(57)【要約】【課題】静電チャックに切り欠き部が設けられた場合でも被吸着体を良好に静電チャックに吸着する。【解決手段】被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有し、前記静電チャックプレート部の吸着面において、前記切り欠き部を含む第１領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力は、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きいことを特徴とする。【選択図】図４
2020070488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有し、
前記静電チャックプレート部の吸着面において、前記切り欠き部を含む第１領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力は、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きいことを特徴とする静電チャックシステム。
【請求項２】
前記静電チャックプレート部の前記第１領域に設けられている第１電極部の電極密度が前記第２領域に設けられている第２電極部の電極密度より大きいことを特徴とする請求項１に記載の静電チャックシステム。
【請求項３】
前記第１電極部及び前記第２電極部はそれぞれ一対の櫛歯電極を有し、前記一対の櫛歯電極はそれぞれの櫛歯部が交互に噛み合うように対向して配置され、
前記第１電極部の前記櫛歯部間の間隔は、前記第２電極部の前記櫛歯部間の間隔より狭いことを特徴とする請求項２に記載の静電チャックシステム。
【請求項４】
前記静電チャックプレート部は、電極部と、少なくとも前記電極部と前記被吸着体を吸着させるための吸着面との間に介在する誘電体部と、を有し、
前記第１領域における前記誘電体部の厚さが前記第２領域における前記誘電体部の厚さより小さいことを特徴とする請求項１に記載の静電チャックシステム。
【請求項５】
前記静電チャックプレート部は、電極部と、少なくとも前記電極部と前記被吸着体を吸着させるための吸着面との間に介在する誘電体部と、を有し、
前記第１領域における前記誘電体部の比抵抗が前記第２領域における前記誘電体部の比抵抗より小さいことを特徴とする請求項１に記載の静電チャックシステム。
【請求項６】
前記静電チャックプレート部は、電極部と、少なくとも前記電極部と前記被吸着体を吸着させるための吸着面との間に介在する誘電体部と、を有し、
前記第１領域における前記誘電体部の誘電率が前記第２領域における前記誘電体部の誘電率より大きいことを特徴とする請求項１に記載の静電チャックシステム。
【請求項７】
前記少なくとも１つの切り欠き部には電極部が設けられず、前記切り欠き部は、アライメント用の切り欠き部及び前記被吸着体の吸着度確認用の切り欠き部のうち少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の静電チャックシステム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの切り欠き部は、前記静電チャックプレート部を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の静電チャックシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの切り欠き部は、矩形の前記静電チャックプレート部のコーナー部に設けられることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の静電チャックシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの切り欠き部は、前記静電チャックプレート部の中央部に設けられることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の静電チャックシステム。
【請求項１１】
被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、
複数の電極部を有し、少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート
部と、
前記複数の電極部への電圧の印加を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記複数の電極部のうち、第１電極部に印加される電圧が、前記第１電極部よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２電極部に印加される電圧より大きくなるように制御することを特徴とする静電チャックシステム。
【請求項１２】
前記複数の電極部はそれぞれ一対の電極を有し、
前記制御部は、前記第１電極部の一対の電極の間に印加される電圧が、前記第２電極部の一対の電極の間に印加される電圧より大きくなるように制御することを特徴とする請求項１１に記載の静電チャックシステム。
【請求項１３】
前記制御部は、前記第１電極部の前記被吸着体に対する吸着力と前記第２電極部の前記被吸着体に対する吸着力とが実質的に同一になるように、前記第１電極部と前記第２電極部とのそれぞれに印加される電圧を制御することを特徴とする請求項１１に記載の静電チャックシステム。
【請求項１４】
基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
少なくとも前記基板を吸着するための静電チャックシステムを有し、
前記静電チャックシステムは、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の静電チャックシステムであることを特徴とする成膜装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有する静電チャックに被吸着体を吸着させる方法であって、
前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させる吸着工程を有し、
前記吸着工程では、前記静電チャックプレート部の吸着面において前記切り欠き部を含む第１領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力が、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きい状態で、前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させることを特徴とする吸着方法。
【請求項１６】
複数の電極部を有し、少なくとも１つの切り欠き部が設置された静電チャックプレート部を有する静電チャックに被吸着体を吸着させる方法であって、
前記複数の電極部に電圧を印加して前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させる吸着工程を有し、
前記吸着工程では、前記複数の電極部のうちの第１電極部に、前記第１電極部よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２電極部より大きい電圧を印加することを特徴とする吸着方法。
【請求項１７】
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有する静電チャックに前記基板を吸着させる第１吸着工程と、
前記基板を介して前記静電チャックに前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記蒸着材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記蒸着材料を成膜する工程と、
を有し、
前記第１吸着工程及び前記第２吸着工程の少なくとも１つの吸着工程では、前記静電チャックプレート部の吸着面において前記切り欠き部を含む第１領域における被吸着体とし
ての前記基板又は前記マスクに対する単位面積当たりの静電引力が、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きい状態で、前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させることを特徴とする成膜方法。
【請求項１８】
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有する静電チャックの複数の電極部に電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板を吸着させる第１吸着工程と、
前記静電チャックの前記複数の電極部に電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板を介して前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記蒸着材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記蒸着材料を成膜する工程と、
を有し、
前記第１吸着工程及び前記第２吸着工程の少なくとも１つの吸着工程では、前記複数の電極部のうちの第１電極部に、前記第１電極部よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２電極部より大きい電圧を印加することを特徴とする成膜方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８の成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電チャックシステム、成膜装置、吸着方法、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）の製造においては、有機ＥＬ表示装置を構成する有機発光素子（有機ＥＬ素子；ＯＬＥＤ）を形成する際に、成膜装置の蒸着源から蒸発した蒸着材料を、画素パターンが形成されたマスクを介して、基板に蒸着させることで、有機物層や金属層を形成する。
【０００３】
上向蒸着方式（デポアップ）の成膜装置において、蒸着源は成膜装置の真空容器の下部に設けられ、基板は真空容器の上部に配置され、基板の下面に蒸着される。このような上向蒸着方式の成膜装置の真空容器内において、基板はその下面の周辺部だけが基板ホルダによって保持されるので、基板がその自重によって撓み、これが蒸着精度が低下する１つの要因となっている。上向蒸着方式以外の方式の成膜装置においても、また、基板の自重による撓みは生じる可能性がある。
【０００４】
基板の自重による撓みを低減するための方法として、静電チャックを使う技術が検討されている。すなわち、基板の上面をその全体にわたって静電チャックで吸着することで、基板の撓みを低減することができる。
【０００５】
特許文献１では、静電チャックで基板及びマスクを吸着する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開公報２００７−００１０７２３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１には、静電チャックに孔のような切り欠き部が設けられる構成、及びこのような構成においての静電チャックの吸着力制御については、開示がない。
【０００８】
本発明は、静電チャックに切り欠き部が設けられた場合でも被吸着体を良好に静電チャックに吸着することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１態様による静電チャックシステムは、
被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有し、
前記静電チャックプレート部の吸着面において、前記切り欠き部を含む第１領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力は、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きいことを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２態様による静電チャックシステムは、
被吸着体を吸着するための静電チャックシステムであって、
複数の電極部を有し、少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部と、
前記複数の電極部への電圧の印加を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記複数の電極部のうち、第１電極部に印加される電圧が、前記第１電極部よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２電極部に印加される電圧より大きくなるように制御することを特徴とする。
【００１１】
本発明の第３態様による成膜装置は、
基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
少なくとも前記基板を吸着するための静電チャックシステムを有し、
前記静電チャックシステムは、本発明の第１態様又は第２態様による静電チャックシステムであることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第４態様による吸着方法は、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有する静電チャックに被吸着体を吸着させる方法であって、
前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させる吸着工程を有し、
前記吸着工程では、前記静電チャックプレート部の吸着面において前記切り欠き部を含む第１領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力が、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きい状態で、前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第５態様による吸着方法は、
複数の電極部を有し、少なくとも１つの切り欠き部が設置された静電チャックプレート部を有する静電チャックに被吸着体を吸着させる方法であって、
前記複数の電極部に電圧を印加して前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させる吸着工程を有し、
前記吸着工程では、前記複数の電極部のうちの第１電極部に、前記第１電極部よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２電極部より大きい電圧を印加することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第６態様による成膜方法は、
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有する静電チャックに前記基板を吸着させる第１吸着工程と、
前記基板を介して前記静電チャックに前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記蒸着材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記蒸着材料を成膜する工程と、
を有し、
前記第１吸着工程及び前記第２吸着工程の少なくとも１つの吸着工程では、前記静電チャックプレート部の吸着面において前記切り欠き部を含む第１領域における被吸着体としての前記基板又は前記マスクに対する単位面積当たりの静電引力が、前記第１領域よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２領域における前記被吸着体に対する単位面積当たりの静電引力より大きい状態で、前記被吸着体を前記静電チャックに吸着させることを特徴とする。
【００１５】
本発明の第７態様による成膜方法は、
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する成膜方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
前記真空容器内に基板を搬入する工程と、
少なくとも１つの切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部を有する静電チャックの複数の電極部に電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板を吸着させる第１吸着工程と、
前記静電チャックの前記複数の電極部に電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板を介して前記マスクを吸着させる第２吸着工程と、
前記静電チャックに前記基板及び前記マスクが吸着された状態で、前記蒸着材料を放出させて、前記マスクを介して前記基板に前記蒸着材料を成膜する工程と、
を有し、
前記第１吸着工程及び前記第２吸着工程の少なくとも１つの吸着工程では、前記複数の電極部のうちの第１電極部に、前記第１電極部よりも前記切り欠き部からの距離が離れた第２電極部より大きい電圧を印加することを特徴とする。
【００１６】
本発明の第８態様による電子デバイスの製造方法は、本発明の第６又は７態様による成膜方法を用いて電子デバイスを製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、静電チャックに切り欠き部が設けられた場合でも被吸着体を良好に静電チャックに吸着することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、電子デバイスの製造装置の一部の模式図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態による成膜装置の模式図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの概念図である。図３（ｂ）は、本発明の一実施形態による静電チャックシステムの模式的平面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明の他の実施形態による静電チャックシステムの模式的平面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡＢラインに沿って切り取った静電チャックの模式的断面図である。図４（ｃ）は、図４（ａ）のＡＢラインに沿って切り取った静電チャックの模式的断面図である。
【図５】図５は、電子デバイスを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲はそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状等は、特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２０】
本発明は、基板の表面に各種材料を堆積させて成膜を行う装置に適用することができ、真空蒸着によって所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に望ましく適用することができる。基板の材料としては、ガラス、高分子材料のフィルム、金属等の任意の材料を選択することができ、基板は、例えば、ガラス基板上にポリイミド等のフィルムが積層された基板であってもよい。また、蒸着材料として、有機材料、金属性材料（金属、金属酸化物等）等の任意の材料を選択してもよい。なお、以下の説明において説明する真空蒸着装置以外にも、スパッタ装置やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置を有する成
膜装置にも、本発明を適用することができる。本発明の技術は、具体的には、有機電子デ
バイス（例えば、有機ＥＬ素子、薄膜太陽電池）、光学部材等の製造装置に適用可能である。そのうち、蒸着材料を蒸発させてマスクを介して基板に蒸着させることで有機ＥＬ素子を形成する有機ＥＬ素子の製造装置は、本発明の好ましい適用例の１つである。
【００２１】
＜電子デバイスの製造装置＞
図１は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
【００２２】
図１の製造装置は、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられる。スマートフォン用の表示パネルの場合、例えば、４．５世代の基板（約７００ｍｍ×約９００ｍｍ）や６世代のフルサイズ（約１５００ｍｍ×約１８５０ｍｍ）又はハーフカットサイズ（約１５００ｍｍ×約９２５ｍｍ）の基板に、有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行った後、該基板を切り抜いて複数の小さなサイズのパネルを製作する。
【００２３】
電子デバイスの製造装置は、一般的に、複数のクラスタ装置１と、クラスタ装置１の間を繋ぐ中継装置とを有する。
【００２４】
クラスタ装置１は、基板Ｓに対する処理（例えば、成膜）を行う複数の成膜装置１１と、使用前後のマスクＭを収納する複数のマスクストック装置１２と、その中央に配置される搬送室１３と、を備える。搬送室１３は、図１に示すように、複数の成膜装置１１及びマスクストック装置１２のそれぞれと接続されている。
【００２５】
搬送室１３内には、基板Ｓ及びマスクＭを搬送する搬送ロボット１４が配置されている。搬送ロボット１４は、上流側に配置された中継装置のパス室１５から成膜装置１１へと基板Ｓを搬送する。また、搬送ロボット１４は、成膜装置１１とマスクストック装置１２との間でマスクＭを搬送する。搬送ロボット１４は、例えば、多関節アームに、基板Ｓ又はマスクＭを保持するロボットハンドが取り付けられた構造を有するロボットである。
【００２６】
成膜装置１１（蒸着装置とも呼ぶ）では、蒸着源に収納された蒸着材料がヒータによって加熱されて蒸発し、マスクＭを介して基板Ｓ上に蒸着される。搬送ロボット１４からの又は搬送ロボット１４への基板Ｓの受け渡し、基板ＳとマスクＭの相対位置の調整（アライメント）、マスクＭ上への基板Ｓの固定、成膜（蒸着）等の一連の成膜プロセスは、成膜装置１１によって行われる。
【００２７】
マスクストック装置１２には、成膜装置１１での成膜工程に使われる新しいマスクと、使用済みのマスクとが、２つのカセットに分けて収納される。搬送ロボット１４は、使用済みのマスクを成膜装置１１からマスクストック装置１２のカセットに搬送し、マスクストック装置１２の他のカセットに収納された新しいマスクを成膜装置１１に搬送する。
【００２８】
クラスタ装置１には、基板Ｓの流れ方向において上流側からの基板Ｓを当該クラスタ装置１に受け渡すパス室１５と、当該クラスタ装置１で成膜処理が完了した基板Ｓを下流側の他のクラスタ装置に受け渡すためのバッファ室１６が連結される。搬送室１３の搬送ロボット１４は、上流側のパス室１５から基板Ｓを受け取って、当該クラスタ装置１内の成膜装置１１の１つ（例えば、成膜装置１１ａ）に搬送する。また、搬送ロボット１４は、当該クラスタ装置１での成膜処理が完了した基板Ｓを複数の成膜装置１１の１つ（例えば、成膜装置１１ｂ）から受け取って、下流側に連結されたバッファ室１６に搬送する。
【００２９】
バッファ室１６とパス室１５との間には、基板Ｓの向きを変える旋回室１７が設置される。旋回室１７には、バッファ室１６から基板Ｓを受け取って基板Ｓを１８０°回転させ、パス室１５に搬送するための搬送ロボット１８が設けられる。これにより、上流側のクラスタ装置１と下流側のクラスタ装置１とで基板Ｓの向きが同じになり、基板処理が容易
になる。
【００３０】
パス室１５、バッファ室１６、旋回室１７は、クラスタ装置１間を連結する、いわゆる中継装置であり、クラスタ装置１の上流側及び／又は下流側に設置される中継装置は、パス室１５、バッファ室１６、旋回室１７のうち少なくとも１つを有する。
【００３１】
成膜装置１１、マスクストック装置１２、搬送室１３、バッファ室１６、旋回室１７等は、有機ＥＬ素子の製造の過程で、高真空状態に維持される。パス室１５は、通常、低真空状態に維持されるが、必要に応じて高真空状態に維持されてもよい。
【００３２】
本実施形態では、図１を参照して、電子デバイスの製造装置の構成について説明したが、本発明はこれに限定されず、他の種類の装置やチャンバを有してもよく、これらの装置やチャンバ間の配置が変わってもよい。
【００３３】
以下、成膜装置１１の具体的な構成について説明する。
【００３４】
＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１１の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を用いる。成膜時に基板Ｓが水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定された場合、基板Ｓの短手方向（短辺に平行な方向）をＸ方向、長手方向（長辺に平行な方向）をＹ方向とする。また、Ｚ軸まわりの回転角をθで表す。
【００３５】
成膜装置１１は、真空雰囲気又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気に維持される真空容器２１と、真空容器２１の内部に設けられる、基板支持ユニット２２と、マスク支持ユニット２３と、静電チャック２４と、蒸着源２５とを有する。
【００３６】
基板支持ユニット２２は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来る基板Ｓを受け取って保持する手段であり、基板ホルダとも呼ばれる。
【００３７】
基板支持ユニット２２の下方には、マスク支持ユニット２３が設けられる。マスク支持ユニット２３は、搬送室１３に設けられた搬送ロボット１４が搬送して来るマスクＭを受け取って保持する手段であり、マスクホルダとも呼ばれる。
【００３８】
マスクＭは、基板Ｓ上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターンを有し、マスク支持ユニット２３の上に載置される。特に、スマートフォン用の有機ＥＬ素子を製造するのに使われるマスクは、微細な開口パターンが形成された金属製のマスクであり、ＦＭＭ（Fine Metal Mask）とも呼ぶ。
【００３９】
基板支持ユニット２２の上方には、基板Ｓ及び／又はマスクＭを静電引力によって吸着し固定するための静電チャック２４が設けられる。静電チャック２４は、成膜前に、基板Ｓ（第１被吸着体）を吸着して保持し、実施形態によってはマスクＭ（第２被吸着体）をも吸着し保持する。その後、例えば、静電チャック２４で基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を保持した状態で成膜を行い、成膜を完了した後に基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）に対する静電チャック２４による保持を解除する。
【００４０】
静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミック材質）マトリックス内に金属電極等の電気回路が埋設された構造を有する。静電チャック２４は、クーロン力タイプの静電チャックであってもよいし、ジョンソン・ラーベック力タイプの静電チャックであってもよいし、グラジエント力タイプの静電チャックであってもよい。静電チャック２４は、グラジエント力タイプの静電チャックであることが好ましい。静電チャック２４がグラジエン
ト力タイプの静電チャックの場合、基板Ｓが絶縁性基板であっても、静電チャック２４によって良好に吸着することができる。静電チャック２４がクーロン力タイプの静電チャックの場合、金属電極にプラス（＋）及びマイナス（−）の電圧が印加されると、誘電体マトリックスを通じて基板Ｓ等の被吸着体に金属電極と反対極性の分極電荷が誘導され、これらの間の静電引力によって基板Ｓが静電チャック２４に吸着固定される。
【００４１】
静電チャック２４は、１つのプレートで形成されてもよく、複数のサブプレートを有するように形成されてもよい。また、１つのプレートで形成される場合にも、その内部に複数の電気回路を有し、１つのプレート内で位置によって静電引力が異なるように制御してもよい。
【００４２】
静電チャック２４には、１つ以上の切り欠き部（例えば、孔）がプレートを貫通するように形成される。切り欠き部は、例えば、基板ＳやマスクＭに形成されているアライメントマークが見えるようにするためのアライメント用の孔であってもよく、静電チャック２４と基板Ｓとの間の吸着度（密着度）や基板ＳとマスクＭとの間の吸着度を確認するための吸着度確認用の孔であってもよい。アライメント用の孔は、例えば、矩形の静電チャックプレートの対角線上の２つのコーナー部又は４つのコーナー部の全体にそれぞれ設けられる。実施形態によっては、対向する一対の辺（例えば、短辺）の中央にも、それぞれアライメント用の孔が追加で設置されてもよい。吸着度確認用の孔は、例えば、静電チャックプレートの中央部を貫通するように開いていてもよく、実施形態によっては、矩形の静電チャック２４の対向する一対の辺（例えば、短辺又は長辺）の中央部に設けられてもよい。ただし、本発明はこれに限定されず、切り欠き部は本発明の技術的思想の範囲内で他の位置や数で設けられてもよい。また、切り欠き部は、切り欠き部を有しない部材に対し後から切り欠きの工程を施して形成しても良いし、初めから貫通孔や穴の形状を有するように部材を形成することによって設けても良い。
【００４３】
本実施形態では、後述するように、吸着面における孔がある部分を含む静電チャックプレートの一領域（第１領域）は、第１領域より孔から遠く離れた他の領域（第２領域）より単位面積当たりの静電引力が大きくなるように静電チャック２４が構成される。なお、ここでいう「単位面積当たりの静電引力」とは、その領域が孔の如き切り欠き部を含む場合には、当該領域全体が被吸着対に対して及ぼす静電引力を、当該領域全体のうち切り欠き部を除いた面積（すなわち、当該領域のうち静電チャックプレートが存在する領域）で除したものをいう。本実施形態では、静電チャック２４の複数の電極部のうち孔Ｈがある部分を含む一電極部（第１電極部）には、第１電極部より孔Ｈから遠く離れた他の電極部（第２電極部）より大きい電圧が印加されるように制御されてもよい。
【００４４】
これによって、第１領域（又は第１電極部）は、第２領域（又は第２電極部）に比べて相対的に強い単位面積当たりの吸着力を基板ＳやマスクＭに加える。従って、静電チャック２４の第１領域（又は第１電極部）が孔がある部分を含んでいても、第１領域（又は第１電極部）に対応する基板ＳやマスクＭの部分（例えば、４つのコーナー部及び／又は中央部）の静電チャック２４への吸着度の低下を抑制することができる。第１領域には孔があるため、基板ＳやマスクＭ等の被吸着体に対し吸着力が作用する有効面積が、孔の分だけ第２領域より小さいが、第１領域における単位面積当たりの静電引力は第２領域より大きい。従って、吸着力が作用する有効面積と単位面積当たりの静電引力との積によって定まる被吸着体に対する吸着力の点では、孔の存在に起因して第１領域において低下することを抑制できる。さらに、吸着面における孔の面積と第１領域における単位面積当たりの静電引力を適宜調整することで、被吸着体に対する吸着力を第１領域と第２領域とで均一にすることも可能である。その結果、静電チャック２４の一部の位置に孔が形成されても、基板ＳやマスクＭは、全体的に良好に静電チャック２４に吸着されることができる。図２には示さなかったが、静電チャック２４の吸着面とは反対側に基板Ｓの温度上昇を抑え
る冷却機構（例えば、冷却板）を設けることで、基板Ｓ上に堆積された有機材料の変質や劣化を抑制する構成としてもよい。
【００４５】
蒸着源２５は、基板Ｓに成膜される蒸着材料が収納されるるつぼ（不図示）、るつぼを加熱するためのヒータ（不図示）、蒸着源２５からの蒸発レートが一定になるまで蒸着材料が基板Ｓに飛散することを阻むシャッタ（不図示）等を有する。蒸着源２５は、点（point）蒸着源や線状（linear）蒸着源等、用途に従って多様な構成を有することができる
。
【００４６】
図２には示さなかったが、成膜装置１１は、基板Ｓに蒸着された膜の厚さを測定するための膜厚モニタ（不図示）及び膜厚算出ユニット（不図示）を有する。
【００４７】
真空容器２１の上部外側（大気側）には、基板Ｚアクチュエータ２６、マスクＺアクチュエータ２７、静電チャックＺアクチュエータ２８、位置調整機構２９等が設けられる。これらのアクチュエータ２６，２７，２８と位置調整機構２９は、例えば、モータとボールねじ、又はモータとリニアガイド等で構成される。基板Ｚアクチュエータ２６は、基板支持ユニット２２を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。マスクＺアクチュエータ２７は、マスク支持ユニット２３を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。静電チャックＺアクチュエータ２８は、静電チャック２４を昇降（Ｚ方向移動）させるための駆動手段である。
【００４８】
位置調整機構２９は、静電チャック２４のアライメントのための駆動手段である。位置調整機構２９は、静電チャック２４全体を基板支持ユニット２２及びマスク支持ユニット２３に対して、Ｘ方向移動、Ｙ方向移動、θ回転させる。なお、本実施形態では、基板Ｓを吸着した状態で、静電チャック２４をＸ、Ｙ、θ方向に位置調整することで、基板ＳとマスクＭの相対的位置を調整するアライメントを行う。
【００４９】
真空容器２１の外側上面には、上述した駆動手段及び位置調整機構の他に、真空容器２１の上面に設けられた透明窓及び静電チャック２４に設けられたアライメント用の孔を介して、基板Ｓ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影するためのアライメント用カメラ２０を設置してもよい。本実施形態においては、アライメント用カメラ２０は、矩形の基板Ｓ、マスクＭ及び静電チャック２４の対角線に対応する位置、又は、矩形の４つのコーナー部に対応する位置に設置してもよい。
【００５０】
本実施形態の成膜装置１１に設置されるアライメント用カメラ２０は、基板ＳとマスクＭとの相対的な位置を高精度で調整するために使われるファインアライメント用カメラであり、その視野角は狭いが高解像度を持つカメラである。成膜装置１１は、ファインアライメント用カメラ２０の他に相対的に視野角が広くて低解像度であるラフアライメント用カメラを有してもよい。
【００５１】
なお、位置調整機構２９は、アライメント用カメラ２０によって取得した基板Ｓ（第１被吸着体）及びマスクＭ（第２被吸着体）の位置情報に基づいて、基板Ｓ（第１被吸着体）とマスクＭ（第２被吸着体）を相対的に移動させて位置調整するアライメントを行う。
【００５２】
図２には示していないが、真空容器２１の外側上面には、真空容器２１の上面に設置された透明窓と静電チャック２４に開いている吸着度確認用の孔Ｈを介して、基板Ｓ及び／又はマスクＭの吸着度を確認するための吸着度確認用カメラを設置してもよい。吸着度確認用カメラは、吸着度確認用の孔Ｈが開いている静電チャック２４の中央部に対応する位置に設置してもよいが、基板Ｓ及び／又はマスクＭで吸着度の確認が必要な他の場所、例えば静電チャック２４の長辺又は短辺の中央部に対応する位置に設置してもよい。なお、
吸着度確認要カメラを静電チャック２４の中央部に対応する位置に設ける場合は、静電チャックプレート部２４０の中央部に吸着度確認要の孔Ｈを設ける、静電チャック２４の長辺又は短辺の中央部に対応する位置に設ける場合は、静電チャックプレート部２４０の長辺又は短辺の中央部に吸着度確認要の孔Ｈを設ける。
【００５３】
成膜装置１１は、制御部４０を備える。制御部４０は、基板Ｓの搬送及びアライメント、蒸着源２５の制御、成膜の制御等の機能を有する。制御部４０はまた、静電チャック２４への電圧の印加を制御する機能、つまり後述する図３（ａ）の電圧制御部３２の機能を有することができる。
【００５４】
制御部４０は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏ等を持つコンピュータによって構成可能である。この場合、制御部４０の機能はメモリ又はストレージに格納されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のパーソナルコンピュータを使用してもよく、組込み型のコンピュータ又はＰＬＣ（Programmable Logic Controller）を使用してもよい。又は、制御部４０の機能の一部
又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。また、成膜装置１１毎に制御部４０が設置されていてもよく、１つの制御部４０が複数の成膜装置１１を制御するように構成してもよい。
【００５５】
＜静電チャックシステム及び吸着方法＞
図３（ａ）、図３（ｂ）、図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照して本実施形態による静電チャックシステム３０及び吸着方法について説明する。
【００５６】
図３（ａ）は、本実施形態の静電チャックシステム３０の概念的ブロック図であり、図３（ｂ）は、静電チャック２４の模式的平面図である。また、図４（ａ）は、本発明の一実施形態による静電チャック２４の構成を説明するための、模式的平面図であり、図４（ｂ）及び４ｃは、それぞれ図４（ａ）のＡＢラインに沿って切り取った静電チャックの模式的断面図である。
【００５７】
本実施形態の静電チャックシステム３０は、図３（ａ）に示したように、静電チャック２４と、電圧印加部３１と、電圧制御部３２とを有する。
【００５８】
電圧印加部３１は、静電チャック２４の電極部２４１〜２４９に静電引力を発生させるための電圧を印加する。
【００５９】
電圧制御部３２は、静電チャックシステム３０の吸着工程又は成膜装置１１の成膜工程の進行に応じて、電圧印加部３１から電極部２４０ａに加えられる電圧の大きさ、電圧の印加開始時点、電圧の維持時間、電圧の印加順番等を制御する。電圧制御部３２は、例えば、静電チャック２４の電極部２４０ａに含まれる複数のサブ電極部２４１〜２４９への電圧印加をサブ電極部毎に独立に制御することができる。本実施形態では、電圧制御部３２が成膜装置１１の制御部４０とは別途に構成されるが、本発明はこれに限定されず、成膜装置１１の制御部４０に統合されてもよい。
【００６０】
静電チャック２４は、誘電体（例えば、セラミックの材質）のマトリックス内に金属電極等の電気回路が埋設された構造の静電チャックプレート部２４０を有する。
【００６１】
静電チャックプレート部２４０は、電極部２４０ａと誘電体部２４０ｂを有する。電極部２４０ａは、電圧印加部３１による電圧の印加によって吸着面に被吸着体（例えば、基板Ｓ、マスクＭ）を吸着させるための吸着力を発生させる。そして、誘電体部２４０ｂは、１つ以上の誘電体物質で形成され、少なくとも電極部２４０ａと前記吸着面との間に介
在される。静電チャックプレート部２４０は、基板Ｓの形状に対応する形状、例えば、矩形の形状を有してもよい。
【００６２】
静電チャックプレート部２４０は、切り欠き部として１つ以上の孔Ｈが垂直方向に貫通するように形成される。孔Ｈが貫通する部分には、電極部が形成されない。孔Ｈは、何も満たされていない、空いた空間であってもよく、実施形態によっては、孔Ｈに透明な絶縁性物質が満たされていてもよい。孔Ｈは、例えば、静電チャック２４の４つのコーナー部に設けられるアライメント用孔及び／又は静電チャック２４の中央部に設けられる吸着度確認用の孔を含んでもよい。
【００６３】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、電極部２４０ａは、複数のサブ電極部２４１〜２４９を有することができる。例えば、本実施形態の電極部２４０ａは、静電チャックプレート部２４０の長手方向（Ｙ方向）及び／又は、静電チャックプレート部２４０の短手方向（Ｘ方向）に沿って、分割された複数のサブ電極部２４１〜２４９を有してもよい。図３（ｂ）には、複数のサブ電極部２４１〜２４９が、静電チャックプレート部２４０の全面において電極密度が均一に設けられていることと示されているが、孔Ｈがある部分を含むか否かに応じて領域毎（吸着部毎）に電極密度が異なるように設けられてもよい。
【００６４】
サブ電極部２４１〜２４９の各々は、静電吸着力を発生させるためにプラス（第１極性）及びマイナス（第２極性）の電位が印加される電極対３３を有する。例えば、それぞれの電極対３３は、プラス電位が印加される第１電極３３１と、マイナス電位が印加される第２電極３３２とを有する。
【００６５】
第１電極３３１及び第２電極３３２は、図３（ｂ）に示したように、それぞれ櫛形状を有する。例えば、第１電極３３１及び第２電極３３２は、それぞれ複数の櫛歯部と、複数の櫛歯部に連結される基部とを有する。第１電極３３１及び第２電極３３２の各々の基部は櫛歯部に電圧を供給し、複数の櫛歯部は、被吸着体との間で静電吸着力を生じさせる。１つのサブ電極部において、第１電極３３１の各櫛歯部は、第２電極３３２の各櫛歯部と対向するように、交互に配置される。このように、第１電極３３１及び第２電極３３２の各々の櫛歯部が対向しかつ互いに入り組んだ構成とすることで、異なる電圧が印加される電極間の間隔を狭くすることができ、大きな不平等電界を形成し、グラジエント力によって基板Ｓを吸着することができる。
【００６６】
本実施形態においては、静電チャック２４のサブ電極部２４１〜２４９の各々の第１電極３３１及び第２電極３３２が櫛形状を有すると説明したが、本発明はそれに限定されず、被吸着体との間で静電引力を発生させることができる限り、多様な形状を持つことができる。
【００６７】
本実施形態の静電チャック２４は、複数のサブ電極部２４１〜２４９に対応する複数の吸着部１４１〜１４９を有する。例えば、本実施形態の静電チャック２４は、図３（ｂ）に示したように、９つのサブ電極部２４１〜２４９に対応する９つの吸着部１４１〜１４９を有するが、これに限定されず、基板Ｓ及び／又はマスクＭの吸着をより精密に制御するため、他の個数の吸着部を有してもよい。
【００６８】
吸着部１４１〜１４９は、静電チャック２４の長手方向（Ｙ軸方向）及び短手方向（Ｘ軸方向）に分割されるように設けられるが、これに限定されず、静電チャック２４の長手方向又は短手方向だけに分割されてもよい。複数の吸着部は、物理的に１つのプレートが複数の電極部を持つことで構成されてもよく、物理的に分割された複数のプレートそれぞれが１つ又はそれ以上の電極部を持つことで構成されてもよい。
【００６９】
図３（ｂ）に示した実施形態において、複数の吸着部それぞれが複数のサブ電極部それぞれに対応するように構成されてもよく、１つの吸着部が複数のサブ電極部を有するように構成されてもよい。
【００７０】
例えば、電圧制御部３２によるサブ電極部２４１〜２４９への電圧の印加を制御することで、後述するように、基板Ｓの吸着進行方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）に配置された３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７が１つの吸着部を成すようにすることができる。すなわち、３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７それぞれは、独立に電圧制御が可能であるが、これら３つのサブ電極部２４１、２４４、２４７に同時に同じ電圧が印加されるように制御することで、これら３つの電極部２４１、２４４、２４７が１つの吸着部として機能するようにすることができる。複数の吸着部それぞれに独立に基板の吸着が行われることができる限り、その具体的な物理的構造及び電気回路的構造は変わり得る。
【００７１】
本実施形態によれば、静電チャックプレート部２４０は、孔Ｈがある部分を含む第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）での基板Ｓに対する単位面積当たりの静電引力が、第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）以外の領域、つまり、第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）より孔Ｈから遠く離れた第２領域１０２での単位面積当たりの静電引力より大きくなるように構成される。これによれば、第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）で相対的に大きい単位面積当たりの静電引力が印加されるので、静電チャックプレート部２４０において孔Ｈが開いている部分、例えば、基板Ｓの４つのコーナー部及び／又は中央部において、孔Ｈのために基板Ｓの吸着力が弱くなることを抑制することができる。従って、静電チャックプレート部２４０の第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）に対応するコーナー部や中央部における吸着度が相対的に低下することが抑制され、基板Ｓは、全体的に良好に静電チャック２４に吸着され得る。
【００７２】
静電チャックプレート部２４０の第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）での静電引力が、第２領域１０２での静電引力より大きくなるように構成する１つの方法としては、静電チャックプレート部２４０を構成する電極部２４０ａに印加される電圧が領域毎（つまり、吸着部毎）に異なるように制御する方法を用いることができる。
【００７３】
例えば、静電チャックプレート部２４０が複数の電極部を有することにより複数の領域に分割されている場合に、孔Ｈがある部分を含む第１電極部には、第１電極部より孔Ｈから遠く離れた第２電極部より相対的に高い電圧が印加されるようにすることができる。
【００７４】
つまり、本発明の一実施形態によれば、電圧制御部３２は、孔Ｈがある部分を含む５つのサブ電極部２４１、２４３、２４５、２４７、２４９、又はこれに対応する吸着部１４１、１４３、１４５、１４７、１４９に印加される電圧が、これらより孔Ｈから遠く離れた４つのサブ電極部２４２、２４４、２４６、２４８、又はこれに対応する吸着部１４２、１４４、１４６、１４８に印加される電圧よりも、その大きさが大きくなるように制御する。
【００７５】
このように、孔Ｈがある部分を含む領域に対応する電極部に、これより孔Ｈから遠く離れた他の領域に対応する電極部より相対的に大きい電圧を印加することで、吸着部１４２、１４４、１４６、１４８に対応する４つのサブ電極部２４２、２４４、２４６、２４８によって発生する単位面積当たりの静電引力より、吸着部１４１、１４３、１４５、１４７、１４９に対応する５つのサブ電極部２４１、２４３、２４５、２４７、２４９によって発生する単位面積当たりの静電引力は、相対的に大きくなる。これにより、孔Ｈの存在により吸着力が弱くなることを抑制でき、孔Ｈがある部分を含む吸着部と、これより孔Ｈ
から遠く離れた他の吸着部による吸着力が実質的に同じになるように制御することができる。
【００７６】
静電チャックプレート部２４０の第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）での単位面積当たりの静電引力が第２領域１０２での単位面積当たりの静電引力より大きくなるように構成するもう１つの方法は、静電チャックプレート部２４０の電極部２４０ａ及び／又は誘電体部２４０ｂを、領域毎に電気的特性が異なる物質で構成するか、又は同一の物質であっても電気的特性が異なるように構成することである。例えば、電極部２４０ａを構成する電極の密度を領域毎に異なるようにしてもよいし、又は誘電体部２４０ｂを構成する誘電体の種類や厚さなどを領域毎に異なるようにしてもよい。以下、図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照して、これについて具体的に説明する。
【００７７】
まず、図４（ｂ）に概念的に示したように、静電チャックプレート部２４０の誘電体部２４０ｂは、領域毎に異なる誘電体物質で形成してもよいし、同一の誘電体物質であってその厚さが領域毎に異なるようにしてもよい。より具体的に、前者の場合には、静電チャックプレート部２４０の第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）を構成する誘電体物質は、第２領域１０２を構成する誘電体物質より比抵抗を小さくしてもよいし、及び／又は誘電率を大きくしてもよい。後者の場合、静電チャックプレート部２４０の第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）における誘電体部２４０ｂの厚さを、第２領域１０２における誘電体部２４０ｂの厚さより小さくすることができる。ここで、ある領域における「誘電体部２４０ｂの厚さ」とは、その領域における電極部の下面と、静電チャック２４の吸着面との間の距離を指す。
【００７８】
このような実施形態によれば、領域に関係なく、電極部２４０ａの電極に同一の電圧が印加されても、第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）に対応する電極部は、第２領域１０２に対応する電極部より大きい単位面積当たりの静電引力を発生することができる。ただし、図４（ｂ）に示された実施形態では、電極部２４０ａの構成（例えば、電極密度等）は、領域による差がないことを前提としたが、本発明はこれに限定されない。
【００７９】
そして、図４（ｃ）に概念的に示したように、静電チャックプレート部２４０の電極部２４０ａを構成する電極は、領域に応じて電極密度が異なるように設けることができる。より具体的には、静電チャックプレート部２４０の第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）には、第２領域１０２よりも高い電極密度を有するように、電極が設けられる。例えば、図３（ｂ）に示したように、静電チャックプレート部２４０の電極部２４０ａを構成する複数のサブ電極部２４１〜２４９のそれぞれが櫛形状を有する一対の電極（第１電極３３１及び第２電極３３２）で構成される場合、第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）に対応するサブ電極部を構成する一対の電極の櫛歯部間の間隔を、第２領域１０２に対応するサブ電極部を構成する一対の電極の櫛歯部間の間隔よりも狭くすることで、第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）の電極密度が第２領域１０２の電極密度よりも大きくなるようにすることができる。
【００８０】
このような実施形態によれば、領域に関係なく、電極部２４０ａの電極に同一の電圧が印加されても、電極密度が相対的に高い第１領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ）に対応する電極部は、第２領域１０２に対応する電極部よりも大きな単位面積当たりの静電引力を発生することができる。ただし、図４（ｃ）に示された実施形態では、誘電体部２４０ｂの構成（例えば、誘電体の比抵抗や誘電率等）は、領域による差がないことを前提としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、電極密度が領域毎に異なることだけでなく、誘電体の比抵抗や誘電率も領域毎に異なってもよい。いずれの場合であっても、孔Ｈのような切り欠き部が設けられた静電チャックプレート部２４０において、切り欠き部がある部分を含む第１領域に対応する電極部が発生する単位面積当たりの基板Ｓ等の被吸着体に
対する静電引力が、第１領域よりも切り欠き部からの距離が遠い第２領域に対応する電極部が発生する単位面積当たりの基板Ｓ等の被吸着体に対する静電引力よりも大きくなるように、電極部を構成する電極の密度、誘電体部を構成する物質の比抵抗や誘電率等の物性や特性、電極部に印加する電圧を設定することにより、切り欠き部の存在に起因して第１領域における吸着力が低下することを抑制することができ、結果として静電チャックプレート部２４０の全体で均一な吸着力を基板Ｓ等の被吸着体に対し作用させることができ、基板Ｓ等の被吸着体を良好に静電チャック２４に吸着させることが可能となる。
【００８１】
＜成膜プロセス＞
以下、本実施形態による吸着方法を採用した成膜方法について説明する。
【００８２】
真空容器２１内のマスク支持ユニット２３にマスクＭが支持された状態で、搬送室１３の搬送ロボット１４によって成膜装置１１の真空容器２１内に基板Ｓが搬入される。
【００８３】
真空容器２１内に進入した搬送ロボット１４のハンドが下降し、基板Ｓが基板支持ユニット２２の支持部上に載置される。
【００８４】
続いて、静電チャック２４が基板Ｓに向かって下降し、基板Ｓに十分に近接又は接触した後に、静電チャック２４に所定の電圧を印加し、基板Ｓを吸着させる。
【００８５】
本実施形態においては、静電チャック２４の静電チャックプレート部２４０に少なくとも１つの孔、例えば、静電チャックプレート部２４０の４つのコーナー部のそれぞれにアライメント用の孔Ｈが開いており、静電チャックプレート部２４０の中央部には、吸着度確認用の孔Ｈが開いている。そして、基板Ｓを吸着する際には、孔Ｈがある部分を含む吸着部を構成する電極部に対し、これより孔Ｈから遠く離れた吸着部を構成する電極部より大きい電圧を印加する。
【００８６】
本発明の他の実施形態においては、静電チャック２４の各吸着部に、孔Ｈとの位置関係によらず同じ電圧を印加するが、孔Ｈがある部分を含む吸着部や領域とそれ以外の吸着部や領域とで、電極部の電極密度や誘電体部の比抵抗や誘電率が異なるようにする。詳細は上述した通りである。
【００８７】
静電チャック２４に基板Ｓの吸着が完了すると、基板Ｓが静電チャック２４によく吸着されたかを確認する吸着度の確認過程を実行することができる。例えば、吸着度確認のため、吸着度確認用カメラ（不図示）で吸着度確認用の孔Ｈを介して基板Ｓを撮影し、基板Ｓの静電チャック２４に対する吸着度を確認する。
【００８８】
静電チャック２４に基板Ｓが吸着された状態で、基板ＳのマスクＭに対する相対的な位置ずれを計測するために、基板ＳをマスクＭに向かって下降させる。基板Ｓが計測位置まで下降すると、アライメント用カメラ２０でアライメント用の孔Ｈを介して基板ＳとマスクＭに形成されたアライメントマークを撮影し、基板ＳとマスクＭの相対的な位置ずれを計測する。
【００８９】
計測の結果、基板ＳのマスクＭに対する相対的位置ずれが閾値を超えることが判明した場合、静電チャック２４に吸着された状態の基板Ｓを水平方向（ＸＹθ方向）に移動させて、基板ＳをマスクＭに対して、位置調整（アライメント）する。
【００９０】
アライメント工程の後、静電チャック２４の電極部又はサブ電極部に所定の電圧を印加して、マスクＭを基板Ｓ越しに静電チャック２４に吸着させる。この際に、基板Ｓを吸着する際と同様の構成を採用することができる。
【００９１】
続いて、蒸着源２５のシャッタを開け、蒸着材料をマスクＭを介して基板Ｓに蒸着させる。
【００９２】
所望の厚さに蒸着した後、静電チャック２４の電極部又はサブ電極部に印加される電圧を下げて、マスクＭを分離し、静電チャック２４に基板Ｓのみが吸着した状態で、静電チャックＺアクチュエータ２８により、静電チャック２４を上昇させる。
【００９３】
続いて、搬送ロボット１４のハンドが成膜装置１１の真空容器２１内に進入し、静電チャック２４の電極部又はサブ電極部にゼロ（０）又は逆極性の電圧が印加され、基板Ｓが静電チャック２４から分離される。その後、蒸着が完了した基板Ｓを搬送ロボット１４によって真空容器２１から搬出する。
【００９４】
なお、上述の説明では、成膜装置１１は、基板Ｓの成膜面が鉛直方向下方を向いた状態で成膜が行われる、いわゆる上向蒸着方式（デポアップ）の構成としたが、これに限定はされず、基板Ｓが真空容器２１の側面側に垂直に立てられた状態で配置され、基板Ｓの成膜面が重力方向と平行な状態で成膜が行われる構成であってもよい。
【００９５】
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
【００９６】
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図５（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図５（ｂ）は１画素の断面構造を表している。
【００９７】
図５（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組み合わせにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
【００９８】
図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、陽極６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、陰極６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、陽極６４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と陰極６８は、複数の発光素子６２Ｒ、６２Ｇ、６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、陽極６４と陰極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、陽極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【００９９】
図５（ｂ）では正孔輸送層６５や電子輸送層６７が１つの層で示されているが、有機Ｅ
Ｌ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、陽極６４と正孔輸送層６５との間には陽極６４から正孔輸送層６５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、陰極６８と電子輸送層６７の間にも電子注入層が形成されることができる。
【０１００】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
【０１０１】
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び陽極６４が形成された基板６３を準備する。
【０１０２】
陽極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、陽極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【０１０３】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の陽極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。
【０１０４】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の有機材料成膜装置に搬入し、静電チャックにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、静電チャックにてマスクを基板越しに保持し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。
【０１０５】
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。
【０１０６】
電子輸送層６７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて陰極６８を成膜する。
【０１０７】
本実施形態によれば、静電チャックにアライメント用の孔や吸着度確認用の孔のような切り欠き部が設けられている場合でも、静電チャック全体にわたって吸着力を実質的に同じに維持することができる。
【０１０８】
その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
【０１０９】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施形態において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【０１１０】
上記実施形態は本発明の一例であり、本発明は上記実施形態の構成に限定されないし、その技術思想の範囲内で適切に変形してもよい。
【符号の説明】
【０１１１】
１１：成膜装置
２１：真空容器
２２：基板支持ユニット
２３：マスク支持ユニット
２４：静電チャック
３０：静電チャックシステム
３１：電圧印加部
３２：電圧制御部
２４０：静電チャックプレート部
２４０ａ：電極部
２４０ｂ：誘電体部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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