(57)【要約】      （修正有）【課題】銀の使用量を無くし、ないし低減、および鉛（鉛ガラス）の使用量を低減ないし無くす太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域１２を作成すると共に領域１２の上に光などを透過する絶縁膜１３を形成し、絶縁膜１３に形成した電子取出口１４から電子を取り出すバス電極１５を有する太陽電池において、バス電極１５を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比１００％で焼成してバス電極１５を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する高電子濃度領域を作成すると共に該領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池において、
前記バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比１００％の全部、該導電性ガラスを入れた状態で焼成する工程の時間は長くても１分以内、１秒以上の焼成をしてバス電極を形成し、導電性ペーストとして導電性ガラスを使用したことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記導電性ガラスを重量比１００％の全部に代えて、導電性ガラスを重量比１００％から７０％以上とし残りを銀としたことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記導電性ガラスは、少なくともバナジウムあるいはバナジウムとバリウムを含むバナジン酸ガラスとしたことを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記導電性ガラスは、Ｐｂフリーであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項５】
前記電子取出口であるフィンガー電極を焼成したときに、当該フィンガー電極が前記高電子濃度領域に一端を有し、かつ他端はバス電極の上面の高さと同じ部分あるいは突き抜けて上面に突出した部分を形成したことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項６】
前記焼成して形成したバス電極の上に、外部に電子を取り出すリード電極を設けたこ
とを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項７】
前記焼成して形成したバス電極の上にリード電極を超音波半田付けで形成し、リード電極の接するバス電極、フィンガー電極、および前記絶縁膜の部分に接合し、当該リード電極の接着強度を、超音波なしの半田付けに比較して向上させたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項８】
基板上に光を照射したときに高電子濃度を生成する高電子濃度領域を作成すると共に該領域の上に光を透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池の製造方法において、
前記バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比１００％の全部、該導電性ガラスを入れた状態で焼成する工程の時間は長くても１分以内、１秒以上の焼成をしてバス電極を形成し、導電性ペーストとして導電性ガラスを使用するステップ
を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記導電性ガラスを重量比１００％の全部に代えて、導電性ガラスを重量比１００％から７０％以上とし残りとして銀を混入したことを特徴とする請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性ガラスは、少なくもとバナジウムあるいはバナジウムとバリウム含むバナジン酸塩ガラスとしたことを特徴とする請求項８あるいは請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池および太陽電池の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、再生可能エネルギー利用の一つである太陽電池は、２０世紀の主役である半導体技術をベースにその開発が行われている。人類の生存を左右する地球レベルの重要な開発である。その開発の課題は太陽光を電気エネルギーに変換する効率ばかりではなく製造コストの低減および無公害という課題にも向き合いながら進められている。これらを実現する取り組みは、特に、電極に使用されている銀（Ａｇ）や鉛（Ｐｂ）の使用量を低減ないし無くすことが重要とされている。
【０００３】
一般に、太陽電池の構造は、図１０の（ａ）の平面図および（ｂ）の断面図に示すように、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換するＮ型/Ｐ型のシリコン基板４３、シリコン基板４３の表面の反射を防止および絶縁体薄膜である窒化シリコン膜４５、シリコン基板４３中に発生した電子を取り出すフィンガー電極４２、フィンガー電極４２で取り出した電子を集めるバスバー電極４１、バスバー電極４１に集めた電子を外部に取り出す引出リード電極４７の各要素より構成されている。
【０００４】
このうち、バスバー電極（バス電極）４１およびフィンガー電極４２に銀および鉛（鉛ガラス）が使用されており、これの銀の使用量を無くし、あるいは低減し、更に、鉛（鉛ガラス）の使用量を低減ないし無くし、低コストかつ無公害にすることが望まれていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来の図１０の太陽電池の構成要素のうち、フィンガー電極４２などに銀および鉛（バインダーとしての鉛ガラス）が使用されており、これの銀の使用量を無くし、ないし低減し、および鉛（鉛ガラス）の使用量を低減ないし無くし、太陽電池の製造コストの低減かつ無公害にするという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、ペーストに後述するＮＴＡガラス１００％を用いてバス電極等を実験的に作成したところ上述した従来の銀ペーストを用いてバス電極等を作成したときと変わらないあるいは優れた特性を有する太陽電池の作成が可能（後述する）であることを発見した。
【０００７】
本発明は、これら発見に基づき、銀の使用量を無くし、ないし低減し、および鉛（鉛ガラス）の使用量を低減ないし無くすために、太陽電池の構成要素であるバス電極（バスバー電極）などを形成するのに、ペーストをバナジン酸塩ガラス（以下、導電性のＮＴＡガラスという、”ＮＴＡ”は登録商標５００９０２３号））で作成して焼成し、銀および鉛（鉛ガラス）の使用量を無くし、ないし低減することを可能とした。
【０００８】
そのため、本発明は、基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池において、バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比１００％で焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストとして導電性ガラスを使用するようにしている。
【０００９】
この際、導電性ガラスを重量比１００％に代えて、導電性ガラスを重量比１００％から７１％とし残りを銀とするようにしている。
【００１０】
また、導電性ガラスは、少なくともバナジウムあるいはバナジウムとバリウムを含むバナシン酸ガラスとするようにしている。
【００１１】
また、導電性ガラスを混入して焼成する工程の時間は、長くても１分以内、１秒以上であるようにしている。
【００１２】
また、導電性ガラスは、Ｐｂフリーであるようにしている。
【００１３】
また、フィンガー電極を焼成したときに、フィンガー電極が高電子濃度領域に一端を有し、かつ他端はバス電極の上面の高さと同じ部分あるいは突き抜けて上面に突出した部分を形成するようにしている。
【００１４】
また、焼成して形成したバス電極の上にリード電極を設けるようにしている。
【００１５】
また、焼成して形成したバス電極の上にリード電極を超音波半田付けで形成し、リード電極の接するバス電極、フィンガー電極、およびその他の部分に接合し、リード電極の接着強度を向上させるようにしている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、上述したように、導電性のＮＴＡガラス１００％、更に７１％程度迄（更に含有量を少なくしても可）を従来の銀ペーストの代わりに用いて焼成することにより、従来の銀ペースト中の銀の使用量を無くし、あるいは低減し、かつ鉛（鉛ガラス）の利用量を低減ないし無くすことができた。これらにより、下記の特徴がある。
【００１７】
第１に、太陽電池のバスバー電極（バス電極）を形成するのに導電性のバナジン酸塩ガラスであるＮＴＡガラス（登録商標第5009023号、特許第５３３３９７６号）１００％、更に７１％程度迄を銀ペーストの代わりに用い、Ａｇの使用量を無くし、ないし低減し、更に、鉛（鉛ガラス）の使用量を低減ないし無くすことができた。
【００１８】
第２に、バスバー電極（バス電極）をＮＴＡガラス１００％ないし７１％程度（更に含有量を少なくしても可）を用いることにより、太陽光エネルギーを電子エネルギーに変換する効率がほぼ同じあるいは若干高い、バスバー電極としての効果を発揮する電極形成が現初期段階の実験結果として得られた（図９参照）。これはＮＴＡガラスが（１）導電性を有すること、（２）ＮＴＡガラスを用いたことでフィンガー電極が当該バスバー電極（バス電極）の上面の高さと同じ部分あるいは突き抜けて上面に突出した部分が形成され、これら部分がリード電極の超音波半田付けで接合され、結果として高電子濃度領域とリード電極とが直接にフィンガー電極で接続されること、その他の要因（例えば下記の「第３に」を参照）に起因すると考察される。
【００１９】
第３に、従来と異なり、フィンガー電極の形成とバスバー電極の形成とを異なるガラスフリットを含有したペーストを用いることにある。従来、フィンガー電極の形成においてはファイアリングと呼ばれる現象を生ずる必要があった。これは、銀の焼結助剤として用いているガラスフリットの中の成分分子、例えば鉛ガラス中の鉛分子の働きによってシリコン基板の表層に形成された窒化シリコン膜の絶縁層を突き破ってフィンガー電極を形成するようにしてシリコン基板に生成された電子を効率よく集めていた。しかし、バスバー電極の形成については、ファイヤリング現象は必要でない。従来はバスバー電極も鉛成分を含んだ鉛ガラスを焼結助剤にして焼結していたので構造は異なるもののバスバー電極とシリコン基板との電気的な導通路が形成されて変換効率を低減する事となっていた。バスバー電極形成に用いる焼結助剤をファイヤリング現象の生じないＮＴＡガラスを用いることによって変換効率の低減を無くすことができた。
【００２０】
第４に、銀粉末材料の使用による太陽電池のコスト高（原材料費高）の問題がある。また、銀材料の過剰な需要によって材料調達の問題も浮上している。導電ガラスであるＮＴＡガラスの含有比率１００％ないし７１％に大幅に増加してその分の銀量を少なくしても変換効率を低減することなく太陽電池を作製出来ることができたことは産業界に大きなインパクトを与えると思慮する。
【００２１】
第５に、従来のバスバー電極の形成に使用していた鉛ガラスの使用を無くすこと、即ち鉛フリーにすることができた。これによって鉛公害の環境問題を皆無にすることが可能となる。
【実施例１】
【００２２】
図１は、本発明の１実施例構造図（工程の完成図：断面図）を示す。
【００２３】
図１において、シリコン基板１１は、公知の半導体のシリコン基板である。
【００２４】
高電子濃度領域（拡散ドーピング層）１２は、シリコン基板１１の上に所望のｐ型／ｎ型の層を拡散ドーピングなどで形成した公知の領域（層）であって、図では上方向から太陽光が入射するとシリコン基板１１で電子を発生（発電）し、その電子を蓄積する領域である。ここでは、蓄積した電子は電子取出口（フィンガー電極（銀））１４によって上方向に取り出されるものである（発明の効果参照）。
【００２５】
絶縁膜（窒化シリコン膜）１３は、太陽光を通過（透過）させ、かつバスバー電極１５と高電子濃度領域１４とを電気的に絶縁する公知の膜である。
【００２６】
電子取出口（フィンガー電極（銀））１４は、高電子濃度領域１２中に蓄積した電子を絶縁膜１３に形成した穴を介して取り出す口（フィンガー電極）である。フィンガー電極１４は、本発明では、図示のように、バスバー電極１５をＮＴＡガラス１００％（ないし７１％程度）で焼成した場合には、フィンガー電極１４がバスバー電極１５の上面の高さと同じ部分あるいは突き抜けて上面に突出した部分を形成（焼成）し、高電子濃度領域１２中の電子を当該フィンガー電極１４を介してリード線１７に直接に流入させる（電子を直接に取り出させる）ことが可能となる。つまり、高電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、バスバー電極１５、リード線１７の経路１（従来の経路１）と、高電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、リード線１７の経路２（本発明で追加された経路２）との２つの経路で高電子濃度領域１２中の電子（電流）をリード線１７を介して外部に取り出すことができ、結果として、高電子濃度領域１２とリード線１７との間の抵抗値を非常に小さくすることが可能となり、損失を低減して結果として太陽電池の効率を向上させることができる。
【００２７】
バスバー電極（電極１（ＮＴＡガラス１００％））１５は、複数の電子取出口（フィンガーバー電極）１４を電気的に接続する電極であって、Ａｇの使用量を無くす、ないし削減する対象の電極である（発明の効果参照）。
【００２８】
裏面電極（電極２（アルミ））１６は、シリコン基板１１の下面に形成した公知の電極である。
【００２９】
リード線（ハンダ形成）１７は、複数のバスバー電極１５を電気的に連結した電子（電流Ｉ）を外部に取り出したり、更に、本発明ではフィンガー電極１４がバスバー電極１５の上面と同じ高さの部分あるいは突き抜けた部分に、当該リード線を超音波半田付けして接合し電子（電流）を外部に取出したりするリード線である。
【００３０】
以上の図１の構造のもとで、上から下方向に太陽光を照射すると、太陽光はリード線１７および電子取出口１４の無い部分と絶縁膜１３を通過し、シリコン基板１１に入射して電子を発生する。その後、高電子濃度領域１２に蓄積した電子は、電子取出口（フィンガー電極）１４、バスバー電極１５、リード線１７の経路１、および電子取出口（フィンガー電極）１４、リード線１７の経路２の両経路を介して外部に取り出される。この際、図２から図９で後述するように、バスバー電極１５を、ペーストにガラスフリットとしてＮＴＡガラス（導電性ガラス）１００％ないし７１％（更に少なくても可、図９参照）を混入して焼成して形成し、Ａｇの使用量を無くし、ないし低減することが可能となる。以下順次詳細に説明する。
【００３１】
図２は、本発明の動作説明フローチャートを示し、図３および図４は各工程の詳細構造を示す。
【００３２】
図２において、Ｓ１は、シリコン基板を準備する。
【００３３】
Ｓ２は、クリーニングする。これらＳ１、Ｓ２は、図３の（ａ）に示すように、Ｓ１で準備したシリコン基板１１の面（高電子濃度領域１２を形成する面）を綺麗にクリーニングする。
【００３４】
Ｓ３は、拡散ドーピングする。これは、図３の（ｂ）に示すように、図３の（ａ）でクリーニングしたシリコン基板１１の上に公知の拡散ドーピングを行い、高電子濃度領域１２を形成する。
【００３５】
Ｓ４は、反射防止膜（窒化シリコン膜）を形成する。これは、図３の（ｃ）に示すように、図３の（ｂ）の高電子濃度領域１２を形成した上に、反射防止膜（太陽光を通過させ、かつ表面反射を可及的に低減した膜）として例えば窒化シリコン膜を公知の手法で形成する。
【００３６】
Ｓ５は、フィンガー電極をスクリーン印刷する。これは、図３の（ｄ）に示すように、図３の（ｃ）の窒化シリコン膜１３を形成した上に、形成するフィンガー電極１４のパターンをスクリーン印刷する。印刷材料は、例えば銀にフリットとして鉛ガラスを混入したものを用いる。
【００３７】
Ｓ６は、フィンガー電極を焼成し、ファイヤースルーさせる。これは、図３の（ｄ）でスクリーン印刷したフィンガー電極１４のパターン（銀と鉛ガラスのフリットを混入したもの）を焼成し、図３の（ｅ）に示すように、窒化シリコン膜１３にファイヤースルーさせてその中に銀（導電性）を形成したフィンガー電極１４を形成する。
【００３８】
Ｓ７は、バスバー電極（電極１）をスクリーン印刷する。これは、図４の（ｆ）に示すように、図３の（ｅ）のフィンガー電極１４を形成した上に、形成するバスバー電極１５のパターンをスクリーン印刷する。印刷材料は、例えばフリットとしてＮＴＡガス（１００％）のものを用いる。
【００３９】
Ｓ８は、バスバー電極を焼成する。これは、図３の（ｆ）でスクリーン印刷したバスバー電極１５のパターン（ＮＴＡガラス（１００％）のフリット）を焼成（焼成時間は長くても１分以内、１〜３秒以上で焼成）し、図４の（ｇ）に示すように、バスバー電極１５が最上層に形成され、かつ本発明の特徴である、フィンガー電極１４が当該最上層に形成されたバスバー電極１５の上面と同じ高さの部分、あるいは突き抜けた部分が形成される。
【００４０】
尚、Ｓ５及びＳ７の印刷を行い、両者を同時に焼成してもよい。
【００４１】
Ｓ９は、裏面電極（電極２）を形成する。これは、図４の（ｈ）に示すように、シリコン基板１１の下側（裏面）に例えばアルミ電極を形成する。
【００４２】
Ｓ１０は、リード線をハンダ形成する。これは、図４の（ｉ）に示すように、図４の（ｇ）のバスバー電極を電気的に接続するリード線をハンダで形成、例えば超音波半田付けで形成して電気的に接続すると、高電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、バスバー電極１６、リード線１７の経路１（従来の経路１）と、高電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、リード線１７の経路２（本発明で追加した経路２）との両経路で、高電子濃度領域１２中の電子（電流）をリード線１７を介して外部に取り出すことが可能となり、高電子濃度領域１２とリード線１７との間の抵抗値を非常に小さくしてロスを低減して太陽電池の効率を向上させることができる。すなわち、本発明で追加した経路２は、フィンガー電極１４の一端が高電子濃度領域１２の中にあり、他端がＮＴＡガラス１００％のバスバー電極１５の上面と同じ高さの部分あるいは突き抜けた部分があり、この部分にリード線が直接接合（超音波半田付けで直接接合）されるので、高電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、リード線１７の経路２が形成される。なお、経路１は、従来の経路である。
【００４３】
以上の工程により、シリコン基板に太陽電池を作成することが可能となる。
【００４４】
図５は、本発明の詳細説明図（バスバー電極の焼成）を示す。
【００４５】
図５の（ａ）はバスバー電極を銀１００％、ＮＴＡ０％（重量比）で焼成した例を模式的に示し、図５の（ｂ）はバスバー電極を銀５０％、ＮＴＡ５０％（重量比）で焼成した例を模式的に示し、図５の（ｃ）はバスバー電極をＮＴＡ１００％（重量比）で焼成した例を模式的に示す。焼成時間は、長くても１分以内で、１〜３秒以上とした。
【００４６】
図５の（ａ）と図５の（ｂ）と図５の（ｃ）とで図示のようにほぼ同構造となるように形成した太陽電池の試作実験では下記のような実験結果が得られた。
【００４７】
太陽電池の変換効率      
図５の（ａ）のＡｇ  １００％、ＮＴＡ      ０  ％      平均約１７．０％
図５の（ｂ）のＡｇ    ５０％、ＮＴＡ    ５０％        平均約１７．０％
図５の（ｃ）のＡｇ      ０％、ＮＴＡ  １００％        平均約１７．２％
試作実験結果は、バスバー電極のパターンを印刷する材料として、図５の（ａ）と、図５の（ｂ）とでは太陽電池を作成したときの変換効率が平均約１７．０％でほぼ同じ結果が得られ、更に、図５の（ｃ）では変換効率が平均約１７．２％が得られた。これら図５の（ａ）から（ｃ）のいずれもほぼ同じ変換効率の範囲内か、あるいは図５の（ｃ）のＮＴＡ  １００％が若干高い変換効率であることが初期実験結果から判明する。尚、ＮＴＡガラスは、バナジウム、バリウム、鉄から構成され、特に鉄は内部的に強く結合して当該内部に留まっており、他の材料と混合してもその結合性は極めて小さい性質を有すること（特許第５３３３９７６号等参照）、更に既述した本発明の高電子濃度領域とリード線との間の経路（経路１と、経路２とが並列）の改善によると推測される。
【００４８】
図６および図７は、本発明の説明図（バスバー電極）を示す。
【００４９】
図６の（ａ）および図６の（ｂ）はＮＴＡ  ５０％、Ａｇ５０％のものであって、図６の（ａ）は全体平面図を示し、図６の（ｂ）は拡大図を示す。図７の（ｃ）はＮＴＡ  １００％  Ａｇ  ０％のものであって、図７の（ｃ）は拡大図を示す。
【００５０】
図６の（ａ）および図６の（ｂ）において、バスバー電極１５は、図６の（ａ）の全体平面図に示すように、長いバー状の電極であって、これを光学顕微鏡で拡大すると図６の（ｂ）に示すような構造が観察された。
【００５１】
図６の（ｂ）において、バスバー電極１５は、従来のＡｇと鉛ガラスのフリットで焼成した場合にはＡｇが均一に分散していたが、本発明のＡｇとＮＴＡガラスのフリットで焼成（長くても１分以内、１〜３秒以上の焼成）した場合には当該図６の（ｂ）に示すように、バスバー電極１５の中央部分にＡｇが集まって形成されることが判明した。そのため、発明の効果の欄で説明したように、ＡｇにＮＴＡガラスを混入して短時間焼成（長くても１分、１〜３秒以上の焼成）するとＡｇが中央部分に集まって導電性が向上し（従来はＡｇは均一に分散していた場合に比較して導電性が向上し）、かつＮＴＡガラス自身も導電性を有することなどの総合的な作用によりＡｇの割合を減らしてＮＴＡガラスを増やしても、太陽電池として製造した場合の変換効率は既述したように約１６．９％と実験ではほぼ同じ結果が得られた。
【００５２】
尚、焼成温度は、５００℃から９００℃であるが、太陽電池として作成した場合に最適な温度を実験により決定することが必要である。低すぎても高すぎても図６の（ｂ）のような構造が得られず、実験で決定することが必要である。
【００５３】
図７の（ｃ）において、バスバー電極１５は、図示の中央部分の横方向の幅の広いバー状の電極であって、本発明に係るＮＴＡ  １００％の拡大写真の１例を示す。
【００５４】
この図７の（ｃ）のバスバー電極１５は、縦方向に幅の狭いフィンガー電極１４が当該バスバー電極１５を突き抜けて上側に少し突出した部分があり、かつ当該突出した部分の周囲が元のフィンガー電極１４の幅よりも太くなっていることが判明する。そして、図示のバスバー電極１５の上に、当該バスバー電極１５の幅と同じ、若干小さい、あるいは若干大きい幅で、後述する図８で詳細に説明するように、超音波半田付けすることにより、既述した経路１（光電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、バスバー電極１５、リード線１７の経路１）および経路２（光電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、リード線１７の経路２）の両経路で高濃度電子領域と当該リード線とを導電接続し、電子（電流）の損失を低減して外部に効率的に取り出すことが可能となり、図６の（ａ）、（ｂ）とほぼ同じ変換効率、あるいは若干高い変換効率（約１７．２％）が得られた。
【００５５】
尚、焼成温度は、図６の（ａ）、（ｂ）とほぼ同じ５００℃から９００℃であるが、太陽電池として作成した場合に最適な温度を実験により決定することが必要である。低すぎても高すぎても図７の（ｃ）のような構造が得られず、実験で決定することが必要である。
【００５６】
図８は、本発明の説明図（超音波半田付け）を示す。これは、既述した図７の（ｃ）のＮＴＡ  １００％  の場合のものである（尚、同様に、図６の（ａ）、（ｂ）に適用してもよい）。
【００５７】
図８の（ａ）は、フィンガー電極１４を焼成した後の状態を示す。
【００５８】
図８の（ｂ）は、図８の（ａ）のバスバー電極１５の上に、点線で示す、ここでは、若干大きめ（あるいは同じ、あるいは小さくてもよい）のリード線１７を半田付けする従来の例を示す。この従来の例では、通常の半田付けで行うので、フィンガー電極１４が突出した部分（Ａｇ）とリード線１７とは半田接合するが、フィンガー電極１４の突出していない部分（ＮＴＡ１００％の部分）とリード線１７とは十分に半田接合しなく、機械的強度が十分ではない。一方、後述する図８の（ｃ）の超音波半田付けした場合には、半田接合し、機械的強度が大幅に向上した。
【００５９】
図８の（ｃ）は、図８の（ａ）のバスバー電極１５（図７の（ｃ）のバスバー電極１５）の上に、点線で示す、若干大きめのリード線１７を超音波半田付けする本発明の例を示す。この本発明の例では、超音波半田付けで行うので、フィンガー電極１４が突出した部分（Ａｇ）とリード線１７とは半田接合し、更に、フィンガー電極１４のない部分（ＮＴＡ１００％の部分）とリード線１７とも半田接合し、機械的強度が大幅に向上すると共に、既述した経路２（高電子濃度領域１２、フィンガー電極１４、バスバー電極１５、リード線１７の経路２）の導電性が向上した。
【００６０】
図９は、本発明の測定例（効率）を示す。本図９は、既述したバスバー電極１５について、ＮＴＡを１００％から７０％に変化させたときの良好な測定例であって、図９の横軸はサンプルの番号を示し、縦軸は効率（％）を示す。サンプルは、
・ＮＴＡ  １００％  Ａｇ    ０％
・ＮＴＡ    ９０％  Ａｇ  １０％
・ＮＴＡ    ８０％  Ａｇ  ２０％
・ＮＴＡ    ７０％  Ａｇ  ３０％
とし、これらで太陽電池を作成し、各測定結果（効率）は図示の通りであった。尚、初期実験であるので、測定結果には図示のようにかなりのバラツキがあるが、１６．９から１７．５の範囲内に収まっており、ＮＴＡ  １００％でバスバー電極１５を作成（つまり、Ａｇなしで作成）して太陽電池を製造した場合でも、ＮＴＡ  ７０％（あるいは、更に８０％、９０％）に比して同程度ないし若干高い効率が得られ、ＮＴＡ  １００％でも使えることが判明した（発明者らはこの事実を発見した）。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の１実施例構造図（工程の完成図：断面図）である。
【図２】本発明の動作説明フローチャートである。
【図３】本発明の詳細工程説明図（その１）である。
【図４】本発明の詳細工程説明図（その２）である。
【図５】本発明の詳細説明図（バスバー電極の焼成）である。
【図６】本発明の説明図（バスバー電極）である。
【図７】本発明の説明図（バスバー電極）である。
【図８】本発明の説明図（超音波半田付け）である。
【図９】本発明の測定例（効率）である。
【図１０】従来技術の説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１１：シリコン基板
１２：高電子濃度領域（拡散ドーピング）
１３：絶縁膜（窒化シリコン膜）
１４：電子取出口（フィンガー電極）
１５：バスバー電極
１６：裏面電極
１７：リード線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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