(57)【要約】【課題】被処理基板の温度を迅速かつ広範囲に調整する。【解決手段】基板処理装置は、被処理基板が載置される載置面を有し、被処理基板と載置面との間の隙間に伝熱ガスを供給するためのガス供給管が設けられた載置台と、相対的に温度が低い伝熱ガスと、相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合して、ガス供給管から被処理基板と載置面との間の隙間に供給される伝熱ガスを生成するガス供給系と、を有する。【選択図】図２
2020120081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が載置される載置面を有し、前記被処理基板と前記載置面との間の隙間に伝熱ガスを供給するためのガス供給管が設けられた載置台と、
相対的に温度が低い伝熱ガスと、相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合して、前記ガス供給管から前記被処理基板と前記載置面との間の隙間に供給される伝熱ガスを生成するガス供給系と、
を有する、基板処理装置。
【請求項２】
前記ガス供給系は、
伝熱ガス供給源と、
前記伝熱ガス供給源から供給される伝熱ガスを第１の流路及び第２の流路に分配する分配部と、
前記第１の流路に分配された伝熱ガスを第１の温度に調整し、前記第２の流路に分配された伝熱ガスを前記第１の温度よりも高い第２の温度に調整する調整部と、
前記ガス供給管に接続され、前記第１の温度に調整された伝熱ガスと、前記第２の温度に調整された伝熱ガスとを混合して、前記ガス供給管から前記被処理基板と前記載置面との間の隙間に供給される伝熱ガスを生成する混合部と、
を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記混合部は、前記載置台の内部に配置される、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記載置面は、複数の分割領域に分割され、
前記混合部及び前記ガス供給管は、前記載置面の複数の分割領域に対応して複数設けられ、
複数の前記混合部は、前記第１の温度に調整された伝熱ガスと前記第２の温度に調整された伝熱ガスとを前記混合部ごとに設定された混合比で混合して、複数の伝熱ガスを生成し、前記載置面の複数の分割領域に対応して複数形成される、前記被処理基板と前記載置面との間の隙間に、複数の前記ガス供給管を介して前記複数の伝熱ガスを個別に供給する、請求項２又は３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記伝熱ガス供給源は、常温よりも低い温度に冷却された伝熱ガスを供給する、請求項２〜４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハなどの被処理基板に対してプラズマ処理等の基板処理を行う基板処理装置が知られている。このような基板処理装置は、例えば、真空空間を構成可能な処理容器内に、被処理基板を保持する載置台を有する。載置台には、被処理基板と被処理基板が載置される載置面と間の隙間にヘリウムガス等の伝熱ガスを供給するためのガス供給管が設けられている。基板処理装置では、被処理基板に対する基板処理が行われる際に、被処理基板と載置台の載置面と間の隙間にガス供給管から伝熱ガスを供給することで、被処理基板を所定の温度に調整している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１２６７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、被処理基板の温度を迅速かつ広範囲に調整することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、被処理基板が載置される載置面を有し、前記被処理基板と前記載置面との間の隙間に伝熱ガスを供給するためのガス供給管が設けられた載置台と、相対的に温度が低い伝熱ガスと、相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合して、前記ガス供給管から前記被処理基板と前記載置面との間の隙間に供給される伝熱ガスを生成するガス供給系と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、被処理基板の温度を迅速かつ広範囲に調整することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る載置台及びガス供給系の構成例を示す図である。
【図３】図３は、第２実施形態に係る載置台及びガス供給系の構成例を示す図である。
【図４】図４は、第２実施形態に係る載置台を上方向から見た上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【０００９】
従来、半導体ウエハなどの被処理基板に対してプラズマ処理等の基板処理を行う基板処理装置が知られている。このような基板処理装置は、例えば、真空空間を構成可能な処理容器内に、被処理基板を保持する載置台を有する。載置台には、被処理基板と被処理基板が載置される載置面と間の隙間にヘリウムガス等の伝熱ガスを供給するためのガス供給管が設けられている。基板処理装置では、基板処理が行われる際に、被処理基板と載置台の載置面と間の隙間にガス供給管から伝熱ガスを供給することで、被処理基板と載置面との熱交換を行い、被処理基板を基板処理に適した所望の温度に調整している。
【００１０】
ところで、基板処理装置では、ガス供給管から被処理基板と載置台の載置面と間の隙間に供給される伝熱ガスは、基板処理の処理条件に関わらず、一定の温度に維持されるのが一般的である。しかし、被処理基板と載置台の載置面と間の隙間に供給される伝熱ガスが一定の温度に維持される場合、基板処理の処理条件によっては、伝熱ガスを介した被処理基板と載置面との熱交換の効率が低下する。その結果、被処理基板の温度を迅速かつ広範囲に調整することが困難となる。このため、基板処理装置では、被処理基板の温度を迅速かつ広範囲に調整することが期待されている。
【００１１】
（第１実施形態）
［プラズマ処理装置の構成］
最初に、基板処理装置について説明する。基板処理装置は、被処理基板に対してプラズマ処理を行う装置である。本実施形態では、基板処理装置を、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）に対してプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置とした場合を例に説明する。
【００１２】
図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す概略断面図である。プラズマ処理装置１００は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器１を有している。この処理容器１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器１内には、被処理基板であるウエハＷを水平に支持する載置台２が設けられている。
【００１３】
載置台２は、基材（ベース）２ａと静電チャック（ＥＳＣ:Electrostatic  chuck）６とを含んでいる。基材２ａは、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。静電チャック６は、ウエハＷを静電吸着するための機能を有する。載置台２は、支持台４に支持されている。支持台４は、例えば石英等からなる支持部材３に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えば単結晶シリコンで形成されたエッジリング５が設けられている。なお、エッジリング５は、フォーカスリングとも呼ばれる。さらに、処理容器１内には、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
【００１４】
基材２ａには、第１の整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、また、第２の整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、プラズマ発生用のものであり、この第１のＲＦ電源１０ａからは所定の周波数の高周波電力が載置台２の基材２ａに供給されるように構成されている。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）のものであり、この第２のＲＦ電源１０ｂからは第１のＲＦ電源１０ａより低い所定周波数の高周波電力が載置台２の基材２ａに供給されるように構成されている。このように、載置台２は電圧印加可能に構成されている。一方、載置台２の上方には、載置台２と平行に対向するように、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
【００１５】
静電チャック６は、上面が平坦な円盤状に形成されており、当該上面がウエハＷの載置される載置面６ｅとされている。静電チャック６は、該絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハＷが吸着されるよう構成されている。
【００１６】
載置台２の内部には、冷媒流路２ｄが形成されており、冷媒流路２ｄには、冷媒入口配管２ｂ、冷媒出口配管２ｃが接続されている。そして、プラズマ処理装置１００は、冷媒流路２ｄの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、載置台２を所定の温度に制御可能に構成されている。また、載置台２には、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間にヘリウムガス等の伝熱ガスを供給するためのガス供給管３０が設けられている。ガス供給管３０には、ガス供給系６０が接続されている。ガス供給系６０は、ガス供給管３０からウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスを生成する。これにより、ガス供給管３０からウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に伝熱ガスが供給され、伝熱ガスによってウエハＷと載置面６ｅとの熱交換が行われる。これらの構成によって、プラズマ処理装置１００は、載置台２の上面に静電チャック６によって吸着保持されたウエハＷを、所定の温度に制御する。なお、ガス供給管３０及びガス供給系６０の構造については、後述する。
【００１７】
上記したシャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部に上部天板１６ｂを着脱自在に支持できるように構成されている。
【００１８】
本体部１６ａは、内部にガス拡散室１６ｃが設けられている。また、本体部１６ａは、ガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、底部に、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。また、上部天板１６ｂは、当該上部天板１６ｂを厚さ方向に貫通するようにガス導入孔１６ｅが、上記したガス通流孔１６ｄと重なるように設けられている。このような構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００１９】
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。このガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給する処理ガス供給源（ガス供給部）１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、処理ガス供給源１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。処理容器１内には、ガス拡散室１６ｃからガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して、シャワー状に分散されて処理ガスが供給される。
【００２０】
上記した上部電極としてのシャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能に構成されている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、後述する制御部９０によって制御される。なお、後述のように、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ７３がオンとされ、上部電極としてのシャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
【００２１】
処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
【００２２】
処理容器１の底部には、排気口８１が形成されている。排気口８１には、排気管８２を介して第１排気装置８３が接続されている。第１排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧することができるように構成されている。一方、処理容器１内の側壁には、ウエハＷの搬入出口８４が設けられており、この搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
【００２３】
処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。このデポシールド８６のウエハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部には、内壁部材３ａに沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在とされている。
【００２４】
上記構成のプラズマ処理装置１００は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部９０には、ＣＰＵを備えプラズマ処理装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ９１と、ユーザインターフェース９２と、記憶部９３とが設けられている。
【００２５】
ユーザインターフェース９２は、工程管理者がプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２６】
記憶部９３には、プラズマ処理装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ９１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース９２からの指示等にて任意のレシピを記憶部９３から呼び出してプロセスコントローラ９１に実行させることで、プロセスコントローラ９１の制御下で、プラズマ処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、又は、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用したりすることも可能である。
【００２７】
［載置台及びガス供給系の構成］
次に、図２を参照して、載置台２及びガス供給系６０の要部構成について説明する。図２は、第１実施形態に係る載置台２及びガス供給系６０の構成例を示す図である。載置台２は、基材２ａと、静電チャック６とを含んでいる。静電チャック６は、円板状を呈し、基材２ａと同軸となるように設けられている。静電チャック６の上面は、ウエハＷの載置される載置面６ｅとされている。
【００２８】
載置面６ｅには、ガス供給管３０の端部が配置されている。ガス供給管３０は、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に伝熱ガスを供給するための配管である。ガス供給管３０には、ガス供給系６０が接続されている。ガス供給系６０は、相対的に温度が低い伝熱ガスと、相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合して、ガス供給管３０からウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスを生成する。具体的には、ガス供給系６０は、伝熱ガス供給源６１と、分配部６２と、調整部６５，６６と、混合部６７とを有する。
【００２９】
伝熱ガス供給源６１は、常温の伝熱ガスを分配部６２に供給する。常温の伝熱ガスとしては、ヘリウムガスやアルゴンガスなどが挙げられる。
【００３０】
分配部６２は、伝熱ガス供給源６１から供給される伝熱ガスを第１の流路６３及び第２の流路６４に分配する。
【００３１】
調整部６５は、第１の流路６３に設けられており、分配部６２により第１の流路６３に分配された伝熱ガスを第１の温度に調整する。例えば、調整部６５は、ペルチェ素子等の冷却機構を用いて、第１の流路６３に分配された伝熱ガスを常温よりも低い第１の温度まで冷却する。また、調整部６６は、第２の流路６４に設けられており、分配部６２により第２の流路６４に分配された伝熱ガスを第１の温度よりも高い第２の温度に調整する。例えば、調整部６５は、ヒータ等の加熱機構を用いて、第２の流路６４に分配された伝熱ガスを常温よりも高い第２の温度まで加熱する。なお、調整部６５及び調整部６６は、別の機能部であるが、これに限定されるものではなく、１つの機能部で実現されてもよい。
【００３２】
混合部６７は、ガス供給管３０に接続されている。混合部６７は、調整部６５により第１の温度に調整された伝熱ガスと、調整部６６により第２の温度に調整された伝熱ガスとを混合して、ガス供給管３０からウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスを生成する。
【００３３】
ところで、プラズマ処理装置１００では、ガス供給管３０からウエハＷと載置台２の載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスは、プラズマ処理の処理条件に関わらず、一定の温度の維持されるのが一般的である。しかし、ウエハＷと載置台２の載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスが一定の温度に維持される場合、プラズマ処理の処理条件によっては、伝熱ガスを介したウエハＷと載置面６ｅとの熱交換の効率が低下する。その結果、ウエハＷの温度を迅速かつ広範囲に調整することが困難となる。
【００３４】
そこで、本実施形態のプラズマ処理装置１００では、相対的に温度が低い伝熱ガスと相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合するガス供給系６０を用いて、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスを生成する。これにより、ガス供給系６０は、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスの温度を迅速かつ広範囲に調整することができるため、伝熱ガスを介したウエハＷと載置面６ｅとの間の熱交換を促進することができる。この結果、プラズマ処理装置１００では、ウエハＷの温度を迅速かつ広範囲に調整することができる。
【００３５】
なお、ガス供給系６０は、ウエハＷに対するプラズマ処理の処理条件ごとに、相対的に温度が低い伝熱ガスと相対的に温度が高い伝熱ガスとの混合比を変更してもよい。これにより、プラズマ処理の処理条件が切り替えられる場合でも、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスの温度を切り替え後の処理条件に適した温度に迅速に調整することができる。
【００３６】
以上、本実施形態のプラズマ処理装置１００は、載置台２と、ガス供給系６０とを有する。載置台２は、ウエハＷが載置される載置面６ｅを有し、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に伝熱ガスを供給するためのガス供給管３０が設けられている。ガス供給系６０は、相対的に温度が低い伝熱ガスと、相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合して、ガス供給管３０からウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスを生成する。これにより、プラズマ処理装置１００は、ウエハＷの温度を迅速かつ広範囲に調整することができる。
【００３７】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態は、載置台２及びガス供給系６０の構造のバリエーションに関する。第２実施形態に係るプラズマ処理装置１００の構成は、図１に示すプラズマ処理装置１００と略同様の構成であるため、同一の部分については同一の符号を付して説明を省略し、主に異なる部分について説明する。
【００３８】
図３は、第２実施形態に係る載置台２及びガス供給系６０の構成例を示す図である。第２の実施形態のプラズマ処理装置１００において、載置台２の載置面６ｅは、例えば隔壁等によって、複数の分割領域ＤＲに分割されている。
【００３９】
図４は、第２実施形態に係る載置台２を上方向から見た上面図である。図４には、円板状に載置台２の載置面６ｅが示されている。載置面６ｅは、中心からの距離に応じて複数の分割領域ＤＲに分割されている。
【００４０】
図３の説明に戻る。ガス供給系６０の混合部６７及びガス供給管３０は、載置面６ｅの複数の分割領域ＤＲに対応して複数設けられている。例えば、図３及び図４に示すように、載置面６ｅの円形状の中央領域、及び当該中央領域を囲む同心円状の複数の周辺領域の各々に、個別にガス供給管３０が配設されており、各ガス供給管３０は、各混合部６７に個別に接続されている。各混合部６７には、第１の流路６３から分岐された各分岐流路と第２の流路６４から分岐された各分岐流路とが接続され、調整部６５により第１の温度に調整された伝熱ガスと調整部６６により第２の温度に調整された伝熱ガスとが供給される。
【００４１】
複数の混合部６７は、調整部６５により第１の温度に調整された伝熱ガスと調整部６６により第２の温度に調整された伝熱ガスとを混合部６７ごとに設定された混合比で混合して、複数の伝熱ガスを生成する。例えば、複数の混合部６７は、第１の温度に調整された伝熱ガスと第２の温度に調整された伝熱ガスとを混合部６７ごとに異なる混合比で混合して、温度が異なる複数の伝熱ガスを生成する。そして、複数の混合部６７は、載置面６ｅの複数の分割領域ＤＲに対応して複数形成される、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に、複数のガス供給管３０を介して複数の伝熱ガスを個別に供給する。これにより、ウエハＷと載置面６ｅとの間の各隙間に各ガス供給管３０から供給される伝熱ガスの温度が個別に制御され、分割領域ＤＲごとに、ウエハＷの温度が個別に調整される。
【００４２】
以上、本実施形態のプラズマ処理装置１００において、載置面６ｅは、複数の分割領域ＤＲに分割されている。混合部６７及びガス供給管３０は、載置面６ｅの複数の分割領域ＤＲに対応して複数設けられている。複数の混合部６７は、第１の温度に調整された伝熱ガスと第２の温度に調整された伝熱ガスとを混合部６７ごとに設定された混合比で混合して、複数の伝熱ガスを生成する。そして、複数の混合部６７は、載置面６ｅの複数の分割領域ＤＲに対応して複数形成される、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に、複数のガス供給管３０を介して複数の伝熱ガスを個別に供給する。これにより、プラズマ処理装置１００は、ウエハＷの温度を、分割領域ＤＲごとに、迅速かつ広範囲に調整することができる。
【００４３】
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００４４】
例えば、上記の各実施形態では、混合部６７が載置台２の外部に配置されているが、開示技術はこれに限定されない。混合部６７は、載置台２（例えば、基材２ａ）の内部に配置されてもよい。これにより、第１の温度に調整された伝熱ガスと第２の温度に調整された伝熱ガスとを、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間により近い位置で混合することができ、伝熱ガスを介したウエハＷと載置面６ｅとの熱交換の効率を向上することができる。
【００４５】
また、上記の各実施形態では、伝熱ガス供給源６１は、常温の伝熱ガスを供給する場合を例に説明したが、開示技術はこれに限定されない。例えば、伝熱ガス供給源６１は、常温よりも低い温度に予め冷却されたガスを供給してもよい。常温よりも低い温度に予め冷却されたガスとしては、液体窒素を気化させて得られる窒素ガスなどが挙げられる。常温よりも低い温度に予め冷却されたガスが用いられることにより、調整部６５，６６の構成を簡素化することができる。例えば、調整部６５，６６をヒータ等の加熱機構のみによって構成することができ、ペルチェ素子等の冷却機構を省略することができる。
【００４６】
また、上記の第１実施形態では、ガス供給系６０は、１つの伝熱ガス供給源６１を用いて、相対的に温度が低い伝熱ガスと相対的に温度が高い伝熱ガスとを生成し、これら２つの伝熱ガスを混合する場合を例に説明したが、開示技術はこれに限定されない。例えば、ガス供給系６０は、２つ以上の伝熱ガス供給源からそれぞれ供給される、相対的に温度が低い伝熱ガスと相対的に温度が高い伝熱ガスとを混合して、ウエハＷと載置面６ｅとの間の隙間に供給される伝熱ガスを生成してもよい。
【００４７】
また、上記の各実施形態では、プラズマ処理装置１００がプラズマエッチングを行うプラズマ処理装置である場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、プラズマ処理装置１００は、成膜や膜質の改善を行うプラズマ処理装置であってもよい。
【００４８】
また、上記の各実施形態に係るプラズマ処理装置１００は、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively  Coupled  Plasma)を用いたプラズマ処理装置であったが、任意のプラズマ源がプラズマ処理装置に適用され得る。例えば、プラズマ処理装置に適用されるプラズマ源として、Inductively  Coupled  Plasma（ＩＣＰ）、Radial  Line  Slot  Antenna（ＲＬＳＡ）、Electron  Cyclotron  Resonance  Plasma（ＥＣＲ）、Helicon  Wave  Plasma（ＨＷＰ）などが挙げられる。
【符号の説明】
【００４９】
２  載置台
２ａ  基材
６  静電チャック
６ｅ  載置面
３０  ガス供給管
６０  ガス供給系
６１  伝熱ガス供給源
６２  分配部
６３  第１の流路
６４  第２の流路
６５、６６  調整部
６７  混合部
１００  プラズマ処理装置
ＤＲ  分割領域
Ｗ  ウエハ
【図１】
2020120081.tif 000003
【図２】
2020120081.tif 000004
【図３】
2020120081.tif 000005
【図４】
2020120081.tif 000006