(57)【要約】【課題】コンデンサの温度上昇を低減させることができる電気機器のケース及び電力変換装置を提供する。【解決手段】電気機器のケース２は、筐体３と、ヒートシンク（第１のヒートシンク４）と、を備える。ヒートシンクは、基台４１と、フィン４２と、を有する。基台４１は、第１の面４１１と、第１の面４１１とは反対側の第２の面４１２と、を含む。第１の面４１１には、スイッチング素子ＳＷ１が配置される。コンデンサＣ１は、第２の面４１２から第１の面４１１に向かう向きＳ１において、第１の面４１１と重なる位置（領域Ｒ１）とは異なる位置に配置される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子及びコンデンサを収容する筐体と、
前記スイッチング素子が配置される第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を含む基台と、前記基台の前記第２の面から突出したフィンと、を有するヒートシンクと、を備え、
前記コンデンサは、前記第２の面から前記第１の面に向かう向きにおいて、前記第１の面と重なる位置とは異なる位置に配置される、
電気機器のケース。
【請求項２】
前記スイッチング素子及び前記コンデンサは、別々の基板に実装されている、
請求項１に記載の電気機器のケース。
【請求項３】
前記コンデンサは、前記基台の前記第１の面と前記第２の面とのうち、前記第１の面側に配置される、
請求項１又は２に記載の電気機器のケース。
【請求項４】
前記スイッチング素子が配置される前記ヒートシンクとしての第１のヒートシンクとは別の、前記コンデンサが配置される第２のヒートシンクを更に備える、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項５】
前記第１のヒートシンクと前記第２のヒートシンクとは、互いに離れて配置されている、
請求項４に記載の電気機器のケース。
【請求項６】
前記第１のヒートシンクと前記第２のヒートシンクとは、間にスリットを挟んでつながっている、
請求項４に記載の電気機器のケース。
【請求項７】
前記第１のヒートシンクと前記第２のヒートシンクとの間に挟まれた介在部を更に備え、
前記介在部の熱伝導率は、前記第１のヒートシンクの熱伝導率及び前記第２のヒートシンクの熱伝導率よりも小さい、
請求項４に記載の電気機器のケース。
【請求項８】
前記コンデンサを覆うカバーを更に備える、
請求項４〜７のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項９】
前記カバーは、前記第２のヒートシンクの表面に配置されている、
請求項８に記載の電気機器のケース。
【請求項１０】
前記ヒートシンクは、前記コンデンサよりも上に配置される、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項１１】
前記ヒートシンクの前記フィンは、前記筐体の外部に露出している、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電気機器のケース。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電気機器のケースと、
前記スイッチング素子を含み、前記電気機器のケースに収容され、前記スイッチング素子を駆動することにより入力電力を所定の電力に変換して出力する電力変換部と、を備える、
電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は電気機器のケース及び電力変換装置に関し、より詳細には、ヒートシンクを備える電気機器のケース及びこの電気機器のケースを備える電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１記載のパワーコンディショナ（電力変換装置）は、電力変換部を備えている。電力変換部は、パワーデバイスを有している。パワーデバイスはＩＰＭ（インテリジェントパワーモジュール）に集約され、該ＩＰＭは電力変換部の主基板の裏面側の中央部に実装されている。また、ＩＰＭの裏面側にはＩＰＭを冷却するためのヒートシンクが設けられている。一方、主基板の前面側には、ＤＣリンク部や、その他のキャパシタを構成する複数の電解コンデンサが実装されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０４６９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１記載のパワーコンディショナでは、パワーデバイスで発生する熱が、電解コンデンサの温度上昇を引き起こすことがあった。
【０００５】
本開示は、コンデンサの温度上昇を低減させることができる電気機器のケース及び電力変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る電気機器のケースは、筐体と、ヒートシンクと、を備える。前記筐体は、スイッチング素子及びコンデンサを収容する。前記ヒートシンクは、基台と、フィンと、を有する。前記基台は、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を含む。前記第１の面には、前記スイッチング素子が配置される。前記フィンは、前記基台の前記第２の面から突出している。前記コンデンサは、前記第２の面から前記第１の面に向かう向きにおいて、前記第１の面と重なる位置とは異なる位置に配置される。
【０００７】
本開示の一態様に係る電力変換装置は、前記電気機器のケースと、電力変換部と、を備える。前記電力変換部は、前記スイッチング素子を含み、前記電気機器のケースに収容される。前記電力変換部は、前記スイッチング素子を駆動することにより、入力電力を所定の電力に変換して出力する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示は、コンデンサの温度上昇を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、一実施形態に係る電気機器のケースを備える電力変換装置の断面図である。
【図２】図２は、同上の電力変換装置の内部の斜視図である。
【図３】図３は、同上の電力変換装置の内部の断面斜視図である。
【図４】図４は、一実施形態との比較例に係る電力変換装置の断面図である。
【図５】図５は、一実施形態の変形例１に係る電力変換装置の成形体の斜視図である。
【図６】図６は、同上の電力変換装置の要部の下面図である。
【図７】図７は、一実施形態の変形例２に係る電力変換装置の内部の要部の正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施形態に係る電気機器のケース及び電力変換装置について、図面を用いて説明する。ただし、下記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の１つに過ぎない。下記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。また、下記の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
【００１１】
本実施形態において、電気機器は、より詳細には、電力変換装置１である。電気機器のケースは、より詳細には、電力変換装置１のケース２である。図１に示すように、電力変換装置１は、ケース２と、電力変換部６とを備えている。ケース２は、電力変換部６を収容している。
【００１２】
電力変換部６は、複数（図１では２つ）のスイッチング素子ＳＷ１と、複数（図１では３つ）のコンデンサＣ１と、を有している。複数のスイッチング素子ＳＷ１の各々は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、又はＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。複数のスイッチング素子ＳＷ１は、一例として、ＩＰＭ（Intelligent Power Module）に集約されていてもよい。複数のコンデンサＣ１の各々は、例えば、電解コンデンサである。電力変換部６は、複数のスイッチング素子ＳＷ１が実装された第１の基板７と、複数のコンデンサＣ１が実装された第２の基板８とを更に有している。つまり、複数のスイッチング素子ＳＷ１及び複数のコンデンサＣ１は、別々の基板に実装されている。また、電力変換装置１は、電源回路が形成された第３の基板６１を更に備えている。電源回路は、例えば、リニアレギュレータを含み、外部電源から入力される電力に基づいて、複数のスイッチング素子ＳＷ１の駆動等に要する所定の電力を生成する。
【００１３】
電力変換部６は、複数のスイッチング素子ＳＷ１を駆動することにより、入力電力を所定の電力に変換して出力する。本実施形態では、電力変換部６は、直流電力をＤＣ−ＤＣ変換するＤＣ−ＤＣコンバータを含む。また、電力変換部６は、直流電力と交流電力とを双方向に変換するインバータ回路を含む。電力変換部６は、複数レベルの電圧を出力可能なマルチレベル電力変換回路を構成している。マルチレベル電力変換回路は、フライングキャパシタ回路を含み、複数のコンデンサＣ１は、例えば、フライングキャパシタ回路の一部である。
【００１４】
ケース２は、筐体３と、第１のヒートシンク４（ヒートシンク）とを備えている。ケース２は、第１のヒートシンク４とは別の、第２のヒートシンク５を更に備えている。
【００１５】
第１のヒートシンク４及び第２のヒートシンク５は、例えば、アルミニウムを材料として形成されている。第１のヒートシンク４は、筐体３とは別体である。また、第２のヒートシンク５は、筐体３とは別体である。第１のヒートシンク４及び第２のヒートシンク５は、筐体３に取り付けられている。
【００１６】
筐体３は、例えば、合成樹脂を材料として形成されている。筐体３は、電気絶縁性を有している。筐体３の外形は、直方体状である。筐体３は、ケース２の外壁の一部を構成している。筐体３は、複数のスイッチング素子ＳＷ１及び複数のコンデンサＣ１を収容している。また、筐体３は、第１の基板７と第２の基板８とを収容している。
【００１７】
筐体３は、例えば、建物の壁等に取り付けられる。筐体３のうち、壁に取り付けられているときに壁と対向する面を、筐体３の後面３０２とし、後面３０２とは反対側の面を、筐体３の前面３０１とする。以下の説明において、後面３０２から見て前面３０１側を前とし、前面３０１から見て後面３０２側を後とする。また、以下の説明において、上下について言及する場合は、上下とは、筐体３が壁等に取り付けられている場合の上下を意味する。図１の紙面上が、以下の説明における「上」に対応し、図１の紙面下が、以下の説明における「下」に対応する。なお、上記の方向の規定は、電力変換装置１の使用形態を限定する趣旨ではない。
【００１８】
第１のヒートシンク４は、基台４１と、複数（図１では１つのみを図示）のフィン４２とを有している。基台４１は、板状である（図２参照）。基台４１は、第１の面４１１と、第２の面４１２とを含む。第１の面４１１及び第２の面４１２は、基台４１の厚さ方向（前後方向）と交差する面である。
【００１９】
第１の面４１１には、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置されている。つまり、複数のスイッチング素子ＳＷ１は、基台４１の第１の面４１１と、第１の基板７との間に配置されている。より詳細には、第１の面４１１には、複数のスイッチング素子ＳＷ１が接している。なお、第１の面４１１と複数のスイッチング素子ＳＷ１との間には、熱伝導シート等の部材が挟まれていてもよい。熱伝導シートは、例えば、シリコーン樹脂材料にシリコーン樹脂材料よりも熱伝導率の高いフィラーを含有させた材料からなる。つまり、複数のスイッチング素子ＳＷ１は、第１のヒートシンク４の第１の面４１１に直接配置されていてもよいし、熱伝導シートを介して間接的に配置されていてもよい。
【００２０】
第２の面４１２は、第１の面４１１とは反対側の面である。複数のフィン４２は、第２の面４１２から後向き（つまり、第１の面４１１から第２の面４１２に向かう向き）に突出している。複数のフィン４２の各々は、矩形板状である。複数のフィン４２は、図１の紙面奥行き方向（複数のフィン４２の厚さ方向）に並んでいる（図２、３参照）。
【００２１】
第２のヒートシンク５は、基台５１と、複数（図１では１つのみを図示）のフィン５２とを有している。基台５１は、板状である（図２参照）。基台５１は、第１の表面５１１と、第２の表面５１２とを含む。第１の表面５１１及び第２の表面５１２は、基台５１の厚さ方向（前後方向）と交差する面である。
【００２２】
第２のヒートシンク５の基台５１の第１の表面５１１には、複数のコンデンサＣ１が配置されている。より詳細には、第１の表面５１１には、ケース２が備える複数（図１では２つ）のスペーサ２５が配置されている。複数のスペーサ２５は、例えば金属等、熱伝導率が合成樹脂等と比較して高い材料により形成されている。そして、複数のスペーサ２５に第２の基板８が固定され、第２の基板８に複数のコンデンサＣ１が配置されている。つまり、複数のコンデンサＣ１は、複数のスペーサ２５と第２の基板８とを介して、基台５１の第１の表面５１１に配置されている。言い換えれば、複数のコンデンサＣ１と基台５１との間に、第２の基板８と、複数のスペーサ２５とが配置されている。
【００２３】
第２の表面５１２は、第１の表面５１１とは反対側の面である。複数のフィン５２は、第２の表面５１２から後向き（つまり、第１の表面５１１から第２の表面５１２に向かう向き）に突出している。複数のフィン５２の各々は、矩形板状である。複数のフィン５２は、図１の紙面奥行き方向（複数のフィン５２の厚さ方向）に並んでいる。
【００２４】
また、第１のヒートシンク４の基台４１と複数のコンデンサＣ１との位置関係に着目すると、複数のコンデンサＣ１は、基台４１の第１の面４１１と第２の面４１２とのうち、第１の面４１１側に配置されている。つまり、第２の面４１２から第１の面４１１に向かう向きＳ１において、複数のコンデンサＣ１は、第２の面４１２に対してよりも第１の面４１１に対して近い。言い換えれば、複数のコンデンサＣ１と第１の面４１１との間の最短距離は、複数のコンデンサＣ１と第２の面４１２との間の最短距離よりも短い。
【００２５】
筐体３の後面３０２には、挿通孔３０４、３０５が形成されている。挿通孔３０４は、挿通孔３０５よりも上に設けられている。
【００２６】
挿通孔３０４には、第１のヒートシンク４の基台４１が嵌め込まれている。さらに、第１のヒートシンク４は、筐体３にねじ止めされている。基台４１は、ケース２の外壁の一部を構成している。基台４１の第１の面４１１は、ケース２の内面の一部を構成している。第１のヒートシンク４の複数のフィン４２は、基台４１から後方に突出している。そのため、複数のフィン４２は、筐体３の外部に露出している。
【００２７】
挿通孔３０５には、第２のヒートシンク５の基台５１が嵌め込まれている。さらに、第２のヒートシンク５は、筐体３にねじ止めされている。基台５１は、ケース２の外壁の一部を構成している。基台５１の第１の表面５１１は、ケース２の内面の一部を構成している。第２のヒートシンク５の複数のフィン５２は、基台５１から後方に突出している。そのため、複数のフィン５２は、筐体３の外部に露出している。第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５とは、互いに離れて配置されている。第１のヒートシンク４は、第２のヒートシンク５よりも上に配置されている。また、第１のヒートシンク４は、複数のコンデンサＣ１よりも上に配置されている。つまり、筐体３が壁等に取り付けられているとき、第１のヒートシンク４は、第２のヒートシンク５及び複数のコンデンサＣ１よりも重力方向において上に配置されている。
【００２８】
ここで、複数のコンデンサＣ１は、第１のヒートシンク４から熱的に分離されている。本明細書において、２つの部材（ここでは、コンデンサＣ１及び第１のヒートシンク４）が「熱的に分離されている」とは、２つの部材が互いに離れており、かつ、熱伝導性を有する部材により２つの部材が連結されていないことを意味する。「熱伝導性を有する部材」とは、熱伝導率が、例えば、第１のヒートシンク４の熱伝導率の１／２以上、又は、１／１０以上である部材を意味する。つまり、コンデンサＣ１及び第１のヒートシンク４が「熱伝導性を有する部材」以外の連結部材で連結されている場合は、連結部材の熱伝導率は、「熱伝導性を有する部材」の熱伝導率よりも低いことが好ましい。連結部材の熱伝導率は、第１のヒートシンク４の熱伝導率の１／２未満であることが好ましく、１／１０未満であることがより好ましい。また、「熱伝導性を有する部材」により２つの部材が連結されている場合であっても、第１のヒートシンク４の断面積と比較して、２つの部材を連結している「熱伝導性を有する部材」の断面積が十分に小さい場合も、「２つの部材が熱的に分離されている」と言う。「断面積が十分に小さい」とは、例えば、断面積が１／５以下、より好ましくは１／１０以下であることを言う。
【００２９】
第１のヒートシンク４と、複数のコンデンサＣ１が配置されている第２のヒートシンク５とは、互いに離れて配置されている。第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５との間には、筐体３の一部分３１が介在している。筐体３の熱伝導率は、第１のヒートシンク４の熱伝導率及び第２のヒートシンク５の熱伝導率と比較して小さい。第１のヒートシンク４は、例えば、アルミニウムを材料として形成されている。一例として、第１のヒートシンク４の熱伝導率は１１０〜２４０［Ｗ／ｍ・Ｋ］程度である。筐体３は、例えば、合成樹脂を材料として形成されている。一例として、筐体３の熱伝導率は１［Ｗ／ｍ・Ｋ］未満である。そのため、筐体３の一部分３１により第２のヒートシンク５は第１のヒートシンク４から熱的に分離されており、したがって、複数のコンデンサＣ１は、第１のヒートシンク４から熱的に分離されている。
【００３０】
また、複数のコンデンサＣ１は、第２の基板８によって第１のヒートシンク４から熱的に分離されている。つまり、複数のコンデンサＣ１は、筐体３の一部分３１と第２の基板８とにより第１のヒートシンク４から熱的に分離されている。
【００３１】
複数のコンデンサＣ１は、第１のヒートシンク４の基台４１における第２の面４１２から第１の面４１１に向う向きＳ１において、第１の面４１１と重なる位置とは異なる位置に配置されている。図１に、向きＳ１において第１の面４１１と重なる領域Ｒ１を図示する。要するに、複数のコンデンサＣ１は、領域Ｒ１の外に配置されている。言い換えると、複数のコンデンサＣ１と基台４１とは、向きＳ１において並ばない位置に配置されている。
【００３２】
ケース２は、カバー２３を更に備えている。カバー２３の形状は、一の面（後面）が開口した箱状である。カバー２３は、複数のコンデンサＣ１を覆っている。カバー２３は、第２の基板８とスペーサ２５とをも覆っている。カバー２３は、例えば、熱伝導率が合成樹脂等と比較して高い材料により形成されている。カバー２３は、例えば、アルミニウム又は鉄等を材料として形成されている。
【００３３】
カバー２３は、第２のヒートシンク５の表面に配置されている。より詳細には、カバー２３の開口端が、第２のヒートシンク５の基台５１の第１の表面５１１に接している。カバー２３は、例えば、ねじ止めにより基台５１に取り付けられている。
【００３４】
図２に示すように、ケース２は、第１のカップ２１と、第２のカップ２２とを更に備えている。第１のカップ２１の形状は、前面に開口部２１１を有する箱状である。第２のカップ２２の形状は、前面に開口部２２１を有する箱状である。電力変換部６は、複数のリアクトルを有しており、第１のカップ２１及び第２のカップ２２にはそれぞれ、少なくとも１つのリアクトルが収容されている。
【００３５】
筐体３の後面３０２には、第１のカップ２１が嵌め込まれる開口部と、第２のカップ２２が嵌め込まれる開口部とが形成されている。第１のカップ２１及び第２のカップ２２は、筐体３の後面３０２から後方に突出している。第１のカップ２１及び第２のカップ２２は、上下に並んでいる。
【００３６】
電力変換装置１は、図２及び図３に示すように、入力フィルタ６２と、出力フィルタ６３と、入力フィルタ６２及び出力フィルタ６３が実装された第４の基板６４とを更に備えている。
【００３７】
第４の基板６４は、筐体３に取り付けられている。第４の基板６４の厚さ方向は、前後方向に沿っている。入力フィルタ６２及び出力フィルタ６３は、第４の基板６４の前面６４１に配置されている。第４の基板６４の前面６４１とは、第４の基板６４の厚さ方向と交差する２面のうち、前側の面である。
【００３８】
入力フィルタ６２及び出力フィルタ６３は、例えば、ローパスフィルタである。電力変換装置１に入力された電力は、入力フィルタ６２により高周波成分を減衰され、電力変換部６へ出力される。電力変換部６から出力された電力は、出力フィルタ６３により高周波成分を減衰され、電力変換装置１の外部へ出力される。
【００３９】
図４に、実施形態の電力変換装置１との比較例に係る電力変換装置１Ｐを示す。比較例の電力変換装置１Ｐは、ケース２Ｐが第１のヒートシンク４及び第２のヒートシンク５に代えて、複数のスイッチング素子ＳＷ１と複数のスペーサ２５とが接する１つのヒートシンク９Ｐを備えている点で、実施形態の電力変換装置１と相違する。また、比較例の電力変換装置１Ｐは、筐体３Ｐが挿通孔３０４、３０５の代わりに、ヒートシンク９Ｐが嵌め込まれる１つの挿通孔３０６を備えている点で、実施形態の電力変換装置１と相違する。
【００４０】
比較例の電力変換装置１Ｐでは、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱は、ヒートシンク９Ｐを介して複数のコンデンサＣ１に伝わりやすい。一方で、実施形態の電力変換装置１では、複数のコンデンサＣ１は、複数のスイッチング素子ＳＷ１が配置された第１のヒートシンク４から熱的に分離されている。そのため、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱が第１のヒートシンク４を介して複数のコンデンサＣ１に伝わりにくい。したがって、実施形態の電力変換装置１では、比較例の電力変換装置１Ｐと比較して、複数のコンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。その結果、複数のコンデンサＣ１の寿命を延ばすことができる。
【００４１】
また、電力変換装置１Ｐは、ケース２Ｐがカバー２３（図１参照）を備えていない点で、実施形態の電力変換装置１と相違する。実施形態の電力変換装置１では、対流等により複数のコンデンサＣ１に向かって熱が移動しようとする場合に、カバー２３により熱を吸収し、カバー２３から第２のヒートシンク５へと熱を伝導することができる。したがって、実施形態の電力変換装置１では、比較例の電力変換装置１Ｐと比較して、複数のコンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００４２】
熱解析シミュレーションにより、実施形態の電力変換装置１と比較例の電力変換装置１Ｐとのそれぞれについて、各コンデンサＣ１の温度上昇値を検証した。その結果、実施形態の電力変換装置１では、比較例の電力変換装置１Ｐと比較して、各コンデンサＣ１の温度上昇値は約１４％減少した。また、カバー２３を除去した電力変換装置１では、比較例の電力変換装置１Ｐと比較して、各コンデンサＣ１の温度上昇値は約１２％減少した。
【００４３】
ところで、電力変換装置１の複数のコンデンサＣ１は、第１のヒートシンク４の基台４１における第２の面４１２から第１の面４１１に向う向きＳ１において、第１の面４１１と重なる位置（領域Ｒ１）とは異なる位置に配置されている。そのため、複数のコンデンサＣ１が領域Ｒ１に配置されている場合と比較して、複数のコンデンサＣ１は第１のヒートシンク４からより離れて配置されることになる。したがって、複数のスイッチング素子ＳＷ１で発生した熱が第１のヒートシンク４を介して複数のコンデンサＣ１に伝わりにくい。これにより、複数のコンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００４４】
（変形例１）
以下、実施形態の変形例１について、図５、６を用いて説明する。実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４５】
本変形例のケース２Ａにおいて、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとは、一体に形成されている。第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとは、間にスリット９０１を挟んでつながっている。
【００４６】
ここで、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとがつながって一体となった部材を指して、成形体９と称す。成形体９は、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとを含む。
【００４７】
成形体９は、基台９１と、複数のフィン９２とを有している。基台９１は、矩形板状である。基台９１は、第１の面９１１と、第２の面９１２とを含む。第１の面９１１及び第２の面９１２は、基台９１の厚さ方向（前後方向）と交差する面である。複数のフィン９２は、基台９１の第２の面９１２から基台９１の厚さ方向に突出している。複数のフィン９２の各々は、矩形板状である。複数のフィン９２は、複数のフィン９２の厚さ方向（基台９１の短手方向）に並んでいる。
【００４８】
成形体９には、スリット９０１が形成されている。スリット９０１は、基台９１の第１の面９１１から複数のフィン９２の先端までを貫通している。基台９１の厚さ方向（前後方向）から見て、スリット９０１は棒状である。基台９１の厚さ方向から見て、スリット９０１の長手方向は、基台９１の短手方向に沿っている。基台９１の厚さ方向から見て、スリット９０１の長手方向の両端は、基台９１の外縁よりも内側に位置している。
【００４９】
基台９１の厚さ方向から見て、スリット９０１は、成形体９を２つに区分している。基台９１の厚さ方向から見て、成形体９のうち、スリット９０１を挟んで一方側（図６の紙面上側）が第１のヒートシンク４Ａであり、スリット９０１を挟んで他方側（図６の紙面下側）が第２のヒートシンク５Ａである。
【００５０】
成形体９にはスリット９０１が設けられているので、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとの間での熱の移動は、スリット９０１を越えては起こりにくく、主としてスリット９０１が無い部位（図６の一点鎖線部Ｒ２、Ｒ３）を通してなされる。第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとを連結している部位（図６の一点鎖線部Ｒ２、Ｒ３）の断面積（一点鎖線部Ｒ２の断面積と一点鎖線部Ｒ３の断面積との和）は、一例として、第１のヒートシンク４Ａの断面積の１／５以下である。したがって、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとの間で熱が単位時間当たりに移動する量は、スリット９０１が無い場合と比較して小さくなる。このように、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとの間にスリット９０１が設けられることで、第１のヒートシンク４Ａは、第２のヒートシンク５Ａから熱的に分離されていると言える。
【００５１】
熱解析シミュレーションにより、本変形例のケース２Ａについて、各コンデンサＣ１の温度上昇値を検証した。その結果、実施形態のケース２では、実施形態で説明した比較例のケース２Ｐ（図４参照）と比較して、各コンデンサＣ１の温度上昇値は約１２％減少した。
【００５２】
本変形例では、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとがつながっているので、ケース２Ａにおける部材の点数を減らすことができる。また、実施形態では第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５とを個別に筐体３に固定するのに対して、本変形例では、成形体９を筐体３Ａ（図６参照）に固定するだけでよいので、ケース２Ａの組立工数を削減できる。
【００５３】
なお、スリット９０１の深さ及び位置は、適宜決められればよい。例えば、本変形例では、スリット９０１は、基台９１の第１の面９１１から複数のフィン９２の先端までを貫通しているが、第１の面９１１及び複数のフィン９２の先端の少なくとも一方を貫通していなくてもよい。
【００５４】
なお、本変形例では、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとがつながっているので、第１のヒートシンク４Ａからの熱が第２のヒートシンク５Ａを介して、複数のコンデンサＣ１を収容したカバー２３に伝わる可能性が、実施形態よりも高い。そこで、カバー２３の材料として、アルミ及び鉄と比較して熱伝導性が低い合成樹脂等を用いてもよい。カバー２３の材料として合成樹脂等を用いた場合、第１のヒートシンク４Ａからの熱によりカバー２３が熱せられる可能性を低減できる。
【００５５】
（変形例２）
以下、実施形態の変形例２について、図７を用いて説明する。図７においては、第１の基板７、第２の基板８、複数のスイッチング素子ＳＷ１及び複数のコンデンサＣ１等の図示を省略している。実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５６】
本変形例のケース２Ｂにおいて、筐体３Ｂには、挿通孔３０４、３０５（図１参照）に代えて、挿通孔３０７が形成されている。平面視において、挿通孔３０７の開口面積は、第１のヒートシンク４の面積と第２のヒートシンク５の面積との和よりも大きい。挿通孔３０７には、第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５とが嵌め込まれている。
【００５７】
ケース２Ｂは、介在部２４を更に備えている。介在部２４は、第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５との間に挟まれている。より詳細には、介在部２４は、第１のヒートシンク４の基台４１と第２のヒートシンク５の基台５１との間に挟まれている。すなわち、介在部２４は、挿通孔３０７に挿入されている。さらに、介在部２４は、第１のヒートシンク４の複数のフィン４２（図３参照）と第２のヒートシンク５の複数のフィン５２（図３参照）との間に挟まれている。
【００５８】
介在部２４は、筐体３Ｂとは別の部材である。介在部２４の熱伝導率は、第１のヒートシンク４の熱伝導率及び第２のヒートシンク５の熱伝導率よりも小さい。介在部２４としては、例えば、ウレタンフォーム、フェノールフォーム、ポリスチレンフォーム、ポリエチレンフォーム、ガラスファイバー、又はロックウール等を用いることができる。
【００５９】
本変形例では、第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５との間に介在部２４が挟まれることで、第１のヒートシンク４は、第２のヒートシンク５から熱的に分離されている。介在部２４は、筐体３Ｂとは別の部材なので、筐体３Ｂの一部が介在部２４として用いられる場合と比較して、介在部２４の材料をより多くの材料から選択できる。
【００６０】
（実施形態のその他の変形例）
次に、実施形態のその他の変形例を列挙する。以下の変形例は、適宜組み合わせて実現されてもよい。また、以下の変形例は、変形例１又は２と適宜組み合わせて実現されてもよい。
【００６１】
実施形態の複数のコンデンサＣ１は、第２の基板８に配置されている。これに対して、複数のコンデンサＣ１のうち少なくとも１つは、第２の基板８に配置されていなくてもよい。第１のヒートシンク４が第２のヒートシンク５から熱的に分離されていない場合であっても、第２の基板８に配置されておらず第１のヒートシンク４及び第２のヒートシンク５から離れて設けられたコンデンサＣ１については、第１のヒートシンク４から熱的に分離させることができる。少なくとも１つのコンデンサＣ１と第２のヒートシンク５との間には、介在部２４のように熱伝導率が第２のヒートシンク５の熱伝導率と比較して小さい部材が挟まれていてもよい。
【００６２】
また、ケース２において、第２のヒートシンク５は必須の構成ではない。また、ケース２が第２のヒートシンク５を備えていない場合であっても、ケース２はカバー２３を備えていてもよい。
【００６３】
（まとめ）
以上説明した実施形態等から、以下の態様が開示されている。
【００６４】
第１の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）は、筐体３（又は３Ａ、３Ｂ）と、ヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）と、を備える。筐体３（又は３Ａ、３Ｂ）は、スイッチング素子ＳＷ１及びコンデンサＣ１を収容する。ヒートシンクは、基台４１と、フィン４２と、を有する。基台４１は、第１の面４１１と、第１の面４１１とは反対側の第２の面４１２と、を含む。第１の面４１１には、スイッチング素子ＳＷ１が配置される。フィン４２は、基台４１の第２の面４１２から突出している。コンデンサＣ１は、第２の面４１２から第１の面４１１に向かう向きＳ１において、第１の面４１１と重なる位置（領域Ｒ１）とは異なる位置に配置される。
【００６５】
上記の構成によれば、第２の面４１２から第１の面４１１に向かう向きＳ１において、第１の面４１１と重なる位置にコンデンサＣ１が配置される場合と比較して、コンデンサＣ１はヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）からより離れて配置される。したがって、スイッチング素子ＳＷ１で発生した熱がヒートシンクを介してコンデンサＣ１に伝わりにくい。これにより、コンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。
【００６６】
また、第２の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１の態様において、スイッチング素子ＳＷ１及びコンデンサＣ１は、別々の基板（第１の基板７及び第２の基板８）に実装されている。
【００６７】
上記の構成によれば、スイッチング素子ＳＷ１とコンデンサＣ１とが１つの基板に実装される場合と比較して、スイッチング素子ＳＷ１で発生した熱がコンデンサＣ１に伝導しにくい。
【００６８】
また、第３の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１又は２の態様において、コンデンサＣ１は、基台４１の第１の面４１１と第２の面４１２とのうち、第１の面４１１側に配置される。
【００６９】
上記の構成によれば、コンデンサＣ１が第２の面４１２側に配置される場合と比較して、コンデンサＣ１はヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）からより離れて配置される。したがって、ヒートシンクからの熱がコンデンサＣ１に伝わりにくい。
【００７０】
また、第４の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）は、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、第２のヒートシンク５（又は５Ａ）を更に備える。第２のヒートシンク５は、スイッチング素子ＳＷ１が配置されるヒートシンクとしての第１のヒートシンク４（又は４Ａ）とは別のヒートシンクである。第２のヒートシンク５（又は５Ａ）には、コンデンサＣ１が配置される。
【００７１】
上記の構成によれば、コンデンサＣ１からの熱を第２のヒートシンク５（又は５Ａ）を介して放熱できる。したがって、コンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００７２】
また、第５の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ｂ）では、第４の態様において、第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５とは、互いに離れて配置されている。
【００７３】
上記の構成によれば、第１のヒートシンク４からの熱が第２のヒートシンク５を介してコンデンサＣ１に伝わりにくい。したがって、コンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００７４】
また、第６の態様に係る電気機器のケース２Ａでは、第４の態様において、第１のヒートシンク４Ａと第２のヒートシンク５Ａとは、間にスリット９０１を挟んでつながっている。
【００７５】
上記の構成によれば、第１のヒートシンク４Ａからの熱が第２のヒートシンク５Ａを介してコンデンサＣ１に伝わりにくい。したがって、コンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００７６】
また、第７の態様に係る電気機器のケース２Ｂは、第４の態様において、介在部２４を更に備える。介在部２４は、第１のヒートシンク４と第２のヒートシンク５との間に挟まれている。介在部２４の熱伝導率は、第１のヒートシンク４の熱伝導率及び第２のヒートシンク５の熱伝導率よりも小さい。
【００７７】
上記の構成によれば、第１のヒートシンク４からの熱が第２のヒートシンク５を介してコンデンサＣ１に伝わりにくい。したがって、コンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００７８】
また、第８の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）は、第４〜７の態様のいずれか１つにおいて、カバー２３を更に備える。カバー２３は、コンデンサＣ１を覆う。
【００７９】
上記の構成によれば、コンデンサＣ１に向かって放射される熱をカバー２３により遮熱できる。したがって、コンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００８０】
また、第９の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第８の態様において、カバー２３は、第２のヒートシンク５（又は５Ａ）の表面に配置されている。
【００８１】
上記の構成によれば、カバー２３からの熱を第２のヒートシンク５（又は５Ａ）を介して放熱できる。したがって、カバー２３の温度上昇を低減し、カバー２３の内部のコンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００８２】
また、第１０の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜９の態様のいずれか１つにおいて、ヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）は、コンデンサＣ１よりも上に配置される。
【００８３】
上記の構成によれば、ヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）から放出されて上昇する熱がコンデンサＣ１に伝わりにくい。したがって、コンデンサＣ１の温度上昇を更に低減できる。
【００８４】
また、第１１の態様に係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）では、第１〜１０の態様のいずれか１つにおいて、ヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）のフィン４２は、筐体３（又は３Ａ、３Ｂ）の外部に露出している。
【００８５】
上記の構成によれば、ヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）は、フィン４２から筐体３（又は３Ａ、３Ｂ）の外部へ放熱できる。したがって、ヒートシンクの放熱効率が向上する。
【００８６】
第１の態様以外の構成については、電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。
【００８７】
また、第１２の態様に係る電力変換装置１では、第１〜１１の態様のいずれか１つに係る電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）と、電力変換部６と、を備える。電力変換部６は、スイッチング素子ＳＷ１を含む。電力変換部６は、電気機器のケース２（又は２Ａ、２Ｂ）に収容される。電力変換部６は、スイッチング素子ＳＷ１を駆動することにより入力電力を所定の電力に変換して出力する。
【００８８】
上記の構成によれば、スイッチング素子ＳＷ１で発生した熱がヒートシンク（第１のヒートシンク４又は４Ａ）を介してコンデンサＣ１に伝わりにくい。これにより、コンデンサＣ１の温度上昇を低減できる。
【符号の説明】
【００８９】
１  電力変換装置
２、２Ａ、２Ｂ  ケース
２３  カバー
２４  介在部
３、３Ａ、３Ｂ  筐体
４、４Ａ  第１のヒートシンク（ヒートシンク）
４１  基台
４２  フィン
４１１  第１の面
４１２  第２の面
５、５Ａ  第２のヒートシンク
６  電力変換部
７  第１の基板
８  第２の基板
９０１  スリット
Ｃ１  コンデンサ
Ｓ１  向き
ＳＷ１  スイッチング素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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