(57)【要約】      （修正有）【課題】封止膜におけるアンモニアの発生を抑制し、偏光板の色抜けを抑制する。【解決手段】第１基板と、第１基板上の発光素子を有する画素が設けられた表示領域と、表示領域を覆う第１無機絶縁層２３１と、第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層２３２と、有機絶縁層上に設けられ、ＦＴ−ＩＲ法で測定されるＮ−Ｈ結合量が、第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない第２無機絶縁層２３３と、第２無機絶縁層上に設けられた偏光板１０２と、を有する。【選択図】図３
2020113435.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上の発光素子を有する画素が設けられた表示領域と、
前記表示領域を覆う第１無機絶縁層と、
前記第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に設けられ、ＦＴ−ＩＲ法で測定されるＮ−Ｈ結合量が、前記第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない第２無機絶縁層と、
前記第２無機絶縁層上に設けられた偏光板と、を有する、表示装置。
【請求項２】
前記第２無機絶縁層の密度は、前記第１無機絶縁層の密度よりも高い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２無機絶縁層の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、前記第１無機絶縁層のエッチングレートよりも遅い、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２無機絶縁層の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、７ｎｍ／ｓｅｃ以下である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２無機絶縁層の側面における表面酸化の厚さは、前記第１無機絶縁層の側面における表面酸化の厚さよりも小さい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２無機絶縁層の表面酸化厚さは、６０ｎｍ以下である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２無機絶縁層は、前記表示領域を囲む周辺領域において、前記第１無機絶縁層と接する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
第１基板と、
前記第１基板上の発光素子を有する画素が設けられた表示領域と、
前記表示領域を覆う第１無機絶縁層と、
前記第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に設けられた第２無機絶縁層と、
前記第２無機絶縁層上に設けられた第１電極と、
前記第１電極上に設けられ、ＦＴ−ＩＲ法で測定されるＮ−Ｈ結合量が、前記第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない第３無機絶縁層と、
前記第３無機絶縁層上に設けられ、前記第１電極と電気的に接続される第２電極と、を有する、表示装置。
【請求項９】
前記第３無機絶縁層の密度は、前記第１無機絶縁層の密度よりも高い、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第３無機絶縁層の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、前記第１無機絶縁層のエッチングレートよりも遅い、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第３無機絶縁層の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、７ｎｍ／ｓｅｃ以下である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第３無機絶縁層の側面における表面酸化の厚さは、前記第１無機絶縁層の側面における表面酸化の厚さよりも小さい、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第３無機絶縁層の表面からの酸化深さは、６０ｎｍ以下である、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第３無機絶縁層は、前記表示領域を囲む周辺領域において、前記第１無機絶縁層の側面及び前記第２無機絶縁層の側面と接する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２電極は、前記表示領域を囲む周辺領域において、前記第２無機絶縁層の側面と接する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２無機絶縁層は、ＦＴ−ＩＲ法で測定される単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量が、前記第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２無機絶縁層の密度は、前記第１無機絶縁層の密度よりも高い、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２無機絶縁層の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、前記第１無機絶縁層のエッチングレートよりも遅い、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第２無機絶縁層の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、７ｎｍ／ｓｅｃ以下である、請求項８に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、表示装置における表示領域の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示領域の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
表示領域に含まれる発光素子は水分が原因で劣化してしまう。発光素子に水分が侵入することを防止するために、発光素子上に封止膜を設けることで発光素子の劣化を抑制する。例えば、特許文献１には、発光素子上に窒化シリコン膜や酸化シリコン膜などの無機材料からなる第１封止膜と第２封止膜とが設けられた表示装置について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２４３０９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、発光素子上に設けられる封止膜に含まれる窒素を含む膜は、加水分解によりアンモニアが発生してしまう。発光素子内で、十分に水分が除去されていないと、水分が封止膜に移動することで窒素を含む膜からアンモニアが発生してしまう。このように水分が原因でアルカリ性アンモニウムイオンが発生すると、アンモニウムイオンが偏光板に到達し、偏光板のヨウ素錯体をアタックしてしまう。これにより、偏光板に色抜けが生じてしまい、表示画面に不良が発生してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、封止膜におけるアンモニアの発生を抑制し、偏光板の色抜けを抑制することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、第１基板上の発光素子を有する画素が設けられた表示領域と、表示領域を覆う第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層と、有機絶縁層上に設けられ、ＦＴ−ＩＲ法で測定されるＮ−Ｈ結合量が、第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層上に設けられた偏光板と、を有する。
【０００８】
本発明に一実施形態に係る表示装置は、第１基板と、第１基板上の発光素子を有する画素が設けられた表示領域と、表示領域を覆う第１無機絶縁層と、第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層と、有機絶縁層上に設けられた第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層上に設けられた第１電極と、第１電極上に設けられ、ＦＴ−ＩＲ法で測定されるＮ−Ｈ結合量が、第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない第３無機絶縁層と、第３無機絶縁層上に設けられ、第１電極と電気的に接続される第２電極と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の回路図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の画素の断面図である。
【図４】窒素を含む膜からＮＨ３が脱離するメカニズムを説明する図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】図１に示す表示領域のＢ１−Ｂ２線に沿った断面図である。
【図７】図１に示す表示領域のＣ１−Ｃ２線に沿った断面図である。
【図８】図１に示す表示領域のＤ１−Ｄ２線に沿った断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。
【図１０】図９に示す表示装置の一部を拡大した拡大図である。
【図１１】図１０に示す表示装置のＦ１−Ｆ２線に沿った断面図である。
【図１２】図９に示す表示領域のＥ１−Ｅ２線に沿った断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態において、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その技術的思想の要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、図示の形状そのものが本発明の解釈を限定するものではない。また、図面において、明細書中で既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、別図であっても同一の符号を付して、重複する説明を省略する場合がある。
【００１２】
ある一つの膜を加工して複数の構造体を形成した場合、各々の構造体は異なる機能、役割を有する場合があり、また各々の構造体はそれが形成される下地が異なる場合がある。しかしながらこれら複数の構造体は、同一の工程で同一層として形成された膜に由来するものであり、同一の材料を有する。従って、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１３】
ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接して、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
「ある構造体が他の構造体から露出する」という表現は、ある構造体の一部が他の構造体によって覆われていない領域を意味する。ただしこの他の構造体によって覆われていない部分が、さらに別の構造体によって覆われている場合も含む。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構造の一例について、図１乃至図８を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の平面図である。基板１０１には、表示領域１０３と、表示領域１０３を囲む周辺領域１１０と、周辺領域１１０に設けられた走査線駆動回路１０４と、基板１０１の端部に設けられた複数の端子１０７と、表示領域１０３と複数の端子１０７との間に折曲領域１３０とが設けられている。
【００１７】
表示領域１０３は、複数の画素１０９を含み、複数の画素１０９は、マトリクス状に配置される。
【００１８】
周辺領域１１０は、表示領域１０３から基板１０１の端部までの領域である。言い換えれば、周辺領域１１０は、基板１０１上で表示領域１０３が設けられる領域（すなわち、表示領域の外側の領域）をいう。周辺領域１１０には、走査線駆動回路１０４と、複数の端子１０７とが設けられる。走査線駆動回路１０４は、表示領域１０３を挟むように設けられる。また、複数の端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８と接続される。ドライバＩＣ１０６は、フレキシブルプリント回路基板１０８上に設けられている。
【００１９】
折曲領域１３０は、基板１０１を折り曲げる領域である。折曲領域１３０において、基板１０１の複数の端子１０７が表示領域１０３の裏面と重畳するように基板１０１を折り曲げることで、表示装置１００の額縁を狭くすることができる。
【００２０】
表示装置１００の外部のコントローラ（図示せず）から、フレキシブルプリント回路基板１０８を介して、映像信号及び各種制御信号が供給される。映像信号は、ドライバＩＣ１０６によって処理されて複数の画素１０９に入力される。各種回路信号は、ドライバＩＣ１０６を介して、走査線駆動回路１０４に入力される。
【００２１】
映像信号及び各種駆動回路の他、走査線駆動回路１０４、ドライバＩＣ１０６、及び複数の画素１０９を駆動するための電力が表示装置１００に供給される。複数の画素１０９の各々は、後述する発光素子２４０を有する。表示装置１００に供給された電力の一部は、複数の画素１０９の各々が有する発光素子２４０に供給されて、発光素子２４０を発光させる。
【００２２】
図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に配置された複数の画素１０９の各々が有する画素回路である。画素回路は、少なくともトランジスタ２１０、トランジスタ２２０、容量素子２３０、及び発光素子２４０を含む。
【００２３】
トランジスタ２１０は、選択トランジスタとして機能する。すなわち、トランジスタ２１０は、走査線１１１によりトランジスタ２１０のゲートの導通状態が制御される。トランジスタ２１０は、ゲートが走査線１１１に接続され、ソースが信号線１１２に接続されて、ドレインがトランジスタ２２０のゲートに接続される。
【００２４】
トランジスタ２２０は、駆動トランジスタとして機能する。すなわち、発光素子２４０に接続され、発光素子２４０の発光輝度を制御するトランジスタである。トランジスタ２２０は、ゲートがトランジスタ２１０のソースに接続され、ソースが駆動電源線１１４に接続され、ドレインが発光素子２４０の陽極に接続される。
【００２５】
容量素子２３０は、容量電極の一方が、トランジスタ２２０のゲートと接続され、トランジスタ２１０のドレインと接続される。また、容量電極の他方が、発光素子２４０の陽極及びトランジスタ２２０のドレインに接続される。
【００２６】
発光素子２４０は、陽極がトランジスタ２２０のドレインに接続され、陰極が基準電源線１１６に接続される。
【００２７】
図３は、図１に示す表示装置１００をＡ１−Ａ２線に沿って切断した場合の断面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の画素１０９の断面図である。
【００２８】
基板１０１は、第１樹脂層１０１ａ、無機層１０１ｂ、及び第２樹脂層１０１ｃを含む積層構造である。第１樹脂層１０１ａ及び第２樹脂層１０１ｃとして、例えばアクリル、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等から選ばれた材料を含む層として構成される。無機層１０１ｂとして、窒化シリコン、酸化シリコン、又は酸化窒化シリコン、又はアモルファスシリコンを用いる。
【００２９】
基板１０１上に、アンダーコート層２０２が設けられる。アンダーコート層２０２は、例えば、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜を単層又は積層して設けられる。本実施形態では、アンダーコート層２０２は、酸化シリコン層２０２ａ、窒化シリコン層２０２ｂ、及び酸化シリコン層２０２ｃの三層を積層して設けられる。酸化シリコン層２０２ａは、基板との密着性向上のため、窒化シリコン層２０２ｂは、外部からの水分及び不純物をブロッキング膜のため、酸化シリコン層２０２ｃは、窒化シリコン層２０２ｂ中に含有する水素が後述する半導体層側に拡散しないようにするブロッキング膜として、それぞれ設けられる。
【００３０】
また、アンダーコート層２０２には、トランジスタ２２０が設けられる箇所に合わせて遮光層２０３が設けられてもよい。遮光層２０３は、トランジスタ２２０のチャネル裏面からの光の侵入等によるトランジスタ特性の変化を抑制したり、遮光層２０３を導電層で形成して、所定の電位を与えることで、トランジスタ２２０にバックゲート効果を与えたりすることができる。つまり、アンダーコート層２０２には、酸化シリコン層２０２ａ、遮光層２０３、窒化シリコン層２０２ｂ、及び酸化シリコン層２０２ｃが設けられている。
【００３１】
アンダーコート層２０２上に、トランジスタ２２０が設けられる。トランジスタ２２０は、半導体層２０４、ゲート絶縁膜２０５、及びゲート電極２０６ａを含む。トランジスタ２２０として、ｎｃｈトランジスタを用いる例について示しているが、ｐｃｈトランジスタを用いてもよい。本実施形態では、ＮｃｈＴＦＴは、チャネル領域２０４ａとソース領域又はドレイン領域２０４ｄ、２０４ｅ（高濃度不純物領域）との間に、低濃度不純物領域２０４ｂ、２０４ｃを設けた構造を取る。半導体層２０４として、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は酸化物半導体を用いる。ゲート絶縁膜２０５として、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを単層又は積層して設ける。ゲート電極２０６ａとして、例えば、ＭｏＷを用いる。なお、図３では、トランジスタ２２０の構造について示しているが、トランジスタ２１０の構造についてもトランジスタ２２０と同様である。
【００３２】
ゲート電極２０６ａを覆うように、層間絶縁層２０７が設けられる。層間絶縁層２０７は、酸化シリコン層又は窒化シリコン層を単層又は積層して設ける。層間絶縁層２０７上には、ソース電極又はドレイン電極２０８ａ、２０８ｂが設けられる。ソース電極又はドレイン電極２０８ａ、２０８ｂの各々は、層間絶縁層２０７及びゲート絶縁膜２０５の開口部を介して半導体層２０４のソース領域又はドレイン領域２０４ｄ、２０４ｅと接続される。
【００３３】
ここで、ゲート絶縁膜２０５上には、導電層２０６ｂが設けられている。導電層２０６ｂは、ゲート電極２０６ａと同一の工程で形成される。導電層２０６ｂは、ゲート絶縁膜２０５を間に挟んで、半導体層２０４のソース領域又はドレイン領域２０４ｄ、２０４ｅにより容量を構成する。また、導電層２０６ｂは、層間絶縁層２０７を間に挟んで、ソース電極又はドレイン電極２０８ｂにより容量を構成する。
【００３４】
ソース電極又はドレイン電極２０８ａ、２０８ｂ上に、絶縁層２１３が設けられる。
【００３５】
絶縁層２１３上に、平坦化膜２１１が設けられる。平坦化膜２１１として、感光性アクリル、ポリイミド等の有機材料を用いる。平坦化膜２１１を設けることにより、トランジスタ２２０による段差を平坦化することができる。
【００３６】
平坦化膜２１１上に、透明導電膜２１２ａ、２１２ｂが設けられる。透明導電膜２１２ａは、平坦化膜２１１及び絶縁層２０９の開口部を介して、ソース電極又はドレイン電極２０８ｂと接続される。
【００３７】
透明導電膜２１２ａ、２１２ｂ上に絶縁層２１３が設けられる。絶縁層２１３は、透明導電膜２１２ａ及びソース電極又はドレイン電極２０８ｂと重畳する領域と、透明導電膜２１２ａと隣の画素の透明導電膜２１２ｂとの間の領域とに開口部が設けられる。
【００３８】
絶縁層２１３上には、画素電極２２２が設けられる。画素電極２２２は、絶縁層２１３の開口部を介して、透明導電膜２１２ａと接続される。画素電極２２２は、反射電極として形成され、ＩＺＯ、Ａｇ、ＩＺＯの三層積層構造としている。
【００３９】
画素電極２２２と隣の画素の画素電極２２２との境界に、隔壁となる絶縁層２２５が設けられる。絶縁層２２５は、バンク又はリブとも呼ばれる。絶縁層２２５としては、平坦化膜２１１の材料と同様の有機材料が用いられる。絶縁層２２５は、画素電極２２２の一部を露出するように開口される。また、開口部の端部は、なだらかなテーパー形状となることが好ましい。開口部の端部が急峻な形状となっていると、後に形成される有機層２２３にカバレッジ不良が生じる。
【００４０】
ここで、平坦化膜２１１と絶縁層２２５とは、絶縁層２２５に設けられた開口部において接触している。このような構成を有することで、絶縁層２２５の形成時における熱処理の際に、平坦化膜２１１から脱離する水分やガスを、絶縁層２２５を介して除去することができる。これにより、平坦化膜２１１と絶縁層２２５との界面おける剥離を抑制することができる。
【００４１】
絶縁層２２５形成後、有機ＥＬ層を形成する有機層２２３を積層形成する。図３では、有機層２２３を、単層の様に記載しているが、画素電極２２２側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層形成されている。また、図３では、有機層２２３を、各画素１０９に対して選択的に設けられているように記載しているが、有機層２２３のうち発光層は各画素に対して選択的に設け、正孔輸送層及び電子輸送層はベタ状に設けてもよい。これらの層は、蒸着による形成であっても良いし、溶媒分散の上での塗布形成であっても良い。また、正孔輸送層及び電子輸送層だけでなく、発光層を、表示領域１０３を覆う全面にベタ状に設けてもよい。発光層をベタ状に設ける場合は、全画素において白色光を得て、カラーフィルタ（図示せず）によって所望の色波長部分を取り出す構成とすることができる。
【００４２】
有機層２２３の形成後、対向電極２２４を形成する。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極２２４は光透過性とする必要がある。なお、トップエミッション構造とは、画素電極２２２上に、有機層２２３を挟んで配置される対向電極２２４から光を出射する構造をいう。ここでは、対向電極２２４として、ＭｇＡｇ膜を、有機ＥＬ層からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述の有機層２２３の形成順序に従うと、画素電極２２２側が陽極となり、対向電極２２４側が陰極となる。
【００４３】
発光素子２４０の対向電極２２４上に、封止膜が設けられる。封止膜は、有機層２２３を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一つとしており、封止膜としてはガスバリア性の高いものが要求される。このような機能を持つ膜として、窒素を含む膜が挙げられる。ここでは、封止膜として、窒素を含む膜を含む積層構造として、第１無機絶縁層２３１、有機絶縁層２３２、第２無機絶縁層２３３の積層される構造を示す。
【００４４】
表示領域１０３を覆うように、樹脂マスク２３５が設けられている。樹脂マスク２３５は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ウレタン系、エポキシ系の有機樹脂を用いることができる。また、樹脂マスク２３５には、カルシウムやゼオライトなどの吸水物質が含まれていてもよい。樹脂マスク２３５に吸水物質が含まれることにより、表示装置１００の内部に水分が侵入した場合であっても、発光素子２４０に水分が到達することを遅らせることができる。ここで、樹脂マスク２３５の厚みは、およそ１０μｍ程度である。
【００４５】
樹脂マスク２３５上には、偏光板１０２が設けられている。偏光板１０２は、１／４波長板と、直線偏光板とを含む積層構造を有している。この構成により、発光領域からの光が偏光板１０２の表示側の面から外部に放出することができる。ここで、偏光板１０２の厚みは、１００μｍ〜２００μｍとする。
【００４６】
以上説明した通り、発光素子２４０上に封止膜を設けることにより、外部から侵入した水分が発光素子２４０に侵入することを抑制することができる。しかしながら、外部から侵入した水分は、窒素を含む膜と反応して、アンモニウムイオンを発生させてしまう。また、樹脂マスク２３５に含まれる水分により、窒素を含む膜と反応してアンモニウムイオンを発生させてしまう。
【００４７】
次に、窒素を含む膜として窒化シリコン膜を用いる場合に、外部から侵入した水分又は樹脂マスク２３５に含まれる水分が窒化シリコン膜と反応してアンモニウムイオンを生じさせるメカニズムについて、図４を参照して説明する。
【００４８】
図４（Ａ）に示すように、樹脂マスク２３５に含まれる水分や、外部から侵入した水分の酸素が、窒化シリコン膜のシリコンをアタックする。すると、図４（Ｂ）に示すように、水分は、窒化シリコン膜のシリコンだけでなく、Ｎ−Ｈ結合にもアタックする。反応が進むと、図４（Ｃ）に示すように、中間生成物≡Ｓｉ−Ｎ−Ｈ２が増加する。さらに反応が進むと、図４（Ｄ）に示すように、窒化シリコン膜からＮＨ３が脱離する。最終的には、Ｓｉ−Ｎ結合が減少し、Ｓｉ−Ｏ結合が増加する。つまり、図４（Ｅ）に示すように、窒化シリコン膜が水分によって酸化されてしまう。
【００４９】
窒化シリコン膜から脱離したＮＨ３が、樹脂マスクを介して、偏光板に到達すると、偏光板１０２のヨウ素錯体をアタックする。これにより、偏光板が白く変色されてしまい、表示画面に不良が発生してしまうという問題がある。
【００５０】
本発明の一実施形態に係る表示装置１００では、樹脂マスク２３５と接する第２無機絶縁層２３３を、第１無機絶縁層２３１よりも酸化しにくい膜にする。つまり、第２無機絶縁層２３３を、ＦＴ−ＩＲ法で測定される単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量が第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない膜とする。第１無機絶縁層２３１の膜厚と第２無機絶縁層２３３との膜厚の合計を、例えば、１５００ｍ以下とすることが好ましい。
【００５１】
第２無機絶縁層２３３が酸化されにくいというのは、例えば、第２無機絶縁層２３３の表面酸化厚さにより示すことができる。例えば、第２無機絶縁層３２３の側面における表面酸化の厚さは、第１無機絶縁層３２１の側面における表面酸化の厚さよりも小さければよい。第２無機絶縁層２３３の表面酸化厚さは、例えば、６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５２】
また、第２無機絶縁層２３３の密度は、第１無機絶縁層２３１の密度よりも高いことが好ましい。例えば、第２無機絶縁層２３３の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、第１無機絶縁層２３１のエッチングレートよりも遅いことが好ましい。
【００５３】
第３無機絶縁層２３４を第１無機絶縁層２３１よりも酸化されにくい膜、又は緻密な膜とすることにより、樹脂マスク２３５に含まれる水分及び外部から侵入した水分と、第２無機絶縁層２３３との反応を抑制することができる。つまり、アンモニアの発生を抑制することができる。したがって、アンモニアが樹脂マスク２３５を介して、偏光板１０２に到達することを抑制することができるため、偏光板１０２の色抜けを抑制できる。よって、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００５４】
表示装置１００には、必要に応じて、偏光板１０２上にカバーガラスを設けても良い。カバーガラスには、タッチセンサ等が形成されていても良い。この場合、偏光板１０２とカバーガラスとの空隙を埋めるために、樹脂等を用いた充填材を介しても良い。
【００５５】
次に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造方法について、図５Ａ乃至図５Ｃを参照して説明する。
【００５６】
図５Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の製造方法を説明する断面図である。基板１０１から発光素子２４０が有する対向電極２２４までの形成方法については詳細な説明は省略する。
【００５７】
発光素子２４０の対向電極２２４上に、封止膜を形成する。封止膜として、まず第１無機絶縁層２３１を形成する。第１無機絶縁層２３１は、水分が発光素子２４０に侵入することを抑制するために、窒素を含む膜（窒化膜）で構成されることが好ましく、窒素を含む膜としては、例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などを用いる。本実施形態では、第１無機絶縁層２３１は、窒化シリコン膜を用いる場合について説明する。また、第１無機絶縁層２３１の成膜前に、プラズマ処理を行うことで、表面処理を行うことが好ましい。プラズマ処理として、Ｎ２Ｏ又はＯ２を用いて行うことが好ましい。第１無機絶縁層２３１の成膜前にプラズマ処理を行うことにより、密着性を向上させることができる。また、対向電極２２４と第１無機絶縁層２３１との間に、補助層を設けてもよい。補助層として、例えば、酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜を用いて、厚さ５ｎｍ以上１００ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下で設ける。
【００５８】
第１無機絶縁層２３１は、成膜条件１として、ＣＶＤ法により、ガス流量比を、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２：Ｈ２＝１．１：１：１６．２：９．２として成膜する。また、パワー効率として、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ［Ｗ］／（ＳｉＨ４＋ＮＨ３）［ｓｃｃｍ］＝２．２とする。また、ＣＶＤ成膜時のＮＨ３流量比率（ＮＨ３）／（ＳｉＨ４＋ＮＨ３＋Ｎ２＋Ｈ２）×１００［％］を、３．６とする。なお、発光素子２４０は高温が加わると劣化してしまうため、第１無機絶縁層２３１を、高温プロセスで形成することができない。したがって、第１無機絶縁層２３１は、成膜温度を１００℃以下とすることが好ましい。また、第１無機絶縁層２３１を１μｍ成膜する場合には、ピンホールやカバレッジ不良の抑制のため、成膜を数回に分けて行うことが好ましい。例えば、第１無機絶縁層２３１を１μ成膜する場合には、まず５００ｎｍ成膜した後、５００ｎｍ成膜するとよい。なお、後に説明する第２無機絶縁層２３３についても膜厚が厚くなる場合には、成膜を数回に分けて行うことが好ましい。
【００５９】
有機絶縁層２３２として、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。有機絶縁層２３２の膜厚は、例えば、５μｍ以上１５μｍ以下とすることが好ましい。
【００６０】
第２無機絶縁層２３３は、成膜条件２として、ＣＶＤ法により、ガス流量比を、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２：Ｈ２＝２：１：３６：４として成膜する。また、パワー効率として、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ［Ｗ］／（ＳｉＨ４＋ＮＨ３）［ｓｃｃｍ］＝３．２とする。また、ＣＶＤ成膜時のＮＨ３流量比率（ＮＨ３）／（ＳｉＨ４＋ＮＨ３＋Ｎ２＋Ｈ２）×１００［％］を、２．３とする。第２無機絶縁層２３３の成膜温度は、第１無機絶縁層２３１と同様に、１００℃以下とすることが好ましい。また、第２無機絶縁層２３３の成膜前に、プラズマ処理を行うことで、表面処理を行うことが好ましい。プラズマ処理として、Ｎ２Ｏ又はＯ２を用いて行うことが好ましい。第２無機絶縁層２３３の成膜前にプラズマ処理を行うことにより、密着性を向上させることができる。また、対向電極２２４と第１無機絶縁層２３１との間に、補助層を設けてもよい。補助層として、例えば、酸化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜を用いて、厚さ５ｎｍ以上１００ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下で設ける。
【００６１】
第２無機絶縁層２３３は、成膜条件３として、ＣＶＤ法により、ガス流量比を、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２：Ｈ２＝２：１：３６：４として成膜する。このとき、成膜条件３において、成膜条件２に対して、低圧力及び電極狭いギャップとする。具体的には、圧力を、（成膜条件２：成膜条件３＝５：４）とし、電極間のギャップを、（成膜条件２：成膜条件３＝３７：３３）としてもよい。また、パワー効率として、ＲＦ  Ｐｏｗｅｒ［Ｗ］／（ＳｉＨ４＋ＮＨ３）［ｓｃｃｍ］＝３．２とする。また、ＣＶＤ成膜時のＮＨ３流量比率（ＮＨ３）／（ＳｉＨ４＋ＮＨ３＋Ｎ２＋Ｈ２）×１００［％］を、２．３とする。第２無機絶縁層２３３の成膜温度は、第１無機絶縁層２３１と同様に、１００℃以下とすることが好ましい。
【００６２】
成膜条件１により成膜された窒化シリコン膜のラザフォード後方散乱分析（ＲＢＳ）／弾性反跳検出分析（ＥＲＤＡ）の結果は、例えば、Ｓｉ：３３％、Ｎ：３９．１％、Ｈ：３１．８％、Ｎ／Ｓｉ＝１．１７、Ｈ／Ｓｉ＝０．８３、膜密度［ｇ／ｃｍ３］：２．０である。成膜条件２により成膜された窒化シリコン膜は、ＲＢＳ／ＥＲＤＡの結果は、例えば、Ｓｉ：３２．６％、Ｎ：３８．０％、Ｈ：２９．４、膜密度［ｇ／ｃｍ３］：２．１である。成膜条件３により成膜された窒化シリコン膜は、ＲＢＳ／ＥＲＤＡの結果は、例えば、Ｓｉ：３２．６％、Ｎ：３８．０％、Ｈ：２９．４、膜密度［ｇ／ｃｍ３］：２．１である。
【００６３】
成膜条件１により成膜された窒化シリコン膜のＦＴ−ＩＲ分析結果は、Ｓｉ−Ｎ：７０、Ｓｉ−Ｈ：１７．２、Ｎ−Ｈ：１２．８である。また、成膜条件２により成膜された窒化シリコン膜のＦＴ−ＩＲ分析結果は、Ｓｉ−Ｎ：８８．４、Ｓｉ−Ｈ：５．６３、Ｎ−Ｈ：５．９６である。また、成膜条件３により成膜された窒化シリコン膜のＦＴ−ＩＲ分析結果は、Ｓｉ−Ｎ：８６．１、Ｓｉ−Ｈ：１０．６、Ｎ−Ｈ：３．３６である。ＦＴ−ＩＲ分析結果より、成膜条件２、３により成膜された窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合量は、成膜条件１により成膜された窒化シリコン膜のＮ−Ｈ結合量よりも少なくできる。
【００６４】
成膜条件１により成膜された窒化シリコン膜は、１％バッファードフッ酸によるエッチングレートが、例えば、１０．３４［ｎｍ／ｓｅｃ］となる。また、成膜条件２により成膜された窒化シリコン膜は、１％バッファードフッ酸によるエッチングレートが、例えば、６．１４［ｎｍ／ｓｅｃ］となる。また、成膜条件３により成膜された窒化シリコン膜は、１％バッファードフッ酸によるエッチングレートが、例えば、６．８［ｎｍ／ｓｅｃ］となる。よって、成膜条件１で成膜された窒化シリコン膜よりも成膜条件２、３で成膜された窒化シリコン膜の方が、緻密な膜であるといえる。
【００６５】
第１無機絶縁層３２１を成膜条件１により成膜し、第２無機絶縁層３２３を成膜条件２、３により成膜する場合には、第２無機絶縁層３２３の密度は、第１無機絶縁層３２１の密度よりも高くなる。
【００６６】
第１成膜条件により成膜された第１無機絶縁層２３１に対して、温度１２０℃及び湿度１００％の環境下で４８時間、高温高湿試験を行うと、第１無機絶縁層２３１の表面から１５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度酸化される。２成膜条件により成膜された第２無機絶縁層２３３に対して、温度１２０℃及び湿度１００％の環境下で４８時間、高温高湿試験を行うと、第２無機絶縁層２３３の表面から６０ｎｍ程度酸化される。第３成膜条件により成膜された第２無機絶縁層２３３に対して、温度１２０℃及び湿度１００％の環境下で４８時間、高温高湿試験を行うと、第２無機絶縁層２３３の表面から３０ｎｍ程度酸化される。つまり、よって、成膜条件１で成膜された窒化シリコン膜よりも成膜条件２、３で成膜された窒化シリコン膜の方が、表面酸化を抑制することができる。つまり、窒化シリコン膜の表面酸化を抑制できるということは、窒化シリコン膜からアンモニウムの脱離が抑制されているということである。
【００６７】
成膜条件１により成膜された窒化シリコン膜は、成膜レートが高く、膜の応力も低く、屈折率ｎ及び消衰係数ｋも良好である。また、成膜条件２により成膜された窒化シリコン膜は、成膜条件１と比較して、成膜レートが低く、膜の応力が高いが、屈折率ｎ及び消衰係数ｋが同等である。また、成膜条件３により成膜された窒化シリコン膜は、成膜条件１と比較して、膜の応力が同等であるが、成膜レートが低く、屈折率ｎ及び消衰係数ｋが若干大きくなる。このように、成膜条件１〜３により成膜された窒化シリコン膜の膜特性は各々異なる。そのため、第１無機絶縁層２３１及び第２無機絶縁層２３３に用いる窒化シリコン膜は、樹脂マスク２３５と接する第２無機絶縁層２３３として、Ｎ−Ｈ結合量が小さい成膜条件２、３により成膜された窒化シリコン膜を用い、第１無機絶縁層２３１として、成膜条件１により成膜された窒化シリコン膜を用いればよい。
【００６８】
本実施形態では、第１無機絶縁層２３１を成膜条件１で成膜し、第２無機絶縁層２３３を成膜条件２で成膜する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、第１無機絶縁層２３１を成膜条件２又は成膜条件３で成膜してもよい。第１無機絶縁層２３１を、成膜条件１、成膜条件２、又は成膜条件３のいずれで成膜するかは、生産性や有機ＥＬの特性を考慮して適宜設定すればよい。
【００６９】
例えば、第２無機絶縁層２３３を第１成膜条件で成膜すると、窒化シリコン膜と後に形成される樹脂マスクと反応して、アンモニアが発生することで偏光板が白く変色させてしまう恐れがある。これに対し、第２無機絶縁層２３３を第２成膜条件又は第３成膜条件にて成膜すると、窒化シリコン膜と後に形成される樹脂マスクとの反応を抑制し、アンモニアの発生を低減することができる。これにより、偏光板の白抜きを抑制することができる。
【００７０】
次に、表示装置１００の周辺領域１１０における断面の構成について、図６乃至図８を参照して説明する。
【００７１】
図６は、図１に示す表示装置１００をＢ１−Ｂ２線に沿って切断した断面図である。図６に示す基板１０１の周辺領域１１０の上部は、種々の配線が引き回される領域である。図６に示すように、周辺領域１１０において、発光素子２４０の対向電極２２４は、透明導電膜２２６と接続される陰極コンタクト１４０が設けられる。透明導電膜２２６は、導電層２２７、導電層２２８、配線層２２９と電気的に接続される。つまり、対向電極２２４は、配線層２２９によって、複数の端子１０７のいずれかと電気的に接続される。
【００７２】
基板１０１の端部には、ダムと呼ばれる凸状の絶縁層２４１、２４２が設けられている。有機絶縁層２３２は、絶縁層２４１によってせき止められる。また、第１無機絶縁層２３１及び第２無機絶縁層２３３は、絶縁層２４２まで設けられる。また、第１無機絶縁層２３１と第２無機絶縁層２３３とは、絶縁層２４１から絶縁層２４２にかけて接する領域を有する。有機絶縁層２３２を、第１無機絶縁層２３１と第２無機絶縁層２３３とにより封止することで、外部から侵入した水分が、有機絶縁層２３２を介して発光素子２４０に到達することを抑制することができる。
【００７３】
図７は、図１に示す表示装置１００をＣ１−Ｃ２線に沿って切断した断面図である。図７に示す基板１０１の周辺領域１１０は、走査線駆動回路１０４が設けられる領域である。図７に示すように、走査線駆動回路１０４には、トランジスタ２５０が設けられている。トランジスタ２５０は、画素１０９に設けられるトランジスタ２１０、２２０と同様の構成であってもよいし、異なる構成であってもよい。また、走査線駆動回路１０４においては、遮光層２０３を設けなくともよい。
【００７４】
また、走査線駆動回路１０４と基板１０１の端部との間に領域に、対向電極２２４は、透明導電膜２２６Ａと接続される陰極コンタクト１４０Ａが設けられる。透明導電膜２２６Ａは、導電層２２７Ａ、導電層２２８Ａ、配線層２２９Ａと電気的に接続される。つまり、対向電極２２４は、配線層２２９Ａによって、複数の端子１０７のいずれかと電気的に接続される。
【００７５】
図８は、図１に示す表示装置１００をＤ１−Ｄ２線に沿って切断した断面図である。図８に示す基板１０１の周辺領域１１０は、折曲領域１３０と複数の端子１０７と、を含む。
【００７６】
発光素子２４０の対向電極２２４は、透明導電膜２２６と接続される陰極コンタクト１４０Ｂが設けられる。配線層２４３は、引き回し配線である。配線層２４３は、周辺領域１１０において延伸し、周辺領域１１０の端部付近で露出される。配線層２４３と透明導電膜２４５と接する領域が端子１０７となる。
【００７７】
基板１０１の折り曲げに伴い、特に無機絶縁層などは靱性に乏しいため、容易にクラックを生ずることから、折曲領域１３０においては無機絶縁層が除去されている。この領域の強度確保のため、折曲領域１３０を覆うように、配線層２４４上に樹脂層等をさらに設けても良い。
【００７８】
（第２実施形態）
本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構造の他の一例について、図９乃至図１２を参照して説明する。本実施形態では、封止膜の上方にタッチセンサ１２０が設けられた表示装置１００Ａについて説明する。
【００７９】
図９は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００Ａの平面図である。図９に示す表示装置１００Ａは、基板１０１上に設けられた表示領域１０３と重なるようにタッチセンサ１２０が設けられていること、及び走査線駆動回路１０４と、偏光板１０２の図示を省略していること以外は、図１に示す表示装置１００の構成と同様である。
【００８０】
タッチセンサ１２０は、行方向にストライプ状に配列された複数のセンサ電極１２１と、列方向にストライプ状に配列された複数のセンサ電極１２２と、をする。センサ電極１２１とセンサ電極１２２の一方は送信電極（Ｔｘ）、他方は受信電極（Ｒｘ）とも呼ばれる。各センサ電極１２１と各センサ電極１２２は互いに離間しており、これらの間で容量が形成される。例えば、人の指等がセンサ電極１２１及びセンサ電極１２２を介して表示領域１０３に触れる（以下、タッチとする）ことで容量が変化し、この変化を読み取ることでタッチの位置が決定される。このように、センサ電極１２１とセンサ電極１２２により、いわゆる投影型静電容量方式のタッチセンサ１２０が形成される。
【００８１】
センサ電極１２２は、表示領域１０３の周辺領域１１０に配置される配線層２４３と電気的に接続される。端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８と接続され、ドライバＩＣ１０６からタッチセンサ用信号が、端子１０７を経由してセンサ電極１２２に与えられる。なお、配線層２４３は、走査線駆動回路１０４と重なる領域に設けられていてもよい。
【００８２】
同様に、センサ電極１２１は、表示領域１０３の周辺領域１１０に配置される配線層２４４と電気的に接続される。端子１０７は、フレキシブルプリント回路基板１０８と接続され、ドライバＩＣ１０６からタッチセンサ用信号が、端子１０７を介してセンサ電極１２２に与えられる。
【００８３】
タッチセンサ１２０において、センサ電極１２１は、ほぼ四角形の形状を有する複数の導電層１３１と、接続電極１２３と、を有し、センサ電極１２２は、ほぼ四角形の形状を有する複数の導電層１３３と、接続領域１３５と、を有している。また、センサ電極１２１と、センサ電極１２２とは、互いに離間しており、電気的に独立する。
【００８４】
図１０は、図９に示す表示装置１００Ａにおける領域１５０の拡大図である。図１０において、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とを区別するために、異なるハッチングを付して図示しているが、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とは同じ導電層から形成されるものである。センサ電極１２１において、左右に隣り合う導電層１３３は、接続領域１３５を介して接続されている。センサ電極１２２において、上下に隣り合う導電層１３１は、接続電極１２３を介して接続されている。センサ電極１２１が有する複数の導電層１３３、複数の開口１３４を有しており、センサ電極１２２が有する複数の導電層１３１は、複数の開口１３２を有している。導電層１３１及び導電層１３３のそれぞれにおいて、複数の開口１３２及び複数の開口１３４は、マトリクス状に配列されている。これにより、導電層１３１及び導電層１３３は、メッシュ状の形状を有している。ここで、導電層１３１を構成する配線の幅ｌは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。同様に、導電層１３３を構成する配線の幅ｍは、１μｍ以上１０μｍ以下または２μｍ以上８μｍ以下、典型的には５μｍである。
【００８５】
図１０に示すように、左右に隣り合う導電層１３３を接続する接続領域１３５は、第１方向に沿って設けられており、上下に隣り合う導電層１３１を接続する接続電極１２３は、第１方向と交差する第２方向に沿って設けられている。換言すると、接続電極１２３は、センサ電極１２１の一部と交差する領域を有している。なお、図１０において、接続電極１２３の幅は、導電層１３１の幅ｌと同じ幅で図示しているが、導電層１３１の幅ｌよりも大きくてもよい。接続電極１２３は、画素１０９の発光素子２４０の発光領域と重ならないことが好ましい。
【００８６】
図１１は、図１０に示すタッチセンサ１２０をＦ１−Ｆ２線に沿って切断した断面図である。なお、図１１において、第１無機絶縁層２３１よりも下層の構造については図示を省略している。図１１に示すように、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とが接触することを防止するために、センサ電極１２１とセンサ電極１２２との下層に第３無機絶縁層２３４を設ける。そして、当該第３無機絶縁層２３４を介して、センサ電極１２２の上下に隣り合う導電層１３１を接続するための接続電極１２３を設ける。これにより、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とが交差する領域において、センサ電極１２１とセンサ電極１２２とが接触することを防止できる。
【００８７】
第３無機絶縁層２３４は、第１無機絶縁層２３１、第２無機絶縁層２３３と同様に、例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などを用いる。また、第３無機絶縁層２３４は、樹脂マスク２３５と接する。そのため、第３無機絶縁層２３４は、第１無機絶縁層２３１よりも酸化しにくい膜にする。つまり、第２無機絶縁層２３３を、ＦＴ−ＩＲ法で測定される単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量が第１無機絶縁層の単位面積［％ａｒｅａ］当たりのＮ−Ｈ結合量よりも少ない膜とする。
【００８８】
第３無機絶縁層２３４が酸化されにくいというのは、例えば、第３無機絶縁層２３４の表面酸化厚さにより示すことができる。例えば、第３無機絶縁層３２４の側面における表面酸化の厚さは、第１無機絶縁層３２１の側面における表面酸化の厚さよりも小さければよい。第３無機絶縁層２３４の表面酸化厚さは、例えば、６０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００８９】
また、第３無機絶縁層２３４の密度は、第１無機絶縁層２３１の密度よりも高いことが好ましい。例えば、第３無機絶縁層２３４の１％バッファードフッ酸によるエッチングレートは、第１無機絶縁層２３１のエッチングレートよりも遅いことが好ましい。また、第３無機絶縁層２３４の１％バッファー度フッサンによるエッチングレートは、例えば、７ｎｍ／ｓｅｃである。
【００９０】
第３無機絶縁層２３４を第１無機絶縁層２３１よりも酸化しにくい膜、又は緻密な膜とするためには、第１無機絶縁層２３１を第１実施形態で説明した成膜条件１により成膜し、第３無機絶縁層２３４を成膜条件２又は３により成膜すればよい。
【００９１】
第３無機絶縁層２３４を第１無機絶縁層２３１よりも酸化されにくい膜、又は緻密な膜とすることにより、樹脂マスク２３５に含まれる水分及び外部から侵入した水分と、第２無機絶縁層２３３との反応を抑制することができる。つまり、アンモニアの発生を抑制することができる。したがって、アンモニアが樹脂マスク２３５を介して、偏光板１０２に到達することを抑制することができるため、偏光板１０２の色抜けを抑制できる。よって、表示装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００９２】
本実施形態では、樹脂マスク２３５と接するのは、第３無機絶縁層２３４である。そのため、第３無機絶縁層２３４よりも下方に設けられる第２無機絶縁層２３３については、成膜条件１、２、３のいずれにより成膜されてもよい。よって、第２無機絶縁層２３３を、成膜条件１、成膜条件２、又は成膜条件３のいずれで成膜するかは、生産性や有機ＥＬの特性を考慮して適宜設定すればよい。例えば、第２無機絶縁層２３３を、第１無機絶縁層２３１よりも酸化しにくい膜、又は緻密な膜とするためには、第１無機絶縁層２３１を第１実施形態で説明した成膜条件１により成膜し、第２無機絶縁層２３３を成膜条件２又は３により成膜すればよい。また、第２無機絶縁層２３３を、成膜条件２又は３により成膜した場合の膜の特性については、第１実施形態を参照すればよいため、詳細な説明は省略する。
【００９３】
また、第２無機絶縁層２３３及び第３無機絶縁層２３４を、第１無機絶縁層２３１よりも酸化しにくい膜、又は緻密な膜とする場合には、成膜条件は同じであってもよいし、異なっていてもよい。第２無機絶縁層２３３及び第３無機絶縁層２３４の各々を、成膜条件２又は成膜条件３のいずれで成膜するかは、生産性や有機ＥＬの特性を考慮して適宜設定すればよい。
【００９４】
図１２は、図９に示す表示装置１００ＡをＥ１−Ｅ２線に沿って切断した断面図である。基板１０１から封止膜までの構成については、図１と同様である。本実施形態では、封止膜の第２無機絶縁層２３３上に、タッチセンサ１２０が設けられている。図１２においては、センサ電極１２２と接続電極１２３との接続領域について示している。第２無機絶縁層２３３上に、接続電極１２３が設けられ、接続電極１２３上に、第３無機絶縁層２３４が設けられ、第３無機絶縁層２３４上に、センサ電極１２２が設けられている。配線層２４４Ａは、周辺領域１１０において延伸し、周辺領域１１０の端部付近で露出される。配線層２４４Ａと透明導電膜２４５と接する領域が端子１０７となる。
【００９５】
表示領域１０３を囲む周辺領域１１０において、第３無機絶縁層２３４が、第１無機絶縁層２３１の側面及び第２無機絶縁層２３３の側面と接することにより、第１無機絶縁層２３１の側面及び第２無機絶縁層２３３の側面から水分が侵入することを抑制することができる。これにより、侵入した水分と窒素を含む膜とが反応してアンモニウムが発生して、偏光板１０２を白く変色させてしまうことを抑制することができる。
【００９６】
また、表示領域１０３を囲む周辺領域１１０において、センサ電極１２２は、第３無機絶縁層２３４の側面と接することにより、第３無機絶縁層２３４の側面から水分が侵入することを抑制することができる。これにより、侵入した水分と窒素を含む膜とが反応してアンモニウムが発生して、偏光板１０２を白く変色させてしまうことを抑制することができる。
【００９７】
本発明の一実施形態に係る表示装置１００、１００Ａによれば、樹脂マスクと接する窒化シリコン膜を酸化しにくい膜、又は緻密な膜とすることにより、樹脂マスクと窒化シリコン膜との反応を抑制することができる。これにより、樹脂マスクと窒化シリコン膜とが接することで発生するアンモニアの量を低減することができる。したがって、アンモニアにより偏光板が白く変色してしまうことを抑制することができるため、表示装置１００、１００Ａの信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００９８】
１００：表示装置、１００Ａ：表示装置、１０１：基板、１０１ａ：第１樹脂層、１０１ｂ：無機層、１０１ｃ：第２樹脂層、１０２：偏光板、１０２ａ：酸化シリコン層、１０２ｂ：窒化シリコン層、１０２ｃ：酸化シリコン層、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路基板、１０９：画素、１１０：周辺領域、１１１：走査線、１１２：信号線、１１４：駆動電源線、１１６：基準電源線、１２０：タッチセンサ、１２１：センサ電極、１２２：センサ電極、１２３：接続電極、１３０：折曲領域、１３１：導電層、１３２：開口、１３３：導電層、１３４：開口、１３５：接続領域、２０２：アンダーコート層、２０２ａ：酸化シリコン層、２０２ｂ：窒化シリコン層、２０２ｃ：酸化シリコン層、２０３：遮光層、２０４：半導体層、２０４ａ：チャネル領域、２０４ｂ：低濃度不純物領域、２０４ｃ：低濃度不純物領域、２０４ｄ：ソース領域又はドレイン領域、２０４ｅ：ソース領域又はドレイン領域、２０５：ゲート絶縁膜、２０６ａ：ゲート電極、２０６ｂ：導電層、２０７：層間絶縁層、２０８ａ：ドレイン電極、２０８ｂ：ドレイン電極、２０９：絶縁層、２１０：トランジスタ、２１１：平坦化膜、２１２ａ：透明導電膜、２１２ｂ：透明導電膜、２１３：絶縁層、２２０：トランジスタ、２２２：画素電極、２２３：有機層、２２４：対向電極、２２５：絶縁層、２２６：透明導電膜、２２７：導電層、２２８：導電層、２２９：配線層、２３０：容量素子、２３１：第１無機絶縁層、２３２：有機絶縁層、２３３：第２無機絶縁層、２３４：第３無機絶縁層、２３５：樹脂マスク、２４０：発光素子、２４１：絶縁層、２４２：絶縁層、２４３：配線層、２４４：配線層、トランジスタ２５０
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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