(57)【要約】【課題】従来のリニアモータの界磁子において、界磁子の磁石の端部において磁束集中による減磁が引き起こされる場合があった。【解決手段】リニアモータ１０の界磁子１８は、推力のための磁束を生じる磁石２４と、磁石２４の端部領域に設けられ、磁石２４の透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率部４０、４２とを備える。これにより、磁石２４の端部領域で磁束が流れ易くなってパーミアンス係数が増加し、その結果、該端部領域で磁束集中による減磁が起こるのを防止できる。【選択図】図１
2020120471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リニアモータの界磁子であって、
推力のための磁束を生じる磁石と、
前記磁石の端部領域に設けられ、前記磁石の透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率部と、を備える、界磁子。
【請求項２】
前記端部領域を覆うことにより前記高透磁率部を形成するカバーを備える、請求項１に記載の界磁子。
【請求項３】
前記カバーは、
第１の材料から構成された前記高透磁率部と、
前記磁石の前記端部領域以外の領域を覆うように配置され、前記第１の材料よりも低い透磁率を有する第２の材料から構成された低透磁率部と、を有する、請求項２に記載の界磁子。
【請求項４】
前記推力の方向又は該推力の方向と直交する方向へ並ぶ一対の前記磁石を備え、
前記高透磁率部は、一方の前記磁石の、他方の前記磁石に隣接する側の前記端部領域に設けられる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の界磁子。
【請求項５】
前記一対の磁石が固定される磁石板をさらに備え、
前記磁石板は、前記一対の磁石の間に設けられて該磁石板を他の部材に締結する締結部を有する、請求項４に記載の界磁子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の界磁子と、
前記界磁子に対向配置される電機子と、を備える、リニアモータ。
【請求項７】
請求項２又は３に記載の界磁子を製造する方法であって、
前記カバーの基材を準備し、
前記基材の一部の透磁率が該基材の他の部分よりも高くなるように該一部を塑性変形させて、前記高透磁率部が該一部から形成される前記カバーを作製し、
作製した前記カバーを、前記磁石を覆うように配置する、方法。
【請求項８】
前記基材の前記一部を、プレス加工、圧延加工、又は曲げ加工によって塑性変形させる、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リニアモータの界磁子、界磁子を備えるリニアモータ、及び界磁子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リニアモータの界磁子が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９８２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来、界磁子の磁石の端部において磁束集中による減磁が引き起こされる場合があった。このような減磁を防止する技術が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様において、リニアモータの界磁子は、推力のための磁束を生じる磁石と、磁石の端部領域に設けられ、磁石の透磁率よりも高い透磁率を有する高透磁率部と、を備える。本開示の他の態様において、リニアモータは、上記の界磁子と、該界磁子に対向配置される電機子とを備える。
【０００６】
本開示のさらに他の態様において、界磁子を製造する方法は、カバーの基材を準備し、基材の一部の透磁率が該基材の他の部分よりも高くなるように該一部を塑性変形させて、高透磁率部が該一部から形成されるカバーを作製し、作製したカバーを、磁石を覆うように配置する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示よれば、磁石の端部領域に設けられた高透磁率部によって、該端部領域で磁束が流れ易くなってパーミアンス係数が増加し、その結果、該端部領域で磁束集中による減磁が起こるのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係るリニアモータの断面図を示す。
【図２】図１に示す磁石の斜視図である。
【図３】図１に示す界磁子を上方から見た図である。
【図４】図３に示すカバー及び磁石を、図中のｙ−ｚ平面で切断した断面図である。
【図５】図１に示す断面図の要部を拡大した図であって、磁石の端部領域で生じる磁束集中を説明するための図である。
【図６】他の実施形態に係るカバーを上方から見た図である。
【図７】他の実施形態に係るリニアモータの断面図を示す。
【図８】図７に示す界磁子を上方から見た図である。
【図９】他の実施形態に係るカバーを上方から見た図であって、図９中の領域（ａ）は、カバー及び磁石の端部領域の拡大断面図を示す。
【図１０】他の実施形態に係る高透磁率部を示す。
【図１１】他の実施形態に係る界磁子を上方から見た図である。
【図１２】図１１に示す界磁子に適用可能なカバーの一例を示す。
【図１３】図１１に示す界磁子に適用可能なカバーの他の例を示す。
【図１４】さらに他の実施形態に係るリニアモータの側面図であって、界磁子を断面表示している。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に説明する種々の実施形態において、同様の要素には同じ符号を付し、重複する説明を省略する。また、以下の説明においては、図中の直交座標系を方向の基準とし、便宜上、ｘ軸プラス方向を右方、ｙ軸プラス方向を前方、ｚ軸プラス方向を上方として言及する。
【００１０】
図１を参照して、一実施形態に係るリニアモータ１０について説明する。リニアモータ１０は、第１の機械１４に対して第２の機械１２をｙ軸方向（推力方向）へ推進させる。リニアモータ１０は、電機子１６、及び界磁子１８を備える。電機子１６は、界磁子１８に対向配置され、第２の機械１２の下面１２ａに固定されたコア２０と、該コア２０に装着されたコイル２２とを有する。コア２０は、ｙ軸方向に整列する複数の歯部２０ａを有し、各々の歯部２０ａは、ｘ軸方向に延在している。コイル２２は、各々の歯部２０ａに巻回されている。
【００１１】
界磁子１８は、複数の磁石２４、磁石板２６、及び複数のカバー２８を備える。本実施形態においては、ｘ軸方向に計４列の磁石２４が配列され、各々の列の磁石２４は、ｙ軸方向へ略等間隔で整列している。各々の磁石２４は、例えば、ネオジム又はフェライトから構成される。磁石２４が生じる磁界（磁束）と、コイル２２に電圧を印加することで生じる移動磁界とによって、電機子１６及び第２の機械１２を、界磁子１８及び第１の機械１４に対してｙ軸方向へ推進させる推力が発生する。
【００１２】
なお、本実施形態においては、最も左側の列の磁石２４の左端（すなわち、後述の磁石２４ａ及び２４ｅの左面６２）のｘ軸方向の位置と、コア２０の左端のｘ軸方向の位置とは、略同じとなっている。また、最も右側の列の磁石２４の右端（すなわち、後述の磁石２４ｄ及び２４ｈの右面６０）のｘ軸方向の位置と、コア２０の右端のｘ軸方向の位置とは、略同じとなっている。
【００１３】
複数の磁石２４は、接着、ボルト止め、又は嵌合等によって、磁石板２６に固定される。図２に示すように、各々の磁石２４は、上面５２、該上面５２とは反対側の下面５４、前面５６、該前面５６とは反対側の後面５８、右面６０、及び該右面６０とは反対側の左面６２を有する、四角形の平板部材である。磁石２４は、その前面５６及び後面５８がｙ軸方向と略直交（又は、右面６０及び左面６２がｘ軸方向と略直交）し、且つ、その上面５２がｘ−ｙ平面に略平行となるように、磁石板２６の上に固定されている。
【００１４】
磁石板２６は、ｘ−ｙ平面に略平行に配置された平板部材であって、複数の締結孔（締結部）３０を有する。本実施形態においては、ｘ軸方向に計３列の締結孔３０が配列され、各々の列の締結孔３０は、ｙ軸方向に整列するように設けられている。これら締結孔３０の各々に、ボルト等の締結具３２が挿通され、該締結具３２によって、磁石板２６が第１の機械１４の上面１４ａに固定される。こうして、界磁子１８は、第１の機械１４に移動不能に固定される。
【００１５】
カバー２８は、複数の磁石２４を上方から覆うように配置されている。以下、図１、図３及び図４を参照して、カバー２８について説明する。なお、本実施形態においては、カバー２８が、図３に示すように、ｘ軸方向に４列、ｙ軸方向に２列の計８個の磁石２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ、２４ｆ、２４ｇ、及び２４ｈを覆うように構成されている。したがって、界磁子１８においては、８個の磁石２４を各々覆う複数のカバー２８が、ｙ軸方向に並ぶように設けられる。各々のカバー２８は、８個の磁石２４に着脱可能に設置される。
【００１６】
カバー２８は、低透磁率部３４、３６及び３８と、高透磁率部４０及び４２とを有する。低透磁率部３４は、磁石２４ａ及び２４ｅの全体と、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域以外の領域とを覆うように配置されている。具体的には、低透磁率部３４は、上壁４４、前壁４６、後壁４８、及び左壁５０を有する。上壁４４は、上方から見て略矩形の平板部材であって、磁石２４ａ、２４ｂ、２４ｅ及び２４ｆの上面５２と当接（又は対面）している。
【００１７】
前壁４６は、上壁４４の前端縁から下方へ延出し、磁石２４ｅ及び２４ｆの前面５６と当接している。後壁４８は、前壁４６と略平行となるように上壁４４の後端縁から下方へ延出し、磁石２４ａ及び２４ｂの後面５８と当接している。左壁５０は、上壁４４の左端縁から下方へ延出し、磁石２４ａ及び２４ｅの左面６２と当接している。
【００１８】
低透磁率部３６は、低透磁率部３４の右側に離隔し、界磁子１８のｘ軸方向の中心部に配置されている。具体的には、低透磁率部３６は、上壁６４、前壁６６、及び後壁６８を有する。上壁６４は、磁石２４ｂと２４ｃ、及び磁石２４ｆと２４ｇとの間に設けられた締結具３２（締結孔３０）を覆うように、該締結具３２の直上に配置されている。前壁６６は、上壁６４の前端縁から下方へ延出している一方、後壁６８は、上壁６４の後端縁から下方へ延出している。
【００１９】
低透磁率部３８は、低透磁率部３６の右側に離隔し、磁石２４ｄ及び２４ｈの全体と、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域以外の領域とを覆うように配置されている。具体的には、低透磁率部３８は、上壁７０、前壁７２、後壁７４、及び右壁７６を有する。上壁７０は、上方から見て略矩形の平板部材であって、磁石２４ｃ、２４ｄ、２４ｇ及び２４ｈの上面５２と当接している。
【００２０】
前壁７２は、上壁７０の前端縁から下方へ延出し、磁石２４ｇ及び２４ｈの前面５６と当接している。後壁７４は、前壁７２と略平行となるように上壁７０の後端縁から下方へ延出し、磁石２４ｃ及び２４ｄの後面５８と当接している。右壁７６は、上壁７０の右端縁から下方へ延出し、磁石２４ｄ及び２４ｈの右面６０と当接している。
【００２１】
高透磁率部４０は、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域（すなわち、右面６０の近傍領域）を覆うように、低透磁率部３４及び３６の間に配置されている。具体的には、高透磁率部４０は、上壁７８、前壁８０、及び後壁８２を有する。上壁７８は、磁石２４ｂ及び２４ｆの右面６０の直上に配置され、磁石２４ｂ及び２４ｆの上面５２の右端部領域と当接する。図４に示すように、前壁８０は、上壁７８の前端縁から下方へ延出し、磁石２４ｆの前面５６と当接する一方、後壁８２は、上壁７８の後端縁から下方へ延出し、磁石２４ｂの後面５８と当接する。
【００２２】
高透磁率部４２は、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域（すなわち、左面６２の近傍領域）を覆うように低透磁率部３６及び３８の間に配置され、高透磁率部４０と同じ構成を有する。具体的には、高透磁率部４２は、上壁８４、前壁８６、及び後壁８８を有する。上壁８４は、磁石２４ｃ及び２４ｇの左面６２の直上に配置され、磁石２４ｃ及び２４ｇの上面５２の左端部領域と当接する。図４に示すように、前壁８６は、上壁８４の前端縁から下方へ延出し、磁石２４ｇの前面５６と当接する一方、後壁８８は、上壁８４の後端縁から下方へ延出し、磁石２４ｃの後面５８と当接する。
【００２３】
ここで、高透磁率部４０及び４２は、少なくとも、磁石２４よりも高い透磁率を有する。一例として、高透磁率部４０及び４２の各々は、磁石２４よりも高い透磁率を有する第１の材料（例えば、ＳＵＳ３０４−ＣＳＰ）から構成される一方、低透磁率部３４、３６及び３８の各々は、第１の材料よりも低い透磁率を有する第２の材料（例えば、ＳＵＳ３１６）から構成される。この場合において、低透磁率部３４、３６及び３８、並びに、高透磁率部４０及び４２は、接着、溶接、ボルト止め、又は嵌合等によって、互いに結合されてもよい。
【００２４】
他の例として、高透磁率部４０及び４２は、カバー２８の基材の一部を塑性変形することによって形成される。ここで、塑性変形させることによって透磁率を増大させることができる材料がある。塑性変形によって形成された高透磁率部４０及び４２を有するカバー２８の製造方法について、以下に説明する。
【００２５】
まず、製造者は、カバー２８の基材（例えば、ＳＵＳ３１６）を準備する。次いで、製造者は、カバー２８の基材のうち、高透磁率部４０及び４２に相当する部分の透磁率が、該基材の他の部分よりも高くなるように、高透磁率部４０及び４２に相当する該部分を、例えばプレス加工、圧延加工、又は曲げ加工によって、塑性変形させる。
【００２６】
これにより、塑性変形されていない他の部分（すなわち、低透磁率部３４、３６及び３８に相当する部分）よりも高い透磁率を有する高透磁率部４０及び４２を形成することができる。このようにして、製造者は、高透磁率部４０及び４２と、低透磁率部３４、３６及び３８とを有するカバー２８を製造し、該カバー２８を、磁石２４ａ〜２４ｈを覆うように配置する。
【００２７】
以上のように、本実施形態においては、カバー２８は、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域、及び、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域を覆う高透磁率部４０及び４２と、該右端部領域及び該左端部領域以外の領域を覆う低透磁率部３４、３６及び３８とを具備している。
【００２８】
以下、高透磁率部４０及び４２の機能について詳細に説明する。本実施形態においては、磁石２４ｂと２４ｃ、及び、磁石２４ｆと２４ｇとの間に隙間が形成され、該隙間に締結具３２（締結孔３０）が配置されている。このように隙間が形成されると、図５の点線矢印Ｂで示すように、コア２０からの磁束Ｂが、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域と、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域とに集中する。この磁束集中によって、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域と磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域とで減磁が起こり得る。
【００２９】
このような減磁を防止するために、高透磁率部４０及び４２を、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域、並びに磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域にそれぞれ配置し、これにより、該右端部領域及び該左端部領域で磁束が流れ易くなってパーミアンス係数が増加し、その結果、該右端部領域及び該左端部領域で減磁が起こるのを防止することができる。
【００３０】
また、本実施形態においては、ｘ軸方向へ並ぶ一対の磁石２４ｂと２４ｃ、及び、ｘ軸方向へ並ぶ一対の磁石２４ｆと２４ｇとが、締結具３２（締結孔３０）を設置するスペースを確保できる程度に、ｘ軸方向へ互いから離隔されている。この場合、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域と、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域とに、磁束集中がより顕著に生じ得る。
【００３１】
本実施形態によれば、高透磁率部４０が、磁石２４ｃ及び２４ｇに隣接する側である、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域（右面６０）を覆うように配置されるとともに、高透磁率部４２が、磁石２４ｂ及び２４ｆに隣接する側である、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域（左面６２）を覆うように配置されている。したがって、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域と、磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域とにおいて磁束集中による減磁を効果的に防止できる。
【００３２】
なお、カバー２８において、高透磁率部４０は、上壁７８のみから構成され、前壁８０、及び後壁８２は、低透磁率部（又は空洞）であってもよい。又は、高透磁率部４０は、上壁７８のうち、磁石２４ｂ及び２４ｆの上面５２の右端部領域直上の部分のみに形成され、上壁７８の他の部分は低透磁率部であってもよい。
【００３３】
同様に、高透磁率部４２は、上壁８４のみから構成され、前壁８６、及び後壁８８は、低透磁率部（又は空洞）であってもよい。又は、高透磁率部４２は、上壁８４のうち、磁石２４ｃ及び２４ｇの上面５２の左端部領域直上の部分のみに形成され、上壁８４の他の部分は低透磁率部であってもよい。
【００３４】
次に、図６を参照して、他の実施形態に係るカバー１００について説明する。カバー１００は、上述のカバー２８の代わりに、界磁子１８に適用され得る。カバー１００は、低透磁率部３４及び３８と、高透磁率部１０２とを備える。高透磁率部１０２は、磁石２４ｂと２４ｆの右端部領域から、磁石２４ｃと２４ｇの左端部領域まで延在し、該右端部領域及び該左端部領域を覆うように配置されている。
【００３５】
より具体的には、高透磁率部１０２は、上壁１０４、前壁１０６、及び後壁１０８を有する。上壁１０４は、磁石２４ｂと２４ｆの上面５２の右端部領域と、磁石２４ｃと２４ｇの上面５２の左端部領域と当接し、該右端部領域及び該左端部領域と、締結具３２（締結孔３０）とを覆う。
【００３６】
前壁１０６は、上壁１０４の前端縁から下方へ延出し、磁石２４ｆ及び２４ｇの前面５６と当接する一方、後壁１０８は、上壁１０４の後端縁から下方へ延出し、磁石２４ｂ及び２４ｃの後面５８と当接する。本実施形態においても、上述のカバー２８と同様に、磁石２４ｂ及び２４ｆの右端部領域、並びに磁石２４ｃ及び２４ｇの左端部領域に設けられた高透磁率部１０２によって、該右端部領域及び該左端部領域で減磁が起こるのを効果的に防止することができる。
【００３７】
なお、カバー１００において、高透磁率部１０２は、上壁１０４のみから構成され、前壁１０６、及び後壁１０８は、低透磁率部（又は空洞）であってもよい。又は、高透磁率部１０２は、上壁１０４のうち、磁石２４ｂ及び２４ｆの上面５２の右端部領域直上の部分と、磁石２４ｃ及び２４ｇの上面５２の左端部領域直上の部分とのみに形成され、上壁１０４の他の部分は低透磁率部であってもよい。
【００３８】
次に、図７を参照して、他の実施形態に係るリニアモータ１１０について説明する。リニアモータ１１０は、電機子１６’、及び界磁子１１２を備える。電機子１６’は、上述の電機子１６と、以下の構成において相違する。すなわち、電機子１６’のコア２０’（すなわち、歯部２０ａ’）のｘ軸方向の長さが、電機子１６のコア２０よりも長くなっている。
【００３９】
これにより、本実施形態においては、最も左側の列の磁石２４の左端（すなわち、磁石２４ａ及び２４ｅの左面６２）のｘ軸方向の位置は、コア２０’の左端のｘ軸方向の位置よりも、右方へ離隔している。また、最も右側の列の磁石２４の右端（すなわち、磁石２４ｄ及び２４ｈの右面６０）のｘ軸方向の位置は、コア２０’の右端のｘ軸方向の位置よりも、左方へ離隔している。
【００４０】
界磁子１１２は、複数の磁石２４、磁石板２６、及び複数のカバー１１４を備える。カバー１１４は、上述のカバー２８と同様に、ｘ軸方向に４列、ｙ軸方向に２列の計８個の磁石２４ａ〜２４ｈを覆うように、該８個の磁石２４ａ〜２４ｈに着脱可能に設置される。
【００４１】
以下、図７及び図８を参照して、カバー１１４について説明する。カバー１１４は、８個の低透磁率部１１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ、１１６ｄ、１１６ｅ、１１６ｆ、１１６ｇ、及び１１６ｈと、高透磁率部１１８とを有する。低透磁率部１１６ａ〜１１６ｈは、それぞれ、磁石２４ａ〜２４ｈの上面５２と当接するように配置されている。
【００４２】
高透磁率部１１８は、磁石２４及び低透磁率部１１６ａ〜１１６ｈよりも高い透磁率を有する。より具体的には、高透磁率部１１８は、上壁１２０と、該上壁１２０の前端縁から下方へ延出する前壁１２２と、該前壁１２２と平行となるように上壁１２０の後端縁から下方へ延出する後壁１２４と、上壁１２０の右端縁から下方へ延出する右壁１２６と、該右壁１２６と平行となるように上壁１２０の左端縁から下方へ延出する左壁１２８とを有する。
【００４３】
前壁１２２は、磁石２４ｅ、２４ｆ、２４ｇ及び２４ｈの前面５６と当接する一方、後壁１２４は、磁石２４ａ、２４ｂ、２４ｃ及び２４ｄの後面５８と当接する。また、右壁１２６は、磁石２４ｄ及び２４ｈの右面６０と当接する一方、左壁１２８は、磁石２４ａ及び２４ｅの左面６２と当接する。
【００４４】
上壁１２０には、計８個の開口部１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄ、１２０ｅ、１２０ｆ、１２０ｇ、及び１２０ｈが形成されている。これら開口部１２０ａ〜１２０ｈに、それぞれ、低透磁率部１１６ａ〜１１６ｈが設けられている。高透磁率部１１８は、磁石２４ａ〜２４ｈの前端部領域（前面５６）、後端部領域（後面５８）、右端部領域（右面６０）、及び左端部領域（左面６２）の全てを覆うように、構成されている。
【００４５】
ここで、上述した磁束集中は、磁石２４ａ〜２４ｈの前端部、後端部、右端部、及び左端部で起こり得る。具体的には、本実施形態においては、上述したように、電機子１６’コア２０’が、磁石２４ａ及び２４ｅの左面６２よりも左方に突出し、且つ、磁石２４ｄ及び２４ｈの右面６０よりも右方へ突出している。
【００４６】
この場合、磁石２４ａ及び２４ｅの左端部領域、及び磁石２４ｄ及び２４ｈの右端部領域でも、コア２０’からの磁束が集中し得る。また、ｙ軸方向（推力方向）に並ぶ一対の磁石２４（例えば、磁石２４ｂと２４ｆ）の、互いに隣接する側の端部領域（例えば、磁石２４ｂの前端部領域と、磁石２４ｆの後端部領域）でも、コア２０’からの磁束が集中し得る。本実施形態によれば、磁石２４ａ〜２４ｈの全ての端部領域で起こり得る磁束集中に起因する減磁を、該全ての端部領域に設けられた高透磁率部１１８によって、効果的に防止することができる。
【００４７】
なお、本実施形態において、高透磁率部１１８は、磁石２４ａ〜２４ｈのうちの少なくとも１つの前端部、後端部、右端部、又は左端部を外部へ開放するように構成されてもよい。例えば、高透磁率部１１８は、互いに隣接する磁石２４ａの右端部領域と磁石２４ｂの左端部領域を開放してもよい。この場合、上壁１２０のうち、磁石２４ａの右端部領域と磁石２４ｂの左端部領域との間の部分を省略し、開口部１２０ａと開口部１２０ｂとを連通させて１つの開口部とし、該１つの開口部に低透磁率部を設けてもよい。
【００４８】
又は、高透磁率部１１８は、互いに隣接する磁石２４ａの前端部領域と磁石２４ｅの後端部領域を開放してもよい。この場合、上壁１２０のうち、磁石２４ａの前端部領域と磁石２４ｅの後端部領域との間の部分を省略し、開口部１２０ａと開口部１２０ｅとを連通させて１つの開口部とし、該１つの開口部に低透磁率部を設けてもよい。
【００４９】
また、カバー１１４は、磁石２４ａ〜２４ｈのうちの任意の個数の磁石２４を覆うように構成されてもよい。例えば、カバー１１４は、界磁子１１２の左側領域に配置された４個の磁石２４ａ、２４ｂ、２４ｅ及び２４ｆを覆う第１のカバー１１４Ａと、該第１のカバー１１４Ａから分離され、界磁子１１２の右側領域に配置された４個の磁石２４ｃ、２４ｄ、２４ｇ及び２４ｈを覆う第２のカバー１１４Ｂを有してもよい。
【００５０】
また、カバー１１４の変形例として、低透磁率部１１６ａ〜１１６ｈを省略し、これら低透磁率部１１６ａ〜１１６ｈの占有領域を空洞としてもよい。すなわち、この場合、磁石２４ａ〜２４ｈの端部領域は、高透磁率部１１８によって覆われる一方、該端部領域以外の磁石２４ａ〜２４ｈの領域（開口部１２０ａ〜１２０ｈの領域）は、高透磁率部１１８よりも透磁率が低い空気によって覆われていることになる。このような変形例においても、高透磁率部１１８が設けられている磁石２４ａ〜２４ｈの端部領域で減磁が生じるのを防止できる。
【００５１】
なお、複数の磁石２４に１つずつカバーを設けてもよい。このような実施形態を図９に示す。なお、図９中の領域（ａ）は、磁石２４及びカバー１３０の右端部領域の拡大断面図を示す。図９に示すカバー１３０は、磁石２４及び空気よりも高い透磁率を有する材料から構成され、１つの磁石２４を覆うように該１つの磁石２４に着脱可能に設置されている。すなわち、カバー１３０が、高透磁率部を形成する。
【００５２】
具体的には、カバー１３０は、上壁１３６と、該上壁１３６の前端縁から下方へ延出する前壁１３８と、該前壁１３８と平行となるように上壁１３６の後端縁から下方へ延出する後壁１４０と、上壁１３６の右端縁から下方へ延出する右壁１４２と、該右壁１４２と平行となるように上壁１３６の左端縁から下方へ延出する左壁１４４とを有する。前壁１３８は、磁石２４の前面５６と当接する一方、後壁１４０は、磁石２４の後面５８と当接する。また、右壁１４２は、磁石２４の右面６０と当接する一方、左壁１４４は、磁石２４の左面６２と当接する。
【００５３】
上壁１３６の中央部には、開口部１３２が形成されている。開口部１３２の内側は空洞となっており、磁石２４の上面５２は、開口部１３２を通して外部に露出している。全体が高透磁率部であるカバー１３０は、磁石２４の前端部領域、後端部領域、右端部領域、及び左端部領域を覆い、これにより、これら端部領域で減磁が生じるのを防止することができる。このカバー１３０を、上述のカバー２８又は１１４の代わりに界磁子１８又は１１２に適用し、複数の磁石２４のそれぞれを、複数のカバー１３０で覆うように構成することができる。
【００５４】
なお、カバー１３０の開口部１３２に、低透磁率部（１１６）が設けられてもよい。この場合、カバー１３０は、上壁１３６、前壁１３８、後壁１４０、右壁１４２、及び左壁１４４を有する高透磁率部と、開口部１３２に設けられた低透磁率部とを有することになる。
【００５５】
また、図９に示すカバー１３０を、高透磁率部１３０として、磁石２４の表面に着脱不能に一体に形成することができる。また、磁石２４の表面に一体に形成された高透磁率部１３０から、前壁１３８、後壁１４０、右壁１４２、及び左壁１４４を省略し、上壁１３６のみを磁石２４の上面５２に形成してもよい。この場合において、上壁１３６は、上面５２の前端部領域、後端部領域、右端部領域、又は左端部領域のみを覆うように形成されてもよい。
【００５６】
このように磁石２４の表面に一体に形成される高透磁率部を、任意の個数の磁石２４の少なくとも１つの端部領域を覆うように設けてもよい。例えば、図１０に示す例においては、高透磁率部１５０ｂ、１５０ｃ、１５０ｆ、及び１５０ｇが、それぞれ、磁石２４ｂの右端部領域、磁石２４ｃの左端部領域、磁石２４ｆの右端部領域、及び磁石２４ｇの左端部領域に一体に設けられている。
【００５７】
より具体的には、高透磁率部１５０ｂは、磁石２４ｂの上面５２の右端部領域と右面６０とを覆うように、該磁石２４ｂに一体に積層されている。また、高透磁率部１５０ｃは、磁石２４ｃの上面５２の左端部領域と左面６２とを覆うように、該磁石２４ｃに一体に積層されている。また、高透磁率部１５０ｆは、磁石２４ｆの上面５２の右端部領域と右面６０とを覆うように、該磁石２４ｆに一体に積層されている。また、高透磁率部１５０ｇは、磁石２４ｇの上面５２の左端部領域と左面６２とを覆うように、該磁石２４ｇに一体に積層されている。
【００５８】
なお、上述の実施形態においては、磁石２４の前面５６及び後面５８が、ｙ軸と直交するように配置されている場合について述べた。しかしながら、これに限らず、磁石２４は、前面５６及び後面５８がｙ軸に対して傾斜する（いわゆる、スキューさせる）ように配置されてもよい。このような形態を図１１に示す。
【００５９】
図１１に示す界磁子１８’においては、ｘ軸方向に計４列に配列された複数の磁石２４が、磁石板２６上に固定されており、各々の磁石２４は、前面５６及び後面５８がｙ軸に対して傾斜するように配置されている（すなわち、スキューされている）。このようにスキューされた磁石２４の端部領域に、高透磁率部を設けることができる。
【００６０】
例えば、図１２に示す例においては、界磁子１８’は、カバー１５２を備え、該カバー１５２は、ｘ軸方向に並ぶ４個の磁石２４ａ〜２４ｄを覆うように設けられている。カバー１５２は、上述のカバー１００と類似した構成を有しており、低透磁率部１５４及び１５６と、該低透磁率部１５４及び１５６の間に配置された高透磁率部１５８とを備える。高透磁率部１５８は、磁石２４及び空気よりも高い透磁率を有する材料から構成され、磁石２４ｂの右端部領域から、磁石２４ｃの左端部領域まで延在し、該右端部領域及び該左端部領域を覆うように配置されている。
【００６１】
一方、図１３に示す例においては、界磁子１８’は、同じ構成を有する２つのカバー１６０Ａ及び１６０Ｂを備え、カバー１６０Ａ及び１６０Ｂは、磁石２４及び空気よりも高い透磁率を有する材料から構成され、各々のカバー１６０Ａ及び１６０Ｂの上壁１６２には、開口部１６４が形成されている。これにより、磁石２４ａ〜２４ｄの上面５２の一部が外部に露出している。すなわち、カバー１６０Ａ及び１６０Ｂは、高透磁率部を形成している。
【００６２】
カバー１６０Ａは、磁石２４ａの左端部領域、前端部領域、及び後端部領域と、磁石２４ｂの右端部領域、前端部領域、及び後端部領域とを覆うように配置されている。一方、カバー１６０Ａは、磁石２４ｃの左端部領域、前端部領域、及び後端部領域と、磁石２４ｄの右端部領域、前端部領域、及び後端部領域とを覆うように配置されている。
【００６３】
なお、カバー１６０Ａ及び１６０Ｂの開口部１６４の各々に、低透磁率部を設けてもよい。また、カバー１６０Ａ又は１６０Ｂは、任意の個数の磁石２４の端部領域を覆うように設けられてもよい。また、カバー１６０Ａ又は１６０Ｂは、高透磁率部１６０Ａ及び１６０Ｂとして、磁石２４ａ及び２４ｂの表面、並びに、磁石２４ｃ及び２４ｄの表面に、それぞれ一体に形成されてもよい。また、界磁子１８’に図９に示すカバー（又は高透磁率部）１３０を適用し、スキューされた磁石２４に１つずつカバー１３０を設けてもよい。
【００６４】
なお、上述のリニアモータ１０においては、電機子１６が界磁子１８に対してｙ軸方向へ推進される場合について述べた。しかしながら、これに限らず、界磁子が電機子に対して推進されてもよい。このような形態を図１４に示す。図１４に示すリニアモータ１７０は、第１の機械１７１に対して第２の機械１７３をｙ軸方向（推力方向）へ推進させる。  リニアモータ１７０は、第１の機械１７１に固定された電機子１７２と、第２の機械１７３に固定された界磁子１７４とを備える。電機子１７２は、複数の歯部１７６ａを有するコア１７６と、歯部１７６ａに巻回されたコイル１７８とを有する。これら歯部１７６ａは、ｙ軸方向に整列し、各々の歯部１７６ａは、ｘ軸方向に延在する。
【００６５】
界磁子１７４は、磁石２４と、該磁石２４に設けられたカバー（高透磁率部）１３０とを有する。磁石２４が生じる磁界（磁束）と、コイル１７８に電圧を印加することで生じる移動磁界とによって、界磁子１７４及び第２の機械１７３を、電機子１７２及び第１の機械１７１に対してｙ軸方向へ推進させる推力が発生する。
【００６６】
カバー１３０は、電機子１７２と対向する、磁石２４の下面５４に設けられている。カバー１３０は、磁石２４の下側において該磁石２４の前端部領域、後端部領域、右端部領域、及び左端部領域を覆い、これにより、これら端部領域で減磁が生じるのを防止することができる。なお、界磁子１７４に、ｙ軸方向又はｘ軸方向に並ぶ複数の磁石２４を設けて、磁石２４の下面５４の側に、上述のカバー２８、１００、若しくは１１４、又は、高透磁率部１５０ｂ、１５０ｃ、１５０ｆ、又は１５０ｇを設けてもよい。
【００６７】
また、上述の低透磁率部３４、３６、３８、１１６、１５４、又は１５６は、磁石２４と同じ透磁率を有してもよいし、又は、磁石２４よりも高い透磁率を有してもよい。また、磁石２４は、ｚ軸方向から見て、四角形に限らず、ｎ角形（ｎは、３以上の整数）でもよいし、円形又は楕円形等、如何なる外形を有してもよい。また、界磁子１８、１８’、又は１１２から磁石板２６を省略し、磁石２４を機械１４に直接固定してもよい。
【００６８】
以上、実施形態を通じて本開示を説明したが、上述の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。
【符号の説明】
【００６９】
１０，１１０，１７０    リニアモータ
１６，１６’，１７２    電機子
１８，１８’、１１２，１７４    界磁子
２４    磁石
２８，１００，１１４、１３０，１５２，１６０Ａ，１６０Ｂ    カバー
４０，４２，１０２、１１８，１５０，１５８    高透磁率部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2020120471.tif 000007
【図６】
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【図７】
2020120471.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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