(57)【要約】【課題】光出力を向上させること。【解決手段】放出光を反射する第１反射面を有し、積層方向の位置が変化することにより前記放出光の波長を変化させる第１反射層と、前記第１反射層の積層方向に設けられ前記放出光を反射する第２反射面を有し、前記第２反射面は前記第１反射面より大きな曲率を有し内側に凹む曲面である第２反射層と、前記積層方向において前記第１反射層および前記第２反射層に挟まれ、前記放出光を放出する発光層と、を備えることを特徴とする半導体レーザ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放出光を反射する第１反射面を有し、積層方向の位置が変化することにより前記放出光の波長を変化させる第１反射層と、
前記第１反射層の積層方向に設けられ前記放出光を反射する第２反射面を有し、前記第２反射面は前記第１反射面より大きな曲率を有し内側に凹む曲面である第２反射層と、
前記積層方向において前記第１反射層および前記第２反射層に挟まれ、前記放出光を放出する発光層と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記発光層は、前記第１反射層より前記第２反射層に近いことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記第１反射面は略平面であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記第２反射層は、屈折率の異なる第１層および第２層が積層され、前記第１層と前記第２層との界面は、前記第２反射面に沿った曲面であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記第１反射層と前記発光層との間にエアギャップが設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記発光層は、前記第２反射面に沿って設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体レーザを含むことを特徴とする検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザおよび検査装置に関し、例えば面発光レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光レーザは、基板上に設けられた活性層と活性層を挟む一対の反射層とを有している。反射層を駆動することで波長を掃引する面発光レーザが知られている（例えば非特許文献１）。面発光レーザの反射層を曲面とすることが知られている（例えば特許文献１、非特許文献２、３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２３７６５３号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUNTUM ELECTRONICS VOL. 23, NO. 6 1700516 (2017)
【非特許文献２】IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS VOL. 44, NO. 4, 391-399 (2008)
【非特許文献３】ELECTRONICS LETTERS Vol. 35, No. 11 pp. 900-901 (1999)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
反射層を曲面とすることでシングルモードを実現することができる。しかしながら、反射層を曲面とすると、利得領域が小さくなるため光出力が低下してしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、光出力を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、放出光を反射する第１反射面を有し、積層方向の位置が変化することにより前記放出光の波長を変化させる第１反射層と、前記第１反射層の積層方向に設けられ前記放出光を反射する第２反射面を有し、前記第２反射面は前記第１反射面より大きな曲率を有し内側に凹む曲面である第２反射層と、前記積層方向において前記第１反射層および前記第２反射層に挟まれ、前記放出光を放出する発光層と、を備えることを特徴とする半導体レーザである。
【０００８】
上記構成において、前記発光層は、前記第１反射層より前記第２反射層に近い構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第１反射面は略平面である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第２反射層は、屈折率の異なる第１層および第２層が積層され、前記第１層と前記第２層との界面は、前記第２反射面に沿った曲面である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第１反射層と前記発光層との間にエアギャップが設けられている構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記発光層は、前記第２反射面に沿って設けられている構成とすることができる。
【００１３】
本発明は、上記半導体レーザを含む検査装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、光出力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施例１における半導体レーザの断面図である。
【図２】図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１における共振層の断面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、それぞれ比較例１から３の半導体レーザの断面模式図である。
【図４】図４（ａ）は、実施例１の半導体レーザの断面模式図、図４（ｂ）および図４（ｃ）は、実施例１の変形例１の半導体レーザのそれぞれ断面模式図および平面図である。
【図５】図５は、実施例１の変形例２に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例１に係る半導体レーザの変形例２の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である
【図９】図９は、実施例１の変形例４に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１の変形例５に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、それぞれ実施例１およびその変形例６に係る半導体レーザの断面模式図である。
【図１２】図１２は、実施例２に係る検査装置のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、実施例１における半導体レーザの断面図である。半導体レーザは、面発光レーザである。図１に示すように、基板１０上に反射層１２、共振層１４および反射層１６が順に設けられている。反射層１２の上面１１は下に凸（すなわち上に凹）の曲面である。反射層１２と共振層１４との間に半導体層１５が設けられている。反射層１６の下面１７は略平面である。共振層１４と反射層１６との間にはエアギャップ１８が形成されている。反射層１６は支持体１９により共振層１４に支持されている。基板１０の下面、共振層１４の上面および反射層１６の上面には、それぞれ電極３０、３２および３４が設けられている。共振層１４にはアイソレーション溝３６が設けられている。アイソレーション溝３６の内面には絶縁膜３７が設けられている。共振層１４内には電流狭窄層２６が設けられている。電流狭窄層２６の開口下の共振層１４が利得領域５４となる。
【００１８】
基板１０は例えば銅、金またはアルミニウム等の導電体、半導体またはＢＣＢ（Benzocyclobutene）もしくはポリイミド等の絶縁体である。基板１０が金属の場合、電極３０を設けなくてもよい。反射層１２は例えばｎ型半導体層であり、高屈折率層１２ａと高屈折率層１２ａより屈折率の低い低屈折率層１２ｂとが交互に積層されている。半導体層１５は例えばＧａＡｓ層等のｎ型半導体層である。反射層１６は例えばｎ型またはドープしていない（真正）半導体層であり、高屈折率層１６ａと高屈折率層１６ａより屈折率の低い低屈折率層１６ｂとが交互に積層されている。反射層１６は誘電体ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）でもよい。誘電体ＤＢＲでは、例えば低屈折率層として酸化シリコン膜、高屈折率層として窒化シリコン膜または酸化チタン膜を用いることができる。
【００１９】
電極３０に対し電極３２に負の電圧を印加すると、共振層１４内の利得領域５４においてキャリアが励起し、共振層１４は光を放射する。反射層１２および１６は共振層１４が放射した光を反射する。反射層１２の上面と１６の下面との間の光学長を光の波長λの０．５×自然数倍とする。これにより、共振層１４内に定在波が発生し共振層１４内において光が共振する。反射層１６の反射率を１よりやや小さくすることで、反射層１６の上面からレーザ光２８が出射される。
【００２０】
電極３２に対し電極３４に電圧を印加すると、電極３２と３４との間の静電力により反射層１６が曲がる。これにより、利得領域５４上のエアギャップ１８の厚さが変化する。例えば電極３２に負電圧が印加され、電極３４に正電圧が印加されると、エアギャップ１８の厚さは小さくなる。これにより、反射層１２と１６との間に生成される定在波の波長が変化する。よって、レーザ光２８の波長が変化する。反射層１６が駆動できればエアギャップ１８の代わりに気体、液体、真空または固体からなる層が設けられていてもよい。
【００２１】
高屈折率層１２ａおよび１６ａは例えば膜厚が７５ｎｍのＧａＡｓ層であり、低屈折率層１２ｂおよび１６ｂは例えば膜厚が８７ｎｍのＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層である。反射層１２では高屈折率層１２ａと低屈折率層１２ｂとは例えば３５対である。反射層１６では高屈折率層１６ａと低屈折率層１６ｂとは例えば２２対である。高屈折率層１２ａおよび１６ａ並びに低屈折率層１２ｂおよび１６ｂをＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層（０≦ｘ≦１、ｘ＝０のときはＧａＡｓ、ｘ＝１のときはＡｌＡｓ）とする。このとき、高屈折率層１２ａおよび１６ａのｘを低屈折率層１２ｂおよび１６ｂのｘより小さくする。低屈折率層１６ｂのｘが大きいと低屈折率層１６ｂが酸化されやすい。そこで、低屈折率層１６ｂが空気に露出しないように、反射層１６の最上層は高屈折率層１６ａとする。高屈折率層１２ａおよび１６ａ並びに低屈折率層１２ｂおよび１６ｂは、ＩｎＡｌＧａＡｓでもよい。
【００２２】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１における共振層の断面図である。図２（ａ）に示すように、共振層１４において半導体層２４内に１または複数の発光層２２が設けられている。発光層２２上の共振層１４内に電流狭窄層２６が設けられている。電極３０と３２との間を流れる電流は電流狭窄層２６の開口を流れる。このため、利得領域５４内の発光層２２から光が放出される。各々の発光層は量子井戸層として機能し、半導体層２４がバリア層として機能する。発光層２２は量子ドット層でもよい。発光層２２のバンドギャップエネルギーは半導体層２４のバンドギャップエネルギーより小さい。半導体層２４内において電流の注入によりキャリア（電子とホール）が励起される。発光層２２においてキャリアが再結合することにより、発光層２２から光が放出する。放出された光が反射層１２と１６との間で共振することで、発光層２２から誘導放出が生じ放出光となる。
【００２３】
半導体層２４は例えばＧａＡｓ層であり、発光層２２は例えばＩｎＧａＡｓまたはＩｎＡｓである。半導体層２４はＡｌＧａＡｓ層でもよい。電流狭窄層２６は、絶縁層または半導体層２４よりバンドギャップエネルギーの大きな半導体層であり、例えば酸化アルミニウム層またはＡｌＡｓ層である。
【００２４】
図２（ｂ）に示すように、複数の発光層２２が設けられた発光層群２０が複数設けられていてもよい。複数の発光層群２０は、反射層１２と１６との間に生成される定在波のそれぞれの腹と重なるように設けられている。
【００２５】
実施例１のように、反射層１２の上面を曲面とし、反射層１６の下面を略平面とする効果について、比較例を用い説明する。図３（ａ）から図３（ｃ）は、それぞれ比較例１から３の半導体レーザの断面模式図である。図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、反射層１２、共振層１４、エアギャップ１８および反射層１６が設けられている。反射層１６を上下に駆動するため、共振層１４上にエアギャップ１８が設けられている。このため、共振層１４は反射層１２と１６との中心位置より反射層１２側に設けられる。
【００２６】
図３（ａ）に示すように、比較例１では反射層１２の上面１１および反射層１６の下面１７は略平面である。共振する光の分布５６は略平行である。電流狭窄層２６を設けることにより、利得領域５４を小さくする。これにより、横モードを抑制しシングルモードのレーザ光を得ることができる。しかし、利得領域５４が小さくなると、利得領域５４における発熱が大きくなる。利得領域５４が発熱すると、光出力を大きくすることができない。波長掃引型の面発光レーザでは、共振層１４に加えエアギャップ１８が設けられる。このため、共振軸方向（上下方向）の光閉じ込め係数が小さくなりやすい。よって、利得領域５４の発熱による光出力低下が問題となる。
【００２７】
図３（ｂ）に示すように、比較例２では、反射層１２の上面１１を略平面とし、反射層１６の下面１７を曲面とする。これにより、高次モードの共振が生じ難くなるシングルモードが実現できる。共振する光の分布５６は、反射層１６側で大きく反射層１２側で小さくなる。このため、共振層１４における利得領域５４が小さくなる。図３（ｃ）のように、比較例３では、反射層１２の上面１１および反射層１６の下面１７のいずれも曲面とする。これにより、比較例２と同様に高次モードの共振が生じ難くなる。共振する光の分布５６は、反射層１２と１６との中心の付近で最も狭くなる。利得領域５４は、比較例２よりは広くなる。
【００２８】
図４（ａ）は、実施例１の半導体レーザの断面模式図である。図４（ａ）のように、実施例１では、反射層１２の上面１１を曲面とし、反射層１６の下面１７を略平面とする。これにより、比較例２および３と同様に高次モードの共振が生じ難くなる。共振する光の分布５６は、反射層１２側で大きく反射層１６側で小さくなる。反射層１６と共振層１４の間に反射層１６が駆動するためのエアギャップ１８が設けられている。このため、共振層１４は中心より反射層１２側となる。よって、利得領域５４が比較例１から３より広くなる。
【００２９】
以上をまとめると、比較例１から３および実施例１ではいずれもシングルモードを実現できる。比較例１では、シングルモードを実現するため利得領域５４を狭くする。比較例２および３では比較例１より利得領域５４を広くできるが十分ではない。実施例１では、シングルモードが実現できかつ利得領域５４を比較例１から３より広くできる。利得領域５４が狭いと、利得領域５４が発熱する。このため、光出力を大きくすることができない。実施例１では、シングルモードが実現できかつ利得領域５４を広くすることができるため、利得領域５４の発熱を抑制でき、これにより光出力を大きくできる。
【００３０】
［実施例１の変形例１］
図４（ｂ）および図４（ｃ）は、実施例１の変形例１の半導体レーザのそれぞれ断面模式図および平面図である。図４（ｂ）は、図４（ｃ）のＡ−Ａ断面に相当する。図４（ｂ）に示すように、実施例１の変形例１では、反射層１６は反射層１２より小さい。図４（ｃ）に示すように、反射層１２の平面形状は円状であり、反射層１２の上面の等高線５８も円状である。反射層１２の上面１１は球の表面形状である。実施例１の変形例１のように、反射層１６における共振する光の分布５６が小さいことから反射層１６を小さくできる。これにより、駆動する反射層１６の体積および質量を小さくできる。よって、図１の電極３４に印加する電圧を低くできる。また、反射層１６の駆動を高速化できる。
【００３１】
反射層１２の大きさおよび曲率半径は、反射層１６における光のサイズ、利得領域５４の大きさ等を考慮して決定できる。例えば、反射層１６における光のサイズを６μｍとするためには、曲率半径を３３０μｍとする。
【００３２】
図４（ａ）および図４（ｂ）では、反射層１６の下面１７を略平面としたが、反射層１６の下面１７は、反射層１２の上面１１の曲率より小さい曲率を有する曲面でもよい。反射層１６の下面は中央が端より反射層１２に近づく凸面でもよいし、中央が端より反射層１２から遠ざかる凹面でもよい。
【００３３】
［実施例１の変形例２］
実施例１の変形例２から５は製造方法の例である。図５から図７（ｃ）は、実施例１の変形例２に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。図５に示すように、基板４０上に犠牲層４２、半導体層４４および４８を形成する。各層の形成には、例えばＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法またはＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いる。基板４０は例えばＧａＡｓ基板である。犠牲層４２は例えばＡｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層である。半導体層４４は、例えばＧａＡｓ層４５、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層４６、共振層１４およびＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層４７である。半導体層４８は例えばＧａＡｓ層である。
【００３４】
図６（ａ）に示すように、以下、半導体層４４内の各層の図示を省略する。図６（ｂ）に示すように、半導体層４８上にマスク層５０を形成する。マスク層５０の上面５１は曲面である。マスク層５０は例えばフォトレジストであり、マスク層５０をパターニング後にベークすることで、マスク層５０の上面５１を曲面とする。
【００３５】
図６（ｃ）に示すように、マスク層５０および半導体層４８を同程度のエッチングレートで全面エッチングする。これにより、半導体層４８の上面４９は、マスク層５０の上面５１と同じ形状の曲面となる。半導体層４４の最上層（例えばＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層４７）のエッチングレートをマスク層５０および半導体層４８のエッチングレートより小さくなるようにエッチング条件を選択することで、半導体層４４はエッチングされない。
【００３６】
図６（ｄ）に示すように、半導体層４８上に、例えばＭＢＥ法またはＭＯＣＶＤ法を用い高屈折率層１２ａと低屈折率層１２ｂとを交互に積層することにより反射層１２を形成する。半導体層４８上以外の領域の反射層１２を除去する。これにより、半導体層４８の上面４９と同じ曲率の上面１１、高屈折率層１２ａおよび低屈折率層１２ｂを有する反射層１２が形成される。
【００３７】
図７（ａ）に示すように、基板１０ａ上に低融点層１０ｂが形成されている。基板１０ａは例えば銅またはアルミニウム等の金属であり、低融点層１０ｂは基板１０ａより融点が低く、例えばインジウムまたはインジウム錫合金等の半田層である。低融点層１０ｂを溶融させ、低融点層１０ｂ内に反射層１２が埋め込まれるように基板１０上に半導体層４４を接合する。基板１０ａおよび低融点層１０ｂにより基板１０が形成される。
【００３８】
図７（ｂ）に示すように、犠牲層４２がエッチングされ、半導体層４４および基板１０がエッチングされたエッチャントを用い犠牲層４２を除去する。これにより、半導体層４４の上面が露出する。
【００３９】
図７（ｃ）に示すように、半導体層４４上に電極３２を形成する。電極３４、反射層１６および支持体１９を半導体層４４上に接合する。これにより、半導体レーザが完成する。
【００４０】
［実施例１の変形例３］
図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１の変形例３に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。図８（ａ）に示すように、図６（ａ）の後、半導体層４８上に研磨抑制層５２を形成する。研磨抑制層５２は例えば金属層または絶縁層であり、半導体層４８より研磨レートの小さい層である。図８（ｂ）に示すように、半導体層４８を研磨する。研磨抑制層５２は研磨されないため、半導体層４８の上面４９は曲面となる。その後研磨抑制層５２を除去し、図６（ｃ）以降の工程を行う。
【００４１】
［実施例１の変形例４］
図９は、実施例１の変形例４に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。図９に示すように、図６（ａ）の後、半導体層４８をパターニングする。その後、半導体層４８を研磨する。これにより、図６（ｃ）のように、半導体層４８の上面４９は曲面となる。その後、図６（ｃ）以降の工程を行う。
【００４２】
［実施例１の変形例５］
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１の変形例５に係る半導体レーザの製造方法を示す断面図である。図１０（ａ）に示すように、図６（ａ）の後、半導体層４８上に開口を有するマスク層５３を形成する。マスク層５３は例えばフォトレジストである。
【００４３】
図１０（ｂ）に示すように、マスク層５３をマスクに半導体層４８をエッチングする。半導体層４８がＧａＡｓ層とし、半導体層４８をＨＢｒ系のエッチング液を用いウェットエッチングする。これにより、IEEE Photon Technol. Lett., Vol. 12, p. 507 (2000)に記載されているように、半導体層４８の上面４９が曲面となる。マスク層５３および曲面以外の半導体層４８を除去する。その後、図６（ｃ）以降の工程を行う。
【００４４】
反射層１２の上面１１の曲面は、上記製造方法例１から４のいずれかの方法を用い形成することができる。反射層１２の上面１１は、その他の方法を用い形成してもよい。
【００４５】
実施例１およびその変形例によれば、反射層１６（第１反射層）は、発光層２２が放出する放出光を反射する下面１７（第１反射面）を有し、積層方向の位置が変化することにより放出光の波長を変化させる。反射層１２（第２反射層）は、反射層１２の積層方向に設けられ放出光を反射する上面１１（第２反射面）を有する。反射層１２の上面１１は、反射層１６の下面１７より大きな曲率を有し内側に凹む曲面である。発光層２２は、積層方向において反射層１２および１６に挟まれ、放出光を出射する。これにより、図４（ａ）および図４（ｂ）において説明したように、利得領域５４を大きくできる。よって、シングルモードを実現しかつ光出力を向上させることができる。
【００４６】
反射層１６の下面１７は、製造誤差程度および／または反射層１６を駆動するときの歪みを許容する程度に略平面である。これにより、利得領域５４を大きくできる。よって、光出力をより向上させることができる。
【００４７】
図４（ａ）および図４（ｂ）のように、発光層２２は、反射層１６より反射層１２に近い。これにより、利得領域５４を大きくできる。発光層２２と反射層１６の下面１７との距離は、発光層２２と反射層１２の上面１１との距離の１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましい。
【００４８】
反射層１２は、屈折率の異なる高屈折率層１２ａ（第１層）および低屈折率層１２ｂ（第２層）が積層されている。高屈折率層１２ａと低屈折率層１２ｂとの界面は、反射層１２の上面１１に沿った曲面である。すなわち、高屈折率層１２ａと低屈折率層１２ｂとの界面の曲率は、反射層１２の上面１１の曲率とほぼ同じである。これにより、図４（ａ）および図４（ｂ）のように、共振する光の分布５６を反射層１２近くで広くできる。よって、利得領域５４を大きくできる。反射層１２は、１または複数の高屈折率層１２ａおよび１または複数の低屈折率層１２ｂが交互に積層されていればよい。反射層１６は、１または複数の高屈折率層１６ａおよび１または複数の低屈折率層１６ｂが交互に積層されていればよい。
【００４９】
反射層１２と発光層２２との間にエアギャップ１８が設けられている。エアギャップ１８が設けられることで、発光層２２は反射層１６より反射層１２に近くなる。
【００５０】
［実施例１の変形例６］
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、それぞれ実施例１およびその変形例６に係る半導体レーザの断面模式図である。図１１（ａ）に示すように、実施例１では、共振層１４内の１または複数の発光層２２は平面状である。反射層１２と１６との間に生成される定在波の腹５５は曲面状である。このため、発光層２２と定在波の腹５５とが重なる範囲が狭くなる。
【００５１】
図１１（ｂ）に示すように、実施例１の変形例６では、発光層２２を反射層１２の上面１１に沿って形成する。すなわち、発光層２２の表面は、上面１１の曲率とほぼ同じ曲率を有する曲面である。これにより、発光層２２と定在波の腹５５とが重なる範囲を広くできる。よって、光出力を向上できる。
【００５２】
実施例１の変形例６の製造方法について説明する。実施例１の変形例２の製造方法の図５および図６（ａ）において、半導体層４４に共振層１４を形成しない。図６（ｄ）において、半導体層４８上に共振層１４を形成し、共振層１４上に反射層１２を形成する。その他の工程は実施例１の変形例２の製造方法と同じであり説明を省略する。
【００５３】
実施例１の変形例６によれば、発光層２２は、反射層１２の上面１１に沿って設けられている。これにより、図１１（ｂ）において説明したように、定在波の腹５５の波面と発光層２２とを広い範囲で重ねることができる。これにより、光出力をより向上できる。
【００５４】
実施例１およびその変形例において、１または複数の発光層２２として、量子井戸層を例に説明したが、発光層２２は量子ドット層でもよい。また、実施例１およびその変形例では、発光層２２に電流を注入する電流注入型の半導体レーザを例に説明したが、発光層２２に光を照射する光励起型の半導体レーザでもよい。
【実施例２】
【００５５】
実施例２は、実施例１およびその変形例に係る波長可変レーザ装置を用いる検査装置として、ＯＣＴ（Optical Coherence Tomography）装置の例である。図１２は、実施例２に係る検査装置のブロック図である。図１２に示すように、波長を掃引する（または波長が可変である）光源６０から出射された光はハーフミラー６２により反射光と透過光とに分割される。反射光はミラー６４で反射し参照光となる。ミラー６４の位置により参照光の位相を変更できる。参照光はハーフミラー６２を透過する。ハーフミラー６２を透過した透過光は対象物６８に照射され信号光となる。対象物６８は例えば生体の部位であり、例えば眼である。信号光はハーフミラー６２で反射する。検出器６６は、信号光と参照光とが干渉した光強度を検出する。光源６０は、光の波長を変更できる。処理部６５は、検出器６６の信号に基づき光干渉断層を生成する。
【００５６】
波長可変レーザ装置を用いる検査装置の例として、ＯＣＴ装置について説明したがＯＣＴ装置以外の医療用または他の検査装置でもよい。検査装置は実施例１およびその変形例１の半導体レーザを含めばよい。
【００５７】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  基板
１１  上面
１２、１６  反射層
１４  共振層
１５、２４  半導体層
１８  エアギャップ
２２  発光層
２６  電流狭窄層
２８  レーザ光
３０、３２、３４  電極
５４  利得領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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