(57)【要約】      （修正有）【課題】光透過性を維持しつつ、壁部の寸法精度が優れたリッドを用いた振動デバイスを提供する。【解決手段】振動デバイス１は、一方面側に振動部２２を有する振動体（ＭＥＭＳ素子）が設けられているベース（ＳＯＩ基板１０）と、光透過性を有する基板（ガラス基板５ａ）および基板（ガラス基板５ａ）に接合されている枠状のシリコン基板５ｂを含むリッド５と、を備える。シリコン基板は、ベースの一方面における振動体を囲む部分に接合されている。【選択図】図２
2020036063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に振動体が設けられているベースと、
光透過性を有する基板、および前記基板に接合されている枠状のシリコン基板を含むリッドと、を備え、
前記シリコン基板は、前記ベースの前記一方面における前記振動体を囲む部分に接合されていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は、ガラスであることを特徴とする振動デバイス。
【請求項３】
請求項２において、
前記ガラスは、アルカリイオンを含んでいることを特徴とする振動デバイス。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項において、
前記振動体は、
前記ベースと一体に構成されている振動部と、
前記振動部に設けられている圧電体と、
前記圧電体の表面に設けられている電極と、を含むことを特徴とする振動デバイス。
【請求項５】
ベースの一方面側に振動体を形成するベース形成工程と、
光透過性を有する基板にシリコン基板を接合し、前記シリコン基板を枠状にエッチングしてリッドを形成するリッド形成工程と、
前記シリコン基板を、前記ベースの前記一方面における前記振動体を囲む部分に接合する接合工程と、を含んでいることを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記ベース形成工程では、
振動部を含む前記振動体の外形形状を形成し、前記振動部に圧電体を形成し、前記圧電体の表面に電極を形成することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記接合工程の後、前記リッドを透過させたレーザー光を前記電極に照射し、前記電極の一部を除去する調整工程を備えていることを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の振動デバイスと、
前記振動デバイスの出力信号に基づいて制御を行う制御部と、を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の振動デバイスと、
前記振動デバイスの出力信号に基づいて制御を行う制御部と、を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器、および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、小型・薄型の振動デバイスを実現させるため、例えば特許文献１には、振動デバイスの一例として、シリコン、もしくはガラスを用いた平板状のベースに振動素子を形成し、シリコン、もしくはガラスを用いた凹形状のリッドを、該凹形状の凹みに該振動素子が収納されるように配置し、ベースに接合した水晶振動子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２２００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の構成において、リッドにシリコンを用いた場合、シリコンの光透過率が低いため、ベースとリッドとを接合した後に、収納された振動素子に対して、例えばレーザー光などを用いて行う特性調整などを行うことができないという課題を有していた。また、リッドにガラスを用いた場合、光透過性を維持しつつ凹部を形成可能なウエットエッチング法を用いると、等方的なエッチングにより、リッドの形状ばらつきが大きくなってしまうという課題を有していた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願の振動デバイスは、一方面側に振動体が設けられているベースと、光透過性を有する基板、および前記基板に接合されている枠状のシリコン基板を含むリッドと、を備え、前記シリコン基板は、前記ベースの前記一方面における前記振動体を囲む部分に接合されていることを特徴とする。
【０００６】
上述の振動デバイスにおいて、前記基板は、ガラスであることとしてもよい。
【０００７】
上述の振動デバイスにおいて、前記ガラスは、アルカリイオンを含んでいることとしてもよい。
【０００８】
上述の振動デバイスにおいて、前記振動体は、前記ベースと一体に構成されている振動部と、前記振動部に設けられている圧電体と、前記圧電体の表面に設けられている電極と、を含むこととしてもよい。
【０００９】
本願の振動デバイスの製造方法は、ベースの一方面側に振動体を形成するベース形成工程と、光透過性を有する基板にシリコン基板を接合し、前記シリコン基板を枠状にエッチングしてリッドを形成するリッド形成工程と、前記シリコン基板を、前記ベースの前記一方面における前記振動体を囲む部分に接合する接合工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００１０】
上述の振動デバイスの製造方法において、前記ベース形成工程では、振動部を含む前記振動体の外形形状を形成し、前記振動部に圧電体を形成し、前記圧電体の表面に電極を形成することとしてもよい。
【００１１】
上述の振動デバイスの製造方法において、前記接合工程の後、前記リッドを透過させたレーザー光を前記電極に照射し、前記電極の一部を除去する調整工程を備えていることとしてもよい。
【００１２】
本願の電子機器は、上記のいずれか一つに記載の振動デバイスと、前記振動デバイスの出力信号に基づいて制御を行う制御部と、を備えていることを特徴とする。
【００１３】
本願の移動体は、上記のいずれか一つに記載の振動デバイスと、前記振動デバイスの出力信号に基づいて制御を行う制御部と、を備えていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る振動デバイスの構成を示す概略平面図。
【図２】振動デバイスの構成を示す図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】振動デバイスの製造方法を示す工程フローチャート。
【図４Ａ】振動体としてのＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｂ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｃ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｄ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｅ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｆ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｇ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｈ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｉ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図４Ｊ】ＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図。
【図５Ａ】リッドの製造工程を示す概略断面図。
【図５Ｂ】リッドの製造工程を示す概略断面図。
【図５Ｃ】リッドの製造工程を示す概略断面図。
【図５Ｄ】リッドの製造工程を示す概略断面図。
【図５Ｅ】リッドの製造工程を示す概略断面図。
【図６】ベースとリッドの接合工程を示す概略断面図。
【図７】ＭＥＭＳ素子の調整工程を示す概略断面図。
【図８】電子機器の一例であるスマートフォン（携帯電話機）の構成を模式的に示す斜視図。
【図９】移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下での説明例は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。また、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００１６】
（実施形態）
１．振動デバイス
先ず、実施形態に係る振動デバイス１について、図１、および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る振動デバイス１の構成を示す概略平面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ線における概略断面図である。なお、図１において、振動デバイス１の内部の構成を説明する便宜上、リッド５を取り外した（透視した）状態を図示している。
【００１７】
本実施形態に係る振動デバイス１は、図１、および図２に示すように、一方面側に振動体としてのＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子２０が形成されたベースとしてのＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板１０と、ＭＥＭＳ素子２０を気密封止し、内封可能な蓋体としてのリッド５と、を含み構成されている。ＭＥＭＳ素子２０は、三つの振動部２２を含み、隣り合う振動部２２を逆相で振動させる振動素子として機能する。
【００１８】
蓋体として機能するリッド５は、光透過性（透光性）を有する基板としてのガラス基板５ａと、ガラス基板５ａに接合されている枠状のシリコン基板５ｂとを含み構成されている。ガラス基板５ａとシリコン基板５ｂとは、例えば陽極接合法を用いて接合されている。ここでの「光」とは、可視光領域（波長：３５０ｎｍ〜７００ｎｍ）、近赤外光領域（波長：７００ｎｍ〜２．５μｍ）、中赤外光領域（波長：２．５μｍ〜４μｍ）、遠赤外光領域（波長：４μｍ〜１０００μｍ）を含む。
【００１９】
ガラス基板５ａは、厚さ１００μｍ程度の光透過性（透光性）を有するガラス、所謂透明ガラスで構成されている。このように、光透過性を有する基板としてガラスを用いることにより、容易に入手可能であり、且つ低コストの基板とすることができる。
【００２０】
なお、ガラス基板５ａは、アルカリイオン（アルカリ金属イオン、可動イオン）を含むガラス（例えば、パイレックス（登録商標）ガラスやテンパックス（登録商標）ガラスのような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。このように、アルカリイオンを含むガラスをガラス基板５ａに用いることにより、ガラス基板５ａとシリコン基板５ｂとの接合を陽極接合により容易に行なうことができる。
【００２１】
ガラス基板５ａに接合されているシリコン基板５ｂは、厚さ５０μｍ程度の単結晶シリコン等で構成されている。シリコン基板５ｂは、ガラス基板５ａの外縁に沿った枠状をなし、枠の内側をＭＥＭＳ素子２０を収納するキャビティー７として機能させる。
【００２２】
リッド５のキャビティー７は、側面にシリコン基板５ｂが露出し、底面にガラス基板５ａが露出する凹形状に構成され、ＳＯＩ基板１０側に開口している。リッド５は、キャビティー７が設けられた側の面をＳＯＩ基板１０のＭＥＭＳ素子２０が形成されている側の面のうちのＭＥＭＳ素子２０を囲む部分に当接させ、ＳＯＩ基板１０に接合されている。換言すれば、リッド５を構成するシリコン基板５ｂが、ＳＯＩ基板１０の一方面におけるＭＥＭＳ素子２０を囲む部分に接合されている。
【００２３】
ここで、ガラス基板５ａに接合されているシリコン基板５ｂは、例えばドライエッチング法などによって精度よく凹形状部分を貫通させることができる。これにより、シリコン基板５ｂは、寸法精度よく自身の外縁に沿って枠状に設けられた枠部を備えることができる。なお、枠部は、シリコン基板５ｂの外縁に沿った周状をなして設けられている。したがって、ガラス基板５ａによって光透過性を有するとともに、シリコン基板５ｂによってＳＯＩ基板１０に接合される部分である枠部の形状ばらつきも小さなリッド５を実現することができる。
【００２４】
なお、上述において、リッド５を構成している光透過性を有する基板として、ガラス基板５ａを例示して説明したがこれに限らない。リッド５を構成することが可能な光透過性を有する基板としては、例えばサファイア基板（サファイアガラス基板）、水晶基板、もしくはアクリル基板（アクリルガラス基板）などを適用することができる。
【００２５】
基板としてのＳＯＩ基板１０は、図２に示すように、シリコン層１１と、ＢＯＸ（Buried Oxide）層１２と、表面シリコン層１３とが、この順で積層された基板である。例えば、シリコン層１１および表面シリコン層１３は、単結晶シリコンで構成され、ＢＯＸ層１２は、酸化ケイ素層（ＳｉＯ2等）で構成される。
【００２６】
ＳＯＩ基板１０には、表面シリコン層１３のシリコンで構成されたＭＥＭＳ素子２０と、表面シリコン層１３上に形成された電極パッド５０と、ＭＥＭＳ素子２０を駆動するための素子電極と電極パッド５０とを接続する複数の配線４６（図２参照、図１では図示せず）と、電極パッド５０と接続しＭＥＭＳ素子２０が形成されている一方面側とは反対側の外面１１ｒに電極を引き出す第１の配線電極５８と、第１の配線電極５８を形成するための第１の配線用貫通孔５２と、リッド５のキャビティー７およびＳＯＩ基板１０に形成されたキャビティー８により構成される内部空間を気密封止するための貫通孔と、が配設されている。貫通孔は、第１の孔部６２および第１の孔部６２に連通する第２の孔部６４と、第１の孔部６２と第２の孔部６４との連通部を塞ぐ封止部（不図示）とを含み構成されている。
【００２７】
そして、リッド５の枠状のシリコン基板５ｂは、キャビティー７およびキャビティー８により構成される内部空間にＭＥＭＳ素子２０を収納するように、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３に、シリコン‐シリコンの直接接合によって接合され、振動デバイス１が構成される。
【００２８】
ＭＥＭＳ素子２０は、ＢＯＸ層１２によって支持された基部２１と、ＢＯＸ層１２が除去された領域上において、基部２１以外の周囲のシリコンから分離された振動部２２と、を有している。本実施形態で例示するＭＥＭＳ素子２０は、並行するように配置されている三つの振動部２２を有している。振動部２２に対向する位置におけるシリコン層１１およびＢＯＸ層１２には、内部空間を構成するキャビティー８が設けられている。また、ＭＥＭＳ素子２０（振動部２２）のリッド５側の面である表面シリコン層１３の上面１３ｆには、ＭＥＭＳ素子２０の所定の領域や内部空間を気密封止するための貫通孔の外周領域に配設されたシリコン酸化膜である素子調整層３０と、素子調整層３０の少なくとも一部を覆う圧電駆動部４０と、が設けられている。
【００２９】
素子調整層３０は、振動部２２の共振周波数の温度特性を補正するために設けられている。シリコンは、温度が高くなるにつれて低下する共振周波数を有しており、一方、シリコン酸化膜は、温度が高くなるにつれて上昇する共振周波数を有している。従って、シリコンのＭＥＭＳ素子２０上にシリコン酸化膜である素子調整層３０を配設することにより、ＭＥＭＳ素子２０の振動部２２と素子調整層３０とで構成される複合体の共振周波数の温度特性をフラットに近付けることができる。
【００３０】
振動部２２に設けられている圧電駆動部４０は、第１の保護膜４１と、第１の電極４２と、圧電体としての圧電体層４３と、第２の電極４４と、を含んでいる。なお、本実施形態において、第１の電極４２および第２の電極４４は、圧電体としての圧電体層４３の表面に設けられている電極（素子電極）に相当する。詳細に、第１の電極４２は、圧電体層４３の第１の保護膜４１側の表面に配設され、第２の電極４４は、圧電体層４３の第１の保護膜４１と反対側の表面に配設されている。また、ベースとしてのＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３と一体に構成されている基部２１および振動部２２と、第１の電極４２と、圧電体としての圧電体層４３と、第２の電極４４とを含むＭＥＭＳ素子２０の構成が振動体に相当する。
【００３１】
第１の保護膜４１は、不純物がドープされていないポリシリコンで構成されているが、アモルファスシリコンで構成されてもよい。また、第１の保護膜４１は、ポリシリコンとアモルファスシリコンの積層膜であってもよい。本実施形態において、第１の保護膜４１は、ＭＥＭＳ素子２０上に配設されている素子調整層３０を覆うように設けられている。このように、第１の保護膜４１とＭＥＭＳ素子２０との間に素子調整層３０があることによって、第１の保護膜４１が、圧電駆動部４０の周囲のシリコン酸化膜のエッチングから素子調整層３０を保護することができる。
【００３２】
第１の電極４２および第２の電極４４は、圧電体層４３を挟むように配設されている。本実施形態に示す例においては、三つの振動部２２に対応して、３組の第１の電極４２、圧電体層４３および第２の電極４４が配設されている。
【００３３】
複数の配線４６は、隣り合う振動部２２を逆相で振動させるように、第１の電極４２および第２の電極４４に電気的に接続されている。また、複数の配線４６は、電極パッド５０と電気的に接続されており、２つの電極パッド５０間に第１の配線電極５８や不図示の配線電極を介して外部から電圧を印加することにより、隣り合う振動部２２を逆相で振動させることができる。
【００３４】
なお、これらを構成する材料としては、例えば、圧電体層４３は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で構成され、第１の電極４２および第２の電極４４は、窒化チタン（ＴｉＮ）等で構成され、複数の配線４６および電極パッド５０は、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等で構成されている。
【００３５】
振動デバイス１は、２つの電極パッド５０を介して、第１の電極４２と第２の電極４４との間に電圧が印加されると、それによって圧電体層４３が伸縮して振動部２２が振動する。その振動は、固有の共振周波数において大きく励起されて、インピーダンスが最小となる。その結果、この振動デバイス１は、発振回路に接続することで、主に振動部２２の共振周波数によって決定される発振周波数で発振する。
【００３６】
第１の配線用貫通孔５２は、図１に示すように、平面視で、リッド５のキャビティー７の領域で、ＭＥＭＳ素子２０の両側に一つずつ配設され、表面シリコン層１３の電極パッド５０と重なる位置に配設されている。
【００３７】
電極パッド５０は、平面視で、第１の配線用貫通孔５２と重なる位置では、配線４６を介して第１の配線電極５８と電気的に接続されるよう配設されている。また、電極パッド５０は、第１の配線用貫通孔５２と重ならない位置では、表面シリコン層１３上に素子調整層３０、第１の保護膜４１および配線４６を介して配設されている。このような構成により、電極パッド５０と第１の配線電極５８とが電気的に接続され、第１の電極４２および第２の電極４４を、シリコン層１１のＭＥＭＳ素子２０が形成されている側とは反対側の外面１１ｒに引き出すことができる。なお、第１の配線電極５８を構成する材料としては、チタニウム（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）や銅（Ｃｕ）等で構成されている。また、第１の配線電極５８は、メッキ法により形成されたメッキ層によって構成されている。
【００３８】
リッド５のキャビティー７とＳＯＩ基板１０のキャビティー８とにより構成される内部空間を気密封止するための封止孔として機能する貫通孔は、シリコン層１１および酸化膜としてのＢＯＸ層１２を貫通する第１の孔部６２と、表面シリコン層１３を貫通して第１の孔部６２に連通する第２の孔部６４と、を含み構成されている。
【００３９】
貫通孔は、平面視で、リッド５のキャビティー７の領域で、基部２１に対して振動部２２が設けられている側と反対側に配設されている。貫通孔を構成する第１の孔部６２は、表面シリコン層１３に設けられている第２の孔部６４と重なる位置に配設されている。また、貫通孔を構成する第１の孔部６２は、第２の孔部６４に連通するようにシリコン層１１およびＢＯＸ層１２に配設されている。
【００４０】
第１の孔部６２は、シリコン層１１の外面１１ｒからシリコン層１１およびＢＯＸ層１２を貫通している。第１の孔部６２によって外面１１ｒ側と反対側に開口する開口部には、第１の孔部６２と第２の孔部６４との連通部となる表面シリコン層１３の裏面が対向している。第１の孔部６２は、表面シリコン層１３の内部空間側（キャビティー７側）と第２の孔部６４とが連通されるように表面シリコン層１３を貫通している。
【００４１】
貫通孔は、第１の孔部６２と第２の孔部６４との連通部となる表面シリコン層１３の裏面側から第２の孔部６４にかけて配設される封止膜や封止材の充填などによる封止部（不図示）によって封止されている。これにより、キャビティー７およびキャビティー８により構成される内部空間を気密に封止することができる。
【００４２】
以上述べたように、本実施形態に係る振動デバイス１によれば、リッド５は、光透過性を有するガラス基板５ａとガラス基板５ａに接合されているシリコン基板５ｂとによって構成されている。そして、ガラス基板５ａは光透過性を有し、ガラス基板５ａに接合されているシリコン基板５ｂは、例えばドライエッチング法などによって精度よく枠状に加工することができる。したがって、光透過性を有するとともに、ＳＯＩ基板１０との接合部分である枠部の形状のばらつきも小さなリッド５を用いた振動デバイス１を提供することができる。また、リッド５に光透過性を有していることから、リッド５とＳＯＩ基板１０とを接合した後でも、リッド５を透過したレーザー光などを用いることによって、キャビティー７，８によって構成された収納空間に収納されている振動体としてのＭＥＭＳ素子２０の電気的特性の調整を容易に行うことができる。
【００４３】
なお、振動デバイス１を構成するベースとしてのＳＯＩ基板１０は、ガラス基板とすることもできる。この場合、ベースとしてのガラス基板は、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１１に相当するガラス層と、ＳＯＩ基板１０のＢＯＸ（Buried Oxide）層１２に相当する酸化ケイ素層（ＳｉＯ2等）と、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３に相当し、ＭＥＭＳ素子２０を構成する表面ガラス層によって構成することができる。ここで、ベースとしてガラス基板を用いた場合におけるリッド５との接合は、陽極接合、もしくは直接接合を適用することができる。
【００４４】
２．振動デバイスの製造方法
次に、本実施形態に係る振動デバイス１の製造方法について、図３、図４Ａ〜図４Ｊ、図５Ａ〜図５Ｅ、図６、および図７を参照して説明する。図３は、振動デバイスの製造方法を示す工程フローチャートである。図４Ａ〜図４Ｊは、ベースにおける振動体としてのＭＥＭＳ素子の製造工程を示す概略断面図である。図５Ａ〜図５Ｅは、リッドの製造工程を示す概略断面図である。図６は、ベースとリッドの接合工程を示す概略断面図である。図７は、ＭＥＭＳ素子の調整工程を示す概略断面図である。なお、図４Ａ〜図４Ｊ、図５Ａ〜図５Ｅ、および図６は、図１のＡ−Ａ線の位置に相当する概略断面図である。また、断面の背景を示す線は省略している。また、前述した振動デバイス１の各構成部位には、同符号を付している。
【００４５】
図３のフローチャートに示すように、振動デバイス１の製造方法（製造工程）は、ベース形成工程（ステップＳ１０１）と、リッド形成工程（ステップＳ１０３）と、ベースとリッドとを接合する接合工程（ステップＳ１０５）と、を含んでいる。さらに、振動デバイス１の製造工程は、接合工程（ステップＳ１０５）の後に、振動デバイス１の電気的特性を調整する調整工程（ステップＳ１０７）を備えている。以下、図４Ａ〜図４Ｊ、図５Ａ〜図５Ｅ、図６、および図７の工程説明図も併せて参照しながら振動デバイス１の製造方法について説明する。
【００４６】
（ベース形成工程）
ベース形成工程（ステップＳ１０１）では、ベースとしてのＳＯＩ基板１０の一方面側に振動体としてのＭＥＭＳ素子２０を形成する。詳細に、ベース形成工程（ステップＳ１０１）では、振動部２２を含むＭＥＭＳ素子２０の外形形状を形成し、振動部２２に圧電体層４３を形成し、圧電体層４３の表面に第１の電極４２および第２の電極４４を形成する。先ず、ベース形成工程（ステップＳ１０１）の準備工程として、シリコン層１１と、ＢＯＸ層１２と、表面シリコン層１３とが、この順で積層されたＳＯＩ基板１０を形成する。以下、ベース形成工程（ステップＳ１０１）を第１の工程から第１０の工程に区分して詳細に説明する。
【００４７】
先ず、第１の工程において、図４Ａに示すように、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３に、ＭＥＭＳ素子２０の振動部２２となる領域をＭＥＭＳ素子２０の基部２１となる領域以外の周囲のシリコンから分離するトレンチ１３ｂを形成する。その際に、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３のトレンチ１３ｂによってＭＥＭＳ素子２０の振動部２２から分離される領域に、トレンチ（スリット）１３ｃが形成されてもよい。このようなトレンチ（スリット）１３ｃを設けることにより、振動部２２と隣の振動部２２との間の溝の幅が広い領域において、後に行われる振動部２２の周囲のシリコンのリリースエッチングを容易にすることができる。
【００４８】
トレンチ１３ｂの形成は、表面シリコン層１３上にレジスト１４を塗布し、フォトリソグラフィー法によってマスクパターンを形成し、レジスト１４をマスクとして表面シリコン層１３をエッチングすることにより、図４Ａに示すように、表面シリコン層１３に、ＭＥＭＳ素子２０の振動部２２となる領域をＭＥＭＳ素子２０の基部２１となる領域以外の周囲のシリコンから分離するトレンチ１３ｂを形成する。なお、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３の表面を熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成し、フォトリソグラフィー法によってシリコン酸化膜によるマスクを形成し、表面シリコン層１３をエッチングすることで、トレンチ１３ｂを形成しても構わない。なお、トレンチ１３ｂの形成と同工程で、貫通孔を構成する第２の孔部６４を形成することができる。
【００４９】
第２の工程において、図４Ｂに示すように、表面シリコン層１３の上面、トレンチ１３ｂ内の側壁に、シリコン酸化膜である素子調整層３０を形成する。例えば、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３を熱酸化することにより、表面シリコン層１３の上面、トレンチ１３ｂ内の側壁に、熱酸化膜（シリコン酸化膜）が形成される。熱酸化膜の厚さは、例えば、０．２μｍ〜０．３μｍ程度である。この熱酸化膜は、後に行われる振動部２２の周囲のシリコンのリリースエッチングから振動部２２および圧電駆動部４０を保護する保護壁となる。
【００５０】
次に、表面シリコン層１３のトレンチ１３ｂを埋めるシリコン酸化膜を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学蒸着）法によって形成する。その際に、トレンチ１３ｂ内のシリコン酸化膜に鬆や気孔が発生しても、熱酸化膜が強固なので問題はない。また、加工によって形成された表面シリコン層１３のトレンチ１３ｂがシリコン酸化膜によって埋められて表面がほぼ平坦となるため、この後のフォトリソグラフィー工程への段差による悪影響を排除することができる。
【００５１】
従って、表面シリコン層１３を熱酸化することにより形成された熱酸化膜と、ＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜とが図２に示す素子調整層３０となる。なお、第２の工程において、熱酸化膜を形成せずに、熱ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成してもよいし、または、熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法との２段階のＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成してもよい。
【００５２】
第３の工程において、素子調整層３０の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によって、振動部２２を含むＭＥＭＳ素子２０等の所定の領域を保護するマスクパターンを形成し、レジストをマスクとして素子調整層３０をエッチングすることにより、図４Ｃに示す表面シリコン層１３に達するトレンチ１３ｄを形成する。その後、図４Ｃに示すように、素子調整層３０の上面とトレンチ１３ｄに第１の保護膜４１をＣＶＤ法により形成する。
【００５３】
第４の工程において、第１の保護膜４１上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によってマスクパターンを形成し、レジストをマスクとして第１の保護膜４１をエッチングする。それにより、図４Ｄに示すように、振動部２２を含むＭＥＭＳ素子２０の所定の領域に形成された素子調整層３０の側面を含む領域に第１の保護膜４１が形成される。
【００５４】
第１の保護膜４１は、ＭＥＭＳ素子２０との間で素子調整層３０を覆っている。第１の保護膜４１の厚さは、例えば、０．２μｍ程度である。ＣＶＤ法による第１の保護膜４１の埋め込み性は良好なので、後に行われる振動部２２および圧電駆動部４０の周囲のシリコン酸化膜のリリースエッチングから素子調整層３０を保護する強固な第１の保護膜４１の壁を、小さい厚さで形成することができる。
【００５５】
第５の工程において、図４Ｅに示すように、ＭＥＭＳ素子２０（振動部２２）の所定の領域に形成された第１の保護膜４１上に第１の電極４２、圧電体層４３、および第２の電極４４を、この順でフォトリソグラフィー法により形成する。なお、第１の保護膜４１、第１の電極４２、圧電体層４３、および第２の電極４４は、圧電駆動部４０を構成する。また、第１の電極４２および第２の電極４４を形成する際は、第１の電極４２と電極パッド５０とを接続するための配線４６および第２の電極４４と電極パッド５０とを接続するための配線４６も同時に形成する。
【００５６】
第６の工程において、圧電駆動部４０が形成されたＳＯＩ基板１０上に、シリコン酸化膜３３をＣＶＤ法により形成する。その後、図４Ｆに示すように、電極パッド５０を形成する位置が開口したマスクパターンをフォトリソグラフィー法によって形成し、シリコン酸化膜３３をマスクとしてスパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等を、電極パッド５０を形成する位置に成膜し、電極パッド５０を形成する。
【００５７】
第７の工程において、図４Ｇに示すように、電極パッド５０やシリコン酸化膜３３が形成されたＳＯＩ基板１０上に、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜３４を形成する。その後、シリコン酸化膜３４上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によってマスクパターンを形成し、レジストをマスクとしてシリコン酸化膜３４をエッチングする。それにより、表面シリコン層１３に達するトレンチ１３ｄに対応する所定の領域が開口するシリコン酸化膜３４が形成される。
【００５８】
第８の工程において、図４Ｈに示すように、シリコン酸化膜３４上にレジスト１６を塗布し、フォトリソグラフィー法によってマスクパターンを形成し、レジスト１６をマスクとして、トレンチ１３ｃに対応するシリコン酸化膜３４、素子調整層３０、ＢＯＸ層１２の順でエッチングする。それにより、振動部２２、圧電駆動部４０および電極パッド５０を保護するシリコン酸化膜３４や素子調整層３０を残しつつ、振動部２２の周囲を囲むような形状で、シリコン層１１に達する深さの開口を形成する。このとき、トレンチ１３ｃに相対するトレンチ１３ｄと、トレンチ１３ｄ上に形成される第１の保護膜４１は、エッチング液によるサイドエッチングから、振動部２２や圧電駆動部４０等を保護する第２の保護膜としての機能を有する。
【００５９】
第９の工程において、図４Ｉに示すように、レジスト１６を剥離した後に、シリコン酸化膜３４、素子調整層３０、表面シリコン層１３、ＢＯＸ層１２の開口を通して、振動部２２の周囲のシリコンをエッチングする（リリースエッチング）。その際に、シリコン層１１のシリコンの一部をエッチングして、振動部２２の下方におけるシリコン層１１にキャビティー８を形成する。第９の工程においては、ウエットエッチングが行われ、エッチング液としては、例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）が用いられる。
【００６０】
第１０の工程において、図４Ｊに示すように、振動部２２、圧電駆動部４０、電極パッド５０、第１の孔部６２の周囲のシリコン酸化膜３４、素子調整層３０およびＢＯＸ層１２がエッチングされる（リリースエッチング）。それにより、振動部２２上に素子調整層３０が残る。第１０の工程においては、ウエットエッチングが行われ、エッチング液としては、例えば、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）が用いられる。以上のような第１の工程から第１０の工程により、ベースとしてのＳＯＩ基板１０の一部に振動体としてのＭＥＭＳ素子２０を形成することができる。
【００６１】
（リッド形成工程）
リッド形成工程（ステップＳ１０３）では、光透過性を有する基板であるガラス基板５ａにシリコン基板５ｂを接合し、ガラス基板５ａに接合されたシリコン基板５ｂを枠状にエッチングしてリッド５を形成する。
【００６２】
先ず、リッド形成工程（ステップＳ１０３）の準備工程として、光透過性を有するガラス基板５ａと、枠状のシリコン基板５ｂに形成されるシリコン材１０５とを用意する。ガラス基板５ａは、厚さ１００μｍ程度であって、光透過性（好ましくは透明）を有し、アルカリイオン（アルカリ金属イオン：可動イオン）を含むガラス板で構成されている。シリコン材１０５は、厚さ５０μｍから１５０μｍ程度であって、単結晶シリコン板等で構成されている。
【００６３】
次に、図５Ａに示すように、ガラス基板５ａとシリコン材１０５とを重ね合せ、例えば陽極接合法を用いて接合した基板としてコンポジット基板５００ａを形成する。そして、図５Ｂに示すように、このコンポジット基板５００ａのシリコン材１０５を、ガラス基板５ａとの接合部分と反対側の露出面１０５ｒ側から研削・研磨し、例えば５０μｍ程度の所定の厚さに成形したシリコン基板１０６を形成する。なお、予め、所定の厚さ、および所定の表面状態に成形されたシリコン材１０５を用意し、ガラス基板５ａに接合してコンポジット基板５００ｂを形成してもよい。この場合、図５Ａに示すようなコンポジット基板５００ａの形成後にシリコン材１０５を研削・研磨する工程は、行わなくてもよい。
【００６４】
次に、図５Ｃに示すように、シリコン基板１０６の研磨面１０６ｒにレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法によってマスクパターンを形成し、マスクパターンとして形成されたレジストをマスク１１０としてシリコン基板１０６をエッチングする。このときのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。このエッチングにより、図５Ｄに示すように、シリコン基板１０６の中央部分が研磨面１０６ｒに対して略垂直方向に除去され、外縁部分が枠状に残る枠部を有する枠状のシリコン基板５ｂが形成される。なお、ドライエッチング法を用いることによって、枠形状のばらつきを小さくした寸法精度のよい枠形状（枠部）を形成することができる。また、枠部の内側において、シリコン基板１０６の除去された部分がリッド５のキャビティー７となる。
【００６５】
そして、マスク１１０を構成するレジストを除去することにより、図５Ｅに示すように、光透過性を有する基板であるガラス基板５ａに枠状のシリコン基板５ｂが接合されたリッド５が形成される。これにより、光透過性を有するとともに、ＳＯＩ基板１０に接合される部分である枠部の形状のばらつきも小さなリッド５を実現することができる。
【００６６】
（接合工程）
接合工程（ステップＳ１０５）では、図６に示すように、リッド５を構成する枠状のシリコン基板５ｂの枠内（キャビティー７）にＭＥＭＳ素子２０を配置し、ＳＯＩ基板１０のＭＥＭＳ素子２０が形成された側の面（表面シリコン層１３上面）に、リッド５を枠状のシリコン基板５ｂの部分で接合する。換言すれば、リッド５を構成するシリコン基板５ｂを、ＳＯＩ基板１０の一方面におけるＭＥＭＳ素子２０を囲む部分に接合する。このときの接合は、ＳＯＩ基板１０の表面シリコン層１３と、リッド５を構成する枠状のシリコン基板５ｂとの、シリコン‐シリコンの直接接合を適用する。ここで、リッド５とＳＯＩ基板１０とを接合する他の接合方法として、陽極接合、もしくは低融点ガラス等の接合部材を用いた接合方法などを適用することができる。
【００６７】
なお、本製造方法の説明では詳細に述べないが、接合工程（ステップＳ１０５）の後に、ＳＯＩ基板１０のシリコン層１１およびＢＯＸ層１２に、第１の配線用貫通孔５２および第１の孔部６２を形成することができる。第１の配線用貫通孔５２および第１の孔部６２の形成は、ＳＯＩ基板１０において、シリコン層１１のＢＯＸ層１２の配置されている側と反対側の表面を熱酸化することにより、シリコン酸化膜を形成し、フォトリソグラフィー法によってシリコン酸化膜によるマスクを形成し、シリコン層１１とＢＯＸ層１２とをエッチングすることにより行う。そして、第１の配線用貫通孔５２には、第１の配線電極５８が、メッキ法により形成されたメッキ層によって構成されている。第１の配線電極５８を構成する材料としては、チタニウム（Ｔｉ）やタングステン（Ｗ）や銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００６８】
（調整工程）
次に、調整工程（ステップＳ１０７）では、図７に示すように、接合工程（ステップＳ１０５）の後、リッド５のガラス基板５ａを透過させたレーザー光ＬをＭＥＭＳ素子２０の電極（第２の電極４４）に照射し、蒸発・昇華させることによって、例えば第２の電極４４の一部を除去する。このように、ＭＥＭＳ素子２０の電極（第２の電極４４）を除去することによって、電気的特性の調整、例えば振動部２２の共振周波数を調整することができる。本工程では、ＳＯＩ基板１０およびリッド５によって封止されたキャビティー７，８内に収納されたＭＥＭＳ素子２０の電極（第２の電極４４）を除去することによって、上述の振動部２２の共振周波数の調整など、ＭＥＭＳ素子２０の電気的特性の調整をリッド５の外側から容易に行うことができる。
【００６９】
以上説明した振動デバイス１の製造方法によれば、ベースとしてのＳＯＩ基板１０の一部に、振動体としてのＭＥＭＳ素子２０が形成され、ＭＥＭＳ素子２０を、リッド５を構成する枠状のシリコン基板５ｂの内側（キャビティー７）において、ＳＯＩ基板１０と光透過性を有するガラス基板５ａとの間に収納した振動デバイス１を製造することができる。換言すれば、光透過性を有するとともに、枠状に形成された枠部の形状のばらつきも小さな寸法精度の高いリッド５を用いた振動デバイス１を容易に形成することができる。このように製造された振動デバイス１では、光透過性を有するガラス基板５ａを透過した、例えばレーザー光Ｌなどを用いてキャビティー７，８内のＭＥＭＳ素子２０を容易に加工することができ、微細な特性の調整などを行うことができる。
【００７０】
また、ＳＯＩ基板１０と一体的に形成された振動部２２、該振動部２２の表面に形成された圧電体としての圧電体層４３、および該圧電体層４３の表面に形成された電極としての第１の電極４２および第２の電極４４を含む、所謂ＭＥＭＳ構造の振動体（ＭＥＭＳ素子２０）を備えた振動デバイス１を形成することができる。
【００７１】
以上説明した実施形態では、振動デバイス１として、三つの振動部２２を備えた振動体としてのＭＥＭＳ素子２０を例示して説明したが、これに限らない。本発明に係る振動デバイスとしては、二つの振動部２２を備えた音叉型の振動素子、あるいは可動体を含む振動体としての機能を備えた角速度センサー素子、加速度センサー素子、圧力センサー素子、などにも適用することができる。
【００７２】
３．電子機器
次に、振動デバイス１を用いた電子機器として、スマートフォンを例示し、図８に基づき、詳細に説明する。図８は、電子機器の一例であるスマートフォン（携帯電話機）の構成を模式的に示す斜視図である。
【００７３】
この図において、スマートフォン１２００は、上述した振動デバイス１が組込まれている。振動デバイス１の出力信号は、スマートフォン１２００の制御部１２０１に送信される。制御部１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）を含んで構成されており、受信した出力信号に基づいて、スマートフォン１２００の姿勢や、挙動を認識して、表示部１２０８に表示されている表示画像を変化させたり、警告音や、効果音を鳴らしたり、振動モーターを駆動して本体を振動させたりするなどの制御を行うことができる。換言すれば、スマートフォン１２００のモーションセンシングを行い、計測された姿勢や、挙動から、表示内容を変えたり、音や、振動などを発生させたりすることができる。特に、ゲームのアプリケーションを実行する場合には、現実に近い臨場感を味わうことができる。
【００７４】
このような電子機器の一例としてのスマートフォン１２００は、前述の振動デバイス１、および制御部１２０１を備えているので、優れた信頼性を有している。
【００７５】
なお、振動デバイス１を備える電子機器は、上述のスマートフォン１２００（携帯電話機）の他にも、例えば、パーソナルコンピューター、タブレット端末、ディジタルスチールカメラ、時計、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、地震計、歩数計、傾斜計、ハードディスクの振動を計測する振動計、ロボットやドローンなど飛行体の姿勢制御装置、自動車の自動運転用慣性航法に使用される制御機器等に適用することができる。
【００７６】
４．移動体
次に、振動デバイス１を用いた移動体を図９に示し、詳細に説明する。図９は、移動体の一例である自動車の構成を示す斜視図である。
【００７７】
図９に示すように、自動車１５００には振動デバイス１が内蔵されており、例えば、振動デバイス１の出力信号を利用することによって車体１５０１の移動（位置）や姿勢を検出するための制御を行うことができる。振動デバイス１の出力信号は、車体の移動や姿勢を制御する車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を制御する。車体姿勢制御装置１５０２は、例えば、サスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。
【００７８】
なお、振動デバイス１は、他にもキーレスエントリーシステム、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロールシステム（エンジンシステム）、自動運転用慣性航法の制御機器、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００７９】
また、移動体に適用される振動デバイス１は、上記の例示の他にも、例えば、二足歩行ロボットや電車などの移動や姿勢制御、ラジコン飛行機、ラジコンヘリコプター、およびドローンなどの遠隔操縦あるいは自律式の飛行体の移動や姿勢制御、農業機械（農機）、もしくは建設機械（建機）などの移動や姿勢制御、ロケット、人工衛星、船舶、およびＡＧＶ（無人搬送車）などの制御において利用することができる。以上のように、各種移動体の移動（位置）制御や姿勢制御の実現にあたって、振動デバイス１、およびそれぞれの制御部（不図示）や姿勢制御部が組み込まれる。
【００８０】
このような移動体は、振動デバイス１、および制御部（例えば、姿勢制御部としての車体姿勢制御装置１５０２）を備えているので、優れた信頼性を有している。
【００８１】
また、振動デバイス１は、複数台の車両（移動体）の各々に搭載された制御装置を有し、加速、制動、および操舵の少なくともいずれかを自動で制御する自動運転を行う走行支援システムにおいて利用することができる。
【００８２】
以下に、上述した実施形態から導き出される内容を、各態様として記載する。
【００８３】
［態様１］本態様に係る振動デバイスは、一方面側に振動体が設けられているベースと、光透過性を有する基板、および前記基板に接合されている枠状のシリコン基板を含むリッドと、を備え、前記シリコン基板は、前記ベースの前記一方面における前記振動体を囲む部分に接合されていることを特徴とする。
【００８４】
本態様によれば、リッドが光透過性（透光性）を有する基板と、基板に接合されている枠状のシリコン基板とで構成されている。光透過性を有する基板に接合されているシリコン基板は、例えばドライエッチング法などによって精度よく枠状の形状をなした枠部を形成することができる。したがって、光透過性を有するとともに、基板に接合される枠部の形状のばらつきも小さなリッドを用いた振動デバイスを提供することができる。なお、リッドに光透過性を有することで、リッドを透過した、例えばレーザー光などを用いることによって、振動体の特性調整を行うことができる。
【００８５】
［態様２］上記態様に記載の振動デバイスにおいて、前記基板は、ガラスであることとしてもよい。
【００８６】
本態様によれば、基板をガラスとすることにより、容易に入手可能であり、且つ低コストな基板とすることができる。
【００８７】
［態様３］上記態様に記載の振動デバイスにおいて、前記ガラスは、アルカリイオンを含んでいることとしてもよい。
【００８８】
本態様によれば、アルカリイオンを含むガラスを基板とすることにより、基板とシリコン基板（枠状のシリコン基板の素板）とを、陽極接合を用いることにより容易に接合することができる。
【００８９】
［態様４］上記態様に記載の振動デバイスにおいて、前記振動体は、前記ベースと一体に構成されている振動部と、前記振動部に設けられている圧電体と、前記圧電体の表面に設けられている電極と、を含むこととしてもよい。
【００９０】
本態様によれば、振動部に設けられている圧電体と、該圧電体の表面に設けられている電極とを備えた振動体を、枠状のシリコン基板の内側において、ベースと光透過性を有する基板との間に収納した振動デバイスとすることができる。このような振動デバイスでは、光透過性を有する基板を透過した、例えばレーザー光などによって、収納された振動体の特性調整を行うことができる。
【００９１】
［態様５］本態様に係る振動デバイスの製造方法は、ベースの一方面側に振動体を形成するベース形成工程と、光透過性を有する基板にシリコン基板を接合し、前記シリコン基板を枠状にエッチングしてリッドを形成するリッド形成工程と、前記シリコン基板を、前記ベースの前記一方面における前記振動体を囲む部分に接合する接合工程と、を含んでいることを特徴とする。
【００９２】
本態様によれば、ベースの一方面側に振動体が形成され、リッドを構成する枠状のシリコン基板をベースの一方面における振動体を囲む部分に接合する。即ち、平面視で、リッドを構成する枠状のシリコン基板の枠部の内側において、ベースと光透過性を有する基板との間に、その振動体を収納した振動デバイスを製造することができる。換言すれば、光透過性を有するとともに、枠部の形状のばらつきも小さな寸法精度の高いリッドを用いた振動デバイスを容易に形成することができる。このように製造された振動デバイスでは、光透過性を有する基板を透過した、例えばレーザー光などにより、ベースおよびリッドに収納された振動体を容易に加工し、特性の調整などを行うことができる。
【００９３】
［態様６］上記態様に記載の振動デバイスの製造方法において、前記ベース形成工程では、振動部を含む前記振動体の外形形状を形成し、前記振動部に圧電体を形成し、前記圧電体の表面に電極を形成することとしてもよい。
【００９４】
本態様によれば、ベースと一体的に形成された振動部、該振動部に形成された圧電体、および該圧電体の表面に形成された電極を含む、所謂ＭＥＭＳ構造の振動体を備えた振動デバイスを形成することができる。
【００９５】
［態様７］上記態様に記載の振動デバイスの製造方法において、前記接合工程の後、前記リッドを透過させたレーザー光を前記電極に照射し、前記電極の一部を除去する調整工程を備えていることとしてもよい。
【００９６】
本態様によれば、リッドを構成する光透過性を有する基板を透過した、例えばレーザー光を電極に照射し、電極の一部を除去することにより、収納された振動体の特性調整をリッドの外側から容易に行うことができる。
【００９７】
［態様８］本態様に係る電子機器は、上記態様のいずれか一つに記載の振動デバイスと、前記振動デバイスの出力信号に基づいて制御を行う制御部と、を備えていることを特徴とする。
【００９８】
本態様によれば、上述の振動デバイスを備え、その出力信号に基づいて制御部が制御することから、電子機器の信頼性を高めることができる。
【００９９】
［態様９］本態様に係る移動体は、上記態様のいずれか一つに記載の振動デバイスと、前記振動デバイスの出力信号に基づいて制御を行う制御部と、を備えていることを特徴とする。
【０１００】
本態様によれば、上述の振動デバイスを備え、その出力信号に基づいて制御部が制御することから、移動体の信頼性を高めることができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１…振動デバイス、５…リッド、５ａ…ガラス基板、５ｂ…枠状のシリコン基板、７，８…キャビティー、１０…ベースとしてのＳＯＩ基板、１１…シリコン層、１１ｒ…外面、１２…ＢＯＸ層、１３…表面シリコン層、１３ｂ…トレンチ、１３ｃ…スリット、１３ｆ…上面、２０…振動体としてのＭＥＭＳ素子、２１…基部、２２…振動部、３０…素子調整層、４０…圧電駆動部、４１…第１の保護膜、４２…電極としての第１の電極、４３…圧電体としての圧電体層、４４…電極としての第２の電極、４６…配線、５０…電極パッド、５２…第１の配線用貫通孔、５８…第１の配線電極、６２…第１の孔部、６４…第２の孔部、１２００…電子機器としてのスマートフォン、１５００…移動体としての自動車、Ｌ…レーザー光。
【図１】
2020036063.tif 000003
【図２】
2020036063.tif 000004
【図３】
2020036063.tif 000005
【図４Ａ】
2020036063.tif 000006
【図４Ｂ】
2020036063.tif 000007
【図４Ｃ】
2020036063.tif 000008
【図４Ｄ】
2020036063.tif 000009
【図４Ｅ】
2020036063.tif 000010
【図４Ｆ】
2020036063.tif 000011
【図４Ｇ】
2020036063.tif 000012
【図４Ｈ】
2020036063.tif 000013
【図４Ｉ】
2020036063.tif 000014
【図４Ｊ】
2020036063.tif 000015
【図５Ａ】
2020036063.tif 000016
【図５Ｂ】
2020036063.tif 000017
【図５Ｃ】
2020036063.tif 000018
【図５Ｄ】
2020036063.tif 000019
【図５Ｅ】
2020036063.tif 000020
【図６】
2020036063.tif 000021
【図７】
2020036063.tif 000022
【図８】
2020036063.tif 000023
【図９】
2020036063.tif 000024