(57)【要約】【課題】樹脂材料を用いて電子部品と基板との接合強度を高めた電子基板を、より効率よく製造できる手段を提供する。【解決手段】電子基板の製造方法は、電極上に基板側はんだ部が設けられた基板を準備する工程と、前記電極の位置に合わせて複数のボイドが形成された樹脂層を有する実装用シートを準備する工程と、第１電子部品のインタフェースまたは前記基板側はんだ部が前記ボイド内に位置するように、前記樹脂層を前記第１電子部品および前記基板の少なくとも一方に取り付ける工程と、前記インタフェースおよび前記基板側はんだ部を、前記ボイドの位置で対向させる工程と、加熱により前記基板側はんだ部を溶融させて、前記インタフェースと前記電極とを接合させる工程と、を有する。【選択図】図３Ａ
2020088368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極上に基板側はんだ部が設けられた基板を準備する工程と、
前記電極の位置に合わせて複数のボイドが形成された樹脂層を有する実装用シートを準備する工程と、
第１電子部品のインタフェースまたは前記基板側はんだ部が前記ボイド内に位置するように、前記樹脂層を前記第１電子部品および前記基板の少なくとも一方に取り付ける工程と、
前記インタフェースおよび前記基板側はんだ部を、前記ボイドの位置で対向させる工程と、
加熱により前記基板側はんだ部を溶融させて、前記インタフェースと前記電極とを接合させる工程と、を有する、
電子基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板には、あらかじめリフローはんだ付けによって第２電子部品が実装されており、
前記第２電子部品と前記基板とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２は、前記基板側はんだ部のはんだ合金の融点Ｔ１よりも高い、請求項１に記載の電子基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板側はんだ部を溶融させる際の最高温度Ｔｒは前記Ｔ１よりも高く前記Ｔ２よりも低い、請求項２に記載の電子基板の製造方法。
【請求項４】
前記実装用シートを少なくとも２つ準備し、
前記第１電子部品および前記基板の双方に前記樹脂層を取り付ける、請求項１から３のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂層は前記基板に取り付けられ、
部品側樹脂層を通して前記インタフェースが露出するように、前記第１電子部品に前記部品側樹脂層を設ける工程を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂層が平面視で少なくとも前記第１電子部品の４つの角部に対応する前記基板上の位置を覆う形状である、請求項１から５のいずれか１項に記載の電子基板の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂層が平面視で前記４つの角部に対応する前記基板上の位置以外の部分に空隙を有する、請求項６に記載の電子基板の製造方法。
【請求項８】
少なくとも４つの独立した前記樹脂層を有するように前記実装用シートが準備され、
前記第１電子部品の４つの角部に対応する位置において、各前記樹脂層を前記第１電子部品および前記基板の少なくとも一方に取り付ける、請求項６に記載の電子基板の製造方法。
【請求項９】
電子部品の基板への実装に用いられる実装用シートであって、
実装される前記基板の電極の位置に合わせて複数のボイドが形成された樹脂層を備え、
前記ボイドは前記樹脂層の厚さ方向において前記樹脂層を貫通している、実装用シート。
【請求項１０】
前記樹脂層の上面を覆う第１カバーフィルムと、
前記樹脂層の下面を覆う第２カバーフィルムと、を備える、請求項９に記載の実装用シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子基板の製造方法および実装用シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、下記特許文献１に示されるように、はんだを用いて電子部品を基板に実装することが行われている。また、電子部品と基板やプリント配線基板とのはんだ接合部を補強するため、樹脂材料を電子部品と基板との間に充填したり（アンダーフィル／エンキャップ）、樹脂材料を電子部品の角部等へ部分的に塗布したり（コーナーボンド／コーナーフィル）することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−５９６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の方法では、樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できないおそれがある。
【０００５】
本発明はこのような事情を考慮してなされ、樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の第１態様に係る電子基板の製造方法は、電極上に基板側はんだ部が設けられた基板を準備する工程と、前記電極の位置に合わせて複数のボイドが形成された樹脂層を有する実装用シートを準備する工程と、第１電子部品のインタフェースまたは前記基板側はんだ部が前記ボイド内に位置するように、前記樹脂層を前記第１電子部品および前記基板の少なくとも一方に取り付ける工程と、前記インタフェースおよび前記基板側はんだ部を、前記ボイドの位置で対向させる工程と、加熱により前記基板側はんだ部を溶融させて、前記インタフェースと前記電極とを接合させる工程と、を有する。
【０００７】
また、本発明の第２態様に係る実装用シートは、電子部品の基板への実装に用いられる実装用シートであって、実装される前記基板の電極の位置に合わせて複数のボイドが形成された樹脂層を備え、前記ボイドは前記樹脂層の厚さ方向において前記樹脂層を貫通している。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の上記態様によれば、樹脂材料を用いて電子部品と基板とのはんだ接合部を効率よく確実に補強できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態に係る電子基板の製造方法により得られる電子基板の模式図である。
【図２Ａ】第１実施形態に係る実装用シートの平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＩＩ−ＩＩ断面矢視図である。
【図３Ａ】第１実施形態に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【図３Ｂ】図３Ａに続く工程を説明する図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに続く工程を説明する図である。
【図３Ｄ】図３Ｃに続く工程を説明する図である。
【図４Ａ】第２実施形態に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を説明する図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程を説明する図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く工程を説明する図である。
【図５Ａ】第３実施形態に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を説明する図である。
【図６Ａ】第４実施形態に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を説明する図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を説明する図である。
【図７Ａ】第５実施形態に係る実装用シートの平面図である。
【図７Ｂ】図７ＡのＶＩＩ−ＶＩＩ断面矢視図である。
【図８Ａ】第１実施形態の第１の変形例に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【図８Ｂ】第１実施形態の第２の変形例に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【図８Ｃ】第１実施形態の第３の変形例に係る電子基板の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態の電子基板（実装基板）の製造方法、および当該製造方法に用いる実装用シートについて、図面に基づいて説明する。
【００１１】
本実施形態の電子基板の製造方法は、例えば図１に示すような電子基板Ｓを製造することができる。電子基板Ｓは、基板２と、基板２上に実装された第１電子部品３および第２電子部品４と、を備えている。基板２は、絶縁体により形成された基板本体２ａと、導電体により形成された電極２ｂと、を有している（図３Ａ参照）。第１電子部品３および第２電子部品４は、電極２ｂに電気的に接続されたインタフェースを有している。
【００１２】
第１電子部品３および第２電子部品４としては、ＬＳＩ（Large Scale Integration）やＳＳＩ（Small Scale Integration）などのＩＣ（Integrated Circuit）チップを用いることができる。特に、ＣＰＵ（Central Processing Unit），ＧＰＵ（Graphic Processing Unit），メモリー、ＳＳＤ（Solid State Drive）などの比較的高価な部品を第１電子部品３として用い、その他の部品を第２電子部品４として用いてもよい。その理由については後述する。
【００１３】
第１電子部品３および第２電子部品４は、リフローはんだ付けによって、基板２に実装される。本明細書において、はんだ合金組成に関する「％」は、特に指定しない限り「質量％」である。
なお、電子基板Ｓは第２電子部品４を備えていなくてもよい。あるいは、電子基板Ｓが複数の第１電子部品３または複数の第２電子部品４を備えていてもよい。
【００１４】
図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の電子基板の製造方法に用いられる実装用シート１Ａの一例を示している。実装用シート１Ａは、樹脂により形成された樹脂層１０と、樹脂層１０の上面を覆う第１カバーフィルム２０と、樹脂層１０の下面を覆う第２カバーフィルム３０と、を備えている。
【００１５】
（方向定義）
本実施形態では、樹脂層１０の厚さ方向を上下方向Ｚという。上下方向Ｚに直交する一方向を左右方向Ｘといい、上下方向Ｚおよび左右方向Ｘの双方に直交する方向を前後方向Ｙという。上下方向Ｚに沿って、基板２側を下方といい、第１電子部品３側を上方という。また、上下方向Ｚから見ることを平面視という。
【００１６】
樹脂層１０は、電子基板Ｓにおいて、第１電子部品３のアンダーフィルとなる部分である。樹脂層１０としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂などを含む樹脂材料（コンポジットレジン）を用いることができる。樹脂層１０の樹脂材料には耐久性、耐熱性など各種耐性を向上させるためにガラス等のフィラーが添加されていても良い。樹脂層１０は、粘着性を有していてもよい。ただし、樹脂層１０の具体的な材質、組成、性質は上記に限定されず、適宜変更可能である。
【００１７】
樹脂層１０は、図２Ａに示すように、平面視において正方形状に形成されている。樹脂層１０の外形は適宜変更可能であるが、第１電子部品３の本体部３ａ（図３Ａ参照）に合わせた形状とすることが好ましい。つまり、平面視において、第１電子部品３の本体部３ａが正方形状であれば、図２Ａに示すように樹脂層１０を正方形状とするとよい。あるいは、平面視において、第１電子部品３の本体部３ａが長方形状であれば、樹脂層１０を長方形状とするとよい。
【００１８】
樹脂層１０には、複数のボイド１１が形成されている。図２Ａ、２Ｂの例では、各ボイド１１は円柱状の貫通孔であり、樹脂層１０を上下方向Ｚで貫通している。このため、ボイド１１は上方および下方の双方に向けて開口している。ただし、ボイド１１の形状は、第１電子部品３のインタフェース３ｂまたは基板２の基板側はんだ部２ｃ（後述）に合わせて適宜変更してもよい。
図２Ａ、２Ｂの例では、各ボイド１１は、左右方向Ｘおよび前後方向Ｙに間隔を空けて配置されている。換言すると、ボイド１１は格子状に配置されている。
【００１９】
ボイド１１の配置は適宜変更可能であるが、第１電子部品３のインタフェース３ｂの位置に合わせた配置とすることが好ましい。例えば図３Ａは、第１電子部品３がＢＧＡ（Ball Grid Array）であり、本体部３ａの下面に、インタフェース３ｂとして半球状のはんだボール（バンプ）が格子状に並べて配置された場合を示している。はんだボールの直径は、適宜変更可能であるが、例えば１００〜１０００μｍ程度である。第１電子部品３が図３Ａに示すようなＢＧＡである場合には、図２Ａに示すようなボイド１１の配置を採用することができる。
【００２０】
また、図示は省略するが、第１電子部品３のインタフェース３ｂは、本体部３ａから左右方向Ｘまたは前後方向Ｙに延びた後、下方に折れ曲がるリードフレーム（電極）であってもよい。この場合、リードフレームの基板２への載置位置に合わせて、樹脂層１０におけるボイド１１の配置を決定するとよい。例えば平面視において、ボイド１１は、第１電子部品３の本体部３ａの外形に沿って間欠的に配置されていてもよい。
なお、第１電子部品３ははんだボールやリードフレームを有しておらず、本体部３ａの下面に電極端子が剥き出しであってもよい。その場合、剥き出しになった第１電子部品３の電極端子がインタフェース３ｂとなり、基板側はんだ部２ｃのみによって基板２の電極２ｂと第１電子部品３の電極端子とが電気的に接続される。
【００２１】
図３Ａに示すように、第１電子部品３が実装される前の状態において、基板２の上面には複数の基板側はんだ部２ｃが設けられている。基板側はんだ部２ｃは、電極２ｂを上方から覆っている。
【００２２】
基板側はんだ部２ｃは、はんだ合金を含んでいる。基板側はんだ部２ｃの材質としては、例えばはんだペーストを用いることができる。特に、第１電子部品３のインタフェース３ｂがはんだボールである場合は、当該はんだボールよりも融点の低いはんだ合金が、基板側はんだ部２ｃの材質として適している。基板側はんだ部２ｃには、フラックスなどのはんだ付け促進剤が含まれていてもよい。
カバーフィルム２０、３０としては、樹脂シートなどを用いることができる。カバーフィルム２０、３０の具体的な材質としては、ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）などが挙げられる。
【００２３】
基板側はんだ部２ｃに含まれるはんだ合金の融点（後述のＴ１）は、例えば１５０℃以下の低融点であることが好ましい。低融点のはんだ合金（低融点はんだ）を用いれば、後述のリフロー工程において加熱温度を低く抑えることができ、基板２、第１電子部品３、およびはんだ合金の熱膨張率の差による影響が低減する。したがって、リフロー工程後の冷却工程時の接合部Ｍへの応力集中を抑制することが可能となる。融点が１５０℃以下のはんだ合金としては、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金が挙げられる。Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ合金の具体例としては、Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｎｉはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ａｇはんだ合金、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｓｂはんだ合金が挙げられる。基板側はんだ部２ｃには、上記したはんだ合金が１つまたは２つ以上含まれていてもよいし、他の組成のはんだ合金が含まれていてもよい。
【００２４】
Ｓｎ−Ｂｉはんだ合金にＣｕやＮｉを添加する場合、Ｃｕ：０．１〜１．０％、Ｎｉ：０．０１〜０．１％であることが望ましい。また、上記した合金組成において、Ｂｉ含有量は３０〜８０％であることが望ましい。Ｂｉ含有量を上記範囲内にすると、融点を例えば１３８℃で一定とすることができる。このようなＢｉ含有量を有する合金を基板側はんだ部２ｃに用いることで、後述するリフロー工程において、第１電子部品３の自重によりインタフェース３ｂが基板側はんだ部２ｃを押圧しながら、接合部Ｍ（はんだ継手ともいう。図３Ｄ参照）を形成することができる。また、基板側はんだ部２ｃのはんだ合金の融点をより低くすることで、リフロー工程における加熱温度を下げ、第１電子部品３や基板２への熱的損傷をより低減することができる。基板側はんだ部２ｃのはんだ合金の融点を充分に低くする観点から、Ｂｉ含有量は、３５〜７０％であることがより望ましく、５３〜６１％であることが更に望ましい。
【００２５】
なお、第１電子部品３のインタフェース３ｂがはんだボールである場合、当該はんだボールの材質としては、例えばＳｎ−Ｃｕはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉはんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂはんだ合金、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｂはんだ合金などを用いることができる。これらのはんだ合金は、後述するリフロー工程の際に溶融しないような融点を示すことが好ましく、例えば融点が２００℃以上の高融点はんだであってもよい。
【００２６】
上記した基板側はんだ部２ｃおよびインタフェース３ｂのはんだ合金の組成は一例であり、適宜変更可能である。また、基板側はんだ部２ｃのはんだ合金として説明した組成を、インタフェース３ｂのはんだ合金に用いてもよい。また、インタフェース３ｂおよび基板側はんだ部２ｃの両者を低融点はんだで形成してもよいし、両者を高融点はんだで形成してもよい。また、第１電子部品３にはんだを設けず、基板側はんだ部２ｃを低融点はんだまたは高融点はんだで形成してもよい。
【００２７】
次に、以上のように構成された実装用シート１Ａを用いた電子基板の製造方法について説明する。本実施形態の電子基板の製造方法は、基板準備工程と、シート準備工程と、取付工程と、重ね合わせ工程と、リフロー工程と、を含んでいる。以下、各工程を具体的に説明する。
【００２８】
（基板準備工程）
基板準備工程では、電極２ｂ上に基板側はんだ部２ｃが設けられた基板２を準備する。基板側はんだ部２ｃを基板２上に設ける方法としては、例えばスクリーン印刷を採用することができる。
【００２９】
（シート準備工程）
シート準備工程では、電極２ｂの位置に合わせて複数のボイド１１が形成された樹脂層１０を有する実装用シート１Ａを準備する。実装用シート１Ａは、図２Ｂに示すようなカバーフィルム２０、３０を備えていてもよいし、備えていなくてもよい。
実装用シート１Ａがカバーフィルム２０、３０を備えている場合には、取付工程の前に予めカバーフィルム２０、３０を除去し、樹脂層１０の上面および下面を露出させる。
【００３０】
（取付工程）
取付工程は、シート準備工程の後に行われる。取付工程では、樹脂層１０を第１電子部品３および基板２の少なくとも一方に取り付ける。図３Ａの例では、樹脂層１０を第１電子部品３に取り付けている。この場合、第１電子部品３のインタフェース３ｂがボイド１１内に位置するように、樹脂層１０と第１電子部品３との位置を合わせて、樹脂層１０を第１電子部品３の本体部３ａに取り付ける。インタフェース３ｂが、第１電子部品３の本体部３ａの下面に剥き出しになった電極端子である場合には、電極端子の少なくとも一部が、ボイド１１の上側の開口部により囲われた状態とする。位置合わせは、画像制御などを用いても良いし、位置決めピンなどを用いてもよい。樹脂層１０が粘着性を有している場合、本体部３ａに樹脂層１０が接することで、樹脂層１０と第１電子部品３とが接着される。したがって、以降の工程でボイド１１とインタフェース３ｂとの相対位置がずれることを抑制できる。
【００３１】
また、取付工程では、樹脂層１０を基板２に取り付けてもよい。この場合、基板側はんだ部２ｃがボイド１１内に位置するように、樹脂層１０と基板２との位置を合わせて、樹脂層１０を基板本体２ａに取り付ける。位置合わせは、画像制御などを用いても良いし、位置決めピンなどを用いても良い。樹脂層１０が粘着性を有している場合、基板本体２ａに樹脂層１０が接することで、樹脂層１０と基板２とが接着される。したがって、以降の工程でボイド１１と基板側はんだ部２ｃとの相対位置がずれることを抑制できる。
【００３２】
なお、取付工程において樹脂層１０を第１電子部品３に取り付ける前、あるいは重ね合わせ工程において基板２に取り付けられた樹脂層１０を第１電子部品３に接触させる前に、第１電子部品３のインタフェース３ｂの表面に、補助的にはんだペーストを設けてもよい。
【００３３】
（重ね合わせ工程）
重ね合わせ工程は、取付工程の後に行われる。図３Ｃに示すように、重ね合わせ工程では、第１電子部品３と基板２とで樹脂層１０を挟む。このとき、第１電子部品３のインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが、ボイド１１の位置で対向するように、第１電子部品３と基板２との位置を合わせる。なお、「インタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとがボイド１１の位置で対向する」状態には、少なくとも以下の２つの場合が含まれる。１つ目は、インタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとがボイド１１を通して対向または接触する場合である。２つ目は、インタフェース３ｂおよび基板側はんだ部２ｃのうち一方がボイド１１を貫通しており、貫通してボイド１１から突出した部分に、インタフェース３ｂおよび基板側はんだ部２ｃのうち他方が対向または接触する場合である。
【００３４】
重ね合わせ工程における第１電子部品３と基板２との位置合わせは、画像制御などを用いてもよいし、位置決めピンなどを用いてもよい。インタフェース３ｂがはんだボールである場合には、当該はんだボールが基板側はんだ部２ｃの上面に接した状態とする。インタフェース３ｂがリードフレームである場合には、リードフレームが基板側はんだ部２ｃの上面に接した状態としてもよいし、リードフレームの一部が基板側はんだ部２ｃ内に挿入された状態としてもよい。なお、図３Ｃでは第１電子部品３のインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが、ボイド１１の内側で接触しているがこれに限定されない。第１電子部品３のインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが後述のリフロー工程で接合される状態であれば、インタフェース３ｂおよび基板側はんだ部２ｃの一方がボイド１１の外側に位置した状態で互いに対向していてもよく、また接触していなくてもよい。
【００３５】
樹脂層１０が粘着性を有している場合、重ね合わせ工程のあと、樹脂層１０によって第１電子部品３と基板２とが接着される。したがって、以降の工程でインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとの相対位置がずれることを抑制できる。
【００３６】
（リフロー工程）
リフロー工程は、重ね合わせ工程の後に行われる。なお、リフロー工程を行う前に、例えば５０〜１００℃程度の予備過熱を行い、基板側はんだ部２ｃに含まれる溶剤を除去してもよい。リフロー工程では、第１電子部品３と基板２とで樹脂層１０が挟まれた状態で、基板２をリフロー炉に入れて加熱する。これにより、基板側はんだ部２ｃを溶融させて、図３Ｄに示すように、インタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとの接合部Ｍ（はんだ継手）を形成する。本明細書では、リフロー工程における最高温度をＴｒと表す。Ｔｒは、例えば１５０℃〜１８０℃である。なお、図３Ｄではインタフェース３ｂの形状が変化しているが、インタフェース３ｂがリードフレームや本体部３ａの下面に剥き出しになった電極端子である場合にはインタフェース３ｂの形状が変化しなくてもよい。
なお、図３Ａ〜図３Ｄでは第１電子部品３の実装工程を示しているが第２電子部品４についても同様の取付工程及び重ね合わせ工程を実施し、リフロー工程については第１電子部品３と同時に行えばよい。
【００３７】
また、リフロー工程では、樹脂層１０も加熱されて、ある程度流動可能な状態となる。このため、接合部Ｍを取り囲むように樹脂層１０の形状も変化する。
リフロー工程の後で冷却工程を行うことで、接合部Ｍおよび樹脂層１０が硬化され、各々の形状が安定する。このとき、樹脂層１０がアンダーフィルとなり、樹脂層１０によって第１電子部品３と基板２とが接着固定されて、電子基板Ｓが得られる。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態の電子基板の製造方法は、電極２ｂ上に基板側はんだ部２ｃが設けられた基板２を準備する基板準備工程と、電極２ｂの位置に合わせて複数のボイド１１が形成された樹脂層１０を有する実装用シート１Ａを準備するシート準備工程と、第１電子部品３のインタフェース３ｂまたは基板側はんだ部２ｃがボイド１１内に位置するように、樹脂層１０を第１電子部品３および基板２の少なくとも一方に取り付ける取付工程と、インタフェース３ｂおよび基板側はんだ部２ｃを、ボイド１１の位置で対向させる重ね合わせ工程と、加熱により基板側はんだ部２ｃを溶融させて、インタフェース３ｂと電極２ｂとを接合させるリフロー工程と、を有する。
【００３９】
そして、リフロー工程では、基板側はんだ部２ｃと第１電子部品３のインタフェース３ｂとが接合して接合部Ｍが形成されるとともに、樹脂層１０によって第１電子部品３の本体部３ａと基板２とが接着される。したがって、接合部Ｍとアンダーフィルとを別々の工程で形成する必要がなくなり、電子部品３と基板２との接合強度を高めた電子基板Ｓを、より効率よく製造することができる。
また本実施形態を用いれば、実装用シート１Ａの樹脂層１０の厚みや基板側はんだ部２ｃのはんだの量を最適化することで接合部Ｍを隙間なく覆うことができ、確実に接合部Ｍを補強することができる。
【００４０】
また、本実施形態の実装用シート１Ａは、実装される基板２の電極２ｂの位置に合わせて複数のボイド１１が形成された樹脂層１０を備えており、ボイド１１は樹脂層１０を上下方向Ｚに貫通している。この実装用シート１Ａを用いることで、上記した電子基板の製造方法を実行することができる。
また、実装用シート１Ａは、樹脂層１０の上面を覆う第１カバーフィルム２０と、樹脂層１０の下面を覆う第２カバーフィルム３０と、を備えていてもよい。この構成により、樹脂層１０が粘着性を有していたとしても、実装用シート１Ａを容易に流通、保管することができる。
【００４１】
（第２実施形態）
次に、本発明に係る第２実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
本実施形態は、以下に説明する予備実装工程を含む点で第１実施形態と異なる。
【００４２】
（予備実装工程）
予備実装工程では、第１電子部品３を基板２に実装する前に、第２電子部品４を基板２上にあらかじめ実装する。図４Ａに示すように、第２電子部品４は、接合部Ｍ（はんだ継手）によって、基板２の電極２ｂに電気的に接続されている。予備実装工程においては、第２電子部品４はリフローはんだ付で基板２に実装されることが好ましい。また第２電子部品４をリフローはんだ付で基板２に実装する方法としては、上記第１実施形態に示した方法を用いてもよいし、はんだペーストを基板２の電極２ｂ上に塗布してリフローするなどの既存の方法を用いてもよい。
【００４３】
本実施形態では、図４Ａ〜４Ｄに示すように、基板２に第２電子部品４が予め実装された状態で、第１電子部品３を実装するための各工程が行われる。
第１電子部品３を実装するための基板準備工程、シート準備工程、取付工程、重ね合わせ工程、リフロー工程については、第１実施形態と同様である。
【００４４】
本実施形態は、例えば第１電子部品３が比較的高価又は入手が比較的困難であり、第２電子部品４が比較的安価又は入手が比較的容易である場合に好適である。比較的安価又は入手が比較的容易な第２電子部品４を予め基板２に実装しておき、電子基板Sの需要に合わせて、第１電子部品３を実装することが可能となるためである。また、第２電子部品４と基板２との間にアンダーフィルを設ける必要がない場合や、当該アンダーフィルの信頼性が、第１電子部品３と基板２との間のアンダーフィルの信頼性より低くてもよい場合にも好適である。
【００４５】
本実施形態では、基板側はんだ部２ｃのはんだ合金の融点をＴ１、第２電子部品４のリフローはんだ付に用いられるはんだ合金の融点をＴ２とすると、Ｔ２はＴ１よりも高い（Ｔ２＞Ｔ１）ことが好ましい。例えば基板側はんだ部２ｃに、第１実施形態で説明したようなＴ１が１５０℃以下の低融点はんだ合金を用いる場合、Ｔ２は１８０℃程度であることが好ましい。第２電子部品４のリフローはんだ付に用いられるはんだ合金として、Ｔ１よりも融点が高いはんだ合金を選択することで、リフロー工程で第２電子部品４の接合部Ｍ（はんだ継手）が再溶融することを防ぐことができる。
【００４６】
さらにその場合、リフロー工程における最高温度ＴｒはＴ１＜Ｔｒ＜Ｔ２の関係を満たし、リフロー工程中に第２電子部品４の接合部Ｍが溶融しない温度であることが望ましい。Ｔｒがこの温度域であれば、リフロー工程中に第２電子部品４のはんだ接合が不安定となることを抑制できる。
なお、予備実装工程に含まれるリフロー工程（以下、「予備リフロー工程」という）における最高温度をＴｐと表すと、ＴｐはＴ２以上であり、例えばＴｐは１９０℃以上であることが挙げられる。整理すると、Ｔ１＜Ｔｒ＜Ｔ２＜Ｔｐであることが好ましい。
【００４７】
以上説明したように、本実施形態の電子基板の製造方法は、基板２にあらかじめリフローはんだ付けによって第２電子部品４を実装する。そして、第２電子部品４と基板２とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２は、基板側はんだ部２ｃのはんだ合金の融点Ｔ１よりも高いことが好ましい。この構成により、上述のように、第１電子部品３および第２電子部品４を別々の工程で基板２に実装したとしても、電子基板Sの信頼性を確保することができる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、基板２と、基板２にリフローはんだ付で実装された第１電子部品３と、基板２にリフローはんだ付で実装された第２電子部品４と、少なくとも第１電子部品３と基板２との間に充填されたアンダーフィルと、を備えた電子基板Ｓが得られる。そして、第２電子部品４と基板２とを接合するはんだ合金の融点Ｔ２が、第１電子部品３と基板２とを接合するはんだ合金の融点Ｔ１よりも高いことで、上述の通りリフロー工程で第２電子部品４の接合部Ｍ（はんだ継手）が再溶融することを抑制した電子基板Ｓが得られる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に、本発明に係る第３実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
本実施形態は、基板２および第１電子部品３の双方に樹脂層１０を取り付ける点が第１実施形態と異なっている。
【００５０】
本実施形態では、シート準備工程において、少なくとも２枚の実装用シート１Ａを準備する。また、図５Ａに示すように、取付工程において、第１電子部品３および基板２の双方に樹脂層１０を取り付ける。
図５Ｂに示すように、重ね合わせ工程では、第１電子部品３と基板２とで２つの樹脂層１０を挟む。このとき、第１電子部品３のインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが、ボイド１１の位置で（２つのボイド１１を通して）対向するように、第１電子部品３と基板２との位置を合わせる。その他の点は第１実施形態と同様であり、例えば、重ね合わせ工程の時点ではインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが接触していなくてもよい。
本実施形態では、２つの樹脂層１０のうち少なくとも一方が粘着性を有していることで、重ね合わせ工程において２つの樹脂層１０を接着させることができる。
【００５１】
重ね合わせ工程の後、第１実施形態と同様のリフロー工程を行うことで、電子基板Ｓを得ることができる。なお、リフロー工程では２つの樹脂層１０も軟化し、その後の冷却工程において、２つの樹脂層１０が一体化する。本実施形態では、第１電子部品３に取り付けられた樹脂層１０がアンダーフィルの上側部分となり、基板２に取り付けられた樹脂層１０がアンダーフィルの下側部分となる。
本実施形態の構成によれば、例えば２つの樹脂層１０の材質を互いに異ならせることで、アンダーフィルの上側部分と下側部分とで材質を容易に異ならせることができる。
【００５２】
（第４実施形態）
次に、本発明に係る第４実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００５３】
本実施形態では、図６Ａに示すように第１電子部品３を準備する。第１電子部品３のインタフェース３ｂは、本体部３ａから上下方向に突出していることが好ましく、例えばはんだボールやリードフレームが好適である。
次に、図６Ｂに示すように、第１電子部品３の本体部３ａの下面（インタフェース３ｂが設けられている面）に、部品側樹脂層３ｃを設ける。部品側樹脂層３ｃの厚みは、インタフェース３ｂの上下方向における寸法よりも小さい。このため、インタフェース３ｂの一部は部品側樹脂層３ｃから露出した状態となっている。
【００５４】
部品側樹脂層３ｃは、電子基板Ｓにおいて、第１電子部品３のアンダーフィルの上側部分となる。部品側樹脂層３ｃを設ける方法としては、例えば未硬化の樹脂材料を第１電子部品３の下面に塗布した後、樹脂材料を硬化させる（プリキュアを行う）方法が挙げられる。未硬化の樹脂材料を塗布する場合、図６Ａ、図６Ｂに示すように、第１電子部品３を上下反転させておくとよい。
【００５５】
部品側樹脂層３ｃの材質は、実装用シート１Ａの樹脂層１０と同じであってもよいし、異なっていてもよい。具体的に、部品側樹脂層３ｃとしては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂などを含む樹脂材料（コンポジットレジン）を用いることができる。部品側樹脂層３ｃの樹脂材料には耐久性、耐熱性など各種耐性を向上させるためにガラス等のフィラーが添加されていても良い。部品側樹脂層３ｃは、粘着性を有していてもよい。ただし、部品側樹脂層３ｃの具体的な材質、組成、性質は上記に限定されず、適宜変更可能である。
【００５６】
本実施形態では、取付工程において、樹脂層１０を基板２に取り付ける。このときの詳細は第１実施形態に記載された通りである。そして本実施形態では、図６Ｃに示すように、部品側樹脂層３ｃと実装用シート１Ａの樹脂層１０とを上下方向で対向させる。重ね合わせ工程では、第１電子部品３と基板２とで、樹脂層１０および部品側樹脂層３ｃを挟む。このとき、部品側樹脂層３ｃから露出したインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが、樹脂層１０のボイド１１の位置で（ボイド１１を通して）対向するように、第１電子部品３と基板２との位置を合わせる。その他の点は第１実施形態と同様であり、例えば、重ね合わせ工程の時点ではインタフェース３ｂと基板側はんだ部２ｃとが接触していなくてもよい。
本実施形態では、樹脂層１０および部品側樹脂層３ｃのうち少なくとも一方が粘着性を有していることで、重ね合わせ工程において、樹脂層１０と部品側樹脂層３ｃとを接着させることができる。
【００５７】
重ね合わせ工程の後、第１実施形態と同様のリフロー工程を行うことで、電子基板Ｓを得ることができる。なお、リフロー工程では部品側樹脂層３ｃおよび樹脂層１０が軟化し、その後の冷却工程において、樹脂層１０と部品側樹脂層３ｃとが一体化する。本実施形態では、部品側樹脂層３ｃがアンダーフィルの上側部分となり、樹脂層１０がアンダーフィルの下側部分となる。
【００５８】
以上説明したように、本実施形態では、取付工程において樹脂層１０は基板２に取り付けられる。そして、部品側樹脂層３ｃを通してインタフェース３ｂが露出するように、第１電子部品３に部品側樹脂層３ｃを設ける工程を有している。この構成によれば、例えば部品側樹脂層３ｃおよび樹脂層１０の材質を互いに異ならせることで、アンダーフィルの上側部分と下側部分とで材質を容易に異ならせることができる。
【００５９】
（第５実施形態）
次に、本発明に係る第５実施形態について説明するが、第１実施形態と基本的な構成は同様である。このため、同様の構成には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００６０】
図７Ａ、７Ｂに示すように、本実施形態の実装用シート１Ｂでは、樹脂層１０に空隙１２および接続部１３が形成されている。空隙１２は、樹脂層１０の上面から下方に向けて窪む凹部であり、平面視で十字形に形成されている。接続部１３は空隙１２の下方に設けられている。換言すると、接続部１３は空隙１２の下方を閉塞している。
本実施形態の実装用シート１Ｂも、第１〜第４実施形態の実装用シート１Ａと同様に用いることができる。また、実装用シート１Ｂを用いた場合には、電子部品３の本体部３ａの角部に選択的にアンダーフィルを設ける（いわゆるコーナーボンドを施す）ことが、簡易な製造方法で実現できる。
【００６１】
第１〜第４実施形態は、樹脂層１０が、平面視で少なくとも第１電子部品３の４つの角部に対応する基板２上の位置を覆う形状となっている点で共通している。
ただし、第５実施形態では、樹脂層１０が平面視で第１電子部品３の４つの角部に対応する基板２上の位置以外の部分に空隙１２を有している点で、第１〜第４実施形態と異なっている。
【００６２】
なお、図７Ａでは、樹脂層１０の４つの角部に略正方形の領域（空隙１２を除く部分）が設けられている。しかしながら、４つの角部に設けられる領域の形状は適宜変更可能であり、例えば三角形状などであってもよい。この場合、空隙１２は平面視で十字形であるとは限らない。
【００６３】
なお、本発明の技術的範囲は前記実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００６４】
例えば前記第５実施形態では、１つの実装用シート１Ｂに空隙１２を形成することで、第１電子部品３にコーナーボンドを施した。しかしながら、第１電子部品３の本体部３ａよりも面積の小さい４枚の実装用シート１Ａを用いて、コーナーボンドを施しても良い。この場合、シート準備工程では、本体部３ａよりも平面視における面積の小さい４枚の実装用シート１Ａを用意する。そして取付工程では、第１電子部品３の４つの角部に対応する位置において、４枚の実装用シート１Ａの各樹脂層１０を第１電子部品３および基板２の少なくとも一方に取り付ける。
【００６５】
取付工程で、４枚の実装用シート１Ａの樹脂層１０を基板２に取り付ける場合には、図８Ａに示すような状態となる。そして重ね合わせ工程では、第１電子部品３の４つの角部を、各樹脂層１０上にそれぞれ載置する。
なお取付工程で、４枚の実装用シート１Ａの各樹脂層１０を、第１電子部品３の４つの角部に取り付けてもよい。また、第３実施形態を応用して、第１電子部品３の４つの角部と、基板２上における前記角部に対応する位置と、の双方に樹脂層１０を設けてもよい。
【００６６】
また、図８Ｂに示すように、第１電子部品３の角部だけでなく、各辺の中央付近に対応する位置に樹脂層１０を配置してもよい。この場合、実装用シート１Ａを用いた樹脂層１０の充填箇所は８か所になる。
なお、図８Ｂでは第１電子部品３の全ての辺の中央部に対応する位置に樹脂層１０を配置したが、一部の辺の中央部に対応する位置にのみ樹脂層１０を配置してもよい。また、第１電子部品３の１つの辺に対応する位置に、複数の樹脂層１０を並べて配置してもよい。つまり、樹脂層１０の数は４箇所（図８Ａ）または８箇所（図８Ｂ）に限られず、５〜７箇所あるいは９箇所以上であってもよい。
【００６７】
つまり、少なくとも４つの独立した樹脂層１０を有するように実装用シート１Ａを準備し、第１電子部品３の４つの角部に対応する位置において、各樹脂層１０を第１電子部品３および基板２の少なくとも一方に取り付けてもよい。このような方法でも、第１電子部品３にコーナーボンドを施すことができる。
また、第４実施形態を応用して、第１電子部品３の４つの角部に部品側樹脂層３ｃを設けてもよい。
【００６８】
また、樹脂層１０の形状を適宜変更してもよい。例えば図８Ｃに示すように、三角形状の樹脂層１０を、第１電子部品３の４つの角部に対応する位置に配置してもよい。また、樹脂層１０を四角形または三角形以外の形状としてもよい。
【００６９】
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した実施形態や変形例を適宜組み合わせてもよい。
例えば、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせて、予備実装工程と、２つの樹脂層１０を第１電子部品３および基板２の双方に取り付ける工程と、を有する電子基板の製造方法を採用してもよい。
また、第２実施形態と第４実施形態とを組み合わせて、予備実装工程と、部品側樹脂層３ｃを第１電子部品３に設ける工程と、を有する電子基板の製造方法を採用してもよい。
【００７０】
上記の他にも、第１〜第５実施形態および図８Ａ〜８Ｃの形態を適宜組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【００７１】
１Ａ、１Ｂ…実装用シート  ２…基板  ２ｂ…電極  ２ｃ…基板側はんだ部  ３…第１電子部品  ３ｂ…インタフェース  ３ｃ…部品側樹脂層  ４…第２電子部品  １０…樹脂層  １１…ボイド  １２…空隙  ２０…第１カバーフィルム  ３０…第２カバーフィルム
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2020088368.tif 000005
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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