(57)【要約】【課題】  信頼性を向上させることができるセラミック電子部品を提供する。【解決手段】  セラミック電子部品は、セラミックを主成分とする誘電体層と、内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、前記誘電体層に対する１３０℃、５Ｖ／μｍ、３０ｍｉｎの分極による昇温速度１０℃／ｍｉｎのＴＳＤＣにおいて、１３０℃から１９０℃の低温側ピーク電流値をＩＡとし、１９０℃〜２８０℃の高温側ピーク電流値をＩＢとした場合に、ＩＡ／ＩＢ＞１．４０の関係が成立することを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックを主成分とする誘電体層と、内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、
前記誘電体層に対する１３０℃、５Ｖ／μｍ、３０ｍｉｎの分極による昇温速度１０℃／ｍｉｎのＴＳＤＣにおいて、１３０℃から１９０℃の低温側ピーク電流値をＩＡとし、１９０℃〜２８０℃の高温側ピーク電流値をＩＢとした場合に、ＩＡ／ＩＢ＞１．４０の関係が成立することを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記誘電体層の平均厚みは、３μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記誘電体層の平均厚みは、０．４５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記誘電体層の厚み方向において、結晶粒の平均数は、３から８であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記誘電体層の主成分は、ＢａＴｉＯ３であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品において、絶縁劣化機構は、誘電体層中の酸素欠陥が電界によってカソードへ堆積し、カソードと誘電体層との界面における電気抵抗を引き下げることで起こり、この堆積までの時間が寿命を決定する趣旨の報告がある（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
このモデルに従って、酸素欠陥量を低減することで寿命や耐電圧といった信頼性を改善できることが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、酸素欠陥濃度の定量に、熱刺激脱分極電流（ＴＳＤＣ）を用いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５６３０５号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】「dc-Electrical Degradation of the BT-Based Material for Multilayer Ceramic Capacitor with Ni internal Electrode: Impedance Analysis and Microstructure」、Jpn J Appl Phys, 40(2001) pp.5624-5629
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、ＴＳＤＣデータの電流の積分値から酸素欠陥量を見積もっている。しかしながら、ＴＳＤＣデータのうち、セラミック電子部品の寿命に大きい影響を及ぼすのは、誘電体層の結晶粒界を跨いでカソードまで移動する酸素欠陥に相当する部分である。特許文献１では、このことについて開示がない。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信頼性を向上させることができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るセラミック電子部品は、セラミックを主成分とする誘電体層と、内部電極層と、が交互に積層された積層構造を備え、前記誘電体層に対する１３０℃、５Ｖ／μｍ、３０ｍｉｎの分極による昇温速度１０℃／ｍｉｎのＴＳＤＣにおいて、１３０℃から１９０℃の低温側ピーク電流値をＩＡとし、１９０℃〜２８０℃の高温側ピーク電流値をＩＢとした場合に、ＩＡ／ＩＢ＞１．４０の関係が成立することを特徴とする。
【０００９】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の平均厚みは、３μｍ以下としてもよい。
【００１０】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の平均厚みは、０．４５μｍ以下としてもよい。
【００１１】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の厚み方向における結晶粒の平均数は、３から８としてもよい。
【００１２】
上記セラミック電子部品において、前記誘電体層の主成分は、ＢａＴｉＯ３としてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、信頼性を向上させることができるセラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】積層セラミックコンデンサの部分断面斜視図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）はＴＳＤＣを利用して酸素欠陥移動量を見積もる手順を例示する図である。
【図３】（ａ）は酸素欠陥の移動を例示する図であり、（ｂ）は温度と熱刺激電流値との関係を例示する図である。
【図４】結果を示す図である。
【図５】積層セラミックコンデンサの製造方法のフローを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。
【００１６】
（実施形態）
まず、積層セラミックコンデンサの概要について説明する。図１は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００の部分断面斜視図である。図１で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状を有する積層チップ１０と、積層チップ１０のいずれかの対向する２端面に設けられた外部電極２０ａ，２０ｂとを備える。なお、積層チップ１０の当該２端面以外の４面のうち、積層方向の上面および下面以外の２面を側面と称する。外部電極２０ａ，２０ｂは、積層チップ１０の積層方向の上面、下面および２側面に延在している。ただし、外部電極２０ａ，２０ｂは、互いに離間している。
【００１７】
積層チップ１０は、誘電体として機能するセラミック材料を含む誘電体層１１と、卑金属材料を含む内部電極層１２とが、交互に積層された構成を有する。各内部電極層１２の端縁は、積層チップ１０の外部電極２０ａが設けられた端面と、外部電極２０ｂが設けられた端面とに、交互に露出している。それにより、各内部電極層１２は、外部電極２０ａと外部電極２０ｂとに、交互に導通している。その結果、積層セラミックコンデンサ１００は、複数の誘電体層１１が内部電極層１２を介して積層された構成を有する。また、誘電体層１１と内部電極層１２との積層体において、積層方向の最外層には内部電極層１２が配置され、当該積層体の上面および下面は、カバー層１３によって覆われている。カバー層１３は、セラミック材料を主成分とする。例えば、カバー層１３の材料は、誘電体層１１とセラミック材料の主成分が同じである。
【００１８】
積層セラミックコンデンサ１００のサイズは、例えば、長さ０．２５ｍｍ、幅０．１２５ｍｍ、高さ０．１２５ｍｍであり、または長さ０．４ｍｍ、幅０．２ｍｍ、高さ０．２ｍｍ、または長さ０．６ｍｍ、幅０．３ｍｍ、高さ０．３ｍｍであり、または長さ１．０ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍであり、または長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍであり、または長さ４．５ｍｍ、幅３．２ｍｍ、高さ２．５ｍｍであるが、これらのサイズに限定されるものではない。
【００１９】
内部電極層１２は、Ｎｉ（ニッケル），Ｃｕ（銅），Ｓｎ（スズ）等の卑金属を主成分とする。内部電極層１２として、Ｐｔ（白金），Ｐｄ（パラジウム），Ａｇ（銀），Ａｕ（金）などの貴金属やこれらを含む合金を用いてもよい。
【００２０】
誘電体層１１は、例えば、一般式ＡＢＯ３で表されるペロブスカイト構造を主相とするセラミック材料を主成分とする。なお、当該ペロブスカイト構造は、化学量論組成から外れたＡＢＯ３−αを含む。例えば、当該セラミック材料として、ＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）、ＣａＺｒＯ３（ジルコン酸カルシウム）、ＣａＴｉＯ３（チタン酸カルシウム）、ＳｒＴｉＯ３（チタン酸ストロンチウム）、ペロブスカイト構造を形成するＢａ１-ｘ−ｙＣａｘＳｒｙＴｉ１−ｚＺｒｚＯ３(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１)等を用いることができる。誘電体層１１は、例えば、ペロブスカイト構造を有するセラミック材料を主成分とするセラミック原材料粉末を焼成することによって得られる。
【００２１】
このような積層セラミックコンデンサ１００においては、絶縁劣化機構は、誘電体層１１中の酸素欠陥が、カソードとして働く内部電極層１２へ電界によって当該内部電極層１２と誘電体層１１との界面に堆積し、当該界面における電気抵抗を引き下げることで起こり、この堆積までの時間が寿命を決定する趣旨の報告があり、広く受け入れられている。このモデルに従い、酸素欠陥量を低減することで寿命や耐電圧といった信頼性を改善できることが知られている。例えば、熱刺激脱分極電流（ＴＳＤＣ）によって酸素欠陥移動量を見積もることができる。
【００２２】
例えば、図２（ａ）〜図２（ｅ）は、ＴＳＤＣを利用して酸素欠陥移動量を見積もる手順を例示する図である。図２（ａ）は、一方の外部電極に接続された内部電極層１２と他方の外部電極に接続された内部電極層１２とによって挟まれた誘電体層１１を例示する断面図である。図２（ａ）で例示するように、誘電体層１１内には、酸素欠陥１４が存在し、例えば誘電体層１１中においてほぼ均等に分布している。
【００２３】
図２（ｂ）は、積層セラミックコンデンサ１００を、加温した所定温度下に置き、隣り合う２つの内部電極層１２間に直流電圧を印加した状態を部分的に示したものである。無負荷状態の積層セラミックコンデンサ１００を加熱し、隣り合う２つの内部電極層１２間に直流電圧を印加すると、誘電体層１１中に分布していた酸素欠陥１４が一方の電極側（ここでは−極側）に偏在してくる。この場合、温度は、例えば、２００℃である。誘電体層１１に印加される電界強度は、例えば、１０Ｖ／μｍである。
【００２４】
図２（ｃ）は、高温負荷状態にした積層セラミックコンデンサ１００を、室温（２５℃）下、無負荷の状態に戻したときの状態を示したものである。温度を室温（２５℃）に戻した後、電圧を解除しても、酸素欠陥１４は一方の内部電極層１２（−極側）の方に偏在したままである。
【００２５】
この状態から図２（ｄ）で例示するように、積層セラミックコンデンサ１００に電流計を取り付けて、積層セラミックコンデンサ１００を再び加熱すると、誘電体層１１中で一方の内部電極層１２側（ここでは−極側）に偏在していた酸素欠陥１４が、徐々に、対向する内部電極層１２側へ移動する。この酸素欠陥１４がキャリアとなり電流が流れる。この電流のことを、熱刺激電流と称する。加熱する温度は３００℃程度とする。熱刺激電流は、酸素欠陥１４による分極が解除されるまで発生するため、分極が解除されるまでの電流の時間積分が誘電体層１１内のキャリアの電荷の総量Ｑとなる。
【００２６】
上記測定によって求めた電荷Ｑを酸素欠陥１４の１個当たりの電荷（２×１．６×１０−１９クーロン：負の固定電荷としてＶ０＋２で表されるため、絶対値は電気素量の２倍となる。）と誘電体層１１の体積で除して積層セラミックコンデンサ１００中に存在する酸素欠陥濃度を求める。このように、電流値の積分値から、酸素欠陥量を見積もることができる。
【００２７】
ここで、熱刺激電流が発生する際の酸素欠陥の移動について説明する。図３（ａ）は、酸素欠陥の移動を例示する図である。図３（ａ）で例示するように、誘電体層１１は、複数の結晶粒１５を含んでいる。２つの結晶粒１５の間には、結晶粒界１６が形成されている。図３（ａ）の上段で例示するように、酸素欠陥１４は、結晶粒１５内を移動する。また、図３（ａ）の中段で例示するように、酸素欠陥１４は、結晶粒界１６を跨いで移動する。積層セラミックコンデンサ１００の寿命に大きい影響を及ぼすのは、誘電体層１１内の結晶粒界１６を跨いで移動する酸素欠陥１４である。
【００２８】
そこで、温度と熱刺激電流値との関係を図３（ｂ）に例示する。図３（ｂ）で例示するように、ＴＳＤＣデータには、複数の電流ピークが現れる。大きく分けると、１３０℃以上で典型的な二つの主たるピークが現れる。これらのピークは、１３０℃から１９０℃の低温側ピーク（ピークＡ）と、１９０℃から２８０℃の高温側ピーク（ピークＢ）である。図２（ａ）〜図２（ｅ）の手順では、これらの電流ピークの積分値から酸素欠陥量を見積もっていることになる。
【００２９】
積層セラミックコンデンサ１００の実際の信頼性と、ＴＳＤＣデータとの関係を結び付けるには、この積分値のみでは十分ではない。上述したように、積層セラミックコンデンサ１００の信頼性に大きい影響を及ぼすのは、誘電体層１１内の結晶粒界１６を跨いで移動する酸素欠陥１４であるからである。この酸素欠陥１４の移動は、ピークＢが表す電流である。これに対して、ピークＡが表す電流は、結晶粒界１６を跨がずに結晶粒１５内の酸素欠陥移動である。ピークＡが積層セラミックコンデンサの寿命に及ぼす影響は、ピークＢが及ぼす影響と比較すると小さい。したがって、信頼性を向上させるためには、ピークＢを小さくすることが求められる。
【００３０】
そこで、本発明者は、鋭意研究により、ピークＡの電流値とピークＢの電流値との比（ＩＡ／ＩＢ）が信頼性の制御に重要であることを見出した。具体的には、本発明者は、１３０℃、５Ｖ／μｍ、３０ｍｉｎの分極による昇温速度１０℃／ｍｉｎのＴＳＤＣにおいて、ＩＡ／ＩＢが互いに異なる複数の誘電体層を作製し、１９０℃、２０Ｖ／μｍという高温高電界の加速寿命試験（ＨＡＬＴ）を行った。その結果を図４に示す。図４に示すように、本発明者は、ＩＡ／ＩＢ＞１．４０とすることで、１９０℃、２０Ｖ／μｍという高温高電界の加速寿命試験（ＨＡＬＴ）において１００ｍｉｎ以上と高い寿命が得られることを見出した。
【００３１】
そこで、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１００においては、複数の誘電体層１１のうち、少なくともいずれか一層の誘電体層１１は、ＩＡ／ＩＢが１．４０を上回る構成を有している。積層セラミックコンデンサ１００に含まれる全ての誘電体層１１が、ＩＡ／ＩＢが１．４０を上回ることが好ましい。
【００３２】
例えば、誘電体層１１の組成、結晶粒径、焼成条件などのパラメータを調整することによって、ＩＡ／ＩＢが１．４０を上回るようになる。信頼性向上の観点から、ＩＡ／ＩＢは、２．０を上回ることが好ましく、４．０を上回ることがより好ましい。
【００３３】
例えば、電界を横切る結晶粒界数を増やしたり、結晶粒界を厚くすることで、ＩＡ／ＩＢを大きくすることができる。しかしながら、ＩＡ／ＩＢを大きくし過ぎると、誘電率が落ちるおそれがある。したがって、容量確保および高信頼性の観点からは、ＩＡ／ＩＢに上限を設けることが好ましい。例えば、ＩＡ／ＩＢは、８．０以下であることが好ましく、６．０以下であることがより好ましい。
【００３４】
なお、誘電体層１１において、厚み方向に複数の結晶粒が含まれる場合に、ピークＡおよびピークＢが顕著に表れる。したがって、誘電体層１１において、厚み方向に複数の結晶粒が含まれることが好ましい。例えば、誘電体層１１の１層あたりの結晶粒の平均数は、３から８であることが好ましい。このような誘電体層１１の１層あたりの結晶粒の平均値は、積層方向に平行な切断面を電子顕微鏡で観察して、積層方向に平行に引いた任意の直線が横切る結晶粒の数を１層の誘電体層で求め、これを任意に選択した２０箇所の誘電体層でおこない、その平均値として求めることができる。
【００３５】
誘電体層１１の平均厚みは、例えば、３μｍ以下である。誘電体層１１の平均厚みが小さいほど、厚み方向における結晶粒数が少なくなる。したがって、誘電体層１１の平均厚みが小さいほど、ＩＡ／ＩＢを規定する意義が大きくなる。この観点から、誘電体層１１の平均厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下であることがより好ましく、０．４５μｍ以下であることがさらに好ましく、０．３５μｍ以下であることがさらに好ましい。誘電体層の１１の平均厚みは、積層方向に平行な切断面を電子顕微鏡で観察して、たとえば任意に選択した２０箇所の厚みの平均値として求めることができる。
【００３６】
なお、ＩＡ、ＩＢ、（ＩＡ＋ＩＢ）の各値自体は、積層セラミックコンデンサ１００のサイズ、電極構成、誘電体層厚、分極条件、その他の条件に応じて変動するので、これらの値自体で寿命を制御することは困難である。この観点に基づき、本実施形態においては、ＩＡとＩＢとの比に着目している。
【００３７】
続いて、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法について説明する。図５は、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法のフローを例示する図である。
【００３８】
（原料粉末作製工程）
図５で例示するように、まず、誘電体層１１を形成するための誘電体材料を用意する。誘電体層１１に含まれるＡサイト元素およびＢサイト元素は、通常はＡＢＯ３の粒子の焼結体の形で誘電体層１１に含まれる。例えば、ＢａＴｉＯ３は、ペロブスカイト構造を有する正方晶化合物であって、高い誘電率を示す。このＢａＴｉＯ３は、一般的に、二酸化チタンなどのチタン原料と炭酸バリウムなどのバリウム原料とを反応させてチタン酸バリウムを合成することで得ることができる。誘電体層１１の主成分セラミックの合成方法としては、従来種々の方法が知られており、例えば固相法、ゾル−ゲル法、水熱法等が知られている。本実施形態においては、これらのいずれも採用することができる。
【００３９】
得られたセラミック粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Ｍｇ（マグネシウム），Ｍｎ（マンガン），Ｖ（バナジウム），Ｃｒ（クロム），希土類元素(Ｙ（イットリウム）,Ｓｍ（サマリウム），Ｅｕ（ユウロピウム），Ｇｄ（ガドリニウム），Ｔｂ（テルビウム），Ｄｙ（ジスプロシウム）,Ｈｏ（ホロミウム）,Ｅｒ(エルビウム)，Ｔｍ（ツリウム）およびＹｂ（イッテルビウム）)の酸化物、並びに、Ｃｏ（コバルト），Ｎｉ，Ｌｉ（リチウム），Ｂ（ホウ素），Ｎａ（ナトリウム），Ｋ（カリウム）およびＳｉ（シリコン）の酸化物もしくはガラスが挙げられる。
【００４０】
例えば、セラミック原料粉末に添加化合物を含む化合物を湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料を調製する。例えば、上記のようにして得られたセラミック材料について、必要に応じて粉砕処理して粒径を調節し、あるいは分級処理と組み合わせることで粒径を整えてもよい。以上の工程により、誘電体材料が得られる。
【００４１】
（積層工程）
次に、得られた誘電体材料に、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等のバインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤とを加えて湿式混合する。得られたスラリを使用して、例えばダイコータ法やドクターブレード法により、基材上に例えば厚み３μｍ以下の帯状の誘電体グリーンシートを塗工して乾燥させる。
【００４２】
次に、誘電体グリーンシートの表面に、有機バインダを含む内部電極形成用の金属導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、極性の異なる一対の外部電極に交互に引き出される内部電極層パターンを配置する。金属導電ペーストには、共材としてセラミック粒子を添加する。セラミック粒子の主成分は、特に限定するものではないが、誘電体層１１の主成分セラミックと同じであることが好ましい。例えば、平均粒子径が５０ｎｍ以下のＢａＴｉＯ３を均一に分散させてもよい。
【００４３】
その後、内部電極層パターンが印刷された誘電体グリーンシートを所定の大きさに打ち抜いて、打ち抜かれた誘電体グリーンシートを、基材を剥離した状態で、内部電極層１２と誘電体層１１とが互い違いになるように、かつ内部電極層１２が誘電体層１１の長さ方向両端面に端縁が交互に露出して極性の異なる一対の外部電極２０ａ，２０ｂに交互に引き出されるように、所定層数（例えば１００〜５００層）だけ積層する。積層した誘電体グリーンシートの上下に、カバー層１３を形成するためのカバーシートを圧着させ、所定チップ寸法（例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ）にカットする。
【００４４】
得られたセラミック積層体をＮ２雰囲気中で脱バインダした後に、セラミック積層体の両端面から各側面にかけて、外部電極２０ａ，２０ｂの主成分金属を含む金属フィラー、共材、バインダ、溶剤などを含み、外部電極２０ａ，２０ｂの下地層となる金属ペーストを塗布し、乾燥させる。
【００４５】
（焼成工程）
このようにして得られた成型体を、２５０〜５００℃のＮ２雰囲気中で脱バインダ処理した後に、酸素分圧１０−８〜１０−１３ａｔｍの還元雰囲気中で１１００〜１３００℃で１０分〜２時間焼成することで、成型体の各粒子が焼結する。このようにして、セラミック積層体が得られる。
【００４６】
（再酸化処理工程）
その後、Ｎ２ガス雰囲気中で６００℃〜１０００℃で再酸化処理を行う。例えば、９５０℃で１ｈ再酸化処理を行う。その後、冷却の過程で、４００℃においてＮ２ガス雰囲気から雰囲気を大気に切り替え、室温まで徐冷する。このような処理を行うことにより、誘電体層１１の結晶粒界１６の酸素濃度を高めることができる。それにより、酸素欠陥１４が結晶粒界１６を超えて、あるいは結晶粒界１６に沿って移動することを抑制することができる。その結果、ＩＡに対してＩＢを相対的に低下させることができる。
【００４７】
（めっき処理工程）
その後、外部電極２０ａ，２０ｂの下地層上に、めっき処理により、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属コーティングを行う。以上の行程により、積層セラミックコンデンサ１００が完成する。
【００４８】
本実施形態に係る製造方法によれば、複数の誘電体層１１のうち、少なくともいずれか一層の誘電体層１１は、ＩＡ／ＩＢが１．４０を上回る構成を有するようになる。それにより、１９０℃、２０Ｖ／μｍという高温高電界の加速寿命試験（ＨＡＬＴ）において１００ｍｉｎ以上と高い寿命が得られる。誘電体層１１の組成、結晶粒径、焼成条件などのパラメータを調整することによって、ＩＡ／ＩＢが１．４０を上回るように調整してもよい。
【００４９】
（変形例）
誘電体材料に添加するＳｉＯ２量を調整してもよい。例えば、誘電体材料において、主成分セラミックに対して、ＳｉＯ２またはＳｉを主成分としたガラスの濃度を、Ｓｉ原子濃度で２．０ａｔｍ％以上としてもよい。このような添加量とすることで、酸素欠陥の移動障壁となるＳｉＯ２あるいはガラス相を増やすことで、ＩＡに対して相対的にＩＢを低下させることができる。
【００５０】
例えば、平均粒径が２００ｎｍのＢａＴｉＯ３の誘電体材料において、Ｔｉ：１００ａｔｍ％に対して、Ｓｉ：２．０ａｔｍ％、Ｍｇ：１．０ａｔｍ％、Ｈｏ：１．０ａｔｍ％、Ｍｎ：０．５ａｔｍ％、Ｖ：０．１ａｔｍ％としてもよい。この場合において、誘電体グリーンシートの厚みを５μｍとし、１０層を積層し、得られたセラミック積層体のサイズを、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．８ｍｍとしてもよい。
【００５１】
なお、上記各実施形態においては、セラミック電子部品の一例として積層セラミックコンデンサについて説明したが、それに限られない。例えば、バリスタやサーミスタなどの、他の電子部品を用いてもよい。
【００５２】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０  積層チップ
１１  誘電体層
１２  内部電極層
１３  カバー層
１４  酸素欠陥
１５  結晶粒
１６  結晶粒界
２０ａ，２０ｂ  外部電極
１００  積層セラミックコンデンサ
【図１】
2020184587.tif 000003
【図２】
2020184587.tif 000004
【図３】
2020184587.tif 000005
【図４】
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【図５】
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