(57)【要約】【課題】簡便な構造で、多重反射を抑制する層が形成された光電変換素子及びその製造方法を得る。【解決手段】複数のフォトダイオードが少なくとも一列配列されたフォトダイオード部を覆う光透過層へ、複数の粒子を有する粒子層を形成するため、コーティング剤へ前記複数の粒子を混ぜ合わせ、混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を前記光透過層へ塗布することを特徴とし、前記粒子を有する前記粒子層により、多重反射を抑制した光電変換素子及びその製造方法である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフォトダイオードが少なくとも一列配列されたフォトダイオード部と、前記フォトダイオード部を覆う光透過層と、コーティング剤によって固定され、前記光透過層の表面に展開した複数の粒子を有し、前記光透過層へ入射する入射光を前記複数の粒子によって散乱又は屈折させる粒子層とを備え、前記フォトダイオード部は、前記入射光の多重反射が、前記粒子層による散乱又は屈折よって軽減された状態で前記入射光を受光することを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
前記粒子層は、最外殻の層であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記複数の粒子は、少なくとも二種類の形状のものが混在していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記複数の粒子は、波長選択性があるものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記フォトダイオード部は、二列以上の前記複数のフォトダイオードが配列され、前記複数の粒子は、対応する前記フォトダイオード部の列ごとに、前記波長選択性の対象波長が異なるものであることを特徴とする請求項４に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記複数の粒子は、着色されたものであることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記コーティング剤は、前記複数の粒子と同じ前記波長選択性を有するものであることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項８】
複数のフォトダイオードが少なくとも二列配列されたフォトダイオード部を覆う光透過層へ、複数の粒子を有する粒子層を形成する光電変換素子の製造方法であって、前記複数の粒子とコーティング剤とを混ぜ合わせる混合ステップと、前記フォトダイオード部の一方の列に対応する前記光透過層の部分へ、前記混合ステップで混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を塗布する第１塗布ステップと、前記フォトダイオード部の他方の列に対応する前記光透過層の部分へ、前記混合ステップで混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を塗布する第２塗布ステップとを備えたことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項９】
前記混合ステップは、前記複数の粒子が少なくとも二種類の形状のものを前記コーティング剤と混ぜ合わせることを特徴とする請求項８に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１塗布ステップと前記第２塗布ステップとは、それぞれ異なる波長選択性を有する前記複数の粒子を塗布することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１塗布ステップと前記第２塗布ステップとは、前記コーティング剤が、前記複数の粒子と同じ前記波長選択性を有するものを塗布することを特徴とする請求項１０に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
前記混合ステップは、前記コーティング剤へ着色された前記複数の粒子を混ぜ合わせることを特徴とする請求項８から請求項１１のいずれか１項に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１３】
複数のフォトダイオードが少なくとも一列配列されたフォトダイオード部を覆う光透過層へ、複数の粒子を有する粒子層を形成する光電変換素子の製造方法であって、コーティング剤へ着色された前記複数の粒子を混ぜ合わせる混合ステップと、前記混合ステップで混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を前記光透過層へ塗布する塗布ステップとを備えたことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、画像を読み取るイメージセンサに使用される光電変換素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光電変換素子は、一次元ラインセンサや二次元エリアセンサとして利用されている。なお、一次元ラインセンサには、複数の読取ラインを有するものがある（例えば、特許文献１参照）。近年、これらのセンサの高速化、高感度化が要求されており、これらを実現するために製造プロセスの微細化が進んでいる。製造プロセスの微細化に伴い、各層を積層するごとに研磨を行うプロセスが導入されている。
【０００３】
従来の光電変換素子は、半導体ウェハの製造バラつきにより光電変換素子の特性にウェハ面内位置依存があった。入射した光が透明膜で多重反射されることにより光の干渉が発生することにより、分光感度特性に干渉縞が生じる。透明膜研磨後の表面は極めて平坦（例えば、特許文献２参照）であるが、チップ内位置およびウェハ内位置によって数１００ｎｍ程度の透明膜厚さのばらつきがある。
【０００４】
光電変換素子の透明膜厚さの僅かなバラつきによりセンサ内位置およびウェハ内位置で干渉が発生する波長がばらついてしまい、同一センサ内および同一ウェハ内で分光感度特性の干渉縞が発生する波長が異なる。その結果、同一波長・同一光量の光に対して、各センサが大きく異なった信号を出力してしまう。
【０００５】
光電変換素子の分光感度特性については、特にフォトダイオード上の透明膜の厚さによる影響が顕著であるが、回路設計に用いる素子と異なり、事前に影響を予測するのは困難であった。入射した光が透明膜で多重反射されることにより光の干渉が発生するが、透明膜厚さのバラつきによりセンサ内位置およびウェハ内位置で干渉が発生する波長がばらついてしまい、同一センサ内および同一ウェハ内で分光感度特性の干渉縞が発生する波長が異なり、同一波長・同一光量の光に対して大きく異なった信号を出力してしまう。
【０００６】
多重反射に凹凸面が有効という可能性がある。光電変換素子において、光が入射する裏面の粗さを大きくすることで「空間電荷効果」を抑制するものがある（例えば、特許文献３）。また、光電変換素子において、受光面上に光電変換部に入射する光を散乱する粗面を有する凹凸部が形成されるものがある（例えば、特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−２０５３６０号公報
【特許文献２】特開２０１３−４５６５号公報
【特許文献３】特開２０１５−１７６９０４号公報
【特許文献４】特開２０１６−１７８１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献３に記載の従来技術は、粗い面が半導体基板の裏面で、受光部の直径が５０μｍであるという制限があるという課題がある。特許文献４に記載の従来技術は、加工が困難となる場合があるという課題がある。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解消するためになされたもので、簡便な構造で、多重反射を抑制する層が形成された光電変換素子及びその製造方法に関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係る光電変換素子は、複数のフォトダイオードが少なくとも一列配列されたフォトダイオード部と、前記フォトダイオード部を覆う光透過層と、コーティング剤によって固定され、前記光透過層の表面に展開した複数の粒子を有し、前記光透過層へ入射する入射光を前記複数の粒子によって散乱又は屈折させる粒子層とを備え、前記フォトダイオード部は、前記入射光の多重反射が、前記粒子層による散乱又は屈折よって軽減された状態で前記入射光を受光することを特徴とするものである。
【００１１】
この発明に係る光電変換素子の製造方法は、複数のフォトダイオードが少なくとも二列配列されたフォトダイオード部を覆う光透過層へ、複数の粒子を有する粒子層を形成する光電変換素子の製造方法であって、前記複数の粒子とコーティング剤とを混ぜ合わせる混合ステップと、前記フォトダイオード部の一方の列に対応する前記光透過層の部分へ、前記混合ステップで混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を塗布する第１塗布ステップと、前記フォトダイオード部の他方の列に対応する前記光透過層の部分へ、前記混合ステップで混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を塗布する第２塗布ステップとを備えたことを特徴とするものである。
【００１２】
この発明に係る光電変換素子の製造方法は、複数のフォトダイオードが少なくとも一列配列されたフォトダイオード部を覆う光透過層へ、複数の粒子を有する粒子層を形成する光電変換素子の製造方法であって、コーティング剤へ着色された前記複数の粒子を混ぜ合わせる混合ステップと、前記混合ステップで混ぜ合わせた前記複数の粒子及び前記コーティング剤を前記光透過層へ塗布する塗布ステップとを備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように、この発明によれば、粒子を有する粒子層により、多重反射を抑制した光電変換素子及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明の実施の形態１に係る光電変換素子の断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る光電変換素子の上面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る光電変換素子の製造方法の一部を示す断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る光電変換素子の断面図である。
【図５】この発明の実施の形態２に係る光電変換素子の断面図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る光電変換素子の製造方法の一部を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１について図１から図４を用いて説明する。図中、同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。図１から図４において、フォトダイオード部１０は、複数のフォトダイオード１が少なくとも一列配列されている。配列されている方向は、長手方向又は主走査方向（走査方向）と称する。光透過層１１（保護層１１）は、光が透過する層で、フォトダイオード部１０を覆うものである。例えば、シリコン窒化膜２が使用される。配線層１２は、光透過層１１と後述の粒子６との間に配置された層で、金属配線３（導体配線３）が配置されている。例えば、シリコン酸化膜４が使用される。配線層１２は、金属配線３以外の部分は、光透過層１１と同じく、光が透過する層である。光透過層１１及び配線層１２を合わせて、光透過層と称してもよい。
【００１６】
図１から図４において、粒子６は、光が透過するもので、コーティング剤５によって固定され、光透過層１１の表面に展開した複数の粒子６を有し、入射光方向に沿って、光透過層１１へ入射する入射光を複数の粒子６によって散乱又は屈折させるものである。コーティング剤５も、光が透過するものである。よって、フォトダイオード部１０は、入射光の多重反射が、粒子６による散乱又は屈折よって軽減された状態で入射光を受光することができる。また、フォトダイオード部１０は、シリコン基板７（半導体基板７）に形成されている。シリコン基板７が延在する平面上で、長手方向又は主走査方向（走査方向）と直交する方向を短手方向又は副走査方向（搬送方向）と称する。入射光方向は、長手方向又及び短手方向と直交している。入射光方向は、読取深度方向と称してもよい。
【００１７】
図１は、実施の形態１に係る光電変換素子の断面図である。実施の形態１では、光電変換素子が、複数のフォトダイオード１が一列以上配置されたラインセンサとして利用される素子である場合を例に説明を行う。光電変換素子は、シリコン基板７上に格子状に形成された金属配線３の格子中央にフォトダイオード１が配置されている。光電変換素子は、フォトダイオード１と、フォトダイオード１上に形成された光透過層（光透過層１１、配線層１２）と、入射光方向において、受光面１０１上に配置された粒子６、により構成されている。粒子６（粒子層１３）は、光電変換素子の最外殻の層としてもよい。本願では、粒子６（粒子層１３）が光電変換素子の最外殻の層の場合を説明している。
【００１８】
フォトダイオード１（フォトダイオード部１０）は光電変換部であり、受光面１０１に入射した光エネルギーを電気エネルギーに変換する。フォトダイオード１には複数のトランジスタ、抵抗、コンデンサなどで構成される回路部に接続され、回路部によってスイッチングされる。フォトダイオード１は、金属配線３に接続され、変換したエネルギーを電気信号として金属配線３に出力する。図１に示すように、金属配線３は、フォトダイオード１（フォトダイオード部１０）が入射光を受光することを妨げない位置に配置されている。つまり、入射光方向において、フォトダイオード１（フォトダイオード部１０）と粒子層１３との間に少なくとも金属配線３が配置されていない部分がある。光電変換素子は、縮小光学系や正立等倍光学系などの結像光学系によって集束された入射光をフォトダイオード１（フォトダイオード部１０）が受光するものである。結像光学系の光軸方向が入射光方向となる場合が多い。これは、結像光学系と粒子層１３との間にミラーなどを入れて入射光を反射させて光軸を曲げていない場合である。
【００１９】
金属配線３は、シリコン基板７上に形成された光透過層（光透過層１１、配線層１２）のシリコン酸化膜４に埋め込まれている。金属配線３は、一層以上の金属層から構成され各金属層はシリコン酸化膜４を介して積層されている。図面では金属層が三層のものを例示している。金属層は、ビアを介してシリコン基板７上のフォトダイオード１に接続される。金属配線３は、電気信号を外部の回路へ出力する。図面では、ビアが存在していない部分の断面を例示している。
【００２０】
光透過層（光透過層１１、配線層１２）はシリコン基板７上に形成されたシリコン酸化膜４と、シリコン酸化膜４上に形成されたシリコン窒化膜２で構成されている。光透過層（光透過層１１、配線層１２）上に配置された粒子６は、受光面１０１上に、複数の粒子６凹凸部を付与し、入射光を散乱又は屈折させる作用を持つ。凹凸部は、粒子層１３を意味している。粒子層１３は、粒子６の形状に応じた梨地状の凹凸となる。
【００２１】
図２は、フォトダイオード１上の光透過層（光透過層１１、配線層１２）の表面を上面から見た図である。フォトダイオード１と粒子６との位置関係を明確にするため、その他の構成を省略している。また、フォトダイオード１及び粒子６の符号は、簡略化のために、図２では一つにだけに付し、それ以外は省略する。凹凸部は光透過層（光透過層１１、配線層１２）表面に配置された粒子６により構成されている。凹凸部には多数の粒子６が配置されている。これらの粒子６が、入射光の多重反射が低減するので、反射光によって発生する分光感度特性の干渉縞を低減することができる。凹凸部は、様々な角度に光を散乱又は屈折させる。散乱又は屈折した光は、その方向によって光路長が異なるため、表面が平坦である場合と比較して、光の干渉が防止される。
【００２２】
図４は、光電変換素子の製造方法の一部を示す断面図である。実施の形態１に係る光電変換素子の製造方法は、複数のフォトダイオード１が少なくとも一列配列されたフォトダイオード部１０を覆う光透過層１１へ、複数の粒子６を有する粒子層１３を形成するものである。粒子層１３（凹凸部）を形成する前までの光電変換素子を製造方法は、第１積層ステップとして、シリコン基板７上にフォトダイオード１を形成し、その上に光透過層（光透過層１１、配線層１２）のシリコン酸化膜４とシリコン窒化膜２を積層するものである。粒子層１３（凹凸部）を形成するステップは、第２積層ステップである。第２積層ステップは、粒子６を含んだコーティング剤を塗布する混合ステップ及び塗布ステップを有する。
【００２３】
混合ステップは、コーティング剤５へ複数の粒子６を混ぜ合わせるものである。なお、粒子６は、シリコン窒化膜２上に凹凸部を付与するためのものである。塗布ステップは、図３に直前の状態を示しているように、混合ステップで混ぜ合わせた複数の粒子６及びコーティング剤５を光透過層１２（光透過層）へ塗布するものである。光透過層１２（光透過層）へ複数の粒子６及びコーティング剤５を塗布して光透過層１２（光透過層）上へ展開し、コーティング剤５が固化することで粒子層１３が形成される。これで、図１に示す実施の形態１に係る光電変換素子が形成される。
【００２４】
実施の形態１に係る光電変換素子において、粒子層１３に使用される粒子６は、図４に示すように大きさが不均一でよい。つまり、複数の粒子６は、少なくとも二種類の形状のものが混在しているものでもよい。なお、ここでいう形状とは外形が同じでも、径が違うものも含むとする。複数の粒子６は、波長選択性があるものでもよい。波長選択性とは、フォトダイオード１が受光する入射光の波長が特定のものである場合、複数の粒子がその特定の波長を透過することを意味している。波長選択性を得る例としては、特定の波長に対応する色を複数の粒子６に着色することが挙げられる。
【００２５】
つまり、複数の粒子６は、着色されたものでもよい。この場合、混合ステップは、コーティング剤５へ着色された複数の粒子６を混ぜ合わせるものといえる。さらに、コーティング剤５に関しても、複数の粒子６と同じ波長選択性を有するものであってもよい。よって、混合ステップは、着色されたコーティング剤５へ、コーティング剤５と同じ色が着色された複数の粒子６を混ぜ合わせるものといえる。コーティング剤５又は粒子６のいずれか一方を着色してよいし、それぞれ異なる色を着色してもよい。
【００２６】
実施の形態１に係る光電変換素子及びその製造方法において、凹凸部を形成する粒子６の大きさが均一であってもよいし、粒子６の大きさが不均一であってもよい。また、凹凸部を形成する粒子６が規則的に配置されてもよいし、粒子６の不規則に配置されてもよい。混合ステップは、複数の粒子６が少なくとも二種類の形状のものをコーティング剤５と混ぜ合わせるものといえる。さらに、粒子層１３の粒子６は、入射光方向において重複して配置されていてもよいし、長手方向又は短手方向において粒子６と粒子６との間に隙間があってもよい。また、コーティング剤５は長手方向又は短手方向において粒子層１３全体に展開していなくてもよく、一部に隙間を有し、光透過層１２が露出していてもよい。
【００２７】
よって、実施の形態１に係る光電変換素子及びその製造方法は、入射光の多重反射を低減し、分光感度特性の干渉縞を低減した光電変換素子を得ることができる。つまり、散乱又は屈折した光は、その方向によって光路長が異なるため、表面が平坦である場合と比較して、光の干渉が防止される。光電変換素子は、光電変換部（フォトダイオード部１０）と、光電変換部の受光面１０１上に形成された一層以上の光透過部と、受光面１０１上の光透過部には光電変換部に入射する光を散乱又は屈折させるための凹凸を形成する粒子６を一つ以上備えている。光電変換部の受光面１０１上に配置された粒子６による凹凸部が形成され、受光部（フォトダイオード１）に入射した光を拡散させる構成であるので、光電変換部に入射した光の多重反射を低減し、分光感度特性の干渉縞を低減した光電変換素子を提供することができる。
【００２８】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２について図５及び図６を用いて説明する。図中、同一符号は、同一又は相当部分を示しそれらについての詳細な説明は省略する。実施の形態２に係る光電変換素子及びその製造方法は、フォトダイオード部１０が、二列以上の複数のフォトダイオード１が配列され、複数の粒子６は、入射光方向において、対応するフォトダイオード部１０の列ごとに、波長選択性の対象波長が異なるものである。例示として、フォトダイオード部１０が、三列のものを説明に使用する。実施の形態２では実施の形態１と異なる部分を中心に説明を行い、実施の形態２では実施の形態１及び２で共通する部分の説明は省略している場合がある。
【００２９】
図５は、実施の形態２に係る光電変換素子を示す上面図である。図５は、フォトダイオード１上の光透過層（光透過層１１、配線層１２）の表面を上面から見た図である。図２と同じく、フォトダイオード１と粒子６との位置関係を明確にするため、その他の構成を省略している。また、フォトダイオード１及び粒子６の符号は、簡略化のために、図６では一つにだけに付し、それ以外は省略する。詳しくは、フォトダイオード１は、フォトダイオード１Ｒ、フォトダイオード１Ｇ、フォトダイオード１Ｂの三種類がある。１Ｒは赤色を受光するためのフォトダイオード１を意味する。１Ｇは緑色を受光するためのフォトダイオード１を意味する。１Ｂは青色を受光するためのフォトダイオード１を意味する。また、粒子６は、粒子６Ｒ、粒子６Ｇ、粒子６Ｂの三種類がある。６Ｒは赤色に着色した粒子６を意味する。６Ｇは緑色に着色した粒子６を意味する。６Ｂは青色に着色した粒子６を意味する。
【００３０】
図５において、光電変換素子は、複数のフォトダイオード１が一列以上配置されたラインセンサとして利用される素子で、三列の場合を示している。三列が並んでいる方向が、前述の短手方向又は副走査方向（搬送方向）に相当する。複数のフォトダイオード１及び粒子６について詳しくは、フォトダイオード１Ｒの列とフォトダイオード１Ｂの列との間に、フォトダイオード１Ｇの列が配列されている。光電変換素子１は、フォトダイオード１と、フォトダイオード１上に形成された光透過層（光透過層１１、配線層１２）と、受光面上に配置された、顔料を用いて例えば赤、青、又は緑に着色した粒子６、により構成されている。これにより列ごとに、特定の色に対してのみ信号を出力できる光電変換素子をえることができる。もちろん、コーティング剤５は、列ごとに、複数の粒子６と同じ波長選択性を有するものでもよい。
【００３１】
実施の形態２に係る光電変換素子の製造方法は、複数のフォトダイオード１が少なくとも二列配列されたフォトダイオード部１０を覆う光透過層１２へ、複数の粒子６を有する粒子層１３を形成するものである。実施の形態２の第１積層ステップは、シリコン基板７上にフォトダイオード１の列が二列以上になること以外は、実施の形態１と同じである。実施の形態２の第２積層ステップは、混合ステップ、及び、塗布ステップ（ｎ回のステップ）を有している。ｎは２以上の正の整数である。混合ステップは、複数の粒子６とコーティング剤５とを混ぜ合わせるものであり、詳しくは、着色された粒子６の色ごとに分けて、コーティング剤５とを混ぜ合わるものである。ｎが２の場合は、粒子６は二色あることになる。
【００３２】
塗布ステップは、第１塗布ステップから第ｎ塗布ステップまで行うことになる。ｎが２の場合は、第１塗布ステップとして、フォトダイオード部１０の一方の列に対応する光透過層１２の部分へ、混合ステップで混ぜ合わせた複数の粒子６及びコーティング剤５を塗布する。第２塗布ステップとして、フォトダイオード部１０の他方の列に対応する光透過層１２の部分へ、混合ステップで混ぜ合わせた複数の粒子６及びコーティング剤５を塗布する。第１塗布ステップと第２塗布ステップとは、それぞれ異なる波長選択性を有する複数の粒子６を塗布するといえる。また、第１塗布ステップと第２塗布ステップとは、コーティング剤５が、列ごとに複数の粒子６と同じ波長選択性を有するものを塗布するものであってもよい。
【００３３】
図６は、図５に示す電変換素子の製造方法の一部を示す上面図である。図６の上方のシリコン基板８（製造段階）は、第１塗布ステップにおいて、混合ステップで混ぜ合わせた複数の粒子６及びコーティング剤５を塗布した状態を示している。少なくとも粒子６は赤色に着色されたものが使用される。図６の真ん中のシリコン基板９（製造段階）は、第２塗布ステップにおいて、混合ステップで混ぜ合わせた複数の粒子６及びコーティング剤５を塗布した状態を示している。少なくとも粒子６は緑色に着色されたものが使用される。図６の下方のシリコン基板７は、第３塗布ステップにおいて、混合ステップで混ぜ合わせた複数の粒子６及びコーティング剤５を塗布した状態を示している。少なくとも粒子６は緑色に着色されたものが使用される。第１塗布ステップ、第２塗布ステップ、第３塗布ステップのいずれか二つ以上を同時に実施してもよい。
【００３４】
よって、実施の形態２に係る光電変換素子及びその製造方法は、複数のフォトダイオード１の列それぞれに、例えば、異なる色、具体的には、赤、緑、青、の顔料を含んだ粒子６を配置することで、受光面１０１に入射する光の干渉を防止すると同時に、カラーフィルタとしても機能させることができる。したがって、実施の形態１及び２に係る光電変換素子及びその製造方法は、複数のフォトダイオード１が少なくとも一列配列されたフォトダイオード部１０を覆う光透過層１２へ、複数の粒子６を有する粒子層１３を形成するため、コーティング剤５へ複数の粒子６を混ぜ合わせ、混ぜ合わせた複数の粒子６及び前記コーティング剤５を光透過層１２へ塗布することを特徴とし、簡便な構造で、多重反射を抑制する層（粒子層１３）が形成できる。
【符号の説明】
【００３５】
１・・フォトダイオード、１Ｒ・・フォトダイオード、１Ｂ・・フォトダイオード、
１Ｇ・・フォトダイオード、２・・シリコン窒化膜、３・・金属配線（導体配線）、
４・・シリコン酸化膜、５・・コーティング剤、６・・粒子、６Ｒ・・粒子、
６Ｇ・・粒子、６Ｂ・・粒子、７・・シリコン基板（半導体基板）、
８・・シリコン基板（製造段階）、９・・シリコン基板（製造段階）、
１０・・フォトダイオード部、１０１・・受光面、１１・・光透過層（保護層）、
１２・・配線層、１３・・粒子層。
【図１】
2020080380.tif 000003
【図２】
2020080380.tif 000004
【図３】
2020080380.tif 000005
【図４】
2020080380.tif 000006
【図５】
2020080380.tif 000007
【図６】
2020080380.tif 000008