(57)【要約】【課題】はんだ付け後の接合箇所の視認及び基板のフラックス洗浄を行うことができる半導体モジュールを提供する。【解決手段】樹脂ケース３０は、基板２０に接着される外枠部３５と、外枠部３５の内周側で、外枠部３５寄りに形成されるとともに、端子５０，５３を支持する支持部３１，３２と、外枠部３５と支持部３１，３２との間に外部から接合部５１を臨むように形成された開口部７０と、を有する。支持部３１，３２は、開口部７０と樹脂ケース３０内とを接合部５１を通して連通するとともに、ポッティング樹脂４０が充填される連通部８０，８１を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンが形成されるとともに半導体素子を搭載した基板と、
枠状をなし、前記基板の上面において接着される樹脂ケースと、
前記半導体素子又は前記配線パターンに、はんだ付けされる接合部を一端に備える端子と、
前記基板の上面の前記樹脂ケース内に配置される封止樹脂と、
を備える半導体モジュールであって、
前記樹脂ケースは、
前記基板に接着される外枠部と、
前記外枠部の内周側で、前記外枠部寄りに形成されるとともに、前記端子を支持する支持部と、
前記外枠部と前記支持部との間に外部から前記接合部を臨むように形成された開口部と、
を有し、
前記支持部は、
前記開口部と前記樹脂ケース内とを前記接合部を通して連通するとともに、前記封止樹脂が充填される連通部を有することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記端子は、基板に沿って延在する前記接合部から屈曲して前記基板から立設する立設部を有する信号端子であり、前記開口部に前記接合部の先端が向いていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記開口部に前記接合部の先端が向いている前記信号端子に加え、前記基板に沿って延在する前記接合部から屈曲して前記基板から立設する立設部を有する信号端子を更に備え、当該信号端子は前記接合部の先端が前記支持部よりも内方に突出していることを特徴とする請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記基板と前記外枠部とを接着する接着剤は、前記外枠部の内方端よりも内方にはみ出していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記開口部は、前記外枠部の内方端よりも内方にはみ出す接着剤を臨んでいることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記端子は、基板に沿って延在する前記接合部から屈曲して前記基板から立設する立設部を有するパワー端子であり、前記接合部の先端が前記支持部よりも内方に突出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記開口部は、前記基板に対し斜めに延びていることを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
部品を搭載した基板を樹脂製ケース内に収容し、ケース内を樹脂で封止した半導体モジュールが知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１９５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、基板上に枠状のケースを載置するとともに基板上の枠状のケース内にポッティング樹脂を配置して基板上の部品等を封止する場合において、はんだ付け後の接合箇所を視認により検査する必要がある。また、はんだ付け時に溶け出したフラックスを除去すべく基板を洗浄する必要がある。
【０００５】
本発明の目的は、はんだ付け後の接合箇所の視認及び基板のフラックス洗浄を行うことができる半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題点を解決するための半導体モジュールは、配線パターンが形成されるとともに半導体素子を搭載した基板と、枠状をなし、前記基板の上面において接着される樹脂ケースと、前記半導体素子又は前記配線パターンに、はんだ付けされる接合部を一端に備える端子と、前記基板の上面の前記樹脂ケース内に配置される封止樹脂と、を備える半導体モジュールであって、前記樹脂ケースは、前記基板に接着される外枠部と、前記外枠部の内周側で、前記外枠部寄りに形成されるとともに、前記端子を支持する支持部と、前記外枠部と前記支持部との間に外部から前記接合部を臨むように形成された開口部と、を有し、前記支持部は、前記開口部と前記樹脂ケース内とを前記接合部を通して連通するとともに、前記封止樹脂が充填される連通部を有することを要旨とする。
【０００７】
これによれば、樹脂ケースに形成した開口部を通して、はんだ付け後の接合箇所の視認を行うことができる。また、樹脂ケースの開口部及び連通部を介して基板のフラックス洗浄を行うことができる。
【０００８】
また、半導体モジュールにおいて、前記端子は、基板に沿って延在する前記接合部から屈曲して前記基板から立設する立設部を有する信号端子であり、前記開口部に前記接合部の先端が向いているとよい。
【０００９】
また、半導体モジュールにおいて、前記開口部に前記接合部の先端が向いている前記信号端子に加え、前記基板に沿って延在する前記接合部から屈曲して前記基板から立設する立設部を有する信号端子を更に備え、当該信号端子は前記接合部の先端が前記支持部よりも内方に突出しているとよい。
【００１０】
また、半導体モジュールにおいて、前記基板と前記外枠部とを接着する接着剤は、前記外枠部の内方端よりも内方にはみ出しているとよい。
また、半導体モジュールにおいて、前記開口部は、前記外枠部の内方端よりも内方にはみ出す接着剤を臨んでいるとよい。
【００１１】
また、半導体モジュールにおいて、前記端子は、基板に沿って延在する前記接合部から屈曲して前記基板から立設する立設部を有するパワー端子であり、前記接合部の先端が前記支持部よりも内方に突出しているとよい。
【００１２】
また、半導体モジュールにおいて、前記開口部は、前記基板に対し斜めに延びているとよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、はんだ付け後の接合箇所の視認及び基板のフラックス洗浄を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は実施形態における半導体モジュールの平面図、（ｂ）は半導体モジュールの正面図。
【図２】（ａ）は半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図３】（ａ）は半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図４】（ａ）は製造工程を説明するための半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図５】（ａ）は製造工程を説明するための半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図６】（ａ）は製造工程を説明するための半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図７】（ａ）は製造工程を説明するための半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図８】製造工程を説明するための半導体モジュールの断面図。
【図９】製造工程を説明するための半導体モジュールの一部断面図。
【図１０】比較例における半導体モジュールの一部断面図。
【図１１】（ａ）は別例の半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【図１２】（ａ）は別例の半導体モジュールの一部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した一実施形態を、図１〜図１０を用いて説明する。
なお、図面において、水平面を、直交するＸ，Ｙ方向で規定するとともに、上下方向をＺ方向で規定している。
【００１６】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、半導体モジュール１０は、基板２０と、四角枠状をなし、基板２０の上面において接着される樹脂ケース３０と、半導体素子又は配線パターンに、はんだ付けされる接合部を一端に備える端子５０，５３，５６と、基板２０の上面の樹脂ケース３０内に配置される封止樹脂としてのポッティング樹脂４０と、を備える。
【００１７】
基板２０は、半導体素子としてのパワートランジスタＱ及び配線パターン２２，２３，２４（図２（ｂ）、図３（ｂ）参照）を有する。パワートランジスタＱはＭＯＳトランジスタ（又はＩＧＢＴ）であり、制御電極としてのゲート電極とソース・ドレイン電極（又はエミッタ・コレクタ電極）を有する。基板２０は、図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板２１を有し、絶縁基板２１の上面に、銅箔よりなる配線パターン２２，２３，２４が形成されている。絶縁基板２１上において半導体素子としてのパワートランジスタＱが実装されている。
【００１８】
また、基板２０において実装される部品や配線パターン等は、図示しないボンディングワイヤにより結線されている。
半導体モジュール１０として、例えば、電力変換装置を例示することができ、電力変換装置は、例えば交流電源から入力された交流電力を直流電力に変換して出力するものであり、具体的には、ＰＦＣ（力率改善回路）と、ＤＣ／ＤＣコンバータとを備える。ＰＦＣは、パワートランジスタ、ダイオード、コンデンサ等で構成される。ＤＣ／ＤＣコンバータは、パワートランジスタ、ダイオード、コンデンサ等で構成される。
【００１９】
樹脂ケース３０は、基板２０上に接着されシールしている。ポッティング樹脂４０は、樹脂ケース３０内に配置され、基板２０の上面を覆っている。
図２（ｂ）に示すように、端子５０は、Ｌ字状をなす信号ライン用の信号端子である。つまり、端子５０は、基板２０に沿って延在する接合部５１から９０°屈曲して基板２０からＺ方向に立設する立設部５２を有する信号端子である。立設部５２の上端部は折り返されている。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、配線パターン２２に、信号端子５０の一端に備えられた接合部５１がはんだＳにより接合されている。
【００２０】
端子５３は、Ｌ字状をなす信号ライン用の信号端子である。つまり、端子５３は、基板２０に沿って延在する接合部５４から９０°屈曲して基板２０からＺ方向に立設する立設部５５を有する信号端子である。立設部５５の上端部は折り返されている。配線パターン２３に、信号端子５３の一端に備えられた接合部５４がはんだＳにより接合されている。
【００２１】
図３（ｂ）に示すように、端子５６は、Ｌ字状をなすパワーライン用のパワー端子である。つまり、端子５６は、基板２０に沿って延在する接合部５７から９０°屈曲して基板２０からＺ方向に立設する立設部５８を有するパワー端子である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、配線パターン２４に、パワー端子５６の一端に備えられた接合部５７がはんだＳにより接合されている。
【００２２】
図２（ａ）、図２（ｂ）、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、樹脂ケース３０は、端子５０，５３，５６を支持する支持部３１，３２，３３と、支持部３１，３２，３３の外周側で基板２０に接着される外枠部３５を有する。図１（ａ）に示すように、外枠部３５は、四角枠状をなし、第１直線部３５ａと第２直線部３５ｂと第３直線部３５ｃと第４直線部３５ｄを有する。第１直線部３５ａ及び第２直線部３５ｂはＹ方向に延びている。第３直線部３５ｃと第４直線部３５ｄはＸ方向に延びている。支持部３１，３２，３３はＹ方向に延び、一端が第３直線部３５ｃに繋がるとともに他端が第４直線部３５ｄに繋がっている。外枠部３５の一辺に沿って各支持部３１，３２，３３は延在している。外枠部３５の内周側で各支持部３１，３２，３３は外枠部３５寄りに設けられている。詳しくは、図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、支持部３１は第１直線部３５ａに接近して位置している。支持部３２は支持部３１と接近した位置、かつ、第２直線部３５ｂよりも第１直線部３５ａに接近して位置している。支持部３３は第２直線部３５ｂに接近して位置している。このように、支持部３１は第１直線部３５ａに接近するとともに支持部３２は支持部３１に接近し、支持部３３は第２直線部３５ｂに接近して位置している。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、支持部３１，３２，３３は外枠部３５よりも上方に延びている。外枠部３５は、図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、最外周部３６を有し、最外周部３６は基板２０よりも外周側に位置している。最外周部３６の内周側には段差部３７が形成され、段差部３７は基板２０の外周縁部に位置している。
【００２４】
各支持部３１，３２，３３は、図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、断面長方形状をなし、長辺が上下方向（Ｚ方向）に延びている。
図２（ｂ）に示すように、複数本の信号端子５０における立設部５２が支持部３１の延設方向において支持部３１の内側面３１ａに支持されている。複数本の信号端子５３における立設部５５が支持部３２の延設方向においての支持部３２の外側面３２ａに支持されている。図３（ｂ）に示すように、複数本のパワー端子５６における立設部５８が支持部３３の延設方向において支持部３３の内側面３３ａに支持されている。
【００２５】
図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように、樹脂ケース３０は、段差部３７の内方寄りに、端子５０毎の開口部７０を有する。各開口部７０は、外枠部３５と支持部３１との間に外部から接合部５１を臨むように形成されている。図２（ｂ）に示すように、Ｌ字状をなす信号ライン用の信号端子５０は、開口部７０にＬ字の先端が向いている。つまり、開口部７０に接合部５１の先端が向いている。図２（ｂ）に示すように、開口部７０は、基板２０に対し直交するＺ方向に延びている。各開口部７０にはポッティング樹脂４０が埋まる。
【００２６】
Ｌ字状をなす信号ライン用の信号端子５３は、Ｌ字の先端が支持部３２よりも内方に突出している。つまり、信号端子５３は、接合部５４の先端が支持部３２よりも内方に突出している。
【００２７】
また、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、樹脂ケース３０は、段差部３７の内方寄りに、端子５６毎の開口部７１を有する。各開口部７１は、外枠部３５と支持部３３との間に外部から接合部５７を臨むように形成されている。各開口部７１は外枠部３５に沿って設けられており、外枠部３５の内周側で外枠部３５寄りに設けられる。各開口部７１は、外枠部３５の第３直線部３５ｃ及び第４直線部３５ｄと、支持部３２、３３とで囲われる面積より小さい開口面積を有する。すなわち、支持部３３の外枠部３５側に形成される各開口部７１の開口面積より支持部３１、３２、３３の内側に形成される開口部１２０の開口面積が大きい。開口部１２０内には、パワートランジスタＱ等が配置される。
【００２８】
図３（ｂ）に示すように、Ｌ字状をなすパワーライン用のパワー端子５６は、Ｌ字の先端が支持部３３よりも内方に突出している。つまり、接合部５７の先端が支持部３３よりも内方に突出している。図３（ｂ）に示すように、開口部７１は、基板２０に対し斜めに延びている。各開口部７１にはポッティング樹脂４０が埋まる。
【００２９】
図２（ｂ）、図３（ｂ）に示すように、外枠部３５の段差部３７は、支持部３１，３２，３３の外周側で基板２０に接着剤６０により接着される。支持部３１は、各開口部７０に対応する連通部８０を有する。連通部８０は、支持部３１の下部に形成され、開口部７０と樹脂ケース３０内とを接合部５１を通して連通させるためのものである。支持部３２は、各開口部７０に対応する連通部８１を有する。連通部８１は、支持部３２の下部に形成され、開口部７０と樹脂ケース３０内とを接合部５４を通して連通させるためのものである。連通部８０，８１により開口部７０と樹脂ケース３０内とが接合部５１，５４を通して連通している。各連通部８０，８１にはポッティング樹脂４０が埋まる（充填される）。また、支持部３３は、各開口部７１に対応する連通部８２を有する。連通部８２は、支持部３３の下部に形成され、連通部８２により開口部７１と樹脂ケース３０内とが接合部５７を通して連通している。連通部８２にはポッティング樹脂４０が埋まる（充填される）。
【００３０】
図２（ｂ）及び図３（ｂ）に示すように、基板２０と外枠部３５の段差部３７とを接着する接着剤６０は、外枠部３５の内方端よりも僅かに外側に端部が位置している。開口部７０，７１は、外枠部３５の内方端よりも僅かに外側に端部が位置する接着剤６０を臨んでいる。
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、半導体モジュール１０は、支持部３１，３２及び信号端子５０，５３により信号端子用の雌型コネクタを構成している。また、支持部３３及びパワー端子５６によりパワー端子用の雄型コネクタを構成している。そして、支持部３１，３２及び信号端子５０，５３による雌型コネクタに対応する雄型コネクタ１００、及び、支持部３３及びパワー端子５６による雄型コネクタに対応する雌型コネクタ１１０により外部の機器と接続される。
【００３２】
雄型コネクタ１００は、接続部１０１及び接続部１０２を有する。半導体モジュール１０における樹脂ケース３０の支持部３１，３２間にコネクタ１００を挿入することにより信号端子５０と接続部１０１とが電気的に接続されるとともに信号端子５３と接続部１０２とが電気的に接続される。
【００３３】
また、雌型コネクタ１１０は、接続部１１１を有する。半導体モジュール１０における樹脂ケース３０に支持された端子５６を挟むようにコネクタ１１０を挿入することによりパワー端子５６と接続部１１１とが電気的に接続される。
【００３４】
次に、作用について説明する。
製造工程において、図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、半導体素子としてのパワートランジスタＱ及び配線パターン２２，２３，２４を有する基板２０と、樹脂ケース３０とを用意する。樹脂ケース３０には端子５０，５３，５６が支持されている。
【００３５】
そして、基板２０の上面での外周側に、硬化前の接着剤９０を塗布する。また、基板２０の配線パターン２２の上に、クリームはんだ９１を、基板２０の配線パターン２３の上に、クリームはんだ９２を、基板２０の配線パターン２４の上に、クリームはんだ９３を、それぞれ塗布する。
【００３６】
さらに、基板２０の上に樹脂ケース３０を載置する。このとき、樹脂ケース３０の外枠部３５の段差部３７と基板２０との間に、硬化前の接着剤９０が位置する。また、端子５０，５３，５６の接合部５１，５４，５７と基板２０の配線パターン２２，２３，２４との間に、クリームはんだ９１．９２，９３が位置する。
【００３７】
この状態で炉に入れ、図６（ａ）、図６（ｂ）、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、リフローはんだ付け及び樹脂ケース３０の接着を同時行う。
引き続き、例えば、図８に示すように、容器１５０内の洗浄液１５１で、基板２０を洗浄する。
【００３８】
このようにして、樹脂ケース３０を、はんだリフロー工程において、同時に接着させることができる。これにより、製造工程として、ケース接着剤硬化工程を省略できる。
はんだ付け後においてワイヤボンディングに先立ち、はんだ付け時に溶け出したフラックスを除去すべく基板２０を洗浄する。つまり、フラックスが残っているとワイヤボンディングを行う際に不具合を生じるので洗浄液にて基板表面を洗浄する。
【００３９】
例えば、図８に示すように、基板２０のフラックス洗浄を、樹脂ケース付き状態で行う。
この洗浄工程において、端子５０，５３，５６のはんだ付け箇所近傍の樹脂ケース３０に形成した開口部７０，７１及び連通部８０，８１，８２を用いて洗浄することができる。この際、開口部７０，７１及び連通部８０，８１，８２をできるだけ大きく形成することにより洗浄性が向上する。
【００４０】
このように、樹脂ケース３０があることでフラックス洗浄液１５１が基板２０上に回らないとフラックスが残ってしまうことを回避して容易に基板２０のフラックス洗浄を行うことができる。
【００４１】
また、図６（ｂ）、図７（ｂ）に示すように、開口部７０，７１を用いて、はんだ付け後の接合箇所におけるはんだフィレットの視認を行うことができる。
つまり、樹脂ケース３０に開口部７０，７１及び連通部８０，８１，８２を設けることにより、フラックス洗浄液１５１が基板２０上へ回り易く、洗浄性の向上が図られるとともに、樹脂ケース３０の開口部７０，７１を通じて、はんだ付け後のはんだフィレットの確認を行うことができる。具体的には、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように外枠部３５の内方端よりも僅かに外側に端部が位置する接着剤６０と、はんだＳとが離間しており、干渉していないことを確認する。
【００４２】
図９及び図１０を用いて、接着剤６０を、外枠部３５と基板２０との接着面において外枠部３５の内方端よりも僅かに外側に端部を位置させることの有用性について言及する。
図１０は比較例であり、図１０をおいては、接着剤６０が、外枠部３５と基板２０との接着面において内周端が外枠部３５の内周よりも外側に位置し、外枠部３５の下面と基板２０の上面との間にポケット（空洞）Ｐｏが存在する。この場合においては、はんだ付け時に溶け出したフラックスが流れ出てポケット（空洞）Ｐｏに溜まる。ポケット（空洞）Ｐｏに溜まったフラックスは洗浄しにくい。
【００４３】
これに対し図９においては接着剤６０を、外枠部３５と基板２０との接着面における外枠部３５の内方端よりも僅かに外側に端部を位置させることにより、外枠部３５の下面と基板２０の上面との間にポケット（空洞）Ｐｏは存在しない。この場合においては、加熱の際に、接着剤６０は１５０℃程度で硬化し、それ以上の温度ではんだＳが溶融する。よって、はんだ付け時にフラックスが流れ出ても、図９に示すごとく図１０でのポケット（空洞）Ｐｏが存在しないので、フラックスを容易に洗浄することができる。
【００４４】
このように、樹脂ケース３０の下面の接着剤６０を、外枠部３５の内方端よりも僅かに外側に端部を位置させることにより、より洗浄性を向上させることができる。
フラックスの洗浄を行った後に、ワイヤボンディングにより、基板２０において実装される部品や配線パターン等を結線する。
【００４５】
その後、基板２０の上面の樹脂ケース３０内に、硬化前のポッティング樹脂４０を注入し、さらに、加熱してポッティング樹脂４０を硬化させる。これにより、ポッティング樹脂４０にて基板上の部品やボンディングワイヤ等が封止される。
【００４６】
これにより、図１（ａ）、図１（ｂ）に示す半導体モジュール１０が製造される。このように製造された半導体モジュール１０は、支持部３１，３２及び信号端子５０，５３による雌型コネクタに対応する雄型コネクタ１００、及び、支持部３３及びパワー端子５６による雄型コネクタに対応する雌型コネクタ１１０により外部の機器と接続される。
【００４７】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）半導体モジュール１０の構成として、配線パターン２２，２３，２４が形成されるとともに半導体素子としてのパワートランジスタＱを搭載した基板２０と、枠状をなし、基板２０の上面において接着される樹脂ケース３０を備える。さらに、半導体素子としてのパワートランジスタＱ又は配線パターン２２，２３，２４に、はんだ付けされる接合部５１，５４，５７を一端に備える端子５０，５３，５６と、基板２０の上面の樹脂ケース３０内に配置される封止樹脂としてのポッティング樹脂４０と、を備える。樹脂ケース３０は、基板２０に接着される外枠部３５と、外枠部３５の内周側で、外枠部３５寄りに形成されるとともに、端子５０，５３，５６を支持する支持部３１，３２，３３と、外枠部３５と支持部３１，３２，３３との間に外部から接合部５１，５７を臨むように形成された開口部７０，７１と、を有する。支持部３１，３２，３３は、開口部７０，７１と樹脂ケース３０内とを接合部５１，５４，５７を通して連通するとともに、封止樹脂としてのポッティング樹脂４０が充填される連通部８０，８１，８２を有する。
【００４８】
よって、樹脂ケース３０に形成した開口部７０，７１を通して、はんだ付け後の接合箇所における、はんだフィレットの視認を行うことができる。また、樹脂ケース３０の開口部７０，７１及び連通部８０，８１，８２を介して基板２０のフラックス洗浄を行うことができる。その結果、はんだ付け後の接合箇所の視認及び基板のフラックス洗浄を行うことができる。
【００４９】
（２）端子５０は、基板２０に沿って延在する接合部５１から屈曲して基板２０から立設する立設部５２を有する信号端子であり、開口部７０に接合部５１の先端が向いている。さらに、開口部７０に接合部５１の先端が向いている信号端子５０に加え、基板２０に沿って延在する接合部５４から屈曲して基板２０から立設する立設部５５を有する信号端子５３を更に備え、当該信号端子５３は接合部５４の先端が支持部３２よりも内方に突出している。
【００５０】
このように、一対の信号端子５０，５３について、互いの接合部５１，５４が互いに逆方向を向くように配置する。これにより、開口部７０とケース内方にて接合箇所を視認することができる。また、一対の信号端子５０，５３について、互いの接合部５１，５４が互いに同じ方向を向くように配置した場合に比べ、信号端子の設置部分の小型化を図ることができる。
【００５１】
（３）接着剤６０が外枠部３５の内方端よりも内方にはみ出さないので、接着剤６０と配線パターン２２，２４との干渉を避けることができる。
（４）端子５６は、基板２０に沿って延在する接合部５７から屈曲して基板２０から立設する立設部５８を有するパワー端子であり、接合部５７の先端が支持部３３よりも内方に突出している。これにより、ケース内方にて接合箇所を視認することができる。
【００５２】
（５）開口部７１は、基板２０に対し斜めに延びている。よって、斜めに延びる開口部７１から、端子５６の接合部５７における配線パターン２４との接合箇所を視認することができる。
【００５３】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  端子の接合部５１，５４，５７は配線パターン２２，２３，２４に接合されていたが、端子の接合部は半導体素子としてのパワートランジスタＱに接合されていてもよい。
【００５４】
○  半導体素子はパワートランジスタＱであったが、半導体素子はダイオードでもＩＣチップ等でもよい。
○  図２（ａ）、図２（ｂ）、図３（ａ）、図３（ｂ）に代わり、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すようにしてもよい。つまり、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）に示すように、基板２０と外枠部３５の段差部３７とを接着する接着剤６０は、外枠部３５の内方端よりも内方にはみ出している。開口部７０，７１は、外枠部３５の内方端よりも内方にはみ出す接着剤６０を臨んでいる。
【００５５】
このように、基板２０と外枠部３５とを接着する接着剤６０は、外枠部３５の内方端よりも内方にはみ出している。これにより、フラックスが入り込むポケット（空洞）を無くすことができる。よって、フラックスが溜まる部位を無くして基板のフラックス洗浄を容易に行うことができる。
【００５６】
ここで、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように、開口部７０は、外枠部３５の内方端よりも内方にはみ出す接着剤６０を臨んでいる。これにより、はみ出した接着剤６０と接合箇所を視認でき、はみ出した接着剤６０と接合箇所との干渉の有無が分かる。
【符号の説明】
【００５７】
１０…半導体モジュール、２０…基板、２２，２３，２４…配線パターン、３０…樹脂ケース、３１，３２，３３…支持部、３５…外枠部、４０…ポッティグ樹脂、５０，５３，５６…端子、５１，５４，５７…接合部、５２，５５，５８…立設部、６０…接着剤、７０，７１…開口部、８０，８１，８２…連通部、Ｑ…パワートランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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