(57)【要約】【課題】クラックによるチップの品質低下を抑制することが可能なチップの製造方法を提供する。【解決手段】分割予定ラインが設定されたウェーハを切削してチップを製造するチップの製造方法であって、ウェーハの裏面側にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、ダイシングテープとチャックテーブルの保持面とが対向するように、ウェーハをチャックテーブル上に載置する載置ステップと、切削ブレードをウェーハに所定の深さで切り込ませることにより、ウェーハに切削溝を形成するとともに切削溝からウェーハの裏面に達するクラックを生じさせる第１切削ステップと、切削ブレードを切削溝の溝底に切り込ませる第２切削ステップと、を含み、第２切削ステップにおいてウェーハが切削される際に生じるクラックは、第１切削ステップで生じたクラックに沿って進行する。【選択図】図４
2020113564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割予定ラインが設定されたウェーハを切削してチップを製造するチップの製造方法であって、
該ウェーハの裏面側にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、
該テープ貼着ステップの後、該ダイシングテープとチャックテーブルの保持面とが対向するように、該ウェーハを該チャックテーブル上に載置する載置ステップと、
該載置ステップの後、切削ブレードの下端を該ウェーハの表面よりも下方で且つ該ウェーハの裏面よりも上方に配置した状態で、該切削ブレードと該チャックテーブルとを該分割予定ラインに沿って相対移動させ、該切削ブレードを該ウェーハに所定の深さで切り込ませることにより、該ウェーハに切削溝を形成するとともに該切削溝から該ウェーハの裏面に達するクラックを生じさせる第１切削ステップと、
該第１切削ステップの後、該切削ブレードの下端を該ウェーハの裏面よりも下方で且つ該ダイシングテープの下面よりも上方に配置した状態で、該切削ブレードと該チャックテーブルとを該切削溝に沿って相対移動させ、該切削ブレードを該切削溝の溝底に切り込ませる第２切削ステップと、を含み、
該第２切削ステップにおいて該ウェーハが切削される際に生じるクラックは、該第１切削ステップで生じた該クラックに沿って進行することを特徴とするチップの製造方法。
【請求項２】
該ウェーハはＧａＡｓウェーハであることを特徴とする請求項１に記載のチップの製造方法。
【請求項３】
該第２切削ステップでは、該切削ブレードが該ウェーハを裏面側から表面側に向かって切削する方向に該切削ブレードを回転させて、該ウェーハを切削することを特徴とする請求項１又は２に記載のチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを切削してチップを製造するチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
格子状に設定された分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等でなるデバイスが形成されたウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスを備える複数のチップ（デバイスチップ）が製造される。このウェーハの分割には、例えば切削装置が用いられる。
【０００３】
切削装置は、ウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハを切削する円環状の切削ブレードが装着されるスピンドル（回転軸）とを備える。切削ブレードをスピンドルの先端部に装着した状態でスピンドルを回転させると、切削ブレードが回転する。そして、回転する切削ブレードをチャックテーブルによって保持されたウェーハに切り込ませることにより、ウェーハが切削され、分割される。
【０００４】
チップの製造に用いられるウェーハの例としては、シリコンウェーハの他、ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体でなるウェーハやサファイアウェーハ等が挙げられる。ただし、このようなウェーハを切削ブレードで切削して分割すると、ウェーハの裏面（下面）側にクラック（欠け）が発生することがある。このクラックがウェーハの分割によって得られたチップに残存するとチップの品質が低下するため、ウェーハの裏面側でのクラックの発生は極力抑制されることが望まれる。
【０００５】
なお、ウェーハの切削によって生じるクラックの形状（進行方向）や発生頻度は、ウェーハの結晶方位に依存することが確認されている。そのため、ウェーハの結晶方位に基づいて分割予定ラインの方向を設定することにより、クラックの発生を抑制する試みがなされている（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２４２８０４号公報
【特許文献２】特開２０１６−１５７８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
切削ブレードによってウェーハを切削する際にウェーハの裏面側に生じるクラックは、上記のように分割予定ラインの方向を調整するのみでは十分に低減されないことが多い。例えば、切削ブレードで切削されるウェーハがＧａＡｓ等でなる化合物半導体ウェーハである場合には特にクラックが発生しやすく、分割予定ラインの方向の調整に加えて、切削ブレードに含まれる砥粒の大きさや切削ブレードの切り込み深さの最適化等を行っても、ウェーハの裏面側でのクラックの発生を十分に抑制することが困難な場合がある。
【０００８】
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、クラックによるチップの品質低下を抑制することが可能なチップの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、分割予定ラインが設定されたウェーハを切削してチップを製造するチップの製造方法であって、該ウェーハの裏面側にダイシングテープを貼着するテープ貼着ステップと、該テープ貼着ステップの後、該ダイシングテープとチャックテーブルの保持面とが対向するように、該ウェーハを該チャックテーブル上に載置する載置ステップと、該載置ステップの後、切削ブレードの下端を該ウェーハの表面よりも下方で且つ該ウェーハの裏面よりも上方に配置した状態で、該切削ブレードと該チャックテーブルとを該分割予定ラインに沿って相対移動させ、該切削ブレードを該ウェーハに所定の深さで切り込ませることにより、該ウェーハに切削溝を形成するとともに該切削溝から該ウェーハの裏面に達するクラックを生じさせる第１切削ステップと、該第１切削ステップの後、該切削ブレードの下端を該ウェーハの裏面よりも下方で且つ該ダイシングテープの下面よりも上方に配置した状態で、該切削ブレードと該チャックテーブルとを該切削溝に沿って相対移動させ、該切削ブレードを該切削溝の溝底に切り込ませる第２切削ステップと、を含み、該第２切削ステップにおいて該ウェーハが切削される際に生じるクラックは、該第１切削ステップで生じた該クラックに沿って進行するチップの製造方法が提供される。
【００１０】
なお、好ましくは、該ウェーハはＧａＡｓウェーハである。また、好ましくは、該第２切削ステップでは、該切削ブレードが該ウェーハを裏面側から表面側に向かって切削する方向に該切削ブレードを回転させて、該ウェーハを切削する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様に係るチップの製造方法は、切削ブレードをウェーハに所定の深さで切り込ませることにより、ウェーハに切削溝を形成するとともに切削溝からウェーハの裏面に達するクラックを生じさせる第１切削ステップと、切削ブレードを切削溝の溝底に切り込ませる第２切削ステップと、を含む。そして、第２切削ステップにおいてウェーハが切削される際に生じるクラックは、第１切削ステップで生じたクラックに沿って進行する。
【００１２】
上記のチップの製造方法を用いることにより、切削ブレードでウェーハを分割する際に生じるクラックが切削溝の外側に進行することを防止できる。これにより、ウェーハの分割によって得られるチップにクラックが残存することを防止し、チップの品質の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】切削装置を示す斜視図である。
【図２】ウェーハを示す斜視図である。
【図３】チャックテーブルによってウェーハを保持する切削装置を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は第１切削ステップでの切削装置を示す断面図であり、図４（Ｂ）は第１切削ステップでのウェーハの一部を拡大して示す断面図である。
【図５】ウェーハをダウンカットで切削する切削装置を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は第２切削ステップでの切削装置を示す断面図であり、図６（Ｂ）は第２切削ステップでのウェーハの一部を拡大して示す断面図である。
【図７】ウェーハをアップカットで切削する切削装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るチップの製造方法に用いることが可能な切削装置の構成例について説明する。図１は、切削装置２を示す斜視図である。
【００１５】
切削装置２は、切削装置２を構成する各構成要素を支持する基台４を備える。基台４の前方の角部には開口４ａが形成されており、この開口４ａの内部には昇降機構（不図示）によってＺ軸方向（鉛直方向、上下方向）に移動するカセット支持台６が設けられている。カセット支持台６の上面には、切削装置２によって切削加工が施される複数のウェーハ１１を収容可能なカセット８が搭載される。なお、図１ではカセット８の輪郭を二点鎖線で示している。
【００１６】
図２は、ウェーハ１１を示す斜視図である。ウェーハ１１は、例えばＧａＡｓ等の化合物半導体を用いて円盤状に形成されており、表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。本実施形態では、ウェーハ１１としてＧａＡｓ単結晶でなるＧａＡｓウェーハを用いる。
【００１７】
ウェーハ１１は互いに交差するように格子状に設定された分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等でなるデバイス１５が形成されている。
【００１８】
なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、ＧａＡｓ以外の半導体（Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる任意の形状のウェーハであってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。
【００１９】
ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１より径の大きい円形のダイシングテープ（粘着テープ）１７が貼着される。例えばダイシングテープ１７は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなる基材上に、ゴム系やアクリル系の粘着層（糊層）を形成することによって得られる柔軟なフィルムである。
【００２０】
ダイシングテープ１７の外周部は、ウェーハ１１より径の大きい円形の開口１９ａを中央部に備える環状のフレーム１９に貼着される。そのため、ウェーハ１１は、開口１９ａの内側に配置された状態で、ダイシングテープ１７を介してフレーム１９によって支持される。そして、ウェーハ１１はフレーム１９で支持された状態で図１に示すカセット８に収容される。
【００２１】
開口４ａの後方には、ウェーハ１１のカセット８からの搬出、及びウェーハ１１のカセット８への搬入を行う搬送ユニット（搬送機構）１０が設けられている。搬送ユニット１０は、Ｙ軸方向（割り出し送り方向、前後方向）に沿って移動可能に構成されている。また、搬送ユニット１０のカセット８側に位置する端部には、ウェーハ１１を支持するフレーム１９の端部を把持する把持部１０ａが設けられている。
【００２２】
カセット８と搬送ユニット１０との間には、カセット８から搬出されたウェーハ１１、又はカセット８に搬入されるウェーハ１１が仮置きされる仮置き領域１２が設けられている。この仮置き領域１２には、Ｙ軸方向に沿って互いに概ね平行に配置された一対のガイドレール１４が設けられている。一対のガイドレール１４は、Ｘ軸方向（加工送り方向、左右方向）に沿って互いに接近及び離隔するように移動する。
【００２３】
仮置き領域１２の近傍には、ウェーハ１１を支持するフレーム１９を吸引保持してウェーハ１１を搬送する搬送ユニット（搬送機構）１６が設けられている。また、カセット８の側方には、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル１８が設けられている。
【００２４】
チャックテーブル１８は、モータ等の回転駆動源（不図示）と接続されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。また、チャックテーブル１８の下方には移動機構（不図示）が設けられており、この移動機構はチャックテーブル１８をＸ軸方向に沿って移動させる。さらに、チャックテーブル１８の周囲には、ウェーハ１１を支持するフレーム１９を四方から固定する４個のクランプ２０が設けられている。
【００２５】
チャックテーブル１８の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面１８ａを構成する。この保持面１８ａは、チャックテーブル１８の内部に形成された吸引路（不図示）等を介して吸引源（不図示）と接続されている。
【００２６】
ウェーハ１１を加工する際は、まず、カセット８に収容されたウェーハ１１を支持するフレーム１９を、搬送ユニット１０の把持部１０ａで把持する。この状態で搬送ユニット１０をＹ軸方向に沿って後方に移動させると、ウェーハ１１がカセット８から引き出される。このようにしてカセット８から搬出されたウェーハ１１は、仮置き領域１２に仮置きされる。
【００２７】
仮置き領域１２に設けられた一対のガイドレール１４は、ウェーハ１１を支持するフレーム１９を支持した状態で、互いに接近するようにＸ軸方向に沿って移動する。これにより、フレーム１９が一対のガイドレール１４によって挟まれ、ウェーハ１１の位置合わせが行われる。その後、ウェーハ１１は搬送ユニット１６によって吸引保持され、チャックテーブル１８上に搬送される。
【００２８】
チャックテーブル１８の上方には、チャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１を切削する切削ユニット２２が設けられている。切削ユニット２２は、先端部にウェーハ１１を切削する環状の切削ブレード４４（図３参照）が装着されるスピンドル４２（図３参照）を備える。また、切削ユニット２２は移動機構（不図示）と接続されており、この移動機構は切削ユニット２２をＹ軸方向及びＺ軸方向に沿って移動させる。
【００２９】
さらに、切削ユニット２２は純水等の切削液を供給するためのノズル（不図示）を備える。切削ユニット２２によってウェーハ１１を切削する際、このノズルからウェーハ１１及び切削ブレード４４（図３参照）に切削液が供給される。これにより、ウェーハ１１及び切削ブレード４４が冷却されるとともに、切削によって生じた屑（切削屑）が洗い流される。
【００３０】
また、切削装置２は、切削ユニット２２によるウェーハ１１の加工が行われる処理空間を覆うカバー２４を備える。このカバー２４は、切削ユニット２２の前方及び上方を覆うように設けられている。切削ユニット２２でウェーハ１１を加工する際、チャックテーブル１８及び切削ユニット２２の周囲をカバー２４で覆うことにより、切削液や加工屑が処理空間の外部に飛散することを防止できる。なお、ウェーハ１１の加工中、カバー２４は閉じた状態でロックされるため、ウェーハ１１や切削ユニット２２の露出が防止され、加工が安全に実施される。
【００３１】
チャックテーブル１８の移動経路の上方には、ウェーハ１１に設定された分割予定ライン１３の位置を検出する検出ユニット（検出機構）２６が設けられている。検出ユニット２６は、チャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１を撮像するカメラ等で構成される撮像ユニット２８を備える。撮像ユニット２８によって取得されたウェーハ１１の画像に基づき、チャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１と切削ユニット２２との位置合わせが行われる。
【００３２】
チャックテーブル１８の後方には、ウェーハ１１を洗浄する洗浄ユニット３０が設けられている。また、洗浄ユニット３０の上方には、ウェーハ１１をチャックテーブル１８上から洗浄ユニット３０に搬送する搬送ユニット（搬送機構）３２が設けられている。
【００３３】
切削ユニット２２によるウェーハ１１の加工が完了すると、ウェーハ１１が搬送ユニット３２によってチャックテーブル１８上から洗浄ユニット３０に搬送され、洗浄ユニット３０によるウェーハ１１の洗浄及び乾燥が行われる。その後、ウェーハ１１は搬送ユニット１６によって一対のガイドレール１４上に搬送された後、搬送ユニット１０によってカセット８に収容される。
【００３４】
切削装置２の上部には、撮像ユニット２８によって撮像された画像や、オペレータに参照される各種の情報などを表示する表示部３４が設けられている。また、基台４の前方側には、オペレータが加工条件等の情報を入力するための操作パネル３６が設けられている。
【００３５】
上記の切削装置２を用いてウェーハ１１を分割予定ライン１３（図２参照）に沿って切削して分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のチップ（デバイスチップ）が製造される。以下、本実施形態に係るチップの製造方法の具体例を説明する。
【００３６】
まず、図２に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側にダイシングテープ１７を貼着する（テープ貼着ステップ）。そして、ダイシングテープ１７が貼着された状態のウェーハ１１をカセット８（図１参照）に収容し、カセット８をカセット支持台６上に載置する。
【００３７】
次に、ウェーハ１１をチャックテーブル１８上に載置する（載置ステップ）。具体的には、まず、カセット８に収容されたウェーハ１１を搬送ユニット１０によって引き出し、仮置き領域１２に搬送する。その後、一対のガイドレール１４でウェーハ１１の位置合わせを行った後、搬送ユニット１６によってウェーハ１１をチャックテーブル１８上に載置する。
【００３８】
図３は、チャックテーブル１８によってウェーハ１１を保持する切削装置２を示す断面図である。ウェーハ１１は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に貼着されたダイシングテープ１７とチャックテーブル１８の保持面１８ａとが対向するように、チャックテーブル１８上に載置される。また、ウェーハ１１を支持するフレーム１９がクランプ２０によって固定される。
【００３９】
この状態で保持面１８ａに吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ１１は表面１１ａ側が上方に露出した状態でチャックテーブル１８によって吸引保持される。そして、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル１８は、切削ユニット２２の下方に位置付けられる。
【００４０】
切削ユニット２２は、切削ユニット２２のＹ軸方向及びＺ軸方向における位置を制御する移動機構（不図示）に固定された筒状のハウジング４０を備える。ハウジング４０の内部には、Ｙ軸方向に概ね平行に配置され回転軸として機能するスピンドル４２が収容されている。スピンドル４２の一端側の先端部はハウジング４０の外部に露出しており、この先端部にはウェーハ１１を切削する環状の切削ブレード４４が装着される。
【００４１】
なお、切削ブレード４４の材質等に制限はない。例えば切削ブレード４４としては、ダイヤモンド等でなる砥粒をニッケル等でなるめっき層で固定して形成された環状の切刃を備える電鋳ハブブレードや、砥粒を金属、セラミックス、樹脂等でなるボンド材で固定して形成された環状の切刃からなるワッシャータイプのブレード等が用いられる。
【００４２】
スピンドル４２の他端側は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。スピンドル４２の先端部に装着された切削ブレード４４は、スピンドル４２を介して伝達される回転駆動源の動力によって回転する。
【００４３】
次に、切削ブレード４４をウェーハ１１に所定の深さで切り込ませることにより、ウェーハ１１に切削溝を形成する（第１切削ステップ）。図４（Ａ）は第１切削ステップでの切削装置２を示す断面図であり、図４（Ｂ）は第１切削ステップでのウェーハ１１の一部を拡大して示す断面図である。
【００４４】
第１切削ステップでは、まず、チャックテーブル１８を回転させて、一の分割予定ライン１３（図２参照）の長さ方向を切削装置２の加工送り方向（Ｘ軸方向）に合わせる。また、切削ブレード４４の下端がウェーハ１１の表面１１ａよりも下方で且つウェーハ１１の裏面１１ｂよりも上方に配置されるように、切削ユニット２２の高さを調整する。さらに、該一の分割予定ライン１３の延長線上に切削ブレード４４が配置されるように、切削ユニット２２の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における位置を調整する。
【００４５】
その後、切削ブレード４４を回転させながら、チャックテーブル１８を加工送り方向に沿って移動させる。これにより、チャックテーブル１８と切削ユニット２２とが分割予定ライン１３に沿って相対的に移動し、切削ブレード４４が分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１に所定の深さ（切り込み深さＤ、図４（Ｂ）参照）で切り込む。その結果、ウェーハ１１が切削され、ウェーハ１１の表面１１ａ側には深さがウェーハ１１の厚さ未満である線状の切削溝１１ｃが分割予定ライン１３に沿って形成される。
【００４６】
なお、仮に第１切削ステップで切削ブレード４４をウェーハ１１の厚さを超える深さで切り込ませてウェーハ１１を分割すると、ウェーハ１１の裏面１１ｂには、切り口（カーフ）からはみ出すようにクラック（欠け）が形成されることがある。このクラックがウェーハ１１の分割によって得られたチップに残存すると、チップの品質が低下する。
【００４７】
特に、ウェーハ１１がＧａＡｓウェーハである場合に切削ブレード４４をウェーハ１１の厚さを超える深さで切り込ませると、ウェーハ１１の裏面１１ｂにクラックが発生しやすいことが確認されている。この現象は、ＧａＡｓウェーハの硬さや脆さ等の性質の他、切削時に発生するクラックの進行方向がＧａＡｓの結晶方位に依存することに起因していると考えられる。具体的には、ＧａＡｓウェーハには、ＧａＡｓの結晶方位に応じてクラックが進行しやすい方向と進行しにくい方向とが存在することが確認されている。
【００４８】
分割予定ライン１３がクラックの進行しやすい方向と交差するように設定されている場合、分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を切削すると、クラックが分割予定ライン１３の外側に向かって進行して分割予定ライン１３からはみ出しやすい。一方、分割予定ライン１３をクラックの進行しやすい方向に沿って設定すれば、クラックが分割予定ライン１３からはみ出しにくくなることが期待される。
【００４９】
しかしながら、図２に示すように分割予定ライン１３は２方向に沿って格子状に設定されており、全ての分割予定ライン１３をクラックの進行しやすい方向に沿って設定することは困難である。そのため、ウェーハ１１切削する際には、クラックの進行方向がウェーハ１１の結晶方位の影響を受けずに制御されることが望まれる。
【００５０】
そこで、本実施形態ではまず、第１切削ステップで切削ブレード４４をウェーハ１１の裏面１１ｂの近傍まで切り込ませて切削溝１１ｃを形成する。すなわち、第１切削ステップではウェーハ１１が切断されない。その結果、図４（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には切削溝１１ｃが形成されていない領域に相当する切り残し部１１ｅが形成される。図４（Ｂ）では、切り残し部１１ｅの厚さをＴで示している。
【００５１】
このように切削ブレード４４でウェーハ１１を切削すると、切削ブレード４４がウェーハ１１に切り込む際にウェーハ１１にかかる負荷（加工負荷）により、切り残し部１１ｅにクラック２１が形成される。このクラック２１は、切削ブレード４４がウェーハ１１に切り込む方向、すなわち、切削溝１１ｃの溝底１１ｄから下方に向かって進行し、ウェーハ１１の裏面１１ｂの切削溝１１ｃと重なる領域に到達する。
【００５２】
そのため、ウェーハ１１に切削溝１１ｃを形成すると、ウェーハ１１の裏面１１ｂのうち切削溝１１ｃと重なる位置には、分割予定ライン１３の内側の領域（隣接するデバイス１５間に対応する領域）に沿って線状のクラックが形成される。
【００５３】
なお、第１切削ステップにおける切削ブレード４４の切り込み深さＤは、ウェーハ１１及び切削ブレード４４の材質、切削ブレード４４の回転数等に基づき、切削溝１１ｃの内部で生じたクラック２１がウェーハ１１の裏面１１ｂに達するように調整される。例えば、ウェーハ１１として厚さ４００μｍのＧａＡｓウェーハを用いる場合には、切り残し部１１ｅの厚さＴが１０μｍ以下、すなわち切削ブレード４４の切り込み深さＤが３９０μｍ以上となるように切削ブレード４４をウェーハ１１に切り込ませると、クラック２１が適切に形成されることが確認された。
【００５４】
ただし、切り残し部１１ｅの厚さＴが特に小さい場合、上記のクラック２１に加え、切削溝１１ｃの内部からウェーハ１１の裏面１１ｂのうち切削溝１１ｃの外側の領域（切削溝１１ｃと重ならない領域）に達するクラックが形成される可能性がある。そのため、切り残し１１ｅの厚さＴは、クラック２１のみが形成されるように設定されることが好ましい。例えば、ウェーハ１１としてＧａＡｓウェーハを用いる場合には、切り残し部１１ｅの厚さを５μｍ以上、すなわち切削ブレード４４の切り込み深さＤを３９５μｍ以下とすることが好ましい。
【００５５】
その後、同様の手順を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って切削溝１１ｃを形成する。これにより、ウェーハ１１の表面１１ａ側には分割予定ライン１３に沿って格子状の切削溝１１ｃが形成される。また、ウェーハ１１の裏面１１ｂの切削溝１１ｃと重なる位置には格子状のクラックが形成される。
【００５６】
なお、第１切削ステップでは、切削ブレード４４がウェーハ１１を表面１１ａ側から裏面１１ｂ側に向かって切削する方向に切削ブレード４４を回転させる、所謂ダウンカットによってウェーハ１１を切削することが好ましい。図５は、ウェーハ１１をダウンカットで切削する切削装置２を示す断面図である。
【００５７】
切削ブレード４４を矢印Ａで示す方向（図５で反時計回り）に回転させながら、チャックテーブル１８を矢印Ｂで示す方向に移動させて加工送りを行うと、切削ブレード４４はウェーハ１１を表面１１ａ側から裏面１１ｂ側に向かって切削する。第１切削ステップにおいてダウンカットでウェーハ１１を切削することにより、クラック２１が切削溝１１ｃの溝底１１ｄからウェーハ１１の裏面１１ｂに向かって進行しやすくなる。
【００５８】
ただし、第１切削ステップでのウェーハ１１の切削は上記の方法に限定されない。すなわち、切削ブレード４４がウェーハ１１を裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に向かって切削する方向に切削ブレード４４を回転させる、所謂アップカット（図７参照）によってウェーハ１１を切削してもよい。
【００５９】
次に、切削ブレード４４を切削溝１１ｃの溝底１１ｄに切り込ませる（第２切削ステップ）。図６（Ａ）は第２切削ステップでの切削装置２を示す断面図であり、図６（Ｂ）は第２切削ステップでのウェーハ１１の一部を拡大して示す断面図である。
【００６０】
第２切削ステップでは、まず、チャックテーブル１８を回転させて、一の切削溝１１ｃの長さ方向を切削装置２の加工送り方向（Ｘ軸方向）に合わせる。また、切削ブレード４４の下端がウェーハ１１の裏面１１ｂよりも下方で且つダイシングテープ１７の下面よりも上方に配置されるように、切削ユニット２２の高さを調整する。さらに、該一の切削溝１１ｃの延長線上に切削ブレード４４が配置されるように、切削ユニット２２の割り出し送り方向（Ｙ軸方向）における位置を調整する。
【００６１】
その後、切削ブレード４４を回転させながら、チャックテーブル１８を加工送り方向に沿って移動させる。これにより、チャックテーブル１８と切削ユニット２２とが切削溝１１ｃに沿って相対的に移動し、切削ブレード４４が切削溝１１ｃの溝底１１ｄに切り込む。その結果、ウェーハ１１が切削溝１１ｃに沿って分割される。なお、このときダイシングテープ１７は切断されないため、分割後のウェーハ１１の配置はダイシングテープ１７によって維持される。
【００６２】
切削ブレード４４を切削溝１１ｃの溝底１１ｄに切り込ませると、切削ブレード４４とウェーハ１１との接触領域からクラック（不図示）が生じる。仮にこのクラックが切削溝１１ｃの外側まで進行すると、ウェーハ１１の分割によって得られたチップにクラックが残存し、チップの品質が低下することがある。
【００６３】
本実施形態では、第１切削ステップの実施によって切削溝１１ｃからウェーハ１１の裏面１１ｂに至るクラック２１が形成されており、このクラック２１はウェーハ１１の裏面１１ｂのうち切削溝１１ｃと重なる領域に達している。この状態で第２切削ステップを実施すると、切削ブレード４４とウェーハ１１との接触領域で生じたクラックがクラック２１に誘導され、クラック２１に沿って進行する。そのため、ウェーハ１１を切断する際に生じるクラックが切削溝１１ｃの外側に進行することを防止できる。
【００６４】
その後、同様の手順を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を切削する。これにより、ウェーハ１１が分割予定ライン１３によって区画された複数の領域に分割され、デバイス１５（図２参照）をそれぞれ備える複数のチップが製造される。これらのチップは、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話に代表される各種の電子機器に搭載される。
【００６５】
なお、第２切削ステップでは、切削ブレード４４がウェーハ１１を裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に向かって切削する方向に切削ブレード４４を回転させる、所謂アップカットによってウェーハ１１を切削することが好ましい。図７は、ウェーハ１１をアップカットで切削する切削装置２を示す断面図である。
【００６６】
切削ブレード４４を矢印Ｃで示す方向（図７で時計回り）に回転させながら、チャックテーブル１８を矢印Ｄで示す方向に移動させて加工送りを行うと、切削ブレード４４はウェーハ１１を裏面１１ｂ側から表面１１ａ側に向かって切削する。なお、第１切削ステップでダウンカットを行い第２切削ステップでアップカットを行う場合には、切削ブレード４４の回転方向（図５の矢印Ａ、図７の矢印Ｃ）を変える代わりに、加工送り方向（図５の矢印Ｂ、図７の矢印Ｄ）を変えることによって、ダウンカットとアップカットとを切り替えることもできる。
【００６７】
第２切削ステップにおいてウェーハ１１を上記のようにアップカットで切削すると、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側でのクラックの残存がより効果的に低減されることが確認された。この結果から、ウェーハ１１をアップカットで切削すると、ダウンカットと比較してウェーハ１１と切削ブレード４４との接触領域で生じるクラックがクラック２１に沿って進行しやすく、切削溝１１ｃの外側に進行しにくくなると推察される。
【００６８】
以上の通り、本実施形態に係るチップの製造方法は、切削ブレード４４をウェーハ１１に所定の深さで切り込ませることにより、ウェーハ１１に切削溝１１ｃを形成するとともに切削溝１１ｃからウェーハ１１の裏面１１ｂに達するクラック２１を生じさせる第１切削ステップと、切削ブレード４４を切削溝１１ｃの溝底１１ｄに切り込ませる第２切削ステップと、を含む。そして、第２切削ステップにおいてウェーハ１１が切削される際に生じるクラックは、第１切削ステップで生じたクラック２１に沿って進行する。
【００６９】
上記のチップの製造方法を用いることにより、切削ブレード４４でウェーハ１１を分割する際に生じるクラックが切削溝１１ｃの外側に進行することを防止できる。これにより、ウェーハ１１の分割によって得られるチップにクラックが残存することを防止し、チップの品質の低下を抑制することができる。
【００７０】
なお、本実施形態では、第１切削ステップによって形成される全てのクラック２１が、ウェーハ１１の裏面１１ｂの切削溝１１ｃと重なる領域に達するように形成される場合について説明した。ただし、ウェーハ１１の分割によって得られるチップの品質に問題が生じない範囲内であれば、例えば一部のクラック２１が切削溝１１ｃの外側に僅かにはみ出していてもよい。
【００７１】
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７２】
１１  ウェーハ
１１ａ  表面
１１ｂ  裏面
１１ｃ  切削溝
１１ｄ  溝底
１１ｅ  切り残し部
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  デバイス
１７  ダイシングテープ（粘着テープ）
１９  フレーム
１９ａ  開口
２１  クラック
２  切削装置
４  基台
４ａ  開口
６  カセット支持台
８  カセット
１０  搬送ユニット（搬送機構）
１０ａ  把持部
１２  仮置き領域
１４  ガイドレール
１６  搬送ユニット（搬送機構）
１８  チャックテーブル
１８ａ  保持面
２０  クランプ
２２  切削ユニット
２４  カバー
２６  検出ユニット（検出機構）
２８  撮像ユニット
３０  洗浄ユニット
３２  搬送ユニット（搬送機構）
３４  表示部
３６  操作パネル
４０  ハウジング
４２  スピンドル
４４  切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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