(57)【要約】【課題】基板を２５℃以下の温度に冷却した条件下で金属膜の酸化処理を行うことが可能な酸化処理モジュールなどを提供する。【解決手段】酸化処理モジュールにおいて、ステージには、金属膜の形成された基板Ｗが載置され、冷却機構は、ステージに載置された基板Ｗを２５℃以下の温度に冷却する。酸化ガス供給部は、ヘッド部の下面（対向面）と、ステージの上面との隙間に向けて、前記金属膜を酸化させるための酸化ガスを供給し、回転駆動部は、回転軸周りにヘッド部を回転させる。【選択図】図３
2020065031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属膜の形成された基板が載置されるステージと、
前記ステージを冷却することにより、当該ステージに載置された基板を
２５℃以下の温度に冷却する冷却機構と、
前記ステージの上面と対向する位置に配置される対向面と、前記ステージの上面との隙間に向けて、前記金属膜を酸化させるための酸化ガスを供給する酸化ガス供給部とを備えたヘッド部と、
前記ステージの上面と交差する回転軸周りに、前記ヘッド部を回転させるための回転駆動部とを備えた、酸化処理モジュール。
【請求項２】
前記酸化ガス供給部には、前記ヘッド部の回転に伴い、前記ステージに載置された基板の全面を走査しながら酸化ガスを供給する位置に設けられたガス吐出孔を備えている、請求項１に記載の酸化処理モジュール。
【請求項３】
前記冷却機構は、熱を奪う低温部を有する冷凍機と、前記ステージと低温部との間に介設され、熱伝導により前記ステージの冷却を行う熱伝導部材とを備えた、請求項１または２に記載の酸化処理モジュール。
【請求項４】
前記熱伝導部材は、前記ステージを下面側から支持する支持部である、請求項３に記載の酸化処理モジュール。
【請求項５】
前記ステージには、前記基板を固定するための静電チャックを構成する電極が内設されている、請求項１ないし４のいずれか一つに記載の酸化処理モジュール。
【請求項６】
前記ステージには、基板の温度調節を行うためのヒータが内設されている、請求項１ないし５のいずれか一つに記載の酸化処理モジュール。
【請求項７】
前記ステージは、内圧を高真空〜中真空の範囲内の真空雰囲気に調節する圧力調節機構を備えた処理容器内に設けられている、請求項１ないし６のいずれか一つに記載の酸化処理モジュール。
【請求項８】
基板搬送容器に対して、大気圧雰囲気下で処理対象の基板の搬入出が行われるロードポートと、
真空雰囲気下で基板の搬送が行われるトランスファーモジュールと、
前記ロードポートとトランスファーモジュールとの間に設けられ、基板が搬送される雰囲気を大気圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えるロードックモジュールと、
ゲートバルブを介して前記トランスファーモジュールに接続され、基板に対してスパッタリングにより前記金属膜の成膜を行う成膜モジュールと、
ゲートバルブを介して前記トランスファーモジュールと接続された請求項１ないし７のいずれか一つに記載の酸化処理モジュールとを備えた、基板処理システム。
【請求項９】
前記トランスファーモジュールには、複数の成膜モジュールが接続されている、請求項８に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
金属膜の形成された基板をステージに載置する工程と、
前記ステージを冷却することにより、当該ステージに載置された基板を２５℃以下の温度に冷却する工程と、
次いで、前記ステージの上面と対向する位置に配置される対向面と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給部とを備えたヘッド部を用い、前記ステージの上面と交差する回転軸周りに前記ヘッド部を回転させながら、前記ステージの上面と対向面との隙間に前記酸化ガスを供給して前記金属膜を酸化させる工程と、を含む、酸化処理方法。
【請求項１１】
前記金属膜を酸化させる工程は、高真空〜中真空の範囲内の真空雰囲気下で行われる、請求項１０に記載の酸化処理方法。
【請求項１２】
前記ステージに載置される前の基板に対し、スパッタリングにより前記金属膜を成膜する工程を含む、請求項１０または１１に記載の酸化処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、酸化処理モジュール、基板処理システム及び酸化処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭなどに比べて優れた特性を有することで期待されているメモリの一つとしてＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory）の開発が進められている。ＭＲＡＭの製造工程には、磁化方向を変化させることが可能な強磁性層を挟んで絶縁膜を形成する処理が含まれる場合がある。
【０００３】
特許文献１には、ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）素子の金属酸化層を成膜するにあたり、スパッタリングによる金属層の形成を行う処理容器内に、当該金属層に向けて酸化ガスを供給することにより金属を酸化させる技術が記載されている。ここで、当該酸化ガスの温度は、５０〜３００℃である場合が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１５−０６４１９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、基板を２５℃以下の温度に冷却した条件下で金属膜の酸化処理を行うことが可能な酸化処理モジュール、この酸化処理モジュールを備えた基板処理システム及び酸化処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の酸化処理モジュールは、金属膜の形成された基板が載置されるステージと、
前記ステージを冷却することにより、当該ステージに載置された基板を
２５℃以下の温度に冷却する冷却機構と、
前記ステージの上面と対向する位置に配置される対向面と、前記ステージの上面との隙間に向けて、前記金属膜を酸化させるための酸化ガスを供給する酸化ガス供給部とを備えたヘッド部と、
前記ステージの上面と交差する回転軸周りに、前記ヘッド部を回転させるための回転駆動部とを備えた、モジュールである。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、基板を２５℃以下の温度に冷却した条件下で金属膜の酸化処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態示に係る基板処理システムの平面図である。
【図２】前記基板処理システムに設けられている成膜モジュールの縦断側面図である。
【図３】前記基板処理システムに設けられている酸化処理モジュールの縦断側面図である。
【図４】前記酸化処理モジュール内で酸化ガスの供給を行うヘッド部の構成図である。
【図５】前記ヘッド部を用いて酸化ガスを供給した場合の酸素ガスの圧力分布のシミュレーション結果である。
【図６】前記酸素ガスの圧力分布を示すグラフである。
【図７】前記基板処理システムを用いて製造した磁気トンネル抵抗素子のＲＡ値の特性分布図である。
【図８】前記基板のＭＲ値の特性分布図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
始めに、本開示の酸化処理モジュール３を備えた基板処理システム１の構成について、図１を参照しながら説明する。  
基板処理システム１は、ロードポート１１、ローダモジュール１２、ロードロックモジュール１３１、１３２、トランスファーモジュール１４、及び複数の処理モジュール１５を備えている。なお図１に示す基板処理システム１において、処理モジュール１５の設置数は８台であるが、必要に応じて、適宜、増減することができる。
【００１０】
ローダモジュール１２は、大気圧雰囲気下において処理対象のウエハＷを搬送する装置である。ローダモジュール１２には、複数のロードポート１１が取り付けられている。各ロードポート１１上には、複数のウエハＷを収容可能な搬送容器Ｆが搭載される。搬送容器Ｆは、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いる場合を例示できる。ローダモジュール１２は、その内部に設けられた搬送アーム１２１を用いて、搬送容器Ｆと後段のロードロックモジュール１３１、１３２との間でウエハＷの搬送を行う。またローダモジュール１２には、ウエハＷの向きを調節するためのオリエンタ１２２が併設されている。
【００１１】
各ロードロックモジュール１３１、１３２は、内部を大気圧雰囲気と、真空雰囲気との間で切り替える装置である。  
トランスファーモジュール１４は、真空雰囲気下にてウエハＷの搬送をする装置である。トランスファーモジュール１４には、既述のロードロックモジュール１３１、１３２、及び複数の処理モジュール１５が接続されている。トランスファーモジュール１４は、その内部に設けられた搬送アーム１４１を用いて、ロードロックモジュール１３１、１３２や各処理モジュール１５の間でウエハＷの搬送を行う。
【００１２】
例えばＭＲＡＭの製造工程において、処理モジュール１５は、ウエハ上に下地膜を形成するためのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）モジュールや金属膜及び磁性膜を含む多層膜や、最上層のマスクを形成するためのスパッタリングを行う成膜モジュールなどにより構成される。  
以下、複数の処理モジュール１５のうち、スパッタリングによる金属膜（下記の例ではマグネシウム（Ｍｇ））の成膜を行うことが可能な成膜モジュール２と、成膜モジュール２にて成膜された金属膜を２５℃以下の温度に冷却しつつ酸化処理を行うことが可能な酸化処理モジュール３とに着目して説明を行う。
【００１３】
図２は、処理モジュール１５の１つである成膜モジュール２の構成例を示している。例えば成膜モジュール２は、ステンレスなど導電性の素材からなり、接地された真空容器２１を備える。真空容器２１の天井部には平面視、円形に形成された２つのターゲット電極２５２が設けられている。これらターゲット電極２５２は、真空容器２１とは電気的に絶縁された状態にて保持されている。各ターゲット電極２５２は、各々直流電源部２５３と接続され、スパッタリング実行時に、例えば負の直流電圧を印加することができる。
【００１４】
ターゲット電極２５２の下面には、各々、金属膜の原料となるターゲット２５１ａ、２５１ｂが接合されている。各ターゲット２５１ａ、２５１ｂは、ウエハＷに対して成膜される金属膜の原料であるＭｇにより構成されている。なお、ターゲット２５１ａ、２５１ｂは、ウエハＷに成膜する金属膜に応じてアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ガリウム（Ｇａ）、マンガン（Ｍｎ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びＨｆ（ハフニウム）などの金属を適宜、選択してよい。
【００１５】
ターゲット２５１ａ、２５１ｂの直下には、シャッター２６が備え付けられている。シャッター２６は、両方のターゲット２５１ａ、２５１ｂの投影領域をカバーする大きさを持つ円形の板であり、回転軸２６２を介して真空容器２１の天井部側から吊り下げられている。回転軸２６２は、回転機構２６３により回転自在に構成される一方、シャッター２６にはターゲット２５１ａ、２５１ｂよりも少し大きいサイズの開口部２６１が１つ形成されている。
【００１６】
従って一方のターゲット２５１ａ、２５１ｂに臨む領域に開口部２６１を位置させたときには、他方のターゲット２５１ｂ、２５１ａはシャッター２６により覆われる。これにより、一方のターゲット２５１ａ、２５１ｂにてスパッタリングを実行しているときに、当該スパッタリングによって発した粒子が他方のターゲット２５１ｂ、２５１ａに付着することを防止できる。
【００１７】
各ターゲット電極２５２に近接する上部側の位置には、マグネット配列体２５４が設けられている。マグネット配列体２５４は、ターゲット２５１ａ、２５１ｂのエロージョンの均一性を高める役割を果たす。マグネット配列体２５４は、透磁性の高い素材、例えば鉄（Ｆｅ）のベース体にＮ極マグネット群、及びＳ極マグネット群を配列し、駆動機構２５５によりターゲット２５１ａ、２５１ｂの背面で回転運動や直進運動をするように構成される。
【００１８】
また、真空容器２１内のターゲット２５１ａ、２５１ｂと対向する位置には、ウエハＷを水平に載置するためのステージ２２が設けられている。ステージ２２は、回転軸２２１を介して真空容器２１の下方側に配置された駆動機構２２３に接続されている。駆動機構２２３は、ステージ２２を回転させる機能と、ステージ２２を昇降させる機能とを備えている。ステージ２２の昇降は、トランスファーモジュール１４側の搬送アーム１４１と昇降ピン２３との間でウエハＷの受け渡しを行う際に実施される。例えば昇降ピン２３は、ウエハＷを下面側から３ヶ所で支持可能なように設けられ、昇降機構２３１により昇降してステージ２２から突没する。
【００１９】
回転軸２２１は真空容器２１の底部を貫通して、駆動機構２２３に接続されている。回転軸２２１が真空容器２１を貫通する位置には真空容器２１内を気密に保つシール部２４が設けられている。  
さらにこのステージ２２内には図示しないヒータが組み込まれており、スパッタリング時にウエハＷを２５〜４００℃の範囲内の温度に加熱することができる。  
【００２０】
また真空容器２１内部には、ウエハＷよりもサイズの大きい円板形状のヘッド部２８１が設けられている。ヘッド部２８１は、端部に設けられた支柱部２８２を中心に水平方向に旋回可能に構成され、ウエハＷを上方側から覆う位置と、当該位置から退避した退避位置との間を移動する。支柱部２８２は真空容器２１の底部を貫通し、回転機構２８３により回転自在に支持されている。支柱部２８２が真空容器２１を貫通する位置には、内部を気密に保つシール部２４が設けられている。
【００２１】
ヘッド部２８１の下面側には、酸化ガスを吐出する複数のガス吐出孔（不図示）がヘッド部２８１の直径に亘って等間隔に配列されている。そして、支柱部２８２内に形成された不図示の流路を介して各吐出孔に酸化ガスが供給されると、ステージ２２に向けて酸化ガスが吐出される。例えば酸化ガスは酸素ガスにより構成され、ウエハＷ上に形成されたＭｇ膜（金属膜）を酸化する酸化処理に利用される。ヘッド部２８１内には加熱部をなす不図示のヒータが設けられ、予備加熱された状態の酸素ガスを吐出することができる。
【００２２】
さらに、真空容器２１の底部には排気路２９１が接続され、排気路２９１は圧力調整部２９２を介して真空排気装置２９３に接続されている。また真空容器２１の側面部にはウエハＷの搬入出口２１１を開閉するゲートバルブ１４２が設けられている。図１に示すように、成膜モジュール２はゲートバルブ１４２を介してトランスファーモジュール１４に接続されている。
【００２３】
さらに真空容器２１の上部側壁には、プラズマ発生用のガスである不活性ガス、例えばＡｒガスを真空容器２１内に供給するためのＡｒガス供給路２７が設けられている。このＡｒガス供給路２７は、バルブやフローメータ等のガス制御機器群２７１を介してＡｒガス供給源２７２に接続されている。
【００２４】
上述の構成を備える成膜モジュール２は、スパッタリングにより、ウエハＷに対してＭｇ膜を形成すると共に、ヘッド部２８１から供給した酸素ガスによりＭｇ膜を酸化する酸化処理を行うことができる。また既述のようにステージ２２やヘッド部２８１は不図示のヒータを備えているので、２５〜４００℃に加熱されたウエハＷに対して予備加熱された酸素ガスを供給し、酸化処理を実施することができる。
【００２５】
ここで、酸化処理によってＭｇ膜が酸化される度合は、Ｍｇ膜に供給され酸素の量、及びＭｇ−酸素間の反応速度によって決まる。またＭｇ−酸素間の反応速度は、ウエハＷの温度に応じて変化する。  
このため、上述の温度範囲よりも低温である２５℃以下の温度にてＭｇ膜の酸化処理を行うことが必要となる場合がある。
【００２６】
一方で、ウエハＷの面内でＭｇ膜を均一に酸化するためには、酸素ガスを吐出するヘッド部２８１に対して、ウエハＷを相対的に回転させる必要があることが分かっている。この点、図２を用いて説明した成膜モジュール２は、回転軸２２１によりステージ２２を回転させることができるので、Ｍｇ膜の均一な酸化処理に好適な構成を備えている。
【００２７】
これに対して、ウエハＷの温度を室温である２５℃以下とするためには、冷却機構を用いてウエハＷの冷却を行う必要がある。この点、発明者らは、電力供給により駆動するヒータを設けたステージ２２と比較して、冷却機構を設けたステージは、伝熱のための冷媒を取り扱わなくてはならないことから、回転させることが困難な場合が多いことを把握した。
【００２８】
ヘッド部２８１に対して、ウエハＷを相対的に回転させる手法としては、ヘッド部２８１側を回転させることも考えられる。しかしながら、真空容器２１の上部側にはターゲット２５１ａ、２５１ｂやシャッター２６が設けられており、これらの機器との干渉を避けてヘッド部２８１の回転機構を設けることは難しい。  
そこで本例の基板処理システム１は、ウエハＷを２５℃以下の温度に冷却した条件下でＭｇ膜（金属膜）の酸化処理を実施する酸化処理モジュール３を備えている。以下、図３を参照しながら酸化処理モジュール３の構成について説明する。
【００２９】
酸化処理モジュール３は、Ｍｇ膜が成膜されたウエハＷが載置されるステージ３２と、当該ウエハＷの冷却を行う冷凍機３３と、ステージ３２上のウエハＷと対向する位置に配置され、酸素ガス（酸化ガス）の吐出を行うヘッド部３４とを、真空容器３１内に設けた構成となっている。
【００３０】
例えば真空容器３１は、ステンレスなどの素材により構成され、その側面には、ウエハＷの搬入出口３１１を開閉するゲートバルブ１４２が設けられている。また図１に示すように、酸化処理モジュール３はゲートバルブ１４２を介してトランスファーモジュール１４に接続されている。  
一方、図３に示すように、真空容器３１の底部には排気路３７１が接続され、排気路３７１は圧力調節部３７２を介して真空排気装置３７３に接続されている。圧力調節部３７２、真空排気装置３７３は、真空容器３１内を１．０×１０−５〜１．０Ｐａの範囲内（高真空〜中真空の範囲に相当）の真空雰囲気に調節する圧力調節機構として構成されている。
【００３１】
この真空容器３１内には、既述の成膜モジュール２にてＭｇ膜が形成された後のウエハＷが載置されるステージ３２が設けられている。ステージ３２は、銅（Ｃｕ）などの高い熱伝導率を有する材料により構成され、ウエハＷを水平に載置することができる。ステージ３２の上面には、不図示の誘電体層が形成され、誘電体層内にはチャック電極３２２が内設されている。誘電体層及びチャック電極３２２は、ウエハＷを吸着保持するための静電チャックを構成している。さらに、ステージ３２内にはウエハＷの温度調節を行うためのヒータ３２３が内設されている。
【００３２】
ここで、当該ステージ３２に対しても、トランスファーモジュール１４側の搬送アーム１４１との間でウエハＷの受け渡しを行う際に用いられる昇降ピンが設けられているが、ここでは図示を省略してある。  
また、ステージ３２には、熱伝達用のヘリウム（Ｈｅ）ガスなどをウエハＷの裏面に供給する不図示のガス供給ラインが設けられている。
【００３３】
ステージ３２の下方側に位置する真空容器３１の外部には、冷凍機３３が設けられている。例えば冷凍機３３は、ヘリウム（Ｈｅ）などのガスを用いたギフォード・マクマホン（Gifford-McMahon）サイクル（Ｇ−Ｍサイクル）により、低温部である冷却ヘッド３２１の温度を低下させる。冷却ヘッド３２１は、例えば円柱状に構成され、その上面にはステージ３２との間に介設され、熱伝導によりステージ３２の冷却を行う熱伝導部材３２４が設けられている。
【００３４】
熱伝導部材３２４は、例えば銅（Ｃｕ）などの高い熱伝導率を有する材料によって構成されている。図３に示す例では、熱伝導部材３２４は、ステージ３２の下面全体と接する上部側の皿状部分と、冷却ヘッド３２１の上面に接する下部側の円板部分とを含んでいる。  
冷凍機３３、及び熱伝導部材３２４は、本例の冷却機構を構成している。また、本例の熱伝導部材３２４は、ステージ３２を下面側から支持する支持部を構成している。
【００３５】
冷凍機３３は、ステージ３２上に載置されたウエハＷを、−２２３．１５℃（５０Ｋ）〜−２５℃の範囲内の温度に冷却する冷却能力を有している。また、温度調節用のヒータ３２３による加熱と組み合わせることにより、ステージ３２上のウエハＷを−２２３．１５℃〜２５℃の温度範囲に調節することもできる。
【００３６】
以上に説明したようにステージ３２は、冷凍機３３に接続された状態でウエハＷの冷却を行うところ、ウエハＷの中心を通過する鉛直軸周りにステージ３２を回転させる回転機構を設けることが難しい。一方で既述のように、ウエハＷに形成されたＭｇ膜を均一に酸化するためには、酸化ガスの供給位置に対し、ウエハＷを相対的に回転させる必要がある。  
そこで本例の酸化処理モジュール３においては、ステージ３２のウエハＷと対向する位置に、酸化ガスの供給を行うヘッド部３４を設け、当該ヘッド部３４をウエハＷに対して相対的に回転させる構成となっている。
【００３７】
図３、図４に示すように、例えばヘッド部３４は、ウエハＷよりもサイズの大きい円板形状に構成されている。ヘッド部３４は、その下面をステージ３２側に向けて対向面を構成している。ヘッド部３４は前記下面とステージ３２上のウエハＷとの間に１〜５０ｍｍの範囲内の例えば３ｍｍの隙間が形成されるように、ステージ３２の上方に配置されている。
【００３８】
図４（ａ）、（ｃ）は、各々、ヘッド部３４を上面側及び下面側から見た平面図である。また図４（ｂ）、（ｄ）は、ヘッド部３４を互いに交差する方向から見た縦断側面図である。  
図３、図４（ａ）に示すように、ヘッド部３４の上面側の中央位置には、当該ヘッド部３４に向けて酸化ガスである酸素ガスを供給すると共に、ヘッド部３４を吊り下げ支持する回転管部３５１が接続されている。
【００３９】
図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、ヘッド部３４には、回転管部３５１から受け入れた酸素ガスを、ヘッド部３４の直径方向に沿って通流させる酸化ガス流路３４１が形成されている。酸化ガス流路３４１の下面には、前記直径方向に沿って一列に配置された複数の吐出孔３４２が形成されている。これら酸化ガス流路３４１、吐出孔３４２は、本例の酸化ガス供給部を構成している。
【００４０】
図３に示すように、回転管部３５１の上流側は、鉛直方向上方側へ向けて延設され、その上端は真空容器３１の天井部を貫通している。回転管部３５１側は、ガス流路３６１と接続され、ガス流路３６１はバルブやフローメータ等のガス制御機器群３６を介して不図示の酸素ガス供給源に接続されている。回転管部３５１が真空容器３１を貫通する位置には、内部を気密に保つシール部３５２が設けられている。
【００４１】
さらに真空容器３１の天井部を貫通した位置における回転管部３５１の上端側には、回転管部３５１を鉛直軸周りに回転させるための回転機構（回転駆動部）３５３が設けられている。回転管部３５１を回転させることにより、当該回転管部３５１から吊り下げ支持されたヘッド部３４を、ステージ３２の上面と交差する鉛直軸周りに回転させることができる。回転管部３５１は、Ｍｇ膜に対する酸化処理の実施期間中に、少なくともヘッド部３４を１回転させる回転速度にて回転管部３５１を回転させる。また、回転機構３５３はヘッド部３４の配置位置を上下方向に移動させる昇降機構としての機能を備えていてもよい。
【００４２】
図１〜図３に示すように、成膜モジュール２、酸化処理モジュール３や他の処理モジュール１５を含む基板処理システム１には、コンピュータからなる制御部４が設けられており、プログラムが格納されている。このプログラムは、基板処理システム１の各部に制御信号を送信して各部の動作を制御し、ウエハＷに対する各処理を実行するためのステップ群が組まれている。このプログラムに基づき、処理対象のウエハＷを各処理モジュール１５に順次、搬送する制御、成膜モジュール２内にてウエハＷに対してＭｇ膜を形成する動作に係る制御、酸化処理モジュール３内にてＭｇ膜の酸化処理を行う動作に係る制御などが実行される。当該プログラムは、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカードなどの記憶媒体から制御部４にインストールされる。
【００４３】
上述の構成を備える成膜モジュール２の作用について説明する。  
はじめに、ロードポート１１に搬送容器Ｆが載置されると、ローダモジュール１２に設けられた不図示の開閉機構により搬送容器Ｆの蓋が取り外される。しかる後、搬送アーム１２１によって処理対象のウエハＷが取り出され、オリエンタ１２２によって向きを調節された後、いずれかのロードロックモジュール１３１、１３２に搬入される。
【００４４】
ロードロックモジュール１３１、１３２では、ウエハＷを収容した内部の雰囲気が大気圧雰囲気から真空雰囲気に切り替えられる。しかる後、搬送アーム１４１によって、ロードロックモジュール１３１、１３２内のウエハＷがトランスファーモジュール１４内に搬入される。そして、予め設定された搬送スケジュールに基づいて、各処理モジュール１５へと順次、ウエハを搬送して所定の処理が実行される。これらの処理により、ウエハＷには、下地膜や、金属膜及び磁性膜を含む多層膜が形成されていく。
【００４５】
ウエハＷに多層膜を形成する過程において、Ｍｇの酸化膜を形成する際には、処理対象のウエハＷは成膜モジュール２に搬入される。  
昇降ピン２３を介して搬送アーム１４１からステージ２２にウエハＷが受け渡されたら、真空容器２１から搬送アーム１４１を退避させ、ゲートバルブ１４２を閉じる。しかる後、Ａｒガス供給路２７から真空容器２１内にＡｒガスを供給すると共に、真空排気装置２９３により真空容器２１内の真空排気を行う。このとき圧力調節部２９２により、真空容器２１内は、例えば１．０×１０−２〜１．０Ｐａの範囲内の真空雰囲気に調節される。
【００４６】
次いで、ステージ２２を例えば１〜１２０ｒｐｍの範囲内の回転速度で回転させると共に、不図示のヒータにより２５〜４００℃の範囲内の温度にウエハＷを加熱する。なお、図２中に破線で示すように、ヘッド部２８１はステージ２２の上方側から退避させている。
【００４７】
しかる後、成膜に用いるターゲット２５１ａ、２５１ｂの上方側のマグネット配列体２５４を駆動させ、その下方位置のターゲット電極２５２に、例えば３００Ｖの直流電圧を印加する。そして、当該ターゲット２５１ａ、２５１ｂの下方側に開口部２６１が位置するようにシャッター２６を回転移動させる。
【００４８】
上述の動作により、ターゲット電極２５２の下方側でＡｒガスがプラズマ化し、ターゲット２５１ａ、２５１ｂ（図２に示す例ではターゲット２５１ｂ）がスパッタリングされる。スパッタリングにより発生したＭｇ粒子が、ステージ２２上のウエハＷの表面に付着することにより、Ｍｇ膜が形成される。数オングストローム程度のＭｇ膜を形成する場合、スパッタリングは数秒〜数十秒程度、実施される。
【００４９】
予め設定された期間、スパッタリングを実行し、所望の膜厚のＭｇ膜が形成されたら、ターゲット電極２５２への電圧印加とＡｒガスの供給、マグネット配列体２５４の駆動を停止させる。また、ターゲット２５１ａ、２５１ｂの下方側からずれた位置に開口部２６１が配置されるように、シャッター２６を回転させる。
【００５０】
次いで、ウエハＷの表面に形成されたＭｇ膜の酸化処理を行うが、酸化処理を実施する際のウエハＷの温度に応じて成膜モジュール２、酸化処理モジュール３のいずれかでの酸化処理が選択される。  
例えば２５〜４００℃の範囲内の温度にウエハＷを加熱して酸化処理を行う場合には、引き続き成膜モジュール２内にて酸化処理を行う。
【００５１】
この場合には、必要に応じて真空容器３１内の圧力を高真空〜中真空の範囲に調節すると共に、支柱部２８２を回転させてヘッド部２８１をステージ２２上のウエハＷの上方位置に移動させる。また、ステージ２２を例えば１〜１２０ｒｐｍの範囲内の回転速度で回転させる。ステージ２２の回転速度は、酸化処理の期間中、少なくともウエハＷが１回転するように設定される。さらに不図示のヒータにより２５〜４００℃の範囲内の温度にウエハＷを加熱する。
【００５２】
そして、支柱部２８２内に形成された流路を介してヘッド部２８１に酸素ガスを供給する。ヘッド部２８１内の不図示のヒータによって予備加熱された酸素ガスは、加熱された状態で回転するウエハＷの表面に向けて吐出され、Ｍｇ膜に向けて万遍なく酸素ガスが供給される。当該酸素ガスの供給により、ウエハＷの表面のＭｇ膜が酸化されてＭｇＯ膜となる。Ｍｇ膜の酸化処理は、Ｍｇ膜の厚さや、ウエハＷの加熱温度に応じて、予め設定された時間、実行される。  
さらに成膜モジュール２内では、スパッタリングによるＭｇ膜の成膜と、ヘッド部２８１を用いたＭｇ膜の酸化処理とを交互に、複数回実施してもよい。
【００５３】
これに対してウエハＷを２５℃以下の温度に冷却して酸化処理を行う場合には、酸化処理モジュール３にて酸化処理を行う。  
即ち、搬入時とは反対の手順で、Ｍｇ膜が形成されたウエハＷを搬送アーム１４１に受け渡し、成膜モジュール２からウエハＷを搬出する。
【００５４】
次いで、酸化処理モジュール３のゲートバルブ１４２を開き、搬入出口２１１を介して真空容器３１内にウエハＷを搬入する。不図示の昇降ピンを介して搬送アーム１４１からステージ３２にウエハＷが受け渡されたら、真空容器３１から搬送アーム１４１を退避させ、ゲートバルブ１４２を閉じる。しかる後、真空排気装置３７３により真空容器３１内の真空排気を行う。このとき、真空容器３１内は、圧力調節部３７２により１．０×１０−５〜１．０Ｐａの範囲内の真空雰囲気に調節される。
【００５５】
次いで、冷凍機３３により、または冷凍機３３による冷却とヒータ３２３よる加熱とを組み合わせることにより、ステージ３２上のウエハＷを−２２３．１５℃〜２５℃の範囲内の温度に冷却する。  
また、ステージ３２上のウエハＷと対向する位置に配置されたヘッド部３４を例えば１〜１２０ｒｐｍの範囲内の回転速度で回転させる。ヘッド部３４の回転速度は、酸化処理の期間中、少なくともヘッド部３４が１回転するように設定される。
【００５６】
そして、回転管部３５１を介して酸化ガス流路３４１に酸素ガスを供給し、下方側のウエハＷに向けて、酸素ガスを吐出する。この結果、ステージ３２上で冷却されているウエハＷの表面に向けて回転するヘッド部３４から酸素ガスが吐出される。当該酸素ガスの供給により、ウエハＷの表面のＭｇ膜が酸化されてＭｇＯ膜となる。Ｍｇ膜の酸化処理は、Ｍｇ膜の厚さや、ウエハＷの加熱温度に応じて、予め設定された時間、実行される。
【００５７】
ここで、図４（ｄ）に示すように、直径方向に沿って複数の吐出孔３４２が一列に配置されていることにより、ヘッド部３４の下面からは概略、直線状の領域に向けて酸素ガスが供給される。そして、ヘッド部３４を回転させることにより、当該直線状の酸素供給領域は、ステージ３２に載置されたウエハＷの全面を走査することができる。
【００５８】
またウエハＷの表面に供給された酸素ガスは、吐出孔３４２が配置されていない両脇の空間に向かって流れる。このような流れが形成されることにより、ヘッド部３４とウエハＷとの隙間に酸素ガスの滞留領域が形成されるとことを抑制し、より均一な酸化処理を行うことができる。
【００５９】
ここで上述のように、酸素ガス供給領域によるウエハＷの全面の走査を行うにあたって、ヘッド部３４の直径に亘って複数の吐出孔３４２を配置することは必須ではない。例えばヘッド部３４の半径よりも長い領域に亘って、吐出孔３４２が配置されていればよい。また、吐出孔３４２の形状は小孔に限定されるものではなく、スリットであってもよい。
【００６０】
また、真空容器３１内を真空雰囲気とした場合であっても、１〜５０ｍｍ程度の隙間を介してウエハＷの上方に円板形状のヘッド部３４を配置することにより、酸素ガスの圧力が相対的に高い領域を形成することができる。この結果、吐出孔３４２から吐出された酸素ガスが直ちに周囲へと散逸することを抑え、Ｍｇ膜の酸化処理を十分に実施することができる。
【００６１】
酸化処理モジュール３を用いた酸化処理が終了したら、搬入時とは反対の手順でＭｇＯ膜が形成されたウエハＷを搬送アーム１４１に受け渡して真空容器３１から搬出する。  
スパッタリングによるＭｇ膜の成膜とウエハＷを冷却した条件下での酸化処理とを交互に、複数回実施する場合には、成膜モジュール２と酸化処理モジュール３との間でウエハＷを繰り返し搬送し、これらの処理を実施する。
【００６２】
所望の厚さを有するＭｇＯ膜が得られたら、予め設定された構造の多層膜が形成されるように、各処理モジュール１５へのウエハＷの搬送、処理を引き続き実施し、最後に最上層にマスクを形成する。  
そして、多層膜の形成が完了したウエハＷは、ロードロックモジュール１３１、１３２を介してローダモジュール１２へと搬出され、元の搬送容器Ｆへと戻される
【００６３】
本開示の技術によれば以下の効果がある。ステージ３２に載置されたウエハＷを冷凍機３３により２５℃以下の温度に冷却すると共に、酸素ガスの供給を行うヘッド部３４側を回転させる。この作用により、ステージ３２側に回転機構を設けることが困難な問題を回避しつつ、ウエハＷの面内で均一な酸化処理を行うことができる。
【００６４】
なおここで、酸化処理モジュール３は、ウエハＷを２５℃以下に冷却した条件下で酸化処理を行うための専用のモジュールとして設置する場合に限定されない。例えば成膜処理システムにおいて従来より使用されている、ウエハＷの冷却処理を行うことを目的として冷凍機３３に接続されたステージ３２を備えた冷却専用の冷却モジュールに、本開示のヘッド部３４を配置してもよい。この例では、冷却モジュール（酸化処理モジュール３）は、ウエハＷの酸化処理と冷却処理とを実施することができるだけでなく、基板処理システム１のフットプリントの増加を抑制できる。
【００６５】
さらに、図２を用いて説明した成膜モジュール２にて酸化処理を実施可能なように構成することも必須ではない。例えば酸化処理モジュール３に設けられた酸化処理モジュール３とヒータ３２３とを切り替えて利用してもよい。この場合には、より広い−２２３．１５〜＋４００℃の温度範囲で酸化処理を実施することができる。当該例では、成膜モジュール２内へのヘッド部２８１の設置を省略できるので、ヘッド部２８１の退避領域を設ける必要がなくなり、成膜モジュール２の小型化に寄与する。
【００６６】
また、ヘッド部３４の直径方向に沿って複数の吐出孔３４２を一列に配置することにより、酸化ガス供給部を構成することは必須の要件ではない。酸素ガスの滞留の問題などが生じない場合には、例えばシャワーヘッドのように、ヘッド部３４の下面全体に多数の吐出孔３４２を分散して配置してもよい。  
これとは反対に、例えばヘッド部３４の中央部の１箇所に吐出孔３４２を設ける構成を否定するものでもない。
【００６７】
さらには、ウエハＷよりも大きなサイズの円板によってヘッド部３４を構成することも必須ではない。例えばウエハＷの直径よりも小さなヘッド部３４を用い、ウエハＷとヘッド部３４との隙間から周囲に向けて流れ出した酸素ガスをウエハＷに沿って通流させることによって、ウエハＷの周縁部に酸素ガスを供給してもよい。
さらにまた、円板形状のヘッド部３４の中央からずれた位置に回転管部３５１を接続し、偏心した位置にてウエハＷを回転させてもよい。
【００６８】
そして、Ｍｇ膜（金属膜）の酸化処理に用いる酸化ガスは酸素ガスに限定されるものではなく、例えばオゾンガスを用いてもよい。  
この他、ウエハＷの冷却を行う冷却機構の構成は、既述の冷凍機３３例に限定されるものではない。例えば、ステージ３２に冷媒の通流路を設け、外部で冷却された冷媒を通流させてウエハＷの冷却を行ってもよい。
【００６９】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【実施例】
【００７０】
（シミュレーション１）
図３、図４を用いて説明した構成の酸化処理モジュール３に基づき、ウエハＷとヘッド部３４の下面との間のシミュレーションモデルを作成し、ウエハＷの表面における酸素ガスの流れを計算した。  
Ａ．シミュレーション条件  
流体解析ソフトを用い、ヘッド部３４を十分に回転させて酸素ガスを供給した場合のウエハＷとヘッド部３４の空間の圧力分布を計算した。ウエハＷの直径は３００ｍｍであり、ヘッド部３４には直径数ｍｍの吐出孔３４２を１列に数十個設けた。  
（実施例１）周囲（真空容器３１内）の圧力を中真空として、１００％の濃度の酸素ガスを１０００ｓｃｃｍの流量で供給した場合のウエハＷ面内の酸素ガスの圧力分布を計算した。
（実施例２）酸素ガスの流量を１００ｓｃｃｍとした点以外は、実際例１と同じ条件で酸素ガスの圧力分布を計算した。
（実施例３）周囲（真空容器３１内）の圧力を高真空として、酸素ガスを１ｓｃｃｍの流量で供給した場合のウエハＷ面内の酸素ガスの圧力分布を計算した。
【００７１】
Ｂ．シミュレーション結果
実施例１〜３の圧力分布をウエハＷの面内に表示した結果を図５（ａ）〜（ｃ）に示し、半径方向の圧力分布をグラフ表示した結果を図６（ａ）〜（ｃ）に示す。図６の各図の横軸は、ウエハＷの半径方向の位置を示し、縦軸は酸素ガスの圧力（規格化された相対値）を示している。
【００７２】
図５（ａ）〜（ｃ）において、実際の計算結果は、酸素ガスの圧力に応じて異なる色彩が割り当てられたカラー図面となっているが、図示の制約上、ここではグレースケールパターンで示してある。図５（ａ）〜（ｃ）の結果によれば、回転するヘッド部３４を用いて酸素ガスを供給することにより、ウエハＷの表面には周方向に沿って回転対称な同心円状の圧力分布が形成されることを確認できる。
【００７３】
従って、図６（ａ）〜（ｃ）に示す酸素ガスの圧力分布は、各ウエハＷの任意の半径方向に沿って見た酸素ガスの圧力分布を示していると言える。  
上記の計算結果において、ウエハＷの表面に形成される酸素ガスの圧力分布の標準偏差である１σを算出した。その結果、実施例１では１σ＝１．９％、実施例２では１σ＝１．８％、実施例３では１σ＝０．７％となり、圧力分布のバラツキを抑制することができることがわかる。
【００７４】
（実験２）
図２の成膜モジュール２、図３の酸化処理モジュール３を含む基板処理システム１を用いて製造した磁気トンネル抵抗素子のウエハＷ面内における物性分布を測定した。
Ａ．実験条件
（実施例４）抵抗素子を評価する物性として、抵抗面積積（ＲＡ：Resistance Area product）、磁気抵抗比（ＭＲ：MagnetoResistance）を測定し、各物性値の面内分布を評価した。
【００７５】
Ｂ．実験結果
実施例４におけるＲＡ値の面内分布を図７に示し、ＭＲ値の面内分布を図８に示す。図７、図８においても、実際の物性値に応じて異なる色彩が割り当てられたカラー図面となっているが、図示の制約上、ここではグレースケールパターンで示してある。
【００７６】
図７に示すＲＡ値、図８に示すＭＲ値のいずれについても、狭い領域内にて各物性値が急激に変化する不均一な分布は確認されなかった。また、実施例４のＲＡ値、ＭＲ値の標準偏差である１σを算出した。その結果、ＲＡ値は１σ＝１．３％、ＭＲ値は１σ＝１．０％となり、良好な結果が得られた。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ          ウエハ
１          基板処理システム
２          成膜モジュール
３          酸化処理モジュール
３２１      冷却ヘッド
３３        冷凍機
３４        ヘッド部
４          制御部
【図１】
2020065031.tif 000003
【図２】
2020065031.tif 000004
【図３】
2020065031.tif 000005
【図４】
2020065031.tif 000006
【図５】
2020065031.tif 000007
【図６】
2020065031.tif 000008
【図７】
2020065031.tif 000009
【図８】
2020065031.tif 000010