(57)【要約】【課題】アバランシェダイオードの信号の回復時間を短くする。【解決手段】検出装置２００は、アバランシェダイオード（ＡＤ）２１０、第１抵抗２２０及び第１素子２３０を含んでいる。第１抵抗２２０は、ＡＤ２１０に直列に接続されている。第１素子２３０は、ＡＤ２１０に並列に接続されている。ＡＤ２１０に第１電流未満の電流が流れる場合、第１素子２３０には電流が流れない。ＡＤ２１０に第１電流以上の電流が流れる場合、第１素子２３０に電流が流れる。第１素子２３０は、ツェナーダイオード（ＺＤ）である。【選択図】図１
2020031180.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードに直列に接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗に並列に接続された第１素子と、
を含み、
前記アバランシェダイオードに第１電流未満の電流が流れる場合、前記第１素子には電流が流れず、
前記アバランシェダイオードに前記第１電流以上の電流が流れる場合、前記第１素子に電流が流れる、検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検出装置において、
前記アバランシェダイオード及び前記第１抵抗をそれぞれ含む複数の素子ユニットを含み、
前記複数の素子ユニットは、互いに並列に接続されている、検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検出装置において、
前記第１素子は、ツェナーダイオードである、検出装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の検出装置において、
前記第１素子は、トランジスタである、検出装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記第１抵抗に直列に接続された第２抵抗をさらに含む検出装置。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の検出装置において、
前記アバランシェダイオードをガイガーモードで動作させるための制御回路をさらに含む検出装置。
【請求項７】
アバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードに直列に接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗に並列に接続されたツェナーダイオードと、
を含む検出装置。
【請求項８】
電磁波源と、
前記電磁波源から出射された電磁波を検出するための検出装置と、
を含み、
前記検出装置は、
アバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードに直列に接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗に並列に接続された第１素子と、
を含み、
前記アバランシェダイオードに第１電流未満の電流が流れる場合、前記第１素子には電流が流れず、
前記アバランシェダイオードに前記第１電流以上の電流が流れる場合、前記第１素子に電流が流れる、センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置及びセンサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を検出するための検出装置は、フォトダイオード（ＰＤ）アレイを含むことがある。ＰＤアレイは、２次元マトリクス状に並べられた複数のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を含んでいる。各ＡＰＤは、ＰＤアレイの画素を構成している。単一フォトンの検出のため、各ＡＰＤは、ＡＰＤのブレークダウン電圧以上の逆バイアス電圧の印加によって、ガイガーモードで動作させることができる。ガイガーモードの動作において、ＡＰＤは、クエンチ抵抗に直列に接続させることができる。
【０００３】
特許文献１には、ＰＤアレイの一例が記載されている。ＰＤアレイは、各ＡＰＤに並列に接続されたキャパシタを含んでいる。特許文献１には、ＡＰＤからの出力の利得をキャパシタによって増加させることができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−３７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、抵抗に直列に接続されたアバランシェダイオードの動作について検討し、アバランシェダイオードから出力される信号の回復（例えば、アバランシェダイオードから流れる光電流の立下り）に、ある程度の時間を要することを見出した。アバランシェダイオードの信号の回復時間が長い場合、アバランシェダイオードの信号が回復している途中でアバランシェダイオードに入射したさらなる電磁波の検出が阻害され得る。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、アバランシェダイオードの信号の回復時間を短くすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、
アバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードに直列に接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗に並列に接続された第１素子と、
を含み、
前記アバランシェダイオードに第１電流未満の電流が流れる場合、前記第１素子には電流が流れず、
前記アバランシェダイオードに前記第１電流以上の電流が流れる場合、前記第１素子に電流が流れる、検出装置である。
【０００８】
請求項７に記載の発明は、
アバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードに直列に接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗に並列に接続されたツェナーダイオードと、
を含む検出装置である。
【０００９】
請求項８に記載の発明は、
電磁波源と、
前記電磁波源から出射された電磁波を検出するための検出装置と、
を含み、
前記検出装置は、
アバランシェダイオードと、
前記アバランシェダイオードに直列に接続された第１抵抗と、
前記第１抵抗に並列に接続された第１素子と、
を含み、
前記アバランシェダイオードに第１電流未満の電流が流れる場合、前記第１素子には電流が流れず、
前記アバランシェダイオードに前記第１電流以上の電流が流れる場合、前記第１素子に電流が流れる、センサ装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態１に係る検出装置を説明するための回路図である。
【図２】図１に示した検出装置の動作の一例を説明するためのグラフである。
【図３】ＡＤの信号の回復時間を説明するための図である。
【図４】実施形態２に係る検出装置を説明するための回路図である。
【図５】実施形態２に係る検出装置及び比較例に係る検出装置のそれぞれにおけるＡＤの逆バイアス電圧ＶＡＰＤのタイムチャートの一例を示す図である。
【図６】実施形態３に係る検出装置を説明するための回路図である。
【図７】図６に示した検出装置の動作の一例を説明するためのグラフである。
【図８】実施形態３に係る検出装置におけるＡＤの信号の回復（立下り）及び比較例に係る検出装置におけるＡＤの信号の回復（立下り）を示すグラフである。
【図９】実施形態４に係る検出装置を説明するための回路図である。
【図１０】実施例に係るセンサ装置を説明するための図である。
【図１１】変形例に係る検出装置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る検出装置２００を説明するための回路図である。
【００１３】
図１を用いて、検出装置２００の概要を説明する。検出装置２００は、アバランシェダイオード（ＡＤ）２１０、第１抵抗２２０及び第１素子２３０を含んでいる。第１抵抗２２０は、ＡＤ２１０に直列に接続されている。第１素子２３０は、ＡＤ２１０に並列に接続されている。ＡＤ２１０に第１電流未満の電流が流れる場合、第１素子２３０には電流が流れない。ＡＤ２１０に第１電流以上の電流が流れる場合、第１素子２３０に電流が流れる。
【００１４】
上述した構成によれば、ＡＤ２１０の信号の回復時間（例えば、ＡＤ２１０から流れる光電流の立下り時間）を短くすることができる。具体的には、上述した構成においては、ＡＤ２１０に小電流（第１電流未満の電流）が流れる場合、第１素子２３０に電流が流れない。これに対して、ＡＤ２１０に大電流（第１電流以上の電流）が流れる場合、第１素子２３０に電流が流れる。ＡＤ２１０の信号の回復時間は、ＡＤ２１０に流れる電流のすべてが第１抵抗２２０に流れる場合よりも、ＡＤ２１０に流れる電流の少なくとも一部が第１素子２３０に流れる場合において、短くすることができる。このようにして、ＡＤ２１０の信号の回復時間を短くすることができる。
【００１５】
図１に示す例において、第１素子２３０は、ツェナーダイオード（ＺＤ）である。したがって、ＡＤ２１０に小電流（第１電流未満の電流）が流れる場合、第１抵抗２２０における電圧降下（すなわち、第１素子２３０に印加される電圧）が小さく、第１素子２３０には電流が実質的に流れない。これに対して、ＡＤ２１０に大電流（第１電流以上の電流）が流れる場合、第１抵抗２２０における電圧降下（すなわち、第１素子２３０に印加される電圧）が大きくなり、第１素子２３０に電流が流れる。
【００１６】
第１素子２３０がＺＤである場合、第１電流を簡易に決定することができる。具体的には、第１電流は、第１抵抗２２０の抵抗値及びＺＤ（第１素子２３０）のツェナー降伏電圧によって決定させることができる。したがって、複雑な能動素子（例えば、トランジスタ）を用いることなく、簡易な受動素子（抵抗（第１抵抗２２０）及びＺＤ（第１素子２３０））のみを用いて、第１電流を決定することができる。
【００１７】
図１を用いて、検出装置２００の詳細を説明する。
【００１８】
検出装置２００は、検出素子２０２及び制御回路４００を含んでいる。
【００１９】
図１に示す例において、検出素子２０２は、複数の素子ユニット２０４を含んでいる。複数の素子ユニット２０４は、電位Ｖ＋及び電位Ｖ−の間で互いに並列に接続されている。各素子ユニット２０４は、ＡＤ２１０、第１抵抗２２０及び第１素子２３０を含んでいる。この例において、複数のＡＤ２１０は、２次元マトリクス状に並べられたダイオードアレイを構成していてもよく、各素子ユニット２０４は、ダイオードアレイの画素を構成していてもよい。他の例において、検出装置２００（検出素子２０２）は、単一の素子ユニット２０４を含んでいてもよい。
【００２０】
ＡＤ２１０は、電磁波を検出可能であり、図１に示す例において、光（例えば、可視光、赤外線又は紫外線）を検出可能である。図１に示す例において、ＡＤ２１０は、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）にしてもよい。他の例において、ＡＤ２１０は、光以外の電磁波、例えば、電波又は電磁放射線（例えば、ガンマ線又はＸ線）を検出可能であってもよい。
【００２１】
一例において、検出素子２０２は、半導体チップを含んでいてもよい。この例において、検出素子２０２は、半導体チップ内の共通の半導体層内において２次元マトリクス状に並べられた複数のＡＤ２１０を含むことができる。この例において、複数のＡＤ２１０は、ダイオードアレイを構成することができ、各ＡＤ２１０は、ダイオードアレイの画素を構成することができる。
【００２２】
図１に示す例において、第１抵抗２２０は、ＡＤ２１０のカソードＫに接続されている。他の例において、第１抵抗２２０は、ＡＤ２１０のアノードＡに接続されていてもよい。
【００２３】
制御回路４００は、ＡＤ２１０をガイガーモードで動作させるためのものである。具体的には、制御回路４００は、電位Ｖ−に対する電位Ｖ＋の電圧ＶをＡＤ２１０のブレークダウン電圧超の範囲に設定する。ＡＤ２１０は、ガイガーモード動作によって、単一フォトンを検出可能になる。
【００２４】
図２は、図１に示した検出装置２００の動作の一例を説明するためのグラフである。図２に示すグラフの横軸は、ＡＤ２１０の光電流Ｉｐｈｏｔｏｎを示し、図２に示すグラフの縦軸は、ＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤを示す。
【００２５】
図２に示す結果は、以下の条件に基づいて算出されている。
電位Ｖ−に対する電位Ｖ＋の電圧Ｖ：６５Ｖ
第１素子２３０（ＺＤ）のツェナー降伏電圧Ｖｚ：５Ｖ
第１抵抗２２０の抵抗Ｒｑ：１００ｋΩ
【００２６】
光電流Ｉｐｈｏｔｏｎが小さく、５×１０−５Ａ（第１電流）未満である場合、第１抵抗２２０における電圧降下（すなわち、第１素子２３０に印加される電圧）Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎは、ツェナー降伏電圧Ｖｚ未満である。この場合、第１素子２３０には電流が流れない。
【００２７】
光電流Ｉｐｈｏｔｏｎが大きく、５×１０−５Ａ（第１電流）以上である場合、第１抵抗２２０における電圧降下（すなわち、第１素子２３０に印加される電圧）Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎは、ツェナー降伏電圧Ｖｚ以上である。この場合、第１素子２３０に電流が流れる。
【００２８】
ＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤは、第１素子２３０に電流が流れる場合（Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎ≧Ｖｚ）において、ツェナー降伏電圧Ｖｚ（５Ｖ）による電圧降下を受けている。
【００２９】
図３は、ＡＤ２１０の信号の回復時間を説明するための図である。図３の上段は、実施形態１（図１）に係る検出装置２００におけるＡＤ２１０の信号（例えば、ＡＤ２１０から流れる光電流）のタイムチャートの一例を示しており、図３の下段は、比較例に係る検出装置２００におけるＡＤ２１０の信号（例えば、ＡＤ２１０から流れる光電流）のタイムチャートの一例を示している。比較例に係る検出装置２００は、第１素子２３０が設けられていない点を除いて、実施形態１に係る検出装置２００と同様である。
【００３０】
実施形態１（図３の上段）においては、ＡＤ２１０の信号の回復時間（立下り時間）Δｔが短くなっている。図３の上段においては、１つ目の電磁波がＡＤ２１０に入射した後、２つ目の弱い電磁波がＡＤ２１０に入射している。ＡＤ２１０の信号の短い立下り時間Δｔによって、２つ目の弱い信号は、１つ目の信号が十分に立ち下がった後に出力されている。したがって、１つ目の信号の立下りが２つ目の信号の検出の妨げとなっていない。
【００３１】
比較例（図３の下段）においては、ＡＤ２１０の信号の回復時間（立下り時間）Δｔが長くなっている。図３の下段においても、１つ目の電磁波がＡＤ２１０に入射した後、２つ目の弱い電磁波がＡＤ２１０に入射している。ＡＤ２１０の信号の長い立下り時間Δｔによって、２つ目の弱い信号は、１つ目の信号が立ち下がっている途中に出力され得る。したがって、１つ目の信号の立下りが２つ目の信号の検出の妨げとなっている。
【００３２】
（実施形態２）
図４は、実施形態２に係る検出装置２００を説明するための回路図である。本実施形態に係る検出装置２００は、以下の点を除いて、実施形態１に係る検出装置２００と同様である。
【００３３】
図４に示すように、第１素子２３０は、トランジスタであってもよい。図４に示す例において、第１素子２３０は、バイポーラトランジスタ、より詳細には、ＮＰＮバイポーラトランジスタである。他の例において、第１素子２３０はＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、より詳細には、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【００３４】
図４に示す例において、制御回路４００は、第１素子２３０を制御するためのものでもある。制御回路４００は、ＡＤ２１０に流れる電流の大きさに応じて、第１素子２３０（トランジスタ）をオン又はオフに切り替える。このようにして、制御回路４００は、ＡＤ２１０に第１電流未満の電流が流れる場合、第１素子２３０に電流を流し、ＡＤ２１０に第１電流以上の電流が流れる場合、第１素子２３０に電流を流す。
【００３５】
図５は、実施形態２に係る検出装置２００及び比較例に係る検出装置２００のそれぞれにおけるＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤのタイムチャートの一例を示す図である。図５における実線は、実施形態２（図４）に係る検出装置２００のタイムチャートを示しており、図５における破線は、比較例に係る検出装置２００のタイムチャートを示している。比較例に係る検出装置２００は、第１素子２３０が設けられていない点を除いて、実施形態２に係る検出装置２００と同様である。
【００３６】
比較例においては、ＡＤ２１０に光電流Ｉｐｈｏｔｏｎが流れると、ＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤは、電圧Ｖから電圧Ｖ−Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎまで降下する（Ｒｑは、第１抵抗２２０の抵抗値を示す。）。その後、逆バイアス電圧ＶＡＰＤは電圧Ｖまで立ち上がる。
【００３７】
実施形態２においては、ＡＤ２１０に光電流Ｉｐｈｏｔｏｎが流れると、ＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤは、電圧Ｖから降下するものの、電圧ＶＢ−ＶＢＥに留まる（ＶＢは、第１素子２３０（ＮＰＮバイポーラトランジスタ）のベース電圧を示し、ＶＢＥは、第１素子２３０（ＮＰＮバイポーラトランジスタ）のベース−エミッタ電圧を示す。）。その後、逆バイアス電圧ＶＡＰＤは電圧Ｖまで立ち上がる。
【００３８】
実施形態２における電圧降下Ｖ−（ＶＢ−ＶＢＥ）は、比較例における電圧降下Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎより小さくなっている。したがって、実施形態２における電圧ＶＢ−ＶＢＥから電圧Ｖまでの立上り時間（回復時間）は、比較例における電圧Ｖ−Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎから電圧Ｖまでの立上り時間（回復時間）より短くすることができる。したがって、実施形態２においても、ＡＤ２１０の信号の回復時間を短くすることができる。
【００３９】
（実施形態３）
図６は、実施形態３に係る検出装置２００を説明するための回路図である。本実施形態に係る検出装置２００は、以下の点を除いて、実施形態１に係る検出装置２００と同様である。
【００４０】
素子ユニット２０４は、第２抵抗２４０を含んでいてもよい。第２抵抗２４０は、第１抵抗２２０に直列に接続されている。図６に示す例において、第２抵抗２４０は、第１抵抗２２０を介してＡＤ２１０のカソードＫに接続されている。他の例において、第２抵抗２４０は、図６に示した位置とは異なる位置に配置されていてもよい。例えば、第２抵抗２４０は、ＡＤ２１０と第１抵抗２２０の間に配置されていてもよいし、又はＡＤ２１０のアノードＡに接続されていてもよい。
【００４１】
図６に示す構成においては、第２抵抗２４０によってＡＤ２１０を保護することができる。具体的には、図６に示す構成においては、第１素子２３０に電流が流れても、第２抵抗２４０に電流が流れる。したがって、ＡＤ２１０を破壊するほどの大電流がＡＤ２１０に流れないようにすることができる。このようにして、第２抵抗２４０によってＡＤ２１０を保護することができる。
【００４２】
図７は、図６に示した検出装置２００の動作の一例を説明するためのグラフである。図７に示すグラフの横軸は、ＡＤ２１０の光電流Ｉｐｈｏｔｏｎを示し、図７に示すグラフの縦軸は、ＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤを示す。
【００４３】
図７に示す結果は、以下の条件に基づいて算出されている。
電位Ｖ−に対する電位Ｖ＋の電圧Ｖ：６５Ｖ
第１素子２３０（ＺＤ）のツェナー降伏電圧Ｖｚ：５Ｖ
第１抵抗２２０の抵抗Ｒｑ１（＝Ｒｑ）：５０ｋΩ
第２抵抗２４０の抵抗Ｒｑ１（＝Ｒｑ）：５０ｋΩ
【００４４】
光電流Ｉｐｈｏｔｏｎが小さく、１×１０−４Ａ（第１電流）未満である場合、第１抵抗２２０における電圧降下（すなわち、第１素子２３０に印加される電圧）Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎは、ツェナー降伏電圧Ｖｚ未満である。この場合、第１素子２３０には電流が流れない。
【００４５】
光電流Ｉｐｈｏｔｏｎが大きく、１×１０−４Ａ（第１電流）以上である場合、第１抵抗２２０における電圧降下（すなわち、第１素子２３０に印加される電圧）Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎは、ツェナー降伏電圧Ｖｚ以上である。この場合、第１素子２３０に電流が流れる。
【００４６】
ＡＤ２１０の逆バイアス電圧ＶＡＰＤは、第１素子２３０に電流が流れる場合（Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎ≧Ｖｚ）において、ツェナー降伏電圧Ｖｚ（５Ｖ）による電圧降下及び第２抵抗２４０による電圧降下（Ｒｑ×Ｉｐｈｏｔｏｎ）を受けている。
【００４７】
図８は、実施形態３に係る検出装置２００におけるＡＤ２１０の信号の回復（立下り）及び比較例に係る検出装置２００におけるＡＤ２１０の信号の回復（立下り）を示すグラフである。比較例に係る検出装置２００は、第１素子２３０（ＺＤ）が設けられていない点を除いて、実施形態３（図６）に係る検出装置２００と同様である。
【００４８】
図８に示すように、ＡＤ２１０の信号の回復時間（立下り時間）は、実施形態３（図６）において、比較例においてよりも、短くなっている。図８に示す結果は、ＡＤ２１０に直列に接続された複数の抵抗のうちの少なくとも一つの抵抗に並列にＺＤを接続させても、ＡＤ２１０の信号の回復時間を短くすることができることを示唆している。
【００４９】
（実施形態４）
図９は、実施形態４に係る検出装置２００を説明するための回路図である。
【００５０】
検出装置２００は、検出素子２０２を含んでいる。本実施形態に係る検出素子２０２は、上述した実施形態のいずれかに係る検出素子２０２と同様である。
【００５１】
検出素子２０２は、保護抵抗Ｒｌｉｍ及びフェライトビーズＲｆｂ１を介して電源ＶＶ１に接続されている。検出素子２０２と保護抵抗Ｒｌｉｍを相互に接続するためのラインは、キャパシタＣｐｈを介して接地されている。
【００５２】
検出素子２０２から流れる電流は、電流電圧変換回路Ｔによって電圧に変換される。電流電圧変換回路Ｔは、オペアンプＵ１、帰還抵抗Ｒｆ、帰還キャパシタＣｆ、キャパシタＣｐ１及びキャパシタＣｐ２を含んでいる。オペアンプＵ１の反転入力端子は、検出素子２０２に接続されている。オペアンプＵ１の非反転入力端子には、電位Ｖ２が供給されている。電位Ｖ２をオペアンプＵ１の非反転入力端子に供給するためのラインは、キャパシタＣｐ２を介して接地されている。オペアンプＵ１の正電源端子には、電位ＶＣＣが供給されている。電位ＶＣＣをオペアンプＵ１の正電源端子に供給するためのラインは、キャパシタＣｐ１を介して接地されている。オペアンプＵ１の負電源端子は、接地されている。帰還抵抗Ｒｆ及び帰還キャパシタＣｆは、オペアンプＵ１の出力端子と反転入力端子の間で互いに並列に接続されている。
【００５３】
オペアンプＵ１の出力端子には、終端抵抗Ｒｏ及びフェライトビーズＲｆｂ２が接続されている。フェライトビーズＲｆｂ２からは、電圧Ｖｏｕｔが出力される。
【００５４】
検出素子２０２の電位Ｖ＋は、電源ＶＶ１によって制御されている。検出素子２０２の電位Ｖ−は、オペアンプＵ１の反転入力端子の電位によって制御されている。
【実施例】
【００５５】
図１０は、実施例に係るセンサ装置１０を説明するための図である。
【００５６】
センサ装置１０は、電磁波源１００及び検出装置２００を含んでいる。検出装置２００は、電磁波源１００から出射された電磁波を検出するためのものである。本実施例に係る検出装置２００は、各実施形態に係る検出装置２００と同様である。したがって、実施形態と同様にして、ＡＤ２１０の信号の回復時間を短くすることができる。
【００５７】
電磁波源１００は、電磁波を出射可能になっている。電磁波源１００は、パルス電磁波を繰り返し、例えば周期的に、出射する。一例において、電磁波源１００から出射される電磁波は、光である。この例において、電磁波源１００は、レーザダイオード（ＬＤ）にすることができる。他の例において、電磁波源１００から出射される電磁波は、電波である。
【００５８】
電磁波源１００から出射された電磁波は、センサ装置１０の外部の物体によって反射されて検出装置２００に検出される。一例において、センサ装置１０は、電磁波源１００からの電磁波の出射のタイミングと検出装置２００による電磁波の検出のタイミングの差に基づいて、センサ装置１０から物体までの距離を測定することができる。
【００５９】
一例において、センサ装置１０は、ＬｉＤＡＲ（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、電磁波源１００は光を出射し、検出装置２００は光を検出する。他の例において、センサ装置１０は、ＲＡＤＡＲ（ＲＡｄｉｏ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ａｎｄ  Ｒａｎｇｉｎｇ）にすることができる。この例において、電磁波源１００は電波を出射し、検出装置２００は電波を検出する。
【００６０】
可動反射器３００は、電磁波源１００から出射された電磁波をセンサ装置１０の外部に向けて反射するためのものである。可動反射器３００によって、センサ装置１０の外部の物体を電磁波で走査することができる。一例において、可動反射器３００は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）ミラーにすることができる。
【００６１】
図１０に示す例では、電磁波源１００から出射された電磁波は、スプリッタ３１０を透過して可動反射器３００によって反射される。センサ装置１０の外部から照射された電磁波は、可動反射器３００によって反射されスプリッタ３１０によって検出装置２００に向けて反射される。
【００６２】
センサ装置１０の外部の物体を走査するための構造は、可動反射器３００に限定されない。他の例において、電磁波源１００及び検出装置２００を回転ステージ上に搭載して、回転ステージの周囲の物体を走査してもよい。
【００６３】
（変形例）
図１１は、変形例に係る検出装置２００を説明するための図である。
【００６４】
図１１に示すように、検出装置２００は、制御回路４００を含んでいなくてもよい。図１１に示す例において、制御回路４００は、検出装置２００の外部に配置されている。
【００６５】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６６】
１０  センサ装置
１００  電磁波源
２００  検出装置
２０２  検出素子
２０４  素子ユニット
２１０  アバランシェダイオード（ＡＤ）
２２０  第１抵抗
２３０  第１素子
２４０  第２抵抗
３００  可動反射器
３１０  スプリッタ
４００  制御回路
【図１】
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【図２】
2020031180.tif 000004
【図３】
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【図４】
2020031180.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2020031180.tif 000012
【図１１】
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