(57)【要約】【課題】高い機械的強度を維持した状態で電力損失の低いデバイスを形成することができるワイドギャップ半導体基板の製造装置等を提供する。【解決手段】ワイドギャップ半導体基板Ｗのエッチング時に、その周縁部のみをカバーするカバー部材４１を有し、カバー部材４１によってカバーされていない、デバイスを形成する領域のみがエッチングによって薄板化されるようにする外周カバー機構４０を備える。外周カバー機構４０は、処理チャンバ１１内に設けられて、カバー部材４１を支持する支持部材４２を備える。ワイドギャップ半導体基板Ｗが基台１５によって上昇するとカバー部材４１がワイドギャップ半導体基板Ｗの周縁部に当接して上方に持ち上げられ、基台１５に載置されたワイドギャップ半導体基板Ｗの周縁部のみがエッチングされないようにカバーされる。【選択図】図２
2020184642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスが形成されるワイドギャップ半導体基板であって、
内側の領域である第１の厚さを有する第１基板領域と、
前記第１基板領域の外周を取り囲むように設けられた領域である、前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２基板領域とを備え、
前記第１基板領域に前記デバイスが形成され、前記第１の厚さは１０μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記第２基板領域は、その前記第２の厚さが１００μｍ以上３５０μｍ以下に形成され、且つその径方向の幅が１ｍｍ以上１０ｍｍ以下に設定され、更に、半径方向内側に向けて張り出す張出部を一以上備えていることを特徴とするワイドギャップ半導体基板。
【請求項２】
プラズマ化したエッチングガスを用い、処理チャンバ内の基台上に載置されたワイドギャップ半導体基板を、デバイスを形成する内側の領域である第１の厚さを有する第１基板領域と、前記第１基板領域の外周を取り囲むように設けられた領域である、１００μｍ以上３５０μｍ以下の第２の厚さを有する第２基板領域とが形成されるように、第１基板領域のみをその前記第１の厚さが１０μｍ以上５０μｍ以下となるようにエッチング処理するワイドギャップ半導体基板の製造装置であって、
前記ワイドギャップ半導体基板をエッチング処理するときに、前記基台に載置されたワイドギャップ半導体基板の前記第２基板領域に対応する周縁部のみを、その半径方向に向けた幅が１ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるようにカバーするカバー部材を有し、該カバー部材によってカバーされていない、前記第１基板領域のみがエッチング処理によって薄板化されるようにする外周カバー機構と、
前記ワイドギャップ半導体基板のエッチングの深さを検出する深さモニタとを備え、
前記深さモニタは、
前記ワイドギャップ半導体基板のエッチング面及び前記カバー部材に光を照射する光源を含む深さセンサと、
前記エッチング面及び前記カバー部材からそれぞれ反射される反射光に基づいて、前記エッチングの深さを算出する処理部とを備えていることを特徴とするワイドギャップ半導体基板の製造装置。
【請求項３】
プラズマ化したエッチングガスを用い、処理チャンバ内の基台上に載置されたワイドギャップ半導体基板の、デバイスを形成する領域のみを薄板化するようにエッチング処理するワイドギャップ半導体基板の製造装置であって、
前記ワイドギャップ半導体基板をエッチング処理するときに、前記基台に載置されたワイドギャップ半導体基板の周縁部のみをカバーするカバー部材を有し、該カバー部材によってカバーされていない、前記デバイスを形成する領域のみがエッチング処理によって薄板化されるようにする外周カバー機構を備え、
前記外周カバー機構は、更に、
前記処理チャンバ内に設けられて、前記カバー部材を支持する支持部材を備え、
前記ワイドギャップ半導体基板が前記基台によって上昇すると前記カバー部材が前記ワイドギャップ半導体基板の周縁部に当接して上方に持ち上げられ、前記基台に載置されたワイドギャップ半導体基板の周縁部のみエッチングされないようにカバーするように構成されていることを特徴とするワイドギャップ半導体基板の製造装置。
【請求項４】
プラズマ化したエッチングガスを用い、処理チャンバ内に配設された基台上に載置されるワイドギャップ半導体基板の、デバイスを形成する領域のみを薄板化するようにエッチング処理するワイドギャップ半導体基板の製造装置であって、
前記ワイドギャップ半導体基板をエッチング処理するときに、前記基台に載置されたワイドギャップ半導体基板の周縁部のみをカバーするカバー部材を有し、該カバー部材によってカバーされていない、前記デバイスを形成する領域のみがエッチング処理によって薄板化されるようにする外周カバー機構と、
前記ワイドギャップ半導体基板のエッチングの深さを検出する深さモニタとを備え、
前記深さモニタは、
前記ワイドギャップ半導体基板のエッチング面及び前記カバー部材に光を照射する光源を含む深さセンサと、
前記エッチング面及び前記カバー部材からそれぞれ反射される反射光に基づいて、前記エッチングの深さを算出する処理部とを備えていることを特徴とするワイドギャップ半導体基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にデバイスが形成されるワイドギャップ半導体基板、ワイドギャップ半導体基板の製造装置、およびワイドギャップ半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化、軽量化、低損失化（高効率化）、高機能（高性能）化が進むにつれて、薄板化されたシリコン基板を用いて製造される薄型半導体デバイスの開発が進んでいる。特に、縦型パワーデバイスでは、シリコン基板（ウェハ）が薄くなればなるほど低損失化されるので、必要な耐圧性能を有しながら最小限となる厚さのシリコン基板を用いて製造するのが好ましい。このため、薄型パワーデバイスを製造するには、機能層が形成された表面とは反対側の裏面を研削し、その厚さが所望の厚さになるまでシリコン基板を薄くする。しかしながら、シリコン基板を薄板化する際に発生する基板の反りに起因して割れや欠けが生じ、また、薄板化されたシリコン基板を搬送する際に割れなどが発生するという問題が生じる。これに対して、例えば特許文献１（特許第６００４１００号）に開示されているように、シリコン基板の裏面の外周部を研削せずに残して、内側の領域のみを研削して、シリコン基板裏面を薄板化するという技術がある。これにより、シリコン基板の割れや反りを低減することが可能となる。
【０００３】
一方、パワーデバイスは、さらに低オン抵抗化や高耐圧化が要求される。この要求を実現するために、従来からのシリコン基板を用いるのではなく、炭化珪素基板を用いた製造が着目されている。炭化珪素は、シリコンと比較すると結晶の格子定数が小さく（原子間の結合が強い）、シリコンのバンドギャップ（１．１２ｅＶ）よりも大きいバンドギャップ（２．２ｅＶ以上）（以後、ワイドギャップという）を有する。また、炭化珪素基板の絶縁破壊電界強度（単位はＶ／ｃｍ）はシリコン基板と比較すると１０倍程度高い。つまり、同等の耐圧品（デバイス）を製造する場合には、炭化珪素基板で製造するほうがシリコン基板で製造するよりも１０分の１の厚さで製造することができる。例えば、炭化珪素基板の耐圧を１００Ｖ／μｍとして、１５μｍの厚さの基板の場合、１５００Ｖ以下である１２００Ｖの耐圧に耐え得る素子に使用することができる。一方、シリコン基板では同程度の耐圧を得るために約１５０μｍの厚さの基板が必要となる。このため、要求される耐圧を備えたデバイスを、炭化珪素基板を用いて製造する場合には、その厚さをシリコン基板に比べて１０分の１の厚さとするのが好ましい。このようなデバイスは、炭化珪素基板の表面に機能層を積層した後、この機能層に複数の分割予定ラインによって区画された領域を形成し、次に、研削装置によって炭化珪素基板の裏面を研削して所定の厚みまで薄くした後に、切削装置やレーザ加工装置等を用いて分割予定ラインに沿って炭化珪素基板を切断して、個々のデバイスチップに分割することによって製造される。そして、分割された各チップは、パワーデバイスに利用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第６００４１００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば特許文献１には、ウェハに貼り合わされた支持基板によってウェハを補強した状態でウェハ全体を研削装置によって薄板化するウェハ薄板化技術が開示されている。しかしながら、同特許文献１に記載されるように、研削装置を用いる場合、極端にウェハを薄板化（ウェハ材質にもよるが、例えば５０μｍ以下に）しようとするとウェハに割れや反りが発生するという問題がある。また、このウェハが炭化珪素などからなるワイドギャップ半導体基板の場合には、シリコン基板と比較すると硬度が非常に高いので、研削砥石を備えた研削ホイールによってウェハの裏面を研削すると、研削量の４〜５倍程度研削砥石が磨耗するため非常に不経済であるという問題がある。例えば、シリコン基板を１００μｍ研削する場合には、研削砥石が０．１μｍ磨耗するのに対して、炭化珪素基板を１００μｍ研削する場合には、研削砥石が４００〜５００μｍ磨耗するというように、シリコン基板を研削する場合に比べて４０００〜５０００倍磨耗する。
【０００６】
さらに、上述した特許文献１には、ウェハが炭化珪素（ＳｉＣ）からなる場合には、ＳｉＣウェハを溶解させることができないことから、これをＣＭＰによって薄板化することが提案されている。しかしながら、ＣＭＰでＳｉＣウェハを研磨する場合には研磨レートが遅く、実用的ではない。また、研削、ＣＭＰの何れの場合においても、小さな矩形領域である凹部を薄板化することの困難性や、凹部から削りカスを排出することの困難性があり、また、歪みを除去する必要があるといった問題もある。
【０００７】
一方で、パワーデバイスについては、さらなる低オン抵抗化や高耐圧化が求められており、ウェハのさらなる薄板化が求められている。
【０００８】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、高い機械的強度を維持した状態で電力損失の低いデバイスを形成することができるワイドギャップ半導体基板とその製造方法、およびその製造装置の提供を、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明は、デバイスが形成されるワイドギャップ半導体基板であって、内側の領域である第１の厚さを有する第１基板領域と、前記第１基板領域の外周を取り囲むように設けられた領域である、前記第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有する第２基板領域とを備え、前記第１基板領域に前記デバイスが形成され、前記第１の厚さは１０μｍ以上５０μｍ以下であり、前記第２の厚さは１００μｍ以上３５０μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上３００μｍ未満であり、第２基板領域は、更に、半径方向内側に向けて張り出す張出部を一以上備えたワイドギャップ半導体基板（以下、この欄では単に「半導体基板」と称する。）に係る。
【００１０】
この半導体基板では、内側となる領域に１０μｍ以上５０μｍ以下の厚さを有する第１基板領域（薄板部）が形成され、この薄板部の外周に沿って１００μｍ以上３５０μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以上３００μｍ未満の厚さを有する第２基板領域（厚板部）が形成されているので、半導体基板の割れや反りを効果的に防止することが可能となる。さらに、この薄板部に形成されたデバイスはオン抵抗を低くすることができる。
【００１１】
したがって、半導体基板の機械的強度を高く維持した状態で電力損失の低いデバイスを形成することが可能となる。
【００１２】
また、前記半導体基板において、前記第１基板領域は、ドライエッチングにより形成されることが好ましい。
【００１３】
この半導体基板によれば、前記第１基板領域をドライエッチングにより形成するようにしたので、磨耗しやすい、高価な研削砥石を用いて半導体基板の裏面を研削する必要がない。
【００１４】
したがって、磨耗するごとに交換する必要がある研削砥石を用いた加工に場合に比べて、製造コストを大幅に削減することが可能となる。
【００１５】
また、前記半導体基板において、当該半導体基板は、炭化珪素（４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（ＧａＯ）、又はダイヤモンド（Ｃ）からなるのが好ましい。
【００１６】
この半導体基板によれば、シリコンのバンドギャップ（１．１２ｅＶ）よりも大きいバンドギャップ（２．２ｅＶ以上）を有するので、薄板部に形成されたデバイスのオン抵抗をさらに低くでき、デバイスの電力損失をより低減することが可能となる。
【００１７】
前記半導体基板は、以下の構成の製造装置により好適に製造することができる。この製造装置は、プラズマ化したエッチングガスを用い、処理チャンバ内に配設された基台上に載置される半導体基板の、デバイスを形成する領域のみを薄板化するようにエッチング処理する半導体基板の製造装置であって、前記半導体基板をエッチング処理するときに、前記基台に載置された半導体基板の周縁部のみをカバーするカバー部材を有し、このカバー部材によってカバーされていない、前記デバイスを形成する領域のみがエッチング処理によって薄板化されるようにするための外周カバー機構を備えている。
【００１８】
この製造装置によれば、半導体基板をエッチング処理するときに、基台に載置された半導体基板の周縁部のみがエッチングされないようにカバー部材によってカバーする外周カバー機構を備えているので、カバー部材がマスクとして機能し、半導体基板の周縁部のみがエッチングされず、デバイスが形成される領域のみがエッチングされる。したがって、デバイスが形成される内側の領域のみを簡単に薄板化することができる。また、内側の領域のみを薄板化することにより半導体基板の割れや反りを効果的に防止することが可能となる。さらに、この薄板部に形成されたデバイスはオン抵抗を低くすることができる。
【００１９】
また、前記外周カバー機構は、更に、前記処理チャンバ内に設けられて、前記カバー部材を支持する支持部材を備え、この支持部材は、前記半導体基板との間に隙間が形成された状態で前記カバー部材を支持するように構成されていても良く、また、隙間は、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下となるように設定されているのが好ましい。
【００２０】
また、前記製造装置において、前記外周カバー機構は、更に、前記処理チャンバ内に設けられて、前記カバー部材を支持する支持部材を備え、前記半導体基板が前記基台によって上昇すると前記カバー部材が前記半導体基板の周縁部に当接して上方に持ち上げられ、前記基台に載置された半導体基板の周縁部のみエッチングされないようにカバーするように構成されていることが好ましい。
【００２１】
また、前記製造装置において、前記半導体基板のエッチングの深さを検出する深さモニタを更に備え、前記深さモニタは、前記半導体基板のエッチング面及び前記カバー部材に光を照射する光源を含む深さセンサと、前記エッチング面及び前記カバー部材からそれぞれ反射される反射光に基づいて、前記エッチングの深さを算出する処理部とを備えていることが好ましい。
【００２２】
この製造装置によれば、エッチングレート及びエッチング時間に基づいてエッチング終点を認識するために、あらかじめエッチング量を測定してエッチングレートを算出する（条件出しを実施する）といった前工程を経ることなく、エッチング処理を開始することができるので、製造時間を大幅に削減することが可能となる。
【００２３】
さらに、前記製造装置において、前記半導体基板は炭化珪素（４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（ＧａＯ）、又はダイヤモンド（Ｃ）からなることが好ましい。
【００２４】
したがって、これらからなる半導体基板は、シリコンのバンドギャップ（１．１２ｅＶ）よりも大きいバンドギャップ（２．２ｅＶ以上）を有するので、薄板部に形成されたデバイスのオン抵抗をさらに低くでき、デバイスの電力損失をより低減することが可能となる。
【００２５】
また、前記半導体基板は、以下の工程を含む製造方法により好適に製造される。即ち、この製造方法は、プラズマ化したエッチングガスを用い、処理チャンバ内に配設された基台上に載置される半導体基板の、デバイスを形成する領域のみを薄板化するようにエッチング処理する半導体基板の製造方法であって、
前記処理チャンバ内の基台上に半導体基板を載置するとともに、該半導体基板の、デバイスが形成されない周縁部のみをカバー部材によってカバーし、
エッチングガスを前記処理チャンバ内に供給し、該エッチングガスをプラズマ化し、
前記基台にバイアス電位を与えて、前記半導体基板のデバイスが形成される領域のみをエッチング処理して薄板化する。
【００２６】
この製造方法によれば、前記半導体基板をエッチング処理するときに、前記基台に載置された半導体基板の周縁部のみエッチングされないようにカバー部材によってカバーするので、半導体基板の周縁部のみがエッチングされない。したがって、内側の領域に薄板部が形成され、その薄板部の外周に沿って厚板部が形成された半導体基板を製造することができる。そして、このような構成の半導体基板とすることで、当該半導体基板は割れや反りが効果的に防止されたものとなる。さらに、この薄板部にデバイスを形成することによりオン抵抗の低いデバイスを製造することができる。
【００２７】
尚、この製造方法では、前記半導体基板と前記カバー部材との間に隙間を設けるのが好ましい。基台にバイアス電位を与えた状態で、半導体基板をエッチングする場合に、カバー部材が半導体基板に接触していると、カバー部材の材質によっては、当該カバー部材にもバイアス電位が生じて、カバー部材がプラズマ中のイオンによってスパッタリングされて、その生成物が半導体基板の内側の領域である前記薄板部の表面に付着して、表面精度が悪化するという問題を生じる。そこで、半導体基板とカバー部材との間に隙間を設けることで、カバー部材にバイアス電位が生じるのを防止することができ、これにより、カバー部材のスパッタリングによって、前記薄板部表面の表面精度が悪化するのを防止することができる。
【００２８】
半導体基板とカバー部材との間の隙間は、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのが好ましい。隙間が０．５ｍｍより小さい場合には、カバー部材にバイアス電位が生じるのを効果的に防止することができず、隙間が３ｍｍ以上の場合には、半導体基板とカバー部材との間にエッチング種が侵入して、半導体基板のカバー部材によりカバーされた領域（第２基板領域）がエッチングされるため、当該第２基板領域（厚板部）の内側の周縁部（肩部）がエッチングされるなど、得られる半導体基板の形状が悪化するからである。
【００２９】
また、前記カバー部材は、石英、酸化アルミニウム、若しくはイットリアから構成されるか、又はこれらの内の一つにメタルコーティングした材料から構成されているのが好ましい。酸化アルミニウムとする場合には、上述したスパッタリングを生じ易く、これによって薄板部表面の表面精度が悪化するというデメリットを有する反面、安価にカバー部材を製造することができるというメリットがある。また、イットリアとする場合には、カバー部材の製造コストが高価になるというデメリットがあるが、上述したスパッタリングが生じても、その際に生じた生成物が消失し易いため、薄板部表面の表面精度が悪化し難いというメリットがある。更に、石英とする場合には、イットリアに比べて、カバー部材の製造コストは廉価であり、また、上述したスパッタリングが生じても、その際に生じた生成物が消失して、薄板部表面の表面精度は殆ど悪化しないというメリットがある。更に、石英の場合には、エッチング種によってエッチングされるものの、逆に、カバー部材がエッチングされることによって、ローディングが緩和され、薄板部を均一な厚さにエッチングすることが可能になる。
【００３０】
この製造方法において、前記半導体基板の厚さが５０μｍ以下となるようにエッチングすることが好ましい。
【００３１】
この製造方法によれば、デバイスが形成された領域の半導体基板の厚さを５０μｍ以下とするので、薄板化された領域に形成されたデバイスのオン抵抗をさらに低くすることができ、デバイスの電力損失をより低減することが可能となる。
【００３２】
この製造方法において、前記エッチングガスは、フッ素系ガスを含むことが好ましい。
【００３３】
この製造方法によれば、前記基台に５００Ｗ以上の高周波電力を供給してバイアス電位を与え、前記処理チャンバ内の圧力は３０Ｐａ以下とすることが好ましい。
【００３４】
この製造方法によれば、前記基台に５００Ｗ以上の高周波電力を供給してバイアス電位を与えるので、原子間の結合が強い半導体基板であっても高速でエッチングができる。また、前記処理チャンバ内の圧力は３０Ｐａ以下とするので、プラズマを安定化させた上で、エッチング量の面内均一性を向上させることが可能となる。
【００３５】
この製造方法において、前記半導体基板は、炭化珪素（４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（ＧａＯ）、又はダイヤモンド（Ｃ）からなることが好ましい。
【００３６】
この製造方法によれば、シリコンのバンドギャップ（１．１２ｅＶ）よりも大きいバンドギャップ（２．２ｅＶ以上）を有するので、薄板部に形成されたデバイスのオン抵抗をさらに低くでき、デバイスの電力損失をより低減することが可能となる。
【発明の効果】
【００３７】
以上のように、本発明に係るワイドギャップ半導体基板によれば、内側に形成された薄板部にデバイスが形成され、さらにその薄板部の外周に沿って厚板部を有するので、ワイドギャップ半導体基板の機械的強度を強く維持した状態で電力損失の低いデバイスを形成することができる。
【００３８】
また、本発明に係るワイドギャップ半導体基板の製造装置によれば、ワイドギャップ半導体基板の周縁部のみエッチングされないようにカバーすることができるので、ワイドギャップ半導体基板の周縁部のみエッチングされない。したがって、デバイスが形成される内側のみを簡単に薄板化させることができる。
【００３９】
また、本発明のワイドギャップ半導体基板の製造方法によれば、ワイドギャップ半導体基板をエッチング処理するときに、ワイドギャップ半導体基板の周縁部のみエッチングされないようにカバーする。したがって、デバイスが形成される内側のみを簡単に薄板化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】(a)は本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の縦断面図であり、（ｂ）はこの半導体基板の平面図である。
【図２】図１の半導体基板を製造するときに使用するエッチング装置（製造装置）の概略構成を示した断面図である。
【図３】図１の半導体基板の製造方法の工程を図示する縦断面図である。
【図４】図１の半導体基板の製造方法の工程を図示する縦断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るエッチング装置（製造装置）の概略構成を示した断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る製造方法及び製造装置を説明するための説明図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るワイドギャップ半導体基板を示した平面図である。
【図８】図７に示したワイドギャップ半導体基板を製造するためのカバー部材を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明に係る実施形態について図面を参照して説明する。
【００４２】
［第１の実施形態］
図１（a）は本発明の第１の実施形態に係る半導体基板７０の縦断面図であり、図１（ｂ）はこの半導体基板７０の平面図である。この半導体基板７０は、高い耐圧性能を有する炭化珪素（４Ｈ−ＳｉＣ）からなるワイドギャップ半導体基板である。この半導体基板７０を用いて製造された電子デバイスは、電力損失が小さく、高性能および省電力のインバータ機器、家電用パワーモジュール、または電気自動車用パワー半導体素子として利用される。
【００４３】
また、炭化珪素は、シリコンと比較するとヤング率が高く、さらに高温でも降伏温度が高いという性質を有しているので、炭化珪素を電気回路要素と微細な機械要素とを併せ持つＭＥＭＳ（Micro-Electro Mechanical Systems）デバイスとして利用され、現在、加速度センサ、プリンタヘッド、圧力センサ、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device）等に用いられ、市場規模が拡大している。
【００４４】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本例の半導体基板７０は、内側の領域となる厚さＴ１（１０μｍ以上５０μｍ以下）を有する平面視円形の薄板部（第１基板領域）７０ａと、該薄板部７０ａの外周に沿って形成され、厚さＴ２（＞Ｔ１）を有する外側の環状領域としての厚板部（第２基板領域）７０ｂとから構成される。すなわち、半導体基板７０は、内側の薄板部７０ａに相当する領域に平面視円形をした凹部７０ｃを有する。厚板部７０ｂは、薄板部７０ａと同心円状に薄板部７０ａの外周を取り囲むように形成されている。ここで、凹部７０ｃの面積は任意であり、半導体基板７０に要求される機械的強度に応じて決定される。
【００４５】
図１（ａ）に示すように、薄板部７０ａの平面状の表面Ｐａ及び厚板部７０ｂの平面状の表面Ｐｂを結ぶ面（厚板部７０ｂの内周面）Ｐｃと前記表面Ｐａとの間の角度θはほぼ直角である。
【００４６】
図１（ａ）に示すように、薄板部７０ａの表面Ｐａとは反対側の面（即ち、裏面であり、図１（a）では下面）には数ｍｍ角のサイズを有するデバイス５０が形成され、このデバイス５０には、縦型パワーデバイス（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）やＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、ダイオードなど）などが含まれる。
【００４７】
一方、外側領域の厚板部７０ｂは、半導体基板７０の機械的強度を確保し、半導体基板７０の搬送中や熱処理工程中において、半導体基板７０が割れたり反ったりすること防止するための役割を担っている。例えば、厚板部７０ｂの厚さＴ２は１００μｍ〜３５０μｍである。この範囲とすることにより、半導体基板７０の割れや反りを効果的に防止することが可能となる。これに対して、薄板部７０ａは、１０μｍ以上５０μｍ以下の厚さＴ１を有する。この範囲とすることにより、機械的強度を強く維持した状態で薄板部７０ａの表面に形成されたデバイス５０のオン抵抗を低くすることが可能となる。したがって、機械的強度を強く維持した状態でより電力損失の低いデバイスを製造することが可能となる。
【００４８】
なお、本例では、凹部７０ｃの平面形状を円形としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、凹部７０ｃの平面形状は、矩形状や丸角四角形（角が丸くされた四角形）、多角形状などの形状などであってもよく、凹部７０ｃの平面形状は形成されるデバイスの形状に適合するような全ての形状を含む。この場合においても本例と同様の効果を得ることができる。さらに、本例では角度θをほぼ直角（９０度）としたが、本発明はこれに限定されず、角度θは鋭角であっても鈍角であってもよい。この場合においても本例と同様の効果を得ることができる。さらに、本例では、凹部を１つとする例について説明したが、凹部を複数形成するように構成されてもよい。
【００４９】
次に、図２を参照して、本例の半導体基板７０を製造するための製造装置であるエッチング装置１について説明する。図２は、図１の半導体基板７０の製造に用いるエッチング装置１の概略構成を示した断面図である。
【００５０】
図２に示すように、このエッチング装置１は、閉塞空間を有する処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に昇降自在に配設され、エッチング対象となるウェハＷが載置される基台１５と、基台１５を昇降させる昇降シリンダ１８（昇降装置）と、処理チャンバ１１内の圧力を減圧する排気装置２０と、処理チャンバ１１内に処理ガスを供給するガス供給装置（処理ガス供給部）２５と、処理チャンバ１１内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置３０と、基台１５に高周波電力を供給する高周波電源（基台電力供給部）３５と、ウェハＷの周縁部（非エッチング部）をカバーする外周カバー機構４０とを備える。このエッチング装置１では、プラズマ化したエッチングガスを用いて、処理チャンバ１１内に配設された基台１５上に載置されるウェハＷのデバイスを形成する領域のみを薄板化するようにエッチング処理する。ここで、外周カバー機構４０は、ウェハＷをエッチング処理するときに、基台１５に載置されたウェハＷの周縁部のみエッチングされないようにカバーする役割を担う。
【００５１】
前記処理チャンバ１１は、相互に連通した内部空間を有する下チャンバ１２及び上チャンバ１３から構成され、上チャンバ１３は、下チャンバ１２よりも小さく形成される。前記基台１５は、ウェハＷが載置される上部材１６と、昇降シリンダ１８が接続される下部材１７とから構成され、下チャンバ１２内に配置されている。
【００５２】
前記外周カバー機構４０は、下チャンバ１２内に配置され、基台１５が上昇したときに、当該基台１５上に載置されたウェハＷの周縁部のみをカバーする平面視環状（ドーナツ形状）を有し、エッチング加工用のマスクとして機能するカバー部材４１と、下チャンバ１２の内壁に環状に設けられ、カバー部材４１を支持する支持部材４２とを備える。この支持部材４２は、カバー部材４１の外周周縁部を支持するように構成されている。なお、本例では、支持部材４２はカバー部材４１の外周周縁部の全周にわたってカバー部材４１を支持するように構成したが、これには限定されず、例えば下チャンバ１２の内壁に内側に向けて突出する部材を数か所（例えば四点）配設し、この部材でカバー部材４１を支持するように構成してもよい。また、本例では、ウェハＷを載置する基台１５を昇降するように構成したが、これに限られるものではなく、基台１５を固定して、カバー部材４１が昇降するように構成してもよい。さらに、本例における外周カバー機構４０は、凹部７０ｃの平面形状が円形となるようにエッチングされるような形状となるように構成されたが、本発明はこれには限定されない。例えば、外周カバー機構４０は、凹部７０ｃの平面形状が円形以外の矩形状や丸角四角形（角が丸くされた四角形）、多角形状などの形状にエッチングされるように構成されてもよい。このように、カバー部材４１の形状により、任意形状の凹部７０ｃを形成でき、研削等における、削りカスの問題も生じない。
【００５３】
また、本例では、カバー部材４１を、カバー部材４１とウェハＷとのエッチング選択比の観点から、アルミナ（酸化アルミニウム）などのセラミック材から構成したが、これに限られるものではなく、石英などの誘電率の低い材料や、イットリウムから構成しても良く、或いは、これらアルミナ、石英、イットリウムにニッケルコーティングなどのメタルコーティングを施した材料から構成されてもよい。
【００５４】
酸化アルミニウムとする場合には、後述するエッチング処理の際にスパッタリングを生じ易く、これによって薄板部７０ａの表面Ｐａの表面精度が悪化するというデメリットを有する反面、安価にカバー部材４１を製造することができるというメリットがある。また、イットリアとする場合には、カバー部材４１の製造コストが高価になるというデメリットがあるが、上述したスパッタリングが生じても、その際に生じた生成物が消失し易いため、薄板部７０ａの表面Ｐａの表面精度が悪化し難いというメリットがある。更に、石英とする場合には、イットリアに比べて、カバー部材４１の製造コストは廉価であり、また、上述したスパッタリングが生じても、その際に生じた生成物が消失して、薄板部７０ａの表面Ｐａの表面精度は殆ど悪化しないというメリットがある。更に、石英の場合には、エッチング種によってエッチングされるものの、逆に、カバー部材４１がエッチングされることによって、ローディングが緩和され、薄板部７０ａを均一な厚さにエッチングすることが可能になる。
【００５５】
次に、外周カバー機構４０の動作について説明する。
【００５６】
まず、昇降シリンダ１８により基台１５が下降した状態では、カバー部材４１はその周縁部が支持部材４２によって支持された状態となっている。このとき、エッチング処理前のウェハＷが基台１５上に載置される。次に、エッチング処理をするために昇降シリンダ１８により基台１５及びこれに載置されたウェハＷを上昇させると、ウェハＷの周縁部上面にカバー部材４１が当接した後、ウェハＷの上昇とともに当該カバー部材４１が上方に持ち上げられる。このとき、基台１５上に載置されたウェハＷの周縁部のみがカバー部材４１によってカバーされ、当該カバー部材４１はエッチング処理時にマスクとして機能する。
【００５７】
次に、エッチング処理終了後には、昇降シリンダ１８によって基台１５が降下して、カバー部材４１は支持部材４２によって支持される。この状態で、エッチング装置１内から処理後のウェハＷ（半導体基板７０）がエッチング装置１外に搬出され、次に処理すべきウェハＷがエッチング装置１内に搬入されて基台１５上に載置される。
【００５８】
この外周カバー機構４０を用いることにより、ウェハＷの上面の外周部の約３ｍｍ程度はエッチングされないように残すことができ、内側領域のみをエッチングし、当該内側領域を薄板化することが可能となる。この構成により、エッチング処理後のウェハＷ（半導体基板７０）の割れや反りを低減することが可能となる。
【００５９】
なお、本例では、上部材１６にウェハＷを載置したが、本発明はこれには限定されない。例えば、電極板を一対の絶縁層で挟み込んだ静電チャックを用いて電極板に適宜電圧を供給することによりウェハＷを静電チャック上に吸着保持してもよい。この場合においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６０】
前記排気装置２０は、下チャンバ１２の側面に接続した排気管２１を備え、排気管２１を介して処理チャンバ１１内の気体を排気し、処理チャンバ１１の内部を所定圧力にする。
【００６１】
前記ガス供給装置２５は、フッ素系ガスとして、ＳＦ６ガスを供給するガス供給部２６と、酸素系ガスとして、Ｏ２ガスを供給するガス供給部２７と、一端が上チャンバ１３の上面に接続し、他端が分岐して各ガス供給部２６，２７にそれぞれ接続した供給管２９とを備える。ＳＦ６ガス及びＯ２ガスは、各ガス供給部２６，２７から供給管２９を介して処理チャンバ１１内に前記処理ガスとして供給される。
【００６２】
前記プラズマ生成装置３０は、所謂誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を生成する装置であって、上チャンバ１３に配設された螺旋状（環状）のコイル３１と、当該コイル３１に高周波電力を供給する高周波電源（コイル電力供給部）３２とから構成され、高周波電源３２によってコイル３１に高周波電力を供給することで、上チャンバ１３内に供給された処理ガスをプラズマ化する。
【００６３】
前記高周波電源３５は、基台１５に高周波電力を供給することで、基台１５とプラズマとの間に電位差（バイアス電位）を生じさせ、処理ガスのプラズマ化により生じたイオンをウェハＷに入射させる。このようにして、ウェハＷをエッチングする。エッチングは、反応生成ガスによるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのドライエッチング（異方性エッチング又は等方性エッチング）などである。
【００６４】
図３及び図４は図１の半導体基板７０の製造方法の工程を図示する縦断面図である。次に、これらの図面を用いて、半導体基板７０の製造方法について以下に説明する。
【００６５】
まず、以下の手順に従って、ウェハＷを製造する。即ち、図３（ａ）に示すように、一方の面に複数のデバイス５０が形成された半導体基板７０を準備する。この半導体基板７０は一般的な円板形状（直径７６ｍｍ〜１５０ｍｍに対する厚みが０．３５ｍｍ）をしており、炭化珪素からなる。
【００６６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、塗布機（図示せず）を用いて、デバイス５０が形成された面全体に接着剤７１を塗布する。例えば、半導体基板７０を高速回転させ、デバイス５０が形成された面全体に、滴下した接着剤７１を遠心力により伸ばすスピン方式を用いる。したがって、接着剤７１は、適度な粘性を有し、液体の状態で半導体基板７０上に滴下されるのが好ましい。接着剤７１として、例えば、ポリイミド系やアクリル系の接着剤を用いる。次に、接着剤７１を介してキャリア基板７２を貼り合せる。このキャリア基板７２によりデバイス５０を保護することが可能となる。なお、このキャリア基板７２を貼り合せずとも例えば保護コート材だけでデバイス５０を保護するように構成されてもよく、この場合にはキャリア基板７２を貼り合せなくてもよい。
【００６７】
この構成により、デバイス５０が形成された面を保護しながらキャリア基板７２（図３（ｃ）参照）を貼付することが可能となる。また、半導体基板７０の薄板後において、このキャリア基板７２を容易に剥がすことが可能となる。
【００６８】
次いで、ウェハＷがエッチング装置１内の処理チャンバ１１内に搬入され、半導体基板７０のデバイス５０が形成されていない面が上面となるように基台１５（上部材１６）上に載置される。このとき、基台１５は降下しており、カバー部材４１は支持部材４２により支持されている。次に、図３（ｃ）に示すように、基台１５とともにウェハＷが上昇されると同時にカバー部材４１がウェハＷの外周周縁部を介して上方に持ち上げられる。そして、ウェハＷの上面の外周部の約３ｍｍ程度がカバー部材４１によりマスクされた状態となる。この状態でウェハＷがプラズマエッチングされると、ウェハＷの上面の外周部だけがエッチングされず、その内側の領域のみがエッチングされることとなる。すなわち、ウェハＷの内側の領域を薄板化することが可能となる。ここで、半導体基板７０の上面外周部が、半径方向１ｍｍ〜１０ｍｍの幅でカバーされるよう、言い換えれば、前記厚板部（第２基板領域）７０ｂの半径方向の幅が１ｍｍ〜１０ｍｍとなるよう、カバー部材４１の内径を定めるのが好ましい。前記厚板部７０ｂの幅が１ｍｍより小さい場合には、半導体基板７０の強度が不足し、厚板部７０ｂの幅が１０ｍｍより大きい場合には、デバイスを形成できる有効面積が小さくなるためである。特に、この有効面積については、個々のデバイスの形状、サイズ及び配置、並びにデバイスを形成する凹部７０ｃの形状に依存するところが大きい。凹部７０ｃの平面形状が円形の場合には、厚板部７０ｂの幅は５ｍｍ以下であるのが好ましいが、凹部７０ｃの平面形状が多角形の場合には５ｍｍ以上としてもデバイスを形成する有効面積としては十分なときがある。
【００６９】
次いで、図４（ａ）に示すように、カバー部材４１をマスクとして、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）などのプラズマエッチング技術を用いて、半導体基板７０の上面をエッチング処理して凹部７０ｃを形成する。エッチング処理の条件としては、エッチングガスであるＳＦ６ガスを４００ｓｃｃｍ、エッチングの添加ガスであるＯ２ガスを６００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバ１１内に供給し、コイル３１に供給するコイル供給電力を２０００Ｗ、基台１５に供給するバイアス電力を７００Ｗとし、また、処理チャンバ１１内の圧力を１２Ｐａとした。この条件でのエッチングレートはおよそ６μｍ／分である。添加ガスとしてのＯ２ガスは、炭化珪素（ＳｉＣ）の炭素（Ｃ）との反応性を高める効果が期待でき、エッチングレートが向上する。なお、エッチング添加ガスとしてＯ２ガスを用いたが、このＯ２ガスは用いずにエッチングガスであるＳＦ６ガスのみを用いてエッチングすることも可能である。
【００７０】
なお、コイル供給電力は４００〜５０００Ｗであればよく、特にプラズマの安定性の観点からは１５００Ｗ以上が好ましい。また、バイアス電力は５０〜１０００Ｗであればよく、特にプラズマの安定性の観点からは５００Ｗ以上が好ましい。また、処理チャンバ内圧力は０．５〜５０Ｐａであればよく、特にエッチング量の面内均一性の観点からは３Ｐａ以上〜３０Ｐａが好ましい。
【００７１】
このようにして半導体基板７１の上面がエッチングされ、所定の深さを有する凹部７０ｃが形成されると、上記一連のエッチング工程を終了し、ウェハＷは処理チャンバ１１内から搬出される。その後、スパッタ装置等で、裏面電極が形成される。
【００７２】
この薄板化方法によれば、従来のような研削加工が必要ない。したがって、研削加工時に発生する粉砕層などの研削歪を除去するために、ＣＭＰなどで処理するストレスリリーフ処理を行う必要がなく、製造時間及び製造コストを削減することが可能となる。更に、小さな矩形領域凹部の薄板化をする場合でも、カバー形状の変更により容易となる。
【００７３】
なお、本例では、エッチング装置１側に非エッチング部をカバーする機構を設けたが、本発明はこれに限定されない。例えば、非エッチング部をカバーする機構をウェハＷ側に取り付けるように構成してもよい。
【００７４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、接着剤７１からキャリア基板７２を剥離した後に接着剤７１を除去する。
【００７５】
以上のようにして製造される本例の半導体基板７０によれば、半導体基板７０の外周部（第２基板領域）の厚みは厚く、デバイスを形成する内側領域（第１基板領域）のみ薄い厚さとすることができるので、半導体基板７０の割れや反りを低減することが可能となる。さらに、デバイス５０が形成された半導体基板７０は炭化珪素からなりさらに高耐圧に耐え得る最小限の厚さ（１０μｍ以上５０μｍ以下）としているので、シリコンを素材として製造されたデバイスと比較すると、さらに低損失化が可能となる。
【００７６】
また、本例の半導体基板７０の製造方法によれば、硬度が高い炭化珪素からなる半導体基板７０を機械的な研削加工に依存することなく、プラズマエッチング法を用いて高い耐圧性能を有しながら最小限の厚さ（１０μｍ以上５０μｍ以下）まで薄板化することができる。したがって、研削用の高価な研削砥石が必要ないので、製造コストを大幅に削減することが可能となる。
【００７７】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について、図５を用いて説明する。図５は、第２の実施形態に係るエッチング装置１Ａの概略構成を示した断面図である。このエッチング装置１Ａは、図２に示したエッチング装置１と比較して、ウェハＷのエッチング深さをリアルタイムに測定（モニタリング）することができる分光式の深さモニタ４３をさらに備えた点で、前記エッチング装置１とはその構成が異なっている。したがって、図５において、図２に示したエッチング装置１と同じ構成部分については、同じ符号を付し、以下では、その詳しい説明を省略する。
【００７８】
前記深さモニタ４３は、深さセンサ４４と、処理部４５とを備える。深さセンサ４４は、白色光をウェハＷのエッチングする面及びカバー部材４１に照射する多波長の光を発する光源（図示せず）と、ウェハＷ及びカバー部材４１からの反射光を受光する受光部（図示せず）と、分光光度計（図示せず）とを含み、エッチングの深さに従って変化する深さ信号を取得して処理部４５に出力する。
【００７９】
深さセンサ４４は上チャンバ１３の上面に組み込まれており、ウェハＷ及びカバー部材４１の表面に対向して配置されている。ウェハＷのエッチング処理中には、光源からの白色光がウェハＷ及びカバー部材４１に照射され、ウェハＷ及びカバー部材４１からの反射光が受光部に受光される。分光光度計は、反射光の各波長での強度を所定の波長範囲に亘って測定し、得られた光強度データを処理部４５に送る。この光強度データは、エッチングの深さを反映した深さ信号であり、エッチングの深さに従って変化する。処理部４５は、光強度データから波長ごとの光の強度を表わすスペクトルを生成し、さらにそのスペクトルから、ウェハＷのエッチング面及びカバー部材４１からそれぞれ反射される反射光の位相差に基づいて、エッチングの深さを算出する。
【００８０】
ここで、ウェハＷに照射されて反射された反射光と、カバー部材４１に反射された反射光とが互いに干渉する。この光の波の干渉の仕方は、ウェハＷの深さに応じて変化するため、この変化に基づいてエッチングの深さが算出される。
【００８１】
本例のエッチング装置１Ａを用いた半導体基板７０の製造方法によれば、第１の実施形態に係るエッチング装置１用いた製造方法と同様の効果を得ることができる。そして、さらに、本例のエッチング装置１Ａでは、リアルタイムでエッチングの深さをモニタリングできるので、エッチングレート及びエッチング時間に基づいてエッチング終点を認識するために、あらかじめエッチング量を測定してエッチングレートを算出するといった前工程を経ることなく、エッチング処理を開始することができる。したがって、第１の実施形態に係るエッチング装置１に比べて、製造時間を大幅に削減することが可能となる。
【００８２】
以上、本発明の具体的な実施の形態について説明したが、本発明が採り得る態様は、何ら上述したものに限定されない。
【００８３】
例えば、上例では、半導体基板７０として、４Ｈ−ＳｉＣの結晶構造を持つ炭化珪素を用いたが、半導体基板７０の素材としてはこの炭化珪素に限られるものではなく、例えば、４Ｈ−ＳｉＣ以外の結晶構造を持つ炭化珪素（６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（ＧａＯ）、又はダイヤモンド（Ｃ）などの素材を用いることができる。この場合においても本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８４】
また、上例では、前記エッチング装置１及び１Ａを用いて本発明に係る半導体基板を製造したが、本発明に係る製造方法は、他の構造を備えたエッチング装置を用いて実施することができる。また、上例では、デバイス５０を半導体基板７０に形成された後に、当該半導体基板７０のデバイス５０が形成された内側の領域（第１基板領域）を薄板化したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体基板７０の内側の領域（第１基板領域）を薄板化した後に、この薄板化された領域（薄板部）にデバイス５０を形成するようにしもよい。
【００８５】
この他、上例でエッチングガスとして用いたフッ素系ガス（ＳＦ６ガス）に代えて、例えば、Ｃｌ２ガスやＢＣｌ３ガス、ＣＣｌ４ガス、ＳｉＣｌ４ガスなどの塩素系ガスを用いても、上述した製造方法と同一の効果を得ることができる。
【００８６】
また、上例では、半導体基板７０の周縁部のみがエッチングされないようにカバーするカバー機構をエッチング装置１，１Ａ側に設けた例について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、ウェハＷを入れるケースを用い、このケース側に半導体基板７０の外周周縁部のみがエッチングされないようにカバーするカバーを設けてもよいし、レジストマスク、酸化膜マスク、メタルマスクなどのエッチングマスクを半導体基板７０の外周周縁部に形成して当該周縁部のみがエッチングされないようにしてもよい。
【００８７】
また、上例では、半導体基板７０上にカバー部材４１を載置させた状態で、エッチング処理を行うようにしたが、本発明に係る製造装置（エッチング装置）及び製造方法は、この構成に限定されるものではなく、図６に示すように、上述したエッチング装置１及び１Ａは、前記基台１５が上昇端に至ったとき、半導体基板７０の上面とカバー部材４１の下面との間に隙間ｇが生じるように、当該カバー部材４１が前記支持部材４２によって支持されるように構成されていても良く、前記製造方法は、半導体基板７０の上面とカバー部材４１の下面との間に隙間ｇが形成された状態で前記エッチング処理が行われるように構成されていても良い。
【００８８】
前記基台１５にバイアス電位を与えた状態で、半導体基板７０をエッチングする場合に、カバー部材４１が半導体基板７０に接触していると、カバー部材４１の材質によっては（例えば、アルミナの場合には）、当該カバー部材４１にもバイアス電位が生じて、カバー部材４１がプラズマ中のイオンによりスパッタリングされ、その生成物が半導体基板７０の内側の領域である前記薄板部７０ａ（凹部７０ｃ）の表面に付着して、表面精度が悪化するという問題を生じる。そこで、半導体基板７０とカバー部材４１との間に間隙ｇを設けることで、カバー部材４１にバイアス電位が生じるのを防止することができ、これにより、カバー部材４１がスパッタリングされることによって、前記薄板部７０ａの上面の表面精度が悪化するのを防止することができる。
【００８９】
尚、半導体基板７０とカバー部材４１との間の隙間ｇは、０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのが好ましい。隙間ｇが０．５ｍｍより小さい場合には、カバー部材４１にバイアス電位が生じるのを効果的に防止することができず、隙間が３ｍｍ以上の場合には、半導体基板７０とカバー部材４１との間にエッチング種が侵入して、半導体基板７０のカバー部材４１によってカバーされた領域（第２基板領域）がエッチングされるため、当該第２基板領域（厚板部）の内側の周縁部（肩部）がエッチングされるなど、得られる半導体基板７０の形状が悪化するという問題を生じるからである。
【００９０】
また、前記半導体基板７０は、その前記第２基板領域（厚板部）が、半径方向内側に向けて張り出す張出部を一以上備えていても良い。この張出部を備えた半導体基板を図７に示す。図７に示した半導体基板７０’は、３つの張出部Ｈを備えており、３つの張出部Ｈは、第２基板領域７０’ｂの周方向に等間隔となるように配置されている。例えば、上述したキャリア基板７２を剥離する工程や、接着剤７１を除去する工程で、凹部７０’ｃ側から半導体基板７０’を支持する際に、薄板部７０’ａを支持ピンによって支持すると、薄板部７０’ａの厚みが極めて薄いために、支持部が支持ピンによって貫通される虞がある。そこで、厚板部（第２基板領域）７０’ｂに、内側に張り出した張出部Ｈを形成することで、この厚みの厚い張出部Ｈを支持ピンによって支持することができる。これにより、デバイスの取れ数が多くなるよう、薄板部７０’ａの面積を出来るだけ広くした上で、支持ピンによって半導体基板７０’が貫通されるという不都合を防止することができる。尚、張出部Ｈを設ける個数は、特に限定されるものではないが、半導体基板７０’を安定して支持するという観点からすると、３つ以上の張出部Ｈを形成するのが好ましく、これを第２基板領域７０’ｂの周方向に等間隔に配置するのが好ましい。
【００９１】
また、このような張出部Ｈを形成するためには、上述したエッチング装置１及び１Ａにおけるカバー部材４１も同様に、半径方向内側に向けて張り出す張出部を一以上、好ましくは３つ以上備えていている必要があり、複数の張出部を設ける場合には、周方向に等間隔となるように配置されているのが好ましい。念のため、このような張出部を備えたカバー部材を図８に示す。図８において、符号４１’はカバー部材を示し、符号Ｈ’は張出部を示している。
【００９２】
繰り返しになるが、上述の実施形態は例示に過ぎず、本発明に係る具体的な態様はその範囲から逸脱することなく種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１，１Ａ    エッチング装置
１１    処理チャンバ
１５    基台
２０    排気装置
２５    ガス供給装置
２６，２７    ガス供給部
３０    プラズマ生成装置
３１    コイル
３２，３５    高周波電源
４０    外周カバー機構
４１    カバー部材
４２    支持部材
４３    深さモニタ
４４    深さセンサ
４５    処理部
５０    デバイス
７０    （ワイドギャップ）半導体基板
７０ａ    薄板部（第１基板領域）
７０ｂ    厚板部（第２基板領域）
７０ｃ    凹部
７１    接着剤
７２    キャリア基板
Ｗ    ウェハ
【図１】
2020184642.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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