(57)【要約】【課題】所定の色の光を確実に出射可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置１Ａは、凹部を有する基材１４と、凹部の底面に固定された発光素子２と、凹部の上部に固定された角型の蛍光板３とを備える。凹部を構成する基材１４の内壁面は、蛍光板３の底面を支持する支承面１５ａ及び蛍光板３の各辺に沿った側面１５ｂからなる段差部１５を有している。段差部１５は、その側面のうち隣接する２つの側面１５ａ１、１５ａ２が形成する隅部に、蛍光板３の角部を受け入れる受容凹部１６を有していて、かつ、２つの側面１５ａ１、１５ａ２につながる支承面１５ｂ１、１５ｂ２の幅が、それぞれ、対向位置にある支承面１５ｂ４、１５ｂ３の幅よりも狭い。蛍光板３は、その外壁と、２つの側面１５ａ１、１５ａ２との距離が最短となるように段差部１５に配置されている。【選択図】図１
2020120009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する基材と、
前記凹部の底面に固定された発光素子と、
前記凹部の上部に固定された角型の蛍光板と、を備え、
前記凹部を構成する前記基材の内壁面は、前記蛍光板の底面を支持する支承面及び前記蛍光板の各辺に沿った側面からなる段差部を有し、
前記段差部は、その側面のうち隣接する２つの側面が形成する隅部に、前記蛍光板の角部を受け入れる受容凹部を有し、かつ、前記隣接する２つの側面につながる前記支承面の幅が、それぞれ、対向位置にある支承面の幅よりも狭く、
前記蛍光板は、その外壁と、前記隣接する２つの側面との距離が最短となるように前記段差部に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記支承面は、対向位置において、前記蛍光板を支承している幅が同じ幅であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記受容凹部は、前記蛍光板との隙間が、接着性を有する樹脂により充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記蛍光板は、接着性を有する樹脂により、前記支承面または前記隣接する２つの側面に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、封止部材によりその周囲を覆われていることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記発光素子を覆う前記封止部材は、前記蛍光板の底面に密着する位置まで前記凹部内に充填されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記支承面には突起が設けられており、前記突起が前記蛍光板の下面を支持していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記支承面には、前記蛍光板の角部の下端との接触を回避する凹部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記隣接する２つの側面の対向位置にある２つの側面と、前記蛍光板の外壁との間の空間には、反射性材料が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記基材は、前記隣接する２つの側面の対向位置にある２つの側面の一部または全部の高さが、前記隣接する２つの側面の高さよりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記段差部の隣接する側面が形成する隅部は、Ｒ形状を有しており、前記側面の前記Ｒ形状を除く直線部分の辺の長さが、前記側面に接する前記蛍光板の辺の長さよりも短いことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記隣接する２つの側面の少なくとも一部、または前記隣接する２つの側面の対向位置にある２つの側面の少なくとも一部には、前記蛍光板に向けて突出している凸部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
凹部を有する基材と、
前記凹部の底面に固定された発光素子と、
前記凹部の上部に固定された角型の蛍光板と、を備え、
前記凹部を構成する前記基材の内壁面は、前記蛍光板の底面を支持する支承面及び前記蛍光板の各辺に沿った側面からなる段差部を有し、
前記段差部は、その側面のうち隣接する２つの側面それぞれに、前記蛍光板に向けて突出している凸部を有し、かつ、前記隣接する２つの側面につながる前記支承面の幅が、それぞれ、対向位置にある支承面の幅よりも狭く、
前記蛍光板は、その外壁と、前記隣接する２つの側面との距離が最短となるように前記段差部に配置されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１４】
凹部および、前記凹部を構成する内壁面に段差部を有する基材を用意する工程（１）と、
前記凹部の底面に発光素子を固定する工程（２）と、
前記基材の前記段差部に角型の蛍光板を固定する工程（３）と、を備え、
前記段差部は、前記蛍光板の底面を支持する支承面及び前記蛍光板の各辺に沿った側面を有しており、
前記工程（１）は、前記段差部の前記側面のうち隣接する２つの側面が形成する隅部に、前記蛍光板を受け入れる受容凹部を有し、かつ、前記隣接する２つの側面につながる前記支承面の幅が、それぞれ、対向位置にある支承面の幅よりも狭くなるように前記基材を用意する工程であり、
前記工程（３）は、前記蛍光板を、その外壁と、前記隣接する２つの側面との距離が最短となるように前記段差部に配置する工程を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源と蛍光板を備えた半導体発光装置に関し、特にその蛍光板を支持する構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置には、光源となるレーザーダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子と、発光素子から出射された光の一部を吸収して波長変換する蛍光体を含む蛍光板と、発光素子および蛍光板を収容する基材とを備えたものがある。
【０００３】
発光素子から出射された光は、蛍光板の内部を通る間に一部が蛍光体により波長変換される。蛍光体により波長変換された光は、蛍光板の内部で波長変換されなかった光と混ざり、半導体発光装置から出射される。
【０００４】
例えば発光素子が青色光を発する場合、青色光により励起されると黄色蛍光を発する蛍光体を用いると、半導体発光装置は、青色光と黄色光が混色された白色の光を発する。また例えば発光素子が紫色光を発する場合、紫色光により励起されると赤色、青色、緑色をそれぞれ発する複数の蛍光体を用いることにより、半導体発光装置は、赤色光、青色光及び緑色光と紫色光とが混色された白色の光を発する。
【０００５】
このような半導体発光装置は、発光素子から出射される光の色と蛍光板で波長変換される光の色をあらかじめ測定することにより、その組み合わせから、所定の色の光を発するように設計し製造される。しかし、発光素子から出射された光が一部でも蛍光板の内部を経由せずに直接半導体発光装置の外に出射すると、目論んだ所定の色を得られない。そのため、発光素子から出射された光が全て蛍光板の内部を経由するように、発光素子と蛍光板を基材に精度よく配置する構造が提案されている。
【０００６】
例えば特許文献１に開示されている半導体発光装置は、上面に凹部を有する基材と、凹部の底面に配置されている発光素子と、凹部を覆う板状の蛍光板とを備え、蛍光板の横方向の位置ずれを防ぐための柱部材が基材から立設している。この半導体発光装置では、柱部材は、矩形の蛍光板の４つの角または４つの辺と接する位置に配置されている。
【０００７】
また特許文献２に開示されている半導体発光装置は、上面にすり鉢状の凹部を有する基材と、凹部の底面に配置されている発光素子と、凹部の上部に配置されている蛍光板とを備えている。この半導体発光装置では、凹部を構成する基材の内壁面に段差部が設けられていて、蛍光板は、その段差部の上に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２５８０９３号公報
【特許文献２】特開２００９−２００５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、蛍光板や基材の凹部の製造において、両者のサイズにわずかな公差も生じずに作製することは極めて困難である。このため、従来の半導体発光装置は、たとえ特許文献１や特許文献２の半導体発光装置のように蛍光板を基材の上に位置決めする構造を有し、発光素子から出射された光が全て蛍光板の内部を経由して半導体発光装置の外に出射する構造になっていたとしても、蛍光板のわずかな位置ずれを避けられない。発明者らの実験によると、蛍光板は、発光素子から出射された光が直接当たらない領域においても、蛍光板内部を伝搬する（発光素子から出射された）光を波長変換することにより発光し、且つ伝搬距離に依存して蛍光板で波長変換される光の色も変化する為、蛍光板の位置がわずかにずれることにより、蛍光板における発光素子から出射された光が直接当たらない領域の面積が変化すると、半導体発光装置から出射される光の色が、製造時に目論んだ所定の色とは異なってしまうことがわかった。
【００１０】
本発明の目的は、所定の色の光を確実に出射可能な半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の半導体発光装置は、凹部を有する基材と、凹部の底面に固定された発光素子と、凹部の上部に固定された角型の蛍光板とを備える。凹部を構成する基材の内壁面は、蛍光板の底面を支持する支承面及び蛍光板の各辺に沿った側面からなる段差部を有している。段差部は、その側面のうち隣接する２つの側面が形成する隅部に、蛍光板の角部を受け入れる受容凹部を有していて、かつ、隣接する２つの側面につながる支承面の幅が、それぞれ、対向位置にある支承面の幅よりも狭い。蛍光板は、その外壁と、隣接する２つの側面との距離が最短となるように段差部に配置されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体発光装置では、蛍光板を配置する凹部の側面に、蛍光板の角部を受容する凹部を有しているため、蛍光板は、その外壁と、隣接する２つの側面との距離が最短となるように、基材の所定位置に確実に固定されている。これにより、蛍光板を位置ずれなく配置することができ、所定の色に光を確実に出射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施形態１の半導体発光装置１Ａの（Ａ）上面図、（Ｂ）Ａ−Ａ断面図、（Ｃ）Ｂ−Ｂ断面図、（Ｄ）裏面図、（Ｅ）Ｋ部の拡大断面図。
【図２】（Ａ）変形例１の半導体発光装置１Ｂの断面図、（Ｂ）変形例２の半導体発光装置１Ｃの断面図。
【図３】（Ａ）Ｋ部の拡大断面図、（Ｂ）Ｋ部の拡大断面図。
【図４】（Ａ）〜（Ｉ）は半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造方法を示す図。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造方法を示す図。
【図６】実施形態２の半導体発光装置１Ｄの（Ａ）上面図、（Ｂ）、Ａ−Ａ断面図（Ｃ）Ｂ−Ｂ断面図。
【図７】実施形態３の半導体発光装置１Ｅの（Ａ）上面図、（Ｂ）、Ａ−Ａ断面図（Ｃ）Ｂ−Ｂ断面図。
【図８】半導体発光装置１Ｅの製造方法の一部を示す上面図。
【図９】実施形態４の半導体発光装置１Ｆの（Ａ）上面図、（Ｂ）、Ａ−Ａ断面図（Ｃ）Ｂ−Ｂ断面図。
【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は実施形態５の半導体発光装置１Ｇの構成を説明する上面図。
【図１１】（Ａ）〜（Ｂ）は実施形態６の半導体発光装置１Ｈの構成を説明する上面図。
【図１２】実施例１の半導体発光装置の（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図、（Ｃ）色度分布図、比較例１の半導体発光装置の（Ｄ）上面図、（Ｅ）断面図、（Ｆ）色度分布図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、各図を参照して、本実施形態の半導体発光装置について説明する。なお、半導体発光装置の上下方向は、光の経路の上流側を下側、下流側を上側として説明する。
【００１５】
（実施形態１）
実施形態１の半導体発光装置１Ａの基本的な構造について図１を参照して説明する。半導体発光装置１Ａは、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すように、凹部を有する基材１４と、凹部の底面に固定された発光素子２と、凹部の上部に固定された角型の蛍光板３とを備える。基材１４は、上面に発光装置２が固定された基板１４Ａと、発光素子２の周囲を囲むように基板１４Ａに配置された枠体１４Ｂとから構成され、凹部は、基板１４Ａ上面と枠体１４Ｂの内壁面とで囲まれた空間である。更に本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、基材１４の凹部内には、発光素子２を覆う封止部材４が設けられており、封止部材４は、蛍光板３の下面に接するように充填されている。封止部材４は、蛍光板３の下面に密着することにより蛍光板３を基材１４の凹部内に固定している。
【００１６】
凹部を構成する枠体１４Ｂの内壁面は、蛍光板３を支持する段差部１５を有している。段差部１５は、蛍光板３の底面を支持する支承面１５ａと、蛍光板３の各辺に沿った、支承面１５ａにつながる側面１５ｂとから構成されている。
【００１７】
段差部１５は、図１（Ａ）に示すように、その側面１５ｂのうち隣接する２つの側面１５ｂ１、１５ｂ２が形成する隅部に、蛍光板３の１つの角部を受け入れる受容凹部１６を有している。
【００１８】
蛍光板３は、平板状であり、上面視（光出射側から見て）角型の形状を有している。なお、実施形態１における蛍光板３は、上面視が長方形であるが、上面視が正方形でもよい。さらに、実施形態１における蛍光板３は、一定厚みの平板状に形成されているが、例えば、発光素子２の直上位置に相当する領域の厚みを厚くするなど、所望の厚み分布を形成することもできる。
【００１９】
蛍光板３は、その外壁と、受容凹部１６に最も近接して側面１５ｂ１、１５ｂ２との距離が最短となる位置（以下、所定位置という）に配置されている。すなわち蛍光板３は、側面１５ｂ１、１５ｂ２とほぼ密着するように支承面１５ａ上に配置されている。蛍光板３の外壁は、適宜封止材料４ｂ、接着剤１６ｂを介して、側面１５ｂ１、１５ｂ２に当接している。このとき、受容凹部１６は、蛍光板３の角部を受容し、蛍光板３と側面１５ｂ１、１５ｂ２とを密着可能にしている。なお、蛍光板３の外壁と側面１５ｂ１、１５ｂ２との間は、封止材料４ｂ、接着剤１６ｂを必ずしも介してなくても良い。
【００２０】
側面１５ｂは、受容凹部１６を挟む側面１５ｂ１、１５ｂ２と、側面１５ｂ１に対向する側面１５ｂ３、側面１５ｂ２に対向する側面１５ｂ４から構成される。
【００２１】
支承面１５ａは、側面１５ｂ１につながる支承面１５ａ１、側面１５ｂ２につながる支承面１５ａ２、側面１５ｂ３につながる支承面１５ａ３、側面１５ｂ４につながる支承面１５ｂ４から構成される。
【００２２】
支承面１５ａ１および支承面１５ａ２は、ほぼ全面が蛍光板３の底面と対向し、蛍光板３を支承している。
【００２３】
支承面１５ａ３は、支承面１５ａ１より大きな幅で形成されており、蛍光板３の底面が対向しない領域を有する。支承面１５ａ３は、対向位置にある支承面１５ａ１と同じ幅だけ、蛍光板３の底面と対向し、蛍光板３を支承している。
【００２４】
支承面１５ａ４は、支承面１５ａ２より大きな幅で形成されており、蛍光板３の底面が対向しない領域を有する。支承面１５ａ４は、対向位置にある支承面１５ａ２と同じ幅だけ、蛍光板３の底面と対向し、蛍光板３を支承している。
【００２５】
蛍光板３を事実上支承する支承面１５ａの幅、すなわち蛍光板３の底面と対向して蛍光板３を支える支承面１５ａの領域幅は、上述のように蛍光板３が側面１５ｂ１、１５ｂ２と密着した状態において、対向位置でそれぞれ同じ幅となるように設計されている。これにより、半導体発光装置１Ａは、蛍光板３の内部を進行する光の進み方が、対向位置にある支承面１５ａに支承されている部分で互いに等しくなり、所定の色の光を色度ずれなく出射できる。蛍光板３と基材１４の段差部１５との関係については、後で詳述する。
【００２６】
半導体発光装置１Ａでは、以上説明した蛍光板３と基材１４の凹部の構造以外の構成は、公知の半導体発光装置と同様である。以下、簡単に半導体発光装置１Ａのその他の構成について説明する。半導体発光装置１Ａは、図１（Ｂ）および図１（Ｄ）に示すように、基板１４Ａの下面に配置されている外部電極７と、基板１４Ａの上面に配置されて発光素子２に電力を供給する載置配線５と、載置配線５と発光素子２を接合し電気的に接続する接合部材６と、基板１４Ａ上の電極５ｂと、載置配線５および外部電極７と、電極５ｂおよび外部電極７とを電気的に接続する材料が充填されている基板１４の孔（導通ビア）８と、電極５ｂおよび発光素子２を電気的に接続する接続ワイヤ９とを有している。
【００２７】
発光素子２は所定の波長の光を出射する発光ダイオードである。
【００２８】
蛍光板３は、発光素子２からの光により励起されて所定の波長の蛍光を発する蛍光体の粒子を、樹脂、ガラス、セラミックなどに混練・分散させた材料により構成されている。さらに、蛍光板３は、高純度の蛍光体の焼結体などから構成することもでき、蛍光体を含む適宜な形態で構成することができる。蛍光板３の蛍光体には、例えば、青色光を発する発光素子２の発光により励起されて黄色蛍光を発する蛍光体（例えばYAG蛍光体等）を用いる。発光素子２が光（例えば、青色光）を出射すると、出射された光は、蛍光板３に入射する。蛍光板３に入射した光は、一部が蛍光板３に含まれる蛍光体に吸収され、蛍光（例えば黄色光）に波長変換される。蛍光体に吸収されなかった光（青色光）と波長変換された蛍光（黄色光）は混合されて、この混合した光（白色光）が、蛍光板３の上面から出射される。
【００２９】
封止部材４は、図１（Ａ）に示すように、受容凹部１６内にも充填されており、蛍光板３の角部と受容凹部１６とを接着している。なお、受容凹部１６内に充填されている封止部材４の材料は、基材１４の凹部内に充填されている封止部材４の材料とは異なっていてもよい。封止部材４は、基材１４の上端から溢れない程度に蛍光板３の上端と同程度の高さまで充填されていてもよく、段差部１５の受容凹部１６に隣接する２側面１５ｂ１、１５ｂ２と蛍光板３の間に充填されて、側面１５ｂ１、１５ｂ２と蛍光板３とを接着していてもよい。
【００３０】
外部電極７は、不図示の外部電源に接続されており、外部電源から発光素子２に電力を供給する。
【００３１】
次に、蛍光板３を基材１４の所定位置に確実に配置するための段差部１５の構造とその機能について、詳しく説明する。
【００３２】
基材１４の隣り合う側面１５ｂどうしをつなぐ隅部は、成形都合上、丸みを帯びた形状（以下、Ｒ形状という）に面取りされている。蛍光板３の角部は直角であるため、蛍光板３の角部をＲ形状に面取りされている隅部に挿入して側面１５ｂに近づけようとしても、蛍光板３の角部がＲ形状の隅部に接触し、蛍光板３の外壁面が側面１５ｂと離れてしまう。蛍光板３の外壁面が側面１５ｂと離れた状態では、蛍光板３を所定位置に固定することが困難である。本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、Ｒ形状の隅部のうち１つの隅部に受容凹部１６が設けられ、受容凹部１６が蛍光板３の角部を受容することにより、蛍光板３の外壁と側面１５ｂ１、１５ｂ２との距離が最短となるように近づけることができる。
【００３３】
基材１４の凹部のサイズは、蛍光板３を反らせることなく支承面１５ａ上に載置可能なように、基材１４の上面における凹部の開口サイズが蛍光板３のサイズよりも大きく、段差（支承面１５ａ）と同じ高さにおける凹部の開口サイズが蛍光板３のサイズよりも小さい構造を有している。具体的には、側面１５ｂ１に沿う方向では、図１（Ｂ）に示すように、基材１４の上面における凹部の開口幅Ｗ１は蛍光板３の幅Ｌ１よりも大きく、支承面１５ａと同じ高さにおける凹部の開口幅Ｗ２は蛍光板３の幅Ｌ１よりも小さい（Ｗ１＞Ｌ１＞Ｗ２）。また側面１５ｂ２に沿う方向では、図１（Ｃ）に示すように、基材１４の上面における凹部の開口幅Ｗ３は蛍光板３の幅Ｌ２よりも大きく、支承面１５ａと同じ高さにおける凹部の開口幅Ｗ４は、蛍光板３の幅Ｌ２よりも小さい（Ｗ３＞Ｌ２＞Ｗ４）。
【００３４】
基板１４の凹部は、上面視において、基板１４の上面における凹部の開口が幅Ｗ１×幅Ｗ３の略矩形状であり、支承面１５ａの高さにおける凹部の開口が幅Ｗ２×幅Ｗ４の略矩形状である。
【００３５】
また段差部１５の支承面１５ａのサイズは、上述したように、蛍光板３が側面１５ｂ１、１５ｂ２にほぼ密着した状態で、蛍光板３を支承する支承面１５ａの幅（支承面１５ａにおいて蛍光板３底面に対向する領域の幅）が対向位置において互いに同じ幅である（図１（Ｂ）の幅Ｄ１＝Ｄ３、および図１（Ｃ）の幅Ｄ４＝Ｄ５）。そのため、支承面１５ａと同じ高さにおける凹部の開口幅と、側面１５ｂ１につながる支承面１５ａ１あるいは側面１５ｂ２につながる支承面１５ａ２の幅の２倍との和が、蛍光板３の幅と略一致する。具体的には、側面１５ｂ１に沿う方向では図１（Ｂ）に示すように、Ｗ２＋Ｄ３×２＝Ｌ１が成り立つ。また側面１５ｂ２に沿う方向では図１（Ｃ）に示すように、Ｗ４＋Ｄ４×２＝Ｌ２が成り立つ。
【００３６】
基材１４の上面において、上述の通り凹部の開口サイズが蛍光板３のサイズよりも大きいため、蛍光板３が側面１５ｂ１、１５ｂ２にほぼ密着した状態では、側面１５ｂ１、１５ｂ２の対向位置にある側面１５ｂ３、１５ｂ４と、蛍光板３の外壁との間に、空間（隙間）１９が形成される。この空間１９は、設計の公差を吸収する空間として機能する。上述の通り、支承面１５ａ１、１５ａ２の幅が、それぞれの対向位置にある支承面１５ａ３、１５ａ４の蛍光板３を支承している幅と等しいため、この隙間１９は、支承面１５ａ３、１５ａ４の幅が支承面１５ａ１、１５ａ２の幅よりも大きいことにより空いている。
【００３７】
次に蛍光板３の底面に接する支承面１５ａの構造を説明する。図１（Ｃ）に示すように、側面１５ｂの支承面１５ａからの高さＨ１は、蛍光板３の厚さと同じかそれより高い構造である。そのため蛍光板３は外部から力が加えられても段差部１５から剥がれることなく、所定位置に固定された状態を維持することができる。
【００３８】
段差部１５はさらに、図１（Ｅ）に示すように、支承面１５ａに、蛍光板３を下面から支持する突起２１を有している。段差部１５の側面１５ｂと支承面１５ａとをつなぐ隅部にも、隣り合う側面１５ｂどうしをつなぐ隅部と同様に、成形都合上、Ｒ形状の面取り部２１ａが形成される。この場合、蛍光板３の底部の角部（以下、底角部という）は直角であるため、蛍光板３の底角部をＲ形状の面取り部２１ａに挿入して側面１５ｂに近づけようとしても、蛍光板３の底角部が面取り部２１ａに接触し、段差部１５の側面１５ｂと蛍光板３の側面が離れてしまう。本実施形態では、蛍光板３の底角部が段差部１５の面取り部２１ａに接触することを回避する構成として、支承面１５ａに突起２１を設けることにより、突起２１が面取り部２１ａよりも上部で蛍光板３を支持し、側面１５ｂと、蛍光板３とを隙間なく密着または接着させることができる。なお、突起２１は、面取り部２１ａのＲ形状よりも上部まで突出していることが好ましい。
【００３９】
また支承面１５ａ上には、突起２１と同じ高さ以上の厚さで、封止部材４が塗布されている。具体的には、支承面１５ａ上に塗布されている部分の封止部材４の厚みは、上部に蛍光板３が載置されている箇所では、一定の厚み（突起２１と同じ高さ）となっており、上部に蛍光板３が載置されていない箇所（隙間１９）では、上部に蛍光板３が載置されている箇所と同じ厚さか、それよりも厚くなっている。
【００４０】
支承面１５ａと蛍光板３との間に塗布されている封止部材４は、蛍光板３と支承面１５ａとを接着して蛍光板３の剥がれを防止する。特に、蛍光板３が樹脂製の場合、基材１４との線膨張係数の差が大きく半導体発光装置の製造時や組み付け時の熱で剥がれやすいため、封止部材４を支承面１５ａ上に塗布することは、蛍光板３の剥がれ防止に効果的である。
【００４１】
以上の通り、本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、蛍光板３が、その１つの角部が受容凹部１６に入り、蛍光板３の外壁と、受容凹部１６に隣接する２側面１５ｂ１、１５ｂ２との距離が最短となる状態で配置されている。発光装置２から出射されて蛍光板３の内部を進行する光の進み方が、蛍光板３の、互いに対向位置にある支承面１５ａに支承されている部分で大きく異なると、出射される光の色度ずれが発生する可能性がある。しかしながら半導体発光装置１Ａは上述の通りの構成であり、蛍光板３を支承する支承面１５ａの幅が対向位置でそれぞれ同じ幅であるため、蛍光板３の内部の光の進み方が、互いに対向位置にある支承面１５ａに支承されている部分でほぼ等しくなる。これにより、半導体発光装置１Ａは、所定の色の光を色度ずれなく確実に出射することができる。
【００４２】
また本実施形態の半導体発光装置１Ａでは、受容凹部１６が設けられているため、蛍光板３の角部を基材１４の隅部のＲ形状と同様の形状に面取りしなくても、蛍光板３の外壁と側面１５ｂ１、１５ｂ２との距離を最短に近づけることができ、蛍光板３の作製工程を削減することができる。
【００４３】
また半導体発光装置１Ａは、封止部材４が基材１４の凹部内全体に充填されており、発光素子２から出射された光が空気層を経由せずに蛍光板３に到達するため、光を高効率で取り出すことができる。
【００４４】
実施形態１では、封止部材４が蛍光板３の下面に密着することにより、蛍光板３を固定しているため、蛍光板３を固定するための接着剤を封止部材４とは別に用意して支承面１５ａまたは側面１５ｂに塗布する必要がなく、蛍光板３は、封止部材４により十分固定される。
【００４５】
さらに半導体発光装置１Ａでは、蛍光板３が、蛍光板３と同程度の高さの側面１５ｂにより周囲を覆われているため、蛍光板３に外部から応力が加えられても蛍光板３の膜剥がれを防ぐことができる。
【００４６】
なお、隣り合う支承面１５ａにおいて（支承面１５ａ１と支承面１５ａ２や、支承面１５ａ３と支承面１５ａ４では）、蛍光板３を支承する支承面１５ａの幅は、同じであっても異なっていても、半導体発光装置１Ａから色度ずれなく光を出射することができる。
【００４７】
（変形例）
図２を用いて、変形例の半導体発光装置１Ｂ、１Ｃについて説明する。半導体発光装置１Ｂ、１Ｃは、封止部材４の形状が半導体発光装置１Ａとは異なっている。変形例１の半導体発光装置１Ｂの封止部材４は、図２（Ａ）に示すように、発光素子２、接合部材６、配置配線５および電極５ｂを覆うように均一な薄い膜状に構成されていて、基材１４の凹部の内壁全体に設けられている。
【００４８】
また変形例２の半導体発光装置１Ｃの封止部材４は、図２（Ｂ）に示すように、発光素子２、接合部材６、配置配線５および電極５ｂを覆うように枠体１４Ｂ内の一部に、例えばドーム状に設けられている。
【００４９】
半導体発光装置１Ｂ、１Ｃは、封止部材４を上述のような形状としたことにより、封止部材４が基材１４の凹部内全体に充填されている半導体発光装置１Ａと比べて、封止部材４の材料の使用量を少なくすることができる。
【００５０】
また変形例２の半導体発光装置１Ｃのように封止部材４が発光素子２を中心とした半球状の場合、発光素子２から各方向に出射された光は封止部材４と空気の界面において、殆ど屈折することなく出射する。そのため、半導体発光装置１Ｃは、封止部材４を薄膜とした半導体発光装置１Ｂよりも光の取り出し効率が向上する。
【００５１】
なお、基材１４の凹部内の空間が気密封止されている場合、封止部材４は省略可能である。
【００５２】
半導体発光装置１Ｂ、１Ｃでは、蛍光板３の下面に接する位置まで封止部材４が充填されていないので、段差部１５の支承面１５ａや側面１５ｂに接着剤を塗布するか、または蛍光板３の縁部や蛍光板３の下面に接着剤を塗布するかして、蛍光板３を基材１４に固定することが好ましい。なお、接着剤の材料は、封止部材４の材料と同じであってもよい。
【００５３】
なお、実施形態１の半導体発光装置１Ａでは、図１（Ｅ）に示すように支承面１５ａに設けられた突起２１により、蛍光板３の角部と段差部１５の面取り部２１ａとの接触を回避する構成としたが、蛍光板３と面取り部２１ａとの接触を回避する構成は、突起２１に限らない。例えば、蛍光板３と面取り部２１ａとの接触を回避するために、図３（Ａ）に示すように、段差部１５には、面取り部２１ａの周辺を切り欠いた凹部２１ｂが設けられていてもよい。また蛍光板３と面取り部２１ａとの接触を回避するために、蛍光板３を加工してもよく、図３（Ｂ）に示すように、蛍光板３の底角部を面取りした面取り部２１ｃが設けられていてもよい。なお、これらの蛍光板３と面取り部２１ａとの接触を回避する構成は、図２に示した変形例の半導体発光装置１Ｂ、１Ｃにも適用することができる。
【００５４】
＜＜実施形態１の半導体発光装置の製造方法＞＞
次に、半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造方法を図４（Ａ）〜（Ｉ）および図５（Ａ）〜（Ｆ）を用いて説明する。半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造方法は、図４に示す工程１〜工程２と図５に示す工程６が同じため、まとめて説明する。一方、図５に示す工程３〜工程５は半導体発光装置１Ａ〜１Ｃでそれぞれ異なるため、それぞれ分けて説明する。なお、図４（Ｅ）は図４（Ｄ）の上面図、図４（Ｇ）は図４（Ｆ）の断面図、図４（Ｉ）は図４（Ｈ）の断面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の断面図、図５（Ｅ）は図５（Ｄ）の断面図である。
【００５５】
（工程１：基材の準備工程）
まず、図４（Ａ）に示すように、絶縁性の基板１４ａ（例えばセラミック基板）の上下両面に金属（例えばＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ）膜が成膜されている基板を用意する。次に、金属膜にレジストマスクを形成した後、塩化第二鉄水溶液を用いたエッチングにて基板１４ａの上下面に配置されている金属膜の一部を除去し、図４（Ｂ）に示すように、載置配線５、電極５ｂ、および外部電極７を形成する。次に、図４（Ｃ）に示すように、基板１４ａの上面に形成された載置配線５および電極５ｂから、基板１４ａの下面の外部電極７に到達するまで、レーザーにて孔８ａを形成する。次に、孔８ａに無電解めっき（Ｃｕめっき）を施して、孔８ａを埋めた後電解めっきを施して、図４（Ｄ）に示すように、上下の載置配線５及び電極５ｂと、外部電極７とを電気的に接続する導通ビア８を形成する。これにより、図４（Ｅ）に示すように、基板１４Ａが形成される。
【００５６】
基板１４が形成されたら、図４（Ｆ）、（Ｇ）に示すように、基板１４Ａの上面の載置配線５および電極５ｂの周囲を囲む位置に枠体１４Ｂを形成する。枠体１４Ｂは、例えば熱硬化性樹脂を用いて形成することができる。具体的には、まず枠体形成用の金型を、枠体１４Bの材料（以下、前駆体という）が硬化する温度（150℃前後）に加熱する。次に基板１４Ａを、枠体形成用の金型にセットして前駆体を金型に注入し、前駆体を加熱硬化させる。これにより、基板１４Ａの上面に枠体１４Ｂが配置された、上面に凹部を有する基材１４が形成される。なお前駆体には、酸化チタン含有のシリコーン樹脂などの白色の樹脂を用いることが好ましい。
【００５７】
尚、前駆体には、光散乱粒子を含有したエポキシ樹脂、ナイロン、PCT（ポリシクロヘキサンジメチレンテレフタレート）などの熱可塑性樹脂を用いることもできる。
【００５８】
（工程２：発光素子２の実装工程）
基材１４が形成されたら、図４（Ｈ）、（Ｉ）に示すように、載置配線５の上面に接合部材（ＡｕＳｎはんだ等）６を塗布し、その上に発光素子２を搭載する。次に、リフロー炉で基板１４を加熱して接合部材６を溶融・加熱により硬化させる。これにより、発光素子２が載置配線５上に接合される。その後、電極５ｂと発光素子２とをワイヤ９（例えばＡｕワイヤ）で電気的に接合する。この工程２により、発光素子２が基材１４の凹部の底面に実装される。なお発光素子２は、基材１４の凹部の底面の中心に配置してもよいし、底面の中心以外に配置してもよい。
【００５９】
以下、工程３〜工程５では、半導体発光装置１Ａ〜１Ｃで封止部材４の構造が異なるため、それぞれ異なる図面を用いて説明する。図５（Ａ−１）〜図５（Ｅ−１）は、実施形態１の半導体発光装置１Ａの製造工程３〜５を示しており、図５（Ａ−２）〜（Ｅ−２）は、変形例１の半導体発光装置１Ｂの製造工程３〜５を示しており、図５（Ａ−３）〜（Ｅ−３）は、変形例２の半導体発光装置１Ｃの製造工程３〜５を示している。
【００６０】
（工程３：封止材料の充填工程）
工程２で発光素子２を実装したら、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示すように、封止部材４の材料（以下、封止材料という）４ｂを、発光素子２を覆うように基材１４の凹部内に充填する。充填した封止材料４ｂはまだ硬化させないで次の工程４に進む。なお封止材料４ｂには、透光性を有する樹脂（例えばシリコーン樹脂など）やガラスを使用する。
【００６１】
半導体発光装置１Ａを製造する際、図５（Ａ−１）および図５（Ｂ−１）に示すように、基材１４の凹部を段差部１５より上部まで埋めるように封止材料４ｂを充填する。
【００６２】
半導体発光装置１Ｂを製造する際、図５（Ａ−２）、図５（Ｂ−２）に示すように、発光素子２、載置配線５および電極５ｂを覆うように封止材料４ｂをスプレーなどを用いて薄く塗布する。
【００６３】
半導体発光装置１Ｃを製造する際、図５（Ａ−３）、図５（Ｂ−３）に示すように、基材１４の凹部内の一部（例えば、発光素子２、載置配線５、電極５ｂおよびワイヤ９を覆うドーム状）に封止材料４ｂを塗布する。
【００６４】
（工程４：接着剤の塗布工程）
次に、受容凹部１６に、図５（Ｃ）に示すように、封止材料４ｂまたは封止部材４ｂとは異なる接着性を有する樹脂（以下、合わせて接着剤１６ｂという）を充填する。また必要に応じて、段差部１５にも接着剤１６ｂを塗布する。
【００６５】
半導体発光装置１Ａの製造時、基材１４の凹部内に充填されている封止材料４ｂにより蛍光板３を十分固定することができるため、図５（Ｃ−１）に示すように、基材１４の支承面１５ａには、接着剤１６ｂを塗布しなくてよい。
【００６６】
半導体発光装置１Ｂ、１Ｃの製造時、蛍光板３の下面に接する位置まで封止材料４ｂが充填されていないので、図５（Ｃ−２）、図５（Ｃ−３）に示すように段差部１５の支承面１５ａに接着剤１６ｂを塗布するか、または、蛍光板３の下面の４縁部や蛍光板３の下面全面に接着剤１６ｂを塗布することが好ましい。なお、いずれの半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造時においても、段差部１５の側面１５ｂに接着剤１６ｂを塗布してもよい。
【００６７】
（工程５：蛍光板の載置工程）
次に、蛍光板３を用意し、図５（Ｄ）および図５（Ｅ）に示すように、蛍光板３を段差部１５の支承面１５ａ上にバキュームピック等を用いて配置する。蛍光板３を受容凹部１６に塗布した接着剤１６ｂに付着するように配置すると、接着剤１６ｂが蛍光板３に親和することにより、蛍光板３が受容凹部１６に吸い付かれるように移動して受容凹部１６に隣接する２つの側面１５ｂ１、１５ｂ２に接する。蛍光板３を配置したら、硬化炉にて基材１４を加熱し、封止材料４ｂ及び接着剤１６ｂを硬化させる。
【００６８】
特に、蛍光板３を受容凹部１６方向に押し入れながら配置すると、受容凹部１６等に充填されている接着剤１６ｂがより蛍光板３に親和しやすくなる。また、基材１４を受容凹部１６側が下側になるようにやや傾けたり、基材１４に超音波振動を与えたりしながら蛍光板３を配置することにより、蛍光板３をより側面１５ｂ１、１５ｂ２に接しやすくしてもよい。
【００６９】
基材１４上面における凹部の開口サイズが蛍光板３のサイズよりも大きいため、蛍光板３を受容凹部１６側に最も近づけて配置すると、側面１５ｂ３、１５ｂ４と蛍光板３との間に隙間１９が形成される。
【００７０】
なお蛍光板３を用意する際、量産性を考慮すると大きな板状の蛍光板を用意した後、所定サイズに蛍光板を個片化することが好ましい。蛍光板を切り取る方法には、ダイシングやパンチングなどの方法を用いることができる。ダイシングは、ダイサーで各蛍光板の境目を切りわける方法であり、ダイシングでは、蛍光板を余りなく使用することができるため、コストを抑えることができる。一方、パンチングは、所定の形に穴を開ける型を用いる方法であり、あらゆる形状（例えば角を丸くした形状）に容易に蛍光板を切り取ることができる。
【００７１】
（工程６：基材の個片化工程）
次に、基材１４を、図５（Ｆ）に示すように個々のＬＥＤパッケージにダイサーにて個片化する。以上の工程１〜工程６により、半導体発光装置１Ａ〜１Ｃを製造することができる。
【００７２】
以上の通り、半導体発光装置１Ａ〜１Ｃの製造方法では、蛍光板３の角部が受容凹部１６に入り蛍光板３の外壁と側面１５ｂ１、１５ｂとの距離が最短となるように、蛍光板３を配置することで、容易かつ確実に、蛍光板３の支承面１５ａに支承されている幅が、対向位置でそれぞれ同じ幅となる。これにより、蛍光板３を位置ずれなく配置し、所定の色の光を確実に出射する半導体発光装置を製造することができる。
【００７３】
特に、予め、個々に色度選別した蛍光板３と、個々に発光特性を選別した発光素子２との組み合わせにより、所定の発光色の狭い色度範囲の半導体発光装置１を得る場合においても、蛍光板３を発光素子２に対しずれることなく所定の位置に配置することができ、所望の色度範囲の半導体発光装置１を容易に提供することができる。
【００７４】
また、基材１４の上面における凹部の開口サイズが蛍光板３のサイズよりも大きいため、蛍光板３に力を加えて蛍光板３を反らせなくても、容易に蛍光板３を支承面１５ａの所定位置に配置することができる。これにより、蛍光板３を基材１４に精度良く組み付けることができる。
【００７５】
さらに蛍光板３は、基材１４の加熱により膨張するが、半導体発光装置１Ａ〜１Ｃには隙間１９が形成されているため、蛍光板３は膨張時に隙間１９側に膨張することができる。これにより、蛍光板３が熱膨張により反ったり基材１４から剥がれたりすることを防ぐことができる。特に蛍光板３が樹脂製の場合、蛍光板３は膨張しやすいため、隙間１９を設けることによる効果が顕著となる。
【００７６】
また加熱時には、封止材料４ｂが膨張して接続ワイヤ９に応力を与える場合がある。しかしながら、例えば図５（Ｅ−２）や図５（Ｅ−３）に示すように、基材１４の凹部内に封止材料４ｂの充填されていない空間が空いていれば、封止材料４ｂは、その空間に向かって膨張することができる。そのため、特に半導体発光装置１Ｂ、１Ｃは、封止材料４ｂの膨張が接続ワイヤ９に与える応力を低減し、より信頼性の高い半導体発光装置となる。
【００７７】
なお、以上の説明では加熱回数を減らすために、封止材料４ｂと接着剤１６ｂとを一緒に硬化させる例を挙げたが、封止材料４ｂが蛍光板３の下面から離れている構成の半導体発光装置１Ｂ、１Ｃを製造する場合はこれに限らず、封止材料４ｂを加熱して硬化させた後に、蛍光板３を載置する工程５を実施してもよい。
【００７８】
（実施形態２）
次に、実施形態２の半導体発光装置１Ｄについて、実施形態１の半導体発光装置１Ａと異なる点を説明する。半導体発光装置１Ｄは図６に示すように、受容凹部１６を構成する４つの側面のうち、互いに隣接する２つの側面１５ｂ１、１５ｂ２に、蛍光板３側に突出する凸部１８をそれぞれ有している点で実施形態１の半導体発光装置とは異なっている。
【００７９】
半導体発光装置１Ｄにおいて、蛍光板３は、実施形態１の半導体発光装置１Ａと同様に、２つの側面１５ｂ１、１５ｂ２側に当接するように配置されており、蛍光板３の支承面１５ａにより支承されている幅が、対向位置でそれぞれ同じ幅となっている（図６（Ｂ）の幅Ｄ１＝Ｄ３および図６（Ｃ）の幅Ｄ４＝Ｄ５）。
【００８０】
半導体発光装置１Ｄは、蛍光板３の外壁と側面１５ｂ３、１５ｂ４との間に隙間１９が空いているが、側面１５ｂ１、１５ｂ２に凸部１８が設けられているため、蛍光板３の外壁と、側面１５ｂ１、１５ｂ２との間にも、隙間１９Ａが空いている。
【００８１】
このように半導体発光装置１Ｄでは、蛍光板３の側面に沿う隙間１９Ａが、蛍光板３の隙間１９が設けられている側の対向位置に設けられているため、蛍光板３の各側面から出射される光の進み方が、隙間１９のみが空いている半導体発光装置１Ａよりも、それぞれ対向位置の側面において似た状態になる。これにより、半導体発光装置１Ｄでは、蛍光板３の対向位置にある側面から出射される光の色度ずれを低減することが出来る。
【００８２】
なお、凸部１８は、側面１５ｂ１、１５ｂ２に１つずつ設けられていてもよいし、複数設けられていてもよい。また凸部１８は、側面１５ｂ１、１５ｂ２にそれぞれ同数設けられていてもよいし、異なる数設けられていてもよい。さらに、凸部１８の代わりに、凹部が側面１５ｂ１、１５ｂ２に設けられていてもよい。
【００８３】
なお、実施形態２の半導体発光装置１Ｄは、凸部１８により蛍光板３と側面１５ｂ１、１５ｂ２との間に隙間１９Ａが形成されるため、側面１５ｂ１、１５ｂ２をつなぐ隅部のＲ形状が小さい場合には、隅部に受容凹部１６が設けられていなくても、蛍光板３の角部と、側面１５ｂ１、１５ｂ２をつなぐ隅部とが接触しない構造である。そのため、半導体発光装置１Ｄでは、受容凹部１６を省略しても、蛍光板３の外壁と側面１５ｂ１、１５ｂ２との距離を最短に近づけることができる。
【００８４】
（実施形態３）
次に、実施形態３の半導体発光装置１Ｅについて図７を用いて説明する。半導体発光装置１Ｅの蛍光板３と基材１４の構造及び配置は、実施形態１の半導体発光装置１Ａと同様である。但し半導体発光装置１Ｅでは、図７（Ａ）に示すように、蛍光板３と側面１５ｂ３、１５ｂ４との間の隙間１９に、反射性を有する樹脂２０が充填されている。
【００８５】
樹脂２０は、図７（Ｂ）および図７（Ｃ）に示すように、支承面１５ａから側面１５ｂと同程度の高さまで埋められていることが好ましい。また樹脂２０には、例えば酸化チタン、アルミナ、ＺｎＯ等の光散乱粒子を含有したシリコーン樹脂、やエポキシ樹脂等、枠体１４Ｂと同じ色または類似した反射率を有する樹脂を用いることが好ましい。
【００８６】
半導体発光装置１Ｅでは、隙間１９に樹脂２０を埋め込むことにより、蛍光板３の側面全体が枠体１４Ｂまたは樹脂２０の白い樹脂で覆われた状態となるため、蛍光板３の側面から出射される光の進み方が、隙間１９に樹脂２０が埋められていない半導体発光装置１Ａよりも、それぞれ対向位置の側面においても似た状態になる。これにより、半導体発光装置１Ｅでは、蛍光板３の側面から出射される光の色度ずれをより低減することができる。
【００８７】
実施形態３の半導体発光装置１Ｅの製造方法は、実施形態１の半導体発光装置１Ａの製造方法と、工程５と工程６の間に白い樹脂の塗布工程を実施する点のみが異なり、他の工程は実施形態１と同様である。
【００８８】
具体的には図８に示すように、工程５で蛍光板３を段差部１５の所定位置に載置した後、隙間１９に樹脂２０を側面１５ｂと同じ高さまで塗布する。樹脂２０の塗布後、硬化炉にて樹脂２０を硬化する。この工程が完了したら、図５（Ｆ）の工程６（基材の個片化工程）を実施する。
【００８９】
（実施形態４）
次に、実施形態４の半導体発光装置１Ｆについて図９を用いて説明する。半導体発光装置１Ｆにおいて、蛍光板３と基材１４の構造及び配置は、実施形態１の半導体発光装置１Ａと基本的には同じであるが、半導体発光装置１Ｆは、図９（Ａ）に示すように、枠体１４Ｂの側面１５ｂの高さが、受容凹部１６に隣接する２つの側面１５ｂ１、１５ｂ２と、その対向位置にある側面１５ｂ３、１５ｂ４とで異なっている。
【００９０】
具体的には、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）に示すように、側面１５ｂ１、１５ｂ２の高さＨ１よりも、側面１５ｂ３、１５ｂ４の高さＨ２が低い構造を有している。側面１５ｂ１、１５ｂ２の高さＨ１は、蛍光板３の高さと同じか蛍光板３の高さより高いことが好ましく、例えば０．３ｍｍである。また側面１５ｂ３、１５ｂ４の高さＨ２は、例えば０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度の高さである。
【００９１】
製造時、蛍光板３を段差部１５上に置くと、蛍光板３は普通、接着剤が多く塗布されている側に吸い寄せられるように移動する。半導体発光装置１Ｆでは、高さの高い側面１５ｂ１、１５ｂ２側には、高さの低い側面１５ｂ３、１５ｂ４よりも多くの接着剤を塗布することができる。これにより、蛍光板３を段差部１５に置くと、蛍光板３は、高い側面１５ｂ１、１５ｂ２側に移動するため、半導体発光装置１Ｆでは、基材１４を傾けたり基材１４に超音波振動を与えたりしながら蛍光板３を配置しなくても、より容易かつ確実に蛍光板３を側面１５ｂ１、１５ｂ２側に近づけて固定することができる。
【００９２】
なお、枠体１４Ｂの側面の高さは、受容凹部１６側の側面１５ｂ１、１５ｂ２に、その対向位置にある側面１５ｂ３、１５ｂ４側よりも接着剤を多く塗布することができれば、側面１５ｂ１、１５ｂ２の全体が側面１５ｂ３、１５ｂ４の全体よりも高い構成に限らない。例えば、側面１５ｂ１、１５ｂ２の一部が側面１５ｂの他の部分よりも高い構成でもよいし、側面１５ｂ１、１５ｂ２の全部と側面１５ｂ３、１５ｂ４の一部が側面１５ｂ３、１５ｂ４の残りの部分よりも高い構成であってもよい。
【００９３】
（実施形態５）
次に、実施形態５の半導体発光装置１Ｇについて図１０を用いて説明する。前述したように、段差部１５の隣り合う側面１５ｂどうしをつなぐ隅部には普通、成形都合上、Ｒ形状の面取り部が、形成される。実施形態５の半導体発光装置１Ｇは、図１０（Ａ）に示すように、径の大きなＲ形状の面取り部１７Ａ〜１７Ｃを、段差部１５の受容凹部１６が設けられている隅部以外の３つの隅部に設けることが特徴である。
【００９４】
図１０（Ｂ）に示すように、面取り部１７Ａ〜１７ＣのＲの大きさは、蛍光板３の辺の長さよりもＲを除く凹部の側面の幅（直線部分の幅）が短くなるような大きさとする。具体的には、側面１５ｂ３の面取り部１７Ａ、１７Ｂを含む長さをＬＯｆｌとし、側面１５ｂ３の対向位置にある蛍光板３の辺の長さをＬＰとし、側面１５ｂ３の面取り部１７Ａ、１７Ｂを除いた直線部分の辺の長さをＬＯｓｔとすると、ＬＯｆｌをＬＰよりも長く、ＬＯｓｔをＬＰよりも短くする（ＬＯｓｔ＜ＬＰ＜ＬＯｆｌ）。なお、側面１５ｂ３の対向位置にある側面１５ｂ１と、側面１５ｂ１に接する蛍光板３の辺の長さとの関係も、側面１５ｂ３と蛍光板３の辺の長さの関係と同様とする。また面取り部１７Ａ、１７Ｂの側面１５ｂ３に沿う方向の長さはそれぞれ、（ＬＯｆｌ−ＬＯｓｔ）／２とする。
【００９５】
それと直交する側面についても同様であり、側面１５ｂ４の面取り部１７Ｂ、１７Ｃを含む長さをＷＯｆｌとし、側面１５ｂ３の対向位置にある蛍光板３の辺の長さをＷＰとし、側面１５ｂ４の面取り部１７Ｂ、１７Ｃを除いた直線部分の辺の長さをＷＯｓｔとすると、ＷＯｆｌをＷＰよりも長く、ＷＯｓｔをＷＰよりも短くする（ＷＯｓｔ＜ＷＰ＜ＷＯｆｌ）。なお、側面１５ｂ４の対向位置にある側面１５ｂ２と、側面１５ｂ２に接する蛍光板３の辺の長さとの関係も、側面１５ｂ４と蛍光板３の辺の長さの関係と同様とする。また面取り部１７Ａ、１７Ｂの側面１５ｂ３に沿う方向の長さはそれぞれ（ＷＯｆｌ−ＷＯｓｔ）／２とする。
【００９６】
このように半導体発光装置１Ｇは、面取り部１７Ａ〜１７Ｃを除いた側面１５ｂの直線部分の辺の長さが、蛍光板３の辺の長さよりも短い構成であるため、図１０（Ｃ）に示すように、側面１５ｂ３、１５ｂ４に蛍光板３が近づこうとしても、面取り部１７Ａ〜１７Ｃが蛍光板３の角部に接して側面１５ｂ３、１５ｂ４と蛍光板３との接触を妨げる。そのため半導体発光装置１Ｇでは、より受容凹部１６側に蛍光板３を近づけて固定しやすくなり、所定の色の光を色度ずれなく、より確実に出射することができる。
【００９７】
（実施形態６）
次に、実施形態６の半導体発光装置１Ｈについて図１１を用いて説明する。半導体発光装置１Ｈは、図１１（Ａ）に示すように、受容凹部１６が設けられる隅部に隣接する側面の対向位置にある２つの側面１５ｂ３、１５ｂ４に、それぞれ蛍光板３側に突出する凸部１８Ｂを有している。
【００９８】
このように側面１５ｂ３、１５ｂ４に凸部１８Ｂがそれぞれ設けられていることにより、図１１（Ｂ）に示すように、側面１５ｂ３、１５ｂ４に蛍光板３が近づこうとしても、凸部１８Ｂが蛍光板３の外壁に接して側面１５ｂ３、１５ｂ４と蛍光板３との接触を妨げる。そのため半導体発光装置１Ｈでは、より受容凹部１６側に蛍光板３を近づけて固定しやすくなる。これにより半導体発光装置１Ｈは、所定の色の光を色度ずれなく、より確実に出射することができる。
【００９９】
なお、凸部１８Ｂは、側面１５ｂ３、１５ｂ４に１つずつ設けられていてもよいし、複数設けられていてもよい。また凸部１８Ｂは、側面１５ｂ３、１５ｂ４にそれぞれ同数設けられていてもよいし、異なる数設けられていてもよい。
【実施例】
【０１００】
本発明の半導体発光装置における蛍光板の位置ずれ抑制の効果を確認するために、蛍光板３が位置ずれしていない場合（実施例１）と、位置ずれしている場合（比較例１）について、色度分布の評価を行った。図１２（Ａ）は実施例１の半導体発光装置の上面図、図１２（Ｂ）はその断面図、図１２（Ｃ）は実施例１の半導体発光装置の色度分布を示している。また、図１２（Ｄ）は比較例１の半導体発光装置の上面図、図１２（Ｅ）はその断面図、図１２（Ｆ）は比較例１の半導体発光装置の色度分布を示している。尚、実施例１の半導体発光装置は、実施形態１の半導体発光装置とは異なり、段差部１５および受容凹部１６を有していない構成となっているが、基材１４の外形と蛍光板３の外形とを位置およびサイズにおいて、ほぼ一致させることにより、実施形態１の半導体発光装置に相当するサンプルとして構成している。また、比較例１の半導体発光装置は、実施例１の半導体発光装置における蛍光板３の位置を基材１４の外形からずらすことにより、実施形態１の発光装置等に相当しないサンプルとして構成している。
【０１０１】
＜半導体発光装置の用意＞
まず、半導体発光装置を２つ用意した。基材１４のサイズはそれぞれ、2.2×1.7×t0.75mmとし、枠体１４Ｂには、酸化チタン含有のシリコーン樹脂を用いた。発光素子２には、InGaNからなる、ピーク波長＝445nm、0.2×0.32×t0.12mmの発光ダイオードを用いた。蛍光板３には、シリコーン樹脂にYAG蛍光体を15wt%含有させたものを用い、サイズを2.2×1.7×t0.18mmとした。基材１４の凹部内の封止部材は省略した。図１２（Ａ）、（Ｄ）に示すように基材１４の支承面１５ａの幅は、対向位置にある支承面１５ａが同じ幅となるようにし、それぞれ支承面１５ａ１、１５ａ３は０．２ｍｍ、支承面１５ａ２、１５ａ４は０．３ｍｍとした。
【０１０２】
実施例１の半導体発光装置では、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、支承面１５ａ上に蛍光板３をずれ無く配置して固定した。比較例１の半導体発光装置では、図１２（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、蛍光板３を支承面１５ａ３から支承面１５ａ１側に０．１５ｍｍずらし、支承面１５ａ４から支承面１５ａ２側に０．２５ｍｍずらして固定した。
【０１０３】
＜評価方法＞
用意した各半導体発光装置に30mAの電流を印加して、各半導体発光装置の発光状態を、発光面と対向する側に面輝度計を設置して撮影し、色度分布を確認した。
【０１０４】
＜評価結果＞
実施例１の半導体発光装置では、図１２（Ｃ）に示すように、蛍光板３の上から出射される光の色度分布が、対向位置にある支承面１５ａ１および支承面１５ａ３上に配置されている部分と、支承面１５ａ２および支承面１５ａ４上に配置されている部分とで、それぞれほぼ同じであった。その時の半導体発光装置の軸上方向の平均色度は、（Cx,Cy)=(0.223、0.141）であった。
【０１０５】
一方、比較例１の半導体発光装置の軸上方向の平均色度は、（Cx,Cy)＝（0.220、0.135）であり、実施例１の半導体発光装置との色度差がΔCx＝0.003、ΔCy＝0.006で生じた。その時の比較例１の半導体発光装置では、図１２（Ｆ）に示すように、蛍光板３の上から出射される光の色が、対向位置にある支承面１５ａ上に配置されている部分でそれぞれ違いがみられた。特に、蛍光板３の基材１４からはみ出ている方向の支承面１５ａ２、１５ａ３上に配置されている領域Ｙから出射された光は、他の支承面１５ａ１、１５ａ４上に配置されている部分から出射された光よりも、黄色みが強く、かつ輝度が低かった。
【０１０６】
この結果から、蛍光板３の位置が所定の位置からずれるだけで、半導体発光装置から出射される光の色度にもずれが生じ、特に、蛍光板３がずれて対向位置にある支承面１５ａ上に配置されている幅が異なると、出射される光の色度にずれが生じることがわかった。
【０１０７】
比較例１のように、蛍光板３の支承面１５ａに配置されている幅が対向位置で違うと光の色度が対向位置でずれる理由は、蛍光板３の支承面１５ａに支承されている部分の幅、すなわち、発光素子２から出射された光が直接当たらない領域の幅が、対向位置において異なるからであると考えられる。図１２（Ｆ）の領域Ｙに示すように、発光素子２からの光が間接的に当たる領域が多いほど、その領域Ｙの上面から出射される光は、黄色みが強くなり、低輝度になると考えられる。また実施例１の半導体発光装置は、対向位置にある支承面１５ａの上面に配置されている蛍光板３の幅がそれぞれ等しくなるように配置されているため、発光素子２から蛍光板３に入射して蛍光板３内を通る光により間接的に当たる領域の大きさが対向位置で等しくなり、蛍光板３の位置ずれによる色度ずれが低減される為、所定の色に光を確実に出射することができたと考えられる。
【符号の説明】
【０１０８】
１Ａ〜１Ｈ・・・半導体発光装置、２・・・発光素子、３・・・蛍光板、４・・・封止部材、１４・・・基材、１５・・・段差部、１５ａ・・・支承面、１５ｂ・・・側面、１６・・・受容凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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