(57)【要約】【課題】タッチセンサにおいてセンシングが有効なセンシング領域の割合をより大きくする。【解決手段】並列に配置された複数のトランスミッタ電極Ｔｘと、絶縁層１０を介してトランスミッタ電極Ｔｘに対して交差するように並列に配置された複数のレシーバ電極Ｒｘと、トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘに対して絶縁層１４ｃを介して配置され、絶縁層１４ｃに設けられたコンタクトホールＣを介してトランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘのいずれか一方に接続された配線Ｌと、を積層して構成されているタッチセンサ１００とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列に配置された複数のトランスミッタ電極と、
第１の絶縁層を介して前記トランスミッタ電極に対して交差するように並列に配置された複数のレシーバ電極と、
前記トランスミッタ電極及び前記レシーバ電極に対して第２の絶縁層を介して配置され、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記トランスミッタ電極及び前記レシーバ電極の少なくとも一方に接続された配線と、
を積層して構成されることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のタッチセンサであって、
前記トランスミッタ電極と前記レシーバ電極とが配置されたセンシングが有効なセンシング領域の一辺のみに前記配線が引き出された周辺領域が設けられていることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項３】
請求項２に記載のタッチセンサであって、
前記周辺領域が、前記センシング領域に対して折り曲げ又は折り返されていることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチセンサであって、
前記配線と前記トランスミッタ電極及び前記レシーバ電極との間に、前記第２の絶縁層、導電層及び第３の絶縁層からなるシールド層が設けられていることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチセンサであって、
前記レシーバ電極を選択するためのマルチプレクサが前記配線と同じ層に形成されていることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のタッチセンサであって、
前記トランスミッタ電極を選択するためのセレクタが前記配線と同じ層に形成されていることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のタッチセンサであって、
前記トランスミッタ電極に電圧を印加するためのドライバが前記配線と同じ層に形成されていることを特徴とするタッチセンサ。
【請求項８】
並列に配置された複数のトランスミッタ電極と、
第１の絶縁層を介して前記トランスミッタ電極に対して交差するように並列に配置された複数のレシーバ電極と、
を積層して構成され、
前記トランスミッタ電極と前記レシーバ電極とが配置されたセンシングが有効なセンシング領域の一辺のみに前記トランスミッタ電極に接続された配線が引き出された第１の周辺領域が設けられ、前記センシング領域の前記一辺とは異なる他の一辺のみに前記レシーバ電極に接続された配線が引き出された第２の周辺領域が設けられており、
前記第１の周辺領域及び前記第２の周辺領域が、前記センシング領域に対して折り曲げ又は折り返されていることを特徴とするタッチセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、狭縁のタッチセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、セキュリティ用の指紋センサ等として指先が触れることを検出するためのタッチセンサが利用されている。指紋センサは、ユーザの指の皮膚にある山と谷のパターンを検出する容量性タッチセンサとして構成される。すなわち、並列に配置されたトランスミッタ電極とそれらに交差するレシーバ電極とからなる容量性感知素子のプレート上に置かれる指の“山”や“谷”により誘発されるキャパシタンスの変化を受信信号として検出する。
【０００３】
図７は、従来のタッチセンサ２００の例を示す。タッチセンサ２００は、センシング領域２０２において並行に配置した複数のトランスミッタ電極Ｔｘと、それらに対して絶縁層を挟んで交差するように並行に配置した複数のレシーバ電極Ｒｘから構成される。センシング領域２０２の周縁においてトランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘの端部となる少なくとも２辺にはトランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘに接続される配線Ｌが配置される周辺領域２０４を設ける必要がある。また、図８に示すように、センシング領域２０２の周囲にトランスミッタ電極Ｔｘの電位制御のためのドライバ素子ＤＲを配置した構成やレシーバ電極Ｒｘを選択するためのマルチプレクサＭＰを配置した構成とされる場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−２０１１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、従来のタッチセンサ２００では、センシング領域２０２の周縁の少なくとも２辺に配線や周辺素子を配置する周辺領域２０４を設ける必要があり、これら周辺領域２０４はセンサの不感となっていた。例えば、トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘをそれぞれ５０μｍ間隔で配置した場合、タッチセンサ２００のセンシング領域２０２が１ｃｍ×１ｃｍであるとトランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘをそれぞれ２００本ずつ配線することが必要である。ここで、トランスミッタ電極Ｔｘに対する配線Ｌがライン幅２０μｍ及び間隔２０μｍである場合、配線Ｌの配置に必要な周辺領域２０４の幅は０．８ｃｍ程度となる。レシーバ電極Ｒｘについても同様である。したがって、タッチセンサ２００全体の面積に対してセンシングが有効になるセンシング領域２０２の面積の割合を大きくすることができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの態様は、並列に配置された複数のトランスミッタ電極と、第１の絶縁層を介して前記トランスミッタ電極に対して交差するように並列に配置された複数のレシーバ電極と、前記トランスミッタ電極及び前記レシーバ電極に対して第２の絶縁層を介して配置され、前記第２の絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記トランスミッタ電極及び前記レシーバ電極の少なくとも一方に接続された配線と、を積層して構成されることを特徴とするタッチセンサである。
【０００７】
ここで、前記トランスミッタ電極と前記レシーバ電極とが配置されたセンシングが有効なセンシング領域の一辺のみに前記配線が引き出された周辺領域が設けられていることが好適である。
【０００８】
また、前記周辺領域が、前記センシング領域に対して折り曲げ又は折り返されていることが好適である。
【０００９】
また、前記配線と前記トランスミッタ電極及び前記レシーバ電極との間に、前記第２の絶縁層、導電層及び第３の絶縁層からなるシールド層が設けられていることが好適である。
【００１０】
また、前記レシーバ電極を選択するためのマルチプレクサが前記配線と同じ層に形成されていることが好適である。
【００１１】
また、前記トランスミッタ電極を選択するためのセレクタが前記配線と同じ層に形成されていることが好適である。
【００１２】
また、前記トランスミッタ電極に電圧を印加するためのドライバが前記配線と同じ層に形成されていることが好適である。
【００１３】
本発明の別の態様は、並列に配置された複数のトランスミッタ電極と、第１の絶縁層を介して前記トランスミッタ電極に対して交差するように並列に配置された複数のレシーバ電極と、を積層して構成され、前記トランスミッタ電極と前記レシーバ電極とが配置されたセンシングが有効なセンシング領域の一辺のみに前記トランスミッタ電極に接続された配線が引き出された第１の周辺領域が設けられ、前記センシング領域の前記一辺とは異なる他の一辺のみに前記レシーバ電極に接続された配線が引き出された第２の周辺領域が設けられており、前記第１の周辺領域及び前記第２の周辺領域が、前記センシング領域に対して折り曲げ又は折り返されていることを特徴とするタッチセンサである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、タッチセンサにおいてセンシングが有効なセンシング領域の割合をより大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態におけるタッチセンサの構成を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるタッチセンサの構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施の形態におけるタッチセンサの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】変形例１におけるタッチセンサの構成を示す分解斜視図である。
【図５】変形例２におけるタッチセンサの構成を示す分解斜視図である。
【図６】変形例３におけるタッチセンサの構成を示す斜視図である。
【図７】従来のタッチセンサの構成を示す斜視図である。
【図８】従来のタッチセンサの構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態におけるタッチセンサ１００は、図１の分解斜視図及び図２の断面図に示すように、トランスミッタ電極Ｔｘ、絶縁層１０、レシーバ電極Ｒｘ、シールド層１２、配線Ｌ、基板１４及び保護層１６を含んで構成される。
【００１７】
なお、構造を明確に図示するために、図１は、タッチセンサ１００を複数の層として分割した構造を示している。すなわち、タッチセンサ１００は、図１で分割表示されている層を重ね合わせた構造となる。また、構造を明確に図示するために、図１は、保護層１６を除いた構成を示している。
【００１８】
タッチセンサ１００は、ユーザの指先が触れることによって当該指先を感知して信号として出力する。タッチセンサ１００による信号検出は、電圧振幅、信号位相シフト、他の方法に基づいて行われる。例えば、タッチセンサ１００を指紋センサとして利用する場合、指先の指紋における皮膚の山と谷による信号の変化を検出する。
【００１９】
タッチセンサ１００では、基板１４のラインＡ−Ａより端部側の周辺領域１０４を除いた領域が指先の検出に有効なセンシング領域１０２である。
【００２０】
トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘは、絶縁層１０を介して対向配置される。トランスミッタ電極Ｔｘは、タッチセンサ１００のセンシング領域１０２において一方向（Ｘ方向）に沿って複数並行に配置される。レシーバ電極Ｒｘは、タッチセンサ１００のセンシング領域１０２において、トランスミッタ電極Ｔｘに交差する方向に沿って複数並行に配置される。例えば、トランスミッタ電極Ｔｘは、レシーバ電極Ｒｘに対して直交する方向（Ｙ方向）に沿って配置される。
【００２１】
トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘは、導電性の材料によって構成される。例えば、トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘは、アルミニウム等の金属、ＩＴＯ等の透明導電材料によって構成することができる。具体的には、トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘは、例えば数１０ｎｍ以上数１００ｎｍ以下の厚さのアルミニウム（Ａｌ）とすることができる。絶縁層１０は、電気的絶縁性の材料によって構成される。例えば、絶縁層１０は、アクリル、ポリイミド、ポリエチレン等の樹脂材料によって構成することができる。具体的には、絶縁層１０は、例えば１０００ｎｍ以上１μｍ以下程度の膜厚のアクリル樹脂によって構成することができる。
【００２２】
トランスミッタ電極Ｔｘとレシーバ電極Ｒｘとの交差点には電気的容量が形成されており、各交差点がタッチセンサ１００における１つの画素を形成する。トランスミッタ電極Ｔｘに電圧を印加すると、容量結合によりレシーバ電極Ｒｘには電荷が発生する。タッチセンサ１００にユーザの指先が触れている状態では、ユーザの指先の皮膚の凹凸に応じてトランスミッタ電極Ｔｘとレシーバ電極Ｒｘとの間の容量が変化するので、トランスミッタ電極Ｔｘの電位を変化させたときのレシーバ電極Ｒｘに生ずる電荷量も変化する。そこで、トランスミッタ電極Ｔｘに対して順々に電圧を印加し、その際のレシーバ電極Ｒｘに生じる電荷量の変化を検出することによって指先の指紋のパターンを検出することができる。
【００２３】
タッチセンサ１００を指紋センサとして利用する場合、トランスミッタ電極Ｔｘは、数１０μｍ間隔で配置することが好適である。また、レシーバ電極Ｒｘも、数１０μｍ間隔で配置することが好適である。例えば、トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘはそれぞれ５０μｍ間隔で配置される。タッチセンサ１００を１ｃｍ×１ｃｍの指紋検出有効エリアを持つように構成した場合、トランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘをそれぞれ２００本ずつ配線することが必要である。
【００２４】
タッチセンサ１００では、トランスミッタ電極Ｔｘ、絶縁層１０及びレシーバ電極Ｒｘに対する配線Ｌは、シールド層１２を介した三次元の配線構造とされる。すなわち、配線Ｌは、シールド層１２を挟んでセンシング領域１０２におけるトランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘの下層部に配置される。シールド層１２は、配線Ｌとトランスミッタ電極Ｔｘ，レシーバ電極Ｒｘとの間の電気的結合を遮断するために設けられる。
【００２５】
シールド層１２は、図２に示すように、導電層１２ｂの両面を絶縁層１２ａ，１２ｃで挟み込んだ積層構造とされる。絶縁層１２ａ，１２ｃは、電気的絶縁性の材料であれば特に限定されるものではないが、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）等によって構成することができる。絶縁層１２ａ，１２ｃの膜厚は、特に限定されるものではないが、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の膜厚とすることが好適である。導電層１２ｂは、導電性の材料であれば特に限定されるものではないが、例えばＩＴＯ等の透明導電材料によって構成することができる。導電層１２ｂの膜厚は、特に限定されるものではないが、数１０ｎｍ以上数１００ｎｍ以下とすることが好適である。導電層１２ｂは、配線Ｌによって所定の電位に維持される。
【００２６】
基板１４は、トランスミッタ電極Ｔｘ、レシーバ電極Ｒｘ及びシールド層１２の導電層１２ｂに接続される配線Ｌを表面上に形成するための部材である。基板１４は、電気的絶縁性の材料であれば特に限定されるものではないが、例えばガラス、セラミックやアクリル、ポリイミド、ポリエチレン等の樹脂材料等によって構成することができる。
【００２７】
配線Ｌは、トランスミッタ電極Ｔｘ、レシーバ電極Ｒｘ及び導電層１２ｂに対してそれぞれ設けられる。配線Ｌは、導電性材料であれば特に限定されるものではないが、例えばアルミニウム等の金属、ＩＴＯ等の透明導電材料等によって構成することができる。配線Ｌは、シールド層１２に設けられたコンタクトホールＣを介してトランスミッタ電極Ｔｘ及び導電層１２ｂに電気的に接続される。また、配線Ｌは、シールド層１２及び絶縁層１０に設けられたコンタクトホールＣを介してレシーバ電極Ｒｘに電気的に接続される。
【００２８】
トランスミッタ電極Ｔｘに接続された配線Ｌには外部の制御回路から所定の電圧が印加される。また、レシーバ電極Ｒｘに接続された配線Ｌは、外部の選択回路によって順次選択され、選択されたレシーバ電極Ｒｘに生じる電荷量の変化を検出することによって指先の指紋のパターンを検出することができる。
【００２９】
タッチセンサ１００では、図１に示すように、配線Ｌは、ラインＡ−Ａより端部側の一辺のみに設けられた基板１４の周辺領域１０４においてセンシング領域１０２からはみ出した構成とされる。これによって、タッチセンサ１００のセンシング領域１０２でない縁部に当たる周辺領域１０４の面積を小さくすることができる。したがって、タッチセンサ１００全体の面積に対してセンシング領域１０２の面積の割合を大きくすることができる。
【００３０】
さらに、タッチセンサ１００は、センシング領域１０２と周辺領域１０４の境界であるラインＡ−Ａにおいて基板１４及び配線Ｌを折り曲げ又は折り返した構成としてもよい。このとき、タッチセンサ１００のセンシングの検出面とは逆の方向に向けて周辺領域１０４を折り曲げ又は折り返しする。これによって、センシング領域１０２のみを検出面として表面側に残して額縁部分に当たる周辺領域１０４を折り曲げ又は折り返した構成とすることができ、タッチセンサ１００全体の面積に対してセンシング領域１０２の面積の割合をさらに大きくすることができる。
【００３１】
保護層１６は、電気的絶縁性の材料によって構成される。絶縁層１０は、特に限定されるものではないが、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）等によって構成することができる。具体的には、絶縁層１０は、数１００ｎｍ程度の膜厚にすることが好適である。保護層１６によって、タッチセンサ１００の表面を保護及び平坦化することができる。
【００３２】
以上のように、額縁部分に当たる周辺領域を小さくしたタッチセンサ１００とすることで、定められたセンシング領域１０２で指紋等を検出することが可能となる。これによって、指紋の検出精度を高め、セキュリティを向上させることができる。また、センシング領域１０２が大きくできるので、複雑な制御を適用することなく指紋認証が可能になり、低い性能の制御装置により制御が可能になって低コスト及び低消費電力を実現することができる。
【００３３】
［製造方法］
以下、図３のフローチャートを参照しつつ、タッチセンサ１００の製造方法について説明する。
【００３４】
ステップＳ１０では、基板１４の表面上に配線Ｌを形成する。例えば、基板１４としてガラス基板を採用する。基板１４の表面上に導電性材料を数１０ｎｍ以上数１００ｎｍ以下の厚さで配線Ｌとして形成する。例えば、アルミニウムを厚さ１００ｎｍで形成して、エッチング等の技術を適用して所望のパターンに加工することで配線Ｌを形成する。
【００３５】
ステップＳ１２では、絶縁及び平坦化のために基板１４及び配線Ｌ上に絶縁層を形成する。当該絶縁層がシールド層１２の絶縁層１２ａとして利用される。絶縁層１２ａは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の膜厚とする。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を５００ｎｍの厚さで絶縁層１２ａとして形成する。また、リソグラフィ等の既存のマスク技術を適用して、レシーバ電極Ｒｘ、トランスミッタ電極Ｔｘ及び導電層１２ｂに対して配線Ｌを接続するためのコンタクトホールＣを絶縁層１２ａの所定の位置に形成する。
【００３６】
ステップＳ１４では、絶縁層１２ａ上にシールド用の導電性の層を形成する。当該導電性層がシールド層１２の導電層１２ｂとして利用される。導電層１２ｂは、数１０ｎｍ以上数１００ｎｍ以下の厚さとする。例えば、透明導電材料（ＩＴＯ）を１００ｎｍの厚さで導電層１２ｂとして形成する。なお、レシーバ電極Ｒｘ及びトランスミッタ電極Ｔｘと配線Ｌを接続するためのコンタクトホールＣの周辺には導電層１２ｂを形成しない。
【００３７】
ステップＳ１６では、導電層１２ｂ上に絶縁層を形成する。当該絶縁層がシールド層１２の絶縁層１２ｃとして利用される。絶縁層１２ｃは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の膜厚とする。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を５００ｎｍの厚さで絶縁層１２ｃとして形成する。また、リソグラフィ等の既存のマスク技術を適用して、レシーバ電極Ｒｘ及びトランスミッタ電極Ｔｘに対して配線Ｌを接続するためのコンタクトホールＣを絶縁層１２ｃの所定の位置に形成する。
【００３８】
ステップＳ１８では、シールド層１２上にトランスミッタ電極Ｔｘを形成する。数１０ｎｍ以上数１００ｎｍ以下の厚さの導電性材料をトランスミッタ電極Ｔｘとして形成する。例えば、アルミニウムを厚さ１００ｎｍで形成してトランスミッタ電極Ｔｘとする。トランスミッタ電極Ｔｘは、エッチング等の技術を適用して、図１に示したように所定の方向（Ｘ方向）に沿って複数並行して延設されるように加工する。また、トランスミッタ電極Ｔｘは、絶縁層１２ａ，１２ｃに形成されたコンタクトホールＣを介して所望の配線Ｌに電気的に接続される。
【００３９】
ステップＳ２０では、シールド層１２及びトランスミッタ電極Ｔｘ上に絶縁層１０を形成する。１０００ｎｍ以上１μｍ以下程度の膜厚の絶縁材料からなる層を絶縁層１０として形成する。例えば、アクリル樹脂を厚さ２０００ｎｍで形成して絶縁層１０とする。また、リソグラフィ等の既存のマスク技術を適用して、レシーバ電極Ｒｘに対して配線Ｌを接続するためのコンタクトホールＣを所定の位置に形成する。
【００４０】
ステップＳ２２では、絶縁層１０上にレシーバ電極Ｒｘを形成する。数１０ｎｍ以上数１００ｎｍ以下の厚さの導電性材料をレシーバ電極Ｒｘとして形成する。例えば、アルミニウムを厚さ１００ｎｍで形成してレシーバ電極Ｒｘとする。レシーバ電極Ｒｘは、エッチング等の技術を適用して、図１に示したようにトランスミッタ電極Ｔｘと交差する方向（Ｙ方向）に沿って複数並行して延設されるように加工する。また、レシーバ電極Ｒｘは、絶縁層１２ａ，１２ｃ及び絶縁層１０に形成されたコンタクトホールＣを介して所望の配線Ｌに電気的に接続される。
【００４１】
ステップＳ２４では、レシーバ電極Ｒｘを覆うように保護層１６を形成する。数１００ｎｍ程度の膜厚の絶縁材料からなる層を保護層１６として形成する。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を厚さ５００ｎｍで形成して保護層１６とする。
【００４２】
ステップＳ２６では、センシング領域１０２と周辺領域１０４との境界であるラインＡ−Ａにおいて基板１４の周辺を折り曲げる。
【００４３】
以上のように、本実施の形態におけるタッチセンサ１００を形成することができる。
【００４４】
［変形例１］
図４は、変形例１におけるタッチセンサ１１０の構成を示す斜視図である。図４は、タッチセンサ１１０の分解斜視図を示す。また、図４では、構造を明確に図示するために保護層１６を除いた構成を示している。
【００４５】
タッチセンサ１１０では、レシーバ電極Ｒｘに接続されるマルチプレクサＭＰが基板１４上に設けられる。マルチプレクサＭＰは、レシーバ電極Ｒｘに接続されている配線Ｌのいずれか１つを順に選択するために設けられる。マルチプレクサＭＰは、基板１４に対して既存の薄膜トランジスタ形成技術を適用することによって形成することができる。
【００４６】
また、タッチセンサ１１０では、トランスミッタ電極Ｔｘに接続される配線Ｌ毎にセレクタＳＲ及びドライバＤＲが基板１４上に設けられる。セレクタＳＲは、トランスミッタ電極Ｔｘに接続されている配線Ｌのいずれか１つを順に選択するために設けられる。ドライバＤＲは、セレクタＳＲによって選択されたトランスミッタ電極Ｔｘに所定の電圧を印加するために設けられる。セレクタＳＲ及びドライバＤＲは、基板１４に対して既存の薄膜トランジスタ形成技術を適用することによって形成することができる。
【００４７】
タッチセンサ１１０では、図４に示すように、配線Ｌ、マルチプレクサＭＰ、セレクタＳＲ及びドライバＤＲが形成された基板１４は、ラインＡ−Ａより端部側の一辺のみに設けられた周辺領域１０４においてセンシング領域１０２からはみ出した構成とされる。タッチセンサ１１０では、センシング領域１０２でない額縁部分に当たる周辺領域１０４の面積を小さくすることができる。したがって、タッチセンサ１１０全体の面積に対してセンシング領域１０２の面積の割合を大きくすることができる。
【００４８】
さらに、タッチセンサ１１０においてもセンシング領域１０２と周辺領域１０４との境界であるラインＡ−Ａにおいて基板１４の周辺を折り曲げ又は折り返した構成としてもよい。このとき、タッチセンサ１１０のセンシングの検出面とは逆の方向に向けて周辺領域１０４を折り曲げ又は折り返しする。これによって、タッチセンサ１１０のセンシング領域のみを表面側に残して額縁部分に当たる周辺領域１０４を折り曲げ又は折り返した構成とすることができ、タッチセンサ１１０全体の面積に対してセンシングが有効になるセンシング領域の面積の割合を大きくすることができる。
【００４９】
なお、タッチセンサ１１０では、マルチプレクサＭＰを周辺領域１０４に配置する構成としたが、センシング領域１０２に配置する構成としてもよい。この場合、基板１４上に形成されたマルチプレクサＭＰの一部がレシーバ電極Ｒｘやトランスミッタ電極Ｔｘと重畳することになるが、３次元的な積層構造としていることでタッチセンサ１１０におけるセンシング領域１０２の有効面積を狭めることはない。
【００５０】
また、タッチセンサ１１０では、セレクタＳＲ及びドライバＤＲをセンシング領域１０２に配置する構成としたが、セレクタＳＲ及びドライバＤＲの少なくとも一部を周辺領域１０４に配置する構成としてもよい。この場合、ラインＡ−Ａより端部側の一辺のみに設けられた周辺領域１０４にセレクタＳＲ及びドライバＤＲを配置したとしてもタッチセンサ１１０におけるセンシング領域１０２の有効面積を狭めることはない。
【００５１】
このように、マルチプレクサＭＰ、セレクタＳＲ及びドライバＤＲの少なくとも１つを配線Ｌと同じ層に集積することで、これらの周辺素子とトランスミッタ電極Ｔｘ及びレシーバ電極Ｒｘとの接続点数を大幅に削減することができ、信頼性を向上させ、製造のコストを低減することができる。
【００５２】
［変形例２］
図５は、変形例２におけるタッチセンサ１２０の構成を示す斜視図である。図５は、タッチセンサ１２０の分解斜視図を示す。また、図４では、構造を明確に図示するために保護層１６を除いた構成を示している。
【００５３】
タッチセンサ１２０では、すべてのトランスミッタ電極Ｔｘに対してトランスミッタ電極Ｔｘと配線Ｌとを接続するためのコンタクトホールＣがセンシング領域１０２の端部に設けられる。トランスミッタ電極Ｔｘに接続される配線Ｌは、基板１４の一辺に設けられた周辺領域１０４まで延設される。
【００５４】
このように、トランスミッタ電極Ｔｘと配線Ｌとを接続するためのコンタクトホールＣをセンシング領域１０２の端部に配置することによって、メタルマスクのような精度の粗いアライメント技術を適用してもタッチセンサ１２０を製造できるという利点がある。
【００５５】
さらに、タッチセンサ１２０においてもセンシング領域１０２と周辺領域１０４との境界であるラインＡ−Ａにおいて基板１４の周辺を折り曲げ又は折り返した構成としてもよい。このとき、タッチセンサ１２０のセンシングの検出面とは逆の方向に向けて周辺領域１０４を折り曲げ又は折り返しする。これによって、タッチセンサ１２０のセンシング領域のみを表面側に残して額縁部分に当たる周辺領域１０４を折り曲げ又は折り返した構成とすることができ、タッチセンサ１２０全体の面積に対してセンシングが有効になるセンシング領域の面積の割合を大きくすることができる。
【００５６】
また、上記実施の形態、変形例１及び変形例２では、導電層１２ｂを備えたシールド層１２を設けた構成としたが、シールド層１２を設けない構成としてもよい。すなわち、シールド層１２の導電層１２ｂ及び絶縁層１２ｃを設けることなく、絶縁層１２ａによって配線Ｌとレシーバ電極Ｒｘ及びトランスミッタ電極Ｔｘとの層間の絶縁を保持しつつ、絶縁層１２ａの所定の位置に設けたコンタクトホールＣを介して各配線Ｌとレシーバ電極Ｒｘ及びトランスミッタ電極Ｔｘとを接続した構成としてもよい。
【００５７】
なお、シールド層１２において導電層１２ｂを設けない構成において、トランスミッタ電極Ｔｘと同じ層に導電層１２ｂを形成する構成としてもよい。すなわち、隣り合うトランスミッタ電極Ｔｘの間に導電層１２ｂを形成し、当該導電層１２ｂを配線Ｌに接続して、所定の電位に維持するようにしてもよい。このような構成によっても、配線Ｌ等からのノイズを導電層１２ｂによって部分的に遮断することができる。
【００５８】
［変形例３］
図６は、変形例３におけるタッチセンサ１３０の構成を示す斜視図である。タッチセンサ１３０は、一面にレシーバ電極Ｒｘが形成された基板２０と一面にトランスミッタ電極Ｔｘが形成された基板２２を接着層２４によって貼り合わせた構造である。
【００５９】
レシーバ電極Ｒｘは、基板２０の一表面に形成される。基板２０は、電気的絶縁性の材料であれば特に限定されるものではないが、例えばガラス、セラミックやアクリル、ポリイミド、ポリエチレン等の樹脂材料等によって構成することができる。レシーバ電極Ｒｘは、タッチセンサ１００と同様に、タッチセンサ１３０のセンシング領域１０２において所定の方向（Ｙ方向）に沿って複数並行に配置される。基板２０の一表面には、さらにレシーバ電極Ｒｘの端部に接続される配線Ｌも形成される。
【００６０】
トランスミッタ電極Ｔｘは、基板２２の一表面に形成される。基板２２は、電気的絶縁性の材料であれば特に限定されるものではないが、例えばガラス、セラミックやアクリル、ポリイミド、ポリエチレン等の樹脂材料等によって構成することができる。トランスミッタ電極Ｔｘは、タッチセンサ１００と同様に、タッチセンサ１３０のセンシング領域１０２においてレシーバ電極Ｒｘに交差する方向（Ｘ方向）に沿って複数並行に配置される。基板２２の一表面には、さらにトランスミッタ電極Ｔｘの端部に接続される配線Ｌも形成される。
【００６１】
基板２０に形成されたレシーバ電極Ｒｘと基板２２に形成されたトランスミッタ電極Ｔｘを互いに向かい合わせるようにして、接着層２４によって基板２０と基板２２とを貼り合わせる。接着層２４は、特に限定されるものではないが、アクリル、ポリイミド、ポリエチレン等の絶縁性の樹脂材料を含む接着剤によって形成することができる。
【００６２】
なお、レシーバ電極Ｒｘを形成した基板２０及びトランスミッタ電極Ｔｘを形成した基板２２の積層構造は、特に限定されるものではなく、絶縁性を有する層を介してレシーバ電極Ｒｘとトランスミッタ電極Ｔｘとが積層されている構成とすればよい。
【００６３】
このようにして、トランスミッタ電極Ｔｘとレシーバ電極Ｒｘとが絶縁性の接着層２４を介して対向配置されたタッチセンサ１３０を形成することができる。
【００６４】
タッチセンサ１３０では、図６に示すように、基板２０は、ラインＡ−Ａより端部側の一辺のみに設けられた周辺領域においてセンシング領域からはみ出した構成とされる。また、基板２２は、ラインＢ−Ｂより端部側の一辺のみに設けられた周辺領域においてセンシング領域からはみ出した構成とされる。これによって、タッチセンサ１３０のセンシング領域でない縁部に当たる周辺領域の面積を小さくすることができる。したがって、タッチセンサ１３０全体の面積に対してセンシング領域の面積の割合を大きくすることができる。
【００６５】
さらに、タッチセンサ１３０は、センシング領域と周辺領域の境界であるラインＡ−Ａ及びラインＢ−Ｂの少なくとも１つにおいて基板２０又は基板２２を折り曲げ又は折り返した構成としてもよい。このとき、タッチセンサ１３０のセンシングの検出面とは逆の方向に向けて折り曲げ又は折り返しする。これによって、センシング領域のみを検出面として表面側に残して額縁部分に当たる周辺領域を折り曲げ又は折り返した構成とすることができ、タッチセンサ１３０全体の面積に対してセンシング領域の面積の割合をさらに大きくすることができる。
【符号の説明】
【００６６】
１０  絶縁層、１２  シールド層、１２ａ，１２ｃ  絶縁層、１２ｂ  導電層、１４  基板、１４ｃ  絶縁層、１６  保護層、２０  基板、２２  基板、２４  接着層、１００，１１０，１２０，１３０，２００  タッチセンサ、１０２，２０２  センシング領域、１０４，２０４  周辺領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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