(57)【要約】【課題】パッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する場合に、短絡、実装不良の発生、及び異形状のチップを形成するおそれを低減する。【解決手段】表面に交差する複数の分割予定ラインＳを横断する電極Ｓ１が形成されたベース基板Ｗ１と、分割予定ラインＳで区画された各領域に配設されたデバイスＤと、デバイス封止層Ｗ２と、ベース基板Ｗ１の表面からなる基板面Ｗａと、基板面Ｗａと反対の面の封止面Ｗｂと、を有したパッケージ基板Ｗを複数のデバイスパッケージＣへと分割する方法であって、分割予定ラインＳに沿って基板面Ｗａ側からデバイスパッケージＣの仕上げ厚みＬ１に至る溝Ｍを形成するステップと、溝形成ステップで生成された電極のバリＢを除去するステップと、バリ除去ステップを実施後、封止層Ｗ２側を研削することで仕上げ厚みＬ１へと薄化してパッケージ基板Ｗを複数のデバイスパッケージＣへと分割する研削ステップと、を備えた分割方法。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に交差する複数の分割予定ラインが設定され、該分割予定ラインを横断する電極が形成されたベース基板と、該分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ配設されたデバイスと、該デバイスを封止する封止層と、該ベース基板の表面からなる基板面と、該基板面と反対の面の封止面と、を有したパッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する分割方法であって、
該分割予定ラインに沿って該基板面側から該デバイスパッケージの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップで生成された該電極のバリを除去するバリ除去ステップと、
該バリ除去ステップを実施した後、該封止層側を研削することで該仕上げ厚みへと薄化してパッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する研削ステップと、を備えた分割方法。
【請求項２】
前記バリ除去ステップは、前記基板面側から液体を噴射することで前記バリを除去する、請求項１に記載の分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）やＣＳＰ(Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ)のパッケージ基板等、又は分割予定ライン上に金属（延性材）を有した板状の被加工物を切削すると、金属のバリが発生する。バリが発生すると配線の短絡が発生したり、次工程のハンドリング時にバリが落下したりして、プリント基板実装時等に不良が発生してしまう。
そこで、これらの問題を解決すべく、パッケージ基板等を完全切断しないハーフカットを行った後に、ハーフカット溝に沿って高圧水を噴射してバリを除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１８１５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記方法では、バリ除去後に行うフルカット時にハーフカットで露出した電極側面に切削ブレードの側面が接触してひきずり、更なるバリを発生させてしまうおそれもある。
【０００５】
一方、バリ除去後にパッケージ基板の裏面側からフルカットする方法も考えられるが、封止樹脂で封止されたパターン等のない裏面側から表面側に形成されたハーフカット溝と完全に同じ位置にブレードを位置付けてフルカットすることは難しい。そして完全に同一の位置を切削できないと、形成されるチップの側面に段差が生じて異形状のチップ（デバイスパッケージ）が形成されてしまう。また、表裏面側において完全に同じ位置を切削した場合でも、ブレードが摩耗して先端にＲ形状が形成されている場合、表面側と裏面側とからそれぞれ充分な深さまでパッケージ基板に切り込まないとＲ形状に対応する突起が分割されたチップの側面に残り、異形状のチップが形成されてしまう。
【０００６】
よって、パッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する場合には、短絡、実装不良の発生、及び異形状のチップを形成するおそれを低減するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明は、表面に交差する複数の分割予定ラインが設定され、該分割予定ラインを横断する電極が形成されたベース基板と、該分割予定ラインで区画された各領域にそれぞれ配設されたデバイスと、該デバイスを封止する封止層と、該ベース基板の表面からなる基板面と、該基板面と反対の面の封止面と、を有したパッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する分割方法であって、該分割予定ラインに沿って該基板面側から該デバイスパッケージの仕上げ厚みに至る溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップで生成された該電極のバリを除去するバリ除去ステップと、該バリ除去ステップを実施した後、該封止層側を研削することで該仕上げ厚みへと薄化してパッケージ基板を複数のデバイスパッケージへと分割する研削ステップと、を備えた分割方法である。
【０００８】
前記バリ除去ステップは、前記基板面側から液体を噴射することで前記バリを除去すると好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る分割方法は、基板面側からパッケージ基板に仕上げ厚みに至る溝を形成した（ハーフカットした）後、発生したバリを除去し、次いで封止層側を研削して複数のパッケージ基板をデバイスパッケージへと分割するため、短絡、実装不良の発生、及び異形状のデバイスパッケージを形成するおそれを低減することが可能となる。
【００１０】
バリ除去ステップは、基板面側から液体を噴射することでバリを除去するものとすることで、効率よくかつパッケージ基板に悪影響を与えずにバリを除去することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（Ａ）は、分割されるパッケージ基板の一例を示す平面図である。図１（Ｂ）は、分割されるパッケージ基板の一例を示す下面図である。図１（Ｃ）は、分割されるパッケージ基板の一例を示す側面図である。
【図２】ダイシングテープを介して環状フレームによってハンドリング可能となった２枚のパッケージ基板を示す平面図である。
【図３】分割予定ラインに沿って基板面側からデバイスパッケージの仕上げ厚みに至る溝をパッケージ基板に形成している状態を説明する側面図である。
【図４】溝形成ステップで生成された電極のバリを基板面側から液体を噴射することでパッケージ基板から除去している状態を説明する側面図である。
【図５】封止層側を研削することでパッケージ基板を仕上げ厚みへと薄化して複数のデバイスパッケージへと分割している状態を説明する側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）に示すパッケージ基板Ｗは、例えば、ＱＦＮ基板等である。パッケージ基板Ｗは、例えば、４２アロイ（鉄とニッケルとの合金）や銅等の金属で構成され外形が矩形状であるベース基板Ｗ１を有している。
【００１３】
図１（Ａ）に示すベース基板Ｗ１の表面からなる基板面Ｗａには、分割予定ラインＳに沿って分割されることでデバイスＤを備える個々のデバイスパッケージＣとなるデバイス領域Ｗａ１が複数（図示の例においては、３つ）形成されている。各デバイスパッケージＣの裏面側、即ち、基板面Ｗａと反対の面の封止面Ｗｂ側に配置されているデバイスＤは、ＩＣやＬＥＤ等である。各デバイス領域Ｗａ１は、小片化され廃棄される余剰領域Ｗａ２によってその周囲を囲まれている。デバイス領域Ｗａ１は、互いに直交する複数の分割予定ラインＳで区画されており、分割予定ラインＳ上には、各デバイスＤにつながる複数の電極Ｓ１が配設されており、各電極Ｓ１は分割予定ラインＳを幅方向に横断している。
例えば、ベース基板Ｗ１の余剰領域Ｗａ２には、分割予定ラインＳの位置を示すためのマーカーＳ２が形成されている。
【００１４】
各電極Ｓ１同士はベース基板Ｗ１にモールドされた樹脂により絶縁されている。図１（Ｂ）に示すように、パッケージ基板Ｗの封止面Ｗｂ側の各デバイス領域Ｗａ１に対応する領域には、デバイスＤを覆って封止する樹脂からなる封止層Ｗ２が形成されている。そして、パッケージ基板Ｗは、分割予定ラインＳに沿って複数の電極Ｓ１が中央で切断されることで、デバイスＤを封止した封止層Ｗ２と、複数の切断された電極Ｓ１とを備えたデバイスパッケージＣに分割される。
【００１５】
以下に、本発明に係る分割方法を実施して、図１に示すパッケージ基板Ｗを複数のデバイスパッケージＣへと分割する場合の各ステップについて説明する。
【００１６】
（１）溝形成ステップ
まず、分割予定ラインＳに沿って基板面Ｗａ側からデバイスパッケージＣの仕上げ厚みに至る溝を形成する。具体的には、例えば、まず図１（Ｂ）に示すパッケージ基板Ｗの封止面Ｗｂ側に図２に示す円形のダイシングテープＴが貼着される。本実施形態において、ダイシングテープＴの粘着層上には２枚のパッケージ基板Ｗが貼着されるが、３枚以上のパッケージ基板Ｗが貼着されてもよいし、１枚のパッケージ基板Ｗが貼着されてもよい。また、パッケージ基板Ｗと同形状同サイズのダイシングテープが封止面Ｗｂ側に貼着されてもよい。
【００１７】
例えば、図示しない貼り付けテーブル上に載置された２枚のパッケージ基板Ｗが環状フレームＦの開口の中心に対して所定距離だけ離間して略対称になるように、２枚のパッケージ基板Ｗに対して環状フレームＦが位置付けられる。そして、貼り付けテーブル上でプレスローラー等によりパッケージ基板Ｗの封止面Ｗｂ側、即ち、封止層Ｗ２の下面にダイシングテープＴの粘着層が押し付けられて貼着される。同時に、ダイシングテープＴの粘着層の外周部を環状フレームＦにも貼着することで、２枚のパッケージ基板Ｗは、ダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持され、環状フレームＦによるハンドリングが可能な状態になる。なお、テープロールから引き出された長尺状のシートが環状フレームＦと２枚のパッケージ基板Ｗとに貼着された後、カッターでシートが円形に切断されるものとしてもよい。
【００１８】
パッケージ基板ＷにダイシングテープＴを貼着する理由の１つは、図３に示す切削装置６のチャックテーブル６０でパッケージ基板Ｗをバキュームリーク無く吸引保持するためである。したがって、切削装置６がダイシングテープＴを貼着していないパッケージ基板Ｗを単体で直に吸引保持できる所謂治具チャックを備えている場合には、パッケージ基板ＷにダイシングテープＴを貼着しなくてもよい。治具ベース上に固定される治具チャックは、パッケージ基板Ｗの分割予定ラインＳに対応するように形成された複数の切削ブレード用逃げ溝と、吸引源に連通し切断により作製されたデバイスパッケージＣを個々に吸引保持するための複数の吸引孔とを備えるものである。
【００１９】
ダイシングテープＴによりハンドリング可能となった２枚のパッケージ基板Ｗは、例えば、図３に示す切削装置６に搬送される。切削装置６は、パッケージ基板Ｗを吸引保持するチャックテーブル６０と、チャックテーブル６０に保持されたパッケージ基板Ｗを切削する切削手段６１と、を少なくとも備えている。
【００２０】
図３に示すように、切削手段６１はＹ軸方向の軸心を備えるスピンドル６１０を備えており、スピンドル６１０の先端部にはリング形状の切削ブレード６１１が固定されている。このように構成される切削手段６１は、Ｙ軸方向にインデックス送り可能となっており、また、Ｚ軸方向に切り込み送り可能となっている。
【００２１】
例えば、外形が円形のチャックテーブル６０は、ポーラス部材等からなりパッケージ基板Ｗを吸引保持する平坦な保持面６００を備えている。保持面６００には真空発生装置等の図示しない吸引源が連通し、吸引源が作動し生み出された吸引力が、パッケージ基板Ｗが載置された保持面６００に伝達されることで、チャックテーブル６０は保持面６００上でパッケージ基板Ｗを吸引保持できる。そして、チャックテーブル６０は、Ｚ軸方向の軸心周りに回転可能となっていると共に、Ｘ軸方向に切削送り可能となっている。
チャックテーブル６０の周囲には、環状フレームＦを挟持固定するクランプ６０２が周方向に均等間隔を空けて複数配設されている。
【００２２】
例えば、切削手段６１の近傍には、チャックテーブル６０上に保持されたパッケージ基板Ｗの切削すべき分割予定ラインＳを検出するアライメント手段６２が配設されている。アライメント手段６２は、カメラ６２０により取得した撮像画像に基づいてパターンマッチング等の画像処理を行い、分割予定ラインＳの座標位置を検出できる。アライメント手段６２と切削手段６１とは一体となって構成されており、両者は連動してＹ軸方向及びＺ軸方向へと移動する。
【００２３】
２枚のパッケージ基板Ｗが、基板面Ｗａが上側になるようにチャックテーブル６０の保持面６００上に載置される。そして、図示しない吸引源により生み出される吸引力が保持面６００に伝達されることにより、チャックテーブル６０が保持面６００上でパッケージ基板ＷをダイシングテープＴを介して吸引保持する。また、クランプ６０２により環状フレームＦが挟持固定される。
【００２４】
チャックテーブル６０によりパッケージ基板Ｗが保持された後、チャックテーブル６０に保持されたパッケージ基板Ｗが−Ｘ方向に送られ、２枚のパッケージ基板Ｗそれぞれについて、切削ブレード６１１を切り込ませるべき分割予定ラインＳの座標位置がアライメント手段６２により検出される。分割予定ラインＳの座標位置が検出されるのに伴って、切削手段６１がＹ軸方向に移動され、１枚のパッケージ基板Ｗの切削すべき分割予定ラインＳと切削ブレード６１１とのＹ軸方向における位置合わせが行われる。
【００２５】
パッケージ基板Ｗを切削ブレード６１１がハーフカットする所定の高さ位置、即ち、例えば切削ブレード６１１の最下端が封止層Ｗ２に所定量切り込む高さ位置まで切削手段６１が降下する。また、図示しないモータがスピンドル６１０を高速回転させ、スピンドル６１０に固定された切削ブレード６１１がこれに伴い高速回転する。そして、チャックテーブル６０が所定の切削送り速度で−Ｘ方向にさらに送り出されることで、切削ブレード６１１がパッケージ基板Ｗに基板面Ｗａ側から切り込み、分割予定ラインＳに沿って電極Ｓ１、ベース基板Ｗ１、及び封止層Ｗ２を切削し、デバイスパッケージＣの仕上げ厚みＬ１に至る溝Ｍ（図４参照）を形成していく。切削加工中においては、切削ブレード６１１とパッケージ基板Ｗとの接触箇所に対して図示しないノズルから切削水が供給され、接触箇所の冷却及び切削屑の洗浄除去が行われる。
【００２６】
切削ブレード６１１が分割予定ラインＳを切削し終えるＸ軸方向の所定の位置までパッケージ基板Ｗが−Ｘ方向に進行すると、−Ｘ方向へのパッケージ基板Ｗの切削送りを一度停止させ、切削ブレード６１１をパッケージ基板Ｗから離間させ、チャックテーブル６０を＋Ｘ方向へ送り出して元の位置に戻す。そして、隣り合う分割予定ラインＳの間隔ずつ切削ブレード６１１をＹ軸方向にインデックス送りしながら順次同様の切削を行うことにより、同方向の全ての分割予定ラインＳを切削する。さらに、チャックテーブル６０を９０度回転させてから同様の切削を行うと、全ての分割予定ラインＳが縦横に全て切削され、デバイスパッケージＣの仕上げ厚みＬ１に至る複数の溝Ｍ（図４参照）が一枚のパッケージ基板Ｗに形成される。
さらに、上記と同様の切削がもう一枚のパッケージ基板Ｗにも施されることで、２枚のパッケージ基板Ｗの全ての分割予定ラインＳに沿ってデバイスパッケージＣの仕上げ厚みＬ１に至る溝Ｍが形成される。
【００２７】
（２）バリ除去ステップ
溝Ｍが形成されたパッケージ基板Ｗは、例えば、図４に示すバリ除去装置５の保持テーブル５０に搬送される。パッケージ基板Ｗがベース基板Ｗ１を上側に向けた状態で、保持テーブル５０の円形状の保持面５０ａに載置され、保持テーブル５０が保持面５０ａ上でパッケージ基板Ｗを吸引保持する。なお、保持面５０ａでパッケージ基板Ｗを吸引保持しなくてもよい。例えば、保持テーブル５０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ５００が周方向に均等間隔を空けて配設されており、環状フレームＦが固定クランプ５００によって挟持固定される。
【００２８】
保持テーブル５０の上方には、高圧水噴射ノズル５１が配設されており、高圧水噴射ノズル５１と保持テーブル５０とは相対的にＹ軸方向及びＸ軸方向へ移動可能となっている。高圧水噴射ノズル５１は、高圧水を供給する高圧水供給源５２に連通しており、保持テーブル５０の保持面５０ａに向く噴射口５１ａをその下端に有している。
【００２９】
例えば、バリ除去ステップにおいては、高圧水を溝Ｍの縁や側壁に生成された電極Ｓ１のバリＢに噴射するための基準となる溝Ｍの位置が、図示しないアライメント手段によって検出される。図示しないアライメント手段は、パッケージ基板Ｗの溝Ｍが写った撮像画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理を行い、パッケージ基板Ｗの溝Ｍの座標位置を検出する。
【００３０】
溝Ｍが検出されるのに伴って、高圧水噴射ノズル５１と保持テーブル５０とが相対的にＹ軸方向に移動し、パッケージ基板Ｗの溝Ｍと高圧水噴射ノズル５１との位置合わせがなされる。パッケージ基板Ｗを保持する保持テーブル５０が、往方向である−Ｘ方向側（図４における紙面奥側）に所定の送り速度で送り出されるとともに、高圧水供給源５２が高圧水を高圧水噴射ノズル５１に供給する。基板面Ｗａ側から高圧水噴射ノズル５１によって下方に噴射された高圧水（液体）のスポット径は、例えば溝Ｍの幅に比べて若干大きく設定されており、溝Ｍの縁や側壁に生成された電極Ｓ１のバリＢに高圧水が衝突して、バリＢが除去される。
【００３１】
溝Ｍに沿って高圧水を噴射し終える所定の位置までパッケージ基板Ｗが−Ｘ方向に進行すると、保持テーブル５０が＋Ｙ方向に例えばインデックスサイズ分だけ移動され、−Ｘ方向での加工送りにおいて高圧水が噴射された溝Ｍの隣に位置する溝Ｍと高圧水噴射ノズル５１との位置合わせが行われる。パッケージ基板Ｗが復方向である＋Ｘ方向（紙面手前側）へ加工送りされ、往方向での高圧水の噴射と同様に、溝Ｍの縁や側壁に生成された電極Ｓ１のバリＢに高圧水が衝突してバリＢが除去される
なお、２ライン以上の溝Ｍに同時に高圧水を噴射していってもよい。
【００３２】
順次同様の高圧水の噴射をＸ軸方向に延びる全ての溝Ｍに沿って行った後、さらに、保持テーブル５０を９０度回転させてから同様の高圧水の噴射を行って、一枚のパッケージ基板Ｗに対する高圧水の噴射を終わらせる。その後、同様にもう一枚のパッケージ基板ＷのバリＢを高圧水噴射によって除去する。
なお、高圧水の噴射は、上記の形態に限定されない。例えば、高圧水の噴射軌跡がパッケージ基板Ｗの溝Ｍと水平面において略４５度、又は略６０度等で交差するように行われてもよい。またアライメント手段による溝Ｍの位置の検出を行うことなく、即ち噴射方向を特に定めず高圧水噴射ノズル５１をパッケージ基板Ｗ上で所定の角度で往復するように旋回移動させつつ、高圧水の噴射を行ってもよい。
【００３３】
（３）研削ステップ
バリＢが除去された２枚のパッケージ基板Ｗは、封止層Ｗ２側に貼着されているダイシングテープＴが剥離された後、図示しないテープマウンタにおいて基板面Ｗａ側に図５に示す保護テープＴ１が貼着され、さらに保護テープＴ１を介して環状フレームＦによって支持された状態になる。なお、２枚のパッケージ基板Ｗは環状フレームＦの開口の中心に対して所定距離だけ離間して略対称の状態になる。
環状フレームＦを使用せず、パッケージ基板Ｗと同形状同サイズの保護テープが基板面Ｗａに貼着されてもよいし、１つの環状フレームＦが１枚のパッケージ基板Ｗを保護テープＴ１を介して支持するものとしてもよい。
【００３４】
その後、パッケージ基板Ｗは、例えば、図５に示す研削装置３のチャックテーブル３０に搬送される。チャックテーブル３０は、鉛直方向（Ｚ軸方向）の軸心周りに回転可能であると共に、Ｙ軸方向に往復移動可能となっている。
パッケージ基板Ｗが封止層Ｗ２を上側に向けた状態で、チャックテーブル３０の円形状の保持面３０ａに載置される。図示しない吸引源が駆動して生み出される吸引力が保持面３０ａに伝達され、チャックテーブル３０が保持面３０ａ上でパッケージ基板Ｗを吸引保持する。例えば、チャックテーブル３０の保持面３０ａの中心と環状フレームＦの開口の中心とは略合致した状態になっている。
例えば、チャックテーブル３０の周囲には、環状フレームＦを固定する固定クランプ３００が周方向に均等間隔を空けて配設されており、環状フレームＦを固定クランプ３００が挟持固定した後、固定クランプ３００が保持面３０ａより下まで引き下げられる。
【００３５】
図５に示す研削装置３の研削手段３１は、軸方向がＺ軸方向である回転軸３１０と、回転軸３１０の下端に接続された円板状のマウント３１３と、マウント３１３の下面に着脱可能に接続された研削ホイール３１４とを備える。研削ホイール３１４は、ホイール基台３１４ａと、ホイール基台３１４ａの底面に環状に配設された略直方体形状の複数の研削砥石３１４ｂとを備える。
【００３６】
パッケージ基板Ｗを保持したチャックテーブル３０が、研削手段３１の下まで＋Ｙ方向へ移動して、研削ホイール３１４と２枚のパッケージ基板Ｗとの位置合わせがなされる。即ち、研削砥石３１４ｂの回転中心がチャックテーブル３０の回転中心に対して所定距離だけ水平方向にずれ、研削砥石３１４ｂの回転軌跡がチャックテーブル３０の回転中心を通るように、チャックテーブル３０が位置付けられる。
【００３７】
次いで、回転軸３１０が＋Ｚ方向側からみて反時計回り方向に回転駆動されるのに伴って、研削ホイール３１４が同方向に回転する。また、研削手段３１が図示しない研削送り手段により−Ｚ方向へと送られ、回転する研削砥石３１４ｂがパッケージ基板Ｗの封止層Ｗ２に当接することで研削加工が行われる。研削中は、チャックテーブル３０が＋Ｚ方向側から見て例えば反時計回り方向に回転するのに伴って保持面３０ａ上に保持されたパッケージ基板Ｗも回転するので、研削砥石３１４ｂが２枚のパッケージ基板Ｗの封止層Ｗ２の全面の研削加工を行う。また、研削砥石３１４ｂと封止層Ｗ２との接触箇所に対して研削水が供給され、研削水による接触箇所の冷却及び研削屑の洗浄除去が行われる。
【００３８】
研削ホイール３１４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、パッケージ基板Ｗを仕上げ厚みＬ１まで薄化する。その結果、溝Ｍの底が封止層Ｗ２上に露出して、パッケージ基板Ｗは複数のデバイスパッケージＣに分割される。その後、研削手段３１を＋Ｚ方向へと移動させてパッケージ基板Ｗから離間させる。
【００３９】
本発明に係る分割方法は、基板面Ｗａ側からパッケージ基板Ｗに仕上げ厚みＬ１に至る溝Ｍを形成した（ハーフカットした）後、発生したバリＢを除去し、次いで封止層Ｗ２側を研削して複数のパッケージ基板ＷをデバイスパッケージＣへと分割するため、短絡、実装不良の発生、及び異形状のデバイスパッケージを形成するおそれを低減することが可能となる。
【００４０】
バリ除去ステップは、基板面Ｗａ側から液体（高圧水）を噴射することでバリＢを除去するものとすることで、効率よくかつパッケージ基板Ｗに悪影響を与えずにバリＢを除去することが可能となる。
【００４１】
本発明に係るパッケージ基板の分割方法は本実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。また、添付図面に図示されている切削装置６、バリ除去装置５、及び研削装置３の各構成についても、これに限定されず、本発明の効果を発揮できる範囲内で適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｗ：パッケージ基板  Ｗ１：ベース基板  Ｗａ：基板面  Ｄ：デバイス  Ｃ：デバイスパッケージ  Ｓ：分割予定ライン  Ｓ１：電極  Ｗ２：封止層  Ｗｂ：封止面  Ｔ：ダイシングテープ  Ｆ：環状フレーム
６：切削装置  ６０：チャックテーブル  ６１：切削手段  ６１１：切削ブレード
６２：アライメント手段  Ｍ：溝  Ｂ：バリ
５：バリ除去装置  ５０：保持テーブル  ５１：高圧水噴射ノズル
３：研削装置  ３０：チャックテーブル  ３１：研削手段  ３１４：研削ホイール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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