(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜の成膜方法、および、そのための成膜装置を提供する。【解決手段】成膜装置１０において、成膜対象の基板Ｗが配置された処理容器１２にシリコン含有ガスを供給し、さらに、処理容器に窒素含有ガスを供給しつつ３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成することにより、シリコン窒化膜を成膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜対象の基板が配置された処理容器にシリコン含有ガスを供給し、
前記処理容器に窒素含有ガスを供給しつつ３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給して前記処理容器内にプラズマを生成する
ことを特徴とするシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項２】
前記窒素含有ガスは、ＮＨ３ガス、Ｎ２ガス、Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガスの何れかとする
ことを特徴とする請求項１に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項３】
前記窒素含有ガスと共に、アルゴンガスを供給する
ことを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項４】
前記基板は、３５０℃〜５５０℃の温度に加熱される
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載のシリコン窒化膜の成膜方法。
【請求項５】
成膜対象の基板が配置される処理容器と、
前記処理容器にシリコン含有ガスおよび窒素含有ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器に３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給する電源と、
前記ガス供給部から前記処理容器にシリコン含有ガスを供給した後、前記ガス供給部から前記処理容器に窒素含有ガスを供給しつつ前記電源から前記高周波電力を供給して前記処理容器内にプラズマを生成するよう制御する制御部と、
を有することを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、シリコン窒化膜の成膜方法、および成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリの製造プロセスにおいて、基板に成膜された犠牲膜上にレジストパターンを形成し、露出した犠牲膜をエッチングにより除去することで開口部を形成する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−４６２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によるシリコン窒化膜の成膜方法は、成膜対象の基板が配置された処理容器にシリコン含有ガスを供給し、処理容器に窒素含有ガスを供給しつつ３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給して処理容器内にプラズマを生成する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施形態に係るプラズマＡＬＤの流れの一例を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施形態に係るプラズマＡＬＤの流れの他の一例を示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施形態に係るプラズマＡＬＤの流れの他の一例を示す図である。
【図３】図３は、ウェットエッチングレートの一例を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、ＲＢＳ／ＨＦＳ分析によるシリコン窒化膜の分析結果の一例を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ＲＢＳ／ＨＦＳ分析によるシリコン窒化膜の分析結果の一例を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、ＲＢＳ／ＨＦＳ分析によるシリコン窒化膜の分析結果の一例を示す図である。
【図５】図５は、ＸＲＲによるシリコン窒化膜の密度の測定結果の一例を示す図である。
【図６】図６は、ＸＰＳによるシリコン窒化膜の元素組成比の測定結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本願の開示するシリコン窒化膜の成膜方法、および成膜装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示するシリコン窒化膜の成膜方法、および成膜装置が限定されるものではない。
【０００９】
ところで、例えば、ＮＡＮＤ型不揮発性メモリ等の電子デバイスの製造では、半導体ウエハなどの基板上に、犠牲膜としてシリコン窒化膜（ＳｉＮＸ）が成膜される。シリコン窒化膜は、犠牲膜として使用する場合、ウェットエッチングレートの高い方が好ましい。そこで、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜することが期待されている。
【００１０】
［成膜装置の構成］
最初に、実施形態に係る成膜装置１０の構成について説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置を概略的に示す図である。図１には、実施形態に係る成膜装置１０の縦断面における構造が概略的に示されている。図１に示す成膜装置１０は、容量結合型平行平板のプラズマ装置である。成膜装置１０は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略筒形状を有しており、鉛直方向に延在している。処理容器１２は、略筒状の側壁部、及び、側壁部の下端に連続する底部を有している。処理容器１２は、内部空間１２ｓを提供している。処理容器１２は、アルミニウムといった金属から形成されている。処理容器１２の内壁面には耐プラズマ性を有する被覆が形成されている。耐プラズマ性を有する被覆は、アルマイト膜、酸化イットリウム膜といったセラミックス製の膜であり得る。処理容器１２は、接地されている。
【００１１】
処理容器１２の側壁部には、半導体ウエハなどの基板Ｗを搬出入するための通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、処理容器１２の外部から内部空間１２ｓに搬送されるとき、及び、内部空間１２ｓから処理容器１２の外部に搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。通路１２ｐは、ゲートバルブ１２ｇによって開閉可能である。ゲートバルブ１２ｇは、処理容器１２の側壁部に沿って設けられている。
【００１２】
処理容器１２の内部空間１２ｓの中には、支持台１４が設けられている。支持台１４は、上面に基板Ｗが載置可能とされ、載置された基板Ｗを支持する。支持台１４は、支持体１５によって支持されている。支持体１５は、絶縁性を有しており、処理容器１２の底部から上方に延びている。
【００１３】
支持台１４は、下部電極１６を含んでいる。下部電極１６は、略円盤形状を有している。下部電極１６は、アルミニウムといった導電性材料から形成されている。一実施形態において、支持台１４は、静電チャック１８を更に含んでいる。静電チャック１８は、下部電極１６上に設けられている。基板Ｗは、静電チャック１８上に載置される。静電チャック１８は、誘電体膜、及び、当該誘電体膜内に内蔵された電極を含んでいる。静電チャック１８の電極は、導電性を有する膜であり得る。静電チャック１８の電極にはスイッチを介して電源が接続されている。電源から静電チャック１８の電極に電圧が印加されることにより、静電チャック１８と基板Ｗとの間に静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック１８に引き付けられ、静電チャック１８によって保持される。
【００１４】
支持台１４は、温度の制御が可能とされている。例えば、支持台１４は、下部電極１６または静電チャック１８の内部に不図示のヒーターなどの温調機構が設けられ、基板Ｗが載置される静電チャック１８の載置面の温度の制御が可能とされている。基板Ｗは、支持台１４により加熱される。
【００１５】
支持台１４の上方には、シャワーヘッド２０が設けられている。シャワーヘッド２０と支持台１４の間には、内部空間１２ｓの一部が介在している。一実施形態では、処理容器１２の上端部は、開口している。シャワーヘッド２０は、部材２１を介して処理容器１２の上端部に支持されている。部材２１は、絶縁性を有している。シャワーヘッド２０は、部材２１と共に、処理容器１２の上端部の開口を閉じている。
【００１６】
シャワーヘッド２０は、導電性を有する一以上の部品から形成されている。シャワーヘッド２０を構成する一以上の部品は、アルミニウム、シリコンといった材料から形成され得る。或いは、シャワーヘッド２０は、導電性を有する一以上の部品と絶縁性を有する一以上の部品から形成されていてもよい。シャワーヘッド２０の表面には、耐プラズマ性の被膜が形成されていてもよい。
【００１７】
シャワーヘッド２０には、複数のガス吐出孔２０ａ及びガス拡散室２０ｂが形成されている。複数のガス吐出孔２０ａは、ガス拡散室２０ｂから内部空間１２ｓ側のシャワーヘッド２０下面まで下方に延びている。ガス拡散室２０ｂには、ガス供給部２２が接続されている。
【００１８】
ガス供給部２２は、成膜に用いる各種のガスをガス拡散室２０ｂに供給する。例えば、ガス供給部２２は、複数のガスソース、マスフローコントローラといった複数の流量制御器、及び、複数のバルブを有する。複数のガスソースの各々は、複数の流量制御器のうち対応の流量制御器、及び、複数のバルブのうち対応のバルブを介して、ガス拡散室２０ｂに接続されている。ガス供給部２２は、複数のガスソースのうち選択されたガスソースからのガスの流量を調整し、当該ガスをガス拡散室２０ｂに供給する。ガス拡散室２０ｂに供給されたガスは、複数のガス吐出孔２０ａから内部空間１２ｓに供給される。
【００１９】
処理容器１２の底部には、排気装置２４が接続されている。排気装置２４は、内部空間１２ｓに連通可能に設けられている。排気装置２４は、圧力調整弁といった圧力制御装置、及び、ターボ分子ポンプ、ドライポンプといった真空ポンプを有している。排気装置２４を作動させることにより、内部空間１２ｓの中に存在するガスは、支持台１４と処理容器１２の側壁部との間の空間１２ｖを通って、排出される。また、排気装置２４によって、内部空間１２ｓの中の圧力が、指定された圧力に調整される。
【００２０】
下部電極１６には、マッチング回路２８を介して高周波電源２９が接続されている。高周波電源２９は、プラズマを生成する際、所定周波数の高周波電力を下部電極１６に印加する。本実施形態では、プラズマの生成に用いる高周波電力の周波数を４５０ＫＨｚの低励起周波数としている。プラズマの生成に用いる高周波電力の周波数は、４５０ＫＨｚに限定されず、３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの範囲内の周波数を用いることができる。
【００２１】
なお、成膜装置１０は、下部電極１６に高周波電力を印加してプラズマ放電させる場合を例に説明するが、これに限定されるものではない。プラズマ放電させる場合は、シャワーヘッド２０を上部電極として、高周波電力を印加してもよい。例えば、成膜装置１０は、シャワーヘッド２０に整合器を介して、高周波電源を接続し、高周波電源から所定周波数の高周波電力をシャワーヘッド２０に印加してもよい。また、プラズマ放電させる場合は、シャワーヘッド２０とガス供給部２２にそれぞれ高周波電力を印加してもよい。
【００２２】
上記のように構成された成膜装置１０は、制御部３０によって、動作が統括的に制御される。制御部３０は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Central  Processing  Unit）、ＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、補助記憶装置等を備える。ＣＰＵは、ＲＯＭ又は補助記憶装置に格納されたプログラムや、成膜のプロセス条件に基づいて動作し、装置全体の動作を制御する。例えば、制御部３０は、各ガスの供給の開始、停止、各ガスの流量制御、基板Ｗの搬入、搬出の制御、支持台１４の不図示のヒーターの温度の制御、処理容器１２内の圧力制御、高周波電源２９からの高周波電力の供給および供給の停止を制御する。なお、制御に必要なコンピュータに読み取り可能なプログラムは、記憶媒体に記憶されていてもよい。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはＤＶＤ等よりなる。また、制御部３０は、成膜装置１０の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部３０が外部に設けられている場合、制御部３０は、有線又は無線等の通信手段によって、成膜装置１０を制御することができる。
【００２３】
〔成膜の流れ〕
次に、成膜装置１０がシリコン窒化膜を成膜する流れについて説明する。成膜装置１０の制御部３０は、支持台１４の不図示のヒーターの温度を制御し、静電チャック１８の載置面を所定の温度（４００℃）に加熱する。また、制御部３０は、排気装置２４を制御し、処理容器１内を所定の圧力（例えば、１Ｔｏｒｒ）に調整する。
【００２４】
成膜装置１０は、プラズマＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）により基板Ｗにシリコン窒化膜を成膜する。例えば、制御部３０は、ガス供給部２２を制御して、シリコン（Ｓｉ）含有ガスと、窒素含有ガスとを交互に処理容器１２内に供給する。また、制御部３０は、高周波電源２９を制御して、窒素含有ガスの供給に合わせて、所定周波数の高周波電力を下部電極１６に印加してプラズマを生成する。シリコン含有ガスとしては、例えば、ジクロロシラン（ＤＣＳ）等が挙げられる。窒素含有ガスとしては、例えば、ＮＨ３ガス、Ｎ２ガス、Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガス等が挙げられる。
【００２５】
ここで、制御部３０の制御の元、成膜装置１０が実施するプラズマＡＬＤの流れを説明する。図２Ａは、実施形態に係るプラズマＡＬＤの流れの一例を示す図である。例えば、図２Ａに示すプラズマＡＬＤでは、工程Ｓ１〜Ｓ４を順に実施する。
【００２６】
工程Ｓ１では、シリコン含有ガス、例えば、ジクロロシラン（ＤＣＳ）を供給する。これにより、基板Ｗには、シリコン含有ガスによる前駆体が吸着する。また、工程Ｓ１では、シリコン含有ガスと共に、プラズマ生成用のガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガスを供給する。
【００２７】
次に、工程Ｓ２では、シリコン含有ガスの供給を停止し、パージガスを供給すると共に排気を行って、内部空間１２ｓからシリコン含有ガスを排気する。
【００２８】
次に、工程Ｓ３では、パージガスの供給を停止し、窒素含有ガス、例えば、ＮＨ３ガスを供給すると共に高周波電源２９から高周波電力（ＲＦ）を印加して処理容器１２内にプラズマを生成する。これにより、基板Ｗ上の前駆体と窒素含有ガスとが反応して基板Ｗ上にシリコン窒化膜が成膜される。
【００２９】
次に、工程Ｓ４では、窒素含有ガスの供給および高周波電力の印加を停止し、パージガスを供給すると共に排気を行って、内部空間１２ｓから窒素含有ガスを排気する。
【００３０】
成膜装置１０は、工程Ｓ１〜Ｓ４を繰り返して所望の膜厚のシリコン窒化膜を基板Ｗに成膜する。
【００３１】
なお、プラズマＡＬＤの流れはこれに限定されるものではない。シリコン含有ガスを供給して基板Ｗに前駆体を吸着させた後、窒素含有ガスを供給しつつ高周波周電力を印加してプラズマを生成して成膜を行うものであれば、ガスの供給、停止タイミングは、異なってもよい。図２Ｂは、実施形態に係るプラズマＡＬＤの流れの他の一例を示す図である。例えば、図２Ｂに示すプラズマＡＬＤでは、工程Ｓ１〜Ｓ４においてＮＨ３ガスを継続的に供給している。図２Ｂに示すプラズマＡＬＤでは、ＮＨ３ガスの供給停止を省略できるため、ＮＨ３ガスの供給開始、供給停止に要する期間を短縮できる。図２Ｃは、実施形態に係るプラズマＡＬＤの流れの他の一例を示す図である。例えば、図２Ｃに示すプラズマＡＬＤでは、工程Ｓ３が工程Ｓ３−１、Ｓ３−２に分かれている。工程Ｓ３−１では、パージガスの供給を停止し、窒素含有ガス、例えば、ＮＨ３ガスを供給する。次に、工程Ｓ３−２では、高周波電源２９から高周波電力（ＲＦ）を印加して処理容器１２内にプラズマを生成する。
【００３２】
ここで、シリコン窒化膜のウェットエッチングレートが高くなる成膜の条件を見出した。以下に、成膜条件の範囲をまとめて記載する。なお、以下には、図２Ｂに示したＡＬＤの工程Ｓ１〜Ｓ４で成膜を行う際のプロセス条件を示すが、図２Ａ、図２Ｃに示したＡＬＤでも同様に適用できる。
【００３３】
・プラズマＡＬＤの各工程の時間
工程Ｓ１：０．５〜４秒
工程Ｓ２：０．５〜４秒
工程Ｓ３：０．５〜８秒
工程Ｓ４：０．５〜４秒
・ガス、温度、圧力、プラズマの生成に用いる高周波電力（ＲＦ）の条件
支持台１４の温度：３５０〜５５０℃
圧力：０．５〜４Ｔｏｒｒ
シリコン含有ガス：５０〜１００ｓｃｃｍ
窒素含有ガス：７５０〜１５００ｓｃｃｍ
Ａｒガス：７５０〜１５００ｓｃｃｍｓｃｃｍ
ＲＦの周波数：３００ＫＨｚ〜５ＭＨｚ
ＲＦのパワー：３００〜１２００Ｗ
【００３４】
ウェットエッチングレートがより高いシリコン窒化膜を成膜する場合は、窒素含有ガスをＮＨ３ガスとすることが好ましい。
【００３５】
ここで、成膜されたシリコン窒化膜のウェットエッチングレートの一例を説明する。成膜装置１０では、以下に示す条件で、実施例１〜３のシリコン窒化膜を成膜した。
【００３６】
共通条件（実施例１〜３で共通）
・プラズマＡＬＤの各工程の時間
工程Ｓ１：２秒
工程Ｓ２：２秒
工程Ｓ３：１秒
工程Ｓ４：１秒
・ガス、温度、圧力、ＲＦの条件
支持台１４の温度：４００℃
圧力：１Ｔｏｒｒ
ＤＣＳガス：  １００ｓｃｃｍ
Ａｒガス：１５００ｓｃｃｍ
ＲＦの周波数：４５０ＫＨｚ
ＲＦのパワー：８００Ｗ
【００３７】
個別条件
（１）実施例１
・ガスの条件
ＮＨ３ガス：１５００ｓｃｃｍ
（２）実施例２
・ガスの条件
Ｎ２ガス：１５００ｓｃｃｍ
（３）実施例３
・ガスの条件
Ｎ２ガス：７５０ｓｃｃｍ
Ｈ２ガス：７５０ｓｃｃｍ
【００３８】
また、成膜装置１０では、比較例として、以下に示す条件でシリコン窒化膜を成膜した。
【００３９】
・プラズマＡＬＤの各工程の時間
工程Ｓ１：２秒
工程Ｓ２：２秒
工程Ｓ３：１秒
工程Ｓ４：１秒
・ガス、温度、圧力、ＲＦの条件
支持台１４の温度：５５０℃
圧力：０．２〜０．３Ｔｏｒｒ
ＤＣＳガス：  １００ｓｃｃｍ
ＮＨ３ガス：１５００ｓｃｃｍ
Ａｒガス：１５００ｓｃｃｍ
ＲＦの周波数：１３．５６ＭＨｚ
ＲＦのパワー：１００Ｗ
【００４０】
図３は、ウェットエッチングレートの一例を示す図である。図３には、実施例１〜３および比較例のシリコン窒化膜を０．５％のＤＨＦにてウェットエッチングした際のウェットエッチングレートが示されている。実施例１のシリコン窒化膜のウェットエッチングレートは、１９９．４［Ａ／ｍｉｎ］となってる。実施例２のシリコン窒化膜のウェットエッチングレートは、８３．４［Ａ／ｍｉｎ］となってる。実施例３のシリコン窒化膜のウェットエッチングレートは、３９．８［Ａ／ｍｉｎ］となってる。比較例のシリコン窒化膜のウェットエッチングレートは、１２．６［Ａ／ｍｉｎ］となってる。図３に示すように、実施例１〜３のシリコン窒化膜は、比較例のシリコン窒化膜と比較して、何れもウェットエッチングレートが向上している。特に、実施例１のシリコン窒化膜は、ウェットエッチングレートが大きく向上している。
【００４１】
図４Ａ〜４Ｃは、ＲＢＳ（Rutherford  Backscattering  Spectrometry）／ＨＦＳ（Hydrogen  Forward  Scattering）分析によるシリコン窒化膜の分析結果の一例を示す図である。図４Ａは、実施例１のシリコン窒化膜の分析結果を示している。図４Ｂは、実施例２のシリコン窒化膜の分析結果を示している。図４Ｃは、実施例３のシリコン窒化膜の分析結果を示している。図４Ａ〜４Ｃに示すように、実施例１〜３のシリコン窒化膜は、アルゴンが検出されている。
【００４２】
ここで、従来のシリコン窒化膜の成膜方法では、ＲＦの周波数として、例えば、１３．５６ＭＨｚの周波数が用いられる。
【００４３】
一方、本実施形態に係る成膜方法では、ＲＦの周波数を４５０ＫＨｚとしている。本実施形態に係る成膜方法では、従来と比較して、ＲＦの周波数を４５０ＫＨｚと低くしたことにより、プラズマ中のＡｒやＮのイオンが、ＲＦの周波数に伴うシース振動に追従して膜に衝突し、膜中に微細なポアが形成される。これがシリコン窒化膜のウェットエッチングレートが向上する要因の一つと考えられる。実施例１〜３のシリコン窒化膜では、成膜時にアルゴンのイオンが衝突しているためアルゴンが検出されていると考えられる。ＡｒやＮをイオン種として想定した場合、周波数が５ＭＨｚ以下であれば、ＲＦの周波数に伴うシース振動にイオンが追従する。よって、ＲＦの周波数が５ＭＨｚ以下であれば、シリコン窒化膜のウェットエッチングレートが向上すると考えられる。このため、本実施形態に係る成膜方法では、ＲＦの周波数の範囲を３００ＫＨｚ〜５ＭＨｚとしている。
【００４４】
図５は、ＸＲＲ（X-ray  Reflectivity）によるシリコン窒化膜の密度の測定結果の一例を示す図である。図５には、実施例１〜３のシリコン窒化膜の密度が示されている。実施例１、２のシリコン窒化膜は、実施例３のシリコン窒化膜よりも密度が低くなっている。また、実施例１のシリコン窒化膜は、実施例２のシリコン窒化膜よりも密度が低くなっている。すなわち、実施例１〜３のシリコン窒化膜は、ウェットエッチングレートが高いほど密度が低くなっている。シリコン窒化膜は、密度が低いほど膜中のポアが多く形成されたポーラスとなって、ウェットエッチングレートが向上すると推測される。
【００４５】
図６は、ＸＰＳ（atomic  concentration  ratio）によるシリコン窒化膜の元素組成比の測定結果の一例を示す図である。図６には、実施例１〜３のシリコン窒化膜の元素組成比が示されている。実施例１〜３のシリコン窒化膜は、従来のシリコン窒化膜と類似の元素組成比となっている。すなわち、本実施形態に係る成膜方法では、膜組成を大きく変化させずに高ウェットエッチングレートのシリコン窒化膜を成膜できる。
【００４６】
このように、本実施形態に係る成膜方法は、成膜対象の基板Ｗが配置された処理容器１２にシリコン含有ガスを供給する。成膜方法は、処理容器１２に窒素含有ガスを供給しつつ３００ｋＨｚ〜５ＭＨｚの周波数の電力を供給して処理容器１２内にプラズマを生成する。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜できる。
【００４７】
また、本実施形態に係る成膜方法は、窒素含有ガスを、ＮＨ３ガス、Ｎ２ガス、Ｎ２ガスとＨ２ガスの混合ガスの何れかとする。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜できる。
【００４８】
また、本実施形態に係る成膜方法は、窒素含有ガスと共に、アルゴンガスを供給する。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜できる。
【００４９】
また、本実施形態に係る成膜方法は、基板Ｗを３５０℃〜５５０℃の温度に加熱する。これにより、本実施形態に係る成膜方法は、ウェットエッチングレートの高いシリコン窒化膜を成膜できる。
【００５０】
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５１】
例えば、実施形態では、基板Ｗを半導体ウエハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。基板Ｗは、シリコンであっても、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体でもあってもよい。また、基板Ｗは、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いるガラス基板や、セラミック基板等でもあってもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０  成膜装置
１２  処理容器
３０  制御部
Ｗ  基板
【図１】
2020065032.tif 000003
【図２Ａ】
2020065032.tif 000004
【図２Ｂ】
2020065032.tif 000005
【図２Ｃ】
2020065032.tif 000006
【図３】
2020065032.tif 000007
【図４Ａ】
2020065032.tif 000008
【図４Ｂ】
2020065032.tif 000009
【図４Ｃ】
2020065032.tif 000010
【図５】
2020065032.tif 000011
【図６】
2020065032.tif 000012