(57)【要約】【課題】成膜装置の全体的な工程時間を減らす。【解決手段】本発明の静電チャックを用いた被吸着体の吸着及びアライメント方法は、前記静電チャックに対し第１被吸着体が離れた状態で、前記静電チャックと前記第１被吸着体との間の相対位置ずれを調整するプリアライメント段階と、前記静電チャックにより第１被吸着体を吸着する段階と、前記プリアライメント時より前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が近接した位置で、前記静電チャックによって吸着された前記第１被吸着体と、第２被吸着体との間の相対位置ずれを調整するアライメント段階と、前記第１被吸着体に対する相対位置ずれが調整された前記第２被吸着体を、前記静電チャックにより前記第１被吸着体を介して吸着する段階とを含み、前記アライメント段階は、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が進行している途中に開始することを特徴とする。【選択図】図６
2020070490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックを用いた被吸着体の吸着及びアライメント方法であって、
前記静電チャックに対し第１被吸着体が離れた状態で、前記静電チャックと前記第１被吸着体との間の相対位置ずれを調整するプリアライメント段階と、
前記静電チャックにより第１被吸着体を吸着する段階と、
前記プリアライメント時より前記第１被吸着体と第２被吸着体が近接した位置で、前記静電チャックによって吸着された前記第１被吸着体と、前記第２被吸着体との間の相対位置ずれを調整するアライメント段階と、
前記第１被吸着体に対する相対位置ずれが調整された前記第２被吸着体を、前記静電チャックにより前記第１被吸着体を介して吸着する段階と、
を含み、
前記アライメント段階は、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が進行している途中に開始する
ことを特徴とする吸着及びアライメント方法。
【請求項２】
前記第１被吸着体を吸着する段階では、前記第１被吸着体の一領域から対向する他領域に向かって順次に前記第１被吸着体を前記静電チャックに吸着させ、
前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が、前記一領域から対向する他領域に向かう吸着進行方向に沿って進行され、前記第１被吸着体の概略半分の領域まで吸着された時点で、前記アライメント段階を開始する
ことを特徴とする請求項１に記載の吸着及びアライメント方法。
【請求項３】
前記第１被吸着体を吸着する段階では、前記第１被吸着体の一コーナー部から対向する他コーナー部に向かって順次に前記第１被吸着体を前記静電チャックに吸着させ、
前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が、前記一コーナー部から対向する他コーナー部に向かう吸着進行方向に沿って進行され、前記第１被吸着体の概略半分の領域まで吸着された時点で、前記アライメント段階を開始する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着及びアライメント方法。
【請求項４】
前記アライメントは、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体のそれぞれの４つのコーナー部に形成されたそれぞれのアライメント用マークを撮影した画像に基づいて行い、
前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が前記第１被吸着体の一コーナー部から対向する他コーナー部に向かって進行され、前記第１被吸着体の前記他コーナー部を除いた残りの３つのコーナー部に配置された前記アライメント用マークの形成領域まで吸着が進行された時点で前記アライメントを開始する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の吸着及びアライメント方法。
【請求項５】
前記第１被吸着体は基板であり、
前記第２被吸着体は前記基板に成膜される成膜パターンに対応する開口を有するマスクである
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の吸着及びアライメント方法。
【請求項６】
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する方法であって、
静電チャックを備える成膜装置内にマスクを搬入する段階と、
前記成膜装置内に基板を搬入する段階と、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の吸着及びアライメント方法を使用して、前記静電チャックに、第１被吸着体としての前記基板と、第２被吸着体としての前記マスクを、相互間の相対位置ずれを調整して吸着する段階と、
前記静電チャックに前記基板と前記マスクが吸着された状態で、蒸着材料を蒸発させて
、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する段階と、
を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
請求項６に記載の成膜方法を使用して電子デバイスを製造する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
第１被吸着体と、前記第１被吸着体を介して第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、
電極部を含み、前記電極部に印加される電圧制御により、前記第１被吸着体、及び前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する静電チャックと、
制御部と、
前記静電チャックに対して前記第１被吸着体が離れた状態で前記静電チャックと前記第１被吸着体との間の相対位置ずれを調整するプリアライメントと、前記プリアライメント時より前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が近接した位置で前記第１被吸着体と前記第２被吸着体との間の相対位置ずれを調整するアライメントを行うための位置調整機構と、を含み、
前記制御部は、前記プリアライメントが行われた後、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が進行している途中に前記アライメントを開始するように前記位置調整機構を制御する
ことを特徴とする吸着システム。
【請求項９】
前記制御部は、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着時に前記第１被吸着体の一領域から対向する他領域に向かって順次に前記第１被吸着体が前記静電チャックに吸着されるように制御し、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が前記一領域から対向する他領域に向かう吸着進行方向に沿って進行され、前記第１被吸着体の概略半分の領域まで吸着された時点で前記アライメントが開始されるように前記位置調整機構を制御する
ことを特徴とする請求項８に記載の吸着システム。
【請求項１０】
前記制御部は、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着時に前記第１被吸着体の一コーナー部から対向する他コーナー部に向かって順次に前記第１被吸着体が前記静電チャックに吸着されるように制御し、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が前記一コーナー部から対向する他コーナー部に向かう吸着進行方向に沿って進行され、前記第１被吸着体の概略半分の領域まで吸着された時点で前記アライメントが開始されるように前記位置調整機構を制御する
ことを特徴とする請求項８または９に記載の吸着システム。
【請求項１１】
前記アライメントは、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体のそれぞれの４つのコーナー部に形成されたそれぞれのアライメント用マークを撮影した画像に基づいて行われ、
前記制御部は、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が前記第１被吸着体の一コーナー部から対向する他コーナー部に向かって進行され、前記第１被吸着体の前記他コーナー部を除いた残りの３つのコーナー部に配置された前記アライメント用マークの形成領域まで吸着が進行された時点で前記アライメントを開始するように前記位置調整機構を制御する
ことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の吸着システム。
【請求項１２】
前記第１被吸着体は基板であり、
前記第２被吸着体は前記基板に成膜される成膜パターンに対応する開口を有するマスクである
ことを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の吸着システム。
【請求項１３】
基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
第１被吸着体である基板と第２被吸着体であるマスクを吸着するための吸着システムを含み、
前記吸着システムは、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の吸着システムである
ことを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、吸着及びアライメント方法、吸着システム、成膜方法、成膜装置及び電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。
【０００３】
上向き蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、蒸発源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着される。このような上向き蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度を落とす一つの要因となっている。上向き蒸着方式以外の方式の成膜装置においても、また、基板の自重による撓みが生じる可能性がある。
【０００４】
基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。
【０００５】
特許文献１（韓国特許公開公報２００７−００１０７２３号）では、静電チャックで基板及びマスクを吸着する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開第２００７−００１０７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、このように、静電チャックを使って、マスクおよび成膜対象である基板を吸着・密着させて成膜を行う方式において、特許文献１を含む従来技術では、基板とマスク間のアライメント開始タイミングの制御に関しては、十分検討されていなかった。
【０００８】
本発明は、静電チャックへの基板の吸着進行状態を考慮し、基板とマスク間のアライメントの開始タイミングを制御することによって、より短時間に成膜工程に進み、装置の全体的な工程時間（Ｔａｃｔ  ｔｉｍｅ）を減らすことを目的にする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による吸着及びアライメント方法は、静電チャックを用いた被吸着体の吸着及びアライメント方法であって、前記静電チャックに対し第１被吸着体が離れた状態で、前記静電チャックと前記第１被吸着体との間の相対位置ずれを調整するプリアライメント段階と、前記静電チャックにより第１被吸着体を吸着する段階と、前記プリアライメント時より前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が近接した位置で、前記静電チャックによって吸着された前記第１被吸着体と、第２被吸着体との間の相対位置ずれを調整するアライメント段階と、前記第１被吸着体に対する相対位置ずれが調整された前記第２被
吸着体を、前記静電チャックにより前記第１被吸着体を介して吸着する段階とを含み、前記アライメント段階は、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が進行している途中に開始することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一実施形態による成膜方法は、基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する方法であって、成膜装置内にマスクを搬入する段階と、成膜装置内に基板を搬入する段階と、前記本発明の一実施形態による吸着及びアライメント方法を使用して、前記静電チャックに、第１被吸着体としての前記基板と、第２被吸着体としての前記マスクを、相互間の相対位置ずれを調整して吸着する段階と、前記静電チャックに前記基板と前記マスクが吸着された状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する段階とを含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の一実施形態による電子デバイスの製造方法は、前記本発明の一実施形態による成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする。
【００１２】
本発明の一実施形態による吸着システムは、第１被吸着体と、前記第１被吸着体を介して第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、電極部を含み、前記電極部に印加される電圧制御を通じて、前記第１被吸着体、及び前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する静電チャックと、制御部と、前記静電チャックに対して前記第１被吸着体が離れた状態で前記静電チャックと前記第１被吸着体との間の相対位置ずれを調整するプリアライメントと、前記プリアライメント時より前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が近接した位置で前記第１被吸着体と前記第２被吸着体との間の相対位置ずれを調整するアライメントを行うための位置調整機構とを含み、前記制御部は、前記プリアライメントが行われた後、前記静電チャックによる前記第１被吸着体の吸着が進行している途中に前記アライメントを開始するように前記位置調整機構を制御することを特徴とする。
【００１３】
本発明の一実施形態による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、第１被吸着体である基板と第２被吸着体であるマスクを吸着するための吸着システムを含み、前記吸着システムは、前記本発明の一実施形態による吸着システムであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、静電チャックへの基板の吸着進行状態を考慮し、基板とマスク間のアライメントの開始タイミングを制御することによって、より短時間に成膜工程に進み、装置の全体的な工程時間（Ｔａｃｔ  ｔｉｍｅ）を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図及び模式図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｉ）は、本発明の一実施形態による成膜プロセスを示す工程図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）は、基板上に形成されるアライメントマークの例を、図５ｂは、マスク上に形成されるアライメントマークの例を示す図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、静電チャックへの基板吸着シーケンスの詳細工程を示す工程図である。
【図７】図７（ａ）、図７（ｂ）は、電子デバイスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１７】
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択することができる。基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択してもいい。
【００１８】
なお、本発明の技術は、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機発光素子、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機発光素子を形成する有機発光素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。
【００１９】
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、第４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や、第６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。
【００２０】
電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置の間を繋ぐ中継装置とを含む。
クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。
【００２１】
搬送室１３内には、基板およびマスクを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
【００２２】
成膜装置１１（蒸着装置とも呼ぶ）では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクを介して基板上に蒸着される。搬送ロボット１４での基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。
【００２３】
マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクス
トック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。
【００２４】
クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に伝達するパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に伝えるためのバッファー室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。
【００２５】
バッファー室１６とパス室１５との間には、基板の向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファー室１６から基板Ｓを受け取って、基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための、搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置と下流側のクラスタ装置で基板Ｓの向きが同じくなり、基板処理が容易になる。
【００２６】
パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７は、クラスタ装置間を連結する、いわゆる中継装置である。クラスタ装置の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室、バッファー室、旋回室のうち少なくとも１つを含む。
【００２７】
成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファー室１６、旋回室１７などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもいい。
【００２８】
本実施例では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装置やチャンバー間の配置が変わってもいい。
【００２９】
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。
＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。
【００３０】
成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、蒸発源２５とを含む。
【００３１】
基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送してくる基板Ｓを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。
基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３が設けられる。マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来るマスクＭを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）とも呼ぶ。
【００３２】
基板支持ユニット２２の上方には、基板を静電引力によって吸着し固定するための静電
チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。静電チャック２４がグラジエント力タイプの静電チャックであることによって、基板Ｓが絶縁性基板である場合であっても、静電チャック２４によって良好に吸着することができる。ただし、静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよい。静電チャック２４がクーロン力タイプの静電チャックである場合には、金属電極にプラス（＋）及びマイナス（−）の電圧が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板Ｓなどの被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これら間の静電引力によって基板Ｓが静電チャック２４に吸着固定される。また、静電チャック２４は、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよい。
【００３３】
静電チャック２４は、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもいい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を含み、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもいい。
【００３４】
本実施形態では、後述のように、成膜前に静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）だけでなく、マスクＭ（第２被吸着体）をも吸着し保持する。その後、静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を保持した状態で成膜を行い、成膜を完了した後には基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）に対する静電チャック２４による保持を解除する。
【００３５】
すなわち、本実施例では、静電チャック２４の鉛直方向の下側に置かれた基板Ｓ（第１被吸着体）を静電チャックで吸着及び保持し、その後、基板Ｓ（第１被吸着体）を挟んで静電チャック２４と反対側に置かれたマスクＭ（第２被吸着体）を、基板Ｓ（第１被吸着体）を介して静電チャック２４で吸着し保持する。そして、静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を保持した状態で成膜を行った後には、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を静電チャック２４から剥離する。
【００３６】
図２には示さなかったが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。
【００３７】
蒸発源２５は、基板に成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板に飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。蒸発源２５は、点（ｐｏｉｎｔ）蒸発源や線状（ｌｉｎｅａｒ）蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。
【００３８】
図２には示さなかったが、成膜装置１１は、基板に蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を含む。
真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９などが設けられる。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、あるいはモータとリニアガイドなどで構成される。基板Ｚアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。
【００３９】
位置調整機構２９は、静電チャック２４と基板Ｓ、および／または基板ＳとマスクＭ間の、位置ずれを調整（アライメント）するための駆動手段である。つまり、位置調整機構２９は、基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、静電チャック２４を水平面に平行な面内でＸ方向、Ｙ方向、θ方向のうちの少なくとも一つの方向に相対的に移動／回転させるための水平駆動機構である。なお、本実施形態では、基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３の水平面内での移動を規制し、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に移動させるように位置調整機構を構成している。しかし、本発明はこれに限定されず、静電チャック２４の水平方向への移動を規制し、基板支持ユニット２２とマスク支持ユニット２３をＸＹθ方向に移動させるように、位置調整機構を構成してもよい。
【００４０】
真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０ａ、２０ｂが設置される。アライメント用カメラ２０ａ、２０ｂによって撮影された画像から基板Ｓ上のアライメントマークとマスクＭ上のアライメントマークを認識することで、それぞれのＸＹ位置やＸＹ面内での相対ずれを計測することができる。
【００４１】
基板ＳとマスクＭとの間のアライメントは、大まかに位置合わせを行う第１位置調整工程である第１アライメント（「ラフアライメント（ｒｏｕｇｈ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）」とも称す）と、高精度に位置合わせを行う第２位置調整工程である第２アライメント（「ファインアライメント（ｆｉｎｅ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）」とも称す）の、２段階のアライメントにより実施することができる。この場合、低解像度だが広視野の第１アライメント用のカメラ２０ａと、狭視野だが高解像の第２アライメント用のカメラ２０ｂの２種類のカメラを用いるとよい。基板ＳとマスクＭのそれぞれについて、対向する一対の辺の２箇所に付されたアライメントマークを２台の第１アライメント用カメラ２０ａで測定し、基板Ｓ及びマスクＭの四隅に付されたアライメントマークを４台の第２アライメント用カメラ２０ｂで測定する。アライメントマーク及びその測定用カメラの数は、特に限定されず、例えば、ファインアライメントの場合、基板Ｓ及びマスクＭの対向する二隅に付されたマークを２台のカメラで測定するようにしても良い。
【００４２】
一方、後述するように、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる前に静電チャック２４と基板Ｓとの間の相対位置ずれを事前に調整するプリアライメントを行う場合には、静電チャック２４への基板吸着の後に行う前述の基板ＳとマスクＭ間の位置整列（アライメント）において、ラフアライメント段階は省略し、ファインアライメントに直ちに進むことにしてもよい。
【００４３】
本発明の実施形態では、この後者の構成に従って、プリアライメントを通じて基板Ｓと静電チャック２４との間の相対位置ずれを調整してから基板Ｓを静電チャック２４に吸着させ、静電チャック２４への基板吸着が進行された後にはファインアライメント工程のみで基板ＳとマスクＭ間の位置整列を行うことを前提として説明する。プリアライメントから成膜に至るまでの詳細工程については後述する。
【００４４】
成膜装置１１は、制御部（不図示）を具備する。制御部は、基板Ｓの搬送及びアライメント、蒸発源２５の制御、成膜の制御などの機能を有する。制御部は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部の機能はメモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍ
ａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。または、制御部の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
【００４５】
＜静電チャックシステム＞
図３（ａ）〜図３（ｃ）を参照して本実施形態による静電チャックシステム３０について説明する。図３（ａ）は、本実施形態の静電チャックシステム３０の概念的なブロック図であり、図３（ｂ）は、静電チャック２４の模式的な断面図であり、図３（ｃ）は、静電チャック２４の模式的な平面図である。
【００４６】
本実施形態の静電チャックシステム３０は、図３（ａ）に示したように、静電チャック２４と、電圧印加部３１と、電圧制御部３２とを含む。
電圧印加部３１は、静電チャック２４の電極部に静電引力を発生させるための電圧を印加する。
電圧制御部３２は、静電チャックシステム３０の吸着工程または成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電圧印加部３１により電極部に加えられる電圧の大きさ、電圧の印加開始時点、電圧の維持時間、電圧の印加順番などを制御する。電圧制御部３２は、例えば、静電チャック２４の電極部に含まれる複数のサブ電極部２４１〜２４９への電圧印加を、サブ電極部別に独立的に制御することができる。本実施形態では、電圧制御部３２が成膜装置１１の制御部とは別に設けられるが、本発明はこれに限定されず、電圧制御部３２が成膜装置１１の制御部に統合されてもいい。
【００４７】
静電チャック２４は、吸着面に被吸着体（例えば、基板Ｓ、マスクＭ）を吸着するための静電吸着力を発生させる電極部を含み、電極部は複数のサブ電極部２４１〜２４９を含むことができる。例えば、本実施形態の静電チャック２４は、図３（ｃ）に示したように、静電チャック２４の長手方向（Ｙ方向）および／または、静電チャック２４の短手方向（Ｘ方向）に沿って、分割された複数のサブ電極部２４１〜２４９を含む。
各々のサブ電極部は、静電吸着力を発生させるために、プラス（第１極性）及びマイナス（第２極性）の電圧が印加される電極対３３を含む。例えば、それぞれの電極対３３は、プラス電位を形成する電圧が印加される第１電極３３１と、マイナス電位を形成する電圧が印加される第２電極３３２とを含む。
【００４８】
第１電極３３１及び第２電極３３２は、図３（ｃ）に示したように、それぞれ櫛形形状を有する。例えば、第１電極３３１及び第２電極３３２は、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部とを含む。各電極３３１，３３２の基部は櫛歯部に電位を供給し、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電吸着力を生じさせる。一つのサブ電極部において、第１電極３３１の各櫛歯部は、第２電極３３２の各櫛歯部と対向するように、交互に配置される。このように、各電極３３１，３３２の各櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、異なる電圧が印加される電極間の間隔を狭くすることができ、大きな不平等電界を形成し、グラジエント力によって基板Ｓを吸着することができる。
【００４９】
本実施例においては、静電チャック２４のサブ電極部２４１〜２４９の各電極３３１，３３２が櫛形形状を有すると説明したが、本発明はそれに限定されず、被吸着体との間で静電引力を発生させることができる限り、多様な形状を持つことができる。
【００５０】
本実施形態の静電チャック２４は、複数のサブ電極部に対応する複数の吸着部を有する。例えば、本実施例の静電チャック２４は、図３（ｃ）に図示したように、９つのサブ電極部２４１〜２４９に対応する９つの吸着部を有するが、これに限定されず、基板Ｓの吸着をより精緻に制御するため、他の個数の吸着部を有してもいい。
【００５１】
複数の吸着部は、物理的に一つのプレートが複数の電極部を持つことで具現されてもよく、物理的に分割された複数のプレートそれぞれが一つまたはそれ以上の電極部を持つことで具現されてもいい。図３（ｃ）に示した実施例において、複数の吸着部それぞれが複数のサブ電極部それぞれに対応するように構成されてもよく、一つの吸着部が複数のサブ電極部を含むように構成されてもいい。
【００５２】
また例えば、電圧制御部３２によるサブ電極部２４１〜２４９への電圧の印加を制御することで、後述するように、基板Ｓの吸着進行方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に配置された３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７が一つの吸着部を成すようにすることができる。すなわち、３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７それぞれは、独立的に電圧制御が可能であるが、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７に同時に電圧が印加されるように制御することで、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７が一つの吸着部として機能するようにすることができる。複数の吸着部それぞれに独立的に基板の吸着が行われることができる限り、その具体的な物理的構造及び電気回路的構造は変わり得る。
【００５３】
＜アライメント方法および成膜プロセス＞
以下、図４を参照して、成膜装置１１内への基板Ｓ及びマスクＭの搬入から、アライメントを経て成膜が行われるまでの一連の工程を説明する。
【００５４】
マスクＭが真空容器２１内に搬入されてマスク支持ユニット２３に載置される（図４（ａ））。続いて、該マスクＭを使って蒸着材料が成膜される基板Ｓが真空容器２１内に搬入されて、基板支持ユニット２２の支持部上に載置される（図４（ｂ））。
【００５５】
この状態で、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる前に、静電チャック２４と基板支持ユニット２２に載置された基板Ｓとの間の位置ずれを調整するアライメントを行う（図４（ｃ））。つまり、搬送ロボット１４による基板Ｓ搬入の際、搬送誤差などで静電チャック２４と基板Ｓとの間の相対位置がずれる場合があるので、先ずこのような基板Ｓと静電チャック２４との間の相対位置ずれを調整してから、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる。成膜対象体である基板ＳとマスクＭ間の位置整列（アライメント）に先立って行われる、このような静電チャック２４に対する基板Ｓの位置合わせを「プリアライメント（ｐｒｅ−ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）」と称する。
【００５６】
基板Ｓのプリアライメント工程では、例えば、矩形の静電チャック２４のコーナー部と、基板Ｓに形成されたアライメントマークとを、アライメント用カメラで撮影し、静電チャック２４に対する基板Ｓの相対位置ずれ量を測定する。または、静電チャック２４側にもコーナー部にも静電チャックアライメントマークを形成し、これを基板アライメントマークと共に撮影し、相対位置ずれ量を測定してもよい。なお、プリアライメント工程でのアライメント用カメラとしては、カメラ２０ａ、２０ｂを用いてもよいし、プリアライメント用のカメラを設置しても良い。
静電チャック２４と基板Ｓの相対位置がずれていると判明すると、前述の位置調整機構２９を水平方向（ＸＹθ方向）に駆動させ、静電チャック２４と基板Ｓの水平方向（ＸＹθ方向）における相対位置を調整する。位置調整機構２９による位置調整は、前述したように、水平方向への移動が規制された基板支持ユニット２２に対し静電チャック２４をＸＹθ方向に移動させる方式であっても良く、逆に静電チャック２４の水平方向への移動を規制し、基板支持ユニット２２をＸＹθ方向に移動させる方式であってもよい。
【００５７】
静電チャック２４に対する基板Ｓの位置調整（基板プリアライメント）が完了すると、図４（ｄ）に示したように、静電チャック２４を静電チャックＺアクチュエータ２８によ
り下降させて、静電チャック２４に所定の電圧（ΔＶ１）を印加し、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる。
【００５８】
続いて、静電チャック２４への基板Ｓの吸着が進行する間に、図４（ｅ）〜図４（ｇ）に示すように、成膜対象である基板ＳとマスクＭ間の位置整列（アライメント）を行う。基板ＳとマスクＭ間のアライメントは、基本的には２段階の工程で行うことができる。このため、基板ＳとマスクＭにはそれぞれ、図５に示すように、所定の位置にアライメント用マークが形成されている。
【００５９】
まず、図４（ｅ）に示すように、基板ＳがマスクＭから離れた状態で、基板ＳとマスクＭにそれぞれ形成された第１アライメント用マーク（Ｐｓｒ、Ｐｍｒ；図５を参照）を第１アライメント用カメラ（２０ａ）で撮影し、その撮影画像に基づいてＸＹ面内（マスクＭの表面に平行な方向）における基板ＳとマスクＭの相対位置を大まかに調整するラフアライメント（第１アライメント）を行う。ラフアライメントに用いるカメラ２０ａは、大まかな位置合わせができるように、低解像だが広視野なカメラである。第１アライメント用マーク（Ｐｓｒ、Ｐｍｒ）と、これを撮影するためのカメラ２０ａは、基板ＳとマスクＭの概略短辺中央に該当する位置に設置されている。
【００６０】
ラフアライメントが完了すると、静電チャックＺアクチュエータ２８を駆動させ、静電チャック２４に吸着された基板ＳをマスクＭ側に下降させる（図４（ｆ））。このとき、基板Ｚアクチュエータ２６によって、基板支持ユニット２２を静電チャック２４の下降に合わせ共に下降させる。
【００６１】
静電チャック２４に吸着された基板Ｓが第２アライメント工程としてのファインアライメントを行うことができる計測位置まで下降した状態で、第２アライメント用カメラ（ファインアライメント用カメラ；２０ｂ）で基板ＳとマスクＭにそれぞれ形成された第２アライメント用マーク（Ｐｓｆ、Ｐｍｆ；図５参照）を撮影し、その相対位置ずれを調整する（図４（ｇ））。ファインアライメントに用いるカメラ２０ｂは、高精度の位置合わせができるように、狭視野だが高解像のカメラである。第２アライメント用マーク（Ｐｓｆ、Ｐｍｆ）及び、これを撮影するためのカメラ２０ｂは、基板ＳとマスクＭの概略４つのコーナー部に該当する位置に設置されている。
ファインアライメントを行う計測位置は、基板ＳがマスクＭに十分近接した位置に設定されることができ、例えば、基板Ｓの最下端部がマスクＭに一部接触される位置に設定されることができる。
【００６２】
以上のように、静電チャック２４への基板吸着後に行われる基板ＳとマスクＭ間のアライメントは、大まかな位置合わせ工程であるラフアライメントと高精度の位置合わせ工程であるファインアライメントとの２段階で実施することができる。ただし、前述のように、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる前に静電チャック２４と基板Ｓとの間の相対位置ずれを事前に調整するプリアライメントを行う場合には、静電チャック２４への基板吸着が開始した後に行う基板ＳとマスクＭ間のアライメントにおいて、ラフアライメント工程は省略し、ファインアライメント工程のみで位置整列をすることしてもよい。つまり、本発明の実施形態では、上述した図４（ａ）〜図４（ｇ）の工程において、静電チャック２４で基板Ｓを吸着する前に図４（ｃ）の基板プリアライメントを行うことを前提として、基板吸着が開始した後に行われる図４（ｅ）のラフアライメント工程は省略して、図４（ｆ）及び図４（ｇ）のファインアライメント工程に直ちに進むことにし、これによりアライメントに要する時間をより短縮することができる。
【００６３】
こうして、アライメントがすべて完了し、基板ＳとマスクＭの相対位置ずれが閾値以内に入ると、図４（ｈ）に示すように、静電チャックＺアクチュエータ２８を下降駆動させ
、静電チャック２４に吸着された基板ＳをマスクＭ上に載置させ、続いて、静電チャック２４に所定の電圧（ΔＶ２）を印加して、マスクＭを基板側に引き寄せ吸着することによって基板ＳとマスクＭを密着（合着）させる。
【００６４】
以上の過程を通じて、基板ＭとマスクＳ間のアライメント及び合着がすべて完了すると、蒸発源２５のシャッターを開けて、蒸発源２５から蒸発した蒸着材料を、マスクを介して基板の成膜面上に蒸着する（図４（ｉ））。
【００６５】
＜静電チャック２４への基板吸着電圧の印加、及びアライメント開始タイミングの制御＞
本発明は、以上で説明した成膜プロセスにおいて、基板ＳとマスクＭ間の相対位置ずれを調整するためのアライメントを、静電チャック２４に対する基板Ｓの吸着が行われる途中に開始することを特徴とする。以下、これを詳細に説明する。図６は、静電チャック２４に基板Ｓを吸着する図４（ｄ）の詳細工程を図示する。
【００６６】
本実施形態においては、基板Ｓの全体面が静電チャック２４の下面に同時に吸着されるのではなく、図６に示したように、静電チャック２４の対角線上の一コーナー部から対向する他コーナー部に向かって順次に基板Ｓの吸着が進行される。
【００６７】
これを実現するためには、静電チャック２４の複数のサブ電極部２４１〜２４９に基板吸着のための第１電圧を印加する順番を制御してもよく、複数のサブ電極部２４１〜２４９に同時に第１電圧を印加するが、基板Ｓを支持する基板支持ユニット２２の支持部の構造や支持力を異ならせてもいい。
図６では、静電チャック２４の複数のサブ電極部２４１〜２４９に印加される電圧の制御によって、基板Ｓを静電チャック２４に順次に吸着させる実施形態を示す。
【００６８】
ここでは、静電チャック２４の一コーナー部に配置されるサブ電極部２４７が第１吸着部（１）を成し、前記一コーナー部から対角線上の他コーナー部に向かう方向に前記第１吸着部に隣接して配置される２つのサブ電極部２４４、２４８が第２吸着部（２）を成し、引き続き、前記他コーナー部方向に上記第２吸着部に隣接して配置される３つのサブ電極部２４１、２４５、２４９が第３吸着部（３）を、前記第３吸着部に隣接して配置される２つのサブ電極部２４２、２４６が第４吸着部（４）を成し、最後に前記他コーナー部側に配置されるサブ電極部２４３が第５吸着部（５）を成すことを前提に説明する。
【００６９】
成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入され、基板支持ユニット２２の支持部に載置され、静電チャック２４が基板Ｓに十分に近接または接触する位置まで下降すると、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１吸着部（１）が位置する一コーナー部から対角線上の他コーナー部に向かう方向に、第２吸着部（２）、第３吸着部（３）、第４吸着部（４）及び第５吸着部（５）の順に基板吸着電圧（第１電圧；ΔＶ１）が順次印加されるよう制御する。
【００７０】
図６は、便宜上、第２吸着部（２）及び第４吸着部（４）に基板吸着電圧が印加される中間段階は図示を省略し、最初に第１吸着部（１）に第１電圧（ΔＶ１）が印加される状態を図６（ａ）で、次いで、一コーナー部から対角線上の他コーナー部に向かう方向における基板Ｓの概略半分に該当する領域である第３吸着部（３）に第１電圧（ΔＶ１）が印加される状態を図６（ｂ）で、最終的に対角線上の他コーナー部である第５吸着部（５）に第１電圧（ΔＶ１）が印加される状態を図６（ｄ）で示している。第１電圧（ΔＶ１）は、基板Ｓを静電チャック２４に確実に吸着させるために十分な大きさの電圧に設定される。
【００７１】
これにより、基板Ｓの静電チャック２４への吸着の際に、基板Ｓの第１吸着部（１）に対応する一方のコーナー部から吸着が開始され、基板Ｓの中央部を経て、第５吸着部（５）に対応する他方のコーナー部に向かって吸着が進行する。
図６の各右側図は、以上の各電圧印加段階での基板Ｓの吸着状態を概念的に示した上面図（静電チャック２４から見た上面図）である。各段階での基板の吸着領域を斜線で示している。
【００７２】
このような吸着方式によって、基板Ｓは、中央部にしわを残さず、平らに静電チャック２４に吸着される。
本発明では、このように、しわ防止のために、基板Ｓを一コーナー部から対角線方向の他コーナー部に向かって順次に静電チャック２４に吸着させるにあたって、吸着が途中まで行われた時点で、基板ＳとマスクＭ間の相対位置ずれを調整するためのアライメントを開始する。つまり、基板Ｓの一コーナー部から対角線上の他コーナー部に向かう方向に吸着が進行され、基板Ｓの概略半分に該当する第３吸着部（３）の領域まで吸着が行われた図６（ｂ）の時点で、図４（ｆ）及び図４（ｇ）で説明した基板ＳとマスクＭ間のファインアライメントを開始することを特徴とする。
【００７３】
前述したように、基板上のファインアライメント用マーク（Ｐｓｆ）と、これを撮影するためのカメラ２０ｂは、基板Ｓの４つのコーナー部に対応する位置に設置されているので、基板Ｓの一コーナー部から対角線上の他コーナー部に向かう方向に吸着が進行され、基板Ｓの概略半分に該当する第３吸着部（３）の領域まで吸着が行われた図６（ｂ）の時点では、ファインアライメント時に必要とされる基板Ｓ上の３コーナー部に形成されたファインアライメント用マーク（Ｐｓｆ）の位置が吸着により固定され、以降残りの吸着進行中にこれらのファインアライメント用マーク（Ｐｓｆ）の位置は変わらない。よって、ファインアライメント時に必要とされる３コーナー部のファインアライメントマーク（Ｐｓｆ）が吸着により位置固定される図６（ｂ）の時点でファインアライメントの動作を開始すれば、アライメントの精度は低下させずにアライメントの開始時期を早めることができる。したがって、より短時間内に成膜工程に進むことができ、装置の全体的な工程時間（Ｔａｃｔ  ｔｉｍｅ）を減らすことができる。
【００７４】
要するに、本発明では、静電チャック２４に基板Ｓの全面が完全に吸着された後に基板ＳとマスクＭ間のアライメントを行っていた通常の方法ではなく、静電チャック２４に対する基板Ｓの吸着が所定の方向に沿って順次に行われるように制御しつつ、その吸着進行方向と、基板上に形成されたアライメントマークの形成位置との相互関係を利用し、静電チャック２４への吸着が行われる途中にアライメントを開始することを特徴としている。
【００７５】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図７（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図７（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
【００７６】
図７（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも
１色以上であれば特に制限されるものではない。
【００７７】
図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【００７８】
図７（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されることができる。
【００７９】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および陽極６４が形成された基板６３を準備する。
【００８０】
陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、基板保持ユニット及び静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【００８１】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、基板保持ユニット及び静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスク上に載置して、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。
電子輸送層６７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。
【００８２】
本発明によると、このような有機ＥＬ表示素子の各有機層または、金属電極層を成膜す
る際に、成膜対象である基板ＳとマスクＭ間のアライメントを、静電チャック２４に対する基板Ｓの吸着が行われる途中に開始することによって、より短時間内に成膜工程に進むことができ、装置の全体的な工程時間（Ｔａｃｔ  ｔｉｍｅ）を減らすことができるようになる。
【００８３】
その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【００８４】
上記実施例は本発明の一例を示したものであり、本発明は上記実施例の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形しても良い。
【符号の説明】
【００８５】
１１：成膜装置
２０ａ，２０ｂ：アライメント用カメラ
Ｐｓｒ，Ｐｍｒ，Ｐｓｆ，Ｐｍｆ：アライメントマーク
２２：基板支持ユニット
２３：マスク支持ユニット
２４：静電チャック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2020070490.tif 000007
【図６】
2020070490.tif 000008
【図７】
2020070490.tif 000009