(57)【要約】【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタは、第１の絶縁体上の第１の導電体および第２の絶縁体と、第１の導電体上および第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、第４に絶縁体上の第１の酸化物と、第１の酸化物上の第２の酸化物および第３の酸化物と、第３の絶縁体の上面、第４の絶縁体の側面、第１の酸化物の側面、第２の酸化物の側面、および第２の酸化物の上面と接する第２の導電体と、第３の絶縁体の上面、第４の絶縁体の側面、第１の酸化物の側面、第３の酸化物の側面、および第３の酸化物の上面と接する第３の導電体と、第１の酸化物上の第４の酸化物と、第４の酸化物上の第５の絶縁体と第５の絶縁体上の第４の導電体と、を有し、容量素子は、第１の絶縁体上の第５の導電体と、第５の導電体上の第３の絶縁体と、第３の絶縁体上の第２の導電体と、を有する半導体装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域に酸化物を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、トランジスタ、および容量素子を有し、
前記トランジスタは、
第１の絶縁体上の第１の導電体および第２の絶縁体と、
前記第１の導電体上および前記第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体上の第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上の第２の酸化物および第３の酸化物と、
前記第３の絶縁体の上面、前記第４の絶縁体の側面、前記第１の酸化物の側面、前記第２の酸化物の側面、および前記第２の酸化物の上面と接する第２の導電体と、
前記第３の絶縁体の上面、前記第４の絶縁体の側面、前記第１の酸化物の側面、前記第３の酸化物の側面、および前記第３の酸化物の上面と接する第３の導電体と、
前記第１の酸化物上の第４の酸化物と、
前記第４の酸化物上の第５の絶縁体と
前記第５の絶縁体上の第４の導電体と、を有し、
前記容量素子は、
前記第１の絶縁体上の第５の導電体と、
前記第５の導電体上の前記第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体上の前記第２の導電体と、を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の酸化物乃至前記第３の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含む、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の絶縁体は、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、タンタルのいずれか一を含む、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の絶縁体は、シリコンおよび窒素を含む、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置、ならびに半導体装置の作製方法に関する。または、本発明の一態様は、半導体ウエハ、モジュール、および電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能し得る装置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装置は、半導体装置の一態様である。表示装置（液晶表示装置、発光表示装置など）、投影装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、および電子機器などは、半導体装置を有すると言える場合がある。
【０００３】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。
【背景技術】
【０００４】
近年、半導体装置の開発が進められ、ＬＳＩやＣＰＵやメモリが主に用いられている。ＣＰＵは、半導体ウエハから切り離された半導体集積回路（少なくともトランジスタ及びメモリ）を有し、接続端子である電極が形成された半導体素子の集合体である。
【０００５】
ＬＳＩやＣＰＵやメモリなどの半導体回路（ＩＣチップ）は、回路基板、例えばプリント配線板に実装され、様々な電子機器の部品の一つとして用いられる。
【０００６】
また、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。該トランジスタは集積回路（ＩＣ）や画像表示装置（単に表示装置とも表記する）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
【０００７】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さいことが知られている。例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用した低消費電力のＣＰＵなどが開示されている（特許文献１参照。）。また、例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタのリーク電流が低いという特性を応用して、長期にわたり記憶内容を保持することができる記憶装置などが、開示されている（特許文献２参照。）。
【０００８】
また、近年では電子機器の小型化、軽量化に伴い、集積回路のさらなる高密度化への要求が高まっている。また、集積回路を含む半導体装置の生産性の向上が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１２−２５７１８７号公報
【特許文献２】特開２０１１−１５１３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の一態様は、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、ノーマリーオフの電気特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性が良好な半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、オン電流が大きい半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、高い周波数特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、生産性の高い半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【００１１】
本発明の一態様は、長期間においてデータの保持が可能な半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、情報の書き込み速度が速い半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、設計自由度が高い半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、消費電力を抑えることができる半導体装置を提供することを課題の一つとする。本発明の一態様は、新規な半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【００１２】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、チャネル形成領域に酸化物を有する半導体装置であって、半導体装置は、トランジスタ、および容量素子を有し、トランジスタは、第１の絶縁体上の第１の導電体および第２の絶縁体と、第１の導電体上および第２の絶縁体上の第３の絶縁体と、第３の絶縁体上の第４の絶縁体と、第４の絶縁体上の第１の酸化物と、第１の酸化物上の第２の酸化物および第３の酸化物と、第３の絶縁体の上面、第４の絶縁体の側面、第１の酸化物の側面、第２の酸化物の側面、および第２の酸化物の上面と接する第２の導電体と、第３の絶縁体の上面、第４の絶縁体の側面、第１の酸化物の側面、第３の酸化物の側面、および第３の酸化物の上面と接する第３の導電体と、第１の酸化物上の第４の酸化物と、第４の酸化物上の第５の絶縁体と、第５の絶縁体上の第４の導電体と、を有し、容量素子は、第１の絶縁体上の第５の導電体と、第５の導電体上の第３の絶縁体と、第３の絶縁体上の第２の導電体と、を有する半導体装置である。
【００１４】
また、第１乃至第３の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含むことが好ましい。
【００１５】
また、第３の絶縁体は、アルミニウム、ハフニウム、ジルコニウム、タンタルのいずれか一を含むことが好ましい。
【００１６】
また、第１の絶縁体は、シリコンおよび窒素を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、ノーマリーオフの電気特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、オン電流が大きい半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、高い周波数特性を有する半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、生産性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１８】
または、長期間においてデータの保持が可能な半導体装置を提供することができる。または、データの書き込み速度が速い半導体装置を提供することができる。または、設計自由度が高い半導体装置を提供することができる。または、消費電力を抑えることができる半導体装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。
【００１９】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（Ａ）は半導体装置の構成例を示す上面図である。図１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図２】図２（Ａ）は半導体装置の構成例を示す上面図である。図２（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は半導体装置の構成例を示す上面図である。図３（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図４（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図５（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図６（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図７（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図８】図８（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図８（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図９】図９（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図９（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１０（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１１（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１２（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図１３】図１３（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１３（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は半導体装置の作製方法を示す上面図である。図１４（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は半導体装置の作製方法を示す断面図である。
【図１５】図１５（Ａ）はＩＧＺＯの結晶構造の分類を説明する図である。図１５（Ｂ）は石英ガラスのＸＲＤスペクトルを説明する図である。図１５（Ｃ）は結晶性ＩＧＺＯのＸＲＤスペクトルを説明する図である。
【図１６】図１６は半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図１７】図１７は半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図１８】図１８は半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図１９】図１９は記憶装置の構成例を示す断面図である。
【図２０】図２０は記憶装置の構成例を示す断面図である。
【図２１】図２１は各種の記憶装置を階層ごとに示す図である。
【図２２】図２２（Ａ）は記憶装置の構成例を示すブロック図である。図２２（Ｂ）は記憶装置の構成例を示す斜視図である。
【図２３】図２３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は記憶装置の構成例を示す回路図である。
【図２４】図２４（Ａ）、（Ｂ）は電子部品の一例を説明する図である。
【図２５】図２５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は記憶装置の構成例を示す模式図である。
【図２６】図２６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ１）、（Ｅ２）、（Ｆ）は電子機器を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２２】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお、図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。例えば、実際の製造工程において、エッチングなどの処理により層やレジストマスクなどが意図せずに目減りすることがあるが、理解を容易とするために図に反映しないことがある。また、図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２３】
また、特に上面図（「平面図」ともいう）や斜視図などにおいて、発明の理解を容易とするため、一部の構成要素の記載を省略する場合がある。また、一部の隠れ線などの記載を省略する場合がある。
【００２４】
また、本明細書等において、第１、第２等として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００２５】
また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。したがって、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００２６】
例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接的に接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。
【００２７】
ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００２８】
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができる場合がある。
【００２９】
なお、本明細書等において、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域（チャネル形成領域）におけるチャネル幅（以下、「実効的なチャネル幅」ともいう）と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅（以下、「見かけ上のチャネル幅」ともいう）と、が異なる場合がある。例えば、ゲートが半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつゲートが半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の側面に形成されるチャネル形成領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、見かけ上のチャネル幅よりも、実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
【００３０】
このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
【００３１】
本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析することなどによって、値を決定することができる。
【００３２】
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、半導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  Ｓｔａｔｅｓ）が高くなることや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の遷移金属などがあり、例えば、水素、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、水も不純物として機能する場合がある。また、酸化物半導体の場合、例えば不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
【００３３】
なお、本明細書等において、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものである。また、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものである。
【００３４】
また、本明細書等において、「絶縁体」という用語を、絶縁膜または絶縁層と言い換えることができる。また、「導電体」という用語を、導電膜または導電層と言い換えることができる。また、「半導体」という用語を、半導体膜または半導体層と言い換えることができる。
【００３５】
また、本明細書等において、「平行」とは、二つの直線が−１０度以上１０度以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、−５度以上５度以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が−３０度以上３０度以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が８０度以上１００度以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、８５度以上９５度以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が６０度以上１２０度以下の角度で配置されている状態をいう。
【００３６】
なお、本明細書において、バリア膜とは、水、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する膜のことであり、当該バリア膜に導電性を有する場合は、導電性バリア膜と呼ぶことがある。
【００３７】
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳ  ＦＥＴあるいはＯＳトランジスタと記載する場合においては、酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
【００３８】
また、本明細書等において、ノーマリーオフとは、ゲートに電位を印加しない、またはゲートに接地電位を与えたときに、トランジスタに流れるチャネル幅１μｍあたりの電流が、室温において１×１０−２０Ａ以下、８５℃において１×１０−１８Ａ以下、または１２５℃において１×１０−１６Ａ以下であることをいう。
【００３９】
（実施の形態１）
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００および容量素子１００を有する半導体装置の一例、およびその作製方法について説明する。
【００４０】
＜半導体装置の構成例＞
図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、および図１（Ｄ）は、本発明の一態様に係るトランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置の上面図および断面図である。
【００４１】
図１（Ａ）は、トランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置の上面図である。また、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、および図１（Ｄ）は、当該半導体装置の断面図である。ここで、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）にＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００、および容量素子１００のチャネル長方向の断面図でもある。また、図１（Ｃ）は、図１（Ａ）にＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図１（Ｄ）は、図１（Ａ）にＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図であり、容量素子１００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、図１（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
【００４２】
本発明の一態様の半導体装置は、基板（図示せず）上の絶縁体２１４と、絶縁体２１４上のトランジスタ２００、および容量素子１００と、トランジスタ２００、および容量素子１００上の絶縁体２８０と、絶縁体２８０上の絶縁体２８２と、絶縁体２８２上の絶縁体２８３と、絶縁体２８３上の絶縁体２８４と、絶縁体２８４上の絶縁体２７４と、を有する。絶縁体２１４、絶縁体２１６、絶縁体２８０、絶縁体２８２、絶縁体２８３、および絶縁体２７４は層間膜として機能する。また、トランジスタ２００と電気的に接続し、プラグとして機能する導電体２４０を有する。なお、プラグとして機能する導電体２４０の側面に接して絶縁体２４１が設けられる。また、絶縁体２８３上、および導電体２４０上には、導電体２４０と電気的に接続し、配線として機能する導電体２４６が設けられる。また、導電体２４６上、および絶縁体２８３上には、絶縁体２８４が設けられている。
【００４３】
また、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８０、絶縁体２８２、および絶縁体２８３の開口の内壁に接して、絶縁体２４１が設けられ、その側面に接して導電体２４０の第１の導電体が設けられ、さらに内側に導電体２４０の第２の導電体が設けられている。ここで、導電体２４０の上面の高さと、絶縁体２８３の上面の高さは同程度にできる。なお、トランジスタ２００では、導電体２４０の第１の導電体および導電体２４０の第２の導電体を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体２４０を単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。構造体が積層構造を有する場合、形成順に序数を付与し、区別する場合がある。
【００４４】
［トランジスタ２００］
図１（Ｂ）に示すように、トランジスタ２００は、絶縁体２１４上の絶縁体２１６と、絶縁体２１６に埋め込まれるように配置された導電体２０５（導電体２０５ａ、および導電体２０５ｂ）と、絶縁体２１６上、および導電体２０５上の絶縁体２２２と、絶縁体２２２上の絶縁体２２４と、絶縁体２２４上の酸化物２３０ａと、酸化物２３０ａ上の酸化物２３０ｂと、酸化物２３０ｂ上の酸化物２４３ａおよび酸化物２４３ｂと、絶縁体２２２の上面、絶縁体２２４の側面、酸化物２３０ａの側面、酸化物２３０ｂの側面、酸化物２４３ａの側面、および酸化物２４３ａの上面と接する導電体２４２ａと、絶縁体２２２の上面、絶縁体２２４の側面、酸化物２３０ａの側面、酸化物２３０ｂの側面、酸化物２４３ｂの側面、および酸化物２４３ｂの上面と接する導電体２４２ｂと、絶縁体２２２の上面、導電体２４２ａの側面、導電体２４２ａの上面、導電体２４２ｂの側面、および導電体２４２ｂの上面とそれぞれ接する絶縁体２７２と、絶縁体２７２上の絶縁体２７３と、酸化物２３０ｂ上の酸化物２３０ｃと、酸化物２３０ｃ上の絶縁体２５０と、絶縁体２５０上に位置し、酸化物２３０ｃと重なる導電体２６０（導電体２６０ａ、および導電体２６０ｂ）と、を有する。また、酸化物２３０ｃは、酸化物２４３ａの側面、酸化物２４３ｂの側面、導電体２４２ａの側面、導電体２４２ｂの側面、絶縁体２７２の側面、および絶縁体２７３の側面とそれぞれ接する。導電体２６０は、導電体２６０ａおよび導電体２６０ｂを有し、導電体２６０ｂの底面および側面を包むように導電体２６０ａが配置される。ここで、図１（Ｂ）に示すように、導電体２６０の上面は、絶縁体２５０の上面および酸化物２３０ｃの上面と略一致して配置される。また、絶縁体２８２は、導電体２６０、絶縁体２５０、酸化物２３０ｃ、および絶縁体２８０のそれぞれの上面と接する。
【００４５】
なお、以下において、酸化物２４３ａと酸化物２４３ｂをまとめて酸化物２４３と呼ぶ場合がある。また、導電体２４２ａと導電体２４２ｂをまとめて導電体２４２と呼ぶ場合がある。
【００４６】
トランジスタ２００において、導電体２６０は、トランジスタのゲートとして機能し、導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂは、それぞれソース電極またはドレイン電極として機能する。トランジスタ２００は、ゲートとして機能する導電体２６０が、絶縁体２８０、絶縁体２７３、絶縁体２７２、導電体２４２、および酸化物２４３によって形成される開口を埋めるように自己整合的に形成される。導電体２６０をこのように形成することにより、導電体２４２ａと導電体２４２ｂの間の領域に、導電体２６０を位置合わせすることなく確実に配置することができる。
【００４７】
また、絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３の少なくとも一は、水素（例えば、水素原子、水素分子などの少なくとも一）または水分子の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。特に、絶縁体２１４、絶縁体２７３、および絶縁体２８３は、水素（例えば、水素原子、水素分子などの少なくとも一）または水分子の拡散を抑制する機能が高いことが好ましい。また、絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３の少なくとも一は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。例えば、絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３の少なくとも一は、絶縁体２２４よりも酸素および水素の一方または双方の透過性が低いことが好ましい。絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３の少なくとも一は、絶縁体２５０よりも酸素および水素の一方または双方の透過性が低いことが好ましい。絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３の少なくとも一は、絶縁体２８０よりも酸素および水素の一方または双方の透過性が低いことが好ましい。
【００４８】
絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、インジウムガリウム亜鉛酸化物、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどを用いることができる。特に、絶縁体２１４、および絶縁体２８３としては、より水素バリア性が高い、窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを用いることが好ましい。
【００４９】
また、図１（Ｂ）に示すように、本実施の形態に示す半導体装置の一態様では、絶縁体２２４の側面の一部が導電体２４２と接し、導電体２４２は、絶縁体２７２に覆われ、絶縁体２７２上に絶縁体２７３を配置する構成となっている。従って、絶縁体２７２および絶縁体２７３によって、導電体２４２が封止されるので、導電体２４２の酸化を抑制することができる。また、絶縁体２２４中の水素が導電体２４２を通って絶縁体２７２に吸収される場合があり、好ましい。
【００５０】
また、酸化物２３０は、絶縁体２２４上の酸化物２３０ａと、酸化物２３０ａ上の酸化物２３０ｂと、酸化物２３０ｂ上に配置され、少なくとも一部が酸化物２３０ｂの上面に接する酸化物２３０ｃと、を有することが好ましい。ここで、酸化物２３０ｃの側面は、酸化物２４３ａ、酸化物２４３ｂ、導電体２４２ａ、導電体２４２ｂ、絶縁体２７２、絶縁体２７３、および絶縁体２８０に接して設けられていることが好ましい。
【００５１】
なお、トランジスタ２００では、チャネル形成領域と、その近傍において、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの３層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、酸化物２３０ｂの単層、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ａの２層構造、酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃの２層構造、または４層以上の積層構造を設ける構成にしてもよい。例えば、酸化物２３０ｃを２層構造にして、４層の積層構造を設ける構成にしてもよい。
【００５２】
トランジスタ２００は、チャネル形成領域を含む酸化物２３０（酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃ）に、酸化物半導体として機能する金属酸化物（以下、酸化物半導体ともいう）を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体として機能する金属酸化物は、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。このように、エネルギーギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタ２００の非導通状態におけるリーク電流（オフ電流）を極めて小さくすることができる。このようなトランジスタを用いることで、低消費電力の半導体装置を提供できる。
【００５３】
例えば、酸化物２３０として、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、錫、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等の金属酸化物を用いるとよい。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または錫を用いるとよい。また、酸化物２３０として、Ｉｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、またはＭ−Ｚｎ酸化物を用いてもよい。
【００５４】
酸化物２３０は、酸化物２３０ａと、酸化物２３０ａ上の酸化物２３０ｂと、酸化物２３０ｂ上の酸化物２３０ｃと、を有する。酸化物２３０ｂ下に酸化物２３０ａを有することで、酸化物２３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。また、酸化物２３０ｂ上に酸化物２３０ｃを有することで、酸化物２３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物２３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。
【００５５】
なお、酸化物２３０は、各金属原子の原子数比が異なる複数の層の積層構造を有することが好ましい。具体的には、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物において、構成元素中の元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元素Ｍの原子数比より、大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物２３０ａに用いる金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２３０ｃは、酸化物２３０ａまたは酸化物２３０ｂに用いることができる金属酸化物を、用いることができる。
【００５６】
具体的には、酸化物２３０ａとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、またはその近傍の組成、あるいは１：１：０．５［原子数比］、またはその近傍の組成の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物２３０ｂとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成、あるいは１：１：１［原子数比］、またはその近傍の組成の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物２３０ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：３［原子数比］、またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：３［原子数比］、またはその近傍の組成、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］、またはその近傍の組成、あるいはＧａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］、またはその近傍の組成の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物２３０ｃを積層構造とする場合の具体例としては、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成と、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、またはその近傍の組成との積層構造、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成、とＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：３［原子数比］、またはその近傍の組成との積層構造、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］、またはその近傍の組成と、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成との積層構造、Ｇａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］、またはその近傍の組成と、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成との積層構造、酸化ガリウムと、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、またはその近傍の組成との積層構造などが挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。
【００５７】
また、酸化物２３０ｂは、結晶性を有することが好ましい。例えば、後述するＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いることが好ましい。ＣＡＡＣ−ＯＳなどの結晶性を有する酸化物は、不純物や欠陥（酸素欠損など）が少なく、結晶性の高い、緻密な構造を有している。よって、ソース電極またはドレイン電極による、酸化物２３０ｂからの酸素の引き抜きを抑制することができる。これにより、加熱処理を行っても、酸化物２３０ｂから酸素が引き抜かれることを低減できるので、トランジスタ２００は、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対して安定である。
【００５８】
また、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの伝導帯下端のエネルギーが、酸化物２３０ｂの伝導帯下端のエネルギーより高くなることが好ましい。また、言い換えると、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｃの電子親和力が、酸化物２３０ｂの電子親和力より小さいことが好ましい。
【００５９】
ここで、電子親和力または伝導帯下端のエネルギー準位Ｅｃは、真空準位と価電子帯上端のエネルギーＥｖとの差であるイオン化ポテンシャルＩｐと、エネルギーギャップＥｇから求めることができる。イオン化ポテンシャルＩｐは、例えば、紫外線光電子分光分析（ＵＰＳ：Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）装置を用いて測定することができる。エネルギーギャップＥｇは、例えば、分光エリプソメータを用いて測定することができる。
【００６０】
また、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ｃの接合部における伝導帯下端のエネルギー準位は、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面において形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。
【００６１】
また、キャリアの主たる経路は酸化物２３０ｂとなる。酸化物２３０ａ乃至酸化物２３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物２３０ａと酸化物２３０ｂとの界面、および酸化物２３０ｂと酸化物２３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすることができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ２００は高いオン電流、および高い周波数特性を得ることができる。
【００６２】
酸化物２３０（例えば、酸化物２３０ｂ）には、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性という。なお、酸化物半導体中の不純物としては、例えば、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
【００６３】
特に、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸化物半導体中に酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙともいう）を形成する場合がある。さらに、酸素欠損に水素が入った欠陥（以下、ＶＯＨと呼ぶ場合がある。）はドナーとして機能し、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成する場合がある。従って、水素が多く含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。また、酸化物半導体中の水素は、熱、電界などのストレスによって動きやすいため、酸化物半導体に多くの水素が含まれると、トランジスタの信頼性が悪化する恐れもある。
【００６４】
ＶＯＨは、酸化物半導体のドナーとして機能しうる。しかしながら、当該欠陥を定量的に評価することは困難である。そこで、酸化物半導体においては、ドナー濃度ではなく、キャリア濃度で評価される場合がある。よって、本明細書等では、酸化物半導体のパラメータとして、ドナー濃度ではなく、電界が印加されない状態を想定したキャリア濃度を用いる場合がある。つまり、本明細書等に記載の「キャリア濃度」は、「ドナー濃度」と言い換えることができる場合がある。
【００６５】
以上より、酸化物半導体を酸化物２３０に用いる場合、酸化物２３０中のＶＯＨをできる限り低減し、高純度真性または実質的に高純度真性にすることが好ましい。このように、ＶＯＨが十分低減された酸化物半導体を得るには、酸化物半導体中の水分、水素などの不純物を除去すること（脱水、脱水素化処理と記載する場合がある。）と、酸化物半導体に酸素を供給して酸素欠損を補填すること（加酸素化処理と記載する場合がある。）が重要である。ＶＯＨなどの不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
【００６６】
また、酸化物２３０に酸化物半導体を用いる場合、チャネル形成領域として機能する領域の酸化物半導体のキャリア濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましく、１×１０１７ｃｍ−３未満であることがより好ましく、１×１０１６ｃｍ−３未満であることがさらに好ましく、１×１０１３ｃｍ−３未満であることがさらに好ましく、１×１０１２ｃｍ−３未満であることがさらに好ましい。なお、チャネル形成領域として機能する領域の酸化物半導体のキャリア濃度の下限値については、特に限定は無いが、例えば、１×１０−９ｃｍ−３とすることができる。
【００６７】
また、水素原子を含まない、または水素原子の含有量が少ない、原料ガスを用いて、層間絶縁膜（絶縁体２１６、絶縁体２７４、絶縁体２８０など）、およびゲート絶縁膜（絶縁体２２４、絶縁体２５０など）を成膜することで、これらの絶縁膜に含まれる水素濃度を低減し、酸化物半導体のチャネル形成領域に混入する水素の低減を図ってもよい。
【００６８】
上記絶縁膜の成膜では、成膜ガスとして、シリコン原子を含む分子を有するガスが主に用いられる。上記絶縁膜に含まれる水素を低減するには、当該シリコン原子を含む分子に含まれる水素原子が少ないことが好ましく、当該シリコン原子を含む分子が水素原子を含まないことがより好ましい。もちろん、シリコン原子を含む分子を有するガス以外の成膜ガスも、含有される水素原子が少ないことが好ましく、水素原子を含まないことがより好ましい。
【００６９】
上記のようなシリコン原子を含む分子をＳｉｘ−Ｒｙで表すと、例えば、官能基Ｒとして、イソシアネート基（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）、シアネート基（−Ｏ−Ｃ≡Ｎ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、ジアゾ基（＝Ｎ２）、アジド基（−Ｎ３）、ニトロソ基（−ＮＯ）、およびニトロ基（−ＮＯ２）の少なくとも一つを用いることができる。例えば、１≦ｘ≦３、１≦ｙ≦８、とすればよい。このようなシリコン原子を含む分子としては、例えば、テトライソシアネートシラン、テトラシアネートシラン、テトラシアノシラン、ヘキサイソシアネートシラン、オクタイソシアネートシラン等を用いることができる。ここでは、シリコン原子に同じ種類の官能基が結合する分子を例示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。シリコン原子に異なる種類の官能基が結合する構成にしてもよい。
【００７０】
また、例えば、官能基Ｒとしてハロゲン（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはＦ）を用いる構成にしてもよい。例えば、１≦ｘ≦２、１≦ｙ≦６、とすればよい。このようなシリコン原子を含む分子としては、例えば、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）等を用いることができる。塩素を官能基とする例を示したが、塩素以外の、臭素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンを官能基として用いてもよい。また、シリコン原子に異なる種類のハロゲンが結合する構成にしてもよい。
【００７１】
絶縁体２１６、絶縁体２７４、絶縁体２８０、絶縁体２２４、および絶縁体２５０の成膜は、上記のようなシリコン原子を含む分子を有するガスを用いた、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって行えばよい。ＣＶＤ法は、成膜速度が比較的早いので、膜厚が厚い絶縁体２８０、絶縁体２７４、および絶縁体２１６の成膜を行うにあたって好適である。
【００７２】
ＣＶＤ法として、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法、または熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）法、を用いることが好ましい。熱ＣＶＤ法を用いる場合、大気圧下で成膜を行なう常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ：Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ）法を用いてもよいし、大気圧より低い減圧状態で成膜を行う減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ：Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ）法を用いてもよい。
【００７３】
ＣＶＤ法を用いて絶縁体２１６、絶縁体２７４、絶縁体２８０、絶縁体２２４、および絶縁体２５０を成膜する場合、酸化剤を用いることが好ましい。酸化剤としては、Ｏ２、Ｏ３、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５、ＣＯ、ＣＯ２、などの水素原子を含まないガスを用いることが好ましい。
【００７４】
また、絶縁体２１６、絶縁体２７４、絶縁体２８０、絶縁体２２４、および絶縁体２５０の成膜は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって行ってもよい。ＡＬＤ法では、反応のための第１の原料ガス（以下、プリカーサと呼ぶ。前駆体、金属プリカーサとも呼ぶことができる。）と第２の原料ガス（以下、リアクタントと呼ぶ。反応剤、非金属プリカーサとも呼ぶことができる。）を交互にチャンバーに導入し、これらの原料ガスの導入を繰り返すことで成膜を行う。
【００７５】
ＡＬＤ法は、原料ガスを切り替えながら成膜することで、原子の性質である自己制御性を利用し、一層ずつ原子を堆積することができる。よって、ＡＬＤ法は、極薄膜厚の成膜、アスペクト比の高い構造への成膜、ピンホールなどの欠陥の少ない成膜、および被覆性に優れた成膜などを行うことができる。このため、ＡＬＤ法は、絶縁体２５０、および絶縁体２２４の成膜を行うにあたって好適である。
【００７６】
ＡＬＤ法としては、プリカーサ及びリアクタントの反応を熱エネルギーのみで行う熱ＡＬＤ（Ｔｈｅｒｍａｌ  ＡＬＤ）法を用いてもよいし、プラズマ励起されたリアクタントを用いるＰＥＡＬＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＡＬＤ）法を用いてもよい。
【００７７】
ＡＬＤ法を用いる場合、プリカーサとして、上記シリコン原子を含む分子を有するガスを、リアクタントとして、上記酸化剤を用いればよい。これにより、絶縁体２１６、絶縁体２７４、絶縁体２８０、絶縁体２２４、および絶縁体２５０中に取り込まれる水素の量を大きく低減することができる。
【００７８】
なお、上記では、シリコン原子を含む分子が水素原子を含まない例について示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。上記のシリコン原子を含む分子において、シリコン原子に結合する官能基の一部が水素原子に置換される構成にしてもよい。ただし、上記のシリコン原子を含む分子に含まれる水素原子は、シラン（ＳｉＨ４）より少ないことが好ましい。つまり、上記のシリコン原子を含む分子は、シリコン１原子あたり３原子以下の水素原子を有することが好ましい。また、上記のシリコン原子を含む分子を有するガスが、シリコン１原子あたり３原子以下の水素原子を有すると、より好ましい。
【００７９】
以上のように、水素原子が低減または除去されたガスを用いた成膜方法で、絶縁体２１６、絶縁体２７４、絶縁体２８０、絶縁体２２４、および絶縁体２５０の少なくとも一つを成膜することで、これらの絶縁膜に含まれる水素の量を低減することができる。
【００８０】
また、トランジスタ２００は、図１（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示すように、絶縁体２８２と、絶縁体２５０とが、直接接する構造となっている。このような構造とすることで、絶縁体２８０に含まれる酸素が、導電体２６０に吸収され難くなる。従って、絶縁体２８０に含まれる酸素は、酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂへ効率よく供給することができるので、酸化物２３０ａ中および酸化物２３０ｂ中の酸素欠損を低減し、トランジスタ２００の電気特性および信頼性を向上させることができる。また、絶縁体２８０に含まれる水素などの不純物が絶縁体２５０へ混入することを抑えることができるので、さらに、絶縁体２５０および酸化物２３０の水素濃度を低減することができる。よって、トランジスタ２００の電気特性および信頼性への悪影響を抑制することができる。絶縁体２８２としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、または酸化ハフニウムを用いることができる。
【００８１】
［容量素子１００］
図１（Ｂ）に示すように、容量素子１００は、絶縁体２１４上の絶縁体２１６と、絶縁体２１６に埋め込まれるように配置された導電体２０４（導電体２０４ａ、および導電体２０４ｂ）と、絶縁体２１６上、および導電体２０５上の絶縁体２２２と、絶縁体２２２上の導電体２４２ａを有する。
【００８２】
容量素子１００において、導電体２０４は、容量素子１００の一方の電極として機能し、導電体２４２ａは、容量素子１００の他方の電極として機能する。また、絶縁体２２２は、容量素子１００の誘電体として機能する。導電体２０４は、導電体２０５と同じ材料を用いる。
【００８３】
導電体２０４は、トランジスタ２００が有する導電体２０５と同じ層に形成される。導電体２４２ａは、トランジスタ２００のソース電極またはドレイン電極を兼ねる。また、絶縁体２２２は、トランジスタ２００のゲート絶縁体を兼ねる。このように、トランジスタ２００、および容量素子１００の構成要素の一部を共通とする構成とすることで、トランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置の作製工程が簡略化されるので、製造コストの低減および歩留まりの向上が期待できるので好ましい。
【００８４】
以上より、電気特性の変動を抑制し、安定した電気特性を有するとともに、信頼性を向上させた半導体装置を提供することができる。または、ノーマリーオフの電気特性を有する半導体装置を提供することができる。または、オン電流が大きいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、高い周波数特性を有するトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。または、オフ電流が小さいトランジスタを有する半導体装置を提供することができる。
【００８５】
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００および容量素子１００を有する半導体装置の詳細な構成について説明する。
【００８６】
導電体２０５は、酸化物２３０、および導電体２６０と、重なるように配置する。また、導電体２０５は、絶縁体２１６に埋め込まれて設けることが好ましい。
【００８７】
ここで、導電体２６０は、第１のゲート（トップゲートともいう）として機能する場合がある。また、導電体２０５は、第２のゲート（ボトムゲートともいう）として機能する場合がある。その場合、導電体２０５に印加する電位を、導電体２６０に印加する電位と、連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ２００のＶｔｈを制御することができる。特に、導電体２０５に負の電位を印加することにより、トランジスタ２００のＶｔｈを０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したがって、導電体２０５に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体２６０に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。
【００８８】
なお、図１（Ａ）に示すように、導電体２０５は、酸化物２３０の導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂと重ならない領域の大きさよりも、大きく設けるとよい。特に、図１（Ｃ）に示すように、導電体２０５は、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂのチャネル幅方向の端部よりも外側の領域においても、延伸していることが好ましい。つまり、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂのチャネル幅方向の端部の外側において、導電体２０５と、導電体２６０とは、絶縁体を介して重畳していることが好ましい。または、導電体２０５を大きく設けることによって、導電体２０５形成以降の作製工程のプラズマを用いた処理において、局所的なチャージング（チャージアップと言う）の緩和ができる場合がある。ただし、本発明の一態様はこれに限定されない。導電体２０５は、少なくとも導電体２４２ａと、導電体２４２ｂとの間に位置する酸化物２３０と重畳すればよい。
【００８９】
図１（Ａ）、および（Ｂ）に示すように、導電体２０４は、少なくとも導電体２４２ａの酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂと重ならない領域と重なる領域を有することが好ましい。
【００９０】
また、図１（Ｃ）に示すように、絶縁体２２４の底面を基準として、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂと、導電体２６０とが、重ならない領域における導電体２６０の底面の高さは、酸化物２３０ｂの底面の高さより低い位置に配置されている領域を有することが好ましい。また、当該領域における導電体２６０の底面の高さと、酸化物２３０ｂの底面の高さと、の差は、０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下、より好ましくは、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下とする。
【００９１】
このように、ゲートとして機能する導電体２６０が、チャネル形成領域の酸化物２３０ｂの側面および上面を酸化物２３０ｃおよび絶縁体２５０を介して覆う構成となっており、導電体２６０の電界をチャネル形成領域の酸化物２３０ｂ全体に作用させやすくなる。よって、トランジスタ２００のオン電流を増大させ、周波数特性を向上させることができる。本明細書において、第１のゲート、および第２のゲートの電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ  ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。
【００９２】
また、導電体２０５ａは、水または水素などの不純物および酸素の透過を抑制する導電体が好ましい。例えば、チタン、窒化チタン、タンタル、または窒化タンタルを用いることができる。また、導電体２０５ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。なお、導電体２０５を２層で図示したが、３層以上の多層構造としてもよい。
【００９３】
ここで、酸化物半導体と、酸化物半導体の下層に位置する絶縁体、または導電体と、酸化物半導体の上層に位置する絶縁体、または導電体とを、大気開放を行わずに、異なる膜種を連続成膜することで、不純物（特に、水素、水）の濃度が低減された、実質的に高純度真性である酸化物半導体膜を成膜することができるので好ましい。
【００９４】
絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、絶縁体２８３、および絶縁体２８４の少なくとも一つは、水または水素などの不純物が、基板側から、または、上方からトランジスタ２００に混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。したがって、絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、絶縁体２８３、および絶縁体２８４の少なくとも一つは、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい）絶縁性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）絶縁性材料を用いることが好ましい。
【００９５】
例えば、絶縁体２８３、および絶縁体２８４として、窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンなどを用い、絶縁体２１４、絶縁体２２２、絶縁体２７２、絶縁体２７３、および絶縁体２８２として、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムなどを用いることが好ましい。これにより、水または水素などの不純物が絶縁体２１４を介して、基板側からトランジスタ２００側に拡散するのを抑制することができる。または、絶縁体２２４などに含まれる酸素が、絶縁体２１４を介して基板側に、拡散するのを抑制することができる。また、水または水素などの不純物が絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８２、および絶縁体２８３よりも上方に配置されている絶縁体２８０、および絶縁体２７４などからトランジスタ２００側に拡散するのを抑制することができる。
【００９６】
また、絶縁体２８４の抵抗率を低くすることが好ましい場合がある。例えば、絶縁体２８４の抵抗率を概略１×１０１３Ωｃｍとすることで、半導体装置作製工程の絶縁体２８４形成以降のプラズマ等を用いる処理において、絶縁体２８４が、導電体２０４、導電体２０５、導電体２４２、導電体２６０または導電体２４６のチャージアップを緩和することができる場合がある。絶縁体２８４の抵抗率は、好ましくは、１×１０１０Ωｃｍ以上１×１０１５Ωｃｍ以下とする。
【００９７】
また、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁体２７４は、絶縁体２１４よりも誘電率が低いことが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２１６、絶縁体２８０、および絶縁体２７４として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、または空孔を有する酸化シリコンなどを適宜用いればよい。
【００９８】
絶縁体２２２、および絶縁体２２４は、ゲート絶縁体としての機能を有する。
【００９９】
ここで、酸化物２３０と接する絶縁体２２４は、加熱により酸素を脱離することが好ましい。本明細書では、加熱により離脱する酸素を過剰酸素と呼ぶことがある。例えば、絶縁体２２４は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンなどを適宜用いればよい。酸素を含む絶縁体を酸化物２３０に接して設けることにより、酸化物２３０中の酸素欠損を低減し、トランジスタ２００の信頼性を向上させることができる。
【０１００】
絶縁体２２４として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析）にて、酸素分子の脱離量が１．０×１０１８ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上、好ましくは１．０×１０１９ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上、さらに好ましくは２．０×１０１９ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上、または３．０×１０２０ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上４００℃以下の範囲が好ましい。
【０１０１】
絶縁体２２２は、水または水素などの不純物が、基板側からトランジスタ２００に混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。例えば、絶縁体２２２は、絶縁体２２４より水素透過性が低いことが好ましい。絶縁体２２２、および絶縁体２８３によって、絶縁体２２４および酸化物２３０などを囲むことにより、外方から水または水素などの不純物がトランジスタ２００に侵入することを抑制することができる。
【０１０２】
さらに、絶縁体２２２は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）ことが好ましい。例えば、絶縁体２２２は、絶縁体２２４より酸素透過性が低いことが好ましい。絶縁体２２２が、酸素や不純物の拡散を抑制する機能を有することで、酸化物２３０が有する酸素が、絶縁体２２２より下側へ拡散することを低減できるので、好ましい。また、導電体２０５が、絶縁体２２４や、酸化物２３０が有する酸素と反応することを抑制することができる。
【０１０３】
絶縁体２２２は、絶縁性材料であるアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いるとよい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。このような材料を用いて絶縁体２２２を形成した場合、絶縁体２２２は、酸化物２３０からの酸素の放出や、トランジスタ２００の周辺部から酸化物２３０への水素等の不純物の混入を抑制する層として機能する。
【０１０４】
または、これらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。
【０１０５】
また、絶縁体２２２は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）などのいわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料を含む絶縁体を単層または積層で用いてもよい。例えば、絶縁体２２２を積層とする場合、酸化ジルコニウムと、酸化アルミニウムと、酸化ジルコニウムと、が順に形成された３層積層や、酸化ジルコニウムと、酸化アルミニウムと、酸化ジルコニウムと、酸化アルミニウムと、が順に形成されて４層積層などを用いれば良い。また、絶縁体２２２としては、ハフニウムと、ジルコニウムとが含まれる化合物などを用いても良い。半導体装置の微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体、および容量素子に用いる誘電体の薄膜化により、トランジスタや容量素子のリーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体、および容量素子に用いる誘電体として機能する絶縁体にｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減、および容量素子の容量の確保が可能となる。
【０１０６】
なお、絶縁体２２２、および絶縁体２２４が、２層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。
【０１０７】
また、酸化物２３０ｂと、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電体２４２（導電体２４２ａおよび導電体２４２ｂ）と、の間に酸化物２４３（酸化物２４３ａおよび酸化物２４３ｂ）を配置してもよい。導電体２４２と、酸化物２３０とが接しない構成となるので、導電体２４２が、酸化物２３０の酸素を吸収することを抑制できる。つまり、導電体２４２の酸化を防止することで、導電体２４２の導電率の低下を抑制することができる。従って、酸化物２４３は、導電体２４２の酸化を抑制する機能を有することが好ましい。
【０１０８】
従って、酸化物２４３は、酸素の透過を抑制する機能を有することが好ましい。ソース電極やドレイン電極として機能する導電体２４２と酸化物２３０ｂとの間に酸素の透過を抑制する機能を有する酸化物２４３を配置することで、導電体２４２と、酸化物２３０ｂとの間の電気抵抗が低減されるので好ましい。このような構成とすることで、トランジスタ２００の電気特性およびトランジスタ２００の信頼性を向上させることができる。
【０１０９】
酸化物２４３として、元素Ｍを有する金属酸化物を用いてもよい。特に、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または錫を用いるとよい。酸化物２４３は、酸化物２３０ｂよりも元素Ｍの濃度が高いことが好ましい。また、酸化物２４３として、酸化ガリウムを用いてもよい。また、酸化物２４３として、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。具体的には、酸化物２４３に用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物２３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物２４３の膜厚は、０．５ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下である。また、酸化物２４３は、結晶性を有すると好ましい。酸化物２４３が結晶性を有する場合、酸化物２３０中の酸素の放出を好適に抑制することが出来る。例えば、酸化物２４３としては、六方晶などの結晶構造であれば、酸化物２３０中の酸素の放出を抑制できる場合がある。
【０１１０】
なお、酸化物２４３は必ずしも設けなくてもよい。その場合、導電体２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）と酸化物２３０とが接することで、酸化物２３０中の酸素が導電体２４２へ拡散し、導電体２４２が酸化する場合がある。導電体２４２が酸化することで、導電体２４２の導電率が低下する蓋然性が高い。なお、酸化物２３０中の酸素が導電体２４２へ拡散することを、導電体２４２が酸化物２３０中の酸素を吸収する、と言い換えることができる。
【０１１１】
また、酸化物２３０中の酸素が導電体２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）へ拡散することで、導電体２４２ａと酸化物２３０ｂとの間、および、導電体２４２ｂと酸化物２３０ｂとの間に異層が形成される場合がある。当該異層は、導電体２４２よりも酸素を多く含むため、当該異層は絶縁性を有すると推定される。このとき、導電体２４２と、当該異層と、酸化物２３０ｂとの３層構造は、金属−絶縁体−半導体からなる３層構造とみなすことができ、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造と呼ぶ、またはＭＩＳ構造を主としたダイオード接合構造と呼ぶ場合がある。
【０１１２】
なお、上記異層は、導電体２４２と酸化物２３０ｂとの間に形成されることに限られず、例えば、異層が、導電体２４２と酸化物２３０ｃとの間に形成される場合や、導電体２４２と酸化物２３０ｂとの間、および導電体２４２と酸化物２３０ｃとの間に形成される場合がある。
【０１１３】
酸化物２４３上には、ソース電極、およびドレイン電極として機能する導電体２４２（導電体２４２ａ、および導電体２４２ｂ）が設けられる。導電体２４２の膜厚は、例えば、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、とすればよい。
【０１１４】
導電体２４２としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。
【０１１５】
絶縁体２７２は、導電体２４２上面に接して設けられており、バリア層として機能することが好ましい。当該構成にすることで、導電体２４２による、絶縁体２８０が有する過剰酸素の吸収を抑制することができる。また、導電体２４２の酸化を抑制することで、トランジスタ２００と配線とのコンタクト抵抗の増加を抑制することができる。よって、トランジスタ２００に良好な電気特性および信頼性を与えることができる。
【０１１６】
従って、絶縁体２７２は、酸素の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。例えば、絶縁体２７２は、絶縁体２８０よりも酸素の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。絶縁体２７２としては、例えば、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。また、絶縁体２７２としては、例えば、窒化アルミニウムを含む絶縁体を用いればよい。
【０１１７】
図１（Ｄ）に示すように、絶縁体２７２は、導電体２４２ａの上面、および導電体２４２ａの側面と接する。また、図示しないが、絶縁体２７２は、導電体２４２ｂの上面、および導電体２４２ｂの側面と接する。また、絶縁体２７２上に絶縁体２７３が配置されている。このようにすることで、例えば絶縁体２８０に添加された酸素が、導電体２４２に吸収されることを抑制することができる。
【０１１８】
絶縁体２５０は、ゲート絶縁体として機能する。絶縁体２５０は、酸化物２３０ｃ上に接して配置することが好ましい。絶縁体２５０は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンを用いることができる。特に、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対し安定であるため好ましい。
【０１１９】
絶縁体２２４と同様に、絶縁体２５０は、加熱により酸素が放出される絶縁体を用いて形成することが好ましい。加熱により酸素が放出される絶縁体を、絶縁体２５０として、酸化物２３０ｃ上に接して設けることにより、酸化物２３０ｂのチャネル形成領域に効果的に酸素を供給することができる。また、絶縁体２２４と同様に、絶縁体２５０中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。絶縁体２５０の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とするのが好ましい。
【０１２０】
また、絶縁体２５０と導電体２６０との間に金属酸化物を設けてもよい。当該金属酸化物は、絶縁体２５０から導電体２６０への酸素拡散を抑制することが好ましい。酸素の拡散を抑制する金属酸化物を設けることで、絶縁体２５０から導電体２６０への酸素の拡散が抑制される。つまり、酸化物２３０へ供給する酸素量の減少を抑制することができる。また、絶縁体２５０の酸素による導電体２６０の酸化を抑制することができる。
【０１２１】
また、当該金属酸化物は、ゲート絶縁体の一部としての機能を有する場合がある。したがって、絶縁体２５０に酸化シリコンや酸化窒化シリコンなどを用いる場合、当該金属酸化物は、比誘電率が高いｈｉｇｈ−ｋ材料である金属酸化物を用いることが好ましい。ゲート絶縁体を、絶縁体２５０と当該金属酸化物との積層構造とすることで、熱に対して安定、かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。したがって、ゲート絶縁体の物理膜厚を保持したまま、トランジスタ動作時に印加するゲート電位の低減化が可能となる。また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。
【０１２２】
具体的には、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。特に、アルミニウム、またはハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体である、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。
【０１２３】
または、当該金属酸化物は、ゲートの一部としての機能を有する場合がある。この場合は、酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けるとよい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けることで、当該導電性材料から離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
【０１２４】
特に、ゲートとして機能する導電体として、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる金属元素および酸素を含む導電性材料を用いることが好ましい。また、前述した金属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。このような材料を用いることで、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる水素を捕獲することができる場合がある。または、外方の絶縁体などから混入する水素を捕獲することができる場合がある。
【０１２５】
導電体２６０は、図１では２層構造として示しているが、単層構造でもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。
【０１２６】
導電体２６０ａは、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。
【０１２７】
また、導電体２６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、絶縁体２５０に含まれる酸素により、導電体２６０ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することができる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。
【０１２８】
また、導電体２６０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体２６０は、配線としても機能するため、導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体２６０ｂは積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層構造としてもよい。
【０１２９】
絶縁体２８０は、例えば、絶縁体２８０として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、または空孔を有する酸化シリコンなどを有することが好ましい。特に、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。特に、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、空孔を有する酸化シリコンなどの材料は、加熱により脱離する酸素を含む領域を容易に形成することができるため好ましい。また、絶縁体２８０は、上記の材料が積層された構造でもよく、例えば、スパッタリング法で成膜した酸化シリコンと、その上に積層されたＣＶＤ法で成膜された酸化窒化シリコンの積層構造とすればよい。また、さらに上に窒化シリコンを積層してもよい。
【０１３０】
絶縁体２８０中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。また、絶縁体２８０の上面は、平坦化されていてもよい。
【０１３１】
絶縁体２８２および絶縁体２８３は、水または水素などの不純物が、上方から絶縁体２８０に混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。また、絶縁体２８２および絶縁体２８３は、酸素の透過を抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。絶縁体２８２および絶縁体２８３としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどの絶縁体を用いればよい。例えば、絶縁体２８２として、酸素に対してバリア性が高い酸化アルミニウムを用い、絶縁体２８３として、水素に対してバリア性が高い窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンを用いればよい。
【０１３２】
また、絶縁体２８３の上に、層間膜として機能する絶縁体２７４を設けることが好ましい。絶縁体２７４は、絶縁体２２４などと同様に、膜中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。
【０１３３】
導電体２４０は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体２４０は積層構造としてもよい。なお、図１（Ａ）で導電体２４０は、上面視において円形状にしているが、これに限られるものではない。例えば、導電体２４０が、上面視において、楕円などの略円形状、四角形などの多角形状、四角形等の多角形の角部を丸めた形状になっていてもよい。
【０１３４】
また、導電体２４０を積層構造とする場合、水または水素などの不純物、および酸素の透過を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。例えば、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、水または水素などの不純物、および酸素の透過を抑制する機能を有する導電性材料は、単層または積層で用いてもよい。当該導電性材料を用いることで、絶縁体２８０などから拡散する水または水素などの不純物が、導電体２４０を通じて酸化物２３０に混入するのをさらに低減することができる。また、絶縁体２８０に添加された酸素が導電体２４０に吸収されるのを防ぐことができる。
【０１３５】
絶縁体２４１としては、例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化酸化シリコンなどの絶縁体を用いればよい。絶縁体２４１は、絶縁体２８３、絶縁体２８２、絶縁体２８０、絶縁体２７３、および絶縁体２７２に接して設けられるので、絶縁体２８０などから水または水素などの不純物が、導電体２４０を通じて酸化物２３０に混入するのを抑制することができる。特に、窒化シリコンは水素に対するブロッキング性が高いので好適である。また、絶縁体２８０に含まれる酸素が導電体２４０に吸収されるのを防ぐことができる。
【０１３６】
また、導電体２４０の上面に接して配線として機能する導電体２４６を配置してもよい。導電体２４６は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、当該導電体は、積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。なお、当該導電体は、絶縁体に設けられた開口に埋め込むように形成してもよい。
【０１３７】
また、導電体２４６上、および絶縁体２８３上に絶縁体２８４を形成しても良い。この様な構成とすることで、導電体２４６を絶縁体２８３、および絶縁体２８４で包むことができ、導電体２４６の酸化を抑制するとともに、水素などの不純物が導電体２４６を通じてトランジスタ２００へ拡散することを抑制することができる。絶縁体２８４としては、例えば、窒化シリコン、酸化アルミニウム、または窒化酸化シリコンなどの絶縁体を用いればよい。また、絶縁体２８４上に絶縁体２７４を形成しても良い。絶縁体２７４としては、絶縁体２８０と同様の絶縁体を用いることができる。
【０１３８】
＜半導体装置の構成材料＞
以下では、半導体装置に用いることができる構成材料について説明する。
【０１３９】
＜基板＞
トランジスタ２００を形成する基板としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板、または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板（イットリア安定化ジルコニア基板など）、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムを材料とした半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えば、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
【０１４０】
＜絶縁体＞
絶縁体としては、絶縁性を有する酸化物、窒化物、酸化窒化物、窒化酸化物、金属酸化物、金属酸化窒化物、金属窒化酸化物などがある。
【０１４１】
例えば、トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁体の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁体として機能する絶縁体に、ｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時の低電圧化が可能となる。一方、層間膜として機能する絶縁体には、比誘電率が低い材料を用いることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。したがって、絶縁体の機能に応じて、材料を選択するとよい。
【０１４２】
また、比誘電率の高い絶縁体としては、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する窒化物などがある。
【０１４３】
また、比誘電率が低い絶縁体としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などがある。
【０１４４】
また、酸化物半導体を用いたトランジスタは、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体で囲うことによって、トランジスタの電気特性を安定にすることができる。水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体としては、例えば、ホウ素、炭素、窒素、酸素、フッ素、マグネシウム、アルミニウム、シリコン、リン、塩素、アルゴン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、ネオジム、ハフニウム、またはタンタルを含む絶縁体を、単層で、または積層で用いればよい。具体的には、水素などの不純物および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、または酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムチタン、窒化チタン、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどの金属窒化物を用いることができる。
【０１４５】
また、ゲート絶縁体として機能する絶縁体は、加熱により脱離する酸素を含む領域を有する絶縁体であることが好ましい。例えば、加熱により脱離する酸素を含む領域を有する酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを酸化物２３０と接する構造とすることで、酸化物２３０が有する酸素欠損を補償することができる。
【０１４６】
＜導電体＞
導電体としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンなどから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される、電気伝導度が高い半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。
【０１４７】
また、上記の材料で形成される導電層を複数積層して用いてもよい。例えば、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。また、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、窒素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造としてもよい。
【０１４８】
なお、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物を用いる場合において、ゲートとして機能する導電体には、前述した金属元素を含む材料と、酸素を含む導電性材料と、を組み合わせた積層構造を用いることが好ましい。この場合は、酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けるとよい。酸素を含む導電性材料をチャネル形成領域側に設けることで、当該導電性材料から離脱した酸素がチャネル形成領域に供給されやすくなる。
【０１４９】
特に、ゲートとして機能する導電体として、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる金属元素および酸素を含む導電性材料を用いることが好ましい。また、前述した金属元素および窒素を含む導電性材料を用いてもよい。例えば、窒化チタン、窒化タンタルなどの窒素を含む導電性材料を用いてもよい。また、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物を用いてもよい。また、窒素を含むインジウムガリウム亜鉛酸化物を用いてもよい。このような材料を用いることで、チャネルが形成される金属酸化物に含まれる水素を捕獲することができる場合がある。または、外方の絶縁体などから混入する水素を捕獲することができる場合がある。
【０１５０】
＜金属酸化物＞
酸化物２３０として、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。以下では、本発明に係る酸化物２３０に適用可能な金属酸化物について説明する。
【０１５１】
金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特に、インジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたは錫などが含まれていることが好ましい。また、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。
【０１５２】
ここでは、金属酸化物が、インジウム、元素Ｍおよび亜鉛を有するＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物である場合を考える。なお、元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、または錫などとする。そのほかの元素Ｍに適用可能な元素としては、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウムなどがある。ただし、元素Ｍとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。
【０１５３】
なお、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
【０１５４】
＜金属酸化物の構成＞
ＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物であるＣＡＣ−ＯＳ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、及びＣＡＡＣ−ＯＳ（ｃ−ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）の構成について説明する。
【０１５５】
ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅを、トランジスタの活性層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（又はホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
【０１５６】
また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
【０１５７】
また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
【０１５８】
また、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
【０１５９】
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳ又はＣＡＣ−ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、又は金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ  ｍａｔｒｉｘ  ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
【０１６０】
［金属酸化物の構造］
酸化物半導体（金属酸化物）は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ、多結晶酸化物半導体、ｎｃ−ＯＳ、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、および非晶質酸化物半導体などがある。
【０１６１】
また、酸化物半導体は、結晶構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。ここで、酸化物半導体における、結晶構造の分類について、図１５（Ａ）を用いて説明を行う。図１５（Ａ）は、酸化物半導体、代表的にはＩＧＺＯ（Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含む金属酸化物）の結晶構造の分類を説明する図である。
【０１６２】
図１５（Ａ）に示すように、ＩＧＺＯは、大きく分けてＡｍｏｒｐｈｏｕｓと、Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅと、Ｃｒｓｔａｌと、に分類される。また、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓの中には、ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓが含まれる。また、Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅの中には、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、及びＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ−Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）が含まれる。また、Ｃｒｙｓｔａｌの中には、ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌ、及びｐｏｌｙ  ｃｒｙｓｔａｌが含まれる。
【０１６３】
なお、図１５（Ａ）に示す太枠内の構造は、Ｎｅｗ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｐｈａｓｅに属する構造である。当該構造は、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓと、Ｃｒｙｓｔａｌとの間の境界領域にある。すなわち、エネルギー的に不安定なＡｍｏｒｐｈｏｕｓと、Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅとは全く異なる構造と言い換えることができる。
【０１６４】
なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）像を用いて評価することができる。ここで、石英ガラス、及びＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅに分類される結晶構造を有するＩＧＺＯ（結晶性ＩＧＺＯともいう。）のＸＲＤスペクトルを図１５（Ｂ）、（Ｃ）に示す。また、図１５（Ｂ）が石英ガラス、図１５（Ｃ）が結晶性ＩＧＺＯのＸＲＤスペクトルである。なお、図１５（Ｃ）に示す結晶性ＩＧＺＯとしては、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］の組成である。また、図１５（Ｃ）に示す結晶性ＩＧＺＯとしては、厚さ５００ｎｍである。
【０１６５】
図１５（Ｂ）の矢印に示すように、石英ガラスは、ＸＲＤスペクトルのピークがほぼ対称である。一方で、図１５（Ｃ）の矢印に示すように、結晶性ＩＧＺＯは、ＸＲＤスペクトルのピークが非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークが非対称であることは、結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークで左右対称でないと、Ａｍｏｒｐｈｏｕｓであるとは言えない。
【０１６６】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ−ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。
【０１６７】
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリーともいう）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
【０１６８】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層と表すこともできる。
【０１６９】
ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ−ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ  ｖａｃａｎｃｙともいう）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
【０１７０】
ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
【０１７１】
なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
【０１７２】
ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化物である。ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。
【０１７３】
酸化物半導体（金属酸化物）は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ  ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
【０１７４】
なお、本発明の一態様の半導体装置においては、酸化物半導体（金属酸化物）の構造に特に限定はないが、好ましくは結晶性を有すると好ましい。例えば、酸化物２３０をＣＡＡＣ−ＯＳ構造とし、酸化物２４３を六方晶の結晶構造とすることが出来る。酸化物２３０、及び酸化物２４３を上記の結晶構造とすることで、高い信頼性を有する半導体装置とすることができる。また、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｃ、および酸化物２４３を概略同じ組成とすることができる。
【０１７５】
＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
【０１７６】
上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
【０１７７】
また、トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性又は実質的に高純度真性と言う。
【０１７８】
また、高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
【０１７９】
また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
【０１８０】
従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。
【０１８１】
＜不純物＞
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
【０１８２】
酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンや炭素の濃度と、例えば、絶縁体と、酸化物半導体との界面、および界面近傍のシリコンや炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０１８３】
また、酸化物半導体にアルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
【０１８４】
また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。従って、該酸化物半導体において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい。例えば、酸化物半導体中の窒素濃度は、ＳＩＭＳにおいて、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
【０１８５】
また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体において、ＳＩＭＳにより得られる水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満とする。
【０１８６】
不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
【０１８７】
＜その他の半導体材料＞
酸化物２３０に用いることができる半導体材料は、上述の金属酸化物に限られない。酸化物２３０として、バンドギャップを有する半導体材料（ゼロギャップ半導体ではない半導体材料）を用いてもよい。例えば、シリコンなどの単体元素の半導体、ヒ化ガリウムなどの化合物半導体、半導体として機能する層状物質（原子層物質、２次元材料などともいう。）などを半導体材料に用いることが好ましい。特に、半導体として機能する層状物質を半導体材料に用いると好適である。
【０１８８】
ここで、本明細書等において、層状物質とは、層状の結晶構造を有する材料群の総称である。層状の結晶構造は、共有結合やイオン結合によって形成される層が、ファンデルワールス力のような、共有結合やイオン結合よりも弱い結合を介して積層している構造である。層状物質は、単位層内における電気伝導性が高く、つまり、２次元電気伝導性が高い。半導体として機能し、かつ、２次元電気伝導性の高い材料をチャネル形成領域に用いることで、オン電流の大きいトランジスタを提供することができる。
【０１８９】
層状物質として、グラフェン、シリセン、カルコゲン化物などがある。カルコゲン化物は、カルコゲンを含む化合物である。また、カルコゲンは、第１６族に属する元素の総称であり、酸素、硫黄、セレン、テルル、ポロニウム、リバモリウムが含まれる。また、カルコゲン化物として、遷移金属カルコゲナイド、１３族カルコゲナイドなどが挙げられる。
【０１９０】
酸化物２３０として、例えば、半導体として機能する遷移金属カルコゲナイドを用いることが好ましい。酸化物２３０として適用可能な遷移金属カルコゲナイドとして、具体的には、硫化モリブデン（代表的にはＭｏＳ２）、セレン化モリブデン（代表的にはＭｏＳｅ２）、モリブデンテルル（代表的にはＭｏＴｅ２）、硫化タングステン（代表的にはＷＳ２）、セレン化タングステン（代表的にはＷＳｅ２）、タングステンテルル（代表的にはＷＴｅ２）、硫化ハフニウム（代表的にはＨｆＳ２）、セレン化ハフニウム（代表的にはＨｆＳｅ２）、硫化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳ２）、セレン化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳｅ２）などが挙げられる。
【０１９１】
＜半導体装置の作製方法＞
次に、図１に示す、本発明に係るトランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置について、作製方法を図４乃至図１４を用いて説明する。また、図４乃至図１４において、各図の（Ａ）は上面図を示す。また、各図の（Ｂ）は、（Ａ）に示すＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００、および容量素子１００のチャネル長方向の断面図でもある。また、各図の（Ｃ）は、（Ａ）にＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。また、各図の（Ｄ）は、（Ａ）にＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位に対応する断面図であり、容量素子１００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、各図の（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
【０１９２】
まず、基板（図示しない）を準備し、当該基板上に絶縁体２１４を成膜する。絶縁体２１４の成膜は、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ：Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法、パルスレーザ堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などを用いて行うことができる。
【０１９３】
なお、ＣＶＤ法は、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ）法、熱を利用する熱ＣＶＤ（ＴＣＶＤ：Ｔｈｅｒｍａｌ  ＣＶＤ）法、光を利用する光ＣＶＤ（Ｐｈｏｔｏ  ＣＶＤ）法などに分類できる。さらに用いる原料ガスによって金属ＣＶＤ（ＭＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  ＣＶＤ）法、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法に分けることができる。また、成膜時の圧力によって、大気圧下で成膜を行なう常圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ：Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ）法、大気圧より低い減圧状態で成膜を行う減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ：Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ）法、に分けることができる。
【０１９４】
プラズマＣＶＤ法は、比較的低温で高品質の膜が得られる。また、熱ＣＶＤ法は、プラズマを用いないため、被処理物へのプラズマダメージを小さくすることが可能な成膜方法である。例えば、半導体装置に含まれる配線、電極、素子（トランジスタ、容量素子など）などは、プラズマから電荷を受け取ることでチャージアップする場合がある。このとき、蓄積した電荷によって、半導体装置に含まれる配線、電極、素子などが破壊される場合がある。一方、プラズマを用いない熱ＣＶＤ法の場合、こういったプラズマダメージが生じないため、半導体装置の歩留まりを高くすることができる。また、熱ＣＶＤ法では、成膜中のプラズマダメージが生じないため、欠陥の少ない膜が得られる。
【０１９５】
また、ＡＬＤ法としては、プリカーサ及びリアクタントの反応を熱エネルギーのみで行う熱ＡＬＤ（Ｔｈｅｒｍａｌ  ＡＬＤ）法、プラズマ励起されたリアクタントを用いるＰＥＡＬＤ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＡＬＤ）法などを用いることができる。
【０１９６】
ＡＬＤ法は、原子の性質である自己制御性を利用し、一層ずつ原子を堆積することができるので、極薄の成膜が可能、アスペクト比の高い構造への成膜が可能、ピンホールなどの欠陥の少ない成膜が可能、被覆性に優れた成膜が可能、および低温での成膜が可能、などの効果がある。ＰＥＡＬＤ法では、プラズマを利用することで、より低温での成膜が可能となり好ましい場合がある。なお、ＡＬＤ法で用いるプリカーサには炭素などの不純物を含むものがある。このため、ＡＬＤ法により設けられた膜は、他の成膜法により設けられた膜と比較して、炭素などの不純物を多く含む場合がある。なお、不純物の定量は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて行うことができる。
【０１９７】
ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、ターゲットなどから放出される粒子が堆積する成膜方法とは異なり、被処理物の表面における反応により膜が形成される成膜方法である。したがって、被処理物の形状の影響を受けにくく、良好な段差被覆性を有する成膜方法である。特に、ＡＬＤ法は、優れた段差被覆性と、優れた厚さの均一性を有するため、アスペクト比の高い開口部の表面を被覆する場合などに好適である。ただし、ＡＬＤ法は、比較的成膜速度が遅いため、成膜速度の速いＣＶＤ法などの他の成膜方法と組み合わせて用いることが好ましい場合もある。
【０１９８】
ＣＶＤ法およびＡＬＤ法は、原料ガスの流量比によって、得られる膜の組成を制御することができる。例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、原料ガスの流量比によって、任意の組成の膜を成膜することができる。また、例えば、ＣＶＤ法およびＡＬＤ法では、成膜しながら原料ガスの流量比を変化させることによって、組成が連続的に変化した膜を成膜することができる。原料ガスの流量比を変化させながら成膜する場合、複数の成膜室を用いて成膜する場合と比べて、搬送や圧力調整に掛かる時間を要さない分、成膜に掛かる時間を短くすることができる。したがって、半導体装置の生産性を高めることができる場合がある。
【０１９９】
本実施の形態では、絶縁体２１４として、ＣＶＤ法によって窒化シリコンを成膜する。次に、絶縁体２１４上に絶縁体２１６を成膜する。絶縁体２１６の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２１６として、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを用いる。また、絶縁体２１６は、上述の水素原子が低減または除去されたガスを用いた成膜方法で成膜することが好ましい。これにより、絶縁体２１６の水素濃度を低減することができる。
【０２００】
次に、絶縁体２１６に絶縁体２１４に達する開口を形成する。開口とは、例えば、溝やスリットなども含まれる。また、開口が形成された領域を指して開口部とする場合がある。開口の形成はウェットエッチングを用いてもよいが、ドライエッチングを用いるほうが微細加工には好ましい。また、絶縁体２１４は、絶縁体２１６をエッチングして溝を形成する際のエッチングストッパ膜として機能する絶縁体を選択することが好ましい。例えば、溝を形成する絶縁体２１６に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を用いた場合は、絶縁体２１４は窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化ハフニウム膜を用いるとよい。
【０２０１】
開口の形成後に、導電体２０４ａとなる導電膜、および導電体２０５ａとなる導電膜を成膜する。該導電膜は、酸素の透過を抑制する機能を有する導電体を含むことが望ましい。たとえば、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化チタンなどを用いることができる。またはタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、モリブデンタングステン合金との積層膜とすることができる。導電体２０４ａとなる導電膜、および導電体２０５ａとなる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０２０２】
本実施の形態では、導電体２０４ａとなる導電膜、および導電体２０５ａとなる導電膜を多層構造とする。まず、スパッタリング法によって窒化タンタルを成膜し、当該窒化タンタルの上に窒化チタンを積層する。このような金属窒化物を導電体２０４、および導電体２０５の下層に用いることにより、後述する導電体２０４ｂとなる導電膜、および導電体２０５ｂとなる導電膜として銅などの拡散しやすい金属を用いても、当該金属が導電体２０４ａ、および導電体２０５ａから外に拡散するのを防ぐことができる。
【０２０３】
次に、導電体２０４ｂとなる導電体、および導電体２０５ｂとなる導電膜を成膜する。該導電膜の成膜は、メッキ法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、導電体２０４ｂとなる導電体、および導電体２０５ｂとなる導電膜として、銅などの低抵抗導電性材料を成膜する。
【０２０４】
次に、ＣＭＰ処理（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を行うことで、導電体２０４ａとなる導電膜、および導電体２０５ａとなる導電膜、ならびに導電体２０４ｂとなる導電膜、および導電体２０５ｂとなる導電膜の一部を除去し、絶縁体２１６を露出する。その結果、開口部のみに、導電体２０４ａ、導電体２０４ｂ、導電体２０５ａ、および導電体２０５ｂが残存する。これにより、上面が平坦な、導電体２０４、および導電体２０５を形成することができる。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２１６の一部が除去される場合がある（図４参照）。
【０２０５】
なお、上記においては、導電体２０４、および導電体２０５を絶縁体２１６の開口に埋め込むように形成したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。例えば、絶縁体２１４上に導電体２０４、および導電体２０５を形成し、導電体２０４、および導電体２０５上に絶縁体２１６を成膜し、絶縁体２１６にＣＭＰ処理を行うことで、絶縁体２１６の一部を除去し、導電体２０４、および導電体２０５の表面を露出させてもよい。
【０２０６】
次に、絶縁体２１６上、導電体２０４上、および導電体２０５上に絶縁体２２２を成膜する。絶縁体２２２として、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を成膜するとよい。なお、アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する。絶縁体２２２が、水素および水に対するバリア性を有することで、トランジスタ２００の周辺に設けられた構造体に含まれる水素、および水が、絶縁体２２２を通じてトランジスタ２００の内側へ拡散することが抑制され、酸化物２３０中の酸素欠損の生成を抑制することができる。
【０２０７】
絶縁体２２２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０２０８】
次に、絶縁体２２２上に絶縁体２２４を成膜する。絶縁体２２４の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２２４として、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを用いる。また、絶縁体２２４は、上述の水素原子が低減または除去されたガスを用いた成膜方法で成膜することが好ましい。これにより、絶縁体２２４の水素濃度を低減することができる。絶縁体２２４は、後の工程で酸化物２３０ａと接するので、このように水素濃度が低減されていることが好適である。
【０２０９】
続いて、加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以上４５０℃以下で行えばよい。なお、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。また、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、加熱処理は、窒素または不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、または１０％以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。
【０２１０】
本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。当該加熱処理によって、絶縁体２２４に含まれる水、水素などの不純物を除去することができる。
【０２１１】
また、加熱処理は、絶縁体２２２の成膜後に行ってもよい。当該加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることができる。
【０２１２】
ここで、絶縁体２２４に過剰酸素領域を形成するために、減圧状態で酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。酸素を含むプラズマ処理は、例えばマイクロ波を用いた高密度プラズマを発生させる電源を有する装置を用いることが好ましい。または、基板側にＲＦなどの高周波を印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができ、基板側にＲＦを印加することで、高密度プラズマによって生成された酸素ラジカルを効率よく絶縁体２２４内に導くことができる。または、この装置を用いて不活性ガスを含むプラズマ処理を行った後に、脱離した酸素を補うために酸素を含むプラズマ処理を行ってもよい。なお、当該プラズマ処理の条件を適宜選択することにより、絶縁体２２４に含まれる水、水素などの不純物を除去することができる。その場合、加熱処理は行わなくてもよい。
【０２１３】
ここで、絶縁体２２４上に、例えば、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜し、該酸化アルミニウムを絶縁体２２４に達するまで、ＣＭＰを行ってもよい。当該ＣＭＰを行うことで絶縁体２２４表面の平坦化および絶縁体２２４表面の平滑化を行うことができる。当該酸化アルミニウムを絶縁体２２４上に配置してＣＭＰを行うことで、ＣＭＰの終点検出が容易となる。また、ＣＭＰによって、絶縁体２２４の一部が研磨されて、絶縁体２２４の膜厚が薄くなることがあるが、絶縁体２２４の成膜時に膜厚を調整すればよい。絶縁体２２４表面の平坦化および平滑化を行うことで、後に成膜する酸化物の被覆率の悪化を防止し、半導体装置の歩留りの低下を防ぐことができる場合がある。また、絶縁体２２４上に、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜することにより、絶縁体２２４に酸素を添加することができるので好ましい。
【０２１４】
次に、絶縁体２２４上に、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂを順に成膜する（図４参照）。なお、上記酸化膜は、大気環境にさらさずに連続して成膜することが好ましい。大気開放せずに成膜することで、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ上に大気環境からの不純物または水分が付着することを防ぐことができ、酸化膜２３０Ａと酸化膜２３０Ｂとの界面近傍を清浄に保つことができる。
【０２１５】
酸化膜２３０Ａおよび、酸化膜２３０Ｂの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０２１６】
例えば、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法によって成膜する場合は、スパッタリングガスとして酸素、または、酸素と希ガスの混合ガスを用いる。スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を高めることで、成膜される酸化膜中の過剰酸素を増やすことができる。また、上記の酸化膜をスパッタリング法によって成膜する場合は、上記のＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用いることができる。
【０２１７】
特に、酸化膜２３０Ａの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が絶縁体２２４に供給される場合がある。したがって、酸化膜２３０Ａのスパッタリングガスに含まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすればよい。
【０２１８】
また、酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を１％以上３０％以下、好ましくは５％以上２０％以下として成膜すると、酸素欠乏型の酸化物半導体が形成される。酸素欠乏型の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られる。また、基板を加熱しながら成膜を行うことによって、当該酸化膜の結晶性を向上させることができる。ただし、本発明の一態様はこれに限定されない。酸化膜２３０Ｂをスパッタリング法で形成する場合、スパッタリングガスに含まれる酸素の割合を、３０％を超えて１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下として成膜すると、酸素過剰型の酸化物半導体が形成される。酸素過剰型の酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタは、比較的高い信頼性が得られる。
【０２１９】
本実施の形態では、酸化膜２３０Ａとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５［原子数比］（２：２：１［原子数比］）、あるいは１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。また、酸化膜２３０Ｂとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］、あるいは１：１：１［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。なお、各酸化膜は、成膜条件、および原子数比を適宜選択することで、酸化物２３０に求める特性に合わせて形成するとよい。
【０２２０】
次に、加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、上述した加熱処理条件を用いることができる。加熱処理によって、酸化膜２３０Ａ、および酸化膜２３０Ｂ中の水、水素などの不純物を除去することなどができる。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行った後に、連続して酸素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。
【０２２１】
次に、酸化膜２３０Ｂ上に酸化膜２４３Ａを成膜する（図４参照）。酸化膜２４３Ａの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。酸化膜２４３Ａは、Ｉｎに対するＧａの原子数比が、酸化膜２３０ＢのＩｎに対するＧａの原子数比より大きいことが好ましい。本実施の形態では、酸化膜２４３Ａとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜する。
【０２２２】
次に、リソグラフィー法を用いて、絶縁体２２４、酸化膜２３０Ａ、酸化膜２３０Ｂ、および酸化膜２４３Ａを島状に加工して、絶縁体２２４、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物層２４３Ｂを形成する（図５参照）。ここで、絶縁体２２４、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物層２４３Ｂは、少なくとも一部が導電体２０５と重なるように形成する。また、絶縁体２２４、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物層２４３Ｂは、少なくとも導電体２０４と重ならない領域を有するように形成する。また、当該加工はドライエッチング法やウェットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング法による加工は微細加工に適している。
【０２２３】
また、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物層２４３Ｂの側面は、絶縁体２２２の上面に対し、概略垂直であることが好ましい。酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物層２４３Ｂの側面が、絶縁体２２２の上面に対し、概略垂直であることで、複数のトランジスタ２００、および容量素子１００を設ける際に、小面積化、高密度化が可能となる。ただし、これに限られず、酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂ、および酸化物層２４３Ｂの側面と絶縁体２２２の上面のなす角が低い角度になる構成にしてもよい。
【０２２４】
なお、リソグラフィー法では、まず、マスクを介してレジストを露光する。次に、露光された領域を、現像液を用いて除去または残存させてレジストマスクを形成する。次に、当該レジストマスクを介してエッチング処理することで導電体、半導体または絶縁体などを所望の形状に加工することができる。例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光などを用いて、レジストを露光することでレジストマスクを形成すればよい。また、基板と投影レンズとの間に液体（例えば水）を満たして露光する、液浸技術を用いてもよい。また、前述した光に代えて、電子ビームやイオンビームを用いてもよい。なお、電子ビームやイオンビームを用いる場合には、マスクは不要となる。なお、レジストマスクの除去には、アッシングなどのドライエッチング処理を行う、ウェットエッチング処理を行う、ドライエッチング処理後にウェットエッチング処理を行う、またはウェットエッチング処理後にドライエッチング処理を行うことができる。
【０２２５】
また、レジストマスクの代わりに絶縁体や導電体からなるハードマスクを用いてもよい。ハードマスクを用いる場合、例えば、酸化物層２４３Ｂ上にハードマスク材料となる絶縁膜や導電膜を形成し、その上にレジストマスクを形成し、ハードマスク材料をエッチングすることで所望の形状のハードマスクを形成することができる。酸化物層２４３Ｂなどのエッチングは、レジストマスクを除去してから行っても良いし、レジストマスクを残したまま行っても良い。後者の場合、エッチング中にレジストマスクが消失することがある。酸化物層２４３Ｂなどのエッチング後にハードマスクをエッチングにより除去しても良い。一方、ハードマスクの材料が後工程に影響が無い、あるいは後工程で利用できる場合、必ずしもハードマスクを除去する必要は無い。
【０２２６】
ドライエッチング装置としては、平行平板型電極を有する容量結合型プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置を用いることができる。平行平板型電極を有する容量結合型プラズマエッチング装置は、平行平板型電極の一方の電極に高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極の一方の電極に複数の異なった高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに同じ周波数の高周波電源を印加する構成でもよい。または平行平板型電極それぞれに周波数の異なる高周波電源を印加する構成でもよい。または高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置を用いることができる。高密度プラズマ源を有するドライエッチング装置は、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）エッチング装置などを用いることができる。
【０２２７】
次に、酸化物層２４３Ｂ上に導電体層２４２Ａとなる導電膜を成膜する（図６参照）。導電体層２４２Ａとなる導電膜の成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０２２８】
次に、リソグラフィー法を用いて、導電体層２４２Ａとなる導電膜を加工し、導電体層２４２Ａを形成する（図７参照）。
【０２２９】
次に、導電体層２４２Ａ上に、絶縁体２７２を成膜する（図７参照）。絶縁体２７２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。本実施の形態では、絶縁体２７２として、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜する。スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜することで、絶縁体２２４へ酸素を注入することができる。
【０２３０】
次に、絶縁体２７２上に絶縁体２７３を成膜する。絶縁体２７３の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。実施の形態では、絶縁体２７３として、ＡＬＤ法によって、酸化アルミニウムを成膜する（図７参照）。
【０２３１】
次に、絶縁体２８０となる絶縁膜を成膜する。絶縁体２８０となる絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。例えば、絶縁体２８０として、スパッタリング法を用いて酸化シリコン膜を成膜し、その上にＰＥＡＬＤ法またはサーマルＡＬＤ法を用いて酸化シリコン膜を成膜すればよい。また、絶縁体２８０となる絶縁膜は、上述の水素原子が低減または除去されたガスを用いた成膜方法で成膜することが好ましい。これにより、絶縁体２８０の水素濃度を低減することができる。
【０２３２】
次に、絶縁体２８０にＣＭＰ処理を行い、上面が平坦な絶縁体２８０を形成する（図７参照）。なお、絶縁体２２４と同様に、絶縁体２８０上に、例えば、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜し、該酸化アルミニウムを絶縁体２８０に達するまで、ＣＭＰを行ってもよい。
【０２３３】
次に、絶縁体２８０の一部、絶縁体２７３の一部、絶縁体２７２の一部、導電体層２４２Ａの一部、および酸化物層２４３Ｂの一部を加工して、酸化物２３０ｂに達する開口を形成する（図８参照）。該開口は、導電体２０５と重なるように形成することが好ましい。該開口の形成によって、導電体２４２ａ、導電体２４２ｂ、酸化物２４３ａ、および酸化物２４３ｂを形成する。
【０２３４】
絶縁体２８０の一部、絶縁体２７３の一部、絶縁体２７２の一部、酸化物層２４３Ｂの一部、および導電体層２４２Ａの一部の加工は、ドライエッチング法、またはウェットエッチング法を用いることができる。ドライエッチング法による加工は微細加工に適している。また、当該加工は、それぞれ異なる条件で加工してもよい。例えば、絶縁体２８０の一部をドライエッチング法で加工し、絶縁体２７３の一部をウェットエッチング法で加工し、絶縁体２７２をドライエッチング法で加工し、酸化物層２４３Ｂ、および導電体層２４２Ａの一部をドライエッチング法で加工してもよい。
【０２３５】
これまでのドライエッチングなどの処理を行うことによって、エッチングガスなどに起因した不純物が酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂなどの表面または内部に付着または拡散することがある。不純物としては、例えば、フッ素または塩素などがある。
【０２３６】
上記の不純物などを除去するために、洗浄を行う。洗浄方法としては、洗浄液など用いたウェット洗浄、プラズマを用いたプラズマ処理、または加熱処理による洗浄などがあり、上記洗浄を適宜組み合わせて行ってもよい。
【０２３７】
ウェット洗浄としては、シュウ酸、リン酸、アンモニア水、またはフッ化水素酸などを炭酸水または純水で希釈した水溶液を用いて洗浄処理を行ってもよい。または、純水または炭酸水を用いた超音波洗浄を行ってもよい。
【０２３８】
これまでドライエッチングなどの加工、または上述の洗浄処理によって、酸化物２３０ｂの酸化物２４３ａ、および酸化物２４３ｂと重ならない領域の膜厚が、酸化物２３０ｂの酸化物２４３ａ、および酸化物２４３ｂと重なる領域の膜厚より薄くなることがある（図８参照）。
【０２３９】
上記エッチング後、または上記洗浄後に加熱処理を行ってもよい。加熱処理は、例えば、１００℃以上４５０℃以下、より好ましくは３５０℃以上４００℃以下で行えばよい。なお、加熱処理は、窒素ガスもしくは不活性ガスの雰囲気、または酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上、１％以上、もしくは１０％以上含む雰囲気で行う。例えば、加熱処理は酸素雰囲気で行うことが好ましい。これにより、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂに酸素を供給して、酸素欠損ＶＯの低減を図ることができる。また、加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、酸素雰囲気で加熱処理した後に、大気に露出せずに連続して窒素雰囲気で加熱処理を行ってもよい。
【０２４０】
次に、酸化膜２３０Ｃを成膜する（図９参照）。酸化膜２３０Ｃの成膜前に加熱処理を行っても良く、当該加熱処理は、減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して酸化膜２３０Ｃを成膜することが好ましい。また、当該加熱処理は、酸素を含む雰囲気で行うことが好ましい。このような処理を行うことによって、酸化物２３０ｂの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましく、さらに好ましくは１５０℃以上３５０℃以下である。本実施の形態では、加熱処理の温度を２００℃とし、減圧下で行う。
【０２４１】
ここで、酸化膜２３０Ｃは、少なくとも酸化物２３０ｂの上面の一部、酸化物２４３の側面の一部、導電体２４２の側面の一部、絶縁体２７２の側面の一部、絶縁体２７３の側面の一部、および絶縁体２８０の側面の一部と接するように設けられることが好ましい。導電体２４２は、酸化物２４３、絶縁体２７２、絶縁体２７３、および酸化膜２３０Ｃに囲まれることで、以降の工程において導電体２４２の酸化による導電率の低下を抑制することができる。
【０２４２】
酸化膜２３０Ｃの成膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。酸化膜２３０Ｃとして、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲット、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：３［原子数比］のターゲット、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１０：１：３［原子数比］のターゲット、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲット、酸化インジウムのターゲットを用いて成膜する。酸化膜２３０Ｃとして、インジウムの比率の高いターゲットを用いることで、トランジスタ２００のオン電流、または電界効果移動度などを高めることができる。
【０２４３】
尚、酸化膜２３０Ｃは、積層としてもよい。例えば、スパッタリング法によって、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：４．１［原子数比］のターゲットを用いて成膜して、連続してＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］のターゲットを用いて成膜してもよい。
【０２４４】
酸化膜２３０Ｃの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂに供給される場合がある。または、酸化膜２３０Ｃの成膜時に、スパッタリングガスに含まれる酸素の一部が絶縁体２８０に供給される場合がある。したがって、酸化膜２３０Ｃのスパッタリングガスに含まれる酸素の割合は７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは１００％とすればよい。
【０２４５】
次に、加熱処理を行っても良い。また、当該加熱処理を減圧下で行い、大気に暴露することなく、連続して、絶縁膜２５０Ａの成膜を行ってもよい。当該加熱処理を行うことによって、酸化膜２３０Ｃの表面などに吸着している水分および水素を除去し、さらに酸化物２３０ａ、酸化物２３０ｂおよび酸化膜２３０Ｃ中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。加熱処理の温度は、１００℃以上４００℃以下が好ましい。本実施の形態では、加熱処理の温度を２００℃とする。
【０２４６】
次に、酸化膜２３０Ｃ上に絶縁膜２５０Ａを成膜する（図９参照）。絶縁膜２５０Ａは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて成膜することができる。また、絶縁膜２５０Ａは、上述の水素原子が低減または除去されたガスを用いた成膜方法で成膜することが好ましい。これにより、絶縁膜２５０Ａの水素濃度を低減することができる。絶縁膜２５０Ａは、後の工程で酸化物２３０ｃと接する絶縁体２５０となるので、このように水素濃度が低減されていることが好適である。
【０２４７】
次に、マイクロ波、またはＲＦ等の高周波を照射してもよい。照射されたマイクロ波、またはＲＦ等の高周波は絶縁体２８０、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａ中に浸透して、これらの中の水素を除去する。特に、酸化物２３０ａおよび酸化物２３０ｂにおいては、ＶｏＨの結合が切断される反応が起きて、別言すると「ＶＯＨ→Ｖｏ＋Ｈ」という反応が起きて、脱水素化されることになる。このとき発生した水素の一部は、酸素と結合してＨ２Ｏとして、酸化物２３０、および絶縁体２８０から除去される場合がある。また、水素の一部は、導電体２４２にゲッタリングされる場合がある。このように、マイクロ波、またはＲＦ等の高周波を照射することで、絶縁体２８０、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａ中の水素濃度を低減することができる。
【０２４８】
また、マイクロ波、またはＲＦ等の高周波によって酸素ガスをプラズマ化し、酸素ラジカルを形成してもよい。つまり、絶縁体２８０、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａに酸素を有する雰囲気でプラズマ処理を行ってもよい。このような処理を以下において、酸素プラズマ処理という場合がある。また、形成した酸素ラジカルによって、絶縁体２８０、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａ中に酸素を供給することができる。また、絶縁体２８０、酸化物２３０ｂ、および酸化物２３０ａに酸素を有する雰囲気でプラズマ処理を行う場合、酸化物２３０にマイクロ波、またはＲＦ等の高周波が照射されにくい構成にしてもよい。
【０２４９】
なお、酸素プラズマ処理は、例えばマイクロ波を用いた高密度プラズマを発生させる電源を有する、マイクロ波処理装置を用いることが好ましい。また、マイクロ波処理装置は基板側にＲＦを印加する電源を有してもよい。高密度プラズマを用いることより、高密度の酸素ラジカルを生成することができる。また、基板側にＲＦを印加することで、高密度プラズマによって生成された酸素イオンを、効率よく絶縁体２８０および酸化物２３０中に導くことができる。また、上記酸素プラズマ処理は、減圧下で行うことが好ましく、圧力を６０Ｐａ以上、好ましくは１３３Ｐａ以上、より好ましくは２００Ｐａ以上、さらに好ましくは４００Ｐａ以上とすればよい。また、酸素流量比（Ｏ２／Ｏ２＋Ａｒ）が５０％以下、好ましくは１０％以上３０％以下で行うとよい。また、処理温度は、例えば４００℃程度で行えばよい。また、酸素プラズマ処理を行った後に、外気に曝すことなく、連続して熱処理を行ってもよい。
【０２５０】
次に、導電膜２６０Ａａおよび導電膜２６０Ａｂを成膜する（図１０参照）。導電膜２６０Ａａおよび導電膜２６０Ａｂの成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。例えば、ＣＶＤ法を用いることが好ましい。本実施の形態では、ＡＬＤ法を用いて、導電膜２６０Ａａを成膜し、ＣＶＤ法を用いて導電膜２６０Ａｂを成膜する。
【０２５１】
次に、ＣＭＰ処理によって、酸化膜２３０Ｃ、絶縁膜２５０Ａ、導電膜２６０Ａａおよび導電膜２６０Ａｂを絶縁体２８０が露出するまで研磨することによって、酸化物２３０ｃ、絶縁体２５０および導電体２６０（導電体２６０ａおよび導電体２６０ｂ）を形成する（図１１参照）。
【０２５２】
次に、加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。該加熱処理によって、絶縁体２５０および絶縁体２８０中の水分濃度および水素濃度を低減させることができる。なお、上記加熱処理後、大気に曝すことなく連続して、絶縁体２８２の成膜を行ってもよい。
【０２５３】
次に、導電体２６０上、酸化物２３０ｃ上、絶縁体２５０上、および絶縁体２８０上に、絶縁体２８２を形成する。絶縁体２８２の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる（図１２参照）。絶縁体２８２となる絶縁膜としては、特に、スパッタリング法によって、酸化アルミニウムを成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いて、酸素を含む雰囲気で絶縁体２８２の成膜を行うことで、成膜しながら、絶縁体２８０に酸素を添加することができる。このとき、基板加熱を行いながら、絶縁体２８２を成膜することが好ましい。また、導電体２６０の上面に接して、絶縁体２８２を形成することで、この後の加熱処理において、絶縁体２８０が有する酸素が導電体２６０へ吸収されることを抑制することができるので好ましい。
【０２５４】
次に、絶縁体２８２上に絶縁体２８３を形成する（図１３参照）。絶縁体２８３の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、絶縁体２８３は、多層としてもよい。例えば、スパッタリング法を用いて、窒化シリコンを成膜し、当該窒化シリコン上に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを成膜してもよい。
【０２５５】
次に、加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気にて４００℃の温度で１時間の処理を行う。当該加熱処理によって、絶縁体２８２の成膜によって添加された酸素を絶縁体２８０へ拡散させ、さらに酸化物２３０ｃを介して、酸化物２３０ａ、および酸化物２３０ｂへ供給することができる。このように、酸化物２３０に加酸素化処理を行うことで、酸化物２３０（酸化物２３０ｂ）中の酸素欠損を酸素により修復させる、別言すると「Ｖｏ＋Ｏ→ｎｕｌｌ」という反応を促進させることができる。さらに、酸化物２３０中に残存した水素に供給された酸素が反応することで、当該水素をＨ２Ｏとして除去する（脱水化する）ことができる。これにより、酸化物２３０中に残存していた水素が酸素欠損に再結合してＶＯＨが形成されるのを抑制することができる。なお、当該加熱処理は、絶縁体２８３の成膜後に限らず、絶縁体２８２の成膜後に行ってもよい。
【０２５６】
次に、絶縁体２７２、絶縁体２７３、絶縁体２８０、絶縁体２８２、および絶縁体２８３に、導電体２４２ｂに達する開口を形成する（図１３参照）。当該開口の形成は、リソグラフィー法を用いて行えばよい。なお、図１３（Ａ）で開口は、上面視において円形状にしているが、これに限られるものではない。例えば、開口が、上面視において、楕円などの略円形状、四角形などの多角形状、四角形等の多角形の角部を丸めた形状になっていてもよい。
【０２５７】
次に、絶縁体２４１となる絶縁膜を成膜し、当該絶縁膜を異方性エッチングして絶縁体２４１を形成する。絶縁体２４１となる絶縁膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。絶縁体２４１となる絶縁膜としては、酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁膜を用いることが好ましい。例えば、ＰＥＡＬＤ法を用いて、酸化アルミニウムを成膜することが好ましい。または、ＰＥＡＬＤ法を用いて、窒化シリコンを成膜することが好ましい。窒化シリコンは水素に対するブロッキング性が高いので好ましい。
【０２５８】
また、絶縁体２４１となる絶縁膜の異方性エッチングとしては、例えばドライエッチング法などを用いればよい。開口の側壁部に絶縁体２４１を設けることで、外方からの酸素の透過を抑制し、次に形成する導電体２４０の酸化を防止することができる。また、導電体２４０から、水、水素などの不純物が外部に拡散することを防ぐことができる。
【０２５９】
次に、導電体２４０となる導電膜を成膜する。導電体２４０となる導電膜は、水、水素など不純物の透過を抑制する機能を有する導電体を含む積層構造とすることが望ましい。たとえば、窒化タンタル、窒化チタンなどと、タングステン、モリブデン、銅など、と、の積層とすることができる。導電体２４０となる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０２６０】
次に、ＣＭＰ処理を行うことで、導電体２４０となる導電膜の一部を除去し、絶縁体２８３の上面を露出する。その結果、開口のみに、当該導電膜が残存することで上面が平坦な導電体２４０を形成することができる（図１３参照）。なお、当該ＣＭＰ処理により、絶縁体２８３の上面の一部が除去される場合がある。
【０２６１】
次に、導電体２４６となる導電膜を成膜する。導電体２４６となる導電膜の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。
【０２６２】
次に、導電体２４６となる導電膜をリソグラフィー法によって加工し、導電体２４０の上面と接する導電体２４６を形成する（図１４参照）。また図示しないが、導電体２４６と、絶縁体２８３とが重ならない領域の絶縁体２８３の膜厚が薄くなることがある。
【０２６３】
次に、導電体２４６上、および絶縁体２８３上に、絶縁体２８４を成膜する（図１参照）。絶縁体２８４の成膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、絶縁体２８４は、多層としてもよい。例えば、スパッタリング法を用いて、窒化シリコンを成膜し、当該窒化シリコン上に、ＣＶＤ法を用いて窒化シリコンを成膜してもよい。導電体２４６上、および絶縁体２８３上に、絶縁体２８４を成膜することで、導電体２４６の上面、および導電体２４６の側面は、絶縁体２８４が接し、導電体２４６の下面の一部は、絶縁体２８３と接する。つまり、導電体２４６は、絶縁体２８４、および絶縁体２８３で包まれる構成とすることができる。この様な構成とすることで、外方からの酸素の透過を抑制し、導電体２４６の酸化を防止することができる。また、導電体２４６から、水、水素などの不純物が外部に拡散することを防ぐことができるので好ましい。
【０２６４】
次に絶縁体２８４上に、絶縁体２７４を成膜してもよい（図１参照）。絶縁体２７４は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＰＬＤ法、またはＡＬＤ法などを用いて行うことができる。また、絶縁体２７４は、上述の水素原子が低減または除去されたガスを用いた成膜方法で成膜することが好ましい。これにより、絶縁体２７４の水素濃度を低減することができる。
【０２６５】
以上により、図１に示すトランジスタ２００を有する半導体装置を作製することができる。図４乃至図１４に示すように、本実施の形態に示す半導体装置の作製方法を用いることで、トランジスタ２００および容量素子１００を有する半導体装置を作製することができる。
【０２６６】
＜半導体装置の変形例＞
以下では、図２、図３、図１５、図１６、図１７、図１８、および図１９を用いて、先の＜半導体装置の構成例＞で示したものとは異なる、本発明の一態様に係るトランジスタ２００（トランジスタ２００ａ、およびトランジスタ２００ｂ）、および容量素子１００（容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂ）を有する半導体装置の一例について説明する。なお図２、図３、図１５、図１６、図１７、図１８、および図１９に示す半導体装置において、＜半導体装置の構成例＞に示した半導体装置（図１参照。）を構成する構造と同機能を有する構造には、同符号を付記する。なお、本項目において、トランジスタ２００、および容量素子１００の構成材料については＜半導体装置の構成例＞で詳細に説明した材料を用いることができる。
【０２６７】
＜半導体装置の変形例１＞
図２（Ａ）は、トランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置の上面図である。また、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）、および図２（Ｄ）は、当該半導体装置の断面図である。ここで、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）にＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００、および容量素子１００のチャネル長方向の断面図でもある。また、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）にＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図２（Ｄ）は、図２（Ａ）にＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図であり、容量素子１００のチャネル幅方向の断面図でもある。なお、図２（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
【０２６８】
図２（Ｂ）、および（Ｄ）に示すように、本変形例は、容量素子１００の断面形状が、図１（Ｂ）、および（Ｄ）に示す容量素子１００と異なる。詳しくは、図２（Ｂ）、および図２（Ｄ）に示すように、導電体２０４ｂのチャネル長方向、およびチャネル幅方向に凹凸を形成し、導電体２０４ｂ上の絶縁体２２２が、当該凹凸に沿う様に形成されている。このような形状にすることで、容量素子１００の一方の電極として機能する導電体２０４と、容量素子１００の他方の電極として機能する導電体２４２ａが、容量素子１００の誘電体として機能する絶縁体２２２を介して重なる面積が、上面視の面積よりも大きくすることができる。即ち、上面視における一方の電極と、他方の電極との重なる面積を増やさずに容量素子１００の容量を増やすことができるので容量素子の微細化ができる。
【０２６９】
導電体２０４ｂを図２（Ｂ）、および（Ｄ）に示すように、凹凸を形成するには、例えば、図１（Ｂ）、および（Ｄ）に示すように導電体２０４ｂの上面が平坦な導電体２０４を形成した後に、リソグラフィー法によって、導電体２０４ｂに凹凸を形成すればよい。また、本変形例では、チャネル長方向、およびチャネル幅方向ともに凹凸を形成しているが、その限りではない。例えば、チャネル長方向にのみに凹凸を形成しても良いし、チャネル幅方向のみに凹凸を形成してもよい。または、凹凸の数についても、同様である。つまり、半導体装置が求める容量素子の容量に合わせて凹凸の方向または凹凸の数を決めて形成すればよい。その他の構成および効果については、図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｄ）に示す半導体装置の構成例を参酌することができる。
【０２７０】
＜半導体装置の変形例２＞
図３（Ａ）は、トランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置の上面図である。また、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）、および図３（Ｄ）は、当該半導体装置の断面図である。ここで、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）にＡ１−Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００、および容量素子１００のチャネル長方向の断面図でもある。また、図３（Ｃ）は、図３（Ａ）にＡ３−Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のチャネル幅方向の断面図でもある。また、図３（Ｄ）は、図３（Ａ）にＡ５−Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図であり、トランジスタ２００のソースまたはドレインのチャネル幅方向の断面図でもある。なお、図２（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いている。
【０２７１】
図３（Ａ）に示すように、導電体２０５を、トランジスタ２００の第２のゲートと、容量素子１００の一方の電極としても用いている構成であり、また、トランジスタ２００のソース電極またはドレイン電極として機能する導電体２４２ｂと、導電体２０４とが、開口２３８を介して接続されている構成であり、また、トランジスタ２００のソース電極またはドレイン電極と接続するプラグとして機能する導電体２４０と、導電体２４０と接続される導電体２４６と、導電体２４０の側面に接する絶縁体２４１と、を有しない構成であるところが、図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｄ）に示す半導体装置の構成例と異なる。以下に、異なる構成についての詳細を説明する。
【０２７２】
図３（Ｂ）に示すように、容量素子１００は、絶縁体２１４上の導電体２０５と、導電体２０５上の絶縁体２２２と、絶縁体２２２上の導電体２４２ａと、を有する。
【０２７３】
容量素子１００において、導電体２０５は、容量素子１００の一方の電極として機能し、導電体２４２ａは、容量素子１００の他方の電極として機能する。また、絶縁体２２２は、容量素子１００の誘電体として機能する。
【０２７４】
また、図３（Ｄ）に示すように、絶縁体２１４上の導電体２０４と、導電体２４２ｂとが、開口２３８を介して、接続されている。導電体２０４は、導電体２０５と同じ層に形成される。また、図３（Ａ）に示すように、導電体２０４は、導電体２０５とＡ１−Ａ２方向に平行して配置される。
【０２７５】
以上のような構成とすることで、プラグとして機能する導電体２４０、導電体２４６、および絶縁体２４１の形成工程が不要となり、トランジスタ２００、および容量素子１００を有する半導体装置の作製工程が簡略化されるので、製造コストの低減および歩留まりの向上が期待できるので好ましい。
【０２７６】
その他の構成および効果については、図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、および（Ｄ）に示す半導体装置の構成例を参酌することができる。
【０２７７】
＜半導体装置の変形例３＞
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを有する半導体装置の一例について説明する。
【０２７８】
図１６は、トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを有する半導体装置のチャネル長方向の断面図である。半導体装置は、図１６に示すように、Ａ３−Ａ４の一点鎖線を対称軸とした線対称の構成となっている。トランジスタ２００ａのソース電極またはドレイン電極の一方と、トランジスタ２００ｂのソース電極またはドレイン電極の一方は、導電体２４２ｃが兼ねる構成となっている。また、配線として機能する導電体２４６と、トランジスタ２００ａ、およびトランジスタ２００ｂとの接続もプラグとして機能する導電体２４０が、兼ねる構成となっている。このように、２つのトランジスタと、２つの容量素子と、配線とプラグとの接続を上述の構成とすることで、微細化または高集積化が可能な半導体装置を提供することができる。
【０２７９】
トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂのそれぞれの構成および効果については、図１（Ａ），（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示す半導体装置の構成例を参酌することができる。
【０２８０】
＜半導体装置の変形例４＞
上記においては、半導体装置の構成例としてトランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂを挙げたが、本実施の形態に示す半導体装置はこれに限られるものではない。例えば、図１７に示すように同様の構成を有する２つの半導体装置が容量部を介して接続されている構成としてもよい。本明細書では、トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを有する半導体装置をセルと称する。トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂの構成については、上述のトランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂに係る記載を参酌することができる。
【０２８１】
図１７は、トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａ、および容量素子１００ｂを有するセル６０と、セル６０と同様の構成を有するセル６１が容量部を介して接続されている断面図である。
【０２８２】
図１７に示すように、セル６０が有する容量素子１００ｂの一方の電極として機能する導電体２０４＿２および他方の電極として機能する導電体２４２ｂは、セル６０と同様の構成を有するセル６１が有する容量素子の一方の電極および他方の電極を兼ねる構成となっている。また、図示しないが、セル６０が有する容量素子１００ａの一方の電極として機能する導電体２０４＿１および他方の電極として機能する導電体２４２ａが、セル６０の左側、つまり図１７において、Ａ１方向に隣接する半導体装置の容量素子の一方の電極および他方の電極を兼ねている。また、セル６１の右側、つまり、図１７において、Ａ２方向のセルについても同様の構成となっている。つまりセルアレイ６００を構成することができる。この様なセルアレイ６００の構成とすることで、隣り合うセルの間隔を小さくすることができるので、セルアレイ６００の投影面積を小さくすることができ、高集積化が可能となる。また、図１７に示すセルアレイ６００の構成を、マトリクス状に配置することで、マトリクス状のセルアレイを構成することができる。
【０２８３】
上述のように、本実施の形態に示す構成で、トランジスタ２００ａ、トランジスタ２００ｂ、容量素子１００ａおよび容量素子１００ｂを形成することにより、セルの面積を低減し、セルアレイを有する半導体装置の微細化または高集積化を図ることができる。
【０２８４】
また、当該セルアレイ６００を平面のみでなく積層する構成としてもよい。図１８にセルアレイ６００をｎ＋１層積層する構成の断面図を示す。図１８に示すように、複数のセルアレイを積層することにより、セルアレイの占有面積を増やすことなく、セルを集積して配置することができる。つまり、３Ｄセルアレイを構成することができる。
【０２８５】
＜半導体装置の変形例５＞
以下では、図１８に示す３Ｄセルアレイを有する半導体装置の一例について説明する。図１９に、本半導体装置の断面図を示す。本半導体装置は、基板３１１と、基板３１１上の絶縁体２１１と、絶縁体２１１上の絶縁体２１２と、絶縁体２１２上の絶縁体２１４と、を有し、さらに絶縁体２１４上には、セルアレイ６００がｎ＋１層積層されている３Ｄセルアレイが配置されている。また、積層されたセルアレイ６００は、プラグとして機能する導電体２４０で電気的に接続されている。また、３Ｄセルアレイは、絶縁体２１１、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８７、絶縁体２８２、絶縁体２８３、および絶縁体２８４により封止される（便宜的に、以下では封止構造と呼ぶ）。絶縁体２８４の周囲には絶縁体２７４が設けられる。また、絶縁体２７４、絶縁体２８４、絶縁体２８３、および絶縁体２１１には導電体４３０が設けられ、基板３１１と電気的に接続する。
【０２８６】
また、封止構造の内部には、絶縁体２８０が設けられる。絶縁体２８０は、加熱により酸素を放出する機能を有する。または、絶縁体２８０は、過剰酸素領域を有する。
【０２８７】
なお、絶縁体２１１、絶縁体２８３、及び絶縁体２８４は、水素に対するブロッキング性が高い機能を有する材料であると好適である。また、絶縁体２１４、絶縁体２８２、及び絶縁体２８７は、水素を捕獲、または水素を固着する機能を有する材料であると好適である。
【０２８８】
例えば、上記水素に対するブロッキング性が高い機能を有する材料は、窒化シリコン、または窒化酸化シリコンなどが挙げられる。また、上記水素を捕獲、または水素を固着する機能を有する材料は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、並びにアルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などが挙げられる。
【０２８９】
なお、本明細書において、バリア性とは、対応する物質の拡散を抑制する機能（透過性が低いともいう）とする。または、対応する物質を、捕獲、および固着する（ゲッタリングともいう）機能とする。
【０２９０】
なお、絶縁体２１１、絶縁体２１２、絶縁体２１４、絶縁体２８７、絶縁体２８２、絶縁体２８３、および絶縁体２８４に用いる材料の結晶構造については、特に限定は無いが、非晶質または結晶性を有する構造とすればよい。例えば、水素を捕獲、または水素を固着する機能を有する材料として、非晶質の酸化アルミニウム膜を用いると好適である。非晶質の酸化アルミニウムは、結晶性の高い酸化アルミニウムよりも、水素の捕獲、および固着する量が大きい場合がある。
【０２９１】
ここで、絶縁体２８０中の過剰酸素は、絶縁体２８０と接する酸化物半導体中の水素の拡散に対し、下記のようなモデルが考えられる。
【０２９２】
酸化物半導体中に存在する水素は、酸化物半導体に接する絶縁体２８０を介して、他の構造体へと拡散する。当該水素の拡散は、絶縁体２８０中の過剰酸素が酸化物半導体中の水素と反応しＯＨ結合となり、絶縁体２８０中を拡散する。ＯＨ結合を有した水素原子は、水素を捕獲、または水素を固着する機能を有する材料（代表的には、絶縁体２８２）に到達した際に、水素原子は絶縁体２８２中の原子（例えば、金属原子など）と結合した酸素原子と反応し、絶縁体２８２中に捕獲、または固着する。一方、ＯＨ結合を有していた過剰酸素の酸素原子は、過剰酸素として絶縁体２８０中に残ると推測される。つまり、当該水素の拡散において、絶縁体２８０中の過剰酸素が、橋渡し的な役割を担う蓋然性が高い。
【０２９３】
上記のモデルを満たすためには、半導体装置の作製プロセスが重要な要素の一つとなる。
【０２９４】
一例として、酸化物半導体上に、過剰酸素を有する絶縁体２８０を形成し、その後、絶縁体２８２を形成する。そのあとに、加熱処理を行うことが好ましい。当該加熱処理は、具体的には、酸素を含む雰囲気、窒素を含む雰囲気、または酸素と窒素の混合雰囲気にて、３５０℃以上、好ましくは４００℃以上の温度で行う。加熱処理の時間は、１時間以上、好ましくは４時間以上、さらに好ましくは８時間以上とする。
【０２９５】
上記の加熱処理によって、酸化物半導体中の水素が、絶縁体２８０、絶縁体２８２、および絶縁体２８７を介して、外方に拡散することができる。つまり、酸化物半導体、及び当該酸化物半導体近傍に存在する水素の絶対量を低減することができる。
【０２９６】
上記加熱処理のあと、絶縁体２８３、及び絶縁体２８４を形成する。絶縁体２８３、及び絶縁体２８４は、水素に対するブロッキング性が高い機能を有する材料であるため、外方に拡散させた水素、または外部に存在する水素を、内部、具体的には、酸化物半導体、または絶縁体２８０側に入り込むのを抑制することができる。
【０２９７】
なお、上記の加熱処理については、絶縁体２８２を形成したあとに行う構成について、例示したが、これに限定されない。例えば、セルアレイ６００＿１乃至セルアレイ６００＿ｎ＋１形成後の形成後にそれぞれ上記加熱処理を行っても良い。水素は上方または横方向に拡散される。
【０２９８】
なお、上記の作製プロセスとすることで、絶縁体２１１と、絶縁体２８３と、が接着することで、上述した封止構造が形成される。
【０２９９】
以上のように、上記の構造、及び上記の作製プロセスとすることで、水素濃度が低減された酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することができる。従って、信頼性が良好な半導体装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、良好な電気特性を有する半導体装置を提供することができる。
【０３００】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０３０１】
（実施の形態２）
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図２０を用いて説明する。
【０３０２】
［記憶装置１］
図２０に示す記憶装置は、トランジスタ２００、容量素子１００、およびトランジスタ３００と、を有している。図２０は、トランジスタ２００、およびトランジスタ３００のチャネル長方向の断面図である。
【０３０３】
トランジスタ２００は、酸化物半導体を有する半導体層にチャネルが形成されるトランジスタである。トランジスタ２００は、オフ電流が小さいため、これを記憶装置に用いることにより長期にわたり記憶内容を保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作を必要としない、あるいは、リフレッシュ動作の頻度が極めて少ないため、記憶装置の消費電力を十分に低減することができる。
【０３０４】
図２０に示す記憶装置において、配線１００１はトランジスタ３００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線１００２はトランジスタ３００のソースおよびドレインの他方と電気的に接続され、配線１００７はトランジスタ３００のゲートと電気的に接続されている。また、配線１００３はトランジスタ２００のソースおよびドレインの一方と電気的に接続され、配線１００４はトランジスタ２００の第１のゲートと電気的に接続され、配線１００６はトランジスタ２００の第２のゲートと電気的に接続されている。また、配線１００５は容量素子１００の電極の他方と電気的に接続されている。
【０３０５】
図２０に示す半導体装置は、酸化物半導体を有する半導体層にチャネルが形成されるトランジスタを設けた記憶装置に適用することができる。トランジスタ２００のオフ電流が小さく、容量素子１００の一方の電極の電位が保持可能という特性を有することで、情報の書き込み、保持、読み出しが可能である。
【０３０６】
＜記憶装置１の構造＞
本発明の一態様の半導体装置は、図２０に示すようにトランジスタ３００、トランジスタ２００、および容量素子１００を有する。トランジスタ２００はトランジスタ３００の上方に設けられ、トランジスタ２００、および容量素子１００は同じ層に配置される。なお、トランジスタ２００、および容量素子１００の構成については、先の実施の形態を参酌することができる。
【０３０７】
トランジスタ３００は、基板３１１上に設けられ、導電体３１６、絶縁体３１５、基板３１１の一部からなる半導体領域３１３、およびソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂを有する。
【０３０８】
トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。
【０３０９】
半導体領域３１３のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、またはドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。
【０３１０】
低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂは、半導体領域３１３に適用される半導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含む。
【０３１１】
ゲート電極として機能する導電体３１６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。
【０３１２】
なお、導電体の材料により、仕事関数が定まるため、導電体の材料を変更することで、しきい値電圧を調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。
【０３１３】
なお、図２０に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。
【０３１４】
トランジスタ３００を覆って、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６が順に積層して設けられている。
【０３１５】
絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。
【０３１６】
絶縁体３２２は、その下方に設けられるトランジスタ３００などによって生じる段差を平坦化する平坦化膜としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ）法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。
【０３１７】
また、絶縁体３２４には、基板３１１、またはトランジスタ３００などから、トランジスタ２００が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。
【０３１８】
水素に対するバリア性を有する膜の一例として、例えば、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ２００等の酸化物半導体を有する半導体素子に、水素が拡散することで、該半導体素子の特性が低下する場合がある。従って、トランジスタ２００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とする。
【０３１９】
水素の脱離量は、例えば、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ）などを用いて分析することができる。例えば、絶縁体３２４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、膜の表面温度が５０℃から５００℃の範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積当たりに換算して、１０×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下、好ましくは５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であればよい。
【０３２０】
なお、絶縁体３２６は、絶縁体３２４よりも誘電率が低いことが好ましい。例えば、絶縁体３２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体３２６の比誘電率は、絶縁体３２４の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。
【０３２１】
また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６にはトランジスタ３００と電気的に接続する導電体３２８、および導電体３３０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、および導電体３３０はプラグ、または配線として機能する。また、プラグまたは配線として機能する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と電気的に接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。
【０３２２】
各プラグ、および配線（導電体３２８、および導電体３３０等）の材料としては、金属材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層または積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。
【０３２３】
絶縁体３２６、および導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図２０において、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４には、導電体３５６が形成されている。導電体３５６は、プラグ、または配線として機能する。なお導電体３５６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【０３２４】
なお、例えば、絶縁体３５０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３５６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ２００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【０３２５】
なお、水素に対するバリア性を有する導電体としては、例えば、窒化タンタル等を用いるとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線としての導電性を保持したまま、トランジスタ３００からの水素の拡散を抑制することができる。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０と接する構造であることが好ましい。
【０３２６】
上記において、導電体３５６を含む配線層、について説明したが、本実施の形態に係る記憶装置はこれに限られるものではない。導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を３層以下にしてもよいし、導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を５層以上にしてもよい。
【０３２７】
絶縁体３５４上には絶縁体２１０、絶縁体２１２、および絶縁体２１４が、順に積層して設けられている。絶縁体２１０、絶縁体２１２、および絶縁体２１４のいずれかは、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。
【０３２８】
絶縁体２１０には、例えば絶縁体３２０と同様の材料を用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体２１２として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。
【０３２９】
絶縁体２１１、および絶縁体２１２には、例えば、基板３１１、またはトランジスタ３００を設ける領域などから、トランジスタ２００を設ける領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。従って、絶縁体３２４と同様の材料を用いることができる。
【０３３０】
水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ２００等の酸化物半導体を有する半導体素子に、水素が拡散することで、該半導体素子の特性が低下する場合がある。従って、トランジスタ２００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とする。
【０３３１】
また、水素に対するバリア性を有する膜として、例えば、絶縁体２１４には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
【０３３２】
特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分などの不純物のトランジスタ２００への混入を防止することができる。また、トランジスタ２００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジスタ２００に対する保護膜として用いることに適している。
【０３３３】
また、絶縁体２１０、絶縁体２１１、絶縁体２１２、絶縁体２１４、および絶縁体２１６には、導電体２１８、およびトランジスタ２００を構成する導電体、および容量素子１００を構成する導電体等が埋め込まれている。なお、導電体２１８は、トランジスタ２００またはトランジスタ３００と電気的に接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体２１８は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。
【０３３４】
特に、絶縁体２１０、および絶縁体２１４と接する領域の導電体２１８は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ２００とは、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する層で、分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ２００への水素の拡散を抑制することができる。
【０３３５】
絶縁体２１４の上方には、トランジスタ２００、および容量素子１００が設けられている。なお、トランジスタ２００、および容量素子１００の構造は、先の実施の形態で説明したトランジスタ２００、および容量素子１００を用いればよい。また、図２０に示すトランジスタ２００、および容量素子１００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタ、および容量素子を用いればよい。
【０３３６】
また、導電体２４０を導電体２１８と接するように設けることで、トランジスタ３００と接続される導電体をトランジスタ２００の上方に取り出すことができる。図２０においては、配線１００２をトランジスタ２００の上方に取り出したが、これに限られることなく、配線１００１または配線１００７などをトランジスタ２００の上方に取り出す構成にしてもよい。
【０３３７】
以上が構成例についての説明である。本構成を用いることで、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制すると共に、信頼性を向上させることができる。
【０３３８】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０３３９】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図２２および図２３を用いて、本発明の一態様に係る、酸化物を半導体に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタと呼ぶ場合がある）、および容量素子が適用されている記憶装置（以下、ＯＳメモリ装置と呼ぶ場合がある）について説明する。ＯＳメモリ装置は、少なくとも容量素子と、容量素子の充放電を制御するＯＳトランジスタを有する記憶装置である。ＯＳトランジスタのオフ電流は極めて小さいので、ＯＳメモリ装置は優れた保持特性をもち、不揮発性メモリとして機能させることができる。
【０３４０】
一般に、コンピュータなどの半導体装置では、用途に応じて様々な記憶装置（メモリ）が用いられる。図２１に、各種の記憶装置を階層ごとに示す。上層に位置する記憶装置ほど速いアクセス速度が求められ、下層に位置する記憶装置ほど大きな記憶容量と高い記録密度が求められる。図２１では、最上層から順に、ＣＰＵなどの演算処理装置にレジスタとして混載されるメモリ、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、３Ｄ  ＮＡＮＤメモリを示している。
【０３４１】
ＣＰＵなどの演算処理装置にレジスタとして混載されるメモリは、演算結果の一時保存などに用いられるため、演算処理装置からのアクセス頻度が高い。よって、記憶容量よりも速い動作速度が求められる。また、レジスタは演算処理装置の設定情報などを保持する機能も有する。
【０３４２】
ＳＲＡＭは、例えばキャッシュに用いられる。キャッシュは、メインメモリに保持されている情報の一部を複製して保持する機能を有する。使用頻繁が高いデータをキャッシュに複製しておくことで、データへのアクセス速度を高めることができる。
【０３４３】
ＤＲＡＭは、例えばメインメモリに用いられる。メインメモリは、ストレージから読み出されたプログラムやデータを保持する機能を有する。ＤＲＡＭの記録密度は、おおよそ０．１乃至０．３Ｇｂｉｔ／ｍｍ２である。
【０３４４】
３Ｄ  ＮＡＮＤメモリは、例えばストレージに用いられる。ストレージは、長期保存が必要なデータや、演算処理装置で使用する各種のプログラムなどを保持する機能を有する。よって、ストレージには動作速度よりも大きな記憶容量と高い記録密度が求められる。ストレージに用いられる記憶装置の記録密度は、おおよそ０．６乃至６．０Ｇｂｉｔ／ｍｍ２である。
【０３４５】
本発明の一態様の記憶装置は、動作速度が速く、長期間のデータ保持が可能である。本発明の一態様の記憶装置は、キャッシュが位置する階層とメインメモリが位置する階層の双方を含む境界領域９０１に位置する記憶装置として好適に用いることができる。また、本発明の一態様の記憶装置は、メインメモリが位置する階層とストレージが位置する階層の双方を含む境界領域９０２に位置する記憶装置として好適に用いることができる。
【０３４６】
＜記憶装置の構成例＞
図２２（Ａ）にＯＳメモリ装置の構成の一例を示す。記憶装置１４００は、周辺回路１４１１、およびメモリセルアレイ１４７０を有する。周辺回路１４１１は、行回路１４２０、列回路１４３０、出力回路１４４０、コントロールロジック回路１４６０を有する。
【０３４７】
列回路１４３０は、例えば、列デコーダ、プリチャージ回路、センスアンプ、および書き込み回路等を有する。プリチャージ回路は、配線をプリチャージする機能を有する。センスアンプは、メモリセルから読み出されたデータ信号を増幅する機能を有する。なお、上記配線は、メモリセルアレイ１４７０が有するメモリセルに接続されている配線であり、詳しくは後述する。増幅されたデータ信号は、出力回路１４４０を介して、データ信号ＲＤＡＴＡとして記憶装置１４００の外部に出力される。また、行回路１４２０は、例えば、行デコーダ、ワード線ドライバ回路等を有し、アクセスする行を選択することができる。
【０３４８】
記憶装置１４００には、外部から電源電圧として低電源電圧（ＶＳＳ）、周辺回路１４１１用の高電源電圧（ＶＤＤ）、メモリセルアレイ１４７０用の高電源電圧（ＶＩＬ）が供給される。また、記憶装置１４００には、制御信号（ＣＥ、ＷＥ、ＲＥ）、アドレス信号ＡＤＤＲ、データ信号ＷＤＡＴＡが外部から入力される。アドレス信号ＡＤＤＲは、行デコーダおよび列デコーダに入力され、ＷＤＡＴＡは書き込み回路に入力される。
【０３４９】
コントロールロジック回路１４６０は、外部からの入力信号（ＣＥ、ＷＥ、ＲＥ）を処理して、行デコーダ、列デコーダの制御信号を生成する。ＣＥは、チップイネーブル信号であり、ＷＥは、書き込みイネーブル信号であり、ＲＥは、読み出しイネーブル信号である。コントロールロジック回路１４６０が処理する信号は、これに限定されるものではなく、必要に応じて、他の制御信号を入力すればよい。
【０３５０】
メモリセルアレイ１４７０は、行列状に配置された、複数個のメモリセルＭＣと、複数の配線を有する。なお、メモリセルアレイ１４７０と行回路１４２０とを接続している配線の数は、メモリセルＭＣの構成、一列に有するメモリセルＭＣの数などによって決まる。また、メモリセルアレイ１４７０と列回路１４３０とを接続している配線の数は、メモリセルＭＣの構成、一行に有するメモリセルＭＣの数などによって決まる。
【０３５１】
なお、図２２（Ａ）において、周辺回路１４１１とメモリセルアレイ１４７０を同一平面上に形成する例について示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。例えば、図２２（Ｂ）に示すように、周辺回路１４１１の一部の上に、メモリセルアレイ１４７０が重なるように設けられてもよい。例えば、メモリセルアレイ１４７０の下に重なるように、センスアンプを設ける構成にしてもよい。
【０３５２】
図２３（Ａ）乃至（Ｃ）に上述のメモリセルＭＣに適用できるメモリセルの構成例について説明する。
【０３５３】
［ＤＯＳＲＡＭ］
図２３（Ａ）乃至（Ｃ）に、ＤＲＡＭのメモリセルの回路構成例を示す。本明細書等において、１ＯＳトランジスタ１容量素子型のメモリセルを用いたＤＲＡＭを、ＤＯＳＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と呼ぶ場合がある。図２３（Ａ）に示す、メモリセル１４７１は、トランジスタＭ１と、容量素子ＣＡと、を有する。なお、トランジスタＭ１は、ゲート（フロントゲートと呼ぶ場合がある）、及びバックゲートを有する。
【０３５４】
トランジスタＭ１の第１端子は、容量素子ＣＡの第１端子と接続され、トランジスタＭ１の第２端子は、配線ＢＩＬと接続され、トランジスタＭ１のゲートは、配線ＷＯＬと接続され、トランジスタＭ１のバックゲートは、配線ＢＧＬと接続されている。容量素子ＣＡの第２端子は、配線ＣＡＬと接続されている。
【０３５５】
配線ＢＩＬは、ビット線として機能し、配線ＷＯＬは、ワード線として機能する。配線ＣＡＬは、容量素子ＣＡの第２端子に所定の電位を印加するための配線として機能する。データの書き込み時、及び読み出し時において、配線ＣＡＬには、低レベル電位を印加するのが好ましい。配線ＢＧＬは、トランジスタＭ１のバックゲートに電位を印加するための配線として機能する。配線ＢＧＬに任意の電位を印加することによって、トランジスタＭ１のしきい値電圧を増減することができる。
【０３５６】
また、メモリセルＭＣは、メモリセル１４７１に限定されず、回路構成の変更を行うことができる。例えば、メモリセルＭＣは、図２３（Ｂ）に示すメモリセル１４７２のように、トランジスタＭ１のバックゲートが、配線ＢＧＬでなく、配線ＷＯＬと接続される構成にしてもよい。また、例えば、メモリセルＭＣは、図２３（Ｃ）に示すメモリセル１４７３ように、シングルゲート構造のトランジスタ、つまりバックゲートを有さないトランジスタＭ１で構成されたメモリセルとしてもよい。
【０３５７】
上記実施の形態に示す半導体装置をメモリセル１４７１等に用いる場合、トランジスタＭ１としてトランジスタ２００を用い、容量素子ＣＡとして容量素子１００を用いることができる。トランジスタＭ１としてＯＳトランジスタを用いることによって、トランジスタＭ１のリーク電流を非常に低くすることができる。つまり、書き込んだデータをトランジスタＭ１によって長時間保持することができるため、メモリセルのリフレッシュの頻度を少なくすることができる。また、メモリセルのリフレッシュ動作を不要にすることができる。また、リーク電流が非常に低いため、メモリセル１４７１、メモリセル１４７２、メモリセル１４７３に対して多値データ、又はアナログデータを保持することができる。
【０３５８】
また、ＤＯＳＲＡＭにおいて、上記のように、メモリセルアレイ１４７０の下に重なるように、センスアンプを設ける構成にすると、ビット線を短くすることができる。これにより、ビット線容量が小さくなり、メモリセルの保持容量を低減することができる。
【０３５９】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０３６０】
（実施の形態４）
本実施の形態は、上記実施の形態に示す記憶装置などが組み込まれた電子部品および電子機器の一例を示す。
【０３６１】
＜電子部品＞
まず、記憶装置１０００が組み込まれた電子部品の例を、図２４（Ａ）および（Ｂ）を用いて説明を行う。
【０３６２】
図２４（Ａ）に電子部品７００および電子部品７００が実装された基板（実装基板７０４）の斜視図を示す。図２４（Ａ）に示す電子部品７００は、モールド７１１内に記憶装置１０００を有している。また、記憶装置１０００は、駆動回路層１５００と、複数のメモリセルアレイを有する記憶層１２００を有する。図２４（Ａ）は、電子部品７００の内部を示すために、一部を省略している。電子部品７００は、モールド７１１の外側にランド７１２を有する。ランド７１２は電極パッド７１３と電気的に接続され、電極パッド７１３は記憶装置１０００とワイヤ７１４によって電気的に接続されている。電子部品７００は、例えばプリント基板７０２に実装される。このような電子部品が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板７０２上で電気的に接続されることで実装基板７０４が完成する。
【０３６３】
図２４（Ｂ）に電子部品７３０の斜視図を示す。電子部品７３０は、ＳｉＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  ｐａｃｋａｇｅ）またはＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）の一例である。電子部品７３０は、パッケージ基板７３２（プリント基板）上にインターポーザ７３１が設けられ、インターポーザ７３１上に半導体装置７３５、および複数の記憶装置１０００が設けられている。
【０３６４】
電子部品７３０では、記憶装置１０００を広帯域メモリ（ＨＢＭ：Ｈｉｇｈ  Ｂａｎｄｗｉｄｔｈ  Ｍｅｍｏｒｙ）として用いる例を示している。また、半導体装置７３５は、ＣＰＵ、ＧＰＵ、ＦＰＧＡなどの集積回路（半導体装置）を用いることができる。
【０３６５】
パッケージ基板７３２は、セラミック基板、プラスチック基板、またはガラスエポキシ基板などを用いることができる。インターポーザ７３１は、シリコンインターポーザ、樹脂インターポーザなどを用いることができる。
【０３６６】
インターポーザ７３１は、複数の配線を有し、端子ピッチの異なる複数の集積回路を電気的に接続する機能を有する。複数の配線は、単層または多層で設けられる。また、インターポーザ７３１は、インターポーザ７３１上に設けられた集積回路をパッケージ基板７３２に設けられた電極と電気的に接続する機能を有する。これらのことから、インターポーザを「再配線基板」または「中間基板」と呼ぶ場合がある。また、インターポーザ７３１に貫通電極を設けて、当該貫通電極を用いて集積回路とパッケージ基板７３２を電気的に接続する場合もある。また、シリコンインターポーザでは、貫通電極として、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）を用いることも出来る。
【０３６７】
インターポーザ７３１としてシリコンインターポーザを用いることが好ましい。シリコンインターポーザでは能動素子を設ける必要が無いため、集積回路よりも低コストで作製することができる。一方で、シリコンインターポーザの配線形成は半導体プロセスで行なうことができるため、樹脂インターポーザでは難しい微細配線の形成が容易である。
【０３６８】
ＨＢＭでは、広いメモリバンド幅を実現するために多くの配線を接続する必要がある。このため、ＨＢＭを実装するインターポーザには、微細かつ高密度の配線形成が求められる。よって、ＨＢＭを実装するインターポーザには、シリコンインターポーザを用いることが好ましい。
【０３６９】
また、シリコンインターポーザを用いたＳｉＰやＭＣＭなどでは、集積回路とインターポーザ間の膨張係数の違いによる信頼性の低下が生じにくい。また、シリコンインターポーザは表面の平坦性が高いため、シリコンインターポーザ上に設ける集積回路とシリコンインターポーザ間の接続不良が生じにくい。特に、インターポーザ上に複数の集積回路を横に並べて配置する２．５Ｄパッケージ（２．５次元実装）では、シリコンインターポーザを用いることが好ましい。
【０３７０】
また、電子部品７３０と重ねてヒートシンク（放熱板）を設けてもよい。ヒートシンクを設ける場合は、インターポーザ７３１上に設ける集積回路の高さを揃えることが好ましい。例えば、本実施の形態に示す電子部品７３０では、記憶装置１０００と半導体装置７３５の高さを揃えることが好ましい。
【０３７１】
電子部品７３０を他の基板に実装するため、パッケージ基板７３２の底部に電極７３３を設けてもよい。図２４（Ｂ）では、電極７３３を半田ボールで形成する例を示している。パッケージ基板７３２の底部に半田ボールをマトリクス状に設けることで、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）実装を実現できる。また、電極７３３を導電性のピンで形成してもよい。パッケージ基板７３２の底部に導電性のピンをマトリクス状に設けることで、ＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）実装を実現できる。
【０３７２】
電子部品７３０は、ＢＧＡおよびＰＧＡに限らず様々な実装方法を用いて他の基板に実装することができる。例えば、ＳＰＧＡ（Ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＪ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｊ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、またはＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  ｐａｃｋａｇｅ）などの実装方法を用いることができる。
【０３７３】
本実施の形態は、他の実施の形態などに記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
【０３７４】
（実施の形態５）
本実施の形態では、先の実施の形態に示す半導体装置を用いた記憶装置の応用例について説明する。先の実施の形態に示す半導体装置は、例えば、各種電子機器（例えば、情報端末、コンピュータ、スマートフォン、電子書籍端末、デジタルカメラ（ビデオカメラも含む）、録画再生装置、ナビゲーションシステムなど）の記憶装置に適用できる。なお、ここで、コンピュータとは、タブレット型のコンピュータや、ノート型のコンピュータや、デスクトップ型のコンピュータの他、サーバシステムのような大型のコンピュータを含むものである。または、先の実施の形態に示す半導体装置は、メモリカード（例えば、ＳＤカード）、ＵＳＢメモリ、ＳＳＤ（ソリッド・ステート・ドライブ）等の各種のリムーバブル記憶装置に適用される。図２５（Ａ）乃至（Ｅ）にリムーバブル記憶装置の構成例を模式的に示す。例えば、先の実施の形態に示す半導体装置は、パッケージングされたメモリチップに加工され、様々なストレージ装置、リムーバブルメモリに用いられる。
【０３７５】
図２５（Ａ）はＵＳＢメモリの模式図である。ＵＳＢメモリ１１００は、筐体１１０１、キャップ１１０２、ＵＳＢコネクタ１１０３および基板１１０４を有する。基板１１０４は、筐体１１０１に収納されている。例えば、基板１１０４には、メモリチップ１１０５、コントローラチップ１１０６が取り付けられている。基板１１０４のメモリチップ１１０５などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
【０３７６】
図２５（Ｂ）はＳＤカードの外観の模式図であり、図２５（Ｃ）は、ＳＤカードの内部構造の模式図である。ＳＤカード１１１０は、筐体１１１１、コネクタ１１１２および基板１１１３を有する。基板１１１３は筐体１１１１に収納されている。例えば、基板１１１３には、メモリチップ１１１４、コントローラチップ１１１５が取り付けられている。基板１１１３の裏面側にもメモリチップ１１１４を設けることで、ＳＤカード１１１０の容量を増やすことができる。また、無線通信機能を備えた無線チップを基板１１１３に設けてもよい。これによって、ホスト装置とＳＤカード１１１０間の無線通信によって、メモリチップ１１１４のデータの読み出し、書き込みが可能となる。基板１１１３のメモリチップ１１１４などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
【０３７７】
図２５（Ｄ）はＳＳＤの外観の模式図であり、図２５（Ｅ）は、ＳＳＤの内部構造の模式図である。ＳＳＤ１１５０は、筐体１１５１、コネクタ１１５２および基板１１５３を有する。基板１１５３は筐体１１５１に収納されている。例えば、基板１１５３には、メモリチップ１１５４、メモリチップ１１５５、コントローラチップ１１５６が取り付けられている。メモリチップ１１５５はコントローラチップ１１５６のワークメモリであり、例えばＤＯＳＲＡＭチップを用いればよい。基板１１５３の裏面側にもメモリチップ１１５４を設けることで、ＳＳＤ１１５０の容量を増やすことができる。基板１１５３のメモリチップ１１５４などに先の実施の形態に示す半導体装置を組み込むことができる。
【０３７８】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０３７９】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置に適用可能な電子機器の具体例について図２６（Ａ）乃至（Ｆ）を用いて説明する。
【０３８０】
より具体的には、本発明の一態様に係る半導体装置は、ＣＰＵやＧＰＵなどのプロセッサ、またはチップに用いることができる。図２６（Ａ）乃至（Ｆ）に、本発明の一態様に係るＣＰＵやＧＰＵなどのプロセッサ、またはチップを備えた電子機器の具体例を示す。
【０３８１】
＜電子機器・システム＞
本発明の一態様に係るＧＰＵ又はチップは、様々な電子機器に搭載することができる。電子機器の例としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｇｅ：電子看板）、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。また、本発明の一態様に係る集積回路又はチップを電子機器に設けることにより、電子機器に人工知能を搭載することができる。
【０３８２】
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
【０３８３】
本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
【０３８４】
本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。図２６（Ａ）乃至（Ｆ）に、電子機器の例を示す。
【０３８５】
［携帯電話］
図２６（Ａ）には、情報端末の一種である携帯電話（スマートフォン）が図示されている。情報端末５５００は、筐体５５１０と、表示部５５１１と、を有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部５５１１に備えられ、ボタンが筐体５５１０に備えられている。
【０３８６】
情報端末５５００は、本発明の一態様のチップを適用することで、人工知能を利用したアプリケーションを実行することができる。人工知能を利用したアプリケーションとしては、例えば、会話を認識してその会話内容を表示部５５１１に表示するアプリケーション、表示部５５１１に備えるタッチパネルに対してユーザが入力した文字、図形などを認識して、表示部５５１１に表示するアプリケーション、指紋や声紋などの生体認証を行うアプリケーションなどが挙げられる。
【０３８７】
［情報端末１］
図２６（Ｂ）には、デスクトップ型情報端末５３００が図示されている。デスクトップ型情報端末５３００は、情報端末の本体５３０１と、ディスプレイ５３０２と、キーボード５３０３と、を有する。
【０３８８】
デスクトップ型情報端末５３００は、先述した情報端末５５００と同様に、本発明の一態様のチップを適用することで、人工知能を利用したアプリケーションを実行することができる。人工知能を利用したアプリケーションとしては、例えば、設計支援ソフトウェア、文章添削ソフトウェア、献立自動生成ソフトウェアなどが挙げられる。また、デスクトップ型情報端末５３００を用いることで、新規の人工知能の開発を行うことができる。
【０３８９】
なお、上述では、電子機器としてスマートフォン、及びデスクトップ用情報端末を例として、それぞれ図２６（Ａ）、（Ｂ）に図示したが、スマートフォン、及びデスクトップ用情報端末以外の情報端末を適用することができる。スマートフォン、及びデスクトップ用情報端末以外の情報端末としては、例えば、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ノート型情報端末、ワークステーションなどが挙げられる。
【０３９０】
［電化製品］
図２６（Ｃ）は、電化製品の一例である電気冷凍冷蔵庫５８００を示している。電気冷凍冷蔵庫５８００は、筐体５８０１、冷蔵室用扉５８０２、冷凍室用扉５８０３等を有する。
【０３９１】
電気冷凍冷蔵庫５８００に本発明の一態様のチップを適用することによって、人工知能を有する電気冷凍冷蔵庫５８００を実現することができる。人工知能を利用することによって電気冷凍冷蔵庫５８００は、電気冷凍冷蔵庫５８００に保存されている食材、その食材の消費期限などを基に献立を自動生成する機能や、電気冷凍冷蔵庫５８００に保存されている食材に合わせた温度に自動的に調節する機能などを有することができる。
【０３９２】
本一例では、電化製品として電気冷凍冷蔵庫について説明したが、その他の電化製品としては、例えば、掃除機、電子レンジ、電子オーブン、炊飯器、湯沸かし器、ＩＨ調理器、ウォーターサーバ、エアーコンディショナーを含む冷暖房器具、洗濯機、乾燥機、オーディオビジュアル機器などが挙げられる。
【０３９３】
［ゲーム機］
図２６（Ｄ）は、ゲーム機の一例である携帯ゲーム機５２００を示している。携帯ゲーム機は、筐体５２０１、表示部５２０２、ボタン５２０３等を有する。
【０３９４】
携帯ゲーム機５２００に本発明の一態様のＧＰＵ又はチップを適用することによって、低消費電力の携帯ゲーム機５２００を実現することができる。また、低消費電力により、回路からの発熱を低減することができるため、発熱によるその回路自体、周辺回路、及びモジュールへの影響を少なくすることができる。
【０３９５】
更に、携帯ゲーム機５２００に本発明の一態様のＧＰＵ又はチップを適用することによって、人工知能を有する携帯ゲーム機５２００を実現することができる。
【０３９６】
本来、ゲームの進行、ゲーム上に登場する生物の言動、ゲーム上で発生する現象などの表現は、そのゲームが有するプログラムによって定められているが、携帯ゲーム機５２００に人工知能を適用することにより、ゲームのプログラムに限定されない表現が可能になる。例えば、プレイヤーが問いかける内容、ゲームの進行状況、時刻、ゲーム上に登場する人物の言動が変化するといった表現が可能となる。
【０３９７】
また、携帯ゲーム機５２００で複数のプレイヤーが必要なゲームを行う場合、人工知能によって擬人的にゲームプレイヤーを構成することができるため、対戦相手を人工知能によるゲームプレイヤーとすることによって、１人でもゲームを行うことができる。
【０３９８】
図２６（Ｄ）では、ゲーム機の一例として携帯ゲーム機を図示しているが、本発明の一態様のＧＰＵ又はチップを適用するゲーム機はこれに限定されない。本発明の一態様のＧＰＵ又はチップを適用するゲーム機としては、例えば、家庭用の据え置き型ゲーム機、娯楽施設（ゲームセンター、遊園地など）に設置されるアーケードゲーム機、スポーツ施設に設置されるバッティング練習用の投球マシンなどが挙げられる。
【０３９９】
［移動体］
本発明の一態様のＧＰＵ又はチップは、移動体である自動車、及び自動車の運転席周辺に適用することができる。
【０４００】
図２６（Ｅ１）は移動体の一例である自動車５７００を示し、図２６（Ｅ２）は、自動車の室内におけるフロントガラス周辺を示す図である。図２６（Ｅ２）では、ダッシュボードに取り付けられた表示パネル５７０１、表示パネル５７０２、表示パネル５７０３の他、ピラーに取り付けられた表示パネル５７０４を図示している。
【０４０１】
表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、スピードメーターやタコメーター、走行距離、燃料計、ギア状態、空調の設定などを表示することで、様々な情報を提供することができる。また、表示パネルに表示される表示項目やレイアウトなどは、ユーザの好みに合わせて適宜変更することができ、デザイン性を高めることが可能である。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０３は、照明装置として用いることも可能である。
【０４０２】
表示パネル５７０４には、自動車５７００に設けられた撮像装置（図示しない）からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界（死角）を補完することができる。すなわち、自動車５７００の外側に設けられた撮像装置からの画像を表示することによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。表示パネル５７０４は、照明装置として用いることもできる。
【０４０３】
本発明の一態様のＧＰＵ又はチップは人工知能の構成要素として適用できるため、例えば、当該チップを自動車５７００の自動運転システムに用いることができる。また、当該チップを道路案内、危険予測などを行うシステムに用いることができる。表示パネル５７０１乃至表示パネル５７０４には、道路案内、危険予測などの情報を表示する構成としてもよい。
【０４０４】
なお、上述では、移動体の一例として自動車について説明しているが、移動体は自動車に限定されない。例えば、移動体としては、電車、モノレール、船、飛行体（ヘリコプター、無人航空機（ドローン）、飛行機、ロケット）なども挙げることができ、これらの移動体に本発明の一態様のチップを適用して、人工知能を利用したシステムを付与することができる。
【０４０５】
［放送システム］
本発明の一態様のＧＰＵ又はチップは、放送システムに適用することができる。
【０４０６】
図２６（Ｆ）は、放送システムにおけるデータ伝送を模式的に示している。具体的には、図２６（Ｆ）は、放送局５６８０から送信された電波（放送信号）が、各家庭のテレビジョン受信装置（ＴＶ）５６００に届くまでの経路を示している。ＴＶ５６００は、受信装置を備え（図示しない）、アンテナ５６５０で受信された放送信号は、当該受信装置を介して、ＴＶ５６００に送信される。
【０４０７】
図２６（Ｆ）では、アンテナ５６５０は、ＵＨＦ（Ｕｌｔｒａ  Ｈｉｇｈ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）アンテナを図示しているが、アンテナ５６５０としては、ＢＳ・１１０°ＣＳアンテナ、ＣＳアンテナなども適用できる。
【０４０８】
電波５６７５Ａ、電波５６７５Ｂは地上波放送用の放送信号であり、電波塔５６７０は受信した電波５６７５Ａを増幅して、電波５６７５Ｂの送信を行う。各家庭では、アンテナ５６５０で電波５６７５Ｂを受信することで、ＴＶ５６００で地上波ＴＶ放送を視聴することができる。なお、放送システムは、図２６（Ｆ）に示す地上波放送に限定せず、人工衛星を用いた衛星放送、光回線によるデータ放送などとしてもよい。
【０４０９】
上述した放送システムは、本発明の一態様のチップを適用して、人工知能を利用した放送システムとしてもよい。放送局５６８０から各家庭のＴＶ５６００に放送データを送信するとき、エンコーダによって放送データの圧縮が行われ、アンテナ５６５０が当該放送データを受信したとき、ＴＶ５６００に含まれる受信装置のデコーダによって当該放送データの復元が行われる。人工知能を利用することによって、例えば、エンコーダの圧縮方法の一である動き補償予測において、表示画像に含まれる表示パターンの認識を行うことができる。また、人工知能を利用したフレーム内予測などを行うこともできる。また、例えば、解像度の低い放送データを受信して、解像度の高いＴＶ５６００で当該放送データの表示を行うとき、デコーダによる放送データの復元において、アップコンバートなどの画像の補間処理を行うことができる。
【０４１０】
上述した人工知能を利用した放送システムは、放送データの量が増大する超高精細度テレビジョン（ＵＨＤＴＶ：４Ｋ、８Ｋ）放送に対して好適である。
【０４１１】
また、ＴＶ５６００側における人工知能の応用として、例えば、ＴＶ５６００に人工知能を有する録画装置を設けてもよい。このような構成にすることによって、当該録画装置にユーザの好みを人工知能に学習させることで、ユーザの好みにあった番組を自動的に録画することができる。
【０４１２】
本実施の形態で説明した電子機器、その電子機器の機能、人工知能の応用例、その効果などは、他の電子機器の記載と適宜組み合わせることができる。
【０４１３】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【０４１４】
６０    セル
６１    セル
１００    容量素子
１００ａ    容量素子
１００ｂ    容量素子
２００    トランジスタ
２００ａ    トランジスタ
２００ｂ    トランジスタ
２０４    導電体
２０４＿１    導電体
２０４＿２    導電体
２０４ａ    導電体
２０４ｂ    導電体
２０５    導電体
２０５ａ    導電体
２０５ｂ    導電体
２１０    絶縁体
２１１    絶縁体
２１２    絶縁体
２１４    絶縁体
２１６    絶縁体
２１８    導電体
２２２    絶縁体
２２４    絶縁体
２３０    酸化物
２３０ａ    酸化物
２３０Ａ    酸化膜
２３０ｂ    酸化物
２３０Ｂ    酸化膜
２３０ｃ    酸化物
２３０Ｃ    酸化膜
２３８    開口
２４０    導電体
２４１    絶縁体
２４２    導電体
２４２ａ    導電体
２４２Ａ    導電体層
２４２ｂ    導電体
２４２ｃ    導電体
２４３    酸化物
２４３ａ    酸化物
２４３Ａ    酸化膜
２４３ｂ    酸化物
２４３Ｂ    酸化物層
２４６    導電体
２５０    絶縁体
２５０Ａ    絶縁膜
２６０    導電体
２６０ａ    導電体
２６０Ａａ    導電膜
２６０Ａｂ    導電膜
２６０ｂ    導電体
２７２    絶縁体
２７３    絶縁体
２７４    絶縁体
２８０    絶縁体
２８２    絶縁体
２８３    絶縁体
２８４    絶縁体
２８７    絶縁体
３００    トランジスタ
３１１    基板
３１３    半導体領域
３１４ａ    低抵抗領域
３１４ｂ    低抵抗領域
３１５    絶縁体
３１６    導電体
３２０    絶縁体
３２２    絶縁体
３２４    絶縁体
３２６    絶縁体
３２８    導電体
３３０    導電体
３５０    絶縁体
３５２    絶縁体
３５４    絶縁体
３５６    導電体
４３０    導電体
６００    セルアレイ
６００＿ｎ    セルアレイ
６００＿１    セルアレイ
７００    電子部品
７０２    プリント基板
７０４    実装基板
７１１    モールド
７１２    ランド
７１３    電極パッド
７１４    ワイヤ
７３０    電子部品
７３１    インターポーザ
７３２    パッケージ基板
７３３    電極
７３５    半導体装置
９０１    境界領域
９０２    境界領域
１０００    記憶装置
１００１    配線
１００２    配線
１００３    配線
１００４    配線
１００５    配線
１００６    配線
１００７    配線
１１００    ＵＳＢメモリ
１１０１    筐体
１１０２    キャップ
１１０３    ＵＳＢコネクタ
１１０４    基板
１１０５    メモリチップ
１１０６    コントローラチップ
１１１０    ＳＤカード
１１１１    筐体
１１１２    コネクタ
１１１３    基板
１１１４    メモリチップ
１１１５    コントローラチップ
１１５０    ＳＳＤ
１１５１    筐体
１１５２    コネクタ
１１５３    基板
１１５４    メモリチップ
１１５５    メモリチップ
１１５６    コントローラチップ
１２００    記憶層
１４００    記憶装置
１４１１    周辺回路
１４２０    行回路
１４３０    列回路
１４４０    出力回路
１４６０    コントロールロジック回路
１４７０    メモリセルアレイ
１４７１    メモリセル
１４７２    メモリセル
１４７３    メモリセル
１５００    駆動回路層
５２００    携帯ゲーム機
５２０１    筐体
５２０２    表示部
５２０３    ボタン
５３００    デスクトップ型情報端末
５３０１    本体
５３０２    ディスプレイ
５３０３    キーボード
５５００    情報端末
５５１０    筐体
５５１１    表示部
５６００    ＴＶ
５６５０    アンテナ
５６７０    電波塔
５６７５Ａ    電波
５６７５Ｂ    電波
５６８０    放送局
５７００    自動車
５７０１    表示パネル
５７０２    表示パネル
５７０３    表示パネル
５７０４    表示パネル
５８００    電気冷凍冷蔵庫
５８０１    筐体
５８０２    冷蔵室用扉
５８０３    冷凍室用扉
【図１】
2020120116.tif 000003
【図２】
2020120116.tif 000004
【図３】
2020120116.tif 000005
【図４】
2020120116.tif 000006
【図５】
2020120116.tif 000007
【図６】
2020120116.tif 000008
【図７】
2020120116.tif 000009
【図８】
2020120116.tif 000010
【図９】
2020120116.tif 000011
【図１０】
2020120116.tif 000012
【図１１】
2020120116.tif 000013
【図１２】
2020120116.tif 000014
【図１３】
2020120116.tif 000015
【図１４】
2020120116.tif 000016
【図１５】
2020120116.tif 000017
【図１６】
2020120116.tif 000018
【図１７】
2020120116.tif 000019
【図１８】
2020120116.tif 000020
【図１９】
2020120116.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2020120116.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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