(57)【要約】      （修正有）【課題】分離された複数の半導体発光素子が実装直前に一括検査して発光不良な半導体発光素子を選別する。【解決手段】絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子Ｅを光学的に検査する検査装置Ａであって、第一電極１ａを有する第一プレート１と、第一電極との間に複数の半導体発光素子及び絶縁膜体Ｆを挟んで対向するように設けられた第二電極２ａを有する第二プレート２と、第一電極及び前記第二電極に対して電気的に接続される駆動電源３と、第一プレート又は第二プレートのいずれか一方の側から複数の半導体発光素子の発光を観察する光学器械４と、を備え、第一電極と第二電極の間には、複数の半導体発光素子のそれぞれに絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部Ｃが配置され、複数の発光回路部は、駆動電源から複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて複数の半導体発光素子が発光する。【選択図】図１
2020080358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査装置であって、
第一電極を有する第一プレートと、
前記第一電極との間に前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体を挟んで対向するように設けられた第二電極を有する第二プレートと、
前記第一電極及び前記第二電極に対して電気的に接続される駆動電源と、
前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から前記複数の半導体発光素子の発光を観察する光学器械と、を備え、
前記第一電極と前記第二電極の間には、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部が配置され、
前記複数の発光回路部は、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記第一電極又は前記第二電極のいずれか一方の表面か若しくは両方の表面に設けられる誘電層を備え、前記誘電層が高比誘電率の材料からなることを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の面積が他方よりも小さい面積で形成され、前記第一プレート又は前記第二プレートの一方に対して他方か若しくは両方を、前記第一プレート及び前記第二プレートの対向方向と交差する方向へ相対的に移動自在に支持することを特徴とする請求項１又は２記載の検査装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の検査装置を備えた検査機であって、
前記検査機の外光から遮光された暗室に前記検査装置を配置することを特徴とする請求項１又は２記載の検査機。
【請求項５】
前記暗室には、前記複数の半導体発光素子の発光周波数未満の短波長光線を発光する光源が備えられ、前記光源から前記複数の半導体発光素子の発光部に向けて前記短波長光線が均等に照射されることを特徴とする請求項４記載の検査機。
【請求項６】
絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査方法であって、
第一プレートの第一電極と第二プレートの第二電極との間に、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部を形成するセット工程と、
駆動電源の電圧を前記第一電極及び前記第二電極から前記複数の発光回路部に与える供給工程と、
前記複数の発光回路部に対する電圧の供給により発光する前記複数の半導体発光素子を前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から光学器械で観察する観察工程と、を含み、
前記観察工程では、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード(ＬＥＤ)などからなる複数の半導体発光素子を機能的（光学的）に検査するために用いられる検査装置、及び、検査装置を用いた検査方法に関する。
詳しくは、複数の半導体発光素子が実装される前の時点で、配列形成された複数の発光素子を分離状態で発光検査するための検査装置及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の検査装置及び検査方法として、支持基板（support substrate）に形成した複数のＬＥＤデバイス（LED devices）のｐ−ｎ接合した発光部と対向するように、上側の電極（electrode）を有するフィールドプレート（field plate）が配置され、複数のＬＥＤデバイスの下側の電極として共通電極（common electrode）が電気的にアース接地され、外部の電圧源（voltage source）から上側電極に印可することにより、複数のＬＥＤデバイスが発光して、その発光輝度を観察で測定するものがある（例えば、特許文献１参照）。
複数のＬＥＤデバイスは、トレンチ（trench）でハーフカットされるが、トレンチが下側電極となる共通コンタクト層（common contact layer）を貫通しておらず、支持基板上に未分離状態となっている（[0048]、Figure3A，3Bなど）。
つまり、複数のＬＥＤデバイスは、支持基板と未分離状態で発光テストされ、発光の測定によりその機能を評価している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１８／１１２２６７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体発光素子の中でもＬＥＤチップは、コスト低減のために小型化され、小型化したＬＥＤチップを高速・高精度に実装するための取組みが行われている。特にＬＥＤディスプレイに用いられるＬＥＤは、マイクロＬＥＤと呼ばれるサイズが５０μｍ×５０μｍ以下のＬＥＤチップであり、確実に発光する分断状態のＬＥＤチップを数μｍの精度で高速に転写して実装することが求められている。
しかし乍ら、特許文献１では、複数のＬＥＤデバイスが未分離状態で発光テストされるため、各ＬＥＤデバイスを実装するダイボンディング工程においては、未分離状態では取り扱えず、実装前にはダイシングなどにより複数のＬＥＤデバイスを個々に分離する必要があった。
このような場合には、仮に複数のＬＥＤデバイスが支持基板と未分離状態で発光テストにより「機能に問題無し」と評価されても、その後の分離工程などにより新たな不良が発生する可能性は否定できず、実装直前に発光を確認できないため信頼性に劣るというという問題があった。
このような状況下で、分離された複数のＬＥＤデバイスを実装前に検査して発光不良なＬＥＤデバイスが選別可能な検査装置や検査方法が要望されている。
また、発光テストによるＬＥＤデバイスのダメージを防ぐためには、電気的接触を避けた低電圧環境での検査が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような課題を解決するために本発明に係る検査装置は、絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査装置であって、第一電極を有する第一プレートと、前記第一電極との間に前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体を挟んで対向するように設けられた第二電極を有する第二プレートと、前記第一電極及び前記第二電極に対して電気的に接続される駆動電源と、前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から前記複数の半導体発光素子の発光を観察する光学器械と、を備え、前記第一電極と前記第二電極の間には、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部が配置され、前記複数の発光回路部は、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする。
また、このような課題を解決するために本発明に係る検査方法は、絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査方法であって、第一プレートの第一電極と第二プレートの第二電極との間に、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部を形成するセット工程と、駆動電源の電圧を前記第一電極及び前記第二電極から前記複数の発光回路部に与える供給工程と、前記複数の発光回路部に対する電圧の供給により発光する前記複数の半導体発光素子を前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から光学器械で観察する観察工程と、を含み、前記観察工程では、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態に係る検査装置及び検査方法の全体構成を示す説明図であり、（ａ）が印加工程及び検査工程の一部切欠正面図、（ｂ）が同横断平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る検査装置及び検査方法の変形例を示す説明図であり、（ａ）〜（ｃ）が印加工程及び検査工程の一部切欠正面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る検査装置及び検査方法の変形例を示す説明図であり、印加工程及び検査工程の一部切欠正面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る検査装置及び検査方法の変形例を示す説明図であり、印加工程及び検査工程の一部切欠正面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る検査装置及び検査方法の変形例を示す説明図であり、（ａ）が光学器械及び駆動部の具体例を示す一部切欠縮小正面図、（ｂ）が同縮小横断平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る検査装置及び検査方法の変形例を示す説明図であり、複数の半導体発光素子を搬送可能にした場合の部分的な一部切欠正面図である。
【図７】同回路図であり、（ａ）が図１〜図５に対応する等価回路、（ｂ）が変形例の等価回路である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明の実施形態に係る検査装置Ａは、図１〜図７に示すように、配列形成された複数の半導体発光素子Ｅを実装する前に、複数の半導体発光素子Ｅを個々に分離した配列状態で機能的（光学的）に検査して、光学的に不良な発光素子Ｅの実装を未然に防止するために用いられる光学特性測定装置である。
詳しく説明すると、本発明の実施形態に係る検査装置Ａは、第一電極１ａを有する第一プレート１と、第二電極２ａを有する第二プレート２と、第一電極１ａ及び第二電極２ａに電気的に接続するために設けられる駆動電源３と、第一プレート１又は第二プレート２の一方側から複数の半導体発光素子Ｅの発光を観察するために設けられる光学器械４と、を主要な構成要素として備えている。
さらに、第一電極１ａ又は第二電極２ａのいずれか一方の表面か若しくは両方の表面に設けられる誘電層５と、第一プレート１や第二プレート２を相対的に移動させるために設けられる駆動部６と、駆動電源３及び駆動部６を作動制御するために設けられる制御部７と、を備えることが好ましい。
なお、第一プレート１と第二プレート２は、通常上下方向へ対向するように設けられる。図示例では、下方に第一プレート１が配置され、第二プレート２が上方に配置されている。ここで、第一プレート１と第二プレート２が対向する方向を以下「Ｚ方向」という。Ｚ方向と交差する第一プレート１や第二プレート２に沿った方向を以下「ＸＹ方向」という。
【０００８】
複数の半導体発光素子Ｅは、図１（ａ）（ｂ）などに示されるように、それぞれが平滑な略矩形（長方形及び正方形を含む角が直角の四辺形）の薄板状に形成された発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）などの半導体ダイオードである。この半導体ダイオードとしては、赤（Ｒｅｄ）緑（Ｇｒｅｅｎ）青（Ｂｌｕｅ）のチップＬＥＤも含まれる。
複数の半導体発光素子Ｅの具体例としては、主にマイクロＬＥＤと呼ばれる５０μｍ×５０μｍ以下、詳しくは３０μｍ×３０μｍ以下、さらに詳しくは数十μｍ角のＬＥＤチップやＬＤチップなどが挙げられる。
また複数の半導体発光素子Ｅの他の例としては、例えばミニＬＥＤと呼ばれる１００μｍ角前後のＬＥＤチップや２００〜３００μｍ角などの一般的なＬＥＤチップや、ＬＤチップなどの一般的なサイズの半導体ダイオードを含むことも可能である。
一般的なチップの取扱いにおいて複数の半導体発光素子Ｅは、シリコンなどの材料からなる素子形成用基板やウエハに、ＸＹ方向へ所定の周期で配列形成され、その表面側又は裏面側に発光部Ｅ１をそれぞれ有している。配列形成された複数の半導体発光素子Ｅは、ダイシングなどの分断工程により配列状態を維持するようにそれぞれ分離され、この配列状態を維持したまま後述する絶縁膜体Ｆに転写されて実装工程に移行する。
特に複数の半導体発光素子Ｅとしては、個々に分離配列された複数の半導体発光素子Ｅが、後述する絶縁膜体Ｆに仮止めされた膜付きチップＥＦを用いている。
なお、図示例では説明のため、複数の半導体発光素子Ｅの配列として、矩形の半導体発光素子Ｅをすべて同じサイズに設定している。またその他の例として図示しないが、複数の半導体発光素子Ｅの配列を図示例以外に変更することも可能である。
【０００９】
絶縁膜体Ｆは、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ），ポリプロピレン（ＰＰ），ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの透明又は不透明な絶縁材料（比誘電率が３程度）でフィルム状又はシート状に形成され、絶縁材料からなるダイシングテープなどを用いることも可能である。
さらに絶縁膜体Ｆは、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１が配置される表面側か又は裏面側のいずれが一方か、若しくは表面側及び裏面側の両方に対して粘着などにより着脱自在に仮止めすることで、膜付きチップＥＦが構成される。
つまり、絶縁膜体Ｆとしては、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１が配置された表面側に仮止めされる透明な発光側絶縁膜体Ｆ１や、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１の反対側となる裏面側に仮止めされる透明や不透明の裏側絶縁膜体Ｆ２がある。
個々に分離された複数の半導体発光素子Ｅは、発光側絶縁膜体Ｆ１や裏側絶縁膜体Ｆ２によって離散せずに保持され、発光側絶縁膜体Ｆ１や裏側絶縁膜体Ｆ２を剥離することにより、複数の半導体発光素子Ｅの発光部Ｅ１や裏面が露出して取り出し可能になると同時に実装も可能になる。
【００１０】
第一プレート１及び第二プレート２は、図１（ａ）（ｂ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図３などに示されるように、石英や硬質合成樹脂などの透明又は不透明の剛性材料で板状に形成された定盤からなる。第一プレート１において第二プレート２と対向する面には、第一電極１ａが形成され、第二プレート２において第一プレート１と対向する面には、第二電極２ａが形成される。
第一電極１ａ及び第二電極２ａについても第一プレート１や第二プレート２と同様に透明又は不透明の材料で積層形成されている。
第一プレート１の第一電極１ａと第二プレート２の第二電極２ａは、第一電極１ａ及び第二電極２ａの間に膜付きチップＥＦ（複数の半導体発光素子Ｅと絶縁膜体Ｆ）を挟むように対向して配置されるとともに、後述する駆動電源３が電気的に接続される。
これにより、第一電極１ａと第二電極２ａの間には、複数の半導体発光素子Ｅのそれぞれに絶縁膜体Ｆからなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部Ｃが配置される。
さらに第一プレート１と第二プレート２は、図４及び図５（ａ）（ｂ）に示されるように、第一プレート１又は第二プレート２のいずれか一方の面積を他方よりも小さな面積に形成することも可能である。この場合には、第一プレート１又は第二プレート２の一方に対して他方か、若しくは第一プレート１及び第二プレート２の両方を、第一プレート１及び第二プレート２の対向方向（Ｚ方向）と交差する方向（ＸＹ方向）へ相対的に移動自在に支持することが好ましい。
また第一プレート１又は第二プレート２のいずれか一方には、搬入された膜付きチップＥＦが第一電極１ａや第二電極２ａと接触することにより、移動不能で且つ着脱自在に保持するための保持チャック（図示しない）を設けることが好ましい。保持チャックの具体例としては、真空吸着チャックや粘着チャックや爪などの機械的な把持機構を備えたチャック又は、これらの併用が挙げられる。
【００１１】
駆動電源３は、交流電圧源や直流電圧源からなり、駆動電源３から第一電極１ａ及び第二電極２ａを介して複数の発光回路部Ｃに交流（ＡＣ）電圧や直流（ＤＣ）電圧が与えられる。
駆動電源３となる交流電圧源から複数の発光回路部Ｃに交流電圧を印加した場合には、複数の半導体発光素子Ｅとなる半導体ダイオードが有する整流作用により、複数の半導体発光素子Ｅに対し電流が順方向に流れて発光部Ｅ１を発光させる。
【００１２】
光学器械４は、第一プレート１（第一電極１ａ）又は第二プレート２（第二電極２ａ）のいずれか一方側から複数の半導体発光素子Ｅの発光の輝度を観察する検査カメラなどからなる。
つまり、複数の半導体発光素子Ｅのそれぞれに絶縁膜体Ｆからなるコンデンサを直列接続した個々に分離される複数の発光回路部Ｃと、光学器械４との間に配置された第一プレート１（第一電極１ａ）又は第二プレート２（第二電極２ａ）のうち一方側は透明材料で形成され、他方側は不透明材料で形成してもよい。
光学器械４の検査カメラとして複数の半導体発光素子Ｅが可視光を発光する場合は、可視光のＣＣＤカメラなどを用いることが好ましい。複数の半導体発光素子Ｅが赤外光を発光する場合は、赤外線カメラを用いて、複数の半導体発光素子Ｅに対する検査エリアの視野に合わせて所定の解像度に見合うように配置することが好ましい。
検査カメラの配置は、高解像度の固定カメラ４１を用いるか、又は第一プレート１又は第二プレート２の移動に合わせて移動可能な移動カメラ４２を用いるか、若しくは固定カメラ４１及び移動カメラ４２を併用する。特に複数の半導体発光素子ＥがマイクロＬＥＤのような微小サイズで多数配列形成される場合には、移動カメラ４２を用いることが好ましい。これにより、複数の半導体発光素子Ｅに対する検査エリアが制限されるため、低解像度のカメラであっても観察解像度を十分に確保することが可能となる。
固定カメラ４１や移動カメラ４２などにより得られた複数の半導体発光素子Ｅの平均輝度データは、検査バッチ毎の平均輝度データを各半導体発光素子Ｅの位置と関連付けすることにより、後工程において参照可能なデータベースとして作成することができる。
詳しく説明すると、固定カメラ４１や移動カメラ４２などによる検査データとしては、発光状態にある複数の半導体発光素子Ｅを１枚の画像データとして計測しておき、各半導体発光素子Ｅの面積に相当する複数個の画素データから各半導体発光素子Ｅの輝度平均値を求めるなどして、各半導体発光素子Ｅの発光の有無と、代表発光輝度を定量データとして、検査バッチ毎の輝度データベースを作成する。また駆動電源３からの印可電圧を変動させた時の発光により、各半導体発光素子Ｅの発光最低電圧と輝度バラツキを合わせて計測可能になる。
特に複数の半導体発光素子ＥがＲＧＢチップＬＥＤである場合には、検査カメラとして、ＲＧＢチップＬＥＤに対する解像度を十分確保したカラーカメラが用いられ、ＲＧＢ三色の輝度成分をそれぞれの色味としてデータベース化することが好ましい。
また、これらのチップ発光輝度のデータベースは、検査バッチ毎における複数の半導体発光素子Ｅの位置とデータとの紐付けを行うことができる。この場合には、次工程となるダイボンダ―などによる各半導体発光素子Ｅの実装工程において、各半導体発光素子Ｅの取り出し直前に対象チップの選別基準に利用可能となる。
【００１３】
発光テストによる更に正確な検査を行うには、図５（ａ）（ｂ）に示されるように、本発明の実施形態に係る検査装置Ａを検査機Ｂの暗室Ｄに備えて、外光が入らない状態で発光テストを行うことが好ましい。
暗室Ｄを発光テストを行う理由は、複数の半導体発光素子Ｅに対して各半導体発光素子Ｅの発光周波数未満の外光が入光すると、各半導体発光素子Ｅの内部電荷に励起現象が起こることで、正確な発光状態を観察することが困難になるからである。
このような外光による励起現象は、逆に各半導体発光素子Ｅにおける発光の光励起補助による観察方法として用いることができる。複数の半導体発光素子Ｅの発光周波数未満の短波長光線を発光する光源（図示しない）を暗室Ｄに備え、光源から複数の半導体発光素子Ｅの発光部Ｅ１に向けて短波長光線を微弱で定量ずつ均等に照射することが好ましい。これにより、発光に必要とされる最低電圧を下げることが可能になる。このため、駆動電源３を低電圧としても各半導体発光素子Ｅの発光を観察できる。例えば赤色ＬＥＤに対しては、短波長となる青色や紫外光を微弱に照射することで実施できる。
詳しく説明すると、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光を観察する検査カメラの観察視野に対して、各半導体発光素子Ｅの発光周波数未満の短波長光からなる照明装置（図示しない）の照射領域を一致させることが好ましい。具体的には、短波長照明装置を固定カメラ４１に併設させるか、移動カメラ４２に併設させる。
このような構成で、事前に短波長照明装置の照射のみによるカメラ視野内の観察値の暗時レベルを計測しておき、検査時には、カメラ観察値から暗時レベルを差し引いてデータを補正する。なお、各半導体発光素子Ｅへの外光照度が強過ぎると、フォトルミネッセンス効果による光励起発光が生じてしまうので、駆動電流には依存しない発光を生じさせないように短波長照明装置の照度レベルを事前に調整しておくことが好ましい。
また、複数の半導体発光素子ＥとしてＲＧＢチップＬＥＤの発光状態の色味を判別する場合には、カラーカメラにより発光状態を観察して、ＲＧＢ成分毎の観察値とすればよい。観察時に短波長照明装置を併用する場合は、事前に短波長照明装置の照射のみによるカメラ視野内の観察値におけるＲＧＢ成分の色味の暗時レベルを計測しておき、検査時には、カメラ観察値から色味の暗時レベルを差し引いてデータを補正することが好ましい。
【００１４】
第一プレート１の第一電極１ａ又は第二プレート２の第二電極２ａのいずれか一方か、若しくは第一電極１ａ及び第二電極２ａの両方には、誘電層５を第一電極１ａの表面や第二電極２ａの表面に沿って設けることが好ましい。
つまり、誘電層５としては、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１の反対側と対向するように配置される不透明な裏側誘電層５ａや、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１と対向するように配置される透明な発光側誘電層５ｂがある。
裏側誘電層５ａや発光側誘電層５ｂは、高比誘電率の誘電材料で構成することができ、その具体例としては比誘電率が８０程度の酸化チタンなどの高誘電材料を用いる。
第一プレート１の第一電極１ａや第二プレート２の第二電極２ａに対する誘電層５の形成方法としては、スパッタなどによる硬質な薄膜形成以外に、紫外線照射や加熱による硬化性を有する液状の軟質樹脂を基材に用いることで、予め微粉末状態の高比誘電材料が液中分散配合された軟質樹脂を薄く塗布して硬化させた軟質膜の形成方法がある。
特に誘電層５となる軟質膜を硬化後も柔軟性を有するシリコーン樹脂などで形成した場合には、絶縁膜体Ｆや半導体発光素子Ｅの表面形状又は裏面形状の凹凸や歪みに対する変位吸収性が期待できる。これにより、柔軟性に乏しい絶縁膜体Ｆや半導体発光素子Ｅの表面又は裏面に対しても面接触性が向上し、第一電極１ａと第二電極２ａの間に生じる静電容量をより安定化させることができる。
【００１５】
第一プレート１や第二プレート２には、第一電極１ａと第二電極２ａの間に膜付きチップＥＦ（複数の半導体発光素子Ｅと絶縁膜体Ｆ）を挟み込むため、第一プレート１又は第二プレート２のいずれか一方か若しくは第一プレート１及び第二プレート２の両方を相対的に移動させる駆動部６を設けることが好ましい。
駆動部６は、第一プレート１又は第二プレート２のいずれか一方か若しくは第一プレート１及び第二プレート２の両方と連係して、昇降やスライド又は反転などにより往復動させるアクチュエーターなどで構成され、後述する制御部７により作動制御している。
駆動部６による第一プレート１や第二プレート２の相対的に移動方向としては、第一プレート１及び第二プレート２の対向方向（Ｚ方向）だけでなく、必要に応じて対向方向（Ｚ方向）と交差する方向（ＸＹ方向）も含まれる。
つまり、駆動部６としては、少なくとも第一プレート１や第二プレート２をＺ方向へ相対的に移動させる昇降用駆動部６１や、第一プレート１や第二プレート２をＸＹ方向へ相対的に移動させる水平移動用駆動部６２がある。
後述する制御部７による昇降用駆動部６１の制御例としては、図１（ａ）などに二点鎖線で示される膜付きチップＥＦの搬入時と搬出時には、第一プレート１と第二プレート２をＺ方向へ相対的に離隔移動させる。それ以外は、図１（ａ）などに実線で示されるように、第一プレート１と第二プレート２をＺ方向へ相対的に接近移動させて、第一プレート１の第一電極１ａ及び第二プレート２の第二電極２ａが膜付きチップＥＦに対し、直接的又は誘電層５を介して間接的に接触し通電するように加圧している。
【００１６】
膜付きチップＥＦ（複数の半導体発光素子Ｅと絶縁膜体Ｆ），光学器械４，誘電層５及び駆動部６の具体例を図１〜図６に示し、これらの等価回路を図７に示す。
図１（ａ）（ｂ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図４〜図６に示される例は、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１が下向きとなるように配置され、透明に形成された第一電極１ａや第一プレート１などを透して、発光部Ｅ１の発光状態が光学器械４により第一プレート１側から観察されるように構成している。
特に図１（ａ）（ｂ），図２（ｃ）及び図４〜図６に示される例は、第二電極２ａの表面に沿って裏側誘電層５ａが形成され、図１（ａ）（ｂ）及び図４〜図６の場合は、裏側誘電層５ａを裏側絶縁膜体Ｆ２と接触させる点で相違する。図２（ｃ）の場合は、裏側誘電層５ａを複数の半導体発光素子Ｅの裏面側に対し直接的に接触させて、裏側絶縁膜体Ｆ２が無い点で相違する。
図２（ａ）（ｂ）に示される例は、第一電極１ａの表面に沿って発光側誘電層５ｂが形成され、図２（ａ）の場合は、発光側誘電層５ｂを発光側絶縁膜体Ｆ１と接触させる点で相違する。図２（ｂ）の場合は、発光側誘電層５ｂを複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１が配置される表面側に対し直接的に接触させて、発光側絶縁膜体Ｆ１が無い点で相違する。
【００１７】
さらに図１（ａ）（ｂ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図４に示される例は、駆動部６の昇降用駆動部６１により第二プレート２が第一プレート１に向けＺ方向へ移動制御される点で相違する。
これと逆に図３及び図５（ａ）（ｂ）に示される例は、駆動部６の昇降用駆動部６１により第一プレート１が第二プレート２に向けＺ方向へ移動制御される点で相違する。図３の場合は、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１が上向きとなるように配置され、透明な発光側絶縁膜体Ｆ１や裏側誘電層５ａや第二電極２ａや第二プレート２を透して、発光部Ｅ１の発光状態が光学器械４により第二プレート２側から観察される点において、図１（ａ）（ｂ）の場合と相違する。
また、その他の例として図示しないが、図１（ａ）（ｂ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図４に示された例において、駆動部６の昇降用駆動部６１で第一プレート１を第二プレート２に向けＺ方向へ移動制御させることや、図２（ｂ）（ｃ）及び図４に示された例において、発光部Ｅ１の発光状態を光学器械４で第二プレート２側から観察させるなどの変更が可能である。
【００１８】
これに加えて図４及び図５（ａ）（ｂ）に示される例は、第一プレート１の面積よりも第二プレート２の面積が小さく形成され、第一プレート１に対して第二プレート２を駆動部６の水平移動用駆動部６２でＸＹ方向へ移動させる点で相違する。
特に図５（ａ）（ｂ）の場合は、検査機Ｂの暗室Ｄに第一プレート１及び第二プレート２や光学器械４が収納配備され、暗室Ｄにおいて第一プレート１の支持部材１１を第二プレート２に向けてＺ方向へ昇降させる昇降用駆動部６１と、暗室Ｄにおいて第一プレート１の支持部材１１に対し第二プレート２をＸＹ方向へ移動させる水平移動用駆動部６２と、を備えている。
暗室Ｄは、検査機Ｂの内部に外光から遮光して形成され、暗室Ｄに設けられる昇降用駆動部６１としては、スライダーや直動ガイドなどのアクチュエーターが用いられる。
暗室Ｄに設けられる水平移動用駆動部６２としては、ＸＹステージなどのアクチュエーターが用いられる。
暗室Ｄに配備される光学器械４が固定カメラ４１の場合には、第一プレート１の中心軸の延長線上で且つ光学焦点位置に固定配置される。移動カメラ４２の場合には、第二プレート２の中心軸の延長線上で且つ光学焦点位置に配置され、水平移動用駆動部６２による第二プレート２のＸＹ方向への移動と同期して移動させるように支持される。
また、その他の例として図示しないが、検査対象となる複数の半導体発光素子ＥがＬＥＤである場合は、ＬＥＤの発光周波数より短波長の発光を行う光源を備えることも可能である。この場合には、暗室Ｄにおける移動カメラ４２の動きに追従して光源を移動させるなどして、検査対象エリアを低照度で均一に照射させることが好ましい。
【００１９】
図６に示される例は、第一電極１ａと第二電極２ａの間に形成される空間に対して、膜付きチップＥＦ（複数の半導体発光素子Ｅと絶縁膜体Ｆ）を搬送（搬入及び搬出）可能にしている。
図６の場合は、図５（ａ）に示した支持部材１１に対して、膜付きチップＥＦが載置された第一プレート１を搬送可能している。詳しく説明すると、第一プレート１に設けられた保持チャック（図示しない）により、膜付きチップＥＦを第一電極１ａに対して移動不能で且つ着脱自在に保持している。
また、その他の例として図示しないが、図１（ａ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ），図３及び図４に示された例において、膜付きチップＥＦが載置された第一プレート１を搬送可能な構造に変更することや、膜付きチップＥＦが吊持された第二プレート２を搬送可能な構造に変更することも可能である。
【００２０】
図７（ａ）に示される等価回路は、図１，図３〜図６に示された例に該当し、複数の半導体発光素子Ｅのそれぞれに絶縁膜体Ｆからなるコンデンサを直列接続した個々に分離される複数の発光回路部Ｃに対して、駆動電源（交流電圧源）３の交流電圧が第一電極１ａ及び第二電極２ａから誘電層５を介して与えられる。交流電圧の印加により複数の発光回路部Ｃに誘導電流が流れる。また図２（ａ）〜（ｃ）に示された例に該当する等価回路は、図７（ａ）と類似した等価回路となるため省略する。
複数の発光回路部Ｃ内の誘導電流は、複数の半導体発光素子（半導体ダイオード）Ｅが有する整流作用で電流が順方向に流れる。詳しく説明すると、駆動電源３から複数の発光回路部Ｃに印加した交流電圧が、複数の半導体発光素子Ｅで半波整流される。
このため、複数の半導体発光素子Ｅに順方向の電流が流れる時のみ、誘導電流を生じて複数の半導体発光素子Ｅが発光する。この発光状態を光学器械４で観察することにより、複数の半導体発光素子Ｅの発光状態に基づいて良否の選別が可能となる。
図７（ａ）の場合は、回路中に半導体ダイオード保護用の電流制限抵抗器ＲLが直列接続されて直列ＲＣ回路を構成している。つまり逆方向耐電圧範囲内の交流電圧のみが複数の半導体発光素子Ｅに与えられる。これにより、電流制限抵抗器ＲLで複数の半導体発光素子Ｅに過大電流が流れることを制限して破壊が防止される。
この時、半導体発光素子Ｅの発光で必要となる電流の確保には、直列ＲＣ回路のインピーダンスの大小が重要になる。複数の発光回路部Ｃのインピーダンスは、静電容量や周波数によって変化する。理想的なコンデンサのインピーダンスＺは、周波数をω，静電容量をＣとすると、下記の式で表わされる。
Ｚ＝１／ｊωＣ
つまり、インピーダンスＺと周波数ωや静電容量Ｃは、反比例の関係にあるから、静電容量Ｃが大きくなるとインピーダンスＺが低くなり、周波数ωが高くなるとインピーダンスＺが低くなる。しかし、半導体発光素子Ｅの発光における周波数ωの応答範囲は、限界があるのであまり高くできない。インピーダンスＺが高いと駆動に高電圧を必要とするが、高電圧による発光テストは、半導体発光素子Ｅにダメージのリスクがあるため、低電圧が維持可能な静電容量Ｃを大きく取ることが好ましい。
静電容量Ｃを高めるには、第一電極１ａと第二電極２ａの間の投影面積（電極面積）を大きく取ることも有効であるが、電極面積は発光テストする半導体発光素子Ｅの数に依存するため限定的である。
そこで、第一電極１ａと第二電極２ａの間の誘電率を高めるために、高比誘電率の誘電材料からなる誘電層５を追加している。
【００２１】
図７（ｂ）に示される等価回路は、複数の半導体発光素子Ｅの発光テストにおいて破壊を避けるために可能な限り低電圧で発光させることを目的とした回路である。
駆動電源（交流電圧源）３から複数の発光回路部Ｃに与えられる順方向の半波電流は、図７（ａ）の場合と同様であるが、駆動電源３において逆方向の電圧（−Ｅ2）を制限する。駆動電源３からの逆耐電圧（−Ｅ2）として下限が制限された電圧波形を複数の半導体発光素子Ｅに与えることで、低電圧の発光テストが可能になる。
図７（ａ）（ｂ）に示される等価回路において、符号Ｃ1は誘電層５による静電容量、符号Ｃ2は各半導体発光素子Ｅによる静電容量、符号Ｃ3は絶縁膜体Ｆによる静電容量、符号Ｃ4は分離した複数の半導体発光素子Ｅの間に配置された隙間（空気層）による静電容量である。
なお、図７（ａ）（ｂ）の場合には、駆動電源（交流電圧源）３として正弦波形のみを記載している。交流波形であれば図示しないが正弦波形に代えて矩形波や三角波や台形波などであってもよい。
また、誘導発光による半導体発光素子Ｅの除電の容易さと除電管理によるが、駆動電源３の電圧（−Ｅ2）をゼロ電位に設定すれば、交流電圧源に代えて直流電圧源を用いることも可能である。
【００２２】
制御部７は、駆動電源３や駆動部６だけでなく、膜付きチップＥＦの搬入機構や搬出機構などにも電気的に接続するコントローラーである。
制御部７となるコントローラーは、その制御回路（図示しない）に予め設定されたプログラムに従って、予め設定されたタイミングで順次それぞれ作動制御している。
そして、制御部７の制御回路に設定されたプログラムを、検査装置Ａによる複数の半導体発光素子Ｅの光学的な検査方法として説明する。
本発明の実施形態に係る検査方法は、第一プレート１の第一電極１ａと第二プレート２の第二電極２ａとの間に膜付きチップＥＦを挟むように配置するセット工程と、駆動電源３から膜付きチップＥＦに電圧を与える供給工程と、膜付きチップＥＦの発光状態を第一プレート１や第二プレート２のいずれか一方の側から光学器械４で観察する観察工程と、を主要な工程として含んでいる。
さらに、セット工程の前に膜付きチップＥＦを搬入する搬入工程と、観察工程の後に検査終了済みの膜付きチップＥＦを搬出する搬出工程を含むことが好ましい。
セット工程では、搬入された膜付きチップＥＦを第一電極１ａと第二電極２ａとの間の所定位置に挟み込んで電気的に接続させることにより、複数の半導体発光素子Ｅのそれぞれに絶縁膜体Ｆからなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部Ｃが形成される。
供給工程では、駆動電源３の電圧を第一電極１ａ及び第二電極２ａから膜付きチップＥＦに供給することにより、複数の発光回路部Ｃに交流電圧が印加される。
観察工程では、複数の発光回路部Ｃへ交流電圧の印加に伴って発光した複数の半導体発光素子Ｅを、第一プレート１及び第一電極１ａや第二プレート２及び第二電極２ａのいずれか一方の側から光学器械４の観察により、複数の半導体発光素子Ｅの発光状態に基づいて、発光良好な半導体発光素子Ｅと発光不良な半導体発光素子Ｅに選別している。
複数の半導体発光素子Ｅにおける発光状態に基づいた選別方法としては、発光の有無による良否の判別や、輝度バラツキによる選別や、色味の選別などの予め設定された基準より行うことが好ましい。
【００２３】
このような本発明の実施形態に係る検査装置Ａ及び検査方法によると、駆動電源３の交流電圧を第一電極１ａ及び第二電極２ａから、複数の半導体発光素子Ｅのそれぞれに絶縁膜体Ｆからなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部Ｃに与えることにより、複数の半導体発光素子（半導体ダイオード）Ｅの整流作用で電流が順方向に流れる。
このため、複数の半導体発光素子Ｅに順方向の電流が流れる時に、誘導電流を生じて良好な半導体発光素子Ｅが発光する。このような複数の半導体発光素子Ｅの発光状態を光学器械４で観察することにより、複数の半導体発光素子Ｅの発光状態がそれぞれ光学的に検査されて、発光状態に基づいた良否の選別が可能となる。
したがって、分離された複数の半導体発光素子Ｅが実装直前に一括検査して発光不良な半導体発光素子Ｅを選別することができる。
その結果、複数のＬＥＤデバイスがハーフカットされた未分離状態で発光テストする従来のものに比べ、複数の半導体発光素子Ｅから絶縁膜体Ｆを剥離するだけで複数の半導体発光素子Ｅが分離されるため、検査された複数の半導体発光素子Ｅを実装前に分離する必要がなく、この分離工程による新たな不良の発生を防止できて信頼性に優れ、且つ取り扱いが容易である。
特に複数の半導体発光素子ＥがマイクロＬＥＤであっても実装を容易に行える作業性に優れて利便性の向上が図れる。
これにより、機能的（光学的）に不良な半導体発光素子Ｅの実装を未然に防止できて、歩留まりの向上が図れる。
【００２４】
特に、第一電極１ａ又は第二電極２ａのいずれか一方の表面か若しくは両方の表面に設けられる誘電層５を備え、誘電層５が高比誘電率の材料からなることが好ましい。
この場合には、駆動電源３の交流電圧が第一電極１ａ及び第二電極２ａから誘電層５を介して複数の発光回路部Ｃに与えられることにより、高比誘電率の誘電層５で第一電極１ａと第二電極２ａの間の静電容量が大きくなる。
静電容量とインピーダンスは反比例の関係にあるため、第一電極１ａと第二電極２ａの間のインピーダンスが小さくなって電流が流れ易くなる。
したがって、複数の半導体発光素子Ｅを低電圧で発光させることができる。
その結果、高電圧による不本意な半導体発光素子Ｅの破壊を防止できると同時に短絡（ショート）の危険性を軽減できる。これにより装置側の耐電圧と漏洩対策もできる。
【００２５】
さらに、図４及び図５（ａ）（ｂ）に示されるように、第一プレート１又は第二プレート２の一方が他方よりも小さい面積で形成され、第一プレート１又は第二プレート２の一方に対して他方を第一プレート１及び第二プレート２の対向方向（Ｚ方向）と交差する方向（ＸＹ方向）へ移動自在に支持することが好ましい。
この場合には、第一電極１ａと第二電極２ａの間に複数の発光回路部Ｃが、第一プレート１又は第二プレート２のうち大きな方（第一プレート１）に対する小さな方（第二プレート２）の接触面積と同サイズで形成される。
大きな方（第一プレート１）に対して小さな方（第二プレート２）を、両者の対向方向（Ｚ方向）と交差する方向（ＸＹ方向）へ移動させ、且つ駆動電源３から複数の発光回路部Ｃに交流電圧を与えることにより、大きな方（第一プレート１）の全体領域が複数に分割されて、分割領域単位で複数の半導体発光素子Ｅの発光状態が検査可能となる。
したがって、絶縁膜体Ｆに分離配列された複数の半導体発光素子Ｅを適宜数の分割領域毎に検査することができる。
その結果、多数の半導体発光素子Ｅが配列された大型の膜付きチップＥＦを検査する際に有効である。
【００２６】
また、検査機Ｂの外光から遮光された暗室Ｄに検査装置Ａを配置することが好ましい。
この場合には、暗室Ｄで複数の半導体発光素子Ｅの発光テストを行うことにより、各半導体発光素子Ｅの発光周波数未満の外光が遮光され、各半導体発光素子Ｅの内部電荷に励起現象が起きない状態で発光テストが行える。
したがって、駆動電源３に対する複数の半導体発光素子Ｅの正確な発光を観察することができる。
その結果、発光不良な半導体発光素子Ｅをより正確に選別できて、信頼性の更なる向上が図れる。
【００２７】
特に、暗室Ｄには、複数の半導体発光素子Ｅの発光周波数未満の短波長光線を発光する光源が備えられ、光源から複数の半導体発光素子Ｅの発光部Ｅ１に向けて短波長光線を均等に照射することが好ましい。
この場合には、複数の半導体発光素子Ｅの発光部Ｅ１の発光に必要とされる最低電圧を下げることが可能になる。
したがって、駆動電源３を低電圧としても複数の半導体発光素子Ｅの発光を観察することができる。
その結果、低電圧化により複数の半導体発光素子Ｅの破壊を更に防止できる。
【００２８】
なお、前示の実施形態では、第一電極１ａや第二電極２ａに誘電層５（裏側誘電層５ａ，発光側誘電層５ｂ）を設けた場合のみを説明したが、これに限定されず、誘電層５が無くてもよい。誘電層５に代えて絶縁性の確保のため、膜付きチップＥＦと第一電極１ａや第二電極２ａの間に空気層を介在させて非接触にすることも可能である。
また図４に示された例では、第一プレート１よりも第二プレート２を小さい面積で形成して、第一プレート１に対し第二プレート２を水平移動用駆動部６２でＸＹ方向へ移動させたが、これに限定されず、第二プレート２よりも第一プレート１を小さい面積で形成して、第二プレート２に対し第一プレート１を水平移動用駆動部６２でＸＹ方向へ移動させることや、第一プレート１及び第二プレート２の両方を水平移動用駆動部６２でＸＹ方向へ相対的に移動させてもよい。
【符号の説明】
【００２９】
Ａ  検査装置                            １  第一プレート
１ａ  第一電極                          ２  第二プレート
２ａ  第二電極                          ３  駆動電源
４  光学器械                            ５  誘電層
Ｃ  発光回路部                          Ｅ  半導体発光素子
Ｅ１  発光部                            Ｆ  絶縁膜体
Ｂ  検査機                              Ｄ  暗室
【図１】
2020080358.tif 000003
【図２】
2020080358.tif 000004
【図３】
2020080358.tif 000005
【図４】
2020080358.tif 000006
【図５】
2020080358.tif 000007
【図６】
2020080358.tif 000008
【図７】
2020080358.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成30年12月27日(2018.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の検査装置を備えた検査機であって、
前記検査機の外光から遮光された暗室に前記検査装置を配置することを特徴とする検査機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに図１（ａ）（ｂ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図４に示される例は、駆動部６の昇降用駆動部６１により第二プレート２が第一プレート１に向けＺ方向へ移動制御される点で相違する。
これと逆に図３，図５（ａ）（ｂ）及び図６に示される例は、駆動部６の昇降用駆動部６１により第一プレート１が第二プレート２に向けＺ方向へ移動制御される点で相違する。図３の場合は、複数の半導体発光素子Ｅにおいて発光部Ｅ１が上向きとなるように配置され、透明な発光側絶縁膜体Ｆ１や裏側誘電層５ａや第二電極２ａや第二プレート２を透して、発光部Ｅ１の発光状態が光学器械４により第二プレート２側から観察される点において、図１（ａ）（ｂ）の場合と相違する。
また、その他の例として図示しないが、図１（ａ）（ｂ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図４に示された例において、駆動部６の昇降用駆動部６１で第一プレート１を第二プレート２に向けＺ方向へ移動制御させることや、図２（ｂ）（ｃ）及び図４に示された例において、発光部Ｅ１の発光状態を光学器械４で第二プレート２側から観察させるなどの変更が可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図６に示される例は、第一電極１ａと第二電極２ａの間に形成される空間に対して、膜付きチップＥＦ（複数の半導体発光素子Ｅと絶縁膜体Ｆ）を搬送（搬入及び搬出）可能にしている。
図６の場合は、図５（ａ）に示した支持部材１１に対して、膜付きチップＥＦが載置された第一プレート１を搬送可能している。詳しく説明すると、支持部材１１に設けられた保持チャック（図示しない）により、膜付きチップＥＦ及び第一プレート１を支持部材１１に対して移動不能で且つ着脱自在に保持している。
また、その他の例として図示しないが、図１（ａ），図２（ａ）（ｂ）（ｃ），図３及び図４に示された例において、膜付きチップＥＦが載置された第一プレート１を搬送可能な構造に変更することや、膜付きチップＥＦが吊持された第二プレート２を搬送可能な構造に変更することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月26日(2019.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査装置であって、
第一電極を有する第一プレートと、
前記第一電極との間に前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体を挟んで対向するように設けられた第二電極を有する第二プレートと、
前記第一電極及び前記第二電極に対して電気的に接続される駆動電源と、
前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から前記複数の半導体発光素子の発光を観察する光学器械と、を備え、
前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体は、前記複数の半導体発光素子の表裏のいずれが一方か若しくは両方に対して前記絶縁膜体が粘着で着脱自在に仮止めされた膜付きチップであり、
前記第一電極と前記第二電極の間には、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部が配置され、
前記複数の発光回路部は、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記第一電極又は前記第二電極のいずれか一方の表面か若しくは両方の表面に設けられる誘電層を備え、前記誘電層が高比誘電率の材料からなることを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の面積が他方よりも小さい面積で形成され、前記第一プレート又は前記第二プレートの一方に対して他方か若しくは両方を、前記第一プレート及び前記第二プレートの対向方向と交差する方向へ相対的に移動自在に支持することを特徴とする請求項１又は２記載の検査装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の検査装置を備えた検査機であって、
前記検査機の外光から遮光された暗室に前記検査装置を配置することを特徴とする検査機。
【請求項５】
前記暗室には、前記複数の半導体発光素子の発光周波数未満の短波長光線を発光する光源が備えられ、前記光源から前記複数の半導体発光素子の発光部に向けて前記短波長光線が均等に照射されることを特徴とする請求項４記載の検査機。
【請求項６】
絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査方法であって、
前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体は、前記複数の半導体発光素子の表裏のいずれが一方か若しくは両方に対して前記絶縁膜体が粘着で着脱自在に仮止めされた膜付きチップであり、
第一プレートの第一電極と第二プレートの第二電極との間に、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部を形成するセット工程と、
駆動電源の電圧を前記第一電極及び前記第二電極から前記複数の発光回路部に与える供給工程と、
前記複数の発光回路部に対する電圧の供給により発光する前記複数の半導体発光素子を前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から光学器械で観察する観察工程と、を含み、
前記観察工程では、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような課題を解決するために本発明に係る検査装置は、絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査装置であって、第一電極を有する第一プレートと、前記第一電極との間に前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体を挟んで対向するように設けられた第二電極を有する第二プレートと、前記第一電極及び前記第二電極に対して電気的に接続される駆動電源と、前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から前記複数の半導体発光素子の発光を観察する光学器械と、を備え、前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体は、前記複数の半導体発光素子の表裏のいずれが一方か若しくは両方に対して前記絶縁膜体が粘着で着脱自在に仮止めされた膜付きチップであり、前記第一電極と前記第二電極の間には、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部が配置され、前記複数の発光回路部は、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする。
また、このような課題を解決するために本発明に係る検査方法は、絶縁膜体に分離配列された複数の半導体発光素子を光学的に検査する検査方法であって、前記複数の半導体発光素子及び前記絶縁膜体は、前記複数の半導体発光素子の表裏のいずれが一方か若しくは両方に対して前記絶縁膜体が粘着で着脱自在に仮止めされた膜付きチップであり、第一プレートの第一電極と第二プレートの第二電極との間に、前記複数の半導体発光素子のそれぞれに前記絶縁膜体からなるコンデンサが直列接続される個々に分離した複数の発光回路部を形成するセット工程と、駆動電源の電圧を前記第一電極及び前記第二電極から前記複数の発光回路部に与える供給工程と、前記複数の発光回路部に対する電圧の供給により発光する前記複数の半導体発光素子を前記第一プレート又は前記第二プレートのいずれか一方の側から光学器械で観察する観察工程と、を含み、前記観察工程では、前記駆動電源から前記複数の半導体発光素子に順方向の電流が流れる時に誘導電流を生じて前記複数の半導体発光素子が発光することを特徴とする。