(57)【要約】【課題】別途の空間において分解された工程ガスを処理空間の内部に与えるバッチ式基板処理装置を提供すること。【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理空間を与えるチューブ１１０、プラズマが形成される放電空間を与える隔壁１３５、工程ガスを放電空間に供給するガス供給管１６０、及び放電空間にプラズマを形成するための複数の電極１３１、１３２を備え、前記複数の電極１３１、１３２のうちの少なくともいずれか一つは隔壁１３５の外部に配置され、少なくともいずれか一つは隔壁１３５の内部に配置されてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板が収容される処理空間を与えるチューブと、
前記処理空間と画成され、プラズマが形成される放電空間を与え、前記チューブの長手方向に沿って延びる隔壁と、
前記複数枚の基板が処理される工程に必要とされる工程ガスを前記放電空間に供給するガス供給管と、
前記チューブの長手方向に沿って延び、前記放電空間にプラズマを形成するための複数の電極と、
を備え、
前記複数の電極のうちの少なくともいずれか一つは前記隔壁の外部に配置され、少なくともいずれか一つは前記隔壁の内部に配置されるバッチ式基板処理装置。
【請求項２】
前記複数の電極は、前記隔壁の外部に配置された第１の電極と、前記隔壁の内部に配置された第２の電極と、を備え、
前記第１の電極はＲＦ電源に接続され、前記第２の電極は接地される請求項１に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の電極、前記第２の電極及び前記ガス供給管は、前記チューブの周方向に沿って互いに離間し、
前記ガス供給管は、前記隔壁の外部に配置される請求項２に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の電極は、前記チューブの周方向に沿って互いに離間し、順次に配置された第１の電極、第２の電極及び第３の電極を備え、
前記第１の電極は、前記隔壁の一方の側の外部に配置され、前記第２の電極及び前記第３の電極は、前記隔壁の内部に配置され、
前記第１の電極及び前記第３の電極はＲＦ電源に接続され、前記第２の電極は接地される請求項１に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項５】
前記チューブの周方向における前記第１の電極と前記第２の電極との間隔は、前記第２の電極と前記第３の電極との間隔よりも大きい請求項４に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項６】
前記ガス供給管は、前記チューブの周方向に沿って前記隔壁の他方の側の外部に配置される請求項４に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項７】
前記複数の電極は、前記チューブの周方向に沿って互いに離間し、順次に配置された第１の電極、第２の電極及び第３の電極を備え、
前記第１の電極及び前記第３の電極は、前記隔壁の外部に配置され、且つ、ＲＦ電源に接続され、前記第２の電極は、前記隔壁の内部に配置され、且つ、接地される請求項１に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項８】
前記チューブの周方向における前記第１の電極と前記第２の電極との間隔は、前記第２の電極と前記第３の電極との間隔に等しい請求項７に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス供給管は、前記第１の電極と前記第２の電極との間の空間、及び前記第２の電極と前記第３の電極との間の空間に前記工程ガスを供給するように前記放電空間の外部に配置された複数本のガス供給管を備える請求項４乃至請求項５及び請求項７乃至請求項８のうちのいずれか一項に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の電極及び前記第３の電極のそれぞれに互いに異なる大きさのＲＦ電力を印加する可変電源供給部をさらに備える請求項４乃至請求項８のうちのいずれか一項に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項１１】
前記ＲＦ電源は、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚのパルス周波数のパルス状にＲＦ電力を印加して、前記プラズマを周期的にオン／オフにする請求項２乃至請求項８のうちのいずれか一項に記載のバッチ式基板処理装置。
【請求項１２】
前記隔壁は、前記チューブの内部または外部に配置される請求項１乃至請求項８のうちのいずれか一項に記載のバッチ式基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バッチ式基板処理装置に係り、さらに詳しくは、別途の空間において分解された工程ガスを処理空間の内部に与えるバッチ式基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板処理装置とは、処理空間内に処理しようとする基板を位置付けた後、化学気相蒸着法または原子層蒸着法などを用いて、処理空間内に注入された工程ガスに含まれている反応粒子を基板の上に蒸着させる装置のことをいう。この種の基板処理装置としては、一枚の基板に対して基板処理工程が行える枚葉式（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｗａｆｅｒ  Ｔｙｐｅ）基板処理装置と、複数枚の基板に対して基板処理工程が同時に行えるバッチ式（Ｂａｔｃｈ  Ｔｙｐｅ）基板処理装置とが挙げられる。
【０００３】
一般に、バッチ式基板処理装置においては、処理空間を取り囲むホットウォール（Ｈｏｔ  ｗａｌｌ）タイプの加熱手段により、基板だけではなく、処理空間の壁面もまた温度が高くなって工程ガスが処理空間の内部の壁面にも蒸着され、これに伴い、不所望の薄膜が形成されてしまう。このとき、処理空間内においてプラズマなどの工程環境を造成する場合、内壁に蒸着された薄膜がプラズマ発生空間に形成された磁場や電場などによりパーティクルとして剥がれ落ちることにより、基板処理工程の最中に汚染物質として働いてしまうという問題がある。これにより、基板上の薄膜の品質を低下させるだけではなく、基板に対する処理工程の効率を低下させるという問題が生じてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】大韓民国登録特許第１０−０７３４７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、別途の空間において分解された工程ガスを処理空間の内部に与えるバッチ式基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、複数枚の基板が収容される処理空間を与えるチューブと、前記処理空間と画成され、プラズマが形成される放電空間を与え、前記チューブの長手方向に沿って延びる隔壁と、前記複数枚の基板が処理される工程に必要とされる工程ガスを前記放電空間に供給するガス供給管と、前記チューブの長手方向に沿って延び、前記放電空間にプラズマを形成するための複数の電極と、を備え、前記複数の電極のうちの少なくともいずれか一つは前記隔壁の外部に配置され、少なくともいずれか一つは前記隔壁の内部に配置されてもよい。
【０００７】
前記複数の電極は、前記隔壁の外部に配置された第１の電極と、前記隔壁の内部に配置された第２の電極と、を備え、前記第１の電極はＲＦ電源に接続され、前記第２の電極は接地されてもよい。
【０００８】
前記第１の電極、前記第２の電極及び前記ガス供給管は、前記チューブの周方向に沿って互いに離間し、前記ガス供給管は、前記隔壁の外部に配置されてもよい。
【０００９】
前記複数の電極は、前記チューブの周方向に沿って互いに離間し、順次に配置された第１の電極、第２の電極及び第３の電極を備え、前記第１の電極は、前記隔壁の一方の側の外部に配置され、前記第２の電極及び前記第３の電極は、前記隔壁の内部に配置され、前記第１の電極及び前記第３の電極はＲＦ電源に接続され、前記第２の電極は接地されてもよい。
【００１０】
前記チューブの周方向における前記第１の電極と前記第２の電極との間隔は、前記第２の電極と前記第３の電極との間隔よりも大きくてもよい。
【００１１】
前記ガス供給管は、前記チューブの周方向に沿って前記隔壁の他方の側の外部に配置されてもよい。
【００１２】
前記複数の電極は、前記チューブの周方向に沿って互いに離間し、順次に配置された第１の電極、第２の電極及び第３の電極を備え、前記第１の電極及び前記第３の電極は、前記隔壁の外部に配置され、且つ、ＲＦ電源に接続され、前記第２の電極は、前記隔壁の内部に配置され、且つ、接地されてもよい。
【００１３】
前記チューブの周方向における前記第１の電極と前記第２の電極との間隔は、前記第２の電極と前記第３の電極との間隔に等しくてもよい。
【００１４】
前記ガス供給管は、前記第１の電極と前記第２の電極との間の空間、及び前記第２の電極と前記第３の電極との間の空間に前記工程ガスを供給するように前記放電空間の外部に配置された複数本のガス供給管を備えていてもよい。
【００１５】
本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、前記第１の電極及び前記第３の電極のそれぞれに互いに異なる大きさのＲＦ電力を印加する可変電源供給部をさらに備えていてもよい。
【００１６】
前記ＲＦ電源は、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚのパルス周波数のパルス状にＲＦ電力を印加して、前記プラズマを周期的にオン／オフにしてもよい。
【００１７】
前記隔壁は、前記チューブの内部または外部に配置されてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施の形態においては、ガス供給管から供給された工程ガスが処理空間と画成される別途の放電空間において分解された後に処理空間の内部に与えられることから、チューブの内壁からパーティクルが剥がれ落ちるという問題を防ぐことができる。
【００１９】
また、本発明の一実施の形態においては、プラズマを形成するためにＲＦ電力が印加される電極を放電空間を与える隔壁の外部に配置することにより、プラズマにより電極及び保護管がダメージを受けることを防ぐことができる。
【００２０】
さらに、本発明の一実施の形態においては、ガス供給管を隔壁の外側に配置して、隔壁内の放電空間に工程ガスを直ちに供給することから、隔壁内に渦流が形成されず、放電空間をコンパクトにできることから、短い時間内に放電空間に均一な圧力を形成することができる。
【００２１】
その一方で、本発明の一実施の形態においては、電極にパルス状のＲＦ電力を印加することにより、処理工程の最中にイオンの密度は下げることができるのに対し、ラジカルの密度は一定に保つことができる。したがって、処理工程の効率を保ちながらも、プラズマにより隔壁がダメージを受けることを低減もしくは防止することができる。
【００２２】
なおかつ、本発明の一実施の形態においては、可変電源供給部を用いて、複数の電極のそれぞれに印加されるＲＦ電力の大きさまたは比率を調節することにより、均一なプラズマが形成されるようにできる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図２】（ａ）は、図１の平面図をＡ−Ａ’に沿って切り取った断面図、（ｂ）は、図１の平面図をＢ−Ｂ’に沿って切り取った断面図、（ｃ）は、図１の平面図をＣ−Ｃ’に沿って切り取った断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態に係るＲＦ電力の印加方式を示す回路図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係るパルス状のＲＦ電力の印加によるイオン密度及びラジカル密度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付図面に基づいて、本発明の実施の形態をより詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施の形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施の形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。発明を詳しく説明するために図面は誇張されてもよく、図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図２の（ａ）は、図１の平面図をＡ−Ａ’に沿って切り取った断面図であり、図２の（ｂ）は、図１の平面図をＢ−Ｂ’に沿って切り取った断面図であり、図２の（ｃ）は、図１の平面図をＣ−Ｃ’に沿って切り取った断面図である。
【００２６】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置は、複数枚の基板Ｓが処理される処理空間を与えるチューブ１１０と、前記処理空間において複数枚の基板Ｓを第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に積載する基板支持部１４０と、チューブ１１０と連通して前記処理空間内の工程残渣（工程残留物）を外部に排気する排気部１５０と、前記処理空間と画成され、プラズマが形成される放電空間を与え、チューブ１１０の長手方向に沿って延びる隔壁１３５と、複数枚の基板Ｓが処理される工程に必要とされる工程ガスを前記放電空間に供給するガス供給管１６０、及びチューブ１１０の長手方向に沿って延び、前記放電空間にプラズマを形成するための複数の電極１３１、１３２を備える。
【００２７】
プラズマ反応部１３０は、隔壁１３５及び複数の電極１３１、１３２を備え、前記ガス供給管１６０から供給された工程ガスをプラズマにより分解して前記チューブ１１０内の前記処理空間に与えてもよい。
【００２８】
チューブ１１０は、上部は閉鎖され、下部が開放された円筒状であって、石英またはセラミックなどの耐熱性材料から形成されてもよく、内部に複数枚の基板Ｓが収容されて処理される処理空間を与えてもよい。チューブ１１０の処理空間は、複数枚の基板Ｓが第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に積層された基板支持部１４０を収容し、実際に処理工程（例えば、蒸着工程）が行われる空間である。
【００２９】
基板支持部１４０は、基板Ｓを支持するための構成要素であり、複数枚の基板Ｓが第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に積載されるように形成され、複数枚の基板Ｓがそれぞれ別々に処理される複数の単位処理空間を与えてもよい。すなわち、基板支持部１４０は、基板Ｓが第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に積載されるように複数の層を形成し、一つの層（または、単位処理空間）に一枚の基板Ｓが積載されてもよい。したがって、基板支持部１４０の各層に基板Ｓの単位処理空間が個別的に形成されて単位処理空間の間に干渉が起こることを防ぐことができる。
【００３０】
複数枚の基板Ｓが基板支持部１４０にいずれも積載されれば、基板支持部１４０は、チューブ１１０の下部（または、出入り口）を介してチューブ１１０内の処理空間に移動することができ、基板支持部１４０は、複数枚の基板Ｓを載置して支持可能な形態であれば、特にその形状や構造が限定されない。
【００３１】
ガス供給管１６０は、複数枚の基板Ｓを処理する工程に必要とされる工程ガスをプラズマ反応部１３０を介してチューブ１１０内に供給してもよい。
【００３２】
プラズマ反応部１３０は、チューブ１１０の内側においてプラズマが形成される放電空間を与える隔壁１３５により処理空間と画成されてもよい。プラズマ反応部１３０は、ガス供給管１６０から供給された工程ガスをプラズマを用いて分解させ、分解された工程ガス中のラジカルのみを処理空間の内部に与える構成要素である。
【００３３】
隔壁１３５は、チューブ１１０の内部に配置され、チューブ１１０の内壁に接続される副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間の主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。隔壁１３５は、チューブ１１０の内壁からチューブ１１０の内側に向かって延び、互いに離間した副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間に配置され、チューブ１１０の内壁と離間した主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。副側壁部１３５ａ、１３５ｂ及び主側壁部１３５ｃは、チューブ１１０の内壁に沿って、且つ、チューブ１１０の長手方向に沿って延びてもよい。ただし、隔壁１３５は、処理空間と画成される放電空間を与えることができる形態であれば、図１に示すところに何ら限定されるものではなく、種々に変形可能である。一実施の形態において、主側壁部１３５ｃは、副側壁部１３５ａ、１３５ｂを越えてチューブ１１０の周方向にさらに延びてチューブ１１０よりも小さな直径を有するチューブ状を呈してもよい。
【００３４】
複数の電極１３１、１３２は、チューブ１１０の周方向に沿って互いに離間してもよい。複数の電極１３１、１３２は、隔壁１３５の一方の側の外部に配置された第１の電極１３１及び隔壁１３５の内部に配置された第２の電極１３２を備える。第１の電極１３１はＲＦ電源に接続され、第２の電極１３２は接地されてもよい。第１の電極１３１はパワー電極と呼ばれ、第２の電極１３２は接地電極と呼ばれてもよい。第１の電極１３１は、第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第２の電極１３２は、第２の副側壁部１３５ｂの内壁に隣り合うように配置されてもよい。第１の電極１３１及び第２の電極１３２は、複数枚の基板Ｓが積載された第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に延びてもよい。このとき、第１の電極１３１及び第２の電極１３２は互いに離間して配置され、第１の電極１３１にＲＦ電力を印加することにより、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間に生成される電場により、容量性結合プラズマ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ；ＣＣＰ）が発生することが可能である。
【００３５】
その一方で、プラズマを安定的に形成するために、または、所望の量のラジカルを得るために印加されるＲＦ電力が高くなることに伴い、高いエネルギーを有するイオンにより電極１３１、１３２を保護する保護管１７０及び隔壁１３５にダメージが与えられ、パーティクルが生じるという問題が起きてしまう。とりわけ、ＲＦ電力が印加されることに伴い、高いエネルギーを有するイオンが第１の電極１３１に向かって加速されて保護管１７０に繰り返し衝突するため、ＲＦ電力が印加される第１の電極１３１を保護する保護管１７０のダメージがさらに激しくなるおそれがある。保護管１７０がダメージを受けると、内部の電極１３２もまたダメージを受けたり汚れたりする。
【００３６】
本発明の一実施の形態においては、放電空間にプラズマを形成するためにＲＦ電力が印加される第１の電極１３１を隔壁１３５の外部に配置することにより、プラズマにより第１の電極１３１及び保護管１７０がダメージを受けることを防ぐことができる。また、第１の電極１３１を隔壁１３５の外部に配置する場合、第１の電極１３１を隔壁１３５の内部に配置する場合に比べて、工程ガスに比べて誘電率の高い隔壁１３５が第１の電極１３１と第２の電極１３２との間に介在されることによるキャパシタンス成分の増加により第１の電極１３１のインピーダンスが減少する。これにより、プラズマを安定的に形成するために、または、所望の量のラジカルを得るために印加されるＲＦ電力を下げることができる。その結果、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の電場の強さが減少し、プラズマによる隔壁１３５のダメージもまた低減させることができる。
【００３７】
なお、前記ＲＦ電源は、第１の電極１３１にパルス状のＲＦ電力を印加してもよい。パルス状のＲＦ電力は、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚのパルス周波数領域においてパルスの幅とデューティ比（ｄｕｔｙ  ｒａｔｉｏ）を調節することができる。パルス状のＲＦ電力を第１の電極１３１に印加すれば、プラズマが周期的にオン／オフになり、すなわち、プラズマがパルス状に生じることが可能になる。これにより、処理工程の最中に隔壁にダメージを与え、パーティクルを生じさせるイオンの密度は下げることができるのに対し、ラジカルの密度は一定に保つことができる（図１１参照）。したがって、処理工程の効率を保ちながらも、プラズマにより隔壁１３５がダメージを受けることを低減もしくは防止することができる。一般に、ＲＦ電力は、０．１ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの周波数を有することができる。
【００３８】
第１の電極１３１、第２の電極１３２及びガス供給管１６０は、チューブ１１０の周方向に沿って互いに離間し、第２の電極１３２は、第１の電極１３１とガス供給管１６０との間に配置されてもよい。ガス供給管１６０は、隔壁１３５の他方の側の外部に配置され、すなわち、隔壁１３５の第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置されて隔壁１３５内の放電空間に工程ガスを供給することができる。ガス供給管１６０は、第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に並べられた複数の供給口１６１を有していてもよい。
【００３９】
ガス供給管１６０を隔壁１３５内に配置する場合、ガス供給管１６０の周りの空間にプラズマが形成されないデッドゾーン（ｄｅａｄ  ｚｏｎｅ）が形成されるおそれがある。また、隔壁１３５内に配置されたガス供給管１６０の複数の供給口が隔壁１３５を向くように配置する場合、隔壁１３５内に渦流が形成されて、隔壁１３５内の放電空間に均一な圧力を形成するのに時間がかかる。本発明の一実施の形態においては、ガス供給管１６０を第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置して、隔壁１３５内の放電空間に工程ガスを直ちに供給するので、隔壁１３５内に渦流が形成されず、短い時間内に放電空間に均一な圧力を形成することができる。なお、本発明の一実施の形態においては、第１の電極１３１及びガス供給管１６０を隔壁１３５の外側に配置することにより、放電空間をコンパクトにできるので、短い時間内に放電空間に均一な圧力を形成することができる。
【００４０】
プラズマ反応部１３０には、プラズマ反応部１３０において分解された工程ガス中のラジカルを処理空間に噴射する複数の噴射口１２０が形成されてもよい。複数の噴射口１２０は、隔壁１３５の主側壁部１３５ｃに形成されてもよい。複数の噴射口１２０は、ガス供給管１６０から遠い側に配置され、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間に対応する位置に配置されてもよい。これにより、ガス供給管１６０から供給された工程ガスが第１の電極１３１と第２の電極１３２との間に形成されたプラズマにより十分に分解されることが可能になり、高い密度のラジカルが処理空間に供給されることが可能になる。複数の噴射口１２０は、複数枚の基板Ｓのそれぞれにラジカルを供給するように、基板支持部１４０の単位処理空間にそれぞれ対応して、第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に並べられてもよい。
【００４１】
チューブ１１０内の処理空間に工程ガスを直接的に供給した後に処理空間においてプラズマを形成する場合には、プラズマを形成するための磁場や電場により処理工程が行われる間に、チューブ１１０の内壁に形成された薄膜がパーティクルとして剥がれ落ちてしまうという問題が生じる。本発明においては、チューブ１１０内に別途のプラズマ反応部１３０を備えることにより、すなわち、隔壁１３５によりプラズマが形成される放電空間と、基板Ｓが処理される処理空間とを画成することにより、処理工程が行われる間にチューブ１１０の内壁に形成された薄膜がパーティクルとして剥がれ落ちてしまうという問題を防ぐことができる。
【００４２】
排気部１５０は、プラズマ反応部１３０と対向するように配置されてもよい。排気部１５０は、処理空間内に配置されて処理空間内の工程残渣を外部に排気する役割を果たしてもよい。排気部１５０は、第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に延びる排気部材１５１と、排気部材１５１に接続される排気ライン１５２及び排気ポンプ（図示せず）を備えていてもよい。排気部材１５１は、プラズマ反応部１３０の噴射口１２０と対向し、基板支持部１４０の単位処理空間にそれぞれ対応して、第１の方向、すなわち、上下方向に並べられた複数の排気口１５３を備えていてもよい。
【００４３】
このように、プラズマ反応部１３０の噴射口１２０と排気部１５０の排気口１５３とが互いに対応して、基板Ｓが積載される第１の方向と交差する第２の方向（例えば、基板Ｓの表面と平行な方向）に同一線上に配設されるので、噴射口１２０から噴射されるラジカルが排気口１５３に流れ込みながら層流（Ｌａｍｉｎａｒ  Ｆｌｏｗ）を形成することが可能になる。したがって、噴射口１２０から噴射されるラジカルが基板Ｓの上部面にまんべんなく供給されることが可能になる。
【００４４】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置は、第１の電極１３１及び第２の電極１３２を包み込む保護管１７０をさらに備えていてもよい。
【００４５】
第１の電極１３１及び第２の電極１３２のそれぞれは、上部から下部にわたって保護管１７０により包み込まれた状態で保護されてもよく、第１の電極１３１及び第２の電極１３２は、柔軟性を有する編組線から構成されてもよい。
【００４６】
通常、ＲＦ周波数の使用に伴う電気伝導では、電流が表面に沿って流れる表皮効果（Ｓｋｉｎ  Ｅｆｆｅｃｔ）が生じる。ここで、メッシュ状のメッシュ電極を用いる場合には、空きスペースが占める面積が広いため、小さな表面積による大きな抵抗を起因として、ＲＦ電力の印加に非効率的であるという問題が存在する。さらに、基板処理工程を高温と低温とにおいて繰り返し行うが、電極がメッシュ状を呈する場合、変化する温度に応じてメッシュ電極の形状が不規則的に変化してしまう結果、形状の保持の観点からみて不利になり、変化する形状に応じて抵抗が異なってくるため、ＲＦ電力の印加に際して不均一なプラズマが生じてしまうという問題がある。
【００４７】
前述した問題を防ぐために、本発明の一実施の形態に係る第１の電極１３１及び第２の電極１３２は、保護管１７０の内部に挿入されるだけではなく、空きスペースを極力抑え、しかも、柔軟性を有する編組タイプ（編組線）に形成されてもよい。一実施の形態によれば、空きスペースをさらに減少させるために、それぞれの電極の表面に金属を被覆する方法をさらに利用することもある。
【００４８】
保護管１７０は、第１の電極１３１及び第２の電極１３２の外部を取り囲むことにより、各電極を電気的に絶縁させるとともに、プラズマ雰囲気に被爆される電極をプラズマから保護することができる。これにより、電極は、プラズマにより生じ得る汚染またはパーティクルから安全に保護されることが可能になる。保護管１７０は、石英またはセラミックなどの耐熱性材料から形成されてもよい。
【００４９】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置は、チューブ１１０内の前記処理空間にソースガスを供給するソースガス供給管１９０をさらに備えていてもよい。ソースガス供給管１９０は、チューブ１１０内に配置され、プラズマ反応部１３０の一方の側に配置されてもよい。
【００５０】
工程ガスは、一種以上のガス、すなわち、ソースガス及びソースガスと反応して薄膜物質を形成する反応ガスを含んでいてもよい。ソースガス供給管１９０は、処理空間に直ちにソースガスを供給してもよい。ガス供給管１６０は、処理空間に直ちに供給するソースガス供給管１９０とは異なり、プラズマ反応部１３０内に先に反応ガスを供給してもよく、反応ガスは、プラズマにより活性化されて処理空間に与えられてもよい。例えば、基板Ｓの上に蒸着されるべき薄膜物質がシリコン窒化物である場合、ソースガスは、シリコンを含有するガス、すなわち、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2、略称：ＤＣＳ）などを含んでいてもよく、反応ガスは、窒素を含有するガス、すなわち、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ、ＮＯなどを含んでいてもよい。
【００５１】
本発明の一実施の形態によれば、ソースガスよりも相対的にガスの分解温度がさらに高い反応ガスをプラズマ反応部１３０に供給することにより、プラズマ反応部１３０により反応ガスが効果的に分解されて処理空間に与えられることが可能になる。
【００５２】
基板処理装置は、複数枚の基板Ｓを加熱するために、チューブ１１０を取り囲む加熱手段をさらに備えていてもよい。なお、基板支持部１４０は、処理工程の均一性を図るために、基板支持部１４０の下部に接続される回転手段により回転することが可能になる。
【００５３】
図３は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００５４】
図３を参照すると、本発明の一実施の形態によれば、プラズマ反応部１３０は、チューブ１１０の外側に配設されてもよい。プラズマ反応部１３０の構成及び効果は、図１及び図２に基づいて説明したところと同一または類似である。
【００５５】
隔壁１３５は、チューブ１１０の外部に配置され、チューブ１１０の外壁に接続される第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂ、及び第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂとの間の主側壁部１３５ｃを備えていてもよい。隔壁１３５は、チューブ１１０の外壁からチューブ１１０の外側に向かって延び、互いに離間した副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間に配置され、チューブ１１０の外壁と離間した主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。
【００５６】
第１の電極１３１は、第１の副側壁部１３５ａに隣り合うように配置され、ガス供給管１６０は、第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置されて、複数の供給口１６１を介して隔壁１３５内の放電空間に工程ガスを供給することができる。チューブ１１０は、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の対応する位置に並べられた複数の噴射口１２０を備えていてもよい。
【００５７】
本発明の一実施の形態においては、プラズマ反応部１３０をチューブ１１０の外側に配置することにより、チューブ１１０の直径が小さくなる。これにより、チューブ１１０が、それぞれの基板Ｓが処理される単位処理空間を限定することができるので、プラズマ反応部１３０において分解された工程ガス、すなわち、ラジカルが基板支持部１４０の単位処理空間において理想的な層流を形成することができる。換言すれば、プラズマ反応部１３０をチューブ１１０の外側に配置することにより、チューブ１１０が、処理空間内において複数枚の基板Ｓが積載されて形成される単位処理空間を限定することができる。なお、各層に積載された基板Ｓの単位処理空間は、処理空間の内部の壁面により限定されて互いに仕切られて与えられるので、単位処理空間とそれぞれ対応する噴射口１２０から噴射されたラジカルが無駄使いになることなく、効果的に基板Ｓの上部面にまんべんなく供給されて層流を形成することができる。
【００５８】
図４は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００５９】
図４を参照すると、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置は、複数枚の基板Ｓが処理される処理空間を与えるチューブ１１０と、前記処理空間において複数枚の基板Ｓを第１の方向、すなわち、上下方向に積載する基板支持部１４０と、チューブ１１０と連通して前記処理空間内の工程残渣を外部に排気する排気部１５０と、チューブ１１０から延びて前記処理空間と画成され、プラズマが形成される放電空間を画定する隔壁１３５と、複数枚の基板Ｓが処理される工程に必要とされるガスを隔壁１３５内に供給するガス供給管１６０と、隔壁１３５により与えられた前記放電空間にプラズマを形成するための複数の電極１３１、１３２、１３３とを備える。
【００６０】
隔壁１３５は、チューブ１１０の内部に配置され、チューブ１１０の内壁に接続される副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間の主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。隔壁１３５は、チューブ１１０の内壁からチューブ１１０の内側に向かって延び、互いに離間した副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間に配置され、チューブ１１０の内壁と離間した主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。副側壁部１３５ａ、１３５ｂ及び主側壁部１３５ｃは、チューブ１１０の内壁に沿って、且つ、チューブ１１０の長手方向に沿って延びてもよい。一実施の形態において、主側壁部１３５ｃは、副側壁部１３５ａ、１３５ｂを越えてチューブ１１０の周方向にさらに延びてチューブ１１０よりも小さな直径を有するチューブ状を呈してもよい。
【００６１】
複数の電極１３１、１３２、１３３は、隔壁１３５の外部に配置された第１の電極１３１、隔壁１３５の内部に配置された第２の電極１３２及び第３の電極１３３を備える。
【００６２】
第１の電極１３１及び第３の電極１３３はＲＦ電源に接続され、第２の電極１３２は接地されてもよい。第１の電極１３１及び第３の電極１３３はパワー電極と呼ばれ、第２の電極１３２は接地電極と呼ばれてもよい。
【００６３】
第１の電極１３１、第２の電極１３２及び第３の電極１３３は、チューブ１１０の周方向に沿って互いに離間し、順次に配置されている。このとき、第１の電極１３１は、隔壁１３５の一方の側の外部に配置され、第２の電極１３２及び第３の電極１３３は、隔壁１３５の内部、すなわち、放電空間に配置されてもよい。第１の電極１３１は、隔壁１３５の第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第３の電極１３３は、第２の副側壁部１３５ｂの内壁に隣り合うように配置されてもよい。第２の電極１３２は、第１の電極１３１と第３の電極１３３との間に配置されてもよい。第１の電極１３１、第２の電極１３２及び第３の電極１３３は、複数枚の基板Ｓが積載される方向である第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に延びてもよい。このとき、第１の電極１３１及び第３の電極１３３にそれぞれＲＦ電力を印加することにより、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間に生成される電場により容量性結合プラズマ（Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ；ＣＣＰ）が発生することが可能になる。
【００６４】
その一方で、工程ガスをプラズマにより活性化させるために、一般的には、２電極構造において一つの電極にＲＦ電力を印加してプラズマを形成することになる。この場合、プラズマを安定的に形成するための電力または所望の量のラジカルを得るための電力が高くなるにつれて、パーティクルが生じてしまうという問題が起こる。すなわち、一つの電極にＲＦ電力が印加される場合には、所望の量のラジカルを得るために高い電力が印加されることに起因して、イオン化された粒子が高いエネルギーを有することになり、これらの粒子により、電極を保護する保護管１７０、隔壁１３５にダメージが与えられ、パーティクルが生じてしまうという問題がある。
【００６５】
本発明の一実施の形態においては、ＲＦ電力がそれぞれ印加される第１の電極１３１及び第３の電極１３３の間に接地される第２の電極１３２が配備された３電極構造を用いて、二つの電極にＲＦ電力をそれぞれ分けて供給できるようにすることで、プラズマを生じさせるのに必要とされる電力または所望の量のラジカルを得るための電力を減少させて、一つの電極に高いＲＦ電力を印加する場合に比べて、パーティクルの発生が低減もしくは防止されるようにしている。
【００６６】
第１の電極１３１が隔壁１３５の外側に配置され、第３の電極１３３は隔壁１３５の内部に配置されるため、すなわち、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間に工程ガスに比べて高い誘電率を有する隔壁１３５が介在されるため、第１の電極１３１のインピーダンスと第３の電極１３３のインピーダンスとが異なることがある。例えば、第１の電極１３１のインピーダンスが第３の電極１３３のインピーダンスよりも小さくなることがある。この場合、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間隔、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間隔を調節することにより、インピーダンスを整合させることができる。例えば、インピーダンスを整合させるために、チューブ１１０の周方向における第１の電極１３１と第２の電極１３２との間隔は、第２の電極１３２と第３の電極１３３との間隔よりも大きく調節されてもよい。これにより、第１の電極１３１及び第３の電極１３３に同一のＲＦ電力を印加して、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の空間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間にプラズマを均一に形成することができる。この場合、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間隔が増減されて、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の電場の強さが減少するので、第１の電極１３１の周りに配設された隔壁１３５に与えられるダメージが低減もしくは防止されることが可能である。
【００６７】
その一方で、電極同士の間隔を調節する代わりに、可変電源供給部１８０において第１の電極１３１及び第３の電極１３３に互いに異なる大きさのＲＦ電力をそれぞれ印加することにより、例えば、インピーダンスが小さな第１の電極１３１にさらに小さなＲＦ電力を印加することにより、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の空間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間にプラズマを均一に形成することができる。この場合、第１の電極１３１にさらに小さなＲＦ電力が印加されることにより、第１の電極１３１の周りに配設された隔壁１３５に与えられるダメージが低減もしくは防止されることが可能である。第１の電極１３１及び第３の電極１３３のそれぞれに互いに異なる大きさのＲＦ電力を印加するための可変電源供給部１８０の詳細については後述する。
【００６８】
一実施の形態において、前記ＲＦ電源は、第１の電極１３１及び第３の電極１３３にパルス状のＲＦ電力を印加してもよい。パルス状のＲＦ電力は、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚのパルス周波数領域帯においてパルスの幅とデューティ比（ｄｕｔｙ  ｒａｔｉｏ）が調節され得る。デューティ比とは、オン周期とオフ周期との比のことをいう。パルス状のＲＦ電力を第１の電極１３１及び第３の電極１３３に印加すれば、プラズマが周期的にオン／オフになり、すなわち、プラズマがパルス状に生じることが可能になる。これにより、処理工程の最中に電極及び隔壁にダメージを与え、パーティクルを生じさせるイオンの密度は下げることができるのに対し、ラジカルの密度は一定に保つことができる（図１１参照）。したがって、処理工程の効率を保ちつつも、プラズマにより第３の電極１３３及び隔壁１３５がダメージを受け、パーティクルが生じることを低減もしくは防止することができる。
【００６９】
ガス供給管１６０は、チューブ１１０の周方向に沿って隔壁１３５の他方の側の外部に配置されてもよい。ガス供給管１６０は、チューブ１１０の周方向に沿って第３の電極１３３と離間して隔壁１３５の第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置されて、複数の供給口１６１を介して隔壁１３５内の放電空間に工程ガスを供給してもよい。ガス供給管１６０は、第１の方向、すなわち、チューブ１１０の長手方向に並べられた複数の供給口１６１を有していてもよい。
【００７０】
ガス供給管１６０を隔壁１３５内に配置する場合、ガス供給管１６０の周りの空間にプラズマが形成されないデッドゾーン（ｄｅａｄ  ｚｏｎｅ）が形成されるおそれがある。また、隔壁１３５内に配置されたガス供給管１６０の複数の供給口が隔壁１３５を向くように配置する場合、隔壁１３５内に渦流が形成されて、隔壁１３５内の放電空間に均一な圧力を形成するのに時間がかかる。本発明の一実施の形態においては、ガス供給管１６０を第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置して、隔壁１３５内の放電空間に工程ガスを直ちに供給するので、隔壁１３５内に渦流が形成されず、短い時間内に放電空間に均一な圧力を形成することができる。なお、本発明の一実施の形態においては、第１の電極１３１及びガス供給管１６０を隔壁１３５の外側に配置することにより、放電空間をコンパクトにできるので、工程ガスがまんべんなく行き渡る時間が短縮可能である。すなわち、短い時間内に放電空間に均一な圧力を形成することができる。これにより、工程ガスがプラズマにより分解されて処理空間に与えられる時間もまた短縮することができる。
【００７１】
プラズマ反応部１３０には、プラズマ反応部１３０において分解された工程ガス中のラジカルを処理空間に噴射する複数の噴射口１２０が形成されてもよい。複数の噴射口１２０は、隔壁１３５の主側壁部１３５ｃに形成されてもよい。主側壁部１３５ｃは、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間に対応する位置に配設された複数の噴射口１２０を備えていてもよい。これにより、ガス供給管１６０から供給された工程ガスが第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間に形成されたプラズマにより十分に分解されることが可能になり、高い密度のラジカルが処理空間に供給されることが可能になる。
【００７２】
図５は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００７３】
図５を参照すると、本発明の一実施の形態によれば、プラズマ反応部１３０は、チューブ１１０の外側に配設されてもよい。プラズマ反応部１３０の構成及び効果は、図４に基づいて説明したところと同一または類似である。
【００７４】
隔壁１３５は、チューブ１１０の外部に配置され、チューブ１１０の外壁に接続される第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂ、及び第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂとの間の主側壁部１３５ｃを備えていてもよい。隔壁１３５は、チューブ１１０の外壁からチューブ１１０の外側に向かって延び、互いに離間した副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間に配置され、チューブ１１０の外壁と離間した主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。
【００７５】
第１の電極１３１は、第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第３の電極１３３は、第２の副側壁部１３５ｂの内壁に隣り合うように配置されてもよい。第２の電極１３２は、第１の電極１３１と第３の電極１３３との間に配置されてもよい。
【００７６】
ガス供給管１６０は、第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置されて、複数の供給口１６１を介して隔壁１３５内の放電空間に工程ガスを供給してもよい。
【００７７】
チューブ１１０は、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間に対応する位置に配設された複数の噴射口１２０を備えていてもよい。
【００７８】
本発明の一実施の形態においては、プラズマ反応部１３０をチューブ１１０の外側に配置することにより、チューブ１１０が、処理空間内において複数枚の基板Ｓが積載されて形成される単位処理空間を限定することができる。そして、各層に積載された基板Ｓの単位処理空間は、処理空間の内部の壁面により限定されて互いに仕切られて与えられるので、単位処理空間とそれぞれ対応する噴射口１２０から噴射されたラジカルが無駄使いになることなく、効果的に基板Ｓの上部面にまんべんなく供給されて層流を形成することができる。
【００７９】
図６は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００８０】
図６を参照すると、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置は、プラズマ反応部１３０及びガス供給管１６０を除く残りの構成及び効果は、図４の基板処理装置と同一または類似であるため、以下では、相違点に重点をおいて説明する。
【００８１】
プラズマ反応部１３０は、隔壁１３５の外部に配置された第１の電極１３１、隔壁１３５の内部に配置された第２の電極１３２及び第３の電極１３３を備える。第１の電極１３１及び第３の電極１３３はＲＦ電源に接続され、第２の電極１３２は接地されてもよい。第１の電極１３１は、隔壁１３５の第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第３の電極１３３は、第２の副側壁部１３５ｂの内壁に隣り合うように配置されてもよい。第２の電極１３２は、第１の電極１３１と第３の電極１３３との間に配置されてもよい。ガス供給管１６０が第２の副側壁部１３５ｂの外側に配置されないことから、工程ガスの供給のための空間が不要になるので、第３の電極１３３は、図４に比べて、第２の副側壁部１３５ｂの内壁にさらに隣り合うように配置されることが可能になる。
【００８２】
複数本のガス供給管１６０は、チューブ１１０の外側に、すなわち、放電空間の外部に配置され、すなわち、第１乃至第３の電極１３１、１３２、１３３を結ぶ線から外側に配置され、複数本のガス供給管１６０の供給口１６１は、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間をそれぞれ向くように配置されてもよい。
【００８３】
複数本のガス供給管１６０の供給口１６１が第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間をそれぞれ向くように配置されれば、複数本のガス供給管１６０の供給口１６１を介して供給される工程ガスは、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の放電空間に直接的に供給されることが可能になるので、隔壁１３５内に渦流が形成されず、工程ガスが放電空間に行き渡る時間が短縮可能であるので、工程ガスの分解速度の向上及びそれに伴うプラズマの分解率の向上を図ることが可能になる。
【００８４】
また、複数本のガス供給管１６０をチューブ１１０の外側に配置することにより、隔壁１３５及びチューブ１１０の一部により取り囲まれた放電空間がコンパクトになるので、放電空間に供給される工程ガスがまんべんなく行き渡る時間が短縮されることが可能である。これにより、工程ガスがプラズマ分解されて処理空間に与えられる時間もまた短縮することができる。
【００８５】
噴射口１２０と供給口１６１は、チューブ１１０の半径方向に対して互いにずれるように配設されてもよい。噴射口１２０と供給口１６１の位置が、互いに対応することなく、図６に示すように、互いにずれていると、供給口１６１を介して供給された工程ガスが直ちにチューブ１１０の噴射口１２０に抜け出ることなく、プラズマにより分解されるための時間的な余裕を有することができるので、プラズマ分解効率が向上する。供給口１６１を介して供給された工程ガスがプラズマにより十分に分解されることが可能であり、高い密度のラジカルが処理空間に供給されることが可能になる。
【００８６】
図７は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００８７】
図７を参照すると、本発明の一実施の形態によれば、プラズマ反応部１３０は、チューブ１１０の外側に配設されてもよい。プラズマ反応部１３０の構成及び効果は、図６に基づいて説明したところと同一または類似である。
【００８８】
隔壁１３５は、チューブ１１０の外部に配置され、チューブ１１０の外壁に接続される第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂ、及び第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂとの間の主側壁部１３５ｃを備えていてもよい。隔壁１３５は、チューブ１１０の外壁からチューブ１１０の外側に向かって延び、互いに離間した第１及び第２の副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、第１及び第２の副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間に配置され、チューブ１１０の外壁と離間した主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。
【００８９】
第１の電極１３１は、第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第３の電極１３３は、第２の副側壁部１３５ｂの内壁に隣り合うように配置されてもよい。
【００９０】
複数本のガス供給管１６０は、主側壁部１３５ｃの外側に、すなわち、放電空間の外部に配置され、すなわち、第１乃至第３の電極１３１、１３２、１３３を結ぶ線から外側に配置され、複数本のガス供給管１６０の供給口１６１は、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間をそれぞれ向くように配置されてもよい。
【００９１】
本発明の一実施の形態においては、プラズマ反応部１３０をチューブ１１０の外側に配置することにより、チューブ１１０が、処理空間内において複数枚の基板Ｓが積載されて形成される単位処理空間を限定することができる。なお、各層に積載された基板Ｓの単位処理空間は、処理空間の内部の壁面により限定されて互いに仕切られて与えられるので、単位処理空間とそれぞれ対応する噴射口１２０から噴射されたラジカルが無駄使いになることなく、効果的に基板Ｓの上部面にまんべんなく供給されて層流を形成することができる。
【００９２】
図８は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００９３】
図８を参照すると、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置は、プラズマ反応部１３０を除く残りの構成及び効果は、図６の基板処理装置と同一または類似であるため、以下では、相違点に重点をおいて説明する。
【００９４】
複数の電極１３１、１３２、１３３は、チューブ１１０の周方向に沿って互いに離間し、順次に配置された第１の電極１３１、第２の電極１３２及び第３の電極１３３を備える。複数の電極１３１、１３２、１３３は、隔壁１３５の外部に配置された第１の電極１３１及び第３の電極１３３、並びに隔壁１３５の内部に配置された第２の電極１３２を備える。第１の電極１３１及び第３の電極１３３はＲＦ電源に接続され、第２の電極１３２は接地されてもよい。第１の電極１３１は、隔壁１３５の第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第３の電極１３３は、第２の副側壁部１３５ｂの外壁に隣り合うように配置されてもよい。
【００９５】
本発明の一実施の形態においては、放電空間にプラズマを形成するためにＲＦ電力が印加される第１の電極１３１及び第３の電極１３３を隔壁１３５の外部に配置することにより、プラズマにより保護管１７０、第１の電極１３１及び第３の電極１３３がダメージを受けることを防ぐことができる。
【００９６】
さらに、第１の電極１３１及び第３の電極１３３を隔壁１３５の外部に配置することにより、隔壁１３５及びチューブ１１０の一部により取り囲まれた放電空間がコンパクトになるので、放電空間に供給される工程ガスがまんべんなく行き渡る時間が短縮されることが可能である。これにより、工程ガスがプラズマ分解されて処理空間に与えられる時間もまた短縮することができる。
【００９７】
図９は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【００９８】
図９を参照すると、本発明の一実施の形態によれば、プラズマ反応部１３０は、チューブ１１０の外側に配設されてもよい。プラズマ反応部１３０の構成及び効果は、図８に基づいて説明したところと同一または類似である。
【００９９】
隔壁１３５は、チューブ１１０の外部に配置され、チューブ１１０の外側面に接続される第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂ、及び第１の副側壁部１３５ａと第２の副側壁部１３５ｂとの間の主側壁部１３５ｃを備えていてもよい。隔壁１３５は、チューブ１１０の外壁からチューブ１１０の外側に向かって延び、互いに離間した第１及び第２の副側壁部１３５ａ、１３５ｂと、第１及び第２の副側壁部１３５ａ、１３５ｂの間に配置され、チューブ１１０の外壁と離間した主側壁部１３５ｃとを備えていてもよい。
【０１００】
第１の電極１３１は、第１の副側壁部１３５ａの外壁に隣り合うように配置され、第３の電極１３３は、第２の副側壁部１３５ｂの外壁に隣り合うように配置されてもよい。
【０１０１】
複数本のガス供給管１６０は、主側壁部１３５ｃの外側に、すなわち、第１乃至第３の電極１３１、１３２、１３３を結ぶ線から外側に配置され、複数本のガス供給管１６０の供給口１６１は、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間をそれぞれ向くように配置されてもよい。
【０１０２】
本発明の一実施の形態においては、プラズマ反応部１３０をチューブ１１０の外側に配置することにより、チューブ１１０が、処理空間内において複数枚の基板Ｓが積載されて形成される単位処理空間を限定することができる。なお、各層に積載された基板Ｓの単位処理空間は、処理空間の内部の壁面により限定されて互いに仕切られて与えられるので、単位処理空間とそれぞれ対応する噴射口１２０から噴射されたラジカルが無駄使いになることなく、効果的に基板Ｓの上部面にまんべんなく供給されて層流を形成することができる。
【０１０３】
図１０は、本発明の一実施の形態に係るＲＦ電力の印加方式を示す回路図である。
【０１０４】
図１０の（ａ）を参照すると、可変電源供給部１８０は、ＲＦ電力を印加するＲＦ電源１８２、ＲＦ電源１８２と第１の電極１３１との間及びＲＦ電源１８２と第３の電極１３３との間にそれぞれ与えられるＲＦ電力の大きさまたは比率を調節するＲＦスプリッタ１８１を備えていてもよい。
【０１０５】
図４から図７に示すように、第１の電極１３１が隔壁１３５の外側に配置され、第２の電極１３２及び第３の電極１３３が隔壁１３５の内部に配置される場合、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の空間に形成されるプラズマ密度と、第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間に形成されるプラズマ密度とが互いに異なる、不均一なプラズマが形成されるという問題が生じてしまうおそれがある。本発明の一実施の形態においては、均一なプラズマが形成されるように、可変電源供給部１８０を用いて、第１の電極１３１及び第３の電極１３３のそれぞれに印加されるＲＦ電力の大きさまたは比率を調節できるようにしている。ＲＦスプリッタ１８１は、電気的に接続されたＲＦ電源１８２から印加されるＲＦ電力の大きさまたは比率を調節して、第１の電極１３１及び第３の電極１３３のそれぞれに互いに異なる大きさのＲＦ電力が印加されるようにできる。
【０１０６】
その一方で、図８及び図９に示すように、第１の電極１３１と第３の電極１３３が両方とも隔壁１３５の外側に配置された場合であっても、色々な要因により、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間にそれぞれ形成されるプラズマ密度が互いにばらついてしまうことがある。しかしながら、本発明の一実施の形態においては、可変電源供給部１８０において第１の電極１３１及び第３の電極１３３に互いに異なる大きさのＲＦ電力をそれぞれ印加することにより、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間の空間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間にプラズマを均一に形成することができる。
【０１０７】
可変電源供給部１８０は、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間の空間にそれぞれ配設されてプラズマの放電特性（放電電流、放電電圧、位相など）を測定する探針棒をさらに備え、前記探針棒から測定された放電特性の違いに応じて、前記ＲＦ電力の大きさまたは比率が調節されることが可能になる。
【０１０８】
図１０の（ｃ）を参照すると、均一なプラズマが形成されるように、第１の電極１３１及び第３の電極１３３は、二つのＲＦ電源１８２にそれぞれ電気的に接続されて、ＲＦ電力をそれぞれ独立して供給されてもよい。
【０１０９】
これとは異なり、図１０の（ｂ）を参照すると、第１の電極１３１と第２の電極１３２との間、及び第２の電極１３２と第３の電極１３３との間にそれぞれ形成されるプラズマ密度が互いにばらついていない場合、または、第１乃至第３の電極１３１、１３２、１３３同士の間隔が調節可能である場合には、一つのＲＦ電源１８２から出力されたＲＦ電力を均等に分配して、第１の電極１３１及び第３の電極１３３に供給してもよい。
【０１１０】
なお、ＲＦ電源１８２は、第１の電極１３１及び第３の電極１３３にパルス状のＲＦ電力を印加してもよい。パルス状のＲＦ電力は、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚのパルス周波数領域においてパルスの幅とデューティ比（ｄｕｔｙ  ｒａｔｉｏ）が調節されてもよい。
【０１１１】
このように、本発明の詳細な説明においては、具体的な実施の形態について説明したが、本発明から逸脱しない範囲内において種々の変形が可能である。よって、本発明の範囲は、説明された実施の形態に限って定められてはならず、特許請求の範囲だけではなく、この特許請求の範囲と均等なものによって定められるべきである。
【符号の説明】
【０１１２】
Ｓ：基板
１１０：チューブ
１２０：噴射口
１３０：プラズマ反応部
１３１：第１の電極
１３２：第２の電極
１３３：第３の電極
１３５：隔壁
１４０：基板支持部
１５０：排気部
１５１：排気部材
１５２：排気ライン
１５３：排気口
１６０：ガス供給管
１６１：供給口
１７０：保護管
１８０：可変電源供給部
１８１：可変キャパシタ（ＲＦスプリッタ）
１８２：ＲＦ電源
１９０：ソースガス供給管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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