(57)【要約】【課題】パッケージのクラック発生を抑制し得る水晶デバイスを提供する。【解決手段】水晶デバイス１０は、基板３０と、素子搭載層４０と、枠部６０と、水晶素子７０と、蓋体８０とを備えている。そして、そして、窪み部４７と搭載面４８との境界を成す稜線５０が、窪み部４７の短辺よりも長くなっている。例えば、稜線５０は、窪み部４７の外側へ延びて凹状となる部分（凹状部５１）を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視して見える側を上面又は底面とし、前記上面又は前記底面の裏側を下面としたとき、
上面及び下面を有する基板部と、
前記基板部の前記上面の外周縁に沿って位置する枠部と、
前記基板部の前記上面から前記基板部の前記下面側に窪み、底面を有する窪み部と、
前記基板部の前記上面から前記窪み部を除いた残りの面のうち、一対の電極パッドを有する搭載面と、
前記一対の電極パッドに実装される水晶素子と、
前記水晶素子を前記枠部とともに気密封止する蓋体と、を備え、
前記窪み部と前記搭載面との境界を成す稜線が前記窪み部の短辺よりも長くなっている、
水晶デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の水晶デバイスにおいて、
前記稜線は、平面視して前記窪み部の外側へ延びて凹状となる部分又は前記窪み部の内側へ窪んで凸状となる部分を有する、
水晶デバイス。
【請求項３】
請求項２記載の水晶デバイスにおいて、
平面視して、前記基板部は矩形状であり、前記基板部の長辺に平行な中心線上に、前記凹状となる部分の底又は前記凸状となる部分の頂点が位置する、
水晶デバイス。
【請求項４】
請求項３記載の水晶デバイスにおいて、
前記一対の電極パッドの個々の間に、前記凹状となる部分が位置する、
水晶デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の水晶デバイスにおいて、
前記搭載面から前記窪み部の前記底面までの厚みが、前記窪み部の前記底面から前記基板部の前記下面までの厚みの５０％以上かつ１００％以下である、
水晶デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の水晶デバイスを有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器等に用いられる水晶デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させる。一般的な水晶デバイスは、パッケージ内に水晶素子を収容し、これを蓋体によって気密封止した構造である（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１３９９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した水晶デバイスでは、パッケージにクラックが発生することがあった。
【０００５】
本開示の目的は、パッケージのクラック発生を抑制し得る水晶デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一つの態様による水晶デバイスは、平面視して見える側を上面又は底面とし、前記上面又は前記底面の裏側を下面としたとき、上面及び下面を有する基板部と、前記基板部の前記上面の外周縁に沿って位置する枠部と、前記基板部の前記上面から前記基板部の前記下面側に窪み、底面を有する窪み部と、前記基板部の前記上面から前記窪み部を除いた残りの面のうち、一対の電極パッドを有する搭載面と、前記一対の電極パッドに実装される水晶素子と、前記水晶素子を前記枠部とともに気密封止する蓋体と、を備えている。そして、前記窪み部と前記搭載面との境界を成す稜線が、前記窪み部の短辺よりも長くなっている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一つの態様による水晶デバイスによれば、窪み部と搭載面との境界を成す稜線が窪み部の短辺よりも長くなっていることにより、稜線下の底面に加わる応力を分散できるので、パッケージのクラック発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態１の水晶デバイスを示す分解斜視図である。
【図２】図１におけるII−II線断面図である。
【図３】図１におけるIII−III線断面図である。
【図４】図４［Ａ］は実施形態１の水晶デバイスを構成する枠部を上面側から見た平面図、図４［Ｂ］は実施形態１の水晶デバイスを構成する素子搭載層を上面側から見た平面図である。
【図５】図５［Ａ］は実施形態１の水晶デバイスを構成する基板を上面側から見た平面図、図５［Ｂ］は実施形態１の水晶デバイスを構成する基板の下面を上面側から見た平面透視図である。
【図６】図６［Ａ］は実施形態１の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図、図６［Ｂ］は実施形態１の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図（他の実施例１）である。
【図７】図７［Ａ］は実施形態１の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図（他の実施例２）、図７［Ｂ］は実施形態１の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図（他の実施例３）である。
【図８】図８［Ａ］は比較例の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図、図８［Ｂ］は比較例の水晶デバイスを気密封止する際の平面図、図８［Ｃ］は図８［Ｂ］におけるVIIIc−VIIIc線概略断面図である。
【図９】図９［Ａ］は電子機器の第一例を示す正面図であり、図９［Ｂ］は電子機器の第二例を示す正面図である。
【図１０】図１０［Ａ］は実施形態１の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図（他の実施例４）、図１０［Ｂ］は実施形態１の水晶デバイスを構成するパッケージ全体を上面側から見た平面図（他の実施例５）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）及び他の実施例について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いることにより適宜説明を省略する。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００１０】
＜全体の概要＞
図面において、平面視して見える側を上面又は底面とし、上面又は底面の裏側を下面とする。図１乃至図６［Ａ］に示すように、本実施形態１の水晶デバイス１０は、上面４１及び下面３２を有する基板部（基板３０及び素子搭載層４０）と、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の上面４１の外周縁に沿って位置する枠部６０と、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の上面４１から基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の下面３２側に窪み、底面（基板３０の上面３１）を有する窪み部４７と、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の上面４１から窪み部４７を除いた残りの面のうち、一対の電極パッド４３ａ，４３ｂを有する搭載面４８と、一対の電極パッド４３ａ，４３ｂに実装される水晶素子７０と、水晶素子７０を枠部６０とともに気密封止する蓋体８０と、を備えている。そして、窪み部４７と搭載面４８との境界を成す稜線５０が、窪み部４７の短辺よりも長くなっている。換言すると、稜線５０は、平面視して窪み部４７の外側及び内側の少なくとも一方へ曲がっている部分を有する。例えば、稜線５０は、窪み部４７の外側へ延びて凹状となる部分（凹状部５１）を有する。
【００１１】
本実施形態１では、「基板部」が基板３０及び素子搭載層４０、「基板部の上面」が素子搭載層４０の上面４１、「基板部の下面」が基板３０の下面３２、窪み部４７の「底面」が基板３０の上面３１、にそれぞれ相当する。
【００１２】
換言すると、水晶デバイス１０は、パッケージ２０を成す基板３０、素子搭載層４０及び枠部６０と、パッケージ２０に収容される水晶素子７０と、パッケージ２０とともに水晶素子７０を封止する蓋体８０と、を備えている。パッケージ２０には、基板３０の上面３１と搭載面４８と窪み部４７と枠部６０の内側面とによって囲まれた収容部Ｋが形成されている。水晶デバイス１０は、例えば、電子機器等で使用する基準信号を出力する。
【００１３】
素子搭載層４０は、窪み部４７を挟んで位置する電極パッド４３ａ，４３ｂと枕部４６ａ，４６ｂとを有し、基板３０と枠部６０との間に挿入される。これにより、パッケージ２０の底面である基板３０の上面３１と水晶素子７０とのクリアランスを十分に確保でき、そのクリアランス内に小さな異物が挟み込まれることや、水晶素子７０が上面３１に接触することを回避できる。
【００１４】
基板３０、素子搭載層４０及び枠部６０は、それぞれ例えばアルミナセラミックス又はガラスセラミックス等のセラミック材料からなる一層又は複数層の絶縁層である。基板３０、素子搭載層４０及び枠部６０は、一体的に形成されてパッケージ２０となる。寸法の一例を述べると、パッケージ２０を平面視したときの一辺は１．０〜３．０ｍｍであり、パッケージ２０の上下方向の厚みは０．２〜１．５ｍｍである。この場合、収容部Ｋの長辺の長さは０．７〜２．０ｍｍ、収容部Ｋの短辺の長さは０．５〜１．５ｍｍ、収容部Ｋの上下方向の深さは０．１〜０．５ｍｍである。
【００１５】
＜各構成要素＞
次に、水晶デバイス１０の各構成要素について、更に詳しく説明する。
【００１６】
図５［Ａ］［Ｂ］に示すように、基板３０は、概ね矩形状であり、上面３１の配線パターン３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄと、下面３２の外部端子３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄとを有する。配線パターン３３ａ〜３３ｄと外部端子３４ａ〜３４ｄとは、それぞれ基板３０の側面に形成された導体を介して電気的に接続される。なお、図１では、パッケージ２０の側面を簡略化して示している。
【００１７】
詳しく言えば、図５［Ｂ］に示すように、基板３０の下面３２の四隅に、外部端子３４ａ〜３４ｄがそれぞれ位置する。それらのうちの二つの外部端子３４ａ，３４ｂが水晶素子７０に電気的に接続され、残りの二つの外部端子３４ｃ，３４ｄが蓋体８０に電気的に接続される。外部端子３４ａ〜３４ｄは、電子機器等のプリント配線板などに実装するために用いられる。水晶素子７０に電気的に接続される外部端子３４ａ，３４ｂは基板３０の下面３２の一方の対角に位置し、蓋体８０に電気的に接続される外部端子３４ｃ，３４ｄは基板３０の下面３２の他方の対角に位置する。外部端子３４ｃ，３４ｄは、電子機器等のプリント配線板上の基準電位であるグランド電位と接続される。そのため、グランド電位となっている外部端子３４ｃ，３４ｄに、封止用導体パターン６２に接合された蓋体８０が電気的に接続することになる。これにより、蓋体８０による収容部Ｋ内のシールド性が向上する。
【００１８】
図４［Ｂ］に示すように、素子搭載層４０は、中央に矩形状の貫通孔（窪み部４７）を有する概ね矩形枠状であり、外形の大きさは基板３０と同じである。素子搭載層４０の上面４１と搭載面４８とは同一平面になるが、枠部６０の下になる面を上面４１、収容部Ｋ内で露出する面を搭載面４８と呼ぶことにする。素子搭載層４０の外周縁の上面４１から下面４２へ、ビア導体４４ｃ，４４ｄが貫いている。搭載面４８上では、窪み部４７を囲んで、電極パッド４３ａ，４３ｂ、突起部４５ａ，４５ｂ及び枕部４６ａ，４６ｂが位置する。窪み部４７の対向する一対の短辺のうち、一方の短辺側に電極パッド４３ａ，４３ｂ及び突起部４５ａ，４５ｂ、他方の短辺側に枕部４６ａ，４６ｂがそれぞれ位置する。突起部４５ａ，４５ｂは電極パッド４３ａ，４３ｂ上に位置する。電極パッド４３ａ上及び突起部４５ａ上は、同じ電極膜で覆われている。同様に、電極パッド４３ｂ上及び突起部４５ｂ上も、同じ電極膜で覆われている。電極パッド４３ａ，４３ｂから下面４２へ、ビア導体４４ａ，４４ｂが貫いている。稜線５０は、平面から変化する部分又は窪み部４７の内壁面と呼んでもよく、凹状部５１を有する。電極パッド４３ａの中心と電極パッド４３ｂの中心とを結ぶ線分の垂直二等分線上に、凹状部５１の底が位置する。垂直二等分線は、パッケージ２０の長手方向の中心線４９でもある。
【００１９】
電極パッド４３ａ，４３ｂは、搭載面４８に水晶素子７０を実装するためのものであり、窪み部４７の一辺に沿うように隣接して一対が位置する。ビア導体４４ａ〜４４ｄは、素子搭載層４０に設けられた貫通孔の内部に導体を充填することによって形成される。図４［Ｂ］→図５［Ａ］→図５［Ｂ］に示すように、電極パッド４３ａはビア導体４４ａ及び配線パターン３３ａを介して外部端子３４ａに電気的に接続され、電極パッド４３ｂはビア導体４４ｂ及び配線パターン３３ｂ及びを介して外部端子３４ｂに電気的に接続される。
【００２０】
突起部４５ａ，４５ｂは、窪み部４７の一辺と平行な直線上に並ぶように、電極パッド４３ａ，４３ｂの上にそれぞれ設けられている。水晶素子７０の引き出し電極７３ａ，７３ｂを突起部４５ａ，４５ｂに接触させながら電極パッド４３ａ，４３ｂに実装することにより、水晶素子７０の先端が搭載面４８に接触することを抑えられるので、安定したヒステリシス特性が得られる。
【００２１】
枕部４６ａ，４６ｂは、搭載面４８上において水晶素子７０の自由端側が対向する位置に設けられており、水晶素子７０の自由端側が搭載面４８に接触することを防ぐ。また、枕部４６ａ，４６ｂは、収容部Ｋ内の搭載面４８上で、窪み部４７を挟んで突起部４５ａ，４５ｂと略平行になるように設けられている。これにより、水晶デバイス１０に落下等の衝撃が加わった際に、水晶素子７０の自由端側が搭載面４８に接触することによる欠けなどを抑えることができる。
【００２２】
図４［Ａ］に示すように、枠部６０は、素子搭載層４０の窪み部４７よりも大きい貫通孔を中央に有する概ね矩形枠状であり、外形の大きさは基板３０及び素子搭載層４０と同じである。そして、枠部６０は、素子搭載層４０の上面４１の外周縁に沿って位置し、基板３０の上面３１に素子搭載層４０とともに収容部Ｋを形成する。枠部６０の上面には封止用導体パターン６２が位置し、封止用導体パターン６２の下にはビア導体６１ｃ，６１ｄが位置する。封止用導体パターン６２は、枠部６０の上面に環状に例えば１０〜２５μｍの厚みに形成され、接合部材８１を介して蓋体８０と接合する際に、接合部材８１の濡れ性を良好にする役割を果たす。封止用導体パターン６２は、例えばタングステン又はモリブデン等からなる接続パターンの表面に、ニッケルメッキ及び金メッキを順次施すことによって得られる。ビア導体６１ｃ，６１ｄは、枠部６０に設けられた貫通孔の内部に導体を充填することによって形成される。図４［Ａ］→図４［Ｂ］→図５［Ａ］→図５［Ｂ］に示すように、封止用導体パターン６２は、ビア導体６１ｃ，６１ｄ、ビア導体４４ｃ，４４ｄ及び配線パターン３３ｃ，３３ｄを介して、外部端子３４ｃ，３４ｄに電気的に接続される。
【００２３】
基板３０、素子搭載層４０及び枠部６０は、例えば積層セラミックスからなる。その場合、基板３０となる複数の矩形状のグリーンシートを重ね、その上に素子搭載層４０となる複数の矩形枠状のグリーンシートを重ね、その上に枠部６０となる複数の矩形枠状のグリーンシートを重ね、全体を焼成することによりパッケージ２０が得られる。あるいは、複数のグリーンシートを重ね、その上にモールドを押し付けて基板３０、素子搭載層４０及び枠部６０に相当する構造を一体成型し、全体を焼成することによりパッケージ２０を得てもよい。
【００２４】
図１乃至図３に示すように、水晶素子７０は、導電性接着剤９０を介して電極パッド４３ａ，４３ｂ上に接合され、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たす。また、水晶素子７０は、水晶素板７１、励振電極７２ａ，７２ｂ及び引き出し電極７３ａ，７３ｂを有している。励振電極７２ａ，７２ｂ及び引き出し電極７３ａ，７３ｂは、水晶素板７１に所定のパターンで金属を被着したものである。水晶素板７１の上面には励振電極７２ａが形成され、水晶素板７１の下面には励振電極７２ｂが形成されている。
【００２５】
引き出し電極７３ａは励振電極７２ａから引き出され、引き出し電極７３ｂは励振電極７２ｂから引き出され、それぞれ水晶素板７１の一辺に向かって延出するように設けられている。つまり、引き出し電極７３ａ，７３ｂは、水晶素板７１の長辺又は短辺に沿った形状で設けられる。引き出し電極７３ａ，７３ｂを電極パッド４３ａ，４３ｂに接続して水晶素子７０の一端を固定端とし、水晶素子７０の他端を基板３０の上面３１から離間した自由端とすることにより、片持ち支持構造にて水晶素子７０が素子搭載層４０上に固定される。水晶素板７１の外形寸法を例示すれば、長辺は６５０〜９２０μｍ、短辺は５５０〜６９０μｍ、厚みは５９〜６２μｍである。
【００２６】
水晶素子７０の動作は次のとおりである。水晶素子７０において、外部からの交番電圧を、引き出し電極７３ａ，７３ｂ及び励振電極７２ａ，７２ｂを介して水晶素板７１に印加する。これにより、水晶素板７１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こす。このように、水晶デバイス１０は、水晶素子７０の圧電効果を利用して、水晶素板７１の両面が互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の周波数を発生させる。
【００２７】
水晶素子７０を製造するには、まず、人工水晶から水晶素板７１を所定のカットアングルで切り出し、水晶素板７１の外周を薄くする。このとき、水晶素板７１の外周部に比べて水晶素板７１の中央部を厚くするベベル加工をしてもよい。そして、蒸着又はスパッタリングによって水晶素板７１の両主面に金属膜を被着させ、フォトリソグラフィーによって所定形状の励振電極７２ａ，７２ｂ及び引き出し電極７３ａ，７３ｂを形成する。
【００２８】
水晶素子７０の素子搭載層４０への接合方法について説明する。まず、電極パッド４３ａ，４３ｂ上に、導電性接着剤９０を例えばディスペンサによって塗布し、導電性接着剤９０上に水晶素子７０を載置する。そして導電性接着剤９０を加熱することによって、導電性接着剤９０が硬化収縮するので、水晶素子７０が電極パッド４３ａ，４３ｂに接合される。つまり、引き出し電極７３ａは電極パッド４３ａと接合され、引き出し電極７３ｂは電極パッド４３ｂと接合される。これによって、水晶素子７０が基板３０の外部端子３４ａ，３４ｂと電気的に接続される。
【００２９】
導電性接着剤９０は、例えば、シリコーン樹脂等のバインダーの中に、導電フィラーとして導電性粉末が含有されたものである。導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられる。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
【００３０】
図１乃至図３に示すように、蓋体８０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなり、真空状態にある収容部Ｋ又は窒素ガスなどが充填された収容部Ｋを気密的に封止する。具体的には、所定雰囲気で、パッケージ２０の枠部６０上に蓋体８０を載置し、枠部６０の封止用導体パターン６２と蓋体８０の接合部材８１とに所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、蓋体８０が枠部６０に接合される。これにより、また、蓋体８０は、封止用導体パターン６２を介して基板３０の下面３２の外部端子３４ｃ，３４ｄに電気的に接続される。
【００３１】
接合部材８１は、蓋体８０の周縁に設けられ、パッケージ２０の枠部６０の上面に設けられた封止用導体パターン６２に相対する。接合部材８１は、例えば、銀ロウ又は金錫によって設けられる。銀ロウは、例えば、厚みが１０〜２０μｍ、成分比率が銀７２〜８５％、銅１５〜２８％のものが使用される。金錫は、例えば、厚みが１０〜４０μｍ、成分比率が金７８〜８２％、錫１８〜２２％のものが使用される。
【００３２】
＜作用及び効果＞
次に、水晶デバイス１０の作用及び効果について説明する。
【００３３】
まず、図８に示す比較例の水晶デバイスについて説明する。図８では、蓋体を取り除いたパッケージ２４の上面を示し、実施形態１と同じ部分の符号を省略する。図８［Ａ］に示すように、パッケージ２４では稜線５０１が直線状の直線部５５を有する。そして、図８［Ｂ］に示すように、パッケージ２４上に蓋体を載せ、回転電極を(1)(2)のように蓋体上で縦横に転がし、シーム溶接によってパッケージ２４に蓋体を接合する。しかしながら、図８［Ｃ］に示すように、このシーム溶接の際に、基板３０と素子搭載層４０との重なりが基板３０のみとなる部分（二層が一層になる部分）、すなわち稜線５０１の下の基板３０にクラックＣが入ることがあった。これは、稜線５０１が直線状の直線部５５を有するため、溶接時の応力が直線部５５の下の基板３０に集中するためと考えられる。つまり、稜線５０１は、例えて言えば板チョコの割れ目のように、クラックＣが入りやすい形状である。
【００３４】
これに対し、本実施形態１の水晶デバイス１０は、前述したように、上面４１及び下面３２を有する基板部（基板３０及び素子搭載層４０）と、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の上面４１の外周縁に沿って位置する枠部６０と、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の上面４１から基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の下面３２側に窪み、底面（基板３０の上面３１）を有する窪み部４７と、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の上面４１から窪み部４７を除いた残りの面のうち、一対の電極パッド４３ａ，４３ｂを有する搭載面４８と、一対の電極パッド４３ａ，４３ｂに実装される水晶素子７０と、水晶素子７０を枠部６０とともに気密封止する蓋体８０と、を備えている。そして、窪み部４７と搭載面４８との境界を成す稜線５０が、窪み部４７の短辺よりも長くなっている。換言すると、稜線５０は、平面視して窪み部４７の外側及び内側の少なくとも一方へ曲がっている部分を有する。例えば、稜線５０は、窪み部４７の外側へ延びて凹状となる部分（凹状部５１）を有する。
【００３５】
水晶デバイス１０によれば、素子搭載層４０における窪み部４７と搭載面４８との稜線５０が凹状部５１を有することにより、稜線５０下の基板３０に加わる応力を凹状部５１で分散できるので、パッケージ２０のクラック発生を抑制できる。
【００３６】
また、平面視して、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）は矩形状であり、基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の長辺に平行な中心線４９（図４［Ｂ］）上に凹状部５１の底が位置する、としてもよい。換言すると、平面視した際に、稜線５０に沿って一対の電極パッド４３ａ，４３ｂの個々が位置し、一対の電極パッド４３ａ，４３ｂの個々の中心を結ぶ線分の垂直二等分線である中心線４９（図４［Ｂ］）上に、凹状部５１の底が位置する、としてもよい。この場合は、溶接時の応力が垂直二等分線（中心線４９）に対称に加わることにより、非対称な応力集中を防げるので、更にクラック発生を抑制できる。
【００３７】
このとき、一対の電極パッド４３ａ，４３ｂの個々の間に、凹状部５１が位置する、としてもよい。この場合は、上記効果に加え次の効果を奏する。第一に、凹状部５１の存在が電極パッド４３ａ，４３ｂの面積に影響しないことから、電極パッド４３ａ，４３ｂの面積を確保でき、落下衝撃耐性や電気的特性を維持できる。第二に、余分な導電性接着剤９０が凹状部５１に流れ込むので、導電性接着剤９０の流出による電極パッド４３ａ，４３ｂ間の短絡を抑制できる。
【００３８】
素子搭載層４０の厚みが、基板３０の厚みの５０％以上かつ１００％以下である、としてもよい。素子搭載層４０が薄い（５０％より小さい）とシーム溶接時の歪が素子搭載層４０で吸収されにくくなり、素子搭載層４０が厚い（１００％を超える）と相対的に基板３０が薄くなり、どちらの場合も基板３０にクラックが発生しやすくなる。なお、素子搭載層４０の厚みは、搭載面４８から窪み部４７の底面（上面３１）までの厚みに相当する。基板３０の厚みは、窪み部４７の底面（上面３１）から基板部（基板３０及び素子搭載層４０）の下面３１までの厚みに相当する。
【００３９】
以上のとおり、本実施形態１ではシーム溶接時の応力集中について説明したが、本開示によれば他の要因による同様の応力集中についても同様の効果が期待できる。
【００４０】
＜他の実施例＞
次に、本実施形態１の他の実施例について説明する。
【００４１】
図６［Ｂ］に示す他の実施例１のパッケージ２１における稜線５０は、窪み部４７の外側へ延びて凹状となる部分（凹状部５２）を有する。凹状部５２は、電極パッド４３ａ，４３ｂ側へ入り込むように膨らんでいる。図７［Ａ］に示す他の実施例２のパッケージ２２における稜線５０は、窪み部４７の内側へ延びて凸状となる部分（凸状部５３）を有する。凸状部５３は、電極パッド４３ａ，４３ｂの中間から窪み部４７の中心方向へ延びている。図７［Ｂ］に示す他の実施例３のパッケージ２３における稜線５０は、窪み部４７の内側へ延びて凸状となる部分（凸状部５４）を有する。凸状部５４は、電極パッド４３ａ，４３ｂの全体から窪み部４７の中心方向へ延びている。
【００４２】
本実施形態１のいずれの実施例も、前述した本実施形態１と同様の作用及び効果を奏する。なお、本実施形態１における「稜線」は、凹状部又は凸状部の少なくとも一方を有すればよいので、凹状部及び凸状部の両方すなわち波状部を有するものとしてもよい。換言すると、本実施形態１における「稜線」は、窪み部の短辺よりも長くなっていればよいので、換言すると平面視して窪み部の外側及び内側の少なくとも一方へ直線的又は曲線的に曲がっている部分を有すればよいので、例えば窪み部の内側へ直線的に曲がっている部分、すなわち基板部の短辺に対して斜め（非平行）となる斜め直線部を有するとしてもよい。これらを図示すれば、図１０［Ａ］に示すパッケージ２５における稜線５０は波状部５６を有し、図１０［Ｂ］に示すパッケージ２６における稜線５０は斜め直線部５７を有する。
【００４３】
＜電子機器＞
図９［Ａ］及び図９［Ｂ］に示すように、電子機器１０１，１０２はそれぞれ実施形態１の水晶デバイス１０を備えている。図９［Ａ］に例示した電子機器１０１はスマートフォンであり、図９［Ｂ］に例示した電子機器１０２はパーソナルコンピュータである。
【００４４】
水晶デバイス１０は、はんだ付け、Ａｕバンプ又は導電性接着剤などによってプリント基板に外部端子３４ａ〜３４ｄの底面が固定されることによって、電子機器１０１，１０２を構成するプリント基板の表面に実装される。そして、水晶デバイス１０は、スマートフォン又はパーソナルコンピュータの他、例えば、時計、ゲーム機、通信機、又はカーナビゲーションシステム等の車載機器などの種々の電子機器で発振源として用いられる。
【００４５】
電子機器１０１，１０２によれば、水晶デバイス１０を備えたことにより、高信頼性の動作を実現できる。
【００４６】
＜その他＞
以上、上記実施形態及び各実施例を参照して本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記実施形態及び各実施例の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【符号の説明】
【００４７】
１０  水晶デバイス
２０，２１，２２，２３，２４，２５，２６  パッケージ
３０  基板（基板部の一部）
３１  上面（窪み部の底面）
３２  下面（基板部の下面）
３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｄ  配線パターン
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ  外部端子
４０  素子搭載層（基板部の一部）
４１  上面（基板部の上面）
４２  下面
４３ａ，４３ｂ  電極パッド
４４ａ，４４ｂ，４４ｃ，４４ｄ  ビア導体
４５ａ，４５ｂ  突起部
４６ａ，４６ｂ  枕部
４７  窪み部
４８  搭載面
４９  中心線
５０，５０１  稜線
５１，５２  凹状部
５３，５４  凸状部
５５  直線部
５６  波状部
５７  斜め直線部
６０  枠部
６１ｃ，６１ｄ  ビア導体
６２  封止用導体パターン
７０  水晶素子
７１  水晶素板
７２ａ，７２ｂ  励振電極
７３ａ，７３ｂ  引き出し電極
８０  蓋体
８１  接合部材
９０  導電性接着剤
１０１，１０２  電子機器
Ｋ  収容部
Ｃ  クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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