(57)【要約】【課題】接続部材全体の剥離、接続部材と給電部材との間の導通不良、給電部材の外れの発生を抑制する。【解決手段】保持装置は、セラミックス部材の第１の表面に対象物を保持する装置である。保持装置は、内部電極と、内部電極と電気的に接続された接続部材であって、金属材料とセラミックス材料とを含み、外周部がセラミックス部材の内部に配置され、かつ、内側部がセラミックス部材の第２の表面に露出している接続部材と、給電部材と、非活性ろう材により形成され、接続部材の内側部と給電部材とを接合する接合部とを備える。接続部材の内、接合部に対向する側の第３の表面を含む第１の部分における金属材料の含有割合は、接続部材の内、第１の部分に隣接すると共に第１の部分と同一の厚さを有し、かつ、第３の表面とは反対側の第４の表面を含む第２の部分における金属材料の含有割合より高い。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の内部に配置された内部電極と、
前記内部電極と電気的に接続された導電性の接続部材であって、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成され、外周部が前記セラミックス部材の内部に配置され、かつ、前記外周部以外の部分である内側部が前記セラミックス部材の前記第２の表面に露出している接続部材と、
金属製の給電部材と、
非活性ろう材により形成され、前記接続部材の前記内側部と前記給電部材とを接合する接合部と、
を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、
前記接続部材の内、前記接合部に対向する側の第３の表面を含む第１の部分における前記金属材料の含有割合は、前記接続部材の内、前記第１の方向において前記第１の部分に隣接すると共に前記第１の部分と同一の厚さを有し、かつ、前記第３の表面とは反対側の第４の表面を含む第２の部分における前記金属材料の含有割合より高い、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保持装置において、
前記第２の部分における前記金属材料の含有割合は、２５ｖｏｌ％以上、７０ｖｏｌ％未満である、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項３】
請求項２に記載の保持装置において、
前記第１の部分における前記金属材料の含有割合は、７０ｖｏｌ％以上である、
ことを特徴とする保持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
対象物（例えば、半導体ウェハ）を保持しつつ所定の温度（例えば、４００〜８００℃程度）に加熱する加熱装置（「サセプタ」とも呼ばれる。）が知られている。加熱装置は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置、スパッタリング成膜装置等）やエッチング装置（プラズマエッチング装置等）といった半導体製造装置の一部として使用される。
【０００３】
一般に、加熱装置は、所定の方向に略直交する表面（以下、「保持面」という。）と、保持面とは反対側の表面（以下、「裏面」という。）とを有するセラミックス部材を備える。セラミックス部材の内部には、例えばタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の発熱抵抗体から構成されたヒータ電極が配置されている。ヒータ電極には、少なくとも一部分がセラミックス部材の裏面に露出した導電性の接続部材（「電極パッド」とも呼ばれる）が電気的に接続されている。接続部材には、非活性ろう材により形成された接合部により、金属製の給電部材が接合されている。給電部材および接続部材を介してヒータ電極に電圧が印加されると、ヒータ電極が発熱し、セラミックス部材の保持面上に保持された対象物が加熱される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−１１２５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の加熱装置では、接続部材（電極パッド）と接合部（非活性ろう材）との間の接合力不足と、接続部材とセラミックス部材との間の接合力不足と、の少なくとも一方に起因して、接続部材全体の剥離、接続部材と給電部材との間の導通不良、給電部材の外れ（脱落）といった問題が発生するおそれがある。
【０００６】
なお、このような課題は、加熱装置に限らず、セラミックス部材と、セラミックス部材の内部に配置された内部電極と、内部電極と電気的に接続された導電性の接続部材と、金属製の給電部材と、非活性ろう材により形成され、接続部材と給電部材とを接合する接合部とを備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。
【０００７】
本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。
【０００９】
（１）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に配置された内部電極と、前記内部電極と電気的に接続された導電性の接続部材であって、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成され、外周部が前記セラミックス部材の内部に配置され、かつ、前記外周部以外の部分である内側部が前記セラミックス部材の前記第２の表面に露出している接続部材と、金属製の給電部材と、非活性ろう材により形成され、前記接続部材の前記内側部と前記給電部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記接続部材の内、前記接合部に対向する側の第３の表面を含む第１の部分における前記金属材料の含有割合は、前記接続部材の内、前記第１の方向において前記第１の部分に隣接すると共に前記第１の部分と同一の厚さを有し、かつ、前記第３の表面とは反対側の第４の表面を含む第２の部分における前記金属材料の含有割合より高い。本保持装置では、接続部材の内、接合部に対向する側の第３の表面とは反対側の第４の表面を含む第２の部分における金属材料の含有割合が比較的低い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的高い）。そのため、接続部材の第４の表面側の第２の部分を、セラミックス部材を構成するセラミックス材料と強固に接合させることができ、接続部材全体の剥がれが発生することを抑制することができる。また、本保持装置では、接続部材の内、接合部に対向する側の第３の表面を含む第１の部分における金属材料の含有割合が比較的高い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的低い）。そのため、接続部材の第３の表面側の第１の部分と、非活性ろう材により形成された接合部とを強固に接合させることができ、接合部の位置での剥離に起因する接続部材と給電部材との間の導通不良や、給電部材の外れ（脱落）が発生することを抑制することができる。このように、本保持装置によれば、接続部材全体の剥離が発生することを抑制しつつ、接続部材と給電部材との間の導通不良や給電部材の外れ（脱落）が発生することを抑制することができる。
【００１０】
（２）上記保持装置において、前記第２の部分における前記金属材料の含有割合は、２５ｖｏｌ％以上、７０ｖｏｌ％未満である構成としてもよい。本保持装置によれば、接続部材の第２の部分における金属材料の含有割合が過度に高くない（７０ｖｏｌ％未満である）ため、接続部材の第４の表面側の第２の部分を、セラミックス部材を構成するセラミックス材料とより強固に接合させることができ、接続部材全体の剥がれが発生することを効果的に抑制することができる。また、本保持装置によれば、接続部材の第２の部分における金属材料の含有割合が過度に低くない（２５ｖｏｌ％以上である）ため、接続部材の第１の部分と第２の部分との間における金属材料の含有割合の差が過度に大きくなることを回避することができ、該金属材料の含有割合の差に起因する接続部材の内部での剥離の発生を抑制することができる。
【００１１】
（３）上記保持装置において、前記第１の部分における前記金属材料の含有割合は、７０ｖｏｌ％以上である構成としてもよい。本保持装置によれば、接続部材の第３の表面を含む第１の部分がセラミックス部材を構成するセラミックス材料と強固に接合されることを抑制することができ、その結果、保持装置が熱サイクルに晒されたときに、接続部材の第２の部分とセラミックス部材を構成するセラミックス材料との間が剥離することによって応力を緩和することができ、接続部材にクラックが発生することを抑制することができる。
【００１２】
なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、加熱装置、静電チャック、保持装置、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態における加熱装置１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本実施形態における加熱装置１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。
【図３】本実施形態における加熱装置１００の一部分（図２のＸ１部）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。
【図４】比較例の加熱装置の一部分（図２のＸ１部に相当する部分）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。
【図５】性能評価結果を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．加熱装置１００の構成：
図１は、本実施形態における加熱装置１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、本実施形態における加熱装置１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。また、図３は、本実施形態における加熱装置１００の一部分（図２のＸ１部）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、加熱装置１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を面方向というものとする。
【００１５】
加熱装置１００は、対象物（例えば、半導体ウェハＷ）を保持しつつ所定の処理温度（例えば、４００〜８００℃程度）に加熱する装置であり、サセプタとも呼ばれる。加熱装置１００は、例えば、成膜装置（ＣＶＤ成膜装置、スパッタリング成膜装置等）やエッチング装置（プラズマエッチング装置等）といった半導体製造装置の一部として使用される。
【００１６】
図１および図２に示すように、加熱装置１００は、保持体１０と柱状支持体２０とを備える。
【００１７】
（保持体１０の構成）
保持体１０は、所定の方向（本実施形態ではＺ軸方向）に略直交する保持面Ｓ１および裏面Ｓ２を有する略円板状の部材である。保持体１０は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミックスにより形成されている。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。保持体１０の直径は、例えば１００ｍｍ以上、５００ｍｍ以下程度であり、保持体１０の厚さ（上下方向における長さ）は、例えば３ｍｍ以上、２０ｍｍ以下程度である。保持体１０は、特許請求の範囲におけるセラミックス部材に相当し、保持面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、裏面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。
【００１８】
図２に示すように、保持体１０の内部には、保持体１０を加熱するヒータ電極としての抵抗発熱体５０が配置されている。抵抗発熱体５０は、例えば、タングステンやモリブデン等の導電性材料により形成されている。本実施形態では、抵抗発熱体５０は、Ｚ軸方向視で略同心円状に延びる線状のパターンを構成している。抵抗発熱体５０の線状パターンの両端部は、保持体１０の中心部近傍に配置されており、各端部にはビア導体５２の上端部が接続されている。また、保持体１０の裏面Ｓ２側には、一対の凹部１２が形成されており、各凹部１２の位置には、導電性の受電電極（電極パッド）６０が設けられている。受電電極６０の一部分（後述する内側部ＩＰ）は、保持体１０の裏面Ｓ２に露出している。ビア導体５２の下端部は、受電電極６０に接続されている。その結果、抵抗発熱体５０と受電電極６０とがビア導体５２を介して電気的に接続された状態となっている。抵抗発熱体５０は、特許請求の範囲における内部電極に相当し、受電電極６０は、特許請求の範囲における接続部材に相当する。受電電極６０の構成については、後にさらに詳述する。
【００１９】
（柱状支持体２０の構成）
柱状支持体２０は、上記所定の方向（上下方向）に延びる略円柱状部材である。柱状支持体２０は、保持体１０と同様に、例えば窒化アルミニウムやアルミナを主成分とするセラミックスにより形成されている。柱状支持体２０の外径は、例えば３０ｍｍ以上、９０ｍｍ以下程度であり、柱状支持体２０の高さ（上下方向における長さ）は、例えば１００ｍｍ以上、３００ｍｍ以下程度である。
【００２０】
保持体１０と柱状支持体２０とは、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ５とが上下方向に対向するように配置されている。柱状支持体２０は、保持体１０の裏面Ｓ２の中心部付近に、公知の接合材料により形成された接合部３０を介して接合されている。
【００２１】
図２に示すように、柱状支持体２０には、保持体１０の裏面Ｓ２側に開口する貫通孔２２が形成されている。貫通孔２２は、上下方向と略同一方向に延び、延伸方向にわたって略一定の内径を有する断面略円形の孔である。貫通孔２２には、複数（本実施形態では２つ）の電極端子７４が収容されている。電極端子７４は、例えばＺ軸方向視で略円形の柱状部材であり、ニッケル（Ｎｉ）等の導電性材料により形成されている。電極端子７４の直径は、例えば２ｍｍ以上、６ｍｍ以下程度である。
【００２２】
また、Ｚ軸方向において各電極端子７４の上端部と各受電電極６０との間には、緩衝部材７２が配置されている。緩衝部材７２は、例えばＺ軸方向視で略円形の板状部材であり、タングステンやモリブデン、コバール等の金属により形成されている。ただし、緩衝部材７２は、電極端子７４と受電電極６０との間の熱膨張差を緩和する機能を担うため、緩衝部材７２の形成材料としては、電極端子７４の熱膨張係数と受電電極６０の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する材料が用いられることが好ましい。緩衝部材７２の直径は、例えば３ｍｍ以上、９ｍｍ以下程度であり、緩衝部材７２の厚さは、例えば１ｍｍ以上、６ｍｍ以下程度である。緩衝部材７２は、特許請求の範囲における給電部材に相当する。
【００２３】
緩衝部材７２は、非活性ろう材により形成されたパッド側接合部７６により、受電電極６０の後述する内側部ＩＰの下面（露出面）と接合（ろう付け）されている。なお、非活性ろう材は、セラミックスに対して実質的に化学的結合しないろう材を意味し、例えば、Ｎｉ系（Ｎｉ−Ｃｒ系合金等）、Ａｕ系（純Ａｕ、Ａｕ−Ｎｉ系合金等）、Ａｇ系（純Ａｇ等）のろう材である。加熱装置１００は、後述するように、４００〜８００℃程度の大気環境下で使用される。ろう材にＣｕ等の酸化されやすい成分が含まれていると、ろう材の劣化が懸念される。そのため、ろう材はＣｕ等の酸化されやすい成分を含まないことが好ましい。図３に示すように、本実施形態では、パッド側接合部７６は、受電電極６０の内側部ＩＰの下面に加えて、保持体１０の裏面Ｓ２にも対向するように形成されている。しかしながら、パッド側接合部７６は、非活性ろう材により形成されているために、保持体１０とは接合していない。パッド側接合部７６は、特許請求の範囲における接合部に相当する。
【００２４】
また、緩衝部材７２は、ろう材により形成された端子側接合部７８により、電極端子７４と接合されている。端子側接合部７８は、例えば、Ａｇ系のろう材である。
【００２５】
図示しない電源から各電極端子７４、各緩衝部材７２、各受電電極６０、各ビア導体５２を介して抵抗発熱体５０に電圧が印加されると、抵抗発熱体５０が発熱し、保持体１０の保持面Ｓ１上に保持された対象物（例えば、半導体ウェハＷ）が所定の温度（例えば、４００〜８００℃程度）に加熱される。
【００２６】
Ａ−２．受電電極６０の詳細構成：
受電電極６０の構成について、さらに詳細に説明する。本実施形態の受電電極６０は、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成されている。受電電極６０に含まれる金属材料は、例えば、タングステンやモリブデン等である。なお、受電電極６０に含まれる金属材料は、緩衝部材７２を構成する金属材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有する金属材料であることが好ましい。また、受電電極６０に含まれるセラミックス材料は、例えば、窒化アルミニウムやアルミナである。なお、受電電極６０に含まれるセラミックス材料は、保持体１０の主成分であるセラミックス材料の熱膨張係数に近い熱膨張係数を有するセラミックス材料であることが好ましい。
【００２７】
また、本実施形態の受電電極６０は、例えばＺ軸方向視で略円形の略平板状部材である。ただし、受電電極６０は、外周部分が全周にわたって斜め上方に屈曲したような形状となっている。すなわち、受電電極６０は、そのように屈曲して保持体１０の内部に位置する外周部ＯＰと、外周部ＯＰ以外の部分である略平板状の内側部ＩＰとから構成されている。受電電極６０におけるパッド側接合部７６に対向する側の表面（下面）Ｓ３の内、外周部ＯＰに相当する領域は保持体１０を構成するセラミックス材料に覆われているが、内側部ＩＰに相当する領域は保持体１０の裏面Ｓ２に露出している。受電電極６０の直径は、例えば３ｍｍ以上、１２ｍｍ以下程度であり、受電電極６０の厚さは、例えば０．００５ｍｍ以上、０．１５ｍｍ以下程度である。また、外周部ＯＰを覆う保持体１０の構成材料の最大厚さ（最大かぶり厚）ｔ１は、例えば０．００５ｍｍ以上、０．１ｍｍ以下程度である。受電電極６０の下面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当し、受電電極６０の下面Ｓ３とは反対側の表面（上面）Ｓ４は、特許請求の範囲における第４の表面に相当する。
【００２８】
また、本実施形態の受電電極６０は、受電電極６０の下面Ｓ３を含む下層６１と、受電電極６０の上面Ｓ４を含む上層６２と、の２層から構成されている。下層６１の厚さは、例えば０．００３ｍｍ以上、０．０７ｍｍ以下程度であり、上層６２の厚さは、例えば０．００３ｍｍ以上、０．００７ｍｍ以下程度である。下層６１および上層６２は、金属材料とセラミックス材料とを含んでいるが、下層６１における金属材料の含有割合（ｖｏｌ％）は、上層６２における金属材料の含有割合より高い。本実施形態の受電電極６０は、このような構成であるため、受電電極６０の下記の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は、下記の第２の部分における金属材料の含有割合より高くなっている。なお、ここで言う各部分Ｐ１，Ｐ２の金属材料の含有割合の高低関係は、同一の体積（断面観察する場合には同一の面積）で比較したときの金属材料の含有割合の高低関係を意味する。
・第１の部分Ｐ１：受電電極６０の内、パッド側接合部７６に対向する側の表面（すなわち下面Ｓ３）を含む部分。
・第２の部分Ｐ２：受電電極６０の内、Ｚ軸方向において第１の部分Ｐ１に隣接すると共に第１の部分Ｐ１と同一の厚さを有し、かつ、下面Ｓ３とは反対側の上面Ｓ４を含む部分。
【００２９】
なお、受電電極６０の下層６１の厚さと上層６２の厚さとが同一の場合には、第１の部分Ｐ１が下層６１のみから構成された部分となり、第２の部分Ｐ２が上層６２のみから構成された部分となるため、当然に、第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合より高くなる。また、受電電極６０の下層６１の厚さが上層６２の厚さより厚い場合には、第１の部分Ｐ１が下層６１のみから構成された部分となる一方、第２の部分Ｐ２は下層６１と上層６２とから構成された部分となるが、この場合にもやはり、第１の部分Ｐ１が金属材料の含有割合が高い下層６１のみから構成された部分であるために、第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合より高くなる。反対に、受電電極６０の下層６１の厚さが上層６２の厚さより薄い場合には、第２の部分Ｐ２が上層６２のみから構成された部分となる一方、第１の部分Ｐ１は下層６１と上層６２とから構成された部分となるが、この場合にもやはり、第２の部分Ｐ２が金属材料の含有割合が低い上層６２のみから構成された部分であるために、第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合より高くなる。
【００３０】
なお、受電電極６０の面方向における全体にわたって、上述した第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２との間の金属材料の含有割合の高低関係が成立していることが好ましい。
【００３１】
また、受電電極６０の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合は、２５ｖｏｌ％以上、７０ｖｏｌ％未満であることが好ましい。また、受電電極６０の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は、７０ｖｏｌ％以上であることが好ましい。
【００３２】
Ａ−３．加熱装置１００の製造方法：
本実施形態の加熱装置１００の製造方法は、例えば以下の通りである。初めに、保持体１０と柱状支持体２０とを作製する。
【００３３】
保持体１０の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末１００重量部に、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）粉末１重量部と、アクリル系バインダ２０重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、トルエン等の有機溶剤を加え、ボールミルにて２０時間混合し、グリーンシート用スラリーを作製する。このグリーンシート用スラリーをキャスティング装置でシート状に成形した後に乾燥させ、グリーンシートを複数枚作製する。
【００３４】
また、窒化アルミニウム粉末、アクリル系バインダ、テルピネオール等の有機溶剤の混合物に、タングステンやモリブデン等の金属粉末を添加して混練することにより、メタライズペーストを作製する。このメタライズペーストを例えばスクリーン印刷装置を用いて印刷することにより、特定の各グリーンシートに、後に抵抗発熱体５０、受電電極６０等となる未焼結導体層を形成する。また、グリーンシートにあらかじめビア孔を設けた状態で印刷することにより、後にビア導体５２となる未焼結導体部を形成する。なお、受電電極６０用のメタライズペーストとして、タングステンやモリブデン等の金属粉末と窒化アルミニウム粉末との含有比率が互いに異なる２種類のメタライズペーストを準備する。所定のグリーンシートに、まず、２種類のメタライズペーストの内の金属粉末の含有比率が低い方のメタライズペーストの印刷を行い、その後、印刷されたメタライズペーストの上に、金属粉末の含有比率が高い方のメタライズペーストの印刷を行う。なお、メタライズペーストの印刷の際には、例えば１回で５０μｍ以上の厚さになるようにメタライズペーストを印刷し、有機溶剤を揮発させるために乾燥させる。この工程を、設定された厚さになるまで繰り返し実行する。受電電極６０用の各メタライズペーストの印刷後、その外周部を全周にわたって覆うように、セラミックスペースト（例えば、窒化アルミニウムとアクリル系バインダとテルピネオール等の有機溶剤との混合物）の印刷を行う。
【００３５】
次に、これらのグリーンシートを複数枚（例えば２０枚）熱圧着し、必要に応じて外周を切断して、グリーンシート積層体（例えば厚さ８ｍｍ）を作製する。このグリーンシート積層体をマシニングによって切削加工して円板状の成形体を作製し、この成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成して焼成体を作製する。この焼成体の表面を研磨加工する。以上の工程により、保持体１０が作製される。
【００３６】
また、柱状支持体２０の作製方法、例えば以下の通りである。まず、窒化アルミニウム粉末１００重量部に、酸化イットリウム粉末１重量部と、ＰＶＡバインダ３重量部と、適量の分散剤および可塑剤とを加えた混合物に、メタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにて混合し、スラリーを得る。このスラリーをスプレードライヤーにて顆粒化し、原料粉末を作製する。次に、貫通孔２２に対応する中子が配置されたゴム型に原料粉末を充填し、冷間静水圧プレスして成形体を得る。得られた成形体を脱脂し、さらにこの脱脂体を焼成する。以上の工程により、柱状支持体２０が作製される。
【００３７】
次に、保持体１０と柱状支持体２０とを接合する。保持体１０の裏面Ｓ２および柱状支持体２０の上面Ｓ５に対して必要によりラッピング加工を行った後、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ５との少なくとも一方に、例えば希土類や有機溶剤等を混合してペースト状にした公知の接合剤を均一に塗布した後、脱脂処理する。次いで、保持体１０の裏面Ｓ２と柱状支持体２０の上面Ｓ５とを重ね合わせ、ホットプレス焼成を行うことにより、保持体１０と柱状支持体２０とを接合する。
【００３８】
保持体１０と柱状支持体２０との接合の後、各緩衝部材７２を貫通孔２２内に挿入し、各緩衝部材７２の上端部を各受電電極６０の下面Ｓ３に、非活性ろう材（例えば、Ｎｉ系、Ａｕ系、Ａｇ系のろう材）を用いてろう付け（９５０〜１１５０℃、１０〜３０分）することにより、パッド側接合部７６を形成する。また、各電極端子７４を貫通孔２２内に挿入し、各電極端子７４の上端部を各緩衝部材７２に、例えばＡｇ系のろう材を用いてろう付けすることにより、端子側接合部７８を形成する。主として以上の製造方法により、上述した構成の加熱装置１００が製造される。
【００３９】
Ａ−４．第１実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の加熱装置１００は、Ｚ軸方向に略直交する保持面Ｓ１と、保持面Ｓ１とは反対側の裏面Ｓ２と、を有する保持体１０を備え、保持体１０の保持面Ｓ１上に半導体ウェハＷ等の対象物を保持する装置である。加熱装置１００は、抵抗発熱体５０と、受電電極６０と、金属製の緩衝部材７２と、パッド側接合部７６とを備える。抵抗発熱体５０は、保持体１０の内部に配置された内部電極である。受電電極６０は、抵抗発熱体５０と電気的に接続された導電性の部材であり、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成されている。受電電極６０の外周部ＯＰは、保持体１０の内部に配置され、受電電極６０の外周部ＯＰ以外の部分である内側部ＩＰは、保持体１０の裏面Ｓ２に露出している。パッド側接合部７６は、非活性ろう材により形成されており、受電電極６０の内側部ＩＰと緩衝部材７２とを接合する。また、本実施形態の加熱装置１００では、受電電極６０の内、パッド側接合部７６に対向する側の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は、Ｚ軸方向において第１の部分Ｐ１に隣接すると共に第１の部分Ｐ１と同一の厚さを有し、かつ、下面Ｓ３とは反対側の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合より高い。本実施形態の加熱装置１００は、このような構成を有するため、以下に詳述するように、受電電極６０全体の剥離が発生することを抑制しつつ、受電電極６０と緩衝部材７２との間の導通不良や緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生することを抑制することができる。
【００４０】
図４は、比較例の加熱装置の一部分（図２のＸ１部に相当する部分）のＸＺ断面構成を拡大して示す説明図である。図４に示す比較例における受電電極６０ａは、上述した実施形態の受電電極６０と同様に、金属材料とセラミックス材料とを含むように形成されており、かつ、外周部ＯＰが保持体１０の内部に配置され、内側部ＩＰが保持体１０の裏面Ｓ２に露出している。ただし、比較例における受電電極６０ａは、上述した実施形態の受電電極６０と異なり、単層構成である。そのため、比較例における受電電極６０ａにおいて、パッド側接合部７６に対向する側の表面（下面Ｓ３）を含む部分である第１の部分Ｐ１と、下面Ｓ３とは反対側の上面Ｓ４を含み、Ｚ軸方向において第１の部分Ｐ１に隣接すると共に第１の部分Ｐ１と同一の厚さを有する第２の部分Ｐ２とを想定すると、第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は、第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合と同一である。
【００４１】
このように、比較例における受電電極６０ａでは、下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１と上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２とで金属材料の含有割合が同一である。そのため、仮に、受電電極６０ａにおける金属材料の含有割合が比較的低い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的高い）ものとすると、受電電極６０ａと非活性ろう材により形成されたパッド側接合部７６との間の接合性が低くなり、パッド側接合部７６の位置での剥離による受電電極６０ａと緩衝部材７２との間の導通不良や緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生するおそれがある。反対に、受電電極６０ａにおける金属材料の含有割合が比較的高い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的低い）ものとすると、受電電極６０ａの表面（下面Ｓ３および上面Ｓ４）が保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合されず、受電電極６０ａ全体の剥がれが発生するおそれがある。
【００４２】
これに対し、本実施形態の加熱装置１００では、受電電極６０の内、受電電極６０の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が比較的低い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的高い）。そのため、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２を、保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合させることができ、受電電極６０全体の剥がれが発生することを抑制することができる。また、本実施形態の加熱装置１００では、受電電極６０の内、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が比較的高い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的低い）。そのため、受電電極６０の下面Ｓ３側の第１の部分Ｐ１と、非活性ろう材により形成されたパッド側接合部７６とを強固に接合させることができ、パッド側接合部７６の位置での剥離に起因する受電電極６０と緩衝部材７２との間の導通不良や、緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生することを抑制することができる。このように、本実施形態の加熱装置１００によれば、受電電極６０全体の剥離が発生することを抑制しつつ、受電電極６０と緩衝部材７２との間の導通不良や緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生することを抑制することができる。
【００４３】
なお、本実施形態の加熱装置１００において、受電電極６０の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合は、２５ｖｏｌ％以上、７０ｖｏｌ％未満であることが好ましい。このような構成を採用すれば、受電電極６０の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が過度に高くない（７０ｖｏｌ％未満である）ため、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２を、保持体１０を構成するセラミックス材料とより強固に接合させることができ、受電電極６０全体の剥がれが発生することを効果的に抑制することができる。また、このような構成を採用すれば、受電電極６０の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が過度に低くない（２５ｖｏｌ％以上である）ため、受電電極６０の第１の部分Ｐ１と第２の部分Ｐ２との間における金属材料の含有割合の差が過度に大きくなることを回避することができ、該金属材料の含有割合の差に起因する受電電極６０の内部での剥離の発生を抑制することができる。
【００４４】
また、本実施形態の加熱装置１００において、受電電極６０の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は、７０ｖｏｌ％以上であることが好ましい。上述したように、本実施形態の加熱装置１００では、受電電極６０の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２におけるセラミックス材料の含有割合が比較的高いため、第２の部分Ｐ２を保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合させることができ、受電電極６０全体の剥がれが発生することを抑制することができる。ここで、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１においても、セラミックス材料の含有割合が比較的高いものとすると、受電電極６０における上面Ｓ４と下面Ｓ３（ただし、保持体１０の内部に配置された部分Ｐ３（図４参照））との両方が保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合され、その結果、加熱装置１００が熱サイクルに晒されたときに生じる応力を緩和することができず、受電電極６０（の例えば、外周部ＯＰと内側部ＩＰとの境界付近）にクラックＣＬが発生するおそれがある。受電電極６０にクラックＣＬが発生すると、受電電極６０と緩衝部材７２との間の導通不良の要因や、クラックＣＬを介した酸素の侵入による受電電極６０の急激な酸化の要因となり得る。特に、本実施形態のように、パッド側接合部７６が非活性ろう材により形成されているためにパッド側接合部７６が保持体１０の裏面Ｓ２とは接合されていない構成では、パッド側接合部７６と保持体１０の裏面Ｓ２との間を介して酸素が侵入しやすいため、該酸素がクラックＣＬを介して受電電極６０の上面Ｓ４側にもまわることにより、受電電極６０の急激な酸化が発生しやすい。また、図４に示すように、クラックＣＬがさらに保持体１０の内部まで進行すると、クラックＣＬの箇所で剥離が発生し、緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生するおそれがある。これに対し、受電電極６０の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が７０ｖｏｌ％以上であるという構成を採用すれば、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１が保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合されることを抑制することができ、その結果、加熱装置１００が熱サイクルに晒されたときに、受電電極６０の第２の部分Ｐ２と保持体１０を構成するセラミックス材料との間が剥離することによって応力を緩和することができ、受電電極６０にクラックＣＬが発生することを抑制することができる。
【００４５】
Ａ−５．性能評価：
特性が互いに異なる複数の加熱装置１００のサンプルを作製し、該サンプルを用いて性能評価を行った。図５は、性能評価結果を示す説明図である。
【００４６】
Ａ−５−１．各サンプルについて：
図５に示すように、本性能評価には、加熱装置１００の１２個のサンプル（サンプルＳＡ１〜ＳＡ１２）が用いられた。１２個のサンプルＳＡの内、サンプルＳＡ１〜ＳＡ８，ＳＡ１１，ＳＡ１２では、上述した実施形態と同様に、受電電極６０が、下層６１と上層６２との２層から構成されている。なお、本性能評価では、下層６１と上層６２との厚さを略同一としたことから、第１の部分Ｐ１は下層６１のみから構成された部分となり、第２の部分Ｐ２は上層６２のみから構成された部分となっている。一方、サンプルＳＡ９，ＳＡ１０では、受電電極６０が単層構成とされている。各サンプルＳＡでは、受電電極６０の各部分（第１の部分Ｐ１および第２の部分Ｐ２）における金属材料の含有割合（ｖｏｌ％）が互いに異なっている。
【００４７】
また、１２個のサンプルＳＡの内、サンプルＳＡ１〜ＳＡ１１では、上述した実施形態と同様に、受電電極６０の外周部ＯＰが保持体１０の内部に配置された構成を採用したが、サンプルＳＡ１２では、受電電極６０の外周部ＯＰが、内側部ＩＰと同様に、保持体１０の裏面Ｓ２から露出した構成を採用した。
【００４８】
各サンプルＳＡは、上述した実施形態に記載した製造方法と同様の方法により作製した。なお、各サンプルＳＡにおいて、保持体１０および受電電極６０に含まれるセラミックス材料として窒化アルミニウムを用い、受電電極６０に含まれる金属材料としてタングステンを用い、パッド側接合部７６としてＮｉ系ろう材を用い、緩衝部材７２を構成する金属材料としてタングステン系合金を用いた。また、各サンプルＳＡにおいて、受電電極６０の直径は６．５ｍｍ程度とし、受電電極６０の厚さは０．０２ｍｍ程度とした。
【００４９】
Ａ−５−２．評価方法について：
各サンプルＳＡを対象として、接合強度評価を行った。具体的には、パッド側接合部７６に所定の２段階の引張加重（条件１：２００Ｎ、条件２：３００Ｎ）を加え、それぞれの段階について、クラックや剥離等が確認されなかった場合に合格（〇）と判定し、クラックや剥離等が確認された場合に不合格（×）と判定した。
【００５０】
また、各サンプルＳＡを対象として、熱サイクル評価を行った。具体的には、１００℃と６００℃との間の昇降温を１５０回繰り返したときに、緩衝部材７２の外れ（脱落）や受電電極６０と緩衝部材７２との間の導通不良が確認されなかった場合に合格（〇）と判定し、そのような外れ（脱落）や導通不良が確認された場合に不合格（×）と判定した。
【００５１】
各サンプルＳＡについて、接合強度評価の条件１（引張加重：２００Ｎ）において不合格（×）と判定された場合に、総合評価：不良（×）と判定し、接合強度評価の条件１において合格（〇）と判定されたが、接合強度評価の条件２（引張加重：３００Ｎ）において不合格（×）と判定された場合に、総合評価：良（△）と判定し、接合強度評価の条件１および条件２において合格（〇）と判定されたが、熱サイクル評価において不合格（×）と判定された場合に、総合評価：優秀（〇）と判定し、いずれの評価においても合格（〇）と判定された場合に、総合評価：非常に優秀（◎）と判定した。
【００５２】
Ａ−５−３．評価結果について：
図５に示すように、サンプルＳＡ１２では、接合強度評価の条件１（引張加重：２００Ｎ）において不合格（×）と判定されたため、総合評価：不良（×）と判定された。サンプルＳＡ１２では、受電電極６０の外周部ＯＰが、保持体１０の内部に配置されず、保持体１０の裏面Ｓ２から露出しているため、受電電極６０と保持体１０との接合性が低くなり、接合強度評価の条件１で不合格となったものと考えられる。
【００５３】
また、サンプルＳＡ９では、接合強度評価の条件１（引張加重：２００Ｎ）において不合格（×）と判定されたため、総合評価：不良（×）と判定された。サンプルＳＡ９では、受電電極６０が単層構成であり、かつ、受電電極６０における金属材料の含有割合が５０ｖｏｌ％と比較的低い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的高い）ため、受電電極６０と非活性ろう材により形成されたパッド側接合部７６との間の接合性が低くなり、接合強度評価の条件１で不合格となったものと考えられる。
【００５４】
また、サンプルＳＡ１０では、接合強度評価の条件１（引張加重：２００Ｎ）において不合格（×）と判定されたため、総合評価：不良（×）と判定された。サンプルＳＡ１０では、受電電極６０が単層構成であり、かつ、受電電極６０における金属材料の含有割合が８０ｖｏｌ％と比較的高い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的低い）ため、受電電極６０の表面（下面Ｓ３および上面Ｓ４）が保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合されず、接合強度評価の条件１で不合格となったものと考えられる。
【００５５】
また、サンプルＳＡ１１では、接合強度評価の条件１（引張加重：２００Ｎ）において不合格（×）と判定されたため、総合評価：不良（×）と判定された。サンプルＳＡ１１では、受電電極６０が下層６１と上層６２とから構成されているものの、受電電極６０のうち、受電電極６０の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が９９％と比較的高く（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的低く）、かつ、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が５０％と比較的低い（すなわち、セラミックス材料の含有割合が比較的高い）。そのため、サンプルＳＡ１１では、受電電極６０の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２が保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合されず、かつ、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１と非活性ろう材により形成されたパッド側接合部７６との間の接合性が低くなり、接合強度評価の条件１で不合格となったものと考えられる。
【００５６】
これに対し、サンプルＳＡ１〜ＳＡ８では、接合強度評価の条件１において合格（〇）と判定されたため、総合評価：良（△）以上と判定された。これらのサンプルＳＡでは、受電電極６０の内、受電電極６０の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合より低い（すなわち、第２の部分Ｐ２におけるセラミックス材料の含有割合が、第１の部分Ｐ１におけるセラミックス材料の含有割合より高い）。換言すれば、第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が、第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合より高い（すなわち、第１の部分Ｐ１におけるセラミックス材料の含有割合が、第２の部分Ｐ２におけるセラミックス材料の含有割合より低い）。このように、これらのサンプルＳＡでは、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２におけるセラミックス材料の含有割合が比較的高いため、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２を、保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合させることができ、受電電極６０全体の剥がれが発生することを抑制することができたものと考えられる。また、これらのサンプルＳＡでは、受電電極６０の下面Ｓ３側の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が比較的高いため、受電電極６０の下面Ｓ３側の第１の部分Ｐ１を、非活性ろう材により形成されたパッド側接合部７６と強固に接合させることができ、パッド側接合部７６の位置での剥離に起因する緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生することを抑制することができたものと考えられる。
【００５７】
なお、総合評価：良（△）以上と判定されたサンプルＳＡ１〜ＳＡ８の内、サンプルＳＡ６，ＳＡ８では、接合強度評価の条件２（引張加重：３００Ｎ）において不合格（×）と判定されたため、総合評価：良（△）と判定された。一方、サンプルＳＡ１〜ＳＡ５，ＳＡ７では、接合強度評価の条件２においても合格（〇）と判定されたため、総合評価：優秀（〇）以上と判定された。サンプルＳＡ６，ＳＡ８では、受電電極６０の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が、２５ｖｏｌ％未満、または、７０ｖｏｌ％以上であるのに対し、サンプルＳＡ１〜ＳＡ５，ＳＡ７では、第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が、２５ｖｏｌ％以上、７０ｖｏｌ％未満である。すなわち、、サンプルＳＡ１〜ＳＡ５，ＳＡ７では、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が過度に高くない（７０ｖｏｌ％未満である）ため、受電電極６０の第２の部分Ｐ２を、保持体１０を構成するセラミックス材料とより強固に接合させることができ、受電電極６０全体の剥がれが発生することを効果的に抑制することができ、かつ、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が過度に低くない（２５ｖｏｌ％以上である）ため、受電電極６０の上面Ｓ４側の第２の部分Ｐ２と、下面Ｓ３側の第１の部分Ｐ１との間における金属材料の含有割合の差が過度に大きくなることを回避することができ、該金属材料の含有割合の差に起因する受電電極６０の内部剥離の発生を抑制することができたものと考えられる。
【００５８】
また、総合評価：優秀（〇）以上と判定されたサンプルＳＡ１〜ＳＡ５，ＳＡ７の内、サンプルＳＡ７では、熱サイクル評価において不合格（×）と判定されたため、総合評価：優秀（〇）と判定された。一方、サンプルＳＡ１〜ＳＡ５では、熱サイクル評価においても合格（〇）と判定されたため、総合評価：非常に優秀（◎）と判定された。サンプルＳＡ７では、受電電極６０の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が、７０ｖｏｌ％未満である一方、サンプルＳＡ１〜ＳＡ５では、第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が、７０ｖｏｌ％以上である。すなわち、サンプルＳＡ１〜ＳＡ５では、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１におけるセラミックス材料の含有割合が比較的低いため、受電電極６０の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１が保持体１０を構成するセラミックス材料と強固に接合されることを抑制することができ、その結果、加熱装置１００が熱サイクルに晒されたときに、受電電極６０の下面Ｓ３と保持体１０を構成するセラミックス材料との間が剥離することによって応力を緩和することができ、受電電極６０にクラックＣＬが発生することを抑制することができたものと考えられる。
【００５９】
上述した性能評価結果から、受電電極６０の内、パッド側接合部７６に対向する側の下面Ｓ３を含む第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合は、Ｚ軸方向において第１の部分Ｐ１に隣接すると共に第１の部分Ｐ１と同一の厚さを有し、かつ、下面Ｓ３とは反対側の上面Ｓ４を含む第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合より高い、という構成を採用すれば、受電電極６０全体の剥離が発生することを抑制しつつ、緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生することを抑制することができることが確認された。
【００６０】
また、上述した性能評価結果から、受電電極６０の第２の部分Ｐ２における金属材料の含有割合が２５ｖｏｌ％以上、７０ｖｏｌ％未満である構成を採用すれば、受電電極６０全体の剥離が発生することを効果的に抑制しつつ、緩衝部材７２の外れ（脱落）が発生することを効果的に抑制することができることが確認された。
【００６１】
さらに、上述した性能評価結果から、受電電極６０の第１の部分Ｐ１における金属材料の含有割合が７０ｖｏｌ％以上である構成を採用すれば、熱サイクルに晒されても受電電極６０にクラックＣＬが発生することを抑制することができることが確認された。
【００６２】
Ａ−６．受電電極６０における各部分の金属材料の含有比率の特定方法：
加熱装置１００を構成する受電電極６０における各部分の金属材料の含有比率の特定方法は、以下の通りである。すなわち、対象の加熱装置１００を切断して、Ｚ軸方向（保持面Ｓ１に略垂直な方向）に平行な断面であって、受電電極６０を含む断面を露出させる。該断面を研磨した後、受電電極６０の厚さ方向（Ｚ軸方向）の全体を含むＳＥＭ画像を取得する。このＳＥＭ画像において、濃淡差により、金属材料（金属粒子）とセラミックス材料（セラミックス粒子）とを識別する。また、受電電極６０と保持体１０との境界線は、受電電極６０に金属材料が含まれ、かつ、保持体１０に金属材料が含まれないような境界線を、受電電極６０の領域が最小となるように引くことによって特定する。受電電極６０の各部分（第１の部分Ｐ１および第２の部分Ｐ２）において、Ｚ軸方向に直交する複数の直線を２μｍピッチで引き、各直線について、金属材料に重なる部分の長さの合計（Ａ）と、セラミックス材料に重なる部分の長さの合計（Ｂ）とを算出し、合計（Ａ）と合計（Ｂ）との和に対する合計（Ａ）の比を、金属材料の含有比率（ｖｏｌ％）として算出する。各直線についての金属材料の含有比率の平均値を、最終的な金属材料の含有比率として算出する。
【００６３】
Ｂ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。
【００６４】
上記実施形態における加熱装置１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、各電極端子７４と各受電電極６０との間に緩衝部材７２が配置されているが、緩衝部材７２が配置されず、各電極端子７４と各受電電極６０とが非活性ろう材により形成された接合部により接合されているとしてもよい。このような形態では、電極端子７４が特許請求の範囲における給電部材に相当する。
【００６５】
また、上記実施形態における受電電極６０の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、受電電極６０は、略平板状部材の外周部分が全周にわたって斜め上方に屈曲したような形状であるが、受電電極６０は、外周部ＯＰが保持体１０の内部に配置され、かつ、内側部ＩＰが保持体１０の裏面Ｓ２に露出している限りにおいて、他の形状であってもよい。また、上記実施形態では、受電電極６０は、受電電極６０の下面Ｓ３を含む下層６１と、受電電極６０の上面Ｓ４を含み、下層６１と比較して金属材料の含有割合（ｖｏｌ％）が低い上層６２と、の２層から構成されているが、下層６１と上層６２との間に他の層が介在していてもよい。この場合において、受電電極６０の上面Ｓ４に近い層ほど金属材料の含有割合が低い（セラミックス材料の含有割合が高い）構成であることが好ましい。
【００６６】
また、上記実施形態では、保持体１０の内部に配置された抵抗発熱体５０に電気的に接続された受電電極６０の構成について説明したが、保持体１０の内部に配置された他の内部電極に電気的に接続された受電電極が同様の構成であるとしてもよい。
【００６７】
また、上記実施形態の加熱装置１００における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。また、上記実施形態における加熱装置１００の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。
【００６８】
また、本発明は、加熱装置１００に限らず、セラミックス部材と、セラミックス部材の内部に配置された内部電極（ヒータ電極、チャック電極、ＲＦ電極等）と、内部電極と電気的に接続された導電性の接続部材と、金属製の給電部材と、非活性ろう材により形成され、接続部材と給電部材とを接合する接合部とを備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置（例えば、静電チャック等）にも同様に適用可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０：保持体  １２：凹部  ２０：柱状支持体  ２２：貫通孔  ３０：接合部  ５０：抵抗発熱体  ５２：ビア導体  ６０：受電電極  ６１：下層  ６２：上層  ７２：緩衝部材  ７４：電極端子  ７６：パッド側接合部  ７８：端子側接合部  １００：加熱装置  ＣＬ：クラック  ＩＰ：内側部  ＯＰ：外周部  Ｐ１：第１の部分  Ｐ２：第２の部分  Ｓ１：保持面  Ｓ２：裏面  Ｓ３：下面  Ｓ４：上面  Ｓ５：上面  Ｗ：半導体ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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