(57)【要約】【課題】漏れインダクタンスを容易に調整できるトランスを提供する。【解決手段】トランスは、１次巻線１４と、２次巻線１５と、１次巻線１４および２次巻線１５に鎖交する主磁束が通過する主磁心１１と、１次巻線１４と２次巻線１５との間に配置され漏れ磁束が通過する補助磁心１３と、主磁心１１および補助磁心１３に対して可動であり、主磁束および／または漏れ磁束が通過する可動磁心１２と、主磁心１１、補助磁心１３および可動磁心１２よりも透磁率が低く、補助磁心１３と主磁心１１および／または可動磁心１２との間に配置されるスペーサ１６と、を備え、可動磁心１２は、補助磁心１３またはスペーサ１６と接触し、可動磁心１２を動かすことにより、補助磁心１３と可動磁心１２またはスペーサ１６との接触部にかかる応力を調整して補助磁心１３の透磁率を変化させることができるので、漏れインダクタンスを容易に調整できる。【選択図】図５
2020120014.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線と、
２次巻線と、
前記１次巻線および前記２次巻線に鎖交する主磁束が通過する主磁心と、
前記１次巻線と前記２次巻線との間に配置され漏れ磁束が通過する補助磁心と、
前記主磁心および前記補助磁心に対して可動であり、前記主磁束および／または前記漏れ磁束が通過する可動磁心と、
前記主磁心、前記補助磁心および前記可動磁心よりも透磁率が低く、前記補助磁心と前記主磁心および／または前記可動磁心との間に配置されるスペーサと、を備え、
前記可動磁心は、前記補助磁心または前記スペーサと接触し、
前記可動磁心を動かすことにより、前記補助磁心と前記可動磁心または前記スペーサとの接触部にかかる応力を調整して前記補助磁心の透磁率を変化させることができることを特徴とするトランス。
【請求項２】
前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において負の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において突出していることを特徴とする請求項１に記載のトランス。
【請求項３】
前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において正の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において凹んでいることを特徴とする請求項１に記載のトランス。
【請求項４】
１次巻線と、
２次巻線と、
前記１次巻線および前記２次巻線に鎖交する主磁束が通過する主磁心と、
前記主磁心よりも透磁率が低く、前記１次巻線と前記２次巻線との間に配置され漏れ磁束が通過する補助磁心と、
前記主磁心および前記補助磁心に対して可動であり、前記主磁束および／または前記漏れ磁束が通過する可動磁心と、を備え、
前記可動磁心は、前記補助磁心と接触し、
前記可動磁心を動かすことにより、前記補助磁心と前記可動磁心との接触部にかかる応力を調整して前記補助磁心の透磁率を変化させることができることを特徴とするトランス。
【請求項５】
前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において負の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心または前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心または前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において突出していることを特徴とする請求項４に記載のトランス。
【請求項６】
前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において正の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心または前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心または前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において凹んでいることを特徴とする請求項４に記載のトランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング電源等に用いられるトランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
スイッチング電源の回路の一例は非特許文献１に示されており、これを図１に示す。直流電源Ｓにより印加される電圧は、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４でスイッチングされるとともに、トランスＴ１を介して伝達され、ダイオードＤ１，Ｄ２で整流されて直流に戻り、負荷Ｚに供給される。このときに、コンデンサＣｓおよびインダクタンスＬｓから成る共振回路をトランスＴ１の１次側に入れることによって、電流を正弦波状に変化させて電流０でスイッチングする等の、いわゆるソフトスイッチングが可能となり、スイッチング損失を低減することができる。これは一般技術として多用されている。
【０００３】
インダクタンスＬｓは機器の小型化や回路の単純化のため、トランスＴ１内でその機能を実現することが多い。そのためのトランスＴ１の構造は、非特許文献１等に示されているが、ここでは一例を図２および図３に示す。図２は、図３のＡ−Ａ線断面図である。また、図３は、図２のＢ−Ｂ線断面図である。図２では、扁平な１次コイル２と２次コイル３が積み重ねられた状態となっており、主磁心１は１次コイル２および２次コイル３の中心部分に設けられた穴を貫通した後、１次コイル２および２次コイル３の外側を通って閉磁路を形成する。この構成においては、磁心のパーツとして形状がＥ型の物とＩ型の物とが用いられ、これらが組み合わされて使用されている。この構成における磁束は、図２で主磁束Ｍとして示すものとなる。
【０００４】
ここで、図１のインダクタンスＬｓを図２の構成の中で実現するための条件を考える。インダクタンスＬｓは、トランスＴ１の１次コイル２に流れる電流で発生する磁束が２次コイル３に鎖交しない状態、すなわち漏れ磁束を作ることによって実現できる。このために、図２で示す補助磁心４を、１次コイル２と２次コイル３との間に設ける。これにより、１次コイル２によって発生する磁束の一部が補助磁心４に流れ込み、２次コイル３に鎖交しない漏れ磁束Ｎとなるため、インダクタンスＬｓをトランスＴ１の内部で漏れインダクタンスＬｓとして実現できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３５３０４７号公報
【特許文献２】特開２０１８−６７６６０号公報
【特許文献３】特開２０１０−１７１２２５号公報
【特許文献４】特開２００４−１８６４５１号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】J. Biela, J. W. Kolar,"Electromagnetic Integration of High Power Resonant Circuits ComprisingHigh Leakage Inductance Transformers", 35th Annual IEEE Power ElectronicsSpecialists Conference 2004
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図１のスイッチング回路で電流の変化を決める一因はインダクタンスＬｓ（漏れインダクタンス）であるため、この値を精度よく所定の値とすることが求められる。漏れインダクタンスＬｓは、一般的には図２に示される補助磁心４と主磁心１との間のギャップ長で決められる。例えば、ギャップを拡大すると磁気抵抗が増加するため漏れインダクタンスＬｓは低下する。この方法については、非特許文献１でも示されているが、ギャップ長すなわち磁心の寸法精度を厳密に制御することが必要となり、製造上の課題となる。また、特許文献１ではギャップに挿入するスペーサの厚みを変えるという方法が示されているが、そのためには種々の厚みのスペーサを準備し、所望するコイル間結合度（漏れインダクタンスＬｓ）によって使い分ける必要があるため、部品の点数が増え、かつ組み立て作業が煩雑になるという問題がある。
【０００８】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、漏れインダクタンスを容易に調整できるトランスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明のトランスは、１次巻線と、
２次巻線と、
前記１次巻線および前記２次巻線に鎖交する主磁束が通過する主磁心と、
前記１次巻線と前記２次巻線との間に配置され漏れ磁束が通過する補助磁心と、
前記主磁心および前記補助磁心に対して可動であり、前記主磁束および／または前記漏れ磁束が通過する可動磁心と、
前記主磁心、前記補助磁心および前記可動磁心よりも透磁率が低く、前記補助磁心と前記主磁心および／または前記可動磁心との間に配置されるスペーサと、を備え、
前記可動磁心は、前記補助磁心または前記スペーサと接触し、
前記可動磁心を動かすことにより、前記補助磁心と前記可動磁心または前記スペーサとの接触部にかかる応力を調整して前記補助磁心の透磁率を変化させることができることを特徴とする。
【００１０】
本発明においては、可動磁心が、主磁心および補助磁心に対して可動であり、可動磁心を動かすことにより、補助磁心と可動磁心またはスペーサとの接触部にかかる応力を調整して補助磁心の透磁率を変化させることが可能となっている。そして、可動磁心を動かして補助磁心の透磁率を変化させることで、補助磁心を通過する漏れ磁束の量を調整することができる。したがって、漏れインダクタンスを容易に調整できる。
【００１１】
また、本発明の前記構成において、前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において負の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において突出していてもよい。
【００１２】
トランスにおける他の問題点として、特許文献２では寄生磁束による損失の増加が指摘されている。寄生磁束Ｐは、図２に例示する様に補助磁心を設けたために発生するコイル（１次コイル２または２次コイル３）内を通過する磁束で、コイルの導体中に電圧を誘起させて渦電流を増加させてしまうためにトランスの損失が増加してしまう。これを防止するために、特許文献２では、複数の金属繊維を積層して作成された、磁気異方性を持たせた補助磁心を用いる方法が提案されている。しかし、この方法では、金属繊維が積層された特殊な磁心を準備する必要があり、製造コストの増加が懸念される。
【００１３】
本構成においては、負の磁歪定数を有する補助磁心について、可動磁心から応力が加えられた場合に、１次巻線側の部分および２次巻線側の部分にかかる応力よりも、これらの間の部分にかかる応力が大きくなる。このとき、補助磁心は負の磁歪定数を有しているため、補助磁心の１次巻線側と２次巻線側との間の領域の透磁率が相対的に高くなり、１次巻線または２次巻線に面する領域の透磁率が相対的に低くなる。したがって、補助磁心から１次巻線または２次巻線に向かい、１次巻線または２次巻線を貫通する寄生磁束の量を減らすことができる。なお、本発明において金属繊維が積層された特殊な磁心等を用いることを否定するものではない。
【００１４】
また、本発明の前記構成において、前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において正の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心、前記スペーサまたは前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において凹んでいてもよい。
【００１５】
本構成においては、正の磁歪定数を有する補助磁心について、可動磁心から加えられる応力は、１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、これらの間の部分の方が小さくなる。これにより、可動磁心から補助磁心に応力が加えられた場合に、１次巻線側の部分および２次巻線側の部分にかかる応力よりも、これらの間の部分にかかる応力が小さくなる。このとき、補助磁心は正の磁歪定数を有しているため、補助磁心の１次巻線または２次巻線に面する領域の透磁率が相対的に低くなり、１次巻線側と２次巻線側との間の領域の透磁率が相対的に高くなる。したがって、補助磁心から１次巻線または２次巻線に向かい、１次巻線または２次巻線を貫通する寄生磁束の量を減らすことができる。
【００１６】
また、本発明のトランスは、１次巻線と、
２次巻線と、
前記１次巻線および前記２次巻線に鎖交する主磁束が通過する主磁心と、
前記主磁心よりも透磁率が低く、前記１次巻線と前記２次巻線との間に配置され漏れ磁束が通過する補助磁心と、
前記主磁心および前記補助磁心に対して可動であり、前記主磁束および／または前記漏れ磁束が通過する可動磁心と、を備え、
前記可動磁心は、前記補助磁心と接触し、
前記可動磁心を動かすことにより、前記補助磁心と前記可動磁心との接触部にかかる応力を調整して前記補助磁心の透磁率を変化させることができることを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、可動磁心が、主磁心および補助磁心に対して可動であり、可動磁心を動かすことにより、補助磁心と可動磁心との接触部にかかる応力を調整して補助磁心の透磁率を変化させることが可能となっている。そして、可動磁心を動かして補助磁心の透磁率を変化させることで、補助磁心を通過する漏れ磁束の量を調整することができる。したがって、漏れインダクタンスを容易に調整できる。
【００１８】
また、寄生磁束を減少できる磁心として非特許文献１には、通常の材料の補助磁心とギャップとの組合せを用いる代わりに、低透磁率材料の補助磁心を”Low μ block”として用いる方法が記載されている。補助磁心と主磁心等との間にギャップがあると、その部分は極端な低透磁率であるため、その前後で寄生磁束が発生しやすい。そこで、ギャップを省略可能な低透磁率材料を用いる。しかし、その場合でも、所定の漏れインダクタンスを得るために正確な透磁率の値を持つ材料が必要で、かつ磁心の寸法精度を高くして補助磁心と主磁心との接触を良好に保つことが必要と指摘されている。そこで、非特許文献１や特許文献３では、低透磁率材料の補助磁心を主磁心で挟む構造である”Low μ layer”が提案されている。この構造を採用することで主磁心と補助磁心との接触面積が増加するため、寸法精度が緩和される。しかし、非特許文献１では、主磁心が低透磁率の層を挟むことで主磁気回路の磁気抵抗が増すため、励磁電流が増すという問題が指摘されている。しかし、本発明によれば、補助磁心に低透磁率材料を用いてギャップを無くすことができる。また、補助磁心にかかる応力を調整して補助磁心の透磁率を変化させることが可能なため、磁心に要求される寸法精度を緩和できる。したがって、本発明によれば、補助磁心に低透磁率材料を用いてギャップを無くすとともに、低透磁率材料の補助磁心の層を主磁束の通過経路に挟む構造とすることなく、磁心に要求される寸法精度を緩和できる。
【００１９】
また、本発明の前記構成において、前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において負の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心または前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心または前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において突出していてもよい。
【００２０】
本構成においては、負の磁歪定数を有する補助磁心について、可動磁心から応力が加えられた場合に、１次巻線側の部分および２次巻線側の部分にかかる応力よりも、これらの間の部分にかかる応力が大きくなる。このとき、補助磁心は負の磁歪定数を有しているため、補助磁心の１次巻線側と２次巻線側との間の領域の透磁率が相対的に高くなり、１次巻線または２次巻線に面する領域の透磁率が相対的に低くなる。したがって、補助磁心から１次巻線または２次巻線に向かい、１次巻線または２次巻線を貫通する寄生磁束の量を減らすことができる。
【００２１】
また、本発明の前記構成において、前記補助磁心は、前記漏れ磁束の流れる方向において正の磁歪定数を有し、
前記補助磁心と、前記可動磁心または前記主磁心との接触部の少なくとも１つにおいて、前記補助磁心、前記可動磁心または前記主磁心の少なくとも１つが、前記１次巻線から前記２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、前記漏れ磁束の流れる方向において凹んでいてもよい。
【００２２】
本構成においては、正の磁歪定数を有する補助磁心について、可動磁心から加えられる応力は、１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、これらの間の部分の方が小さくなる。これにより、可動磁心から補助磁心に応力が加えられた場合に、１次巻線側の部分および２次巻線側の部分にかかる応力よりも、これらの間の部分にかかる応力が小さくなる。このとき、補助磁心は正の磁歪定数を有しているため、補助磁心の１次巻線または２次巻線に面する領域の透磁率が相対的に低くなり、１次巻線側と２次巻線側との間の領域の透磁率が相対的に高くなる。したがって、補助磁心から１次巻線または２次巻線に向かい、１次巻線または２次巻線を貫通する寄生磁束の量を減らすことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、漏れインダクタンスを容易に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】従来のスイッチング電源の回路の一例を示す回路図である。
【図２】従来のトランスの一例を示すもので、図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】同、図２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るトランスを示すもので、その斜視図である。
【図５】同、可動磁心の軸および補助磁心の軸に対して垂直な方向から見た断面図であって、（ａ）は応力印加機構の一例を含む図であり、（ｂ）は応力印加機構の他の例を含む図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係るトランスを示すもので、可動磁心の軸および補助磁心の軸に対して垂直な方向から見た断面図である。
【図７】同、可動磁心の軸方向であって、補助磁心の軸に対して垂直な方向から見た要部の断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係るトランスを示すもので、可動磁心の軸および補助磁心の軸に対して垂直な方向から見た断面図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に係るトランスを示すもので、その斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明に係る漏れインダクタンス調整トランスの実施の形態について説明する。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図４および図５（図５（ａ）または図５（ｂ））に、第１の実施の形態の漏れインダクタンス調整トランス（トランス１０）を示す。本実施形態のトランス１０は、主磁心１１と、可動磁心１２と、２つの補助磁心１３，１３と、１次巻線（１次コイル）１４と、２次巻線（２次コイル）１５と、２つのスペーサ１６，１６と、補助磁心支持部１７と、を備えている。また、主磁心１１、可動磁心１２および補助磁心１３は、磁性体により形成されている。また、スペーサ１６および補助磁心支持部１７は、非磁性体により形成されている。
なお、図４においては、１次巻線１４、２次巻線１５および補助磁心支持部１７は省略して示している。また、図５は、図４における上下方向中心部で可動磁心の軸および補助磁心１３の軸を通るようにトランス１０を切断し、図４における上方から下方に向けてトランス１０を見たときの断面図である。換言すると、図５は、可動磁心の軸および補助磁心の軸に対して垂直な方向からトランス１０を見たときの断面図である。
【００２７】
主磁心１１は、第１脚部２１と、第２脚部２２と、第１脚部２１の一端部と第２脚部２２の一端部とを連結する第１連結部２３と、第１脚部２１の他端部と第２脚部２２の他端部とを連結する第２連結部２４と、備えている。また、第１脚部２１と第２脚部２２とは板状となっており、互いに対向して配置されている。また、第１脚部２１と第２脚部２２とは互いに平行となっている。また、第１連結部２３と第２連結部２４とは板状となっており、互いに対向して配置されている。また、第１連結部２３と第２連結部２４とは互いに平行となっている。そして、主磁心１１は、これら第１脚部２１と第２脚部２２と第１連結部２３と第２連結部２４とによって、角筒状に形成されている。
なお、主磁心１１は、複数の部材により構成されていてもよい。例えば、図４に示すように、主磁心１１が、第１脚部２１、第２脚部２２および第１連結部２３を備える断面コ字状の第１コア２６と、この第１コア２６のコ字状の開放部を閉塞する第２コアとしての第２連結部２４とを有することとし、第１コア２６と第２コアとが連結されて角筒状に形成されていてもよい。
【００２８】
第１連結部２３の中央部には、穴３０が設けられている。また、第２連結部２４の中央部には穴３１が設けられている。そして、穴３０と穴３１とは互いに対向している。
【００２９】
可動磁心１２は、略角棒状（略角柱状）に形成されている。また、可動磁心１２は、その軸方向（長手方向）における一端部１２ａの断面積が、他端部１２ｂの断面積に比べ大きくなっている。また、可動磁心１２は、一端部１２ａ側から他端部１２ｂ側に向かうにつれて徐々に断面積が小さくなって（縮径されて）いるとともに、その一端部１２ａおよび他端部１２ｂには軸方向において断面積（径）が一定な領域が設けられている。換言すると、可動磁心１２には、その軸方向中央部にテーパーが設けられている。さらに換言すると、可動磁心１２は、その軸方向中央部における第１脚部２１側を向く面と、第２脚部２２側を向く面とが、可動磁心１２の軸方向に対して傾斜した傾斜面１２ｃ，１２ｃとなっている。
【００３０】
可動磁心１２の一端部１２ａは、主磁心１１の穴３０に挿通されている。また、可動磁心１２の他端部１２ｂは、主磁心１１の穴３１に挿通されている。すなわち、可動磁心１２は、主磁心１１を貫通して設けられている。具体的には、主磁心１１の穴３０，３１それぞれには、可動磁心１２の一端部１２ａまたは他端部１２ｂそれぞれの、軸方向において断面積（径）が一定な部分が挿入されている。また、穴３０の内径は、当該穴３０に挿入される可動磁心１２の一端部１２ａの外径とほぼ等しくなっている。また、穴３１の内径は、当該穴３１に挿入される可動磁心１２の他端部１２ｂの外径とほぼ等しくなっている。換言すると、穴３０，３１の内周面形状と、可動磁心１２の穴３０，３１それぞれに挿入される部分の外周面形状とがほぼ同じ形状となっている。そして、可動磁心１２は、主磁心１１の穴３０，３１に対して、可動磁心１２の軸方向に摺動可能となっている。
【００３１】
１次巻線１４および２次巻線１５は、ロ字状（ドーナツ状）に巻き回されている。また、１次巻線１４と２次巻線１５とは、１次巻線１４が第１連結部２３側に位置し、２次巻線１５が第２連結部２４側に位置するようにして、可動磁心１２の軸方向に沿って並べられた状態で、主磁心１１の内側に配置されている。また、１次巻線１４の中央部の穴と、２次巻線１５の中央部の穴と、主磁心１１の穴３０，３１とは、互いに同軸となるように配置されている。そして、可動磁心１２が、１次巻線１４および２次巻線１５を貫通した状態となっている。換言すると、１次巻線１４および２次巻線１５は、可動磁心１２の軸を中心として巻き回された形状となっている。
なお、主磁心１１の内側に配置された１次巻線１４と２次巻線１５は、その一部が主磁心１１の外側に出ていてもよい。
【００３２】
補助磁心１３，１３は、略角棒状（略角柱状）に形成されている。また、補助磁心１３，１３は、主磁心１１の内側であって、１次巻線１４と２次巻線１５との間に配置されている。また、補助磁心１３は、その軸方向における一端面が、その軸方向に垂直な面に対して傾斜した傾斜面１３ａとなっている。また、２つの補助磁心１３，１３はそれぞれ、その軸方向における傾斜面１３ａ側を可動磁心１２側に向け、その軸方向における他端面１３ｂ側を第１脚部２１または第２脚部２２に向けた状態で配置されている。また、補助磁心１３，１３は、傾斜面１３ａ，１３ａを可動磁心１２の前述のテーパー部分（傾斜面１２ｃ，１２ｃ）に当接させた状態となっている。また、可動磁心１２の軸方向に対する傾斜面１３ａ，１３ａの傾斜角と、可動磁心１２の軸方向に対するテーパー部分（傾斜面１２ｃ，１２ｃ）の傾斜角とは、等しくなっている。そして、可動磁心１２の軸方向と、補助磁心１３，１３の軸方向とは直交した状態となっている。また、２つの補助磁心１３，１３は、可動磁心１２を中心として対称な位置に配置されており、同軸となるように一直線上に配置されている。また、補助磁心１３の他端面１３ｂと、第１脚部２１または第２脚部２２との間には、隙間（ギャップ）が設けられている。
【００３３】
スペーサ１６，１６は、補助磁心１３と、第１脚部２１または第２脚部２２との間の隙間を埋める部材であり、角柱状に形成されている。また、スペーサ１６の断面積は、補助磁心１３の他端面１３ｂの面積と略等しくなっている。
なお、補助磁心１３の一端面と可動磁心１２との間に隙間が設けられており、この隙間を埋めるようにしてスペーサ１６が設けられていてもよい。すなわち、スペーサ１６は、補助磁心１３と主磁心１１および／または可動磁心１２との間に配置される。
【００３４】
補助磁心１３，１３と、第２連結部２４との間には、補助磁心支持部１７が設けられている。具体的には、補助磁心支持部１７は、一方の端部が補助磁心１３，１３の可動磁心１２側の端部の第２連結部２４側を向く面に当接し、他方の端部が、第２連結部２４の補助磁心１３，１３側を向く面に当接した状態で配置されている。
【００３５】
次に、本実施形態のトランス１０による漏れインダクタンスの調整について説明する。なお、本実施形態のトランス１０における主磁束Ｍおよび漏れ磁束Ｎは、図２に示すものと同様の経路をたどる。具体的には、主磁束Ｍは、可動磁心１２を通って第２連結部２４へ向かい、第２連結部２４から第１脚部２１または第２脚部２２を通って第１連結部２３へ向かい、第１連結部２３から可動磁心１２へ戻る。すなわち、可動磁心１２と主磁心１１とによって、主磁束Ｍが通過する閉磁路が形成されている。また、漏れ磁束Ｎは、可動磁心１２の１次巻線１４側の部分を通って補助磁心１３へ向かい、補助磁心１３からスペーサ１６部分に形成された補助磁心１３と主磁心１１との隙間を通過して第１脚部２１または第２脚部２２に向かい、第１脚部２１または第２脚部２２を通って第１連結部２３へ向かい、第１連結部２３から可動磁心１２へ戻る。
【００３６】
一般に多くの磁性材料では磁歪現象が発生する。これは、材料内の磁化の変化に伴って材料の形状が変化する現象で、各素材の特有特性である飽和磁歪の値は正あるいは負で、一般的に１０−６前後であることが多い。この現象には逆効果もあり、材料に応力を印加して微少な歪を発生させると材料内の磁化が変化し、その結果、透磁率が変化する。そこで、補助磁心１３による磁気回路の漏れインダクタンスを変化させる方法として、特許文献４等にも示されている応力によって透磁率が変化する現象を用いる。
【００３７】
漏れインダクタンスを容易に調整できる磁心の実現では、トランス１０を補助磁心１３に対して圧縮応力がかけられる構造とし、更にその圧縮応力を連続的に変化できる機構を設けて漏れインダクタンスを連続的に変化させることが可能な磁心とする。図４および図５に示すトランス１０においては、可動磁心１２が、主磁心１１に対して、可動磁心１２の軸方向（図５に白抜きの矢印で示す方向）に摺動するようになっている。また、可動磁心１２には補助磁心１３，１３と接する領域にテーパーが設けられており、可動磁心１２を第２連結部２４側に向けて軸方向に動かすと、補助磁心１３，１３について補助磁心１３，１３の軸方向にかかる圧縮応力が増す。ここで、補助磁心１３，１３が負の磁歪定数を有する場合、圧縮応力が増すことで、補助磁心１３，１３を通過する漏れ磁束の量が増加する。一方、補助磁心１３，１３が正の磁歪定数を有する場合、圧縮応力が増すことで、補助磁心１３，１３を通過する漏れ磁束の量が低減する。
【００３８】
このように、本実施形態のトランス１０によれば１次巻線１４と、２次巻線１５と、１次巻線１４および２次巻線１５に鎖交する主磁束が通過する主磁心１１と、１次巻線１４と２次巻線１５との間に配置され漏れ磁束が通過する補助磁心１３，１３と、主磁心１１および補助磁心１３，１３に対して可動であり、主磁束および漏れ磁束が通過する可動磁心１２と、主磁心１１、補助磁心１３および可動磁心１２よりも透磁率が低く、補助磁心１３，１３と主磁心１１および／または可動磁心１２との間に配置されるスペーサ１６，１６と、を備え、可動磁心１２は、補助磁心１３，１３またはスペーサ１６，１６と接触し、可動磁心１２を動かすことにより、補助磁心１３，１３と可動磁心１２またはスペーサ１６，１６との接触部にかかる応力を調整して補助磁心１３，１３の透磁率を変化させることができる。よって、可動磁心を動かして補助磁心の透磁率を変化させることで、補助磁心を通過する漏れ磁束の量を調整することができる。したがって、漏れインダクタンスを容易に調整できる。
【００３９】
また、可動磁心１２を第２連結部２４側に向けて動かすときには補助磁心１３，１３の可動磁心１２側の位置に第２連結部２４側への変形応力が働くが、このときには補助磁心支持部１７によって補助磁心１３，１３が支持されるので、補助磁心１３，１３の変形を防止することができる。
【００４０】
なお、トランス１０は、スペーサ１６，１６を有しなくてもよい。例えば、補助磁心１３の他端面１３ｂと、第１脚部２１または第２脚部２２との間には、隙間が設けられておらず、他端面１３ｂが、第１脚部２１または第２脚部２２に当接していてもよい。この場合には、補助磁心１３には低透磁率材料を用い、補助磁心１３の透磁率を主磁心１１の透磁率よりも低くすることが好ましい。
【００４１】
また、可動磁心１２は、略角棒状でなくてもよく、例えば断面が円状の略丸棒状（略円柱状）等であってもよい。また、可動磁心１２は棒状でなくてもよい。例えば、可動磁心１２は、テーパー部分を有する板状とし、第１脚部２１と第２脚部２２との間にこれらと略平行に配置されるものとしてもよい。すなわち、可動磁心１２は、動かすことにより補助磁心１３にかかる応力を変化させられるものであればよい。なお、可動磁心１２が板状等の場合でも、１次巻線１４および２次巻線１５は、可動磁心１２を中心として巻き回された状態で主磁心１１の内側に配置されるようにすればよい。また、穴３０，３１の形状は、可動磁心１２の形状に合わせて適宜選択すればよい。
【００４２】
また、補助磁心１３は、略角棒状でなくてもよく、例えば断面が円状の略丸棒状（略円柱状）等であってもよい。また、補助磁心１２は棒状でなくてもよく、例えば、板状等であってもよい。すなわち、補助磁心１３は、可動磁心１２を動かすことで補助磁心１３にかかる応力を変化させ、これにより補助磁心１３の透磁率を変化させ漏れインダクタンスを調整できるものであればよい。また、補助磁心１３には、主磁心１１または可動磁心１２よりも磁歪定数の絶対値の大きい材料を用いてもよい。また、補助磁心１３について、磁歪定数の絶対値の大きい材料を用いることで、漏れインダクタンスの調整範囲を広くすることができる。
【００４３】
また、１次巻線１４および２次巻線１５は、例えばボビン等に巻かれており、このボビン等に巻かれた１次巻線１４および２次巻線１５の中央部を可動磁心が貫通していてもよく、ボビン等に巻かれていない状態であってもよい。また、主磁心１１、可動磁心１２、補助磁心１３、１次巻線１４、２次巻線１５またはスペーサ１６等を支持する構造については、本発明の作用効果を発揮できる範囲で適宜選択すればよい。
【００４４】
次に、補助磁心１３に加わる応力を変化させるため（応力を印加するため）に可動磁心１２を動かす機構（応力印加機構）について、図４および図５を参照しながら説明する。なお、応力印加機構は、トランス１０の一部としてトランスに含まれていてもよく、トランスとは別に用意することとしてもよい。応力印加機構の一例を図４および図５（ａ）に示す。応力印加機構４０は、可動磁心１２の中心を軸方向に貫通するネジ４１と、このネジ４１がねじ込まれる応力印加固定部４２と、を備えている。応力印加固定部４２は、第２連結部２４の第１連結部２３とは逆側を向く面（外面２４ａ）に、例えば接着などにより固定されている。応力印加固定部４２は、一対の脚部４３，４３と、内周面にネジ山が形成されたネジ穴４４を有する板状のネジ穴形成部４５と、を有している。一対の脚部４３，４３は、一端部が第２連結部２４の外面２４ａに固定されるとともに、他端部が第１連結部２３から離れる方向に突出して設けられている。また、一対の脚部４３，４３は、穴３１を挟んで配置されている。ネジ穴形成部４５は、一対の脚部４３，４３の前記他端部どうしを繋ぐようにして設けられている。すなわち、応力印加固定部４２は、一対の脚部４３，４３とネジ穴形成部４５とによって、断面略コ字状に形成されており、コ字状の開放部を第２連結部２４側に向けた状態で第２連結部２４に固定されている。そして、第２連結部２４とネジ穴形成部４５との間には可動磁心１２の他端部１２ｂを受け入れ可能な間隔（空間）が設けられている。
【００４５】
ネジ４１は、頭部４１ａが可動磁心１２の一端部１２ａ側の端面に当接するとともに、先端部４１ｂがネジ穴形成部４５のネジ穴４４に通されている。そして、ネジ４１をネジ穴４４に対して締めこむことで、頭部４１ａが第１連結部２３に近づく方向にわずかに動き、頭部４１ａに端面が押された可動磁心１２が同方向（軸方向において第１連結部２３から第２連結部２４に向かう方向）に動くことで、補助磁心１３，１３への圧縮応力が増すようになっている。逆に、ネジ４１を緩めることで、頭部４１ａが第１連結部２３から離れる方向にわずかに動き、可動磁心１２も同方向（軸方向において第２連結部２４から第１連結部２３に向かう方向）に動くことで、補助磁心１３，１３への圧縮応力が減少するようになっている。以上のような構成によれば、応力印加機構４０によって、可動磁心１２を軸方向へ動かす力が加えられ、これにより可動磁心１２を動かし、補助磁心１３に加わる圧縮応力を変化させることができる。
なお、応力印加固定部４２やネジ４１が磁束を受けることは、損失増加につながって望ましくないため、これらには非磁性の材料を用いることが望ましい。また、以上の例では可動磁心１２とネジ４１を別々に設けているが、可動磁心１２自体にネジ４１の機能を持たせても良い。この方法ではまず可動磁心１２の少なくとも第１連結部２３に接触する部分および第２連結部２４に接触する部分を円形断面とし、第１連結部２３に接触する部分および／または第２連結部２４に接触する部分の外周面にネジ山を形成する。また、第１連結部２３または第２連結部２４の可動磁心１２に接触する部分（穴３０または穴３１の内周面）にも対応するネジ山を設ける。このような構造とすると、可動磁心１２を回転させることで可動磁心１２が軸方向に動く。なお、この場合には、補助磁心１３，１３にかかる応力の変化が滑らかになるよう、可動磁心１２のテーパー部分（傾斜面１２ｃ，１２ｃ）の形状や、補助磁心１３，１３の傾斜面１３ａ，１３ａの形状も適宜調整すればよい。
【００４６】
また応力印加機構の他の一例を図５（ｂ）に示す。応力印加機構６０は、２本のネジ６１，６１と、応力印加固定部６２と、応力印加可動部６３と、を備えている。応力印加固定部６２は、主磁心１１（第２連結部２４）に例えば接着などで固定されており、応力印加可動部６３は、可動磁心１２に例えば接着などで固定されている。そして、応力印加固定部６２と応力印加可動部６３とにより、主磁心１１および可動磁心１２が囲われた状態となっている。具体的には、応力印加固定部６２は、主磁心１１の第１脚部２１、第２脚部２２および第２連結部２４を囲う（覆う）断面コ字状の壁部となっている。また、応力印加可動部６３は、板状となっており、可動磁心１２の一端部１２ａ側の端面に当接するとともに、第１連結部２３および応力印加固定部６２と可動磁心１２の軸方向において間隔をおき、かつ第１連結部２３と平行して配置されている。また、応力印加可動部６３は、主磁心１１の第１脚部２１から第２脚部２２に向かう方向において、両端部が主磁心１１よりも外側に突出している。そして、応力印加可動部６３の当該両端部それぞれに挿通されたネジ６１，６１が、応力印加固定部（ネジ穴形成部）６２の応力印加可動部６３側を向く端部に形成されたネジ穴６５，６５にねじ込まれている。換言すると、応力印加固定部６２と応力印加可動部６３とはネジ（可動ネジ）６１，６１によって締結されている。また、ネジ６１，６１の軸方向と、可動磁心１２の軸方向とは同方向となっている。
【００４７】
そして、ネジ６１，６１をネジ穴６５，６５に対して締めこむことで応力印加可動部６３が第１連結部２３および応力印加固定部６２に近づく方向にわずかに動き、応力印加可動部６３に端面が押された可動磁心１２も同方向（軸方向において第１連結部２３から第２連結部２４に向かう方向）に動くことで補助磁心１３，１３への圧縮応力が増す。逆にネジ６１，６１を緩めることで、応力印加可動部６３が第１連結部２３および応力印加固定部６２から離れる方向にわずかに動き、可動磁心１２も同方向（軸方向において第２連結部２４から第１連結部２３に向かう方向）に動くことで補助磁心１３，１３への圧縮応力が減少する。また、応力印加固定部６２には、その内面側であって主磁心１１の穴３１に対向する位置に、可動磁心１２の他端部１２ｂを受け入れ可能な間隔（空間）を形成する凹部６６が設けられている。したがって、可動磁心１２の軸方向への動きが妨げられることはない。
なお、応力印加固定部６２や応力印加可動部６３やネジ６１，６１が磁束を受けることは損失増加につながって望ましくないため、これらには非磁性の材料を用いることが望ましい。また、応力印加機構は、以上示した構成に限らず、可動磁心１２を軸方向に動かすことができるようになっていればよい。
【００４８】
（第２の実施の形態）
本実施形態のトランスが、第１の実施の形態のトランスと主に異なる点は、可動磁心および補助磁心の構造なので、以下ではこの点について説明し、第１の実施の形態と同様の構成については、その説明を省略ないし簡略化する。
【００４９】
本実施形態のトランス１１０は、図６および図７に示すように、可動磁心１１２と、２つの補助磁心１１３，１１３とを備えている。可動磁心１１２は、略丸棒状（略円柱状）となっている。また、可動磁心１１２の一端部１１２ａは、主磁心１１の穴３０に挿通され、可動磁心１１２の他端部１１２ｂは、主磁心１１の穴３１に挿通されている。そして、可動磁心１１２は、その軸を中心として周方向に回転可能な状態で、主磁心１１に支持されている。可動磁心１１２の軸方向中央部で、１次巻線１４と２次巻線１５との間の位置には、補助磁心１１３，１１３にかかる応力を変化させるための応力可変部１１４が設けられている。応力可変部１１４の断面は、可動磁心１１２の回転中心から補助磁心に接触する位置までの半径が回転に伴って変化するカム形状となっている。具体的には、応力可変部１１４は、第１応力可変部１１４ａと第２応力可変部１１４ｂとを有し、これらが軸方向に並んで配置されている。第１応力可変部１１４ａと第２応力可変部１１４ｂとは、それぞれ、可動磁心１１２の回転中心（軸）から補助磁心に接触する位置までの半径が回転に伴って、徐々に大きくあるいは小さくなるように形成されているとともに、最小半径となる位置と最大半径となる位置との間に段差が形成された形状となっている。また、第１応力可変部１１４ａと第２応力可変部１１４ｂとは、互いに可動磁心１１２の軸を中心とした点対称な断面形状となっており、第２応力可変部１１４ｂの断面形状は、可動磁心１１２をその軸を中心として１８０°回転させた場合の第１応力可変部１１４ａの断面形状と一致する。ただし、実際には、第１応力可変部１１４ａと第２応力可変部１１４ｂとは、一体的に回転するようになっているので、第１応力可変部１１４ａと第２応力可変部１１４ｂとの断面形状が一致するように重なり合うことは無い。
【００５０】
２つの補助磁心１１３のうちの一方は、その一端面１１３ａが第１応力可変部１１４ａ側を向き、その他端面１１３ｂが第１脚部２１側を向いた状態で配置されている。また、２つの補助磁心１１３のうちの他方は、その一端面１１３ａが第２応力可変部１１４ｂ側を向き、その他端面１１３ｂが第２脚部２２側を向いた状態で配置されている。そして、２つの補助磁心１１３は、互いの軸が平行でかつ可動磁心１１２の軸方向にずれた状態で配置されている。また、補助磁心１１３，１１３は、可動磁心１１２側の端面１１３ａ，１１３ａが、補助磁心１１３，１１３の軸に垂直な面となっている。そして、補助磁心１１３，１１３の端面１１３ａ，１１３ａは、１次巻線１４から２次巻線１５に向かう方向に対して垂直な方向における中央部が、可動磁心１１２の第１応力可変部１１４ａまたは第２応力可変部１１４ｂに当接している。すなわち、可動磁心１１２は、補助磁心１１３，１１３の端面１１３ａ，１１３ａの全体には接触しておらず、面の一部に接触するようになっている。このように構成することで、可動磁心１１２から補助磁心１１３に応力が加えられた場合に、補助磁心１１３内に不均一な応力分布が発生して、剪断応力が発生する。この剪断応力は、透磁率の変化を大きくする効果があり、これにより、可動磁心１１２からの圧縮応力による補助磁心１１３の透磁率の変化が大きくなるので、漏れインダクタンスの調整幅を大きくすることができる。すなわち、補助磁心と可動磁心、スペーサまたは主磁心との接触面形状を互いに異ならせ、接触する部材どうしを面接触させないようにすることで、補助磁心内に剪断応力を発生させ、漏れインダクタンスの調整幅を大きくすることができる。
【００５１】
本実施形態のトランス１１０によれば、可動磁心１１２をその軸を中心として（図７に矢印で示す方向に）回転させることで、補助磁心１１３にかかる圧縮応力を連続的に変化させ、補助磁心１１３の透磁率を連続的に変化させることができる。よって、可動磁心を動かして補助磁心の透磁率を変化させることで、補助磁心を通過する漏れ磁束の量を調整することができる。したがって、漏れインダクタンスを容易に調整できる。
なお、本実施形態のトランス１１０に使用される応力印加機構としては、可動磁心１１２を軸方向に動かすものではなく、可動磁心１１２を周方向に回転させるものが使用可能であるが、このように軸を回転させる機構については周知の種々の技術が適用可能であるため、説明を省略する。
【００５２】
（第３の実施の形態）
本実施形態のトランスが、第１の実施の形態のトランスと主に異なる点は、補助磁心およびスペーサの構造なので、以下ではこの点について説明し、第１の実施の形態と同様の構成については、その説明を省略ないし簡略化する。
【００５３】
本実施形態のトランス２１０は、図８に示すように、補助磁心２１３，２１３と、スペーサ２１６，２１６とを備えている。また、補助磁心２１３，２１３およびスペーサ２１６，２１６は、可動磁心１２側の端面が、１次巻線１４から２次巻線１５に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線１４側の部分および２次巻線１５側の部分よりも、可動磁心１２側に向けて（漏れ磁束の流れる方向において）突出した凸曲面２１３ａ，２１３ａ，２１６ａ，２１６ａとなっている。また、補助磁心２１３，２１３は、補助磁心２１３，２１３の軸方向、すなわち漏れ磁束の流れる方向において、負の磁歪定数を有している。このような構成においては、可動磁心１２から補助磁心２１３，２１３に応力が加えられた場合に、補助磁心２１３，２１３においては、１次巻線１４から２次巻線１５に向かう方向における中心部の方が、当該方向における１次巻線１４側の部分および２次巻線１５側の部分よりも透磁率が相対的に高くなる。したがって、補助磁心２１３，２１３から１次巻線１４または２次巻線１５を貫通する方向に向けて漏れ磁束が向かうことを防止でき、寄生磁束を減少させることができる。
【００５４】
なお、本実施形態においては、補助磁心２１３およびスペーサ２１６が凸曲面２１３ａ，２１６ａを有することとしたが、補助磁心２１３と、可動磁心１２、スペーサ２１６または主磁心１１との接触部の少なくとも１つにおいて、補助磁心２１３、可動磁心１２、スペーサ２１６または主磁心１１の少なくとも１つが、１次巻線から２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、漏れ磁束の流れる方向において突出していればよい。さらに述べると、例えば、補助磁心２１３は補助磁心２１３，２１３の軸方向、すなわち漏れ磁束の流れる方向において正の磁歪定数を有するものとし、補助磁心２１３と、可動磁心１２、スペーサ２１６または主磁心１１との接触部の少なくとも１つにおいて、補助磁心２１３、可動磁心１２、スペーサ２１６または主磁心１１の少なくとも１つが、１次巻線から２次巻線に向かう方向における中心部が、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分よりも、漏れ磁束の流れる方向において凹んでいるようにしてもよい。すなわち、可動磁心１２から補助磁心２１３に加えられる応力が、１次巻線から２次巻線に向かう方向における中心部と、当該方向における１次巻線側の部分および２次巻線側の部分とで異なり、補助磁心２１３について、１次巻線１４から２次巻線１５に向かう方向における中心部の透磁率を相対的に高くなるように調整し、当該方向における１次巻線１４側の部分および２次巻線１５側の部分の透磁率を相対的に低くなるように調整することができるようになっていればよい。
【００５５】
（第４の実施の形態）
本実施形態のトランスが、第１の実施の形態のトランスと主に異なる点は、主磁心、可動磁心、および補助磁心の構造なので、以下ではこの点について説明し、第１の実施の形態と同様の構成については、その説明を省略ないし簡略化する。
【００５６】
本実施形態のトランス３１０を図９に示す。主磁心３１１は、第１脚部３２１と、第２脚部３２２と、第１脚部３２１の一端部と第２脚部３２２の一端部とを連結する第１連結部３２３と、第１脚部３２１の他端部と第２脚部３２２の他端部とを連結する第２連結部３２４と、を備えている。また、第１脚部３２１と第２脚部３２２とは板状となっており、互いに対向して配置されている。また、第１脚部３２１と第２脚部３２２とは互いに平行となっている。また、第１連結部３２３と第２連結部３２４とは板状となっており、互いに対向して配置されている。また、第１連結部３２３と第２連結部３２４とは互いに平行となっている。そして、主磁心３１１は、これら第１脚部３２１と第２脚部３２２と第１連結部３２３と第２連結部３２４とによって、角筒状に形成されている。
【００５７】
１次巻線３１４は、第１脚部３２１の外周にロ字状（ドーナツ状）に巻き回されている。また、２次巻線３１５は、第２脚部３２２の外周にロ字状（ドーナツ状）に巻き回されている。
【００５８】
可動磁心１２と、補助磁心１３，１３とは、1次巻線３１４と２次巻線３１５との間に配置されている。具体的には、第１連結部３２３側から第２連結部３２４側に向けて補助磁心１３、可動磁心１２、補助磁心１３の順で配置されている。また、補助磁心１３，１３は、その軸が第１連結部３２３から第２連結部３２４に向かう方向に平行になるようにして配置されている。また、可動磁心１２は、その軸が第１連結部３２３から第２連結部３２４に向かう方向に直交するとともに、第１脚部３２１から第２脚部３２２に向かう方向に直交するようにして配置されている。また、２つの補助磁心１３，１３はそれぞれ、その軸方向における傾斜面１３ａ側を可動磁心１２側に向け、その軸方向における他端面１３ｂ側を第１連結部３２３側または第２連結部３２４側に向けた状態で配置されている。また、補助磁心１３，１３は、傾斜面１３ａ，１３ａを可動磁心１２のテーパー部分（傾斜面１２ｃ，１２ｃ）に当接させた状態となっている。また、可動磁心１２の軸方向に対する傾斜面１３ａ，１３ａの傾斜角と、可動磁心１２の軸方向に対するテーパー部分（傾斜面１２ｃ，１２ｃ）の傾斜角とは、等しくなっている。そして、可動磁心１２の軸方向と、補助磁心１３，１３の軸方向とは直交した状態となっている。また、２つの補助磁心１３，１３は、可動磁心１２を中心として対称な位置に配置されており、同軸となるように一直線上に配置されている。また、補助磁心１３の他端面１３ｂと、第１連結部３２３または第２連結部３２４との間には、隙間が設けられている。また、この隙間を埋めるようにして、スペーサ１６が設けられている。
【００５９】
本実施形態のトランス３１０において主磁束は、第１脚部３２１、第１連結部３２３、第２脚部３２２そして第２連結部３２４を通過する。また、漏れ磁束は、補助磁心１３、可動磁心１２そして補助磁心１３を通過して、第１連結部３２３から第２連結部３２４へ向かう。すなわち、本実施形態のトランス３１０においては、主磁束は可動磁心１２を通過せず、漏れ磁束が可動磁心１２を通過するようになっている。本実施形態のトランスでも、可動磁心を動かして補助磁心の透磁率を変化させることで、補助磁心を通過する漏れ磁束の量を調整することができる。したがって、漏れインダクタンスを容易に調整できる。
【００６０】
なお、前述した実施形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。したがって、本発明は前述の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を置換、削除する等、変更することが可能である。また、当然異なる実施の形態の各構成要素を組み合わせてもよい。例えば、第２の実施の形態のトランス１１０において第３の実施の形態のトランス２１０のような凸曲面２１３ａ，２１６ａを有する補助磁心２１３またはスペーサ２１６等を用いてもよい。また、例えば、第４の実施の形態のトランス３１０において第２の実施の形態のトランス１１０のようなカム形状を有する可動磁心１１２を用いてもよい。その他にも、各実施の形態の構成において、他の実施の形態の構成要素を採用することが可能である。
【００６１】
また、可動磁心の透磁率は、例えば、可動磁心を主磁束が通過する場合には主磁心の透磁率と略同じとし、可動磁心を主磁束が通過しない場合には主磁心の透磁率よりも低くするとよい。また、補助磁心の透磁率は、例えば、主磁心の透磁率よりも低くするとよい。また、スペーサは、主磁心、可動磁心および補助磁心よりも透磁率を低くすることが好ましく、非磁性体により形成することがさらに好ましい。
【符号の説明】
【００６２】
１０，１１０，２１０，３１０  トランス
１１，３１１  主磁心
１２，１１２  可動磁心
１３，１１３，２１３  補助磁心
１４，３１４  １次巻線
１５，３１５  ２次巻線
１６，２１６  スペーサ
１１４  応力可変部
２１３ａ，２１６ａ  凸曲面
【図１】
2020120014.tif 000003
【図２】
2020120014.tif 000004
【図３】
2020120014.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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