(57)【要約】【課題】デポジットの堆積量が多いために、触媒の暖機を十分に行う上で排気の温度が想定よりも低くなることを抑制できるようにした内燃機関の制御装置を提供する。【解決手段】触媒の暖機処理時の場合（Ｓ１８：ＹＥＳ）、点火時期Ａｉｇを遅角させる暖機用遅角量ΔＣＡＴをゼロよりも大きい値とする（Ｓ２０）。また、暖機処理時であって且つデポジットの堆積量と正の相関を有する第３学習値ｒが所定値ｒｔｈ以上である場合（Ｓ２４：ＹＥＳ）、点火時期Ａｉｇを遅角させる遅角補正量ΔＩＮＳをゼロよりも大きい値に算出する（Ｓ２６）。そしてその場合、点火時期Ａｉｇは、第３学習値ｒに基づくノッキングを抑制するための遅角量「ｒ・ＤＬ」に加えて、暖機用遅角量ΔＣＡＴおよび遅角補正量ΔＩＮＳだけ遅角した値に設定される（Ｓ３２，Ｓ３４）。【選択図】図２
2020090924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気通路に設けられた触媒と、該触媒に流入する排気の温度を上昇させるための操作部とを備える内燃機関に適用され、
前記内燃機関の燃焼室内におけるデポジット堆積量を推定する推定処理と、
前記触媒の暖機処理のために前記排気の温度が高くなる側に前記操作部を操作する暖機処理と、
前記暖機処理がなされているときに前記デポジット堆積量が所定量以上の場合、前記デポジット堆積量が大きい場合に小さい場合よりも前記排気の温度が高くなる側に前記操作部を操作する処理であって前記暖機処理を実行していないときと比較して前記排気の温度が高くなる側に前記操作部を操作する処理である暖機補正処理と、を実行する内燃機関の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排気通路に設けられた触媒と、該触媒に流入する排気の温度を上昇させるための操作部とを備える内燃機関に適用される内燃機関の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば下記特許文献１には、触媒を暖機すべく点火時期を遅角する制御装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３２３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ピストン等の燃焼室の区画部材に堆積する堆積物（デポジット）の熱伝導率は、区画部材を構成する素材と比較して熱伝導率が小さい。このため、デポジットが堆積すると、圧縮比が増加するのみならず、燃焼室内の断熱性も高くなる。そのため、デポジットが堆積すると、堆積していない場合と比較して、燃焼室内の混合気の着火、燃焼が早まることから、排気バルブが開弁することによって燃焼室から排気通路に排出される排気の温度が低くなる。そのため、上記装置のように触媒の暖機のために点火時期の遅角量を設定したとしても、デポジットが堆積する場合には、排気の温度が、触媒の暖機を十分に行うための温度よりも低くなるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決すべく、内燃機関の制御装置は、排気通路に設けられた触媒と、該触媒に流入する排気の温度を上昇させるための操作部とを備える内燃機関に適用され、前記内燃機関の燃焼室内におけるデポジット堆積量を推定する推定処理と、前記触媒の暖機処理のために前記排気の温度が高くなる側に前記操作部を操作する暖機処理と、前記暖機処理がなされているときに前記デポジット堆積量が所定量以上の場合、前記デポジット堆積量が大きい場合に小さい場合よりも前記排気の温度が高くなる側に前記操作部を操作する処理であって前記暖機処理を実行していないときと比較して前記排気の温度が高くなる側に前記操作部を操作する処理である暖機補正処理と、を実行する。
【０００６】
上記構成では、暖機処理とは別に、デポジット堆積量が所定量以上である場合には、暖機補正処理によって排気の温度を上昇させる。これにより、デポジットの堆積量が多いために、排気の温度が、触媒の暖機を十分に行うための温度よりも低くなることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態にかかる制御装置および内燃機関を示す図。
【図２】同実施形態にかかる制御装置が実行する処理の手順を示す流れ図。
【図３】デポジットの厚さと熱流束の低下率との関係を示す図。
【図４】同実施形態にかかる筒内温度の推移を示すタイムチャート。
【図５】第２の実施形態にかかる制御装置が実行する処理の手順を示す流れ図。
【図６】第３実施形態にかかる制御装置が実行する処理の手順を示す流れ図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜第１の実施形態＞
以下、内燃機関の制御装置にかかる第１の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【０００９】
図１に示す内燃機関１０は、車両に搭載される。内燃機関１０の吸気通路１２から吸入された空気と、ポート噴射弁１４から噴射された燃料とは、吸気バルブ１６の開弁に伴ってシリンダ１８およびピストン２０によって区画される燃焼室２２に吸入される。燃焼室２２には、筒内噴射弁２４や点火装置２６が設けられている。燃焼室２２において、燃料と空気との混合気は、点火装置２６の火花放電によって燃焼に供され、燃焼によって生じたエネルギは、ピストン２０を介してクランク軸２８の回転エネルギに変換される。燃焼に供された混合気は、排気バルブ３０の開弁に伴って排気として排気通路３２に排出される。排気通路３２には、排気を浄化する三元触媒３４が設けられている。
【００１０】
吸気バルブ１６の開弁時期は、吸気バルブタイミング可変装置４０によって可変とされる。排気バルブ３０の開弁時期は、排気バルブタイミング可変装置４２によって可変とされる。これらは、たとえばクランク軸２８に対するカム軸の回転位相差を調整するアクチュエータによって構成できる。
【００１１】
制御装置５０は、内燃機関１０を制御対象とし、その制御量であるトルクや排気成分比率等を制御すべく、ポート噴射弁１４や、筒内噴射弁２４、点火装置２６、吸気バルブタイミング可変装置４０、排気バルブタイミング可変装置４２等の内燃機関１０の操作部を操作する。制御装置５０は、制御量を制御するために、エアフローメータ６０によって検出される吸入空気量Ｇａや、クランク角センサ６２の出力信号Ｓｃｒ、ノッキングセンサ６４の出力信号Ｓｎ、水温センサ６６によって検出される内燃機関１０の冷却水の温度（ＴＨＷ）を参照する。
【００１２】
制御装置５０は、ＣＰＵ５２、ＲＯＭ５４、およびバックアップＲＡＭ５６を備えており、ＲＯＭ５４に記憶されたプログラムをＣＰＵ５２が実行することにより上記制御量の制御を実行する。なお、バックアップＲＡＭ５６は、制御装置５０の主電源がオフとなり、ＣＰＵ５２等に電力が供給されないときであっても給電が維持されるＲＡＭである。
【００１３】
図２に、制御装置５０が実行する処理の手順を示す。図２に示す処理は、ＲＯＭ５４に記憶されたプログラムをＣＰＵ５２がたとえば所定周期で繰り返し実行することにより実現される。なお、以下では、先頭に「Ｓ」が付与された数字によって、各処理のステップ番号を表現する。
【００１４】
図２に示す一連の処理において、ＣＰＵ５２は、まず、ノッキングセンサ６４の出力信号Ｓｎのバンドパスフィルタ処理等に基づき、所定周波数帯（たとえば５ｋＨｚ以上の周波数帯）の振動強度がノッキング判定値以上であるか否かを判定する（Ｓ１０）。ここで、所定周波数帯は、ノッキングに起因して共振現象が生じる周波数帯である。所定周波数帯は、連続した１つの領域である必要はなく、複数の周波数帯であってもよい。その場合、それら各周波数帯における振動強度の合成値とノッキング判定値との大小比較をする。
【００１５】
そしてＣＰＵ５２は、ノッキング判定値以上であると判定する場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、ノッキングが発生したとして、フィードバック補正量ＫＣＳの遅角側更新量Δａを、内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηに応じて算出する（Ｓ１２）。ここで、フィードバック補正量ＫＣＳは、ノッキングセンサ６４の出力信号Ｓｎに基づくフィードバック制御によって、ノッキングの発生を抑制できる範囲で点火時期を進角側に操作するための操作量である。詳しくは、回転速度ＮＥおよび充填効率ηを入力変数とし、遅角側更新量Δａを出力変数とするマップデータが予めＲＯＭ５４に記憶された状態で、ＣＰＵ５２により遅角側更新量Δａがマップ演算される。なお、回転速度ＮＥは、ＣＰＵ５２により出力信号Ｓｃｒに基づき算出される。また、充填効率ηは、ＣＰＵ５２により、吸入空気量Ｇａおよび回転速度ＮＥに基づき算出される。
【００１６】
そしてＣＰＵ５２は、フィードバック補正量ＫＣＳから遅角側更新量Δａを減算することによって、フィードバック補正量ＫＣＳを更新する（Ｓ１４）。なお、本実施形態では、点火時期は、正で大きい値であるほど進角側の時期であるとしている。
【００１７】
一方、ＣＰＵ５２は、Ｓ１０の処理において否定判定する場合、フィードバック補正量ＫＣＳに、進角側更新量Δｂを加算することによって、フィードバック補正量ＫＣＳを進角側に補正する（Ｓ１６）。なお、進角側更新量Δｂは、遅角側更新量Δａよりも小さい値であることが望ましい。
【００１８】
ＣＰＵ５２は、Ｓ１４，Ｓ１６の処理が完了する場合、三元触媒３４の暖機処理時であるか否かを判定する（Ｓ１８）。ＣＰＵ５２は、たとえば、内燃機関１０の始動からの吸入空気量Ｇａの積算値ＩｎＧａが規定値Ｉｎｔｈ１以下であって且つ水温ＴＨＷが所定温度ＴＨＷｔｈ以下である場合に、三元触媒３４の暖機が完了していないとして暖機処理を実行すればよい。
【００１９】
ＣＰＵ５２は、暖機処理時であると判定する場合（Ｓ１８：ＹＥＳ）、排気の温度を上昇させるための暖機用遅角量ΔＣＡＴをゼロよりも大きい値に算出する（Ｓ２０）。これに対しＣＰＵ５２は、暖機処理時ではないと判定する場合（Ｓ１８：ＮＯ）、暖機用遅角量ΔＣＡＴにゼロを代入する（Ｓ２２）。
【００２０】
ＣＰＵ５２は、Ｓ２０，Ｓ２２の処理が完了する場合、暖機処理時であって且つ、後述する第３学習値ｒが所定値ｒｔｈ以上であるか否かを判定する（Ｓ２４）。ここで、第３学習値ｒは、ピストン２０等へのデポジットの堆積量に起因してノッキングが顕在化する場合にこれを抑制すべく点火時期Ａｉｇを遅角するための遅角補正量である。この処理は、デポジットの付着によって、通常の暖機処理によっては、三元触媒３４の暖機処理を適切に行うことができないか否かを判定する処理である。ここで、これについて説明する。
【００２１】
図３に、ピストン２０に堆積する堆積物（デポジット）の厚さと、燃焼室２２からピストン２０の頂面を介して外部へと流出する熱流速の低下率との関係を示す。図３に示すように、デポジットが厚くなるほど、熱流束の低下率が大きくなる。これは、たとえばピストン２０がアルミ合金である場合、デポジットの熱伝達率がピストン２０の熱伝達率の「１／２００〜１／３００」であるためである。そのため、デポジットが堆積すると、圧縮比が増加するのみならず、燃焼室２２の断熱性も高まる。そして燃焼室２２の断熱性が高まる場合、燃料の着火および燃焼が早くなる要因となる。
【００２２】
図４に、デポジットの有無に応じた燃焼室２２内の温度（筒内温度）の推移例を示す。図４に示すように、デポジットの堆積がある場合、堆積がない場合と比較して早期に筒内の温度が上昇しており、これは、燃焼速度が大きいことを意味する。そして、排気バルブ３０の開弁に伴って排気通路３２に排出される排気の温度は、デポジットの堆積がある場合にはない場合よりも低くなる。
【００２３】
図２に戻り、ＣＰＵ５２は、所定値ｒｔｈ以上であると判定する場合（Ｓ２４：ＹＥＳ）、デポジットに起因して排気の温度が低下していると判定し、点火時期Ａｉｇの遅角補正量ΔＩＮＳをゼロよりも大きい値に算出する（Ｓ２６）。ＣＰＵ５２は、第３学習値ｒが大きい場合に小さい場合よりも遅角補正量ΔＩＮＳを大きい値に算出する。詳しくは、第３学習値ｒから把握されるデポジット量に基づき、デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量や、デポジットに起因した圧縮比の増加量に応じて遅角補正量ΔＩＮＳを算出する。この処理は、たとえば第３学習値ｒを入力変数とし、遅角補正量ΔＩＮＳを出力変数とするマップデータがＲＯＭ５４に予め記憶されている状態で、ＣＰＵ５２により遅角補正量ΔＩＮＳをマップ演算することより実現できる。
【００２４】
ＣＰＵ５２は、Ｓ２４の処理において否定判定する場合、遅角補正量ΔＩＮＳに、ゼロを代入する（Ｓ２８）。
ＣＰＵ５２は、Ｓ２６，Ｓ２８の処理が完了する場合、充填効率ηが規定値ηｔｈ以下であるか否かを判定する（Ｓ３０）。ここで、規定値ηｔｈは、ＥＧＲやデポジットに起因してノッキングが顕著となる充填効率ηの上限値に設定されている。そしてＣＰＵ５２は、規定値ηｔｈ以下であると判定する場合（Ｓ３０：ＹＥＳ）、点火時期Ａｉｇに、「Ａｂ−ＡＲ＋ａ１＋ａ２−ｒ・ＤＬ＋ＫＣＳ−ΔＣＡＴ−ΔＩＮＳ」を代入する（Ｓ３２）。ここで、最進角点火時期Ａｂは、ＭＢＴ点火時期と第１ノック限界点とのうちの遅角側の時期である。ＭＢＴ点火時期は、最大トルクの得られる点火時期（最大トルク点火時期）である。また第１ノック限界点は、ノック限界の高い高オクタン価燃料の使用時に、想定される最良の条件下で、ノッキングを許容できるレベル以内に収めることのできる点火時期の進角限界値（ノック限界点火時期）である。
【００２５】
遅角差分ＡＲは、最進角点火時期Ａｂと第２ノック限界点との差分である。第２ノック限界点は、ノック限界の低い低オクタン価燃料の使用時であってデポジット付着が全く無いときにおいて、ノッキングを許容できるレベル以内に収めることのできる点火時期の進角限界（ノック限界点火時期）を示している。ＣＰＵ５２は、第２ノック限界点が内燃機関１０の動作点に応じて値が異なりうることに鑑み、遅角差分ＡＲを、内燃機関１０の動作点に基づき可変設定する。詳しくは、内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηを入力変数とし、遅角差分ＡＲを出力変数とするマップデータがＲＯＭ５４に予め記憶された状態で、ＣＰＵ５２により遅角差分ＡＲがマップ演算される。
【００２６】
また、第１学習値ａ１は、全負荷領域において、回転速度ＮＥによって分割された領域毎に、フィードバック補正量ＫＣＳの絶対値を小さくするように更新される値である。第２学習値ａ２は、低負荷領域および中負荷領域において、回転速度ＮＥおよび充填効率ηによって分割された領域毎に、フィードバック補正量ＫＣＳの絶対値を小さくするように更新される値である。第２学習値ａ２は、主にＥＧＲに起因したノッキングを抑制するためのものである。
【００２７】
デポジット最大遅角量ＤＬは、第２ノック限界点と第３ノック限界点との差である。第３ノック限界点は、ノック限界の低い低オクタン価燃料の使用時であってデポジットが想定される最大量付着した場合において、ノッキングを許容できるレベル以内に収めることのできる点火時期の進角限界（ノック限界点火時期）を規定する。ＣＰＵ５２は、デポジット最大遅角量ＤＬを、内燃機関１０の動作点に応じて可変設定する。詳しくは、内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηを入力変数とし、デポジット最大遅角量ＤＬを出力変数とするマップデータがＲＯＭ５４に予め記憶された状態で、ＣＰＵ５２によりデポジット最大遅角量ＤＬがマップ演算される。
【００２８】
これに対しＣＰＵ５２は、規定値ηｔｈよりも大きいと判定する場合（Ｓ３０：ＮＯ）、点火時期Ａｉｇに、「Ａｂ−ＡＲ＋ａ１＋ＫＣＳ−ΔＣＡＴ−ΔＩＮＳ」を代入する（Ｓ３４）。
【００２９】
ＣＰＵ５２は、Ｓ３２，Ｓ３４の処理が完了する場合、点火時期Ａｉｇにおいて点火装置２６による火花放電を生じさせるべく、点火装置２６に操作信号ＭＳ３を出力して点火装置２６を操作する（Ｓ３６）。
【００３０】
そして、ＣＰＵ５２は、フィードバック補正量ＫＣＳに応じて、適宜学習値を更新する（Ｓ３８）。詳しくは、ＣＰＵ５２は、充填効率ηが規定値ηｔｈ以下の場合には、第１学習値ａ１、第２学習値ａ２および第３学習値ｒを更新し、規定値ηｔｈよりも大きい場合には、第１学習値ａ１を更新する。ここで、ＣＰＵ５２は、フィードバック補正量ＫＣＳの指数移動平均処理値によって、学習用補正量ＫＣＳｓを算出する。そしてＣＰＵ５２は、規定値ηｔｈ以下であって学習用補正量ＫＣＳｓが進角側基準値ＡＢよりも大きい場合、「ＫＣＳｓ−ＡＢ」を学習値の更新量とし、第１学習値ａ１、および第２学習値ａ２を更新する。詳しくは、ＣＰＵ５２は、第１学習値ａ１、および第２学習値ａ２のそれぞれの更新量の和が「ＫＣＳｓ−ＡＢ」となるようにして且つ、それら２つの更新量同士の相対的な大きさが所定の比率となるようにする。また、ＣＰＵ５２は、規定値ηｔｈ以下であって学習用補正量ＫＣＳｓが遅角側基準値ＡＡよりも小さい場合には、「ＫＣＳｓ−ＡＡ」を学習値の更新量とし、第１学習値ａ１、第２学習値ａ２および第３学習値ｒを更新する。詳しくは、ＣＰＵ５２は、第１学習値ａ１、第２学習値ａ２の更新量の絶対値および「ｒ・ＤＬ」の更新量の和が「ＫＣＳｓ−ＡＡ」の絶対値となるようにして且つ、それら３つの更新量同士の相対的な大きさが所定の比率となるようにする。
【００３１】
一方、規定値ηｔｈよりも大きくて且つ学習用補正量ＫＣＳｓが進角側基準値ＡＢよりも大きい場合、「ＫＣＳｓ−ＡＢ」を第１学習値ａ１の更新量とし、第１学習値ａ１を更新する。また、ＣＰＵ５２は、規定値ηｔｈよりも大きくて且つ学習用補正量ＫＣＳｓが遅角側基準値ＡＡよりも小さい場合には、「ＫＣＳｓ−ＡＡ」を第１学習値ａ１の更新量とし、第１学習値ａ１を更新する。
【００３２】
ちなみに、ＣＰＵ５２は、学習値を更新する場合、学習用補正量ＫＣＳｓやフィードバック補正量ＫＣＳから、学習値の更新量を差し引く処理を実行する。また、第１学習値ａ１、第２学習値ａ２および第３学習値ｒは、バックアップＲＡＭ５６に記憶され、更新されるものである。
【００３３】
なお、ＣＰＵ５２は、Ｓ３８の処理が完了する場合には、図２に示す一連の処理を一旦終了する。
ここで、本実施形態の作用および効果について説明する。
【００３４】
ＣＰＵ５２は、内燃機関１０の始動に伴って三元触媒３４の暖機の有無を判定し、暖機が完了していないと判定する場合には、点火時期Ａｉｇを、暖機完了後と比較して暖機用遅角量ΔＣＡＴだけ遅角させることによって、排気の温度を上昇させ、三元触媒３４の暖機を促進する。その際、ＣＰＵ５２は、第３学習値ｒが所定値ｒｔｈ以上である場合、デポジットの堆積による燃焼室２２内の断熱性の上昇等に起因した排気温度の低下を補償するための遅角補正量ΔＩＮＳだけさらに点火時期Ａｉｇを遅角させる。
【００３５】
したがって、三元触媒３４の暖機処理時において、第３学習値ｒが所定値ｒｔｈ以上である場合には所定値ｒｔｈ未満である場合と比較して、点火時期Ａｉｇが遅角補正量ΔＩＮＳだけ遅角される。そのため、デポジットの堆積量が多いことに起因して排気の温度が低くなる状況において、排気の温度の低下を抑制でき、ひいては三元触媒３４に流入する排気の温度を、暖機処理にとって適切な温度とすることができる。
【００３６】
なお、デポジットが堆積することによって第３学習値ｒが大きくなる場合には、点火時期Ａｉｇは、「ｒ・ＤＬ」だけ遅角される。しかし、この遅角量は、デポジットに起因した圧縮比の増加によるノッキングの発生を抑制するための遅角量に過ぎず、三元触媒３４の暖機処理を行う上で適切な値として適合されているわけではない。これに対し、遅角補正量ΔＩＮＳは、三元触媒３４の暖機処理を行う上で適切な値として適合されており、また、「ｒ・ＤＬ」による点火時期Ａｉｇの遅角がなされる場合であっても、それに上乗せされる遅角量である。
【００３７】
＜第２の実施形態＞
以下、第２の実施形態について、第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００３８】
第１の実施形態では、デポジットの堆積に起因した排気温度の低下を、点火時期Ａｉｇの遅角によって補償したが、本実施形態では、排気バルブ３０の開弁タイミングＥＶＯを進角側とする。
【００３９】
図５に、この処理の手順を示す。図５に示す処理は、ＲＯＭ５４に記憶されたプログラムをＣＰＵ５２がたとえば所定周期で繰り返し実行することにより実現される。
図５に示す一連の処理において、ＣＰＵ５２は、まず、暖機処理時であるか否かを判定し（Ｓ４０）、暖機処理時であると判定する場合（Ｓ４０：ＹＥＳ）、第３学習値ｒが所定値ｒｔｈ以上であるか否かを判定する（Ｓ４２）。そしてＣＰＵ５２は、暖機処理時ではないと判定する場合や（Ｓ４０：ＮＯ）、所定値ｒｔｈ未満であると判定する場合（Ｓ４２：ＮＯ）には、排気バルブ３０の開弁タイミングＥＶＯを、通常通り、内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηに応じて設定する（Ｓ４４）。
【００４０】
これに対し、ＣＰＵ５２は、所定値ｒｔｈ以上であると判定する場合（Ｓ４２：ＹＥＳ）、開弁タイミングＥＶＯを、内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηに加えて、第３学習値ｒに応じて設定する（Ｓ４６）。詳しくはＣＰＵ５２は、第３学習値ｒが大きい場合に小さい場合よりも開弁タイミングＥＶＯを進角側とする。ただし、動作点が同一である場合、Ｓ４６の処理によって設定される開弁タイミングＥＶＯは、Ｓ４４の処理によって設定される開弁タイミングＥＶＯよりも進角側の値となっている。これは、開弁タイミングＥＶＯを進角側とする場合には、排気の温度が高くなることに鑑みたものである。
【００４１】
詳しくは、ＣＰＵ５２は、第３学習値ｒから把握されるデポジット量に基づき、デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量や、デポジットに起因した圧縮比の増加量に応じて開弁タイミングＥＶＯを算出する。
【００４２】
ＣＰＵ５２は、Ｓ４４，Ｓ４６の処理が完了する場合、開弁タイミングＥＶＯにおいて排気バルブ３０を開弁させるべく排気バルブタイミング可変装置４２に操作信号ＭＳ５を出力する（Ｓ４８）。なお、ＣＰＵ５２は、Ｓ４８の処理を完了する場合、図５に示す一連の処理を一旦終了する。
【００４３】
ちなみに、点火時期の制御については、図２の処理において、遅角補正量ΔＩＮＳを常時ゼロに固定した処理を行う。
＜第３の実施形態＞
以下、第３の実施形態について、第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００４４】
第１の実施形態では、デポジットの堆積に起因した排気温度の低下を、点火時期Ａｉｇの遅角によって補償したが、本実施形態では、１燃焼サイクルにおいて噴射することが要求される燃料量のポート噴射弁１４による噴射の割合である分割比率Ｋを増加させる。
【００４５】
図６に、この処理の手順を示す。図６に示す処理は、ＲＯＭ５４に記憶されたプログラムをＣＰＵ５２がたとえば所定周期で繰り返し実行することにより実現される。
図６に示す一連の処理において、ＣＰＵ５２は、まず、暖機処理時であるか否かを判定し（Ｓ５０）、暖機処理時であると判定する場合（Ｓ５０：ＹＥＳ）、第３学習値ｒが所定値ｒｔｈ以上であるか否かを判定する（Ｓ５２）。そしてＣＰＵ５２は、暖機処理時ではないと判定する場合や（Ｓ５０：ＮＯ）、所定値ｒｔｈ未満であると判定する場合（Ｓ５２：ＮＯ）には、分割比率Ｋを、通常通り、回転速度ＮＥおよび充填効率ηに応じて設定する（Ｓ５４）。
【００４６】
これに対し、ＣＰＵ５２は、所定値ｒｔｈ以上であると判定する場合（Ｓ５２：ＹＥＳ）、分割比率Ｋを、内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηに加えて、第３学習値ｒに応じて設定する（Ｓ５６）。詳しくはＣＰＵ５２は、第３学習値ｒが大きい場合に小さい場合よりも分割比率Ｋを大きい値とする。ただし、動作点が同一である場合、Ｓ５６の処理によって設定される分割比率Ｋは、Ｓ５４の処理によって設定される分割比率Ｋよりも大きい値となっている。これは、ポート噴射弁１４による燃料の噴射割合を増加させることにより、着火を遅らせることができることに鑑みたものである。すなわち、着火を遅らせることにより、排気バルブ３０の開弁に伴って排気通路３２に排出される排気の温度を高めることができる。
【００４７】
詳しくは、ＣＰＵ５２は、第３学習値ｒから把握されるデポジット量に基づき、デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量や、デポジットに起因した圧縮比の増加量に応じて分割比率Ｋを算出する。
【００４８】
ＣＰＵ５２は、Ｓ５４，Ｓ５６の処理が完了する場合、分割比率Ｋに応じてポート噴射弁１４および筒内噴射弁２４に燃料を噴射すべく、ポート噴射弁１４に操作信号ＭＳ１を出力し筒内噴射弁２４に操作信号ＭＳ２を出力する（Ｓ５８）。
【００４９】
なお、ＣＰＵ５２は、Ｓ５８の処理を完了する場合、図６に示す一連の処理を一旦終了する。
ちなみに、点火時期の制御については、図２の処理において、遅角補正量ΔＩＮＳを常時ゼロに固定した処理を行う。
【００５０】
＜対応関係＞
上記実施形態における事項と、上記「課題を解決するための手段」の欄に記載した事項との対応関係は、次の通りである。触媒は、三元触媒３４に対応し、推定処理は、Ｓ３８の処理によって第３学習値を更新する処理に対応し、暖機処理は、Ｓ２０の処理に基づくＳ３６の処理に対応する。暖機補正処理は、図２におけるＳ２６の処理に基づくＳ３６の処理や、図５におけるＳ４６の処理に基づくＳ４８の処理、図６におけるＳ５６の処理に基づくＳ５８の処理に対応する。
【００５１】
＜その他の実施形態＞
なお、本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態および以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【００５２】
・上記実施形態では、デポジットに起因した暖機処理による暖機性能の低下を補償するための処理として、遅角補正量ΔＩＮＳによる点火時期Ａｉｇの遅角処理や、第３学習値ｒに応じた開弁タイミングＥＶＯの設定処理、第３学習値ｒに応じた分割比率Ｋの設定処理のいずれか１つの処理を例示したが、これに限らない。たとえば、３つの処理のうちの２つの処理としてもよく、またたとえば、３つの処理全てを実行することとしてもよい。
【００５３】
・上記実施形態では、デポジットの付着を、第３学習値ｒによって把握したが、これに限らない。たとえば内燃機関１０の動作点を規定する回転速度ＮＥおよび充填効率ηに応じて、デポジットの堆積量を推定してもよい。この場合、ＣＰＵ５２は、低回転低負荷運転領域となる期間が長い場合に短い場合よりもデポジットの堆積量が大きいとし、高回転高負荷領域となる期間が長い場合に短い場合よりもデポジットの堆積量が小さいとすればよい。
【００５４】
・図２のＳ２６の処理では、第３学習値ｒから把握されるデポジット量に基づき、デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量や、デポジットに起因した圧縮比の増加量に応じて遅角補正量ΔＩＮＳを算出したが、これに限らない。デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量に基づき遅角補正量ΔＩＮＳを算出すればよく、その際、デポジットに起因した圧縮比の増加量を加味しなくてもよい。
【００５５】
・図５のＳ４６の処理では、第３学習値ｒから把握されるデポジット量に基づき、デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量や、デポジットに起因した圧縮比の増加量に応じて開弁タイミングＥＶＯを算出したが、これに限らない。デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量に応じて開弁タイミングＥＶＯを算出すればよく、その際、デポジットに起因した圧縮比の増加量を加味しなくてもよい。
【００５６】
・図６のＳ５６の処理では、第３学習値ｒから把握されるデポジット量に基づき、デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量や、デポジットに起因した圧縮比の増加量に応じて分割比率Ｋを算出したが、これに限らない。デポジットに起因した燃焼室２２の断熱レベルの増加量に応じて分割比率Ｋを算出すればよく、その際、デポジットに起因した圧縮比の増加量を加味しなくてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０…内燃機関、１２…吸気通路、１４…ポート噴射弁、１６…吸気バルブ、１８…シリンダ、２０…ピストン、２２…燃焼室、２４…筒内噴射弁、２６…点火装置、２８…クランク軸、３０…排気バルブ、３２…排気通路、３４…三元触媒、４０…吸気バルブタイミング可変装置、４２…排気バルブタイミング可変装置、５０…制御装置、５２…ＣＰＵ、５４…ＲＯＭ、５６…バックアップＲＡＭ、６０…エアフローメータ、６２…クランク角センサ、６４…ノッキングセンサ、６６…水温センサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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