(57)【要約】      （修正有）【課題】更なる低背化等の小型化や、配線の更なる高速化や配線の更なる高密度化を実現することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置１０００は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビア２０５とが設けられた半導体層２０と、半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部２０２ａと第２接続部２０１ａと、第１接続部、第２接続部及び貫通ビア２０５を接続する接続配線と、を有する第１半導体素子１００６と、該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子１００１及び１００３と、を備え、第２接続部により外部端子と接続する。【選択図】図１
2020088063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び該貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、
該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、
該第２接続部により外部端子と接続する、固体撮像装置。
【請求項２】
前記接続配線が第１配線と第２配線とを有し、
該第１配線を介して、前記貫通ビアと該第２配線とが接続し、
該第２配線を介して、前記第１接続部と前記第２接続部とが接続する、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記接続配線が第１配線と第２配線と複数のコンタクトビアとを有し、
該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続し、
該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続する、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２配線が垂直方向に分離されている、請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記接続配線が第１配線と第２配線と複数の第１コンタクトビアと複数の第２コンタクトビアとを有し、
該第１配線及び該複数の第１コンタクトビアのうち少なくとも１つの第１コンタクトビアを介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続し、
該第１配線、該複数の第２コンタクトビアのうち少なくとも１つの第２コンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続する、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１接続部と前記第２接続部とが略同一の層に配される、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記接続配線が第１配線と第２配線とを有し、
前記第１接続部が、前記第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成される、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記接続配線が第１配線と第２配線とを有し、
前記第１接続部が、前記第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成され、前記第１接続部の上面と前記第２配線の上面とが略同一平面である、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第１接続部が２層構造を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記２層構造が、光入射側から順に、銅含有層とコバルト含有層とから構成される、請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２接続部がアルミニウム含有層を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
固体撮像装置が搭載されて、
該固体撮像装置が、
入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、
該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、
第第２接続部により外部端子と接続する、
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサやＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの固体撮像装置は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどに広く用いられている。
【０００３】
固体撮像装置は、例えば、入射した光を光電変換する画素部と、信号処理を行う周辺回路部とから構成されている。このような固体撮像装置では、画素部のサイズは固体撮像装置の搭載製品の光学系によってほぼ固定サイズとなるのに対し、周辺回路部はプロセス世代を進化させるとスケーリングされ、低背化、小型化及び低コスト化することが可能である。
【０００４】
例えば、より簡単に小型な固体撮像装置を得ることができる技術が提案されている（特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１７１２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１で提案された技術では、更なる低背化等の小型化を実現しながら、配線の更なる高速化や配線の更なる高密度化を図れないおそれがある。
【０００７】
そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、更なる低背化や、配線の更なる高速化や配線の更なる高密度化を実現することができる固体撮像装置、及びその固体撮像装置を搭載した電子機器を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、固体撮像装置の更なる低背化等の小型化や、配線の更なる高速化や、配線の更なる高密度化の実現に成功し、本技術を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本技術では、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び該貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、該第２接続部により外部端子と接続する、固体撮像装置を提供する。
【００１０】
本技術に係る固体撮像装置において、前記接続配線が第１配線と第２配線とを有してよく、該第１配線を介して、前記貫通ビアと該第２配線とが接続してよく、該第２配線を介して、前記第１接続部と前記第２接続部とが接続してよい。
【００１１】
本技術に係る固体撮像装置において、前記接続配線が第１配線と第２配線と複数のコンタクトビアとを有してよく、該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続してよく、該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続してよく、前記第２配線が垂直方向に分離されていてよい。
【００１２】
本技術に係る固体撮像装置において、前記接続配線が第１配線と第２配線と複数の第１コンタクトビアと複数の第２コンタクトビアとを有してよく、該第１配線及び該複数の第１コンタクトビアのうち少なくとも１つの第１コンタクトビアを介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続してよく、該第１配線、該複数の第２コンタクトビアのうち少なくとも１つの第２コンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続してよい。
【００１３】
本技術に係る固体撮像装置において、前記第１接続部と前記第２接続部とが略同一の層に配されてよい。
【００１４】
本技術に係る固体撮像装置において、前記接続配線が第１配線と第２配線とを有してよく、前記第１接続部が、前記第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成されてよく、さらに、前記第１接続部の上面と前記第２配線の上面とが略同一平面でもよい。
【００１５】
本技術に係る固体撮像装置において、前記第１接続部が２層構造を有してよく、その場合、前記２層構造は、光入射側から順に、銅含有層とコバルト含有層とから構成されてよい。
【００１６】
本技術に係る固体撮像装置において、前記第２接続部がアルミニウム含有層を有してよい。
【００１７】
また、本技術では、固体撮像装置が搭載されて、該固体撮像装置が、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、第２接続部により外部端子と接続する、電子機器を提供する。すなわち、本技術では、本技術に係る固体撮像装置が搭載された電子機器を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本技術によれば、固体撮像装置の更なる低背化等の小型化や、配線の更なる高速化や、配線の更なる高密度化を実現することができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図２】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】本技術を適用した固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図１５】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図１６】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図１７】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図１８】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図１９】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図２０】本技術を適用した固体撮像装置の構成例を示す図である。
【図２１】本技術を適用した固体撮像装置全体の構成例を示す図である。
【図２２】本技術を適用した第１〜第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。
【図２３】本技術を適用した第６の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。
【図２４】内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【図２５】カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
【図２６】車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
【図２７】車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２１】
説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）
７．第６の実施形態（電子機器の例）
８．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
９．内視鏡手術システムへの応用例
１０．移動体への応用例
【００２２】
＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。
【００２３】
裏面照射型イメージセンサは、受光部が配線層面と反対側に形成されるため、センサチップ薄層化と支持基板が不可欠であり、支持基板をロジックチップに置き換え、センサチップと貫通ビアとを用いて電気的接続をした積層型裏面照射型イメージセンサや受光面に配線を引き回して積層する構造に関する技術がある。
【００２４】
裏面照射型イメージセンサで受光面に配線層を引き回してチップ積層を実施して貫通ビアでセンサチップの配線層と受光面の配線層とを電気的に接続させる技術がある。この技術では、積層チップと接続するための接続部（ＰＡＤ（パッド））を受光面に形成された配線層上に形成して、センサチップと積層チップとの接続を可能とする。
【００２５】
しかしながら、受光面に配線層を引き回して積層する構造で、外部素子と電気的に接続するための接続部（ＰＡＤ（パッド））が配線層側に形成されているため、貫通ビアを用いて配線層側に引き回す必要がある。このとき、高速伝送を必要とするとき、貫通ビアによる信号特性の遅延が生じてしまうおそれがある。また、積層チップとの配線間隔を考慮すると、配線の引き回しやシールドを形成することができない場合がある。この場合、受光面に配線層を増やす構造が考えられるが、配線層が増加すると集光特性が悪化してしまうおそれがある。
【００２６】
本技術は上記の事情を鑑みてなされたものである。本技術に係る固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、半導体層の光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、第１接続部、２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、該第２接続部により外部端子と接続する、固体撮像装置である。本技術によれば、低背化等の小型化を実現しながら、配線の高速化や配線の高密度化が可能となる。また、本技術によれば、配線の引き回しが容易になり、チップサイズの削減が可能となる。
【００２７】
本技術に係る固体撮像装置は、裏面照射型の固体撮像装置でよく、裏面照射型の固体撮像装置とは、被写体からの光を入射させる受光面、つまり光を集光するオンチップレンズと、各画素を駆動させるトランジスタ等の配線が設けられた配線層との間に、被写体からの光を受光するフォトダイオード等の光電変換素子が設けられている構成の固体撮像装置である。
【００２８】
以下に、本技術に係る固体撮像装置の全体構成について、図２１を用いて説明をする。
【００２９】
図２１は、本技術に係る固体撮像装置の全体の構成例を示す断面図である。
【００３０】
本技術に係る固体撮像装置では、ＰＤ（フォトダイオード）２００１９が、半導体基板２００１８の裏面（図２１では上面）側から入射する入射光２０００１を受光する。ＰＤ２００１９の上方には、平坦化膜２００１３、ＣＦ（カラーフィルタ）２００１２、マイクロレンズ２００１１が設けられており、各部を順次介して入射した入射光２０００１を、受光面２００１７で受光して光電変換が行われる。
【００３１】
例えば、ＰＤ２００１９は、ｎ型半導体領域２００２０が、電荷（電子）を蓄積する電荷蓄積領域として形成されている。ＰＤ２００１９においては、ｎ型半導体領域２００２０は、半導体基板２００１８のｐ型半導体領域２００１６、２００４１の内部に設けられている。ｎ型半導体領域２００２０の、半導体基板２００１８の表面（図２１では下面）側には、裏面（図２１では上面）側よりも不純物濃度が高いｐ型半導体領域２００４１が設けられている。つまり、ＰＤ２００１９は、ＨＡＤ（Ｈｏｌｅ-Ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ Ｄｉｏｄｅ）構造になっており、ｎ型半導体領域２００２０の上面側と下面側との各界面において、暗電流が発生することを抑制するように、ｐ型半導体領域２００１６、２００４１が形成されている。
【００３２】
半導体基板２００１８の内部には、複数の画素２００１０の間を電気的に分離する画素分離部２００３０が設けられており、この画素分離部２００３０で区画された領域に、ＰＤ２００１９が設けられている。図中、上面側から、固体撮像装置を見た場合、画素分離部２００３０は、例えば、複数の画素２００１０の間に介在するように格子状に形成されており、ＰＤ２００１９は、この画素分離部２００３０で区画された領域内に形成されている。
【００３３】
各ＰＤ２００１９では、アノードが接地されており、固体撮像装置において、ＰＤ２００１９が蓄積した信号電荷（例えば、電子）は、図示せぬ転送Ｔｒ（ＭＯＳ ＦＥＴ）等を介して読み出され、電気信号として、図示せぬＶＳＬ（垂直信号線）へ出力される。
【００３４】
配線層２００５０は、半導体基板２００１８のうち、遮光膜２００１４、ＣＦ２００１２、マイクロレンズ２００１１等の各部が設けられた裏面（上面）とは反対側の表面（下面）に設けられている。
【００３５】
配線層２００５０は、配線２００５１と絶縁層２００５２とを含み、絶縁層２００５２内において、配線２００５１が各素子に電気的に接続するように形成されている。配線層２００５０は、いわゆる多層配線の層になっており、絶縁層２００５２を構成する層間絶縁膜と配線２００５１とが交互に複数回積層されて形成されている。ここでは、配線や、０５１としては、転送Ｔｒ等のＰＤ２００１９から電荷を読み出すためのＴｒへの配線や、ＶＳＬ等の各配線が、絶縁層２００５２を介して積層されている。
【００３６】
配線層２００５０の、ＰＤ２００１９が設けられている側に対して反対側の面には、支持基板２００６１が設けられている。例えば、厚みが数百μｍのシリコン半導体からなる基板が、支持基板２００６１として設けられている。
【００３７】
遮光膜２００１４は、半導体基板２００１８の裏面（図２１では上面）の側に設けられている。
【００３８】
遮光膜２００１４は、半導体基板２００１８の上方から半導体基板２００１８の裏面へ向かう入射光２０００１の一部を、遮光するように構成されている。
【００３９】
遮光膜２００１４は、半導体基板２００１８の内部に設けられた画素分離部２００３０の上方に設けられている。ここでは、遮光膜２００１４は、半導体基板２００１８の裏面（上面）上において、シリコン酸化膜等の絶縁膜２００１５を介して、凸形状に突き出るように設けられている。これに対して、半導体基板２００１８の内部に設けられたＰＤ２００１９の上方においては、ＰＤ２００１９に入射光２０００１が入射するように、遮光膜２００１４は、設けられておらず、開口している。
【００４０】
つまり、図中、上面側から、固体撮像装置を見た場合、遮光膜２００１４の平面形状は、格子状になっており、入射光２０００１が受光面２００１７へ通過する開口が形成されている。
【００４１】
遮光膜２００１４は、光を遮光する遮光材料で形成されている。例えば、チタン(Ｔｉ)膜とタングステン（Ｗ）膜とを、順次、積層することで、遮光膜２００１４が形成されている。この他に、遮光膜２００１４は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）膜とタングステン(W)膜とを、順次、積層することで形成することができる。
【００４２】
遮光膜２００１４は、平坦化膜２００１３によって被覆されている。平坦化膜２００１３は、光を透過する絶縁材料を用いて形成されている。
【００４３】
画素分離部２００３０は、溝部２００３１、固定電荷膜２００３２、及び、絶縁膜２００３３を有する。
【００４４】
固定電荷膜２００３２は、半導体基板２００１８の裏面（上面）の側において、複数の画素２００１０の間を区画している溝部２００３１を覆うように形成されている。
【００４５】
具体的には、固定電荷膜２００３２は、半導体基板２００１８において裏面（上面）側に形成された溝部２００３１の内側の面を一定の厚みで被覆するように設けられている。そして、その固定電荷膜２００３２で被覆された溝部２００３１の内部を埋め込むように、絶縁膜２００３３が設けられている（充填されている）。
【００４６】
ここでは、固定電荷膜２００３２は、半導体基板２００１８との界面部分において正電荷（ホール）蓄積領域が形成されて暗電流の発生が抑制されるように、負の固定電荷を有する高誘電体を用いて形成されている。固定電荷膜２００３２が負の固定電荷を有するように形成されていることで、その負の固定電荷によって、半導体基板２００１８との界面に電界が加わり、正電荷（ホール）蓄積領域が形成される。
【００４７】
固定電荷膜２００３２は、例えば、ハフニウム酸化膜（ＨｆＯ２膜）で形成することができる。また、固定電荷膜２００３２は、その他、例えば、ハフニウム、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、チタン、マグネシウム、イットリウム、ランタノイド元素等の酸化物の少なくとも１つを含むように形成することができる。
【００４８】
以下に、本技術に係る実施の形態の固体撮像装置について説明をする。
【００４９】
＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、半導体層の光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、第１接続部、第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、第１接続部により第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、第２接続部により外部端子と接続し、接続配線が第１配線と第２配線とを有し、第１配線を介して、前記貫通ビアと該第２配線とが接続し、第２配線を介して、前記第１接続部と前記第２接続部とが接続する、固体撮像装置である。
【００５０】
以下、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について、図１〜図５及び図１６を用いて更に詳細に説明をする。図１及び図１６は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図１（ａ）は、固体撮像装置１０００の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示されるＡＢ線における固体撮像装置２０００の断面図であり、図１６は、固体撮像装置２００６の断面図である。図２〜図５は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。
【００５１】
まず、図１（ａ）を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を説明する。
【００５２】
図１（ａ）に示される固体撮像装置１０００は、第１半導体素子１００６と、第２半導体素子１００１及び１００３と、支持基板１００４とから構成されている。第１半導体素子１００６はセンサ半導体素子であり、第２半導体素子１００１は、例えば、信号処理を行うロジック回路が設けられたロジック半導体素子、メモリ回路が設けられてメモリとして機能するメモリ半導体素子等であり、第２半導体素子１００３も、同様に、例えば、信号処理を行うロジック回路が設けられたロジック半導体素子、メモリ回路が設けられてメモリとして機能するメモリ半導体素子等である。そして、支持基板１００４は、支持基板ではなく、ロジック半導体素子やメモリ半導体素子でもよい。
【００５３】
第１半導体素子１００６は、有効画素領域１００２と周辺領域１００７及び１００８とから構成されている。有効画素領域１００２には、複数の画素が行列状に並べられて設けられており、各画素は、例えば、被写体からの光を受光して光電変換する光電変換素子（例えば、フォトダイオード（ＰＤ））、光電変換素子で得られた電荷を蓄積する電荷蓄積部や、複数の電界効果トランジスタなどからなる画素回路から構成されている。
【００５４】
第１接続部（バンプパッド（Ｂｕｍｐ Ｐａｄ））１００５等により、第１半導体素子１００６中の有効画素領域１００２以外の領域である周辺領域１００７には、第２半導体素子１００１が矢印の方向に実装され、同様に、複数の第１接続部（Ｂｕｍｐ Ｐａｄ）により、第１半導体素子１００６中の有効画素領域１００２以外の領域である周辺領域１００８には第２半導体素子１００３が矢印の方向に実装される。すなわち、固体撮像装置１０００は、第１半導体素子１００６上に、第２半導体素子１００１及び１００３が実装（例えば、フリップチップ実装）された積層型固体撮像装置である。
【００５５】
第２接続部（ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））は、図１（ａ）中では図示されていないが、第１半導体素子の２つの端部（周辺領域１００７の左側（図１（ａ）中の左側）の端部と周辺領域１００８の右側（図１（ａ）中の右側）の端部）のそれぞれに複数個で配されている。
【００５６】
図１（ｂ）を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置を説明する。図１（ｂ）は上述したように、図１（ａ）に示されるＡＢ線における固体撮像装置２０００の断面図であり、固体撮像装置２０００の左側（図１（ｂ）中の左側）が、第１半導体素子（センサ半導体素子）の周辺領域に対応し、固体撮像装置２０００の右側（図１（ｂ）中の右側）が第１半導体素子（センサ半導体素子）の有効画素領域に対応する。
【００５７】
固体撮像装置２０００は、光入射側（受光面側）（図１（ｂ）中の上側）から順に、第１配線層３０と、シリコン基板である半導体層２０と、第２配線層１０とを備えている。
【００５８】
第１接続部２０２ａと第２接続部２０１ｂと、第１配線２０４と、第２配線２０３とは、半導体層２０の光を受光する側の面側に配置される第１配線層３０に形成されている。貫通ビア２０５は、第１配線層３０、半導体層２０及び第２配線層１０を貫通しており、第１配線層に形成されている貫通ビア２０５の上端部は第１配線２０４と接続し、第２配線層１０に形成されている貫通ビア２０５の下端部は、第２配線層に形成されている配線と接続している。第１配線２０４と第２配線２０３とは接続しており、第２配線２０３は第１接続部２０２ａから第２接続部２０１ａまで連続的に形成されて、第２配線２０３を介して、第１接続部２０２ａと第２接続部２０１ａとは接続している。なお、第１接続部２０２ａ、第２接続部２０１ａ及び貫通ビア２０５を接続する接続配線として、図１（ｂ）中では、第１配線２０４と第２配線２０３とか構成されるとしたが、接続配線は、１つの配線から構成されてもよく、３つ以上の配線から構成されていてもよい。
【００５９】
第１配線２０４は、任意の金属材料から構成されてよいが、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等から構成されてよく、銅（Ｃｕ）から構成されていることが好ましい。第２配線２０３は、任意の金属から構成されてよいが、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等から構成されてよく、アルミニウム（Ａｌ）から構成されていることが好ましい。
【００６０】
第１接続部２０２ａは、第１層２０７上に第２層２０６が積層された２層構造の積層体の開口部２０２に対応する２層構造の積層体の部分であり、バンプパッド（Ｂｕｍｐ Ｐａｄ）である。第１接続部２０２ａによって、第１半導体素子（センサ半導体素子）１００６と第２半導体素子（例えば、ロジック半導体素子）とが接続されて、第１半導体素子（センサ半導体素子）１００６の受光面側の周辺領域１００７に、第２半導体素子（例えばロジック半導体素子）１００１がフリップチップ実装される。
【００６１】
第１層２０７は、任意の金属材料を含んで構成されてよいが、例えば、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）を含んで構成されてよく、コバルト（Ｃｏ）を含んで構成されていることが好ましい。第２層２０６は、任意の金属材料を含んで構成されてよいが、例えば、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）を含んで構成されてよく、銅（Ｃｕ）を含んで構成されていることが好ましい。２層構造の積層体は、開口部２０２に対応する領域以外の領域は、酸化膜２１３とレンズ材２１１ｄと反射防止膜（コーティング材）２１１ｃとがこの順で積層された積層体で覆われている。なお、第１接続部２０２ａは、開口部に対応した２層構造の積層体の部分でもよいが、開口部に対応した単層構造体の部分でもよく、開口部に対応した３層以上の積層体の部分でもよい。
【００６２】
第２接続部２０１ａは、第２配線２０３の開口部２０１に対応する第２配線の部分であり、ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））である。したがって、第２接続部２０１ａは、第２配線２０３の金属材料と同一の金属材料から構成されている。第２接続部２０１ａは、ワイヤボンディングにより、外部端子（不図示）に接続されている。なお、第２接続部２０１ａは、開口部に対応した第２配線の部分でもよいが、第２配線とは別個独立である部材から構成された開口部分に対応した部分でもよいし、第２配線とは異なる材料から構成された開口部分に対応した部分でもよい。
【００６３】
図１（ｂ）に示されるように、固体撮像装置２０００は、受光側（光入射側であって、図１（ｂ）中の上側）から、順に、画素毎に、被写体から入射する光を集光するオンチップレンズ２１２と、カラーフィルタ３１（青色光用カラーフィルタ、赤色光用カラーフィルタ、緑色光用カラーフィルタ）と、絶縁膜２１０と、反射防止膜２１１ａがコーティングされたインナーレンズ２１１ｂと、半導体層２０に形成されたフォトダイオード（ＰＤ）（不図示）とを、少なくとも備えている。
【００６４】
また、固体撮像装置２０００は、画素間に形成された遮光のための遮光壁２０９（例えば、タングステン（Ｗ）材料から構成される。）と、第１配線層に形成されたノイズ遮蔽及び遮光のためのシールドメタル（例えば、タングステン（Ｗ）材料から構成される。）と、を備える。
【００６５】
次に、図２〜図５を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置２００１の製造方法について説明する。
【００６６】
図２（ａ）に示されるように、第１配線２０４を形成した後、有効画素領域（図２（ａ）中の右側）の遮光膜（シールドメタル）２０８を形成し、第２配線２０３と絶縁膜２１０とを成膜する。なお、図２（ａ）の示される構造体は、詳細には、従来の方法、例えば特許文献２０１６−１７１２９７に記載された内容に従って製造することができる。
【００６７】
次に、絶縁膜２１０をフォトレジスト工程とドライエッチング等による加工プロセスで、第１接続部２０２ａに対応するバンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ）の開口部２０２−２ｂを形成する（図２（ｂ））。その後、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｃｏをスパッタで成膜してコバルト含有層２０７を形成する（図２（ｃ））。Ｔｉ／ＴｉＮはバリアメタル層であり、Ｔｉ／ＴｉＮは製造適性上の観点から好適に成膜される。なお、Ｃｏ単独をスパッタで成膜してコバルトから構成される層２０７を形成してもよい。次に銅（Ｃｕ）をスパッタで成膜して、銅含有層２０６を形成する（図２（ｄ））。
【００６８】
その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）で平坦化（研磨）を行い（図３（ａ））、次に、酸化膜２１３を成膜する（図３（ｂ））。
【００６９】
第１接続部２０２ａに相当するバンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ）の対応部２０２−３ｃを加工して（図３（ｃ））、インナーレンズ２１１を形成する（図３（ｄ））。絶縁膜２１０を成膜し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）で平坦化（研磨）した後（図４（ａ））、遮光壁２０９を形成するための遮光部をフォトレジストとドライエッチングにより形成し、タングステン（Ｗ）等で成膜して遮光壁２０９を形成する（図４（ｂ））。その後、カラーフィルタ（例えば、青色光用カラーフィルタ、赤色光用カラーフィルタ、緑色光用カラーフィルタ）３１とオンチップレンズ（ＯＣＬ）２１２を形成する（図４（ｄ）及び図５（ａ））。第２接続部（ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））用の開口部２０１を形成して、第２接続部２０１ａを形成する（図５（ｂ））。最後に、第１接続部（バンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ））用の開口部２０２を形成して、第１接続部２０２ａを形成し、固体撮像装置２００１が製造される（図５（ｃ））。
【００７０】
次に、図１６を用いて、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【００７１】
図１６に示されるように、固体撮像装置２００６は、固体撮像装置２００１が備える遮光壁２０９を備えていないこと以外は固体撮像装置２００１の構造と略同一である、固体撮像装置である。したがって、固体撮像装置２００６の構造についての詳細な説明はここでは省略する。
【００７２】
＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、半導体層の光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、第１接続部、２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、第１接続部により第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、第２接続部により外部端子と接続し、第１接続部と第２接続部とが略同一の層に配される、固体撮像装置である。
【００７３】
以下、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について、図６〜図９及び図１７を用いて更に詳細に説明をする。図６〜図９は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。図１７は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、固体撮像装置２００７の断面図である。
【００７４】
図６〜図９を用いて、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置２００２及びその製造方法について説明する。
【００７５】
図６（ａ）に示されるように、第１配線２０４を形成した後、有効画素領域（図６（ａ）中の右側）に遮光膜（シールドメタル）２０８を形成し、第２配線２０３と絶縁膜２１０とを成膜する。なお、図６（ａ）の示される構造体は、詳細には、従来の方法、例えば特許文献２０１６−１７１２９７に記載された内容に従って製造することができる。
【００７６】
次に、第２配線２０３及び絶縁膜２１０をフォトレジスト工程とドライエッチング等による加工プロセスで、第１接続部２０２ａに相当するバンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ）の開口部２０２−６ｂを形成する（図６（ｂ））。開口部２０２−６ｂの上部と第２配線２０３の上部とは略同一平面となる。すなわち、開口部２０２−６ｂの高さと第２配線２０３の高さとは、略同じとなる。
【００７７】
その後、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｃｏをスパッタで成膜してコバルト含有層２０７を形成する（図６（ｃ））。Ｔｉ／ＴｉＮはバリアメタル層であり、Ｔｉ／ＴｉＮは製造適性上の観点から好適に成膜される。なお、Ｃｏ単独をスパッタで成膜してコバルトから構成される層２０７を形成してもよい。次に銅（Ｃｕ）をスパッタで成膜して、銅含有層２０６を形成する（図６（ｄ））。
【００７８】
その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）で平坦化（研磨）を行う（図７（ａ））。次に、酸化膜２１３を成膜する（図７（ｂ））。
【００７９】
第１接続部２０２ａに対応するバンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ）部２０２−７ｃの右側（図７（ｃ）中の右側）まで第２配線２０３を加工して除去して（図７（ｃ））、インナーレンズ２１１を形成する（図７（ｄ））。絶縁膜２１０を成膜し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）で平坦化（研磨）した後（図８（ａ））、遮光壁２０９を形成するための遮光部をフォトレジストとドライエッチングにより形成し、タングステン（Ｗ）等で成膜して遮光壁２０９を形成する（図８（ｂ））。その後、カラーフィルタ（例えば、青色光用カラーフィルタ、赤色光用カラーフィルタ、緑色光用カラーフィルタ）３１とオンチップレンズ（ＯＣＬ）２１２を形成する（図８（ｄ）及び図９（ａ））。第２接続部（ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））用の開口部２０１を形成して、第２接続部２０１ａ（ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））を形成する（図９（ｂ））。最後に、第１接続部（バンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ））用の開口部２０２を形成して、第１接続部２０２ａ（バンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ））を形成し、固体撮像装置２００２が製造される（図９（ｃ））。
【００８０】
図９（ｃ）に示されるように、固体撮像装置２００２においては、第１接続部２０２ａと第２接続部２０１ａとが略同一の層に配されているので、オンチップレンズ（ＯＣＬ）２１２を形成するときに生じる場合がある掃きムラによる画素特性の劣化を防ぐことができる。第１接続部２０２ａと第２接続部２０１ａとが略同一の層に配されていることを、より詳しく説明すると、第１接続部２０２ａと第２接続部２０１ａとは、第２配線２０３内に形成されているので、略同一の層に配されている。より詳細には、第１接続部２０２ａの上面（接続面）（図９（ｃ）の上側）及び第２接続部２０１ａの上面（接続面）（図９（ｃ）の上側）とは同一平面内に配置され、第１接続部２０２ａの下面（図９（ｃ）の下側）及び第２接続部２０１ａの下面（図９（ｃ）の下側）とは同一平面内に配置されている。
【００８１】
次に、図１７を用いて、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【００８２】
図１７に示されるように、固体撮像装置２００７は、固体撮像装置２００２が備える遮光壁２０９を備えていないこと以外は固体撮像装置２００２の構造と略同一である、固体撮像装置である。したがって、固体撮像装置２００７の構造についての詳細な説明はここでは省略する。
【００８３】
本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容をそのまま適用することができる。
【００８４】
＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、半導体層の光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、第１接続部、２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、第１接続部により第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、第２接続部により外部端子と接続し、接続配線が第１配線と第２配線と複数のコンタクトビアとを有し、第１配線、複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、貫通ビアと第１接続部とが接続し、第１配線、複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び第２配線を介して、貫通ビアと第２接続部とが接続する、固体撮像装置である。本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置においては、第２配線が垂直方向に分離されていてよい。
【００８５】
以下、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について、図１０〜図１３及び図１８を用いて更に詳細に説明をする。図１０〜図１３は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の製造方法を説明するための図である。図１８は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、固体撮像装置２００８の断面図である。
【００８６】
図１０〜図１３を用いて、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置２００３及びその製造方法について説明する。
【００８７】
図１０（ａ）に示されるように、第１配線２０４を形成した後、有効画素領域（図１０（ａ）中の右側）に遮光膜（シールドメタル）２０８を形成し、画素周辺部に（図１０（ａ）中の左側）にコンタクトビア４００を形成し、絶縁膜２１０を成膜する。続いて、第２配線２０３（アルミニウム）を絶縁膜２１０上に成膜する。なお、図１０（ａ）の示される構造体は、詳細には、従来の方法、例えば特許文献２０１６−１７１２９７に記載された内容に従って製造することができる。
【００８８】
次に、第２配線２０３及び絶縁膜２１０をフォトレジスト工程とドライエッチング等による加工プロセスで、第１接続部（バンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ）２０２ａに対応する開口部２０２−１０ｃを形成する（図１０（ｃ））。開口部２０２−１０ｃの上部と第２配線２０３の上部とは略同一平面となる。すなわち、開口部２０２−１０ｃの高さと第２配線２０３の高さとは、略同じとなる。
【００８９】
その後、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｃｏをスパッタで成膜してコバルト含有層２０７を形成する（図１０（ｄ））。Ｔｉ／ＴｉＮはバリアメタル層であり、Ｔｉ／ＴｉＮは製造適性上の観点から好適に成膜される。なお、Ｃｏ単独をスパッタで成膜してコバルトから構成される層２０７を形成してもよい。次に銅（Ｃｕ）をスパッタで成膜して、銅含有層２０６を形成する（図１１（ａ））。
【００９０】
その後、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）で平坦化（研磨）を行う（図１１（ｂ））。次に、酸化膜２１３を成膜する（図１１（ｃ））。
【００９１】
第１接続部２０２ａに対応するバンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ）部２０２−１１ｄの右側（図１１（ｄ）中の右側）まで、第２配線２０３及び酸化膜２１３を加工して、第２配線２０３及び酸化膜２１３を除去し、さらに、コンタクトビア４００の右側（図１１（ｄ）中の右側）から第１番目と第２番目との間で第２配線２０３及び酸化膜２１３が分離されるように、第２配線２０３及び酸化膜２１３を加工して、第２配線２０３及び酸化膜２１３を除去する（図１１（ｄ））。
【００９２】
続いて、インナーレンズ２１１を形成する（図１２（ａ））。絶縁膜２１０を成膜し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）で平坦化（研磨）した後（図１２（ｂ））、遮光壁２０９を形成するための遮光部をフォトレジストとドライエッチングにより形成し、タングステン（Ｗ）等で成膜して遮光壁２０９を形成する（図１２（ｃ））。その後、カラーフィルタ（例えば、青色光用カラーフィルタ、赤色光用カラーフィルタ、緑色光用カラーフィルタ）３１とオンチップレンズ（ＯＣＬ）２１２を形成する（図１３（ａ）及び図１３（ｂ））。第２接続部（ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））用の開口部２０１を形成して、第２接続部２０１ａ（ワイヤーボンディングパッド（ＷＢ ＰＡＤ））を形成し、第１接続部（バンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ））用の開口部２０２を形成して、第１接続部２０２ａ（バンプパッド（Ｂｕｍｐ ＰＡＤ））を形成して、固体撮像装置２００３が製造される（図１３（ｃ））。
【００９３】
図１３（ｃ）に示されるように、固体撮像装置２００３において、接続配線は、第１配線２０４と第２配線２０３と複数（４つ）のコンタクトビア４００とを有している。第１配線２０４、１つのコンタクトビア４００及び第２配線２０３を介して、貫通ビア２０５と第１接続部２０２ａとが接続している。また、第１配線２０４、３つのコンタクトビア４００第２配線２０３を介して、貫通ビア２０５と第２接続部２０１ａとが接続している。固体撮像装置２００３は、接続配線がコンタクトビア４００を有しているので、更なる低背化（薄型化）を実現することができる。コンタクトビア４００を用いれば、上記のとおり、第１配線２０４と第２配線２０３とを接続するための溝部を形成する必要がない場合がある。溝部は、第２配線２０３を下方向（半導体層２０の表面側への方向）に延在させて、第２配線２０３が第１配線２０４に接続するように形成される。例えば、溝部を、製造適性上の観点から、第２配線２０３をより下方向に延在させるようにしなければならない場合は、コンタクトビア４００の長さは、溝部の長さ（深さ）よりも短くすることができ、固体撮像装置２００３の更なる低背化（薄型化）を実現することができる。また、図１３（ｃ）に示されるように、固体撮像装置２００３は、コンタクトビア４００を有しているので、第２配線２０３は、第１接続部２０２ａから第２接続部２０１ａまで連続的に引き回されている必要はなく、絶縁膜２１０により垂直方向（図１３（ｃ）の上下方向）に分離されている。
【００９４】
次に、図１８を用いて、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【００９５】
図１８に示されるように、固体撮像装置２００８は、固体撮像装置２００３が備える遮光壁２０９を備えていないこと以外は固体撮像装置２００３の構造と略同一である、固体撮像装置である。したがって、固体撮像装置２００８の構造についての詳細な説明はここでは省略する。
【００９６】
本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容をそのまま適用することができる。
【００９７】
＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、半導体層の光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、第１接続部、２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、第１接続部により第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、第２接続部により外部端子と接続し、第１接続部が、第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成される、固体撮像装置である。本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置において、第１接続部が、第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成され、第１接続部の上面と第２配線の上面とが略同一平面でよい。
【００９８】
以下、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について、図１４及び図１９を用いて更に詳細に説明をする。図１４及び図１９は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図１４は固体撮像装置２００４の断面図であり、図１９は、固体撮像装置２００９の断面図である。
【００９９】
図１４を用いて、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【０１００】
図１４に示されるように、固体撮像装置２００４においては、第１接続部２０２ａが、第２配線２０３が有する凹部構造にアルミニウム含有層２０７及び銅含有層２０６が埋め込まれて形成されている。第１接続部２０２ａは、第２配線２０３が有する凹部構造に埋め込まれて形成されているので、第１接続部２０２ａの上面（接続面）（図１４中の上側）と第２配線２０３の上面（図１４中の上側）とが略同一平面である。なお、図１４に示されるように、固体撮像装置２００４では、第１接続部２０２ａの下部（図１４中の下側）には、第２配線２０３が有するのが凹部構造であるので、第２配線２０３が残されているが、凹部構造を下部の絶縁膜２１０まで掘り込んで、第１接続部２０２ａの下部（図１４中の下側）に、第２配線２０３を残さない構造でもよい。
【０１０１】
次に、図１９を用いて、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【０１０２】
図１９に示されるように、固体撮像装置２００９は、固体撮像装置２００４が備える遮光壁２０９を備えていないこと以外は固体撮像装置２００４の構造と略同一である、固体撮像装置である。したがって、固体撮像装置２００９の構造についての詳細な説明はここでは省略する。
【０１０３】
本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容をそのまま適用することができる。
【０１０４】
＜６．第５の実施形態（固体撮像装置の例５）＞
本技術に係る第５の実施形態（固体撮像装置の例５）の固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、半導体層の光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、第１接続部、２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、第１接続部により第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、第２接続部により外部端子と接続し、接続配線が第１配線と第２配線と複数の第１コンタクトビアと複数の第２コンタクトビアとを有し、第１配線及び複数の第１コンタクトビアのうち少なくとも１つの第１コンタクトビアを介して、貫通ビアと第１接続部とが接続し、第１配線、複数の第２コンタクトビアのうち少なくとも１つの第２コンタクトビア及び第２配線を介して、貫通ビアと第２接続部とが接続する、固体撮像装置である。
【０１０５】
以下、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置について、図１５及び図２０を用いて更に詳細に説明をする。図１５及び図２０は、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図であり、図１５は固体撮像装置２００５の断面図であり、図２０は、固体撮像装置２０１０の断面図である。
【０１０６】
図１５を用いて、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【０１０７】
図１５に示されるように、固体撮像装置２００５においては、接続配線が第１配線２０４と第２配線２０３と１つの第１コンタクトビア４１０と３つの第２コンタクトビア４２０とを有している。第１配線２０４及び１つの第１コンタクトビア４１０を介して、貫通ビア２０５と第１接続部２０２ａとが接続している。すなわち、貫通ビア２０５と第１接続部２０２ａとは、第２配線２０３を介さないで、第１コンタクトビア４１０が直接に第１接続部２０２ａに接続されて、接続している。そして、第１配線２０４、３つの第２コンタクトビア４２０第２配線２０３を介して、貫通ビア２０５と第２接続部２０１ａとが接続している。
【０１０８】
次に、図２０を用いて、本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置について説明する。
【０１０９】
図２０に示されるように、固体撮像装置２０１０は、固体撮像装置２００５が備える遮光壁２０９を備えていないこと以外は固体撮像装置２００５の構造と略同一である、固体撮像装置である。したがって、固体撮像装置２０１０の構造についての詳細な説明はここでは省略する。
【０１１０】
本技術に係る第５の実施形態の固体撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容をそのまま適用することができる。
【０１１１】
＜７．第６の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、本技術に係る固体撮像装置が搭載された電子機器であり、本技術に係る固体撮像装置は、入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、該第２接続部により外部端子と接続する、固体撮像装置である。
【０１１２】
例えば、本技術に係る第６の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態〜第５の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。
【０１１３】
＜８．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
図２２は、イメージセンサとしての本技術に係る第１〜第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。
【０１１４】
上述した第１〜第５の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図２２に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第６の実施形態の電子機器）に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１１５】
具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１１６】
交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１１７】
家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１１８】
医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１１９】
セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像素子を使用することができる。
【０１２０】
美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１２１】
スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１２２】
農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。
【０１２３】
次に、本技術に係る第１〜第５の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１〜第５の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置は、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図２３に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。
【０１２４】
光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。
【０１２５】
＜９．内視鏡手術システムへの応用例＞
本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
【０１２６】
図２４は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【０１２７】
図２４では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
【０１２８】
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
【０１２９】
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
【０１３０】
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：  Ｃａｍｅｒａ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
【０１３１】
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
【０１３２】
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
【０１３３】
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
【０１３４】
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
【０１３５】
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
【０１３６】
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
【０１３７】
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
【０１３８】
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ  Ｂａｎｄ  Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
【０１３９】
図２５は、図２４に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
【０１４０】
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
【０１４１】
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
【０１４２】
撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
【０１４３】
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
【０１４４】
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
【０１４５】
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
【０１４６】
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
【０１４７】
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ  Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ  Ｗｈｉｔｅ  Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
【０１４８】
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
【０１４９】
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
【０１５０】
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
【０１５１】
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
【０１５２】
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
【０１５３】
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
【０１５４】
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
【０１５５】
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
【０１５６】
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本開示の固体撮像装置１１１は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、歩留まりを向上させ、製造に係るコストを低減させることが可能となる。
【０１５７】
ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
【０１５８】
＜１０．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
【０１５９】
図２６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
【０１６０】
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。
【０１６１】
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
【０１６２】
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
【０１６３】
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
【０１６４】
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
【０１６５】
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
【０１６６】
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｄｒｉｖｅｒ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
【０１６７】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【０１６８】
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
【０１６９】
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１３の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【０１７０】
図２７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
【０１７１】
図２７では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。
【０１７２】
撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
【０１７３】
なお、図２７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
【０１７４】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
【０１７５】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
【０１７６】
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
【０１７７】
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
【０１７８】
以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本開示の固体撮像装置１１１は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、歩留まりを向上させ、製造に係るコストを低減させることが可能となる。
【０１７９】
なお、本技術は、上述した実施形態及び応用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１８０】
また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【０１８１】
また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び該貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、
該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、
該第２接続部により外部端子と接続する、固体撮像装置。
［２］
前記接続配線が第１配線と第２配線とを有し、
該第１配線を介して、前記貫通ビアと該第２配線とが接続し、
該第２配線を介して、前記第１接続部と前記第２接続部とが接続する、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
前記接続配線が第１配線と第２配線と複数のコンタクトビアとを有し、
該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続し、
該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続する、［１］に記載の固体撮像装置。
［４］
前記第２配線が垂直方向に分離されている、［３］に記載の固体撮像装置。
［５］
前記接続配線が第１配線と第２配線と複数の第１コンタクトビアと複数の第２コンタクトビアとを有し、
該第１配線及び該複数の第１コンタクトビアのうち少なくとも１つの第１コンタクトビアを介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続し、
該第１配線、該複数の第２コンタクトビアのうち少なくとも１つの第２コンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続する、［１］に記載の固体撮像装置。
［６］
前記第１接続部と前記第２接続部とが略同一の層に配される、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
前記接続配線が第１配線と第２配線とを有し、
前記第１接続部が、前記第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成される、［１］から［６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［８］
前記接続配線が第１配線と第２配線とを有し、
前記第１接続部が、前記第２配線が有する凹部構造に埋め込まれて形成され、前記第１接続部の上面と前記第２配線の上面とが略同一平面である、［１］から［６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［９］
前記第１接続部が２層構造を有する、［１］から［８］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１０］
前記２層構造が、光入射側から順に、銅含有層とコバルト含有層とから構成される、［９］に記載の固体撮像装置。
［１１］
前記第２接続部がアルミニウム含有層を有する、［１］から［１０］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１２］
固体撮像装置が搭載されて、
該固体撮像装置が、
入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、前記半導体層の該光を受光する側の面側における第１接続部と第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、
該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、
第２接続部により外部端子と接続する、
電子機器。
［１３］
［１］から［１１］のいずれか１つに記載の固体撮像素子が搭載された、電子機器。
［１４］
入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、第１接続部と、第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、
該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、
第２接続部により外部端子と接続し、
該接続配線が第１配線と第２配線と複数のコンタクトビアとを有し、
該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、該貫通ビアと該第１接続部とが接続し、
該第１配線、該複数のコンタクトビアのうち少なくとも１つのコンタクトビア及び該第２配線を介して、該貫通ビアと該第２接続部とが接続する、固体撮像装置。
［１５］
前記第２配線が垂直方向に分離されている、［１４］に記載の固体撮像装置。
［１６］
入射した光を光電変換する光電変換部と貫通ビアとが設けられた半導体層と、第１接続部と、第２接続部と、該第１接続部、該第２接続部及び貫通ビアを接続する接続配線と、を有する第１半導体素子と、
該第１接続部により該第１半導体素子に実装される第２半導体素子と、を備え、
第２接続部により外部端子と接続し、
前記接続配線が第１配線と第２配線と複数の第１コンタクトビアと複数の第２コンタクトビアとを有し、
該第１配線及び該複数の第１コンタクトビアのうち少なくとも１つの第１コンタクトビアを介して、前記貫通ビアと前記第１接続部とが接続し、
該第１配線、該複数の第２コンタクトビアのうち少なくとも１つの第２コンタクトビア及び該第２配線を介して、前記貫通ビアと前記第２接続部とが接続する、固体撮像装置。
【符号の説明】
【０１８２】
２０・・・半導体層、第２開口部、２０１・・・第２開口部、２０１ａ・・・第２接続部、２０２・・・第１開口部、２０２ａ・・・第１接続部、２０３・・・第２配線、２０４・・・第１配線、２０５・・貫通孔、１０００、２０００〜２０１０・・・固体撮像装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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