(57)【要約】【課題】低コストで金属層とベースフィルムとの間の密着力を向上できるプリント配線板用基板を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が４．２ａｔｏｍｉｃ％以上９．７ａｔｏｍｉｃ％以下であり、ベースフィルムがテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンであり、金属層の表面に金属元素を含む防錆処理層を備える。【選択図】図１
2020120122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、
酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が４．２ａｔｏｍｉｃ％以上９．７ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
上記ベースフィルムがテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンであり、
上記金属層の表面に金属元素を含む防錆処理層を備えるプリント配線板用基板。
【請求項２】
上記防錆処理層が、上記金属層の表面のうち少なくともベースフィルム側の表面に備わる、請求項１に記載のプリント配線板用基板。
【請求項３】
上記防錆処理層が、コバルト又はコバルト合金を含む、請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板用基板。
【請求項４】
上記防錆処理層が、コバルト−モリブデン、コバルト−ニッケル−タングステン又はコバルト−ニッケル−ゲルマニウムのいずれかを主成分として含む、請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板用基板。
【請求項５】
上記露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＳｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
【請求項６】
上記露出するベースフィルム表面のケイ素の単位面積当たりの存在量の窒素の単位面積当たりの存在量に対する比が４以下である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
【請求項７】
上記ベースフィルムと金属層との界面近傍に窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在する請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
【請求項８】
上記カップリング剤がシランカップリング剤である請求項７に記載のプリント配線板用基板。
【請求項９】
上記金属層のベースフィルム側の面の十点平均粗さＲｚが０．０１μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
【請求項１０】
上記ベースフィルムがフッ素樹脂を主成分とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
【請求項１１】
ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属パターンとを備えるプリント配線板であって、
酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が４．２ａｔｏｍｉｃ％以上９．７ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
上記ベースフィルムがテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンであり、
上記金属層の表面に金属元素を含む防錆処理層を備えるプリント配線板。
【請求項１２】
ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板の製造方法であって、
金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程と、
上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程と、
上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程と
を備え、
製造されたプリント配線板から酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が４．２ａｔｏｍｉｃ％以上９．７ａｔｏｍｉｃ％以下であり、
上記ベースフィルムがテトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンであり、
上記金属層の表面に金属元素を含む防錆処理層を備えるプリント配線板用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法に関する。本出願は、２０１５年８月２１日出願の日本出願第２０１５−１６４２３４号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、プリント配線板の高密度化が要求されている。高密度化されたプリント配線板は、金属パターンの微細化に伴って金属パターンがベースフィルムから剥離し易くなるため、このような高密度化の要求を満たすプリント配線板用基板として、金属層とベースフィルムとの密着性に優れたプリント配線板用基板が求められている。
【０００３】
このような要求に対し、耐熱性絶縁ベースフィルムに接着剤層を介することなく銅薄層を積層したプリント配線板用基板が提案されている（特開平９−１３６３７８号公報参照）。この従来のプリント配線板用基板は、耐熱性絶縁ベースフィルムの両面にスパッタリング法を用いて厚み０．２５〜０．３０μｍの銅薄膜層を形成し、その上に電気メッキ法を用いて銅厚膜層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１３６３７８号公報
【発明の概要】
【０００５】
発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板用基板である。
【０００６】
別の本発明の一態様に係るプリント配線板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属パターンとを備えるプリント配線板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板である。なお、ポリイミドについては、無処理ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は０％と規定する。
【０００７】
さらに別の本発明の一態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程とを備えるプリント配線板用基板の製造方法である。
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記公報で提案されているプリント配線板用基板は、金属層とベースフィルムとの間の密着力を大きくできる点で高密度プリント配線の要求に沿う基板であるといえる。しかし、上記従来のプリント配線板用基板は、金属層をベースフィルムに密着させるためスパッタリング法を用いて銅薄膜層を形成しているので、真空設備を必要とし、設備の建設、維持、運転等におけるコストが高くなる。その結果、プリント配線板用基板の製造コストが高くなる。
【０００９】
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、低コストで金属層とベースフィルムとの間の密着力を向上できるプリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、プリント配線板用基板のベースフィルムと金属層との間に窒素が存在することでこれらの密着力が向上し、さらにこの窒素の存在量が多くなると上記密着力が大きくなる傾向があることを知見した。このことより、発明者らは、ベースフィルム及び金属層間の窒素の存在量を制御することで、真空設備を使用しなくても金属層をベースフィルムに密着させられることを見出した。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のプリント配線板用基板及びプリント配線板は、低コストで金属層とベースフィルムとの間の密着力を向上できる。また、本発明のプリント配線板用基板の製造方法により、金属層とベースフィルムとの間の密着力が大きいプリント配線板用基板を低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線板用基板の模式的斜視図である。
【図２Ａ】図１のプリント配線板用基板の製造方法のカップリング剤塗布工程を説明する模式的部分断面図である。
【図２Ｂ】図１のプリント配線板用基板の製造方法の図２Ａの次の工程を説明する模式的部分断面図である。
【図２Ｃ】図１のプリント配線板用基板の製造方法の図２Ｂの次の工程を説明する模式的部分断面図である。
【図３Ａ】図１のプリント配線板用基板を用いるプリント配線板の製造方法のレジスト被覆工程を説明する模式的部分断面図である。
【図３Ｂ】図１のプリント配線板用基板を用いるプリント配線板の製造方法の図３Ａの次の工程を説明する模式的部分断面図である。
【図３Ｃ】図１のプリント配線板用基板を用いるプリント配線板の製造方法の図３Ｂの次の工程を説明する模式的部分断面図である。
【図３Ｄ】図１のプリント配線板用基板を用いるプリント配線板の製造方法の図３Ｃの次の工程を説明する模式的部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
［本発明の実施形態の説明］
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ（Ｘ線光電分光法：Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板用基板である。
【００１４】
当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に窒素が存在するため、熱プレス時の加熱温度によるベースフィルムを構成する樹脂の一部の分解及びラジカル化により、上記樹脂中の炭素とベースフィルム及び金属層間の窒素との間でＣＮ結合が形成されている。つまり、当該プリント配線板用基板は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層除去後に露出するベースフィルム表面における窒素の存在量が上記範囲内であることで、ベースフィルム表面にこのようなＣＮ結合が所定量以上形成され、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力が得られる。また、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルムと金属層との間の密着力を確保するために少なくともベースフィルム及び金属層間に窒素が存在していればよいので、スパッタリング等の物理的蒸着に用いる高価な真空設備が必要なく、製造コストを低減できる。
【００１５】
上記露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＳｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量としては、１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下が好ましい。上記ＣＮ結合における窒素はケイ素との結合力が大きく、さらにこのケイ素は酸素を介して金属層と結合し易いので、ケイ素の存在量を上記範囲内とすることで、ベースフィルムと金属層との間の密着力をより向上できる。
【００１６】
上記露出するベースフィルム表面のケイ素の単位面積当たりの存在量の窒素の単位面積当たりの存在量に対する比の上限としては、４が好ましい。このように、窒素の存在量に対するケイ素の存在量の比を上記上限以下とすることで、ケイ素の添加量を過大とすることなく窒素の存在による密着力を向上できるので、製造コストの増加を抑制しつつ密着力を向上させ易い。
【００１７】
上記ベースフィルムと金属層との界面近傍に窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在するとよい。このように、上記界面近傍に窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在することで、容易に上記ＣＮ結合を形成させることができ、ベースフィルムと金属層との間の密着力をより向上できる。
【００１８】
上記カップリング剤がシランカップリング剤であるとよい。このように、シランカップリング剤を用いることで、ケイ素を介してＣＮ結合における窒素と金属層とが結合し易くなるので、ベースフィルムと金属層との間の密着力をより向上させ易くなる。
【００１９】
上記金属層のベースフィルム側の面の十点平均粗さＲｚとしては、０．０１μｍ以上５．０μｍ以下が好ましい。このように、金属層のベースフィルム側の面の十点平均粗さＲｚを上記範囲内とすることで、金属パターンの伝送遅延及び伝送損失が低く高周波特性及び回路形成性に優れたプリント配線板を得ることができる。
【００２０】
上記ベースフィルムがフッ素樹脂を主成分とするとよい。このように、主成分がフッ素樹脂のベースフィルムとすることで、ベースフィルムの誘電率を低下させ易いので、金属層における伝送遅延及び伝送損失を低減し易くなる。
【００２１】
本発明の他の一態様に係るプリント配線板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属パターンとを備えるプリント配線板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板である。
【００２２】
当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いるので、ベースフィルムと金属パターンとの密着力が大きく、かつ低コストで製造できる。
【００２３】
本発明のさらに他の一態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程とを備えるプリント配線板用基板の製造方法である。
【００２４】
当該プリント配線板用基板の製造方法は、金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳した重畳体を熱プレスするので、この熱プレス時の加熱温度によりベースフィルムを構成する樹脂の一部が分解及びラジカル化し、上記樹脂中の炭素とベースフィルム及び金属層間の窒素との間でＣＮ結合が形成される。これにより、当該プリント配線板用基板の製造方法を用いることで、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力を有するプリント配線板用基板が得られる。また、当該プリント配線板用基板の製造方法は、窒素を含有するカップリング剤を塗布した後、熱プレスを行えばよいので、スパッタリング等の物理的蒸着に用いる高価な真空設備が必要なく、製造コストを低減できる。
【００２５】
ここで「界面近傍」とは、ベースフィルム及び金属層の界面に近い領域であり、例えばベースフィルム及び金属層の界面から５００ｎｍ以下の領域を意味する。「カップリング剤に由来する基」とは、カップリング剤から少なくとも１つの有機官能基や加水分解性基などが取り除かれて形成される基を意味する。「十点平均粗さ（Ｒｚ）」とは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１：２０１３に準拠し、評価長さ（ｌ）を３．２ｍｍ、カットオフ値（λｃ）を０．８ｍｍとして測定される値である。「主成分」とは、最も含有量が多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。
【００２６】
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施形態に係るプリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法を図面を参照しつつ説明する。
【００２７】
〔プリント配線板用基板〕
図１の当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に配設されている金属層２とを備える。また、ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には窒素が存在する。
【００２８】
＜ベースフィルム＞
当該プリント配線板用基板を構成するベースフィルム１は絶縁性を有する。このベースフィルム１の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂等が挙げられる。ここで「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等を挙げることができる。フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロ（四フッ化）エチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、フルオロエラストマー、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン及びビニリデンフルオライドの３種類のモノマーからなる熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）等が挙げられる。これらのフッ素樹脂の中でも、耐熱性の観点より、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＴＦＥ等が好ましい。
【００２９】
上記ベースフィルム１の厚みは、当該プリント配線板用基板を利用するプリント配線板によって設定されるものであり特に限定されないが、例えば上記ベースフィルム１の平均厚みの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、上記ベースフィルム１の平均厚みの上限としては、２ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。上記ベースフィルム１の平均厚みが上記下限に満たないと、ベースフィルム１の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム１の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板の薄板化が困難となるおそれがある。
【００３０】
＜金属層＞
金属層２は、図１に示すようにベースフィルム１の一方の面に配設されている。
【００３１】
上記金属層２の主成分としては、導電性の高い金属が好ましく、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、導電性がよく、ベースフィルム１との密着性に優れる金属として、銅又は銅合金が好ましい。
【００３２】
上記金属層２の平均厚みの下限としては、０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。一方、上記金属層２の平均厚みの上限としては、２μｍが好ましく、１．５μｍがより好ましい。上記金属層２の平均厚みが上記下限に満たないと、金属層２が損傷し易くなるおそれがある。逆に、上記金属層２の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板の薄板化が困難となるおそれがある。
【００３３】
金属層２のベースフィルム１側の面の十点平均粗さＲｚの下限としては、０．０１μｍが好ましく、０．０５μｍがより好ましい。一方、上記十点平均粗さＲｚの上限としては、５．０μｍが好ましく、３．０μｍがより好ましい。上記十点平均粗さＲｚが上記下限に満たないと、当該プリント配線板の製造コストが増加するおそれがある。逆に、上記十点平均粗さＲｚが上記上限を超えると、表皮効果により伝送速度の低下や伝送損失の増大を招くおそれがある。
【００３４】
また、金属層２の表面に防錆処理層を形成してもよい。防錆処理層は、金属層２の表面が酸化することによる密着力の低下を抑制するものである。この防錆処理層としては、コバルト、クロム又は銅を含むことが好ましく、コバルト又はコバルト合金を主成分として含むことがさらに好ましい。また、防錆処理層は、１層として形成しても複数層として形成してもよい。また、防錆処理層は、メッキ層として形成してもよい。このメッキ層は、単一金属メッキ層又は合金メッキ層として形成される。単一金属メッキ層を構成する金属としてはコバルトが好ましい。また、合金メッキ層を構成する合金としては、例えばコバルト−モリブデン、コバルト−ニッケル−タングステン、コバルト−ニッケル−ゲルマニウム等のコバルト系合金などが挙げられる。
【００３５】
（ベースフィルム及び金属層の界面）
ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には、窒素が存在している。この窒素は、ベースフィルム１を構成する樹脂中の炭素とＣＮ結合を形成しているので、この窒素の存在により金属層２及びベースフィルム１間の大きな密着力が得られる。
【００３６】
上記界面近傍における窒素の存在量は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層２を除去した後に露出するベースフィルム１表面における窒素の単位面積当たりの存在量により確認することができる。この窒素の単位面積当たりの存在量は、上記ベースフィルム１表面へのＸ線の照射、及びベースフィルム表面から放出される光電子の運動エネルギーの分析を行うＸ線光電子分光分析装置を用いて、Ｎ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めることができる。
【００３７】
このようにして求められる窒素の単位面積当たりの存在量の下限としては、１ａｔｏｍｉｃ％であり、３ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、５ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。一方、上記窒素の単位面積当たりの存在量の上限としては、１０ａｔｏｍｉｃ％であり、９ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、８ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。上記窒素の単位面積当たりの存在量が上記下限に満たないと、ベースフィルム１表面に形成されるＣＮ結合の数が少なくなるためベースフィルム１及び金属層２間に所定の密着力が得られず、金属層２が剥離し易くなるおそれがある。逆に、上記窒素の単位面積当たりの存在量が上記上限を超えると、窒素の存在量を増加させるために当該プリント配線板用基板の製造コストが過大となるおそれがある。
【００３８】
ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には、窒素に加えてケイ素が存在していることが好ましい。上記界面近傍にケイ素が存在すると、上記ＣＮ結合を形成する窒素がケイ素を介して金属層２内の酸素と結合し易くなり、窒素の存在による密着力の向上効果が高められる。
【００３９】
上記界面近傍におけるケイ素の存在量は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層２を除去した後に露出するベースフィルム１表面におけるケイ素の単位面積当たりの存在量により確認することができる。このケイ素の単位面積当たりの存在量は、上述の窒素の単位面積当たりの存在量を求める方法と同様の方法により求めることができる。つまり、ケイ素の単位面積当たりの存在量は、Ｘ線光電子分光分析装置を用いてＳｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求めることができる。
【００４０】
このようにして求められるケイ素の単位面積当たりの存在量の下限としては、１ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、３．５ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。一方、上記ケイ素の単位面積当たりの存在量の上限としては、１０ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、５．５ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。上記ケイ素の単位面積当たりの存在量が上記下限に満たないと、窒素の存在による密着力の向上効果を十分に高められないおそれがある。逆に、上記ケイ素の単位面積当たりの存在量が上記上限を超えると、窒素の存在による密着力向上に対し、ケイ素の添加量の増加が過大となるために当該プリント配線板用基板の製造コストが増加するおそれがある。
【００４１】
上記ＸＰＳ分析における窒素の単位面積当たりの存在量に対するケイ素の単位面積当たりの存在量の比の下限としては、０．１が好ましく、０．３がより好ましい。一方、上記比の上限としては、４が好ましく、１．５がより好ましい。上記比が上記下限に満たないと、窒素の存在により得られる密着力に対してケイ素による向上効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記比が上記上限を超えると、窒素の存在による密着力の向上効果に対し、ケイ素の添加量が過大となるために当該プリント配線板用基板の製造コストが増加するおそれがある。
【００４２】
当該プリント配線板用基板の上記界面近傍に窒素を存在させる方法として、例えば窒素を含有するカップリング剤を用いてベースフィルム１と金属層２とを積層する方法が挙げられる。具体的には、例えば金属層２となる金属箔にカップリング剤を塗布した後、この金属箔の塗布面にベースフィルム１を重畳し、この重畳体を熱プレスする。このように窒素を含有するカップリング剤を用いて当該プリント配線板用基板を作製した場合、ベースフィルム１と金属層２との界面近傍には、窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在する。ここで「カップリング剤に由来する基」とは、カップリング剤から少なくとも１つの有機官能基や加水分解性基などが取り除かれて形成される基であり、例えば加水分解性基としてアルコキシ基を有するシランカップリング剤からアルコキシ基が取り除かれて形成される基などである。
【００４３】
上記窒素を含有するカップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤を用いることにより、ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍にケイ素も存在させることができ、ベースフィルム１及び金属層２間の密着力をより向上させることができる。このようなシランカップリング剤として、例えばＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。
【００４４】
また、上記カップリング剤を塗布する金属層２は、市販の金属箔を用いてもよいし、例えば電気メッキ、無電解メッキ、スパッタリング法、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）等の公知の方法で基板上に形成された金属薄膜の剥離により作成したものを用いてもよい。
【００４５】
また、当該プリント配線板用基板の上記界面近傍に窒素を存在させる他の方法として、酸素プラズマ処理を用いてもよい。具体的には、例えばベースフィルム１表面に酸素プラズマ処理を施して酸素元素（カルボニル基）を導入した後、一級アミンを用いてこのカルボニル基に対して求核付加反応を生じさせてベースフィルム１表面へ窒素を導入しておき、その後、この窒素を導入したベースフィルム１と金属層２とを重畳することで、当該プリント配線板用基板の上記界面近傍に窒素を存在させることができる。
【００４６】
金属層２及びベースフィルム１間の剥離強度の下限としては、０．５Ｎ／ｃｍが好ましく、２Ｎ／ｃｍがより好ましく、５Ｎ／ｃｍがさらに好ましい。上記剥離強度が上記下限に満たないと、金属層２が剥離し易くなるおそれがある。ここで「剥離強度」とは、ＪＩＳ−Ｋ６８５４−２：１９９９に準拠し測定される値である。
【００４７】
〔プリント配線板用基板の製造方法〕
当該プリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程（カップリング剤塗布工程）と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程（重畳工程）と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程（熱プレス工程）とを備える。
【００４８】
＜カップリング剤塗布工程＞
カップリング剤塗布工程では、図２Ａに示すように、銅箔などの金属層２の一方の面に窒素を含有するカップリング剤Ｓを塗布し、乾燥させる。カップリング剤Ｓの塗布は、スプレー吹付け、コーター塗布、浸漬、流しかけ等の公知の方法を用いることができる。
【００４９】
カップリング剤Ｓの塗布量の下限としては、０．１ｍｇ／ｍ２が好ましく、１ｍｇ／ｍ２がより好ましい。一方、カップリング剤Ｓの塗布量の上限としては、３０ｍｇ／ｍ２が好ましく、８ｍｇ／ｍ２がより好ましい。カップリング剤Ｓの塗布量が上記下限に満たないと、カップリング剤Ｓによる密着力向上効果が十分に得られないおそれがある。逆に、カップリング剤Ｓの塗布量が上記上限を超えると、カップリング剤Ｓ自体の凝集力が低下する場合があり、塗膜が剥離し易くなるおそれがある。
【００５０】
＜重畳工程＞
重畳工程では、図２Ｂに示すように、金属層２のカップリング剤Ｓを塗布した面にベースフィルム１を重畳する。
【００５１】
＜熱プレス工程＞
熱プレス工程では、図２Ｃに示すように、上記金属層２及びベースフィルム１の重畳体に熱プレスを行い、金属層２及びベースフィルム１を接合する。この熱プレス時の加熱温度によりベースフィルム１を構成する樹脂の一部が分解及びラジカル化することで、上記樹脂中の炭素とカップリング剤又はカップリング剤に由来する基に含まれる窒素との間でＣＮ結合が形成される。
【００５２】
上記熱プレスにおける加熱温度の下限としては、１５０℃が好ましく、１６０℃がより好ましい。一方、上記加熱温度の上限としては、５００℃が好ましく、４５０℃がより好ましい。上記加熱温度が上記下限に満たないと、上述のラジカルの生成が不十分となり、金属層２及びベースフィルム１間の密着力が低下するおそれがある。逆に、上記加熱温度が上記上限を超えると、ベースフィルム１が劣化するおそれがある。
【００５３】
上記熱プレスにおける圧力の下限としては、０．８ＭＰａが好ましく、１．０ＭＰａがより好ましい。一方、上記圧力の上限としては、８ＭＰａが好ましく、３ＭＰａがより好ましい。上記圧力が上記下限に満たないと、金属層２及びベースフィルム１が十分に接着されず、所定の密着力が得られないおそれがある。逆に、上記圧力が上記上限を超えると、ベースフィルム１と金属層２との界面における面方向へのせん断応力が増大するため、プレス時に良好な結合状態を維持できなくなるおそれがある。
【００５４】
上記熱プレス時の加圧時間の下限としては、１分が好ましく、１０分がより好ましい。一方、上記加圧時間の上限としては、１．５時間が好ましく、１時間がより好ましい。上記加圧時間が上記下限に満たないと、金属層２及びベースフィルム１間の十分な密着力が得られないおそれがある。逆に、上記加圧時間が上記上限を超えると、ベースフィルム１が劣化するおそれがある。
【００５５】
〔プリント配線板〕
当該プリント配線板は、図３Ｄに示すように、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に配設されている金属パターン１１とを備える。当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いて形成されるので、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン１１除去後に露出するベースフィルム１表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量は、１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下である。なお、ポリイミドについては、ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は０％と規定する。
【００５６】
〔プリント配線板の製造方法〕
次に、上記プリント配線板用基板を用いる当該プリント配線板の製造方法の実施形態について説明する。ここでは、サブトラクティブ法により金属パターンを形成する場合について説明する。
【００５７】
まず、図３Ａに示すように、所定の大きさに調製された上記プリント配線板用基板の一方の面に、感光性のレジスト１０を被覆形成する。次に、図３Ｂに示すように、露光、現像等により、レジスト１０に対して金属パターンに対応するパターニングを行う。次に、図３Ｃに示すように、レジスト１０をマスクとしてエッチングにより金属パターン以外の部分の金属層２を除去する。最後に、図３Ｄに示すように、残ったレジスト１０を除去することにより、金属パターン１１がベースフィルム１上に形成されたプリント配線板が得られる。
【００５８】
ここでは、サブトラクティブ法により回路を形成するプリント配線板の製造方法について説明したが、セミアディティブ法等、他の公知の製造方法を用いて回路を形成しても当該プリント配線板を製造できる。当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いて製造されるので、ベースフィルム１と金属層２との密着力が大きく、ベースフィルム１から金属パターン１１が剥離し難い。
【００５９】
〔利点〕
当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に窒素が存在することで、ベースフィルムを構成する樹脂中の炭素と上記窒素との間でＣＮ結合が形成される。これにより、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力が得られる。
【００６０】
また、当該プリント配線板用基板は、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を使用せずに製造できるので、低コストで製造できる。
【００６１】
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００６２】
上記実施形態では、ベースフィルムの一方の面に金属層が配設されている構成としたが、ベースフィルムの両面に金属層が配設されている構成の両面プリント配線板用基板としてもよい。このような両面プリント配線板用基板の製造方法は、上記実施形態と同様の形成方法により両面に金属層を形成してもよいし、上記実施形態で得たプリント配線板用基板の他方の面に他の方法で金属層を形成してもよい。例えば、上記プリント配線板用基板の他方の面に、電気メッキにより金属層を形成してもよい。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６４】
［Ｎｏ．１］
まず、ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＩ（ポリイミド）フィルム（株式会社カネカの「アピカル」）と、平均厚み１７μｍの銅箔の両面に防錆処理層を形成し、一方の防錆処理層の表面にシランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランを塗布したもの２枚とを準備した。次に、シランカップリング剤を塗布した面がＰＩフィルム側となるようにして上記銅箔、ＰＩフィルム、銅箔の順に積層した後、この重畳体に対し、ホットプレス機を用いて熱プレスを実施し、実施例としてＮｏ．１のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス条件は、圧力６．０ＭＰａ、加熱温度３２０℃、加圧時間４０分とした。また、熱プレス時の温度プロファイルとして、温度２５℃から３２０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３２０℃で４０分間保持した後、温度３２０℃から２５℃まで降下させた。
【００６５】
［Ｎｏ．２］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（帝人株式会社の「Ｇ２」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．２のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は２１０℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から２１０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２１０℃で４０分間保持した後、温度２１０℃から２５℃まで降下させた。
【００６６】
［Ｎｏ．３］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）フィルム（中興化成工業株式会社製）を用いたこと、シランカップリング剤として３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いたこと、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．３のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は４００℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から４００℃まで約９０分間で上昇させ、温度４００℃で４０分間保持した後、温度４００℃から２５℃まで降下させた。
【００６７】
［Ｎｏ．４］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）フィルム（ダイキン工業株式会社の「ＡＦ−００５０」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．４のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は３００℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から３００℃まで約９０分間で上昇させ、温度３００℃で４０分間保持した後、温度３００℃から２５℃まで降下させた。
【００６８】
［Ｎｏ．５］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＦＥＰ（テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体）フィルム（ダイキン工業株式会社の「ＮＦ−００５０」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．５のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は３２０℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から３２０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３２０℃で４０分間保持した後、温度３２０℃から２５℃まで降下させた。
【００６９】
［Ｎｏ．６］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．６のプリント配線板用基板を得た。
【００７０】
［Ｎｏ．７］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．７のプリント配線板用基板を得た。
【００７１】
［Ｎｏ．８］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．８のプリント配線板用基板を得た。
【００７２】
［Ｎｏ．９］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．９のプリント配線板用基板を得た。
【００７３】
［Ｎｏ．１０］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１０のプリント配線板用基板を得た。
【００７４】
［Ｎｏ．１１］
熱プレス時の加熱温度を２８０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２８０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２８０℃で４０分間保持した後、温度２８０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１１のプリント配線板用基板を得た。
【００７５】
［Ｎｏ．１２］
熱プレス時の加熱温度を１７０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から１７０℃まで約９０分間で上昇させ、温度１７０℃で４０分間保持した後、温度１７０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１２のプリント配線板用基板を得た。
【００７６】
［Ｎｏ．１３］
熱プレス時の加熱温度を３６０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から３６０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３６０℃で４０分間保持した後、温度３６０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１３のプリント配線板用基板を得た。
【００７７】
［Ｎｏ．１４］
熱プレス時の加熱温度を２６０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２６０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２６０℃で４０分間保持した後、温度２６０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１４のプリント配線板用基板を得た。
【００７８】
［Ｎｏ．１５］
熱プレス時の加熱温度を２８０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２８０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２８０℃で４０分間保持した後、温度２８０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１５のプリント配線板用基板を得た。
【００７９】
［Ｎｏ．１６］
まず、ベースフィルムとして、平均厚み５０μｍのＰＩフィルムに対して酸素プラズマ処理を施すことによりＰＩフィルム表面のフッ素元素を脱離させ酸素元素（カルボニル基）を導入し、その後、一級アミンを用いてこの導入したカルボニル基に対して求核付加反応を生じさせることにより窒素元素を導入したものと、平均厚み１７μｍの銅箔の両面に防錆処理層を形成したもの２枚とを準備した。次に、上記銅箔、ＰＩフィルム、銅箔の順に積層した後、この重畳体に対し、ホットプレス機を用いてＮｏ．１と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施し、実施例としてＮｏ．１６のプリント配線板用基板を得た。
【００８０】
［Ｎｏ．１７］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＥＴフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．２と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１７のプリント配線板用基板を得た。
【００８１】
［Ｎｏ．１８］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＴＦＥフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．３と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１８のプリント配線板用基板を得た。
【００８２】
［Ｎｏ．１９］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＦＡフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．４と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１９のプリント配線板用基板を得た。
【００８３】
［Ｎｏ．２０］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＦＥＰフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．５と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．２０のプリント配線板用基板を得た。
【００８４】
［Ｎｏ．２１］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２１のプリント配線板用基板を得た。
【００８５】
［Ｎｏ．２２］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２２のプリント配線板用基板を得た。
【００８６】
［Ｎｏ．２３］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２３のプリント配線板用基板を得た。
【００８７】
［Ｎｏ．２４］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２４のプリント配線板用基板を得た。
【００８８】
［Ｎｏ．２５］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２５のプリント配線板用基板を得た。
【００８９】
＜窒素及びケイ素の存在量の測定＞
酸性溶液を用いたエッチング液によりＮｏ．１〜Ｎｏ．２５のプリント配線板用基板の銅箔を除去し、Ｘ線光電子分光分析装置（ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社の「ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭ」）を用いて銅箔除去後のベースフィルム表面にＸ線を照射し、ベースフィルム表面から放出される光電子の運動エネルギーに基づいてベースフィルム表面における窒素及びケイ素の存在量を測定した。具体的には、Ｎ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて窒素の単位面積当たりの存在量［ａｔｏｍｉｃ％］を求め、Ｓｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量［ａｔｏｍｉｃ％］を求めた。窒素及びケイ素の存在量の測定結果を表１に示す。また、これらの測定で得られた窒素の存在量に対するケイ素の存在量の比（Ｓｉ存在量／Ｎ存在量）も表１に示す。なお、Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２５については、窒素の存在量が０であったため、上記存在量の比は算出していない。なお、ポリイミドについては、ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は０％と規定する。
【００９０】
＜密着力評価＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２５のプリント配線板用基板について、ベースフィルム及び銅箔間の剥離強度（Ｎ／ｃｍ）を測定し、ベースフィルムと銅箔との密着力を評価した。剥離強度は、ＪＩＳ−Ｋ６８５４−２：１９９９「接着剤−はく離接着強さ試験方法−２部：１８０度はく離」に準じた方法により測定した。剥離強度の測定結果を表１に示す。
【００９１】
【表１】
2020120122.tif 000003
【００９２】
［評価結果］
表１の結果より、ベースフィルム表面に窒素が存在することによりベースフィルム及び銅箔間の密着力が顕著に向上し、また、この窒素の存在量が多いと密着力が向上することがわかる。
【００９３】
すなわち、窒素が存在しない比較例のＮｏ．２１〜Ｎｏ．２５では剥離強度が０．４Ｎ／ｃｍ以下と非常に小さいのに対し、単位面積当たりの窒素の存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上である実施例のＮｏ．１〜Ｎｏ．２０では、５．１Ｎ／ｃｍ以上という顕著に大きい剥離強度が得られることがわかる。また、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５、Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１５のそれぞれの同じベースフィルムのプリント配線板用基板同士を比較すると、窒素の存在量が多いほど上記密着力が向上することがわかる。
【００９４】
また、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５とＮｏ．６〜Ｎｏ．１０とを比較すると、熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとしたＮｏ．６〜Ｎｏ．１０の方が、熱プレス時の圧力を６．０ＭＰａとしたＮｏ．１〜Ｎｏ．５よりも窒素の存在量が多く、剥離強度が大きいことがわかる。これは、熱プレス時の圧力が大きくなると、ベースフィルムと銅箔との界面での面方向のせん断応力が増大するため、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５では熱プレス時にベースフィルム及び銅箔間の良好な結合状態が維持できなったと考えられる。
【００９５】
また、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５とＮｏ．１１〜Ｎｏ．１５とを比較すると、熱プレス時の加熱温度がそれぞれ４０℃高いＮｏ．１〜Ｎｏ．５の方が、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１５よりも窒素の存在量が多く、剥離強度が大きいことがわかる。これにより、熱プレス時の温度を制御することにより上記窒素の存在量を調整できると考えられる。
【００９６】
また、Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２５の結果より、窒素が存在しない場合には、ケイ素が存在しても上記密着力の向上に寄与しないと考えられる。これに対し、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５とＮｏ．１６〜Ｎｏ．２０とを比較すると、これらの窒素の存在量はほぼ同じであるが、ケイ素が存在するＮｏ．１〜Ｎｏ．５の方が剥離強度が大きいことがわかる。これらのことより、窒素が存在しなければケイ素は密着力向上に寄与しないが、窒素が存在する場合には、ケイ素の存在が密着力向上に寄与すると考えられる。
【符号の説明】
【００９７】
１  ベースフィルム
２  金属層  
１０  レジスト
１１  金属パターン
Ｓ  カップリング剤
【図１】
2020120122.tif 000004
【図２Ａ】
2020120122.tif 000005
【図２Ｂ】
2020120122.tif 000006
【図２Ｃ】
2020120122.tif 000007
【図３Ａ】
2020120122.tif 000008
【図３Ｂ】
2020120122.tif 000009
【図３Ｃ】
2020120122.tif 000010
【図３Ｄ】
2020120122.tif 000011