(57)【要約】【課題】デュアルダマシン法において、ビアホールおよび配線パターン溝を電解めっきにて埋める際に、めっき厚およびめっきに要する時間を低減することが可能な多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】デュアルダマシン法を用いた多層配線基板の製造方法において、基板上にネガ型感光性絶縁樹脂層を形成した後、下地まで達するビアを形成する開口部４ａに対応する領域には露光せず、配線層を形成する下地まで達しない半開口部には過剰なラジカル種により失活が優位となり感光性絶縁樹脂層の硬化が不十分となる高照度露光６ａを行うことで、開口部の周縁部は十分な硬化がなされ、樹脂突起が形成される。この樹脂突起により、開口部や半開口部にビアフィルめっきを行う際に、めっき厚が従来より薄い段階で、開口部がめっきで埋められることを特徴とする多層配線基板の製造方法。【選択図】図１
2020141007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアルダマシン法によって、支持基板上の剥離層の上に形成した微細配線層をビルドアップ基板にフリップチップ接続してなる多層配線基板の製造方法において、
微細配線層の製造工程において使用するネガ型感光性絶縁樹脂層の、
ビアを形成する開口部には露光せず、
配線パターンを形成する半開口部には、ラジカル種が短時間に過剰に発生することにより失活が優位となりネガ型感光性絶縁樹脂層の硬化が不十分となる高照度露光を行い、
ネガ型感光性絶縁樹脂層をそのまま残す未開口部には、ネガ型感光性絶縁樹脂層が十分に硬化する低照度露光を行うことにより、
現像処理により、開口部の周縁部に、半開口部の絶縁樹脂層の厚さより厚く、未開口部の樹脂の厚さより薄い、樹脂突起が形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
デュアルダマシン法によって、ビルドアップ基板上に微細配線層を形成する多層配線基板の製造方法において、
微細配線層の製造工程において使用するネガ型感光性絶縁樹脂層の、
ビアを形成する開口部には露光せず、
配線パターンを形成する半開口部には、ラジカル種が短時間に過剰に発生することにより失活が優位となりネガ型感光性絶縁樹脂層の硬化が不十分となる高照度露光を行い、
ネガ型感光性絶縁樹脂層をそのまま残す未開口部には、ネガ型感光性絶縁樹脂層が十分に硬化する低照度露光を行うことにより、
現像処理により、開口部の周縁部に、半開口部の絶縁樹脂層の厚さより厚く、未開口部の樹脂の厚さより薄い、樹脂突起が形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ネガ型感光性絶縁樹脂層は、反応性モノマーと反応性オリゴマーとバインダーポリマーの中から選ばれた１以上を含む樹脂成分と、ラジカル重合開始剤とカチオン重合開始剤と増感剤の中から選ばれたいずれかの成分が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記低照度露光および前記高照度露光を、少なくとも２回以上に分割して露光することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記低照度露光および前記高照度露光を、直描露光装置により一括露光することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記低照度露光の照度は１００００Ｗ／ｃｍ２以下であり、前記高照度露光の照度は２００００Ｗ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
ビルドアップ基板と、その上に備えられた微細配線層と、からなる多層配線基板であって、
微細配線層は、絶縁樹脂層と、金属配線層と、が交互に、それぞれ少なくとも１組以上備えられてなり、
絶縁樹脂層は、下層まで貫通する開口部と、下層まで貫通しない半開口部と、未開口部と、を有しており、
開口部と、開口部に隣接する半開口部との境界部には、半開口部よりも高く、未開口部よりも低い樹脂突起を有することを特徴とする多層配線基板。
【請求項８】
前記半開口部の前記下層の表面からの前記絶縁樹脂層の厚さは、前記未開口部の絶縁樹脂層の厚さの２０％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記開口部と前記半開口部の境界部の前記樹脂突起の前記下層の表面からの前記絶縁樹脂層の厚さは、前記半開口部の厚さ以上、前記未開口部の厚さ未満であることを特徴とする請求項８に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法に関する。更に詳しくは、デュアルダマシン法を用いた多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップは、配線の微細化技術の進歩が頭打ちに成りつつある中で、高集積化が進展しているため、チップサイズの大型化が問題となって来ている。その解決策の１つとして、チップを分割して基板上に実装してから相互に接続するＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ
ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）の動きが出てきている。
【０００３】
これを実現するために、インターポーザー上に微細配線を形成し、ビルドアップ基板に実装した２．５次元(以下２．５Ｄ)パッケージ基板や、２．５Ｄ機能をビルドアップ基板上に一体化させた２．１次元パッケージ基板などが提案されている。
【０００４】
また、前記微細配線の形成方法の一つとしてＣｕのエッチングを必要としないデュアルダマシン法が知られている。
デュアルダマシン法は、以下に説明するような工程によりビアと配線パターンを形成し、多層配線基板を製造する工法である。まず、下層配線パターン上に絶縁樹脂層を塗布またはラミネートした後、上層配線パターンとの電気的な接続をとるために下層配線パターンまで到達する開口部であるビアホールと、上層配線パターンを形成するための下層配線パターンまで到達しない開口部である上層配線パターン溝と、を同時または逐次形成する。次に、そのビアホールと配線パターン溝内部にスパッタや無電解めっきによりシード層を形成した後、電解めっきにてビアホールと配線パターンが埋まるまでＣｕめっきを行う。次に、余剰なめっきを物理研磨または化学研磨などにより除去する。これを繰り返すことにより、多層配線基板を製造する。
【０００５】
しかしながら、例えば、特許文献１に開示されている様に、このデュアルダマシン法を使用した製造工程において、めっきにてビアを埋めるために過剰なめっきを必要とする。この過剰めっき部は研磨により除去するため、材料コストや生産性の観点から過剰なめっきを極力低減することが好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第６３６５１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の事情に鑑み、本発明は、デュアルダマシン法において、ビアホールおよび配線パターン溝を電解めっきにて埋める際に、めっき厚およびめっきに要する時間を低減することが可能な多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、デュアルダマシン法によって、支持基板上の剥離層の上に形成した微細配線層をビルドアップ基板にフリップチップ接続してなる多層配線基板の製造方法において、
微細配線層の製造工程において使用するネガ型感光性絶縁樹脂層の、
ビアを形成する開口部には露光せず、
配線パターンを形成する半開口部には、ラジカル種が短時間に過剰に発生することにより失活が優位となりネガ型感光性絶縁樹脂層の硬化が不十分となる高照度露光を行い、
ネガ型感光性絶縁樹脂層をそのまま残す未開口部には、ネガ型感光性絶縁樹脂層が十分に硬化する低照度露光を行うことにより、
現像処理により、開口部の周縁部に、半開口部の絶縁樹脂層の厚さより厚く、未開口部の樹脂の厚さより薄い、樹脂突起が形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、デュアルダマシン法によって、ビルドアップ基板上に微細配線層を形成する多層配線基板の製造方法において、
微細配線層の製造工程において使用するネガ型感光性絶縁樹脂層の、
ビアを形成する開口部には露光せず、
配線パターンを形成する半開口部には、ラジカル種が短時間に過剰に発生することにより失活が優位となりネガ型感光性絶縁樹脂層の硬化が不十分となる高照度露光を行い、
ネガ型感光性絶縁樹脂層をそのまま残す未開口部には、ネガ型感光性絶縁樹脂層が十分に硬化する低照度露光を行うことにより、
現像処理により、開口部の周縁部に、半開口部の絶縁樹脂層の厚さより厚く、未開口部の樹脂の厚さより薄い、樹脂突起が形成されることを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、前記ネガ型感光性絶縁樹脂層は、反応性モノマーと反応性オリゴマーとバインダーポリマーの中から選ばれた１以上を含む樹脂成分と、ラジカル重合開始剤とカチオン重合開始剤と増感剤の中から選ばれたいずれかの成分が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法である。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明は、前記低照度露光および前記高照度露光を、少なくとも２回以上に分割して露光することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法である。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、前記低照度露光および前記高照度露光を、直描露光装置により一括露光することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法である。
【００１３】
また、請求項６に記載の発明は、前記低照度露光の照度は１００００Ｗ／ｃｍ２以下であり、前記高照度露光の照度は２００００Ｗ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法である。
【００１４】
また、請求項７に記載の発明は、ビルドアップ基板と、その上に備えられた微細配線層と、からなる多層配線基板であって、
微細配線層は、絶縁樹脂層と、金属配線層と、が交互に、それぞれ少なくとも１組以上備えられてなり、
絶縁樹脂層は、下層まで貫通する開口部と、下層まで貫通しない半開口部と、未開口部と、を有しており、
開口部と、開口部に隣接する半開口部との境界部には、半開口部よりも高く、未開口部よりも低い樹脂突起を有することを特徴とする多層配線基板である。
【００１５】
また、請求項８に記載の発明は、前記半開口部の前記下層の表面からの前記絶縁樹脂層の厚さは、前記未開口部の絶縁樹脂層の厚さの２０％以上、８０％以下であることを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板である。
【００１６】
また、請求項９に記載の発明は、前記開口部と前記半開口部の境界部の前記樹脂突起の前記下層の表面からの前記絶縁樹脂層の厚さは、前記半開口部の厚さ以上、前記未開口部の厚さ未満であることを特徴とする請求項８に記載の多層配線基板である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の多層配線基板の製造方法によれば、開口部と半開口部の境界部の突起形状（樹脂突起）によりビアフィルめっきでのフィリング性が向上し、従来よりもめっき厚さを薄くしてもビアホールを埋めることが可能となる。これにより、めっきコストおよびタクトの低減が可能となる。
【００１８】
また、本発明の多層配線基板によれば、本発明の多層配線基板の製造方法により製造するため、従来と比較して、めっき材料の使用量を低減する事が可能であり、まためっき工程のタクトを短縮する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明のビアホールと配線パターン溝の形成方法を説明する概略断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法の一例を示す説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法の一例を示す説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る多層配線基板の製造方法の一例を示す説明図である。
【図６】本発明の多層配線基板の開口部と、その周縁部の樹脂突起の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜多層配線基板＞
本発明の多層配線基板は、ビルドアップ基板と、その上に備えられた微細配線層と、からなる多層配線基板である。
本発明の多層配線基板における微細配線層は、絶縁樹脂層と、金属配線層と、が交互に、それぞれ少なくとも１組以上備えられている。
また、絶縁樹脂層は、下層まで貫通する開口部と、下層まで貫通しない半開口部と、未開口部と、を有している。
また、開口部と、開口部に隣接する半開口部との境界部には、半開口部よりも高く、未開口部よりも低い樹脂突起を有することが特徴である。
【００２１】
また、半開口部の下層の表面からの絶縁樹脂層の厚さは、未開口部の絶縁樹脂層の厚さの２０％以上、８０％以下である事が好ましい。
【００２２】
また、開口部と半開口部の境界部の樹脂突起の下層の表面からの絶縁樹脂層の厚さは、半開口部の厚さ以上、未開口部の厚さ未満であることが好ましい。
【００２３】
本発明は、デュアルダマシン法において、ビアホールおよび配線パターン溝を電解めっきによって埋める際に、開口部（ビアホール）と、それに隣接した半開口部（配線パターン溝）と、の境界部に形成された突起形状の樹脂突起が存在すると、ビアフィルめっきでのフィリング性が向上する現象が起こることに基づいている。
【００２４】
具体的には、樹脂突起の存在により、開口部（ビアホール）におけるビアフィルめっき
の析出速度が速くなり、めっきの厚さが、従来より薄い段階でめっきによるビアの埋め込みが完了する。この現象により、析出させるめっき厚を低減できる。まためっきに要する時間を短縮することが可能となる。
【００２５】
本発明の多層配線基板は、この現象を積極的に利用することにより、めっき材料の使用量を低減し、めっき工程に要する時間を短縮することが可能となる。
以下に、多層配線基板におけるビアホールの形成方法と、それを使用した本発明の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００２６】
＜ビアホールの形成方法＞
図１を参照しながら、開口部と半開口部の境界部の樹脂突起が形成されたビアホールの形成方法について説明する。
【００２７】
まず、ネガ型感光性絶縁樹脂層３（以後、単に感光性絶縁樹脂層３、または絶縁樹脂層３、とも記す。）に形成されたビアホールなどに金属配線層５が埋め込まれた基板１２上に、ネガ型感光性絶縁樹脂層３を塗布またはラミネートし、その感光性絶縁樹脂層３を全て残す部分を低照度露光部６ｂ、配線パターン部のように下層まで達しない半開口部（配線パターン溝）４ｂを形成する部分を高照度露光部６ａ、下層まで達するビアホール４ａを形成する部分を未露光部（以後、開口部とも記す。）、として露光を行った後（図１（ａ）参照）、現像を行う（図１（ｂ）参照）。
【００２８】
この時の高照度部６ａの露光照度は２００００Ｗ／ｃｍ２以上が好ましく、さらには３００００Ｗ／ｃｍ２以上であることが好ましい。低照度部６ｂの露光照度は２００００Ｗ／ｃｍ２未満が好ましく、更には１００００Ｗ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
【００２９】
この様な高照度の露光を行うことで、ラジカル活性種が短時間で高濃度に発生し、ラジカル活性種同士の再結合による失活が優位となり、硬化が不十分となるため、現像液にてある程度現像されて樹脂の高さが低くなる。一方、未露光部（ビアホール４ａが形成される感光性絶縁樹脂層３の部位）と高照度露光部６ａの境界付近では、照度が高照度露光部６ａより低くなるため、適度な濃度でラジカル活性種が発生し、十分な硬化状態となる。そのため、現像液で現像されずに残ることとなる。これによりビアホール４ａと、それに隣接した配線パターン溝４ｂと、の境界部に樹脂突起８ａが形成される。
【００３０】
次に、樹脂のキュアを実施し、形成された樹脂突起８ａが高すぎる場合、ビアホール４ａと配線間の電気的な接続信頼性が低下するため、プラズマエッチング等のドライエッチングにより樹脂突起８ａの高さを低くする（図１（ｃ）参照）。この時、樹脂突起８ａの突起形状は細いためサイドエッチにより他の部分よりも早くエッチングされる。この事により、樹脂突起８ａより高さが低くなった樹脂突起８ｂが形成される。
【００３１】
次に、この表面にスパッタまたは無電解めっきによりシード層（図示省略）を形成し、電解Ｃｕフィルドビアめっきにて、ビアホール４ａおよび配線パターン溝４ｂが埋まるまでめっきを行う（図１（ｄ）参照）。
【００３２】
このフィルドビアめっきは、めっき液の循環が悪いところのめっきの成長が早くなる特徴をもつ。そのため、ビアホール４ａの周縁部に樹脂突起８ａがあることで、従来よりもビアホール４ａ内のめっき液の循環が低下し、めっきの成長が速くなる。これにより、ビアホール４ａ以外のめっき厚を従来よりも薄くしてもビアホール４ａを埋めることが可能となる。また、めっきの析出速度が速くなるため、めっきに要する時間を短縮する事ができる。
【００３３】
最後に、余剰なめっきを、物理研磨または化学研磨または両方の機能を備えたＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）により除去することで１層分の金属配線層５−１を基板１２上に形成することができる（図１（ｅ）参照）。
【００３４】
＜多層配線基板の形成方法＞
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を説明する。
本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の製造方法は、デュアルダマシン法によって、支持基板上の剥離層の上に形成した微細配線層をビルドアップ基板にフリップチップ接続してなる多層配線基板の製造方法である。
【００３５】
微細配線層の製造工程は、支持基板上に剥離層を形成する工程と、剥離層上にネガ型感光性絶縁樹脂層を形成する工程Ａと、ネガ型感光性絶縁樹脂層を露光する工程Ｂと、露光したネガ型感光性絶縁樹脂層を現像することにより、その感光性絶縁樹脂層が、下層まで除去され貫通した開口部と、開口部の周縁部の樹脂突起と、下層まで貫通しない程度に除去された半開口部と、除去されずに残留した未開口部と、を形成する工程Ｃと、開口部と半開口部と未開口部にシード層を形成した後、電解銅めっきによるフィルドビアめっきを施すことにより開口部と半開口部を銅めっきで埋める工程Ｄと、余剰な銅めっきを除去し平坦化する工程Ｅと、必要な回数だけ工程Ａ〜工程Ｅを繰り返す工程Ｆと、を備えている。
【００３６】
工程Ｂは、ネガ型感光性絶縁樹脂層の、開口部に対応する領域には、露光を行わず、
半開口部に対応する領域には、ラジカル活性種が短時間で高濃度に発生するためラジカル活性種同士の再結合による失活が優位となり、硬化が不十分となる高照度露光を行うことにより、露光を行わない領域である開口部と、高照度露光を行う領域である半開口部と、の境界領域は、ラジカル活性種が十分な硬化をもたらす低照度露光される領域となることが特徴である。
【００３７】
以下に、図２〜図４を参照しながら、この開口部４ａと半開口部４ｂの境界部の樹脂突起８ｂが形成されたビアホール４ａを備えた多層配線基板の製造工程の一例を説明する。
【００３８】
まず、図２（ａ）に示すように、支持基板（キャリア基板）１の表面に剥離層２を形成する。次に、その上に感光性絶縁樹脂層３−１を塗布またはラミネートし、露光・現像によりビアホール４ａ−１を形成する。必要に応じて、表面をプラズマ等でエッチングし、その表面にスパッタまたは無電解めっきによりシード層（図示省略）を形成した後、電解Ｃｕフィルドビアめっきにてビアホールが埋まるまでめっきする（図２（ｂ））。次に、余剰なめっきを物理研磨または化学研磨により除去することにより金属配線層５−２を形成する（図２（ｃ））。
【００３９】
次に、ネガ型感光性絶縁樹脂層３−２を塗布またはラミネートし（図２（ｄ））、その感光性絶縁樹脂層を全て残す部分を低照度露光部６ｂ、配線パターン部のように下層まで達しない溝パターンを形成する部分を高照度露光部６ａ、下層まで達するビアホールを形成する部分を未露光部、として露光を行い（図２（ｅ））、現像することで、ビアホール４ａ−２および配線パターン溝４ｂ−２が形成された感光性絶縁樹脂層が得られる（図２（ｆ））。その絶縁樹脂層のキュアを実施後、必要に応じて、表面をプラズマ等でエッチングする。
【００４０】
次に図３（ｇ）に示すように、ビアホール４ａ−２および配線パターン溝４ｂ−２の表面にスパッタまたは無電解めっきにより、シード層（図示省略）を形成し、電解Ｃｕフィ
ルドビアめっきを、ビアホール４ａ−２および配線パターン溝４ｂ−２が埋まるまでめっきする。次に、余剰なめっきを物理研磨または化学研磨または両方の機能を備えたＣＭＰにより除去することにより金属配線層５−３を形成する（図３（ｈ））。
【００４１】
次に、図２（ｄ）〜図３（ｈ）の工程を必要回数だけ繰り返すことで、回数に応じた配線層やビアを形成することができる。図３（ｉ）および図３（ｊ）は、図３（ｈ）の状態から、それぞれ１回および２回繰り返すことで、それぞれ、金属配線層５−４と絶縁樹脂層３−３および、更に金属配線層５−５と絶縁樹脂層３−４がビルドアップされた状態を示している。なお、最外層はデュアルダマシン法ではなくＳＡＰ（セミアディティブ工法）にて形成してもよい。
【００４２】
次に、図４（ｋ）に示したように、図３（ｊ）で作製した微細配線層１３をはんだバンプ等にてビルドアップ基板７に実装する。その後、剥離層にてキャリア基板を剥離し（図４（ｋ））、剥離層等の不要物を除去することで完成する（図４（ｋ））。
【００４３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法を説明する。
本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の製造方法は、デュアルダマシン法によって、ビルドアップ基板上に微細配線層を形成する多層配線基板の製造方法である。
【００４４】
微細配線層の製造方法は、ビルドアップ基板上にネガ型感光性絶縁樹脂層を形成する工程Ａと、ネガ型感光性絶縁樹脂層を露光する工程Ｂと、露光したネガ型感光性絶縁樹脂層を現像することにより、その感光性絶縁樹脂層が、下層まで除去され貫通した開口部と、開口部の周縁部の樹脂突起と、下層まで貫通しない程度に除去された半開口部と、除去されずに残留した未開口部と、を形成する工程Ｃと、開口部と半開口部と未開口部にシード層を形成した後、電解銅めっきによるフィルドビアめっきを施すことにより開口部と半開口部を余剰な銅めっきで埋める工程Ｄと、余剰な銅めっきを除去し平坦化する工程Ｅと、
必要な回数だけ工程Ａ〜工程Ｅを繰り返す工程Ｆと、を備えている。
【００４５】
工程Ｂは、ネガ型感光性絶縁樹脂層の、開口部に対応する領域には、露光を行わず、
半開口部に対応する領域には、ラジカル活性種が短時間で高濃度に発生するためラジカル活性種同士の再結合による失活が優位となり、硬化が不十分となる高照度露光を行うことにより、露光を行わない領域である開口部と、高照度露光を行う領域である半開口部と、の境界領域は、ラジカル活性種が十分な硬化をもたらす低照度露光される領域となることが特徴である。
【００４６】
次に、図５を参照しながら、本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の作製工程を説明する。
【００４７】
まず、ビルドアップ基板７上にネガ型感光性絶縁樹脂層３−５を塗布またはラミネートし（図５（ａ））、その感光性絶縁樹脂層を全て残す部分を低照度露光部６ｂ、配線パターン部のように下層まで達しない溝パターンを形成する部分を高照度露光部６ａ、下層まで達するビアホールを形成する部分を未露光部、として露光し（図５（ｂ））、現像を行うことで、ビアホール４ａ−３および配線パターン溝４ｂ−３が形成された感光性絶縁樹脂層３−６が得られる（図５（ｃ））。
【００４８】
次に、その感光性絶縁樹脂層３−６のキュアを実施後、必要に応じて表面をプラズマ等でエッチングし、その表面にスパッタまたは無電解めっきによりシード層（図示省略）を形成し、電解銅めっきによりフィルドビアめっきにて、ビアホール４ａおよび配線パターン溝４ｂが埋まるまでめっきする（図５（ｄ））。次に、余剰なめっきを物理研磨または
化学研磨または両方の機能を備えたＣＭＰにより除去することにより金属配線層５−６を形成する（図５（ｅ））。
【００４９】
次に、図５（ａ）〜図５（ｅ）の工程を必要回数だけ繰り返すことで、回数に応じた配線層やビアを形成することができる。図５（ｆ）および図５（ｇ）は、図５（ｅ）の状態から、それぞれ１回および２回繰り返すことで、それぞれ、金属配線層５−７と絶縁樹脂層３−７および、更に金属配線層５−８と絶縁樹脂層３−８がビルドアップされた状態を示している。なお、最外層はデュアルダマシン法ではなくＳＡＰ（セミアディティブ工法）にて形成してもよい。
【００５０】
なお、本発明の多層配線基板およびその製造方法において使用するネガ型感光性絶縁樹脂層の材料としては、反応性モノマーと反応性オリゴマーとバインダーポリマーの中から選ばれた１以上を含む樹脂成分と、ラジカル重合開始剤とカチオン重合開始剤と増感剤の中から選ばれたいずれかの成分が含まれるものである事が好ましい。
【００５１】
また、本発明の多層配線基板の製造方法において、低照度露光および前記高照度露光を、少なくとも２回以上に分割して露光することであっても良いし、直描露光装置により一括露光することであっても良い。
【実施例】
【００５２】
＜実施例１＞
シリコンウエハの表面にチタン薄膜および銅薄膜をこの順にスパッタ法により形成したスパッタＴｉ／Ｃｕ薄膜層を基板の表面に、ネガ型の感光性絶縁樹脂をスピンコートした後、プリベークして厚さ約１０μｍの感光性絶縁樹脂層を形成した。
【００５３】
次に、１００００Ｗ／ｃｍ２以上の照度で露光可能なレーザー光源の直描露光装置を用いて、１５０００、２５０００、４００００、５５０００、６５０００Ｗ／ｃｍ２の各照度にて、感光性絶縁樹脂層を露光・現像した。露光パターンには光を当てない直径５０μｍφ（データ上での寸法）の円形のパターンをアレイ状に配置したパターンを用い、露光した。
【００５４】
次に、スピンコーター上でパドル現像２０秒を２回実施し、未露光部分を溶解除去し、開口形状を形成した。
【００５５】
この様にして、図６に例示した様な絶縁樹脂層３−９に直径約５０μｍの円形状の開口部であるビアホール４ａ−４がアレイ上に形成されたサンプルを作製した。
これらのサンプルを用いて、Ｓｉウェア上に形成したスパッタＴｉ／Ｃｕ薄膜層１０の表面から、樹脂突起を除いた感光性絶縁樹脂層の平坦部の表面までの距離（樹脂厚さＴ）と、樹脂突起を除いた感光性絶縁樹脂層の平坦部の表面から、樹脂突起の頭頂部までの距離（突起高さＨ）を測定した。
【００５６】
樹脂厚さＴと突起高さＨは、光学式表面性状測定機Ｚｙｇｏ  ＮｅｗＶｉｅｗｅｒ（Ｚｙｇｏ社の登録商標）６３００（Ｚｙｇｏ社製）を用いて計測した。その計測結果を表１に示した。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
表１に示した様に、露光時の照度が１５０００Ｗ／ｃｍ２では突起は形成されなかった。しかし、２５０００Ｗ／ｃｍ２以上では樹脂厚さが減少し突起が形成されていた。
【００５９】
以上の結果より、本発明の製造方法にて開口部の周縁部に突起を形成可能であることが
わかった。また露光機の照度を調整する事で突起の高さをコントロール可能であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、従来よりもめっき厚さを薄くしてもビアホールを埋めることが可能となる。これにより、めっきコストおよびタクトを低減した多層配線基板の製造方法を提供できる。その為、コストを低減した多層配線基板を提供する事が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
１…支持基板（キャリア基板）
２…剥離層
３、３−１、３−２、３−３、３−４、３−５、３−６、３−７、３−８、３−９…（ネガ型感光性）絶縁樹脂層
４ａ、４ａ−１、４ａ−２、４ａ−３、４ａ−４…開口部（ビアホール）
４ｂ、４ｂ−１、４ｂ−２、４ｂ−３…半開口部（配線パターン溝）
５、５−１、５−２、５−３、５−４、５−５、５−６、５−７、５−８…金属配線層
６ａ…高照度露光部
６ｂ…低照度露光部
７…ビルドアップ基板
８ａ…樹脂突起
８ｂ…樹脂突起（プラズマエッチング後）
９…プラズマ
１０…スパッタＴｉ/Ｃｕ薄膜層
１１…Ｓｉウエハ
１２…基板
１３…微細配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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