(57)【要約】【課題】電気部材に設けられたフィルタユニットの周波数特性のばらつきを低減する。【解決手段】プラズマ処理装置におけるフィルタユニットの調整方法であって、第１の測定工程と調整工程とを含む。第１の測定工程では、複数のフィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニットの周波数特性が測定される。調整工程では、基準となるフィルタユニット以外のフィルタユニットの周波数特性が調整される。また、調整工程には、取付工程と、第２の測定工程と、個別調整工程とが含まれる。取付工程では、フィルタユニット内の配線の容量を調整するための容量部材が取り付けられる。第２の測定工程では、容量部材が取り付けられたフィルタユニットの周波数特性が測定される。個別調整工程では、容量部材が取り付けられたフィルタユニットの周波数特性が、基準となるフィルタユニットの周波数特性に近づくように容量部材の容量が調整される。【選択図】図８
2020065033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生成されたプラズマにより被処理体を処理するチャンバ内に設けられた複数の電気部材と、前記チャンバの外部に設けられ、それぞれの前記電気部材にコイルを含むフィルタユニットを介して接続された外部回路とを備え、それぞれの前記フィルタユニットが金属筐体で覆われているプラズマ処理装置における前記フィルタユニットの調整方法であって、
複数の前記フィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニットの周波数特性を測定する第１の測定工程と、
複数の前記フィルタユニットの中で、前記基準となるフィルタユニット以外の前記フィルタユニットのそれぞれについて、前記フィルタユニットの周波数特性を調整する調整工程と
を含み、
前記調整工程は、
前記フィルタユニット内の配線の容量を調整するための容量部材を取り付ける取付工程と、
前記容量部材が取り付けられた前記フィルタユニットの周波数特性を測定する第２の測定工程と、
前記容量部材が取り付けられた前記フィルタユニットの周波数特性が、前記基準となるフィルタユニットの周波数特性に近づくように前記容量部材の容量を調整する個別調整工程と
を含むフィルタユニットの調整方法。
【請求項２】
前記基準となるフィルタユニットは、
複数の前記フィルタユニットの中で、前記コイルと前記金属筐体との間の隙間が最も狭いフィルタユニットである請求項１に記載のフィルタユニットの調整方法。
【請求項３】
前記容量部材は、
前記フィルタユニット内の配線を覆う誘電体である請求項１または２に記載のフィルタユニットの調整方法。
【請求項４】
前記個別調整工程では、
前記容量部材の材質、形状、および大きさの少なくともいずれかを変更することにより、前記容量部材の容量が調整される請求項３に記載のフィルタユニットの調整方法。
【請求項５】
前記フィルタユニットは、
前記電気部材に接続され、前記電気部材から前記外部回路へ流れる高周波電力のうち第１の周波数成分を減衰させる第１のユニットと、
前記第１のユニットと前記外部回路との間に接続され、前記高周波電力のうち前記第１の周波数成分とは異なる第２の周波数成分を減衰させる第２のユニットと
を有し、
前記容量部材は、
前記電気部材と前記第１のユニットとの間、および、前記第１のユニットと前記第２のユニットとの間の少なくともいずれかに取り付けられる請求項１から４のいずれか一項に記載のフィルタユニットの調整方法。
【請求項６】
前記電気部材は、前記被処理体が載置されるステージ内に設けられたヒータである請求項１から５のいずれか一項に記載のフィルタユニットの調整方法。
【請求項７】
プラズマが生成され、プラズマにより被処理体を処理するチャンバと、
前記チャンバ内に設けられた複数の電気部材と、
前記チャンバの外部に設けられ、それぞれの前記電気部材に接続された外部回路と、
それぞれの前記電気部材と前記外部回路とを接続する線路上に設けられ、コイルを含む複数のフィルタユニットと、
それぞれの前記フィルタユニットを覆う金属筐体と、
前記複数のフィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニット以外の他の前記フィルタユニットに取り付けられ、当該フィルタユニットの周波数特性が前記基準となるフィルタユニットの周波数特性に近づくように他の前記フィルタユニットの容量を調整するための複数の容量部材と
を備えるプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の種々の側面および実施形態は、フィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、プラズマを用いた処理（以下、プラズマ処理と記載する）が行われる場合がある。プラズマ処理を行うプラズマ処理装置は、例えば、チャンバ、ステージ、および高周波電源等を備える。プラズマ処理では、ステージを介してチャンバ内に供給された高周波電力により、チャンバ内に供給された処理ガスが励起されプラズマが生成される。そして、生成されたプラズマにより、ステージ上に載置された被処理体に対して、エッチングや成膜等のプラズマ処理が施される。
【０００３】
また、プラズマ処理装置は、被処理体の温度を調整するために、ステージ内にヒータが内蔵される場合がある。ヒータには、ヒータに供給される電源を制御することにより、ヒータによる加熱量を制御するヒータコントローラが接続される。このようなプラズマ処理装置では、ステージに供給された高周波電力がヒータを介してヒータコントローラに流れ込むことにより、ヒータコントローラの故障や誤動作が起こる場合がある。これを防止するために、ヒータとヒータコントローラとの間の線路には、高周波電力の成分を除去するためのフィルタが設けられる。このようなフィルタとしては、例えばコイル等の受動部品を含む分布定数型のフィルタが用いられることがある。
【０００４】
また、被処理体の温度分布の制御精度を高めるために、ステージが複数の領域に分割され、それぞれの領域に設けられたヒータを独立に制御することがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−１３５０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本開示は、それぞれの電気部材に設けられたフィルタユニットの周波数特性のばらつきを低減することができるフィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一側面は、生成されたプラズマにより被処理体を処理するチャンバ内に設けられた複数の電気部材と、チャンバの外部に設けられ、それぞれの電気部材にコイルを含むフィルタユニットを介して接続された外部回路とを備え、それぞれのフィルタユニットが金属筐体で覆われているプラズマ処理装置におけるフィルタユニットの調整方法であって、第１の測定工程と調整工程とを含む。第１の測定工程では、複数のフィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニットの周波数特性が測定される。調整工程では、複数のフィルタユニットの中で、基準となるフィルタユニット以外のフィルタユニットのそれぞれについて、フィルタユニットの周波数特性が調整される。また、調整工程には、取付工程と、第２の測定工程と、個別調整工程とが含まれる。取付工程では、フィルタユニット内の配線の容量を調整するための容量部材が取り付けられる。第２の測定工程では、容量部材が取り付けられたフィルタユニットの周波数特性が測定される。個別調整工程では、容量部材が取り付けられたフィルタユニットの周波数特性が、基準となるフィルタユニットの周波数特性に近づくように容量部材の容量が調整される。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の種々の側面および実施形態によれば、それぞれの電気部材に設けられたフィルタユニットの周波数特性のばらつきを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本開示の第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、静電チャックの領域の分割態様の一例を示す上面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本開示の第１の実施形態におけるフィルタユニットの一例を示すブロック図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本開示の第１の実施形態におけるフィルタユニットの一例を示すブロック図である。
【図４】図４は、フィルタユニットのインピーダンスの周波数特性の一例を示す図である。
【図５】図５は、容量部材が設けられたフィルタユニットの一例を示すブロック図である。
【図６】図６は、金属筐体、容量部材、および配線の一例を示す分解斜視図である。
【図７】図７は、容量部材が取り付けられたフィルタユニット一例を示す斜視図である。
【図８】図８は、本開示の第１の実施形態におけるフィルタユニットの調整方法の一例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、本開示の第２の実施形態におけるプラズマエッチング装置の一例を示す概略断面図である。
【図１０】図１０は、本開示の第２の実施形態におけるフィルタユニットの一例を示すブロック図である。
【図１１】図１１は、容量部材が設けられたフィルタユニットの一例を示すブロック図である。
【図１２】図１２は、本開示の第２の実施形態におけるフィルタユニットの調整方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、開示されるフィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示されるフィルタユニットの調整方法およびプラズマ処理装置が限定されるものではない。
【００１１】
ところで、ヒータ等の電気部材に設けられた分布定数型のフィルタには、コイル等の受動部品が含まれるが、このような受動部品と、フィルタを覆う金属筐体との隙間には、浮遊容量も存在する。そのため、フィルタの周波数特性には、受動部品の定数だけでなく、このような浮遊容量の値も影響を与える。
【００１２】
また、それぞれのヒータに接続されたフィルタによって減衰される高周波電力が異なると、プラズマの分布の均一性に影響を与えることがある。そのため、それぞれのヒータに設けられたフィルタの周波数特性は同一であることが好ましい。
【００１３】
しかし、プラズマ処理装置の小型化に伴う配置の制約により、それぞれのフィルタにおいて、フィルタと金属筐体との間の距離を同一にすることが難しい場合がある。そのため、それぞれのフィルタにおける浮遊容量を同一の値にすることが難しい。そのため、それぞれのヒータに設けられたフィルタの周波数特性が異なる場合があり、プラズマの分布の均一性が低下する場合がある。
【００１４】
そこで、本開示は、それぞれの電気部材に設けられたフィルタユニットの周波数特性のばらつきを低減することができる技術を提供する。
【００１５】
（第１の実施形態）
［プラズマエッチング装置１の構成］
図１は、本開示の第１の実施形態におけるプラズマエッチング装置１の一例を示す概略断面図である。本実施形態におけるプラズマエッチング装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマエッチング装置１は、装置本体２および制御装置３を備える。
【００１６】
装置本体２は、例えばアルミニウムまたはステンレス鋼等によって形成された略円筒形状のチャンバ１０を有する。チャンバ１０は保安接地されている。チャンバ１０内には、略円板形状のサセプタ１２が配置されている。サセプタ１２は、例えばアルミニウム等により形成され、下部電極としても機能する。サセプタ１２は、チャンバ１０の底から垂直上方に延びる筒状の支持部１４によって支持されている。支持部１４は、セラミックス等の絶縁部材により形成されている。そのため、支持部１４は、チャンバ１０に対して電気的に絶縁されている。
【００１７】
支持部１４の外周には、支持部１４の外周に沿ってチャンバ１０の底から垂直上方に延びる導電性の筒状支持部１６が設けられている。筒状支持部１６とチャンバ１０の内壁との間には、環状の排気路１８が形成されている。排気路１８の底には、排気口２０が設けられている。排気口２０には排気管２２を介して、ターボ分子ポンプ等を有する排気装置２４が接続されている。排気装置２４によって、チャンバ１０内の処理空間が所望の真空度まで減圧される。チャンバ１０の側壁には、被処理体の一例である半導体ウエハＷの搬入および搬出を行うための開口が形成されており、当該開口は、ゲートバルブ２６によって開閉される。
【００１８】
サセプタ１２には、マッチングユニット３２および給電棒３４を介して高周波電源２８が電気的に接続されている。高周波電源２８は、主としてプラズマの生成に寄与する第１の周波数（例えば２７ＭＨｚ以上、好ましくは６０ＭＨｚ以上）の高周波電力を、マッチングユニット３２および給電棒３４を介してサセプタ１２に供給する。マッチングユニット３２は、高周波電源２８とプラズマ負荷との間でインピーダンスの整合をとる。
【００１９】
給電棒３４は、略円筒形の導体である。給電棒３４の上端は、サセプタ１２の下面の中心部に接続され、給電棒３４の下端は、マッチングユニット３２に接続されている。また、給電棒３４の周囲には、給電棒３４の外径よりも大きな内径を有する略円筒形状のカバー３５が配置されている。カバー３５の上端は、チャンバ１０の底面に形成された開口部に接続され、カバー３５の下端は、マッチングユニット３２の筐体に接続されている。
【００２０】
サセプタ１２上には、エッジリング３６および静電チャック３８が配置されている。静電チャック３８の上面には、半導体ウエハＷが載置される。静電チャック３８は、ステージの一例である。エッジリング３６は、フォーカスリングと呼ばれることもある。エッジリング３６は、略円環状の外形を有し、静電チャック３８は、略円板状の外形を有する。エッジリング３６は、静電チャック３８を囲むように静電チャック３８の周囲に配置されている。エッジリング３６は、例えばケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、炭素（Ｃ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等により形成される。
【００２１】
静電チャック３８は、複数のヒータ４０、誘電体４２、および電極４４を有する。ヒータ４０は、電気部材の一例である。複数のヒータ４０および電極４４は、誘電体４２内に封入されている。電極４４には、チャンバ１０の外部に配置された直流電源４５が、スイッチ４６、抵抗体４８、および配線５０を介して電気的に接続されている。電極４４は、直流電源４５から印加された直流電圧によって発生したクーロン力により半導体ウエハＷを静電チャック３８の上面に吸着保持する。なお、配線５０は、絶縁体によって被覆されており、給電棒３４の中を通り、サセプタ１２を下から貫通して静電チャック３８の電極４４に接続されている。
【００２２】
それぞれのヒータ４０は、例えばスパイラル状の抵抗発熱線である。静電チャック３８の上面は、例えば図２に示されるように、複数の領域３８０に分割されている。図２は、静電チャック３８の領域の分割態様の一例を示す上面図である。それぞれのヒータ４０は、それぞれの領域３８０に１つずつ配置されている。それぞれのヒータ４０には、絶縁体によって被覆された配線５２を介してフィルタユニット５４が接続されている。それぞれのフィルタユニット５４には、絶縁体によって被覆された配線５６を介してヒータ電源５８が接続されている。ヒータ電源５８は、外部回路の一例である。
【００２３】
図１に例示されたプラズマエッチング装置１では、配線５２、フィルタユニット５４、配線５６、およびヒータ電源５８が２つずつ図示されている。しかし、実際には、配線５２、フィルタユニット５４、配線５６、およびヒータ電源５８は、図２に例示された領域３８０に対応するヒータ４０と同数設けられている。なお、１つのヒータ電源５８が、それぞれの配線５６、フィルタユニット５４、および配線５２を介して、それぞれのヒータ４０に電力を供給するようにしてもよい。それぞれのフィルタユニット５４の詳細については後述する。
【００２４】
サセプタ１２の内部には、環状の流路６０が設けられており、流路６０には、図示しないチラーユニットからの冷媒が循環供給される。流路６０内を循環する冷媒によってサセプタ１２が冷却され、サセプタ１２上に設けられた静電チャック３８が冷却される。また、サセプタ１２および静電チャック３８には、静電チャック３８と半導体ウエハＷとの間にＨｅガス等の伝熱ガスを供給するための配管６２が形成されている。配管６２を介して静電チャック３８と半導体ウエハＷとの間に供給される伝熱ガスの圧力を制御することにより、静電チャック３８と半導体ウエハＷとの間の熱の伝達率を制御することができる。
【００２５】
チャンバ１０の天井には、サセプタ１２と対向する位置にシャワーヘッド６４が設けられている。シャワーヘッド６４は、下部電極として機能するサセプタ１２に対して、上部電極として機能する。シャワーヘッド６４とサセプタ１２との間の空間Ｓがプラズマ生成空間となる。シャワーヘッド６４は、サセプタ１２と向かい合う電極板６６と、電極板６６を上方から着脱可能に支持する支持体６８とを有する。電極板６６は、例えばＳｉ、ＳｉＣ、またはＣ等によって形成される。支持体６８は、例えばアルマイト処理されたアルミニウム等によって形成される。
【００２６】
支持体６８の内部には、拡散室７０が形成されている。電極板６６および支持体６８には、拡散室７０からサセプタ１２側に貫通する複数のガス吐出口７２が形成されている。支持体６８の上部には、拡散室７０に連通するガス導入口７０ａが設けられている。ガス導入口７０ａには、配管７６を介して処理ガス供給部７４が接続されている。処理ガス供給部７４には、異なる種類のガス毎に、当該ガスを供給するガス供給源が設けられている。それぞれのガス供給源には、流量制御器やバルブ等が接続されている。そして、流量制御器によって流量が制御されたそれぞれの種類のガスが、配管７６を介して空間Ｓ内に供給される。
【００２７】
装置本体２の各部は、例えば、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを備える制御装置３によって制御される。メモリには、制御プログラムや処理レシピ等が格納される。プロセッサは、制御プログラムをメモリから読み出して実行し、メモリに格納されたレシピ等に基づいて、入出力インターフェイスを介して装置本体２の各部を制御する。これにより、プラズマエッチング装置１は、半導体ウエハＷに対して、プラズマを用いたエッチングを行う。
【００２８】
例えば、ゲートバルブ２６が開かれ、図示しない搬送装置によって処理対象の半導体ウエハＷがチャンバ１０内に搬入され、静電チャック３８の上に載置される。そして、スイッチ４６がオンに制御されることにより、半導体ウエハＷが静電チャック３８の上面に吸着保持される。また、図示しないチラーユニットから流路６０内に冷媒が循環供給され、配管６２を介して静電チャック３８と半導体ウエハＷとの間に伝熱ガスが供給される。そして、それぞれのヒータ４０に、対応するヒータ電源５８から電力が供給される。それぞれのヒータ４０に供給される電力は、制御装置３によって独立に制御される。これにより、半導体ウエハＷの温度分布を制御することができる。
【００２９】
そして、処理ガス供給部７４から処理ガスが所定の流量でチャンバ１０内に供給され、排気装置２４によりチャンバ１０内の圧力が所定値に制御される。また、高周波電源２８からマッチングユニット３２および給電棒３４を介してサセプタ１２に所定の大きさの高周波電力が供給されることにより、空間Ｓに処理ガスのプラズマが生成される。そして、プラズマに含まれるイオンやラジカルによって半導体ウエハＷがエッチングされる。
【００３０】
［フィルタユニット５４の詳細］
図３Ａおよび図３Ｂは、本開示の第１の実施形態におけるフィルタユニット５４の一例を示すブロック図である。図３Ａには、複数のフィルタユニット５４のうち、１つのフィルタユニット５４−１が例示されており、図３Ｂには、他の１つのフィルタユニット５４−２が例示されている。フィルタユニット５４−１は、配線５２−１を介して、ヒータ４０−１に接続されており、配線５６−１を介して、ヒータ電源５８−１に接続されている。フィルタユニット５４−２は、配線５２−２を介して、ヒータ４０−２に接続されており、配線５６−２を介して、ヒータ電源５８−２に接続されている。
【００３１】
フィルタユニット５４−１およびフィルタユニット５４−２は、例えば図３Ａおよび図３Ｂに示されるように、金属筐体５４０、コイル５４１ａ、コイル５４１ｂ、コイル５４１ｃ、コイル５４１ｄ、コンデンサ５４２ａ、およびコンデンサ５４２ｂを有する。なお、以下では、コイル５４１ａ、コイル５４１ｂ、コイル５４１ｃ、およびコイル５４１ｄのそれぞれを区別せずに総称する場合にコイル５４１と記載する。また、コンデンサ５４２ａおよびコンデンサ５４２ｂのそれぞれを区別せずに総称する場合にコンデンサ５４２と記載する。複数のコイル５４１および複数のコンデンサ５４２は、金属筐体５４０内に収容されており、金属筐体５４０は接地されている。
【００３２】
図３Ａおよび図３Ｂの例では、金属筐体５４０内に４個のコイル５４１と、２個のコンデンサ５４２が収容されている。コイル５４１ａおよびコイル５４１ｂは、金属筐体５４０内の一方の配線に直列に接続されており、コイル５４１ｃおよびコイル５４１ｄは、金属筐体５４０内の他方の配線に直列に接続されている。本実施形態において、直列に接続されたコイル５４１ａおよびコイル５４１ｂは、不等ピッチの（ピッチが一様でない）コイルを構成する。なお、直列に接続されたコイル５４１ａおよびコイル５４１ｂは、等ピッチの１つのコイルで構成されてもよい。また、コンデンサ５４２ａは、金属筐体５４０内の一方の配線と金属筐体５４０との間に接続されており、コンデンサ５４２ｂは、金属筐体５４０内の他方の配線と金属筐体５４０との間に接続されている。なお、金属筐体５４０内のそれぞれの配線に直列に接続されるコイルの数は、３個以上であってもよい。また、金属筐体５４０内のそれぞれの配線と金属筐体５４０との間に接続されるコンデンサの数は、２個以上であってもよい。
【００３３】
金属筐体５４０内の一方の配線において、直列に接続されたコイル５４１ａおよびコイル５４１ｂとコンデンサ５４２ａとは、ＬＣフィルタを構成する。また、金属筐体５４０内の他方の配線において、直列に接続されたコイル５４１ｃおよびコイル５４１ｄとコンデンサ５４２ｂとは、ＬＣフィルタを構成する。これらのＬＣフィルタは、ヒータ４０を介して流入する所定周波数の電力を減衰させる。なお、金属筐体５４０の配線間、および、金属筐体５４０内のそれぞれの配線と金属筐体５４０との間には、それぞれ浮遊容量５４３が存在する。従って、フィルタユニット５４の周波数特性は、複数のコイル５４１、複数のコンデンサ５４２、および浮遊容量５４３によって構成される回路の周波数特性となる。
【００３４】
例えば、２個のコイル５４１の合成インダクタンスをＬt、コンデンサ５４２および浮遊容量５４３の合成容量をＣtとすると、金属筐体５４０内のそれぞれの配線におけるＬＣフィルタの共振周波数ｆは、例えば下記の式（１）のように表される。
【数１】
2020065033.tif 000003
【００３５】
また、コンデンサの容量Ｃは、一般的に、電極間の距離をｄ、電極の面積をＳ、電極間の媒体の誘電率をεとすると、例えば下記の式（２）のように表される。
【数２】
2020065033.tif 000004
【００３６】
ここで、プラズマエッチング装置１の小型化に伴って、それぞれのフィルタユニット５４が配置される場所の形状や大きさが制約される場合がある。これにより、複数の金属筐体５４０の大きさを同一にすることが難しい場合がある。そのため、例えば図３Ａおよび図３Ｂのように、配置される場所によって、フィルタユニット５４−１のように比較的大きな金属筐体５４０を使用できる場合や、フィルタユニット５４−２のように比較的小さな金属筐体５４０を使用せざるを得ない場合がある。
【００３７】
金属筐体５４０の形状や大きさが変わると、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の距離が変わる。配線やコイル５４１と金属筐体５４０とを電極とみなした場合、前述の式（２）によれば、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の浮遊容量５４３の容量Ｃsは、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の距離ｄsに依存する。そのため、金属筐体５４０の形状や大きさが変わった場合、複数のフィルタユニット５４においてコイル５４１およびコンデンサ５４２の定数を揃えたとしても、浮遊容量５４３の容量Ｃsの値が異なる場合には、ＬＣフィルタの周波数特性が異なることになる。
【００３８】
具体的には、浮遊容量５４３の容量Ｃsが異なるため、フィルタユニット５４の合計の容量Ｃtの値が異なる。フィルタユニット５４の合計の容量Ｃtの値が異なると、前述の式（１）において、共振周波数ｆが異なることになる。図４は、フィルタユニット５４−１およびフィルタユニット５４−２のインピーダンスの周波数特性の一例を示す図である。例えば図４に示されるように、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の距離ｄsが長いフィルタユニット５４−１の共振周波数ｆ1は、距離ｄsが短いフィルタユニット５４−２の共振周波数ｆ2よりも高い。
【００３９】
これにより、共振周波数ｆが、高周波電源２８によってサセプタ１２に印加された高周波電力の周波数ｆ0からずれ、ヒータ電源５８に流れ込む高周波電力を十分に減衰させることが困難となる。また、複数のフィルタユニット５４において、金属筐体５４０の形状や大きさによって、共振周波数ｆがずれるため、それぞれのフィルタユニット５４における高周波電力の減衰量の差が大きくなる。これにより、プラズマの分布の均一性が低くなり、プラズマ処理の精度が低下する。
【００４０】
そこで、本実施形態では、それぞれのフィルタユニット５４の容量を調整することにより、複数のフィルタユニット５４における周波数特性の差を小さくする。例えば、浮遊容量５４３の値が低いフィルタユニット５４に対して、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の容量を増加させる。これにより、プラズマの分布の均一性を向上させることができ、プラズマ処理の精度を向上させることができる。
【００４１】
例えば図５に示されるように、フィルタユニット５４に、容量部材５４５を取り付けることにより、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の容量を増加させる。図５は、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の一例を示すブロック図である。なお、図５の例では、金属筐体５４０内の配線５２に容量部材５４５が取り付けられるが、開示の技術はこれに限られず、金属筐体５４０の外部の配線５２に容量部材５４５が取り付けられてもよい。
【００４２】
図６は、金属筐体５４０、容量部材５４５、および配線５２の一例を示す分解斜視図である。金属筐体５４０は、分割筐体５４００と分割筐体５４０１に分割されている。また、容量部材５４５は、ブロック状の誘電体であり、分割部材５４５０と分割部材５４５１に分割されている。分割部材５４５０と分割部材５４５１には、それぞれ配線５２を配置するための溝５４５２が形成されている。
【００４３】
それぞれの溝５４５２に配線５２が配置され、配線５２を挟んで分割部材５４５０と分割部材５４５１とが重ね合わされる。そして、配線５２が挟まれた容量部材５４５を挟むように、分割筐体５４００と分割筐体５４０１とが重ね合わされる。これにより、例えば図７に示されるように、容量部材５４５がフィルタユニット５４の内部に収容される。このように、配線５２を覆うように容量部材５４５が取り付けられることにより、容量部材５４５の取り付けおよび取り外しを容易に行うことができる。なお、容量部材５４５に貫通口が設けられ、当該貫通口に配線５２が挿通されることにより、容量部材５４５が配線５２に取り付けられてもよい。
【００４４】
容量部材５４５は、例えば、ＰＣＴＦＥ（Poly  Chloro  Tri  Furuoro  Ethylene）、ＰＥＥＫ（Poly  Ether  Ether  Ketone）、またはＰＰＳ（Poly  Phenylene  Sulfide）等により形成される。
【００４５】
任意の誘電体の誘電率εは、真空中の誘電率ε0と、真空中の誘電率ε0とを基準とする比誘電率εrとを用いて、ε＝ε0εrと表される。空気の比誘電率εrは、約１である。ＰＣＴＦＥの比誘電率εrは、約２．６である。ＰＥＥＫの比誘電率εrは、約３．２である。ＰＰＳの比誘電率εrは、約３．６である。前述の式（２）に示されるように、電極間に誘電率εが異なる媒体を介在させれば、容量Ｃの値を変更することができる。
【００４６】
金属筐体５４０が比較的小さいフィルタユニット５４では、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の距離が短いため、浮遊容量５４３の容量Ｃsが大きく、共振周波数ｆが低くなる。一方、金属筐体５４０が比較的大きいフィルタユニット５４では、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の距離が長いため、浮遊容量５４３の容量Ｃsが小さく、共振周波数ｆが高くなる。そのため、金属筐体５４０が比較的大きいフィルタユニット５４において、誘電率εが空気よりも大きい材質の容量部材５４５を取り付けることにより、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の容量Ｃを大きくすることができる。これにより、共振周波数ｆを下げることができる。従って、複数のフィルタユニット５４間の共振周波数ｆの差を小さくすることができる。
【００４７】
また、容量部材５４５の形状や大きさを調整することにより、容量部材５４５と金属筐体５４０との間の隙間の大きさを調整することができる。容量部材５４５と金属筐体５４０との間の隙間が変更されると、前述の式（２）に示される距離ｄが変更され、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の容量Ｃが変化する。これにより、フィルタユニット５４の共振周波数ｆを変更することができる。
【００４８】
例えば、金属筐体５４０が比較的大きいフィルタユニット５４において、フィルタユニット５４に容量部材５４５を取り付けると、容量部材５４５と金属筐体５４０との隙間が小さくなる。容量部材５４５と金属筐体５４０との隙間が小さくなると、前述の式（２）に示される距離ｄが小さくなる。距離ｄが小さくなると、配線やコイル５４１と金属筐体５４０との間の容量Ｃが大きくなり、共振周波数ｆを下げることができる。このように、容量部材５４５の形状や大きさを調整することによっても、複数のフィルタユニット５４間の共振周波数ｆの差を小さくすることができる。
【００４９】
［フィルタユニット５４の調整方法］
図８は、本開示の第１の実施形態におけるフィルタユニット５４の調整方法の一例を示すフローチャートである。本フローチャートに示される調整方法は、例えばプラズマエッチング装置１が組み立てられる際に行われるが、プラズマエッチング装置１が組み立てられた後にも定期的に行われてもよい。
【００５０】
まず、複数のフィルタユニット５４の中で、基準となるフィルタユニット５４が特定される（Ｓ１０）。例えば、コイル５４１と金属筐体５４０との間の隙間が最も狭いフィルタユニット５４が基準となるフィルタユニット５４として特定される。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第１の周波数付近において、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１１）。ステップＳ１１は、第１の測定工程の一例である。
【００５１】
次に、基準となるフィルタユニット５４を除く複数のフィルタユニット５４の中で、未選択のフィルタユニット５４が１個選択される（Ｓ１２）。ステップＳ１２で選択されたフィルタユニット５４は、基準となるフィルタユニット５４よりもコイル５４１と金属筐体５４０との間の隙間が広い。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第１の周波数付近において、ステップＳ１２で選択されたフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１３）。
【００５２】
次に、ステップＳ１２で選択されたフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たすか否かが判定される（Ｓ１４）。例えば、基準となるフィルタユニット５４の共振周波数ｆと、ステップＳ１２で選択されたフィルタユニット５４の共振周波数ｆとの差が所定値未満の場合に、許容条件を満たすと判定される。所定値は、例えば数十ｋＨｚである。
【００５３】
なお、コイル５４１の構造によっては、共振周波数付近においてインピーダンスが急峻に変化する場合がある。そのような構造のコイル５４１では、共振周波数のずれが少ない場合でも、インピーダンスの変化が大きい。そのため、そのような構造のコイル５４１では、所定値は、例えば数ｋＨｚ等、より小さな値であることが好ましい。また、共振周波数付近においてインピーダンスの変化が緩やかな構造のコイル５４１では、共振周波数が多少ずれても、インピーダンスはそれほど大きく変化しない。そのため、そのような構造のコイル５４１では、所定値は、例えば数百ｋＨｚ等、より大きな値であってもよい。また、複数のフィルタユニット５４における高周波電力の減衰量の差が小さければよいため、複数のフィルタユニット５４における共振周波数ｆが必ずしも一致していなくてもよい。
【００５４】
ステップＳ１２で選択されたフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たす場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、基準となるフィルタユニット５４を除く複数のフィルタユニット５４の中で、全てのフィルタユニット５４が選択されたか否かが判定される（Ｓ１９）。未選択のフィルタユニット５４が存在する場合（Ｓ１９：Ｎｏ）、再びステップＳ１２に示された処理が実行される。一方、全てのフィルタユニット５４が選択された場合（Ｓ１９：Ｙｅｓ）、本フローチャートに示されたフィルタユニット５４の調整方法が終了する。
【００５５】
一方、ステップＳ１２で選択されたフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たさない場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、フィルタユニット５４に、フィルタユニット５４内の配線の容量を調整するための容量部材５４５が取り付けられる（Ｓ１５）。ステップＳ１５は、取付工程の一例である。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第１の周波数付近において、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１６）。ステップＳ１６は、第２の測定工程の一例である。
【００５６】
次に、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たすか否かが判定される（Ｓ１７）。容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たす場合（Ｓ１７：Ｙｅｓ）、ステップＳ１９に示された処理が実行される。
【００５７】
一方、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たさない場合（Ｓ１７：Ｎｏ）、容量部材５４５によって付加される容量が調整される（Ｓ１８）。ステップＳ１１は、個別調整工程の一例である。付加される容量の調整は、例えば、容量部材５４５を誘電率εが異なる容量部材５４５に交換したり、容量部材５４５の形状や大きさを変更することにより行われる。そして、再びステップＳ１３に示された処理が実行される。ステップＳ１３〜Ｓ１８は、調整工程の一例である。
【００５８】
以上、第１の実施形態について説明した。本実施形態におけるフィルタユニット５４の調整方法は、プラズマエッチング装置１におけるフィルタユニット５４の調整方法であって、第１の測定工程と調整工程とを含む。プラズマエッチング装置１は、生成されたプラズマにより被処理体を処理するチャンバ１０内に設けられた複数のヒータ４０と、チャンバ１０の外部に設けられ、それぞれのヒータ４０にコイル５４１を含むフィルタユニット５４を介して接続されたヒータ電源５８とを備える。それぞれのフィルタユニット５４は、金属筐体５４０で覆われている。第１の測定工程では、複数のフィルタユニット５４の中で、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性が測定される。調整工程では、複数のフィルタユニット５４の中で、基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４のそれぞれについて、フィルタユニット５４の周波数特性が調整される。また、調整工程には、取付工程と、第２の測定工程と、個別調整工程とが含まれる。取付工程では、フィルタユニット５４内の配線の容量を調整するための容量部材５４５が取り付けられる。第２の測定工程では、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性が測定される。個別調整工程では、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性が、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づくように容量部材５４５の容量が調整される。これにより、それぞれのヒータ４０に設けられたフィルタユニット５４の周波数特性のばらつきを低減することができる。
【００５９】
また、上記した実施形態において、基準となるフィルタユニット５４は、複数のフィルタユニット５４の中で、コイル５４１と金属筐体５４０との間の隙間が最も狭いフィルタユニット５４である。基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４に、空気よりも誘電率εが高い容量部材５４５を取り付けることで、当該フィルタユニット５４の周波数特性を、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づけることができる。
【００６０】
また、上記した実施形態において、容量部材５４５は、フィルタユニット５４内の配線を覆う誘電体である。これにより、フィルタユニット５４に、容量部材５４５の取り付けおよび取り外しを容易に行うことができる。
【００６１】
また、上記した実施形態における個別調整工程では、容量部材５４５の材質、形状、および大きさの少なくともいずれかを変更することにより、容量部材５４５の容量が調整される。これにより、容量部材５４５が取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性を、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づけることができる。
【００６２】
また、上記した実施形態において、電気部材は、半導体ウエハＷが載置される静電チャック３８内に設けられたヒータ４０である。これにより、フィルタユニット５４は、ヒータ４０を介してヒータ電源５８に流れ込む高周波電力を低減することができる。
【００６３】
（第２の実施形態）
［プラズマエッチング装置１の構成］
図９は、本開示の第２の実施形態におけるプラズマエッチング装置１の一例を示す概略断面図である。なお、以下に説明する点を除き、図９において、図１と同じ符号を付した構成は、図１における構成と同一または同様の機能を有するため説明を省略する。本実施形態におけるプラズマエッチング装置１では、サセプタ１２に給電棒３４およびマッチングユニット３２を介して高周波電源２８および高周波電源３０が接続されている。
【００６４】
高周波電源３０は、主としてサセプタ１２上の半導体ウエハＷに対するイオンの引き込みに寄与する第２の周波数（例えば１３ＭＨｚ以下）の高周波電力を、マッチングユニット３２および給電棒３４を介してサセプタ１２に供給する。マッチングユニット３２は、さらに高周波電源３０とプラズマ負荷との間でインピーダンスの整合をとる。
【００６５】
［フィルタユニット５４の詳細］
図１０は、本開示の第２の実施形態におけるフィルタユニット５４の一例を示すブロック図である。本実施形態におけるフィルタユニット５４は、第１ユニット５４Ａおよび第２ユニット５４Ｂを有する。本実施形態において、第１ユニット５４Ａは、ヒータ４０を介してヒータ電源５８に流れ込む高周波電力における第１の周波数の成分を減衰させる。また、第２ユニット５４Ｂは、ヒータ４０を介してヒータ電源５８に流れ込む高周波電力における第２の周波数の成分を減衰させる。これにより、本実施形態におけるフィルタユニット５４は、ヒータ４０を介してヒータ電源５８に流れ込む高周波電力における第１の周波数および第２の周波数の成分を減衰させることができる。なお、他の形態として、第１ユニット５４Ａは、高周波電力における第２の周波数の成分を減衰させ、第２ユニット５４Ｂは、高周波電力における第１の周波数の成分を減衰させてもよい。
【００６６】
第１ユニット５４Ａは、配線５２を介してヒータ４０に接続されており、絶縁体で被覆された配線５３を介して第２ユニット５４Ｂに接続されている。また、第２ユニット５４Ｂは、配線５３を介して第１ユニット５４Ａに接続されており、配線５６を介してヒータ電源５８に接続されている。
【００６７】
第１ユニット５４Ａは、金属筐体５４０Ａ、コイル５４１ａ−１、コイル５４１ｂ−１、コイル５４１ｃ−１、コイル５４１ｄ−１、コンデンサ５４２ａ−１、およびコンデンサ５４２ｂ−１を有する。なお、以下では、コイル５４１ａ−１、コイル５４１ｂ−１、コイル５４１ｃ−１、およびコイル５４１ｄ−１のそれぞれを区別せずに総称する場合にコイル５４１−１と記載する。また、コンデンサ５４２ａ−１およびコンデンサ５４２ｂ−１のそれぞれを区別せずに総称する場合にコンデンサ５４２−１と記載する。複数のコイル５４１−１および複数のコンデンサ５４２−１は、金属筐体５４０Ａ内に収容されており、金属筐体５４０Ａは接地されている。金属筐体５４０Ａ内のそれぞれの配線間、および、金属筐体５４０Ａ内のそれぞれの配線と金属筐体５４０Ａとの間には、浮遊容量５４３−１が存在する。
【００６８】
第２ユニット５４Ｂは、金属筐体５４０Ｂ、コイル５４１ｂ−２、コイル５４１ｂ−２、コイル５４１ｃ−２、コイル５４１ｄ−２、コンデンサ５４２ａ−２、およびコンデンサ５４２ｂ−２を有する。なお、以下では、コイル５４１ａ−２、コイル５４１ｂ−２、コイル５４１ｃ−２、およびコイル５４１ｄ−２のそれぞれを区別せずに総称する場合にコイル５４１−２と記載する。また、コンデンサ５４２ａ−２およびコンデンサ５４２ｂ−２のそれぞれを区別せずに総称する場合にコンデンサ５４２−２と記載する。複数のコイル５４１−２および複数のコンデンサ５４２−２は、金属筐体５４０Ｂ内に収容されており、金属筐体５４０Ｂは接地されている。金属筐体５４０Ｂ内のそれぞれの配線間、および、金属筐体５４０Ｂ内のそれぞれの配線と金属筐体５４０Ｂとの間には、浮遊容量５４３−２が存在する。
【００６９】
ここで、プラズマエッチング装置１の小型化に伴い、複数のフィルタユニット５４の第１ユニット５４Ａにおける金属筐体５４０Ａの大きさを揃えることが難しい場合がある。複数のフィルタユニット５４の第１ユニット５４Ａにおいて浮遊容量５４３−１が異なると、第１ユニット５４Ａの周波数特性が異なる場合がある。そこで、本実施形態では、例えば図１１に示されるように、基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４の第１ユニット５４Ａに、容量部材５４５ａが取り付けられる。これにより、第１の周波数付近において、容量部材５４５ａが取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性を、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づけることができる。
【００７０】
なお、図１１の例では、金属筐体５４０Ａ内の配線５２に容量部材５４５ａが取り付けられるが、開示の技術はこれに限られず、金属筐体５４０Ａの外部の配線５２に容量部材５４５ａが取り付けられてもよい。
【００７１】
複数のフィルタユニット５４の第２ユニット５４Ｂについても同様に、第２ユニット５４Ｂにおける浮遊容量５４３−２が異なると、複数のフィルタユニット５４の第２ユニット５４Ｂについて第２ユニット５４Ｂの周波数特性が異なる場合がある。そこで、本実施形態では、例えば図１１に示されるように、基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４の第２ユニット５４Ｂに接続されている第１ユニット５４Ａ内の配線５３に容量部材５４５ｂが取り付けられる。これにより、第２の周波数付近において、容量部材５４５ｂが取り付けられたフィルタユニット５４の周波数特性を、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づけることができる。
【００７２】
なお、図１１の例では、金属筐体５４０Ａ内の配線５３に容量部材５４５ｂが取り付けられるが、開示の技術はこれに限られない。容量部材５４５ｂは、例えば、金属筐体５４０Ａと金属筐体５４０Ｂとの間の配線５３に取り付けられてもよく、金属筐体５４０Ｂ内の配線５３に取り付けられてもよい。
【００７３】
［フィルタユニット５４の調整方法］
図１２は、本開示の第２の実施形態におけるフィルタユニット５４の調整方法の一例を示すフローチャートである。本フローチャートに示される調整方法は、例えばプラズマエッチング装置１が組み立てられる際に行われるが、プラズマエッチング装置１が組み立てられた後にも定期的に行われてもよい。
【００７４】
まず、第１の周波数付近における複数のフィルタユニット５４の第１ユニット５４Ａの周波数特性が調整される（Ｓ２０）。ステップＳ２０では、複数のフィルタユニット５４の第１ユニット５４Ａについて、図８に示されたフィルタユニット５４の調整方法と同様の処理が行われる。以下では、図８を参照しながら、ステップＳ２０の処理の詳細を説明する。
【００７５】
まず、複数のフィルタユニット５４の第１ユニット５４Ａの中で、基準となる第１ユニット５４Ａが特定される（Ｓ１０）。例えば、コイル５４１と金属筐体５４０Ａとの間の隙間が最も狭い第１ユニット５４Ａが基準となる第１ユニット５４Ａとして特定される。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第１の周波数付近において、基準となる第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１１）。
【００７６】
次に、基準となる第１ユニット５４Ａを除く複数の第１ユニット５４Ａの中で、未選択の第１ユニット５４Ａが１個選択される（Ｓ１２）。ステップＳ１２で選択された第１ユニット５４Ａは、基準となる第１ユニット５４Ａよりもコイル５４１−１と金属筐体５４０Ａとの間の隙間が広い。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第１の周波数付近において、ステップＳ１２で選択された第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１３）。
【００７７】
次に、ステップＳ１２で選択された第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たすか否かが判定される（Ｓ１４）。例えば、基準となる第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の共振周波数ｆと、ステップＳ１２で選択された第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の共振周波数ｆとの差が所定値未満の場合に、許容条件を満たすと判定される。所定値は、例えば数十ｋＨｚである。
【００７８】
ステップＳ１２で選択された第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たす場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、全ての第１ユニット５４Ａが選択されたか否かが判定される（Ｓ１９）。未選択の第１ユニット５４Ａが存在する場合（Ｓ１９：Ｎｏ）、再びステップＳ１２に示された処理が実行される。一方、全ての第１ユニット５４Ａが選択された場合（Ｓ１９：Ｙｅｓ）、ステップＳ２０に示された第１ユニット５４Ａの調整方法が終了する。
【００７９】
一方、ステップＳ１２で選択された第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たさない場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、第１ユニット５４Ａに容量部材５４５ａが取り付けられる（Ｓ１５）。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第１の周波数付近において、容量部材５４５ａが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１６）。
【００８０】
次に、容量部材５４５ａが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たすか否かが判定される（Ｓ１７）。容量部材５４５ａが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たす場合（Ｓ１７：Ｙｅｓ）、ステップＳ１９に示された処理が実行される。
【００８１】
一方、容量部材５４５ａが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たさない場合（Ｓ１７：Ｎｏ）、容量部材５４５ａによって付加される容量が調整される（Ｓ１８）。付加される容量の調整は、例えば、容量部材５４５ａを誘電率εが異なる容量部材５４５ａに交換したり、容量部材５４５ａの形状や大きさを変更することにより行われる。そして、再びステップＳ１３に示された処理が実行される。
【００８２】
次に、第２の周波数付近における複数のフィルタユニット５４の第２ユニット５４Ｂの周波数特性が調整される（Ｓ３０）。ステップＳ３０では、複数のフィルタユニット５４の第２ユニット５４Ｂについて、図８に示されたフィルタユニット５４の調整方法と同様の処理が行われる。以下では、図８を参照しながら、ステップＳ３０の処理の詳細を説明する。
【００８３】
まず、複数のフィルタユニット５４の第２ユニット５４Ｂの中で、基準となる第２ユニット５４Ｂが特定される（Ｓ１０）。例えば、コイル５４１−２と金属筐体５４０Ｂとの間の隙間が最も狭い第２ユニット５４Ｂが基準となる第２ユニット５４Ｂとして特定される。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第２の周波数付近において、基準となる第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１１）。
【００８４】
次に、基準となる第２ユニット５４Ｂを除く複数の第２ユニット５４Ｂの中で、未選択の第２ユニット５４Ｂが１個選択される（Ｓ１２）。ステップＳ１２で選択された第２ユニット５４Ｂは、基準となる第２ユニット５４Ｂよりもコイル５４１−２と金属筐体５４０Ｂとの間の隙間が広い。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第２の周波数付近において、ステップＳ１２で選択された第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１３）。
【００８５】
次に、ステップＳ１２で選択された第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たすか否かが判定される（Ｓ１４）。例えば、基準となる第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の共振周波数ｆと、ステップＳ１２で選択された第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の共振周波数ｆとの差が所定値未満の場合に、許容条件を満たすと判定される。所定値は、例えば数十ｋＨｚである。
【００８６】
ステップＳ１２で選択された第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たす場合（Ｓ１４：Ｙｅｓ）、全ての第２ユニット５４Ｂが選択されたか否かが判定される（Ｓ１９）。未選択の第２ユニット５４Ｂが存在する場合（Ｓ１９：Ｎｏ）、再びステップＳ１２に示された処理が実行される。一方、全ての第２ユニット５４Ｂが選択された場合（Ｓ１９：Ｙｅｓ）、本フローチャートに示されたフィルタユニット５４の調整方法が終了する。
【００８７】
一方、ステップＳ１２で選択された第２ユニット５４Ｂを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たさない場合（Ｓ１４：Ｎｏ）、第２ユニット５４Ｂに接続されている第１ユニット５４Ａに容量部材５４５ｂが取り付けられる（Ｓ１５）。そして、例えばネットワークアナライザ等を用いて、第２の周波数付近において、容量部材５４５ｂが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が測定される（Ｓ１６）。
【００８８】
次に、容量部材５４５ｂが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たすか否かが判定される（Ｓ１７）。容量部材５４５ｂが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たす場合（Ｓ１７：Ｙｅｓ）、ステップＳ１９に示された処理が実行される。
【００８９】
一方、容量部材５４５ｂが取り付けられた第１ユニット５４Ａを含むフィルタユニット５４の周波数特性が許容条件を満たさない場合（Ｓ１７：Ｎｏ）、容量部材５４５ｂによって付加される容量が調整される（Ｓ１８）。付加される容量の調整は、例えば、容量部材５４５ｂを誘電率εが異なる容量部材５４５ｂに交換したり、容量部材５４５ｂの形状や大きさを変更することにより行われる。そして、再びステップＳ１３に示された処理が実行される。
【００９０】
以上、第２の実施形態について説明した。本実施形態におけるフィルタユニット５４は、第１ユニット５４Ａと第２ユニット５４Ｂとを有する。第１ユニット５４Ａは、ヒータ４０に接続され、ヒータ４０からヒータ電源５８へ流れる高周波電力のうち第１の周波数成分を減衰させる。第２ユニット５４Ｂは、第１ユニット５４ａとヒータ電源５８との間に接続され、高周波電力のうち第１の周波数成分とは異なる第２の周波数成分を減衰させる。これにより、第１の周波数成分および第２の周波数成分を含む高周波電力が、ヒータ４０からヒータ電源５８へ流れ込むことを抑制することができる。
【００９１】
［その他］
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
【００９２】
例えば、上記した第１の実施形態では、配線５２を覆うように取り付けられた容量部材５４５の材質等を変更することによって、基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４の周波数特性が、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づけるように調整される。しかし、開示の技術はこれに限られない。例えば他の形態として、金属筐体５４０内のそれぞれの配線間、および、金属筐体５４０内のそれぞれの配線と金属筐体５４０との間に容量が連続的に変更可能な可変容量コンデンサが接続されてもよい。そして、第１の高周波電力の周波数付近において、基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４の周波数特性が、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づくように、可変容量コンデンサの容量が連続的に変更される。
【００９３】
また、上記した第２の実施形態においても、金属筐体５４０内のそれぞれの配線間、および、金属筐体５４０内のそれぞれの配線と金属筐体５４０との間に可変容量コンデンサが接続されてもよい。そして、第２の高周波電力の周波数付近において、基準となるフィルタユニット５４以外のフィルタユニット５４の周波数特性が、基準となるフィルタユニット５４の周波数特性に近づくように、可変容量コンデンサの容量が連続的に変更される。このようにしても、それぞれのヒータ４０に設けられたフィルタユニット５４の周波数特性のばらつきを低減することができる。
【００９４】
上記した各実施形態では、電気部材の一例としてヒータ４０が説明されたが、開示の技術はこれに限られない。電気部材は、チャンバ１０内に設けられ、チャンバ１０の外部に設けられた外部回路とフィルタユニット５４を介して接続される部材であれば、ヒータ４０以外の部材であってもよい。ヒータ４０以外の部材としては、例えば、静電チャック３８内に設けられた電極４４や、チャンバ１０内に設けられた各種センサ（温度センサ、圧力センサ等）等があげられる。
【００９５】
また、上記した各実施形態では、プラズマ処理装置として、プラズマエッチング装置１を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。プラズマを用いて処理を行う装置であれば、例えば成膜装置、洗浄装置、または改質装置等に対しても、開示の技術を適用することができる。
【００９６】
また、上記した各実施形態のプラズマエッチング装置１では、プラズマ源の一例として容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）が用いられるが、開示の技術はこれに限られない。プラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が用いられてもよい。
【００９７】
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００９８】
Ｓ  空間
Ｗ  半導体ウエハ
１  プラズマエッチング装置
２  装置本体
３  制御装置
１０  チャンバ
１２  サセプタ
１４  支持部
１６  筒状支持部
１８  排気路
２０  排気口
２２  排気管
２４  排気装置
２６  ゲートバルブ
２８  高周波電源
３０  高周波電源
３２  マッチングユニット
３４  給電棒
３５  カバー
３６  エッジリング
３８  静電チャック
３８０  領域
４０  ヒータ
４２  誘電体
４４  電極
４５  直流電源
４６  スイッチ
４８  抵抗体
５０  配線
５２  配線
５３  配線
５４  フィルタユニット
５４Ａ  第１ユニット
５４Ｂ  第２ユニット
５４０  金属筐体
５４００  分割筐体
５４０１  分割筐体
５４１  コイル
５４２  コンデンサ
５４３  浮遊容量
５４５  容量部材
５４５０  分割部材
５４５１  分割部材
５４５２  溝
５６  配線
５８  ヒータ電源
６０  流路
６２  配管
６４  シャワーヘッド
６６  電極板
６８  支持体
７０  拡散室
７０ａ  ガス導入口
７２  ガス吐出口
７４  処理ガス供給部
７６  配管
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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