(57)【要約】      （修正有）【課題】高キャリア移動度、高耐熱性、及び高溶媒溶解性を併せ持つ新しい共役系高分子、該高分子の製造方法、該高分子を含む製膜用組成物、該製膜用組成物から作成される有機薄膜、該有機薄膜を活性層とする半導体素子及び有機トランジスタ素子を提供する。【解決手段】下記チエノチオフェン骨格を含んだオリゴヘテロアセンを繰り返し単位として有する共役系高分子。2020111737.tif 000390【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2020111737.tif 000373
（式中、Ｒ１は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ１は同一又は相異なっていてもよい。Ｍ１は水素原子、ハロゲン原子、金属含有基、ホウ素含有基又はスズ含有基からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＭ１は同一又は相異なっていてもよい。環Ａｒ１は一般式（２−１）から（２−３）
【化２】
2020111737.tif 000374
（Ｒ２は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ２は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ３は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ３は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ４は炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ４は同一又は相異なっていてもよい。）のいずれかで表される芳香環連結基を表す。）で表されるモノマー。
【請求項２】
Ｒ１が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から５０のアルキル基、炭素数６から５０のアルコキシ基又は水素原子からなる群から選択される一つの基であり、Ｒ３が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ４が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｍ１が水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ホウ素含有基又はスズ含有基からなる群から選択される一つの基である請求項１に記載のモノマー。
【請求項３】
Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から３４のアルキル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基であり、Ｒ３が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｒ４が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｍ１が水素原子、臭素原子又はホウ素含有基からなる群から選択される一つの基である請求項２に記載のモノマー。
【請求項４】
一般式（３）
【化３】
2020111737.tif 000375
（式中、Ｒ１は炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ１は同一又は相異なっていてもよい。環Ａｒ１は一般式（２−１）から（２−３）
【化４】
2020111737.tif 000376
（Ｒ２は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ２は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ３は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ３は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ４は炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ４は同一又は相異なっていてもよい。）のいずれかで表される芳香環連結基を表す。）で表される構造単位と一般式（４）
【化５】
2020111737.tif 000377
（式中、Ｘ１は５−（炭素数６から１０のアルキル）−２−チエニル基、又は炭素数１から５０のアルキル基若しくは炭素数１から５０のアルコキシ基で置換されていてもよい２価の複素芳香族環連結基を表す。）で表される構造単位より構成される共役系高分子。
【請求項５】
一般式（５）
【化６】
2020111737.tif 000378
（式中、Ｒ１、環Ａｒ１、及びＸ１は前記と同様の意味を表す。）で表される構造単位より構成される請求項４に記載の共役系高分子。
【請求項６】
Ｒ１が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から５０のアルキル基、炭素数６から５０のアルコキシ基又は水素原子からなる群から選択される一つの基であり、Ｒ３が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ４が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子である請求項４又は５に記載の共役系高分子。
【請求項７】
Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から３４のアルキル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基であり、Ｒ３が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｒ４が炭素数６から３４のアルキル基である請求項４乃至６いずれか一項に記載の共役系高分子。
【請求項８】
Ｘ１が、下記一般式（６）から（１０）
【化７】
2020111737.tif 000379
（式中、Ｘはカルコゲン原子又は炭素数１から５０のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子を表す。Ｒ５は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基又は水素原子を表す。複数のＲ５は同一又は相異なっていても良い。Ｒ６は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ６は同一又は相異なっていても良い。ｐ及びｑは、各々独立に、０、１又は２の整数
を表す。）
【化８】
2020111737.tif 000380
（式中、Ｒ７は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基を表す。複数のＲ７は同一又は相異なっていても良い。Ｙは水素原子又はフッ素原子を表す。複数のＹは同一又は相異なっていても良い。ｒ及びｓは各々独立に、１、又は２の整数を表す。）
【化９】
2020111737.tif 000381
（式中、Ｒ８は５−（炭素数１から２０のアルキル）−２−チエニル基又は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基を表す。複数のＲ８は同一又は相異なっていても良い。ｔは０，１又は２の整数を表す。）
【化１０】
2020111737.tif 000382
（式中、Ａはカルコゲン原子を表す。Ｒ９は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基又は水素原子を表す。複数のＲ９は同一又は相異なっていても良い。Ｒ１０は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ１０は同一又は相異なっていても良い。ｕ及びｖは、各々独立に、０、１又は２の整数
を表す。）
【化１１】
2020111737.tif 000383
（式中、Ｒ１１は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基を表す。複数のＲ１１は同一又は相異なっていても良い。ｗ及びｚは各々独立に、１、又は２の整数を表す。）
からなる群より選ばれる２価の複素芳香族環連結基である請求項４乃至７いずれか一項に記載の共役系高分子。
【請求項９】
Ｒ５が炭素数６から３４のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ６が炭素数６から３４のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子からなる群から選択される一つの基であり、Ｒ７が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｒ８が５−（炭素数６から１０のアルキル）−２−チエニル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基であり、Ｘが硫黄原子又は炭素数６から３４のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子であり、Ｙが水素原子であり、ｐが０又は１であり、ｑが０又は１であり、ｒが１であり、ｓが１であり、ｔが０又は１である請求項８に記載の共役系高分子。
【請求項１０】
Ｘ１が式（１１−１）、式（１１−２）、式（１１−５）、式（１１−４０）、式（１１−４１）、式（１１−４２）、式（１１−４３）、式（１１−４４）、式（１１−４５）、式（１１−４６）、式（１１−４９）、式（１１−５２）、式（１１−５４）
【化１２】
2020111737.tif 000384
【化１３】
2020111737.tif 000385
【化１４】
2020111737.tif 000386
【化１５】
2020111737.tif 000387
【化１６】
2020111737.tif 000388
【化１７】
2020111737.tif 000389
のいずれかである請求項４乃至７いずれか一項に記載の共役系高分子。
【請求項１１】
請求項４乃至１０いずれか一項に記載の共役系高分子を含んで成る製膜用組成物。
【請求項１２】
請求項１１に記載の製膜用組成物を用いて作成することを特徴とする有機薄膜。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機薄膜を含む有機半導体素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機薄膜を含む有機トランジスタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チエノチオフェン骨格を含んだオリゴヘテロアセンを構造単位として含む共役系高分子とその製造方法、ならびに有機半導体素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
π電子が一次元や二次元に拡張された共役系化合物は、有機薄膜太陽電池、電界効果型トランジスタ、並びに有機ＥＬ等に用いられる有機半導体としてよく知られる。また、省エネルギー、低コスト、有機溶媒可溶性、軽量、フレキシブル等の無機化合物に無い特徴を有し、プリンテッドエレクトロニクスへと応用される塗布材料としても用いることができる（特許文献１）。
非特許文献１に開示されるペンタセン等のオリゴアセンや、非特許文献２に開示されるチオフェン骨格やチエノチオフェン骨格等を有するオリゴアセン（「以下、オリゴヘテロアセンという。」）等の共役系化合物は電界効果型トランジスタへの応用研究がなされている。中でもチエノチオフェン骨格を有するオリゴヘテロアセンは高いキャリア移動度を示す傾向にあるが、低溶媒溶解性、低成膜性、並びに低大気安定性等の問題点が指摘されており（非特許文献３）、新しい共役系化合物の開発が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−５９６６８号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ，４９巻，２３−３０ページ，２０１７年．
【非特許文献２】Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗｓ，１１５巻，３０３６−３１４０ページ，２０１５年．
【非特許文献３】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，５５巻，５６６３−５６６６ページ，２０１４年．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、高キャリア移動度、高耐熱性、及び高溶媒溶解性を併せ持つ新しい共役系高分子、該高分子の製造方法、該高分子を含む製膜用組成物、該製膜用組成物から作成される有機薄膜、該有機薄膜を活性層とする半導体素子及び有機トランジスタ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明者は鋭意検討を行った結果、チエノチオフェン骨格を有するオリゴヘテロアセンを構造単位として含む共役系高分子が、高溶媒溶解性、高耐熱性、及び高い製膜性を示すことを見出した。本発明のチオノチオフェン骨格から成るオリゴヘテロアセンを構造単位として含む共役系高分子並びに該高分子を与えるモノマーは新規であり、その製造方法についても一切報告されていない。また、本発明の高分子の溶媒溶解性、耐熱性といった諸物性、並びにそのキャリア移動度などの報告例もない。さらに、該共役高分子を含む製膜用組成物を用いて簡便に有機薄膜が製膜できること、並びに該有機薄膜を用いて作成した有機トランジスタ素子が安定に駆動することも合わせて見出し、本発明の完成に至った。
【０００７】
すなわち本発明は以下の要旨から構成される。
［要旨１］
一般式（１）
【０００８】
【化１】
2020111737.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒ１は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ１は同一又は相異なっていてもよい。Ｍ１は水素原子、ハロゲン原子、金属含有基、ホウ素含有基又はスズ含有基からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＭ１は同一又は相異なっていてもよい。環Ａｒ１は一般式（２−１）から（２−３）
【００１０】
【化２】
2020111737.tif 000003
【００１１】
（Ｒ２は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ２は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ３は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ３は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ４は炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ４は同一又は相異なっていてもよい。）のいずれかで表される芳香環連結基を表す。）で表されるモノマー。
［要旨２］
Ｒ１が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から５０のアルキル基、炭素数６から５０のアルコキシ基又は水素原子からなる群から選択される一つの基であり、Ｒ３が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ４が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｍ１が水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ホウ素含有基又はスズ含有基である要旨１に記載のモノマー。
［要旨３］
Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から３４のアルキル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基であり、Ｒ３が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｒ４が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｍ１が水素原子、臭素原子又はホウ素含有基からなる群から選択される一つの基である要旨２に記載のモノマー。
［要旨４］
一般式（３）
【００１２】
【化３】
2020111737.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｒ１は炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ１は同一又は相異なっていてもよい。環Ａｒ１は一般式（２−１）から（２−３）
【００１４】
【化４】
2020111737.tif 000005
【００１５】
（Ｒ２は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ２は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ３は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ３は同一又は相異なっていてもよい。Ｒ４は炭素数１から５０のアルキル基、炭素数１から５０のアルコキシ基、炭素数１から５０のアシル基、炭素数４から３０のアリール基、炭素数２から５０のアルケニル基、炭素数２から５０のアルキニル基又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ４は同一又は相異なっていてもよい。）のいずれかで表される芳香環連結基を表す。）で表される構造単位と一般式（４）
【００１６】
【化５】
2020111737.tif 000006
【００１７】
（式中、Ｘ１は５−（炭素数６から１０のアルキル）−２−チエニル基、又は炭素数１から５０のアルキル基若しくは炭素数１から５０のアルコキシ基で置換されていてもよい２価の複素芳香族環連結基を表す。）で表される構造単位より構成される共役系高分子。
［要旨５］
一般式（５）
【００１８】
【化６】
2020111737.tif 000007
【００１９】
（式中、Ｒ１、環Ａｒ１、及びＸ１は前記と同様の意味を表す。）で表される構造単位より構成される要旨４に記載の共役系高分子。
［要旨６］
Ｒ１が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から５０のアルキル基、炭素数６から５０のアルコキシ基又は水素原子からなる群から選択される一つの基であり、Ｒ３が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ４が炭素数６から５０のアルキル基又は水素原子である要旨４又は５に記載の共役系高分子。
［要旨７］
Ｒ１が水素原子であり、Ｒ２が炭素数６から３４のアルキル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基であり、Ｒ３が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｒ４が炭素数６から３４のアルキル基である要旨４乃至６いずれか一項に記載の共役系高分子。
［要旨８］
Ｘ１が、下記一般式（６）から（１０）
【００２０】
【化７】
2020111737.tif 000008
【００２１】
（式中、Ｘはカルコゲン原子又は炭素数１から５０のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子を表す。Ｒ５は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基又は水素原子を表す。複数のＲ５は同一又は相異なっていても良い。Ｒ６は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ６は同一又は相異なっていても良い。ｐ及びｑは、各々独立に、０、１又は２の整数
を表す。）
【００２２】
【化８】
2020111737.tif 000009
【００２３】
（式中、Ｒ７は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基を表す。複数のＲ７は同一又は相異なっていても良い。Ｙは水素原子又はフッ素原子を表す。複数のＹは同一又は相異なっていても良い。ｒ及びｓは各々独立に、１、又は２の整数を表す。）
【００２４】
【化９】
2020111737.tif 000010
【００２５】
（式中、Ｒ８は５−（炭素数１から２０のアルキル）−２−チエニル基又は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基を表す。複数のＲ８は同一又は相異なっていても良い。ｔは０，１又は２の整数を表す。）
【００２６】
【化１０】
2020111737.tif 000011
【００２７】
（式中、Ａはカルコゲン原子を表す。Ｒ９は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基又は水素原子を表す。複数のＲ９は同一又は相異なっていても良い。Ｒ１０は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子からなる群から選択される一つの基を表す。複数のＲ１０は同一又は相異なっていても良い。ｕ及びｖは、各々独立に、０、１又は２の整数
を表す。）
【００２８】
【化１１】
2020111737.tif 000012
【００２９】
（式中、Ｒ１１は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよい炭素数１から５０のアルキル基を表す。複数のＲ１１は同一又は相異なっていても良い。ｗ及びｚは各々独立に、１、又は２の整数を表す。）
からなる群より選ばれる２価の複素芳香族環連結基である要旨４乃至７いずれか一項に記載の共役系高分子。
［要旨９］
Ｒ５が炭素数６から３４のアルキル基又は水素原子であり、Ｒ６が炭素数６から３４のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子からなる群から選択される一つの基であり、Ｒ７が炭素数６から３４のアルキル基であり、Ｒ８が５−（炭素数６から１０のアルキル）−２−チエニル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基であり、Ｘが硫黄原子又は炭素数６から３４のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子であり、Ｙが水素原子であり、ｐが０又は１であり、ｑが０又は１であり、ｒが１であり、ｓが１であり、ｔが０又は１である要旨８に記載の共役系高分子。
［要旨１０］
Ｘ１が式（１１−１）、式（１１−２）、式（１１−５）、式（１１−４０）、式（１１−４１）、式（１１−４２）、式（１１−４３）、式（１１−４４）、式（１１−４５）、式（１１−４６）、式（１１−４９）、式（１１−５２）、式（１１−５４）
【００３０】
【化１２】
2020111737.tif 000013
【００３１】
【化１３】
2020111737.tif 000014
【００３２】
【化１４】
2020111737.tif 000015
【００３３】
【化１５】
2020111737.tif 000016
【００３４】
【化１６】
2020111737.tif 000017
【００３５】
【化１７】
2020111737.tif 000018
【００３６】
のいずれかである要旨４乃至７いずれか一項に記載の共役系高分子。
［要旨１１］
要旨４乃至１０いずれか一項に記載の共役系高分子を含んで成る製膜用組成物。
［要旨１２］
要旨１１に記載の製膜用組成物を用いて作成することを特徴とする有機薄膜。
［要旨１３］
要旨１２に記載の有機薄膜を含む有機半導体素子。
［要旨１４］
要旨１３に記載の有機薄膜を含む有機トランジスタ素子。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の共役系高分子は高い溶媒溶解性と耐熱性を併せ持つ有機半導体であり、これを活性層とする有機トランジスタ素子、並びに有機太陽電池素子を効率よく駆動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】有機トランジスタ素子の断面形状による構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００４０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される炭素数１から５０のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、ペンタコシル基、ヘキサコシル基、ヘプタコシル基、オクタコシル基、ノナコシル基、トリアコンチル基、ヘントリアコンチル基、ドドリアコンチル基、トリトリアコンチル基、テトラトリアコンチル基、ペンタトリアコンチル基、ヘキサトリアコンチル基、テトラコンチル基、ヘンテトラコンチル基、ドテトラコンチル基、トリテトラコンチル基、テトラテトラコンチル基、ペンタコンチル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、４−テトラデシルイコシル基、等の分岐アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基を例示することができる。該アルキル基は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよく、メトキシメチル基、（２−メトキシエトキシ）メチル基、［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］メチル基、｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝メチル基、（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ）エトキシ）メチル基、［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］メチル基、｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝メチル基、３−（２−メトキシエトキシ）−２−［（２−メトキシエトキシ）メチル］プロピル基、３−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２−｛［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］メチル｝プロピル基、３−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−（｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝メチル）プロピル基、３−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）−２−［（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）メチル］プロピル基、３−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］−２−｛［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］メチル｝プロピル基、３−｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−（｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝メチル）プロピル基、３−（２−メトキシエトキシ）−２−（２−メトキシエトキシ）プロピル基、３−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］プロピル基、３−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝プロピル基、３−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）−２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）プロピル基、３−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］−２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］プロピル基、３−｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝プロピル基等のアルコキシ基置換アルキル基等を例示することができる。
【００４１】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ６及びＲ８で表される炭素数１から５０のアルコキシ基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれでもよく、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、ドコシルオキシ基、トリコシルオキシ基、テトラコシルオキシ基、ペンタコシルオキシ基、ヘキサコシルオキシ基、ヘプタコシルオキシ基、オクタコシルオキシ基、ノナコシルオキシ基、トリアコンチルオキシ基、ヘントリアコンチルオキシ基、ドドリアコンチルオキシ基、トリトリアコンチルオキシ基、テトラトリアコンチルオキシ基、ペンタトリアコンチルオキシ基、ヘキサトリアコンチルオキシ基、テトラコンチルオキシ基、ヘンテトラコンチルオキシ基、ドテトラコンチルオキシ基、トリテトラコンチルオキシ基、テトラテトラコンチルオキシ基、ペンタコンチルオキシ基等の直鎖アルコシキ基、イソプロポキシ基、１−（２−メチルプロピル）オキシ基、２−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、２−デシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基、２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基等の分岐アルコキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の環状アルコキシ基を例示することができる。該アルコキシ基は炭素数１から３０のアルコキシ基で置換されていてもよく、２−メトキシエトキシ基、２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ基、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ基、２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ基、２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ基、２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ基、２−｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ基、３−（２−メトキシエトキシ）−２−［（２−メトキシエトキシ）メチル］プロポキシ基、３−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２−｛［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］メチル｝プロポキシ基、３−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−（｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝メチル）プロポキシ基、３−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）−２−［（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）メチル］プロポキシ基、３−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］−２−｛［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］メチル｝プロポキシ基、３−（｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−（｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝メチル）プロポキシ基、３−（２−メトキシエトキシ）−２−（２−メトキシエトキシ）プロポキシ基、３−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］−２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］プロポキシ基、３−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝プロポキシ基、３−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）−２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）プロポキシ基、３−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］−２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］プロポキシ基、３−｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝−２−｛２−［２−（２−｛２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］エトキシ｝エトキシ）エトキシ］エトキシ｝プロポキシ基等のアルコキシ基置換アルコキシ基等を例示することができる。
【００４２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１から５０のアシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ノナノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、２−エチルヘキサノイル基、３−エチルヘプタノイル基、３−エチルデカノイル基等の直鎖又は分岐アシル基等が挙げられる。本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数３から１４のアシル基が好ましく、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基又はオクタノイル基であることがより好ましい。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４で表される炭素数４から３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリジル基、２−ビフェニリル基、２−ターフェニリル基、２−ビチエニル基、ｐ−トリル基、ｐ−ヘキシルフェニル基、ｐ−オクチルフェニル基、ｐ−（２−エチルヘキシル）フェニル基、５−フルオロ−２−フリル基、５−メチル−２−フリル基、５−エチル−２−フリル基、５−プロピル−２−フリル基、５−ブチル−２−フリル基、５−ペンチル−２−フリル基、５−ヘキシル−２−フリル基、５−オクチル−２−フリル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−フリル基、５−フルオロ−２−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、５−エチル−２−チエニル基、５−プロピル−２−チエニル基、５−ブチル−２−チエニル基、５−ペンチル−２−チエニル基、５−ヘキシル−２−チエニル基、５−オクチル−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基、５’−（２−エチルヘキシル）−２−ビフェニリル基、５’，５’’−ビス（２−エチルヘキシル）−２−ターフェニリル基、５’−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基等を挙げることができる。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４で表される炭素数２から５０のアルケニル基としては、例えば、エテニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、１−ヘプテニル基、２−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、４−ヘプテニル基、５−ヘプテニル基、６−ヘプテニル基、１−オクテニル基、２−オクテニル基、３−オクテニル基、４−オクテニル基、５−オクテニル基、６−オクテニル基、７−オクテニル基、１−ノネル基、２−ノネル基、３−ノネル基、４−ノネル基、５−ノネル基、６−ノネル基、７−ノネル基、８−ノネル基、１−デセニル基、２−デセニル基、３−デセニル基、４−デセニル基、５−デセニル基、６−デセニル基、７−デセニル基、８−デセニル基、９−デセニル基、１−ウンデセニル基、２−ウンデセニル基、３−ウンデセニル基、４−ウンデセニル基、５−ウンデセニル基、６−ウンデセニル基、７−ウンデセニル基、８−ウンデセニル基、９−ウンデセニル基、１０−ウンデセニル基、１−ドデセニル基、２−ドデセニル基、３−ドデセニル基、４−ドデセニル基、５−ドデセニル基、６−ドデセニル基、７−ドデセニル基、８−ドデセニル基、９−ドデセニル基、１０−ドデセニル基、１１−ドデセニル基、１−トリデセニル基、２−トリデセニル基、３−トリデセニル基、４−トリデセニル基、５−トリデセニル基、６−トリデセニル基、７−トリデセニル基、８−トリデセニル基、９−トリデセニル基、１０−トリデセニル基、１１−トリデセニル基、１２−トリデセニル基、１−テトラデセニル基、２−テトラデセニル基、３−テトラデセニル基、４−テトラデセニル基、５−テトラデセニル基、６−テトラデセニル基、７−テトラデセニル基、８−テトラデセニル基、９−テトラデセニル基、１０−テトラデセニル基、１１−テトラデセニル基、１２−テトラデセニル基、１３−テトラデセニル基、１−ペンタデセニル基、２−ペンタデセニル基、３−ペンタデセニル基、４−ペンタデセニル基、５−ペンタデセニル基、６−ペンタデセニル基、７−ペンタデセニル基、８−ペンタデセニル基、９−ペンタデセニル基、１０−ペンタデセニル基、１１−ペンタデセニル基、１２−ペンタデセニル基、１３−ペンタデセニル基、１４−ペンタデセニル基、１−ヘキサデセニル基、２−ヘキサデセニル基、３−ヘキサデセニル基、４−ヘキサデセニル基、５−ヘキサデセニル基、６−ヘキサデセニル基、７−ヘキサデセニル基、８−ヘキサデセニル基、９−ヘキサデセニル基、１０−ヘキサデセニル基、１１−ヘキサデセニル基、１２−ヘキサデセニル基、１３−ヘキサデセニル基、１４−ヘキサデセニル基、１５−ヘキサデセニル基、１−ヘプタデセニル基、２−ヘプタデセニル基、３−ヘプタデセニル基、４−ヘプタデセニル基、５−ヘプタデセニル基、６−ヘプタデセニル基、７−ヘプタデセニル基、８−ヘプタデセニル基、９−ヘプタデセニル基、１０−ヘプタデセニル基、１１−ヘプタデセニル基、１２−ヘプタデセニル基、１３−ヘプタデセニル基、１４−ヘプタデセニル基、１５−ヘプタデセニル基、１６−ヘプタデセニル基、１−オクタデセニル基、２−オクタデセニル基、３−オクタデセニル基、４−オクタデセニル基、５−オクタデセニル基、６−オクタデセニル基、７−オクタデセニル基、８−オクタデセニル基、９−オクタデセニル基、１０−オクタデセニル基、１１−オクタデセニル基、１２−オクタデセニル基、１３−オクタデセニル基、１４−オクタデセニル基、１５−オクタデセニル基、１６−オクタデセニル基、１７−オクタデセニル基、１−ノナデセニル基、２−ノナデセニル基、３−ノナデセニル基、４−ノナデセニル基、５−ノナデセニル基、６−ノナデセニル基、７−ノナデセニル基、８−ノナデセニル基、９−ノナデセニル基、１０−ノナデセニル基、１１−ノナデセニル基、１２−ノナデセニル基、１３−ノナデセニル基、１４−ノナデセニル基、１５−ノナデセニル基、１６−ノナデセニル基、１７−ノナデセニル基、１８−ノナデセニル基、１−エイコセニル基、２−エイコセニル基、３−エイコセニル基、４−エイコセニル基、５−エイコセニル基、６−エイコセニル基、７−エイコセニル基、８−エイコセニル基、９−エイコセニル基、１０−エイコセニル基、１１−エイコセニル基、１２−エイコセニル基、１３−エイコセニル基、１４−エイコセニル基、１５−エイコセニル基、１６−エイコセニル基、１７−エイコセニル基、１８−エイコセニル基、１９−エイコセニル基、、１−ヘンイコセニル基、２−ヘンイコセニル基、３−ヘンイコセニル基、４−ヘンイコセニル基、５−ヘンイコセニル基、６−ヘンイコセニル基、７−ヘンイコセニル基、８−ヘンイコセニル基、９−ヘンイコセニル基、１０−ヘンイコセニル基、１１−ヘンイコセニル基、１２−ヘンイコセニル基、１３−ヘンイコセニル基、１４−ヘンイコセニル基、１５−ヘンイコセニル基、１６−ヘンイコセニル基、１７−ヘンイコセニル基、１８−ヘンイコセニル基、１９−ヘンイコセニル基、２０−ヘンイコセニル基、１−ドコセニル基、２−ドコセニル基、３−ドコセニル基、４−ドコセニル基、５−ドコセニル基、６−ドコセニル基、７−ドコセニル基、８−ドコセニル基、９−ドコセニル基、１０−ドコセニル基、１１−ドコセニル基、１２−ドコセニル基、１３−ドコセニル基、１４−ドコセニル基、１５−ドコセニル基、１６−ドコセニル基、１７−ドコセニル基、１８−ドコセニル基、１９−ドコセニル基、２０−ドコセニル基、２１−ドコセニル基、１−トリコセニル基、２−トリコセニル基、３−トリコセニル基、４−トリコセニル基、５−トリコセニル基、６−トリコセニル基、７−トリコセニル基、８−トリコセニル基、９−トリコセニル基、１０−トリコセニル基、１１−トリコセニル基、１２−トリコセニル基、１３−トリコセニル基、１４−トリコセニル基、１５−トリコセニル基、１６−トリコセニル基、１７−トリコセニル基、１８−トリコセニル基、１９−トリコセニル基、２０−トリコセニル基、２１−トリコセニル基、２２−トリコセニル基、１−テトラコセニル基、２−テトラコセニル基、３−テトラコセニル基、４−テトラコセニル基、５−テトラコセニル基、６−テトラコセニル基、７−テトラコセニル基、８−テトラコセニル基、９−テトラコセニル基、１０−テトラコセニル基、１１−テトラコセニル基、１２−テトラコセニル基、１３−テトラコセニル基、１４−テトラコセニル基、１５−テトラコセニル基、１６−テトラコセニル基、１７−テトラコセニル基、１８−テトラコセニル基、１９−テトラコセニル基、２０−テトラコセニル基、２１−テトラコセニル基、２２−テトラコセニル基、２３−テトラコセニル基、１−ペンタコセニル基、２−ペンタコセニル基、３−ペンタコセニル基、４−ペンタコセニル基、５−ペンタコセニル基、６−ペンタコセニル基、７−ペンタコセニル基、８−ペンタコセニル基、９−ペンタコセニル基、１０−ペンタコセニル基、１１−ペンタコセニル基、１２−ペンタコセニル基、１３−ペンタコセニル基、１４−ペンタコセニル基、１５−ペンタコセニル基、１６−ペンタコセニル基、１７−ペンタコセニル基、１８−ペンタコセニル基、１９−ペンタコセニル基、２０−ペンタコセニル基、２１−ペンタコセニル基、２２−ペンタコセニル基、２３−ペンタコセニル基、２４−ペンタコセニル基、１−ヘキサコセニル基、２−ヘキサコセニル基、３−ヘキサコセニル基、４−ヘキサコセニル基、５−ヘキサコセニル基、６−ヘキサコセニル基、７−ヘキサコセニル基、８−ヘキサコセニル基、９−ヘキサコセニル基、１０−ヘキサコセニル基、１１−ヘキサコセニル基、１２−ヘキサコセニル基、１３−ヘキサコセニル基、１４−ヘキサコセニル基、１５−ヘキサコセニル基、１６−ヘキサコセニル基、１７−ヘキサコセニル基、１８−ヘキサコセニル基、１９−ヘキサコセニル基、２０−ヘキサコセニル基、２１−ヘキサコセニル基、２２−ヘキサコセニル基、２３−ヘキサコセニル基、２４−ヘキサコセニル基、２５−ヘキサコセニル基、、１−ヘプタコセニル基、２−ヘプタコセニル基、３−ヘプタコセニル基、４−ヘプタコセニル基、５−ヘプタコセニル基、６−ヘプタコセニル基、７−ヘプタコセニル基、８−ヘプタコセニル基、９−ヘプタコセニル基、１０−ヘプタコセニル基、１１−ヘプタコセニル基、１２−ヘプタコセニル基、１３−ヘプタコセニル基、１４−ヘプタコセニル基、１５−ヘプタコセニル基、１６−ヘプタコセニル基、１７−ヘプタコセニル基、１８−ヘプタコセニル基、１９−ヘプタコセニル基、２０−ヘプタコセニル基、２１−ヘプタコセニル基、２２−ヘプタコセニル基、２３−ヘプタコセニル基、２４−ヘプタコセニル基、２５−ヘプタコセニル基、２６−ヘプタコセニル基、１−オクタコセニル基、２−オクタコセニル基、３−オクタコセニル基、４−オクタコセニル基、５−オクタコセニル基、６−オクタコセニル基、７−オクタコセニル基、８−オクタコセニル基、９−オクタコセニル基、１０−オクタコセニル基、１１−オクタコセニル基、１２−オクタコセニル基、１３−オクタコセニル基、１４−オクタコセニル基、１５−オクタコセニル基、１６−オクタコセニル基、１７−オクタコセニル基、１８−オクタコセニル基、１９−オクタコセニル基、２０−オクタコセニル基、２１−オクタコセニル基、２２−オクタコセニル基、２３−オクタコセニル基、２４−オクタコセニル基、２５−オクタコセニル基、２６−オクタコセニル基、２７−オクタコセニル基、１−ノナコセニル基、２−ノナコセニル基、３−ノナコセニル基、４−ノナコセニル基、５−ノナコセニル基、６−ノナコセニル基、７−ノナコセニル基、８−ノナコセニル基、９−ノナコセニル基、１０−ノナコセニル基、１１−ノナコセニル基、１２−ノナコセニル基、１３−ノナコセニル基、１４−ノナコセニル基、１５−ノナコセニル基、１６−ノナコセニル基、１７−ノナコセニル基、１８−ノナコセニル基、１９−ノナコセニル基、２０−ノナコセニル基、２１−ノナコセニル基、２２−ノナコセニル基、２３−ノナコセニル基、２４−ノナコセニル基、２５−ノナコセニル基、２６−ノナコセニル基、２７−ノナコセニル基、２８−ノナコセニル基、１−トリアコンテニル基、２−トリアコンテニル基、３−トリアコンテニル基、４−トリアコンテニル基、５−トリアコンテニル基、６−トリアコンテニル基、７−トリアコンテニル基、８−トリアコンテニル基、９−トリアコンテニル基、１０−トリアコンテニル基、１１−トリアコンテニル基、１２−トリアコンテニル基、１３−トリアコンテニル基、１４−トリアコンテニル基、１５−トリアコンテニル基、１６−トリアコンテニル基、１７−トリアコンテニル基、１８−トリアコンテニル基、１９−トリアコンテニル基、２０−トリアコンテニル基、２１−トリアコンテニル基、２２−トリアコンテニル基、２３−トリアコンテニル基、２４−トリアコンテニル基、２５−トリアコンテニル基、２６−トリアコンテニル基、２７−トリアコンテニル基、２８−トリアコンテニル基、２９−トリアコンテニル基、１−ヘントリアコンテニル基、２−ヘントリアコンテニル基、３−ヘントリアコンテニル基、４−ヘントリアコンテニル基、５−ヘントリアコンテニル基、６−ヘントリアコンテニル基、７−ヘントリアコンテニル基、８−ヘントリアコンテニル基、９−ヘントリアコンテニル基、１０−ヘントリアコンテニル基、１１−ヘントリアコンテニル基、１２−ヘントリアコンテニル基、１３−ヘントリアコンテニル基、１４−ヘントリアコンテニル基、１５−ヘントリアコンテニル基、１６−ヘントリアコンテニル基、１７−ヘントリアコンテニル基、１８−ヘントリアコンテニル基、１９−ヘントリアコンテニル基、２０−ヘントリアコンテニル基、２１−ヘントリアコンテニル基、２２−ヘントリアコンテニル基、２３−ヘ
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テトラテトラコテニル基、３１−テトラテトラコテニル基、３２−テトラテトラコテニル基、３３−テトラテトラコテニル基、３４−テトラテトラコテニル基、３５−テトラテトラコテニル基、３６−テトラテトラコテニル基、３７−テトラテトラコテニル基、３８−テ
トラテトラコテニル基、３９−テトラテトラコテニル基、４０−テトラテトラコテニル基、、１−ペンタコテニル基、２−ペンタコテニル基、３−ペンタコテニル基、４−ペンタコテニル基、５−ペンタコテニル基、６−ペンタコテニル基、７−ペンタコテニル基、８−ペンタコテニル基、９−ペンタコテニル基、１０−ペンタコテニル基、１１−ペンタコテニル基、１２−ペンタコテニル基、１３−ペンタコテニル基、１４−ペンタコテニル基、１５−ペンタコテニル基、１６−ペンタコテニル基、１７−ペンタコテニル基、１８−ペンタコテニル基、１９−ペンタコテニル基、２０−ペンタコテニル基、２１−ペンタコテニル基、２２−ペンタコテニル基、２３−ペンタコテニル基、２４−ペンタコテニル基、２５−ペンタコテニル基、２６−ペンタコテニル基、２７−ペンタコテニル基、２８−ペンタコテニル基、２９−ペンタコテニル基、３０−ペンタコテニル基、３１−ペンタコテニル基、３２−ペンタコテニル基、３３−ペンタコテニル基、３４−ペンタコテニル基、３５−ペンタコテニル基、３６−ペンタコテニル基、３７−ペンタコテニル基、３８−ペンタコテニル基、３９−ペンタコテニル基、４０−ペンタコテニル基、４１−ペンタコテニル基、４２−ペンタコテニル基、４３−ペンタコテニル基、４４−ペンタコテニル基、４５−ペンタコテニル基、４６−ペンタコテニル基、４７−ペンタコテニル基、４８−ペンタコテニル基、４９−ペンタコテニル基、５０−ペンタコテニル基等の直鎖アルキル基、２−エチル−１−ヘキセニル基、２−エチル−２−ヘキセニル基、２−エチル−３−ヘキセニル基、２−エチル−４−ヘキセニル基、２−エチル−５−ヘキセニル基、３，７−ジメチル−１−オクテニル基、３，７−ジメチル−２−オクテニル基、３，７−ジメチル−３−オクテニル基、３，７−ジメチル−４−オクテニル基、３，７−ジメチル−５−オクテニル基、３，７−ジメチル−６−オクテニル基、３，７−ジメチル−７−オクテニル基、２−ヘキシル−１−デセニル基、２−ヘキシル−２−デセニル基、２−ヘキシル−３−デセニル基、２−ヘキシル−４−デセニル基、２−ヘキシル−５−デセニル基、２−ヘキシル−６−デセニル基、２−ヘキシル−７−デセニル基、２−ヘキシル−８−デセニル基、２−ヘキシル−９−デセニル基、２−デシル−１−テトラデセニル基、２−デシル−２−テトラデセニル基、２−デシル−３−テトラデセニル基、２−デシル−４−テトラデセニル基、２−デシル−５−テトラデセニル基、２−デシル−６−テトラデセニル基、２−デシル−７−テトラデセニル基、２−デシル−８−テトラデセニル基、２−デシル−９−テトラデセニル基、２−デシル−１０−テトラデセニル基、２−デシル−１１−テトラデセニル基、２−デシル−１２−テトラデセニル基、２−デシル−１３−テトラデセニル基、２−ドデシル−１−テトラデセニル基、２−ドデシル−２−テトラデセニル基、２−ドデシル−３−テトラデセニル基、２−ドデシル−４−テトラデセニル基、２−ドデシル−５−テトラデセニル基、２−ドデシル−６−テトラデセニル基、２−ドデシル−７−テトラデセニル基、２−ドデシル−８−テトラデセニル基、２−ドデシル−９−テトラデセニル基、２−ドデシル−１０−テトラデセニル基、２−ドデシル−１１−テトラデセニル基、２−ドデシル−１２−テトラデセニル基、２−ドデシル−１３−テトラデセニル基、２−ドデシル−１−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−２−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−３−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−４−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−５−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−６−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−７−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−８−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−９−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−１０−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−１１−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−１２−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−１３−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−１４−ヘキサデセニル基、２−ドデシル−１５−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−２−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−３−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−４−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−５−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−６−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−７−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−８−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−９−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１０−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１１−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１２−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１３−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１４−ヘキサデセニル基、２−テトラデシル−１５−ヘキサデセニル基等を挙げることができる。
【００４３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４で表される炭素数２から５０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基、３−ヘキシニル基、４−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、１−ヘプチニル基、２−ヘプチニル基、３−ヘプチニル基、４−ヘプチニル基、５−ヘプチニル基、６−ヘプチニル基、１−オクチニル基、２−オクチニル基、３−オクチニル基、４−オクチニル基、５−オクチニル基、６−オクチニル基、７−オクチニル基、１−ノニニル基、２−ノニニル基、３−ノニニル基、４−ノニニル基、５−ノニニル基、６−ノニニル基、７−ノニニル基、８−ノニニル基、１−デシニル基、２−デシニル基、３−デシニル基、４−デシニル基、５−デシニル基、６−デシニル基、７−デシニル基、８−デシニル基、９−デシニル基、１−ウンデシニル、２−ウンデシニル基、３−ウンデシニル基、４−ウンデシニル基、５−ウンデシニル基、６−ウンデシニル基、７−ウンデシニル基、８−ウンデシニル基、９−ウンデシニル基、１０−ウンデシニル基、１−ドデシニル基、２−ドデシニル基、３−ドデシニル基、４−ドデシニル基、５−ドデシニル基、６−ドデシニル基、７−ドデシニル基、８−ドデシニル基、９−ドデシニル基、１０−ドデシニル基、１１−ドデシニル基、１−トリデシニル基、２−トリデシニル基、３−トリデシニル基、４−トリデシニル基、５−トリデシニル基、６−トリデシニル基、７−トリデシニル基、８−トリデシニル基、９−トリデシニル基、１０−トリデシニル基、１１−トリデシニル基、１２−トリデシニル基、１−テトラデシニル基、２−テトラデシニル基、３−テトラデシニル基、４−テトラデシニル基、５−テトラデシニル基、６−テトラデシニル基、７−テトラデシニル基、８−テトラデシニル基、９−テトラデシニル基、１０−テトラデシニル基、１１−テトラデシニル基、１２−テトラデシニル基、１３−テトラデシニル基、１−ペンタデシニル基、２−ペンタデシニル基、３−ペンタデシニル基、４−ペンタデシニル基、５−ペンタデシニル基、６−ペンタデシニル基、７−ペンタデシニル基、８−ペンタデシニル基、９−ペンタデシニル基、１０−ペンタデシニル基、１１−ペンタデシニル基、１２−ペンタデシニル基、１３−ペンタデシニル基、１４−ペンタデシニル基、１−ヘキサデシニル基、２−ヘキサデシニル基、３−ヘキサデシニル基、４−ヘキサデシニル基、５−ヘキサデシニル基、６−ヘキサデシニル基、７−ヘキサデシニル基、８−ヘキサデシニル基、９−ヘキサデシニル基、１０−ヘキサデシニル基、１１−ヘキサデシニル基、１２−ヘキサデシニル基、１３−ヘキサデシニル基、１４−ヘキサデシニル基、１５−ヘキサデシニル基、１−ヘプタデシニル基、２−ヘプタデシニル基、３−ヘプタデシニル基、４−ヘプタデシニル基、５−ヘプタデシニル基、６−ヘプタデシニル基、７−ヘプタデシニル基、８−ヘプタデシニル基、９−ヘプタデシニル基、１０−ヘプタデシニル基、１１−ヘプタデシニル基、１２−ヘプタデシニル基、１３−ヘプタデシニル基、１４−ヘプタデシニル基、１５−ヘプタデシニル基、１６−ヘプタデシニル基、１−オクタデシニル基、２−オクタデシニル基、３−オクタデシニル基、４−オクタデシニル基、５−オクタデシニル基、６−オクタデシニル基、７−オクタデシニル基、８−オクタデシニル基、９−オクタデシニル基、１０−オクタデシニル基、１１−オクタデシニル基、１２−オクタデシニル基、１３−オクタデシニル基、１４−オクタデシニル基、１５−オクタデシニル基、１６−オクタデシニル基、１７−オクタデシニル基、１−ノナデシニル基、２−ノナデシニル基、３−ノナデシニル基、４−ノナデシニル基、５−ノナデシニル基、６−ノナデシニル基、７−ノナデシニル基、８−ノナデシニル基、９−ノナデシニル基、１０−ノナデシニル基、１１−ノナデシニル基、１２−ノナデシニル基、１３−ノナデシニル基、１４−ノナデシニル基、１５−ノナデシニル基、１６−ノナデシニル基、１７−ノナデシニル基、１８−ノナデシニル基、１−エイコシニル基、２−エイコシニル基、３−エイコシニル基、４−エイコシニル基、５−エイコシニル基、６−エイコシニル基、７−エイコシニル基、８−エイコシニル基、９−エイコシニル基、１０−エイコシニル基、１１−エイコシニル基、１２−エイコシニル基、１３−エイコシニル基、１４−エイコシニル基、１５−エイコシニル基、１６−エイコシニル基、１７−エイコシニル基、１８−エイコシニル基、１９−エイコシニル基、１−ヘンイコシニル基、２−ヘンエイコシニル基、３−ヘンイコシニル基、４−ヘンイコシニル基、５−ヘンイコシニル基、６−ヘンイコシニル基、７−ヘンイコシニル基、８−ヘンイコシニル基、９−ヘンイコシニル基、１０−ヘンイコシニル基、１１−ヘンイコシニル基、１２−ヘンイコシニル基、１３−ヘンイコシニル基、１４−ヘンイコシニル基、１５−ヘンイコシニル基、１６−ヘンイコシニル基、１７−ヘンイコシニル基、１８−ヘンイコシニル基、１９−ヘンイコシニル基、２０−ヘンイコシニル基、１−ドコシニル基、２−ドコシニル基、３−ドコシニル基、４−ドコシニル基、５−ドコシニル基、６−ドコシニル基、７−ドコシニル基、８−ドコシニル基、９−ドコシニル基、１０−ドコシニル基、１１−ドコシニル基、１２−ドコシニル基、１３−ドコシニル基、１４−ドコシニル基、１５−ドコシニル基、１６−ドコシニル基、１７−ドコシニル基、１８−ドコシニル基、１９−ドコシニル基、２０−ドコシニル基、２１−ドコシニル基、１−トリコシニル基、２−トリコシニル基、３−トリコシニル基、４−トリコシニル基、５−トリコシニル基、６−トリコシニル基、７−トリコシニル基、８−トリコシニル基、９−トリコシニル基、１０−トリコシニル基、１１−トリコシニル基、１２−トリコシニル基、１３−トリコシニル基、１４−トリコシニル基、１５−トリコシニル基、１６−トリコシニル基、１７−トリコシニル基、１８−トリコシニル基、１９−トリコシニル基、２０−トリコシニル基、２１−トリコシニル基、２２−トリコシニル基、１−テトラコシニル基、２−テトラコシニル基、３−テトラコシニル基、４−テトラコシニル基、５−テトラコシニル基、６−テトラコシニル基、７−テトラコシニル基、８−テトラコシニル基、９−テトラコシニル基、１０−テトラコシニル基、１１−テトラコシニル基、１２−テトラコシニル基、１３−テトラコシニル基、１４−テトラコシニル基、１５−テトラコシニル基、１６−テトラコシニル基、１７−テトラコシニル基、１８−テトラコシニル基、１９−テトラコシニル基、２０−テトラコシニル基、２１−テトラコシニル基、２２−テトラコシニル基、２３−テトラコシニル基、１−ペンタコシニル基、２−ペンタコシニル基、３−ペンタコシニル基、４−ペンタコシニル基、５−ペンタコシニル基、６−ペンタコシニル基、７−ペンタコシニル基、８−ペンタコシニル基、９−ペンタコシニル基、１０−ペンタコシニル基、１１−ペンタコシニル基、１２−ペンタコシニル基、１３−ペンタコシニル基、１４−ペンタコシニル基、１５−ペンタコシニル基、１６−ペンタコシニル基、１７−ペンタコシニル基、１８−ペンタコシニル基、１９−ペンタコシニル基、２０−ペンタコシニル基、２１−ペンタコシニル基、２２−ペンタコシニル基、２３−ペンタコシニル基、２４−ペンタコシニル基、１−ヘキサコシニル基、２−ヘキサコシニル基、３−ヘキサコシニル基、４−ヘキサコシニル基、５−ヘキサコシニル基、６−ヘキサコシニル基、７−ヘキサコシニル基、８−ヘキサコシニル基、９−ヘキサコシニル基、１０−ヘキサコシニル基、１１−ヘキサコシニル基、１２−ヘキサコシニル基、１３−ヘキサコシニル基、１４−ヘキサコシニル基、１５−ヘキサコシニル基、１６−ヘキサコシニル基、１７−ヘキサコシニル基、１８−ヘキサコシニル基、１９−ヘキサコシニル基、２０−ヘキサコシニル基、２１−ヘキサコシニル基、２２−ヘキサコシニル基、２３−ヘキサコシニル基、２４−ヘキサコシニル基、２５−ヘキサコシニル基、１−ヘプタコシニル基、２−ヘプタコシニル基、３−ヘプタコシニル基、４−ヘプタコシニル基、５−ヘプタコシニル基、６−ヘプタコシニル基、７−ヘプタコシニル基、８−ヘプタコシニル基、９−ヘプタコシニル基、１０−ヘプタコシニル基、１１−ヘプタコシニル基、１２−ヘプタコシニル基、１３−ヘプタコシニル基、１４−ヘプタコシニル基、１５−ヘプタコシニル基、１６−ヘプタコシニル基、１７−ヘプタコシニル基、１８−ヘプタコシニル基、１９−ヘプタコシニル基、２０−ヘプタコシニル基、２１−ヘプタコシニル基、２２−ヘプタコシニル基、２３−ヘプタコシニル基、２４−ヘプタコシニル基、２５−ヘプタコシニル基、２６−ヘプタコシニル基、１−オクタコシニル基、２−オクタコシニル基、３−オクタコシニル基、４−オクタコシニル基、５−オクタコシニル基、６−オクタコシニル基、７−オクタコシニル基、８−オクタコシニル基、９−オクタコシニル基、１０−オクタコシニル基、１１−オクタコシニル基、１２−オクタコシニル基、１３−オクタコシニル基、１４−オクタコシニル基、１５−オクタコシニル基、１６−オクタコシニル基、１７−オクタコシニル基、１８−オクタコシニル基、１９−オクタコシニル基、２０−オクタコシニル基、２１−オクタコシニル基、２２−オクタコシニル基、２３−オクタコシニル基、２４−オクタコシニル基、２５−オクタコシニル基、２６−オクタコシニル基、２７−オクタコシニル基、１−ノナコシニル基、２−ノナコシニル基、３−ノナコシニル基、４−ノナコシニル基、５−ノナコシニル基、６−ノナコシニル基、７−ノナコシニル基、８−ノナコシニル基、９−ノナコシニル基、１０−ノナコシニル基、１１−ノナコシニル基、１２−ノナコシニル基、１３−ノナコシニル基、１４−ノナコシニル基、１５−ノナコシニル基、１６−ノナコシニル基、１７−ノナコシニル基、１８−ノナコシニル基、１９−ノナコシニル基、２０−ノナコシニル基、２１−ノナコシニル基、２２−ノナコシニル基、２３−ノナコシニル基、２４−ノナコシニル基、２５−ノナコシニル基、２６−ノナコシニル基、２７−ノナコシニル基、２８−ノナコシニル基、１−トリアコンチニル基、２−トリアコンチニル基、３−トリアコンチニル基、４−トリアコンチニル基、５−トリアコンチニル基、６−トリアコンチニル基、７−トリアコンチニル基、８−トリアコンチニル基、９−トリアコンチニル基、１０−トリアコンチニル基、１１−トリアコンチニル基、１２−トリアコンチニル基、１３−トリアコンチニル基、１４−トリアコンチニル基、１５−トリアコンチニル基、１６−トリアコンチニル基、１７−トリアコンチニル基、１８−トリアコンチニル基、１９−トリアコンチニル基、２０−トリアコンチニル基、２１−トリアコンチニル基、２２−トリアコンチニル基、２３−トリアコンチニル基、２４−トリアコンチニル基、２５−トリアコンチニル基、２６−トリアコンチニル基、２７−トリアコンチニル基、２８−トリアコンチニル基、２９−トリアコンチニル基、１−ヘントリアコンチニル基、２−ヘントリアコンチニル基、３−ヘントリアコンチニル基、４−ヘントリアコンチニル基、５−ヘントリアコンチニル基、６−ヘントリアコンチニル基、７−ヘントリアコンチニル基、８−ヘントリアコンチニル基、９−ヘントリアコンチニル基、１０−ヘントリアコンチニル基、１１−ヘントリアコンチニル基、１２−ヘントリアコンチニル基、１３−ヘントリアコンチニル基、１４−ヘントリアコンチニル基、１５−ヘントリアコンチニル基、１６−ヘントリアコンチニル基、１７−ヘントリアコンチニル基、１８−ヘントリアコンチニル基、１９−ヘントリアコンチニル基、２０−ヘントリアコンチニル基、２１−ヘントリアコンチニル基、２２−ヘントリアコンチニル
基、２３−ヘントリアコンチニル基、２４−ヘントリアコンチニル基、２５−ヘントリアコンチニル基、２６−ヘントリアコンチニル基、２７−ヘントリアコンチニル基、２８−ヘントリアコンチニル基、２９−ヘントリアコンチニル基、３０−ヘントリアコンチニル基、１−ドドリアコチニル基、２−ドドリアコチニル基、３−ドドリアコチニル基、４−ドドリアコチニル基、５−ドドリアコチニル基、６−ドドリアコチニル基、７−ドドリアコチニル基、８−ドドリアコチニル基、９−ドドリアコチニル基、１０−ドドリアコチニル基、１１−ドドリアコチニル基、１２−ドドリアコチニル基、１３−ドドリアコチニル基、１４−ドドリアコチニル基、１５−ドドリアコチニル基、１６−ドドリアコチニル基、１７−ドドリアコチニル基、１８−ドドリアコチニル基、１９−ドドリアコチニル基、２０−ドドリアコチニル基、２１−ドドリアコチニル基、２２−ドドリアコチニル基、２３−ドドリアコチニル基、２４−ドドリアコチニル基、２５−ドドリアコチニル基、２６−ドドリアコチニル基、２７−ドドリアコチニル基、２８−ドドリアコチニル基、２９−ドドリアコチニル基、３０−ドドリアコチニル基、３１−ドドリアコチニル基、１−トリトリアコンチニル基、２−トリトリアコンチニル基、３−トリトリアコンチニル基、４−トリトリアコンチニル基、５−トリトリアコンチニル基、６−トリトリアコンチニル基、７−トリトリアコンチニル基、８−トリトリアコンチニル基、９−トリトリアコンチニル基、１０−トリトリアコンチニル基、１１−トリトリアコンチニル基、１２−トリトリアコンチニル基、１３−トリトリアコンチニル基、１４−トリトリアコンチニル基、１５−トリトリアコンチニル基、１６−トリトリアコンチニル基、１７−トリトリアコンチニル基、１８−トリトリアコンチニル基、１９−トリトリアコンチニル基、２０−トリトリアコンチニル基、２１−トリトリアコンチニル基、２２−トリトリアコンチニル基、２３−トリトリアコンチニル基、２４−トリトリアコンチニル基、２５−トリトリアコンチニル基、２６−トリトリアコンチニル基、２７−トリトリアコンチニル基、２８−トリトリアコンチニル基、２９−トリトリアコンチニル基、３０−トリトリアコンチニル基、３１−トリトリアコンチニル基、３２−トリトリアコンチニル基、１−テトラトリアコンチニル基、２−テトラトリアコンチニル基、３−テトラトリアコンチニル基、４−テトラトリアコンチニル基、５−テトラトリアコンチニル基、６−テトラトリアコンチニル基、７−テトラトリアコンチニル基、８−テトラトリアコンチニル基、９−テトラトリアコンチニル基、１０−テトラトリアコンチニル基、１１−テトラトリアコンチニル基、１２−テトラトリアコンチニル基、１３−テトラトリアコンチニル基、１４−テトラトリアコンチニル基、１５−テトラトリアコンチニル基、１６−テトラトリアコンチニル基、１７−テトラトリアコンチニル基、１８−テトラトリアコンチニル基、１９−テトラトリアコンチニル基、２０−テトラトリアコンチニル基、２１−テトラトリアコンチニル基、２２−テトラトリアコンチニル基、２３−テトラトリアコンチニル基、２４−テトラトリアコンチニル基、２５−テトラトリアコンチニル基、２６−テトラトリアコンチニル基、２７−テトラトリアコンチニル基、２８−テトラトリアコンチニル基、２９−テトラトリアコンチニル基、３０−テトラトリアコンチニル基、３１−テトラトリアコンチニル基、３２−テトラトリアコンチニル基、３３−テトラトリアコンチニル基、１−ペンタトリアコンチニル基、２−ペンタトリアコンチニル基、３−ペンタトリアコンチニル基、４−ペンタトリアコンチニル基、５−ペンタトリアコンチニル基、６−ペンタトリアコンチニル基、７−ペンタトリアコンチニル基、８−ペンタトリアコンチニル基、９−ペンタトリアコンチニル基、１０−ペンタトリアコンチニル基、１１−ペンタトリアコンチニル基、１２−ペンタトリアコンチニル基、１３−ペンタトリアコンチニル基、１４−ペンタトリアコンチニル基、１５−ペンタトリアコンチニル基、１６−ペンタトリアコンチニル基、１７−ペンタトリアコンチニル基、１８−ペンタトリアコンチニル基、１９−ペンタトリアコンチニル基、２０−ペンタトリアコンチニル基、２１−ペンタトリアコンチニル基、２２−ペンタトリアコンチニル基、２３−ペンタトリアコンチニル基、２４−ペンタトリアコンチニル基、２５−ペンタトリアコンチニル基、２６−ペンタトリアコンチニル基、２７−ペンタトリアコンチニル基、２８−ペンタトリアコンチニル基、２９−ペンタトリアコンチニル基、３０−ペンタトリアコンチニル基、３１−ペンタトリアコンチニル基、３２−ペンタトリアコンチニル基、３３−ペンタトリアコンチニル基、３４−ペンタトリアコンチニル基、１−ヘキサトリアコンチニル基、２−ヘキサトリアコンチニル基、３−ヘキサトリアコンチニル基、４−ヘキサトリアコンチニル基、５−ヘキサトリアコンチニル基、６−ヘキサトリアコンチニル基、７−ヘキサトリアコンチニル基、８−ヘキサトリアコンチニル基、９−ヘキサトリアコンチニル基、１０−ヘキサトリアコンチニル基、１１−ヘキサトリアコンチニル基、１２−ヘキサトリアコンチニル基、１３−ヘキサトリアコンチニル基、１４−ヘキサトリアコンチニル基、１５−ヘキサトリアコンチニル基、１６−ヘキサトリアコンチニル基、１７−ヘキサトリアコンチニル基、１８−ヘキサトリアコンチニル基、１９−ヘキサトリアコンチニル基、２０−ヘキサトリアコンチニル基、２１−ヘキサトリアコンチニル基、２２−ヘキサトリアコンチニル基、２３−ヘキサトリアコンチニル基、２４−ヘキサトリアコンチニル基、２５−ヘキサトリアコンチニル基、２６−ヘキサトリアコンチニル基、２７−ヘキサトリアコンチニル基、２８−ヘキサトリアコンチニル基、２９−ヘキサトリアコンチニル基、３０−ヘキサトリアコンチニル基、３１−ヘキサトリアコンチニル基、３２−ヘキサトリアコンチニル基、３３−ヘキサトリアコンチニル基、３４−ヘキサトリアコンチニル基、３５−ヘキサトリアコンチニル基、１−テトラコチニル基、２−テトラコチニル基、３−テトラコチニル基、４−テトラコチニル基、５−テトラコチニル基、６−テトラコチニル基、７−テトラコチニル基、８−テトラコチニル基、９−テトラコチニル基、１０−テトラコチニル基、１１−テトラコチニル基、１２−テトラコチニル基、１３−テトラコチニル基、１４−テトラコチニル基、１５−テトラコチニル基、１６−テトラコチニル基、１７−テトラコチニル基、１８−テトラコチニル基、１９−テトラコチニル基、２０−テトラコチニル基、２１−テトラコチニル基、２２−テトラコチニル基、２３−テトラコチニル基、２４−テトラコチニル基、２５−テトラコチニル基、２６−テトラコチニル基、２７−テトラコチニル基、２８−テトラコチニル基、２９−テトラコチニル基、３０−テトラコチニル基、３１−テトラコチニル基、３２−テトラコチニル基、３３−テトラコチニル基、３４−テトラコチニル基、３５−テトラコチニル基、３６−テトラコチニル基、１−ヘンテトラコチニル基、２−ヘンテトラコチニル基、３−ヘンテトラコチニル基、４−ヘンテトラコチニル基、５−ヘンテトラコチニル基、６−ヘンテトラコチニル基、７−ヘンテトラコチニル基、８−ヘンテトラコチニル基、９−ヘンテトラコチニル基、１０−ヘンテトラコチニル基、１１−ヘンテトラコチニル基、１２−ヘンテトラコチニル基、１３−ヘンテトラコチニル基、１４−ヘンテトラコチニル基、１５−ヘンテトラコチニル基、１６−ヘンテトラコチニル基、１７−ヘンテトラコチニル基、１８−ヘンテトラコチニル基、１９−ヘンテトラコチニル基、２０−ヘンテトラコチニル基、２１−ヘンテトラコチニル基、２２−ヘンテトラコチニル基、２３−ヘンテトラコチニル基、２４−ヘンテトラコチニル基、２５−ヘンテトラコチニル基、２６−ヘンテトラコチニル基、２７−ヘンテトラコチニル基、２８−ヘンテトラコチニル基、２９−ヘンテトラコチニル基、３０−ヘンテトラコチニル基、３１−ヘンテトラコチニル基、３２−ヘンテトラコチニル基、３３−ヘンテトラコチニル基、３４−ヘンテトラコチニル基、３５−ヘンテトラコチニル基、３６−ヘンテトラコチニル基、３７−ヘンテトラコチニル基、１−ドテトラコチニル基、２−ドテトラコチニル基、３−ドテトラコチニル基、４−ドテトラコチニル基、５−ドテトラコチニル基、６−ドテトラコチニル基、７−ドテトラコチニル基、８−ドテトラコチニル基、９−ドテトラコチニル基、１０−ドテトラコチニル基、１１−ドテトラコチニル基、１２−ドテトラコチニル基、１３−ドテトラコチニル基、１４−ドテトラコチニル基、１５−ドテトラコチニル基、１６−ドテトラコチニル基、１７−ドテトラコチニル基、１８−ドテトラコチニル基、１９−ドテトラコチニル基、２０−ドテトラコチニル基、２１−ドテトラコチニル基、２２−ドテトラコチニル基、２３−ドテトラコチニル基、２４−ドテトラコチニル基、２５−ドテトラコチニル基、２６−ドテトラコチニル基、２７−ドテトラコチニル基、２８−ドテトラコチニル基、２９−ドテトラコチニル基、３０−ドテトラコチニル基、３１−ドテトラコチニル基、３２−ドテトラコチニル基、３３−ドテトラコチニル基、３４−ドテトラコチニル基、３５−ドテトラコチニル基、３６−ドテトラコチニル基、３７−ドテトラコチニル基、３８−ドテトラコチニル基、１−トリテトラコチニル基、２−トリテトラコチニル基、３−トリテトラコチニル基、４−トリテトラコチニル基、５−トリテトラコチニル基、６−トリテトラコチニル基、７−トリテトラコチニル基、８−トリテトラコチニル基、９−トリテトラコチニル基、１０−トリテトラコチニル基、１１−トリテトラコチニル基、１２−トリテトラコチニル基、１３−トリテトラコチニル基、１４−トリテトラコチニル基、１５−トリテトラコチニル基、１６−トリテトラコチニル基、１７−トリテトラコチニル基、１８−トリテトラコチニル基、１９−トリテトラコチニル基、２０−トリテトラコチニル基、２１−トリテトラコチニル基、２２−トリテトラコチニル基、２３−トリテトラコチニル基、２４−トリテトラコチニル基、２５−トリテトラコチニル基、２６−トリテトラコチニル基、２７−トリテトラコチニル基、２８−トリテトラコチニル基、２９−トリテトラコチニル基、３０−トリテトラコチニル基、３１−トリテトラコチニル基、３２−トリテトラコチニル基、３３−トリテトラコチニル基、３４−トリテトラコチニル基、３５−トリテトラコチニル基、３６−トリテトラコチニル基、３７−トリテトラコチニル基、３８−トリテトラコチニル基、３９−トリテトラコチニル基、１−テトラテトラコチニル基、２−テトラテトラコチニル基、３−テトラテトラコチニル基、４−テトラテトラコチニル基、５−テトラテトラコチニル基、６−テトラテトラコチニル基、７−テトラテトラコチニル基、８−テトラテトラコチニル基、９−テトラテトラコチニル基、１０−テトラテトラコチニル基、１１−テトラテトラコチニル基、１２−テトラテトラコチニル基、１３−テトラテトラコチニル基、１４−テトラテトラコチニル基、１５−テトラテトラコチニル基、１６−テトラテトラコチニル基、１７−テトラテトラコチニル基、１８−テトラテトラコチニル基、１９−テトラテトラコチニル基、２０−テトラテトラコチニル基、２１−テトラテトラコチニル基、２２−テトラテトラコチニル基、２３−テトラテトラコチニル基、２４−テトラテトラコチニル基、２５−テトラテトラコチニル基、２６−テトラテトラコチニル基、２７−テトラテトラコチニル基、２８−テトラテトラコチニル基、２９−テトラテトラコチニル基、３０−テトラテトラコチニル基、３１−テトラテトラコチニル基、３２−テトラテトラコチニル基、３３−テトラテトラコチニル基、３４−テトラテトラコチニル基、３５−テトラテトラコチニル基、３６−テトラテトラコチニル基、３７−テトラテトラコチニル基、３８−テトラテトラコチニル基、３９−テトラテトラコチニル基
、４０−テトラテトラコチニル基、、１−ペンタコチニル基、２−ペンタコチニル基、３−ペンタコチニル基、４−ペンタコチニル基、５−ペンタコチニル基、６−ペンタコチニル基、７−ペンタコチニル基、８−ペンタコチニル基、９−ペンタコチニル基、１０−ペンタコチニル基、１１−ペンタコチニル基、１２−ペンタコチニル基、１３−ペンタコチニル基、１４−ペンタコチニル基、１５−ペンタコチニル基、１６−ペンタコチニル基、１７−ペンタコチニル基、１８−ペンタコチニル基、１９−ペンタコチニル基、２０−ペンタコチニル基、２１−ペンタコチニル基、２２−ペンタコチニル基、２３−ペンタコチニル基、２４−ペンタコチニル基、２５−ペンタコチニル基、２６−ペンタコチニル基、２７−ペンタコチニル基、２８−ペンタコチニル基、２９−ペンタコチニル基、３０−ペンタコチニル基、３１−ペンタコチニル基、３２−ペンタコチニル基、３３−ペンタコチニル基、３４−ペンタコチニル基、３５−ペンタコチニル基、３６−ペンタコチニル基、３７−ペンタコチニル基、３８−ペンタコチニル基、３９−ペンタコチニル基、４０−ペンタコチニル基、４１−ペンタコチニル基、４２−ペンタコチニル基、４３−ペンタコチニル基、４４−ペンタコチニル基、４５−ペンタコチニル基、４６−ペンタコチニル基、４７−ペンタコチニル基、４８−ペンタコチニル基、４９−ペンタコチニル基、５０−ペンタコチニル基等の直鎖アルキル基、２−エチル−１−ヘキシニル基、２−エチル−２−ヘキシニル基、２−エチル−３−ヘキシニル基、２−エチル−４−ヘキシニル基、２−エチル−５−ヘキシニル基、３，７−ジメチル−１−オクテニル基、３，７−ジメチル−２−オクテニル基、３，７−ジメチル−３−オクテニル基、３，７−ジメチル−４−オクテニル基、３，７−ジメチル−５−オクテニル基、３，７−ジメチル−６−オクテニル基、３，７−ジメチル−７−オクテニル基、２−ヘキシル−１−デシニル基、２−ヘキシル−２−デシニル基、２−ヘキシル−３−デシニル基、２−ヘキシル−４−デシニル基、２−ヘキシル−５−デシニル基、２−ヘキシル−６−デシニル基、２−ヘキシル−７−デシニル基、２−ヘキシル−８−デシニル基、２−ヘキシル−９−デシニル基、２−デシル−１−テトラデシニル基、２−デシル−２−テトラデシニル基、２−デシル−３−テトラデシニル基、２−デシル−４−テトラデシニル基、２−デシル−５−テトラデシニル基、２−デシル−６−テトラデシニル基、２−デシル−７−テトラデシニル基、２−デシル−８−テトラデシニル基、２−デシル−９−テトラデシニル基、２−デシル−１０−テトラデシニル基、２−デシル−１１−テトラデシニル基、２−デシル−１２−テトラデシニル基、２−デシル−１３−テトラデシニル基、２−ドデシル−１−テトラデシニル基、２−ドデシル−２−テトラデシニル基、２−ドデシル−３−テトラデシニル基、２−ドデシル−４−テトラデシニル基、２−ドデシル−５−テトラデシニル基、２−ドデシル−６−テトラデシニル基、２−ドデシル−７−テトラデシニル基、２−ドデシル−８−テトラデシニル基、２−ドデシル−９−テトラデシニル基、２−ドデシル−１０−テトラデシニル基、２−ドデシル−１１−テトラデシニル基、２−ドデシル−１２−テトラデシニル基、２−ドデシル−１３−テトラデシニル基、２−ドデシル−１−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−２−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−３−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−４−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−５−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−６−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−７−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−８−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−９−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−１０−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−１１−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−１２−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−１３−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−１４−ヘキサデシニル基、２−ドデシル−１５−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−２−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−３−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−４−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−５−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−６−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−７−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−８−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−９−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１０−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１１−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１２−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１３−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１４−ヘキサデシニル基、２−テトラデシル−１５−ヘキサデシニル基等を挙げることができる。
【００４４】
Ｒ８で表される５−（炭素数１から２０のアルキル）−２−チエニル基としては、例えば、５−メチル２−チエニル基、５−エチル−２−チエニル基、５−プロピル−２−チエニル基、５−ブチル−２−チエニル基、５−ペンチル−２−チエニル基、５−ヘキシル−２−チエニル基、５−ヘプチル−２−チエニル基、５−オクチル−２−チエニル基、５−ノニル−２−チエニル基、５−デシル−２−チエニル基、５−ウンデシル−２−チエニル基、５−ドデシル−２−チエニル基、５−トリデシル−２−チエニル基、５−テトラデシル−２−チエニル基、５−ペンタデシル−２−チエニル基、５−ヘキサデシル−２−チエニル基、５−ヘプタデシル−２−チエニル基、５−オクタデシル−２−チエニル基、５−ノナデシル−２−チエニル基、５−イコシル−２−チエニル基、５−ヘンイコシル−２−チエニル基、５−ドコシル−２−チエニル基、５−トリコシル−２−チエニル基、５−テトラコシル−２−チエニル基、５−ペンタコシル−２−チエニル基、５−ヘキサコシル−２−チエニル基、５−ヘプタコシル−２−チエニル基、５−オクタコシル−２−チエニル基、５−ノナコシル−２−チエニル基、５−トリアンコシル−２−チエニル基等の直鎖アルキル基で置換された２−チエニル基、５−（２−イソプロピル）−２−チエニル基、５−（２−イソブチル）−２−チエニル基、５−（ｓｅｃ−ブチル）−２−チエニル基、５−（ｔｅｒｔ−ブチル）−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基、５−（３，７−ジメチルオクチル）−２−チエニル基、５−（２−デシルテトラデシル）−２−チエニル基、５−（２−ドデシルテトラデシル）−２−チエニル基、５−（２−ドデシルヘキサデシル）−２−チエニル基、５−（２−テトラデシルヘキサデシル）−２−チエニル基等の分岐アルキル基で置換された２−チエニル基、５−シクロペンチル−２−チエニル基、５−シクロヘキシル−２−チエニル基等を例示することができる。
Ｒ８で表される５−（炭素数１から２０のアルキル）−２−チエニル基としては、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、５−ヘキシル−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基、５−（３，７−ジメチルオクチル）−２−チエニル基が好ましく、５−ヘキシル−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基がより好ましく、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基がさらに好ましい。
【００４５】
Ｒ１で表されるアルキル基として、本発明の一般式（１）で表されるモノマー（以下、「本発明のモノマー」という。）並びに本発明の一般式（３）と一般式（４）を含む共役系高分子（以下、「本発明の共役系高分子」という。）の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルキル基が好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
Ｒ１で表されるアルコキシ基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、炭素数６から３４のアルコキシ基がより好ましく、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−デシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基がことさら好ましい。
Ｒ１は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で、水素原子又は炭素数６から５０のアルキル基が好ましく、水素原子又は炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、水素原子、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基がさらに好ましく、水素原子がことさら好ましい。
【００４６】
Ｒ２で表されるアルキル基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で炭素数６から５０のアルキル基が好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
Ｒ２で表されるアルコキシ基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、炭素数６から３４のアルコキシ基がより好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基がことさら好ましい。
Ｒ２は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で、水素原子、炭素数６から５０のアルキル基又は炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、水素原子、炭素数６から３４のアルキル基又は炭素数６から３４のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、２−デシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、２−デシルテトラデシル基又は２−デシルテトラデシルオキシ基がことさらに好ましい。
【００４７】
Ｒ３で表されるアルキル基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、又は２−テトラデシルヘキサデシル基がさらに好ましく、ノナデシル基又は２−デシルテトラデシル基がことさら好ましい。
Ｒ３で表されるアルコキシ基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、炭素数６から３４のアルコキシ基がより好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基がことさら好ましい。
Ｒ３は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で、水素原子又は炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、水素原子又は炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、水素原子、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−ドデシルヘキサデシル基又は２−テトラデシルヘキサデシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、２−デシルテトラデシル基又は２−デシルテトラデシル基がことさら好ましい。
【００４８】
Ｒ４で表されるアルキル基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
Ｒ４で表されるアルコキシ基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、炭素数６から３４のアルコキシ基がより好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルテトラデシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、２−デシルテトラデシルオキシ基がことさら好ましい。
Ｒ４は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で、水素原子又は炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、水素原子又は炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、水素原子、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
【００４９】
Ｒ５で表されるアルキル基として、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
Ｒ５は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で水素原子、炭素数６から５０のアルキル基が好ましく、水素原子又は炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、水素原子、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、水素原子、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
【００５０】
Ｒ６で表されるアルコキシ基として、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、炭素数６から３４のアルキルアルコキシ基がより好ましく、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、２−デシルテトラデシルオキシ、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、オクチルオキシ基又はドデシルオキシ基がことさら好ましい。
Ｒ６は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で水素原子、フッ素原子又は炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、水素原子、フッ素原子又は炭素数６から３４のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、２−デシルテトラデシルオキシ、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、水素原子がことさら好ましい。
【００５１】
Ｒ７で表されるアルキル基として、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、オクチル基、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−ヘキシルデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
Ｒ７は、本発明の共役系高分子の溶解性並びにキャリア移動度が高い点で炭素数６から５０のアルキル基を用いることが好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、オクチル基、ドデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−ヘキシルデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
【００５２】
Ｒ８で表されるアルコキシ基として、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から５０のアルコキシ基が好ましく、炭素数６から３４のアルキルアルコキシ基がより好ましく、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基又は２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基がさらに好ましく、２−エチルヘキシルオキシ基がことさら好ましい。
Ｒ８は、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、炭素数６から３４のアルキルアルコキシ基又は５−（炭素数１から２０のアルキル）−２−チエニル基が好ましく、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、ノナデシルオキシ基、イコシルオキシ基、ヘンイコシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、２−ドデシルヘキサデシルオキシ基、２−テトラデシルヘキサデシルオキシ基、５−ヘキシル−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基、５−（３，７−ジメチルオクチル）−２−チエニル基がより好ましく、５−ヘキシル−２−チエニル基、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基がさらに好ましく、５−（２−エチルヘキシル）−２−チエニル基がことさら好ましい。
【００５３】
Ｒ９で表されるアルキル基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で炭素数６から５０のアルキル基が好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
【００５４】
Ｒ１０で表されるアルキル基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で炭素数６から５０のアルキル基、又は水素原子が好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基、又は水素原子がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は水素原子がことさら好ましい。
【００５５】
Ｒ１１で表されるアルキル基として、本発明のモノマーと本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で炭素数６から５０のアルキル基が好ましく、炭素数６から３４のアルキル基がより好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基、３−デシルペンタデシル基、３−ドデシルヘプタデシル基、３−テトラデシルノナコシル基、４−デシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基、又は４−テトラデシルイコシル基がさらに好ましく、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、２−ヘキシルデシル基、２−オクチルドデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、４−ドデシルオクタデシル基がことさら好ましい。
【００５６】
環Ａｒ１は、一般式（２−１）から（２−３）
【００５７】
【化１８】
2020111737.tif 000019
【００５８】
（式中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同様の意味を表す。）からなる群から選択される一つの芳香環連結基である。
該芳香環を含む具体的な一般式（１）で表される本発明のモノマーは、式（１−１）から（１−３）
【００５９】
【化１９】
2020111737.tif 000020
【００６０】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３並びにＲ４は前記と同様を表す。）で表される。
Ｍ１で表されるハロゲン原子としては、本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、臭素原子又はヨウ素原子がさらに好ましく、臭素原子がことさら好ましい。
Ｍ１で表される金属含有基としては、本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、リチウム原子、クロロマグネシオ基又はブロモマグネシオ基が好ましく、クロロマグネシオ基がことさら好ましい。
【００６１】
Ｍ１で表されるホウ素含有基としては、本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、ボロン酸、ボロン酸エステル又はボレート塩などが好ましく、式（１２−１）から（１２−１１）
【００６２】
【化２０】
2020111737.tif 000021
【００６３】
【化２１】
2020111737.tif 000022
【００６４】
（式中、Ｍ２はリチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子又はセシウム原子を表す。）が好ましく、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）又は式（１２−１１）で表される基がより好ましく、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）又は式（１２−１１）がさらに好ましく、式（１２−３）がことさら好ましい。
Ｍ１で表されるスズ含有基としては、トリアルキルスズ基、ジアルキルアリールスズ基、アルキルジアリールスズ基又はトリアリールスズ基などが例示できる。本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、トリアルキルスズ基が好ましく、式（１３−１）から式（１３−５）
【００６５】
【化２２】
2020111737.tif 000023
【００６６】
で表される基がより好ましく、式（１３−１）又は式（１３−４）で表される基がさらに好ましく、式（１３−１）で表される基がことさら好ましい。
Ｍ１は、本発明の共役系高分子の製造効率が高い点で、水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ホウ素含有基又はスズ含有基が好ましく、水素原子、臭素原子、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は式（１３−４）式がさらに好ましく、臭素原子、式（１２−３）又は式（１３−１）がことさら好ましい。
Ｘで表されるカルコゲン原子としては、酸素原子、硫黄原子、セレン原子又はテルル原子が好ましく、酸素原子又は硫黄原子がより好ましく、硫黄原子がさらに好ましい。
【００６７】
Ｘで表される炭素数１から５０のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子において、炭素数１から５０のアルキル基としては、直鎖状、分岐状又は環状のいずれであってもよく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基、トリコシル基、テトラコシル基、ペンタコシル基、ヘキサコシル基、ヘプタコシル基、オクタコシル基、ノナコシル基、トリアコンチル基、ヘントリアコンチル基、ドドリアコンチル基、トリトリアコンチル基、テトラトリアコンチル基、ペンタトリアコンチル基、ヘキサトリアコンチル基、テトラコンチル基、ヘンテトラコンチル基、ドテトラコンチル基、トリテトラコンチル基、テトラテトラコンチル基、ペンタコンチル基等の直鎖アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基、２−テトラデシルヘキサデシル基等の分岐アルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の環状アルキル基を例示することができる。本発明の共役系高分子の成膜性並びに溶解性がよい点で、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、２−デシルテトラデシル基、２−ドデシルテトラデシル基、２−ドデシルヘキサデシル基又は２−テトラデシルヘキサデシル基が好ましく、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基又は３，７−ジメチルオクチル基がより好ましく、オクチル基、ドデシル基又は２−エチルヘキシル基がさらに好ましく、オクチル基がことさら好ましい。
Ｘ１としては、５−（炭素数６から１０のアルキル）−２−チエニル基、又は炭素数１から５０のアルキル基若しくは炭素数１から５０のアルコキシ基で置換されていてもよい２価の複素芳香族環連結基を例示することができ、具体的には下記一般式（６）から（１０）
【００６８】
【化２３】
2020111737.tif 000024
【００６９】
（式中、Ｒ５及びＲ６は前記と同じ意味を表す。Ｘはカルコゲン原子又は炭素数１から５０のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子を表す。ｐ及びｑは、各々独立に、０、１又は２の整数を表す。）
【００７０】
【化２４】
2020111737.tif 000025
【００７１】
（式中、Ｒ７は前記と同じ意味を表す。Ｙは水素原子又はフッ素原子を表す。ｒ及びｓは各々独立に、０、１、又は２の整数を表す。）
【００７２】
【化２５】
2020111737.tif 000026
【００７３】
（式中、Ｒ８は前記と同じ意味を表す。ｔは０，１又は２の整数を表す。）
【００７４】
【化２６】
2020111737.tif 000027
【００７５】
（式中、Ａはカルコゲン原子を表す。Ｒ９及びＲ１０は前記と同じ意味を表す。ｕ及びｖは、各々独立に、０、１又は２の整数を表す。）
【００７６】
【化２７】
2020111737.tif 000028
【００７７】
（式中、Ｒ１１は前記と同じ意味を表す。ｗ及びｚは各々独立に、１、又は２の整数を表す。）からなる群より選ばれる２価の複素芳香族環連結基を挙げることができる。
Ｘとしては、成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、硫黄原子又は炭素数６から３４のアルキル基で置換されていてもよい窒素原子が好ましく、硫黄原子若しくはヘキシル基、オクチル基又は２−エチルヘキシル基で置換された窒素原子がより好ましく、硫黄原子又はオクチル基で置換された窒素原子がさらに好ましい。
Ｙとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、水素原子又はフッ素原子が好ましく、水素原子がさらに好ましい。
ｐとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、０又は１が好ましい。
ｑとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、０又は１が好ましい。
ｒとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、１が好ましい。
ｓとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、１が好ましい。
ｔとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、０又は１が好ましい。
ｕとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、１又は２が好ましい。
ｖとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、１又は２が好ましい。
ｗとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、１又は２が好ましい。
ｚとしては、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、１又は２が好ましい。
Ｘ１として、本発明の共役系高分子の溶解性が高い点で、具体的には、式（１１−１）から（１１−１５０）
【００７８】
【化２８】
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【００７９】
【化２９】
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【００８０】
【化３０】
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【００８１】
【化３１】
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【００８２】
【化３２】
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【００８３】
【化３３】
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【００８４】
【化３４】
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【００８５】
【化３５】
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【００８６】
【化３６】
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【００８７】
【化３７】
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【００８８】
【化３８】
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【００８９】
【化３９】
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【００９０】
【化４０】
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【００９１】
【化４１】
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【００９２】
【化４２】
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【００９３】
【化４３】
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【００９４】
【化４４】
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【００９５】
【化４５】
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【００９６】
【化４６】
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【００９７】
【化４７】
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【００９８】
【化４８】
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【００９９】
【化４９】
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【０１００】
【化５０】
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【０１０１】
【化５１】
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【０１０２】
【化５２】
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【０１０３】
【化５３】
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【０１０４】
【化５４】
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【０１０５】
【化５５】
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【０１０６】
【化５６】
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【０１０７】
【化５７】
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【０１０８】
【化５８】
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【０１０９】
【化５９】
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【０１１０】
【化６０】
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【０１１１】
【化６１】
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【０１１２】
【化６２】
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【０１１３】
【化６３】
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【０１１４】
【化６４】
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【０１１５】
【化６５】
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【０１１６】
【化６６】
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【０１１７】
【化６７】
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【０１１８】
【化６８】
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【０１１９】
【化６９】
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【０１２０】
【化７０】
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【０１２１】
【化７１】
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【０１２２】
【化７２】
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【０１２３】
【化７３】
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【０１２４】
【化７４】
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【０１２５】
【化７５】
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【０１２６】
【化７６】
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【０１２７】
【化７７】
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【０１２８】
【化７８】
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【０１２９】
【化７９】
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【０１３０】
【化８０】
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【０１３１】
【化８１】
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【０１３２】
【化８２】
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【０１３３】
【化８３】
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【０１３４】
【化８４】
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【０１３５】
【化８５】
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【０１３６】
【化８６】
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【０１３７】
【化８７】
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【０１３８】
【化８８】
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【０１３９】
【化８９】
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【０１４０】
【化９０】
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【０１４１】
【化９１】
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【０１４２】
【化９２】
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【０１４３】
【化９３】
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【０１４４】
【化９４】
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【０１４５】
【化９５】
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【０１４６】
【化９６】
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【０１４７】
【化９７】
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【０１４８】
【化９８】
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【０１４９】
【化９９】
2020111737.tif 000100
【０１５０】
を例示することができる。
Ｘ１は、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、式（１１−１）から式（１１−２５）、式（１１−４０）から式（１１−５６）、式（１１−６５）から式（１１−７２）が好ましく、式（１１−１）から式（１１−１５）、式（１１−４０）から式（１１−４９）、式（１１−５１）から式（１１−５６）、式（１１−６５）がより好ましく、式（１１−１）、式（１１−２）、式（１１−５）、式（１１−４０）、式（１１−４１）、式（１１−４２）、式（１１−４３）、式（１１−４４）、式（１１−４５）、式（１１−４６）、式（１１−４９）、式（１１−５２）、式（１１−５４）、式（１１−６５）がことさら好ましい。
【０１５１】
次に本発明のモノマーについて説明する。
本発明のモノマーとして、具体的には式（２００−１）から式（２００−１３２）
【０１５２】
【化１００】
2020111737.tif 000101
【０１５３】
【化１０１】
2020111737.tif 000102
【０１５４】
【化１０２】
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【０１５５】
【化１０３】
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【０１５６】
【化１０４】
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【０１５７】
【化１０５】
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【０１５８】
【化１０６】
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【０１５９】
【化１０７】
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【０１６０】
【化１０８】
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【０１６１】
【化１０９】
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【０１６２】
【化１１０】
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【０１６３】
【化１１１】
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【０１６４】
【化１１２】
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【０１６５】
【化１１３】
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【０１６６】
【化１１４】
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【０１６７】
【化１１５】
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【０１６８】
【化１１６】
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【０１６９】
【化１１７】
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【０１７０】
【化１１８】
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【０１７１】
【化１１９】
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【０１７２】
【化１２０】
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【０１７３】
【化１２１】
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【０１７４】
【化１２２】
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【０１７５】
【化１２３】
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【０１７６】
【化１２４】
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【０１７７】
【化１２５】
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【０１７８】
【化１２６】
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【０１７９】
【化１２７】
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【０１８０】
【化１２８】
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【０１８１】
【化１２９】
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【０１８２】
【化１３０】
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【０１８３】
【化１３１】
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【０１８４】
【化１３２】
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【０１８５】
【化１３３】
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【０１８６】
【化１３４】
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【０１８７】
【化１３５】
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【０１８８】
【化１３６】
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【０１８９】
【化１３７】
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【０１９０】
【化１３８】
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【０１９１】
【化１３９】
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【０１９２】
【化１４０】
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【０１９３】
【化１４１】
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【０１９４】
【化１４２】
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【０１９５】
【化１４３】
2020111737.tif 000144
【０１９６】
で表される構造を例示することができる。
本発明の共役系高分子の製造効率と溶解性が高い点で、式（２００−１）、式（２００−４）、式（２００−７）、式（２００−１０）、式（２００−１３）、式（２００−１６）、式（２００−１９）、式（２００−２２）、式（２００−２５）、式（２００−２６）、式（２００−２８）、式（２００−２９）、式（２００−３１）、式（２００−３２）、式（２００−３４）、式（２００−３５）、式（２００−３７）、式（２００−３８）、式（２００−４０）、式（２００−４１）、式（２００−４３）、式（２００−４４）、式（２００−４６）、式（２００−４７）、式（２００−４９）、式（２００−５０）、式（２００−５２）、式（２００−５３）、式（２００−５５）、式（２００−５６）、式（２００−５８）、式（２００−５９）、式（２００−６１）、式（２００−６２）、式（２００−６４）、式（２００−６５）、式（２００−７３）、式（２００−７６）、式（２００−８５）、式（２００−８８）、式（２００−９７）、式（２００−９８）、式（２００−１００）、式（２００−１０１）、式（２００−１０３）、式（２００−１０６）、式（２００−１０７）、式（２００−１０９）、式（２００−１１０）、式（２００−１１２）、式（２００−１１５）、式（２００−１１６）、式（２００−１１８）、式（２００−１１９）、式（２００−１２１）、式（２００−１２４）、式（２００−１２５）、式（２００−１２７）、式（２００−１２８）、式（２００−１３０）又は式（２００−１３１）が好ましく、式（２００−１）、式（２００−４）、式（２００−７）、式（２００−１０）、式（２００−１３）、式（２００−１６）、式（２００−１９）、式（２００−２２）、式（２００−２６）、式（２００−２９）、式（２００−３２）、式（２００−３５）、式（２００−３８）、式（２００−４１）、式（２００−４４）、式（２００−４７）、式（２００−４９）、式（２００−５２）、式（２００−５５）、式（２００−５８）、式（２００−６１）、式（２００−６４）、式（２００−７３）、式（２００−７６）、式（２００−８５）、式（２００−８８）、式（２００−９７）、式（２００−１０１）、式（２００−１０３）、式（２００−１０６）、式（２００−１１０）、式（２００−１１２）、式（２００−１１５）、式（２００−１１９）、式（２００−１２１）、式（２００−１２４）、式（２００−１２５）、式（２００−１２７）、式（２００−１２８）、式（２００−１３０）又は式（２００−１３１）がより好ましく、式（２００−４）、式（２００−７）、式（２００−１０）、式（２００−１６）、式（２００−２６）、式（２００−７３）、式（２００−７６）、式（２００−８５）、式（２００−８８）、式（２００−９７）、式（２００−１０３）、式（２００−１０６）、式（２００−１１２）、式（２００−１１５）又は式（２００−１２１）がさらに好ましい。
【０１９７】
次に本発明の共役系高分子について説明する。
本発明の共役系高分子は一般式（３）
【０１９８】
【化１４４】
2020111737.tif 000145
【０１９９】
（式中、Ｒ１及び環Ａｒ１は前記と同様の意味を表す。）で表される構造単位と一般式（４）
【０２００】
【化１４５】
2020111737.tif 000146
【０２０１】
（式中、Ｘ１は５−（炭素数６から１０のアルキル）−２−チエニル基、炭素数１から５０のアルキル基若しくは炭素数１から５０のアルコキシ基で置換されていてもよい２価の複素芳香族環連結基を表す。）で表される構造単位より構成される共役系高分子である。
環Ａｒ１を含む具体的な一般式（２）で表される構造単位は、一般式（３−１）から（３−３）
【０２０２】
【化１４６】
2020111737.tif 000147
【０２０３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記と同じ意味を表す。）を例示することができる。
Ｘ１を含む具体的な一般式（４）で表される構造単位は、式（１００−１）から式（１００−１５０）
【０２０４】
【化１４７】
2020111737.tif 000148
【０２０５】
【化１４８】
2020111737.tif 000149
【０２０６】
【化１４９】
2020111737.tif 000150
【０２０７】
【化１５０】
2020111737.tif 000151
【０２０８】
【化１５１】
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【０２０９】
【化１５２】
2020111737.tif 000153
【０２１０】
【化１５３】
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【０２１１】
【化１５４】
2020111737.tif 000155
【０２１２】
【化１５５】
2020111737.tif 000156
【０２１３】
【化１５６】
2020111737.tif 000157
【０２１４】
【化１５７】
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【０２１５】
【化１５８】
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【０２１６】
【化１５９】
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【０２１７】
【化１６０】
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【０２１８】
【化１６１】
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【０２１９】
【化１６２】
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【０２２０】
【化１６３】
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【０２２１】
【化１６４】
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【０２２２】
【化１６５】
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【０２２３】
【化１６６】
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【０２２４】
【化１６７】
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【０２２５】
【化１６８】
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【０２２６】
【化１６９】
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【０２２７】
【化１７０】
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【０２２８】
【化１７１】
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【０２２９】
【化１７２】
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【０２３０】
【化１７３】
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【０２３１】
【化１７４】
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【０２３２】
【化１７５】
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【０２３３】
【化１７６】
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【０２３４】
【化１７７】
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【０２３５】
【化１７８】
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【０２３６】
【化１７９】
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【０２３７】
【化１８０】
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【０２３８】
【化１８１】
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【０２３９】
【化１８２】
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【０２４０】
【化１８３】
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【０２４１】
【化１８４】
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【０２４２】
【化１８５】
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【０２４３】
【化１８６】
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【０２４４】
【化１８７】
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【０２４５】
【化１８８】
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【０２４６】
【化１８９】
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【０２４７】
【化１９０】
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【０２４８】
【化１９１】
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【０２４９】
【化１９２】
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【化１９３】
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【０２５１】
【化１９４】
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【０２５２】
【化１９５】
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【０２５３】
【化１９６】
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【０２５４】
【化１９７】
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【０２５５】
【化１９８】
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【０２５６】
【化１９９】
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【０２５７】
【化２００】
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【０２５８】
【化２０１】
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【０２５９】
【化２０２】
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【０２６０】
【化２０３】
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【０２６１】
【化２０４】
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【０２６２】
【化２０５】
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【０２６３】
【化２０６】
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【０２６４】
【化２０７】
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【０２６５】
【化２０８】
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【０２６６】
【化２０９】
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【０２６７】
【化２１０】
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【０２６８】
【化２１１】
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【０２６９】
【化２１２】
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【０２７０】
【化２１３】
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【０２７１】
【化２１４】
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【０２７２】
【化２１５】
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【０２７３】
【化２１６】
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【０２７４】
【化２１７】
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【０２７５】
【化２１８】
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【０２７６】
を例示することができる。
Ｘ１は、本発明の共役系高分子の成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、式（１００−１）から式（１００−２５）、式（１００−４０）から式（１００−５６）、式（１００−６５）から式（１００−７２）が好ましく、式（１００−１）から式（１００−１５）、式（１００−４０）から式（１００−４９）、式（１００−５１）から式（１００−５６）、式（１００−６５）がより好ましく、式（１００−１）、式（１００−２）、式（１００−５）、式（１００−４０）、式（１００−４１）、式（１００−４２）、式（１００−４３）、式（１００−４４）、式（１００−４５）、式（１００−４６）、式（１００−４９）、式（１００−５２）、式（１００−５４）、式（１００−６５）がことさら好ましい。
本発明の共役系高分子は、一般式（３）と一般式（４）で表される構造単位を含んでいれば構造単位の順序に特に制限はなく、例えば交互、ランダム又はグラジエント等が挙げられる。成膜性並びに移動度が高い点で、一般式（３）と一般式（４）で表される構造単位が交互に繰り返される構造単位を含む共役系高分子が好ましく、該構造単位として一般式（５）
【０２７７】
【化２１９】
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【０２７８】
（式中、Ｒ１、環Ａｒ１及びＸ１は前記と同様の意味を表す。）で表すことができる。
【０２７９】
一般式（５）で表される本発明の共役系高分子として、成膜性並びにキャリア移動度が高い点で、具体的には式（１４−１）から式（１４−２２７）
【０２８０】
【化２２０】
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【０２８１】
【化２２１】
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【０２８２】
【化２２２】
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【０２８３】
【化２２３】
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【０２８４】
【化２２４】
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【０２８５】
【化２２５】
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【０２８６】
【化２２６】
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【０２８７】
【化２２７】
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【０２８８】
【化２２８】
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【０２８９】
【化２２９】
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【０２９０】
【化２３０】
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【０２９１】
【化２３１】
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【０２９２】
【化２３２】
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【０２９３】
【化２３３】
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【０２９４】
【化２３４】
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【０２９５】
【化２３５】
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【０２９６】
【化２３６】
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【０２９７】
【化２３７】
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【０２９８】
【化２３８】
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【０２９９】
【化２３９】
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【０３００】
【化２４０】
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【０３０１】
【化２４１】
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【０３０２】
【化２４２】
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【０３０３】
【化２４３】
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【０３０４】
【化２４４】
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【０３０５】
【化２４５】
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【０３０６】
【化２４６】
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【０３０７】
【化２４７】
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【０３０８】
【化２４８】
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【０３０９】
【化２４９】
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【０３１０】
【化２５０】
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【０３１１】
【化２５１】
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【０３１２】
【化２５２】
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【０３１３】
【化２５３】
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【０３１４】
【化２５４】
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【０３１５】
【化２５５】
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【０３１６】
【化２５６】
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【０３１７】
【化２５７】
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【０３１８】
【化２５８】
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【０３１９】
【化２５９】
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【０３２０】
【化２６０】
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【０３２１】
【化２６１】
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【０３２２】
【化２６２】
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【０３２３】
【化２６３】
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【０３２４】
【化２６４】
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【０３２５】
【化２６５】
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【０３２６】
【化２６６】
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【０３２７】
【化２６７】
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【０３２８】
【化２６８】
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【０３２９】
【化２６９】
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【０３３０】
【化２７０】
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【０３３１】
【化２７１】
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【０３３２】
【化２７２】
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【０３３３】
【化２７３】
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【０３３４】
【化２７４】
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【０３３５】
【化２７５】
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【０３３６】
【化２７６】
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【０３３７】
【化２７７】
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【０３３８】
【化２７８】
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【０３３９】
【化２７９】
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【０３４０】
【化２８０】
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【０３４１】
【化２８１】
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【０３４２】
【化２８２】
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【０３４３】
【化２８３】
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【０３４４】
で表される構造単位を表される共役系高分子が好ましく、式（１４−１）から式（１４−１１）、式（１４−２１）から式（１４−１１１）、式（１４−１７６）から式（１４−２２３）がより好ましく、式（１４−１）から式（１４−１１）、式（１４−２１）から式（１４−６３）、式（１４−１７６）から式（１４−２２３）がさらに好ましく、式（１４−１）から式（１４−１１）、式（１４−２１）、式（１４−２４）、式（１４−２８）、式（１４−１７７）、式（１４−１８１）から、式（１４−１８３）、式（１４−１８５）、式（１４−１８６）、式（１４−１８９）、式（１４−１９０）、式（１４−２００）、式（１４−２０９）、式（１４−２１３）、式（１４−２１７）がことさら好ましい。
本発明の共役系高分子の末端構造に特に制限はないが、例えば、水素原子、ボロン酸、ボロン酸エステル等のホウ素基、トリメチルスタニル、トリブチルスタニル等のスズ基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、フェニル基、チエニル基等の芳香族基等が挙げられ、両末端の構造は同一又は相異なっていてもよい。
【０３４５】
次に本発明のモノマーの製造方法（以下、「本発明のモノマーの製造方法」という。）
に関して説明する。本発明のモノマーは、以下に示す製造工程（Ａ）から（Ｅ）によってそれぞれ製造することができる。
製造工程（Ａ）
【０３４６】
【化２８４】
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【０３４７】
（式中、Ｍ１ａは、水素原子又はハロゲン原子を表す。Ｒ１及びＲ２は前記と同じ意味を表す。）
Ｍ１ａで表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子等を例示することができる。
式（１５−１）中におけるＭ１ａは、反応収率が良い点で臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、臭素原子がより好ましい。
製造工程（Ａ）は化合物（１５−１）を酸化剤と反応させて化合物（１ａ−１）を得る工程である。
製造工程（Ａ）で用いることのできる酸化剤としては、特に限定するものではないが、例えば、フルオロクロム酸ピリジニウム、クロロクロム酸ピリジニウム、重クロム酸ピリジニウム、重クロム酸ビス（テトラブチルアンモニウム）、重クロム酸キノリニウム、次亜塩素酸ナトリウム五水和物、３−クロロ過安息香酸、モノペルオキシフタル酸マグネシウム六水和物、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、ビス（トリメチルシリル）ペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド、過酸化水素、メチルエチルケトンペルオキシド、１−アセトキシ−５−ブロモ−１，２−ベンズヨードキソール−３（１Ｈ）−オン、［ビス（トリフルオロアセトキシ）ヨード］ベンゼン、［ビス（トリフルオロアセトキシ）ヨード］ペンタフルオロベンゼン、１−（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシ）−１，２−ベンズヨードキソール−３−（３Ｈ）−オン、ビス（ピリジン）ヨードニウムテトラフルオロボラート、１，１，１−トリアセトキシ−１，１−ジヒドロ−１，２−ベンゾヨードキソール−３−（１Ｈ）−オン、ヨードソベンゼン、２−ヨードソ安息香酸、ヨードベンゼンジアセタート、ヨードメシチレンジアセタート、２−ヨードキシ安息香酸、パラ過ヨウ素酸三ナトリウム、［ヒドロキシ（トシルオキシ）ヨード］ベンゼン、ポリ［４−（ジアセトキシヨード）スチレン］、［ビス（トリフルオロアセトキシ）ヨード］ベンゼン、ビス（テトラブチルアンモニウム）ペルオキシジスルファート、ピリジン−三酸化硫黄錯体、三酸化硫黄−トリエチルアミン錯体、４−アセトアミド−２，２，６，６−テトラメチル−１−オキソピペリジニウムテトラフルオロボラート、ベンゼンスルホンクロラミドナトリウム水和物、ｐ−トルエンスルホンクロラミドナトリウム三水和物、硝酸セリウムアンモニウム、１，１−ジフェニル−２−ピクリルヒドラジルフリーラジカル、２−ヒドロキシ−２−アザアダマンタン、４−メチルモルホリンＮ−オキシド、過マンガン酸カリウム、リンモリブデン酸、塩化第二鉄、五塩化モリブデン、テトラプロピルアンモニウムペルルテナート、クロラニル、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン、トリメチルアミンＮ−オキシド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン１−オキシルフリーラジカル等が挙げられる。反応収率がよい点で塩化第二鉄を用いることが好ましい。
用いる酸化剤の量に特に制限は無いが、反応収率がよい点で、化合物（１５−１）に対して、１〜１００等量の範囲にあることが好ましく、２〜１０等量の範囲にあることがさらに好ましい。
【０３４８】
製造工程（Ａ）は溶媒中で実施することが可能である。用いることのできる溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、デカン、トリデカン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド溶媒、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア（ＴＭＵ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）等のウレア溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ビス（２，２，２−トリフルオロエチル）＝Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダート（ＰＦ−３７）、リン酸＝トリス（２，２，２−トリフルオロエチル）（ＴＦＥＰ）等のフッ素溶媒、ニトロメタン、水等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。
これらのうち、反応収率がよい点でハロゲン溶媒、ハロゲン溶媒とニトロメタンの混合溶媒が好ましく、ジクロロメタンとニトロメタンの混合溶媒、クロロホルムとニトロメタンの混合溶媒、オルトジクロロベンゼン（ｏ−ＤＣＢ）とニトロメタンの混合溶媒がさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はないが、使用する化合物（１５−１）の重量に対して、０．１〜１００ｍＬ／ｍｇの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０ｍＬ／ｍｇの範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ａ）ははアルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
製造工程（Ａ）はを実施する反応温度に制限はないが、−７８℃〜１００℃の範囲で実施することが好ましく、０℃〜４０℃の範囲で実施することより好ましい。
反応時間は用いる化合物（１５−１）並びに溶媒及び反応温度により異なるが、０．１〜１００時間が好ましく、０．５〜７８時間がより好ましい。
化合物（１ａ−１）は、製造工程（Ａ）の製造方法の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、ろ過、透析、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、ソックスレー抽出等で精製してもよい。
製造工程（Ｂ）
【０３４９】
【化２８５】
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【０３５０】
【化２８６】
2020111737.tif 000287
【０３５１】
（式中、Ｍ１ａ、Ｒ１、Ｒ３並びにＲ４は前記と同じ意味を表す。）
式（１６−１）並びに式（１６−２）中におけるＭ１ａは、反応収率が良い点で、水素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、水素原子又は臭素原子がより好ましく、水素原子がさらに好ましい。
製造工程（Ｂ）は化合物（１６−１）又は（１６−２）を酸又は塩基で処理することにより化合物（１ｂ−１）又は（１ｂ−２）を製造する工程である。
製造工程（Ｂ）で用いることのできる酸としては特に限定するものではないが、例えば、塩酸、酢酸、硫酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のブレンステッド酸、塩化アルミニウム、トリフルオロホウ素等のルイス酸を例示することができる。
製造工程（Ｂ）で用いることができる塩基としては、特に限定するものではないが、例えば、ナトリウムブトキシド、カリウムブトキシド等の金属アルコキシド、ブチルリチウム等のアルキル金属、リチウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソプロピルアミド等の金属アミド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等の無機塩基、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、ルチジン、ＤＢＵ、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ＤＡＢＣＯ等の有機塩基等を例示することができ、これらを任意の比で混合してもよい。これらのうち、反応収率が良い点でＤＢＵが好ましい。
用いる酸、塩基の量に特に制限は無いが、反応収率が良い点で、化合物（１６−１）又は（１６−２）に対して、０．００１〜１０当量の範囲にあることが好ましく、０．１〜４当量の範囲にあることがさらに好ましい。
【０３５２】
製造工程（Ｂ）は溶媒中で実施することができる。用いることのできる溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、デカン、トリデカン等の炭化水素溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ＣＰＭＥ、ＴＨＦ、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、ＤＭＦ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ等のアミド溶媒、ＴＭＵ、ＤＭＰＵ等のウレア溶媒、ＤＭＳＯ等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ＰＦ−３７、ＴＦＥＰ等のフッ素溶媒、ニトロメタン、水等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、反応収率がよい点で炭化水素溶媒、もしくはアミド溶媒が好ましく、トリデカン又はＮＭＰがより好ましく、ＮＭＰがさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はないが、使用する化合物（１６−１）又は（１６−２）の重量に対して、０．１〜１００ｍＬ／ｍｇの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０ｍＬ／ｍｇの範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ｂ）はアルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
製造工程（Ｂ）はを実施する反応温度に制限はないが、−７８℃〜３００℃の範囲で実施することが好ましく、１００℃〜２５０℃の範囲で実施することより好ましい。
反応時間は用いる化合物（１６−１）、（１６−２）並びに溶媒及び反応温度により異なるが、０．１〜１００時間が好ましく、１〜７８時間がより好ましい。
化合物（１ｂ−１）又は（１ｂ−２）は、製造工程（Ｂ）の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、濾過、透析、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、ソックスレー抽出等で精製してもよい。
製造工程（Ｃ）
【０３５３】
【化２８７】
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【０３５４】
【化２８８】
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【０３５５】
（式中、Ｒ１及びＲ３は前記と同じ意味を表す。Ｍ１ａａはフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）
製造工程（Ｃ）は化合物（１ｂＨ−１）又は（１ｂＨ−２）をハロゲン化合物と反応させて化合物（１ｂａ−１）又は（１ｂａ−２）を製造する工程である。
製造工程（Ｃ）で用いることのできるハロゲン化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、臭素、ヨウ素、塩化ヨウ素、Ｎ−クロロコハク酸イミド、Ｎ−ブロモコハク酸イミド、Ｎ−ヨードコハク酸イミド、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン、又は１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラクロロエタン等が挙げられる。反応収率がよい点で１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン、又は１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラクロロエタンを用いることが好ましく、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフルオロエタンがより好ましい。
用いるハロゲン化合物の量に特に制限は無いが、反応収率が良い点で、化合物（１ｂＨ−１）又は（１ｂＨ−２）に対して、１〜１０当量の範囲にあることが好ましく、２〜５当量の範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ｃ）は塩基存在下で実施することも可能である。用いることのできる塩基としては、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムヘキサメチルジシラジド、リチウムテトラメチルピペリジド、リチウムジイソプロピルアミド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルマグネシウムクロリドリチウムクロリド錯体等を例示することができる。これらのうち、反応収率がよいｎ−ブチルリチウム、又はリチウムジイソプロピルアミドが好ましく、リチウムジイソプロピルアミドがさらに好ましい。
用いる塩基の量に特に制限は無いが、反応収率が良い点で、化合物（１ｂＨ−１）又は（１ｂＨ−２）に対して、１〜１０当量の範囲にあることが好ましく、２〜４当量の範囲にあることがさらに好ましい。
【０３５６】
製造工程（Ｃ）は溶媒中で実施することが可能である。用いることのできる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、トリデカン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ＣＰＭＥ、ＴＨＦ、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、ＤＭＦ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ等のアミド溶媒、ＴＭＵ、ＤＭＰＵ等のウレア溶媒、ＤＭＳＯ等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ニトロメタン、水等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、反応収率がよい点で脂肪族炭化水素溶媒、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒とエーテル溶媒の混合溶媒、もしくは脂肪族炭化水素溶媒と芳香族炭化水素溶媒の混合溶媒が好ましく、脂肪族炭化水素溶媒とエーテル溶媒の混合溶媒の混合溶媒がさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はないが、使用する化合物（１ｂＨ−１）又は（１ｂＨ−２）の重量に対して、０．１〜１００ｍＬ／ｍｇの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０ｍＬ／ｍｇの範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ｃ）はアルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
製造工程（Ｃ）を実施する反応温度に制限はないが、−１００℃〜４０℃の範囲で実施することが好ましく、−７８℃〜２５℃の範囲で実施することより好ましい。
反応時間は用いる化合物（１ｂＨ−１）又は（１ｂＨ−２）並びに溶媒及び反応温度により異なるが、０．１〜１００時間が好ましく、１〜７８時間がより好ましい。
化合物（１ｂａ−１）又は（１ｂａ−２）は、本発明の製造方法の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、濾過、透析、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、ソックスレー抽出等で精製してもよい。
製造工程（Ｄ）
【０３５７】
【化２８９】
2020111737.tif 000290
【０３５８】
（式中、Ｒ１、環Ａｒ１、及びＭ１ａは前記と同じ意味を表す。Ｍ１ｃはホウ素基又はスズ基を表す。）
製造工程（Ｄ）は、化合物（１ｃ）を遷移金属触媒存在下、ホウ素化合物又はスズ化合物と反応させて化合物（１ｄ）を製造する工程である。
ホウ素化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、（１７−１）から（１７−９）
【０３５９】
【化２９０】
2020111737.tif 000291
【０３６０】
【化２９１】
2020111737.tif 000292
【０３６１】
【化２９２】
2020111737.tif 000293
【０３６２】
等を例示することができる。反応収率がよい点で（１７−２）、（１７−７）又は（１７−８）を用いることが好ましく、（１７−２）がより好ましい。
用いるホウ素化合物の量に特に制限は無いが、反応収率がよい点で、化合物（１ｃ）に対して、１〜１０モル当量の範囲にあることが好ましく、２〜８モル当量の範囲にあることがさらに好ましい。
用いることのできるスズ化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、式（１８−１）から（１８−２）
【０３６３】
【化２９３】
2020111737.tif 000294
【０３６４】
等を例示することができる。収率が良い点で（１８−２）を用いることが好ましい。
用いるスズ化合物の量に特に制限は無いが、収率が良い点で、化合物（１ｃ）に対して、１〜１０当量の範囲にあることが好ましく、２〜８当量の範囲にあることがさらに好ま
しい。
遷移金属触媒としては、特に限定するものではないが、具体的には、（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）等のイリジウム錯体、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩、π−アリルパラジウムクロリドダイマ−、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム等の錯化合物、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）塩化パラジウム等の第三級リン化合物を配位子として有するパラジウム錯体を例示することができる。パラジウム錯体に関しては、パラジウム塩、または錯化合物に第三級リン化合物を添加し、反応系中で調製することもできる。この際用いることのできる第三級リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロへキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロへキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロへキシルホスフィノ−２’，４’、６’−トリイソプロピルビフェニル等が例示できる。
Ｍ１ａが水素原子の場合、収率が良い点で（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）が好ましい。
Ｍ１ａがハロゲン原子の場合、収率が良い点で第三級リン化合物を配位子として有するパラジウム錯体が好ましく、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体がさらに好ましい。第三級リン化合物とパラジウム塩、または錯化合物とのモル比は１：１０〜１０：１の範囲にあることが好ましく、収率がよい点で１：３〜４：１の範囲にあることがさらに好ましい。
用いる遷移金属触媒の量に制限はないが、収率が良い点で、遷移金属触媒のモル比は、化合物（１ｃ）に対して０．００５〜５０モルパーセント０．００５：１〜０．５０：１の範囲にあることが好ましく、０．０５：１〜０．１０：１の範囲にあることがより好ましい。
製造工程（Ｄ）は触媒と塩基共存下で実施することも可能である。用いることのできる塩基としては、ナトリウムブトキシド、カリウムブトキシド、ブチルリチウム、リチウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソプロピルアミド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルリチウム錯体、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルマグネシウムクロリドリチウムクロリド錯体等の有機塩、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、等の無機塩基、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、ルチジン、ＤＢＵ、ＴＢＤ、ＭＴＢＤ、ＤＡＢＣＯ等の有機塩基等を例示することができ、これらを任意の比で混合してもよい。これらのうち、反応収率がよい点で無機塩基が好ましく、炭酸ナトリウム又は炭酸カリウムがさらに好ましい。
【０３６５】
製造工程（Ｄ）は溶媒中で実施することが可能である。用いることのできる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、トリデカン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ＣＰＭＥ、ＴＨＦ、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、ＤＭＦ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ等のアミド溶媒、ＴＭＵ、ＤＭＰＵ等のウレア溶媒、ＤＭＳＯ等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ニトロメタン、水等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、反応収率がよい点でエーテル溶媒、アミド溶媒、もしくは水とエーテル溶媒の混合溶媒の混合溶媒が好ましく、エーテル溶媒とアミド溶媒がさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はないが、使用する化合物（１ｃ）の重量に対して、０．１〜１００ｍＬ／ｍｇの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０ｍＬ／ｍｇの範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ｄ）はアルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
製造工程（Ｄ）を実施する反応温度に制限はないが、−７８℃〜２００℃の範囲で実施することが好ましく、６０℃〜１８０℃の範囲がさらに好ましい。
製造工程（Ｄ）は、マイクロウェーブ反応装置を用いて実施することも可能である。
反応時間は化合物（１ｃ）の種類、溶媒、ならびに反応温度により異なるが、０．１〜１００時間が好ましく、１〜７８時間がより好ましい。
（１ｄ）は、本発明の製造方法の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、濾過、透析、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、ソックスレー抽出等で精製してもよい。
製造工程（Ｅ）
【０３６６】
【化２９４】
2020111737.tif 000295
【０３６７】
（式中、Ｒ１、環Ａｒ１、Ｍ１ａ及びＭ１ｃは前記と同じ意味を表す。）
製造工程（Ｅ）は、化合物（１ｃ）を塩基存在下、ホウ素化合物又はスズ化合物と反応させて化合物（１ｄ）を製造する工程である。
製造工程（Ｅ）で用いることのできるホウ素化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、化合物（１９−１）から（１９−９）
【０３６８】
【化２９５】
2020111737.tif 000296
【０３６９】
【化２９６】
2020111737.tif 000297
【０３７０】
等を例示することができる。反応収率がよい点で（１９−１）、（１９−２）、（１９−３）、（１９−４）、（１９−５）又は（１９−６）を用いることが好ましく、（１９−５）がさらに好ましい。
用いるホウ素化合物の量に特に制限は無いが、反応収率がよい点で、化合物（１ｃ）に対して、１〜１０モル当量の範囲にあることが好ましく、２〜８モル当量の範囲にあることがさらに好ましい。
用いることのできるスズ化合物としては、特に限定するものではないが、例えば、（２０−１）から（２０−３）
【０３７１】
【化２９７】
2020111737.tif 000298
【０３７２】
等が挙げられる。反応収率がよい点で（２０−１）を用いることが好ましい。
用いるスズ化合物の量に特に制限は無いが、反応収率がよい点で、化合物（１ｃ）に対して、１〜１０モル当量の範囲にあることが好ましく、２〜８モル当量の範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ｅ）は塩基存在下で実施することが可能である。用いることのできる塩基としては、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムヘキサメチルジシラジド、リチウムテトラメチルピペリジド、リチウムジイソプロピルアミド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルマグネシウムクロリドリチウムクロリド錯体等を例示することができる。これらのうち、反応収率がよいｎ−ブチルリチウム、又はリチウムジイソプロピルアミドが好ましく、リチウムジイソプロピルアミドがさらに好ましい。
用いる塩基の量に制限はないが、収率がよい点で、化合物（１ｃ）に対して１〜１０当量が好ましく、２〜５当量の範囲にあることがより好ましい。
【０３７３】
製造工程（Ｅ）は溶媒中で実施することが可能である。用いることのできる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、トリデカン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ＣＰＭＥ、ＴＨＦ、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、ＤＭＦ、ＤＭＡｃ、ＮＭＰ等のアミド溶媒、ＴＭＵ、ＤＭＰＵ等のウレア溶媒、ＤＭＳＯ等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ニトロメタン、水等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、反応収率がよい点で脂肪族炭化水素溶媒、エーテル溶媒、芳香族炭化水素溶媒、脂肪族炭化水素溶媒とエーテル溶媒の混合溶媒、もしくは脂肪族炭化水素溶媒と芳香族炭化水素溶媒の混合溶媒が好ましく、エーテル溶媒がさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はないが、使用する化合物（１ｃ）の重量に対して、０．１〜１００ｍＬ／ｍｇの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０ｍＬ／ｍｇの範囲にあることがさらに好ましい。
製造工程（Ｅ）はアルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
製造工程（Ｅ）を実施する反応温度に制限はないが、−７８℃〜１００℃の範囲で実施することが好ましく、−７８℃〜３０℃がさらに好ましい。
反応時間は化合物（１ｃ）の種類、溶媒、ならびに反応温度により異なるが、０．１〜１００時間が好ましく、１〜７８時間がより好ましい。
化合物（１ｄ）は、本発明の製造方法の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、濾過、透析、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、ソックスレー抽出等で精製してもよい。
【０３７４】
次に本発明の共役系高分子の製造方法（以下、「本発明の製造方法」という。）に関して説明する。製造本発明の共役系高分子の製造方法は、以下に示す製造工程（Ｆ）に示す通りである。
製造工程（Ｆ）
【０３７５】
【化２９８】
2020111737.tif 000299
【０３７６】
（式中、Ｒ１、環Ａｒ１、Ｘ１、及びＭ１及びは前記と同様の意味を表す。Ｍ３はハロゲン原子を表す。）
本発明の製造方法は、一般式（１）で表される化合物を遷移金属触媒存在下、一般式（２１）で表される化合物と反応させて、本発明の共役系高分子を製造する方法である。
本発明の製造方法に用いる一般式（１）で表される化合物及び一般式（２１）で表される化合物について説明する。
Ｍ３で表されるハロゲン原子としては、本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が好ましく、臭素原子又はヨウ素原子がより好ましく、臭素原子がさらに好ましい。
Ｍ３で表される金属含有基としては、本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、リチウム原子、クロロマグネシオ基又はブロモマグネシオ基が好ましく、本発明の高分子の製造効率が良い点で、クロロマグネシオ基が好ましい。
Ｍ３で表されるホウ素含有基としては、本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、ホウ酸、ホウ酸エステル又はホウ酸塩などが好ましく、式（１２−１）から（１２−１１）
【０３７７】
【化２９９】
2020111737.tif 000300
【０３７８】
【化３００】
2020111737.tif 000301
【０３７９】
（式中、Ｍ２はリチウム原子、ナトリウム原子、カリウム原子、ルビジウム原子又はセシウム原子を表す。）
で表される基がより好ましく、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）又は式（１２−１１）がさらに好ましく、式（１２−１）又は式（１２−３）がことさら好ましい。
Ｍ３で表されるスズ含有基としては、トリアルキルスズ基、ジアルキルアリールスズ基、アルキルジアリールスズ基又はトリアリールスズ基などが例示できる。本発明の共役系高分子の製造効率が良い点で、トリアルキルスズ基が好ましく、式（１３−１）から式（１３−５）
【０３８０】
【化３０１】
2020111737.tif 000302
【０３８１】
で表される基がより好まし
く、式（１３−１）又は式（１３−４）で表される基がさらに好ましく、式（１３−１）で表される基がことさら好ましい。
Ｍ３は、本発明の共役系高分子の製造効率が高い点で、水素原子、ハロゲン原子、金属含有基、ホウ素含有基又はスズ含有基が好ましく、水素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ホウ素含有基又はスズ含有基がより好ましく、水素原子、臭素原子、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は式（１３−４）式がさらに好ましく、臭素原子、式（１２−３）又は式（１３−１）がことさら好ましい。
製造工程（Ｆ）中、二つのＭ１及び二つのＭ３の計四つのうち、二つが臭素原子又はヨウ素原子であり、残り二つが式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は式（１３−４）であることが収率が良い点で好ましい。
Ｍ１は収率が良い点で臭素原子、ヨウ素原子、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は式（１３−４）が好ましく、臭素原子、式（１２−３）又は式（１３−１）がより好ましい。
Ｍ３は収率が良い点で臭素原子、ヨウ素原子、式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は（１３−４）が好ましく、臭素原子、式（１２−３）又は式（１３−１）がより好ましい。  
収率が良い点で、Ｍ１が臭素原子もしくはヨウ素原子の場合、Ｍ３は式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は式（１３−４）であることが好ましい。
収率が良い点で、Ｍ３が式（１２−１）、式（１２−３）、式（１２−１０）、式（１２−１１）、式（１３−１）又は式（１３−４）である場合、Ｍ３は臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましい。
化合物（１）中の１つのＭ１が臭素原子又はヨウ素原子であり、もう１つのＭ１が式（１２−１）から（１２−１１）、または式（１３−１）から（１３−６）のいずれかで表される基の場合、化合物（２１）中の一つのＭ３は臭素原子又はヨウ素原子であり、もう一つのＭ３は式（１２−１）から（１２−１１）、または式（１３−１）から（１３−５）のいずれかで表される基であることが好ましい。
本発明の製造方法の工程Ｆは遷移金属触媒存在下に行うことが必須であり、用いることのできる遷移金属触媒としては例えば、パラジウム触媒、ニッケル触媒、白金触媒等を挙げることができる。これらの遷移金属触媒は、「金属」、「担持金属」、「金属の塩化物、臭化物、ヨウ化物、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩、シュウ酸塩、酢酸塩または酸化物等の金属塩」や「オレフィン錯体、ホスフィン錯体、アミン錯体、アンミン錯体、カルベン錯体またはアセチルアセトナート錯体等の錯化合物」を用いることができる。さらにこれらの金属、担持金属、金属塩および錯化合物と第３級リン化合物又はカルベン化合物等を組合わせて用いることもできる。収率が良い点でパラジウム触媒又はニッケル触媒を用いることが好ましく、パラジウム触媒がさらに好ましい。
パラジウム触媒としては特に限定するものではないが、パラジウム黒、パラジウムスポンジ等のパラジウム金属が例示でき、また、パラジウム／アルミナ、パラジウム／炭素、パラジウム／シリカ、パラジウム／Ｙ型ゼオライト等の担持パラジウム金属も例示できる。また、塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の金属塩、π―アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロジアンミンパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］パラジウム、ジクロロ［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］パラジウムおよびジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］（３−クロロピリジル）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（Ｐｄ−ＰＥＰＰＳＩ−ＩＰｅｎｔ）、［１，３−ビス（２，６−ジ−３−ペンチルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］（３−クロロピリジル）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（Ｐｄ−ＰＥＰＰＳＩ−ＩＰｒ）、［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリジン−２−イリデン］（３−クロロピリジル）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（Ｐｄ−ＰＥＰＰＳＩ−ＳＩＰｒ）等の錯化合物を例示できる。
【０３８２】
収率が良い点で、酢酸パラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）パラジウムを用いることが好ましい。
ニッケル触媒としては特に限定するものではないが、具体的には、塩化ニッケル（ＩＩ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）ジクロリド、ビス（２，４−ペンタンジオナト）ニッケル（ＩＩ）水和物、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）、ジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）ニッケル、ジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン）ニッケル、［１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン］トリフェニルホスフィンニッケル（ＩＩ）ジクロリド等のニッケル錯体が例示できる。
これらのパラジウム触媒又はニッケル触媒は単独で用いても良いが、第三級リン化合物やカルベン化合物と組合わせて用いても良い。用いることのできる第三級リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｏ−トリルホスフィン、トリオクチルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（Ｒ）−（＋）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、（Ｓ）−（−）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチルおよび（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル等が例示できる。用いることのできるカルベン化合物としては、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾール−２−イリデン、１，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニル）イミダゾリジン−２−イリデン、１，３−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾール−２−イリデン、又は１，３−ジメシチルイミダゾール−２−イリデン等が例示できる。
収率が良い点で、トリフェニルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン又はトリ−ｏ−トリルホスフィンを用いることが好ましい。
第三級リン化合物と遷移金属触媒とのモル比は１：１０〜１０：１の範囲にあることが好ましく、収率がよい点で１：３〜４：１の範囲にあることがさらに好ましい。
用いる遷移金属触媒としては、収率が良い点でトリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィンを配位子として有するパラジウム触媒がさらに好ましい。
遷移金属触媒の使用量は特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（１）に対して０．００５〜５０モルパーセントが好ましく、０．０５〜１０モルパーセントの範囲にあることがより好ましい。
本発明の製造方法は助触媒を使用することも可能である。助触媒としては特に限定するものではないが、具体的には、フッ化銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅、酸化銅等の一価、又は二価の銅塩等を例示することができる。収率が良い点で、一価のヨウ化銅が好ましい。
助触媒の使用量は特に制限はないが、収率がよい点で、化合物（１）に対して０．００５〜５０モルパーセントが好ましく、０．０５〜１０モルパーセントの範囲にあることがより好ましい。
【０３８３】
本発明の製造方法は溶媒中で実施することができる。用いることのできる溶媒としては、反応を阻害しないものであれば特に制限は無く、ヘキサン、ヘプタン、デカン、トリデカン等の脂肪族炭化水素溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド溶媒、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア（ＴＭＵ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）等のウレア溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン溶媒、ビス（２，２，２−トリフルオロエチル）＝Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダート（ＰＦ−３７）、リン酸＝トリス（２，２，２−トリフルオロエチル）（ＴＦＥＰ）等のフッ素溶媒、ニトロメタン、水等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、収率が良い点で芳香族炭化水素溶媒、ハロゲン溶媒、エーテル溶媒、アミド溶媒、スルホキシド溶媒、フッ素溶媒、芳香族炭化水素溶媒と水の混合溶媒、ハロゲン溶媒と水の混合溶媒、エーテル溶媒と水の混合溶媒、芳香族炭化水素溶媒とスルホキシド溶媒の混合溶媒、ハロゲン溶媒とスルホキシド溶媒の混合溶媒、エーテル溶媒とスルホキシド溶媒、芳香族炭化水素溶媒とフッ素溶媒の混合溶媒、ハロゲン溶媒とフッ素溶媒の混合溶媒、エーテル溶媒とフッ素溶媒の混合溶媒が好ましく、芳香族炭化水素溶媒と水の混合溶媒、ハロゲン溶媒と水の混合溶媒、エーテル溶媒と水の混合溶媒、芳香族炭化水素溶媒とスルホキシド溶媒の混合溶媒、ハロゲン溶媒とスルホキシド溶媒の混合溶媒、エーテル溶媒とスルホキシド溶媒、芳香族炭化水素溶媒とフッ素溶媒の混合溶媒、ハロゲン溶媒とフッ素溶媒の混合溶媒、エーテル溶媒とフッ素溶媒の混合溶媒がさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はないが、化合物（１）の重量に対して、０．１〜１００ｍＬ／ｍｇの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０ｍＬ／ｍｇの範囲にあることがさらに好ましい。
本発明の製造方法は相間移動触媒を添加して実施することも可能である。用いることができる相間移動触媒としては、エチルトリメチルアンモニウムヨージド、ジドデシルジメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジオクタデシルアンモニウムヨージド、ジメチルジオクチルアンモニウムブロミド、ジデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジメチルジミリスチルアンモニウムブロミド、ジヘキサデシルジメチルアンモニウムブロミド、ジアリルジメチルアンモニウムクロリド、ジメチルジオクタデシルアンモニウムクロリド、ジドデシルジメチルアンモニウムブロミド、４−ジメチルアミノ−１−ネオペンチルピリジニウムクロリド、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムブロミド、１，１−ジメチル−４−フェニルピペラジニウムヨージド、デカメトニウムヨージド、デカメトニウムブロミド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、デシルトリメチルアンモニウムクロリド、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウムブロミド、（３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムクロリド、カルバコール、コリンクロリド、クロロコリンクロリド、ビス（２−ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムクロリド、ベンジルドデシルジメチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、ベンジルドデシルジメチルアンモニウムクロリド二水和物、ジクロロヨウ素酸ベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリブチるアンモニウムクロリド、ベンジルトリブチルアンモニウムブロミド、ブロモコリンブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムヨージド、ベンジルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリエチルアンモニウムブロミド、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムクロリド、塩化ベンザルコニウム、ベンゾイルチオコリンヨージド、ベンジルジメチルヘキサデシルアンモニウムクロリド水和物、ベンゾイルコリンヨージド、ベンゾイルコリンクロリド、ベンゾイルコリンブロミド、ゼフィランクロリド水和物、テトラブチルアンモニウムｐ−トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウムヒトラート、テトラヘキシルアンモニウム硫酸水素塩、テトラエチルアンモニウムニトラート、トリブチルアンモニウムクロリド、トリメチルプロピルアンモニウムブロミド、トリメチルノニルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムアセタート、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボラート、トリメチル［２−［（トリメチルシリル）メチル］ベンジル］アンモニウムヨージド、トリエチルアンモニウムテトラフルオロボラート、トリス（２−ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムブロミド、テトラベプチルアンモニウムブロミド、テトラヘキシルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムトリフラート、テトラブチルアンモニウムテトラフェニルボラート、テトラペンチルアンモニウムクロリド、テトラペンチルアンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムアセタート、テトラヘプチルアンモニウムヨージド、メチルトリ−ｎ−オクチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート、テトラブチルアンモニウムビフルオリド、テトラブチルアンモニウムトリブロミド、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスファート、テトラブチルアンモニウムチオシアナート、テトラブチルアンモニウムトリヨージド、テトラメチルアンモニウムスルファート、テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムヨージド、テトラ（デシル）アンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムアセタート、テトラヘキシルアンモニウムヨージド、テトラフルオロホウ酸テトラエチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウムｐ−トルエンスルホナート、トリメチルテトラデシルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボラート、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムテトラフルオロボラート、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム硫酸水素塩、トリオクチルメチルアンモニウムクロリド（Ａｌｉｑｕａｔ３３６）、テトラプロピルアンモニウムブロミド、テトラプロピルアンモニウムヨージド、テトラブチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムヨージド、テトラエチルアンモニウムブロミド、テトラエチルアンモニウムクロリド、テトラエチルアンモニウムヨージド、テトラメチルアンモニウムブロミド、テトラメチルアンモニウムクロリド、テトラメチルアンモニウムヨージド、（フェロセニルメチル）トリメチルアンモニウムブロミド、（フェロセニルメチル）ドデシル、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロリド、ヘキシルトリメチルアンモニウムブロミド、トリエチルアンモニウムクロリド、メチルトリ−ｎ−オクチルアンモニウム硫酸水素塩、トリメチル−ｎ−オクチルアンモニウムブロミド、トリメチル−ｎ−オクチルアンモニウムクロリド、トリメチルフェニルアンモニウムブロミド、トリメチルフェニルアンモニウムクロリド、トリメチルフェニルアンモニウムトリブロミド、オクタデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラブチルアンモニウムブロミドなどのアンモニウム塩、テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボラート、テトラブチルホスホニウムヘキサフルオロホスファート、テトラブチルホスホニウムテトラフルオロボラート、テトラエチルホスホニウムテトラフルオロボラート、テトラエチルホスホニウムヘキサフルホロホスファート、テトラ−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムクロリド、テトラエチルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムクロリド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラキス（ヒドロキシメチル）ホスホニウムスルファート、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラキス（ヒドロキシメチル）ホスホニウムクロリド、トリブチル−ｎ−オクチルホスホニウムブロミド、ヘキサデシルトリブチルホスホニウムブロミド、トリブチルドデシルホスホニウムブロミド、（２−カルボキシエチル）トリフェニルホスホニウムブロミド、トリブチル（シアノメチル）ホスホニウムクロリドなどのホスホニウム塩などを例示することができ、これらを任意の比で混合してもよい。これらのうち、反応収率がよい点で、アンモニウム塩が好ましく、Ａｌｉｑｕａｔ３３６がより好ましい。
【０３８４】
本発明の製造方法は塩基存在下で実施することができる。用いることのできる塩基としては、ナトリウムブトキシド、カリウムブトキシド等の金属アルコキシド、ブチルリチウム等の金属アルキル、リチウムヘキサメチルジシラジド、リチウムジイソプロピルアミド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルリチウム、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルマグネシウムクロリドリチウムクロリド錯体等の金属アミド、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等の無機塩基、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、ルチジン、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＴＢＤ）、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＭＴＢＤ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等の有機塩基等を例示することができ、これらを任意の比で混合してもよい。これらのうち、反応収率が良い点で無機塩が好ましく、炭酸ナトリウム、又は炭酸カリウムがさらに好ましい。
本発明の製造方法は、０℃〜２４０℃から適宜選択された温度にて実施することができ、収率が良い点で７０℃〜２２０℃から適宜選択された温度にて実施することが好ましく、１００℃〜２００℃から適宜選択された温度にて実施することがより好ましい。
本発明の製造方法は、マイクロウェーブ反応装置を用いて実施することも可能である。
本発明の製造方法は、アルゴンガスまたは窒素ガスといった不活性ガス雰囲気下、もしくは真空下で行うことが好ましい。
反応時間は、用いる化合物（１）、化合物（２１）並びに溶媒及び反応温度により異なるが、０．１〜１００時間が好ましく、１〜７８時間がより好ましい。
本発明の共役系高分子は、製造工程の終了後に通常の処理をすることで得られる。必要に応じて、沈殿、ろ過、透析、カラムクロマトグラフィー、分取ＨＰＬＣ、ソックスレー抽出等の当業者が高分子化合物の精製に用いる汎用的な手段を適宜用いて精製してもよい。
移動度や溶解性を向上させる目的で、反応中又は反応後に有機ホウ素化合物や有機スズ化合物を添加することで本発明の共役系高分子の末端にチエニル基やフェニル基等の官能基が導入された共役系高分子を製造することもできる。官能基は公知の方法を組み合わせて導入してもよく、例えば、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，４８巻，６９９４−７００６ページ，２０１５年等に開示されている方法に従って導入できる。
【０３８５】
次に本発明の共役系高分子を含む製膜用組成物（以下、「本発明の製膜用組成物」と称する。）の製造方法について説明する。
本発明の製膜組成物は、本発明の共役系高分子を溶媒に溶解又は分散させることにより、調製することができる。
該溶媒としては、本発明の共役系高分子を溶媒に溶解、又は分散させることができれば特に制限はないが、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル（ＣＰＭＥ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族炭化水素溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、４−フルオロエチレンカーボネート等の炭酸エステル溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、γ−ラクトン等のエステル溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等のアミド溶媒、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア（ＴＭＵ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルプロピレンウレア（ＤＭＰＵ）等のウレア溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のスルホキシド溶媒、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、２，２，２−トリフルオロエタノール等のアルコール溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン（ｏ−ＤＣＢ）等のハロゲン溶媒、ニトロメタン、水、等を例示することができ、これらを任意の比で混合して用いてもよい。これらのうち、沸点が高く穏やかに揮発する点で、芳香族炭化水素、ハロゲン溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、３，４−ジメチルアニソール、クロロベンゼン、ｏ−ＤＣＢがさらに好ましい。
溶媒の使用量に特に制限はなく、本発明の共役系高分子の濃度が、０．００１〜９５重量パーセントであり、０．０１〜３０重量パーセントから適宜選ばれた濃度となるように溶媒を加えることがより好ましい。
溶解又は分散の方法は、例えば、撹拌、振盪、ボールミル等の当業者のよく知る方法を用いることができる。この際、加熱を行っても良い。
本発明の製膜用組成物には製膜性を向上させるためのバインダーを加えてもよい。このようなバインダーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリ（エチレン−コ−ノルボルネン）、ポリメチルメタクリレート、ポリトリアリールアミン、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジメチルトリフェニルアミン）等のポリマーを例示することができる。該バインダーの濃度に特に制限はないが、塗布性が良い点で０．１〜１０．０重量パーセントが好ましい。
【０３８６】
次に、本発明の製膜用組成物を用いて製膜する有機薄膜（以下、「本発明の有機薄膜」と称する。）の製膜方法について説明する。
本発明の製膜用組成物を用いて、本発明の有機薄膜を形成する際の方法に特に制限はなく、例えば、スピンコート、ドロップキャスト、ディップコート、キャストコート等の簡易塗工法、ディスペンサー、インクジェット、スリットコート、ブレードコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷等の印刷法を挙げることができ、中でも効率よく製膜できる点で、スピンコート、ドロップキャスト、インクジェットが好ましい。
本発明の有機薄膜の膜厚に特に制限は無いが、キャリア移動度が高い点で１ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍがさらに好ましい。
本発明の有機薄膜は製膜後、溶媒を乾燥させることで得ることができる。必要に応じて、４０−４００℃の範囲から適宜選択された温度にてアニールを行っても良い。
【０３８７】
本発明の縮環高分子化合物を活性層に含む有機トランジスタ素子（以下、「本発明の有機トランジスタ素子」と称する）の作製方法について説明する。
本発明の有機トランジスタ素子は、基板上に絶縁層及び活性層として本発明の有機薄膜を製膜し、これにソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を付設することにより得られる。
図１に、本発明の有機トランジスタ素子に含まれる素子の構造を示す。ここで、（Ａ）は、ボトムゲート−トップコンタクト型、（Ｂ）は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型、（Ｃ）は、トップゲート−トップコンタクト型、（Ｄ）は、トップゲート−ボトムコンタクト型のトランジスタ素子であり、１は活性層、２は基板、３はゲート電極、４はゲート絶縁層、５はソース電極、６はドレイン電極を示す。
基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ（ジイソプロピルフマレート）、ポリ（ジエチルフマレート）、ポリ（ジイソプロピルマレエート）、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、セルローストリアセテート等のプラスチック基板、ガラス、石英、酸化アルミニウム、シリコン、ハイド−プシリコン、酸化シリコン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウムスズ酸化物等の無機基板、金、銅、クロム、チタン、アルムニウム等の金属基板等を挙げることができる。これらのうち、トランジスタ性能が良い点で、ガラス、シリコン、ハイドープシリコンが好ましく、ガラスがより好ましい。
ゲート電極としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、ハイドープシリコン、スズ酸化物、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、クロム、チタン、タンタル、クロム、グラフェン、カーボンナノチューブ等の無機電極又はドープされた導電性高分子（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等の有機電極等を挙げることができる。これらのうち、導電性が良い点で無機電極が好ましく、金がより好ましい。
絶縁層としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、二酸化タンタル、五酸化タンタル、インジウムスズ酸化物、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウム、チタン酸ビスマス等の無機絶縁層、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリ（ジイソプロピルフマレート）、ポリ（ジエチルフマレート）、ポリ（ジイソプロピルマレエート）、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、セルローストリアセテート、ポリシクロペンタン、ポリシクロヘキサン−エチレン共重合体、ポリフッ素化シクロベンタン、ポリフッ素化シクロヘキサン、ポリフッ素化シクロヘキサン−エチレン共重合体、パリレンＮ、パリレンＣ、パリレンＤ、パリレンＨＴ、パリレンＣ−ＵＶＦ等の有機絶縁層等を挙げることができる。これらのうち、絶縁性が良い点で有機絶縁層が好ましく、パリレンＣがさらに好ましい。また、これらの絶縁層表面は、例えば、オクタデシルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、デシルトリメトキシシラン、オクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、β−フェネチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリメトキシシラン等のシラン類、オクタデシルホスホン酸、デシルホスホン酸、オクチルホスホン酸等のホスホン酸類、ヘキサメチルジシラザン等のアミン類で修飾処理しても良い。これらのうち、本発明の有機トランジスタ素子のキャリア移動度及び電流オン・オフ比が向上し、並びに閾値電圧の低下する点で、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、β−フェネチルトリクロロシラン、オクタデシルホスホン酸、オクチルホスホン酸、ヘキサメチルジシラザンが好ましい。
ソース電極及びドレイン電極としては、ゲート電極で例示したものと同様の電極を例示することができる。これらのうち、導電性が良い点で無機電極が好ましく、金がさらに好ましい。また、キャリアの注入効率を上げる為に、これらの電極に表面処理材を用いて表面処理を実施することができる。このような表面処理材としては、例えば、ベンゼンチオール、ペンタフルオロベンゼンチオール等を挙げることができる。
【０３８８】
本発明の高分子を活性層に含む有機薄膜太陽電池素子（以下、「本発明の有機太陽電池素子」と称する）の作製方法について説明する。
本発明の有機薄膜太陽電池素子は、本発明の高分子だけで構成されていても良く、本発明の高分子に加えて他の有機太陽電池材料や他の成分を含んでいても良い。また、本発明の高分子のうち一種類以上を含んでいても良い。
上記の有機薄膜太陽電池材料は、電子受容体としての機能を有する化合物（電子受容性化合物）を含むと好ましい。
電子受容性化合物としては、例えは゛、オキサシ゛アソ゛ール誘導体、アントラキノシ゛メタン、及ひ゛その誘導体、ヘ゛ンソ゛キノン及ひ゛その誘導体、ナフトキノン及ひ゛その誘導体、アントラキノン及ひ゛その誘導体、テトラシアノアントラキノシ゛メタン及ひ゛その誘導体、フルオレノン誘導体、シ゛フェニルシ゛シアノエチレン及ひ゛その誘導体、シ゛フェノキノン誘導体、８−ヒト゛ロキシキノリン及ひ゛その誘導体の金属錯体、ホ゜リキノリン及ひ゛その誘導体、ホ゜リキノキサリン及ひ゛その誘導体、ホ゜リフルオレン及ひ゛その誘導体、ペリレン及びその誘導体、フラーレン及びその誘導体、カーボンナノチューブ、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン等のフェナントロリン誘導体が例示でき、フラーレン及ひ゛その誘導体が好ましい。
【０３８９】
フラーレンとしては、Ｃ６０フラーレン、Ｃ７０フラーレン、Ｃ８４フラーレン等が例示できる。フラーレン誘導体としては、例えば、フラーレンの炭素原子の一部に、炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０のアルキル基；エポキシ基；１〜２個程度のジオキソラン構造（ジオキソラン基）；インドリン基、ベンゾフラン基等の縮環有機基；等の置換基が結合した化合物が例示できる。フラーレン誘導体として具体的には、各種のフラーレンエポキシド、１，３−ジオキソラン−フラーレン誘導体、フェニルＣ６１酪酸メチルエステル（ＰＣ６１ＢＭ）、フェニルＣ６１酪酸ブチルエステル（ＰＣＢＢ）、インデン付加型フラーレン誘導体、シリルメチル付加型フラーレン誘導体、フェニルメチル付加型フラーレン誘導体、インドリノ−フラーレン誘導体、ベンゾフラノ−フラーレン誘導体等が例示できる。ｎ型半導体材料として他には、例えば、ＡｃｔｉｖＩｎｋＮ２２００（Ｐｏｌｙｅｒａ製）等が例示できる。
電子受容体としての機能を有する無機化合物としては、ｎ型特性の無機半導体化合物を例示することができ、具体的には、ｎ−Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＣｄＳ、ＰｂＳ、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３等のドーピング半導体、及び化合物半導体、また、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、一酸化チタン（ＴｉＯ）、三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）、等の酸化チタン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）等の導電性酸化物が挙げられ、これらのうち一種類以上の組み合わせを用いても良い。
本発明の有機薄膜太陽電池素子は、後述する湿式成膜法等の塗布法によって有機太陽電池の層を形成することができる。
本発明の有機薄膜太陽電池素子のセル構造は、一対の電極の間に上記活性層を含有する構造であれば  特に限定されるものではないが、例えば、下記のいずれかの構成としてもよい。「ｐ層」、「ｐ材料」とは、本発明の高分子を含む層又は材料であり、「ｎ層」、「ｎ材料」とは、電子受容性化合物を含む層、又は材料である。（１）下部電極／ｐ層／ｎ層／上部電極（２）下部電極／ｐ層／ｐ材料とｎ材料の混合層／ｎ層／上部電極（３）下部電極／ｐ材料とｎ材料の混合層／上部電極上記（１）、（２）の各構成において、ｐ層とｎ層を置換してもよい。
また、上記（１）〜（３）の各構成において、必要に応じて電極と有機層の間にバッファー層を設けてもよい。例えば具体例として、上記構成（１）にバッファー層を設けた場合、下記構成を有する構造が例示できる。
（Ａ）下部電極／バッファー層／ｐ層／ｎ層／上部電極（Ｂ）下部電極／ｐ層／ｎ層／バッファー層／上部電極（Ｃ）下部電極／バッファー層／ｐ層／ｎ層／バッファー層／上部電極また、上記構成（３）にバッファー層を設けた場合て゛は、（Ｄ）下部電極／バッファー層／ｐ材料とｎ材料の混合層／上部電極（Ｅ）下部電極／ｐ材料とｎ材料の混合層／バッファー層／上部電極（Ｆ）下部電極／バッファー層／ｐ材料とｎ材料の混合層／バッファー層／上部電極とする構成等が例示できる。
【０３９０】
以下、各構成部材について簡単に説明する。
本発明の有機薄膜太陽電池素子の活性層の膜厚は、２〜１０００ｎｍが好ましく、５〜５００ｎｍがより好ましく、２０〜３００ｎｍがさらに好ましい。
活性層には、本発明の高分子、及び上記電子受容性化合物以外に、任意の添加物を含んでも良い。添加物としては、１，８−ジオードオクタン（ＤＩＯ）、１−クロロナフタレン、１，１０−ジヨードデカン、１，４−ジヨードブタン、１，６−ジヨードヘキサン、１，８−オクタンジチオール等のハロゲン含有脂肪族炭化水素、ハロゲン含有芳香族炭化水素等を例示することができる。
添加剤の配合量は、活性層形成用溶液中、０．０００１〜２０重量％であることが好ましく、０．０１〜１０重量％であることがより好ましい。
活性層の形成は、スピンコーティング、ディップコート、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法を適用することができる。この際、後述する任意の溶媒を使用することができる。
本発明の有機薄膜太陽電池素子は、通常、基板上に形成される。該基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものが好ましい。例えば、ガラス基板、及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が例示することができる。
不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）か゛透明電極、又は半透明電極であることが好ましい。
下部電極、上部電極の材料は特に制限はなく、金属、又は導電性高分子等を用いることができる。用いることができる金属としてはリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及ビそれらの金属のうちの２つ以上の金属の合金、又はそれらの金属のうちの一つ以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの一つ以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が例示することができる。導電性高分子としてはＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ等を例示できる。
上記の透明電極又は半透明電極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体て゛あるインシ゛ウム・スス゛・オキサイト゛（ＩＴＯ）、インシ゛ウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性材料を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ（酸化錫）、金、白金、銀、銅が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、電極材料として、ポリアニリン、及びその誘導体、ポリチオフェン、及びその誘導体等の有機透明導電膜を用いてもよい。
バッファー層としては、低分子化合物であれば下記に示すＮＴＣＤＡに代表される芳香族環状酸無水物等が挙げられ、高分子化合物であればポリ（３，４−エチレンジオキシ）チオフェン：ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリアニリン：カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ：ＣＳＡ）等に代表される公知の導電性高分子等を例示することができる。
バッファー層には、励起子が電極まで拡散して失活してしまうのを防止する役割を持たせることも可能である。このように励起子阻止層としてバッファー層を挿入することは、高効率化のために有効である。励起子阻止層は陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。この場合、励起子阻止層として好ましい材料としては、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用途て゛公知な正孔障壁層用材料又は電子障壁層用材料等が挙げられる。正孔障壁層として好ましい材料は、イオン化ポテンシャルか゛充分に大きい化合物であり、電子障壁層として好ましい材料は、電子親和力が十分に小さい化合物である。具体的には有機ＥＬ素子用途で公知な材料であるバソクプロイン（ＢＣＰ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）等が陰極側の正孔障壁材料として挙げられる。バッファー層には無機半導体化合物を用いてもよく、具体的には、ｐ−Ｓｉ、ｎ−Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＣｄＳ、ＰｂＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＳｉＣ、ＩｎＰ、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３等のドーピング半導体、及び化合物半導体、また、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、一酸化チタン（ＴｉＯ）、三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）、等の酸化チタン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ３）等の導電性酸化物が挙げられ、これらのうち一種類以上の組み合わせを用いてもよい。
【０３９１】
本発明の有機薄膜太陽電池の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディップコート、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されないが、光電変換効率が高い点で、膜厚は１ｎｍ〜１０μｍが好ましく、５ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
湿式成膜法の場合各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解又は分散させて発光性有機溶液を調製し、薄膜を形成するかが、任意の溶媒を使用できる。例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、オクタン、テ゛カン、テトラリン等の炭化水素溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル溶媒等が例示でき、これらの溶媒は単独で使用しても複数混合して用いても良い。これらのなかで、炭化水素溶媒、又はエーテル溶媒が好ましい。
本発明の有機薄膜太陽電池のいずれの有機化合物層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、及びそれらの共重合体、ホ゜リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂等を例示することができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を例示することができる。
本発明の有機薄膜太陽電池素子としては、太陽電池として機能する限り、他の素子構造であってもよい。
【実施例】
【０３９２】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０３９３】
実施例で得られたモノマーは、１Ｈ−ＮＭＲ測定により構造解析を行った。実施例で得られた高分子の分子量と分子量分布はＧｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏ，ａｔｏｇｒａｐｈｙ（ＧＰＣ）測定により見積もった。試薬類は市販品を用いた。
＜ＮＭＲ測定条件＞
測定装置：Ｂｒｕｋｅｒ  ＡＳＣＥＮＤＴＭ  ＡＤＶＡＮＣＥ  ＩＩＩ  ＨＤ（４００ＭＨｚ）
測定溶媒：重クロロホルム（ＣＤＣｌ３）
内部標準物質：テトラメチルシラン（ＴＭＳ）
＜ＧＰＣ測定条件＞
測定装置：東ソー株式会社  高速ＧＰＣ装置  ＨＬＣ−８３２０ＧＰＣ  ＥｃｏＳＥＣ
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＭｕｌｔｉｐｏｒｅＨＺ−Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ２０００
測定溶媒：ＴＨＦ
測定温度：２５℃
校正曲線：ポリスチレンスタンダード
＜高温ＧＰＣ測定条件＞  測定装置：東ソー株式会社  高温ＧＰＣ装置  ＨＬＣ−８３２１ＧＰＣ／ＨＴ
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｈ（２０）ＨＴ
測定溶媒：１，２，４−トリクロロベンゼン（ＴＣＢ）
測定温度：１４０℃
校正曲線：ポリスチレンスタンダード
＜ＴＧＡ測定条件＞
測定装置：ＳＩＩ株式会社  ＥＸＳＴＡＲ６０００  ＴＧＡ／ＤＴＡ６２００
試料容器：アルミパン
測定雰囲気：窒素
Ｔｄ３、Ｔｄ５並びにＴｄ１０は３％、５％並びに１０％重量減少温度をそれぞれ表す。
＜ＤＳＣ測定条件＞
測定装置：ＳＩＩ株式会社  ＥＸＳＴＡＲ６０００  ＤＳＣ６２２０
試料容器：アルミパン
測定条件：窒素雰囲気、１０℃／ｍｉｎ、０〜３００℃、結果は三回目のＨｅａｔｉｎｇＳｃａｎを採用。
［参考例１］
【０３９４】
【化３０２】
2020111737.tif 000303
【０３９５】
２’，５’−ジブロモ−４，４’’−ビス［（２−デシルテトラデシル）オキシ］−ｐ−ターフェニル（８２４ｍｇ，７５４μｍｏｌ）、チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（５０５ｍｇ，１．９０ｍｍｏｌ）を１，２−ジメトキシエタン（１８ｍＬ）に溶かして、２Ｍの炭酸カリウム水溶液（７．５ｍＬ，１５ｍｍｏｌ）を加えて凍結脱気を行った。そして、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８７．３ｍｇ，７５．６μｍｏｌ）を加えて凍結脱気を行った後に、９５度で６２時間撹拌した。室温まで冷却した後に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてクエンチした後にジエチルエーテルで抽出を行った。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液、水、飽和食塩水で洗浄した後に、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後にろ過を行い、減圧下でろ液の溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル；ヘキサン：クロロホルム＝１０：１）で精製を行い、淡黄色液体の２’，５’−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−イル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシルオキシ）−ｐ−ターフェニルを得た（３２６ｍｇ，３６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５９（ｓ，２Ｈ），７．３１−７．２７（ｍ，８Ｈ），７．１６（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，４Ｈ），６．９８（ｓ，２Ｈ），６．８７（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ），３．８４（ｄ，Ｊ＝５．７，４Ｈ），１．８３−１．７５（ｍ，２Ｈ），１．４７−１．２０（ｍ，８０Ｈ），０．８９−０．８６（ｍ，１２Ｈ）。
［参考例２］
【０３９６】
【化３０３】
2020111737.tif 000304
【０３９７】
２’，５’−ビス（２−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシルオキシ）−ｐ−ターフェニル（５９２ｍｇ，４８９μｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶かして０度に冷却した後、Ｎ−ブロモコハク酸イミド（２６１ｍｇ，１．４６ｍｍｏｌ）を加えて、室温で３時間撹拌した。水で反応溶液をクエンチした後、クロロホルムで抽出を行い、有機層を水と飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後にろ過を行い、減圧下でろ液の溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル；ヘキサン：クロロホルム＝１０：１）で精製を行い、淡黄色固体の２’，５’−ビス（２−ブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−５−イル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシルオキシ）−ｐ−ターフェニルを得た（６６０ｍｇ，＞９９％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５５（ｓ，２Ｈ），７．２４（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ），７．１６（ｓ，２Ｈ），６．８８−６．８６（ｍ，６Ｈ），３．８４（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，４Ｈ），１．８１−１．７５（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．２１（ｍ，８０Ｈ），０．８９−０．８６（ｍ，１２Ｈ）。
［参考例３］
【０３９８】
【化３０４】
2020111737.tif 000305
【０３９９】
１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼン（１．４９ｇ，３．０５ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン（３２ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下で１−ヘンイコシン（２．２３ｇ，７．６３ｍｍｏｌ）とヨウ化銅（Ｉ）（２３．３ｍｇ，１２２μｍｏｌ）、ならびに塩化ビス（ジフェニルホスフィン）パラジウム（４２．９ｍｇ，６１．１μｍｏｌ）を加えて６２時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やした後に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再結晶（ヘキサン）で精製し、黄色固体の１，４−ジブロモ−２，５−ビス（１−ヘンイコシニル）ベンゼンを得た（１．７７ｇ，７１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５８（ｓ，２Ｈ），２．４５（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），１．６２（ｐｅｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），１．４８−１．４３（ｍ，４Ｈ），１．３５−１．２５（ｍ，６０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
［参考例４］
【０４００】
【化３０５】
2020111737.tif 000306
【０４０１】
１，４−ジブロモ−２，５−ビス（１−ヘンイコシニル）ベンゼン（１．７７ｇ，２．１７ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（０．９９７ｇ，５．４２ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（５４ｍＬ）、ならびに２Ｍ炭酸カリウム水溶液（２２ｍＬ，４４ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．２５０ｇ，０．２１７ｍｍｏｌ）を加えて６１時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やした後に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄した後に無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再結晶（ヘキサン）で精製し、黄色固体の２，５−ビス（１−ヘンイコシニル）−１，４−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−イル）ベンゼンを得た（１．０６ｇ，５２％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．８７（ｄ，Ｊ＝０．８Ｈｚ，２Ｈ），７．７０（ｓ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２７（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，０．８Ｈｚ，２Ｈ），２．４７（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），１．６３（ｐｅｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），１．４３（ｐｅｎｔｅｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），１．３２−１．２５（ｍ，６０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
［参考例５］
【０４０２】
【化３０６】
2020111737.tif 000307
【０４０３】
１，４−ジブロモ−２，５−ジヨードベンゼン（３．３７ｇ，６．９２ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン（１４０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下で３−デシル−１−ペンタデシン（５．５２ｇ，１５．２ｍｍｏｌ）とヨウ化銅（Ｉ）（５２．７ｍｇ，０．２７７ｍｍｏｌ）、ならびに塩化ビス（ジフェニルホスフィン）パラジウム（９７．１ｍｇ，０．１３８ｍｍｏｌ）を加えて６１時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の１，４−ジブロモ−２，５−ビス（３−デシルペンタデシニル）ベンゼンを得た（５．５５ｇ，８４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５７（ｓ，２Ｈ），２．４４（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６４−１．５８（ｍ，２Ｈ），１．４３−１．２５（ｍ，８０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）。
［参考例６］
【０４０４】
【化３０７】
2020111737.tif 000308
【０４０５】
１，４−ジブロモ−２，５−ビス（３−デシルペンタデシニル）ベンゼン（２．３９ｇ，２．５０ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（１．１５ｇ，６．２５ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（６３ｍＬ）、ならびに２Ｍ炭酸カリウム水溶液（２５ｍＬ，５０ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．２８９ｇ，０．２５０ｍｍｏｌ）を加えて６４時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やした後に飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の２，５−ビス（３
−デシルペンタデシニル）−１，４−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−イル）ベンゼンを得た（１．１３ｇ，４２％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．８５（ｄ，Ｊ＝０．４Ｈｚ，２Ｈ），７．６９（ｓ，２Ｈ），７．３８（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２６（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，０．４Ｈｚ，２Ｈ），２．４５（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，４Ｈ），１．６３−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４０−１．２４（ｍ，８０Ｈ），０．８９−０．８５（ｍ，１２Ｈ）。
［参考例７］
【０４０６】
【化３０８】
2020111737.tif 000309
【０４０７】
３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン（０．６９８ｇ，２．３４ｍｍｏｌ）と３−デシル−１−ペンタデシン（１．８７ｇ，５．１６ｍｍｏｌ）ならびにトリエチルアミン（２３ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でヨウ化銅（Ｉ）（１７．９ｍｇ，９３．７μｍｏｌ）ならびにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（５４．２ｍｇ，４６．９μｍｏｌ）を加えて６５．５時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を飽和塩化アンモニウム、水、ならびに飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製したのちに、さらに再結晶（アセトン）で精製することで白色固体の３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．５４ｇ，７６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．３６（ｓ，２Ｈ），２．４３（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６４−１．５８（ｍ，２Ｈ），１．４６−１．２５（ｍ，８０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１２Ｈ）。
［参考例８］
【０４０８】
【化３０９】
2020111737.tif 000310
【０４０９】
３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．５４ｇ，１．７９ｍｍｏｌ）とＴＨＦ（３６ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウムの１．６Ｍヘキサン溶液（２．５ｍＬ，３．９ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン（０．６３ｍＬ，５．２６ｍｍｏｌ）を加え、１．５時間撹拌した。反応終了後、水を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の２，５−ジブロモ−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．３４ｇ，７４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ２．４３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６６−１．５８（ｍ，２Ｈ），１．４３−１．２５（ｍ，８０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１２Ｈ）。
［参考例９］
【０４１０】
【化３１０】
2020111737.tif 000311
【０４１１】
２，５−ジブロモ−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（０．３０６ｇ，０．３００ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（０．１３８ｇ，０．７５０ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（７．５ｍＬ）、ならびに２Ｍ炭酸カリウム水溶液（３．０ｍＬ，６．０ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３４．７ｍｇ，３０．０μｍｏｌ）を加えて６７．５時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やした後に水を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（０．０９２ｇ，２８％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．７１（ｄ，Ｊ＝０．４Ｈｚ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２３（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，０．４Ｈｚ，２Ｈ），２．５８（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．７４−１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．２４（ｍ，８０Ｈ），０．８８−０．８４（ｍ，１２Ｈ）。
［参考例１０］
【０４１２】
【化３１１】
2020111737.tif 000312
【０４１３】
２，５−ジブロモ−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシル）−ｐ−ターフェニル（０．４５２ｇ，０．４２６ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（０．１９６ｇ，１．０６ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１９．４ｍｇ，６３．９μｍｏｌ）、１滴のＡｌｉｑｕａｔ３３６、トルエン（１１ｍＬ）、ならびに１Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２．１ｍＬ，２．１ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（２２．０ｍｇ，２１．３μｍｏｌ）を加えて６７時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに水を加えてジエチルエーテルで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン→クロロホルム／ヘキサン＝１／２０）で精製し、淡黄色固体の２’，５’−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシル）−ｐ−ターフェニルを得た（０．１８８ｇ，３７％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．６３（ｓ，２Ｈ），７．２８−７．２６（ｍ，６Ｈ），７．１４−７．１０（ｍ，６Ｈ），６．９１（ｄ，Ｊ＝０．４Ｈｚ，２Ｈ），２．５５（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），１．６６−１．６０（ｍ，２Ｈ），１．３３−１．２６（ｍ，８０Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）．
［参考例１１］
【０４１４】
【化３１２】
2020111737.tif 000313
【０４１５】
２’，５’−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシル）−ｐ−ターフェニル（０．２８７ｇ，０．２４３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４．９ｍＬ）の混合物に、０℃でＮ−ブロモスクシンイミド（０．１３０ｇ，０．７３０ｍｍｏｌ）を加えて室温で３時間撹拌した。反応終了後、水を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の２’，５’−ビス（２−ブロモ−チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシル）−ｐ−ターフェニルを得た（０．２７４ｇ，８４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５９（ｓ，２Ｈ），７．２４−７．２２（ｍ，４Ｈ），７．１３−７．１１（ｍ，６Ｈ），６．８１（ｓ，２Ｈ），２．５５（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），１．６５−１．６０（ｍ，２Ｈ），１．３１−１．２５（ｍ，８０Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）．
［参考例１２］
【０４１６】
【化３１３】
2020111737.tif 000314
【０４１７】
３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン（０．６９８ｇ，２．３４ｍｍｏｌ）と３−デシル−１−ペンタデシン（１．８７ｇ，５．１６ｍｍｏｌ）ならびにトリエチルアミン（２３ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でヨウ化銅（Ｉ）（１７．９ｍｇ，９３．７μｍｏｌ）ならびにテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（５４．２ｍｇ，４６．９μｍｏｌ）を加えて６５．５時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を飽和塩化アンモニウム、水、ならびに飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製したのちに、さらに再結晶（アセトン）で精製することで白色固体の３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．５４ｇ，７６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．３６（ｓ，２Ｈ），２．４３（ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６４−１．５８（ｍ，２Ｈ），１．４６−１．２５（ｍ，８０Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４０．０，１２９．１，１１６．３，９１．８，７４．３，３７．１，３３．６，３１．９，２９．９，２９．７，２９．６，２９．４，２６．８，２３．７，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５２，２９１５，２８５０，１４７１，１３７６，１３４９，１３４０，９４３，９３１，８３８，７３４，７１７。
［参考例１３］
【０４１８】
【化３１４】
2020111737.tif 000315
【０４１９】
３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．５３ｇ，１．７７ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３５ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウム（２．６ｍＬ，４．０８ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、ヨウ素（１．０８ｇ，４．２６ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応溶液に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、白色固体の２，５−ジヨード−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．５１ｇ，７６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ２．４６（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６７−１．６１（ｍ，２Ｈ），１．５０−１．２５（ｍ，８０Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４２．０，１２３．３，９６．０，８２．３，７５．１，３７．１，３３．６，３１．９，２９．９，２９．７，２９．４，２６．９，２３．８，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５２，２９１７，２８４８，２３６０，２２２３，１４６７，１４５７，１３７５，１３４８，１３２６，８８１，７１９，６１９。
［参考例１４］
【０４２０】
【化３１５】
2020111737.tif 000316
【０４２１】
２，５−ジブロモ−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．４０ｇ，１．２６ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（０．５７９ｇ，３．１４ｍｍｏｌ）、トルエン（３２ｍＬ）、ＰＴＣ（２滴）ならびに２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１３ｍＬ，２６ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下で（ＡＭＰＨＯＳ）２ＰｄＣｌ２（８９．０ｍｇ，１２６μｍｏｌ）を加えて１８時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに水を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／ヘキサン＝１／２）で精製し、黄色固体の２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．２１ｇ，８４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．７１（ｄ，Ｊ＝０．４Ｈｚ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２３（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，０．４Ｈｚ，２Ｈ），２．５８（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．７４−１．６６（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．２４（ｍ，８０Ｈ），０．８８−０．８４（ｍ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３９．６，１３９．４，１３９．２，１３８．５，１３８．４，１２７．８，１１９．４，１１７．１，１１１．４，９８．４，７４．９，３７．２，３３．８，３１．９，３０．０，２９．７，２９．６，２９．４，２６．９，２４．２，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５２，２９１９，２８４８，１４６５，１３７８，１１９１，９５２，９０８，８６３，８５４，８０８，７６９，７５９，７２１，６９８，６３２，６１９。
［参考例１５］
【０４２２】
【化３１６】
2020111737.tif 000317
【０４２３】
３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．６２ｇ，５．４３ｍｍｏｌ）と４−ドデシル−１−オクタデシン（５．００ｇ，１１．９ｍｍｏｌ）、ならびにトリエチルアミン（１０９ｍＬ）の混合物を１時間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でヨウ化銅（Ｉ）（４１．９ｍｇ，２１７μｍｏｌ）、ならびにＰｄ（ＰＰｈ３）４（１２７ｍｇ，１１０μｍｏｌ）を加えて１００℃で１２０時間撹拌した。得られた混合物を室温で冷やしたのちに飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を飽和塩化アンモニウム、水、ならびに飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製したのちに、さらに再結晶（アセトン）で精製することで黄土色固体の３，６−ビス（４−ドデシルオクタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（４．３５ｇ，８２％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．３７（ｓ，１Ｈ），２．４２（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，４Ｈ），１．６２−１．５７（ｍ，２Ｈ），１．４２−１．２５（ｍ，９６Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４０．０，１２９．２，１１６．３，９１．８，７４．３，３７，２，３３．６，３１．９，２９．９，２９．７，２９．６，２９．４，２６．８，２３．７，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５２，２９１５，２８４８，２３６４，１４７１，１３５０，８３９，７３５，７１７。
［参考例１６］
【０４２４】
【化３１７】
2020111737.tif 000318
【０４２５】
３，６−ビス（４−ドデシルオクタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１６５ｍｇ，０．１７０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（３．４ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．２５ｍＬ，０．３８７ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、ヨウ素（１０４ｍｇ，０．４１０ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製したのちにさらに再結晶（アセトン）で精製することで薄赤褐色固体の２，５−ジヨード−３，６−ビス（４−ドデシルオクタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１２０ｍｇ，５６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ２．４６（ｄ，Ｊ＝５．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６５−１．５９（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．２５（ｍ，９６Ｈ），０．８８（ｔ，ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４２．０，１２３．４，９６．０，８２．３，７５．１，３７．１，３３．６，３１．９，３０．０，２９．７，２９．６，２９．４，２６．９，２３．８，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９１８，２８５０，２３５８，１４６９，８７７，７１９，６２１。
［参考例１７］
【０４２６】
【化３１８】
2020111737.tif 000319
【０４２７】
２，５−ジヨード−３，６−ビス（４−ドデシルオクタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．００ｇ，０．８１０ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（３７２ｍｇ，２．０２ｍｍｏｌ）、ジメトキシエタン（２０ｍＬ）、ならびに２Ｍ炭酸カリウム水溶液（８ｍＬ，０．４０ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下で（ＡＭＰＨＯＳ）２ＰｄＣｌ２（５７ｍｇ，８１μｍｏｌ）を加えて９５℃で９０時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに塩化アンモニウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製したのちに、さらに再結晶（アセトン／ヘキサン）で精製することで黄色固体の２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオニル）−３，６−ビス（４−ドデシルオクタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（７１１ｍｇ，７０％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．７１（ｓ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），２．５８（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，４Ｈ），１．７２−１．６６（ｍ，２Ｈ），１．５２−１．２３（ｍ，９６Ｈ），０．８７（ｄｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１．０Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３９．６，１３９．４，１３９．２，１３８．５，１３８．４，１２７．８，１１９．４，１１７．１，１１１．４，９８．４，７４．９，３７．２，３３．８，３１．９，３０．０，２９．８，２９．７，２９．６，２９．４，２７．０，２４．２，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９１８，２８４８，２３５６，１４６９，８０８，７１９，６９８，６３２。
［参考例１８］
【０４２８】
【化３１９】
2020111737.tif 000320
【０４２９】
３，６−ジブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．９９ｇ，６．６８ｍｍｏｌ）と５−デシル−１−ヘキサデシン（５．４８ｇ，１４．０ｍｍｏｌ）ならびにトリエチルアミン（１３４ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でヨウ化銅（Ｉ）（５０．９ｍｇ，０．２６７ｍｍｏｌ）ならびにＰｄ（ＰＰｈ３）４（１５４ｍｇ，０．１３３ｍｍｏｌ）を加えて６２時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水ならびに飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製したのちに、再結晶（アセトン）で精製することで白色固体の３，６−ビス（５−デシル−１−ヘキサデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（４．１４ｇ，６７％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．３８（ｓ，２Ｈ），２．４２（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），１．６３−１．５７（ｍ，４Ｈ），１．４４−１．３９（ｍ，４Ｈ），１．３１−１．２５（ｍ，８２Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３９．９，１２９．４，１１６．２，９３．１，７３．５，３７．１，３３．６，３２．９，３１．９，３０．１，２９．７，２９．６，２９．４，２６．７，２５．８，２２．７，１９．９，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５０，２９１５，２８４８，２３６２，２３３３，１４６９，１４５７，１４２８，１３７３，１３４４，１２６１，１０９７，１０２７，８３８，８０２，７３２，７１７。
［参考例１９］
【０４３０】
【化３２０】
2020111737.tif 000321
【０４３１】
３，６−ビス（５−デシル−１−ヘキサデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．８５ｇ，２．０２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４０ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウム（３．０ｍＬ，４．６５ｍｍｏｌ）を加え、４時間撹拌した。その後、ヨウ素（１．２３ｇ，４．８５ｍｍｏｌ）を加え、１．５時間撹拌した。飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、白色固体の２，５−ジヨード−３，６−ビス（５−デシル−１−ヘキサデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．６７ｇ，７１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ２．４６（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），１．６５−１．５８（ｍ，４Ｈ），１．４９−１．４３（ｍ，４Ｈ），１．３１−１．２５（ｍ，８２Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４１．９，１２３．２，９７．４，８２．５，３７．１，３３．７，３２．９，３１．９，３０．２，２９．７，２９．６，２９．３，２６．７，２５．７，２２．７，２０．０，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９４８，２９１７，２８４８，２３５２，２２２７，１４６９，１３３０，８６９，７１９，６２０。
［参考例２０］
【０４３２】
【化３２１】
2020111737.tif 000322
【０４３３】
２，５−ジヨード−３，６−ビス（５−デシル−１−ヘキサデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（１．６７ｇ，１．４３ｍｍｏｌ）とチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−ボロン酸（０．６５７ｇ，３．５７ｍｍｏｌ）、１，２−ジメトキシエタン（３６ｍＬ）ならびに２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１４ｍＬ，２８ｍｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下で（ＡＭＰＨＯＳ）２ＰｄＣｌ２（１０１ｍｇ，１４３μｍｏｌ）を加えて６０時間還流した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちに飽和塩化アンモニウム水溶液を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝１０／１）で精製し、黄色固体の２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−３，６−ビス（５−デシル−１−ヘキサデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェンを得た（１．０２ｇ，５９％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．７１（ｓ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．２４（ｄｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，０．４Ｈｚ，２Ｈ），２．５８（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），１．７３−１．６６（ｍ，４Ｈ），１．５３−１．４９（ｍ，４Ｈ），１．３７−１．２３（ｍ，８２Ｈ），０．８７（ｄｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２．０Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３９．９，１３９．４，１３９．２，１３８．５，１３８．２，１２７．９，１１９．４，１１７．１，１１１．２，９９．５，３７．２，３３．７，３３．２，３１．９，３０．２，２９．７，２９．６，２９．４，２６．７，２５．７，２２．７，２０．５，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９１７，２８４８，２３６２，２３３３，１４６９，１４１９，１３７８，１３４９，１１９１，１０７９，９５０，９０８，８５６，８１７，８０４，７５９，７１９，７００，６５１，６３２，６１７，６０５。
［実施例１］
【０４３４】
【化３２２】
2020111737.tif 000323
【０４３５】
２’，５’−ビス（２−ブロモチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−５−イル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシルオキシ）−ｐ−ターフェニル（９７８ｍｇ，７１４μｍｏｌ）をジクロロメタン（７３ｍＬ）に溶かして１５分間アルゴンバブリンを行った。さらに、ニトロメタン（７ｍＬ）に溶かした塩化鉄（ＩＩＩ）（１．０３ｇ，６．３４ｍｍｏｌ）を滴下した後にアルゴンバブリンを行いながら１時間撹拌した。アルゴンバブリンを止めてさらに１時間撹拌した後に、反応溶液をメタノール／１０ｗｔ％濃塩酸の溶液に滴下した。濾過を行い、得られた沈殿物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、メタノールで洗浄した後に、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル；ヘキサン：クロロホルム＝５：１）で精製を行い、黄色固体の（２００−１０）を得た（７３１ｍｇ，７５％）。
１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ８．１９（ｓ，２Ｈ），８．１４（ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，２Ｈ），７．２０（ｓ，２Ｈ），７．１１−７．０８（ｍ，２Ｈ），７．０４（ｓ，２Ｈ），４．０６（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，４Ｈ），２．０１−１．９６（ｍ，２Ｈ），１．６９−１．２６（ｍ，８０Ｈ），０．９０−０．８５（ｍ，１２Ｈ）。
［実施例２］
【０４３６】
【化３２３】
2020111737.tif 000324
【０４３７】
２’，５’−ビス（２−ブロモ−チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−４，４’’−ビス（２−デシルテトラデシル）−ｐ−ターフェニル（０．１３３ｇ，０．１００ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）の混合物を１５分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、塩化鉄（ＩＩＩ）（０．１４６ｇ，０．９００ｍｍｏｌ）とニトロメタン（１ｍＬ）の混合物を滴下した後にアルゴンバブリングを行いながら１．５時間撹拌した。反応終了後、メタノール／１０ｗｔ％濃塩酸の溶液に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、メタノールで洗浄し後に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／ヘキサン＝１／１）と再結晶（ヘキサン）で精製することで橙色固体の（２００−７）を得た（０．０９５ｇ，７１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ８．３５（ｓ，２Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），７．５８（ｓ，２Ｈ），７．３４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ），７．２３（ｓ，２Ｈ），２．７９（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，４Ｈ），１．８７−１．８１（ｍ，２Ｈ），１．４５−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８６−０．８３（ｍ，１２Ｈ）．
［実施例３］
【０４３８】
【化３２４】
2020111737.tif 000325
【０４３９】
２，５−ビス（１−ヘンイコシニル）−１，４−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２−イル）ベンゼン（０．１８７ｇ，０．２００ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（５ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＤＢＵ（９０μＬ，０．６０ｍｍｏｌ）を加えて１８０℃で１１時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに滴下した。生じた茶色個体をろ別した後に、得られた個体を再結晶（クロロホルム）で精製し、黄色固体の（２００−７３）を得た（７６ｍｇ，４０％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ８．６１（ｓ，２Ｈ），７．７６（ｓ，２Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４７（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．２２（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），１．９１（ｐｅｎｔｅｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６０（ｐｅｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），１．４３−１．４１（ｍ，４Ｈ），１．３１−１．２５（ｍ，５６Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
［実施例４］
【０４４０】
【化３２５】
2020111737.tif 000326
【０４４１】
（２００−７３）（０．２９３ｇ，０．３１３ｍｍｏｌ）と１，２−ジメトキシエタン（１０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でビス（ピナコラト）ジボロン（０．１９１ｇ，０．７５２ｍｍｏｌ）と４，４’−ジノニル−２，２’−ビピリジル（１３ｍｇ，３２μｍｏｌ）、ならびに（１，５−シクロオクタジエン）（メトキシ）イリジウム（Ｉ）（ダイマー）（１０ｍｇ，１５μｍｏｌ）を加えて３６時間還流した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷やした後に減圧下で濃縮した。得られた残渣を再結晶（ヘキサン）で精製し、黄色固体の（１２−３８）を得た（０．２１６ｇ，５８％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ８．５７（ｓ，２Ｈ），７．９５（ｓ，２Ｈ），７．７１（ｓ，２Ｈ），３．２２（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），１．９１（ｐｅｎｔｅｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．６０−１．５４（ｍ，４Ｈ），１．４１−１．２５（ｍ，８４Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，６Ｈ）。
［実施例５］
【０４４２】
【化３２６】
2020111737.tif 000327
【０４４３】
２，５−ビス（３−デシルペンタデシニル）−１，４−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）ベンゼン（１．００ｇ，０．９２９ｍｍｏｌ）とＮＭＰ（２５ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＤＢＵ（０．４２ｍＬ，２．８ｍｍｏｌ）を加えて１８０℃で９時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やした後にメタノールに滴下した。生じた茶色個体をろ別したのちに、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の（２００−７６）を得た（０．５６０ｇ，５６％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ８．６０（ｓ，２Ｈ），７．７１（ｓ，２Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．４６（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．１５（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．１２−２．０６（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，１２Ｈ）。
［実施例６］
【０４４４】
【化３２７】
2020111737.tif 000328
【０４４５】
（２００−７６）（０．１０６ｇ，９８．２μｍｏｌ）とＴＨＦ（５ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウムの１．６Ｍヘキサン溶液（０．１５ｍＬ，０．２４ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。その後、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラフルオロエタン（３５μＬ，０．３０ｍｍｏｌ）を加えて室温で１３時間撹拌した。反応終了後、水を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄した後に無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、黄色固体の（２００−４）を得た（３０ｍｇ，２１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ８．４４（ｓ，２Ｈ），７．６１（ｓ，２Ｈ），７．４２（ｓ，２Ｈ），３．００（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），２．０２−１．９９（ｍ，２Ｈ），１．４６−１．２１（ｍ，８０Ｈ），０．８８−０．８３（ｍ，１２Ｈ）。
［実施例７］
【０４４６】
【化３２８】
2020111737.tif 000329
【０４４７】
２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（９５ｍｇ，８３μｍｏｌ）とＮＭＰ（１．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＤＢＵ（３７μＬ，０．２５ｍｍｏｌ）を加えて１８０℃で１２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過し、黄色固体の（２００−８８）を得た（８６ｍｇ，９１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５６（ｓ，２Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．０７（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），２．０２−１．９９（ｍ，２Ｈ），１．４３−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８７−０．８３（ｍ，１２Ｈ）。
［実施例８］
【０４４８】
【化３２９】
2020111737.tif 000330
【０４４９】
（２００−８８）（８５ｍｇ，７５μｍｏｌ）とクロロホルム（３．４ｍＬ）ならびに酢酸（０．３４ｍＬ）の混合物にＮ−ブロモコハク酸イミド（３２ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）を加えて室温で３時間撹拌した。反応終了後、水を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再結晶（ヘキサン）で精製し、淡黄色固体の（２００−１６）を得た（８０ｍｇ，８３％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５０（ｓ，２Ｈ），７．３３（ｓ，２Ｈ），３．０７（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．９６−１．９３（ｍ，２Ｈ），１．４２−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８７−０．８３（ｍ，１２Ｈ）。
［実施例９］
【０４５０】
【化３３０】
2020111737.tif 000331
【０４５１】
２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−３，６−ビス（３−デシルペンタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（９５ｍｇ，８３μｍｏｌ）とＮＭＰ（１．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＤＢＵ（３７μＬ，０．２５ｍｍｏｌ）を加えて１８０℃で１２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過し、黄色固体の（２００−８８）を得た（８６ｍｇ，９１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５６（ｓ，２Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．０７（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），２．０２−１．９９（ｍ，２Ｈ），１．４３−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８７−０．８３（ｍ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３７．０，１３６．０，１３４．９，１３３．８，１３３．０，１３２．４，１３０．３，１３０．１，１２８．２，１１９．７，１１８．９，３９．６，３７．７，３３．０，３１．９，３０．１，２９．７，２９．６，２９．４，２６．２，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５６，２９１７，２８７３，２８５０，１５４０，１５０８，１４６５，１４５５，１３８６，１３６１，１３０３，１２６５，１１８４，１０７９，９０２，８５６，８２５，７９６，７５０，７２１，６９４，６５３，６４２，６２０，６０５。
［実施例１０］
【０４５２】
【化３３１】
2020111737.tif 000332
【０４５３】
（２００−８８）（８５ｍｇ，７５μｍｏｌ）とクロロホルム（３．４ｍＬ）ならびに酢酸（０．３４ｍＬ）の混合物にＮ−ブロモコハク酸イミド（３２ｍｇ，０．１８ｍｍｏｌ）を加えて室温で３時間撹拌した。反応終了後、水を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再結晶（ヘキサン）で精製し、淡黄色固体の（２００−１６）を得た（８０ｍｇ，８３％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５０（ｓ，２Ｈ），７．３３（ｓ，２Ｈ），３．０７（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），１．９６−１．９３（ｍ，２Ｈ），１．４２−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８７−０．８３（ｍ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３５．５，１３４．８，１３４．５，１３３．５，１３２．４，１３２．２，１２９．９，１２９．８，１２２．２，１１８．８，１１４．４，３９．８，３７．６，３３．０，３１．９，３０．１，２９．７，２９．６，２９．４，２６．２，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５６，２９１９，２８５０，１４６５，１４５７，１４３６，１３６１，１２９９，１２６３，１１７８，１１５１，１０７８，９７７，９６３，８４６，８２５，８０９，８０４，７２１。
［実施例１１］
【０４５４】
【化３３２】
2020111737.tif 000333
【０４５５】
（２００−８８）（０．４４７ｇ，０．３９３ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１６ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．６０ｍＬ，０．９４２ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、イソプロポキシボロン酸ピナコール（０．２４ｍＬ，０．２１９ｇ，１．１８ｍｍｏｌ）を加え、１時間撹拌した。反応溶液に水を加えてクロロホルムで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再結晶（ヘキサン／アセトン）で精製し、淡黄色固体の（２００−４１）を得た（０．４０２ｇ，７４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．８７（ｓ，２Ｈ），７．６５（ｓ，２Ｈ），３．１６（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），２．０７−２．０１（ｍ，２Ｈ），１．４８−１．４０（ｍ，３２Ｈ），１．２９−１．２２（ｍ，７２Ｈ），０．８７−０．８２（ｍ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４１．６，１３８．５，１３７．５，１３４．１，１３３．９，１３２．９，１３０．８，１３０．４，１２９．２，１１８．７，８４．４，３９．２，３７．９，３３．１，３１．９，３０．０，２９．７，２９．４，２６．４，２４．８，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５６，２９２１，２８５２，２３６０，１５００，１４５７，１４３８，１３８８，１３６３，１３３０，１２５３，１２０９，１１３５，１０３１，１０２２，９５８，８８１，８５０，８３１，７２１，６５７，６０７。
［実施例１２］
【０４５６】
【化３３３】
2020111737.tif 000334
【０４５７】
（２００−８８）（０．１５０ｇ，０．１３２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（５．３ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．２０ｍＬ，０．３１６ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、トリメチルすずクロリド（７８．８ｍｇ，０．３９５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１３時間撹拌した。反応溶液に水を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残渣を再沈殿（エタノール）で精製し、淡黄色固体の（２００−６４）を得た（０．１３２ｇ，６８％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．６０（ｓ，２Ｈ），７．４２（ｓ，２Ｈ），３．１２（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），２．０７−１．９８（ｍ，２Ｈ），１．４３−１．２２（ｍ，８０Ｈ），０．８７−０．８２（ｍ，１２Ｈ），０．４８（ｓ，１８Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４２．８，１４１．０，１３８．０，１３７．４，１３４．０，１３３．４，１３２．４，１３０．３，１３０．２，１２６．８，１１８．８，３９．５，３７．８，３３．１，３１．９，３０．１，２９．７，２９．４，２６．３，２２．７，１４．１，−８．０。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５６，２９１９，２８５２，２３６０，１４５７，１３８６，１３６３，１３０１，１１８９，１１６０，１０７４，９５６，８１７，７６７，７１９，６２８，６０９。
［実施例１３］
【０４５８】
【化３３４】
2020111737.tif 000335
【０４５９】
２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオニル）−３，６−ビス（４−ドデシルオクタデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（６００ｍｇ，０．４８０ｍｍｏｌ）とＮ−メチルピロリドン（９．６ｍＬ）の混合物を４０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下で１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（０．２１ｍＬ，０．２２０ｇ，１．４４ｍｍｏｌ）を加えて１８０℃で１９時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過し、白色固体の（２００−１０３）を得た（４８６ｍｇ，８１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．６１（ｓ，２Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．１１（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），２．０７−２．０１（ｍ，２Ｈ），１．５４−１．２２（ｍ，９６Ｈ），０．８６（ｄｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２．０Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３７．１，１３６．１，１３４．９，１３３．８，１３３．１，１３２．４，１３０．３，１３０．２，１１９．７，１１８．９，３９．６，３７．７，３３．０，３１．９，３０．１，２９．７，２９．６，２９．４，２６．２，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９１８，２８４８，２３６２，１４７１，７１９。
［実施例１４］
【０４６０】
【化３３５】
2020111737.tif 000336
【０４６１】
（２００−１０３）（３９７ｍｇ，０．３２０ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１２．８ｍＬ）の混合物に０℃でｎ−ブチルリチウム（０．５０ｍＬ，０．７７ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、Ｍｅ３ＳｎＣｌ（１９１ｍｇ，０．９６０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２０．５時間撹拌した。反応溶液に水を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残さを再沈殿（エタノール）で精製し、淡黄色固体の（２００−９７）を得た（４５４ｍｇ，９０％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．５９（ｓ，２Ｈ），７．４１（ｓ，２Ｈ），３．１２（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），２．０２（ｂｓ，１Ｈ），１．４３−１．２２（ｍ，９６Ｈ），０．８６（ｄｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，４．０Ｈｚ，１２Ｈ），０．４８（ｓ，１８Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４２．７，１４０．９，１３８．０，１３７．４，１３３．９，１３３．４，１３２．４，１３０．３，１３０．２，１２６．８，１１８．８，３９．５，３７．８，３３．１，３１．９，３０．１，２９．７，２９．６，２９．４，２６．３，２２．７，１４．１，−８．０。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９１８，２８５０，１４７１，９５２，７６６，７１９。
［実施例１５］
【０４６２】
【化３３６】
2020111737.tif 000337
【０４６３】
２，５−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チエニル）−３，６−ビス（５−デシル−１−ヘキサデシニル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（２００ｍｇ，１６７μｍｏｌ）とＮ−メチルピロリドン（３．３ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でジアザビシクロウンデセン（７５μＬ，７６．５ｍｇ，５０２μｍｏｌ）を加えて１８０℃で１４時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝４／１）で精製し、黄色固体の（２００−１１２）を得た（１６２ｍｇ，８１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．６２（ｓ，２Ｈ），７．５４（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．１３−３．０９（ｍ，４Ｈ），１．８５−１．７７（ｍ，４Ｈ），１．５６−１．５１（ｍ，４Ｈ），１．４０−１．２４（ｍ，８２Ｈ），０．８７（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１３６．９，１３６．０，１３４．７，１３４．０，１３３．７，１３２．４，１３０．３，１２９．８，１２８．２，１１９．７，１１７．３，３７．５，３４．９，３３．７，３１．９，３０．２，２９．８，２９．７，２９．６，２９．４，２７．５，２６．８，２２．７，１４．１。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９１９，２８５０，２３６０，１４５７，１４３６，１３８６，１３６３，１３１１，１１８７，１０７４，９０２，８５８，８１９，７９４，７５０，７２１，７０１，６５７，６３８，６１９。
［実施例１６］
【０４６４】
【化３３７】
2020111737.tif 000338
【０４６５】
（２００−１１２）（３００ｍｇ，０．２５１ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）の混合物に、０℃でｎ−ブチルリチウム（０．４０ｍＬ，０．６２０ｍｍｏｌ）を加え、３時間撹拌した。その後、トリメチルすずクロリド（１５０ｍｇ，０．７５４ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。反応溶液に水を加えてヘキサンで抽出した。集めた有機層を水と飽和食塩水で洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥してろ別し、減圧下で溶媒を留去した。得られた残さを再沈殿（エタノール）で精製し、淡黄色固体の（２００−１０６）を得た（３５４ｍｇ，９３％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ）δ７．６７（ｓ，２Ｈ），７．４３（ｓ，２Ｈ），３．１９−３．１５（ｍ，４Ｈ），１．８７−１．８０（ｍ，４Ｈ），１．５８−１．５４（ｍ，４Ｈ），１．４０−１．２４（ｍ，８２Ｈ），０．８６（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，１２Ｈ），０．４８（ｓ，１８Ｈ）。
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，１００ＭＨｚ）δ１４２．９，１４０．８，１３８．０，１３７．３，１３４．４，１３３．９，１３２．４，１３０．５，１２９．８，１２６．９，１１７．４，３７．５，３４．９，３３．７，３１．９，３０．２，２９．８，２９．７，２９．６，２９．４，２７．７，２６．８，２２．７，１４．１，−８．０。
ＩＲ（ＡＴＲ，ｃｍ−１）：２９５６，２９１９，２８５２，２３６６，１４５７，１４３６，１４１９，１３７３，１３０３，１１８９，１１７６，１１５９，９５２，８１９，７７１，７２１。
［実施例１７］
【０４６６】
【化３３８】
2020111737.tif 000339
【０４６７】
（２００−１０）（１００ｍｇ，７３．３μｍｏｌ）と２，６−ビス（トリメチルスズ）−チエノ［３，２−ｂ］チオフェン（３４．１ｍｇ，７３．３μｍｏｌ）、ならびにトルエン（２．５ｍＬ）の混合物を凍結脱気した。この混合液に、アルゴン気流下でＰｄ（ＰＰｈ３）４（４．４０ｍｇ，３．８１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６７時間撹拌して室温まで冷やした。この混合液溶媒を減圧下で留去した。得られた固体を少量のクロロホルムに溶解し、メタノールと濃塩酸の混合液（３００ｍＬ／３０ｍＬ）に滴下してろ過した。得られた固体を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、メタノールで洗浄したのちにソックスレー抽出（メタノール→アセトン→ヘキサン→クロロホルム→モノクロロベンゼン→テトラリン）を行い、それぞれ濃縮した溶液をメタノールに滴下したのち、生じた沈殿をろ別した。得られた固体を９０℃で減圧乾燥することで、モノクロロベンゼンに可溶な赤色固体の（１４−１）（１５．０ｍｇ，１５％）を得た。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝３２００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝４９００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝１．５３。
［実施例１８］
【０４６８】
【化３３９】
2020111737.tif 000340
【０４６９】
（２００−１０）（１００ｍｇ，７３．３μｍｏｌ）と２，６−ビス（トリメチルスズ）−４，８−ビス（２−エチルヘキシルオキシ）ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン（６６．２ｍｇ，７３．２μｍｏｌ）、ならびにトルエン（２．５ｍＬ）の混合物を凍結脱気した。この混合液に、アルゴン気流下でＰｄ（ＰＰｈ３）４（５．８７ｍｇ，５．０８μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６７時間撹拌して室温まで冷やした。この混合液溶媒を減圧下で留去した。得られた固体を少量のクロロホルムに溶解し、メタノールと濃塩酸の混合液（３００ｍＬ／３０ｍＬ）に滴下してろ過した。得られた固体を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、メタノールで洗浄したのちにソックスレー抽出（メタノール→アセトン→ヘキサン→クロロホルム）を行い、クロロホルムに可溶部を９０℃で減圧乾燥することで、赤色固体の（１４−３）を得た（１２３ｍｇ，９４％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）Ｍｎ＝６９００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝３７９００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝５．４９。
［実施例１９］
【０４７０】
【化３４０】
2020111737.tif 000341
【０４７１】
（２００−１０）（１００ｍｇ，７３．３μｍｏｌ）とベンゾチアジアゾール（２８．６ｍｇ、７３．６ｍｍｏｌ）、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン（１．４０ｇ、４．６０μｍｏｌ）、塩化トリ（ｎ−オクチルメチル）アンモニウム１滴、トルエン（２ｍＬ）、ならびに１Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（０．４ｍＬ、４００μｍｏｌ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合液に、アルゴン気流下でトリス（ジベンジデンアセトン）ジパラジウム（０）・クロロホルム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３）（１．７６ｍｇ、１．７０μｍｏｌ）を加えて３０分間アルゴンバブリングしたのちに６７時間還流して室温まで冷やした。この混合液溶媒を減圧下で濃縮し、メタノールと濃塩酸の混合液（３００ｍＬ／３０ｍＬ）に滴下してろ過した。得られた固体を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、メタノールで洗浄したのちにソックスレー抽出（メタノール→アセトン→ヘキサン→シクロヘキサン→クロロホルム）を行い、クロロホルムに可溶部を濃縮した溶液をメタノールに滴下した後、生じた沈殿をろ別した。得られた固体を９０℃で減圧乾燥することで、青黒色固体の（１４−２）を得た（３５ｍｇ，３６％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）Ｍｎ＝１９１００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝７８３００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝４．０９。Ｔｄ３＝３２３℃、Ｔｄ５＝３３８℃、Ｔｄ１０＝３６４℃。
［実施例２０］
【０４７２】
【化３４１】
2020111737.tif 000342
【０４７３】
（２００−７）（９０．０ｍｇ，６７．５μｍｏｌ）と４，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（２６．２ｍｇ，６７．５μｍｏｌ）と炭酸ナトリウム（３５．６ｍｇ，３３７μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．２ｍｇ，４．０μｍｏｌ）、トルエン（１．７ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．３４ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．３μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６８時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過し、黒色固体の（１４−２４）（８５．８ｍｇ，９７％）を得た。ＧＰＣ（ＴＨＦ）Ｍｎ＝８８００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２５７００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝２．９３。
［実施例２１］
【０４７４】
【化３４２】
2020111737.tif 000343
【０４７５】
（２００−２６）（１００ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ジヒドロ−２，５−ジオクチルピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（５７．５ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と炭酸ナトリウム（４４．６ｍｇ，４２１μｍｏｌ）とトルエン（２．１ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．４２ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．８ｍｇ，１．７μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６５．５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やした後にメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ＤＣＢに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−４）を得た（１７ｍｇ，１４％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝５１１０、Ｍｗ＝１６９００、ＰＤＩ＝３．３０。Ｔｄ３＝３６９℃、Ｔｄ５＝３９６℃、Ｔｄ１０＝４２６℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２２］
【０４７６】
【化３４３】
2020111737.tif 000344
【０４７７】
（２００−２６）（１００ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（７６．４ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と１Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（０．４２ｍＬ，０．４２ｍｍｏｌ）とトルエン（２．１ｍＬ）ならびに１滴のＡｌｉｑｕａｔ３３６の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．８ｍｇ，１．７μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６５．５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やした後にメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ＤＣＢに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−５）を得た（６１ｍｇ，４３％）。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）Ｍｎ＝６２００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２２８００ｇ／ｍｏｌ、
ＰＤＩ＝３．６６。Ｔｄ３＝３３２℃、Ｔｄ５＝３６７℃、Ｔｄ１０＝４１０℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２３］
【０４７８】
【化３４４】
2020111737.tif 000345
【０４７９】
（２００−２６）（１００ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（２４．８ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と炭酸ナトリウム（４４．６ｍｇ，４２１μｍｏｌ）とトルエン（２．１ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．４２ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．８ｍｇ，１．７μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やした後にメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサンおよびクロロホルムを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をモノクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−７）を得た（７．２ｍｇ，８％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝４１００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝４５５００、ＰＤＩ＝１１．１。
［実施例２４］
【０４８０】
【化３４５】
2020111737.tif 000346
【０４８１】
（２００−３８）（１００ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（３８．６ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と炭酸ナトリウム（４４．６ｍｇ，４２１μｍｏｌ）とトルエン（２．１ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．４２ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．８ｍｇ，１．７μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６７．５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やした後にメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ＤＣＢに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−９）を得た（１３ｍｇ，１３％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝１０００、Ｍｗ＝１０３００、ＰＤＩ＝１０．３。Ｔｄ３＝２１６℃、Ｔｄ５＝３８１℃、Ｔｄ１０＝４３７℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２５］
【０４８２】
【化３４６】
2020111737.tif 000347
【０４８３】
（２００−３８）（１００ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−ブロモ−４−ドデシル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（６６．９ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と炭酸ナトリウム（４４．６ｍｇ，４２１μｍｏｌ）とトルエン（２．１ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．４２ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．８ｍｇ，１．７μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ＤＣＢに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−８）を得た（２８ｍｇ，２１％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝１２９００、Ｍｗ＝３１２００、ＰＤＩ＝２．４２。Ｔｄ３＝２９９℃、Ｔｄ５＝３３９℃、Ｔｄ１０＝３９９℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２６］
【０４８４】
【化３４７】
2020111737.tif 000348
【０４８５】
（２００−３８）（１００ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２−ｎ−オクチル−２Ｈ−ベンゾトリアゾール（４６．６ｍｇ，８４．２μｍｏｌ）と炭酸ナトリウム（４４．６ｍｇ，４２１μｍｏｌ）とトルエン（２．１ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．４２ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．８ｍｇ，１．７μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ＤＣＢに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−６）を得た（２０ｍｇ，１８％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝３８６０、Ｍｗ＝１２７００、ＰＤＩ＝３．２９。Ｔｄ３＝３２３℃、Ｔｄ５＝３５３℃、Ｔｄ１０＝４０９℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２７］
【０４８６】
【化３４８】
2020111737.tif 000349
【０４８７】
（２００−４）（１００ｍｇ，８１．１μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−トリメチルスタンニル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（５０．７ｍｇ，８１．１μｍｏｌ）ならびにトルエン（２．０ｍＬ）の混合物を凍結脱気した。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ（ＰＰｈ３）４（４．７ｍｇ，４．１μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６４時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やした後にメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ＤＣＢに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄した後に９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１０）を得た（３５ｍｇ，３２％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝３９００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２８５００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝７．３１。Ｔｄ３＝３３８℃、Ｔｄ５＝３５９℃、Ｔｄ１０＝３９０℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２８］
【０４８８】
【化３４９】
2020111737.tif 000350
【０４８９】
（２００−１６）（１００ｍｇ，７７．２μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−トリメチルスタンニル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（４８．３ｍｇ，７７．２μｍｏｌ）ならびにトルエン（１．９ｍＬ）の混合物を凍結脱気した。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ（ＰＰｈ３）４（４．６ｍｇ，３．９μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１１）を得た（３５ｍｇ，３１％）。
高温ＧＰＣ：Ｍｎ＝５４００、Ｍｗ＝９１００、ＰＤＩ＝１．６８。Ｔｄ３＝３６７℃、Ｔｄ５＝３８９℃、Ｔｄ１０＝４２４℃。ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例２９］
【０４９０】
【化３５０】
2020111737.tif 000351
【０４９１】
（２００−４１）（２００ｍｇ，１４４μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ジヒドロ−２，５−ジオクチルピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（９８．２ｍｇ，１４４μｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７６．３ｍｇ，７１９μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２．６ｍｇ，８．６μｍｏｌ）、テトラリン（３．６ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（３．０ｍｇ，２．９μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６６時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１７７）を得た（３０ｍｇ，１３％）。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝４３００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝１４９００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．４７。
Ｔｄ３＝３４９℃，Ｔｄ５＝３６０℃，Ｔｄ１０＝３７５℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３０］
【０４９２】
【化３５１】
2020111737.tif 000352
【０４９３】
（２００−６４）（２００ｍｇ，１４４μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（１３１ｍｇ，１４４μｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７６．３ｍｇ，７１９μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２．６ｍｇ，８．６μｍｏｌ）、テトラリン（３．６ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（３．０ｍｇ，２．９μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６６時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８１）を得た（２５４ｍｇ，９４％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝４４０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝３２６０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝７．７１。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝３７７００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝８６９００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝２．３１。
Ｔｄ３＝３４８℃，Ｔｄ５＝３５８℃，Ｔｄ１０＝３７１℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３１］
【０４９４】
【化３５２】
2020111737.tif 000353
【０４９５】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６２．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにモノクロロベンゼン（１．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（１．６ｍｇ，１．４μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８１）を得た（１２４ｍｇ，９６％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝２９０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝６１９０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝２１．４。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１５０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝８９０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝６．００。
Ｔｄ３＝３６４℃，Ｔｄ５＝３７５℃，Ｔｄ１０＝３８９℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３２］
【０４９６】
【化３５３】
2020111737.tif 000354
【０４９７】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６２．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８１）を得た（１２４ｍｇ，９５％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝６８０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝４３００００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝６．２８。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１２０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝４８０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝４．１６。
Ｔｄ３＝３６５℃，Ｔｄ５＝３７７℃，Ｔｄ１０＝３９２℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３３］
【０４９８】
【化３５４】
2020111737.tif 000355
【０４９９】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６２．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて２００℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８１）を得た（１１８ｍｇ，９１％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝６５０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝４２３０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝６．４６。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１２０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝５３０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝４．３９。
Ｔｄ３＝３３７℃，Ｔｄ５＝３４６℃，Ｔｄ１０＝３６０℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３４］
【０５００】
【化３５５】
2020111737.tif 000356
【０５０１】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６２．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにモノクロロベンゼン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８１）を得た（１０８ｍｇ，８４％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝６３０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝３０６０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝４．８８。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１４０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝５１０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．７４。
Ｔｄ３＝３３８℃，Ｔｄ５＝３５２℃，Ｔｄ１０＝３６８℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３５］
【０５０２】
【化３５６】
2020111737.tif 000357
【０５０３】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６２．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにモノクロロベンゼン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）とヨウ化銅（Ｉ）（１．０ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８１）を得た（１１２ｍｇ，８７％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝６００００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝２５１０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝４．１６。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１３０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝４００００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．１０。
Ｔｄ３＝３３６℃，Ｔｄ５＝３４８℃，Ｔｄ１０＝３６５℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３６］
【０５０４】
【化３５７】
2020111737.tif 000358
【０５０５】
（１２−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６２．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。その後、反応溶液に２−（トリブチルスタンニル）チオフェン（０．２０ｍＬ，２２９ｍｇ，０．６１５ｍｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で１０分撹拌した。さらに、２−ブロモチオフェン（０．０６ｍＬ，１１１ｍｇ，０．６８３ｍｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で１０分撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体のチオフェンで末端官能基化された（１４−１８１）を得た（７０ｍｇ，５４％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝２８０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝４９０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝１．７５。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝８０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝１９０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝２．３５。
Ｔｄ３＝３４０℃，Ｔｄ５＝３６７℃，Ｔｄ１０＝３９６℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３７］
【０５０６】
【化３５８】
2020111737.tif 000359
【０５０７】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−オクチルドデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６９．６ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびメチルエチルケトンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをヘキサンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８５）を得た（１０５ｍｇ，７７％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝１００００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝３３０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝３．３０。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝４６００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝１６４００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．５５。
Ｔｄ３＝３３９℃，Ｔｄ５＝３８３℃，Ｔｄ１０＝４１１℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３８］
【０５０８】
【化３５９】
2020111737.tif 000360
【０５０９】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−デシルテトラデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（７７．３ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８９）を得た（１１５ｍｇ，８０％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝６７０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝３４７０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝５．１６。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１６０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝４８０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝２．９２。
Ｔｄ３＝３５０℃，Ｔｄ５＝３８８℃，Ｔｄ１０＝４１３℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例３９］
【０５１０】
【化３６０】
2020111737.tif 000361
【０５１１】
（２００−４１）（２００ｍｇ，１４４μｍｏｌ）とＤＰＰ−Ｏ４（１２１ｍｇ，１４４μｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７６．３ｍｇ，７１９μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２．６ｍｇ，８．６μｍｏｌ）、テトラリン（３．６ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（３．０ｍｇ，２．９μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６６時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−２００）を得た（モノクロロベンゼン抽出分：６９ｍｇ，２７％，ｏ−ジクロロベンゼン抽出分：１４１ｍｇ，５４％）。
モノクロロベンゼン抽出分：
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝５７００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝３０６００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝５．３２。
Ｔｄ３＝３４７℃，Ｔｄ５＝３８８℃，Ｔｄ１０＝４０７℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
ｏ−ジクロロベンゼン抽出分：
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝５３００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２９４００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝５．５３。
Ｔｄ３＝３３９℃，Ｔｄ５＝３４９℃，Ｔｄ１０＝３６５℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４０］
【０５１２】
【化３６１】
2020111737.tif 000362
【０５１３】
（２００−９７）（１００ｍｇ，６３．５μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（５７．５ｍｇ，６３．５μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．３ｍｇ，１．３μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８２）を得た（１４７ｍｇ，ｑｕａｎｔ）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝１２７０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝６５００００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝５．１２。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１５０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝５６０００、ＰＤＩ＝３．５６。
Ｔｄ３＝２３７℃，Ｔｄ５＝３２４℃，Ｔｄ１０＝３７２℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４１］
【０５１４】
【化３６２】
2020111737.tif 000363
【０５１５】
（２００−９７）（１００ｍｇ，６３．５μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−デシルテトラデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（７７．３ｍｇ，６３．５μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．３ｍｇ，１．３μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１９０）を得た（１４０ｍｇ，ｑｕａｎｔ）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝４６０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝４１００００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝８．９２。
Ｔｄ３＝３３１℃，Ｔｄ５＝３４６℃，Ｔｄ１０＝３６５℃。
ＤＳＣ：Ｔｇ＝１８３℃。
［実施例４２］
【０５１６】
【化３６３】
2020111737.tif 000364
【０５１７】
（２００−１０６）（１００ｍｇ，６５．８μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（５９．７ｍｇ，６５．８μｍｏｌ）ならびにモノクロロベンゼン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．３μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．６ｍｇ，５．３μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８３）を得た（１１１ｍｇ，８７％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝１４９０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝９３５０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝６．２９。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１５０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝１０８０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝７．２３。
Ｔｄ３＝３４８℃，Ｔｄ５＝３５８℃，Ｔｄ１０＝３７３℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４３］
【０５１８】
【化３６４】
2020111737.tif 000365
【０５１９】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と４，７−ジブロモ−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（２０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサンおよびクロロホルムを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをモノジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−２０９）を得た（３３ｍｇ，３８％）。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝５５００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２３０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝４．１５。
Ｔｄ３＝３７３℃，Ｔｄ５＝３８９℃，Ｔｄ１０＝４１０℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４４］
【０５２０】
【化３６５】
2020111737.tif 000366
【０５２１】
（２００−１６）（１００ｍｇ，７７．２μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−トリメチルスタンニル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（４８．３ｍｇ，７７．２μｍｏｌ）ならびにトルエン（１．９ｍＬ）の混合物を凍結脱気した。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ（ＰＰｈ３）４（４．６ｍｇ，３．９μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−２８）を得た（３５ｍｇ，３１％）。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝５５００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝９０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝１．６６。
Ｔｄ３＝３６７℃，Ｔｄ５＝３８９℃，Ｔｄ１０＝４２４℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４５］
【０５２２】
【化３６６】
2020111737.tif 000367
【０５２３】
（２００−４１）（２００ｍｇ，１４４μｍｏｌ）と４，７−ビス（５−ブロモ−４−ドデシル−２−チエニル）−２，１，３−ベンゾチアジアゾール（１１４ｍｇ，１４４μｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（７６．３ｍｇ，７１９μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２．６ｍｇ，８．６μｍｏｌ）、テトラリン（３．６ｍＬ）ならびにＤＭＳＯ（０．７ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、アルゴン気流下でＰｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（３．０ｍｇ，２．９μｍｏｌ）を加えて１２０℃で６６時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサンおよびクロロホルムを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をモノクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−２１）を得た（１５４ｍｇ，６０％）。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１４４００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２２１００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝１．５３。
Ｔｄ３＝３３１℃，Ｔｄ５＝３４５℃，Ｔｄ１０＝３６９℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４６］
【０５２４】
【化３６７】
2020111737.tif 000368
【０５２５】
（２００−６４）（９０．５ｍｇ，６１．８μｍｏｌ）と２，５−ビス（２−ヘキシルデシル）−３，６−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６３．０ｍｇ，６１．８μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．３ｍｇ，１．２μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，４．９μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−２１３）を得た（クロロホルム抽出分：３９ｍｇ，３２％，モノクロロベンゼン抽出分：１６ｍｇ，１３％，ｏ−ジクロロベンゼン抽出分：２３ｍｇ，１９％）。
クロロホルム抽出分：
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝２８０００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝１１５０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝４．０６。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝１２０００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２３０００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝１．９２。
Ｔｄ３＝２４１℃，Ｔｄ５＝３５３℃，Ｔｄ１０＝４０６℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
ｏ−ジクロロベンゼン抽出分：  
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝９８００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２４９００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．１６。
Ｔｄ３＝３５４℃，Ｔｄ５＝３９４℃，Ｔｄ１０＝４１６℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４７］
【０５２６】
【化３６８】
2020111737.tif 000369
【０５２７】
（２００−６４）（１００ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）と２，５−ビス（２−デシルテトラデシル）−３，６−ビス（チエノ［３，２−ｂ］チオフェニル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（８５．０ｍｇ，６８．３μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．４ｍｇ，１．４μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．７ｍｇ，５．５μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／濃塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトン、ヘキサン、クロロホルムおよびモノクロロベンゼンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残渣をｏ−ジクロロベンゼンに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−２１７）を得た（クロロホルム抽出分：４１ｍｇ，２７％，モノクロロベンゼン抽出分：２６ｍｇ，１７％，ｏ−ジクロロベンゼン抽出分：２８ｍｇ，１８％）。
クロロホルム抽出分：
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝６４００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝３２０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝５．０３。
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝５３００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２０３００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．８４。
Ｔｄ３＝２３４℃，Ｔｄ５＝３２２℃，Ｔｄ１０＝３８６℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
モノクロロベンゼン抽出分：  
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝６７００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２１５００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝３．２２。
Ｔｄ３＝２５７℃，Ｔｄ５＝３４３℃，Ｔｄ１０＝４０２℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
ｏ−ジクロロベンゼン抽出分：  
ＧＰＣ（ＴＣＢ，１２０℃）：Ｍｎ＝９４００ｇ／ｍｏｌ、Ｍｗ＝２３３００ｇ／ｍｏｌ、ＰＤＩ＝２．４９。
Ｔｄ３＝２８４℃，Ｔｄ５＝３６８℃，Ｔｄ１０＝４０９℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４８］
【０５２８】
【化３６９】
2020111737.tif 000370
【０５２９】
（２００−９７）（１００ｍｇ，６３．５μｍｏｌ）と３，６−ビス（５−ブロモ−２−チエニル）−２，５−ビス（２−オクチルドデシル）−２，５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（６４．７ｍｇ，６３．５μｍｏｌ）ならびにテトラリン（２．０ｍＬ）の混合物を３０分間アルゴンバブリングした。この混合溶液に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（１．３ｍｇ，１．３μｍｏｌ）とトリ（ｏ−トリル）ホスフィン（１．５ｍｇ，５．１μｍｏｌ）を加えてマイクロウェーブリアクターを用いて１８０℃で２時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷やしたのちにメタノール／１Ｎ塩酸の混合溶液（１５０ｍＬ／１０ｍＬ）に沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノール、アセトンおよびヘキサンを用いてソックスレー抽出にてこれらの溶媒に可溶な成分を除去した。さらに、フィルター残さをクロロホルムに溶解させ、メタノールに沈殿させることで析出した固体をろ過した。得られた固体をメタノールで洗浄したのちに９０℃で減圧乾燥することで黒色固体の（１４−１８６）を得た（８６ｍｇ，６１％）。
ＧＰＣ（ＴＨＦ）：Ｍｎ＝４００００ｇ／ｍｏｌ，Ｍｗ＝１９２０００ｇ／ｍｏｌ，ＰＤＩ＝４．７７。
Ｔｄ３＝３４１℃，Ｔｄ５＝３６５℃，Ｔｄ１０＝３８９℃。
ＤＳＣで相転移点は観測されなかった。
［実施例４９］
実施例２１で合成した共役系高分子（１４−４）の０．５ｗｔ％ｏ−ＤＣＢ溶液をグローブボックス中、窒素雰囲気下で加熱調製することで有機薄膜の製膜用組成物を得た。
【０５３０】
次に大気下、ガラス基板上に蒸着法でアルミ電極を作成した。アルミ電極上にゲート絶縁膜としてパリレンＣをＣＶＤ法により製膜したのちに、上述した溶液をグローブボックス中で窒素下でスピンコートした。これを１５０℃に加熱し、１５分間保持することで（１５−４）の有機薄膜を作成した。
【０５３１】
該有機薄膜にチャネル長１００μｍ、チャネル幅５００μｍのシャドウマスクを置き、真空下、金を蒸着することでソース及びドレイン電極を付設し、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ素子を作成した（ゲート電極はアルミ、ゲート絶縁層はパリレンＣ、ソース電極は金、ドレイン電極は金）。
【０５３２】
大気下、該有機トランジスタ素子を半導体パラメーターアナライザー（ケースレー製、４２００−ＳＣＳ）に接続し、ドレイン電圧（Ｖｄ＝−１００Ｖ）で、ゲート電圧（Ｖｇ）を＋１０〜−１００Ｖまで１Ｖ刻みで走査し、伝達特性を評価した。該有機トランジスタ素子はｐ型特性を示し、その正孔のキャリア移動度は０．００１８ｃｍ２／Ｖｓであった。１５０℃で１５分間アニール処理したのちの正孔のキャリア移動度は０．００２０ｃｍ２／Ｖｓであった。このことから熱処理後もキャリア移動度が低下しないことを確認した。
［実施例５０〜実施例５５］
実施例４９と同じ操作を繰り返して、表１に示される共役系高分子を用い、有機トランジスタ素子を作成した。キャリア移動度を表１に示した。
【０５３３】
【表１】
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【０５３４】
実施例５０〜実施例５５においても熱処理後のキャリア移動度が低下しないことを確認した。
［実施例５６］
実施例３１で合成した共役系高分子（１４−１８１）の０．５ｗｔ％ｏ−ＤＣＢ溶液をグローブボックス中、窒素雰囲気下で加熱調製することで有機薄膜の製膜用組成物を得た。
【０５３５】
ガラス基板上に下地層としてパリレンＣをＣＶＤ法により製膜したのち、該パリレンＣ層にチャネル長１００μｍ、チャネル幅５００μｍのシャドウマスクを置き、真空下、金を蒸着することでソース及びドレイン電極を付設した。上述した溶液をグローブボックス中で窒素下でスピンコートした。これを１５０℃に加熱し、１５分間保持することで（１４−１８１）の有機薄膜を作成した。ゲート絶縁膜としてパリレンＣをＣＶＤ法により製膜したのちに蒸着法でアルミ電極を作成し、トップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ素子を作成した（ゲート電極はアルミ、ゲート絶縁層はパリレンＣ、ソース電極は金、ドレイン電極は金）。
【０５３６】
大気下、該有機トランジスタ素子を半導体パラメーターアナライザー（ケースレー製、４２００−ＳＣＳ）に接続し、ドレイン電圧（Ｖｄ＝−１００Ｖ）で、ゲート電圧（Ｖｇ）を＋１０〜−１００Ｖまで１Ｖ刻みで走査し、伝達特性を評価した。該有機トランジスタ素子はｐ型特性を示し、その正孔のキャリア移動度は０．１９ｃｍ２／Ｖｓであった。１５０℃で１５分間アニール処理したのちの正孔のキャリア移動度は０．２０ｃｍ２／Ｖｓであった。このことから熱処理後もキャリア移動度が低下しないことを確認した。
［実施例５７〜実施例６０］
実施例５６と同じ操作を繰り返して、表２に示される共役系高分子を用い、有機トランジスタ素子を作成した。キャリア移動度を表２に示した。
【０５３７】
【表２】
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【０５３８】
実施例５７〜実施例６０においても熱処理後のキャリア移動度が低下しないことを確認した。
【産業上の利用可能性】
【０５３９】
本発明により提供される共役系高分子は、高いキャリア移動度を与えるとともに溶媒への溶解性及び耐熱性に優れることから有機トランジスタ素子、並びに有機薄膜太陽電池に代表される半導体デバイス材料としての適用が期待される。
【符号の説明】
【０５４０】
（Ａ）：ボトムゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｂ）：ボトムゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｃ）：トップゲート−トップコンタクト型有機薄膜トランジスタ
（Ｄ）：トップゲート−ボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ
１：有機半導体層
２：基板
３：ゲート電極
４：ゲート絶縁層
５：ソース電極
６：ドレイン電極          
【図１】
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