(57)【要約】【課題】基板の上の膜質除去効率が高い基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理設備を提供する。【解決手段】本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、回転する前記基板の縁領域に第１波長の第１レーザーを照射して前記縁領域を処理する第１処理段階と、回転する前記基板の縁領域に第２波長の第２レーザーを照射して前記縁領域を処理する第２処理段階を含み、前記第１波長と前記第２波長は互いに異なる波長である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法において、
回転する前記基板の縁領域に第１波長の第１レーザーを照射して前記縁領域を処理する第１処理段階と、       
回転する前記基板の縁領域に第２波長の第２レーザーを照射して前記縁領域を処理する第２処理段階と、を含み、
前記第１波長と前記第２波長は、互いに異なる波長である基板処理方法。
【請求項２】
前記基板の処理は、前記基板の上の膜質を除去する処理であり、
前記膜質は、
第１膜、及び前記第１膜と異なる膜質である第２膜含み、
前記第１膜と前記第２膜は、互いに積層され、
前記第１膜を除去する時、前記第１処理段階を遂行し、
前記第２膜を除去する時、前記第２処理段階を遂行する請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１処理段階と前記第２処理段階は、順次的に遂行される請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１波長と前記第２波長は、１５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有する請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記第１波長は、
７５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの第１範囲、３８０ｎｍ乃至７４９ｎｍの第２範囲、３００ｎｍ乃至３７９ｎｍの第３範囲、１５０ｎｍ乃至２９９ｎｍの第４範囲の中で選択されたいずれか１つの波長を有し、
前記第２波長は、前記第１範囲、前記第２範囲、前記第３範囲、及び前記第４範囲の中で選択された他の１つの波長を有する請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記第１レーザーと前記第２レーザーは複数の単位パルスレーザーである請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記第１レーザーと前記第２レーザーは、
前記基板の上面縁領域及び／又は前記基板の下面縁領域に照射される請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記第１処理段階と前記第２処理段階は同一チャンバーで遂行される請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１処理段階と前記第２処理段階は互いに異なるチャンバーで遂行される請求項１乃至請求項５のいずれかの一項に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
基板を処理する装置において、
内部空間を有するチャンバーと、
前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板に第１波長の第１レーザーを照射する第１レーザー照射ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板に第２波長の第２レーザーを照射する第２レーザー照射ユニットと、
前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は、
前記第１波長と前記第２波長は互いに異なるように前記第１レーザー照射ユニットと前記第２レーザー照射ユニットを制御する基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御器は、
前記支持ユニットをさらに制御し、
前記支持ユニットに支持された基板を回転させ、
前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第１レーザーを照射する第１処理段階と、
前記第１処理段階の後に前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第２レーザーを照射する第２処理段階を順次的に遂行するように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記制御器は、
前記支持ユニットに支持された基板上に塗布された第１膜を除去する時、前記第１処理段階を遂行し、
前記支持ユニットに支持された基板上に塗布された第２膜を除去する時、前記第２処理段階を遂行するように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記制御器は、
前記第１レーザーと前記第２レーザーが複数の単位パルスレーザーで照射されるように前記第１レーザー照射ユニットと前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
基板を処理する装置において、
内部空間を有するチャンバーと、
前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板に第１レーザーを照射する第１レーザー照射ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板に第２レーザーを照射する第２レーザー照射ユニットと、を含み、
前記第１レーザー照射ユニットは、
前記第１レーザーを照射する第１レーザー光源と、
前記第１レーザー光源から照射された前記第１レーザーが有する波長の範囲を変更する第１波長調節部材と、を含み、
前記第２レーザー照射ユニットは、
前記第２レーザーを照射する第２レーザー光源と、
前記第２レーザー光源から照射された前記第２レーザーが有する波長の範囲を変更する第２波長調節部材と、を含む基板処理装置。
【請求項１５】
前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、
前記制御器は、
前記第１レーザーが第１波長を有し、前記第２レーザーが前記第１波長と異なる第２波長を有するように前記第１レーザー照射ユニットと前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記第１レーザー照射ユニットは、
前記第１レーザー光源で照射された第１レーザーを前記支持ユニットに支持された基板に照射する第１レーザー照射部材を含み、
前記第２レーザー照射ユニットは、
前記第２レーザー光源で照射された第２レーザーを前記支持ユニットに支持された基板に照射する第２レーザー照射部材を含み、
前記第１レーザー照射部材と、前記第２レーザー照射部材は、互いに離隔された位置でレーザーを照射する請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記制御器は、
前記支持ユニットをさらに制御し、
前記支持ユニットに支持された基板を回転させ、
前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第１レーザーを照射する第１処理段階と、
前記第１処理段階の後に前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第２レーザーを照射する第２処理段階を順次的に遂行するように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
基板を処理する設備において、
第１内部空間を有する第１チャンバーと、
第２内部空間を有し、前記第１チャンバーと独立に提供される第２チャンバーと、
前記第１チャンバーと前記第２チャンバーとの間に基板を搬送する搬送ユニットと、
前記第１内部空間に提供される基板に複数の単位パルスレーザーである第１レーザーを照射する第１レーザー照射ユニットと、
前記第２内部空間に提供される基板に複数の単位パルスレーザーである第２レーザーを照射する第２レーザー照射ユニットと、
前記搬送ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び第２レーザー照射ユニットを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は、
前記第１内部空間に提供された基板に前記第１レーザーを照射する第１処理段階と、
前記第１処理段階が遂行された基板を前記第１内部空間で前記第２内部空間に搬送する搬送段階と、
前記第２内部空間に搬送された基板に前記第２レーザーを照射する第２処理段階と、を遂行するように前記搬送ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び第２レーザー照射ユニットを制御する基板処理設備。
【請求項１９】
前記第１レーザーと前記第２レーザーの波長が互いに異なるように前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１８に記載の基板処理設備。
【請求項２０】
前記制御器は、
基板に塗布された膜質の種類に応じて前記第１レーザーと前記第２レーザーの波長が互いに異なるように前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する請求項１８又は請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理設備に係る。
【背景技術】
【０００２】
基板、例えば、半導体ウエハ又はフラットパネルディスプレイの製造に使用されることのようなガラスパネルを処理する時、塗布、写真、蒸着、アッシング、蝕刻、及びイオン注入等のような多様な工程が遂行される。基板に対する処理工程が遂行されながら、基板の表面には硬化された薄膜がコーティング又は蒸着される。そして、基板の縁、即ち、基板のエッジ（Ｅｄｇｅ）で生産収率を高めるためにエッジビーズ除去（Ｅｄｇｅ  Ｂｅａｄ  Ｒｅｍｏｖａｌ）工程が要求される。エッジビーズ除去（Ｅｄｇｅ  Ｂｅａｄ  Ｒｅｍｏｖａｌ）工程は基板のエッジ領域で不要な薄膜と付着された副産物ポリマーを除去する。
【０００３】
図１は一般的な基板処理装置でエッジビーズ除去工程を遂行する形態を示す図面である。図１を参照すれば、一般的な基板処理装置１は回転チャック２及びノズル４を有する。回転チャック２は基板Ｗを支持及び回転させる。ノズル４は基板Ｗのエッジ領域にケミカルＣを噴射する。ノズル４は基板Ｗの上部及び下部に各々提供されて基板Ｗの上面及び底面にケミカルＣを噴射する。噴射されたケミカルＣは基板Ｗのエッジ領域上に提供された薄膜Ｆを除去する。しかし、ケミカルＣを噴射してエッジビーズ除去工程を遂行する場合、基板Ｗのエッジ領域での薄膜Ｆの除去が適切に遂行されない。例えば、図２に図示されたように基板Ｗのエッジ領域での膜Ｆは基板Ｗの半径方向に行くほど、下方に傾くように除去されることができる。これは、基板Ｗが回転される状態で液状のケミカルＣが供給されるためである。基板Ｗのエッジ領域での薄膜Ｆの除去が適切に遂行されなければ、生産工程の収率を低下させる。また、工程の後、基板Ｗの表面にピンマーク（Ｐｉｎ  Ｍａｒｋ）が生成されて追加的に汚染される恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】日本国特許公開第２０１９−５０６７３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は基板の上の膜質除去効率が高い基板処理方法、基板処理装置及び、基板処理設備を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の目的は複数の単位パルスレーザーを基板の上の膜質に照射して膜質除去効率を高めることがきる基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理設備を提供することにある。
【０００７】
また、本発明は複数の単位パルスレーザーを基板の上の膜質に照射して膜質除去領域を微細化することができる基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理設備を提供することを一目的とする。
【０００８】
また、本発明は膜質の種類に応じて照射されるレーザーの波長を異なりにして膜質除去効率を極大化する基板処理方法、基板処理装置、及び基板処理設備を提供することを一目的とする。
【０００９】
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法は、回転する前記基板の縁領域に第１波長の第１レーザーを照射して前記縁領域を処理する第１処理段階と、回転する前記基板の縁領域に第２波長の第２レーザーを照射して前記縁領域を処理する第２処理段階と、を含み、前記第１波長と前記第２波長は互いに異なる波長である。
【００１１】
一実施形態によれば、前記基板の処理は前記基板の上の膜質を除去する処理であり、前記膜質は、第１膜、及び前記第１膜と異なる膜質である第２膜を含み、前記第１膜と前記第２膜は互いに積層され、前記第１膜を除去する時、前記第１処理段階を遂行し、前記第２膜を除去する時、前記第２処理段階を遂行することができる。
【００１２】
一実施形態によれば、前記第１処理段階と前記第２処理段階は順次的に遂行されることができる。
【００１３】
一実施形態によれば、前記第１波長と前記第２波長は１５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの波長を有することができる。
【００１４】
一実施形態によれば、前記第１波長は、７５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの第１範囲、３８０ｎｍ乃至７４９ｎｍの第２範囲、３００ｎｍ乃至３７９ｎｍの第３範囲、１５０ｎｍ乃至２９９ｎｍの第４範囲の中で選択されたいずれか１つの波長を有し、前記第２波長は前記第１範囲、前記第２範囲、前記第３範囲、及び前記第４範囲の中で選択された他の１つの波長を有することができる。
【００１５】
一実施形態によれば、前記第１レーザーと前記第２レーザーは複数の単位パルスレーザーである。
【００１６】
一実施形態によれば、前記第１レーザーと前記第２レーザーは、前記基板の上面縁領域及び／又は前記基板の下面縁領域に照射されることができる。
【００１７】
一実施形態によれば、前記第１処理段階と前記第２処理段階は同一チャンバーで遂行されることができる。
【００１８】
一実施形態によれば、前記第１処理段階と前記第２処理段階は互いに異なるチャンバーで遂行されることができる。
【００１９】
本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、内部空間を有するチャンバーと、前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に第１波長の第１レーザーを照射する第１レーザー照射ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に第２波長の第２レーザーを照射する第２レーザー照射ユニットと、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する制御器と、を含み、前記制御器は、前記第１波長と前記第２波長は互いに異なるように前記第１レーザー照射ユニットと前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２０】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記支持ユニットをさらに制御し、前記支持ユニットに支持された基板を回転させ、前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第１レーザーを照射する第１処理段階と、前記第１処理段階の後に前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第２レーザーを照射する第２処理段階を順次的に遂行するように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２１】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記支持ユニットに支持された基板上に塗布された第１膜を除去する時、前記第１処理段階を遂行し、前記支持ユニットに支持された基板上に塗布された第２膜を除去する時、前記第２処理段階を遂行するように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２２】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記第１レーザーと前記第２レーザーが複数の単位パルスレーザーで照射されるように前記第１レーザー照射ユニットと前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２３】
また、本発明の基板処理装置は、内部空間を有するチャンバーと、前記内部空間で基板を支持し、回転させる支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に第１レーザーを照射する第１レーザー照射ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に第２レーザーを照射する第２レーザー照射ユニットと、を含み、前記第１レーザー照射ユニットは、前記第１レーザーを照射する第１レーザー光源と、前記第１レーザー光源から照射された前記第１レーザーが有する波長の範囲を変更する第１波長調節部材と、を含み、前記第２レーザー照射ユニットは、前記第２レーザーを照射する第２レーザー光源と、前記第２レーザー光源から照射された前記第２レーザーが有する波長の範囲を変更する第２波長調節部材と、を含むことができる。
【００２４】
一実施形態によれば、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御する制御器をさらに含み、前記制御器は、前記第１レーザーが第１波長を有し、前記第２レーザーが前記第１波長と異なる第２波長を有するように前記第１レーザー照射ユニットと前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２５】
一実施形態によれば、前記第１レーザー照射ユニットは、前記第１レーザー光源で照射された第１レーザーを前記支持ユニットに支持された基板に照射する第１レーザー照射部材を含み、前記第２レーザー照射ユニットは、前記第２レーザー光源で照射された第２レーザーを前記支持ユニットに支持された基板に照射する第２レーザー照射部材を含み、前記第１レーザー照射部材と、前記第２レーザー照射部材は互いに離隔された位置でレーザーを照射することができる。
【００２６】
一実施形態によれば、前記制御器は、前記支持ユニットをさらに制御し、前記支持ユニットに支持された基板を回転させ、前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第１レーザーを照射する第１処理段階と、前記第１処理段階の後に前記支持ユニットに支持されて回転する基板の縁領域に前記第２レーザーを照射する第２処理段階を順次的に遂行するように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２７】
また、本発明は基板を処理する設備を提供する。基板を処理する設備は、第１内部空間を有する第１チャンバーと、第２内部空間を有し、前記第１チャンバーと独立に提供される第２チャンバーと、前記第１チャンバーと前記第２チャンバーとの間に基板を搬送する搬送ユニットと、前記第１内部空間に提供される基板に複数の単位パルスレーザーである第１レーザーを照射する第１レーザー照射ユニットと、前記第２内部空間に提供される基板に複数の単位パルスレーザーである第２レーザーを照射する第２レーザー照射ユニットと、前記搬送ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び第２レーザー照射ユニットを制御する制御器と、を含み、前記制御器は、前記第１内部空間に提供された基板に前記第１レーザーを照射する第１処理段階と、前記第１処理段階が遂行された基板を前記第１内部空間で前記第２内部空間に搬送する搬送段階と、前記第２内部空間に搬送された基板に前記第２レーザーを照射する第２処理段階を遂行するように前記搬送ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２８】
一実施形態によれば、前記第１レーザーと前記第２レーザーの波長が互いに異なるように前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【００２９】
一実施形態によれば、前記制御器は、基板に塗布された膜質の種類に応じて前記第１レーザーと前記第２レーザーの波長が互いに異なるように前記支持ユニット、前記第１レーザー照射ユニット、及び前記第２レーザー照射ユニットを制御することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一実施形態によれば、膜質除去効率を極大化することができる。
【００３１】
また、本発明の一実施形態によれば、複数の単位パルスレーザーを基板の上の膜質に照射して膜質除去効率を高くすることがきる。
【００３２】
また、本発明の一実施形態によれば、膜質除去領域を微細化し、膜質除去領域を多様に変形することができる。
【００３３】
また、本発明の一実施形態によれば、膜質の種類に応じて照射されるレーザーの波長を異なりにして膜質除去効率を極大化することができる。
【００３４】
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】一般的な基板処理装置でエッジビーズ除去工程を遂行する形態を示す図面である。
【図２】図１の‘Ａ’領域を拡大して示す図面である。
【図３】本発明の一実施形態による基板処理設備を示す平面図である。
【図４】図３の基板処理装置を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。
【図６】図５の第１処理段階でレーザー照射ユニットが基板にレーザーを照射する一例を示す図面である。
【図７】図５の第２処理段階でレーザー照射ユニットが基板にレーザーを照射する一例を示す図面である。
【図８】図５の第１処理段階が遂行される基板の縁領域を示す拡大図である。
【図９】図５の第２処理段階が遂行される基板の縁領域を示す拡大図である。
【図１０】基板の上の膜質を除去する他の例を示す図面である。
【図１１】基板の上の膜質を除去する他の例を示す図面である。
【図１２】基板の上の膜質を除去する他の例を示す図面である。
【図１３】基板の上の膜質を除去する他の例を示す図面である。
【図１４】本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。
【図１５】本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体に亘って同一な符号を使用する。
【００３７】
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
【００３８】
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
【００３９】
以下、図３乃至図１３を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００４０】
図３は本発明の実施形態による基板処理設備を示す平面図である。図３を参照すれば、基板処理設備１０はインデックスモジュール１００と工程処理モジュール２００を有する。インデックスモジュール１００はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、及び工程処理モジュール２００が配列された方向を第１の方向１２とし、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４がとし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面と垂直である方向を第３方向１６とする。
【００４１】
ロードポート１２０には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３０が安着される。ロードポート１２０は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の数は工程処理モジュール２００の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３０には基板がＷを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。キャリヤー１３０として前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｅｄ  Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
【００４２】
工程処理モジュール２００はバッファユニット２２０、移送チャンバー２４０、液処理チャンバー２６０、及びレーザー処理チャンバー２８０を含む。移送チャンバー２４０はその横方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバー２４０の両側には各々液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０が配置される。移送チャンバー２４０の一側及び他側で液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２６０は移送チャンバー２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバー２４０の一側には複数の液処理チャンバー２６０が提供される。液処理チャンバー２６０の中で一部は移送チャンバー２４０の横方向に沿って配置される。また、液処理チャンバー２６０の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４０の一側には液処理チャンバー２６０がＡＸＢの配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された液処理チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された液処理チャンバー２６０の数である。移送チャンバー２４０の一側に液処理チャンバー２６０が４つ又は６つ提供される場合、液処理チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。液処理チャンバー２６０の数は増加するか、又は減少してもよい。また、レーザー処理チャンバー２８０は液処理チャンバー２６０と類似な方式に移送チャンバー２４０の他側に配置されることができる。上述したことと異なりに、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０の配置は多様な方式に変形されることができる。例えば、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０は移送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０は移送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。
【００４３】
バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバー２４０との間に配置される。バッファユニット２２０は移送チャンバー２４０と移送フレーム１４０との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は移送フレーム１４０と対向する面及び移送チャンバー２４０と対向する面が開放される。
【００４４】
移送フレーム１４０はロードポート１２０に安着されたキャリヤー１３０とバッファユニット２２０との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその横方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、本体１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能するように設置される。本体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。本体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは本体１４４ｂに結合され、本体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数に提供されて各々個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの中で一部は工程処理モジュール２００でキャリヤー１３０に基板Ｗを搬送する時に使用され、その他の一部はキャリヤー１３０で工程処理モジュール２００に基板Ｗを搬送する時、使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。
【００４５】
移送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と液処理チャンバー２６０との間に、バッファユニット２２０とレーザー処理チャンバー２８０との間に、液処理チャンバー２６０との間に、レーザー処理チャンバー２８０との間に、そして液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０との間に基板Ｗを搬送する。即ち、移送チャンバー２４０は基板を搬送する搬送ユニットに提供される。移送チャンバー２４０にはガイドレール２４２とメーンロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその横方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４はベース２４４ａ、本体２４４ｂ、及びメーンアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能するように設置される。本体２４４ｂはベース２４４ａに結合される。本体２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは本体２４４ｂに結合され、これは本体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能するように提供される。メーンアーム２４４ｃは複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４ｃは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。
【００４６】
液処理チャンバー２６０は基板Ｗに対して処理液を供給して液処理する工程を遂行する。処理液はケミカル、リンス液、及び有機溶剤である。ケミカルは酸又は塩基性質を有する液である。ケミカルは硫酸（Ｈ２ＳＯ４）、リン酸（Ｐ２Ｏ５）、フッ酸（ＨＦ）、及び水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を含むことができる。ケミカルはＤＳＰ（Ｄｉｌｕｔｅｄ  Ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ  Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）混合液である。リンス液は純水（Ｈ２０）である。有機溶剤はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液である。
【００４７】
液処理チャンバー２６０は洗浄工程を遂行することができる。液処理チャンバー２６０に提供される基板処理装置は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の液処理チャンバー２６０に提供される基板処理装置は同一な構造を有することができる。選択的に液処理チャンバー２６０は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する液処理チャンバー２６０内の基板処理装置は互いに同一であり、互いに異なるグループに属する液処理チャンバー２６０内に提供された基板処理装置の構造は互いに異なりに提供されることができる。また、液処理チャンバー２６０は写真、アッシング、及び蝕刻等の多様な工程を遂行することもできる。
【００４８】
レーザー処理チャンバー２８０は基板Ｗにレーザーを照射して基板を処理する工程を遂行することができる。また、レーザー処理チャンバー２８０には基板処理装置３００が提供されることができる。基板処理装置３００は基板Ｗ上にレーザーを照射することができる。基板処理装置３００は基板Ｗの縁領域にレーザーを照射することができる。基板処理装置３００は基板Ｗの縁領域にレーザーを照射して、基板Ｗ上の膜質を除去する工程を遂行することができる。
【００４９】
以下には、レーザー処理チャンバー２８０に提供される基板処理装置３００に対して詳細に説明する。図４は図３の基板処理装置を示す断面図である。図４を参照すれば、基板処理装置３００はハウジング３１０、支持ユニット３２０、第１レーザー照射ユニット４００ａ、第２レーザー照射ユニット４００ｂ、及び制御器（図示せず）を含むことができる。
【００５０】
ハウジング３１０は内部空間３１２を有する。内部空間３１２は基板Ｗが処理される空間に提供されることができる。ハウジング３１０の一側には開口（図示せず）が形成される。開口は基板Ｗが搬出入される入口として機能する。開口にはドア（図示せず）が設置され、ドアは開口を開閉する。ドアは基板処理工程が進行されれば、開口を遮断してハウジング３１０の内部空間３１２を密閉する。ハウジング３１０の底面には排気口３１４が形成される。排気口３１４は排気ライン３１６と連結される。このため、内部空間３１２で基板Ｗが処理されながら、発生される副産物を基板処理装置３００の外部に排気することができる。また、ハウジング３１０には内部空間３１２にガスを供給するガス供給ライン（図示せず）が連結されることができる。ガスは窒素等の非活性ガスである。ガス供給ラインが供給するガスは内部空間３１２に気流を提供することができる。内部空間３１２に提供される気流は基板Ｗが処理されながら、発生される副産物をさらに効率的に排気するようにする。
【００５１】
支持ユニット３２０は基板Ｗを支持及び回転させる。支持ユニット３２０は支持板３２２、及び回転軸３２６を含むことができる。支持板３２２は基板を支持する。支持板３２２は円形の板形状を有するように提供される。支持板３２２は上面が底面より大きい直径を有することができる。支持板３２２の上面及び底面をつなぐ側面は中心軸に近くなるほど、下方に傾いた方向に向かうことができる。支持板３２２の上面は基板Ｗが安着される案着面として提供される。安着面は基板Ｗより小さい面積を有する。一例によれば、安着面の直径は基板Ｗの半径より小さいことができる。安着面は基板Ｗの中心領域を支持する。案着面には複数の吸着ホール３２３が形成される。吸着ホール３２３は案着面に置かれる基板Ｗを減圧して基板を吸着させるホールである。吸着ホール３２３には真空部材３２５が連結される。真空部材３２５は吸着ホール３２３を減圧するポンプである。しかし、真空部材３２５はポンプであることに限定されることではなく、吸着ホール３２３に減圧を提供する公知の装置等に多様に変形されることができる。
【００５２】
回転軸３２６はその横方向が上下方向に向かう筒形状を有するように提供される。回転軸３２６は支持板３２２の底面に結合される。駆動器（図示せず）は回転軸３２６に回転力を伝達する。回転軸３２６は駆動器から提供された回転力によって中心軸を中心に回転可能である。支持板３２２は回転軸３２６と共に回転可能である。回転軸３２６は駆動器によってその回転速度が調節されて基板Ｗの回転速度を調節可能である。例えば、駆動器はモーターである。しかし、駆動器はモーターであることに限定されることではなく、回転軸３２６に回転力を提供する公知の装置等に多様に変形されることができる。
【００５３】
レーザー照射ユニット４００ａは支持ユニット３２０に支持された基板Ｗに第１レーザーＬ１を照射することができる。以下では、第１レーザーＬ１が有する波長を第１波長として定義する。レーザー照射ユニット４００ａは支持ユニット３２０に支持された基板Ｗに複数の単位パルスレーザーＬ１を照射することができる。第１レーザー照射ユニット４００ａは基板Ｗ上の縁領域に第１レーザーＬ１を照射することができる。第１レーザー照射ユニット４００ａは第１レーザーＬ１を照射して基板Ｗ上の縁領域に提供された膜質を除去することができる。第１レーザー照射ユニット４００ａは第１レーザー光源４１０ａ、第１波長調節部材４２０ａ、第１形状調節部材４３０ａ、及び第１レーザー照射部材４４０ａを含むことができる。
【００５４】
第１レーザー光源４１０ａは第１レーザーＬ１を照射することができる。第１レーザー光源４１０ａは基板Ｗに照射される第１レーザーＬ１のソース（Ｓｏｕｒｃｅ）である。第１レーザー光源４１０ａは第１レーザーＬ１を複数の単位パルスレーザー方式に照射することができる。
【００５５】
第１波長調節部材４２０ａは第１レーザー光源４１０ａで照射された第１レーザーＬ１の第１波長を変更することができる。例えば、第１波長調節部材４２０ａは第１レーザーＬ１の第１波長を変更する光学素子で提供されることができる。第１波長調節部材４２０ａは第１レーザーＬ１が１５０ｎｍ乃至１２００ｎｍ範囲の波長を有するように第１波長を変更することができる。第１波長がＨＳ１５０ｎｍ以下の波長を有する場合、基板Ｗ上の膜質のみならず、基板Ｗまで蝕刻され、第１波長が１２００ｎｍ以上の波長を有する場合、基板Ｗ上の膜質が除去されないためである。また、第１波長調節部材４２０ａは第１レーザーＬ１が多様な範囲の波長を有するようにレーザーＬの波長を調節することができる。例えば、第１波長調節部材４２０ａは第１レーザーＬ１が７５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの第１範囲、３８０ｎｍ乃至７４９ｎｍの第２範囲、３００ｎｍ乃至３７９ｎｍの第３範囲、１５０ｎｍ乃至２９９ｎｍの第４範囲の中で選択されたいずれか１つの波長を有するように第１レーザーＬ１の第１波長を変更することができる。即ち、第１波長は第１範囲、第２範囲、第３範囲、第４範囲の中で選択されたいずれか１つの波長である。
【００５６】
第１形状調節部材４３０ａは第１レーザー光源４１０ａで照射される第１レーザーＬ１の形状を変更することができる。例えば、第１形状調節部材４３０ａは第１レーザー光源４１０ａで照射される第１レーザーＬ１が円形状を有するように変更することができる。また、第１形状調節部材４３０ａは第１レーザー光源４１０ａで照射される第１レーザーＬ１が四角形状を有するように変更することができる。四角形状は正方形、又は長方形の形状を有することができる。また、第１形状調節部材４３０ａは第１レーザー光源４１０ａで照射される第１レーザーＬ１が角部分がラウンド（Ｒｏｕｎｄ）になった四角形状を有するように変更することができる。
【００５７】
第１レーザー照射部材４４０ａは第１レーザーＬ１を支持ユニット３２０に支持された基板Ｗに第１レーザーＬ１を照射することができる。一例として、第１レーザー光源４１０ａで照射されたレーザーＬは波長調節部材４２０、及び第１形状調節部材４３０ａを経る。そして、第１波長調節部材４２０ａと第１形状調節部材４３０ａで波長及び形状が調節された第１レーザーＬ１が第１レーザー照射部材４４０ａに伝達されることができる。第１レーザー照射部材４４０ａは第１スキャナ４４２ａ、第１レンズ４４４ａ、及び第１駆動部材４４６ａを含むことができる。第１スキャナ４４２ａは第１波長調節部材４２０ａ、及び第１形状調節部材４３０ａを経た第１レーザーＬ１の照射方向を変更することができる。第１レンズ４４４ａは第１スキャナ４４２ａを経た第１レーザーＬ１が基板Ｗ上に集中されて照射されるようにする。第１駆動部材４４６ａは第１スキャナ４４２ａ及び／又は第１レンズ４４４ａを移動させることができる。第１駆動部材４４６ａは第１スキャナ４４２ａ及び／又は第１レンズ４４４ａを移動させる駆動力を伝達することができる。第１駆動部材４４６ａは第１スキャナ４４２ａ及び／又は第１レンズ４４４ａを水平又は垂直方向に移動させることができる。このため、第１駆動部材４４６ａは複数の単位パルスレーザーＬ１が基板Ｗ上の縁領域に照射されるようにすることができる。また、第１駆動部材４４６ａは複数の単位パルスレーザーＬ１が基板Ｗ上に照射される領域が基板Ｗの半径方向に沿って変更されるようにすることができる。
【００５８】
第２レーザー照射ユニット４００ｂの構成、及び機能等は第１レーザー照射ユニット４００ａと同一又は類似である。このため、第２レーザー照射ユニット４００ｂに対する説明は第１レーザー照射ユニット４００ａとの差異点を中心に説明し、重複される説明は省略する。
【００５９】
第２レーザー照射ユニット４００ｂは支持ユニット３２０に支持された基板Ｗに第２波長を有する第２レーザーＬ２を照射することができる。以下では、第２レーザーＬ２が有する波長を第２波長として定義する。第２波長は第１レーザーＬ１が有する第１波長と互いに異なる波長である。また、第２レーザー照射ユニット４００ｂと第１レーザー照射ユニット４００ａは互いに離隔された位置でレーザーを照射することができる。一例として、第２レーザー照射ユニット４００ｂが含む第２レーザー照射部材４４０ｂと第１レーザー照射ユニット４００ａが含む第２レーザー照射部材４００ａは互いに離隔された位置でレーザーを照射することができる。
【００６０】
制御器（図示せず）は基板処理設備１０を制御することができる。例えば、制御器は液処理チャンバー２６０との間に、レーザー処理チャンバー２８０との間に、液処理チャンバー２６０とレーザー処理チャンバー２８０との間に基板Ｗが搬送されることを制御することができる。また、制御器は基板処理装置３００を制御することができる。制御器は以下で説明する膜質除去方法又は基板処理方法を遂行できるように基板処理装置３００を制御することができる。
【００６１】
また、制御器は第１レーザー照射ユニット４００ａと第２レーザー照射ユニット４００ｂを制御することができる。例えば、制御器は第１レーザー照射ユニット４００ａと第２レーザー照射ユニット４００ｂを制御して、第１レーザーＬ１の第１波長と第２レーザーＬ２の第２波長を多様に変化させることができる。上述したように第１波長は７５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの第１範囲、３８０ｎｍ乃至７４９ｎｍの第２範囲、３００ｎｍ乃至３７９ｎｍの第３範囲、１５０ｎｍ乃至２９９ｎｍの第４範囲の中で選択されたいずれか１つの波長を有することができる。また、第２波長は第１波長と互いに異なる波長を有する。また、第２波長は７５０ｎｍ乃至１２００ｎｍの第１範囲、３８０ｎｍ乃至７４９ｎｍの第２範囲、３００ｎｍ乃至３７９ｎｍの第３範囲、１５０ｎｍ乃至２９９ｎｍの第４範囲の中で選択された他の１つの波長を有することができる。即ち、制御器は第１波長と第２波長の組合が４Ｘ３の個数を有するように第１レーザー照射ユニット４００ａと第２レーザー照射ユニット４００ｂを制御することができる。
【００６２】
以下では本発明の一実施形態による基板を処理する方法に対して詳細に説明する。基板を処理する方法は基板Ｗ上の縁領域に複数のレーザーを照射して基板Ｗ上の膜質を除去する方法である。基板Ｗ上の膜質は蒸着工程で形成された膜質である。例えば、基板Ｗ上の膜質はＴｉＮ、ＳｉＮ、タングステン、オキサイド等である。しかし、本発明の一実施形態による基板処理方法は、膜質を除去する方法であることに限定されることではなく、レーザーを基板Ｗに照射して基板を処理する多様な処理方法にも同様に適用されることができる。
【００６３】
図５は本発明の一実施形態による基板処理方法を示すフローチャートである。図５を参照すれば、基板処理方法は第１処理段階（Ｓ１０）と第２処理段階（Ｓ２０）を含むことができる。第１処理段階（Ｓ１０）と第２処理段階（Ｓ２０）は順次的に遂行されることができる。一例として、第２処理段階（Ｓ２０）は第１処理段階（Ｓ１０）が完了された後に、遂行されることができる。第１処理段階（Ｓ１０）には第１波長の第１レーザーＬ１が基板Ｗの縁領域に照射される。第２処理段階（Ｓ２０）には第２波長の第２レーザーＬ２が基板Ｗの縁領域に照射される。上述したように第１レーザーＬ１は第１レーザー照射ユニット４００ａが照射するレーザーである。また、第２レーザーＬ２は第２レーザー照射ユニット４００ｂが照射するレーザーである。
【００６４】
第１照射段階（Ｓ１０）と第２照射段階（Ｓ２０）では基板Ｗ上の縁領域に複数の単位パルスレーザーを照射して基板Ｗ上の膜質を除去することができる。複数の単位パルスレーザーは極超短パルスレーザーである。例えば、複数の単位パルスレーザーはそのパルス幅が数十ｎｓ〜数百ｆｓであるレーザーである。極超短パルスレーザーが非熱−非接触式工程で基板Ｗ上の膜質に照射されれば、膜質に即刻的なアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）現象が発生されることができる。このため、基板Ｗの縁領域で不必要な部分での膜質除去が可能である。
【００６５】
また、第１処理段階（Ｓ１０）では図６に図示されたように、基板Ｗの回転によって基板Ｗの円周方向に沿って単位パルスレーザーである第１レーザーＬ１の照射が成されることができる。また、第１照射段階（Ｓ１０）では基板Ｗの半径方向に沿って単位パルスレーザーである第１レーザーＬ１の照射位置を変更することができる。このため、基板Ｗで膜質Ｆが除去される縁領域を拡張するか、又は縮小する等変更することができる。また、第２処理段階（Ｓ２０）でも図７に図示されたように、第１処理段階（Ｓ１０）と類似に第２レーザーＬ２の照射が行われることができる。
【００６６】
図８は図５の第１処理段階が遂行される基板の縁領域を示す拡大図であり、図９は図５の第２処理段階が遂行される基板の縁領域を示す拡大図である。
【００６７】
図８と図９を参照すれば、基板Ｗ上の膜質Ｆは第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２を含むことができる。第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２は互いに異なる膜質である。また、第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２は基板Ｗ上で互いに積層されることができる。
【００６８】
本発明の一実施形態によれば、第１膜Ｆ１を除去する時には第１処理段階（Ｓ１０）が遂行されることができる。即ち、第１膜Ｆ１を除去する時には第１波長を有する第１レーザーＬ１が基板Ｗの縁領域に照射されることができる。また、第１レーザーＬ１は第１処理段階（Ｓ１０）が遂行される間に基板Ｗの半径方向に沿って照射位置が変更されることができる。また、第２膜Ｆ２を除去する時には第２処理段階（Ｓ２０）が遂行されることができる。即ち、第２膜Ｆ２を除去する時には第２波長を有する第２レーザーＬ２が基板Ｗの縁領域に照射されることができる。また、第２レーザーＬ２は第２処理段階（Ｓ２０）が遂行される間に基板Ｗの半径方向に沿って照射位置が変更されることができる。
【００６９】
一般的に基板の縁領域にケミカル等の薬液を噴射して膜質を除去する場合、膜質除去が適切に行われない。一例として、基板の上の膜質は基板の半径方向に沿って下方に傾くように除去されることができる。これは膜質を除去する薬液の不均一な選択比によることである。このように膜質の除去が適切に行われない場合、半導体素子の生産収率を低下させる。また、基板の表面にピンマーク（Ｐｉｎ  Ｍａｒｋ）等が形成されて追加的な汚染可能性を発生させる。しかし、本発明の一実施形態によれば、基板Ｗに対して複数の単位パルスレーザーを照射して基板Ｗ上の膜質を除去する。このため、基板Ｗ上の膜質の即刻的なアブレーションが発生して均一で高い選択比に膜質を除去することができる。また、本発明の一実施形態によれば、単位パルスレーザーを利用して基板Ｗ上の膜質を除去するので、基板Ｗで膜質が除去される領域を多様に変更することができる。また、基板Ｗで膜質が除去される領域をさらに微細化することができる。膜質が除去される領域を多様に変更することができ、さらに微細化することは最近、基板エッジで膜質が除去される領域を縮小しようとする最近の傾向にも合致する。
【００７０】
また、基板Ｗ上には多様な種類の膜質Ｆが提供されることができる。例えば、膜質ＦはＴｉＮ、ＳｉＮ、タングステン、オキサイド等である。多様な種類の膜質は各々基板Ｗ上に互いに積層されて提供されることができる。本発明の一実施形態によれば、各々の膜質に対応して、互いに他の波長を有する単位パルスレーザーを利用して膜質を除去することができる。例えば、第１膜Ｆ１を除去する場合、第１波長の第１レーザーＬ１を照射し、第２膜Ｆ２を除去する場合、第２波長の第２レーザーＬ２を照射して膜質を除去する。このため、各々の膜質を除去するのにおいて、その効率を極大化することができる。
【００７１】
また、本発明の一実施形態によれば、第１レーザーＬ１の第１波長は上述した第１範囲、第２範囲、第３範囲、第４範囲の中でいずれか１つの波長を有することができる。また、第２レーザーＬ２の第２波長は上述した第１範囲、第２範囲、第３範囲、第４範囲の中で他の１つの波長を有することができる。そして、第１波長と第２波長は互いに異なることができる。即ち、第１処理段階（Ｓ１０）と第２処理段階（Ｓ２０）を遂行するのにおいて、種類の組み合わせの構成で膜質除去工程を遂行することができる。
【００７２】
上述した実施形態では基板Ｗ上の膜質が第１膜Ｆ１と第２膜Ｆ２を含み、各々の第１膜Ｆ１を除去する時、第１レーザーＬ１を照射し、第２膜Ｆ２を除去する時、第２レーザーＬ２を照射することを例として説明したが、これに限定されることではない。図１０乃至図１３は基板の上の膜質を除去する他の例を示す図面である。図１０乃至図１３を参照すれば、基板Ｗ上の膜質は第１膜Ｆ１、第２膜Ｆ２、第３膜Ｆ３、及び第４膜Ｆ４を含むことができる。第１膜Ｆ１、第２膜Ｆ２、第３膜Ｆ３、及び第４膜Ｆ４は互いに積層され、互いに異なる膜質である。第１膜Ｆ１を除去する時には第１レーザー照射ユニット４００ａが第１レーザーＬ１を照射して、第１膜Ｆ１を除去することができる。第２膜Ｆ２を除去する時には第２レーザー照射ユニット４００ｂが第２レーザーを照射して第２膜Ｆ２を除去することができる。第３膜Ｆ３を除去する時には第１レーザー照射ユニット４００ａが第１レーザーＬ１を照射して第３膜Ｆ３を除去することができる。この時、第３膜Ｆ３を除去する時、第１レーザーＬ１の波長は第１膜Ｆ１を除去する時、第１レーザーＬ１の波長と互いに異なることができる。第４膜Ｆ４を除去する時には第２レーザー照射ユニット４００ｂが第２レーザーＬ２を照射して第４膜Ｆ４を除去することができる。この時、第４膜Ｆ４を除去する時、第２レーザーＬ２の波長は第２膜Ｆ２を除去する時、第２レーザーＬ２の波長と互いに異なることができる。
【００７３】
上述した例では第１処理段階（Ｓ１０）と第２処理段階（Ｓ２０）が同一なチャンバーで遂行されることを例として説明したが、これに限定されることではない。第１処理段階（Ｓ１０）と第２処理段階（Ｓ２０）は互いに異なるチャンバーで遂行されることができる。図１４と図１５は本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。図１４と図１５を参照すれば、レーザー処理チャンバー２８０は第１チャンバー、及び第１チャンバーと互いに独立に提供される第２チャンバーを含むことができる。図１４は第１チャンバーに提供される第１基板処理装置３００−１を示す図面であり、図１５は第２チャンバーに提供される第２基板処理装置３００−２を示す図面である。第１チャンバーの第１内部空間３１２−１には第１レーザー照射ユニット４００ａが提供されることができる。また、第２チャンバーの第２内部空間３１２−２には第２レーザー照射ユニット４００ｂが提供されることができる。また、制御器は第１処理段階（Ｓ１０）、搬送段階、第２処理段階（Ｓ２０）が順次的に遂行されるように基板処理設備１０を制御することができる。第１処理段階（Ｓ１０）は第１内部空間３１２−１に提供された基板Ｗに第１レーザーを照射する段階である。搬送段階は第１処理段階（Ｓ１０）が遂行された基板Ｗを第１内部空間３１２−１で第２内部空間３１２−２に搬送する段階である。第２処理段階（Ｓ２０）は第２内部空間３１２−２に搬送された基板Ｗに第２レーザーＬ２を照射する段階である。
【００７４】
上述した実施形態では、基板Ｗの上面に複数の単位パルスレーザーを照射して膜質を除去することを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、第１レーザーＬ１と第２レーザーＬ２は基板Ｗの下面縁領域にも照射されることができる。この場合、第１レーザー照射ユニット４００ａと第２レーザー照射ユニット４００ｂは各々基板Ｗの下部に配置されるスキャナとレンズをさらに含むことができる。
【００７５】
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
【符号の説明】
【００７６】
３００       基板処理装置
３１０       ハウジング
３２０       支持ユニット
４００ａ     第１レーザー照射ユニット
４００ｂ     第２レーザー照射ユニット
Ｓ１０       第１処理段階
Ｓ２０       第２処理段階
【図１】
2020184623.tif 000003
【図２】
2020184623.tif 000004
【図３】
2020184623.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020184623.tif 000009
【図８】
2020184623.tif 000010
【図９】
2020184623.tif 000011
【図１０】
2020184623.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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