(57)【要約】【課題】動作をより安定にできる電子装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、電子装置は、第１〜第３部材、及び、第１、第２素子を含む。第１部材から第３部材への方向は、第１方向に沿う。第２部材は、第１方向において第１、第３部材の間にある。第１素子は、第１方向において第１、第２部材の間にある。第２素子は、第１方向において第２、第３部材の間にある。第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、複数の第１非磁性層の１つと複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含む。第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、複数の第２非磁性層の１つと複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含む。第３部材は、導電性の複数の第３非磁性層と、複数の第３非磁性層の１つと複数の第３非磁性層の別の１つとの間に設けられた第３磁性層と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１〜第３部材と、
第１素子と、
第２素子と、
を備え、
前記第１部材から前記第３部材への方向は、第１方向に沿い、
前記第２部材は、前記第１方向において前記第１部材と前記第３部材との間にあり、
前記第１素子は、前記第１方向において前記第１部材と前記第２部材との間にあり、
前記第２素子は、前記第１方向において前記第２部材と前記第３部材との間にあり、
前記第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、前記複数の第１非磁性層の１つと前記複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含み、前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、前記複数の第２非磁性層の１つと前記複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含み、前記複数の第２非磁性層の前記１つから前記複数の第２非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第３部材は、導電性の複数の第３非磁性層と、前記複数の第３非磁性層の１つと前記複数の第３非磁性層の別の１つとの間に設けられた第３磁性層と、を含み、前記複数の第３非磁性層の前記１つから前記複数の第３非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う、電子装置。
【請求項２】
前記第２素子と電気的に接続された接続部材をさらに備え、
前記第２部材は、孔を含み、
前記接続部材は、前記第１方向において前記孔と重なる、請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
第１基材をさらに備え、
前記第１基材は、前記第１方向において前記第１素子と前記第２部材との間にあり、
前記第２部材は、前記第１基材と接する、請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
接続部材をさらに備え、
前記第２部材は、孔を含み、
前記第１基材は、第１基材電極を含み、
前記接続部材は、前記孔を介して前記第１基材電極と前記第２素子とを電気的に接続する、請求項３記載の電子装置。
【請求項５】
前記第１基材は、第１基材絶縁層をさらに含み、
前記第１基材絶縁層は、前記第２部材と前記第２素子との間、及び、前記第１基材電極と前記第２部材との間にある、請求項４記載の電子装置。
【請求項６】
前記第２素子と前記第２部材との間に設けられた部分を含む絶縁部材をさらに備えた、請求項１〜５のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項７】
第１サイド部材、第１対向サイド部材、第１他サイド部材及び第１対向他サイド部材をさらに備え、
前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１素子は、前記第１サイド部材と前記第１対向サイド部材との間にあり、
前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向において、前記第１素子は、前記第１他サイド部材と前記第１対向他サイド部材との間にあり、
前記第１サイド部材は、導電性の複数の第１サイド非磁性層と、前記複数の第１サイド非磁性層の１つと前記複数の第１サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１対向サイド部材は、導電性の複数の第１対向サイド非磁性層と、前記複数の第１対向サイド非磁性層の１つと前記複数の第１対向サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１対向サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１対向サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１対向サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１他サイド部材は、導電性の複数の第１他サイド非磁性層と、前記複数の第１他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿い、
前記第１対向他サイド部材は、導電性の複数の第１対向他サイド非磁性層と、前記複数の第１対向他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１対向他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１対向他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１対向他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１対向他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿う、請求項１〜６のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項８】
第１部材と、
第２部材と、
第１素子と、
第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１部材から前記第２部材への方向は、第１方向に沿い、
前記第１素子は、前記第１方向において前記第１部材と前記第２部材との間にあり、
前記第１絶縁部材は、前記第１方向において前記第１部材と前記第１素子との間にあり、
前記第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、前記複数の第１非磁性層の１つと前記複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含み、前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、前記複数の第２非磁性層の１つと前記複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含み、前記複数の第２非磁性層の前記１つから前記複数の第２非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う、電子装置。
【請求項９】
前記第１磁性層の少なくとも一部は、Ｆｅ１−ｘ１−ｘ２αｘ１Ｎｘ２を含み、
前記αは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記ｘ１は０．５原子パーセント以上１０原子パーセント以下であり、前記ｘ２は、０．５原子パーセント以上８原子パーセント以下である、請求項１〜８のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項１０】
前記第１部材は、別の第１磁性層をさらに含み、
前記複数の第１非磁性層の前記別の１つは、前記第１方向において、前記第１磁性層と、前記別の第１磁性層と、の間にあり、
前記第１磁性層の磁化の向きは、前記別の第１磁性層の磁化の向きと交差した、請求項１〜８のいずれか１つに記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体素子と、シールド層と、を含む電子装置がある。シールド層により、半導体素子から放射される電磁波がシールドされる。電磁波の影響を抑制することで安定した動作が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−３８８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、動作をより安定にできる電子装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、電子装置は、第１〜第３部材と、第１素子と、第２素子と、を含む。前記第１部材から前記第３部材への方向は、第１方向に沿う。前記第２部材は、前記第１方向において前記第１部材と前記第３部材との間にある。前記第１素子は、前記第１方向において前記第１部材と前記第２部材との間にある。前記第２素子は、前記第１方向において前記第２部材と前記第３部材との間にある。前記第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、前記複数の第１非磁性層の１つと前記複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含み、前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う。前記第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、前記複数の第２非磁性層の１つと前記複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含み、前記複数の第２非磁性層の前記１つから前記複数の第２非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う。前記第３部材は、導電性の複数の第３非磁性層と、前記複数の第３非磁性層の１つと前記複数の第３非磁性層の別の１つとの間に設けられた第３磁性層と、を含み、前記複数の第３非磁性層の前記１つから前記複数の第３非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｅ）は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図４】図４は、電子装置に用いられる部材の特性を例示するグラフ図である。
【図５】図５は、電子装置に用いられる部材の特性を例示するグラフ図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｅ）は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図９】図９（ａ）〜図９（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図１３】図１３は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【図１４】図１４は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【図１５】図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｅ）は、第２実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。
【図１７】図１７は、第３実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【図１８】図１８は、第４実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【図１９】図１９は、第５実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）  
図１（ａ）〜図１（ｅ）は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。  図１（ａ）は、断面図である。図１（ｂ）〜図１（ｅ）は、電子装置に含まれる複数の部分の平面図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る電子装置１１０は、第１〜第３部材１１〜１３と、第１素子５１と、第２素子５２と、を含む。この例では、第３素子５３及び部材１８がさらに設けられる。素子５１Ｂ、５３Ｂ及び５３Ｃがさらに設けられても良い。これらの素子は、例えば、半導体素子である。
【００１０】
第１部材１１から第３部材１３への方向は、第１方向に沿う。第２部材１２は、第１方向において、第１部材１１と第３部材１３との間にある。
【００１１】
第１方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
【００１２】
第１素子５１は、第１方向において、第１部材１１と第２部材１２との間にある。第２素子５２は、第１方向において、第２部材１２と第３部材１３との間にある。
【００１３】
第３部材１３は、第１方向において、第２素子５２と第３素子５３との間にある。第３素子５３は、第１方向において、第３部材１３と部材１８との間にある。
【００１４】
素子５１Ｂは、第１方向において、第１部材１１と第２部材１２との間にある。素子５３Ｂ及び５３Ｃは、第１方向において、第３部材１３と部材１８との間にある。複数の部材の間に設けられる素子の数は、任意である。
【００１５】
図１（ｂ）は、第１部材１１の平面図である。図１（ｃ）は、第２部材１２の平面図である。図１（ｄ）は、第３部材１３の平面図である。図１（ｅ）は、部材１８の平面図である。これらの図に示すように、第１〜第３部材１１〜１３は、孔（孔１１ｏ、１２ｏ及び１３ｏ）をそれぞれ含んでも良い。例えば、孔を介して、電気的な接続が行われる。
【００１６】
図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線、図１（ｃ）のＢ１−Ｂ２線、及び、図１（ｄ）のＣ１−Ｃ２線に沿う断面図である。
【００１７】
この例では、第１基材４１及び第２基材４２がさらに設けられている。第１基材４１は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１素子５１と第２部材１２との間にある。第２基材４２は、第１方向において、第２素子５２と第３部材１３との間にある。第１基材４１及び第２基材４２は、例えば、基板である。第１基材４１及び第２基材４２は、例えば、インターポーザである。
【００１８】
例えば、第２部材１２は、第１基材４１と接する。例えば、第１基材４１の表面に第２部材１２が設けられても良い。第２部材１２が設けられた第１基材４１に、第２素子５２が固定されても良い。
【００１９】
第１基材４１と第１素子５１との間に、第１絶縁部材５１Ｉが設けられる。第２基材４２と第２素子５２との間に、第２絶縁部材５２Ｉが設けられる。部材１８と第３素子５３との間に、第３絶縁部材５３Ｉが設けられる。第１絶縁部材５１Ｉ、第２絶縁部材５２Ｉ及び第３絶縁部材５３Ｉは、例えば、樹脂（例えば封止樹脂）である。
【００２０】
この例では、基体５５がさらに設けられている。基体５５と第１素子５１との間に、第１部材１１が設けられる。この例では、基体５５に接続部５８が設けられている。接続部５８と第１素子５１との間に、基体５５が設けられる。接続部５８は、例えば、バンプ（例えば、はんだバンプ）である。
【００２１】
第１素子５１と基体５５との間に、第１接続部材５１Ｎが設けられる。第１接続部材５１Ｎは、第１部材１１の孔１１ｏと、重なる。第１接続部材５１Ｎは、第１素子５１と基体５５とを電気的に接続する。例えば、第１接続部材５１Ｎは、第１素子５１と接続部５８とを、基体５５に設けられる配線（図示せず）を通して、電気的に接続する。この配線は、例えば、基体５５の中、及び、基体５５の表面の少なくともいずれかに設けられる。第１接続部材５１Ｎの周りに第１絶縁部材５１Ｉの一部が設けられても良い。
【００２２】
第２素子５２と第１基材４１との間に、第２接続部材５２Ｎが設けられる。第２接続部材５２Ｎは、第２部材１２の孔１２ｏと、重なる。第２接続部材５２Ｎは、第２素子５２と第１基材４１とを電気的に接続する。例えば、第２接続部材５２Ｎは、第２素子５２と第１基材４１に設けられる配線（図示せず）とを電気的に接続する。この配線は、第１基材４１の中、及び、第１基材４１の表面の少なくともいずれかに設けられる。第２接続部材５２Ｎの周りに第２絶縁部材５２Ｉの一部が設けられても良い。
【００２３】
第３素子５３と第２基材４２との間に、第３接続部材５３Ｎが設けられる。第３接続部材５３Ｎは、第３部材１３の孔１３ｏと、重なる。第３接続部材５３Ｎは、第３素子５３と第２基材４２とを電気的に接続する。例えば、第３接続部材５３Ｎは、第３素子５３と第２基材４２に設けられる配線（図示せず）とを電気的に接続する。この配線は、第２基材４２の中、及び、第２基材４２の表面の少なくともいずれかに設けられる。第３接続部材５３Ｎの周りに第３絶縁部材５３Ｉの一部が設けられても良い。
【００２４】
上記の絶縁部材（第１絶縁部材５１Ｉ、第２絶縁部材５２Ｉ及び第３絶縁部材５３Ｉ）は、例えば、樹脂及びセラミックなどの少なくともいずれかを含んでも良い。絶縁部材により素子が保護される。
【００２５】
素子（第１〜第３素子５１〜５３など）は、例えば、演算回路、制御回路、記憶回路、スイッチング回路、信号処理回路、及び、高周波回路の少なくともいずれかを含む。
【００２６】
第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８のそれぞれは、互いに積層された磁性層及び非磁性層を含む。第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８において、例えば、電磁波を効率良く減衰できる。第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８は、例えば、電磁シールドとして機能する。
【００２７】
第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８により、例えば、複数の素子（第１〜第３素子５１〜５３など）から外部に出射する電磁波が減衰される。これらの部材により、例えば、外部から複数の素子（第１〜第３素子５１〜５３など）に向かう電磁波が減衰される。これらの部材により、例えば、複数の素子の１つから、複数の素子の別の１つに向かう電磁波が減衰される。実施形態によれば、動作をより安定にできる電子装置を提供できる。
【００２８】
以下、第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８の例について説明する。
【００２９】
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式図である。  
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８のそれぞれの断面図である。
【００３０】
図２（ａ）に示すように、第１部材１１は、導電性の複数の第１非磁性層（非磁性層１１ｐ及び非磁性層１１ｑ）と、磁性層１１ｍと、を含む。磁性層１１ｍは、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）と複数の第１非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｑ）との間に設けられる。複数の第１非磁性層の上記の１つから複数の第１非磁性層の上記の別の１つへの方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。例えば、磁性層１１ｍは、非磁性層１１ｐ及び非磁性層１１ｑと接する。
【００３１】
この例では、導電性の複数の第１非磁性層は、非磁性層１１ｒをさらに含む。磁性層１１ｎがさらに設けられても良い。磁性層１１ｎは、非磁性層１１ｑと非磁性層１１ｒとの間に設けられる。非磁性層１１ｒ及び磁性層１１ｎは、省略されても良い。
【００３２】
図２（ｂ）に示すように、第２部材１２は、導電性の複数の第２非磁性層（非磁性層１２ｐ及び非磁性層１２ｑ）と、磁性層１２ｍと、を含む。磁性層１２ｍは、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）と複数の第２非磁性層の別の１つ（非磁性層１２ｑ）との間に設けられる。複数の第２非磁性層の上記の１つから複数の第２非磁性層の上記の別の１つへの方向は、第１方向に沿う。例えば、磁性層１２ｍは、非磁性層１２ｐ及び非磁性層１２ｑと接する。
【００３３】
この例では、導電性の複数の第２非磁性層は、非磁性層１２ｒをさらに含む。磁性層１２ｎがさらに設けられても良い。磁性層１２ｎは、非磁性層１２ｑと非磁性層１２ｒとの間に設けられる。非磁性層１２ｒ及び磁性層１２ｎは、省略されても良い。
【００３４】
図２（ｃ）に示すように、第３部材１３は、導電性の複数の第３非磁性層（非磁性層１３ｐ及び非磁性層１３ｑ）と、磁性層１３ｍと、を含む。磁性層１３ｍは、複数の第３非磁性層の１つ（非磁性層１３ｐ）と複数の第３非磁性層の別の１つ（非磁性層１３ｑ）との間に設けられる。複数の第３非磁性層の上記の１つから複数の第３非磁性層の上記の別の１つへの方向は、第１方向に沿う。例えば、磁性層１３ｍは、非磁性層１３ｐ及び非磁性層１３ｑと接する。
【００３５】
この例では、導電性の複数の第３非磁性層は、非磁性層１３ｒをさらに含む。磁性層１３ｎがさらに設けられても良い。磁性層１３ｎは、非磁性層１３ｑと非磁性層１３ｒとの間に設けられる。非磁性層１３ｒ及び磁性層１３ｎは、省略されても良い。
【００３６】
図２（ｄ）に示すように、部材１８は、導電性の複数の非磁性層（非磁性層１８ｐ及び非磁性層１８ｑ）と、磁性層１８ｍと、を含む。磁性層１８ｍは、複数の非磁性層の１つ（非磁性層１８ｐ）と複数の非磁性層の別の１つ（非磁性層１８ｑ）との間に設けられる。複数の非磁性層の上記の１つから複数の非磁性層の上記の別の１つへの方向は、第１方向に沿う。例えば、磁性層１８ｍは、非磁性層１８ｐ及び非磁性層１８ｑと接する。
【００３７】
この例では、部材１８において、導電性の複数の非磁性層は、非磁性層１８ｒをさらに含む。磁性層１８ｎがさらに設けられても良い。磁性層１８ｎは、非磁性層１８ｑと非磁性層１８ｒとの間に設けられる。非磁性層１８ｒ及び磁性層１８ｎは、省略されても良い。
【００３８】
第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８は、互いに電気的に接続されても良い。第１〜第３部材１１〜１３、及び、部材１８は、例えば、１つの電位（例えばグランド電位）に設定されても良い。
【００３９】
非磁性層（非磁性層１１ｐ〜１１ｒ、１２ｐ〜１２ｒ、１３ｐ〜１３ｒ及び、１８ｐ〜１８ｒなど）は、例えば、Ｃｕ、Ａｌ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００４０】
磁性層（磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍ）の少なくとも１つ（例えば、第１磁性層）の少なくとも一部は、Ｆｅ１−ｘ１−ｘ２αｘ１Ｎｘ２を含む。「α」は、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。「ｘ１」は、０．５原子パーセント以上１０原子パーセント以下である。「ｘ２」は、０．５原子パーセント以上８原子パーセント以下である。磁性層（磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍ）の少なくとも１つは、例えば、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅよりなる群から選択された少なくとも１つを含む合金（例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＦｅＳｉ、ＦｅＺｒＮ、または、ＦｅＣｏなど）を含んでも良い。磁性層（磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍ）の少なくとも１つは、例えば、ＣｏＺｒＮｂを含むアモルファス合金を含んでも良い。
【００４１】
磁性層がこのような材料を含むことで、電磁波の減衰特性を向上することができる。このような材料においては、例えば、保磁力Ｈｃが小さい。磁性層において、複数の磁区が形成される。複数の磁区の磁化は、種々の方向に沿う。これにより、種々の方向の磁界成分を持つ電磁波を効果的に減衰させることができる。
【００４２】
磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍの１つの材料が、磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍの別の材料と異なっても良い。磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍの１つの材料が、磁性層１１ｍ、１２ｍ、１３ｍ及び１８ｍの別の材料と同じでも良い。
【００４３】
既に説明したように、１つの部材に複数の磁性層が設けられても良い。例えば、第１部材１１は、第１磁性層（磁性層１１ｍ）に加えて、別の第１磁性層（磁性層１１ｎ）をさらに含んでも良い。複数の第１非磁性層の別の１つ（例えば、非磁性層１１ｑ）は、第１方向（Ｚ軸方向）において、第１磁性層（磁性層１１ｍ）と、別の第１磁性層（磁性層１１ｎ）と、の間にある。複数の磁性層が設けられる場合、複数の磁性層のそれぞれと非磁性層との界面が増える。これにより、大きな減衰率が得られる。
【００４４】
第１磁性層（磁性層１１ｍ）の磁化の向きは、別の第１磁性層（磁性層１１ｎ）の磁化の向きと交差していることが好ましい。これにより、種々の方向の磁界成分を持つ電磁波を効果的に減衰させることができる。
【００４５】
例えば、第２磁性層（磁性層１２ｍ）の磁化の向きは、別の第２磁性層（磁性層１２ｎ）の磁化の向きと交差していることが好ましい。第３磁性層（磁性層１３ｍ）の磁化の向きは、別の第３磁性層（磁性層１３ｎ）の磁化の向きと交差していることが好ましい。磁性層１８ｍの磁化の向きは、磁性層１８ｎの磁化の向きと交差していることが好ましい。
【００４６】
以下、電子装置に含まれる部品（基体、基材、接続部材及び絶縁層など）の例について説明する。以下の説明における、「基板」、「電極」、「接続部材」及び「絶縁層」は、例である。例えば、「電極」は、導電層の少なくと一部、配線の少なくとも一部、コンタクトプラグの少なくとも一部、ビアプラグの少なくとも一部、及び、端子（ピンなど）の少なくとも一部よりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。例えば、「接続部材」は、導電層の少なくと一部、配線の少なくとも一部、コンタクトプラグの少なくとも一部、及び、ビアプラグの少なくとも一部よりなる群から選択された少なくとも１つを含んでも良い。以下では、「電極」が層状である場合について説明する。
【００４７】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
図３（ａ）に示すように、第２基材４２は、第２基材電極４２ｅを含む。例えば、第２基材４２は、第２基板４２ｓと、第２基板４２ｓに設けられた第２基材電極４２ｅと、を含む。例えば、第２基材４２に第３部材１３が設けられている。第３部材１３は、孔１３ｏを含む。第３素子５３は、第３素子電極５３ｅを含む。第３接続部材５３Ｎは、孔１３ｏを介して、第２基材電極４２ｅと第３素子５３（第３素子電極５３ｅ）とを電気的に接続する。
【００４８】
この例では、第２基材４２は、第２基材絶縁層４２ｅｉをさらに含む。第２基材絶縁層４２ｅｉは、第３部材１３と第３素子５３との間、及び、第２基材電極４２ｅと第３部材１３との間にある。
【００４９】
例えば、第３部材絶縁層１３ｉがさらに設けられても良い。第３部材１３と第３素子５３との間に第３部材絶縁層１３ｉが設けられる。例えば、第３素子絶縁層５３ｅｉがさらに設けられても良い。第３素子絶縁層５３ｅｉと第３素子５３との間に第３素子電極５３ｅの一部が設けられる。これらの絶縁層により、第３素子５３（第３素子電極５３ｅ）と第３部材１３との電気的なショートが抑制できる。
【００５０】
第３絶縁部材５３Ｉと第３部材１３との間に、第３素子５３が設けられる。第３部材１３と第３素子５３との間に、第３絶縁部材５３Ｉの一部が設けられても良い。
【００５１】
図３（ｂ）に示すように、第１基材４１は、第１基材電極４１ｅを含む。例えば、第１基材４１は、第１基板４１ｓと、第１基板４１ｓに設けられた第１基材電極４１ｅと、を含む。例えば、第１基材４１に第２部材１２が設けられている。第２部材１２は、孔１２ｏを含む。第２素子５２は、第２素子電極５２ｅを含む。第２接続部材５２Ｎは、孔１２ｏを介して、第１基材電極４１ｅと第２素子５２（第２素子電極５２ｅ）とを電気的に接続する。
【００５２】
この例では、第１基材４１は、第１基材絶縁層４１ｅｉをさらに含む。第１基材絶縁層４１ｅｉは、第２部材１２と第２素子５２との間、及び、第１基材電極４１ｅと第２部材１２との間にある。
【００５３】
例えば、第２部材絶縁層１２ｉがさらに設けられても良い。第２部材１２と第２素子５２との間に第２部材絶縁層１２ｉが設けられる。例えば、第２素子絶縁層５２ｅｉがさらに設けられても良い。第２素子絶縁層５２ｅｉと第２素子５２との間に第２素子電極５２ｅの一部が設けられる。これらの絶縁層により、第２素子５２（第２素子電極５２ｅ）と第２部材１２との電気的なショートが抑制できる。
【００５４】
第２絶縁部材５２Ｉと第２部材１２との間に、第２素子５２が設けられる。第２部材１２と第２素子５２との間に、第２絶縁部材５２Ｉの一部が設けられても良い。
【００５５】
図３（ｃ）に示すように、基体５５は、基体電極５５ｅを含む。例えば、基体５５は、基板５５ｓと、基板５５ｓに設けられた基体電極５５ｅと、を含む。例えば、基体５５に第１部材１１が設けられている。第１部材１１は、孔１１ｏを含む。第１素子５１は、第１素子電極５１ｅを含む。第１接続部材５１Ｎは、孔１１ｏを介して、基体電極５５ｅと第１素子５１（第１素子電極５１ｅ）とを電気的に接続する。
【００５６】
この例では、基体５５は、基体絶縁層５５ｅｉをさらに含む。基体絶縁層５５ｅｉは、第１部材１１と第１素子５１との間、及び、基体電極５５ｅと第１部材１１との間にある。
【００５７】
例えば、第１部材絶縁層１１ｉがさらに設けられても良い。第１部材１１と第１素子５１との間に第１部材絶縁層１１ｉが設けられる。例えば、第１素子絶縁層５１ｅｉがさらに設けられても良い。第１素子絶縁層５１ｅｉと第１素子５１との間に第１素子電極５１ｅの一部が設けられる。これらの絶縁層により、第１素子５１（第１素子電極５１ｅ）と第１部材１１との電気的なショートが抑制できる。
【００５８】
第１絶縁部材５１Ｉと第１部材１１との間に、第１素子５１が設けられる。第１部材１１と第１素子５１との間に、第１絶縁部材５１Ｉの一部が設けられても良い。
【００５９】
以下、電子装置の特性の例について説明する。以下、部材（例えば、第１〜第３部材１１〜１３及び部材１８など）となる導電膜（例えばシールド膜）の電磁波減衰特性の測定結果の例について説明する。
【００６０】
図４は、電子装置に用いられる部材の特性を例示するグラフ図である。  
図４には、第１〜第３試料ＣＦ１〜ＣＦ３の特性が例示されている。第１試料ＣＦ１においては、導電膜（例えば第１部材１１）は、Ｃｕ（２μｍ）である。第２試料ＣＦ２においては、導電膜（例えば第１部材１１）は、Ｃｕ（３μｍ）である。第３試料ＣＦ３においては、導電膜（例えば第１部材１１）は、Ｃｕ（６００ｎｍ）／ＮｉＦｅＣｕＭｏ（２００ｎｍ）／Ｃｕ（４００ｎｍ）／ＮｉＦｅＣｕＭｏ（２００ｎｍ）／Ｃｕ（６００ｎｍ）である。これらの試料は、ガラス基板の上に形成されている。図４の横軸は、周波数ｆ（ＭＨｚ）である。縦軸は、減衰性能ＭＳＥ（ｄＢ）である。減衰性能ＭＳＥの数値が大きいことが、減衰量が大きいことに対応する。
【００６１】
図４から分かるように、第３試料ＣＦ３において、高い減衰性能ＭＳＥが得られる。
【００６２】
以下、部材（例えば、第１〜第３部材１１〜１３及び部材１８など）となる導電膜の電磁波減衰特性のシミュレーション結果の例について説明する。
【００６３】
図５は、電子装置に用いられる部材の特性を例示するグラフ図である。  
シールド性能に対応する減衰性能ＭＳＥの計算のモデルにおいて、部材（例えば第１部材１１）となる導電膜は、Ｃｕ（８００ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４００ｎｍ）／Ｃｕ（８００ｎｍ）の構造を有する。特性ＣＦ０２、特性ＣＦ０４、特性ＣＦ１０及び特性ＣＦ２０においては、ＮｉＦｅ層の磁気異方性Ｈｋがそれぞれ２Ｏｅ、４Ｏｅ、１０Ｏｅ及び２０Ｏｅとしたときの理想的な磁気特性が用いられる。特性ＣＺＮにおいては、計算のモデルにおいては、部材（例えば第１部材１１）となる導電膜は、Ｃｕ（８００ｎｍ）／ＣｏＺｒＮｂ（４００ｎｍ）／Ｃｕ（８００ｎｍ）の構造を有する。図５には、図４に関して説明した第２試料ＣＦ２（Ｃｕ（２μｍ））の特性も例示されている。図５の横軸は、周波数ｆ（ＭＨｚ）である。縦軸は、減衰性能ＭＳＥ（ｄＢ）である。
【００６４】
図５から分かるように、磁性層に軟磁性体を用いることによって、高い減衰性能ＭＳＥが得られる。磁性層の軟磁気特性（Ｈｋの大きさであり、材料による違い）によって、種々の特徴を持つ減衰性能ＭＳＥを得ることができる。
【００６５】
実施形態においては、導電膜（シールド膜）がＣｕ単独の場合に比べて、導電膜（シールド膜）が薄い場合においても、高い減衰特性が得られる。複数の素子が積層される場合において、それらの間に設けられるシールド膜は薄いことが特に好ましい。シールド膜が薄いことで、電子装置の全体が薄くできる。複数の素子の間に挿入されるシールド膜が薄いことで、複数の素子の間の接続が容易になる。例えば、シールド膜の製造時間が短くなる。原料消費量が少なくなる。例えば、製造コストを下げることができる。
【００６６】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
図６（ａ）〜図６（ｃ）においては、接続部材及び絶縁部材は省略されている。
【００６７】
図６（ａ）に示すように、第２基材４２は、第２基材電極４２ｅを含む。第２基材電極４２ｅは、例えば、メッキ（例えば無電解メッキなど）により形成できる。
【００６８】
第２基材電極４２ｅとなる導電膜が、第３部材１３の非磁性層の１つとなっても良い。この場合、第２基材電極４２ｅの厚さは、複数の第３非磁性層の１つ（非磁性層１３ｐ）の厚さと実質的に同じでも良い。第２基材電極４２ｅの材料は、複数の第３非磁性層の１つ（非磁性層１３ｐ）の材料と実質的に同じでも良い。第２基材電極４２ｅの厚さは、複数の第３非磁性層の１つ（非磁性層１３ｐ）の厚さの０．５倍以上２倍以下でも良い。例えば、第２基材電極４２ｅの厚さと、複数の第３非磁性層の１つ（非磁性層１３ｐ）の厚さと、の差の絶対値は、複数の第３非磁性層の１つ（非磁性層１３ｐ）の厚さと、複数の第３非磁性層の別の１つ（非磁性層１３ｑ）の厚さと、の差の絶対値の１／２以下である。
【００６９】
図６（ｂ）に示すように、第１基材４１は、第１基材電極４１ｅを含む。第１基材電極４１ｅとなる導電膜が、第２部材１２の非磁性層の１つとなっても良い。例えば、第１基材電極４１ｅの厚さは、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）の厚さと実質的に同じである。第１基材電極４１ｅの材料は、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）の材料と実質的に同じである。第２基材電極４１ｅの厚さは、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）の厚さの０．５倍以上２倍以下でも良い。例えば、第１基材電極４１ｅの厚さと、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）の厚さと、の差の絶対値は、複数の第２非磁性層の上記の１つ（非磁性層１２ｐ）の厚さと、複数の第２非磁性層の別の１つ（非磁性層１２ｑ）の厚さと、の差の絶対値の１／２以下である。
【００７０】
図６（ｃ）に示すように、基体５５は、基体電極５５ｅを含む。基体電極５５ｅとなる導電膜が、第１部材１１の非磁性層の１つとなっても良い。例えば、基体電極５５ｅの厚さは、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）の厚さと実質的に同じである。基体電極５５ｅの材料は、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）の材料と実質的に同じである。基体電極４５ｅの厚さは、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）の厚さの０．５倍以上２倍以下でも良い。例えば、基体電極５５ｅの厚さと、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）の厚さと、の差の絶対値は、複数の第１非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｐ）の厚さと、複数の第１非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｑ）の厚さと、の差の絶対値の１／２以下である。
【００７１】
実施形態に係る導電膜（例えばシールド膜）は、素子の側面に対向するように設けられても良い。以下、素子の側面に設けられる導電膜（例えばシールド膜）の例について説明する。
【００７２】
図７（ａ）〜図７（ｅ）は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。  
図７（ａ）は、第１素子５１を通るＸ−Ｙ平面における断面図である。図７（ｂ）は、第２素子５２を通るＸ−Ｙ平面における断面図である。図７（ｃ）は、第３素子５３を通るＸ−Ｙ平面における断面図である。図７（ｄ）は、第１基材４１を通るＸ−Ｙ平面における断面図である。図７（ｅ）は、第２基材４２を通るＸ−Ｙ平面における断面図である。
【００７３】
図７（ａ）に示すように、電子装置１１０は、第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄをさらに含む。第１方向と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第１素子５１は、第１サイド部材１１ａと第１対向サイド部材１１ｃとの間にある。第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、第１素子５１は、第１他サイド部材１１ｂと第１対向他サイド部材１１ｄとの間にある。例えば、これらの部材と第１素子５１との間に第１絶縁部材５１Ｉが設けられる。
【００７４】
図７（ｂ）に示すように、電子装置１１０は、第２サイド部材１２ａ、第２対向サイド部材１２ｃ、第２他サイド部材１２ｂ及び第２対向他サイド部材１２ｄをさらに含んでも良い。第１方向と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第２素子５２は、第２サイド部材１２ａと第２対向サイド部材１２ｃとの間にある。第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、第２素子５２は、第２他サイド部材１２ｂと第２対向他サイド部材１２ｄとの間にある。例えば、これらの部材と第２素子５２との間に第２絶縁部材５２Ｉが設けられる。
【００７５】
図７（ｃ）に示すように、電子装置１１０は、第３サイド部材１３ａ、第３対向サイド部材１３ｃ、第３他サイド部材１３ｂ及び第３対向他サイド部材１３ｄをさらに含んでも良い。第１方向と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第３素子５３は、第３サイド部材１３ａと第３対向サイド部材１３ｃとの間にある。第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、第３素子５３は、第３他サイド部材１３ｂと第３対向他サイド部材１３ｄとの間にある。例えば、これらの部材と第３素子５３との間に第３絶縁部材５３Ｉが設けられる。
【００７６】
図７（ｄ）に示すように、電子装置１１０は、第１基材サイド部材２１ａ、第１基材対向サイド部材２１ｃ、第１基材他サイド部材２１ｂ及び第１基材対向他サイド部材２１ｄをさらに含んでも良い。第１方向と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第１基材４１は、第１基材サイド部材２１ａと第１基材対向サイド部材２１ｃとの間にある。第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、第１基材４１は、第１基材他サイド部材２１ｂと第１基材対向他サイド部材２１ｄとの間にある。
【００７７】
図７（ｅ）に示すように、電子装置１１０は、第２基材サイド部材２２ａ、第２基材対向サイド部材２２ｃ、第２基材他サイド部材２２ｂ及び第２基材対向他サイド部材２２ｄをさらに含んでも良い。第１方向と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第２基材４２は、第２基材サイド部材２２ａと第２基材対向サイド部材２２ｃとの間にある。第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、第２基材４２は、第２基材他サイド部材２２ｂと第２基材対向他サイド部材２２ｄとの間にある。
【００７８】
上記の部材は、例えば、シールド膜として機能する。
【００７９】
図８（ａ）〜図８（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄをそれぞれ例示している。
【００８０】
図８（ａ）に示すように、第１サイド部材１１ａは、導電性の複数の第１サイド非磁性層（非磁性層１１ａｐ、１１ａｑ及び１１ａｒなど）と、複数の第１サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ａｐ）と複数の第１サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ａｑ）との間に設けられた第１サイド磁性層（磁性層１１ａｍ）と、を含む。複数の第１サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ａｐ）から複数の第１サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ａｑ）への方向は、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層１１ａｎがさらに設けられても良い。
【００８１】
図８（ｃ）に示すように、第１対向サイド部材１１ｃは、導電性の複数の第１対向サイド非磁性層（非磁性層１１ｃｐ、１１ｃｑ及び１１ｃｒなど）と、複数の第１対向サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ｃｐ）と複数の第１対向サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｃｑ）との間に設けられた第１対向サイド磁性層（磁性層１１ｃｍ）と、を含む。複数の第１対向サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｃｐ）から複数の第１対向サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｃｑ）への方向は、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層１１ｃｎがさらに設けられても良い。
【００８２】
図８（ｂ）に示すように、第１他サイド部材１１ｂは、導電性の複数の第１他サイド非磁性層（非磁性層１１ｂｐ、１１ｂｑ及び１１ｂｒなど）と、複数の第１他サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ｂｐ）と複数の第１他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｂｑ）との間に設けられた第１他サイド磁性層（磁性層１１ｂｍ）と、を含む。複数の第１他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｂｐ）から複数の第１他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｂｑ）への方向は、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層１１ｂｎがさらに設けられても良い。
【００８３】
図８（ｄ）に示すように、第１対向他サイド部材１１ｄは、導電性の複数の第１対向他サイド非磁性層（非磁性層１１ｄｐ、１１ｄｑ及び１１ｄｒなど）と、複数の第１対向他サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ｄｐ）と複数の第１対向他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｄｑ）との間に設けられた第１対向他サイド磁性層（磁性層１１ｄｍ）と、を含む。複数の第１対向他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｄｐ）から複数の第１対向他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｄｑ）への方向は、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層１１ｄｎがさらに設けられても良い。
【００８４】
上記の第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄは、例えば、１つの電位（例えば、グランド電位）に設定されても良い。
【００８５】
図９（ａ）〜図９（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第１基材サイド部材２１ａ、第１基材対向サイド部材２１ｃ、第１基材他サイド部材２１ｂ及び第１基材対向他サイド部材２１ｄをそれぞれ例示している。
【００８６】
図９（ａ）に示すように、第１基材サイド部材２１ａは、導電性の複数の第１基材サイド非磁性層（非磁性層２１ａｐ、２１ａｑ及び２１ａｒなど）と、複数の第１基材サイド非磁性層の１つ（非磁性層２１ａｐ）と複数の第１基材サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２１ａｑ）との間に設けられた第１基材サイド磁性層（磁性層２１ａｍ）と、を含む。複数の第１基材サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２１ａｐ）から複数の第１基材サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２１ａｑ）への方向は、第２方向（例えばＸ軸方向）に沿う。磁性層２１ａｎがさらに設けられても良い。
【００８７】
図９（ｃ）に示すように、第１基材対向サイド部材２１ｃは、導電性の複数の第１基材対向サイド非磁性層（非磁性層２１ｃｐ、２１ｃｑ及び２１ｃｒなど）と、複数の第１基材対向サイド非磁性層の１つ（非磁性層２１ｃｐ）と複数の第１基材対向サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２１ｃｑ）との間に設けられた第１基材対向サイド磁性層（磁性層２１ｃｍ）と、を含む。複数の第１基材対向サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２１ｃｐ）から複数の第１基材対向サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２１ｃｑ）への方向は、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層２１ｃｎがさらに設けられても良い。
【００８８】
図９（ｂ）に示すように、第１基材他サイド部材２１ｂは、導電性の複数の第１基材他サイド非磁性層（非磁性層２１ｂｐ、２１ｂｑ及び２１ｂｒなど）と、複数の第１基材他サイド非磁性層の１つ（非磁性層２１ｂｐ）と複数の第１基材他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２１ｂｑ）との間に設けられた第１基材他サイド磁性層（磁性層２１ｂｍ）と、を含む。複数の第１基材他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２１ｂｐ）から複数の第１基材他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２１ｂｑ）への方向は、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層２１ｂｎがさらに設けられても良い。
【００８９】
図９（ｄ）に示すように、第１基材対向他サイド部材２１ｄは、導電性の複数の第１基材対向他サイド非磁性層（非磁性層２１ｄｐ、２１ｄｑ及び２１ｄｒなど）と、複数の第１基材対向他サイド非磁性層の１つ（非磁性層２１ｄｐ）と複数の第１基材対向他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２１ｄｑ）との間に設けられた第１基材対向他サイド磁性層（磁性層２１ｄｍ）と、を含む。複数の第１基材対向他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２１ｄｐ）から複数の第１基材対向他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２１ｄｑ）への方向は、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層２１ｄｎがさらに設けられても良い。
【００９０】
例えば、第１基材サイド部材２１ａ、第１基材対向サイド部材２１ｃ、第１基材他サイド部材２１ｂ及び第１基材対向他サイド部材２１ｄは、１つの電位（例えばグランド電位）に設定されても良い。
【００９１】
図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第２サイド部材１２ａ、第２対向サイド部材１２ｃ、第２他サイド部材１２ｂ及び第２対向他サイド部材１２ｄをそれぞれ例示している。
【００９２】
図１０（ａ）に示すように、第２サイド部材１２ａは、非磁性層１２ａｐ、１２ａｑ及び１２ａｒなどを含んでも良い。第２サイド部材１２ａは、磁性層１２ａｍ（及び磁性層１２ａｎ）を含んでも良い。
【００９３】
図１０（ｃ）に示すように、第２対向サイド部材１２ｃは、非磁性層１２ｃｐ、１２ｃｑ及び１２ｃｒなどを含んでも良い。第２対向サイド部材１２ｃは、磁性層１２ｃｍ（及び磁性層１２ｃｎ）を含んでも良い。
【００９４】
図１０（ｂ）に示すように、第２他サイド部材１２ｂは、非磁性層１２ｂｐ、１２ｂｑ及び１２ｂｒなどを含んでも良い。第２他サイド部材１２ｂは、磁性層１２ｂｍ（及び磁性層１２ｂｎ）を含んでも良い。
【００９５】
図１０（ｄ）に示すように、第２対向他サイド部材１２ｄは、非磁性層１２ｄｐ、１２ｄｑ及び１２ｄｒなどを含んでも良い。第２対向他サイド部材１２ｄは、磁性層１２ｄｍ（及び磁性層１２ｄｎ）を含んでも良い。
【００９６】
図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第２基材サイド部材２２ａ、第２基材対向サイド部材２２ｃ、第２基材他サイド部材２２ｂ及び第２基材対向他サイド部材２２ｄをそれぞれ例示している。
【００９７】
図１１（ａ）に示すように、第２基材サイド部材２２ａは、非磁性層２２ａｐ、２２ａｑ及び２２ａｒなどを含んでも良い。第２基材サイド部材２２ａは、磁性層２２ａｍ（及び磁性層２２ａｎ）を含んでも良い。
【００９８】
図１１（ｃ）に示すように、第２基材対向サイド部材２２ｃは、非磁性層２２ｃｐ、２２ｃｑ及び２２ｃｒなどを含んでも良い。第２基材対向サイド部材２２ｃは、磁性層２２ｃｍ（及び磁性層２２ｃｎ）を含んでも良い。
【００９９】
図１１（ｂ）に示すように、第２基材他サイド部材２２ｂは、非磁性層２２ｂｐ、２２ｂｑ及び２２ｂｒなどを含んでも良い。第２基材他サイド部材２２ｂは、磁性層２２ｂｍ（及び磁性層２２ｂｎ）を含んでも良い。
【０１００】
図１１（ｄ）に示すように、第２基材対向他サイド部材２２ｄは、非磁性層２２ｄｐ、２２ｄｑ及び２２ｄｒなどを含んでも良い。第２基材対向他サイド部材２２ｄは、磁性層２２ｄｍ（及び磁性層２２ｄｎ）を含んでも良い。
【０１０１】
図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、第１実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
これらの図は、第３サイド部材１３ａ、第３対向サイド部材１３ｃ、第３他サイド部材１３ｂ及び第３対向他サイド部材１３ｄをそれぞれ例示している。
【０１０２】
図１２（ａ）に示すように、第３サイド部材１３ａは、非磁性層１３ａｐ、１３ａｑ及び１３ａｒなどを含んでも良い。第３サイド部材１３ａは、磁性層１３ａｍ（及び磁性層１３ａｎ）を含んでも良い。
【０１０３】
図１２（ｃ）に示すように、第３対向サイド部材１３ｃは、非磁性層１３ｃｐ、１３ｃｑ及び１３ｃｒなどを含んでも良い。第３対向サイド部材１３ｃは、磁性層１３ｃｍ（及び磁性層１３ｃｎ）を含んでも良い。
【０１０４】
図１２（ｂ）に示すように、第３他サイド部材１３ｂは、非磁性層１３ｂｐ、１３ｂｑ及び１３ｂｒなどを含んでも良い。第３他サイド部材１３ｂは、磁性層１３ｂｍ（及び磁性層１３ｂｎ）を含んでも良い。
【０１０５】
図１２（ｄ）に示すように、第３対向他サイド部材１３ｄは、非磁性層１３ｄｐ、１３ｄｑ及び１３ｄｒなどを含んでも良い。第３対向他サイド部材１３ｄは、磁性層１３ｄｍ（及び磁性層１３ｄｎ）を含んでも良い。
【０１０６】
以下、本実施形態に係る電子装置のいくつかの例について説明する。以下においては、電子装置１１０と異なる部分の概要について説明する。
【０１０７】
図１３は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。  
図１３に示すように、実施形態に係る電子装置１１１においては、第１部材１１と第１素子５１との間に、基体５５が設けられる。第２部材１２と第２素子５２との間に、第１基材４１が設けられる。第３部材１３と第３素子５３との間に、第２基材４２が設けられる。
【０１０８】
電子装置１１１においても、第１〜第３部材１１〜１３により、電磁波を減衰できる。動作をより安定にできる電子装置を提供できる。
【０１０９】
図１４は、第１実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。  
図１４に示すように、実施形態に係る電子装置１１２においては、別の第２部材１２Ａ及び別の第３部材１３Ａがさらに設けられている。第１素子５１と第２部材１２との間に、別の第２部材１２Ａが設けられる。別の第２部材１２Ａと第２部材１２との間に、第１基材４１が設けられる。第２素子５２と第３部材１３との間に、別の第３部材１３Ａが設けられる。別の第３部材１３Ａと第３部材１３との間に、第２基材４２が設けられる。
【０１１０】
例えば、別の第２部材１２Ａは、第２部材１２と同様の構成を有しても良い。例えば、別の第２部材１２Ａは、複数の非磁性層と、複数の非磁性層の間に設けられた磁性層と、を含む。例えば、別の第３部材１３Ａは、第３部材１３と同様の構成を有しても良い。例えば、別の第３部材１３Ａは、複数の非磁性層と、複数の非磁性層の間に設けられた磁性層と、を含む。
【０１１１】
電子装置１１２においても、第１〜第３部材１１〜１３、第２部材１２Ａ、及び、第３部材１３Ａにより、電磁波を減衰できる。例えば、１つの部材に孔が設けられた場合において、他の部材は、その孔と重なる。電磁波をより効果的に減衰できる。動作をより安定にできる電子装置を提供できる。
【０１１２】
（第２実施形態）  
図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は、第２実施形態に係る電子装置を例示する模式図である。  
図１５（ａ）は、断面図である。図１５（ｂ）は、電子装置に使用できる実装部材２２０の断面図である。図１５（ｃ）は、実装部材２２０の拡大断面図である。図１５（ｄ）は、第２部材１２の平面図である。図１５（ｃ）においては、第１絶縁部材５１Ｉなどは省略されている。
【０１１３】
図１５（ａ）に示すように、電子装置１２０は、実装部材２２０と、第１素子５１と、第３部材１３と、を含む。この例では、素子５１Ｂがさらに設けられている。第１素子５１及び素子５１Ｂは、第１方向（Ｚ軸方向）において、実装部材２２０と第３部材１３との間に設けられる。この例では、第１素子５１と第３部材１３との間、及び、素子５１Ｂと第３部材１３との間に、第１絶縁部材５１Ｉが設けられる。
【０１１４】
図１５（ｂ）に示すように、実装部材２２０（例えば、基体５５）は、基板５５ｓ、第１部材１１及び第２部材１２を含む。Ｚ軸方向において、第１部材１１と第２部材１２との間に、基板５５ｓが設けられる。
【０１１５】
この例では、接続部５８（例えば、はんだバンプ）が設けられている。接続部５８と第２部材１２との間に、基体５５が設けられる。第２部材１２が設けられている面に、第１素子５１が実装される。
【０１１６】
図１５（ｄ）に示すように、第２部材１２は、孔１２ｏを含む。図１５（ａ）に示すように、第１素子５１と基板５５ｓとの間に、第１接続部材５１Ｎが設けられる。第１接続部材５１Ｎは、Ｚ軸方向において、孔１２ｏと重なる。第１素子５１と基板５５ｓとの間に、第１絶縁部材５１Ｉの一部が設けられても良い。
【０１１７】
図１５（ｃ）に示すように、実装部材２２０（基体５５）は、基体電極５５ｅ及び素子側電極５５ｆを含む。例えば、基体電極５５ｅと素子側電極５５ｆとの間に基板５５ｓが設けられる。基体電極５５ｅに接続部５８が設けられる。素子側電極５５ｆに第１接続部材５１Ｎが設けられる。第１接続部材５１Ｎにより、基体５５と第１素子５１とが電気的に接続される（図１５（ａ）参照）。例えば、第１接続部材５１Ｎにより、基体５５に設けられる配線（電極などを含む）を通して、説族部５８と第１素子５１とが電気的に接続される。この配線は、基体５５（基板５５ｓ）の中、または、基体５５（基板５５ｓ）の表面の少なくともいずれかに設けられる。
【０１１８】
この例では、基体５５は、基体絶縁層５５ｅｉをさらに含む。基体絶縁層５５ｅｉは、基体電極５５ｅと第１部材１１との間にある。この例では、基体５５は、素子側絶縁層５５ｆｉをさらに含む。素子側絶縁層５５ｆｉは、素子側電極５５ｆと第２部材１２との間にある。
【０１１９】
例えば、第１部材絶縁層１１ｉがさらに設けられても良い。第１部材絶縁層１１ｉと基板５５ｓとの間に第１部材１１が設けられる。例えば、第２部材絶縁層１２ｉがさらに設けられても良い。第２部材絶縁層１２ｉと基板５５ｓとの間に第２部材１２が設けられる。
【０１２０】
実装部材２２０（基体５５）においては、基板５５ｓの一方の面に第１部材１１が設けられ、基板５５ｓの他方の面に第２部材１２が設けられる。電磁波をより減衰させることができる。例えば、第２部材１２は、Ｚ軸方向において、孔１１ｏの少なくとも一部と重なっても良い。例えば、第１部材１１は、Ｚ軸方向において、孔１２ｏの少なくとも一部と重なっても良い。孔を通った電磁をより効果的に減衰できる。
【０１２１】
実装部材２２０（基体５５）の側面に導電膜（基体サイド部材２５ａ及び基体対向サイド部材２５ｃなど）が設けられても良い（図１５（ａ）及び図１５（ｂ）参照）。以下、実装部材２２０（基体５５）の側面に設けられる導電膜の例について説明する。
【０１２２】
図１６（ａ）〜図１６（ｅ）は、第２実施形態に係る電子装置の一部を例示する模式的断面図である。  
図１６（ｅ）は、基板５５ｓを通るＸ−Ｙ平面における断面図である。図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、拡大断面図である。
【０１２３】
図１６（ｅ）に示すように、実装部材２２０（基体５５）は、基体サイド部材２５ａ、基体対向サイド部材２５ｃ、基体他サイド部材２５ｂ及び基体対向他サイド部材２５ｄをさらに含んでも良い。第１方向と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、基板５５ｓは、基体サイド部材２５ａと基体対向サイド部材２５ｃとの間にある。第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、基板５５ｓは、基体他サイド部材２５ｂと基体対向他サイド部材２５ｄとの間にある。
【０１２４】
図１６（ａ）に示すように、基体サイド部材２５ａは、導電性の複数の基体サイド非磁性層（非磁性層２５ａｐ、２５ａｑ及び２５ａｒなど）と、複数の基体サイド非磁性層の１つ（非磁性層２５ａｐ）と複数の基体サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２５ａｑ）との間に設けられた基体サイド磁性層（磁性層２５ａｍ）と、を含む。複数の基体サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２５ａｐ）から複数の基体サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２５ａｑ）への方向は、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層２５ａｎがさらに設けられても良い。
【０１２５】
図１６（ｃ）に示すように、基体対向サイド部材２５ｃは、導電性の複数の基体対向サイド非磁性層（非磁性層２５ｃｐ、２５ｃｑ及び２５ｃｒなど）と、複数の基体対向サイド非磁性層の１つ（非磁性層２５ｃｐ）と複数の基体対向サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２５ｃｑ）との間に設けられた基体対向サイド磁性層（磁性層２５ｃｍ）と、を含む。複数の基体対向サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２５ｃｐ）から複数の基体対向サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２５ｃｑ）への方向は、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層２５ｃｎがさらに設けられても良い。
【０１２６】
図１６（ｂ）に示すように、基体他サイド部材２５ｂは、導電性の複数の基体他サイド非磁性層（非磁性層２５ｂｐ、２５ｂｑ及び２５ｂｒなど）と、複数の基体他サイド非磁性層の１つ（非磁性層２５ｂｐ）と複数の基体他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２５ｂｑ）との間に設けられた基体他サイド磁性層（磁性層２５ｂｍ）と、を含む。複数の基体他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２５ｂｐ）から複数の基体他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２５ｂｑ）への方向は、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層２５ｂｎがさらに設けられても良い。
【０１２７】
図１６（ｄ）に示すように、基体対向他サイド部材２５ｄは、導電性の複数の基体対向他サイド非磁性層（非磁性層２５ｄｐ、２５ｄｑ及び２５ｄｒなど）と、複数の基体対向他サイド非磁性層の１つ（非磁性層２５ｄｐ）と複数の基体対向他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層２５ｄｑ）との間に設けられた基体対向他サイド磁性層（磁性層２５ｄｍ）と、を含む。複数の基体対向他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層２５ｄｐ）から複数の基体対向他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層２５ｄｑ）への方向は、第３方向（例えば、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層２５ｄｎがさらに設けられても良い。
【０１２８】
上記の基体サイド部材２５ａ、基体対向サイド部材２５ｃ、基体他サイド部材２５ｂ及び基体対向他サイド部材２５ｄは、例えば、１つの電位（例えば、グランド電位）に設定されても良い。これらのサイド部材により、Ｘ−Ｙ平面に沿う成分を含む方向に進行する電磁波を効果的に減衰することができる。
【０１２９】
（第３実施形態）  
図１７は、第３実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。  
図１７に示すように、実施形態に係る電子装置１３０は、第１部材１１と、第２部材１２と、第１素子５１と、第１絶縁部材５１Ｉと、を含む。
【０１３０】
第１部材１１から第２部材１２への方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。第１素子５１は、第１方向において、第１部材１１と第２部材１２との間にある。第１絶縁部材５１Ｉは、第１方向において、第１部材１１と第１素子５１との間にある。
【０１３１】
第１部材１１及び第２部材１２は、例えば、第１実施形態に関して説明した構成を有しても良い。第１部材１１及び第２部材１２は、例えば、図２（ａ）及び図２（ｂ）に関して説明した構成を有しても良い。
【０１３２】
例えば、図２（ａ）に示すように、第１部材１１は、導電性の複数の第１非磁性層（非磁性層１１ｐ、１１ｑ及び１１ｒなど）と、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）と複数の第１非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｑ）との間に設けられた第１磁性層（磁性層１１ｍ）と、を含む。複数の第１非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｐ）から複数の第１非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｑ）への方向は、第１方向に沿う。磁性層１１ｎが設けられても良い。
【０１３３】
例えば、図２（ｂ）に示すように、第２部材１２は、導電性の複数の第２非磁性層（非磁性層１２ｐ、１２ｑ及び１２ｒなど）と、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）と複数の第２非磁性層の別の１つ（非磁性層１２ｑ）との間に設けられた第２磁性層（磁性層１２ｍ）と、を含む。複数の第２非磁性層の上記の１つ（非磁性層１２ｐ）から複数の第２非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１２ｑ）への方向は、第１方向に沿う。磁性層１２ｎが設けられても良い。
【０１３４】
第１部材１１及び第２部材１２は、例えば、図６（ｃ）及び図６（ｂ）に関して説明した構成を有しても良い。
【０１３５】
電子装置１３０においては、第１絶縁部材５１Ｉが設けられることで、第１部材１１と第１素子５１との間の電気的なショートが抑制される。
【０１３６】
図１７に示すように、電子装置１３０は、第１サイド部材１１ａ及び第１対向サイド部材１１ｃをさらに含んでも良い。第１サイド部材１１ａ及び第１対向サイド部材１１ｃは、第１実施形態に関して説明した構成を有しても良い。
【０１３７】
図１７に示すように、第１方向（Ｚ軸方向）と交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）において、第１素子５１は、第１サイド部材１１ａと第１対向サイド部材１１ｃとの間にある。
【０１３８】
例えば、図８（ａ）に示すように、第１サイド部材１１ａは、導電性の複数の第１サイド非磁性層（非磁性層１１ａｐ、１１ａｑ及び１１ａｒなど）と、複数の第１サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ａｐ）と複数の第１サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ａｑ）との間に設けられた第１サイド磁性層（磁性層１１ａｍ）と、を含む。複数の第１サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ａｐ）から複数の第１サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ａｑ）への方向は、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層１１ａｎが設けられても良い。
【０１３９】
例えば、図８（ｃ）に示すように、第１対向サイド部材１１ｃは、導電性の複数の第１対向サイド非磁性層（非磁性層１１ｃｐ、１１ｃｑ及び１１ｃｒなど）と、複数の第１対向サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ｃｐ）と複数の第１対向サイド非磁性層の別の１つと（非磁性層１１ｃｑ）の間に設けられた第１対向サイド磁性層（磁性層１１ｃｍ）と、を含む。複数の第１対向サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｃｐ）から複数の第１対向サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｃｑ）への方向は、第２方向（この例では、Ｘ軸方向）に沿う。磁性層１１ｃｎが設けられても良い。
【０１４０】
電子装置１３０は、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄをさらに含んでも良い（図７（ａ）参照）。
【０１４１】
第１方向及び第２方向を含む平面と交差する第３方向（この例では、Ｙ軸方向）において、第１素子５１は、第１他サイド部材１１ｂと第１対向他サイド部材１１ｄとの間にある。
【０１４２】
例えば、図８（ｂ）に示すように、第１他サイド部材１１ｂは、導電性の複数の第１他サイド非磁性層（非磁性層１１ｂｐ、１１ｂｑ及び１１ｂｒなど）と、複数の第１他サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ｂｐ）と複数の第１他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｂｑ）との間に設けられた第１他サイド磁性層（磁性層１１ｂｍ）と、を含む。複数の第１他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｂｐ）から複数の第１他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｂｑ）への方向は、第３方向（この例では、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層１１ｂｎが設けられても良い。
【０１４３】
例えば、図８（ｄ）に示すように、第１対向他サイド部材１１ｄは、導電性の複数の第１対向他サイド非磁性層（非磁性層１１ｄｐ、１１ｄｑ及び１１ｄｒなど）と、複数の第１対向他サイド非磁性層の１つ（非磁性層１１ｄｐ）と複数の第１対向他サイド非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｄｑ）との間に設けられた第１対向他サイド磁性層（磁性層１１ｄｍ）と、を含む。複数の第１対向他サイド非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｄｐ）から複数の第１対向他サイド非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｄｑ）への方向は、第３方向（この例では、Ｙ軸方向）に沿う。磁性層１１ｄｎが設けられても良い。
【０１４４】
第１サイド部材１１ａ及び第１対向サイド部材１１ｃが設けられることで、Ｘ軸方向の成分を有する方向に進行する電磁波を効果的に減衰できる。第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄが設けられることで、Ｙ軸方向の成分を有する方向に進行する電磁波を効果的に減衰できる。
【０１４５】
図１７に示すように、電子装置１３０は、第２絶縁部材５２Ｉをさらに含んでも良い。第１方向（Ｚ軸方向）において、第１部材１１と第２絶縁部材５２Ｉとの間に、第１絶縁部材５１Ｉがある。第１方向において、第１絶縁部材５１Ｉと第２絶縁部材５２Ｉとの間に第１素子５１がある。第１方向において、第１素子５１と第２絶縁部材５２Ｉとの間に、第２部材１２がある。
【０１４６】
例えば、第１サイド部材１１ａは、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第２絶縁部材５２Ｉの一部と、第１素子５１との間にある。第１対向サイド部材１１ｃは、第２方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第２絶縁部材５２Ｉの別の一部と、第１素子５１との間にある。第２絶縁部材５２Ｉにより、第１素子５１、第２部材１２、第１サイド部材１１ａ及び第１対向サイド部材１１ｃが保護される。例えば、安定した動作を得やすくなる。
【０１４７】
（第４実施形態）  
図１８は、第４実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。  
図１８に示すように、実施形態に係る電子装置１４０は、第１部材１１と、第２部材１２と、第１素子５１と、第２素子５２と、を含む。
【０１４８】
第１部材１１から第２部材１２への方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。第２素子５２から第１素子５１への方向は、第１方向と交差する。第１素子５１は、第１方向において、第１部材１１の一部と、第２部材１２の一部と、の間にある。第２素子５２は、第１方向において、第１部材１１の別の一部と、第２部材１２の別の一部と、の間にある。
【０１４９】
第１部材１１及び第２部材１２は、例えば、第１実施形態に関して説明した構成を有する。
【０１５０】
例えば、図２（ａ）に関して説明したように、第１部材１１は、導電性の複数の第１非磁性層（非磁性層１１ｐ、１１ｑ及び１１ｒ）と、複数の第１非磁性層の１つ（非磁性層１１ｐ）と複数の第１非磁性層の別の１つ（非磁性層１１ｑ）との間に設けられた第１磁性層（磁性層１１ｍ）と、を含む。複数の第１非磁性層の上記の１つ（非磁性層１１ｐ）から複数の第１非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１１ｑ）への方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。磁性層１１ｎが設けられても良い。
【０１５１】
例えば、図２（ｂ）に関して説明したように、第２部材１２は、導電性の複数の第２非磁性層（非磁性層１２ｐ、１２ｑ及び１２ｒ）と、複数の第２非磁性層の１つ（非磁性層１２ｐ）と複数の第２非磁性層の別の１つ（非磁性層１２ｑ）との間に設けられた第２磁性層（磁性層１２ｍ）と、を含む。複数の第２非磁性層の上記の１つ（非磁性層１２ｐ）から複数の第２非磁性層の上記の別の１つ（非磁性層１２ｑ）への方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。磁性層１２ｎが設けられても良い。
【０１５２】
電子装置１４０は、第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄをさらに含んでも良い。第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄの間に、第１素子５１が設けられる。第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄは、例えば、図８（ａ）〜図８（ｄ）に関して説明した構成を有する。
【０１５３】
電子装置１４０は、第２サイド部材１２ａ、第２対向サイド部材１２ｃ、第２他サイド部材１２ｂ及び第２対向他サイド部材１２ｄをさらに含んでも良い。第２サイド部材１２ａ、第２対向サイド部材１２ｃ、第２他サイド部材１２ｂ及び第２対向他サイド部材１２ｄの間に、第２素子５２が設けられる。第２サイド部材１２ａ、第２対向サイド部材１２ｃ、第２他サイド部材１２ｂ及び第２対向他サイド部材１２ｄは、例えば、図１０（ａ）〜図１０（ｄ）に関して説明した構成を有する。
【０１５４】
（第５実施形態）  
図１９は、第５実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。  
図１９に示すように、実施形態に係る電子装置１５０は、第１部材１１と、第２部材１２と、第１素子５１と、第２素子５２と、を含む。
【０１５５】
第１部材１１から第２部材１２への方向は、第１方向（Ｚ軸方向）に沿う。第２素子５２から第１素子５１への方向は、第１方向と交差する。第１素子５１は、第１方向において、第１部材１１の一部と、第２部材１２の一部と、の間にある。第１部材１１及び第２部材１２は、例えば、第１実施形態に関して説明した構成を有する。
【０１５６】
第２素子５２は、例えば、アンテナを含む。第２素子５２は、例えば、受信機を含む。第２素子５２は、第１部材１１と第２部材１２との間に設けられない。これにより、第２素子５２における電磁波の受信が行われる。
【０１５７】
第１素子５１は、第１部材１１と第２部材１２との間に設けられる。例えば、第１素子５１に向かう電磁波が、第１部材１１及び第２部材１２により効果的に減衰される。第１素子５１で発生する電磁波が、第１部材１１及び第２部材１２により効果的に減衰される。
【０１５８】
電子装置１５０は、第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄをさらに含んでも良い。第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄの間に、第１素子５１が設けられる。第１サイド部材１１ａ、第１対向サイド部材１１ｃ、第１他サイド部材１１ｂ及び第１対向他サイド部材１１ｄは、例えば、図８（ａ）〜図８（ｄ）に関して説明した構成を有する。
【０１５９】
実施形態は、例えば、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。  
（構成１）  
第１〜第３部材と、
第１素子と、
第２素子と、
を備え、
前記第１部材から前記第３部材への方向は、第１方向に沿い、
前記第２部材は、前記第１方向において前記第１部材と前記第３部材との間にあり、
前記第１素子は、前記第１方向において前記第１部材と前記第２部材との間にあり、
前記第２素子は、前記第１方向において前記第２部材と前記第３部材との間にあり、
前記第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、前記複数の第１非磁性層の１つと前記複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含み、前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、前記複数の第２非磁性層の１つと前記複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含み、前記複数の第２非磁性層の前記１つから前記複数の第２非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第３部材は、導電性の複数の第３非磁性層と、前記複数の第３非磁性層の１つと前記複数の第３非磁性層の別の１つとの間に設けられた第３磁性層と、を含み、前記複数の第３非磁性層の前記１つから前記複数の第３非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う、電子装置。
【０１６０】
（構成２）  
前記第２素子と電気的に接続された接続部材をさらに備え、
前記第２部材は、孔を含み、
前記接続部材は、前記第１方向において前記孔と重なる、構成１記載の電子装置。
【０１６１】
（構成３）  
第１基材をさらに備え、
前記第１基材は、前記第１方向において前記第１素子と前記第２部材との間にあり、
前記第２部材は、前記第１基材と接する、構成１または２に記載の電子装置。
【０１６２】
（構成４）    
接続部材をさらに備え、
前記第２部材は、孔を含み、
前記第１基材は、第１基材電極を含み、
前記接続部材は、前記孔を介して前記第１基材電極と前記第２素子とを電気的に接続する、構成３記載の電子装置。
【０１６３】
（構成５）  
前記第１基材は、第１基材絶縁層をさらに含み、
前記第１基材絶縁層は、前記第２部材と前記第２素子との間、及び、前記第１基材電極と前記第２部材との間にある、構成４記載の電子装置。
【０１６４】
（構成６）  
前記第１基材電極の厚さは、前記複数の前記第２非磁性層の前記１つの厚さと実質的に同じであり、
前記第１基材電極の材料は、前記複数の前記第２非磁性層の前記１つの材料と実質的に同じである、構成４または５に記載の電子装置。
【０１６５】
（構成７）  
前記第１基材電極の厚さと、前記複数の前記第２非磁性層の前記１つの厚さと、の差の絶対値は、前記複数の前記第２非磁性層の前記１つの前記厚さと、前記複数の前記第２非磁性層の前記別の１つの厚さと、の差の絶対値の１／２以下である、構成４または５に記載の電子装置。
【０１６６】
（構成８）  
第１基材サイド部材、第１基材対向サイド部材、第１基材他サイド部材及び第１基材対向他サイド部材をさらに備え、
前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１基材は、前記第１基材サイド部材と前記第１基材対向サイド部材との間にあり、
前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向において、前記第１基材は、前記第１基材他サイド部材と前記第１基材対向他サイド部材との間にあり、
前記第１基材サイド部材は、導電性の複数の第１基材サイド非磁性層と、前記複数の第１基材サイド非磁性層の１つと前記複数の第１基材サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１基材サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１基材サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１基材サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１基材対向サイド部材は、導電性の複数の第１基材対向サイド非磁性層と、前記複数の第１基材対向サイド非磁性層の１つと前記複数の第１基材対向サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１基材対向サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１基材対向サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１基材対向サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１基材他サイド部材は、導電性の複数の第１基材他サイド非磁性層と、前記複数の第１基材他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１基材他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１基材他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１基材他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１基材他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿い、
前記第１基材対向他サイド部材は、導電性の複数の第１基材対向他サイド非磁性層と、前記複数の第１基材対向他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１基材対向他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１基材対向他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１基材対向他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１基材対向他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿う、構成３〜７のいずれか１つに記載の電子装置。
【０１６７】
（構成９）  
前記第２素子と前記第２部材との間に設けられた部分を含む絶縁部材をさらに備えた、構成１〜８のいずれか１つに記載の電子装置。
【０１６８】
（構成１０）  
前記第１方向において、前記第２素子は、前記絶縁部材の別の一部と前記第２部材との間にある、構成９記載の電子装置。
【０１６９】
（構成１１）  
第１サイド部材、第１対向サイド部材、第１他サイド部材及び第１対向他サイド部材をさらに備え、
前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１素子は、前記第１サイド部材と前記第１対向サイド部材との間にあり、
前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向において、前記第１素子は、前記第１他サイド部材と前記第１対向他サイド部材との間にあり、
前記第１サイド部材は、導電性の複数の第１サイド非磁性層と、前記複数の第１サイド非磁性層の１つと前記複数の第１サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１対向サイド部材は、導電性の複数の第１対向サイド非磁性層と、前記複数の第１対向サイド非磁性層の１つと前記複数の第１対向サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１対向サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１対向サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１対向サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１他サイド部材は、導電性の複数の第１他サイド非磁性層と、前記複数の第１他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿い、
前記第１対向他サイド部材は、導電性の複数の第１対向他サイド非磁性層と、前記複数の第１対向他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１対向他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１対向他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１対向他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１対向他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿う、構成１〜１０のいずれか１つに記載の電子装置。
【０１７０】
（構成１２）  
第３素子をさらに備え、
前記第３部材は、前記第１方向において前記第２素子と前記第３素子との間にある、構成１〜９のいずれか１つに記載の電子装置。
【０１７１】
（構成１３）  
第１部材と、
第２部材と、
第１素子と、
第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１部材から前記第２部材への方向は、第１方向に沿い、
前記第１素子は、前記第１方向において前記第１部材と前記第２部材との間にあり、
前記第１絶縁部材は、前記第１方向において前記第１部材と前記第１素子との間にあり、
前記第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、前記複数の第１非磁性層の１つと前記複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含み、前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、前記複数の第２非磁性層の１つと前記複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含み、前記複数の第２非磁性層の前記１つから前記複数の第２非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う、電子装置。
【０１７２】
（構成１４）  
第１サイド部材及び第１対向サイド部材をさらに備え、
前記第１方向と交差する第２方向において、前記第１素子は、前記第１サイド部材と前記第１対向サイド部材との間にあり、
前記第１サイド部材は、導電性の複数の第１サイド非磁性層と、前記複数の第１サイド非磁性層の１つと前記複数の第１サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿い、
前記第１対向サイド部材は、導電性の複数の第１対向サイド非磁性層と、前記複数の第１対向サイド非磁性層の１つと前記複数の第１対向サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１対向サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１対向サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１対向サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第２方向に沿う、構成１３記載の電子装置。
【０１７３】
（構成１５）  
第１他サイド部材及び第１対向他サイド部材をさらに備え、
前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する第３方向において、前記第１素子は、前記第１他サイド部材と前記第１対向他サイド部材との間にあり、
前記第１他サイド部材は、導電性の複数の第１他サイド非磁性層と、前記複数の第１他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿い、
前記第１対向他サイド部材は、導電性の複数の第１対向他サイド非磁性層と、前記複数の第１対向他サイド非磁性層の１つと前記複数の第１対向他サイド非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１対向他サイド磁性層と、を含み、前記複数の第１対向他サイド非磁性層の前記１つから前記複数の第１対向他サイド非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第３方向に沿う、構成１３記載の電子装置。
【０１７４】
（構成１６）  
第２絶縁部材をさらに備え、
前記第１方向において、前記第１部材と前記第２絶縁部材との間に前記第１絶縁部材があり、
前記第１方向において、前記第１絶縁部材と前記第２絶縁部材との間に前記第１素子があり、
前記第１方向において、前記第１素子と前記第２絶縁部材との間に前記第２部材がある、構成１４または１５に記載の電子装置。
【０１７５】
（構成１７）  
前記第１サイド部材は、前記第２方向において、前記第２絶縁部材の一部と前記第１素子との間にあり、
前記第１対向サイド部材は、前記第２方向において、前記第２絶縁部材の別の一部と前記第１素子との間にある、構成１６記載の電子装置。
【０１７６】
（構成１８）  
第１部材と、
第２部材と、
第１素子と、
第２素子と、
を備え、
前記第１部材から前記第２部材への方向は、第１方向に沿い、
前記第２素子から前記第１素子への方向は、前記第１方向と交差し、
前記第１素子は、前記第１方向において前記第１部材の一部と前記第２部材の一部との間にあり、
前記第２素子は、前記第１方向において前記第１部材の別の一部と前記第２部材の別の一部との間にあり、
前記第１部材は、導電性の複数の第１非磁性層と、前記複数の第１非磁性層の１つと前記複数の第１非磁性層の別の１つとの間に設けられた第１磁性層と、を含み、前記複数の第１非磁性層の前記１つから前記複数の第１非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿い、
前記第２部材は、導電性の複数の第２非磁性層と、前記複数の第２非磁性層の１つと前記複数の第２非磁性層の別の１つとの間に設けられた第２磁性層と、を含み、前記複数の第２非磁性層の前記１つから前記複数の第２非磁性層の前記別の１つへの方向は前記第１方向に沿う、電子装置。
【０１７７】
（構成１９）  
前記第１磁性層の少なくとも一部は、Ｆｅ１−ｘ１−ｘ２αｘ１Ｎｘ２を含み、
前記αは、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ及びＡｌよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、前記ｘ１は０．５原子パーセント以上１０原子パーセント以下であり、前記ｘ２は、０．５原子パーセント以上８原子パーセント以下である、構成１〜１８のいずれか１つに記載の電子装置。
【０１７８】
（構成２０）  
前記第１部材は、別の第１磁性層をさらに含み、
前記複数の第１非磁性層の前記別の１つは、前記第１方向において、前記第１磁性層と、前記別の第１磁性層と、の間にあり、
前記第１磁性層の磁化の向きは、前記別の第１磁性層の磁化の向きと交差した、構成１〜１８のいずれか１つに記載の電子装置。
【０１７９】
実施形態によれば、動作をより安定にできる電子装置が提供できる。
【０１８０】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、電子装置に含まれる素子、部材、基材及び基体などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
【０１８１】
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１８２】
その他、本発明の実施の形態として上述した電子装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての電子装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１８３】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１８４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１８５】
１１〜１３…第１〜第３部材、
１１ａ、１２ａ、１３ａ…第１〜第３サイド部材、
１１ａｍ、１１ａｎ、１２ａｍ、１２ａｎ、１３ａｍ、１３ａｎ…磁性層、
１１ａｐ、１１ａｑ、１１ａｒ、１２ａｐ、１２ａｑ、１２ａｒ、１３ａｐ、１３ａｑ、１３ａｒ…非磁性層、
１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ…第１〜第３他サイド部材、
１１ｂｍ、１１ｂｎ、１２ｂｍ、１２ｂｎ、１３ｂｍ、１３ｂｎ…磁性層、
１１ｂｐ、１１ｂｑ、１１ｂｒ、１２ｂｐ、１２ｂｑ、１２ｂｒ、１３ｂｐ、１３ｂｑ、１３ｂｒ…非磁性層、
１１ｃ、１２ｃ、１３ｃ…第１〜第３対向サイド部材、
１１ｃｍ、１１ｃｎ、１２ｃｍ、１２ｃｎ、１３ｃｍ、１３ｃｎ…磁性層、
１１ｃｐ、１１ｃｑ、１１ｃｒ、１２ｃｐ、１２ｃｑ、１２ｃｒ、１３ｃｐ、１３ｃｑ、１３ｃｒ…非磁性層、
１１ｄ、１２ｄ、１３ｄ…第１〜第３対向他サイド部材、
１１ｄｍ、１１ｄｎ、１２ｄｍ、１２ｄｎ、１３ｄｍ、１３ｄｎ…磁性層、
１１ｄｐ、１１ｄｑ、１１ｄｒ、１２ｄｐ、１２ｄｑ、１２ｄｒ、１３ｄｐ、１３ｄｑ、１３ｄｒ…非磁性層、
１１ｉ〜１３ｉ…第１〜第３部材絶縁層、
１１ｍ、１１ｎ、１２ｍ、１２ｎ、１３ｍ、１３ｎ…磁性層、
１１ｏ、１２ｏ、１３ｏ…孔、
１１ｐ、１１ｐ、１１ｒ、１２ｐ、１２ｐ、１２ｒ、１３ｐ、１３ｐ、１３ｒ…非磁性層、
１２Ａ…別の第２部材、
１３Ａ…別の第３部材、
１８…部材、
１８ｍ、１８ｎ…磁性層、
１８ｐ、１８ｑ、１８ｒ…非磁性層、
２１ａ、２２ａ…第１、第２基材サイド部材、
２１ａｍ、２１ａｎ、２２ａｍ、２２ａｎ…磁性層、
２１ａｐ、２１ａｑ、２１ａｒ、２２ａｐ、２２ａｑ、２２ａｒ…非磁性層、
２１ｂ、２２ｂ…第１、第２基材他サイド部材、
２１ｂｍ、２１ｂｎ、２２ｂｍ、２２ｂｎ…磁性層、
２１ｂｐ、２１ｂｑ、２１ｂｒ、２２ｂｐ、２２ｂｑ、２２ｂｒ…非磁性層、
２１ｃ、２２ｃ…第１、第２基材対向サイド部材、
２１ｃｍ、２１ｃｎ、２２ｃｍ、２２ｃｎ…磁性層、
２１ｃｐ、２１ｃｑ、２１ｃｒ、２２ｃｐ、２２ｃｑ、２２ｃｒ…非磁性層、
２１ｄ、２２ｄ…第１、第２基材対向他サイド部材、
２１ｄｍ、２１ｄｎ、２２ｄｍ、２２ｄｎ…非磁性層、
２１ｄｐ、２１ｄｑ、２１ｄｒ、２２ｄｐ、２２ｄｑ、２２ｄｒ…磁性層、
２５ａ…基体サイド部材、
２５ａｍ、２５ａｎ…磁性層、
２５ａｐ、２５ａｑ、２５ａｒ…非磁性層、
２５ｂ…基体他サイド部材、
２５ｂｍ、２５ｂｎ…磁性層、
２５ｂｐ、２５ｂｑ、２５ｂｒ…非磁性層、
２５ｃ…基体対向サイド部材、
２５ｃｍ、２５ｃｎ…磁性層、
２５ｃｐ、２５ｃｑ、２５ｃｒ…非磁性層、
２５ｄ…基体対向他サイド部材、
２５ｄｍ、２５ｄｎ…磁性層、
２５ｄｐ、２５ｄｑ、２５ｄｒ…非磁性層、
４１、４２…第１、第２基材、
４１ｅ、４２ｅ…第１、第２基材電極、
４１ｅｉ、４２ｅｉ…第１、第２基材絶縁層、
４１ｓ、４２ｓ…第１、第２基板、
５１〜５３…第１〜第３素子、
５１Ｂ、５３Ｂ、５３Ｃ…素子、
５１Ｉ、５２Ｉ、５３Ｉ…第１〜第３絶縁部材、
５１Ｎ、５２Ｎ、５３Ｎ…第１〜第３接続部材、
５１ｅ、５２ｅ、５３ｅ…第１〜第３素子電極、
５１ｅｉ、５２ｅｉ、５３ｅｉ…第１〜第３素子絶縁層、
５５…基体、
５５ｅ…基体電極、
５５ｅｉ…基体絶縁層、
５５ｆ…素子側電極、
５５ｆｉ…素子側絶縁層、
５５ｓ…基板、
５８…接続部、
１１０、１１１、１１２、１２０、１３０、１４０、１５０…  電子装置、
２２０…実装部材、
ＣＦ０２、ＣＦ０４、ＣＦ１０、ＣＦ２０…特性、
ＣＦ１〜ＣＦ３…第１〜第３試料、
ＣＺＮ…特性、
ＭＳＥ…減衰性能、
ｆ…周波数
【図１】
2020031188.tif 000003
【図２】
2020031188.tif 000004
【図３】
2020031188.tif 000005
【図４】
2020031188.tif 000006
【図５】
2020031188.tif 000007
【図６】
2020031188.tif 000008
【図７】
2020031188.tif 000009
【図８】
2020031188.tif 000010
【図９】
2020031188.tif 000011
【図１０】
2020031188.tif 000012
【図１１】
2020031188.tif 000013
【図１２】
2020031188.tif 000014
【図１３】
2020031188.tif 000015
【図１４】
2020031188.tif 000016
【図１５】
2020031188.tif 000017
【図１６】
2020031188.tif 000018
【図１７】
2020031188.tif 000019
【図１８】
2020031188.tif 000020
【図１９】
2020031188.tif 000021