(57)【要約】【課題】レーザー加工に要する時間を短縮できるプリント基板の製造方法を提供する。【解決手段】プリント基板の製造方法は、絶縁性を有する板状の基材１１と、基材１１の一方の面に設けられる第１金属層１２と、基材１１の他方の面に設けられる第２金属層１３と、を備える原基板１０に、第１金属層１２側からレーザー光を照射することで原基板１０に厚さ方向に貫通する貫通孔（開口部１５）を形成するレーザー加工工程を含み、レーザー加工工程よりも前に、レーザー光照射予定領域２１に配置されている第２金属層１３をエッチングすることによって除去するエッチング工程を有する。【選択図】図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する板状の基材と、前記基材の一方の面に設けられる第１金属層と、前記基材の他方の面に設けられる第２金属層と、を備える原基板に、前記第１金属層側からレーザー光を照射することで前記原基板に厚さ方向に貫通する貫通孔を形成するレーザー加工工程を含み、
前記レーザー加工工程よりも前に、前記レーザー光の照射予定領域に配置されている前記第２金属層をエッチングすることによって除去するエッチング工程を有する、プリント基板の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング工程において、前記第２金属層は、前記レーザー光の照射予定領域から所定の距離以上離間するように除去される、請求項１に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程において、前記レーザー光の照射予定領域に配置されている前記第１金属層を更に除去する、請求項１又は請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程において、前記第１金属層は、前記レーザー光の照射予定領域から所定の距離以上離間するように除去される、請求項３に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記レーザー加工工程において、前記レーザー光は、前記貫通孔の形成予定領域の外縁に沿って環状に走査するように照射する、請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記基材を構成する材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂及びエポキシ変性シリコーン樹脂からなる群から選択される１又は２以上の樹脂である、請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記基材は、ガラス繊維、セラミックス繊維、カーボン繊維及びアラミド繊維からなる群から選択される１又は２以上の強化材を含有する、請求項６に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１金属層及び前記第２金属層を構成する金属は、それぞれ、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ及びＡｌからなる群から選択される１若しくは２以上の金属、又はこれらの金属を主成分として含む合金である、請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１金属層の厚さは、１μｍ以上１８μｍ以下である、請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基材の厚さは、２００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザー加工工程において、
前記レーザー光は、発振波長が２５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、パワーが１０Ｗ以上６０Ｗ以下であり、周波数が１００ｋＨｚ以上３０００ｋＨｚ以下のパルス光であり、パルス幅が１０ピコ秒以上１００ナノ秒以下であり、パルスエネルギが３μＪ以上であり、前記原基板の表面におけるフルエンスが３Ｊ／ｃｍ２以上であり、集光点におけるフルエンスが１０Ｊ／ｃｍ２以上であり、前記原基板の平面視における同じ位置に繰り返し照射する場合の照射間隔が５ｍ秒以上であり、走査速度が１０００ｍｍ／秒以上３０００ｍｍ／秒以下である、請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記レーザー加工工程において、
前記レーザー光の幅は１０μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザー加工工程よりも後に、前記第１金属層と、前記第２金属層と、前記貫通孔の内側面とを連続して覆う第３金属層をメッキによって形成するメッキ工程を有する、請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記メッキ工程よりも後に、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層をエッチングすることで配線パターンを形成する工程を有する、請求項１３に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載のプリント基板の製造方法によってプリント基板を準備する工程と、
前記配線パターンと電気的に接続されるように発光素子を前記プリント基板に実装する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【請求項１６】
絶縁性を有する板状の基材と、
前記基材の一方の面に設けられている第１金属層と、
前記基材の他方の面に設けられている第２金属層と、を備え、
前記基材は、厚さ方向に貫通する、貫通孔を有し、
前記第２金属層は、底面視において、前記貫通孔から、所定の距離以上離間して設けられているプリント基板。
【請求項１７】
前記第１金属層は、平面視において、前記貫通孔から、前記所定の距離以上離間して設けられている、請求項１６に記載のプリント基板。
【請求項１８】
前記基材を構成する材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂及びエポキシ変性シリコーン樹脂からなる群から選択される１又は２以上の樹脂である、請求項１６又は請求項１７に記載のプリント基板。
【請求項１９】
前記基材は、ガラス繊維、セラミックス繊維、カーボン繊維及びアラミド繊維からなる群から選択される１又は２以上の強化材を含有する、請求項１８に記載のプリント基板。
【請求項２０】
前記第１金属層及び前記第２金属層を構成する金属は、それぞれ、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ及びＡｌからなる群から選択される１若しくは２以上の金属、又はこれらの金属を主成分として含む合金である、請求項１６至請求項１９の何れか一項に記載のプリント基板。
【請求項２１】
前記第１金属層及び前記第２金属層の厚さは、１μｍ以上１８μｍ以下である、請求項１６乃至請求項２０の何れか一項に記載のプリント基板。
【請求項２２】
前記基材の厚さは、２００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１６乃至請求項２１の何れか一項に記載のプリント基板。
【請求項２３】
前記第１金属層と、前記第２金属層と、前記貫通孔の内側面とを連続して覆うように設けられている第３金属層を有する、請求項１６乃至請求項２２の何れか一項に記載のプリント基板。
【請求項２４】
請求項２３に記載のプリント基板と、発光素子と、を備え、
前記発光素子は、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層からなる配線パターンと電気的に接続されるように実装されている発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板及び発光装置並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント基板では、絶縁性の基材としてエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの樹脂が用いられることが多く、ガラスエポキシ基板のように、更にガラスクロスなどの強化材が用いられているものもある。このような樹脂層を含むプリント基板には、様々な目的のために複数の貫通孔が設けられる。貫通孔は、従来はドリルやルーターなどの機械加工により形成されていたが、例えば、特許文献１に開示されているように、近年はレーザー加工により形成されることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−６１４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
レーザー加工は貫通孔を高精度に形成できる利点があるが、特許文献１に開示されているように、形成する貫通孔の外縁に沿って周回するようにレーザー光の走査を複数回行う必要がある。このため、レーザー加工の所要時間を短縮するために走査回数の低減が望まれていた。
本開示に係る実施形態は、レーザー加工に要する時間を短縮できるプリント基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の実施形態に係るプリント基板の製造方法は、絶縁性を有する板状の基材と、前記基材の一方の面に設けられる第１金属層と、前記基材の他方の面に設けられる第２金属層と、を備える原基板に、前記第１金属層側からレーザー光を照射することで前記原基板に厚さ方向に貫通する貫通孔を形成するレーザー加工工程を含み、前記レーザー加工工程よりも前に、前記レーザー光の照射予定領域に配置されている前記第２金属層をエッチングすることによって除去するエッチング工程を有する。
【０００６】
本開示の実施形態に係るプリント基板は、絶縁性を有する板状の基材と、前記基材の一方の面に設けられている第１金属層と、前記基材の他方の面に設けられている第２金属層と、を備え、前記基材は、厚さ方向に貫通する、貫通孔を有し、前記第２金属層は、底面視において、前記貫通孔から、所定の距離以上離間して設けられている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の実施形態に係るプリント基板及びその製造方法によれば、レーザー加工に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図２】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法で用いられる原基板の構成を示す断面図である。
【図３Ａ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程を示す平面図である。
【図３Ｂ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程を示す断面図であり、図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面を示す。
【図４Ａ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるレーザー加工工程を示す断面図である。
【図４Ｂ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるレーザー加工工程で用いられるレーザー加工装置の構成を示すブロック図である。
【図５】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるメッキ工程を示す断面図である。
【図６Ａ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における配線パターン形成工程を示す平面図である。
【図６Ｂ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における配線パターン形成工程を示す底面図である。
【図６Ｃ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における配線パターン形成工程を示す断面図であり、図６ＡのＶＩＣ−ＶＩＣ線における断面を示す。
【図７Ａ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程の第１変形例を示す断面図である。
【図７Ｂ】第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程の第２変形例を示す断面図である。
【図８】第２実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。
【図９Ａ】第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す平面図である。
【図９Ｂ】第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図であり、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面を示す。
【図１０Ａ】第２実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材形成工程を示す平面図である。
【図１０Ｂ】第２実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材形成工程を示す断面図であり、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線における断面を示す。
【図１１Ａ】第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す平面図である。
【図１１Ｂ】第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す断面図であり、図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態に係るプリント基板、発光装置及びこれらの製造方法について説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明の実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、平面図や底面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略することとする。
【００１０】
本明細書において、レーザー加工工程を行うよりも前の段階の基板を「原基板」と呼び、レーザー加工工程を行って貫通孔が形成された基板を「プリント基板」と呼ぶものとする。
【００１１】
本明細書において、広義の「貫通孔」は、レーザー光を走査せずに形成されうる点状の狭義の「貫通孔」及びレーザー光を走査して形成されうる「開口部」を含むものである。更に「開口部」は、レーザー光を直線状及び／又は曲線状に走査して形成される「走査ラインと略同一形状の孔」、及び所定の領域を取り囲むようにパルスレーザー光を走査して形成される「前記所定の領域と略同一形状の孔」を含むものである。
【００１２】
＜第１実施形態＞
［プリント基板及びその製造方法］
第１実施形態に係るプリント基板及びその製造方法について、図１〜図６Ｃを参照して説明する。
図１は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法の手順を示すフローチャートである。図２は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法で用いられる原基板の構成を示す断面図である。図３Ａは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程を示す平面図である。図３Ｂは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程を示す断面図であり、図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面を示す。図４Ａは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるレーザー加工工程を示す断面図である。図４Ｂは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるレーザー加工工程で用いられるレーザー加工装置の構成を示すブロック図である。図５は、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるメッキ工程を示す断面図である。図６Ａは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における配線パターン形成工程を示す平面図である。図６Ｂは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における配線パターン形成工程を示す底面図である。図６Ｃは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法における配線パターン形成工程を示す断面図であり、図６ＡのＶＩＣ−ＶＩＣ線における断面を示す。
【００１３】
なお、図３Ａは底面図であるが、便宜的に、レーザー光照射予定領域にハッチングを施して示している。また、図３Ｂ以降に示す各断面図において、基材の詳細な構成の記載を省略している。また、図６Ａに示す平面図及び図６Ｂに示す底面図において、配線パターンとして第１金属層、第２金属層及び第３金属層が残されている領域に、便宜的にハッチングを施している。
【００１４】
［プリント基板の構成］
第１実施形態に係る製造方法で製造されるプリント基板１は、最終工程である配線パターン形成工程を示す図６Ａ〜図６Ｃに示すように、絶縁性を有する板状の基材１１の上面に第１金属層１２を、下面に第２金属層１３をそれぞれ備えており、プリント基板１の所定箇所に厚さ方向に貫通する開口部１５が設けられている。プリント基板１は、更に、第１金属層１２、第２金属層１３及び開口部１５の内側面を連続して被覆する第３金属層１４が設けられ、第１金属層１２と第２金属層１３とを電気的に接続している。また、第１金属層１２，第２金属層１３及び第３金属層１４は、プリント基板１の配線パターンを構成している。また、本実施形態のプリント基板１の角部には、プリント基板１の位置決めやハンドリングのための穴部１８が設けられている。
プリント基板１の詳細な構成については、その製造方法とともに説明する。
【００１５】
［プリント基板の製造方法］
第１実施形態に係るプリント基板の製造方法は、原基板準備工程Ｓ１１と、エッチング工程Ｓ１２と、レーザー加工工程Ｓ１３と、メッキ工程Ｓ１４と、配線パターン形成工程Ｓ１５とが含まれている。
【００１６】
原基板準備工程Ｓ１１は、プリント基板１の原材料である原基板１０を準備する工程である。プリント基板１の原基板１０は、絶縁性を有する板状の基材１１と、基材１１の一方の面である上面側に第１金属層１２が設けられ、他方の面である下面側に第２金属層１３が設けられている。
【００１７】
原基板１０は、基材１１の両面に金属箔を貼付したり、基材１１の両面にメッキ、スパッタ、蒸着などにより金属膜を成膜することで製造することができる。原基板１０は、自ら製造してもよいし、市販品を購入してもよい。原基板１０は、例えば、リジッド基板であるが、フレキシブル基板であってもよい。
また、原基板１０は、レーザー加工によって形成される開口部１５とは別に、原基板１０乃至プリント基板１の位置決めやハンドリングのための穴部１８が設けられていてもよい。このような穴部１８は、例えば、ドリルやルーターなどで形成することができる。
【００１８】
基材１１は、樹脂層１１１と、縦糸１１２ａと横糸１１２ｂとで織られたガラスクロス１１２と、が交互にそれぞれ複数層積層されて構成されている。ガラスクロス１１２は例えばＳｉＯ２-Ａｌ２Ｏ３-ＣａＯ-Ｂ２Ｏ３などからなるＥガラスや、ＳｉＯ２-Ａｌ２Ｏ３-ＭｇＯなどからなるＳガラスなどが用いられる。ガラスクロス１１２には樹脂層１１１を構成する樹脂が含浸されており、樹脂層１１１とガラスクロス１１２とは一体的に強固な基材１１を構成している。基材１１は、少なくとも３層以上のガラスクロス１１２を持つことが好ましい。複数のガラスクロスを積層することで、縦糸１１２ａや横糸１１２ｂのガラスクロスの偏在が改善され均一性が増すためレーザーで加工した際に、加工面を均一に仕上げることができる。
【００１９】
樹脂層１１１を構成する樹脂の種類は、特に限定されない。樹脂層１１１を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ変性シリコーン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂及びこれらの組み合わせを挙げることができる。
【００２０】
また、基材１１は、本実施形態のガラスクロス１１２のように、強度を向上させるための強化材を含んでいてもよいし、強化材を含んでいなくてもよい。強化材の材料としては、ガラス繊維、セラミックス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維及びこれらの組み合わせを挙げることができる。強化材の形状としては、織られた布、不織布、紙、フェルトなどを挙げることができる。また、強化材をフィラーとして樹脂層１１１中に分散させるようにしてもよい。
【００２１】
基材１１の具体例としては、ガラスエポキシ基板やポリカーボネート基板を挙げることができる。基材１１の厚さは、特に限定されないが、例えば２００〜５００μｍ程度とすることができる。
【００２２】
原基板１０において、第１金属層１２は、板状の基材１１の一方の面である上面を被覆するように設けられ、第２金属層１３は、基材１１の他方の面である下面を被覆するように設けられている。第１金属層１２及び第２金属層１３は、それぞれプリント基板１の配線パターンを形成するための金属層である。
また、第１金属層１２及び第２金属層１３は、基材１１と比較して熱伝導率が高いため、レーザー加工時に原基板１０の表面近傍に蓄積される過剰な熱エネルギーを効果的に散逸させる機能を担っている。また、第１金属層１２及び第２金属層１３は、外部から基材１１の、特に樹脂層１１１への酸素の透過を遮断する機能も担っている。これらの機能の相乗効果により、第１金属層１２及び第２金属層１３は、レーザー加工時における焦げや抉れなどの好ましくない熱的損傷の発生を抑制する。このような観点からは、第１金属層１２及び第２金属層１３は、それぞれが設けられる基材１１の面の略全面を被覆していることが好ましい。
【００２３】
第１金属層１２及び第２金属層１３を構成する金属の種類は、特に限定されないが、電気回路の配線パターンとして用いられる観点からは電気抵抗が低いことが好ましい。また、第１金属層１２及び第２金属層１３を構成する金属の種類は、レーザー加工工程Ｓ１３において好ましくない熱的損傷の発生を抑制する観点からは熱伝導率が高いものが好ましい。第１金属層１２及び第２金属層１３を構成する金属の例としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ及びＡｌからなる群から選択される１若しくは２以上の金属、又はこれらの金属を主成分として含む合金を挙げることができる。
第１金属層１２及び第２金属層１３の厚さは、特に限定されないが、配線として機能する厚さがあればよく、１μｍ以上とすることが好ましく、レーザー加工に要する時間やレーザー加工に伴うデブリの発生量が多くなり過ぎないように、１８μｍ以下とすることが好ましい。また、レーザー加工の前にエッチングで第１金属層１２又は／及び第２金属層１３を除去する場合には、第１金属層１２及び第２金属層１３の厚さの上限は特に限定されないが、過剰に材料を使わないように、１０５μｍ以下とすることが好ましい。
【００２４】
また、第１金属層１２及び第２金属層１３に用いられる金属材料に応じて、第１金属層１２及び第２金属層１３と基材１１との間に、接着力向上や金属材料のマイグレーション防止などを目的とする他の金属層が配置されていてもよい。このような金属層の例としては、厚さが数百ｎｍ程度のＮｉ層、Ｃｒ層、ＮｉＣｒ合金層などを挙げることができる。
【００２５】
エッチング工程Ｓ１２は、レーザー加工工程Ｓ１３を行う前に、レーザー光２０が照射される予定の領域であるレーザー光照射予定領域２１及びその近傍に配置されている第２金属層１３を、エッチングすることで除去する工程である。これによって、第２金属層１３をレーザー加工によって除去する必要がなくなるため、その分だけレーザー光２０を走査する回数を低減することができる。
【００２６】
レーザー光２０の走査回数を低減するためには、第２金属層１３の除去に加えて、レーザー光照射予定領域２１及びその近傍の第１金属層１２を除去するようにしてもよいが、少なくとも、第２金属層１３を除去することが好ましい。レーザー光２０の入射面である上面側に設けられた第１金属層１２に比べて、下面側に設けられた第２金属層１３の方が、レーザー加工に必要なレーザー光２０の走査回数が多く、また、熱の影響によって切断面に加工異常が発生し易い。このため、加工時間の低減及び加工品質の向上をするために、第２金属層１３を除去することが好ましい。また、上面側に設けられた第１金属層１２を除去することで、レーザー加工の際の走査回数の低減のほか、デブリの発生を低減することができる。
【００２７】
第２金属層１３のエッチングは、従来のプリント基板の製造方法において、配線パターンを形成するためのエッチングと同様の手法で行うことができる。
まず、エッチングを施して除去する領域である第２金属層除去領域２３が露出するように、他の領域の第１金属層１２及び第２金属層１３をマスクする。次に、第２金属層１３で用いられている金属の種類に応じて、適宜なエッチング液を用いて、マスクから露出した第２金属層１３を除去する。
【００２８】
本実施形態では、底面視において、第２金属層１３がエッチングによって除去される第２金属層除去領域２３は、開口部１５を形成する領域である開口部形成予定領域２４の形状に応じて長円形、円形、楕円形、多角形などの環状に設定されるレーザー光照射予定領域２１を包含するように定められる。また、狭義の貫通孔を形成する場合は、第２金属層除去領域２３は、その貫通孔を包含する領域に定められる。つまり、第２金属層除去領域２３は、開口部形成予定領域２４よりも広く形成される。より詳細には、第２金属層除去領域２３の外縁が、開口部形成予定領域２４の外縁であるレーザー光照射予定領域２１から、所定の距離以上離間するように除去される。
【００２９】
ここで、レーザー光照射予定領域２１から離間する所定の離間距離ｄは、レーザー光照射予定領域２１であるレーザー光２０が照射される位置精度と、エッチングによって第２金属層除去領域２３を形成する際の位置精度とから定められる相対的な位置精度よりも大きくなるように定められる。離間距離ｄは、具体的には、１０μｍ以上とすることが好ましく、２０μｍ以上とすることがより好ましい。これによって、位置精度内でレーザー光２０が照射された領域が位置ずれした場合であっても、レーザー光２０が第２金属層１３に照射されないようにすることができる。そのため、レーザー光２０の走査回数を第２金属層１３を除去する分だけ低減しても、開口部形成予定領域２４の外縁に環状の貫通溝２５を確実に形成することができる。また、その結果として、高い信頼性で開口部１５を形成できる。
なお、レーザー加工時に基材１１に蓄積される熱を効率的に散逸させるために、また、メッキ工程Ｓ１４において開口部１３の内側面に形成される第３金属層１４に十分な被膜強度が得られるように、離間距離ｄは短いほど好ましく、例えば、５００μｍ以下とすることが好ましい。
【００３０】
レーザー加工工程Ｓ１３は、第２金属層除去領域２３が形成された原基板１０に、レーザー光２０を照射することで、広義の貫通孔を形成する工程である。広義の貫通孔として開口部１５を形成する場合は、第２金属層除去領域２３が形成された原基板１０に、環状に設定されたレーザー光照射予定領域２１に沿って第１金属層１２側からレーザー光２０を照射する。このレーザー光２０の照射によって、原基板１０を厚さ方向に貫通する環状の貫通溝２５が形成され、貫通溝２５によって分離された部分１９が、自然落下や上面側又は下面側からエアブローなどで押し出されて除去されることで、原基板１０に開口部１５が形成される。これによって、プリント基板１を製造することができる。
なお、レーザー加工によって形成される広義の貫通孔が、レーザー光２０の走査を伴わない場合は、平面視で環状の貫通溝２５の代わりに点状の貫通孔が形成される。
【００３１】
より詳細には、レーザー光２０の照射は、開口部形成予定領域２４の外縁に環状に定められるレーザー光照射予定領域２１に沿って周回するように、複数回走査することで行われる。レーザー光２０の走査回数は、レーザー光２０の種類やパワー、フルエンスなどの諸条件と、原基板１０に用いられる第１金属層１２の材質及び厚さ並びに基材１１の材質及び厚さとに応じて定められる。本実施形態では、レーザー光照射予定領域２１及びその近傍の第２金属層１３は、エッチング工程Ｓ１２において予め除去されているため、第２金属層１３は本工程のレーザー加工の対象とはならない。つまり、第２金属層１３をレーザー加工しない分だけ、レーザー光２０の走査回数を低減することができる。
【００３２】
例えば、原基板１０が、第１金属層１２及び第２金属層１３として厚さがそれぞれ数μｍ程度の銅箔を有し、基材１１の厚さが数百μｍ程度のガラスエポキシ基板である場合について説明する。この場合に、第２金属層１３を除去せずにレーザー加工で貫通溝２５を形成するには、レーザー光走査が約６０回必要であるときに、第２金属層１３を予め除去することで、走査回数を４０〜４５回程度に低減することができる。走査回数を低減することで、例えば９０分程度を要するレーザ加工時間を、６０〜７０分程度に低減することができる。これに対して、第１金属層や第２金属層１３のエッチングに要する時間は、連続で加工すると、例えば、１枚当たり１分程度の時間間隔で仕上げることができる。従って、エッチング工程Ｓ１２を行った後でレーザー加工工程Ｓ１３を行うようにすることで、トータルの生産性を上げることができる。
【００３３】
レーザー光２０を環状に走査する際に、走査方向は時計回り、反時計回りの何れであってもよい。また、原基板１０の厚さ方向についてのレーザー光２０の集光点の位置である深さは、レーザー加工の進行度に関係なく一定であってもよいし、レーザー加工の進行度に応じて変化させてもよい。例えば、原基板１０の厚さが不均一である場合は、レーザー光２０の集光点の深さは、原基板１０の加工位置における厚さに応じて変化させるようにしてもよい。
【００３４】
また、レーザー光２０を複数回走査する場合において、レーザー光２０を照射する各点における周回間の照射間隔が５ミリ秒以上となるようにレーザー光２０を走査することが好ましい。このようにすることで、周回間の時間に基材１１内に蓄積された過剰な熱エネルギーを第１金属層１２及び第２金属層１３に効果的に散逸させることが可能となり、基材１１のレーザー加工部における熱的損傷の発生を抑制することができる。
【００３５】
レーザー光２０は、原基板１０に適切に貫通溝２５を形成できるものであれば、種類は特に限定されないが、以下に示すものが好ましい。
レーザー光２０は、原基板１０への熱の影響を抑えるために、瞬間的に高いパワーを得られるパルスレーザーであることが好ましい。これによって、種々の材料や厚さの原基板１０に対応しやすくなる。
【００３６】
また、レーザー光２０としてパルスレーザーを用いる場合は、以下の条件とすることが好ましい。
レーザー光２０の発信波長は、基材１１のレーザー加工部における好ましくない熱的損傷の発生を抑制する観点からは、２５０〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、２５０〜１５００ｎｍの範囲内であることがより好ましい。例えば、レーザー光２０の波長は、３５５ｎｍである。
【００３７】
レーザー光２０のパワーは、レーザー加工速度を高速化する観点からは、１０Ｗ以上であることが好ましい。また、レーザー光２０のパワーは、パルス周波数や走査速度と組み合わせたときに定められるトータルでの照射エネルギーが、加工対象とする原基板１０に適するようにすれば、上限は特に限定されるものではない。従って、レーザー光２０は、例えば、６０Ｗ程度のパワーのものを利用することも可能である。
レーザー光２０のパルス幅は、レーザー加工品質を向上させる観点からは、１０ピコ秒〜１００ナノ秒の範囲内であることが好ましい。
レーザー光２０のパルス周波数は、レーザー加工品質を向上させる観点からは、１００ｋＨｚ〜３ＭＨｚであることが好ましく、１ＭＨｚ〜３ＭＨｚであることがより好ましい。
【００３８】
レーザー光２０のパルスエネルギーは、例えば、レーザー光２０の波長が３５５ｎｍである場合、レーザー加工速度を高速化する観点からは、３μＪ以上であることが好ましい。また、レーザー光２０の波長が３５５ｎｍである場合、レーザー加工速度を高速化する観点からは、レーザー光２０の原基板１０の上面におけるレーザー光２０のフルエンスは、３Ｊ／ｃｍ２以上であり、集光点におけるレーザー光２０のフルエンスは、１０Ｊ／ｃｍ２以上であることが好ましい。
レーザー光２０の幅であるビーム径は、レーザー加工の狭ピッチ化の観点からは、１０〜３０μｍであることが好ましい。
レーザー光２０の走査速度は、レーザー加工速度を高速化する観点からは、１０００〜３０００ｍｍ／秒であることが好ましい。
【００３９】
なお、レーザー加工の際に、プリント基板１の上面や下面にドライフィルムを設けるようにしてもよい。これによって、レーザー加工時に発生するデブリが、原基板１０の上面や下面に直接付着することを防止することができる。レーザー加工後に、ドライフィルムを除去することで、デブリを簡単に除去することができる。
【００４０】
（レーザー加工装置）
次に、レーザー加工工程Ｓ１３で用いられるレーザー加工装置の例について説明する。レーザー加工装置２００は、プリント基板１の基材１１の上面及び下面に、それぞれ第１金属層１２及び第２金属層１３が設けられた原基板１０に、レーザー光２０を照射して広義の貫通孔を形成する装置である。また、原基板１０は、レーザー光２０が照射される予定の領域に、第２金属層除去領域２３が設けられている。
【００４１】
レーザー加工装置２００は、少なくとも、レーザー光２０を出射するレーザー光源２１０と、ステージ２５０と、レーザー光源２１０から出射されたレーザー光２０をステージ２５０上に載置された原基板１０に導く光学系と、ステージ２５０上に載置された原基板１０とレーザー光２０の集光点とを相対的に移動させる走査部と、走査部の動作を制御する制御部と、を有する。以下、各構成要素について説明する。
【００４２】
レーザー光源２１０は、原基板１０に照射するためのレーザー光２０を出射する。レーザー光源２１０として用いるレーザーの種類は、特に限定されないが、原基板１０の種類などに応じて適宜選択される。レーザーの例には、ファイバーレーザーなどが含まれる。
【００４３】
本例では、光学系として、テレスコープ光学系２２０及びｆθレンズ２４０を備えており、その他にミラーなどが適宜用いられている。走査部として、ステージ２５０及びガルバノスキャナ２３０を備えており、これらを駆動するためのＸＹステージコントローラ２７０やＺコントローラ２８０なども含まれる。制御部として、コンピュータ２９０を備えている。
その他、レーザー加工装置２００は、更にＡＦカメラ２６０などを備えることで、原基板１０内の所望の位置にレーザー光２０の集光点を位置させるための自動照準システムなどを有するようにしていてもよい。
【００４４】
レーザー光源２１０は、所定の波長のレーザー光２０を出射する。前記したとおり、レーザー光源２１０として用いるレーザーの種類は、加工対象の原基板１０の種類などに応じて適宜選択される。
【００４５】
テレスコープ光学系２２０は、好ましい加工形状を得るために、レーザー光源２１０から出射されたレーザー光２０のビーム径を最適化する。
【００４６】
ガルバノスキャナ２３０は、コンピュータ２９０の指示に基づいて、テレスコープ光学系２２０により最適化されたレーザー光２０の進行方向を変化させる。ガルバノスキャナ２３０で進行方向を制御されたレーザー光２０は、集光レンズであるｆθレンズ２４０により原基板１０内に集光される。このようにガルバノスキャナ２３０及びｆθレンズ２４０を組み合わせることで、開口部形成予定領域２４の外縁に沿って一定速度でレーザー光２０の集光点を走査することができる。
【００４７】
ステージ２５０は、原基板１０が載置される載置台と、この載置台を移動させることができる駆動機構とを有する。駆動機構は、載置台をＸ軸又はＹ軸方向に移動させたり、Ｘ軸又はＹ軸を中心として回転させたりすることができる。ステージ２５０上の原基板１０は、この駆動機構によってＸＹ軸方向に移動させることができる。
【００４８】
ＡＦカメラ２６０は、原基板１０のレーザー加工部位の表面プロファイルを取得するた
めのＡＦ（自動焦点）機能付きのカメラである。取得されたプロファイルは、コンピュータ２９０に出力される。
【００４９】
ＸＹステージコントローラ２７０は、コンピュータ２９０の指示に基づいて、レーザー光２０の集光点が原基板１０の開口部形成予定領域２４の外縁に位置するように、ステージ２５０をＸＹ軸方向に移動させる。
【００５０】
Ｚコントローラ２８０は、コンピュータ２９０の指示に基づいて、レーザー光２０の集光点が原基板１０内に位置するように、ｆθレンズ２４０をＺ軸方向に移動させる。
【００５１】
コンピュータ２９０は、レーザー光源２１０、ガルバノスキャナ２３０、ＡＦカメラ２６０、ＸＹステージコントローラ２７０及びＺコントローラ２８０に接続されており、これら各部を総合的に制御する。例えば、コンピュータ２９０は、ＡＦカメラ２６０及びＸＹステージコントローラ２７０を制御して、原基板１０の表面プロファイルを取得する。また、コンピュータ２９０は、ガルバノスキャナ２３０及びＺコントローラ２８０を制御して、開口部形成予定領域２４の外縁に沿って複数回周回するようにレーザー光２０を走査させる。また、コンピュータ２９０は、ＸＹステージコントローラ２７０を制御して、開口部形成予定領域２４の外縁にレーザー光２０を照射することができるようにステージ２５０を移動させる。
【００５２】
次に、レーザー加工工程Ｓ１３として、レーザー加工装置２００を用いて原基板１０に開口部１５を形成する手順を説明する。
まず、原基板１０をステージ２５０の載置台に載置して、ＡＦカメラ２６０及びＸＹステージコントローラ２７０により原基板１０の表面プロファイルを取得する。
【００５３】
次いで、ＸＹステージコントローラ２７０により原基板１０を所定の位置に移動させた後、レーザー光源２１０からレーザー光２０を出射して、レーザー光２０を原基板１０に照射する。このとき、ガルバノスキャナ２３０によりレーザー光２０の進行方向を変化させることで、開口部形成予定領域２４の外縁に沿って複数回周回するようにレーザー光２０を走査する。また、開口部形成予定領域２４の外縁上の各点における周回間の照射間隔が、好ましくは５ミリ秒以上となるようにレーザー光２０を走査する。例えば、開口部形成予定領域２４の外縁上の各点における周回間の照射間隔が５ミリ秒以上となるように、レーザー光２０の走査を１周ごとに所定の時間止める。このようにレーザー光２０を照射することで、焦げや抉れなどの好ましくない熱的損傷の発生を抑制しつつ、原基板１０の裏面に到達する貫通溝２５を開口部形成予定領域２４の外縁に沿って形成することができる。原基板１０に複数の開口部１５を形成する場合は、ＸＹステージコントローラ２７０により原基板１０を移動させた後、上記工程を繰り返せばよい。
【００５４】
メッキ工程Ｓ１４は、開口部１５を形成した後のプリント基板１にメッキ処理を施すことで、第１金属層１２、第２金属層１３及び開口部１５の内側面を連続して被覆するメッキ膜である第３金属層１４を形成する工程である。第３金属層１４を形成することで、プリント基板１の上面側の配線パターンとなる第１金属層１２と、下面側の配線パターンとなる第２金属層１３とを、開口部１５を介して電気的に接続することができる。
【００５５】
第３金属層１４は、第１金属層１２及び第２金属層１３と異種の金属を用いてもよいが、同種の金属を用いることが好ましい。例えば、第１金属層１２及び第２金属層１３としてＣｕ又はＣｕ合金を用いる場合は、Ｃｕメッキ処理を施すことで、第３金属層１４を形成することが好ましい。第３金属層１４として、第１金属層１２及び第２金属層１３と同種の金属を用いることで、これらの金属層間の接合性を高めることができる。
【００５６】
配線パターン形成工程Ｓ１５は、第１金属層１２、第２金属層１３及び第３金属層１４をエッチングすることで所定の配線パターンを形成する工程である。配線電極として残す領域にマスクを施し、第１金属層１２、第２金属層１３及び第３金属層１４として用いられている金属の種類に応じたエッチング液で、マスクから露出した第１金属層１２、第２金属層１３及び第３金属層１４を除去することで、配線パターンを形成することができる。
【００５７】
本実施形態では、図６Ａ〜図６Ｃにおいて、縦長のスリット状の開口部１５で挟まれた各領域において、上面側及び下面側で、横方向に２つの領域に離間するように、配線電極１６及び配線電極１７が形成されている。上面側において、配線電極１６は、実装される発光素子の一方の電極と接合するための素子実装部１６ａを有し、配線電極１７は、実装される発光素子の他方の電極と接合するための素子実装部１７ａを有している。また、他の回路基板に実装する際の実装面となる下面側において、配線電極１６と配線電極１７とは上面側よりも離間距離が大きく設けられている。
【００５８】
また、本実施形態におけるプリント基板１は、縦方向に区画する境界線６１と、横方向に区画する境界線６２とによって区画される各領域が、１個の発光素子を実装するための実装基板として用いられる。つまり、プリント基板１は、発光装置用の複数の実装基板が集合した集合基板の形態で製造されている。詳細は後記するが、各領域の素子実装部１６ａ，１７ａに発光素子を実装し、境界線６１，６２に沿って分割することで、発光装置を製造することができる。
【００５９】
なお、配線パターンはこれに限定されず、目的に応じて形成することができる。例えば、発光素子のほか、保護素子の搭載を考慮した回路が構成できるように配線パターンを形成してもよい。また、プリント基板１は、複数の発光装置を製造するための実装基板を集合した集合基板に限定されず、全体として１個の発光装置などを製造するためのものであってもよい。
【００６０】
以上の工程を行うことにより、プリント基板１を製造することができる。
【００６１】
＜変形例＞
次に、プリント基板の製造方法の変形例について、図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明する。
図７Ａは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程の第１変形例を示す断面図である。図７Ｂは、第１実施形態に係るプリント基板の製造方法におけるエッチング工程の第２変形例を示す断面図である。
【００６２】
（第１変形例）
第１変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記したエッチング工程Ｓ１２において、平面視でレーザー光照射予定領域２１及びその近傍領域について、第２金属層１３に第２金属層除去領域２３を形成することに加えて、上面側の第１金属層１２に第１金属層除去領域２２を形成するものである。その他の工程については、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。
【００６３】
レーザー光照射予定領域２１及びその近傍領域について、第２金属層１３に加えて、第１金属層１２も予め除去することで、レーザー加工工程Ｓ１６におけるレーザー光２０の走査回数を更に低減することができる。
【００６４】
なお、本変形例では、第１金属層除去領域２２は、平面視で、第２金属層除去領域２３と重なるように形成されているが、これに限定されるものではない。前記した第２金属層除去領域２３と同じ条件を満足すれば、第１金属層除去領域２２と第２金属層除去領域２３とが平面視で完全に重なるように形成しなくともよい。
【００６５】
（第２変形例）
第２変形例に係るプリント基板の製造方法は、前記したエッチング工程Ｓ１２において、平面視でレーザー光照射予定領域２１及び所定の離間距離ｄ以内の近傍領域について、第２金属層除去領域２３を形成するものである。つまり、開口部形成予定領域２４の内側の領域について、第２金属層１３を除去しないで残すものである。その他の工程については、前記した第１実施形態に係るプリント基板の製造方法と同様に行われる。
【００６６】
第２変形例においても、レーザー光照射予定領域２１及びその近傍領域の第２金属層１３を予め除去するため、レーザー光２０の走査回数は、図３Ａ及び図３Ｂに示した第１実施形態と同様に低減することができる。また、開口部形成予定領域２４の内側の領域に第２金属層１３が残されることで、レーザー加工の際に基材１１内に蓄積した過剰な熱エネルギーを当該残された第２金属層１３を介して効果的に散逸させることが可能となり、基材１１のレーザー加工部における熱的損傷の発生を抑制することができる。
【００６７】
また、第１変形例において、上面側の第１金属層１２を除去する場合にも、第２変形例のようにレーザー光照射予定領域２１及び所定の離間距離ｄ以内の近傍領域のみを、第１金属層除去領域２２としてもよい。
【００６８】
＜第２実施形態＞
［発光装置及びその製造方法］
次に、第２実施形態に係る発光装置及びその製造方法について、図８〜図１１Ｂを参照して説明する。
図８は、第２実施形態に係る発光装置の製造方法の手順を示すフローチャートである。図９Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す平面図である。図９Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における発光素子実装工程を示す断面図であり、図９ＡのＩＸＢ−ＩＸＢ線における断面を示す。図１０Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材形成工程を示す平面図である。図１０Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における遮光性部材形成工程を示す断面図であり、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線における断面を示す。図１１Ａは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す平面図である。図１１Ｂは、第２実施形態に係る発光装置の製造方法における透光性部材形成工程を示す断面図であり、図１１ＡのＸＩＢ−ＸＩＢ線における断面を示す。
【００６９】
［発光装置の構成］
第２実施形態に係る発光装置１００は、実装基板として第１実施形態に係るプリント基板１を用い、プリント基板１に発光素子３を実装することで構成されるものである。また、発光装置１００は、発光素子３の側面を覆う遮光性部材５１と発光素子３の上面を覆う透光性部材５２とからなる封止部材５で封止される。
発光装置１００の詳細な構成については、その製造方法とともに説明する。
【００７０】
［発光装置の製造方法］
第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、プリント基板準備工程Ｓ２１と、発光素子実装工程Ｓ２２と、封止工程Ｓ２３と、個片化工程Ｓ２４と、が含まれている。また、封止工程Ｓ２３は、遮光性部材形成工程Ｓ２３１と透光性部材形成工程Ｓ２３２とが含まれている。
【００７１】
プリント基板準備工程Ｓ２１は、前記した第１実施形態又はその変形例に係るプリント基板の製造方法によって、プリント基板１を準備する工程である。
本実施形態で準備されるプリント基板１は、前記したように、レーザー加工によって開口部１５を形成する前に、レーザー光照射予定領域に配置されている第１金属層１２又は／及び第２金属層１３がエッチングによって除去される。このため、第１金属層１２及び第２金属層１３の膜厚を厚く形成してもレーザー加工に要する時間の増加を抑制することができる。また、膜厚の厚い第１金属層１２及び第２金属層１３を用いることで、配線パターンの熱抵抗を低くすることができ、配線パターン上に実装される発光素子３からの熱を効率よく放熱して、発光素子３の温度上昇を抑制することができる。その結果、発光素子３の発光効率を高めて、発光装置１００の光束を向上させることができる。
【００７２】
発光素子実装工程Ｓ２２は、発光装置１００の実装基板であるプリント基板１に、発光素子３を実装する工程である。発光素子３は、特に限定されるものではないが、例えば、窒化物半導体を用いた、ＬＥＤ（発光ダイオード）などの半導体発光素子を用いることができる。本実施形態では、発光素子３は、その一方の面側に一対の電極としてｎ側電極３１及びｐ側電極３２が設けられており、ｎ側電極３１及びｐ側電極３２は、半田や異方導電性接着剤などの導電性を有する接合部材４を用いて、プリント基板１の各素子領域の素子実装部１６ａ，１７ａに接合されている。
【００７３】
なお、発光素子３の実装形態は特に限定されるものではなく、本実施形態のようにフリップチップ実装のほか、発光素子３をダイボンド樹脂を用いてフェイスアップ型で実装し、導電性のワイヤを用いて配線電極１６，１７と電気的に接続するようにしてもよい。
【００７４】
封止工程Ｓ２３は、発光素子３を、封止部材５を用いて封止する工程である。前記したように遮光性部材形成工程Ｓ２３１と透光性部材形成工程Ｓ２３２とが含まれている。
【００７５】
遮光性部材形成工程Ｓ２３１は、発光素子３の側面を覆うように、遮光性部材５１を形成する工程である。遮光性部材５１としては、光反射性材料からなる光反射性部材としてもよく、光吸収性材料からなる光吸収性部材としてもよい。遮光性部材５１として光反射性部材を用いると、発光素子３から放出される光を、発光装置１００の上面側から効率よく出射させることができるため、光取り出し効率を高めることができる。また、遮光性部材５１として光吸収性部材を用いると、発光装置１００の発光面と非発光面との輝度コントラストを高くすることができる。
【００７６】
光反射性材料としては、例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの透光性を有する樹脂にＴｉＯ２などの白色顔料を含有させた白色樹脂を用いることができる。また、光吸収性材料としては、前記した透光性を有する樹脂に、カーボンブラックなどの黒色顔料を含有させた黒色樹脂を用いることができる。
遮光性部材５１は、これらの材料を、金型を用いた成形法や、スクリーン印刷法などの各種の塗布法などによって形成することができる。
【００７７】
透光性部材形成工程Ｓ２３２は、発光素子３の上面及び遮光性部材５１の上面を覆うように、透光性部材５２を形成する工程である。プリント基板１上に実装された発光素子３は、側面を覆う遮光性部材５１と上面を覆う透光性部材５２とからなる封止部材５によって封止される。
【００７８】
透光性部材５２は、遮光性部材５１に用いたものと同様の透光性を有する樹脂を用いることができる。また、透光性部材５２に、発光素子３からの光の一部又は全部を吸収して、異なる波長の光に変換する蛍光体の粒子などを含有させるようにしてもよい。
透光性部材５２は、金型を用いた成形法や、各種の塗布法などによって形成することができる。また、板状の透光性部材５２を、発光素子３の上面及び遮光性部材５１の上面に貼付するようにしてもよい。
【００７９】
本実施形態では、遮光性部材５１と透光性部材５２とで封止部材５を構成するようにしたが、封止部材５の構成及び製造方法はこれに限定されるものではない。例えば、透光性部材５２に用いられる材料をポッティング法などで発光素子３の全体を覆うように供給して、封止部材５とすることもできる。
また、封止部材５は設けないようにしてもよく、封止部材５に代えて、発光素子３の一部を覆う部材を設けるようにしてもよい。
【００８０】
個片化工程Ｓ２４は、集合基板であるプリント基板１を、素子領域ごとに分割することで、発光装置１００を個片化する工程である。
本実施形態では、境界線６１に沿ってプリント基板１及び封止部材５をダイシング法などによって切断することにより、発光装置１００を個片化することができる。プリント基板１は、境界線６２に沿って設けられている開口部１５によって、横方向に隣接する素子領域同士が元々分離されているため、境界線６２に沿った切断作業は不要である。
【００８１】
以上の工程を行うことで、第２実施形態に係る発光装置１００を製造することができる。
【００８２】
以上、本発明に係るプリント基板、発光装置及びそれらの製造方法について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本開示の実施形態に係る発光装置は、照明用装置、車載用発光装置などに利用することができる。
【符号の説明】
【００８４】
１        プリント基板
１０      原基板
１１      基材
１１１    樹脂層
１１２    強化材
１１２ａ  縦糸
１１２ｂ  横糸
１２      第１金属層
１３      第２金属層
１４      第３金属層
１５      開口部（貫通孔）
１６，１７  配線電極（配線パターン）
１６ａ，１７ａ  素子実装部
１８      穴部
１９      分離された部分
２０      レーザー光
２１      レーザー光照射領域
２２      第１金属層除去領域
２３      第２金属層除去領域
２４      開口部形成予定領域
２５      貫通溝
３        発光素子
３１      ｎ側電極
３２      ｐ側電極
４        接合部材
５        封止部材
５１      遮光性部材
５２      透光性部材
６１，６２  境界線
１００    発光装置
２００    レーザー加工装置
２１０    レーザー光源
２２０    テレスコープ光学系
２３０    ガルバノスキャナ
２４０    ｆθレンズ
２５０    ＸＹステージ
２６０    ＡＦカメラ
２７０    ＸＹステージコントローラ
２８０    Ｚコントローラ
２９０    コンピュータ
【図１】
2020141147.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
2020141147.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
2020141147.tif 000009
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2020141147.tif 000011
【図６Ｃ】
2020141147.tif 000012
【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【手続補正書】
【提出日】令和2年6月26日(2020.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する板状の基材と、前記基材の一方の面に設けられる第１金属層と、前記基材の他方の面に設けられる第２金属層と、を備える原基板に、前記第１金属層側からレーザー光を照射することで前記原基板に厚さ方向に貫通する貫通孔を形成するレーザー加工工程を含み、
前記レーザー加工工程よりも前に、前記レーザー光の照射予定領域に配置されている前記第２金属層をエッチングすることによって除去するエッチング工程を有し、
前記エッチング工程において、開口部形成予定領域の内側の前記第２金属層を残す、プリント基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁性を有する板状の基材と、前記基材の一方の面に設けられる第１金属層と、前記基材の他方の面に設けられる第２金属層と、を備える原基板に、前記第１金属層側からレーザー光を照射することで前記原基板に厚さ方向に貫通する貫通孔を形成するレーザー加工工程を含み、
前記レーザー加工工程よりも前に、前記レーザー光の照射予定領域に配置されている前記第２金属層をエッチングすることによって除去するエッチング工程を有し、
前記エッチング工程の後に、第1金属層と第２金属層にドライフィルムを設ける工程を有する、プリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程において、前記第２金属層は、前記レーザー光の照射予定領域から所定の距離以上離間するように除去される、請求項１又は請求項２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光の照射予定領域から離間する前記所定の距離が１０μｍ以上５００μｍ以下である請求項３に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング工程において、前記レーザー光の照射予定領域に配置されている前記第１金属層を更に除去する、請求項１乃至４の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記エッチング工程において、前記第１金属層は、前記レーザー光の照射予定領域から所定の距離以上離間するように除去される、請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記レーザー加工工程において、前記レーザー光は、前記貫通孔の形成予定領域の外縁に沿って環状に走査するように照射する、請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記基材を構成する材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂及びエポキシ変性シリコーン樹脂からなる群から選択される１又は２以上の樹脂である、請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記基材は、ガラス繊維、セラミックス繊維、カーボン繊維及びアラミド繊維からなる群から選択される１又は２以上の強化材を含有する、請求項８に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１金属層及び前記第２金属層を構成する金属は、それぞれ、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ及びＡｌからなる群から選択される１若しくは２以上の金属、又はこれらの金属を主成分として含む合金である、請求項１乃至請求項９の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１金属層の厚さは、１μｍ以上１８μｍ以下である、請求項１乃至請求項１０の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記基材の厚さは、２００μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１乃至請求項１１の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザー加工工程において、
前記レーザー光は、発振波長が２５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であり、パワーが１０Ｗ以上６０Ｗ以下であり、周波数が１００ｋＨｚ以上３０００ｋＨｚ以下のパルス光であり、パルス幅が１０ピコ秒以上１００ナノ秒以下であり、パルスエネルギが３μＪ以上であり、前記原基板の表面におけるフルエンスが３Ｊ／ｃｍ２以上であり、集光点におけるフルエンスが１０Ｊ／ｃｍ２以上であり、前記原基板の平面視における同じ位置に繰り返
し照射する場合の照射間隔が５ｍ秒以上であり、走査速度が１０００ｍｍ／秒以上３０００ｍｍ／秒以下である、請求項１乃至請求項１２の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１４】
前記レーザー加工工程において、
前記レーザー光の幅は１０μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１乃至請求項１３の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１５】
前記レーザー加工工程よりも後に、前記第１金属層と、前記第２金属層と、前記貫通孔の内側面とを連続して覆う第３金属層をメッキによって形成するメッキ工程を有する、請求項１乃至請求項１４の何れか一項に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１６】
前記メッキ工程よりも後に、前記第１金属層、前記第２金属層及び前記第３金属層をエッチングすることで配線パターンを形成する工程を有する、請求項１５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプリント基板の製造方法によってプリント基板を準備する工程と、
前記配線パターンと電気的に接続されるように発光素子を前記プリント基板に実装する工程と、を含む発光装置の製造方法。