(57)【要約】    【課題】本発明は、カーフをより十分に維持することができるダイシングテープ等を提供する。    【解決手段】本発明に係るダイシングテープは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備え、前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低い。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備え、
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低い
ダイシングテープ。
【請求項２】
前記第１樹脂は、１１５℃以上１３０℃以下の融点を有する
請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
前記第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下である
請求項１または２に記載のダイシングテープ。
【請求項４】
前記第１樹脂は、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂を含む
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
【請求項５】
前記基材の厚さは６０μｍ以上１６０μｍ以下であり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第１樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第３樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にある
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
【請求項６】
前記第２樹脂層は、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含む
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のダイシングテープ。
【請求項７】
前記α−オレフィン系熱可塑性エラストマーは、α−オレフィンのホモポリマー又はα−オレフィンの共重合体の少なくとも１種を含む
請求項６に記載のダイシングテープ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備える
ダイシングダイボンドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムに関する。より詳しくは、基材が積層構造を有するダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造において、ダイボンディング用の半導体チップを得るために、ダイシングダイボンドフィルムを用いることが知られている。ダイシングダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層が積層されたダイボンドテープと、該ダイボンドテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備えている。
【０００３】
そして、前記ダイシングダイボンドフィルムを用いてダイボンディング用の半導体チップ（ダイ）を得る方法として、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべき半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層に貼付して、ダイシングテープに半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層と粘着剤層との間を剥離してダイボンド層が貼付された状態で半導体チップを取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層が貼付された状態の半導体チップを被着体（例えば、実装基板等）に接着させるダイボンド工程と、を有する方法を採用することが知られている。
なお、前記カーフ維持工程においては、ダイシングテープに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープを熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップ間の距離（カーフ）を維持している。
【０００４】
前記のようなダイボンディング用の半導体チップを得る方法のカーフ維持工程において、カーフをより十分に維持するために、ダイシングテープの物性と基材の物性とを特定の関係を満たすものとすることが知れている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０１６／１５２９１９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持するために、更なる検討が要望されている。
【０００７】
そこで、本発明は、カーフをより十分に維持することができるダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らが鋭意検討したところ、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープにおいて、前記基材を、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備えるものとし、さらに、前記第２樹脂層を、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低いものとすることにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができることを見出して、本発明を想到するに至った。
また、本発明者らは、前記構成のダイシングテープを備えたダイシングダイボンドフィルムにおいても、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができることを見出した。
【０００９】
即ち、本発明に係るダイシングテープは、
基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープであって、
前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層と、前記第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層と、前記第１樹脂層とは逆側において前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、を備え、
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層よりも、室温における引張貯蔵弾性率が低い。
【００１０】
斯かる構成によれば、前記基材は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層を備えるので、カーフ維持工程において、前記基材をより迅速に冷却固化することができる。
また、第１樹脂層の一面上に積層された第２樹脂層であって、前記第１樹脂層とは逆側に第３樹脂層が積層された第２樹脂層、すなわち、前記第１樹脂層と前記第３樹脂層とで挟まれた前記第２樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率が、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率よりも低いので、前記第２樹脂層を、引張応力を緩和する応力緩和層として機能させることができる。すなわち、前記基材に生じる引張応力を比較的小さくすることができるので、前記基材を適度な硬さを有しつつ、比較的伸び易いものとすることができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
さらに、前記第２樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率が、前記第１樹脂層及び前記第３樹脂層の室温における引張貯蔵弾性率よりも低いことにより、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性を向上させることができることに加えて、エキスパンド工程において、前記基材が破れて破損することを抑制することができる。
また、前記第１樹脂層に含まれる第１樹脂と前記第２樹脂層に含まれる第２樹脂とが親和性の高いものである場合、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層とを剥離させることなく比較的良好に押出成形することができる。
【００１１】
前記ダイシングテープにおいては、
前記第１樹脂は、１１５℃以上１３０℃以下の融点を有することが好ましい。
【００１２】
斯かる構成によれば、前記第１樹脂が１１５℃以上１３０℃以下の融点を有しているので、カーフ維持工程において、前記ダイシングテープに当てる熱風（例えば、１００〜１３０℃）と前記第１樹脂層を構成する樹脂との温度差を比較的小さくすることができる。そのため、カーフ維持工程において、前記基材をより迅速に冷却固化することができる。
これにより、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００１３】
前記ダイシングテープにおいては、
前記第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下であることが好ましい。
【００１４】
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００１５】
前記ダイシングテープにおいては、
前記第１樹脂は、メタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂を含むことが好ましい。
【００１６】
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００１７】
前記ダイシングテープにおいては、
前記基材の厚さは６０μｍ以上１６０μｍ以下であり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第１樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあり、
前記第２樹脂層の厚さに対する前記第３樹脂層の厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあることが好ましい。
【００１８】
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより向上させることができる。
【００１９】
前記ダイシングテープにおいては、
前記第２樹脂層は、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましい。
【００２０】
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより向上させることができる。
【００２１】
前記ダイシングテープにおいては、
前記α−オレフィン系熱可塑性エラストマーは、α−オレフィンのホモポリマー又はα−オレフィンの共重合体の少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００２２】
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
また、割断工程におけるエキスパンド時に、半導体ウェハから複数の半導体チップへの割断性をより向上させることができる。
【００２３】
本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
前記ダイシングテープと、
前記ダイシングテープの粘着剤層上に積層されたダイボンド層と、を備える。
【００２４】
斯かる構成によれば、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、カーフをより十分に維持することができるダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイシングテープの構成を示す断面図。
【図２】本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムの構成を示す断面図。
【図３Ａ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｂ】半導体集積回路の製造方法におけるハーフカット加工の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｃ】半導体集積回路の製造方法におけるバックグラインド加工の様子を模式的に示す断面図。
【図３Ｄ】半導体集積回路の製造方法におけるバックグラインド加工の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ａ】半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。
【図４Ｂ】半導体集積回路の製造方法におけるマウント工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ａ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ｂ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図５Ｃ】半導体集積回路の製造方法における低温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図６Ａ】半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図６Ｂ】半導体集積回路の製造方法における常温でのエキスパンド工程の様子を模式的に示す断面図。
【図７】半導体集積回路の製造方法におけるカーフ維持工程の様子を模式的に示す断面図。
【図８】半導体集積回路の製造方法におけるピックアップ工程の様子を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
【００２８】
［ダイシングテープ］
図１に示しように、本実施形態に係るダイシングテープ１０は、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０である。
基材１は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａと、第１樹脂層１ａの一面上に積層された第２樹脂層１ｂと、第１樹脂層１ａとは逆側において第２樹脂層１ｂに積層された第３樹脂層１ｃとを備え、第２樹脂層１ｂは、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃよりも室温（２３℃）における引張貯蔵弾性率が低い。
なお、第２樹脂層１ｂは第２樹脂を含み、第３樹脂層１ｃは第１樹脂を含んでいる。
ここで、第１樹脂の分子量分散度とは、第１樹脂の数平均分子量に対する第１樹脂の質量平均分子量の比を意味する。
【００２９】
基材１が、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａを備えることにより、カーフがより十分に維持される理由については、以下のように考えられる。
第１樹脂は５以下という比較的小さい分子量分散度を示す、すなわち、第１樹脂は比較的均一な分子量を有する樹脂であるので、このような第１樹脂を含む第１樹脂層においては、層が溶融する温度は比較的均一になると考えられる。
そして、層が溶融する温度が比較的均一であることにより、カーフ維持工程において、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させるときに、熱風により溶融した層部分を比較的均一な速度で固化させることができると考えられる。すなわち、溶融した層部分が固化する速度にバラツキがない分だけ、溶融した層部分を比較的迅速に固化させることができると考えられる。
その結果、ダイシングテープ１０を熱収縮させた後に、基材１が縮むことをより十分に抑制することができるようになり、カーフをより十分に維持することができるようになると考えられる。
【００３０】
第１樹脂の数平均分子量及び質量平均分子量は、以下の条件においてＧＰＣにより測定することができる。
・測定装置：Ｗａｓｔｅｒ社製、型式「Ａｌｌｉａｎｃｅ  ＧＰＣ  ２０００型」
・カラム：ＴＳｋｇｅｌ  ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー社製）を２本直列に接続し、下流側に、さらにＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−ＨＴＬを２本直列に接続したもの
・カラムサイズ：ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ６−ＨＴ及びＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−ＨＴＬ共に、内径７．５ｍｍ×長さ３００ｍｍ
・カラム温度：１４０℃
・流速：１．０ｍＬ／分
・溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
・サンプル調製濃度：０．１０質量％（ｏ−ジクロロベンゼンに溶解）
・サンプル注入量：４０μＬ
・検出器：ＲＩ（示差屈折計）
・標準試料：ポリスチレン
【００３１】
第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃとしては、室温での引張貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下のものが挙げられ、第２樹脂層１ｂとしては、室温での引張貯蔵弾性率が２００ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下のものが挙げられる。
【００３２】
常温における引張貯蔵弾性率は、以下のようにして測定することができる。
詳しくは、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍのダイシングテープを試験片とし、固体粘弾性測定装置（例えば、型式ＲＳＡＩＩＩ、レオメトリックサイエンティフィック株式会社製）を用いて、周波数１Ｈｚ、ひずみ量０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍの条件において、−５０〜１００℃の温度範囲で前記試験片の引張貯蔵弾性率を測定することにより求めることができる。その際、２３℃での値を読み取り、２３℃における引張貯蔵弾性率とする。
なお、前記測定は、前記試験片をＭＤ方向（樹脂流れ方向）に引っ張ることにより行う。
【００３３】
第１樹脂としては非エラストマーを用いることが好ましい。非エラストマーとしては、メタロセン触媒の共重合品であるポリプロピレン樹脂（以下、メタロセンＰＰという）が挙げられる。メタロセンＰＰとしては、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃがメタロセンＰＰを含むことにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
なお、市販のメタロセンＰＰとしては、ウィンテックＷＸＫ１２３３、ウィンテックＷＭＸ０３（いずれも、日本ポリプロ社製）が挙げられる。
【００３４】
ここで、メタロセン触媒とは、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む周期表第４族の遷移金属化合物（いわゆる、メタロセン化合物）と、メタロセン化合物と反応して該メタロセン化合物を安定なイオン状態に活性化し得る助触媒とからなる触媒であり、必要により、有機アルミニウム化合物を含む。メタロセン化合物は、プロピレンの立体規則性重合を可能とする架橋型のメタロセン化合物である。
【００３５】
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィン共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体が好ましく、前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数２のα−オレフィンランダム共重合体、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数４のα−オレフィンランダム共重合体、及び、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／炭素数５のα−オレフィンランダム共重合体の中から選ばれるものが好ましく、これらの中でも、メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／エチレンランダム共重合体が最適である。
【００３６】
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体としては、前記エラストマー層との共押出成膜性、及び、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハの割断性の観点から、融点が８０℃以上１４０℃以下、特に、１００℃以上１３０℃以下のものが好ましい。
前記メタロセン触媒の重合品であるプロピレン／α−オレフィンランダム共重合体の融点は、示差走査熱量（ＤＳＣ）分析により測定することができる。例えば、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメント社製  型式ＤＳＣ  Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定することができる。
第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下であることが好ましい。
【００３７】
第２樹脂としてはエラストマーを用いることが好ましい。エラストマーとしては、例えば、α−オレフィン系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、例えば、α−オレフィンのホモポリマー、２種以上のα−オレフィンの共重合体、ブロックポリプロピレン、ランダムポリプロピレン、１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体等が挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、プロピレン・エチレン共重合体とプロピレンホモポリマーとを組み合わせたもの、または、プロピレン・エチレン・炭素数４以上のα−オレフィン三元共重合体も挙げられる。
α−オレフィン系熱可塑性エラストマーの市販品としては、例えば、プロピレン系エラストマー樹脂であるビスタマックス３９８０（エクソンモービルケミカル社製）が挙げられる。
【００３８】
α−オレフィンのホモポリマーとしては、炭素数２以上１２以下のα−オレフィンのホモポリマーであることが好ましい。このようなホモポリマーとしては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。
【００３９】
２種以上のα−オレフィンの共重合体としては、エチレン／プロピレン共重合体、エチレン／１−ブテン共重合体、エチレン／プロピレン／１−ブテン共重合体、エチレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体、プロピレン／エチレン共重合体、プロピレン／１−ブテン共重合体、プロピレン／炭素数５以上１２以下のα−オレフィン共重合体等が挙げられる。
【００４０】
１種または２種以上のα−オレフィンと他のビニルモノマーとの共重合体としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等が挙げられる。
【００４１】
基材１が前記のような三層構造の場合、第１樹脂と第２樹脂とを共押出して、第２樹脂層１ｂの両面側に第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃが積層された積層構造とする共押出成形により得られることが好ましい。共押出成形としては、フィルムやシート等の製造において一般に行われる任意の適切な共押出成形を採用することができる。共押出成形の中でも、基材１を効率良く安価に得ることができる点から、インフレーション法や共押出Ｔダイ法を採用することが好ましい。
【００４２】
第２樹脂層１ｂがα−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含み、かつ、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃがメタロセンＰＰのようなポリオレフィンを含む場合、第２樹脂層１ｂは、第２樹脂層１ｂに含まれるエラストマーの総質量に対して、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを５０質量％以上１００質量％以下含んでいることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下含んでいることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下含んでいることがさらに好ましく、９０質量％以上１００質量％以下含んでいることが特に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下含んでいることが最適である。α−オレフィン系熱可塑性エラストマーが前記範囲で含まれていることにより、第１樹脂層１ａと第２樹脂層１ｂとの親和性及び第３樹脂層１ｃと第２樹脂層１ｂとの親和性が高くなるため、基材１を比較的容易に押出成形することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
【００４３】
積層構造をなす基材１を共押出成形にて得る場合、第１樹脂層１ａ及び第２樹脂層１ｂ、並びに、第３樹脂層１ｃ及び第２樹脂層１ｂは、加熱されて溶融された状態で接するため、前記第１樹脂及び前記第２樹脂の融点差は小さい方が好ましい。融点差が小さいことにより、低融点樹脂に過度の熱がかかることが抑制されることから、低融点樹脂の熱劣化によって副生成物が生成されることを抑制できる。また、低融点樹脂の粘度が過度に低下することにより、第１樹脂層１ａと第２樹脂層１ｂとの間、及び、第３樹脂層１ｃと第２樹脂層１ｂとの間に積層不良が生じることも抑制できる。前記第１樹脂及び前記第２樹脂の融点差は、０℃以上７０℃以下であることが好ましく、０℃以上５５℃以下であることがより好ましい。
前記第１樹脂及び前記第２樹脂の融点は、前記した方法によって測定することができる。
【００４４】
基材１の厚さは、５５μｍ以上１９５μｍ以下であることが好ましく、５５μｍ以上１９０μｍ以下であることがより好ましく、５５μｍ以上１７０μｍ以下であることがさらに好ましく、６０μｍ以上１６０μｍ以下であることが最適である。基材１の厚さを前記の範囲とすることにより、ダイシングテープを効率良く製造することができ、かつ、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハを効率良く割断することができる。
基材１の厚さは、例えば、ダイアルゲージ（ＰＥＡＣＯＣＫ社製  型式Ｒ−２０５）を用いて、ランダムに選んだ任意の５点の厚さを測定し、これらの厚さを算術平均することにより求めることができる。
【００４５】
基材１において、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第１樹脂層１ａの厚さの比、及び、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第３樹脂層１ｃの厚さの比は、１／２５以上１／３以下であることが好ましく、１／２５以上１／３．５以下であることがより好ましく、１／２５以上１／４以下であることがさらに好ましく、１／２２以上１／４以下であることが特に好ましく、１／２０以上１／４以下であることが最適である。第２樹脂層１ｂの厚さに対する第１樹脂層１ａの厚さの比、及び、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第３樹脂層１ｃの厚さの比を前記範囲とすることにより、ダイシングテープに貼付した半導体ウェハをより効率良く割断することができる。
第１樹脂層１ａ、第２樹脂層１ｂ、及び、第３樹脂層１ｃの厚さは、凍結ミクロトーム法により第１樹脂層１ａから切り出した断面を顕微鏡で観察することにより求めることができる。例えば、電子顕微鏡を用いて１００倍の倍率で凍結ミクロトーム法により切り出した断面の中央部分を観察し、第１樹脂層１ａ、第２樹脂層１ｂ、及び、第３樹脂層１ｃについてＭＤ方向（樹脂流れ方向）に沿って任意に選んだ３点の厚さをそれぞれ測定し、各層について測定した３点の測定値をそれぞれ算術平均することにより求めることができる。
【００４６】
第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃは、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。第１樹脂層１ａは、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃが積層構造である場合、全ての層が同じ第１樹脂を含んでいてもよいし、少なくも２層が異なる第１樹脂を含んでいてもよい。
【００４７】
第２樹脂層１ｂは、単層（１層）構造であってもよいし、積層構造であってもよい。第２樹脂層１ｂは、１層〜５層構造であることが好ましく、１層〜３層構造であることがより好ましく、１層〜２層構造であることがさらに好ましく、１層構造であることが最適である。第２樹脂層１ｂが積層構造である場合、全ての層が同じ第２樹脂を含んでいてもよいし、少なくとも２層が異なる第２樹脂を含んでいてもよい。
【００４８】
ここで、エラストマー層が基材１の最外層に配されていると、基材１をロール体とした場合に、最外層に配されたエラストマー層同士がブロッキングし易くなる（くっつき易くなる）。そのため、基材１をロール体から巻き戻し難くなる。これに対し、本実施形態に係る基材１では、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃが非エラストマー層であり、第２樹脂層１ｂがエラストマー層である、すなわち、最外層に非エラストマー層が配されているので、このような態様の基材１は、耐ブロッキング性に優れたものとなる。これにより、ブロッキングによってダイシングテープ１０を用いた半導体装置の製造が遅延することを抑制できる。
【００４９】
第２樹脂層１ｂは、１１５℃以上１３０℃以下の融点を有し、かつ、分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）が５以下である樹脂で構成されていることが好ましい。このような樹脂としては、メタロセンＰＰが挙げられる。
第２樹脂層１ｂが前記のごとき樹脂で構成されていることにより、低温条件下で半導体ウェハを割断して得た複数の半導体チップ間の間隔（カーフ）を維持するために、前記半導体ウェハの外周縁との境界部分のダイシングテープに熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当てて前記ダイシングテープを熱収縮させた後に、熱風を当てることにより溶融した非エラストマー層（最外層）が固化するように要する時間を比較的短くすることができる。
これにより、カーフをより好適に維持することができる。
【００５０】
粘着剤層２は、粘着剤を含有する。粘着剤層２は、半導体チップに個片化するための半導体ウェハを粘着することにより保持する。本実施形態では、基材１の第１樹脂層１ａ上に粘着剤層２が積層されている。
【００５１】
前記粘着剤としては、ダイシングテープ１０の使用過程において外部からの作用により粘着力を低減可能なもの（以下、粘着低減型粘着剤という）が挙げられる。
【００５２】
粘着剤として粘着低減型粘着剤を用いる場合、ダイシングテープ１０の使用過程において、粘着剤層２が比較的高い粘着力を示す状態（以下、高粘着状態という）と、比較的低い粘着力を示す状態（以下、低粘着状態という）とを使い分けることができる。例えば、ダイシングテープ１０に貼付された半導体ウェハが割断に供されるときには、半導体ウェハの割断により個片化された複数の半導体チップが、粘着剤層２から浮き上がったり剥離したりすることを抑制するために、高粘着状態を利用する。これに対し、半導体ウェハの割断後に、個片化された複数の半導体チップをピックアップするためには、粘着剤層２から複数の半導体チップをピックアップし易くするために、低粘着状態を利用する。
【００５３】
前記粘着低減型粘着剤としては、例えば、ダイシングテープ１０の使用過程において放射線照射によって硬化させることが可能な粘着剤（以下、放射線硬化粘着剤という）が挙げられる。
【００５４】
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、電子線、紫外線、α線、β線、γ線、またはＸ線の照射によって硬化するタイプの粘着剤が挙げられる。これらの中でも、紫外線照射により硬化する粘着剤（紫外線硬化粘着剤）を用いることが好ましい。
【００５５】
前記放射線硬化粘着剤としては、例えば、アクリル系ポリマーなどのベースポリマーと、放射線重合性の炭素−炭素二重結合等の官能基を有する放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分とを含む、添加型の放射線硬化粘着剤が挙げられる。
【００５６】
前記アクリル系ポリマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。
【００５７】
粘着剤層２は、外部架橋剤を含んでいてもよい。外部架橋剤としては、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーと反応して架橋構造を形成できるものであれば、どのようなものでも用いることができる。このような外部架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、ポリオール化合物、アジリジン化合物、及び、メラミン系架橋剤等が挙げられる。
【００５８】
前記放射線重合性モノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、および、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。前記放射線重合性オリゴマー成分としては、例えば、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系などの種々のオリゴマーが挙げられる。前記放射線硬化粘着剤中の放射線重合性モノマー成分や放射線重合性オリゴマー成分の含有割合は、粘着剤層２の粘着性を適切に低下させる範囲で選ばれる。
【００５９】
前記放射線硬化粘着剤は、光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、α−ケトール系化合物、アセトフェノン系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ケタール系化合物、芳香族スルホニルクロリド系化合物、光活性オキシム系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、及び、アシルホスフォナート等が挙げられる。
【００６０】
粘着剤層２は、前記各成分に加えて、架橋促進剤、粘着付与剤、老化防止剤、顔料や染料などの着色剤等を含んでいてもよい。
【００６１】
粘着剤層２の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００６２】
［ダイシングダイボンドフィルム］
次に、図２を参照しながら、ダイシングダイボンドフィルム２０について説明する。なお、ダイシングダイボンドフィルム２０の説明において、ダイシングテープ１０と重複する部分においては、その説明は繰り返さない。
【００６３】
図２に示したように、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングテープ１０と、ダイシングテープ１０の粘着剤層２上に積層されたダイボンド層３とを備える。
基材１は、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａと、第１樹脂層１ａの一面上に積層された第２樹脂層１ｂと、第１樹脂層１ａとは逆側において第２樹脂層１ｂに積層された第３樹脂層１ｃとを備え、第２樹脂層１ｂは、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃよりも室温（２３℃）における引張貯蔵弾性率が低い。
なお、第２樹脂層１ｂは第２樹脂を含み、第３樹脂層１ｃは第１樹脂を含んでいる。
ダイシングダイボンドフィルム２０では、ダイボンド層３上に半導体ウェハが貼付される。
ダイシングダイボンドフィルム２０を用いた半導体ウェハの割断においては、半導体ウェハと共にダイボンド層３も割断される。ダイボンド層３は、個片化された複数の半導体チップのサイズに相当する大きさに割断される。これにより、ダイボンド層３付の半導体チップを得ることができる。
【００６４】
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０においては、ダイシングテープ１０と同様に、第１樹脂の融点は１１５℃以上１３０℃以下であることが好ましく、第１樹脂は、質量平均分子量が１０００００以上１００００００以下であり、数平均分子量が２００００以上６０００００以下であることが好ましく、第１樹脂はメタロセン触媒による重合品であるポリプロピレン樹脂を含むことが好ましい。
また、ダイシングダイボンドフィルム２０は、ダイシングテープ１０と同様に、基材１の厚さが６０μｍ以上１６０μｍ以下であり、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第１樹脂層１ａの厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあり、第２樹脂層１ｂの厚さに対する第３樹脂層１ｃの厚さの比は、１／４〜１／２０の範囲にあることが好ましい。
また、ダイシングダイボンドフィルム２０は、ダイシングテープ１０と同様に、第２樹脂層１ｂは、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーを含むことが好ましく、α−オレフィン系熱可塑性エラストマーは、α−オレフィンのホモポリマー又はα−オレフィンの共重合体の少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００６５】
ダイボンド層３は、熱硬化性を有することが好ましい。ダイボンド層３に熱硬化性樹脂及び熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂の少なくとも一方を含ませることにより、ダイボンド層３に熱硬化性を付与することができる。
【００６６】
ダイボンド層３が熱硬化性樹脂を含む場合、このような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、及び、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの中でもエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００６７】
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、及び、グリシジルアミン型のエポキシ樹脂が挙げられる。
【００６８】
エポキシ樹脂の硬化剤としてのフェノール樹脂としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、及び、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレンが挙げられる。
【００６９】
ダイボンド層３が、熱硬化性官能基を有する熱可塑性樹脂を含む場合、このような熱可塑性樹脂としては、例えば、熱硬化性官能基含有アクリル樹脂が挙げられる。熱硬化性官能基含有アクリル樹脂におけるアクリル樹脂としては、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を含むものが挙げられる。
熱硬化性官能基を有する熱硬化性樹脂においては、熱硬化性官能基の種類に応じて、硬化剤が選ばれる。
【００７０】
ダイボンド層３は、樹脂成分の硬化反応を十分に進行させたり、硬化反応速度を高めたりする観点から、熱硬化触媒を含有していてもよい。熱硬化触媒としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、およびトリハロゲンボラン系化合物が挙げられる。  
【００７１】
ダイボンド層３は、上記熱硬化性樹脂に加えて、熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。熱可塑性樹脂はバインダとして機能する。熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド６やポリアミド６，６等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、一種のみが用いられてもよいし、二種以上が組み合わされて用いられてもよい。上記熱可塑性樹脂としては、イオン性不純物が少なく、かつ、耐熱性が高いために、ダイボンド層による接続信頼性が確保し易くなるという観点から、アクリル樹脂が好ましい。
【００７２】
上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに由来するモノマー単位を質量割合で最も多いモノマー単位として含むポリマーであることが好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、及び、（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルと共重合可能な他の成分に由来するモノマー単位を含んでいてもよい。上記他の成分としては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、グリシジル基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、リン酸基含有モノマー、アクリルアミド、アクリルニトリル等の官能基含有モノマーや、各種の多官能性モノマー等が挙げられる。ダイボンド層において高い凝集力を実現するという観点から、上記アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステル（特に、アルキル基の炭素数が４以下の（メタ）アクリル酸アルキルエステル）と、カルボキシ基含有モノマーと、窒素原子含有モノマーと、多官能性モノマー（特に、ポリグリシジル系多官能モノマー）との共重合体であることが好ましく、アクリル酸エチルと、アクリル酸ブチルと、アクリル酸と、アクリロニトリルと、ポリグリシジル（メタ）アクリレートとの共重合体であることがより好ましい。
【００７３】
ダイボンド層３は、必要に応じて、１種又は２種以上の他の成分を含有してもよい。他の成分としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、およびイオントラップ剤が挙げられる。
【００７４】
ダイボンド層３の厚さは、４０μｍ以上であることが好ましく、６０μｍ以上であることがより好ましく、８０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、ダイボンド層３の厚さは、２００μｍ以下であることが好ましく、１６０μｍ以下であることがより好ましく、１２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００７５】
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０は、例えば、半導体集積回路を製造するための補助用具として使用される。以下、ダイシングダイボンドフィルム２０の使用の具体例について説明する。
以下では、基材１が一層であるダイシングダイボンドフィルム２０を用いた例について説明する。
【００７６】
半導体集積回路を製造する方法は、半導体ウェハを割断処理によってチップ（ダイ）へ加工すべく半導体ウェハに溝を形成し、さらに半導体ウェハを研削して厚さを薄くするハーフカット工程と、ハーフカット工程後の半導体ウェハを研削して厚さを薄くするバックグラインド工程と、バックグラインド工程後の半導体ウェハの一面（例えば、回路面とは反対側の面）をダイボンド層３に貼付して、ダイシングテープ１０に半導体ウェハを固定するマウント工程と、ハーフカット加工された半導体チップ同士の間隔を広げるエキスパンド工程と、半導体チップ同士の間隔を維持するカーフ維持工程と、ダイボンド層３と粘着剤層２との間を剥離してダイボンド層３が貼付された状態で半導体チップ（ダイ）を取り出すピックアップ工程と、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップ（ダイ）を被着体に接着させるダイボンド工程と、を有する。これらの工程を実施するときに、本実施形態のダイシングテープ（ダイシングダイボンドフィルム）が製造補助用具として使用される。
【００７７】
ハーフカット工程では、図３Ａ及び図３Ｂに示すように、半導体集積回路を小片（ダイ）に割断するためのハーフカット加工を施す。詳しくは、半導体ウェハＷの回路面とは反対側の面に、ウェハ加工用テープＴを貼り付ける（図３Ａ参照）。また、ウェハ加工用テープＴにダイシングリングＲを取り付ける（図３Ａ参照）。ウェハ加工用テープＴを貼付した状態で、分割用の溝を形成する（図３Ｂ参照）。バックグラインド工程では、図３Ｃ及び図３Ｄに示すように、半導体ウェハを研削して厚さを薄くする。詳しくは、溝を形成した面にバックグラインドテープＧを貼付する一方で、始めに貼り付けたウェハ加工用テープＴを剥離する（図３Ｃ参照）。バックグラインドテープＧを貼付した状態で、半導体ウェハＷが所定の厚さになるまで研削加工を施す（図３Ｄ参照）。
【００７８】
マウント工程では、図４Ａ〜図４Ｂに示すように、ダイシングテープ１０の粘着剤層２にダイシングリングＲを取り付けた後、露出したダイボンド層３の面に、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを貼付する（図４Ａ参照）。その後、半導体ウェハＷからバックグラインドテープＧを剥離する（図４Ｂ参照）。
【００７９】
エキスパンド工程では、図５Ａ〜図５Ｃに示すように、ダイシングリングＲをエキスパンド装置の保持具Ｈに固定する。エキスパンド装置が備える突き上げ部材Ｕを用いて、ダイシングダイボンドフィルム２０を下側から突き上げることによって、ダイシングダイボンドフィルム２０を面方向に広げるように引き伸ばす（図５Ｂ参照）。これにより、特定の温度条件において、ハーフカット加工された半導体ウェハＷを割断する。上記温度条件は、例えば−２０〜５℃であり、好ましくは−１５〜０℃、より好ましくは−１０〜−５℃である。突き上げ部材Ｕを下降させることによって、エキスパンド状態を解除する（図５Ｃ参照）。
さらに、エキスパンド工程では、図６Ａ〜図６Ｂに示すように、より高い温度条件下（例えば、室温（２３℃））において、面積を広げるようにダイシングテープ１０を引き延ばす。これにより、割断された隣り合う半導体チップＷをフィルム面の面方向に引き離して、さらに間隔を広げる。
【００８０】
カーフ維持工程では、図７に示すように、ダイシングテープ１０に熱風（例えば、１００〜１３０℃）を当ててダイシングテープ１０を熱収縮させた後冷却固化させて、割断された隣り合う半導体チップＷ間の距離（カーフ）を維持する。
ここで、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム２０では、基材１が、分子量分散度が５以下である第１樹脂を含む第１樹脂層１ａと、第１樹脂層１ａの一面上に積層された第２樹脂層１ｂと、第１樹脂層１ａとは逆側において第２樹脂層１ｂに積層された第３樹脂層１ｃとを備え、第２樹脂層１ｂは、第１樹脂層１ａ及び第３樹脂層１ｃよりも室温（２３℃）における引張貯蔵弾性率が低いので、カーフ維持工程において、カーフをより十分に維持することができる。
【００８１】
ピックアップ工程では、図８に示すように、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷをダイシングテープ１０の粘着剤層２から剥離する。詳しくは、ピン部材Ｐを上昇させて、ピックアップ対象の半導体チップＷを、ダイシングテープ１０を介して突き上げる。突き上げられた半導体チップを吸着治具Ｊによって保持する。
【００８２】
ダイボンド工程では、ダイボンド層３が貼付された状態の半導体チップＷを被着体に接着させる。
なお、上記の半導体集積回路の製造においては、ダイシングダイボンドフィルム２０を補助具として用いる例について説明したが、ダイシングテープ１０を補助具として用いた場合にも、上記と同様にして半導体集積回路を製造することができる。
【００８３】
なお、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記実施形態に限定されるものではない。また、本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、前記した作用効果によって限定されるものでもない。本発明に係るダイシングテープ及びダイシングダイボンドフィルムは、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【実施例】
【００８４】
次に、実施例を挙げて本発明についてさらに具体的に説明する。以下の実施例は本発明をさらに詳しく説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【００８５】
［実施例１］
＜基材の成形＞
２種３層押出Ｔダイ成形機を用いて、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の３層構造（Ｂ層を中心層とし、Ｂ層の両面に外層たるＡ層及びＣ層が積層された３層構造）を有する基材を成形した。Ａ層及びＣ層の樹脂にはメタロセンＰＰ（商品名：ウィンテックＷＸＫ１２３３、日本ポリプロ社製）を用い、Ｂ層の樹脂にはＥＶＡ（商品名：エバフレックスＥＶ２５０、三井・デュポンポリケミカル社製）を用いた。
前記押出成形は、ダイス温度１９０℃で行った。すなわち、Ａ層、Ｂ層、及び、Ｃ層は１９０℃で押出成形された。押出成形により得られた基材の厚さは１００μｍであった。なお、Ａ層、Ｂ層、及びＣ層の厚さの比（層厚比）は、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：１０：１であった。
成形された基材を十分に固化させた後に、固化後の基材をロール状に巻き取ってロール体とした。
なお、基材の共押出成形性は良好であった。
＜ダイシングテープの作製＞
ロール状の基材から基材の一方の表面に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布した。粘着剤組成物塗布後の基材を１１０℃で３分加熱乾燥し、粘着剤層を形成することにより、ダイシングテープを得た。
前記粘着剤組成物は、以下のようにして調製した。
まず、ＩＮＡ（イソノニルアクリレート）１７３質量部、ＨＥＡ（ヒドロキシエチルアクリレート）５４．５質量部、ＡＩＢＮ（２，２’−アゾビスイソブチロニトリル）０．４６質量部、酢酸エチル３７２質量部を混合して第１樹脂組成物を得た。
次に、丸底セパラブルフラスコ（容量１Ｌ）、温度計、窒素導入管、及び、撹拌翼が装備された重合用実験装置の前記丸底セパラブルフラスコ内に前記第１樹脂組成物を加え、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を常温（２３℃）として、前記丸底セパラブルフラスコ内を６時間窒素置換した。
引き続き前記丸底セパラブルフラスコ内に窒素を流入させた状態で、前記第１樹脂組成物を撹拌しながら、前記第１樹脂組成物の液温を６２℃で３時間保持した後さらに７５℃で２時間保持して、前記ＩＮＡ、前記ＨＥＡ、及び、前記ＡＩＢＮを重合させて、第２樹脂組成物を得た。その後、前記丸底セパラブルフラスコ内への窒素の流入を停止した。
液温が常温となるまで前記第２樹脂組成物を冷却した後、前記第２樹脂組成物に、重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物として、２−イソシアナトエチルメタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ（登録商標）」）５２．５質量部、及び、ジラウリン酸ジブチルスズＩＶ（和光純薬工業社製）０．２６質量部を加えて得た第３樹脂組成物を、大気雰囲気下にて、液温５０℃で２４時間撹拌した。
次に、前記第３樹脂組成物において、ポリマー固形分１００質量部に対してコロネートＬ（イソシアネート化合物）及びＯｍｎｉｒａｄ１２７（光重合開始剤）をそれぞれ０．７５質量部及び２質量部加えた後、酢酸エチルを用いて、固形分濃度が２０質量％となるように前記第３樹脂組成物を希釈して、粘着剤組成物を調製した。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−Ｐ３」、ガラス転移温度１２℃）１００質量部、エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ１００１」）４６質量部、フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」）５１質量部、球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）１９１質量部、及び、硬化触媒（四国化成工業社製、商品名「キュアゾールＰＨＺ」）０．６質量部を、メチルエチルケトンに加えて混合し、固形分濃度２０質量％のダイボンド組成物を得た。
次に、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理を施した面上に、アプリケータを用いて厚さ１０μｍとなるように前記ダイボンド組成物を塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記ダイボンド組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上にダイボンド層が積層されたダイボンドシートを得た。
次に、前記ダイシングテープの前記粘着剤層上に、前記ダイボンドシートにおける前記剥離シートが積層されていない側を貼り合せた後、前記剥離ライナーを前記ダイボンド層から剥離して、ダイボンド層を備えるダイシングダイボンドフィルムを得た。
【００８６】
上のようにして得たダイシングダイボンドフィルムについて、以下のようにして、ウェハ及びダイボンド層の割断性（以下、割断性という）、ダイシングテープからのダイボンド層の浮き上がり（以下、ダイボンド層の浮きという）、及び、カーフの維持性について評価した。
【００８７】
（割断性の評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行うことにより割断性を評価した。
ベアウェハは、長さ３．２ｍｍ×幅１．４ｍｍ×厚さ０．０２５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
【００８８】
割断性は、詳細には以下のようにして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１４ｍｍの条件でベアウェハ及びダイボンド層を割断し、ダイボンド層付き半導体チップを得た。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量１０ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、ベアウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。
次に、顕微鏡観察によりダイボンド層付き半導体チップの割断部を観察し、割断率を算出した。そして、割断率が９０％以上である場合を〇と評価し、割断率が９０％未満の場合を×と評価した。
【００８９】
（ダイボンド層の浮きの評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後におけるダイボンド層の浮きを評価した。
ベアウェハは、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。
【００９０】
反りウェハは以下のようにして作製した。
まず、下記（ａ）〜（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０質量％の反り調整組成物を得た。
（ａ）アクリル樹脂（ナガセケムテックス社製、商品名「ＳＧ−７０Ｌ」）：５質量部
（ｂ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＪＥＲ８２８」）：５質量部
（ｃ）フェノール樹脂（明和化成社製、商品名「ＬＤＲ８２１０」）：１４質量部
（ｄ）エポキシ樹脂（三菱化学社製、商品名「ＭＥＨ−８００５」）：２質量部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス社製、商品名「ＳＯ−２５Ｒ」）：５３質量部
（ｆ）リン系触媒（ＴＰＰ−Ｋ）：１質量部
次に、前記反り調整組成物を、剥離ライナーたるＰＥＴ系セパレータ（厚さ５０μｍ）のシリコーン処理した面上に、アプリケータを用いて厚さ２５μｍで塗布し、１３０℃で２分間乾燥して前記反り調整組成物から脱溶媒し、前記剥離ライナー上に反り調整層が積層された反り調整シートを得た。
次に、前記反り調整シートにおける前記剥離ライナーが積層されていない側に、ラミネータ（ＭＣＫ社製、型式ＭＲＫ−６００）を用いて、６０℃、０．１ＭＰａ、１０ｍｍ／ｓの条件でベアウェハを貼付し、オーブンに入れて１７５℃で１時間加熱して前記反り調整層における樹脂を熱硬化させ、これにより、前記反り調整層が収縮することにより反ったベアウェハを得た。
前記反り調整層を収縮させた後、反ったベアウェハにおける前記反り調整層が積層されていない側にウェハ加工用テープ（日東電工株式会社製、商品名「Ｖ−１２ＳＲ２」）を貼付した後、前記ウェハ加工用テープを介して、反ったベアウェハにダイシングリングを固定した。その後、反ったベアウェハから前記反り調整層を取り除いた。
ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製、型番６３６１）を用いて、反ったベアウェハにおける前記反り調整層を取り除いた面（以下、一方面という）の全体に、この面から１００μｍの深さの溝を格子状（巾２０μｍ）に形成した。
次に、反ったベアウェハの一方面にバックグラインドテープを貼り合せ、反ったベアウェハの他方面（前記一方面と反対側の面）から前記ウェハ加工用テープを取り除いた。
次に、バックグラインダー（ＤＩＳＣＯ社製、型式ＤＧＰ８７６０）を用いて、反ったベアウェハの厚みが５５μｍ（０．０５５ｍｍ）となるように、他方面側から反ったベアウェハを研削することにより得られたウェハを、反りウェハとした。
【００９１】
ダイボンド層の浮きは、詳細には以下のようにして評価した。
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイボンド層がダイシングテープから浮いている部分の面積（ダイボンド層全体の面積を１００％としたときの浮いているダイボンド層の面積の割合）を顕微鏡で観察し、ダイボンド層の浮きの面積を算出した。そして、ダイボンド層の浮きの面積が３０％未満の場合を〇と評価し、３０％以上の場合を×と評価した。
【００９２】
（カーフ維持性の評価）
実施例１に係るダイシングダイボンドフィルムに、ベアウェハ（直径３００ｍｍ）及びダイシングリングを貼付した。次に、ダイセパレータＤＤＳ２３０（ディスコ社製）を用いて、ベアウェハ及びダイボンド層の割断を行い、割断後のカーフ維持性について評価した。
ベアウェハは、長さ１２ｍｍ×幅４ｍｍ×厚さ０．０５５ｍｍの大きさのベアチップに割断した。
なお、ベアウェハとしては、反りウェハを用いた。反りウェハは上記と同様にして作製した。
【００９３】
カーフ維持性は、詳細には以下の様にして評価した。
まず、クールエキスパンダーユニットにて、エキスパンド温度−５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で、半導体ウェハ及びダイボンド層を割断して、複数のダイボンド層付き半導体チップを得た。割断後、顕微鏡観察により、複数のダイボンド層付き反りチップ間の間隔を測定した（以下、割断後チップ間隔という）。複数のダイボンド層付き反りチップ間の間隔は、任意の１０点の間隔を測定し、算術平均することにより求めた。
次に、室温、エキスパンド速度１ｍｍ／秒、エキスパンド量５ｍｍの条件で常温エキスパンドを行った。そして、エキスパンド状態を維持したまま、ヒート温度２００℃、ヒート距離１８ｍｍ、ローテーションスピード５°／ｓｅｃの条件で、半導体ウェハの外周縁との境界部分のダイシングダイボンドフィルムを熱収縮させた。熱収縮後、顕微鏡観察により、複数のダイボンド層付き半導体チップ間の間隔（以下、熱収縮後チップ間隔という）を測定した。複数のダイボンド層付き半導体チップ間の間隔は、任意の１０点の間隔を測定し、算術平均することにより求めた。
次に、割断後チップ間隔に対する熱収縮後チップ間隔の減少比率を算出した。そして、減少比率が１０％未満である場合を〇と評価し、減少比率が１０％以上である場合を×と評価した。
【００９４】
（融点の測定）
Ａ層及びＣ層の樹脂であるウィンテックＷＸＫ１２３３、並びに、Ｂ層の樹脂であるエバフレックスＥＶ２５０について融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
融点の測定は、以下の条件で行った。
すなわち、示差走査熱量計装置（ＴＡインスツルメント社製  型式ＤＳＣ  Ｑ２０００）を用い、窒素ガス気流下、昇温速度５℃／ｍｉｎにて２００℃まで昇温し、吸熱ピークのピーク温度を求めることにより測定した。
【００９５】
（数平均分子量、質量平均分子量、及び、分子量分散度の測定）
Ａ層及びＣ層の樹脂であるウィンテックＷＸＫ１２３３の数平均分子量及び質量平均分子量を、以下の条件で測定した。
また、以下の条件で測定した数平均分子量及び質量平均分子量から、ウィンテックＷＸＫ１２３３の分子量分散度（質量平均分子量／数平均分子量）を求めた。
・測定装置：Ｗａｓｔｅｒ社製、型式「Ａｌｌｉａｎｃｅ  ＧＰＣ  ２０００型」
・カラム：ＴＳｋｇｅｌ  ＧＭＨ６−ＨＴ（東ソー社製）を２本直列に接続し、下流側に、さらにＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−ＨＴＬを２本直列に接続したもの
・カラムサイズ：ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ６−ＨＴ及びＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−ＨＴＬ共に、内径７．５ｍｍ×長さ３００ｍｍ
・カラム温度：１４０℃
・流速：１．０ｍＬ／分
・溶離液：ｏ−ジクロロベンゼン
・サンプル調製濃度：０．１０質量％（ｏ−ジクロロベンゼンに溶解）
・サンプル注入量：４０μＬ
・検出器：ＲＩ（示差屈折計）
・標準試料：ポリスチレン
【００９６】
［実施例２］
基材を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【００９７】
［実施例３］
基材を１５０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例３に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【００９８】
［実施例４］
基材のＢ層（中心層）を構成する樹脂をエバフレックスＥＶ５５０（三井・デュポンポリケミカル社製）とし、基材を８０μｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例４に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、エバフレックスＥＶ５５０について、実施例１と同様にして融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
【００９９】
［実施例５］
Ｂ層の樹脂をプロピレン系エラストマー（商品名：ビスタマックス３９８０、エクソンモービルケミカル社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例５に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、ビスタマックス３９８０について、実施例１と同様にして、融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
【０１００】
［実施例６］
基材の厚さを８０μｍとし、基材の層厚比を、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：４：１とした以外は、実施例１と同様にして、実施例６に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例６に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【０１０１】
［実施例７］
基材の厚さを８０μｍとし、基材の層厚比を、Ａ層：Ｂ層：Ｃ層＝１：２０：１とした以外は、実施例１と同様にして、実施例７に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例７に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【０１０２】
［実施例８］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成するメタロセンＰＰをウィンテックＷＭＸ０３（日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、実施例８に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、実施例８に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【０１０３】
［比較例１］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成する樹脂を非メタロセンランダムＰＰ（商品名：ノバティックＰＰ  ＥＧ７ＦＴ、日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は不良であった。
また、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、ノバティックＰＰ  ＥＧ７ＦＴについて、実施例１と同様にして、融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
【０１０４】
［比較例２］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成する樹脂を非メタロセン低密度ポリエチレン（商品名：ノバティックＬＣ  ＬＣ７２０、日本ポリプロ社製）とした以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
さらに、ノバティックＬＣ  ＬＣ７２０について、実施例１と同様にして、融点を測定した。測定した融点については以下の表１に示した。
【０１０５】
［比較例３］
基材のＡ層及びＣ層（外層）を構成する樹脂をエバフレックスＥＶ２５０とした以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例３に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【０１０６】
［比較例４］
基材のＡ層、Ｂ層、及びＣ層を構成する樹脂をビスタマックス３９８０とした以外は、実施例１と同様にして、比較例４に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例４に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフの維持性について評価した。
【０１０７】
［比較例５］
基材のＢ層を構成する樹脂をウィンテックＷＸＫ１２３３とした以外は、実施例１と同様にして、比較例５に係るダイシングダイボンドフィルムを得た。なお、基材の共押出成形性は良好であった。
また、比較例５に係るダイシングダイボンドフィルムについて、実施例１と同様にして、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフ維持性について評価した。
【０１０８】
各例に係るダイシングダイボンドフィルムについて、基材の共押出性、割断性、ダイボンド層の浮き、及び、カーフ維持性について評価した結果を以下の表１に示した。
【０１０９】
【表１】
2020205414.tif 000003
【０１１０】
表１より、実施例１〜８に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であり、割断性に優れ、ダイボンド層の浮きを抑制でき、かつ、カーフ維持性が良好であることが分かる。
これに対し、比較例１に係るダイシングダイボンドフィルムは、割断性に優れ、ダイボンド層の浮きを抑制できるものの、基材の共押出性が不良であり、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
また、比較例２に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であり、割断性に優れ、ダイボンド層の浮きを抑制できるもの、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
さらに、比較例３及び４に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であり、割断性に優れるものの、ダイボンド層の浮きを十分に抑制できず、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
また、比較例５に係るダイシングダイボンドフィルムは、基材の共押出成形性が良好であるものの、割断性が不良であり、ダイボンド層の浮きを十分に抑制できず、カーフを十分に維持できていないことが分かる。
なお、表１に掲載した結果は、ダイシングダイボンドフィルムに関するものであるが、ダイシングダイボンドフィルムに含まれるダイシングテープにおいても、表１に示したものと同様の結果が得られると予想される。
【符号の説明】
【０１１１】
１  基材
２  粘着剤層
３  ダイボンド層
１０  ダイシングテープ
２０  ダイシングダイボンドフィルム
１ａ  第１樹脂層
１ｂ  第２樹脂層
１ｃ  第３樹脂層
Ｇ  バックグラインドテープ
Ｈ  保持具
Ｊ  吸着治具
Ｐ  ピン部材
Ｒ  ダイシングリング
Ｔ  ウェハ加工用テープ
Ｕ  突き上げ部材
Ｗ  半導体ウェハ
【図１】
2020205414.tif 000004
【図２】
2020205414.tif 000005
【図３Ａ】
2020205414.tif 000006
【図３Ｂ】
2020205414.tif 000007
【図３Ｃ】
2020205414.tif 000008
【図３Ｄ】
2020205414.tif 000009
【図４Ａ】
2020205414.tif 000010
【図４Ｂ】
2020205414.tif 000011
【図５Ａ】
2020205414.tif 000012
【図５Ｂ】
2020205414.tif 000013
【図５Ｃ】
2020205414.tif 000014
【図６Ａ】
2020205414.tif 000015
【図６Ｂ】
2020205414.tif 000016
【図７】
2020205414.tif 000017
【図８】
2020205414.tif 000018