(57)【要約】【課題】  コンタクトプラグの充填不良に伴うパッドの製造不良を抑制する。【解決手段】  半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた電力用の主電極と、絶縁膜上に設けられた信号用のパッドとを備える。主電極が設けられたセル領域と、パッドが設けられたパッド領域とのそれぞれでは、絶縁膜にコンタクトホールが形成されている。パッド領域に位置するコンタクトホールの高さ位置は、セル領域に位置するコンタクトホールの高さ位置よりも高く、パッド領域に位置するコンタクトホールの幅は、セル領域に位置するコンタクトホールの幅よりも大きい。【選択図】図２
2020031154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた電力用の主電極と、
前記絶縁膜上に設けられた信号用のパッドと、
を備え、
前記主電極が設けられたセル領域と、前記パッドが設けられたパッド領域とのそれぞれでは、前記絶縁膜にコンタクトホールが形成されており、
前記パッド領域に位置する前記コンタクトホールの高さ位置は、前記セル領域に位置する前記コンタクトホールの高さ位置よりも高く、
前記パッド領域に位置する前記コンタクトホールの幅は、前記セル領域に位置する前記コンタクトホールの幅よりも大きい、
半導体装置。
【請求項２】
前記パッド領域に位置する前記コンタクトホールの幅は、前記半導体基板側に位置する下端よりも、前記パッド側に位置する上端において大きい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記パッド領域に位置する前記コンタクトホールの幅は、前記下端から前記上端に向けて連続的に拡大している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記パッド領域に位置する前記コンタクトホールの前記上端における前記幅は、同コンタクトホールの前記下端における前記幅の１．３倍よりも大きい、請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パッド領域に位置する前記コンタクトホールの内部には、前記パッドとは異なる材料で構成されたコンタクトプラグが設けられており、
前記パッドに接する前記コンタクトプラグの上面は、Ｖ字状に屈曲しているとともに、前記上面の最深部に形成される角度が９０度よりも大きい、請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた電力用の主電極及び信号用のパッドとを備える。主電極が設けられた領域（以下、セル領域という）と、パッドが設けられた領域（以下、パッド領域という）とのそれぞれでは、絶縁膜にコンタクトホールが形成されており、各々のコンタクトホール内には、主電極又はパッドに接続されたコンタクトプラグが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１１１０８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した半導体装置では、セル領域とパッド領域との間において、半導体基板上に設けられた構造が相違している。特に、パッド領域に位置するコンタクトホールの高さ位置が、セル領域に位置するコンタクトホールの高さ位置よりも高くなっている。このような構成であると、フォトリソグラフィによってコンタクトホールを形成する際に、全てのコンタクトホールに対して露光時の焦点を正確に合わせることできない。即ち、セル領域に位置するコンタクトホールに対して焦点を合わせると、パッド領域に位置するコンタクトホールに対してはその焦点が合わなくなる。この場合、パッド領域に位置するコンタクトホールが、設計値よりも小さな寸法で形成されることがある。コンタクトホールが意図した寸法よりも小さいと、コンタクトプラグによってコンタクトホールを十分に充填することができないことがある。この場合、その後に形成されるパッドの内部において、空洞（鬆とも称される）といった欠陥が生じるおそれがある。本明細書は、このようなパッドの製造不良を抑制し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられた電力用の主電極と、絶縁膜上に設けられた信号用のパッドとを備える。主電極が設けられたセル領域と、パッドが設けられたパッド領域とのそれぞれでは、絶縁膜にコンタクトホールが形成されている。パッド領域に位置するコンタクトホールの高さ位置は、セル領域に位置するコンタクトホールの高さ位置よりも高く、パッド領域に位置するコンタクトホールの幅は、セル領域に位置するコンタクトホールの幅よりも大きい。
【０００６】
上記した半導体装置では、パッド領域に位置するコンタクトホールの高さ位置が、セル領域に位置するコンタクトホールの高さ位置よりも高い。従って、前述したように、フォトリソグラフィによるコンタクトホールの形成において、パッド領域に位置するコンタクトホールが、設計値よりも小さな寸法で形成されることがある。しかしながら、パッド領域に位置するコンタクトホールの幅は、セル領域に位置するコンタクトホールの幅よりも大きく設計されている。これにより、パッド領域に位置するコンタクトホールが、意図した寸法より小さく形成された場合でも、コンタクトホールの幅が比較的に大きいことから、コンタクトプラグによってコンタクトホールを十分に充填することができる。これにより、コンタクトプラグの形成不良や、それに起因するパッドの製造不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】半導体装置１０の平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線及びＢ−Ｂ線における半導体装置１０の断面図。
【図３】図２中のＩＩＩ部の拡大図であって、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６の断面構造を示す。
【図４】コンタクトホール２６の上下端２６ａ、２６ｂにおける幅の比率Ｗｔｏｐ／Ｗｂｔｍが異なる複数のサンプル（Ｎｏ．１〜２３）について、ボンディングパッド１６の機械的強度を評価した結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本技術の一実施形態では、パッド領域に位置するコンタクトホールの幅が、半導体基板側に位置する下端よりも、パッド側に位置する上端において大きくてもよい。このような構成によると、コンタクトホール内をコンタクトプラグ（あるいはパッド）によって充填しやすい。これにより、コンタクトプラグの形成不良や、それに起因するパッドの製造不良をさらに抑制することができる。
【０００９】
上記した実施形態において、パッド領域に位置するコンタクトホールの幅は、当該コンタクトホールの下端から上端に向けて連続的に拡大していてもよい。このような構成によると、コンタクトホール内をコンタクトプラグによって充填するときに、コンタクトプラグ内に空洞が形成されることを、効果的に抑制することができる。これにより、コンタクトプラグの形成不良や、それに起因するパッドの製造不良をさらに抑制することができる。
【００１０】
上記した実施形態において、パッド領域に位置するコンタクトホールの上端における幅は、同コンタクトホールの下端における幅の１．３倍よりも大きくてもよい。このような構成によると、パッドの製造不良が十分に抑制されることが、パッドの機械的強度を評価した試験（図４参照）によって確認されている。
【００１１】
本技術の一実施形態において、パッド領域に位置するコンタクトホールの内部には、パッドとは異なる材料で構成されたコンタクトプラグが設けられていてもよい。この場合、パッドに接するコンタクトプラグの上面は、Ｖ字状に屈曲しているとともに、その最深部に形成される角度が９０度よりも大きいとよい。コンタクトプラグの形成を、成膜（例えばスパッタリング）とエッチングとで実施した場合、コンタクトプラグの上面はＶ字状に屈曲した形状となる。このとき、最深部に形成される角度が９０度未満の鋭角であると、その後に形成されるパッドの内部に空洞が形成されて、パッドの機械的強度が低下し易いことが確認されている。それに対して、最深部に形成される角度が９０度よりも大きい鈍角であると、パッドが必要とされる機械的強度を満たすことが確認されている。
【実施例】
【００１２】
図１に示すように、実施例の半導体装置１０は、半導体基板１２を有している。半導体基板１２は、特に限定されないが、シリコンによって構成されている。半導体基板１２の上面１２ａには、エミッタ電極５６と複数のボンディングパッド１６が形成されている。エミッタ電極５６は、本技術における電力用の主電極の一例であり、ボンディングパッド１６は、本技術における信号用のパッドの一例である。また、本明細書では、エミッタ電極５６が設けられた領域をセル領域５４と称し、ボンディングパッド１６が設けられた領域をパッド領域１４という。
【００１３】
図２は、半導体装置１０の断面図である。なお、図２では、図１中のＡ−Ａ線におけるセル領域５４の断面図と、図１中のＢ−Ｂ線におけるパッド領域１４の断面図とが並べて示されている。半導体基板１２の下面１２ｂには、パッド領域１４からセル領域５４に亘って、コレクタ電極５８が形成されている。
【００１４】
先ず、パッド領域１４の構造について説明する。パッド領域１４内の半導体基板１２の上面１２ａには、表面酸化膜１７が形成されている。表面酸化膜１７は、特に限定されないが、酸化シリコン（ＳｉＯ２）によって構成されている。表面酸化膜１７は、パッド領域１４内の半導体基板１２の上面１２ａの全域を覆っている。表面酸化膜１７は、半導体基板１２を酸化させることによって得られる膜である。表面酸化膜１７上には、ゲート配線１８が形成されている。ゲート配線１８は、特に限定されないが、ポリシリコンによって構成されている。ゲート配線１８を構成するポリシリコンには、ｐ型の不純物として、アルミニウム（Ａｌ）が導入されている。なお、ｐ型の不純物にはホウ素（Ｂ）を採用することもできるが、ホウ素（Ｂ）を採用した場合、ゲート配線１８の機械的強度が低下し得ることが確認されている。
【００１５】
表面酸化膜１７とゲート配線１８上には、絶縁膜２０が形成されている。絶縁膜２０は、特に限定されないが、酸化シリコン（ＳｉＯ２）によって構成されている。絶縁膜２０は、ゲート配線１８の上面と、ゲート配線１８が形成されていない位置の表面酸化膜１７の上面を覆っている。絶縁膜２０は、ＮＳＧ膜２２とＢＰＳＧ膜２４を有している。ＮＳＧ膜２２は、ＮＳＧ（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）により構成されている膜である。すなわち、ＮＳＧ膜２２は、ボロンとリンがドープされていないＳｉＯ２により構成された膜である。ＮＳＧ膜２２は、表面酸化膜１７とゲート配線１８上に形成されている。ＢＰＳＧ膜２４は、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｏｒｕｓ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）により構成されている膜である。すなわち、ＢＰＳＧ膜２４は、ボロンとリンがドープされたＳｉＯ２により構成された膜である。ＢＰＳＧ膜２４は、ＮＳＧ膜２２上に形成されている。
【００１６】
絶縁膜２０には、複数のコンタクトホール２６が形成されている。各コンタクトホール２６は、ゲート配線１８上に形成されている範囲内の絶縁膜２０を上面から下面まで貫通している。コンタクトホール２６の底面は、ゲート配線１８によって構成されている。コンタクトホール２６の内面（すなわち、コンタクトホール２６の底面を構成するゲート配線１８の上面と絶縁膜２０の側面）は、チタン（Ｔｉ）を用いて構成されたバリアメタル２８によって覆われている。バリアメタル２８は、コンタクトホール２６内にのみ形成されており、絶縁膜２０の上面には形成されていない。コンタクトホール２６内には、コンタクトプラグ３０が配置されている。コンタクトプラグ３０は、コンタクトホール２６内に充填された金属であり、本実施例ではタングステン（Ｗ）により構成されている。コンタクトプラグ３０は、バリアメタル２８の表面を覆っている。なお、他の実施形態として、コンタクトプラグ３０は、タングステンとは異なる材料で構成されてもよく、例えばボンディングパッド１６と同じ材料で構成されてもよい。
【００１７】
図２に示すように、絶縁膜２０とコンタクトプラグ３０の表面には、ボンディングパッド１６が形成されている。ボンディングパッド１６は、電圧信号又は電流信号を入力及び／又は出力するための電極である。ボンディングパッド１６は、金属で構成されている。一例ではあるが、本実施例のボンディングパッド１６は、Ａｌ−Ｓｉ合金を用いて構成されている。ボンディングパッド１６は、コンタクトプラグ３０及びバリアメタル２８を介して、ゲート配線１８に接続されている。なお、ボンディングパッド１６とＢＰＳＧ膜２４の間には、バリアメタル２８が存在しておらず、ボンディングパッド１６は、ＢＰＳＧ膜２４に直接接触している。
【００１８】
ボンディングパッド１６が形成されていない範囲の絶縁膜２０上には、保護膜３４が形成されている。保護膜３４は、絶縁性の膜である。一例ではあるが、保護膜３４は、ポリイミド膜、ＳｉＮ膜、または、ＳｉＮ膜上にポリイミド膜を積層した積層膜によって構成されることができる。保護膜３４には、ボンディングパッド１６を露出させる開口部３４ａが形成されている。ボンディングパッド１６には、ワイヤ３６がボンディングされている。ワイヤ３６の他端は、図示しない信号用端子等に接続される。
【００１９】
次に、セル領域５４について説明する。セル領域５４内には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が形成されている。ＩＧＢＴは、以下の構成を有している。セル領域５４内の半導体基板１２には、エミッタ領域６０、ボディコンタクト領域６２、ボディ領域６４、ドリフト領域６６及びコレクタ領域６８が形成されている。エミッタ領域６０は、ｎ型であり、半導体基板１２の上面１２ａに面する位置に形成されている。ボディコンタクト領域６２は、ｐ＋型であり、半導体基板１２の上面１２ａに面する位置に形成されている。ボディ領域６４は、ｐ−型であり、エミッタ領域６０とボディコンタクト領域６２の下側に形成されている。ボディ領域６４のｐ型不純物濃度は、ボディコンタクト領域６２のｐ型不純物よりも低い。ドリフト領域６６は、ｎ型であり、ボディ領域６４の下側に形成されている。コレクタ領域６８は、ｐ型であり、ドリフト領域６６の下側に形成されている。コレクタ領域６８は、半導体基板１２の下面１２ｂに面する位置に形成されている。コレクタ領域６８は、コレクタ電極５８に接続されている。なお、ボディ領域６４、ドリフト領域６６及びコレクタ領域６８は、パッド領域１４に位置する半導体基板１２にも形成されている。なお、セル領域５４内の半導体基板１２には、ＩＧＢＴに代えて、又は加えて、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）やダイオードといった他のデバイス構造が形成されてもよい。
【００２０】
セル領域５４内の半導体基板１２の上面１２ａには、トレンチ７０が形成されている。トレンチ７０は、エミッタ領域６０とボディ領域６４を貫通してドリフト領域６６に達している。トレンチ７０の内面は、ゲート絶縁膜７２によって覆われている。トレンチ７０内には、ゲート電極７４が形成されている。ゲート電極７４は、ゲート絶縁膜７２によって半導体基板１２から絶縁されている。ゲート電極７４は、ゲート絶縁膜７２を介して、エミッタ領域６０、ボディ領域６４及びドリフト領域６６に対向している。ゲート電極７４は、図示しない位置で、上述したゲート配線１８に接続されている。ゲート電極７４は、ゲート配線１８を介して、ボンディングパッド１６へ電気的に接続されている。ゲート電極７４の上面は、キャップ絶縁膜７６によって覆われている。
【００２１】
セル領域５４内の半導体基板１２の上面１２ａは、絶縁膜８０によって覆われている。絶縁膜８０は、特に限定されないが、酸化シリコン（ＳｉＯ２）によって構成されている。絶縁膜８０には、上述した表面酸化膜１７、ＮＳＧ膜２２及びＢＰＳＧ膜２４が含まれている。すなわち、セル領域５４内では、半導体基板１２の上面１２ａに、表面酸化膜１７、ＮＳＧ膜２２及びＢＰＳＧ膜２４が積層されており、これらがセル領域５４の絶縁膜８０を構成している。
【００２２】
絶縁膜８０には、複数のコンタクトホール８２が形成されている。各コンタクトホール８２は、絶縁膜８０を上面から下面まで貫通している。コンタクトホール８２の底面は、半導体基板１２の上面１２ａによって構成されている。コンタクトホール８２の底面には、エミッタ領域６０とボディコンタクト領域６２が面している。コンタクトホール８２の内面（すなわち、コンタクトホール８２の底面を構成する半導体基板１２の上面１２ａと絶縁膜８０の側面）は、バリアメタル８４によって覆われている。バリアメタル８４は、コンタクトホール８２内にのみ形成されており、絶縁膜８０の上面には形成されていない。コンタクトホール８２内には、コンタクトプラグ８６が配置されている。コンタクトプラグ８６は、コンタクトホール８２内に充填された金属であり、本実施例ではタングステンにより構成されている。コンタクトプラグ８６は、バリアメタル８４の表面を覆っている。
【００２３】
絶縁膜８０とコンタクトプラグ８６の表面には、エミッタ電極５６が形成されている。エミッタ電極５６は、金属で構成されている。一例ではあるが、本実施例のエミッタ電極５６は、Ａｌ−Ｓｉ合金を用いて構成されている。エミッタ電極５６は、コンタクトプラグ８６及びバリアメタル８４を介して、エミッタ領域６０とボディコンタクト領域６２に接続されている。また、エミッタ電極５６とＢＰＳＧ膜２４の間には、バリアメタル８４が存在しておらず、エミッタ電極５６はＢＰＳＧ膜２４に直接接触している。エミッタ電極５６が形成されていない範囲の絶縁膜８０上には、ポリイミド膜８８が形成されている。ポリイミド膜８８は、絶縁性の膜である。また、ポリイミド膜８８は、エミッタ電極５６の端部も覆っている。また、図示していないが、ポリイミド膜８８に覆われていない範囲のエミッタ電極５６は、はんだによって外部の導電性部材に接続されている。
【００２４】
図２に示すように、セル領域５４とパッド領域１４との間において、半導体基板１２上に設けられた構造が相違している。特に、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６の高さ位置が、セル領域５４に位置するコンタクトホール８２の高さ位置よりも高くなっている。セル領域５４とパッド領域１４との間でコンタクトホール２６、８２の高さ位置が互いに異なると、フォトリソグラフィによってコンタクトホール２６、８２を形成する際に、全てのコンタクトホール２６、８２に対して露光時の焦点を正確に合わせることできない。即ち、セル領域５４に位置するコンタクトホール８２に対して焦点を合わせると、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６に対しては、その焦点が合わなくなる。この場合、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６が、設計値よりも小さな寸法で形成されることがある。
【００２５】
上記を考慮して、本実施例の半導体装置１０では、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６の幅ＷＢが、セル領域５４に位置するコンタクトホール８２の幅ＷＡよりも、大きく設計されている。これにより、パッド領域１４のコンタクトホール２６が、意図した寸法より小さく形成された場合でも、コンタクトホール２６の幅ＷＢが比較的に大きいことから、コンタクトプラグ３０によってコンタクトホール２６を十分に充填することができる。これにより、セル領域５４とパッド領域１４との間でコンタクトホール２６、８２の高さ位置が互いに異なる場合でも、コンタクトプラグ３０の形成不良や、それに起因するボンディングパッド１６の製造不良を抑制することができる。
【００２６】
図３に示すように、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６では、半導体基板側に位置する下端２６ｂにおける幅Ｗｂｔｍよりも、ボンディングパッド１６側に位置する上端２６ａにおける幅Ｗｔｏｐの方が大きくてもよい。このような構成によると、コンタクトホール２６内をコンタクトプラグ３０及びボンディングパッド１６によって、空洞を形成することなく充填しやすい。これにより、コンタクトプラグ３０の形成不良や、それに起因するボンディングパッド１６の製造不良をさらに抑制することができる。なお、前述したコンタクトホール２６の幅ＷＢは、下端２６ｂにおける幅Ｗｂｔｍと上端２６ａにおける幅Ｗｔｏｐとの間の代表値（例えば平均値）であり、幅Ｗｂｔｍ＜幅ＷＢ＜幅Ｗｔｏｐの関係が満たされる。
【００２７】
加えて、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６の幅ＷＢは、当該コンタクトホール２６の下端２６ｂ（幅Ｗｂｔｍ）から上端２６ａ（幅Ｗｔｏｐ）に向けて、連続的に拡大している。このような構成によると、コンタクトホール２６内をコンタクトプラグ３０によって充填するときに、コンタクトプラグ３０内に空洞が形成されることを、効果的に抑制することができる。これにより、コンタクトプラグ３０の形成不良や、それに起因するボンディングパッド１６の製造不良をさらに抑制することができる。
【００２８】
図４は、コンタクトホール２６の上下端２６ａ、２６ｂにおける幅の比率Ｗｔｏｐ／Ｗｂｔｍが異なる複数のサンプル（Ｎｏ．１〜２３）について、ボンディングパッド１６の機械的強度を評価した結果を示している。具体的には、各々のサンプルについて、ボンディングパッド１６にワイヤ３６を超音波接合によってボンディングした後、ワイヤ３６に所定の負荷を加えたときに当該ワイヤ３６が剥がれるのか否かを検証した。図４中の棒グラフにおいて、各棒の長さは、対応するサンプルにおける幅の比率Ｗｔｏｐ／Ｗｂｔｍの値を示す。そして、棒の上方に付された丸印は、ワイヤ３６の剥がれが発生しなかったサンプルを示し、棒の上方に付されたバツ印は、ワイヤ３６の剥がれが発生したサンプルを示す。即ち、丸印が付されたサンプルは、ボンディングパッド１６の機械的強度が十分であったが、バツ印が付されたサンプルは、ボンディングパッド１６の機械的強度が不十分であった。
【００２９】
図４に示す評価結果から理解されるように、幅の比率Ｗｔｏｐ／Ｗｂｔｍが１．３よりも大きなサンプル（Ｎｏ．１〜１５）では、ワイヤ３６の剥がれが発生することがなく、ボンディングパッド１６が十分な機械的強度を有することが確認された。そのことから、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６の上端２６ａにおける幅Ｗｔｏｐは、同コンタクトホール２６の下端２６ｂにおける幅Ｗｂｔｍの１．３倍よりも大きくすることが有効である。但し、幅の比率Ｗｔｏｐ／Ｗｂｔｍが１．３以下であっても、いくつかのサンプル（Ｎｏ．１７、２１、２３）では、ボンディングパッド１６が十分な機械的強度を有することが確認されている。そのことから、幅の比率Ｗｔｏｐ／Ｗｂｔｍが必ずしも１．３を上回る必要はなく、他の実施形態として、上下端２６ａ、２６ｂにおける幅Ｗｔｏｐ、ｂｔｍが互いに同じ、即ち、パッド領域１４に位置するコンタクトホール２６の幅ＷＢが、その深さ方向に沿って一定であってもよい。
【００３０】
図３に戻り、本実施例の半導体装置１０では、コンタクトプラグ３０の形成を、成膜（例えばスパッタリング）と、エッチングとの組み合わせで実施することができる。即ち、先ずは、コンタクトホール２６が形成された絶縁膜２０上に、コンタクトプラグ３０の材料（ここではタングステン）を成膜する。次いで、コンタクトホール２６外に形成された余分な材料膜を、エッチングによって除去する。このような手順でコンタクトプラグ３０を形成した場合、コンタクトプラグ３０の上面３０ａはＶ字状に屈曲した形状となる。このとき、最深部に形成される角度Ｃが９０度未満の鋭角であると、その後に形成されるボンディングパッド１６の内部に空洞が形成されて、ボンディングパッド１６の機械的強度が低下し易いことが確認されている。それに対して、最深部に形成される角度Ｃが９０度よりも大きい鈍角であると、ボンディングパッド１６が必要とされる機械的強度を満たすことが確認されている。そのことから、特に限定されないが、ボンディングパッド１６に接するコンタクトプラグ３０の上面３０ａがＶ字状に屈曲する場合、その最深部に形成される角度Ｃが９０度よりも大きいことが好ましい。
【００３１】
以上、本技術の実施形態について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの１つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３２】
１０：半導体装置
１２：半導体基板
１４：パッド領域
１６：ボンディングパッド
１７：表面酸化膜
１８：ゲート配線
２０：パッド領域の絶縁膜
２６：パッド領域のコンタクトホール
２８：パッド領域のバリアメタル
３０：パッド領域のコンタクトプラグ
３６：ワイヤ
５４：セル領域
５６：エミッタ電極
５８：コレクタ電極
６０：エミッタ領域
６２：ボディコンタクト領域
６４：ボディ領域
６６：ドリフト領域
６８：コレクタ領域
７０：トレンチ
７２：ゲート絶縁膜
７４：ゲート電極
８０：セル領域の絶縁膜
８２：セル領域のコンタクトホール
８４：セル領域のバリアメタル
８６：セル領域のコンタクトプラグ
【図１】
2020031154.tif 000003
【図２】
2020031154.tif 000004
【図３】
2020031154.tif 000005
【図４】
2020031154.tif 000006