(57)【要約】【課題】配線基板に形成される抵抗体において、周波数特性を改善し、超高周波領域への対応を可能とする。【解決手段】配線基板は、基材の表面に設けられた抵抗部と、抵抗部に接続された配線部とを含む。抵抗部は、基材の表面に設けられた第１の金属膜と、第１の金属膜内に部分的に設けられ、第１の金属膜を構成する金属の酸化物からなる酸化部と、を有する。【選択図】図１Ｃ
2020120048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に設けられた抵抗部と、前記抵抗部に接続された配線部とを含み、
前記抵抗部は、
前記基材の表面に設けられた第１の金属膜と、
前記第１の金属膜内に部分的に設けられ、前記第１の金属膜を構成する金属の酸化物からなる酸化部と、
を有する配線基板。
【請求項２】
前記酸化部は、前記第１の金属膜の表層部に設けられている
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記酸化部は、前記酸化物の複数の断片を含んで構成されている
請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記複数の断片の各々は、前記第１の金属膜を貫通している
請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記配線部は、
前記第１の金属膜と、
前記第１の金属膜に積層され、前記第１の金属膜を構成する金属よりも導電率が高い金属からなる第２の金属膜と、
を含む請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記抵抗部の表面が絶縁膜により覆われている
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記抵抗部及び前記配線部を覆う絶縁体層と、
前記絶縁体層の表面に設けられ、前記配線部に接続された配線と、
を更に含む請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
基材の表面に設けられた抵抗部と、前記抵抗部に接続された配線部とを含む配線基板を備え、前記抵抗部を抵抗素子として用いた電子機器であって、
前記抵抗部は、
前記基材の表面に設けられた第１の金属膜と、
前記第１の金属膜内に部分的に設けられ、前記第１の金属膜を構成する金属の酸化物からなる酸化部と、
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の技術は、配線基板及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に関する技術として、以下の技術が知られている。例えば、積層回路基板内に発熱抵抗体膜を形成するとともに、該発熱抵抗体膜を形成した領域の基板表面に、半田接合される電極パッドを形成して成る回路基板が知られている。この回路基板において、発熱抵抗体膜は、スリット状、ミアンダ状または網目状のパターンを有する。
【０００３】
また、回路パターン間に金属薄膜からなる抵抗体が形成されたプリント配線板が知られている。このプリント配線板において、回路パターン間における抵抗体の形状が、回路パターン方向に対して直交する単一の直線状にならない形状に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８４７５０号公報
【特許文献２】特開２００７−２２７６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ミリ波やテラヘルツ波などの超高周波領域においては、低周波では問題とならない微小な構造でも寄生容量または寄生インダクタンスが顕在化して問題となる場合がある。例えば、比較的小サイズとされる０６０３サイズ（０．６ｍｍ×０．３ｍｍ）のチップ部品であっても、ミリ波の領域においては、寄生容量または寄生インダクタンスが顕在化し、チップ部品の特性値が公称値から大きくずれる場合がある。抵抗素子を用いて、例えば、終端抵抗器またはゲート抵抗を構成し、超高周波領域で使用した場合には、反射の原因となりデバイスの正常な動作を妨げるおそれがある。超高周波領域で動作するデバイスにおいては、寄生容量や寄生インダクタンスを抑制するために、小型な受動素子を用いることが好ましい。
【０００６】
抵抗素子のサイズ小さくする手法として、シード層と呼ばれる薄膜の導体を抵抗体として利用することが考えられる。シード層とは、配線基板上に形成される配線を、電解めっき法により形成する際に用いられる電極層であり、配線はシード層上に形成される。
【０００７】
シード層に使用される金属の厚さは配線層よりも薄く、またシード層の材料として用いられる金属の抵抗率は配線層よりも高いため、シード層を用いて抵抗体を構成することで、抵抗体の長さ（以下、抵抗長ともいう）を抑制しつつ高抵抗の抵抗体を形成することが可能となる。これにより、抵抗体の高周波特性の改善に寄与することができる。
【０００８】
しかしながら、シード層を抵抗体として用いることにより抵抗長を抑制したとしても、超高周波領域においては寄生インダクタンスの影響が無視できなくなる。寄生インダクタンスを抑制するために、抵抗体の長さを短くした場合には、所望の抵抗値を得ることが困難となる。また、抵抗体の高抵抗化のために、抵抗体の幅（以下、抵抗幅ともいう）を小さくした場合には、寄生インダクタンスが増加するのみならず、抵抗体の加工精度及び信頼性が低下する。また、抵抗体の高抵抗化のために、抵抗体を構成するシード層の厚さを薄くすることも考えられるが、電界めっき法によりシード層上に配線を形成するためには、シード層の厚さをある程度確保する必要がある。従って、シード層を抵抗体として利用する場合、抵抗値の調整を柔軟に行うことが困難であり、超高周波領域において所望の特性が得られる抵抗体の設計を行うことが困難となる。
【０００９】
開示の技術は、１つの側面として、配線基板に形成される抵抗体において、周波数特性を改善し、超高周波領域への対応を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
開示の技術に係る配線基板は、基材の表面に設けられた抵抗部と、前記抵抗部に接続された配線部とを含む。前記抵抗部は、前記基材の表面に設けられた第１の金属膜と、前記第１の金属膜内に部分的に設けられ、前記第１の金属膜を構成する金属の酸化物からなる酸化部と、を有する。
【発明の効果】
【００１１】
開示の技術は、一つの側面として、配線基板に形成される抵抗体において、周波領域特性を改善し、超高周波領域への対応が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。
【図１Ｃ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の一部を拡大して示す断面図である。
【図２Ａ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す図である。
【図２Ｂ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す図である。
【図２Ｃ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す図である。
【図２Ｄ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す図である。
【図３】開示の技術の実施形態に係る配線基板及び比較例に係る配線基板におけるＶＳＷＲの周波数特性を測定した結果を示すグラフである。
【図４Ａ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａにおける４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【図４Ｃ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す断面図である。
【図５Ａ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す平面図である。
【図５Ｂ】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す平面図である。
【図６】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す断面図である。
【図７】開示の技術の実施形態に係る配線基板の構成の一例を示す断面図である。
【図８】開示の技術の実施形態に係る電子機器の構成の一例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、開示の技術の実施形態の一例を図面を参照しつつ説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与している。
【００１４】
[第１の実施形態]
図１Ａは、開示の技術の第１の実施形態に係る配線基板１の構成の一例を示す平面図である。図１Ｂは、図１Ａにおける１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面図である。図１Ｃは、配線基板１の一部を拡大して示す断面図である。
【００１５】
配線基板１は、基材１０と、基材１０の表面に設けられた抵抗部３０及び配線部２０と、を含む。配線部２０は、抵抗部３０に接続されている。図１Ａ及び図１Ｂにおいては、抵抗部３０の両端に配線部２０が設けられた構成が例示されているが、抵抗部３０の一端側にのみ配線部２０が設けられていてもよい。
【００１６】
基材１０は、例えば絶縁体層１１と配線層１２とを交互に積層した積層構造を有する。なお、基材１０は、単一の絶縁体層のみで構成されていてもよい。絶縁体層１１は、例えば、ガラス繊維の織物にエポキシ樹脂を含浸させた繊維強化樹脂を含んで構成され得る。
【００１７】
基材１０の表面には、電界めっき法によって導体膜を形成する際にシード層として機能する第１の金属膜４０が設けられている。第１の金属膜４０を構成する金属として、被酸化性を有し、その酸化物が、絶縁体または高抵抗体として機能する金属が用いられる。第１の金属膜４０を構成する金属として、例えば、チタン、ニッケル、アルミニウム等を好適に用いることが可能である。第１の金属膜４０は、抵抗部３０を構成する第１の部分４０ａと、配線部２０を構成する第２の部分４０ｂとを有する。第１の部分４０ａと第２の部分４０ｂは、互いに繋がっており連続している。
【００１８】
配線部２０は、第１の金属膜４０の第２の部分４０ｂと、これに積層された第２の金属膜５０とを含んで構成されている。第２の金属膜５０は、第１の金属膜４０を構成する金属よりも高い導電率を有する金属により構成されている。第２の金属膜５０を構成する金属として、例えば銅を好適に用いることが可能である。第２の金属膜５０は、例えば、第１の金属膜４０をシード層として用いた電界めっき法により形成される。
【００１９】
抵抗部３０は、第１の金属膜４０の第１の部分４０ａと、第１の金属膜４０内に部分的に設けられた酸化部４１とを含んで構成されている。酸化部４１は、第１の金属膜４０を構成する金属の酸化物により構成される。すなわち、第１の金属膜４０の、抵抗部３０を構成する第１の部分４０ａは、部分的に酸化されている。金属の酸化物により構成される酸化部４１は、絶縁体または高抵抗体として機能する。
【００２０】
第１の金属膜４０が、例えば、チタンにより構成される場合、酸化部４１は酸化チタンにより構成される。第１の金属膜４０が、例えば、ニッケルにより構成される場合、酸化部４１は酸化ニッケルにより構成される。第１の金属膜４０が、例えば、アルミニウムにより構成される場合、酸化部４１は酸化アルミニウムにより構成される。
【００２１】
本実施形態において、酸化部４１は、図１Ｃに示すように、第１の金属膜４０の表層部に設けられている。すなわち、酸化部４１は、第１の金属膜４０の底面（基材１０と接する面）にまでは達していない。また、本実施形態において、酸化部４１は、第１の金属膜４０の第１の部分４０ａの表面全体に亘り延在している。すなわち、抵抗部３０は、酸化されていない金属により構成される導電率が相対的に高い層（換言すれば抵抗率が相対的に低い層）と、酸化された金属により構成される導電率が相対的に低い層（換言すれば抵抗率が相対的に高い層）とが積層された構造を有する。
【００２２】
以下に、配線基板１の製造方法について説明する。図２Ａ〜図２Ｄは、開示の技術の実施形態に係る配線基板１の製造方法の一例を示す図である。
【００２３】
はじめに、基材１０を用意する（図２Ａ）。次に、例えばスパッタ法または蒸着法を用いて、基材１０の表面に第１の金属膜４０を形成する（図２Ｂ）。第１の金属膜４０の材料として、例えば、チタン、ニッケル、アルミニウム等を好適に用いることが可能である。第１の金属膜４０の厚さは、例えば５０ｎｍ程度とされる。
【００２４】
次に、第１の金属膜４０の、抵抗部３０を構成する第１の部分４０ａの表面全体を露出させる開口部６１を有するレジスト６０を、第１の金属膜４０の表面に形成する。第１の金属膜４０の第２の部分４０ｂの表面は、レジスト６０に覆われる（図２Ｃ）。
【００２５】
次に、レジスト６０の開口部６１において露出した、第１の金属膜４０の第１の部分４０ａに、酸素プラズマを照射する。これにより、第１の金属膜４０の第１の部分４０ａの表層部が酸化され、第１の金属膜４０の第１の部分４０ａの表層部に、第１の金属膜４０を構成する金属の酸化物からなる酸化部４１が形成される（図２Ｃ）。
【００２６】
酸化部４１の厚さは、酸化部４１が第１の金属膜４０の底面（基材１０と接する面）にまで達しない厚さに制御される。酸化部４１の厚さ制御は、例えば、酸素プラズマの照射時間、またはプラズマ照射装置の電極間電圧を制御することにより行うことが可能である。酸化部４１の厚さは、例えば、第１の金属膜４０の厚さの半分程度の厚さとされる。なお、第１の金属膜４０を酸化させる方法として、酸素プラズマ処理に限らず、例えば、ＵＶオゾン処理または熱酸化処理を用いることも可能である。ＵＶオゾン処理は、紫外線照射により発生したオゾンを用いて第１の金属膜４０の表面を酸化させる処理である。熱酸化処理は、第１の金属膜４０を２００℃程度の酸素雰囲気下に曝すことにより第１の金属膜４０の表面を酸化させる処理である。酸化部４１の形成後、レジスト６０は除去される。
【００２７】
次に、例えば、電界めっき法により、第１の金属膜４０の第２の部分４０ｂの表面に第２の金属膜５０を形成する（図２Ｄ）。このとき、第１の金属膜４０は、シード層として用いられる。第２の金属膜５０を構成する金属として、第１の金属膜４０を構成する金属よりも導電率が高い金属が用いられる。第２の金属膜５０を構成する金属として、例えば銅を好適に用いることが可能である。第２の金属膜５０の厚さは、第１の金属膜４０の厚さよりも十分に厚く、例えば数十μｍ程度である。その後、例えば、エッチング技術を用いて第１の金属膜４０及び第２の金属膜５０をパターニングする。これにより、基材１０の表面に、抵抗部３０及び配線部２０が形成される。
【００２８】
開示の技術の実施形態に係る配線基板１によれば、抵抗部３０を構成する酸化部４１は、絶縁体または高抵抗体として機能し、第１の金属膜４０の表層部に設けられている。これにより、抵抗部３０が酸化部４１を有しない場合と比較して、抵抗部３０の一端から他端に向けて流れる電流の経路の断面積を小さくすることができる。従って、抵抗部３０が酸化部４１を有しない場合と比較して、抵抗幅（電流の方向と直交する方向の長さ）が同じであれば、抵抗部３０の単位長さ当たりの抵抗値を大きくすることができる。換言すれば、抵抗部３０が酸化部４１を有しない場合と比較して、所定の抵抗値を得るために必要とされる抵抗長（電流の方向と平行な方向の長さ）を短くすることができる。抵抗長が短縮されることにより、抵抗部３０に生じる寄生インダクタンスを抑制することができる。すなわち、開示の技術に係る配線基板１によれば、抵抗部３０が酸化部４１を有しない場合と比較して周波数特性を改善することができ、超高周波領域にも対応することが可能となる。
【００２９】
抵抗部３０の単位長さ当たりの抵抗値を大きくする手法として、例えば、第１の金属膜４０の厚さを単純に薄くする方法が考えられる。しかしながら、第１の金属膜４０をシード層として用いることを考慮すると、第１の金属膜４０の厚さを過度に薄くことは好ましくない。すなわち、第１の金属膜４０の厚さを過度に薄くすると、めっき不良が発生するおそれがある。開示の技術に係る配線基板１によれば、第１の金属膜４０がシード層として機能するために必要な厚さを確保しつつ抵抗部３０の高抵抗化が可能となるので、上記のめっき不良の問題を回避することができる。
【００３０】
また、抵抗部３０の単位長さ当たりの抵抗値を大きくする他の手法として、抵抗部３０の実質的な抵抗幅が減少するように第１の金属膜４０を部分的に除去する方法が考えられる。しかしながら、この場合、抵抗部３０が実質的に細線化されるため、寄生インダクタンスが増大し、周波数特性が悪化する。また、第１の金属膜４０が基材１０から剥がれやすくなり、信頼性が低下する。開示の技術に係る配線基板１によれば、第１の金属膜４０の部分的な除去を伴うことなく抵抗部３０の高抵抗化が可能となるので、上記の寄生インダクタンスの増大の問題及び信頼性低下の問題を回避することができる。
【００３１】
また、開示の技術に係る配線基板１によれば、酸化部４１の厚さを制御することにより、抵抗部３０の抵抗値を制御することが可能である。第１の金属膜４０へのプラズマ照射により酸化部４１を形成する場合、酸化部４１の厚さの制御は、例えば、プラズマの照射時間またはプラズマ照射装置の電極間電圧を制御することにより行うことが可能である。従って、例えば、抵抗部３０の抵抗値を測定しながらプラズマ照射を行うことで、抵抗部３０の抵抗値を調整することも可能である。
【００３２】
ここで、第１の金属膜４０としてチタンを用い、第１の金属膜４０の幅を１０μｍ、厚さを５０ｎｍとした場合において、抵抗値５０Ωの抵抗部３０を形成する場合について考える。この場合において、抵抗部３０が酸化部４１を有しない場合（比較例）、抵抗部３０の長さとして必要な長さは５８μｍである。一方、抵抗部３０がその表層部の全域に延在する厚さ２５ｎｍの酸化部４１を有する場合（実施例）、抵抗部３０の長さとして必要な長さは２９μｍである。このように、抵抗部３０が酸化部４１を有することで、同一の幅及び同一の抵抗値を有する比較例に係る抵抗部よりも抵抗長を短くすることができる。
【００３３】
上記した開示の技術の実施例に係る抵抗部（抵抗幅１０μ、抵抗値５０Ω、抵抗長２９μｍ、酸化部有り）及び比較例に係る抵抗部（抵抗幅１０μ、抵抗値５０Ω、抵抗長５８μｍ、酸化部無し）を、それぞれ、終端抵抗器として、特性インピーダンス５０Ωの線路に接続した。図３は、上記の各線路におけるＶＳＷＲ（standing wave ratio）の周波数特性を取得した結果を示すグラフである。
【００３４】
例えば、ＶＳＷＲが１．２となる周波数を動作上限周波数と仮定すると、比較例に係る抵抗部を終端抵抗器として用いた線路においては、動作上限周波数は６９ＧＨｚであった。一方、開示の技術の実施例に係る抵抗部を終端抵抗器として用いた線路においては、動作限界周波数は１３５ＧＨｚであった。このように、酸化部を有する抵抗部を用いることで、より高い周波数への対応が可能となることが確認された。
【００３５】
［第２の実施形態］
図４Ａは、開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１Ａの構成の一例を示す平面図である。図４Ｂは、図４Ａにおける４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【００３６】
開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１Ａは、抵抗部３０がパターニングされた酸化部４１を有する。図４Ａに示す例では、酸化部４１は、互いに離間して配置された複数の島状の断片４１ａが、第１の金属膜４０内に分散するようにパターニングされている。酸化部４１の複数の断片４１ａの各々は、第１の金属膜４０を構成する金属の酸化物により構成される。酸化部４１の複数の断片４１ａの各々は、図４Ｂに示すように、第１の金属膜４０を貫通していてもよいし、図４Ｃに示すように、第１の金属膜４０の表層部に設けられていてもよい。
【００３７】
また、酸化部４１は、例えば、図５Ａ及び図５Ｂに示すようにストライプ状のパターンを有していてもよい。図５Ａに示す例では、酸化部４１の複数の断片４１ａが、抵抗部３０の長さ方向を長手方向とする矩形形状とされ、抵抗部３０の幅方向に沿って配列されている。図５Ｂに示す例では、酸化部４１の複数の断片４１ａが、抵抗部３０の幅方向を長手方向とする矩形形状とされ、抵抗部３０の長さ方向に沿って配列されている。いずれの場合においても、複数の断片４１ａが、抵抗部３０の一端から他端に向けて流れる電流の経路を遮断しないように構成されている。
【００３８】
開示の技術の第２の実施形態に係る配線基板１Ａによれば、第１の実施形態に係る配線基板１と同様、抵抗部３０が酸化部４１を有しない場合と比較して、抵抗部３０の一端から他端に向けて流れる電流の経路の断面積を小さくすることができる。従って、抵抗部３０における単位長さ当たりの抵抗値を大きくすることができる。これにより、周波数特性の改善を図ることができ、超高周波領域への対応が可能となる。
【００３９】
［第３の実施形態］
図６は、開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板１Ｂの構成の一例を示す断面図である。配線基板１Ｂは、抵抗部３０及び配線部２０の表面を覆う絶縁膜７０を有する。絶縁膜７０は、ガスバリア性を有していることが好ましい。絶縁膜７０の材料として、例えば、ソルダレジストを好適に用いることが可能である。
【００４０】
抵抗部３０の表面を大気に曝した場合には、第１の金属膜４０の酸化が進行し、酸化部４１の厚さが増加することにより、抵抗部３０の抵抗値が変化するおそれがある。開示の技術の第３の実施形態に係る配線基板１Ｂによれば、抵抗部３０の表面が絶縁膜７０によって覆われているので、第１の金属膜４０が大気に曝されることはない。これにより、第１の金属膜４０の酸化の進行を抑制することができ、抵抗部３０の抵抗値の変動を抑制することが可能となる。
【００４１】
［第４の実施形態］
図７は、開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板１Ｃの構成の一例を示す断面図である。配線基板１Ｃにおいて、抵抗部３０及び配線部２０は、配線基板１Ｃの内層に設けられている。すなわち、抵抗部３０及び配線部２０の表面には、更に絶縁体層８０及び配線層が設けられている。配線層に設けられた配線８１は、絶縁体層８０を貫通するビアホール８２を介して配線部２０を構成する第２の金属膜５０に接続されている。
【００４２】
開示の技術の第４の実施形態に係る配線基板１Ｃによれば、抵抗部３０及び配線部２０は、配線基板１Ｃの内層に設けられているので、第１の金属膜４０が大気に曝されることはない。これにより、第３の実施形態に係る配線基板１Ｂと同様、第１の金属膜４０の酸化の進行を抑制することができ、抵抗部３０の抵抗値の変動を抑制することが可能となる。
【００４３】
［第５の実施形態］
図８は、開示の技術の第５の実施形態に係る電子機器としての方向性結合器１００の構成の一例を示す斜視図である。方向性結合器１００は、開示の技術の実施形態に係る配線基板１を含んで構成されており、基材１０の表面に形成された、終端抵抗器１３０、第１の配線１２０及び第２の配線１４０を有する。終端抵抗器１３０は、抵抗部３０を含んで構成され、第１の配線１２０は、配線部２０を含んで構成されている。
【００４４】
方向性結合器１００は、第２の配線１４０を伝搬する電力の一部を、第１の配線１２０に電磁界結合により取り出す回路である。方向性結合器１００は、例えば、第２の配線１４０に供給される電力の量をモニタする用途で用いることができる。第１の配線１２０の終端に終端抵抗器１３０を設けることで、第１の配線１２０の終端における反射が抑制される。
【００４５】
開示の技術の実施形態に係る方向性結合器１００によれば、終端抵抗器１３０を構成する抵抗部３０の抵抗長を短くすることができるので、ミリ波やテラヘルツ波などの超高周波領域にも対応することが可能となる。
【００４６】
本実施形態では、第１の実施形態に係る配線基板１を用いた終端抵抗器１３０を例示したが、第２乃至第４の実施形態に係る配線基板１Ａ〜１Ｃを用いて終端抵抗器１３０を構成することも可能である。
【００４７】
なお、配線基板１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃは、開示の技術における配線基板の一例である。基材１０は、開示の技術における基材の一例である。抵抗部３０は、開示の技術における抵抗部の一例である。配線部２０は、開示の技術における配線部の一例である。第１の金属膜４０は、開示の技術における第１の金属膜の一例である。酸化部４１は、開示の技術における酸化部の一例である。第２の金属膜５０は、開示の技術における第２の金属膜の一例である。方向性結合器１００は、開示の技術における電子機器の一例である。
【００４８】
以上の第１乃至第５の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００４９】
（付記１）
基材の表面に設けられた抵抗部と、
前記抵抗部に接続された配線部と、を含み、
前記抵抗部は、
前記基材の表面に設けられた第１の金属膜と、
前記第１の金属膜内に部分的に設けられ、前記第１の金属膜を構成する金属の酸化物からなる酸化部と、
を有する配線基板。
【００５０】
（付記２）
前記酸化部は、前記第１の金属膜の表層部に設けられている
付記１に記載の配線基板。
【００５１】
（付記３）
前記酸化部は、前記酸化物の複数の断片を含んで構成されている
付記１または付記２に記載の配線基板。
【００５２】
（付記４）
前記複数の断片の各々は、前記第１の金属膜を貫通している
付記３に記載の配線基板。
【００５３】
（付記５）
前記配線部は、
前記第１の金属膜と、
前記第１の金属膜に積層され、前記第１の金属膜を構成する金属よりも導電率が高い金属からなる第２の金属膜と、
を含む付記１から付記４のいずれか１つに記載の配線基板。
【００５４】
（付記６）
前記抵抗部の表面が絶縁膜により覆われている
付記１から付記５のいずれか１つに記載の配線基板。
【００５５】
（付記７）
前記抵抗部及び前記配線部を覆う絶縁体層と、
前記絶縁体層の表面に設けられ、前記配線部に接続された配線と、
を更に含む付記１から付記５のいずれか１つに記載の配線基板。
【００５６】
（付記８）
基材の表面に設けられた抵抗部と、前記抵抗部に接続された配線部とを含む配線基板を備え、前記抵抗部を抵抗素子として用いた電子機器であって、
前記抵抗部は、
前記基材の表面に設けられた第１の金属膜と、
前記第１の金属膜内に部分的に設けられ、前記第１の金属膜を構成する金属の酸化物からなる酸化部と、
を有する電子機器。
【００５７】
（付記９）
前記酸化部は、前記第１の金属膜の表層部に設けられている
付記８に記載の電子機器。
【００５８】
（付記１０）
前記酸化部は、前記酸化物の複数の断片を含んで構成されている
付記８または付記９に記載の電子機器。
【００５９】
（付記１１）
前記複数の断片の各々は、前記第１の金属膜を貫通している
付記１０に記載の電子機器。
【００６０】
（付記１２）
前記配線部は、
前記第１の金属膜と、
前記第１の金属膜に積層され、前記第１の金属膜を構成する金属よりも導電率が高い金属からなる第２の金属膜と、
を含む付記８から付記１１のいずれか１つに記載の電子機器。
【００６１】
（付記１３）
前記抵抗部の表面が絶縁膜により覆われている
付記８から付記１２のいずれか１つに記載の電子機器。
【００６２】
（付記１４）
前記抵抗部及び前記配線部を覆う絶縁体層と、
前記絶縁体層の表面に設けられ、前記配線部に接続された配線と、
を更に含む付記８から付記１２のいずれか１つに記載の電子機器。
【００６３】
（付記１５）
基材の表面に第１の金属膜を形成する第１の工程と、
前記第１の金属膜の第１の部分を、部分的に酸化させる第２の工程と、
前記第１の金属膜の前記第１の部分に隣接する第２の部分の表面に第２の金属膜を形成する第３の工程と、
を含む配線基板の製造方法。
【００６４】
（付記１６）
前記第３の工程において、前記第１の金属膜をシード層として用いた電界めっき法により前記第２の金属膜を形成する
付記１５に記載の製造方法。
【００６５】
（付記１７）
前記第２の工程において、前記第１の金属膜の表層部を酸化させる
付記１５または付記１６に記載の製造方法。
【００６６】
（付記１８）
前記第２の工程において、前記第１の金属膜の表面に酸素プラズマを照射することにより前記第１の金属膜を酸化させる
付記１５から付記１７のいずれか１つに記載の製造方法。
【符号の説明】
【００６７】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  配線基板
１０  基材
２０  配線部
３０  抵抗部
４０  第１の金属膜
４１  酸化部
４１ａ  断片
５０  第２の金属膜
７０  絶縁膜
８０  絶遠体層
８１  配線
１００  方向性結合器
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
2020120048.tif 000005
【図２Ａ】
2020120048.tif 000006
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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