(57)【要約】【課題】熱伝導率のスイッチングが可能な伝熱制御装置を提供する。【解決手段】伝熱制御装置１０は、第１基部２０と、第１基部２０と対向する第２基部３０と、第１基部２０から第２基部３０に向かう長手方向に延在し、長手方向に直交する寸法が１００ｎｍ以下である一以上の金属ナノワイヤ１２と、一以上の金属ナノワイヤ１２の表面と接触するイオン液体１４と、一以上の金属ナノワイヤ１２から離れてイオン液体１４と接触する基準電極１６と、一以上の金属ナノワイヤ１２と基準電極１６の間に制御電圧を印加する電源４０と、を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基部と、前記第１基部と対向する第２基部と、
前記第１基部から前記第２基部に向かう長手方向に延在し、前記長手方向に直交する寸法が１００ｎｍ以下である一以上の金属ナノワイヤと、
前記一以上の金属ナノワイヤの表面と接触するイオン液体と、
前記一以上の金属ナノワイヤから離れて前記イオン液体と接触する基準電極と、
前記一以上の金属ナノワイヤと前記基準電極の間に制御電圧を印加する電源と、を備える伝熱制御装置。
【請求項２】
前記基準電極の電位に対して正の制御電圧を前記一以上の金属ナノワイヤに印加し、前記第１基部と前記第２基部の間の熱伝導率を低下させることを特徴とする請求項１に記載の伝熱制御装置。
【請求項３】
前記基準電極の電位に対して負の制御電圧を前記一以上の金属ナノワイヤに印加し、前記第１基部と前記第２基部の間の熱伝導率を増加させることを特徴とする請求項１または２に記載の伝熱制御装置。
【請求項４】
前記基準電極の電位に対して正の制御電圧を前記一以上の金属ナノワイヤに印加することにより前記第１基部と前記第２基部の間を低熱伝導状態とし、前記基準電極の電位に対して負の制御電圧を前記一以上の金属ナノワイヤに印加することにより前記第１基部と前記第２基部の間を高熱伝導状態とすることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の伝熱制御装置。
【請求項５】
前記一以上の金属ナノワイヤは、複数の金属ナノワイヤを含み、
前記基準電極の少なくとも一部は、前記複数の金属ナノワイヤの間に配置されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の伝熱制御装置。
【請求項６】
前記第１基部および前記第２基部の少なくとも一方は、前記一以上の金属ナノワイヤの端部と電気的に接続される導電部と、前記導電部を前記イオン液体から電気的に絶縁する絶縁部と、を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の伝熱制御装置。
【請求項７】
前記基準電極が前記イオン液体と接触する面積は、前記一以上の金属ナノワイヤが前記イオン液体と接触する面積より大きいことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の伝熱制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、熱伝導率を可変とする伝熱制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車等に搭載されるエンジンには、一般に動作に適した温度がある。例えば、エンジンの始動時には適温となるまで暖機運転がなされ、適温に達した後には適温が維持されるように冷却がなされる。暖機時にはエンジンを断熱状態または低伝熱状態として温度上昇を促進する一方で、冷却時にはエンジンを伝熱状態または高伝熱状態として冷却を促進することができれば望ましい。熱伝導率を可変にする装置として、例えば、半導体のショットキー障壁の高さをスイッチングする方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−３７９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
熱伝導をより好適にスイッチングできることが好ましい。
【０００５】
本開示はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その例示的な目的の一つは、熱伝導率のスイッチングが可能な伝熱制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示のある態様の伝熱制御装置は、第１基部と、第１基部と対向する第２基部と、第１基部から第２基部に向かう長手方向に延在し、長手方向に直交する寸法が１００ｎｍ以下である一以上の金属ナノワイヤと、一以上の金属ナノワイヤの表面と接触するイオン液体と、一以上の金属ナノワイヤから離れてイオン液体と接触する基準電極と、一以上の金属ナノワイヤと基準電極の間に制御電圧を印加する電源と、を備える。
【０００７】
なお、以上の構成要素の任意の組み合わせや、本開示の構成要素や表現を方法、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本開示の態様として有効である。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、熱伝導率のスイッチングが可能な伝熱制御装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】金ナノワイヤの電子状態密度を示すグラフである。
【図２】低伝熱状態の金属ナノワイヤを模式的に示す図である。
【図３】高伝熱状態の金属ナノワイヤを模式的に示す図である。
【図４】金ナノワイヤの直径と熱伝導率の変化量の関係を示すグラフである。
【図５】実施の形態に係る伝熱制御装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図６】図５の伝熱制御装置の構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本開示を実施するための形態について詳細に説明する。なお、説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
【００１１】
本開示は、熱伝導率を動的にスイッチング可能な伝熱制御装置に関する。本開示では、金属ナノワイヤの電子状態密度を電気的に変化させることにより熱伝導率を変化させる。一般に金属の熱伝導率κは、ウィーデマン・フランツ（Wiedemann?Franz）則により、電気伝導率σに応じて変化し、κ／σ＝ＬＴの関係が成り立つことが知られている。ここで、Ｔは温度であり、Ｌはローレンツ数と呼ばれる比例定数である。金属の電気伝導率σは、金属内のキャリア密度ｎに比例し、σ＝ｑｎμの関係が成り立つ。ここで、ｑはキャリア（電子）の電荷量であり、μはキャリア（電子）の移動度である。したがって、金属ナノワイヤ中の電子密度ｎを制御できれば、金属ナノワイヤの電気伝導度σを変化させ、その結果、金属ナノワイヤの熱伝導率κを変化させることができる。
【００１２】
図１は、金ナノワイヤの電子状態密度を示すグラフである。本グラフは、ナノワイヤの幅が単一の金（Ａｕ）原子である場合の電子状態密度を示し、フェルミ準位Ｅｆを基準としている。ナノワイヤとして構成されるため、バルクの場合と比べて電子状態密度が局在化しており、エネルギーの値に応じて電子の存在確率が大きく異なる。例えば、電子状態密度が最大となるＥ１＝−１ｅＶの状態密度を１とすると、フェルミ準位Ｅｆ＝０ｅＶでは状態密度が約０．２９であり、Ｅ２＝＋１ｅＶでは状態密度が約０．０２である。したがって、電子状態密度を±１ｅＶの範囲で制御できれば、電子密度を約５０倍変化させることができる余地があると言える。つまり、金ナノワイヤの熱伝導率κについても約５０倍変化させることができると考えられる。
【００１３】
本開示では、金属ナノワイヤの電子状態密度を変化させる方法として、イオン液体を用いる。ここで、「イオン液体」とは、実質的に陽イオンおよび陰イオンのみで構成される液体のことである。イオン液体は、特に１５０℃以下または１００℃以下の温度で液体となるものを称することがあり、低融点溶融塩とも呼ばれる。金属ナノワイヤの表面にイオン液体を接触させ、イオン液体に対する金属ナノワイヤの電位を変化させることで、金属ナノワイヤの表面近傍の電子状態密度を変化させることができる。
【００１４】
図２は、低伝熱状態の金属ナノワイヤ１２を模式的に示す図であり、金属ナノワイヤ１２の電子密度を低下させた状態を示す。本図は、金属ナノワイヤ１２の長手方向に直交する断面を示している。金属ナノワイヤ１２は、イオン液体１４に浸されており、金属ナノワイヤ１２の表面１２ｃの周囲はイオン液体１４と直接接触している。イオン液体１４中には基準電極１６が設けられる。基準電極１６は、金属ナノワイヤ１２から離間している。金属ナノワイヤ１２と基準電極１６の間には電源４０が接続されている。
【００１５】
低伝熱状態では、基準電極１６の電位を基準として正の制御電圧が金属ナノワイヤ１２に印加される。制御電圧の電圧値は例えば＋１Ｖ〜＋３Ｖ程度である。金属ナノワイヤ１２に正電圧を印加すると、金属ナノワイヤ１２の表面１２ｃは、イオン液体１４に含まれる陰イオン４６により囲われる。逆に、基準電極１６はイオン液体１４に含まれる陽イオン４８により囲われる。このとき、金属ナノワイヤ１２の表面１２ｃの近傍の外側領域１２ｄに空間電荷層が形成され、表面１２ｃの近傍の外側領域１２ｄの電子密度ｎが低下する。その結果、金属ナノワイヤ１２の外側領域１２ｄの熱伝導率κは、電子密度ｎの低減量に応じて低下する。
【００１６】
なお、電子密度が低下しうる範囲（表面１２ｃからの距離ａ）は、１ｎｍ程度である。金属ナノワイヤ１２は金属であるため、半導体と比べて電子密度が高く、静電遮蔽効果が高いためである。したがって、表面１２ｃから１ｎｍ程度の範囲の外側領域１２ｄにおいてのみ電子密度が低下する。一方、外側領域１２ｄより内部の内側領域１２ｅでは電子密度の変化は実質的に生じない。したがって、内側領域１２ｅでは熱伝導率の変化は実質的に生じない。
【００１７】
図３は、高伝熱状態の金属ナノワイヤ１２を模式的に示す図であり、金属ナノワイヤ１２の電子密度を増加させた状態を示す。図３は、電源４０が印加する制御電圧の符号（正負）が逆である点で図２と相違する。つまり、高伝熱状態では、基準電極１６の電位を基準として負の制御電圧が金属ナノワイヤ１２に印加される。制御電圧の電圧値は例えば−１Ｖ〜−３Ｖ程度である。金属ナノワイヤ１２に負電圧を印加すると、金属ナノワイヤ１２の表面１２ｃがイオン液体１４に含まれる陽イオン４８により囲われる。その結果、金属ナノワイヤ１２の外側領域１２ｄに空間電荷層が形成され、外側領域１２ｄの電子密度ｎが上昇する。したがって、金属ナノワイヤ１２の外側領域１２ｄの熱伝導率κは、電子密度ｎの増加量に応じて上昇する。
【００１８】
このようにして、金属ナノワイヤ１２に印加する制御電圧の符号を変化させることにより、金属ナノワイヤ１２の電子密度を変化させ、金属ナノワイヤ１２の熱伝導率κを可変にできる。また、イオン液体１４を用いることで、金属ナノワイヤ１２の表面１２ｃにおける空間電荷層の電荷密度を大きくすることができ、金属ナノワイヤ１２の外側領域１２ｄのフェルミ準位を±１ｅＶ程度の範囲で変化させることができる。イオン液体１４の物質の種類によっては、±１ｅＶを超える範囲でフェルミ準位を変化させることも可能である。
【００１９】
なお、電子密度ｎの変調範囲は表面１２ｃから１ｎｍ程度の距離ａまでのため、金属ナノワイヤ１２の直径Ｄの大きさに応じて電子密度ｎが変調可能となる体積割合が異なる。例えば、金属ナノワイヤ１２の直径Ｄが２ｎｍ以下であれば、金属ナノワイヤ１２の１００％の体積について電子密度ｎの変調が可能となる。一方、金属ナノワイヤ１２の直径Ｄが３ｎｍ程度であれば全体の９０％程度が変調可能となり、直径Ｄが４ｎｍ程度であれば全体の７５％程度が変調可能となる。このように、金属ナノワイヤ１２の外形寸法（例えば直径Ｄ）が大きくなるほど、電子密度ｎを制御できる体積割合が低下し、熱伝導率κの変化率が減少しうる。
【００２０】
図４は、金ナノワイヤの直径と熱伝導率の変化量の関係を示すグラフである。本図は、金属ナノワイヤ１２の材料を金（Ａｕ）とし、金属ナノワイヤ１２に電圧を印加していない状態の熱伝導率を１としている。図示されるように、金属ナノワイヤ１２の直径Ｄが小さくなるほど低伝熱状態および高伝熱状態の熱伝導率κの変化量が大きくなることが分かる。例えば、直径Ｄ＝２ｎｍの場合、高伝熱状態の熱伝導率κＨと低伝熱状態の熱伝導率κＬの比率ｒ＝κＨ／κＬを５０程度とすることができる。また、直径Ｄ＝２０ｎｍ程度であっても、熱伝導率の比率ｒを２程度とすることできる。また、直径Ｄ＝１００ｎｍ程度であっても、有意に高伝熱状態と低伝熱状態の熱伝導率を変化させることができることが分かる。したがって、直径Ｄが１００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以下の金属ナノワイヤ１２を用いることで、金属ナノワイヤ１２の熱伝導率を動的に変化させることができる。
【００２１】
図５および図６は、実施の形態に係る伝熱制御装置１０の構成を概略的に示す断面図である。図６は、図５のＡ−Ａ線断面を示す。伝熱制御装置１０は、複数の金属ナノワイヤ１２と、イオン液体１４と、基準電極１６と、スペーサ１８と、第１基部２０と、第２基部３０と、電源４０とを備える。伝熱制御装置１０は、第１基部２０と第２基部３０の間の熱伝導率κをスイッチングして第１基部２０と第２基部３０の間の伝熱を制御する。
【００２２】
図面において、第１基部２０および第２基部３０が対向する方向をｚ方向とし、ｚ方向に直交する二方向をｘ方向およびｙ方向としている。
【００２３】
複数の金属ナノワイヤ１２は、第１基部２０から第２基部３０に向かってｚ方向に延在する。複数の金属ナノワイヤ１２は、金属ナノワイヤ１２の長手方向（ｚ方向）から見た平面視（図６の断面視）において、二次元アレイ状に並べられている。複数の金属ナノワイヤ１２は互いに間隔を空けて配置されている。図示する例では、複数の金属ナノワイヤ１２が円柱状であり、長手方向（ｚ方向）に直交する断面が均一な円形であり、等間隔に規則的に配置される場合を模式的に示している。しかしながら、複数の金属ナノワイヤ１２は、厳密に直線的に延びていなくてもよいし、断面が円形状でなくてもよいし、断面の寸法にばらつきがあってもよいし、ｘ方向およびｙ方向に不均一に並んでいてもよい。
【００２４】
金属ナノワイヤ１２は、長手方向（ｚ方向）に直交する断面での外形寸法が１００ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることが好ましい。金属ナノワイヤ１２の材料は金属であれば特に問わないが、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、または、これらの合金などを用いることができる。金属ナノワイヤ１２は、例えば、直径Ｄが１００ｎｍ以下または２０ｎｍ以下の円柱状の多数の穴が形成される金型を用いて形成することができる。一例を挙げれば、アルミニウムの陽極酸化により形成される多孔質構造を金型として用いることができる。
【００２５】
第１基部２０および第２基部３０は、複数の金属ナノワイヤ１２を固定するための部材である。第１基部２０および第２基部３０は、ｚ方向に間隔を空けて対向している。第１基部２０および第２基部３０は、容易に変形しないように堅固に構成されてもよいし、湾曲可能となるようにフレキシブルに構成されてもよい。
【００２６】
第１基部２０は、第１基板２２と、第１導電部２４と、第１絶縁部２６とを有する。第１基板２２は、例えば、熱伝導の制御対象に接触する。第１基板２２は、金属や樹脂などの任意の材料で構成される。第１導電部２４は、金属ナノワイヤ１２の第１端部１２ａに電気的かつ機械的に接続される部分である。第１導電部２４は、金属ナノワイヤ１２と同じ材料または異なる種類の金属材料で構成される。第１絶縁部２６は、第１導電部２４の表面を被覆し、イオン液体１４から第１導電部２４を電気的に絶縁する。第１絶縁部２６は、樹脂やセラミックなどの絶縁材料で構成される。
【００２７】
第２基部３０は、第１基部２０と同様に構成されることができ、第２基板３２と、第２導電部３４と、第２絶縁部３６とを有する。第２基板３２は、例えば、第１基板２２に接触する熱伝導の制御対象を加熱または冷却するための温度調整機構に接触する。第２基板３２は、第１基板２２と同様、金属や樹脂などの任意の材料で構成される。第２導電部３４は、金属ナノワイヤ１２の第２端部１２ｂに電気的かつ機械的に接続される部分である。第２導電部３４は、第１導電部２４と同様、金属ナノワイヤ１２と同じ金属材料または異なる種類の金属材料で構成される。第２絶縁部３６は、第１絶縁部２６と同様、第２導電部３４の表面を被覆し、イオン液体１４から第２導電部３４を電気的に絶縁する。第２絶縁部３６は、樹脂やセラミックなどの絶縁材料で構成される。
【００２８】
第１基部２０と第２基部３０の間にはスペーサ１８が設けられる。スペーサ１８は、第１基部２０および第２基部３０の外周に対応する位置に設けられ、第１基部２０と第２基部３０の間に配置されるイオン液体１４を収容する容器として機能する。スペーサ１８は、断熱性の優れた材料で構成されることが望ましく、例えば、樹脂などで構成される。
【００２９】
基準電極１６は、第１基部２０から第２基部３０に向けてｚ方向に延在する。基準電極１６は、複数の金属ナノワイヤ１２から離れて設けられる。基準電極１６は、複数の金属ナノワイヤ１２の間の位置に挿入されるように配置される。基準電極１６は、第１導電部２４および第２導電部３４から電気的に絶縁されており、図示されるように第１絶縁部２６および第２絶縁部３６の間に固定される。基準電極１６は、第１基部２０および第２基部３０から熱的にも絶縁されるように固定されることが好ましい。
【００３０】
図示する例において、基準電極１６は板状である。基準電極１６の一部は、スペーサ１８の内面に沿ってｘ方向またはｙ方向に延びる。基準電極１６の別の一部は、隣接する金属ナノワイヤ１２の間でｙ方向に延びる。基準電極１６は、第１基部２０と第２基部３０の間の空間全体に分布するように配置される。これにより、複数の金属ナノワイヤ１２のそれぞれの電子密度を効果的に変調させることができる。
【００３１】
基準電極１６は、ｘ方向およびｙ方向のそれぞれに延びて格子状に配置されてもよい。基準電極１６は、板状部材でなくてもよく、柱状部材であってもよい。基準電極１６は、金属ナノワイヤ１２と同様に柱状に構成され、ｘ方向およびｙ方向に二次元アレイ状に配置されてもよい。基準電極１６は、スペーサ１８の内面に沿ってのみ設けられ、隣接する金属ナノワイヤ１２の間に設けられなくてもよい。基準電極１６は、スペーサ１８の内面に沿って設けられず、隣接する金属ナノワイヤ１２の間にのみ設けられてもよい。
【００３２】
基準電極１６は、イオン液体１４と接触する表面積が大きいことが好ましい。例えば、基準電極１６の表面積は、複数の金属ナノワイヤ１２がイオン液体１４と接触する表面積の総和よりも大きいことが好ましい。基準電極１６の表面積を大きくすることで、複数の金属ナノワイヤ１２のそれぞれの電子密度を効果的に変調させることができる。
【００３３】
イオン液体１４は、第１基部２０および第２基部３０の間に設けられ、複数の金属ナノワイヤ１２および基準電極１６の表面と接触する。イオン液体１４は、伝熱制御装置１０の動作温度（例えば０℃〜１００℃）で液体であることが好ましく、液体中で実質的に電流が流れない電圧範囲を示す「電位窓」が大きいことが好ましい。例えば、電位窓が±２Ｖ程度、好ましくは±３Ｖ程度以上のイオン液体１４を用いることで、金属ナノワイヤ１２の表面の電子密度を効果的に変調できる。使用可能なイオン液体１４の種類は特に限られないが、例えば、電位窓が比較的大きい「脂肪族アンモニウム系」を用いることができる。具体例を挙げれば、ＥＭＩＭ−ＴＳＦＩ（１−エチル−３−メチルイミダゾリウム・ビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド）などを用いることができる。イオン液体１４の代わりに、液体または固体の電解質、もしくは、固体の誘電体を用いることもできるが、イオン液体１４を用いることで、金属ナノワイヤ１２の表面の電子密度の変調量を１桁以上大きくできる。
【００３４】
電源４０は、第１端子４１および第２端子４２を有する。第１端子４１は、第１導電部２４および第２導電部３４に電気的に接続されている。第２端子４２は、基準電極１６に電気的に接続されている。電源４０は、基準電極１６の電位を基準として、第１導電部２４および第２導電部３４に正または負の制御電圧を印加し、金属ナノワイヤ１２に印加される電圧を制御する。電源４０は、金属ナノワイヤ１２に正の制御電圧を印加することで、金属ナノワイヤ１２の電子密度を低下させ、金属ナノワイヤ１２の熱伝導率を低下させ、金属ナノワイヤ１２を低伝熱状態にする。電源４０は、金属ナノワイヤ１２の負の制御電圧を印加することで、金属ナノワイヤ１２の電子密度を増加させ、金属ナノワイヤ１２の熱伝導率を増加させ、金属ナノワイヤ１２を高伝熱状態にする。電源４０は、金属ナノワイヤ１２に電圧を印加させず、金属ナノワイヤ１２と基準電極１６を同電位とすることで、金属ナノワイヤ１２を中伝熱状態にしてもよい。
【００３５】
本実施の形態によれば、電源４０により金属ナノワイヤ１２に印加される制御電圧を変化させることで、第１基部２０と第２基部３０の間の熱伝導率を変化させることができる。例えば、第１基部２０と接触する制御対象を外部環境から断熱する場合、金属ナノワイヤ１２に正の制御電圧を印加して金属ナノワイヤ１２を低伝熱状態にすればよい。一方、第１基部２０と接触する制御対象を冷却または加熱するために外部環境と熱的に接続する場合、金属ナノワイヤ１２に負の制御電圧を印加して金属ナノワイヤ１２を高伝熱状態にすればよい。このようにして、伝熱制御装置１０は、第１基部２０と第２基部３０の間の熱伝導率を動的にスイッチングして、伝熱を制御することができる。
【００３６】
伝熱制御装置１０は、例えば熱交換器の断熱性能および放熱性能を向上させる目的で使用できる。具体的には、熱源と熱交換器の間に伝熱制御装置１０を配置し、熱源を熱交換器から断熱する場合には上述の低伝熱状態とし、熱源を熱交換器を通じて放熱させる場合には上述の高伝熱状態とすればよい。このようにして熱源と熱交換器の間の熱伝導率を動的に変化させることで、熱源をより効率的に利用できる。熱源は、例えば自動車などに搭載されるエンジンであってもよい。
【００３７】
伝熱制御装置１０は、電子デバイスの動作を安定化させる目的で使用できる。例えば、ＣＰＵなどの電子デバイスとヒートシンクなどの冷却装置の間に伝熱制御装置１０を配置し、電子デバイスおよび冷却装置の温度に応じて伝熱制御装置１０の熱伝導率を変化させてもよい。
【００３８】
伝熱制御装置１０は、蓄熱装置などと組み合わせて用いてもよい。例えば、蓄熱装置に熱を蓄える場合には伝熱制御装置１０を低伝熱状態とし、蓄熱装置に蓄えられた熱を外部で利用する場合には伝熱制御装置１０を高伝熱状態としてもよい。このようにして、蓄熱装置からの熱の流出量が制御されるようにしてもよい。
【００３９】
以上、本開示を実施の形態にもとづいて説明した。本開示は上記実施の形態に限定されず、種々の設計変更が可能であり、様々な変形例が可能であること、またそうした変形例も本開示の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。
【００４０】
上述の実施の形態では、第１基部２０および第２基部３０の双方を基板、導電部および絶縁部の積層構造とする場合について示した。変形例においては、第１基部２０および第２基部３０の一方のみを基板、導電部および絶縁部の積層構造とし、他方は導電部を含まない構成としてもよい。この場合、電源４０は、金属ナノワイヤ１２の第１端部１２ａおよび第２端部１２ｂのいずれか一方のみに電気的に接続されてもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１０…伝熱制御装置、１２…金属ナノワイヤ、１４…イオン液体、１６…基準電極、２０…第１基部、３０…第２基部、４０…電源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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