(57)【要約】      （修正有）【課題】光の利用効率を高めることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電気光学装置製造用部材を提供すること。【解決手段】電気光学装置は、レンズ面を有する透光性の基板２１と、基板２１上に配置される透光性のレンズ層２２と、レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層２４と、透光性の透光部および基板の厚さ方向からの平面視で透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有し、光路調整層２４からみてレンズ層２２とは反対側に光路調整層２４と接して配置される配線層２０と、配線層２０からみて光路調整層２４とは反対側に平面視で透光部と重なって配置される透光性の画素電極２８と、基板２１と光路調整層２４との間に基板２１に接して配置される第１マーク５１と、光路調整層２４と配線層２０との間に光路調整層２４に接して配置される第２マーク５２と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹曲面状のレンズ面を有する透光性の基板と、
前記レンズ面に接して前記基板上に配置される透光性のレンズ層と、
前記レンズ層からみて前記レンズ面とは反対側に配置され、前記レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層と、
透光性の透光部、および前記基板の厚さ方向からの平面視で前記透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有し、前記光路調整層からみて前記レンズ層とは反対側に前記光路調整層と接して配置される配線層と、
前記配線層からみて前記光路調整層とは反対側に前記平面視で前記透光部と重なって配置され、前記配線に電気的に接続される透光性の画素電極と、
前記基板と前記光路調整層との間に前記基板に接して配置される第１マークと、
前記光路調整層と前記配線層との間に前記光路調整層に接して配置される第２マークと、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板は、第１凹部を有し、
前記レンズ面は、前記第１凹部の底面に設けられる請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記光路調整層の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下である請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１マークの光透過率は、前記基板の光透過率よりも低く，
前記第２マークの光透過率は、前記透光部の光透過率よりも低い請求項１ないし３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１マークは、シリコンまたは酸窒化シリコンを含む請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１マークは、前記基板から前記光路調整層に向かって突出し、
前記第２マークは、前記光路調整層から前記配線層に向かって突出する請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記基板は、前記レンズ層側の面に設けられる第２凹部を有し、
前記第２凹部には、前記第１マークが配置される請求項１または６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記レンズ層と前記光路調整層との間に配置され、前記レンズ層を保護する透光性の保護層をさらに備え、
前記保護層からみて前記光路調整層側に前記保護層に接して配置される第３マークを有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第３マークは、前記平面視で前記第１マークと重なる請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
透光性の基材に接する第１マークを形成する工程と、
前記基材の前記第１マークが形成される面側に凹曲面状のレンズ面を形成する工程と、
前記レンズ面上に透光性のレンズ層を形成する工程と、
前記レンズ層の前記レンズ面とは反対側に、前記レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層を形成する工程と、
前記光路調整層からみて前記レンズ層とは反対側に、光が透過する透光部、および前記基材の厚さ方向からの平面視で前記透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有する配線層を前記光路調整層と接して形成する工程と、
前記光路調整層からみて前記基材とは反対側に前記光路調整層に接する第２マークを形成する工程と、
前記配線層からみて前記光路調整層とは反対側に、前記平面視で前記透光部と重なり、前記配線に電気的に接続される透光性の画素電極を形成する工程と、を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
第１面、第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する側面を含み、前記第１面にレンズ面を有する透光性の基材と、
前記レンズ面に接して前記第１面上に配置される透光性のレンズ層と、
前記レンズ層からみて前記レンズ面とは反対側に配置され、前記レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層と、
透光性の透光部、および前記基材の厚さ方向からの平面視で前記透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有し、前記光路調整層からみて前記レンズ層とは反対側に前記光路調整層と接して配置される配線層と、
前記配線層からみて前記光路調整層とは反対側に前記平面視で前記透光部と重なって配置され、前記配線に電気的に接続される透光性の画素電極と、を備え、
前記基材と前記光路調整層との間に前記基材に接して配置される第１マークと、
前記光路調整層と前記配線層との間に前記光路調整層に接して配置される第２マークと、を備えることを特徴とする電気光学装置製造用部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電気光学装置製造用部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクター等の電子機器に、液晶装置等の電気光学装置が用いられる。特許文献１には、素子基板と、対向基板と、これらの間に配置される液晶とを有する電気光学装置が開示される。
【０００３】
特許文献１に記載の素子基板は、レンズ面が形成される透光性の基板と、レンズ面を覆う透光性のレンズ層と、レンズ層上に配置される保護層と、レンズ面と平面視で重なる画素電極と、保護層と画素電極との間に配置された配線層とを有する。配線層は、平面視で画素電極と重なる透光領域と、平面視で透光領域を囲む配線等を有する遮光領域とを備える。特許文献１に記載の素子基板では、レンズ面を有することで、透光領域を透過して画素電極に入射する光を増大させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−５８５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の素子基板において、例えば、レンズ面を透過した光の集光位置を開口領域内に位置させるために保護層を厚くして光路長を長くしようとすると、レンズ面と配線層との間の距離が長くなるため、素子基板の製造時においてレンズ面と開口領域との位置合わせの精度が低下してしまう。その結果、開口領域および画素電極における光透過率が低下してしまうという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る電気光学装置は、凹曲面状のレンズ面を有する透光性の基板と、前記レンズ面に接して前記基板上に配置される透光性のレンズ層と、前記レンズ層からみて前記レンズ面とは反対側に配置され、前記レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層と、透光性の透光部、および前記基板の厚さ方向からの平面視で前記透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有し、前記光路調整層からみて前記レンズ層とは反対側に前記光路調整層と接して配置される配線層と、前記配線層からみて前記光路調整層とは反対側に前記平面視で前記透光部と重なって配置され、前記配線に電気的に接続される透光性の画素電極と、前記基板と前記光路調整層との間に前記基板に接して配置される第１マークと、前記光路調整層と前記配線層との間に前記光路調整層に接して配置される第２マークと、を備える。
【０００７】
本発明の一態様に係る電気光学装置の製造方法は、透光性の基材に接する第１マークを形成する工程と、前記基材の前記第１マークが形成される面側に凹曲面状のレンズ面を形成する工程と、前記レンズ面上に透光性のレンズ層を形成する工程と、前記レンズ層の前記レンズ面とは反対側に、前記レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層を形成する工程と、前記光路調整層からみて前記レンズ層とは反対側に、光が透過する透光部、および前記基材の厚さ方向からの平面視で前記透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有する配線層を前記光路調整層と接して形成する工程と、前記光路調整層からみて前記基材とは反対側に前記光路調整層に接する第２マークを形成する工程と、前記配線層からみて前記光路調整層とは反対側に、前記平面視で前記透光部と重なり、前記配線に電気的に接続される透光性の画素電極を形成する工程と、を備える。
【０００８】
本発明の一態様に係る電気光学装置製造用部材は、第１面、第２面、および前記第１面と前記第２面とを接続する側面を含み、前記第１面にレンズ面を有する透光性の基材と、前記レンズ面に接して前記第１面上に配置される透光性のレンズ層と、前記レンズ層からみて前記レンズ面とは反対側に配置され、前記レンズ面を透過する光の光路長を調整する光路調整層と、透光性の透光部、および前記基材の厚さ方向からの平面視で前記透光部の周囲に配置される配線を備える配線部を有し、前記光路調整層からみて前記レンズ層とは反対側に前記光路調整層と接して配置される配線層と、前記配線層からみて前記光路調整層とは反対側に前記平面視で前記透光部と重なって配置され、前記配線に電気的に接続される透光性の画素電極と、を備え、前記基材と前記光路調整層との間に前記基材に接して配置される第１マークと、前記光路調整層と前記配線層との間に前記光路調整層に接して配置される第２マークと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１実施形態における電気光学装置の概略平面図である。
【図２】第１実施形態における電気光学装置の概略断面図である。
【図３】第１実施形態における素子基板の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図４】第１実施形態における素子基板の構成を示す概略断面図である。
【図５】第１実施形態における第２凹部、第１凸部および第２凸部の配置を示す図である。
【図６】第１実施形態における第３凸部、第２部分および第４凸部の配置を示す図である。
【図７】第１実施形態における素子基板の製造方法を示すフローチャートである。
【図８】第１実施形態における素子基板の製造に用いるウェハーを示す概略平面図である。
【図９】第１実施形態における基板凸部形成工程を説明するための断面図である。
【図１０】第１実施形態における第１凹部形成工程を説明するための断面図である。
【図１１】第１実施形態における第１凸部形成工程を説明するための断面図である。
【図１２】第１実施形態におけるレンズ面形成工程を説明するための断面図である。
【図１３】第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。
【図１４】第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。
【図１５】第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。
【図１６】第１実施形態における保護層形成工程を説明するための断面図である。
【図１７】第１実施形態における第２凸部形成工程を説明するための断面図である。
【図１８】第１実施形態における光路調整層形成工程を説明するための断面図である。
【図１９】第１実施形態における配線層形成工程を説明するための断面図である。
【図２０】第１実施形態における配線層形成工程、画素電極形成工程および配向膜形成工程を説明するための断面図である。
【図２１】第２実施形態における素子基板の構成を示す概略断面図である。
【図２２】第２実施形態における素子基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】第２実施形態における素子基板の製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】第３実施形態における素子基板の構成を示す概略断面図である。
【図２５】電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
【図２６】電子機器の一例であるスマートフォンを示す斜視図である。
【図２７】電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法や縮尺は実際のものと適宜異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。なお、本明細書において「平行」とは、２つの面または線について、互いに完全に平行な場合のみならず、一方が他方に対して±３°の範囲内で傾斜することを含む。
【００１１】
１．電気光学装置
１−１．第１実施形態
本発明の電気光学装置の一例として、アクティブマトリックス方式の液晶表示装置を例に説明する。
【００１２】
１−１ａ．基本構成
図１は、第１実施形態における電気光学装置１００の概略平面図である。図２は、第１実施形態における電気光学装置１００の概略断面図であって、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図１および図２のそれぞれに示す互いに直交するｘ軸、ｙ軸、およびｚ軸を適宜用いて説明する。
【００１３】
図１および図２に示す電気光学装置１００は、透過型の液晶表示装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、透光性を有する素子基板１と、透光性を有する対向基板７と、枠状のシール部材８と、液晶層９とを有する。シール部材８は、素子基板１と対向基板７との間に配置される。液晶層９は、素子基板１、対向基板７およびシール部材８によって囲まれる領域内に配置される。ここで、素子基板１、液晶層９および対向基板７の並ぶ方向がｚ方向であり、素子基板１の表面がｘ−ｙ平面に平行である。また、素子基板１が有する後述の基板２１の厚さ方向に平行なｚ方向からみることを「平面視」と言う。
【００１４】
本実施形態では、電気光学装置１００に対して光ＬＬが素子基板１から入射し、液晶層９を透過して対向基板７から出射される。なお、本明細書では、電気光学装置１００に入射する入射光、電気光学装置１００を透過する光、および電気光学装置１００から出射される出射光を区別せずに光ＬＬとして示す。また、光ＬＬは可視光であり、本明細書において、透光性とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。
【００１５】
図１に示すように、電気光学装置１００は、平面視で、四角形状をなすが、電気光学装置１００の平面視形状はこれに限定されず、例えば、円形等であってもよい。
【００１６】
図１に示すように、素子基板１は、平面視で対向基板７を包含する大きさである。図２に示すように、素子基板１は、基板２１と、複数の画素電極２８と、配向膜２９とを有する。基板２１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。画素電極２８は、透光性を有しており、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電材料で構成される。配向膜２９は、素子基板１のうち最も液晶層９側に位置しており、液晶層９の液晶分子を配向させる。配向膜２９の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。また、基板２１と画素電極２８との間には、配線層２０等が配置される。配線層２０等については、後で説明する。
【００１７】
図２に示すように、対向基板７は、基体７１と、絶縁層７２と、共通電極７３と、配向膜７４と、を有する。基体７１、絶縁層７２、共通電極７３および配向膜７４は、この順に並ぶ。配向膜７４が最も液晶層９側に位置する。基体７１は、透光性および絶縁性を有する平板で構成される。基体７１は、例えば、ガラスまたは石英等で構成される。共通電極７３は、透光性の絶縁材料を用いて形成される絶縁層７２を介して基体７１に積層される。共通電極７３は、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明導電材料で構成される。また、配向膜７４は、液晶層９の液晶分子を配向させる。配向膜７４の構成材料としては、例えばポリイミドおよび酸化ケイ素等が挙げられる。
【００１８】
シール部材８は、例えばエポキシ樹脂等の各種硬化性樹脂を含む接着剤等を用いて形成される。シール部材８は、素子基板１および対向基板７のそれぞれに対して固着される。シール部材８の一部には、液晶分子を含む液晶材を注入するための注入口８１が形成されており、注入口８１は各種樹脂材料を用いて形成される封止材８０により封止される。
【００１９】
液晶層９は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶層９は、液晶分子が配向膜２９および配向膜７４の双方に接するように素子基板１および対向基板７によって挟持される。液晶層９が有する液晶分子の配向は、液晶層９に印加される電圧に応じて変化する。液晶層９は、印加される電圧に応じて光を変調させることで階調表示を可能とする。
【００２０】
また、素子基板１の対向基板７側の面には、図１に示すように、複数の走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２と、複数の外部端子１４とが配置される。外部端子１４には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２のそれぞれから引き回される引回し配線１５が接続される。
【００２１】
かかる構成の電気光学装置１００は、画像等を表示する表示領域Ａ１０と、表示領域Ａ１０を平面視で囲む周辺領域Ａ２０と有する。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。１つの画素Ｐに対して１つの画素電極２８が配置される。周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１および信号線駆動回路１２等が配置される。
【００２２】
１−１ｂ．電気的な構成
図３は、第１実施形態における素子基板１の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、素子基板１には、ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とｎ本の容量線２６３とが設けられる。ただし、ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。ｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２との各交差に対応してスイッチング素子であるＴＦＴ２６が配置される。
【００２３】
ｎ本の走査線２６１は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。走査線２６１は、ＴＦＴ２６のゲートに電気的に接続される。また、ｎ本の走査線２６１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。ｎ本の走査線２６１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。
【００２４】
図３に示すｍ本の信号線２６２は、それぞれｘ方向に延在し、ｙ方向に等間隔で並ぶ。信号線２６２は、ＴＦＴ２６のソースに電気的に接続される。また、ｍ本の信号線２６２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。ｍ本の信号線２６２には、図１に示す信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。
【００２５】
図３に示すｎ本の走査線２６１とｍ本の信号線２６２とは、互いに絶縁され、平面視で格子状をなす。隣り合う２つの走査線２６１と隣り合う２つの信号線２６２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。１つの画素Ｐには、１つの画素電極２８が形成される。画素電極２８は、ＴＦＴ２６に電気的に接続される。
【００２６】
ｎ本の容量線２６３は、それぞれｙ方向に延在し、ｘ方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の容量線２６３は、複数の信号線２６２および複数の走査線２６１と絶縁され、これらに対して離間して形成される。容量線２６３には、グランド電位等の固定電位が印加される。また、容量線２６３と画素電極２８との間には、液晶容量に保持される電荷のリークを防止するために蓄積容量２６４が液晶容量と並列に配置される。
【００２７】
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２６１が順次選択されると、選択される走査線２６１に接続されるＴＦＴ２６がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２６２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが、選択される走査線２６１に対応する画素Ｐに取り込まれ、画素電極２８に印加される。これにより、画素電極２８と図２に示す対向基板７が有する共通電極７３との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２６４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。
【００２８】
１−１ｃ．素子基板１の構成
図４は、第１実施形態における素子基板１の構成を示す概略断面図であって、図１中のＢ−Ｂ線断面図である。素子基板１は、基板２１と、レンズ層２２と、保護層２３と、光路調整層２４と、配線層２０と、画素電極２８と、配向膜２９とを有する。レンズ層２２、保護層２３、光路調整層２４、配線層２０、および画素電極２８は、基板２１から配向膜２９に向かってこの順に並ぶ。これらは、公知の成膜技術等により形成される。また、基板２１はレンズ面２１２を有する。配線層２０は、光が透過する透光部Ａ１１および光が遮断される配線部Ａ１２を有する。また、素子基板１は、後で詳述するが、その製造時においてレンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視での相対的な位置関係を調整するために用いられる位置調整部５を有する。本実施形態では、図１に示すように位置調整部５は周辺領域Ａ２０に設けられるが、位置調整部５は表示領域Ａ１０に設けられてもよい。
【００２９】
〈基板２１〉
図４に示すように、基板２１は、透光性および絶縁性を有する。基板２１は、例えば、ガラスまたは石英で構成される。基板２１は、第１凹部２１１と、平面視で第１凹部２１１の外側に位置する第２凹部２１３と、を有する。第１凹部２１１および第２凹部２１３は、基板２１の＋ｚ側の表面に形成された窪みである。
【００３０】
第１凹部２１１の底面には、複数の凹曲面状のレンズ面２１２が設けられる。複数のレンズ面２１２は、複数のレンズ面２１２がｘ方向およびｙ方向に行列状に配列される。レンズ面２１２は、画素電極２８ごとに形成される。第２凹部２１３には、後述の位置調整部５が有する第１凸部５１が配置される。また、第１凹部２１１の一部および第２凹部２１３には、例えばシリコン酸化膜で構成される第１保護膜２０１が配置される。第２凹部２１３に配置される第１保護膜２０１は、第１凸部５１を覆う。かかる第１保護膜２０１は、素子基板１の製造時において第１凸部５１がエッチングにより除去されないよう第１凸部５１を保護する。なお、第１保護膜２０１は省略してもよい。
【００３１】
〈レンズ層２２〉
レンズ層２２は、第１凹部２１１内を埋めるようにして基板２１上に配置される。レンズ層２２は、レンズ面２１２に接する。レンズ層２２は、透光性および絶縁性を有する。レンズ層２２の屈折率は、基板２１の屈折率と異なり、レンズ面２１２とレンズ層２２とでレンズが構成される。本実施形態では、レンズ層２２の屈折率は、基板２１の屈折率より大きい。当該レンズは、素子基板１に入射する光ＬＬを収束させる。レンズ層２２の構成材料は、例えば酸窒化シリコンである。
【００３２】
ここで、前述のように、基板２１は、第１凹部２１１と、第１凹部２１１の底面に設けられる凹曲面状の複数のレンズ面２１２とを有する。第１凹部２１１の底面にレンズ面２１２が形成されることで、第１凹部２１１がない場合に比べ、レンズ面２１２とレンズ層２２との密着性を高めることができる。そのため、レンズ層２２にクラックが発生することを低減できるとともに、レンズ層２２が基板２１から剥離することを抑制できる。また、基板２１が第１凹部２１１を有することで、第１凹部２１１を有さない場合に比べて光の光路長を長くすることができる。
【００３３】
また、前述の第２凹部２１３内には、充填層２２０が配置される。充填層２２０は、第２凹部２１３内を埋めるように、第１保護膜２０１に接して配置される。充填層２２０は、透光性および絶縁性を有する。充填層２２０の構成材料は、例えば、前述のレンズ層２２との構成材料と同一であって、酸窒化シリコンである。なお、充填層２２０の構成材料はレンズ層２２の構成材料と異なっていてもよい。
【００３４】
また、レンズ層２２および充填層２２０上には、例えばシリコン窒化膜で構成される第２保護膜２０２が配置される。第２保護膜２０２は、素子基板１の製造時において、アニール処理によって基板２１等に反りが発生することを低減するために設けられる。なお、第２保護膜２０２は省略してもよい。
【００３５】
〈保護層２３〉
保護層２３は、透光性および絶縁性を有する。保護層２３は、第２保護膜２０２を覆うようにして基板２１上に配置される。別の言い方をすれば、保護層２３は、レンズ層２２と後述の光路調整層２４との間に配置される。これらの間に保護層２３が配置されることで、素子基板１の製造時においてレンズ層２２がエッチングされないようレンズ層２２を保護することができる。また、保護層２３を備えることで、保護層２３を備えていない場合に比べ、素子基板１の製造時においてレンズ層２２にクラック等が発生することを抑制できる。保護層２３の構成材料としては、例えば、シリコンを含む無機化合物が挙げられ、中でも酸化シリコンであることが好ましい。
【００３６】
〈光路調整層２４〉
光路調整層２４は、保護層２３の＋ｚ軸側の面に接して保護層２３上に配置される。別の言い方をすれば、光路調整層２４は、レンズ層２２からみてレンズ面２１２とは反対側に配置される。光路調整層２４は、透光性および絶縁性を有する。光路調整層２４は、レンズ面２１２を透過する光の光路長を調整する。光路調整層２４の厚さを調整することで、光ＬＬのレンズによる集光位置を所望の位置に調整することができる。例えば、光ＬＬの集光位置を透光部Ａ１１内に収束させることで、配線層２０の配線部Ａ１２に入射する光を低減させつつ、透光部Ａ１１に入射する光を増加させることができる。また、光路調整層２４の構成材料としては、例えば、シリコンを含む無機化合物が挙げられ、中でも酸化ケイ素であることが好ましい。
【００３７】
光路調整層２４の厚さは、２μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以上１５μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下であることがさらに好ましい。光路調整層２４の厚さが上記範囲内であると、必要な光路長を確保し易く、光ＬＬの集光位置を例えば透光部Ａ１１内に位置させることが容易である。そのため、配線層２０の配線部Ａ１２に入射する光ＬＬを低減させつつ、透光部Ａ１１に入射する光ＬＬを特に増加させ易い。なお、一般的なアクティブマトリックス方式の液晶表示装置において用いられるマイクロレンズに対して光路調整層２４を適用する際、当該光路調整層２４を上記範囲内の厚さにすることで前述のように透光部Ａ１１に入射する光ＬＬを増加させることができる。
【００３８】
ここで、前述したように、基板２１に第１凹部２１１が設けられていることで、第１凹部２１１を有さない場合に比べて光路調整層２４の厚さを過度に厚くしなくても、光ＬＬの集光位置を例えば透光部Ａ１１内に位置させることができる。光路調整層２４の厚さを過度に厚くしないことで、素子基板１全体の厚さが過度に厚くなることを抑制できる。よって、素子基板１の低背化を図ることができる。
【００３９】
なお、光路調整層２４の厚さは、光ＬＬの集光位置を透光部Ａ１１内に位置させるように設定することに限定されず、集光位置を透光部Ａ１１内以外の所望の位置に調整するよう設定してもよい。
【００４０】
〈配線層２０〉
配線層２０は、遮光膜２６０、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２６、信号線２６２および絶縁体２５を有する。走査線２６１、容量線２６３および信号線２６２は、それぞれ「配線」に相当する。遮光膜２６０、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２６および信号線２６２は、光路調整層２４から配向膜２９に向かってこの順に並ぶ。なお、図４に示す遮光膜２６０、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２６および信号線２６２の並び順は一例であって、これらの並び順は図示の例に限定されない。また、前述のように、信号線２６２はｘ方向に延在するが、図４では、理解を容易にするよう信号線２６２の配置が実際の配置と異なる。
【００４１】
絶縁体２５は、第１層間絶縁膜２５１、第２層間絶縁膜２５２、第３層間絶縁膜２５３、第４層間絶縁膜２５４および第５層間絶縁膜２５５を有する。第１層間絶縁膜２５１は、光路調整層２４上に配置され、遮光膜２６０と走査線２６１との間に位置する。第２層間絶縁膜２５２は、第１層間絶縁膜２５１上に配置され、走査線２６１と容量線２６３との間に位置する。第３層間絶縁膜２５３は、第２層間絶縁膜２５２上に配置され、容量線２６３とＴＦＴ２６との間に位置する。第４層間絶縁膜２５４は、第３層間絶縁膜２５３上に配置され、ＴＦＴ２６と信号線２６２との間に配置される。第５層間絶縁膜２５５は、第４層間絶縁膜２５４上に配置され、信号線２６２を覆う。
【００４２】
また、光路調整層２４上には、平面視で第１凹部２１１と重なる遮光膜２６９が配置される。なお、遮光膜２６９は、レンズ面２１２とは平面視で重ならない。遮光膜２６９は、レンズ面２１２を透過しない光ＬＬを遮断する。当該遮断により配線層２０内での迷光を低減または防止できる。また、遮光膜２６９は、ＴＦＴ２６と平面視で重なり、ＴＦＴ２６への光ＬＬの入射を抑制または防止する。なお、遮光膜２６０および遮光膜２６９は省略してもよい。
【００４３】
絶縁体２５を構成する各層の材料としては、例えば、シリコンを含む無機化合物が挙げられ、中でも酸化ケイ素であることが好ましい。なお、絶縁体２５を構成する各層は、互いに、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。また、遮光膜２６０、遮光膜２６９、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２６および信号線２６２の各構成材料としては、例えば、金属、金属シリサイドおよび金属化合物等の金属材料が挙げられる。遮光膜２６０、遮光膜２６９、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２６および信号線２６２の各構成材料は、互いに、同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００４４】
ここで、表示領域Ａ１０において、配線層２０は、透光性を有する複数の透光部Ａ１１と、光を遮断する配線部Ａ１２とを有する。透光部Ａ１１は、配線層２０のうち平面視で光が透過する領域である。また、配線部Ａ１２は、平面視で、遮光膜２６０と、ＴＦＴ２６と、走査線２６１と、信号線２６２と、容量線２６３とを含む、透光部Ａ１１の周囲に位置する領域である。前述のように走査線２６１と信号線２６２とは、互いに交差しており、平面視で格子状をなす。ゆえに、詳細な図示はしないが、配線部Ａ１２は平面視で格子状をなす。一方、複数の透光部Ａ１１は平面視で行列状に配列される。透光部Ａ１１は、レンズ面２１２ごとに配置される。
【００４５】
〈画素電極２８〉
複数の画素電極２８は、配線層２０の＋ｚ軸側の面に接して配線層２０上に配置される。別の言い方をすれば、複数の画素電極２８は、配線層２０からみて光路調整層２４とは反対に位置し、配線層２０に接して配置される。複数の画素電極２８は、平面視で透光部Ａ１１に重なって行列状に配置される。１つの透光部Ａ１１に対して１つの画素電極２８が対となって配置される。また、画素電極２８は、「配線」の一例であるＴＦＴ２６のドレインと電気的に接続される。なお、前述のように、複数の画素電極２８上には、配向膜２９が配置される。
【００４６】
１−１ｄ．位置調整部５の構成
図４に示すように、素子基板１は、位置調整部５を有する。位置調整部５は、前述のように、レンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視における相対的な位置関係の調整に用いられる。位置調整部５を用いることで、平面視で１つのレンズ面２１２に対して１つの透光部Ａ１１が重なるように、複数のレンズ面２１２と複数の透光部Ａ１１の位置関係を調整できる。位置調整部５は、第１凸部５１と、第２凸部５２と、第３凸部５３と、第４凸部５４とを有する。これらは、それぞれ目的とする２つ以上の部分の相対的な位置関係を調整するためのアライメントマークである。また、第１凸部５１は「第１マーク」の一例であり、第２凸部５２は「第３マーク」の一例であり、第４凸部５４は「第２マーク」の一例である。また、本実施形態では、第１凸部５１、第２凸部５２、第３凸部５３および第４凸部５４の各平面形状は、四角形状である。なお、これらの各平面形状は四角形状に限定されず任意であり、例えば円形、または四角形以外の多角形等であってもよい。
【００４７】
（第１凸部５１）
第１凸部５１は、基板２１と保護層２３との間で基板２１に接して配置され、基板２１から保護層２３に向かって突出する。本実施形態では、第１凸部５１は、基板２１の第２凹部２１３に配置される。第１凸部５１の光透過率は、基板２１の光透過率よりも低い。第１凸部５１は、例えばシリコンまたは酸窒化シリコンを含む。なお、第１凸部５１は、例えば、各種金属材料で構成されていてもよい。
【００４８】
（第２凸部５２）
第２凸部５２は、保護層２３と光路調整層２４との間で保護層２３に接して配置され、保護層２３から光路調整層２４に向かって突出する。第２凸部５２の光透過率は、保護層２３の光透過率よりも低い。第１凸部５１は、例えばシリコンまたは酸窒化シリコンを含む。
【００４９】
図５は、第１実施形態における第２凹部２１３、第１凸部５１および第２凸部５２の配置を示す図である。図５に示すように、第２凸部５２は、第１凸部５１と平面視で重なる。第２凸部５２の平面積は、第１凸部５１の平面積よりも小さい。図示では、第２凸部５２のｙ方向に沿った幅Ｗ１２は、第１凸部５１のｙ方向に沿った幅Ｗ１１よりも小さい。また、第２凸部５２の平面視での幾何中心Ｏ２は、第１凸部５１の平面視での幾何中心Ｏ１と一致する。また、本実施形態では第２凹部２１３の開口縁２１３０は平面視で四角形をなし、幾何中心Ｏ１は、開口縁２１３０で囲まれる領域の平面視での幾何中心Ｏ１０と一致する。ここで、当該「一致」とは、完全な一致のみならず、互いの中心の間の距離が１μｍ以下の範囲内にあることを含む。また、本実施形態では、開口縁２１３０囲まれる領域、第１凸部５１および第２凸部５２の各平面形状は、ほぼ相似であり、互いにほぼ平行な辺を有する。
【００５０】
（第３凸部５３）
図４に示すように、第３凸部５３は、保護層２３と光路調整層２４との間で保護層２３に接して配置され、保護層２３から光路調整層２４に向かって突出する。第３凸部５３は、第２凸部５２と同一平面上に配置されており、第２凸部５２と離間して第２凸部５２の近傍に位置する。第３凸部５３の平面積は、第２凸部５２の平面積よりも大きい。図示では、第２凸部５２の幅Ｗ１２は、第３凸部５３のｙ方向に沿った幅Ｗ１３よりも小さい。また、本実施形態では、第３凸部５３の光透過率は第２凸部５２のそれと等しく、第３凸部５３の構成材料は第２凸部５２のそれと同一である。なお、第３凸部５３の光透過率および構成材料は第２凸部５２のそれと異なっていてもよい。また、前述の第２凸部５２および第３凸部５３の各光透過率は、保護層２３の光透過率と同等またはそれよりも高くてもよい。
【００５１】
ここで、光路調整層２４の＋ｚ軸側の面は、平面視で第２凸部５２と重なる第１部分２４１と、平面視で第３凸部５３と重なる第２部分２４２とを有する。第１部分２４１および第２部分２４２は、光路調整層２４の＋ｚ軸側の面うち、第１部分２４１および第２部分２４２以外の部分よりも配線層２０に向かって突出する。第１部分２４１は、第２凸部５２の形状に追従した形状をなし、第２部分２４２は、第３凸部５３の形状に追従した形状をなす。すなわち、第２凸部５２の膜厚を反映した第１部分２４１が第２凸部５２と同様の平面形状に形成され、第３凸部５３の膜厚を反映した第２部分２４２が第３凸部５３と同様の平面形状に形成される。よって、第２部分２４２の平面積は、第１部分２４１の平面積よりも大きい。図示では、第２部分２４２のｙ方向に沿った幅Ｗ１６は、第１部分２４１のｙ方向に沿った幅Ｗ１５よりも大きい。
【００５２】
（第４凸部５４）
第４凸部５４は、光路調整層２４と配線層２０との間で光路調整層２４に接して配置され、光路調整層２４から配線層２０に向かって突出する。第４凸部５４は、光路調整層２４の第２部分２４２上に配置される。第４凸部５４の光透過率は、光路調整層２４の光透過率よりも低い。第４凸部５４は、例えば金属材料を含む。また、本実施形態では第４凸部５４の構成材料は、遮光膜２６０の構成材料と同一であるが、異なっていてもよい。
【００５３】
図６は、第１実施形態における第３凸部５３、第２部分２４２および第４凸部５４の配置を示す図である。図６に示すように、第４凸部５４は、第２部分２４２と平面視で重なる。第４凸部５４の平面積は、第２部分２４２の平面積よりも小さい。図示では、第４凸部５４のｙ方向に沿った幅Ｗ１４は、第２部分２４２の幅Ｗ１６よりも小さい。また、第４凸部５４の平面視での幾何中心Ｏ４は、第２部分２４２の平面視での幾何中心Ｏ５と一致する。なお、第４凸部５４は、第２部分２４２と平面視で重なるため、第３凸部５３とも平面視で重なる。また、第４凸部５４の平面視での幾何中心Ｏ４は、第３凸部５３の平面視での幾何中心Ｏ３と一致する。ここで、当該「一致」とは、完全な一致のみならず、互いの中心の間の距離が１μｍ以下の範囲内にあることを含む。また、本実施形態では、第３凸部５３、第２部分２４２および第２凸部５２の各平面形状は、ほぼ相似であり、互いにほぼ平行な辺を有する。
【００５４】
前述したように、素子基板１は、レンズ面２１２を有する基板２１と、レンズ層２２と、光路調整層２４と、配線層２０と、画素電極２８と、を有する。配線層２０は、光路調整層２４に接して配置され、透光部Ａ１１および配線部Ａ１２を有する。そして、第１凸部５１は、基板２１と光路調整層２４との間で基板２１に接して配置され、第４凸部５４は、光路調整層２４と配線層２０との間で光路調整層２４に接して配置される。
【００５５】
第１凸部５１は基板２１に接して配置されている。そのため、素子基板１の製造時において、第１凸部５１を基準としてレンズ面２１２を形成することで、第１凸部５１とレンズ面２１２との平面視での位置の誤差が充分に低減される。また、配線層２０の遮光膜２６０が光路調整層２４に接して配置され、同様に第４凸部５４が光路調整層２４に接して配置されている。そのため、素子基板１の製造時において、第４凸部５４を基準として遮光膜２６０を形成することで、第４凸部５４と透光部Ａ１１との平面視での位置の誤差が充分に低減される。それゆえ、レンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視での相対的な位置合わせを高精度に行うことができる。よって、レンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視における相対的な位置ズレを低減できる。これに伴って、レンズ面２１２と画素電極２８との平面視における相対的な位置ズレも低減できる。それゆえ、画素電極２８に入射する光を増加させることができ、素子基板１における光の利用効率の向上を図ることができる。
【００５６】
また、前述のように、第１凸部５１の光透過率は基板２１の光透過率よりも低く、第４凸部５４は光路調整層２４の光透過率よりも低い。上記光透過率である第１凸部５１および第４凸部５４を用いることで、輪郭を把握し易いので、例えば光学顕微鏡等を用いて第１凸部５１に対する第４凸部５４の平面視での相対的な位置を定めることができる。なお、可視光以外の波長域に関する透過率の差を利用して前述の位置調整を行ってもよい。
【００５７】
具体的には、第１凸部５１は、シリコンまたは酸窒化シリコンを含む。この材料を含むことで、他の材料を含む場合に比べ、目的とする形状およびサイズの第１凸部５１を高精度にかつ容易に成膜することができる。また、当該材料を含む第１凸部５１は、ガラスおよび石英で構成される基板２１との密着性に優れるため好ましい。なお、第１凸部５１は、シリコンまたは酸窒化シリコンの一方または両方のみで構成されていることが好ましいが、例えばシリコンまたは酸窒化シリコンの含有率よりも低い含有率で他の材料を含んでもよい。また、第１凸部５１は、当該材料以外の材料で構成されてもよい。
【００５８】
また、第４凸部５４は、前述したように遮光膜２６０の構成材料と同一であり、例えば金属、金属シリサイドおよび金属化合物等の金属材料を含む。そのため、遮光膜２６０の形成と同時に第４凸部５４を形成することができるため、同時に形成しない場合に比べて、透光部Ａ１１および配線部Ａ１２に対する第４凸部５４の平面視での相対的な位置を容易かつ高精度に定めることができる。
【００５９】
また、前述のように、第１凸部５１は基板２１から光路調整層２４に向かって突出し、第４凸部５４は光路調整層２４から配線層２０に向かって突出する。かかる構成によれば、第１凸部５１および第４凸部５４の平面視での各輪郭を明確に把握し易く、よって、第１凸部５１に対する第４凸部５４の平面視での相対的な位置を容易かつ高精度に定めることができる。
【００６０】
なお、本実施形態では、「第１マーク」は第１凸部５１であるが、「第１マーク」は、基板２１の光路調整層２４側に接して配置されればよく、例えば基板２１上に配置された色材または蛍光材を含む膜で構成されてもよい。この場合、例えば、基板２１に溝等を設け、その溝に当該膜を塗布することで「第１マーク」を形成してもよい。なお、「第２マーク」についても同様である。
【００６１】
基板２１は、レンズ層２２側の面に設けられる第２凹部２１３を有しており、第２凹部２１３には、第１凸部５１が配置される。第２凹部２１３とレンズ面２１２とは、基板２１の＋ｚ軸側の面に開口する。第２凹部２１３に第１凸部５１が配置されることで、基板２１の第２凹部２１３以外の箇所に第１凸部５１が配置される場合に比べ、レンズ面２１２に対する第１凸部５１の平面視での相対的な位置を高精度に定めることができる。
【００６２】
また、本実施形態では、前述のように、素子基板１は、保護層２３と、保護層２３からみて光路調整層２４側に保護層２３に接して配置される第２凸部５２とを有する。第２凸部５２を有することで、保護層２３を備える素子基板１において、レンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視における相対的な位置ズレを低減できる。具体的には、第１凸部５１と第２凸部５２との平面視での相対的な位置関係を定めることで、第２凸部５２とレンズ面２１２との平面視での相対的な位置関係が定まる。また、第３凸部５３と第４凸部５４との平面視での相対的な位置関係を定めることで、第３凸部５３と透光部Ａ１１との平面視での相対的な位置関係を定める。よって、レンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視における相対的な位置ズレを低減できる。
【００６３】
さらに、本実施形態では、第２凸部５２は、平面視で第１凸部５１と重なる。そのため、これらが平面視で重なっていない場合に比べて、第１凸部５１に対する第２凸部５２の平面視での相対的な位置を容易かつ高精度に定めることができる。
【００６４】
なお、保護層２３は省略してもよい。保護層２３を省略する場合、光路調整層２４は、基板２１およびレンズ層２２に接して配置される。その場合、第２凸部５２および第３凸部５３は省略してよい。また、保護層２３、第２凸部５２および第３凸部５３を省略する場合、第１凸部５１と第４凸部５４とは平面視で重なっていることが好ましい。これらが重なっていない場合に比べ、第１凸部５１に対する第４凸部５４の平面視での相対的な位置を容易かつ高精度に定めることができる。
【００６５】
１−１ｅ．電気光学装置１００の製造方法
次に、電気光学装置１００の製造方法について説明する。まず、電気光学装置１００が有する素子基板１の製造方法について説明する。図７は、第１実施形態における素子基板１の製造方法を示すフローチャートである。素子基板１の製造方法は、基準凸部形成工程Ｓ１１と、第１凹部形成工程Ｓ１２と、第１凸部形成工程Ｓ１３と、レンズ面形成工程Ｓ１４と、レンズ層形成工程Ｓ１５と、保護層形成工程Ｓ１６と、第２凸部形成工程Ｓ１７と、光路調整層形成工程Ｓ１８と、配線層形成工程Ｓ１９と、画素電極形成工程Ｓ２０と、配向膜形成工程Ｓ２１と、個片化工程Ｓ２２と、を有する。これら各工程を順に行うことにより素子基板１を得ることができる。
【００６６】
図８は、第１実施形態における素子基板１の製造に用いるウェハー２００を示す概略平面図である。ウェハー２００は、「基材」の一例である。ウェハー２００は、例えばガラスまたは石英を含んで構成される。ウェハー２００には、複数の領域２１ａが設けられる。ウェハー２００は、個片化工程Ｓ２２で領域２１ａごとに切断されることで、最終的に基板２１となる。なお、複数の領域２１ａの配置は図示の例に限定されず、任意である。
【００６７】
以下、図９〜図２０を参照しつつ各工程を順次説明する。なお、図９〜図２０には、それぞれ図８中のＣ−Ｃ線断面図に対応する図が示されている。
【００６８】
〈基準凸部形成工程Ｓ１１〉
図９は、第１実施形態における基準凸部形成工程Ｓ１１を説明するための断面図である。図９に示すように、ウェハー２００は、第１面２０７と、第２面２０８と、これらを接続する側面２０９とを有する。基準凸部形成工程Ｓ１１では、第２面２０８および側面２０９上に導電層６１を形成するとともに第１面２０７上に基準凸部６０を形成する。
【００６９】
具体的には、まず、例えばＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等の蒸着法により第１面２０７、第２面２０８および側面２０９上にシリコン膜を形成する。次いで、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）法等による平坦化処理により当該シリコン膜を平坦化する。次いで、レジストマスクを用いてフッ素系ガスを反応ガスとした例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のドライエッチングにより当該シリコン膜の一部を除去する。この処理により、図９に示す導電層６１および基準凸部６０が形成される。導電層６１を形成することで、ドライエッチング装置内のベースプレートに静電吸着によりウェハー２００を固定することができる。また、基準凸部６０は、後の工程で、領域２１ａ内における第１凹部２１１および第２凹部２１３の配置を決定するための基準となる。
【００７０】
本実施形態では、導電層６１の形成においてシリコン膜を用いるため、導電層６１のポアソン比は、石英またはガラスで構成されたウェハー２００のポアソン比よりも大きい。よって、導電層６１は、ウェハー２００を補強する機能を有する。それゆえ、導電層６１を有することで、これを有さない場合に比べ、後の工程で行われるアニール処理によりウェハー２００が変形することを抑制できる。また、導電層６１の厚さは特に限定されないが、例えば３５００Å程度にすることができる。
【００７１】
なお、基準凸部６０は、領域２１ａごとに設けられていてもよいし、領域２１ａごとに設けられていなくてもよい。また、基準凸部６０は、領域２１ａ外に設けられていてもよい。ただし、基準凸部６０は、２つ以上設けられていることが好ましい。また、後の工程で形成される位置調整部５は、本実施形態では、領域２１ａごとに設けられている。
【００７２】
なお、図示では、第１面２０７と側面２０９とのなす角度、および第２面２０８と側面２０９とのなす角度は、それぞれ９０°であるが、各角度は鋭角でも鈍角でもよい。また、第１面２０７と側面２０９との接続部分、および、第２面２０８と側面２０９との接続部分は、それぞれ曲率半径を有してもよい。
【００７３】
〈第１凹部形成工程Ｓ１２〉
図１０は、第１実施形態における第１凹部形成工程を説明するための断面図である。第１凹部形成工程Ｓ１２では、まず、プラズマＣＶＤ等の蒸着法等により第１面２０７上に例えばシリコン酸化膜で構成される表面保護膜６２を形成した後、アニール処理を行う。次いで、第１凹部２１１および第２凹部２１３のそれぞれに対応する複数の開口を有するレジストマスクを形成し、これを用いてエッチングにより表面保護膜６２およびウェハー２００の一部を除去する。これらの処理により、図１０に示す第１凹部２１１および第２凹部２１３が形成される。
【００７４】
前述のアニール処理を行うことで、前工程での処理で生じたウェハー２００の残留応力を取り除いてウェハー２００の反りを抑制することができる。また、表面保護膜６２を設けることで、アニール処理によりウェハー２００に反りが発生することを低減することができる。また、前述のエッチングは、例えばフッ酸を含むエッチング液を用いたウェットエッチングである。なお、当該エッチングは、ドライエッチングであってもよい。
【００７５】
また、前述のレジストマスクの形成では、基準凸部６０を基準として露光用のマスクを配置することで、第１凹部２１１および第２凹部２１３のそれぞれに対応する複数の開口を形成する。基準凸部６０に対して所定の位置関係となるように露光用のマスクは設置される。基準凸部６０を基準として用いることで、領域２１ａに対する第１凹部２１１および第２凹部２１３の平面視での相対的な位置関係を定めることができる。よって、領域２１ａごとに、領域２１ａ内の目的とする位置に第１凹部２１１および第２凹部２１３を形成できる。
【００７６】
〈第１凸部形成工程Ｓ１３〉
【００７７】
図１１は、第１実施形態における第１凸部形成工程を説明するための断面図である。第１凸部形成工程Ｓ１３では、第２凹部２１３の底面に第１凸部５１を形成する。具体的には、まず、ＣＶＤ法等の蒸着法により第１面２０７上にシリコン膜を形成する。次いで、第１凸部５１の形状に対応した開口を有するレジストマスクを形成し、これを用いてフッ素系ガスを反応ガスとした例えばＲＩＥ等のドライエッチングによりシリコン膜の一部を除去する。これらの処理により、図１１に示す第１凸部５１が形成される。
【００７８】
前述のレジストマスクの形成では、第２凹部２１３の開口縁２１３０を基準として露光用のマスクを配置することで、第１凸部５１に対応する開口を形成する。具体的には、当該レジストマスクのうち第１凸部５１に対応する開口の平面視での幾何中心が第２凹部２１３の開口縁２１３０で囲まれる領域の幾何中心Ｏ１０と一致するように、レジストマスクの開口を形成する。この際、当該レジストマスクの開口と、第２凹部２１３の開口縁２１３０で囲まれる領域との各平面形状が相似である場合、平面形状を構成する各辺が互いに平行になるようレジストマスクの開口を形成する。第２凹部２１３を基準として第１凸部５１を形成することで、第１凹部２１１に対する第１凸部５１の平面視での相対的な位置を定めることができる。
【００７９】
なお、本工程では、シリコン膜を形成した後にＣＭＰ等による平坦化処理を行ってもよい。また、例えば、第１凸部５１を金属材料で形成する場合、加熱によるリフロー処理を行う方法で第１凸部５１を形成してもよい。
【００８０】
〈レンズ面形成工程Ｓ１４〉
図１２は、第１実施形態におけるレンズ面形成工程を説明するための断面図である。レンズ面形成工程Ｓ１４では、まず、プラズマＣＶＤ等の蒸着法等により第１面２０７上に例えばシリコン酸化膜で構成される第１保護膜２０１ａを形成した後、アニール処理を行う。次いで、複数のレンズ面２１２に対応する複数の開口を有するレジストマスクを形成し、これを用いて等方性エッチングにより第１保護膜２０１ａおよびウェハー２００の一部を除去する。これらの処理により、図１２に示す複数の凹曲面状をなすレンズ面２１２が形成される。なお、第１保護膜２０１ａは、後の工程を経て最終的に第１保護膜２０１になる。
【００８１】
前述の等方性エッチングでは、フッ酸を含むエッチング液を用いてウェットエッチングを用いる。なお、本工程の等方性エッチングでは、ドライエッチングを用いてもよい。また、前述のアニール処理を行うことで、前工程での処理で生じたウェハー２００の残留応力を取り除いてウェハー２００の反りを抑制することができる。また、第１保護膜２０１ａを設けることで、アニール処理によりウェハー２００に反りが発生することを低減することができる。
【００８２】
前述のレジストマスクの形成では、第１凸部５１を基準として露光用のマスクを配置することで、複数のレンズ面２１２に対応する複数の開口を形成する。第１凸部５１を基準として用いることで、第１凸部５１に対するレンズ面２１２の平面視での相対的な位置が定まる。また、第１凹部２１１に対する複数のレンズ面２１２の平面視での相対的な位置も定まる。
【００８３】
〈レンズ層形成工程Ｓ１５〉
図１３〜図１５は、それぞれ第１実施形態におけるレンズ層形成工程を説明するための断面図である。レンズ層形成工程Ｓ１５では、まず、図１３に示すように、例えばＣＶＤ等の蒸着法により第１面２０７上にシリコン酸窒化膜で構成されるレンズ層形成用膜２２ａを形成する。次いで、図１４に示すように、ドライエッチングによりレンズ層形成用膜２２ａの一部を除去した後、レンズ層形成用膜２２ａにＴＥＯＳ（Tetraethyl Orthosilicate）を含む絶縁膜６３を形成する。また、第２面２０８側の導電層６１上にも絶縁膜６３を形成する。次いで、図１５に示すように、絶縁膜６３およびレンズ層形成用膜２２ａに対してＣＭＰ法等による平坦化処理を行うことにより、レンズ層２２、充填層２２０および第１保護膜２０１が形成される。また、絶縁膜６３および導電層６１に対してＣＭＰ法等による平坦化処理を行って、これらを除去する。
【００８４】
〈保護層形成工程Ｓ１６〉
図１６は、第１実施形態における保護層形成工程を説明するための断面図である。保護層形成工程Ｓ１６では、まず、ＣＶＤ等の蒸着法およびエッチング等によりレンズ層２２および充填層２２０上に例えばシリコン窒化膜で構成される第２保護膜２０２を形成する。次いで、ＣＶＤ等の蒸着法、ＣＭＰ法等による平坦化処理およびエッチング等により、第２保護膜２０２を覆うようにして第１面２０７上に例えばシリコン酸化膜で構成される保護層２３ａを形成する。なお、保護層２３ａは、最終的に個片化されて保護層２３になる層である。
【００８５】
第２保護膜２０２を形成することで、これを有さない場合に比べ、後の工程で行われるアニール処理によりウェハー２００が変形することを抑制できる。また、保護層２３を形成することで、後の工程で行われるエッチングによりレンズ層２２の表面が除去されないようレンズ層２２を保護することができる。
【００８６】
〈第２凸部形成工程Ｓ１７〉
図１７は、第１実施形態における第２凸部形成工程を説明するための断面図である。第２凸部形成工程Ｓ１７では、保護層２３上に第２凸部５２および第３凸部５３を形成する。具体的には、ＣＶＤ法等の蒸着法により、保護層２３上、第２面２０８上および側面２０９上にシリコン膜を形成する。次いで、ＣＭＰ法等による平坦化処理によりシリコン膜を平坦化する。次いで、第２凸部５２および第３凸部５３の形状に対応した複数の開口を有するレジストマスクを形成し、これを用いてフッ素系ガスを反応ガスとした例えばＲＩＥ等のドライエッチングによりシリコン膜の一部を除去する。これらの処理により、図１７に示す第２凸部５２および第３凸部５３が形成される。また、第２面２０８、側面２０９および第１面２０７の一部に亘って配置された補強層６５を得ることができる。
【００８７】
補強層６５を形成することで、配線層２０が有するＴＦＴ２６等を形成する際にウェハー２００が第１面２０７を凸として反るよう変形することを抑制できる。補強層６５の厚さは特に限定されないが、前述の導電層６１の厚さよりも厚いことが好ましく、例えば４５００Å程度にすることができる。
【００８８】
前述のレジストマスクの形成では、第１凸部５１を基準として露光用のマスクを配置することで、第２凸部５２および第３凸部５３に対応する複数の開口を形成する。具体的には、レジストマスクのうち第２凸部５２に対応する開口の平面視での幾何中心が第１凸部５１の幾何中心Ｏ１と一致するように、レジストマスクの開口を形成する。また、この際、当該レジストマスクの開口と第１凸部５１との各平面形状が相似である場合、平面形状を構成する各辺が互いに平行になるようレジストマスクの開口を形成する。第１凸部５１を基準として第２凸部５２および第３凸部５３を形成することで、レンズ面２１２に対する第２凸部５２および第３凸部５３の平面視での相対的な位置を定めることができる。
【００８９】
また、第１凸部５１の光透過率は、ウェハー２００、第１保護膜２０１、充填層２２０および保護層２３の各光透過率よりも低い。そのため、例えば光学顕微鏡等を用いて第１凸部５１の平面視での輪郭を把握しやすい。それゆえ、第１凸部５１に対する第２凸部５２の平面視での相対的な位置を定めやすい。
【００９０】
なお、例えば、第２凸部５２および第３凸部５３を金属材料で形成する場合、加熱によるリフロー処理を行う方法で第１凸部５１を形成してもよい。また、本実施形態では第１凸部５１と第２凸部５２とは平面視で重なるが、これらは重なっていなくてもよい。例えば、第１凸部５１に対する第２凸部５２の平面視での離間距離を定めることにより、これらの相対的な位置関係を定めてもよい。
【００９１】
〈光路調整層形成工程Ｓ１８〉
図１８は、第１実施形態における光路調整層形成工程を説明するための断面図である。光路調整層形成工程Ｓ１８では、ＣＶＤ等の蒸着法等により保護層２３上に例えばシリコン酸化膜で構成される光路調整層２４ａを形成する。なお、光路調整層２４ａは、最終的に個片化されて光路調整層２４ａになる層である。
【００９２】
光路調整層２４の厚さは、レンズ面２１２の形状、ウェハー２００およびレンズ層２２の各屈折率等を基にしてレンズ面２１２を透過する光ＬＬの集光位置を透光部Ａ１１内以外の所望の位置に調整するよう設定する。
【００９３】
また、光路調整層２４の＋ｚ軸側の面には、第２凸部５２の形状に追従した形状をなす第１部分２４１と、第３凸部５３の形状に追従した形状をなす第２部分２４２とが形成される。
【００９４】
〈配線層形成工程Ｓ１９〉
図１９は、第１実施形態における配線層形成工程Ｓ１９を説明するための断面図である。図２０は、第１実施形態における配線層形成工程Ｓ１９、画素電極形成工程Ｓ２０および配向膜形成工程Ｓ２１を説明するための断面図である。配線層形成工程Ｓ１９は、配線層２０ａを形成する工程と、第４凸部５４を形成する工程とを含む。つまり、配線層形成工程Ｓ１９では、配線層２０ａとともに第４凸部５４を形成する。なお、配線層２０ａは、最終的に個片化されて配線層２０になる層である。
【００９５】
具体的には、第４凸部５４、遮光膜２６０、遮光膜２６９、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２５および信号線２６２は、それぞれ、例えば、スパッタリング法または蒸着法により金属膜を形成した後、当該金属膜に対してレジストマスクを用いてエッチングを行うことにより形成される。絶縁体２５が有する各層は、それぞれ、蒸着法およびＣＭＰ等の研磨等による平坦化処理を行うことにより形成される。
【００９６】
図１９に示すように、第４凸部５４と遮光膜２６０とは、同一のレジストマスクを用いたエッチングにより一括で形成される。そのため、遮光膜２６０に対する第４凸部５４の平面視での相対的な位置が定められる。
【００９７】
また、当該レジストマスクの形成では、第２部分２４２を基準として露光用のマスクを配置することで、第４凸部５４および遮光膜２６０に対応する複数の開口を形成する。具体的には、レジストマスクのうち第４凸部５４に対応する開口の平面視での幾何中心Ｏ４が第２部分２４２の幾何中心Ｏ５と一致するように、レジストマスクの開口を形成する。また、この際、当該レジストマスクの開口と第２部分２４２との各平面形状が相似である場合、平面形状を構成する各辺が互いに平行になるようレジストマスクの開口を形成する。第２部分２４２を基準として第４凸部５４および遮光膜２６０を形成することで、レンズ面２１２に対する透光部Ａ１１の平面視での相対的な位置を定めることができる。
【００９８】
また、第４凸部５４の光透過率は、光路調整層２４の光透過率よりも低い。そのため、例えば光学顕微鏡等を用いて第４凸部５４の平面視での輪郭を把握しやすい。それゆえ、第２部分２４２に対する第４凸部５４の平面視での相対的な位置を定めやすい。
【００９９】
なお、走査線２６１、容量線２６３、ＴＦＴ２５および信号線２６２は、遮光膜２６０を基準として順次形成される。また、第２面２０８に形成された補強層６５は、本工程、またはこれより後の工程で除去される。また、図１９以降の図では、第１面２０７に形成された補強層６５０の一部の図示は省略する。
【０１００】
〈画素電極形成工程Ｓ２０〉
画素電極形成工程Ｓ２０では、詳細な図示はしないが、配線層２０の透光部Ａ１１上に画素電極２８を形成する。画素電極２８の形成は、例えば透明導電材料からなる層をＣＶＤ法等の蒸着法により形成し、その後、マスクを用いてパターニングすることにより行う。
【０１０１】
〈配向膜形成工程Ｓ２１〉
配向膜形成工程Ｓ２１では、例えば、ポリイミドからなる層をＣＶＤ法等の蒸着法により形成し、その後にラビング処理を施すことにより配向膜２９ａを形成する。なお、配向膜２９ａは、最終的に個片化されて配向膜２９になる層である。
【０１０２】
前述の基準凸部形成工程Ｓ１１から配向膜形成工程Ｓ２１までを経て、複数の電気光学装置１００を形成するための「電気光学装置製造用部材」の一例である図２０に示すマザー基板１ａが形成される。
【０１０３】
〈個片化工程Ｓ２２〉
個片化工程Ｓ２２では、詳細な図示はしないが、マザー基板１ａを図５に示す領域２１ａごとに分割する。分割することで個片化された複数の素子基板１を得る。以上のようにして、図４に示す素子基板１を形成することができる。
【０１０４】
また、例えば公知の技術を適宜用いて対向基板７を形成し、素子基板１と対向基板７とをシール部材８を介して貼り合わせる。その後、素子基板１、対向基板７およびシール部材８との間に液晶材を注入して液晶層９を形成し、その後、封止する。また、各種回路等は前述の工程または工程間で適宜形成する。このようにして、図１および図２に示す電気光学装置１００を製造することができる。
【０１０５】
以上説明したように、素子基板１の製造方法は、第１凸部形成工程Ｓ１３と、レンズ面形成工程Ｓ１４と、レンズ層形成工程Ｓ１５と、光路調整層形成工程Ｓ１８と、配線層形成工程Ｓ１９と、画素電極形成工程Ｓ２０とを有する。第１凸部形成工程Ｓ１３では、透光性を有するウェハー２００に接する第１凸部５１を形成する。レンズ面形成工程Ｓ１４では、ウェハー２００の第１面２０７に凹曲面状のレンズ面２１２を形成する。レンズ層形成工程Ｓ１５では、レンズ面２１２上に透光性のレンズ層２２を形成する。光路調整層形成工程Ｓ１８では、レンズ層２２のレンズ面２１２とは反対側に光路調整層２４を形成する。配線層形成工程Ｓ１９は、配線層２０を形成する工程と、第４凸部５４を形成する工程とを有し、本実施形態ではこれらの一部を同時に行う。配線層２０を形成する工程では、光路調整層２４からみてレンズ層２２とは反対側に、透光部Ａ１１および平面視で透光部Ａ１１の周囲に配置される配線部Ａ１２を有する配線層２０を形成する。また、第４凸部５４を形成する工程では、光路調整層２４からみて基板２１とは反対側に光路調整層２４に接する第４凸部５４を形成する。画素電極形成工程Ｓ２０では、配線層２０からみて光路調整層２４とは反対側に、平面視で透光部Ａ１１と重なり、走査線２６１、容量線２６３および信号線２６２等に電気的に接続される透光性の画素電極２８を形成する。
【０１０６】
素子基板１の製造方法によれば、前述のように、ウェハー２００上に形成された第１凸部５１と、配線層２０の一部と同層に位置する第４凸部５４とを形成できる。そのため、これらを位置決めの基準として用いることで、レンズ面２１２と透光部Ａ１１との平面視での相対的な位置合わせを高精度に行うことができる。
【０１０７】
また、前述したように、マザー基板１ａを個片化することにより複数の素子基板１が形成される。マザー基板１ａは、ウェハー２００と、レンズ面２１２を有するレンズ層２２と、光路調整層２４ａと、配線層２０ａと、画素電極２８と、を有する。また、配線層２０ａは、光路調整層２４に接して配置され、透光部Ａ１１および配線部Ａ１２を有する。そして、第１凸部５１は、ウェハー２００と光路調整層２４ａとの間でウェハー２００に接して配置され、第４凸部５４は、光路調整層２４ａと配線層２０ａとの間で光路調整層２４ａに接して配置される。かかるマザー基板１ａを個片化することにより形成された複数の素子基板１は、それぞれ、レンズ面２１２と画素電極２８との平面視における相対的な位置ズレが低減される。それゆえ、複数の素子基板１について光の利用効率の向上を図ることができる。
【０１０８】
なお、本実施形態では、位置調整部５は、領域２１ａごとに設けられているが、領域２１ａごとに設けられていなくてもよい。また、位置調整部５は、領域２１ａ外に設けられていてもよい。つまり、個片化された素子基板１は、位置調整部５を有さなくてもよい。ただし、位置調整部５は、第１面２０７上に２つ以上設けられていることが好ましい。
【０１０９】
１−２．第２実施形態
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図２１は、第２実施形態における素子基板１Ａの構成を示す概略断面図である。図２２および図２３は、それぞれ第２実施形態における素子基板１Ａの製造方法を説明するための断面図である。本実施形態は、素子基板１Ａの構成が第１実施形態のそれと異なる。なお、第２実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜省略する。
【０１１０】
図２１に示す素子基板１Ａは、絶縁層３６と、第２レンズ層３７と、第２保護層３８とをさらに有する。絶縁層３６、第２レンズ層３７および第２保護層３８は、保護層２３と光路調整層２４との間に配置され、この順に保護層２３から光路調整層２４に向かって並ぶ。また、位置調整部５Ａは、第５凸部５５、第６凸部５６および第７凸部５７をさらに有する。
【０１１１】
〈絶縁層３６〉
絶縁層３６は、その構成材料が例えば酸化シリコンであること以外は、基板２１と同様の構成である。つまり、絶縁層３６は、第３凹部３６１と、平面視で第３凹部３６１の外側に位置する第４凹部３６３とを有する。第３凹部３６１の底面には、複数の凹曲面状の第２レンズ面３６２が設けられる。第４凹部３６３には、第５凸部５５が配置される。また、第３凹部３６１の一部および第４凹部３６３には、例えばシリコン酸化膜で構成される第３保護膜３０１が配置される。第３保護膜３０１は、第５凸部５５を覆うよう配置されており、第５凸部５５を保護する。なお、第３保護膜３０１は省略してもよい。
【０１１２】
また、第１凹部２１１と第３凹部３６１とは平面視で重なる。また、レンズ面２１２と第２レンズ面３６２とは平面視で重なる。また、図示では、第２凹部２１３と第４凹部３６３とは平面視で重なっていないが、これらは重なっていてもよい。
【０１１３】
〈第２レンズ層３７〉
第２レンズ層３７は、レンズ層２２と同様の構成である。つまり、第２レンズ層３７は、第３凹部３６１内を埋めるようにして、第２レンズ面３６２に接して絶縁層３６上に配置される。第２レンズ面３６２と第２レンズ層３７とでレンズが構成されており、本実施形態では、第２レンズ層３７の屈折率は絶縁層３６の屈折率より大きい。
【０１１４】
また、前述の第４凹部３６３内には、第２充填層３７０が配置される。第２充填層３７０は、充填層２２０と同様の構成である。つまり、第２充填層３７０は、第４凹部３６３内を埋めるように、第３保護膜３０１に接して配置される。また、第２レンズ層３７および充填層２２０上には、例えばシリコン窒化膜で構成される第４保護膜３０２が配置される。第４保護膜３０２は、第２保護膜２０２と同様の構成である。なお、第４保護膜３０２は省略してもよい。
【０１１５】
〈第２保護層３８〉
第２保護層３８は、保護層２３と同様の構成である。保護層２３は、絶縁層３６上に配置されており、第２レンズ層３７を保護する。
【０１１６】
（第５凸部５５）
第５凸部５５は、第１凸部５１と同様の構成である。第５凸部５５は、絶縁層３６に接して配置され、絶縁層３６から第２保護層３８に向かって突出する。
【０１１７】
（第６凸部５６）
第６凸部５６は、第２凸部５２と同様の構成である。第６凸部５６は、第２保護層３８に接して配置され、第２保護層３８から光路調整層２４に向かって突出する。第６凸部５６は、第５凸部５５と平面視で重なる。第６凸部５６の平面積は、第５凸部５５の平面積よりも小さい。また、第６凸部５６の平面視での幾何中心は、第５凸部５５の平面視での幾何中心と一致する。また、第４凹部３６３の第２開口縁３６３０は平面視で四角形をなし、第５凸部５５の平面視での幾何中心は、第２開口縁３６３０で囲まれる領域の平面視での幾何中心と一致する。また、第４凹部３６３の第２開口縁３６３０で囲まれる領域、第５凸部５５および第６凸部５６の各平面形状は、ほぼ相似であり、平面形状を構成する各辺は互いに平行である。
【０１１８】
（第７凸部５７）
第７凸部５７は、第３凸部５３と同様の構成である。つまり、第７凸部５７は、第２保護層３８に接して配置され、第２保護層３８から光路調整層２４に向かって突出する。第７凸部５７は、第６凸部５６と同一平面上に配置されており、第７凸部５７の平面積は、第６凸部５６の平面積よりも大きい。また、本実施形態では、光路調整層２４の第１部分２４１Ａは、第６凸部５６の形状に追従した形状をなし、第２部分２４２Ａは、第７凸部５７の形状に追従した形状をなす。
【０１１９】
次に、素子基板１Ａの製造方法について説明する。本実施形態における素子基板１Ａの製造方法は、絶縁層形成工程と、第３凹部形成工程と、第５凸部形成工程と、第２レンズ面形成工程と、第２レンズ層形成工程と、第２保護層形成工程とを有する。これら工程は、図７に示す第２凸部形成工程Ｓ１７と光路調整層形成工程Ｓ１８との間でこの順に行われる。
【０１２０】
絶縁層形成工程では、ＣＶＤ法等の蒸着法により保護層２３上に酸化シリコン膜を形成した後、ＣＭＰ法等による平坦化処理を行うことで、絶縁層３６を形成する。また、第３凹部形成工程は、第１凹部形成工程Ｓ１２と同様である。第５凸部形成工程は、第１凸部形成工程と同様である。第２レンズ面形成工程は、レンズ面形成工程Ｓ１４と同様である。第２レンズ層形成工程は、レンズ層形成工程Ｓ１５と同様である。第２保護層形成工程は、保護層形成工程Ｓ１６と同様である。
【０１２１】
ここで、図２２に示すように、絶縁層３６を保護層２３上に形成すると、絶縁層３６の＋ｚ軸側の面には、第２凸部５２の形状に追従した形状をなす第３部分３６４と、第３凸部５３の形状に追従した形状をなす第４部分３６５とが形成される。すなわち、第２凸部５２の膜厚を反映した第３部分３６４が第２凸部５２と同様の平面形状に形成され、第３凸部５３の膜厚を反映した第４部分３６５が第３凸部５３と同様の平面形状に形成される。
【０１２２】
第３凹部３６１の形成では、第４部分３６５を基準として露光用のマスクを配置することで、第１凹部２１１に対する第３凹部３６１の平面視での相対的な位置を合わせる。なお、図示はしないが、絶縁層３６上に、基準凸部６０と同構成の第２基準凸部を設け、その第２基準凸部を基準として当該位置合わせを行ってもよい。
【０１２３】
また、第５凸部５５の形成では、第４凹部３６３に対する第５凸部５５の相対的な位置を定めるように第４凹部３６３の底部に第５凸部５５を形成する。また、第２レンズ面３６２の形成では、第５凸部５５を基準として露光用のマスクを配置することで、第３凹部３６１に対する複数の第２レンズ面３６２の位置が定める。よって、複数のレンズ面２１２に対する複数の第２レンズ面３６２の平面視での相対的な位置を定める。
【０１２４】
なお、図２３に示すように、第３部分３６４および第４部分３６５は、第２レンズ層３７の形成における平坦化処理により除去される。
【０１２５】
このように複数のレンズ面２１２および第２レンズ面３６２を有する場合であっても、位置調整部５Ａを有することで、レンズ面２１２と、第２レンズ面３６２との平面視での相対的な位置関係を高精度に位置合わせを行うことができる。よって、レンズ面２１２と第２レンズ面３６２と透光部Ａ１１と画素電極２８との互いの平面視での位置ズレを低減できる。
【０１２６】
１−３．第３実施形態
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図２４は、第３実施形態における素子基板１Ｂの構成を示す概略断面図である。本実施形態は、位置調整部５Ｂの構成が第１実施形態のそれと異なる。なお、第３実施形態において第１実施形態と同様の事項については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜省略する。
【０１２７】
図２４に示す素子基板１Ｂが有する位置調整部５Ｂは、第１凸部５１Ｂ、第２凸部５２Ｂおよび第４凸部５４Ｂを有し、第１実施形態における第３凸部５３が省略されている。本実施形態では、第１凸部５１Ｂ、第２凸部５２Ｂおよび第４凸部５４Ｂは、平面視で重なる。第１凸部５１Ｂおよび第２凸部５２Ｂの平面形状はそれぞれ第１実施形態のそれよりも大きい。また、光路調整層２４の第１部分２４１Ｂは第１実施形態のそれよりも大きい。第１凸部５１Ｂ、第２凸部５２Ｂおよび第１部分２４１Ｂの各輪郭を容易に把握できる場合には、第３凸部５３を省略して、第１部分２４１Ｂ上に第２凸部５２Ｂおよび第４凸部５４Ｂを形成することも可能である。
【０１２８】
本実施形態によっても、位置調整部５Ｂを用いることで、１つのレンズ面２１２に対して１つの透光部Ａ１１を平面視で高精度に重ねることができる。そのため、素子基板１の光ＬＬの利用効率を高めることができる。
【０１２９】
２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。
【０１３０】
図２５は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１やキーボード２００２が設置された本体部２０１０とを有する。
【０１３１】
図２６は、電子機器の一例であるスマートフォン３００００を示す斜視図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００とを有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。
【０１３２】
図２７は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。
【０１３３】
照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。
【０１３４】
前述のパーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００は、それぞれ、前述の電気光学装置１００を備える。電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００の表示の均質性を高めることができる。よって、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００、および投射型表示装置４０００の品質を高めることができる。
【０１３５】
なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【０１３６】
以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の各実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。
【０１３７】
また、前述した説明では、本発明の電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明したが、本発明の電気光学装置はこれに限定されない。すなわち、電気エネルギーによって光学特性が変化する電気光学装置であればよい。例えば、有機ＥＬ（electro luminescence）、無機ＥＬまたは発光ポリマー等の発光素子を用いた表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。また、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを用いた電気泳動表示パネルに対しても前述の実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【０１３８】
また、前述の説明では、スイッチング素子の一例はＴＦＴであるが、スイッチング素子は、これに限定されず、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）等であってもよい。
【符号の説明】
【０１３９】
１…素子基板、１ａ…マザー基板、５…位置調整部、７…対向基板、８…シール部材、９…液晶層、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１４…外部端子、１５…配線、２０…配線層、２１…基板、２１ａ…領域、２２…レンズ層、２３…保護層、２４…光路調整層、２５…絶縁体、２８…画素電極、２９…配向膜、３６…絶縁層、３７…第２レンズ層、３８…第２保護層、５１…第１凸部、５１Ｂ…第１凸部、５２…第２凸部、５３…第３凸部、５４…第４凸部、５５…第５凸部、５６…第６凸部、５７…第７凸部、６０…基準凸部、６１…導電層、６２…表面保護膜、６３…絶縁膜、６５…補強層、７１…対向基板用基板、７２…絶縁層、７３…共通電極、７４…配向膜、８０…封止材、８１…注入口、１００…電気光学装置、２００…ウェハー、２０１…第１保護膜、２０２…第２保護膜、２０７…第１面、２０８…第２面、２０９…側面、２１１…第１凹部、２１２…レンズ面、２１３…第２凹部、２２０…充填層、２４１…第１部分、２４２…第２部分、２５１…第１層間絶縁膜、２５２…第２層間絶縁膜、２５３…第３層間絶縁膜、２５４…第４層間絶縁膜、２５５…第５層間絶縁膜、２６０…遮光膜、２６１…走査線、２６２…信号線、２６３…容量線、２６４…蓄積容量、２６９…遮光膜、３０１…第３保護膜、３０２…第４保護膜、３６１…第３凹部、３６２…第２レンズ面、３６３…第４凹部、３６４…第３部分、３６５…第４部分、３７０…第２充填層、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２０１０…本体部、２１３０…開口縁、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３６３０…第２開口縁、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、Ａ１０…表示領域、Ａ１１…透光部、Ａ１２…配線部、Ａ２０…周辺領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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