(57)【要約】【課題】絶縁信頼性に優れる回路基板を製造可能な回路基板の製造方法、絶縁信頼性に優れる回路基板、並びに絶縁信頼性に優れる回路基板を製造可能な積層体、回路層、及び基板の提供。【解決手段】基板と前記基板に対して空間を介して配置され回路及び前記回路の間に設けられる樹脂部を含む回路層とを有し、前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記空間に通ずる貫通孔を有する積層体を準備する準備工程と、前記積層体の前記空間に、前記貫通孔から封止材を供給する供給工程と、をこの順に備える、回路基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板に対して空間を介して配置され回路及び前記回路の間に設けられる樹脂部を含む回路層とを有し、前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記空間に通ずる貫通孔を有する積層体を準備する準備工程と、
前記積層体の前記空間に、前記貫通孔から封止材を供給する供給工程と、
をこの順に備える、回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記回路層と前記基板との平均距離は、７０μｍ〜２３０μｍである請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである請求項１又は請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記回路層の前記樹脂部が、前記貫通孔を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記回路層の前記樹脂部は、前記空間とは反対側の面に沿って前記貫通孔につながる流路を有し、
前記供給工程は、前記流路を通った封止材を前記貫通孔から前記空間に供給する工程を含む請求項４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記基板が、前記貫通孔を有する請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、前記空間とは反対側の面に沿って前記貫通孔につながる流路を有し、
前記供給工程は、前記流路を通った封止材を前記貫通孔から前記空間に供給する工程を含む請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
基板と、
封止材の硬化物を含む硬化層と、
回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、
をこの順に備え、
前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記硬化層に通ずる貫通孔を有し、前記貫通孔の少なくとも一部に前記封止材の硬化物が充填された回路基板。
【請求項９】
前記硬化層の平均厚みは、７０μｍ〜２３０μｍである請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである請求項８又は請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に対して空間を介して配置され、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、
を有し、
前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方に前記空間に通ずる貫通孔を有する積層体。
【請求項１２】
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである請求項１１に記載の積層体。
【請求項１３】
回路と、
前記回路の間に設けられ、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する樹脂部と、
を含む回路層。
【請求項１４】
回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層が、少なくとも一方の面側に空間を介して配置される回路基板製造用の基板であって、前記回路層が配置される位置に、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する基板。
【請求項１５】
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである請求項１４に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法、回路基板、積層体、回路層、及び基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化及び高機能化の進展に伴い、電子部品を基板上に高密度実装することが可能な回路基板としてプリント基板が広く用いられている。プリント基板は一般に、基板に金属箔を貼り付け、これをエッチングして所望の回路形状に加工することで製造されている。
【０００３】
一方、電子機器の使用環境の多様化に伴い、回路基板の電流容量の増大（大電流化）が求められている。回路基板の電流容量は、回路（導体）の断面積を大きくすることで増大させることができる。しかし、プリント基板においてエッチングにより回路を形成される手法で回路の厚さを厚くすることは、技術的に困難な点がある。例えば、回路の断面形状がテーパー状になり、回路間の絶縁性を確保しにくいこと、回路加工にかかる時間が厚さに比例して長くなること等が挙げられる。このため、エッチング法で回路形成するときに、回路の断面積を大きくするためには、配線の厚さではなく、幅を広げる必要がある。その結果、回路基板の小型化の要請に応えられない場合がある。
【０００４】
回路基板の小型化に対応しつつ大電流化する方法として、あらかじめ回路の状態に加工された金属部材を用いる方法が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−９９５７４号公報
【特許文献２】特開２００１−３６２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の方法では、大電流化と放熱性を付与するため、回路の状態に加工されたリードフレームと金属板との間に絶縁層を配置して、積層構造体の基板を一旦形成する。その後、隣接する回路の間を樹脂で充填する。しかしながらこの方法では、回路が板状ではないリードフレームを一括で絶縁層に貼り付ける手法で回路基板を形成するため、貼り付けのための加圧力のムラによる位置ずれを生じやすく、高信頼性が要求される金属基板の絶縁性に不安がある。
【０００７】
特許文献２に記載の方法では、回路の状態に加工された金属部材を加熱により軟化させた絶縁層に押し込むことによって回路基板が製造される。しかしながらこの方法では、金属部材を樹脂基材に押し込む際に金属部材と絶縁層の界面にボイドが生じたり、金属部材の位置ずれ、押し出された樹脂の盛り上がり等が生じて寸法が変化したりする結果、絶縁信頼性が低下する可能性がある。
【０００８】
一方、回路の間に樹脂部が設けられた回路層をあらかじめ準備し、その回路層を基板上に空間を介して配置した後、回路層と基板との空間に封止材を供給し硬化させて絶縁層を形成することで、回路基板を製造する方法が考えられる。この方法を用いることで、上記位置ずれ等が起こりにくくなる。
封止材を供給する方法としては、例えばトランスファーモールド法が挙げられる。トランスファーモールド法では、例えば、回路層と基板との空間における一端から他端に向かって封止材を流し込む。
しかし、回路層の面積が大きくなると、封止材の移動距離が長くなるため、封止材が空間の一端から他端に向かって進むにつれて増粘し、ボイドが生じやすくなる等により、絶縁信頼性が低下することがある。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑み、絶縁信頼性に優れる回路基板を製造可能な回路基板の製造方法、絶縁信頼性に優れる回路基板、並びに絶縁信頼性に優れる回路基板を製造可能な積層体、回路層、及び基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
＜１＞
基板と前記基板に対して空間を介して配置され回路及び前記回路の間に設けられる樹脂部を含む回路層とを有し、前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記空間に通ずる貫通孔を有する積層体を準備する準備工程と、
前記積層体の前記空間に、前記貫通孔から封止材を供給する供給工程と、
をこの順に備える、回路基板の製造方法。
＜２＞
前記回路層と前記基板との平均距離は、７０μｍ〜２３０μｍである＜１＞に記載の回路基板の製造方法。
＜３＞
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである＜１＞又は＜２＞に記載の回路基板の製造方法。
＜４＞
少なくとも前記回路層の前記樹脂部が、前記貫通孔を有する＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
＜５＞
前記回路層の前記樹脂部は、前記空間とは反対側の面に沿って前記貫通孔につながる流路を有し、
前記供給工程は、前記流路を通った封止材を前記貫通孔から前記空間に供給する工程を含む＜４＞に記載の回路基板の製造方法。
＜６＞
少なくとも前記基板が、前記貫通孔を有する＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の回路基板の製造方法。
＜７＞
前記基板は、前記空間とは反対側の面に沿って前記貫通孔につながる流路を有し、
前記供給工程は、前記流路を通った封止材を前記貫通孔から前記空間に供給する工程を含む＜６＞に記載の回路基板の製造方法。
＜８＞
基板と、
封止材の硬化物を含む硬化層と、
回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、
をこの順に備え、
前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記硬化層に通ずる貫通孔を有し、前記貫通孔の少なくとも一部に前記封止材の硬化物が充填された回路基板。
＜９＞
前記硬化層の平均厚みは、７０μｍ〜２３０μｍである＜８＞に記載の回路基板。
＜１０＞
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである＜８＞又は＜９＞に記載の回路基板。
＜１１＞
基板と、
前記基板に対して空間を介して配置され、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、
を有し、
前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方に前記空間に通ずる貫通孔を有する積層体。
＜１２＞
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである＜１１＞に記載の積層体。
＜１３＞
回路と、
前記回路の間に設けられ、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する樹脂部と、
を含む回路層。
＜１４＞
回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層が、少なくとも一方の面側に空間を介して配置される回路基板製造用の基板であって、前記回路層が配置される位置に、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する基板。
＜１５＞
前記貫通孔の最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍである＜１４＞に記載の基板。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、絶縁信頼性に優れる回路基板を製造可能な回路基板の製造方法、絶縁信頼性に優れる回路基板、並びに絶縁信頼性に優れる回路基板を製造可能な積層体、回路層、及び基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層体における２−２端面図である。
【図３】図２に示す積層体の貫通孔を含む領域を拡大した拡大端面図である。
【図４】第２実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す斜視図である。
【図５】図４に示す積層体における４−４断面図である。
【図６】図５に示す積層体の貫通孔を含む領域を拡大した拡大断面図である。
【図７】第３実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す端面図である。
【図８】第４実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す断面図である。
【図９】第５実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す端面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。数値及びその範囲についても同様であり、本発明を制限するものではない。
【００１４】
本開示において「工程」との語には、他の工程から独立した工程に加え、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、当該工程も含まれる。
本開示において「〜」を用いて示された数値範囲には、「〜」の前後に記載される数値がそれぞれ最小値及び最大値として含まれる。
本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合、各成分の含有率又は含有量は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計の含有率又は含有量を意味する。
本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。
本開示において「層」との語には、当該層が存在する領域を観察したときに、当該領域の全体に形成されている場合に加え、当該領域の一部にのみ形成されている場合も含まれる。
本開示において「積層」との語は、層を積み重ねることを示し、二以上の層が結合されていてもよく、二以上の層が着脱可能であってもよい。
本開示において実施形態を図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。
【００１５】
＜回路基板の製造方法＞
本開示の回路基板の製造方法は、基板と前記基板に対して空間を介して配置され回路及び前記回路の間に設けられる樹脂部を含む回路層とを有し、前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記空間に通ずる貫通孔を有する積層体を準備する準備工程と、前記積層体の前記空間に、前記貫通孔から封止材を供給する供給工程と、をこの順に備える。
本開示の回路基板の製造方法は、必要に応じて、さらに他の工程を有してもよい。他の工程としては、供給工程において供給された封止材を硬化させて封止材の硬化物を含む硬化層を形成する封止材硬化工程等が挙げられる。
【００１６】
上記回路基板の製造方法では、回路層の樹脂部及び基板の少なくとも一方が有する前記貫通孔から封止材を供給する。そのため、空間の一端から他端に向かって封止材を供給する場合に比べ、基板と回路層との間の空間を埋めるための封止材の移動距離が短くなり、封止材の増粘、それに伴うボイドの形成等が起こりにくくなる。それにより、回路層の面積が大きくても、絶縁信頼性に優れる回路基板を製造することが可能となる。
また、上記回路基板の製造方法により製造された回路基板は、貫通孔の少なくとも一部に封止材の硬化物が充填された状態となるため、かしめ効果により、回路層と基板との剥離が生じにくくなる。つまり、上記回路基板の製造方法では、簡便に、回路層と基板との剥離が生じにくい回路基板が得られる。
【００１７】
（第１実施形態）
第１実施形態に係る回路基板の製造方法として、前記空間に通ずる貫通孔を樹脂部に有する回路層を有する積層体を用いて回路基板を製造する方法について説明する。
第１実施形態では、回路と、前記回路の間に設けられ、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する樹脂部と、を含む回路層を用いる。そして、第１実施形態に係る回路基板の製造方法は、基板と基板に対して空間を介して配置され一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を樹脂部に有する回路層とを有する積層体を準備する準備工程と、積層体の空間に貫通孔から封止材を供給する供給工程と、をこの順に備える。
【００１８】
−準備工程−
準備工程では、積層体を準備する
以下、第１実施形態に係る回路基板の製造方法で用いる積層体について説明する。
図１は、第１実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す斜視図であり、図２は、図１に示す積層体における２−２端面図である。
図１及び図２に示す積層体１０は、基板１２と、基板１２に対して空間１４を介して配置された回路層１６と、を有する。回路層１６は、回路１６Ａと、回路１６Ａの間に設けられる樹脂部１６Ｂと、回路１６Ａの外周に設けられる樹脂部１６Ｄと、を含む。樹脂部１６Ｂは、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通する貫通孔１６Ｃを有する。
【００１９】
回路１６Ａの材質は、特に制限されず、例えば、銅、銀、クロム銅、タングステン銅、ニッケル、ニッケルメッキ銅、アルミニウム、アルマイトに表面修飾したアルミニウム等の金属が挙げられる。導電性及び放熱性の観点からは、銅を含むことが好ましい。
【００２０】
回路１６Ａの厚さは特に制限されず、これを用いて製造される回路基板の用途等に応じて選択できる。回路基板の大電流化の観点からは、回路１６Ａの厚さは３５０μｍ以上であることが好ましく、５００μｍ以上であることがより好ましく、１０００μｍ以上であることがさらに好ましい。容積及び重量の観点からは、回路１６Ａの厚さは、例えば、３０００μｍ以下であってよい。
回路１６Ａの場所によって上記の値が異なる場合は、任意に選択した５箇所で得られた測定値の算術平均値を上記の値としてもよい。
なお、上記回路１６Ａの厚さは回路１６Ａ自体の厚さを意味する。例えば、隣接する部材に回路１６Ａの一部が埋め込まれている場合は、埋め込まれている部分の厚さも回路１６Ａの厚さに含まれる。
【００２１】
回路１６Ａの幅及び長さは特に制限されず、これを用いて製造される回路基板の用途等に応じて選択できる。例えば、３５０μｍ〜７００００μｍの範囲から選択できる。
【００２２】
回路１６Ａは、例えば、金属板を所望の形状の回路１６Ａの状態に加工することで得られる。加工の方法は特に制限されず、打抜き、切削等の公知の方法から選択できる。
【００２３】
回路１６Ａは、ブリッジ部を有さないことが好ましい。ブリッジ部を有さないことにより、打ち抜き、切削、エッチング等の加工によってブリッジ部を除去する必要がないため、ブリッジ部を打ち抜いた周囲にクラックが入る可能性や、ブリッジ部を除去した後の穴を埋めた箇所に生じるボイド、不均一性等と湿度による絶縁性悪化が抑制される。また、ブリッジ部の形成に用いる分の材料を節約することができる。
【００２４】
樹脂部１６Ｂは、回路１６Ａと回路１６Ａとの間を充填するように設けられている。
樹脂部１６Ｂに用いる樹脂は、特に制限されず、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、アミドイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。樹脂部１６Ｂに用いる樹脂は、１種であっても２種以上であってもよい。電気絶縁性と接着性の観点からは、樹脂部１６Ｂに用いる樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アミドイミド樹脂、及びウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。耐湿性の観点からは、樹脂部１６Ｂに用いる樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びアミドイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。また、樹脂部１６Ｂに用いる樹脂は、必要に応じてフィラー（粉末、繊維等）などの樹脂以外の成分を含んでもよい。
【００２５】
回路１６Ａの間に樹脂部１６Ｂを設ける方法は、特に制限されず、例えば、粉末等の固体状の樹脂材料を用いる方法（押出成形法、圧縮成形法、トランスファーモールド、インサート成形方法等）、液状の樹脂材料を用いる方法（注型法、塗布法、印刷法、埋め込み法等）などが挙げられる。
【００２６】
なお、樹脂部１６Ｂが「回路の間に設けられる」状態とは、樹脂部１６Ｂを設けることによる効果の発現が求められる部分に少なくとも樹脂部１６Ｂが設けられている状態を意味し、回路層１６における回路１６Ａの間の空間すべてに樹脂部１６Ｂが設けられている場合に限られない。例えば、本実施形態の方法により達成される効果に寄与しない部分に樹脂部１６Ｂが設けられていない場合、樹脂部１６Ｂを形成するにあたって意図せず生じるボイド、クラック、未充填部等が存在する場合も、実用上問題のない場合には上記の状態に該当するものとする。
【００２７】
一方、樹脂部１６Ｂは、例えば、回路層１６を上部から見た（平面視した）場合、回路１６Ａの間の空間に相当する領域のうち貫通孔１６Ｃを除くすべての領域に樹脂部１６Ｂが存在する状態であってもよい。なおこれらの場合における「すべて」には、上述したような本実施形態の方法により達成される効果に寄与しない部分、樹脂部を形成するにあたって意図せず生じる樹脂部が存在しない部分などは考慮しない。
【００２８】
樹脂部１６Ｂの厚さは、回路１６Ａの厚さの８０％〜１２０％であることが好ましく、９０％〜１１０％であることがより好ましく、９５％〜１０５％であることがさらに好ましい。樹脂部１６Ｂの場所によって上記の値が異なる場合は、任意に選択した５箇所で得られた測定値の算術平均値を上記の値としてもよい。
【００２９】
絶縁性保持の観点からは、樹脂部１６Ｂの線膨張率は、１０ｐｐｍ／Ｋ〜５０ｐｐｍ／Ｋであることが好ましく、１２ｐｐｍ／Ｋ〜４５ｐｐｍ／Ｋであることがより好ましい。
樹脂部１６Ｂの線膨張率は、熱機械分析法によりサンプルの歪みを温度に対してプロットした場合の接線の傾きであり、サンプルのガラス転移温度以下の温度領域により測定される値である。
【００３０】
貫通孔１６Ｃは、樹脂部１６Ｂに設けられている。貫通孔１６Ｃは、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通している。
貫通孔１６Ｃの形状（すなわち、樹脂部１６Ｂの面方向における断面の形状）は、特に限定されず、円形、楕円形、多角形等が挙げられる。
貫通孔１６Ｃの形状は、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面にかけて同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００３１】
貫通孔１６Ｃの最小円相当径は、１００μｍ〜５００００μｍであることが好ましく、１００μｍ〜５０００μｍであることがより好ましく、１００μｍ〜５００μｍであることがさらに好ましい。
上記最小円相当径が上記範囲であることにより、上記範囲よりも大きい場合に比べて、貫通孔１６Ｃから封止材を供給し封止材を硬化させた後の後処理（例えば、ゲートブレイク）が容易となるという利点があり、上記範囲よりも小さい場合に比べて、封止材の供給が容易となるという利点がある。
上記最小円相当径は、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面までにおける貫通孔１６Ｃの円相当径のうち、最も小さい円相当径の値をいう。
また、上記円相当径は、樹脂部１６Ｂの面方向の断面において、貫通孔１６Ｃの面積を円に換算したときの直径をいい、以下のようにして測定及び算出した値である。具体的には、測定対象となる貫通孔１６Ｃの断面をデジタルマイクロスコープで観察し、画像解析により断面積Ｓを求める。得られた断面積Ｓの値から、下記式により、円相当半径ｒを求め、円相当半径ｒを２倍することで、円相当径を算出する。
式：断面積Ｓ＝π×（円相当半径ｒ）２
【００３２】
なお、上記貫通孔１６Ｃの円相当径は、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面にかけて同一であってもよく、異なっていてもよい。空間１４側の面における貫通孔１６Ｃの円相当径は、空間１４とは反対側の面における貫通孔１６Ｃの円相当径より大きくてもよく、小さくてもよい。
空間１４とは反対側の面における貫通孔１６Ｃの円相当径が、空間１４側の面における貫通孔１６Ｃの円相当径よりも大きいと、かしめ効果が高く、回路層と基板との剥離が生じにくくなる。一方、空間１４とは反対側の面における貫通孔１６Ｃの円相当径が、空間１４側の面における貫通孔１６Ｃの円相当径よりも小さいと、封止材が空間１４内を広がりやすくなるため、絶縁信頼性が高くなる。
【００３３】
貫通孔１６Ｃの位置は、樹脂部１６Ｂの領域であれば特に限定されるものではなく、回路１６Ａに接触していないことが好ましく、回路層１６の面方向の中央部にあることがより好ましい。上記中央部とは、回路層１６の面方向において、一端からの距離が、全体距離（すなわち、一端から他端までの距離）に対して２０％〜８０％である領域を言う。
【００３４】
なお、図１及び図２に示す積層体１０では、回路層１６の樹脂部１６Ｂに１つの貫通孔１６Ｃを有しているが、これに限られず、回路層１６の樹脂部１６Ｂに複数の貫通孔を有してもよい。
【００３５】
樹脂部１６Ｂに貫通孔１６Ｃを設ける方法は、特に限定されず、回路層１６が形成された後にドリリング、エッチング等により貫通孔１６Ｃを設ける方法、貫通孔１６Ｃの断面形状と同じ断面形状を有する部材を回路１６Ａの間に設置した状態で樹脂部１６Ｂを形成した後に前記部材を除去することにより貫通孔１６Ｃを有する樹脂部１６Ｂを形成する方法などが挙げられる。
【００３６】
回路層１６の取り扱い性の観点から、回路層１６は、回路１６Ａと樹脂部１６Ｂとが一体化した状態である（一層として扱うことができる）ことが好ましい。
回路層１６における回路１６Ａと樹脂部１６Ｂとが一体化した状態であると、回路基板の作製において位置ズレ等がより生じにくく、得られる回路基板の絶縁信頼性が向上する傾向にある。また、回路の水分との接触が抑制され、回路基板の耐湿信頼性が充分に確保され、沿面放電、部分放電、トラッキング、マイグレーション等の発生が抑制される傾向にある。
【００３７】
回路１６Ａと樹脂部１６Ｂとが一体化した状態の回路層１６としては、例えば、回路層１６が、回路１６Ａの間に設けられる樹脂部１６Ｂに加えて、回路１６Ａの外周に設けられる樹脂部１６Ｄをさらに備える回路層１６が挙げられる。この場合、回路１６Ａの間に設けられる樹脂部１６Ｂの少なくとも一部と回路１６Ａの外周に設けられる樹脂部１６Ｄの少なくとも一部とが連続していることがより好ましい。
なお、樹脂部１６Ｄの樹脂種、回路１６Ａの外周に樹脂部１６Ｄを設ける方法、樹脂部１６Ｄの厚さ、及び樹脂部１６Ｄの線膨張率は、それぞれ、前述の樹脂部１６Ｂの樹脂種、回路１６Ａの間に樹脂部１６Ｂを設ける方法、樹脂部１６Ｂの厚さ、及び樹脂部１６Ｂの線膨張率と同様である。
【００３８】
回路層１６の面方向における形状は、特に限定されず、正方形、長方形、円形、楕円形、これらの形状を組み合わせた形等が挙げられる。
回路層１６の面方向における大きさは、特に限定されるものではない。特に、本実施形態では、貫通孔１６Ｃから封止材を供給することで封止材の移動距離が短いため、従来よりも大きい回路層１６を用いることができる。回路層１６の面方向における最大長さは、１０ｍｍ〜５００ｍｍが好ましく、１０ｍｍ〜３００ｍｍがより好ましく、１０ｍｍ〜２００ｍｍがさらに好ましい。また、本実施形態では、貫通孔１６Ｃを有することで封止材の移動距離が短いため、回路層１６の面方向における最大長さは、５０ｍｍ以上であってもよく、１００ｍｍ以上であってもよい。
なお、上記「回路層１６の面方向における最大長さ」は、面方向において最も長い距離の長さをいい、例えば回路層１６の面方向における形状が正方形である場合、その対角線が上記最大長さに相当する。
なお、回路層１６の面方向において、貫通孔１６Ｃから回路１６Ａの端部までの最大長さは、絶縁信頼性を得る観点から、１０ｍｍ〜２５０ｍｍが好ましく、１０ｍｍ〜１５０ｍｍがより好ましく、１０ｍｍ〜１００ｍｍがさらに好ましい。
【００３９】
回路層１６は、少なくとも空間１４側の面が粗化処理されていてもよい。回路層１６における空間１４側の面が粗化処理されていると、後述する供給工程において、供給された封止材のボイドの発生を抑制しながら、封止材の硬化物を含む硬化層と回路層１６とが充分に接着できる状態とすることができる。具体的には、回路層１６の空間１４側の面を粗化し、アンカー効果による引き抜き力を向上させるか密着面積を増大させることで、ファンデルワールス力による密着性を向上することができると考えられる。
回路層１６の粗化処理は、回路１６Ａ及び樹脂部１６Ｂのいずれか一方についてのみ行ってもよく、回路１６Ａ及び樹脂部１６Ｂの双方について行ってもよい。回路層１６の粗化処理を、回路１６Ａ及び樹脂部１６Ｂのいずれか又は双方について行う場合は、上記封止材の硬化物を含む硬化層との接着強度が弱い方の粗化処理を優先的に施すことが好ましい。
【００４０】
回路層１６を粗化処理する方法は特に制限されず、物理的な方法で行っても、化学的な方法で行ってもよい。例えば、回路１６Ａの材質が銅であれば、物理的な方法としては、やすりがけ、サンドブラスト処理、レーザー照射、フライス加工等が挙げられる。化学的な方法としては、マグダミット処理、ＣＺ処理、黒化処理、エッチング処理等が挙げられる。粗化処理は、いずれか１種の方法により行っても、２種以上を組み合わせてもよい。２種以上を組み合わせる場合は、物理的な方法と化学的な方法を組み合わせて行っても、化学的な方法同士を組み合わせて行っても、物理的な方法同士を組み合わせて行ってもよい。また、樹脂部１６Ｂを粗化処理する場合の方法としては、デスミア処理、ケミカルデフラッシュ等による処理が挙げられ、いずれか一つの手法で行っても複数の手法を組み合わせて行ってもよい。
【００４１】
回路層１６の粗化処理は、樹脂部１６Ｂが存在しない状態で行っても、樹脂部１６Ｂが存在する状態で行ってもよい。樹脂部１６Ｂが存在しない状態で回路層１６の粗化処理を行う場合の利点としては、封止材の硬化物を含む硬化層に対する回路１６Ａの密着性のみならず、樹脂部１６Ｂに対する密着性も向上する点が挙げられる。樹脂部１６Ｂが存在する状態で回路層１６の粗化処理を行う場合の利点としては、回路１６Ａ及び樹脂部１６Ｂの粗化処理を一括して行うことができる点が挙げられる。
【００４２】
回路層１６の作製方法は、特に制限されない。例えば、下記のようにして作製することができる。まず、金属板を打抜き、切削等により切断して所望の形状の回路の状態に加工し、その後バリ取り加工を行い、回路を得る。次いで、粘着フィルム等の仮基材の上に作製した回路を配置する。必要に応じて回路形成の際に生じたバリ、残渣等を除去してもよい。その後、回路の間、及び、必要に応じて回路の外縁部に樹脂部を形成し、必要に応じて硬化処理等を行う。その後、回路から仮基材を剥離し、回路の間の樹脂部に貫通孔を形成する。次いで、必要に応じて樹脂部の形成時に生じたバリの除去、樹脂の後硬化処理等を行って、回路層１６を得る。
なお、貫通孔の形成は、樹脂部の形成時に行ってもよい。例えば、貫通孔の断面形状と同じ断面形状を有する部材を回路の間に設置した状態で樹脂部を形成した後に前記部材を除去することで、貫通孔を有する樹脂部を形成してもよい。
【００４３】
基板１２の種類は、特に制限されず、例えば、ベースプレート、ヒートスプレッダ等の放熱機能を有する部材が挙げられる。ヒートスプレッダとしては、フィン、空気又は水の流路を持ったケース、グリースを介した金属板等の部材が挙げられる。
基板１２の材質は特に制限されず、銅、アルミニウム、タングステン銅、モリブデン銅等の銅合金、ニッケルめっき銅などが挙げられる。
基板１２の表面は平滑であってもよく、粗化処理が施されていてもよい。粗化処理の方法は、回路シートに対する粗化処理の方法として例示したものから選択してもよい。
【００４４】
基板１２に対して空間１４を介して回路層１６を配置する方法は、特に制限されず、例えば、金型内に、基板１２、空間１４と同じ厚みを有するスペーサー、及び回路層１６の順に積層する方法が挙げられる。なお、重力方向において、回路層１６が基板１２の上にあってもよく、基板１２が回路層１６の上にあってもよい。
また、回路層１６に比べて基板１２が大きい場合は、例えば、回路層１６と同じ大きさの穴部を有し、前記穴部の高さが回路層１６及び空間１４の合計厚みに相当する高さである枠治具を用いてもよい。その場合、前記枠治具の穴部に回路層１６を設置し、枠治具の上に基板１２を設置することで、基板１２に対して空間１４を介して回路層１６を配置することができる。
【００４５】
回路層１６の厚み方向における空間１４の平均距離（つまり、回路層１６と基板１２との平均距離）は特に制限されず、回路基板の用途等に応じて選択できる。封止材の硬化物を含む硬化層における充分な絶縁性を確保する観点からは、上記平均距離は、７０μｍ以上であることが好ましく、９０μｍ以上であることがより好ましく、１１０μｍ以上であることがさらに好ましい。一方、充分な放熱性を確保する観点からは、上記平均距離は、２３０μｍ以下であることが好ましく、２１０μｍ以下であることがより好ましく、１９０μｍ以下であることがさらに好ましい。上記平均距離は、回路１６Ａの厚さよりも小さいことが好ましい。上記平均距離は、７０μｍ〜２３０μｍが好ましく、９０μｍ〜２１０μｍがより好ましく、１１０μｍ〜２００μｍがさらに好ましい。
【００４６】
−供給工程−
供給工程では、積層体１０の空間１４に、貫通孔１６Ｃから封止材を供給する。
図３に、貫通孔１６Ｃから供給された封止材の移動方向を矢印で示す。図３に示すように、本実施形態では、貫通孔１６Ｃから、空間１４の一端及び他端のそれぞれに向かって封止材が移動する。そのため、空間１４の一端から他端に向かって封止材を供給する場合に比べ、封止材の移動距離が短くなる。
【００４７】
封止材の供給温度は、用いる封止材の特性によって適宜設定されるが、例えば１００℃〜３００℃の範囲が挙げられ、１２０℃〜２３０℃が好ましく、１６０℃〜１９０℃がより好ましい。上記供給温度は、封止材を供給するときにおける積層体１０の温度であり、例えば金型内に積層体１０を設置した状態で封止材を供給する場合は金型温度をいう。
封止材の供給圧力は、用いる封止剤の特性、回路層１６の厚み方向における空間１４の平均距離、貫通孔１６Ｃの最小円相当径等によって適宜設定されるが、例えば０ＭＰａ〜３０ＭＰａの範囲が挙げられ、５ＭＰａ〜２５ＭＰａが好ましく、５ＭＰａ〜２０ＭＰａがより好ましい。
【００４８】
供給工程において用いる封止材は、成形性の観点から、樹脂成分を含むことが好ましく、必要に応じて、さらに無機充填材を含んでもよい。
封止材中の無機充填材の含有率は、特に制限されず、熱伝導性の向上効果と他の成分とのバランスの観点から、封止材全体の５０体積％〜９０体積％であることが好ましく、６０体積％〜８７体積％であることがより好ましく、７０体積％〜８５体積％であることがさらに好ましい。
無機充填材の含有率が多い封止材は、移動距離が長くなるにつれて増粘に伴うボイドの形成が起こりやすくなるが、前記の通り、本実施形態では封止材の移動距離が短いため、無機充填材の含有量が多い封止材を用いることができる。
【００４９】
無機充填材としては、球状シリカ、結晶シリカ、ガラス、アルミナ、炭酸カルシウム、ケイ酸ジルコニウム、ケイ酸カルシウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア、タルク、クレー、マイカ等が挙げられる。難燃効果を有する無機充填材を用いてもよい。難燃効果を有する無機充填材としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、マグネシウムと亜鉛の複合水酸化物等の複合金属水酸化物、硼酸亜鉛などが挙げられる。
無機充填材の中でも、線膨張係数低減の観点からはシリカが好ましく、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましい。無機充填材は１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５０】
無機充填材が粒子状である場合、その粒子径は特に制限されない。例えば、粒子径が０．２μｍ〜１００μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜５０μｍであることがより好ましい。粒子径が０．２μｍ以上であると、封止材の粘度の上昇がより抑制される傾向がある。粒子径が１００μｍ以下であると、充填性がより向上する傾向にある。
上記無機充填材の粒子径は、レーザー回折式粒度分布測定装置を用いて得られる体積基準の粒度分布において小径側からの累積が５０％となるときの粒子径（体積平均粒子径、Ｄ５０％）を意味する。
【００５１】
封止材は、封止材の硬化物を含む硬化層の強度及び耐熱性の観点から、樹脂成分として熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、エポキシ基を含有するアクリル樹脂等の、熱可塑性と熱硬化性の両方の性質を示すものは「熱硬化性樹脂」に含めるものとする。封止材に含まれる樹脂成分は、１種であっても２種以上であってもよい。
封止材中の熱硬化性樹脂の含有率は、強度、流動性、耐熱性、成形性等の観点から０．５質量％〜５０質量％であることが好ましく、２質量％〜３０質量％であることがより好ましい。
【００５２】
封止材は、樹脂成分としてエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
エポキシ樹脂として具体的には、ノボラック型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、共重合型エポキシ樹脂、ジフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、硫黄原子含有エポキシ樹脂、アルコール類のグリシジルエーテルであるエポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、シクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、パラキシリレン変性エポキシ樹脂、メタキシリレン変性エポキシ樹脂、テルペン変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性エポキシ樹脂、シクロペンタジエン変性エポキシ樹脂、多環芳香環変性エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、アクリル樹脂のエポキシ化物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
封止材は、樹脂成分として上記熱硬化性樹脂の硬化剤をさらに含んでいてもよい。硬化剤は、併用する樹脂と硬化反応を生じるものであれば特に制限されない。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、併用する硬化剤としては、フェノール硬化剤、アミン硬化剤、酸無水物硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤、ポリアミノアミド硬化剤、イソシアネート硬化剤、ブロックイソシアネート硬化剤等が挙げられる。封止材の硬化性及びポットライフの両立の観点からはフェノール硬化剤、アミン硬化剤、及び酸無水物硬化剤からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、電気的信頼性の観点からはフェノール硬化剤がより好ましい。
【００５４】
フェノール硬化剤として具体的には、多価フェノール化合物、ノボラック型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、パラキシリレン変性フェノール樹脂、メタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、多環芳香環変性フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、これら２種以上を共重合して得たフェノール樹脂等が挙げられる。これらのフェノール硬化剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５５】
熱硬化性樹脂と硬化剤の当量比、すなわち熱硬化性樹脂中の官能基数に対する硬化剤中の官能基数の比（硬化剤中の官能基数／熱硬化性樹脂中の官能基数）は、特に制限されない。それぞれの未反応分を少なく抑える観点からは、０．５〜２．０の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３の範囲に設定されることがより好ましい。成形性と耐リフロー性の観点からは、０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００５６】
封止材は、硬化促進剤を含んでもよい。硬化促進剤の種類は特に制限されず、併用する樹脂の種類、封止材の所望の特性等に応じて選択できる。
硬化促進剤としては、ジアザビシクロアルケン、環状アミジン化合物、前記環状アミジン化合物の誘導体、前記環状アミジン化合物又はその誘導体のフェノールノボラック塩、これらの化合物にπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、環状アミジニウム化合物、三級アミン化合物、前記三級アミン化合物の誘導体、アンモニウム塩化合物、三級ホスフィン、前記三級ホスフィンと有機ボロン類との錯体等のホスフィン化合物、前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物とπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、前記三級ホスフィン又は前記ホスフィン化合物とハロゲン化フェノール化合物を反応させた後に、脱ハロゲン化水素の工程を経て得られる、分子内分極を有する化合物、テトラ置換ホスホニウム、ホウ素原子に結合したフェニル基がないテトラ置換ホスホニウム、テトラ置換ボレート、テトラフェニルホスホニウムとフェノール化合物との塩などが挙げられる。
封止材が硬化促進剤を含む場合、その量は、樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部〜３０質量部であることが好ましく、１質量部〜１５重量部であることがより好ましい。硬化促進剤の量が樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部以上であると、短時間で良好に硬化する傾向にある。硬化促進剤の量が樹脂成分１００質量部に対して３０質量部以下であると、硬化速度が速すぎず良好な成形品が得られる傾向にある。
【００５７】
封止材は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤として具体的には、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等のシラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート化合物、アルミニウム／ジルコニウム系化合物などの公知のカップリング剤が挙げられる。
封止材がカップリング剤を含む場合、その量は、無機充填材１００質量部に対して０．０５質量部〜５質量部であることが好ましく、０．１質量部〜２．５質量部であることがより好ましい。
【００５８】
封止材は、イオン交換体を含んでもよい。イオン交換体として具体的には、ハイドロタルサイト化合物、並びにマグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム及びビスマスからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の含水酸化物等が挙げられる。イオン交換体は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
封止材がイオン交換体を含む場合、その量は、樹脂成分１００質量部に対して０．１質量部〜３０質量部であることが好ましく、１質量部〜１０質量部であることがより好ましい。
【００５９】
封止材は、離型剤を含んでもよい。離型剤として具体的には、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸等の高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス、酸化ポリエチレン、非酸化ポリエチレン等のポリオレフィン系ワックスなどが挙げられる。離型剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
封止材が離型剤を含む場合、その量は、樹脂成分１００質量部に対して０．０１質量部〜１０質量部であることが好ましく、０．１質量部〜５質量部であることがより好ましい。
【００６０】
封止材は、難燃剤を含んでもよい。難燃剤として具体的には、ハロゲン原子、アンチモン原子、窒素原子又はリン原子を含む有機又は無機の化合物、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
封止材が難燃剤を含む場合、その量は、所望の難燃効果を得るのに充分な量であれば特に制限されない。例えば、樹脂成分１００質量部に対して１質量部〜３０質量部であることが好ましく、２質量部〜２０質量部であることがより好ましい。
【００６１】
封止材は、着色剤を含んでもよい。着色剤として具体的には、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラ等が挙げられる。着色剤の含有量は目的等に応じて適宜選択できる。着色剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６２】
封止材は、シリコーンオイル、シリコーンゴム粒子等の応力緩和剤を含んでもよい。応力緩和剤として具体的には、シリコーン系、スチレン系、オレフィン系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリエーテル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系等の熱可塑性エラストマー、ＮＲ（天然ゴム）、ＮＢＲ（アクリロニトリル−ブタジエンゴム）、アクリルゴム、ウレタンゴム、シリコーンパウダー等のゴム粒子、メタクリル酸メチル−スチレン−ブタジエン共重合体（ＭＢＳ）、メタクリル酸メチル−シリコーン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリル酸ブチル共重合体等のコア−シェル構造を有するゴム粒子などが挙げられる。応力緩和剤は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６３】
−他の工程−
本実施形態に係る回路基板の製造方法は、必要に応じて、供給工程において供給された封止材を硬化させて封止材の硬化物を含む硬化層を形成する封止材硬化工程を備えてもよい。
封止材硬化工程における硬化温度は、用いる封止材の特性によって適宜設定されるが、例えば１００℃〜３００℃の範囲が挙げられ、１２０℃〜２３０℃が好ましく、１６０℃〜１９０℃がより好ましい。
封止材硬化工程における硬化時間は、用いる封止材の特性によって適宜設定されるが、例えば０秒〜６００秒の範囲が挙げられ、３０秒〜３００秒が好ましく、３０秒〜１８０秒がより好ましい。
【００６４】
本実施形態に係る回路基板の製造方法は、必要に応じて、得られた回路基板の後処理をする工程を備えてもよい。
上記後処理としては、例えば、ゲートブレイク、バリ取り、防錆処理、ニッケルめっき等の後めっきなどが挙げられる。
【００６５】
（第２実施形態）
第２実施形態に係る回路基板の製造方法として、樹脂部に貫通孔及び流路を有する回路層を有する積層体を用いて回路基板を製造する方法について説明する。
第２実施形態では、回路と、前記回路の間に設けられ、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔と一方の面に沿って設けられ貫通孔につながる流路とを有する樹脂部と、を含む回路層を用いる。そして、第２実施形態に係る回路基板の製造方法は、基板と基板に対して空間を介して配置され一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を樹脂部に有し空間とは反対側の面に沿って貫通孔につながる流路を樹脂部に有する回路層とを有する積層体を準備する準備工程と、流路を通った封止材を貫通孔から積層体の空間に供給する供給工程と、をこの順に備える。
第２実施形態では、準備工程において準備する積層体が前記流路を有することと、供給工程において前記流路を通った封止材を貫通孔から空間に供給すること以外は、第１実施形態と同様であるため、同様である事項については説明を省略する場合がある。
【００６６】
以下、第２実施形態に係る回路基板の製造方法で用いる積層体について説明する。
図４は、第２実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す斜視図であり、図５は、図４に示す積層体における５−５断面図である。
図４及び図５に示す積層体２０は、基板１２と、基板１２に対して空間１４を介して配置された回路層２６と、を有する。回路層２６は、回路２６Ａと、回路２６Ａの間に設けられる樹脂部２６Ｂと、回路２６Ａの外周に設けられる樹脂部２６Ｄと、を含む。樹脂部２６Ｂは、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通する貫通孔２６Ｃを有する。また、樹脂部２６Ｂは、空間１４とは反対側の面に沿って、回路層２６の端部から貫通孔２６Ｃにつながる流路２６Ｅを有している。
【００６７】
流路２６Ｅの幅、深さ、及び流路２６Ｅの流れ方向に垂直な断面の形状は、特に限定されるものではない。
流路２６Ｅの幅としては、例えば０．１ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲が挙げられ、回路寸法との比及び流動性の観点から０．３ｍｍ〜３．０ｍｍであることが好ましく、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍであることがより好ましい。また、流路２６Ｅの幅は、流路２６Ｅが形成された箇所における樹脂部２６Ｂの幅の０．０５倍〜１．０倍であることが好ましく、０．２５倍〜１．０倍であることがより好ましく、０．５倍〜１．０倍であることがさらに好ましい。なお、流路２６Ｅの幅及び樹脂部２６Ｂの幅は、回路層２６の面内において流路２６Ｅの流れ方向に垂直な方向の幅をいう。
流路２６Ｅの深さとしては、例えば０．１ｍｍ〜１０．０ｍｍの範囲が挙げられ、回路寸法との比及び流動性の観点から０．３ｍｍ〜５．０ｍｍであることが好ましく、０．３ｍｍ〜１．５ｍｍであることがより好ましい。また、流路２６Ｅの深さは、流路２６Ｅが形成された箇所における樹脂部２６Ｂの厚みの０．０５倍〜１．０倍であることが好ましく、０．２５倍〜１．０倍であることがより好ましく、０．５倍〜１．０倍であることがさらに好ましい。なお、流路２６Ｅの深さは、回路層２６の面に垂直な方向における深さをいう。
流路２６Ｅの流れ方向に垂直な断面の形状としては、例えば、半円、多角形等が挙げられる。
【００６８】
流路２６Ｅの幅、深さ、及び流路２６Ｅの流れ方向に垂直な断面の形状は、それぞれ、流路２６Ｅの一端から他端まで、同じであってもよく、異なっていてもよい。
また、図４及び図５に示す積層体２０の流路２６Ｅは、回路層２６の端部から貫通孔２６Ｃにつながっているが、少なくとも樹脂部２６Ｂに設けられ貫通孔２６Ｃにつながっていればこれに限定されるものではなく、回路層２６の端部以外の位置から貫通孔２６Ｃにつながる流路であってもよい。
なお、流路２６Ｅは、回路２６Ａに接触していなくてもよく、回路２６Ａに接触していてもよい。
【００６９】
樹脂部２６Ｂに流路２６Ｅを設ける方法は、特に限定されず、回路層２６が形成された後にドリリング、エッチング、切削等により流路２６Ｅを設ける方法、流路２６Ｅの形状と同じ形状を有する部材を回路２６Ａの間に設置した状態で樹脂部２６Ｂを形成した後に前記部材を除去することにより流路２６Ｅを有する樹脂部２６Ｂを形成する方法などが挙げられる。
【００７０】
供給工程では、図６に矢印で示すように、封止材が、回路層２６の端部から流路２６Ｅを通って貫通孔２６Ｃから空間１４に供給される。そして、貫通孔２６Ｃから、空間１４の一端及び他端のそれぞれに向かって封止材が移動し、空間１４が封止材で充填される。
なお、図４及び図５に示す積層体２０では、回路層２６の樹脂部２６Ｂに１本の流路２６Ｅを有しているが、これに限られず、１つの貫通孔２６Ｃにつながる複数の流路を有してもよい。また、貫通孔を複数有する場合、複数の貫通孔につながる共通の流路を有してもよく、複数の貫通孔につながる流路をそれぞれ有してもよい。
【００７１】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る回路基板の製造方法として、基板に貫通孔を有する積層体を用いて回路基板を製造する方法について説明する。
第３実施形態では、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する基板と、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、を用いる。そして、第３実施形態に係る回路基板の製造方法は、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する基板と基板に対して空間を介して配置された回路層とを有する積層体を準備する準備工程と、積層体の空間に貫通孔から封止材を供給する供給工程と、をこの順に備える。
第３実施形態では、回路層が貫通孔を有さず基板が貫通孔を有すること以外は、第１実施形態と同様であるため、同様である事項については説明を省略する場合がある。
【００７２】
図７は、第３実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す端面図である。
図７に示す積層体３０は、基板３２と、基板３２に対して空間１４を介して配置された回路層３６と、を有する。回路層３６は、回路３６Ａと、回路３６Ａの間に設けられる樹脂部３６Ｂと、回路３６Ａの外周に設けられる樹脂部３６Ｄと、を含む。基板３２は、回路層３６が空間１４を介して配置されている領域に、基板３２の空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通する貫通孔３２Ｃを有する。
【００７３】
貫通孔３２Ｃの形状及び円相当径については、前述の第１実施形態における貫通孔１６Ｃの形状及び円相当径と同様であるため、説明を省略する。
貫通孔３２Ｃの位置は、回路層３６が空間１４を介して配置されている領域であれば特に限定されるものではなく、基板３２の面方向の中央部にあることが好ましい。上記中央部とは、基板３２の面方向において、一端からの距離が、他端までの全体距離に対して２０％〜８０％である領域を言う。
【００７４】
なお、図７に示す積層体３０では、基板３２に１つの貫通孔３２Ｃを有しているが、これに限られず、基板３２に複数の貫通孔を有してもよい。
【００７５】
基板３２に貫通孔３２Ｃを設ける方法は、特に限定されず、エッチング、ドリリング等が挙げられる。
【００７６】
なお、供給工程では、基板３２の貫通孔３２Ｃから、空間１４の一端及び他端のそれぞれに向かって封止材が移動し、空間１４が封止材で充填される。
【００７７】
（第４実施形態）
第４実施形態に係る回路基板の製造方法として、基板に貫通孔及び流路を有する積層体を用いて回路基板を製造する方法について説明する。
第４実施形態では、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有し、一方の面に沿って設けられ貫通孔につながる流路を有する基板と、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、を用いる。そして、第４実施形態に係る回路基板の製造方法は、貫通孔及び空間とは反対側の面に沿って貫通孔につながる流路を有する基板と基板に対して空間を介して配置された回路層とを有する積層体を準備する準備工程と、流路を通った封止材を貫通孔から積層体の空間に供給する供給工程と、をこの順に備える。
第４実施形態では、準備工程において準備する積層体が前記流路を有することと、供給工程において前記流路を通った封止材を貫通孔から空間に供給すること以外は、第３実施形態と同様であるため、同様である事項については説明を省略する場合がある。
【００７８】
図８は、第４実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す断面図である。
図８に示す積層体４０は、基板４２と、基板４２に対して空間１４を介して配置された回路層３６と、を有する。回路層３６は、回路３６Ａと、回路３６Ａの間に設けられる樹脂部３６Ｂと、回路３６Ａの外周に設けられる樹脂部３６Ｄと、を含む。基板４２は、回路層３６が空間１４を介して配置されている領域に、基板４２の空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通する貫通孔４２Ｃを有する。また、基板４２は、空間１４とは反対側の面に沿って、基板４２の端部から貫通孔４２Ｃにつながる流路４２Ｅを有している。
【００７９】
流路４２Ｅの幅、深さ、及び流路４２Ｅの流れ方向に垂直な断面の形状は、流路２６Ｅの幅、深さ、及び流路２６Ｅの流れ方向に垂直な断面の形状と同様であるため、説明を省略する。
図８に示す積層体４０の流路４２Ｅは、基板４２の端部から貫通孔４２Ｃにつながっているが、少なくとも貫通孔４２Ｃにつながっていればこれに限定されるものではなく、基板４２の端部以外の位置から貫通孔４２Ｃにつながる流路であってもよい。
【００８０】
基板４２に流路４２Ｅを設ける方法は、特に限定されず、エッチング、ドリリング等が挙げられる。
【００８１】
供給工程では、封止材が、基板４２の端部から流路４２Ｅを通って貫通孔４２Ｃから空間１４に供給される。そして、貫通孔４２Ｃから、空間１４の一端及び他端のそれぞれに向かって封止材が移動し、空間１４が封止材で充填される。
なお、図８に示す積層体４０では、基板４２に１本の流路４２Ｅを有しているが、これに限られず、１つの貫通孔４２Ｃにつながる複数の流路を有してもよい。また、貫通孔を複数有する場合、複数の貫通孔につながる共通の流路を有してもよく、複数の貫通孔につながる流路をそれぞれ有してもよい。
【００８２】
（第５実施形態）
第５実施形態に係る回路基板の製造方法として、回路層の樹脂部及び基板にそれぞれ複数の貫通孔を有する積層体を用いて回路基板を製造する方法について説明する。
第５実施形態では、複数の貫通孔を有する基板と、回路と前記回路の間に設けられ複数の貫通孔を有する樹脂部とを含む回路層と、を用いる。そして、第５実施形態に係る回路基板の製造方法は、複数の貫通孔を有する基板と基板に対して空間を介して配置され樹脂部に複数の貫通孔を有する回路層とを有する積層体を準備する準備工程と、封止材を複数の貫通孔から積層体の空間に供給する供給工程と、をこの順に備える。
第５実施形態では、準備工程において準備する積層体が前記複数の貫通孔を有することと、供給工程において封止材を前記複数の貫通孔から空間に供給すること以外は、第１実施形態等と同様であるため、同様である事項については説明を省略する場合がある。
【００８３】
図９は、第５実施形態に係る回路基板の製造方法に用いる積層体の一例を概念的に示す端面図である。
図９に示す積層体５０は、基板５２と、基板５２に対して空間１４を介して配置された回路層５６と、を有する。回路層５６は、回路５６Ａと、回路５６Ａの間に設けられる樹脂部５６Ｂと、回路５６Ａの外周に設けられる樹脂部５６Ｄと、を含む。樹脂部５６Ｂは、空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通する貫通孔５６Ｃを複数有する。また、基板５２も、回路層５６が空間１４を介して配置されている領域に、基板５２の空間１４側の面から空間１４とは反対側の面まで貫通する貫通孔５２Ｃを複数有する。
貫通孔５６Ｃ及び貫通孔５２Ｃの形状及び円相当径については、前述の第１実施形態における貫通孔１６Ｃの形状及び円相当径と同様であるため、説明を省略する。
【００８４】
供給工程では、封止材が、複数の貫通孔５６Ｃ及び複数の貫通孔５２Ｃをそれぞれ通って空間１４に供給され、空間１４の面方向にそれぞれ移動することで、空間１４が封止材で充填される。
【００８５】
なお、第５実施形態では、回路層の樹脂部及び基板にそれぞれ複数の貫通孔を有する積層体を用いたが、これに限られず、回路層の樹脂部に１つの貫通孔を有し基板に複数の貫通孔を有する形態でもよく、回路層の樹脂部に複数の貫通孔を有し基板に１つの貫通孔を有する形態でもよく、回路層の樹脂部及び基板にそれぞれ１つずつの貫通孔を有する形態でもよい。
【００８６】
以上、本開示の回路基板の製造方法のうち特定の実施形態について説明したが、上述した実施形態は一例であり、本開示は、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変更を加えて実施することができる。また、上述した各実施形態を組み合わせて実施してもよい。本開示の権利範囲がこれらの実施形態に限定されないことは言うまでもない。
【００８７】
＜回路基板＞
本開示の回路基板は、基板と、封止材の硬化物を含む硬化層と、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、をこの順に備え、前記回路層の前記樹脂部及び前記基板の少なくとも一方が前記硬化層に通ずる貫通孔を有し、前記貫通孔の少なくとも一部に前記封止材の硬化物が充填されている。本開示の回路基板は、必要に応じて、さらに他の層を有してもよい。
【００８８】
上記回路基板は、回路層の樹脂部及び基板の少なくとも一方が有する前記貫通孔の少なくとも一部に封止材の硬化物が充填されているため、かしめ効果により、回路層と基板との剥離が生じにくい。上記回路基板は、特に前述の回路基板の製造方法により得られたものである場合、封止材の硬化物を含む硬化層が形成される過程において、封止材の増粘、それに伴うボイドの形成等が起こりにくいため、回路層の面積が大きくても絶縁信頼性に優れる。
【００８９】
基板及び回路層としては、前述の回路基板の製造方法における準備工程で準備する積層体における基板及び回路層とそれぞれ同様のものが挙げられ、詳細及び好ましい態様についても、前述の回路基板の製造方法における積層体における基板及び回路層とそれぞれ同様である。
封止材としては、前述の回路基板の製造方法における供給工程で供給する封止材と同様のものが挙げられ、詳細及び好ましい態様についても、前述の回路基板の製造方法における封止材と同様である。
【００９０】
硬化層の平均厚みは特に制限されず、回路基板の用途等に応じて選択できる。充分な絶縁性を確保する観点からは、上記平均厚みは、７０μｍ以上であることが好ましく、９０μｍ以上であることがより好ましく、１１０μｍ以上であることがさらに好ましい。一方、充分な放熱性を確保する観点からは、上記平均厚みは、２３０μｍ以下であることが好ましく、２１０μｍ以下であることがより好ましく、１９０μｍ以下であることがさらに好ましい。上記平均厚みは、回路の厚さよりも小さいことが好ましい。上記平均厚みは、７０μｍ〜２３０μｍが好ましく、９０μｍ〜２１０μｍがより好ましく、１１０μｍ〜２００μｍがさらに好ましい。
【００９１】
上記回路基板では、貫通孔の少なくとも一部に封止材の硬化物が充填されている。封止材の硬化物は、貫通孔の一部のみに充填されていてもよく、貫通孔の全部に充填されていてもよい。貫通孔のうち封止材の硬化物が充填されている領域の割合は、回路層と基板との剥離を生じにくくする観点から、貫通孔全体に対し、１０％以上であることが好ましく、３０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることがさらに好ましい。なお、上記封止材の硬化物が充填されている領域の割合は、貫通孔が複数ある場合、それらの平均値とする。
【００９２】
上記回路基板を製造する方法としては、例えば、前述の回路基板の製造方法により製造する方法が挙げられる。なお、上記回路基板は、前述の回路基板の製造方法によって製造されたものであってもよく、その他の製造方法によって製造されたものであってもよい。
【００９３】
＜積層体＞
本開示の積層体は、基板と、前記基板に対して空間を介して配置され、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層と、を有し、前記回路層の樹脂部及び前記基板の少なくとも一方に前記空間に通ずる貫通孔を有する。本開示の積層体は、必要に応じて、さらに他の層を有してもよい。
【００９４】
上記積層体は、回路層の樹脂部及び基板の少なくとも一方が空間に通ずる貫通孔を有しているため、貫通孔から封止材を供給し、貫通孔の少なくとも一部に封止材の硬化物が充填された回路基板を形成することで、かしめ効果により、回路層と基板との剥離が生じにくい回路基板が得られる。また、上記積層体は、上記貫通孔を有するため、貫通孔から封止材を供給して回路基板を形成することで、封止材の硬化物を含む硬化層が形成される過程において、封止材の増粘、それに伴うボイドの形成等が起こりにくくなるため、回路層の面積が大きくても絶縁信頼性に優れる回路基板が得られる。
なお、積層体の詳細及び好ましい態様については、前述の回路基板の製造方法における準備工程で準備する積層体における詳細及び好ましい態様と同様である。
【００９５】
＜回路層＞
本開示の回路層は、回路と、前記回路の間に設けられ、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する樹脂部と、を含む。本開示の回路層は、必要に応じて、さらに他の層を有してもよい。
【００９６】
上記回路層は、樹脂部が貫通孔を有しているため、貫通孔から封止材を供給し、貫通孔の少なくとも一部に封止材の硬化物が充填された回路基板を形成することで、回路層と封止材の硬化物を含む硬化層との剥離が生じにくい回路基板が得られる。また、上記回路層は、上記貫通孔を有するため、貫通孔から封止材を供給して回路基板を形成することで、封止材の硬化物を含む硬化層が形成される過程において、封止材の増粘、それに伴うボイドの形成等が起こりにくくなるため、回路層の面積が大きくても絶縁信頼性に優れる回路基板が得られる。
なお、回路層の詳細及び好ましい態様については、前述の回路基板の製造方法における準備工程で準備する積層体のうち、回路層の樹脂部が貫通孔を有する積層体（第１実施形態の積層体、第２実施形態の積層体、第５実施形態の積層体等）における回路層の詳細及び好ましい態様と同様である。
【００９７】
＜回路基板製造用の基板＞
本開示の基板は、回路と前記回路の間に設けられる樹脂部とを含む回路層が、少なくとも一方の面側に空間を介して配置される回路基板製造用の基板であって、前記回路層が配置される位置に、一方の面から他方の面に通ずる貫通孔を有する。本開示の基板は、必要に応じて、さらに他の層を有してもよい。
【００９８】
上記基板は、貫通孔を有しているため、貫通孔から封止材を供給し、貫通孔の少なくとも一部に封止材の硬化物を含む硬化層が充填された回路基板を形成することで、基板と封止材の硬化物を含む硬化層との剥離が生じにくい回路基板が得られる。また、上記基板は、上記貫通孔を有するため、貫通孔から封止材を供給して回路基板を形成することで、封止材の硬化物を含む硬化層が形成される過程において、封止材の増粘、それに伴うボイドの形成等が起こりにくくなるため、回路層の面積が大きくても絶縁信頼性に優れる回路基板が得られる。
なお、基板の詳細及び好ましい態様については、前述の回路基板の製造方法における準備工程で準備する積層体のうち、基板が貫通孔を有する積層体（第３実施形態の積層体、第４実施形態の積層体、第５実施形態の積層体等）における基板の詳細及び好ましい態様と同様である。
【００９９】
［試験例］
以下、上記実施形態を試験例により具体的に説明するが、上記実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０１００】
＜試験例１＞
（準備工程）
厚さ５００μｍの銅板に対し、金型による打ち抜きと切削法により回路を形成し、粘着フィルム上に位置ズレしないように固定した。次に、金型に回路を固定して、トランスファプレス機（テクノマルシチ（株）、汎用プレス機）を用いて、エポキシ樹脂（日立化成（株）、型番：ＣＥＬ−４６５０Ｍ、線膨張率：１４ｐｐｍ／℃）を回路の間の空間に充填し、所定の条件（温度:１７５℃、圧力:８ＭＰａ、時間：３分）でプレス処理を行って樹脂部を形成した。次いで、回路を金型から脱型し、粘着フィルムを剥離し、バリを切削により除去して、オーブン温度１８０℃、６時間で加熱して後硬化処理を行い、回路シートを作製した。回路シートにおける樹脂部の厚みは、回路の厚みと同じであった。また、回路シートの面方向における形状は正方形であり、その対角線の長さ（すなわち、回路層の面方向における最大長さ）は、２００ｍｍであった。
【０１０１】
次に、回路シートの面方向の中央部における樹脂部に、ドリリングすることにより、直径が３００μｍの円柱状である貫通孔を１つ形成した。なお、回路層の面方向における貫通孔から回路の端部までの最大長さは１００ｍｍであった。
次いで、回路シートの一方の面に、樹脂部にそって、回路シートの端部から上記貫通孔につながる流路を、切削することにより形成した。なお、流路の幅は２．０ｍｍ（流路２６Ｅが形成された箇所における樹脂部２６Ｂの幅の１．０倍）、流路の深さは０．３ｍｍ（流路２６Ｅが形成された箇所における樹脂部２６Ｂの深さの０．６倍）、流路の流れ方向に垂直な断面の形状は長方形であった。
以上のようにして、回路層を得た。
【０１０２】
一方、基板として、ヒートスプレッダとなる平板銅板（厚さ：０．５ｍｍ）を準備した。
次いで、金型内に、得られた回路層を設置した後、回路層の厚み方向における空間の距離が２００μｍとなるように、空間を介して上記基板を設置することで、図４及び図５に示す積層体を準備した。
【０１０３】
（供給工程）
封止材として、以下の組成を有する封止材（封止材中の無機充填材の含有率：８０体積％）準備した。
エポキシ樹脂：１００質量部（ビフェニル型エポキシ樹脂、三菱ケミカル株式会社、品名「ＹＸ４０００Ｈ」）
硬化剤：６０質量部（トリフェニルメタン型フェノール樹脂、エア・ウォーター株式会社、品名「ＨＥ９１０−０９」）
硬化促進剤：４質量部（リン系硬化促進剤、トリブチルホスフィンとベンゾキノンの付加物）
カップリング剤１０質量部（８−メタクリロキシオクチルトリメトキシシラン、信越化学工業株式会社、品名「ＫＢＭ−５８０３」）
離型剤：３質量部（モンタンワックス、クラリアント社、品名「ＨＷ−Ｅ」）
顔料：１質量部（カーボンブラック、三菱ケミカル株式会社、商品名「ＭＡ６００」）
添加剤：１０質量部（トリフェニルホスフィンオキシド）
改質剤：１質量部（シリコーン、東レ・ダウコーニング株式会社、品名「ＢＹ１６−８７６」）
無機充填材１：１０質量部（シリカ粒子、株式会社トクヤマ、品名「ＣＰ−１０２」、球状、比表面積「１９０ｍ２／ｇ〜２３０ｍ２／ｇ」）
無機充填材２：３００質量部（アルミナ粒子、株式会社アドマテックス、品名「ＡＥ２０００」、球状、平均粒子径「０．７μｍ」）
無機充填材３：２０００質量部（アルミナ粒子、デンカ株式会社、品名「ＤＡＢ１０ＳＩＴＳ１」、球状、平均粒子径「１０μｍ」）
【０１０４】
上記封止材を、回路層の端部から流路を通して貫通孔から回路層と基板との間の空間に供給し、封止材の硬化を行った。上記供給及び硬化の条件は、金型温度１７５℃、供給圧力６．９ＭＰａ、硬化温度１７５℃、硬化時間９０秒とした。
以上のようにして、試験例１の回路基板を得た。
【０１０５】
＜比較試験例１＞
（準備工程）
貫通孔及び流路の形成を行わず、回路シートをそのまま回路層として用いた以外は、試験例１と同様にして、積層体を準備した。
【０１０６】
（供給工程）
封止材を、積層体における回路層と基板との間の空間の一端から他端に向かって供給した以外は、試験例１と同様にして、比較試験例１の回路基板を得た。
【０１０７】
＜評価＞
（絶縁破壊電圧の測定）
回路基板の回路層側の面と、基板側の面と、を電源にそれぞれ接続した。その後、回路基板の全体をフロリナートに入れて絶縁破壊電圧の測定を行った。測定条件は、測定開始電圧を５００（Ｖ）とし、５００（Ｖ）ずつ段階的に電圧を上げて３０秒保持することを繰り返し、電流値が０．２（ｍＡ）を超えたときの電圧を絶縁破壊電圧（ｋＶ）とした。
その結果、比較試験例１の回路基板における絶縁破壊電圧は２ｋＶであったのに対し、試験例１の回路基板では電圧を５ｋＶまで上げても電流値が０．２（ｍＡ）を超えず、絶縁破壊は起こらなかった。
【０１０８】
上記結果が示すように、試験例１で作成した回路基板は、比較試験例１で作製した回路基板に比べて、絶縁破壊電圧が大きく、絶縁信頼性に優れることがわかった。
【符号の説明】
【０１０９】
１０、２０、３０、４０、５０  積層体
１２、３２、４２、５２  基板
１４  空間
１６、２６、３６、５６  回路層
１６Ａ、２６Ａ、３６Ａ、５６Ａ  回路
１６Ｂ、１６Ｄ、２６Ｂ、２６Ｄ、３６Ｂ，３６Ｄ、５６Ｂ、５６Ｄ  樹脂部
１６Ｃ、２６Ｃ、３２Ｃ、４２Ｃ、５２Ｃ、５６Ｃ  貫通孔
２６Ｅ、４２Ｅ  流路
【図１】
2020141055.tif 000003
【図２】
2020141055.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2020141055.tif 000007
【図６】
2020141055.tif 000008
【図７】
2020141055.tif 000009
【図８】
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【図９】
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