(57)【要約】【課題】パターンの欠陥を高精度に検出することができる方法を提供する。【解決手段】本方法は、ウェーハ上のパターンの画像を生成し、画像上のパターンに対応する設計データ上のパターンのエッジに沿って複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎを設定し、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎのそれぞれの画素の輝度値を取得し、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎのそれぞれにおける画素の輝度値の特徴量を算出し、予め設定された標準範囲Ｒから外れた特徴量を持つサンプリング領域を決定する。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハに形成されたパターンの欠陥を検出する方法であって、
ウェーハ上のパターンの画像を生成し、
前記画像上のパターンに対応する設計データ上のパターンのエッジに沿って複数のサンプリング領域を設定し、
前記複数のサンプリング領域のそれぞれの画素の輝度値を取得し、
前記複数のサンプリング領域のそれぞれにおける前記画素の輝度値の特徴量を算出し、
予め設定された標準範囲から外れた特徴量を持つサンプリング領域を決定する方法。
【請求項２】
前記設計データ上のパターンは、コーナーラウンド処理が行われたパターンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のサンプリング領域は、前記エッジから同じ距離にある、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のサンプリング領域のそれぞれの中心は、前記エッジ上に配列された複数の基準点から延びる前記エッジの法線上にある、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の基準点は前記エッジ上に等間隔に配列されている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記決定されたサンプリング領域を欠陥領域として表示装置上に表示する工程をさらに含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハに形成されたパターンの欠陥を検出する方法に関し、特にパターンの設計データと、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって生成されたパターンの画像を用いて、当該画像上のパターンの欠陥を検出する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造において、あるパターンが他のパターンと短絡するような欠陥はブリッジ欠陥と呼ばれ、パターンが断線するような欠陥はオープン欠陥と呼ばれる。具体例を挙げると、図１５は、２つのパターン３０１，３０２が突出部３０３によって接続されたブリッジ欠陥を示し、図１６はパターン３０４が断線しているオープン欠陥を示す。従来、このようなブリッジ欠陥およびオープン欠陥の検出は、パターンの設計データ（ＣＡＤデータともいう）を用いてＳＥＭ画像上のパターンのエッジを検出し、エッジの位置の異常を検出することによって行われる。
【０００３】
設計データを用いたパターンエッジ検出は次のように行われる。図１７に示すように、設計データからパターン３０７のエッジ３０７ａを作成し、エッジ３０７ａ上に輝度プロファイル原点Ｐを配置し、輝度プロファイル原点Ｐからエッジ３０７ａに対して垂直な方向に輝度値の変化点Ｑを探索する。そして、輝度値の変化点Ｑを結ぶことでエッジ３１０が形成される。エッジ３１０は、画像上で検出されたエッジである。パターン欠陥の検出は、このようにして検出されたエッジ３１０の位置に基づいて行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３８３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来のパターン欠陥検出方法には、次のような欠点がある。すなわち、図１８に示す断線したパターン３２０の場合、画像上のエッジ探索は設計データのエッジ３２２に垂直な方向に行われるために、パターン３２０が断線しているにもかかわらず、図１９に示すような断線していないパターン３２５が検出されてしまう。図１９に示すパターン３２５のエッジの一部は変形しているものの、エッジは連続的に延びているために、パターン３２５の断線を検出することができない。
【０００６】
そこで、本発明は、パターンの欠陥を高精度に検出することができる方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様では、ウェーハに形成されたパターンの欠陥を検出する方法であって、ウェーハ上のパターンの画像を生成し、前記画像上のパターンに対応する設計データ上のパターンのエッジに沿って複数のサンプリング領域を設定し、前記複数のサンプリング領域のそれぞれの画素の輝度値を取得し、前記複数のサンプリング領域のそれぞれにおける前記画素の輝度値の特徴量を算出し、予め設定された標準範囲から外れた特徴量を持つサンプリング領域を決定する方法が提供される。
【０００８】
一態様では、前記設計データ上のパターンは、コーナーラウンド処理が行われたパターンである。
一態様では、前記複数のサンプリング領域は、前記エッジから同じ距離にある。
一態様では、前記複数のサンプリング領域のそれぞれの中心は、前記エッジ上に配列された複数の基準点から延びる前記エッジの法線上にある。
一態様では、前記複数の基準点は前記エッジ上に等間隔に配列されている。
一態様では、前記方法は、前記決定されたサンプリング領域を欠陥領域として表示装置上に表示する工程をさらに含む。
【発明の効果】
【０００９】
サンプリング領域内の画素の特徴量は、画像上のパターンのエッジの位置に依存して変わる。例えば、エッジが外側に突出している箇所での特徴量は大きく、一方でエッジが内側に窪んでいる、あるいはエッジが途切れている箇所での特徴量は小さい。よって、特徴量に基づいて、画像上のパターンのエッジの位置、すなわち、画像上のパターンの欠陥を検出することができる。
【００１０】
サンプリング領域は、設計データ上のパターンに基づいて設定される。したがって、画像上のパターンのエッジ検出が正しく行われない場合であっても、サンプリング領域内の画素の輝度値の特徴量に基づいて、パターンエッジの欠陥を正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】走査電子顕微鏡を備えたパターン検査装置の一実施形態を示す模式図である。
【図２】ウェーハ上に形成されたパターンの欠陥を検出するためのフローチャートである。
【図３】設計データ上のパターンを示す図である。
【図４】走査電子顕微鏡によって生成された画像上のパターンの一例を示す図である。
【図５】コーナーラウンド処理が施された設計データ上のパターンを示す図である。
【図６】設計データ上のパターンを画像上のパターンに重ね合わせた図である。
【図７】設計データ上のパターンのエッジ上に等間隔に配置された複数の基準点を示す図である。
【図８】設計データ上のパターンのエッジに沿って配置された複数のサンプリング領域を示す図である。
【図９】サンプリング領域ごとの輝度値の特徴量を示すグラフである。
【図１０】図１０(ａ)は、パターンのエッジの一部が突出している例を示す模式図であり、図１０（ｂ）は、図１０(ａ)に示すサンプリング領域内の輝度値の特徴量を示すグラフである。
【図１１】図１１(ａ)は、パターンのエッジの一部が欠落している例を示す模式図であり、図１１（ｂ）は、図１１(ａ)に示すサンプリング領域内の輝度値の特徴量を示すグラフである。
【図１２】コーナーラウンド処理が適用された設計データ上のパターンのエッジに沿って配列されたサンプリング領域の一例を示す模式図である。
【図１３】コーナーラウンド処理が適用された設計データ上のパターンのエッジに沿って配列されたサンプリング領域の一例を示す模式図である。
【図１４】コンピュータの構成を示す模式図である。
【図１５】２つのパターンが接続されたブリッジ欠陥を示す図である。
【図１６】パターンが断線しているオープン欠陥を示す図である。
【図１７】設計データを用いたパターンエッジ検出の一例を示す図である。
【図１８】断線しているパターンの一例を示す図である。
【図１９】図１８に示すパターンのエッジを設計データを用いて検出した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、走査電子顕微鏡を備えたパターン検査装置の一実施形態を示す模式図である。図１に示すように、パターン検査装置は、走査電子顕微鏡１００と、走査電子顕微鏡１００の動作を制御するコンピュータ１５０とを備えている。走査電子顕微鏡１００は、一次電子（荷電粒子）からなる電子ビームを発する電子銃１１１と、電子銃１１１から放出された電子ビームを集束する集束レンズ１１２、電子ビームをＸ方向に偏向するＸ偏向器１１３、電子ビームをＹ方向に偏向するＹ偏向器１１４、電子ビームを試料であるウェーハ１２４にフォーカスさせる対物レンズ１１５を有する。
【００１３】
集束レンズ１１２および対物レンズ１１５はレンズ制御装置１１６に接続され、集束レンズ１１２および対物レンズ１１５の動作はレンズ制御装置１１６によって制御される。このレンズ制御装置１１６はコンピュータ１５０に接続されている。Ｘ偏向器１１３、Ｙ偏向器１１４は、偏向制御装置１１７に接続されており、Ｘ偏向器１１３、Ｙ偏向器１１４の偏向動作は偏向制御装置１１７によって制御される。この偏向制御装置１１７も同様にコンピュータ１５０に接続されている。二次電子検出器１３０と反射電子検出器１３１は画像取得装置１１８に接続されている。画像取得装置１１８は二次電子検出器１３０と反射電子検出器１３１の出力信号を画像に変換するように構成される。この画像取得装置１１８も同様にコンピュータ１５０に接続されている。
【００１４】
試料チャンバー１２０内に配置される試料ステージ１２１は、ステージ制御装置１２２に接続されており、試料ステージ１２１の位置はステージ制御装置１２２によって制御される。このステージ制御装置１２２はコンピュータ１５０に接続されている。
【００１５】
ウェーハ１２４を、試料チャンバー１２０内の試料ステージ１２１に載置するためのウェーハ搬送装置１４０も同様にコンピュータ１５０に接続されている。コンピュータ１５０は、データベース１６１が格納された記憶装置１６２、およびキーボード、マウス等の入力装置１６３、画像やグラフィカルユーザーインターフェイス（ＧＵＩ）を表示する画面を備えた表示装置１６４を備えている。
【００１６】
電子銃１１１から放出された電子ビームは集束レンズ１１２で集束された後に、Ｘ偏向器１１３、Ｙ偏向器１１４で偏向されつつ対物レンズ１１５により集束されてウェーハ１２４の表面に照射される。ウェーハ１２４に電子ビームの一次電子が照射されると、ウェーハ１２４からは二次電子および反射電子が放出される。二次電子は二次電子検出器１３０により検出され、反射電子は反射電子検出器１３１により検出される。検出された二次電子の信号、および反射電子の信号は、画像取得装置１１８に入力され画像データに変換される。画像データはコンピュータ１５０に送信され、ウェーハ１２４の画像はコンピュータ１５０の表示装置１６４上に表示される。
【００１７】
ウェーハ１２４の設計データ（パターンの寸法、パターンの位置などの設計情報などを含む）は、記憶装置１６２に予め記憶されている。記憶装置１６２には、データベース１６１が構築されている。ウェーハ１２４の設計データは、データベース１６１内に予め格納される。コンピュータ１５０は、記憶装置１６２に格納されているデータベース１６１からウェーハ１２４の設計データを読み込むことが可能である。
【００１８】
次に、ウェーハ１２４上に形成されたパターンの欠陥を検出する方法について図２に示すフローチャートを参照しながら説明する。
【００１９】
ステップ１では、コンピュータ１５０は、パターンの設計データ（ＣＡＤデータ）を記憶装置１６２から読み込む。図３は、設計データ上のパターンを示す図であり、符号２００で示されている。図３に示す例では、パターン２００は直線状に延びるパターンであるが、本発明はこの例に限らない。例えば、設計データ上のパターン２００はＬ字型のパターンであってもよいし、あるいはホールパターンであってもよい。
【００２０】
ステップ２では、走査電子顕微鏡１００は、設計データ上の上記パターン２００に対応するウェーハ１２４上のパターンの画像を生成する。図４は、走査電子顕微鏡１００によって生成された画像上のパターンの一例を示しており、符号２０１で示されている。
【００２１】
ステップ３では、コンピュータ１５０は、設計データ上のパターン２００にコーナーラウンド処理を実施して、設計データ上のパターン２００のコーナー部を円弧で置換する。図５は、コーナーラウンド処理が施された設計データ上のパターン２００を示す。円弧２００ａの半径はユーザーによって設定可能である。円弧２００ａは、ベジェ曲線から構成されてもよいし、あるいは他の曲線であってもよい。一実施形態では、設計データ上のパターン２００のコーナーラウンド処理を省略してもよい。
【００２２】
ステップ４では、図６に示すように、コンピュータ１５０は、設計データ上のパターン２００を画像上のパターン２０１に重ね合わせる。
ステップ５では、コンピュータ１５０は、設計データ上のパターン２００を用いて画像上のパターン２０１のエッジを検出する。設計データを用いたエッジ検出は、公知の方法を用いて行われる。一例では、コンピュータ１５０は、設計データ上のパターン２００のエッジ上に輝度プロファイル原点を等間隔に配置し、輝度プロファイル原点からエッジに対して垂直な方向に輝度値の変化点を探索する。そして、コンピュータ１５０は、輝度値の変化点を結ぶことで、画像上のエッジを形成する。このようにして形成されたエッジは、画像上で検出されたエッジである。
【００２３】
ステップ６では、図７に示すように、コンピュータ１５０は、設計データ上のパターン２００のエッジ２００ｂ上に並ぶ複数の基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎ（Ｎは２以上の自然数）を設定する。図７の符号２０１ａは、画像に現れているパターン２０１のエッジを示している。複数の基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎは等間隔に配列される。基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎの間隔は、ユーザーによって設定可能である。
【００２４】
ステップ７では、図８に示すように、コンピュータ１５０は、設計データ上のパターン２００のエッジ２００ｂに沿って複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎ（Ｎは２以上の自然数）を設定する。複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎは、エッジ２００ｂの外側に位置しており、複数の基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎにそれぞれ対応している。より具体的には、各サンプリング領域の中心は、対応する各基準点から延びるエッジ２００ｂの法線上に位置している。
【００２５】
複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎは、エッジ２００ｂから同じ距離に位置している。すなわち、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎと、対応する複数の基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎとの距離は、同じである。複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎと、対応する複数の基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎとの距離は、ユーザーによって設定可能である。さらに、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎの面積は互いに同じであり、かつ複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎの形状も互いに同じである。サンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎは、矩形状であるが、他の形状であってもよい。
【００２６】
ステップ８では、コンピュータ１５０は、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎのそれぞれの画素の輝度値を取得する。より具体的には、コンピュータ１５０は、各サンプリング領域内にあるすべての画素の輝度値を取得する。
ステップ９では、コンピュータ１５０は、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎのそれぞれにおける画素の輝度値の特徴量を算出する。輝度値の特徴量は、各サンプリング領域の全体の輝度指標値である。本実施形態での輝度値の特徴量は、各サンプリング領域内の画素の輝度値の平均である。ただし、各サンプリング領域の全体の輝度を示す数値であれば、輝度値の特徴量は特に限定されない。一実施形態では、輝度値の特徴量は、各サンプリング領域内の画素の輝度値の中央値であってもよい。
【００２７】
通常、画像に現れるパターン２０１は高い輝度値を有しており、パターンがない領域は低い輝度値を有している。したがって、パターン２０１のエッジ２０１ａの位置に依存して、各サンプリング領域の全体の輝度は変化する。言い換えれば、エッジ２０１ａの位置は、各サンプリング領域内の画素の輝度値の特徴量から推定することができる。
【００２８】
図９は、サンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎごとの輝度値の特徴量を示すグラフである。図９の縦軸は輝度値の特徴量を表し、横軸はサンプリング領域の位置を表している。ステップ１０では、コンピュータ１５０は、複数のサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎのそれぞれにおいて算出された輝度値の特徴量が、予め設定された標準範囲Ｒ内にあるか否かを判定する。あるサンプリング領域内の輝度値の特徴量が標準範囲Ｒ内にある場合、そのサンプリング領域内のエッジ２０１ａは正しい位置に形成されていることを示している。図９に示す例では、すべてのサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎ内において輝度値の特徴量が標準範囲Ｒ内にある。したがって、図９に示す特徴量は、対応するサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎ内のエッジ２０１ａが正しい位置に形成されていることを示している。
【００２９】
これに対し、あるサンプリング領域内の輝度値の特徴量が標準範囲Ｒ外にある場合、そのサンプリング領域内のエッジ２０１ａは正しい位置に形成されていないか、またはそのサンプリング領域内にエッジ２０１ａが形成されていないことを示している。図１０(ａ)および図１０（ｂ）に示す例では、エッジ２０１ａの一部が突出しているために、その突出した部分内に位置しているサンプリング領域ｎ＋６，ｎ＋７内の輝度値の特徴量は、標準範囲Ｒから外れている。
【００３０】
図１１(ａ)および図１１（ｂ）に示す例では、エッジ２０１ａの一部が欠落している（すなわちエッジ２０１ａの一部が開いている）ために、その欠落した部分に位置しているサンプリング領域ｎ＋６，ｎ＋７内の輝度値の特徴量は、標準範囲Ｒから外れている。
【００３１】
ステップ１１では、コンピュータ１５０は、標準範囲Ｒから外れている輝度値の特徴量を持つサンプリング領域を決定し、その決定されたサンプリング領域を欠陥領域として表示装置１６４上に表示する。ユーザーは、表示装置１６４上に表示されたサンプリング領域から、エッジの欠陥、および欠陥の場所を知ることができる。
【００３２】
本実施形態によれば、設計データ上のパターン２００に基づいてサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎが設定される。したがって、画像上のパターン２０１のエッジ２０１ａ検出が正しく行われない場合であっても、サンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎ内の画素の輝度値の特徴量に基づいて、パターンエッジ２０１ａの欠陥を正確に検出することができる。
【００３３】
パターン２０１の画像は、同じ形状および同じ面積を持つサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎによって切り取られるので、輝度値の特徴量を同じ条件下で標準範囲Ｒと比較することができる。結果として、コンピュータ１５０は、輝度値の特徴量に基づいて、精度良くパターン２０１の欠陥を検出することができる。さらに、単純な輝度値の特徴量を用いた本実施形態は、欠陥検出処理のための計算量を低減することができ、実時間処理を実現することができる。
【００３４】
上述した実施形態では、設計データ上のパターン２００にコーナーラウンド処理が適用された後に、サンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎが設定される。図１２は、コーナーラウンド処理が適用されたパターン２００のエッジ２００ｂに沿って配列されたサンプリング領域ｎ＋１〜ｎ＋Ｎの一例を示す模式図である。先に述べた実施形態と同様に、基準点Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎは、曲線状のコーナー部を含むエッジ２００ｂ上に等間隔に配列され、サンプリング領域の中心は対応する基準点から延びる法線上に位置している。曲線状のコーナー部に沿った複数のサンプリング領域は、エッジ２００ｂの角度に従って少しずつ回転する。各サンプリング領域内の輝度値の特徴量をより正確に算出するために、コンピュータ１５０は、画素と画素の間の点の輝度値（すなわちサブピクセルの輝度値）を、線形補間によって算出してもよい。
【００３５】
図１３は、コーナーラウンド処理が適用されたパターン２００の内側に向かって湾曲したエッジ２００ｂに沿って配列された複数のサンプリング領域の一例を示す模式図である。この例では、内側に湾曲したコーナー部の外側に配置されたサンプリング領域ｎ＋４，ｎ＋５は重なり合っている。この実施形態でも、コンピュータ１５０は、輝度値の特徴量を、それぞれのサンプリング領域ごとに算出し、輝度値の特徴量が標準範囲内にあるか否かを判定する。重なり合った複数のサンプリング領域ｎ＋４，ｎ＋５のうちのいずれか１つは削除（あるいは省略）してもよい。
【００３６】
図１４は、コンピュータの構成を示す模式図である。コンピュータは、プログラムやデータなどが格納される記憶装置１６２と、記憶装置１６２に格納されているプログラムに従って演算を行うＣＰＵ（中央処理装置）またはＧＰＵ（グラフィックプロセッシングユニット）などの処理装置１１２０と、データ、プログラム、および各種情報を記憶装置１６２に入力するための入力装置１６３と、処理結果や処理されたデータを出力するための出力装置１１４０と、インターネットなどのネットワークに接続するための通信装置１１５０を備えている。
【００３７】
記憶装置１６２は、処理装置１１２０がアクセス可能な主記憶装置１１１１と、データおよびプログラムを格納する補助記憶装置１１１２を備えている。主記憶装置１１１１は、例えばランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）であり、補助記憶装置１１１２は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）またはソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）などのストレージ装置である。
【００３８】
入力装置１６３は、キーボード、マウスを備えており、さらに、記録媒体からデータを読み出すための記録媒体読み出し装置１１３２と、記録媒体が接続可能な記録媒体ポート１１３４を備えている。記録媒体は、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体であり、例えば、光ディスク（例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ）や、半導体メモリー（例えば、ＵＳＢフラッシュドライブ、メモリーカード）である。記録媒体読み出し装置１１３２の例としては、ＣＤドライブ、ＤＶＤドライブなどの光学ドライブや、カードリーダーが挙げられる。記録媒体ポート１１３４の例としては、ＵＳＢポートが挙げられる。記録媒体に記憶されているプログラムおよび／またはデータは、入力装置１６３を介してコンピュータに導入され、記憶装置１６２の補助記憶装置１１１２に格納される。出力装置１１４０は、表示装置１６４、印刷装置１１４２を備えている。
【００３９】
コンピュータは、記憶装置１６２に電気的に格納されたプログラムに従って動作する。すなわち、コンピュータは、ウェーハ上のパターンの画像を走査電子顕微鏡１００から取得するステップと、画像上のパターンに対応する設計データ上のパターンのエッジに沿って複数のサンプリング領域を設定するステップと、複数のサンプリング領域のそれぞれの画素の輝度値を取得するステップと、複数のサンプリング領域のそれぞれにおける前記画素の輝度値の特徴量を算出するステップと、予め設定された標準範囲から外れた特徴量を持つサンプリング領域を決定するステップを実行する。
【００４０】
これらステップをコンピュータに実行させるためのプログラムは、非一時的な有形物であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され、記録媒体を介してコンピュータに提供される。または、プログラムは、インターネットなどの通信ネットワークを介してコンピュータに提供されてもよい。
【００４１】
上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうる。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲に解釈されるものである。
【符号の説明】
【００４２】
１００      走査電子顕微鏡
１１１      電子銃
１１２      集束レンズ
１１３      Ｘ偏向器
１１４      Ｙ偏向器
１１５      対物レンズ
１１６      レンズ制御装置
１１７      偏向制御装置
１１８      画像取得装置
１２０      試料チャンバー
１２１      試料ステージ
１２２      ステージ制御装置
１２４      ウェーハ
１３０      二次電子検出器
１３１      反射電子検出器
１４０      ウェーハ搬送装置
１５０      コンピュータ
１６１      データベース
１６２      記憶装置
１６３      入力装置
１６４      表示装置
２００      設計データ上のパターン
２０１      画像上のパターン
Ｌ＋１〜Ｌ＋Ｎ      基準点
ｎ＋１〜ｎ＋Ｎ      サンプリング領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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