(57)【要約】【課題】合わせ面間のシール性の低下を抑制できる半導体モジュールを提供する。【解決手段】半導体モジュールのハウジングは、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１を互いの合わせ面２５を溶接部でシールする状態に一体化されて構成されている。第１ハウジング構成部材２１及び前記第２ハウジング構成部材３１は、底壁形成部２２と、冷却フィン２６を備える周壁形成部２３と、フランジ形成部２４と、を備える。第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、合わせ面２５に沿う方向への第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の相対移動を規制する複数組の位置決め用凸部３３及び位置決め用凹部３４と、合わせ面２５から突出し、位置決め用凸部３３の嵌合する位置決め用凹部３４の周囲の合わせ面２５に接触する接触面３５ａを有する高さ合わせ用凸部３５と、を複数有する。【選択図】図２
2020031110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底壁と、前記底壁から立設された筒状の周壁と、前記周壁から延設されたフランジとを有し、前記周壁に冷却フィンを備えるハウジング内に半導体素子を収容し、前記ハウジングにおける前記フランジ側の一端から前記半導体素子に接続された電極が突出している半導体モジュールであって、
前記ハウジングは、第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材を、互いの合わせ面の間をシール部でシールする状態に一体化して構成され、
前記第１ハウジング構成部材及び前記第２ハウジング構成部材は、
前記底壁を形成する底壁形成部と、
前記周壁を形成し、かつ前記冷却フィンを備える周壁形成部と、
前記フランジを形成するフランジ形成部と、を備えるとともに、
前記合わせ面に設けられ、互いに嵌合されることで前記合わせ面に沿う方向への前記第１ハウジング構成部材及び前記第２ハウジング構成部材の相対移動を規制する複数組の位置決め用凸部及び位置決め用凹部と、
前記合わせ面から突出し、前記位置決め用凸部の嵌合する前記位置決め用凹部の周囲の前記合わせ面に接触する接触面を有する高さ決め用凸部と、を複数有することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記合わせ面それぞれには前記高さ決め用凸部及び前記位置決め用凸部が並設され、隣り合う前記高さ決め用凸部と前記位置決め用凹部の間には前記合わせ面が介在している請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記高さ決め用凸部及び前記位置決め用凹部は、前記合わせ面上における前記底壁形成部と前記周壁形成部とが交差する位置に配置されている請求項１又は請求項２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記高さ決め用凸部及び前記位置決め用凹部は、前記合わせ面上における前記フランジ形成部と前記周壁形成部とが交差する位置に配置されている請求項１〜請求項３のうちいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記シール部は、前記合わせ面における前記高さ決め用凸部よりも外側に形成された溶接部である請求項１〜請求項４のうちいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記第１ハウジング構成部材と前記第２ハウジング構成部材は同じ構成の部材であり、前記第１ハウジング構成部材の前記底壁形成部の長手方向の中心を通過し、かつ前記周壁形成部が前記底壁形成部から立設する方向に延びる軸線を回転中心として前記第１ハウジング構成部材を１８０度回転させた位置に前記第２ハウジング構成部材を配置したとき、前記第１ハウジング構成部材と前記第２ハウジング構成部材の前記位置決め用凸部と位置決め用凹部が嵌合する位置に前記位置決め用凸部及び前記位置決め用凹部が配置されている請求項１〜請求項５のうちいずれか一項に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体モジュールの構成として、冷却フィンを備えたハウジング内に半導体素子を設け、半導体素子で発生する熱を冷却フィンから放熱するとともに電極をハウジングの外部に延出するようにした構造が知られている（例えば特許文献１）。特許文献１の半導体モジュールでは、ハウジングは、複数の冷却フィンを有する一対のハウジング構成部材から構成されている。一対のハウジング構成部材は、互いの合わせ面を向き合わせて組付けられ、合わせ面同士は接合されてシールされている。合わせ面の間がシールされることにより、半導体モジュールを冷却用の冷媒が流れる流路内に挿入することが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−３９２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のように、一対のハウジング構成部材を組付けてハウジングを構成するにあたり、その組付けのために組付け治具が用いられる場合がある。一対のハウジング構成部材を組付け治具に収容し、一対のハウジング構成部材を、組付け治具により、合わせ面に沿う二軸方向、及び高さ方向に位置決めした状態で合わせ面を向き合わせて組付ける。
【０００５】
しかし、ハウジング構成部材には製造公差が存在し、ハウジング構成部材毎に寸法が異なる。また、組付け治具にも治具公差が存在する。よって、組付け治具を用いて組付けられたハウジングにおいては、製造公差による合わせ面のズレだけでなく、治具公差による合わせ面のズレも加わり、合わせ面のズレが大きくなってシール性が低下する虞がある。
【０００６】
本発明の目的は、合わせ面でのシール性の低下を抑制できる半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するための半導体モジュールは、底壁と、前記底壁から立設された筒状の周壁と、前記周壁から延設されたフランジとを有し、前記周壁に冷却フィンを備えるハウジング内に半導体素子を収容し、前記ハウジングにおける前記フランジ側の一端から前記半導体素子に接続された電極が突出している半導体モジュールであって、前記ハウジングは、第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材を、互いの合わせ面の間をシール部でシールする状態に一体化して構成され、前記第１ハウジング構成部材及び前記第２ハウジング構成部材は、前記底壁を形成する底壁形成部と、前記周壁を形成し、かつ前記冷却フィンを備える周壁形成部と、前記フランジを形成するフランジ形成部と、を備えるとともに、前記合わせ面に設けられ、互いに嵌合されることで前記合わせ面に沿う方向への前記第１ハウジング構成部材及び前記第２ハウジング構成部材の相対移動を規制する複数組の位置決め用凸部及び位置決め用凹部と、前記合わせ面から突出し、前記位置決め用凸部の嵌合する前記位置決め用凹部の周囲の前記合わせ面に接触する接触面を有する高さ決め用凸部と、を複数有することを要旨とする。
【０００８】
これによれば、位置決め用凸部を位置決め用凹部に嵌合することで、合わせ面に沿う方向への第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材の相対移動を規制できる。また、高さ決め用凸部の接触面を合わせ面に接触させることで、第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材の合わせ面間の寸法、つまり高さを一定に維持できる。よって、位置決め用凸部、位置決め用凹部、及び高さ決め用凸部により、組付け治具を用いなくても第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材の三軸方向へのズレを抑制した状態に組付けることができる。ただし、第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材には製造公差が存在するため、製造されたハウジングにおいて、合わせ面のズレが生じる。しかし、組付け治具を使用していないため、合わせ面に生じるズレには、治具公差が加わらず、治具公差が加わる場合と比べて合わせ面のズレを小さくできる。その結果、合わせ面の間をシールしたシール部のシール性の低下を抑制できる。
【０００９】
また、半導体モジュールについて、前記合わせ面それぞれには前記高さ決め用凸部及び前記位置決め用凸部が並設され、隣り合う前記高さ決め用凸部と前記位置決め用凹部の間には前記合わせ面が介在していてもよい。
【００１０】
これによれば、隣り合う高さ決め用凸部と位置決め用凹部の間に介在する合わせ面が大きいほど、高さ決め用凸部が小さくなり、接触面の面積を小さくできる。接触面は合わせ面に接触して第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材の合わせ面間の寸法合わせを行う。このため、合わせ面間の寸法精度を上げるために、接触面に関する平面度管理が行われる。よって、接触面の面積を小さくすることで、平面度管理を行う面積を小さくして、第１ハウジング構成部材及び第２ハウジング構成部材の生産性を向上できる。
【００１１】
また、半導体モジュールについて、前記高さ決め用凸部及び前記位置決め用凹部は、前記合わせ面上における前記底壁形成部と前記周壁形成部とが交差する位置に配置されていてもよい。
【００１２】
これによれば、底壁形成部と周壁形成部とが交差する位置は、例えば、底壁形成部の途中と比べると剛性が高く、反りが発生し難い場所である。このような場所に高さ決め用凸部及び位置決め用凹部が配置されることにより、高さ決め用凸部、当該高さ決め用凸部に設けられた位置決め用凸部、及び位置決め用凹部の位置ズレを抑制できる。
【００１３】
また、半導体モジュールについて、前記高さ決め用凸部及び前記位置決め用凹部は、前記合わせ面上における前記フランジ形成部と前記周壁形成部とが交差する位置に配置されていてもよい。
【００１４】
これによれば、フランジ形成部と周壁形成部とが交差する位置は、例えば、底壁形成部の途中と比べると剛性が高く、反りが発生し難い場所である。このような場所に高さ決め用凸部及び位置決め用凹部が配置されることにより、高さ決め用凸部、当該高さ決め用凸部に設けられた位置決め用凸部、及び位置決め用凹部の位置ズレを抑制できる。
【００１５】
また、半導体モジュールについて、前記シール部は、前記合わせ面における前記高さ決め用凸部よりも外側に形成された溶接部であってもよい。
これによれば、シール部を形成しやすい。
【００１６】
また、半導体モジュールについて、前記第１ハウジング構成部材と前記第２ハウジング構成部材は同じ構成の部材であり、前記第１ハウジング構成部材の前記底壁形成部の長手方向の中心を通過し、かつ前記周壁形成部が前記底壁形成部から立設する方向に延びる軸線を回転中心として前記第１ハウジング構成部材を１８０度回転させた位置に前記第２ハウジング構成部材を配置したとき、第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材の前記位置決め用凸部と位置決め用凹部が嵌合する位置に前記位置決め用凸部及び前記位置決め用凹部が配置されていてもよい。
【００１７】
これによれば、第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材を別部品とする場合と比べると、ハウジングを構成する部材の種類を減らすことができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、合わせ面間のシール性の低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態の半導体モジュールを示す斜視図。
【図２】第１ハウジング構成部材を示す斜視図。
【図３】位置決め用凸部及び高さ合わせ用凸部を示す部分斜視図。
【図４】位置決め用凹部を示す部分斜視図。
【図５】第１ハウジング構成部材と第２ハウジング構成部材を組付けた状態の側面図。
【図６】位置決め用凸部が凹部に嵌合し、高さ合わせ用凸部の接触面が合わせ面に接触した状態を示す部分拡大断面図。
【図７】第１ハウジング構成部材の別例を示す斜視図。
【図８】位置決め用凸部及び位置決め用凹部の配置の別例を示す正面図。
【図９】位置決め用凸部及び位置決め用凹部の配置の別例を示す正面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、半導体モジュールを具体化した一実施形態を図１〜図６にしたがって説明する。
なお、図面において、一平面を、直交する幅方向Ｘ及び奥行方向Ｙの二軸方向で規定するとともに、一平面（Ｘ−Ｙ平面）に直交する方向を高さ方向Ｚで規定している。
【００２１】
図１に示すように、半導体モジュール１０は、ハウジング１１と、ハウジング１１内に収容された図示しない半導体素子と、半導体素子から突出した電極５０と、を有する。
ハウジング１１は、アルミ等により構成される。ハウジング１１は、底壁１２と、底壁１２から奥行方向Ｙに立設された筒状の周壁１３と、周壁１３の奥行方向Ｙの一端側外周面から延設されたフランジ１４と、を備える。ハウジング１１の一端面から電極５０がハウジング１１の外に突出している。
【００２２】
ハウジング１１は、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１とを組付けて構成されている。第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１は、同じ構成を有する同一部材である。このため、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の共通部材については同じ部材番号を付して説明する。
【００２３】
第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、互いに組み付いて底壁１２を形成する底壁形成部２２を備える。第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、互いに組み付いて周壁１３を形成する周壁形成部２３を備える。周壁形成部２３は、底壁形成部２２の幅方向Ｘの両端部から奥行方向Ｙに立設された側壁部２３ａと、底壁形成部２２と一対の側壁部２３ａの高さ方向Ｚの一端同士を繋ぐフィン壁部２３ｂとを備える。そして、底壁形成部２２と、一対の側壁部２３ａと、フィン壁部２３ｂとによって、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の外郭が構成されるとともに、内側に収容部が区画されている。
【００２４】
第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、互いに組み付いてフランジ１４を形成するフランジ形成部２４を有する。第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、ハウジング１１の状態で互いに向き合う合わせ面２５を有する。
【００２５】
図２に示すように、合わせ面２５は、フランジ形成部２４、底壁形成部２２、及び一対の側壁部２３ａにおける高さ方向Ｚの一端面によって形成されている。第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、合わせ面２５において、一方の側壁部２３ａとフランジ形成部２４とが交差する位置に第１交差部２５ａを備え、一方の側壁部２３ａと底壁形成部２２とが交差する位置に第２交差部２５ｂを備える。また、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、合わせ面２５において、他方の側壁部２３ａとフランジ形成部２４とが交差する位置に第３交差部２５ｃを備え、他方の側壁部２３ａと底壁形成部２２とが交差する位置に第４交差部２５ｄを備える。第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、周壁形成部２３のフィン壁部２３ｂの外面に冷却フィン２６を備える。
【００２６】
第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５を向き合わせると、第１ハウジング構成部材２１の第１交差部２５ａと第２ハウジング構成部材３１の第３交差部２５ｃが向き合い、第１ハウジング構成部材２１の第２交差部２５ｂと第２ハウジング構成部材３１の第４交差部２５ｄが向き合う。さらに、第１ハウジング構成部材２１の第３交差部２５ｃと第２ハウジング構成部材３１の第１交差部２５ａが向き合い、第１ハウジング構成部材２１の第４交差部２５ｄと第２ハウジング構成部材３１の第２交差部２５ｂが向き合う。
【００２７】
そして、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の底壁形成部２２が組み付いて底壁１２が形成され、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の周壁形成部２３が組み付いて筒状の周壁１３が形成される。また、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１のフランジ形成部２４が組み付いて、周壁１３の外周面から延設するフランジ１４が形成される。
【００２８】
図１に示すように、ハウジング１１は、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５同士を溶接したシール部としての溶接部２７を備える。溶接部２７は、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５同士の間に、図示しない溶接治具を介装した状態で溶接されることで形成されている。
【００２９】
半導体素子と、電極５０とは、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の収容部が組み合わさって形成された収容空間に収容されている。半導体素子としてＩＧＢＴが用いられ、ＩＧＢＴに対し図示しないダイオードが並列接続される。電極５０は、一端部において半導体素子に電気的に接続されている。
【００３０】
次に、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１を三軸方向に位置決めする構成について説明する。
図２に示すように、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、合わせ面２５に高さ決め用凸部３５と、位置決め用凹部３４とを有する。また、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、高さ決め用凸部３５から突出する位置決め用凸部３３を有する。
【００３１】
第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、それぞれ高さ決め用凸部３５及び位置決め用凸部３３を一対備え、位置決め用凹部３４を一対備える。一対の高さ決め用凸部３５のうち、一方の高さ決め用凸部３５は、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の第１交差部２５ａに配置されている。他方の高さ決め用凸部３５は、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の第４交差部２５ｄに配置されている。そして、各高さ決め用凸部３５から位置決め用凸部３３が円柱状に突出している。
【００３２】
一対の位置決め用凹部３４のうち、一方の位置決め用凹部３４は、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の第２交差部２５ｂに配置されている。他方の位置決め用凹部３４は、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の第３交差部２５ｃに配置されている。
【００３３】
したがって、高さ決め用凸部３５及び位置決め用凸部３３と、位置決め用凹部３４とは、幅方向Ｘに対となる状態に配置されるとともに、奥行方向Ｙに対となる状態に配置されている。第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５を高さ方向Ｚの一端側から見た正面視において、一対の高さ決め用凸部３５（位置決め用凸部３３）同士はフィン壁部２３ｂの対角線上に位置し、一対の位置決め用凹部３４もフィン壁部２３ｂの対角線上に位置している。よって、本実施形態では、高さ決め用凸部３５及び位置決め用凸部３３と、位置決め用凹部３４とは、合わせ面２５上で隣り合っているとともに、高さ決め用凸部３５と位置決め用凹部３４の間には合わせ面２５が介在している。
【００３４】
第１ハウジング構成部材２１における底壁形成部２２の長手方向（幅方向Ｘ）の中心点を通過し、かつ底壁形成部２２からの周壁形成部２３の立設方向（奥行方向Ｙ）に延びる軸線Ｌを回転中心とする。この軸線Ｌを中心に第１ハウジング構成部材２１を１８０度回転させた位置に第２ハウジング構成部材３１を配置したとき、第１ハウジング構成部材２１の位置決め用凸部３３と第２ハウジング構成部材３１の位置決め用凹部３４とが嵌合するように、位置決め用凸部３３及び位置決め用凹部３４の位置が設定されている。そして、本実施形態では、嵌合する位置決め用凸部３３と位置決め用凹部３４の組が４組存在している。
【００３５】
図３に示すように、各高さ決め用凸部３５は柱状であり、高さ方向Ｚの先端に環状の接触面３５ａを備える。接触面３５ａは、平面度の値が小さくなるように切削等による平面度管理が行われている。一対の高さ決め用凸部３５において、合わせ面２５からの高さ方向Ｚへの突出寸法は同じである。位置決め用凸部３３は接触面３５ａの内側から突出する円柱状である。一対の位置決め用凸部３３において、接触面３５ａからの高さ方向Ｚへの突出寸法は同じである。  
【００３６】
図４に示すように、各位置決め用凹部３４は、合わせ面２５から円柱状に凹む。位置決め用凹部３４の深さは、位置決め用凸部３３の接触面３５ａからの高さ方向Ｚへの突出寸法より僅かに大きい。また、位置決め用凹部３４の直径は、位置決め用凸部３３の直径より僅かに大きい。
【００３７】
図５又は図６に示すように、ハウジング１１において、位置決め用凸部３３が位置決め用凹部３４に嵌合し、接触面３５ａが合わせ面２５に接触している。ハウジング１１において、位置決め用凹部３４と位置決め用凸部３３の嵌合により、合わせ面２５に沿う幅方向Ｘ及び奥行方向Ｙへの第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の相対移動が規制されている。また、合わせ面２５と接触面３５ａの接触により、合わせ面２５間の寸法が一定に維持されている。さらに、ハウジング１１において、溶接部２７は、高さ決め用凸部３５よりも外側に形成されている。
【００３８】
次に、半導体モジュール１０の製造方法について作用とともに説明する。
まず、第１ハウジング構成部材２１の収容部に、半導体素子と、電極５０と、を収容する。第１ハウジング構成部材２１の上側に第２ハウジング構成部材３１を配置し、第１ハウジング構成部材２１の合わせ面２５と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５とを対向させる。
【００３９】
次に、図６に示すように、第２ハウジング構成部材３１の位置決め用凸部３３を、第１ハウジング構成部材２１の位置決め用凹部３４に嵌合し、第１ハウジング構成部材２１の位置決め用凸部３３を、第２ハウジング構成部材３１の位置決め用凹部３４に嵌合する。また、位置決め用凸部３３が嵌合した位置決め用凹部３４周囲の合わせ面２５に、高さ決め用凸部３５の接触面３５ａを接触させる。
【００４０】
図６に示すように、位置決め用凸部３３が位置決め用凹部３４に嵌合することにより、合わせ面２５の面方向（幅方向Ｘ及び奥行方向Ｙ）への第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の相対移動が規制される。また、接触面３５ａが合わせ面２５に接触することにより、一対の合わせ面２５間の寸法が一定に維持され、高さが一定に維持される。
【００４１】
次に、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５同士の間に、図示しない溶接治具を介装し、合わせ面２５同士を溶接し、溶接部２７を形成する。すると、半導体モジュール１０が製造される。上記のように製造された半導体モジュール１０は、冷却用の冷媒が流れる流路内に挿入され、冷却された状態で使用される。
【００４２】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１は、位置決め用凸部３３及び位置決め用凹部３４を備える。位置決め用凸部３３を位置決め用凹部３４に嵌合することにより、合わせ面２５に沿う方向への第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の相対移動を規制できる。また、高さ決め用凸部３５の接触面３５ａを合わせ面２５に接触させることで、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５間の寸法を一定に維持できる。よって、位置決め用凸部３３、位置決め用凹部３４、及び高さ決め用凸部３５により、組付け治具を用いなくても第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１を三軸方向へのズレを抑制した状態に組付けることができる。
【００４３】
組付け治具を用いずに製造されたハウジング１１において、合わせ面２５に生じるズレは、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の製造公差のみを原因として生じ、治具公差が加わらない。よって、合わせ面２５に生じるズレに治具公差が加わる場合と比べて、合わせ面２５間のズレを小さくできる。その結果として、溶接部２７によって合わせ面２５の間をシールした溶接部２７のシール性の低下を抑制できる。
【００４４】
（２）高さ決め用凸部３５（位置決め用凸部３３）は第１交差部２５ａ及び第４交差部２５ｄに配置されている。第１交差部２５ａは、側壁部２３ａとフランジ形成部２４の交差部であり、第４交差部２５ｄは、側壁部２３ａと底壁形成部２２の交差部である。このため、第１交差部２５ａ及び第４交差部２５ｄは、例えば、底壁形成部２２の途中と比べると剛性が高く、反りが発生し難い場所である。
【００４５】
また、位置決め用凹部３４は、第２交差部２５ｂ及び第３交差部２５ｃに配置されている。第２交差部２５ｂは、側壁部２３ａと底壁形成部２２の交差部であり、第３交差部２５ｃは、側壁部２３ａとフランジ形成部２４との交差部である。このため、第２交差部２５ｂ及び第３交差部２５ｃは、例えば、底壁形成部２２の途中と比べると剛性が高く、反りが発生し難い場所である。
【００４６】
よって、第１ハウジング構成部材２１や第２ハウジング構成部材３１の反り等を原因とした位置決め用凸部３３、位置決め用凹部３４、及び高さ決め用凸部３５の位置ズレを抑制できる。その結果として、位置決め用凹部３４への位置決め用凸部３３の嵌合が不可能になることや、接触面３５ａと合わせ面２５との接触が不可能になることを抑制できる。
【００４７】
（３）第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１において、面方向に隣り合う高さ決め用凸部３５と位置決め用凹部３４との間には合わせ面２５が介在している。高さ決め用凸部３５と位置決め用凹部３４の間に介在する合わせ面２５が大きいほど、高さ決め用凸部３５が小さくなり、接触面３５ａの面積を小さくできる。第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５間の寸法合わせを行う接触面３５ａは、寸法精度を上げるため平面度管理が行われる。第１交差部２５ａの面積を小さくすることで、平面度管理を行う面積を小さくして、第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１の生産性を向上できる。
【００４８】
（４）第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１の合わせ面２５は溶接部２７によって接合されている。溶接部２７は、合わせ面２５の面方向に沿った高さ決め用凸部３５よりも外側に形成されている。例えば、高さ決め用凸部３５よりも内側に溶接部２７を形成する場合と比べて、溶接部２７を形成しやすい。
【００４９】
（５）第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１は同じ構成の同一部材である。そして、回転中心となる軸線Ｌを中心に第１ハウジング構成部材２１を１８０度回転させた位置に第２ハウジング構成部材３１を配置したとき、位置決め用凸部３３と位置決め用凹部３４が嵌合するように、位置決め用凸部３３及び位置決め用凹部３４の位置が設定されている。このため、一部品を二つ組み付けることでハウジング１１を形成できる。
【００５０】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○  図７に示すように、高さ決め用凸部３５は、一方の側壁部２３ａから高さ方向Ｚへ突条に突出した形状であり、その高さ決め用凸部３５の高さ方向Ｚの先端面に位置決め用凸部３３が突設されていてもよい。この場合、高さ決め用凸部３５の高さ方向Ｚの先端面全体に接触面３５ａが設けられる。なお、他方の側壁部２３ａには、位置決め用凹部３４が形成されている。
【００５１】
○  図８に示すように、高さ決め用凸部３５（位置決め用凸部３３）及び位置決め用凹部３４は、第１交差部２５ａ及び第３交差部２５ｃに配置されず、側壁部２３ａの長手方向の途中に配置されていてもよい。
【００５２】
○  図９に示すように、高さ決め用凸部３５（位置決め用凸部３３）及び位置決め用凹部３４は、第２交差部２５ｂ及び第４交差部２５ｄに配置されず、側壁部２３ａの長手方向の途中に配置されていてもよい。
【００５３】
○  互いに嵌合する位置決め用凸部３３と位置決め用凹部３４の組は、２組、３組又は５組以上設けられていてもよい。
○  位置決め用凸部３３と位置決め用凹部３４とは、回転中心となる軸線Ｌを中心に第１ハウジング構成部材２１を１８０度回転させた位置に第２ハウジング構成部材３１を配置したとき、位置決め用凸部３３と位置決め用凹部３４が嵌合しなくてもよい。この場合、第１ハウジング構成部材２１と第２ハウジング構成部材３１とは別部品となる。
【００５４】
○  第１ハウジング構成部材２１及び第２ハウジング構成部材３１のいずれか一方のみに高さ決め用凸部３５及び位置決め用凸部３３を配置し、他方のみに位置決め用凹部３４を配置してもよい。
【００５５】
○  シール部は、高さ決め用凸部３５よりも面方向に沿った内側にガスケットや、シール部材を挟持させた構成であってもよいし、合わせ面２５同士の間にコーキング材を充填して構成されていてもよい。
【００５６】
○  半導体素子として、パワーＭＯＳＦＥＴを用いてもよい。
○  ハウジング１１内に設ける半導体素子の数は問わない。ハウジング１１内に設ける半導体素子は１つでもよいし、３つ以上でもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１０…半導体モジュール、１１…ハウジング、１２…底壁、１３…周壁、１４…フランジ、２１…第１ハウジング構成部材、２２…底壁形成部、２３…周壁形成部、２３ａ…側壁部、２４…フランジ形成部、２５…合わせ面、２６…冷却フィン、２７…シール部としての溶接部、３１…第２ハウジング構成部材、３３…位置決め用凸部、３４…位置決め用凹部、３５…高さ決め用凸部、３５ａ…接触面、５０…電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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