(57)【要約】【課題】貫通孔が適切に充填され、適切な厚さの配線層を得ることができる配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板は、コア層１１と、貫通孔１１ｘと、第１金属層５１と、第２金属層５２と、第３金属層５３と、第４金属層５４と、第５金属層５５と、第６金属層５６と、を有する。コア層１１の一方の面側には、コア層１１の一方の面側に設けられた第１金属層５１、第２金属層５２及び第５金属層５５を含む第１配線層２１が形成され、コア層１１の他方の面側には、コア層１１の他方の面側に設けられた第１金属層５１、第２金属層５２及び第６金属層５６を含む第２配線層２２が形成され、貫通孔１１ｘ内には、貫通孔１１ｘ内に設けられた第１金属層５１、第２金属層５２、第３金属層５３及び第４金属層５４を含む貫通配線１２が形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層と、
前記コア層の一方の面から前記コア層の他方の面に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔の内壁面を被覆すると共に、前記コア層の一方の面及び前記コア層の他方の面に延在する第１金属層と、
前記第１金属層上に形成されると共に、前記貫通孔の中央部を塞ぐ第２金属層と、
前記貫通孔の内側において、前記中央部より前記コア層の一方の面側の前記第２金属層上に選択的に形成され、前記貫通孔内を充填する第３金属層と、
前記貫通孔の内側において、前記中央部より前記コア層の他方の面側の前記第２金属層上に選択的に形成され、前記貫通孔内を充填する第４金属層と、
前記コア層の一方の面の前記第２金属層上及び前記第３金属層上に形成された第５金属層と、
前記コア層の他方の面の前記第２金属層上及び前記第４金属層上に形成された第６金属層と、
を有し、
前記コア層の一方の面側には、前記コア層の一方の面側に設けられた前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第５金属層を含む第１配線層が形成され、
前記コア層の他方の面側には、前記コア層の他方の面側に設けられた前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第６金属層を含む第２配線層が形成され、
前記貫通孔内には、前記貫通孔内に設けられた前記第１金属層、前記第２金属層、前記第３金属層及び前記第４金属層を含む貫通配線が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記貫通孔内において、前記第２金属層は前記貫通孔の内壁面に設けられた前記第１金属層を被覆すると共に前記貫通孔の中央部を塞いで形成され、
前記貫通孔内には、前記貫通孔の中央部を塞ぐ前記第２金属層を底部とし前記コア層の一方の面側に開口する第１凹部と、前記貫通孔の中央部を塞ぐ前記第２金属層を底部とし前記コア層の他方の面側に開口する第２凹部と、が形成され、
前記第３金属層は前記第１凹部を充填し、
前記第４金属層は前記第２凹部を充填することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第３金属層の平均結晶粒径及び前記第４金属層の平均結晶粒径は、前記第２金属層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記コア層の一方の面には第１金属箔が形成され、前記コア層の他方の面には第２金属箔が形成され、
前記貫通孔は、前記第１金属箔、前記コア層及び前記第２金属箔を貫通し、
前記第１金属層は、前記貫通孔の内壁面を被覆すると共に、前記第１金属箔上及び前記第２金属箔上に延在し、
前記第１配線層は前記第１金属箔を含み、
前記第２配線層は前記第２金属箔を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
コア層の一方の面から前記コア層の他方の面に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記コア層の一方の面、前記コア層の他方の面、及び前記貫通孔の内壁面を被覆する第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、前記貫通孔の中央部を塞ぐ第２金属層を形成する工程と、
前記貫通孔の内側において、前記中央部より前記コア層の一方の面側の前記第２金属層上に第３金属層を選択的に形成し、前記貫通孔内を前記第３金属層で充填する工程と、
前記貫通孔の内側において、前記中央部より前記コア層の他方の面側の前記第２金属層上に第４金属層を選択的に形成し、前記貫通孔内を前記第４金属層で充填する工程と、
前記コア層の一方の面の前記第２金属層上及び前記第３金属層上に第５金属層を形成する工程と、
前記コア層の他方の面の前記第２金属層上及び前記第４金属層上に第６金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２金属層を形成する工程において、前記第２金属層は、前記コア層の一方の面、他方の面、及び前記貫通孔の内壁面に設けられた前記第１金属層を被覆して形成され、かつ、前記貫通孔の中央部を塞いで形成され、前記貫通孔内には、前記貫通孔の中央部を塞ぐ前記第２金属層を底部とし前記コア層の一方の面側に開口する第１凹部と、前記貫通孔の中央部を塞ぐ前記第２金属層を底部とし前記コア層の他方の面側に開口する第２凹部と、が形成され、
前記第３金属層を形成する工程は、
前記コア層の一方の面の前記第２金属層上に、前記第１凹部に対応する第１開口部を有する第１レジスト層を形成する工程と、
前記第１金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第１開口部内に露出する前記第２金属層上に前記第１凹部を充填する前記第３金属層を形成する工程と、
を有し、
前記第４金属層を形成する工程は、
前記コア層の他方の面の前記第２金属層上に、前記第２凹部に対応する第２開口部を有する第２レジスト層を形成する工程と、
前記第１金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第２開口部内に露出する前記第２金属層上に前記第２凹部を充填する前記第４金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第３金属層を形成する工程及び前記第４金属層を形成する工程では、第１の濃度の硫酸銅及び第２の濃度の硫酸を含む第１のめっき液を用い、
前記第５金属層及び前記第６金属層は、前記第１の濃度よりも低い第３の濃度の硫酸銅及び前記第２の濃度よりも高い第４の濃度の硫酸を含む第２のめっき液を用いた電解めっき法により形成することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２金属層は、パルス電源を用いた電解めっき法により形成し、
前記第３金属層、前記第４金属層、前記第５金属層及び前記第６金属層は、直流電源を用いた電解めっき法により形成することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第５金属層を形成する工程は、
前記コア層の一方の面の前記第２金属層上及び前記第３金属層上に第３開口部を有する第３レジスト層を形成する工程と、
前記第１金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第３開口部内に露出する前記第２金属層上及び前記第３金属層上に前記第５金属層を形成する工程と、
を有し、
前記第６金属層を形成する工程は、
前記コア層の他方の面の前記第２金属層上及び前記第４金属層上に第４開口部を有する第４レジスト層を形成する工程と、
前記第１金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第４開口部内に露出する前記第２金属層上及び前記第４金属層上に前記第６金属層を形成する工程と、
を有し、
前記第５金属層をマスクとして前記第５金属層から露出する部分の前記第１金属層及び前記第２金属層を除去して、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第５金属層を含む第１配線層を形成する工程と、
前記第６金属層をマスクとして前記第６金属層から露出する部分の前記第１金属層及び前記第２金属層を除去して、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第６金属層を含む第２配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記コア層の一方の面の第５金属層上に第５開口部を有する第５レジスト層を形成する工程と、
前記コア層の他方の面の第６金属層上に第６開口部を有する第６レジスト層を形成する工程と、
前記第５レジスト層をマスクとして前記第５レジスト層から露出する部分の前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第５金属層を除去して、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第５金属層を含む第１配線層を形成する工程と、
前記第６レジスト層をマスクとして前記第６レジスト層から露出する部分の前記第１金属層、記第２金属層及び前記第６金属層を除去して、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第６金属層を含む第２配線層を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コア層に設けた貫通孔をめっきで充填して貫通配線を形成した配線基板が知られている。このような配線基板の製造方法として、セミアディティブ法により配線層を形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６０７９１５０号公報
【特許文献２】特許第６１１４５２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、貫通孔のサイズや形状によっては、貫通孔を適切に充填しながら、コア層上に適切な厚さで配線層を形成することが困難である。例えば、貫通孔の断面形状のアスペクト比が大きい場合や、貫通孔の径が大きい場合、貫通孔を適切に充填しようとすると、配線層が過剰に厚くなってしまう。
【０００５】
本発明は、貫通孔が適切に充填され、適切な厚さの配線層を得ることができる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
配線基板の一態様は、コア層と、前記コア層の一方の面から前記コア層の他方の面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔の内壁面を被覆すると共に、前記コア層の一方の面及び前記コア層の他方の面に延在する第１金属層と、前記第１金属層上に形成されると共に、前記貫通孔の中央部を塞ぐ第２金属層と、前記貫通孔の内側において、前記中央部より前記コア層の一方の面側の前記第２金属層上に選択的に形成され、前記貫通孔内を充填する第３金属層と、前記貫通孔の内側において、前記中央部より前記コア層の他方の面側の前記第２金属層上に選択的に形成され、前記貫通孔内を充填する第４金属層と、前記コア層の一方の面の前記第２金属層上及び前記第３金属層上に形成された第５金属層と、前記コア層の他方の面の前記第２金属層上及び前記第４金属層上に形成された第６金属層と、を有する。前記コア層の一方の面側には、前記コア層の一方の面側に設けられた前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第５金属層を含む第１配線層が形成され、前記コア層の他方の面側には、前記コア層の他方の面側に設けられた前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第６金属層を含む第２配線層が形成され、前記貫通孔内には、前記貫通孔内に設けられた前記第１金属層、前記第２金属層、前記第３金属層及び前記第４金属層を含む貫通配線が形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、貫通孔が適切に充填され、適切な厚さの配線層を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。
【図２】コア層の貫通孔及びその近傍を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図８】配線層及び貫通配線を形成する第１の方法を示す断面図（その１）である。
【図９】配線層及び貫通配線を形成する第１の方法を示す断面図（その２）である。
【図１０】配線層及び貫通配線を形成する第１の方法を示す断面図（その３）である。
【図１１】配線層及び貫通配線を形成する第２の方法を示す断面図である。
【図１２】配線層及び貫通配線を形成する参考例の方法を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について説明する。第１の実施形態は配線基板に関する。
【００１１】
［配線基板の構造］
まず、配線基板の構造について説明する。図１は、第１の実施形態に係る配線基板の構造を示す断面図である。図２は、コア層の貫通孔及びその近傍を示す断面図である。
【００１２】
図１に示すように、第１の実施形態に係る配線基板１０は、コア層１１と、配線層２１及び３１と、貫通配線１２と、絶縁層２２と、配線層２３と、絶縁層２４と、配線層２５と、絶縁層２６と、配線層２７と、外部接続端子２８と、絶縁層３２と、配線層３３と、絶縁層３４と、配線層３５と、絶縁層３６と、配線層３７と、ソルダレジスト層２９及び３９とを有する。
【００１３】
なお、配線基板１０において、便宜上、ソルダレジスト層２９が形成される側を一方の側（一方の面）、ソルダレジスト層３９が形成される側を他方の側（他方の面）と称する場合がある。
【００１４】
配線基板１０において、コア層１１の一方の面には配線層２１が形成され、他方の面には配線層３１が形成されている。配線層２１と配線層３１とはコア層１１の一方の面からコア層１１の他方の面に貫通する貫通孔１１ｘ内に形成された貫通配線１２により電気的に接続されている。配線層２１及び３１は、各々所定の平面形状にパターニングされている。第１の実施形態において、配線層２１は第１配線層の一例であり、配線層３１は第２配線層の一例である。
【００１５】
コア層１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１１の厚さは、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。コア層１１には、コア層１１を厚さ方向に貫通する貫通孔１１ｘが設けられている。なお、各図において、ガラスクロス等の図示は省略されている。
【００１６】
貫通孔１１ｘは、コア層１１の一方の面から形成された第１の孔１１ｘ１と、コア層１１の他方の面から形成された第２の孔１１ｘ２とを有する。第１の孔１１ｘ１は、コア層１１の一方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔である。また、第２の孔１１ｘ２は、コア層１１の他方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔である。第１の孔１１ｘ１と第２の孔１１ｘ２の各々の頂部がコア層１１内（例えば、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍）で連通して貫通孔１１ｘを形成している。なお、第１の孔１１ｘ１と第２の孔１１ｘ２の各々の頂部が連通した部分を、頂部連通部と称する場合がある。
【００１７】
換言すれば、貫通孔１１ｘは、鼓状である。ここで、鼓状とは、貫通孔１１ｘにおいて、コア層１１の一方の面側の開口部及びコア層１１の他方の面側の開口部の各々から頂部連通部にかけて、断面積（平面方向の断面積）が連続的に減少する形状を指す。貫通孔１１ｘにおいて、頂部連通部が最も断面積の小さい部分（小径部）となる。
【００１８】
つまり、貫通孔１１ｘの断面（厚さ方向の断面）は、コア層１１の一方の面側の開口部から貫通孔１１ｘの略中央部の小径部（頂部連通部）にかけての傾斜面を有する。また、貫通孔１１ｘの断面（厚さ方向の断面）は、コア層１１の他方の面側の開口部から貫通孔１１ｘの略中央部の小径部（頂部連通部）にかけての傾斜面を有する。
【００１９】
貫通孔１１ｘにおいて、コア層１１の一方の面側の開口部の径及びコア層１１の他方の面側の開口部の径は、各々、例えば、８０μｍ〜１００μｍ程度とすることができる。また、頂部連通部の径は、例えば、６０μｍ〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２０】
但し、第１の孔１１ｘ１及び第２の孔１１ｘ２は各々円錐台状の孔でなくてもよく、その場合には、貫通孔１１ｘの一方の側の開口部、他方の側の開口部、頂部連通部の各々の断面形状（平面方向の断面形状）は、例えば、楕円形や他の形状となる。
【００２１】
また、頂部連通部は、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍に位置するが、中央部近傍からコア層１１の一方の側又は他方の側にずれてもよい。つまり、頂部連通部は、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍から垂直方向に多少ずれても問題はない。また、第１の孔１１ｘ１の軸部及び第２の孔１１ｘ２の軸部が水平方向に多少ずれても問題はない。
【００２２】
また、貫通孔１１ｘにおいて、一方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内壁面の断面形状（厚さ方向の断面形状）、及び他方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内壁面の断面形状（厚さ方向の断面形状）は、直線状であっても曲線状であってもよい。
【００２３】
図２に示すように、配線層２１は、コア層１１の一方の面に、第１金属箔２１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２及び第５金属層５５が順次積層された構造を有する。配線層３１は、コア層１１の他方の面に、第２金属箔３１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２及び第６金属層５６が順次積層された構造を有する。
【００２４】
貫通孔１１ｘ内及びその周辺部において、第１金属層５１及び第２金属層５２は、コア層１１の一方の面から貫通孔１１ｘを介してコア層１１の他方の面にかけて連続的に形成されている。より詳しくは、貫通孔１１ｘ内及びその周辺部において、第１金属層５１は、貫通孔１１ｘの内壁面を被覆すると共に、コア層１１の一方の面及び他方の面に延在している。そして、第１金属層５１は、コア層１１の一方の面において第１金属箔２１ａを被覆し、コア層１１の他方の面において第２金属箔３１ａを被覆している。
【００２５】
また、貫通孔１１ｘ内において、第２金属層５２は貫通孔１１ｘを完全には充填せずに、貫通孔１１ｘの内壁面を被覆する第１金属層５１を被覆すると共に、貫通孔１１ｘの中央部を塞いで形成されている。貫通孔１１ｘ内及び貫通孔１１ｘ上には、貫通孔１１ｘの中央部を塞ぐ第２金属層５２を底部としコア層１１の一方の面側に開口する第１凹部２１ｘが形成されている。また、貫通孔１１ｘの中央部を塞ぐ第２金属層５２を底部としコア層１１の他方の面側に開口する第２凹部３１ｘが形成されている。
【００２６】
換言すれば、貫通孔１１ｘ内にける第２金属層５２の断面形状は、Ｘ字形状とされている。なお、Ｘ字形状とは、おおよそＸ字の形をしていることを示しており、例えば、Ｘを構成する斜線部が直線状であってもよいし曲線状であってもよいし両者を含んでいてもよい。
【００２７】
第３金属層５３は第１凹部２１ｘを充填している。第３金属層５３の上面は、略平坦であり、好ましくは第２金属層５２の上面と面一である。また、第４金属層５４は第２凹部３１ｘを充填している。第４金属層５４の下面は、略平坦であり、好ましくは第２金属層５２の下面と面一である。
【００２８】
なお、第３金属層５３が第１凹部２１ｘの全体を充填していなくてもよいが、第５金属層５５の上面に第１凹部２１ｘの凹みが反映されない程度に第１凹部２１ｘを充填していることが好ましい。例えば、厚さ方向にて第３金属層５３が第１凹部２１ｘの８０％程度以上を充填していることが好ましい。同様に、第４金属層５４が第２凹部３１ｘの全体を充填していなくてもよいが、第６金属層５６の下面に第２凹部３１ｘの凹みが反映されない程度に第２凹部３１ｘを充填していることが好ましい。例えば、厚さ方向にて第４金属層５４が第２凹部３１ｘの８０％程度以上を充填していることが好ましい。また、第３金属層５３の上面が第２金属層５２の上面より上方にあってもよく、第４金属層５４の下面が第２金属層５２の下面より下方にあってもよい。
【００２９】
第５金属層５５は、コア層１１の一方の面側の第２金属層５２及び第３金属層５３を被覆する。第５金属層５５の上面は、略平坦である。第２金属層５２及び第３金属層５３の上面は、第５金属層５５のコア層１１側の面と接している。また、第６金属層５６は、コア層１１の他方の面側の第２金属層５２及び第４金属層５４を被覆する。第６金属層５６の下面は、略平坦である。第２金属層５２及び第４金属層５４の下面は、第６金属層５６のコア層１１側の面と接している。
【００３０】
例えば、第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径は、第２金属層５２の平均結晶粒径よりも小さい。第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径が第２金属層５２の平均結晶粒径よりも小さいため、第１凹部２１ｘ及び第２凹部３１ｘを適切に充填しやすい。第５金属層５５の平均結晶粒径及び第６金属層５６の平均結晶粒径は、例えば第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径と同程度とすることができる。
【００３１】
なお、貫通孔１１ｘ内に形成された第１金属層５１、第２金属層５２、第３金属層５３及び第４金属層５４から構成される部分が貫通配線１２である。第１金属箔２１ａ、第２金属箔３１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２、第３金属層５３、第４金属層５４、第５金属層５５及び第６金属層５６の各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００３２】
第１金属箔２１ａ及び第２金属箔３１ａの厚さは、例えば、各々３μｍ〜５μｍ程度とすることができる。第１金属層５１の厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍ程度とすることができる。コア層１１の一方の面上及び他方の面上の第２金属層５２の厚さは、例えば、５μｍ〜７μｍ程度とすることができる。第２金属層５２は、例えば、貫通孔１１ｘの中央でコア層１１の厚さの６０％〜７０％程度の厚さを有する。第３金属層５３及び第４金属層５４の貫通孔１１ｘの中央での厚さは、例えば、各々３０μｍ〜５０μｍ程度とすることができる。第５金属層５５及び第６金属層５６の厚さは、例えば、各々１０μｍ〜１５μｍ程度とすることができる。例えば、第５金属層５５はコア層１１の一方の面の第２金属層５２よりも厚く、第６金属層５６はコア層１１の他方の面の第２金属層５２よりも厚い。第５金属層５５がコア層１１の一方の面の第２金属層５２より薄くてもよく、第６金属層５６がコア層１１の他方の面の第２金属層５２より薄くてもよい。
【００３３】
図１に示すように、絶縁層２２は、コア層１１の一方の面に配線層２１を覆うように形成されている。絶縁層２２の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等を用いることができる。絶縁層２２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。絶縁層２２の厚さは、例えば３０μｍ〜７０μｍ程度とすることができる。
【００３４】
配線層２３は、絶縁層２２の一方の側に形成されている。配線層２３は、絶縁層２２を貫通し配線層２１の一方の面を露出するビアホール２２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２２ｘは、絶縁層２４側に開口されていると共に、配線層２１の一方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層２３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層２３の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。
【００３５】
絶縁層２４は、絶縁層２２の一方の面に配線層２３を覆うように形成されている。絶縁層２４の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層２４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００３６】
配線層２５は、絶縁層２４の一方の側に形成されている。配線層２５は、絶縁層２４を貫通し配線層２３の一方の面を露出するビアホール２４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２４ｘは、絶縁層２６側に開口されていると共に、配線層２３の一方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層２５の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００３７】
絶縁層２６は、絶縁層２４の一方の面に配線層２５を覆うように形成されている。絶縁層２６の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層２６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００３８】
配線層２７は、絶縁層２６の一方の側に形成されている。配線層２７は、絶縁層２６を貫通し配線層２５の一方の面を露出するビアホール２６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２６の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール２６ｘは、ソルダレジスト層２９側に開口されていると共に、配線層２５の一方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層２７の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００３９】
ソルダレジスト層２９は、絶縁層２６の一方の面に、配線層２７を覆うように形成されている。ソルダレジスト層２９は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の感光性樹脂等から形成することができる。ソルダレジスト層２９の厚さは、例えば３０μｍ〜７０μｍ程度とすることができる。
【００４０】
ソルダレジスト層２９は、開口部２９ｘを有し、開口部２９ｘ内には配線層２７の一部が露出している。開口部２９ｘ内に露出する配線層２７は、半導体チップ等（図示せず）と電気的に接続されるパッドとして機能する。そこで、開口部２９ｘ内に露出する配線層２７を第１パッド２７と称する場合がある。
【００４１】
第１パッド２７の一方の面に金属層が形成されていたり、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理が施されていたりしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。金属層の厚さは、例えば、０．０３μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。
【００４２】
第１パッド２７の一方の面に外部接続端子２８が設けられている。外部接続端子２８としては、例えば、はんだボール等を用いることができる。はんだボールの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＳｂの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００４３】
但し、ソルダレジスト層２９は、配線層２７を完全に露出するように設けてもよい。この場合、配線層２７の側面とソルダレジスト層２９の側面とが接するようにソルダレジスト層２９を設けてもよいし、配線層２７の側面とソルダレジスト層２９の側面との間に隙間ができるようにソルダレジスト層２９を設けてもよい。
【００４４】
なお、配線層２７を構成する配線パターンを絶縁層２６の一方の面に引き出して形成し、絶縁層２６の一方の面に引き出された配線パターン上に開口部２９ｘを形成してもよい。つまり、配線層２７のビアホール２６ｘ上以外の部分に、開口部２９ｘを配置してもよい。また、外部接続端子２８が設けられていなくてもよい。
【００４５】
絶縁層３２は、コア層１１の他方の面に配線層３１を覆うように形成されている。絶縁層３２の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層３２は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４６】
配線層３３は、絶縁層３２の他方の側に形成されている。配線層３３は、絶縁層３２を貫通し配線層３１の他方の面を露出するビアホール３２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３２の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３２ｘは、絶縁層３４側に開口されていると共に、配線層３１の他方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層３３の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００４７】
絶縁層３４は、絶縁層３２の他方の面に配線層３３を覆うように形成されている。絶縁層３４の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層３４は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００４８】
配線層３５は、絶縁層３４の他方の側に形成されている。配線層３５は、絶縁層３４を貫通し配線層３３の他方の面を露出するビアホール３４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３４の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３４ｘは、絶縁層３６側に開口されていると共に、配線層３３の他方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層３５の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００４９】
絶縁層３６は、絶縁層３４の他方の面に配線層３５を覆うように形成されている。絶縁層３６の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層３６は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００５０】
配線層３７は、絶縁層３６の他方の側に形成されている。配線層３７は、絶縁層３６を貫通し配線層３５の他方の面を露出するビアホール３６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３６の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成されている。ビアホール３６ｘは、ソルダレジスト層３９側に開口されていると共に、配線層３５の他方の面によって底面が形成された、開口部の面積が底面の面積よりも大となる円錐台状の凹部である。配線層３７の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００５１】
ソルダレジスト層３９は、絶縁層３６の他方の面に、配線層３７を覆うように形成されている。ソルダレジスト層３９の材料や厚さは、例えば、ソルダレジスト層２９と同様とすることができる。
【００５２】
ソルダレジスト層３９は、開口部３９ｘを有し、開口部３９ｘ内には配線層３７の一部が露出している。開口部３９ｘ内に露出する配線層３７は、マザーボード等の実装基板等（図示せず）と電気的に接続されるパッドとして機能する。そこで、開口部３９ｘ内に露出する配線層３７を第２パッド３７と称する場合がある。なお、第２パッド３７の平面形状は第１パッド２７の平面形状よりも大きく、かつ、第２パッド３７のピッチは第１パッド２７のピッチよりも広い。
【００５３】
第２パッド３７の他方の面に金属層が形成されていたり、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理が施されていたりしてもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。金属層の厚さは、例えば、０．０３μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。また、第２パッド３７の他方の面に、はんだボールやリードピン等の外部接続端子が形成されていてもよい。
【００５４】
なお、配線層３７を構成する配線パターンを絶縁層３６上に引き出して形成し、絶縁層３６上に引き出された配線パターン上に開口部３９ｘを形成してもよい。つまり、配線層３７のビアホール３６ｘ上以外の部分に、開口部３９ｘを配置してもよい。
【００５５】
第１の実施形態によれば、第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径が第２金属層５２の平均結晶粒径よりも小さいため、第１凹部２１ｘ及び第２凹部３１ｘが適切に充填される。また、第５金属層５５が第３金属層５３から独立して形成されているため、第５金属層５５の厚さは第３金属層５３の厚さの影響を受けない。同様に、第６金属層５６が第４金属層５４から独立して形成されているため、第６金属層５６の厚さは第４金属層５４の厚さの影響を受けない。従って、第１凹部２１ｘ及び第２凹部３１ｘの充填性から独立して、配線層２１及び３１の各厚さを制御することができる。このため、貫通孔１１ｘが適切に充填され、適切な厚さの配線層２１及び３１を得ることができる。
【００５６】
［配線基板の製造方法］
次に、第１の実施形態に係る配線基板１０の製造方法について説明する。図３〜図７は、第１の実施形態に係る配線基板１０の製造方法を示す断面図である。
【００５７】
まず、図３（ａ）に示すように、コア層１１の一方の面に第１金属箔２１Ｐ（パターニングされていないベタ状の金属箔）、他方の面に第２金属箔３１Ｐ（パターニングされていないベタ状の金属箔）が形成された積層板を準備する。
【００５８】
コア層１１としては、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板等を用いることができる。コア層１１として、ガラス繊維、炭素繊維、アラミド繊維等の織布や不織布にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた基板等を用いてもよい。コア層１１の厚さは、例えば、１００μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。
【００５９】
第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐとしては、例えば、各々銅箔等を用いることができる。第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐの各々の厚さは、例えば、１２μｍ〜１８μｍ程度とすることができるが、エッチング等により３μｍ〜５μｍ程度に薄型化しておくことが好ましい。第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐが各々銅箔である場合には、例えば、硫酸過酸化水素系のエッチング液や過硫酸塩素系のエッチング液等を用いてエッチングして薄型化できる。
【００６０】
なお、第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐを薄型化する目的は、後工程におけるレーザ加工を容易にするためや、レーザ加工時に第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐの加工部端に生じるバリを小さくするためである。また、配線層２１及び３１のファインピッチ化を実現するためである。第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐは、後工程でパターニングされて、各々第１金属箔２１ａ及び第２金属箔３１ａとなる部分である。
【００６１】
次に、図３（ｂ）に示すように、例えばＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により、コア層１１、第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐを貫通する貫通孔１１ｘを形成する。貫通孔１１ｘを形成するには、まず、第１金属箔２１Ｐを介して、コア層１１の一方の面側にレーザ光を照射し、コア層１１の一方の面側に第１の孔１１ｘ１を形成する。
【００６２】
次に、第２金属箔３１Ｐを介して、第１の孔１１ｘ１に対応する位置のコア層１１の他方の面側にレーザ光を照射し、コア層１１の他方の面側に第２の孔１１ｘ２を形成する。これにより、第１の孔１１ｘ１と第２の孔１１ｘ２の各々の頂部がコア層１１の厚さ方向の中央部近傍で連通し、貫通孔１１ｘが形成される。第１の孔１１ｘ１の形成では、最終的に貫通孔１１ｘが形成されれば、第１の孔１１ｘ１はコア層１１を貫通してもしなくてもよい。
【００６３】
第１の孔１１ｘ１は、コア層１１の一方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔である。また、第２の孔１１ｘ２は、コア層１１の他方の面側の開口部の面積がコア層１１内に形成された頂部の面積よりも大となる円錐台状の孔である。換言すれば、貫通孔１１ｘは、鼓状である。
【００６４】
なお、第１の孔１１ｘ１及び第２の孔１１ｘ２は各々円錐台状の孔でなくてもよく、その場合には、貫通孔１１ｘの一方の側の開口部、他方の側の開口部、頂部連通部の各々の断面形状（平面方向の断面形状）は、例えば、楕円形や他の形状となる。また、頂部連通部は、コア層１１の厚さ方向の中央部近傍に位置するが、中央部近傍からコア層１１の一方の側又は他方の側にずれてもよい。
【００６５】
また、貫通孔１１ｘにおいて、一方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内壁面の断面形状（厚さ方向の断面形状）、及び他方の側の開口部から頂部連通部に至る部分の内壁面の断面形状（厚さ方向の断面形状）は、直線状であっても曲線状であってもよい。
【００６６】
レーザ加工法により貫通孔１１ｘを形成すると、貫通孔１１ｘの一方の側の開口端において、第１金属箔２１Ｐの端部が貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じる場合がある。同様に、貫通孔１１ｘの他方の側の開口端において、第２金属箔３１Ｐの端部が貫通孔１１ｘ内にひさし状に張り出したバリが生じる場合がある。なお、バリの端部がめくれ上がったり、バリの端部にレーザにより溶融した第１金属箔２１Ｐ又は第２金属箔３１Ｐの材料が付着したりする場合もある。
【００６７】
このような場合には、例えば、硫酸過酸化水素系エッチング液や過硫酸塩素系エッチング液等を用いたエッチングによりバリを除去することが好ましい。また、エッチングに代えて、バフ研磨やブラスト処理、高圧スプレー洗浄等によりバリを除去することもできる。なお、前述のように第１金属箔２１Ｐ及び第２金属箔３１Ｐを薄型化しておくと、容易にバリを除去できる点で好適である。
【００６８】
バリを除去する際に、コア層１１の一方の面の貫通孔１１ｘの開口部周縁の第１金属箔２１Ｐがバリと共に環状に除去されてコア層１１の一方の面が環状に露出する場合があるが特に問題はない。同様に、コア層１１の他方の面の貫通孔１１ｘの開口部周縁の第２金属箔３１Ｐがバリと共に環状に除去されてコア層１１の他方の面が環状に露出する場合があるが特に問題はない。
【００６９】
なお、図３（ａ）に示す工程と図３（ｂ）に示す工程の間に、第１金属箔２１Ｐの一方の面及び第２金属箔３１Ｐの他方の面に各々表面処理を施しておくと、レーザ加工が容易になり好適である。表面処理の一例としては、例えば、黒化処理を挙げることができる。黒化処理とは、亜塩素酸ナトリウム等を用いて金属箔表面を酸化処理することをいう。黒化処理は、粗化処理の一種である。
【００７０】
黒化処理によって、第１金属箔２１Ｐの一方の面及び第２金属箔３１Ｐの他方の面に、１μｍ程度の微小な凹凸からなる酸化膜が形成される。つまり、第１金属箔２１Ｐの一方の面及び第２金属箔３１Ｐの他方の面に、酸化膜による粗化面が形成される。この酸化膜は（この粗化面は）、黒色系又は褐色系に視認される。
【００７１】
黒色系又は褐色系の酸化膜は、後工程で照射するレーザ光の波長を吸収しやすいため、レーザ加工の加工性を高めることができる。例えば、ＣＯ２レーザの波長帯は赤外であるが、黒色系又は褐色系の酸化膜は紫外光、可視光、赤外光等を含む波長帯の光を広く吸収するため、レーザ加工の加工性を高めることができる。なお、前述のようにエッチングによりバリを除去すると、バリと共に黒色系又は褐色系の酸化膜も除去される。但し、後工程で照射するレーザ光の波長を吸収しやすくできれば、黒化処理以外の処理を施してもよい。
【００７２】
次に、必要に応じて貫通孔１１ｘ内や第１金属箔２１Ｐの表面及び第２金属箔３１Ｐの表面のデスミア処理を行い、図４（ａ）に示すように、配線層２１及び３１と貫通配線１２とを形成する。配線層２１及び３１と貫通配線１２とを形成する方法については、後述する。
【００７３】
配線層２１及び３１と貫通配線１２を形成した後、図４（ｂ）に示すように、コア層１１の一方の面に配線層２１を覆うようにフィルム状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂フィルムをラミネートし、絶縁層２２を形成する。また、コア層１１の他方の面に配線層３１を覆うようにフィルム状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂フィルムをラミネートし、絶縁層３２を形成する。或いは、フィルム状のエポキシ系樹脂等のラミネートに代えて、液状又はペースト状のエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を塗布後、硬化させて絶縁層２２及び３２を形成してもよい。絶縁層２２及び３２の各々の厚さは、例えば、３０μｍ〜７０μｍ程度とすることができる。絶縁層２２及び３２の各々は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００７４】
次に、図５（ａ）に示すように、絶縁層２２に、絶縁層２２を貫通し配線層２１の一方の面を露出させるビアホール２２ｘを形成する。また、絶縁層３２に、絶縁層３２を貫通し配線層３１の他方の面を露出させるビアホール３２ｘを形成する。ビアホール２２ｘ及び３２ｘは、例えば、ＣＯ２レーザ等を用いたレーザ加工法により形成できる。ビアホール２２ｘ及び３２ｘを形成後、デスミア処理を行い、ビアホール２２ｘ及び３２ｘの底部に各々露出する配線層２１及び配線層３１の表面に付着した樹脂残渣を除去することが好ましい。
【００７５】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、絶縁層２２の一方の側に配線層２３を形成する。配線層２３は、ビアホール２２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２２の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層２３は、ビアホール２２ｘの底部に露出した配線層２１と電気的に接続される。
【００７６】
同様に、絶縁層３２の他方の側に配線層３３を形成する。配線層３３は、ビアホール３２ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３２の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層３３は、ビアホール３２ｘの底部に露出した配線層３１と電気的に接続される。
【００７７】
配線層２３及び３３の各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線層２３及び３３の各々の厚さは、例えば、１０μｍ〜３０μｍ程度とすることができる。配線層２３及び３３の各々は、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できる。
【００７８】
次に、図６（ａ）に示すように、図４（ｂ）〜図５（ｂ）に示す工程を繰り返すことにより、配線層２３に、絶縁層２４、配線層２５、絶縁層２６及び配線層２７を順次積層する。また、配線層３３に、絶縁層３４、配線層３５、絶縁層３６及び配線層３７を順次積層する。但し、配線層と絶縁層は任意の積層数とすることができる。
【００７９】
すなわち、絶縁層２２の一方の面に配線層２３を覆うように絶縁層２４を形成する。同様に、絶縁層３２の他方の面に配線層３３を覆うように絶縁層３４を形成する。そして、絶縁層２４を貫通し配線層２３の一方の面を露出するビアホール２４ｘを形成する。同様に、絶縁層３４を貫通し配線層３３の他方の面を露出するビアホール３４ｘを形成する。絶縁層２４及び３４の各々の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層２４及び３４の各々は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００８０】
更に、絶縁層２４の一方の側に配線層２５を形成する。配線層２５は、ビアホール２４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２４の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層２５は、ビアホール２４ｘ内に露出した配線層２３と電気的に接続される。同様に、絶縁層３４の他方の側に配線層３５を形成する。配線層３５は、ビアホール３４ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３４の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層３５は、ビアホール３４ｘ内に露出した配線層３３と電気的に接続される。配線層２５及び３５の各々の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００８１】
更に、絶縁層２４の一方の面に配線層２５を覆うように絶縁層２６を形成する。同様に、絶縁層３４の他方の面に配線層３５を覆うように絶縁層３６を形成する。そして、絶縁層２６を貫通し配線層２５の一方の面を露出するビアホール２６ｘを形成する。同様に、絶縁層３６を貫通し配線層３５の他方の面を露出するビアホール３６ｘを形成する。絶縁層２６及び３６の各々の材料や厚さは、例えば、絶縁層２２と同様とすることができる。絶縁層２６及び３６の各々は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有しても構わない。
【００８２】
更に、絶縁層２６の一方の側に配線層２７を形成する。配線層２７は、ビアホール２６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層２６の一方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層２７は、ビアホール２６ｘ内に露出した配線層２５と電気的に接続される。同様に、絶縁層３６の他方の側に配線層３７を形成する。配線層３７は、ビアホール３６ｘ内に充填されたビア配線、及び絶縁層３６の他方の面に形成された配線パターンを含んで構成される。配線層３７は、ビアホール３６ｘ内に露出した配線層３５と電気的に接続される。配線層２７及び３７の各々の材料や厚さは、例えば、配線層２３と同様とすることができる。
【００８３】
次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁層２６の一方の面に配線層２７を被覆するソルダレジスト層２９を形成する（但し、前述のように、ソルダレジスト層２９は、配線層２７を完全に露出するように形成してもよい）。ソルダレジスト層２９は、例えば、液状又はペースト状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層２７を被覆するように絶縁層２６の一方の面にスクリーン印刷法、ロールコート法、又は、スピンコート法等で塗布することにより形成できる。或いは、例えば、フィルム状の感光性のエポキシ系絶縁性樹脂を、配線層２７を被覆するように絶縁層２６の一方の面にラミネートすることにより形成してもよい。同様にして、絶縁層３６の他方の面に配線層３７を被覆するソルダレジスト層３９を形成する。
【００８４】
そして、塗布又はラミネートした絶縁性樹脂を露光及び現像することでソルダレジスト層２９に開口部２９ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。また、ソルダレジスト層３９に開口部３９ｘを形成する（フォトリソグラフィ法）。なお、開口部２９ｘ及び３９ｘは、レーザ加工法やブラスト処理により形成してもよい。開口部２９ｘ及び３９ｘの各々の平面形状は、例えば、円形状とすることができる。開口部２９ｘ及び３９ｘの各々の直径は、半導体チップやマザーボードの端子ピッチ等に合わせて任意に設計できる。
【００８５】
必要に応じ、開口部２９ｘ及び３９ｘの各々の底部に露出する配線層２７（第１パッド２７）の一方の面及び配線層３７（第２パッド３７）の他方の面に、例えば無電解めっき法等により金属層等を形成してもよい。金属層の例としては、Ａｕ層や、Ｎｉ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）等を挙げることができる。また、金属層の形成に代えて、開口部２９ｘ及び３９ｘの各々の底部に露出する配線層２７の一方の面及び配線層３７の他方の面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等の酸化防止処理を施してもよい。
【００８６】
次に、図７（ａ）に示すように、第１パッド２７上に、第１パッド２７上に金属層等が形成されている場合には金属層等の上に、外部接続端子２８を形成する。外部接続端子２８としては、例えば、はんだボール等を用いることができる。はんだボールの材料としては、例えばＰｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＳｂの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。
【００８７】
外部接続端子２８の形成方法の一例では、例えば、まず、第１パッド２７上に、第１パッド２７上に金属層等が形成されている場合には、金属層等の上に、表面処理剤としてのフラックスを塗布する。そして、はんだボールを搭載し、２４０℃〜２６０℃程度の温度でリフローする。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。このようにして、外部接続端子２８を形成することができる。
【００８８】
外部接続端子２８の形成後、図７（ｂ）に示すように、切断線Ｃに沿って配線基板１０を切断し、個片化する。配線基板１０は、切断線Ｃに沿ってスライサー等で切断することにより個片化される。
【００８９】
このようにして、第１の実施形態に係る配線基板１０を製造することができる。なお、配線基板１０の個片化は、図６（ｂ）に示す工程の後で、外部接続端子２８を形成せずに行ってもよい。つまり、配線基板１０に外部接続端子２８を含ませなくてもよい。
【００９０】
ここで、配線層２１及び３１と貫通配線１２とを形成する方法について説明する。配線層２１及び３１と貫通配線１２とは、大別して２種類の方法により製造することができる。
【００９１】
＜第１の方法＞
第１の方法では、セミアディティブ法により配線層２１及び３１を形成する。図８〜図１０は、配線層２１及び３１と、貫通配線１２とを形成する第１の方法を示す断面図である。図８〜図１０には、図２に対応する部分を示している。
【００９２】
第１の方法では、図３（ａ）に示す工程及び図３（ｂ）に示す工程の後、図８（ａ）に示すように、第１金属箔２１Ｐ、貫通孔１１ｘの内壁面、及び第２金属箔３１Ｐを被覆する第１金属層５１Ａを形成する。第１金属層５１Ａは、例えば、無電解めっき法等により形成できる。第１金属層５１Ａの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第１金属層５１Ａの厚さは、例えば、０．５μｍ〜１．０μｍ程度とすることができる。第１金属層５１Ａは後工程で電解めっきを行うための給電層であり、最終的にはエッチングされて第１金属層５１となる層である。
【００９３】
次に、図８（ｂ）に示すように、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第１金属層５１Ａ上に第２金属層５２Ａを形成する。第２金属層５２Ａは、コア層１１の一方の面の第１金属層５１Ａ上にベタ状に形成される。また、第２金属層５２Ａは、コア層１１の他方の面の第１金属層５１Ａ上にベタ状に形成される。また、第２金属層５２Ａは、貫通孔１１ｘを完全には充填せずに、貫通孔１１ｘの内壁面を被覆する第１金属層５１Ａを被覆すると共に、貫通孔１１ｘの中央部を塞いで形成される。第２金属層５２Ａの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。コア層１１の一方の面上及び他方の面上の第２金属層５２Ａの厚さは、例えば、５μｍ〜７μｍ程度とすることができる。第２金属層５２Ａは、最終的にはエッチングされて第２金属層５２となる層である。
【００９４】
なお、貫通孔１１ｘの中央部近傍は第２金属層５２Ａにより塞がれるが、貫通孔１１ｘ内及び貫通孔１１ｘ上には、貫通孔１１ｘの中央部を塞ぐ第２金属層５２Ａを底部としコア層１１の一方の面側に開口する第１凹部２１ｘが形成される。また、貫通孔１１ｘの中央部を塞ぐ第２金属層５２Ａを底部としコア層１１の他方の面側に開口する第２凹部３１ｘが形成される。換言すれば、貫通孔１１ｘ内に形成される第２金属層５２Ａの断面形状はＸ字形状となる。第２金属層５２Ａは、例えば、貫通孔１１ｘの中央でコア層１１の厚さの６０％〜７０％程度の厚さを有する。
【００９５】
第２金属層５２Ａの形成に用いる電解めっきでは、例えば、パルス電源を用い、電流密度は３．０Ａ／ｄｍ２〜４．０Ａ／ｄｍ２程度とする。また、めっき液としては、例えば、硫酸銅の濃度が２６０ｇ／Ｌ〜２８０ｇ／Ｌ程度、硫酸の濃度が５０ｇ／Ｌ〜９０ｇ／Ｌ程度、塩化物イオンの濃度が８０ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ程度のめっき液を用いる。パルス電源を用いるため、貫通孔１１ｘの中央部を塞ぐ第２金属層５２Ａを形成しやすい。
【００９６】
次に、図８（ｃ）に示すように、コア層１１の一方の面側の第２金属層５２Ａ上に第１凹部２１ｘに対応する第１開口部１５１ｘを有する第１レジスト層１５１を形成する。また、コア層１１の他方の面側の第２金属層５２Ａ上に第２凹部３１ｘに対応する第２開口部１５２ｘを有する第２レジスト層１５２を形成する。第１レジスト層１５１及び第２レジスト層１５２としては、例えば、ドライフィルム等を用いることができ、パターニング処理をして第１開口部１５１ｘ及び第２開口部１５２ｘを形成できる。
【００９７】
次に、図９（ａ）に示すように、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第１開口部１５１ｘ内に露出する第２金属層５２Ａ上に第３金属層５３を形成し、第１凹部２１ｘ内に第３金属層５３を充填する。また、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第２開口部１５２ｘ内に露出する第２金属層５２Ａ上に第４金属層５４を形成し、第２凹部３１ｘ内に第４金属層５４を充填する。第３金属層５３及び第４金属層５４の各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第３金属層５３及び第４金属層５４の各々の貫通孔１１ｘの中央での厚さは、例えば、３０μｍ〜５０μｍ程度とすることができる。
【００９８】
第３金属層５３及び第４金属層５４の形成に用いる電解めっきでは、例えば、直流電源を用い、電流密度は１．５Ａ／ｄｍ２〜２．０Ａ／ｄｍ２程度とする。また、めっき液としては、例えば、硫酸銅の濃度（第１の濃度）が２２０ｇ／Ｌ〜２７０ｇ／Ｌ程度、硫酸の濃度（第２の濃度）が４０ｇ／Ｌ〜８０ｇ／Ｌ程度、塩化物イオンの濃度が２０ｇ／Ｌ〜４０ｇ／Ｌ程度のめっき液（第１のめっき液）を用いる。このようなめっき液を用いることにより、第１凹部２１ｘ内に第３金属層５３を充填しやすく、第２凹部３１ｘ内に第４金属層５４を充填しやすい。また、第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径は、第２金属層５２Ａの平均結晶粒径より小さいものとなる。
【００９９】
なお、第３金属層５３の上面及び第４金属層５４の下面は、各々略平坦となり、好ましくは、第３金属層５３の上面は第２金属層５２の上面と面一となり、第４金属層５４の下面は第２金属層５２の下面と面一となる。
【０１００】
次に、図９（ｂ）に示すように、第１レジスト層１５１及び第２レジスト層１５２を剥離する。
【０１０１】
次に、図９（ｃ）に示すように、コア層１１の一方の面側の第２金属層５２Ａ上に配線層２１に対応する第３開口部１５３ｘを有する第３レジスト層１５３を形成する。また、コア層１１の他方の面側の第２金属層５２Ａ上に配線層３１に対応する第４開口部１５４ｘを有する第４レジスト層１５４を形成する。第３レジスト層１５３及び第４レジスト層１５４としては、例えば、ドライフィルム等を用いることができ、パターニング処理をして第３開口部１５３ｘ及び第４開口部１５４ｘを形成できる。
【０１０２】
次に、図１０（ａ）に示すように、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第３開口部１５３ｘ内に露出する第２金属層５２Ａ上及び第３金属層５３上に第５金属層５５を形成する。また、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第４開口部１５４ｘ内に露出する第２金属層５２Ａ上及び第４金属層５４上に第６金属層５６を形成する。第５金属層５５及び第６金属層５６の各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第５金属層５５及び第６金属層５６の各々の厚さは、例えば、１０μｍ〜１５μｍ程度とすることができる。例えば、第５金属層５５はコア層１１の一方の面の第２金属層５２よりも厚く形成し、第６金属層５６はコア層１１の他方の面の第２金属層５２よりも厚く形成する。第５金属層５５をコア層１１の一方の面の第２金属層５２より薄く形成してもよく、第６金属層５６をコア層１１の他方の面の第２金属層５２より薄く形成してもよい。
【０１０３】
第５金属層５５及び第６金属層５６の形成に用いる電解めっきでは、例えば、直流電源を用い、電流密度は１．０Ａ／ｄｍ２〜１．５Ａ／ｄｍ２程度とする。また、めっき液としては、第３金属層５３及び第４金属層５４の形成時よりも、硫酸銅の濃度が低く、硫酸の濃度が高いめっき液を用いる。例えば、硫酸銅の濃度（第３の濃度）が１４０ｇ／Ｌ〜１８０ｇ／Ｌ程度、硫酸の濃度（第４の濃度）が１２０ｇ／Ｌ〜１６０ｇ／Ｌ程度、塩化物イオンの濃度が１０ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ程度のめっき液（第２のめっき液）を用いる。このようなめっき液を用いることにより、上面の平坦性が優れた第５金属層５５を形成しやすく、下面の平坦性が優れた第６金属層５６を形成しやすい。また、例えば、第５金属層５５の平均結晶粒径及び第６金属層５６の平均結晶粒径は、第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径と同程度となる。
【０１０４】
次に、図１０（ｂ）に示すように、第３レジスト層１５３及び第４レジスト層１５４を除去する。次いで、第５金属層５５をマスクとして、第５金属層５５から露出する部分の第１金属箔２１Ｐ、第１金属層５１Ａ及び第２金属層５２Ａをエッチングにより除去する。また、第６金属層５６をマスクとして、第６金属層５６から露出する部分の第２金属箔３１Ｐ、第１金属層５１Ａ及び第２金属層５２Ａをエッチングにより除去する。
【０１０５】
これにより、コア層１１の一方の面側に、第１金属箔２１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２及び第５金属層５５を含み、所定の平面形状にパターニングされた配線層２１が形成される。また、コア層１１の他方の面側に、第２金属箔３１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２及び第６金属層５６を含み、所定の平面形状にパターニングされた配線層３１が形成される。更に、貫通孔１１ｘ内の第１金属層５１、第２金属層５２、第３金属層５３及び第４金属層５４を含む貫通配線１２が形成される。
【０１０６】
＜第２の方法＞
第２の方法では、サブトラクティブ法により配線層２１及び３１を形成する。図１１は、配線層２１及び３１と、貫通配線１２とを形成する第２の方法を示す断面図である。図１１には、図２に対応する部分を示している。
【０１０７】
第２の方法では、まず、第１の方法と同様にして、第１レジスト層１５１及び第２レジスト層１５２の剥離までの処理を行う（図９（ｂ）参照）。次に、図１１（ａ）に示すように、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、コア層１１の一方の面側の第２金属層５２Ａ上及び第３金属層５３上に第５金属層５５Ｂを形成する。また、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、コア層１１の他方の面側の第２金属層５２Ａ上及び第４金属層５４上に第６金属層５６Ｂを形成する。第５金属層５５Ｂ及び第６金属層５６Ｂの各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第５金属層５５Ｂ及び第６金属層５６Ｂの各々の厚さは、例えば、１０μｍ〜１５μｍ程度とすることができる。第５金属層５５Ｂ及び第６金属層５６Ｂの各々は、最終的にはエッチングされて第５金属層５５及び第６金属層５６となる層である。
【０１０８】
第５金属層５５Ｂ及び第６金属層５６Ｂの形成に用いる電解めっきでは、例えば、直流電源を用い、電流密度は１．０Ａ／ｄｍ２〜１．５Ａ／ｄｍ２程度とする。また、めっき液としては、第３金属層５３及び第４金属層５４の形成時よりも、硫酸銅の濃度が低く、硫酸の濃度が高いめっき液を用いる。例えば、硫酸銅の濃度が１４０ｇ／Ｌ〜１８０ｇ／Ｌ程度、硫酸の濃度が１２０ｇ／Ｌ〜１６０ｇ／Ｌ程度、塩化物イオンの濃度が１０ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ程度のめっき液を用いる。このような条件を用いることにより、上面の平坦性が優れた第５金属層５５Ｂを形成しやすく、下面の平坦性が優れた第６金属層５６Ｂを形成しやすい。また、例えば、第５金属層５５Ｂの平均結晶粒径及び第６金属層５６Ｂの平均結晶粒径は、第３金属層５３の平均結晶粒径及び第４金属層５４の平均結晶粒径と同程度となる。
【０１０９】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第５金属層５５Ｂ上に配線層２１を形成する予定の領域を除く部分に対応する第５開口部１５５ｘを有する第５レジスト層１５５を形成する。また、第６金属層５６Ｂ上に配線層３１を形成する予定の領域を除く部分に対応する第６開口部１５６ｘを有する第６レジスト層１５６を形成する。第５レジスト層１５５及び第６レジスト層１５６としては、例えば、ドライフィルム等を用いることができ、パターニング処理をして第５開口部１５５ｘ及び第６開口部１５６ｘを形成できる。
【０１１０】
次に、図１１（ｃ）に示すように、第５レジスト層１５５をマスクとして、第５レジスト層１５５から露出する部分の第１金属箔２１Ｐ、第１金属層５１Ａ、第２金属層５２Ａ及び第５金属層５５Ｂをエッチングにより除去する。また、第６レジスト層１５６をマスクとして、第６レジスト層１５６から露出する部分の第２金属箔３１Ｐ、第１金属層５１Ａ、第２金属層５２Ａ及び第６金属層５６Ｂをエッチングにより除去する。そして、第５レジスト層１５５及び第６レジスト層１５６を除去する。
【０１１１】
これにより、コア層１１の一方の面側に、第１金属箔２１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２、第３金属層５３及び第５金属層５５を含み、所定の平面形状にパターニングされた配線層２１が形成される。また、コア層１１の他方の面側に、第２金属箔３１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２、第４金属層５４及び第６金属層５６を含み、所定の平面形状にパターニングされた配線層３１が形成される。更に、貫通孔１１ｘ内の第１金属層５１、第２金属層５２、第３金属層５３及び第４金属層５４を含む貫通配線１２が形成される。
【０１１２】
このような製造方法によれば、第１凹部２１ｘを第３金属層５３により適切に充填し、第２凹部３１ｘを第４金属層５４により適切に充填することができる。また、第３金属層５３を形成する際には、コア層１１の一方の側で配線層２１を形成する予定の領域を第１レジスト層１５１で覆い、第３金属層５３の形成後に、第５金属層５５又は５５Ｂを形成するため、第３金属層５３から独立して配線層２１の厚さを適切に調整することができる。同様に、第４金属層５４を形成する際には、コア層１１の他方の側で配線層３１を形成する予定の領域を第２レジスト層１５２で覆い、第４金属層５４の形成後に、第６金属層５６又は５６Ｂを形成するため、第４金属層５４から独立して配線層３１の厚さを適切に調整することができる。
【０１１３】
＜参考例の方法＞
比較のために、参考例の方法について説明する。参考例の方法では、セミアディティブ法により配線層２１及び３１を形成する。図１２は、配線層２１及び３１と、貫通配線１２とを形成する参考例の方法を示す断面図である。
【０１１４】
参考例の方法では、まず、第１の方法と同様にして、第２金属層５２Ａの形成までの処理を行う（図８（ｂ）参照）。次に、図１２（ａ）に示すように、コア層１１の一方の面側の第２金属層５２Ａ上に配線層２１に対応する第３開口部１５３ｘを有する第３レジスト層１５３を形成する。また、コア層１１の他方の面側の第２金属層５２Ａ上に配線層３１に対応する第４開口部１５４ｘを有する第４レジスト層１５４を形成する。
【０１１５】
次に、図１２（ｂ）に示すように、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第３開口部１５３ｘ内に露出する第２金属層５２Ａ上に第３金属層５３Ｃを形成する。また、第１金属層５１Ａを給電層とする電解めっき法により、第４開口部１５４ｘ内に露出する第２金属層５２Ａ上に第４金属層５４Ｃを形成する。第３金属層５３Ｃ及び第４金属層５４Ｃの各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第３金属層５３Ｃ及び第４金属層５４Ｃの各々の厚さは、第１凹部２１ｘ及び第２凹部３１ｘを充填できる厚さとする。
【０１１６】
次に、図１２（ｃ）に示すように、第３レジスト層１５３及び第４レジスト層１５４を除去する。次いで、第３金属層５３Ｃをマスクとして、第３金属層５３Ｃから露出する部分の第１金属箔２１Ｐ、第１金属層５１Ａ及び第２金属層５２Ａをエッチングにより除去する。また、第４金属層５４Ｃをマスクとして、第４金属層５４Ｃから露出する部分の第２金属箔３１Ｐ、第１金属層５１Ａ及び第２金属層５２Ａをエッチングにより除去する。
【０１１７】
これにより、コア層１１の一方の面側に、第１金属箔２１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２及び第３金属層５３を含み、所定の平面形状にパターニングされた配線層２１が形成される。また、コア層１１の他方の面側に、第２金属箔３１ａ、第１金属層５１、第２金属層５２及び第４金属層５４を含み、所定の平面形状にパターニングされた配線層３１が形成される。
【０１１８】
しかしながら、図１２（ｂ）に示すように、この参考例の方法では、第３金属層５３Ｃのコア層１１の一方の面上の厚さが過剰になったり、第４金属層５４Ｃの他方の面上の厚さが過剰になったりする。これは、電解めっきにより平坦部分と凹部分とに同時にめっき金属を析出させた場合、平坦部分への析出量が、凹部分への析出量より多くなるためである。すなわち、この参考例の方法では、電解めっきにより、第１凹部２１ｘを十分に充填する厚さに第３金属層５３Ｃを形成し、第２凹部３１ｘを十分に充填する厚さに第４金属層５４Ｃを形成すると、コア層１１の一方の面上及び他方の面上において、第３金属層５３Ｃ及び第４金属層５４Ｃの厚さが過剰になるのである。そして、第３金属層５３Ｃの厚さが過剰になると、第１金属箔２１Ｐ、第１金属層５１Ａ及び第２金属層５２Ａのエッチングに支障を来たすおそれがあり、第４金属層５４Ｃの厚さが過剰になると、第２金属箔３１Ｐ、第１金属層５１Ａ及び第２金属層５２Ａのエッチングに支障を来たすおそれがある。
【０１１９】
その一方で、第３金属層５３Ｃのコア層１１の一方の面上の厚さ及び第４金属層５４Ｃの他方の面上の厚さを、第１の方法の第５金属層５５及び第６金属層５６の各々の厚さ（例えば、１０μｍ〜１５μｍ程度）と同程度とすると、第１凹部２１ｘ及び第２凹部３１ｘを適切に充填できなくなる。
【０１２０】
このように、この参考例の方法では、第３金属層５３Ｃによる第１凹部２１ｘの適切な充填及び適切な厚さの配線層２１の形成を両立することができない。同様に、第４金属層５４Ｃによる第２凹部３１ｘの適切な充填及び適切な厚さの配線層３１の形成を両立することができない。
【０１２１】
サブトラクティブ法により配線層２１を形成するために、コア層１１の一方の側の第２金属層５２Ａ上に形成する金属層で第１凹部２１ｘを充填しようとする場合も、第１凹部２１ｘの適切な充填及び適切な厚さの配線層２１の形成の両立が困難である。同様に、サブトラクティブ法により配線層３１を形成するために、コア層１１の他方の側の第２金属層５２Ａ上に形成する金属層で第２凹部３１ｘを充填しようとする場合も、第２凹部３１ｘの適切な充填及び適切な厚さの配線層３１の形成の両立が困難である。
【０１２２】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、配線基板１０及び半導体チップを含む半導体パッケージに関する。図１３は、第２の実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【０１２３】
図１３に示すように、第２の実施形態に係る半導体パッケージ２０は、配線基板１０と、配線基板１０上に実装された半導体チップ７０とを有する。半導体チップ７０は電極パッド（図示せず）を有しており、半導体チップ７０の電極パッドが外部接続端子２８に接続されている。また、配線基板１０と半導体チップ７０との間にアンダーフィル樹脂８０が充填されている。
【０１２４】
このような半導体パッケージ２０を製造するには、例えば、配線基板１０の外部接続端子２８と半導体チップ７０の電極パッドとが対応する位置に来るように、配線基板１０上に半導体チップ７０を配置する。そして、例えば２３０℃程度に加熱し、外部接続端子２８（はんだボール）を構成するはんだを融解させ、配線基板１０の第１パッド２７と半導体チップ７０の電極パッドとを電気的及び機械的に接続する。そして、配線基板１０と半導体チップ７０との間にアンダーフィル樹脂８０を充填する。
【０１２５】
なお、半導体チップ７０の電極パッド上にはんだが形成されている場合には、半導体チップ７０の電極パッド上のはんだと外部接続端子２８を構成するはんだとが溶融して合金となり、１つのバンプが形成される。
【０１２６】
以上、好ましい実施の形態等について詳説したが、上述した実施の形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【０１２７】
１０  配線基板
１１  コア層
１１ｘ  貫通孔
１２  貫通配線
２１、２３、２５、２７、３１、３３、３５、３７  配線層
２１ａ、２１Ｐ  第１金属箔
２１ｘ  第１凹部
２２、２４、２６、３２、３４、３６  絶縁層
２２ｘ、２４ｘ、２６ｘ、３２ｘ、３４ｘ、３６ｘ  ビアホール
２８  外部接続端子
２９、３９  ソルダレジスト層
２９ｘ、３９ｘ  開口部
３１ａ、３１Ｐ  第２金属箔
３１ｘ  第２凹部
５１、５１Ａ  第１金属層
５２、５２Ａ  第２金属層
５３  第３金属層
５４  第４金属層
５５、５５Ｂ  第５金属層
５６、５６Ｂ  第６金属層
７０  半導体チップ
８０  アンダーフィル樹脂
１５１  第１レジスト層
１５１ｘ  第１開口部
１５２  第２レジスト層
１５２ｘ  第２開口部
１５３  第３レジスト層
１５３ｘ  第３開口部
１５４  第４レジスト層
１５４ｘ  第４開口部
１５５  第５レジスト層
１５５ｘ  第５開口部
１５６  第６レジスト層
１５６ｘ  第６開口部
【図１】
2020088192.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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