(57)【要約】【課題】広い色帯域、高い明暗比、及び高輝度を有する表示装置を提供する。【解決手段】本発明による表示装置は、光学部材と、前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、前記複数の発光ユニット、前記光学部材、及び前記表示パネルを収容する保護部材と、を有し、前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、前記上面又は前記下面の上に直接配置され、前記第１色光を第２色光と第３色光に変換する量子点層と、を含む。【選択図】  図２Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部材と、
前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、
前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、
前記複数の発光ユニット、前記光学部材、及び前記表示パネルを収容する保護部材と、を有し、
前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、
前記上面又は前記下面の上に直接配置され、前記第１色光を第２色光と第３色光に変換する量子点層と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１色光は、４１０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記ガラス基板の前記下面には、前記ガラス基板の前記上面に向かって凹んだ凹パターンが形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記ガラス基板の前記上面には、散乱パターンが形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ガラス基板の前記散乱パターンに接触し、平坦面を提供するパッシベーション層を更に有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の発光ユニットそれぞれは、回路基板と、
前記回路基板の上に実装された複数の発光素子と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の発光ユニットの上に配置され、前記複数の発光素子に対応する複数の開口部が形成される反射シートを更に有し、
前記反射シートは、青色を有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の発光素子は、独立してオン・オフ（ＯＮ・ＯＦＦ）されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
前記回路基板は、外面を定義する保護層を含み、
前記保護層は、青色を有することを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記保護部材は、前記複数の発光ユニットを支持する第１保護部材と、
前記第１保護部材と結合する第２保護部材と、を含み、
前記第１保護部材は、底部及び側壁部を含み、
前記複数の発光ユニットの前記回路基板は、前記底部を実質的に完全にカバーすることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記ガラス基板の前記上面又は前記ガラス基板の前記下面の上に直接配置されるベース樹脂層と、前記ベース樹脂層に混合される散乱粒子と、を含む散乱層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記散乱粒子は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＳＯ４、ＣａＣＯ３、又はＺｒＯ２を含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記散乱粒子は、２以上の屈折率を有し、直径が１５０ｎｍ〜４００ｎｍであることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記ガラス基板の前記上面又は前記ガラス基板の前記下面の上に直接配置され、前記第２色光と前記第３色光を遮断する第１フィルタを更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１フィルタは、複数の第１層と、
前記複数の第１層と交互に積層、配置される複数の第２層と、を含み、
前記複数の第１層の屈折率は、１．４〜１．６であり、
前記複数の第２層の屈折率は、１．９〜２．１であり、
連続積層された一つの第１層と一つの第２層は、ユニット層として定義され、
前記第１フィルタは、６〜１５個の前記ユニット層を含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記ガラス基板の前記上面の上に直接配置され、前記第１色光を遮断する第２フィルタを更に有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２フィルタは、複数の第１層と、
前記複数の第１層と交互に積層、配置される複数の第２層と、を含み、
前記複数の第１層の屈折率は、１．４〜１．６であり、
前記複数の第２層の屈折率は、１．９〜２．１であり、
連続積層された一つの第１層と一つの第２層は、ユニット層として定義され、
前記第２フィルタは、１〜５個のユニット層を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第２フィルタの上に直接配置されるベース樹脂層と、前記ベース樹脂層に混合される散乱粒子と、を含む散乱層を更に有することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
光学部材と、
前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、
前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、を有し、
前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、
前記上面の上に直接配置され、前記第１色光から第２色光と第２色光を生成する量子点層と、
前記量子点層と前記ガラス基板との間に配置され、カットオフ波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍであるショートパスフィルタと、
前記量子点層と前記ガラス基板との間に配置され、散乱粒子を含む散乱層と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
光学部材と、
前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、
前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、を有し、
前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、
前記上面の上に直接配置され、前記第１色光から第２色光と第２色光を生成する量子点層と、
前記量子点層と前記ガラス基板との間に配置され、カットオフ波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍであるショートパスフィルタと、
前記量子点層の上に直接配置され、カットオン波長が４６５ｎｍ〜４８５ｎｍのロングパスフィルタと、を含むことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関し、特に、広い色帯域と高い明暗比及び高輝度を有して表示品質が向上された表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置のような非発光型表示装置は、バックライトユニットから提供された光を利用して映像を生成する。
バックライトユニットは、光を出射する複数の発光ユニットを含む。
複数の発光ユニットそれぞれは、複数の発光素子を含む。
非発光型表示装置は、発光ユニットから提供された光の特性を向上させるために光学部材を備える。
光学部材は、表示パネルの下側に配置される。
【０００３】
非発光型表示装置の性能の向上に伴い、発光ユニットから提供される光の特性の向上が、常に課題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０９００４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記従来の非発光型表示装置における課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、広い色帯域、高い明暗比、及び高輝度を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、光学部材と、前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、前記複数の発光ユニット、前記光学部材、及び前記表示パネルを収容する保護部材と、を有し、前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、前記上面又は前記下面の上に直接配置され、前記第１色光を第２色光と第３色光に変換する量子点層と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
前記第１色光は、４１０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長を有することが好ましい。
前記ガラス基板の前記下面には、前記ガラス基板の前記上面に向かって凹んだ凹パターンが形成されることが好ましい。
前記ガラス基板の前記上面には、散乱パターンが形成されることが好ましい。
前記ガラス基板の前記散乱パターンに接触し、平坦面を提供するパッシベーション層を更に有することが好ましい。
前記複数の発光ユニットそれぞれは、回路基板と、前記回路基板の上に実装された複数の発光素子と、を含むことが好ましい。
前記複数の発光ユニットの上に配置され、前記複数の発光素子に対応する複数の開口部が形成される反射シートを更に有し、前記反射シートは、青色を有することが好ましい。
前記複数の発光素子は、独立してオン・オフ（ＯＮ・ＯＦＦ）されることが好ましい。
前記回路基板は、外面を定義する保護層を含み、前記保護層は、青色を有することが好ましい。
前記保護部材は、前記複数の発光ユニットを支持する第１保護部材と、前記第１保護部材と結合する第２保護部材と、を含み、前記第１保護部材は、底部及び側壁部を含み、前記複数の発光ユニットの前記回路基板は、前記底部を実質的に完全にカバーすることが好ましい。
【０００８】
前記ガラス基板の前記上面又は前記ガラス基板の前記下面の上に直接配置されるベース樹脂層と、前記ベース樹脂層に混合される散乱粒子と、を含む散乱層を更に有することが好ましい。
前記散乱粒子は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＳＯ４、ＣａＣＯ３、又はＺｒＯ２を含むことが好ましい。
前記散乱粒子は、２以上の屈折率を有し、直径が１５０ｎｍ〜４００ｎｍであることが好ましい。
前記ガラス基板の前記上面又は前記ガラス基板の前記下面の上に直接配置され、前記第２色光と前記第３色光を遮断する第１フィルタを更に有することが好ましい。
前記第１フィルタは、複数の第１層と、前記複数の第１層と交互に積層、配置される複数の第２層と、を含み、前記複数の第１層の屈折率は、１．４〜１．６であり、前記複数の第２層の屈折率は、１．９〜２．１であり、連続積層された一つの第１層と一つの第２層は、ユニット層として定義され、前記第１フィルタは、６〜１５個の前記ユニット層を含むことが好ましい。
前記ガラス基板の前記上面の上に直接配置され、前記第１色光を遮断する第２フィルタを更に有することが好ましい。
前記第２フィルタは、複数の第１層と、前記複数の第１層と交互に積層、配置される複数の第２層と、を含み、前記複数の第１層の屈折率は、１．４〜１．６であり、前記複数の第２層の屈折率は、１．９〜２．１であり、連続積層された一つの第１層と一つの第２層は、ユニット層として定義され、前記第２フィルタは、１〜５個のユニット層を含むことが好ましい。
前記第２フィルタの上に直接配置されるベース樹脂層と、前記ベース樹脂層に混合される散乱粒子と、を含む散乱層を更に有することが好ましい。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、光学部材と、前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、を有し、前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、前記上面の上に直接配置され、前記第１色光から第２色光と第２色光を生成する量子点層と、前記量子点層と前記ガラス基板との間に配置され、カットオフ波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍであるショートパスフィルタと、前記量子点層と前記ガラス基板との間に配置され、散乱粒子を含む散乱層と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、光学部材と、前記光学部材の上側に配置される表示パネルと、前記光学部材の下側に配置され、第１色光を前記光学部材に提供する複数の発光ユニットと、を有し、前記光学部材は、厚さ方向で向い合う上面及び下面を含み、平面視において前記複数の発光ユニットに重畳するガラス基板と、前記上面の上に直接配置され、前記第１色光から第２色光と第２色光を生成する量子点層と、前記量子点層と前記ガラス基板との間に配置され、カットオフ波長が５００ｎｍ〜５５０ｎｍであるショートパスフィルタと、前記量子点層の上に直接配置され、カットオン波長が４６５ｎｍ〜４８５ｎｍのロングパスフィルタと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る表示装置によれば、ガラス基板は光学部材の機能層を支持して、ガラス基板は熱変形が少ないため、発光素子とガラス基板との間の光学距離が短くても不良が発生しない。
また、直下型発光ユニットが量子点層を利用して白色光を表示パネルに提供するため、表示パネルは高輝度のイメージを提供することができる。
さらに、漏洩光は、青色の反射シートに吸収され、ディミンング駆動の際、非活性表示領域に反射シートから反射された漏洩光、又は漏洩光から変換された光が提供されることを防止し、それによって、非活性表示領域の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態による表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による表示装置の一部分を示す概略平面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態による発光ユニットの等価回路図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態による発光ユニットの概略断面図である。
【図２Ｄ】図２Ａに示す表示装置の一部をＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図３】本発明の実施形態による反射シートの効果を説明するための表示装置の部分断面図である。
【図４Ａ】本発明の他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
【図４Ｂ】本発明の他の実施形態による散乱層の断面図である。
【図５Ａ】本発明のさらに他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
【図５Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による第１フィルタの断面図である。
【図５Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態による光学部材の部分断面図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態による光学部材の部分断面図である。
【図６Ｃ】本発明の実施形態による光学部材の部分断面図である。
【図６Ｄ】本発明の実施形態による光学部材の部分断面図である。
【図６Ｅ】本発明の実施形態による光学部材の部分断面図である。
【図７Ａ】本発明のさらに他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
【図７Ｂ】本発明のさらに他の実施形態による表示装置から発生する光のスペクトルと第２フィルタの透過率を示すグラフである。
【図７Ｃ】本発明のさらに他の実施形態による第２フィルタの断面図である。
【図７Ｄ】本発明のさらに他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、本発明に係る表示装置を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１４】
同じ図面符号は同じ構成要素を指す。
また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／又は」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。
第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、構成要素は用語に限らない。
用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。
例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と称されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と称されてもよい。
単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明する。
「含む」又は「有する」などの用語は、明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。
【００１５】
図１は、本発明の実施形態による表示装置ＤＤの概略構成を示す分解斜視図である。
図１に示すように、本発明の実施形態による表示装置ＤＤは、表示パネル１００と、発光ユニット２００と、光学部材３００と、保護部材（４００Ｌ、４００Ｕ）と、を含む。
【００１６】
表示パネル１００は、発光ユニット２００から光を受信して映像を表示する。
表示パネル１００は、特に限定せず、例えば、液晶表示パネル（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、電気泳動表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、及び電気湿潤表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）のような透過型又は半透過型表示パネルを含む。
【００１７】
表示パネル１００は、表示面（１００−ＩＳ）を介してイメージを表示する。
表示面（１００−ＩＳ）は、第１方向軸ＤＲ１と第２方向軸ＤＲ２で定義する面と平行である。
表示面（１００−ＩＳ）の法線方向、つまり、表示装置ＤＤの厚さ方向は、第３方向軸ＤＲ３が指示する。
以下で説明する各部材又はユニットの前面（又は上面）と背面（又は下面）は、第３方向軸ＤＲ３によって区分される。
しかし、本実施形態に示す第１〜第３方向軸（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）は、例示に過ぎない。
以下、第１〜第３方向は、第１〜第３方向軸（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）がそれぞれ指示する方向にとして定義され、同じ図面符号を参照する。
【００１８】
本実施形態では、フラットは表示パネル１００を例示的に示しているが、本発明の実施形態において、表示パネル１００は曲面の表示面を有してもよい。
表示パネル１００の形状は、特に限定しない。
本実施形態において、表示パネル１００は液晶表示パネルとして説明する。
液晶表示パネルは、第１基板１１０、第１基板１１０に対向する第２基板１２０、及び第１基板１１０と第２基板１２０との間に形成された液晶層（図示せず）を含む。
液晶表示パネルは、表示領域と表示領域を囲む枠領域に区分される。
表示領域は、平面視において映像が表示される領域であり、枠領域は、平面視において表示領域が隣接する領域であって映像が表示されない領域である。
液晶表示パネルは、表示領域に配置された複数の画素を含む。
【００１９】
第１基板１１０と第２基板１２０の内のいずれか一つ（以下、アレイ基板）には、信号ラインと画素の画素回路が形成される。
アレイ基板は、ＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ）などを介してメイン回路基板と接続される。
メイン回路基板には、表示パネル１００を駆動する中央制御回路が配置される。
中央制御回路は、マイクロプロセッサであり得る。
ＣＯＦのチップは、データ駆動回路であり得る。
ゲート駆動回路は、アレイ基板に実装されるか、ＬＴＰＳ（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎｅ：多結晶低温ポリシリコン）で、アレイ基板に集積させてもよい。
【００２０】
中央制御回路は、発光ユニット２００を制御する。
発光ユニット２００を制御する制御信号を、発光ユニット２００のディミング回路に送信する。
発光ユニット２００は、表示パネル１００及び光学部材３００の下側に配置される。
発光ユニット２００は、第１色光を生成する。
第１色光は、４１０ｎｍ〜４８０ｎｍの波長の光を含む。
第１色光のピーク波長は、４４０ｎｍ〜４６０ｎｍに設定される。
第１色光は、通常の青色光である。
【００２１】
発光ユニット２００のそれぞれは、点光源をなす複数の発光素子（２００−Ｌ）、及び発光素子（２００−Ｌ）に電気的信号を提供する回路基板（２００−Ｐ）を含む。
複数の発光素子（２００−Ｌ）それぞれは、発光ダイオードで構成される。
発光ユニット２００は、異なる個数の発光素子（２００−Ｌ）を含んでもよい。
別途、図に示さないが、表示装置ＤＤは、発光ユニット２００を電気的に接続する回路基板を更に含んでもよい。
回路基板にはディミング（ｄｉｍｍｉｎｇ）回路が配置され得る。
このようなディミング回路は、中央制御回路から受信した制御信号に基づいて発光ユニット２００を調光（ｄｉｍｍｉｎｇ）する。
複数の発光素子（２００−Ｌ）は、同時にオン・オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）されるか、独立してオン・オフされる。
【００２２】
光学部材３００は、表示パネル１００の下側に配置され、発光ユニット２００の上側に配置される。
光学部材３００は、発光ユニット２００から第１色光を受信する。
光学部材３００は、第１色光を一部透過させ、第１色光を第２色光と第３色光に変換させる。
第２色光は、５００ｎｍ〜５７０ｎｍの波長の光を含む。
第３色光は、５８０ｎｍ〜６７５ｎｍの波長の光を含む。
第２色光のピーク波長は、５１５ｎｍ〜５４５ｎｍに設定される。
第２色光は、通常、緑色光である。
第３色光のピーク波長は、６１０ｎｍ〜６４５ｎｍに設定される。
第３色光は、通常、赤色光である。
【００２３】
保護部材（４００Ｌ、４００Ｕ）は、発光ユニット２００の下側に配置された第１保護部材４００Ｌと、表示パネルの上側に配置された第２保護部材４００Ｕを含む。
第１保護部材４００Ｌと第２保護部材４００Ｕは、互いに結合して表示パネル１００、発光ユニット２００、及び光学部材３００を収容する。
第１保護部材４００Ｌと第２保護部材４００Ｕは、金属又はプラスチックで構成される。
保護部材（４００Ｌ、４００Ｕ）は、図に示していないモールド部材を更に含んでもよい。
第１保護部材４００Ｌは、発光ユニット２００を収納する。
第１保護部材４００Ｌは、底部（４００Ｌ−１０）と、底部（４００Ｌ−１０）の四端辺部から折曲られて延長された複数の側壁部（４００Ｌ−２０）を含む。
底部（４００Ｌ−１０）は長方形であり、第１保護部材４００Ｌは、４つの側壁部（４００Ｌ−２０）を含む。
第１保護部材４００Ｌの形状は、特に限らない。
側壁部（４００Ｌ−２０）の個数は変更されてもよく、底部（４００Ｌ−１０）と側壁部（４００Ｌ−２０）には段差が形成されてもよい。
【００２４】
発光ユニット２００は、底部（４００Ｌ−１０）に実装される。
発光ユニット２００、詳しくは、回路基板（２００−Ｐ）は、底部（４００Ｌ−１０）を実質的に完全にカバーする。
回路基板（２００−Ｐ）は、底部（４００Ｌ−１０）の９０％以上をカバーする。
【００２５】
第２保護部材４００Ｕは、表示パネル１００の上側に配置されて表示パネル１００の枠領域をカバーする。
第２保護部材４００Ｕには、映像が通過する開口部（４００Ｕ−ＯＰ）が形成される。
開口部（４００Ｕ−ＯＰ）は、表示パネル１００の表示領域に対応する。
第２保護部材４００Ｕは、平面視において長方形のフレームである。
第２保護部材４００Ｕは、４つの部分に区分される。
４つの部分は、一体の形状を有するか、組み立てられてもよい。
４つの部分それぞれは、側壁部（４００Ｕ−１０）と、側壁部（４００Ｕ−１０）から折曲された前面部（４００Ｕ−２０）を含む。
実質的に４つの部分の前面部（４００Ｕ−２０）が開口部（４００Ｕ−ＯＰ）を定義する。
一実施形態において、前面部（４００Ｕ−２０）は省略されてもよい。
【００２６】
図２Ａは、本発明の実施形態による表示装置ＤＤの一部分を示す概略平面図であり、図２Ｂは、本発明の実施形態による発光ユニット２００の等価回路図であり、図２Ｃは、本発明の実施形態による発光ユニット２００の概略断面図であり、図２Ｄは、図２Ａに示す表示装置の一部をＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図であり、図３は、本発明の実施形態による反射シートＲＳの効果を説明するための表示装置の断面図である。
図２Ａ〜図２Ｄに示すように、発光ユニット２００のそれぞれは、発光素子（２００−Ｌ）及び回路基板（２００−Ｐ）を含む。
【００２７】
図２Ａにおいて、一部の発光ユニット２００は、図に示していない。
図２Ｂに示すように、発光素子（２００−Ｌ）は、ディミング可能にそれぞれの信号ライン（２００−Ｓ）に接続される。
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、回路基板（２００−Ｐ）は、第１方向ＤＲ１に延長される形状を有する。
図２Ｃに示すように、回路基板（２００−Ｐ）は、少なくとも一つの絶縁層（２００−Ｉ）と少なくとも一つの回路層（２００−ＳＬ）を含む。
図２Ｃには、２つの絶縁層（２００−Ｉ）と２つの回路層（２００−ＳＬ）が交互に積層された多層回路基板としての回路基板（２００−Ｐ）を例示的に示す。
【００２８】
回路層（２００−ＳＬ）は、複数の導電パターンを含むが、このような導電パターンは図２Ｃの信号ラインを含む。
２つの回路層（２００−Ｓ）の内の最上層の回路層（２００−ＳＬ）は、保護層（２００−ＳＲ）によってカバーされる。
保護層（２００−ＳＲ）は、回路基板（２００−Ｐ）の外面を提供する。
最上層の回路層（２００−ＳＬ）は、信号ラインに接続された接続端子（２００−Ｔ）を含む。
保護層（２００−ＳＲ）は、接続端子（２００−Ｔ）を露出する開口部（２００−ＳＲ０）を含む。
【００２９】
発光素子（２００−Ｌ）は、発光ダイオードＬＥＤを含む。
発光ダイオードＬＥＤは、第１電極ＥＤ１及び第２電極ＥＤ２を介して印加される駆動電圧に応答して光を発生する。
発光ダイオードＬＥＤは、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層が順次に積層された構造を有する。
第１電極ＥＤ１は、接続端子の内の一つに接続され、第２電極ＥＤ２は、接続端子の内の他の一つに接続される。
第１電極ＥＤ１及び第２電極ＥＤ２は、ワイヤ（ＷＲ１、ＷＲ２）によって接続端子にそれぞれ接続される。
【００３０】
発光ダイオードＬＥＤは、接着部材ＡＤによって保護層（２００−ＳＲ）の上に取り付けられる。
発光素子（２００−Ｌ）は、発光ダイオードＬＥＤを保護する封止部材ＥＣを更に含む。
封止部材ＥＣは、ワイヤ（ＷＲ１、ＷＲ２）が断線するか酸化することを防止する。
封止部材ＥＣは、エポキシ樹脂のような樹脂材料を含む。
【００３１】
図２Ｄに示すように、本発明の実施形態による光学部材３００は、ガラス基板（３００−Ｇ）、量子点層（３００−Ｑ）、及び保護層（３００−Ｐ）を含む。
ガラス基板（３００−Ｇ）は、光学部材３００の機能層を支持する。
ガラス基板（３００−Ｇ）の厚さは、０．３ｍｍ〜１ｍｍである。
ガラス基板（３００−Ｇ）は、熱変形が少ないため、発光素子（２００−Ｌ）とガラス基板（３００−Ｇ）との間の光学距離「ＬＤ」が短くても不良が発生しない。
光学距離「ＬＤ」は、２ｍｍ〜１５ｍｍである。
【００３２】
ガラス基板（３００−Ｇ）の下面（３００−ＬＳ）は、厚さ方向に凹んだ凹パターン（３００−ＲＰ）が形成（定義）される。
凹パターン（３００−ＲＰ）は、レンズ状であってもよいが、これに限らない。
凹パターン（３００−ＲＰ）のサイズは不規則であり得る。
凹パターン（３００−ＲＰ）は、発光ユニット２００から受光した第１色光（Ｌ−Ｂ）を拡散させる。
凹パターン（３００−ＲＰ）は、機械的エッチング、化学的エッチング方式などで形成される。
【００３３】
ガラス基板（３００−Ｇ）の上面（３００−ＵＳ）の上に、量子点層（３００−Ｑ）が「直接配置」される。
本明細書において、「Ａ層がＢ層に直接配置される」とは、「Ａ層とＢ層との間に接着層が配置されていない」ということを意味する。
Ａ層とＢ層の接触可否は制限されない。
本実施形態において、量子点層（３００−Ｑ）は、別途に製作したシートを取り付けるものではなく、ガラス基板（３００−Ｇ）の上にコーティング又はプリントするものである。
別途に製造された量子点シートを利用しないため、光学部材３００の厚さを減少させ、また、製造コストが減少させることができる。
【００３４】
量子点層（３００−Ｑ）は、ベース樹脂ＢＲ、及びベース樹脂ＢＲに混合された（又は分散された）量子点（Ｑ１、Ｑ２）を含む。
ベース樹脂ＢＲは、量子点（Ｑ１、Ｑ２）が分散される媒質であって、一般にバインダと称される多様な樹脂組成物からなる。
但し、それに限らず、本明細書において、量子点（Ｑ１、Ｑ２）を分散配置させ得る媒質であれば、その名称、追加の他の機能、構成物質などに関わらずベース樹脂ＢＲと称する。
ベース樹脂ＢＲは、高分子樹脂であり得る。
例えば、ベース樹脂ＢＲは、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などである。
ベース樹脂ＢＲは、透明樹脂である。
別途、図に示していないが、量子点層（３００−Ｑ）は、ベース樹脂ＢＲの上面と下面に接触するように配置されるバリア層を更に含んでもよい。
バリア層は無機層であってもよく、ベース樹脂層ＢＲを密封する。
【００３５】
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、発光ユニット２００の発光素子（２００−Ｌ）（図１）から提供された光の波長を変換する粒子である。
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、数ナノメートルサイズの結晶構造を有する物質で、数百から数千個程度の原子からなり、小さいサイズのためエネルギーバンドギャップ（ｂａｎｄ  ｇａｐ）が大きくなる量子閉じ込め（Ｑｕａｎｔｕｍ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果を示す。
量子点（Ｑ１、Ｑ２）にバンドギャップよりエネルギーが高い波長の光が入射すれば、量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、その光を吸収して浮いた状態になり、特定波長の光を放射しながら底状態に落ちる。
放射された波長の光は、バンドギャップに当たる値を有する。
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、そのサイズと組成などを調節すれば、量子閉じ込め効果による発光特性を調節することができる。
【００３６】
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択される。
ＩＩ−ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｅＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｅＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｅＺｎＳｅ、ＨｅＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。
【００３７】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、及びＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。
【００３８】
ＩＶ−ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。
ＩＶ族元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される。
ＩＶ族元素は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物である。
この際、二元化合物、三元化合物、又は四元化合物は均一な濃度で粒子内に存在するか、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在する。
【００３９】
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、コア（ｃｏｒｅ）とコアを囲むシェル（ｓｈｅｌｌ）を含むコアシェル構造である。
また、一つの量子点が他の量子点を囲むコア／シェル構造を有してもよい。
コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、ナノメータスケールのサイズを有する粒子である。
量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ  ｗｉｄｔｈ  ｏｆ  ｈａｌｆ  ｍａｘｉｍｕｍ：ＦＷＨＭ）を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させる。
また、このような量子点（Ｑ１、Ｑ２）を介して発光される光は全方向に放射されるゆえ、光視野角が向上される。
また、量子点（Ｑ１、Ｑ２）の形態は、当分野で一般的に使用する形態のものであって特に限らないが、より詳しくは、球状、ピラミッド状、多腕（ｍｕｌｔｉ−ａｒｍ）状、立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを使用する。
【００４０】
一実施形態において、量子点層（３００−Ｑ）は、入射した光を異なる波長領域の色に変換する複数の量子点（Ｑ１、Ｑ２）を含む。
複数の量子点（Ｑ１、Ｑ２）は、第１色光（Ｌ−Ｂ）を第２色光（Ｌ−Ｇ）に変換する第１量子点Ｑ１、及び、第１色光（Ｌ−Ｂ）を第３色光（Ｌ−Ｒ）に変換する第２量子点Ｑ２を含む。
量子点層（３００−Ｑ）から出射される第１色光（Ｌ−Ｂ）、第２色光（Ｌ−Ｇ）、及び第３色光（Ｌ−Ｒ）は、白色光として表示パネル１００（図１を参照）に提供される。
【００４１】
保護層（３００−Ｐ）は、量子点層（３００−Ｑ）に接触するように量子点層（３００−Ｑ）の上に蒸着又はコーティングされる。
保護層（３００−Ｐ）は、有機層及び／又は無機層を含む。
本発明の他の実施形態において、保護層（３００−Ｐ）は、省略してもよい。
【００４２】
本実施形態によれば、直下型発光ユニット２００が量子点層（３００−Ｑ）を利用して白色光を表示パネル１００（図１を参照）に提供するため、表示パネル１００は高輝度のイメージを提供することができる。
【００４３】
本実施形態によれば、表示装置ＤＤは、反射シートＲＳを更に含む。
反射シートＲＳは、複数の発光ユニット２００と同一平面に配置され、発光素子（２００−Ｌ）に対応する複数の開口部（ＲＳ−Ｏ）が形成（定義）される。
反射シートＲＳは、第１色光（Ｌ−Ｂ）を反射する色を有する。
つまり、反射シートＲＳは、青色光を反射する青色を有する。
反射シートＲＳは、樹脂層、及び樹脂層の上に配置された青色の有機層を含む。
有機層は、緑色光と赤色光を吸収する。
【００４４】
図３は、ディミング（調光）駆動される表示装置の複数の表示領域（ＯＮ−Ａ）、（ＯＦＦ−Ａ１）、（ＯＦＦ−Ａ２）を示す。
図３は、第１〜第３発光素子（２００−Ｌ１、２００−Ｌ２、２００−Ｌ３）と、それに対応する第１〜第３表示領域（ＯＮ−Ａ、ＯＦＦ−Ａ１、ＯＦＦ−Ａ２）を示す。
第１〜第３表示領域（ＯＮ−Ａ、ＯＦＦ−Ａ１、ＯＦＦ−Ａ２）は、表示パネル１００（図１を参照）の一部の領域である。
第２発光素子（２００−Ｌ２）の周辺には白色又は銀色の反射シート（ＲＳ−Ｗ）が配置され、第３発光素子（２００−Ｌ３）の周辺には青色の反射シート（ＲＳ−Ｂ）が配置される。
【００４５】
第１表示領域（ＯＮ−Ａ）は、ターンオンされた発光素子（２００−Ｌ）から生成された光を利用してイメージを表示する。
この際、第２及び第３表示領域（ＯＦＦ−Ａ１、ＯＦＦ−Ａ２）は、ブラックイメージを表示するが、このために第２及び第３表示領域（ＯＦＦ−Ａ１、ＯＦＦ−Ａ２）に対応する第２及び第３発光素子（２００−Ｌ２、２００−Ｌ３）は、ターンオフされる。
第１発光素子（２００−Ｌ）から生成された第１色光（Ｌ−Ｂ）のうち、光学部材３００から反射された光は、青色の反射シート（ＲＳ−Ｂ）から反射されて更に光学部材３００に入射される。
よって、光効率が向上される。
【００４６】
光学部材３００から生成されて反射シート（ＲＳ−Ｗ）に向かう第２及び第３色光（Ｌ−Ｇ、Ｌ−Ｒ）（以下、漏洩光と称す）は、白色又は銀色の反射シート（ＲＳ−Ｗ）から反射されて第２表示領域（ＯＦＦ−Ａ１）に入射される。
第２及び第３色光（漏洩光）（Ｌ−Ｇ、Ｌ−Ｒ）は、青色の反射シート（ＲＳ−Ｂ）に吸収される。
本発明の一実施形態において、図２Ｄに示した反射シートＲＳは省略されてもよい。
本発明の一実施形態において、図２Ｃを参照して説明した保護層（２００−ＳＲ）は、青色を有する。
保護層（２００−ＳＲ）は、青色染料又は顔料を含む有機層である。
このような保護層（２００−ＳＲ）は、反射シートのような機能を有する。
回路基板（２００−Ｐ）を利用した光効率の向上をより効果的に達成するために、回路基板（２００−Ｐ）は、底部（４００Ｌ−１０）を実質的に完全にカバーする。
回路基板（２００−Ｐ）と底部（４００Ｌ−１０）との配置関係は、図１を参照して上述した通りである。
【００４７】
図４Ａは、本発明の他の実施形態による表示装置ＤＤの部分断面図であり、図４Ｂは、本発明の他の実施形態による散乱層（３００−Ｓ）の断面図である。
以下、図１〜図３を参照して説明した構成と同じ構成に関する詳細な説明は省略する。
図４Ａに示すように、ガラス基板（３００−Ｇ）の上面（３００−ＵＳ）の上に、散乱層（３００−Ｓ）が直接配置される。
【００４８】
コーティング又はプリント方式で散乱層（３００−Ｓ）を形成する。
本実施形態において、散乱層（３００−Ｓ）は、ガラス基板（３００−Ｇ）と量子点層（３００−Ｑ）との間に配置される。
散乱層（３００−Ｓ）は、ガラス基板（３００−Ｇ）を通過した第１色光（Ｌ−Ｂ）を散乱させてホットスポット現象を防止する。
ホットスポット現象とは、発光素子（２００−Ｌ）と重畳する表示パネル１００の一部領域にのみ光量が集中する現象である。
【００４９】
散乱層（３００−Ｓ）は、ベース樹脂ＢＲ、及びベース樹脂ＢＲに混合された（又は分散された）散乱粒子ＳＰを含む。
ベース樹脂ＢＲは、散乱粒子ＳＰが分散される媒質であって、一般にバインダと称される多様な樹脂組成物からなる。
但し、それに限らず、本明細書において、散乱粒子ＳＰを分散配置させ得る媒質であれば、その名称、追加の他の機能、構成物質などに関わらずベース樹脂ＢＲと称することとする。
ベース樹脂ＢＲは、高分子樹脂であり得る。
例えば、ベース樹脂ＢＲは、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などである。
ベース樹脂ＢＲは、透明樹脂である。
【００５０】
図４Ｂに示すように、散乱粒子ＳＰは、１種以上の粒子を含む。
散乱粒子ＳＰは、２以上の屈折率を有し、１５０ｎｍ〜４００ｎｍの直径を有する。
散乱粒子ＳＰは無機粒子を含む。
無機粒子は、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＳＯ４、ＣａＣＯ３、又はＺｒＯ２であってもよい。
【００５１】
図５Ａは、本発明のさらに他の実施形態による表示装置ＤＤの部分断面図であり、図５Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による第１フィルタ（３００−Ｆ１）の断面図であり、図５Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の部分断面図である。
以下、図１乃至図４Ｂを参照して説明した構成と同じ構成に関する詳細な説明は省略する。
図５Ａに示すように、ガラス基板（３００−Ｇ）の上面（３００−ＵＳ）の上に、第１フィルタ（３００−Ｆ１）が直接配置される。
【００５２】
コーティング、プリント、又は蒸着方式で、第１フィルタ（３００−Ｆ１）を形成する。
本実施形態において、第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、ガラス基板（３００−Ｇ）と量子点層（３００−Ｑ）との間に配置される。
第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、第１色光（Ｌ−Ｂ）を透過させ、第２色光（Ｌ−Ｇ）と第３色光（Ｌ−Ｒ）は遮断する。
第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、発光素子（２００−Ｌ）から生成された光を透過させ、量子点層（３００−Ｑ）から生成された第２色光（Ｌ−Ｇ）と第３色光（Ｌ−Ｒ）が第１フィルタ（３００−Ｆ１）の下側（ガラス基板側）に伝達されることを防止する。
よって、図３を参照して説明した漏洩光が減少し、明暗比を向上させることができる。
第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、第２色光（Ｌ−Ｇ）と第３色光（Ｌ−Ｒ）を反射させる。
よって、光効率を向上させることができる。
【００５３】
このような第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、ダイクロイックフィルタ（ｄｉｃｈｒｏｉｃ  ｆｉｌｔｅｒ）の機能を有する。
第１フィルタ（３００−Ｆ１）のカットオフ波長（λＣｏｆｆ）は以下の範囲である。
カットオフ波長（λＣｏｆｆ）は、第１フィルタ（３００−Ｆ１）がショートパスフィルタ（ｓｈｏｒｔｐａｓｓ  ｆｉｌｔｅｒ）であれば透過率が５０％の波長である。
５００ｎｍ  ＜  λＣｏｆｆ  ＜  ５５０ｎｍ
【００５４】
図５Ｂに示すように、第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、交互に積層された複数の第１層Ｌ１及び複数の第２層Ｌ２を含む。
複数の第１層Ｌ１の屈折率は１．４〜１．６であり、複数の第２層Ｌ２の屈折率は１．９〜２．１である。
複数の第１層Ｌ１及び複数の第２層Ｌ２それぞれは、シリコンオキシド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドを含む。
同じ物質を含んでも、薄膜の蒸着条件によってはこれらの層は異なる屈折率を有する。
連続積層された第１層Ｌ１と第２層Ｌ２はユニット層（Ｌ−Ｐ１）として定義される。
第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、６〜１５個のユニット層（Ｌ−Ｐ１）を含む。
図５Ｃに示すように、第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、ガラス基板（３００−Ｇ）の下面（３００−ＬＳ）上にも直接配置され得る。
【００５５】
図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の実施形態による光学部材３００の部分断面図である。
以下、図１〜図５Ｄを参照して説明した構成と同じ構成に関する詳細な説明は省略する。
図６Ａ〜図６Ｅに示すように、光学部材３００は、ガラス基板（３００−Ｇ）、第１フィルタ（３００−Ｆ１）、散乱層（３００−Ｓ）、量子点層（３００−Ｑ）、及び保護層（３００−Ｐ）を含む。
これらの層の間には、有機物質又は無機物質を含むパッシベーション層が更に配置されてもよい。
【００５６】
図６Ａ乃至図６Ｅに示すように、ガラス基板（３００−Ｇ）、第１フィルタ（３００−Ｆ１）、散乱層（３００−Ｓ）、量子点層（３００−Ｑ）の積層順番は、多様に変更してもよい。
第１フィルタ（３００−Ｆ１）、散乱層（３００−Ｓ）、量子点層（３００−Ｑ）は、連続工程を介してガラス基板（３００−Ｇ）の上面又は下面に直接形成され得る。
【００５７】
図７Ａは、本発明のさらに他の実施形態による表示装置ＤＤの部分断面図であり、図７Ｂは、本発明のさらに他の実施形態による表示装置ＤＤで発生する光のスペクトルと第２フィルタの透過率を示すグラフであり、図７Ｃは、本発明のさらに他の実施形態による第２フィルタ（３００−Ｆ２）の断面図であり、図７Ｄは、本発明のさらに他の実施形態による表示装置ＤＤの部分断面図である。
以下、図１〜図６Ｅを参照して説明した構成と同じ構成に関する詳細な説明は省略する。
図７Ａに示すように、量子点層（３００−Ｑ）の上に、第２フィルタ（３００−Ｆ２）が直接配置される。
コーティング、プリント、又は蒸着方式で第２フィルタ（３００−Ｆ２）を形成する。
【００５８】
このような第２フィルタ（３００−Ｆ２）は、ダイクロイックフィルタの機能を有する。
第２フィルタ（３００−Ｆ２）のカットオン波長（λＣｏｎ）は以下の範囲である。
カットオン波長（λＣｏｎ）は、第２フィルタ（３００−Ｆ２）がロングパスフィルタ（ｌｏｎｇｐａｓｓ  ｆｉｌｔｅｒ）であれば透過率が５０％の波長である。
４６５ｎｍ  ＜  λＣｏｎ  ＜  ４８５ｎｍ
【００５９】
第２フィルタ（３００−Ｆ２）は、第１色光（Ｌ−Ｂ）の透過率を下げる。
第２フィルタ（３００−Ｆ２）により反射された第１色光（Ｌ−Ｂ）は、量子点層（３００−Ｑ）によって反射される。
それによって、第２色光（Ｌ−Ｇ）と第３色光（Ｌ−Ｒ）の輝度が上がる。
図７Ｂを参照すると、第１グラフＢＦ１は、第２フィルタ（３００−Ｆ２）が省略された表示装置ＤＤにおける発光スペクトルを示す。
第２グラフＢＦ２は、第２フィルタ（３００−Ｆ２）の透過率を示す。
第３グラフＢＦ３は、第２フィルタ（３００−Ｆ２）が配置された表示装置ＤＤにおける発光スペクトルを示す。
【００６０】
第２フィルタ（３００−Ｆ２）の影響で第１色光（Ｌ−Ｂ）の発光強度は、第１強度（Ｉ−Ｂ）だけ低くなったが、第２色光（Ｌ−Ｇ）の発光強度は、第２強度（Ｉ−Ｇ）だけ上がっており、第３色光（Ｌ−Ｒ）の発光強度は、第３強度（Ｉ−Ｒ）だけ上がっていることが分かる。
光学部材３００から出射される第１色光（Ｌ−Ｂ）、第２色光（Ｌ−Ｇ）、及び第３色光（Ｌ−Ｒ）の発光強度の偏差が減少されることで、色が変色しない白色光を表示パネル１００（図１を参照）に提供することができる。
また、第１グラフＢＦ１に比べ、第３グラフＢＦ３は、約５００ｎｍ帯の波長の光の発光強度が減少されている。
つまり、第１色光（Ｌ−Ｂ）と第２色光（Ｌ−Ｇ）の光スペクトルが狭くなっている。
結果的に、表示パネル１００で生成したイメージの色帯域（ｃｏｌｏｒ  ｇａｍｕｔ）が広くなる。
【００６１】
図７Ｃに示すように、第２フィルタ（３００−Ｆ２）は、交互に積層された複数の第１層Ｌ１０及び複数の第２層Ｌ２０を含む。
複数の第１層Ｌ１０の屈折率は、１．４〜１．６であり、複数の第２層Ｌ２０の屈折率は、１．９〜２．１である。
複数の第１層Ｌ１０及び複数の第２層Ｌ２０それぞれは、シリコンオキシド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドを含む。
同じ物質を含んでも、薄膜の蒸着条件によってはこれらの層は異なる屈折率を有する。
連続積層された第１層Ｌ１０と第２層Ｌ２０は、ユニット層（Ｌ−Ｐ２）として定義される。
第２フィルタ（３００−Ｆ２）は、１〜５つのユニット層（Ｌ−Ｐ２）を含む。
本実施形態において、量子点層（３００−Ｑ）の上に配置された第２フィルタ（３００−Ｆ２）は、保護層の機能を有する。
よって、保護層（３００−Ｐ）は、省略してもよい。
【００６２】
図７Ｄに示すように、第２フィルタ（３００−Ｆ２）の上に散乱層（３００−Ｓ）が更に配置される。
散乱層（３００−Ｓ）は、図４Ａ及び図４Ｂを参照して説明した通りである。
第２フィルタ（３００−Ｆ２）は、ダイクロイックフィルタの機能を有するため、第２フィルタ（３００−Ｆ２）を通過した光は、視野角によっては使用者に異なる色に認識される。
散乱層（３００−Ｓ）は、第２フィルタ（３００−Ｆ２）を通過した光を散乱させ、ダイクロイックフィルタを通過した光の上述した性質を消滅させる。
別途、図に示していないが、第２フィルタ（３００−Ｆ２）を含む光学部材３００、及び第２フィルタ（３００−Ｆ２）と散乱層（３００−Ｓ）を更に含む光学部材３００は、図６Ａ乃至図６Ｅに示した光学部材３００のように変形されてもよい。
そのように変形された光学部材３００において、第１フィルタ（３００−Ｆ１）は、省略してもよい。
【００６３】
図８は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置ＤＤの部分断面図である。
以下、図１〜図７Ｄを参照して説明した構成と同じ構成に関する詳細な説明は省略する。
図８に示すように、ガラス基板（３００−Ｇ）の上面（３００−ＵＳ）には散乱パターン（３００−ＳＰ）が形成（定義）される。
散乱パターン（３００−ＳＰ）は、不規則に配列される。
散乱パターン（３００−ＳＰ）は、発光ユニット２００から受光した第１色光（Ｌ−Ｂ）を散乱させる。
散乱パターン（３００−ＳＰ）は、エッチング方式で形成される。
ガラス基板（３００−Ｇ）の上面（３００−ＵＳ）には散乱パターン（３００−ＳＰ）に接触し、平坦面を提供するパッシベーション層（３００−ＰＡ）が配置される。
パッシベーション層（３００−ＰＡ）は、有機材料を含み、コーティング方式で形成される。
【００６４】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１００    表示パネル
１１０    第１基板
１２０    第２基板
２００    発光ユニット
２００−Ｉ    絶縁層
２００−Ｌ    発光素子
２００−Ｐ    回路基板
２００−ＳＬ    回路層
２００−ＳＲ    保護層
２００−ＳＲ０    開口部
３００    光学部材
３００−Ｆ１、３００−Ｆ２    （第１、第２）フィルタ
３００−Ｇ    ガラス基板
３００−Ｑ    量子点層
３００−Ｐ    保護層
３００−ＲＰ    凹パターン
３００−Ｓ    散乱層
４００Ｌ、４００Ｕ    （第１、第２）保護部材
４００Ｕ−ＯＰ    開口部
ＡＤ    接着部材
ＢＲ    ベース樹脂
ＤＤ    表示装置
ＥＣ    封止部材
ＥＤ１、ＥＤ２    （第１、第２）電極
Ｌ−Ｂ    第１色光
Ｌ−Ｇ    第２色光
Ｌ−Ｒ    第３色光
Ｑ１、Ｑ２    （第１、第２）量子点
ＲＳ    反射シート
ＲＳ−０    開口部
ＷＲ１、ＷＲ２    ワイヤ
【図１】
2020067663.tif 000003
【図２Ａ】
2020067663.tif 000004
【図２Ｂ】
2020067663.tif 000005
【図２Ｃ】
2020067663.tif 000006
【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８】
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