(57)【要約】【課題】形状を安定させることが可能な導電性放熱フィルム、導電性放熱フィルムの製造方法、及び電子装置の製造方法を提供すること。【解決手段】複数の第１の金属粒子２７ｂを有する第１の仮焼成膜２８と、第１の仮焼成膜２８に先端２４ａが付着した複数のカーボンナノチューブ２４とを有する導電性放熱フィルム３０による。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の金属粒子を有する第１の仮焼成膜と、
前記第１の仮焼成膜に先端が付着した複数のカーボンナノチューブと、
を有することを特徴とする導電性放熱フィルム。
【請求項２】
複数の前記第１の金属粒子の各々は銀を含み、
前記第１の仮焼成膜は、複数の前記第１の金属粒子を含むペーストを１３０℃以下の温度で焼成して得られた膜であることを特徴とする請求項１に記載の導電性放熱フィルム。
【請求項３】
複数の前記第１の金属粒子の各々は、互いに固着していないことを特徴とする請求項１に記載の導電性放熱フィルム。
【請求項４】
複数の第２の金属粒子を有する第２の仮焼成膜を更に有し、
複数の前記カーボンナノチューブの前記先端と反対側の端部が前記第２の仮焼成膜に付着したことを特徴とする請求項１に記載の導電性放熱フィルム。
【請求項５】
基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端に、複数の第１の金属粒子を含む第１のペーストを塗布する工程と、
前記第１のペーストを加熱して仮焼成することにより第１の仮焼成膜を形成する工程と、
前記第１の仮焼成膜を形成した後に、複数の前記カーボンナノチューブの各々を前記基板から剥離する工程と、
を有することを特徴とする導電性放熱フィルムの製造方法。
【請求項６】
複数の前記第１の金属粒子の各々は銀を含み、
前記仮焼成のとき前記第１のペーストの温度は１３０℃以下であることを特徴とする請求項５に記載の導電性放熱フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記剥離の後に、複数の前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の端部の各々に、複数の第２の金属粒子を含む第２のペーストを塗布する工程と、
前記第２のペーストを加熱して仮焼成することにより第２の仮焼成膜を形成する工程とを更に有することを特徴とする請求項５に記載の導電性放熱フィルムの製造方法。
【請求項８】
基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端に、複数の第１の金属粒子を含む第１のペーストを塗布する工程と、
前記第１のペーストを加熱して仮焼成することにより第１の仮焼成膜を形成する工程と、
前記第１の仮焼成膜を形成した後に、複数の前記カーボンナノチューブの各々を前記基板から剥離する工程と、
前記剥離の後、前記第１の仮焼成膜が第１の部品に密着した状態で前記第１の仮焼成膜を加熱して本焼成することにより、前記第１の部品に固着した第１の本焼成膜を形成する工程と、
前記剥離の後、複数の前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の端部を第２の部品に接続する工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記剥離の後、複数の前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の端部の各々に、複数の第２の金属粒子を含む第２のペーストを塗布する工程と、
前記第２のペーストを加熱して仮焼成することにより第２の仮焼成膜を形成する工程とを更に有し、
複数の前記カーボンナノチューブの前記端部を前記第２の部品に接続する工程は、
前記第２の仮焼成膜が第２の部品に密着した状態で前記第２の仮焼成膜を加熱して本焼成することにより、前記第２の部品に固着した第２の本焼成膜を形成することにより行われることを特徴とする請求項８に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性放熱フィルム、導電性放熱フィルムの製造方法、及び電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーバや電気自動車等には様々な電子デバイスが搭載される。そのような電子デバイスとしては、例えばCPU(Central Processing Unit)、アンプ、及び車載用IC(Integrated Circuit)等がある。これらの電子デバイスは、動作時に発生する熱を外部に放熱するために、放熱フィルムを介してヒートスプレッダ等の放熱部品に接続される。
【０００３】
その放熱フィルムとしてカーボンナノチューブを備えたフィルムが提案されている。カーボンナノチューブは、熱伝導率が１５００W／m・Kと非常に高く、更に柔軟性や耐熱性に優れた材料であるため、放熱フィルムに適した素材である。また、カーボンナノチューブを備えた放熱フィルムは導電性も有しており、電子デバイスの電気的な接続にも適している。
【０００４】
但し、このようにカーボンナノチューブを備えた導電性放熱フィルムには、形状を安定させるという点で改善の余地がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１５０３６２号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７８０１号公報
【特許文献３】特開２００６−３０３２４０号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２０１７／１１５８３１号公報
【特許文献５】特開２０１４−１２７５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、形状を安定させることが可能な導電性放熱フィルム、導電性放熱フィルムの製造方法、及び電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、複数の第１の金属粒子を有する第１の仮焼成膜と、前記第１の仮焼成膜に付着した先端を備えた複数のカーボンナノチューブと有する導電性放熱フィルムが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、導電性放熱フィルムが丸まるのを第１の仮焼成膜によって抑制できるため、導電性放熱フィルムの形状を安定させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１（ａ）、（ｂ）は、カーボンナノチューブの導電性放熱フィルムを利用した電子装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、カーボンナノチューブの導電性放熱フィルムを利用した電子装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、本願発明者が検討した導電性放熱フィルムの製造途中の断面図である。
【図４】図４は、本願発明者が検討した導電性放熱フィルムの外観図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その１）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その３）である。
【図８】図８は、第１実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その４）である。
【図９】図９（ａ）は、第１実施形態に係る導電性放熱フィルムのSEM像を基にして描いた図であり、図９（ｂ）は、図７（ａ）の工程において、仮焼成よりも高い温度で第１のペーストを焼成させたときの各カーボンナノチューブのSEM像を基にして描いた図である。
【図１０】図１０（ａ）は、図９（ａ）よりも高い倍率で導電性放熱フィルムをSEMで観察して得られた像を基にして描いた図であり、図１０（ｂ）は、本焼成を行ったときの金属粒子のSEM像を基にして描いた図である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１２】図１２は、第１実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その１）である。
【図１４】図１４（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その２）である。
【図１５】図１５（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その３）である。
【図１６】図１６は、第２実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図（その４）である。
【図１７】図１７（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。
【図１８】図１８（ａ）、（ｂ）は、第３実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１９】図１９は、第３実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図２０】図２０（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の導電性放熱フィルムで二つの部品を電気的に接続する例に係る電子装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図２１】図２１は、第２実施形態の導電性放熱フィルムで二つの部品を電気的に接続する例に係る電子装置の製造途中の断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本実施形態の説明に先立ち、本願発明者が検討した事項について説明する。
【００１１】
前述のようにカーボンナノチューブは熱伝導率が非常に高く、かつ高伝導密度を有することから、導電性放熱フィルムに適した素材である。その導電性放熱フィルムを電子デバイスに固着することで、電子デバイスで発生した熱や電子をカーボンナノチューブを介して外部に低抵抗で逃がすことができる。
【００１２】
図１〜図２は、カーボンナノチューブの導電性放熱フィルムを利用した電子装置の製造途中の断面図である。
【００１３】
まず、図１（ａ）に示すように、シリコンウエハ２の表面に酸化シリコン膜３を形成してなる基板１を用意し、その基板１の上にCVD(Chemical Vapor Deposition)法で複数のカーボンナノチューブ４を成長させる。
【００１４】
次に、図１（ｂ）に示すように、CPU等の電子デバイス５の表面に、溶剤６ａに銀等の金属フィラー６ｂと金属粒子６ｃとが分散したペースト６を塗布する。金属フィラー６ｂは例えば直径が数１００μｍ程度の銅フィラーであり、金属粒子６ｃは例えば直径数１０ｎｍ程度の銅粒子であり、金属フィラー６ｂの直径は金属粒子６ｃの直径よりも大きい。そして、基板１と電子デバイス５とで各カーボンナノチューブ４を加圧することにより、ペースト６の表面に各カーボンナノチューブ４の先端４ａを密着させる。
【００１５】
そして、図２（ａ）に示すように、基板１を加熱することにより溶剤６ａを揮発させると共に、各金属粒子６ｃを焼成して金属膜７とし、その金属膜７に各カーボンナノチューブ４の先端４ａを固着する。
【００１６】
その後に、図２（ｂ）に示すように、基板１を各カーボンナノチューブ４から剥離して、カーボンナノチューブ４を電子デバイス５側に残す。
【００１７】
以上により、複数のカーボンナノチューブ４を備えた導電性放熱フィルム８が金属膜７に固着された構造が完成する。このような構造によれば、電子デバイス５で発生した熱が金属膜７とカーボンナノチューブ４とを伝って外部に速やかに放熱され、電子デバイス５の放熱が促されると考えられる。
【００１８】
しかし、この方法では、図２（ｂ）の工程で基板１から各カーボンナノチューブ４を剥離するときに、カーボンナノチューブ４の一部４ｘが基板１と共に金属膜７から剥離してしまう。
【００１９】
このように一部４ｘでカーボンナノチューブ４が欠損すると導電性放熱フィルム８の面積が小さくなってしまうため、電子デバイス５の熱や電子を導電性放熱フィルム８を介して外部に逃がすことが難しくなる。
【００２０】
このような問題を回避するために、次のようにして導電性放熱フィルムを作製することも考えられる。
【００２１】
図３（ａ）、（ｂ）は、本願発明者が検討した導電性放熱フィルムの製造途中の断面図である。
【００２２】
まず、図３（ａ）に示すように、前述の図１（ａ）と同じ工程を行うことにより、基板１の上に複数のカーボンナノチューブ４が成長した構造を得る。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に示すように、刃Aを用いて各カーボンナノチューブ４を基板１から機械的に剥離し、剥離した各カーボンナノチューブ４を導電性放熱フィルム９とする。
【００２４】
図４は、このようにして得られた導電性放熱フィルム９の外観図である。
【００２５】
図４に示すように、上記のように基板１から機械的に各カーボンナノチューブ４を剥離すると導電性放熱フィルム９が丸まってしまう。これではCPU等の電子デバイスの平坦な表面に導電性放熱フィルム９を貼付することができない。
【００２６】
以上のように、導電性放熱フィルム８、９はいずれも形状が安定せず、実使用に耐えることができない。
【００２７】
以下に、導電性放熱フィルムの形状を安定させることが可能な各実施形態について説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
図５〜図８は、本実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図である。
【００２９】
まず、図５（ａ）に示すように、シリコンウエハ２１の表面を熱酸化することにより酸化シリコン膜２２を形成し、シリコンウエハ２１と酸化シリコン膜２２とを基板２０とする。酸化シリコン膜２２の厚さは特に限定されず、１nm〜１０００nm程度の厚さ、例えば３００nm程度の厚さに酸化シリコン膜２２を形成し得る。
【００３０】
また、基板２０も上記に限定されず、アルミナ基板、MgO基板、及びガラス基板を基板２０として使用してもよいし、ステンレス基板等の金属基板を基板２０として使用してもよい。更に、基板２０に代えて、ステンレスホイルやアルミホイル等の金属ホイルを用いてもよい。
【００３１】
そして、その酸化シリコン膜２２の上に触媒金属膜２３として鉄膜を０．１nm〜１０nm、例えば２．５nm程度の厚さに形成する。触媒金属膜２３も鉄膜に限定されない。触媒金属膜２３の材料としては、例えばコバルト、ニッケル、鉄、金、銀、及び白金のいずれかを採用し得る。
【００３２】
また、酸化シリコン膜２２と触媒金属膜２３との間に下地膜を形成してもよい。その下地膜の材料としては、モリブデン、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、バナジウム、窒化タンタル、窒化チタン、チタンシリサイド、アルミニウム、アルミナ、酸化チタン、タンタル、タングステン、銅、金、及び白金がある。これらを単体で下地膜として形成してもよいし、これらの合金で下地膜を形成してもよい。この場合、例えば下地膜として厚さが５nmの窒化チタン膜を形成し、その上に触媒金属膜２３としてコバルト膜を２．６nmの厚さに形成し得る。
【００３３】
更に、触媒金属膜２３に代えて、微分型静電分級器(DMA: Differential Mobility Analyzer)等を用いてサイズが調整された複数の金属微粒子を採用してもよい。例えば、下地層として厚さが例えば５nmの窒化チタン膜を形成し、その上に直径の平均値が３．８nmの複数のコバルト粒子を形成してもよい。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に示すように、ホットフィラメントCVD法により触媒金属膜２３の上に複数のカーボンナノチューブ２４を１００μm〜５００μmの長さに成長させる。このとき、各々のカーボンナノチューブ２４は、触媒金属膜２３の触媒作用によって基板２０の表面の法線方向に沿って直線状に延びる。なお、触媒金属膜２３は、カーボンナノチューブ２４の成長時に凝集して粒状となり、その上にカーボンナノチューブ２４が成長していく。
【００３５】
カーボンナノチューブ２４の成長条件は特に限定されない。この例では、炭素の原料ガスとしてアセチレンガスを用い、そのアセチレンガスとアルゴンガスとの混合ガスを不図示の成長室に供給する。その混合ガスにおけるアセチレンガスとアルゴンガスとの分圧比は１：９であり、成長室内での混合ガスの圧力は１kPaである。
【００３６】
そして、基板温度を６２０℃、ホットフィラメントの温度を１０００℃、及び成長時間を２０分とする成長条件を採用し、４μm／分程度の成長レートでカーボンナノチューブ２４を成長させる。この成長条件によれば、層数が３層〜６層で平均の層数が４層程度の多層のカーボンナノチューブ２４が得られる。また、そのカーボンナノチューブ２４の直径は４nm〜８nmとなり、平均の直径は６nm程度となる。更に、酸化シリコン膜２２の表面における各カーボンナノチューブ２４の面密度は１×１０１１本／cm2程度となる。
【００３７】
カーボンナノチューブ２４の成長方法は上記のホットフィラメントCVD法に限定されず、熱CVD法やリモートプラズマCVD法であってもよい。また、アセチレンに代えてメタンやエチレン等の炭化水素類、又はエタノールやメタノール等のアルコール類を炭素の原料ガスとしてもよい。なお、基板温度は４００℃から１０００℃の間であればよく、６００℃から８００℃の範囲が好ましい。
【００３８】
次に、図６（ａ）に示すように、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａの上にメタルマスク２６を載置し、そのメタルマスク２６の開口２６ａ内の先端２４ａに第１のペースト２７を数１０μm程度の厚さに塗布する。
【００３９】
第１のペースト２７は、揮発性の溶媒２７ａに複数の金属粒子２７ｂを分散させた液である。金属粒子２７ｂの材料や大きさは特に限定されないが、ここでは直径が数１０nm程度の銀粒子を金属粒子２７ｂとして使用する。このように直径が数１０nmオーダの微細な金属粒子は金属ナノ粒子とも呼ばれ、その金属の本来の融点よりも低い温度で焼成する。なお、銅のナノ粒子を金属粒子２７ｂとして使用してもよい。
【００４０】
また、第１の溶媒２７ａも特に限定されないが、第１の溶媒２７ａにポリマが含有していると毛細管力でカーボンナノチューブ２４の隙間にポリマが含浸するため、先端２４ａに第１のペースト２７を塗布するのが困難となる。そのため、第１の溶媒２７ａとしてポリマを含まない液を使用するのが好ましい。
【００４１】
また、この例では複数のカーボンナノチューブ２４の一部の先端２４ａに第１のペースト２７を塗布したが、メタルマスク２６を用いずに複数のカーボンナノチューブ２４の全ての先端２４ａに第１のペースト２７を塗布してもよい。
【００４２】
次に、図６（ｂ）に示すように、カーボンナノチューブ２４の各先端２４ａからメタルマスク２６を除去する。
【００４３】
続いて、図７（ａ）に示すように、基板２０を不図示のベーク炉に入れ、特に限定されないが大気中で第１のペースト２７を１２０℃〜１３０℃程度の温度、例えば１２０℃に加熱して焼成する。その加熱時間は３０分程度とする。
【００４４】
これにより、第１のペースト２７中の第１の溶媒２７ａが揮発し、複数の銀の金属粒子２７ｂの各々が仮焼成した第１の仮焼成膜２８が得られる。仮焼成は、金属粒子２７ｂの各々が相互に固着しない程度の低温で行う焼成であり、仮焼成で得られた第１の仮焼成膜２８の内部では金属粒子２７ｂの各々がある程度変位することが可能な状態にある。そして、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａは、この第１の仮焼成膜２８に付着して相互に結束される。
【００４５】
また、この例のように大気中で酸化し難い銀のナノ粒子を金属粒子２７ｂとして利用すると、大気中で仮焼成膜２８を形成することができ、酸化防止のためにベーク炉を真空引きする手間を省くことができる。
【００４６】
なお、このように金属粒子２７ｂが銀のナノ粒子の場合に１３０℃よりも高い温度で焼成を行うと各金属粒子２７ｂが固着して仮焼成の状態が得られない。よって、金属粒子２７ｂとして銀のナノ粒子を使用する場合には、１３０℃以下の温度に第１のペースト２７を加熱して仮焼成を行うのが好ましい。また、第１のペースト２７の加熱時間が長すぎると焼成が進んで仮焼成膜２８が固くなるため、加熱時間を１時間以内にするのが好ましい。
【００４７】
一方、金属粒子２７ｂとして銅のナノ粒子を使用する場合には、２１０℃以下、例えば２００℃程度の温度に第１のペースト２７を加熱することにより仮焼成を行うことができる。仮焼成のときの温度の上限を２１０℃としたのは、これよりも温度が高いと金属粒子２７ｂが固着して仮焼成の状態が得られないためである。また、銅のナノ粒子は銀のナノ粒子よりも酸化し易いため、金属粒子２７ｂとして銅のナノ粒子を使用する場合には減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気、例えば窒素ガス雰囲気で仮焼成を行うのが好ましい。
【００４８】
次に、図７（ｂ）に示すように、刃Aを用いて第１の仮焼成膜２８が形成されていない部分の各カーボンナノチューブ２４を基板１から機械的に剥離する。
【００４９】
更に、刃Aを引き続き用いて、第１の仮焼成膜２８が形成されている部分の各カーボンナノチューブ２４を基板１から機械的に剥離する。このとき、本実施形態では各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａが第１の仮焼成膜２８で結束されているため、図３（ｂ）の例のように剥離時にカーボンナノチューブ２４の束が丸まるのを抑制することができる。
【００５０】
以上により、図８に示すように、複数のカーボンナノチューブ２４と第１の仮焼成膜２８とを備えた本実施形態に係る導電性放熱フィルム３０の基本構造が完成する。
【００５１】
上記した本実施形態によれば、前述のように第１の仮焼成膜２８に各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａを付着させたことで導電性放熱フィルム３０が丸まるのを抑制できる。そのため、導電性放熱フィルム３０の形状が安定してその平坦性が良好となり、ヒートシンクやCPU等の平坦な表面に導電性放熱フィルム３０を固着するのが容易となる。
【００５２】
しかも、第１の仮焼成膜２８における金属粒子２７ｂの各々は相互に固着しておらず、更なる加熱によって焼成可能な仮焼成の状態にある。そのため、ヒートシンクやCPU等の部品に第１の仮焼成膜２８を密着させ、金属粒子２７ｂを加熱して焼成することにより、部品に導電性放熱フィルム３０を容易に固着することができる。
【００５３】
次に、第１の仮焼成膜２８について更に詳細に説明する。
【００５４】
図９（ａ）は、本実施形態に係る導電性放熱フィルム３０のSEM(Scanning Electron Microscope)像を基にして描いた図である。
【００５５】
図９（ａ）に示すように、上記のように第１の仮焼成膜２８を形成しても、各カーボンナノチューブ２４が複数の束に凝集していない。その結果、導電性放熱フィルム３０の柔軟性を保つことができ、導電性放熱フィルム３０の扱いも容易となる。
【００５６】
一方、図９（ｂ）は、図７（ａ）の工程において、仮焼成よりも高い温度で第１のペースト２７を焼成させたときの各カーボンナノチューブ２４のSEM像を基にして描いた図である。その焼成時の温度は１５０℃とし、焼成によって金属粒子２７ｂの各々を溶融して相互に固着させた。
【００５７】
以下では、このように金属粒子２７ｂの個別性が失われる程度に金属粒子２７ｂを溶融させることを本焼成と呼ぶ。本焼成における加熱温度は仮焼成のそれよりも高く、金属粒子２７ｂが銀のナノ粒子の場合には１８０℃以上の温度で本焼成をすることができる。一方、金属粒子２７ｂが銅のナノ粒子の場合には２５０℃以上の温度で本焼成をすることができる。
【００５８】
図９（ｂ）に示すように、本焼成を行うと、各カーボンナノチューブ２４が複数の束に凝集してしまい、各カーボンナノチューブ２４の間に大きな隙間が空いてしまっている。これにより導電性放熱フィルムの柔軟性が損なわれてしまい、導電性放熱フィルムが壊れやすくなってしまう。
【００５９】
この結果から、導電性放熱フィルム３０の柔軟性を維持してその取扱いを容易にするという観点からも、第１のペースト２７を本焼成せずに、仮焼成の状態に留めるのが好ましいということが明らかとなった。
【００６０】
次に、仮焼成と本焼成の各々を行ったときの金属粒子２７ｂの外観について説明する。
【００６１】
図１０（ａ）は、図９（ａ）よりも高い倍率で導電性放熱フィルム３０をSEMで観察して得られた像を基にして描いた図である。
【００６２】
図１０（ａ）に示すように、本実施形態では金属粒子２７ｂの個別性が維持されており、金属粒子２７ｂの各々は相互に固着していない。この状態においては、前述のように更なる加熱によって金属粒子２７ｂが焼成する余地があるため、金属粒子２７ｂの各々を焼成してヒートシンク等に第１の仮焼成膜２８を固着するのが容易となる。
【００６３】
一方、図１０（ｂ）は、２５０℃で本焼成を行ったときの金属粒子２７ｂのSEM像を基にして描いた図である。なお、そのSEMの倍率は、図１０（ａ）における倍率と同じである。
【００６４】
図１０（ｂ）に示すように、本焼成を行うと金属粒子２７ｂの各々が溶融してその直径が大きくなる。この状態では既に金属粒子２７ｂが焼成しているため、更なる加熱により金属粒子２７ｂを焼成させる余地がない。そのため、加熱により金属粒子２７ｂをヒートシンク等に固着してもその接合強度が劣ってしまう。
【００６５】
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。
【００６６】
図１１〜図１２は、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。
【００６７】
まず、図１１（ａ）に示すように、第１の部品３１としてヒートシンク等の放熱部品を用意すると共に、第２の部品３２として電子デバイスを用意する。その電子デバイスとしては、携帯電話基地局用のハイパワーアンプ、サーバやPC(Personal Computer)用のCPU等の半導体素子、及び車載用IC等がある。また、ハイブリッド自動車や電気自動車のモータを駆動するためのSiCパワーデバイスを第２の部品３２として用いてもよい。
【００６８】
そして、第１の部品３１の表面に、溶媒３３ａに金属フィラー３３ｂと金属粒子３３ｃとを分散させたペーストを印刷法等で塗布することにより第１の塗膜３３を形成する。第１の塗膜３３における金属フィラー３３ｂは、金属粒子３３ｃよりも直径が大きな金属粒であり、ここでは金属フィラー３３ｂとして直径が数１００μm程度の銅フィラー、金属粒子３３ｂとして直径数１０ｎｍ程度の銅粒子を使用する。なお、銅フィラーと銅粒子の各々に代えて銀フィラーや銀粒子を用いてもよい。
【００６９】
また、第２の部品３２の表面には、第１の部品３１の表面に塗布したのと同様のペーストを塗布することにより第２の塗膜３４を形成する。
【００７０】
この状態で第１の部品３１と第２の部品３２との間に導電性放熱フィルム３０を配し、導電性放熱フィルム３０の第１の仮焼成膜２８が第１の部品３１に面するようにする。
【００７１】
なお、第２の塗膜３４の溶媒にポリマが添加されていると、前述のように毛細管力でポリマが各カーボンナノチューブ２４の隙間に含浸してしまう。これを避けるために、第２の塗膜３４の溶媒としては、ポリマを含まない溶媒を使用するのが好ましい。
【００７２】
一方、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａ側の隙間は第１の仮焼成膜２８で塞がれているものの仮焼結の具合で隙間が空く可能性もあり、先端２４ａから溶媒３３ａが含浸するおそれがある。よって、溶媒３３ａとしてポリマを含まない液を使用するのが好ましい。
【００７３】
次に、図１１（ｂ）に示すように、各部品３１、３２で導電性放熱フィルム３０を加圧することにより、第１の塗膜３３に第１の仮焼成膜２８を密着させる。これと共に、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａとは反対側の端部２４ｂを第２の塗膜３４に密着させる。
【００７４】
このとき、本実施形態では前述のように導電性放熱フィルム３０の形状が安定してその平坦性が良好となっているため、各部品３１、３２と導電性放熱フィルム３０とが良好に密着する。
【００７５】
続いて、図１２に示すように、上記のように導電性放熱フィルム３０を加圧しながら、加熱により第１の仮焼成膜２８を本焼成させて第１の本焼成膜３５とする。また、この加熱によって各塗膜３３、３４も焼成し、それぞれ第１の金属膜３７及び第２の金属膜３８となる。
【００７６】
このときの加熱温度は、各塗膜３３、３４に含まれている銅のナノ粒子やフィラーが溶融し、かつ銀の金属粒子２７ｂを含む第１の仮焼成膜２８が本焼成する２５０℃以上とする。
【００７７】
これにより、第１の金属膜３７を介して第１の本焼成膜３５が第１の部品３１に固着する。また、第２の金属膜３８を介してカーボンナノチューブ２４の端部２４ｂが第２の部品３２に接続される。
【００７８】
また、この例では金属フィラー３３ｂ（図１１（ａ）参照）の直径を金属粒子２７ｂのそれよりも大きくしたため、広い表面積を有する金属フィラー３３ｂに複数の金属粒子２７ｂが強く結合する。その結果、導電性放熱フィルム３０と第１の部品３１との接続強度を高めることが可能となる。
【００７９】
なお、導電性放熱フィルム３０と第１の部品３１との接続強度が問題にならない場合には、第１の塗膜３３と第２の塗膜３４の各々を銅のナノ粒子を分散させたペーストを塗布することにより形成してもよい。
【００８０】
以上により、本実施形態に係る電子装置４０の基本構造が完成する。
【００８１】
その電子装置４０によれば、導電性放熱フィルム３０の平坦性が良好であるため、各部品３１、３２と導電性放熱フィルム３０との密着性が向上する。その結果、第１の部品３１であるCPU等で発生した熱と電子を導電性放熱フィルム３０を介して第２の部品３２に低抵抗で逃がすことができる。
【００８２】
本願発明者の調査によれば、このように導電性放熱フィルム３０の形状が安定することで、導電性放熱フィルム３０の熱伝導率が７０W／m・K以上となりその熱抵抗も０．０１℃／W以下となることが明らかとなった。その結果、例えば第２の部品３２として発熱量の大きなSiCパワーデバイスを用いてもその熱を速やかに放熱でき、ハイブリッド自動車や電気自動車に搭載されるSiCパワーデバイスの放熱効率を高めることができる。更に、各部品３１、３２を接続するカーボンナノチューブ２４の抵抗率が数十μΩ・cmと非常に小さい。そのため、各部品３１、３２をカーボンナノチューブ２４で電気的に接続しても、大電流によってカーボンナノチューブ２４が焼損するおそれが少なく、電子装置４０の信頼性を高めることができる。
【００８３】
更に、各金属膜３７、３８に含まれる銅の熱伝導率が銀と比較して高いため、第１の部品３１で発生した熱が速やかに第２の部品３２に伝わり、第１の部品３１の冷却効率が更に向上する。
【００８４】
しかも、第１の仮焼成膜２８を本焼成せずに仮焼成の状態に留めておいたことにより、図１２の工程で加熱により金属粒子２７ｂが本焼成する余地を残すことができる。そのため、図１２の工程で金属粒子２７ｂを本焼成させることにより、第１の本焼成膜３５を介してカーボンナノチューブ２４を第１の部品３１に強く接続することが可能となる。
【００８５】
また、各部品３１、３２の熱膨張量の相違を導電性放熱フィルム３０のカーボンナノチューブ２４で吸収できるため、各部品３１、３２の接続信頼性が向上する。
【００８６】
ここまでで示した通り、仮焼成と本焼成では得られる膜の性質に様々な相違が生じる。
【００８７】
例えば、第１の本焼成膜３５では、本焼成時に溶融した金属粒子２７ｂによってその密度が第１の仮焼成膜２８のそれと比較して高くなる。また、図１０（ａ）、（ｂ）に示したように、このように金属粒子２７ｂが溶融することで、第１の本焼成膜３５における金属粒子２７ｂの直径は、第１の仮焼成膜２８のそれと比較して大きくなる。
【００８８】
更に、図９（ａ）、（ｂ）を参照して説明したように、本焼成時に発生する金属粒子同士の結合とそれに伴うカーボンナノチューブ２４の凝集が仮焼成では生じ難い。そのため、第１の仮焼成膜２８は第１の本焼成膜３５よりも柔軟となる。
【００８９】
（第２実施形態）
第１実施形態では、図８に示したように、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａのみに第１の仮焼成膜２８を形成した。これに対し、本実施形態では、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａとは反対側の端部にも仮焼成膜を形成する。
【００９０】
図１３〜図１６は、本実施形態に係る導電性放熱フィルムの製造途中の断面図である。なお、図１３〜図１６において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００９１】
まず、第１実施形態で説明した図５（ａ）〜図７（ａ）の工程を行うことにより、図１３（ａ）に示すように、各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａに第１の仮焼成膜２８が形成された状態を得る。そして、刃Aを用いてカーボンナノチューブ２４の端部２４ｂを基板１から機械的に剥離する。
【００９２】
これにより、図１３（ｂ）に示すように、第１の仮焼成膜２８に各カーボンナノチューブ２４の先端２４ａが付着した構造が得られる。第１実施形態と同様に、本実施形態でも先端２４ａが第１の仮焼成膜２８で結束されているため、各カーボンナノチューブ２４や第１の仮焼成膜２８の形状が安定し、これらが丸まるのを抑制することができる。
【００９３】
次に、図１４（ａ）に示すように、各カーボンナノチューブ２４の端部２４ｂの上にメタルマスク２６を載置し、そのメタルマスク２６の開口２６ａ内の端部２４ｂに第２のペースト４１を数１０μm程度の厚さに塗布する。
【００９４】
第２のペースト４１は、第１のペースト２７（図６（ａ）参照）と同様に、揮発性の第２の溶媒４１ａに複数の金属粒子４１ｂとして直径が数１０nm程度の金属ナノ粒子を分散させた液である。金属粒子４１ｂの材料は特に限定されず、金属粒子２７ｂと同一又は異なる金属ナノ粒子を金属粒子４１ｂとして使用し得る。
【００９５】
本実施形態では、酸化し難く大気中で仮焼成することが可能な銀のナノ粒子を金属粒子４１ｂとして使用する。なお、銅のナノ粒子を金属粒子４１ｂとして使用してもよい。
【００９６】
また、毛細管力によって第２の溶媒４１ａが各カーボンナノチューブ２４の隙間に含浸するのを防止するために、ポリマを含まない第２の溶媒４１ａを使用するのが好ましい。
【００９７】
次に、図１４（ｂ）に示すように、カーボンナノチューブ２４の各端部２４ｂからメタルマスク２６を除去する。
【００９８】
次いで、図１５（ａ）に示すように、各カーボンナノチューブ２４を不図示のベーク炉に入れ、特に限定しないが大気中で第２のペースト４１を加熱により仮焼成して第２の仮焼成膜４２とする。その仮焼成の条件は特に限定されない。この例のように第２の金属粒子４１ｂが銀のナノ粒子の場合には、１２０℃〜１３０℃程度の温度、例えば１２０℃の温度に第２のペースト４１を加熱することにより第２の仮焼成膜４２を形成し得る。なお、その加熱時間は約３０分程度である。
【００９９】
また、金属粒子４１ｂが銅のナノ粒子の場合には、減圧雰囲気中や不活性ガス雰囲気中で２１０℃以下、例えば２００℃程度の温度に第２のペースト４１を加熱することにより第２の仮焼成膜４２を形成し得る。
【０１００】
第１の仮焼成膜２８と同様に、この第２の仮焼成膜４２においても複数の金属粒子４１ｂは相互に固着しておらず、第２の仮焼成膜４２の内部において金属粒子４１ｂがある程度変位することが可能な状態にある。そして、各カーボンナノチューブ２４の端部２４ｂは、この第２の仮焼成膜４２に付着して相互に結束される。
【０１０１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、刃Aを用いて第２の仮焼成膜４２が形成されていない部分のカーボンナノチューブ２４を除去する。
【０１０２】
以上により、図１６に示すように、複数のカーボンナノチューブ２４と仮焼成膜２８、４２とを備えた本実施形態に係る導電性放熱フィルム５０の基本構造が完成する。
【０１０３】
以上説明した本実施形態によれば、導電性放熱フィルム５０の両面に仮焼成膜２８、４２を設ける。これらの仮焼成膜２８、４２における各金属粒子２７ｂ、４２ｂは相互に固着しておらず、更なる加熱によって容易に焼成する状態にある。よって、導電性放熱フィルム５０の両面にヒートシンクやCPU等の部品を密着させ、加熱により各仮焼成膜２８、４２を本焼成することにより、導電性放熱フィルム５０の両面にこれらの部品を容易に固着することができる。
【０１０４】
しかも、図１３（ａ）の工程で基板２０から各カーボンナノチューブ２４を剥離するときに、各カーボンナノチューブ２４が丸まるのを第１の仮焼成膜２８で抑制でき、導電性放熱フィルム５０の平坦性を良好にすることができる。
【０１０５】
次に、この導電性放熱フィルム５０を利用した本実施形態に係る電子装置について説明する。
【０１０６】
図１７（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。なお、図１７（ａ）、（ｂ）において、第１実施形態で説明したのと同じ要素には第１実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１０７】
まず、図１７（ａ）に示すように、第１の部品３１としてヒートシンク等の放熱部品を用意すると共に、第２の部品３２としてCPU等の電子デバイスを用意する。
【０１０８】
そして、第１の部品３１に第１の仮焼成膜２８を密着させ、かつ第２の部品３２に第２の仮焼成膜４２を密着させながら、各部品３１、３２で導電性放熱フィルム５０を加圧する。
【０１０９】
次に、図１７（ｂ）に示すように、各仮焼成膜２８、４２を大気中で１８０℃以上の温度に加熱して本焼成することにより、第１の仮焼成膜２８を第１の本焼成膜３５にすると共に、第２の仮焼成膜４２を第２の本焼成膜５１とする。
【０１１０】
これにより、各本焼成膜３５、５１がそれぞれ第１の部品３１と第２の部品３２に固着し、導電性放熱フィルム５０が各部品３１、３２に接続されることになる。
【０１１１】
以上により、本実施形態に係る電子装置６０の基本構造が完成する。
【０１１２】
上記した本実施形態によれば、導電性放熱フィルム５０の平坦性が良好であるため、導電性放熱フィルム５０と各部品３１、３２との密着性が向上し、第１の部品３１の熱を効率的に第２の部品３２に放熱することができる。
【０１１３】
（第３実施形態）
本実施形態では、導電性放熱フィルム５０と各部品３１、３２との接続強度を向上させることが可能な電子装置について説明する。
【０１１４】
図１８〜図１９は、第３実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。なお、図１８〜図１９において、第１実施形態や第２実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１１５】
まず、図１８（ａ）に示すように、例えば印刷法でヒートシンク等の第１の部品３１の表面に第１の塗膜３３を形成する。第１実施形態で説明したように、第１の塗膜３３は、金属粒子２７ｂよりも直径が大きな金属フィラー３３ｂと金属粒子３３ｃとを溶媒３３ａに分散させたペーストから形成される。金属フィラー３３ｂの材料は特に限定されないが、本実施形態では金属フィラー３３ｂとして直径が数１００μm程度の銅フィラーを使用し、金属粒子３３ｃとして直径が数１０μm程度の銅粒子を使用する。なお、銅フィラーと銅粒子の各々に代えて銀フィラーと銀粒子を用いてもよい。
【０１１６】
そして、CPU等の第２の部品３２の表面に、溶媒６１ａに金属フィラー６１ｂ及び金属粒子６１ｃを分散させたペーストを印刷法等で塗布することにより第３の塗膜６１を形成する。金属フィラー６１ｂは、金属粒子６１ｃよりも直径が大きな金属粒であればその材料は特に限定されず、金属フィラー３３ｂと同一又は異なる金属粒を金属フィラー６１ｂとして使用する。本実施形態では、直径が数１００μm程度で熱伝導率が高い銅フィラーを金属フィラー６１ｂとして使用する。なお、銅フィラーと銅粒子の各々に代えて銀フィラーと銀粒子を用いてもよい。
【０１１７】
そして、第１の部品３１に第１の仮焼成膜２８が対向し、かつ第２の部品３２に第２の仮焼成膜４２が対向するように、各部品３１、３２の間に導電性放熱フィルム５０を配する。
【０１１８】
次に、図１８（ｂ）に示すように、各部品３１、３２で導電性放熱フィルム５０を加圧する。
【０１１９】
そして、図１９に示すように、導電性放熱フィルム５０を加圧しつつ、各仮焼成膜２８、４２を加熱して本焼成させることにより、各仮焼成膜２８、４２をそれぞれ第１の本焼成膜３５及び第２の本焼成膜５１とする。また、この加熱によって各塗膜３３、６１も焼成し、それぞれ第１の金属膜３７及び第３の金属膜６２となる。
【０１２０】
このときの加熱温度は、各塗膜３３、６１に含まれている銅の金属フィラー３３ｂ、６１ｂが溶融し、かつ銀の金属粒子２７ｂ、４１ｂを含む各仮焼成膜２８、４２が本焼成する２５０℃以上とする。
【０１２１】
これにより、第１の本焼成膜３５が第１の金属膜３７を介して第１の部品３１に固着し、かつ第２の本焼成膜５１が第３の金属膜６２を介して第２の部品３２に固着して、各部品３１、３２に導電性放熱フィルム５０が接続される。
【０１２２】
以上により、本実施形態に係る電子装置７０の基本構造が完成する。
【０１２３】
上記した本実施形態では金属粒子２７ｂがそれよりも大きな金属フィラー３３ｂに強く結合するため、導電性放熱フィルム５０と第１の部品３１との接続強度を高めることが可能となる。同様に、金属粒子４１ｂがそれよりも大きな金属フィラー６１ｂに強く結合することにより、導電性放熱フィルム５０と第２の部品３２との接続強度を高めることができる。更に、各部品３１、３２を接続するカーボンナノチューブ２４の抵抗率が数十μΩ・cmと非常に小さい。そのため、各部品３１、３２をカーボンナノチューブ２４で電気的に接続しても、大電流によってカーボンナノチューブ２４が焼損するおそれが少なく、電子装置７０の信頼性を高めることができる。
【０１２４】
カーボンナノチューブ２４は、熱伝導率が高いだけでなく電気抵抗も小さい。そのため、ここまでに説明した導電性放熱フィルムは二つの部品同士を電気的に接続する素材として好適であり、第１〜第３実施形態において二つの部品が電子部品である場合に、導電性放熱フィルムでこれらの部品を電気的に接続するのが好ましい。ここでは、第２実施形態で説明した導電性放熱フィルム５０で二つの部品を電気的に接続する例について説明する。
【０１２５】
図２０〜図２１は、この例に係る電子装置の製造途中の断面図である。なお、図２０〜図２１において、第１〜第３実施形態で説明したのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１２６】
まず、図２０（ａ）に示すように、第１の部品３１と第２の部品３２との間に導電性放熱フィルム５０を配する。この例では、各部品３１、３２としてCPUやSiCパワーデバイス等の電子デバイスを使用する。そして、第１の部品３１の第１の電極３１ａを第１の仮焼成膜２８に対向させ、かつ第２の部品３２の第２の電極３２ａを第２の仮焼成膜４８に対向させる。
【０１２７】
次に、図２０（ｂ）に示すように、各部品３１、３２で導電性放熱フィルム５０を加圧することにより、第１の電極３１ａに第１の仮焼成膜２８を密着させ、かつ第２の電極３２ａに第２の仮焼成膜４２を密着させる。
【０１２８】
そして、図２１に示すように、導電性放熱フィルム５０が加圧された状態を維持しながら、仮焼成膜２８、４２の各々を大気中で１８０℃程度の温度に加熱して本焼成する。これにより、第１の仮焼成膜２８が第１の本焼成膜３５となり、その第１の本焼成膜３５により各カーボンナノチューブ２４が第１の電極３１ａに機械的かつ電気的に接続される。同様に、第２の仮焼成膜４２が第２の本焼成膜５１となり、その第２の本焼成膜５１により各カーボンナノチューブ２４が第２の電極３２ａに機械的かつ電気的に接続される。
【０１２９】
以上により、この例に係る電子装置８０の基本構造が完成する。
【０１３０】
上記した例によれば、各部品３１、３２を接続するカーボンナノチューブ２４の抵抗率が数十μΩ・cmと非常に小さい。そのため、各部品３１、３２がSiCパワーデバイスのような大電流を使用するデバイスであっても、大電流によってカーボンナノチューブ２４が焼損するおそれが少なく、電子装置８０の信頼性を高めることができる。
【０１３１】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１３２】
（付記１）  複数の第１の金属粒子を有する第１の仮焼成膜と、
前記第１の仮焼成膜に先端が付着した複数のカーボンナノチューブと、
を有することを特徴とする導電性放熱フィルム。
（付記２）  複数の前記第１の金属粒子の各々は銀を含み、
前記第１の仮焼成膜は、複数の前記第１の金属粒子を含むペーストを１３０℃以下の温度で焼成して得られた膜であることを特徴とする付記１に記載の導電性放熱フィルム。
（付記３）  複数の前記第１の金属粒子の各々は銅を含み、
前記第１の仮焼成膜は、複数の前記第１の金属粒子を含むペーストを２１０℃以下の温度で焼成して得られた膜であることを特徴とする付記１に記載の導電性放熱フィルム。
（付記４）  複数の前記第１の金属粒子の各々は、互いに固着していないことを特徴とする付記１に記載の導電性放熱フィルム。
（付記５）  複数の第２の金属粒子を有する第２の仮焼成膜を更に有し、
複数の前記カーボンナノチューブの前記先端と反対側の端部が前記第２の仮焼成膜に付着したことを特徴とする付記１に記載の導電性放熱フィルム。
（付記６）  基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端に、複数の第１の金属粒子を含む第１のペーストを塗布する工程と、
前記第１のペーストを加熱して仮焼成することにより第１の仮焼成膜を形成する工程と、
前記第１の仮焼成膜を形成した後に、複数の前記カーボンナノチューブの各々を前記基板から剥離する工程と、
を有することを特徴とする導電性放熱フィルムの製造方法。
（付記７）  複数の前記第１の金属粒子の各々は銀を含み、
前記仮焼成のとき前記第１のペーストの温度は１３０℃以下であることを特徴とする付記６に記載の導電性放熱フィルムの製造方法。
（付記８）  複数の前記第１の金属粒子の各々は銅を含み、
前記仮焼成のとき前記第１のペーストの温度は２１０℃以下であることを特徴とする付記６に記載の導電性放熱フィルムの製造方法。
（付記９）  前記第１の仮焼成膜における複数の前記第１の金属粒子は互いに固着していないことを特徴とする付記６に記載の導電性放熱フィルムの製造方法。
（付記１０）  前記剥離の後に、複数の前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の端部の各々に、複数の第２の金属粒子を含む第２のペーストを塗布する工程と、
前記第２のペーストを加熱して仮焼成することにより第２の仮焼成膜を形成する工程とを更に有することを特徴とする付記６に記載の導電性放熱フィルムの製造方法。
（付記１１）  基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端に、複数の第１の金属粒子を含む第１のペーストを塗布する工程と、
前記第１のペーストを加熱して仮焼成することにより第１の仮焼成膜を形成する工程と、
前記第１の仮焼成膜を形成した後に、複数の前記カーボンナノチューブの各々を前記基板から剥離する工程と、
前記剥離の後、前記第１の仮焼成膜が第１の部品に密着した状態で前記第１の仮焼成膜を加熱して本焼成することにより、前記第１の部品に固着した第１の本焼成膜を形成する工程と、
前記剥離の後、複数の前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の端部を第２の部品に接続する工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
（付記１２）  前記本焼成のときの前記第１の仮焼成膜の温度は、前記仮焼成のときの前記第１のペーストの温度よりも高いことを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記１３）  複数の前記第１の金属粒子の各々は銀を含み、
前記仮焼成のときの前記第１のペーストの温度は１３０℃以下であり、前記本焼成のときの前記第１の仮焼成膜の温度は１８０℃以上であることを特徴とする付記１２に記載の電子装置の製造方法。
（付記１４）  複数の前記第１の金属粒子の各々は銅を含み、
前記仮焼成のときの前記第１のペーストの温度は２１０℃以下であり、前記本焼成のときの前記第１の仮焼成膜の温度は２５０℃以上であることを特徴とする付記１２に記載の電子装置の製造方法。
（付記１５）  前記第１の本焼成膜は、前記第１の仮焼成膜よりも密度が高いことを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記１６）  前記第１の本焼成膜における前記第１の金属粒子の直径は、前記第１の仮焼成膜における前記第１の金属粒子の直径よりも大きいことを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記１７）  前記第１の仮焼成膜は、前記第１の本焼成膜よりも柔軟であることを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記１８）  前記第１の本焼成膜を形成する工程は、
前記第１の部品の表面に、前記第１の金属粒子よりも直径が大きい第１の金属フィラーを含む第１の塗膜を形成し、
前記第１の塗膜に前記第１の仮焼成膜が密着した状態で前記第１の仮焼成膜を本焼成することにより行われることを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記１９）  前記剥離の後、複数の前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の端部の各々に、複数の第２の金属粒子を含む第２のペーストを塗布する工程と、
前記第２のペーストを加熱して仮焼成することにより第２の仮焼成膜を形成する工程とを更に有し、
複数の前記カーボンナノチューブの前記端部を前記第２の部品に接続する工程は、
前記第２の仮焼成膜が第２の部品に密着した状態で前記第２の仮焼成膜を加熱して本焼成することにより、前記第２の部品に固着した第２の本焼成膜を形成することにより行われることを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
（付記２０）  複数の前記カーボンナノチューブの前記端部を第２の部品に接続する工程は、
前記第２の部品の表面に、前記第２の金属粒子よりも直径が大きい第２の金属フィラーを含む第２の塗膜を形成し、
前記第２の塗膜に前記第２の仮焼成膜が密着した状態で前記第２の仮焼成膜を本焼成することにより行われることを特徴とする付記１９に記載の電子装置の製造方法。
（付記２１）  前記第１の本焼成膜を形成する工程において、前記第１の部品の第１の電極に前記第１の本焼成膜を固着し、
前記端部を前記第２の部品に接続する工程において、前記端部を前記第２の部品の第２の電極に接続することにより、複数の前記カーボンナノチューブを介して前記第１の電極と前記第２の電極とを電気的に接続することを特徴とする付記１１に記載の電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１３３】
１…基板、２…シリコンウエハ、３…酸化シリコン膜、４…カーボンナノチューブ、４ａ…先端、４ｘ…一部、５…電子デバイス、６…ペースト、６ａ…溶剤、６ｂ…金属フィラー、６ｃ…金属粒子、７…金属膜、８…導電性放熱フィルム、９…導電性放熱フィルム、２０…基板、２１…シリコンウエハ、２２…酸化シリコン膜、２３…触媒金属膜、２４…カーボンナノチューブ、２４ａ…先端、２４ｂ…端部、２６…メタルマスク、２６ａ…開口、２７…第１のペースト、２７ａ…第１の溶媒、２７ｂ…金属粒子、２８…第１の仮焼成膜、３０…導電性放熱フィルム、３１…第１の部品、３１ａ…第１の電極、３２…第２の部品、３２ａ…第２の電極、３３…第１の塗膜、３３ａ…溶媒、３３ｂ…金属フィラー、３３ｃ…金属粒子、３４…第２の塗膜、３５…第１の本焼成膜、３７…第１の金属膜、３８…第２の金属膜、４０…電子装置、４１…第２のペースト、４１ａ…第２の溶媒、４１ｂ…第２の金属粒子、４２…第２の仮焼成膜、４２ｂ…金属粒子、４８…第２の仮焼成膜、５０…導電性放熱フィルム、５１…第２の本焼成膜、６０、７０、８０…電子装置、６１…第３の塗膜、６１ａ…溶媒、６１ｂ…金属フィラー、６１ｃ…金属粒子、６２…第３の金属膜。
【図１】
2020184576.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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