(57)【要約】【課題】剥離工程における歩留まりを向上する。可撓性を有する発光装置等の作製工程における歩留まりを向上する。【解決手段】第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に、剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被剥離層と重ねて接着層を硬化する第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。剥離の起点はレーザ光を照射することにより形成することが好ましい。【選択図】図１
2020141140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に、被剥離層を形成し、
前記被剥離層上に、接着層及び前記接着層を囲む枠状の隔壁を形成し、
前記被剥離層上に、前記隔壁を囲む枠状の樹脂層を形成し、
前記枠状の隔壁の端部は、前記剥離層の端部よりも内側に位置し、
前記接着層及び前記枠状の隔壁を間に挟んで前記第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた後に、前記剥離層の一部と前記被剥離層の一部とを除去し、
前記剥離層の前記一部と前記被剥離層の前記一部とは、前記隔壁と重なり、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記剥離層において分離する剥離方法。
【請求項２】
請求項１において、
レーザ光を照射することにより、前記剥離層の前記一部と前記被剥離層の前記一部とを除去する剥離方法。
【請求項３】
請求項１及び２のいずれか一において、
前記接着層は、シート状の接着剤で形成されている剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。また、本発明は、プロセス、マシン、マニ
ュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態様
は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置又はそれらの作製方法に関す
る。特に、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉ
ｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置とその作製方法に関する
。特に、本発明の一態様は、剥離方法や、剥離工程を有する装置の作製方法に関する。ま
た、本発明の一態様は、該装置の作製方法に用いることができるレーザ照射システムに関
する。
【背景技術】
【０００２】
近年、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板とも記す）上に半導体素子、表示素子、発
光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレ
キシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタな
どの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。
【０００３】
可撓性基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に
薄膜トランジスタや有機ＥＬ素子などの機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素
子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む層を剥
離する工程（剥離工程とも記す）が必要である。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示されているレーザアブレーションを用いた剥離技術では、まず
、基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層を設け、分離層上に薄膜素子からなる被剥
離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。そして、レーザ光の照射によ
り分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００５】
また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許
文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合
が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層
と基板とを分離している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
剥離工程において、剥離界面における剥離性が劣ると、機能素子に大きな応力がかかり、
該機能素子を破壊してしまう場合がある。
【０００８】
本発明の一態様は、剥離工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。
【０００９】
また、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等
の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。特に、軽量である
、薄型である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又
は照明装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。
【００１０】
また、本発明の一態様は、装置の作製工程におけるゴミの発生を低減することを目的の一
とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における不純物の混入を抑制すること
を目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における基板の貼り合わせ
の位置合わせ精度を高めることを目的の一とする。また、本発明の一態様は、信頼性の高
い発光装置を提供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、新規な剥離方法
や装置の作製方法を提供することを目的の一とする。
【００１１】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様は、第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に、剥離
層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被剥離層と重ね
て接着層を硬化する第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層の一部を除去し、
剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第５の工程と、を有
する剥離方法である。
【００１３】
上記剥離方法において、剥離の起点を、レーザ光を照射することにより形成することが好
ましい。
【００１４】
上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離
層と接着層とを重ねることが好ましい。
【００１５】
上記剥離方法において、第３の工程では、接着層を囲う枠状の隔壁を形成することが好ま
しい。
【００１６】
上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に枠状の隔壁の端部が位置することが好
ましい。
【００１７】
上記剥離方法において、第３の工程では、未硬化状態又は半硬化状態の枠状の隔壁を形成
することが好ましい。
【００１８】
本発明の一態様は、第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に、剥離
層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被剥離層と重ね
て枠状の隔壁と、枠状の隔壁の内側の接着層と、を硬化する第３の工程と、剥離層及び枠
状の隔壁と重なる第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層
と被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。
【００１９】
また、本発明の一態様は、上記各剥離方法を用いた半導体装置、発光装置、表示装置、電
子機器、又は照明装置の作製方法である。
【００２０】
なお、本明細書中において、発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発
光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒ
ｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さら
に、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様では、剥離工程における歩留まりを向上させることができる。また、本発
明の一態様では、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置の作製工程
における歩留まりを向上させることができる。特に、軽量である、薄型である、もしくは
可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置の作製工程に
おける歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】剥離方法を説明する図。
【図２】剥離方法を説明する図。
【図３】剥離方法を説明する図。
【図４】剥離方法を説明する図。
【図５】剥離方法を説明する図。
【図６】剥離方法を説明する図。
【図７】剥離方法を説明する図。
【図８】剥離方法を説明する図。
【図９】剥離方法を説明する図。
【図１０】剥離層の平面形状を説明する図。
【図１１】発光装置の一例を示す図。
【図１２】発光装置の一例を示す図。
【図１３】発光装置の一例を示す図。
【図１４】発光装置の一例を示す図。
【図１５】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１６】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１７】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１８】発光装置の作製方法を説明する図。
【図１９】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２０】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２１】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２２】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２３】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２４】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２５】発光装置の作製方法を説明する図。
【図２６】電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図２７】レーザ照射システムを説明する図。
【図２８】実施例に係る光学顕微鏡写真。
【図２９】実施例に係る光学顕微鏡写真を説明する図。
【図３０】発光装置の一例を示す図。
【図３１】発光装置の一例を示す図。
【図３２】レーザ照射システムを説明する図。
【図３３】剥離方法を説明する図。
【図３４】剥離方法を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２４】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２５】
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００２６】
作製基板上に被剥離層を形成した後、被剥離層を作製基板から剥離して、被剥離層を別の
基板に転置することができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形
成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐
熱性の低い基板によって制限されない。作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性が高い
基板等に被剥離層を転置することで、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置の軽
量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。
【００２７】
本発明の一態様を適用して作製できる装置は、機能素子を有する。機能素子としては、例
えば、トランジスタ等の半導体素子や、発光ダイオード、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等
の発光素子、液晶素子等の表示素子が挙げられる。例えば、トランジスタを封入した半導
体装置、発光素子を封入した発光装置（ここでは、トランジスタ及び発光素子を封入した
表示装置を含む）等も本発明を適用して作製できる装置の一例である。
【００２８】
例えば、水分などにより劣化しやすい有機ＥＬ素子を保護するために、透水性の低い保護
膜をガラス基板上に高温で形成し、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる
。有機樹脂基板に転置された保護膜上に有機ＥＬ素子を形成することで、該有機樹脂基板
の耐熱性や防水性が低くても、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製できる。
【００２９】
本発明の一態様は、このような剥離及び転置を用いた装置の作製方法に関し、特に剥離方
法に関する。実施の形態１では、本発明の一態様の剥離方法について説明する。実施の形
態２では、本発明の一態様を適用して作製できる装置の構成例として、有機ＥＬ素子を用
いたフレキシブルな発光装置について説明し、該発光装置の作製方法を例示する。実施の
形態３では、本発明の一態様を適用して作製できる装置を用いた電子機器や照明装置につ
いて説明する。実施の形態４では、本発明の一態様の剥離方法に用いることができるレー
ザ照射システムについて説明する。最後に、本発明の一態様の剥離方法に係る実施例を示
す。
【００３０】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について図１〜図１０を用いて説明する。
【００３１】
具体的には、本発明の一態様は、第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離
層上に、剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被
剥離層と重ねて接着層を硬化する第３の工程と、剥離層及び接着層と重なる第１の層の一
部を除去し、剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層と被剥離層とを分離する第５の
工程と、を有する剥離方法である。
【００３２】
本発明の一態様では、剥離層、被剥離層、及び硬化状態の接着層が重なる領域において、
第１の層（被剥離層に含まれる、剥離層と接する層）の一部を除去し、剥離の起点を形成
する。上記領域に剥離の起点を形成することで、剥離の歩留まりを向上させることができ
る。
【００３３】
また、本発明の一態様では、硬化状態の接着層の端部近傍であり、かつ、剥離層及び被剥
離層が重なる領域において、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成してもよい。接
着層と重ならない位置に剥離の起点を形成する場合、剥離層と被剥離層とを確実に分離で
きるため、剥離の起点の形成位置は、接着層からの距離が近いほど好ましく、具体的には
、接着層の端部からの距離が１ｍｍ以内に剥離の起点を形成することが好ましい。
【００３４】
上記剥離方法において、剥離の起点を、レーザ光を照射することにより形成することが好
ましい。レーザ光を用いることで、剥離の起点を形成するために第１の基板の切断等をす
る必要がなく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい。
【００３５】
上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に接着層の端部が位置するように、剥離
層と接着層とを重ねることが好ましい。接着層が剥離層と重ならない領域を有すると、そ
の領域の広さや、接着層と接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生じやすくな
る場合がある。したがって、接着層は剥離層の外側に位置しないように形成することが好
ましい。なお、接着層の端部と剥離層の端部が揃っていてもよい。
【００３６】
上記剥離方法において、第３の工程では、接着層を囲う枠状の隔壁を形成することが好ま
しい。接着層を囲う枠状の隔壁を設けることで、接着層が広がっても、隔壁でせき止める
ことができる。したがって、接着層が、剥離層の端部よりも外側に位置することを抑制で
きるため、好ましい。
【００３７】
上記剥離方法において、剥離層の端部よりも内側に枠状の隔壁の端部が位置することが好
ましい。枠状の隔壁の端部が剥離層の端部よりも内側に位置することで、接着層の端部も
剥離層の端部よりも内側に位置することができる。なお、隔壁の端部と剥離層の端部が揃
っていてもよい。
【００３８】
上記剥離方法において、第３の工程では、未硬化状態又は半硬化状態の枠状の隔壁を形成
することが好ましい。剥離の起点を接着層と重ねて形成する場合、隔壁が硬化状態である
と、硬化された隔壁の面積や、隔壁と接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生
じやすくなる場合がある。隔壁に粘度の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化
状態であっても、大気中の水分等の不純物が被剥離層に混入することを抑制する効果を高
めることができる。
【００３９】
本発明の一態様は、第１の基板上に、剥離層を形成する第１の工程と、剥離層上に、剥離
層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、剥離層及び被剥離層と重ね
て枠状の隔壁と、枠状の隔壁の内側の接着層と、を硬化する第３の工程と、剥離層及び枠
状の隔壁と重なる第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成する第４の工程と、剥離層
と被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。
【００４０】
隔壁を硬化する場合は、剥離層、被剥離層、及び硬化状態の隔壁が重なる領域において、
第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成することが好ましい。上記領域に剥離の起点
を形成することで、剥離の歩留まりを向上させることができる。また、接着層と隔壁の双
方で被剥離層を封止することができ、作製する装置の信頼性を高めることができる。
【００４１】
以下では、本発明の一態様の剥離方法を４つ例示する。
【００４２】
＜剥離方法１＞
はじめに、作製基板１０１上に剥離層１０３を形成し、剥離層１０３上に被剥離層１０５
を形成する（図１（Ａ））。ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限ら
れない。また、被剥離層１０５を島状に形成してもよい。この工程では、作製基板１０１
から被剥離層１０５を剥離する際に、作製基板１０１と剥離層１０３の界面、剥離層１０
３と被剥離層１０５の界面、又は剥離層１０３中で剥離が生じるような材料を選択する。
本実施の形態では、被剥離層１０５と剥離層１０３の界面で剥離が生じる場合を例示する
が、剥離層１０３や被剥離層１０５に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られな
い。なお、被剥離層１０５が積層構造である場合、剥離層１０３と接する層を特に第１の
層と記す。
【００４３】
例えば、剥離層１０３がタングステン膜と酸化タングステン膜との積層構造である場合、
タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近傍）で剥離が生じることで、
被剥離層１０５側に剥離層１０３の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残ってもよい
。また被剥離層１０５側に残った剥離層１０３は、その後除去してもよい。
【００４４】
作製基板１０１には、少なくとも作製行程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を
用いる。作製基板１０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導
体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。
【００４５】
なお、量産性を向上させるため、作製基板１０１として大型のガラス基板を用いることが
好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×
７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、ま
たは７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（
１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（
２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ
×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこ
れよりも大型のガラス基板を用いることができる。
【００４６】
作製基板１０１にガラス基板を用いる場合、作製基板１０１と剥離層１０３との間に、下
地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン
膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【００４７】
剥離層１０３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジ
ウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材
料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のい
ずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化
インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等
の金属酸化物を用いてもよい。剥離層１０３に、タングステン、チタン、モリブデンなど
の高融点金属材料を用いると、被剥離層１０５の形成工程の自由度が高まるため好ましい
。
【００４８】
剥離層１０３は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティ
ング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層１
０３の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下とする。
【００４９】
剥離層１０３が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモ
リブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。
【００５０】
また、剥離層１０３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層１０３
の表面状態を変えることにより、剥離層１０３と後に形成される絶縁層との密着性を制御
することが可能である。
【００５１】
なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラス基板を用い、ガラス基板に接してポリイミド、ポリエステ
ル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、又はアクリル等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を、レーザ光
等を用いて局所的に加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することがで
きる。または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該
金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。このとき、有機樹脂を
発光装置等の装置の基板として用いることができる。また、有機樹脂と他の基板を接着剤
により貼り合わせてもよい。
【００５２】
被剥離層１０５として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層１０５
として、剥離層１０３上に剥離層１０３と接する絶縁層を作製する。さらに、絶縁層上に
機能素子を作製してもよい。被剥離層１０５として形成する層の具体例は、実施の形態２
も参照できる。
【００５３】
剥離層１０３上の絶縁層は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又
は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。
【００５４】
該絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、絶
縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下
が好ましい。
【００５５】
次に、被剥離層１０５と基板１０９とを接着層１０７を用いて貼り合わせ、接着層１０７
を硬化させる（図１（Ｂ））。ここで、図１（Ｂ）は図３（Ａ）における一点鎖線Ｄ１−
Ｄ２間の断面図に相当する。なお、図３（Ａ）は、基板１０９（図示しない）側から見た
平面図である。
【００５６】
ここで、接着層１０７は剥離層１０３及び被剥離層１０５と重なるように配置する。そし
て、図３（Ａ）に示すように、接着層１０７の端部は、剥離層１０３の端部よりも外側に
位置しないことが好ましい。接着層１０７が剥離層１０３と重ならない領域を有すると、
その領域の広さや、接着層１０７と接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生じ
やすくなる場合がある。したがって、接着層１０７は剥離層１０３の内側に位置する、も
しくは、接着層１０７の端部と剥離層１０３の端部とが揃っていることが好ましい。
【００５７】
別の構成例を図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平
面図における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない
）。図２（Ａ）の断面図に示す点線で囲った領域のように、剥離層１０３と重ならずに、
作製基板１０１及び基板１０９が接着層１０７によって貼り合わされている領域がある場
合、作製基板１０１と基板１０９の密着性（または、接着層１０７と接する、作製基板１
０１上の層及び基板１０９上の層の密着性）の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低
下することがある。
【００５８】
そのため、図１（Ｂ）に示すように、被剥離層１０５上又は剥離層１０３上に枠状の隔壁
１１１を設け、隔壁１１１に囲まれた内部に接着層１０７を充填することが好ましい。こ
れにより、剥離層１０３の外側に接着層１０７が広がること、さらには、剥離工程の歩留
まりが低下することを抑制できる。そして、剥離工程の歩留まりを向上させることができ
る。
【００５９】
特に、剥離層１０３の端部よりも内側に枠状の隔壁１１１の端部が位置することが好まし
い。枠状の隔壁１１１の端部が剥離層１０３の端部よりも内側に位置することで、接着層
１０７の端部も剥離層１０３の端部よりも内側に位置することができる。なお、隔壁１１
１の端部と剥離層１０３の端部が揃っていてもよい。
【００６０】
隔壁１１１と接着層１０７の形成順序は問わない。例えば、スクリーン印刷法等を用いて
接着層１０７を形成した後、塗布法等を用いて隔壁１１１を形成してもよい。または、塗
布法等を用いて隔壁１１１を形成した後、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）方式の
装置等を用いて接着層１０７を形成してもよい。
【００６１】
なお、隔壁１１１は必要でなければ設けなくてもよい。図２（Ｂ）には、基板１０９側か
ら見た平面図と、該平面図における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間の断面図を示す（平面図にて基
板１０９は図示しない）。図２（Ｂ）に示すように、接着層１０７の流動性が低いなどの
理由で、接着層１０７が剥離層１０３の外側に広がらない（広がりにくい）場合は、隔壁
１１１を設けなくてよい。
【００６２】
また、図２（Ｃ）に示すように、隔壁１１１や接着層１０７の外側に、樹脂層１１３を設
けてもよい。図２（Ｃ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図における一点鎖
線Ｃ１−Ｃ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。樹脂層１１３を
設けることで、作製工程中に大気雰囲気に露出しても、被剥離層１０５に水分等の不純物
が混入することを抑制できる。
【００６３】
なお、被剥離層１０５と基板１０９の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【００６４】
ここで、図３３（Ａ）に示すように、被剥離層１０５上に形成される接着層１０７及び隔
壁１１１は接していなくてもよい。被剥離層１０５と基板１０９を貼り合わせる際に、接
着層１０７及び隔壁１１１の一方又は双方が押し潰されて広がることで、図３（Ａ）に示
す状態のように接着層１０７及び隔壁１１１の一方又は双方を変形させてもよい。
【００６５】
また、被剥離層１０５と基板１０９を貼り合わせる際に、接着層１０７と隔壁１１１の間
に気泡が残る場合がある。気泡が含まれている部分は機械的強度が弱く、クラックが発生
しやすいことがある。したがって、図３３（Ｂ）、（Ｃ）等に示すように、基板の角部近
傍に隔壁１１１を有さない部分を設け、気泡が隔壁１１１の外側に抜けやすくなるように
してもよい。なお、被剥離層１０５と基板１０９を貼り合わせた後の接着層１０７及び隔
壁１１１の形状は図３（Ａ）に限られず、図３３（Ｄ）に示すように、隔壁１１１が一つ
につながっていなくてもよい。
【００６６】
接着層１０７としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂
、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。
【００６７】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素
子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。
【００６８】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【００６９】
また、接着層１０７として、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化さ
せることが可能であるもののように、必要時に基板１０９と被剥離層１０５とを化学的も
しくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を用い
てもよい。
【００７０】
基板１０９としては、作製基板１０１に用いることができる各種基板を適用できる。また
、フィルム等のような可撓性基板を用いてもよい。
【００７１】
隔壁１１１及び樹脂層１１３としては、いずれも接着層１０７に用いることができる材料
を適用できる。
【００７２】
隔壁１１１は、接着層１０７が剥離層１０３の外側に流れることをせき止められれば、硬
化状態、半硬化状態、未硬化状態のいずれであってもよい。隔壁１１１が硬化状態である
と、剥離後に、接着層１０７とともに被剥離層１０５を封止する層として用いることがで
き、大気中の水分の侵入による機能素子の劣化を抑制することができる。なお、隔壁１１
１を硬化状態とするときは、剥離工程の歩留まりの低下を防ぐため、隔壁１１１の端部が
剥離層１０３の端部よりも外側に位置しないようにすることが好ましい。
【００７３】
また、樹脂層１１３は、硬化状態であると、作製基板１０１と基板１０９の密着性の程度
により、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。したがって、樹脂層１１３の少
なくとも一部を、半硬化状態又は未硬化状態とすることが好ましい。樹脂層１１３に粘度
の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化状態であっても、大気中の水分等の不
純物が被剥離層１０５に混入することを抑制する効果を高めることができる。
【００７４】
また、例えば、樹脂層１１３として、光硬化樹脂を用い、一部に光を照射することで、樹
脂層１１３の一部を硬化状態としてもよい。一部を硬化状態とすることで、その後の作製
工程中に、減圧雰囲気から大気圧雰囲気に作製中の装置を移動した場合でも、作製基板１
０１及び基板１０９の間隔及び位置を一定に保つことができ、好ましい。
【００７５】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１（Ｂ）、（Ｃ））。
【００７６】
レーザ光は、硬化状態の接着層１０７又は硬化状態の隔壁１１１と、被剥離層１０５と、
剥離層１０３とが重なる領域に対して照射する。隔壁１１１が硬化状態である場合、隔壁
１１１と、被剥離層１０５と、剥離層１０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射する
ことが好ましい。
【００７７】
ここでは、接着層１０７が硬化状態であり、隔壁１１１が硬化状態でない場合を例に示し
、硬化状態の接着層１０７にレーザ光を照射する（図１（Ｂ）の矢印Ｐ１参照）。レーザ
光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されること
を抑制するため、剥離層１０３が設けられた作製基板１０１側から照射することが好まし
い。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。
【００７８】
少なくとも第１の層（被剥離層１０５に含まれる、剥離層１０３と接する層）にクラック
を入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を
形成できる（図１（Ｃ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被
剥離層１０５の他の層や、剥離層１０３、接着層１０７の一部を除去してもよい。レーザ
光の照射によって、膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。
【００７９】
図３（Ａ）の一点鎖線で囲んだ領域Ｅの拡大図を図３（Ｂ−１）〜（Ｂ−８）に示す。各
拡大図では、レーザ光の照射領域１１５を例示している。
【００８０】
接着層１０７が硬化状態であり隔壁１１１が硬化状態でない場合の、レーザ光の照射領域
１１５の例を図３（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）に示す。これらはすべて、硬化状態の接着層１
０７と剥離層１０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射する例である。なお、隔壁１
１１を設けない場合にも、同様の位置にレーザ光を照射することができる。
【００８１】
接着層１０７及び隔壁１１１が硬化状態である場合の、レーザ光の照射領域１１５の例を
図３（Ｂ−６）〜（Ｂ−８）に示す。これらはすべて、硬化状態の隔壁１１１と剥離層１
０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射する例である。
【００８２】
剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層１０５と剥離層１０３を引き離す力が集中すること
が好ましいため、硬化状態の接着層１０７や隔壁１１１の中央部よりも端部近傍に剥離の
起点を形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍
に剥離の起点を形成することが好ましい。例えば、図３（Ｂ−１）、（Ｂ−３）に示すよ
うに、レーザ光の照射領域１１５が硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領
域のみに位置してもよい。または、図３（Ｂ−２）、（Ｂ−４）、（Ｂ−５）に示すよう
に、レーザ光の照射領域１１５が硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域
だけでなく、硬化状態でない隔壁１１１と剥離層１０３とが重なる領域に位置してもよい
。または、図３（Ｂ−６）〜（Ｂ−８）に示すように、硬化状態の隔壁１１１と剥離層１
０３とが重なる領域のみに位置してもよい。なお、図３（Ｂ−５）、（Ｂ−８）に示すよ
うに、レーザ光を接着層１０７の辺や隔壁１１１の辺に接して照射することも、硬化状態
の接着層１０７や隔壁１１１と剥離層１０３とが重なる領域にレーザ光を照射する態様の
一つである。
【００８３】
また、図３（Ｂ−３）〜（Ｂ−５）、（Ｂ−７）、（Ｂ−８）に示すように、接着層１０
７又は隔壁１１１の端部近傍に断続的にレーザ光を照射することで、破線状に剥離の起点
を形成すると、剥離が容易となるため好ましい。
【００８４】
また、硬化状態の接着層１０７と剥離層１０３とが重なる領域に連続的もしくは断続的に
レーザ光を照射することで、実線状もしくは破線状の剥離の起点を枠状に形成してもよい
。図３（Ｃ）では、実線状の剥離の起点を形成する例を示している。具体的には、図３（
Ｃ）において、剥離層１０３、被剥離層１０５、及び接着層１０７が除去され、作製基板
１０１が露出した枠状の部分が剥離の起点である。
【００８５】
剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレ
ーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワ
ー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板１０１や剥離層１０３の
厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。
【００８６】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する（図１
（Ｄ）、（Ｅ））。これにより、被剥離層１０５を作製基板１０１から基板１０９に転置
することができる。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。
例えば、作製基板１０１を吸着ステージに固定し、作製基板１０１から被剥離層１０５を
剥離してもよい。また、基板１０９を吸着ステージに固定し、基板１０９から作製基板１
０１を剥離してもよい。
【００８７】
例えば、剥離の起点を利用して、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ロー
ラーを回転させながら分離する処理等）によって被剥離層１０５と作製基板１０１とを分
離すればよい。
【００８８】
また、剥離層１０３と被剥離層１０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板１０
１と被剥離層１０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層１０３と被剥離
層１０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静
電気が、被剥離層１０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気
により破壊されるなど）を抑制できる。
【００８９】
なお、剥離後に、基板１０９上に残った、被剥離層１０５と基板１０９との貼り合わせに
寄与していない接着層１０７、隔壁１１１、又は樹脂層１１３等を除去してもよい。除去
することで、後の工程で機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制でき
好ましい。例えば、ふき取り、洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。
【００９０】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し
、剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これに
より、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
【００９１】
＜剥離方法２＞
まず、剥離方法１と同様に、作製基板１０１上に剥離層１０３を形成し、剥離層１０３上
に被剥離層１０５を形成する（図１（Ａ））。そして、被剥離層１０５と基板１０９とを
接着層１０７を用いて貼り合わせ、接着層１０７を硬化させる（図４（Ａ））。
【００９２】
次に、カッターなどの鋭利な刃物により、剥離の起点を形成する（図４（Ａ）、（Ｂ））
。
【００９３】
剥離層１０３が設けられていない側の基板１０９が刃物等で切断できる場合、基板１０９
、接着層１０７もしくは隔壁１１１、及び被剥離層１０５に切り込みを入れてもよい（図
４（Ａ）の矢印Ｐ２参照）。これにより、第１の層の一部を除去することができ、剥離の
起点を形成できる（図４（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。ここでは、硬化状態の隔壁１
１１と剥離層１０３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れることで、実線状に剥離の起
点を形成する例を示すが、これに限られない。なお、剥離層１０３にも切り込みが入って
いてもよい。
【００９４】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する（図４
（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層１０５を作製基板１０１から基板１０９に転置
することができる。
【００９５】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、鋭利な刃物等により剥離の起点を形成し、
剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これによ
り、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。また、硬化状態の隔壁１１１と剥離
層１０３が重なる領域で剥離を始めることで、被剥離層１０５を接着層１０７及び隔壁１
１１で２重に封止することができる。したがって、被剥離層１０５中に水分等により劣化
しやすい有機ＥＬ素子等を形成した場合でも、信頼性の高い発光装置を作製できる。
【００９６】
＜剥離方法３＞
まず、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に被剥離層２０５を形
成する（図５（Ａ））。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３
上に被剥離層２２５を形成する（図５（Ｂ））。
【００９７】
次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向
するように、接着層２０７を用いて貼り合わせ、接着層２０７を硬化させる（図５（Ｃ）
）。ここでは、被剥離層２２５上に枠状の隔壁２１１と、隔壁２１１の内側の接着層２０
７とを設けた後、作製基板２０１と作製基板２２１とを、対向させ、貼り合わせる。
【００９８】
なお、作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好まし
い。
【００９９】
例えば、図３４（Ａ）に示すように、接着層２０７及び隔壁２１１を被剥離層（ここでは
被剥離層２２５）上に形成し、作製基板２０１と作製基板２２１とを、減圧雰囲気下で貼
り合わせる。すると、図３４（Ｂ）に示すように、隔壁２１１が押し潰され、紙面横方向
に広がる。ここで、横方向への広がりが小さく、接着層２０７と隔壁２１１の膜厚（紙面
縦方向の長さ）に差があると、図３４（Ｂ）の点線で囲った部分のように、段差ができる
場合がある。
【０１００】
さらに、図３４（Ｂ）に示すように、接着層２０７と隔壁２１１の間に、減圧された中空
領域を有する場合、減圧雰囲気下で基板どうしを貼り合わせた作製中の装置を大気圧下に
曝すことで、接着層２０７又は隔壁２１１のいずれか一方又は双方が中空領域に広がる。
例えば、図３４（Ｃ）に示すように、中空領域に接着層２０７が広がり、接着層２０７の
膜厚が小さくなることで、さらに接着層２０７と隔壁２１１の膜厚の差が広がり、大きな
段差となる場合もある。
【０１０１】
したがって、本発明の一態様の装置は、端部付近の膜厚と、該端部よりも内側の中央部の
膜厚とが異なるという特徴を有する。例えば、図３４（Ｃ）に示すように、装置の端部付
近の膜厚が、中央部の膜厚よりも厚くてもよく、図３４（Ｄ）に示すように、装置の端部
付近の膜厚が、中央部の膜厚よりも薄くてもよい。
【０１０２】
また、作製途中又は作製された装置における膜厚差（段差）のある部分では、被剥離層を
構成する層の膜剥がれなどが起こりやすく、剥離の歩留まりの低減、装置の信頼性の低下
につながる場合がある。また、表示領域において装置の厚さに差があると、干渉縞が生じ
るなど、表示品質が低下する場合がある。
【０１０３】
したがって、本発明の一態様の装置は、表示部の端部付近の膜厚と、該端部よりも内側の
中央部の膜厚とが概略等しいことが好ましい。このとき、表示部の端部付近の膜厚と、該
表示部の端部よりも外側の、装置の端部付近の膜厚と、が異なっていてもよい。また、本
発明の一態様の装置は、干渉縞から装置の端部までの距離が短いことが好ましい。例えば
、３０ｍｍ以内、２０ｍｍ以内、１０ｍｍ以内等とすればよい。干渉縞から装置の端部ま
での距離を短くすることで、装置において表示領域に用いることができる領域を広げるこ
とができ、好ましい。
【０１０４】
さらに、本発明の一態様の装置は、端部付近の膜厚と、該端部よりも内側の中央部の膜厚
（例えば、表示部の中央部の膜厚や、表示部の端部付近の膜厚）とが概略等しいことが好
ましい。
【０１０５】
具体的には、接着層２０７と隔壁２１１の膜厚、材料、塗布量などを適宜決定することで
、接着層２０７と隔壁２１１の界面付近において、装置の厚さに差が生じることを抑制で
きる。
【０１０６】
なお、図５（Ｃ）では、剥離層２０３との剥離層２２３の大きさが異なる場合を示したが
、図５（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
【０１０７】
接着層２０７は剥離層２０３、被剥離層２０５、被剥離層２２５、及び剥離層２２３と重
なるように配置する。そして、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の
少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これ
により、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程
の歩留まりが低下することを抑制できる。
【０１０８】
また、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の一方の端部よりも内側に
位置し、他方の端部より外側に位置することが好ましい。例えば、図９（Ａ）では、接着
層２０７が剥離層２０３の端部よりも内側に位置し、剥離層２２３の端部より外側に位置
する。さらに、隔壁２１１が剥離層２０３と重なり、かつ剥離層２２３と重ならない構成
である。これにより、例えば、剥離層２０３及び剥離層２２３の双方が遮光膜であっても
、隔壁２１１に光を照射することが可能であるため、隔壁２１１に光硬化性の接着剤を用
いることができる。なお、剥離層２０３又は剥離層２２３を介して接着層２０７や隔壁２
１１に光を照射できる場合は上記の構成に限らず、接着層２０７や隔壁２１１に光硬化性
の接着剤を用いることができる。
【０１０９】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図６（Ａ）、（Ｂ））。
【０１１０】
作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらを先に剥離してもよい。剥離層の大きさが異
なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した
基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子
を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離し
てもよい。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す。
【０１１１】
レーザ光は、硬化状態の接着層２０７又は硬化状態の隔壁２１１と、被剥離層２０５と、
剥離層２０３とが重なる領域に対して照射する。ここでは、接着層２０７が硬化状態であ
り、隔壁２１１が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接着層２０７にレーザ光を
照射する（図６（Ａ）の矢印Ｐ３参照）。
【０１１２】
第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図６（Ｂ）の点線で囲った
領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２０５の他の層や、剥離層２０３
、接着層２０７の一部を除去してもよい。
【０１１３】
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層
２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層２０５及び
被剥離層２２５のうち被剥離層２０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板
２０１及び剥離層２０３を剥離することができる（図６（Ｂ）の点線で囲った領域参照）
。
【０１１４】
剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、剥離層２０３側の
被剥離層２０５と剥離層２２３側の被剥離層２２５の両方に剥離の起点を形成してしまう
と、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方
の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合があ
る。
【０１１５】
このとき、図９（Ａ）に示した構成であると、剥離層２０３と剥離層２２３のうち、剥離
層２０３のみにレーザ光を照射することができ、剥離層２０３と剥離層２２３の両方に剥
離の起点が形成されることを防止できる（図９（Ｂ）、（Ｃ））。したがって、レーザ光
の照射条件の制限が少なくなり好ましい。このときレーザ光は、どちらの基板側から照射
してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層２０３
が設けられた作製基板２０１側から照射することが好ましい。
【０１１６】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離する（図６
（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５を作製基板２０１から作製基板２２１に
転置することができる。
【０１１７】
次に、露出した被剥離層２０５と基板２３１とを、接着層２３３を用いて貼り合わせ、接
着層２３３を硬化させる（図７（Ａ））。ここでは、被剥離層２２５上に枠状の隔壁２３
５と、隔壁２３５の内側の接着層２３３と、を設け、被剥離層２２５と基板２３１とを貼
り合わせる。
【０１１８】
なお、被剥離層２０５と基板２３１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１１９】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図７（Ｂ）、（Ｃ））。
【０１２０】
レーザ光は、硬化状態の接着層２３３又は硬化状態の隔壁２３５と、被剥離層２２５と、
剥離層２２３と、が重なる領域に対して照射する。ここでは、接着層２３３が硬化状態で
あり、隔壁２３５が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接着層２３３にレーザ光
を照射する（図７（Ｂ）の矢印Ｐ４参照）。第１の層の一部を除去することで、剥離の起
点を形成できる（図７（Ｃ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく
、被剥離層２２５の他の層や、剥離層２２３、接着層２３３の一部を除去してもよい。
【０１２１】
レーザ光は、剥離層２２３が設けられた作製基板２２１側から照射することが好ましい。
【０１２２】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図７
（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５及び被剥離層２２５を基板２３１に転置すること
ができる。
【０１２３】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が設けられた
一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、それぞれ
の剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工
程の歩留まりを向上させることができる。
【０１２４】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板に該被剥離層を転置することができる。したがっ
て、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることがで
き、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させる
ことができる。
【０１２５】
＜剥離方法４＞
剥離方法４は、１回目の剥離工程までは剥離方法３と同様に行う。以降では、図６（Ｄ）
の後の工程を詳述する。
【０１２６】
図６（Ｄ）に示す工程で作製基板２０１から剥離した被剥離層２０５と、基板２３１とを
接着層２３３を用いて貼り合わせ、接着層２３３を硬化させる（図８（Ａ））。
【０１２７】
次に、カッターなどの鋭利な刃物により、剥離の起点を形成する（図８（Ｂ）、（Ｃ））
。
【０１２８】
剥離層２２３が設けられていない側の基板２３１が刃物等で切断できる場合、基板２３１
、接着層２３３、及び被剥離層２２５に切り込みを入れてもよい（図８（Ｂ）の矢印Ｐ５
参照）。これにより、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成できる（図８（Ｃ）の
点線で囲った領域参照）。
【０１２９】
図８（Ｂ）、（Ｃ）で示すように、剥離層２２３と重ならずに、作製基板２２１及び基板
２３１が接着層２３３によって貼り合わされている領域がある場合、作製基板２２１と基
板２３１の密着性の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下することがある。したが
って、硬化状態の接着層２３３と剥離層２２３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れ、
実線状に剥離の起点を形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高め
ることができる。
【０１３０】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図８
（Ｄ））。これにより、被剥離層２２５を作製基板２２１から基板２３１に転置すること
ができる。
【０１３１】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、鋭利な刃物等により剥離の起点を形成し、
剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程
の歩留まりを向上させることができる。
【０１３２】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板に該被剥離層を転置することができる。したがっ
て、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることがで
き、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させる
ことができる。
【０１３３】
＜剥離層の平面形状＞
本発明の一態様で用いる剥離層の平面形状は特に限定されない。剥離層の平面形状の例を
図１０（Ａ）〜（Ｆ）に示す。図１０（Ａ）〜（Ｆ）では、それぞれ剥離開始領域１１７
を示している。剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層と剥離層を引き離す力が集中するこ
とが好ましいため、剥離層の中央部や辺部に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成するこ
とが好ましい。なお、図１０（Ａ）〜（Ｆ）に示す剥離開始領域１１７以外から剥離を開
始してもよい。
【０１３４】
図１０（Ａ）に示すように、作製基板１０１の角部から剥離を始めたい場合は、剥離層１
０３の角部が作製基板１０１の角部に位置するような平面形状とすればよい。図１０（Ｂ
）、（Ｄ）〜（Ｆ）に示すように、作製基板１０１の辺部から剥離を始めたい場合は、剥
離層１０３の角部が作製基板１０１の辺部に位置するような平面形状とすればよい。図１
０（Ｃ）に示すように、剥離層１０３の角部は、丸い角を有していてもよい。
【０１３５】
上述したように、剥離及び転置できる領域の端部は、剥離層１０３の端部よりも内側であ
る。図１０（Ｇ）に示すように、剥離したい被剥離層１０５の端部は、剥離層１０３の端
部よりも内側に位置するよう形成する。剥離したい被剥離層１０５が複数ある場合、図１
０（Ｈ）に示すように、被剥離層１０５ごとに剥離層１０３を設けてもよいし、図１０（
Ｉ）に示すように、１つの剥離層１０３上に複数の被剥離層１０５を設けてもよい。
【０１３６】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１３７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できるフレキシブルな発光装置と、該
発光装置の作製方法について、図１１〜図２５を用いて説明する。
【０１３８】
図１１〜図１４に発光素子として有機ＥＬ素子を用いたフレキシブルな発光装置の一例を
示す。
【０１３９】
＜構成例１＞
図１１（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１１（Ｂ）に、図１１（Ａ）の一点鎖線Ｘ１
−Ｙ１間及び一点鎖線Ｖ１−Ｗ１間の断面図を示す。図１１（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装
置はボトムエミッション型の発光装置である。
【０１４０】
図１１（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４１９、接着層４２２、絶縁層４２４、導電
層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ
層４０２、及び第２の電極４０３）、接着層４０７、及び可撓性基板４２８を有する。第
１の電極４０１、絶縁層４２４、接着層４２２、及び可撓性基板４１９は可視光を透過す
る。
【０１４１】
可撓性基板４１９上には、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して有機ＥＬ素子４５０が
設けられている。可撓性基板４１９、接着層４０７、及び可撓性基板４２８によって、有
機ＥＬ素子４５０は封止されている。有機ＥＬ素子４５０は、第１の電極４０１と、第１
の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第２
の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。
【０１４２】
第１の電極４０１、導電層４０６、導電層４１６の端部は絶縁層４０５で覆われている。
導電層４０６は第１の電極４０１と電気的に接続し、導電層４１６は第２の電極４０３と
電気的に接続する。第１の電極４０１を介して絶縁層４０５に覆われた導電層４０６は、
補助配線として機能し、第１の電極４０１と電気的に接続する。有機ＥＬ素子の電極と電
気的に接続する補助配線を有すると、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、
好ましい。導電層４０６は、第１の電極４０１上に設けられていてもよい。また、絶縁層
４０５上等に、第２の電極４０３と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。
【０１４３】
発光装置の光取出し効率を高めるため、発光素子からの光を取り出す側に光取り出し構造
を有することが好ましい。図１１（Ｂ）では、発光素子からの光を取り出す側に位置する
可撓性基板４１９が光取り出し構造を兼ねている例を示す。なお、可撓性基板４１９と重
ねて、光を拡散させる機能を有するシートなどの光取り出し構造や、タッチセンサを配置
してもよい。また、偏光板や位相差板を配置してもよい。図１１（Ｃ）では、可撓性基板
４１９と重ねて拡散板４１１及びタッチセンサ４１３を配置した場合の例を示す。
【０１４４】
＜構成例２＞
図１２（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１２（Ｂ）に、図１２（Ａ）の一点鎖線Ｘ２
−Ｙ２間の断面図を示す。図１２（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置はトップエミッション型
の発光装置である。
【０１４５】
図１２（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、導電
層４０８、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び
第２の電極４０３）、導電層４１０、接着層４０７、可撓性基板４２８、及び光取出し構
造４０９を有する。第２の電極４０３、接着層４０７、可撓性基板４２８、及び光取出し
構造４０９は可視光を透過する。
【０１４６】
可撓性基板４２０上には、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して有機ＥＬ素子４５０が
設けられている。可撓性基板４２０、接着層４０７、及び可撓性基板４２８によって、有
機ＥＬ素子４５０は封止されている。有機ＥＬ素子４５０は、第１の電極４０１と、第１
の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１
の電極４０１は可視光を反射することが好ましい。可撓性基板４２８の表面には光取り出
し構造４０９が貼り合わされている。なお、可撓性基板４２８と重ねて、光を拡散させる
機能を有するシートなどの光取り出し構造や、タッチセンサを配置してもよい。また、偏
光板や位相差板を配置してもよい。図１２（Ｃ）では、可撓性基板４２８と重ねて拡散板
４１１（光取り出し構造の一態様である）及びタッチセンサ４１３を配置した場合の例を
示す。
【０１４７】
第１の電極４０１、導電層４１０の端部は絶縁層４０５で覆われている。導電層４１０は
第１の電極４０１と同一の工程、同一の材料で形成することができ、第２の電極４０３と
電気的に接続する。
【０１４８】
絶縁層４０５上の導電層４０８は、補助配線として機能し、第２の電極４０３と電気的に
接続する。導電層４０８は、第２の電極４０３上に設けられていてもよい。また、構成例
１と同様に、第１の電極４０１と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。
【０１４９】
＜構成例３＞
図１３（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１３（Ｂ）に、図１３（Ａ）の一点鎖線Ｘ３
−Ｙ３間の断面図を示す。図１３（Ｂ）に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトップエ
ミッション型の発光装置である。
【０１５０】
図１３（Ａ）に示す発光装置は、発光部４９１、駆動回路部４９３、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉ
ｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）４９５を有する。発光部４９１及び駆動回路
部４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジスタは可撓性基板４２０、可撓性基板４２８
、及び接着層４０７によって封止されている。
【０１５１】
図１３（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第
１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、接着層４０７、可撓性基板４
２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、接着層４０７、及び第２の電極４
０３は可視光を透過する。
【０１５２】
図１３（Ｂ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。
有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥ
Ｌ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、ト
ランジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４
０１は可視光を反射することが好ましい。第１の電極４０１の端部は絶縁層４０５で覆わ
れている。
【０１５３】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１３（Ｂ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。
【０１５４】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
【０１５５】
工程数の増加を防ぐため、導電層４５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同
一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層４５７を、第１の電
極４０３と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
【０１５６】
絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁膜を選択することが好適である。
【０１５７】
なお、図３０（Ａ）に示すように、可撓性基板４２８の上に、タッチセンサを設けてもよ
い。タッチセンサは、導電層４４１、導電層４４２、絶縁層４４３を有している。なお、
導電層４４１と導電層４４２は、可視光を透過することが望ましい。そのため、例えば、
酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、
インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成するこ
とができる。なお、導電層４４１と導電層４４２の少なくとも一部に可視光を透過しない
材料を用いてもよい。例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、
クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら
金属材料を含む合金を用いることができる。導電層４４１は、異方性導電膜を介して、Ｆ
ＰＣ４４５と接続されている。
【０１５８】
なお、図３０（Ａ）では、可撓性基板４２８の上に、タッチセンサを設けたが、本発明は
、これに限定されない。図３０（Ｂ）に示すように、可撓性基板４２８の上に可撓性基板
４４４を設けて、その上にタッチセンサを設けてもよい。なお、タッチセンサは、可撓性
基板４２８と可撓性基板４４４との間に設けてもよい。
【０１５９】
＜構成例４＞
図１３（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１３（Ｃ）に、図１３（Ａ）の一点鎖線Ｘ３
−Ｙ３間の断面図を示す。図１３（Ｃ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたボ
トムエミッション型の発光装置である。
【０１６０】
図１３（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５４、トランジスタ４５５、絶縁層４６３、着色層４３２、絶縁層４６５、導
電層４３５、絶縁層４６７、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、Ｅ
Ｌ層４０２、及び第２の電極４０３）、接着層４０７、可撓性基板４２８、及び導電層４
５７を有する。可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、絶縁層４６３、絶縁層
４６５、絶縁層４６７、及び第１の電極４０１は可視光を透過する。
【０１６１】
図１３（Ｃ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にスイッチング用のトランジスタ４５４、電流制御用のトランジス
タ４５５、及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４
６７上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の
第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、導電層４３５を介してトランジスタ
４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４０１の端部
は絶縁層４０５で覆われている。第２の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。
また、発光装置は、絶縁層４６３上に有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層４３２を有する
。
【０１６２】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１３（Ｃ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。
【０１６３】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、導電層４３５と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
【０１６４】
絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５及び絶縁層４６７は、トランジスタや配線起因の表面凹凸を低減
するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択することが好適である。
【０１６５】
なお、図３１（Ａ）に示すように、可撓性基板４２０と重ねてタッチセンサを設けてもよ
い。タッチセンサは、導電層４４１、導電層４４２、絶縁層４４３を有している。また、
図３１（Ｂ）に示すように、可撓性基板４２０とタッチセンサの間に、可撓性基板４４４
を設けてもよい。なお、タッチセンサは、可撓性基板４２０と可撓性基板４４４との間に
設けてもよい。
【０１６６】
＜構成例５＞
図１３（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１４（Ａ）に、図１３（Ａ）の一点鎖線Ｘ３
−Ｙ３間の断面図を示す。図１４（Ａ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたト
ップエミッション型の発光装置である。
【０１６７】
図１４（Ａ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第
１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、接着層４０７、遮光層４３１
、着色層４３２、絶縁層２２６、接着層４２６、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を
有する。可撓性基板４２８、接着層４２６、絶縁層２２６、接着層４０７、及び第２の電
極４０３は可視光を透過する。
【０１６８】
図１４（Ａ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。
有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥ
Ｌ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、ト
ランジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４
０１の端部は絶縁層４０５で覆われている。第１の電極４０１は可視光を反射することが
好ましい。また、発光装置は、接着層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層
４３２を有し、接着層４０７を介して絶縁層４０５と重なる遮光層４３１を有する。
【０１６９】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１４（Ａ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。
【０１７０】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、トランジスタ４５５のソース電極及びドレイン電極と
同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。絶縁層２２６上の接続体４９７は、絶縁層
２２６、接着層４０７、絶縁層４６５、及び絶縁層４６３に設けられた開口を介して導電
層４５７と接続している。また、接続体４９７はＦＰＣ４９５に接続している。接続体４
９７を介してＦＰＣ４９５と導電層４５７は電気的に接続する。
【０１７１】
なお、図１４（Ａ）においても、図３０（Ａ）、（Ｂ）と同様にタッチセンサをさらに設
けてもよい。
【０１７２】
＜構成例６＞
図１４（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図１４（Ｃ）に、図１４（Ｂ）の一点鎖線Ｘ４
−Ｙ４間の断面図を示す。図１４（Ｃ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたト
ップエミッション型の発光装置である。
【０１７３】
図１４（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は、ＦＰＣ４９５が可撓性基板４２８と重なる点で
構成例５と異なる。導電層４５７と可撓性基板４２８とが重なる場合には、可撓性基板４
２８を開口する（又は開口部を有する可撓性基板を用いる）ことで、導電層４５７、接続
体４９７、及びＦＰＣ４９５を電気的に接続させる。
【０１７４】
また、図１４（Ｃ）に示す発光装置は、オーバーコート４５３を有する点で構成例５と異
なる。その他の構成は、構成例５の記載を参照することができる。
【０１７５】
なお、図１４（Ｂ）、（Ｃ）においても、図３０（Ａ）、（Ｂ）と同様にタッチセンサを
さらに設けてもよい。
【０１７６】
＜装置の材料＞
次に、発光装置に用いることができる材料の一例を示す。
【０１７７】
［可撓性基板］
可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度
の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基
板には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合
、金属基板等も用いることができる。
【０１７８】
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
【０１７９】
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。
【０１８０】
可撓性及び透光性を有する材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物又は
無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率
の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル
系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレン
ベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維とし
ては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。こ
れらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構
造物を可撓性基板として用いてもよい。可撓性基板として、繊維体と樹脂からなる構造物
を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０１８１】
光の取り出し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好
ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂
のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径４０ｎｍ以下の小さ
な無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
【０１８２】
金属基板の厚さは、可撓性や曲げ性を得るために、１０μｍ以上２００μｍ以下、好まし
くは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。金属基板は熱伝導性が高いため、
発光素子の発光に伴う発熱を効果的に放熱することができる。
【０１８３】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いるこ
とができる。
【０１８４】
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による機能素子（特
に有機ＥＬ素子等）の寿命の低下を抑制するために、後述の透水性の低い絶縁膜を備えて
いてもよい。
【０１８５】
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。
【０１８６】
例えば、有機ＥＬ素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性
基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、
好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素
に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、
１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような
有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることが
できる。
【０１８７】
［接着層］
接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（
エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。
【０１８８】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０１８９】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０１９０】
［絶縁層］
絶縁層４２４や絶縁層２２６には、透水性（又は透湿性）の低い絶縁膜を用いることが好
ましい。また、接着層４０７と第２の電極４０３の間に、透水性の低い絶縁膜が形成され
ていてもよい。
【０１９１】
透水性の低い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０１９２】
例えば、透水性の低い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下
、好ましくは１×１０−６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ
／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とする
。
【０１９３】
絶縁層４６３としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層４６５や絶縁層４６７として
は、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等
を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層４６５や絶縁層４
６７を形成してもよい。
【０１９４】
絶縁層４０５としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、第１
の電極４０１上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される
傾斜面となるように形成することが好ましい。
【０１９５】
絶縁層４０５の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。
【０１９６】
［トランジスタ］
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、ス
タガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、
トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としても
よい。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。例えば、シリコン
やゲルマニウム、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用すること
ができる。半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、又は結晶性を有す
る半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれ
を用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制され
るため好ましい。シリコンとしては、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン
等を用いることができ、酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物等を
用いることができる。
【０１９７】
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無け
れば設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層４２４がトランジスタの下地膜を兼ね
ることができる。
【０１９８】
［有機ＥＬ素子］
本発明の一態様の発光装置に用いる有機ＥＬ素子の構造は特に限定されない。トップエミ
ッション構造の有機ＥＬ素子を用いてもよいし、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子
を用いてもよいし、デュアルエミッション構造の有機ＥＬ素子を用いてもよい。
【０１９９】
一対の電極間に有機ＥＬ素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４０２に陽極
側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４
０２において再結合し、ＥＬ層４０２に含まれる発光物質が発光する。
【０２００】
有機ＥＬ素子において、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
【０２０１】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、
銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト
、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれ
ら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成するこ
とで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。
例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めること
ができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０２０２】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【０２０３】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
【０２０４】
ＥＬ層４０２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層４０２は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０２０５】
ＥＬ層４０２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層４０２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
【０２０６】
［着色層、遮光層、及びオーバーコート］
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０２０７】
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する有機ＥＬ素子からの
光を遮光し、隣接する有機ＥＬ素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を
、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層とし
ては、有機ＥＬ素子からの発光を遮光する材料を用いることができ、例えば、金属材料や
顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層
は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れ
を抑制できるため好ましい。
【０２０８】
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の有機ＥＬ素子への拡散を防止することができる。
オーバーコートは、有機ＥＬ素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シ
リコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜
を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
【０２０９】
また、接着層４０７の材料を着色層４３２及び遮光層４３１上に塗布する場合、オーバー
コートの材料として接着層４０７の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好まし
い。例えば、オーバーコート４５３（図１４（Ｃ）参照）として、ＩＴＯ膜などの酸化物
導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。
【０２１０】
［導電層］
トランジスタの電極や配線、又は有機ＥＬ素子の補助配線等として機能する導電層は、例
えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオ
ジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は
積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成して
もよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等
）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０２１１】
また、補助配線の膜厚は、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好まし
くは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
【０２１２】
補助配線の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、補助配線を構成する金属が粒
状になって凝集する。そのため、補助配線の表面が粗く隙間の多い構成となる。例えば、
図１２（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、絶縁層４０５上に補助配線として機能する導電層４
０８を形成すると、ＥＬ層４０２が導電層４０８を完全に覆うことが難しく、上部電極（
第２の電極４０３）と補助配線（導電層４０８）との電気的な接続をとることが容易にな
り好ましい。
【０２１３】
［光取り出し構造］
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィ
ルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルム
を、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接
着することで、光取り出し構造を形成することができる。
【０２１４】
［接続体］
接続体４９７としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。
【０２１５】
＜装置の作製方法１＞
以下では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、図１３（Ａ）、（Ｃ）に示すカラーフィ
ルタ方式を用いたボトムエミッション構造の発光装置（上記構成例４）を作製する例を示
す。図１５（Ａ）以降では、上記構成例４の駆動回路部４９３を省略して示す。
【０２１６】
なお、被剥離層の構成を変えることで、上記構成例１〜３も同様の方法により作製できる
。
【０２１７】
まず、図１５（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３、絶縁層４２４、ト
ランジスタ、絶縁層４６３、絶縁層４６５、着色層４３２、導電層４３５、絶縁層４６７
をこの順で形成する。ここで、導電層４３５と同一の工程、同一の材料で、導電層４５７
も形成する。次に、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第１
の電極４０１を形成する。そして、第１の電極４０１の端部を覆う絶縁層４０５を形成す
る。ここで、絶縁層４２４から絶縁層４０５までが被剥離層に相当する。
【０２１８】
また、図１５（Ｂ）に示すように、仮支持基板２９１上に枠状の隔壁２９９と、隔壁２９
９の内側の剥離用接着剤２９７と、を形成する。このとき、剥離用接着剤２９７には、仮
支持基板２９１と被剥離層とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用
いる。なお、被剥離層上に、枠状の隔壁２９９と、隔壁２９９の内側の剥離用接着剤２９
７を形成してもよい。
【０２１９】
次に、仮支持基板２９１と作製基板２０１とを剥離用接着剤２９７により貼り合わせ、剥
離用接着剤２９７を硬化させる。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する
（図１５（Ｃ））。少なくとも絶縁層４２４の一部を除去することで剥離の起点を形成で
きる。ここでは、絶縁層４２４及び剥離層２０３の一部を除去する例を示す。なお、剥離
の起点を形成する工程を示す各図において、剥離の起点が形成される領域は点線で囲って
示す。剥離の起点を形成する際の詳細については、実施の形態１を参照できる。
【０２２０】
形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板２０１とを分離する（図１６（Ａ））。
【０２２１】
次に、作製基板２０１から剥離され、露出した絶縁層４２４と、可撓性基板４２０とを接
着層４２２により貼り合わせる（図１６（Ｂ））。
【０２２２】
その後、剥離用接着剤２９７を溶解又は可塑化させて、仮支持基板２９１を取り除く。そ
して、被剥離層（ここでは絶縁層４０５など）が露出するように剥離用接着剤２９７を水
や溶媒などで除去する（図１６（Ｃ））。
【０２２３】
以上により、被剥離層を作製基板２０１から可撓性基板４２０上に転置することができる
。
【０２２４】
その後、露出した第１の電極４０１及び絶縁層４０５上にＥＬ層４０２及び第２の電極４
０３を形成し、有機ＥＬ素子４５０と可撓性基板４２８とを接着層４０７により接着する
。最後に、異方性導電材で入出力端子部の各電極にＦＰＣ４９５を貼り付ける。必要があ
ればＩＣチップなどを実装させてもよい。なお、可撓性基板がたわみやすいと、ＦＰＣや
ＴＣＰを取り付ける際に、貼り合わせの精度が低下する場合がある。したがって、ＦＰＣ
やＴＣＰを取り付ける際に、作製した装置をガラスやシリコーンゴム等で支持してもよい
。これによりＦＰＣ又はＴＣＰと、機能素子との電気的な接続を確実にすることができる
。
【０２２５】
以上により、図１３（Ｃ）に示す発光装置を作製することができる。
【０２２６】
＜装置の作製方法２＞
以下では、本発明の一態様の剥離方法を用いて、図１３（Ａ）、図１４（Ａ）に示すカラ
ーフィルタ方式を用いたトップエミッション構造の発光装置（上記構成例５）を作製する
例を示す。
【０２２７】
また、一枚の基板上に１つの発光装置を作製する例だけでなく、一枚の基板上に複数の発
光装置を作製する場合の作製方法についても説明する。具体的には、剥離層を発光装置ご
とに設ける場合（図１０（Ｈ）の被剥離層１０５及び剥離層１０３を参照できる）と１つ
の剥離層上に複数の発光装置を設ける場合（図１０（Ｉ）の被剥離層１０５及び剥離層１
０３を参照できる）と、の２通りを説明する。
【０２２８】
まず、図１７（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３、絶縁層４２４、ト
ランジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５をこの順で形成する。そして、絶縁層４
６３、絶縁層４６５の一部を開口し、トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気
的に接続する第１の電極４０１を形成する。なお、トランジスタのソース電極及びドレイ
ン電極と同一の工程、同一の材料で、導電層４５７も形成する。
【０２２９】
そして、第１の電極４０１の端部を覆う絶縁層４０５を形成する。次に、第１の電極４０
１及び絶縁層４０５上にＥＬ層４０２を形成し、ＥＬ層４０２上に第２の電極４０３を形
成する。なお、事前に絶縁層４６３及び絶縁層４６５の導電層４５７と重なる領域に開口
部を設け、該開口部に、ＥＬ層４０２と同一の工程、同一の材料で、ＥＬ層４８２を形成
し、第２の電極４０３と同一の工程、同一の材料で、導電層４８３を形成する。ＥＬ層４
８２や導電層４８３は必ずしも設けなくてもよい。ここで、絶縁層４２４から第２の電極
４０３（又は導電層４８３）までが被剥離層に相当する。
【０２３０】
また、図１７（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３及び絶縁層２２６を
この順で形成する。次に、絶縁層２２６上に遮光層４３１及び着色層４３２を形成する。
次に、絶縁層２２６上に枠状の隔壁２１１と、隔壁２１１の内側の接着層４０７と、を形
成する。
【０２３１】
次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを接着層４０７により貼り合わせ、接着層４０
７を硬化させる。そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１７（Ｃ）
）。ここでは、絶縁層４２４及び剥離層２０３の一部を除去する例を示す。剥離の起点を
形成する際の詳細については、実施の形態１を参照できる。
【０２３２】
なお、剥離層１つにつき、剥離の起点を少なくとも１か所形成する。したがって、剥離層
を発光装置ごとに設ける場合では、作製基板２０１に設けられている剥離層２０３の数以
上（言い換えると発光装置の数以上）、剥離の起点を設ける。図１９（Ａ）では、作製す
る発光装置の数だけ、剥離の起点を設ける例を示す。一方、図１０（Ｉ）に示す１つの剥
離層上に発光装置を複数設ける場合では、図１９（Ｂ）に示すように、少なくとも１か所
に剥離の起点を設ければよい。
【０２３３】
次に、形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板２０１とを分離する。これにより、
被剥離層が作製基板２０１から作製基板２２１に転置される（図１８（Ａ））。一枚の基
板上に複数の発光装置を作製する例は、図２０（Ａ）、（Ｂ）を参照できる。
【０２３４】
次に、作製基板２０１から剥離され、露出した絶縁層４２４と、可撓性基板４２０とを接
着層４２２により接着する。次にレーザ光の照射により剥離の起点を形成する（図１８（
Ｂ））。
【０２３５】
ここでは、可撓性基板４２０上に枠状の隔壁２３５と、隔壁２３５の内側の接着層２３３
と、を形成する。一枚の基板上に複数の発光装置を作製する例は、図２１（Ａ）、（Ｂ）
を参照できる。
【０２３６】
本作製方法では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせ
た後に、剥離をし、可撓性基板に該被剥離層を転置することができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。したがって、有機ＥＬ素子とカラーフィルタの貼り合わせの位置合わせ精度が高い
作製方法であるといえる。
【０２３７】
そして、形成した剥離の起点から、絶縁層２２６と作製基板２２１とを分離する（図１８
（Ｃ））。一枚の基板上に複数の発光装置を作製する例は、図２２（Ａ）、（Ｂ）を参照
できる。
【０２３８】
以上により、被剥離層を作製基板２０１及び作製基板２２１から可撓性基板４２０上に転
置することができる。
【０２３９】
その後、導電層４５７を露出する工程と、絶縁層２２６及び可撓性基板４２８を、接着層
４２６を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。
【０２４０】
例えば、図２３（Ａ）に点線で囲って示すように、絶縁層２２６の一部を除去する。針や
カッターなどの刃物で傷つけてもよいし、レーザ光を照射してもよい。絶縁層２２６だけ
でなく、接着層４０７や導電層４８３、ＥＬ層４８２の一部を除去してもよい。
【０２４１】
次に、絶縁層２２６を除去した領域をきっかけに、導電層４５７と重なる絶縁層２２６、
接着層４０７、ＥＬ層４８２、及び導電層４８３を除去する（図２３（Ｂ））。例えば、
粘着性のローラーを絶縁層２２６に押し付け、ローラーを回転させながら相対的に移動さ
せる。または、粘着性のテープを絶縁層２２６に貼り付け、剥してもよい。ＥＬ層４８２
と導電層４８３の密着性や、ＥＬ層４８２を構成する層どうしの密着性が低いため、ＥＬ
層４８２と導電層４８３の界面、又はＥＬ層４８２中で分離が生じる。これにより、絶縁
層２２６、接着層４０７、ＥＬ層４８２、又は導電層４８３の導電層４５７と重なる領域
を選択的に除去することができる。なお、導電層４５７上にＥＬ層４８２等が残存した場
合は、有機溶剤等により除去すればよい。
【０２４２】
なお、導電層４５７が露出し、後の工程でＦＰＣ４９５と電気的に接続することができれ
ば、導電層４５７と重なる層を除去する方法は問わない。必要が無ければＥＬ層４８２や
導電層４８３を導電層４５７に重ねて形成しなくてもよい。例えば、ＥＬ層４８２中で分
離が生じる場合は導電層４８３を設けなくてもよい。また、用いる材料によっては、ＥＬ
層４８２と接着層４０７が接することで、２層の材料が混合する、層の界面が不明確にな
る等の不具合が生じる場合がある。このようなときには、発光装置の信頼性の低下を抑制
するため、ＥＬ層４８２と接着層４０７の間に導電層４８３を設けることが好ましい。
【０２４３】
そして、絶縁層２２６及び可撓性基板４２８を、接着層４２６を用いて貼り合わせる（図
２３（Ｃ））。
【０２４４】
その後、露出した導電層４５７に接続体４９７を介してＦＰＣ４９５を電気的に接続させ
ればよい。
【０２４５】
以上により、図１４（Ａ）に示す発光装置を作製することができる。
【０２４６】
なお、以下の方法を適用することで図１４（Ｃ）に示す発光装置を作製することができる
。
【０２４７】
まず、図２４（Ａ）に示すように、絶縁層２２６及び可撓性基板４２８を、接着層４２６
を用いて貼り合わせる。次に、図２４（Ｂ）に点線で囲って示すように、可撓性基板４２
８、接着層４２６、及び絶縁層２２６の一部を除去する。接着層４０７や導電層４８３、
ＥＬ層４８２の一部を除去してもよい。また、可撓性基板４２８に点状もしくは線状の切
り込みを枠状に入れることが好ましい（図２４（Ｂ）に点線で囲って示す）。切り込みの
深さは、可撓性基板４２８の膜厚の半分以上であることが好ましい。可撓性基板４２８だ
けでなく、接着層４２６や絶縁層２２６等にまで切り込みを入れてもよい。
【０２４８】
次に、可撓性基板４２８等を除去した領域をきっかけに、導電層４５７と重なる可撓性基
板４２８、接着層４２６、絶縁層２２６、接着層４０７、ＥＬ層４８２、及び導電層４８
３を除去する（図２５）。各層を除去する方法の一例は上述の通りである。
【０２４９】
その後、露出した導電層４５７に接続体４９７を介してＦＰＣ４９５を電気的に接続させ
ればよい。
【０２５０】
以上により、図１４（Ｃ）に示す発光装置を作製することができる。
【０２５１】
以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、剥離の起点を形成し、剥離層と
被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留ま
りを向上させることができる。したがって、歩留まりよく発光装置を作製できる。
【０２５２】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０２５３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製できる電子機器及び照明装
置について、図２６を用いて説明する。
【０２５４】
電子機器や照明装置に用いることができる発光装置、表示装置、半導体装置等は、本発明
の一態様の剥離方法を適用して作製することで、歩留まりよく作製できる。また、本発明
の一態様の剥離方法を適用することで、生産性高く、フレキシブルな電子機器や照明装置
を作製できる。
【０２５５】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２５６】
また、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された装置は可撓性を有するため、家屋
やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むこ
とも可能である。
【０２５７】
図２６（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本
発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置を表示部７４０２に用いることに
より作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯
電話機を歩留まりよく提供できる。
【０２５８】
図２６（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。
【０２５９】
また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
【０２６０】
図２６（Ｂ）は、リストバンド型の携帯表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１
００は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び送受信装置７１０４
を備える。
【０２６１】
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
【０２６２】
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、表示する映像の切り替え
、又は音声のボリュームの調整などを行うことができる。
【０２６３】
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置
が組み込まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い
携帯表示装置を歩留まりよく提供できる。
【０２６４】
図２６（Ｃ）〜（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７
２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０
１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
【０２６５】
図２６（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０２６６】
図２６（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
【０２６７】
図２６（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
【０２６８】
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０２６９】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０２７０】
ここで、各発光部には、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された発光装置が組み
込まれている。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装
置を歩留まりよく提供できる。
【０２７１】
図２６（Ｆ）には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置７３００は、筐体７
３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５
を備える。
【０２７２】
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７３０２を備える。
【０２７３】
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそなえ
る。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０２７４】
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
【０２７５】
図２６（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態の表示
装置７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、
筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図２６（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
【０２７６】
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０２７７】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
【０２７８】
表示部７３０２には、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置が組み込
まれている。本発明の一態様により、軽量で、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく
提供できる。
【０２７９】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０２８０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法に用いることができるレーザ照射システム
について、図２７を用いて説明する。
【０２８１】
図２７（Ａ）、（Ｂ）に示すレーザ照射システムは、それぞれ、ステージ５０３、処理部
５０５、表示装置５０７、カメラ５０９、レーザ装置５１１、位置合わせ機構５１３、及
び光源５１５を有する。
【０２８２】
ステージ５０３に配置する試料５０１としては、例えば、図１（Ｂ）に示す構成や図６（
Ａ）に示す構成が挙げられる。
【０２８３】
表示装置５０７には、処理部５０５を介してカメラ５０９の観察結果が出力される。
【０２８４】
カメラ５０９には、例えば、カメラを含む光学顕微鏡等を用いることができる。カメラ５
０９で検出された光は、処理部５０５で処理され、画像として表示装置５０７に表示され
る。
【０２８５】
レーザ装置５１１は、剥離の起点を形成するためのレーザ光を照射することができる装置
である。
【０２８６】
処理部５０５は、表示装置５０７、カメラ５０９、レーザ装置５１１、位置合わせ機構５
１３、及び光源５１５と接続されている。本実施の形態のレーザ照射システムは、処理部
５０５を有するため、カメラ５０９の観察結果等に応じて、自動で、位置合わせ機構５１
３やレーザ装置５１１、光源５１５を動作させる設定とすることができる。また、表示装
置５０７に出力されるカメラの観察結果等に応じて、実施者が適宜、位置合わせ機構５１
３やレーザ装置５１１、光源５１５を動作させることもできる。
【０２８７】
以下では、試料５０１におけるレーザ光照射位置５９３を、マーカ位置５９１からの距離
によって設定した場合を例に挙げて説明する。なお、カメラ５０９によって、直接レーザ
光照射位置５９３を検出してもよい。
【０２８８】
まず、図２７（Ａ）に示すレーザ照射システムについて説明する。
【０２８９】
はじめに、位置合わせ機構５１３を用いてステージ５０３を動かしながら、カメラ５０９
によって光を検出する。光源５１５からの光５３５は、ハーフミラー５１７及び集光レン
ズ５２３を介して試料５０１に照射される。試料５０１からの反射光５３３が集光レンズ
５２３及びハーフミラー５１７を介してカメラ５０９に照射される。これによって、試料
５０１におけるマーカ位置５９１を特定する。このとき、シャッター５２１は閉じている
。
【０２９０】
レーザ光照射位置５９３とマーカ位置５９１の距離をあらかじめ決定しておくことで、カ
メラ５０９でレーザ光照射位置５９３を直接特定しなくても、所定の位置にレーザ光を照
射することができる。これにより、カメラ５０９や光源５１５にレーザ光が照射されるこ
とを抑制でき、好ましい。なお、カメラ５０９や光源５１５と重なるシャッターを設けて
もよい。
【０２９１】
続いて、シャッター５２１を開いて、レーザ装置５１１からレーザ光５３１を発振する。
レーザ光５３１は、ミラー５１９、集光レンズ５２３を介して、試料５０１におけるレー
ザ光照射位置５９３（マーカ位置５９１から所定の距離に位置する）に照射される。これ
により、剥離の起点を試料５０１に形成することができる。なお、レーザ光５３１が透過
する集光レンズと、光５３５及び反射光５３３が透過する集光レンズとは、同一であって
もよいし、それぞれ異なるレンズであってもよい。
【０２９２】
図２７（Ａ）のレーザ照射システムでは、光源５１５からの光５３５が試料５０１にて反
射した光（反射光５３３）を用いて、マーカ位置５９１、さらにはレーザ光照射位置５９
３を特定できる。したがって、透光性の低い試料（剥離層に遮光膜を用いた試料等）であ
っても、レーザ光を照射する位置を容易に特定できる。
【０２９３】
次に、図２７（Ｂ）に示すレーザ照射システムについて説明する。
【０２９４】
はじめに、位置合わせ機構５１３を用いてステージ５０３を動かしながら、カメラ５０９
によって光を検出する。光源５１５からの光５３５は、試料５０１及び集光レンズ５２３
ａを介してカメラ５０９に照射される。これによって、試料５０１におけるマーカ位置５
９１を特定する。このとき、シャッター５２１は閉じている。
【０２９５】
続いて、シャッター５２１を開いて、レーザ装置５１１からレーザ光５３１を発振する。
レーザ光５３１は、ミラー５１９、集光レンズ５２３ｂを介して、試料５０１におけるレ
ーザ光照射位置５９３に照射される。これにより、剥離の起点を試料５０１に形成するこ
とができる。
【０２９６】
図２７（Ｂ）のレーザ照射システムでは、光源５１５からの光が試料５０１を透過した光
５３７（透過光）を用いて、マーカ位置５９１、さらにはレーザ光照射位置５９３を特定
できる。
【０２９７】
また、本実施の形態のレーザ照射システムは、使用者がカメラ５０９を介してマーカ位置
５９１やレーザ光照射位置５９３を確認しなくても、処理部５０５を用いて所定の位置に
剥離の起点を形成できる。
【０２９８】
例えば、あらかじめ撮影しておいた試料５０１上の画像と、カメラ５０９により検出され
た画像とを重ねあわせることにより、マーカ位置５９１を特定してもよい。
【０２９９】
また、直接レーザ光照射位置５９３を特定する場合は、接着層の端部や、接着層と隔壁と
の境界に相当する位置を特定すればよい。このとき、接着層及び隔壁に異なる材料を用い
ることで、位置の特定が容易となり好ましい。例えば、一方の材料に、ゼオライト等の粒
子を含むことで、接着層及び隔壁の境界を明瞭にできる。
【０３００】
次に、カメラ５０９によって、レーザ光照射位置５９３を直接検出することができるレー
ザ照射システムについて図３２を用いて説明する。
【０３０１】
図３２では、可動式のハーフミラー５１７を用いる。ハーフミラー５１７の向きを変える
ことで、試料５０１に光源５１５からの光５３５、又はレーザ光５３１を照射することが
できる。
【０３０２】
はじめに、シャッター５２１ａを開き、位置合わせ機構５１３を用いてステージ５０３を
動かしながら、カメラ５０９によって光を検出する。光源５１５からの光５３５は、シャ
ッター５２１ｃが開くと、ハーフミラー５１７及び集光レンズ５２３を介して試料５０１
に照射される。試料５０１からの反射光５３３が集光レンズ５２３及びハーフミラー５１
７を介してカメラ５０９に照射される。これによって、試料５０１におけるレーザ光照射
位置５９３を特定する。このとき、シャッター５２１ｂは閉じている。
【０３０３】
続いて、シャッター５２１ａ、ｃを閉じ、ハーフミラー５１７の向きを変え、シャッター
５２１ｂを開いて、レーザ装置５１１からレーザ光５３１を発振する。レーザ光５３１は
、ミラー５１９、集光レンズ５２３を介して、試料５０１におけるレーザ光照射位置５９
３に照射される。これにより、剥離の起点を試料５０１に形成することができる。
【０３０４】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【実施例１】
【０３０５】
本実施例では、本発明の一態様の剥離方法について説明する。本発明の一態様の剥離方法
において、剥離の起点を形成することができたか否かについて確認する方法の一例を示す
。
【０３０６】
まず、支持基板であるガラス基板６５１上に、下地膜６５３として膜厚２００ｎｍの酸化
窒化シリコン膜を形成した。次に、下地膜６５３上に膜厚３０ｎｍのタングステン膜６５
５を形成した。次に、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理を行い、タングステン膜の表面
に酸化タングステン膜６５７を形成した。ここで、タングステン膜６５５及び酸化タング
ステン膜６５７は剥離層に相当する。次に、被剥離層６５９として５層の絶縁層を形成し
た。具体的には、膜厚６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、膜厚２００ｎｍの窒化シリコン
膜、膜厚２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜、膜厚１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜、及び
膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をこの順で形成した。そして、エポキシ樹脂６６１
を用いて該絶縁層と対向基板であるガラス基板６６３とを貼り合わせた（図２９（Ｃ）、
（Ｄ）参照）。
【０３０７】
次に、エポキシ樹脂の端部と重なるように、レーザ光を照射した。ここでは、波長５３２
ｎｍのパルスレーザを用い、パルス幅を１０ナノ秒（ｎｓ）とした。レーザ光を照射する
領域は約１５０μｍ×約１５０μｍである。
【０３０８】
図２８（Ａ）に、エネルギー０．１５ｍＪの条件でレーザ光を照射した試料を光学顕微鏡
で観察した結果を示す。また、図２８（Ｂ）に、エネルギー０．０４５ｍＪの条件でレー
ザ光を照射した比較試料を光学顕微鏡で観察した結果を示す。なお、観察には透過光を用
いた。
【０３０９】
図２８（Ａ）の写真の模式図を図２９（Ａ）に示し、その予想される断面模式図を図２９
（Ｃ）に示す。また、図２８（Ｂ）の写真の模式図を図２９（Ｂ）に示し、その予想され
る断面模式図を図２９（Ｄ）に示す。
【０３１０】
図２９（Ａ）に示す領域６０１はエポキシ樹脂が設けられている領域であり、領域６０２
は、エポキシ樹脂が設けられていない領域である。レーザ光照射領域６０５は、領域６０
１及び領域６０２にわたって位置し、領域６０１に含まれるレーザ光照射領域６０６と、
領域６０２に含まれるレーザ光照射領域６０７とからなる。レーザ光照射領域６０６では
、一部が光を透過しており、レーザ光照射領域６０７では、ほぼ全体が光を透過している
。
【０３１１】
レーザ光照射領域６０６における光を透過する部分は、図２９（Ｃ）に示すように、タン
グステン膜６５５、酸化タングステン膜６５７、及び被剥離層６５９が除去され、エポキ
シ樹脂６６１が残存していることが示唆される。また、レーザ光照射領域６０７は、タン
グステン膜６５５、酸化タングステン膜６５７、及び被剥離層６５９だけでなく、エポキ
シ樹脂６６１も存在しない。そして、領域６０４は、タングステン膜６５５と酸化タング
ステン膜６５７との間に空間が形成された領域である。レーザ光の照射により、タングス
テン膜６５５や酸化タングステン膜６５７の温度が上昇し、熱応力や、層内に残存した気
体の放出等の原因で、密着性の低いタングステン膜６５５と酸化タングステン膜６５７の
界面、もしくは酸化タングステン膜６５７中に空間が形成されたと考えられる。
【０３１２】
図２８（Ａ）の試料を、ガラス基板６６３を持ち上げることで剥離したところ、タングス
テン膜６５５と酸化タングステン膜６５７との界面で分離した。
【０３１３】
図２９（Ｂ）に示す領域６１１はエポキシ樹脂が設けられている領域であり、領域６１２
は、エポキシ樹脂が設けられていない領域である。レーザ光照射領域６１５は、領域６１
１及び領域６１２にわたって位置する。レーザ光照射領域６１５には、光を完全に透過す
る領域がないため、レーザ光の照射によって、タングステン膜６５５が完全に除去された
場所がないことが示唆される。
【０３１４】
図２９（Ｄ）に示すように、領域６１３は、タングステン膜６５５と酸化タングステン膜
６５７との間に空間が形成され、エポキシ樹脂６６１が残存していない領域である。領域
６１４は、タングステン膜６５５と酸化タングステン膜６５７との間に空間が形成され、
エポキシ樹脂６６１が存在している領域である。レーザ光の照射により、タングステン膜
６５５や酸化タングステン膜６５７の温度が上昇し、熱応力や、層内に残存した気体の放
出等の原因で、密着性の低いタングステン膜６５５と酸化タングステン膜６５７の界面、
もしくは酸化タングステン膜６５７中に空間が形成されたと考えられる。
【０３１５】
図２８（Ｂ）の試料を、ガラス基板６６３を持ち上げることで剥離したところ、エポキシ
樹脂６６１と被剥離層６５９の界面、もしくはエポキシ樹脂６６１中で分離し、被剥離層
６５９を剥離し、ガラス基板６５１からガラス基板６６３側に転置することはできなかっ
た。
【０３１６】
実施の形態１にて説明した通り、剥離の起点の形成には、少なくとも、被剥離層のうち剥
離層と接する層を損傷させればよい。ここで、遮光膜を剥離層に用いた場合には、該剥離
層も損傷させることで、剥離の起点の形成前後で、損傷箇所（剥離の起点の形成箇所）の
可視光の透過率が変化する。これにより、剥離の起点を形成できたか否かを、容易に判断
することができるため好ましい。本実施例の方法を適用して、確実に剥離の起点を形成で
きたことを確認した後、剥離を行うことで、歩留まりを向上させることができる。
【符号の説明】
【０３１７】
１０１    作製基板
１０３    剥離層
１０５    被剥離層
１０７    接着層
１０９    基板
１１１    隔壁
１１３    樹脂層
１１５    照射領域
１１７    剥離開始領域
２０１    作製基板
２０３    剥離層
２０５    被剥離層
２０７    接着層
２１１    隔壁
２２１    作製基板
２２３    剥離層
２２５    被剥離層
２２６    絶縁層
２３１    基板
２３３    接着層
２３５    隔壁
２９１    仮支持基板
２９７    剥離用接着剤
２９９    隔壁
４０１    電極
４０２    ＥＬ層
４０３    電極
４０５    絶縁層
４０６    導電層
４０７    接着層
４０８    導電層
４０９    構造
４１０    導電層
４１１    拡散板
４１３    タッチセンサ
４１６    導電層
４１９    可撓性基板
４２０    可撓性基板
４２２    接着層
４２４    絶縁層
４２６    接着層
４２８    可撓性基板
４３１    遮光層
４３２    着色層
４３５    導電層
４４１    導電層
４４２    導電層
４４３    絶縁層
４４４    可撓性基板
４４５    ＦＰＣ
４５０    有機ＥＬ素子
４５３    オーバーコート
４５４    トランジスタ
４５５    トランジスタ
４５７    導電層
４６３    絶縁層
４６５    絶縁層
４６７    絶縁層
４８２    ＥＬ層
４８３    導電層
４９１    発光部
４９３    駆動回路部
４９５    ＦＰＣ
４９７    接続体
５０１    試料
５０３    ステージ
５０５    処理部
５０７    表示装置
５０９    カメラ
５１１    レーザ装置
５１３    位置合わせ機構
５１５    光源
５１７    ハーフミラー
５１９    ミラー
５２１    シャッター
５２１ａ    シャッター
５２１ｂ    シャッター
５２１ｃ    シャッター
５２３    集光レンズ
５２３ａ    集光レンズ
５２３ｂ    集光レンズ
５３１    レーザ光
５３３    反射光
５３５    光
５３７    光
５９１    マーカ位置
５９３    レーザ光照射位置
６０１    領域
６０２    領域
６０４    領域
６０５    レーザ光照射領域
６０６    レーザ光照射領域
６０７    レーザ光照射領域
６１１    領域
６１２    領域
６１３    領域
６１４    領域
６１５    レーザ光照射領域
６５１    ガラス基板
６５３    下地膜
６５５    タングステン膜
６５７    酸化タングステン膜
６５９    被剥離層
６６１    エポキシ樹脂
６６３    ガラス基板
７１００    携帯表示装置
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    操作ボタン
７１０４    送受信装置
７２００    照明装置
７２０１    台部
７２０２    発光部
７２０３    操作スイッチ
７２１０    照明装置
７２１２    発光部
７２２０    照明装置
７２２２    発光部
７３００    表示装置
７３０１    筐体
７３０２    表示部
７３０３    操作ボタン
７３０４    部材
７３０５    制御部
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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