(57)【要約】【課題】所定の封入部材を封入してなる貼り合わせ基板をシール部材が存在する部分において好適に分断できる方法を提供する。【解決手段】２枚のガラス基板のそれぞれの表面において分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、スクライブラインからそれぞれ基板の厚み方向に垂直クラックを導入するスクライブ工程と、それぞれの垂直クラックの位置に応じた所定の位置において貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに押し込むことにより、垂直クラックを伸展させることを、全ての垂直クラックに対して順次に行うブレーク工程とを行うようにし、ブレーク工程においては、伸展させたい垂直クラックが導入された側のガラス基板が下方となる姿勢で貼り合わせ基板を支持した状態で、他方の基板表面の伸展させたい垂直クラックの位置から第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方からブレークバーを当接させる、ようにした。【選択図】図４
2020070202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚のガラス基板の間において、所定の封入部材が封入された被封入領域の周囲をシール部材によって封止しつつ、前記シール部材によって前記２枚のガラス基板を貼り合わせてなる貼り合わせ基板を、あらかじめ前記シール部材の存在する位置に定めた分断予定位置において前記被封入領域が存在する第１の領域と前記被封入領域が存在しない第２の領域とに分断する方法であって、
前記２枚のガラス基板のそれぞれの表面において前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、前記スクライブラインから前記２枚のガラス基板のそれぞれの厚み方向に垂直クラックを導入するスクライブ工程と、
前記スクライブ工程において導入されたそれぞれの前記垂直クラックの位置に応じた所定の位置において前記貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに前記ブレークバーを押し込むことにより、前記垂直クラックを伸展させることを、全ての前記垂直クラックに対して順次に行うブレーク工程と、
を備え、
前記ブレーク工程においては、前記２枚のガラス基板の一方の伸展させたい前記垂直クラックが導入された側のガラス基板が下方となる姿勢にて、前記貼り合わせ基板を支持した状態で、前記２枚のガラス基板の他方の表面の、伸展させたい前記垂直クラックの位置から前記第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方から前記ブレークバーを当接させる、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分断方法。
【請求項２】
請求項１に記載の貼り合わせ基板の分断方法であって、
前記２枚のガラス基板のそれぞれの厚みが０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであり、
前記シフト距離が５０μｍ〜１５０μｍである、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分断方法。
【請求項３】
第１と第２のガラス基板の間において、所定の封入部材が封入された被封入領域の周囲をシール部材によって封止しつつ、前記シール部材によって前記第１と前記第２のガラス基板とを貼り合わせてなる貼り合わせ基板において、あらかじめ前記シール部材の存在する位置に定めた分断予定位置において前記被封入領域が存在する第１の領域と前記被封入領域が存在しない第２の領域とに分断する方法であって、
前記第１のガラス基板の表面において前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、前記スクライブラインから前記第１のガラス基板の厚み方向に垂直クラックを導入する第１のスクライブ工程と、
前記第２のガラス基板の表面において前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、前記スクライブラインから前記第２のガラス基板の厚み方向に垂直クラックを導入する第２のスクライブ工程と、
前記第１のスクライブ工程において導入された前記垂直クラックの位置に応じた所定の位置において前記貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに前記ブレークバーを押し込むことにより、前記垂直クラックを伸展させる第１のブレーク工程と、
前記第２のスクライブ工程において導入された前記垂直クラックの位置に応じた所定の位置において前記貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに前記ブレークバーを押し込むことにより、前記垂直クラックを伸展させる第２のブレーク工程と、
を備え、
前記第１のブレーク工程においては、前記第１のガラス基板が下方となる姿勢にて、前記貼り合わせ基板を支持した状態で、前記第２のガラス基板の、伸展させたい前記垂直クラックの位置から前記第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方から前記ブレークバーを当接させ、
前記第２のブレーク工程においては、前記第２のガラス基板が下方となる姿勢にて、前記貼り合わせ基板を支持した状態で、前記第１のガラス基板の、伸展させたい前記垂直クラックの位置から前記第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方から前記ブレークバーを当接させる、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分断方法。
【請求項４】
請求項３に記載の貼り合わせ基板の分断方法であって、
前記第１および第２のガラス基板のそれぞれの厚みが０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであり、
前記シフト距離が５０μｍ〜１５０μｍである、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合わせ基板を分断する方法に関し、特にそのブレーク工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
２枚のガラス基板（ＴＦＴ基板およびＣＦ基板）の間において、外縁部をシール部材にてシールしつつ液晶を封入してなる液晶セル基板（液晶セル、液晶パネル）は、液晶部分とシール部材による封止部分とを規則的に設けつつ該シール部材にて大判のガラス基板を貼り合わせてなるマザー基板を、所定の位置にて分断することにより得られる。
【０００３】
係るマザー基板の分断の手法として、それぞれのガラス基板の表面における分断予定位置に対しスクライビングツール（カッターホイールなど）によってスクライブラインを形成するスクライブ処理を行った後、係るスクライブラインが形成されたガラス基板とは反対のガラス基板に対しブレークバーを押し当てることにより該スクライブラインからクラックを伸展させるブレーク処理を行うという手法が、すでに公知である（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１３７６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した、液晶セル基板を得るためのマザー基板において、製品設計上の要請その他の理由により、分断後に液晶セル基板とされるセル領域同士の間に分断後は不要となる中間端材領域を介在させるレイアウトがなされる場合がある。係る場合において、液晶セル基板を得るためのマザー基板の分断を、シール部材が存在する、セル領域と中間端材領域との境界部分において行うことがある。
【０００６】
しかしながら、係る態様にて分断を行う場合、ブレークによって得られる液晶セル基板の端部（ブレーク面）が、中間端材領域の側に傾斜したり凸となったりする、いわゆるソゲ（そげ）が発生することがある。このようなソゲの発生により、外径寸法があらかじめ定められた公差を充足しなくなった液晶セル基板は、寸法不良品として取り扱われる。液晶セル基板の量産過程における歩留まりを高めるという観点からは、このような寸法不良品の発生は好ましくない。
【０００７】
特許文献１は、マザー基板の分断をシール部材（シール層）が存在しない箇所で行う態様ついて、開示するに過ぎない。シール部材が存在する場所で分断（ブレーク）を行う場合のソゲの抑制について、特許文献１には特段の開示も示唆もみられない。
【０００８】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、２枚のガラス基板の間において、外縁部をシール部材にてシールしつつ所定の封入部材を封入してなる貼り合わせ基板を、シール部材が存在する部分において好適に分断することができる方法を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、２枚のガラス基板の間において、所定の封入部材が封入された被封入領域の周囲をシール部材によって封止しつつ、前記シール部材によって前記２枚のガラス基板を貼り合わせてなる貼り合わせ基板を、あらかじめ前記シール部材の存在する位置に定めた分断予定位置において前記被封入領域が存在する第１の領域と前記被封入領域が存在しない第２の領域とに分断する方法であって、前記２枚のガラス基板のそれぞれの表面において前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、前記スクライブラインから前記２枚のガラス基板のそれぞれの厚み方向に垂直クラックを導入するスクライブ工程と、前記スクライブ工程において導入されたそれぞれの前記垂直クラックの位置に応じた所定の位置において前記貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに前記ブレークバーを押し込むことにより、前記垂直クラックを伸展させることを、全ての前記垂直クラックに対して順次に行うブレーク工程と、を備え、前記ブレーク工程においては、前記２枚のガラス基板の一方の伸展させたい前記垂直クラックが導入された側のガラス基板が下方となる姿勢にて、前記貼り合わせ基板を支持した状態で、前記２枚のガラス基板の他方の表面の、伸展させたい前記垂直クラックの位置から前記第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方から前記ブレークバーを当接させる、ことを特徴とする。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載の貼り合わせ基板の分断方法であって、前記２枚のガラス基板のそれぞれの厚みが０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであり、前記シフト距離が５０μｍ〜１５０μｍである、ことを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、第１と第２のガラス基板の間において、所定の封入部材が封入された被封入領域の周囲をシール部材によって封止しつつ、前記シール部材によって前記第１と前記第２のガラス基板とを貼り合わせてなる貼り合わせ基板において、あらかじめ前記シール部材の存在する位置に定めた分断予定位置において前記被封入領域が存在する第１の領域と前記被封入領域が存在しない第２の領域とに分断する方法であって、前記第１のガラス基板の表面において前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、前記スクライブラインから前記第１のガラス基板の厚み方向に垂直クラックを導入する第１のスクライブ工程と、前記第２のガラス基板の表面において前記分断予定位置に沿ってスクライブラインを形成し、前記スクライブラインから前記第２のガラス基板の厚み方向に垂直クラックを導入する第２のスクライブ工程と、前記第１のスクライブ工程において導入された前記垂直クラックの位置に応じた所定の位置において前記貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに前記ブレークバーを押し込むことにより、前記垂直クラックを伸展させる第１のブレーク工程と、前記第２のスクライブ工程において導入された前記垂直クラックの位置に応じた所定の位置において前記貼り合わせ基板に対しブレークバーを当接させ、さらに前記ブレークバーを押し込むことにより、前記垂直クラックを伸展させる第２のブレーク工程と、を備え、前記第１のブレーク工程においては、前記第１のガラス基板が下方となる姿勢にて、前記貼り合わせ基板を支持した状態で、前記第２のガラス基板の、伸展させたい前記垂直クラックの位置から前記第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方から前記ブレークバーを当接させ、前記第２のブレーク工程においては、前記第２のガラス基板が下方となる姿勢にて、前記貼り合わせ基板を支持した状態で、前記第１のガラス基板の、伸展させたい前記垂直クラックの位置から前記第１の領域の側に所定のシフト距離だけシフトした位置に対し、上方から前記ブレークバーを当接させる、ことを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項３に記載の貼り合わせ基板の分断方法であって、前記第１および第２のガラス基板のそれぞれの厚みが０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであり、前記シフト距離が５０μｍ〜１５０μｍである、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１ないし請求項４の発明によれば、分断によって得られるセル基板の端部におけるソゲの発生を、好適に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】マザー基板１の構成と、分断後の様子とを、模式的に示す図である。
【図２】マザー基板１に対するスクライブラインの形成について説明するための図である。
【図３】スクライブラインを形成した後のマザー基板１の様子を示す図である。
【図４】スクライブラインＳＬが形成されたマザー基板１に対して行うブレーク処理について説明するための図である。
【図５】図４に示したブレーク対象位置ＴＧに対しシフトブレーク処理がなされた後の様子を示す図である。
【図６】分断予定位置Ｐ２ａの鉛直上方に刃先２０２ｅを当接させる場合の、ブレーク処理前の様子を示す図である。
【図７】分断予定位置Ｐ２ａの鉛直上方に刃先２０２ｅを当接させる場合の、ブレーク処理後の様子を示す図である。
【図８】シフトブレーク処理によって全てのクラックＣＲを分断予定位置に沿って伸展させた後の様子を示す図である。
【図９】単位セル基板１０を対象とするそげ量評価の手法について説明するための図である。
【図１０】ＴＦＴ基板とＣＦ基板の３つの端面ａ、ｂ、ｃにおける平均そげ量を示すグラフである。
【図１１】シフト距離δが異なる分断により得られた単位セル基板１０の端面の撮像画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜基板の概要＞
図１は、本実施の形態に係る分断方法において厚み方向に沿った分断の対象とされるマザー基板１の構成と、分断後の様子とを、模式的に示す図である。
【００１６】
マザー基板１はいわゆる貼り合わせ基板の一種であり、概略、第１のガラス基板２と、第２のガラス基板３との間において、あらかじめ配置位置が規則的に定められた多数の被封入領域に所定の封入部材４を封入してなるとともに、それぞれの被封入領域の周囲を（当該被封入領域に封入された封入部材４の周囲を）シール部材５にてシール（封止）した構成を有する。
【００１７】
より詳細には、係るマザー基板１においては、分断後に単位セル基板１０となるセル領域ＲＥ１と、分断後に不要となる中間端材領域ＲＥ２とが、互いに直交する２つの方向（第１の方向および第２の方向）において、繰り返し交互にレイアウトされてなり、それぞれのセル領域ＲＥ１の中央部分に規定された平面視矩形状の被封入領域において、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間に封入部材４が封入されてなる。一方で、セル領域ＲＥ１のうち被封入領域の周囲と、中間端材領域ＲＥ２とには、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間にシール部材５が配置されてなる。図１においては、図面視左右方向が第１の方向の一方に合致し、他方が図面に第２の方向に合致する場合の、マザー基板１の断面を示している。
【００１８】
そして、セル領域ＲＥ１に由来する単位セル基板１０は、平面視矩形状をなしており、第１のガラス基板２に由来する第１の単位基板２ａと第２のガラス基板３に由来する第２の単位基板３ａとの間に、外縁部をシール部材５ａにてシールしつつ封入部材４が封入された構成を有する。
【００１９】
好適な一例としては、第１のガラス基板２はＴＦＴ基板であり、第２のガラス基板３はＣＦ基板であり、封入部材４は液晶であり、シール部材５はエポキシ樹脂等の樹脂であり、単位セル基板１０は液晶セル基板である。
【００２０】
マザー基板１を分断して単位セル基板１０を得るにあたってはあらかじめ、セル領域ＲＥ１と中間端材領域ＲＥ２との境界位置でもある分断予定位置が定められる。ここで、第１のガラス基板２側の分断予定位置Ｐ２と第２のガラス基板３側の分断予定位置Ｐ３はともに、後述する端子部を形成するための分断位置を除いて、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３の間にシール部材５が介在する箇所に定められる。換言すれば、単位セル基板１０を得るに際し、マザー基板１は、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３の間にシール部材５の介在する箇所にて分断される。
【００２１】
ただし、第１のガラス基板２側の分断予定位置Ｐ２と第２のガラス基板３側の分断予定位置Ｐ３とは必ずしも全て一致してはおらず、別個のパターンにて設定される。図１に示す場合であれば、図面視左右方向である第１の方向において、第１のガラス基板２側の分断予定位置Ｐ２ａと第２のガラス基板３側の分断予定位置Ｐ３ａとが一致させられてなる一方で、第１のガラス基板２側の分断予定位置Ｐ２ｂと第２のガラス基板３側の分断予定位置Ｐ３ｂとは違えられてなる。これにより、第１のガラス基板２におけるセル領域ＲＥ１の方が、第２のガラス基板３におけるセル領域ＲＥ１よりも大きくなっている。一方、図示は省略するが、係る場合、図面に垂直な第２の方向においては第１のガラス基板２側の分断予定位置Ｐ２と、第２のガラス基板３側の分断予定位置Ｐ３は、互いに一致するように定められる。
【００２２】
係るマザー基板１において、第１のガラス基板２が面内において格子状に設定された分断予定位置Ｐ２にて分断され、第２のガラス基板３が同じく面内において格子状に設定された分断予定位置Ｐ３にて分断された結果として、矢印ＡＲ１にて示すように、単位セル基板１０が得られる。
【００２３】
分断後に得られる単位セル基板１０は、上述のような分断予定位置の配置に対応した形態を有する。具体的には、マザー基板１の第１の方向における第１のガラス基板２側の分断予定位置Ｐ２ｂと第２のガラス基板３側の分断予定位置Ｐ３ｂとのずれに対応して、第１の単位基板２ａが第２の単位基板３ａよりも突出した段差部１０ｓが形成されてなる。係る、段差部１０ｓは端子部となる。段差部１０ｓが形成されていない端面においては、第１の単位基板２ａと第２の単位基板３ａとが面一となっている。
【００２４】
＜分断の詳細＞
次に、マザー基板１を分断して単位セル基板１０を得る処理について説明する。係る分断は、概略、スクライブ処理によるマザー基板１へのスクライブラインの形成さらには該スクライブラインを起点とするクラックの導入と、ブレーク処理によるクラック伸展とによりなされる。
【００２５】
図２は、マザー基板１に対するスクライブラインの形成について説明するための図である。スクライブラインの形成は、公知のスクライブ装置を用いて行うことが出来る。例えば、マザー基板１を図示しない所定のステージに固定した状態で、当該スクライブ装置に備わるスクライビングホイール（カッターホイール）ＳＨを、第１のガラス基板２および第２のガラス基板３において矢印ＡＲ２およびＡＲ３にて示すように分断予定位置Ｐ２および分断予定位置Ｐ３のそれぞれに沿って圧接転動させることによって、第１のガラス基板２および第２のガラス基板３のそれぞれの表面に、分断予定位置Ｐ２および分断予定位置Ｐ３のそれぞれに沿ったスクライブラインを形成することが出来る。なお、スクライビングホイールＳＨの転動は、マザー基板１を固定してなるステージが移動することによる相対的なものであってもよい。
【００２６】
スクライビングホイールＳＨは、外周面に断面視二等辺三角形状の刃先ＳＨｅを有する、直径が２ｍｍ〜３ｍｍの円板状の部材（スクライビングツール）である。少なくとも刃先ＳＨｅはダイヤモンドにて形成されてなる。また、刃先ＳＨｅの角度（刃先角）は１００°〜１３５°であるのが好適である。あるいはさらに、刃先ＳＨｅの周方向に沿って、多数の微小な溝が等間隔に形成されてなる態様であってもよい。
【００２７】
なお、図２においては一のスクライビングホイールＳＨが一の分断予定位置Ｐ３に対し上方から圧接される様子が例示されているが、複数のスクライビングホイールＳＨが相異なる分断予定位置Ｐ２または分断予定位置Ｐ３に対し同時に圧接転動されることにより、複数のスクライブラインが第１のガラス基板２または第２のガラス基板３に対し同時に形成される態様であってもよい。また、分断予定位置Ｐ２に対しスクライブラインが形成されるに際しては、マザー基板１は図２に示す場合とは上下反転されてなり、第１のガラス基板２が上側とされた状態でスクライブラインが形成される態様であってもよい。
【００２８】
あるいは、複数のスクライビングホイールＳＨが相異なる分断予定位置Ｐ２および分断予定位置Ｐ３の双方に対しマザー基板１の上下両側から同時に圧接転動されることにより、複数のスクライブラインが第１のガラス基板２と第２のガラス基板３の両方に対し同時に形成される態様であってもよい。
【００２９】
図３は、スクライブラインを形成した後のマザー基板１の様子を示す図である。上述したスクライビングホイールＳＨの圧接転動により、それぞれの分断予定位置Ｐ２および分断予定位置Ｐ３に沿ったスクライブがなされると、図３に示すように、第１のガラス基板２および第２のガラス基板３の表面に分断予定位置Ｐ２および分断予定位置Ｐ３に沿ってスクライブラインＳＬが形成される。そしてさらに、第１のガラス基板２および第２のガラス基板３の厚み方向においては、それらスクライブラインＳＬを起点に、分断予定位置Ｐ２および分断予定位置Ｐ３に沿ってクラック（垂直クラック）ＣＲが導入される。
【００３０】
図４は、スクライブラインＳＬが形成されたマザー基板１に対して行うブレーク処理について説明するための図である。ブレーク処理は、公知のブレーク装置２００を用いて行うことが出来る。
【００３１】
ブレーク装置２００は、少なくとも表面部分が弾性体からなり、ブレーク対象物を水平姿勢にて下方支持可能な支持体２０１と、鉛直下方に断面視三角形状の刃先２０２ｅを有する板状部材であるブレークバー２０２とを、主として備える。
【００３２】
ブレークバー２０２は、断面視二等辺三角形状の刃先２０２ｅが刃渡り方向に延在するように設けられてなる板状の金属製（例えば超硬合金製）部材である。図４においては、刃渡り方向が図面に垂直な方向となるように、ブレークバー２０２を示している。刃先２０２ｅの角度（刃先角）は５０°〜９０°であるのが好適である。
【００３３】
マザー基板１は、ブレーク処理に際し、図示しないダイシングリングに張設されたダイシングテープＤＴに第１のガラス基板２の表面を貼付させた状態で支持体２０１の上に載置固定される。なお、より詳細には、係る載置固定に際し、第２のガラス基板３の表面には図示しない保護フィルムが貼付される。
【００３４】
図４においては、第１のガラス基板２において分断予定位置Ｐ２ａに沿って導入されたクラックＣＲを伸展させるべく、ブレーク処理を行う場合を例示している。
【００３５】
係る場合、マザー基板１は、クラックＣＲの伸展対象たる第１のガラス基板２が下方となり、第２のガラス基板３側が上方となり（換言すれば、ダイシングテープＤＴを支持体に接触させる態様にて）、かつ、分断予定位置Ｐ２ａとブレークバー２０２の刃渡り方向とが並行となる姿勢にて、支持体２０１に載置固定される。
【００３６】
ただし、図４に示すように、マザー基板１は、伸展対象であるクラックＣＲが形成されてなる分断予定位置Ｐ２ａの鉛直上方（係る場合においては分断予定位置Ｐ３ａの鉛直上方でもある）ではなく、当該箇所から所定の距離（以下、シフト距離）δだけ、セル領域ＲＥ１（図１参照）の側へとシフトした箇所が、刃先２０２ｅの当接するブレーク対象位置ＴＧとなるように、位置決めされる。
【００３７】
すなわち、ブレーク処理の際、ブレークバー２０２は、伸展対象であるクラックＣＲが形成されてなる分断予定位置Ｐ２ａからセル領域ＲＥ１の側へ所定のシフト距離δずれた位置に向けて下降させられ、その刃先２０２ｅがブレーク対象位置ＴＧに当接した後もさらに、所定距離押し込まれる。係る態様でのブレーク処理を特に、シフトブレーク処理とも称する。
【００３８】
図５は、図４に示したブレーク対象位置ＴＧに対しシフトブレーク処理がなされた後の様子を示す図である。上述した態様にてシフトブレーク処理を行うことで、クラックＣＲは分断予定位置Ｐ２ａに沿って伸展し、図５に示すようにシール部材５にまで達する。
【００３９】
このような態様でのシフトブレーク処理を、全ての分断予定位置Ｐ２（Ｐ２ａ、Ｐ２ｂ）、Ｐ３（Ｐ３ａ、Ｐ３ｂ）を対象に行う。ただし、第２のガラス基板３において分断予定位置Ｐ３（Ｐ３ａ、Ｐ３ｂ）に沿って導入されたクラックＣＲを伸展させるべく、ブレーク処理を行う場合には、マザー基板１は図４に示した場合とは上下反転させた姿勢にて支持体２０１に載置固定されたうえで、同様の処理が行われる。
【００４０】
図６および図７は、対比例として示す、分断予定位置Ｐ２ａの鉛直上方に刃先２０２ｅを当接させる場合、つまりは、ブレークバー２０２をシフトさせないδ＝０の場合の、ブレーク処理前後の様子を示す図である。
【００４１】
図６において矢印ＡＲ４にて示すように、伸展対象であるクラックＣＲが形成されてなる分断予定位置Ｐ２ａの鉛直上方（係る場合においては分断予定位置Ｐ３ａの鉛直上方でもある）に向けてブレークバー２０２を下降させてその刃先２０２ｅを分断予定位置Ｐ３ａにおけるスクライブラインＳＬの形成位置に当接させ、さらに下降させた場合、図７に示すように、分断予定位置Ｐ２ａに沿ったクラック伸展は生じず、代わって、分断予定位置Ｐ２ａから中間端材領域ＲＥ２側にずれた方向にクラックＣＲ１が伸展する。このような態様にてクラックが伸展すると、最終的に得られる単位セル基板１０にソゲが生じることになり、寸法公差をみたさなくなる可能性があるため、好ましくない。
【００４２】
しかしながら、本実施の形態においては、スクライブ処理によって導入された全てのクラックＣＲを伸展させるべくマザー基板１に対し順次にブレーク処理を行う際、図４にて示した例と同様に、シフトブレーク処理を行うようにする。これにより、全ての分断予定位置に沿ったクラック伸展が生じる。
【００４３】
なお、シフト距離δの好適な値は、第１のガラス基板２および第２のガラス基板３の厚みによって異なる。例えば、両者の厚みが０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度（典型的には０．１５ｍｍ）であれば、シフト距離δは５０μｍ〜１５０μｍ程度とするのが好適である。これにより、ソゲ量が４μｍ〜５μｍ程度抑制される。
【００４４】
図８は、シフトブレーク処理によって全てのクラックＣＲを分断予定位置に沿って伸展させた後の様子を示す図である。図８においては、図３に示したスクライブラインＳＬの形成により導入された後、分断予定位置に沿って伸展した後のクラックＣＲと、係る伸展を実現するためのシフトブレーク処理におけるブレーク対象位置ＴＧとを、破線の矢印にて結んでいる。
【００４５】
シフトブレーク処理によって全てのクラックＣＲが伸展させられると、図示しないエキスパンド装置によって、第１のガラス基板２の表面に貼付されていたダイシングテープＤＴが図８において矢印ＡＲ５ａ、ＡＲ５ｂにて示すような相反する方向に引っ張られることで引き延ばされる（エキスパンドされる）。すると、クラックＣＲが伸展することで分断されつつも互いに接触したままであったセル領域ＲＥ１と中間端材領域ＲＥ２とが離隔させられる。最終的には、セル領域ＲＥ１が、図１に示したような単位セル基板１０として得られることになる。
【００４６】
以上、説明したように、本実施の形態によれば、２枚のガラス基板の間において、外縁部をシール部材にてシールしつつ所定の封入部材を封入してなるマザー基板を、スクライブ処理とブレーク処理とによってシール部材が存在する、セル領域と中間端材領域との境界部分において分断するに際して、ブレークバーの当接位置をスクライブ処理によって導入されたクラックの存在する位置からセル領域側にシフトさせるシフトブレーク処理を行うことで、分断後のセル基板の端部におけるソゲの発生を、好適に抑制することができる。
【実施例】
【００４７】
マザー基板１として液晶基板を作製し、シフトブレーク処理の効果を確認した。具体的には、シフトブレーク処理の際のシフト距離δを０μｍ（シフトなし）、１００μｍ、１５０μｍの３水準に違えたほかは同じ条件で液晶基板を分断することにより、単位セル基板１０としての液晶基板を多数個得た後、得られた単位セル基板１０の第１の単位基板２ａ（以下、ＴＦＴ基板）と第２の単位基板３ａ（以下、ＣＦ基板）とについて、端面（分断面）に生じるソゲの大きさ（以下、そげ量）を評価した。評価数は２０とした。また、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３の厚みはともに０．１５ｍｍとした。
【００４８】
図９は、単位セル基板１０を対象とするそげ量評価の手法について説明するための図である。図９（ａ）に平面図にて示すように、単位セル基板１０については、段差部１０ｓが形成されていない３つの端面ａ、ｂ、ｃをそげ量評価の対象とした。そして、図９（ｂ）に示すように、単位セル基板１０のＴＦＴ基板とＣＦ基板における３つの端面ａ、ｂ、ｃそれぞれについての、単位セル基板１０の上下面に直交する面からの最大突出距離ｓを、当該端面についてのそげ量と定義した。
【００４９】
図１０は、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の３つの端面ａ、ｂ、ｃにおける平均そげ量を示すグラフである。図１０には、エラーバー（標準偏差）も併せて示している。また、図１１は、シフト距離δが異なる分断により得られた単位セル基板１０の端面ｃの撮像画像である。図１１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、δ＝０μｍ、１００μｍ、１５０μｍの場合のものである。
【００５０】
図１０および図１１からは、シフトブレーク処理の実行がそげ量の低減に効果があることがわかる。例えば、図１１（ａ）においては端面に顕著な傾斜が確認されるのに対し、図１１（ｂ）、（ｃ）では端面は概ね上下面に対して垂直である。
【００５１】
特に、図１０からは、シフト距離δを１００μｍおよび１５０μｍとした場合の平均そげ量と、端面の位置によらず（２つのガラス基板の３つの端面ａ、ｂ、ｃのいずれにおいても）シフトブレーク処理を行わない場合の平均そげ量との間には有意な差異があり、シフトブレーク処理を行うことで、そげ量が平均で４μｍ〜５μｍ程度低減されることもわかる。
【符号の説明】
【００５２】
１  マザー基板
２  第１のガラス基板
３  第２のガラス基板
４  封入部材
５  シール部材
１０  単位セル基板
１０ｓ  （単位セル基板の）段差部
２００  ブレーク装置
２０１  支持体
２０２  ブレークバー
２０２ｅ  （ブレークバーの）刃先
ＣＲ、ＣＲ１  クラック
ＤＴ  ダイシングテープ
Ｐ２（Ｐ２ａ、Ｐ２ｂ）、Ｐ３（Ｐ３ａ、Ｐ３ｂ）  分断予定位置
ＲＥ１  セル領域
ＲＥ２  中間端材領域
ＳＨ  スクライビングホイール
ＳＨｅ  （スクライビングホイールの）刃先
ＳＬ  スクライブライン
ＴＧ  ブレーク対象位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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