(57)【要約】【課題】受光感度の高い受光素子（アバランシェフォトダイオード）に光強度の高い光が入力することにより、受光素子が破壊してしまうことを回避する。【解決手段】本発明に係る受光素子保護装置は、受光素子を保護する受光素子保護装置において、監視用受光素子と、入力した信号光の光路を、信号光が受光素子へ進む第１の光路と、信号光が監視用受光素子に進む第２の光路とのいずれかに切り替える光路切替部と、監視用受光素子からの出力信号を増幅して出力する監視部と、監視部からの信号の出力により光路切替部に対して光路の切替制御を行なう切替制御部と、監視部からの出力信号の出力値に応じて、受光素子に印加する電圧値を制御する電圧制御部とを備える。【選択図】      図１
2020036149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子を保護する受光素子保護装置において、
監視用受光素子と、
入力した信号光の光路を、上記信号光が上記受光素子へ進む第１の光路と、上記信号光が上記監視用受光素子へ進む第２の光路とのいずれかに切り替える光路切替部と、
上記監視用受光素子からの出力信号を増幅して出力する監視部と、
上記監視部からの信号の出力により上記光路切替部に対して光路の切替制御を行なう切替制御部と、
上記監視部からの出力信号の出力値に応じて、上記受光素子に印加する電圧値を制御する電圧制御部と
を備えることを特徴とする受光素子保護装置。
【請求項２】
上記切替制御部が、上記監視部から出力される信号をトリガとして、所定の遅延時間後に上記光路切替部に対して光路切替に係る信号を出力し、
上記電圧制御部が、上記切替制御部における上記遅延時間内で、上記受光素子に印加する電圧値を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の受光素子保護装置。
【請求項３】
上記光路切替部が、上記入力した信号光の反射角を変動させる可動ミラー部材を有するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の受光素子保護装置。
【請求項４】
上記切替制御部が、上記光路切替部の上記可動ミラー部材の光学的振り角を周期的に変動させて、上記反射角を第１の角度と第２の角度とに変化させることを特徴とする請求項３に記載の受光素子保護装置。
【請求項５】
監視用受光素子と、
入力した信号光の光路を、上記信号光が受光素子へ進む第１の光路と、上記信号光が上記監視用受光素子へ進む第２の光路とのいずれかに切り替える光路切替部と
を備え、上記受光素子を保護する受光素子保護プログラムにおいて、
コンピュータを、
上記監視用受光素子からの出力信号を増幅して出力する監視部と、
上記監視部からの信号の出力により上記光路切替部に対して光路の切替制御を行なう切替制御部と、
上記監視部からの出力信号の出力値に応じて、上記受光素子に印加する電圧値を制御する電圧制御部と
して機能させることを特徴とする受光素子保護プログラム。
【請求項６】
入力した信号光を受光する受光素子を有する光受信装置において、
請求項１〜４のいずれかに記載の受光素子保護装置を有することを特徴とする光受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子保護装置、受光素子保護プログラム及び光受信装置に関し、例えば、光通信ネットワークにおける光回線終端装置に搭載される光受信装置に適用し得るものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＰＯＮ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）システムでは、一般的に、ＢＯＳＡ（Ｂｉ−ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｂ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）と呼ばれる光部品が用いられる。
【０００３】
ＢＯＳＡとは、レーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）を用いた送信側の素子と、フォトダイオードを用いた受信側の素子とを接合したものである（図４参照）。
【０００４】
例えば、ＧＥ−ＰＯＮシステムは、通信事業者の基地局側にＯＬＴ（Ｏｐｉｔｉｃａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｔｅｒｍｉｎａｌ）を配備し、主に一般加入者にＯＮＵ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｕｎｉｔ）を配備するシステムである。
【０００５】
ＯＬＴ側からの下り方向の光波長には１４９０ｎｍ帯の信号光を、ＯＮＵ側からの上り方向の光波長には１３１０ｎｍ帯の信号光を出力するように規定されている。
【０００６】
ＯＮＵ側には、ＯＬＴからの１４９０ｎｍの光信号を受信可能なフォトダイオードや、又は高感度素子であるアバランシェフォトダイオードを使用する。受信側の素子としてフォトダイオードが用いられるが、より受光感度の高いアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）も用いられる。
【０００７】
アバランシェフォトダイオードは、逆電圧が印加されることにより、倍増率の高い光電流が発生する。アバランシェフォトダイオードは、電流増幅率がフォトダイオードよりも高いので、微小の信号値の振幅を増倍することができる。このような受光感度の高いアバランシェフォトダイオードを用いることにより、光ファイバの距離を長距離化することが可能となる。
【０００８】
しかし、受光感度の高いアバランシェフォトダイオードに光強度の高い光が入力すると、過大電流が発生し、高価なアバランシェフォトダイオードが破壊してしまうことが一般的に知られている。
【０００９】
例えば、特許文献１には、アバランシェフォトダイオードの破壊を保護するために、保護回路がアバランシェフォトダイオードの高電圧印加を検出し、バイアス制御回路が、アバランシェフォトダイオードに過剰な高電圧を印加しないように制御することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−２７５７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来技術は、高い電圧値の電圧が過剰にアバランシェフォトダイオードに印加しないように制御するものであり、光強度の高い光がアバランシェフォトダイオードに入力するときに、アバランシェフォトダイオードの破壊を保護するものではない。
【００１２】
そのため、受光感度の高い受光素子（アバランシェフォトダイオード）に光強度の高い光が入力することにより、受光素子が破壊してしまうことを回避することができる受光素子保護装置、受光素子保護プログラム及び光受信装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
かかる課題を解決するために、第１の本発明に係る受光素子保護装置は、受光素子を保護する受光素子保護装置において、（１）監視用受光素子と、（２）入力した信号光の光路を、信号光が受光素子へ進む第１の光路と、信号光が監視用受光素子へ進む第２の光路とのいずれかに切り替える光路切替部と、（３）監視用受光素子からの出力信号を増幅して出力する監視部と、（４）監視部からの信号の出力により光路切替部に対して光路の切替制御を行なう切替制御部と、（５）監視部からの出力信号の出力値に応じて、受光素子に印加する電圧値を制御する電圧制御部とを備えることを特徴とする。
【００１４】
第２の本発明に係る受光素子保護プログラムは、監視用受光素子と、入力した信号光を、信号光が受光素子へ進む第１の光路と、信号光が監視用受光素子へ進む第２の光路とのいずれかに切り替える光路切替部とを備え、受光素子を保護する受光素子保護プログラムにおいて、コンピュータを、（１）監視用受光素子からの出力信号を増幅して出力する監視部と、（２）監視部からの信号の出力により光路切替部に対して光路の切替制御を行なう切替制御部と、（３）監視部からの出力信号の出力値に応じて、受光素子に印加する電圧値を制御する電圧制御部として機能させることを特徴とする。
【００１５】
第３の本発明に係る光受信装置は、入力した信号光を受光する受光素子を有する光受信装置において、第１の本発明に係る受光素子保護装置を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、受光感度の高い受光素子（アバランシェフォトダイオード）に光強度の高い光が入力することにより、受光素子が破壊してしまうことを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態に係るＯＮＵに搭載される光送受信装置の内部構成を示す内部構成図である。
【図２】実施形態に係る光通信システムの全体構成を例示する全体構成図である。
【図３】実施形態に係る受光素子保護処理の動作を示すフローチャートである。
【図４】従来のＯＮＵに搭載される光送受信装置の内部構成を示す内部構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（Ａ）主たる実施形態
以下では、本発明に係る受光素子保護装置、受光素子保護プログラム及び光受信装置の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１９】
この実施形態は、光通信システムを構成する光回線終端装置に搭載される光送受信装置に本発明を適用する場合を例示する。
【００２０】
（Ａ−１）実施形態の構成
［光通信システム（光アクセスシステム）］
図２は、この実施形態に係る光通信システムの全体構成を例示する全体構成図である。
【００２１】
図２において、この実施形態に係る光通信システム５は、局側光回線終端装置（以下、「ＯＬＴ」と呼ぶ。）１、複数の加入者側光回線終端装置（以下、「ＯＮＵ」と呼ぶ。）２（２−１〜２−ｎ；ｎは正の整数）、光スプリッタ３を有する。
【００２２】
例えば、光通信システム５は、ギガビットイーサネット（登録商標）ＰＯＮ（ＧＥ−ＰＯＮ）である場合を例示する。
【００２３】
なお、光通信システム５は、ＰＯＮシステムであれば特に限定されるものではなく、ＩＴＵ−Ｔ勧告準拠ＴＷＤＭ−ＰＯＮシステム等のＩＴＵ−Ｔ勧告に準拠する技術や、ＩＥＥＥ８０２．３ａｈ等のＩＥＥＥ標準規格化技術も適用することできる。
【００２４】
光スプリッタ３は、各ＯＮＵ２−１〜２−ｎとＯＬＴ１との間で信号光の分配及び集約を行なう。つまり、光スプリッタ３は、ＯＬＴ１から送信される下り方向の信号光（以下、「下り信号光」とも呼ぶ。）を各ＯＮＵ２−１〜２−ｎに分配し、各ＯＮＵ２−１〜２−ｎから送信される上り方向の信号光（以下、「上り信号光」とも呼ぶ。）を集約してＯＬＴ１に送信する。
【００２５】
ＯＬＴ１は、局側の光回線終端装置である。ＯＬＴ１は、各ＯＮＵ２−１〜２−ｎから受信した上り信号光を電気信号に変換して、図示しない上位ネットワークに中継する。また、ＯＬＴ１は、上位ネットワークから受信した下り方向の電気信号を信号光に変換して、下り信号光として各ＯＮＵ２−１〜２−ｎに中継する。
【００２６】
各ＯＮＵ２−１〜２−ｎは、加入者側の光回線終端装置である。各ＯＬＴ２−１〜２−ｎは、ＯＬＴ１から受信した下り信号光を電気信号に変換して、図示しない下位ネットワークに中継する。また、各ＯＮＵ２−１〜２−ｎは、下位ネットワークから受信した上り方向の電気信号を信号光に変換して、上り信号光としてＯＬＴ１に中継する。
【００２７】
光通信システム５では、ＯＬＴ１と光スプリッタ３までの１心の光ファイバ４を、複数のＯＮＵ２−１〜２−ｎの間で共有することにより、ＯＬＴ１と各ＯＮＵ２−１〜２−ｎとの間で光ファイバ４を敷設する場合に比べて、経済的にメリットがある。光通信システム５は、最大３２分岐を可能とするものであり、１台のＯＬＴ１に対して、３２台のＯＮＵ２を収容可能とする。なお、分岐数は、これに限定されるものではない。
【００２８】
光通信システム５では、ＯＬＴ１と各ＯＮＵ２−１〜２−ｎとの間では時分割通信（ＴＤＭ通信）を行なうが、一般的に、光スプリッタ３と各ＯＮＵ２−１〜２−ｎとの間の距離は異なるので、ＯＬＴ１と各ＯＮＵ２−１〜２−ｎとの間の距離は異なる。
【００２９】
例えば、各ＯＮＵ２−１〜２−ｎは１３１０ｎｍの波長を用いた信号光を送信するが、各ＯＮＵ２−１〜２−ｎからの上り信号光の光強度（パワーレベル）が異なる。そのため、衝突の無い上り信号光を受信することになるので、ＯＬＴ１の光送受信装置の受信側は、各々のパワーレベルに対して瞬時に追従して順番に通信を行なうようにしている。
【００３０】
一方、ＯＬＴ１の光送受信装置の送信側は、下り信号光が各ＯＮＵ２−１〜２−ｎに安定して到達するようにするため、所定の使用波長を用いた信号光を高出力（高い送信出力値）で送信するようにしている。具体的に、例えば、ＯＬＴ１の光送受信装置の送信側は、発光素子としてＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）を有しており、ＬＤが１４９０ｎｍの波長を用いて高出力で連続的に信号光を送信するようにしている。
【００３１】
各ＯＮＵ２−１〜２−ｎから見ると、ＯＬＴ１との距離が比較的近い場合には、下り信号光のパワーレベル（光強度）は比較的大きな値となり、ＯＬＴ１との距離が比較的遠い（離れている）場合には、下り信号光のパワーレベルは比較的小さい値となる。
【００３２】
そうすると、ＯＬＴ１との距離が比較的近い位置に存在するＯＮＵ２は、比較的高いパワーレベルの信号光を受信することになり、逆にＯＬＴ１との距離が遠い場合には、比較的低いパワーレベルの信号光を受信することになる。
【００３３】
そのため、例えば、ＯＬＴ１との間の距離が近い位置にあるＯＮＵ２には、高いパワーレベルの信号光が受信されることがある。また例えば、ＯＮＵ２の電源投入時などにおいても、高いパワーレベルの信号光がＯＮＵ２に受信されることもある。
【００３４】
後述するように、ＯＮＵ２の光送受信装置１０（図１参照）の受光素子としてアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１１が使用されている場合、高いパワーレベルの信号光を受光したＡＰＤ１１には、過大電流が発生してしまい、ＡＰＤ１１が破壊してしまうことがある。
【００３５】
そこで、この実施形態では、ＯＮＵ２の光送受信装置１０において、ＡＰＤ１１の過電流による破壊を保護するための受光素子保護回路を備えることで、ＡＰＤ１１の破壊を防止しようとするものである。
【００３６】
［ＯＮＵ２の光送受信装置の内部構成］
図１は、この実施形態に係るＯＮＵ２に搭載される光送受信装置１０の内部構成を示す内部構成図である。
【００３７】
図１において、ＯＮＵ２の光送受信装置１０は、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１１、レーザダイオード（ＬＤ）１２、光ファイバ１３、波長フィルタ部１４、受光素子保護回路部１００を有する。
【００３８】
また、受光素子保護回路部１００は、可動ミラー部１０１、フォトダイオード（ＰＤ）１０２、電流監視部１０３、切替制御部１１０、印加電圧制御部１０６を有する。さらに、切替制御部１１０は、タイミング検出部１０４、遅延回路部１０５を有する。
【００３９】
なお、受光素子保護回路部１００のハードウェア構成は、光学部材や電子部品や処理プログラム（例えば受光素子保護プログラム）を実行する制御装置等を有する。また、受光素子保護プログラムがインストールされるようにしてもよい。
【００４０】
光送受信装置１０は、加入者宅のＯＮＵ２に搭載される信号光の送信又は信号光の受信を行なう通信モジュールである。光送受信装置１０は、例えば、ＢＯＳＡと呼ばれる送信側の光部品と受信側の光部品とが接合されたものを適用することができる。
【００４１】
なお、図１の光送受信装置１０は、１本の光ファイバ１３を用いて信号光の送信と受信を行なう一心双方向機能を有する場合を例示している。しかし、光送受信装置１０は、一心双方向機能に限定されるものではなく、信号光の送信と受信とを別々の光ファイバを用いて行なうモジュールであってもよい。
【００４２】
ＡＰＤ１１は、光送受信装置１０の受信側光部品の受光素子である。ＡＰＤ１１に印加電圧制御部１０６から逆方向の電圧（逆電圧）が印加され、光（信号光）が入射すると、光電流が発生する。ＡＰＤ１１に信号光を入力する構成の詳細な説明は、受光素子保護回路部１００の各構成要素の説明の際に行なう。
【００４３】
レーザダイオード１２は、光送受信装置１０の送信側光部材の発光素子である。レーザダイオード１２が発光した上り信号光が波長フィルタ部１４を透過して、１３１０ｎｍ波長の光信号が光ファイバ１３に入射する。
【００４４】
光ファイバ１３は、光通信システム５の構成要素である光ファイバ４の端部である。例えば、ＯＮＵ２の光送受信装置１０は光ファイバ４と接続するために、光ファイバ４に光ファイバピッグテールを取り付ける。そのような場合、光ファイバピッグテールの他方の端部から露出した状態の光ファイバ４を光ファイバ１３として図示している。
【００４５】
波長フィルタ部１４は、上り光信号と下り光信号の波長を分離するものであり、例えば、ＷＤＭ（波長分割多重）フィルタを用いることができる。例えば、波長フィルタ部１４はガラス基板等にフィルタ膜を成膜して形成されたものとすることができる。波長フィルタ部１４は、光ファイバ１３から出射する光の光軸に対して、波長フィルタ部１４の反射面を４５度傾けて実装したものとする。
【００４６】
波長フィルタ部１４にレーザダイオード１２からの上り信号光が入射すると、上り信号光は波長フィルタ部１４を透過して、その透過した上り信号光（波長）が光ファイバ１３に入射する。
【００４７】
また、波長フィルタ部１４に光ファイバ１３からの下り信号光が入射すると、下り信号光の受信波長は、波長フィルタ部１４の反射面に対して入射角４５度で入射するので、反射角４５度で光（信号光）は反射する。すなわち、波長フィルタ部１４の反射面に反射した光（信号光）は、光ファイバ１３から出射する光の光軸に対して垂直下向き９０度の方向に折れ曲がって進行する。これにより、信号光（反射光）は可動ミラー部１０１に入射する。
【００４８】
可動ミラー部１０１は、波長フィルタ部１４からの信号光を反射する光路を光学的に変化させるものである。可動ミラー部１０１は、波長フィルタ部１４に反射した下り信号光の光軸上に設けられている。
【００４９】
可動ミラー部１０１には、タイミング検出部１０４及び遅延回路部１０５からミラーの光学的な振り角を変動させる駆動信号が与えられる。駆動信号が与えられると、可動ミラー部１０１の光学的な振り角が変わる。
【００５０】
具体的に、可動ミラー部１０１は、波長フィルタ部１４からの信号光をフォトダイオード（ＰＤ）１０２に進ませる第１の光路と、波長フィルタ部１４からの信号光をＡＰＤ１１に進ませる第２の光路とに切り替えるように、可動ミラー部１０１は傾き角度を変化させる。信号光が可動ミラー部１０１に反射して第１の光路に進むときの反射角を第１の角度と呼び、信号光が可動ミラー部１０１に反射して第２の光路に進むときの反射角を第２の角度と呼ぶ。
【００５１】
上述したように、駆動信号が与えられることにより、可動ミラー部１０１の光学的振り角が変わり、信号光の光路が変化することより、可動ミラー部１０１は、ミラーに反射した反射光の光路を切り替える光スイッチ（光路切替部）として機能するともいえる。
【００５２】
可動ミラー部１０１は、例えばＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）光ミラーを適用することができる。可動ミラー部１０１の構成は、特に限定されるものではないが、例えば次のような構成のものを適用できる。
【００５３】
例えば、可動ミラー部１０１は、中央部の可動板にミラーを担持し、可動板の四辺のうち対向する２辺のそれぞれに回転軸（トーションバー）を設け、２本の回転軸に接続すると共に可動板の周囲に設けられたコイルを形成したミラーチップと、ミラーチップの周縁に設けた磁石とで構成したものを用いることができる。このような構成例の可動ミラー部１０１は、ミラーチップのコイルに電流が流れることにより、電流と磁界の強さにより（フレミングの左手の法則により）ローレンツ力が発生する。このローレンツ力が回転軸に支持される可動板を回転させるトルクとして働き、可動板に担持しているミラーが傾く。ローレンツ力は電流値に比例するため、電流値を調整することにより、ミラーの光学的振れ角を調整することができる。
【００５４】
フォトダイオード（ＰＤ）１０２は、可動ミラー部１０１に反射した信号光が入射し、信号光を電気信号に変換するものである。フォトダイオード（ＰＤ）１０２は電流監視部１０３に接続されており、フォトダイオード（ＰＤ）１０２から出力した電流は電流監視部１０３に流れる。
【００５５】
電流監視部１０３は、フォトダイオード（ＰＤ）１０２から出力された電流の電流値を監視するものであり、フォトダイオード（ＰＤ）１０２から出力された電流（電流値）を電圧（電圧値）に変換してタイミング検出部１０４及び印加電圧制御部１０６に出力する。例えば、電流監視部１０３は、抵抗や、オペアンプ等の増幅回路を有しており、フォトダイオード（ＰＤ）１０２からの電流を抵抗に流すことで電圧に変換し、増幅回路に電圧を印加することで出力値を得るものとしてもよい。
【００５６】
切替制御部１１０は、電流監視部１０３からの信号の出力に基づいて、可動ミラー部１０１の光路を切替制御するものである。つまり、切替制御部１１０は、可動ミラー部１０１に駆動信号を出力して、可動ミラー部１０１の傾き角度を制御する。切替制御部１１０は、タイミング検出部１０４と、遅延回路部１０５とを有する。
【００５７】
タイミング検出部１０４は、電流監視部１０３から出力された電圧値に基づいて、可動ミラー部１０１の駆動信号を遅延回路部１０５に出力する。つまり、タイミング検出部１０４は、入力された電圧値をトリガとして駆動信号を出力する。タイミング検出部１０４は、間欠的（周期的を含む）に駆動信号を出力することにより、可動ミラー部１０１の角度も間欠的に変動する。
【００５８】
遅延回路部１０５は、タイミング検出部１０４から入力した駆動信号を所定時間だけ遅延させて可動ミラー部１０１に出力するものである。
【００５９】
従って、タイミング検出部１０４が駆動信号を出力した後、所定時間経過後（遅延時間後）に、可動ミラー部１０１の光学的振り角が変化することになる。
【００６０】
ここで、遅延回路部１０５における遅延時間は、後述する印加電圧制御部１０６がＡＰＤ１１に印加する電圧値を制御する時間を考慮した時間とすることができる。つまり、遅延時間は、印加電圧制御部１０６の制御時間と同程度に時間とすることができ、例えば遅延時間は１ｍｓｅｃ程度とすることができる。従って、可動ミラー部１０１に反射した信号光の反射角が第１の角度から第２の角度に変化するまでの時間内（すなわち遅延時間内）に、印加電圧制御部１０６は電圧値を設定してＡＰＤ１１に電圧値を印加する。
【００６１】
印加電圧制御部１０６は、電流監視部１０３から出力された電圧値に応じて、ＡＰＤ１１に印加する電圧値を設定し、その電圧値の電圧をＡＰＤ１１に印加するものである。
【００６２】
印加電圧制御部１０６はＡＰＤ１１の倍増率−逆電圧特性を利用して、ＡＰＤ１に印加する電圧値を調整する。これにより、フォトダイオード（ＰＤ）１０２が受光した信号光の光強度に基づく出力値に応じて、ＡＰＤ１１の倍増率（増幅率）が制御され、ＡＰＤ１１の受光感度を大きくしたり又は小さくしたりすることができる。
【００６３】
また、ＡＰＤ１１の倍増率（増幅率）が制御された後に、可動ミラー部１０１の光学的振り角が変化し、反射角が第２の角度となり、信号光がＡＰＤ１１に入射するので、ＡＰＤ１の過大電流による破壊を防止できる。
【００６４】
（Ａ−２）実施形態の動作
図３は、この実施形態に係る受光素子保護処理の動作を示すフローチャートである。
【００６５】
ＯＬＴ１は、１４９０ｎｍ波長を用いた下り信号光を、各ＯＮＵ２に向けて送信する。ＯＬＴ１からの下り信号光は光ファイバ４を通り、下り信号光がＢＯＳＡで構成された光送受信装置１０に到達する。
【００６６】
光送受信装置１０において、光ファイバからの下り信号光が波長フィルタ部１４の反射面に入射すると、反射角４５度で信号光は反射し、信号光が可動ミラー部１０１に入射する（Ｓ１０１）。
【００６７】
このとき、受光素子保護回路部１００では、可動ミラー部１０１に反射した信号光の反射角が第１の角度に設定されている（Ｓ１０２）。
【００６８】
従って、可動ミラー部１０１に反射した信号光は第１の光路を進み、信号光がフォトダイオード（ＰＤ）１０２に入射する。フォトダイオード（ＰＤ）１０２に信号光が入射すると、信号光は光電変換されて、電流（光電流）が発生する（Ｓ１０３）。そして、フォトダイオード（ＰＤ）１０２からの電流が電流監視部１０３に入力する。ここで、フォトダイオード（ＰＤ）１０２に入射する信号光は分岐されたものではない。つまり、減衰していない信号光がそのままフォトダイオード（ＰＤ）１０２に入射するので、フォトダイオード（ＰＤ）１０２から流れる電流は信号光の光強度に応じたものとなる。
【００６９】
電流監視部１０３では、入力した電流が電圧に変換されて、その電圧の電圧値（すなわち、アナログ値）が、タイミング検出部１０４及び印加電圧制御部１０６に出力される（Ｓ１０４）。
【００７０】
タイミング検出部１０４では、電流監視部１０３からの出力値（電圧値）をトリガとして駆動信号が遅延回路部１０５に出力される（Ｓ１０５）。遅延回路部１０５は、タイミング検出部１０４からの駆動信号を所定時間だけ遅延させた後、駆動信号を可動ミラー部１０１に出力する（Ｓ１０６）。
【００７１】
可動ミラー部１０１に駆動信号が入力すると、可動ミラー部１１の光学的振り角が変化し、可動ミラー部１０１に反射した信号光の反射角が第１の角度から第２の角度に変化する（Ｓ１０７）。つまり、遅延時間後に、可動ミラー部１０１の反射角は第２の角度に変化する。
【００７２】
一方、Ｓ１０４において、電流監視部１０３からの出力値（電圧値）が印加電圧制御部１０６に出力されると、印加電圧制御部１０６は、遅延回路部１０５による遅延時間内で、入力した電圧値に応じて印加電圧を設定し、設定した電圧値の電圧をＡＰＤ１１に印加する（Ｓ１０８）。
【００７３】
印加電圧制御部１０６は、電流監視部１０３からのアナログ電圧値に応じて印加電圧値を変化させて設定する。
【００７４】
つまり、フォトダイオード（ＰＤ）１０２の電流モニター値が大きいときには、印加電圧制御部１０６は印加電圧値を低く設定し、過剰な電圧がＡＰＤ１１に掛からないように制御する。
【００７５】
逆に、フォトダイオード（ＰＤ）１０２の電流モニター値が小さいときには、印加電圧制御部１０６は印加電圧値を高く設定し、ＡＰＤ１１の倍増率を高くし、発生する電流を増加させる。
【００７６】
ＡＰＤ１１では、印加電圧制御部１０６から印加された電圧値（逆電圧値）により倍増率が制御された後（つまり、遅延時間後）、可動ミラー部１０１の反射角が第２の角度に変化し、第２の光路を進行した信号光がＡＰＤ１１に入射する。
【００７７】
倍増率が制御されたＡＰＤ１１では、信号光が入力するが、倍増率が制御されているので、過大電流による破壊を防ぐことができる。
【００７８】
（Ａ−３）実施形態の効果
以上のように、この実施形態によれば、可動ミラー部とフォトダイオード（ＰＤ）を設け、フォトダイオード（ＰＤ）からの電流値をモニター値として印加電圧制御部にフィードバックし、かつ、可動ミラー部の反射光の光路を変化させることにより、過大なパワーレベル（光強度）の信号光の入射による高価なＡＰＤの破壊を保護することができる。
【００７９】
（Ｂ）他の実施形態
上述した実施形態においても種々の変形実施形態を言及したが、本発明は、以下の変形実施形態にも適用することができる。
【００８０】
（Ｂ−１）上述した実施形態では、光送受信装置における受光素子を保護する受光素子保護回路について説明したが、光送信機能を有していない光受信装置における受光素子を保護する受光素子保護回路にも適用できる。
【００８１】
（Ｂ−２）受光素子の倍増率は、温度等の環境に応じて変わるので、印加電圧制御部１０６は、温度等の環境に応じた倍増率−逆電圧特性を利用するにしてもよい。つまり、ＯＮＵが置かれている環境に応じてＡＰＤに印加する電圧値を制御するようにしてもよい。
【００８２】
（Ｂ−３）上述した可動ミラー部の構成は一例であり、上述した可動ミラー部の構成に限定されるものではない。少なくとも、可動ミラー部は、光強度を減衰させた信号光ではなく、信号光の全光をフォトダイオード（ＰＤ）１０２とＡＰＤ１１とに入射させるものであれば、広く適用することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１０…光送受信装置、１１…アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）、１２…レーザダイオード（ＬＤ）、１３…光ファイバ、１４…波長フィルタ部、１００…受光素子保護回路部、１０１…可動ミラー部、１０２…フォトダイオード（ＰＤ）、１０３…電流監視部、１０４…タイミング検出部、１０５…遅延回路部、１０６…印加電圧制御部、１１０…切替制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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