(57)【要約】【課題】被写体、特には癌等の病巣部の画質の更なる向上が実現され得る撮像装置を提供すること。【解決手段】光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、  光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備え、該第１支持層と該第２支持層とが貼り合わされることで、該第１基板と該第２基板との積層構造が構成され、該第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含む、撮像装置を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、
光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備え、
該第１支持層と該第２支持層とが貼り合わされることで、該第１基板と該第２基板との積層構造が構成され、
該第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含む、撮像装置。
【請求項２】
前記反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１支持層が第１反射防止層を含み、前記第２支持層が第２反射防止層を含む、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含み、
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１支持層が、第１接着層と第１反射防止層と第２接着層とをこの順で積層して含み、
前記第２支持層が、第３接着層と第２反射防止層と第４接着層とをこの順で積層して含み、
該第２接着層と該第３接着層とが貼り合わされることで、前記第１基板と前記第２基板との積層構造が構成される、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含み、
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第１接着層がシリコン酸化膜を含み、前記第１反射防止層がシリコン窒化膜を含み、前記第２接着層がシリコン酸化膜を含み、
前記第３接着層がシリコン窒化膜を含み、前記第２反射防止層がシリコン酸化膜を含み、前記第４接着層がシリコン窒化膜を含む、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１接着層がシリコン窒化膜を含み、前記第１反射防止層がシリコン酸化膜を含み、前記第２接着層がシリコン窒化膜を含み、
前記第３接着層がシリコン酸化膜を含み、前記第２反射防止層がシリコン窒化膜を含み、前記第４接着層がシリコン酸化膜を含む、請求項７に記載の撮像装置。
【請求項１２】
更に、被写体に照射する励起光を出力する発光素子を備える、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記第２配線層が配線を有し、該配線が透明配線である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第２配線層が配線を有し、該配線が、前記第２画素アレイ部に二次元状に配列された前記複数の画素において、少なくとも１つの隣接する前記画素同士の間に対応した領域に配される、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記第２配線層が配線を有し、該配線が、前記第２画素アレイ部に二次元状に配列された前記複数の画素のうち少なくとも一部の前記画素に対応した領域のみに配される、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の撮像装置が搭載された、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、撮像装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、撮像装置（イメージセンサ）の需要がますます高まっている中で、生体組織の癌等を検出するために、撮像装置（イメージセンサ）を備えた内視鏡システムが広く利用されるようになっている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、安価な構成で、可視光画像と赤外光画像とを同時に取得することができる技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１３５５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１で提案された技術では、被写体、特には癌等の病巣部の画質の更なる向上を図れないおそれがある。
【０００６】
そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、被写体、特には癌等の病巣部の画質の更なる向上が実現され得る撮像装置、及びその撮像装置を搭載した電子機器を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、撮像装置の画質の更なる向上の実現に成功し、本技術を完成するに至った。
【０００８】
すなわち、本技術では、
光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、
光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備え、
該第１支持層と該第２支持層とが貼り合わされることで、該第１基板と該第２基板との積層構造が構成され、
該第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含む、撮像装置を提供する。
【０００９】
本技術に係る撮像装置の第１の側面として、
前記反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含んでよく、この場合、前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍでよく、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍでよい。
【００１０】
本技術に係る撮像装置の第２の側面として、
前記第１支持層が第１反射防止層を含んでよく、前記第２支持層が第２反射防止層を含んでよく、
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含んでよく、
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含んでよく、この場合、前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍでよく、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍでよい。
【００１１】
本技術に係る撮像装置の第３の側面として、
前記第１支持層が、第１接着層と第１反射防止層と第２接着層とをこの順で積層して含んでよく、
前記第２支持層が、第３接着層と第２反射防止層と第４接着層とをこの順で積層して含んでよく、
該第２接着層と該第３接着層とが貼り合わされることで、前記第１基板と前記第２基板との積層構造が構成されてよく、
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含んでよく、
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含んでよく、この場合、前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍでよく、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍでよい。
【００１２】
本技術に係る撮像装置の第３の側面において、
前記第１接着層がシリコン酸化膜を含んでよく、前記第１反射防止層がシリコン窒化膜を含んでよく、前記第２接着層がシリコン酸化膜を含んでよく、
前記第３接着層がシリコン窒化膜を含んでよく、前記第２反射防止層がシリコン酸化膜を含んでよく、前記第４接着層がシリコン窒化膜を含んでよい。
【００１３】
本技術に係る撮像装置の第３の側面において、
前記第１接着層がシリコン窒化膜を含んでよく、前記第１反射防止層がシリコン酸化膜を含んでよく、前記第２接着層がシリコン窒化膜を含んでよく、
前記第３接着層がシリコン酸化膜を含んでよく、前記第２反射防止層がシリコン窒化膜を含んでよく、前記第４接着層がシリコン酸化膜を含んでよい。
【００１４】
本技術に係る撮像装置の第４の側面として、
更に、被写体に照射する励起光を出力する発光素子が備えられてよい。
【００１５】
本技術に係る撮像装置の第５の側面として、
前記第２配線層が配線を有してよく、該配線が透明配線でよい。
【００１６】
本技術に係る撮像装置の第６の側面として、
前記第２配線層が配線を有してよく、該配線が、前記第２画素アレイ部に二次元状に配列された前記複数の画素において、少なくとも１つの隣接する前記画素同士の間に対応した領域に配されてよい。
【００１７】
本技術に係る撮像装置の第７の側面として、
前記第２配線層が配線を有してよく、該配線が、前記第２画素アレイ部に二次元状に配列された前記複数の画素のうち少なくとも一部の前記画素に対応した領域のみに配されてよい。
【００１８】
さらに、本技術では、本技術に係る撮像装置が搭載された、電子機器を提供する。
【００１９】
本技術によれば、画質の更なる向上が実現され得る。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本技術を適用した撮像装置の構成例を示す断面図である。
【図２】本技術を適用した撮像装置の構成例を示す断面図である。
【図３】配線と画素（フォトダイオード（ＰＤ））との関係を説明するための図である。
【図４】配線と画素（フォトダイオード（ＰＤ））との関係を説明するための図である。
【図５】配線と画素（フォトダイオード（ＰＤ））との関係を説明するための図である。
【図６】本技術を適用した撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】反射率と波長との関係を説明するための図である。
【図８】本技術を適用した撮像装置の構成例を示す断面図である。
【図９】本技術を適用した撮像装置を利用したカメラシステムの構成例を示す図である。
【図１０】撮像装置の一般的な構成例を示す断面図である。
【図１１】本技術を適用した撮像装置を利用したカプセル型内視鏡を含む体内情報取得システムの構成例を示すブロック図である。
【図１２】本技術を適用した撮像装置の使用例を示す図である。
【図１３】内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【図１４】カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２２】
説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（撮像装置の例１）
３．第２の実施形態（撮像装置の例２）
４．第３の実施形態（電子機器の例）
５．本技術を適用した撮像装置の適用例
５−１．カメラシステムの構成例
５−２．カプセル型内視鏡を含む体内情報取得システムへの応用例
５−３．撮像装置の使用例
５−４．内視鏡手術システムへの応用例
【００２３】
＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。
【００２４】
内視鏡システムの場合、可視光を用いた通常観察に加えて、赤外光等を用いた特殊観察が行われている。癌などの病巣に親和性をもち、赤外領域で励起、蛍光発光するインドシアニングリーン（ＩＣＧ）という蛍光物質を予め検査対象者の体内に投与し、蛍光物質を励起する励起光を照射することにより、病巣部に集積した蛍光物質からの蛍光を検出することができる。病巣部からは強い蛍光が放射されるために、蛍光画像の明るさから病変の有無を判断することができる。
【００２５】
医療用の蛍光物質（蛍光材料）の例としては、Ｋａｔｕｓｈｋａ２Ｓ（励起波長５８８ｎｍ、蛍光波長６３３ｎｍ）、上述したＩＣＧ（励起波長７５０−８１０ｎｍ、蛍光波長８３５ｎｍ）、５−ＡＬＡ（励起波長３７５−４４５ｎｍ、蛍光波長６００−７４０ｎｍ）が挙げられる。
【００２６】
図１０は、撮像装置５００を示す。第１の基板１０１０と第２の基板１０２０との間に支持層４０１０を挟んだ撮像装置の断面を示した断面図である。撮像装置４００は、第１の基板１０１０と、第２の基板１０２０と、カラーフィルタ１０３０と、接続部１０４０と、支持層４０１０とを備えている。
【００２７】
撮像装置５００は、所望の蛍光Ｑ１（例えば、波長８５０ｎｍ）だけでなく、被写体（例えば、ＩＣＧ検体）Ｒからの励起光Ｐ１（例えば、波長７６０ｎｍ）の反射光Ｐ２（例えば、波長７６０ｎｍ）を検出してしまいＳＮ比が好ましくない場合がある。撮像装置５００の上層（例えば、カラーフィルタ１０３０）に遮光膜を設定する場合は、励起光Ｐ１以外も遮光してしまうため光学設計が難しい場合がある。
【００２８】
本技術は、上記に鑑みてなされたものである。本技術は、光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備え、該第１支持層と該第２支持層とが貼り合わされることで、該第１基板と該第２基板との積層構造が構成され、該第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含む、撮像装置である。反射防止層は１つの膜から構成されてもよく、複数の膜から構成されてもよい。そして、反射防止層は、励起光を遮光する遮光膜及び／又は励起光により被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含むことができる。
【００２９】
本技術によれば、被写体、特には癌等の病巣部の画質の更なる向上が実現され得る。詳しくは、本技術によれば、励起光が選択的に遮光され得るか、蛍光が選択的に透過され得るか、又は励起光が選択的に遮光されて、蛍光が選択的に透過され得る。
【００３０】
以下に、本技術に係る実施の形態（第１の実施形態〜第２の実施形態）の撮像装置について、具体的、かつ、詳細に説明をする。
【００３１】
＜２．第１の実施形態（撮像装置の例１）＞
本技術に係る第１の実施形態（撮像装置の例１）の撮像装置は、光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備えて、第１支持層と第２支持層とが貼り合わされることで、第１基板と第２基板との積層構造が構成され、第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含む、撮像装置である。
【００３２】
本技術に係る第１の実施形態（撮像装置の例１）の撮像装置によれば、被写体、特には癌等の病巣部の画質の更なる向上が実現され得る。詳しくは、本技術に係る第１の実施形態（撮像装置の例１）の撮像装置によれば、励起光を遮光し、蛍光を透過することができる光学設計が実現され得る。
【００３３】
以下に、図１〜図７を用いて、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置について説明をする。
【００３４】
まず、図１を用いて説明をする。図１は、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置１−１を示す断面図である。
【００３５】
図１に示される撮像装置１−１は、第１基板１０１と第２基板１０２とを備えて、第１基板１０１と第２基板１０２とが、第１基板１０１及び第２基板１０２の左側面に配される接続部１０４を介して貼り合わされて、第１基板１０１と第２基板１０２との積層構造を有している。より詳しくは、撮像装置１−１は、カラーフィルタ１３を有する第１画素アレイ部１０１Ｃと、第１配線層１０１Ｂと、第１支持層１０１Ａとをこの順で積層して含む第１基板と、第２画素アレイ部１０２Ｃと、第２配線層１０２Ｂと、第２支持層１０２Ａとをこの順で積層して含む第２基板１０２と、を備え、第１支持層１０１Ａと第２支持層１０１Ｂとが貼り合わされることで第１基板１０１と第２基板１０２との積層構造が構成されている。
【００３６】
また、撮像装置１−１は、第１基板１０１の第１画素アレイ部１０１Ｃと第１配線層１０１Ｂと、第２基板１０２の第２画素アレイ部１０２Ｃと第２配線層１０２Ｂとが、第１基板１０１の第１支持層１０１Ａ及び第２基板１０２の第２支持層１０２Ａを介して、第１配線層１０１Ｂと第２配線層１０２Ｂとが貼り合わされて、第１画素アレイ部１０１Ｃ及び第１配線層１０１Ｂと、第２画素アレイ部１０２Ｃ及び第２配線層１０２Ｂとの積層構造が構成されていると考えてもよい。
【００３７】
第１支持層１０１Ａは、第１接着層３１Ａと第１反射防止層４１とが積層されて構成され、第２支持層１０２Ａは、第４接着層３２Ａと第２反射防止層４２とが積層されて構成され、接合面Ｓ−１を介して、第１反射防止層４１と第２反射防止層４２とが貼り合わされている。接合面Ｓ−１は、第１反射防止層４１の下面（図１の下側）と第２反射防止層４２の上面（図１の上側）とから形成されている。
【００３８】
図１には、図示はされていないが、第１支持層１０１Ａは、第１接着層３１Ａが積層されていない第１反射防止層４１の面（図１中では第１反射防止層４１の下面）に第２接着層を備えていてもよく、第１支持層１０２Ａは、第４接着層３２Ａが積層されていない第２反射防止層４２の面（図１中では第２反射防止層４２の上面）に第３接着層を備えていてもよく、その場合、接合面Ｓ−１は、第２接着層の下面（図１の下側）と第３接着層の上面（図１の上側）とから形成される。
【００３９】
図１中の撮像装置１−１では、接続部１０４に接しながら、第１接着層３１Ａと第４接着層３２Ａとが直接に貼り合わされているところがあり、接合面Ｓ−１の左側の一部（図１中の左側）は、第１接着層３１Ａの下面と第４接着層３２Ａの上面とから形成されている。なお、第１接着層３１Ａと第４接着層３２Ａとが直接に貼り合わされているところがなく、接合面Ｓ−１の全部（全面）が、第１反射防止層４１の下面（図１の下側）と第２反射防止層４２の上面（図１の上側）とから形成されていてもよく、または、上記で説明をしたように、図１では図示はされていないが、第２接着層の下面（図１の下側）と第３接着層の上面（図１の上側）とから形成されていてもよい。
【００４０】
撮像装置１−１においては、蛍光Ｑ１（例えば、波長８５０ｎｍ）は、第１支持層１０１Ａ内及び第２支持層１０２Ａ内を選択的に透過し、第２画素アレイ部１０２Ｃ（第２基板１０２）により検出される。被写体（例えば、ＩＣＧ検体）Ｒからの励起光Ｐ１（例えば、波長７６０ｎｍ）の反射光Ｐ２（例えば、波長７６０ｎｍ）は、第１支持層１０１Ａ内及び／又は第２支持層１０２Ａ内で遮光される。
【００４１】
次に、図２を用いて説明をする。図２（ａ）は、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置１−２を示す断面図であり、図２（ｂ）は、撮像装置１−２が備える第１基板１０１から第１支持層１０１Ａを除いたもの、すなわち、第１画素アレイ部１０１Ｃ及び第１配線層１０１Ｂの断面拡大図及び撮像装置１−２が備える第１基板１０２から第２支持層１０２Ａを除いたもの、すなわち、第２画素アレイ部１０２Ｃ及び第２配線層１０２Ｂの拡大断面図である。
【００４２】
図２（ａ）に示されるように、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置１−２は、第１基板１０１と第２基板１０２とを備えて、第１基板１０１と第２基板１０２とが、第１基板１０１及び第２基板１０２の左側面に配される接続部１０４を介して貼り合わされて、第１基板１０１と第２基板１０２との積層構造を有している。すなわち、撮像装置１−２は、カラーフィルタ１３を有する第１画素アレイ部１０１Ｃと、第１配線層１０１Ｂと、第１支持層１０１Ａとをこの順で積層して含む第１基板と、第２画素アレイ部１０２Ｃと、第２配線層１０２Ｂと、第２支持層１０２Ａとをこの順で積層して含む第２基板１０２と、を備え、第１支持層１０１Ａと第２支持層１０１Ｂとが貼り合わされることで第１基板１０１と第２基板１０２との積層構造が構成されている。
【００４３】
また、撮像装置１−２は、第１基板１０１の第１画素アレイ部１０１Ｃと第１配線層１０１Ｂと、第２基板１０２の第２画素アレイ部１０２Ｃと第２配線層１０２Ｂとが、第１基板１０１の第１支持層１０１Ａ及び第２基板１０２の第２支持層１０２Ａを介して、第１配線層１０１Ｂと第２配線層１０２Ｂとが貼り合わされて、第１画素アレイ部１０１Ｃ及び第１配線層１０１Ｂと、第２画素アレイ部１０２Ｃ及び第２配線層１０２Ｂとの積層構造が構成されていると考えてもよい。
【００４４】
第１支持層１０１Ａは、第１接着層３１Ａと第１反射防止層４１とが積層されて構成され、第２支持層１０２Ａは、第４接着層３２Ａと第２反射防止層４２とが積層されて構成され、接合面Ｓ−１を介して、第１反射防止層４１と第２反射防止層４２とが貼り合わされている。接合面Ｓ−１は、第１反射防止層４１の下面（図２（ａ）の下側）と第２反射防止層４２の上面（図２（ａ）の上側）とから形成されている。
【００４５】
図２（ａ）には、図示はされていないが、第１支持層１０１Ａは、第１接着層３１Ａが積層されていない第１反射防止層４１の面（図２（ａ）中では第１反射防止層４１の下面）に第２接着層を備えていてもよく、第１支持層１０２Ａは、第４接着層３２Ａが積層されていない第２反射防止層４２の面（図２（ａ）中では第２反射防止層４２の上面）に第３接着層を備えていてもよく、その場合、接合面Ｓ−１は、第２接着層の下面（図２（ａ）の下側）と第３接着層の上面（図２（ａ）の上側）とから形成される。
【００４６】
図２（ａ）中の撮像装置１−２では、接続部１０４に接しながら、第１接着層３１Ａと第４接着層３２Ａとが直接に貼り合わされているところがあり、接合面Ｓ−１の左側の一部（図１中の左側）は、第１接着層３１Ａの下面と第４接着層３２Ａの上面とから形成されている。なお、第１接着層３１Ａと第４接着層３２Ａとが直接に貼り合わされているところがなく、接合面Ｓ−１の全部（全面）が、第１反射防止層４１の下面（図１の下側）と第２反射防止層４２の上面（図１の上側）とから形成されていてもよく、または、上記で説明をしたように、図２（ａ）では図示はされていないが、第２接着層の下面（図２（ａ）の下側）と第３接着層の上面（図２（ａ）の上側）とから形成されていてもよい。
【００４７】
図２（ｂ）には、断面拡大図として、第１画素アレイ部１０１Ｃと第１配線層１０１Ｂとの積層構造、並びに第２画素アレイ部１０２Ｃと第２配線層１０２Ｂとの積層構造が示されている。
【００４８】
第１画素アレイ部１０１Ｃには、光の入射側（図２（ｂ）中の上側）から順に、オンチップレンズ１２、カラーフィルタ１３及び可視光の光電変換を行う第１光電変換部（例えば、ＰＤ（フォトダイオード））５０−１が形成され、第１画素アレイ部１０１Ｃの下方（図２（ｂ）中の下側）の第１配線層１０１Ｂには第１配線５１−１等が形成されている。そして、第２画素アレイ部１０２Ｃの上部（図２（ｂ）中の上側）には、蛍光の光電変換を行う第２光電変換部（例えば、ＰＤ（フォトダイオード））５０−２が形成され、第２画素アレイ部１０２Ｃの上方の第２配線層１０２Ｂには第２配線５１−２等が形成されている。
【００４９】
上述したように、撮像装置１−２は、可視光を検出する第１画素アレイ部１０１Ｃと、蛍光を検出する第２画素アレイ部１０２Ｃとを備え、第１画素アレイ部１０１Ｃと第２画素アレイ部１０２Ｃとの間には、光の入射側（図２中の上側）から順に、第１配線層１０１Ｂと第２配線層１０２Ｂとが配されているので、第１配線層１０１Ｂに形成されている第１配線５１−１及び／又は第２配線層１０２Ｂに形成されている第２配線５１−２が、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等のメタル配線であるとき、蛍光が、第２画素アレイ部１０２Ｃに到達する前に、蛍光を遮光する場合がある。
【００５０】
第２画素アレイ部１０２Ｃが蛍光を検出することができれば、第１配線５１−１は、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等のメタル配線でもよいし、第２配線５１−２は、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等のメタル配線でもよい。しかしながら、蛍光の効率的な検出をする場合には、第１配線５１−１は透明配線（例えばＩＴＯからなる配線）であることが好ましく、第２配線５１−２は透明配線（例えばＩＴＯからなる配線）であることが好ましい。そして、蛍光の更なる効率的な検出をする場合には、第１配線５１−１及び第２配線５１−２の両方が透明配線（例えばＩＴＯからなる配線）であることが好ましい。
【００５１】
蛍光が遮光されてしまうのを回避することに関して、図３〜図５を用いて更に説明をする。
【００５２】
図３〜図５は、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置における、配線と画素（フォトダイオード（ＰＤ））との関係を説明するための上面図である。
【００５３】
まず、図３を用いて説明をする。図３では、４画素分の画素２０−３ａ〜２０−３ｄが示され、
互いに隣接する画素２０−３ａと画素２０−３ｃとの間、及び互いに隣接する画素２０−３ｂと画素２０−３ｄとの間に配線２１−３が配されている。すなわち、４画素分の画素２０−３ａ〜２０−３ｄが画素毎に有している光電変換部（例えばフォトダイオード）の略中心部に配線２１−３を配置しないで、隣り合う一方の光電変換部（例えばフォトダイオード）と他方の光電変換部（例えばフォトダイオード）との境界に配線を配置することにより、配線２１−３がメタル配線であっても、第２画素アレイ部１０２Ｃは蛍光を効率的に検出することができる。なお、配線２１−３が透明配線であれば、第２画素アレイ部１０２Ｃは蛍光を、更に効率的に検出することができる。配線２１−３は、第１配線５１−１として用いられてもよいし、第２配線５１−２として用いられてもよいし、第１配線５１−１及び第２配線５１−２の両方に用いられてもよい。
【００５４】
次に、図４を用いて説明をする。図４では、４画素分の画素２０−４ａと、４画素分の画素２０−４ｂと、４画素分の画素２０−４ｃと、４画素分の画素２０−４ｄと、が示され（合計で１６画素）、配線２１−４は、１２画素分の画素２０−４ｂ、画素２０−４ｃ及び画素２０−ｄに対応するように配されて、４画素分の画素２０−４ａに対応するところは、配線２１−４は配されていない。すなわち、この配線配置の構成により、蛍光検出をする画素（図４中では画素２０−４ａ）と、蛍光検出をしない画素（図４中では、画素２０−４ｂ、画素２０−４ｃ及び画素２０−４ｄ））とに分けて、配線２１−４がメタル配線であっても、第２画素アレイ部１０２Ｃは蛍光を効率的に検出することができる。なお、配線２１−４が透明配線であれば、第２画素アレイ部１０２Ｃは蛍光を、更に効率的に検出することができる。図４で示された配線配置の構成は、第１配線層１０１Ｂに適用してもよいし、第２配線層１０２Ｂに適用してもよいし、第１配線層１０１Ｂ及び第２配線層１０２Ｂの両方に適用してもよい。
【００５５】
図５を用いて説明をする。図５では、４画素分の画素２０−５ａ〜２０−５ｄが示され、画素２０−５ａ〜２０−５ｄのそれぞれの画素に対応して、配線２１−５が配置されている。配線２１−５により蛍光が遮光されない場合には、画素２０−５ａ〜２０−５ｄのそれぞれの画素が有する光電変換部（フォトダイオード（ＰＤ））は蛍光を検出できるので、配線２１−５はメタル配線を用いてもよいが、配線２１−５により蛍光が遮光される場合又はより効率的に遮光されないようにする場合には、配線２１−５は、透明配線を用いることが好ましい。蛍光を検出することができれば、配線２１−５は、第１配線５１−１として用いられてもよいし、第２配線５１−２として用いられてもよいし、第１配線５１−１及び第２配線５１−２の両方に用いられてもよい。
【００５６】
図６は、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置１−６の製造方法を説明するための断面図である。
【００５７】
図６（ａ−１）〜（ａ−２）は、第１基板１０１の製造方法を示す。図６（ａ−１）に示されるように、第１画素アレイ部１０１Ｃ上に、第１配線層１０１Ｂが積層される。
【００５８】
図６（ａ−２）において、第１配線層１０１Ｂ上に第１支持層１０１Ａを積層する。すなわち、第１配線層１０１Ｂ上に第１接着層３１Ａを積層し、第１接着層３１Ａ上に第１反射防止層４１を積層し、第１反射防止層４１上に第２接着層３１Ｂを積層して第１基板１０１を製造する。
【００５９】
図６（ｂ−１）〜（ｂ−２）は、第２基板１０２の製造方法を示す。図６（ｂ−１）に示されるように、第２画素アレイ部１０２Ｃ上に、第２配線層１０２Ｂが積層される。
【００６０】
図６（ｂ−２）において、第２配線層１０２Ｂ上に第２支持層１０２Ａを積層する。すなわち、第２配線層１０１Ｂ上に第４接着層３２Ａを積層し、第４接着層３２Ａ上に第２反射防止層４２を積層し、第１反射防止層４２上に第３接着層３２Ｂを積層して第２基板１０２を製造する。
【００６１】
図６（ｃ）に示されるように、第１基板１０１を１８０度回転させて、第１基板１０１の第２接着層３１Ｂの下面（図８（ｃ）中の下側）と第２基板１０２の第３接着層３２Ｂの上面（図８（ｃ）中の上側）とが接合面Ｓ−６を形成するように、第２接着層３１Ｂと第３接着層３２Ｂとが貼り合わされて、撮像装置１−６が製造される。
【００６２】
撮像装置１−６は、光電変換部（ＰＤ）５０−１を有する第１画素アレイ部１０１Ｃと、第１配線層１０１Ｂと、第１支持層１０１Ａとをこの順で積層して含む第１基板と、光電変換部（ＰＤ）５０−２を有する第２画素アレイ部１０２Ｃと、第２配線層１０２Ｂと、第２支持層１０２Ａとをこの順で積層して含む第２基板１０２と、を備え、第１支持層１０１Ａと第２支持層１０１Ｂとが貼り合わされることで第１基板１０１と第２基板１０２との積層構造が構成されている。
【００６３】
第１接着層３１Ａ、第１反射防止層４１及び第２接着層３１Ｂのそれぞれは１つの膜から構成されてもよいし、複数の膜から構成されてもよい。第４接着層３２Ａ、第２反射防止層４２及び第３接着層３２Ｂのそれぞれは１つの膜から構成されてもよいし、複数の膜から構成されてもよい。
【００６４】
第１接着層３１Ａ、第１反射防止層４１及び第２接着層３１Ｂのそれぞれが１つの膜から構成されて、第４接着層３２Ａ、第２反射防止層４２及び第３接着層３２Ｂのそれぞれが１つの膜から構成されている場合は、例えば、第１接着層３１Ａは、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）でよく、第１反射防止層４１はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）でよく、第２接着層３１Ｂはシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）でよく、第３接着層３２Ｂはシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）でよく、第２反射防止層４２はシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）でよく、第４接着層３２Ａはシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）でよい。
【００６５】
第１接着層３１Ａ、第１反射防止層４１及び第２接着層３１Ｂのそれぞれが複数の膜から構成されて、第４接着層３２Ａ、第２反射防止層４２及び第３接着層３２Ｂのそれぞれが複数の膜から構成されている場合は、例えば、第１反射防止層４１と接する第１接着層３１Ａの界面膜は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）でよく、第１接着層３１Ａと接する第１反射防止層４１の界面膜はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）でよく、第１反射防止層４１と接する第２接着層３１Ｂの界面膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）でよい。そして、第２反射防止層４２と接する第３接着層３２Ｂの界面膜はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）でよく、第３接着層３２Ｂと接する第２反射防止層４２の界面膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）でよく、第２反射防止層４２と接する第４接着層３２Ａの界面膜はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）でよい。
【００６６】
図７は、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置における、反射率（縦軸）と波長（横軸）との関係を説明するための一例のグラフである。
【００６７】
図７に示されるように、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置１（１−１、１−２、１−６）は、反射防止層４１及び４２により、励起光を選択的に遮光し（図７に示されるように高い反射率）、蛍光を選択的に透過すること（図７に示されるように低い反射率）の効果を奏する。反射防止層４１は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を含み、励起光を遮光する遮光膜及び／又は励起光により被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む。反射防止層４２は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を含み、励起光を遮光する遮光膜及び／又は励起光により被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む。被写体はＩＣＧ検体の場合は、励起光の波長は７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、蛍光の波長は８５０ｎｍ±１０ｎｍである、
【００６８】
本技術に係る第１の実施形態の撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２の実施形態の撮像装置の欄で述べる内容がそのまま適用することができる。
【００６９】
＜３．第２の実施形態（撮像装置の例２）＞
本技術に係る第１の実施形態（撮像装置の例２）の撮像装置は、光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備えて、第１支持層と第２支持層とが貼り合わされることで、第１基板と第２基板との積層構造が構成され、第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含み、更に、被写体（例えば、検体）に照射する励起光を出力する発光素子を備える、撮像装置である。発光素子は、例えば、ＬＥＤ素子、レーザ素子等でよい。
【００７０】
本技術に係る第２の実施形態（撮像装置の例２）の撮像装置によれば、被写体、特には癌等の病巣部の画質の更なる向上が実現され得る。詳しくは、本技術に係る第２の実施形態（撮像装置の例２）の撮像装置によれば、励起光を遮光し、蛍光を透過することができる光学設計が実現され得る。また、本技術に係る第２の実施形態（撮像装置の例２）の撮像装置は、発光素子を備えているので、手術時等において利便性の向上を図ることができる。
【００７１】
以下に、図８を用いて、本技術に係る第２の実施形態の撮像装置について説明をする。
【００７２】
図８は、本技術に係る第２の実施形態の撮像装置１−８を示す断面図である。
【００７３】
撮像装置１−８は、光の入射側（入射光側）から順に、ガラス（例えば、サファイアガラス）２１と、オンチップレンズ１２、カラーフィルタ１３及び第１光電変換部（例えば、ＰＤ（フォトダイオード））を有する第１画素アレイ部１０１Ｃと、第１配線層１０１Ｂ、第１支持層１０１Ａ、第２支持層１０２Ａ、第２配線層１０２Ｂ、第２光電変換部（例えば、ＰＤ（フォトダイオード））を有する第２画素アレイ部１０２と、半田ボール４７とを備える。そして、撮像装置１−８は、発光素子（例えば、青色ＬＥＤ素子）２００（ｎ層２２、発光層２３、及びｐ層２４）を更に備える。発光素子２００は、被写体（例えば、ＩＣＧ検体）に照射する照射光として、励起光を出力することができる。例えば、励起光により被写体（例えば、ＩＣＧ検体）から発せられた蛍光は、第２画素アレイ部１０２Ｃで光電変換されて、画素信号が生成され、可視光は、カラーフィルタ１３で分光されて、第１画素アレイ部１０１Ｃで光電変換されて、画素信号が生成される。
【００７４】
撮像装置１−８は、例えば、複数チップ分の第１基板１０１及び第２基板１０２と、複数チップ分の発光素子２００が形成されている基板（図８中では不図示）とを貼り合わせるＷＣＳＰ（Ｗａｆｅｒ ｌｅｖｅｌ Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）製法により製造することができる。そして、通常のガラス（例えばＳｉＯガラス）に比較して強度が高いサファイアガラス２１を用いることにより、カバーガラスの薄膜化と、撮像装置１−８の全体としての低背化（モジュール小型化）が実現され得る。
【００７５】
オンチップレンズ１２は、入射光（例えば、可視光）をカラーフィルタ１３に集光する。カラーフィルタ１３は、例えばＲ，Ｇ，Ｂの各色フィルタがベイヤ配列に従って配列されている。
【００７６】
第１配線層１０１Ｂには、第１配線や、第１画素アレイ部１０１Ｃによって変換された画素信号を処理する信号処理回路や外部端子を取り出すためのＩ／Ｏ回路等が形成されている。第１配線層１０１Ｂに形成されている信号処理回路やＩ／Ｏ回路等は、上層側（図８中の上側）の第１画素アレイ部１０１Ｃが占める領域から横方向（図８中の左右方向）にはみ出すことなく配置されている。
【００７７】
また、第２配線層１０２Ｂには、第２配線や、第２画素アレイ部１０２Ｃによって変換された画素信号を処理する信号処理回路や外部端子を取り出すためのＩ／Ｏ回路等が形成されている。第２配線層１０２Ｂに形成されている信号処理回路やＩ／Ｏ回路等は、下層側（図８中の下側）の第２画素アレイ部１０２Ｃが占める領域から横方向（図８中の左右方向）にはみ出すことなく配置されている。
【００７８】
撮像装置１−８は、半田ボール４７を介して外部と接続される。発光素子２００に対しては、半田ボール４４およびビア（貫通電極）４３、並びに半田ボール４６およびビア４５を介して電圧が印可されて、発光素子２００は、電圧印加された電圧に応じて照射光（励起光）を出力する。
【００７９】
本技術に係る第２の実施形態の撮像装置は、上記で述べた内容の他に、特に技術的な矛盾がない限り、上記で述べた本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の欄で述べた内容がそのまま適用することができる。
【００８０】
＜４．第３の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第３の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態〜第２の撮像装置のいずれ１つの実施形態の撮像装置が搭載された電子機器である。以下に、本技術に係る第３の実施形態の電子機器の具体例（本技術を適用した撮像装置の適用例）について詳細に述べる。
【００８１】
＜５．本技術を適用した撮像装置の適用例＞
［５−１．カメラシステムの構成例］
本技術に係る第１〜第２の実施形態の撮像装置は、カメラシステムに適用することができる。図９は、本技術に係る第１の実施形態の撮像装置を適用したカメラシステム１０００の構成例を示す図である。カメラシステム１０００は、蛍光センサ１００１と光源１００２とカメラ鏡筒１００３を備える。光源１００２により、被写体（例えばＩＣＧ検体）１００４に励起光を照射する。本技術に係る第１の実施形態の撮像装置は、蛍光センサ１００１として利用され、光源１００２は、例えば、キセノン光源、ＬＥＤ光源、ＬＤ光源等である。
【００８２】
［５−２．カプセル型内視鏡を含む体内情報取得システムへの応用例］
本技術に係る第１〜第２の実施形態の撮像装置は、医療用途におけるＩＣＧ（Ｉｎｄｏｃｙａｎｉｎｅ ｇｒｅｅｎ）（蛍光造影法）観察を行う電子機器に適用できる。ＩＣＧ観察では、励起光が７６０ｎｍ、蛍光が８５０ｎｍであるので、本技術に係る第２の実施形態の撮像装置の場合は、発光素子には、７６０ｎｍの波長の光を出力するものを用いればよい。
【００８３】
ＩＣＧ観察では、低感度の狭波長帯のため分光リップルが小さいことが望ましい。分光リップルは反射界面の干渉により発生するが、本技術に係る第１〜第２の実施形態の撮像装置では分光リップルを大幅に抑制できる。具体的には、例えば、最表面に屈折率ｎ＝１から１．７の空気とサファイアガラス２１の中間屈折率の材料を用いて膜厚ｄ＝波長λ／（４×屈折率ｎ)となる反射防止膜を設計することでＩＣＧ波長リップルを最小化できる。
【００８４】
なお、本技術に係る第２の実施形態の撮像装置の場合は、従来では、本技術に係る第２の実施形態の撮像装置が備える第１基板及び第２基板と、発光素子とで個別に加工していた反射防止膜を同時に形成できる。
【００８５】
図１１は、本技術に係る第１〜第２の実施形態の撮像装置をカプセル型内視鏡に適用した場合の、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムの概略的な構成例を示している。
【００８６】
体内情報取得システム３０００は、検査時に患者によって飲み込まれるカプセル型内視鏡３１００と、体内情報取得システム３０００の動作を統括的に制御する外部制御装置３２００から構成される。
【００８７】
カプセル型内視鏡３１００は、撮像機能および無線通信機能を有し、患者から自然排出されるまでの間、胃や腸等の臓器の内部を蠕動運動等によって移動しつつ、当該臓器の内部の画像（以下、体内画像ともいう）を所定の間隔で順次撮像し、その体内画像についての情報を体外の外部制御装置３２００に順次無線送信する。
【００８８】
外部制御装置３２００は、受信した体内画像についての情報に基づいて、表示装置（図示せず）に当該体内画像を表示するための画像データを生成する。
【００８９】
体内情報取得システム３０００では、このようにして、カプセル型内視鏡３１００が飲み込まれてから排出されるまでの間、患者の体内の様子を撮像した画像を随時得ることができる。
【００９０】
カプセル型内視鏡３１００と外部制御装置３２００との構成および機能について詳述する。
【００９１】
カプセル型内視鏡３１００は、カプセル型の筐体３１０１内に、光源部３１０３、撮像部３１０５、画像処理部３１０７、無線通信部３１０９、給電部３１１３、電源部３１１５、状態検出部３１１７および制御部３１１９の機能が搭載されて構成される。
【００９２】
光源部３１０３は、撮像部３１０５の撮像視野に対して光を照射する。撮像部３１０５は、観察対象である体組織に照射された光の反射光を受光して光電変換することにより、観察光に対応した電気信号、すなわち観察像に対応した画像信号を生成する。撮像部３１０５によって生成された画像信号は、画像処理部３１０７に提供される。
【００９３】
本技術に係る第１の実施形態の撮像装置は、撮像部３１０５として利用され、本技術に係る第２の実施形態の撮像装置は、光源部３１０３および撮像部３１０５として利用される。
【００９４】
画像処理部３１０７は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサによって構成され、撮像部３１０５によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。当該信号処理は、画像信号を外部制御装置３２００に伝送するための最小限の処理（例えば、画像データの圧縮、フレームレートの変換、データレートの変換および／又はフォーマットの変換等）であってよい。画像処理部３１０７が必要最小限の処理のみを行うように構成されることにより、当該画像処理部３１０７を、より小型、より低消費電力で実現することができるため、カプセル型内視鏡３１００に好適である。ただし、筐体３１０１内のスペースや消費電力に余裕がある場合であれば、画像処理部３１０７において、更なる信号処理（例えば、ノイズ除去処理や他の高画質化処理等）が行われてもよい。
【００９５】
画像処理部３１０７は、信号処理を施した画像信号を、RAWデータとして無線通信部３１０９に提供する。なお、無線通信部３１０９は、状態検出部３１１７によってカプセル型内視鏡３１００の状態（動きや姿勢等）についての情報が取得されている場合には、当該情報と紐付けて、画像信号を無線通信部３１０９に提供してもよい。これにより、画像が撮像された体内における位置や画像の撮像方向等と、撮像画像とを関連付けることができる。
【００９６】
無線通信部３１０９は、外部制御装置３２００との間で各種の情報を送受信可能な通信装置によって構成される。当該通信装置は、アンテナ３１１１と、信号の送受信のための変調処理等を行う処理回路等から構成される。無線通信部３１０９は、画像処理部３１０７によって信号処理が施された画像信号に対して変調処理等の所定の処理を行い、その画像信号を、アンテナ３１１１を介して外部制御装置３２００に送信する。また、無線通信部３１０９は、外部制御装置３２００から、カプセル型内視鏡３１００の駆動制御に関する制御信号を、アンテナ３１１１を介して受信する。無線通信部３１０９は、受信した制御信号を制御部３１１９に提供する。
【００９７】
給電部３１１３は、受電用のアンテナコイル、当該アンテナコイルに発生した電流から電力を再生する電力再生回路、および昇圧回路等から構成される。給電部３１１３では、いわゆる非接触充電の原理を用いて電力が生成される。具体的には、給電部３１１３のアンテナコイルに対して外部から所定の周波数の磁界（電磁波）が与えられることにより、当該アンテナコイルに誘導起電力が発生する。当該電磁波は、例えば外部制御装置３２００からアンテナ３２０１を介して送信される搬送波であってよい。当該誘導起電力から電力再生回路によって電力が再生され、昇圧回路においてその電位が適宜調整されることにより、蓄電用の電力が生成される。給電部３１１３によって生成された電力は、電源部３１１５に蓄電される。
【００９８】
電源部３１１５は、二次電池によって構成され、給電部３１１３によって生成された電力を蓄電する。ただし、図１１では電源部３１１５からの電力の供給先を示す矢印等の図示を省略している。
【００９９】
状態検出部３１１７は、加速度センサおよび／又はジャイロセンサ等の、カプセル型内視鏡３１００の状態を検出するためのセンサから構成される。状態検出部３１１７は、当該センサによる検出結果から、カプセル型内視鏡３１００の状態についての情報を取得することができる。状態検出部３１１７は、取得したカプセル型内視鏡３１００の状態についての情報を、画像処理部３１０７に提供する。画像処理部３１０７では、上述したように、当該カプセル型内視鏡３１００の状態についての情報が、画像信号と紐付けられ得る。
【０１００】
制御部３１１９は、ＣＰＵ等のプロセッサによって構成され、所定のプログラムに従って動作することによりカプセル型内視鏡３１００の動作を統括的に制御する。制御部３１１９は、光源部３１０３、撮像部３１０５、画像処理部３１０７、無線通信部３１０９、給電部３１１３、電源部３１１５および状態検出部３１１７の駆動を、外部制御装置３２００から送信される制御信号に従って適宜制御することにより、以上説明したような各部における機能を実現させる。
【０１０１】
外部制御装置３２００は、ＣＰＵ、ＧＰＵ等のプロセッサ、又はプロセッサとメモリ等の記憶素子が混載されたマイコン若しくは制御基板等であり得る。外部制御装置３２００は、アンテナ３２０１を有し、当該アンテナ３２０１を介して、カプセル型内視鏡３１００との間で各種の情報を送受信可能に構成される。
【０１０２】
具体的には、外部制御装置３２００は、カプセル型内視鏡３１００の制御部３１１９に対して制御信号を送信することにより、カプセル型内視鏡３１００の動作を制御する。例えば、外部制御装置３２００からの制御信号により、光源部３１０３における観察対象に対する光の照射条件が変更され得る。また、外部制御装置３２００からの制御信号により、撮像条件（例えば、撮像部３１０５におけるフレームレート、露出値等）が変更され得る。また、外部制御装置３２００からの制御信号により、画像処理部３１０７における処理の内容や、無線通信部３１０９が画像信号を送信する条件（例えば、送信間隔、送信画像数等）が変更されてもよい。
【０１０３】
また、外部制御装置３２００は、カプセル型内視鏡３１００から送信される画像信号に対して、各種の画像処理を施し、撮像された体内画像を表示装置に表示するための画像データを生成する。当該画像処理としては、例えば現像処理（デモザイク処理）、高画質化処理（帯域強調処理、超解像処理、ＮＲ（Ｎｏｉｓｅ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）処理および／又は手ブレ補正処理等）、並びに／又は拡大処理（電子ズーム処理）等、各種の公知の信号処理が行われてよい。外部制御装置３２００は、表示装置（図示せず）の駆動を制御して、生成した画像データに基づいて撮像された体内画像を表示させる。あるいは、外部制御装置３２００は、生成した画像データを記録装置（図示せず）に記録させたり、印刷装置（図示せず）に印刷出力させたりしてもよい。
【０１０４】
［５−３．撮像装置の使用例］
図１２は、イメージセンサとしての本技術に係る第１〜第２の実施形態の撮像装置の使用例を示す図である。
【０１０５】
上述した第１〜第２の実施形態の撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１２に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第３の実施形態の電子機器）に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１０６】
具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１０７】
交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１０８】
家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１０９】
医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１１０】
セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１１１】
美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１１２】
スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１１３】
農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１〜第２の実施形態のいずれか１つの実施形態の撮像装置を使用することができる。
【０１１４】
［５−４．内視鏡手術システムへの応用例］
本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
【０１１５】
図１３は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
【０１１６】
図１３では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
【０１１７】
内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
【０１１８】
鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
【０１１９】
カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：  Ｃａｍｅｒａ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。
【０１２０】
ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
【０１２１】
表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
【０１２２】
光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
【０１２３】
入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
【０１２４】
処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
【０１２５】
なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
【０１２６】
また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
【０１２７】
また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
【０１２８】
図１４は、図１３に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
【０１２９】
カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
【０１３０】
レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
【０１３１】
撮像部１１４０２は、撮像装置（撮像素子）で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
【０１３２】
また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
【０１３３】
駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
【０１３４】
通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
【０１３５】
また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
【０１３６】
なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ  Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ  Ｗｈｉｔｅ  Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
【０１３７】
カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
【０１３８】
通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
【０１３９】
また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
【０１４０】
画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
【０１４１】
制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
【０１４２】
また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
【０１４３】
カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
【０１４４】
ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
【０１４５】
以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本開示の固体撮像装置１１１は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、歩留まりを向上させ、製造に係るコストを低減させることが可能となる。
【０１４６】
ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
【０１４７】
なお、本技術は、上述した実施形態及び適用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【０１４８】
また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【０１４９】
また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
光電変換を行う第１光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第１画素アレイ部と、第１配線層と、第１支持層とをこの順で積層して含む第１基板と、
光電変換を行う第２光電変換部を少なくとも有する複数の画素が二次元状に配列された第２画素アレイ部と、第２配線層と、第２支持層とをこの順で積層して含む第２基板と、を備え、
該第１支持層と該第２支持層とが貼り合わされることで、該第１基板と該第２基板との積層構造が構成され、
該第１支持層及び該第２支持層のうち少なくともいずれか一方が反射防止層を含む、撮像装置。
［２］
前記反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、［１］に記載の撮像装置。
［３］
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、［２］に記載の撮像装置。
［４］
前記第１支持層が第１反射防止層を含み、前記第２支持層が第２反射防止層を含む、［１］に記載の撮像装置。
［５］
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含み、
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、［４］に記載の撮像装置。
［６］
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、［５］に記載の撮像装置。
［７］
前記第１支持層が、第１接着層と第１反射防止層と第２接着層とをこの順で積層して含み、該第２接着層と前記第２支持層とが貼り合わされることで、前記第１基板と前記第２基板との積層構造が構成される、［１］に記載の撮像装置。
［８］
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、［７］に記載の撮像装置。
［９］
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、［８］に記載の撮像装置。
［１０］
前記第１接着層がシリコン酸化膜を含み、前記第１反射防止層がシリコン窒化膜を含み、前記第２接着層がシリコン酸化膜を含む、［７］から［９］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［１１］
前記第１接着層がシリコン窒化膜を含み、前記第１反射防止層がシリコン酸化膜を含み、前記第２接着層がシリコン窒化膜を含む、［７］から［９］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［１２］
前記第２支持層が、第３接着層と第２反射防止層と第４接着層とをこの順で積層して含み、該第３接着層と前記第１支持層とが貼り合わされることで、前記第１基板と前記第２基板との積層構造が構成される、［１］に記載の撮像装置。
［１３］
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、［１２］に記載の撮像装置。
［１４］
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、［１３］に記載の撮像装置。
［１５］
前記第３接着層がシリコン酸化膜を含み、前記第２反射防止層がシリコン窒化膜を含み、前記第４接着層がシリコン酸化膜を含む、［１２］から［１４］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［１６］
前記第３接着層がシリコン窒化膜を含み、前記第２反射防止層がシリコン酸化膜を含み、前記第４接着層がシリコン窒化膜を含む、［１２］から［１４］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［１７］
前記第１支持層が、第１接着層と第１反射防止層と第２接着層とをこの順で積層して含み、
前記第２支持層が、第３接着層と第２反射防止層と第４接着層とをこの順で積層して含み、
該第２接着層と該第３接着層とが貼り合わされることで、前記第１基板と前記第２基板との積層構造が構成される、［１］に記載の撮像装置。
［１８］
前記第１反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含み、
前記第２反射防止層が、被写体に照射する励起光を遮光する遮光膜及び／又は該励起光により該被写体から発せられる蛍光を透過する透過膜を含む、［１７］に記載の撮像装置。
［１９］
前記励起光の波長が７６０ｎｍ±１０ｎｍであり、前記蛍光の波長が８５０ｎｍ±１０ｎｍである、［１８］に記載の撮像装置。
［２０］
前記第１接着層がシリコン酸化膜を含み、前記第１反射防止層がシリコン窒化膜を含み、前記第２接着層がシリコン酸化膜を含み、
前記第３接着層がシリコン窒化膜を含み、前記第２反射防止層がシリコン酸化膜を含み、前記第４接着層がシリコン窒化膜を含む、［１７］から［１９］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［２１］
前記第１接着層がシリコン窒化膜を含み、前記第１反射防止層がシリコン酸化膜を含み、前記第２接着層がシリコン窒化膜を含み、
前記第３接着層がシリコン酸化膜を含み、前記第２反射防止層がシリコン窒化膜を含み、前記第４接着層がシリコン酸化膜を含む、［１７］から［１９］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［２２］
更に、被写体に照射する励起光を出力する発光素子を備える、［１］から［２１］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［２３］
前記第２配線層が配線を有し、該配線が透明配線である、［１］から［２２］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［２４］
前記第２配線層が配線を有し、該配線が、前記第２画素アレイ部に二次元状に配列された前記複数の画素において、少なくとも１つの隣接する前記画素同士の間に対応した領域に配される、［１］から［２３］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［２５］
前記第２配線層が配線を有し、該配線が、前記第２画素アレイ部に二次元状に配列された前記複数の画素のうち少なくとも一部の画素に対応した領域のみに配される、［１］から［２４］のいずれか１つに記載の撮像装置。
［２６］
［１］から［２５］のいずれか１つに記載の撮像装置が搭載された、電子機器。
【符号の説明】
【０１５０】
１（１−１、１−２、１−６、１−８）・・・撮像装置、
３１（３１Ａ、３１Ｂ）、３２（３２Ａ、３２Ｂ）・・・、接着層
４１、４２・・・反射防止層
１０１・・・第１基板、１０１Ａ・・・第１支持層、１０１Ｂ・・・第１配線層、１０１Ｃ・・・第１画素アレイ部、
１０２・・・第２基板、１０２Ａ・・・第２支持層、１０２Ｂ・・・第２配線層、１０２Ｃ・・・第２画素アレイ部、
【図１】
2020120163.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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