(57)【要約】      （修正有）【課題】耐環境性を改善することの可能な発光パネル、発光装置および電子機器を提供する。【解決手段】発光パネル１０は、１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、有機電界発光層を挟み込む上部封止層１５および下部封止層１２とを備えている。上部封止層１５および下部封止層１２の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部１２０Ａ、１２０Ｂ、１５０Ａ、１５０Ｂが形成された１または複数の無機封止膜を含む。【選択図】図３
2020113443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を備え、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光パネル。
【請求項２】
各前記破断制御部は、前記１または複数の無機封止膜の上面から下面に到達しない深さにまで形成されている
請求項１に記載の発光パネル。
【請求項３】
前記１または複数の無機封止膜では、前記破断制御部の形成されている領域と、前記破断制御部の形成されてない領域との境界において、組成が連続的に変化している
請求項１または請求項２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記１または複数の無機封止膜は、アルミナ層およびＳＩＮ層を含む複合層となっており、
各前記破断制御部は、前記ＳＩＮ層の一部を酸化することにより形成されている
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項５】
各前記破断制御部は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている
請求項４に記載の発光パネル。
【請求項６】
前記１または複数の無機封止膜は、各前記破断制御部において酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項７】
前記封止層は、乾燥剤を含有する樹脂層を有する
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項８】
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を備え、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い複数の圧縮応力部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光パネル。
【請求項９】
各前記圧縮応力部は、不純物の導入により圧縮応力の高められた領域である
請求項８に記載の発光パネル。
【請求項１０】
各前記圧縮応力部は、不純物としてイオンが導入されたことより圧縮応力の高められた領域である
請求項９に記載の発光パネル。
【請求項１１】
前記封止層は、乾燥剤を含有する樹脂層を有する
請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項１２】
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を備え、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、
１または複数の無機封止膜と、
前記無機封止膜ごとに設けられ、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層と
を含む
発光パネル。
【請求項１３】
前記１または複数の樹脂層は、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える収縮部を有する
請求項１２に記載の発光パネル。
【請求項１４】
前記１または複数の樹脂層は、乾燥剤を含有する
請求項１２または請求項１３に記載の発光パネル。
【請求項１５】
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光装置。
【請求項１６】
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い複数の圧縮応力部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光装置。
【請求項１７】
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、
１または複数の無機封止膜と、
前記無機封止膜ごとに設けられ、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層と
を含む
発光装置。
【請求項１８】
発光装置を備え、
前記発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を有し、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
電子機器。
【請求項１９】
発光装置を備え、
前記発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を有し、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い複数の圧縮応力部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
電子機器。
【請求項２０】
発光装置を備え、
前記発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を有し、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、
１または複数の無機封止膜と、
前記無機封止膜ごとに設けられ、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層と
を含む
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光パネル、発光装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子を用いた発光パネルとして、種々のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１３２７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記の発光パネルでは、耐環境性の改善が求められている。そのため、耐環境性を改善することの可能な発光パネル、発光装置および電子機器を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の第１の側面に係る発光パネルは、１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層とを備えている。上部封止層および下部封止層の少なくとも一方の封止層が、１または複数の無機封止膜を含んでいる。１または複数の無機封止膜は、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部を有する。
【０００６】
本開示の第１の側面に係る発光パネルでは、１または複数の無機封止膜に複数の破断制御部が形成されている。これにより、封止層に生じ得る破断箇所が複数の破断制御部によって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機電界発光素子に水分が到達しがたい。
【０００７】
本開示の第２の側面に係る発光パネルは、１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層とを備えている。上部封止層および下部封止層の少なくとも一方の封止層が、１または複数の無機封止膜を含んでいる。１または複数の無機封止膜は、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い圧縮応力部を有する。
【０００８】
本開示の第２の側面に係る発光パネルでは、１または複数の無機封止膜に複数の圧縮応力部が形成されている。これにより、１または複数の無機封止膜のうち、圧縮応力部以外の領域（以下、「低圧縮応力部」と称する。）では、圧縮応力が生じていないか、圧縮応力部に生じている圧縮応力よりも小さな圧縮応力が生じている。その結果、封止層に生じ得る破断箇所が低圧縮応力部によって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機電界発光素子に水分が到達しがたい。
【０００９】
本開示の第３の側面に係る発光パネルは、１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層とを備えている。上部封止層および下部封止層の少なくとも一方の封止層が、１または複数の無機封止膜と、無機封止膜ごとに設けられ、対応する無機封止膜のうち所定の箇所に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層とを含む。
【００１０】
本開示の第３の側面に係る発光パネルでは、１または複数の無機封止膜のうち所定の箇所に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層が設けられている。これにより、１または複数の無機封止膜のうち、１または複数の樹脂層から圧縮応力が与えられている箇所以外の領域（以下、「低圧縮応力部」と称する。）では、圧縮応力が生じていないか、圧縮応力部に生じている圧縮応力よりも小さな圧縮応力が生じている。その結果、封止層に生じ得る破断箇所が低圧縮応力部によって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機電界発光素子に水分が到達しがたい。
【００１１】
本開示の第４の側面に係る発光装置は、上記第１の側面に係る発光パネルと、上記第１の側面に係る発光パネルを駆動する駆動部とを備えている。
【００１２】
本開示の第５の側面に係る発光装置は、上記第２の側面に係る発光パネルと、上記第２の側面に係る発光パネルを駆動する駆動部とを備えている。
【００１３】
本開示の第６の側面に係る発光装置は、上記第３の側面に係る発光パネルと、上記第３の側面に係る発光パネルを駆動する駆動部とを備えている。
【００１４】
本開示の第７の側面に係る電子機器は、上記第４の側面に係る発光装置を備えている。
【００１５】
本開示の第８の側面に係る電子機器は、上記第５の側面に係る発光装置を備えている。
【００１６】
本開示の第９の側面に係る電子機器は、上記第６の側面に係る発光装置を備えている。
【発明の効果】
【００１７】
本開示の第１、第２および第３の側面に係る発光パネル、第４、第５および第６の側面に係る発光装置、ならびに第７、第８および第９の側面に係る電子機器によれば、上部封止層および下部封止層の少なくとも一方の封止層に生じ得る破断箇所を破断制御部もしくは低圧縮応力部によって制御するようにしたので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機電界発光素子に水分が到達しがたくすることができる。その結果、耐環境性を改善することができる。なお、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る発光パネルの平面構成の一例を表す図である。
【図２】図１の画素の回路構成の一例を表す図である。
【図３】図１の発光パネルの断面構成の一例を表す図である。
【図４】図３の下部封止層の平面構成の一例を表す図である。
【図５】図３の下部封止層の平面構成の一例を表す図である。
【図６】図３の上部封止層の平面構成の一変形例を表す図である。
【図７】図３の上部封止層の平面構成の一変形例を表す図である。
【図８】図３の下部封止層に含まれる一の無機封止層の製造過程の一例を表す図である。
【図９】図３の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１０】図９の下部封止層に含まれる一の無機封止層の製造過程の一例を表す図である。
【図１１】図９の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１２】図１１の下部封止層に含まれる一の無機封止層の平面構成の一例を表す図である。
【図１３】図１１の下部封止層に含まれる一の無機封止層の平面構成の一例を表す図である。
【図１４】図１１の上部封止層に含まれる一の無機封止層の平面構成の一例を表す図である。
【図１５】図１１の上部封止層に含まれる一の無機封止層の平面構成の一例を表す図である。
【図１６】図９の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１７】図３の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１８】図９の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図１９】図１１の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図２０】図１６の発光パネルの断面構成の一変形例を表す図である。
【図２１】本開示の第２の実施の形態に係る発光装置の概略構成の一例を表す図である。
【図２２】上記第２の実施の形態に係る発光装置を備えた電子機器の外観の一例を斜視的に表す図である。
【図２３】上記第１の実施の形態およびその変形例に係る発光パネルを備えた照明装置の外観の一例を斜視的に表す図である。
【図２４】上記第１の実施の形態およびその変形例に係る発光パネルの平面構成の一変形例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（発光パネル）
２．第１の実施の形態の変形例（発光パネル）
３．第２の実施の形態（発光装置）
４．適用例（電子機器、照明装置）
【００２０】
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る発光パネル１０の平面構成の一例を表したものである。発光パネル１０は、フレキシブルパネルである。発光パネル１０は、後述の発光装置１や電子機器２、照明部４１０など（以下、「製品」と称する。）に組み込まれる。発光パネル１０は、ユーザによって特定の方向（以下、「曲げ方向」と称する。）にだけ屈曲もしくは湾曲可能に上記製品に組み込まれるか、または、曲げ方向に屈曲もしくは湾曲した状態で上記製品に組み込まれる。発光パネル１０が長方形状となっている場合、曲げ方向は、発光パネル１０の長手方向であってもよいし、発光パネル１０の短手方向であってもよい。なお、以下では、曲げ方向が発光パネル１０の長手方向となっているものとして、発光パネル１０の説明を行う。
【００２１】
発光パネル１０は、例えば、後述のコントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号および同期信号に基づく画像を表示する。発光パネル１０は、行方向に延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬおよび複数の電源線ＤＳＬと、行列状に配置された複数の画素１１とを有している。複数の画素１１は、発光パネル１０の発光領域１０Ａに設けられている。発光パネル１０において、発光領域１０Ａの周囲には非発光領域１０Ｂが設けられている。非発光領域１０Ｂは、発光パネル１０の額縁領域に相当し、発光領域１０Ａを囲む環形状となっている。
【００２２】
走査線ＷＳＬは、各画素１１の選択に用いられるものであり、各画素１１を所定の単位（例えば画素行）ごとに選択する選択パルスを各画素１１に供給するものである。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号電圧の、各画素１１への供給に用いられるものであり、信号電圧を含むデータパルスを各画素１１に供給するものである。電源線ＤＳＬは、各画素１１に電力を供給するものである。
【００２３】
複数の画素１１は、例えば、赤色光を発する複数の画素１１、緑色光を発する複数の画素１１、および青色光を発する複数の画素１１を含んで構成されている。なお、複数の画素１１は、例えば、さらに、他の色（例えば、白色や、黄色など）を発する複数の画素１１を含んで構成されていてもよい。
【００２４】
図２は、各画素１１の回路構成の一例を表したものである。各画素１１は、画素回路１１Ａと、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子１１Ｂとを有している。
【００２５】
画素回路１１Ａは、有機ＥＬ素子１１Ｂの発光・消光を制御する。画素回路１１Ａは、書込走査によって各画素１１に書き込んだ電圧を保持する機能を有している。画素回路１１Ａは、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓを含んで構成されている。
【００２６】
書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する信号電圧Ｖｓｉｇの印加を制御する。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに、サンプリングにより得られた電圧を駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込む。駆動トランジスタＴｒ１は、有機ＥＬ素子１１Ｂに直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、有機ＥＬ素子１１Ｂを駆動する。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によってサンプリングされた電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１１Ｂに流れる電流を制御する。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。保持容量Ｃｓは、所定の期間中に駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを一定に保持する役割を有する。なお、画素回路１１Ａは、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００２７】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機ＥＬ素子１１Ｂの陽極に接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機ＥＬ素子１１Ｂ側の端子に接続されている。
【００２８】
図３は、発光パネル１０の断面構成の一例を表したものである。発光パネル１０は、複数の有機ＥＬ素子１１Ｂを含むＥＬ層１４（有機電界発光層）と、有機ＥＬ素子１１Ｂごとに１つずつ割り当てられた複数の画素回路１１Ａを含むＴＦＴ層１３とを有している。発光パネル１０は、さらに、ＥＬ層１４およびＴＦＴ層１３を挟み込む下部封止層１２および上部封止層１５を有している。
【００２９】
下部封止層１２は、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止することにより、発光パネル１０の耐環境性を高めるための層である。下部封止層１２は、例えば、基板１２Ａ上に、無機封止膜１２Ｂ、樹脂層１２Ｃ、無機封止膜１２Ｄおよび樹脂層１２Ｅをこの順に積層してなる積層体である。
【００３０】
基板１２Ａは、ＴＦＴ層１３およびＥＬ層１４を支持する可撓性基板である。基板１２Ａは、樹脂材料によって形成されている。基板１２Ａは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などによって形成されている。樹脂層１２Ｃは、無機封止膜１２Ｂと無機封止膜１２Ｄとによって挟まれた層内に設けられており、樹脂材料によって形成されている。樹脂層１２Ｃは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などによって形成されている。樹脂層１２Ｅは、ＴＦＴ層１３を形成するための下地層である。樹脂層１２Ｅは、樹脂材料によって形成されている。樹脂層１２Ｅは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などによって形成されている。基板１２Ａ、樹脂層１２Ｃおよび樹脂層１２Ｅは、有機金属化合物あるいは無機化合物などからなる乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されていてもよい。
【００３１】
無機封止膜１２Ｂは、無機封止膜１２Ｄと比べて基板１２Ａ寄りに設けられている。無機封止膜１２Ｂは、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止するための層である。無機封止膜１２Ｂは、アルミナ層１２１およびＳｉＮ層１２２を含んでおり、例えば、アルミナ層１２１およびＳｉＮ層１２２を基板１２Ａ側からこの順に積層した複合層となっている。無機封止膜１２Ｄは、無機封止膜１２Ｂと比べてＥＬ層１４寄りに設けられている。無機封止膜１２Ｄは、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止するための層である。無機封止膜１２Ｄは、アルミナ層１２３およびＳＩＮ層１２４を含んでおり、例えば、アルミナ層１２３およびＳＩＮ層１２４を基板１２Ａ側からこの順に積層した複合層となっている。
【００３２】
ＳｉＮ層１２２は、発光領域１０Ａおよび非発光領域１０Ｂの双方において、複数の破断制御部１２０Ａを有している。つまり、各破断制御部１２０Ａは、無機封止膜１２Ｂの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、アルミナ層１２１は、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。ＳｉＮ層１２４は、発光領域１０Ａおよび非発光領域１０Ｂの双方において、複数の破断制御部１２０Ｂを有している。つまり、各破断制御部１２０Ｂは、無機封止膜１２Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、アルミナ層１２３は、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。
【００３３】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の長手方向となっているとする。このとき、各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂは、発光パネル１０の長手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂは、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成されている。
【００３４】
ＳｉＮ層１２２が窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１２０Ａが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１２２は、各破断制御部１２０Ａにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１２２は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。ＳｉＮ層１２４が窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１２０Ｂが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１２４は、各破断制御部１２０Ｂにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１２４は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。
【００３５】
図４、図５は、下部封止層１２の平面構成の一例を表したものである。複数の破断制御部１２０Ａと複数の破断制御部１２０Ｂとは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。複数の破断制御部１２０Ａと、複数の破断制御部１２０Ｂとは、例えば、下部封止層１２の法線方向から見たときに、できるだけ離れて配置されていることが好ましい。複数の破断制御部１２０Ａと、複数の破断制御部１２０Ｂとは、下部封止層１２の法線方向から見たときに、例えば、等間隔で配置されている。複数の破断制御部１２０Ａと、複数の破断制御部１２０Ｂとの対向方向は、例えば、曲げ方向と平行となっている。基板１２Ａ、樹脂層１２Ｃおよび樹脂層１２Ｅが上述の乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合、複数の破断制御部１２０Ａと、複数の破断制御部１２０Ｂとは、下部封止層１２の法線方向から見たときに、例えば、１ｍｍ程度、離れて配置されている。
【００３６】
アルミナは、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と比較して、水分等のバリア性（透過防御性）が高い。そのため、各破断制御部１２０Ａ，１２０ＢがＳｉＮ層１２２，１２４に設けられている場合であっても、アルミナ層１２１，１２３によって、水分等のバリア性（透過防御性）が保たれる。また、発光パネル１０が曲屈曲もしくは湾曲され、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄが破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂにおいて破断した場合であっても、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂが積層方向において互いに対向する位置に設けられた場合と比較して、基板１２Ａ側からＥＬ層１４へ至る水分等の経路として、下部封止層１２の法線方向から見たときの破断制御部１２０Ａと破断制御部１２０Ｂとの距離分長くなる。このため、発光パネル１０の耐環境性を高めることができる。
【００３７】
破断制御部１２０Ａの形成されている領域と、破断制御部１２０Ａの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ１」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。「組成が連続的に変化する境界」とは、例えば、プラズマ酸化によりＳｉＮ層１２２を選択的に酸化したときに形成される、組成がなだらかに変化する境界を指している。破断制御部１２０Ａが上述したようなプラズマ酸化により形成されている場合、ＳｉＮ層１２２の表面には凹凸がほとんど形成されないので、破断制御部１２０Ａを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響はない。
【００３８】
破断制御部１２０Ｂの形成されている領域と、破断制御部１２０Ｂの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ２」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。「組成が連続的に変化する境界」とは、例えば、プラズマ酸化によりＳｉＮ層１２４を選択的に酸化したときに形成される、組成がなだらかに変化する境界を指している。破断制御部１２０Ｂが上述したようなプラズマ酸化により形成されている場合、ＳｉＮ層１２４の表面には凹凸がほとんど形成されないので、破断制御部１２０Ｂを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響はない。
【００３９】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の短手方向となっている場合には、各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂは、発光パネル１０の短手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。なお、各破断制御部１２０Ａは、図４、図５に示したようにストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１２０Ａがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１２０Ａの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。また、各破断制御部１２０Ｂは、図４、図５に示したようにストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１２０Ｂがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１２０Ｂの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。
【００４０】
上部封止層１５は、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止することにより、発光パネル１０の耐環境性を高めるための層である。上部封止層１５は、例えば、ＥＬ層１４上に、樹脂層１５Ａ、無機封止膜１５Ｂ、樹脂層１５Ｃ、無機封止膜１５Ｄおよび樹脂層１５Ｅをこの順に積層してなる積層体である。
【００４１】
樹脂層１５Ａは、ＴＦＴ層１３およびＥＬ層１４によって生じた表面の凹凸を均す平坦化膜である。樹脂層１５Ａは、透光性を有する樹脂材料によって形成されている。樹脂層１５Ａは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などによって形成されている。樹脂層１５Ｃは、無機封止膜１５Ｂと無機封止膜１５Ｄとによって挟まれた層内に設けられており、透光性を有する樹脂材料によって形成されている。樹脂層１５Ｃは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などによって形成されている。樹脂層１５Ｅは、発光パネル１０の発光面を形成するための最表層である。樹脂層１５Ｅは、透光性を有する樹脂材料によって形成されている。樹脂層１５Ｅは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、またはシリコーン系樹脂などによって形成されている。樹脂層１５Ａ、樹脂層１５Ｃおよび樹脂層１５Ｅは、有機金属化合物あるいは無機化合物などからなる乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されていてもよい。
【００４２】
無機封止膜１５Ｂは、無機封止膜１５Ｄと比べてＥＬ層１４寄りに設けられている。無機封止膜１５Ｂは、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止するための層であり、例えば、アルミナ層１５１およびＳｉＮ層１５２を基板１２Ａ側からこの順に積層した複合層となっている。無機封止膜１５Ｄは、無機封止膜１５Ｂと比べて発光パネル１０の最表面寄りに設けられている。無機封止膜１５Ｄは、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止するための層であり、例えば、アルミナ層１５３およびＳｉＮ層１５４を基板１２Ａ側からこの順に積層した複合層となっている。
【００４３】
ＳｉＮ層１５２は、発光領域１０Ａおよび非発光領域１０Ｂの双方において、複数の破断制御部１５０Ａを有している。つまり、各破断制御部１５０Ａは、無機封止膜１５Ｂの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、アルミナ層１５１は、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。ＳｉＮ層１５４は、発光領域１０Ａおよび非発光領域１０Ｂの双方において、複数の破断制御部１５０Ｂを有している。つまり、各破断制御部１５０Ｂは、無機封止膜１５Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、アルミナ層１５３は、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。
【００４４】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の長手方向となっているとする。このとき、各破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂは、発光パネル１０の長手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。各破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂは、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成されている。
【００４５】
ＳｉＮ層１５２が窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１５０Ａが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１５２は、各破断制御部１５０Ａにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１５２は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。ＳｉＮ層１５４が窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１５０Ｂが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１５４は、各破断制御部１５０Ｂにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、ＳｉＮ層１５４は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。
【００４６】
図６、図７は、上部封止層１５の平面構成の一例を表したものである。複数の破断制御部１５０Ａと複数の破断制御部１５０Ｂとは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。複数の破断制御部１５０Ａと、複数の破断制御部１５０Ｂとは、例えば、上部封止層１５の法線方向から見たときに、できるだけ離れて配置されていることが好ましい。複数の破断制御部１５０Ａと、複数の破断制御部１５０Ｂとは、上部封止層１５の法線方向から見たときに、例えば、等間隔で配置されている。複数の破断制御部１５０Ａと、複数の破断制御部１５０Ｂとの対向方向は、例えば、曲げ方向と平行となっている。樹脂層１５Ａ、樹脂層１５Ｃおよび樹脂層１５Ｅが上述の乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合、複数の破断制御部１５０Ａと、複数の破断制御部１５０Ｂとは、上部封止層１５の法線方向から見たときに、例えば、１ｍｍ程度、離れて配置されている。
【００４７】
アルミナは、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と比較して、水分等のバリア性（透過防御性）が高い。そのため、各破断制御部１５０Ａ，１５０ＢがＳｉＮ層１５２，１５４に設けられている場合であっても、アルミナ層１５１，１５３によって、水分等のバリア性（透過防御性）が保たれる。また、発光パネル１０が曲屈曲もしくは湾曲され、無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄが破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂにおいて破断した場合であっても、破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂが積層方向において互いに対向する位置に設けられた場合と比較して、樹脂層１５Ｅ側からＥＬ層１４へ至る水分等の経路として、上部封止層１５の法線方向から見たときの破断制御部１５０Ａと破断制御部１５０Ｂとの距離分長くなる。このため、発光パネル１０の耐環境性を高めることができる。
【００４８】
破断制御部１５０Ａの形成されている領域と、破断制御部１５０Ａの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ３」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。破断制御部１５０Ｂの形成されている領域と、破断制御部１５０Ｂの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ４」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。
【００４９】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の短手方向となっている場合には、各破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂは、発光パネル１０の短手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。なお、各破断制御部１５０Ａは、図６、図７に示したようにストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１５０Ａがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１５０Ａの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。また、各破断制御部１５０Ｂは、図６、図７に示したようにストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１５０Ｂがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１５０Ｂの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。
【００５０】
[製造方法]
次に、破断制御部１２０Ａの製造方法について説明する。図８（Ａ）〜図８（Ｅ）は、本実施の形態に係る発光パネル１０の下部封止層１２に含まれる無機封止膜１２Ｂの製造過程の一例を表したものである。
【００５１】
まず、基板１２Ａを用意する（図８（Ａ））。次に、基板１２Ａ上に、アルミナ層１２１およびＳｉＮ層１２２をこの順に形成する（図８（Ｂ））。次に、ＳｉＮ層１２２上に、所定の箇所に開口１２０ａを有するレジスト層１２０を形成する（図８（Ｃ））。次に、例えばプラズマ酸化を用いて、ＳｉＮ層１２２のうち、開口１２０ａの底面に露出している箇所を酸化する（図８（Ｄ））。このとき、例えば、少なくとも一部に酸素を含むプロセスガス（例えば、Ｏ2、ＡｒおよびＯ2、または、ＫｒおよびＯ2など）を用いた酸化性プラズマによって、プラズマ酸化を行う。これにより、ＳｉＮ層１２２のうち、開口１２０ａの底面に露出している箇所の組成が、例えば、ＳｉＮから、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化する。ＳｉＮ層１２２のうち組成の変化した箇所が破断制御部１２０Ａとなる。これにより、無機封止膜１２Ｂが形成される。このとき、破断制御部１２０Ａは、無機封止膜１２Ｂを上面から下面まで貫いて形成されていない。アルミナ層１２１がプラズマ酸化のストップ層として機能するためである。つまり、破断制御部１２０Ａの深さは、アルミナ層１２１によって制御される。その後、レジスト層１２０を除去する（図８（Ｅ））。このようにして、無機封止膜１２Ｂの所定の箇所に破断制御部１２０Ａが形成される。なお、破断制御部１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂについても、上記と同様の方法によってＳｉＮ層１２４，１５２，１５４に形成することが可能である。
【００５２】
次に、本実施の形態に係る発光パネル１０の効果について説明する。
【００５３】
一般的に、有機ＥＬ素子を用いたフレキシブルな発光パネルでは、耐環境性を高めるために無機封止膜が用いられる。その無機封止膜の破断は偶発的で、その発生位置は制御されていない。そのため、発光パネルを曲げたときに、無機封止膜に応力がかかり、マイクロクラックなどを起点として偶発的に破断する可能性がある。その場合、無機封止膜の破断によって生じるリークパスの距離は制御されていない。そのため、無機封止膜の破断後には発光パネルの信頼性が保証できなくなるという問題があった。
【００５４】
一方、本実施の形態では、下部封止層１２および上部封止層１５内の無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄには、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂが設けられている。破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂは、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄにおいて、引っ張り応力印加時の破断強度が相対的に低くなっている。例えば、無機封止膜１５Ｂが、各破断制御部１５０Ａにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。そのため、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄに応力がかかった際に、マイクロクラックが破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂに生じやすい。従って、発光パネル１０では、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本実施の形態では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、下部封止層１２において、各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。同様に、上部封止層１５において、各破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。これにより、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂを起点として破断が生じた場合に、外部から有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達するためのパス（リークパス）は、破断制御部１２０Ａと破断制御部１２０Ｂとの距離に応じた長さとなる。同様に、破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂを起点として破断が生じた場合に、外部から有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達するためのパス（リークパス）は、破断制御部１５０Ａと破断制御部１５０Ｂとの距離に応じた長さとなる。その結果、各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂまたは各破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂが積層方向において互いに対向する位置に設けられている場合と比べて、リークパスが長くなっている。従って、リークパスが長くなった分だけ、耐環境性を改善することができる。また、リークパスが各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂまたは各破断制御部１５０Ａ，１５０Ｂによって規定されているので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００５６】
また、本実施の形態では、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂは、発光パネル１０の長軸方向と交差する方向に延在している。これにより、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本実施の形態では、下部封止層１２および上部封止層１５に生じ得る破断箇所が破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００５７】
また、本実施の形態では、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂが、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで形成されており、アルミナ層１５３が、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。これにより、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂが無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄを貫通している場合と比較して、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止する機能を低下させることが無い。従って、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００５８】
また、本実施の形態において、例えば、プラズマ酸化によりＳｉＮ層１２２，１２４を選択的に酸化することにより、境界ＢＤ１，ＢＤ２の組成を連続的に変化させた場合には、ＳｉＮ層１２２，１２４の表面には凹凸がほとんど形成されない。これにより、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響をなくすことができる。
【００５９】
また、本実施の形態において、各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、ＳｉＮ層１２２，１２４，１５２，１５４のうち破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂ以外の箇所が窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合には、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本実施の形態では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。さらに、発光パネル１０の全面に渡ってアルミナ層１２１，１２３，１５１，１５３が形成されているので、水分等のバリア性を損なうことが無い。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００６０】
また、本実施の形態において、各破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂが上述したような酸化処理により形成されている場合には、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄの表面には凹凸がほとんど形成されない。これにより、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂを設けたことによってＴＦＴ層１３やＥＬ層１４に悪影響を及ぼすことがない。
【００６１】
また、本実施の形態では、下部封止層１２において、２つの無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１２Ｃが設けられている。また、上部封止層１５において、２つの無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１５Ｃが設けられている。これら樹脂層１２Ｃ，１５Ｃは、破断制御部１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂに破断が生じたときのリークパスの一部を構成している。ここで、樹脂層１２Ｃ、１５Ｃが、有機金属化合物あるいは無機化合物などからなる乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合には、樹脂層１２Ｃ，１５Ｃの吸湿性によって、リークパスを通過する水分の進行を遅らせることができる。従って、樹脂層がリークパスに設けられていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。
【００６２】
＜２．第１の実施の形態の変形例＞
【００６３】
[変形例Ａ]
上記実施の形態において、各無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄは、例えば、図９に示したように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層の一部に、複数の破断制御部１２ｂ，１２ｄが形成された構成となっていてもよい。
【００６４】
各破断制御部１２ｂは、無機封止膜１２Ｂの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、無機封止膜１２Ｂにおいて、各破断制御部１２ｂを除いた部分が、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。各破断制御部１２ｄは、無機封止膜１２Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、無機封止膜１２Ｄにおいて、各破断制御部１２ｄを除いた部分が、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。
【００６５】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の長手方向となっているとする。このとき、各破断制御部１２ｂ，１２ｄは、発光パネル１０の長手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。各破断制御部１２ｂ，１２ｄは、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成されている。
【００６６】
無機封止膜１２Ｂが窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１２ｂが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１２Ｂは、各破断制御部１２ｂにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１２Ｂは、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。無機封止膜１２Ｄが窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１２ｄが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１２Ｄは、各破断制御部１２ｄにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１２Ｄは、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。
【００６７】
下部封止層１２において、複数の破断制御部１２ｂと、複数の破断制御部１２ｄとは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。複数の破断制御部１２ｂと、複数の破断制御部１２ｄとは、例えば、下部封止層１２の法線方向から見たときに、できるだけ離れて配置されていることが好ましい。複数の破断制御部１２ｂと、複数の破断制御部１２ｄとは、下部封止層１２の法線方向から見たときに、例えば、等間隔で配置されている。複数の破断制御部１２ｂと、複数の破断制御部１２ｄとの対向方向は、例えば、曲げ方向と平行となっている。基板１２Ａ、樹脂層１２Ｃおよび樹脂層１２Ｅが上述の乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合、複数の破断制御部１２ｂと、複数の破断制御部１２ｄとは、下部封止層１２の法線方向から見たときに、例えば、１ｍｍ程度、離れて配置されている。
【００６８】
窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と比較して、水分等のバリア性（透過防御性）が高い。そのため、各破断制御部１２ｂ，１２ｄが無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄに設けられている場合であっても、各破断制御部１２ｂ，１２ｄの直下の部分を含む窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層によって、水分等のバリア性（透過防御性）が保たれる。また、発光パネル１０が曲屈曲もしくは湾曲され、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄが破断制御部１２ｂ，１２ｄにおいて破断した場合であっても、破断制御部１２ｂ，１２ｄが積層方向において互いに対向する位置に設けられた場合と比較して、基板１２Ａ側からＥＬ層１４へ至る水分等の経路として、下部封止層１２の法線方向から見たときの破断制御部１２ｂと破断制御部１２ｄとの距離分長くなる。このため、発光パネル１０の耐環境性を高めることができる。
【００６９】
破断制御部１２ｂの形成されている領域と、破断制御部１２ｂの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ１」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。「組成が連続的に変化する境界」とは、例えば、プラズマ酸化により無機封止膜１２Ｂを選択的に酸化したときに形成される、組成がなだらかに変化する境界を指している。破断制御部１２ｂが上述したようなプラズマ酸化により形成されている場合、無機封止膜１２Ｂの表面には凹凸がほとんど形成されないので、破断制御部１２ｂを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響はない。
【００７０】
破断制御部１２ｄの形成されている領域と、破断制御部１２ｄの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ２」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。「組成が連続的に変化する境界」とは、例えば、プラズマ酸化により無機封止膜１２Ｄを選択的に酸化したときに形成される、組成がなだらかに変化する境界を指している。破断制御部１２ｄが上述したようなプラズマ酸化により形成されている場合、無機封止膜１２Ｄの表面には凹凸がほとんど形成されないので、破断制御部１２ｄを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響はない。
【００７１】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の短手方向となっている場合には、各破断制御部１２ｂ，１２ｄは、発光パネル１０の短手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。なお、各破断制御部１２ｂは、ストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１２ｂがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１２ｂの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。また、各破断制御部１２ｄは、ストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１２ｄがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１２ｄの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。
【００７２】
また、上記実施の形態において、各無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄは、例えば、図９に示したように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層の一部に、複数の破断制御部１５ｂ，１５ｄが形成された構成となっていてもよい。
【００７３】
各破断制御部１５ｂは、無機封止膜１５Ｂの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、無機封止膜１５Ｂにおいて、各破断制御部１５ｂを除いた部分が、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。各破断制御部１５ｄは、無機封止膜１５Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。従って、無機封止膜１５Ｄにおいて、各破断制御部１５ｄを除いた部分が、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。
【００７４】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の長手方向となっているとする。このとき、各破断制御部１５ｂ，１５ｄは、発光パネル１０の長手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。各破断制御部１５ｂ，１５ｄは、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成されている。
【００７５】
無機封止膜１５Ｂが窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１５ｂが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１５Ｂは、各破断制御部１５ｂにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１５Ｂは、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。無機封止膜１５Ｄが窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合、各破断制御部１５ｄが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１５Ｄは、各破断制御部１５ｄにおいて酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている。このとき、無機封止膜１５Ｄは、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜の一部を酸化により酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化させることにより形成される。
【００７６】
上部封止層１５において、複数の破断制御部１５ｂと、複数の破断制御部１５ｄとは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。複数の破断制御部１５ｂと、複数の破断制御部１５ｄとは、例えば、上部封止層１５の法線方向から見たときに、できるだけ離れて配置されていることが好ましい。複数の破断制御部１５ｂと、複数の破断制御部１５ｄとは、上部封止層１５の法線方向から見たときに、例えば、等間隔で配置されている。複数の破断制御部１５ｂと、複数の破断制御部１５ｄとの対向方向は、例えば、曲げ方向と平行となっている。樹脂層１５Ａ、樹脂層１５Ｃおよび樹脂層１５Ｅが上述の乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合、複数の破断制御部１５ｂと、複数の破断制御部１５ｄとは、上部封止層１５の法線方向から見たときに、例えば、１ｍｍ程度、離れて配置されている。
【００７７】
窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）や酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）と比較して、水分等のバリア性（透過防御性）が高い。そのため、各破断制御部１５ｂ，１５ｄが無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄに設けられている場合であっても、各破断制御部１５ｂ，１５ｄの直下の部分を含む窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層によって、水分等のバリア性（透過防御性）が保たれる。また、発光パネル１０が曲屈曲もしくは湾曲され、無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄが破断制御部１５ｂ，１５ｄにおいて破断した場合であっても、破断制御部１５ｂ，１５ｄが積層方向において互いに対向する位置に設けられた場合と比較して、樹脂層１５Ｅ側からＥＬ層１４へ至る水分等の経路として、上部封止層１５の法線方向から見たときの破断制御部１５ｂと破断制御部１５ｄとの距離分長くなる。このため、発光パネル１０の耐環境性を高めることができる。
【００７８】
破断制御部１５ｂの形成されている領域と、破断制御部１５ｂの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ３」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。「組成が連続的に変化する境界」とは、例えば、プラズマ酸化により無機封止膜１５Ｂを選択的に酸化したときに形成される、組成がなだらかに変化する境界を指している。破断制御部１５ｂが上述したようなプラズマ酸化により形成されている場合、無機封止膜１５Ｂの表面には凹凸がほとんど形成されないので、破断制御部１５ｂを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響はない。
【００７９】
破断制御部１５ｄの形成されている領域と、破断制御部１５ｄの形成されてない領域との境界（以下、「境界ＢＤ４」と称する。）において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。「組成が連続的に変化する境界」とは、例えば、プラズマ酸化により無機封止膜１５Ｄを選択的に酸化したときに形成される、組成がなだらかに変化する境界を指している。破断制御部１５ｄが上述したようなプラズマ酸化により形成されている場合、無機封止膜１５Ｄの表面には凹凸がほとんど形成されないので、破断制御部１５ｄを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響はない。
【００８０】
発光パネル１０が、図１に示したような長方形状となっており、かつ、発光パネル１０の曲げ方向が発光パネル１０の短手方向となっている場合には、各破断制御部１５ｂ，１５ｄは、発光パネル１０の短手方向と交差（例えば直交）する方向に延在している。なお、各破断制御部１５ｂは、ストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１５ｂがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１５ｂの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。また、各破断制御部１５ｄは、ストライプ状となっていてもよいし、ドット状となっていてもよいし、これらを組み合わせた形状となっていてもよい。各破断制御部１５ｄがドット状となっている場合には、複数の破断制御部１５ｄの配列方向が発光パネル１０の曲げ方向と平行となっている。
【００８１】
[製造方法]
次に、破断制御部１２ｂの製造方法について説明する。図１０（Ａ）〜図１０（Ｅ）は、本変形例に係る発光パネル１０の下部封止層１２に含まれる無機封止膜１２Ｂの製造過程の一例を表したものである。
【００８２】
まず、基板１２Ａを用意する（図１０（Ａ））。次に、基板１２Ａ上に、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を成膜することにより、無機封止膜１２Ｂを形成する（図１０（Ｂ））。次に、無機封止膜１２Ｂ上に、所定の箇所に開口１２０ａを有するレジスト層１２０を形成する（図１０（Ｃ））。次に、例えばプラズマ酸化を用いて、無機封止膜１２Ｂのうち、開口１２０ａの底面に露出している箇所を酸化する（図１０（Ｄ））。このとき、例えば、少なくとも一部に酸素を含むプロセスガス（例えば、Ｏ2、ＡｒおよびＯ2、または、ＫｒおよびＯ2など）を用いた酸化性プラズマによって、プラズマ酸化を行う。これにより、無機封止膜１２Ｂのうち、開口１２０ａの底面に露出している箇所の組成が、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）から、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）に変化する。無機封止膜１２Ｂのうち組成の変化した箇所が破断制御部１２ｂとなる。このとき、破断制御部１２ｂは、例えば、図１０（Ｄ）に示したように、無機封止膜１２Ｂの上面から下面に到達しない深さにまで形成されている。その後、レジスト層１２０を除去する（図１０（Ｅ））。このようにして、無機封止膜１２Ｂの所定の箇所に破断制御部１２ｂが形成される。なお、破断制御部１２ｄ，１５ｂ，１５ｄについても、上記と同様の方法によって無機封止膜１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄに形成することが可能である。
【００８３】
次に、本変形例に係る発光パネル１０の効果について説明する。
【００８４】
本変形例では、上部封止層１５および下部封止層１２内の無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄには、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄが設けられている。破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄは、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄにおいて、引っ張り応力印加時の破断強度が相対的に低くなっている。そのため、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄに応力がかかった際に、マイクロクラックが破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄに生じやすい。従って、発光パネル１０では、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本変形例では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００８５】
また、本変形例では、下部封止層１２において、各破断制御部１２ｂ，１２ｄは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。同様に、上部封止層１５において、各破断制御部１５ｂ，１５ｄは、積層方向において互いに非対向の位置に設けられている。これにより、破断制御部１２ｂ，１２ｄを起点として破断が生じた場合に、外部から有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達するためのパス（リークパス）は、破断制御部１２ｂと破断制御部１２ｄとの距離に応じた長さとなる。同様に、破断制御部１５ｂ，１５ｄを起点として破断が生じた場合に、外部から有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達するためのパス（リークパス）は、破断制御部１５ｂと破断制御部１５ｄとの距離に応じた長さとなる。その結果、各破断制御部１２ｂ，１２ｄまたは各破断制御部１５ｂ，１５ｄが積層方向において互いに対向する位置に設けられている場合と比べて、リークパスが長くなっている。従って、リークパスが長くなった分だけ、耐環境性を改善することができる。また、リークパスが各破断制御部１２ｂ，１２ｄまたは各破断制御部１５ｂ，１５ｄによって規定されているので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００８６】
また、本変形例では、各破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄは、発光パネル１０の長軸方向と交差する方向に延在している。これにより、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本変形例では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００８７】
また、本変形例では、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄが、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで形成されており、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層が、発光パネル１０を全面に渡って覆っている。これにより、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄが無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄを貫通している場合と比較して、水分等のＥＬ層１４への侵入を防止する機能を低下させることが無い。従って、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００８８】
また、本変形例において、例えば、プラズマ酸化によりＳＩＮ層１２２，１２４を選択的に酸化することにより、境界ＢＤ１，ＢＤ２の組成を連続的に変化させた場合には、ＳＩＮ層１２２，１２４の表面には凹凸がほとんど形成されない。これにより、破断制御部１２ｂ，１２ｄを設けたことによるＴＦＴ層１３やＥＬ層１４への悪影響をなくすことができる。
【００８９】
また、本変形例において、各破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄが酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄのうち破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄ以外の箇所が窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている場合には、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本変形例では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。さらに、発光パネル１０の全面に渡って窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）層が形成されているので、水分等のバリア性を損なうことが無い。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【００９０】
また、本変形例において、各破断制御部１２ｂ，１２ｄが上述したような酸化処理により形成されている場合には、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄの表面には凹凸がほとんど形成されない。これにより、破断制御部１２ｂ，１２ｄを設けたことによってＴＦＴ層１３やＥＬ層１４に悪影響を及ぼすことがない。
【００９１】
また、本変形例では、下部封止層１２において、２つの無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１２Ｃが設けられている。また、上部封止層１５において、２つの無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１５Ｃが設けられている。これら樹脂層１２Ｃ，１５Ｃは、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄに破断が生じたときのリークパスの一部を構成している。ここで、樹脂層１２Ｃ、１５Ｃが、有機金属化合物あるいは無機化合物などからなる乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合には、樹脂層１２Ｃ，１５Ｃの吸湿性によって、リークパスを通過する水分の進行を遅らせることができる。従って、樹脂層がリークパスに設けられていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。
【００９２】
[変形例Ｂ]
上記変形例Ａにおいて、各無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄは、例えば、図１１に示したように、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄの代わりに、破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉを有していてもよい。
【００９３】
このとき、無機封止膜１２Ｂは、例えば、図１１、図１２に示したように、破断制御部１２ｇ以外の領域に、他の箇所（破断制御部１２ｇ）と比べて相対的に圧縮応力の高い圧縮応力部１２ｆを有している。つまり、破断制御部１２ｇには圧縮応力が生じていないか、または、破断制御部１２ｇに生じている圧縮応力が圧縮応力部１２ｆに生じている圧縮応力よりも小さくなっている。言い換えると、無機封止膜１２Ｂにおいて、圧縮応力部１２ｆでは、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力が高くなっている。
【００９４】
また、無機封止膜１２Ｄは、例えば、図１１、図１３に示したように、破断制御部１２ｉ以外の領域に、他の箇所（破断制御部１２ｉ）と比べて相対的に圧縮応力の高い圧縮応力部１２ｈを有している。つまり、破断制御部１２ｉには圧縮応力が生じていないか、または、破断制御部１２ｉに生じている圧縮応力が圧縮応力部１２ｈに生じている圧縮応力よりも小さくなっている。言い換えると、無機封止膜１２Ｄにおいて、圧縮応力部１２ｈでは、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力が高くなっている。
【００９５】
また、無機封止膜１５Ｂは、例えば、図１１、図１４に示したように、破断制御部１５ｇ以外の領域に、他の箇所（破断制御部１５ｇ）と比べて相対的に圧縮応力の高い圧縮応力部１５ｆを有している。つまり、破断制御部１５ｇには圧縮応力が生じていないか、または、破断制御部１５ｇに生じている圧縮応力が圧縮応力部１５ｆに生じている圧縮応力よりも小さくなっている。言い換えると、無機封止膜１５Ｂにおいて、圧縮応力部１５ｆでは、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力が高くなっている。
【００９６】
また、無機封止膜１５Ｄは、例えば、図１１、図１５に示したように、破断制御部１５ｉ以外の領域に、他の箇所（破断制御部１５ｉ）と比べて相対的に圧縮応力の高い圧縮応力部１５ｈを有している。つまり、破断制御部１５ｉには圧縮応力が生じていないか、または、破断制御部１５ｉに生じている圧縮応力が圧縮応力部１５ｈに生じている圧縮応力よりも小さくなっている。言い換えると、無機封止膜１５Ｄにおいて、圧縮応力部１５ｈでは、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力が高くなっている。
【００９７】
圧縮応力部１２ｆ，１２ｈ，１５ｆ，１５ｈは、不純物の導入により圧縮応力の高められた領域である。圧縮応力部１２ｆ，１２ｈ，１５ｆ，１５ｈは、例えば、不純物としてイオンが導入されたことより圧縮応力の高められた領域である。このイオン導入は、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄを上面から下面まで貫いてされていてもよいし、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄの上面から下面に到達しない深さにまで導入されていてもよい。注入されるイオンとしては、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、ＣｒまたはＬｉが好適である。これらのイオンの共有結合半径は、Ｔｉでは１６０ｐｍ、Ａｌでは１２１ｐｍ、Ｃｒでは１３９ｐｍ、Ｌｉでは１２８ｐｍとなっており、酸素の共有結合半径（６６ｐｍ）よりも大きいからである。また、注入されたこれらのイオンは、ＳｉＯ2から酸素を引き抜いて、安定化するためである。
【００９８】
圧縮応力部１２ｆ，１２ｈ，１５ｆ，１５ｈの形成されている領域と、圧縮応力部１２ｆ，１２ｈ，１５ｆ，１５ｈの形成されてない領域(破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉ)との境界において、組成が急峻に変化していてもよいし、組成が連続的に変化していてもよい。
【００９９】
また、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄが上述したようなイオンの導入により形成されている場合には、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄの表面には凹凸がほとんど形成されない。これにより、圧縮応力部１２ｆ，１２ｈを設けたことによってＴＦＴ層１３やＥＬ層１４に悪影響を及ぼすことがない。
【０１００】
相対的に高い圧縮応力のかかっている部分（圧縮応力部１２ｆ，１２ｈ，１５ｆ，１５ｈ）では、引っ張り応力印加時の破断強度が相対的に高くなっている。言い換えると、圧縮応力のかかっていないか、または、相対的に低い圧縮応力のかかっている部分（破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉ）では、引っ張り応力印加時の破断強度が相対的に低くなっている。そのため、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄに応力がかかった際に、マイクロクラックが破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉに生じやすい。従って、破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本変形例では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【０１０１】
また、本変形例に係る発光パネル１０では、下部封止層１２において、２つの無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１２Ｃが設けられている。また、上部封止層１５において、２つの無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１５Ｃが設けられている。これら樹脂層１２Ｃ，１５Ｃは、破断制御部１２ｇ，１２ｉ，１５ｇ，１５ｉに破断が生じたときのリークパスの一部を構成している。ここで、樹脂層１２Ｃ，１５Ｃが、有機金属化合物あるいは無機化合物などからなる乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合には、樹脂層１２Ｃ，１５Ｃの吸湿性によって、リークパスを通過する水分の進行を遅らせることができる。従って、樹脂層がリークパスに設けられていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。
【０１０２】
[変形例Ｃ]
上記変形例Ａにおいて、各無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄは、例えば、図１６に示したように、破断制御部１２ｂ，１２ｄ，１５ｂ，１５ｄの代わりに、破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑを有していてもよい。
【０１０３】
このとき、無機封止膜１２Ｂは、破断制御部１２ｎ以外の箇所に、圧縮応力部１２ｍを有している。無機封止膜１２Ｄは、破断制御部１２ｑ以外の箇所に、圧縮応力部１２ｐを有している。無機封止膜１５Ｂは、破断制御部１５ｎ以外の箇所に、圧縮応力部１５ｍを有している。無機封止膜１５Ｄは、破断制御部１５ｑ以外の箇所に、圧縮応力部１５ｐを有している。
【０１０４】
さらに、樹脂層１２Ｃは、圧縮応力部１２ｍと接する箇所に収縮部１２ｊを有している。樹脂層１２Ｅは、圧縮応力部１２ｐと接する箇所に収縮部１２ｋを有している。樹脂層１５Ｃは、圧縮応力部１５ｍと接する箇所に収縮部１５ｊを有している。樹脂層１５Ｅは、圧縮応力部１５ｐと接する箇所に収縮部１５ｋを有している。
【０１０５】
つまり、本変形例では、下部封止層１２は、無機封止膜１２Ｂのうち所定の箇所（圧縮応力部１２ｍ）に選択的に圧縮応力を与える樹脂層１２Ｃ（収縮部１２ｊ）を有している。これにより、収縮部１２ｊが無機封止膜１２Ｂの圧縮応力部１２ｍに圧縮応力を与える。例えば、無機封止膜１２Ｂ上に樹脂層を形成した後、その樹脂層のうち所定の箇所に選択的に光を照射することにより、光の照射された箇所が収縮し、収縮部１２ｊとなる。収縮部１２ｊは、その収縮の過程で、無機封止膜１２Ｂの一部に圧縮応力を与える。その結果、無機封止膜１２Ｂに圧縮応力部１２ｍが形成される。
【０１０６】
下部封止層１２は、さらに、無機封止膜１２Ｄのうち所定の箇所（圧縮応力部１２ｐ）に選択的に圧縮応力を与える樹脂層１２Ｅ（収縮部１２ｋ）を有している。これにより、樹脂層１２Ｅが無機封止膜１２Ｄの圧縮応力部１２ｐに圧縮応力を与える。例えば、無機封止膜１２Ｄ上に樹脂層を形成した後、その樹脂層のうち所定の箇所に選択的に光を照射することにより、光の照射された箇所が収縮し、収縮部１２ｋとなる。収縮部１２ｋは、その収縮の過程で、無機封止膜１２Ｄの一部に圧縮応力を与える。その結果、無機封止膜１２Ｄに圧縮応力部１２ｐが形成される。
【０１０７】
上部封止層１５は、無機封止膜１５Ｂのうち所定の箇所（圧縮応力部１５ｍ）に選択的に圧縮応力を与える樹脂層１５Ｃ（収縮部１５ｊ）を有している。これにより、樹脂層１５Ｃが無機封止膜１５Ｂの圧縮応力部１５ｍに圧縮応力を与える。例えば、無機封止膜１５Ｂ上に樹脂層を形成した後、その樹脂層のうち所定の箇所に選択的に光を照射することにより、光の照射された箇所が収縮し、収縮部１５ｊとなる。収縮部１５ｊは、その収縮の過程で、無機封止膜１５Ｂの一部に圧縮応力を与える。その結果、無機封止膜１５Ｂに圧縮応力部１５ｍが形成される。
【０１０８】
上部封止層１５は、さらに、無機封止膜１５Ｄのうち所定の箇所（圧縮応力部１５ｐ）に選択的に圧縮応力を与える樹脂層１５Ｅ（収縮部１５ｋ）を有している。これにより、樹脂層１５Ｅが無機封止膜１５Ｄの圧縮応力部１５ｐに圧縮応力を与える。例えば、無機封止膜１５Ｄ上に樹脂層を形成した後、その樹脂層のうち所定の箇所に選択的に光を照射することにより、光の照射された箇所が収縮し、収縮部１５ｋとなる。収縮部１５ｋは、その収縮の過程で、無機封止膜１５Ｄの一部に圧縮応力を与える。その結果、無機封止膜１５Ｄに圧縮応力部１５ｐが形成される。
【０１０９】
圧縮応力部１２ｍ，１２ｐ，１５ｍ，１５ｐの形成されている領域と、圧縮応力部１２ｍ，１２ｐ，１５ｍ，１５ｐの形成されてない領域(破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑ)との境界において、組成は変化していない。そのため、この境界に起因する無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄの破断が生じ難い。従って、圧縮応力の違いによって無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄに破断を制御することが容易となる。
【０１１０】
また、圧縮応力部１２ｍ，１２ｐが収縮部１２ｊ，１２ｋの作用によって形成されているだけなので、下部封止層１２の表面には凹凸がほとんど形成されない。これにより、圧縮応力部１２ｍ，１２ｐ，１５ｍ，１５ｐを設けたことによってＴＦＴ層１３やＥＬ層１４に悪影響を及ぼすことがない。
【０１１１】
相対的に高い圧縮応力のかかっている部分（圧縮応力部１２ｍ，１２ｐ，１５ｍ，１５ｐ）では、引っ張り応力印加時の破断強度が相対的に高くなっている。言い換えると、圧縮応力のかかっていないか、または、相対的に低い圧縮応力のかかっている部分（破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑ）では、引っ張り応力印加時の破断強度が相対的に低くなっている。そのため、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄ，１５Ｂ，１５Ｄに応力がかかった際に、マイクロクラックが破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑに生じやすい。従って、破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑを起点として破断が生じやすくなっている。このように、本変形例では、上部封止層１５および下部封止層１２に生じ得る破断箇所が破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑによって制御されるので、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【０１１２】
また、本変形例に係る発光パネル１０では、下部封止層１２において、２つの無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１２Ｃが設けられている。また、上部封止層１５において、２つの無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄによって挟まれた層内に、樹脂層１５Ｃが設けられている。これら樹脂層１２Ｃ，１５Ｃは、破断制御部１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑに破断が生じたときのリークパスの一部を構成している。このとき、樹脂層１２Ｃ，１５Ｃが、有機金属化合物あるいは無機化合物などからなる乾燥剤を含有する樹脂材料によって形成されている場合には、樹脂層１２Ｃ，１５Ｃの吸湿性によって、リークパスを通過する水分の進行を遅らせることができる。従って、樹脂層がリークパスに設けられていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。
【０１１３】
[変形例Ｄ]
上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ，Ｃに係る下部封止層１２において、例えば、図１７、図１８、図１９，図２０に示したように、無機封止膜１２Ｂおよび樹脂層１２Ｃが省略されていてもよい。つまり、本変形例では、下部封止層１２は、基板１２Ａ上に、無機封止膜１２Ｄおよび樹脂層１２Ｅをこの順に積層してなる積層体である。さらに、上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ，Ｃに係る上部封止層１５において、例えば、図１７、図１８、図１９，図２０に示したように、樹脂層１５Ｃおよび無機封止膜１５Ｄが省略されていてもよい。つまり、本変形例では、上部封止層１５は、樹脂層１５Ａ上に、無機封止膜１５Ｂおよび樹脂層１５Ｅをこの順に積層してなる積層体である。
【０１１４】
本変形例では、上記実施の形態および変形例Ａ，Ｂ，Ｃと同様、下部封止層１２および上部封止層１５に生じ得る破断箇所が破断制御部１２ｄ，１２ｉ，１２ｑ，１５ｂ，１５ｇ，１５ｎ，１２０Ｂ，１５０Ａによって制御されている。これにより、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、有機ＥＬ素子１１Ｂに水分が到達しがたい。従って、封止層に生じ得る破断箇所が制御されていない場合と比べて、耐環境性を改善することができる。また、破断が生じる箇所が破断制御部１２ｄ，１２ｉ，１２ｑ，１５ｂ，１５ｇ，１５ｎ，１２０Ｂ，１５０Ａによって制御されるので、発光パネル１０の信頼性を保証することができる。
【０１１５】
[変形例Ｅ]
上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｄにおいて、下部封止層１２において、無機封止膜１２Ｂ，１２Ｄが省略されていてもよい。また、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｄにおいて、上部封止層１５において、無機封止膜１５Ｂ，１５Ｄが省略されていてもよい。
【０１１６】
＜３．第２の実施の形態＞
[構成]
図２１は、本開示の第２の実施の形態に係る発光装置１の概略構成の一例を表したものである。発光装置１は、例えば、発光パネル１０、コントローラ２０およびドライバ３０を備えている。発光パネル１０は、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０である。ドライバ３０は、発光パネル１０の外縁部分に実装されている。コントローラ２０およびドライバ３０は、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づいて、発光パネル１０を駆動する。
【０１１７】
発光パネル１０は、コントローラ２０およびドライバ３０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号Ｄｉｎおよび同期信号Ｔｉｎに基づく画像を表示する。
【０１１８】
各信号線ＤＴＬは、後述の水平セレクタ３１の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各走査線ＷＳＬは、後述のライトスキャナ３２の出力端と、書込トランジスタＴｒ２のゲートとに接続されている。各電源線ＤＳＬは、コントローラ２０に設けられた電源回路の出力端と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【０１１９】
ドライバ３０は、例えば、水平セレクタ３１およびライトスキャナ３２を有している。水平セレクタ３１は、例えば、制御信号の入力に応じて（同期して）、コントローラ２０から入力されたアナログの信号電圧を、各信号線ＤＴＬに印加する。ライトスキャナ３２は、複数の画素１１を所定の単位ごとに走査する。
【０１２０】
次に、コントローラ２０について説明する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力されたデジタルの映像信号Ｄｉｎに対して所定の補正を行い、それにより得られた映像信号に基づいて信号電圧を生成する。コントローラ２０は、例えば、生成した信号電圧を水平セレクタ３１に出力する。コントローラ２０は、例えば、外部から入力された同期信号Ｔｉｎに応じて（同期して）、ドライバ３０内の各回路に対して制御信号を出力する。
【０１２１】
[効果]
本実施の形態では、発光パネル１０は、上記実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０である。従って、耐環境性に優れた発光装置１を実現することができる。
【０１２２】
＜４．適用例＞
[適用例その１]
以下では、上記第２の実施の形態で説明した発光装置１の適用例について説明する。発光装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、シート状のパーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１２３】
図２２は、本適用例に係る電子機器２の外観を斜視的に表したものである。電子機器２は、例えば、筐体２１０の主面に表示面２２０を備えたシート状のパーソナルコンピュータである。電子機器２は、電子機器２の表示面２２０に、上記第２の実施の形態に係る発光装置１を備えている。発光装置１は、発光パネル１０が外側を向くように配置されている。本適用例では、発光装置１が表示面２２０に設けられているので、耐環境性に優れた電子機器２を実現することができる。
【０１２４】
[適用例その２]
次に、上記第１の実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０の適用例について説明する。上記第１の実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０は、卓上用もしくは床置き用の照明装置、または、室内用の照明装置など、あらゆる分野の照明装置の光源に適用することが可能である。
【０１２５】
図２３は、上記第１の実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０が適用される室内用の照明装置の外観を表したものである。この照明装置は、例えば、上記第１の実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０と、発光パネル１０を駆動する駆動部とを含んで構成された照明部４１０を有している。照明部４１０は、建造物の天井４２０に適宜の個数および間隔で配置されている。なお、照明部４１０は、用途に応じて、天井４２０に限らず、壁４３０または床（図示せず）など任意の場所に設置することが可能である。
【０１２６】
これらの照明装置では、上記第１の実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０からの光により、照明が行われる。これにより、耐環境性に優れた照明装置を実現することができる。
【０１２７】
なお、上記第１の実施の形態および変形例Ａ〜Ｅに係る発光パネル１０において、例えば、図２４に示したように、発光領域１０Ａの発光が、単一の有機ＥＬ素子１１Ｂによる発光によってなされていてもよい。このような発光パネル１０は、照明部４１０の光源として好適に用いられる。
【０１２８】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【０１２９】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を備え、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光パネル。
（２）
各前記破断制御部は、前記１または複数の無機封止膜の上面から下面に到達しない深さにまで形成されている
（１）に記載の発光パネル。
（３）
前記１または複数の無機封止膜では、前記破断制御部の形成されている領域と、前記破断制御部の形成されてない領域との境界において、組成が連続的に変化している
（１）または（２）に記載の発光パネル。
（４）
前記１または複数の無機封止膜は、アルミナ層およびＳＩＮ層を含む複合層となっており、
各前記破断制御部は、前記ＳＩＮ層の一部を酸化することにより形成されている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の発光パネル。
（５）
各前記破断制御部は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成されている
（４）に記載の発光パネル。
（６）
前記１または複数の無機封止膜は、各前記破断制御部において酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）もしくは酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）で形成され、他の箇所において窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）で形成されている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の発光パネル。
（７）
前記封止層は、乾燥剤を含有する樹脂層を有する
（１）から（６）のいずれか１つに記載の発光パネル。
（８）
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を備え、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い複数の圧縮応力部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光パネル。
（９）
各前記圧縮応力部は、不純物の導入により圧縮応力の高められた領域である
（８）に記載の発光パネル。
（１０）
各前記圧縮応力部は、不純物としてイオンが導入されたことより圧縮応力の高められた領域である
（９）に記載の発光パネル。
（１１）
前記封止層は、乾燥剤を含有する樹脂層を有する
（８）から（１０）のいずれか１つに記載の発光パネル。
（１２）
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を備え、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、
１または複数の無機封止膜と、
前記無機封止膜ごとに設けられ、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層と
を含む
発光パネル。
（１３）
前記１または複数の樹脂層は、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える収縮部を有する
（１２）に記載の発光パネル。
（１４）
前記１または複数の樹脂層は、乾燥剤を含有する
（１２）または（１３）に記載の発光パネル。
（１５）
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光装置。
（１６）
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い複数の圧縮応力部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
発光装置。
（１７）
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を備え、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、
１または複数の無機封止膜と、
前記無機封止膜ごとに設けられ、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層と
を含む
発光装置。
（１８）
発光装置を備え、
前記発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を有し、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に機械的強度の低い無機材料によって形成された複数の破断制御部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
電子機器。
（１９）
発光装置を備え、
前記発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を有し、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、他の箇所と比べて相対的に圧縮応力の高い複数の圧縮応力部が形成された１または複数の無機封止膜を含む
電子機器。
（２０）
発光装置を備え、
前記発光装置は、
発光パネルと、
前記発光パネルを駆動する駆動部と
を有し、
前記発光パネルは、
１または複数の有機電界発光素子を含む有機電界発光層と、
前記有機電界発光層を挟み込む上部封止層および下部封止層と
を有し、
前記上部封止層および前記下部封止層の少なくとも一方の封止層が、
１または複数の無機封止膜と、
前記無機封止膜ごとに設けられ、対応する前記無機封止膜のうち所定の箇所に選択的に圧縮応力を与える１または複数の樹脂層と
を含む
電子機器。
【符号の説明】
【０１３０】
１…発光装置、２…電子機器、１０…発光パネル、１０Ａ…発光領域、１０Ｂ…非発光領域、１１…画素、１１Ａ…画素回路、１１Ｂ…有機ＥＬ素子、１２…下部封止層、１２Ａ…基板、１２Ｂ…無機封止膜、１２Ｃ…樹脂層、１２Ｄ…無機封止膜、１２Ｅ…樹脂層、１３…ＴＦＴ層、１４…ＥＬ層、１５…上部封止層、１５Ａ…樹脂層、１５Ｂ…無機封止膜、１５Ｃ…樹脂層、１５Ｄ…無機封止膜、１５Ｅ…樹脂層、１２ｂ，１２ｄ，１２ｇ，１２ｉ，１２ｎ，１２ｑ，１５ｎ，１５ｑ，１５ｂ，１５ｄ，１５ｇ，１５ｉ，１２０Ａ，１２０Ｂ，１５０Ａ，１５０Ｂ…破断制御部、１２ａ，１２ｃ，１５ａ，１５ｃ…溝部、１２ｆ，１２ｈ，１２ｍ，１２ｐ，１５ｆ，１５ｈ，１５ｍ，１５ｐ…圧縮応力部、１２ｊ，１２ｋ，１５ｊ，１５ｋ…収縮部、２０…コントローラ、３０…ドライバ、３１…水平セレクタ、３２…ライトスキャナ、１２０…レジスト層、１２０ａ…開口、１２１，１２３…アルミナ層、１２２，１２４…ＳｉＮ層、１５１，１５３…アルミナ層、１５２，１５４…ＳｉＮ層、２１０…筐体、２２０…表示面、４１０…照明部、４２０…天井、４３０…壁、ＢＤ１，ＢＤ２，ＢＤ３，ＢＤ４…境界、Ｃｓ…保持容量、ＤＴＬ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ、Ｖｇｓ…ゲート−ソース間電圧、Ｖｓｉｇ…信号電圧、ＷＳＬ…走査線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020113443.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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