(57)【要約】【課題】  真空搬送モジュールの酸素濃度を低下すること。【解決手段】  内部に真空雰囲気が形成され、ロードロックモジュールと、被処理体を真空処理するための処理モジュールと、が外側から横方向に各々接続される筐体内に、搬送機構を備える。この搬送機構は、該筐体内に位置が固定された回動軸回りに回動する回動体を備え、ロードロックモジュールと処理モジュールとの間で被処理体を搬送するものである。また、真空搬送モジュールは、筐体内をパージする不活性ガスを供給するために、筐体内に開口するガス供給口と、筐体内を排気して前記真空雰囲気を形成する排気口と、を備える。平面で見て、排気口と回動軸とを結ぶ第１の直線と、ガス供給口と回動軸とを結ぶ第２の直線とのなす角が１００°〜２６０°となるように、ガス供給口と排気口との位置関係が設定される。【選択図】      図２
2020041193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に真空雰囲気が形成され、ロードロックモジュールと、被処理体を真空処理するための処理モジュールと、が外側から横方向に各々接続される筐体と、
前記筐体内にて該筐体に位置が固定された回動軸回りに回動する回動体を備え、真空雰囲気の前記筐体内を介して前記ロードロックモジュールと前記処理モジュールとの間で当該被処理体を搬送する搬送機構と、
前記筐体内をパージする不活性ガスを供給するために、当該筐体内に開口するガス供給口と、
平面で見て、前記回動軸に結ばれるように第１の直線を引いたときに、前記ガス供給口と前記回動軸とが結ばれるように引いた第２の直線と前記第１の直線とのなす角が１００°〜２６０°となるように前記筐体内に開口し、前記ガス供給口が前記不活性ガスを供給するときに前記筐体内を排気して前記真空雰囲気を形成する排気口と、備えた真空搬送モジュール。
【請求項２】
前記ガス供給口及び前記排気口は、前記筐体内における前記搬送機構による前記被処理体の搬送路よりも下方に設けられている請求項１記載の真空搬送モジュール。
【請求項３】
前記第１の直線において前記回動軸から前記排気口に至るまでの第１の長さは、
３００ｍｍ以上である請求項１または２記載の真空搬送モジュール。
【請求項４】
前記第２の直線において前記回動軸から前記ガス供給口に至るまでの第２の長さは、４００ｍｍ以上である請求項１ないし３のいずれか一つに記載の真空搬送モジュール。
【請求項５】
前記第１の長さ／前記第２の長さは、０．５〜１．５である請求項１ないし４のいずれか一つに記載の真空搬送モジュール。
【請求項６】
前記被処理体が前記筐体内を搬送されるときの前記筐体内の酸素濃度は０．１ｐｐｍ以下である請求項１ないし５のいずれか一つに記載の真空搬送モジュール。
【請求項７】
内部に真空雰囲気が形成され、ロードロックモジュールと、被処理体を真空処理するための処理モジュールと、が外側から横方向に各々接続される筐体内にて、該筐体内に位置が固定された回動軸回りに回動体を回動させる工程と、
前記回動体によって構成される搬送機構により、真空雰囲気の前記筐体内を介して前記ロードロックモジュールと前記処理モジュールとの間で前記被処理体を搬送する工程と、
前記筐体内に開口するガス供給口から当該筐体内をパージする不活性ガスを供給する工程と、
平面で見て、前記回動軸に結ばれるように第１の直線を引いたときに、前記ガス供給口と前記回動軸とが結ばれるように引いた第２の直線と前記第１の直線とのなす角が１００°〜２６０°となるように前記筐体内に開口する排気口から、前記ガス供給口が前記不活性ガスを供給するときに前記筐体内を排気して前記真空雰囲気を形成する工程と、を備えた真空搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、真空搬送モジュール及び真空搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造を行う装置として、基板の搬送機構を備えた真空搬送室に、複数の処理モジュールを接続したマルチチャンバタイプのものが知られている。特許文献１には、真空搬送室の底部に形成されたガス供給口からパージガスを供給し、真空搬送室の底部に形成された排気口から排気する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１７４７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、真空搬送モジュールの酸素濃度を低下する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の真空搬送モジュールは、
内部に真空雰囲気が形成され、ロードロックモジュールと、被処理体を真空処理するための処理モジュールと、が外側から横方向に各々接続される筐体と、
前記筐体内にて、筐体内に位置が固定された回動軸回りに回動する回動体を備え、真空雰囲気の前記筐体内を介して前記ロードロックモジュールと前記処理モジュールとの間で当該被処理体を搬送する搬送機構と、
前記筐体内をパージする不活性ガスを供給するために、当該筐体内に開口するガス供給口と、
平面で見て、前記回動軸に結ばれるように第１の直線を引いたときに、前記ガス供給口と前記回動軸とが結ばれるように引いた第２の直線と前記第１の直線とのなす角が１００°〜２６０°となるように前記筐体内に開口し、前記ガス供給口が前記不活性ガスを供給するときに前記筐体内を排気して前記真空雰囲気を形成する排気口と、備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、真空搬送モジュールの酸素濃度を低下することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の真空搬送モジュールを備えた真空処理装置の一実施形態を示す平面図である。
【図２】本開示の真空搬送モジュールの一実施の形態を示す平面図である。
【図３】前記真空搬送モジュールの一部を示す概略縦断面図である。
【図４】本開示の真空搬送モジュールの他の例を示す平面図である。
【図５】本開示の真空搬送モジュールの一部を示す平面図である。
【図６】従来の真空搬送モジュールの一例を示す平面図である。
【図７】真空搬送モジュールの酸素濃度の評価結果を示す特性図である。
【図８】真空搬送モジュールの酸素濃度の評価結果を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示の真空搬送モジュールを備えた真空処理装置の第１の実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。図１は真空処理装置１の一例を示す平面図、図２は真空搬送モジュール１１の一例を示す平面図、図３は真空搬送モジュール１１の一部を示す縦断面図である。図１に示すように、真空搬送モジュール１１は、その内部が真空雰囲気とされ、例えば平面視略七角形状に構成された筐体２を備える。筐体２の略七角形の内の４辺には、例えば処理モジュール２１が搬送口２２を介して外側から横方向に各々気密に接続され、他の２辺にはロードロックモジュール２３１、２３２が搬送口２４を介して外側から横方向に各々接続される。図１中符号Ｇ１、Ｇ２は、ゲートバルブである。
【０００９】
処理モジュール２１は、被処理体例えば直径が３００ｍｍの円形基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」とする）Ｗに対して真空処理を行なうモジュールである。処理モジュール２１の内部には、例えばウエハＷの載置台、処理ガスを供給するためのガス供給部、処理ガスを排気するためのガス排気部などが設けられる。処理モジュール２１にて実施される処理の例としては、例えば成膜ガスによる成膜処理、エッチングガスによるエッチング、アッシングガスによるアッシング等を挙げることができる。また、成膜処理としては、例えば真空雰囲気にてウエハＷを加熱して、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）膜を形成する処理を例示できる。
【００１０】
ロードロックモジュール２３１、２３２は、その内部を真空雰囲気と常圧雰囲気との間で切り替えられるように構成される。これらロードロックモジュール２３１、２３２は、ゲートバルブＧ３により開閉される搬送口２５を介してローダーモジュール２６に接続される。ローダーモジュール２６は、常圧雰囲気に設定されており、ウエハＷを格納した搬送容器であるキャリアＣが載置される搬入出ポート２６１を備える。また、ローダーモジュール２６には、常圧搬送アーム２７が設けられる。この常圧搬送アーム２７は、キャリアＣとロードロックモジュール２３１、２３２との間でウエハＷを搬送するために、例えば旋回、進退及び昇降自在に構成される。
【００１１】
筐体２の内部には、ロードロックモジュール２３１、２３２と処理モジュール２１との間でウエハＷを搬送するための搬送機構３が設けられる。搬送機構３は、図１及び図３に示すように、例えば基台３１、第１のアーム３２、第２のアーム３３及び基板支持部３４を、下方側からこの順で連結した多関節アームとして構成される。基台３１は、例えば筐体２内において略中心部に設けられる。なお、搬送機構３は、昇降機を設けて、昇降自在に構成してもよい。
【００１２】
第１のアーム３２は回動体をなすものであり、回動軸３０回りに回動するように、基台３１に設けられる。図２には、基台３１と第１のアーム３２のみを示している。この例では、回動軸３０は、例えば筐体２の略中心部を旋回中心とするように、筐体２内に水平方向の位置が固定され、鉛直軸まわりに回動自在に構成されている。第２のアーム３３は第１のアーム３２の先端部に回動自在に設けられる。また、基板支持部３４は、その基端側を第２のアーム３３の先端部に軸支されて、回動自在に設けられ、先端部は、ウエハＷを保持するためにフォーク状に形成された保持部位として構成される。
【００１３】
第１のアーム３２及び第２のアーム３３は、夫々プーリやベルト等の駆動力の伝達系を備え、例えば図示しない旋回用のモータ及び進退用のモータにより、基板支持部３４が旋回自在及び進退自在に構成される。ウエハＷは基板支持部３４に保持されて搬送されるため、図３に示すようにウエハＷの搬送路３００は、基板支持部３４が移動する領域となる。
【００１４】
真空搬送モジュール１１には、ガス供給部４が設けられる。ガス供給部４は、例えば図３に示すように、ガス供給路４２の先端に例えばセラミックス製の多孔質体よりなるフィルタ部材４３を設けて構成される。また、ガス供給部４は、筐体２内をパージする不活性ガスを供給するために、筐体２内に開口するガス供給口４１を備えており、この例では、ガス供給路４２の先端部（下流端）がガス供給口４１に相当する。ガス供給路４２はガス供給口４１を介してフィルタ部４３と接続されているので、ガス供給口４１は、ガス供給路４２とフィルタ部４３との接続部になる。即ち、多孔質体（フィルタ部４３）については雰囲気であるものとして、当該多孔質体の個々の孔は、特許請求の範囲でいうガス供給口には相当しないものとする。従って、本例において、特許請求の範囲でいうガス供給口は、上記の接続部、即ち多孔質体の上流側に接続されるガス供給路４２の下流端に相当する。
【００１５】
フィルタ部材４３は例えば中空の円筒状に構成され、例えば「商品名ブレイクフィルター」を用いることができる。このようにガス供給部４を多孔質体よりなるフィルタ部材４３を用いて構成した場合、多孔質体の一つ一つの孔がガスを吐出するための吐出孔４１１となる。なお、図３では図示の便宜上、吐出孔４１１を極めて大きく描いている。
【００１６】
図２および図３に示すように、フィルタ部材４３は、例えば円筒状部分が筐体２の底面と対向して伸びるように、筐体２内における搬送機構３によるウエハＷの搬送路３００よりも下方に設けられる。図３中ＰＭは処理モジュール２１、ＬＭはローダーモジュール２６を夫々示す。そして、フィルタ部材４３は、ローダーモジュール２６側を前方、真空搬送モジュール１１側を後方としたとき、平面に見て筐体２内における左右の中心部（基台３１）付近の後方側（図２では、上側）に位置している。ガス供給部４のガス供給路４２の上流側は、筐体２の外部にて、例えばバルブＶ、流量調整部Ｍを介して、不活性ガス、例えば窒素（Ｎ２）ガスの供給源４４に接続される。
【００１７】
真空搬送モジュール１１は、筐体２内に開口する排気口５を備える。この排気口５は、ガス供給口４１からパージガスを供給するときに、筐体２内を排気して真空雰囲気を形成するものである。この例の排気口５は、図１〜図３に示すように、平面的に見て、筐体２における２つのロードロックモジュール２３１、２３２の間の側壁部２０１に、搬送機構３によるウエハＷの搬送路３００よりも下方に設けられる。
【００１８】
この例では、排気口５は、筐体２の側壁２０１における底面２０２から僅かに上昇して開口し、排気口５の上端は、上記の搬送路３００よりも下方側に位置するように形成される。排気口５には、排気路５１を介して、真空ポンプ等により構成され、図示しない圧力調整部等を備えた排気機構５２が接続される。真空搬送モジュール１１では、ウエハＷを搬送する際、筐体２内にパージガスを供給しながら、排気機構５２により排気することにより、所定の真空雰囲気に制御される。
【００１９】
続いて、ガス供給部４のガス供給路４２の先端部のガス供給口４１と排気口５との相対的な位置関係について説明する。図２に示すように、平面で見て、回動軸３０と排気口５とを結ぶ線を第１の直線Ｌ１、ガス供給口４１と回動軸３０とを結ぶ線を第２の直線Ｌ２とする。このとき、ガス供給口４１は、第１の直線Ｌ１と第２の直線Ｌ２とのなす角θが１００°〜２６０°となるように設けられる。前記角θの数値は、後述する実施例などの評価試験の結果を踏まえて設定された値である。なお、図２、後述する図４及び図６には、図示の便宜上、ガス供給部４を簡略化して示し、ガス供給口４１をフィルタ部４３の基端側として示している。実際のガス供給口４１は、既述のようにガス供給路４２の先端部である。
【００２０】
より具体的に説明すると、第１の直線Ｌ１は、図２中実線にて示すように、平面で見て、回動軸３０の中心Ｏ１と排気口５の中心Ｏ２（横方向の長さの中心）と、を結ぶ直線である。また、第２の直線Ｌ２は前記中心Ｏ１とガス供給口４１の中心Ｏ３（横方向の長さの中心）とを結ぶ直線である。図２には、角θ＝１００°である場合の第２の直線Ｌ２を図中でＬ２１として示し、角θ＝２６０°である場合の第２の直線Ｌ２を、図中でＬ２２として示している。つまり、直線Ｌ２１とＬ２２とにより囲まれた斜線で示す領域Ｓが、ガス供給口４１を設置できる領域である。
【００２１】
第２の直線Ｌ２についてさらに説明すると、当該直線Ｌ２は、平面で見て、ガス供給口４１の中心Ｏ３を終点とする。仮にガス供給口４１が複数ある場合には、回動軸３０の回動方向に見て、排気口５に最も遠いガス供給口が請求の範囲のガス供給口に相当する。さらに言えば、角θ＝１８０°に最も近くなるように配置されたガス供給口４１が請求の範囲のガス供給口に相当する。それは、排気口５から大きく離れた位置にガス供給口４１を設けることで、後述の筐体２内における酸素を低減するという効果が得られるためである。従って、仮にガス供給口４１が２つ設けられ、１つがθ＜１００°であっても、もう一つがθ＝１００°〜２６０°であればよい。
【００２２】
この例では、角θが概ね１９０°の位置にガス供給口４１が配置される。このように角θが設定されているため、この第１の実施形態では平面で見て、回動軸３０が設けられる基台３１を挟むようにガス供給口４１と排気口５とが設けられる。従って、ガス供給口４１を介してフィルタ部４３の複数の吐出孔４内全体に供給される。
【００２３】
真空処理装置１は、図１に示すように、ウエハＷの搬送、処理モジュール２１における成膜処理等のプロセス、ロードロックモジュール２３１、２３２における雰囲気の切り替え等を制御する制御部１００を備える。制御部１００は例えば図示しないＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータからなる。記憶部には処理モジュール２１における成膜処理のレシピや、搬送機構３及び常圧搬送アーム２７によるウエハＷの搬送を行うためのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカードなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【００２４】
続いて、上述の真空処理装置１の作用について説明する。先ず、真空搬送モジュール１１では、ガス供給口４１を介してフィルタ部４３の複数の吐出孔４１１からパージガスである窒素ガスを供給する。一方、排気口５を介して排気機構５２により排気することにより、筐体２内に調圧された真空雰囲気を形成する。ガス供給口４１と排気口５とは、既述のように、排気口５と回動軸３０とを結ぶ第１の直線Ｌ１と、ガス供給口４１と回動軸３０とを結ぶ第２の直線Ｌ２とのなす角が１００°〜２６０°になるように設けられる。従って、筐体２内において、ガス供給口４１と排気口５とが回動軸３０を挟んで対向するように設置されることになる。
【００２５】
このような設置であるため、ガス供給口４１と排気口５との間隔は比較的長い。従って、ガス供給口４１を介してフィルタ部４３の複数の吐出孔４１１から供給されたパージガスは筐体２内に全体に十分に行き渡り、排気口５を介して排気されるので、筐体２内がパージガスにより置換される。これにより、筐体２内における酸素の滞留が抑えられ、酸素濃度を比較的低くした状態でウエハＷを搬送することができる。ウエハ搬送時の筐体２内の圧力は例えば１５０〜２５０Ｐａ、酸素濃度は例えば０．１ｐｐｍ以下である。筐体２内は、ウエハＷについての一連の処理が終了するまで、常時、ガス供給口４１からのパージガスの供給と排気口５からの排気が行われる。
【００２６】
そして、搬入出ポート２６１上のキャリアＣ内のウエハＷを、常圧搬送アーム２７により順番に取り出し、常圧雰囲気のロードロックモジュール２３１（２３２）に搬送する。ロードロックモジュール２３１（２３２）内を真空雰囲気に切り替えた後、ウエハＷを搬送機構３により取り出し、筐体２内を搬送対象の処理モジュール２１に向けて搬送し、当該処理モジュール２１の載置部に受け渡す。
【００２７】
処理モジュール２１では、例えば所定圧力の真空雰囲気にてウエハＷを所定温度に加熱した状態でＴｉＮ膜の成膜処理を実行する。処理モジュール２１にてウエハＷの処理が終了すると、搬送機構３が処理モジュール２１からウエハＷを受け取る。処理済みのウエハＷを保持した搬送機構３は筐体２内を搬送して、ウエハＷを真空雰囲気に切り替えたロードロックモジュール２３１（２３２）に受け渡す。次いで、ロードロックモジュール２３１（２３２）を常圧雰囲気に切り替えた後、処理済みのウエハＷを、常圧搬送アーム２７により、例えば元のキャリアＣに戻す。
【００２８】
上述の実施形態によれば、ガス供給口４１及び排気口５の位置関係を既述のように設定しているので、筐体２内全体にパージガスが十分に行き渡り、酸素の滞留を抑えて、酸素濃度を低下できる。この結果、例えば処理モジュール２１にて成膜処理を行ったウエハＷを、筐体２内を通ってロードロックモジュール２３１（２３２）に搬送する際に、薄膜の酸化が抑制され、シート抵抗値を低く維持することができる。
【００２９】
さらに、ガス供給口４１、フィルタ部４３に設けられた複数の吐出孔４１１及び排気口５は、筐体２内におけるウエハＷの搬送路３００よりも下方に設けられている。従って、パージガスは、搬送機構３により搬送されているウエハＷの下方側にて供給され、筐体２内を排気口５に向かって通流していく。これにより、ガス供給口４１を介してフィルタ部４３の複数の吐出孔４１１から排気口５に流れる気流に曝されて、搬送機構３により搬送中のウエハＷの位置がずれることが抑制される。また、ウエハＷの上方側からパージガスが吹付けられずに、筐体２内がパージガスで置換されるため、ウエハＷのパーティクル汚染を抑制することができる。ただし、ガス供給口４１、フィルタ部４３及び排気口５はこのような配置とすることに限られない。ガス供給路４２の先端部のガス供給口４１は、筐体２の天井面や、底面２０２、側壁２０１に開口するように形成してもよい。
【００３０】
続いて、本開示の第２の実施形態について、図４を用いて説明する。この第２の実施形態において、排気口５は、筐体２の底面２０２に開口している。また、平面で見てローダーモジュール２６側を前方（図４では下側）、処理モジュール２１側を後方（図４では上側）としたとき、筐体２内の前後方向の中心部で直線Ｌ５を中心とした左右方向の左側に設けられている。さらに、ガス供給部４のガス供給口４１は、搬送機構３の基台３１の右側の前方寄り（図４では右下側）に設けられている。この例ではフィルタ部材４３を、その先端部が筐体２の後方側の左右の中心部へ向けて伸び出すように設けている。
この第２の実施形態においても、排気口５と回動軸３０を結ぶ第１の直線Ｌ１ａ、ガス供給口４１と回動軸３０を結ぶ第２の直線Ｌ２ａとのなす角θは１２０°〜２６０°であり、具体的には例えば概ね２１５°である。
【００３１】
なお、この第２の実施形態ではフィルタ部材４３の基端側の吐出孔４１２が回動方向に見て排気口５に最も近く、この吐出孔４１２と回動軸３０の中心Ｏ１とを結ぶ直線をＬ０として表している。直線Ｌ０の長さは概ね６４０ｍｍであり、直線Ｌ１ａの長さは概ね３６０ｍｍである。また、直線Ｌ１aと直線Ｌ０のなす角θ１は例えば１４０°である。  
このように、排気口５を筐体２の底面に設ける構成であっても、第１の実施形態と同様に、ガス供給口４１と排気口５との位置を既述のように設定している。このため、筐体２内全体にパージガスが十分に行き渡り、酸素の滞留を抑えて、酸素濃度を低下できる。
【００３２】
第１の実施形態及び第２の実施形態のガス供給口４１及び排気口５のレイアウトで、既述のように筐体２内の酸素濃度を低減させるという効果が得られることが確認されている。ところで、これらの各実施形態のガス供給口４１及び排気口５のレイアウトについて、図５に示す概略図を用いてさらに詳しく説明する。酸素濃度を低く抑えるためには、既述のように筐体２内においてガス供給口４１と排気口５との距離を大きくすることが好ましい。
【００３３】
図５において、搬送機構３の回動軸３０の中心Ｏ１から排気口５へ向かう直線Ｌ１（Ｌ１ａ）について、排気口５側を筐体２の側壁へ向かうように更に延長する。このように直線Ｌ１（Ｌ１ａ）を延長して形成される中心Ｏ１から側壁に至る直線をＬ３（Ｌ３ａ）とする。図５では、各線を見やすくするために、直線Ｌ１（Ｌ１a）、Ｌ３（Ｌ３ａ）は互いにずらして示している。また、回動軸３０の中心Ｏ１からガス供給口４１へ向かう直線Ｌ２（Ｌ２ａ）について、ガス供給口４１側を筐体２の側壁へ向かうように更に延長する。このように直線Ｌ２（Ｌ２ａ）を延長して形成される中心Ｏ１から側壁に至る直線をＬ４（Ｌ４ａ）とする。なお、直線Ｌ４（Ｌ４ａ）についても直線Ｌ２（Ｌ２ａ）に対して若干ずらして示している。なお、第1の実施形態のレイアウトは直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４にて示し、第２の実施形態のレイアウトは直線Ｌ１ａ、Ｌ２ａ、Ｌ３ａ、Ｌ４ａにて示している。
【００３４】
第１の実施形態では、直線Ｌ１の長さは概ね７００ｍｍであり、排気口５は側壁に設けられるため、直線Ｌ１の長さ／直線Ｌ３の長さ＝１である。また、第１の実施形態では、直線Ｌ２の長さは概ね５００ｍｍである。この長さよりも若干Ｌ２が小さくても、筐体２内に十分にガスを行き渡らせることができると考えられるので、直線Ｌ２の長さとしては４００ｍｍ以上であることが好ましい。第１の実施形態では、直線Ｌ２の長さ／直線Ｌ４の長さは概ね０．８とされている。この値よりも若干小さい値であっても効果が得られると考えられるため、直線Ｌ２の長さ／直線Ｌ４の長さは０．７以上であることが好ましい。
【００３５】
第２の実施形態において、直線Ｌ１ａの長さは概ね３６０ｍｍである。この長さよりも若干Ｌ１ａが小さくても筐体２内に十分にガスを行き渡らせることができると考えられるので、直線Ｌ１ａの長さとしては３００ｍｍ以上であることが好ましい。また、第２の実施形態では、直線Ｌ１ａの長さ／直線Ｌ３ａの長さは概ね０．８とされている。この値よりも若干小さい値であっても効果が得られると考えられるため、直線Ｌ１ａの長さ／直線Ｌ３ａの長さは０．７以上であることが好ましい。
【００３６】
第２の実施形態では、直線Ｌ２ａの長さは概ね６４０ｍｍである。この長さよりも若干Ｌ２ａが小さくても、筐体２内に十分にガスを行き渡らせることができると考えられるので、直線Ｌ２ａの長さとしては６００ｍｍ以上であることが好ましい。また、直線Ｌ２ａの長さ／直線Ｌ４ａの長さの値について、第２の実施形態の値は、第１の実施形態の当該値よりも１に近い。このように第１の実施形態、第２の実施形態のレイアウトから勘案して、直線Ｌ１、Ｌ１ａの長さとしては例えば３００ｍｍ以上であることが好ましく、直線Ｌ２、Ｌ２ａの長さとしては例えば４００ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３７】
また、直線Ｌ１の長さ／直線Ｌ２の長さ（直線Ｌ１ａの長さ／直線Ｌ２ａ
の長さ）について、第１の実施形態では概ね１であり、第２の実施形態では概ね０．６である。筐体２内のスペースにおいて直線Ｌ１（Ｌ１ａ）、直線Ｌ２（Ｌ２ａ）の値を可能な限り大きく設定すると、直線Ｌ１の長さ／直線Ｌ２（直線Ｌ１ａ／直線Ｌ２ａ）の長さは１に近似する値となる。このとき、第２の実施形態では１から比較的大きく外れた値でも上記の酸素濃度の低減効果が得られた。つまり、直線Ｌ１の長さ／直線Ｌ２（直線Ｌ１ａ／直線Ｌ２ａ）の長さについては、この第２の実施形態の値である０．６に近似する値であれば効果を得ることができると推定される。従って、直線の長さＬ１／直線Ｌ２の長さ（直線Ｌ１ａ／直線Ｌ２ａ）は、０．５〜１であればよいと考えられる。また、第２の実施形態で排気口５が設けられる位置にガス供給部４を設け、ガス供給部４が設けられる位置に排気口５を設けても、筐体２内におけるガスの分布状態は大きく変化しないと考えられる。そのため、直線の長さＬ１／直線Ｌ２の長さ（直線Ｌ１ａ／直線Ｌ２ａ）は、０．５〜１．５とすることが好ましいと考えられる。
【００３８】
以上において、本開示の真空搬送モジュールでは、ガス供給路４２の先端部のガス供給口４１は、平面的に見たときに、第１の直線と第２の直線とのなす角θが１００°〜２６０°の位置にあればよい。このため、ガス供給路４２と筐体２との接続部位が、平面的に見て前記角θの範囲から外れた位置にあっても、ガス供給路４２を筐体２内で引き回し、その先端部のガス供給口４１が前記角θの範囲内の位置に配置されていればよい。また、ガス供給部４はガス供給口４１を筐体内２に開口させる構成であればよく、筐体２内にガス供給路４２が伸び出さずに、筐体２の側壁２０１や底面２０２、天井面にガス供給口４１が開口する構成でもよい。さらに、必ずしもフィルタ部４３を備える必要はない。例えばガス供給口４１をシート状の多孔質体により覆うようにしてもよいし、多孔質体よりなるフィルタ部をガス供給路４２の内部や、筐体２の外部に設ける構成としてもよい。
【００３９】
また、排気口についても複数設けることができる。排気口を複数設けた場合、回動軸の回動方向に見て、ガス供給口に最も遠い排気口が請求の範囲の排気口に相当する。なお、筐体は図示した平面視七角形状に限られず、例えば平面視六角形状や四角形状であってもよい。搬送機構の回動軸も筐体の中心部に設けられず、前後左右のいずれかに寄った位置に設けられていてもよい。搬送機構の回動軸は、筐体に位置が固定されたものあるが、その水平方向（横方向）の位置が固定されていればよく、鉛直方向に昇降する構成も含まれる。
【実施例】
【００４０】
図１に示す第１の実施形態の装置において、筐体２内に特定の圧力となるようにガス供給口４１を介してフィルタ部４３の吐出孔４１１から窒素ガスを供給しながら、排気口５により排気し、筐体２内の酸素濃度を測定した（実施例１）。酸素濃度の測定は、筐体２内において、図２に点線にて示すように、ロードロックモジュール２３２と基台３１との間に酸素濃度を検出するためのセンサー２００を設置して行った。また、同様に図６に示す従前の真空搬送モジュールを備えた真空処理装置についても、同様の実験を行った（比較例１）。この従前の装置におけるガス供給部４は、排気口５と回動軸３０とを結ぶ第１の直線Ｌ１ｂと、ガス供給口４１と回動軸３０とを結ぶ第２の直線Ｌ２ｂとのなす角θが概ね５０°の位置に設けられる。
【００４１】
実施例１の測定結果を図７に、比較例１の測定結果を図８に夫々示す。図７、図８中、縦軸は、酸素濃度、横軸は時間である。この結果より、実施例１は比較例１に比べて酸素濃度が低く、実施例１の平均酸素濃度は０．０８ｐｐｍ、比較例１の平均酸素濃度は０．１２ｐｐｍであることが確認された。なお、図７、図８では、酸素濃度が比較的高い時間帯と、比較的低い時間帯が存在するが、これはロードロックモジュールや処理モジュールの圧力条件を変えて測定したためである。この圧力条件は、実施例1及び比較例１において互いに揃えて測定している。  
また、図４に示す第２の実施形態の真空搬送モジュール１１を備えた真空処理装置１において、同様の測定を行った（実施例２）。この結果、筐体２内の平均酸素濃度は０．０２ｐｐｍであることが認められた。
【００４２】
実施例１における第１の直線と第２の直線とのなす角θは概ね１９０°、実施例２の前記角θは概ね２１５°、比較例１における前記角θは概ね５０°である。従って上記の試験結果から、ガス供給口４１と排気口５との設置個所によって筐体２内の酸素濃度が変化することが確認された。そして、実施形態で説明したようにガス供給口４１と排気口５との位置関係を表す角θが小さい場合よりも大きい場合の方が、筐体２内の酸素濃度が低いことが確認された。このような角θの変更によって酸素濃度が変化するのは、既述したように筐体２内におけるパージガスの分布が変化するためであると考えられる。
【００４３】
そして、この試験結果からは、上記のようにガス供給口４１と排気口５とが互いに大きく離れるように配置することが有効であると考えられる。そのためには、筐体２０内に設けられる回動軸３０から見て、上記の角θを１８０°に近い値にすることが有効であると考えられる。実施例２の角θで示される位置は、図４にて角θ１で示される位置と概ね同じである。このことから、実施例２の角θは概ね１４０°とみなすことができ、この値よりやや小さくても酸素濃度は大きく変化しないと考えられる。
【００４４】
また、実用上筐体２内の酸素濃度は０．１ｐｐｍ以下にすることが望ましいが、実施例２のθは概ね１４０°で酸素濃度０．０２ｐｐｍ、比較例のθは概ね５０°で酸素濃度０．１２ｐｐｍである。θに対応して酸素濃度が変化すると仮定すれば、５０°と１４０°との概ね中間である１００°で概ね０．１ｐｐｍとなると考えられる。従って、角θ＝１００°〜１８０°であれば有効であると考えられる。角θ＝１００°〜１８０°の配置は角θ＝１８０°〜２６０°の配置と対称となるので結局、角θ＝１００°〜２６０°とすることが有効である。
【００４５】
さらに、実施例１の真空処理装置において、処理モジュール２１にて複数枚のウエハＷに対して順次ＴｉＮ膜を成膜し、夫々のウエハＷに成膜されたＴｉＮ膜のシート抵抗値（Ｒｓ抵抗値）について測定した。ＴｉＮ膜の成膜は、既述の手法にて行い、筐体２内にはガス供給口４１を介してフィルタ部４３の吐出孔４１１から窒素ガスを供給し、排気口５から排気することにより、筐体２内の圧力を所定の圧力に調整した（実施例３）。また、同様に図６に示す従前の真空搬送モジュールを備えた真空処理装置についても、同様の実験を行った（比較例２）。
【００４６】
この結果、実施例３のシート抵抗値の平均値は、比較例２のシート抵抗値と比較して、約４．５％の改善が見られた。図１に示す真空処理装置では、筐体２内の酸素濃度が低下しているため、筐体２内を搬送する際に、ＴｉＮ膜が酸化されにくく、シート抵抗値の上昇が抑制されると推察される。これにより、シート抵抗値は筐体２内の酸素濃度に依存し、筐体２内の酸素濃度が低いと、シート抵抗値の上昇が抑えられ、膜質の低下が抑制されることが理解される。
【００４７】
以上において、本開示の真空搬送モジュールは、上述の実施形態の例に限らない。ガス供給口の形状や設置個所、排気口の形状や設置個所は、排気口と回動軸を結ぶ第１の直線とガス供給口と回動軸とを結ぶ第２の直線とのなす角が１００°〜２６０°の関係を満たすものであれば、上述の構成には限らない。また、本開示の真空搬送モジュールは例示であり、筐体やロードロックモジュール、処理モジュールのレイアウトや形状は、適宜変更可能である。
【００４８】
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１１                  真空搬送モジュール
２                    筐体
２１                  処理モジュール
２３１、２３２        ロードロックモジュール
３                    搬送機構
３２                  第１のアーム（回動体）
４１                  ガス供給口
５                    排気口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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