(57)【要約】【課題】  ミストを用いて基板の表面に安定した品質の膜を成長させる。【解決手段】  開示される成膜装置は、基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる。この成膜装置は、前記基板を載置するステージと、前記基板を加熱するヒータと、溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、を有する。【選択図】図１
2020120034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる成膜装置であって、
前記基板を載置するステージと、
前記基板を加熱するヒータと、
溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、
前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、
前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、
を有する成膜装置。
【請求項２】
前記溶媒が、Ｈ２Ｏである、請求項１の成膜装置。
【請求項３】
前記送出装置が、混合流路を有しており、
前記ミストと前記加熱ガスの混合体が、前記混合流路を通って前記基板の前記表面に送出される、
請求項１または２の成膜装置。
【請求項４】
前記混合流路が前記基板の前記表面に向かって前記混合体を吐出する吐出方向が、前記基板の前記表面に対して傾斜している、請求項３の成膜装置。
【請求項５】
前記基板の前記表面が、前記基板の上面であり、
前記基板の前記上面が、水平面に対して傾斜しており、
前記吐出方向が、前記基板の前記上面に立てた垂線から前記基板の前記上面の下端側に傾斜している、
請求項４の成膜装置。
【請求項６】
前記吐出方向の前記基板の前記上面に対する傾斜角度と、前記基板の前記上面の前記水平面に対する傾斜角度の和が、９０°よりも大きい、請求項５の成膜装置。
【請求項７】
前記吐出方向の前記基板の前記表面に対する傾斜角度が４５°以上である、請求項４〜６のいずれか一項の成膜装置。
【請求項８】
前記送出装置が、第１流路と、前記第１流路とは別に設けられた第２流路を有しており、
前記ミストが、前記第１流路を通って前記基板の前記表面に送出され、
前記加熱ガスが、前記第２流路を通って前記基板の前記表面に送出される、
請求項１または２の成膜装置。
【請求項９】
前記第１流路が前記基板の前記表面に向かって前記ミストを吐出する第１吐出方向が、前記基板の前記表面に対して傾斜している、請求項８の成膜装置。
【請求項１０】
前記第１流路から前記基板の前記表面に向かって吐出された前記ミストの移動経路が、前記第２流路から前記基板の前記表面に向かって吐出された前記加熱ガスの移動経路と前記基板の前記表面の間に位置している、請求項８または９の成膜装置。
【請求項１１】
前記基板の前記表面が、前記基板の上面であり、
前記第２流路が前記基板の前記上面に向かって前記加熱ガスを吐出する第２吐出口が、前記第１流路が前記基板の前記上面に向かって前記ミストを吐出する第１吐出口の上側に配置されており、
前記第２流路が前記基板の前記上面に向かって前記加熱ガスを吐出する第２吐出方向が、前記第１吐出方向が傾斜する向きと同じ向きに前記基板の前記上面に対して傾斜しており、
前記第１吐出方向の前記基板の前記上面に対する傾斜角度が、前記第２吐出方向の前記基板の前記上面に対する傾斜角度よりも大きい、請求項９の成膜装置。
【請求項１２】
前記基板の前記上面が、水平面に対して傾斜しており、
前記第１吐出方向が、前記基板の前記上面に立てた垂線から前記基板の前記上面の下端側に傾斜している、
請求項１１の成膜装置。
【請求項１３】
前記第１吐出方向の前記基板の前記上面に対する傾斜角度と、前記基板の前記上面の前記水平面に対する傾斜角度の和が、９０°よりも大きい、請求項１２の成膜装置。
【請求項１４】
前記第１吐出方向の前記基板の前記上面に対する傾斜角度が４５°以上であり、
前記第２吐出方向の前記基板の前記上面に対する傾斜角度が４５°未満である、
請求項１１〜１３のいずれか一項の成膜装置。
【請求項１５】
前記基板と前記ミストの吐出口が相対回転可能とされており、
前記基板と前記吐出口が相対回転しているときに前記基板と前記吐出口との相対移動速度が最大となる部分における相対移動速度が、前記吐出口から前記基板の前記表面に向かって吐出される前記ミストの流速よりも低い、請求項１〜１４のいずれか一項の成膜装置。
【請求項１６】
前記基板が回転可能とされており、
前記基板が回転しているときに前記基板の移動速度が最大となる部分における移動速度が、前記ミストの吐出口から前記基板の前記表面に向かって吐出される前記ミストの流速よりも高い、請求項１〜１４のいずれか一項の成膜装置。
【請求項１７】
基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる成膜装置を用いて半導体装置を製造する製造方法であって、
前記成膜装置が、
前記基板を載置するステージと、
前記基板を加熱するヒータと、
溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、
前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、
前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、
を有し、
前記送出装置から前記基板の前記表面に向かって前記ミストと前記加熱ガスを送出する工程、を有する製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示の技術は、成膜装置と半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
特許文献１には、基板の表面に膜を成長させる成膜装置が開示されている。この成膜装置は、基板を載置するステージと、基板を加熱するヒータと、溶媒に膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、ミストを基板の表面に向かって送出する送出装置を有している。加熱された基板の表面にミストが付着することで、基板の表面に膜が成長する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−０７０２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したように、特許文献１の成膜装置では、加熱された基板の表面にミストが付着することで、基板の表面に膜が成長する。ミストの温度が基板の温度よりも低いので、基板にミストが付着するときに基板から熱が奪われる。このため、基板の温度が不安定となり、安定した品質の膜を成長させることが難しい。これに対し、加熱したミストを基板の表面に供給することも考えられる。しかしながら、この場合には、ミストが基板の表面に向かって送出される過程において、ミストから溶媒が蒸発し、ミストを構成する溶液の濃度が変化するという問題が生じる。本明細書では、ミストを用いて基板の表面に安定した品質の膜を成長させる技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する成膜装置は、基板の表面に膜をエピタキシャル成長させる。この成膜装置は、前記基板を載置するステージと、前記基板を加熱するヒータと、溶媒に前記膜の材料が溶解した溶液のミストを供給するミスト供給源と、前記溶媒と同じ材料のガスを含むとともに前記ミストよりも高温である加熱ガスを供給する加熱ガス供給源と、前記ミストと前記加熱ガスを前記基板の前記表面に向かって送出する送出装置、を有する。
【０００６】
この成膜装置では、加熱ガス供給源が、ミストよりも高温の加熱ガスを供給する。このため、ミストと加熱ガスが基板の表面に向かって送出されるときに、加熱ガスによってミストが加熱される。加熱されたミストが基板の表面に供給されるので、ミストによって基板から熱が奪われ難い。また、加熱ガスは溶媒と同じ材料のガスを含む。例えば、溶媒が水（Ｈ２Ｏ）である場合には、加熱ガスは水蒸気を含む。このため、加熱ガス中において、溶媒と同じ材料のガスの分圧が高い。このため、加熱ガスによってミストが加熱されても、ミストに含まれる溶媒が蒸発し難い。このため、ミストから溶媒が蒸発することが抑制され、ミストを構成する溶液の濃度が変化し難い。したがって、適切な濃度の溶液によって構成されたミストを基板の表面に供給することができる。したがって、この成膜装置によれば、基板の表面に安定した品質の膜をエピタキシャル成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施例１の成膜装置の構成図。
【図２】実施例１のノズルと基板の拡大図。
【図３】実施例２のノズルと基板の拡大図。
【図４】実施例３のノズルと基板の拡大図。
【図５】実施例４のノズルと基板の拡大図。
【図６】実施例５の加熱炉の拡大図。
【図７】実施例６の成膜装置の構成図。
【図８】実施例６のノズルと基板の拡大図。
【図９】実施例７のノズルと基板の拡大図。
【図１０】実施例８のノズルと基板の拡大図。
【図１１】実施例９のノズルと基板の拡大図。
【図１２】一例の成膜装置の説明図。
【図１３】一例の成膜装置の説明図。
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【０００８】
図１に示す成膜装置１０は、基板１２の表面に膜をエピタキシャル成長させる装置である。成膜装置１０は、エピタキシャル成長させた膜を有する半導体装置の製造に用いられる。成膜装置１０は、第１貯留槽６０、加熱炉４０、第２貯留槽２０、ノズル３０、及び、サセプタ１６を有している。
【０００９】
サセプタ１６は、水平に配置された平坦な上面を有している。サセプタ１６上には、基板１２が載置される。サセプタ１６上に載置された基板１２の上面は、水平に配置される。サセプタ１６は、ヒータ１４を内蔵している。ヒータ１４によって、基板１２が加熱される。サセプタ１６は、その中心軸回りに回転することができる。サセプタ１６が回転することで、サセプタ１６上の基板１２が面内で回転する。
【００１０】
第１貯留槽６０は、密閉型の容器である。第１貯留槽６０は、水（より詳細には、純水（Ｈ２Ｏ））６１を貯留している。水６１の水面６１ａと第１貯留槽６０の上面との間には、空間６６が設けられている。第１貯留槽６０の底面には、超音波振動子６８が設置されている。超音波振動子６８は、第１貯留槽６０内に貯留されている水６１に超音波を印加する。水６１に超音波が印加されると、水６１の水面６１ａが振動して、水６１の上部の空間６６に水６１のミスト（以下、水ミスト７０という）が発生する。第１貯留槽６０の上面には、水ミスト供給路６４の上流端が接続されている。第１貯留槽６０の外周壁の上部には、搬送ガス供給路６２の下流端が接続されている。搬送ガス供給路６２の上流端は、図示しない搬送ガス供給源に接続されている。搬送ガス供給路６２は、搬送ガス供給源から第１貯留槽６０内の空間６６に搬送ガス６３を導入する。搬送ガス６３は、例えば、窒素等の不活性ガスである。搬送ガス供給路６２から空間６６内に導入された搬送ガス６３は、空間６６から水ミスト供給路６４へ流れる。このとき、空間６６内の水ミスト７０が、搬送ガス６３とともに水ミスト供給路６４へ流れる。
【００１１】
加熱炉４０は、上流端４０ａから下流端４０ｂまで延びる管状炉である。加熱炉４０の外側に、ヒータ４４が配置されている。ヒータ４４は、電熱線式のヒータであって、加熱炉４０の外周壁に沿って配置されている。ヒータ４４は加熱炉４０の外周壁を加熱し、それによって加熱炉４０の内部が加熱される。加熱炉４０の上流端４０ａには、水ミスト供給路６４の下流端が接続されている。加熱炉４０の下流端４０ｂには、加熱ガス供給路４２の上流端が接続されている。加熱炉４０には、水ミスト供給路６４から水ミスト７０と搬送ガス６３が導入される。水ミスト７０と搬送ガス６３は、加熱炉４０内を上流端４０ａから下流端４０ｂまで流れる。水ミスト７０と搬送ガス６３は、加熱炉４０内で加熱される。水ミスト７０は、加熱炉４０内を流れる間に蒸発して水蒸気となる。その結果、加熱炉４０内で、水蒸気と搬送ガス６３が混合されたガス（以下、加熱ガス４３という）が生成される。加熱ガス４３は、加熱炉４０から加熱ガス供給路４２へ流れる。
【００１２】
第２貯留槽２０は、密閉型の容器である。第２貯留槽２０は、基板１２の表面にエピタキシャル成長させる膜の原料を水（Ｈ２Ｏ）に溶かした溶液２１を貯留している。例えば、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）の膜をエピタキシャル成長させる場合には、溶液２１として水にガリウムが溶解した溶液を用いることができる。また、溶液２１中に、酸化ガリウム膜にｎ型またはｐ型のドーパントを付与するための原料（例えば、フッ化アンモニウム等）がさらに溶解していてもよい。また、溶液２１中に、塩酸が含まれていてもよい。溶液２１の水面２１ａと第２貯留槽２０の上面の間には、空間２６が設けられている。第２貯留槽２０の底面には、超音波振動子２８が設置されている。超音波振動子２８は、第２貯留槽２０内に貯留されている溶液２１に超音波を印加する。溶液２１に超音波が印加されると、溶液２１の水面２１ａが振動して、溶液２１の上部の空間２６に溶液２１のミスト（以下、溶液ミスト７２という）が発生する。第２貯留槽２０の上面には、溶液ミスト供給路２４の上流端が接続されている。第２貯留槽２０の外周壁の上部には、搬送ガス供給路２２の下流端が接続されている。搬送ガス供給路２２の上流端は、図示しない搬送ガス供給源に接続されている。搬送ガス供給路２２は、搬送ガス供給源から第２貯留槽２０内の空間２６に搬送ガス２３を導入する。搬送ガス２３は、例えば、窒素等の不活性ガスである。搬送ガス供給路２２から空間２６内に導入された搬送ガス２３は、空間２６から溶液ミスト供給路２４へ流れる。このとき、空間２６内の溶液ミスト７２が、搬送ガス２３とともに溶液ミスト供給路２４へ流れる。
【００１３】
加熱ガス供給路４２の下流端と溶液ミスト供給路２４の下流端は、合流してノズル３０に接続されている。加熱ガス供給路４２からノズル３０へ加熱ガス４３が流れるとともに、溶液ミスト供給路２４からノズル３０へ溶液ミスト７２が流れる。ノズル３０内で、加熱ガス４３と溶液ミスト７２が混合される。これによって、溶液ミスト７２が希釈される。以下では、加熱ガス４３と溶液ミスト７２が混合されたものを、混合体７３という。加熱ガス４３は加熱炉４０内で加熱されているので、加熱ガス４３の温度は溶液ミスト７２の温度よりも高い。したがって、加熱ガス４３と溶液ミスト７２が混合されるときに、溶液ミスト７２の温度が上昇する。すると、溶液ミスト７２から溶媒である水が蒸発する。しかしながら、本実施例では、溶液ミスト７２から水が蒸発することが抑制される。すなわち、上述したように、加熱ガス４３は、水蒸気を含んでいる。このため、加熱ガス４３と溶液ミスト７２の混合体７３中において、水蒸気の分圧が高い。このため、溶液ミスト７２から水が蒸発することが抑制される。したがって、ノズル３０の内部で、溶液ミスト７２の各液滴を構成する溶液２１の濃度が上昇することが抑制される。このため、溶液ミスト７２の各液滴を構成する溶液２１の濃度が上昇することを抑制しながら、溶液ミスト７２の温度を上昇させることができる。ノズル３０は、吐出口３０ａを有している。ノズル３０内の混合体７３は、吐出口３０ａから吐出される。吐出口３０ａは、サセプタ１６上に載置された基板１２の上面を向く向きで配置されている。したがって、吐出口３０ａから基板１２の上面に向かって、混合体７３が吐出される。
【００１４】
次に、成膜装置１０を用いた成膜方法について説明する。ここでは、基板１２として、β型酸化ガリウム（β-Ｇａ２Ｏ３）の単結晶によって構成された半導体基板を用いる。また、溶液２１として、水に塩化ガリウム（ＧａＣｌ３、Ｇａ２Ｃｌ６）が溶解した水溶液を用いる。また、搬送ガス２３、６３として窒素ガスを用いる。
【００１５】
まず、サセプタ１６上に基板１２を設置する。次に、サセプタ１６を回転させるとともに、ヒータ１４によって、基板１２を加熱する。基板１２の温度が安定したら、超音波振動子６８を動作させることによって、第１貯留槽６０の空間６６内に水ミスト７０を発生させる。さらに、搬送ガス供給路６２から第１貯留槽６０に搬送ガス６３を導入する。すると、水ミスト７０が水ミスト供給路６４を通って加熱炉４０内に流入し、加熱炉４０内で加熱ガス４３（すなわち、水蒸気と搬送ガス６３の混合ガス）が生成される。加熱ガス４３は、加熱ガス供給路４２を通ってノズル３０へ流入する。また、超音波振動子６８を動作させるのと略同時に、超音波振動子２８を動作させる。これによって、第２貯留槽２０の空間２６内に溶液ミスト７２を発生させる。さらに、搬送ガス供給路２２から第２貯留槽２０に搬送ガス２３を導入する。すると、溶液ミスト７２が溶液ミスト供給路２４を通ってノズル３０へ流入する。ノズル３０内で、溶液ミスト７２と加熱ガス４３が混合され、混合体７３が吐出口３０ａから基板１２の上面に向かって吐出される。混合体７３が基板１２の上面に向かって吐出されると、溶液ミスト７２が加熱された基板１２の上面に付着する。基板１２の温度が溶液ミスト７２の温度よりも高いので、溶液ミスト７２（すなわち、溶液２１）が基板１２上で化学反応を起こす。その結果、基板１２上に、β型酸化ガリウム（β-Ｇａ２Ｏ３）が生成される。基板１２の表面に継続的に溶液ミスト７２が供給されるので、基板１２の上面に酸化ガリウム膜が成長する。基板１２の表面に単結晶の酸化ガリウム膜がエピタキシャル成長する。溶液２１がドーパントの原料を含む場合には、酸化ガリウム膜にはドーパントが取り込まれる。例えば、溶液２１がフッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を含む場合には、フッ素がドープされた酸化ガリウム膜が形成される。
【００１６】
溶液ミスト７２が基板１２に付着するときに、基板１２から熱が奪われる。これによって、基板１２の温度が不安定となったり、基板１２の上面の温度が低下する場合には、基板１２の上面に酸化ガリウム膜を好適にエピタキシャル成長させることができない。これに対し、実施例１の成膜装置１０では、溶液ミスト７２が加熱ガス４３によって加熱されるので、溶液ミスト７２が基板１２に付着するときに、基板１２から熱が奪われ難い。したがって、基板１２を適切な温度に安定して維持することができる。また、加熱ガス４３が水蒸気を含むので、溶液ミスト７２が加熱されるときに、溶液ミスト７２から水（すなわち、溶媒）が蒸発し難い。このため、溶液ミスト７２の各液滴を構成する溶液２１の濃度が上昇することを抑制できる。適切な濃度の溶液２１を溶液ミスト７２として基板１２の上面に供給できる。このように、実施例１の成膜装置１０によれば、基板１２を適切な温度に保持しながら、基板１２の表面に適切な濃度の溶液２１により構成された溶液ミスト７２を供給することができる。したがって、基板１２の上面に、好適に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００１７】
図２は、ノズル３０と基板１２の拡大図を示している。図２の矢印９０は、ノズル３０の吐出口３０ａから混合体７３が吐出される方向を示している。吐出方向９０は、基板１２の上面に対して傾斜している。なお、以下では、基板１２の上面に立てた垂線８２と吐出方向の間の角度を、傾斜角度という。吐出方向９０の傾斜角度θ１は、４５°よりも大きい。このように吐出方向９０の傾斜角度θ１を大きくすると、基板１２の上面に向かって吐出された混合体７３が、矢印９２に示すように基板１２の上面に沿って流れやすくなる。このため、基板１２の上面の広い範囲に均一に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００１８】
また、上述したように、サセプタ１６は、基板１２をその平面内で回転させる。このため、基板１２の上面全体に混合体７３が供給され、基板１２の上面全体に均一に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。また、サセプタ１６は、基板１２の移動速度が最大となる部分（すなわち、基板１２の外周端）の移動速度が、吐出口３０ａから基板１２の上面に向かって吐出される混合体７３（すなわち、溶液ミスト７２）の流速より遅くなるように、低速で基板１２を回転させる。このため、基板１２の回転によるガスの流れが生じ難く、基板１２の近傍で混合体７３の流れが乱れ難い。このため、好適に酸化ガリウム膜を成長させることができる。
【実施例２】
【００１９】
図３に示す実施例２の成膜装置は、サセプタ１６とノズル３０の配置が、実施例１と異なる。実施例２の成膜装置のその他の構成は、実施例１と等しい。実施例２では、サセプタ１６が水平面８０に対して傾斜している。したがって、サセプタ１６上に載置された基板１２の上面も、水平面８０に対して傾斜している。図３において、傾斜角度θｓは、基板１２の上面の水平面８０に対する傾斜角度（すなわち、基板１２の上面と水平面８０の間の角度）を示している。また、矢印９４で示すように、混合体７３（すなわち、溶液ミスト７２）の吐出方向９０は、基板１２の上面に立てた垂線８２から、基板１２の上面の下端１２ｘに向かう向きに傾斜している。吐出方向９０の基板１２の上面に対する傾斜角度θ１は、４５°以上である。傾斜角度θ１と傾斜角度θｓの和は、９０°未満である。
【００２０】
基板１２の上面に溶液ミスト７２が付着すると、溶液ミスト７２（すなわち、溶液２１）から水が蒸発する。蒸発した水（すなわち、水蒸気）は、図３で矢印９６に示すように主に上方向に移動しようとする。図３のように、基板１２の上面が水平面８０に対して傾斜しており、吐出方向９０が基板１２の上面の下端１２ｘ側に基板１２の上面に対して傾斜していると、吐出方向９０と矢印９６に示す水蒸気の移動方向との間の角度が大きくなる。このため、吐出された混合体７３の流れ（すなわち、吐出方向９０）と水蒸気の流れ（すなわち、矢印９６）とが干渉し難くなる。このため、矢印９２に示すように溶液ミスト７２が基板１２の上面に沿って流れ易くなり、基板１２の上面により好適に酸化ガリウム膜を成長させることが可能となる。
【実施例３】
【００２１】
図４に示す実施例３の成膜装置は、ノズル３０とサセプタ１６の傾斜角度が、実施例２と異なる。実施例３の成膜装置のその他の構成は、実施例２と等しい。実施例３では、実施例２よりも、サセプタ１６の傾斜角度θｓが大きい。実施例３では、実施例２と同様に、矢印９４で示すように、吐出方向９０が、基板１２の上面に立てた垂線８２から、基板１２の上面の下端１２ｘ側に傾斜している。吐出方向９０の傾斜角度θ１は、４５°以上である。実施例３では、傾斜角度θ１と傾斜角度θｓの和は、９０°以上である。このため、実施例３では、吐出方向９０が、斜め上方向を向いている。この構成によれば、吐出方向９０と矢印９６に示す水蒸気の移動方向との間の角度が、実施例２（図３）よりもさらに大きくなり、混合体７３の流れ（すなわち、吐出方向９０）と水蒸気の流れ（すなわち、矢印９６）とがさらに干渉し難くなる。このため、矢印９２に示すように溶液ミスト７２が基板１２の上面に沿ってさらに流れ易くなり、基板１２の上面にさらに好適に酸化ガリウム膜を成長させることが可能となる。
【００２２】
なお、上述した実施例１〜３において、基板１２（すなわち、サセプタ１６）を回転させなくてもよい。もしくは、基板１２の移動速度が最大となる部分（例えば、基板１２の外周端）の移動速度が、吐出口３０ａから吐出される溶液ミスト７２の流速よりも高くなるように、基板１２を高速で回転させてもよい。基板１２を高速で回転させると、基板１２の上面に沿って層状に流れるガスの流れが生じ、層状の流れに沿って溶液ミスト７２を流すことができる。これによって、基板１２の上面に酸化ガリウム膜を均一に成長させることができる。
【実施例４】
【００２３】
図５に示す実施例４の成膜装置は、ノズル３０が、一方向に長い直方体の形状を有している。ノズル３０の下面に、一列に並ぶ複数の吐出口３０ａが形成されている。また、実施例４の成膜装置は、サセプタ１６上に複数の基板１２を載置することができる。基板１２は、サセプタ１６の中心軸１６ａの周りに配置されている。矢印８１に示すように、ノズル３０から下方向に吐出された混合体７３は、サセプタ１６の直径方向全体に当たることができる。この成膜装置は、サセプタ１６を中心軸１６ａの周りに高速で回転させる。より詳細には、サセプタ１６が回転しているときに基板１２の移動速度が最大となる部分における移動速度が、吐出口３０ａから吐出される溶液ミスト７２の流速よりも高くなるように、サセプタ１６を回転させる。このようにサセプタ１６を高速で回転させると、基板１２の上面に沿って層状に流れるガスの流れが生じ、各基板１２の上面に沿って溶液ミスト７２を流すことができる。これによって、各基板１２の上面に酸化ガリウム膜を均一に成長させることができる。また、この成膜装置によれば、複数の基板１２の上面に同時に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【実施例５】
【００２４】
図６に示す実施例５の成膜装置は、基板１２を収容する加熱炉５０を有している。加熱炉５０内にステージ５８が設置されており、ステージ５８上に基板１２が載置される。加熱炉５０の外壁に沿って、基板１２を加熱するヒータ５６が配置されている。加熱炉５０の上流端５０ａには混合体供給路５２が接続されており、加熱炉５０の下流端５０ｂには混合体排出路５４が接続されている。混合体供給路５２には、加熱ガス供給路４２と溶液ミスト供給路２４が接続されている。加熱ガス供給路４２から供給される加熱ガス４３と溶液ミスト供給路２４から供給される溶液ミスト７２が、混合体供給路５２内で混合される。これによって、混合体供給路５２内で混合体７３が生成される。混合体７３は、混合体供給路５２から加熱炉５０に流入し、加熱炉５０内を上流端５０ａから下流端５０ｂまで流れる。下流端５０ｂまで流れた混合体７３は、混合体排出路５４へ排出される。加熱炉５０内を流れる溶液ミスト７２の一部は、基板１２の上面に付着する。その結果、基板１２の上面に酸化ガリウム膜がエピタキシャル成長する。このように、ノズルを用いずに、混合体７３（すなわち、溶液ミスト７２）が流れる炉の内部に基板１２を配置することで、基板１２の上面に酸化ガリウム膜を成長させてもよい。
【実施例６】
【００２５】
図７に示す実施例６の成膜装置は、加熱ガス４３と溶液ミスト７２を別のノズルから基板１２の上面に向けて吐出する点で、実施例１〜４の成膜装置とは異なる。すなわち、実施例１〜４は１フロー方式であるのに対し、実施例６は２フロー方式である。
【００２６】
図７に示すように、実施例６の成膜装置は、実施例１の成膜装置１０と同様に、搬送ガス供給路６２、第１貯留槽６０、水ミスト供給路６４、加熱炉４０、加熱ガス供給路４２、搬送ガス供給路２２、第２貯留槽２０、溶液ミスト供給路２４、及び、サセプタ１６を有している。実施例６では、加熱ガス供給路４２の下流端がノズル３２に接続されている。ノズル３２から基板１２の上面に向かって、加熱ガス４３が吐出される。また、実施例６では、溶液ミスト供給路２４の下流端が、ノズル３４に接続されている。ノズル３４から基板１２の上面に向かって、搬送ガス２３とともに溶液ミスト７２が吐出される。ノズル３４は、ノズル３２の下側に配置されている。
【００２７】
溶液ミスト７２と加熱ガス４３が基板１２の上面に向かって吐出されると、基板１２上で溶液ミスト７２の流れと加熱ガス４３の流れがぶつかる。すると、加熱ガス４３によって溶液ミスト７２が加熱される。すると、溶液ミスト７２から水が蒸発する。しかしながら、加熱ガス４３は、水蒸気を含んでいる。このため、溶液ミスト７２から水が蒸発することが抑制される。したがって、溶液ミスト７２の各液滴を構成する溶液２１の濃度が上昇することが抑制しながら、溶液ミスト７２の温度を上昇させることができる。溶液ミスト７２は、加熱された基板１２の上面に付着する。基板１２の温度が溶液ミスト７２の温度よりも高いので、溶液ミスト７２（すなわち、溶液２１）が基板１２上で化学反応を起こす。その結果、基板１２の上面に酸化ガリウム膜が成長する。溶液ミスト７２が加熱ガス４３によって加熱されているので、溶液ミスト７２が基板１２に付着するときに、基板１２から熱が奪われ難い。したがって、基板１２を適切な温度に安定して維持することができる。また、溶液ミスト７２から水が蒸発し難いので、適切な濃度の溶液２１を溶液ミスト７２として基板１２の上面に供給できる。したがって、基板１２の上面に、好適に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００２８】
図８は、ノズル３２、３４と基板１２の上面の拡大図を示している。図８に示すように、ノズル３４の吐出口３４ａから基板１２の上面に向かって溶液ミスト７２が吐出される。溶液ミスト７２の吐出方向１９０は、基板１２の上面に対して傾斜している。吐出方向１９０の基板１２の上面に対する傾斜角度θａは、４５°以上である。このため、矢印１９２に示すように、溶液ミスト７２が基板１２の上面に沿って流れやすい。このため、基板１２の上面の広い範囲に均一に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００２９】
また、図８に示すように、ノズル３２の吐出口３２ａは、ノズル３４の吐出口３４ａよりも上側に配置されている。ノズル３２の吐出口３２ａから基板１２の上面に向かって加熱ガス４３が吐出される。加熱ガス４３の吐出方向１８０は、吐出方向１９０が傾斜する向きと同じ向きに、基板１２の上面に対して傾斜している。すなわち、吐出方向１８０は、垂線８２から吐出方向１９０側に傾いている。吐出方向１８０の基板１２の上面に対する傾斜角度θｂは、傾斜角度θａよりも小さい。傾斜角度θｂは、４５°未満である。このため、吐出方向１８０に沿って加熱ガス４３が吐出されると、加熱ガス４３の流れが、矢印１９０、１９２に示す溶液ミスト７２の流れを上側から基板１２の上面に向かって押し付ける。このため、基板１２の上面に溶液ミスト７２が付着し易くなり、基板１２の上面により好適に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００３０】
また、実施例６でも、サセプタ１６は、基板１２をその中心軸回りに低速で回転させる。このため、基板１２の上面全体に均一に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【実施例７】
【００３１】
図９に示す実施例７の成膜装置は、サセプタ１６とノズル３２、３４の配置が、実施例６と異なる。実施例７の成膜装置のその他の構成は、実施例６と等しい。実施例７では、サセプタ１６が水平面８０に対して傾斜して配置されている。したがって、サセプタ１６上に載置された基板１２の上面も、水平面８０に対して傾斜している。図９において、傾斜角度θｓは、基板１２の上面の水平面８０に対する傾斜角度（すなわち、基板１２の上面と水平面８０の間の角度）を示している。また、矢印１９４で示すように、溶液ミスト７２の吐出方向１９０は、基板１２の上面に立てた垂線８２から、基板１２の上面の下端１２ｘ側に傾斜している。吐出方向１９０の基板１２の上面に対する傾斜角度θａは、４５°以上である。傾斜角度θａと傾斜角度θｓの和は、９０°未満である。吐出方向１８０は、吐出方向１９０が傾斜する向きと同じ向きに基板１２の上面に対して傾斜している。吐出方向１８０の基板１２の上面に対する傾斜角度θｂは、４５°未満である。吐出口３２ａは、吐出口３４ａよりも上側に配置されている。
【００３２】
実施例７でも、実施例６と同様に、溶液ミスト７２の流れが加熱ガス４３の流れによって基板１２の上面に押さえつけられるので、基板１２の上面に好適に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００３３】
また、実施例７のように基板１２の上面が水平面８０に対して傾斜していると、基板１２の上面で蒸発した水蒸気の移動方向（矢印１９６）と、吐出方向１９０、１８０との間の角度が大きくなり、溶液ミスト７２及び加熱ガス４３の流れ（すなわち、吐出方向１９０、１８０）と水蒸気の流れ（すなわち、矢印１９６）とが干渉し難くなる。このため、矢印１９２に示すように溶液ミスト７２が基板１２の上面に沿ってさらに流れ易くなり、基板１２の上面により好適に酸化ガリウム膜を成長させることが可能となる。
【実施例８】
【００３４】
図１０に示す実施例８の成膜装置は、ノズル３２、３４とサセプタ１６の角度が、実施例７と異なる。実施例８の成膜装置のその他の構成は、実施例７と等しい。実施例８では、実施例７よりも、サセプタ１６の傾斜角度θｓが大きい。実施例８では、実施例７と同様に、矢印１９４で示すように、吐出方向１９０が、基板１２の上面に立てた垂線８２から、基板１２の上面の下端１２ｘ側に傾斜している。吐出方向１９０の基板１２の上面に対する傾斜角度θａは、４５°以上である。また、吐出方向１８０の基板１２の上面に対する傾斜角度θｂは、４５°未満である。実施例８では、傾斜角度θａと傾斜角度θｓの和は、９０°以上である。このため、実施例８では、吐出方向１９０が斜め上方向を向いている。この構成によれば、吐出方向１９０と矢印１９６に示す水蒸気の移動方向との間の角度が、実施例７（図９）よりもさらに大きくなり、溶液ミスト７２の流れ（すなわち、吐出方向１９０）と水蒸気の流れ（すなわち、矢印１９６）とがさらに干渉し難くなる。このため、矢印１９２に示すように溶液ミスト７２が基板１２の上面に沿ってさらに流れ易くなり、基板１２の上面にさらに好適に酸化ガリウム膜を成長させることができる。
【００３５】
なお、上述した実施例６〜８において、基板１２（すなわち、サセプタ１６）を回転させなくてもよい。もしくは、基板１２の移動速度が最大となる部分（例えば、基板１２の外周端）の移動速度が、吐出口３４ａから吐出される溶液ミスト７２の流速よりも高くなるように、基板１２を高速で回転させてもよい。基板１２を高速で回転させると、基板１２の上面に沿って層状に流れるガスの流れが生じ、層状の流れに沿って溶液ミスト７２を流すことができる。これによって、基板１２の上面に酸化ガリウム膜を均一に成長させることができる。
【実施例９】
【００３６】
図１１に示す実施例９の成膜装置は、複数の基板１２を載置可能なサセプタ１６を有している。サセプタ１６の中心軸１６ｂの周囲に複数の基板１２が配置されている。ノズル３２、３４は、中心軸１６ｂの下側に位置する基板１２の上面に向かって溶液ミスト７２と加熱ガス４３を吐出するように配置されている。サセプタ１６は、中心軸１６ｂを中心に低速で回転する。すると、ノズル３２、３４から吐出された溶液ミスト７２と加熱ガス４３が、複数の基板１２の上面に供給される。実施例９の成膜装置によれば、複数の基板１２の上面に同時に酸化ガリウム膜をエピタキシャル成長させることができる。なお、実施例９において、各基板１２の移動速度が最大となる部分の移動速度が、吐出口３４ａから吐出される溶液ミスト７２の流速よりも高くなるように、サセプタ１６を高速で回転させてもよい。
【００３７】
また、上述した実施例１〜４、６〜９では、サセプタ１６を回転させたが、サセプタ１６に代えて、または、サセプタ１６に加えて、ノズル３０、３２、３４を回転させることで、基板１２の上面全体に溶液ミスト７２が当たるようにしてもよい。
【００３８】
また、上述した実施例１〜９では、溶液２１の溶媒が水であってが、水以外の液体を溶媒として用いてもよい。
【００３９】
上述した実施例の構成要素と、請求項の構成要素との関係について説明する。実施例のサセプタ１６は、請求項のステージの一例である。実施例の第２貯留槽２０は、請求項のミスト供給源の一例である。実施例の加熱炉４０は、請求項の加熱ガス供給源の一例である。実施例のノズル３０、３２、３４、及び、混合体供給路５２は、請求項の送出装置の一例である。実施例のノズル３０、及び、混合体供給路５２は、請求項の混合流路の一例である。実施例のノズル３４は、請求項の第１流路の一例である。実施例のノズル３２は、請求項の第２流路の一例である。
【００４０】
本明細書が開示する技術要素について、以下に列記する。なお、以下の各技術要素は、それぞれ独立して有用なものである。
【００４１】
本明細書が開示する一例の成膜装置では、前記溶媒が、Ｈ２Ｏ（水）であってもよい。この場合、溶媒と同じ材料のガス（加熱ガスに含まれるガス）は、水蒸気である。
【００４２】
本明細書が開示する一例の成膜装置では、送出装置が、混合流路を有していてもよい。ミストと加熱ガスの混合体が、混合流路を通って基板の表面に送出されてもよい。
【００４３】
このように、ミストと加熱ガスを混合し、その混合体を基板の表面に送出することで、基板の表面に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００４４】
本明細書が開示する一例の成膜装置では、混合流路が基板の表面に向かって混合体を吐出する吐出方向が、基板の表面に対して傾斜していてもよい。
【００４５】
なお、通常は混合体は一定の広がりをもって吐出されるが、この場合、上記吐出方向は吐出される混合体の平均吐出方向を意味する。後述する第１吐出方向、第２吐出方向も同様である。
【００４６】
このように、混合体の吐出方向を基板の表面に対して傾斜させると、混合体が基板の表面に沿って流れやすくなるので、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００４７】
本明細書が開示する一例の成膜装置では、基板の表面が、基板の上面であってもよい。基板の上面が水平面に対して傾斜していてもよい。また、混合体の吐出方向が、基板の上面に立てた垂線から基板の上面の下端側に傾斜していてもよい。
【００４８】
この構成の一例が、図１２に示されている。図１２において、矢印Ｘ１が混合体の吐出方向である。図１２では、基板の上面Ｘ２が水平面Ｘ３に対して傾斜している。また、吐出方向Ｘ１が、基板の上面Ｘ２に立てた垂線Ｘ４から基板の上面Ｘ２の下端Ｘ５側に傾斜している。ミストが基板の上面Ｘ２に付着すると、ミストから溶媒が蒸発する。蒸発した溶媒は、矢印Ｘ６に示すように上方向に移動する。上記のように吐出方向Ｘ１が基板の上面Ｘ２に対して傾斜していると、蒸発した溶媒の移動方向Ｘ６と混合体の吐出方向Ｘ１の間の角度が大きくなり、蒸発した溶媒と吐出された混合体とが干渉し難い。このため、安定して膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００４９】
基板の上面が水平面に対して傾斜する上記成膜装置においては、混合体の吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度と、基板の上面の水平面に対する傾斜角度の和が、９０°よりも大きくてもよい。
【００５０】
なお、吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度は、吐出方向と基板の上面に立てた垂線との間の角度を意味する。例えば、図１２においては、吐出方向Ｘ１の上面Ｘ２に対する傾斜角度は、角度θｘ１である。後述する第１吐出方向及び第２吐出方向の傾斜角度も同様である。また、基板の上面の水平面に対する傾斜角度は、基板の上面と水平面の間の角度を意味する。例えば、図１２においては、基板の上面Ｘ２の水平面Ｘ３に対する角度は、角度θｘ２である。
【００５１】
この構成の一例が、図１２に示されている。図１２に示すように、吐出方向Ｘ１の上面Ｘ２に対する傾斜角度θｘ１と上面Ｘ２の水平面Ｘ３に対する傾斜角度θｘ２の和が９０°以上であると、吐出方向Ｘ１が斜め上方向を向く。このため、基板の上面Ｘ２で蒸発した溶媒の移動方向Ｘ６と吐出方向Ｘ１の間の角度がより大きくなる。このため、蒸発した溶媒と吐出された混合体とがより干渉し難い。このため、より安定して膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００５２】
本明細書が開示する一例の成膜装置では、混合体の吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度が４５°以上であってもよい。
【００５３】
例えば、図１２の傾斜角度θｘ１を４５°以上とすることができる。このように、混合体の吐出方向の傾斜角度を大きくすることで、混合体が基板の表面に沿って流れやすくなるので、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００５４】
本明細書が開示する一例の成膜装置では、送出装置が、第１流路と、第１流路とは別に設けられた第２流路を有していてもよい。ミストが、第１流路を通って基板の表面に送出され、加熱ガスが、第２流路を通って基板の表面に送出されてもよい。
【００５５】
このように、別の流路からミストと加熱ガスを基板の表面に送出しても、加熱ガスによってミストを加熱することができる。この構成でも、基板の表面に膜を好適にエピタキシャル成長させることができる。
【００５６】
本明細書が開示する一例の構成では、第１流路が基板の表面に向かってミストを吐出する第１吐出方向が、基板の表面に対して傾斜していてもよい。
【００５７】
このように、第１吐出方向を基板の表面に対して傾斜させると、ミストが基板の表面に沿って流れやすくなるので、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００５８】
本明細書が開示する一例の構成では、第１流路から基板の表面に向かって吐出されたミストの移動経路が、第２流路から基板の表面に向かって吐出された加熱ガスの移動経路と基板の表面の間に位置していてもよい。
【００５９】
この構成の一例が、図１３に示されている。図１３において、符号Ｘ１〜Ｘ６、θｘ１、θｘ２は、図１２と同じ構成要素を示している。図１３において、矢印Ｘ７は、第２流路から基板の表面Ｘ２に向かって吐出された加熱ガスの移動経路を示している。図１３のように、ミストの移動経路Ｘ１が、加熱ガスの移動経路Ｘ７と基板の表面Ｘ２の間に位置すると、加熱ガスによってミストが基板の表面Ｘ２に向かって押し付けられるので、ミストが基板の表面Ｘ２に付着し易くなる。このため、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００６０】
本明細書が開示する一例の構成では、基板の表面が、基板の上面であってもよい。第２流路が基板の上面に向かって加熱ガスを吐出する第２吐出口が、第１流路が基板の上面に向かってミストを吐出する第１吐出口の上側に配置されていてもよい。また、第２流路が基板の上面に向かって加熱ガスを吐出する第２吐出方向が、第１吐出方向が傾斜する向きと同じ向きに基板の上面に対して傾斜していてもよい。また、第１吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度が、第２吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度よりも大きくてもよい。
【００６１】
この構成の一例が、図１３に示されている。図１３では、第２吐出方向Ｘ７が、第１吐出方向Ｘ１が傾斜する向きと同じ向きに基板の上面Ｘ２に対して傾斜している。また、第１吐出方向Ｘ１の基板の上面Ｘ２に対する傾斜角度θｘ１が、第２吐出方向Ｘ７の基板の上面Ｘ２に対する傾斜角度θｘ３よりも大きい。この構成によれば、加熱ガスによってミストが基板の上面Ｘ２に向かって押し付けられるので、ミストが基板の上面Ｘ２に付着し易くなる。このため、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００６２】
本明細書が開示する一例の構成では、基板の上面が水平面に対して傾斜していてもよい。第１吐出方向が、基板の上面に立てた垂線から基板の上面の下端側に傾斜していてもよい。
【００６３】
この構成の一例が、図１３に示されている。この構成によれば、基板の上面Ｘ２で蒸発した溶媒（矢印Ｘ６）と第１吐出方向に沿って吐出されたミスト（矢印Ｘ１）とがより干渉し難くなる。このため、より安定して膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００６４】
本明細書が開示する一例の構成では、第１吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度と、基板の上面の水平面に対する傾斜角度の和が、９０°よりも大きくてもよい。
【００６５】
この構成の一例が、図１３に示されている。図１３に示すように、吐出方向Ｘ１の上面Ｘ２に対する傾斜角度θｘ１と上面Ｘ２の水平面Ｘ３に対する傾斜角度θｘ２の和が９０°以上であると、吐出方向Ｘ１が斜め上方向を向く。このため、基板の上面Ｘ２で蒸発した溶媒の移動方向Ｘ６と吐出方向Ｘ１の間の角度がより大きくなる。このため、蒸発した溶媒と吐出された混合体とがより干渉し難い。このため、より安定して膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００６６】
本明細書が開示する一例の構成では、第１吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度が４５°以上であってもよく、第２吐出方向の基板の上面に対する傾斜角度が４５°未満であってもよい。
【００６７】
なお、図１３においては、角度θｘ１が第１吐出方向Ｘ１の基板の上面Ｘ２に対する傾斜角度であり、角度θｘ３が第２吐出方向Ｘ７の基板の上面Ｘ２に対する傾斜角度である。このように、第１吐出方向の傾斜角度を大きくすることで、ミストが基板の表面に沿って流れやすくなるので、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。また、第２吐出方向の傾斜角度を大きくすることで、ミストが基板の表面に付着し易くなる。このため、より好適に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００６８】
本明細書が開示する一例の構成では、基板とミストの吐出口が相対回転可能とされていてもよい。また、基板と吐出口が相対回転しているときに基板と吐出口との相対移動速度が最大となる部分における相対移動速度が、吐出口から基板の表面に向かって吐出されるミストの流速よりも低くてもよい。
【００６９】
なお、「基板とミストの吐出口が相対回転可能」は、基板が回転可能とされていてもよいし、吐出口が回転可能とされていてもよいし、これらの両方が回転可能とされていてもよい。
【００７０】
このように基板とミストの吐出口とを相対回転させることで、基板表面の広い範囲に膜をエピタキシャル成長させることができる。また、このように相対回転の回転速度を低く設定すれば、回転により生じる気流の影響が小さく、基板の表面に均一に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００７１】
本明細書が開示する一例の構成では、基板が回転可能とされていてもよい。また、基板が回転しているときに基板の移動速度が最大となる部分における移動速度が、ミストの吐出口から基板の表面に向かって吐出されるミストの流速よりも高くてもよい。
【００７２】
このように基板を回転させることで、基板表面の広い範囲に膜をエピタキシャル成長させることができる。また、このように基板の回転速度を高く設定すれば、回転する基板の表面近傍に層流が発生し、基板の表面に均一に膜をエピタキシャル成長させることができる。
【００７３】
以上、実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００７４】
１０    ：成膜装置
１２    ：基板
１４    ：ヒータ
１６    ：サセプタ
２０    ：第２貯留槽
２１    ：溶液
２２    ：搬送ガス供給路
２４    ：溶液ミスト供給路
２８    ：超音波振動子
３０    ：ノズル
４０    ：加熱炉
４２    ：加熱ガス供給路
４４    ：ヒータ
６０    ：第１貯留槽
６１    ：水
６２    ：搬送ガス供給路
６４    ：水ミスト供給路
６８    ：超音波振動子
７０    ：水ミスト
７２    ：溶液ミスト
【図１】
2020120034.tif 000003
【図２】
2020120034.tif 000004
【図３】
2020120034.tif 000005
【図４】
2020120034.tif 000006
【図５】
2020120034.tif 000007
【図６】
2020120034.tif 000008
【図７】
2020120034.tif 000009
【図８】
2020120034.tif 000010
【図９】
2020120034.tif 000011
【図１０】
2020120034.tif 000012
【図１１】
2020120034.tif 000013
【図１２】
2020120034.tif 000014
【図１３】
2020120034.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月30日(2020.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2020120034.tif 000016
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2020120034.tif 000017
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2020120034.tif 000018