(57)【要約】【課題】製造コストの増大を抑制しつつ、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性を高めることができる磁気ディスク用アルミニウム合金板、その製造方法、磁気ディスク基板及び磁気ディスクを提供する。【解決手段】磁気ディスク用アルミニウム合金板は、Ｖ：０．００２５〜０．１０００質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．１５０質量％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなる化学成分を有している。表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物のうち、０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数が１個／６０００ｍｍ2以下である。【選択図】図１
2020041184.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｖ：０．００２５〜０．１０００質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．１５０質量％、Ｚｎ：０．０５〜０．６０質量％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなる化学成分を有し、
表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物のうち、０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数が１個／６０００ｍｍ2以下である、磁気ディスク用アルミニウム合金板。
【請求項２】
前記磁気ディスク用アルミニウム合金板は、更に、Ｍｇ：３．０〜８．０質量％、Ｃｒ：０．０１０〜０．３００質量％、Ｍｎ：０．００１〜０．５００質量％、Ｆｅ：０．００１〜０．０３０質量％、Ｓｉ：０．００１〜０．０３０質量％、Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００質量％を含有している、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金板からなる磁気ディスク基板。
【請求項４】
請求項３に記載の磁気ディスク基板と、
前記磁気ディスク基板の表面を覆うＮｉ−Ｐめっき皮膜と、
前記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に積層された磁性体層とを有する、磁気ディスク。
【請求項５】
請求項１または２に記載された磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法であって、
前記化学成分を備えた溶湯を、温度が６６０〜６８０℃の範囲内にある時間が５分以内となる条件で鋳造して鋳塊を作製し、
前記鋳塊に熱間圧延を行って熱延板を作製し、
前記熱延板に冷間圧延を行う、磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク用アルミニウム合金板、磁気ディスク基板、磁気ディスク及び磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」と省略する。）は、コンピュータや映像記録装置等の電子機器における記憶装置として多用されている。ＨＤＤには、データを記録するための磁気ディスクが組み込まれている。磁気ディスクは、アルミニウム合金からなり円環状を呈する磁気ディスク基板と、磁気ディスク基板の表面を覆うＮｉ−Ｐめっき皮膜と、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に積層された磁性体層とを有している。
【０００３】
近年、サーバやデータセンター等の業務用、及び、パーソナルコンピュータや映像記録装置等の家庭用のいずれの用途においても、ＨＤＤに記録する情報量が多くなってきている。かかる状況に対応してＨＤＤの容量を大きくするため、ＨＤＤに組み込まれる磁気ディスクの記録密度を高めることが求められている。磁気ディスクの記録密度を高くするためには、磁気ディスク基板上に平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成する必要がある。
【０００４】
磁気ディスクは、通常、以下の方法により作製される。まず、アルミニウム合金の圧延板を円環状に打ち抜いてディスクブランクを作製する。次いで、ディスクブランクを厚み方向の両側から加圧しつつ加熱してディスクブランクの反りを小さくする。その後、ディスクブランクに切削加工及び研削加工を行い、所望の形状に成形することにより磁気ディスク基板が得られる。このようにして得られた磁気ディスク基板に、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成するための前処理、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理及び磁性体層のスパッタリングを順次行うことにより、磁気ディスクを作製することができる。
【０００５】
磁気ディスク基板に用いられるアルミニウム合金としては、ＪＩＳ  Ａ５０８６合金が多用されている。しかし、一般的なＪＩＳ  Ａ５０８６合金の成分範囲でディスクブランクを作製すると、Ａｌマトリクス中に比較的大きな金属間化合物が形成されることがある。このような金属間化合物は、切削加工や研削加工、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を形成するための前処理の際にＡｌマトリクスから脱落するおそれがある。
【０００６】
金属間化合物がＡｌマトリクスから脱落すると、磁気ディスク基板に比較的大きな窪みが形成される。また、磁気ディスク基板から脱落した金属間化合物が切削加工や研削加工の際に工具と磁気ディスク基板との間に挟み込まれた場合には、磁気ディスク基板に傷が形成されるおそれもある。かかる状態で無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うと、磁気ディスク基板の窪みや傷に起因してＮｉ−Ｐめっき皮膜にめっきピットと呼ばれる窪みが形成され、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の低下を招くおそれがある。
【０００７】
そこで、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより向上させることを目的として、金属間化合物等の、磁気ディスク基板内の異物を低減する技術が種々検討されている。例えば、特許文献１には、Ｍｇ（マグネシウム）：２〜６％、Ｍｎ（マンガン）：１％以下、Ｆｅ（鉄）：０．３％以下、Ｚｎ（亜鉛）：０．２５％以下、Ｃｒ（クロム）：０．３５％以下を必須に含むＡｌ基合金溶湯を、板厚が４〜１５ｍｍとなるように連続鋳造し、更に圧延することを特徴とする磁気ディスク用Ａｌ基合金板の製造方法が記載されている。
【０００８】
また、特許文献２には、不純物としてＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）を含むアルミニウム又はアルミニウム合金の溶湯へ、ＴｉＢ2、ＶＢ2、ＺｒＢ2として計算される合計化学当量よりも更に１００〜２００質量ｐｐｍ多い量のＢを添加するアルミニウムまたはアルミニウム合金の処理方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭５６−１０５８４６号公報
【特許文献２】特開２００２−１７３７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１の製造方法によれば、鋳造時の板材の厚みを薄くすることにより、溶湯が凝固する際の冷却速度を高め、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系金属間化合物を微細化することができる。しかし、特許文献１の製造方法では、Ａｌ−Ｆｅ−Ｍｎ系金属間化合物以外の介在物を十分に微細化することが難しいという問題がある。
【００１１】
特許文献２の処理方法は、アルミニウムの鋳造工程において、Ａｌ基合金溶湯中のＴｉ、Ｖ、Ｚｒに対して過剰量のＢを添加した後、Ｂとの反応によって形成されたＴｉＢ2、ＶＢ2、ＺｒＢ2等の金属間化合物を除去する作業を追加して行う必要がある。そのため、製造コストの増大を招くおそれがある。
【００１２】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、製造コストの増大を抑制しつつ、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性を高めることができる磁気ディスク用アルミニウム合金板、その製造方法、磁気ディスク基板及び磁気ディスクを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、Ｖ（バナジウム）：０．００２５〜０．１０００質量％、Ｃｕ（銅）：０．００５〜０．１５０質量％、Ｚｎ（亜鉛）：０．０５〜０．６０質量％を含有し、残部がＡｌ（アルミニウム）及び不可避的不純物からなる化学成分を有し、
表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物のうち、０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数が１個／６０００ｍｍ2以下である、磁気ディスク用アルミニウム合金板にある。
【００１４】
本発明の他の態様は、前記の態様の磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法であって、
前記化学成分を備えた溶湯を、温度が６６０〜６８０℃の範囲内にある時間が５分以内となる条件で鋳造して鋳塊を作製し、
前記鋳塊に熱間圧延を行って熱延板を作製し、
前記熱延板冷間圧延を行う、磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法にある。
【発明の効果】
【００１５】
前記磁気ディスク用アルミニウム合金板（以下、「アルミニウム板」という。）は、前記特定の範囲の化学成分を有している。かかる化学成分を有するアルミニウム板においては、切削加工や研削加工の際にＡｌ−Ｖ系介在物が表面から脱落し、めっきピットの発生を招くことが多い。
【００１６】
前記アルミニウム板は、化学成分を前記特定の範囲とした上で、更に、０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数を１個／６０００ｍｍ2以下に規制している。このように、前記アルミニウム板の表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物の数を前記特定の範囲とすることにより、前記アルミニウム板内に存在する粗大なＡｌ−Ｖ系介在物の数を低減することができる。
【００１７】
それ故、前記アルミニウム板によれば、磁気ディスクを作製する過程及びＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成するための前処理におけるＡｌ−Ｖ系介在物の脱落を抑制することができる。更に、切削加工や研削加工の際に表面から脱落したＡｌ−Ｖ系介在物により、磁気ディスク基板の表面に傷が形成されることを抑制することができる。
【００１８】
これらの結果、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理において、めっきピットが少なく平滑性の高いＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。
【００１９】
また、前記アルミニウム板は、前記の態様の製造方法により作製することができる。前記の態様の製造方法においては、溶湯の温度を前述のように制御して鋳造を行うことにより、溶湯内でのＡｌ−Ｖ系介在物の成長を抑制することができる。その結果、得られるアルミニウム板の表面における、０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数を１個／６０００ｍｍ2以下にすることができる。
【００２０】
このように、前記の態様の製造方法によれば、溶湯の温度を制御するだけでＡｌ−Ｖ系介在物の数を制御することができる。それ故、前記の態様の製造方法は、例えば他の元素を添加する等の、一般的な製造工程にはない工程を追加して介在物を除去する必要がない。従って、前記の態様の製造方法によれば、製造コストの増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、実施例における（ａ）磁気ディスク用アルミニウム合金板の一部拡大断面図、（ｂ）磁気ディスク基板の一部拡大断面図、（ｃ）Ｎｉ−Ｐめっき皮膜が形成された磁気ディスク基板の一部拡大断面図である。
【図２】図２は、（ａ）粗大なＡｌ−Ｖ系介在物を有する磁気ディスク用アルミニウム合金板の一部拡大断面図、このアルミニウム合金板から作製された（ｂ）磁気ディスク基板の一部拡大断面図、（ｃ）Ｎｉ−Ｐめっき皮膜が形成された磁気ディスク基板の一部拡大断面図である。
【図３】図３は、実施例における、磁気ディスク基板の表面についた傷の例を示す光学顕微鏡像である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
Ａ．磁気ディスク用アルミニウム合金板
前記アルミニウム板の化学成分及びその限定理由について説明する。
【００２３】
・Ｖ（バナジウム）：０．００２５〜０．１０００質量％
Ｖは、前記アルミニウム板の作製に用いられる地金に含まれる元素であり、Ａｌと結合してＡｌ−Ｖ系介在物を形成する。前記アルミニウム板中のＶの含有量が多くなると、前記アルミニウム板中に粗大なＡｌ−Ｖ系化合物が形成されやすくなる。この粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。
【００２４】
前記アルミニウム板中のＶの含有量を０．１０００質量％以下、好ましくは０．０１００質量％以下とすることにより、粗大なＡｌ−Ｖ系介在物の量を低減することができる。その結果、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットの形成を抑制し、平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を得ることができる。
【００２５】
Ｎｉ−Ｐめっき皮膜へのめっきピットの形成を抑制するためには、Ｖの含有量を低減することが好ましい。しかし、Ｖの含有量を０．００２５質量％未満にしようとする場合には、例えばＶの除去を目的として他の元素を添加する等の、一般的な製造工程にはない工程を追加することによって鋳造時にＶを除去する必要がある。それ故、この場合には、磁気ディスク基板の製造コストの増大を招くおそれがある。
【００２６】
Ｖの含有量が０．００２５質量％以上であれば、一般的な純度の地金を用いることができる。更に、この場合には、鋳造時に一般的な製造工程にはない工程を追加する必要もない。従って、Ｖの含有量を０．００２５質量％以上とすることにより、前記アルミニウム板の製造コストの増大を回避することができる。
【００２７】
・Ｃｕ（銅）：０．００５〜０．１５０質量％
Ｃｕは、磁気ディスクの製造過程においてジンケート処理を行った際の、磁気ディスク基板からのＡｌの溶出を抑制する作用を有している。Ｃｕの含有量を０．００５質量％以上とすることにより、磁気ディスクの製造過程においてジンケート処理を行った際に、磁気ディスク基板の表面に、ち密で厚みが薄く、かつ厚みのバラつきが小さいＺｎ皮膜を付着させることができる。そして、このようなＺｎ皮膜を形成することにより、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理によって平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。
【００２８】
しかし、Ｃｕの含有量が多くなると、磁気ディスク基板の耐食性が低下し、磁気ディスク基板に局所的にＡｌが溶出しやすい領域が形成される。そのため、磁気ディスクの製造過程においてジンケート処理を行った際に、磁気ディスク基板の表面においてＡｌの溶解量にむらが発生し、Ｚｎ皮膜の厚みのバラつきが大きくなりやすい。その結果、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と磁気ディスク基板との密着性の低下やＮｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の低下を招くおそれがある。
【００２９】
また、磁気ディスク基板にＭｇが含まれている場合には、磁気ディスク基板中に粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が形成されやすくなる。この粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系介在物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。
【００３０】
前記アルミニウム板中のＣｕの含有量を０．１５０質量％以下、好ましくは０．１００質量％以下とすることにより、前述した問題を回避し、磁気ディスク基板上に平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。
【００３１】
・Ｚｎ（亜鉛）：０．０５〜０．６０質量％
Ｚｎは、Ｃｕと同様に、ジンケート処理における磁気ディスク基板からのＡｌの溶出を抑制する作用を有している。Ｚｎの含有量を０．０５質量％以上とすることにより、磁気ディスクの製造過程においてジンケート処理を行った際に、磁気ディスク基板の表面に、ち密で厚みが薄く、かつ厚みのバラつきが小さいＺｎ皮膜を付着させることができる。そして、このようなＺｎ皮膜を形成することにより、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理によって平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。
【００３２】
しかし、Ｚｎの含有量が多くなると、磁気ディスク基板の耐食性が低下し、磁気ディスク基板に局所的にＡｌが溶出しやすい領域が形成される。そのため、磁気ディスクの製造過程においてジンケート処理を行った際に、磁気ディスク基板の表面においてＡｌの溶解量にむらが発生し、Ｚｎ皮膜の厚みのバラつきが大きくなりやすい。その結果、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜と磁気ディスク基板との密着性の低下やＮｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の低下を招くおそれがある。
【００３３】
更に、磁気ディスク基板にＭｇが含まれている場合には、磁気ディスク基板中に粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系金属間化合物が形成されやすくなる。この粗大なＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｚｎ系介在物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。
【００３４】
前記アルミニウム板中のＺｎの含有量を０．６０質量％以下、好ましくは０．５０質量％以下とすることにより、前述した問題を回避し、磁気ディスク基板上に平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。
【００３５】
前記アルミニウム板には、Ｖ、Ｃｕ及びＺｎに加えて、更に、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｆｅ（鉄）、Ｓｉ（シリコン）、Ｂｅ（ベリリウム）のうち１種または２種以上が任意成分として含まれていてもよい。
【００３６】
・Ｍｇ：３．０〜８．０質量％
前記アルミニウム板中には、任意成分として、３．０〜８．０質量％のＭｇが含まれていてもよい。前記アルミニウム板中のＭｇの含有量を３．０質量％以上とすることにより、前記アルミニウム板の強度をより向上させることができる。また、前記アルミニウム板中のＭｇの含有量を３．０質量％以上とすることにより、磁気ディスクの製造過程において磁気ディスク基板の表面に形成されるＺｎ皮膜をよりち密にするとともに、厚みのバラつきをより小さくすることができる。そして、このようなＺｎ皮膜を形成することにより、磁気ディスク基板上に形成されるＮｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。これらの作用効果をより高める観点からは、前記アルミニウム板中のＭｇの含有量を３．５質量％以上とすることがより好ましい。
【００３７】
しかし、前記アルミニウム板中のＭｇの含有量が過度に多くなると、磁気ディスク基板中に粗大なＡｌ−Ｍｇ系介在物が形成されやすくなる。また、前記アルミニウム板中にＳｉが含まれている場合には、前記磁気ディスク基板中に粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が形成されやすくなる。このような粗大な金属間化合物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。
【００３８】
前記アルミニウム板中のＭｇの含有量を８．０質量％以下、より好ましくは７．０質量％以下とすることにより、めっきピットの形成を抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めるとともに前記アルミニウム板の強度をより向上させることができる。
【００３９】
・Ｃｒ：０．０１０〜０．３００質量％
前記アルミニウム板中には、任意成分として、０．０１０〜０．３００質量％のＣｒが含まれていてもよい。Ｃｒの一部は、鋳造時に生じる微細な金属間化合物として前記アルミニウム板内に分散している。鋳造時に金属間化合物とならなかったＣｒはＡｌマトリクス中に固溶し、固溶強化によって前記アルミニウム板の強度を向上させる作用を有している。
【００４０】
また、Ｃｒは、切削性及び研削性をより高めるとともに再結晶組織をより微細化することができる。その結果、磁気ディスク基板とＮｉ−Ｐめっき皮膜との密着性をより高め、めっきピットの発生を抑制することができる。
【００４１】
前記アルミニウム板中のＣｒの含有量を０．０１０質量％以上とすることにより、前記アルミニウム板の強度をより向上させることができる。また、前記アルミニウム板中のＣｒの含有量を０．０１０質量％以上とすることにより、めっきピットの発生をより効果的に抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。
【００４２】
しかし、前記アルミニウム板中のＣｒの含有量が過度に多くなると、磁気ディスク基板中に粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が形成されやすくなる。このような粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。
【００４３】
前記アルミニウム板中のＣｒの含有量を０．３００質量％以下、より好ましくは０．２００質量％以下とすることにより、めっきピットの形成を抑制し、平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成するとともに前記アルミニウム板の強度をより向上させることができる。
【００４４】
・Ｍｎ：０．００１〜０．５００質量％
前記アルミニウム板中には、任意成分として、０．００１〜０．５００質量％のＭｎが含まれていてもよい。Ｍｎの一部は、鋳造時に生じる微細な金属間化合物として前記アルミニウム板内に分散している。鋳造時に金属間化合物とならなかったＭｎはＡｌマトリクス中に固溶し、固溶強化によって前記アルミニウム板の強度を向上させる作用を有している。
【００４５】
また、Ｍｎは、切削性及び研削性をより高めるとともに再結晶組織をより微細化することができる。その結果、磁気ディスク基板とＮｉ−Ｐめっき皮膜との密着性をより高め、めっきピットの発生を抑制することができる。
【００４６】
前記アルミニウム板中のＭｎの含有量を０．００１質量％以上とすることにより、前記アルミニウム板の強度をより向上させることができる。また、前記アルミニウム板中のＭｎの含有量を０．００１質量％以上とすることにより、めっきピットの発生をより効果的に抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。これらの作用効果をより高める観点からは、Ｍｎの含有量を０．０１０質量％以上にすることがより好ましい。
【００４７】
しかし、前記アルミニウム板中のＭｎの含有量が過度に多くなると、磁気ディスク基板中に粗大なＡｌ−Ｍｎ系金属間化合物が形成されやすくなる。このような粗大なＡｌ−Ｍｎ系金属間化合物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。
【００４８】
前記アルミニウム板中のＭｎの含有量を０．５００質量％以下、より好ましくは０．３００質量％以下とすることにより、めっきピットの形成を抑制し、平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成するとともに前記アルミニウム板の強度をより向上させることができる。
【００４９】
・Ｆｅ：０．００１〜０．０３０質量％、Ｓｉ：０．００１〜０．０３０質量％
前記アルミニウム板中には、任意成分として、０．００１〜０．０３０質量％のＦｅ及び０．００１〜０．０３０質量％のＳｉのうち１種または２種が含まれていてもよい。Ｆｅは、Ａｌマトリクス中にほとんど固溶せず、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物として前記アルミニウム板内に分散している。Ｓｉは、Ａｌマトリクス中にＳｉ粒子を形成する。また、前記アルミニウム板が更にＭｇを含む場合、Ｓｉは、Ｍｇとの間にＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物を形成する。
【００５０】
このようなＳｉ粒子や金属間化合物が前記アルミニウム板の表面から脱落した場合、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてめっきピットが形成されやすくなる。前記アルミニウム板中のＦｅ及びＳｉの含有量を０．０３０質量％以下、より好ましくは０．０２５質量％以下とすることにより、前記アルミニウム板内に存在する金属間化合物の量をより低減することができる。その結果、めっきピットの形成を抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。
【００５１】
前述した金属間化合物によるめっきピットの発生を抑制するためには、Ｆｅ及びＳｉの含有量を少なくすることが好ましい。しかし、これらの元素は、一般的な純度の地金はもとより、Ａｌの純度が９９．９質量％以上である高純度の地金にも含まれている。そのため、ＦｅおよびＳｉをほとんど含まないアルミニウム板を作製しようとすると、鋳造時にこれらの元素を除去するための特殊な処理を行う必要があり、前記アルミニウム板の製造コストの増大を招くおそれがある。
【００５２】
前記アルミニウム板中のＦｅ及びＳｉの含有量が０．００１質量％以上であれば、これらの元素を除去するための特殊な処理を行うことなく前記アルミニウム板を作製することができる。その結果、前記アルミニウム板の製造コストの増大を回避しつつ、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。また、前記アルミニウム板中のＦｅ及びＳｉの含有量が０．０１０質量％以上であれば、より純度の低い地金を用いて前記アルミニウム板を作製することができる。これにより、前記アルミニウム板の材料コストをより低減することができる。
【００５３】
・Ｂｅ：０．００００１〜０．００２００％質量％
Ｂｅは、Ｍｇを含むアルミニウム合金を鋳造する際に、Ｍｇの酸化を抑制することを目的として溶湯内に添加される元素である。前記アルミニウム板中のＢｅの含有量を０．００００１質量％以上とすることにより、前記アルミニウム板の耐食性を高めることができる。また、前記アルミニウム板中のＢｅの含有量を０．００００１質量％以上とすることにより、磁気ディスクの製造過程において磁気ディスク基板の表面に形成されるＺｎ皮膜をよりち密にするとともに、厚みのバラつきをより小さくすることができる。その結果、磁気ディスク基板上に形成されるＮｉ−Ｐ皮膜の平滑性をより高めることができる。これらの作用効果をより高める観点からは、前記アルミニウム板中のＢｅの含有量を０．０００１０質量％以上とすることが好ましい。
【００５４】
しかし、前記アルミニウム板中のＢｅの含有量が過度に多くなると、磁気ディスク基板の製造過程においてディスクブランクが加熱された際に、ディスクブランクの表面にＢｅ系酸化物が形成されやすくなる。また、前記アルミニウム板が更にＭｇを含む場合、ディスクブランクが加熱された際に、ディスクブランクの表面にＡｌ−Ｍｇ−Ｂｅ系酸化物が形成されやすくなる。この酸化物の量が多くなると、Ｚｎ皮膜の厚みのバラつきが大きくなり、めっきピットの発生を招くおそれがある。
【００５５】
前記アルミニウム板中のＢｅの含有量を０．００２００質量％以下、より好ましくは０．０００２５質量％以下とすることにより、Ａｌ−Ｍｇ−Ｂｅ系酸化物の量を低減し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。
【００５６】
・その他の元素
前記アルミニウム板は、前述した必須成分及び任意成分以外の元素が含まれていてもよい。これらの元素の含有量は、例えば、各元素について０．０５質量％以下、合計で０．１５質量％以下とすることができる。
【００５７】
・Ａｌ−Ｖ系介在物
前記アルミニウム板中には、Ａｌ−Ｖ系介在物が分散している。前記アルミニウム板の表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物のうち、０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数は１個／６０００ｍｍ2以下である。
【００５８】
０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数が前記特定の範囲よりも多い場合には、前記アルミニウム板内に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が存在しているおそれがある。このようなＡｌ−Ｖ系介在物が磁気ディスクの製造過程において表面から脱落すると、磁気ディスク基板の表面に大きな窪みが形成される。また、切削加工や研削加工の際に表面から脱落したＡｌ−Ｖ系介在物が工具とアルミニウム板との間で引きずられた場合、磁気ディスク基板の表面に傷が発生するおそれがある。このような窪みや傷が存在している状態で無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うと、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の表面にめっきピットが形成されやすくなる。
【００５９】
０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物の数を１個／６０００ｍｍ2以下とすることにより、前記アルミニウム板内への粗大なＡｌ−Ｖ系介在物の生成を抑制することができる。その結果、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理において、めっきピットが少なく平滑性の高いＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高める観点からは、前記アルミニウム板は、その表面に０．５μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物を有しないことがより好ましい。つまり、前記アルミニウム板の表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物の最長径は０．５μｍ未満であることがより好ましい。
【００６０】
前記アルミニウム板の表面には、２．０μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物が露出していないことが好ましい。つまり、前記アルミニウム板の表面に露出したＡｌ−Ｖ系介在物の最長径は２．０μｍ未満であることが好ましい。２．０μｍ以上の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物は、切削加工や研削加工の際に、これよりも小さいＡｌ−Ｖ系介在物に比べて磁気ディスク基板の表面に傷を生じさせやすい。表面にこのようなＡｌ−Ｖ系介在物を有しないアルミニウム板によれば、切削加工や研削加工における磁気ディスク基板の表面への傷の発生をより効果的に抑制することができる。その結果、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性をより高めることができる。
【００６１】
なお、前記アルミニウム板の表面には、０．５μｍ未満の最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物が露出していてもよい。かかる最長径を有するＡｌ−Ｖ系介在物は、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性に影響を及ぼさない。
【００６２】
前述したＡｌ−Ｖ系介在物とは、Ｘ線検出装置としてＷＤＳ（つまり、波長分散型分光器）を有するＥＰＭＡ（つまり、電子線マイクロアナライザ）を用いて元素分析を行った場合にＡｌ及びＶが検出される介在物をいう。また、Ａｌ−Ｖ系介在物の最長径は、ＥＰＭＡを用いて取得した前記アルミニウム板の表面像における、Ａｌ−Ｖ系介在物の輪郭線上で最も離れた２点の距離である。
【００６３】
Ｂ．磁気ディスク用アルミニウム合金板の製造方法
前記アルミニウム板を作製するに当たっては、まず、前記化学成分を備えた溶湯を、温度が６６０〜６８０℃の範囲内にある時間が５分以内となる条件で鋳造して鋳塊を作製する。Ａｌ−Ｖ系介在物は、溶湯の温度が６６０〜６８０℃にある間に成長する。そのため、溶湯の温度が前記特定の範囲内にある時間を５分以内、好ましくは３分以内とすることにより、溶湯内でのＡｌ−Ｖ系介在物の成長を抑制することができる。その結果、アルミニウム板中のＡｌ−Ｖ系介在物の大きさを小さくし、平滑性の高いＮｉ−Ｐめっき皮膜を得られるアルミニウム板を作製することができる。
【００６４】
溶湯の温度が前記特定の範囲内にある時間が５分よりも長い場合には、溶湯中に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が形成されやすくなる。前述したように、粗大なＡｌ−Ｖ系介在物は、磁気ディスクの製造過程においてアルミニウム板から脱落し、めっきピットの原因となる。そのため、この場合には、磁気ディスクの製造過程において、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の悪化を招くおそれがある。
【００６５】
前記製造方法においては、原料を溶解し、溶湯を作製してから溶湯を鋳造して鋳塊を作製するまでの間に、溶湯中の溶存ガスを低減する脱ガス処理及び溶湯中の固形物を除去するろ過処理をインラインで行うことが好ましい。
【００６６】
脱ガス処理としては、例えば、ＳＮＩＦ（Spinning  Nozzle  Inert  Flotation）プロセスと呼ばれる処理方法やＡｌｐｕｒプロセスと呼ばれる処理方法等を採用することができる。これらのプロセスにおいては、羽根付き回転体により溶湯を高速で攪拌しながらアルゴンガスやアルゴンと塩素との混合ガス等のプロセスガスを吹き込み、溶湯中にプロセスガスの微細な気泡を形成する。これにより、溶湯中に溶存した水素ガスや介在物を短時間で除去することができる。脱ガス処理には、インライン式の脱ガス装置を使用することができる。
【００６７】
ろ過処理としては、例えば、ケークろ過方式やろ材ろ過方式などを採用することができる。また、ろ過処理には、例えば、セラミックチューブフィルター、セラミックフォームフィルター、アルミナボールフィルタ−などのフィルターを使用することができる。
【００６８】
鋳塊を作製した後熱間圧延を行うまでの間に、必要に応じて鋳塊に均質化処理を行ってもよい。均質化処理における保持温度は、例えば５００〜５７０℃の範囲から適宜設定することができる。また、均質化処理における保持時間は、例えば１〜６０時間の範囲から適宜設定することができる。
【００６９】
次に、鋳塊に熱間圧延を行い、熱延板を作製する。熱間圧延の圧延条件は特に限定されることはないが、例えば、開始温度を４００〜５００℃の範囲とし、終了温度を２６０〜３８０℃の範囲として熱間圧延を行うことができる。
【００７０】
熱間圧延を行った後、得られた熱延板に１パス以上の冷間圧延を行うことにより、前記アルミニウム板を得ることができる。冷間圧延の圧延条件は特に限定されることはなく、所望する磁気ディスク基板の厚み及び強度に応じて適宜設定すればよい。例えば、冷間圧延における総圧下率は２０〜９５％とすることができる。また、前記アルミニウム板の厚みは、例えば、０．３５〜１．９ｍｍの範囲から適宜設定することができる。
【００７１】
前記の態様の製造方法においては、冷間圧延における１パス目の前及びパス間のうち少なくとも一方において、必要に応じて焼鈍処理を行ってもよい。焼鈍処理は、バッチ式熱処理炉を用いて行ってもよいし、連続式熱処理炉を用いて行ってもよい。バッチ式熱処理炉を用いる場合、焼鈍時の保持温度を２５０〜４３０℃、保持時間を０．１〜１０時間の範囲とすることが好ましい。また、連続式熱処理炉を用いる場合、炉内の滞在時間を６０秒以内、炉内の温度を４００〜５００℃とすることが好ましい。このような条件で焼鈍処理を行うことにより、冷間圧延時の加工性を回復させることができる。
【００７２】
Ｃ．磁気ディスク基板
前記アルミニウム板から磁気ディスクを作製するに当たっては、例えば、以下の方法を採用することができる。まず、前記アルミニウム板に打ち抜き加工を行い、円環状を呈するディスクブランクを作製する。その後、ディスクブランクを厚み方向の両側から加圧しながら加熱して加圧焼鈍を行うことにより、ディスクブランクのゆがみを低減し、平坦度を向上させる。加圧焼鈍における保持温度は、例えば、２５０〜４３０℃の範囲から適宜選択することができる。また、加圧焼鈍における保持時間は、例えば、３０分以上とすることができる。
【００７３】
加圧焼鈍を行った後、ディスクブランクに切削加工及び研削加工を順次行い、所望の形状を有する磁気ディスク基板を作製する。これらの加工を行った後、必要に応じて、加工時の歪を除去する歪取り熱処理を行ってもよい。
【００７４】
Ｄ．磁気ディスク
前記磁気ディスク基板を備えた磁気ディスクは、例えば、以下の構成を有している。即ち、磁気ディスクは、磁気ディスク基板と、
前記磁気ディスク基板の表面を覆うＮｉ−Ｐめっき皮膜と、
前記Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に積層された磁性体層とを有している。
【００７５】
磁気ディスクは、更に、ダイヤモンドライクカーボンなどの炭素系材料からなり、磁性体層上に積層された保護層と、潤滑油からなり、保護層上に塗布された潤滑層とを有していてもよい。
【００７６】
磁気ディスク基板から磁気ディスクを作製するに当たっては、例えば、以下の方法を採用することができる。まず、磁気ディスク基板に脱脂洗浄を行い磁気ディスク基板の表面に付着した加工油等の油分を除去する。脱脂洗浄の後、必要に応じて、酸を用いて磁気ディスク基板にエッチングを行ってもよい。エッチングを行った場合には、エッチングの後に、エッチングによって生じたスマットを磁気ディスク基板から除去するデスマット処理を行ことが好ましい。これらの処理における処理条件は、処理液の種類に応じて適宜設定することができる。
【００７７】
これらのめっき前処理を行った後、磁気ディスク基板の表面にＺｎ皮膜を形成するジンケート処理を行う。ジンケート処理においては、ＡｌをＺｎに置換する亜鉛置換めっきを行うことにより、Ｚｎ皮膜を形成することができる。ジンケート処理としては、１回目の亜鉛置換めっきを行った後、磁気ディスク基板の表面に形成されたＺｎ皮膜を一旦剥離し、再度亜鉛置換めっきを行ってＺｎ皮膜を形成する、いわゆるダブルジンケート法を採用することが好ましい。ダブルジンケート法によれば、１回目の亜鉛置換めっきによって形成されるＺｎ皮膜に比べてち密なＺｎ皮膜を磁気ディスク基板の表面に形成することができる。その結果、後に行う無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてＮｉ−Ｐめっき皮膜の欠陥を低減することができる。
【００７８】
ジンケート処理によって磁気ディスク基板の表面にＺｎ皮膜を形成した後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うことにより、Ｚｎ皮膜をＮｉ−Ｐめっき皮膜に置換することができる。前述したように、磁気ディスク基板は粗大なＡｌ−Ｖ系介在物の少ない前記アルミニウム板から作製されている。そのため、ジンケート処理後の磁気ディスク基板の表面には、ち密で厚みが薄く、かつ、厚みのバラつきが小さいＺｎ皮膜が形成されている。無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理においてこのようなＺｎ皮膜をＮｉ−Ｐめっき皮膜に置換することにより、めっきピットが少なく平滑なＮｉ−Ｐめっき皮膜を形成することができる。
【００７９】
無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理の後、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を研磨することにより、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の表面の平滑性を更に高めることができる。
【００８０】
無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理の後、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、スパッタリングによって磁性体を付着させて磁性体層を形成する。磁性体層は、単一の層から構成されていてもよいし、互いに異なる組成を有する複数の層から構成されていてもよい。スパッタリングを行った後、ＣＶＤによって磁性体層上に炭素系材料からなる保護層を形成する。その後、保護層上に潤滑油を塗布して潤滑層を形成する。以上により、磁気ディスクを得ることができる。
【実施例】
【００８１】
前記アルミニウム板、その製造方法及びこのアルミニウム板から作製された磁気ディスク基板の例を説明する。なお、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金板、その製造方法及び磁気ディスク基板の具体的な態様は、以下に示す実施例の態様に限定されるものではなく、本発明の趣旨を損なわない範囲で実施例から適宜構成を変更することができる。
【００８２】
・アルミニウム板の作製
以下の方法により、本例において評価に使用するアルミニウム板（試験材Ａ１〜Ａ２１）を作製することができる。まず、溶解炉において、表１に示す化学成分を有する溶湯を調製する。溶解炉内における溶湯の保持温度は６８０℃よりも高いため、溶解炉内において溶湯中に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が形成されることはない。なお、表１中の記号「Ｂａｌ．」は、残部であることを示す記号である。
【００８３】
次に、溶解炉内の溶湯を保持炉に移す。保持炉内の溶湯の温度は６８０℃よりも高いため、保持炉内において溶湯中に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が形成されることはない。
【００８４】
保持炉から吐出された溶湯は、樋を通り、インライン式の脱ガス処理装置及びろ過装置によって脱ガス処理及びろ過処理が施された後にＤＣ鋳造用のモールドに供給される。そして、ＤＣ鋳造により厚み２００ｍｍの鋳塊が作製される。本例では、保持炉からＤＣ鋳造用のモールドまでにおける溶湯の温度が６６０〜６８０℃となる。また、ＤＣ鋳造においては、保持炉から供給された溶湯がモールドによって急速に冷却されるため、モールド内の溶湯の温度は６６０℃よりも低い温度となる。従って、本例では、保持炉から吐出された溶湯がＤＣ鋳造用のモールドに到達するまでの所要時間が、溶湯が６６０〜６８０℃の範囲内にある時間となる。本例においては、保持炉から吐出された溶湯がＤＣ鋳造用のモールドに到達するまでの経過時間が表２に示す値となるようにして鋳造を行う。
【００８５】
次に、鋳塊の表面から深さ１５ｍｍの範囲を面削し、鋳塊の表面に存在する偏析層を除去する。表２に示す試験材Ａ６以外の試験材については、面削を行った後に鋳塊を５１０℃の温度に６時間保持して均質化処理を行う。
【００８６】
その後、圧延開始温度を４６０℃とし、圧延終了温度が３４０℃となるような条件で鋳塊に熱間圧延を行い、厚み３．０ｍｍの熱延板を作製する。得られた熱延板に冷間圧延を行う。試験材Ａ７以外の試験材を作製するに当たっては、熱延板に６６．７％の圧下率で冷間圧延を行う。これにより、試験材Ａ１〜Ａ６、Ａ８〜Ａ２１を得ることができる。これらの試験材の厚みは１．０ｍｍである。
【００８７】
試験材Ａ７を作製するに当たっては、熱延板に３３．３％の圧下率で冷間圧延を行って冷延板を作製し、次いで冷延板を３００℃の温度に２時間保持して中間焼鈍を行う。その後、冷延板に５０．０％の圧下率で冷間圧延を行う。これにより、試験材Ａ７を得ることができる。試験材Ａ７の厚みは１．０ｍｍである。なお、試験材Ａ７の作製過程における冷間圧延の総圧下率、つまり、熱延板の厚みに対する熱延板と試験材Ａ７との厚みの差（つまり、冷間圧延における厚みの減少量）の比率は６６．７％である。
【００８８】
以上により、アルミニウム板（試験材Ａ１〜Ａ２１）を得ることができる。次に、試験材Ａ１〜Ａ２１に打ち抜き加工を施し、外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状を呈するディスクブランクを作製する。
【００８９】
得られたディスクブランクを厚み方向の両側から加圧しつつ３４０℃の温度に４時間保持して加圧焼鈍を行う。加圧焼鈍後のディスクブランクにおける外周端面及び内周端面に切削加工を施し、ディスクブランクの外径を９５ｍｍに、内径を２５ｍｍにする。その後、ディスクブランクの各板面に、研削量が１０μｍとなるように研削加工を施す。以上により、磁気ディスク基板を得ることができる。
【００９０】
各試験材におけるＡｌ−Ｖ系介在物の数の評価方法及び試験材上に形成されるＮｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の評価方法を以下に説明する。
【００９１】
・Ａｌ−Ｖ系介在物の数の評価方法
Ａｌ−Ｖ系介在物の観察は、ＥＰＭＡにより行うことができる。しかし、ＥＰＭＡによる観察範囲は数百μｍ2程度であるため、アルミニウム板の表面に露出した最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物の数が極めて少ない場合、ＥＰＭＡを用いて各試験材の表面を観察し、当該Ａｌ−Ｖ系介在物の数を数えることは現実的ではない。そのため、本例においては、各試験材から作製した磁気ディスクを用い、以下の方法により最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物の数を評価する。
【００９２】
図１に示すように、アルミニウム板１に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が含まれていない場合（図１（ａ）参照）には、切削加工や研削加工の際に、粗大なＡｌ−Ｖ系介在物に起因する傷が形成されないため、平滑な表面を有する磁気ディスク基板２を得ることができる（図１（ｂ）参照）。それ故、磁気ディスク基板２上に形成されるＮｉ−Ｐめっき皮膜３にもめっきピットが形成されにくい（図１（ｃ）参照）。
【００９３】
一方、図２に示すように、アルミニウム板１に粗大なＡｌ−Ｖ系介在４が含まれている場合（図２（ａ）参照）には、切削加工や研削加工の際に、図２（ｂ）及び図３に示すように、粗大なＡｌ−Ｖ系介在物４に起因して磁気ディスク２の表面に傷２１が形成される。そして、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜３における、傷２１の直上の位置にめっきピット３１が形成されやすくなる（図２（ｃ）参照）。
【００９４】
従って、まず、各試験材から作製した磁気ディスク基板を目視により観察し、切削加工や研削加工の際についた傷の有無を確認する。次に、表面に傷が存在する試験材について、傷及びその周辺をＥＰＭＡにより観察し、ＷＤＳを用いて表面の面分析を行う。面分析により得られた組成像に基づき、試験材の表面にＡｌ−Ｖ系介在物が存在していること、及び、Ａｌ−Ｖ系介在物の最長径と個数を確認する。表２に、各試験材の表面に存在する最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物の数、つまり、磁気ディスク基板に存在する最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物の数を６０００ｍｍ2当たりの数に換算した値を示す。
【００９５】
・Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の評価方法
各試験材に各試験材に脱脂洗浄、エッチング及びデスマット処理を順次行い、試験材の表面を清浄化する。次いで、ジンケート処理としてのダブルジンケート法により試験材の表面にＺｎ皮膜を形成する。その後、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理により、Ｚｎ皮膜を厚さ１９μｍのＮｉ−Ｐめっき皮膜に置き換える。バフを用い、研磨量が４μｍとなるようにＮｉ−Ｐめっき皮膜の表面を研磨する。
【００９６】
ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用い、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の表面を、最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物の直上の位置を中心にして倍率１０００倍で観察し、面積１ｍｍ2のＳＥＭ像を取得する。なお、最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物が複数存在している場合は、各介在物の直上の位置について、上記と同様の方法によりＳＥＭ像を取得する。最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物が存在していなかった場合は、Ｎｉ−Ｍめっき皮膜の表面から無作為に選択した位置について、上記と同様の方法によりＳＥＭ像を取得する。表２に、得られたＳＥＭ像中に存在する最長径２μｍ以上のめっきピットの数を、１ｍｍ2当たりの数に換算した値を示す。
【００９７】
また、表２の「評価」欄には、めっきピットの数が０個／ｍｍ2の場合には記号「Ａ」、０個／ｍｍ2超え１個／ｍｍ2以下の場合には記号「Ｂ」、１個／ｍｍ2よりも多い場合には記号「Ｃ」を記載した。Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性の評価においては、めっきピットの数が１個／ｍｍ2以下である記号「Ａ」及び「Ｂ」の場合をＮｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性が高いため合格と判定し、１個／ｍｍ2よりも多い記号「Ｃ」の場合をＮｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性が低いため不合格と判定する。
【００９８】
【表１】
2020041184.tif 000003
【００９９】
【表２】
2020041184.tif 000004
【０１００】
表１及び表２に示すように、試験材Ａ１〜Ａ７は、前記特定の化学成分を有し、かつ、試験材の表面に露出した最長径０．５μｍ以上のＡｌ−Ｖ系介在物の数が１個／６０００ｍｍ2以下である。そのため、これらの試験材は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理におけるめっきピットの形成を抑制し、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性を高めることができる。
【０１０１】
試験材Ａ８については、Ｖの含有量が前記特定の範囲よりも多いため、試験材Ａ８内に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が形成されやすい。粗大なＡｌ−Ｖ系介在物は、試験材Ａ８から磁気ディスク基板を作製する過程で脱落し、窪みや傷の原因となる。そのため、試験材Ａ８から作製された磁気ディスク基板に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うと、試験材Ａ１〜Ａ７から作製された磁気ディスクに比べてめっきピットの数が多くなり、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性が低くなりやすい。
【０１０２】
試験材Ａ９〜Ａ１６については、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＦｅまたはＢｅの含有量が前記特定の範囲よりも多いため、試験材内に粗大な金属間化合物が形成されやすい。これらの粗大な金属間化合物は、これらの試験材から磁気ディスク基板を作製する過程で脱落し、窪みの原因となる。そのため、これらの試験材から作製された磁気ディスク基板に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うと、試験材Ａ１〜Ａ７から作製された磁気ディスクに比べてめっきピットの数が多くなり、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性が低くなりやすい。
【０１０３】
試験材Ａ１７〜Ａ１８については、ＣｕまたはＺｎの含有量が前記特定の範囲よりも少ないため、ジンケート処理において形成されるＺｎ皮膜の厚みのバラつきが大きくなりやすい。そのため、これらの試験材から作製された磁気ディスク基板に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うと、試験材Ａ１〜Ａ７から作製された磁気ディスクに比べてめっきピットの数が多くなり、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性が低くなりやすい。
【０１０４】
試験材Ａ１９〜Ａ２１については、保持炉から吐出された溶湯がモールドに到達するまでの経過時間、つまり、溶湯が６６０〜６８０℃の範囲内にある時間が前記特定の範囲よりも長いため、溶湯内に粗大なＡｌ−Ｖ系介在物が形成されやすい。粗大なＡｌ−Ｖ系介在物は、これらの試験材から磁気ディスク基板を作製する過程で脱落し、窪みや傷の原因となる。そのため、これらの試験材から作製された磁気ディスク基板に無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理を行うと、試験材Ａ１〜Ａ７から作製された磁気ディスクに比べてめっきピットの数が多くなり、Ｎｉ−Ｐめっき皮膜の平滑性が低くなりやすい。
【符号の説明】
【０１０５】
１  磁気ディスク用アルミニウム合金板
２  磁気ディスク基板
３  Ｎｉ−Ｐめっき皮膜
【図１】
2020041184.tif 000005
【図２】
2020041184.tif 000006
【図３】
2020041184.tif 000007