(57)【要約】      （修正有）【課題】活性領域と電極部との間隔を広げることなく、ナノワイヤ光デバイスにおける光の損失を抑制する。【解決手段】ｎ型領域１０７に接続する第１電極１１０と、ｐ型領域１０８に接続する第２電極１１１とを備える。第１電極１１０は、溝１０３の開口端におけるｎ型領域１０７の上面に接している。また、第２電極１１１は、溝１０３の開口端におけるｐ型領域１０８の上面に接している。第２電極１１１の少なくともｐ型領域１０８に接する領域は、透明電極材料から構成されている。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部および前記基部とは異なる屈折率を有する柱状の複数の格子要素を備え、前記複数の格子要素は、前記基部上に、対象とする光の波長以下の間隔で周期的に設けられている板状のフォトニック結晶本体と、
前記フォトニック結晶本体の前記格子要素がない部分から構成された欠陥を直線状に複数配列した線欠陥による光導波路と、
前記光導波路に、導波方向に沿って形成された溝と、
前記溝に配置された、半導体からなるナノワイヤと、
前記ナノワイヤの一端側に形成されたｎ型領域と、
前記ナノワイヤの他端側に形成されたｐ型領域と、
前記ナノワイヤの前記ｎ型領域と前記ｐ型領域とに挾まれて形成された活性領域と、
前記ｎ型領域に接続する第１電極と、
前記ｐ型領域に接続する第２電極と
を備え、
前記第１電極の前記ｎ型領域に接する領域、および前記第２電極の前記ｐ型領域に接する領域の少なくとも一方は、透明電極材料から構成されている
ことを特徴とするナノワイヤ光デバイス。
【請求項２】
請求項１記載のナノワイヤ光デバイスにおいて、
前記溝は、平面視で、前記第１電極、および前記第２電極の少なくとも一方の前記透明電極材料から構成されている領域において、前記ナノワイヤの幅より広く形成されている
ことを特徴とするナノワイヤ光デバイス。
【請求項３】
請求項２記載のナノワイヤ光デバイスにおいて、
前記第１電極の前記ｎ型領域に接続する領域、および前記第２電極の前記ｐ型領域に接続する領域の少なくとも一方の前記透明電極材料から構成されている領域は、
前記ナノワイヤの上面に加えて前記溝の側面に向かい合う前記ナノワイヤの側面に前記透明電極材料が接して形成されている
ことを特徴とするナノワイヤ光デバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のナノワイヤ光デバイスにおいて、
前記溝の幅は、平面視で、前記第１電極、および前記第２電極の少なくとも一方の前記透明電極材料から構成されている領域において、前記活性領域から離れるほど広くなる
ことを特徴とするナノワイヤ光デバイス。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のナノワイヤ光デバイスにおいて、
前記活性領域に光を閉じ込めるための光閉じ込め構造をさらに備え、
前記光閉じ込め構造は、前記光導波路に前記活性領域を挟んで形成されている
ことを特徴とするナノワイヤ光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノワイヤ光デバイスに関し、より具体的には、半導体からなるナノワイヤを備えるナノワイヤ光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体を用いたナノワイヤは、非常に小さい一次元構造を有する光学素子として注目を集めている。このナノワイヤは、様々な半導体材料で作製することが可能であり、発光素子にあっては、発光波長の自由に変えることができる。また、ナノワイヤは、ｐｉｎ構造や量子井戸・量子ドットの埋め込み構造とすることができるため、レーザ、単一光子源、光受光器などに応用可能である。近年では、ＣＭＯＳ（Complementary metal oxide silicon）技術に応用できるシリコン基板上に、化合物半導体によるナノワイヤを成長する集積化の研究も行われており、シリコン光導波路の任意の場所にナノワイヤを集積した、光電融合型プロセッサやオンチップ高感度センサなどへの応用が期待される。
【０００３】
ナノワイヤは、適切にワイヤ径を設計することで単一モード導波路とすることができる。また、ナノワイヤは、端面反射を利用することでレーザとして動作させることができる。さらに、ナノワイヤの構造の持つアンテナの効果を利用することで、フォトディテクタなど光学素子にも応用できる。しかしながら、ナノワイヤ単体での動作は、共振器Ｑ値が小さいためにレーザ発振の閾値が高くなり、また、多モード発振するなどの課題がある。このため、近年では、光学特性を自由に制御でき光閉じ込め効果の大きい２次元フォトニック結晶と化合物ナノワイヤを組み合わせることで、ナノワイヤレーザの単一モード発振などが実現されてきた（非特許文献１参照）。
【０００４】
この技術では、図９Ａ，図９Ｂに示すように、２次元フォトニック結晶本体５０１に線欠陥による光導波路５０２を作製し、光導波路５０２の中に形成された溝５０３にナノワイヤ５０４を配置したハイブリッド構造としている。２次元フォトニック結晶本体５０１は、よく知られているように、板状の基部５０５と、基部５０５に周期的に設けられた複数の格子要素５０６とから構成されている。例えば、原子間力顕微鏡のプローブ５２１を用い、ナノワイヤ５０４を、溝５０３に配置する。溝５０３のナノワイヤ５０４が配置された箇所では、光が強く閉じ込められるようになる。
【０００５】
上述したようなナノワイヤを所定の箇所に配置するためには、まず、ナノワイヤを基板の上に配置することになる。この技術には、インクジェットによる塗布や、マイクロマニピュレータによる方法がある。また、基板の上に配置されたナノワイヤを溝に配置させるためには、上述した原子間力顕微鏡や、光ピンセットやマイクロマニピュレータなどを用い、ナノワイヤをマニピュレーションする。また、直接シリコン基板上に異種材料のナノワイヤを成長させることで、溝にナノワイヤが配置される状態とすることも可能である。上述したフォトニック結晶の溝にナノワイヤを配置する技術は、レーザ発振や量子光学効果を観測することを可能にしたという点で一定の成功を収めている。
【０００６】
このようなフォトニック結晶を用いたナノワイヤ光デバイスに、適切な電極構造を形成し、例えば電流注入構造を導入することは、将来のオンチップ光集積化素子などを実現する上で重要である。ナノワイヤを用いれば、ナノワイヤ自体の静電容量が非常に小さいため、ナノワイヤ光デバイスを高速に動作させることができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】M. Takiguchi, A. Yokoo, K. Nozaki, M. D. Birowosuto, K. Tateno, G. Zhang, E. Kuramochi, A. Shinya, and M. Notomi, "Continuous-wave operation and 10-Gb/s direct modulation of InAsP/InP subwavelength nanowire laser on silicon photonic crystal", APL Photonics, vol. 2, no. 4, 046106, 2017.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ナノワイヤ光デバイスに電極を形成すると、ナノワイヤが配置される光導波路構造における、導波損失を招くという問題がある。ここで、ナノワイヤ光デバイスの電極を設ける構成について、図１０を参照して説明する。
【０００９】
このナノワイヤ光デバイスは、図９Ａ，図９Ｂを用いて説明したフォトニック結晶本体５０１と同様に、フォトニック結晶本体５０１に設けられた光導波路５０２と、光導波路５０２に形成された溝５０３と、溝５０３に配置されたナノワイヤ５０４とを備える。フォトニック結晶本体５０１は、板状の基部５０５と、複数の格子要素５０６とを備えている。
【００１０】
また、ナノワイヤ５０４の一端側には、ｎ型領域５０７が形成され、ナノワイヤ５０４の他端側には、ｐ型領域５０８が形成されている。ｎ型領域５０７およびｐ型領域５０８は、各々対応する不純物を導入することで形成されている。また、ナノワイヤ５０４のｎ型領域５０７とｐ型領域５０８とに挾まれた領域には、活性領域５０９が形成されている。活性領域５０９は、例えば、多重量子井戸構造とされている。
【００１１】
また、ｎ型領域５０７には、金属からなる第１電極５１０が接続され、ｐ型領域５０８には、金属からなる第２電極５１１が接続されている。第１電極５１０，第２電極５１１を電源（不図示）に接続し、ナノワイヤ５０４に電流を流して、活性領域５０９にキャリアを注入することがで、活性領域５０９を発光させることができる。
【００１２】
上述したナノワイヤ光デバイスでは、例えば、活性領域５０９で生成された光を、光導波路５０２に導波させようとすると、金属からなる第１電極５１０や第２電極５１１で光が吸収され、導波光の損失が発生することになる。このため、線欠陥による迂回光導波路５０２ａを設け、活性領域５０９で生成された光を、迂回光導波路５０２ａに導波させて取り出すようにする。
【００１３】
しかしながら、迂回光導波路５０２ａを用いても、曲げ構造の迂回光導波路５０２ａによる導波光の損失が発生する他に、導波光の帯域が狭くなるなどの問題がある。また、金属からなる電極による光の吸収を抑制するためには、電極を活性領域５０９からより離すことになる。しかしながら、電極と活性領域５０９との距離が長くなれば長くなるほど、活性領域５０９と電極との間の抵抗値が上がり、電流注入の効率が低下する。
【００１４】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、活性領域と電極との間隔を広げることなく、ナノワイヤ光デバイスにおける光の損失を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係るナノワイヤ光デバイスは、基部および基部とは異なる屈折率を有する柱状の複数の格子要素を備え、複数の格子要素は、基部上に、対象とする光の波長以下の間隔で周期的に設けられている板状のフォトニック結晶本体と、フォトニック結晶本体の格子要素がない部分から構成された欠陥を直線状に複数配列した線欠陥による光導波路と、光導波路に、導波方向に沿って形成された溝と、溝に配置された、半導体からなるナノワイヤと、ナノワイヤの一端側に形成されたｎ型領域と、ナノワイヤの他端側に形成されたｐ型領域と、ナノワイヤのｎ型領域とｐ型領域とに挾まれて形成された活性領域と、ｎ型領域に接続する第１電極と、ｐ型領域に接続する第２電極とを備え、第１電極のｎ型領域に接する領域、および第２電極のｐ型領域に接する領域の少なくとも一方は、透明電極材料から構成されている。
【００１６】
請求項１記載のナノワイヤ光デバイスの一構成例において、溝は、平面視で、第１電極、および第２電極の少なくとも一方の透明電極材料から構成されている領域において、ナノワイヤの幅より広く形成されている。
【００１７】
上記ナノワイヤ光デバイスの一構成例において、第１電極のｎ型領域に接続する領域、および第２電極のｐ型領域に接続する領域の少なくとも一方の透明電極材料から構成されている領域は、ナノワイヤの上面に加えて、溝の側面に向かい合うナノワイヤの側面に透明電極材料が接して形成されている。
【００１８】
上記のナノワイヤ光デバイスの一構成例において、溝の幅は、平面視で、第１電極、および第２電極の少なくとも一方の透明電極材料から構成されている領域において、活性領域から離れるほど広くなる。
【００１９】
上記ナノワイヤ光デバイスの一構成例において、活性領域に光を閉じ込めるための光閉じ込め構造をさらに備え、光閉じ込め構造は、光導波路に活性領域を挟んで形成されている。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明したように、本発明によれば、第１電極のｎ型領域に接続する領域、および第２電極のｐ型領域に接続する領域の少なくとも一方を、透明電極材料から構成したので、活性領域と電極との間隔を広げることなく、ナノワイヤ光デバイスにおける光の損失が抑制できるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態１に係るナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態１に係るナノワイヤ光デバイスの構成を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施の形態２に係るナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施の形態２に係るナノワイヤ光デバイスの構成を示す断面図である。
【図３】図３は、厚さ数ｎｍ、幅５μｍのＺｎＯからなる透明電極材料を溝１０３に配置されているナノワイヤ１０４の上に形成した場合（ｂ）と、透明電極材料を形成しない場合（ａ）との間の波長シフトの測定結果を示す特性図である。
【図４】図４は、幅を１００ｎｍとした溝１０３と（ａ）、幅を１５０ｎｍとした溝１０３ａと（ｂ）の間の波長シフトの測定結果を示す特性図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の実施の形態に係る他のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の実施の形態に係る他のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の実施の形態に係る他のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態に係る他のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態に係る他のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態に係る他のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、従来のナノワイヤ光デバイスの構成を示す斜視図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、従来のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【図１０】図１０は、従来のナノワイヤ光デバイスの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態に係るナノワイヤ光デバイスについて説明する。
【００２３】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１におけるナノワイヤ光デバイスについて図１Ａ，図１Ｂを参照して説明する。なお、図１Ｂは、図１Ａのａａ’線の断面を示している。
【００２４】
このナノワイヤ光デバイスは、フォトニック結晶本体１０１と、フォトニック結晶本体１０１に設けられた光導波路１０２と、光導波路１０２に形成された溝１０３と、溝１０３に配置されたナノワイヤ１０４とを備える。フォトニック結晶本体１０１は、例えば、シリコンから構成することができる。ナノワイヤ１０４は、半導体から構成されている。ナノワイヤ１０４は、例えばＩｎＰなどの化合物半導体から構成することが可能である。
【００２５】
フォトニック結晶本体１０１は、板状の基部１０５と、複数の格子要素１０６とを備えている。格子要素１０６は、屈折率が基部１０５とは異なるものとされている。基部１０５は、例えばＩｎＰから構成され、格子要素１０６は、例えば、円柱状の貫通孔である。
複数の格子要素１０６は、対象とする光の波長以下の間隔で周期的に設けられ、例えば平面視で三角格子状に配列している。光導波路１０２は、線欠陥から構成されている。線欠陥は、フォトニック結晶本体１０１の格子要素１０６がない部分から構成された欠陥（点欠陥）を直線状に複数配列したものである。このように構成された光導波路１０２の導波方向に、溝１０３は延在している。
【００２６】
また、ナノワイヤ１０４の一端側には、ｎ型領域１０７が形成され、ナノワイヤ１０４の他端側には、ｐ型領域１０８が形成されている。ｎ型領域１０７およびｐ型領域１０８は、各々対応する不純物を導入することで形成することができる。また、ナノワイヤ１０４のｎ型領域１０７とｐ型領域１０８とに挾まれた領域には、活性領域１０９が形成されている。活性領域１０９は、例えば、多重量子井戸構造を有している。例えば、ＩｎＡｓＰからなる量子井戸層とＩｎＰからなる障壁層とがナノワイヤ１０４の延在方向に交互に積層した多重量子井戸構造を形成して活性領域１０９とすることができる。活性領域１０９を多重量子井戸構造とした場合、ＩｎＡｓＰからなる量子井戸層が活性層として機能する。
【００２７】
また、実施の形態１におけるナノワイヤ光デバイスは、ｎ型領域１０７に接続する第１電極１１０と、ｐ型領域１０８に接続する第２電極１１１とを備える。第１電極１１０は、溝１０３の開口端におけるｎ型領域１０７の上面に接している。また、第２電極１１１は、溝１０３の開口端におけるｐ型領域１０８の上面に接している。第２電極１１１の少なくともｐ型領域１０８に接する領域は、透明電極材料から構成されている。第２電極１１１は、全体を透明電極材料から構成することもできる。透明電極材料から構成した第２電極１１１は、光導波路１０２の直上や、フォトニック結晶本体１０１の上に配置することが可能である。
【００２８】
透明電極材料は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＺｎＯから構成することができる。なお、第１電極１１０の少なくともｎ型領域１０７に接続（接触）する領域を、透明電極材料から構成することもできる。この場合においても、第１電極１１０は、全体を透明電極材料から構成することもできる。
【００２９】
実施の形態１によれば、例えば、活性領域１０９で生成された光が、光導波路１０２を第２電極１１１の方向に導波するときに、第２電極１１１で吸収されることがなく、導波光の損失が発生しない。このため、実施の形態１によれば、活性領域１０９で生成された光は、導波光の損失無く、光導波路１０２の第２電極１１１の方向に導波させることができるので、曲げ導波路を導入する必要がなく、曲げ導波路を用いることによる導波損失もない。
【００３０】
さらに、透明電極材料から構成した第２電極１１１は、活性領域１０９に近づけて配置することができ、活性領域１０９と第２電極１１１との間の抵抗値を下げることができるので、電流注入の効率の低下が抑制できる。また、光学特性に影響する第２電極１１１の少なくともｐ型領域１０８に接続（接触）する領域は、透明電極材料から構成し、第２電極１１１の他の領域は、金属から構成することも可能である。透明電極材料は金属に対して抵抗率が高いが、透明電極材料の部分を光学特性に影響する箇所に限定し、他の領域を金属から構成することで、第２電極１１１の全体の抵抗を下げることができる。なお、これらのことは、第１電極１１０を透明電極材料から構成する場合も同様である。活性領域１０９で生成された光は、導波光の損失無く、光導波路１０２の第１電極１１０の方向に導波させることもできる。
【００３１】
実施の形態１に係るナノワイヤ光デバイスは、例えば、第１電極１１０、第２電極１１１により活性領域１０９にる電流注入することで、活性領域１０９を発光させる発光素子として機能させることができる。また、ｎ型領域１０７、活性領域１０９、およびｐ型領域１０８をいわゆるｐｉｎ構造としたフォトダイオードとして機能させることもできる。
【００３２】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２に係るナノワイヤ光デバイスついて、図２Ａ，図２Ｂを参照して説明する。なお、図２Ｂは、図２Ａのａａ’線の断面を示している。
【００３３】
実施の形態２においても、ｎ型領域１０７に接続する第１電極１１０ａと、ｐ型領域１０８に接続する第２電極１１１ａとを備える。また、第２電極１１１ａの少なくともｐ型領域１０８に接続（接触）する領域は、透明電極材料から構成されている。実施の形態２では、第２電極１１１ａのｐ型領域１０８に接続する領域の透明電極材料から構成されている領域では、溝１０３ａの幅がナノワイヤ１０４の幅より広くされている。なお、実施の形態２では、第１電極１１０ａのｎ型領域１０７に接続する領域でも、溝１０３ｂの幅をナノワイヤ１０４の幅より広くしている。
【００３４】
また、実施の形態２において、図２Ｂに示すように、第２電極１１１ａの透明電極材料から構成されている領域は、ナノワイヤ１０４の上面に加え、溝１０３ａの側面に向かい合うナノワイヤ１０４の側面にも接して形成されている。なお、第１電極１１０ａを透明電極材料から構成する場合も、第１電極１１０ａの透明電極材料から構成されている領域は、ナノワイヤ１０４の上面に加えて溝１０３ｂの側面に向かい合うナノワイヤ１０４の側面に接して形成されている構成とすることができる。
【００３５】
ナノワイヤ１０４の上面のみで透明電極材料から構成されている第２電極１１１ａが接続（接触）している状態に比較し、溝１０３ａの側面に向かい合うナノワイヤ１０４の側面にも透明電極材料が接していることで、抵抗値を下げることができる。例えば、電極を蒸着法やスパッタ法により形成する場合、溝１０３ａの幅をナノワイヤ１０４の幅より広くしておけば、ナノワイヤ１０４の側面にも、電極材料を堆積して形成することができる。
【００３６】
ところで、透明電極材料は、フォトニック結晶本体１０１と異なる誘電率を有するため、溝１０３にナノワイヤ１０４を配置した光導波路１０２では、透明電極材料を配置することで光学特性が変わる。図３に、厚さ数ｎｍ、幅５μｍのＺｎＯからなる透明電極材料を溝１０３に配置されているナノワイヤ１０４の上に形成した場合と、透明電極材料を形成しない場合との間の波長シフトの測定結果を示す。図３に示すように、透明電極材料を形成しない場合（ａ）に比較し、透明電極材料を形成した場合（ｂ）は、２０ｎｍ程度の長波長側への波長シフトしかない。このように、透明電極材料を用いても、波長シフトが小さく、また、前述したように、導波損失（透過損失）も小さいため、ナノワイヤ光デバイスの光学特性を大きく損なうことはない。
【００３７】
また、溝１０３にナノワイヤ１０４を配置した光導波路１０２では、より幅を広くした溝１０３ａにおいて、光学特性が変わる。図４に、平面視の幅を１００ｎｍとした溝１０３と、平面視の幅を１５０ｎｍとした溝１０３ａとの間の波長シフトの測定結果を示す。図４に示すように、幅を１００ｎｍとした溝１０３（ａ）に対し、幅を１５０ｎｍとした溝１０３ａ（ｂ）は、短波長側へ１０〜２０ｎｍ程度しかシフトしない。このように、溝の幅を広くしても、幅を広くしたことによる波長シフトが小さいので、ナノワイヤ光デバイスの光学特性を大きく損なうことはない。また、前述したように、幅を広くした溝において透明電極材料を形成することで、短波長側への波長シフトが、長波長側への波長シフトにより相殺されるので、透過帯域を狭めることがない。
【００３８】
ところで、溝１０３のナノワイヤ１０４が配置された箇所では、光が強く閉じ込められるが、この構成では、光閉じ込めがナノワイヤ１０４の全体にわたる領域となり、共振器が作れず、ナノワイヤ光デバイスをレーザとして用いることができない。これに対し、図５Ａに示すように、ナノワイヤ１０４の活性領域１０９に光を閉じ込める光閉じ込め構造１１２を設けることで、共振器が構成できる。
【００３９】
光閉じ込め構造１１２は、フォトニック結晶本体１０１に形成された基部１０５とは異なる屈折率の柱状の構造体を、光導波方向に周期的に配置すればよい。なお、図５Ｂに示すように、直方体状の貫通孔による光閉じ込め構造１１２ａであってもよい。また、図５Ｃに示すように、溝１０３と、光導波路１０２に隣接する格子要素１０６の列との間に配置した貫通孔による光閉じ込め構造１１２ｂであってもよい。このように光閉じ込め構造１１２を設けることで、共振器Ｑ値を、１００００を超える値にすることが可能となる。
【００４０】
また、図６に示すように、透明電極材料から構成した第２電極１１１を配置した領域において、溝１０３に隣接する格子要素１０６ａを、溝１０３から離れる方向にシフトさせることで、この領域の光学特性を調整することが可能となる。
【００４１】
また、図７に示すように、透明電極材料から構成した第２電極１１１ｂは、平面視で光導波路１０２の平面視で幅方向の内側で光導波路１０２に沿って配置することが可能である。第２電極１１１ｂは、溝１０３に隣接して光導波路１０２に並列する２列の格子要素１０６の列の間に配置される。
【００４２】
また、図８に示すように、第２電極１１１ｃのｐ型領域に接続する領域では、平面視で溝１０３ｃの幅を、活性領域１０９から離れるほど広くすることができる。同様に、第１電極１１０ａのｎ型領域１０７に接続する領域では、平面視で溝１０３ｄの幅を、活性領域１０９から離れるほど広くすることができる。溝１０３ｃは、平面視で、第１電極１１０ａの透明電極材料から構成されている領域に形成されている。溝１０３ｄも、平面視で、第２電極１１１ｃの透明電極材料から構成されている領域に形成することができる。
【００４３】
以上に説明したように、本発明によれば、第１電極のｎ型領域に接続する領域、および第２電極のｐ型領域に接続する領域の少なくとも一方を、透明電極材料から構成したので、活性領域と電極との間隔を広げることなく、ナノワイヤ光デバイスにおける光の損失が抑制できるようになる。
【００４４】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
【符号の説明】
【００４５】
１０１…フォトニック結晶本体、１０２…光導波路、１０３…溝、１０４…ナノワイヤ、１０５…基部、１０６…格子要素、１０７…ｎ型領域、１０８…ｐ型領域、１１０…第１電極、１１１…第２電極。
【図１Ａ】
2020080389.tif 000003
【図１Ｂ】
2020080389.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
2020080389.tif 000009
【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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