１０ａ１と同じ領域である。
【０１１２】
透過型表示パネルでは、行方向において、画素領域１０ａと画素領域１０ａのサイズ以上の非画素領域１０ａ２とが交互に配置されるために、成膜エリアである画素領域１０ａの周縁部分では中央部分よりも溶媒蒸気圧の低下が顕著になる。そのため、画素間隙５２２ｚＰを構成する間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲのうち、非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲでは、画素領域１０ａ１の外方に位置するインク部分が内方に位置するインク部分よりも乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が減少する。そして、乾燥過程において、溶媒の減少を補うように画素領域１０ａ１の内方に位置するインク部分から外方に位置するインク部分に向けてインクの対流が生じ、有機発光材料を含む溶質が画素領域１０ａ１の内方のインク部分から内方のインク部分へと移動する。その結果、図１２（ｂ）に示すように、表示パネル１０Ｘでは、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚が増加する。
【０１１３】
係る場合には、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲに対応する副画素１００ｓｅにおいて、副画素内で発光層の膜厚のアンバランスが生じるとともに、副画素電対として必要な平均膜厚が得られず副画素の輝度が低下する。特に、副画素内で発光層の膜厚にアンバランスが生じることにより、低視野角から視認したときに大きな輝度ばらつきが生じる。
【０１１４】
その理由は、同じ視野角であっても、副画素を膜厚の薄い方向から見る場合と膜厚の厚い方向から見る場合とで、視野に垂直な方向の膜厚が異なることに起因して、視認される輝度が変化するためである。したがって、面内に膜厚のアンバランスの方向や程度が異なる副画素が混在する場合には、低視野角から視認したときに副画素の膜厚のアンバランスの方向や程度に応じて大きな輝度ばらつきが生じることとなる。表示パネルの裏側にある対象物（背景対象物）の像を視認する透過型の表示パネルでは、看者は背景対象物を見やすい位置から表示パネルを見る場合が多い。その場合、表示パネルと看者との角度、すなわち、看者の表示画像に対する視野角も看者と背景対象物との位置関係によって変動する。そのため、反射型の表示パネルに比べて低視野角における表示画像の視認性が求められる。
【０１１５】
これに対し、実施の形態に係る表示パネル１０では、図１２（ａ）に示すように、行方向における画素間隙５２２ｚＰの両側のダミー間隙５２２ｚＡにはダミー発光層１２３Ａ及びホール輸送層１２１が形成される。したがって、表示パネル１０では、非画素領域１０ａ２におけるダミー間隙５２２ｚＡに相当する部分は光半透過性を呈する構成となる。
【０１１６】
係る構成により、基板１００ｘ上の画素領域１０ａ１内の画素間隙５２２ｚＰに塗布された発光層１２３のインクが、画素領域１０ａ１の周辺部において溶媒の蒸発速度が相対的に大きく、周辺部から溶媒の乾燥は始まる現象を抑制できる。
【０１１７】
その理由は、表示パネル１０では、ウエットプロセスによりインクを塗布する成膜エリアは、図１２（ａ）に示す画素領域１０ａ１にダミー間隙５２２ｚＡを加えた領域となる。そのため、インクの溶媒を蒸発乾燥させるプロセスにおいて、成膜エリアの周辺部に位置するダミー間隙５２２ｚＡでは、非画素領域１０ａ２の内方に位置するインク部分が外方に位置するインク部分よりも乾燥により溶媒の蒸発が進み、単位面積あたりの残存溶媒量が減少し、溶媒の減少を補うように非画素領域１０ａ２の外方に位置するインク部分から内方に位置するインク部分に向けてインクの対流が生じ、有機発光材料を含む溶質が非画素領域１０ａ２の外方のインク部分から内方のインク部分へと移動する。その結果、図１２（ａ）に示すように、表示パネル１０では、非画素領域１０ａ２におけるダミー間隙５２２ｚＡの内方におけるインク膜厚が増加する。
【０１１８】
しかしながら、画素間隙５２２ｚＰを構成する間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲのうち、非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲでは、ダミー間隙５２２ｚＡに塗布されたダミー発光層１２３Ａのインクが存在することにより、周縁部分の中央部分に対する溶媒蒸気圧の低下が抑制される。そのため、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲでは、画素領域１０ａ１の外方に位置するインク部分と内方に位置するインク部分との溶媒の蒸発速度の差は比較例に比べて顕著に減少する。
【０１１９】
そのため、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚の増加は抑制される。その結果、面内に膜厚のアンバランスの方向や程度が異なる副画素が混在することに起因して、低視野角から視認したときに副画素の膜厚のアンバランスの方向や程度に応じて大きな輝度ばらつきが生じることを抑制できる。そのため、低視野角からの視認性を高めることができ、反射型の表示パネルに比べて低視野角における高い視認性が求められる透過型の表示パネルとして有効に利用できる。
【０１２０】
（効果確認試験）
以下、表示パネル１０を用いた効果確認試験の結果について説明する。
【０１２１】
［試験方法］
発明者は、表示パネル１０における発光層１２３の断面プロファイルを原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）を用いて測定した。図１３（ａ）は、１つの表示パネル１０の実施例１、２、比較例における一枚の表示パネル内の発光層の断面プロファイルの測定位置を示す模式平面図、（ｂ）は１つの有機ＥＬ発光層内の発光層の表面の高さの測定位置を示す模式断面図である。本試験では、表示パネルおける、図１３（ａ）に示す１〜２５の測定部において、表示パネルにおける副画素１００ｓｅのＸ方向中心線上における発光層１２３の断面プロファイルを測定し、列バンク５２２Ｙ側面上のピンニング位置Ｐｉ１、Ｐｉ２からそれぞれ５μｍの位置における発光層の高さａ、ｂの差｜ｂ−ａ｜と、ピンニング位置Ｐｉ１、Ｐｉ２からそれぞれ５μｍの位置間の発光層の高さの平均値ｍｅａｎa〜bを算出した。
【０１２２】
［供試サンプル］
次に、実施例、比較例１から３の仕様について説明する。
【０１２３】
実施例１は、発光層１２３の形成工程において、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内に規定量を滴下し、ダミー間隙５２２ｚＡ内には、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のインクの何れかをあふれる限界まで滴下して塗布した後、焼成して形成した発光層を有する表示パネルである。ダミー間隙５２２ｚＡ内へのインクの塗布は、画素間隙５２２ｚＰに対する同一色のインクの塗布と同一のインクジェットヘッドの走査の中で行った。
【０１２４】
実施例２は、発光層１２３の形成工程において、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内に規定量を滴下し、間隙５２２ｚＲと隣り合う方のダミー間隙５２２ｚＡ内に対し、青（Ｂ）のインクを規定量だけ滴下して塗布した後、焼成して形成した発光層を有する表示パネルである。ダミー間隙５２２ｚＡ内へのインクの塗布は、画素間隙５２２ｚＰに対する青（Ｂ）のインクの塗布と同一のインクジェットヘッドの走査の中で行った。
【０１２５】
比較例は、発光層１２３の形成工程において、インクジェット法を用い、構成材料を含むインクを列バンク５２２Ｙにより規定される画素間隙５２２ｚＰ内に規定量を滴下して塗布した後、焼成して形成した発光層を備える表示パネルである。
【０１２６】
［測定結果］
図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）は、それぞれ、表示パネル１０の実施例１、２及び比較例における列バンクと発光層の断面プロファイルの測定結果である。
【０１２７】
赤（Ｒ）の発光層において比較すると、比較例（図１４（ｃ）Ｄ部）では、凹状に湾曲し、かつ、凹部内で右方（画素領域の外方）に向けて発光層の高さが高くなるように傾斜した断面プロファイルとなった。これに対し、実施例２（図１４（ｂ）Ｃ部）では、凹部内の傾斜の程度が比較例よりも減少した断面プロファイルとなった。さらに、実施例１（図１４（ａ）Ｂ部）では、凹部内の傾斜はさらに減少しほぼ左右均等な断面プロファイルとなった。
【０１２８】
図１５（ａ）は、表示パネル１０の実施例１、（ｂ）は、実施例２及び比較例の各測定部における赤（Ｒ）の発光層の高さａ、ｂの差｜ｂ−ａ｜である。図１５（ａ）（ｂ）は、比較例における最大値を基準に正規化した図である。発光層の高さの差｜ｂ−ａ｜の平均値は、比較例＞実施例２＞実施例１となり、ダミー間隙５２２ｚＡへのインクの塗布量が多いほどダミー間隙５２２ｚＡと隣り合う間隙５２２ｚＲに形成された発光層の高さの差｜ｂ−ａ｜は減少した。また、分散（ばらつき）も同様の結果となった。
【０１２９】
［考  察］
以上の実施例１、２、比較例による測定結果から、ダミー間隙５２２ｚＡに塗布されたダミー発光層１２３Ａのインクが多く存在することにより、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚の増加は抑制されることが確認できる。実施例１＞実施例２＞比較例の順に、周縁部分の中央部分に対する溶媒蒸気圧の低下が抑制され、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲにおいて画素領域１０ａ１の外方に位置するインク部分と内方に位置するインク部分との溶媒の蒸発速度の差が減少したためと考えられる。
【０１３０】
＜変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０を説明したが、本開示は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。例えば、実施の形態に対して当業者が各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。以下では、そのような形態の一例として、表示パネル１０の変形例を説明する。
【０１３１】
（変形例１）
次に、変形例１に係る表示パネル１０Ａについて説明する。
【０１３２】
図１７（ａ）から（ｃ）は、変形例１に係る表示パネル１０Ａの発光層の形成過程を示す、図１におけるＡ部と同じ部分の模式平面図である。
【０１３３】
実施の形態に係る表示パネル１０では、発光層の形成工程において、ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填するインクは、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のいずれかの有機発光層の材料を含むインクであってもよく、ダミー間隙５２２ｚＡ内へのインクの塗布は、画素間隙５２２ｚＰに対する同一色のインクの塗布と同一のインクジェットヘッドの走査の中で行ってもよい構成とした。
【０１３４】
これに対し、変形例１に係る表示パネル１０Ａでは、図１７（ａ）から（ｃ）に示すように、画素間隙５２２ｚＰへのインクの塗布と同一のすべてのインクジェットヘッドの走査の中で、ダミー間隙５２２ｚＡ内に青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のインクを塗布する構成とした点で表示パネル１０と相違する。この場合、表示パネル１０Ａは、ダミー間隙５２２ｚＡに形成されたダミー発光層１２３Ａは、青（Ｂ）、緑（Ｇ）及び赤（Ｒ）の有機発光材料をすべて含む構成となる。係る構成により、表示パネル１０Ａでは、青（Ｂ）、緑（Ｇ）及び赤（Ｒ）のインクを塗布するすべての走査において、ダミー間隙５２２ｚＡ内に新たなインクを滴下しながら画素間隙５２２ｚＰ内へインクを塗布することができる。
【０１３５】
さらに、表示パネル１０Ａでは、１回目のインクジェットヘッドの走査では、ダミー間隙５２２ｚＡ内にインクをあふれる限界まで滴下し、２回目のインクジェットヘッドの走査では、溶媒の蒸発に伴う減少量を予め計算しておき当該減少分を補う量だけ新たなインクを滴下する構成としてもよい。具体的には、インクジェットヘッドの走査間隔が、例えば、３０秒から１分の場合、自然乾燥では、ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填されたインクから１０〜２０％の溶媒が蒸発するために、同量のインクを補う構成を採ることが望ましい。係る構成により、表示パネル１０Ａでは、青（Ｂ）、緑（Ｇ）及び赤（Ｒ）のインクを塗布するすべての走査において、ダミー間隙５２２ｚＡ内にインクをあふれる限界まで満たした状態にして画素間隙５２２ｚＰ内へインクを塗布することができる。
【０１３６】
その結果、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚の増加はより一層抑制される。
【０１３７】
（変形例２）
次に、変形例２に係る表示パネル１０Ｂについて説明する。
【０１３８】
図１８は、前出の比較例の各測定部の位置と、各測定部における赤（Ｒ）の発光層の高さの差｜ｂ−ａ｜を、基板１００ｘの周辺部に位置する測定部と当該測定部における測定値に丸印を付して表した図である。図８に示すように、比較例では、丸印を付した基板１００ｘの周辺部に位置する測定部における発光層の高さの差｜ｂ−ａ｜は、他の測定部における結果に比べて大きいことが見て取れる。すなわち、比較例に係る表示パネル１０Ｘでは、基板１００ｘの周辺部において、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＲにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚が増加する傾向が大きい。ここで、「周辺部」とは、図１８に示すように、基板１００ｘの外縁から約３％内方に入った位置までの範囲を指す。また、「中央部」とは、「周辺部」より内方の範囲、すなわち、基板１００ｘの外縁から約３％内方に入った位置よりも内方の範囲を指す。
【０１３９】
これに対し。変形例２に係る表示パネル１０Ｂでは、発光層の形成工程において、ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填するインクの量を、基板１００ｘの中央部よりも周辺部において増加する構成とした点に特徴を有する。
【０１４０】
図１９は、変形例２に係る表示パネル１０Ｂにおける、図１のＡ部と同じ部分の模式平面図である。図１９に示すように、表示パネル１０Ｂでは、発光層の形成過程において画像表示領域１０ａの周辺部に位置するダミー間隙５２２ｚＡ２内に充填するインクの量が、中央部に位置するダミー間隙５２２ｚＡ１内に充填するインクの量よりも多い構成を採る。係る構成により、完成した表示パネル１０Ｂでは、複数本の画素列１００ｅｌと隣り合う複数のダミー発光層１２３Ａのうち、行方向において基板１００ｘの外縁に近い周辺部のダミー発光層１２３Ａは、行方向において基板１００ｘの内方に近い中央部のダミー発光層１２３Ａ１よりも、含まれる有機発光材料の量が多い構成となる。
【０１４１】
その結果、基板１００ｘの周辺部において、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い画素間隙５２２ｚにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚が顕著に増加するという現象を抑制することができる。
【０１４２】
さらに、発光層の形成過程において、１つのダミー間隙５２２ｚＡ２にインクを塗布するときのインクジェットヘッドの各ノズルからのインク滴の吐出量を列方向で異ならせるように制御してもよい。すなわち、１つのダミー間隙５２２ｚＡ２のなかで画像表示領域１０ａの列方向の周辺部に位置する部分に充填するインクの量が、列方向の中央部に位置する部分に充填するインクの量よりも多くなるように、インクジェットヘッドの各ノズルからのインク滴の吐出量を制御してもよい。
【０１４３】
（変形例３）
次に、変形例３に係る表示パネル１０Ｃについて説明する。
【０１４４】
図２０は、変形例３に係る表示パネル１０Ｃにおける、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。変形例３に係る表示パネル１０Ｃでは、図２０に示すように、ダミー間隙５２２ｚＡを平坦化層１１８に凹陥部１１８Ａを設けてダミー間隙５２２ｚＡに貯留できるインクの量を、画素間隙５２２ｚＰに貯留できるインクの量に比べて増加する構成を採る。係る構成により、完成した表示パネル１０Ｃでは、凹陥部１１８Ａの深さだけ厚みが厚いダミー発光層１２３Ａが、凹陥部１１８Ａ内に形成される。
【０１４５】
また、変形例２係る構成を実現するために、画像表示領域１０ａの周辺部において、ダミー間隙５２２ｚＡを平坦化層１１８に凹陥部１１８Ａを設けて、凹陥部１１８Ａの深さだけ厚みが厚いダミー発光層１２３Ａを形成する構成としてもよい。係る構成により、平面視におけるダミー発光層１２３Ａの幅を異ならせることなく、ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填するインクの量を基板１００ｘの中央部よりも周辺部において増加することができ、変形例２に係る構成を実現できる。
【０１４６】
（変形例４）
次に、変形例４に係る表示パネル１０Ｄについて説明する。
【０１４７】
図２１は、変形例４に係る表示パネル１０Ｄにおける、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ位置で切断した模式断面図である。変形例４に係る表示パネル１０Ｄでは、図２１に示すように、ダミー間隙５２２ｚＡの両側の列バンク５２２Ｙの頂部５２２Ｙｂ２を、画素間隙５２２ｚの両側の列バンク５２２Ｙの頂部５２２Ｙｂ１よりも高くすることにより、ダミー間隙５２２ｚＡに貯留できるインクの量を、画素間隙５２２ｚＰに貯留できるインクの量に比べて増加する構成を採る。係る構成により、完成した表示パネル１０Ｄでは、列バンク５２２Ｙの高さの増加分だけ厚いダミー発光層１２３Ａが形成される。
【０１４８】
また、変形例２係る構成を実現するために、画像表示領域１０ａの周辺部において、ダミー間隙５２２ｚＡの両側の列バンク５２２Ｙの頂部５２２Ｙｂ２を、画素間隙５２２ｚの両側の列バンク５２２Ｙの頂部５２２Ｙｂ１よりも高くして、列バンク５２２Ｙの高さの増加分だけ厚いダミー発光層１２３Ａを形成してもよい。係る構成により、平面視におけるダミー発光層１２３Ａの幅を異ならせることなく、変形例２に係る構成を実現できる。
【０１４９】
（変形例５）
次に、変形例５に係る表示パネル１０Ｅについて説明する。
【０１５０】
変形例５に係る表示パネル１０Ｅでは、変形例２と同様に、発光層の形成工程において、ダミー間隙５２２ｚＡ内に充填するインクの量を、基板１００ｘの中央部よりも周辺部において増加する構成とした点に特徴を有する。
【０１５１】
図２２は、変形例５に係る表示パネル１０Ｅにおける、図１のＡ部と同じ部分の模式平面図である。表示パネル１０Ｅでは、図２２に示すように、画像表示領域１０ａの中央部から周辺部にかけて、ダミー間隙５２２ｚＡ１、２、３の行方向の幅を段階的に拡大することにより、ダミー間隙５２２ｚＡ１、２、３に充填されるインクの量が中央部から周辺部にかけて段階的に増加する構成を採る。その結果、完成した表示パネル１０Ｂでは、画像表示領域１０ａに形成されるダミー発光層１２３Ａの幅は中央部から周辺部かけて段階的に拡幅する構成となる。
【０１５２】
その結果、基板１００ｘの中央部から周辺部において、画素領域１０ａ１における画素間隙５２２ｚＰのうち非画素領域１０ａ２との境界に近い画素間隙５２２ｚにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚が段階的に増加するという現象を抑制できる。
【０１５３】
（変形例６）
次に、変形例６に係る表示パネルの製造方法について説明する。
【０１５４】
自然乾燥中の固形分を溶かしている溶媒の蒸発速度をＶｐ（μｍ3／ｓｅｃ）、画素内
面積をＳ（μｍ2）、ドロップ数をｄ、一滴あたりのインク体積をρ（μｍ3）としたとき、単位面積当たりの溶媒蒸発時間Ａ（ｓｅｃ／μｍ2）は、
【０１５５】
【数１】
2020113529.tif 000003
【０１５６】
により算出される。ここで、溶媒の蒸発速度をＶｐは。各種インクを撥液基板に印刷しカメラでインクの液滴がシュリンクしていく様子を観察することにより、単位時間当たりに蒸発するインクの面積を求めることにより算出する。
【０１５７】
変形例６に係る表示パネルの製造方法では、発光層の形成工程において、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光色のインクのうち、単位面積当たりの溶媒蒸発時間Ａが大きいインクを最初に印刷する構成を採る。
【０１５８】
発明者の検討では、単位面積当たりの溶媒蒸発時間Ａが小さいインクほど、非画素領域１０ａ２との境界に近い画素間隙５２２ｚＰにおいて、画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚が増加する傾向が大きい傾向がある。そのため、単位面積当たりの溶媒蒸発時間Ａが大きいインクを最初に印刷し、溶媒蒸発時間Ａが小さいインクを後に印刷することにより、塗布された溶媒蒸発時間Ａが小さいインクを溶媒蒸気圧の高い雰囲気中に置き、その乾燥を抑制することができる。その結果、溶媒蒸発時間Ａが小さいインクにおける画素領域１０ａ１の外方におけるインク膜厚が増加する現象を抑制できる。
【０１５９】
（変形例７）
次に、変形例７に係る表示パネルの製造方法について説明する。
【０１６０】
実施の形態に係る表示パネルの製造方法では、隣り合った列バンク５２２Ｙの間のうち、副画素電極１１９が存在する画素間隙５２２ｚＰと、少なくとも画素間隙５２２ｚＰと行方向に隣り合う副画素電極１１９が存在しない非画素間隙５２２ｚＡとに、有機発光材料を含むインクを塗布する構成とした。しかしながら、変形例７に係る表示パネルの製造方法では、副画素電極１１９が存在する画素間隙５２２ｚＰには有機発光材料を含むインクを塗布するとともに、少なくとも画素間隙５２２ｚＰと行方向に隣り合い副画素電極１１９が存在しない非画素間隙５２２ｚＡにダミーの溶媒を塗布する構成としてもよい。
【０１６１】
係る構成では、実施の形態に係る表示パネル１０と同様に、基板内方の塗布領域における発光層１２３の膜厚ムラの発生を抑制して輝度ムラの発生を抑制する。併せて、変形例７に係る表示パネルでは、ダミーの溶媒を塗布した非画素間隙５２２ｚＡには乾燥後に有機発光材料が残らないために、完成した表示パネルにおいて画素間隙５２２ｚＰに隣り合う非画素間隙５２２ｚＡの可視光透過率を向上することができ、透過型の表示パネルとして透過像の視認性を向上することができる。
【０１６２】
（変形例８）
次に、変形例８に係る表示パネル１０Ｆについて説明する。
【０１６３】
図２３は、変形例８に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｆにおいて、図２におけるＸ１−Ｘ１と同じ断面で切断した模式断面図である。図２４は、変形例８に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｆにおける、図１のＡ部と同じ部分の模式平面図である。
【０１６４】
変形例８に係る表示パネル１０Ｆでは、図２３に示すように、非画素領域１０ａ２１にはダミー間隙５２２ｚＡに隣接する列バンク５２２Ｙ以外に列バンクが存在しない構成を採る。具体的には、画素列１００ｅｌにおいては、基板上面に列方向に複数の列バンク５２２Ｙが延伸されており、隣り合った列バンク５２２Ｙの間の画素間隙５２２ｚＰに、有機ＥＬ素子１００に対応する画素電極１１９と、複数の有機発光材料の何れかを含む発光層１２３が形成されており、かつ、非画素領域１０ａ２１においては、画素間隙５２２ｚＰを形成する列バンク５２２ｚのうち行方向もおいて最も外方に位置する列バンクに隣り合って、当該列バンクとの間にダミー間隙５２２ｚＡを形成する列バンクのみが形成されており、ダミー間隙５２２ｚＡにダミー発光層１２３Ａが形成されている構成を採る。その他の構成については実施の形態に係る表示パネル１０Ａと同じである。
【０１６５】
係る構成により、表示パネル１０Ｆでは、表示パネルの裏側にある対象物（背景対象物）の像の視認性を向上することができる。
【０１６６】
（変形例９、１０）
次に、変形例９に係る表示パネル１０Ｇ、変形例１０に係る表示パネル１０Ｈについて説明する。
【０１６７】
図２５は、変形例９に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｇの模式平面図である。図２６は、変形例１０に係る有機ＥＬ表示パネル１０Ｈの模式平面図である。
【０１６８】
変形例９、１０に係る表示パネル１０Ｇ、Ｈでは、図２５、２６に示すように、変形例８に係る表示パネル１０Ｆと同様に、非画素領域１０ａ２１にはダミー間隙５２２ｚＡに隣接する列バンク５２２Ｙ以外に列バンクが存在しない構成を採る。
【０１６９】
さらに、変形例９に係る表示パネル１０Ｇでは、図２５に示すように、画素領域１０ａ１における間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲに対し、行方向における間隙５２２ｚＢの右方と間隙５２２ｚＲの右方に位置するダミー間隙５２２ｚＡが、画素領域１０ａ１のＹ方向の端部で接続されている構成を採る。すなわち、間隙５２２ｚＰは、ダミー発光層１２３Ａが形成されているダミー間隙５２２ｚＡによって取り囲まれている構成を採る。
【０１７０】
係る構成により、表示パネル１０Ｇでは、基板１００ｘ上の画素領域１０ａ１内の画素間隙５２２ｚＰに塗布された発光層１２３のインクが、画素領域１０ａ１の列方向の周辺部において溶媒の蒸発速度が相対的に大きく、列方向の周辺部から溶媒の乾燥は始まる現象を抑制できる。その結果、間隙５２２ｚＰにおいて、画素領域１０ａ１の列方向の周辺部において副画素内で列方向に発光層の膜厚のアンバランスが生じ、副画素電対として必要な平均膜厚が得られず副画素の輝度が低下することを抑制できる。特に、画素領域１０ａ１の列方向の周辺部において低視野角から視認したときに大きな輝度ばらつきが生じることを抑制できる。
【０１７１】
一方、変形例１０に係る表示パネル１０Ｈでは、図２６に示すように、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲは行方向に所定距離だけ離れて配されており、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲそれぞれの間に、所定の幅の非画素領域１０ａ２２が形成されている。係る構成により、表示パネル１０Ｈでは、表示パネルの裏側にある対象物（背景対象物）の像の視認性をさらに向上することができる。
【０１７２】
そして、画素領域１０ａ１における間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲにそれぞれ対し、行方向における間隙５２２ｚの両側に位置するダミー間隙５２２ｚＡが、画素領域１０ａ１のＹ方向の端部で接続されている構成を採る。すなわち、ダミー発光層１２３Ａが形成されているダミー間隙５２２ｚＡによって、間隙５２２ｚＢ、５２２ｚＧ、５２２ｚＲそれぞれが取り囲まれている構成を採る。係る構成により、表示パネル１０Ｈでは、画素領域１０ａ１の列方向の周辺部において低視野角から視認したときに大きな輝度ばらつきが生じることを抑制できる。
【０１７３】
＜回路構成＞
以下では、実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の回路構成について説明する。図２７に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有して構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とにより構成されている。
【０１７４】
表示パネル１０においては、複数の画素１００ｅが行列状に配されて表示領域を構成している。各画素１００ｅは、３個の各色有機ＥＬ素子１００、つまり、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の３色に発行する３個の副画素１００ｓｅから構成される。各副画素１００ｓｅの回路構成について説明する。図２８は、表示パネル１０の各副画素１００ｓｅに対応する各色有機ＥＬ素子１００における回路構成を示す回路図である。本実施の形態に係る表示パネル１０では、各副画素１００ｓｅが２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2と１つのキャパシタＣ、及び発光部としての有機ＥＬ素子部ＥＬとを有し構成されている。トランジスタＴｒ1は、駆動トランジスタであり、トランジスタＴｒ2は、スイッチングトランジスタである。
【０１７５】
スイッチングトランジスタＴｒ2のゲートＧ2は、走査ラインＶｓｃｎに接続され、ソースＳ２は、データラインＶｄａｔに接続されている。スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2は、駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1に接続されている。
【０１７６】
駆動トランジスタＴｒ1のドレインＤ1は、電源ラインＶａに接続されており、ソースＳ1は、有機ＥＬ素子部ＥＬの画素電極（アノード）に接続されている。有機ＥＬ素子部Ｅ
Ｌにおける対向電極（カソード）は、接地ラインＶｃａｔに接続されている。
【０１７７】
なお、キャパシタＣの第１端は、スイッチングトランジスタＴｒ2のドレインＤ2及び駆動トランジスタＴｒ1のゲートＧ1と接続され、キャパシタＣの第２端は、電源ラインＶａと接続されている。
【０１７８】
表示パネル１０においては、各副画素１００ｓｅのゲートＧ2からゲートラインが各々
引き出され、表示パネル１０の外部から接続される走査ラインＶｓｃｎに接続されている。同様に、各副画素１００ｓｅのソースＳ2からソースラインが各々引き出され表示パネ
ル１０の外部から接続されるデータラインＶｄａｔに接続されている。
【０１７９】
また、各副画素１００ｓｅの電源ラインＶａ及び各副画素１００ｓｅの接地ラインＶｃａｔは集約されて、有機ＥＬ表示装置１の電源ライン及び接地ラインに接続されている。
【０１８０】
＜まとめ＞
以上のとおり、実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネルは、透過型の表示パネル１０であって、光透過性の基板１００ｘと、基板上に、行方向に複数の有機ＥＬ素子１００を含む画素１００ｅが、列方向に複数個、列設された画素列１００ｅｌが、行方向に画素列の幅より大きい間隔を隔てて複数本、並設されてなる画素列群１００ｅｌｇと、を備え、ひとつの画素１００ｅに含まれる複数の有機ＥＬ素子１００は、それぞれが、発光色の異なる複数の有機発光材料の何れかを含み、基板１００ｘ上の間隔に相当する部分を基板の非画素領域１０ａ２とするとき、当該非画素領域１０ａ２における画素列１００ｅｌと行方向に隣り合う部分の上方には、複数の有機発光材料の何れかを含むダミー発光層１２３Ａが形成されている構成を採る。
【０１８１】
また、本開示の実施の形態に係る透過型の有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板１００ｘを準備する工程と、基板１００ｘ上方に、副画素電極１１９が列方向に複数個列設された副画素電極の列が、行方向に第１の間隔を隔てて並設された副画素電極の列群を、行方向に第１の間隔より広い第２の間隔を隔てて複数本、並設する工程と、基板上の副画素電極の列群が存在する部分では複数本の副画素電極の列それぞれを行方向に挟むように、基板上の第２の間隔に相当する部分では行方向における副画素電極のピッチで、基板上面に複数の列バンク５２２Ｙを列方向に延伸させて形成する工程と、隣り合った列バンク５２２Ｙの間のうち、副画素電極１１９が存在する画素間隙５２２ｚＰと、少なくとも画素間隙５２２ｚＰと行方向に隣り合う副画素電極１１９が存在しない非画素間隙５２２ｚＡとに、有機発光材料を含むインクを塗布する工程と、インクに含まれる溶媒を蒸発させて、画素間隙に発光層を、画素間隙５２２ｚＰと行方向に隣り合う非画素間隙５２２ｚＡにダミー発光層１２３Ａを形成する工程と、発光層１２３の上方に対向電極１２５を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０１８２】
係る構成により、透過型の有機ＥＬ表示パネルにおいて、基板内方の塗布領域における発光層の膜厚ムラの発生を抑制することができる。
【０１８３】
そのため、面内に膜厚のアンバランスの方向や程度が異なる副画素が混在することに起因して、低視野角から視認したときに副画素の膜厚のアンバランスの方向や程度に応じて大きな輝度ばらつきを抑制できる。
【０１８４】
その結果、低視野角からの視認性を高めることができる。よって、表示画像に対する視野角は看者と背景対象物との位置関係の影響により変動することに起因して、反射型の表示パネルに比べて低視野角における高い視認性が求められる透過型の表示パネルとして有効に利用できる。
【０１８５】
＜その他の変形例＞
実施の形態に係る表示パネル１０では、発光層１２３は、行バンク上を列方向に連続して延伸している構成としている。しかしながら、上記構成において、発光層１２３は、行バンク上において画素ごとに断続している構成としてもよい。
【０１８６】
表示パネル１０では、行方向に隣接する列バンク５２２Ｙ間の間隙５２２ｚに配された副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は互いに異なる構成とし、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じである構成とした。しかしながら、上記構成において、行方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色は同じであり、列方向に隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。また、行列方向の両方において隣接する副画素１００ｓｅの発光層１２３が発する光の色が互いに異なる構成としてもよい。
【０１８７】
実施の形態に係る表示パネル１０では、画素１００ｅには、赤色画素、緑色画素、青色画素の３種類があったが、本発明はこれに限られない。例えば、発光層が１種類であってもよいし、発光層が赤、緑、青、黄色に発光する４種類であってもよい。
【０１８８】
また、上記実施の形態では、画素電極１１９と対向電極１２５の間に、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１、発光層１２３及び電子輸送層１２４が存在する構成であったが、本発明はこれに限られない。例えば、ホール注入層１２０、ホール輸送層１２１及び電子輸送層１２４を用いずに、画素電極１１９と対向電極１２５との間に発光層１２３のみが存在する構成としてもよい。また、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを備える構成や、これらの複数又は全部を同時に備える構成であってもよい。また、これらの層はすべて有機化合物からなる必要はなく、無機物などで構成されていてもよい。
【０１８９】
また、上記実施の形態では、１つの副画素１００ｓｅに対して２つのトランジスタＴｒ1、Ｔｒ2が設けられてなる構成を採用したが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、１つのサブピクセルに対して１つのトランジスタを備える構成でもよいし、三つ以上のトランジスタを備える構成でもよい。
【０１９０】
さらに、上記実施の形態では、トップエミッション型のＥＬ表示パネルを一例としたが、本発明はこれに限定を受けるものではない。例えば、ボトムエミッション型の表示パネルなどに適用することもできる。その場合には、各構成について、適宜の変更が可能である。また、コロイド状量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｄｏｔ）を用いた量子ドットディスプレイ装置などに適用することもできる。
【０１９１】
≪補足≫
以上で説明した実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
【０１９２】
また、上記の工程が実行される順序は、本発明を具体的に説明するために例示するためのものであり、上記以外の順序であってもよい。また、上記工程の一部が、他の工程と同時（並列）に実行されてもよい。
【０１９３】
また、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【０１９４】
また、各実施の形態及びその変形例の機能のうち少なくとも一部を組み合わせてもよい。
【０１９５】
さらに、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１９６】
本開示の一態様に係る有機ＥＬ表示パネル、及び有機ＥＬ表示装置は、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの装置、又はその他表示パネルを有する様々な電子機器に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１９７】
１  有機ＥＬ表示装置
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ  有機ＥＬ表示パネル
１０ａ  画像表示領域
１０ａ１  画素領域
１０ａ２  非画素領域
１０ｂ  周辺領域
１００  有機ＥＬ素子
１００Ｒ、１００Ｂ、１００Ｇ  各色有機ＥＬ素子
１００ｓｅ  副画素
１００ｅ  画素（単位画素）
１００ｅｌ  画素列
１００ｅｌｇ  画素列群
１００ｘ  基板（ＴＦＴ基板）
１１８  平坦化層
１１９  画素電極（反射電極）
１２０  ホール注入層
１２１  ホール輸送層
５２２Ｙ  列バンク
５２２ｚ  間隙
５２２ｚＰ（５２２ｚＲ、５２２ｚＧ、５２２ｚＢ）  画素間隙
５２２ｚＡ  ダミー間隙
１２３（１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ）  発光層
１２３Ａ  ダミー発光層
１２４  電子輸送層
１２５  対向電極
１２６  封止層
１２７  接合層
１３０  上部基板
１３１  前面板
１３２  カラーフィルタ層
１３３  遮光層
【図１】
2020113529.tif 000004
【図２】
2020113529.tif 000005
【図３】
2020113529.tif 000006
【図４】
2020113529.tif 000007
【図５】
2020113529.tif 000008
【図６】
2020113529.tif 000009
【図７】
2020113529.tif 000010
【図８】
2020113529.tif 000011
【図９】
2020113529.tif 000012
【図１０】
2020113529.tif 000013
【図１１】
2020113529.tif 000014
【図１２】
2020113529.tif 000015
【図１３】
2020113529.tif 000016
【図１４】
2020113529.tif 000017
【図１５】
2020113529.tif 000018
【図１６】
2020113529.tif 000019
【図１７】
2020113529.tif 000020
【図１８】
2020113529.tif 000021
【図１９】
2020113529.tif 000022
【図２０】
2020113529.tif 000023
【図２１】
2020113529.tif 000024
【図２２】
2020113529.tif 000025
【図２３】
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【図２４】
2020113529.tif 000027
【図２５】
2020113529.tif 000028
【図２６】
2020113529.tif 000029
【図２７】
2020113529.tif 000030
【図２８】
2020113529.tif 000031