(57)【要約】【課題】伝送性能に優れる多層プリント配線板を製造することができる樹脂フィルムを提供する。【解決手段】本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とし、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１．５ｈとし、（Ｔ＋５０）℃で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ７．５ｈとしたときに、Ｄｆ７．５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比が、０．９以上１．１５以下である。【選択図】図１
2020036010.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、
樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法であり、
回路基板上に、樹脂フィルムを用いて１層目の絶縁層を形成し、かつ該１層目の絶縁層上に１層目の配線回路層を形成して、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
１層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて２層目の絶縁層を形成し、かつ該２層目の絶縁層上に２層目の配線回路層を形成して、２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
２層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて３層目の絶縁層を形成し、かつ該３層目の絶縁層上に３層目の配線回路層を形成して、３層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
３層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて４層目の絶縁層を形成し、かつ該４層目の絶縁層上に４層目の配線回路層を形成して、４層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
４層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて５層目の絶縁層を形成し、かつ該５層目の絶縁層上に５層目の配線回路層を形成して、５層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、
５層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて６層目の絶縁層を形成し、かつ該６層目の絶縁層上に６層目の配線回路層を形成して、６層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程とを備え、
前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
前記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃としたときに、１層目〜６層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、前記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下であり、
得られる多層プリント配線板における１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、
得られる多層プリント配線板における５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、
ＩＬ１のＩＬ５に対する比を、０．９６以上１．０５以下にする、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
得られる多層プリント配線板における１層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１とし、
得られる多層プリント配線板における５層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ５としたときに、
Ｄｆ１のＤｆ５に対する比を、０．９以上１．１５以下にする、請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂フィルムを本硬化させるための前記加熱温度が、１９０℃以上２００℃以下である、請求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、７層以上の絶縁−配線回路複合層を形成する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
前記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とし、
（Ｔ＋５０）℃で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１．５ｈとし、
（Ｔ＋５０）℃で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ７．５ｈとしたときに、
Ｄｆ７．５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比が、０．９以上１．１５以下である、樹脂フィルム。
【請求項７】
前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む、請求項６に記載の樹脂フィルム。
【請求項８】
１９０℃以上２００℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために用いられる、請求項６又は７に記載の樹脂フィルム。
【請求項９】
回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板において、複数の絶縁層を形成するために用いられる、請求項６〜８のいずれか１項に記載の樹脂フィルム。
【請求項１０】
回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、
前記回路基板上にて、前記絶縁層と前記配線回路層とが交互に積層された構造を有し、
前記回路基板上にて、１層目の絶縁層及び１層目の配線回路層により構成される１層目の絶縁−配線回路複合層と、２層目の絶縁層及び２層目の配線回路層により構成される２層目の絶縁−配線回路複合層と、３層目の絶縁層及び３層目の配線回路層により構成される３層目の絶縁−配線回路複合層と、４層目の絶縁層及び４層目の配線回路層により構成される４層目の絶縁−配線回路複合層と、５層目の絶縁層及び５層目の配線回路層により構成される５層目の絶縁−配線回路複合層と、６層目の絶縁層及び６層目の配線回路層により構成される６層目の絶縁−配線回路複合層とを少なくとも有し、
前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、
前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、
１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、
５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、
ＩＬ１のＩＬ５に対する比が、０．９６以上１．０５以下である、多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む樹脂フィルムに関する。また、本発明は、上記樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂材料がフィルム化された樹脂フィルムが用いられることがある。上記絶縁層の表面には、一般に金属である配線が積層される。
【０００３】
上記多層プリント配線板の製造方法は、一般に、以下の（１）〜（４）の工程を備える。（１）配線回路層の表面上に樹脂フィルムを積層する工程。（２）樹脂フィルムを硬化させて絶縁層を形成する工程。（３）絶縁層の表面上に配線回路層を配置する工程。（４）上記（１）〜（３）を繰り返す工程。上記配線回路層は、めっき処理及びエッチング処理によって形成された配線回路であったり、レーザー方式又はインクジェット方式によって形成された配線回路であったりする。
【０００４】
上記樹脂フィルムに用いることができる樹脂組成物の一例として、下記の特許文献１には、エポキシ化合物と、活性エステル化合物と、充填材とを含む硬化性エポキシ組成物が開示されている。特許文献１には、この硬化性エポキシ組成物（樹脂フィルム）の硬化物を、多層プリント配線板等の絶縁層として用いることができることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−１４３３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
多層プリント配線板の製造方法では、樹脂フィルムを加熱して硬化することにより絶縁層が形成される。したがって、上記（１）〜（３）の工程が繰り返されると、後期に積層された樹脂フィルムよりも初期に積層された樹脂フィルムの方が、より多くの回数かつより長い時間加熱される。樹脂フィルム（絶縁層）が繰り返し加熱されると、絶縁層の電気特性（誘電率及び誘電正接）が変化することがある。この結果、得られる多層プリント配線板において、伝送路のインピーダンスにミスマッチが生じ、伝送損失が大きくなることがある。また、絶縁層の誘電正接が大きくなる場合には、伝送損失がより一層大きくなることがある。
【０００７】
なお、初期に積層されて形成される絶縁層の電気特性の変化を抑えるために、後期段階での加熱温度を穏やかにすると、後期に積層された樹脂材料を十分に硬化させることが困難である。また、後期段階での加熱温度を緩やかにし、かつ長時間加熱することは、製造時間が長くなるため好ましくない。
【０００８】
さらに、リフロー工程時には、絶縁層が高温（例えば２６０℃以上）に晒されるため、絶縁層の電気特性が変化し、多層プリント配線板の伝送性能が低下しやすい。
【０００９】
従来の樹脂材料では、初期に積層されて形成された絶縁層と、後期に積層されて形成された絶縁層との双方で電気特性を良好にすることは困難である。
【００１０】
本発明の目的は、伝送性能に優れる多層プリント配線板を製造することができる樹脂フィルムを提供することである。また、本発明の目的は、伝送性能に優れる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法であり、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて１層目の絶縁層を形成し、かつ該１層目の絶縁層上に１層目の配線回路層を形成して、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、１層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて２層目の絶縁層を形成し、かつ該２層目の絶縁層上に２層目の配線回路層を形成して、２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、２層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて３層目の絶縁層を形成し、かつ該３層目の絶縁層上に３層目の配線回路層を形成して、３層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、３層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて４層目の絶縁層を形成し、かつ該４層目の絶縁層上に４層目の配線回路層を形成して、４層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、４層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて５層目の絶縁層を形成し、かつ該５層目の絶縁層上に５層目の配線回路層を形成して、５層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程と、５層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて６層目の絶縁層を形成し、かつ該６層目の絶縁層上に６層目の配線回路層を形成して、６層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程とを備え、前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃としたときに、１層目〜６層目の前記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、前記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下であり、得られる多層プリント配線板における１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、得られる多層プリント配線板における５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、ＩＬ１のＩＬ５に対する比を、０．９６以上１．０５以下にする、多層プリント配線板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、得られる多層プリント配線板における１層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１とし、得られる多層プリント配線板における５層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ５としたときに、Ｄｆ１のＤｆ５に対する比を、０．９以上１．１５以下にする。
【００１３】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記樹脂フィルムを本硬化させるための前記加熱温度が、１９０℃以上２００℃以下である。
【００１４】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、７層以上の絶縁−配線回路複合層を形成する。
【００１５】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む。
【００１６】
本発明の広い局面によれば、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、前記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とし、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１．５ｈとし、（Ｔ＋５０）℃で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ７．５ｈとしたときに、Ｄｆ７．５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比が、０．９以上１．１５以下である、樹脂フィルムが提供される。
【００１７】
本発明に係る樹脂フィルムのある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物を含む。
【００１８】
本発明に係る樹脂フィルムは、１９０℃以上２００℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。
【００１９】
本発明に係る樹脂フィルムは、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板において、複数の絶縁層を形成するために好適に用いられる。
【００２０】
本発明の広い局面によれば、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、前記回路基板上にて、前記絶縁層と前記配線回路層とが交互に積層された構造を有し、前記回路基板上にて、１層目の絶縁層及び１層目の配線回路層により構成される１層目の絶縁−配線回路複合層と、２層目の絶縁層及び２層目の配線回路層により構成される２層目の絶縁−配線回路複合層と、３層目の絶縁層及び３層目の配線回路層により構成される３層目の絶縁−配線回路複合層と、４層目の絶縁層及び４層目の配線回路層により構成される４層目の絶縁−配線回路複合層と、５層目の絶縁層及び５層目の配線回路層により構成される５層目の絶縁−配線回路複合層と、６層目の絶縁層及び６層目の配線回路層により構成される６層目の絶縁−配線回路複合層とを少なくとも有し、前記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、前記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有し、１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、ＩＬ１のＩＬ５に対する比が、０．９６以上１．０５以下である、多層プリント配線板が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて１層目の絶縁層を形成し、かつ該１層目の絶縁層上に１層目の配線回路層を形成して、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、１層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて２層目の絶縁層を形成し、かつ該２層目の絶縁層上に２層目の配線回路層を形成して、２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、２層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて３層目の絶縁層を形成し、かつ該３層目の絶縁層上に３層目の配線回路層を形成して、３層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、３層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて４層目の絶縁層を形成し、かつ該４層目の絶縁層上に４層目の配線回路層を形成して、４層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、４層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて５層目の絶縁層を形成し、かつ該５層目の絶縁層上に５層目の配線回路層を形成して、５層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、５層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて６層目の絶縁層を形成し、かつ該６層目の絶縁層上に６層目の配線回路層を形成して、６層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、１層目〜６層目の上記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、上記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下である。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、得られる多層プリント配線板における１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、得られる多層プリント配線板における５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、ＩＬ１のＩＬ５に対する比を、０．９６以上１．０５以下にする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。
【００２２】
本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とする。本発明に係る樹脂フィルムにおいて、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１．５ｈとし、（Ｔ＋５０）℃で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ７．５ｈとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、Ｄｆ７．５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比が、０．９以上１．１５以下である。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。
【００２３】
本発明に係る多層プリント配線板は、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、上記回路基板上にて、上記絶縁層と上記配線回路層とが交互に積層された構造を有する。本発明に係る多層プリント配線板は、以下の１層目〜６層目の絶縁−配線回路複合層を少なくとも有する。上記回路基板上にて、１層目の絶縁層及び１層目の配線回路層により構成される１層目の絶縁−配線回路複合層。２層目の絶縁層及び２層目の配線回路層により構成される２層目の絶縁−配線回路複合層。３層目の絶縁層及び３層目の配線回路層により構成される３層目の絶縁−配線回路複合層。４層目の絶縁層及び４層目の配線回路層により構成される４層目の絶縁−配線回路複合層。５層目の絶縁層及び５層目の配線回路層により構成される５層目の絶縁−配線回路複合層。６層目の絶縁層及び６層目の配線回路層により構成される６層目の絶縁−配線回路複合層。本発明に係る多層プリント配線板では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る多層プリント配線板では、１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、ＩＬ１のＩＬ５に対する比が、０．９６以上１．０５以下である。本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、図１に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）は、図１に示す多層プリント配線板を得る方法を説明するための断面図である。
【図５】図５は、実施例及び比較例で作製された評価基板の信号層近傍を拡大して示す模式的部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２６】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上にて、絶縁層と配線回路層とが交互に積層された構造を有する多層プリント配線板の製造方法であって、樹脂フィルムを用いて複数の絶縁層を形成する多層プリント配線板の製造方法である。
【００２７】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて１層目の絶縁層を形成し、かつ該１層目の絶縁層上に１層目の配線回路層を形成して、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、１層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて２層目の絶縁層を形成し、かつ該２層目の絶縁層上に２層目の配線回路層を形成して、２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、２層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて３層目の絶縁層を形成し、かつ該３層目の絶縁層上に３層目の配線回路層を形成して、３層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、３層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて４層目の絶縁層を形成し、かつ該４層目の絶縁層上に４層目の配線回路層を形成して、４層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、４層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて５層目の絶縁層を形成し、かつ該５層目の絶縁層上に５層目の配線回路層を形成して、５層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、５層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて６層目の絶縁層を形成し、かつ該６層目の絶縁層上に６層目の配線回路層を形成して、６層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【００２８】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含む。
【００２９】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。
【００３０】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とする。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、１層目〜６層目の上記絶縁−配線回路複合層を形成する工程のそれぞれにおいて、上記樹脂フィルムを本硬化させるための加熱温度が、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下である。
【００３１】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、得られる多層プリント配線板における１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、得られる多層プリント配線板における５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、ＩＬ１のＩＬ５に対する比を、０．９６以上１．０５以下にする。
【００３２】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。
【００３３】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記１層目の配線回路層及び上記５層目の配線回路層は、金属層であることが好ましく、信号層であることが好ましい。
【００３４】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記２層目の配線回路層、上記３層目の配線回路層、上記４層目の配線回路層及び上記６層目の配線回路層はそれぞれ、金属層であることが好ましく、電源層又はグランド層であることが好ましい。
【００３５】
従って、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、２つの信号層における伝送損失の比が上述した範囲であることが好ましい。
【００３６】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記の構成が備えられているので、配線回路層（例えば信号層）の位置に関係なく、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。
【００３７】
本発明に係る樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。本発明に係る樹脂フィルムでは、上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とする。本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１．５ｈとし、（Ｔ＋５０）℃で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ７．５ｈとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、Ｄｆ７．５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比が、０．９以上１．１５以下である。
【００３８】
本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。
【００３９】
本発明に係る樹脂フィルムでは、上記の構成が備えられているので、配線回路層（例えば信号層）の位置に関係なく、伝送性能に優れる多層プリント配線板を得ることができる。
【００４０】
本発明に係る樹脂フィルムは、多層プリント配線板において、６層以上の絶縁層を形成するために用いられることが好ましい。本発明に係る樹脂フィルムは、多層プリント配線板において、５層以下の絶縁層を形成するために用いることもできる。本発明に係る樹脂フィルムを５層以下の絶縁層を形成するために用いたとしても、伝送性能を高めることができる。
【００４１】
本発明に係る多層プリント配線板は、回路基板と、樹脂フィルムにより形成された絶縁層と、配線回路層とを備え、上記回路基板上にて、上記絶縁層と上記配線回路層とが交互に積層された構造を有する。本発明に係る多層プリント配線板は、以下の１層目〜６層目の絶縁−配線回路複合層を少なくとも有する。上記回路基板上にて、１層目の絶縁層及び１層目の配線回路層により構成される１層目の絶縁−配線回路複合層。２層目の絶縁層及び２層目の配線回路層により構成される２層目の絶縁−配線回路複合層。３層目の絶縁層及び３層目の配線回路層により構成される３層目の絶縁−配線回路複合層。４層目の絶縁層及び４層目の配線回路層により構成される４層目の絶縁−配線回路複合層。５層目の絶縁層及び５層目の配線回路層により構成される５層目の絶縁−配線回路複合層。６層目の絶縁層及び６層目の配線回路層により構成される６層目の絶縁−配線回路複合層。
【００４２】
本発明に係る多層プリント配線板では、上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物と、無機充填材とを含み、上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。
【００４３】
本発明に係る多層プリント配線板では、１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５としたときに、ＩＬ１のＩＬ５に対する比が、０．９６以上１．０５以下である。
【００４４】
本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、伝送性能に優れる。
【００４５】
本発明に係る多層プリント配線板では、上記１層目の配線回路層及び上記５層目の配線回路層は、金属層であることが好ましく、信号層であることが好ましい。
【００４６】
本発明に係る多層プリント配線板では、上記２層目の配線回路層、上記３層目の配線回路層、上記４層目の配線回路層及び上記６層目の配線回路層はそれぞれ、金属層であることが好ましく、電源層又はグランド層であることが好ましい。
【００４７】
従って、本発明に係る多層プリント配線板では、２つの信号層における伝送損失の比が上述した範囲であることが好ましい。
【００４８】
本発明に係る多層プリント配線板では、上記の構成が備えられているので、配線回路層（例えば信号層）の位置に関係なく、伝送性能に優れる。
【００４９】
本発明者は、樹脂フィルムの硬化物（絶縁層）の加熱に伴う誘電率の変化及び誘電正接の変化と多層プリント配線板の伝送損失とが相関していることを見出した。本発明者は、特定の発熱ピークトップ温度を有しかつ特定の温度範囲で樹脂フィルムを硬化させれば、樹脂フィルムの硬化物（絶縁層）の加熱に伴う誘電率の変化及び誘電正接の変化を小さくすることができることを見出した。本発明者は、樹脂フィルムの硬化物（絶縁層）の加熱に伴う誘電率の変化及び誘電正接の変化を小さくすることができれば、多層プリント配線板の伝送性能を高めることができることを見出した。
【００５０】
従来の多層プリント配線板及び従来の多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板では、初期に積層されて形成された絶縁層と、後期に積層されて形成された絶縁層との双方で、電気特性を良好にすることは困難であり、その結果、多層プリント配線板の伝送性能が低下することがある。これに対して、本発明に係る多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板では、特定の樹脂フィルムを用いているため、絶縁層の電気特性が変化し難く、伝送性能に優れる。
【００５１】
上記樹脂フィルムの示差走査熱量計での測定において、発熱ピークは、具体的には、以下のようにして測定される。
【００５２】
示差走査熱量測定装置（例えば、ＴＡ・インスツルメント社製「Ｑ２０００」）を用意する。専用アルミパンに樹脂フィルム８ｍｇを取り、専用治具を用いて蓋をする。この専用アルミパンと空のアルミパン（リファレンス）とを加熱ユニット内に設置し、昇温速度３℃／分で−３０℃から２５０℃まで窒素雰囲気下で加熱を行い、リバースヒートフロー及びノンリバースヒートフローの観測を行う。ノンリバースヒートフローにおいて観測される発熱ピークを樹脂フィルムの発熱ピークとする。
【００５３】
上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計での測定において、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する。上記発熱ピークトップ温度が１３０℃未満であると、樹脂フィルムの貯蔵安定性が悪化することがある。上記発熱ピークトップ温度が２００℃を越えると、乾燥炉の温度のばらつきが大きくなることがあり、多層プリント配線板の製造が困難になることがある。
【００５４】
樹脂フィルムの硬化反応をより一層良好にする観点からは、上記発熱ピークトップ温度は、好ましくは１４０℃以上、好ましくは１７０℃以下である。
【００５５】
上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度をＴ℃とする。上記樹脂フィルムは、示差走査熱量計の測定において、１３０℃以上２００℃以下に少なくとも１つの発熱ピークトップ温度を有する。上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークが１つである場合には、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Ｔは、該発熱ピークのピーク温度である。上記１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークが複数である場合には、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Ｔは、該発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度である。
【００５６】
したがって、上記最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Ｔは、１３０℃以上２００℃以下である。上記ピーク温度Ｔが１３０℃未満であると、保管時において硬化が進行しやすく、樹脂フィルムの可使時間が短くなることがある。
【００５７】
上記ピーク温度Ｔは、好ましくは１４０℃以上、好ましくは１７０℃以下である。上記ピーク温度Ｔが１７０℃以下であると、１７０℃を超える場合と比べて、製造工程での樹脂フィルムの硬化のばらつき及び硬化残りを抑えることができる。
【００５８】
また、セミアディティブ工程（ＳＡＰ工程）における粗化処理後の樹脂フィルム（半硬化物）の表面の表面粗さは、２００ｎｍ以下であることが好ましい。粗化処理後の樹脂フィルム（半硬化物）の表面の表面粗さの制御には、粗化処理後の樹脂フィルム（半硬化物）の硬化度が大きく影響する。粗化処理前の半硬化物の硬化度の制御、及び粗化処理後のファイナルキュアにおいて十分に硬化させる観点から、上記ピーク温度Ｔは上述した温度範囲であること好ましい。
【００５９】
本発明に係る樹脂フィルムの硬化物、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接は、空洞共振法で、２３℃にて測定される。
【００６０】
なお、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接は、該多層プリント配線板に用いられた樹脂フィルムと同じ樹脂フィルムを硬化させて、硬化させた樹脂フィルム（絶縁層）について求めてもよい。
【００６１】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板では、１層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１とし、５層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ５とする。また、１０層以上の絶縁−配線回路複合層が形成されている場合に、１０層目の絶縁層の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１０とする。なお、１層目の絶縁層、５層目の絶縁層、１０層目の絶縁層はそれぞれ、本硬化後の絶縁層であることが好ましい。なお、上記本硬化後の絶縁層は、本硬化前に予備硬化されていてもよい。上記本硬化後の絶縁層は、予備硬化後に本硬化された絶縁層であることが好ましい。
【００６２】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記Ｄｆ１の上記Ｄｆ５に対する比（Ｄｆ１／Ｄｆ５）が、０．９以上１．１５以下であることが好ましい。上記比（Ｄｆ１／Ｄｆ５）が０．９未満であると、硬化後の加熱で樹脂成分が過度に揮発していることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、樹脂フィルム及び絶縁層の割れ又は欠けが生じることがある。また、上記比（Ｄｆ１／Ｄｆ５）が０．９未満であると、上層に積層されていくことにより、内部にガスがたまり、ブリスターが生じることがある。上記比（Ｄｆ１／Ｄｆ５）が１．１５を超えると、伝送性能が劣ることがある。
【００６３】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記Ｄｆ１の上記Ｄｆ５に対する比（Ｄｆ１／Ｄｆ５）は、より好ましくは０．９５以上、更に好ましくは０．９９以上、特に好ましくは１．０以上、より好ましくは１．１４以下、更に好ましくは１．１３以下である。上記比（Ｄｆ１／Ｄｆ５）が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。
【００６４】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる絶縁層では、上記Ｄｆ１の上記Ｄｆ１０に対する比（Ｄｆ１／Ｄｆ１０）は、好ましくは０．９５以上、より好ましくは０．９９以上、更に好ましくは１．０以上、好ましくは１．２５以下、より好ましくは１．２以下である。上記比（Ｄｆ１／Ｄｆ１０）が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能を更により一層高めることができる。
【００６５】
伝送性能をより一層高める観点からは、上記Ｄｆ１は、好ましくは０．００８以下、より好ましくは０．００５以下である。
【００６６】
なお、１層目、５層目及び１０層目の絶縁層の誘電正接（上記Ｄｆ１、上記Ｄｆ５及び上記Ｄｆ１０）を、多層プリント配線板に備えられた絶縁層を用いて測定することは困難である。そのため、上記Ｄｆ１、上記Ｄｆ５及び上記Ｄｆ１０は、以下のようにして測定される。
【００６７】
多層プリント配線板を製造する際に用いられた樹脂フィルムと同じ組成を有する樹脂フィルムを用意する。多層プリント配線板の製造工程において、１層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物（絶縁層）の誘電正接を測定し、Ｄｆ１とする。多層プリント配線板の製造工程において、５層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物（絶縁層）の誘電正接を測定し、Ｄｆ５とする。多層プリント配線板の製造工程において、１０層目の絶縁層が加熱された温度及び時間と同等の加熱温度及び加熱時間で上記樹脂フィルムを硬化させて、得られた硬化物（絶縁層）の誘電正接を測定し、Ｄｆ１０とする。なお、多層プリント配線板の製造工程においては、１層目の絶縁層＞５層目の絶縁層＞１０層目の絶縁層の順で長い時間加熱される。
【００６８】
本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１．５ｈとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋５０）℃で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ７．５ｈとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋５０）℃で１５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ１５ｈとする。
【００６９】
本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Ｄｆ７．５ｈの上記Ｄｆ１．５ｈに対する比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９以上１．１５以下である。上記比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９未満であると、硬化後の加熱で樹脂成分の揮発が過度に生じていることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、樹脂フィルム及び絶縁層の割れ又は欠けが生じることがある。また、上記比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９未満であると、上層に積層されていくことにより、内部にガスがたまり、ブリスターが生じることがある。上記比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が１．１５を超えると、伝送性能が劣ることがある。
【００７０】
本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Ｄｆ７．５ｈの上記Ｄｆ１．５ｈに対する比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）は、好ましくは０．９５以上、より好ましくは０．９９以上、更に好ましくは１．０以上、好ましくは１．１４以下、より好ましくは１．１３以下である。上記比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。
【００７１】
本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Ｄｆ１５ｈの上記Ｄｆ１．５ｈに対する比（Ｄｆ１５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）は、好ましくは０．９以上、より好ましくは０．９５以上、更に好ましくは０．９９以上、特に好ましくは１．０以上、好ましくは１．２５以下、より好ましくは１．２以下である。上記比（Ｄｆ１５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能を更により一層高めることができる。
【００７２】
伝送性能をより一層高める観点からは、上記Ｄｆ７．５ｈは、好ましくは０．００８以下、より好ましくは０．００５以下である。
【００７３】
本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下で１．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ’１．５ｈとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下で７．５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ’７．５ｈとする。本発明に係る樹脂フィルムでは、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下で１５時間硬化させた樹脂フィルムの硬化物の周波数１０ＧＨｚでの誘電正接をＤｆ’１５ｈとする。
【００７４】
本発明に係る樹脂フィルムでは、上記Ｄｆ’７．５ｈの上記Ｄｆ’１．５ｈに対する比（Ｄｆ’７．５ｈ／Ｄｆ’１．５ｈ）は、好ましくは１．０１以上、より好ましくは１．０２以上、更に好ましくは１．０３以上、好ましくは１．１５以下、より好ましくは１．１４以下、更に好ましくは１．１３以下である。上記比（Ｄｆ’７．５ｈ／Ｄｆ’１．５ｈ）が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。
【００７５】
上記Ｄｆ’７．５ｈの上記Ｄｆ’１．５ｈに対する比（Ｄｆ’７．５ｈ／Ｄｆ’１．５ｈ）が上記下限以上及び上記上限以下であるとは、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下のうちの半分以上の温度領域において、上記比が上記下限以上及び上記上限以下を満足することを意味する。（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下の全体の温度領域において、上記比が上記下限以上及び上記上限以下を満足することが特に好ましい。
【００７６】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板、及び本発明に係る多層プリント配線板の配線回路層の伝送損失は、ネットワーク・アナライザを用いて、周波数１００ＭＨｚから４０ＧＨｚの範囲で測定される。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板、及び本発明に係る多層プリント配線板の配線回路層の伝送損失は、少なくとも３８ＧＨｚにおいて以下の比等を満足することが好ましい。なお、伝送損失が測定される配線回路層（例えば信号層）では、該配線回路層における伝送損失のみが測定できるように、該配線回路層は引き出し電極を備えることが好ましい。
【００７７】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法で得られる多層プリント配線板及び本発明に係る多層プリント配線板では、１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ１とし、５層目の配線回路層の伝送損失の絶対値をＩＬ５とする。また、１０層以上の絶縁−配線回路複合層が形成されている場合に、１０層目の絶縁層の配線回路層（１０層目の配線回路層は信号層であることが好ましい）の伝送損失の絶対値をＩＬ１０とする。
【００７８】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板では、上記ＩＬ１の上記ＩＬ５に対する比（ＩＬ１／ＩＬ５）が、０．９６以上１．０５以下である。上記比（ＩＬ１／ＩＬ５）が０．９６未満であると、硬化後の加熱で樹脂成分の揮発が過度に生じていることがあり、その結果、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性が低下し、樹脂フィルム及び絶縁層の割れ又は欠けが生じることがある。また、上記比（ＩＬ１／ＩＬ５）が０．９６未満であると、上層に積層されていくことにより、内部にガスがたまり、ブリスターが生じることがある。上記比（ＩＬ１／ＩＬ５）が１．０５を超えると、多層プリント配線板の伝送性能が劣ることがある。
【００７９】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板では、上記ＩＬ１の上記ＩＬ５に対する比（ＩＬ１／ＩＬ５）は、好ましくは１．０３以下、より好ましくは１．０１以下である。上記比（ＩＬ１／ＩＬ５）が上記上限以下であると、多層プリント配線板の伝送性能をより一層高めることができる。
【００８０】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板では、上記ＩＬ１の上記ＩＬ１０に対する比（ＩＬ１／ＩＬ１０）は、好ましくは１．０３以下、より好ましくは１．０１以下である。上記比（ＩＬ１／ＩＬ１０）が上記上限以下であると、多層プリント配線板の伝送性能を更により一層高めることができる。
【００８１】
伝送性能をより一層高める観点からは、上記ＩＬ１は、好ましくは０．２ｄＢ／ｍｍ以下、より好ましくは０．１５ｄＢ／ｍｍ以下である。なお、伝送損失の測定結果は負の値であるが、上述したようにＩＬ１は１層目の配線回路層の伝送損失の絶対値であるため、０以上の数で表される。
【００８２】
本発明に係る樹脂フィルムは、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる樹脂フィルムとして、好適に用いられる。
【００８３】
上記樹脂フィルムは、Ｂステージフィルムであることが好ましい。
【００８４】
（多層プリント配線板、及び、多層プリント配線板の製造方法）
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００８５】
図１は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムを用いた多層プリント配線板を模式的に示す断面図である。
【００８６】
多層プリント配線板１は、基板１１と、配線回路層１２とを備える。多層プリント配線板１は、１層目の絶縁層１３と、１層目の配線回路層１４と、２層目の絶縁層１５と、２層目の配線回路層１６と、３層目の絶縁層１７と、３層目の配線回路層１８と、４層目の絶縁層１９と、４層目の配線回路層２０と、５層目の絶縁層２１と、５層目の配線回路層２２と、６層目の絶縁層２３と、６層目の配線回路層２４とを備える。多層プリント配線板１は、ソルダーレジスト膜３１を備える。基板１１と配線回路層１２とで、回路基板が構成されている。１層目の絶縁層１３と１層目の配線回路層１４とで、１層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。２層目の絶縁層１５と２層目の配線回路層１６とで、２層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。３層目の絶縁層１７と３層目の配線回路層１８とで、３層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。４層目の絶縁層１９と４層目の配線回路層２０とで、４層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。５層目の絶縁層２１と５層目の配線回路層２２とで、５層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。６層目の絶縁層２３と６層目の配線回路層２４とで、６層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。
【００８７】
基板１１は、穴１１ａを有する。穴１１ａはスルーホールである。基板１１は、絶縁基板である。
【００８８】
配線回路層１２，１４，１６，１８，２０，２２，２４は、金属層である。配線回路層１２は、電源層である。配線回路層１４，２４は、信号層である。配線回路層１６，１８，２０，２２は、電源層又はグランド層である。
【００８９】
ソルダーレジスト膜３１は、最表層を構成している。
【００９０】
配線回路層１２は、基板１１の表面上に配置されている。また、配線回路層１２は、基板１１の両側の表面上に部分的に配置されている。配線回路層１２は、基板１１の穴１１ａ内にも配置されている。穴１１ａ内に配置された配線回路層１２部分により、両側（下側は図示せず）の表面上に位置する配線回路層１２部分が導通されている。基板１１の穴１１ａは、ビアホールとも呼ばれる。
【００９１】
配線回路層１２の表面上に、絶縁層１３が積層されている。絶縁層１３は、配線回路層１２の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。穴はビアホールとも呼ばれる。
【００９２】
絶縁層１３の表面上に、配線回路層１４が配置されている。絶縁層１３と配線回路層１４とにより、１層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層１４は、絶縁層１３の配線回路層１２側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層１４は、絶縁層１３の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層１４部分により、配線回路層１２の表面と配線回路層１４の表面とが接続されている。配線回路層１２と配線回路層１４とは導通されている。
【００９３】
配線回路層１４の表面上に、絶縁層１５が積層されている。絶縁層１５は、配線回路層１４の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。
【００９４】
絶縁層１５の表面上に、配線回路層１６が配置されている。絶縁層１５と配線回路層１６とにより、２層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層１６は、絶縁層１５の配線回路層１４側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層１６は、絶縁層１５の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層１６部分により、配線回路層１４の表面と配線回路層１６の表面とが接続されている。配線回路層１４と配線回路層１６とは導通されている。
【００９５】
配線回路層１６の表面上に、絶縁層１７が積層されている。絶縁層１７は、配線回路層１６の表面が部分的に露出するように開口している穴を有する。
【００９６】
絶縁層１７の表面上に、配線回路層１８が配置されている。絶縁層１７と配線回路層１８とにより、３層目の絶縁−配線回路複合層が構成されている。配線回路層１８は、絶縁層１７の配線回路層１６側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。配線回路層１８は、絶縁層１７の穴内にも配置されている。穴内に配置された配線回路層１８部分により、配線回路層１６の表面と配線回路層１８の表面とが接続されている。配線回路層１６と配線回路層１８とは導通されている。
【００９７】
同様にして、４〜６層目の絶縁−配線回路複合層が形成されている。
【００９８】
なお、多層プリント配線板１では、１〜６層目の絶縁−配線回路複合層が形成されているが、７層目以降の絶縁−配線回路複合層が更に形成されてもよい。
【００９９】
また、回路基板自体が、絶縁層と配線回路層との絶縁−配線回路複合層を有していてもよい。特定の樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成する前の回路基板は、絶縁層と配線回路層との絶縁−配線回路複合層を有する回路基板であってもよい。上記樹脂フィルムにより形成する１層目の絶縁−配線回路複合層は、回路基板における絶縁−配線回路複合層に接するように形成されてもよい。本発明では、特定の樹脂フィルムを用いて、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成することができる。特定の樹脂フィルムを用いて、最初に形成する絶縁−配線回路複合層を、１層目の絶縁−配線回路複合層とする。
【０１００】
また、プリント配線板では、基板１１の両側にそれぞれ、絶縁−配線回路複合層を形成してもよい。
【０１０１】
次に、図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｆ）を参照しつつ、図１に示す多層プリント配線板１を得る方法を具体的に説明する。
【０１０２】
先ず、基板１１の表面上に、配線回路層１２が配置されている回路基板を用意する（図２（ａ））。
【０１０３】
上記回路基板の配線回路層１２の表面上に、樹脂フィルムを積層した後、加熱により硬化を進行させて、絶縁層１３Ａを形成する（図２（ｂ））。
【０１０４】
次に、絶縁層１３Ａにレーザー等を照射して、穴を有する絶縁層１３Ｂを得る（図２（ｃ））。上記レーザーとしては、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザー等が挙げられる。
【０１０５】
次に、絶縁層１３Ｂの穴内をデスミア処理して、穴内がデスミア処理された絶縁層１３を得る（図２（ｄ））。デスミア処理によって、穴内が洗浄され、上記スミアが除去される。デスミア処理を行う際に、絶縁層１３Ｂの表面の粗度を高めるために、絶縁層１３Ｂの表面を粗化処理することが好ましい。絶縁層１３の表面が粗化処理されていることが好ましい。絶縁層１３Ｂの表面の粗面化と、穴内の洗浄とが行われることが好ましい。
【０１０６】
上記デスミア処理と、絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とに同じ処理液を用いることが好ましく、上記デスミア処理と絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とは同時に行われることが好ましい。
【０１０７】
また、デスミア処理の後に、穴の開口から露出している配線回路層１２の表面（ランド部、粗化処理される表面）を粗化処理してもよい。それによって、表面が粗化処理された配線回路層１２を得ることができる。穴内を洗浄するためのデスミア処理と、配線回路層１２の表面を粗化処理するための粗化処理とは、別の工程として行われていてもよい。デスミア処理後の粗化処理によって、配線回路層１２の粗化処理された表面の粗度が大きくなる。この結果、配線回路層１２の表面と配線回路層１４の表面との接触界面の接触面積が大きくなる。従って、熱衝撃に対する配線回路層１２と配線回路層１４との間の導通信頼性が高くなる。例えば、得られる多層プリント配線板１において、配線回路層１２と配線回路層１４との接触界面において、クラックが生じ難くなる。
【０１０８】
次に、絶縁層１３の表面を無電解めっき処理することが好ましい。それによって、絶縁層１３の表面に導電性を付与し、絶縁層１３の表面上に電解めっきなどによって配線回路層１４を形成することが容易になる。
【０１０９】
次に、絶縁層１３の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、レジストパターン５１を形成する（図３（ａ））。但し、レジストパターン５１は必ずしも形成しなくてもよい。レジストパターン５１の形成によって、レジストパターン５１により覆われていない部分に、電気めっきなどを行うことで、絶縁層１３の表面上に、選択的に導体層（配線回路層）を形成できる。
【０１１０】
次に、電気めっき等を行うことで、絶縁層１３の表面上と絶縁層１３の穴内とに配線回路層１４を形成する（図３（ｂ））。デスミア処理後に粗化処理された配線回路層１２の表面と、配線回路層１４の表面とを接続することで、配線回路層１２と配線回路層１４とを導通させる。
【０１１１】
次に、レジストパターン５１を、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等で剥離して、除去する（図３（ｃ））。次いで、配線回路層１４形成時に形成した無電解銅めっき層を酸性エッチング液（例えば、ＪＣＵ社製「ＳＡＣプロセス」）にて除去する。このようにして、１層目の絶縁層１３と１層目の配線回路層１４とから構成される１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する。なお、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する際に、樹脂フィルムを本硬化させるために、樹脂フィルムは（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下の加熱温度で加熱される。樹脂フィルムの本硬化は、絶縁層１３Ａの形成時に行われてもよく、絶縁層１３上に配線回路層１４を形成した後に行われてもよい。
【０１１２】
次に、１層目の絶縁−配線回路複合層の表面上に、樹脂フィルムを積層した後、加熱により硬化を進行させて、絶縁層１５Ａを形成する（図４（ａ））。
【０１１３】
次に、絶縁層１５Ａにレーザー等を照射して、穴を有する絶縁層１５Ｂを得る（図４（ｂ））。
【０１１４】
次に、絶縁層１５Ｂの穴内をデスミア処理して、穴内がデスミア処理された絶縁層１５を得る（図４（ｃ））。デスミア処理によって、穴内が洗浄され、上記スミアが除去される。デスミア処理を行う際に、絶縁層１５Ｂの表面の粗度を高めるために、絶縁層１５Ｂの表面を粗化処理することが好ましい。
【０１１５】
上記デスミア処理と、絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とに同じ処理液を用いることが好ましく、上記デスミア処理と絶縁層の表面の粗度を高めるための上記粗化処理とは同時に行われることが好ましい。
【０１１６】
また、デスミア処理の後に、穴の開口から露出している配線回路層１４の表面（ランド部、粗化処理される表面）を粗化処理してもよい。それによって、表面が粗化処理された配線回路層１４を得ることができる。
【０１１７】
次に、絶縁層１５の表面を無電解めっき処理することが好ましい。それによって、絶縁層１５の表面に導電性を付与し、絶縁層１５の表面上に電解めっきなどによって配線回路層１６を形成することが容易になる。
【０１１８】
次に、絶縁層１５の表面上に、ドライフィルムレジストをラミネートして、レジストパターン５２を形成する（図４（ｄ））。
【０１１９】
次に、電気めっき等を行うことで、絶縁層１５の表面上と絶縁層１５の穴内とに配線回路層１６を形成する（図４（ｅ））。デスミア処理後に粗化処理された配線回路層１４の表面と、配線回路層１６の表面とを接続することで、配線回路層１４と配線回路層１６とを導通させる。
【０１２０】
次に、レジストパターン５２を、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等で剥離して、除去する（図４（ｆ））。このようにして、２層目の絶縁層１５と２層目の配線回路層１６とから構成される２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する。なお、２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する際に、樹脂フィルムを本硬化させるために、樹脂フィルムは（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下の加熱温度で加熱される。樹脂フィルムの本硬化は、絶縁層１５Ａの形成時に行われてもよく、絶縁層１５上に配線回路層１６を形成した後に行われてもよい。
【０１２１】
上記の工程を繰り返して、３層目以降の絶縁−配線回路複合層を形成する。このようにして、多層プリント配線板１を得ることができる。この多層プリント配線板１の製造方法において、２層目の絶縁層を形成する際には、１層目の絶縁層が、２層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。３層目の絶縁層を形成する際には、１層目の絶縁層及び２層目の絶縁層のそれぞれが、３層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。４層目の絶縁層を形成する際には、１層目の絶縁層、２層目の絶縁層及び３層目の絶縁層のそれぞれが、４層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。５層目の絶縁層を形成する際には、１層目の絶縁層、２層目の絶縁層、３層目の絶縁層及び４層目の絶縁層のそれぞれが、５層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。６層目の絶縁層を形成する際には、１層目の絶縁層、２層目の絶縁層、３層目の絶縁層、４層目の絶縁層及び５層目の絶縁層のそれぞれが、６層目の絶縁層を形成するための硬化環境に晒される。１層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数の回数で、硬化環境に晒される。２層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−１の回数で、硬化環境に晒される。３層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−２の回数で、硬化環境に晒される。４層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−３の回数で、硬化環境に晒される。５層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−４の回数で、硬化環境に晒される。６層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−５の回数で、硬化環境に晒される。ｎ層目の絶縁層は、形成する絶縁層の層数−（ｎ−１）の回数で、硬化環境に晒される。ＩＬ１のＩＬ５に対する比を、０．９６以上１．０５以下とすることで、伝送性能に優れる多層プリント配線板１を得ることができる。
【０１２２】
上記したプリント配線板の製造方法のように、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、回路基板上に、樹脂フィルムを用いて１層目の絶縁層を形成し、かつ該１層目の絶縁層上に１層目の配線回路層を形成して、１層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【０１２３】
上記１層目の絶縁層を形成するための上記樹脂フィルムは、回路基板の表面に配置された配線（回路）上に積層される。該樹脂フィルムは、回路基板上の配線回路層（金属層）部分及び該配線回路層（金属層）が形成されていない部分と接する。
【０１２４】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、１層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて２層目の絶縁層を形成し、かつ該２層目の絶縁層上に２層目の配線回路層を形成して、２層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【０１２５】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、２層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて３層目の絶縁層を形成し、かつ該３層目の絶縁層上に３層目の配線回路層を形成して、３層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【０１２６】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、３層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて４層目の絶縁層を形成し、かつ該４層目の絶縁層上に４層目の配線回路層を形成して、４層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【０１２７】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、４層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて５層目の絶縁層を形成し、かつ該５層目の絶縁層上に５層目の配線回路層を形成して、５層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【０１２８】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、５層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて６層目の絶縁層を形成し、かつ該６層目の絶縁層上に６層目の配線回路層を形成して、６層目の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を備える。
【０１２９】
本発明では、多層プリント配線板の絶縁−配線回路複合層の積層数は、６層に限られない。上記絶縁−配線回路複合層の積層数は、６層であってもよく、６層以上であってもよく、７層以上であってもよい。
【０１３０】
多層プリント配線板における絶縁−配線回路複合層の積層数が７層以上である場合において、ｎ層目（ｎは、７以上の整数）の絶縁−配線回路複合層は、（ｎ−１）層目の絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いてｎ層目の絶縁層を形成し、かつ該ｎ層目の絶縁層上にｎ層目の配線回路層を形成することで、形成することができる。
【０１３１】
上記絶縁−配線回路複合層の層数（すなわちｎ）は、７以上であることが好ましい。すなわち、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、絶縁−配線回路複合層上に、樹脂フィルムを用いて絶縁層を形成し、かつ該絶縁層上に配線回路層を形成する工程を繰り返すことにより、７層以上の絶縁−配線回路複合層を形成することが好ましい。
【０１３２】
上記絶縁−配線回路複合層の層数（すなわちｎ）は、好ましくは７以上、より好ましくは８以上、好ましくは２０以下、より好ましくは１５以下である。上記絶縁−配線回路複合層の層数（すなわちｎ）が上記下限以上及び上記上限以下であると、伝送性能をより一層高めることができる。
【０１３３】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、ｍ層目（ｍは、１以上の整数）の絶縁層を形成した（絶縁層形成工程）後、かつ、該ｍ層目の絶縁層上にｍ層目の配線回路層を形成する（配線回路層形成工程）前に、ビアホール形成工程、及びデスミア処理工程をこの順で備えることが好ましい。上記デスミア処理工程の前又は後に、膨潤処理工程が行われてもよく、粗化処理工程が行われてもよい。上記デスミア処理工程が、粗化処理工程を兼ねていてもよい。膨潤処理工程及び粗化処理工程は、ビアホール形成工程の前に行われてもよく、ビアホール形成工程の後に行われてもよい。以下、上記絶縁層形成工程、上記膨潤処理工程、上記粗化処理工程、上記ビアホール形成工程、上記デスミア処理工程、上記配線回路層形成工程、及び本硬化工程について、具体的に説明する。
【０１３４】
＜絶縁層形成工程＞
上記絶縁層は、樹脂フィルムを硬化させて形成される。配線回路層が形成される際の絶縁層は、樹脂フィルムの硬化を進行させることにより得られる。上記硬化は予備硬化であってもよく、本硬化であってもよい。上記硬化には、更に硬化が可能な予備硬化も含まれる。絶縁層の劣化を抑える観点からは、上記硬化は、予備硬化であることが好ましい。上記絶縁層は、樹脂フィルムの予備硬化物層であってもよく、樹脂フィルムの硬化物層であってもよい。上記絶縁層は、樹脂フィルムの予備硬化物層であることが好ましい。なお、上記絶縁層形成工程にて、上記硬化が予備硬化である場合には、後述の本硬化工程が行われることが好ましい。
【０１３５】
上記樹脂フィルムの硬化は、加熱によって行われる。
【０１３６】
上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを予備硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは９０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１９０℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、加熱に伴う溶剤や液状成分の急激な揮発を抑えることができる。
【０１３７】
上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを予備硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱時間は、好ましくは０．５時間以上、より好ましくは１時間以上、好ましくは２時間以下、より好ましくは１．７５時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理工程でのエッチングされる樹脂量を制御することができ、表面粗さを小さくすることができるため、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。
【０１３８】
上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下である。上記樹脂フィルムを本硬化させる場合における樹脂フィルムの加熱温度を上記の範囲とすることで、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。
【０１３９】
上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは１８５℃以上、更に好ましくは１９０℃以上、好ましくは２１０℃以下、より好ましくは２０５℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。また、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱温度は、好ましくは（Ｔ＋４０）℃以上、好ましくは（Ｔ＋６０）℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下をより一層効果的に抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能をより一層高めることができる。特に、本発明に係る樹脂フィルムは、１９０℃以上２００℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。
【０１４０】
上記絶縁層形成工程にて、上記樹脂フィルムを本硬化させる場合において、樹脂フィルムの加熱時間は、好ましくは０．５時間以上、より好ましくは１時間以上、好ましくは２時間以下、より好ましくは１．７５時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。
【０１４１】
上記樹脂フィルムの硬化は、窒素環境下で行われてもよく、大気環境下で行われてもよい。
【０１４２】
上記配線回路層は、めっき処理及びエッチング処理によって形成された配線回路であることが好ましい。上記配線回路層の形成方法は後述する。
【０１４３】
＜膨潤処理工程＞
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層を膨潤処理する工程（膨潤処理工程）を備えることが好ましい。上記膨潤処理を行うことにより、膨潤処理された絶縁層を得ることができる。上記膨潤処理工程を行うことにより、後述する粗化処理工程における粗化処理の効率が高くなる。なお、上記粗化処理工程を行う場合であっても、上記膨潤処理工程は、必ずしも行われなくてもよい。上記膨潤処理工程では、従来公知の膨潤処理方法を採用することができる。
【０１４４】
上記膨潤処理としては、エチレングリコール等を主成分とする化合物の水溶液又は有機溶媒分散溶液等の膨潤液により、絶縁層（樹脂フィルムの硬化物（予備硬化物））を処理する方法等が挙げられる。
【０１４５】
上記膨潤液は、一般にｐＨ調整剤などとして、アルカリを含む。上記膨潤液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。
【０１４６】
上記膨潤処理は、具体的には、例えば、４０重量％エチレングリコール水溶液等を含む膨潤液を用いて、温度３０℃〜８５℃で１分間〜３０分間、絶縁層を処理することにより行なわれる。上記膨潤処理の温度は５０℃以上８５℃以下であることが好ましい。上記膨潤処理の温度が低すぎると、膨潤処理に長時間を要し、更に絶縁層と配線回路層との接着強度が低くなる傾向がある。
【０１４７】
＜粗化処理工程＞
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層を粗化処理する工程（粗化処理工程）を備えることが好ましい。上記粗化処理を行うことにより、粗化処理された絶縁層を得ることができる。なお、上記膨潤処理工程が行われる場合には、膨潤処理された絶縁層に対して、上記粗化処理が行われる。上記粗化処理工程を行うことで、上記絶縁層（樹脂フィルムの硬化物（予備硬化物））の表面に小さい凹凸を形成することができる。上記粗化処理工程では、従来公知の粗化処理方法を採用することができる。
【０１４８】
上記粗化処理としては、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等に水又は有機溶剤が添加された粗化液により、絶縁層（樹脂フィルムの硬化物（予備硬化物））を処理する方法等が挙げられる。
【０１４９】
上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。
【０１５０】
上記粗化液は、一般にｐＨ調整剤などとしてアルカリを含む。上記粗化液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。
【０１５１】
上記粗化処理の温度は、４０℃以上８５℃以下であることが好ましい。上記粗化処理の時間は、５分間以上４５分間以下であることが好ましい。
【０１５２】
＜ビアホール形成工程＞
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記絶縁層にビアホールを形成する工程（ビアホール形成工程）を備えることが好ましい。本発明に係る多層プリント配線板の製造方法が、上記膨潤処理工程及び上記粗化処理工程を備える場合には、上記粗化処理工程の後に行われることが好ましい。上記ビアホール形成工程及び配線回路層形成工程等を行うことにより、ビアホールが形成された絶縁層を得ることができ、また、層間を電気的に接続することができる。上記ビアホール形成工程では、従来公知のビアホール形成方法を採用することができる。
【０１５３】
上記ビアホールは、レーザーを照射することにより形成されることが好ましい。
【０１５４】
上記レーザーとしては、ＣＯ２レーザー等が挙げられる。
【０１５５】
作業性の観点からは、上記レーザーはＣＯ２レーザーであることが好ましい。
【０１５６】
形成されるビアホールの直径は、特に限定されないが、好ましくは６０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下である。
【０１５７】
＜デスミア処理工程＞
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法は、上記ビアホール形成工程後にデスミア処理により、上記ビアホールの内部のスミアを除去する工程（デスミア処理工程）を備えることが好ましい。上記デスミア処理を行うことにより、デスミア処理された絶縁層を得ることができる。上記デスミア処理を行うことにより、上記ビアホール形成工程で形成された樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアを効果的に除去することができる。
【０１５８】
上記デスミア処理としては、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物等の化学酸化剤等に水又は有機溶剤が添加されたデスミア処理液により、絶縁層（樹脂フィルムの硬化物（予備硬化物））を処理する方法等が挙げられる。
【０１５９】
上記デスミア処理液は、一般にアルカリを含む。上記デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。
【０１６０】
上記デスミア処理工程は、上記粗化処理工程を兼ねていてもよい。
【０１６１】
上記デスミア処理の温度は、６０℃以上１００℃以下であることが好ましい。上記デスミア処理の時間は、５分間以上４５分間以下であることが好ましい。
【０１６２】
＜配線回路層形成工程＞
上記配線回路層の形成は、無電解めっき工程、電解めっき工程、及びエッチング工程により行われることが好ましい。上記無電解めっき工程により、上記ビアホール内をめっき加工でき、層間を電気的に接続することができる。上記電解めっき工程及び上記エッチング工程により、配線回路（配線回路層）を良好に形成することができる。
【０１６３】
上記無電解めっき工程は、無電解銅めっき工程であることが好ましい。
【０１６４】
上記無電解銅めっき工程は、従来公知の無電解銅めっき方法を採用することができる。
【０１６５】
上記無電解銅めっき工程で用いられる化学銅液としては、アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ」、アトテックジャパン社製「カッパープリントガントＭＳＫ」、アトテックジャパン社製「スタビライザープリントガントＭＳＫ」、及びアトテックジャパン社製「リデューサーＣｕ」の混合液等が挙げられる。
【０１６６】
上記電解めっき工程は、電解銅めっき工程であることが好ましい。
【０１６７】
上記電解銅めっき工程は、従来公知の電解銅めっき方法を採用することができる。
【０１６８】
上記電解銅めっきの方法としては、パネルめっき法及びパターンめっき法等のサブトラクティブ法、並びにセミアディティブ法等が挙げられる。
【０１６９】
上記電解銅めっき工程で用いられる硫酸銅水溶液としては、和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド  ＨＬ」、及びアトテックジャパン社製「補正剤カパラシド  ＧＳ」の混合液等が挙げられる。
【０１７０】
上記エッチング工程は、従来公知のエッチング方法を採用することができる。
【０１７１】
上記エッチング工程で用いられるエッチング液としては、１５０ｇ／Ｌの過硫酸ナトリウムを含む酸性エッチング液等が挙げられる。
【０１７２】
＜本硬化工程＞
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、上記絶縁層形成工程にて、樹脂フィルムが予備硬化されている場合には、絶縁層上に配線回路層が形成された後、以下の本硬化工程を備える。なお、上記絶縁層形成工程にて、樹脂フィルムが本硬化されている場合には、以下の本硬化工程は備えなくてよい。
【０１７３】
上記本硬化工程における絶縁層の硬化は、加熱によって行われる。
【０１７４】
上記本硬化工程における加熱温度は、（Ｔ＋３０）℃以上（Ｔ＋８０）℃以下である。上記樹脂フィルムを本硬化させる場合における樹脂フィルムの加熱温度を上記の範囲とすることで、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。
【０１７５】
本硬化工程における加熱温度は、上記絶縁層形成工程にて上記樹脂フィルムを予備硬化させるための加熱温度よりも高い温度であることが好ましく、上記絶縁層形成工程にて上記樹脂フィルムを予備硬化させるための加熱温度よりも１００℃未満で高い温度であることが好ましい。
【０１７６】
上記本硬化工程における加熱温度は、好ましくは１８０℃以上、より好ましくは１８５℃以上、更に好ましくは１９０℃以上、好ましくは２１０℃以下、より好ましくは２０５℃以下、更に好ましくは２００℃以下である。また、上記本硬化工程における加熱温度は、好ましくは（Ｔ＋４０）℃以上、好ましくは（Ｔ＋６０）℃以下である。上記加熱温度が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。特に、本発明に係る樹脂フィルムは、１９０℃以上２００℃以下で加熱することにより、樹脂フィルムを本硬化させて絶縁層を形成するために好適に用いられる。
【０１７７】
上記本硬化工程における加熱時間は、好ましくは０．５時間以上、より好ましくは１時間以上、好ましくは２時間以下、より好ましくは１．７５時間以下である。上記加熱時間が上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層の電気特性の低下を抑えることができ、得られる多層プリント配線板の伝送性能を高めることができる。
【０１７８】
本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、例えば、上記絶縁層形成工程、上記膨潤処理工程、上記粗化処理工程、上記ビアホール形成工程、上記デスミア処理工程、上記配線回路層形成工程、及び本硬化工程を繰り返すことにより、多層プリント配線板を得ることができる。
【０１７９】
なお、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法では、最後の絶縁−配線回路複合層を形成する工程を行った後、上記本硬化工程と同様の条件にて、更に絶縁−配線回路複合層が加熱されていてもよい。
【０１８０】
以下、本発明に係る多層プリント配線板の製造方法及び多層プリント配線板に用いられる樹脂フィルム及び本発明に係る樹脂フィルムの各成分の詳細、並びに本発明に係る樹脂フィルムの用途などを説明する。
【０１８１】
［熱硬化性化合物］
上記樹脂フィルムは、熱硬化性化合物を含む。上記熱硬化性化合物としては、スチレン化合物、フェノキシ化合物、オキセタン化合物、エポキシ化合物、マレイミド化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、ポリフェニレンエーテル化合物、ジビニルベンジルエーテル化合物、ポリアリレート化合物、ジアリルフタレート化合物、ベンゾオキサゾール化合物、アクリレート化合物及びシリコーン化合物等が挙げられる。上記熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１８２】
伝送性能を高める観点からは、上記熱硬化性化合物は、上記エポキシ化合物又は上記マレイミド化合物を含むこと好ましく、上記エポキシ化合物を含むことがより好ましい。
【０１８３】
伝送性能を高める観点からは、上記マレイミド化合物は、アルキルマレイミド化合物であることが好ましい。
【０１８４】
上記エポキシ化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニル型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、ビフェノール型エポキシ化合物、ナフタレン型エポキシ化合物、フルオレン型エポキシ化合物、フェノールアラルキル型エポキシ化合物、ナフトールアラルキル型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、アントラセン型エポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ化合物、ナフチレンエーテル型エポキシ化合物、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ化合物等が挙げられる。
【０１８５】
誘電正接をより一層低くし、かつ硬化物の熱線膨張係数(ＣＴＥ)を良好にする観点からは、上記エポキシ化合物は、芳香族骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、ナフタレン骨格又はフェニル骨格を有するエポキシ化合物を含むことが好ましく、芳香族骨格を有するエポキシ化合物であることがより好ましい。
【０１８６】
誘電正接をより一層低くし、かつ硬化物の熱線膨張係数(ＣＴＥ)を良好にする観点、樹脂フィルム及び絶縁層の柔軟性を高める観点からは、上記エポキシ化合物は、２５℃で液状のエポキシ化合物と、２５℃で固形のエポキシ化合物とを含むことが好ましい。
【０１８７】
上記２５℃で液状のエポキシ化合物の２５℃での粘度は、１０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、５００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましい。
【０１８８】
上記エポキシ化合物の粘度を測定する際には、例えば動的粘弾性測定装置（レオロジカ・インスツルメンツ社製「ＶＡＲ−１００」）等が用いられる。
【０１８９】
上記エポキシ化合物の分子量は１０００以下であることがより好ましい。この場合には、樹脂フィルム中の溶剤を除く成分１００重量％、無機充填材の含有量が５０重量％以上であっても、絶縁層の形成時に流動性が高い樹脂材料が得られる。このため、樹脂フィルムの未硬化物又はＢステージ化物を回路基板上にラミネートした場合に、無機充填材を均一に存在させることができる。
【０１９０】
上記エポキシ化合物の分子量は、上記エポキシ化合物が重合体ではない場合、及び上記エポキシ化合物の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記エポキシ化合物が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。
【０１９１】
硬化物と配線回路層との接着強度をより一層高める観点からは、樹脂フィルム中の溶剤を除く成分１００重量％中、上記エポキシ化合物の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、好ましくは６０重量％以下、より好ましくは５０重量％以下である。
【０１９２】
［無機充填材］
上記樹脂フィルムは、無機充填材を含む。上記無機充填材の使用により、硬化物の誘電正接がより一層低くなり、電気特性を高めることができる。また、上記無機充填材の使用により、硬化物の熱による寸法変化がより一層小さくなる。上記無機充填材は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１９３】
上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び窒化ホウ素等が挙げられる。
【０１９４】
硬化物の表面の表面粗さを小さくし、硬化物と配線回路層との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ硬化物により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、硬化物の熱膨張率がより一層低くなり、また、硬化物の誘電正接がより一層低くなる。また、シリカの使用により、硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は球状であることが好ましい。
【０１９５】
硬化環境によらず、樹脂の硬化を進め、硬化物のガラス転移温度を効果的に高くし、硬化物の熱線膨張係数を効果的に小さくする観点からは、上記無機充填材は球状シリカであることが好ましい。
【０１９６】
上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは５００ｎｍ以上、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは２μｍ以下、更に好ましくは１μｍ以下である。上記無機充填材の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理後の硬化物の表面の表面粗さを制御しやすく、絶縁層と配線回路層との密着性をより一層高めることができる。
【０１９７】
上記無機充填材の平均粒径として、５０％となるメディアン径（ｄ５０）の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定可能である。
【０１９８】
上記無機充填材は、球状であることが好ましく、球状シリカであることがより好ましい。この場合には、硬化物の表面の表面粗さが効果的に小さくなり、更に硬化物と配線回路層との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材が球状である場合には、上記無機充填材のアスペクト比は好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下である。
【０１９９】
上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤による表面処理物であることがより好ましく、シランカップリング剤による表面処理物であることが更に好ましい。上記無機充填材が表面処理されていることにより、粗化硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度がより一層高くなる。また、上記無機充填材が表面処理されていることにより、硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができ、かつより一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性を硬化物に付与することができる。
【０２００】
上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン、及びエポキシシラン等が挙げられる。
【０２０１】
樹脂フィルム中の溶剤を除く成分１００重量％中、上記無機充填材の含有量は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上、更に好ましくは６５重量％以上、特に好ましくは６８重量％以上、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下、更に好ましくは７５重量％以下、特に好ましくは７３重量％以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上であると、誘電正接が効果的に低くなる。上記無機充填材の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくすることができ、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成することができる。さらに、この無機充填材量であれば、硬化物の熱膨張率を低くすることと同時に、スミア除去性を良好にすることも可能である。
【０２０２】
［硬化剤］
上記樹脂フィルムは、硬化剤を含むことが好ましい。上記硬化剤は特に限定されない。上記硬化剤として、従来公知の硬化剤を使用可能である。上記硬化剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２０３】
上記硬化剤としては、アミン化合物（アミン硬化剤）、チオール化合物（チオール硬化剤）、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物、ジシアンジアミド、フェノール化合物（フェノール硬化剤）、シアネート化合物（シアネート硬化剤）、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物（カルボジイミド硬化剤）、及びベンゾオキサジン化合物（ベンゾオキサジン硬化剤）等が挙げられる。上記硬化剤は、上記エポキシ化合物のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。
【０２０４】
熱寸法安定性をより一層高める観点、誘電正接を低下させる観点から、上記硬化剤は、フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも１種の成分を含むことが好ましい。すなわち、上記樹脂フィルムは、フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも１種の成分を含む硬化剤を含むことが好ましい。
【０２０５】
本明細書において、「フェノール化合物、シアネート化合物、酸無水物、活性エステル化合物、カルボジイミド化合物、及びベンゾオキサジン化合物の内の少なくとも１種の成分」を「成分Ｘ」と記載することがある。
【０２０６】
したがって、上記樹脂フィルムは、成分Ｘを含む硬化剤を含むことが好ましい。上記成分Ｘは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２０７】
上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。
【０２０８】
上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール（ＤＩＣ社製「ＴＤ−２０９１」）、ビフェニルノボラック型フェノール（明和化成社製「ＭＥＨ−７８５１」）、アラルキル型フェノール化合物（明和化成社製「ＭＥＨ−７８００」）、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール（ＤＩＣ社製「ＬＡ１３５６」及び「ＬＡ３０１８−５０Ｐ」）等が挙げられる。
【０２０９】
上記シアネート化合物は、シアネートエステル化合物（シアネートエステル硬化剤）であってもよい。
【０２１０】
上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＥ型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
【０２１１】
上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン社製「ＰＴ−３０」及び「ＰＴ−６０」）、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」、「ＢＡ−３０００Ｓ」、「ＢＴＰ−１０００Ｓ」及び「ＢＴＰ−６０２０Ｓ」）等が挙げられる。
【０２１２】
上記酸無水物としては、テトラヒドロフタル酸無水物、及びアルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体等が挙げられる。
【０２１３】
上記酸無水物の市販品としては、新日本理化社製「リカシッド  ＴＤＡ−１００」等が挙げられる。
【０２１４】
上記活性エステル化合物とは、構造体中にエステル結合を少なくとも１つ含み、かつ、エステル結合の両側に脂肪族鎖、脂肪族環又は芳香族環が結合している化合物をいう。活性エステル化合物は、例えばカルボン酸化合物又はチオカルボン酸化合物と、ヒドロキシ化合物又はチオール化合物との縮合反応によって得られる。活性エステル化合物の例としては、下記式（１）で表される化合物が挙げられる。
【０２１５】
【化１】
2020036010.tif 000003
【０２１６】
上記式（１）中、Ｘ１は、脂肪族鎖を含む基、脂肪族環を含む基又は芳香族環を含む基を表し、Ｘ２は、芳香族環を含む基を表す。上記芳香族環を含む基の好ましい例としては、置換基を有していてもよいベンゼン環、及び置換基を有していてもよいナフタレン環等が挙げられる。上記置換基としては、炭化水素基が挙げられる。該炭化水素基の炭素数は、好ましくは１２以下、より好ましくは６以下、更に好ましくは４以下である。
【０２１７】
Ｘ１及びＸ２の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいベンゼン環との組み合わせ、置換基を有していてもよいベンゼン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。さらに、Ｘ１及びＸ２の組み合わせとしては、置換基を有していてもよいナフタレン環と、置換基を有していてもよいナフタレン環との組み合わせが挙げられる。
【０２１８】
上記活性エステル化合物は特に限定されない。熱寸法安定性及び難燃性をより一層高める観点からは、上記活性エステルは、２個以上の芳香族骨格を有する活性エステル化合物であることが好ましい。硬化物の誘電正接を低くし、かつ硬化物の熱寸法安定性を高める観点から、活性エステルの主鎖骨格中にナフタレン環を有することがより好ましい。
【０２１９】
上記活性エステル化合物の市販品としては、ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」、「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」及び「ＥＸＢ８１００−６５Ｔ」等が挙げられる。
【０２２０】
上記カルボジイミド化合物は、下記式（２）で表される構造単位を有する。下記式（２）において、右端部及び左端部は、他の基との結合部位である。上記カルボジイミド化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２２１】
【化２】
2020036010.tif 000004
【０２２２】
上記式（２）中、Ｘは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、シクロアルキレン基に置換基が結合した基、アリーレン基、又はアリーレン基に置換基が結合した基を表し、ｐは１〜５の整数を表す。Ｘが複数存在する場合、複数のＸは同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０２２３】
好適な一つの形態において、少なくとも１つのＸは、アルキレン基、アルキレン基に置換基が結合した基、シクロアルキレン基、又はシクロアルキレン基に置換基が結合した基である。
【０２２４】
上記カルボジイミド化合物の市販品としては、日清紡ケミカル社製「カルボジライト  Ｖ−０２Ｂ」、「カルボジライト  Ｖ−０３」、「カルボジライト  Ｖ−０４Ｋ」、「カルボジライト  Ｖ−０７」、「カルボジライト  Ｖ−０９」、「カルボジライト  １０Ｍ−ＳＰ」、及び「カルボジライト  １０Ｍ−ＳＰ（改）」、並びに、ラインケミー社製「スタバクゾールＰ」、「スタバクゾールＰ４００」、及び「ハイカジル５１０」等が挙げられる。
【０２２５】
上記ベンゾオキサジン化合物としては、Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン、及びＦ−ａ型ベンゾオキサジン等が挙げられる。
【０２２６】
上記ベンゾオキサジン化合物の市販品としては、四国化成工業社製「Ｐ−ｄ型」等が挙げられる。
【０２２７】
上記熱硬化性化合物１００重量部に対して、上記成分Ｘの含有量は、好ましくは７０重量部以上、より好ましくは８５重量部以上、好ましくは１５０重量部以下、より好ましくは１２０重量部以下である。上記成分Ｘの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高め、残存未反応成分の揮発をより一層抑制できる。
【０２２８】
上記樹脂フィルム中の無機充填材及び溶剤を除く成分１００重量％中、上記熱硬化性化合物と上記成分Ｘとの合計の含有量は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは６０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下である。上記熱硬化性化合物と上記成分Ｘとの合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化性により一層優れ、熱寸法安定性をより一層高めることができる。
【０２２９】
［硬化促進剤］
上記樹脂フィルムは、硬化促進剤を含むことが好ましい。上記硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。樹脂フィルムを速やかに硬化させることで、硬化物における架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。上記硬化促進剤は特に限定されず、従来公知の硬化促進剤を使用可能である。上記硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２３０】
上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物等のアニオン性硬化促進剤、アミン化合物等のカチオン性硬化促進剤、並びにリン化合物及び有機金属化合物等のアニオン性及びカチオン性硬化促進剤以外の硬化促進剤等が挙げられる。
【０２３１】
上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
【０２３２】
上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン、４，４−ジメチルアミノピリジン及びジアザビシクロノネン等が挙げられる。
【０２３３】
上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。
【０２３４】
上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。
【０２３５】
硬化温度をより一層低く抑える観点からは、上記硬化促進剤は、上記アニオン性硬化促進剤を含むことが好ましく、上記イミダゾール化合物を含むことがより好ましい。
【０２３６】
硬化温度をより一層低く抑える観点からは、上記硬化促進剤１００重量％中、上記アニオン性硬化促進剤の含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上、最も好ましくは１００重量％（全量）である。
【０２３７】
上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。樹脂フィルム中の無機充填材及び溶剤を除く成分１００重量％中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．０５重量％以上、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂フィルムが効率的に硬化する。上記硬化促進剤の含有量がより好ましい範囲であれば、樹脂フィルムの保存安定性がより一層高くなり、かつより一層良好な硬化物が得られる。
【０２３８】
［熱可塑性樹脂］
上記樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。上記熱可塑性樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド等が挙げられる。ポリイミドは、可溶性ポリイミドであることが好ましく、樹脂フィルム中の他の成分に可溶であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２３９】
硬化環境によらず、誘電正接を効果的に低くし、かつ、金属配線の密着性を効果的に高める観点からは、上記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂又はポリイミドであることが好ましい。フェノキシ樹脂又はポリイミドの使用により、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性の悪化及び無機充填材の不均一化が抑えられる。また、フェノキシ樹脂又は可溶性ポリイミドの使用により、溶融粘度を調整可能であるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で、意図しない領域に樹脂組成物又はＢステージ化物が濡れ拡がり難くなる。
【０２４０】
上記樹脂フィルムに含まれているフェノキシ樹脂は特に限定されない。上記フェノキシ樹脂として、従来公知のフェノキシ樹脂を使用可能である。上記フェノキシ樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２４１】
上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型の骨格、ビスフェノールＦ型の骨格、ビスフェノールＳ型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、ナフタレン骨格及びイミド骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。
【０２４２】
上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵住金化学社製の「ＹＰ５０」、「ＹＰ５５」及び「ＹＰ７０」、並びに三菱化学社製の「１２５６Ｂ４０」、「４２５０」、「４２５６Ｈ４０」、「４２７５」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」及び「ＹＸ８１００ＢＨ３０」等が挙げられる。
【０２４３】
保存安定性により一層優れた樹脂フィルムを得る観点からは、上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、好ましくは５０００以上、より好ましくは１００００以上、好ましくは１０００００以下、より好ましくは５００００以下である。
【０２４４】
上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。
【０２４５】
上記熱可塑性樹脂及び上記フェノキシ樹脂の含有量は特に限定されない。樹脂フィルム中の上記無機充填材及び上記溶剤を除く成分１００重量％中、上記熱可塑性樹脂の含有量（上記熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量）は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下である。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、樹脂フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性が良好になる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、樹脂フィルムの形成がより一層容易になり、より一層良好な絶縁層が得られる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の熱膨張率がより一層低くなる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物の表面の表面粗さがより一層小さくなり、硬化物と配線回路層との接着強度がより一層高くなる。
【０２４６】
［溶剤］
上記樹脂フィルムは、溶剤を含まないか又は含む。上記溶剤の使用により、樹脂フィルムの粘度を好適な範囲に制御でき、樹脂フィルムの塗工性を高めることができる。また、上記溶剤は、上記無機充填材を含むスラリーを得るために用いられてもよい。上記溶剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２４７】
上記溶剤としては、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノール、２−プロパノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、２−アセトキシ−１−メトキシプロパン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチル−ピロリドン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン及び混合物であるナフサ等が挙げられる。
【０２４８】
上記溶剤の多くは、上記樹脂組成物をフィルム状に成形するときに、除去されることが好ましい。従って、上記溶剤の沸点は好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。上記樹脂組成物における上記溶剤の含有量は特に限定されない。上記樹脂組成物の塗工性などを考慮して、上記溶剤の含有量は適宜変更可能である。
【０２４９】
［他の成分］
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記樹脂フィルムには、レベリング剤、難燃剤、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤、及び揺変性付与剤等を添加してもよい。
【０２５０】
上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、ビニルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。
【０２５１】
（樹脂フィルム）
樹脂組成物をフィルム状に成形することにより樹脂フィルム（Ｂステージ化物／Ｂステージフィルム）が得られる。上記樹脂フィルムは、Ｂステージフィルムであることが好ましい。上記樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂フィルムであることが好ましい。
【０２５２】
樹脂組成物をフィルム状に成形して、樹脂フィルムを得る方法としては、以下の方法が挙げられる。押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Ｔダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法。溶剤を含む樹脂組成物をキャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法。従来公知のその他のフィルム成形法。薄型化に対応可能であることから、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。
【０２５３】
樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば５０℃〜１５０℃で１分間〜１０分間加熱乾燥させることにより、Ｂステージフィルムである樹脂フィルムを得ることができる。
【０２５４】
上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂組成物をＢステージフィルムと称する。上記Ｂステージフィルムは、半硬化状態にある。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。
【０２５５】
上記樹脂フィルムは、プリプレグでなくてもよい。上記樹脂フィルムがプリプレグではない場合には、ガラスクロス等に沿ってマイグレーションが生じなくなる。また、樹脂フィルムをラミネート又はプレキュアする際に、表面にガラスクロスに起因する凹凸が生じなくなる。上記樹脂フィルムは、金属箔又は基材と、該金属箔又は基材の表面に積層された樹脂フィルムとを備える積層フィルムの形態で用いることができる。上記金属箔は銅箔であることが好ましい。
【０２５６】
上記積層フィルムの上記基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルム等のオレフィン樹脂フィルム、及びポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理されていてもよい。
【０２５７】
樹脂フィルムの硬化度をより一層均一に制御する観点からは、上記樹脂フィルムの厚さは、好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは２００μｍ以下である。上記樹脂フィルムを回路の絶縁層として用いる場合、上記樹脂フィルムにより形成された絶縁層の厚さは、回路を形成する導体層（配線回路層）の厚さ以上であることが好ましい。上記絶縁層の厚さは、好ましくは５μｍ以上であり、好ましくは２００μｍ以下である。
【０２５８】
上記樹脂フィルムの硬化物の表面の算術平均粗さＲａは好ましくは１０ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ未満、より好ましくは２００ｎｍ未満、更に好ましくは１５０ｎｍ未満である。この場合には、硬化物と配線回路層との接着強度が高くなり、更に絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、導体損失を抑えることができ、信号損失を低く抑えることができる。上記算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：１９９４に準拠して測定される。
【０２５９】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０２６０】
（熱硬化性化合物）
エポキシ化合物：
ビフェニル型エポキシ化合物（日本化薬社製「ＮＣ−３０００」）
ナフタレン型エポキシ化合物（ＤＩＣ社製「ＨＰ−４０３２Ｄ」）
ナフトールアラルキル型エポキシ化合物（新日鐵住金化学社製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）
マレイミド化合物：
Ｎ−フェニルマレイミド化合物（大和化成工業社製「ＢＭＩ−４０００」）
Ｎ−アルキルビスマレイミド化合物（Ｄｅｓｉｇｎｅｒ  Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  Ｉｎｃ．製「ＢＭＩ−１５００」）
【０２６１】
（無機充填材）
シリカ含有スラリー（シリカ７５重量％：アドマテックス社製「ＳＣ４０５０−ＨＯＡ」、平均粒径１．０μｍ、アミノシラン処理、シクロヘキサノン２５重量％）
【０２６２】
（硬化剤）
成分Ｘ：
フェノールノボラック化合物（ＤＩＣ社製「ＬＡ−１３５６」）
活性エステル化合物含有液（ＤＩＣ社製「ＥＸＢ−９４１６−７０ＢＫ」、固形分７０重量％）
カルボジイミド化合物含有液（日清紡ケミカル社製「Ｖ−０３」、固形分５０重量％）
ベンゾオキサジン化合物（四国化成工業社製「Ｐ−ｄ型」）
【０２６３】
（硬化促進剤）
ジアザビシクロノネン（ＤＢＮ）
ジメチルアミノピリジン（和光純薬工業社製「ＤＭＡＰ」）
イミダゾール化合物（２−フェニル−４−メチルイミダゾール、四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」、アニオン性硬化促進剤）
【０２６４】
（熱可塑性樹脂）
ポリイミド化合物（可溶性ポリイミド）：
テトラカルボン酸二無水物とダイマージアミンとの反応物であるポリイミド含有溶液（不揮発分２６．８重量％）を以下の合成例１に従って合成した。
【０２６５】
（合成例１）
撹拌機、分水器、温度計及び窒素ガス導入管を備えた反応容器に、テトラカルボン酸二無水物（ＳＡＢＩＣジャパン合同会社製「ＢｉｓＤＡ−１０００」）３００．０ｇと、シクロヘキサノン６６５．５ｇとを入れ、反応容器中の溶液を６０℃まで加熱した。次いで、反応容器中に、ダイマージアミン（クローダジャパン社製「ＰＲＩＡＭＩＮＥ１０７５」）８９．０ｇと、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン（三菱ガス化学社製）５４．７ｇとを滴下した。次いで、反応容器中に、メチルシクロヘキサン１２１．０ｇと、エチレングリコールジメチルエーテル４２３．５ｇとを添加し、１４０℃で１０時間かけてイミド化反応を行った。このようにして、ポリイミド化合物含有溶液（不揮発分２６．８重量％）を得た。得られたポリイミド化合物の分子量（下記のＧＰＣ測定により求められる重量平均分子量）は２００００であった。なお、酸成分／アミン成分のモル比は１．０４であった。
【０２６６】
ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定：
島津製作所社製高速液体クロマトグラフシステムを使用し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を展開媒として、カラム温度４０℃、流速１．０ｍｌ／分で測定を行った。検出器として「ＳＰＤ−１０Ａ」を用い、カラムはＳｈｏｄｅｘ社製「ＫＦ−８０４Ｌ」（排除限界分子量４００，０００）を２本直列につないで使用した。標準ポリスチレンとして、東ソー社製「ＴＳＫスタンダードポリスチレン」を用い、重量平均分子量Ｍｗ＝３５４，０００、１８９，０００、９８，９００、３７，２００、１７，１００、９，８３０、５，８７０、２，５００、１，０５０、５００の物質を使用して較正曲線を作成し、分子量の計算を行った。
【０２６７】
（実施例１〜３及び比較例１，２）
下記の表１に示す成分を下記の表１に示す配合量（単位は固形分重量部）で配合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、樹脂材料を得た。
【０２６８】
樹脂フィルムの作製：
アプリケーターを用いて、離型処理されたＰＥＴフィルム（東レ社製「ＸＧ２８４」、厚み２５μｍ）の離型処理面上に得られた樹脂材料を塗工した後、１００℃のギヤオーブン内で３分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、ＰＥＴフィルム上に、厚さが４０μｍである樹脂フィルム（Ｂステージフィルム）が積層されている積層フィルム（ＰＥＴフィルムと樹脂フィルムとの積層フィルム）を得た。
【０２６９】
（評価）
（１）ピーク温度Ｔ
得られた樹脂フィルム（Ｂステージフィルム）の硬化に伴う発熱ピークを、示差走査熱量測定装置（ＴＡ・インスツルメント社製「Ｑ２０００」）を用いて評価した。専用アルミパンに樹脂フィルム８ｍｇを取り、専用治具を用いて蓋をした。この専用アルミパンと空のアルミパン（リファレンス）とを加熱ユニット内に設置し、昇温速度３℃／分で−３０℃から２５０℃まで窒素雰囲気下で加熱を行い、リバースヒートフロー及びノンリバースヒートフローの観測を行った。ノンリバースヒートフローにおいて観測される発熱ピークを樹脂フィルムの発熱ピークとした。得られた発熱ピークにおいて、１３０℃以上２００℃以下に発熱ピークトップ温度を有する発熱ピークのうち、最大ピーク高さを有する発熱ピークのピーク温度Ｔを求めた。
【０２７０】
（２）誘電正接
得られた樹脂フィルムを幅２ｍｍ、長さ８０ｍｍの大きさに裁断して５枚を重ね合わせて、厚み２００μｍの積層体を得た。
【０２７１】
得られた積層体を１３０℃で１時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物（１）を得た。
【０２７２】
得られた積層体を１３０℃で１時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、（Ｔ＋５０）℃で７．５時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物（２）を得た（樹脂フィルムの硬化物（１）を得た加熱時間よりも５倍長い加熱時間）。
【０２７３】
得られた積層体を１３０℃で１時間加熱して、予備硬化された樹脂フィルムを得た。この樹脂フィルムを、（Ｔ＋５０）℃で１５時間加熱して、樹脂フィルムの硬化物（３）を得た（樹脂フィルムの硬化物（１）を得た加熱時間よりも１０倍長い加熱時間）。
【０２７４】
なお、上記硬化温度における上記Ｔは、ピーク温度Ｔを意味する。また、樹脂フィルムの硬化は表１に示すように、大気環境下又は窒素環境下で行った。
【０２７５】
得られた樹脂フィルムの硬化物（１）〜（３）について、関東電子応用開発社製「空洞共振摂動法誘電率測定装置ＣＰ５２１」及びキーサイトテクノロジー社製「ネットワークアナライザーＮ５２２４Ａ  ＰＮＡ」を用いて、空洞共振法で常温（２３℃）にて、周波数１０ＧＨｚにて誘電正接を測定した。
【０２７６】
測定された樹脂フィルムの硬化物（１）の誘電正接Ｄｆ１．５ｈと、樹脂フィルムの硬化物（２）の誘電正接Ｄｆ７．５ｈと、樹脂フィルムの硬化物（３）の誘電正接Ｄｆ１５ｈとから、以下を算出した。
【０２７７】
Ｄｆ７．５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）
Ｄｆ１５ｈのＤｆ１．５ｈに対する比（Ｄｆ１５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）
【０２７８】
［誘電正接の判定基準］
Ａ：比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９以上１．１５以下
Ｂ：比（Ｄｆ７．５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９未満、又は、１．１５を超える
Ａ：比（Ｄｆ１５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９以上１．２以下
Ｂ：比（Ｄｆ１５ｈ／Ｄｆ１．５ｈ）が、０．９未満、又は、１．２を超える
【０２７９】
（３）伝送損失
伝送損失測定用の評価基板（銅張積層板と６層の絶縁−配線回路複合層とを備える評価基板）を下記に従い作製した。
【０２８０】
１層目の絶縁−配線回路複合層の形成：
（ａ１）ラミネート工程：
両面銅張積層板（各面の銅箔の厚み１８μｍ、基板の厚み０．７ｍｍ、基板サイズ１００ｍｍ×１００ｍｍ、日立化成社製「ＭＣＬ−Ｅ６７９ＦＧ」）を用意した。この両面銅張積層板の銅箔面の両面をメック社製「Ｃｚ８１０１」に浸漬して、銅箔の表面を粗化処理した。粗化処理された銅張積層板の両面に、名機製作所社製「バッチ式真空ラミネーターＭＶＬＰ−５００／６００−ＩＩＡ」を用いて、積層フィルムの樹脂フィルム（Ｂステージフィルム）側を銅張積層板上に重ねてラミネートした。ラミネートの条件は、３０秒減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後３０秒間、１００℃及び圧力０．４ＭＰａでプレスする条件とした。ＰＥＴフィルムを剥がした後１３０℃で６０分間加熱し、樹脂フィルムを半硬化（予備硬化）させた。このようにして、ＣＣＬ基板に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体（１）を得た。
【０２８１】
（ｂ１）ビアホール形成工程：
ＣＯ２レーザー加工機（ビアメカニクス社製「ＬＣ−４ＫＦ２１２」）を用いて、バーストモード、エネルギー０．４ｍＪ、パルス２７μｓｅｃ、３ショットの条件で、直径約６０μｍのビアホールを形成した。
【０２８２】
（ｃ１）デスミア処理及び粗化処理：
（ｃ１−１）膨潤処理：
６０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントＰ」）に、得られた積層体（１）を入れて、１０分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。
【０２８３】
（ｃ１−２）過マンガン酸塩処理（粗化処理及びデスミア処理）：
８０℃の過マンガン酸カリウム（アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトＣＰ」）粗化水溶液に、膨潤処理後の積層体（１）を入れて、３０分間揺動させた。次に、２５℃の洗浄液（アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントＰ」）を用いて２分間処理した後、純水で洗浄を行い、粗化処理後の積層体（１）を得た。
【０２８４】
（ｃ１−３）表面粗さの測定：
粗化処理後の積層体（１）（粗化処理された硬化物）の表面を、非接触３次元表面形状測定装置（Ｂｒｕｋｅｒ社製「Ｃｏｎｔｏｕｒ  ＧＴ−Ｋ」）を用いて、９５．６μｍ×７１．７μｍの測定領域で算術平均粗さＲａを測定した。なお、上記算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：１９９４に準拠して測定した。粗化処理された硬化物の表面の表面粗さが２００ｎｍ以下であることを確認した。
【０２８５】
（ｄ１）無電解めっき処理：
粗化処理後の積層体（１）の硬化物の表面を、６０℃のアルカリクリーナ（アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント９０２」）で５分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化物を２５℃のプリディップ液（アトテックジャパン社製「プリディップネオガントＢ」）で２分間処理した。その後、上記硬化物を４０℃のアクチベーター液（アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント８３４」）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、３０℃の還元液（アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントＷＡ」）により、硬化物を５分間処理した。
【０２８６】
次に、上記硬化物を化学銅液（アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ」、「カッパープリントガントＭＳＫ」、「スタビライザープリントガントＭＳＫ」、及び「リデューサーＣｕ」）に入れ、無電解めっきをめっき厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、１２０℃の温度で３０分間アニール処理した。なお、無電解めっきの工程までの全ての工程は、ビーカースケールで処理液を２Ｌとし、硬化物を揺動させながら実施した。
【０２８７】
（ｅ１）レジスト形成：
ドライフィルムレジスト（日立化成社製「ＲＹ５１２５」）を、ホットロールラミネーターを用いて貼り付けた。ラミネート条件は、温度１００℃、圧力０．４ＭＰａ及びラミネート速度１．５ｍ／分とする条件とし、その後、１５分ホールドした。次いで、８５ｍＪ／ｃｍ２で露光した後、１ｗｔ％の炭酸ナトリウム水溶液を２７℃で、スプレー圧１．２ＭＰa、３０秒間スプレー処理して現像を行った。
【０２８８】
（ｆ１）電解めっき処理：
次に、無電解めっき処理された硬化物に、電解めっきをめっき厚さが２５μｍとなるまで実施した。電解銅めっきとして硫酸銅溶液（和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド  ＨＬ」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド  ＧＳ」）を用いて、０．６Ａ／ｃｍ２の電流を流しめっき厚さが２５μｍ程度となるまで電解めっきを実施した。
【０２８９】
（ｇ１）ＤＦＲ剥離及びエッチング処理：
３ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液を用いてスプレー処理することによりドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を剥離した。次いで、過水硫酸系の酸性エッチング液（ＪＣＵ社製「ＳＡＣプロセス」）にてクイックエッチングを行った。
【０２９０】
（ｈ１）本硬化工程：
ピーク温度Ｔに対し、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間加熱した。
【０２９１】
このようにして、銅張積層板上に１層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
【０２９２】
２層目の絶縁−配線回路複合層の形成：
（ａ２）ラミネート工程：
（ａ１）ラミネート工程で実施した粗化処理条件と同様にして、１層目の配線回路層の粗化処理を行った。その後、（ａ１）ラミネート工程で実施したラミネート条件で、１層目の絶縁−配線回路複合層上に、積層フィルムの樹脂フィルム（Ｂステージフィルム）側をラミネートした。その後、ＰＥＴフィルムを剥がた後１３０℃で６０分間加熱して樹脂フィルムを予備硬化させた。このようにして、１層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体（２）を得た。
【０２９３】
（ｂ２）ビアホール形成工程： 
（ｂ１）ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体（１）を積層体（２）に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
【０２９４】
（ｃ２）デスミア処理及び粗化処理：
（ｃ１）デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体（１）を積層体（２）に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体（２）を得た。
【０２９５】
（ｄ２）無電解めっき処理：
（ｄ１）無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体（１）を粗化処理後の積層体（２）に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
【０２９６】
（ｆ２）電解めっき処理：
（ｄ２）無電解めっき処理を行った後、（ｆ１）電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
【０２９７】
（ｈ２）本硬化工程：
（ｈ１）本硬化工程と同様にして、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間加熱した。
【０２９８】
このようにして、１層目の絶縁−配線回路複合層上に２層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
【０２９９】
３層目の絶縁−配線回路複合層の形成：
２層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、２層目の絶縁−配線回路複合層上に３層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
【０３００】
４層目の絶縁−配線回路複合層の形成：
２層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、３層目の絶縁−配線回路複合層上に４層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
【０３０１】
５層目の絶縁−配線回路複合層の形成：
（ａ５）ラミネート工程：
（ａ２）ラミネート工程で実施した工程と同様にして、４層目の絶縁−配線回路複合層上に樹脂フィルムの半硬化物が積層されている積層体（５）を得た。
【０３０２】
（ｂ５）ビアホール形成工程： 
（ｂ１）ビアホール形成工程で実施した工程を、積層体（１）を積層体（５）に変更したこと以外は同様にして、ビアホールを形成した。
【０３０３】
（ｃ５）デスミア処理及び粗化処理：
（ｃ１）デスミア処理及び粗化処理で実施した工程を、積層体（１）を積層体（５）に変更したこと以外は同様にして、粗化処理後の積層体（５）を得た。
【０３０４】
（ｄ５）無電解めっき処理：
（ｄ１）無電解めっき処理で実施した工程を、粗化処理後の積層体（１）を粗化処理後の積層体（５）に変更したこと以外は同様にして、無電解めっき処理を行った。
【０３０５】
（ｅ５）レジスト形成：
（ｅ１）レジスト形成で実施した工程と同様にして、現像を行った。
【０３０６】
（ｆ５）電解めっき処理：
ドライフィルムレジストのパターンが形成された後、（ｆ１）電解めっき処理と同様にして、無電解めっき処理を行った。
【０３０７】
（ｇ５）ＤＦＲ剥離及びエッチング処理：
（ｇ１）ＤＦＲ剥離及びエッチング処理で実施した工程と同様にして、ＤＦＲ剥離及びエッチング処理を行った。
【０３０８】
（ｈ５）本硬化工程：
（ｈ１）本硬化工程と同様にして、（Ｔ＋５０）℃で１．５時間加熱した。
【０３０９】
このようにして、４層目の絶縁−配線回路複合層上に５層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
【０３１０】
６層目の絶縁−配線回路複合層の形成：
２層目の絶縁−配線回路複合層の形成で実施した工程と同様にして、５層目の絶縁−配線回路複合層上に６層目の絶縁−配線回路複合層を形成した。
【０３１１】
このようにして、銅張積層板上に１層目〜６層目の絶縁−配線回路複合層が形成された評価基板を作製した。得られた評価基板では、１層目〜６層目の配線回路層のうち、１層目及び５層目の配線回路層のみがパターンを有している。１層目及び５層目の配線回路層は信号層である。
【０３１２】
図５は、実施例及び比較例で作製された評価基板の信号層近傍を拡大して示す模式的部分断面図である。図５において、符号４３は配線回路層（信号層）を示し、符号４１，４５は信号層とは異なる配線回路層（グランド層）を示し、符号４２，４４は絶縁層を示す。得られた評価基板において、信号層４３の上面の幅Ｗ１及び下面の幅Ｗ２はそれぞれ２０μｍであり、信号層４３の厚みｔは１５μｍであり、絶縁層の厚みＨ１，Ｈ２はそれぞれ３０μｍであった。
【０３１３】
１層目の配線回路層（信号層）の伝送路と、５層目の配線回路層（信号層）の伝送路とについて、下記に手順に従い、伝送損失を測定した。
【０３１４】
伝送損失の評価：
４０ＧＨｚ  エア・コプレナ・プローブ（カスケード・マイクロテック社製「ＡＣＰ４０−Ａ−ＧＳＧ−１５０」）をセットしたプローブステーションＭ１５０（カスケード・マイクロテック社製）の測定テーブルに、得られた評価基板を静置した。次いで、ＬＲＭインピーダンス基準基板（カスケード・マイクロテック社製）及びキーサイトテクノロジー社製「ベクトル型ネットワークアナライザーＮ５２２４Ａ」を用いて、測定システムの校正を行った後、評価基板の測定ポイントに４０ＧＨｚ  エア・コプレナ・プローブを伝送路の両端パッドに接触させた。キーサイトテクノロジー社製「ベクトル型ネットワークアナライザーＮ５２２４Ａ」を用いて、周波数１００ＭＨｚから４０ＧＨｚの範囲で、１層目の配線回路層（信号層）の伝送損失の絶対値ＩＬ１及び５層目の配線回路層（信号層）の伝送損失の絶対値ＩＬ５を測定した。なお、伝送損失は、ベクトル型ネットワークアナライザーで測定されたＳ１２（ＴｏｕｃｈＳｔｏｎｅ  Ｆｏｒｍａｔより算出）から、２０Ｌｏｇ（Ｓ２１）を求めることにより得た。
【０３１５】
［伝送損失の判定基準］
○：３８ＧＨｚにおけるＩＬ１のＩＬ５に対する比（ＩＬ１／ＩＬ５）が０．９６以上１．０５以下
×：３８ＧＨｚにおけるＩＬ１のＩＬ５に対する比（ＩＬ１／ＩＬ５）が１．０５を超える
【０３１６】
組成及び結果を下記の表１に示す。今回の評価では、実験的に各層の伝送測定を行っているが、この値に大きな差異があると、実基板における伝送損失も大きくなると考えられる。
【０３１７】
【表１】
2020036010.tif 000005
【符号の説明】
【０３１８】
１…多層プリント配線板
１１…基板
１１ａ…穴
１２…配線回路層
１３，１３Ａ，１３Ｂ…絶縁層（１層目の絶縁層）
１４…配線回路層（１層目の配線回路層）
１５，１５Ａ，１５Ｂ…絶縁層（２層目の絶縁層）
１６…配線回路層（２層目の配線回路層）
１７…絶縁層（３層目の絶縁層）
１８…配線回路層（３層目の配線回路層）
１９…絶縁層（４層目の絶縁層）
２０…配線回路層（４層目の配線回路層）
２１…絶縁層（５層目の絶縁層）
２２…配線回路層（５層目の配線回路層）
２３…絶縁層（６層目の絶縁層）
２４…配線回路層（６層目の配線回路層）
３１…ソルダーレジスト膜
４１…配線回路層（グランド層）
４２…絶縁層
４３…配線回路層（信号層）
４４…絶縁層
４５…配線回路層（グランド層）
５１，５２…レジストパターン
【図１】
2020036010.tif 000006
【図２】
2020036010.tif 000007
【図３】
2020036010.tif 000008
【図４】
2020036010.tif 000009
【図５】
2020036010.tif 000010