(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型化を可能にするとともに、飽和電流、インダクタンス、透磁率及びコアロス値に優れたコイル部品を提供する。【解決手段】コイル部品１０００は、互いに向かい合う一面１０５及び他面１０６並びに複数の壁面１０１、１０２〜を有し、一面１０５から他面１０６までの距離が０．６５ｍｍ以下（但し、０を除く）である本体１００と、本体１００に埋設されたコイル部３００と、を含む。本体１００は、下記化学式１で表されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末を含み、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末は、２０ｎｍ以下（但し、０を除く）の結晶粒を含む。［化学式１］ＦｅａＳｉｂＢｃＮｂｄＣｕｅ（ここで、７３原子％≦ａ≦７７原子％、１０原子％≦ｂ≦１４原子％、９原子％≦ｃ≦１１原子％、２原子％≦ｄ≦３原子％、０．５原子％≦ｅ≦１原子％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００を満たす）【選択図】図２
2020088379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに向かい合う一面及び他面、ならびに前記一面及び他面をそれぞれ連結する複数の壁面を有し、前記一面から前記他面までの距離が０．６５ｍｍ以下（但し、０を除く）である本体と、
前記本体に埋設されたコイル部と、を含み、
前記本体は、下記化学式１で表されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末を含み、
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末は、２０ｎｍ以下（但し、０を除く）の結晶粒（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒａｉｎ）を含む、コイル部品。
［化学式１］
ＦｅａＳｉｂＢｃＮｂｄＣｕｅ
（ここで、７３原子％≦ａ≦７７原子％、１０原子％≦ｂ≦１４原子％、９原子％≦ｃ≦１１原子％、２原子％≦ｄ≦３原子％、０．５原子％≦ｅ≦１原子％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００を満たす）
【請求項２】
前記結晶粒のサイズは１０ｎｍ以上である、請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末は、平均粒径が１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１または２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末は、ワーデルの球形度（Ｗａｒｄｅｌｌ'ｓ  ｓｐｈｅｒｉｃｉｔｙ）
【数１】
2020088379.tif 000012
が０．８以上１．０以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項５】
前記結晶粒はＦｅ３Ｓｉを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項６】
前記コイル部の両端部は、前記本体の複数の壁面のうち互いに向かい合う両端面にそれぞれ露出する、請求項１から５のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項７】
前記本体の両端面にそれぞれ形成され、前記コイル部の両端部とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極をさらに含む、請求項６に記載のコイル部品。
【請求項８】
前記本体に埋設された絶縁基板をさらに含み、
前記コイル部は、
前記絶縁基板の互いに向かい合う一面及び他面にそれぞれ配置された第１及び第２コイルパターンを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のコイル部品。
【請求項９】
前記第１及び第２コイルパターンのそれぞれの端部は、前記本体の複数の壁面のうち互いに向かい合う両端面に露出する、請求項８に記載のコイル部品。
【請求項１０】
前記本体の両端面にそれぞれ形成され、前記第１及び第２コイルパターンの両端部とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極をさらに含む、請求項９に記載のコイル部品。
【請求項１１】
前記本体にそれぞれ形成され、前記第１及び第２コイルパターンの両端部とそれぞれ連結される第１及び第２外部電極をさらに含み、
前記第１及び第２外部電極はそれぞれ、
前記本体の一面に互いに離隔配置された第１及び第２パッド部、及び前記本体の少なくとも一部を貫通して前記第１及び第２パッド部と前記第１及び第２コイルパターンの両端部とをそれぞれ連結する第１及び第２連結部を含む、請求項９に記載のコイル部品。
【請求項１２】
前記第１及び第２コイルパターンはそれぞれ、
前記絶縁基板に形成された第１導電層、及び前記第１導電層上に形成された第２導電層を含む、請求項８に記載のコイル部品。
【請求項１３】
前記第１及び第２導電層はそれぞれ銅（Ｃｕ）を含み、
前記第１導電層における銅の密度は、前記第２導電層における銅の密度よりも低い、請求項１２に記載のコイル部品。
【請求項１４】
本体、前記本体に埋設されたコイル部、及び前記本体の表面に形成され、前記コイル部の両端部とそれぞれ連結された第１及び第２外部電極を含むコイル部品であって、
前記コイル部品の厚さは０．６５ｍｍ以下（但し、０を除く）であり、
前記本体は下記化学式１で表されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末を含み、
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末は、２０ｎｍ以下（但し、０を除く）のＦｅ３Ｓｉ系結晶粒（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒａｉｎ）を含む、コイル部品。
［化学式１］
ＦｅａＳｉｂＢｃＮｂｄＣｕｅ
（ここで、７３原子％≦ａ≦７７原子％、１０原子％≦ｂ≦１４原子％、９原子％≦ｃ≦１１原子％、２原子％≦ｄ≦３原子％、０．５原子％≦ｅ≦１原子％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００を満たす）
【請求項１５】
前記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末の表面には絶縁コーティング層が形成される、請求項１４に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コイル部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コイル部品の一つであるインダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）は、抵抗（Ｒｅｓｉｓｔｏｒ）及びキャパシタ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とともに電子機器に用いられる代表的な受動電子部品である。
【０００３】
一方、電子機器が次第に高性能化し、小さくなるにつれて、電子機器に用いられるコイル部品も益々高性能化及び小型化している。
【０００４】
このため、コイル部品を製造する際に用いられる金属磁性粉末は、高透磁率及び低コアロスを有するようにする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２０１６−００１１６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明のいくつかの目的のうちの一つは、薄型化（Ｌｏｗ−ｐｒｏｆｉｌｅ）を可能にするとともに、飽和電流、インダクタンス、透磁率、コアロス値に優れたコイル部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面によると、互いに向かい合う一面及び他面、ならびに上記一面及び他面をそれぞれ連結する複数の壁面を有し、上記一面から上記他面までの距離が０．６５ｍｍ以下（但し、０を除く）である本体と、上記本体に埋設されたコイル部と、を含み、上記本体は、下記化学式１で表されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末を含み、上記Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末は、２０ｎｍ以下（但し、０を除く）の結晶粒（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒａｉｎ）を含む、コイル部品が提供される。
［化学式１］
ＦｅａＳｉｂＢｃＮｂｄＣｕｅ
（ここで、７３原子％≦ａ≦７７原子％、１０原子％≦ｂ≦１４原子％、９原子％≦ｃ≦１１原子％、２原子％≦ｄ≦３原子％、０．５原子％≦ｅ≦１原子％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００を満たす）
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施例によると、コイル部品を薄型化（Ｌｏｗ−ｐｒｏｆｉｌｅ）するとともに、コイル部品の飽和電流、インダクタンス、透磁率、及びコアロスを改善させることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施例によるコイル部品を概略的に示す図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図である。
【図４】図１のＡを拡大したものを示す図である。
【図５】図１のＡの変形例を示す図である。
【図６】本実施例による球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末の断面図である。
【図７】図６の変形例を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例によるコイル部品を概略的に示す図である。
【図９】図８を下部側から見たものを示す図である。
【図１０】コイル部を分解したものを示す図である。
【図１１】図８のＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本明細書で用いられた用語は、単に特定の実施例を説明するために使用されたものであって、本発明を限定する意図ではない。単数の表現は、文脈上明らかに異なる意味ではない限り、複数の表現を含む。本明細書において、「含む」又は「有する」などという用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定するためのものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。また、明細書全体において、「上に」とは、対象部分の上又は下に位置することを意味するものであり、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味するものではない。
【００１１】
また、組み合わせとは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素間の物理的に直接接触している場合だけを意味するのではなく、他の構成が各構成要素間に介在し、その他の構成が各構成要素間に介在して、その他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合までを包括する概念として使用する。
【００１２】
図面に示された各構成のサイズと厚さは、説明の便宜のために任意に示したものであるため、本発明は必ずしも図示されたものに限定されない。
【００１３】
図面において、Ｌ方向は第１方向又は長さ方向、Ｗ方向は第２方向又は幅方向、Ｔ方向は第３方向又は厚さ方向と定義することができる。
【００１４】
以下では、添付の図面を参照し、本発明の実施例よるコイル部品について説明する。添付図面を参照して説明するにあたり、同一であるか、又は対応する構成要素に対しては同一の図面符号を付与し、これに対する重複説明は省略する。
【００１５】
電子機器には、様々な種類の電子部品が用いられるが、このような電子部品の間には、ノイズ除去などを目的に、様々な種類のコイル部品が適切に用いられることができる。
【００１６】
すなわち、電子機器のコイル部品は、パワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、高周波インダクタ（ＨＦ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、通常のビーズ（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｂｅａｄ）、高周波用ビーズ（ＧＨｚ  Ｂｅａｄ）、コモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｌｔｅｒ）などで用いられることができる。
【００１７】
（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例によるコイル部品を概略的に示す図面であり、図２は図１のＩ−Ｉ'線に沿った断面を示す図であり、図３は図１のＩＩ−ＩＩ'線に沿った断面を示す図であり、図４は図１のＡを拡大したものを示す図であり、図５は図１のＡの変形例を示す図であり、図６は本実施例による球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末の断面図であり、図７は図６の変形例を示す図である。
【００１８】
図１から図７を参照すると、本発明の一実施例によるコイル部品１０００は、本体１００、絶縁基板２００、コイル部３００、及び外部電極４００、５００を含み、絶縁膜６００をさらに含むことができる。
【００１９】
本体１００は、本実施例によるコイル部品１０００の全体的な外観をなし、内部に絶縁基板２００及びコイル部３００を埋設する。
【００２０】
本体１００は、全体的に六面体状に形成することができる。
【００２１】
図１から図３を基準に、本体１００は、長さ方向Ｌにおいて向かい合う第１面１０１及び第２面１０２、幅方向Ｗにおいて向かい合う第３面１０３及び第４面１０４、厚さ方向Ｔにおいて向かい合う第５面１０５及び第６面１０６を含む。本体１００の第１面から第４面１０１、１０２、１０３、１０４はそれぞれ、本体１００の第５面１０５と第６面１０６を連結する本体１００の壁面に該当する。以下、本体１００の両端面は本体１００の第１面１０１及び第２面１０２を意味し、本体１００の両側面は本体１００の第３面１０３及び第４面１０４を意味し、本体１００の一面は本体１００の第６面１０６を意味し、本体１００の他面は本体１００の第５面１０５を意味することができる。なお、以下、本体１００の上面及び下面はそれぞれ図１から図３方向を基準に決定した本体１００の第５面１０５及び第６面１０６を意味することができる。
【００２２】
本体１００は、後述する外部電極４００、５００が形成された本実施例によるコイル部品１０００が、２．０ｍｍの長さ、１．２ｍｍの幅、及び０．６５ｍｍの厚さを有するように形成されることができるが、これに制限されるものではない。または、本体１００は、外部電極４００、５００が形成された本実施例によるコイル部品１０００が、２．０ｍｍの長さ、１．６ｍｍの幅、及び０．５５ｍｍの厚さを有するように形成されることができる。または、本体１００は、外部電極４００、５００が形成された本実施例によるコイル部品１０００が、２．０ｍｍの長さ、１．２ｍｍの幅、及び０．５５ｍｍの厚さを有するように形成されることができる。または、本体１００は、外部電極４００、５００が形成された本実施例によるコイル部品１０００が、１．２ｍｍの長さ、１．０ｍｍの幅、及び０．５５ｍｍの厚さを有するように形成されることもできる。但し、上述した本実施例によるコイル部品１０００のサイズは、例示的なものに過ぎないため、上述したサイズ以下のサイズで形成された場合を本発明の範囲から除外させることはない。
【００２３】
本体１００は、金属磁性粉末Ｐ及び絶縁樹脂Ｒを含むことができる。具体的には、本体１００は、絶縁樹脂Ｒ及び絶縁樹脂Ｒに分散した金属磁性粉末Ｐを含む磁性複合シートを一つ以上積層した後、磁性複合シートを硬化することにより形成することができる。
【００２４】
金属磁性粉末Ｐは、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅（Ｃｕ）、ホウ素（Ｂ）、及びニッケル（Ｎｉ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことができる。例えば、金属磁性粉末Ｐは、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金粉末であることができる。
【００２５】
図６を参照すると、本実施例に適用されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、内部に１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下のサイズ（ｄ）の結晶粒（Ｃｒｙｓｔａｌｅ  Ｇｒａｉｎ、ＣＧ）が形成されている。ナノスケールの結晶粒（ＣＧ）がＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐに形成されれば、金属磁性粉末Ｐが既に結晶粒（ＣＧ）を含む状態であるため、その後の熱処理工程において組織の結晶化（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）が抑制され、熱に対する安定性に優れる。また、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、結晶化した結晶粒（ＣＧ）を含むため、非晶質の金属磁性粉末に比べて比較的高い透磁率を示すことができる。尚、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、２０ｎｍ以下のサイズの結晶粒（ＣＧ）を含むため、結晶異方性が０に近くなり得る。したがって、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、非晶質の金属磁性粉末に比べて低コアロス（ｃｏｒｅ  ｌｏｓｓ）を実現することができる。
【００２６】
結晶粒（ＣＧ）は、ケイ化鉄（Ｆｅ３Ｓｉ）を含むことができる。ケイ化鉄（Ｆｅ３Ｓｉ）の結晶粒（ＣＧ）は、後述するＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐの製造方法による場合、急冷された磁性粉末を熱処理する際に、金属磁性粉末Ｐ内に形成されることができる。
【００２７】
本実施例に適用されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、下記化学式１で表されることができ、下記化学式１において、７３原子％＝ａ≦＝７７原子％、１０原子％＝ｂ≦＝１４原子％、９原子％＝ｃ≦＝１１原子％、２原子％＝ｄ≦＝３原子％、０．５原子％＝ｅ≦＝１原子％、及びａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＝１００を満たすことができる。
［化学式１］
ＦｅａＳｉｂＢｃＮｂｄＣｕｅ
【００２８】
この際、各元素の組成比に応じて透磁率を変化させることができ、透磁率の変化に応じてコイル部品のインダクタンスを調節することができる。
【００２９】
本実施例に適用されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、球状に形成されることができる。本実施例に適用される球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、１０μｍ以上５０μｍ以下の平均粒径で形成されることができる。また、球状により、パワーインダクタなどのコイル部品の製造時に、充填率（Ｐａｃｋｉｎｇ  Ｆａｃｔｏｒ）を高めることができる。このように高まった充填率により、本実施例によるコイル部品は、高透磁率を有することができる。一方、本明細書において、金属磁性粉末Ｐの平均粒径とは、Ｄ５０またはＤ９０の粒度分布による平均粒径を意味する。
【００３０】
粒子の形状が球状に近いかどうかを判断する指標として、ワーデルの球形度（Ｗａｒｄｅｌｌ'ｓ  ｓｐｈｅｒｉｃｉｔｙ）
【数１】
2020088379.tif 000003
が知られているが、ワーデルの球形度
【数１】
2020088379.tif 000004
とは、実際の粒子の表面積と実際の粒子と同一の体積を有する球の表面積の割合を意味し、下記数学式によって定義される。
【数２】
2020088379.tif 000005
【００３１】
一般に、任意の体積を有する粒子の中では、球状を有する粒子の表面積が最も小さい。ワーデルの球形度
【数１】
2020088379.tif 000006
では、一般の粒子は１以下の数値を有し、完全な球状では１に収束するようになる。
【００３２】
本実施例に適用される球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、ワーデルの球形度（Ｗａｒｄｅｌｌ'ｓ  ｓｐｈｅｒｉｃｉｔｙ）
【数１】
2020088379.tif 000007
が０．８以上であり、１．０以下の範囲を有することができる。
【００３３】
本実施例に適用される球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐがワーデルの球形度
【数１】
2020088379.tif 000008
を基準に０．８未満の場合には、金属粉末の充填率の向上効果が大きくなく、ワーデルの球形度
【数１】
2020088379.tif 000009
の定義に照らしてみると、１．０を超える球形度を有する球状の粉末は存在することができない。
【００３４】
本実施例に適用されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金材料を設ける段階、上記合金材料を溶融する段階と、上記溶融した合金材料をガス噴霧工程（ｇａｓ  ａｔｏｍｉｚｅ）で球状の金属磁性粉末を製造する段階、及び上記金属磁性粉末を熱処理してナノスケールの結晶粒を形成する段階を経て製造することができる。
【００３５】
Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金材料を設ける段階では、インゴット（ｉｎｇｏｔ）の形でＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金材料を設けることができるが、これに限定されるものではない。
【００３６】
合金材料を溶融する段階では、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金材料の融点（ｍｅｌｔｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ）以上の温度である１２５０℃以上の温度で加熱し、上記合金材料を溶融させるが、必要に応じて、１，６００℃まで温度を加えることができる。
【００３７】
溶融した合金材料をガス噴霧工程（ｇａｓ  ａｔｏｍｉｚｅ）で球状の金属磁性粉末を製造する段階では、溶融した合金材料を液滴（ｄｒｏｐｌｅｔ）の状態で流れる水の中に落下させて急冷させることで、球状の金属磁性粉末を形成するようになる。
【００３８】
ガス噴霧工程（ｇａｓ  ａｔｏｍｉｚｅ）装置は、溶融したＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系合金材料を含む貯蔵タンク、上記貯蔵タンクから落下する溶融した合金材料の液滴を受ける水槽、上記水槽内の水、上記溶融液滴の落下時に不活性ガスを吹き入れるノズル、及び上記水槽内で球状に形成された金属磁性粉末を回収する回収装置を含むことができる。
【００３９】
金属磁性粉末を熱処理してナノスケールの結晶粒を形成する段階では、球状に形成された金属磁性粉末を５２０℃〜５６０℃の温度で３０〜９０分間熱処理し、球状の金属磁性粉末にナノスケールの結晶粒を形成させることができる。
【００４０】
この際、熱処理温度及び熱処理時間は、金属磁性粉末の粒子サイズなどによって調節することができる。
【００４１】
図７を参照すると、本実施例の変形例に適用される金属磁性粉末Ｐ'は、表面を囲む絶縁コーティング層Ｃをさらに含むことができる。絶縁コーティング層Ｃは、電気的絶縁樹脂であるエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂を含むことができるが、これに制限されるものではない。
【００４２】
本体１００は、絶縁樹脂Ｒに分散した２種類以上の金属磁性粉末を含むことができる。本体１００が２種類以上の金属磁性粉末を含む場合、本体１００は、上述した本実施例に適用される金属磁性粉末Ｐを少なくとも一種含むことができる。ここで、金属磁性粉末が異なる種類を有するとは、絶縁樹脂Ｒに分散した金属磁性粉末が直径、組成、結晶性、及び形状のいずれかで互いに区別されることを意味する。一例として、本体１００は、直径が互いに異なる２以上の金属磁性粉末を含むことができる。
【００４３】
絶縁樹脂Ｒは、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶結晶性ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）などを単独または混合して含むことができるが、これに限定されるものではない。
【００４４】
本体１００は、後述するコイル部３００を貫通するコア１１０を含む。コア１１０は、磁性複合シートを積層及び硬化する工程において、磁性複合シートの少なくとも一部がコイル部３００の貫通孔を充填することによって形成されることができるが、これに制限されるものではない。
【００４５】
絶縁基板２００は本体１００に埋設される。絶縁基板２００は、後述するコイル部３００を支持する構成である。
【００４６】
絶縁基板２００は、エポキシ樹脂のような熱硬化性絶縁樹脂、ポリイミドのような熱可塑性絶縁樹脂、または感光性絶縁樹脂を含む絶縁物質で形成されるか、またはこれらの絶縁樹脂にガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸された絶縁物質で形成されることができる。一例として、絶縁基板２００は、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ）フィルム、ＰＩＤ（Ｐｈｏｔｏ  Ｉｍａｇｅａｂｌｅ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）フィルムなどの絶縁物質で形成されることができるが、これに制限されるものではない。
【００４７】
無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、タルク、泥、マイカ粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）、及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ３）からなる群より選択された少なくとも一つ以上が用いられることができる。
【００４８】
絶縁基板２００が補強材を含む絶縁物質で形成される場合、絶縁基板２００は、より優れた剛性を提供することができる。絶縁基板２００がガラス繊維を含まない絶縁物質で形成される場合、絶縁基板２００は、コイル部３００の全体の厚さを薄型化するのに有利である。絶縁基板２００が感光性絶縁樹脂を含む絶縁物質で形成される場合、コイル部３００を形成するための工程数が減り、生産コストの削減に有利であり、微細なビアを形成することができる。
【００４９】
コイル部３００は、絶縁基板２００に配置された平面らせん状のコイルパターン３１１、３１２を含み、本体１００に埋設され、コイル部品の特性を発現する。例えば、本実施例のコイル部品１０００がパワーインダクタとして活用される場合、コイル部３００は、電場を磁場で保存して出力電圧を維持することにより、電子機器の電源を安定させる役割を果たすことができる。
【００５０】
コイル部３００は、コイルパターン３１１、３１２及びビア３２０を含む。具体的には、図１、図２、及び図３の方向を基準に、本体１００の第６面１０６と向かい合う絶縁基板２００の下面に第１コイルパターン３１１が配置され、絶縁基板２００の上面に第２コイルパターン３１２が配置される。ビア３２０は、絶縁基板２００を貫通して第１コイルパターン３１１及び第２コイルパターン３１２にそれぞれ接触連結される。このようにすることにより、コイル部３００は、全体的にコア１１０を中心に一つ以上のターン（ｔｕｒｎ）を形成した一つのコイルとして機能することができる。
【００５１】
第１及び第２コイルパターン３１１、３１２はそれぞれ、コア１１０を軸に、少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成した平面らせん状を有するようになる。一例として、第１コイルパターン３１１は、図２の方向を基準に、絶縁基板２００の下面においてコア１１０を軸に少なくとも一つのターン（ｔｕｒｎ）を形成することができる。
【００５２】
第１及び第２コイルパターン３１１、３１２の端部はそれぞれ、後述する第１及び第２外部電極４００、５００と連結される。すなわち、第１コイルパターン３１１の端部は第１外部電極４００と連結され、第２コイルパターン３１２の端部は第２外部電極５００と連結される。
【００５３】
一例として、第１コイルパターン３１１の端部は本体１００の第１面１０１に露出し、第２コイルパターン３１２の端部は本体１００の第２面１０２に露出する。これにより、本体１００の第１面及び第２面１０１、１０２にそれぞれ配置された第１及び第２外部電極４００、５００と接触連結されることができる。
【００５４】
第１及び第２コイルパターン３１１、３１２はそれぞれ、絶縁基板２００に接触形成された第１導電層３１１ａ、３１２ａ、及び第１導電層３１１ａ、３１２ａに配置された第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを含む。すなわち、第１コイルパターン３１１は、図４及び図５の方向を基準に、絶縁基板２００の下面に接触形成された第１導電層３１１ａ、及び第１導電層３１１ａに配置された第２導電層３１１ｂを含み、第２コイルパターン３１２は、図４及び図５の方向を基準に、絶縁基板２００の上面に接触形成された第１導電層３１２ａ、及び第１導電層３１２ａに配置された第２導電層３１２ｂを含む。
【００５５】
第１導電層３１１ａ、３１２ａは、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを電解めっきで形成するためのシード層であってもよい。第２導電層３１１ｂ、３１２ｂのシード層である第１導電層３１１ａ、３１２ａは、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂに比べて薄く形成される。第１導電層３１１ａ、３１２ａは、スパッタリングなどの薄膜工程または無電解めっき工程で形成されることができる。第１導電層３１１ａ、３１２ａをスパッタリングなどの薄膜工程で形成した場合には、第１導電層３１１ａ、３１２ａを構成する物質の少なくとも一部が絶縁基板２００に浸透した形を有することができる。これは、絶縁基板２００において第１導電層３１１ａ、３１２ａを構成する金属物質の濃度が本体１００の厚さ方向Ｔに沿って異なり得ることが確認できる。
【００５６】
第１導電層３１１ａ、３１２ａの厚さは１．５μｍ以上３μｍ以下であってもよい。第１導電層３１１ａ、３１２ａの厚さを１．５μｍ未満とする場合には、第１導電層３１１ａ、３１２ａを実現することが難しい。これに対し、第１導電層３１１ａ、３１２ａの厚さが３μｍを超えると、限られた本体１００の体積内における第２導電層３１１ｂ、３１２ｂの体積を比較的大きく形成することが難しい。
【００５７】
図４を参照すると、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂは、第１導電層３１１ａ、３１２ａの側面の少なくとも一部を露出する。本実施例の場合には、絶縁基板２００の両面のそれぞれの全面に第１導電層３１１ａ、３１２ａを形成するためのシード膜を形成し、シード膜に第２導電層３１１ｂ、３１２ｂの形成のためのめっきレジストを形成し、電解めっきで第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを形成し、めっきレジストを除去した後、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂが形成されていないシード膜を選択的に除去することにより、第１導電層３１１ａ、３１２ａ及び第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを形成することができる。したがって、シード膜が選択的に除去されて形成された第１導電層３１１ａ、３１２ａの側面の少なくとも一部は、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂによってカバーされることなく露出する。シード膜は、絶縁基板２００に無電解めっきまたはスパッタリングを行うことにより形成することができる。または、シード膜は、銅箔積層板（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ、ＣＣＬ）の銅箔であってもよい。めっきレジストは、めっきレジスト形成用材料をシード膜に塗布した後、フォトリソグラフィ工程を行うことによって形成されることができる。フォトリソグラフィ工程後のめっきレジストは、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂが形成される領域に対応する開口を有することができる。シード膜の選択的除去は、レーザー工程及び／またはエッチング工程を用いて行うことができる。エッチングでシード膜を選択的に除去する場合、第１導電層３１１ａ、３１２ａの側面は、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂから絶縁基板２００に近いほど断面積が増加する形で形成されることができる。
【００５８】
図５を参照すると、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂは、第１導電層３１１ａ、３１２ａをカバーする。本変形例の場合、図４の場合とは異なり、絶縁基板２００の両面のそれぞれに平面らせん状の第１導電層３１１ａ、３１２ａを形成し、第１導電層３１１ａ、３１２ａに第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを電解めっきで形成する。第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを異方めっきで形成する場合、めっきレジストを用いなくてもよいが、これに制限されるものではない。すなわち、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを形成する場合、第２導電層を形成するためのめっきレジストを用いることができる。第２導電層を形成するためのめっきレジストには、第１導電層３１１ａ、３１２ａを露出するための開口が形成される。開口の直径は、第１導電層３１１ａ、３１２ａの線幅（Ｌｉｎｅ  Ｗｉｄｔｈ）よりも大きく形成されることができ、結果として、開口を充填する第２導電層３１１ｂ、３１２ｂは、第１導電層３１１ａ、３１２ａの側面をカバーすることができる。
【００５９】
ビア３２０は、少なくとも一つ以上の導電層を含むことができる。一例として、ビア３２０を電解めっきで形成する場合、ビア３２０は、絶縁基板２００を貫通するビアホールの内壁に形成されたシード層、及びシード層が形成されたビアホールを充填する電解めっき層を含むことができる。ビア３２０のシード層は、第１導電層３１１ａ、３１２ａと同一の工程でともに形成されて相互一体に形成されてもよく、第１導電層３１１ａ、３１２ａと異なる工程で形成されて両者の間に境界が形成されていてもよい。本実施例の場合には、ビア３２０のシード層及び第１導電層３１１ａ、３１２ａが互いに異なる工程で形成されて相互間に境界が形成され得る。
【００６０】
コイルパターン３１１、３１２の線幅（Ｌｉｎｅ  Ｗｉｄｔｈ）が大きすぎる場合には、同一の本体１００の体積内の磁性体体積が減少し、インダクタンスに悪影響を及ぼすことがある。制限されない一例として、コイルパターン３１１、３１２のアスペクト比（Ａｓｐｅｃｔ  Ｒａｔｉｏ、ＡＲ）は３：１〜９：１であることができる。
【００６１】
コイルパターン３１１、３１２及びビア３２０はそれぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、またはこれらの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。制限されない一例として、第１導電層３１１ａ、３１２ａをスパッタリングで形成し、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを電解めっきで形成する場合、第１導電層３１１ａ、３１２ａは、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、及びチタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つを含み、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂは、銅（Ｃｕ）を含むことができる。制限されない他の例として、第１導電層３１１ａ、３１２ａを無電解めっきで形成し、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを電解めっきで形成する場合、第１導電層３１１ａ、３１２ａ及び第２導電層３１１ｂ、３１２ｂはそれぞれ、銅（Ｃｕ）を含むことができる。この場合、第１導電層３１１ａ、３１２ａにおける銅（Ｃｕ）の密度は、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂにおける銅（Ｃｕ）の密度よりも低くてよい。
【００６２】
外部電極４００、５００は、本体１００の表面に配置され、コイル部３００の両端部とそれぞれ連結される。本実施例の場合、コイル部３００の両端部はそれぞれ、本体１００の第１面及び第２面１０１、１０２に露出する。これにより、第１外部電極４００は、第１面１０１に配置され、本体１００の第１面１０１に露出した第１コイルパターン３１１の端部と接触連結され、第２外部電極５００は、第２面１０２に配置され、本体１００の第２面１０３に露出した第２コイルパターン３１２の端部と接触連結されることができる。
【００６３】
外部電極４００、５００は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらのの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【００６４】
外部電極４００、５００は、単層または複数層の構造で形成されることができる。一例として、第１外部電極４００は、銅を含む第１層、第１層上に配置され、ニッケル（Ｎｉ）を含む第２層、及び第２層上に配置され、スズ（Ｓｎ）を含む第３層で構成されることができる。ここで、第１層から第３層はそれぞれ、めっきで形成されてもよいが、これに制限されるものではない。他の例として、第１外部電極４００は、導電性粉末と樹脂を含む樹脂電極層、及び樹脂電極層上にめっき形成されためっき層を含むことができる。この場合、樹脂電極層は、銅（Ｃｕ）及び銀（Ａｇ）のうち少なくとも一つの導電性粉末、及び熱硬化性樹脂の硬化物を含むことができる。また、めっき層は、ニッケル（Ｎｉ）を含む第１めっき層、及びスズ（Ｓｎ）を含む第２めっき層を含むことができる。
【００６５】
絶縁膜６００は、絶縁基板２００及びコイル部３００に形成されることができる。絶縁膜６００は、コイル部３００を本体１００から絶縁させるためのものであって、パリレンなどの公知の絶縁物質を含むことができる。絶縁膜６００に含まれる絶縁物質は、いかなるものであってもよく、特に制限されない。絶縁膜６００は、気相蒸着などの方法で形成することができるが、これに制限されるものではなく、絶縁フィルムを絶縁基板２００の両面に積層することにより形成することもできる。前者の場合、絶縁膜６００は、絶縁基板２００及びコイル部３００の表面に沿ってコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜の形で形成されることができる。後者の場合、絶縁膜６００は、コイルパターン３１１、３１２の隣接したターンとターンとの間の空間を満たす形で形成されることができる。一方、上述した説明のように、第２導電層３１１ｂ、３１２ｂを形成するために、めっきレジストを絶縁基板２００に形成することができる。かかるめっきレジストは、除去されない永久レジストであることができる。この場合、絶縁膜６００は、永久レジストのめっきレジストであることができる。一方、本発明において、絶縁膜６００は、選択的な構成であるため、本実施例によるコイル部品１０００の動作条件で、本体１００が十分な絶縁抵抗を確保することができれば、絶縁膜６００は省略してもよい。
【００６６】
実験例１
Ｆｅ７３．５Ｓｉ１３．５Ｂ９Ｎｂ３Ｃｕ１組成の合金材料を溶融し、ガス噴霧工程（ｇａｓ  ａｔｏｍｉｚｅ）を用いて球状の金属磁性粉末Ｐを製造した後、５２５℃の温度で３０分間熱処理して球状の金属磁性粉末のナノスケールの結晶粒（ＣＧ）を形成する。
【００６７】
ナノスケールの結晶粒（ＣＧ）が形成された球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末をエポキシ（ｅｐｏｘｙ）系樹脂に分散して磁性複合シートを製造する。
【００６８】
次に、絶縁基板に、薄膜工程を用いて第１及び第２コイルパターンを含むコイル部を形成する。
【００６９】
コイル部が形成された絶縁基板の両面に磁性複合シートを積層し、厚さ０．６ｍｍの本体を形成する。
【００７０】
実験例２
Ｆｅ７３．５Ｓｉ１３．５Ｂ９Ｎｂ３Ｃｕ１組成の合金材料を溶融し、ガス噴霧工程（ｇａｓ  ａｔｏｍｉｚｅ）を用いて球状の金属磁性粉末を製造する。
【００７１】
球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末をエポキシ（ｅｐｏｘｙ）系樹脂に分散して磁性複合シートを製造する。
【００７２】
次に、絶縁基板に、薄膜工程を用いて第１及び第２コイルパターンを含むコイル部を形成する。
【００７３】
コイル部が形成された絶縁基板の両面に磁性複合シートを積層し、厚さ０．６ｍｍの本体を形成する。
【００７４】
一方、上記実験例１及び２において、コイル部は、ターン数、コイルパターンの厚さ、コイルパターンの線幅（Ｌｉｎｅ  Ｗｉｄｔｈ）、コイルパターンのピッチ（Ｐｉｔｃｈ）がすべて同一となるように製作された。
【００７５】
実験例１及び２によって製造された本体に対して、インピーダンスアナライザ（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）でインダクタンス及び透磁率を測定し、ＢＨアナライザ（ＢＨ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）でコアロスを測定する。
【００７６】
実験周波数は３ＭＨｚである。
【００７７】
【表１】
2020088379.tif 000010
【００７８】
表１を参照すると、実験例１、すなわち、内部にナノ結晶粒が形成された球状のＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末を用いたコイル部品の場合には、インダクタンス及び透磁率が最も高く、コアロスも最も低いことが分かる。
【００７９】
一方、上記本実施例及び実験例は、本発明が薄膜型コイル部品であることを前提としたが、これは、説明の便宜のためのものに過ぎない。したがって、本発明の内部にナノ結晶粒が形成されたＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、薄膜型コイル部品だけでなく、巻線型コイル部品の磁性コア及び／または本体を形成することにも用いることができる。
【００８０】
コイル部品が薄型化するほど、コイル部品内における磁性体の総体積は減少せざるを得ないため、容量の実現が困難になる可能性がある。これを解決するために、コイル部品内の磁性粉末のサイズを増加させることができるが、この場合、磁性粉末のサイズ増加に伴う渦電流（ｅｄｄｙ  ｃｕｒｒｅｎｔ）が増加するため副作用が発生する。
【００８１】
本実施例の場合には、本体１００が、内部にナノ結晶粒（ＣＧ）が形成されたＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐを含むことにより、本体１００の厚さを抑えるとともに、高透磁率を実現することができ、結果として、コイル部品１０００の容量を実現することができる。また、本実施例に適用されるＦｅ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎｂ−Ｃｕ系金属磁性粉末Ｐは、内部にナノスケールの結晶粒（ＣＧ）が形成されるため、従来の金属磁性粉末に比べてサイズを増加させることなく、容量の実現が可能となる。これにより、渦電流などによるコアロスを低減させることができる。
【００８２】
実験例３から９
表２は、金属磁性粉末の粒径と本体の厚さによる金属磁性粉末の充填率、インダクタンス、透磁率、及びコアロスを示したものである。
【００８３】
実験例３から９は、実験例１と同一の条件で球状の金属磁性粉末を形成するが、金属磁性粉末の粒径（Ｄ５０）、及び本体の厚さを変化させたものである。
【００８４】
一方、上記実験例３から９において、コイル部は、ターン数、コイルパターンの厚さ、コイルパターンの線幅（Ｌｉｎｅ  Ｗｉｄｔｈ）、コイルパターンのピッチ（Ｐｉｔｃｈ）がすべて同一となるように製作された。
【００８５】
実験例３から９で製造された本体に対して、インピーダンスアナライザ（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）でインダクタンス及び透磁率を測定し、ＢＨアナライザ（ＢＨ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）でコアロスを測定する。
【００８６】
実験周波数は３ＭＨｚである。
【００８７】
【表２】
2020088379.tif 000011
【００８８】
表２を参照すると、実験例４から６はそれぞれ、本体の厚さが０．６５ｍｍ以下であり、金属磁性粉末の粒径が１０μｍ〜１８μｍである場合である。
【００８９】
実験例４から６はそれぞれ、実験例３と比較すると、充填率、インダクタンス、及び透磁率を向上させることができる。また、実験例４から６はそれぞれ、実験例７に比べてコアロスを減少させることができ、実験例８及び９に比べて本体の厚さを薄くすることができる。
【００９０】
すなわち、実験例４から６はそれぞれ、実験例３、及び７から９と比較して本体の厚さを薄くすることができるとともに、充填率、インダクタンス、透磁率、及びコアロス特性を向上させることができる。
【００９１】
（第２実施例）
図８は本発明の第２実施例によるコイル部品を概略的に示す図であり、図９は図８を下部側から見たものを示す図であり、図１０はコイル部を分解したものを示す図であり、図１１は図８のＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った断面を示す図である。
【００９２】
図１から図１１を参照すると、本実施例によるコイル部品２０００は、本発明の第１実施例によるコイル部品１０００と比較すると、コイル部３００及び外部電極４００、５００が異なる。したがって、本実施例を説明するにあたり、本発明の第１実施例とは異なるコイル部３００及び外部電極４００、５００についてのみ説明する。本実施例の残りの構成に対しては、本発明の第１実施例における説明がそのまま、または変形されて適用されることができる。
【００９３】
本実施例に適用されるコイル部３００は、コイルパターン３１１、３１２、引出パターン３３１、３３２、補助引出パターン３４１、３４２、及びビア３２１、３２２、３２３を含む。
【００９４】
具体的には、図８、図１０及び図１１の方向を基準に、本体１００の第６面１０６と向かい合う絶縁基板２００の下面に、第１コイルパターン３１１、第１引出パターン３３１、及び第２引出パターン３３２が配置され、絶縁基板２００の下面と向かい合う絶縁基板２００の上面に、第２コイルパターン３１２、第１補助引出パターン３４１、及び第２補助引出パターン３４２が配置される。本実施例の第１及び第２引出パターン３３１、３３２は、上述した第１実施例の第１及び第２コイルパターン３１１、３１２の両端部と同様に、外部電極４００、５００と接触連結される構成である。
【００９５】
図８及び図１０を参照すると、絶縁基板２００の下面における第１コイルパターン３１１は、第１引出パターン３３１と接触連結され、第１コイルパターン３１１及び第１引出パターン３３１はそれぞれ、第２引出パターン３３２と離隔される。また、絶縁基板２００の上面における第２コイルパターン３１２は、第２補助引出パターン３４２と接触連結され、第２コイルパターン３１２及び第２補助引出パターン３４２はそれぞれ、第１補助引出パターン３４１と離隔される。また、第１ビア３２１は、絶縁基板２００を貫通して第１コイルパターン３１１及び第２コイルパターン３１２にそれぞれ接触し、第２ビア３２２は、絶縁基板２００を貫通して第１引出パターン３３１及び第１補助引出パターン３４１にそれぞれ接触し、第３ビア３２３は、絶縁基板２００を貫通して第２引出パターン３３２及び第２補助引出パターン３４２にそれぞれ接触する。このようにすることにより、コイル部２００は、全体的に一つのコイルとして機能することができる。
【００９６】
引出パターン３３１、３３２及び補助引出パターン３４１、３４２はそれぞれ、本体１００の両端面１０１、１０２に露出する。すなわち、第１引出パターン３３１及び第１補助引出パターン３４１はそれぞれ本体１００の第１面１０１に露出し、第２引出パターン３３２及び第２補助引出パターン３４２はそれぞれ本体１００の第２面１０２に露出する。
【００９７】
コイルパターン３１１、３１２、ビア３２１、３２２、３２３、引出パターン３３１、３３２、及び補助引出パターン３４１、３４２のうち少なくとも一つは、少なくとも一つ以上の導電層を含むことができる。
【００９８】
一例として、第２コイルパターン３１２、補助引出パターン３４１、３４２、及びビア３２１、３２２、３２３を絶縁基板２００の他面にめっきで形成する場合、第２コイルパターン３１２、補助引出パターン３４１、３４２、及びビア３２１、３２２、３２３はそれぞれ無電解めっき層などのシード層と電解めっき層を含むことができる。ここで、電解めっき層は、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。多層構造の電解めっき層は、一方の電解めっき層を他方の電解めっき層がカバーするコンフォーマル（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）な膜構造で形成されてもよく、一方の電解めっき層の一面のみに他方の電解めっき層が積層された形状に形成されてもよい。第２コイルパターン３１２のシード層、補助引出パターン３４１、３４２のシード層、及びビア３２１、３２２、３２３のシード層は一体に形成され、相互間に境界が形成されなくてもよいが、これに制限されるものではない。また、第２コイルパターン３１２の電解めっき層、補助引出パターン３４１、３４２の電解めっき層、及びビア３２１、３２２、３２３の電解めっき層は一体に形成され、相互間に境界が形成されなくてもよいが、これに制限されるものではない。
【００９９】
コイルパターン３１１、３１２、引出パターン３３１、３３２、及び補助引出パターン３４１、３４２は、図８及び図１１を基準に、絶縁基板２００の下面及び上面からそれぞれ突出形成されることができる。他の例として、第１コイルパターン３１１及び引出パターン３３１、３３２は絶縁基板２００の下面に突出形成され、第２コイルパターン３１２及び補助引出パターン３４１、３４２は、絶縁基板２００の上面に埋め込まれ、第２コイルパターン３１２及び補助引出パターン３４１、３４２のそれぞれの上面が絶縁基板２００の上面に露出することができる。この場合、第２コイルパターン３１２及び／または補助引出パターン３４１、３４２の上面には凹部が形成され、第２コイルパターン３１２及び／または補助引出パターン３４１、３４２の上面と絶縁基板２００の上面は同一平面上に位置しなくてよい。他の例として、上述した他の例の逆の場合も可能である。
【０１００】
コイルパターン３１１、３１２、引出パターン３３１、３３２、補助引出パターン３４１、３４２、及びビア３２１、３２２、３２３はそれぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質で形成されることができるが、これに限定されるものではない。
【０１０１】
一方、図１０を参照すると、第１補助引出パターン３４１は、コイル部３００の残りの構成間の電気的な接続とは関わりがないため、本発明では省略することができる。但し、本体１００の第５面１０５と第６面１０６を区別する工程を省略するために、第１補助引出パターン３４１を形成することが好ましい。
【０１０２】
第１及び第２外部電極４００、５００はそれぞれ、本体１００の第６面１０６に互いに離隔配置された第１及び第２パッド部４１０、５１０、ならびに第１及び第２連結部４２０、５２０を含む。具体的には、第１外部電極４００は、本体１００の第６面１０６に形成された第１パッド部４１０、及び本体１００の少なくとも一部を貫通してコイル部３００の第１引出パターン３３１及び第１パッド部４１０にそれぞれ接触連結された第１連結部４２０を含む。第２外部電極５００は、本体１００の第６面１０６に形成された第２パッド部５１０、及び本体１００の少なくとも一部を貫通してコイル部３００の第２引出パターン３３２及び第２パッド部５１０にそれぞれ接触連結された第２連結部５２０を含む。
【０１０３】
第１及び第２パッド部４１０、５１０は、単層または複数層の構造で形成されることができる。一例として、第１パッド部４１０は、銅（Ｃｕ）を含む第１層、第１層上に配置され、ニッケル（Ｎｉ）を含む第２層、及び第２層上に配置され、スズ（Ｓｎ）を含む第３層を含むことができる。
【０１０４】
第１及び第２連結部４２０、５２０は、本体１００の少なくとも一部を貫通する。すなわち、本実施例の場合、本体１００の表面を介して、第１及び第２外部電極４００、５００と第１及び第２引出パターン３３１、３３２とを連結するのではなく、本体１００内に配置された第１及び第２連結部４２０、５２０を介して、第１及び第２パッド部４１０、５１０と第１及び第２引出パターン３３１、３３２とを連結する。
【０１０５】
第１及び第２連結部４２０、５２０はそれぞれ、コイル部３００から延長されることができる。一例として、第１及び第２連結部４２０、５２０は、第１及び第２引出パターン３３１、３３２上に開口を有するめっきレジストを形成した後、めっきレジストの開口を介して露出した第１及び第２引出パターン３３１、３３２からめっき成長することができる。または、第１及び第２連結部４２０、５２０はそれぞれ、本体１００を形成した後、本体１００の第６面側にビアホールを加工し、ビアホールに導電性物質を充填して形成することができる。前者の場合、第１及び第２引出パターン３３１、３３２が、第１及び第２連結部４２０、５２０のそれぞれを電解めっきで形成するにあたり、給電層として機能することができる。結果として、第１及び第２連結部４２０、５２０とコイル部３００の境界には、無電解めっき層などの別のシード層が存在しなくてもよいが、これに制限されるものではない。後者の場合、第１及び第２連結部４２０、５２０は、ビアホールの内面に形成されたシード層を含んでもよいが、これに制限されるものではない。すなわち、金属磁性粉末Ｐが電解めっき時のめっき電流及び電圧で十分な導電性を有することができれば、後者の場合でも、別のシード層が形成されなくてもよい。
【０１０６】
一方、図８などには、第１及び第２連結部４２０、５２０がそれぞれ、単一で形成され、円柱の形で形成されるように示されているが、これは図示及び説明の便宜のためのものに過ぎない。制限されない他の例として、第１連結部４２０は、複数で形成されることができ、それぞれが四角柱の形で形成されることができる。
【０１０７】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１０８】
１００  本体
１１０  コア
２００  絶縁基板
３００  コイル部
３１１、３１２  コイルパターン
３１１ａ、３１２ａ  第１導電層
３１１ｂ、３１２ｂ  第２導電層
３２０、３２１、３２２、３２３  ビア
３３１、３３２  引出パターン
３４１、３４２  補助引出パターン
４００、５００  外部電極
４１０、５１０  パッド部
４２０、５２０  連結部
６００  絶縁膜
Ｐ  金属磁性粉末
Ｒ  絶縁樹脂
ＣＧ  結晶粒
Ｃ  絶縁コーティング層
１０００、２０００  コイル部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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