(57)【要約】【課題】導電性接合部を介して、金属製部材同士を高い強度で接合できる、金属製部材の接合方法の提供。【解決手段】金属製部材同士を接合する方法であって、金属製の第１部材と、金属製の第２部材と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している銀インク組成物を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記銀インク組成物の加熱物を得る工程と、前記銀インク組成物の加熱物を介在させて、前記第１部材と前記第２部材とを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部材と前記第２部材とを、金属銀によって接合する工程と、を有し、前記銀インク組成物が、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなり、前記銀インク組成物が、その焼成によって金属銀を形成するための材料である、金属製部材の接合方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製部材同士を接合する方法であって、
金属製の第１部材と、金属製の第２部材と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している銀インク組成物を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記銀インク組成物の加熱物を得る工程と、
前記銀インク組成物の加熱物を介在させて、前記第１部材と前記第２部材とを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部材と前記第２部材とを、金属銀によって接合する工程と、を有し、
前記銀インク組成物が、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなり、前記銀インク組成物が、その焼成によって金属銀を形成するための材料である、金属製部材の接合方法。
【請求項２】
６０℃以上の温度で固化させずに加熱する前の前記銀インク組成物が、前記カルボン酸銀から生成した金属銀の粒子を含有し、
前記金属銀の粒子の結晶子径が２０ｎｍ未満である、請求項１に記載の金属製部材の接合方法。
【請求項３】
前記カルボン酸銀が、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀である、請求項１又は２に記載の金属製部材の接合方法。
【化１】
2020193318.tif 000008
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属製部材の接合方法により得られた、金属製部材接合体であって、
前記金属製部材接合体のダイシェア強度が１５ＭＰａ以上である、金属製部材接合体。
【請求項５】
請求項４に記載の金属製部材接合体を、有機基板上に備え、
前記金属製部材が金属電極である、回路基板。
【請求項６】
金属製部材接合体であって、
前記金属製部材接合体は、金属製の第１部材と、金属製の第２部材と、が金属銀を介して接合されて、構成されており、
前記第１部材及び第２部材のいずれか一方又は両方が、銅製であり、
前記第１部材が銅製である場合には、前記金属製部材接合体は、前記第１部材と前記金属銀との間に、前記第１部材側から前記金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えており、
前記第２部材が銅製である場合には、前記金属製部材接合体は、前記第２部材と前記金属銀との間に、前記第２部材側から前記金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えており、
前記金属製部材接合体のダイシェア強度が１５ＭＰａ以上である、金属製部材接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属製部材の接合方法、金属製部材接合体及び回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品と基板との接合や、回路同士の接合など、金属製部材同士の接合時には、はんだが汎用されている。しかし、はんだの融点が比較的低いために、例えば、はんだ実装を行って製造したモジュールを、さらに電子基板に実装する場合には、２６０℃程度の温度でのリフロー時に、はんだが再溶融することによって、実装位置にずれが生じるという問題点があった。また、パワー半導体モジュールでは、その動作温度が２００℃以上の高温になることもある。したがって、はんだ実装を行って得られたパワー半導体モジュールでも、同様の問題点があった。
【０００３】
このような、はんだの再溶融に起因する問題点を解決できるものとして、金属銀と、樹脂成分であるバインダーと、を含有する導電性接着剤がある。
しかし、導電性接着剤はバインダーを含有するため、導電性接着剤で構成された接合部の電気抵抗率が高くなる（通常は１００μΩ・ｃｍ以上となる）ことが避けられず、また、この接合部の耐熱性も不十分であるという問題点があった。
【０００４】
一方、加熱処理を行うことによって優れた導電性を示す材料として、β−ケトカルボン酸銀が配合されてなる銀インク組成物が開示されている（特許文献１参照）。この銀インク組成物は、その加熱処理によって、β−ケトカルボン酸銀から金属銀を形成する材料であり、１０μΩ・ｃｍ以下という極めて低い体積抵抗率の金属銀を形成できる。また、形成された金属銀は、それ以降、２００℃以上等の高温に曝されても再溶融しない。したがって、上述のような、はんだの再溶融に起因する問題点を解決できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１９３９９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前記銀インク組成物は、バインダーを含有していないため、この銀インク組成物を用いて、金属製部材同士を接合した場合には、金属銀を介して金属製部材同士が接合された構造の強度、すなわち接合強度を高くすることが困難であるという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導電性接合部を介して、金属製部材同士を高い強度で接合できる、金属製部材の接合方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明は、金属製部材同士を接合する方法であって、金属製の第１部材と、金属製の第２部材と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している銀インク組成物を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記銀インク組成物の加熱物を得る工程と、前記銀インク組成物の加熱物を介在させて、前記第１部材と前記第２部材とを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部材と前記第２部材とを、金属銀によって接合する工程と、を有し、前記銀インク組成物が、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀と、アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなり、前記銀インク組成物が、その焼成によって金属銀を形成するための材料である、金属製部材の接合方法を提供する。
本発明の金属製部材の接合方法においては、６０℃以上の温度で固化させずに加熱する前の前記銀インク組成物が、前記カルボン酸銀から生成した金属銀の粒子を含有し、前記金属銀の粒子の結晶子径が２０ｎｍ未満であることが好ましい。
本発明の金属製部材の接合方法においては、前記カルボン酸銀が、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀であることが好ましい。
【０００９】
【化１】
2020193318.tif 000002
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【００１０】
また、本発明は、前記金属製部材の接合方法により得られた、金属製部材接合体であって、前記金属製部材接合体のダイシェア強度が１５ＭＰａ以上である、金属製部材接合体を提供する。
また、本発明は、前記金属製部材接合体を、有機基板上に備え、前記金属製部材が金属電極である、回路基板を提供する。
また、本発明は、金属製部材接合体であって、前記金属製部材接合体は、金属製の第１部材と、金属製の第２部材と、が金属銀を介して接合されて、構成されており、前記第１部材及び第２部材のいずれか一方又は両方が、銅製であり、前記第１部材が銅製である場合には、前記金属製部材接合体は、前記第１部材と前記金属銀との間に、前記第１部材側から前記金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えており、前記第２部材が銅製である場合には、前記金属製部材接合体は、前記第２部材と前記金属銀との間に、前記第２部材側から前記金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えており、前記金属製部材接合体のダイシェア強度が１５ＭＰａ以上である、金属製部材接合体を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、導電性接合部を介して、金属製部材同士を高い強度で接合できる、金属製部材の接合方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法の一例を、模式的に説明するための断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法の他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法のさらに他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法のさらに他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法のさらに他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法における、接合工程の他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法における、接合工程のさらに他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法における、接合工程のさらに他の例を、模式的に説明するための断面図である。
【図９】実施例１で得られた金属製部材接合体の断面を、透過型電子顕微鏡を用いて観察したときに取得した、撮像データである。
【図１０】実施例１で得られた金属製部材接合体の断面を、エネルギー分散型Ｘ線分光法によって観察したときに取得した、銀元素検出時の撮像データである。
【図１１】実施例１で得られた金属製部材接合体の断面を、エネルギー分散型Ｘ線分光法によって観察したときに取得した、銅元素検出時の撮像データである。
【図１２】実施例１で得られた金属製部材接合体の断面を、エネルギー分散型Ｘ線分光法によって観察したときに取得した、酸素元素検出時の撮像データである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜＜金属製部材の接合方法＞＞
本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法は、金属製部材同士を接合する方法であって、金属製の第１部材（本明細書においては、単に「第１部材」と略記することがある）と、金属製の第２部材（本明細書においては、単に「第２部材」と略記することがある）と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している銀インク組成物を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記銀インク組成物の加熱物を得る工程（本明細書においては、「予備加熱工程」と称することがある）と、前記銀インク組成物の加熱物を介在させて、前記第１部材と前記第２部材とを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部材と前記第２部材とを、金属銀によって接合する工程（本明細書においては、「接合工程」と称することがある）と、を有し、前記銀インク組成物が、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀（本明細書においては、単に「カルボン酸銀」と略記することがある）と、アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなり、前記銀インク組成物が、その焼成によって金属銀を形成するための材料である、接合方法である。
【００１４】
本実施形態によれば、上述の特定範囲の銀インク組成物を用いて、前記予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、前記第１部材及び第２部材が金属銀を介して、高い接合強度で接合された金属製部材接合体が得られる。
以下、本実施形態の金属製部材の接合方法について、詳細に説明する。
【００１５】
＜予備加熱工程＞
前記予備加熱工程においては、前記第１部材と、前記第２部材と、のいずれか一方又は両方の表面に付着している銀インク組成物を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、前記銀インク組成物の加熱物を得る。
本工程で用いる銀インク組成物は、金属銀の形成材料であり、前記カルボン酸銀と、アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなる。
【００１６】
本工程において、前記加熱物を得るために加熱を開始する前、すなわち、６０℃以上の温度で固化させずに加熱する前、の前記銀インク組成物は、典型的には、前記カルボン酸銀から生成した金属銀の粒子を含有している。これは、前記ギ酸の作用により、前記カルボン酸銀からの金属銀の形成が促進されるためである。
【００１７】
本実施形態においては、前記金属銀の粒子の結晶子径が、２０ｎｍ未満であることが好ましく、１９ｎｍ以下であることがより好ましく、１７ｎｍ以下であることがさらに好ましい。前記結晶子径が前記上限値未満（又は以下）であることで、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる。
【００１８】
前記金属銀の粒子の結晶子径の下限値は、特に限定されない。例えば、このような金属銀の粒子を含有する銀インク組成物の調製がより容易である点では、前記結晶子径は、３ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１９】
前記金属銀の粒子の結晶子径は、上述のいずれかの上限値と、下限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、前記金属銀の粒子の結晶子径は、３ｎｍ以上２０ｎｍ未満、３〜１９ｎｍ、及び３〜１７ｎｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記金属銀の粒子の結晶子径の一例である。
【００２０】
金属銀の粒子の結晶子径は、公知の方法で求められる。例えば、金属銀の粒子をＸ線回折測定に供し、得られたＸ線回折プロファイルのうち、最も強度が強い結晶面のピークに関し、シェラー（Ｓｃｈｅｒｒｅｒ）の式「Ｄ＝ｋλ／βｃｏｓθ（式中、Ｄは結晶子径（ｎｍ）であり；ｋは定数（ここでは０．９を用いる）であり；λはＸ線の波長（ＣｕＫα線）０．１５４ｎｍであり；βはピーク半値幅（ｒａｄ）であり；θは測定角度の１／２の角度である。）」を用いることで、結晶子径を算出できる。
【００２１】
前記第１部材は金属製であり、これを構成する金属は、単体金属及び合金のいずれであってもよい。
前記金属で好ましいものとしては、例えば、銅、銀、金、パラジウム、ニッケル、並びに、銅、銀、金、パラジウム及びニッケルからなる群より選択される１種又は２種以上を含む合金が挙げられる。これらの中でも、前記金属は、銅、銀、金、パラジウム又はニッケルであることがより好ましく、銅又は銀であることがさらに好ましい。
【００２２】
予備加熱工程においては、金属製部材の表面にさらに金属層が設けられたものを、第１部材を含む部材として用いてもよい。前記金属層は、例えば、蒸着、メッキ等の公知の方法で、金属製部材の表面に形成できる。
【００２３】
このような金属層を表面に備えた金属製部材においては、後述する導電性接合部を形成するための銀インク組成物を付着させる箇所が、第１部材となる。例えば、前記金属層のみに銀インク組成物を付着させる場合には、前記金属層が第１部材となる。金属製部材と前記金属層の両方に銀インク組成物を付着させる場合には、金属製部材と前記金属層がともに第１部材となる。金属製部材のみに銀インク組成物を付着させる場合には、金属製部材が第１部材となる。
【００２４】
このような金属層を表面に備えた金属製部材で好ましいものとしては、例えば、銀層を表面に備えた銅製部材が挙げられるが、これは一例である。
【００２５】
予備加熱工程においては、金属製部材と非金属製部材との複合体を、第１部材を含む部材として用いてもよい。
前記非金属製部材としては、例えば、半導体ウエハ、半導体チップ、有機絶縁基材、無機絶縁基材、有機・無機複合絶縁基材等が挙げられ、これらは公知のものであってもよい。
【００２６】
前記半導体ウエハ又は半導体チップとしては、例えば、シリコン、シリコンカーバイド若しくは窒化ガリウム等の半導体を構成材料とする、ウエハ又はチップ等が挙げられる。
前記有機絶縁基材としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製基材、ポリイミド製基材、液晶ポリマー製基材、シクロオレフィンポリマー製基材等が挙げられる。
前記無機絶縁基材としては、例えば、セラミック製基材等が挙げられる。
前記有機・無機複合絶縁基材は、有機材料及び無機材料をともに構成材料とする基材であり、その例としては、ガラスエポキシ樹脂製基材等が挙げられる。
【００２７】
前記複合体は、非金属製部材の種類によらず、例えば、非金属製部材の目的とする箇所に、蒸着、メッキ、スパッタリング若しくは印刷等によって、金属製部材を形成するか、又は、ろう付け若しくは接着剤による貼合せ等によって、金属製部材を接合することによって、作製できる。
【００２８】
ここまでは、金属製部材として、半導体ウエハ、半導体チップ、有機絶縁基材、無機絶縁基材、又は有機・無機複合絶縁基材等に設けられたものついて、主に説明したが、金属製部材としては、例えば、これらに設けられていない金属板（例えば、放熱板）も好適である。
【００２９】
第１部材の形状は、特に限定されず、例えば、シート状、板状、角柱状、角錐状、円柱状、円錐状、球状、長球状、棒状、これら９種（すなわち、シート状、板状、角柱状、角錐状、円柱状、円錐状、球状、長球状及び棒状）からなる群より選択される２種以上が組み合わされた又は融合された形状、並びに不定形状のいずれであってもよい。
【００３０】
第１部材の大きさは、特に限定されない。
【００３１】
第１部材の形状及び大きさは、第１部材の用途に応じて、適宜選択できる。
例えば、第１部材が板状又は棒状である場合には、第１部材の接合面（後述する第１面）における１辺の長さは、０．０１〜３０ｍｍ、０．０２〜２４ｍｍ、及び０．０３〜１８ｍｍのいずれであってもよく、第１部材の厚さは、０．０１〜５ｍｍ、０．０２〜３ｍｍ、及び０．０３〜１．５ｍｍのいずれであってもよい。ただし、これらは、第１部材の形状及び大きさの一例である。これらの形状及び大きさの第１部材は、例えば、回路を構成する電極として好適である。
第１部材の形状が、板状及び棒状のいずれでもない場合には、例えば、接合面の面積が、上述の１辺の長さから算出される接合面の面積と同等となるように、第１部材の大きを調節できる。
【００３２】
前記第２部材も金属製である。
第２部材を構成する金属としては、上記の第１部材を構成する金属と同様のものが挙げられる。
第２部材の形状としては、第１部材の形状と同様のものが挙げられる。
第２部材の大きさは、第１部材の大きさと同様であってよい。
【００３３】
第２部材も、第１部材の場合と同様に、第２部材を含む部材として、用いることができる。そして、第２部材を含む部材は、上述の第１部材を含む部材と同様に用いることができる。
【００３４】
第１部材と第２部材は、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
例えば、後述する接合工程において接合する第１部材と第２部材は、材質の点、形状の点、及び大きさの点において、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【００３５】
本実施形態で好ましい第１部材及び第２部材としては、例えば、回路を構成する電極が挙げられる。
【００３６】
予備加熱工程においては、第１部材と、第２部材と、のいずれか一方又は両方は、その表面に銀インク組成物を付着させて用いる。すなわち、予備加熱工程においては、（Ａ１）表面に銀インク組成物が付着している第１部材と、表面に銀インク組成物が付着していない第２部材と、の組み合わせ（本明細書においては、「組み合わせ（Ａ１）」と称することがある）、（Ａ２）表面に銀インク組成物が付着していない第１部材と、表面に銀インク組成物が付着している第２部材と、の組み合わせ（本明細書においては、「組み合わせ（Ａ２）」と称することがある）、又は、（Ａ３）表面に銀インク組成物が付着している第１部材と、表面に銀インク組成物が付着している第２部材と、の組み合わせ（本明細書においては、「組み合わせ（Ａ３）」と称することがある）を用いる。
【００３７】
組み合わせ（Ａ３）を用いる場合には、第１部材の表面に付着している銀インク組成物と、第２部材の表面に付着している銀インク組成物とは、互いに同一であってもよいし、互いに異なっていてもよい。
【００３８】
第１部材又は第２部材の表面には、印刷法、塗布法等の公知の方法によって、銀インク組成物を付着させることができる。
【００３９】
前記印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が挙げられる。
【００４０】
前記塗布法としては、例えば、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターを用いる方法；ワイヤーバーを用いる方法；スロットダイ等のコーティング装置を用いる方法；スプレー法等が挙げられる。
【００４１】
第１部材又は第２部材の表面における銀インク組成物の付着箇所に対しては、銀インク組成物を付着させる前に、不純物を取り除く清浄化処理を行うことが好ましい。このようにすることで、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる。
【００４２】
前記清浄化処理は、公知の方法で行うことができ、例えば、薬剤による表面の化学処理と、表面加工による物理処理と、のいずれであってもよい。
前記薬剤としては、例えば、硝酸、リン酸、硫酸、塩酸等の酸；アセトン等の有機溶剤等が挙げられる。酸による化学処理は、不純物の除去全般を行うときに有用である。酸を用いた場合には、第１部材又は第２部材の酸処理面をさらに水洗することが好ましい。有機溶剤による化学処理は、脂溶性の高い不純物の除去を行うときに有用である。
前記表面加工としては、例えば、やすり等の研磨材を用いた研磨処理等が挙げられる。
【００４３】
予備加熱工程において、前記カルボン酸銀と、アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなる銀インク組成物を用いる理由は、以下のような有利な点があるからである。
すなわち、前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀が配合されてなる銀インク組成物全般の中では、前記カルボン酸銀の配合量を多くするのに有利である。その場合、銀インク組成物は、その単位量あたりの前記カルボン酸銀由来の成分（例えば、カルボン酸銀、カルボン酸銀から生じた金属銀等）の含有量が多いため、第１部材及び第２部材の表面において、１回の施工でより多くの前記加熱物を形成できる。また、前記銀インク組成物は、その粘度が大きいため、第１部材及び第２部材の表面における銀インク組成物の付着量を多くすることが容易である。したがって、この点でも前記銀インク組成物は、第１部材及び第２部材の表面において、１回の施工でより多くの前記加熱物を形成できる。
このように、前記銀インク組成物は、第１部材及び第２部材の表面における前記加熱物の形成量を容易に多くできる点で有利である。
【００４４】
また、前記銀インク組成物の付着対象である第１部材及び第２部材は、金属製であり、その表面においては、酸化反応によって金属酸化物が生成し易い。このような金属酸化物が、膜状又は非膜状に生成すると、金属製部材接合体の抵抗率が上昇するだけでなく、金属製部材接合体の接合強度が低下してしまう。
これに対して、前記銀インク組成物中に含有されるギ酸は、還元作用を有しており、前記銀インク組成物自体が良好な還元性を有している。したがって、前記銀インク組成物は、第１部材及び第２部材の表面において、金属酸化物の量を低減できる点で有利である。
【００４５】
また、ホルミル基を有する化合物は、塩基性条件下で還元作用がより活性化される。そして、前記銀インク組成物は、配合されたアミン化合物の影響で塩基性であり、ホルミル基を有するギ酸の還元作用が、より活性化されている。したがって、前記銀インク組成物は、上述のギ酸を用いたことによる効果が、より高い点で有利である。
【００４６】
第１部材又は第２部材の表面における銀インク組成物の付着量は、特に限定されず、導電性接合部の目的とする厚さを考慮して、適宜設定すればよい。
【００４７】
第１部材又は第２部材の表面における銀インク組成物の加熱物の厚さは、１００μｍ以上であることが好ましく、２００μｍ以上であることがより好ましく、２５０μｍ以上であることがさらに好ましい。前記加熱物の厚さが前記下限値以上であることで、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる。
【００４８】
第１部材又は第２部材の表面における銀インク組成物の加熱物の厚さの上限値は、特に限定されない。過剰な厚さとなることを避ける点では、前記加熱物の厚さは、１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
前記加熱物の厚さは、上述のいずれかの下限値と、上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、前記加熱物の厚さは、１００〜１０００μｍ、２００〜１０００μｍ、及び２５０〜１０００μｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記加熱物の厚さの一例である。
【００５０】
予備加熱工程において、銀インク組成物の加熱物は、１層であってもよいし、２層以上であってもよく、２層以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、目的に応じて任意に調節できる。
銀インク組成物の加熱物が２層以上である場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい加熱物の厚さとなるようにするとよい。
【００５１】
例えば、銀インク組成物の種類や、銀インク組成物を付着させる方法によっては、銀インク組成物を付着させる操作を１回行っただけでは、銀インク組成物の付着量が目的とする量とはならないことがある。その場合には、銀インク組成物を付着させる操作を２回以上繰り返して行う必要がある。この場合には、最終的に得られた前記加熱物は、１層となる場合もあるが、２層以上となることもある。
また、例えば、目的によっては、組成が異なる２以上の層で構成された導電性接合部の形成が求められることがある。その場合には、異なる種類の銀インク組成物を付着させる操作を、合計で２回以上行う必要がある。この場合には、最終的に得られた前記加熱物は、２層以上となる。
本実施形態においては、２層以上である前記加熱物は、その種類によらず、１層である前記加熱物の場合と、同様に扱うことができる。
【００５２】
上述の方法では、第１部材及び第２部材のいずれか一方において、銀インク組成物を付着させる操作を２回以上繰り返して行うが、先に説明したように、表面に銀インク組成物が付着している第１部材と、表面に銀インク組成物が付着している第２部材と、の組み合わせ（すなわち、前記組み合わせ（Ａ３））を用いた場合にも、最終的には同様の、２以上の層で構成された導電性接合部を形成できる。
【００５３】
予備加熱工程においては、銀インク組成物が付着している第１部材と、銀インク組成物が付着している第２部材とは、いずれも、銀インク組成物が付着していない箇所を直接加熱することが好ましい。このようにすることで、銀インク組成物の目的外の変質を抑制する効果が、より高くなる。
【００５４】
予備加熱工程において、銀インク組成物は、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱、遠赤外線照射による加熱、高熱ガスの吹き付けによる加熱、高周波照射による加熱、誘電加熱等の公知の方法によって、加熱できる。
【００５５】
予備加熱工程においては、前記組み合わせ（Ａ１）〜（Ａ３）のいずれの場合にも、第１部材の表面に付着している銀インク組成物と、第２部材の表面に付着している銀インク組成物は、６０℃以上の温度で加熱する。
ただし、このとき、加熱する銀インク組成物は、固化させない。
本工程で、固化させずに得られた銀インク組成物の加熱物は、流動性を維持している。
【００５６】
予備加熱工程において、銀インク組成物の加熱開始時の温度は、例えば、常温であってよい。
なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜２５℃の温度等が挙げられる。
【００５７】
予備加熱工程における銀インク組成物の加熱温度は、例えば、７０℃以上、８０℃以上、及び９０℃以上のいずれかであってもよい。
【００５８】
予備加熱工程における銀インク組成物の加熱温度の上限値は、特に限定されない。例えば、銀インク組成物の固化を容易に回避できる点では、前記加熱温度は、１２０℃以下であることが好ましい。
【００５９】
予備加熱工程における銀インク組成物の加熱温度は、上述のいずれかの下限値と、上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、前記加熱温度は、６０〜１２０℃、７０〜１２０℃、８０℃〜１２０℃、及び９０〜１２０℃のいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記加熱温度の一例である。
【００６０】
予備加熱工程において、前記銀インク組成物の加熱時における昇温速度は、特に限定されないが、５〜５０℃／分であることが好ましく、５〜３０℃／分であることがより好ましく、５〜１６℃／分であることがさらに好ましい。
【００６１】
予備加熱工程において、前記銀インク組成物の加熱時間は、特に限定されないが、１分〜１２時間であることが好ましく、２分〜６時間であることがより好ましく、４分〜１時間であることがさらに好ましい。
【００６２】
予備加熱工程は、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
また、予備加熱工程は、例えば、大気雰囲気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれで行ってもよい。前記不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。
予備加熱工程は、第１部材、第２部材、銀インク組成物及び前記加熱物の酸化反応を抑制できる条件で行う場合、減圧下又は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。予備加熱工程は、例えば、酸化反応の抑制効果が高い点では、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、低コストである点では、減圧下で行うことが好ましい。
【００６３】
予備加熱工程においては、その終了時までに、銀インク組成物の温度を一貫して上昇させてもよい（換言すると、一定とすること及び低下させること、をいずれも行わなくてもよい）し、一定とする時間を設けてもよいし、低下させる時間を設けてもよい。
なかでも、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる点では、予備加熱工程の開始時から終了時までの間は、銀インク組成物の温度を、必ず上昇させるか又は一定とすること（換言すると、全く低下させないこと）が好ましく、例えば、予備加熱工程の開始時から銀インク組成物の温度を一貫して上昇させたのち、そこで到達した最高温度を、予備加熱工程の終了時まで、一定時間保持してもよい。その場合、銀インク組成物の温度を一定時間保持する時間は、０．５〜１０分であることが好ましく、０．５〜６分であることがより好ましく、０．５〜３分であることがさらに好ましい。
【００６４】
予備加熱工程においては、銀インク組成物の加熱物が得られるまでの間に、典型的には、銀インク組成物に泡立ちが見られる。これは、銀インク組成物中で配合成分の反応が進行し、ガスが発生して、このガスが抜けていくためである。典型的には、本工程の終了時までに、この泡立ちは消失し、ガスの発生がほぼ又は完全に停止する。
このように銀インク組成物の泡立ちが生じるため、本工程の終了時における銀インク組成物の加熱物の質量は、本工程の開始時における銀インク組成物の質量よりも小さくなる。すなわち、本工程においては、銀インク組成物の質量の減少が認められる。
【００６５】
本実施形態においては、（Ｂ１）予備加熱工程終了後に、前記加熱物を介して、第１部材及び第２部材を接触させても（第１部材、前記加熱物及び第２部材を積層しても）よい（本明細書においては、「予備加熱方法（Ｂ１）」と称することがある）し、（Ｂ２）銀インク組成物を介して、第１部材及び第２部材を接触させてから（第１部材、銀インク組成物及び第２部材を重ねてから）、予備加熱工程を行ってもよい（本明細書においては、「予備加熱方法（Ｂ２）」と称することがある）し、（Ｂ３）予備加熱工程の途中で、加熱中の銀インク組成物を介して、第１部材及び第２部材を接触させても（第１部材、加熱中の銀インク組成物、及び第２部材を重ねても）よく（本明細書においては、「予備加熱方法（Ｂ３）」と称することがある）、第１部材及び第２部材を重ねる（積層する）タイミングは、任意に選択できる。
【００６６】
これらの中でも、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる点では、予備加熱方法（Ｂ１）又は（Ｂ３）を採用することが好ましく、予備加熱方法（Ｂ１）を採用することがより好ましい。
【００６７】
予備加熱工程において、組み合わせ（Ａ１）を選択した場合には、第１部材の表面に付着している加熱前の銀インク組成物、加熱中の銀インク組成物、又は加熱後の銀インク組成物（すなわち、前記加熱物）に、第２部材を接触させる。
予備加熱工程において、組み合わせ（Ａ２）を選択した場合には、第２部材の表面に付着している加熱前の銀インク組成物、加熱中の銀インク組成物、又は加熱後の銀インク組成物（すなわち、前記加熱物）に、第１部材を接触させる。
予備加熱工程において、組み合わせ（Ａ３）を選択した場合には、第１部材の表面に付着している加熱前の銀インク組成物、加熱中の銀インク組成物、又は加熱後の銀インク組成物（すなわち、前記加熱物）と、第２部材の表面に付着している加熱前の銀インク組成物、加熱中の銀インク組成物、又は加熱後の銀インク組成物（すなわち、前記加熱物）と、を接触させる。
いずれの場合にも、第１部材又は第２部材に付着している銀インク組成物は、後の工程で、第１部材と第２部材を接合する導電性接合部を形成する。
【００６８】
本実施形態においては、予備加熱工程において、前記加熱物を形成することにより、導電性接合部の接合強度が顕著に増大する。このような優れた効果を奏する理由は、定かではないが、銀インク組成物を固化させずに加熱することで、固化させた場合とは異なり、得られた前記加熱物は流動性を有しており、前記加熱物と第１部材との密着性、及び、前記加熱物と第２部材との密着性、が向上するためではないかと推測される。また、先の説明のように、前記加熱物が得られるまでの間に、典型的には、銀インク組成物に泡立ちが見られるが、本工程の終了時までに、この泡立ちは消失し、さらに前記加熱物が固化していないことにより、泡立ちのために生じた前記加熱物の表面の荒れが低減され、前記加熱物と第１部材との接触面積、及び、前記加熱物と第２部材との接触面積、が増大するためではないかと推測される。
【００６９】
予備加熱工程で得られた前記加熱物は、典型的には、金属銀に特有の光沢を有しておらず、例えば、暗緑色である。このような外見上の特徴からも、前記加熱物は、高純度の金属銀を主たる構成材料とはしていない。
【００７０】
＜接合工程＞
予備加熱工程後、前記接合工程においては、前記銀インク組成物の加熱物を介在させて、前記第１部材と前記第２部材とを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、前記第１部材と前記第２部材とを、金属銀によって接合する。
前記銀インク組成物は、金属銀の形成材料であり、本工程においては、その焼成により固化して、最終的に金属銀を形成し、第１部材と第２部材とを接合する。
【００７１】
接合工程においては、第１部材と、前記加熱物と、第２部材と、がこの順に積層された複合物に対して、第１部材から第２部材へ向かう方向の圧力、及び、第２部材から第１部材へ向かう方向の圧力、のいずれか一方又は両方を加えることにより、第１部材と第２部材とを圧着できる。
【００７２】
前記複合物に対して、第１部材から第２部材へ向かう方向の圧力を加える場合には、この方向において、第２部材を固定した状態で、前記圧力を加えることが好ましい。
前記複合物に対して、第２部材から第１部材へ向かう方向の圧力を加える場合には、この方向において、第１部材を固定した状態で、前記圧力を加えることが好ましい。
【００７３】
上述の２方向の圧力は、公知の方法で加えればよい。
例えば、上述の２方向のうち、１方向のみに圧力を加える場合には、第１部材及び第２部材のいずれか一方の表面を、鉛直方向下向きとして、水平面上で前記複合物を固定し、第１部材及び第２部材の他方の表面を、鉛直方向上向きとして、その上に錘を載置することにより、前記複合物に１方向のみから圧力を加えることができる。
ここでは、第１部材及び第２部材のいずれか一方に対して、錘の載置によって圧力を加える場合について説明したが、他の押圧手段によって圧力を加えてもよい。
また、ここでは、第１部材及び第２部材の表面を鉛直方向にむけて、前記複合物を配置する場合について説明したが、鉛直方向ではなく、水平方向をはじめとする他の方向にむけて、前記複合物を配置してもよい。
【００７４】
接合工程において、前記加熱物を介在させて、第１部材と第２部材とを圧着するときの圧力（本明細書においては、「圧着圧力」と略記することがある）は、特に限定されないが、０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．４ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．６ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。前記圧着圧力が前記下限値以上であることで、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる。
【００７５】
接合工程において、前記圧着圧力の上限値は、特に限定されない。圧着をより容易に行える点では、前記圧着圧力は、３ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００７６】
接合工程において、前記圧着圧力は、上述のいずれかの下限値と、上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、前記圧着圧力は、０．２〜３ＭＰａ、０．４〜３ＭＰａ、及び０．６〜３ＭＰａのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記圧着圧力の一例である。
【００７７】
接合工程において、前記圧着圧力は、圧着開始時から圧着終了時までの間、一定としてもよいし、一定としなくてもよい。
前記圧着圧力を一定としない場合には、圧着圧力を一貫して上昇させてもよい（換言すると、変化させないこと及び低下させること、をいずれも行わなくてもよい）し、変化させない時間を設けてもよいし、低下させる時間を設けてもよい。なかでも、前記圧着圧力は、必ず上昇させるか又は変化させないこと（換言すると、全く低下させないこと）が好ましい。
【００７８】
接合工程においては、前記加熱物の焼成により、金属銀が形成される。
接合工程における前記加熱物の焼成は、前記加熱物のさらなる加熱により、行うことができる。このときの加熱は、前記予備加熱工程において銀インク組成物に対して行う加熱の場合と、同じ方法で行うことができる。
【００７９】
接合工程において、前記加熱物の焼成開始時の温度は、例えば、常温など、予備加熱工程終了時の温度よりも低い温度であってもよいが、予備加熱工程終了時の温度以上であることが好ましい。
【００８０】
接合工程における前記加熱物の焼成温度は、例えば、１７０℃以上、２２０℃以上、及び２７０℃以上のいずれかであってもよい。
【００８１】
接合工程における前記加熱物の焼成温度の上限値は、特に限定されない。例えば、工程時間を短縮し、かつ過剰な高温を回避する点では、前記焼成温度は、３５０℃以下であることが好ましく、３２０℃以下であることがより好ましい。このように焼成温度を比較的低くできる理由は、銀インク組成物として、比較的限られた範囲内の配合成分を用いているからである。
【００８２】
接合工程における前記加熱物の焼成温度は、上述のいずれかの下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、前記焼成温度は、１７０〜３５０℃、２２０〜３５０℃、及び２７０〜３５０℃のいずれかであってもよい。
また、一実施形態において、前記焼成温度は、１７０〜３２０℃、２２０〜３２０℃、及び２７０〜３２０℃のいずれかであってもよい。
ただし、これらは、前記焼成温度の一例である。
【００８３】
接合工程において、前記加熱物の焼成時における昇温速度は、特に限定されないが、５〜５０℃／分であることが好ましく、５〜４５℃／分であることがより好ましく、５〜４０℃／分であることがさらに好ましい。
【００８４】
接合工程において、前記加熱物の焼成時間は、特に限定されないが、１分〜２４時間であることが好ましく、５分〜１２時間であることがより好ましく、１０分〜２時間であることがさらに好ましい。
【００８５】
接合工程においては、その終了時までに、前記加熱物の焼成温度を一貫して上昇させてもよい（換言すると、一定とすること及び低下させること、をいずれも行わなくてもよい）し、一定とする時間を設けてもよいし、低下させる時間を設けてもよい。
なかでも、接合工程の開始時から終了時までの間は、前記加熱物の焼成温度を、必ず上昇させるか又は一定とすること（換言すると、全く低下させないこと）が好ましく、例えば、接合工程の開始時から前記加熱物の焼成温度を一貫して上昇させたのち、そこで到達した最高温度を、接合工程の終了時まで、一定時間保持してもよい。その場合、前記加熱物の焼成温度を一定時間保持する時間は、５〜６０分であることが好ましく、１０〜５０分であることがより好ましく、１５〜４０分であることがさらに好ましい。
【００８６】
接合工程は、常圧下、減圧下及び加圧下のいずれで行ってもよい。
また、接合工程は、例えば、大気雰囲気下及び不活性ガス雰囲気下のいずれで行ってもよい。前記不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が挙げられる。
接合工程は、第１部材、第２部材及び焼成物（すなわち金属銀）の酸化反応を抑制できる条件で行う場合、減圧下又は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。接合工程は、例えば、酸化反応の抑制効果が高い点では、不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、低コストである点では、減圧下で行うことが好ましい。
【００８７】
前記加熱物を焼成して形成された導電性接合部（換言すると金属銀）の厚さは、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましく、２５μｍ以上であることがさらに好ましい。前記導電性接合部の厚さが前記下限値以上であることで、金属製部材接合体の接合強度がより高くなる。さらに、厚さが２０μｍ以上である導電性接合部は、その形成がより容易である。
なお、本明細書において、「導電性接合部の厚さ」とは、「導電性接合部の、第１部材と第２部材との接合方向における厚さ」を意味する。
【００８８】
前記導電性接合部の厚さの上限値は、特に限定されない。過剰な厚さとなることを避ける点では、前記導電性接合部の厚さは、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００８９】
前記導電性接合部の厚さは、上述のいずれかの下限値と、上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、前記導電性接合部の厚さは、１０〜１００μｍ、２０〜１００μｍ、及び２５〜１００μｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記導電性接合部の厚さの一例である。
【００９０】
前記導電性接合部の厚さは、例えば、焼成前の前記加熱物の厚さによって、決定される。
典型的には、前記導電性接合部の厚さは、焼成前の前記加熱物の厚さに対して、好ましくは４〜１６％、より好ましくは６〜１４％、さらに好ましくは８〜１２％とすることが可能である。ただし、これらは、導電性接合部の厚さと、焼成前の前記加熱物の厚さと、の関係の一例である。
【００９１】
本実施形態においては、（Ｃ１）第１部材と第２部材との圧着を開始してから、前記加熱物の焼成を開始してもよい（本明細書においては、「圧着焼成方法（Ｃ１）」と称することがある）し、（Ｃ２）前記加熱物の焼成を開始してから、第１部材と第２部材との圧着を開始してもよい（本明細書においては、「圧着焼成方法（Ｃ２）」と称することがある）し、（Ｃ３）第１部材と第２部材との圧着と、前記加熱物の焼成と、を同時に開始してもよく（本明細書においては、「圧着焼成方法（Ｃ３）」と称することがある）、上述の圧着と焼成の開始のタイミングは、任意に選択できる。
【００９２】
これらの中でも、接合強度がより高い金属製部材接合体が得られる点では、圧着焼成方法（Ｃ１）又は（Ｃ３）を採用することが好ましく、圧着焼成方法（Ｃ１）を採用することがより好ましい。
【００９３】
接合工程においては、前記加熱物を介在させた、第１部材と第２部材との圧着によって、導電性接合部の接合強度が顕著に増大する。従来とは異なり、バインダー等の樹脂成分を含有しない導電性接合部において、このように接合強度が増大するのは、全く意外であるといえる。このような優れた効果を奏する理由は、定かではないが、第１部材と、焼成中の前記加熱物と、第２部材と、の積層構造体が、これらの厚さ方向において相互に圧着されることにより、焼成中の前記加熱物において、空隙部の体積が減少して密度が増大し、その結果、焼成物（導電性接合部）の強度が向上するためではないかと推測される。
【００９４】
本実施形態で得られる金属製部材接合体の、導電性接合部の強度は、例えば、ダイシェア強度の測定値によって評価できる。
ダイシェア強度は、ＪＩＳ  Ｃ６２１３７−１−２：２０１０（横押しせん断強度試験、ＩＥＣ  ６２１３７−１−２：２００７）に準拠して、測定できる。すなわち、金属製部材接合体において、導電性接合部によって接合されている第１部材及び第２部材のいずれか一方を固定し、他方に対して、第１部材、導電性接合部及び第２部材の積層方向に対して直交する方向（換言すると、これらの積層面に対して平行な方向）の力を加え、これら（第１部材、導電性接合部及び第２部材）の積層構造体が破壊されたときに加えられていた上述の力を、ダイシェア強度として採用する。
【００９５】
本実施形態において、金属製部材接合体のダイシェア強度は、１５ＭＰａ以上であることが好ましく、例えば、２２．５ＭＰａ以上、２７．５ＭＰａ以上、及び３２．５ＭＰａ以上のいずれかであってもよい。
【００９６】
本実施形態において、金属製部材接合体のダイシェア強度の上限値は、特に限定されない。例えば、金属製部材接合体の製造が容易である点では、前記ダイシェア強度は、５０ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００９７】
前記ダイシェア強度は、上述のいずれかの下限値と、上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。
例えば、一実施形態において、前記ダイシェア強度は、１５〜５０ＭＰａ、２２．５〜５０ＭＰａ、２７．５〜５０ＭＰａ、及び３２．５〜５０ＭＰａのいずれかであってもよい。ただし、これらは、前記ダイシェア強度の一例である。
【００９８】
＜他の工程＞
本実施形態の金属製部材の接合方法は、本発明の効果を損なわない範囲で、前記予備加熱工程と、前記接合工程と、のいずれにも該当しない、他の工程を有していてもよい。
前記他の工程は、特に限定されず、目的に応じて任意に選択できる。
前記他の工程を行うタイミングも、目的に応じて任意に選択でき、例えば、予備加熱工程の前、予備加熱工程と接合工程との間、及び、接合工程の後、のいずれであってもよい。
【００９９】
＜金属製部材の接合方法の例＞
図１は、本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法の一例を、模式的に説明するための断面図である。
なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
【０１００】
図１は、組み合わせ（Ａ１）と予備加熱方法（Ｂ１）を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（１−１）」と称することがある）を模式的に説明するための断面図である。
すなわち、接合方法（１−１）の予備加熱工程においては、図１（ａ）に示すように、表面に銀インク組成物１３０が付着している第１部材１１と、表面に銀インク組成物が付着していない第２部材１２と、の組み合わせを用いる。銀インク組成物１３０は、第１部材１１の一方の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１１ａに付着している。
【０１０１】
接合方法（１−１）の予備加熱工程においては、このように、第１部材１１の第１面１１ａに付着している銀インク組成物１３０を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図１（ｂ）に示すように、銀インク組成物１３０の加熱物１３０’を得る。
【０１０２】
次いで、接合方法（１−１）の接合工程においては、図１（ｃ）に示すように、銀インク組成物の加熱物１３０’を介在させて、第１部材１１と第２部材１２とを圧着しながら、前記加熱物１３０’を焼成する。このとき、第１部材１１と、前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体を圧着するために加える力は、力Ｐ１及び力Ｐ２のいずれか一方又は両方とすることができる。このとき、第２部材１２の第１部材１１側の面（本明細書においては、「第１面」と称することがある）１２ａが、前記加熱物１３０’と接触する。
【０１０３】
このように予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、図１（ｄ）に示すように、第１部材１１及び第２部材１２が金属銀（換言すると導電性接合部）１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１０４】
図２は、本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法の他の例を、模式的に説明するための断面図である。
なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１０５】
図２は、組み合わせ（Ａ２）と予備加熱方法（Ｂ１）を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（２−１）」と称することがある）を模式的に説明するための断面図である。
すなわち、接合方法（２−１）の予備加熱工程においては、図２（ａ）に示すように、表面に銀インク組成物が付着していない第１部材１１と、表面に銀インク組成物１３０が付着している第２部材１２と、の組み合わせを用いる。銀インク組成物１３０は、第２部材１２の第１面１２ａに付着している。
【０１０６】
接合方法（２−１）の予備加熱工程においては、このように、第２部材１２の第１面１２ａに付着している銀インク組成物１３０を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図２（ｂ）に示すように、銀インク組成物１３０の加熱物１３０’を得る。
【０１０７】
次いで、接合方法（２−１）の接合工程においては、図２（ｃ）に示すように、銀インク組成物の加熱物１３０’を介在させて、第１部材１１と第２部材１２とを圧着しながら、前記加熱物１３０’を焼成する。このとき、第１部材１１の第２部材１２側の面、すなわち第１面１１ａが、前記加熱物１３０’と接触する。
本工程は、第１部材１１と、前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体を形成した後は、図１を参照して説明した接合方法（１−１）の場合と同じ方法で行うことができる。
【０１０８】
このように予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、図２（ｄ）に示すように、第１部材１１及び第２部材１２が金属銀（換言すると導電性接合部）１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１０９】
図３は、本発明の一実施形態に係る金属製部材の接合方法のさらに他の例を、模式的に説明するための断面図である。
図３は、組み合わせ（Ａ３）と予備加熱方法（Ｂ１）を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（３−１）」と称することがある）を模式的に説明するための断面図である。
すなわち、接合方法（３−１）の予備加熱工程においては、図３（ａ）に示すように、表面に銀インク組成物１３０が付着している第１部材１１と、表面に銀インク組成物１３０が付着している第２部材１２と、の組み合わせを用いる。銀インク組成物１３０は、第１部材１１の第１面１１ａと、第２部材１２の第１面１２ａと、の両方に付着している。これら銀インク組成物１３０，１３０は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１１０】
接合方法（３−１）の予備加熱工程においては、このように、第１部材１１の第１面１１ａに付着している銀インク組成物１３０と、第２部材１２の第１面１２ａに付着している銀インク組成物１３０と、をいずれも、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図３（ｂ）に示すように、それぞれ銀インク組成物１３０の加熱物１３０’を得る。
【０１１１】
次いで、接合方法（３−１）の接合工程においては、図３（ｃ）に示すように、２層の銀インク組成物の加熱物１３０’，１３０’を介在させて、第１部材１１と第２部材１２とを圧着しながら、前記加熱物１３０’，１３０’を焼成する。このとき、第１部材１１の第１面１１ａ上の前記加熱物１３０’と、第２部材１２の第１面１２ａ上の前記加熱物１３０’と、が接触する。
本工程は、このような第１部材１１と、２層の前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体を形成した後は、圧着の対象物がこの積層構造体である点を除けば、図１を参照して説明した接合方法（１−１）の場合と同じ方法で行うことができる。
【０１１２】
このように予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、図３（ｄ）に示すように、第１部材１１及び第２部材１２が、２層の金属銀（層）１３、換言すると導電性接合部２３、を介して接合された金属製部材接合体２が得られる。
【０１１３】
ここでは、金属製部材接合体２中の導電性接合部２３として、便宜上、２層で構成されたものを示している。接合方法（３−１）においては、第１部材１１に当初付着している銀インク組成物１３０と、第２部材１２に当初付着している銀インク組成物１３０と、が互いに異なる種類である場合には、このような２層で構成された導電性接合部２３となる。これに対して、第１部材１１に当初付着している銀インク組成物１３０と、第２部材１２に当初付着している銀インク組成物１３０と、が互いに同じ種類である場合には、このような２層で構成された導電性接合部２３となることもあるし、１層の導電性接合部（例えば、図１〜図２に示す導電性接合部１３と同様の導電性接合部）となることもある。
【０１１４】
ここまでは、予備加熱工程において、予備加熱方法（Ｂ１）を選択した場合の、金属製部材の接合方法について説明したが、上述の製造方法において、予備加熱方法（Ｂ２）又は（Ｂ３）を選択することもできる。
【０１１５】
図４は、組み合わせ（Ａ１）と予備加熱方法（Ｂ２）を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（１−２）」と称することがある）を、模式的に説明するための断面図である。
すなわち、接合方法（１−２）の予備加熱工程においては、接合方法（１−１）の場合と同様に、図１（ａ）に示すように、表面に銀インク組成物１３０が付着している第１部材１１と、表面に銀インク組成物が付着していない第２部材１２と、の組み合わせを用いる。
【０１１６】
接合方法（１−２）の予備加熱工程においては、次いで、図４（ｂ）に示すように、第１部材１１の第１面１１ａに付着している銀インク組成物１３０を介して、第１部材１１及び第２部材１２を接触させる。そして、このように第１部材１１、銀インク組成物１３０及び第２部材１２を重ねてから、銀インク組成物１３０を、６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図４（ｃ）に示すように、銀インク組成物１３０の加熱物１３０’を得る。これにより、図１（ｃ）に示すものと同様の状態の、第１部材１１と、前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体が得られる。
【０１１７】
次いで、接合方法（１−２）の接合工程においては、図４（ｃ）に示すように、接合方法（１−１）の場合と同じ方法で、銀インク組成物の加熱物１３０’を介在させて、第１部材１１と第２部材１２とを圧着しながら、前記加熱物１３０’を焼成する。
【０１１８】
このように予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、図４（ｄ）に示すように、第１部材１１及び第２部材１２が金属銀（換言すると導電性接合部）１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１１９】
図５は、組み合わせ（Ａ１）と予備加熱方法（Ｂ３）を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（１−３）」と称することがある）を、模式的に説明するための断面図である。
すなわち、接合方法（１−３）の予備加熱工程においては、接合方法（１−１）の場合と同様に、図５（ａ）に示すように、表面に銀インク組成物１３０が付着している第１部材１１と、表面に銀インク組成物が付着していない第２部材１２と、の組み合わせを用いる。
【０１２０】
接合方法（１−３）の予備加熱工程においては、このように、第１部材１１の第１面１１ａに付着している銀インク組成物１３０に対して、６０℃以上の温度で固化させないように、図５（ｂ）に示すように、加熱を開始する。ここでは、前記加熱物１３０’となる前の、加熱の途中段階の銀インク組成物に、符号１３０１を付している。
【０１２１】
次いで、接合方法（１−３）の予備加熱工程においては、図５（ｃ）に示すように、本工程の途中で、加熱中の銀インク組成物１３０１を介して、第１部材１１及び第２部材１２を接触させる。このように接触させるときの加熱中の銀インク組成物１３０１の温度は、６０℃未満であってもよいし、６０℃以上であってもよい。
【０１２２】
次いで、接合方法（１−３）の予備加熱工程においては、このように、第１部材１１及び第２部材１２に付着している、加熱中の銀インク組成物１３０１を、さらに６０℃以上の温度で固化させずに加熱することにより、図５（ｄ）に示すように、銀インク組成物１３０の加熱物１３０’を得る。
【０１２３】
次いで、接合方法（１−３）の接合工程においては、図５（ｅ）に示すように、接合方法（１−１）の場合と同じ方法で、銀インク組成物の加熱物１３０’を介在させて、第１部材１１と第２部材１２とを圧着しながら、前記加熱物１３０’を焼成する。
【０１２４】
このように予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、図５（ｆ）に示すように、第１部材１１及び第２部材１２が金属銀（換言すると導電性接合部）１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１２５】
ここまでは、組み合わせ（Ａ１）と予備加熱方法（Ｂ１）〜（Ｂ３）を選択した場合の、金属製部材の接合方法について説明したが、組み合わせ（Ａ２）又は（Ａ３）と、予備加熱方法（Ｂ１）、（Ｂ２）又は（Ｂ３）と、を選択することもできる。
【０１２６】
ここまでに、図１〜図５を参照して説明した接合方法では、接合工程における、銀インク組成物の加熱物を介在させた、第１部材と第２部材との圧着の開始のタイミングと、前記加熱物の焼成の開始のタイミングと、の前後関係については、具体的に説明していない。本実施形態において、これらの前後関係は、先に圧着焼成方法（Ｃ１）〜（Ｃ３）として説明したとおり、任意に選択できる。
【０１２７】
以下、図１を参照して説明した接合方法（１−１）を例に挙げて、より具体的に説明する。
図６は、組み合わせ（Ａ１）と、予備加熱方法（Ｂ１）と、圧着焼成方法（Ｃ１）と、を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（１−１−１）」と称することがある）における接合工程を、模式的に説明するための断面図である。
【０１２８】
接合方法（１−１−１）の接合工程においては、図１（ｃ）に示すものと同様に、図６（ａ）に示すように、第１部材１１と、前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体を得る。
次いで、図６（ｂ）に示すように、この積層構造体の圧着を開始する。
【０１２９】
次いで、接合方法（１−１−１）の接合工程においては、図６（ｃ）に示すように、前記加熱物１３０’の焼成を開始する。ここでは、導電性接合部１３となる前の、焼成の途中段階（焼成の開始段階を含む）の前記加熱物に、符号１３０１’を付している。
【０１３０】
このように接合工程を行うことにより、図６（ｄ）に示すように、図１（ｄ）に示すものと同様に、第１部材１１及び第２部材１２が導電性接合部１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１３１】
図７は、組み合わせ（Ａ１）と、予備加熱方法（Ｂ１）と、圧着焼成方法（Ｃ２）と、を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（１−１−２）」と称することがある）における接合工程を、模式的に説明するための断面図である。
【０１３２】
接合方法（１−１−２）の接合工程においては、図１（ｃ）に示すものと同様に、図７（ａ）に示すように、第１部材１１と、前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体を得る。
次いで、図７（ｂ）に示すように、前記加熱物１３０’の焼成を開始する。ここでも、導電性接合部１３となる前の、焼成の途中段階（焼成の開始段階を含む）の前記加熱物に、符号１３０１’を付している。
【０１３３】
次いで、接合方法（１−１−２）の接合工程においては、図７（ｃ）に示すように、第１部材１１と、焼成の途中段階の前記加熱物１３０１’と、第２部材１２と、の積層構造体の圧着を開始する。
【０１３４】
このように接合工程を行うことにより、図７（ｄ）に示すように、図１（ｄ）に示すものと同様に、第１部材１１及び第２部材１２が導電性接合部１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１３５】
図８は、組み合わせ（Ａ１）と、予備加熱方法（Ｂ１）と、圧着焼成方法（Ｃ３）と、を選択した場合の、金属製部材の接合方法（本明細書においては、「接合方法（１−１−３）」と称することがある）における接合工程を、模式的に説明するための断面図である。
【０１３６】
接合方法（１−１−３）の接合工程においては、図１（ｃ）に示すものと同様に、図８（ａ）に示すように、第１部材１１と、前記加熱物１３０’と、第２部材１２と、の積層構造体を得る。
次いで、図８（ｂ）に示すように、前記加熱物１３０’の焼成と、前記積層構造体の圧着と、を同時に開始する。ここでは、前記積層構造体の圧着開始時に加える力に対して、符号Ｐ１１及び符号Ｐ２１を付し、焼成開始時の前記加熱物に対して、符号１３０２’を付している。
【０１３７】
このように接合工程を行うことにより、図８（ｃ）に示すように、図１（ｄ）に示すものと同様に、第１部材１１及び第２部材１２が導電性接合部１３を介して接合された金属製部材接合体１が得られる。
【０１３８】
ここまでは、組み合わせ（Ａ１）と、予備加熱方法（Ｂ１）と、圧着焼成方法（Ｃ１）〜（Ｃ３）と、を選択した場合の、金属製部材の接合方法について説明したが、組み合わせ（Ａ２）又は（Ａ３）と、予備加熱方法（Ｂ１）、（Ｂ２）又は（Ｂ３）と、圧着焼成方法（Ｃ１）、（Ｃ２）又は（Ｃ３）と、を選択することもできる。
【０１３９】
ここまでは、本実施形態の金属製部材の接合方法として、１つの第１部材と１つの第２部材とを、１つの金属銀（導電性接合部）で接合する場合について説明したが、本実施形態の金属製部材の接合方法においては、１つの第１部材と１つの第２部材とを、２つ以上の金属銀（導電性接合部）で接合してもよい。
また、本実施形態の金属製部材の接合方法においては、１つの第１部材と２つ以上の第２部材とを、１つの金属銀（導電性接合部）で接合してもよい。その場合、２つ以上の第２部材は、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ異なっていてもよい。
また、本実施形態の金属製部材の接合方法においては、１つの第１部材と２つ以上の第２部材とを、２つ以上の金属銀（導電性接合部）で接合してもよい。その場合、第２部材の数と金属銀（導電性接合部）の数とは、同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、２つ以上の第２部材は、すべて同一であってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ異なっていてもよい。
ここで例示した、第１部材の数と第２部材の数とは、逆であってもよい。
次いで、本実施形態で用いる銀インク組成物について、詳細に説明する。
【０１４０】
＜銀インク組成物＞
前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀と、前記アミン化合物と、ギ酸と、が配合されてなる。
銀インク組成物は、バインダー等の樹脂成分を含有しないものが好ましく、前記カルボン酸銀が、その配合時に均一に分散されたものがより好ましい。
【０１４１】
前記カルボン酸銀を用いることで、これから金属銀が生じ、この金属銀を主成分として含む導電性接合部が形成される。この場合の導電性接合部においては、好ましくは前記樹脂成分を用いないことにより、導電性接合部が見かけ上、金属銀だけからなるとみなし得る程度に、金属銀の割合を十分に高くすることができる。この場合、例えば、導電性接合部の総質量に対する、導電性接合部中の金属銀の合計質量の割合を、例えば、９７質量％以上、９８質量％以上、及び９９質量％以上のいずれかとすることが可能である。前記割合の上限値は、例えば、１００質量％、９９．９質量％、９９．８質量％、９９．７質量％、９９．６質量％、９９．５質量％、９９．４質量％、９９．３質量％、９９．２質量％及び９９．１質量％のいずれかとすることができるが、これらは一例である。
【０１４２】
［カルボン酸銀］
前記カルボン酸銀は、カルボン酸の銀塩であり、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有する。
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、カルボン酸銀１分子中の、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみであってもよいし、２個以上であってもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も、特に限定されない。
【０１４３】
本実施形態において、前記カルボン酸銀は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１４４】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される１種又は２種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【０１４５】
【化２】
2020193318.tif 000003
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基であり；
Ｙ１はそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【０１４６】
【化３】
2020193318.tif 000004
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【０１４７】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ１−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ１−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基である。
【０１４８】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれであってもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれであってもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれであってもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。
【０１４９】
Ｒにおける直鎖状又は分岐鎖状の前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１，２，３−トリメチルペンチル基、１，２，４−トリメチルペンチル基、２，３，４−トリメチルペンチル基、２，４，４−トリメチルペンチル基、１，４，４−トリメチルペンチル基、３，４，４−トリメチルペンチル基、１，１，２−トリメチルペンチル基、１，１，３−トリメチルペンチル基、１，１，４−トリメチルペンチル基、１，２，２−トリメチルペンチル基、２，２，３−トリメチルペンチル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、１，３，３−トリメチルペンチル基、２，３，３−トリメチルペンチル基、３，３，４−トリメチルペンチル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。
【０１５０】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
このような前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等が挙げられる。
【０１５１】
Ｒにおける前記アルキニル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基等が挙げられる。
このような前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等が挙げられる。
【０１５２】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、前記脂肪族炭化水素基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【０１５３】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【０１５４】
ＲにおけるＹ１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ１２−」、「ＣＹ１３−」及び「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」においては、それぞれ複数個のＹ１は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１５５】
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）である。Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基である。Ｒ３における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、Ｒ４及びＲ５における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基である。Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【０１５６】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ１２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【０１５７】
一般式（１）において、Ｘ１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘ１における炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
【０１５８】
Ｘ１におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｘ１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい。好ましい前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びベンジル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１５９】
Ｘ１におけるＲ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、Ｒ７におけるフェニル基及びジフェニル基が有する前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられる。置換基を有する前記フェニル基及びジフェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれであってもよい。
【０１６０】
一般式（１）において、２個のＸ１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよい。このようなＸ１としては、例えば、式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基等が挙げられる。
【０１６１】
Ｘ１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ１が水素原子であることが好ましい。
【０１６２】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。
【０１６３】
β−ケトカルボン酸銀（１）を用いて、銀インク組成物の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）においては、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。このような導電体においては、原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【０１６４】
β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成できる。そして、β−ケトカルボン酸銀（１）は、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【０１６５】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１６６】
（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される。
式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）又は式「−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【０１６７】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の前記メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【０１６８】
カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【０１６９】
カルボン酸銀（４）を用いた場合にも、β−ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合と同様に、銀インク組成物の乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された導電体（金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。そして、カルボン酸銀（４）は、還元剤と併用することで、より低温で分解して金属銀を形成する。
【０１７０】
本発明において、カルボン酸銀（４）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１７１】
前記カルボン酸銀は、β−ケトカルボン酸銀（１）であることが好ましい。
そして、これらβ−ケトカルボン酸銀（１）の中でも、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、イソブチリル酢酸銀及びピバロイル酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。
【０１７２】
銀インク組成物の総質量に対する、銀インク組成物中の前記カルボン酸銀に由来する銀の合計質量の割合は、５質量％以上であることが好ましく、８質量％以上であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、形成された導電層（銀層）は、より優れた品質となる。前記割合の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、銀インク組成物の取り扱い性等を考慮すると、２５質量％であることが好ましい。
なお、本明細書において、「カルボン酸銀に由来する銀」とは、特に断りの無い限り、銀インク組成物の製造時に配合されたカルボン酸銀中の銀と同義であり、配合後も引き続きカルボン酸銀を構成している銀と、配合後にカルボン酸銀の分解で生じた分解物中の銀と、配合後にカルボン酸銀の分解で生じた銀そのもの（金属銀）と、のすべてを含む概念とする。
【０１７３】
［アミン化合物］
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であるものが好ましく、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれであってもよい。
前記アミン化合物は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。
なお、本明細書において、「直鎖状のアミン化合物」とは、「主鎖が直鎖状であるアミン化合物」を意味し、「分岐鎖状のアミン化合物」とは、「主鎖が分岐鎖状であるアミン化合物」を意味し、「環状のアミン化合物」とは、「主鎖が環状であるアミン化合物」を意味する。そして、「主鎖」とは、後述するアミン部位（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２））が直接結合している鎖状構造を意味する。
【０１７４】
前記アミン化合物は、アミン部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ２）を構成する窒素原子）の数は１個であってもよいし、２個以上であってもよい。
【０１７５】
前記第１級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。
【０１７６】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよく、このようなアルキル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。前記アルキル基は、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン等が挙げられる。
【０１７７】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。前記アリール基の炭素数は、６〜１０であることが好ましい。
【０１７８】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有し、前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子等が挙げられる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個であってもよいし、２個以上であってもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じであってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれであってもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【０１７９】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、例えば、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、フラニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、チエニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、例えば、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、例えば、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、例えば、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基等が挙げられ、このようなヘテロアリール基は、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【０１８０】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、例えば、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたもの等が挙げられる。
前記ジアミンの炭素数は、１〜１０であることが好ましい。より好ましい前記ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン等が挙げられる。
【０１８１】
前記第２級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。
【０１８２】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン１分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン等が挙げられる。
【０１８３】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン１分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１８４】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン１分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１８５】
前記第３級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が挙げられる。
【０１８６】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン１分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じであってもよいし、すべてが異なっていてもよいし、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
【０１８７】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン１分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【０１８８】
ここまでは、主に鎖状のアミン化合物について説明したが、前記アミン化合物は、アミン部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンであってもよい。このときの環（アミン部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれであってもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
好ましい環状アミンとしては、例えば、ピリジン等が挙げられる。
【０１８９】
前記第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンにおいて、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。このときの置換基の数は特に限定されず、１個であってもよいし、２個以上であってもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じであってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【０１９０】
前記アミン化合物における前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１９１】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、例えば、２−ブロモベンジルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１９２】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、前記アリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基であることが好ましい。このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、例えば、ブロモフェニルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【０１９３】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、例えば、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が挙げられる。
【０１９４】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。
【０１９５】
本実施形態において、前記アミン化合物は、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。
【０１９６】
本実施形態において、前記アミン化合物は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１９７】
銀インク組成物において、アミン化合物の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．３〜１５モルであることが好ましく、０．３〜１２モルであることがより好ましく、０．３〜８モルであることが特に好ましく、例えば、０．３〜５モル、０．３〜３モル、及び０．３〜１．５モルのいずれかであってもよい。アミン化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、金属銀の品質がより向上する。
【０１９８】
［ギ酸］
銀インク組成物において、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．０４〜３．５モルであることが好ましく、０．０６〜２．５モルであることがより好ましく、例えば、０．０８〜１．５モル、及び０．１〜１モルのいずれかであってもよい。ギ酸の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物は、より容易に、より安定して金属銀を形成できる。
【０１９９】
［他の成分］
銀インク組成物は、前記カルボン酸銀と、前記アミン化合物と、ギ酸と、のいずれにも該当しない、他の成分が配合されてなるものであってもよい。
前記他の成分は、特に限定されず、目的に応じて任意に選択できる。
前記他の成分としては、例えば、アルコール、アルコール以外の溶媒（本明細書においては、単に「溶媒」と称することがある）等が挙げられる。
【０２００】
本実施形態においては、前記他の成分を用いる場合、前記他の成分は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０２０１】
（アルコール）
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
【０２０２】
【化４】
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（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【０２０３】
・アセチレンアルコール（２）
アセチレンアルコール（２）は、前記一般式（２）で表される。
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。
【０２０４】
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、例えば、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が挙げられる。これら前記置換基は、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様のものである。そして、置換基を有する前記フェニル基において、前記置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０２０５】
Ｒ’及びＲ’’は、水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【０２０６】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、例えば、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、２−プロピン−１−オール、４−エチル−１−オクチン−３−オール、３−エチル−１−ヘプチン−３−オール等が挙げられる。
【０２０７】
前記アルコールは、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０２０８】
（溶媒）
前記溶媒は、アルコール以外のもの（水酸基を有しないもの）であれば、特に限定されない。
ただし、前記溶媒は、常温で液状であるものが好ましい。
前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられる。
【０２０９】
銀インク組成物における前記他の成分の配合量は、前記他の成分の種類に応じて、適宜選択すればよい。
【０２１０】
例えば、前記他の成分としてアセチレンアルコール（２）を用いる場合、銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０１〜０．７モルであることが好ましく、０．０２〜０．５モルであることがより好ましく、０．０２〜０．３モルであることが特に好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。
【０２１１】
例えば、前記他の成分として前記溶媒を用いる場合、前記溶媒の配合量は、銀インク組成物の粘度等、目的に応じて選択すればよい。ただし通常は、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記溶媒の配合量の割合は、３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが特に好ましい。
【０２１２】
例えば、前記他の成分として、アセチレンアルコール（２）と、前記溶媒と、のいずれにも該当しない成分を用いる場合、銀インク組成物において、配合成分の総量に対する前記他の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
【０２１３】
配合成分の総量に対する前記他の成分の配合量の割合が０質量、すなわち他の成分を配合しなくても、銀インク組成物は十分にその効果を発現する。
【０２１４】
銀インク組成物においては、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。
【０２１５】
＜銀インク組成物の製造方法＞
前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀と、前記アミン化合物と、ギ酸と、必要に応じて前記他の成分と、を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られた配合物をそのまま銀インク組成物としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られた精製物を銀インク組成物としてもよい。本実施形態においては、上記の各成分の配合時において、金属銀の導電性を低下させる不純物の生成を抑制できる。この傾向は、特に前記カルボン酸銀としてβ−ケトカルボン酸銀（１）を用いた場合に顕著である。したがって、精製操作を行っていない前記銀インク組成物を用いても、十分な導電性を有する金属銀が得られる。
【０２１６】
各成分の配合順序は、特に限定されない。各成分の好ましい配合方法の一例としては、前記アミン化合物に前記カルボン酸銀を加えて、得られた混合物に、ギ酸を加える配合方法が挙げられる。
【０２１７】
各成分の配合時には、すべての成分を加えてからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次加えながら混合してもよく、すべての成分を順次加えながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用することが好ましい。
【０２１８】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、１０分〜３６時間であることが好ましい。
【０２１９】
＜＜金属製部材接合体＞＞
本発明の一実施形態に係る金属製部材接合体（第１の態様の金属製部材接合体）は、上述の金属製部材の接合方法により得られた金属製部材接合体であって、前記金属製部材接合体のダイシェア強度が１５ＭＰａ以上のものである。
本実施形態の金属製部材接合体と、そのダイシェア強度は、先に説明したとおりである。
【０２２０】
第１の態様の金属製部材接合体における導電性接合部（換言すると、前記銀インク組成物から形成された金属銀）は、前記銀インク組成物の配合成分である前記カルボン酸銀と、前記アミン化合物と、ギ酸と、前記他の成分と、のいずれかが分解して生じた分解物；前記カルボン酸銀と、前記アミン化合物と、ギ酸と、前記他の成分と、のいずれかが、前記分解物と反応して生じた化合物；前記カルボン酸銀と、前記アミン化合物と、ギ酸と、前記他の成分と、のいずれかが、互いに反応して生じた化合物等の、前記配合成分に由来する、極めて微量の不純物を含有し得る。この不純物の組成は、前記銀インク組成物の場合とは異なる必須成分の配合によって製造された、他の銀インク組成物から形成された金属銀の場合とは、明確に異なることを確認できる。
一方、前記接合工程における前記銀インク組成物の加熱物の焼成温度は、比較的低温とすることが可能である。これは、銀インク組成物として、上述の限られた範囲内の配合成分（前記カルボン酸銀、前記アミン化合物、ギ酸）を用いていることによる。
すなわち、第１の態様における金属銀中の不純物は、比較的低温で金属銀を形成（すなわち焼成）できるという有利な点を有する前記銀インク組成物の使用を反映している。
【０２２１】
本発明の一実施形態に係る金属製部材接合体（第２の態様の金属製部材接合体）は、金属製の第１部材と、金属製の第２部材と、が金属銀を介して接合されて、構成されており、前記第１部材及び第２部材のいずれか一方又は両方が、銅製であり、前記第１部材が銅製である場合には、前記金属製部材接合体は、前記第１部材と前記金属銀との間に、前記第１部材側から前記金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えており、前記第２部材が銅製である場合には、前記金属製部材接合体は、前記第２部材と前記金属銀との間に、前記第２部材側から前記金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えており、前記金属製部材接合体のダイシェア強度が１５ＭＰａ以上のものである。
第２の態様の金属製部材接合体も、上述の金属製部材の接合方法により得られる。
【０２２２】
前記第１部材が銅製である場合、第２の態様の金属製部材接合体は、銅製の第１部材、銀を主要構成元素とする層、銅及び酸素を主要構成元素とする層、及び金属銀がこの順に存在する積層構造を有する。
前記第２部材が銅製である場合、第２の態様の金属製部材接合体は、銅製の第２部材、銀を主要構成元素とする層、銅及び酸素を主要構成元素とする層、及び金属銀がこの順に存在する積層構造を有する。
これら積層構造は、銀元素と銅元素とが交互に配置されているという点で、全く意外なものである。
【０２２３】
上述の銅及び酸素を主要構成元素とする層においては、酸素は、例えば、酸化銅のような銅と反応した生成物として存在していてもよいし、銅と反応せずに単独で存在していてもよい。
【０２２４】
上述の「銀を主要構成元素とする層」とは、銀を含有していることによる性質を明確に示す程度に、銀を構成元素として含有する層を意味し、例えば、対象となる層において、全元素の総質量に対する、銀元素の質量の割合が５０質量％以上である層が挙げられる。
上述の「銅及び酸素を主要構成元素とする層」とは、銅及び酸素を含有していることによる性質を明確に示す程度に、銅及び酸素を構成元素として含有する層を意味し、例えば、対象となる層において、全元素の総質量に対する、銅元素及び酸素元素の合計質量の割合が５０質量％以上である層が挙げられる。
【０２２５】
このように、第２の態様の金属製部材接合体において、銅製の第１部材と金属銀、又は、銅製の第２部材と金属銀が、それぞれ単純に接触しているだけの構造ではなく、上記のような積層構造を有している理由は定かではないが、以下のように推測される。
すなわち、本実施形態の製造方法によって、特定範囲の組成を有する前記銀インク組成物を用い、前記予備加熱工程及び接合工程を行うことによって、銅製の第１部材又は銅製の第２部材と、銀インク組成物又はその加熱物と、が反応し、金属銀の銅製の第１部材中又は銅製の第２部材中への拡散、及び、銅製の第１部材中又は銅製の第２部材中の銅の金属銀中への拡散、のいずれか一方あるいは両方が生じるからであると推測される。そして、このような拡散は、銀インク組成物の配合成分であるギ酸の還元作用が関与している可能性がある。
したがって、銅製であるのが、第１部材及び第２部材のいずれであるかによらず、銀を主要構成元素とする層中の銀は、銀インク組成物又はその加熱物に由来すると推測される。
そして、銅製であるのが、第１部材及び第２部材のいずれであるかによらず、銅及び酸素を主要構成元素とする層中の銅は、銅製である第１部材又は第２部材に由来すると推測される。
【０２２６】
第２の態様の金属製部材接合体が上記のような積層構造を有していることは、金属製部材接合体のダイシェア強度が十分に大きいことと整合する。
【０２２７】
第２の態様の金属製部材接合体のダイシェア強度は１５ＭＰａ以上であり、第１の態様の金属製部材接合体のダイシェア強度と同様である。
【０２２８】
第２の態様の金属製部材接合体における前記積層構造は、例えば、金属製部材接合体において、その第１部材、金属銀及び第２部材の接合方向に対して平行な方向の断面を作製し、透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ、略称：ＴＥＭ）を用いてこの断面を観察したり、エネルギー分散型Ｘ線分光法（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、略称：ＥＤＳ又はＥＤＸ）によってこの断面を観察したりすることで、確認できる。
【０２２９】
本実施形態（第１の態様、第２の態様）の金属製部材接合体の用途は、特に限定されない。一例をあげると、前記金属製部材接合体は、回路基板中での電極同士の接合体として有用である。すなわち、前記金属製部材接合体を構成している金属製部材、すなわち前記第１部材及び第２部材の好ましい例としては、金属電極が挙げられる。
【０２３０】
＜＜回路基板＞＞
本発明の一実施形態に係る回路基板は、前記金属製部材接合体を有機基板上に備え、前記金属製部材が金属電極となっているものである。
先の説明のように、前記接合工程における前記銀インク組成物の加熱物の焼成温度は、比較的低温とすることが可能である。これは、銀インク組成物として、比較的限られた範囲内の配合成分を用いていることによる。
したがって、基板の構成材料として、比較的耐熱性が低い樹脂等の有機成分を含む有機基板を用い、その上の金属電極に対して、上述の金属製部材の接合方法を適用しても、品質上の問題点がない回路基板を製造できる。これに対して、金属製部材の接合時に極めて高い加熱温度を必要とする場合には、このような回路基板を製造できない。
【０２３１】
本実施形態の回路基板は、ダイシェア強度が１５ＭＰａ以上である上述の金属製部材接合体を備えている点以外は、公知の回路基板と同じ構成とすることができる。そして、上述の金属製部材接合体を用いる点以外は、公知の回路基板の場合と同じ方法で製造できる。
【実施例】
【０２３２】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０２３３】
［実施例１］
＜＜金属製部材接合体の製造＞＞
＜銀インク組成物の製造＞
液温が５０℃以下となるように、ビーカー中で２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して０．４倍モル量）に２−メチルアセト酢酸銀（１９．０ｇ）を添加して、メカニカルスターラーを用いて１５分撹拌することにより、液状物を得た。この液状物に、反応液の温度が５０℃以下となるように、ギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．７倍モル量）を３０分かけて滴下した。ギ酸の滴下終了後、２５℃にて反応液をさらに１．５時間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。
【０２３４】
各配合成分の種類と配合比を表１に示す。表１中、「アミン化合物（モル比）」とは、カルボン酸銀の配合量１モルあたりのアミン化合物の配合量（モル数）（［アミン化合物のモル数］／［カルボン酸銀のモル数］）を意味する。「ギ酸のモル比」も同様に、カルボン酸銀の配合量１モルあたりのギ酸の配合量（モル数）（［ギ酸のモル数］／［カルボン酸銀のモル数］）を意味する。
【０２３５】
＜金属製部材接合体の製造＞
前記第１部材又は第２部材として、大きさが１２ｍｍ×８ｍｍ×０．８ｍｍである銅板と、大きさが４ｍｍ×４ｍｍ×０．８ｍｍである銅チップと、を準備した。そして、水で濡らした耐水研磨紙（粒度２０００）（三共理化学社製）を用いて、これら（すなわち、銅板及び銅チップ）を研磨して、これらの表面を清浄にした。
次いで、大きさが４ｍｍ×４ｍｍである四角形状の領域が、２つ並列して型抜きされた、厚さが０．３ｍｍの金属製マスクを、清浄後の銅板に被せ、スクリーン印刷法により、このマスクを被せた銅板に対して、上記で得られた銀インク組成物をべた印刷した。
以上により、銅板の表面に、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．３ｍｍである直方体状の銀インク組成物の印刷層を、２つ並列して形成した。
【０２３６】
次いで、常圧下かつ大気雰囲気下において、ホットプレートを用いて、この印刷層を備えた銅板を、その印刷層を備えていない側から加熱し、５分かけてこの銅板及び印刷層の温度を１００℃まで上昇させて、さらに温度を１００℃のまま１分保持した（予備加熱工程）。この間、印刷層（すなわち銀インク組成物）は固化せず、流動性を維持しており、温度が１００℃に到達後は、泡立ちが認められた。この泡立ちは、銅板及び印刷層の温度を１００℃で１分保持し終わる前に消失した。以上により、銀インク組成物の加熱物を得た。
得られた前記加熱物は、金属銀に特有の光沢を有しておらず、暗緑色であった。
【０２３７】
このような、銅板上に銀インク組成物の加熱物を備えた第１積層体を、合計で２つ作製した。
そして、これら２つの第１積層体を、これらの長手方向を一致させて、並列に配置した。
【０２３８】
次いで、常圧下かつ大気雰囲気下において、直ちに、前記第１積層体中の銀インク組成物（印刷層）の加熱物の表面に前記銅チップを載置し、さらに、この銅チップの表面に質量５ｋｇの錘を載置した。このとき、１つの前記加熱物に対して、１つの銅チップを載置し、これらを上方から見下ろしたときに、前記加熱物と銅チップの外周部の位置が一致するようにした。また、４つの銅チップすべてに跨るように、１つの前記錘を載置し、この１つの錘によって、これら４つの銅チップに均等に圧力が加わるように、錘の配置位置を調節した。
以上により、銅板の表面に、前記加熱物、銅チップ及び錘を位置合わせして積層した第２積層体を作製した。第２積層体は、２枚の銅板と、４つの前記加熱物と、４枚の銅チップと、１つの錘とで、構成されていた。
このとき、１つの銅チップに、錘によって加えられる圧力は、０．８ＭＰａであった。
【０２３９】
次いで、常圧下かつ大気雰囲気下において、この状態の前記第２積層体の温度を、５分かけて３００℃まで上昇させて、さらに温度を３００℃のまま３０分保持した（接合工程）。換言すると、本工程では、前記加熱物を介在させて、銅板と銅チップを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、銅板と銅チップを金属銀によって接合した。
次いで、前記錘を取り除くことにより、銅板と銅チップが金属銀によって接合されて構成された、２つの金属製部材接合体を得た。これら接合体において、前記加熱物の焼成物、すなわち金属銀で構成された導電性接合部は、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．０３ｍｍの直方体状であった。
上記のように、本実施例では、組み合わせ（Ａ１）と、予備加熱方法（Ｂ１）と、圧着焼成方法（Ｃ１）と、を採用した。
【０２４０】
＜＜銀インク組成物の評価＞＞
＜銀インク組成物の粘度の測定＞
レオメータ（アントンパール社製「ＭＣＲ３０１」）を用いて、上記で得られた銀インク組成物について、２５℃でのせん断速度１０００／ｓにおける粘度を測定した。結果を表１に示す。
【０２４１】
＜銀インク組成物中の金属銀粒子の結晶子径の算出＞
Ｘ線回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ  ＡＸＳ，Ｄ８  ＤＩＳＣＯＶＥＲ  ｗｉｔｈ  ＧＡＤＤＳ）を用い、そのサンプルホルダー中に、上記で得られた銀インク組成物を充填して、銀インク組成物中の金属銀粒子について、下記測定条件でＸ線回折測定を行った。
次いで、得られたＸ線回折プロファイルのうち、最も強度が強い結晶面のピーク（２θ＝３８．１°）を用いて、上述のシェラーの式に基づいて結晶子径を算出した。結果を表１に示す。
（測定条件）
・入射側光学系
Ｘ線源：ＣｕＫ（波長１．５４２Å）
出力：５０ｋＶ、１００ｍＡ
モノクロメータ：多層膜ミラー
ビームサイズ：１０ｍｍ（Ｈ）×１．０ｍｍ（Ｗ）
・受光側光学系
平行ソーラースリットの分解能：０．１２°
検出器：シンチレーションカウンター
カメラ距離：１５ｃｍ
・走査条件
走査方法：−２（Ｌｏｃｋｅｄ  Ｃｏｕｐｌｅｄ）
走査速度：３ｄｉｇ／ｍｉｎ
インクリメント：０．０２°
【０２４２】
＜＜金属製部材接合体の評価＞＞
＜ダイシェア強度の測定＞
上記で得られた２つの金属製部材接合体について、試験機（Ｄａｇｅ社製「ボンドテスター４０００」）を用いて、ＪＩＳ  Ｃ６２１３７−１−２：２０１０（横押しせん断強度試験、ＩＥＣ  ６２１３７−１−２：２００７）に準拠して、ダイシェア強度を測定した。
この測定は、４つの銅チップごとに行い、４つの測定値の平均値を、最終的に金属製部材接合体のダイシェア強度として採用した。結果を表２に示す。
【０２４３】
＜接合状態の解析＞
集束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ、略称：ＦＩＢ）装置を用い、上記で得られた２つの金属製部材接合体のうちの１つを切断して、断面を露出させた。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、前記断面を観察した。このとき取得した撮像データを図９に示す。
このとき、さらに、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ、ＥＤＸ）によって、前記断面を観察した。このとき取得した撮像データのうち、銀元素の検出時の撮像データを図１０に示し、銅元素の検出時の撮像データを図１１に示し、酸素元素の検出時の撮像データを図１２に示す。
【０２４４】
［実施例２］
＜＜金属製部材接合体の製造＞＞
＜銀インク組成物の製造＞
実施例１の場合と同じ方法で、銀インク組成物を製造した。
【０２４５】
＜金属製部材接合体の製造＞
実施例１の場合と同じ銅板及び銅チップを用い、実施例１の場合と同じ方法で、銅板の表面に、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．３ｍｍである直方体状の銀インク組成物の印刷層を、２つ並列して形成した。
【０２４６】
次いで、常圧下かつ大気雰囲気下において、印刷層（銀インク組成物）の表面に前記銅チップを載置し、これらを上方から見下ろしたときに、印刷層と銅チップの外周部の位置が一致するようにした。
次いで、常圧下かつ大気雰囲気下において、ホットプレートを用いて、この印刷層を備えた銅板を、その印刷層を備えていない側から加熱し、５分かけてこの銅板、印刷層及び銅チップの温度を１００℃まで上昇させて、さらに温度を１００℃のまま１分保持した（予備加熱工程）。この間、印刷層（すなわち銀インク組成物）は固化せず、流動性を維持しており、温度が１００℃に到達後は、泡立ちが認められた。この泡立ちは、銅板及び印刷層の温度を１００℃で１分保持し終わる前に消失した。以上により、銀インク組成物の加熱物を得た。
得られた前記加熱物は、金属銀に特有の光沢を有しておらず、暗緑色であった。
【０２４７】
次いで、常圧下かつ大気雰囲気下において、直ちに、銅チップの表面に質量５ｋｇの錘を載置した。このとき、１つの銅チップに対して、１つの錘を載置し、これらを上方から見下ろしたときに、銅チップと錘の中心部の位置が一致するようにした。
以上により、銅板の表面に、前記加熱物、銅チップ及び錘を位置合わせして積層した積層物を２つ形成した。
このとき、１つの銅チップに、錘によって加えられる圧力は、０．８ＭＰａであった。
【０２４８】
次いで、実施例１の場合と同じ方法で接合工程を行い、前記加熱物を介在させて、銅板と銅チップを圧着しながら、前記加熱物を焼成することにより、銅板と銅チップを金属銀によって接合した。
以上により、銅板と銅チップが金属銀によって接合されて構成された金属製部材接合体を得た。この接合体において、前記加熱物の焼成物、すなわち金属銀で構成された接合部は、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．０３ｍｍの直方体状であった。
さらに、同じ方法で、同じ金属製部材接合体をもう１つ製造し、金属製部材接合体を合計で２つ製造した。
上記のように、本実施例では、組み合わせ（Ａ１）と、予備加熱方法（Ｂ２）と、圧着焼成方法（Ｃ１）と、を採用した。
【０２４９】
＜＜銀インク組成物の評価＞＞
実施例１の場合と同じ方法で、銀インク組成物の粘度を測定し、銀インク組成物中の金属銀粒子の結晶子径を算出した。結果を表１に示す。
【０２５０】
＜＜金属製部材接合体の評価＞＞
＜ダイシェア強度の測定＞
上記で得られた２つの金属製部材接合体を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、金属製部材接合体のダイシェア強度を測定した。結果を表２に示す。
【０２５１】
＜＜金属製部材接合体の製造及び評価＞＞
［実施例３］
前記接合工程において、銅板と前記積層物の温度を、５分かけて３００℃まで上昇させて、さらに温度を３００℃のまま３０分保持するのに代えて、銅板と前記積層物の温度を、５分かけて２５０℃まで上昇させて、さらに温度を２５０℃のまま３０分保持した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、金属製部材接合体を製造及び評価した。
実施例３においては、得られた金属製部材接合体において、前記加熱物の焼成物、すなわち金属銀で構成された接合部は、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．０３ｍｍの直方体状であった。結果を表２に示す。
【０２５２】
［実施例４］
前記接合工程において、銅板と前記積層物の温度を、５分かけて３００℃まで上昇させて、さらに温度を３００℃のまま３０分保持するのに代えて、銅板と前記積層物の温度を、５分かけて２００℃まで上昇させて、さらに温度を２００℃のまま３０分保持した点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、金属製部材接合体を製造及び評価した。
実施例４においては、得られた金属製部材接合体において、前記加熱物の焼成物、すなわち金属銀で構成された接合部は、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．０３ｍｍの直方体状であった。結果を表２に示す。
【０２５３】
［比較例１］
前記予備加熱工程において、銅板及び印刷層の温度を１００℃まで上昇させた後に、さらに温度を１００℃のまま保持する時間を、１分に代えて５分とした（以降、本工程を「比較用の予備加熱工程」と称することがある）点と、前記予備加熱工程後に、銅チップの表面に質量５ｋｇの錘を載置せずに前記加熱物を焼成した（以降、本工程を「比較用の接合工程」と称することがある）点、以外は、実施例１の場合と同じ方法で、金属製部材接合体の製造及び評価を試みた。すなわち、比較例１においては、比較用の予備加熱工程後に、直ちに、銀インク組成物（印刷層）の加熱物の表面に前記銅チップを載置することにより、銅板の表面に、前記加熱物及び銅チップを位置合わせして積層した比較用積層物を２つ形成し、次いで、この状態の銅板と前記比較用積層物の温度を、５分かけて３００℃まで上昇させて、さらに温度を３００℃のまま３０分維持し、以降、実施例１の場合と同じ方法で、銅板と銅チップとの金属銀による接合を試みた。
しかし、比較例１においては、銅板と銅チップとを金属銀により接合できず、目的とする金属製部材接合体を得られなかった。
比較例１においては、比較用の予備加熱工程の終了時には、印刷層（すなわち銀インク組成物）が固化して、流動性を失っていた。この固化物は、金属銀に特有の光沢を有しておらず、暗緑色であった。印刷層は、その温度が１００℃に到達後は、泡立ちが認められた。得られた最終物において、前記加熱物の焼成物、すなわち金属銀で構成された部位は、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．０３ｍｍの直方体状であった。結果を表２に示す。
【０２５４】
［比較例２］
前記予備加熱工程において、銅板及び印刷層の温度を１００℃まで上昇させた後に、さらに温度を１００℃のまま保持する時間を、１分に代えて５分とした（すなわち、比較用の予備加熱工程を行った）点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、金属製部材接合体を製造及び評価した。
比較例２においては、比較用の予備加熱工程の終了時には、印刷層（すなわち銀インク組成物）が固化して、流動性を失っていた。この固化物は、金属銀に特有の光沢を有しておらず、暗緑色であった。印刷層は、その温度が１００℃に到達後は、泡立ちが認められた。得られた金属製部材接合体において、前記加熱物の焼成物、すなわち金属銀で構成された接合部は、大きさがおよそ４ｍｍ×４ｍｍ×０．０３ｍｍの直方体状であった。結果を表２に示す。
【０２５５】
【表１】
2020193318.tif 000006
【０２５６】
【表２】
2020193318.tif 000007
【０２５７】
上記結果から明らかなように、実施例１〜４においては、予備加熱工程及び接合工程を行うことにより、金属製部材接合体のダイシェア強度が１７．５ＭＰａ以上（１７．５〜３５ＭＰａ）であり、接合強度が十分に高かった。特に、実施例１及び２の結果から、銅チップの載置を予備加熱工程後に行う（すなわち、予備加熱方法（Ｂ１）を採用する）ことで、接合強度がより高くなることが確認された。
【０２５８】
実施例１〜４においては、いずれも、予備加熱工程の間、銀インク組成物は固化せず、流動性を維持していた。これは、銀インク組成物に泡立ちが見られたことから明らかであった。実施例２においては、予備加熱工程の間、銀インク組成物（印刷層）の主要な面が銅チップで被覆されており、露出しておらず、銀インク組成物の泡立ちを直接確認できなかったが、銅チップに僅かながら揺らぎが認められたことで、銀インク組成物に泡立ちが生じていることを間接的に確認できた。
また、実施例１〜４においては、いずれも、銀インク組成物の泡立ちが予備加熱工程の終了時までには消失しており、この段階で銀インク組成物からのガスの発生が、ほぼ又は完全に終了していたと推測された。
【０２５９】
これに対して、比較例１においては、金属製部材接合体を得られなかった。これは、比較用の予備加熱工程の終了時に、銀インク組成物が固化していたこと、比較用の接合工程において、前記加熱物の焼成時に銅板と銅チップを圧着しなかったこと、が原因であった。
比較例１においては、銀インク組成物の温度が１００℃に到達後、当初は、泡立ちが認められたが、この泡立ちが消失する前に、銀インク組成物が固化してしまい、銀インク組成物の加熱物の表面が、泡立ちの影響で、実施例１〜４の場合よりも荒れていた。
【０２６０】
比較例２においては、金属製部材接合体のダイシェア強度が３ＭＰａであり、接合強度が低かった。これは、比較用の予備加熱工程の終了時に、銀インク組成物が固化していたことが原因であった。
比較例２においても、比較例１の場合と同様に、銀インク組成物の温度が１００℃に到達後、当初は、泡立ちが認められたが、この泡立ちが消失する前に、銀インク組成物が固化してしまい、銀インク組成物の加熱物の表面が、泡立ちの影響で、実施例１〜４の場合よりも荒れていた。
ただし、比較例２では、比較例１の場合とは異なり、接合工程において、前記加熱物の焼成時に銅板と銅チップを圧着したため、金属製部材接合体は得られた。
【０２６１】
図９は、銅チップと金属銀（導電性接合部）との境界と、その近傍領域の、ＴＥＭによる撮像データである。
図９中、画像左側の領域は銅チップであり、画像右側の領域は金属銀である。
図９中、矢印で示すものも含めた色抜け部分は、微小な空隙部（本明細書及び図面においては、「マイクロボイド」と称することがある）である。
図９から明らかなように、銅チップと金属銀との間には、画像上下に渡り、他の領域と区別可能な２つの領域、すなわち領域９−１及び領域９−２が認められた。
【０２６２】
図１０は、図９と同じ領域の、ＥＤＳ（ＥＤＸ）による銀元素検出時の撮像データである。
図１０中にも、図９の場合と同様に、銅チップと金属銀との間には、画像上下に渡り、他の領域と区別可能な２つの領域、すなわち領域１０−１及び領域１０−２が認められた。領域１０−１の形状は、領域９−１の形状と類似しており、領域１０−２の形状は、領域９−２の形状と類似してした。
取得した撮像データは、金属銀の領域と領域１０−１において蛍光が発生していることを示しており、これらの領域で銀元素が検出された。一方、この撮像データは、領域１０−２も含めて他の領域においては、有意に蛍光が発生していることを示しておらず、これらの領域で銀元素は有意に検出されなかった。
【０２６３】
図１１は、図９と同じ領域の、ＥＤＳ（ＥＤＸ）による銅元素検出時の撮像データである。
図１１中にも、図９の場合と同様に、銅チップと金属銀との間には、画像上下に渡り、他の領域と区別可能な２つの領域、すなわち領域１１−１及び領域１１−２が認められた。領域１１−１の形状は、領域９−１の形状と類似しており、領域１１−２の形状は、領域９−２の形状と類似してした。
取得した撮像データは、銅チップの領域と、領域１１−２において蛍光が発生していることを示しており、これらの領域で銅元素が検出された。一方、この撮像データは、領域１１−１も含めて他の領域においては、有意に蛍光が発生していることを示しておらず、これらの領域で銅元素は有意に検出されなかった。
【０２６４】
図１２は、図９と同じ領域の、ＥＤＳ（ＥＤＸ）による酸素元素検出時の撮像データである。
図１２中には、図９の場合とは異なり、銅チップと金属銀との間には、画像上下に渡り、他の領域と区別可能な１つの領域、すなわち領域１２−１が認められた。そして、領域１２−１の形状は、領域９−２の形状と類似してした。
取得した撮像データは、領域１２−１において蛍光が発生していることを示しており、この領域で酸素元素が検出された。一方、この撮像データは、他の領域においては、微弱な蛍光の発生を示唆していたが、その蛍光強度は、領域１２−１での蛍光強度と比較すると軽微であり、酸素元素の検出量は微量であった。
【０２６５】
以上の結果から、領域９−１、領域１０−１、及び領域１１−１は、同じ領域を示しており、この領域は、銀を主要構成元素とする層であることが判明した。
また、領域９−２、領域１０−２、領域１１−２、及び領域１２−１は、同じ領域を示しており、この領域は、銅及び酸素を主要構成元素とする層であることが判明した。
すなわち、上記で得られた金属製部材接合体は、銅チップと金属銀との間に、銅チップ側から金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えていることが判明した。このように、金属製部材接合体は、銅チップ、銀を主要構成元素とする層、銅及び酸素を主要構成元素とする層、及び金属銀がこの順に存在する積層構造を有し、銀元素と銅元素とが交互に配置されていた。
【０２６６】
上記の結果は、銅チップと金属銀（導電性接合部）との境界と、その近傍領域での分析によって得られたものであるが、金属製部材接合体の反対側、すなわち、銅板と金属銀（導電性接合部）との境界と、その近傍領域での分析でも、同様の結果が得られた。
すなわち、金属製部材接合体は、銅板と金属銀との間に、銅板側から金属銀側へ向けて、銀を主要構成元素とする層と、銅及び酸素を主要構成元素とする層と、をこの順に備えていることが判明した。このように、金属製部材接合体は、銅板、銀を主要構成元素とする層、銅及び酸素を主要構成元素とする層、及び金属銀がこの順に存在する積層構造を有し、銀元素と銅元素とが交互に配置されていた。
【０２６７】
上記の銅チップ側及び銅板側の両方の、銅及び酸素を主要構成元素とする層においては、酸素は、酸化銅のような銅と反応した生成物として存在している可能性があり、銅と反応せずに単独で存在している可能性もあった。
【０２６８】
金属製部材接合体が上記のような積層構造を有していることは、金属製部材接合体のダイシェア強度が十分に大きいことと整合していた。
【産業上の利用可能性】
【０２６９】
本発明は、回路基板をはじめとする、金属製部材接合体を備えた各種装置の製造に利用可能である。
【符号の説明】
【０２７０】
１，２・・・金属製部材接合体、１１・・・金属製の第１部材、１１ａ・・・金属製の第１部材の第１面、１２・・・金属製の第２部材、１２ａ・・・金属製の第２部材の第１面、１３，２３・・・金属銀（導電性接合部）、１３０・・・銀インク組成物、１３０’・・・銀インク組成物の加熱物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2020193318.tif 000017
【図１０】
2020193318.tif 000018
【図１１】
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【図１２】
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