(57)【要約】【課題】容易に絶縁距離を確保することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第１リードフレーム４０，６０は、基板２０から先端に向かって直線状に延在する第１直線部を有する。第２リードフレーム５０，７０は、基板２０から離間する方向に向かって直線状に延在する第２直線部と、第２直線部から屈曲して第１直線部から離間する方向に向かって延在する第３直線部と、第３直線部から屈曲して先端に向かって直線状に延在する第４直線部と、を有する。第１直線部及び第４直線部は、基板２０側の一部が樹脂部９０に埋没するとともに、先端側の他部が樹脂部９０から突出している。第２直線部及び第３直線部は、樹脂部９０に埋没している。【選択図】図１
2020141010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が実装された基板と、
前記基板に実装されるリードフレームと、
前記リードフレームの先端が突出した状態で、前記リードフレームの基端及び前記半導体素子をモールドする樹脂部と、
を備えた半導体装置であって、
前記リードフレームは、第１リードフレームと、該第１リードフレームに隣り合って配置される第２リードフレームと、を有し、
前記第１リードフレームは、前記基板から前記先端に向かって直線状に延在する第１直線部を有し、
前記第２リードフレームは、前記基板から離間する方向に向かって直線状に延在する第２直線部と、前記第２直線部から屈曲して前記第１直線部から離間する方向に向かって延在する第３直線部と、前記第３直線部から屈曲して前記先端に向かって直線状に延在する第４直線部と、を有し、
前記第１直線部及び前記第４直線部は、前記基板側の一部が前記樹脂部に埋没するとともに、前記先端側の他部が前記樹脂部から突出し、
前記第２直線部及び前記第３直線部は、前記樹脂部に埋没している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記リードフレームは、
前記基板に沿って延在する接合部と、
前記接合部から屈曲して前記先端に向かって延在する立設部と、
を有し、
前記立設部は、前記接合部の幅に比べて幅が広がる幅広部位を有し、
前記幅広部位は、前記樹脂部に埋没している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、半導体素子が実装された基板に対し複数本のリードフレームの基端が接合され、モールド樹脂により半導体素子及び各リードフレームの基端を封止する構造が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２８７８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板上において各リードフレームが一列に配置された状態で各リードフレームの基端が基板に接合され、屈曲形状にて先端側が立設され、モールド樹脂から先端が突出する場合には次の課題がある。各リードフレームにおけるモールド樹脂から突出する部位における空間距離である絶縁距離を確保するためには一列に配置されたリードフレーム間の距離を大きくする必要がある。
【０００５】
本発明の目的は、容易に絶縁距離を確保することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題点を解決するための半導体装置は、半導体素子が実装された基板と、前記基板に実装されるリードフレームと、前記リードフレームの先端が突出した状態で、前記リードフレームの基端及び前記半導体素子をモールドする樹脂部と、を備えた半導体装置であって、前記リードフレームは、第１リードフレームと、該第１リードフレームに隣り合って配置される第２リードフレームと、を有し、前記第１リードフレームは、前記基板から前記先端に向かって直線状に延在する第１直線部を有し、前記第２リードフレームは、前記基板から離間する方向に向かって直線状に延在する第２直線部と、前記第２直線部から屈曲して前記第１直線部から離間する方向に向かって延在する第３直線部と、前記第３直線部から屈曲して前記先端に向かって直線状に延在する第４直線部と、を有し、前記第１直線部及び前記第４直線部は、前記基板側の一部が前記樹脂部に埋没するとともに、前記先端側の他部が前記樹脂部から突出し、前記第２直線部及び前記第３直線部は、前記樹脂部に埋没していることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、第１リードフレームは、第１直線部が基板から先端に向かって直線状に延在するとともに、第２リードフレームは、第３直線部が第２直線部から屈曲して第１直線部から離間する方向に向かって延在している。よって、容易に絶縁距離を確保することができる。
【０００８】
また、半導体装置において、前記リードフレームは、前記基板に沿って延在する接合部と、前記接合部から屈曲して前記先端に向かって延在する立設部と、を有し、前記立設部は、前記接合部の幅に比べて幅が広がる幅広部位を有し、前記幅広部位は、前記樹脂部に埋没しているとよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、容易に絶縁距離を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は実施形態における半導体装置の平面図、（ｂ）は半導体装置の正面図、（ｃ）は半導体装置の左側面図。
【図２】（ａ）は基板及びリードフレームの平面図、（ｂ）は基板及びリードフレームの正面図、（ｃ）はリードフレーム及び基板の一部正面図、（ｄ）はリードフレーム及び基板の一部正面図。
【図３】（ａ）は基板の平面図、（ｂ）は基板の正面図。
【図４】半導体装置の一部を示す斜視図。
【図５】リードフレーム及び基板の一部を示す斜視図。
【図６】（ａ）は製造工程を説明するための半導体装置の平面図、（ｂ）は正面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を具体化した一実施形態を、図１〜図６を用いて説明する。
なお、図面において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。
【００１２】
図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）に示すように、半導体装置１０は、半導体素子が実装される基板２０と、基板２０に実装されるリードフレーム４０，５０，６０，７０，８０（図２参照）と、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の先端４０ｂ，５０ｂ，６０ｂ，７０ｂ，８０ｂが突出した状態で、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の基端４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａ，８０ａ及び半導体素子をモールドする樹脂部９０と、を備える。半導体装置１０は、３相インバータ装置を構成しており、直流を入力してｕ，ｖ，ｗの３相の交流に変換して出力することができる。
【００１３】
図３（ａ）、図３（ｂ）を用いて基板２０の構成について説明する。
図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、基板２０は長方形をなす絶縁基板２１を有する。長方形をなす絶縁基板２１の短辺方向がＸ方向であるとともに、長辺方向がＹ方向であり、絶縁基板２１の厚み方向がＺ方向となっている。
【００１４】
基板２０は、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板２１の上面に導体パターン２２，２３，２４が形成されている。導体パターン２２は六箇所にわたりＹ方向において並んで形成されている。各導体パターン２２の上にスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤが接合されている。スイッチング素子ＱとしてＩＧＢＴが用いられる。６つのスイッチング素子のうち２つのスイッチング素子によりｕ相の上下のアームを構成している。６つのスイッチング素子のうち２つのスイッチング素子によりｖ相の上下のアームを構成している。６つのスイッチング素子のうち２つのスイッチング素子によりｗ相の上下のアームを構成している。各スイッチング素子ＱにはダイオードＤが並列接続される。このように、基板２０は、半導体素子としてのスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤが実装されている。
【００１５】
一対の導体パターン２４が六箇所にわたりＹ方向において並んで形成されている。一対の導体パターン２４はＸ方向において導体パターン２２に隣接して配置されている。各一対の導体パターン２４の間にチップ抵抗Ｒが実装されている。チップ抵抗Ｒはスイッチング素子Ｑのゲート・エミッタ間に接続される。
【００１６】
一対の導体パターン２５がＹ方向の中央部付近に一箇所形成されている。一対の導体パターン２５の間にサーミスタＴが実装されている。サーミスタＴにより基板２０の温度が検出される。
【００１７】
各相でのスイッチング素子Ｑ、ダイオードＤ及び導体パターン２２，２４は図示しないワイヤにより結線されている。これにより、２つの導体パターン２２間において上下のアームを構成するスイッチング素子が直列接続される。また、導体パターン２２，２３から正負の入力端子を取り出すことができるとともに直列接続されたスイッチング素子間から相毎の出力端子を取り出すことができる。一対の導体パターン２４からゲート端子及びドライブエミッタ端子を取り出すことができ、このゲート端子及びドライブエミッタ端子は絶縁を考慮する必要はない。一対の導体パターン２５から温度測定端子を取り出すことができる。
【００１８】
図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）を用いて、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０について説明する。
各リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０は、端子１本毎に個別実装される。
【００１９】
第１リードフレーム４０は、基板２０と接合される側の基端４０ａと、先端４０ｂを有する。第２リードフレーム５０は、基板２０と接合される側の基端５０ａと、先端５０ｂを有する。各相の一対の導体パターン２２のうちの一方には第１リードフレーム４０が接合されているとともに、他方には第２リードフレーム５０が接合されている。２組の一対の導体パターン２４のうちの一方の組には第１リードフレーム６０が接合されているとともに、他方の組には第２リードフレーム７０が接合されている。一対の導体パターン２５には、それぞれリードフレーム８０が接合されている。
【００２０】
第１リードフレーム４０と第２リードフレーム５０とはＹ方向において隣り合って配置される。第１リードフレーム４０と第２リードフレーム５０とは交互に配置されている。
図２（ｃ）に示すように、第１リードフレーム４０は基板２０から上方に延びる立設部４１を有する。立設部４１は、基板２０から先端４０ｂに向かって直線状に延在する第１直線部４２を有する。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、第２リードフレーム５０は基板２０から上方に延びる立設部５１を有する。立設部５１は、第２直線部５２と第３直線部５３と第４直線部５４とを有する。第２直線部５２は、Ｚ方向に延びており、基板２０から離間する方向に向かって直線状に延在する。第３直線部５３は、第２直線部５２の上端からＸ方向に延びており、第２直線部５２から屈曲して第１直線部４２から離間する方向に向かって延在する。第４直線部５４は、第３直線部５３の先端からＺ方向に延びており、第３直線部５３から屈曲して先端５０ｂに向かって直線状に延在する。
【００２２】
図２（ｂ）に示すように各リードフレーム４０の第１直線部４２と各リードフレーム５０の第２直線部５２とはＸ方向において同一の位置に設けられている。また、図２（ｂ）に示すように各リードフレーム５０の第４直線部５４は第２直線部５２に比べて基板２０の内方（図２（ｂ）での右側）に位置している。
【００２３】
図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）及び図４に示すように、第１直線部４２及び第４直線部５４は、基板２０側の一部が樹脂部９０に埋没するとともに、先端側の他部が樹脂部９０から突出している。また、第１直線部４２と第４直線部５４とは、樹脂部９０から突出した状態で千鳥状に配列されている。図１（ａ）及び図４に示すように、第１直線部４２と第４直線部５４とは距離ｄ１だけ離間しており、絶縁距離が確保されている。
【００２４】
また、第２直線部５２及び第３直線部５３は、樹脂部９０に埋没している。
図２（ｃ）に示すように、リードフレーム４０は、基板２０に沿って延在する接合部４５と、接合部４５から屈曲して先端４０ｂに向かって延在する立設部４１と、を有する。図２（ｂ）に示すように、リードフレーム５０は、基板２０に沿って延在する接合部５５と、接合部５５から屈曲して先端５０ｂに向かって延在する立設部５１と、を有する。
【００２５】
図２（ａ）に示すように、一対の第１リードフレーム６０と一対の第２リードフレーム７０とはＹ方向において隣り合って配置される。一対の第１リードフレーム６０と一対の第２リードフレーム７０とは交互に配置されている。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、第１リードフレーム６０は、第１リードフレーム４０と同様な構成となっており、基板２０から上方に延びる立設部６１を有する。立設部６１は、基板２０から先端６０ｂに向かって直線状に延在する第１直線部６２を有する。
【００２７】
図２（ｄ）に示すように、第２リードフレーム７０は、第２リードフレーム５０と同様な構成となっており、基板２０から上方に延びる立設部７１を有する。立設部７１は、第２直線部７２と第３直線部７３と第４直線部７４とを有する。第２直線部７２は、Ｚ方向に延びており、基板２０から離間する方向に向かって直線状に延在する。第３直線部７３は、第２直線部７２の上端からＸ方向に延びており、第２直線部７２から屈曲して第１直線部６２から離間する方向に向かって延在する。第４直線部７４は、第３直線部７３の先端からＺ方向に延びており、第３直線部７３から屈曲して先端７０ｂに向かって直線状に延在する。
【００２８】
図２（ｂ）及び図２（ｄ）に示すように各リードフレーム６０の第１直線部６２と各リードフレーム７０の第２直線部７２とはＸ方向において同一の位置に設けられている。また、図２（ｂ）及び図２（ｄ）に示すように各リードフレーム７０の第４直線部７４は第２直線部７２に比べて基板２０の内方（図２（ｂ）での左側）に位置している。
【００２９】
第１直線部６２及び第４直線部７４は、基板２０側の一部が樹脂部９０に埋没するとともに、先端側の他部が樹脂部９０から突出している。
第１直線部６２と第４直線部７４とは、樹脂部９０から突出した状態で千鳥状に配列されている。図１（ａ）及び図４に示すように、第１直線部６２と第４直線部７４とは距離ｄ２だけ離間しており、絶縁距離、詳しくは空間距離が確保されている。
【００３０】
また、第２直線部７２及び第３直線部７３は、樹脂部９０に埋没している。
リードフレーム６０は、基板２０に沿って延在する接合部６５と、接合部６５から屈曲して先端６０ｂに向かって延在する立設部６１と、を有する。リードフレーム７０は、基板２０に沿って延在する接合部７５と、接合部７５から屈曲して先端７０ｂに向かって延在する立設部７１と、を有する。
【００３１】
リードフレーム８０もリードフレーム７０と同様な構成をなし、上方に延びる立設部（７１）は、第２直線部（７２）と第３直線部（７３）と第４直線部（７４）とを有し、第２直線部（７２）及び第３直線部（７３）は、樹脂部９０に埋没し、基板２０に沿って延在する接合部（７５）と、接合部（７５）から屈曲して先端８０ｂに向かって延在する立設部（７１）と、を有する。
【００３２】
図５に示すように、各リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０は幅を３種類有する３段構造となっている。立設部４１は、接合部４５の幅Ｗ１に比べて幅Ｗ２が広がる幅広部位４６を有し、幅広部位４６は、樹脂部９０に埋没している。幅広部位４６の上側には中間幅広部位４７が形成され、中間幅広部位４７の先端側は接合部４５の幅Ｗ１と同じ接続部となっている。中間幅広部位４７の幅Ｗ３は、幅広部位４６の幅Ｗ２よりも小さく、接合部４５の幅Ｗ１よりも大きい。幅広部位４６よりも基端４０ａ側において９０°折り曲げられている。中間幅広部位４７を設けることにより、幅広部位４６から接合部４５の先端に向かって、幅の変化量を緩和することができる。中間幅広部位４７を設けない場合、幅Ｗ２から幅Ｗ１に急に変化することになり、応力が加わりやすくなる。中間幅広部位４７を設けることにより、幅の変化量を緩和して強度向上を図ることができる。
【００３３】
同様に、立設部５１は、接合部５５の幅Ｗ１に比べて幅Ｗ２が広がる幅広部位５６を有し、幅広部位５６は、樹脂部９０に埋没している。幅広部位５６の上側には中間幅広部位５７が形成され、中間幅広部位５７の先端側は接合部５５の幅Ｗ１と同じ接続部となっている。中間幅広部位５７の幅Ｗ３は、幅広部位５６の幅Ｗ２よりも小さく、接合部５５の幅Ｗ１よりも大きい。中間幅広部位５７において９０°折り曲げられている。幅広部位５６よりも基端５０ａ側において９０°折り曲げられている。
【００３４】
立設部６１は、接合部６５の幅Ｗ１に比べて幅Ｗ２が広がる幅広部位６６を有し、幅広部位６６は、樹脂部９０に埋没している。幅広部位６６の上側には中間幅広部位６７が形成され、中間幅広部位６７の先端側は接合部６５の幅Ｗ１と同じ接続部となっている。中間幅広部位６７の幅Ｗ３は、幅広部位６６の幅Ｗ２よりも小さく、接合部６５の幅Ｗ１よりも大きい。幅広部位６６よりも基端６０ａ側において９０°折り曲げられている。
【００３５】
立設部７１は、接合部７５の幅Ｗ１に比べて幅Ｗ２が広がる幅広部位７６を有し、幅広部位７６は、樹脂部９０に埋没している。幅広部位７６の上側には中間幅広部位７７が形成され、中間幅広部位７７の先端側は接合部７５の幅Ｗ１と同じ接続部となっている。中間幅広部位７７の幅Ｗ３は、幅広部位７６の幅Ｗ２よりも小さく、接合部７５の幅Ｗ１よりも大きい。中間幅広部位７７において９０°折り曲げられている。幅広部位７６よりも基端７０ａ側において９０°折り曲げられている。
【００３６】
各リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０は幅が３種類有する３段構造となっているが、最も細い部位である接合部４５，５５，６５，７５と最も太い部位である幅広部位４６，５６，６６，７６との段差部と、最も太い部位である幅広部位４６，５６，６６，７６と中間の太さの部位である中間幅広部位４７，５７，６７，７７との段差部は、樹脂部９０の内部において上下方向（Ｚ方向）において同じ高さとなっている。中間の太さの部位である中間幅広部位４７，５７，６７，７７を有することにより樹脂との密着性に優れる。
【００３７】
図１（ｂ）に示すように、半導体装置１０は、ケースの一部をなす金属板１００の上に配置される。半導体装置１０の上方に制御基板１０２が配置される。制御基板１０２は金属板１００から延びるボス１０１により支持されている。各リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の先端が制御基板１０２の貫通孔を貫通する状態で、各リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の先端が制御基板１０２に、はんだ付けされる。
【００３８】
次に、作用について説明する。
半導体装置１０の製造工程において、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、基板２０にスイッチング素子Ｑ、ダイオードＤ、チップ抵抗Ｒ及びサーミスタＴを実装するとともにワイヤ（図示略）をボンディングする。
【００３９】
また、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０を用意する。図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、リードフレーム４０，６０の基端側は真っ直ぐである。リードフレーム５０，７０，８０は中間幅広部位５７，７７において９０°折り曲げられている。
【００４０】
図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、載置台１１０及び位置決め治具１２０，１２１を用意する。載置台１１０は基板２０を水平状態で保持することができる。位置決め治具１２０は、載置台１１０上の基板２０の一方の長辺に対し離間して配置され、位置決め治具１２１は、載置台１１０上の基板２０の他方の長辺に対し離間して配置される。位置決め治具１２０，１２１は、基板２０の長辺に沿ってＹ方向に延びている。位置決め治具１２０の上面には、幅広部位４６，５６と中間幅広部位４７，５７との段差部の形状に合わせたスリット１３１，１３２が形成されている。スリット１３１，１３２に曲げる前のリードフレーム４０，５０の各段差部を嵌入できる。位置決め治具１２１の上面には、幅広部位６６，７６と中間幅広部位６７，７７との段差部の形状に合わせたスリット１３３，１３４，１３５が形成されている。各スリット１３３，１３４，１３５に曲げる前のリードフレーム６０，７０，８０に各段差部を嵌入できる。
【００４１】
そして、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、載置台１１０の上に基板２０を載置する。また、載置台１１０での基板２０の近傍に位置決め治具１２０，１２１を配置する。
そして、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０を基板２０のパッドにリフローはんだ付けする。このはんだ付け工程において、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０を位置決め治具１２０，１２１にセットする。リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の基端は基板２０のパッド上に位置させる。
【００４２】
このとき、リードフレーム４０，５０の幅広部位４６，５６と中間幅広部位４７，５７との間の段差部を治具１２０のスリット１３１，１３２の内面に押し当ててＸ方向での位置が決められる。また、リードフレーム４０，５０の幅広部位４６，５６を治具１２０のスリット１３１，１３２の内面に係合することによりＹ方向での位置が決められる。
【００４３】
同様に、リードフレーム６０，７０，８０の幅広部位６６，７６と中間幅広部位６７，７７との間の段差部を治具１２１のスリット１３３，１３４，１３５の内面に押し当ててＸ方向での位置が決められる。また、リードフレーム６０，７０，８０の幅広部位６６，７６を治具１２１のスリット１３３，１３４，１３５の内面に係合することによりＹ方向での位置が決められる。
【００４４】
このように位置決め治具１２０，１２１を用いてリードフレーム４０，５０，６０，７０，８０を位置決めした状態で、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の基端を基板２０のパッドに、はんだ付けにて接合する。
【００４５】
その後、位置決め治具１２０，１２１を取り外した後に、図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）、図２（ｄ）に示すように、プレス等によりリードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の基端側を上方に折り曲げる。詳しくは、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０については、幅広部位４６，５６，６６，７６よりも基端側において９０°折り曲げる。
【００４６】
引き続き、樹脂モールドを行って、図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）に示すように樹脂部９０によりリードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の先端が突出した状態で、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の基端及びスイッチング素子Ｑ、ダイオードＤ、チップ抵抗Ｒ及びサーミスタＴをモールドする。
【００４７】
このようにして、半導体装置１０が製造される。
そして、図１（ｂ）に示すように、半導体装置１０をケースの一部をなす金属板１００の上に配置するとともに、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の先端が制御基板１０２を貫通するように制御基板１０２を半導体装置１０の上方に配置する。さらに、リードフレーム４０，５０，６０，７０，８０の先端を制御基板１０２に、はんだ付けにて接合する。
【００４８】
従来、各リードフレームがタイバー構造であると、実装時は各端子となる部位がフレームに繋がっているためフレームを用いた位置決めが可能である。しかし、工程設計によっては端子１本毎のリードフレームを個別に実装を実施する必要がある。このとき、耐圧アップの仕様変更により端子毎のリードフレーム間の絶縁距離が大きくなる場合、端子毎のリードフレームのためモールド樹脂の表面から突出する位置は変わらず、一列配置のため、例えば図１でのＹ方向に離間して配置する必要があり、絶縁距離の増加分だけ体格も拡大してしまう。また、各々の端子毎のリードフレームで位置決めする必要がある。
【００４９】
本実施形態では、リードフレームの先端部分での間隔（端子間）を広くして絶縁距離を大きくする必要がある場合において第１リードフレーム４０，６０は、第１直線部４２，６２が基板２０から先端４０ｂ，６０ｂに向かって直線状に延在する。また、第２リードフレーム５０，７０は、第３直線部５３，７３が第２直線部５２，７２から屈曲して第１直線部４２，６２から離間する方向に向かって延在している。よって、第１直線部４２（６２）と第２直線部５２（７２）との最短距離より、第１直線部４２（６２）と第４直線部５４（７４）との最短距離が長くなるように第３直線部５３（７３）が延びており、絶縁距離を確保することができる。
【００５０】
また、リードフレームの先端部分（端子）を千鳥配置することで体格を小型化する。その千鳥配置は曲げ部をモールド樹脂内に収める構造をとることで実現する。つまり、リードフレームを一段に折り曲げたものと二段に折り曲げたものを用いることにより、折り曲げた部位より先端側を千鳥配置することができ、耐圧の増加に伴う絶縁距離が増加したとき、絶縁距離を確保しつつ小型化を図ることができる。
【００５１】
特に、耐圧増加の仕様変更によりリードフレームの先端部分での間隔（端子間）の絶縁距離を大きくする場合、リードフレームにおけるモールド樹脂の表面から突出している先端部分では千鳥配置となっており、単純な一列配置の場合に比べ絶縁距離を稼ぎやすくなっている。そのため単純な一列配置の場合に比べ体格の拡大が回避されている。
【００５２】
また、リードフレームの幅広部位４６，５６，６６，７６である矩形部は図５において符号Ｐｕｃで示すように折り曲げ後、アンダーカット構造になるため、樹脂部９０となるモールド樹脂が流れ込み、硬化されるとアンカー効果によりリードフレームと樹脂部９０の接合強度が向上する。つまり、樹脂モールド時、矩形部でのアンダーカット部Ｐｕｃへの樹脂食いつき（アンカー効果により）、リードフレームへの樹脂接合強度の向上を図ることができる。
【００５３】
また、リードフレーム形状において、基板２０との接合部４５，５５，６５，７５に比べ幅広部位４６，５６，６６，７６は端子毎の各リードフレームを用意する時に各リードフレームが繋がっている状態から切断する際の切断箇所を幅広とすればよい。つまり、フープ時の切断箇所を使うと機能を集約でき効率的である。そして、位置決め治具１２０，１２１を用いてリードフレームの幅広部位４６，５６，６６，７６に係合させて正確な位置決めを行うことができ、リードフレーム個別実装時に確実な位置決めができ、リードフレームの折り曲げ後のリードフレームの位置の精度向上が図られる。
【００５４】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体装置１０は、半導体素子としてのスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤが実装された基板２０と、基板２０に実装されるリードフレーム４０，５０、６０，７０と、リードフレーム４０，５０、６０，７０の先端４０ｂ，５０ｂ、６０ｂ，７０ｂが突出した状態で、リードフレーム４０，５０、６０，７０の基端４０ａ，５０ａ、６０ａ，７０ａ及び半導体素子としてのスイッチング素子Ｑ及びダイオードＤをモールドする樹脂部９０と、を備える。リードフレーム４０，５０、６０，７０は、第１リードフレーム４０，６０と、第１リードフレーム４０，６０に隣り合って配置される第２リードフレーム５０，７０と、を有する。第１リードフレーム４０，６０は、基板２０から先端４０ｂ，６０ｂに向かって直線状に延在する第１直線部４２，６２を有する。第２リードフレーム５０，７０は、基板２０から離間する方向に向かって直線状に延在する第２直線部５２，７２と、第２直線部５２，７２から屈曲して第１直線部４２，６２から離間する方向に向かって延在する第３直線部５３，７３と、第３直線部５３，７３から屈曲して先端５０ｂ，７０ｂに向かって直線状に延在する第４直線部５４，７４と、を有する。第１直線部４２，６２及び第４直線部５４，７４は、基板２０側の一部が樹脂部９０に埋没するとともに、先端５０ｂ，７０ｂ側の他部が樹脂部９０から突出している。第２直線部５２，７２及び第３直線部５３，７３は、樹脂部９０に埋没している。
【００５５】
これによれば、第１リードフレーム４０，６０は、第１直線部４２，６２が基板２０から先端４０ｂ，６０ｂに向かって直線状に延在するとともに、第２リードフレーム５０，７０は、第３直線部５３，７３が第２直線部５２，７２から屈曲して第１直線部４２，６２から離間する方向に向かって延在している。よって、第１直線部４２（６２）と第２直線部５２（７２）との最短距離より、第１直線部４２（６２）と第４直線部５４（７４）との最短距離が長くなるように第３直線部５３（７３）が延びており、容易に絶縁距離を確保することができる。
【００５６】
（２）リードフレーム４０，５０、６０，７０は、基板２０に沿って延在する接合部４５，５５、６５，７５と、接合部４５，５５、６５，７５から屈曲して先端４０ｂ，５０ｂ、６０ｂ，７０ｂに向かって延在する立設部４１，５１、６１，７１と、を有し、立設部４１，５１、６１，７１は、接合部４５，５５、６５，７５の幅に比べて幅が広がる幅広部位４６，５６、６６，７６を有し、幅広部位４６，５６、６６，７６は、樹脂部９０に埋没している。よって、アンカー効果により強固に固定することができる。
【００５７】
（３）各リードフレーム４０，５０、６０，７０における樹脂部９０から突出する部位を単純に一列に配置する場合においては絶縁距離を確保するためにより離間して配置すると大型化を招くが、この場合に比べ、第１直線部４２と第４直線部５４、及び、第１直線部６２と第４直線部７４を、千鳥状に配置することにより絶縁距離を確保しつつ小型化を図ることができる。
【００５８】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  第２リードフレーム５０，７０の立設部５１，７１における第２直線部５２，７２と第３直線部５３，７３との間の屈曲角度、及び、第３直線部５３，７３と第４直線部５４，７４との間の屈曲角度は９０°でなくてもよく、その角度は任意である。
【００５９】
○  基板に実装する半導体素子はトランジスタ、ダイオードであったが、素子の種類や個数は問わない。
○  各リードフレーム４０，５０、６０，７０における樹脂部９０から突出する部位全てが交互に千鳥状に配置されるように形成してもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１０…半導体装置、２０…基板、４０…第１リードフレーム、４０ａ…基端、４０ｂ…先端、４１…立設部、４２…第１直線部、４５…接合部、４６…幅広部位、５０…第２リードフレーム、５０ａ…基端、５０ｂ…先端、５１…立設部、５２…第２直線部、５３…第３直線部、５４…第４直線部、５５…接合部、５６…幅広部位、６０…第１リードフレーム、６０ａ…基端、６０ｂ…先端、６１…立設部、６２…第１直線部、６５…接合部、６６…幅広部位、７０…第２リードフレーム、７０ａ…基端、７０ｂ…先端、７１…立設部、７２…第２直線部、７３…第３直線部、７４…第４直線部、７５…接合部、７６…幅広部位、９０…樹脂部、Ｄ…ダイオード、Ｑ…スイッチング素子、Ｗ１…幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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