(57)【要約】【課題】リード端子と電極パッドとが強固に接続された抵抗体温度センサを提供する。【解決手段】絶縁基板２と、抵抗部５Ａ、及び、抵抗部５Ａの両端部に接続された一対の接続部４Ｂを有し、絶縁基板２上に白金薄膜により形成された抵抗体４と、一対の接続部４Ｂのそれぞれを覆うように形成された一対の電極パッド６と、一対の電極パッド６のそれぞれに接続された一対のリード端子１０と、一対の電極パッド６を覆うように形成されたリード端子保護層８と、少なくとも抵抗部４Ａを覆うように形成されたバリア層１２と、を備え、電極パッド６は、絶縁基板２に積層され、絶縁基板２との密着性が高い白金系金属からなる第１電極パッド層６Ａと、第１電極パッド層６Ａに積層され、多孔質な白金系金属からなる第２電極パッド層６Ｂと、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
抵抗部、及び、前記抵抗部の両端部に接続された一対の接続部を有し、前記絶縁基板上に白金薄膜により形成された抵抗体と、
前記一対の接続部のそれぞれを覆うように形成された一対の電極パッドと、
前記一対の電極パッドのそれぞれに接続された一対のリード端子と、
前記一対の電極パッドを覆うように形成されたリード端子保護層と、
少なくとも前記抵抗部を覆うように形成されたバリア層と、
を備え、
前記電極パッドは、
前記絶縁基板に積層され、前記絶縁基板との密着性が高い白金系金属からなる第１電極パッド層と、
前記第１電極パッド層に積層され、多孔質な白金系金属からなる第２電極パッド層と、を有する、ことを特徴とする抵抗体温度センサ。
【請求項２】
前記リード端子保護層は、
前記電極パッドを覆うように積層された多孔質の結晶化ガラスを含んで構成された第１リード端子保護層と、
前記第１リード端子保護層に積層された非結晶ガラスを含んで構成された第２リード端子保護層と、を有する、請求項１に記載の抵抗体温度センサ。
【請求項３】
前記リード端子保護層は、焼成プロセス時に反応性のあるフィラーを含むガラス材料を含んで構成されている、請求項１に記載の抵抗体温度センサ。
【請求項４】
前記バリア層は、
少なくとも前記抵抗部を覆うように積層されたアルミナ系材料からなる第１バリア層と、
前記第１バリア層を覆うように積層され、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、又は酸化ストロンチウムを含む第２バリア層と、を有する、請求項１〜３の何れか１項に記載の抵抗体温度センサ。
【請求項５】
前記抵抗体の前記一対の接続部は横方向に間隔をあけて配置されており、
前記抵抗体は、前記一対の接続部から縦方向の一方に延びて、間に前記抵抗部が設けられた一対の腕部を有し、
前記抵抗部は、前記縦方向の一方側の一方の折り返し部と、前記縦方向の他方側の他方の折り返し部と、一方の折り返し部と他方の折り返し部との間に延在する延在部とを有し、つづら折り状に形成されており、
前記一対の腕部の一方の前記抵抗部よりも前記縦方向の他方側には、前記一対の腕部の他方に向かって延びる、障壁部が形成されている、請求項１〜４の何れか１項に記載の抵抗体温度センサ。
【請求項６】
前記障壁部の前記縦方向の幅は前記抵抗部の延在部の線幅の２倍以上であり、
前記腕部の前記横方向の幅は前記抵抗部の延在部の線幅の２倍以上であり、
前記抵抗部の前記縦方向の一方側の折り返し部の前記縦方向の幅は前記抵抗部の延在部の線幅の２倍以上である、請求項５に記載の抵抗体温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁基板上に白金薄膜により抵抗体が形成されてなる抵抗体温度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、自動車の排気ガス温度センサとして、絶縁基板上に白金薄膜により抵抗体が形成されてなる抵抗体温度センサが用いられている。このような抵抗体温度センサとして、例えば、特許文献１には、絶縁基板上に白金薄膜により抵抗体を形成し、この抵抗体の両側の接続端部に電極パッドを厚膜印刷により形成し、電極パッドにリード端子を接続する抵抗体温度センサが開示されている。電極パッド及びリード端子としては白金が主に用いられ、白金線からなるリード端子を白金電極パッドに溶接することで接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−６０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に記載されているような抵抗体温度センサでは、白金線からなるリード端子と、白金電極パッドとの接合強度が不足したり、熱衝撃性が弱かったりするなどにより、白金リード端子が白金電極パッドからはがれてしまうという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題に鑑みなされたものであり、リード端子と電極パッドとが強固に接続された抵抗体温度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の抵抗体温度センサは、絶縁基板と、抵抗部、及び、抵抗部の両端部に接続された一対の接続部を有し、絶縁基板上に白金薄膜により形成された抵抗体と、一対の接続部のそれぞれを覆うように形成された一対の電極パッドと、一対の電極パッドのそれぞれに接続された一対のリード端子と、一対の電極パッドを覆うように形成されたリード端子保護層と、少なくとも抵抗部を覆うように形成されたバリア層と、を備え、電極パッドは、絶縁基板に積層され、絶縁基板との密着性が高い白金系金属からなる第１電極パッド層と、第１電極パッド層に積層され、多孔質な白金系金属からなる第２電極パッド層と、を有する、ことを特徴とする。
【０００７】
上記構成の本発明によれば、密着性の高い白金系金属により第１の電極パッド層が構成されているため、絶縁基板との密着性を確保することができ、さらに、多孔質な白金系金属により第２の電極パッド層が構成されているため、リード端子を溶接する際に発生する歪による残留応力が緩和され、リード端子と電極パッドとの接続部の強度と熱衝撃性を向上することができる。
【０００８】
また、本発明において、好ましくは、リード端子保護層は、電極パッドを覆うように積層された多孔質の結晶化ガラスを含んで構成された第１リード端子保護層と、第１リード端子保護層に積層された非結晶ガラスを含んで構成された第２リード端子保護層と、を有する。
【０００９】
リード端子保護層は、従来、ガラスセラミックス又はガラスが用いられていたが、より高いリード端子の保持強度、及び、より高い気密性が要求されていた。これに対して、上記構成の本発明によれば、多孔質の結晶化ガラスを含んで構成された第１リード端子保護層により、高いリード端子の保持強度を確保することができ、非結晶ガラスを含んで構成された第２リード端子保護層により高気密性を確保することができる。
【００１０】
また、本発明において、好ましくは、リード端子保護層は、焼成プロセス時に反応性のあるフィラーを含むガラス材料を含んで構成されている。
【００１１】
このような構成の本発明によれば、リード端子保護層を構成するガラス材料は、焼成プロセスにおいて、気密性の高い成分が先に溶けて、融点が高く溶けていないフィラーを取り囲み、さらに、温度が上昇するとフィラーが溶けて半結晶化ガラスのようになる。これにより、高いリード端子の保持強度を確保することができるとともに、高気密性を確保することができる。
【００１２】
また、本発明において、好ましくは、バリア層は、少なくとも抵抗部を覆うように積層されたアルミナ系材料からなる第１バリア層と、第１バリア層を覆うように積層され、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、又は酸化ストロンチウムを含む第２バリア層と、を有する。
【００１３】
従来は、抵抗部を覆うバリア層としては、アルミナリッチな結晶化ガラス又はアルミナが用いられていたが、アルミナは白金との反応性が低いものの、気密性が低く、汚染物質の侵入を防ぐ機能が不十分であるという問題があった。これに対して、上記構成の本発明によれば、第１バリア層により基板との低反応性を確保した上で、第１のバリア層の外側に気密性の高い第２バリア層を形成することができ、バリア層の抵抗部に対する低反応性を確保した上で、気密性を向上することができる。
【００１４】
また、本発明において、好ましくは、抵抗体の一対の接続部は横方向に間隔をあけて配置されており、抵抗体は、一対の接続部から縦方向の一方に延びて、間に抵抗部が設けられた一対の腕部を有し、抵抗部は、縦方向の一方側の一方の折り返し部と、縦方向の他方側の他方の折り返し部と、一方の折り返し部と他方の折り返し部との間に延在する延在部とを有し、つづら折り状に形成されており、一対の腕部の一方の抵抗部よりも縦方向の他方側には、一対の腕部の他方に向かって延びる、障壁部が形成されている。
【００１５】
上記構成の本発明によれば、腕部の間に障壁部が形成されているため、一対の接続部の間を通って汚染物質が入り込むのを防止できる。
【００１６】
本発明において、好ましくは、障壁部の縦方向の幅は抵抗部の延在部の線幅の２倍以上であり、腕部の横方向の幅は抵抗部の延在部の線幅の２倍以上であり、抵抗部の縦方向の一方側の折り返し部の縦方向の幅は抵抗部の延在部の線幅の２倍以上である。
【００１７】
上記構成の本発明によれば、障壁部、腕部、及び折り返し部を越えて汚染物質が抵抗部内まで到達するのを防止できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、リード端子と電極パッドとが強固に接続された抵抗体温度センサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態の抵抗体温度センサを示す平面図である。
【図２】図１に示す抵抗体温度センサのＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】図１に示す抵抗体温度センサのＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。
【図４】図１に示す抵抗体温度センサのＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図５】図１に示す抵抗体温度センサの抵抗体の形状を示す平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態の抵抗体温度センサを示し、図３に対応する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の抵抗体温度センサの一実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態の抵抗体温度センサを示す平面図、図２は図１に示す抵抗体温度センサのＩＩ−ＩＩ断面図、図３は図１に示す抵抗体温度センサのＩＩＩ−ＩＩＩ断面図、図４は図１に示す抵抗体温度センサのＩＶ−ＩＶ断面図である。また、図５は、図１に示す抵抗体温度センサの抵抗体の形状を示す平面図である。
【００２１】
図１及び図２に示すように、本実施形態の抵抗体温度センサ１は、絶縁基板２と、抵抗体４と、一対の電極パッド６と、一対のリード端子１０と、リード端子保護層８と、バリア層１２と、抵抗部保護層１４と、蓋１６とを有する。
【００２２】
絶縁基板２は、例えばアルミナ等のセラミックス製の矩形状のプレートからなる。絶縁基板２は、焼成しても不純物の析出のない高純度のアルミナセラミックスの基板を用いることが好ましい。また、高純度のアルミナセラミック基板は硬度が高く加工しにくく、コストもかかるので、一般的な純度９６％程度のアルミナセラミック基板を用いることもできる。この場合、アルミナセラミック基板中の不純物であるＭｇ、Ｃａ、Ｎａ等が抵抗体４中に析出して、電気抵抗を増加させるので、絶縁基板２表面に図示しないアンダーコート膜を被覆すると良い。アンダーコート膜は、高純度のゾル状のアルミナ又はマグネシアをコーティングして形成する。
【００２３】
抵抗体４は、絶縁基板２上に形成された白金薄膜により構成されている。抵抗体４を構成する白金薄膜は、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成方法により形成することができる。図５に示すように、抵抗体４は、一対の接続部４Ｂと、一対の接続部４Ｂから延びる一対の腕部４Ｄ１、４Ｄ２（４Ｄ）と、一対の腕部４Ｄ１、４Ｄ２の間に形成された抵抗部４Ａと、一方の腕部４Ｄ１から延びる障壁部４Ｃとを有する。
【００２４】
一対の接続部４Ｂは、Ｕ字形に形成されており、横方向（図１の上下方向、図５の左右方向）に間隔をあけて配置されている。一対の接続部４Ｂは腕部４Ｄ１、４Ｄ２を介して抵抗部４Ａの両端部に接続されている。
一対の腕部４Ｄ１、４Ｄ２は、一対の接続部４Ｂのそれぞれから縦方向一方（図１の右方向、図５の上方向）に延びている。
【００２５】
抵抗部４Ａは、一対の腕部４Ｄ１、４Ｄ２の間に設けられている。抵抗部４Ａは、縦方向一方に位置する一方の折り返し部４Ａ２と、縦方向他方（図１の左方向、図５の下方向）に位置する他方の折り返し部４Ａ３と、一方及び他方の折り返し部４Ａ２、４Ａ３との間を延びる延在部４Ａ１とにより構成されており、つづら折り状（ジグザグ状）になっている。
【００２６】
障壁部４Ｃは、一方の腕部４Ｄ１の抵抗部４Ａと接続部４Ｂとの間の部分から、他方の腕部４Ｄ２に向かって延びている。
障壁部４Ｃの縦方向の幅Ｄ１は、本実施形態では、１６０μｍであり、汚染物質の抵抗部４Ａへの侵入を防ぐために抵抗部４Ａの延在部４Ａ１の線幅の２倍以上であることが好ましく、具体的には又は５０μｍ以上であることが好ましい。
【００２７】
障壁部４Ｃの先端と他方の腕部４との間の幅Ｄ２は、本実施形態では２００μｍであり、一対の接続部４Ｂの間に存在する空隙を覆うことができる（図５において、障壁部４Ｃの右側の端が、接続部４Ｂ２の左側の縁よりも右側に位置する）長さであることが好ましい。障壁部４Ｃと接続部４Ｂとの間の幅Ｄ３は、本実施形態では２００μｍであり、接続部４Ｂとのショートを防ぐために５０μｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
一対の腕部４Ｄ１、４Ｄ２の横方向の幅Ｄ４、及び、一方の折り返し部４Ａ２の縦方向の幅Ｄ５は、本実施形態では１００μｍであり、汚染物質の抵抗部４Ａへの侵入を防ぐために抵抗部４Ａの延在部４Ａ１の線幅の２倍以上であることが好ましく、具体的には５０μｍ以上であることが好ましい。
【００２９】
一対の電極パッド６は、一対の接続部４Ｂをそれぞれ覆うように形成されている。各電極パッド６は、絶縁基板２に積層された第１電極パッド層６Ａと、第１電極パッド層６Ａに積層された第２電極パッド層６Ｂとを有する。
【００３０】
第１電極パッド層６Ａは、絶縁基板２との密着性の高い白金系金属からなる。ここで、絶縁基板２との密着性の高い白金系金属とは、ＪＩＳ  Ｈ  ８５０４の１５．１、１５．２における「引きはがし試験」により密着不良とならないものを意味する。より具体的には、密着強度が１０Ｎ／ｍｍ2以上の白金系金属をいう。このような密着性の高い白金系金属としては、白金族金属（白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム）と、シリコンを主成分としたガラスフリット（粉末ガラス）、又は、シリコン、アルミ、マンガン、コバルト、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウムのいずれかの酸化物の混合物を用いれば良い。
【００３１】
第２電極パッド層６Ｂは、多孔質な白金系金属からなる。多孔質な白金系金属とは、ＪＩＳ  Ｒ  １６００  ４１１２  に規定される気孔率が２０〜８０％である白金系金属をいう。
【００３２】
リード端子保護層８は、一対の電極パッド６を覆うように形成されている。リード端子保護層８は、電極パッド６を覆うように積層された第１リード端子保護層８Ａと、第１リード端子保護層８Ａを覆うように積層された第２リード端子保護層８Ｂとを有する。
【００３３】
第１リード端子保護層８Ａは、多孔質の結晶化ガラスにより構成される。多孔質ガラスとは、ＪＩＳＲ１６００  ２３２６に定義された多孔質ガラスを意味する。第１リード端子保護層８Ａを構成する多孔質の結晶化ガラスの気孔率は、１０〜８０％が好ましい。
【００３４】
第２リード端子保護層８Ｂは、高気密性に非結晶化ガラスを用いている。非結晶化ガラスとは、ＪＩＳＲ１６００  ２３２９に定義された結晶化ガラス以外のガラスを意味する。
【００３５】
一対のリード端子１０は、本実施形態では、白金により形成されている。なお、リード端子１０には、白金族金属（白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム）、又は、金、銀、銅、及び、これらの合金を用いることができる。
【００３６】
バリア層１２は、少なくとも抵抗体４の抵抗部４Ａを覆うように構成されている。バリア層１２は、抵抗部４Ａを覆うように積層された第１バリア層１２Ａと、第１バリア層１２Ａを覆うように積層された第２バリア層１２Ｂとを有する。
【００３７】
第１バリア層１２Ａは、アルミナ系材料の薄膜により構成されている。第１バリア層１２Ａの厚さは１００−５００ｎｍである。
【００３８】
第２バリア層１２Ｂは、本実施形態では酸化シリコンを含む薄膜により構成され、その他、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、又は酸化ストロンチウムを含む薄膜により構成することができる。第２バリア層１２Ｂの厚さは１０−２００ｎｍである。
【００３９】
抵抗部保護層１４は、バリア層１２を覆うように形成されている。抵抗部保護層１４は、例えばＳｉ−Ｂａ−Ａｌ−Ｚｒ系や、Ｓｉ−Ｃａ−Ａｌ−Ｂａ−Ｓｒ系のガラスや、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）のセラミックスから成る。
【００４０】
蓋１６は、抵抗部保護層１４を覆うように形成されている。蓋１６は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）のセラミックスから成る。
【００４１】
次に、本実施形態の抵抗体温度センサ１の製造方法を説明する。まず、大型のセラミック基板を用いて、表面にパターンニング用のレジストを塗布し、抵抗体４のパターンを露光して現像し、抵抗体４のパターンを形成する。この後、絶縁基板２表面に白金薄膜を形成する。白金薄膜は、蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成方法により均一な薄い膜を絶縁基板２上に形成する。この後、白金薄膜をリフトオフし、絶縁基板２表面に白金薄膜による抵抗体４のパターンを形成する。
【００４２】
この後、白金薄膜の抵抗体４上にパターンニング用のレジストを塗布し、抵抗体４及び接続部４Ｂの電極パッド６の一部にかけて開口したマスク形状を用いて露光して現像し、バリア層１２のパターンを形成する。このマスクは、パッド部のマスキングマスクと兼用すると良い。マスクを用いてバリア層材料を真空薄膜形成方法により均一に形成しバリア層１２とする。
【００４３】
次に、第１電極パッド層６Ａを抵抗体４の接続部４Ｂに厚膜印刷により形成し、熱処理する。厚膜印刷には、第１電極パッド層６Ａの形状に開口した図示しないマスクを用いる。熱処理は、９００℃〜１４００℃程度の一定の高温で処理し、抵抗体４の白金薄膜の結晶粒界を安定化させる。次に、第２電極パッド層６Ｂを第１電極パッド層６Ａに厚膜印刷により形成し、第１電極パッド層６Ａと同様に熱処理する。さらに、抵抗体４を所定の抵抗値に規制するために、レーザートリミングにより、抵抗体４の一部である調整部にトリミング溝を形成する。
【００４４】
この後、バリア層１２を覆うように、抵抗部保護層１４用のガラスペーストを、バリア層１２を覆う大きさの開口を有した所定のマスクを用いて塗布し、さらに、蓋１６の材料を被覆する。そして、ガラスペーストを９００℃〜１２００℃程度の温度で熱処理し、抵抗部保護層１４及び蓋１６を形成する。
【００４５】
次に、抵抗部保護層１４及び蓋１６の形成後、大型のセラミック基板を絶縁基板２毎に分割する。この後、電極パッド６にリード端子１０を溶接する。溶接は、スポット溶接等により、リード端子１０毎に複数箇所に溶接部を形成する。このときリード端子１０の端部は、蓋１６の端縁部に近接又は重なるようにして位置させる。
電極パッド６とリード端子１０を溶接接合した部分を被覆する様にして、ディスペンス等の方法により、溶接部を第１リード端子保護層８Ａ用のガラスペーストで被覆する。この後、ガラスペーストを９００℃〜１２００℃程度の温度で熱処理して第１リード端子保護層８Ａを形成する。そして、第２リード端子保護層８Ｂ用のガラスペーストで第１リード端子保護層８Ａを覆い、第１リード端子保護層８Ａと同様に熱処理し、リード端子保護層８を形成し抵抗体温度センサ１とする。
【００４６】
本実施形態によれば、以下の効果が奏される。
本実施形態では、電極パッド６が第１電極パッド層６Ａと第２電極パッド層６Ｂとを有し、密着性の高い白金系金属により第１の電極パッド層６Ａが構成されているため、絶縁基板との密着性を確保することができ、さらに、多孔質な白金系金属により第２の電極パッド層６Ｂが構成されているため、リード端子１０を溶接する際に発生する歪による残留応力が緩和され、リード端子１９と電極パッド６との接続部の強度と熱衝撃性を向上することができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、リード端子保護層８は、電極パッドを覆うように積層された多孔質の結晶化ガラスを含んで構成された第１リード端子保護層８Ａと、第１リード端子保護層８Ａに積層された非結晶ガラスを含んで構成された第２リード端子保護層８Ｂと、を有する。このような構成によれば、多孔質の結晶化ガラスを含んで構成された第１リード端子保護層８Ａにより、高いリード端子１０の保持強度を確保することができ、非結晶ガラスを含んで構成された第２リード端子保護層８Ｂにより高気密性を確保することができる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、バリア層１２が、少なくとも抵抗部４Ａを覆うように積層されたアルミナ系材料からなる第１バリア層１２Ａと、第１バリア層１２Ａを覆うように積層され、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、又は酸化ストロンチウムを含む第２バリア層１２Ｂと、を有する。これにより、第１バリア層１２Ａにより基板との低反応性を確保した上で、第１のバリア層１２Ａの外側に気密性の高い第２バリア層１２Ｂを形成することができ、バリア層１２の抵抗部４Ａに対する低反応性を確保した上で、気密性を向上することができる。
【００４９】
また、本実施形態によれば、抵抗体４の腕部４Ｄの間に障壁部４Ｃが形成されているため、一対の接続部４Ｂの間を通って汚染物質が入り込むのを防止できる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、障壁部４Ｃの縦方向の幅が５０μｍ以上であり、腕部４Ｄの横方向の幅が５０μｍ以上であり、抵抗部４Ａの縦方向の折り返し部４Ａ２の縦方向の幅は５０μｍ以上である。これにより、障壁部４Ｃ、腕部４Ｄ、及び折り返し部４Ａ２を越えて汚染物質が抵抗部４Ａ内まで到達するのを防止できる。
【００５１】
なお、上記の実施形態では、リード端子保護層８が、多孔質の結晶化ガラスを含んで構成された第１リード端子保護層８Ａと、非結晶ガラスを含んで構成された第２リード端子保護層８Ｂとにより構成された場合について説明したが、本発明はこれに限られない。
【００５２】
図６は、本発明の第２実施形態の抵抗体温度センサを示し、図３に対応する断面図である。なお、本実施形態では、リード端子保護層の構成のみが第１実施形態と異なっており、第１実施形態と同様の構成について同じ符号を付して説明を省略する。図６に示すように、第２実施形態における抵抗体温度センサ１０１では、リード端子保護層１０８が一層により構成されている。
【００５３】
リード端子保護層１０８は、焼成プロセス時に反応性のあるフィラー入りのガラスにより構成されている。フィラー入りガラスとは、例えば、アルミナを主成分とした、シリコン、マグネシウム、カルシウム、バリウム又はストロンチウムの酸化物などのフィラーが混入されたガラス材料をいい、フィラーの粒子形状としては丸形又は破砕形状、フィラーの粒径としては０．１〜１０μｍ、フィラーの含有割合としては、１０〜３０％が好ましい。
【００５４】
上記の構成の第２実施形態によれば、リード端子保護層が焼成プロセス時に反応性のあるフィラーを含むガラス材料を含んで構成されている。リード端子保護層を構成するガラス材料は、焼成プロセスにおいて、気密性の高い成分が先に溶けて、融点が高く溶けていないフィラーを取り囲み、さらに、温度が上昇するとフィラーが溶けて半結晶化ガラスのようになる。これにより、高いリード端子の保持強度を確保することができるとともに、高気密性を確保することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１      抵抗体温度センサ
２      絶縁基板
４      抵抗体
４Ａ    抵抗部
４Ａ１  延在部
４Ａ２  折り返し部
４Ａ３  折り返し部
４Ｂ    接続部
４Ｃ    障壁部
４Ｄ１  腕部
４Ｄ２  腕部
６      電極パッド
６Ａ    第１電極パッド層
６Ｂ    第２電極パッド層
８      リード端子保護層
８Ａ    第１リード端子保護層
８Ｂ    第２リード端子保護層
１０    リード端子
１２    バリア層
１２Ａ  第１バリア層
１２Ｂ  第２バリア層
１２ｂ  調整部
１４    抵抗部保護層
１６    蓋
１０１  抵抗体温度センサ
１０８  リード端子保護層
【図１】
2020085584.tif 000003
【図２】
2020085584.tif 000004
【図３】
2020085584.tif 000005
【図４】
2020085584.tif 000006
【図５】
2020085584.tif 000007
【図６】
2020085584.tif 000008