(57)【要約】【課題】垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について温度検出精度を向上させる。【解決手段】光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部と、制御部を備える。制御部は、駆動回路部により発光部の発光素子が発光駆動される発光対象期間に、複数の温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて予め設定された補正値を用いて補正するようにする。【選択図】図２０
2020031120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、
前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部と、
前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する制御部と、を備えた
光源装置。
【請求項２】
前記補正値は、各温度センサの検出値について、基準検出値との差を示すオフセット値である
請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記補正値は、前記駆動回路部が前記発光部の発光素子を発光駆動していない非発光期間において得られる各温度センサの検出値と、基準検出値を用いて算出される
請求項１に記載の光源装置。
【請求項４】
前記温度検出部は、絶対温度計としての基準温度センサを有し、
前記基準検出値は、前記基準温度センサの検出値である
請求項２に記載の光源装置。
【請求項５】
前記基準検出値は、複数の前記温度センサの検出値の平均値である
請求項２に記載の光源装置。
【請求項６】
前記温度センサは前記発光素子が形成される各メサの直下に配置される
請求項１に記載の光源装置。
【請求項７】
前記駆動回路部は、複数の前記発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされている
請求項１に記載の光源装置。
【請求項８】
前記駆動回路部による前記発光部の駆動方式は、
前記制御部が補正して取得した温度検出値に基づき切り替えられる
請求項１に記載の光源装置。
【請求項９】
前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行う
請求項１に記載の光源装置。
【請求項１０】
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、
前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部とを備えた光源装置において、
前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する
温度検出方法。
【請求項１１】
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、
前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部と、
前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する制御部と、
前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備える
センシングモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備えた光源装置と、その発光部の温度検出を行う温度検出方法と、発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサを備えたセンシングモジュールとに関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を発する発光素子として、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）としての発光素子が知られている（例えば下記特許文献１、２を参照）。
ＶＣＳＥＬとしての発光素子は、共振器が半導体の基板面に対して垂直方向に形成されて、レーザ光を垂直方向に出射するように構成され、近年においては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による被写体の測距を行う際の光源として広く用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９５４３６号公報
【特許文献２】特開２０１５−１０３７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、被写体の測距としてＳＴＬ方式やＴｏＦ方式による測距を行う場合は、ＶＣＳＥＬとしての発光素子を二次元に複数配列した光源が用いられる。具体的には、それら複数の発光素子を発光させて得られる光を被写体に照射し、被写体からの反射光を受光して得られる画像に基づいて被写体の測距が行われる。
【０００５】
上記のような測距を行うにあたり、複数の発光素子を発光させるが、発光素子には温度上昇による発光効率の低下もあり、適切に温度検出を行って、それに応じた駆動制御を行うことが必要とされる。
このため複数の発光素子について温度検出ができるように個々の発光素子や複数の発光素子のブロック毎に、近傍に温度センサ（例えば温度センサを構成するダイオード等の検出素子）を配置することが行われる。ところが、サイズ制約や製造上のバラツキなどにより、複数の温度センサによる検出値の絶対精度を担保することが困難であった。
【０００６】
本技術は上記の事情に鑑み為されたものであり、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について、温度を精度良く検出できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部と、前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する制御部とを備える。
例えば発光素子の配列に対して近傍に温度センサを配置し、複数の発光素子について温度状態を検出できるようにする。このとき、各温度センサの絶対精度を担保するのが困難であるが、そのために、各温度センサの検出値を、発光駆動に先立って設定された補正値を用いて補正する。
【０００８】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記補正値は、各温度センサの検出値について、基準検出値との差を示すオフセット値であることが考えられる。
検出精度についての基準となる基準検出値を設定し、各温度センサの検出値については、その基準検出値との差分（オフセット）を測定することで、各温度センサの検出値の補正とする。
【０００９】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記補正値は、前記駆動回路部が前記発光部の発光素子を発光駆動していない非発光期間において得られる各温度センサの検出値と、基準検出値を用いて算出されることが考えられる。
即ち補正値（オフセット値）を、発光部が発光駆動されていないときの各温度センサの検出値と基準検出値を比較して算出する。
【００１０】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記温度検出部は、絶対温度計としての基準温度センサを有し、前記基準検出値は、前記基準温度センサの検出値とすることが考えられる。
基準温度センサをシステム全体で１つ配置し、これを基準となる絶対温度計とすることで、補正値算出の際の基準検出値を確定させる。
【００１１】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記基準検出値は、複数の前記温度センサの検出値の平均値とすることが考えられる。
基準温度センサを設けることなく、補正対象の例えば全ての温度センサの検出値の平均値を求め、これを基準検出値とする。
【００１２】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記温度センサは前記発光素子が形成される各メサの直下に配置されることが考えられる。
例えばダイオード構造の発光素子がメサ形で形成される場合に、各メサに対応して温度センサを配置する。
【００１３】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記駆動回路部は、複数の前記発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされていることが考えられる。
所定単位とは、１つの発光素子の単位であったり、ブロック化された複数の発光素子の単位などである。
例えば発光素子の１つ１つ個別に、もしくは複数の発光素子群としてのブロック単位で、発光をオン／オフさせたり、発光駆動電流を設定することが可能な構成とする。
【００１４】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記駆動回路部による前記発光部の駆動方式は、前記制御部が補正して取得した温度検出値に基づき切り替えられるようにすることが考えられる。
例えば発光対象期間内において複数の発光素子を同時発光させる同時発光駆動と、発光対象期間内において複数の発光素子を時分割発光させる分割発光駆動とが切り替えられるようにするなど、駆動方式を補正された温度検出値に応じて切り替える。
【００１５】
上記した本技術に係る光源装置においては、前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行うことが考えられる。
これにより、発光部が発した光を被写体に照射しイメージセンサで受光して測距を行う場合に対応して、発光素子をイメージセンサのフレーム周期に応じた適切なタイミングで発光させることが可能とされる。
【００１６】
本技術に係る温度検出方法は、上記の発光部と、駆動回路部と、温度検出部とを備えた光源装置において、前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される発光対象期間に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正するようにする。これにより各温度センサの検出値の精度を向上させる。
さらに、本技術に係るセンシングモジュールは、上記した本技術に係る光源装置と、該光源装置が備える発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサとを備えるものである。
このような駆動方法やセンシングモジュールによっても、上記した本技術に係る光源装置と同様の作用が得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本技術によれば、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備える光源装置について、温度検出精度を向上させることができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本技術の実施の形態の光源装置を含む測距装置の構成例のブロック図である。
【図２】ＳＴＬ（Structured Light）方式による測距手法の説明図である。
【図３】実施の形態の光源装置の回路構成例を示した図である。
【図４】実施の形態の光源装置が備える駆動回路の変形例を示した図である。
【図５】実施の形態の光源装置の変形例としての回路構成を示した図である。
【図６】実施の形態の光源装置の基板構成例を示した図である。
【図７】実施の形態の光源装置の他の基板構成例を示した図である。
【図８】実施の形態の光源装置のさらに他の基板構成例を示した図である。
【図９】実施の形態の光源装置が備える発光部の構造例を示した図である。
【図１０】実施の形態の光源装置が備える発光部の他の構造例を示した図である。
【図１１】第１の実施の形態の温度センサの配置例を示した図である。
【図１２】実施の形態の温度センサの回路例を示す図である。
【図１３】実施の形態の温度センサの配置位置を模式的に示す図である。
【図１４】実施の形態の同時発光駆動例の説明図である。
【図１５】実施の形態の時分割発光駆動例の説明図である。
【図１６】実施の形態の時分割発光による作用を説明するための図である。
【図１７】実施の形態の温度に応じた同時発光駆動／時分割発光駆動の切り替えを行う場合における動作の流れを例示したフローチャートである。
【図１８】実施の形態の他の駆動例の動作の流れを示したフローチャートである。
【図１９】第１の実施の形態の発光前のオフセット算出処理のフローチャートである。
【図２０】実施の形態の発光駆動中の温度検出処理のフローチャートである。
【図２１】第２の実施の形態の温度センサの配置例を示した図である。
【図２２】第２の実施の形態の発光前のオフセット算出処理のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照し、本技術に係る実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．測距装置の構成＞
＜２．測距手法について＞
＜３．発光駆動に係る回路構成について＞
＜４．基板構成のバリエーション＞
＜５．ＶＣＳＥＬの構造例＞
＜６．温度検出部＞
＜７．温度に応じた発光駆動例＞
＜８．第１の実施形態の温度検出＞
＜９．第２の実施形態の温度検出＞
＜１０．まとめ及び変形例＞
【００２０】
＜１．測距装置の構成＞
図１は、本技術に係る光源装置の実施の形態としての測距装置１の構成例を示している。
図示のように測距装置１は、発光部２、駆動部３、電源回路４、発光側光学系５、撮像側光学系６、イメージセンサ７、画像処理部８、制御部９、及び温度検出部１０を備えている。
発光部２は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部２は、各光源としてＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）による発光素子２ａを有しており、それら発光素子２ａが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
【００２１】
駆動部３は、発光部２を駆動するための電気回路を有して構成される。
電源回路４は、例えば測距装置１に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧（後述する入力電圧Ｖｉｎ）に基づき、駆動部３の電源電圧（後述する駆動電圧Ｖｄ）を生成する。駆動部３は、該電源電圧に基づいて発光部２を駆動する。
【００２２】
発光部２より発せられた光は、発光側光学系５を介して測距対象としての被写体Ｓに照射される。そして、このように照射された光の被写体Ｓからの反射光は、撮像側光学系６を介してイメージセンサ７の撮像面に入射する。
【００２３】
イメージセンサ７は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）センサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサ等の撮像素子とされ、上記のように撮像側光学系６を介して入射する被写体Ｓからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。
イメージセンサ７は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばＣＤＳ(Correlated Double Sampling)処理、ＡＧＣ(Automatic Gain Control)処理などを実行し、さらにＡ／Ｄ(Analog/Digital)変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての画像信号を、後段の画像処理部８に出力する。
また、本例のイメージセンサ７は、フレーム同期信号Ｆｓを駆動部３に出力する。これにより駆動部３は、発光部２における発光素子２ａをイメージセンサ７のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
【００２４】
画像処理部８は、例えばＤＳＰ（Digital Signal Processor）等により画像処理プロセッサとして構成される。画像処理部８は、イメージセンサ７から入力されるデジタル信号（画像信号）に対して、各種の画像信号処理を施す。
【００２５】
制御部９は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を有するマイクロコンピュータ、或いはＤＳＰ等の情報処理装置を備えて構成され、発光部２による発光動作を制御するための駆動部３の制御や、イメージセンサ７による撮像動作に係る制御を行う。
【００２６】
制御部９は、測距部９ａとしての機能を有する。測距部９ａは、画像処理部８を介して入力される画像信号（つまり被写体Ｓからの反射光を受光して得られる画像信号）に基づき、被写体Ｓまでの距離を測定する。本例の測距部９ａは、被写体Ｓの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Ｓの各部について距離の測定を行う
ここで、測距装置１における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
【００２７】
温度検出部１０は、発光部２の温度を検出する。温度検出部１０としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。
本例では、温度検出部１０により検出された温度の情報は駆動部３に供給され、これにより駆動部３は該温度の情報に基づいて発光部２の駆動を行うことが可能とされる。
或いは破線で示すように、温度検出部１０により検出された温度の情報は制御部９に供給され、これにより制御部９は該温度の情報に基づいて駆動部３を制御して温度に応じた発光部２の駆動を行うようにしてもよい。
本実施の形態では後述するように、温度検出部１０による温度検出精度を向上させる検出値の補正処理が行われるが、その補正処理（及び関連処理）は駆動部３内で行われる場合や、制御部９で行われる場合がそれぞれ想定される。
【００２８】
＜２．測距手法について＞
測距装置１における測距手法としては、例えばＳＴＬ（Structured Light：構造化光）方式やＴｏＦ（Time of Flight：光飛行時間）方式による測距手法を採用することができる。
ＳＴＬ方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明／暗パターンを有する光を照射された被写体Ｓを撮像して得られる画像に基づいて距離を測定する方式である。
図２は、ＳＴＬ方式の説明図である。
ＳＴＬ方式では、例えば図２Ａに示すようなドットパターンによるパターン光Ｌｐを被写体Ｓに照射する。パターン光Ｌｐは、複数のブロックＢＬに分割されており、各ブロックＢＬにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている（ブロックＢＬ間でドットパターンが重複しないようにされている）。
図２Ｂは、ＳＴＬ方式の測距原理についての説明図である。
ここでは、壁Ｗとその前に配置された箱ＢＸとが被写体Ｓとされ、該被写体Ｓに対してパターン光Ｌｐが照射された例としている。図中の「Ｇ」はイメージセンサ７による画角を模式的に表している。
また、図中の「ＢＬｎ」はパターン光Ｌｐにおける或るブロックＢＬの光を意味し、「ｄｎ」はイメージセンサ７による撮像画像に映し出されるブロックＢＬｎのドットパターンを意味している。
ここで、壁Ｗの前の箱ＢＸが存在しない場合、撮像画像においてブロックＢＬｎのドットパターンは図中の「ｄｎ’」の位置に映し出される。すなわち、箱ＢＸが存在する場合と箱ＢＸが存在しない場合とで、撮像画像においてブロックＢＬｎのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
【００２９】
ＳＴＬ方式は、このように照射したパターンが被写体Ｓの物体形状によって歪むことを利用して被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Ｓの形状や奥行きを求める方式である。
【００３０】
ＳＴＬ方式を採用する場合、イメージセンサ７としては、例えばグローバルシャッタ方式によるＩＲ（Infrared：赤外線）イメージセンサが用いられる。そして、ＳＴＬ方式の場合、測距部９ａは、発光部２がパターン光を発光するように駆動部３を制御すると共に、画像処理部８を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。
【００３１】
続いて、ＴｏＦ方式は、発光部２より発された光が対象物で反射されてイメージセンサ７に到達するまでの光の飛行時間（時間差）を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。
ＴｏＦ方式として、いわゆるダイレクトＴｏＦ方式を採用する場合、イメージセンサ７としてはＳＰＡＤ（Single Photon Avalanche Diode）を用い、また発光部２はパルス駆動する。この場合、測距部９ａは、画像処理部８を介して入力される画像信号に基づき、発光部２より発せられイメージセンサ７により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Ｓの各部の距離を計算する。
なお、ＴｏＦ方式として、いわゆるインダイレクトＴｏＦ方式（位相差法）を採用する場合、イメージセンサ７としては例えばＩＲイメージセンサが用いられる。
【００３２】
＜３．発光駆動に係る回路構成について＞
図３は、図１に示した発光部２と駆動部３と電源回路４とを有して構成された光源装置１００の回路構成例を示している。なお、図３では光源装置１００の回路構成例と共に、図１に示したイメージセンサ７と制御部９を併せて示している。
本例では、発光部２と駆動部３と電源回路４は共通の基板（後述する基板Ｂ）上に形成されている。ここでは、少なくとも発光部２を含み、発光部２と共通の基板上に形成される構成単位を光源装置１００と呼んでいる。
【００３３】
図示のように光源装置１００は、発光部２と駆動部３と電源回路４と共に温度検出部１０を備えている。
発光部２は、前述したようにＶＣＳＥＬとしての発光素子２ａを複数備えている。図３では図示の都合から発光素子２ａの数を「４」としているが、発光部２における発光素子２ａの数はこれに限らず、少なくとも２以上とされればよい。
【００３４】
電源回路４は、ＤＣ／ＤＣコンバータ４０を備え、直流電圧による入力電圧Ｖｉｎに基づき、駆動部３が発光部２の駆動に用いる駆動電圧Ｖｄ（直流電圧）を生成する。
【００３５】
駆動部３は、駆動回路３０と駆動制御部３１とを備えている。
駆動回路３０は、発光素子２ａごとにスイッチング素子Ｑ１及びスイッチＳＷを有すると共に、スイッチング素子Ｑ２と定電流源３０ａとを有している。
スイッチング素子Ｑ１及びスイッチング素子Ｑ２にはＦＥＴ（field-effect transistor）が用いられ、本例ではＰチャンネル型のＭＯＳＦＥＴ（MOS：metal-oxide-semiconductor）が用いられている。
【００３６】
各スイッチング素子Ｑ１は、ＤＣ／ＤＣコンバータ４０の出力ライン、すなわち駆動電圧Ｖｄの供給ラインに対して並列の関係に接続され、スイッチング素子Ｑ２は、スイッチング素子Ｑ１に対して並列接続されている。
具体的に、各スイッチング素子Ｑ１及びスイッチング素子Ｑ２は、ソースがＤＣ／ＤＣコンバータ４０の出力ラインに接続されている。各スイッチング素子Ｑ１のドレインは、発光部２における発光素子２ａのうちそれぞれ対応する一つの発光素子２ａのアノードと接続されている。
図示のように各発光素子２ａのカソードはグランド（ＧＮＤ）に接続されている。
【００３７】
スイッチング素子Ｑ２は、ドレインが定電流源３０ａを介してグランドに接続され、ゲートがドレインと定電流源３０ａとの接続点に接続されている。
各スイッチング素子Ｑ１のゲートは、それぞれ対応する一つのスイッチＳＷを介してスイッチング素子Ｑ２のゲートに接続されている。
【００３８】
上記構成による駆動回路３０においては、スイッチＳＷがＯＮとされたスイッチング素子Ｑ１が導通し、導通したスイッチング素子Ｑ１に接続された発光素子２ａに駆動電圧Ｖｄが印加され、該発光素子２ａが発光する。
【００３９】
このとき、発光素子２ａには駆動電流Ｉｄが流れるが、上記構成による駆動回路３０においてはスイッチング素子Ｑ１とスイッチング素子Ｑ２がカレントミラー回路を構成しており、駆動電流Ｉｄの電流値は定電流源３０ａの電流値に応じた値とされる。
【００４０】
駆動制御部３１は、駆動回路３０におけるスイッチＳＷのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことで、発光素子２ａのＯＮ／ＯＦＦを制御する。
駆動制御部３１にはイメージセンサ７よりフレーム同期信号Ｆｓが供給されており、これにより駆動制御部３１は発光素子２ａのＯＮタイミングやＯＦＦタイミングをイメージセンサ７のフレーム周期に同期させることが可能とされている。
また、駆動制御部３１は、発光素子２ａのＯＮ／ＯＦＦ制御を制御部９からの指示に基づき行うことが可能に構成されている。
【００４１】
また、本例の駆動制御部３１は、温度検出部１０により検出された発光部２の温度に基づき発光素子２ａのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うが、これについては後に改めて説明する。
なお、上述したように、温度検出部１０による検出情報は、駆動制御部３１又は制御部９に供給される。この温度検出に関して、後述するように補正が行われるが、その補正に用いる補正値（後述するオフセット値ＯＦ）を記憶することが必要になる。
例えばマイクロコンピュータとして構成される制御部９の場合は、内部の記憶部（レジスタ、ＲＡＭ等）や、外付けの記憶素子（ＲＡＭ、フラッシュメモリ等）が用いられれば良い。
駆動制御部３１が温度検知を行う場合は、駆動制御部３１がマイクロコンピュータ、ＤＳＰ、ロジック回路等として演算機能を備えるとともに、記憶機能（レジスタ、ＲＡＭ、フラッシュメモリ等）を備えるように構成されていればよい。
【００４２】
ここで、図３では、スイッチング素子Ｑ１を発光素子２ａのアノード側に設けた構成を例示したが、図４に示す駆動回路３０Ａのように、スイッチング素子Ｑ１を発光素子２ａのカソード側に設けた構成とすることもできる。
この場合、発光部２における各発光素子２ａは、アノードがＤＣ／ＤＣコンバータ４０の出力ラインに接続されている。
カレントミラー回路を構成するスイッチング素子Ｑ１及びスイッチング素子Ｑ２には、Ｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴが用いられる。スイッチング素子Ｑ２は、ドレイン及びゲートが定電流源３０ａを介してＤＣ／ＤＣコンバータ４０の出力ラインに接続され、ソースはグランドに接続される。
各スイッチング素子Ｑ１は、ドレインが対応する発光素子２ａのカソードに接続され、ソースがグランドに接続される。各スイッチング素子Ｑ１のゲートは、それぞれ対応するスイッチＳＷを介してスイッチング素子Ｑ２のゲートとドレインに接続される。
【００４３】
この場合も駆動制御部３１がスイッチＳＷのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことで、発光素子２ａをＯＮ／ＯＦＦさせることができる。
【００４４】
図５は、変形例としての光源装置１００Ａの構成例を示している。
光源装置１００Ａは、電源回路４に代えて電源回路４Ａが設けられ、また駆動部３に代えて駆動部３Ａが設けられている。
電源回路４Ａは、複数のＤＣ／ＤＣコンバータ４０を有する（図の例では二つ）。一方のＤＣ／ＤＣコンバータ４０には入力電圧Ｖｉｎ１が、他方のＤＣ／ＤＣコンバータ４０には入力電圧Ｖｉｎ２が供給される。駆動部３Ａは、それぞれが異なるＤＣ／ＤＣコンバータ４０から駆動電圧Ｖｄを入力する複数の駆動回路３０を備えている。図示のように各駆動回路３０においては、定電流源３０ａに代えて可変電流源３０ｂが設けられている。可変電流源３０ｂは、電流値が可変の電流源とされる。
この場合、発光部２における発光素子２ａは、それぞれＯＮ／ＯＦＦ制御される駆動回路３０が異なる複数の発光素子群に分けられる。
この場合の駆動制御部３１は、各駆動回路３０におけるスイッチＳＷのＯＮ／ＯＦＦ制御を行う。
【００４５】
この光源装置１００Ａのように、少なくともＤＣ／ＤＣコンバータ４０と駆動回路３０の組を複数系統に分けた構成とすることで、系統ごとに発光素子２ａの駆動電流Ｉｄを異なる値とすることができる。例えば、系統ごとに駆動電圧Ｖｄの電圧値、及び可変電流源３０ｂの電流値を異ならせることで、系統ごとに駆動電流Ｉｄの値を異ならせることができる。また、ＤＣ／ＤＣコンバータ４０が駆動電流Ｉｄについて定電流制御を行う構成であれば、各ＤＣ／ＤＣコンバータ４０間でそれぞれ定電流制御の目標値を異ならせることで、系統ごとに駆動電流Ｉｄの値を異ならせることもできる。
【００４６】
図５のような構成を採る場合には、発光部２における発光強度分布や温度分布等に応じて系統ごとに駆動電圧Ｖｄや駆動電流Ｉｄの値を異ならせることが考えられる。例えば、発光部２における温度が高い箇所に対応した系統について駆動電流Ｉｄを増やし且つ駆動電圧Ｖｄを上げる等が考えられる。
【００４７】
＜４．基板構成のバリエーション＞
ここで、光源装置１００としては、図６乃至図８に示す構成とすることができる。
光源装置１００としては、図６Ａに示すように、発光部２としての回路が形成されたチップＣｈ２と、駆動部３としての回路が形成されたチップＣｈ３と、電源回路４が形成されたチップＣｈ４とを同一の基板Ｂ上に形成した構成とすることができる。
また、駆動部３と電源回路４は、同一のチップＣｈ３４に形成することもでき、その場合、光源装置１００は、図６Ｂに示すようにチップＣｈ２とチップＣｈ３４とを同一の基板Ｂ上に形成した構成とすることもできる。
【００４８】
また、チップＣｈに対して他のチップＣｈを搭載した構成とすることもできる。
その場合、光源装置１００としては、例えば図７Ａのように、チップＣｈ２を搭載したチップＣｈ３とチップＣｈ４とを基板Ｂ上に形成した構成や、図７ＢのようにチップＣｈ２とチップＣｈ４とを搭載したチップＣｈ３を基板Ｂ上に形成した構成、或いは、図７ＣのようにチップＣｈ２を搭載したチップＣｈ３４を基板Ｂ上に形成した構成とすることができる。
【００４９】
また、光源装置１００は、イメージセンサ７を含む構成とすることもできる。
例えば、図８Ａでは、チップＣｈ２、チップＣｈ３、チップＣｈ４と共に、イメージセンサ７としての回路が形成されたチップＣｈ７を同一の基板Ｂ上に形成した光源装置１００の構成を例示している。
また、図８Ｂでは、チップＣｈ２を搭載したチップＣｈ３４とチップＣｈ７とを同一の基板Ｂ上に形成した光源装置１００の構成を例示している。
【００５０】
なお、前述した光源装置１００Ａについても、図６乃至図８で説明したものと同様の構成を採ることが可能である。
【００５１】
＜５．ＶＣＳＥＬの構造例＞
続いて、発光部２が形成されたチップＣｈ２の構造例について図９及び図１０を参照して説明しておく。
図９は、図６Ａ、図６Ｂ、図８Ａのように基板Ｂ上に形成される場合のチップＣｈ２の構造例を示し、図１０は、図７Ａ乃至図７Ｃや図８Ｂのように他のチップＣｈ上に搭載される場合のチップＣｈ２の構造例を示している。
なお、図９、図１０では一例として、駆動回路３０が発光素子２ａのアノード側に挿入された場合（図３参照）に対応した構造例を示す。
【００５２】
図９に示すように、チップＣｈ２は、各発光素子２ａに対応する部分がメサＭとして形成されている。
チップＣｈ２は、その基板として半導体基板２０が用いられ、半導体基板２０の下層側にはカソード電極Ｔｃが形成されている。半導体基板２０には、例えばＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）基板が用いられる。
【００５３】
半導体基板２０上において、各メサＭには、下層側から上層側にかけて順に第一多層膜反射鏡層２１、活性層２２、第二多層膜反射鏡層２５、コンタクト層２６、及びアノード電極Ｔａが形成されている。
第二多層膜反射鏡層２５の一部（具体的には下端部）には、電流狭窄層２４が形成されている。また、活性層２２を含み、第一多層膜反射鏡層２１と第二多層膜反射鏡層２５とに挟まれた部分が共振器２３とされる。
【００５４】
第一多層膜反射鏡層２１は、Ｎ型導電性を示す化合物半導体で形成され、第二多層膜反射鏡層２５はＰ型導電性を示す化合物半導体で形成されている。
【００５５】
活性層２２は、レーザ光を発生させるための層とされ、電流狭窄層２４は、活性層２２に効率よく電流を注入し、レンズ効果をもたらす層とされる。
【００５６】
電流狭窄層２４は、メサＭを形成後に、酸化されていない状態で選択酸化が行われ、中心部の酸化領域（又は選択酸化領域という）２４ａと、酸化領域２４ａの周囲の酸化されていない未酸化領域２４ｂとを有する。電流狭窄層２４においては、これら酸化領域２４ａと未酸化領域２４ｂとにより電流狭窄構造が形成され、未酸化領域２４ｂとしての電流狭窄領域に電流が導電する。
【００５７】
コンタクト層２６は、アノード電極Ｔａとのオーミック接触を確実にするために設けられている。
アノード電極Ｔａは、コンタクト層２６上において、基板Ｂを平面視した際に例えば環状（リング状）等の中央部が開口された形状により形成されている。コンタクト層２６において、上部にアノード電極Ｔａが形成されてない部分は開口部２６ａとされている。
活性層２２で発生した光は、共振器２３内を往復した後、開口部２６ａを介して外部に出射される。
【００５８】
ここで、チップＣｈ２におけるカソード電極Ｔｃは、基板Ｂにおける配線層に形成されたグランド配線Ｌｇを介してグランドに接続される。
また、図中において、パッドＰａは、基板Ｂ上に形成されたアノード電極用のパッドを表している。このパッドＰａは、基板Ｂの配線層に形成された配線Ｌｄを介して、駆動回路３０が有する何れか一つのスイッチング素子Ｑ１のドレインと接続されている。
【００５９】
図中では、一つの発光素子２ａのみについて、アノード電極Ｔａが、チップＣｈ２上に形成されたアノード配線Ｌａ及びボンディングワイヤＢＷを介して一つのパッドＰａに接続されることを示しているが、基板Ｂには発光素子２ａごとのパッドＰａ及び配線Ｌｄが形成され、またチップＣｈ２上には発光素子２ａごとのアノード配線Ｌａがそれぞれ形成されており、個々の発光素子２ａのアノード電極Ｔａは、それぞれ対応するアノード配線Ｌａ及びボンディングワイヤＢＷを介して対応するパッドＰａに接続される。
【００６０】
続いて、図１１の場合、チップＣｈ２としては裏面照射型のチップＣｈ２を用いる。すなわち、図１０の例のように半導体基板２０の上層側方向（表面方向）に光を出射するのではなく、半導体基板２０の裏面方向に光を出射するタイプのチップＣｈ２を用いる。
この場合、アノード電極Ｔａには、光出射用の開口は形成されず、コンタクト層２６に開口部２６ａは形成されない。
【００６１】
駆動部３（駆動回路３０）が形成されたチップＣｈ３（又はチップＣｈ３４：以下、図１１の説明において同様）においては、発光素子２ａごとに、アノード電極Ｔａとの電気的接続を行うためのパッドＰａが形成されている。チップＣｈ３の配線層には、パッドＰａごとに配線Ｌｄが形成されている。図示は省略したが、これら配線Ｌｄにより、各パッドＰａは、チップＣｈ３内に形成された駆動回路３０における対応する一つのスイッチング素子Ｑ１のドレインと接続される。
【００６２】
また、チップＣｈ２において、カソード電極Ｔｃは、それぞれ配線Ｌｃ１、配線Ｌｃ２を介して電極Ｔｃ１、電極Ｔｃ２と接続されている。電極Ｔｃ１、電極Ｔｃ２は、それぞれチップＣｈ３に形成されたパッドＰｃ１、パッドＰｃ２と接続するための電極とされる。
チップＣｈ３の配線層には、パッドＰｃ１と接続されたグランド配線Ｌｇ１、パッドＰｃ２と接続されたグランド配線Ｌｇ２が形成されている。図示は省略したが、これらグランド配線Ｌｇ１、Ｌｇ２はグランドに接続されている。
【００６３】
チップＣｈ２における各アノード電極ＴａとチップＣｈ３における各パッドＰａとの接続、及びチップＣｈ２における電極Ｔｃ１、電極Ｔｃ２とチップＣｈ３におけるパッドＰｃ１、パッドＰｃ２との接続はそれぞれ半田バンプＨｂを介して行われている。
つまり、この場合におけるチップＣｈ２のチップＣｈ３に対する実装は、いわゆるフリップチップ実装により行われている。
【００６４】
＜６．温度検出部＞
続いて温度検出部１０について説明する。
温度検出部１０におけるダイオード等の温度検出素子は、例えば図６Ａ、図６Ｂ、図８ＡのようにチップＣｈ２が基板Ｂ上に形成されている場合には、基板ＢにおけるチップＣｈ２の近傍位置（例えば基板Ｂ上におけるチップＣｈ２の側方位置等）に形成すればよい。
また、図７Ａ乃至図７Ｃや図８ＢのようにチップＣｈ２が他のチップＣｈに搭載された構成においては、温度検出素子は該他のチップＣｈにおけるチップＣｈ２の近傍位置（例えばチップＣｈ２のメサＭの真下となる位置等）に形成すればよい。
【００６５】
温度検出部１０は、ダイオード等の温度検出素子を有する温度センサ１０ａを複数有する。
図１１Ａ、図１１Ｂは、温度検出部１０における各温度センサ１０ａの配置例を示している。
この図１１Ａの例では、複数の温度センサ１０ａを一箇所に集中して位置させず、発光素子２ａが配列される面に平行な面内において離散的に配置している。
この場合、上述したＶＣＳＥＬとしての発光素子２ａは縦横にマトリクス状に規則的に配置された例としており、温度センサ１０ａも、規則的に配置された例としている。即ち各温度センサ１０ａは、発光素子２ａが配列される面に平行な面内において略等間隔に配置されている。
この場合、複数の温度センサ１０ａは、例えば所定個数の発光素子２ａで成る発光ブロックごとに対して一つずつ配置した状態となっている。
【００６６】
一方、図１１Ｂは、発光素子２ａはマトリクス状ではなく、所定の発光パターンを形成するための目的に沿った配置とされており、また温度センサ１０ａも、マトリクス状ではなく、発光素子２ａの配置に応じて適切な位置が選択されて配置されている例を示している。
この図１１Ａ、図１１Ｂのように、発光素子２ａ及び温度センサ１０ａの配置は、測距装置１としての目的に沿って各種想定される。
図示しないが、発光素子２ａがマトリクス状に縦横規則的に配置される場合に、温度センサ１０ａが非マトリクス状に配置される場合や、逆に発光素子２ａが非マトリクス状に配置される場合に、温度センサ１０ａがマトリクス状に縦横規則的に配置される場合もある。
また、温度センサ１０ａは、１又は複数個となる所定単位の発光素子２ａに対応して１つづつ設けられれば良く、例えば１つの発光素子２ａに対応して１つの温度センサ１０ａが設けられるようにしても良いし、いくつかの発光素子２ａのブロックに対して１つの温度センサ１０ａが設けられても良い。発光素子２ａの数、温度センサ１０ａの数、或いはこれらの比率は多様に考えられる。
【００６７】
また図１１Ａ、図１１Ｂの例のように複数の温度センサ１０ａを離散的に配置することで、発光部２の面内温度分布を検出することが可能となる。また、発光面におけるエリアごとの温度を検出し分けることができ、さらには、温度センサ１０ａの配置数を増やすことで発光素子２ａの所定単位ごとの温度を検出し分けることも可能である。
【００６８】
ここで後述する第１の実施の形態の処理のために、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように基準温度センサ１０Ｒが配置されるようにしている。
基準温度センサ１０Ｒは、発光素子２ａより比較的離間した位置に配置することが考えられる。但し、必ずしもその配置位置が規定されるものではない。
この基準温度センサ１０Ｒは、各温度センサ１０ａの絶対精度のばらつきを補正する補正値（オフセット値ＯＦ）を算出するために用いられる。詳しくは後述する。
【００６９】
図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃは、それぞれ温度センサ１０ａとしての回路構成の例を示している。
図１２Ａの例は、ＦＥＴ９１，９２を介して、温度検出素子１１０としてのダイオードＤ１，Ｄ２に電流Ｉ１が流れるようにした構成である。ＦＥＴ９２のドレインとダイオードＤ２のアノードの間に抵抗Ｒ１が接続されている。オペアンプ９３には、ダイオードＤ１のアノード端に現れる電圧と抵抗Ｒ１に現れる電圧（Ｖ１）が入力される。オペアンプ９３の出力はトランジスタ９１，９２のゲートに接続される。この場合、オペアンプ９３負電極端子とグランド間に接続された抵抗Ｒ２によって検出される電圧Ｖｏが温度に応じた温度検出値となる。
【００７０】
図１２Ｂの例は、ＦＥＴ９１，９２を介して、温度検出素子１１０としてのダイオードＤ１ａ，Ｄ１ｂの直列接続と、ダイオードＤ２ａ，Ｄ２ｂの直列接続に、電流２Ｉ１、Ｉ１が流れるようにした構成である。オペアンプ９４には、ダイオードＤ１ａのアノード端に現れる電圧Ｖ２とダイオードＤ２ａに現れる電圧Ｖ１が入力される。オペアンプ９３の出力は電圧（Ｖ２−Ｖ１）となり、これが温度に応じた温度検出値となる。
【００７１】
図１２Ｃの例は、ＦＥＴ９１を介して、温度検出素子１１０としてのダイオードＤ１ａ，Ｄ１ｂの直列接続に電流Ｉ１が流れるようにした構成である。アンプ９５には、ダイオードＤ１ａのアノード端に現れる電圧Ｖ１が入力される。アンプ９５の出力電圧２ＶＤが温度に応じた温度検出値となる。
なお、以上の各例は一例に過ぎない。これ以外にも多様な構成が想定される。
また図１２Ｂ、図１２ＣにおいてダイオードＤの数は必要に応じて変更可能である。また図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃにおいて電流値は任意の値に変更可能である。
例えばこれらの例において、少なくとも破線で囲ったダイオードＤの部分が温度検出素子１１０として、図１１Ａ、図１１Ｂの温度センサ１０ａの位置に配置される。
【００７２】
図１３は温度センサ１０ａの配置を先の図１０の例に対応して示している。発光素子２ａが形成されたチップｃｈ２の下部にチップｃｈ３が配置される構成である。
この図１３では、先に図３で示した駆動回路３０を構成するスイッチング素子Ｑ１、スイッチＳＷ、スイッチング素子Ｑ２、定電流源３０ａがチップｃｈ３に形成されることを模式的に示している。駆動回路３０における配線は配線層内１００に形成される。
そして、図示のように温度センサ１０ａの例えばＦＥＴ９１，９２、ダイオードＤ１ａ，Ｄ１ｂ、電流源３０ｃ等も駆動回路３０とともにチップｃｈ３内に形成される。また必要な配線は配線層１００に形成される。
ここで温度センサ１０ａにおける温度検出素子であるダイオードＤについては、図１２でも示したように、その数や接続構成は多様に考えられるが、温度検出素子１１０としての構成部分となるダイオードＤについては、メサＭの直下に配置されるようにすることが考えられる。例えば各メサＭに対応して少なくとも１つ以上の温度検出素子１１０が配置されるようにする。このようにすることで、メサＭ毎に発光素子２ａの温度検知を行うことが可能となり、所定単位としてメサ毎の発光素子２ａの単位毎の制御に適したものとなる。
もちろん上述のように、発光素子２ａの１つに対して１つの温度検出素子１１０を設けても良いし、メサＭに関わらず、発光素子２ａのブロックに対して温度検出素子１１０を１つ設けるようにしてもよい。いずれにしても、温度検出素子１１０を例えば駆動回路３０とともにチップｃｈ３（又はｃｈ３４）内に形成することが考えられる。
なお、チップｃｈ２がチップｃｈ３（又はｃｈ３４）に積まれない構成の場合は、温度検出素子１１０をチップｃｈ２の周囲に配置したり、チップｃｈ２の下部に温度検出素子１１０を形成した層を設けて配置することなどが考えられる。
【００７３】
＜７．温度に応じた発光駆動例＞
以上のように温度センサ１０ａを設けた場合に、温度に応じて発光素子２ａの駆動を行う例を説明しておく。
【００７４】
想定される基本的な例としては、温度に応じて駆動電流値又は発光期間を変化させることである。
発光素子２ａは温度上昇に応じて発光効率が低下するという特性を持っている。そこで、各温度センサ１０ａで検出される温度に応じて、その温度センサ１０ａが対応する所定単位の発光素子２ａについて、発光期間長や駆動電流値を変化させるようにする。
これにより温度によらず安定した光量の発光を実現できる。
【００７５】
また発光駆動として、同時発光と分割発光を切り替えることが考えられる。
上述してきた測距装置１のようにＶＣＳＥＬとしての発光素子２ａが複数配列された発光部２を発光させて測距を行う際には、まず、複数の発光素子２ａを同時に発光させる駆動方式が考えられる。
【００７６】
図１４は、このような同時発光による駆動の例を説明するための図である。
先ず前提として、測距を行う際には、発光部２は一定の発光周期により繰り返し発光される。具体的に、発光周期はイメージセンサ７のフレーム周期に同期させる。図中の発光対象期間Ｓｔは、イメージセンサ７のフレーム期間と同期している。例えば、イメージセンサ７のフレームレートは６０ｆｐｓであり、発光対象期間Ｓｔは約１６．６ｍｓ（ミリ秒）とされている。
ここで、以下の説明では、測距を行う際には、発光対象期間Ｓｔごとに発光部２における全ての発光素子２ａが発光されるものとする。発光部２における発光素子２ａの数は、説明上８００であるものとする。すなわち、発光のチャネル数はＣＮ１〜ＣＮ８００の８００である。
【００７７】
図１４に示す駆動方式においては、発光対象期間ＳｔごとにＣＮ１〜ＣＮ８００の発光素子２ａを同時に発光させている。このとき、各発光素子２ａを発光させる期間（ＯＮ期間）は発光対象期間Ｓｔよりも短く、例えば４ｍｓ程度とされる。
【００７８】
上記のような同時発光を行う場合には、発光素子２ａが形成されたチップ（チップＣｈ２）の温度が上昇し易くなり、環境温度によっては、発光素子２ａの発光効率の低下を招来したり発光素子２ａを駆動する駆動回路（駆動回路３０、３０Ａ）の回路特性悪化を招来したりする等、熱による不具合を誘発する虞がある。
【００７９】
そこで、温度状況に応じて、発光対象期間Ｓｔ内において発光されるべき複数の発光素子２ａ（ＣＮ１〜ＣＮ８００）を、発光対象期間Ｓｔ内において時分割発光させることが考えられる。
図１５に時分割発光の一例を示す。
図１５では、発光対象期間Ｓｔ内に発光させるべき８００チャネルの発光素子２ａを２分割し、発光対象期間Ｓｔ内において、ＣＮ１〜ＣＮ４００の４００個の発光素子２ａを発光させた後、残りのＣＮ４０１〜ＣＮ８００の４００個の発光素子２ａを発光させる例を示している。
【００８０】
このような時分割発光を行うことで、図１６に示すように、同時発光とする場合よりも温度のピーク値を抑制することができる。すなわち、チップＣｈ２の温度上昇の抑制を図ることができる。
【００８１】
上記のような時分割発光は、駆動制御部３１がスイッチＳＷを制御することで実現される。本例において、駆動制御部３１はロジック回路を有しており、該ロジック回路が上記した時分割発光のためのスイッチＳＷの制御を行うように構成されている。
【００８２】
時分割発光の例としては、上記のようなＣＮ１〜ＣＮ４００とＣＮ４０１〜ＣＮ８００の２分割に限定されず、３分割以上とすることもできる。
このとき、時分割発光において同時発光させる発光素子２ａの数は、時間方向において変化させてもよい。例えば、ＣＮ１〜ＣＮ４００の４００個を発光させた後、ＣＮ４０１〜ＣＮ６００の２００個を発光させ、次いで残りのＣＮ６０１〜ＣＮ８００の２００個を発光させる例を挙げることができる。すなわち、時分割発光において同時発光させる発光素子２ａの数を時間方向において減少させるものである。
時分割発光を行う際、発光される順番が遅いほど周囲の温度が上昇している可能性が高い。このため、上記のように同時発光させる発光素子２ａの数を時間方向において減少させる、すなわち発光される順番が遅い発光素子２ａの数を、該順番が早い発光素子２ａの数よりも減少させることで、発光対象期間Ｓｔ内における温度ピーク値の抑制を図ることができ、温度上昇の抑制効果を高めることができる。
【００８３】
ここで、本例の駆動制御部３１は、図１４に例示したように発光素子２ａを同時発光させる同時発光駆動と、図１５に例示したように発光素子２ａを時分割発光させる時分割発光駆動との切り替えを行うことが可能に構成されている。具体的に、駆動制御部３１は、これら同時発光駆動と時分割発光駆動との切り替えを温度検出部１０により検出される温度に基づき行う。
発光素子２ａの発光効率の低下は、例えば７０℃以上の領域で比較的顕著となる。このため、温度の閾値ＴＨとして例えば７０℃以下の値を設定しておき、閾値ＴＨを基準として同時発光駆動と時分割発光駆動との切り替えを行うことが考えられる。
【００８４】
図１７のフローチャートは、温度に応じた同時発光駆動／時分割発光駆動の切り替えを行う場合における駆動制御部３１の動作の流れを例示している。
図示のように駆動制御部３１は、温度検出部１０により検出される温度が閾値ＴＨ以上でなければ（ステップＳ１０１：Ｎ）、全チャネルの発光素子２ａを同時発光させる（ステップＳ１０２）。一方、温度検出部１０により検出される温度が閾値ＴＨ以上であれば（ステップＳ１０１：Ｙ）、発光素子２ａを時分割発光させる（ステップＳ１０３）。
【００８５】
ここで本実施の形態では、温度検出部１０が温度センサ１０ａを複数備えるが、ステップＳ１０１では、それら温度センサ１０ａによる温度検出値の代表値を採用することが考えられる。なおここでの温度検出値とは、後述するように補正された温度検出値のことである。
代表値としては、例えば複数の温度センサ１０ａの温度検出値の平均値であることが考えられる。或いは、所定の一つの温度センサ１０ａ（例えば温度検出値が最も高い温度センサ１０ａ）による温度検出値を代表値とすることも考えられる。
【００８６】
ここで、駆動制御部３１は、時分割発光駆動の際、発光部２の総発光量（発光対象期間Ｓｔにおける総発光量）が同時発光駆動時と同じとなるように発光素子２ａの駆動を行う。具体的に、例えば同時発光駆動時における各発光素子２ａのＯＮ期間が上述した４ｍｓであれば、時分割発光駆動における各発光素子２ａのＯＮ期間としても４ｍｓとする。
なお、図５に例示したようにＤＣ／ＤＣコンバータ４０及び駆動回路３０を複数系統に分けて構成した場合には、例えば各駆動回路３０について発光素子２ａのＯＮ期間を一致させると共に駆動電流Ｉｄの値を一致させることで、総発光量が同じとなるようにする。
【００８７】
同時発光駆動を行うことで、測距対象の被写体Ｓに動きがあっても、被写体Ｓが異なる位置にあるときの反射光が１フレーム期間内に纏めて受光されてしまうことの防止が図られ、測距精度が低下することの防止が図られる。
上記のように時分割発光駆動と同時発光駆動との切り替えを行うことで、測距精度の低下防止と、温度上昇の抑制の両立を図ることができる。
【００８８】
なお、同時発光駆動と時分割発光駆動との切り替えを行うことは必須ではなく、時分割発光駆動を常時行う構成とし、その分割の仕方を温度に応じて切り替えるようなことも考えられる。
【００８９】
また以上では、複数の発光素子２ａの全体を対象として駆動方式を切り替える例を示したが、発光素子２ａのブロック毎に駆動方式を切り替えてもよい。
例えば９００チャネルの発光素子を、１００チャネル毎にブロック化し、１００チャネルのブロックの単位で、同時発光駆動／時分割発光駆動を切り替えるような例である。
この場合、各ブロックについて検出された温度（又はそのブロックに対応して複数の温度センサ１０ａを有する場合は温度検出値の代表値）に応じて、駆動方式を切り替える。
例えば同時発光駆動の場合は１００チャネルを同時発光させ、時分割発光駆動の場合は１００チャネルを２分割し、発光対象期間Ｓｔ内において、ＣＮ１〜ＣＮ５０の５０個の発光素子２ａを発光させた後、残りのＣＮ５１〜ＣＮ１００の５０個の発光素子２ａを発光させるなどである。
発光部２においては発光素子２ａが配置された面内で温度分布が生じやすい。例えば中央側ほど高温になりやすいなど、場所毎に温度状況が異なる。そこで場所毎にブロックを形成して温度に応じた制御することで、より精密な駆動制御が実現できる。
【００９０】
さらに他の駆動例としては、時分割発光における同時発光組の数を温度に応じて変化させることが考えられる。
ここで、同時発光組とは、時分割発光において同時発光させる発光素子２ａの組を意味する。例えば、先に例示したように８００チャネルの発光素子２ａを４００チャネルずつ駆動する時分割発光においては、各４００チャネルの発光素子２ａの組が同時発光組に該当する。
【００９１】
本例では、同時発光組の数を温度上昇に応じて増加させる。
図１８は、駆動制御部３１が行う動作の流れを示したフローチャートである。
先ず、本例では、温度検出部１０により検出される温度に対する閾値ＴＨとして、複数の閾値ＴＨを設定しておく。ここでは、第一の閾値ＴＨ１と、第一の閾値ＴＨ１よりも値が大きい第二の閾値ＴＨ２を設定する例とする。
【００９２】
駆動制御部３１は、温度検出部１０により検出される温度が第一の閾値ＴＨ１未満のときは（ステップＳ２０１：Ｙ）、同時発光駆動を行う（ステップＳ１０２）。また、駆動制御部３１は、温度検出部１０により検出される温度が第一の閾値ＴＨ１未満ではなかった場合において（ステップＳ２０１：Ｎ）、その温度が第一の閾値ＴＨ１以上且つ第二の閾値ＴＨ２未満のときは（ステップＳ２０２：Ｙ）、２分割による時分割発光とする（ステップＳ２０３）。すなわち、同時発光組の数を「２」とした発光素子２ａの時分割発光駆動を行うものであり、具体的には、例えば４００チャネルと４００チャネルの時分割発光を行う。
また、駆動制御部３１は、温度検出部１０により検出される温度が第二の閾値ＴＨ２以上のときは（ステップＳ２０２：Ｎ）、３分割による時分割発光とする（ステップＳ２０４）。つまり、同時発光組の数を「３」とした発光素子２ａの時分割発光駆動として、例えば４００チャネル→２００チャネル→２００チャネルの時分割発光駆動を行う。
【００９３】
上記のように温度上昇に応じて同時発光組の数を増加させることで、温度が高まることに応じて温度上昇の抑制効果をより高めた発光駆動を行うことが可能とされる。
従って、温度上昇に伴う不具合がより発生し難くなるようにすることができる。
【００９４】
ここで、第一の閾値ＴＨ１としては、上述した閾値ＴＨ（例えば７０℃程度）と同値に設定し、第二の閾値ＴＨ２としては、例えばチップＣｈ２の仕様上の許容上限温度（例えば１３０℃程度）よりも低い温度に設定する。これにより、発光効率の低下が予想される程度に温度が上昇した場合には２分割による時分割発光駆動が行われ、許容上限温度への到達が予想される程度に温度が上昇した場合には３分割による時分割発光駆動すなわち温度上昇抑制効果をより高めた時分割発光駆動が行われるようにできる。
【００９５】
このような駆動例の場合も、発光素子２ａの所定単位毎に独立して以上の制御が行われる用にすることも考えられる。
もちろん以上の例示した以外にも、温度に応じた発光駆動制御の例は多様に考えられる。
また以上のような各種の発光駆動制御は、以下説明する補正された温度検出値に基づいて行われるものとなる。
【００９６】
＜８．第１の実施形態の温度検出＞
以上のような温度に応じた発光駆動制御は、当然に温度検出部１０による温度の検出結果に基づくものとなる。本実施の形態では、この温度検出精度を向上させる。
以下、第１の実施の形態の温度検出処理について説明する。
【００９７】
なお、以下第１及び第２の実施の形態のとして説明する温度検出に関する処理は、駆動制御部３１が実行してもよいし、制御部９が実行しても良い。説明上、駆動制御部３１が実行するものとするが、制御部９が実行する場合も、処理は同様である。
【００９８】
図１９は第１の実施の形態として駆動制御部３１が実行する発光駆動前の処理例を示している。
駆動制御部３１は、例えば発光部２の発光駆動を行う前に図１９の処理を行う。これは各温度センサ１０ａに対応して補正値となるオフセット値ＯＦを算出する処理である。
【００９９】
ステップＳ３０１で駆動制御部３１は、変数ｎ＝１にセットする。「ｎ」は個々の温度センサ１０ａを処理対象として順に指定するための変数である。後述する総数ｎＭＡＸは温度センサ１０ａの総数であるとする。
ステップＳ３０２で駆動制御部３１は、まず基準温度センサ１０Ｒの温度検出値ＴＭＰＡを取得する。
【０１００】
ステップＳ３０３で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサ１０ａの温度検出値ＴＭＰｎを取得する。最初は変数ｎ＝１であることで、第１温度センサ１０ａの温度検出値ＴＭＰ１を取得することになる。なお、駆動制御部３１は各温度センサ１０ａについて第１から第（ｎＭＡＸ）までの順番を設定しており、第１温度センサ１０ａとは、その中の最初の温度センサ１０ａを指す。
【０１０１】
ステップＳ３０４で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサ１０ａについてのオフセット値ＯＦｎを、基準温度センサ１０Ｒの温度検出値ＴＭＰＡから温度検出値ＴＭＰｎを減算することで算出する。
例えば第１温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦ１を、（ＴＭＰＡ）−（ＴＭＰ１）の演算で算出する。
そしてステップＳ３０５で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦｎを内部メモリ等に記憶する。例えば第１温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦ１が記憶されることになる。オフセット値ＯＦｎについては、例えば不揮発性メモリに記憶することも考えられる。
【０１０２】
駆動制御部３１はステップＳ３０６で変数ｎが総数ｎＭＡＸに達したか否かを確認し、達していなければステップＳ３０７で変数ｎをインクリメントしてステップＳ３０３に戻る。つまり、第２温度センサ１０ａ、第３温度センサ１０ａ・・・というように、各温度センサ１０ａについて同様の処理が行われ、それぞれ対応するオフセット値ＯＦ２，ＯＦ３・・・が算出され記憶されていく。
全ての温度センサ１０ａについてオフセット値ＯＦを記憶したら、ステップＳ３０６から図１９の処理を終えることになる。
【０１０３】
以上の処理を、発光開始前に行うことで、基準温度センサ１０Ｒの温度検出値を基準として、各温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦが記憶できることになる。
なお、この処理は各温度センサ１０ａの絶対精度の誤差に相当するオフセット値ＯＦを求めるものであるため、最低１回行えばよい。
但し、経時的な特性変化や環境変化を吸収するために、定期的に行ったり、発光（即ち測距）動作を行う際に毎回行うようにしてもよい。
【０１０４】
各温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦを記憶していることで、駆動制御部３１は発光部２の発光駆動中に、図２０の処理により温度検出値を補正して取得することができる。
【０１０５】
図２０は、発光駆動中において駆動制御部３１が、例えば定期的なタイミングなど所定のタイミング毎に温度検出を行う例としている。
温度検出タイミングとなったら、駆動制御部３１は図２０のステップＳ４０１からＳ４０２に進み、個々の温度センサ１０ａを指定する変数ｎをｎ＝１にセットする。
そしてステップＳ４０３で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサの温度検出値ＴＭＰｎを取得する。
ステップＳ４０４で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサについて記憶しているオフセット値ＯＦｎを読み出す。
ステップＳ４０５で駆動制御部３１は、温度補正を行う。即ち温度検出値ＴＭＰｎにオフセット値ＯＦｎを加算して第ｎ温度センサ１０ａについての補正した温度検出値ＴＭＰＳｎを得る。
そしてステップＳ４０６で駆動制御部３１は、補正した温度検出値ＴＭＰＳｎを、第ｎ温度センサ１０ａについての温度検出値として内部レジスタ等に記憶する。
【０１０６】
駆動制御部３１はステップＳ４０７で変数ｎが総数ｎＭＡＸに達したか否かを確認し、達していなければステップＳ４０８で変数ｎをインクリメントしてステップＳ４０３に戻る。
従って第１温度センサ１０ａ、第２温度センサ１０ａ、第３温度センサ１０ａ・・・として最後の温度センサ１０ａまで、ステップＳ４０３〜Ｓ４０６の処理で補正された温度検出値（ＴＭＰＳ１〜ＴＭＰＳ（ｎＭＡＸ））が取得されることになる。
全ての温度センサ１０ａについて温度検出を完了したら、ステップＳ４０７から図２０の処理を終えることになる。そして次の温度検出タイミングになったら再びステップＳ４０１からＳ４０２に進み、同様に温度検出を行う。
【０１０７】
このように補正された各温度センサ１０ａの温度検出結果により、発光部２の温度状況が正確に確認できる。駆動制御部３１は、この温度検出結果に応じて上述した例のように発光駆動方式を制御することで、温度に応じた適切な発光動作が実現される。
【０１０８】
＜９．第２の実施形態の温度検出＞
第２の実施の形態を説明する。第２の実施の形態では、図２１Ａ、図２１Ｂのように、基準温度センサ１０Ｒが設けられていない場合の例である。温度センサ１０ａや発光素子２ａの配置については、先に図１１Ａ、図１１Ｂを用いて説明した場合と同様に各種の例が考えられる。
【０１０９】
発光前にオフセット値ＯＦを算出する処理として、駆動制御部３１は図２２の処理を行う。
ステップＳ３５１で駆動制御部３１は、個々の温度センサ１０ａを指定する変数ｎを変数ｎ＝１にセットする。
【０１１０】
ステップＳ３５２で駆動制御部３１は第ｎ温度センサ１０ａの温度検出値ＴＭＰｎを取得する。
ステップＳ３５３で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサ１０ａについての温度検出値ＴＭＰｎを内部レジスタ等に記憶する。
駆動制御部３１はステップＳ３５４で変数ｎが総数ｎＭＡＸに達したか否かを確認し、達していなければステップＳ３５５で変数ｎをインクリメントしてステップＳ３５２に戻る。
従って第１温度センサ１０ａ、第２温度センサ１０ａ、第３温度センサ１０ａ・・・として最後の温度センサ１０ａまでのそれぞれについて、ステップＳ３５２、Ｓ３５３の処理で、検出された温度検出値ＴＭＰ１〜ＴＭＰ（ｎＭＡＸ）が記憶されることになる。
【０１１１】
全ての温度センサ１０ａについての温度検出値ＴＭＰ１〜ＴＭＰ（ｎＭＡＸ）を記憶したら、駆動制御部３１はステップＳ３５６に進み、温度検出値ＴＭＰ１〜ＴＭＰ（ｎＭＡＸ）の平均値ＴＭＰａｖを算出する。
【０１１２】
そして駆動制御部３１はステップＳ３５７で変数ｎ＝１とし、ステップＳ３５８に進む。
ステップＳ３５８で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサ１０ａについてのオフセット値ＯＦｎを算出する。即ち第ｎ温度センサ１０ａについて先に記憶した温度検出値ＴＭＰｎと、平均値ＴＭＰａｖを用い、（ＴＭＰａｖ）−（ＴＭＰｎ）によりオフセット値ＯＦｎを算出する。
ステップＳ３５９で駆動制御部３１は、第ｎ温度センサ１０ａについてのオフセット値ＯＦｎを内部レジスタ、又はＲＡＭ、或いは不揮発性メモリに記憶する。
【０１１３】
駆動制御部３１はステップＳ３６０で変数ｎが総数ｎＭＡＸに達したか否かを確認し、達していなければステップＳ３６１で変数ｎをインクリメントしてステップＳ３５８に戻る。
従って第１温度センサ１０ａ、第２温度センサ１０ａ、第３温度センサ１０ａ・・・の順に最後の温度センサ１０ａまでのそれぞれについて、ステップＳ３５８、Ｓ３５９の処理でオフセット値ＯＦ１〜ＯＦ（ｎＭＡＸ）が記憶されることになる。
【０１１４】
全ての温度センサ１０ａについてオフセット値ＯＦを記憶したら、ステップＳ３６０から図２２の処理を終えることになる。
【０１１５】
以上の処理を、発光開始前に行うことで、基準温度センサ１０Ｒを設けていない場合でも、全温度センサ１０ａの平均値を基準として、各温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦが記憶できることになる。
なお、この処理も最低１回行うほか、経時的な特性変化や環境変化を吸収するために、定期的に行ったり、発光（即ち測距）動作を行う際に毎回行うようにしてもよい。
発光時の処理、即ち温度検出値の補正処理については第１の実施の形態の図２０と同様である。
【０１１６】
＜１０．まとめ及び変形例＞
以上の実施の形態では次のような効果が得られる。
実施の形態の光源装置（測距装置１）は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子２ａが複数配列された発光部２と、発光部２の複数の発光素子２ａを発光させる駆動回路部３０と、発光部２の温度検出を行うように配置された複数の温度センサ１０ａを有する温度検出部１０と、制御部（駆動制御部３１又は制御部９）を備えている。
制御部は、駆動回路部３０により発光部２の発光素子２ａが発光駆動される際に、複数の温度センサ１０ａのそれぞれの検出値ＴＭＰｎを、それぞれの温度センサ１０ａについて非発光期間に設定された補正値を用いて補正する処理を行う（図２０参照）。
各温度センサについて予め設定された補正値（オフセット値ＯＦ）を用いて補正することで、絶対精度を担保した温度検出値（補正した検出値ＴＭＰＳｎ）を取得することができる。これにより発光部２の温度状況が正確に把握でき、温度状況により適切な発光駆動制御が可能になる。
【０１１７】
実施の形態では、補正値としては、各温度センサ１０ａの検出値について、基準検出値との差を示すオフセット値ＯＦであるとした。
基準検出値との差分としてのオフセット値ＯＦを予め測定して補正値として用いるように記憶しておくことで、各温度センサ１０ａのそれぞれについて適切な補正値を用いることができる。
【０１１８】
実施の形態のでは、補正値（オフセット値ＯＦ）は、駆動回路部３０が発光部２の発光素子２ａを発光駆動していない非発光期間において得られる各温度センサ１０ａの温度検出値ＴＭＰｎと、基準検出値を用いて算出される例を挙げた（図１９，図２２参照）。
発光素子２ａが発光しない非発光期間の各温度センサ１０ａの検出値は、発光素子２ａの発光による温度変化の影響を受けない検出値となる。従ってこのときの温度検出値ＴＭＰｎと基準検出値を比較すると、各温度センサ１０ａのサイズや配置の都合などによる製造上の原因も含めたその温度センサ１０ａ自体の精度バラツキに応じた補正値（オフセット値ＯＦ）を求めることができる。これによって各温度センサ１０ａについて精度の良い補正が可能となり、温度検出精度を向上させることができる。
【０１１９】
実施の形態の温度検出部１０は、絶対温度計としての基準温度センサ１０Ｒを有し、基準検出値は、基準温度センサ１０Ｒの温度検出値ＴＭＰＡである例を挙げた（図１９）。
図１１Ａ、図１１Ｂのように基準温度センサ１０Ｒをシステム全体で１つ配置し、これを基準となる絶対温度計とすることで、補正値算出の際の基準検出値を確定させる。これにより基準検出値が定まり、オフセット値ＯＦを適切に算出できる。
【０１２０】
実施の形態では、基準検出値は、複数の温度センサ１０ａの温度検出値の平均値ＴＭＰａｖである例も挙げた（図２２）。
図２１Ａ、図２１Ｂのように基準温度センサ１０Ｒを設けない場合、例えば全ての温度センサ１０ａの温度検出値の平均値を求め、これを基準検出値とする。
これにより絶対的な基準温度センサ１０Ｒを設けることなく基準検出値を取得でき、各温度センサ１０ａのオフセット値ＯＦを適切に算出できる。
なお、平均値ＴＭＰａｖは、必ずしも全ての温度センサ１０ａの平均値でなく、一部の温度センサ１０ａの平均値でもよい。
【０１２１】
実施の形態では、温度センサ１０ａ（特に温度検出素子１１０）は発光素子２ａが形成される各メサＭの直下に配置される例を述べた（図１３参照）。
例えばダイオード構造の発光素子２ａがメサ形で形成される場合に、各メサＭに対応して温度センサ１０ａの温度検出素子１１０を配置する。
これにより各メサＭの温度状況を検出でき、メサ温度に応じて発光素子２ａの駆動を制御できる。
【０１２２】
実施の形態の駆動回路部３０は、複数の発光素子２ａの所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされているものとした（図３等参照）。
例えば発光素子の１つ１つ個別に、もしくは複数の発光素子群としてのブロック単位で、発光をオン／オフさせたり、発光駆動電流を設定することが可能な構成である。
これにより各温度センサ１０ａの温度検出値として把握される所定単位毎に、温度状況に応じた制御が可能な構成となる。
また発光部２の面内温度分布に応じた駆動制御も可能となる。
測距センサ１としては、発光素子２ａが所定単位毎に制御されることで、均一な発光、光量エネルギーでの露光が可能となり、イメージセンサ７で撮像される画像上に写る対象物（被写体Ｓ）による反射光の像の輝度が、一様に近づくようにすることもできる。これにより測距センシング精度も向上される。
【０１２３】
実施の形態の駆動回路部３０による発光部２の駆動方式は、制御部（駆動制御部３１又は制御部９）が補正して取得した温度検出値に基づき切り替えられる例を挙げた。
例えば発光対象期間内において複数の発光素子を同時発光させる同時発光駆動と、発光対象期間内において複数の発光素子を時分割発光させる分割発光駆動とが切り替えられるようにするなど、駆動方式を補正された温度検出値に応じて切り替える。
これにより高精度で得られた温度検出値に応じて適切な駆動が実現される。
温度に応じた駆動方式の切替は、発光素子２ａの所定単位毎（個々又はブロック毎）に行われても良いし、全ての発光素子２ａに対して一括して行われても良い。
【０１２４】
実施の形態では、発光部２は、発光部２より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサ７のフレーム期間と同期して発光する例を述べた。
これにより、発光部が発した光を被写体に照射しイメージセンサで受光して測距を行う場合に対応して、発光素子をイメージセンサのフレーム周期に応じた適切なタイミングで発光させることが可能とされる。
従って、測距精度の向上を図ることができる。また、光源装置が被写体の測距用の光源として用いられる場合に対応して温度上昇の抑制を図ることができる。
【０１２５】
なお、上記では、発光素子２ａごとにスイッチＳＷを設けて、発光素子２ａごとの個別駆動を可能とする構成を例示したが、本技術において、発光素子２ａごとの個別駆動を可能に構成することは必須ではない。
また、上記では本技術が測距装置に適用される例を挙げたが、本技術は測距用の光源への適用に限定されるものではない。
【０１２６】
なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【０１２７】
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
（１）
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、
前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部と、
前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する制御部と、を備えた
光源装置。
（２）
前記補正値は、各温度センサの検出値について、基準検出値との差を示すオフセット値である
上記（１）に記載の光源装置。
（３）
前記補正値は、前記駆動回路部が前記発光部の発光素子を発光駆動していない非発光期間において得られる各温度センサの検出値と、基準検出値を用いて算出される
上記（１）又は（２）に記載の光源装置。
（４）
前記温度検出部は、絶対温度計としての基準温度センサを有し、
前記基準検出値は、前記基準温度センサの検出値である
上記（２）又は（３）に記載の光源装置。
（５）
前記基準検出値は、複数の前記温度センサの検出値の平均値である
上記（２）又は（３）に記載の光源装置。
（６）
前記温度センサは前記発光素子が形成される各メサの直下に配置される
上記（１）乃至（５）のいずれかに記載の光源装置。
（７）
前記駆動回路部は、複数の前記発光素子の所定単位毎の発光動作を個別に駆動可能な構成とされている
上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の光源装置。
（８）
前記駆動回路部による前記発光部の駆動方式は、
前記制御部が補正して取得した温度検出値に基づき切り替えられる
上記（１）乃至（７）のいずれかに記載の光源装置。
（９）
前記発光部は、前記発光部より発せられ被写体で反射された光を受光するイメージセンサのフレーム期間と同期した発光を行う
上記（１）乃至（８）のいずれかに記載の光源装置。
（１０）
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、
前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部とを備えた光源装置において、
前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する
温度検出方法。
（１１）
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部の複数の発光素子を発光させる駆動回路部と、
前記発光部の温度検出を行うように配置された複数の温度センサを有する温度検出部と、
前記駆動回路部により前記発光部の発光素子が発光駆動される際に、複数の前記温度センサのそれぞれの検出値を、それぞれの温度センサについて設定された補正値を用いて補正する制御部と、
前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備える
センシングモジュール。
【符号の説明】
【０１２８】
１  測距装置、２  発光部、２ａ  発光素子、３，３Ａ  駆動部、７  イメージセンサ、１０  温度検出部、１０ａ  温度センサ、１０Ｒ  基準温度センサ、１１０  温度検出素子
【図１】
2020031120.tif 000003
【図２】
2020031120.tif 000004
【図３】
2020031120.tif 000005
【図４】
2020031120.tif 000006
【図５】
2020031120.tif 000007
【図６】
2020031120.tif 000008
【図７】
2020031120.tif 000009
【図８】
2020031120.tif 000010
【図９】
2020031120.tif 000011
【図１０】
2020031120.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2020031120.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2020031120.tif 000017
【図１６】
2020031120.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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