(57)【要約】【課題】成膜工程に入る前に、第１被吸着体に対する第２被吸着体の密着状態を確認することによって、密着不良による成膜不良を未然に防止する。【解決手段】第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、前記第１被吸着体と前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための静電チャックと、前記静電チャックによって前記第１被吸着体及び前記第２被吸着体が吸着された状態で、少なくとも前記第２被吸着体を撮影するための光学手段と、前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する手段と、を含むことを特徴とする。【選択図】図９Ｂ
2020070492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、
前記第１被吸着体と前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための静電チャックと、
前記静電チャックによって前記第１被吸着体及び前記第２被吸着体が吸着された状態で、少なくとも前記第２被吸着体を撮影するための光学手段と、
前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する判定手段と、を含むことを特徴とする吸着システム。
【請求項２】
前記光学手段は、前記第１被吸着体に形成された第１被吸着体アライメントマーク及び前記第１被吸着体アライメントマークに対応して前記第２被吸着体に形成された第２被吸着体アライメントマークを撮影し、
前記判定手段は、取得された前記画像における、前記第１被吸着体アライメントマークと前記第２被吸着体アライメントマークとの間のずれパターンに基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定することを特徴とする請求項１に記載の吸着システム。
【請求項３】
更に、前記第１被吸着体が吸着された後、かつ、前記第２被吸着体が吸着される前に、前記第１被吸着体アライメントマークの位置と、対応する前記第２被吸着体アライメントマークとの位置が整列するように、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体との間の位置調整を行うアライメント手段を含み、
前記第１被吸着体アライメントマークは、前記第１被吸着体における、対向する両端部に形成された複数の第１被吸着体アライメントマークを含み、
前記第２被吸着体アライメントマークは、前記複数の第１被吸着体アライメントマークのそれぞれに対応して、前記第２被吸着体における、対向する両端部に形成された複数の第２被吸着体アライメントマークを含み、
前記判定手段は、取得された前記画像が、前記第２被吸着体における対向する両端部に形成された前記第２被吸着体アライメントマークが、前記アライメント手段によって位置調整された対応する前記第１被吸着体アライメントマークよりも前記第２被吸着体の中央部に向かって内側にずれて位置するずれパターンを有する場合、前記第２被吸着体が前記第１被吸着体に密着していないと判定することを特徴とする請求項２に記載の吸着システム。
【請求項４】
前記第１被吸着体アライメントマークは、前記第１被吸着体における、対向する２つのコーナー部にそれぞれ形成されており、前記第２被吸着体アライメントマークは、前記第２被吸着体における、対向する２つのコーナー部にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の吸着システム。
【請求項５】
前記第１被吸着体アライメントマークは、前記第１被吸着体における、４つのコーナー部にそれぞれ形成されており、前記第２被吸着体アライメントマークは、前記第２被吸着体における、４つのコーナー部にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の吸着システム。
【請求項６】
前記判定手段により前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着していないと判定される場合、前記静電チャックから前記第２被吸着体を分離してから、前記第１被吸着体を介して前記静電チャックに前記第２被吸着体を再吸着させるように制御する制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の吸着システム。
【請求項７】
前記制御手段は、前記第２被吸着体が密着していないと判定され、前記第２被吸着体を再吸着させるにあたって、前記第１被吸着体が吸着された前記静電チャックを前記第２被吸着体に向かって移動させる速度を、最初の吸着時よりも低い速度にすることを特徴とする請求項６に記載の吸着システム。
【請求項８】
前記制御手段は、前記第２被吸着体が密着していないと判定され、前記第２被吸着体を再吸着させるにあたって、前記静電チャックに印加される第２被吸着体吸着電圧を最初の吸着時よりも小さくすることを特徴とする請求項６に記載の吸着システム。
【請求項９】
前記光学手段は、前記第２被吸着体の側面側または前記第１被吸着体との吸着面とは反対側の非吸着面側から、前記第１被吸着体に吸着された前記第２被吸着体を撮影することを特徴とする請求項１に記載の吸着システム。
【請求項１０】
第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、
前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための吸着手段と、
前記吸着手段によって前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体が吸着された状態で、少なくとも前記第２被吸着体を撮影するための光学手段と、
前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する判定手段と、を含むことを特徴とする吸着システム。
【請求項１１】
基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
第１被吸着体としての前記基板を介して第２被吸着体としての前記マスクを吸着する吸着システムを含み、
前記吸着システムは、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の吸着システムであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１２】
第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための方法であって、
静電チャックによって第１被吸着体を吸着する工程と、
前記静電チャックによって前記第１被吸着体を介して第２被吸着体を吸着する工程と、
光学手段により少なくとも前記第２被吸着体を撮影する撮影工程と、
前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する判定工程と、を含むことを特徴とする吸着方法。
【請求項１３】
前記光学手段による前記撮影工程では、前記第１被吸着体に形成された第１被吸着体アライメントマーク及び前記第１被吸着体アライメントマークに対応して前記第２被吸着体に形成された第２被吸着体アライメントマークを撮影し、
前記判定工程では、取得された前記画像における、前記第１被吸着体アライメントマークと前記第２被吸着体アライメントマークとの間のずれパターンに基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定することを特徴とする請求項１２に記載の吸着方法。
【請求項１４】
更に、前記第１被吸着体を吸着する工程の後、かつ、前記第２被吸着体を吸着する工程の前に、前記第１被吸着体アライメントマークの位置と、対応する前記第２被吸着体アライメントマークとの位置とが整列するように、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体との間の位置調整を行うアライメント工程を含み、
前記第１被吸着体アライメントマークは、前記第１被吸着体における、対向する両端部に形成された複数の第１被吸着体アライメントマークを含み、
前記第２被吸着体アライメントマークは、前記複数の第１被吸着体アライメントマークのそれぞれに対応して、前記第２被吸着体における、対向する両端部に形成された複数の
第２被吸着体アライメントマークを含み、
前記判定工程では、取得された前記画像が、前記第２被吸着体の対向する両端部に形成された前記第２被吸着体アライメントマークが、前記アライメント段階で位置調整された対応する前記第１被吸着体アライメントマークよりも前記第２被吸着体の中央部に向かって内側にずれて位置するずれパターンを有する場合、前記第２被吸着体が前記第１被吸着体に密着していないと判定することを特徴とする請求項１３に記載の吸着方法。
【請求項１５】
前記第１被吸着体アライメントマークは、前記第１被吸着体における、対向する２つのコーナー部にそれぞれ形成されており、前記第２被吸着体アライメントマークは、前記第２被吸着体における、対向する２つのコーナー部にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の吸着方法。
【請求項１６】
前記第１被吸着体アライメントマークは、前記第１被吸着体における、４つのコーナー部にそれぞれ形成されており、前記第２被吸着体アライメントマークは、前記第２被吸着体における、４つのコーナー部にそれぞれ形成されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の吸着方法。
【請求項１７】
更に、前記判定工程で前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着していないと判定される場合、前記静電チャックから前記第２被吸着体を分離してから、前記第１被吸着体を介して前記静電チャックに前記第２被吸着体を再吸着させる工程を含むことを特徴とする請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の吸着方法。
【請求項１８】
前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する工程では、前記第１被吸着体が吸着された前記静電チャックを前記第２被吸着体に向かって移動させつつ、前記静電チャックに第２被吸着体吸着電圧を印加し、
前記第２被吸着体を再吸着させる工程では、前記第１被吸着体が吸着された前記静電チャックを前記第２被吸着体に向かって移動させる速度を、最初の吸着時よりも低い速度にして前記第２被吸着体を吸着させることを特徴とする請求項１７に記載の吸着方法。
【請求項１９】
前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する工程では、前記第１被吸着体が吸着された前記静電チャックを前記第２被吸着体に向かって移動させつつ、前記静電チャックに第２被吸着体吸着電圧を印加し、
前記第２被吸着体を再吸着させる工程では、前記静電チャックに印加される前記第２被吸着体吸着電圧を、最初の吸着時よりも小さくして第２被吸着体を吸着させることを特徴とする請求項１７に記載の吸着方法。
【請求項２０】
前記光学手段による前記撮影工程では、前記第２被吸着体の側面側または前記第１被吸着体との吸着面とは反対側の非吸着面側から、前記第１被吸着体に吸着された前記第２被吸着体を撮影することを特徴とする請求項１２に記載の吸着方法。
【請求項２１】
第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着方法であって、
前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する工程と、
光学手段により少なくとも前記第２被吸着体を撮影する工程と、
前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する工程と、を含むことを特徴とする吸着方法。
【請求項２２】
マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、
請求項１２〜２１のいずれか一項に記載の吸着方法を用いて、第１被吸着体としての前記基板を介して第２被吸着体としての前記マスクを吸着する工程と、
前記マスクを吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に
蒸着材料を成膜する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項２３】
請求項２２の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、吸着システム、成膜装置、吸着方法、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の蒸発源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。
【０００３】
上向蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、蒸発源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着材料が蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度が低下する一つの要因となっている。また、上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においても、基板の自重による撓みが生じる可能性がある。
【０００４】
基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。
【０００５】
特許文献１には、静電チャックで基板及びマスクを吸着する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国公開特許第２００７−００１０７２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１には、静電チャックに吸着された基板とマスクとの間の密着状態をモニタリングできる構成についての開示がない。
基板に対するマスクの密着度低下は、成膜不良をもたらす主な原因の一つである。この密着度低下を減らすために、特許文献１のように静電チャックを使って基板とマスクを吸着する方式が新たに提案されている。また、このような方式において静電チャックへの電圧印加方式を改善することでマスクをできるだけしわが残らないようにしつつ、基板に密着させようとする様々な試みが行われている。
【０００８】
しかし、これらの様々な試みにもかかわらず、成膜対象である基板及びマスクが大型化されるにつれ、しわが残ったまま吸着が行われる吸着不良が発生するか、または正常に吸着が行われた後に予期せぬ吸着度低下によりマスクが基板の成膜面から離れ、マスクの中央部等に再びしわが生じる問題などが依然として発生する可能性がある。
本発明は、成膜工程に入る前に、基板等の第１被吸着体に対するマスク等の第２被吸着体の密着状態、つまり、第１被吸着体に吸着された第２被吸着体にしわが生じているかどうかを確認することによって、密着不良による成膜不良を未然に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態による吸着システムは、第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、前記第１被吸着体と前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための静電チャックと、前記静電チャックによって前記第１被吸着体及び前記第２被吸着体が吸着された状態で、少なくとも前記第２被吸着体を撮影するための光学手段と、前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する手段と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の一実施形態による吸着システムは、第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着システムであって、前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着するための吸着手段と、前記吸着手段によって前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体が吸着された状態で、少なくとも前記第２被吸着体を撮影するための光学手段と、前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する手段と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明の一実施形態による成膜装置は、基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、第１被吸着体としての前記基板を介して第２被吸着体としての前記マスクを吸着する吸着システムを含み、前記吸着システムは前記本発明の実施形態による吸着システムであることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一実施形態による吸着方法は、第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための方法であって、静電チャックによって第１被吸着体を吸着する工程と、前記静電チャックによって前記第１被吸着体を介して第２被吸着体を吸着する工程と、光学手段により少なくとも前記第２被吸着体を撮影する工程と、前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の他の一実施形態による吸着方法は、第１被吸着体と第２被吸着体を吸着するための吸着方法であって、前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着する工程と、光学手段により少なくとも前記第２被吸着体を撮影する工程と、前記光学手段によって取得された画像に基づいて、前記第１被吸着体と前記第２被吸着体が密着しているかどうかを判定する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明の一実施形態による成膜方法は、マスクを介して基板に蒸着材料を成膜するための成膜方法であって、前記本発明の実施形態による吸着方法を用いて、第１被吸着体としての前記基板を介して第２被吸着体としての前記マスクを吸着する工程と、前記マスクを吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させて、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明の一実施形態による電子デバイスの製造方法は、前記本発明の一実施形態による成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、成膜工程を行う前に、基板等の第１被吸着体に対するマスク等の第２被吸着体の密着状態、つまり、第１被吸着体に吸着された第２被吸着体にしわが生じているかを確認することで、密着不良による成膜不良を未然に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの模式図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの模式図である。
【図４】図４は、静電チャックへの基板の吸着シーケンスを示す工程図である。
【図５】図５は、静電チャックへのマスクの吸着シーケンスを示す工程図である。
【図６】図６は、静電チャックからのマスク及び基板の分離シーケンスを示す工程図である。
【図７】図７は、静電チャックに印加される電圧の変化を示すグラフである。
【図８】図８は、基板とマスクが位置調整された時のアライメントマークの位置関係を示した上面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、マスクの中央部にしわが残った状態を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、しわ発生時のアライメントマークの整列ずれパターンの例を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、マスク全体が片方向に位置がずれる場合の、アライメントマークの整列ずれパターンの例を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、マスク全体が片方向に位置がずれる場合の、アライメントマークの整列ずれパターンの例を示す図である。
【図１１】図１１は、電子デバイスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１９】
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属などの任意の材料を選択してもよく、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミドなどのフィルムが積層された基板であってもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択してもよい。なお、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を含む成膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機発光素子、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。その中でも、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機発光素子を形成する有機発光素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の一つである。
【００２０】
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルに製作する。
【００２１】
電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置１の間を繋ぐ中継装置とを含む。
クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を具備する。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１およびマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。
【００２２】
搬送室１３内には、基板ＳおよびマスクＭを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
【００２３】
成膜装置１１（蒸着装置とも呼ぶ）では、蒸発源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクＭを介して基板Ｓ上に蒸着される。搬送ロボット１４との基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）などの一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。
【００２４】
マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクＭと、使用済みのマスクＭとが、二つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクＭを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクＭを成膜装置１１に搬送する。
【００２５】
クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に搬送するパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置１に搬送するためのバッファー室１６が連結されている。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の一つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファー室１６に搬送する。
【００２６】
バッファー室１６とパス室１５との間には、基板Ｓの向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファー室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置１と下流側のクラスタ装置１で基板Ｓの向きが同一となり、基板処理が容易になる。
【００２７】
パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７は、２つのクラスタ装置１の間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室１５、バッファー室１６、旋回室１７のうち少なくとも１つを含む。
【００２８】
成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファー室１６、旋回室１７などは、有機発光素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。
【００２９】
本実施形態では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバーを有してもよく、これらの装
置やチャンバー間の配置が変わってもよい。
【００３０】
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。
＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで示す。
【００３１】
成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、蒸発源２５とを含む。
【００３２】
基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来る基板Ｓを受取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。
基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３が設けられる。マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４によって搬送されるマスクＭを受取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
【００３３】
マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｍａｓｋ）とも呼ぶ。
【００３４】
基板支持ユニット２２の上方には、基板Ｓを静電引力によって吸着し固定するための静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極などの電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。静電チャック２４がグラジエント力タイプの静電チャックであることによって、基板Ｓが絶縁性基板である場合であっても、静電チャック２４によって基板Ｓを良好に吸着することができる。例えば、静電チャック２４がクーロン力タイプの静電チャックである場合には、金属電極にプラス（＋）及びマイナス（−）の電圧（電位）が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板Ｓなどの被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これらの間の静電引力によって基板Ｓが静電チャック２４に吸着固定される。
【００３５】
静電チャック２４は、一つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、一つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を含み、一つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもよい。
【００３６】
本実施形態では、後述のように、成膜前に静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）だけでなく、マスクＭ（第２被吸着体）をも吸着し保持する。その後、静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を保持した状態で、成膜を行い、成膜が完了した後には基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）に対する静電チャック２４による保持を解除する。
【００３７】
即ち、静電チャック２４の鉛直方向の下側に置かれた基板Ｓ（第１被吸着体）を静電チャック２４で吸着及び保持し、その後、基板Ｓ（第１被吸着体）を挟んで静電チャック２
４と反対側に置かれたマスクＭ（第２被吸着体）を、基板Ｓ（第１被吸着体）を介して静電チャック２４で吸着し保持する。そして、静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を保持した状態で成膜を行った後には、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を静電チャック２４から剥離する。その際、基板Ｓ（第１被吸着体）を介して吸着されたマスクＭ（第２被吸着体）を先に剥離してから、基板Ｓ（第１被吸着体）を剥離する。基板ＳとマスクＭの静電チャック２４への（からの）吸着及び分離の詳細については、図４〜図７を参照して後述する。
【００３８】
図２には示していないが、静電チャック２４の吸着面（基板Ｓと対向する面）とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑える冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。
【００３９】
蒸発源２５は、基板Ｓに成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸発源からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板Ｓに飛散することを阻むシャッタ（不図示）などを含む。蒸発源２５は、点（ｐｏｉｎｔ）蒸発源や線状（ｌｉｎｅａｒ）蒸発源など、用途に従って多様な構成を有することができる。
図２には示していないが、成膜装置１１は、基板Ｓに蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を含む。
【００４０】
真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９などが設けられる。これらのアクチュエータと位置調整機構は、例えば、モータとボールねじ、或いはモータとリニアガイドなどで構成される。基板Ｚアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。
【００４１】
位置調整機構２９は、静電チャック２４のアライメントのための駆動手段である。位置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。なお、本実施形態では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。
【００４２】
真空容器２１の外側上面には、上述した駆動機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０が設置される。アライメントマークは、通常、長方形の基板ＳおよびマスクＭの対角方向の２つのコーナー部に形成されるか、または、４つのコーナー部全てに形成されることができる。これらの基板ＳおよびマスクＭ上のアライメントマークの形成位置に対応する静電チャック２４には、観察用の孔Ｈ（アライメントマーク観察用孔）が形成され（図３Ｃ参照）、該観察用孔Ｈを介して上記アライメント用カメラ２０によりアライメントマークを撮影することで、基板ＳとマスクＭとの間の位置調整を行う。
【００４３】
アライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するのに使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラをさらに有してもよい。位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ（第１被吸着体）及びマス
クＭ（第２被吸着体）の位置情報に基づいて、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。
【００４４】
本発明の一実施形態においては、基板Ｓ及びマスクＭ上に形成されたアライメントマークを、基板Ｓに対するマスクＭの密着状態、つまり、基板Ｓに吸着されたマスクＭにしわが生じているかどうかを確認するためにも使用する。これについては後述する。
【００４５】
成膜装置１１は、制御部（不図示）を具備する。制御部は、基板Ｓの搬送及びアライメント、蒸発源２５の制御、成膜の制御などの機能を有する。制御部は、例えば、プロセッサ、メモリー、ストレージ、Ｉ／Ｏなどを持つコンピューターによって構成可能である。この場合、制御部の機能はメモリーまたはストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピューターとしては、汎用のパーソナルコンピューターを使用してもよく、組込み型のコンピューターまたはＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を使用してもよい。または、制御部の機能の一部または全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置ごとに制御部が設置されていてもよく、一つの制御部が複数の成膜装置を制御するように構成してもよい。
【００４６】
＜静電チャックシステム＞
図３Ａ〜図３Ｃを参照して本実施形態による静電チャックシステム３０について説明する。
図３Ａは、本実施形態の静電チャックシステム３０の概念的なブロック図であり、図３Ｂは、静電チャック２４の模式的な断面図であり、図３Ｃは、静電チャック２４の模式的な平面図である。
【００４７】
本実施形態の静電チャックシステム３０は、図３Ａに示すように、静電チャック２４と、電圧印加部３１と、電圧制御部３２とを含む。
電圧印加部３１は、静電チャック２４の電極部に静電引力を発生させるための電圧を印加する。
【００４８】
電圧制御部３２は、静電チャックシステム３０の吸着工程または成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電圧印加部３１により電極部に加えられる電圧の大きさ、電圧の印加開始時点、電圧の維持時間、電圧の印加順番などを制御する。電圧制御部３２は、例えば、静電チャック２４の電極部に含まれる複数のサブ電極部２４１〜２４９への電圧印加をサブ電極部２４１〜２４９ごとに独立的に制御することができる。本実施形態では、電圧制御部３２が成膜装置１１の制御部とは別途設けられているが、本発明はこれに限定されず、成膜装置１１の制御部に統合されてもよい。
【００４９】
静電チャック２４は、静電チャック２４の吸着面に被吸着体（例えば、基板Ｓ、マスクＭ）を吸着するための静電吸着力を発生させる電極部を含み、電極部は、複数のサブ電極部２４１〜２４９を含むことができる。例えば、本実施形態の静電チャック２４は、図３Ｃに示すように、Ｚ方向から見た場合に静電チャック２４は長方形であり、静電チャック２４の長手方向（Ｙ方向）および／または、静電チャック２４の短手方向（Ｘ方向）に沿って、分割された複数のサブ電極部２４１〜２４９を含む。
【００５０】
サブ電極部２４１〜２４９のぞれぞれは、静電吸着力を発生させるためにプラス（第１極性）及びマイナス（第２極性）の電圧が印加される電極対３３を含む。例えば、それぞれの電極対３３は、プラス電圧が印加される第１電極３３１と、マイナス電圧が印加される第２電極３３２とを含む。
【００５１】
第１電極３３１及び第２電極３３２は、図３Ｃに図示するように、それぞれ櫛形状を有する。例えば、第１電極３３１及び第２電極３３２は、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部とを含む。各電極３３１、３３２の基部を介して櫛歯部に電圧が印加されることにより、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電吸着力を生じさせる。サブ電極部２４１〜２４９のそれぞれにおいて、第１電極３３１の各櫛歯部は、第２電極３３２の各櫛歯部と対向するように、交互に配置される。このように、各電極３３１、３３２の各櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、異なる電圧が印加される電極間の間隔を狭くすることができ、大きな不平等電界を形成し、グラジエント力によって基板Ｓを吸着することができる。
【００５２】
本実施形態においては、静電チャック２４のサブ電極部２４１〜２４９の各電極３３１、３３２が櫛形状を有すると説明したが、本発明はそれに限定されず、被吸着体との間で静電引力を発生させることができる限り、多様な形状を持つことができる。
【００５３】
本実施形態の静電チャック２４は、複数のサブ電極部２４１〜２４９に対応する複数の吸着部を有する。例えば、本実施形態の静電チャック２４は、図３Ｃに図示するように、９つのサブ電極部２４１〜２４９に対応する９つの吸着部を有するが、これに限定されず、基板Ｓの吸着をより精緻に制御するため、他の個数の吸着部を有してもよい。
【００５４】
吸着部は、静電チャック２４の長手方向（Ｙ方向）及び短手方向（Ｘ方向）に分割されるように設けられるが、これに限定されず、静電チャック２４の長手方向または短手方向だけに分割されてもよい。複数の吸着部は、物理的に一つのプレートが複数の電極部を持つように構成されてもよいし、物理的に分割された複数のプレートのそれぞれが一つまたはそれ以上の電極部を持つように構成されてもよい。
例えば、図３Ｃに示した構成例において、複数の吸着部のそれぞれが複数のサブ電極部のそれぞれに対応するように構成されてもよく、一つの吸着部が複数のサブ電極部を含むように構成されてもよい。
【００５５】
つまり、電圧制御部３２によるサブ電極部２４１〜２４９への電圧の印加を制御することで、後述するように、基板Ｓの吸着進行方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に配置された３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７が一つの吸着部を構成してもよい。すなわち、３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７のそれぞれは、独立的に電圧制御が可能であるが、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７に同時に電圧が印加されるように制御することで、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７が一つの吸着部として機能するようにすることができる。複数の吸着部のそれぞれが独立的に基板Ｓの吸着を行うことができる限り、その具体的な物理的構造及び電気回路的構造を変更してもよい。
【００５６】
＜静電チャックシステムによる基板とマスクの吸着及び分離＞
以下、図４〜図７を参照して、静電チャック２４に基板Ｓ及びマスクＭを吸着及び分離する工程、及びその電圧制御について説明する。
【００５７】
（基板Ｓの吸着）
図４は、静電チャック２４が基板Ｓを吸着する工程を図示する。
本実施形態においては、図４に示すように、基板Ｓの全面が静電チャック２４の下面に同時に吸着されるのではなく、静電チャック２４の第１辺（短辺）に沿って一端から他端に向かって順次に吸着が進行する。ただし、本発明はこれに限定されず、例えば、静電チャック２４の対向する２つの角部の一方から他方に向かって基板Ｓの吸着が進行してもよい。また、静電チャック２４の中央部から周縁部に向かって基板Ｓの吸着が行われてもよい。
【００５８】
静電チャック２４の第１辺に沿って基板Ｓが順次に吸着されるようにするために、複数のサブ電極部２４１〜２４９に基板Ｓを吸着するための第１電圧を複数のサブ電極部２４１〜２４９に沿った方向で順次印加してもよい。また、静電チャック２４の第１辺に沿って基板Ｓが順次に吸着されるようにするために、基板Ｓと静電チャック２４との間の距離が静電チャック２４の第１辺に沿って徐々に大きくなるように基板支持ユニット２２の支持部の構造や支持力を変更し、複数のサブ電極部２４１〜２４９に第１電圧を印加するタイミングを同時としてもよい。
【００５９】
図４は、静電チャック２４の複数のサブ電極部２４１〜２４９に印加する電圧の制御によって、基板Ｓを静電チャック２４に順次に吸着させる一例を示す。ここでは、静電チャック２４の長辺方向（Ｙ方向）に沿って配置される３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７が第１吸着部４１を構成し、静電チャック２４の中央部の３つのサブ電極部２４２、２４５、２４８が第２吸着部４２を構成し、残り３つのサブ電極部２４３、２４６、２４９が第３吸着部４３を構成することを前提に説明する。
【００６０】
まず、成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入され、基板支持ユニット２２の支持部に載置される。
続いて、静電チャック２４が下降し、基板支持ユニット２２の支持部上に載置された基板Ｓに向かって移動する（図４（ａ））。
【００６１】
静電チャック２４が基板Ｓに十分に近接または接触すると、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１辺（短手）に沿って第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次に第１電圧（ΔＶ１）が印加されるように制御する。
つまり、第１吸着部４１に先に第１電圧（ΔＶ１）が印加され（図４（ｂ））、次いで、第２吸着部４２に第１電圧（ΔＶ１）が印加され（図４（ｃ））、最終的に第３吸着部４３に第１電圧（ΔＶ１）が印加されるように制御する（図４（ｄ））。
【００６２】
第１電圧（ΔＶ１）は、基板Ｓを静電チャック２４に確実に吸着させるために十分な大きさの電圧に設定される。
これにより、基板Ｓの静電チャック２４への吸着は、基板Ｓの第１吸着部４１に対応する部分から基板Ｓの中央部を経て、基板Ｓの第３吸着部４３に対応する部分に向かって進行し（すなわち、Ｘ方向に基板Ｓの吸着が進行し）、基板Ｓは、基板Ｓの中央部にしわが生じることが抑制されつつ、静電チャック２４に吸着される。
【００６３】
本実施形態においては、静電チャック２４が基板Ｓに十分に近接或いは接触した状態で第１電圧（ΔＶ１）を印加すると説明したが、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降を始める前に、或いは、下降の途中に第１電圧（ΔＶ１）を印加してもよい。
【００６４】
基板Ｓの静電チャック２４への吸着工程が完了した後の所定の時点で、電圧制御部３２は、図４（ｅ）に示すように、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を、第１電圧（ΔＶ１）から第１電圧（ΔＶ１）よりも小さい第２電圧（ΔＶ２）に下げる。
【００６５】
第２電圧（ΔＶ２）は、基板Ｓが静電チャック２４に吸着された状態を維持するための吸着維持電圧であり、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させる際に印加した第１電圧（ΔＶ１）よりも低い電圧である。静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧が第２電圧（ΔＶ２）に下がると、これに対応して基板Ｓに誘導される電荷量（例えば分極電荷量）も第１電圧（ΔＶ１）が加えられた場合に比べて減少するが、基板Ｓが一旦第１電圧（ΔＶ１）によって静電チャック２４に吸着された以後は、第１電圧（ΔＶ１）よりも低い第２電圧（ΔＶ２）を印加しても基板Ｓの吸着状態を維持すること
ができる。
【００６６】
このように、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を第２電圧（ΔＶ２）に下げることで、基板を静電チャック２４から分離するのにかかる時間を短縮することができる。
【００６７】
本実施形態では、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を同時に第２電圧（ΔＶ２）に下げているが、本発明はこれに限定されず、第２電圧（ΔＶ２）に下げる時点や印加される第２電圧（ΔＶ２）の大きさを、第１吸着部４１〜第３吸着部４３のそれぞれで異なるようにしてもよい。例えば、第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次に第２電圧（ΔＶ２）に下げてもよい。
【００６８】
このように、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧が第２電圧（ΔＶ２）に下がった後、静電チャック２４に吸着した基板Ｓとマスク支持ユニット２３上に載置されたマスクＭの相対的位置を調整（アライメント）する。本実施形態では、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧が第２電圧（ΔＶ２）に下がった後に基板ＳとマスクＭと間の相対的な位置調整（アライメント）を行うことと説明したが、本発明はこれに限定されず、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に第１電圧（ΔＶ１）が印加されている状態でアライメント工程を行ってもよい。
【００６９】
（マスクＭの吸着）
基板Ｓの吸着、およびマスクＭとのアライメント調整が終わると、吸着された基板Ｓを介してマスクＭをさらに静電チャック２４に吸着させる。具体的には、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３にマスクＭの吸着のための第３電圧（ΔＶ３）を印加することで、基板Ｓを介してマスクＭを静電チャック２４に吸着させる。つまり、静電チャック２４に吸着した基板Ｓの下面にマスクＭを吸着させる。
【００７０】
図５は、静電チャック２４にマスクＭを吸着させる工程を示す。
まず、基板Ｓが吸着した静電チャック２４を静電チャックＺアクチュエータ２８によりマスクＭに向かって下降させる（図５（ａ））。
静電チャック２４に吸着した基板Ｓの下面がマスクＭに十分に近接または接触する場合、電圧印加部３１が静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に第３電圧（ΔＶ３）を印加するように、電圧制御部３２は、電圧印加部３１を制御する。
【００７１】
第３電圧（ΔＶ３）は、第２電圧（ΔＶ２）よりも大きく、基板Ｓを介してマスクＭが静電誘導によって帯電できる程度の大きさであることが好ましい。これによって、マスクＭが基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着することができる。ただし、本発明はこれに限定されず、第３電圧（ΔＶ３）は、第２電圧（ΔＶ２）と同じ大きさを有してもよい。第３電圧（ΔＶ３）が第２電圧（ΔＶ２）と同じ大きさを有しても、前述した通り、静電チャック２４の下降によって静電チャック２４または基板ＳとマスクＭと間の相対的な距離が縮まるので、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧の大きさをより大きくしなくても、基板Ｓに静電誘導された電荷（例えば分極電荷）によってマスクＭにも静電誘導を起こせることができ、マスクＭが基板を介して静電チャック２４に吸着できる程度の吸着力が得られる。
【００７２】
第３電圧（ΔＶ３）は、第１電圧（ΔＶ１）よりも小さくしてもよく、工程時間（Ｔａｃｔ）の短縮を考慮して第１電圧（ΔＶ１）と同等な程度の大きさにしてもよい。図５に図示したマスク吸着工程では、マスクＭにしわが残らず、基板Ｓの下面に吸着できるように、電圧制御部３２は、第３電圧（ΔＶ３）を静電チャック２４の全体にわたって同時に
印加するのではなく、静電チャック２４の第１辺（短手）に沿って第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって第３電圧（ΔＶ３）を順次に印加する。つまり、まず、第１吸着部４１に第３電圧（ΔＶ３）が印加され（図５（ｂ））、次いで、第２吸着部４２に第３電圧（ΔＶ３）が印加され（図５（ｃ））、第３吸着部４３には最終的に第３電圧（ΔＶ３）が印加されるように制御する（図５ｄ）。
【００７３】
これにより、マスクＭの静電チャック２４への吸着は、マスクＭの第１吸着部４１に対応する部分からマスクＭの中央部を経て、マスクＭの第３吸着部４３に対応する部分に向かって進行し（すなわち、Ｘ方向に向かってマスクＭの吸着が進行し）、マスクＭの中央部にしわが生じることが抑制されつつ、マスクＭは静電チャック２４に吸着される。
【００７４】
本実施形態においては、静電チャック２４がマスクＭに近接或いは接触した状態で第３電圧（ΔＶ３）を印加すると説明したが、静電チャック２４がマスクＭに向かって下降を始める前に、或いは、下降の途中に第３電圧（ΔＶ３）を印加してもよい。
【００７５】
マスクＭの静電チャック２４への吸着工程が完了した後の所定の時点で、電圧制御部３２は、図５（ｅ）に示すように、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を、第３電圧（ΔＶ３）から第３電圧（ΔＶ３）よりも小さい第４電圧（ΔＶ４）に下げる。
【００７６】
第４電圧（ΔＶ４）は、静電チャック２４に基板Ｓを介して吸着されたマスクＭの吸着状態を維持するための吸着維持電圧であり、マスクＭを静電チャック２４に吸着させる時の第３電圧（ΔＶ３）よりも低い電圧である。静電チャック２４に印加される電圧が第４電圧（ΔＶ４）に下がると、これに対応してマスクＭに誘導される電荷量も第３電圧（ΔＶ３）が加えられた場合に比べて減少するが、マスクＭが一旦第３電圧（ΔＶ３）によって静電チャック２４に吸着された以後は、第３電圧（ΔＶ３）よりも低い第４電圧（ΔＶ４）を印加してもマスクの吸着状態を維持することができる。このように、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を第４電圧（ΔＶ４）に下げることで、マスクＭを静電チャック２４から分離するのにかかる時間を短縮することができる。
【００７７】
本実施形態では、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を同時に第４電圧（ΔＶ４）に下げているが、本発明はこれに限定されず、第４電圧（ΔＶ４）に下げる時点や印加される第４電圧（ΔＶ４）の大きさを、第１吸着部４１〜第３吸着部４３のそれぞれで異なるようにしてもよい。例えば、第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次に第４電圧（ΔＶ４）に下げてもよい。
【００７８】
このようにして、マスクＭが基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着した状態で、蒸発源２５から蒸発された蒸着材料がマスクＭを介して基板Ｓに成膜される成膜工程が行われる。本実施形態では、静電チャック２４による静電吸着力でマスクＭを保持しているが、本発明はこれに限定されず、静電チャック２４の上部にマグネット板を設置し、マグネット板によって金属製のマスクＭに磁力を印加することで、より確実にマスクＭを基板Ｓに密着させてもよい。
【００７９】
（静電チャック２４からの基板ＳとマスクＭの分離）
基板ＳとマスクＭを静電チャック２４に吸着した状態で成膜工程が完了すると、静電チャック２４に印加される電圧を制御することにより、吸着された基板ＳとマスクＭを静電チャック２４から分離する。図６は、静電チャック２４から基板ＳとマスクＭを分離する工程を示す。
【００８０】
図６（ａ）に示すように、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を、前述の吸着維持電圧である第４電圧（ΔＶ４）から、マスクＭの分離可能な第５電圧（ΔＶ５）に変更する。ここで、第５電圧（ΔＶ５）は、静電チャック２４による基板Ｓの吸着状態を維持しながら、基板Ｓを介して吸着されたマスクＭのみを静電チャック２４から分離するためのマスク分離電圧である。したがって、第５電圧（ΔＶ５）は、マスクＭを静電チャック２４に吸着させる際に印加した第３電圧（ΔＶ３）よりも低く、かつ、マスクＭを静電チャック２４に吸着維持させる際に印加した第４電圧（ΔＶ４）よりも低い大きさの電圧である。更に、第５電圧（ΔＶ５）は、静電チャック２４からマスクＭが分離されても、静電チャック２４による基板Ｓの吸着状態は維持できる大きさの電圧である。
【００８１】
一例として、第５電圧（ΔＶ５）は、前述した第２電圧（ΔＶ２）と実質的に同じ大きさを有する電圧であってもよい。ただし、本実施形態はこれに限定されず、静電チャック２４による基板Ｓの吸着状態を維持しながら、静電チャック２４からマスクＭのみを分離することができれば、第５電圧（ΔＶ５）は、第２電圧（ΔＶ２）よりも高い電圧であってもよいし、または低い電圧であってもよい。ただし、この場合でも、第５電圧（ΔＶ５）は、第３電圧（ΔＶ３）および第４電圧（ΔＶ４）よりも低い電圧である。
【００８２】
静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を第２電圧（ΔＶ２）と実質的に同一の第５電圧（ΔＶ５）に下げると、これに応じて、マスクＭに誘導される電荷量も第２電圧（ΔＶ２）が加えられた場合と実質的に同じ程度に減少する。その結果、静電チャック２４による基板Ｓの吸着状態は維持されるが、マスクＭの吸着状態は維持されず、静電チャック２４からマスクＭが分離される。
【００８３】
詳細な図示は省略したが、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧をマスク分離電圧である第５電圧（ΔＶ５）に下げる工程（図６（ａ））においては、第５電圧（ΔＶ５）に下げる時点を静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３のそれぞれで異なるように制御することが好ましい。特に、前述したように、マスクＭを吸着する工程において第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次にマスク吸着電圧（ΔＶ３）を印加して、マスクＭを吸着させた場合には（図５（ｂ）〜図５（ｄ）参照）、マスクＭの分離の際にも、同様に、第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次にマスク分離電圧である第５電圧（ΔＶ５）を印加するように制御することが好ましい。
【００８４】
つまり、静電チャック２４における吸着電圧が先に印加された領域に、分離電圧も先に印加されるように制御する。吸着電圧が先に印加された静電チャック電極部（前述の例では、第１吸着部４１）に対応するマスクＭの領域は、吸着電圧が後で印加される静電チャック電極部（前述の例では、第３吸着部４３）に対応するマスクＭの領域よりも、静電チャック２４に吸着していた時間が長く、よって、その分当該領域に残存する電荷量（例えば分極電荷量）の大きさも大きい。
【００８５】
本実施形態では、このように相対的に吸着時間が長く、電荷量（例えば分極電荷量）の大きさが大きい領域から、マスク分離電圧（ΔＶ５）が順次に印加されるように制御することによって、静電チャック２４からマスクＭの全体が分離されるまでの時間をより短縮することができる。また、このようにマスク分離電圧（ΔＶ５）が印加される領域を、吸着による電荷量（例えば分極電荷量）の大きさが大きい領域から順次に拡張させていくことによって、マスクＭの面内における静電チャック２４からの分離タイミングを均一化することができる。
【００８６】
一方、第５電圧（ΔＶ５）に下げる時点を、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３
吸着部４３のそれぞれで異なるようにする他にも、印加される第５電圧（ΔＶ５）の大きさを、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３のそれぞれで変えてもよい。つまり、上述した例の場合、吸着電圧が先に印加された静電チャック電極部（第１吸着部４１）により大きいマスク分離電圧（ΔＶ５）を印加し、吸着電圧が後で印加される静電チャック電極部（第３吸着部４３）により小さいマスク分離電圧（ΔＶ５）を印加するように制御してもよい。このように、マスク分離電圧として印加される第５電圧（ΔＶ５）の大きさを、マスク分離を可能にする電圧の範囲内で、吸着電圧が印加される順序に合わせて静電チャック２４の複数の吸着領域（第１吸着部４１〜第３吸着部４３）毎で異ならせるように制御しても、同様の効果を得ることができる。
【００８７】
図６の説明に戻る。このようにマスクＭが分離され、基板Ｓだけが静電チャック２４に吸着維持された状態で、静電チャックＺアクチュエータ２８によって基板Ｓを吸着した静電チャック２４を上昇させる（図６（ｂ））。
【００８８】
続いて、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３に印加される電圧を第５電圧（ΔＶ５）から第６電圧（ΔＶ６）に変更する（図６（ｃ））。ここで、第６電圧（ΔＶ６）は、静電チャック２４に吸着されている基板Ｓを静電チャック２４から分離するための基板分離電圧である。よって、第６電圧（ΔＶ６）は、基板Ｓのみが静電チャック２４に吸着維持されている時に印加した第５電圧（ΔＶ５）よりも低い大きさの電圧である。
【００８９】
例えば、電圧制御部３２は、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３にゼロ（０）の電圧（つまり、オフさせる）を第６電圧（ΔＶ６）に印加するか、または逆極性の電圧を第６電圧（ΔＶ６）として印加してもよい。その結果、基板Ｓに誘導された電荷（例えば分極電荷）が除去されて、基板Ｓが静電チャック２４から分離される。
【００９０】
そして、詳細な図示は省略したが、静電チャック２４に印加される電圧を基板分離電圧である第６電圧（ΔＶ６）に下げる工程（図６（ｃ））においても、前述したマスク分離電圧（第５電圧ΔＶ５）印加時と同様に、第６電圧（ΔＶ６）に下げる時点を、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３のそれぞれで異ならせるか、または印加される第６電圧（ΔＶ６）の大きさを、静電チャック２４の第１吸着部４１〜第３吸着部４３のそれぞれで異なるように制御することができる。
【００９１】
つまり、基板Ｓを吸着する工程において第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次に基板吸着電圧（ΔＶ１）を印加して吸着させた場合には（図４（ｂ）〜図４（ｄ）参照）、基板Ｓの分離の際にも、同様に、第１吸着部４１から第３吸着部４３に向かって順次に基板分離電圧（ΔＶ６）を印加するように制御するか、基板分離電圧（ΔＶ６）の大きさを、基板の分離を可能にする電圧の範囲内で、吸着電圧が印加された順序に合わせて静電チャック２４の複数の吸着領域（第１吸着部４１〜第３吸着部４３）毎で異ならせるように制御することが好ましい。
【００９２】
これにより、前述したマスクＭの分離時と同様に、静電チャック２４から基板Ｓの全体が分離されるまでの時間をより短縮することができ、また、基板Ｓの面内における静電チャック２４からの分離タイミングを均一化することができる。
【００９３】
以上、マスク分離電圧である第５電圧（ΔＶ５）と基板分離電圧である第６電圧（ΔＶ６）を印加する時点や大きさを、静電チャック２４の複数の吸着領域（第１吸着部４１〜第３吸着部４３）毎で異ならせるように制御する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。つまり、静電チャック２４からマスクＭを１次分離した後、続いて、基板Ｓを２次分離する処理において、静電チャック２４の複数の吸着領域（第１吸着部４１〜
第３吸着部４３）に印加される電圧を同時にマスク分離電圧（ΔＶ５）または基板分離電圧（ΔＶ６）にそれぞれ下げるように制御してもよい。
【００９４】
以下、図７を参照して、静電チャック２４により基板ＳおよびマスクＭを吸着して保持する過程において、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧の制御について説明する。
【００９５】
まず、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させるために、所定の時点（ｔ＝ｔ１）で静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に第１電圧（ΔＶ１）を印加する。第１電圧（ΔＶ１）は、基板Ｓを静電チャック２４に吸着させるのに十分な静電吸着力が得られる大きさを有し、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に第１電圧が印加されてから基板Ｓに電荷（例えば分極電荷）が発生するまでかかる時間を短縮するために可能な限り大きい電圧であることが好ましい。例えば、電圧印加部３１によって印加可能な最大電圧（ΔＶｍａｘ）を印加することが好ましい。
【００９６】
続いて、印加された第１電圧によって基板Ｓに電荷（例えば分極電荷）が誘導され、基板Ｓが静電チャック２４に十分な静電吸着力で吸着した後（ｔ＝ｔ２）に、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧を第２電圧（ΔＶ２）に下げる。第２電圧（ΔＶ２）は、例えば、基板Ｓが静電チャック２４に吸着した状態を維持できる最も低い電圧（ΔＶｍｉｎ）であればよい。
【００９７】
続いて、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させるために、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧を第３電圧（ΔＶ３）に上げる（ｔ＝ｔ３）。第３電圧（ΔＶ３）は、マスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させるための電圧であるので、第２電圧（ΔＶ２）以上の大きさを有することが好ましく、工程時間を考慮して電圧印加部３１が印加できる最大電圧（ΔＶｍａｘ）であることがより好ましい。
【００９８】
本実施形態では、成膜工程後に基板ＳおよびマスクＭを静電チャック２４から分離するのにかかる時間を短縮するために、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧を第３電圧（ΔＶ３）に維持せず、より小さい第４電圧（ΔＶ４）に下げる（ｔ＝ｔ４）。ただし、マスクＭが基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着した状態を維持するために、第４電圧（ΔＶ４）は、基板Ｓのみが静電チャック２４に吸着された状態を維持するのに必要な第２電圧（ΔＶ２）以上の電圧であることが好ましい。
【００９９】
成膜工程が完了した後（ｔ＝ｔ５）に、マスクＭを静電チャック２４から分離するために、まず、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧を、基板Ｓのみの吸着状態が維持可能な第５電圧（ΔＶ５）に下げる。第５電圧（ΔＶ５）は、マスクＭが分離され、基板Ｓのみが静電チャック２４に吸着した状態を維持するのに必要な第２電圧（ΔＶ２）と実質的に同じ大きさの電圧である。一例として、第５電圧（ΔＶ５）は、マスクＭが分離され、基板Ｓのみが静電チャック２４に吸着された状態を維持するのに必要な最小電圧（ΔＶｍｉｎ）であることが好ましい。
【０１００】
これによって、マスクＭが分離した後、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧をゼロ（０）に下げるか（すなわち、オフにするか）、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に反対極性の電圧を印加する（ｔ＝ｔ６）。これにより、基板Ｓに誘導された電荷（例えば分極電荷）が除去されて、基板Ｓが静電チャック２４から分離できる。
【０１０１】
＜成膜プロセス及びマスク密着状態確認＞
以下、本実施形態による成膜方法と、成膜工程を行う前の基板Ｓに対するマスクＭの密着状態確認、及び密着不良と判定されたときの再吸着制御方法について説明する。
【０１０２】
真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが載置された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入される。真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが下降し、基板Ｓを基板支持ユニット２２の支持部上に載置する。
【０１０３】
続いて、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降し、基板Ｓに十分に近接或いは接触した後に、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に第１電圧（ΔＶ１）を印加し、基板Ｓを吸着し、吸着が完了すると、第２電圧（ΔＶ２）に下げて基板吸着状態が維持されるようにする。
【０１０４】
静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。基板Ｓが計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０でアライメントマーク観察用の孔Ｈを介して基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影して、基板ＳとマスクＭの相対的な位置ずれを計測する。
【０１０５】
計測の結果、基板のマスクに対する相対的位置ずれが閾値を超えることが判明すれば、静電チャック２４に吸着された状態の基板Ｓを水平方向（ＸＹθ方向）に移動させて、基板をマスクに対して、位置調整（アライメント）する。
【０１０６】
アライメント工程の後、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に第３電圧（ΔＶ３）を印加してマスクＭを基板Ｓを介して静電チャック２４に吸着させ、吸着が完了した後、第４電圧（ΔＶ４）に下げてマスク吸着状態が維持されるようにする。このように、マスクＭの吸着まで完了すると、蒸発源２５のシャッタを開け、蒸着材料をマスクＭを介して基板Ｓに蒸着させる。
【０１０７】
本発明では、以上のように、基板Ｓに対してマスクＭが吸着された後、成膜工程に入る前に、基板Ｓに対するマスクＭの密着状態、つまり、マスクＭにしわが生じているかどうかを確認するようにしている。
【０１０８】
このため、本発明の一実施形態では、前述した基板ＳとマスクＭとの間の位置調整時に利用したアライメントマークを用いる。前述したように、静電チャック２４に基板Ｓを吸着させた後、基板Ｓを介してマスクＭを吸着する前に、基板ＳとマスクＭにそれぞれ形成されたアライメントマークを撮像し、該撮像画像を用いて、基板ＳとマスクＭとの間の相対的な位置誤差を調整するアライメントを行う。
【０１０９】
図８は、このアライメント工程により、基板ＳとマスクＭが位置調整された状態を概念的に示した上面図である。円状のマークＰｓは基板Ｓ上に形成された基板アライメントマークを、十字状のマークＰｍはマスクＭ上に形成されたマスクアライメントマークを、それぞれ示す。アライメントマークＰｓ、Ｐｍは、前述したように、例えば、長方形の基板ＳおよびマスクＭの４つのコーナー部に形成されることができる。アラインメント工程では、このアライメントマークを撮影し、対応する各アライメントマークＰｓ、Ｐｍの相対位置が所定の範囲内に位置するように、例えば、図８に示すように、対応するアライメントマークＰｓ、Ｐｍが実質的に同一の位置に位置するように、静電チャック２４に吸着された基板ＳとマスクＭのいずれか、または両方を水平面内でＸＹθ方向に相対移動させることによって、アライメントを行う。すなわち、各アライメントマークＰｓの位置と、対応する各アライメントマークＰｍの位置とが整列するように、基板ＳとマスクＭとの間の
位置調整（アライメント）を行う。
【０１１０】
このようにして、アライメントが完了すると、前述のように、基板Ｓが吸着された静電チャック２４をマスクＭに向かって下降させつつ、静電チャック２４にマスク吸着電圧ΔＶ３を印加して、マスクＭの吸着工程を行う。
【０１１１】
本発明では、このマスクＭの吸着工程時に静電チャック２４に吸着電圧を印加する方式を制御するなどで、できるだけマスクＭにしわが生じることなく吸着が行われるようにしているが、にもかかわらず、基板ＳとマスクＭが大型化されるにつれ、特にマスクＭの中央部における自重による撓みにより、予期せぬしわがマスクＭに生じる可能性は依然としてある。
【０１１２】
図９Ａは、このようなマスクＭの中央部に撓みによるしわが残った状態を示している。このように、吸着過程でマスクＭの中央部にしわが生じると、前述した基板ＳとマスクＭのアライメントマークＰｓ、Ｐｍの整列状態には、一定のパターンのずれが発生することになる。
【０１１３】
図９Ｂは、このようなマスクＭの中央部にしわが発生する時に現れるアライメントマークＰｓ、Ｐｍの整列ずれパターンを示している。図９Ｂに示すように、マスクＭの中央部にしわが生じたまま吸着が行われると、マスクＭの周縁部（例えば、４つのコーナー部）に形成した複数のマスクアライメントマークＰｍの全てが基板アライメントマークＰｓに対して相対的に内側に位置するようにずれが発生する。図９Ｂに示す整列ずれパターンは、特にマスクＭの中央部にしわが残ってしまう吸着不良時に発生する特有なずれパターンであり、例えば、マスクＭの全体がいずれかの片方向に位置ずれる場合の例である図１０Ａ、１０Ｂとは区別される。換言すれば、図９Ｂに示す整列ずれパターンは、マスクＭにおける対向する両端部に形成された複数のマスクアライメントマークＰｍが、基板Ｓにおける対向する両端部に形成された複数の基板アライメントマークＰｓよりもマスクＭの中央部に向かって内側にずれて位置するずれパターンである。例えば、マスクＭが矩形状である場合、マスクＭにおける対向する両端部は、マスクＭの４つのコーナー部のうちの対向する２つのコーナー部を含む、或いは、マスクＭの４つのコーナー部を含む。例えば、基板Ｓが矩形状である場合、基板Ｓにおける対向する両端部は、基板Ｓの４つのコーナー部のうちの対向する２つのコーナー部を含む、或いは、基板Ｓの４つのコーナー部を含む。
【０１１４】
本発明の一実施形態では、マスクＭの吸着後、成膜工程に入る前に、基板ＳおよびマスクＭのアライメントマークＰｓ、Ｐｍを再撮影して、アライメントマークＰｓ、Ｐｍの整列状態に図９Ｂのような特定のずれパターンが発生したかどうかを検出することによって、吸着時にマスクＭの中央部にしわが残る状態で吸着が行われたのかを判定する。例えば、撮像（取得）された画像が、図９Ｂに示す整列ずれパターンを有する場合、成膜装置１１の制御部は、マスクＭが基板Ｓに密着していないと判定すると共に、吸着時にマスクＭの中央部にしわが生じたと判定してもよい。
【０１１５】
よって、本発明の一実施形態によれば、マスクＭの中央部におけるしわの発生有無を、成膜工程に入る前に容易に確認することができる。マスクＭが基板Ｓに密着していないと判定され、吸着時にマスクＭの中央部にしわが生じたと確認される場合には、前述した吸着／分離工程により、マスクＭを静電チャック２４から一旦分離してから、再吸着させることができる。
【０１１６】
つまり、静電チャック２４にマスク分離電圧ΔＶ５を印加し、静電チャック２４に基板Ｓが吸着されたまま、マスクＭだけを一旦分離した後、前述したマスク吸着工程を通じて
マスクＭを再吸着させる。再吸着の際には、マスクＭの中央部にしわが発生しないようにするために、吸着工程条件を変える。すなわち、前述したように、マスク吸着工程では、基板Ｓが吸着された静電チャック２４をマスクＭに近接するように移動しつつ、静電チャック２４にマスク吸着電圧ΔＶ３を印加するが、このときの基板Ｓが吸着された静電チャック２４とマスクＭとが相互近接する相対移動速度、または、印加される吸着電圧ΔＶ３の大きさを変えることで、再吸着時のしわ防止を図ることができる。具体的には、基板Ｓが吸着された静電チャック２４とマスクＭが相互近接する相対移動速度を前回（例えば最初）のマスク吸着時の速度よりも遅く（低く）するか、またはマスク吸着電圧ΔＶ３の大きさを前回（例えば最初）のマスク吸着時の大きさよりも小さくすることで、再吸着工程をより安定的に行い、マスクＭにしわが生じることをより確実に防止することができる。
【０１１７】
このように、本発明の一実施形態によれば、マスクＭの中央部におけるしわの発生有無を成膜工程に入る前に容易に確認することができ、しわが発生したと確認される場合には、マスクＭを一旦分離してから、吸着工程条件を変えて再吸着させることで、密着不良による成膜不良を事前に効果的に防止することができる。
【０１１８】
以上、本発明の一実施形態による、マスクＭの吸着後、成膜前にマスクＭの中央部のしわの発生有無を確認するための構成の例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、前述した実施形態は、基板ＳおよびマスクＭ上のアライメント用マークＰｓ、Ｐｍを観測し、これらのマークのずれパターンからマスクＭの中央部のしわの発生有無を判定する構成であるが、本発明の他の実施形態としては、真空容器２１の側面または底面の位置に別途の光学手段を配置し、該光学手段でマスクＭの物理的な形状そのものを直接撮影した画像によって、マスクＭの中央部のしわの発生有無を判定するようにしてもよい。別途の光学手段は、マスクＭの側面側または基板Ｓの吸着面とは反対側のマスクＭの非吸着面側から、基板Ｓに吸着されたマスクＭを撮影する。つまり、マスクＭ上に形成されるマークではなく、しわが生じた場合の前述した図９ＡのようなマスクＭの中央部の撓みの状態そのものを光学手段を使って直接撮影・観測する構成にしてもよい。
【０１１９】
また、前述した実施形態では、基板ＳとマスクＭを吸着する手段として、静電チャック２４を使用する例について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、変形例として、静電チャック２４の代わりに、基板Ｓを挟んでマスクＭの反対側にマグネットを配置し、このマグネットによる磁力を利用して、基板Ｓを介してマスクＭを吸着する場合にも、基板ＳとマスクＭとの間の密着度を確認するための構成として、本発明を適用することが可能である。このような変形例においては、基板Ｓは、基板ホルダなどの保持手段によって支持されてマスクＭ上に載置された後、上記マグネットによるマスクＭの吸着の結果としてマスクＭとの密着が行われ、基板Ｓそのものを吸着するための別途の手段を設けないようにしてもよい。
【０１２０】
以上のように、吸着後のマスクＭのしわの確認、及び、しわの発生時の再吸着を通じてマスクＭの中央部にしわが残らずにマスクＭの吸着が完了した後、該マスクＭを介して蒸着材料を基板Ｓに蒸着させる成膜工程を行い、所望の厚さの膜の蒸着が行われると、静電チャック２４の電極部またはサブ電極部に印加される電圧を第５電圧（ΔＶ５）に下げてマスクＭを分離し、静電チャック２４に基板Ｓのみが吸着した状態で、静電チャックＺアクチュエータ２８により、基板Ｓを上昇させる。
【０１２１】
続いて、搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、静電チャック２４の電極部或いはサブ電極部にゼロ（０）または逆極性の電圧（ΔＶ６）が印加され（ｔ６）、基板Ｓが静電チャック２４から分離される。その後、蒸着が完了した基板Ｓを搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。
【０１２２】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１１（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図１１（ｂ）は１画素の断面構造を示している。
【０１２３】
図１１（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置６０の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
【０１２４】
図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に相当する。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【０１２５】
図１１（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を含む複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層を形成することができる。
【０１２６】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および陽極６４が形成された基板６３を準備する。
【０１２７】
陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口部が形成されるようにパターニングして絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【０１２８】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、基板保持ユニット及び静電チャック２４にて基板６３を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される
。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【０１２９】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、基板保持ユニット及び静電チャック２４にて保持する。基板６３とマスクＭとのアライメントを行い、基板６３をマスクＭ上に載置して、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。
【０１３０】
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。電子輸送層６７まで形成された基板６３を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
【０１３１】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施形態において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【０１３２】
上記実施形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施形態の構成に限定されず、その技術思想の範囲内で適切に変形してもよい。
【符号の説明】
【０１３３】
Ｓ：基板
Ｍ：マスク
２０：光学手段
２４：静電チャック
Ｐｓ：基板アライメントマーク
Ｐｍ：マスクアライメントマーク
【図１】
2020070492.tif 000003
【図２】
2020070492.tif 000004
【図３Ａ】
2020070492.tif 000005
【図３Ｂ】
2020070492.tif 000006
【図３Ｃ】
2020070492.tif 000007
【図４】
2020070492.tif 000008
【図５】
2020070492.tif 000009
【図６】
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【図７】
2020070492.tif 000011
【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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