(57)【要約】【課題】静電容量型指紋センサーの感度を向上させること。【解決手段】本発明のエポキシ樹脂組成物は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた検出電極１０３と、検出電極１０３を封止する絶縁膜１０５と、を備える静電容量型指紋センサー１００を構成する絶縁膜１０５の形成に用いるエポキシ樹脂組成物である。そして、本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、無機充填剤（Ｂ）と、を含んでいる。【選択図】図１
2020063459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、
を含むエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εr）が５以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項２に記載の封止用樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εr）が８以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．００５以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）がアルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を含むエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項５に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）が前記酸化チタンを含み、
前記酸化チタンがルチル型であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
請求項５または６に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）がシリカ粒子をさらに含むエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒の条件でのスパイラルフロー測定により測定される流動長が３０ｃｍ以上２００ｃｍ以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が１００℃以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）が、３ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）が、１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止し、かつ、請求項１乃至１１いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂組成物および静電容量型指紋センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
指紋センサーについては、様々な技術が検討されている。たとえば特許文献１では、静電容量方式によって指紋情報を検出する半導体指紋センサーについて検討されている。
特許文献１には、シリコンなどの基板上に、層間膜を介して、電極がアレイ状に配置され、その上面を絶縁膜でオーバーコートした指紋読み取りセンサーが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２３４２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板と、上記基板上に設けられた検出電極と、上記検出電極を封止する絶縁膜と、を備える静電容量型指紋センサーについて、その感度を向上させることが求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
基板と、
上記基板上に設けられた検出電極と、
上記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する上記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、
を含むエポキシ樹脂組成物が提供される。
【０００６】
また、本発明によれば、
基板と、
上記基板上に設けられた検出電極と、
上記検出電極を封止し、かつ、上記エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、静電容量型指紋センサーの感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【０００９】
【図１】本実施形態に係る静電容量型指紋センサーを模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた検出電極１０３と、検出電極１０３を封止する絶縁膜１０５と、を備えている。絶縁膜１０５は、エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されている。また、上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）と、無機充填剤（Ｂ）と、を含む。
【００１２】
本発明者は、検出電極を封止する絶縁膜を、エポキシ樹脂（Ａ）と、無機充填剤（Ｂ）とを含むエポキシ樹脂組成物の硬化物によって構成することにより、静電容量型指紋センサーの感度を向上させることができることを新たに知見し、本実施形態の構成に至った。
本実施形態によれば、検出電極１０３を封止する絶縁膜１０５は、エポキシ樹脂（Ａ）と、無機充填剤（Ｂ）と、を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物により構成される。このような硬化物は誘電特性に優れている。このため、静電容量型指紋センサー１００の感度を向上させることができる。ここで、本実施形態において、誘電特性に優れるとは、たとえば、比誘電率および誘電正接が高く、静電容量が大きいことを意味する。
【００１３】
以下、本実施形態に係るエポキシ樹脂組成物について詳細に説明する。
エポキシ樹脂組成物は、基板１０１上に設けられた検出電極１０３を封止する絶縁膜１０５を形成するために用いられる。エポキシ樹脂組成物を用いた封止成形は、とくに限定されないが、たとえばトランスファー成形法、または圧縮成形法により行うことができる。エポキシ樹脂組成物は、たとえばタブレット状または粉粒体である。エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、たとえばトランスファー成形法を用いてエポキシ樹脂組成物を成形することができる。また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、たとえば圧縮成形法を用いてエポキシ樹脂組成物を成形することができる。エポキシ樹脂組成物が粉粒体であるとは、粉末状または顆粒状のいずれかである場合を指す。
【００１４】
（エポキシ樹脂（Ａ））
エポキシ樹脂（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を用いることができ、その分子量や分子構造は特に限定されない。
本実施形態において、エポキシ樹脂（Ａ）としては、たとえばビフェニル型エポキシ樹脂；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；スチルベン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
これらのうち、耐湿信頼性と成形性のバランスを向上させる観点からは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、およびトリフェノールメタン型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことがより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂およびフェノールアラルキル型エポキシ樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがとくに好ましい。
【００１５】
エポキシ樹脂（Ａ）としては、下記式（１）で表されるエポキシ樹脂、下記式（２）で表されるエポキシ樹脂、および下記式（３）で表されるエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含有するものを用いることがとくに好ましい。
【００１６】
【化１】
2020063459.tif 000003
（式（１）中、Ａｒ１はフェニレン基またはナフチレン基を表し、Ａｒ１がナフチレン基の場合、グリシジルエーテル基はα位、β位のいずれに結合していてもよい。Ａｒ２はフェニレン基、ビフェニレン基またはナフチレン基のうちのいずれか１つの基を表す。ＲａおよびＲｂは、それぞれ独立に炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。ｇは０〜５の整数であり、ｈは０〜８の整数である。ｎ３は重合度を表し、その平均値は１〜３である）
【００１７】
【化２】
2020063459.tif 000004
（式（２）中、複数存在するＲｃは、それぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ５は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００１８】
【化３】
2020063459.tif 000005
（式（３）中、複数存在するＲｄおよびＲｅは、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜４の炭化水素基を表す。ｎ６は重合度を表し、その平均値は０〜４である）
【００１９】
本実施形態において、エポキシ樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を１００質量％としたとき、２質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、４質量％以上であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、成形時において、十分な流動性を実現し、充填性や成形性の向上を図ることができる。
一方で、エポキシ樹脂組成物中におけるエポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を１００質量％としたとき、３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがとくに好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の硬化物を絶縁膜１０５として用いる静電容量型指紋センサー１００について、耐湿信頼性や耐リフロー性を向上させることができる。
【００２０】
（無機充填剤（Ｂ））
無機充填剤（Ｂ）の構成材料としては、とくに限定されないが、たとえば酸化チタン、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、チタン酸バリウム、シリカ、アルミナ、カオリン、タルク、クレイ、マイカ、ロックウール、ウォラストナイト、ガラスパウダー、ガラスフレーク、ガラスビーズ、ガラスファイバー、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミ、カーボンブラック、グラファイト、二酸化チタン、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、硫酸マグネシウム、硫酸バリウム、セルロース、アラミド、木材、またはフェノール樹脂成形材料やエポキシ樹脂成形材料の硬化物を粉砕した粉砕粉等が挙げられ、これらのうちいずれか１種以上を使用できる。
これらの中でも、比誘電率（１ＭＨｚ）が５以上の無機充填剤であることが好ましく、得られるエポキシ樹脂組成物の硬化体の比誘電率を特に向上できる観点から、酸化チタン、アルミナ、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、チタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を用いることがより好ましく、アルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましく、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を用いることがさらに好ましく、樹脂の酸化劣化を抑制する観点から、ルチル型の酸化チタンを用いることがとくに好ましい。
【００２１】
本実施形態において、エポキシ樹脂組成物中における無機充填剤（Ｂ）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を１００質量％としたとき、エポキシ樹脂組成物全体に対して５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが特に好ましい。無機充填剤（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー１００の感度をより一層向上させることができる。
一方で、エポキシ樹脂組成物中における無機充填剤（Ｂ）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体を１００質量％としたとき、９７質量％以下であることが好ましく、９５質量％以下であることがより好ましい。無機充填剤（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の成形時における流動性や充填性をより効果的に向上させることが可能となる。
【００２２】
無機充填剤（Ｂ）の平均粒径Ｄ５０は、０．０１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径Ｄ５０を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径Ｄ５０を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。また、指紋センサーの感度を向上させるために、基板１０１（例えば、シリコンチップ）上の絶縁膜１０５の厚みＤを５０μｍ以下のような薄いものにした場合、エポキシ樹脂組成物の未充填不良を抑制するために、無機充填剤（Ｂ）の平均粒径Ｄ５０は１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。なお、平均粒径Ｄ５０は、市販のレーザー式粒度分布計（たとえば、（株）島津製作所製、ＳＡＬＤ−７０００）を用いて、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒径Ｄ５０とすることができる。
【００２３】
酸化チタンは、当業者にて公知のものを用いることができる。
無機充填剤（Ｂ）中における酸化チタンの含有量は、とくに限定されないが、たとえば無機充填剤（Ｂ）全体に対して、１質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、２質量％以上８０質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上５０質量％以下であることがとくに好ましい。
酸化チタンの含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー１００の感度をより一層向上させることができる。また、酸化チタンの含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。
酸化チタンの平均粒径Ｄ５０は、０．０１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１５μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径Ｄ５０を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径Ｄ５０を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。また、指紋センサーの感度を向上させるために、基板１０１（例えば、シリコンチップ）上の絶縁膜１０５の厚みＤを５０μｍ以下のような薄いものにした場合、エポキシ樹脂組成物の未充填不良を抑制するために、酸化チタンの平均粒径Ｄ５０は１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。
【００２４】
チタン酸バリウムは、当業者にて公知のものを用いることができる。
無機充填剤（Ｂ）中におけるチタン酸バリウムの含有量は、とくに限定されないが、たとえば無機充填剤（Ｂ）全体に対して、１０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、２５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以上７５質量％以下であることがとくに好ましい。
チタン酸バリウムの含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー１００の感度をより一層向上させることができる。また、チタン酸バリウムの含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。
チタン酸バリウムの平均粒径Ｄ５０は、０．０１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１５μｍ以下であることがより好ましい。平均粒径Ｄ５０を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性をより効果的に向上させることが可能となる。また、平均粒径Ｄ５０を上記上限値以下とすることにより、ゲート詰まり等が生じることを確実に抑制できる。また、指紋センサーの感度を向上させるために、基板１０１（例えば、シリコンチップ）上の絶縁膜１０５の厚みＤを５０μｍ以下のような薄いものにした場合、エポキシ樹脂組成物の未充填不良を抑制するために、チタン酸バリウムの平均粒径Ｄ５０は１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。
【００２５】
また、得られる指紋センサーの感度を向上させつつ、指紋センサーの反りを抑制する観点から、無機充填剤（Ｂ）は酸化チタン、アルミナ、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、チタン酸バリウムから選択される一種または二種以上の無機充填剤と、シリカとを併用することが好ましく、アルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上の無機充填剤と、とシリカ粒子とを併用することがより好ましく、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上の無機充填剤と、とシリカ粒子とを併用することが特に好ましい。
また、本実施形態においては、無機充填剤（Ｂ）が平均粒径１μｍ以下の微粉シリカを含むことが、エポキシ樹脂組成物の充填性を向上させる観点や、指紋センサーの反りを抑制する観点から、好ましい態様の一つとして挙げられる。
【００２６】
（硬化剤（Ｃ））
エポキシ樹脂組成物は、たとえば硬化剤（Ｃ）を含むことができる。硬化剤（Ｃ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであればとくに限定されないが、たとえばエチレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン等の炭素数２〜２０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノジフェニルプロパン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、４，４'−ジアミノジシクロヘキサン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，５−ジアミノナフタレン、メタキシレンジアミン、パラキシレンジアミン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミド等のアミン類；アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテルレゾール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂；フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂、トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂；フェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂、ビフェニレン骨格含有フェノールアラルキル樹脂等のフェノールアラルキル樹脂；ナフタレン骨格やアントラセン骨格のような縮合多環構造を有するフェノール樹脂；ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物等；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２７】
エポキシ樹脂組成物中における硬化剤（Ｃ）の含有量は、とくに限定されないが、たとえば、エポキシ樹脂組成物全体を１００質量％としたとき、０．５質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、１．５質量％以上２０質量％以下であることがより好ましく、２質量％以上１５質量％以下であることがさらに好ましく、２質量％以上１０質量％以下であることがとくに好ましい。
【００２８】
（カップリング剤（Ｄ））
エポキシ樹脂組成物は、たとえばカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。カップリング剤（Ｄ）としては、たとえばエポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物等の公知のカップリング剤を用いることができる。
これらを例示すると、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、γ−アニリノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−［ビス（β−ヒドロキシエチル）］アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチル）アミノプロピルジメトキシメチルシラン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルイソプロピル）エチレンジアミン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミンの加水分解物等のシラン系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフェート）チタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート等のチタネート系カップリング剤が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２９】
エポキシ樹脂組成物中におけるカップリング剤（Ｄ）の含有量は、とくに限定されないが、たとえばエポキシ樹脂組成物全体を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上３質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以上２質量％以下であることがとくに好ましい。カップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、エポキシ樹脂組成物中における無機充填剤（Ｂ）の分散性を良好なものとすることができる。また、カップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、エポキシ樹脂組成物の流動性を良好なものとし、成形性の向上を図ることができる。
【００３０】
（その他の成分（Ｅ））
エポキシ樹脂組成物は、上記成分の他に、たとえば有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、もしくはホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有化合物、または１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７、イミダゾールなどのアミジン系化合物、ベンジルジメチルアミンなどの３級アミンや上記化合物の４級オニウム塩であるアミジニウム塩、もしくはアンモニウム塩などに代表される窒素原子含有化合物等の硬化促進剤；カーボンブラック等の着色剤；ポリブタジエン化合物、アクリロニトリルブタジエン共重合化合物、天然ワックス、合成ワックス、高級脂肪酸もしくはその金属塩類、パラフィン、酸化ポリエチレン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力剤；ハイドロタルサイト等のイオン捕捉剤；水酸化アルミニウム等の難燃剤；酸化防止剤等の各種添加剤を含むことができる。
【００３１】
エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εｒ）は、好ましくは５以上であり、より好ましくは７以上であり、特に好ましくは８以上である。比誘電率（εｒ）が上記下限値以上であることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー１００の感度をより一層向上させることができる。
エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍである。
また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、圧縮成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍである。
硬化体の比誘電率（εｒ）は、例えば、ＹＯＫＯＧＡＷＡ−ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製Ｑ−ＭＥＴＥＲ ４３４２Ａにより測定できる。
比誘電率（εｒ）の上限は特に限定されないが、例えば、３００以下である。
【００３２】
また、エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）は、好ましくは０．００５以上であり、より好ましくは０．００６以上であり、さらに好ましくは０．００７以上である。
誘電正接（ｔａｎδ）が上記下限値以上であることにより、エポキシ樹脂組成物の誘電特性をより一層向上させ、静電容量型指紋センサー１００の感度をより一層向上させることができる。
エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍである。
また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、圧縮成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍである。
硬化体の誘電正接（ｔａｎδ）は、例えば、ＹＯＫＯＧＡＷＡ−ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製Ｑ−ＭＥＴＥＲ ４３４２Ａにより測定できる。
誘電正接（ｔａｎδ）の上限は特に限定されないが、例えば、０．０７以下である。
【００３３】
上記比誘電率（εr）および上記誘電正接（ｔａｎδ）は、エポキシ樹脂組成物を構成する各成分の種類や配合割合を適切に調節することにより制御することが可能である。本実施形態においては、とくに無機充填剤（Ｂ）の種類を適切に選択することが、上記比誘電率（εr）および上記誘電正接（ｔａｎδ）を制御するための因子として挙げられる。例えば、誘電率が大きい無機充填剤を多く使用するほど、エポキシ樹脂組成物の硬化体の上記比誘電率（εr）および上記誘電正接（ｔａｎδ）を向上させることができる。
【００３４】
エポキシ樹脂組成物は、スパイラルフロー測定により測定される流動長が、たとえば３０ｃｍ以上２００ｃｍ以下であることが好ましく、４０ｃｍ以上１５０ｃｍ以下であることがより好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の成形性の向上を図ることができる。本実施形態において、エポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー測定は、たとえばトランスファー成形機を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間１２０〜１８０秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定することにより行われる。
【００３５】
本実施形態においては、エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましい。これにより、指紋センサーの耐熱性をより効果的に向上させることができる。一方で、上記ガラス転移温度の上限値は、とくに限定されないが、たとえば２５０℃とすることができる。
【００３６】
本実施形態においては、エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）が、３ｐｐｍ／℃以上であることが好ましく、６ｐｐｍ／℃以上であることがより好ましい。また、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）は、たとえば５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、３０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。ＣＴＥ１をこのように制御することによって、基板１０１（例えば、シリコンチップ）と絶縁膜１０５の線膨張係数の差に起因した指紋センサーの反りを、より確実に抑制することができる。
【００３７】
本実施形態においては、エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）が、１０ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。また、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）は、たとえば１００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。ＣＴＥ２をこのように制御することによって、とくに高温環境下において、基板１０１（例えば、シリコンチップ）と絶縁膜１０５の線膨張係数の差に起因した指紋センサーの反りを、より確実に抑制することができる。
【００３８】
エポキシ樹脂組成物の硬化体の上記ガラス転移温度、および上記線膨張係数（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２）は、たとえば次のように測定することができる。
まず、エポキシ樹脂組成物がタブレット状である場合、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、長さ１０ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ４ｍｍである。
また、エポキシ樹脂組成物が粉粒体である場合には、エポキシ樹脂組成物の硬化体は、例えば、圧縮成形機を用いて、金型温度１７５℃、成形圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することにより得られる。この硬化体は、例えば、長さ１０ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ４ｍｍである。
次いで、得られた硬化体を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行う。この測定結果から、ガラス転移温度、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）を算出する。
【００３９】
上記ガラス転移温度、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）は、エポキシ樹脂組成物を構成する各成分の種類や配合割合を適切に調節することにより制御することが可能である。本実施形態においては、とくに無機充填剤（Ｂ）の種類を適切に選択することが、ＣＴＥ１、ＣＴＥ２を制御するための因子として挙げられる。例えば、無機充填剤（Ｂ）として線膨張係数が小さいシリカ粒子を使用することで、エポキシ樹脂組成物の硬化体のＣＴＥ１およびＣＴＥ２を低下させることができる。
【００４０】
以下、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００の構成ついて詳細に説明する。
【００４１】
本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００は、たとえば指との静電容量を感知する静電容量方式によって、指紋情報を読み取る指紋センサーである。ここで、指紋センサーは、当該指紋センサーに載せられた指の凹凸を読み取る。例えば、静電容量型指紋センサー１００には、指紋の凹凸よりも細かい検出電極１０３が設けられている。そして、指紋の凹凸と検出電極１０３との間に蓄積される静電容量により指紋の凹凸を表した２次元画像を作成する。例えば、指紋の凸部と凹部では検出される静電容量が異なるため、この静電容量の差から指紋の凹凸を表した２次元画像を作成できる。この２次元画像により指紋情報を読み取ることができる。
【００４２】
図１は、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００は、基板１０１と、基板１０１上に設けられた検出電極１０３と、検出電極１０３を封止する絶縁膜１０５と、を備えている。
【００４３】
本実施形態において、絶縁膜１０５は、エポキシ樹脂組成物の硬化物により形成されている。エポキシ樹脂組成物としては、たとえば前述の各成分を、公知の手段で混合し、さらにロール、ニーダーまたは押出機等の混練機で溶融混練し、冷却した後に粉砕したもの、粉砕後にタブレット状に打錠成型したもの、また必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したもの等を用いることができる。
【００４４】
指紋センサーの感度を向上させるために、基板１０１（例えば、シリコンチップ）上の絶縁膜１０５の厚みＤは、例えば、１００μｍ以下、より好ましくは７５μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下である。
【００４５】
基板１０１は、たとえば、チップ状のシリコン基板である。検出電極１０３は、たとえばＡｌ膜により形成され、基板１０１上に層間膜１０７を介して一次元または二次元アレイ状に配置されている。層間膜１０７は、例えば、ＳｉＯ2等により形成される。
検出電極１０３の上面は絶縁膜１０５により被覆されている。検出電極１０３は、例えば、ワイヤボンディングが施されている。
【００４６】
本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００は公知の情報に基づいて製造することができる。たとえば次のように製造される。
まず、基板１０１上に層間膜１０７を設けた後、層間膜１０７上に検出電極１０３を形成する。次いで、検出電極１０３を、エポキシ樹脂組成物により封止成形する。成形法としては、たとえばトランスファー成形法や圧縮成型法、注型等が挙げられる。次いで、エポキシ樹脂組成物を熱硬化させ、絶縁膜１０５を形成する。これにより、本実施形態に係る静電容量型指紋センサー１００が得られることとなる。
【００４７】
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態によれば、検出電極１０３を封止する絶縁膜１０５は、エポキシ樹脂（Ａ）と、無機充填剤（Ｂ）と、を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物により構成される。エポキシ樹脂組成物の硬化物は誘電特性に優れるため、静電容量型指紋センサー１００の感度を向上させることができる。
【実施例】
【００４８】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００４９】
（エポキシ樹脂組成物の調製）
実施例１〜９について、以下のようにエポキシ樹脂組成物を調整した。まず、表１に従い配合された各成分を、高速混合機を用いて常温で混合した。次いで、得られた混合物を、ロール混練（高温側ロール表面温度９０℃、低温側ロール表面温度２５℃）した後、冷却、ブレンダーによる粉砕によりエポキシ樹脂組成物を得た。なお、表１中における各成分の詳細は下記のとおりである。
【００５０】
（Ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学社製、ＹＸ−４０００Ｋ）
（Ｂ）無機充填剤
無機充填剤１：アルミナ（電気化学工業社製、ＤＡＢ−４５ＳＩ、Ｄ５０＝１７μｍ）
無機充填剤２：シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ１０５、Ｄ５０＝１０μｍ）
無機充填剤３：シリカ（トクヤマ社製、ＲＥＯＬＯＳＩＬ  ＣＰ−１０２、Ｄ５０＝１μｍ以下）
無機充填剤４：シリカ（アドマテックス社製、ＳＯ−２５Ｒ、Ｄ５０＝０．５μｍ）
無機充填剤５：酸化チタン（ＩＶ）（石原産業社製、ＰＦ−７２６、Ｄ５０＝１μｍ、ルチル型、粒子径が３２μｍ以上の酸化チタンの含有量５質量％以下）
無機充填剤６：チタン酸バリウム（日本化学工業社製、パルセラムＢＴ−ＵＰ２、Ｄ５０＝２μｍ、粒子径が３２μｍ以上のチタン酸バリウムの含有量５質量％以下）
無機充填剤７：アルミナ（マイクロン社製、ＡＸ３−１５Ｒ、粒子径が１５ｕｍ以上のアルミナの含有量５質量％以下、Ｄ５０＝４μｍ）
（Ｃ）硬化剤
硬化剤１：トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂（ＭＥＨ−７５００、明和化成社製）
硬化剤２：トリスフェノールメタン型フェノールノボラック樹脂（ＨＥ９１０−２０、エア・ウォーター社製）
（Ｄ）カップリング剤
カップリング剤１：Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（東レ・ダウコーニング社製、ＣＦ４０８３）
（Ｅ）その他の成分
硬化促進剤１：下記式（４）で示される硬化促進剤
【００５１】
【化４】
2020063459.tif 000006
【００５２】
［硬化促進剤１の合成方法］
撹拌装置付きのセパラブルフラスコに４，４'−ビスフェノールＳ３７．５ｇ（０．１５モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、室温で撹拌溶解し、更に攪拌しながら予め５０ｍｌのメタノールに水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を溶解した溶液を添加した。次いで予め１５０ｍｌのメタノールにテトラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１モル）を溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を継続し、３００ｍｌのメタノールを追加した後、フラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶の硬化促進剤１を得た。
【００５３】
硬化促進剤２：下記式（５）で示される硬化促進剤
【化５】
2020063459.tif 000007
【００５４】
［硬化促進剤２の合成方法］
メタノール１８００ｇを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン２４９．５ｇ、２，３−ジヒドロキシナフタレン３８４．０ｇを加えて溶かし、次に室温攪拌下２８％ナトリウムメトキシド−メタノール溶液２３１．５ｇを滴下した。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド５０３．０ｇをメタノール６００ｇに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、桃白色結晶の硬化促進剤２を得た。
【００５５】
低応力剤１：アクリロニトリルブタジエンゴム（宇部興産社製、カルボキシル基末端ブタジエンアクリルゴム、ＣＴＢＮ１００８ＳＰ）
低応力剤２：シリコーンオイル
着色剤：カーボンブラック
離型剤：カルナバワックス
イオン捕捉剤：ハイドロタルサイト
【００５６】
（比誘電率および誘電正接の測定）
実施例１〜９について、次のようにエポキシ樹脂組成物の比誘電率および誘電正接の測定を行った。低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−３０」）を用いて、金型に、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することによりエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体は、直径５０ｍｍ、厚さ３ｍｍであった。
次いで、得られた硬化体について、ＹＯＫＯＧＡＷＡ−ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製Ｑ−ＭＥＴＥＲ ４３４２Ａにより、１ＭＨｚ、室温（２５℃）における比誘電率および誘電正接を測定した。結果を表１に示す。
【００５７】
（スパイラルフローの測定）
実施例１〜９について、次のようにエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー測定を行った。低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−１５」）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒、硬化時間１８０秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。表１における単位はｃｍである。結果を表１に示す。
【００５８】
（ガラス転移温度、線膨張係数）
各実施例について、エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度（Ｔｇ）、線膨張係数（ＣＴＥ１、ＣＴＥ２）を、以下のように測定した。低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製「ＫＴＳ−３０」）を用いて、金型に、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間３００秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入成形することによりエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体は、長さ１０ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ４ｍｍであった。
次いで、得られた硬化体を１７５℃、４時間で後硬化した後、熱機械分析装置（セイコー電子工業（株）製、ＴＭＡ１００）を用いて、測定温度範囲０℃〜３２０℃、昇温速度５℃／分の条件下で測定を行った。この測定結果から、ガラス転移温度（Ｔｇ）、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）を算出した。結果を表１に示す。
【００５９】
（静電容量型指紋センサーの感度測定）
実施例１〜９のそれぞれについて、得られたエポキシ樹脂組成物を用いて図１に示す静電容量型指紋センサーを作製した。次いで、得られた静電容量型指紋センサーを用いて指紋の凹凸を表した２次元画像を作成した。
【００６０】
【表１】
2020063459.tif 000008
【００６１】
実施例１〜９により得られた静電容量型指紋センサーは、いずれも指紋の２次元画像が明確に表示され、感度が良好な結果を示した。これらの中でも誘電特性が特に優れる実施例２〜９は、実施例１と比較してより鮮明な指紋の２次元画像が得られ、優れた感度を示した。また、実施例１〜３、６〜７および９は、成形性試験において優れた結果を示した。
また、実施例１〜９により得られた静電容量型指紋センサーは、いずれも反りが抑制されていた。なお、実施例１〜９により得られたエポキシ樹脂組成物の硬化体のＣＴＥ１は、いずれも３ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下の範囲内であった。また、実施例１〜９により得られたエポキシ樹脂組成物の硬化体のＣＴＥ２は、いずれも１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下の範囲内であった。
また、絶縁膜１０５の厚みＤを薄くすることが指紋センサーの感度につながるため、無機充填剤（Ｂ）は粗粒をカットしたものを使用することが成形時の未充填等を抑制することができるため好ましい。実施例７〜９のエポキシ樹脂組成物は絶縁膜１０５の厚みＤを５０μｍとしても指紋センサーを未充填なく成形でき、実施例１〜６のエポキシ樹脂組成物に比べて成形性に優れていた。また、実施例７〜９のエポキシ樹脂組成物は絶縁膜１０５の厚みＤを５０μｍとしても指紋センサーの反りは生じなかった。すなわち、実施例７〜９のエポキシ樹脂組成物は指紋の２次元画像が明確に表示され、良好な感度を示しながら、より優れた成形性を示した。
【００６２】
この出願は、２０１４年３月２５日に出願された日本出願特願２０１４−０６２４４６号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
2020063459.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月14日(2020.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、を含み、
前記無機充填剤（Ｂ）が、アルミナを含む、エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、を含み、
前記無機充填剤（Ｂ）が、酸化チタンおよびチタン酸バリウムを含む、エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εr）が５以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の封止用樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εr）が８以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．００５以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項２に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記酸化チタンがルチル型であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１乃至６いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）がシリカ粒子をさらに含むエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１乃至７いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒の条件でのスパイラルフロー測定により測定される流動長が３０ｃｍ以上２００ｃｍ以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
請求項１乃至８いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が１００℃以上であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）が、３ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１乃至１０いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）が、１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止し、かつ、請求項１乃至１１いずれか一項に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、
を含み、
前記無機充填剤（Ｂ）が、アルミナを含む、エポキシ樹脂組成物が提供される。
また本発明によれば、
基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、を含み、
前記無機充填剤（Ｂ）が、酸化チタンおよびチタン酸バリウムを含む、エポキシ樹脂組成物が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
この出願は、２０１４年３月２５日に出願された日本出願特願２０１４−０６２４４６号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
以下、参考形態の例を付記する。
１．  基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止する絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサーを構成する前記絶縁膜の形成に用いるエポキシ樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂（Ａ）と、
無機充填剤（Ｂ）と、
を含むエポキシ樹脂組成物。
２．  １．に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εｒ）が５以上であるエポキシ樹脂組成物。
３．  ２．に記載の封止用樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける比誘電率（εｒ）が８以上であるエポキシ樹脂組成物。
４．  １．乃至３．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の１ＭＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．００５以上であるエポキシ樹脂組成物。
５．  １．乃至４．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）がアルミナ、酸化チタンおよびチタン酸バリウムから選択される一種または二種以上を含むエポキシ樹脂組成物。
６．  ５．記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）が前記酸化チタンを含み、
前記酸化チタンがルチル型であるエポキシ樹脂組成物。
７．  ５．または６．に記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記無機充填剤（Ｂ）がシリカ粒子をさらに含むエポキシ樹脂組成物。
８．  １．乃至７．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、注入時間１５秒の条件でのスパイラルフロー測定により測定される流動長が３０ｃｍ以上２００ｃｍ以下であるエポキシ樹脂組成物。
９．  １．乃至８．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体のガラス転移温度が１００℃以上であるエポキシ樹脂組成物。
１０．  １．乃至９．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度以下における線膨張係数（ＣＴＥ１）が、３ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
１１．  １．乃至１０．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物において、
前記エポキシ樹脂組成物の硬化体の、ガラス転移温度超過における線膨張係数（ＣＴＥ２）が、１０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下であるエポキシ樹脂組成物。
１２．  基板と、
前記基板上に設けられた検出電極と、
前記検出電極を封止し、かつ、１．乃至１１．いずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁膜と、
を備える静電容量型指紋センサー。