(57)【要約】【課題】半導体チップ焼結接合箇所を含む半導体装置の製造過程において良好な作業効率を実現するとともに、良好な保存安定性と、高い保存効率とを兼ね備える、基材付き焼結接合用シートの巻回体を提供する。【解決手段】本発明の巻回体１は、基材１１と、導電性金属含有の焼結性粒子とバインダー成分とを含む焼結接合用シート１０と、を含む積層構造を有する基材付き焼結接合用シートＸが、巻き芯２に対してロール状に巻き取られた形態をなす。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
導電性金属含有の焼結性粒子とバインダー成分とを含む焼結接合用シートと、を含む積層構造を有する基材付き焼結接合用シートが、
巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態をなす巻回体。
【請求項２】
巻き芯の外径と焼結接合用シートの厚みが下記式を満たす請求項１に記載の巻回体。
［巻き芯の外径（ｍｍ）］／［焼結接合用シートの厚み（ｍｍ）］2≧３５００
【請求項３】
巻き芯の外径が３０〜２６０ｍｍである請求項１または２に記載の巻回体。
【請求項４】
焼結接合用シートの厚みが１０〜３００μｍである請求項１〜３の何れか１項に記載の巻回体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造などに使用することのできる、基材付き焼結接合用シートの巻回体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、リードフレームや絶縁回路基板など支持基板に対し、半導体チップを支持基板側との電気的接続をとりつつダイボンディングするための手法として、支持基板とチップとの間にＡｕ-Ｓｉ共晶合金層を形成して接合状態を実現する手法や、接合材としてハンダや導電性粒子含有樹脂を利用する手法が知られている。
【０００３】
一方、電力の供給制御を担うパワー半導体装置の普及が近年では顕著である。パワー半導体装置は、動作時の通電量が大きいことに起因して発熱量が大きい場合が多い。そのため、パワー半導体装置の製造においては、半導体チップを支持基板側との電気的接続をとりつつ支持基板にダイボンディングする手法について、高温動作時にも信頼性の高い接合状態を実現可能であることが求められる。半導体材料としてＳｉＣやＧａＮが採用されて高温動作化の図られたパワー半導体装置においては特に、そのような要求が強い。そして、そのような要求に応えるべく、電気的接続を伴うダイボンディング手法として、焼結性粒子と溶剤等を含有する焼結接合用の組成物を使用する技術が提案されている。
【０００４】
焼結性粒子含有の焼結接合用材料が用いられて行われるダイボンディングでは、まず、支持基板のチップ接合予定箇所に対して半導体チップが焼結接合用材料を介して所定の温度・荷重条件で載置される。その後、支持基板とその上の半導体チップとの間において焼結接合用材料中の溶剤の揮発などが生じ且つ焼結性粒子間で焼結が進行するように、所定の温度・加圧条件での加熱工程が行われる。これにより、支持基板と半導体チップとの間に焼結層が形成されて、支持基板に対して半導体チップが電気的に接続されつつ機械的に接合されることとなる。このような技術は、例えば下記の特許文献１、２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−０３９５８０号公報
【特許文献２】特開２０１４−１１１８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
焼結接合によるダイボンディングがなされる半導体装置製造過程においては、従来、焼結性粒子含有のペースト状組成物が半導体チップごとに塗布されることがある。しかしながら、このような手法は効率的でない。
【０００７】
一方、焼結接合によるダイボンディングがなされる半導体装置製造過程において、複数の半導体チップに焼結接合用材料を一括的に供給するためには、例えば次のようなプロセスを経ることが考えられる。まず、片面に粘着面を有する加工用テープないしその粘着面の上に複数の半導体チップを配列する。次に、加工用テープ上の半導体チップアレイに対して、シートの形態に作製された焼結接合用材料である基材付き焼結接合用シートを押圧して貼り合わせる。次に、焼結接合用シートにおいて半導体チップに圧着された箇所を当該半導体チップ上に残しつつ、当該シート体の剥離を行う。当該シート体の貼り合わせとその後の剥離により、シート体から各半導体チップへの焼結接合用材料の転写が行われること（即ち、基材から剥離した焼結接合用シート小片が半導体チップ上に移着すること）により、焼結接合用材料層付き半導体チップが得られる。このような手法によると、複数の半導体チップに対して焼結接合用材料を一括的に供給することが可能である。
【０００８】
しかしながら、上述の基材付き焼結接合用シートは枚葉状の形態を有するため、半導体チップへの転写の際は１枚ずつ用意する必要があり、搬送性が悪いという問題がある。また、半導体チップアレイに対する位置合わせには少なくとも二方向を定める必要があり、作業効率の観点から好ましくない。さらに、枚葉状の形態をとると大気に対する暴露面積が大きくなるため、このような焼結接合用シートは保存安定性の観点からも好ましくない。さらにまた、枚葉状の形態を有する焼結接合用シートは保存の際に嵩張る原因となり、広い保管場所を必要とするため、保存効率の観点から好ましくない。
【０００９】
本発明は、以上のような事情のもとで考え出されたものであって、その目的は、半導体チップ焼結接合箇所を含む半導体装置の製造過程において良好な作業効率を実現するとともに、良好な保存安定性と、高い保存効率とを兼ね備える、基材付き焼結接合用シートの巻回体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面によると、巻回体が提供される。この巻回体は、基材と、導電性金属含有の焼結性粒子とバインダー成分とを含む焼結接合用シートと、を含む積層構造を有する基材付き焼結接合用シートが、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態をなす。
【００１１】
基材付き焼結接合用シートは、半導体チップの焼結接合箇所を含む半導体装置の製造過程において、例えば次のようにして使用される。まず、片面に粘着面を有する加工用テープないしその粘着面の上に配列された複数の半導体チップに対して基材付き焼結接合用シートを押圧しつつ貼り合わせる。次に、基材付き焼結接合用シートにおいて半導体チップに圧着された箇所を当該半導体チップ上に残しつつ、当該シート体の剥離作業を行う。この様な貼り合わせ作業とその後の剥離作業により、焼結接合用シートから各半導体チップへの焼結接合用材料の転写が行われ、基材から剥離した焼結接合用シート小片である焼結接合用材料層が半導体チップ上に生ずる（転写工程）。次に、焼結接合用材料層付きの半導体チップを、その焼結接合用材料層を介して基板に対して圧着して仮固定する。そして、仮固定された半導体チップと基板の間に介在する焼結接合用材料層から、加熱過程を経て焼結層を形成し、当該半導体チップを基板に対して焼結接合する。例えば以上のようにして、基材付き焼結接合用シートを使用して半導体チップを基板に焼結接合することが可能である。
【００１２】
本巻回体は、上述のように、基材付き焼結接合用シートが、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態をなす。基材付き焼結接合用シートが巻回体の形態をなすことにより、半導体装置の製造における転写工程の際に焼結接合用シートから各半導体チップへの焼結接合用材料の転写が連続して行うことが可能になる。具体的には、例えば、本巻回体から半導体チップを覆うことができるように一定の長さの基材付き焼結接合用シートを引き出し、半導体チップへの焼結接合用材料の転写を行い、必要に応じて当該シートを裁断し、さらに一定の長さの基材付き焼結接合用シートを引き出すとともに新たな半導体チップを用意して半導体チップへの焼結接合用材料の転写を行う、という転写工程の連続化の実現が可能となる。従って、枚葉状の形態をなす基材付き焼結接合用シートが、転写工程において１枚ずつ用意する必要があることと比較すると搬送性が良好であるといえる。また、半導体チップアレイに対する位置合わせには少なくとも二方向を定める必要があることと比較すると、作業効率が良好であるといえる。さらに、本巻回体はロール状の形態をなすため、枚葉状の形態をなすものと比較すると、大気に対する暴露面積が小さくなり保存安定性の観点からも好ましく、さらにまた、保存の際に嵩張ることもなく、保存効率の観点から好ましい。
【００１３】
本巻回体において、巻き芯の外径と焼結接合用シートの厚みが下記式を満たすことは、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態となることによる、基材付き焼結接合用シートにおける基材と焼結接合用シートとの剥離を抑制する観点から好適である。また、焼結接合用シートの割れを抑制する観点から好適である。
［巻き芯の外径（ｍｍ）］／［焼結接合用シートの厚み（ｍｍ）］2≧３５００
【００１４】
本巻回体において、巻き芯の外径が３０〜２６０ｍｍであることも上記と同様であり、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態となることによる、基材付き焼結接合用シートにおける基材と焼結接合用シートとの剥離を抑制する観点から好適である。また、焼結接合用シートの割れを抑制する観点から好適である。さらに、巻き芯の外径が上記範囲であることにより、巻き芯の外径が小さいことに起因して生じる剥離、割れがより抑制される傾向がある。また、巻回体の巻き数に対して容積が大きくなり過ぎず、保管効率や輸送効率の観点から好適である。
【００１５】
本巻回体において、焼結接合用シートの厚みが１０〜３００μｍであることも上記と同様であり、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態となることによる、基材付き焼結接合用シートにおける基材と焼結接合用シートとの剥離を抑制する観点から好適である。また、焼結接合用シートの割れを抑制する観点から好適である。特に、焼結接合用シートの厚みが１０μｍ以上であることにより、焼結性粒子の形状に起因するシート表面への影響（シート表面に凹凸が生じること等）が少なくなる結果、半導体チップを基板に焼結する際に接合が安定する傾向がある。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本巻回体は、半導体チップ焼結接合箇所を含む半導体装置の製造過程において良好な作業効率を実現するのに適するものである。また本巻回体は、良好な保存安定性と、高い保存効率とを兼ね備える。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一の実施形態に係る基材付き焼結接合用シートの巻回体の一部拡大断面模式図である。
【図２】図１に示す基材付き焼結接合用シートが使用されて行われる半導体装置製造方法における一部の工程を表す。
【図３】図２に示す工程の後に続く工程を表す。
【図４】図３に示す工程の後に続く工程を表す。
【図５】図４に示す工程の後に続く工程を表す。
【図６】図５に示す工程の後に続く工程を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の一の実施形態に係る基材付き焼結接合用シートの巻回体１の部分断面模式図である。なお、便宜上、基材付き焼結接合用シートＸの一部を拡大図としている。基材付き焼結接合用シートＸは、基材１１と、焼結接合用シート１０とを含む積層構造を有し、且つ、当該積層構造中で基材１１が焼結接合用シート１０よりも外径側に位置するロールの形態をとる。即ち、本実施形態では、基材付き焼結接合用シートＸは、上記積層構造中で基材１１が焼結接合用シート１０よりも外径側に位置する態様ないし方向で、巻き芯２に巻き付けられている。
【００１９】
基材１１は、基材付き焼結接合用シートＸにおいて支持体として機能する要素であり、積層構造中で焼結接合用シート１０よりも巻回体の内径側に位置してもよいし、巻回体の外径側に位置してもよいが、焼結接合用シート１０の保護の観点からは巻回体の外径側に位置することが好ましい。基材１１は例えばプラスチック基材であり、当該プラスチック基材としてはプラスチックフィルムを好適に用いることができる。プラスチック基材の構成材料としては、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフェニルスルフィド、アラミド、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、およびシリコーン樹脂が挙げられる。ポリオレフィンとしては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン−ブテン共重合体、およびエチレン−ヘキセン共重合体が挙げられる。ポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、およびポリブチレンテレフタレートが挙げられる。基材１１は、一種類の材料からなってもよし、二種類以上の材料からなってもよい。基材１１は、単層構造を有してもよいし、多層構造を有してもよい。基材１１がプラスチックフィルムよりなる場合、当該基材１１は、焼結接合用シート側に粘着面をなす粘着剤層を有するダイシングテープなどの粘着テープないし粘着シートであってもよい。その粘着剤層は、紫外線照射により硬化して粘着力の低下を生じる紫外線硬化性粘着剤層であってもよい。
【００２０】
基材１１の厚みは特に限定されないが、例えば、１０〜２００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜１５０μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。
【００２１】
焼結接合用シート１０は、接合対象物間を焼結接合するのに使用するためのものであって、導電性金属含有の焼結性粒子とバインダー成分とを少なくとも含むシート状の焼結接合用組成物である。焼結接合用シート１０は、基材１１上において円形や四角形など所定の平面視形状を有してもよい。また、単一の基材１１上において所定の平面視形状の複数の焼結接合用シート１０が設けられていてもよい。また、焼結接合用シート１０は、長尺の基材１１上に、複数の焼結接合用シートが基材の延び方向に並べられた態様を有していてもよい。
【００２２】
焼結接合用シート１０中の焼結性粒子は、導電性金属元素を含有して焼結可能な粒子である。導電性金属元素としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、スズ、およびニッケルが挙げられる。このような焼結性粒子の構成材料としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、スズ、ニッケル、および、これらの群から選択される二種以上の金属の合金が挙げられる。焼結性粒子の構成材料としては、酸化銀や、酸化銅、酸化パラジウム、酸化スズなどの金属酸化物も挙げられる。また、焼結性粒子は、コアシェル構造を有する粒子であってもよい。例えば、焼結性粒子は、銅を主成分とするコアと、金や銀などを主成分とし且つコアを被覆するシェルとを有する、コアシェル構造の粒子であってもよい。本実施形態において、焼結性粒子は、好ましくは銀粒子、銅粒子、酸化銀粒子、および酸化銅粒子からなる群より選択される少なくとも一種を含む。このような構成は、焼結接合用シート１０を使用して焼結接合される接合対象物間に強固な焼結層を形成するうえで好ましい。また、形成される焼結層において高い導電性および高い熱伝導性を実現するという観点からは、焼結性粒子としては銀粒子および銅粒子が好ましい。加えて耐酸化性の観点からは、銀粒子は扱いやすくて好ましい。例えば、銀めっき付き銅基板への半導体チップの焼結接合において、焼結性粒子として銅粒子を含む焼結材を用いる場合には、窒素雰囲気下など不活性環境下で焼結プロセスを行う必要があるものの、銀粒子が焼結性粒子をなす焼結材を用いる場合には、空気雰囲気下であっても適切に焼結プロセスを実行することが可能である。
【００２３】
用いられる焼結性粒子の平均粒径は、焼結接合用シート１０の表面の平坦性を確保するという観点からは、好ましくは１００００ｎｍ以下、より好ましくは３０００ｎｍ以下、より好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。焼結接合用シート１０ないしそれを形成するための組成物における焼結性粒子について良好な分散性を実現するという観点からは、焼結性粒子の平均粒径は、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上である。焼結性粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して行う観察によって計測することが可能である。
【００２４】
焼結接合用シート１０における焼結性粒子の含有割合は特に限定されないが、例えば６０〜９９質量％、好ましくは６５〜９８質量％、より好ましくは７０〜９７質量％である。焼結性粒子の含有割合が上記範囲内にあることにより、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。また、半導体チップを基板に焼結する際に、接合がより安定する傾向がある。特に、焼結性粒子の含有割合が６０質量％以上であると焼結接合用シートに充分量の焼結性粒子が含まれることから、焼結の際に接合がより安定する傾向がある。また、焼結性粒子の含有割合が９９質量％以下であると焼結接合用シートに充分量のバインダー成分が含まれ得ることから、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。
【００２５】
焼結接合用シート１０中のバインダー成分は、高分子バインダーや低分子バインダーを含んでいてもよく、さらに、可塑剤など他の成分を含んでもよい。この中でも、焼結接合用シート１０中のバインダー成分は、巻回体とした際の焼結接合用シートの割れの抑制や、基材と焼結接合用シートとの剥離の抑制の観点から、高分子バインダーを含むことが好ましく、高分子バインダーと低分子バインダーとを同時に含むことがより好ましい。
【００２６】
焼結接合用シート中の高分子バインダーは、好ましくは、熱分解性高分子バインダーである。熱分解性高分子バインダーは、焼結接合用の高温加熱過程で熱分解され得るバインダー成分であり、当該加熱過程前までにおいて、焼結接合用シート１０のシート形状の保持に寄与する要素である。本実施形態では、シート形状保持機能を担保するという観点から、熱分解性高分子バインダーは常温（２３℃）で固形の材料である。そのような熱分解性高分子バインダーとしては、例えば、ポリカーボネート樹脂およびアクリル樹脂を挙げることができる。焼結接合用シート１０は、高分子バインダーないし熱分解性高分子バインダーとして、好ましくはポリカーボネート樹脂および／またはアクリル樹脂を含む。
【００２７】
上記ポリカーボネート樹脂としては、例えば、主鎖の炭酸エステル基（-Ｏ-ＣＯ-Ｏ-）間にベンゼン環など芳香族化合物を含まずに脂肪族鎖からなる脂肪族ポリカーボネート、および、主鎖の炭酸エステル基（-Ｏ-ＣＯ-Ｏ-）間に芳香族化合物を含む芳香族ポリカーボネートが挙げられる。脂肪族ポリカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネートおよびポリプロピレンカーボネートが挙げられる。芳香族ポリカーボネートとしては、主鎖にビスフェノールＡ構造を含むポリカーボネートが挙げられる。
【００２８】
上記アクリル樹脂としては、例えば、炭素数４〜１８の直鎖状または分岐状のアルキル基を有するアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルの重合体が挙げられる。以下では、「(メタ)アクリル」をもって「アクリル」および／または「メタクリル」を表し、「(メタ)アクリレート」をもって「アクリレート」および／または「メタクリレート」を表す。熱分解性高分子バインダーとしてのアクリル樹脂をなすための(メタ)アクリル酸エステルのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、ｔ-ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２-エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、およびオクタデシル基が挙げられる。
【００２９】
上記アクリル樹脂は、上記(メタ)アクリル酸エステル以外の他のモノマーに由来するモノマーユニットを含む重合体であってもよい。そのような他のモノマーとしては、例えば、カルボキシ基含有モノマー、酸無水物モノマー、ヒドロキシ基含有モノマー、スルホン酸基含有モノマー、およびリン酸基含有モノマーが挙げられる。具体的に、カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、およびクロトン酸が挙げられる。酸無水物モノマーとしては、例えば、無水マレイン酸や無水イタコン酸が挙げられる。ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸２-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸４-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸６-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸８-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸１０-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸１２-ヒドロキシラウリル、および、(メタ)アクリル酸４-(ヒドロキシメチル)シクロヘキシルメチルが挙げられる。スルホン酸基含有モノマーとしては、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２-(メタ)アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、および(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸が挙げられる。リン酸基含有モノマーとしては、例えば２-ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートが挙げられる。
【００３０】
焼結接合用シート１０に含まれる高分子バインダーないし熱分解性高分子バインダーの重量平均分子量は、好ましくは１００００以上である。高分子バインダーの重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定してポリスチレン換算により算出される値とする。
【００３１】
焼結接合用シート１０に含まれる高分子バインダーの含有割合は特に限定されないが、例えば、０.１〜２０質量％が好ましく、０.５〜１８質量％、より好ましくは１．０〜１５質量％である。高分子バインダーの含有割合が上記範囲内にあることにより焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。特に、高分子バインダーの含有割合が０.１質量％以上であると高分子バインダーの焼結接合用シートの形状保持に対する寄与が大きくなり、焼結性粒子同士の結着性が向上することから、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。また、高分子バインダーの含有割合が２０質量％以下であると焼結接合用シートに充分量の低分子バインダーや焼結性粒子が含まれ得ることから、基材と焼結接合用シートとの密着性が向上するとともに、焼結の際に接合がより安定する傾向がある。
【００３２】
焼結接合用シート１０中の低分子バインダーは、好ましくは、低沸点バインダーである。低沸点バインダーは、熱分解性高分子バインダーなど高分子バインダーの熱分解開始温度よりも沸点が低いバインダー成分である。本実施形態では、低沸点バインダーは、動的粘弾性測定装置（商品名「ＨＡＡＫＥ ＭＡＲＳ III」，Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｆｉｃ社製）を使用して測定される２３℃での粘度が１×１０5Ｐａ・ｓ以下を示す液状または半液状であるものとする。本粘度測定においては、治具として２０ｍｍφのパラレルプレートを使用し、プレート間ギャップを１００μｍとし、回転せん断におけるせん断速度を１ｓ-1とする。
【００３３】
上述の低沸点バインダーとしては、例えば、テルペンアルコール類、テルペンアルコール類を除くアルコール類、アルキレングリコールアルキルエーテル類、および、アルキレングリコールアルキルエーテル類を除くエーテル類が、挙げられる。テルペンアルコール類としては、例えば、イソボルニルシクロヘキサノール、シトロネロール、ゲラニオール、ネロール、カルベオール、およびα-テルピネオールが挙げられる。テルペンアルコール類を除くアルコール類としては、例えば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、１-デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、および２,４-ジエチル-１,５ペンタンジオールが挙げられる。アルキレングリコールアルキルエーテル類としては、例えば、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、およびトリプロピレングリコールジメチルエーテルが挙げられる。アルキレングリコールアルキルエーテル類を除くエーテル類としては、例えば、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、およびジプロピレングリコールメチルエーテルアセテートが挙げられる。焼結接合用シート１０中の成分として、一種類の低沸点バインダーを用いてもよいし、二種類以上の低沸点バインダーを用いてもよい。焼結接合用シート１０中の低沸点バインダーは、常温での安定性という観点からは、好ましくはテルペンアルコール類であり、より好ましくはイソボルニルシクロヘキサノールである。
【００３４】
焼結接合用シート１０における低分子バインダーの含有割合は特に限定されないが、例えば、０．５〜５０質量％が好ましく、より好ましくは１〜３０質量％、より好ましくは１.５〜２０質量％、より好ましくは２〜１５質量％である。低分子バインダーの含有割合が上記範囲内にあることにより基材と焼結接合用シートとの剥離がより抑制される傾向がある。特に、低分子バインダーの含有割合が０.５質量％以上であると焼結接合用シートに充分量の低分子バインダーが含まれることから、基材と焼結接合用シートとの接着力が向上し、基材と焼結接合用シートとの剥離がより抑制される傾向がある。また、低分子バインダーの含有割合が５０質量％以下であると焼結接合用シートに充分量の高分子バインダーや焼結性粒子が含まれ得ることから、焼結接合用シートの割れがより抑制されるとともに、焼結の際に接合がより安定する傾向がある。
【００３５】
焼結接合用シート１０にバインダー成分として、高分子バインダーと低分子バインダーとが含まれている場合、これらの含有比率（質量比、高分子バインダー／低分子バインダー）は特に限定されないが、例えば、１／２０〜１０／１が好ましく、より好ましくは１／１０〜３／１、より好ましくは１／８〜１／１である。上記比率が１／２０以上となることにより、バインダー成分中の高分子バインダーの焼結接合用シートの形状保持に対する寄与が大きくなり、焼結性粒子同士の結着性が向上することから、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。また、上記比率が１０／１以下となることにより、バインダー成分中の低分子バインダーの割合が大きくなるため基材と焼結接合用シートとの接着力が向上し、剥離がより抑制される傾向がある。すなわち、当該比率が上記範囲内にあることにより焼結接合用シートの割れがより抑制され、且つ、基材と焼結接合用シートとの剥離がより抑制されるという双方の利点が発揮される傾向がある。
【００３６】
焼結接合用シート１０の厚み（２３℃における厚み）は特に限定されないが、例えば、１０〜３００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜２５０μｍ、より好ましくは３０〜２００μｍである。焼結接合用シート１０の厚みが上記範囲内にあることにより、屈曲性が良好となり、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。また、半導体チップを基板に焼結する際に、接合がより安定する傾向がある。特に、焼結接合用シートの厚みが１０μｍ以上となることで、半導体チップへ転写される焼結接合用材料の量が十分となり、焼結の際に接合がより安定する傾向がある。また、焼結接合用シートの厚みが３００μｍ以下となることで、焼結接合用シートの屈曲性が良好となり、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。
【００３７】
焼結接合用シート１０ないしこれをなす焼結接合用組成物の７０℃での粘度は、例えば５×１０3〜１×１０7Ｐａ・ｓであり、好ましくは１×１０4〜１×１０6Ｐａ・ｓである。
【００３８】
焼結接合用シート１０は、例えば、上述の各成分を溶剤中にて混合してワニスを調製し、基材１１の上に当該ワニスを塗布して塗膜を形成し、その塗膜を乾燥させることによって、作製することができる。ワニス調製用の溶剤としては有機溶剤やアルコール溶剤を用いることができる。
【００３９】
焼結接合用シート１０の表面粗さは特に限定されないが、例えば、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下である。表面粗さが上記範囲内であることにより、焼結接合用シート表面の厚み方向の均一性が高いレベルで満足されることになり、被着対象となる基材（例えばＰＥＴ）との密着性が向上する傾向がある。また、基材と焼結接合用シートとの剥離および剥離に伴う割れがより抑制される傾向がある。なお、焼結接合用シート１０の表面粗さは、例えば、触針式表面形状測定器（「Ｄｅｋｔａｋ  ８」、アルバック株式会社製）を用いて計測することができる。
【００４０】
焼結接合用シートの厚みと基材の厚みの比率（焼結接合用シートの厚み（μｍ）／基材の厚み（μｍ））は特に限定されないが、例えば、０．５〜３．５が好ましく、より好ましくは１．０〜２．５、より好ましくは１．２〜２．０である。当該比率が上記範囲内となることにより基材付き焼結接合用シートが適度な硬さ（柔軟性）を有することとなるため、焼結接合用シートを半導体チップに転写する際に、焼結接合用シートの半導体チップへの追従性が向上するとともに、基材付き焼結接合用シートの搬送性が良好になる傾向がある。
【００４１】
本実施形態では、基材付き焼結接合用シートＸは巻き芯２に巻き付けられているところ、巻き芯２の外径、即ち、巻回体１の最内径Ｒは、好ましくは３０〜２６０ｍｍ、より好ましくは５０〜２１０ｍｍ、より好ましくは７０〜１６０ｍｍである。巻き芯２の外径が上記範囲内となることにより、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態となることによる、基材付き焼結接合用シートにおける基材と焼結接合用シートとの剥離がより抑制される傾向がある。また、焼結接合用シートの割れがより抑制される傾向がある。特に、巻き芯２の外径が当該範囲の上限に近付くほど曲率が低くなることから焼結接合用シートの割れがより抑制され、下限に近付くほど、巻回体の容積(巻き芯と巻き取られたシートの総容積)に対して巻き数(シートの巻き数)が大きくなり、保管効率や輸送効率に優れる傾向がある。
【００４２】
巻き芯２の構成材料としては、例えば、プラスチック材料、紙材、金属（例えば、鉄コア、ＳＵＳコア、アルミコアなど）が挙げられる。巻き芯２用のプラスチック材料としては、例えば、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびエチレン−酢酸ビニル共重合体が挙げられる。
【００４３】
本巻回体において、巻き芯の外径と焼結接合用シートの厚みは下記式を満たすことが好ましい。
［巻き芯の外径（ｍｍ）］／［焼結接合用シートの厚み（ｍｍ）］2≧３５００
【００４４】
上記式（左辺式）から得られる値が３５００以上となることは、巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態となることによる、基材付き焼結接合用シートにおける基材と焼結接合用シートとの剥離を抑制する観点から好適である。また、焼結接合用シートの割れを抑制する観点から好適である。
【００４５】
本巻回体は、長尺の基材付き焼結接合用シートを巻き芯に巻き付けることにより作製することができる。巻き付けは、基材が焼結接合用シートよりも内径側に位置する態様ないし方向により行われてもよいし、基材が焼結接合用シートよりも外径側に位置する態様ないし方向により行われてもよい。
【００４６】
本巻回体は、例えば、半導体装置の製造過程において次のようにして使用される。まず、巻回体１から基材付き焼結接合用シートＸを所定の速度で繰り出しつつ、一定の長さ（例えば、用意した複数の半導体チップ全てを覆うことができる長さ）となった時点で必要に応じて繰り出しを停止し、半導体チップへの焼結接合用材料の転写を行い、必要に応じて裁断し、さらに一定の長さの基材付き焼結接合用シートを引き出すとともに新たな半導体チップを用意して焼結接合用材料の転写を行う。この様に、本巻回体を使用することにより、転写工程の連続化の実現が可能となる。
【００４７】
図２から図６は、上述の基材付き焼結接合用シートＸが使用されて行われる半導体装置製造方法の一部の工程を表す。本方法は、半導体チップの焼結接合箇所を備えるパワー半導体装置などの半導体装置を製造するための方法である。
【００４８】
本方法では、まず、図２（ａ）に示すように、焼結接合用シート１０を有する上述の基材付き焼結接合用シートＸおよび複数のチップＣが用意される。複数のチップＣのそれぞれは、所定の半導体素子が既に作り込まれた半導体チップである。複数のチップＣは、加工用テープＴ１の粘着面Ｔ１ａ上に、隣接チップ間に空隙を伴って配列される。チップＣのチップ本体をなすための構成材料としては、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）など、パワー半導体装置用の半導体材料が挙げられる。チップＣの厚さは例えば２０〜１０００μｍである。各チップＣにおいて、焼結接合用シート１０が貼り付けられる側の表面（図２では図中上面）には既に外部電極（図示略）が形成されている。外部電極は例えば銀平面電極であり、その厚さは例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。外部電極としての銀平面電極は、半導体チップ表面に形成されたチタン薄膜の上に積層形成されていてもよい。そのチタン薄膜の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。これら銀平面電極およびチタン薄膜は、例えば蒸着法によって形成することができる。また、各チップＣの他方の面（図２では図中下面）には、必要に応じて他の電極パッド等（図示略）が形成されている。
【００４９】
本半導体装置製造方法では、次に、転写工程が行われる。転写工程では、まず、図２（ｂ）に示すように、加工用テープＴ１上の複数のチップＣに対して、基材付き焼結接合用シートＸの焼結接合用シート１０の側を圧着して貼り合わせる。貼り合わせのための押圧手段としては、例えば圧着ロールが挙げられる。貼り合わせ温度は、例えば室温から２００℃までの範囲にあり、好ましくは５０〜１００℃である。貼り合わせのための荷重は例えば０.０１〜１０ＭＰａである。貼り合わせの後、図２（ｃ）に示すように、焼結接合用シート１０の一部をチップＣ側に残しつつ、基材１１の剥離作業を行う。この様な貼り合わせ作業とその後の剥離作業により、焼結接合用シート１０から各チップＣへの焼結接合用材料の転写が行われ、周囲から切り離された焼結接合用シート小片である焼結接合用材料層１２がチップＣ上に生ずる。本工程において、チップＣのそれぞれに対して焼結接合用材料を一括的に供給することができる。
【００５０】
本半導体装置製造方法では、次に、図３に示すように、チップＣを、焼結接合用シート１０において当該チップＣに密着している部分とともに加工用テープＴ１からピックアップして、焼結接合用材料層１２を伴うチップＣを得る（ピックアップ工程）。本実施形態のピックアップ工程では、具体的には、ピックアップ対象のチップＣについて、加工用テープＴ１の図中下側においてピックアップ機構のピン部材２１を上昇させて加工用テープＴ１を介して突き上げる。このような突き上げの後、焼結接合用材料層１２側への吸着作用により当該チップＣを吸着コレット２２によって吸着保持する。このようにして、焼結接合用材料層１２付きチップＣのピックアップを行うことができる。
【００５１】
本実施形態では、次に、図４に示すように、焼結接合用材料層付きチップＣをピックアップした吸着コレット２２から、別の吸着コレット２３へと当該チップＣを受け渡す。吸着コレット２３は、焼結接合用材料層付きチップＣのチップ側への吸着作用により当該チップＣを保持する。
【００５２】
次に、図５（ａ）に示すように、焼結接合用材料層付きチップＣをその焼結接合用材料層１２を介して支持基板Ｓに対して圧着して仮固定する（仮固定工程）。具体的には、例えばチップマウンターを使用して、焼結接合用材料層付きチップＣをその焼結接合用材料層１２を介して支持基板Ｓに対して押圧して仮固定する。支持基板Ｓとしては、例えば、銅配線など配線を表面に伴う絶縁回路基板、および、リードフレームが挙げられる。支持基板Ｓにおけるチップ搭載箇所は、銅配線やリードフレームなどの素地表面であってもよいし、素地表面上に形成されためっき膜の表面であってもよい。当該めっき膜としては、例えば、金めっき膜、銀めっき膜、ニッケルめっき膜、パラジウムめっき膜、および白金めっき膜が挙げられる。本工程において、仮固定用の温度条件は、例えば室温から３００℃までの範囲にあり、押圧に係る荷重は例えば０.０１〜５０ＭＰａであり、接合時間は例えば０.０１〜３００秒間である。
【００５３】
次に、図５（ｂ）に示すように、仮固定されたチップＣと支持基板Ｓの間に介在する焼結接合用材料層１２から、加熱過程を経て焼結層１３を形成して、チップＣを支持基板Ｓに対して焼結接合する（焼結接合工程）。具体的には、所定の高温加熱過程を経ることによって、支持基板ＳとチップＣとの間において、焼結接合用材料層１２中の低分子バインダーを揮発させ、高分子バインダーの全部または一部を必要に応じて熱分解させて揮散させ、そして、焼結性粒子の導電性金属を焼結させる。これにより、支持基板ＳとチップＣとの間に焼結層１３が形成されて、支持基板Ｓに対してチップＣが支持基板Ｓ側との電気的接続がとられつつ接合されることとなる。本工程において、焼結接合の温度条件は、例えば１５０〜４００℃の範囲にある。焼結接合のための圧力は、例えば６０ＭＰａ以下である。また、焼結接合の接合時間は、例えば０.３〜３００分間である。例えばこれら条件の範囲内において、焼結接合工程を実施するための温度プロファイルや圧力プロファイルが適宜に設定される。以上のような焼結接合工程は、加熱と加圧とを同時に行える装置を使用して行うことができる。そのような装置としては、例えばフリップチップボンダーおよび平行平板プレス機が挙げられる。また、焼結接合に関与する金属の酸化防止の観点からは、本工程は、窒素雰囲気下、減圧下、または還元ガス雰囲気下で行われるのが好ましい。
【００５４】
本半導体装置製造方法においては、次に、図６（ａ）に示すように、チップＣの電極部（図示略）と支持基板Ｓの有する端子部（図示略）とを必要に応じてボンディングワイヤーＷを介して電気的に接続する（ワイヤーボンディング工程）。チップＣの電極部や支持基板Ｓの端子部とボンディングワイヤーＷとの結線は、例えば、加熱を伴う超音波溶接によって実現される。ボンディングワイヤーＷとしては、例えば金線、アルミニウム線、または銅線を用いることができる。ワイヤーボンディングにおけるワイヤー加熱温度は、例えば８０〜２５０℃である。また、その加熱時間は例えば数秒〜数分間である。
【００５５】
次に、図６（ｂ）に示すように、支持基板Ｓ上のチップＣやボンディングワイヤーＷを保護するための封止樹脂Ｒを形成する（封止工程）。本工程では、例えば、金型を使用して行うトランスファーモールド技術によって封止樹脂Ｒが形成される。封止樹脂Ｒの構成材料としては、例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。本工程において、封止樹脂Ｒを形成するための加熱温度は例えば１６５〜１８５℃であり、加熱時間は例えば６０秒〜数分間である。本封止工程で封止樹脂Ｒの硬化が充分には進行しない場合には、本工程の後に封止樹脂Ｒを完全に硬化させるための後硬化工程が行われる。
【００５６】
以上のようにして、半導体チップの焼結接合箇所を備える半導体装置を製造することができる。また、焼結接合用シート１０は、作業効率よく作製するのに適するとともに、半導体チップ焼結接合箇所を含む半導体装置の製造過程での焼結プロセスにおいて良好な作業効率を実現するのに適するのである。
【００５７】
焼結接合用シート１０のバインダー成分は、上述のように、好ましくは熱分解性高分子バインダーを含む。このような構成によると、上述の仮固定での温度、例えば７０℃およびその近傍の温度範囲において、熱分解性高分子バインダーの粘弾性性を利用して焼結接合用シート１０ないしそれ由来の焼結接合用材料層１２の凝集力を確保しやすく、従って焼結接合用シート１０ないし焼結接合用材料層１２の接着力を確保しやすい。そのため、本構成は、接合対象物間に焼結接合用シート１０由来の焼結接合用材料層１２が介在した状態で接合対象物どうしが圧着される時や圧着後においてこれら接合対象物に位置ずれが生じるのを抑制するうえで、好適である。
【００５８】
焼結接合用シート１０中の熱分解性高分子バインダーなど高分子バインダーの重量平均分子量は、上述のように、好ましくは１００００以上である。このような構成は、高分子バインダーの粘弾性性を利用して焼結接合用シート１０ないしそれ由来の焼結接合用材料層１２の凝集力や接着力を確保するうえで好適である。
【００５９】
焼結接合用シート１０中の熱分解性高分子バインダーなど高分子バインダーは、上述のように、好ましくはポリカーボネート樹脂および／またはアクリル樹脂を含む。上述のように、焼結接合用シート１０を使用して焼結接合を実現する過程においては、接合対象物間が焼結接合用シート１０由来の焼結接合用材料層１２で仮固定されたうえで焼結接合用の高温加熱が行われる。焼結接合用の高温加熱は、例えば３００℃およびその近傍を含む温度範囲で行われるところ、ポリカーボネート樹脂およびアクリル樹脂は、３００℃程度の温度で分解・揮散する高分子バインダーとして用意しやすい。従って、本構成は、焼結接合用シート１０を使用して焼結接合される接合対象物間に形成される焼結層１３において有機残渣を低減するうえで好適である。焼結層１３中の有機残渣が少ないほど、当該焼結層１３は強固である傾向にあり、従って、当該焼結層１３において高い接合信頼性を得やすい。
【００６０】
焼結接合用シート１０中の低分子バインダーは、上述のように、高分子バインダーの熱分解開始温度よりも沸点が低い低沸点バインダーを含む。このような構成は、焼結接合用シート１０において、良好なタック性を確保するのに適し、従ってチップＣや基材１１など他部材に対する良好な密着性を確保するのに適する。そのため、本構成は、接合対象物間に焼結接合用シート１０由来の焼結接合用材料層１２が介在した状態で接合対象物どうしが圧着される時や圧着後においてこれら接合対象物に位置ずれが生じるのを抑制するうえで、好適である。
【実施例】
【００６１】
〔実施例１〕
焼結性粒子Ｐ1としての銀粒子５６.５１質量部と、高分子バインダー（熱分解性高分子バインダー）としてのポリカーボネート樹脂（商品名「ＱＰＡＣ４０」，重量平均分子量は１５００００，常温で固体，Empower Materials社製）０.８２質量部と、低分子バインダー（低沸点バインダー）としてのイソボルニルシクロヘキサノール（商品名「テルソルブＭＴＰＨ」，常温で液体，日本テルペン化学工業株式会社製）３.２９質量部と、溶剤としてのメチルエチルケトン３９.３８質量部とを、ハイブリッドミキサー（商品名「ＨＭ−５００」，株式会社キーエンス製）をその撹拌モードで使用して混合し、ワニスを調製した。撹拌時間は３分間とした。焼結性粒子Ｐ1としての前記の銀粒子は、第１の銀粒子（平均粒径６０ｎｍ，ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製）と第２の銀粒子（平均粒径１１００ｎｍ，三井金属鉱業株式会社製）とを質量比９：１で含むものである。そして、得られたワニスを、基材としての離型処理フィルム（商品名「ＭＲＡ３８」，三菱ケミカル株式会社製、厚み３８μｍ）に塗布した後に乾燥させて、厚さ２００μｍの焼結接合用シートを形成した。乾燥温度は１１０℃とし、乾燥時間は３分間とした。焼結接合用シートにおける焼結性粒子含有割合は９３．２質量％である。以上のようにして、焼結性粒子と高分子バインダーと低分子バインダーとを含み、基材に積層された焼結接合用シート（基材付き焼結接合用シート）を作製した。実施例１の基材付き焼結接合用シートに関する組成を表１に掲げる（後記の実施例および比較例についても同様である。また、表１において、組成を表す各数値の単位は、相対的な“質量部”である）。
【００６２】
〔実施例２〕
焼結性粒子Ｐ1の配合量を５５．７８質量部としたこと、ポリカーボネート樹脂（商品名「ＱＰＡＣ４０」，Empower Materials社製）の配合量を４.７２質量部としたこと、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名「テルソルブＭＴＰＨ」，日本テルペン化学工業株式会社製）を使用しなかったこと、およびメチルエチルケトンの使用量を３９.５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして、基材付き焼結接合用シートを作製した。本実施例の焼結接合用シートにつき、焼結性粒子含有割合は９２.２質量％であり、厚さは２００μｍである。
【００６３】
〔実施例３〕
焼結性粒子Ｐ1の配合量を５６．９８質量部としたこと、ポリカーボネート樹脂（商品名「ＱＰＡＣ４０」，Empower Materials社製）の配合量を０.７５質量部としたこと、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名「テルソルブＭＴＰＨ」，日本テルペン化学工業株式会社製）の配合量を２．９８質量部としたこと、およびメチルエチルケトンの使用量を３９.２９質量部としたこと以外は実施例１と同様にして、基材付き焼結接合用シートを作製した。本実施例の焼結接合用シートにつき、焼結性粒子含有割合は９３.９質量％であり、厚さは２００μｍである。
【００６４】
〔実施例４〕
焼結性粒子Ｐ1に代えて焼結性粒子Ｐ2としての銅粒子（平均粒径２００ｎｍ，三井金属鉱業株式会社製）６３.３６質量部を用いたこと、ポリカーボネート樹脂（商品名「ＱＰＡＣ４０」，Empower Materials社製）の配合量を５．４３質量部としたこと、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名「テルソルブＭＴＰＨ」，日本テルペン化学工業株式会社製）の配合量を６．１１質量部としたこと、および、メチルエチルケトンの使用量を２５．１質量部としたこと以外は実施例１と同様にして、基材付き焼結接合用シートを作製した。本実施例の焼結接合用シートにつき、焼結性粒子含有割合は８４.６質量％であり、厚さは２００μｍである。
【００６５】
〔実施例５〕
焼結性粒子Ｐ1の配合量を５６．６９質量部としたこと、ポリカーボネート樹脂（商品名「ＱＰＡＣ４０」，Empower Materials社製）を使用しなかったこと、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名「テルソルブＭＴＰＨ」，日本テルペン化学工業株式会社製）の配合量を３．９８質量部としたこと、およびメチルエチルケトンの使用量を３９.３３質量部としたこと以外は実施例１と同様にして、基材付き焼結接合用シートを作製した。本実施例の焼結接合用シートにつき、焼結性粒子含有割合は９３.４質量％であり、厚さは２００μｍである。
【００６６】
〔比較例１〕
焼結性粒子Ｐ1の配合量を５６．６９質量部としたこと、ポリカーボネート樹脂（商品名「ＱＰＡＣ４０」，Empower Materials社製）と、イソボルニルシクロヘキサノール（商品名「テルソルブＭＴＰＨ」，日本テルペン化学工業株式会社製）とを使用しなかったこと、およびメチルエチルケトンの使用量を４３.３１質量部としたこと以外は実施例１と同様にして、基材付き焼結接合用シートを作製した。比較例１の焼結接合用シートにつき、焼結性粒子含有割合は１００質量％であり、厚さは２００μｍである。
【００６７】
（可撓性評価）
厚み２３８μｍ（焼結接合用シートの厚みは２００μｍ）×幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍの短冊形とした基材付き焼結接合用シートを、室温（２３℃）で、円筒形状の巻き芯（ＡＢＳ樹脂製、外径６インチ）に対し、シートの幅方向が巻き芯と平行になるように沿わせ、基材が内径側となるように３周分巻き付け、巻回体を作製した。その後、巻き芯から基材付き焼結接合用シートを外し、以下の基準で可撓性を評価した。
〇：基材から焼結接合用シートが剥離することなく、焼結接合用シートの割れも見られなかった
×：基材から焼結接合用シートが剥離するか、または焼結接合用シートの割れが見られた
【００６８】
（基材剥離性）
厚み２３８μｍ（焼結接合用シートの厚みは２００μｍ）×幅１０ｍｍ×長さ１００ｍｍの短冊形とした基材付き焼結接合用シートの基材を固定し、焼結接合用シートを、精密万能試験機（オートグラフＡＧＳ−Ｊ、（株）島津製作所社製）を使用し、１８０°ピール試験（引張速度：１０ｍｍ／ｓｅｃ、剥離温度２３℃）を行い、以下の基準で基材剥離性を評価した。
〇：基材から焼結接合用シートを問題なく剥離することができた
△：基材から焼結接合用シートを剥離する際に、ややベタつきがあった
×：基材から焼結接合用シートが剥離するか、または焼結接合用シートの割れが見られた
【００６９】
【表１】
2020147706.tif 000003
【００７０】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
〔付記１〕
基材と、
導電性金属含有の焼結性粒子とバインダー成分とを含む焼結接合用シートと、を含む積層構造を有する基材付き焼結接合用シートが、
巻き芯に対してロール状に巻き取られた形態をなす巻回体。
〔付記２〕
巻き芯の外径と焼結接合用シートの厚みが下記式を満たす付記１に記載の巻回体。
［巻き芯の外径（ｍｍ）］／［焼結接合用シートの厚み（ｍｍ）］2≧３５００または６０００
〔付記３〕
巻き芯の外径が３０〜２６０ｍｍ、５０〜２１０ｍｍ、または７０〜１６０ｍｍである付記１または２に記載の巻回体。
〔付記４〕
焼結接合用シートの厚みが１０〜３００μｍ、２０〜２５０μｍ、または３０〜２００μｍである付記１〜３の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記５〕
焼結接合用シートの厚みと基材の厚みの比（焼結接合用シートの厚み（μｍ）／基材の厚み（μｍ））が０．５〜３．５、１．０〜２．５、または１．２〜２．０である付記１〜４の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記６〕
焼結接合用シートの表面粗さが５０μｍ以下、３０μｍ以下、または２０μｍ以下である、付記１〜５の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記７〕
前記バインダー成分が高分子バインダーおよび／または低分子バインダーを含む、付記１〜６の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記８〕
前記高分子バインダーの重量平均分子量が１００００以上である、付記７に記載の巻回体。
〔付記９〕
前記高分子バインダーがポリカーボネート樹脂および／またはアクリル樹脂を含む、付記７または８に記載の巻回体。
〔付記１０〕
前記低分子バインダーが前記高分子バインダーの熱分解開始温度よりも沸点が低い、付記７〜９の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記１１〕
前記焼結性粒子が、銀粒子、銅粒子、酸化銀粒子、および酸化銅粒子からなる群より選択される少なくとも一種を含む、付記１から１０の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記１２〕
前記焼結性粒子の含有割合が、６０〜９９質量％、６５〜９８質量％、または７０〜９７質量％である付記１から１１の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記１３〕
基材が焼結接合用シートよりも内径側または外径側に位置する方向で、基材付き焼結接合用シートが巻き芯に巻き付けられている、付記１から１２の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記１４〕
基材上に所定（例えば、円形や四角形）の平面視形状の、複数の焼結接合用シートが設けられた、付記１から１３の何れか一つに記載の巻回体。
〔付記１５〕
長尺の基材上に、複数の焼結接合用シートが基材の延び方向に並べられた、付記１から１４の何れか一つに記載の巻回体。
【符号の説明】
【００７１】
Ｘ            基材付き焼結接合用シート
１            巻回体
２            巻き芯
１０          焼結接合用シート
１１          基材
１２          焼結接合用材料層
１３          焼結層
Ｔ１          加工用テープ
Ｃ            チップ（半導体チップ）
Ｓ            支持基板（基板）
Ｗ            ボンディングワイヤー
【図１】
2020147706.tif 000004
【図２】
2020147706.tif 000005
【図３】
2020147706.tif 000006
【図４】
2020147706.tif 000007
【図５】
2020147706.tif 000008
【図６】
2020147706.tif 000009