(57)【要約】      （修正有）【課題】副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができるＴＣＤジアミンの製造方法を提供する。【解決手段】ＴＣＤジアルデヒドと保護基Ｒ１−ＮＨ２で表される化合物を混合してＴＣＤジアルデヒドをイミノ化することにより、２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、前記２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を接触還元して２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、及び前記２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を脱保護してＴＣＤジアミンを得ること、を含む、ＴＣＤジアミンの製造方法。2020063207.tif 000013【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＣＤジアルデヒドと以下の一般式（Ｉ）で表される化合物を混合してＴＣＤジアルデヒドをイミノ化することにより、２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、
【化１】
2020063207.tif 000012
（式中Ｒ１は保護基を表す）
前記２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を接触還元して２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、及び
前記２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を脱保護してＴＣＤジアミンを得ること、
を含む、ＴＣＤジアミンの製造方法。
【請求項２】
前記Ｒ１がベンジル基又はｐ−メトキシベンジル基である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記脱保護が前記接触還元とは異なる条件下で還元的に行われる、請求項１又は請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
アンモニアを添加しない、請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記接触還元における反応温度が７０℃以下である、請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記脱保護における反応温度が８０℃以上である、請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記接触還元においてＰｄ／Ｃ触媒を用いる、請求項１〜請求項６のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
ＤＣＰＤ、第ＶＩＩＩ族遷移金属又はその錯体、前記第ＶＩＩＩ族遷移金属に配位するリン原子含有配位子及び溶媒を含む混合物に、一酸化炭素及び水素を供給し、加熱及び加圧下で反応させることにより、前記ＴＣＤジアルデヒドを得ることをさらに含む、請求項１〜請求項７のうちいずれか一項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＴＣＤジアミンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＣＤジアミン（３（４），８（９）−ビスアミノメチル−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン）は、種々の合成用途に使用可能な化合物であって、例えば、熱硬化性被覆材料、歯科用修復材料などに用いることができる。
【０００３】
特許文献１は、ＤＣＰＤ（ジシクロペンタジエン）を２段階でヒドロホルミル化する、ＴＣＤジアルデヒド（３（４），８（９）−ビスホルミル−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン）の合成方法を開示しており、特許文献２はＴＣＤジアルデヒドからアンモニアを用いてＴＣＤジアルデヒドを製造する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１３９１８１号公報
【特許文献２】特開２００５−１３９１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＣＤジアルデヒドからＴＣＤジアミンを製造する場合、還元（水素添加）及びアンモニアの添加により、２つのホルミル基をそれぞれアミノ基に変換することが一般的である。例えば、特許文献２に記載のＴＣＤジアミンの製造方法においては、ｎ−ブチルアミンを用いてＴＣＤジアルデヒドのホルミル基をアゾメチンに変換し、これを大過剰のアンモニアと還元的条件下で反応させることによりＴＣＤジアミンを生成すると共にｎ−ブチルアミンを再生する。この反応においては、アゾメチン中のｎ−ブチルイミノ基部分が、アンモニア由来の無置換イミノ基へと求核置換されると共に、水素添加によりアミノ基が生成する。
【０００６】
このようにアンモニアの窒素原子を用いてＴＣＤジアミンを製造する方法においては、目的化合物であるＴＣＤジアミン以外の化合物が副生し、製造機器の内部に付着する傾向がある。このような副生成物の付着は、アンモニアが気体であることから気相、液相共に生じる傾向にある。副生成物の付着が起こると、製造機器の洗浄が必要になったり、反応産物の排出に支障をきたしたりする傾向にある。
【０００７】
本発明者等は、鋭意検討の結果、ＴＣＤジアミンの製造プロセスを工夫することで上記副生成物の生成を抑制することができることを見出した。一つの観点によれば、本発明は副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができるＴＣＤジアミンの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示は以下の態様を含む。
＜１＞  ＴＣＤジアルデヒドと以下の一般式（Ｉ）で表される化合物を混合してＴＣＤジアルデヒドをイミノ化することにより、２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、
【化１】
2020063207.tif 000002
（式中Ｒ１は保護基を表す）
前記２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を接触還元して２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、及び
前記２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を脱保護してＴＣＤジアミンを得ること、
を含む、ＴＣＤジアミンの製造方法。
＜２＞  前記Ｒ１がベンジル基又はｐ−メトキシベンジル基である、＜１＞に記載の製造方法。
＜３＞  前記脱保護が前記接触還元とは異なる条件下で還元的に行われる、＜１＞又は＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞  アンモニアを添加しない、＜１＞〜＜３＞のうちいずれか１つに記載の製造方法。
＜５＞  前記接触還元における反応温度が７０℃以下である、＜１＞〜＜４＞のうちいずれか１つに記載の製造方法。
＜６＞  前記脱保護における反応温度が８０℃以上である、＜１＞〜＜５＞のうちいずれか１つに記載の製造方法。
＜７＞  前記接触還元においてＰｄ／Ｃ触媒を用いる、＜１＞〜＜６＞のうちいずれか１つに記載の製造方法。
＜８＞  ＤＣＰＤ、第ＶＩＩＩ族遷移金属又はその錯体、前記第ＶＩＩＩ族遷移金属に配位するリン原子含有配位子及び溶媒を含む混合物に、一酸化炭素及び水素を供給し、加熱及び加圧下で反応させることにより、前記ＴＣＤジアルデヒドを得ることをさらに含む、＜１＞〜＜７＞のうちいずれか１つに記載の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができるＴＣＤジアミンの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】アンモニアを用いてＴＣＤジアミンを製造する方法において発生する、製造機器の内部に付着した副生成物の一例を示す図である。
【図２】アンモニアを用いてＴＣＤジアミンを製造する方法において発生する、製造機器の内部に付着した副生成物の一例を示す図である。
【図３】ＴＣＤジアルデヒドのＩＲスペクトルである。
【図４】ベンジルアミンのＩＲスペクトルである。
【図５】ＴＣＤジアルデヒドとベンジルアミンとの混合物のＩＲスペクトルである。
【図６Ａ】実施例１におけるＴＣＤジアミン製造後のオートクレーブの内壁の様子を示す図である。
【図６Ｂ】実施例１におけるＴＣＤジアミン製造後の撹拌羽根の様子を示す図である。
【図６Ｃ】実施例１で得られた濾過後の反応マスの様子を示す図である。
【図７】実施例１における温度及び圧力のプロファイルを示す図である。
【図８】実施例１で得られた濾過後の反応マスをガスクロマトグラフで分析した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
ＴＣＤジアルデヒドからアンモニアを用いてＴＣＤジアミンを製造する方法においては、前述のとおり、製造機器の内部にＴＣＤジアミン以外の副生成物が付着する。特に、反応系をスケールアップすると気液の吸収速度等の関係で反応速度が遅くなる傾向にあり、そのような場合に副生成物の付着はより顕著になる。製造機器の内部に付着した副生成物の一例を図１及び図２に示す。図１及び図２に示されるように、オートクレーブの内壁における気相部分、液相部分のどちらにも副生成物が付着している。このような副生成物の付着により、製造機器の洗浄が必要になる、反応産物の製造機器からの排出に支障をきたすなどの問題が生じる傾向にある。
【００１２】
本発明者が副生成物の生成過程について分析したところ、副生成物の生成は、ホルミル基とアンモニアとの反応によるイミン構造形成及び前記イミン構造の還元によるアミノ基形成において、前記アミノ基がカルボニル炭素又はイミン部分の炭素に求核付加することにより生じることが分かった。副生成物の副生機構を以下に示す。
【００１３】
【化２】
2020063207.tif 000003
【００１４】
ルートＡにおいては、ＴＣＤジアミンのアミノ基のうち一方又はＴＣＤモノアミン（イミノ基は１つ残っている）のアミノ基がＴＣＤジアルデヒドのホルミル基に対して求核付加してイミノ基を介したＴＣＤの二量体を形成し、これが水素添加されて副生成物を生成する。この反応はさらに繰り返すことにより、より多量体化しうる。ルートＡによる副生成物は、アルデヒド又はイミン構造を多く含み且つ白色固形物を形成する高沸点の物質である。ルートＡによる副生成物は気相部で多く生じる。
ルートＢにおいては、ＴＣＤジアルデヒドとアンモニア２分子との反応により２つのイミノ基を有するＴＣＤ化合物が生じた後に、この化合物の２つのイミノ基のうち一方のイミノ基のみが還元された中間体化合物（ＴＣＤモノアミン）のアミノ基が、前記２つのイミノ基を有するＴＣＤ化合物のいずれかのイミノ基の炭素に求核付加する、又はＴＣＤジアミンのいずれかのアミノ基が前記中間体化合物のイミノ基の炭素に求核付加することにより、副生成物が生成する。ルートＢによる副生成物はアミン構造を多く含み且つ黒色固形物を形成する高沸点の物質である。
【００１５】
ＴＣＤ母核に結合した一級アミノ基は、上述のとおりホルミル基又はイミノ基の炭素に求核付加し、上記ルートＡ及びルートＢで説明したような副生成物を生成することを本発明者は見出した。この問題に対して、本発明者は保護基によりアミノ基を保護することでアミノ基とホルミル基又はイミノ基との反応を抑制し、副生成物の生成を抑制することを考案した。保護基が結合することによって、アミノ基の窒素原子の周囲の空間は保護基によって少なくとも部分的には遮蔽され、このためアミノ基は求核反応しにくくなる。また、この保護基は２つのイミノ基を有するＴＣＤ化合物及び前記中間体化合物のイミノ基の窒素原子上にも存在しているため、保護基が結合したアミノ基がイミノ基に接近することはさらに抑制される。とはいえ、目的物質であるＴＣＤジアミンを得るためには最終的には上記保護基を除去しなければならない。本発明者はさらに、上記保護基を外して一級アミノ基とする段階では既にホルミル基やイミノ基が存在しないように反応を複数の段階に分けて行うことを考案した。
【００１６】
本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法は、
工程（Ａ）ＴＣＤジアルデヒドと以下の一般式（Ｉ）で表される化合物を混合してＴＣＤジアルデヒドをイミノ化することにより、２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、
【化３】
2020063207.tif 000004
（式中Ｒ１は保護基を表す）
工程（Ｂ）前記２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を接触還元して２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を得ること、及び
工程（Ｃ）前記２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を脱保護してＴＣＤジアミンを得ること、
を含む。
本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法を用いることにより、前記副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができる。保護基を有するイミノ基を接触還元して保護基を有するアミノ基を生成する工程（Ｂ）は、脱保護により一級アミノ基が生成する工程（Ｃ）とは別の工程となっており、このため求核反応を容易に起こすＴＣＤジアミン又はＴＣＤモノアミンの一級アミノ基がホルミル基又はイミノ基の炭素原子に求核攻撃して多量化することを防ぐことができる。本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法においては、アンモニアを添加しないか又は添加する場合であってもその量を微量にすることが好ましく、アンモニアを添加しないことがより好ましい。少なくとも工程（Ａ）及び工程（Ｂ）においてはアンモニアを添加しないことが好ましく、工程（Ａ）〜工程（Ｃ）の全てにおいてアンモニアを添加しないことがより好ましい。
【００１７】
以下、本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法について詳述する。
本開示において、ＴＣＤジアミンとは、以下の構造の３（４），８（９）−ビスアミノメチル−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンを表す。
【００１８】
【化４】
2020063207.tif 000005
【００１９】
また、本開示において、ＴＣＤジアルデヒドとは、以下の構造の３（４），８（９）−ビスホルミル−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカンを表す。
【００２０】
【化５】
2020063207.tif 000006
【００２１】
また、本開示において、ＤＣＰＤとは、以下の構造のジシクロペンタジエンを表す。
【００２２】
【化５】
2020063207.tif 000007
【００２３】
さらに、本開示において、ＴＣＤ化合物とは、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン骨格を有する化合物を表す。また、本開示における反応の温度の記載は、特に断りの無い限り内温、つまり反応溶液の温度を指す。
【００２４】
＜ＴＣＤジアルデヒド＞
ＴＣＤジアルデヒドは例えば特許文献１（特開２００５−１３９１８１号公報）に記載の方法により製造することができる。また、市販品を用いてもよい。
【００２５】
＜一般式（Ｉ）で表される化合物＞
一般式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ１で表される保護基がアミノ基に結合した構成を有している。Ｒ１で表される保護基としては、アミノ基に安定的に結合できる有機基（水素は除く）であれば特に限定されないが、炭化水素基を挙げることができ、より具体的には、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、置換基として脂環式炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、置換基として脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基、置換基として芳香族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基等を挙げることができる。上記炭化水素基を構成する炭素数は、１〜３０が好ましい。
【００２６】
上記脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基が挙げられる。これら脂肪族炭化水素基の炭素数は、１５以下であってもよく、１０以下であってもよく、５以下であってもよい。また、脂肪族炭化水素基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。具体的には、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、１−メチルデシル基、ドデシル基、１−メチルウンデシル基、１−エチルデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、tert−ドデシル基、ペンタデシル基、１−ヘプチルオクチル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等を挙げることができる。アルケニル基としては、例えば、エテニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１，３−ブタジエニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−エチル−２−ブテニル基、２−オクテニル基、（４−エテニル）−５−ヘキセニル基、２−デセニル基等を挙げることができる。またアルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、１−ブチニル基、１−ペンチニル基、３−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−エチル-２−ブチニル基、２−オクチニル基、（４−エチニル）−５−ヘキシニル基、２−デシニル基等を挙げることができる。
【００２７】
上記脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜３０の脂環式炭化水素基が好ましい。脂環式炭化水素基としては、具体的には、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、縮合多環炭化水素基、橋かけ環炭化水素基、スピロ炭化水素基、環状テルペン炭化水素基等を挙げることができる。より具体的には、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；１−シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基；トリシクロデカニル基、デカヒドロ−２−ナフチル基、アダマンチル基等の縮合多環炭化水素基；トリシクロ［５．２．１．０2,6］デカン−８−イル基、ペンタシクロペンタデカニル基、イソボニル基、ジシクロペンテニル基、トリシクロペンテニル基等の橋かけ環炭化水素基；スピロ［３，４］ヘプタン、スピロ[３，４]オクタンから水素原子を１つ除いた１価の基等のスピロ炭化水素基；ｐ−メンタン、ツジャン、カラン等から水素原子を１つ除いた１価の基等の環状テルペン炭化水素基等を挙げることができる。前記シクロアルキル基及びシクロアルケニル基においては、炭素数が３〜１２であってもよい。
【００２８】
置換基として脂環式炭化水素基を有する上記脂肪族炭化水素基としては、脂環式飽和炭化水素基で置換されたアルキル基が好ましい。脂環式炭化水素置換脂肪族炭化水素基の総炭素数としては、４〜２０が好ましく、６〜１４がより好ましい。置換基として脂環式炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基における脂環式炭化水素基及び脂肪族炭化水素基は、それぞれ、上記の例の中から任意のものを選択してもよい。具体的には、シクロプロピルメチル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基等を挙げることができる。
上記芳香族炭化水素基としては、炭素数が６〜２０のものが好ましく、６〜１０のものがより好ましい。芳香族炭化水素基としては、アリール基が挙げられ、例えば、単環〜３環式芳香族炭化水素基が挙げられ、具体的には、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、アズレニル基、９−フルオレニル基等を挙げることができる。
【００２９】
置換基として脂肪族炭化水素基を有する上記芳香族炭化水素基としては、総炭素数が７〜３０のものが好ましく、７〜２０のものがより好ましい。置換基として脂肪族炭化水素基を有する芳香族炭化水素基における脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基は、それぞれ、上記の例の中から任意のものを選択してもよい。具体的には、アルキル置換アリール基を挙げることができ、アルキル置換フェニル基等が好ましい。具体的には、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、キシリル基等を挙げることができる。
置換基として芳香族炭化水素基を有する上記脂肪族炭化水素基としては、総炭素数が７〜３０のものが好ましく、７〜２０のものがより好ましい。置換基として芳香族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基における芳香族炭化水素基及び脂肪族炭化水素基は、それぞれ、上記の例の中から任意のものを選択してもよい。具体的には、ベンジル基、２−フェニルエチル基（フェネチル基）、３−フェニルプロピル基、１−ナフチルメチル基、シンナミル基等を挙げることができる。
【００３０】
Ｒ１で表される保護基としては、さらに、複素環基、アセトニル基、フェナシル基等を例示することができる。前記複素環基としては、炭素数３〜１０の１価の複素環基が挙げられ、具体的には、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペリジル基、ピペリジノ基、ピペラジニル基、ホモピレラジニル基、モルホリニル基、テオモルホリニル基、１，３−ジオキソラン−２−イル基等の脂環式複素環基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、キノリル基、イソキノリル基、フタラジニル基、ナフチリジニル基、キノキサリニル基、チエニル基、フリル基、ピラニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾイル基、テトラゾリル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、インドリル基、インダゾリル基、ペンゾイミダゾリル基、プリニル基、フタルイミド基等の芳香族複素環基を挙げることができる。
【００３１】
Ｒ１で表される保護基のさらなる例としては、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、ホルミル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、トリアルキルシリル基、等を挙げることができる。 前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。ジアルキルアミノ基としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等を、ジアリールアミノ基としては、ジフェニルアミノ基等を、それぞれ挙げることができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を、アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基等を、それぞれ挙げることができる。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基等を、アリールチオ基としては、フェニルチオ基等を、それぞれ挙げることができる。トリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基等を挙げることができる。
【００３２】
一つの実施形態においては、Ｒ１で表される保護基は電子吸引性保護基である。Ｒ１で表される保護基が電子吸引性保護基である場合には、アミノ基上の電子を吸引するためアミノ基は求核性を低下させ、上記副反応の発生はさらに減少する。本開示において、電子吸引性保護基とはハメットの置換基定数σｐの値が０より大きい保護基を指し、ハメットの置換基定数σｐの値は好ましくは０．２以上であり、例えば０．２５以上であってもよく、０．３以上であってもよく、０．３５以上であってもよく、０．４以上であってもよく、０．４５以上であってもよく、０．５以上であってもよく、０．５５以上であってもよく、０．６以上であってもよい。ここで、ハメットの置換基定数σｐは、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９１年，９１巻，１６５〜１９５ページなどに記載されている。
【００３３】
前記電子吸引性保護基は、例えば、カルバメート系保護基、ニトロベンゼンスルホニル系保護基、スルホニル系保護基である。
カルバメート系保護基としては、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基（Ｂｏｃ）、アリルオキシカルボニル基（Ａｌｌｏｃ）、ベンジルオキシカルボニル基（Ｃｂｚ）、メチルオキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基（Ｔｒｏｃ）、９−フルオレニルメチルオキシカルボニル基（Ｆｍｏｃ）、２−（トリメチルシリル）エトキシカルボニル基（Ｔｅｏｃ）などが挙げられる。
【００３４】
ニトロベンゼンスルホニル系保護基としては、２−ニトロベンゼンスルホニル基、４−ニトロベンゼンスルホニル基、２，４−ジニトロベンゼンスルホニル基などが挙げられる。
スルホニル系保護基としては、メタンスルホニル基、ｐ−トルエンスルホニル基、ｏ−ニトロベンゼンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基などが挙げられる。
【００３５】
別の実施形態においては、Ｒ１で表される保護基は、芳香族炭化水素基、又は置換基として芳香族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基である。このような保護基は、アミノ基の反応に対して大きな立体障害を生じさせるため、上記副反応をより効果的に抑制することができる。置換基として芳香族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基の一例として、Ｒ１で表される保護基はベンジル系保護基であることもまた好ましい。ベンジル系保護基としては、ベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、トリチル基などが挙げられる。
ベンジル系保護基としては、ベンジル基又はｐ−メトキシベンジル基がより好ましく、ベンジル基がさらに好ましい。ベンジル基などのベンジル系保護基は還元反応により脱保護することができるが、工程（Ｂ）における接触還元の条件及び工程（Ｃ）における脱保護の還元条件を適切に設定することにより、工程（Ｂ）では脱保護を実質的に起こさせず、工程（Ｂ）の後に還元条件を強化することによって工程（Ｃ）においてのみ選択的に脱保護を生じさせることができる。工程（Ｂ）においては、例えば、工程（Ｂ）開始時におけるＴＣＤ化合物の保護されたイミノ基のモル数に対する、工程（Ｂ）終了時におけるＴＣＤ化合物のアミノ基のうち脱保護されているもののモル数の割合が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、１％以下であることがさらに好ましく、０．５％以下であることが一層好ましい。
【００３６】
さらに、保護基がベンジル基である場合には、脱保護により生成するのはトルエンである。トルエンは一般的な溶媒であって、脱保護により生じたトルエンは生成したＴＣＤジアミンから容易に分離することができる。
【００３７】
＜溶媒＞
工程（Ａ）において、ＴＣＤジアルデヒドと一般式（Ｉ）で表される化合物を混合する際には、所望により他の物質も混合してもよい。例えば溶媒を共存させることができる。ＴＣＤジアルデヒドはある程度の極性を有するため、溶媒も極性を有する方がＴＣＤジアルデヒドを溶解させる上で有利である。この観点から、溶媒としては、例えば２５℃における比誘電率が５．０以上、好ましくは１０．０以上の溶媒が挙げられ、より具体的にはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、アセトン、テトラヒドロフランなどを挙げることができる。
【００３８】
＜工程（Ａ）における反応条件＞
工程（Ａ）において、一般式（Ｉ）で表される化合物とＴＣＤジアルデヒドとの量の比としては、ＴＣＤジアルデヒドのイミノ化を十分に進めつつ原料の無駄を少なくする観点から、一般式（Ｉ）で表される化合物のモル数／ＴＣＤジアルデヒドのモル数の値が２〜２０であることが好ましく、３〜１０であることがより好ましい。
また、工程（Ａ）における一般式（Ｉ）で表される化合物、ＴＣＤジアルデヒド、及び任意に含まれる溶媒を含む反応溶液中における一般式（Ｉ）で表される化合物の量は、前記反応溶液の全質量に対して２質量％〜８０質量％であってもよく、より具体的には５質量％〜５０質量％であってもよく、さらに具体的には１０質量％〜３０質量％であってもよい。また、前記反応溶液中におけるＴＣＤジアルデヒドの量は、前記反応溶液の全質量に対して０．５質量％〜６０質量％であってもよく、より具体的には２質量％〜４０質量％であってもよく、さらに具体的には３質量％〜１５質量％であってもよい。
前記反応溶液中における溶媒の量としては、前記反応溶液の全質量に対して１質量％〜８０質量％であってもよく、より具体的には１０質量％〜７０質量％であってもよく、さらに具体的には３０質量％〜６５質量％であってもよい。
【００３９】
工程（Ａ）における一般式（Ｉ）で表される化合物、ＴＣＤジアルデヒド、及び任意に含まれる溶媒の添加順序は、十分な混合が可能である限り特に限定されない。例えば、一般式（Ｉ）で表される化合物及び溶媒を混合容器に添加した後にＴＣＤジアルデヒドを添加してもよい。これらの成分を添加して得られた反応溶液は、公知の撹拌器により撹拌し、成分同士を十分に混合することが好ましい。
工程（Ａ）においては、一般式（Ｉ）で表される化合物のアミノ基の窒素原子がＴＣＤジアルデヒドのホルミル基のカルボニル炭素と結合してホルミル基をＲ１で保護されたイミノ基に変換する。
【００４０】
【化６】
2020063207.tif 000008
【００４１】
このイミノ化反応は、一般的には室温でも進行可能な発熱反応であるが、所望により若干の加熱を行っても構わない。イミノ化反応における反応溶液の温度は発熱のため外温より高くなり得るが、例えば１５℃〜６０℃であってもよく、より具体的には２０℃〜４０℃であってもよい。イミノ化反応の時間は、例えば５分〜５時間としてもよく、より具体的には１０分〜２時間としてもよい。イミノ化反応において反応溶液は撹拌されていることが好ましいが、既に十分な混合がなされているのであれば撹拌を行わず放置した状態で反応を進行させてもよい。
【００４２】
＜工程（Ｂ）における接触還元＞
工程（Ｂ）においては、２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を接触還元して２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を得る。
【化７】
2020063207.tif 000009
【００４３】
工程（Ｂ）は、工程（Ａ）で生成した２つの保護されたイミノ基を有するＴＣＤ化合物を反応溶液から回収してから行ってもよいが、工程（Ａ）で得られた反応溶液に対して接触還元のための触媒を添加し水素供給することによって行っても構わない。
接触還元のために用いる触媒としては、イミンの接触還元に使用可能な公知の触媒を用いることができる。例えば、白金族元素、ニッケル又はコバルトを含む触媒を用いることができ、白金族元素としてはルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）が挙げられる。より具体的な例としては、Ｐｄ／Ｃ（パラジウム−炭素）、ラネーニッケル触媒、Ｐｅａｒｌｍａｎ触媒（Ｐｄ（ＯＨ）２Ｃ）、ラネーコバルト触媒などが挙げられる。触媒量は、触媒種に応じて接触還元のために適切な量として知られている量とすることができる。
【００４４】
接触還元は例えば２０℃〜１５０℃の反応温度で行うことができ、より具体的には８０℃〜１４０℃の反応温度で行うことができる。また、反応容器の水素圧は、反応温度において１ＭＰａ〜１２ＭＰａであってもよく、より具体的には２ＭＰａ〜８ＭＰａであってもよい。反応時間は、例えば１０分〜５時間としてもよく、より具体的には３０分〜２時間としてもよい。
【００４５】
工程（Ｂ）において溶媒の使用は必須ではないが、用いる場合には工程（Ａ）で使用可能な溶剤として挙げたものの中から選択してもよい。また、工程（Ａ）で得られた反応溶液をそのまま用いる場合には、工程（Ａ）で用いた溶媒が工程（Ｂ）における反応溶液中に含まれている。
【００４６】
水素添加のための装置としては公知の水添用装置を用いることができる。例えば、耐圧性を有するステンレス製の反応釜などを用いることができる。反応は、バッチ式の攪拌機付きの反応機を使用して行ってもよく、攪拌機の代わりに又は攪拌機に加えて循環ポンプ等を使用して流体を混合させてもよい。また、管型の反応機を使用して反応を連続的に行ってもよい。反応のスケールが小規模である場合には、オートクレーブと称される耐圧性の反応機を用いて反応を行うことも可能である。工程（Ｂ）における接触還元では、ＴＣＤ化合物のホルミル基が既に無くなっており、還元により生じたアミノ基がホルミル基と反応して副生成物となる多量体を生じること（上記反応図のルートＡ）が抑制される。さらに、アミノ基は保護基Ｒ１により保護されているため、アミノ基が反応溶液中に存在しているイミノ基と反応して副生成物となる多量体を生じること（上記反応図のルートＢ）も抑制される。このため、製造機器の副生成物による汚染を抑制することができる。また、一般式（Ｉ）で表される化合物のうち一部が未反応のまま残存していたとしても、この化合物のアミノ基は保護基Ｒ１の存在のために求核反応することが妨げられており、特段の問題は生じない。
【００４７】
＜工程（Ｃ）における脱保護＞
工程（Ｃ）では、工程（Ｂ）で生成した２つの保護されたアミノ基を有するＴＣＤ化合物を脱保護してＴＣＤジアミンを得る。
【化８】
2020063207.tif 000010
【００４８】
脱保護の反応条件としては、用いた保護基Ｒ１の脱離のために適切な条件として知られている条件を適用すればよい。例えばＦｍｏｃは弱塩基の存在下で脱離を生じさせることができ、２−ニトロベンゼンスルホニル基は弱塩基の存在下でチオールを作用させることで脱離することができる。
【００４９】
脱保護により求核反応しやすい一級アミノ基が生じるが、工程（Ｃ）においてはホルミル基及びイミノ基は既に存在していないか、又はごく微量にしか存在していないため、副生成物となる多量体を生じることが抑制される。このため、製造機器の副生成物による汚染を抑制することができる。また、一般式（Ｉ）で表される化合物が反応溶液中に残存していた場合、工程（Ｃ）において保護基Ｒ１が脱離してアンモニアが生じうるが、上記のとおり既にホルミル基及びイミノ基は存在していない又はほとんど存在していないため、特段の問題を生じない。
【００５０】
ここで、保護基Ｒ１の種類によっては脱保護が還元的条件により生じるものがある。この場合、工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）の還元条件を適切に設定しないと、工程（Ｂ）において脱保護が進行してしまうおそれがある。一方で、工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）の還元条件を適切に設定することで、工程（Ｂ）において既に使用している触媒及び水添装置をそのまま用いて工程（Ｃ）を行うことが可能となり、プロセスを簡便なものとすることができる。このため、工程（Ｃ）における脱保護を工程（Ｂ）における接触還元とは異なる条件下で還元的に行うことが好ましい。工程（Ｂ）における還元条件は工程（Ｃ）における還元条件よりも穏やかなものとすればよく、例えば工程（Ｂ）における反応温度を工程（Ｃ）におけるものよりも低温にすればよい。
【００５１】
一例として、Ｒ１がベンジル基である場合（つまり一般式（Ｉ）で表される化合物としてベンジルアミンを用いた場合）について説明する。ベンジル基は還元的条件により脱保護することができる保護基である。この場合には、工程（Ｂ）における反応温度は好ましくは７０℃以下、より好ましくは２０℃〜７０℃、さらに好ましくは５５℃〜６５℃程度に設定する。反応温度を２０℃〜７０℃程度と低めに設定することで、工程（Ｂ）においてベンジル基が脱離することを抑制することができる。水素圧力及び反応時間については上述のとおりでよい。
【００５２】
また、Ｒ１がベンジル基である場合（つまり一般式（Ｉ）で表される化合物としてベンジルアミンを用いた場合）、工程（Ｃ）における反応温度は好ましくは８０℃以上であり、より好ましくは８０℃〜１４０℃であり、さらに好ましくは８５℃〜１３０℃である。また、反応容器の水素圧は、反応温度において１ＭＰａ〜１２ＭＰａであってもよく、より具体的には２ＭＰａ〜８ＭＰａであってもよい。反応時間は、例えば１０分〜５時間としてもよく、より具体的には３０分〜２時間としてもよい。
【００５３】
Ｒ１がベンジル基である場合（つまり一般式（Ｉ）で表される化合物としてベンジルアミンを用いた場合）、さらに、工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）における還元反応の触媒として白金族元素又はニッケルを含む触媒を用いることが好ましく、Ｐｄ／Ｃ触媒を用いることがさらに好ましい。このような触媒を用いることで、工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）のそれぞれを十分に進行させることができる。
【００５４】
工程（Ｃ）により得られたＴＣＤジアミンは、反応容器から抜き取り、濾過、溶媒の留去などを行って精製することができる。例えば、減圧下で蒸留することにより、液体状態のＴＣＤジアミンを得ることができる。
【００５５】
＜ＴＣＤジアルデヒドを製造する工程＞
本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法は、ＤＣＰＤ、第ＶＩＩＩ族遷移金属又はその錯体、前記第ＶＩＩＩ族遷移金属に配位するリン原子含有配位子及び溶媒を含む混合物に、一酸化炭素及び水素を供給し、加熱及び加圧下で反応させること（工程（Ｘ））により、前記ＴＣＤジアルデヒドを得ることをさらに含んでいてもよい。この工程により反応溶液中に生成したＴＣＤジアルデヒドを特に分離せずに用いても、本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法によれば副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができる。
【００５６】
工程（Ｘ）においては、ＤＣＰＤに水素添加しつつ一酸化炭素によるホルミル基付与を行うことにより、ＴＣＤジアルデヒドを製造する。ＴＣＤジアルデヒドは反応性が高いため、ＴＣＤジアルデヒドを分離しようとすればＴＣＤジアルデヒドのかなりの部分が失われてしまうが、上記のとおり反応溶液中に生成したＴＣＤジアルデヒドを特に分離せずに用いることで、このような損失を避けることができる。
【００５７】
工程（Ｘ）において使用する第ＶＩＩＩ族遷移金属又はその錯体としては、ロジウム、コバルト、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、鉄、若しくはルテニウム、又はこれらの錯体を挙げることができる。ロジウム又はロジウムの錯体が特に好ましく、ロジウムの錯体としてはロジウムシクロペンタジエニル錯体、ロジウムアセチルアセトナート錯体、さらにカルボニルも含むＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）２などが挙げられる。ここでａｃａｃはアセチルアセトナートを表す。
また、第ＶＩＩＩ族遷移金属に配位するリン原子含有配位子としては、トリアリールホスフィン、例えばトリフェニルホスフィン、トリアルキルホスフィンなどが挙げられる。さらに具体的な例としては、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）ホスフィンが挙げられる。このような配位子は、第ＶＩＩＩ族遷移金属に配位し、ホルミル化の触媒として作用する。
【００５８】
溶媒としては、ベンゼン又はトルエンなどの芳香族炭化水素、シクロペンタン又はシクロヘキサンなどの飽和脂環式炭化水素、アセトンなどが挙げられる。
ＤＣＰＤの含有量は、反応溶液の全質量に対して、例えば１０質量％〜８０質量％、より具体的には例えば１０質量％〜３０質量％である。第ＶＩＩＩ族遷移金属又はその錯体の含有量は、反応溶液の全質量に対して、金属量として例えば０．０２質量％〜１．０質量％である。第ＶＩＩＩ族遷移金属に配位するリン原子含有配位子の含有量は、反応溶液の全質量に対して、例えば２質量％〜３０質量％である。前記溶媒の量としては、反応溶液の全質量に対して、例えば１０質量〜６０質量％である。
【００５９】
工程（Ｘ）の反応温度は好ましくは７０℃〜１５０℃、より好ましくは９０℃〜１４０℃とすることができ、反応時間は例えば３０分〜１０時間、より具体的には１時間〜８時間とすることができる。
【００６０】
供給する水素と一酸化炭素のモル比は、例えば３：１〜１：３であり、より具体的には２：１〜１：２としてもよい。また、その全圧は例えば０．５ＭＰａ〜１０ＭＰａであり、より具体的には１ＭＰａ〜５ＭＰａとしてもよい。
【００６１】
工程（Ｘ）の終了後、反応溶液を冷却、脱圧し、反応溶液を抜き取ることによって、粗ＴＣＤジアルデヒドを含む溶液を得ることができる。ただし、この溶液中には、ＴＣＤジアルデヒド以外のＤＣＰＤ反応物も含まれており、ＴＣＤジアルデヒドの純度は通常は１００％未満である。純度は溶液中に含まれる成分をガスクロマトグラフで分析し、定量分析を行うことで求めることができる。なお、本明細書においてガスクロマトグラフによる分析は以下の機器及び計測方法により行うことができる。つまり、ガスクロマトグラフとして株式会社島津製作所製ガスクロマトグラフ（ＧＣ−２０１４）を用い、カラムとしてアジレント・テクノロジー株式会社製キャピラリーカラムＤＢ−５（長さ６０ｍ×内径０．５３ｍｍ、膜厚１．５４μｍ、Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｊ＆Ｗ）を用い、検出器として水素炎イオン化型検出器（ＦＩＤ）を用いて内部標準法による定量分析を実施する。分析サンプルの調製は、測定対象となる反応液を１．５ｇ、内部標準物質としてドデカンを５０ｍｇ採取し、メタノールにて希釈して行う。当該分析サンプルをＧＣに１μＬ注入し分析を行なう。キャリアガスとしてＮ２を用い、流速は７６ｍｌ／分とする。温度プログラムは初期を１１０℃（ホールド時間は０時間）とし、昇温速度５．０℃／分で２４５℃まで昇温し（２４５℃でのホールド時間は０時間）、さらに、昇温速度１５．０℃／分で２９０℃まで昇温して２９０℃で２時間ホールドする。
【００６２】
ＴＣＤジアルデヒドからアンモニアを用いてＴＣＤジアミンを製造する方法を用いて、工程（Ｘ）により得られたＴＣＤジアルデヒドからＴＣＤジアミンを製造する場合、工程（Ｘ）によりＴＣＤジアルデヒドの純度が低いとＴＣＤジアミンの収率はそれに応じて低下してしまう（後述の比較例１及び比較例２を参照）。これに対して、本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法を用いた場合には、ＴＣＤジアルデヒドの純度が低くてもＴＣＤジアミンの収率の低下を抑制することができる。
【００６３】
以上説明したとおり、本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法によれば、副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができる。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例に基づきさらに本発明をより具体的に説明するが、これら実施例により本発明は限定されるものではない。
【００６５】
＜予備実験１＞
２５℃でＴＣＤジアルデヒドとベンジルアミンを１：２のモル比で混合した。混合後３０分弱程度経過した後、得られた混合物並びに出発物質としてのＴＣＤジアルデヒド及びベンジルアミンをＩＲで測定した。測定は、ｉｎ  ｓｉｔｕでのＩＲ測定が可能なフーリエ変換型中赤外分光分析装置（ＦＴＩＲ）であるＲｅａｃｔＩＲ  ｉＣ１０（メトラー・トレド株式会社製）を用いて行った。測定は６５０ｃｍ−１〜４０００ｃｍ−１の領域に対して行った。ＴＣＤジアルデヒドのＩＲスペクトルを図３に、ベンジルアミンのＩＲスペクトルを図４に、混合物のＩＲスペクトルを図５に示す。図３では、ＴＣＤジアルデヒド分子中におけるＣ−Ｈ伸縮のピーク及びＣ＝Ｏ伸縮のピークが観察できる。図４では、ベンジルアミン分子中におけるＮ−Ｈ伸縮のピーク、フェニル基に結合した炭素とＨとの間のＣ−Ｈ伸縮のピーク、及びＮ−Ｈ変角のピークが観察できる。図５では、Ｃ−Ｈ伸縮のピーク及びＣ＝Ｎ伸縮のピークが観察できる一方、Ｃ＝Ｏ伸縮のピーク及びＮ−Ｈ変角のピークは大きく減少し、ＴＣＤジアルデヒドとベンジルアミンとを混合することにより以下の構造のＴＣＤジベンジルイミンが良好に生成したことが確認できた。
【００６６】
【化９】
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【００６７】
＜比較例１＞（アンモニアを用いたＴＣＤジアミン製造）
５００ｍＬオートクレーブに１５．３質量％ＮＨ３メタノール溶液を２０７．１ｇ仕込み、１０℃に冷却後スターラーチップで撹拌した。ＴＣＤジアルデヒド（純度６５．４質量％）を３８．２ｇ秤量し、前記オートクレーブ中のＮＨ３メタノール溶液に添加し、その後１０分間撹拌した。なお、ＴＣＤジアルデヒドは２２５ｇのＤＣＰＤ、適量のトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ）ホスフィン、適量のＲｈ（ａｃａｃ）（ＣＯ）２、及び４２．８ｇのトルエンを反応容器内で混合して、ＣＯ及びＨ２（ＣＯ／Ｈ２＝５０／５０（ｖｏｌ／ｖｏｌ））を反応容器内に供給し温度を６０℃から１３０℃まで昇温させつつ圧力４ＭＰａ〜５ＭＰａで約２時間反応させ、冷却及び脱圧して得たものである。ＴＣＤジアルデヒドの調製の際に反応のスケールを変更することにより、純度の異なるＴＣＤジアルデヒドを得て、比較例１、比較例２及び実施例１でそれぞれ用いた。ＴＣＤジアルデヒド調製の反応のスケールを大きくした方が、反応が遅くなり、副反応が進行しやすくなるため、得られるＴＣＤジアルデヒドの純度及び収率が低下する傾向にある。
次に、撹拌しながら触媒としてラネーＣｏを１１．８ｇ添加した。スターラーチップを取り出した後、前記オートクレーブを水添可能な装置にセットし、Ｎ２置換（０ＭＰａ→１ＭＰａ−Ｇ（大気圧基準））を３回実施し、さらに気相部の水素置換を行なった。続いて、撹拌機の回転数を８００ｒｐｍとし、圧力を４．５ＭＰａまで昇圧した。
電気ヒーターにて反応溶液を昇温すると、およそ９０℃くらいから水素吸収が開始されたことを確認した。そのまま圧力を４．５ＭＰａ〜５．０ＭＰａを維持するように水素供給量を調整しながら、反応溶液の温度（内温）を１２０℃まで昇温し、水素吸収がみられなくなるまで反応させた。
【００６８】
水素吸収挙動が無くなったことを確認し、室温まで冷却後脱圧し、反応マス（２１０．９ｇ）を抜き出した。ヌッチェ濾過器をセットし、真空濾過にて触媒等の固形分（８．５ｇ）を除去し、ＭｅＯＨにて洗浄した液（２３１．４ｇ）を粗ジアミン溶液として得た。ＧＣ分析の結果、前記粗ジアミン溶液におけるＴＣＤジアミン純度は９．５質量％であり、収率は８６．５％であった。
反応マスを抜き出した後のオートクレーブの内壁部および撹拌機には、図１に示す固形物が付着していることが観察された。なお当該固形物は溶解可能な溶媒がなく、物理的に剥離させることしか取り除く手段がなかった。気相部に付着していたのは白色固体であり、液相部に付着していたのは灰色固体であった。
【００６９】
＜比較例２＞（アンモニアを用いたＴＣＤジアミン製造）
１００ｍＬオートクレーブに１５．３質量％ＮＨ３メタノール溶液を３７．５ｇ仕込み１０℃に冷却後スターラーチップで撹拌した。比較例１よりも純度の低いＴＣＤジアルデヒド（純度４８．７質量％）を９．３ｇ秤量し、前記オートクレーブ中のＮＨ３メタノール溶液に添加し、その後１０分間撹拌した。
次に、撹拌しながら触媒としてラネーＣｏを２．１３ｇ装入した。その後の操作は、比較例１と同様の操作として反応を行なった。
【００７０】
水素吸収挙動がなくなったことを確認し、室温まで冷却後脱圧し、反応マス（３８．６ｇ）を抜き出した。ヌッチェ濾過器をセットし、真空濾過にて触媒等の固形分（１．７ｇ）を除去し、ＭｅＯＨにて洗浄した液（４７．４ｇ）を粗ジアミン溶液として得た。ＧＣ分析の結果、前記粗ジアミン溶液におけるＴＣＤジアミン純度は５．７質量％であり、収率５９．２％と比較例１に比べて低収率であった。
反応マスを抜き出した後のオートクレーブの内壁部および撹拌機には、比較例１と同様に溶媒では剥離不能な固形物が付着していることが観察された（図２）。気相部に付着していたのは白色固体であり、液相部に付着していたのは灰色固体であった。
【００７１】
比較例１及び比較例２から分かるように、アンモニアをアミノ基の原料として用いてＴＣＤジアミンの製造を行った場合、反応マスを抜き出した後のオートクレーブの内壁部および撹拌機には、溶媒では剥離不能な固形物が付着してしまう。また、原料として用いられるＴＣＤジアルデヒドの純度が低いと、ＴＣＤジアミンの収率が大きく低下してしまう。
【００７２】
＜実施例１＞（一般式（Ｉ）で表される化合物を用いたＴＣＤジアミン製造）
１００ｍＬオートクレーブにメタノールを３１．０ｇ、ベンジルアミンを８．９ｇ仕込み、室温でスターラーチップを用いて撹拌した。比較例１よりも純度の低いＴＣＤジアルデヒド（純度３０．９質量％）を１０．４ｇ秤量し、前記オートクレーブ中のベンジルアミンとメタノールの混合液に添加し、その後３０分間撹拌した。
次に、撹拌しながら触媒として１０％Ｐｄ／Ｃを２．８ｇ装入した。スターラーチップを取り出した後、前記オートクレーブを水添可能な装置にセットし、Ｎ２置換（０ＭＰａ→１ＭＰａ−Ｇ）を３回実施し、さらに気相部の水素置換を行なった。続いて、撹拌機の回転数を８００ｒｐｍとし、圧力を４．５ＭＰａまで昇圧した。水素昇圧直後から水素吸収の挙動が確認された。
その後電気ヒーターにて反応溶液を６０℃まで昇温し、そのまま圧力を４．５ＭＰａ〜５．０ＭＰａを維持するように水素供給量を調整した。水素吸収開始後、水素吸収速度が低下傾向となったことを確認し、更に電気ヒーターで昇温したところ、およそ９０℃くらいから水素吸収が再開した。そのまま圧力を４．５ＭＰａ〜５．０ＭＰａを維持するように水素供給量を調整しながら反応溶液の温度（内温）を１２０℃まで昇温し、水素吸収がみられなくなるまで反応させた。
【００７３】
水素吸収挙動がなくなったことを確認し、室温まで冷却後脱圧し、反応マス（４１．７ｇ）を抜き出した。ヌッチェ濾過器をセットし、真空濾過にて触媒等の固形分（５．１ｇ）を除去し、ＭｅＯＨおよび水にて洗浄した液（５１．３ｇ）を粗ジアミン溶液として得た。ＧＣ分析の結果、前記粗ジアミン溶液におけるＴＣＤジアミン純度は６．４質量％であり、収率は８０．４％であった。反応マス自体は黒色のスラリーであったが、濾過後の反応マスは、薄黄色の清澄な液体であった。
【００７４】
実施例１の結果より、ベンジルアミンを用いてＴＣＤジアミンの製造を行った場合には、原料として低純度のＴＣＤジアルデヒドを用いるという不利な条件にも関わらず８０％超の収率を維持することができることが確認された。実施例１で得られた収率は、低純度とはいえ実施例１よりは高い純度のＴＣＤジアルデヒドを用いた比較例２で得られた収率よりも大幅に高いものであった。また、実施例１において反応マスを抜き出した後のオートクレーブの内壁部および撹拌機は、図６Ａ〜図６Ｃに示すように、比較例１及び比較例２で観察されたような固形物が付着していない清浄なものであることを確認した。
【００７５】
また、実施例１のプロセスにおける昇温後の温度変化及び気相圧力の変化のグラフを図７に示す。さらに、濾過後の反応マスをガスクロマトグラフで分析した結果を図８に示す。図８に示すように、ＴＣＤジアミンが収率よく得られていることが分かる。ガスクロマトグラフによる分析は、上述のとおりの機器及び方法により行った。
【００７６】
＜参考例１＞
１００ｍＬオートクレーブを使用し、実施例１と同一の仕込み条件で気相部の水素置換までの反応を行なった。撹拌機の回転数を８００ｒｐｍとし、圧力を４．５ＭＰａまで昇圧した。その後、電気ヒーターにて反応溶液の温度（内温）６０℃まで昇温した。圧力を４．５ＭＰａ〜５．０ＭＰａを維持するように水素供給量を調整し、水素吸収速度が低下傾向となったことを確認してそのまま室温まで冷却後脱圧した。
反応マス（４０．７ｇ）を抜き出し、ヌッチェ濾過器にて真空濾過にて触媒等の固形分（４．９ｇ）を除去し、ＭｅＯＨおよび水にて洗浄した液体（５２．４ｇ）をＧＣ分析したところ、ＴＣＤジアミン純度０．１質量％、収率１．１％とほとんどＴＣＤジアミンが得られなかった。この液体をガスクロマトグラフで分析したところ、ＴＣＤモノアミンのピーク及びＴＣＤジアミンのピークは見られなかった。
【００７７】
参考例１の結果より、ベンジルアミンを用いて本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法を実施する場合には、接触還元において適切な反応温度設定を行うことで、ベンジル基の脱離を防ぎつつＴＣＤジベンジルの還元を行うことができることが分かった。
【００７８】
＜参考例２＞
１００ｍＬオートクレーブを使用し、触媒としてラネーＣｏ２．２ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で気相部の水素置換までの反応を行なった。
撹拌機の回転数を８００ｒｐｍとし、圧力を４．５ＭＰａまで昇圧した。この際には、水素昇圧直後から水素吸収の挙動が確認された。その後電気ヒーターにて反応溶液を６０℃まで昇温し、そのまま圧力を４．５ＭＰａ〜５．０ＭＰａを維持するように水素供給量を調整した。水素吸収速度が低下傾向となったことを確認し、更に電気ヒーターで反応溶液の温度（内温）を１３０℃まで昇温したが２回目の水素吸収は確認されなかった。
室温まで冷却後脱圧し、反応マス（４３．０ｇ）を抜き出した。ヌッチェ濾過器をセットし、真空濾過にて触媒等の固形分（１．６ｇ）を除去し、ＭｅＯＨにて洗浄した液（５１．０ｇ）をガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析したが、ＴＣＤジアミンのピークは検出できなかった。
参考例２の結果より、保護基としてのベンジル基を脱離させる（脱保護させる）には、適切な触媒または反応条件選定が必要であることが示唆された。
【００７９】
以上のとおり、本開示に係るＴＣＤジアミンの製造方法によれば、副生成物の生成を抑制しつつＴＣＤジアミンを製造することができることが確認された。
【図１】
2020063207.tif 000014
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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