(57)【要約】【課題】ドライフィルムレジストにおける気泡の発生を抑えることを可能とした超音波プローブの製造方法、および、超音波プローブを提供する。【解決手段】圧電素子１１を支持する第１ドライフィルムレジスト１２に圧電素子１１を実装するための凹状の実装空間１２Ｓ１を区画することと、実装空間１２Ｓ１に圧電素子１１を実装することと、実装空間１２Ｓ１を覆うように第１ドライフィルムレジスト１２に第２ドライフィルムレジスト１３を積層することと、積層後の第２ドライフィルムレジスト１３を露光することと、実装空間１２Ｓ１の排気中に、露光後の第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を開始することと、加熱後の第２ドライフィルムレジスト１３を現像することと、を備える。【選択図】図１
2020120325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子を支持する第１ドライフィルムレジストに前記圧電素子を実装するための凹状の実装空間を区画することと、
前記実装空間に前記圧電素子を実装することと、
前記実装空間を覆うように前記第１ドライフィルムレジストに第２ドライフィルムレジストを積層することと、
積層後の前記第２ドライフィルムレジストを露光することと、
前記実装空間の排気中に、露光後の前記第２ドライフィルムレジストの加熱を開始することと、
加熱後の前記第２ドライフィルムレジストを現像することと、を備える
超音波プローブの製造方法。
【請求項２】
前記第２ドライフィルムレジストを加熱することは、前記実装空間内の排気を終了した後に、前記第２ドライフィルムレジストの加熱を終了することを含む
請求項１に記載の超音波プローブの製造方法。
【請求項３】
前記実装空間を区画することは、前記第１ドライフィルムレジストに複数の前記実装空間を区画し、
前記圧電素子を実装することは、各実装空間に前記圧電素子を１つずつ実装し、
前記第２ドライフィルムレジストを加熱することは、前記複数の実装空間を排気することを含む
請求項１または２に記載の超音波プローブの製造方法。
【請求項４】
前記実装空間を区画することは、前記実装空間を区画するための底面を前記第１ドライフィルムレジストによって閉じることを含む
請求項１から３のいずれか一項に記載の超音波プローブの製造方法。
【請求項５】
表面を有する圧電素子と、
前記圧電素子を支持し、前記圧電素子を実装するための凹状の実装空間を区画する第１ドライフィルムレジストと、
前記圧電素子の前記表面と対向する平面視において、前記実装空間内の前記圧電素子における前記表面の一部を覆う第２ドライフィルムレジストであって、前記実装空間を区画する面と前記圧電素子との間の隙間に充填され、前記第１ドライフィルムレジストと前記圧電素子とに接する充填部を含む前記第２ドライフィルムレジストと、を備える
超音波プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波プローブの製造方法、および、超音波プローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
パルスエコー法を用いて橈骨動脈などの血管径を計測する超音波プローブが知られている。超音波プローブは、例えば複数のドライフィルムレジストを用いて形成される。超音波プローブを形成する際には、まず、ドライフィルムレジストを露光および現像することによって、圧電素子を実装することが可能な実装空間を区画する。次いで、実装空間を形成するための表面などに圧電素子に接続される配線を形成した後に、実装空間に圧電素子を実装する。そして、圧電素子を覆うようにドライフィルムレジストを配置し、ドライフィルムレジストを露光および現像することによって、ドライフィルムレジストによって圧電素子を固定する。続いて、圧電素子の表面などに圧電素子に接続される配線を形成した後に、圧電素子に接するバッキング層を形成する（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第６２６５５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ドライフィルムレジストの露光および現像を行う際には、露光後のドライフィルムレジスト内における化学反応を促すために、現像を行う前にドライフィルムレジストの加熱が行われる。圧電素子を覆うようにドライフィルムレジストが配置された後に露光および現像が行われる場合には、実装空間を囲むドライフィルムレジストと圧電素子との間の隙間に封止された気体が加熱によって膨張することがある。これによって、露光前のドライフィルムレジストにおける表面付近に気泡が形成されるように、ドライフィルムレジストが変形したりする。結果として、ドライフィルムレジストの露光後に行われる配線の形成において、位置の精度や形状の精度が低下してしまう。
【０００５】
本発明は、ドライフィルムレジストにおける気泡の発生を抑えることを可能とした超音波プローブの製造方法、および、超音波プローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための超音波プローブの製造方法は、圧電素子を支持する第１ドライフィルムレジストに前記圧電素子を実装するための凹状の実装空間を区画することと、前記実装空間に前記圧電素子を実装することと、前記実装空間を覆うように前記第１ドライフィルムレジストに第２ドライフィルムレジストを積層することと、積層後の前記第２ドライフィルムレジストを露光することと、前記実装空間の排気中に、露光後の前記第２ドライフィルムレジストの加熱を開始することと、加熱後の前記第２ドライフィルムレジストを現像することと、を備える。
【０００７】
上記課題を解決するための超音波プローブは、表面を有する圧電素子と、前記圧電素子を支持し、前記圧電素子を実装するための凹状の実装空間を区画する第１ドライフィルムレジストと、前記圧電素子の前記表面と対向する平面視において、前記実装空間内の前記圧電素子における前記表面の一部を覆う第２ドライフィルムレジストであって、前記実装空間を区画する面と前記圧電素子との間の隙間に充填され、前記第１ドライフィルムレジストと前記圧電素子とに接する充填部を含む前記第２ドライフィルムレジストと、を備える。
【０００８】
上記各構成によれば、第２ドライフィルムレジストの加熱が減圧下で行われる。そのため、実装空間を区画する面と圧電素子との間の隙間に位置する気体が、第１ドライフィルムレジストと第２ドライフィルムレジストとの間などを通じて外部に排気される。これにより、第２ドライフィルムレジストの加熱によって隙間に位置した気体が膨張し、膨張した気体が第２ドライフィルムレジストに達することが抑えられる。結果として、第２ドライフィルムレジスト内に気泡が発生することが抑えられる。
【０００９】
上記超音波プローブの製造方法において、前記第２ドライフィルムレジストを加熱することは、前記実装空間内の排気を終了した後に、前記第２ドライフィルムレジストの加熱を終了することを含んでもよい。
【００１０】
上記構成によれば、第２ドライフィルムレジストの加熱を終了した後に実装空間内の排気を終了する場合に比べて、実装空間内に陰圧が残りにくい。
【００１１】
上記超音波プローブの製造方法において、前記実装空間を区画することは、前記第１ドライフィルムレジストに複数の前記実装空間を区画し、前記圧電素子を実装することは、各実装空間に前記圧電素子を１つずつ実装し、前記第２ドライフィルムレジストを加熱することは、前記複数の実装空間を排気することを含んでもよい。上記構成によれば、複数の実装空間を一度に排気することが可能である。
【００１２】
上記超音波プローブの製造方法において、前記実装空間を区画することは、前記実装空間を区画するための底面を前記第１ドライフィルムレジストによって閉じることを含んでもよい。
【００１３】
上記構成によれば、実装空間を区画するための底部が貫通孔を有する場合に比べて、実装空間を区画する面と圧電素子との間の隙間における排気が容易である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】一実施形態における超音波プローブの構造を示す断面図。
【図２】図１における領域Ａを拡大して示す部分拡大断面図。
【図３】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図４】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図５】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図６】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図７】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図８】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図９】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１０】図９における領域Ｂを拡大して示す部分拡大断面図。
【図１１】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１２】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１３】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１４】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１５】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１６】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【図１７】一実施形態における超音波プローブの製造方法を説明するための工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１から図１７を参照して、超音波プローブの製造方法、および、超音波プローブの一実施形態を説明する。以下では、超音波プローブの構造、および、超音波プローブの製造方法を順に説明する。
【００１６】
［超音波プローブの構造］
図１および図２を参照して、超音波プローブの構造を説明する。
図１が示すように、超音波プローブ１０は、圧電素子１１、第１ドライフィルムレジスト１２、および、第２ドライフィルムレジスト１３を備えている。本実施形態において、超音波プローブ１０は複数の圧電素子１１を有しているが、超音波プローブ１０は、圧電素子１１を１つのみ備えてもよい。
【００１７】
圧電素子１１は、表面１１Ｆを有している。第１ドライフィルムレジスト１２は、圧電素子１１を支持し、圧電素子１１を実装するための凹状の実装空間１２Ｓ１を区画している。各実装空間１２Ｓ１には、１つの圧電素子１１が実装されるため、超音波プローブ１０は、超音波プローブ１０が備える圧電素子１１の数と同数の実装空間１２Ｓ１を区画している。第２ドライフィルムレジスト１３は、圧電素子１１の表面１１Ｆと対向する平面視において、実装空間１２Ｓ１内の圧電素子１１における表面１１Ｆの一部を覆っている。
【００１８】
圧電素子１１は、例えば、ニオブ酸鉛マグネシウム‐チタン酸鉛（ＰＭＮ‐ＰＴ：Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３‐ＰｂＴｉＯ３）から形成されている。なお、圧電素子１１は、ニオブ酸鉛マグネシウム‐チタン酸鉛以外の材料から形成されてもよい。圧電素子１１は、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）から形成されてもよい。圧電素子１１の厚さは、例えば８０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００１９】
第１ドライフィルムレジスト１２は、下層レジスト１２ａと上層レジスト１２ｂとを備えている。下層レジスト１２ａは層状を有し、上層レジスト１２ｂは、下層レジスト１２ａ上に積層されている。上層レジスト１２ｂは、上層レジスト１２ｂを貫通する孔を複数備え、これにより、下層レジスト１２ａと上層レジスト１２ｂとによって凹状の実装空間１２Ｓ１が区画されている。下層レジスト１２ａの厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。上層レジスト１２ｂの厚さは、圧電素子１１の厚さと同じであることが好ましい。
【００２０】
本実施形態において、第１ドライフィルムレジスト１２は、ネガ型の感光性材料から形成されている。そのため、第１ドライフィルムレジスト１２のなかで、露光された部分における現像液に対する耐性は、露光されない部分における現像液に対する耐性よりも高められる。これにより、第１ドライフィルムレジスト１２の現像後において、第１ドライフィルムレジスト１２のなかで露光された部分のみが、超音波プローブ１０を形成する一部分として用いられる。
【００２１】
なお、第１ドライフィルムレジスト１２は、ポジ型の感光性材料から形成されてもよい。この場合には、第１ドライフィルムレジスト１２のなかで、露光された部分における現像液に対する耐性が、露光されていない部分における現像液に対する耐性よりも低くなる。これにより、第１ドライフィルムレジスト１２の現像後において、第１ドライフィルムレジスト１２のなかで露光されていない部分のみが、超音波プローブ１０を形成する一部として用いられる。
【００２２】
第１ドライフィルムレジスト１２を形成する感光性材料は、感光性材料の加熱によって、感光性材料内での架橋反応が促進される特性と、加熱によって流動性を有する特性を有している。
【００２３】
超音波プローブ１０は、圧電素子１１の表面１１Ｆと対向する平面視において、下層レジスト１２ａのほぼ全体に広がる大きさを有した第１配線１４をさらに備えている。第１配線１４の一部は、下層レジスト１２ａと上層レジスト１２ｂとによって挟まれている。超音波プローブ１０が備える全ての圧電素子１１が、第１配線１４に接続されている。
【００２４】
また、超音波プローブ１０は、圧電素子１１の表面１１Ｆと対向する平面視において、各圧電素子１１の表面１１Ｆに沿って広がる第２配線１５を備えている。第２配線１５は、１つの圧電素子１１のみに接続される配線である。超音波プローブ１０は、圧電素子１１と同数の第２配線１５を備えている。
【００２５】
第１ドライフィルムレジスト１２は、実装空間１２Ｓ１に加えて、さらに、電源に接続されるための接続配線が埋め込まれる配線空間１２Ｓ２を区画している。接続配線は、第１配線１４の一部と、上層レジスト１２ｂの貫通孔を区画する面とに沿う形状を有した薄膜配線１６と、配線空間１２Ｓ２内に充填された埋込配線１７とによって形成されている。
【００２６】
なお、第１配線１４、第２配線１５、および、薄膜配線１６は、例えば、金の薄膜、または、クロムの薄膜などによって形成される。埋込配線１７は、例えば銀ペーストによって形成される。
【００２７】
超音波プローブ１０は、さらに、第３ドライフィルムレジスト１８、および、バッキング層１９を備えている。第３ドライフィルムレジスト１８は、第２ドライフィルムレジスト１３上に位置している。圧電素子１１の表面１１Ｆと対向する平面視において、第３ドライフィルムレジスト１８は、超音波プローブ１０の外形に沿った枠状を有している。
【００２８】
第３ドライフィルムレジスト１８、および、上述した第２ドライフィルムレジスト１３は、第１ドライフィルムレジスト１２と同様、感光性材料によって形成されている。第２ドライフィルムレジスト１３、および、第３ドライフィルムレジスト１８は、第１ドライフィルムレジスト１２を形成する感光性材料と同じ感光性材料によって形成されることが好ましい。なお、第２ドライフィルムレジスト１３、および、第３ドライフィルムレジスト１８を形成する感光性材料は、第１ドライフィルムレジスト１２を形成する感光性材料と異なってもよい。第２ドライフィルムレジスト１３の厚さは、例えば２０μｍ以上４５μｍ以下である。
【００２９】
バッキング層１９は、圧電素子１１の余分な振動を抑えるための層である。バッキング層１９は、第３ドライフィルムレジスト１８が取り囲む空間を埋める形状を有している。バッキング層１９は、例えば、合成樹脂と金属の粉体との混合物によって形成される。バッキング層１９は、例えば、エポキシ樹脂とタングステンの粉体との混合物によって形成される。
【００３０】
超音波プローブ１０は、さらに、音響整合層２１と配線基板２２とを備えている。音響整合層２１は、下層レジスト１２ａにおける第１配線１４が位置する面とは反対側の面に位置している。音響整合層２１は、圧電素子１１の音響インピーダンスと、超音波の入射対象における音響インピーダンスとを整合させるための層である。音響整合層２１は、例えばポリフッ化ビニリデンなどの合成樹脂によって形成される。音響整合層２１の厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。
【００３１】
配線基板２２は、第３ドライフィルムレジスト１８およびバッキング層１９によって形成される面上に位置している。配線基板２２は、可撓性を有した基板と配線とから形成される。基板は、例えばポリイミドなどの合成樹脂によって形成される。
【００３２】
図２は、図１における領域Ａを拡大して示している。
図２が示すように、実装空間１２Ｓ１を区画する面と圧電素子１１との間には、隙間Ｇが形成されている。第２ドライフィルムレジスト１３は、隙間Ｇに充填された充填部１３ａを含んでいる。充填部１３ａは、第１ドライフィルムレジスト１２と圧電素子１１とに接している。充填部１３ａは、第２ドライフィルムレジスト１３のなかで圧電素子１１の表面１１Ｆを覆う部分から下層レジスト１２ａに向けて延びる形状を有している。これによって、充填部１３ａは隙間Ｇの一部を塞ぎ、かつ、圧電素子１１を上層レジスト１２ｂに対して固定している。
【００３３】
充填部１３ａによれば、実装空間１２Ｓ１に実装された圧電素子１１が、充填部１３ａを介して第１ドライフィルムレジスト１２に固定される。そのため、超音波プローブ１０の使用時に、実装空間１２Ｓ１内において圧電素子１１の位置が変わることが抑えられる。これにより、圧電素子１１が実装空間１２Ｓ１を区画する壁部に衝突することが抑えられ、結果として、圧電素子１１の損傷が抑えられる。
【００３４】
［超音波プローブの製造方法］
図３から図１７を参照して、超音波プローブの製造方法を説明する。
超音波プローブ１０の製造方法は、実装空間１２Ｓ１を区画すること、圧電素子１１を実装すること、第１ドライフィルムレジスト１２に第２ドライフィルムレジスト１３を積層することを含む。また、超音波プローブ１０の製造方法は、第２ドライフィルムレジスト１３を露光すること、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を開始すること、および、第２ドライフィルムレジスト１３を現像することを含む。
【００３５】
実装空間１２Ｓ１を区画することでは、圧電素子１１を支持する第１ドライフィルムレジスト１２に圧電素子１１を実装するための凹状の実装空間１２Ｓ１を区画する。圧電素子１１を実装することでは、実装空間１２Ｓ１に圧電素子１１を実装する。第１ドライフィルムレジスト１２に第２ドライフィルムレジスト１３を積層することでは、実装空間１２Ｓ１を覆うように第１ドライフィルムレジスト１２に第２ドライフィルムレジスト１３を積層する。第２ドライフィルムレジスト１３を露光することでは、積層後の第２ドライフィルムレジスト１３を露光する。第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を開始することでは、実装空間１２Ｓ１の排気中に、露光後の第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を開始する。第２ドライフィルムレジスト１３を現像することでは、加熱後の第２ドライフィルムレジスト１３を現像する。以下、図３から図１７を参照して、超音波プローブ１０の製造方法をより詳しく説明する。
【００３６】
図３が示すように、超音波プローブ１０を製造する際には、まず、支持体を準備する。支持体は、支持基板３１と、支持基板３１の１つの面に位置する剥離シート３２とから形成される。次いで、剥離シート３２上に、下層レジスト１２ａを貼り付ける。下層レジスト１２ａは、１枚のドライフィルムレジストである。そして、下層レジスト１２ａの全体を露光する。続いて、下層レジスト１２ａを加熱することによって、下層レジスト１２ａ内における反応を促進した後に、下層レジスト１２ａを現像する。
【００３７】
図４が示すように、下層レジスト１２ａにおける剥離シート３２に接する面とは反対側の面に、第１配線１４を形成する。剥離シート３２と第１配線１４とが積み重なる方向から見て、第１配線１４は、下層レジスト１２ａのほぼ全体を覆う大きさを有している。第１配線１４を形成する方法には、例えば、スパッタ法、または、真空蒸着法などを用いることができる。
【００３８】
図５が示すように、下層レジスト１２ａと上層レジスト１２ｂとによって第１配線１４を挟むように、下層レジスト１２ａ上に上層レジスト１２ｂを貼り付ける。次いで、上層レジスト１２ｂに対して、露光、加熱、および、現像を記載の順に行うことによって、上層レジスト１２ｂをパターニングする。これにより、第１ドライフィルムレジスト１２に、複数の実装空間１２Ｓ１、および、配線空間１２Ｓ２が区画される。このように、本実施形態において、実装空間１２Ｓ１を区画することでは、第１ドライフィルムレジスト１２に複数の実装空間１２Ｓ１が区画される。
【００３９】
下層レジスト１２ａがフィルム状を有するため、実装空間１２Ｓ１を区画する際には、実装空間１２Ｓ１を区画するための底面が第１ドライフィルムレジスト１２によって閉じられる。それゆえに、実装空間１２Ｓ１を区画するための底部が貫通孔を有する場合に比べて、実装空間１２Ｓ１を区画する面と圧電素子１１との間の隙間Ｇにおける排気が容易である。
【００４０】
図６が示すように、実装空間１２Ｓ１に圧電素子１１を実装する。本実施形態において、圧電素子１１を実装することでは、各実装空間１２Ｓ１に圧電素子１１を１つずつ実装する。なお、第１ドライフィルムレジスト１２の厚さ方向において、実装空間１２Ｓ１に実装された圧電素子１１の全体が、上層レジスト１２ｂによって囲まれることが好ましい。そのため、上層レジスト１２ｂの厚さは、圧電素子１１の厚さとほぼ等しいことが好ましい。
【００４１】
図７が示すように、第２ドライフィルムレジスト１３を第１ドライフィルムレジスト１２上に積層し、第２ドライフィルムレジスト１３を第１ドライフィルムレジスト１２に貼り付ける。この際に、第２ドライフィルムレジスト１３が、第１ドライフィルムレジスト１２が区画する実装空間１２Ｓ１、および、配線空間１２Ｓ２を覆うように、第２ドライフィルムレジスト１３を第１ドライフィルムレジスト１２に貼り付ける。
【００４２】
図８が示すように、露光装置４１を用いて第２ドライフィルムレジスト１３を露光する。この際に、第２ドライフィルムレジスト１３上にマスク４２を位置させた状態で、第２ドライフィルムレジスト１３を露光する。マスク４２は、高透過部４２ａと低透過部４２ｂとを備えている。本実施形態において、第２ドライフィルムレジスト１３は、ネガ型の感光性材料によって形成されている。第１ドライフィルムレジスト１２の厚さ方向から見て、第２ドライフィルムレジスト１３のなかで超音波プローブ１０の一部として用いる部分には高透過部４２ａが重なり、かつ、第２ドライフィルムレジスト１３のなかで超音波プローブ１０の一部として用いない部分には低透過部４２ｂが重なる。
【００４３】
図９が示すように、加熱装置４３を用いて第２ドライフィルムレジスト１３を加熱する。加熱装置４３は、処理槽４３ａ、加熱部４３ｂ、ガス供給部４３ｃ、および、排気部４３ｄを備えている。処理槽４３ａは、第２ドライフィルムレジスト１３を含む加熱対象を収容する。加熱部４３ｂは、第２ドライフィルムレジスト１３を加熱する。加熱部４３ｂには、例えば赤外線ランプなどを用いることができる。ガス供給部４３ｃは、処理槽４３ａ内に不活性ガスを所定の流量で供給する。不活性ガスには、例えばアルゴンガスなどを用いることができる。排気部４３ｄは、処理槽４３ａ内の流体を排気することによって、ガス供給部４３ｃとともに処理槽４３ａ内を所定の圧力に保つ。
【００４４】
第２ドライフィルムレジスト１３は、露光部１３ｅと非露光部１３ｎとを備えている。第２ドライフィルムレジスト１３の加熱によって、露光部１３ｅでは、感光性材料における架橋反応が促進される一方で、非露光部１３ｎでは、感光性材料における架橋反応が促進されない。
【００４５】
図１０は、図９における領域Ｂを拡大して示している。
図１０が示すように、実装空間１２Ｓ１内において、実装空間１２Ｓ１を区画する面と、圧電素子１１との間には隙間Ｇが形成されている。実装空間１２Ｓ１に対する圧電素子１１の実装は大気圧雰囲気において行われるため、隙間Ｇには、気体ＧＳが位置している。第２ドライフィルムレジスト１３を加熱する際には、加熱対象が収容された空間が排気部４３ｄによって排気される。すなわち、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱が減圧下で行われる。そのため、隙間Ｇに位置する気体ＧＳは、上層レジスト１２ｂと第２ドライフィルムレジスト１３との間の隙間などを通じて、隙間Ｇの外部に排気される。これにより、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱によって隙間Ｇに位置した気体ＧＳが膨張し、膨張した気体ＧＳが第２ドライフィルムレジスト１３に達することが抑えられる。結果として、第２ドライフィルムレジスト１３内に気泡が発生することが抑えられる。
【００４６】
また、加熱された第２ドライフィルムレジスト１３は流動性を有するため、隙間Ｇから気体ＧＳが排気されて、隙間Ｇが陰圧になること、および、第２ドライフィルムレジスト１３の自重によって、第２ドライフィルムレジスト１３の一部が、隙間Ｇ内に流れ込む。これにより、第２ドライフィルムレジスト１３の充填部１３ａが形成される。
【００４７】
なお、第２ドライフィルムレジスト１３を加熱は、実装空間１２Ｓ１内の排気を終了した後に終了されてもよい。この場合には、例えば、加熱装置４３において、まず、処理槽４３ａ内の圧力が、減圧された状態から大気圧に戻される。これにより、実装空間１２Ｓ１内の排気が終了される。次いで、加熱部４３ｂによる第２ドライフィルムレジスト１３の加熱が終了される。これにより、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を終了した後に実装空間１２Ｓ１内の排気を終了する場合に比べて、実装空間１２Ｓ１内に陰圧が残りにくい。
【００４８】
また、第１ドライフィルムレジスト１２は、複数の実装空間１２Ｓ１を有するため、第２ドライフィルムレジスト１３を加熱することでは、複数の実装空間１２Ｓ１が排気される。そのため、複数の実装空間１２Ｓ１を一度に排気することが可能である。
【００４９】
図１１が示すように、第２ドライフィルムレジスト１３が現像されることによって、第２ドライフィルムレジスト１３のなかで、非露光部１３ｎが取り除かれる。これにより、第２ドライフィルムレジスト１３がパターニングされる。上述したように、第２ドライフィルムレジスト１３が加熱される際には、実装空間１２Ｓ１内が排気される。これにより、現像後の第２ドライフィルムレジスト１３内に、上述した隙間Ｇに位置する気体ＧＳに起因した気泡が含まれることが抑えられる。
【００５０】
これに対して、図１２が示すように、実装空間１２Ｓ１の排気を行わずに第２ドライフィルムレジスト１３を加熱した場合には、隙間Ｇに位置する気体ＧＳが膨張することによって、気体ＧＳが、下層レジスト１２ａから第２ドライフィルムレジスト１３に向かう方向に沿って、隙間Ｇ内から押し出される。このとき、第２ドライフィルムレジスト１３は流動性を有している。そのため、第２ドライフィルムレジスト１３に達した気体ＧＳは、第２ドライフィルムレジスト１３内に取り込まれることによって、第２ドライフィルムレジスト１３内において気泡１３ｂ１を生じさせたり、第２ドライフィルムレジスト１３の表面を盛り上がらせるような気泡１３ｂ２を生じさせたりする。こうした第２ドライフィルムレジスト１３が現像されることによって、気泡１３ｂ１，１３ｂ２を有した第２ドライフィルムレジスト１３が形成されてしまう。
【００５１】
図１３が示すように、各圧電素子１１の表面１１Ｆを覆う第２配線１５、および、配線空間１２Ｓ２を区画する面を覆う薄膜配線１６を形成する。第２配線１５および薄膜配線１６を形成する際には、まず、圧電素子１１の表面１１Ｆと対向する方向から見て、圧電素子１１の表面１１Ｆを含む面の全体に金属製の薄膜を形成する。金属製の薄膜は、例えば、金の薄膜、または、クロムの薄膜である。薄膜の形成には、スパッタ法または真空蒸着法を用いることができる。
【００５２】
次いで、金属製の薄膜をエッチングするためのマスクを薄膜上に形成する。そして、マスクを用いた薄膜のエッチングを行うことによって、複数の第２配線１５、および、薄膜配線１６を形成することができる。
【００５３】
図１４が示すように、配線空間１２Ｓ２に内に銀ペーストを埋め込む。これにより、配線空間１２Ｓ２内に、埋込配線１７を形成する。
図１５が示すように、第２ドライフィルムレジスト１３上に第３ドライフィルムレジスト１８を形成する。第３ドライフィルムレジスト１８を形成する際には、まず、第２ドライフィルムレジスト１３の厚さ方向から見て、第２ドライフィルムレジスト１３、第２配線１５、薄膜配線１６、および、埋込配線１７を含む面の全体に第３ドライフィルムレジスト１８を貼り付ける。次いで、第３ドライフィルムレジスト１８に対して、露光、加熱、および、現像を記載の順に行う。これにより、圧電素子１１の表面１１Ｆと対向する平面視において、第２ドライフィルムレジスト１３、複数の圧電素子１１、および、接続配線を取り囲む枠状を有した第３ドライフィルムレジスト１８が形成される。
【００５４】
図１６が示すように、合成樹脂と金属の粉体との混合物を第３ドライフィルムレジスト１８が取り囲む領域内に充填する。本実施形態では、エポキシ樹脂とタングステンの粉体との混合物を第３ドライフィルムレジスト１８が取り囲む領域内に充填する。次いで、混合物を硬化させることによって、バッキング層１９が形成される。
【００５５】
図１７が示すように、下層レジスト１２ａから剥離シート３２を剥離する。次いで、下層レジスト１２ａにおける第１配線１４が位置する面とは反対側の面に音響整合層２１を貼り付け、かつ、第３ドライフィルムレジスト１８およびバッキング層１９によって形成される面に配線基板２２を貼り付ける。これにより、図１を参照して先に説明した超音波プローブ１０を得ることができる。
【００５６】
超音波プローブ１０が橈骨動脈の血管径を測定するために用いられる場合には、超音波プローブ１０は、例えば、被検者の手首に装着される。次いで、配線基板２２を通じて各圧電素子１１にパルス電圧が印加され、これにより、圧電素子１１が超音波を発振する。そして、圧電素子１１が、橈骨動脈において生じた反射波により振動する。続いて、圧電素子１１の振動が電気信号に変換されることによって反射波が計測され、計測された反射波に基づき、橈骨動脈の血管径が算出される。
【００５７】
以上説明したように、超音波プローブの製造方法、および、超音波プローブの一実施形態によれば、以下に記載の効果を得ることができる。
（１）第２ドライフィルムレジスト１３の加熱が減圧下で行われる。そのため、実装空間１２Ｓ１を区画する面と圧電素子１１との間の隙間Ｇに位置する気体ＧＳが、第１ドライフィルムレジスト１２と第２ドライフィルムレジスト１３との間などを通じて外部に排気される。これにより、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱によって隙間Ｇに位置した気体ＧＳが膨張し、膨張した気体ＧＳが第２ドライフィルムレジスト１３に達することが抑えられる。結果として、第２ドライフィルムレジスト１３内に気泡が発生することが抑えられる。
【００５８】
（２）第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を終了した後に実装空間１２Ｓ１内の排気を終了する場合に比べて、実装空間１２Ｓ１内に陰圧が残りにくい。
（３）複数の実装空間１２Ｓ１を一度に排気することが可能である。
【００５９】
（４）実装空間１２Ｓ１を区画するための底部が貫通孔を有する場合に比べて、実装空間１２Ｓ１を区画する面と圧電素子１１との間の隙間Ｇにおける排気が容易である。
なお、上述した実施形態は、以下のように変更して実施することができる。
【００６０】
［第２ドライフィルムレジストの加熱］
・実装空間１２Ｓ１の排気中とは、排気の開始から排気の終了までの期間である。そのため、第２ドライフィルムレジスト１３を加熱する際には、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱と、実装空間１２Ｓ１の排気とを同時に終了してもよい。あるいは、第２ドライフィルムレジスト１３を加熱する際には、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を、実装空間１２Ｓ１の排気を終了した後に終了してもよい。またあるいは、実装空間１２Ｓ１の排気と第２ドライフィルムレジスト１３の加熱とを同時に開始してもよいし、互いに異なるタイミングで開始してもよい。これらのいずれの場合であっても、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を実装空間１２Ｓ１の排気中に開始するため、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００６１】
［圧電素子］
・上述したように、超音波プローブ１０は、圧電素子１１を１つのみ備えてもよい。この場合であっても、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を実装空間１２Ｓ１の排気中に開始することによって、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００６２】
［下層レジスト］
・下層レジスト１２ａは、下層レジスト１２ａの厚さ方向から見て、圧電素子１１と重なる部分の一部に、厚さ方向において下層レジスト１２ａを貫通する孔を有してもよい。この場合であっても、圧電素子１１の実装後において、実装空間１２Ｓ１を区画する面と圧電素子１１との間の隙間Ｇには気体ＧＳが位置する。そのため、第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を実装空間１２Ｓ１の排気中に開始することによって、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【００６３】
［第１ドライフィルムレジスト］
・第１ドライフィルムレジスト１２は、単一のドライフィルムレジストから形成されてもよい。この場合であっても、第１ドライフィルムレジスト１２に圧電素子を実装するための凹状の実装空間を区画し、実装空間の排気中に第２ドライフィルムレジスト１３の加熱を開始することによって、上述した（１）に準じた効果を得ることはできる。
【符号の説明】
【００６４】
１０…超音波プローブ、１１…圧電素子、１１Ｆ…表面、１２…第１ドライフィルムレジスト、１２ａ…下層レジスト、１２ｂ…上層レジスト、１２Ｓ１…実装空間、１２Ｓ２…配線空間、１３…第２ドライフィルムレジスト、１３ａ…充填部、１３ｂ１，１３ｂ２…気泡、１３ｅ…露光部、１３ｎ…非露光部、１４…第１配線、１５…第２配線、１６…薄膜配線、１７…埋込配線、１８…第３ドライフィルムレジスト、１９…バッキング層、２１…音響整合層、２２…配線基板、３１…支持基板、３２…剥離シート、４１…露光装置、４２…マスク、４２ａ…高透過部、４２ｂ…低透過部、４３…加熱装置、４３ａ…処理槽、４３ｂ…加熱部、４３ｃ…ガス供給部、４３ｄ…排気部、Ｇ…隙間、ＧＳ…気体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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