(57)【要約】【課題】フランジ部の変形を抑制しつつフランジ部と冷却ベースとの間のシール性を保持することができる半導体モジュールを提供すること。【解決手段】フランジ部２２には、フランジ部２２の板厚方向に設けられた有底溝状の嵌合溝部２５が設けられ、収容部２１の一端部２１ｂには、嵌合溝部２５に嵌合される嵌合部２６が設けられ、嵌合部２６が嵌合溝部２５に嵌合された状態において、嵌合部２６と嵌合溝部２５とは互いに面接触するように重ね合わされ、嵌合溝部２５の底部２５ａと、嵌合部２６における収容部２１と反対側に位置する頂部２６ａとの境界Ｂには、嵌合溝部２５と嵌合部２６とが互いに溶着された溶着部７０が設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却媒体が流れる流路が設けられ、前記流路に連通する開口部を有する冷却ベースの前記流路に挿入される半導体モジュールであって、
パワースイッチング素子が樹脂とともに収容され、前記冷却ベースの前記開口部を通じて前記流路に挿入される金属製の有底筒状の収容部と、前記収容部が前記流路に挿入された状態で前記収容部の一端部から前記開口部を覆うように設けられ、前記冷却ベースとの間でシール部材を圧縮させた状態に維持するように前記冷却ベースに固定される金属製の板状のフランジ部を有するハウジングと、
前記収容部よりも線膨張係数が小さく、前記収容部の内部において前記収容部の内面と前記パワースイッチング素子との間に配置されるとともに前記収容部の内面に溶着させられている低膨張板と、を備え、
前記フランジ部には、前記フランジ部の板厚方向に設けられた有底溝状の嵌合溝部が設けられ、
前記収容部の一端部には、前記嵌合溝部に嵌合される嵌合部が設けられ、
前記嵌合部が前記嵌合溝部に嵌合された状態において、前記嵌合部と前記嵌合溝部とは互いに面接触するように重ね合わされ、
前記嵌合溝部の底部と前記嵌合部における前記収容部と反対側に位置する頂部との境界には溶着部が設けられることで前記嵌合溝部及び前記嵌合部が溶着させられていることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記溶着部は、レーザ溶接によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１及び特許文献２に記載されるような半導体モジュールが知られている。
特許文献１の半導体モジュールは、冷却媒体が流れる流路が設けられ、流路に連通する開口部を有する冷却ベースの流路に挿入される。特許文献１に記載の半導体モジュールは、パワースイッチング素子と、パワースイッチング素子を収容する金属製のハウジングとを備えている。ハウジングは、例えばアルミニウム製である。ハウジングは、パワースイッチング素子が収容されるとともに冷却ベースの開口部を通じて流路に挿入される収容部としての筒部と、筒部の一端部から冷却ベースの開口部を覆うように設けられるフランジ部とを備えている。フランジ部は、筒部と一体的に設けられている。フランジ部は、フランジ部と冷却ベースとの間にシール部材を圧縮させた状態に維持するように冷却ベースに固定されている。
【０００３】
特許文献２の半導体モジュールは、回路基板と、回路基板を収容するヒートシンクと、ヒートシンクの内面と回路基板との間に介在される低膨張板とを備えている。ヒートシンクは、例えばアルミニウム製である。低膨張板は、ヒートシンクの内面に接合されている。低膨張板は、銅材よりも線膨張係数が小さい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２９５３９号公報
【特許文献２】特開２０１８−５６２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の半導体モジュールにおいて、パワースイッチング素子をハウジングの筒部に収容する場合、特許文献２の半導体モジュールのようにパワースイッチング素子とハウジングの筒部の内面との間に低膨張板を介在させることができる。筒部の内面と低膨張板とは、ろう付け等により溶着されることが一般的である。
【０００６】
ところで、例えばハウジングの筒部が低膨張板よりも線膨張係数が大きいとき、筒部の内面と低膨張板とをろう付け等により溶着すると、溶着時の熱によって筒部は膨張しようとする。ここで、低膨張板も膨張しようとするが、筒部よりも線膨張係数が小さいため、筒部と比較して膨張量が少ない。そのため、筒部と低膨張板との接合部分では、低膨張板により筒部の膨張が抑制されるが、筒部の内面と反対側の筒部の外面は低膨張板により膨張が抑制されることがない。すなわち、筒部は、その外面が反るように変形する虞がある。筒部の変形に伴って、筒部の一端部に一体的に設けられているフランジ部にも筒部の変形が伝搬する。よって、半導体モジュールの筒部が冷却ベースの流路に収容された状態で、フランジ部の一部が冷却ベースから離間してしまい、フランジ部と冷却ベースとの間のシール性が低下する原因となる。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、フランジ部の変形を抑制しつつフランジ部と冷却ベースとの間のシール性を保持することができる半導体モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する半導体モジュールは、冷却媒体が流れる流路が設けられ、前記流路に連通する開口部を有する冷却ベースの前記流路に挿入される半導体モジュールであって、パワースイッチング素子が樹脂とともに収容され、前記冷却ベースの前記開口部を通じて前記流路に挿入される金属製の有底筒状の収容部と、前記収容部が前記流路に挿入された状態で前記収容部の一端部から前記開口部を覆うように設けられ、前記冷却ベースとの間でシール部材を圧縮させた状態に維持するように前記冷却ベースに固定される金属製の板状のフランジ部を有するハウジングと、前記収容部よりも線膨張係数が小さく、前記収容部の内部において前記収容部の内面と前記パワースイッチング素子との間に配置されるとともに前記収容部の内面に溶着させられている低膨張板と、を備え、前記フランジ部には、前記フランジ部の板厚方向に設けられた有底溝状の嵌合溝部が設けられ、前記収容部の一端部には、前記嵌合溝部に嵌合される嵌合部が設けられ、前記嵌合部が前記嵌合溝部に嵌合された状態において、前記嵌合部と前記嵌合溝部とは互いに面接触するように重ね合わされ、前記嵌合溝部の底部と前記嵌合部における前記収容部と反対側に位置する頂部との境界には溶着部が設けられることで前記嵌合溝部及び前記嵌合部が溶着させられている。
【０００９】
これによれば、収容部の嵌合部がフランジ部の嵌合溝部に面接触するように嵌合される構成となっており、半導体モジュールにおいて収容部とフランジ部とは互いに別体である。そのため、例えば収容部の内面に低膨張板が溶着させられるときに発生する熱により収容部の内面と反対側の収容部の外面が反るように変形したとしても収容部とフランジ部とが一体的に設けられている場合と比較して収容部の変形がフランジ部に伝搬することを抑制できる。よって、半導体モジュールの収容部が冷却ベースの流路に収容された状態で、フランジ部と冷却ベースとが離間することを抑制できる。したがって、フランジ部の変形を抑制しつつフランジ部と冷却ベースとの間のシール性を保持することができる。
【００１０】
上記の半導体モジュールにおいて、前記溶着部は、レーザ溶接によって形成されているとよい。
これによれば、溶着部はレーザ溶接により形成されている。そのため、短時間で、且つ嵌合部の頂部と嵌合溝部の底部以外の部位を必要以上に加熱することをなくすことができる。よって、溶着部を形成するときの熱によりフランジ部が変形することをより好適に抑制できる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、フランジ部の変形を抑制しつつフランジ部と冷却ベースとの間のシール性を保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】半導体モジュールの斜視図。
【図２】半導体モジュールを冷却ベースに取り付けた断面図。
【図３】収容部及びフランジ部を分解したときの斜視図。
【図４】半導体モジュールの断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、半導体モジュールを具体化した実施形態を図１〜図４にしたがって説明する。
図１に示すように、半導体モジュール１０は、ハウジング２０と、ハウジング２０の内部に収容されているパワースイッチング素子５０（図４参照）と、パワースイッチング素子５０に電気的に接続されている電極端子３０と、パワースイッチング素子５０に電気的に接続されている制御端子４０とを備えている。パワースイッチング素子５０としては、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）や電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が採用されている。
【００１４】
ハウジング２０は、有底長四角筒状の収容部２１及び長四角板状のフランジ部２２を有している。収容部２１は、金属製である。収容部２１は、例えばアルミニウム製である。フランジ部２２は、金属製である。フランジ部２２は、例えばアルミニウム製である。
【００１５】
図４に示すように、収容部２１には、パワースイッチング素子５０が樹脂６０とともに収容されている。収容部２１の内部において、収容部２１の内面２１ｃとパワースイッチング素子５０との間には、板状の低膨張板５１が配置されている。収容部２１の互いに対向する一対の側壁２３の内面２１ｃには、板状の低膨張板５１が溶着されている。低膨張板５１は、収容部２１の内面２１ｃに対してろう付けにより溶着されている。ろう付け時の温度は約６００℃程度である。低膨張板５１は、例えばアルミニウムよりも線膨張係数が小さいセラミックス材により構成されている。
【００１６】
低膨張板５１における一対の側壁２３の内面２１ｃと反対側の面には、板状の主電極板５２が接合されている。主電極板５２と低膨張板５１とは、例えば半田付けにより接合されている。半田付け時の温度は約３００℃程度である。図示されていないが主電極板５２は、電極端子３０と一体的に構成されている。主電極板５２は、例えば銅材により構成されている。パワースイッチング素子５０は、主電極板５２における低膨張板５１と反対側の面に接合されている。パワースイッチング素子５０は、一対の主電極板５２に挟み込まれている。パワースイッチング素子５０と主電極板５２とは、例えば半田付けにより接合されている。図示されていないがパワースイッチング素子５０は、複数の配線を介して制御端子４０に電気的に接続されている。このように収容部２１の内部が構成されていることから、収容部２１の内部では、パワースイッチング素子５０、低膨張板５１、及び主電極板５２は、樹脂６０によりモールドされた状態である。なお、低膨張板５１がセラミックス材により構成されていることから、低膨張板５１は、主電極板５２及びパワースイッチング素子５０と収容部２１との間の絶縁性を確保する機能を有している。
【００１７】
図２に示すように、半導体モジュール１０は、図示しない複数のねじにより冷却ベース１００に固定される。冷却ベース１００は、冷却媒体が流れる流路１０１と、流路１０１に連通する開口部１０２とを有している。なお、冷却媒体は、例えば冷却水等である。
【００１８】
収容部２１は、冷却ベース１００の開口部１０２を通じて冷却ベース１００の流路１０１に挿入される。これにより、収容部２１の内部に収容されているパワースイッチング素子５０（図４参照）は、冷却ベース１００の流路１０１を流れる冷却媒体によって冷却される。なお、収容部２１の一対の側壁２３における一対の側面２３ａには、複数の冷却フィン２４が設けられている。冷却フィン２４は、収容部２１の一対の側面２３ａから収容部２１の外部に向けて突出している。冷却フィン２４により冷却ベース１００の流路１０１の内部において収容部２１が冷却媒体に接触する表面積が増大するため、収容部２１の内部に収容されているパワースイッチング素子５０の冷却性能が向上している。
【００１９】
フランジ部２２は、収容部２１が冷却ベース１００の流路１０１に挿入された状態で収容部２１の一端部２１ｂから冷却ベース１００の開口部１０２を覆うように設けられている。一端部２１ｂとは、収容部２１の底部２１ａと反対側に位置する端部である。フランジ部２２により冷却ベース１００の開口部１０２を覆った状態でフランジ部２２と冷却ベース１００との間には、シール部材８１が介在されている。シール部材８１は、例えばＯリングである。フランジ部２２は、図示しない複数のねじにより冷却ベース１００に固定される。そのため、フランジ部２２は、冷却ベース１００との間でシール部材８１を圧縮させた状態に維持している。すなわち、フランジ部２２と冷却ベース１００との間でシール部材８１を圧縮させた状態にすることで冷却ベース１００の流路１０１から開口部１０２を介して冷却媒体がフランジ部２２と冷却ベース１００との間から漏れ出さないようにシールすることができる。
【００２０】
次に、収容部２１及びフランジ部２２の構成についてより詳細に説明する。なお、説明の便宜上、図３では電極端子３０及び制御端子４０を割愛している。
図３に示すように、半導体モジュール１０において収容部２１と、フランジ部２２とは互いに別体となっている。
【００２１】
フランジ部２２には、フランジ部２２の板厚方向に設けられた有底四角溝状の嵌合溝部２５が設けられている。嵌合溝部２５は、フランジ部２２の板厚方向において、収容部２１側に設けられている。フランジ部２２の板厚方向において、嵌合溝部２５の底部２５ａには、四角孔状の貫通孔２５ｃが設けられている。嵌合溝部２５の底部２５ａは、四角環状をなしている。嵌合溝部２５は、底部２５ａの外縁からフランジ部２２の板厚方向に沿って収容部２１側に延びる内周壁部２５ｂを有している。内周壁部２５ｂは、底部２５ａと同様に四角環状をなしている。
【００２２】
図３及び図４に示すように、収容部２１の一端部２１ｂには、フランジ部２２の嵌合溝部２５に嵌合される嵌合部２６が設けられている。嵌合部２６は、嵌合溝部２５の底部２５ａの形状と一致する四角環状をなす頂部２６ａを有している。嵌合部２６の頂部２６ａは、嵌合部２６における収容部２１と反対側に位置している。嵌合部２６は、嵌合溝部２５の内周壁部２５ｂの形状と一致する四角環状をなす外周壁部２６ｂを有している。そのため、嵌合部２６が嵌合溝部２５に嵌合された状態において、嵌合部２６と嵌合溝部２５とは互いに面接触するように重ね合わされている。
【００２３】
図４に示すように、嵌合部２６が嵌合溝部２５に嵌合された状態において、収容部２１の内部、嵌合部２６の内部、及びフランジ部２２の貫通孔２５ｃとは互いに連通した状態となる。そして、収容部２１の内部に収容されている樹脂６０は、収容部２１の内部からフランジ部２２の貫通孔２５ｃに至るまで入り込んでいる。電極端子３０、制御端子４０は、収容部２１からフランジ部２２の貫通孔２５ｃを貫通して収容部２１と反対側に向けて突出した状態となる。電極端子３０及び制御端子４０は、フランジ部２２の貫通孔２５ｃに入り込んでいる樹脂６０から突出している。
【００２４】
また、嵌合部２６が嵌合溝部２５に嵌合された状態において、嵌合溝部２５の底部２５ａと嵌合部２６の頂部２６ａとの境界Ｂには、溶着部７０が設けられている。溶着部７０により嵌合溝部２５及び嵌合部２６が溶着させられている。溶着部７０は、嵌合溝部２５の底部２５ａ及び嵌合部２６の頂部２６ａが接触している境界Ｂの全周に亘って設けられている。溶着部７０は、レーザ溶接により形成されている。そのため、溶着部７０は、フランジ部２２の板厚方向において、フランジ部２２の収容部２１と反対側の上面２２ａから嵌合溝部２５の底部２５ａ及び嵌合部２６の頂部２６ａが接触している境界Ｂを経て収容部２１の嵌合部２６の一部分に至るまで形成されている。なお、上述したように、嵌合部２６と嵌合溝部２５とは互いに面接触するように重ね合わされているが、本実施形態における面接触とは、嵌合溝部２５の内周壁部２５ｂと嵌合部２６の外周壁部２６ｂが直接的に接触していること、及び溶着部７０を介して嵌合溝部２５の底部２５ａと嵌合部２６の頂部２６ａとが接合されることを示している。
【００２５】
ここで、半導体モジュール１０の製造方法について説明する。
半導体モジュール１０は、接合工程、嵌合工程、溶接工程、及び樹脂埋め工程を経て製造される。
【００２６】
接合工程は、収容部２１の内面２１ｃに対して低膨張板５１をろう付けにより溶着させ、電極端子３０に一体的に連続する主電極板５２を低膨張板５１に積層させるかたちで半田付けにより接合し、主電極板５２にパワースイッチング素子５０を半田付けにより接合する工程である。嵌合工程は、接合工程後に実施される。嵌合工程は、収容部２１の嵌合部２６をフランジ部２２の嵌合溝部２５に嵌合する工程である。溶接工程は、嵌合工程後に実施される。溶接工程は、嵌合溝部２５の底部２５ａ及び嵌合部２６の頂部２６ａが接触している境界Ｂにレーザ溶接により溶着部７０を形成する工程である。樹脂埋め工程は、溶接工程後に実施される。樹脂埋め工程は、フランジ部２２の嵌合溝部２５の底部２５ａに設けられた貫通孔２５ｃを介して収容部２１の内部に樹脂６０を流しこみ低膨張板５１、主電極板５２、及びパワースイッチング素子５０を樹脂６０によりモールドする工程である。なお、溶接工程では、レーザ溶接を適用したが、これに限らず例えば摩擦撹拌接合を適用してもよい。また、樹脂埋め工程では、フランジ部２２の嵌合溝部２５の貫通孔２５ｃを介して収容部２１の内部に樹脂６０を流し込んでいたが、これに限らず、例えば収容部２１の底部２１ａに収容部２１の内部に連通する注入口を設け、当該注入口を介して樹脂６０を収容部２１の内部にインサートするように変更してもよい。
【００２７】
本実施形態では以下の作用及び効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、収容部２１の嵌合部２６がフランジ部２２の嵌合溝部２５に面接触するように嵌合される構成となっており、半導体モジュール１０において収容部２１とフランジ部２２とは互いに別体である。そのため、例えば収容部２１の内面２１ｃに低膨張板５１が溶着させられるときに発生する熱により収容部２１の内面２１ｃと反対側の収容部２１の側面２３ａが反るように変形したとしても収容部２１とフランジ部２２とが一体的に設けられている場合と比較して収容部２１の変形がフランジ部２２に伝搬することを抑制できる。よって、半導体モジュール１０の収容部２１が冷却ベース１００の流路１０１に収容された状態で、フランジ部２２と冷却ベース１００とが離間することを抑制できる。したがって、フランジ部２２の変形を抑制しつつフランジ部２２と冷却ベース１００との間のシール性を保持することができる。
【００２８】
（２）本実施形態では、溶着部７０はレーザ溶接により形成されている。そのため、短時間で、且つ嵌合部２６の頂部２６ａと嵌合溝部２５の底部２５ａ以外の部位を必要以上に加熱することをなくすことができる。よって、溶着部７０を形成するときの熱によりフランジ部２２が変形することをより好適に抑制できる。
【００２９】
（３）本実施形態における溶着部７０を割愛した構成を採用した場合、例えば半導体モジュール１０を冷却ベース１００に対して挿入した状態にしたとき、冷却ベース１００の流路１０１から開口部１０２を介して嵌合溝部２５と嵌合部２６との境目に冷却媒体が入り込むことが考えられる。この場合、嵌合溝部２５と嵌合部２６との境目から境界Ｂを通じて半導体モジュール１０の外部に冷却媒体が漏れることが考えられる。
【００３０】
その点、本実施形態では、溶着部７０を設けることにより嵌合溝部２５の底部２５ａ及び嵌合部２６の頂部２６ａとの境界Ｂを埋めることができる。したがって、半導体モジュール１０を冷却ベース１００に挿入した場合における半導体モジュール１０のシール性を向上させることができる。
【００３１】
（４）収容部２１とフランジ部２２を別体として製造し、本実施形態における嵌合溝部２５及び嵌合部２６の構成を割愛した状態で収容部２１とフランジ部２２とを接合する場合、収容部２１とフランジ部２２とを溶接するにしても収容部２１とフランジ部２２との位置ずれが多くなり、半導体モジュール１０の製造における歩留まりが低下してしまう。その点、本実施形態では、嵌合溝部２５に嵌合部２６を嵌合させる構成を採用しているため、収容部２１とフランジ部２２との位置ずれが抑制される。したがって、半導体モジュール１０の製造における歩留まりを向上させることができる。
【００３２】
（５）一般的には、フランジ部２２に変形が生じてしまい、フランジ部２２と冷却ベース１００との間のシール性を確保するための手法としては、フランジ部２２を機械研磨する方法やフランジ部２２の形状を矯正する方法が考えられる。
【００３３】
その点、本実施形態では、上記のような方法を採用しなくてもフランジ部２２の変形を抑制できる。よって、半導体モジュール１０の製造工数を多くすることなく、安定的に製造することができる。
【００３４】
（６）本実施形態では、半導体モジュール１０は収容部２１の嵌合部２６がフランジ部２２の嵌合溝部２５に嵌合された状態において、嵌合部２６と嵌合溝部２５とが互いに面接触するように構成されている。そのため、収容部２１とフランジ部２２との位置決めをより正確に実施することができる。すなわち、嵌合部２６の頂部２６ａと嵌合溝部２５の底部２５ａとの境界Ｂに溶着部７０を形成したときにフランジ部２２が収容部２１に対して傾いた状態になり難くなる。したがって、フランジ部２２と冷却ベース１００との間のシール性をより好適に保持することができる。
【００３５】
なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
〇  本実施形態の嵌合溝部２５は有底四角溝状をなしていたが、これに限らない。例えば、嵌合溝部２５は、底部２５ａの形状が楕円をなす有底楕円溝状をなしていてもよいし、底部２５ａの形状が多角形である有底多角溝状をなしていてもよい。このように変更する場合、嵌合部２６の形状を嵌合溝部２５に応じて適宜変更するとよい。
【００３６】
〇  フランジ部２２は、長四角板状をなしていたが、例えば板厚方向に直交する方向に沿って切断したときの断面が楕円となる楕円板状をなしていてもよいし、板厚方向に直交する方向に沿って切断したときの断面が多角形となる多角板状をなしていてもよい。
【００３７】
〇  収容部２１及びフランジ部２２がアルミニウム製であったが、例えばステンレス製であってもよい。
〇  シール部材８１は、Ｏリングに限らない。例えばガスケット等のシール部材を用いてもよい。すなわち、フランジ部２２と冷却ベース１００との間をシールすることができればどのようなシール部材を用いてもよい。
【００３８】
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下追記する。
（１）冷却媒体が流れる流路が設けられ、前記流路に連通する開口部を有する冷却ベースの前記流路に挿入される半導体モジュールの製造方法であって、前記半導体モジュールは、パワースイッチング素子が樹脂とともに収容され、前記冷却ベースの前記開口部を通じて前記流路に挿入される金属製の有底筒状の収容部と、前記収容部が前記流路に挿入された状態で前記収容部の一端部から前記開口部を覆うように設けられ、前記冷却ベースとの間でシール部材を圧縮させた状態に維持するように前記冷却ベースに固定される金属製の板状のフランジ部を有するハウジングと、前記収容部よりも線膨張係数が小さく、前記収容部の内部において前記収容部の内面と前記パワースイッチング素子との間に配置されるとともに前記収容部の内面に溶着させられている低膨張板と、を備え、前記フランジ部には、前記フランジ部の板厚方向に設けられた有底溝状の嵌合溝部が設けられ、前記収容部の一端部には、前記嵌合溝部に嵌合される嵌合部が設けられ、前記嵌合部が前記嵌合溝部に嵌合された状態において、前記嵌合部と前記嵌合溝部とは互いに面接触するように重ね合わされ、前記嵌合溝部の底部と、前記嵌合部における前記収容部と反対側に位置する頂部との境界には、前記嵌合溝部と前記嵌合部とが互いに溶着された溶着部が設けられている半導体モジュールの製造方法は、前記収容部の内面に対して前記低膨張板をろう付けにより溶着させ、電極端子に一体的に連続する主電極板を前記低膨張板に積層させるかたちで接合し、前記主電極板に前記パワースイッチング素子を接合する接合工程と、前記接合工程後に実施され、前記収容部の前記嵌合部を前記フランジ部の前記嵌合溝部に嵌合する嵌合工程と、前記嵌合工程後に実施され、前記嵌合溝部の底部及び前記嵌合部の前記頂部が接触している前記境界に前記溶着部を形成する溶接工程と、前記溶接工程後に実施され、前記収容部の内部において前記低膨張板、前記主電極板、及び前記パワースイッチング素子を前記樹脂によりモールドする樹脂埋め工程と、を有していることを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【符号の説明】
【００３９】
１０…半導体モジュール、２０…ハウジング、２１…収容部、２１ｂ…収容部の一端部、２１ｃ…収容部の内面、２２…フランジ部、２５…嵌合溝部、２５ａ…底部、２６…嵌合部、２６ａ…頂部、５０…パワースイッチング素子、５１…低膨張板、６０…樹脂、７０…溶着部、８１…シール部材、１００…冷却ベース、１０１…流路、１０２…開口部、Ｂ…境界。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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