(57)【要約】    【課題】本発明は、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができるダイシングテープ等を提供する。    【解決手段】本発明に係るダイシングテープは、基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である
ダイシングテープ。
【請求項２】
−５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上である
請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上である
請求項１または２に記載のダイシングテープ。
【請求項４】
室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が１．７以上である
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
【請求項５】
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である
ダイシングダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングテープやダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている。
前記ダイシングテープは基材層上に粘着剤層が積層されて構成されており、前記ダイシングダイボンドフィルムは、前記ダイシングテープの粘着剤層上にダイボンド層が剥離可能に積層されて構成されている。
【０００３】
そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべき半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼付された状態の半導体チップを被着体（例えば、実装基板等）に接着させるダイボンド工程と、を有する方法を採用することが知られている。
なお、前記カーフ維持工程においては、ダイシングテープに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープを熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持している。
また、前記エキスパンド工程では、前記ダイボンド層は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。
【０００４】
前記のようなダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップを得る方法において、特許文献１には、特定物性を有するダイシングテープ（−１０℃における初期弾性率が２００ＭＰａ以上３８０ＭＰａ以下、及び、−１０℃におけるＴａｎδ（損失弾性率／貯蔵弾性率）が０．０８０以上０．３以下のダイシングテープ）を用い、かつ、前記エキスパンド工程を−１５〜５℃の低温条件で行うことにより、前記エキスパンド工程において、前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性（例えば、割断のし易さや均一割断性など）を向上できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１８５５９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されたように、特定物性を有するダイシングテープを用い、かつ、前記エキスパンド工程を前記低温条件で行うことにより、前記半導体ウェハの割断性は向上されるものの、ダイシングテープ及びダイシングダイボンディングフィルムを用いて、低温条件下においてエキスパンドにより半導体ウェハを複数の半導体チップに割断する場合に、前記半導体ウェハの割断性をより一層向上させることが要望されている。
特に、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップ（例えば、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさの半導体チップ）に割断する場合に、前記半導体ウェハの割断性をより一層向上させることが要望されている。
【０００７】
そこで、本発明は、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができるダイシングテープ及びダイシングダイボンディングフィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが鋭意検討したところ、−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるダイシングテープ、及び、該ダイシングテープを備えるダイシングダイボンディングフィルムを用いることにより、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性がより一層向上されること、特に、小型の半導体チップへの割断性がより一層向上させることを見出して、本発明を想到するに至った。
【０００９】
即ち、本発明に係るダイシングテープは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。
【００１０】
斯かる構成によれば、前記ダイシングテープの−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるので、前記ダイシングテープを比較的大きな硬さを有するものとすることができる。
そのため、半導体ウェハに貼付して、低温条件（例えば、−１５℃〜５℃）下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド開始時において、前記ダイシングテープの全体に引張力を十分に加えることができる。
これにより、半導体ウェハを複数の半導体チップに割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップを得易くなる。
すなわち、半導体ウェハの割断性をより一層向上させることができる。
【００１１】
前記ダイシングテープにおいては、
−５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１２】
斯かる構成によれば、−５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であるので、半導体ウェハに貼付して、低温条件下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド中においてもダイシングテープを比較的大きな硬さを有するものとすることができる。
そのため、半導体ウェハを複数の半導体チップにより割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップをより得易くなる。
すなわち、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。
【００１３】
前記ダイシングテープにおいては、
室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００１４】
斯かる構成によれば、室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上であるので、半導体ウェハに貼付して、低温条件下において前記ダイシングテープをエキスパンして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド中においても、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。
また、割断された前記半導体チップ間のダイシングテープに生じた引張応力が、半導体チップ側に移行することを抑制することができる。
そのため、前記半導体チップの外周縁部分に比較的大きな力が加わって、前記半導体チップの外周縁部分が前記ダイシングテープの表面から浮き上がること（チップ浮き）を比較的抑制することができる。
【００１５】
前記ダイシングテープにおいては、
室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であることが好ましい。
【００１６】
斯かる構成によれば、室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であるので、半導体ウェハに貼付して、低温条件下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド中においても、半導体ウェハの割断性をさらに一層向上させることができる。
また、前記ダイシングテープに生じた引張応力が半導体チップ側に移行することが原因となるチップ浮きを比較的抑制することができる。
【００１７】
本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
基材層上に粘着剤層が積層されたダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備え、
−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。
【００１８】
斯かる構成によれば、半導体ウェハに貼付して、低温条件（例えば、−１５℃〜５℃）下において前記ダイシングテープをエキスパンドして前記半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断を行う場合に、エキスパンド開始時において、前記ダイシングテープの全体に引張力を十分に加えることができる。
これにより、半導体ウェハの割断性をより一層向上させることができることに加えて、ダイボンド層の割断性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができるダイシングテープ及びダイシングダイボンディングフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイシングテープの構成を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。
【図３Ａ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｂ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｃ】半導体集積回路の製造方法におけるバッググラインド加工の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｄ】半導体集積回路の製造方法におけるバッググラインド加工の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ａ】半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ｂ】半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ａ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ｂ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ｃ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図６Ａ】半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図６Ｂ】半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図７】半導体集積回路の製造方法におけるカーフ維持工程の様子を模式的に示す断面図。
【図８】半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
【００２２】
［ダイシングテープ］
図１に示したように、本実施形態に係るダイシングテープ１０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープであって、−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。
【００２３】
−５℃におけるダイシングテープ１０の引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であることにより、ダイシングテープ１０に貼付した半導体ウェハの割断性が向上する理由については、以下のように考えられる。
ダイシングテープ１０に貼付した半導体ウェハの、エキスパンドによる複数の半導体チップへの割断性（例えば、割断のし易さや均一割断性など）を向上させるためには、半導体ウェハの割断開始時に、ダイシングテープ１０の全体に引張力を十分に加える必要がある。
ここで、割断開始時にダイシングテープ１０が比較的軟らかい場合、すなわち、ダイシングテープ１０の引張貯蔵弾性率が比較的小さい場合には、割断開始時の引張力は、ダイシングテープ１０の外周縁部分から中央部分に近付くにつれてダイシングテープ１０に吸収されて次第に小さくなると考えられる。そのため、割断開始時の引張力を、ダイシングテープ１０の全体に十分に加えることは難しいと考えられる。
これに対し、本実施形態に係るダイシングテープ１０は、１００ＭＰａ以上という比較的大きな引張貯蔵弾性率を有しているので、割断開始時の引張力は、ダイシングテープ１０の外周縁部分から中央部分に近付くにつれてダイシングテープ１０に吸収され難くなっていると考えられる。そのため、割断開始時の引張力はダイシングテープ１０の全体に十分に加わるようになり、その結果、半導体ウェハを複数の半導体チップに割断し易くなるとともに、比較的均一に割断された半導体チップを得易くなる、すなわち、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができると考えられる。
【００２４】
なお、後述する実施例の項で説明するように、ダイシングテープ１０の−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であることにより、特に、半導体ウェハ（例えば、直径２００ｍｍ（８インチ）の半導体ウェハ）を小型の半導体チップ（例えば、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．５５ｍｍ）に割断するときの割断性をより一層向上させることができる。
その理由について、本発明者らは以下のように推察している。
同じ大きさの半導体ウェハを割断する場合、割断後の半導体チップの大きさが小さいほど、ハーフカット工程において、半導体ウェハに形成する溝（ライン）の間隔が狭くなることから、半導体ウェハに形成する溝の数は多くなる。その結果、エキスパンド工程における溝の伸び率が減少する。
したがって、エキスパンド工程において、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断したときに割断不良が生じることを抑制するためには、より少ない伸び率で高い応力を発生させる必要がある。
ここで、弾性率は、基材層を引っ張った時の伸び率（歪み量）に対する応力の傾きを意味することから、弾性率が高い方が、より少ない伸び率で高い応力を発生させることができると考えられる。
そして、ダイシングテープ１０を用いたエキスパンド工程では、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップに割断する際の割断性が良好であり、かつ、引張力によるダイシングテープ１０の破れが発生し難いという観点から、−５℃という温度を採用してエキスパンドを行うことが最適であるため、−５℃における引張貯蔵弾性率を１００ＭＰａ以上という比較的高い値とすることにより、より少ない伸び率で高い応力を発生することができると考えられる。
その結果、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断するときの割断性をより一層向上させることができると推察している。
【００２５】
本実施形態に係るダイシングテープ１０は、−５℃における引張貯蔵弾性率が４００ＭＰａ以下であることが好ましい。
これにより、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハの半導体チップへの割断時に、引張力によるダイシングテープ１０の破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、−５℃における引張貯蔵弾性率が４００ＭＰａ以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
【００２６】
−５℃における引張貯蔵弾性率は、以下のようにして求めることができる。
詳しくは、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍのダイシングテープを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、−５０〜１００℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定する。その際、−５℃での値を読み取ることにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。
【００２７】
本実施形態に係るダイシングテープ１０は、−５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
本実施形態に係るダイシングテープ１０は、−５℃における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。
これより、エキスパンド中において、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ１０をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、−５℃における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
【００２９】
本実施形態に係るダイシングテープ１０は、室温（２３℃）における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３０】
室温（２３℃）における３０％引張応力は３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。
これより、エキスパンド中において、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ１０をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、室温における３０％引張応力を３０Ｎ／１０ｍｍ以下とすることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
【００３１】
−５℃及び室温における３０％引張応力は、以下のようにして求めることができる。
詳しくは、長さ１００ｍｍ、幅１０ｍｍのダイシングテープを試験片とし、引張試験機（テンシロン万能試験機、島津製作所製）を用いて、測定温度（−５℃及び室温（２３℃±１℃）にて、チャック間距離５０ｍｍ及び引張速度１００ｍｍ／ｍｉｎの条件において、前記試験片を引っ張り、伸び率が３０％に達したとき（チャック間距離６５ｍｍ）の応力を測定することにより求めることができる。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。
【００３２】
本実施形態に係るダイシングテープ１０は、室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であることが好ましい。
【００３３】
本実施形態に係るダイシングテープ１０は、室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が３．０以下であってもよい。
これにより、エキスパンド中において、ダイシングテープ１０の全体に十分な引張力を加えつつ、ダイシングテープ１０を比較的伸ばし易くなるため、半導体ウェハに貼付したダイシングテープ１０をエキスパンドして、前記半導体ウェハを半導体チップに割断している間に、エキスパンドによるダイシングテープの破れを抑制しつつ、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
また、室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が３．０以下であることにより、特に、半導体ウェハから複数の小型の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
【００３４】
基材層１は、粘着剤層２を支持する。基材層１は、樹脂を含む。基材層１に含まれる樹脂としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及び、シリコーン樹脂等が挙げられる。
【００３５】
ポリオレフィンとしては、例えば、α−オレフィンのホモポリマー、２種以上のα−オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。
【００３６】
α−オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα−オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。
【００３７】
２種以上のα−オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１−ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１−ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１−ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体等が挙げられる。
【００３８】
１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。
【００３９】
ポリオレフィンは、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーと呼ばれるものであってもよい。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα−オレフィン三元共重合体が挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。
【００４０】
基材層１は、前記した樹脂を１種含むものであってもよいし、前記した樹脂を２種以上含むものであってもよい。
なお、粘着剤層２が後述する紫外線硬化粘着剤を含む場合、基材層１は、紫外線透過性を有するように構成されることが好ましい。
【００４１】
基材層１は、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。基材層１は、無延伸成形により得られてもよいし、延伸成形により得られてもよいが、延伸成形により得られることが好ましい。基材層１が積層構造である場合、基材層１は、エラストマーを含む層（以下、エラストマー層という）と非エラストマーを含む層（以下、非エラストマー層という）とを有することが好ましい。
基材層１をエラストマー層と非エラストマー層とを有するものとすることにより、エラストマー層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、基材層１に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、基材層１を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、基材層１が破れて破損することを抑制することができる。
なお、本明細書においては、エラストマー層とは、非エラストマー層に比べて室温での引張貯蔵弾性率が低い低弾性率層を意味する。エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下のものが挙げられ、非エラストマー層としては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。
【００４２】
エラストマー層は、１種のエラストマーを含むものであってもよいし、２種以上のエラストマーを含むものであってもよいが、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい。
非エラストマー層は、１種の非エラストマーを含むものであってもよいし、２種以上の非エラストマーを含むものであってもよいが、後述するメタロセンＰＰを含むことが好ましい。
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層とを有する場合、基材層１は、エラストマー層を中心層とし、該中心層の互いに対向する両面に非エラストマー層を有する三層構造（非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層）に形成されることが好ましい（図１参照）。なお、図１では、一方の非エラストマー層を第１樹脂層１ａとして示し、エラストマー層を第２樹脂層１ｂとして示し、他方の非エラストマー層を第３樹脂層１ｃとして示している。
【００４３】
また、前記したように、カーフ維持工程においては、室温（例えば２３℃）でエキスパンド状態を維持した前記ダイシングダイボンドフィルムに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当てて前記ダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた後、冷却固化させるため、基材層１の最外層は、ダイシングテープに当てられる熱風の温度に近い融点を有する樹脂を含んでいることが好ましい。これにより、熱風を当てることにより溶融した最外層をより迅速に固化させることができる。
その結果、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００４４】
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造であり、エラストマー層がα−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、非エラストマー層が後述するメタロセンＰＰなどのポリオレフィンを含む場合、エラストマー層は、該エラストマー層を形成するエラストマーの総質量に対して、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、エラストマー層と非エラストマー層との親和性が高くなるため、基材層１を比較的容易に押出成形することができる。また、エラストマー層を応力緩和層として作用させることができるので、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
【００４５】
基材層１がエラストマー層と非エラストマー層との積層構造である場合、基材層１は、エラストマーと非エラストマーとを共押出して、エラストマー層と非エラストマー層との積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材層１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。
【００４６】
積層構造をなす基材層１を共押出成形にて得る場合、前記エラストマー層及び前記非エラストマー層は加熱されて溶融された状態で接するため、前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかに過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかが熱劣化することによって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点となる前記エラストマーまたは前記非エラストマーのいずれかの粘度が過度に低下することにより前記エラストマー層と前記非エラストマー層との間に積層不良が生じることも抑制できる。前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記エラストマー及び前記非エラストマーの融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメンツ社製、型式ＤＳＣ  Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。
【００４７】
基材層１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材層１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材層１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製、型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
【００４８】
エラストマー層と非エラストマー層とを積層させた基材層１において、エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４以下であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。エラストマー層の厚さに対する非エラストマー層の厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハをより効率良く割断することができる。
【００４９】
エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。エラストマー層は、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じエラストマーを含んでいてもよいし、少なくも２層が異なるエラストマーを含んでいてもよい。
【００５０】
非エラストマー層は、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。非エラストマー層は、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。非エラストマー層が積層構造である場合、全ての層が同じ非エラストマーを含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる非エラストマーを含んでいてもよい。
【００５１】
非エラストマー層は、非エラストマーとして、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）を含むことが好ましい。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。非エラストマー層がメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＸＫ１２３３、ウィンテックＷＭＸ０３（いずれも、日本ポリプロ社製）が挙げられる。
【００５２】
ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。
【００５３】
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα−オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα−オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα−オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。
【００５４】
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の融点は、前記した方法によって測定することができる。
【００５５】
ここで、前記エラストマー層が基材層１の最外層に配されていると、基材層１をロール体とした場合に、最外層に配された前記エラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材層１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、前記した積層構造の基材層１の好ましい態様では、非エラストマー層／エラストマー層／非エラストマー層、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材層１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングテープ１０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。
【００５６】
前記非エラストマー層は、１００℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂を含むことが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
前記非エラストマー層が前記のごとき樹脂を含むことにより、カーフ維持工程において、非エラストマー層をより迅速に冷却固化することができる。そのため、ダイシングテープを熱収縮させた後に、基材層１が縮むことをより十分に抑制することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００５７】
粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、半導体チップに個片化するための半導体ウェハを粘着することにより保持する。
【００５８】
前記粘着剤としては、ダイシングテープ１０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。
【００５９】
粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングテープ１０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、半導体ウェハの割断により個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。これに対し、半導体ウェハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数の半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。
【００６０】
前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングテープ１０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。
【００６１】
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。
【００６２】
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。
【００６３】
前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
【００６４】
粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。
【００６５】
前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。
【００６６】
前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。
【００６７】
粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料、又は、染料などの着色剤等を含んでいてもよい。
【００６８】
粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００６９】
［ダイシングダイボンドフィルム］
次に、図２を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム２０について説明する。なお、ダイシングダイボンドフィルム２０の説明において、ダイシングテープ１０と重複する部分においては、その説明は繰り返さない。
【００７０】
図２に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材層１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３と、を備える。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。
ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上である。
【００７１】
ここで、一般に、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイボンド層３は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が０℃付近であるアクリル樹脂を含んでいることが多いため、エキスパンド工程の温度をアクリル樹脂のＴｇよりも低い温度にすることにより割れ易くなる。一方で、エキスパンド工程の温度を下げ過ぎると、ダイボンド層３の弾性率は、ダイボンド層３の割断性に支障をきたすほど上昇するようになる。そのため、ダイボンド層３の割断性の観点から、エキスパンド工程の温度は−５℃とすることが好適である。
したがって、ダイシングダイボンドフィルム２０を用いたエキスパンド工程では、先に説明したように、半導体ウェハを複数の小型の半導体チップに割断する際の割断性が良好であり、かつ、引張力によるダイシングテープ１０の破れが発生し難いという観点に加えて、ダイボンド層３の割断性の観点から、−５℃という温度を採用してエキスパンド工程を行うことが最適であると考えられる。
そのため、ダイシングダイボンドフィルム２０においても、−５℃における引張貯蔵弾性率を１００ＭＰａという比較的高い値とすることにより、より少ない伸び率で高い応力を発生することができると考えられる。
その結果、半導体ウェハを小型の半導体チップに割断するときの割断性をより一層向上させることができると推察される。
【００７２】
ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、−５℃における引張貯蔵弾性率が４００ＭＰａ以下であることが好ましい。
また、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、−５℃における３０％引張応力が５．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、室温における３０％引張応力が３．２Ｎ／１０ｍｍであることが好ましく、室温における３０％引張応力に対する−５℃における３０％引張応力の比が１．７以上であることが好ましい。
さらに、ダイシングダイボンドフィルム２０のダイシングテープ１０は、前記したように、−５℃における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましく、室温における３０％引張応力が３０Ｎ／１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００７３】
ダイボンド層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンド層３に熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンド層３に熱硬化性を付与することができる。
【００７４】
ダイボンド層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００７５】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。
【００７６】
エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。
【００７７】
ダイボンド層３が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。
【００７８】
ダイボンド層３は、樹脂成分の硬化反応を充分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。
【００７９】
ダイボンド層３は、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。
【００８０】
上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。
【００８１】
ダイボンド層３は、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。
【００８２】
ダイボンド層３の厚さは、４０μｍ以上であることが好ましく、６０μｍ以上であることがより好ましく、８０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、ダイボンド層３の厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、１６０μｍ以下であることがより好ましく、１２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００８３】
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材層１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。
【００８４】
半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。
【００８５】
ハーフカット工程では、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図３Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図３Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図３Ｂ参照）。バックグラインド工程では、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、半導体ウェハを研削して厚さを薄くする。詳しくは、溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図３Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図３Ｄ参照）。
【００８６】
マウント工程では、図４Ａ〜図４Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図４Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図４Ｂ参照）。
【００８７】
エキスパンド工程では、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図５Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば−２０〜５℃であり、好ましくは−１５〜０℃、より好ましくは−１０〜−５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図５Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図６Ａ〜図６Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップＷをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
ここで、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイシングテープ１０の−５℃における引張貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以上であるので、低温条件下において、エキスパンドによる半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより一層向上させることができる。
【００８８】
カーフ維持工程では、図７に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップＷ間の距離（カーフ）を維持する。
【００８９】
ピックアップ工程では、図８に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷをダイシングテープ１０の粘着剤層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＷを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。
【００９０】
ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷを被着体に接着させる。
なお、上記の半導体集積回路の製造においては、ダイシングダイボンドフィルム２０を補助具として用いる例について説明したが、ダイシングテープ１０を補助具として用いた場合にも、上記と同様にして半導体集積回路を製造することができる。
【００９１】
なお、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【実施例】
【００９２】
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【００９３】
［実施例１］
＜基材層の成形＞
２種３層押出Ｔダイ成形機を用いて、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の３層構造（Ｂ層を中心層とし、Ｂ層の両面に外層たるＡ層及びＣ層が積層された３層構造）を有する基材層を成形した。Ａ層及びＣ層の樹脂にはメタロセンＰＰ（商品名：ウィンテックＷＸＫ１２３３、日本ポリプロ社製）を用い、Ｂ層の樹脂にはＥＶＡ（商品名：エバフレックスＥＶ２５０、三井・デュポンポリケミカル社製）を用いた。
前記押出成形は、ダイス温度１９０℃で行った。すなわち、Ａ層、Ｂ層、及び、Ｃ層は１９０℃で押出成形された。押出成形により得られた基材層の厚さは１００μｍであった。なお、Ａ層、Ｂ層、及びＣ層の厚さの比（層厚比）は、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：１０：１であった。
成形された基材層を十分に固化させた後に、固化後の基材層をロール状に巻き取ってロール体とした。
＜ダイシングテープの作製＞
ロール状の基材層から基材層の一方の表面に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布した。粘着剤組成物塗布後の基材層を１１０℃で３分加熱乾燥し、粘着剤層を形成することにより、ダイシングテープを得た。
前記粘着剤組成物は、以下のようにして調製した。
まず、ＩＮＡ（イソノニルアクリレート）１７３質量部、ＨＥＡ（ヒドロキシエチルアクリレート）５４．５質量部、ＡＩＢＮ（２，２’−アゾビスイソブチロニトリル）０．４６質量部、酢酸エチル３７２質量部を混合して第１樹脂組成物を得た。
次に、丸底セパラブルフラスコ（容量１Ｌ）、温度計、窒素導入管、及び、撹拌翼が装備された重合用実験装置の前記丸底セパラブルフラスコ内に前記第１樹脂組成物を加え、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を常温（２３℃）として、前記丸底セパラブルフラスコ内を６時間窒素置換した。
引き続き前記丸底セパラブルフラスコ内に窒素を流入させた状態で、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を６２℃で３時間保持した後さらに７５℃で２時間保持して、前記ＩＮＡ、前記ＨＥＡ、及び、前記ＡＩＢＮを重合させて、第２樹脂組成物を得た。その後、前記丸底セパラブルフラスコ内への窒素の流入を停止した。
液温が常温となるまで前記第２樹脂組成物を冷却した後、前記第２樹脂組成物に、重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物として、２−イソシアナトエチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ（登録商標）」）５２．５質量部、及び、ジラウリン酸ジブチルスズＩＶ（和光純薬工業社製）０．２６質量部を加えて得た第３樹脂組成物を、大気雰囲気下にて、液温５０℃で２４時間撹拌した。
次に、前記第３樹脂組成物において、ポリマー固形分１００質量部に対してコロネートＬ（イソシアネート化合物）及びＯｍｎｉｒａｄ１２７（光重合開始剤）をそれぞれ０．７５質量部及び２質量部加えた後、酢酸エチルを用いて、固形分濃度が２０質量％となるように前記第３樹脂組成物を希釈して、粘着剤組成物を調製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−Ｐ３」、ガラス転移温度１２℃）１００質量部、エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ１００１」）４６質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」）５１質量部、球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）１９１質量部、及び、硬化触媒（四国化成工業社製、商品名「キュアゾールＰＨＺ」）０．６質量部を、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％のダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように前記ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記ダイボンド組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離シートが積層されていない側を貼り合せた後、前記剥離ライナーを前記ダイボンド層から剥離して、ダイボンド層を備えるダイシングダイボンドフィルムを得た。
【００９４】
上のようにして得たダイシングテープについて、以下のようにして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。また、エキスパンド時のダイシングダイボンドフィルムからのチップの浮き上がり（以下、チップ浮きという）、並びに、チップ及びダイボンド層の割断性（以下、割断性という）について評価した。
【００９５】
（−５℃における引張貯蔵弾性率）
実施例１に係るダイシングテープから、長さ４０ｍｍ（測定長さ）×幅１０ｍｍの試験片を切り出し、固体粘弾性測定装置（型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、−５０〜１００℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定し、その際、−５℃における引張弾性率の値を読み取ることにより、−５℃における引張貯蔵弾性率を求めた。
【００９６】
（−５℃及び室温における３０％引張応力）
実施例１に係るダイシングテープから、長さ１００ｍｍ×幅１０ｍｍの試験片を切り出し、引張試験機（テンシロン万能試験機、島津製作所製）を用いて、測定温度（−５℃及び室温）にて、チャック間距離５０ｍｍ及び引張速度１００ｍｍ／ｍｉｎの条件において、前記試験片を引っ張り、伸び率が３０％に達したとき（チャック間距離６５ｍｍ）の応力を測定した。
【００９７】
（チップ浮きの評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、半導体ウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後のチップ浮きについて評価した。ベアウェハは、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。
【００９８】
反りウェハは以下のようにして作製した。
まず、下記（ａ）〜（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の反り調整組成物を得た。
（ａ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−７０Ｌ」）：５質量部
（ｂ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ８２８」）：５質量部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＬＤＲ８２１０」）：１４質量部
（ｄ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＭＥＨ−８００５」）：２質量部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）：５３質量部
（ｆ）リン系触媒（ＴＰＰ−Ｋ）：１質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ２５μｍで塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記反り調整組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上に反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ（ＭＣＫ社製、型式ＭＲＫ−６００）を用いて、６０℃、０．１ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて１７５℃で１時間加熱して前記反り調整層における樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ（日東電工株式会社製、商品名「Ｖ−１２ＳＲ２」）を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハにダイシングリングを固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、型番６３６１）を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面（以下、一方面という）の全体に、この面から１００μｍの深さの溝を格子状（巾２０μｍ）に形成した。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼り合せ、反ったベアウェハの他方面（前記一方面と反対側の面）から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、反ったベアウェハの厚みが５５μｍ（０．０５５ｍｍ）となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。
【００９９】
チップ浮きは、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で、ベアウェハ及びダイボンド層を割断して、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量５ｍｍの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、ダイシングダイボンドフィルムの基材層表面について、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの浮きの状態を撮影し、二値化することにより、浮きの面積を算出した。そして、浮きの面積が４％未満の場合を〇と評価し、４％以上の場合を×と評価した。
【０１００】
（割断性の評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行った。
ベアウェハは、長さ３．２ｍｍ×幅１．４ｍｍ×厚さ０．０２５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
【０１０１】
割断性は、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１４ｍｍの条件でベアウェハ及びダイボンド層を割断し、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件でエキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの割断部を観察し、割断率を算出した。そして、割断率が９０％以上である場合を〇と評価し、割断率が９０％未満の場合を×と評価した。
【０１０２】
［実施例２］
基材層を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例２に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０３】
［実施例３］
基材層のＢ層（中心層）を構成するＥＶＡをエバフレックスＥＶ５５０（三井・デュポンポリケミカル社製）とし、基材層を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例３に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例３に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０４】
［実施例４］
Ｂ層の樹脂をプロピレン系エラストマー（商品名：ビスタマックス３９８０、エクソンモービルケミカル社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例４に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例４に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０５】
［実施例５］
基材層の厚さを８０μｍとし、基材層の層厚比を、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：４：１とした以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例５に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例５に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０６】
［実施例６］
基材層のＡ層及びＣ層（外層）を構成するメタロセンＰＰをウィンテックＷＭＸ０３（日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例６に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例６に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０７】
［実施例７］
基材層のＢ層を構成するＥＶＡ樹脂をウルトラセン６５１（東ソー社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例７に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例７に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０８】
［実施例８］
基材層を単層構造とし、基材層の厚さを１２５μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
基材層は、単層押出Ｔダイ成形機を用いて成形した。基材層の樹脂としては、プロピレン系エラストマー（商品名：ビスタマックス３９８０、エクソンモービルケミカル社製）を用いた。
また、実施例８に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例８に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１０９】
［実施例９］
基材層の厚さを１００μｍとした以外は、実施例８と同様にして、実施例９に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、実施例９に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、実施例９に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１１０】
［比較例１］
基材層の樹脂をエバフレックスＥＶ２５０（三井・デュポンポリケミカル社製）とした以外は、実施例８と同様にして、比較例１に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、比較例１に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１１１】
［比較例２］
基材層の厚さを１００μｍとした以外は、比較例１と同様にして、比較例２に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを得た。
また、比較例２に係るダイシングテープについて、実施例１と同様にして、−５℃における引張貯蔵弾性率、並びに、−５℃及び２３℃における３０％引張応力を測定した。
さらに、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した。
【０１１２】
各例に係るダイシングテープについて、−５℃における引張貯蔵弾性率、−５℃及び２３℃における引張応力を測定した結果とともに、各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、チップ浮き及び割断性について評価した結果を以下の表１に示した。
【０１１３】
【表１】
2020205415.tif 000003
【０１１４】
表１より、実施例１〜９に係るダイシングテープは、いずれも、−５℃における引張貯蔵弾性率の値が１００ＭＰａ以上を示しており、実施例１〜９に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に優れるものであることが分かる。
また、表１より、実施例１〜７に係るダイシングテープ、すなわち、基材層が３層構造であるダイシングテープを備える、実施例１〜７に係るダイシングダイボンドフィルムは、いずれも、チップ浮きを抑制できていることが分かる。
これに対し、比較例１及び２に係るダイシングテープは、いずれも、−５℃における引張貯蔵弾性率の値が１００ＭＰａを下回っており、比較例１及び２に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に劣るとともに、チップ浮きを抑制できていないことが分かる。
なお、表１に掲載した結果は、ダイシングダイボンドフィルムに関するものであるが、ダイシングダイボンドフィルムに含まれるダイシングテープにおいても、表１に示したものと同様の結果が得られると予想される。
【符号の説明】
【０１１５】
１  基材層
２  粘着剤層
３  ダイボンド層
１０  ダイシングテープ
２０  ダイシングダイボンドフィルム
１ａ  第１樹脂層
１ｂ  第２樹脂層
１ｃ  第３樹脂層
Ｇ  バックグラインドテープ
Ｈ  保持具
Ｊ  吸着治具
Ｐ  ピン部材
Ｒ  ダイシングリング
Ｔ  ウェハ加工用テープ
Ｕ  突き上げ部材
Ｗ  半導体ウェハ
【図１】
2020205415.tif 000004
【図２】
2020205415.tif 000005
【図３Ａ】
2020205415.tif 000006
【図３Ｂ】
2020205415.tif 000007
【図３Ｃ】
2020205415.tif 000008
【図３Ｄ】
2020205415.tif 000009
【図４Ａ】
2020205415.tif 000010
【図４Ｂ】
2020205415.tif 000011
【図５Ａ】
2020205415.tif 000012
【図５Ｂ】
2020205415.tif 000013
【図５Ｃ】
2020205415.tif 000014
【図６Ａ】
2020205415.tif 000015
【図６Ｂ】
2020205415.tif 000016
【図７】
2020205415.tif 000017
【図８】
2020205415.tif 000018