(57)【要約】      （修正有）【課題】トランジスターにおける光リーク電流の発生を低減可能な遮光構造を有する電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置は、基板としての基材１０ｓと、シリコンを含むゲート電極を有する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と、基材１０ｓとＴＦＴとの間に、遮光性を有する第１走査線３と、第１走査線３とＴＦＴとの間に、ゲート電極として機能する第２走査線４と第１走査線３とを電気的に接続するコンタクトホール３３，３４が設けられた酸素原子を含む材料で構成された下地絶縁膜１１ａと、を備え、コンタクトホール３３，３４内に、下地絶縁膜１１ａと第２走査線４との間に光吸収性を有する金属酸化膜４１ａと、金属酸化膜４１ａを構成する金属原子を含む金属シリサイド膜４１ｂと、を有する。【選択図】図７
2020118917.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
シリコンを含むゲート電極を有するトランジスターと、
前記基板と前記トランジスターとの間に、遮光性を有する走査線と、
前記走査線と前記トランジスターとの間に、前記ゲート電極と前記走査線とを電気的に接続するコンタクトホールが設けられ、酸素原子を含む材料で構成された絶縁膜と、を備え、
前記コンタクトホール内に、前記ゲート電極と前記絶縁膜との間に光吸収性を有する金属酸化膜と、前記ゲート電極と前記走査線との間に前記金属酸化膜を構成する金属原子を含む金属シリサイド膜とを有する、電気光学装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、シリコンを含む材料で構成される第１導電膜と、前記第１導電膜に積層された第２導電膜とを含み、
前記第１導電膜が前記金属シリサイド膜と接している、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記金属原子は、チタン、ハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかである、請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記走査線は、シリコンを含む材料で構成される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記金属酸化膜は、波長が５５０ｎｍの光に対して屈折率が２．０以上４．０以下であり、消衰係数が０．０以上２．０以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記走査線を覆う光吸収性を有する他の金属酸化膜を有し、前記他の金属酸化膜は、チタン、ハフニウム、及びジルコニウムのうちのいずれかの金属原子を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記コンタクトホールは、平面視で、前記トランジスターの半導体層に沿って設けられ、前記半導体層のチャネル領域との間が第１の距離である本体部と、前記本体部から前記半導体層の前記チャネル領域以外の領域に向かって突出し、前記チャネル領域以外の領域との間が前記第１の距離よりも小さい第２の距離である突出部とを有する、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記走査線は、前記半導体層と重なる領域に、前記半導体層の延在方向に突出する突出部を有し、
前記コンタクトホールの突出部は、前記半導体層の両側に設けられており、
前記半導体層の両側に設けられた前記コンタクトホールの前記突出部の間の距離は、前記走査線の前記突出部の幅よりも小さい、請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
光源から出射された光が前記基板側から入射する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば、画素にスイッチング素子としての薄膜トランジスターを備えたアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。このような液晶装置を例えば投射型表示装置（プロジェクター）の光変調手段として用いる場合、一般的な表示装置として用いる場合に比べて、画素には光源から強い光が入射する。画素に入射した光の一部が、薄膜トランジスターの半導体層における特にＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）領域に入射すると、光リーク電流が容易に生ずることから薄膜トランジスターにおける動作が不安定となって、所望の表示状態が得られなくなる。そこで、アクティブ駆動型の液晶装置には、薄膜トランジスターに入射する光を遮光するための遮光構造が導入される。
【０００３】
例えば、特許文献１には、基板上に、画素電極と、画素電極に接続され、第１方向に長手状に延びる半導体層を有する薄膜トランジスターと、薄膜トランジスターに接続された走査線と、少なくとも半導体層のチャネル領域を上側から覆う内蔵遮光膜と、を備えた電気光学装置が開示されている。上記特許文献１において、走査線は、半導体層のチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置された部分が薄膜トランジスターのゲート電極として機能している。また、走査線は、平面的に見て、第１方向と交差する第２方向に延びる本線部と、チャネル領域から第２方向に所定距離だけ外れた箇所における本線部から半導体層を包囲するように延設された包囲部とを有するとしている。
【０００４】
このような上記特許文献１の構成によれば、半導体層のチャネル領域に対して上方から入射する入射光は、内蔵遮光膜によって遮光される。さらに、基板面に対して斜め方向に進行する入射光及び戻り光、並びにこれらの光に基づく内面反射光及び多重反射光などの斜め光は、走査線の本線部だけでなく、包囲部によっても遮光されるとしている。
【０００５】
また、例えば、特許文献２には、一対の基板のうち一方の基板にマトリックス状に配置された画素電極と、画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスターと、薄膜トランジスターに対向し、誘電体膜とこの誘電体膜を挟む一対の光吸収性の容量電極とを有する保持容量と、を備えた電気光学装置が開示されている。上記特許文献２の構成によれば、一対の光吸収性の容量電極によって、薄膜トランジスターの脇を抜けて遮光層の内面に至る光は吸収され、薄膜トランジスターのチャネル領域に到達する光が低減されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２１５０６４号公報
【特許文献２】特開２００４−３５５０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、画素に入射した光が、上記特許文献１の内蔵遮光膜の端部や走査線の端部で回折したり、あるいは上記特許文献２の容量電極の端部で回折したりすると、回折光が生ずる。このような回折光は、当該端部を回り込んで直接あるいは間接的に薄膜トランジスターの半導体層に到達するおそれがある。画素に入射する光の強度が強いほど、このような回折光の強度も強まるので、回折光による薄膜トランジスターの光リーク電流の発生を低減する必要があるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の電気光学装置は、基板と、シリコンを含むゲート電極を有するトランジスターと、基板とトランジスターとの間に、遮光性を有する走査線と、走査線とトランジスターとの間に、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するコンタクトホールが設けられ、酸素原子を含む材料で構成された絶縁膜と、を備え、コンタクトホール内に、ゲート電極と絶縁膜との間に光吸収性を有する金属酸化膜と、ゲート電極と走査線との間に金属酸化膜を構成する金属原子を含む金属シリサイド膜とを有することを特徴とする。
【０００９】
上記に記載の電気光学装置において、ゲート電極は、シリコンを含む材料で構成される第１導電膜と、第１導電膜に積層された第２導電膜とを含み、第１導電膜が金属シリサイド膜と接していることが好ましい。
【００１０】
上記に記載の電気光学装置において、金属原子は、チタン、ハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかであることが好ましい。
【００１１】
上記に記載の電気光学装置において、走査線は、シリコンを含む材料で構成されることが好ましい。
【００１２】
上記に記載の電気光学装置において、金属酸化膜は、波長が５５０ｎｍの光に対して屈折率が２．０以上４．０以下であり、消衰係数が０．０以上２．０以下であることが好ましい。
【００１３】
上記に記載の電気光学装置において、走査線を覆う光吸収性を有する他の金属酸化膜を有し、他の金属酸化膜は、チタン、ハフニウム、及びジルコニウムのうちのいずれかの金属原子を含むことが好ましい。
【００１４】
上記に記載の電気光学装置において、コンタクトホールは、平面視で、トランジスターの半導体層に沿って設けられ、半導体層のチャネル領域との間が第１の距離である本体部と、本体部から半導体層のチャネル領域以外の領域に向かって突出し、チャネル領域以外の領域との間が第１の距離よりも小さい第２の距離である突出部とを有することが好ましい。
【００１５】
上記に記載の電気光学装置において、走査線は、半導体層と重なる領域に、半導体層の延在方向に突出する突出部を有し、コンタクトホールの突出部は、半導体層の両側に設けられており、半導体層の両側に設けられたコンタクトホールの突出部の間の距離は、走査線の突出部の幅よりも小さいことが好ましい。
【００１６】
上記に記載の電気光学装置において、光源から出射された光が基板側から入射することを特徴とする。
【００１７】
本願の電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶パネルの画素の構造を示す概略断面図。
【図５】画素の主要な構成と開口領域及び非開口領域との関係を示す概略平面図。
【図６】素子基板における薄膜トランジスター及び信号配線の配置を示す概略平面図。
【図７】図６のＡ−Ａ’線に沿った薄膜トランジスターの遮光構造を示す概略断面図。
【図８】第１実施形態の第１走査線と薄膜トランジスターのゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールの配置を示す概略平面図。
【図９】光学シミュレーションにおけるコンタクトホールのモデル膜構造を示す概略断面図。
【図１０】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１１】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１２】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１３】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１４】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１５】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１６】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１７】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１８】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図１９】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図２０】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図２１】光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフ。
【図２２】第２実施形態の素子基板における薄膜トランジスター及び信号配線の配置を示す概略平面図。
【図２３】図２２のＢ−Ｂ’線に沿った薄膜トランジスターの遮光構造を示す概略断面図。
【図２４】第２実施形態の第１走査線と薄膜トランジスターのゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールの配置を示す概略平面図。
【図２５】第３実施形態の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図２６】変形例の素子基板における薄膜トランジスターの遮光構造を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、説明する部分が認識可能な程度の大きさとなるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２０】
１．第１実施形態
１−１．電気光学装置の基本的な構成
本実施形態の電気光学装置として、アクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げ、図１〜図３を参照して説明する。本実施形態の電気光学装置としてのアクティブ駆動型の液晶装置は、後述する投射型表示装置の光変調手段として用いられるマイクロディスプレイである。
【００２１】
図１は第１実施形態の電気光学装置としての液晶装置の構成を示す概略平面図、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の構造を示す概略断面図である。
【００２２】
図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを備えた液晶パネル１１０を有する。素子基板１０の基材１０ｓ及び対向基板２０の基材２０ｓは、それぞれ透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。素子基板１０の基材１０ｓは、本発明における基板の一例である。
【００２３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置されたシール部４０を介して間隔を置いて貼り合わされている。額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶が注入され液晶層５０が構成されている。なお、上記間隔に液晶を注入する方法は、例えば、額縁状に配置されたシール部４０の内側に液晶を滴下して、減圧下で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）法が挙げられる。
シール部４０は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤を用いることができる。本実施形態では、紫外線硬化型のエポキシ樹脂が採用されている。シール部４０には、一対の基板の上記間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２４】
シール部４０の内側には、マトリックス状に配列した複数の画素Ｐを含む表示領域Ｅ１が設けられている。また、シール部４０と表示領域Ｅ１との間に表示領域Ｅ１を取り囲んで遮光性の見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、表示領域Ｅ１は表示に寄与する有効な画素Ｐ以外に、複数のダミー画素を含んでいてもよい。
【００２５】
対向基板２０からはみ出した素子基板１０の第１の辺部に沿って複数の外部接続用端子１０４が配列した端子部が設けられている。上記第１の辺部とシール部４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、上記第１の辺部に対向する第２の辺部に沿ったシール部４０と表示領域Ｅ１との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、上記第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿ったシール部４０と表示領域Ｅ１との間に走査線駆動回路１０２が設けられている。上記第２の辺部のシール部４０と検査回路１０３との間に、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線（図示省略）が設けられている。
【００２６】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線（図示省略）は、上記第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅ１との間のシール部４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
以降、上記第１の辺部に沿った方向を＋Ｘ方向とし、上記第３の辺部に沿った方向を＋Ｙ方向として説明する。また、＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向と直交し、素子基板１０側から対向基板２０側に向かう方向を＋Ｚ方向とする。また、＋Ｚ方向に対して反対の対向基板２０から素子基板１０に向う−Ｚ方向から見ることを「平面視」または「平面的に」と言う。
【００２７】
図２に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。素子基板１０は、基材１０ｓと、基材１０ｓ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜１８を含むものである。素子基板１０の詳しい構成については、後述する。
【００２８】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、基材２０ｓと、基材２０ｓ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化膜２２と、平坦化膜２２を覆い、基材２０ｓのほぼ全面に亘って設けられ共通電極として機能する対向電極２３と、対向電極２３を覆う配向膜２４とを含むものである。
【００２９】
見切り部２１は、図１に示すように表示領域Ｅ１を取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの回路に入射する光を遮蔽して、これらの回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅ１に入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅ１の表示における高いコントラストを確保している。なお、本実施形態では紫外線硬化型のエポキシ樹脂を用いてシール部４０が形成されているため、見切り部２１は平面視でシール部４０と重ならないように配置されている。よって、素子基板１０と対向基板２０との貼り合わせにおける位置精度とシール部４０の紫外線硬化性とを考慮して、見切り部２１とシール部４０との間には、わずかではあるが隙間がある（図１参照）。
【００３０】
平坦化膜２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化膜２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３１】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化膜２２を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６に電気的に接続されている。上下導通部１０６は、素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３２】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。配向膜１８，２４は、例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００３３】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最大となるノーマリーホワイトモードや、電圧無印加状態で画素Ｐの透過率が最小となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。素子基板１０と対向基板２０とを含む液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
本実施形態では、以降、配向膜１８，２４として前述した無機配向膜と、負の誘電異方性を有する液晶とを用い、ノーマリーブラックモードの光学設計が適用された例について説明する。また、後述する投射型表示装置の光源から射出される光（照明光）は、液晶パネル１１０に対して素子基板１０側から入射することを前提としている。
【００３４】
１−２．液晶装置の電気的な構成
次に、液晶装置１００の電気的な構成について図３を参照して説明する。図３は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００３５】
図３に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅ１において互いに絶縁されて直交する信号配線としての複数の走査線３及び複数のデータ線６と、データ線６に沿って平行に配置された容量線７とを有する。走査線３が延在する方向が＋Ｘ方向であり、データ線６が延在する方向が＋Ｙ方向である。なお、容量線７はデータ線６に沿って平行に配置されることに限定されず、走査線３に沿って平行に配置されるとしてもよい。あるいは、＋Ｘ方向と＋Ｙ方向とに延在して容量線７を配置してもよい。
【００３６】
走査線３、データ線６及び容量線７と、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３７】
走査線３はＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６はＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００３８】
データ線６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３は走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを画素Ｐに供給する。
【００３９】
データ線駆動回路１０１からデータ線６に供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３に対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４０】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６から供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。画像信号Ｄ１〜Ｄｎの周波数は例えば６０Ｈｚである。
【００４１】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６が接続されている。蓄積容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線７との間に設けられている。
【００４２】
なお、図１に示した検査回路１０３には、データ線６が接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図３の等価回路では図示を省略している。
【００４３】
本実施形態における画素回路を駆動制御する周辺回路は、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０２の他に、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６に供給するサンプリング回路や、データ線６に所定電圧レベルのプリチャージ信号を上記画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むとしてもよい。
【００４４】
１−３．画素の構造
次に、本実施形態の液晶装置１００の液晶パネル１１０における画素Ｐの構造について図４を参照して説明する。図４は、液晶パネルの画素の構造を示す概略断面図である。
【００４５】
図４に示すように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、まず走査線３が形成される。走査線３の詳しい構成については後述するが、走査線３は、高融点金属とシリコンとを含んで構成されている。
【００４６】
走査線３を覆うように下地絶縁膜１１ａが形成され、下地絶縁膜１１ａ上に島状にＴＦＴ３０の半導体層３０ａが形成される。本実施形態における下地絶縁膜１１ａは、本発明における酸素原子を含む材料で構成される絶縁膜の一例であって、具体的には酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ膜）である。
【００４７】
半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜とも言う）からなり、不純物イオンが選択的に注入されて、チャネル領域と、チャネル領域を挟む低濃度不純物領域と、低濃度不純物領域に接する高濃度不純物領域とを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造が形成されている。
【００４８】
基材１０ｓ上において、半導体層３０ａは、遮光性を有する走査線３の上方に設けられているため、基材１０ｓ側から半導体層３０ａに入射する光は走査線３によって遮光される。
【００４９】
半導体層３０ａを覆うようにゲート絶縁膜１１ｂが形成される。さらにゲート絶縁膜１１ｂを挟んで半導体層３０ａのチャネル領域に対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。本実施形態では、走査線３に電気的に接続された配線の一部が、ゲート電極３０ｇとして機能するものである。走査線３とゲート電極３０ｇとの電気的な接続の詳しい構成については後述する。
【００５０】
ゲート電極３０ｇとゲート絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第１層間絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置にゲート絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１１ｃを貫通する２つの貫通孔が形成される。
【００５１】
そして、２つの貫通孔を埋めると共に第１層間絶縁膜１１ｃを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物、不純物をドープしたポリシリコンなどの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホール３１を介してＴＦＴ３０のソースに繋がるデータ線６が形成される。同時にコンタクトホール３２を介してＴＦＴ３０のドレインに繋がる第１中継電極６ｂが形成される。
【００５２】
次に、データ線６及び第１中継電極６ｂと第１層間絶縁膜１１ｃを覆って第２層間絶縁膜１２が形成される。第２層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物からなる。そして、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing：ＣＭＰ処理）やエッチング処理、あるいはこれらの処理を組み合わせる方法などが挙げられる。
【００５３】
平面的に第１中継電極６ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１２を貫通する貫通孔が形成される。この貫通孔を被覆すると共に第２層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａと、コンタクトホール３５を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極１６ｄとが形成される。
【００５４】
第１容量電極１６ａのうち、後に形成される誘電体膜１６ｃを介して第２容量電極１６ｂと対向する部分の外縁を覆うように保護絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。また、第２中継電極１６ｄのうち後述するコンタクトホール３６と重なる部分を除いた外縁を覆うように保護絶縁膜１３ａがパターニングされて形成される。保護絶縁膜１３ａは、この後に形成される第２容量電極１６ｂのパターニング時に第１容量電極１６ａがエッチングされることを防ぐために設けられるものである。
【００５５】
次に、保護絶縁膜１３ａと第１容量電極１６ａを覆って誘電体膜１６ｃが成膜される。誘電体膜１６ｃとしては、シリコン窒化膜や、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、又はこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。平面的に第２中継電極１６ｄと重なる部分の誘電体膜１６ｃはエッチングされて除かれる。誘電体膜１６ｃを覆うように例えば窒化チタン（ＴｉＮ）などの導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、第１容量電極１６ａに対向配置され、第２中継電極１６ｄに繋がる第２容量電極１６ｂが形成される。誘電体膜１６ｃと、誘電体膜１６ｃを挟んで対向配置された第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとにより蓄積容量１６が構成される。
【００５６】
次に、第２容量電極１６ｂと誘電体膜１６ｃとを覆う第３層間絶縁膜１３ｂが形成される。第３層間絶縁膜１３ｂも例えばシリコンの酸化物からなり、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。第３層間絶縁膜１３ｂの膜厚に比べて、保護絶縁膜１３ａや誘電体膜１６ｃの膜厚は薄い。また、保護絶縁膜１３ａ及び誘電体膜１６ｃは、必ずしも基材１０ｓの全面に亘って形成する必要はなく、蓄積容量１６の構成に係るようにパターニングしてもよい。
【００５７】
第２容量電極１６ｂのうち第２中継電極１６ｄと接する部分に至るように第３層間絶縁膜１３ｂを貫通する貫通孔が形成される。
【００５８】
この貫通孔を被覆すると共に第３層間絶縁膜１３ｂを覆うように例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物などの遮光性の導電膜が形成され、これをパターニングすることにより、配線８ａと、コンタクトホール３６を介して第２中継電極１６ｄに電気的に接続される第３中継電極８ｂとが形成される。配線８ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６及び蓄積容量１６と重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００５９】
配線８ａと第３中継電極８ｂとを覆うように第４層間絶縁膜１４が形成される。第４層間絶縁膜１４も、例えばシリコンの酸化物を用いて形成することができる。第４層間絶縁膜１４を貫通して第３中継電極８ｂに至る貫通孔が形成される。
【００６０】
この貫通孔を被覆し、第４層間絶縁膜１４を覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜（電極膜）が成膜される。この透明導電膜（電極膜）をパターニングしてコンタクトホール３７を介して第３中継電極８ｂに電気的に繋がる画素電極１５が形成される。
【００６１】
第３中継電極８ｂは、コンタクトホール３６、第２容量電極１６ｂ、第２中継電極１６ｄ、コンタクトホール３５、第１中継電極６ｂを介してＴＦＴ３０のドレインと電気的に接続すると共に、コンタクトホール３７を介して画素電極１５と電気的に接続している。
【００６２】
第１容量電極１６ａは複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図３参照）における容量線７として機能している。第１容量電極１６ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０のドレインを介して画素電極１５に与えられた電位を第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとの間において保持することができる。
【００６３】
画素電極１５を覆うように配向膜１８が形成され、液晶層５０を介して素子基板１０に対向配置される対向基板２０の対向電極２３を覆うように配向膜２４が形成される。前述したように、配向膜１８，２４は無機配向膜であって、酸化シリコンなどの無機材料を所定の方向から例えば斜め蒸着して柱状に成長させた柱状体１８ａ，２４ａの集合体からなる。このような配向膜１８，２４に対して負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは、配向膜面の法線方向に対して柱状体１８ａ，２４ａの傾斜方向に３度〜５度のプレチルト角度θｐを有して略垂直配向（ＶＡ；Vertical  Alignment）する。画素電極１５と対向電極２３との間に交流電圧（駆動信号）を印加して液晶層５０を駆動することによって液晶分子ＬＣは画素電極１５と対向電極２３との間に生ずる電界方向に傾くように挙動（振動）する。
【００６４】
このように、素子基板１０の基材１０ｓ上には、走査線３、ＴＦＴ３０、データ線６、蓄積容量１６、シールド層（配線８ａ）、画素電極１５などが配置される複数の配線層が設けられている。複数の配線層のうち、本実施形態のＴＦＴ３０の遮光構造に係る配線層は、データ線６よりも下層の部分であり、データ線６よりも上層の構成は、特に限定されるものではなく、従来の配線層の構造を適用可能である。
【００６５】
１−４．画素の構成と配置
次に、画素Ｐにおける主要な構成の平面的な配置について、図５を参照して説明する。図５は画素の主要な構成と開口領域及び非開口領域との関係を示す概略平面図である。
【００６６】
図５に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面視で略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、＋Ｘ方向と＋Ｙ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００６７】
＋Ｘ方向に延在する非開口領域には、図３及び図４に示した走査線３が設けられている。走査線３は遮光性の導電部材が用いられており、走査線３によって非開口領域の一部が構成されている。
【００６８】
同じく、＋Ｙ方向に延在する非開口領域には、図３及び図４に示したデータ線６や容量線７が設けられている。データ線６や容量線７もまた遮光性の導電膜が用いられており、これらによって非開口領域の一部が構成されている。
【００６９】
非開口領域の交差部には、図３及び図４に示したＴＦＴ３０が設けられている。本実施形態では、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、非開口領域の交差部において＋Ｙ方向に延在して配置されている。半導体層３０ａとデータ線６との接続を図るコンタクトホール３１や、半導体層３０ａと第１中継電極６ｂとの接続を図るコンタクトホール３２もまた非開口領域に設けられている。このように遮光性を有する非開口領域の交差部にＴＦＴ３０を設けることにより、開口領域における開口率を確保している。交差部にＴＦＴ３０を設ける関係上、非開口領域の交差部の幅は、他の部分に比べて広くなっている。なお、非開口領域の交差部において半導体層３０ａは＋Ｙ方向に延在して配置されることに限定されず、＋Ｘ方向に延在して配置されてもよい。したがって、非開口領域の交差部の形状は、ＴＦＴ３０の配置に対応したものであればよく、＋Ｘ方向と＋Ｙ方向とに均等に開口領域側にはみ出していなくてもよい。
【００７０】
画素Ｐごとに画素電極１５が設けられている。画素電極１５は平面視で略正方形であり、画素電極１５の外縁が非開口領域と重なるようにして開口領域に設けられている。なお、図５には図示していないが、図４に示した蓄積容量１６や配線８ａなども非開口領域に配置されている。
【００７１】
本実施形態の液晶装置１００は、透過型であって、素子基板１０の基材１０ｓ側から光が入射することを前提としている。基材１０ｓ側から画素Ｐに入射した光は、基材１０ｓに設けられた上述した配線などにより一部が反射して、ＴＦＴ３０に向って進行するおそれがある。また、基材１０ｓ側から画素Ｐに入射した光は、配線の端部で回折して配線を回り込み、ＴＦＴ３０に向って進行するおそれがある。本実施形態の素子基板１０には、画素ＰのＴＦＴ３０に入射する光を遮光する遮光構造が取り入れられている。以降、素子基板１０におけるＴＦＴ３０の遮光構造について詳しく説明する。
【００７２】
１−５．薄膜トランジスターの遮光構造
本実施形態の素子基板１０におけるＴＦＴ３０の遮光構造について、図６及び図７を参照して説明する。図６は素子基板における薄膜トランジスター及び信号配線の配置を示す概略平面図、図７は図６のＡ−Ａ’線に沿った薄膜トランジスターの遮光構造を示す概略断面図、図８は第１実施形態の第１走査線と薄膜トランジスターのゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールの配置を示す概略平面図である。なお、図６のＡ−Ａ’線は、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおけるチャネル領域３０ｃをＸ方向に横断する線分である。
【００７３】
図６に示すように、走査線３は、＋Ｘ方向に配列する複数の画素Ｐに跨って、同じく＋Ｘ方向に延在する本線部３ａと、本線部３ａに対してＹ方向の＋側及び−側に幅が拡張された拡張部３ｂとを有している。また、走査線３は、拡張部３ｂから＋Ｙ方向に突出する突出部３ｃと、拡張部３ｂから−Ｙ方向に突出する突出部３ｄとを有している。拡張部３ｂは、図５に示した非開口領域の交差部に対応して形成されている。
【００７４】
ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、平面視で走査線３の拡張部３ｂ及び２つの突出部３ｃ，３ｄに重なるように＋Ｙ方向に沿って配置されている。
【００７５】
本実施形態の半導体層３０ａは、例えば、ポリシリコン膜に不純物イオンを選択的に注入することによって形成されたＬＤＤ構造となっている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、チャネル領域３０ｃを挟む低濃度不純物領域３０ｅ，３０ｆと、一方の低濃度不純物領域３０ｅに接して設けられた高濃度不純物領域３０ｓと、他方の低濃度不純物領域３０ｆに接して設けられた高濃度不純物領域３０ｄと、を有している。高濃度不純物領域３０ｄ，３０ｓのほうが低濃度不純物領域３０ｅ，３０ｆよりも不純物イオンの注入量が多く、導電性が高まっている。一方の高濃度不純物領域３０ｓの端部にデータ線６との接続を図るコンタクトホール３１が設けられている。他方の高濃度不純物領域３０ｄの端部に第１中継電極６ｂ（図４参照）との接続を図るコンタクトホール３２が設けられている。以降、低濃度不純物領域３０ｅ，３０ｆをＬＤＤ領域３０ｅ，３０ｆと呼ぶ。また、コンタクトホール３１が設けられる高濃度不純物領域３０ｓをソース領域３０ｓと呼び、コンタクトホール３２が設けられる高濃度不純物領域３０ｄをドレイン領域３０ｄと呼ぶ。
【００７６】
半導体層３０ａは、平面視で、チャネル領域３０ｃが走査線３の拡張部３ｂ（言い換えれば、非開口領域の交差部）のほぼ中心に位置するように配置されている。このような走査線３及び半導体層３０ａに対して、平面視で重なるように配線４が配置されている。具体的には、配線４は、平面視において、走査線３の本線部３ａと重なるように＋Ｘ方向に延在する本線部４ａと、半導体層３０ａに沿って両側に配置され、本線部４ａよりも幅が拡張された２つの拡張部４ｂと、２つの拡張部４ｂの間に配置され、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なるように本線部４ａよりも幅が狭められた狭小部４ｃとを有している。
【００７７】
走査線３の拡張部３ｂには、走査線３と配線４とを電気的に接続させるために２つのコンタクトホール３３，３４が設けられている。コンタクトホール３３，３４は、平面視で半導体層３０ａを挟んで両側に設けられている。配線４のうち平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なる狭小部４ｃは、ＴＦＴ３０におけるゲートとして機能するゲート電極３０ｇの一部である。コンタクトホール３３，３４によって配線４にも走査線３と同様に走査信号が供給されることから、以降、半導体層３０ａよりも下層に位置する走査線３を第１走査線３と呼び、半導体層３０ａよりも上層に位置する配線４を第２走査線４と呼ぶ。すなわち、２つのコンタクトホール３３，３４は第１走査線３と第２走査線４とを電気的に接続させるものである。なお、２つのコンタクトホール３３，３４のうちいずれか一方のコンタクトホールのみを設けて第１走査線３と第２走査線４とを電気的に接続させてもよい。また、第２走査線４は、走査信号を供給する電気的な配線系統を強化するために設けられたものであるが、これに限定されず、平面視で、コンタクトホール３３，３４とチャネル領域３０ｃとに重なるように、画素Ｐごとにゲート電極３０ｇを配置する構成としてもよい。本実施形態の第１走査線３、及び第１走査線３に接するコンタクトホール３３，３４は、光吸収性（吸光性とも言う）と遮光性とを兼ね備えている。
【００７８】
１−５−１．コンタクトホールの構造とその形成方法
次に、図７を参照して、コンタクトホール３３，３４の構造とその形成方法について説明する。
【００７９】
図７に示すように、それぞれのコンタクトホール３３，３４内には、金属酸化膜４１ａと金属シリサイド膜４１ｂとが設けられている。金属酸化膜４１ａは、光吸収性を有しており、コンタクトホール３３，３４の側壁３３ｓ，３４ｓにおいて下地絶縁膜１１ａと接するように形成されている。導電性を有する金属シリサイド膜４１ｂは、コンタクトホール３３，３４の側壁３３ｓ，３４ｓに形成された金属酸化膜４１ａに接すると共に、コンタクトホール３３，３４の底部では、第１走査線３と電気的に接続された状態となっている。また、第２走査線４は、第１導電膜４２と第２導電膜４３とが積層された構造となっており、コンタクトホール３３，３４内を埋めると共に、ゲート絶縁膜１１ｂを覆うように形成されている。つまり、コンタクトホール３３，３４において、第１走査線３は金属シリサイド膜４１ｂを介して第２走査線４と電気的に接続されている。なお、第１走査線３のコンタクトホール３３，３４と平面視で重なる部分以外で、下地絶縁膜１１ａと接する部分には、他の金属酸化膜３ｅが形成されている。本実施形態の下地絶縁膜１１ａが、本発明におけるゲート電極と走査線とを電気的に接続するコンタクトホールが設けられ、酸素原子を含む材料で構成された絶縁膜の一例である。以降、説明の都合上で、第１走査線３に接して形成された他の金属酸化膜３ｅを第１金属酸化膜３ｅと呼び、コンタクトホール３３，３４内に形成された金属酸化膜４１ａを第２金属酸化膜４１ａと呼ぶこととする。
【００８０】
本実施形態において、第１金属酸化膜３ｅ及び第２金属酸化膜４１ａは、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）の中から選ばれる金属の酸化膜であって、具体的には二酸化チタン（ＴｉＯ2）からなる。金属シリサイド膜４１ｂは、第２金属酸化膜４１ａに含まれる金属のシリサイド膜であって、本実施形態ではチタンシリサイド（ＴｉＳｉｘ）からなる。なお、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒの金属原子は、シリコンと反応して金属シリサイドとなるよりも、酸素（酸素原子）と反応して金属酸化膜となり易い性質を持っている。
【００８１】
第２走査線４を構成する第１導電膜４２は、例えば導電性のポリシリコンからなり、第１導電膜４２に積層される第２導電膜４３は、例えば金属シリサイドからなる。本実施形態の第２導電膜４３はタングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなる。なお、第２走査線４は、第１導電膜４２及び第２導電膜４３によって構成される二層構造であることに限定されない。例えば、ＴｉやＷ（タングステン）などの金属のシリサイドからなる層を多層化した構造（例えば、ＷＳｉ／ＴｉＳｉ／ＷＳｉの三層構造）としてもよい。
【００８２】
ゲート絶縁膜１１ｂ上に積層された第２走査線４を覆うように第１層間絶縁膜１１ｃが形成される。また、第１層間絶縁膜１１ｃは第２走査線４を覆うことにより、その表面に凹凸が生ずることから、この凹凸を緩和すべくＣＭＰ処理などの平坦化処理が施されている。第１層間絶縁膜１１ｃは、例えばプラズマＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜であり、平坦化処理後に平均膜厚は例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００８３】
平坦化処理が施された第１層間絶縁膜１１ｃ上において、半導体層３０ａと平面視で重なる位置にデータ線６が形成される。データ線６は、前述したように、例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物、不純物がドープされた導電性のポリシリコンなどの遮光性の導電膜を用いて形成される。
【００８４】
図７に示すように、半導体層３０ａにおけるチャネル領域３０ｃの幅Ｌｃは、例えば０．５μｍである。チャネル領域３０ｃの側面と、コンタクトホール３３，３４との間の距離Ｌ１は、チャネル領域３０ｃの幅Ｌｃとほぼ同じで、例えば０．５μｍである。
【００８５】
このようなコンタクトホール３３，３４の形成方法としては、まず、基材１０ｓに第１走査線３を形成する。第１走査線３は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属の中から選ばれる金属の無酸素系の金属化合物としての金属シリサイドを用いて形成される。本実施形態では、例えば、スパッタ法により膜厚が２００ｎｍとなるようにタングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜を成膜してパターニングすることにより第１走査線３を形成した。なお、第１走査線３もまた第２走査線４と同様に異なる材料からなる多層構造としてもよい。
【００８６】
次に、第１走査線３に、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）の中から選ばれる金属であって、本実施形態では、Ｔｉの金属膜をスパッタ法により膜厚が例えば２５ｎｍ〜１００ｎｍとなるように成膜する。Ｔｉの金属膜は、第１走査線３と平面視で同じ形状となるようにパターニングされる。なお、このパターニングの段階で後に形成されるコンタクトホール３３，３４と重なる部分は、コンタクトホール３３，３４と第１走査線３との電気的な接続を考慮して予め除去してもよい。
【００８７】
第１走査線３及びＴｉの金属膜を覆う下地絶縁膜１１ａを形成する。下地絶縁膜１１ａの形成方法としては、モノシラン（ＳｉＨ4）と、酸素（Ｏ2）と、アルゴン（Ａｒ）またはヘリウム（Ｈｅ）などのキャリアガスとを含む成膜用ガスを用いるプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。下地絶縁膜１１ａの膜厚は例えば２００ｎｍである。
【００８８】
次に、下地絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは、前述したように、ポリシリコン膜からなり、不純物イオンが選択的に注入されて、チャネル領域３０ｃを含むＬＤＤ構造が形成される。そして、半導体層３０ａを覆うゲート絶縁膜１１ｂが形成される。ゲート絶縁膜１１ｂの形成方法としては、下地絶縁膜１１ａと同様にプラズマＣＶＤ法を用いる例が挙げられる。ゲート絶縁膜１１ｂの膜厚は例えば５０ｎｍである。
【００８９】
次に、半導体層３０ａを挟んだ両側において、ゲート絶縁膜１１ｂと下地絶縁膜１１ａとに、第１走査線３に至る２つの貫通孔が形成される。貫通孔の形成方法としてはドライエッチングなどの方法が挙げられる。次に、ゲート絶縁膜１１ｂの表面と貫通孔とを被覆するように金属膜を成膜した後に、半導体層３０ａ上及びゲート絶縁膜１１ｂ上に金属膜が残らない様に、例えば、貫通孔の内部にのみ金属膜が残るようにパターニングする。本実施形態では、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒの中から選ばれる金属のうちＴｉを用いた金属膜を形成する。金属膜の膜厚は、貫通孔の内部を被覆することから、２５ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることが好ましい。続いて、貫通孔内に形成されたＴｉの金属膜を被覆するように、ポリシリコン膜と、タングステンシリサイド膜とを順次形成してパターニングすることにより、第１導電膜４２と第２導電膜４３とからなる第２走査線４を形成する。Ｔｉの金属膜、ポリシリコン膜、タングステンシリサイド膜の形成方法としては、例えば、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
【００９０】
ポリシリコン膜が形成された後に、例えば６００℃以上の熱処理を伴うプロセスを実行すると、Ｔｉの金属膜のうち下地絶縁膜１１ａと接している部分は、下地絶縁膜１１ａに含まれる酸素原子と反応して酸化される。これにより、第１走査線３上には、Ｔｉの金属膜の一部が酸化した二酸化チタンからなる第１金属酸化膜３ｅが形成される。同様にして、貫通孔の側壁３３ｓ，３４ｓにおいて下地絶縁膜１１ａと接するＴｉの金属膜の一部が酸化した二酸化チタンからなる第２金属酸化膜４１ａが形成される。また、貫通孔の側壁３３ｓ，３４ｓにおいて、Ｔｉの金属膜の残りは、第１導電膜４２に含まれるシリコンと反応してシリサイド化され、遮光性能が高い金属シリサイド膜４１ｂとなる。また、コンタクトホール３３，３４の底部では、金属シリサイド膜４１ｂを介して第１走査線３と第２走査線４とが接し、低抵抗な接続状態となる。つまり、ポリシリコン膜が形成された後に、例えば６００℃以上の熱処理を伴うプロセスを実行すると、第１走査線３上と、コンタクトホール３３，３４内とにはＴｉの金属膜はほとんど残らない。第１金属酸化膜３ｅ及び第２金属酸化膜４１ａと、金属シリサイド膜４１ｂとが、すべてＴｉの金属膜である場合に比べて、光吸収性が向上した状態となる。言い換えれば、下地絶縁膜１１ａと第１走査線３との界面及び下地絶縁膜１１ａとコンタクトホール３３，３４との界面における反射率が低減された状態となる。前述したように、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒのいずれかの金属原子は、シリコンと反応して金属シリサイドとなるよりも酸素原子と反応して酸化物となり易いことから、コンタクトホール３３，３４の側壁３３ｓ，３４ｓにおいて酸素原子を含む下地絶縁膜１１ａと接する金属膜は、６００℃以上の熱処理によってほとんどが第２金属酸化膜４１ａとなり、金属シリサイド膜４１ｂとなるのはわずかである。一方で、コンタクトホール３３，３４の底部に形成された金属膜は、下地絶縁膜１１ａには接しておらず、金属シリサイドからなる第１走査線３とポリシリコンからなる第１導電膜４２とに接していることから、６００℃以上の熱処理によってほとんどが金属シリサイド膜４１ｂとなり、わずかにシリサイド化していない金属が残ることがあり得る。
【００９１】
１−５−２．コンタクトホールの遮光性
次に、図８を参照して、コンタクトホール３３，３４の遮光性について説明する。図８に示すように、ＴＦＴ３０のゲートとして機能する第２走査線４と第１走査線３とを電気的に接続するコンタクトホール３３，３４は、第１走査線３の拡張部３ｂにおいて、＋Ｙ方向に延びる半導体層３０ａに沿って両側に配置されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ｓ、ＬＤＤ領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、ＬＤＤ領域３０ｆ、ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造である。コンタクトホール３３，３４は、半導体層３０ａに沿って＋Ｙ方向に延在し、Ｘ方向において、ソース領域３０ｓのＬＤＤ領域３０ｅ側の一部、ＬＤＤ領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、ＬＤＤ領域３０ｆ、ドレイン領域３０ｄのＬＤＤ領域３０ｆ側の一部と対向している。Ｘ方向における半導体層３０ａとコンタクトホール３３，３４との間の距離Ｌ１は一定であり、この場合、チャネル領域３０ｃにおけるＸ方向の幅と同じで例えば０．５μｍである。
【００９２】
第１走査線３の拡張部３ｂから＋Ｙ方向に突出した突出部３ｃ及び−Ｙ方向に突出した突出部３ｄのＸ方向における幅をＬ３とし、Ｘ方向に半導体層３０ａを挟んで向かい合った２つのコンタクトホール３３，３４の間の距離をＬ４とすると、距離Ｌ４は幅Ｌ３よりも大きく、例えば１．５μｍである。
【００９３】
このようなコンタクトホール３３，３４の配置では、基材１０ｓ側から入射し、第１走査線３の端部で回折した回折光は、図中に矢印で示すように、半導体層３０ａとコンタクトホール３３，３４との隙間に侵入し易い。図８には図示していないが、前述したようにコンタクトホール３３，３４の内部には、第２金属酸化膜４１ａ、金属シリサイド膜４１ｂ、第２走査線４を構成するところの第１導電膜４２及び第２導電膜４３が設けられている。したがって、コンタクトホール３３，３４の＋Ｘ方向及び−Ｘ方向の外側から半導体層３０ａに向って入射する回折光は、コンタクトホール３３，３４によって遮光されて半導体層３０ａには届かない。一方で、半導体層３０ａとコンタクトホール３３，３４との隙間に侵入した回折光は、直接に半導体層３０ａに入射したり、コンタクトホール３３，３４の側壁で反射して間接的に半導体層３０ａに入射したりする。本実施形態では、コンタクトホール３３，３４の側壁に光吸収性を有する第２金属酸化膜４１ａが設けられていることから、コンタクトホール３３，３４の側壁に入射した回折光の一部は、第２金属酸化膜４１ａにより吸収されて反射しない。また、半導体層３０ａに対向する第１走査線３の表面には光吸収性の第１金属酸化膜３ｅが形成されていることから、第１走査線３の端部で回折して半導体層３０ａ側に廻り込む回折光の一部は、第１金属酸化膜３ｅにより吸収される。このようなコンタクトホール３３，３４の構成と配置とによれば、素子基板１０の基材１０ｓ側から入射して第１走査線３の端部で回折した回折光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を低減可能な遮光構造となっている。
【００９４】
１−５−３．金属酸化膜の構成と光学定数
コンタクトホール３３，３４の内部に、第２金属酸化膜４１ａ、金属シリサイド膜４１ｂ、第１導電膜４２、第２導電膜４３を配置することで、コンタクトホール３３，３４に吸光性と遮光性とを持たせることは、これらの膜を構成する材料及び膜厚とこれらの膜の光学的な性質とに係る。コンタクトホール３３，３４において適切な吸光性と遮光性とを実現するには、第２金属酸化膜４１ａの膜厚だけでなく、屈折率ｎや消衰係数ｋといった光学定数を好ましい状態に設定する必要がある。発明者らは、これらの膜厚、屈折率ｎ、消衰係数ｋをパラメーターとする光学的なシミュレーション（以降、光学シミュレーションとする）を実施して、第２金属酸化膜４１ａにおける好ましい光学定数の範囲を特定した。以降、光学シミュレーションとその結果について、図を参照して説明する。
【００９５】
１−５−４．光学シミュレーション
図９は光学シミュレーションにおけるコンタクトホールのモデル膜構造を示す概略断面図である。まず、図９を参照して、光学シミュレーションにおけるコンタクトホール３３，３４のモデル膜構造について説明する。このモデル膜構造は、屈折率ｎが１．４６の石英基板Ｑｚ上に、遮光膜ＳＨと吸光膜ＡＳと絶縁膜ＩＳとをこの順に積層した構造となっている。遮光膜ＳＨは、上記コンタクトホール３３，３４における第１導電膜４２及び第２導電膜４３からなる第２走査線４を想定したものである。吸光膜ＡＳは上記コンタクトホール３３，３４における第２金属酸化膜４１ａ及び金属シリサイド膜４１ｂを想定したものである。絶縁膜ＩＳは、第１走査線３と半導体層３０ａとの間の下地絶縁膜１１ａを想定したものである。
【００９６】
遮光膜ＳＨは、膜厚が５０ｎｍの導電性のポリシリコンと、膜厚が２５ｎｍのタングステンシリサイド（ＷＳｉ）とを積層した二層構造（ＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ）と、膜厚が２０ｎｍのタングステンシリサイド（ＷＳｉ）と、膜厚が２５ｎｍのチタンシリサイド（ＴｉＳｉ）と、膜厚が５ｎｍのタングステンシリサイドとをこの順に積層した三層構造（ＷＳｉ／ＴｉＳｉ／ＷＳｉ；略してＷＴＷと表記する）との２種類に設定している。光の波長を５５０ｎｍとして、ポリシリコンの屈折率ｎは４．０３、消衰係数ｋは０．０３２に設定されている。ＷＳｉの屈折率ｎは５．５、消衰係数ｋは０．９に設定されている。また、遮光膜ＳＨとしてＷＴＷを採用した場合は、遮光膜ＳＨを総膜厚が５０ｎｍの三層構造の積層膜として、屈折率ｎは３．８０、消衰係数ｋは２．１８に設定されている。
【００９７】
絶縁膜ＩＳは、光の波長が５５０ｎｍのとき、屈折率ｎが石英基板Ｑｚと同じ１．４６の酸化シリコン膜であり、石英基板Ｑｚ側から入射する戻り光を想定し、膜厚を無限大として光学シミュレーションを実施している。酸化シリコン膜の消衰係数ｋは、０．０である。
【００９８】
遮光膜ＳＨと絶縁膜ＩＳとの間に挟まれた吸光膜ＡＳは、膜厚を２５ｎｍ、５０ｎｍ、１００ｎｍの３水準に設定している。吸光膜ＡＳにおける屈折率ｎの範囲を１．２以上４．５以下としている。また、吸光膜ＡＳの消衰係数ｋの範囲を０．０以上３．０以下としている。吸光膜ＡＳを構成可能な金属として、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒが挙げられる。例えば、光の波長を５５０ｎｍとしたとき、Ｔｉの金属膜の屈折率ｎはおよそ１．９２であり、その光の吸収に係る消衰係数ｋはおよそ２．６７である。Ｔｉの金属膜の酸化が進んで完全に二酸化チタン（ＴｉＯ2）となった場合には、屈折率ｎが大きくなっておよそ２．５（アモルファス）あるいは２．９５（ルチル；二酸化チタンの結晶のひとつ）となり、一方で消衰係数ｋはほぼ「０」となる。光の波長が５５０ｎｍのときに、Ｚｒの金属膜の屈折率ｎはおよそ２．５３であり、消衰係数ｋは３．３６である。また、Ｚｒの酸化膜（ＺｒＯ2）の屈折率ｎはおよそ２．１７であり、消衰係数ｋはほぼ「０」である。なお、光の波長が１２１．６ｎｍのとき、Ｔｉの金属膜の屈折率ｎはおよそ１．２５であり、消衰係数ｋは０．９６である。同様に光の波長が１２１．６ｎｍのとき、Ｚｒの金属膜の屈折率ｎはおよそ１．２８であり、消衰係数ｋはおよそ１．３１である。同様に光の波長が１２１．６ｎｍのとき、Ｈｆの金属膜の屈折率ｎは１．３９であり、消衰係数ｋは１．２０である。屈折率ｎは光の波長に依存することから、光の波長が５５０ｎｍのときのＨｆの金属膜の屈折率ｎは、ＴｉやＺｒの金属膜の屈折率ｎとほぼ同じと考えられる。また、光の波長が５５０ｎｍのとき、Ｈｆの酸化膜（ＨｆＯ2）は、屈折率ｎがおよそ２．１２であり、消衰係数ｋはほぼ「０」である。すなわち、これらの金属原子を含む金属膜の酸化が進むと屈折率ｎが大きくなる一方で消衰係数ｋは小さくなる傾向を示す。光の波長が５５０ｎｍのときに、これらの金属よりも屈折率ｎが大きな金属としては、例えば、Ｃｒ（クロム；屈折率ｎ＝３．２）、Ｗ（タングステン；屈折率ｎ＝３．５）、Ｍｏ（モリブデン；屈折率ｎ＝３．７）などが挙げられる。
【００９９】
媒質に入射する入射光の強度をＩ0として，光が媒質中を距離ｘ進行したときの光の強度Ｉは、ランバートの法則によって、以下の数式（１）で表される。
Ｉ＝Ｉ0ｅｘｐ（−αｘ）・・・（１）
定数αは吸収係数と呼ばれている。また真空中の光の波長をλとしたとき、吸収係数αと消衰係数ｋとの関係は、以下の数式（２）で表される。
α＝４πｋ／λ・・・（２）
【０１００】
上述したモデル膜構造を前提として光学シミュレーションを実施して、絶縁膜ＩＳ側から入射する光Ｌｉの強度に対する、反射光Ｌｒの強度の割合すなわち反射率、ＯＤ値（光学濃度の値；Optical  Density）、吸光率を求めた。光の遮光性を示すＯＤ値は、絶縁膜ＩＳ側から入射する光Ｌｉの強度に対する透過光Ｌｔの強度の割合すなわち透過率の逆数の対数として求めることができる。絶縁膜ＩＳ側から入射する光Ｌｉの強度を例えば「１」とすると、吸光率は、「１」から反射率と透過率とを除いた値となる。吸光率は、吸光膜ＡＳにおける光吸収性を示すものである。
【０１０１】
なお、モデル膜構造を用いた光学シミュレーションにおける各材料の屈折率ｎと消衰係数ｋの値は、波長が５５０ｎｍの光を前提とした値である。
【０１０２】
モデル膜構造の光学的に好ましい状態とは、入射光Ｌｉの強度に対して、反射光Ｌｒや透過光Ｌｔの強度が小さいことである。言い換えれば、入射光Ｌｉに対してモデル膜構造の反射率が低く、ＯＤ値と吸光率とが高いことが好ましい。
【０１０３】
図１０〜図２１は光学シミュレーションによる吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフである。具体的には、図１０〜図１３は、遮光膜ＳＨをＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉの二層構造とＷＴＷの三層構造の２水準とし、吸光膜ＡＳの膜厚を２５ｎｍとし、屈折率ｎを１．２、１．５、２．０、２．５、３．０、３．５、４．０、４．５の８水準としたときの、吸光膜ＡＳの反射率、ＯＤ値、吸光率を示すグラフである。図１０〜図１３に示した光学シミュレーションにおける光学的な条件を第１の光学条件と呼ぶ。図１４〜図１７に示した光学シミュレーションにおける光学的な条件は、第１の光学条件に対して、吸光膜ＡＳの膜厚を５０ｎｍとしたものであり、他の条件は第１の光学条件と同一である。図１４〜図１７に示した光学シミュレーションにおける光学的な条件を第２の光学条件と呼ぶ。図１８〜図２１に示した光学シミュレーションにおける光学的な条件は、第１の光学条件に対して、吸光膜ＡＳの膜厚を１００ｎｍとしたものであり、他の条件は第１の光学条件と同一である。図１８〜図２１に示した光学シミュレーションにおける光学的な条件を第３の光学条件と呼ぶ。なお、図１０〜図２１において「ＡＳ」は吸光膜を指す。また、図１０〜図２１の吸光率を示すグラフにおいて、二点鎖線の横線は、遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）であって、吸光膜ＡＳがない場合、すなわち、遮光膜ＳＨと絶縁膜ＩＳとからなる積層膜の吸光率を示し、その値はおよそ３１％である。同様に、一点鎖線の横線は、遮光膜ＳＨがＷＴＷ（三層構造）であって、吸光膜ＡＳがない場合の吸光率を示し、その値はおよそ６１％である。
【０１０４】
図１０〜図１３に示すように、吸光膜ＡＳの膜厚を２５ｎｍとした第１の光学条件により光学シミュレーションを実施した結果によれば、吸光膜ＡＳの屈折率ｎの値によらず、消衰係数ｋの値が大きくなるほどＯＤ値は大きくなり、遮光性が向上する。また、吸光膜ＡＳの屈折率ｎの値によらず、消衰係数ｋの値が小さい方が、反射率は小さくなる傾向を示すが、この傾向は、遮光膜ＳＨがＷＴＷ（三層構造）である場合のほうが顕著である。吸光膜ＡＳが無い場合の吸光率に比べて吸光膜ＡＳを設けることにより吸光率が改善される効果が得られるのは、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが２．０以上４．５以下であって、消衰係数ｋが０．０以上２．０以下の範囲である。図１０に示すように、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが１．２の場合と１．５の場合とでは、消衰係数ｋが０．０以上３．０以下の範囲で変化しても、吸光率は吸光膜ＡＳが無い場合に比べて改善されない。遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合と、ＷＴＷ（三層構造）である場合とを比較すると、ＷＴＷ（三層構造）のほうが、反射率及びＯＤ値において優れ、高い吸光率が得られる。
【０１０５】
図１４〜図１７に示すように、吸光膜ＡＳの膜厚を５０ｎｍとした第２の光学条件により光学シミュレーションを実施した結果によれば、吸光膜ＡＳの屈折率ｎの値によらず、消衰係数ｋの値が大きくなるほど、ＯＤ値は大きくなり、第１の光学条件と比べても吸光膜ＡＳの膜厚が厚い第２の光学条件の方が遮光性は向上する。これに対して、反射率は、消衰係数ｋが０．０以上１．０以下の範囲で極小値を示すようになる。また、遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合と、ＷＴＷ（三層構造）である場合とで比較すると、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが１．２以上３．０以下の範囲では、遮光膜ＳＨがＷＴＷ（三層構造）である場合の方が反射率は小さくなる（図１４〜図１６参照）。吸光膜ＡＳの屈折率ｎが３．０を超え４．５以下では、遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合の方が反射率は小さくなる（図１６〜図１７参照）。このような第２の光学条件による反射率及びＯＤ値の傾向により、吸光膜ＡＳが無い場合の吸光率に比べて吸光膜ＡＳを設けることにより吸光率が改善される効果が得られるのは、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが１．５以上３．５以下であって、消衰係数ｋが０．０以上２．０以下の範囲である。遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合と、ＷＴＷ（三層構造）である場合とを比較すると、ＷＴＷ（三層構造）のほうが、高い吸光率が実現されている。特に、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが２．０以上３．０以下、及び消衰係数ｋが１．５以下において、遮光膜ＳＨがＷＴＷ（三層構造）である場合に、吸光率が８０％を超える状態となる。
【０１０６】
図１８〜図２１に示すように、吸光膜ＡＳの膜厚を１００ｎｍとした第３の光学条件により光学シミュレーションを実施した結果によれば、吸光膜ＡＳの屈折率ｎの値によらず、消衰係数ｋの値が大きくなるほど、ＯＤ値は大きくなり、第２の光学条件と比べても吸光膜ＡＳの膜厚が厚い第３の光学条件の方が遮光性は向上する。反射率は、第２の光学条件と同様に、消衰係数ｋが０．０以上１．０以下の範囲で極小値を示すようになる。また、遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合と、ＷＴＷ（三層構造）である場合とで比較すると、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが１．２以上４．０以下の範囲では、遮光膜ＳＨがＷＴＷ（三層構造）である場合の方がＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合と反射率が同等もしくは小さくなる。吸光膜ＡＳの屈折率ｎが４．０を超え４．５となると、遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合の方が反射率は小さくなる（図２１参照）。このような第３の光学条件による反射率及びＯＤ値の傾向により、吸光膜ＡＳが無い場合の吸光率に比べて吸光膜ＡＳを設けることにより吸光率が改善される効果が得られるのは、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが１．５以上４．０以下であって、消衰係数ｋが０．０以上２．０以下の範囲である。遮光膜ＳＨがＷＳｉ／Ｐ−Ｓｉ（二層構造）である場合と、ＷＴＷ（三層構造）である場合とを比較すると、ＷＴＷ（三層構造）のほうが、高い吸光率が実現されている。特に、吸光膜ＡＳの屈折率ｎが１．５以上２．５以下、及び消衰係数ｋが１．５以下において、遮光膜ＳＨがＷＴＷ（三層構造）である場合に、吸光率が８０％を超える状態となる。
【０１０７】
コンタクトホール３３，３４内に吸光膜ＡＳとして機能する第２金属酸化膜４１ａ及び金属シリサイド膜４１ｂの前駆体である金属膜を形成する際に金属膜の膜厚を一旦５０ｎｍ〜１００ｎｍとする。この金属膜の膜厚を考慮すると、回折光に対するコンタクトホール３３，３４の光吸収性（吸光性）と遮光性とを確保する観点から、第２金属酸化膜４１ａの光学定数である屈折率ｎは２．０以上４．０以下であり、消衰係数ｋは０．０以上２．０以下であることが好ましい。高い吸光率を実現する観点からは、第２金属酸化膜４１ａの光学定数である屈折率ｎは２．０以上２．５以下であり、消衰係数ｋは０．０以上１．５以下であることがより好ましい。また、遮光膜ＳＨの遮光性が高ければ、第２金属酸化膜４１ａの膜厚は、２５ｎｍ程度でもよい。
【０１０８】
このようなコンタクトホール３３，３４の第２金属酸化膜４１ａの光学定数である屈折率ｎや消衰係数ｋの設定は、第１走査線３を覆う第１金属酸化膜３ｅにも適用できる。すなわち、第１走査線３の端部で回折した回折光の光吸収性（吸光性）と、第１走査線３の遮光性とを確保する観点から、第１走査線３はシリコンを含む金属シリサイドで構成され、第１金属酸化膜３ｅの光学定数である、屈折率ｎは２．０以上４．０以下であり、消衰係数ｋは０．０以上２．０以下であることが好ましい。なお、第１金属酸化膜３ｅの膜厚も２５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
【０１０９】
上記第１実施形態の液晶装置１００の構成によれば、以下の効果が得られる。
（１）液晶装置１００において、素子基板１０の基材１０ｓ側から入射し、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに向かう光は、第１走査線３によって遮光される。さらに、第１走査線３の端部で回折した回折光の一部がコンタクトホール３３，３４に入射したとしても、コンタクトホール３３，３４の側壁３３ｓ，３４ｓに第２金属酸化膜４１ａが形成されているため、側壁３３ｓ，３４ｓに入射した回折光の一部は第２金属酸化膜４１ａによって吸収され、側壁３３ｓ，３４ｓにおける回折光の反射が低減される。また、回折光の強度が強く、その一部がコンタクトホール３３，３４に入射しても、コンタクトホール３３，３４内には、第２金属酸化膜４１ａ以外に金属シリサイド膜４１ｂ、第１導電膜４２、第２導電膜４３が形成されているので、入射した回折光の一部はコンタクトホール３３，３４を透過できず遮光される。加えて、第１走査線３の端部で回折した回折光の一部は、第１走査線３を覆うように形成された第１金属酸化膜３ｅによっても吸収される。ゆえに、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃやＬＤＤ領域３０ｅ，３０ｆに回折光が入射することによる光リーク電流の発生を低減可能なＴＦＴ３０の遮光構造を有する液晶装置１００を提供することができる。
【０１１０】
（２）第１走査線３上に形成された第１金属酸化膜３ｅ及びコンタクトホール３３，３４内に形成された第２金属酸化膜４１ａは、光学定数としての屈折率ｎが２．０以上４．０以下、消衰係数ｋが０．０以上２．０以下を実現可能な、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒのうちいずれかを含んで構成されている。したがって、優れた光吸収性、言い換えれば低反射性を実現できる。
【０１１１】
（３）コンタクトホール３３，３４内には、第２金属酸化膜４１ａの他に、金属シリサイド膜４１ｂ、ポリシリコンからなる第１導電膜４２、金属シリサイドからなる第２導電膜４３が形成されている。したがって、コンタクトホール３３，３４に入射する光に対して、光吸収性（吸光性）と遮光性とを両立させることができる。また、ゲート電極３０ｇとして機能する第２走査線４は第１導電膜４２と第２導電膜４３とにより構成されているため、第１導電膜４２のみで第２走査線４を構成する場合に比べて、第２走査線４の電気抵抗を下げることができる。したがって、第１走査線３と第２走査線４とによりＴＦＴ３０に対して走査信号の安定的な供給を実現できる。
【０１１２】
２．第２実施形態
２−１．電気光学装置
次に、第２実施形態の電気光学装置について、上記第１実施形態と同様にアクティブ駆動型の液晶装置を例に挙げて説明する。第２実施形態の電気光学装置としての液晶装置は、上記第１実施形態の液晶装置１００に対して、ＴＦＴ３０のゲートとして機能する第２走査線４と第１走査線３との電気的な接続を図るコンタクトホールの構成を異ならせたものであり、他の構成は液晶装置１００と同じである。したがって、第２実施形態の液晶装置において、上記第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１１３】
２−２．薄膜トランジスターの遮光構造
図２２は第２実施形態の素子基板における薄膜トランジスター及び信号配線の配置を示す概略平面図、図２３は図２２のＢ−Ｂ’線に沿った薄膜トランジスターの遮光構造を示す概略断面図である。なお、図２２のＢ−Ｂ’線は、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａにおけるドレイン領域３０ｄをＸ方向に横断する線分である。
【０１１４】
図２２に示すように、第１走査線３は、＋Ｘ方向に配列する複数の画素Ｐに跨って、同じく＋Ｘ方向に延在する本線部３ａと、本線部３ａに対して幅が拡張された拡張部３ｂとを有している。また、第１走査線３は、拡張部３ｂから＋Ｙ方向に突出する突出部３ｃと、拡張部３ｂから−Ｙ方向に突出する突出部３ｄとを有している。拡張部３ｂは、図５に示した非開口領域の交差部に対応して形成されている。
【０１１５】
ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、平面視で第１走査線３の拡張部３ｂ及び突出部３ｃ，３ｄに重なるようにＹ方向に沿って配置されている。また、半導体層３０ａは、平面視で、チャネル領域３０ｃが第１走査線３の拡張部３ｂ（言い換えれば、非開口領域の交差部）のほぼ中心に位置するように配置されている。このような第１走査線３及び半導体層３０ａに対して、平面視で重なるように第２走査線４が配置されている。第２走査線４は、平面視において、第１走査線３の本線部３ａと重なるように＋Ｘ方向に延在する本線部４ａと、半導体層３０ａに沿って両側に配置され、本線部４ａよりも幅が拡張された２つの拡張部４ｂと、２つの拡張部４ｂの間に配置され、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なるように本線部４ａよりも幅が狭められた狭小部４ｃとを有している。
【０１１６】
第１走査線３の拡張部３ｂには、第１走査線３と第２走査線４とを電気的に接続する２つのコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄが設けられている。コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄは、平面視で半導体層３０ａを挟んで両側に設けられている。第２走査線４のうち平面視で半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと重なる狭小部４ｃは、ＴＦＴ３０におけるゲートとして機能する部分である。なお、２つのコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄのうちいずれか一方のコンタクトホールのみを設けて第１走査線３と第２走査線４とを電気的に接続させてもよい。また、第２走査線４は、走査信号を供給する電気的な配線系統を強化するために設けられたものであるが、これに限定されず、平面視で、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄとチャネル領域３０ｃとに重なるように、画素Ｐごとにゲート電極３０ｇを配置する構成としてもよい。
【０１１７】
一方のコンタクトホール３３Ｄは、平面視で半導体層３０ａに沿って配置された本体部３３ａと、本体部３３ａからチャネル領域３０ｃ以外の高濃度不純物領域であるソース領域３０ｓ及びドレイン領域３０ｄに向って突出した突出部３３ｂとを有している。他方のコンタクトホール３４Ｄもまた、平面視で半導体層３０ａに沿って配置された本体部３４ａと、本体部３４ａから高濃度不純物領域であるソース領域３０ｓ及びドレイン領域３０ｄに向って突出した突出部３４ｂとを有している。２つのコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄは、平面視で、半導体層３０ａを挟んだ、括弧状（[]状）となっており、突出部３３ｂ，３４ｂは、ＬＤＤ領域３０ｅとソース領域３０ｓとの境界よりもソース領域３０ｓ側に向って突出すると共に、ＬＤＤ領域３０ｆとドレイン領域３０ｄの境界よりもドレイン領域３０ｄ側に向って突出している。
【０１１８】
図２３に示すように、半導体層３０ａと対向する第１走査線３の表面のうち、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄと接する部分を除いた部分に光吸収性を有する第１金属酸化膜３ｅが形成されている。第１金属酸化膜３ｅは、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）の中から選ばれる金属の酸化物からなり、本実施形態では、二酸化チタン（ＴｉＯ2）からなる。
【０１１９】
コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄは、それぞれのコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄ内に形成された、第２金属酸化膜４１ａ、金属シリサイド膜４１ｂ、第１導電膜４２、第２導電膜４３を有する。第２金属酸化膜４１ａは、光吸収性を有しており、それぞれのコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの側壁において下地絶縁膜１１ａと接するように形成されている。コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの底部では、導電性を有する金属シリサイド膜４１ｂを介して第１導電膜４２と第１走査線３の拡張部３ｂとが低抵抗で電気的に接続された状態となっている。
【０１２０】
第２金属酸化膜４１ａは、Ｔｉ（チタン）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）の中から選ばれる金属の酸化物からなり、金属シリサイド膜４１ｂは、第２金属酸化膜４１ａに含まれる金属と同じ金属がシリサイド化して構成されている。本実施形態では、第２金属酸化膜４１ａは、Ｔｉの酸化物である二酸化チタンからなり、金属シリサイド膜４１ｂは、Ｔｉのシリサイド（ＴｉＳｉｘ）により構成されている。
【０１２１】
コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの内側において、金属シリサイド膜４１ｂを被覆する第１導電膜４２は、導電性のポリシリコンからなり、第１導電膜４２に積層された第２導電膜４３は、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなる。なお、第２走査線４は、第１導電膜４２及び第２導電膜４３によって構成される二層構造であることに限定されず、上記第１実施形態で述べたように、例えば、ＴｉやＷなどの金属のシリサイドからなる層を多層化した構造（例えば、ＷＳｉ／ＴｉＳｉ／ＷＳｉの三層構造）は、吸収膜ＡＳの膜厚が薄い２５ｎｍにて高い光の吸収性を示す効果を発揮する。
【０１２２】
ゲート絶縁膜１１ｂ上に積層された第２走査線４を覆うように第１層間絶縁膜１１ｃが形成される。また、第１層間絶縁膜１１ｃは第２走査線４を覆うことにより、その表面に凹凸が生ずることから、この凹凸を緩和すべくＣＭＰ処理などの平坦化処理が施されている。第１層間絶縁膜１１ｃは、例えばＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜であり、平坦化処理後に平均膜厚は例えば３００ｎｍである。
【０１２３】
平坦化処理が施された第１層間絶縁膜１１ｃ上において、半導体層３０ａと平面視で重なる位置にデータ線６が形成される。データ線６は、例えばＡｌ（アルミニウム）やその合金、あるいは金属化合物、不純物がドープされた導電性のポリシリコンなどの遮光性の導電膜を用いて形成される。
【０１２４】
図２３に示すように、半導体層３０ａのドレイン領域３０ｄの側面と、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄにおける突出部３３ｂ，３４ｂとの間の距離Ｌ２は、チャネル領域３０ｃの幅Ｌｃと同じドレイン領域３０ｄの幅よりも狭く、例えば０．１５μｍである。
【０１２５】
２−３．コンタクトホールの遮光性
次に、第１走査線３の端部で回折した回折光に対するコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの遮光性について、図２４を参照して説明する。図２４は第２実施形態の第１走査線と薄膜トランジスターのゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールの配置を示す概略平面図である。
【０１２６】
図２４に示すように、本実施形態のコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄは、第１走査線３の拡張部３ｂに設けられると共に、平面視で、半導体層３０ａに沿って両側に設けられ、括弧状（[]状）となっている。＋Ｘ方向におけるチャネル領域３０ｃとコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの本体部３３ａ，３４ａとの間の距離Ｌ１は、チャネル領域３０ｃの＋Ｘ方向の幅とほぼ同じで、例えば０．５μｍである。＋Ｘ方向におけるドレイン領域３０ｄ及びソース領域３０ｓとコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの突出部３３ｂ，３４ｂとの間の距離Ｌ２は、距離Ｌ１よりも小さく例えば０．１５μｍである。突出部３３ｂ，３４ｂは高濃度不純物領域であるドレイン領域３０ｄ及びソース領域３０ｓに向って配置されているため、距離Ｌ２をおよそ０．１５μｍとしても、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄにおける走査信号の電位が、ＴＦＴ３０におけるソース及びドレインの電位に影響を及ぼさない状態となっている。言い換えれば、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄにおける走査信号の電位が、ＴＦＴ３０におけるソース及びドレインの電位に影響を及ぼさない範囲で、距離Ｌ２が最小化されている。本実施形態において、距離Ｌ１は本発明における第１の距離に相当し、距離Ｌ２は本発明の第２の距離に相当するものである。したがって、以降、第１の距離Ｌ１、第２の距離Ｌ２、と呼ぶことがある。
【０１２７】
＋Ｘ方向に半導体層３０ａを挟んで向かい合うコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの突出部３３ｂ，３４ｂの間の距離をＬ５とすると、距離Ｌ５は、第１走査線３の拡張部３ｂから＋Ｙ方向に突出した突出部３ｃや−Ｙ方向に突出した突出部３ｄの＋Ｘ方向における幅Ｌ３よりも小さく、例えば０．８μｍである。
【０１２８】
このような本実施形態のコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄでは、上記第１実施形態のコンタクトホール３３，３４に比べて、半導体層３０ａとコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの突出部３３ｂ，３４ｂとの間の第２の距離Ｌ２が第１の距離Ｌ１よりも小さくなっている。したがって、第１走査線３の端部で回折した回折光は、図中に矢印で示すように、上記第１実施形態に比べて、半導体層３０ａとコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄとの隙間に侵入し難い。本実施形態におけるコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄ内には、上記第１実施形態と同様に第２金属酸化膜４１ａ、金属シリサイド膜４１ｂ、第１導電膜４２、第２導電膜４３が設けられている。したがって、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの本体部３３ａ，３４ａに外側から入射して半導体層３０ａに向かう回折光は、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄによって遮光されると共に吸収されて半導体層３０ａには届かない。一方で、半導体層３０ａとコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄとの隙間に回折光が侵入したとしても、半導体層３０ａとコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの突出部３３ｂ，３４ｂとの間の第２の距離Ｌ２が第１の距離Ｌ１よりも小さくなっているため、侵入する回折光の光量は上記第１実施形態よりも少なく、半導体層３０ａに届き難い。また、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの側壁に光吸収性の第２金属酸化膜４１ａが形成されていることから、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄの側壁に入射した回折光は吸収されて反射し難い。よって、上記第１実施形態に比べて、さらに第１走査線３の端部で回折した回折光によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生をより低減可能な遮光構造となっている。
【０１２９】
上記第２実施形態の液晶装置によれば、以下の効果が得られる。
（１）ＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇとして機能する第２走査線４と第１走査線３との電気的な接続に係るコンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａに沿って両側に設けられ、平面視で括弧（［］）状になっている。具体的には、コンタクトホール３３Ｄ，３４Ｄは、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃとの間が第１の距離Ｌ１である本体部３３ａ，３４ａと、本体部３３ａ，３４ａから半導体層３０ａの高濃度不純物領域であるドレイン領域３０ｄ及びソース領域３０ｓに向って突出し、ドレイン領域３０ｄ及びソース領域３０ｓとの間が第１の距離Ｌ１よりも小さい第２の距離Ｌ２である突出部３３ｂ，３４ｂとを有する。したがって、素子基板１０の基材１０ｓ側から入射し第１走査線３の端部で回折した回折光は、半導体層３０ａと突出部３３ｂ，３４ｂとの間からチャネル領域３０ｃ側に侵入し難くなる。加えて、第１走査線３の端部で回折した回折光の一部は、第１走査線３を覆うように形成された第１金属酸化膜３ｅによっても吸収される。よって、上記第１実施形態に比べて半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃやＬＤＤ領域３０ｅ，３０ｆに回折光が入射し難くなり、光リーク電流の発生をより低減可能なＴＦＴ３０の遮光構造を有する液晶装置を提供することができる。
【０１３０】
３．第３実施形態
３−１．電子機器
次に、本実施形態の電子機器として、投射型表示装置を例に挙げて説明する。図２５は第３実施形態の電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【０１３１】
図２５に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸１１００ａに沿って配置された、偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、を備えている。また、リレーレンズ１２０３，１２０４，１２０５を通過するシステム光軸１１００ａに沿って配置された、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１３２】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯などの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１３３】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１３４】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１３５】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１３６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した第１実施形態の液晶装置１００が適用されたものである。液晶パネル１１０の色光の入射側と射出側とにクロスニコルに配置された一対の偏光素子が隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１３７】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記液晶装置１００が用いられているので、画素Ｐに強い色光が入射したとしてもＴＦＴ３０における光リーク電流の発生が低減されているため、明るい表示が可能であると共に、安定した表示状態を実現可能な投射型表示装置１０００を提供することができる。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、上記第２実施形態の液晶装置を用いても同様な効果が得られる。
【０１３８】
なお、本実施形態の投射型表示装置１０００では、超高圧水銀灯などの白色光源を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応した例えばレーザー光源やＬＥＤなどの固体光源を用いてもよい。
【０１３９】
本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【０１４０】
（変形例１）上記第１実施形態の液晶装置１００では、下地絶縁膜１１ａを挟んで半導体層３０ａに対向する第１走査線３の表面に光吸収性の第１金属酸化膜３ｅを設け、さらに、ＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇと第１走査線３とを電気的に接続するコンタクトホール３３，３４内に光吸収性の第２金属酸化膜４１ａを設けたが、ＴＦＴ３０の遮光構造はこれに限定されない。図２６は、変形例の素子基板における薄膜トランジスターの遮光構造を示す概略断面図である。詳しくは、上記第１実施形態の説明に用いた図７に相当する概略断面図である。図２６に示すように、変形例１の素子基板１０Ｂは、第１走査線３と第２走査線４との電気的な接続に係るコンタクトホール３３，３４を有している。コンタクトホール３３，３４内には第２金属酸化膜４１ａ、金属シリサイド膜４１ｂ、第１導電膜４２、第２導電膜４３が設けられている。また、第１走査線３と下地絶縁膜１１ａとの間には、上記第１実施形態に示されていた第１金属酸化膜３ｅが設けられていない。このような変形例１の素子基板１０Ｂの構成によれば、第１走査線３の端部で回折した回折光のうちコンタクトホール３３，３４の側壁３３ｓ，３４ｓに入射する光は第２金属酸化膜４１ａによって吸光される。すなわち、変形例１の素子基板１０ＢにおけるＴＦＴ３０の遮光構造は、第１走査線３の端部で回折した回折光の一部によるＴＦＴ３０の光リーク電流の発生を低減可能なＴＦＴ３０の遮光構造となっている。
【０１４１】
（変形例２）上記第１実施形態における薄膜トランジスターの遮光構造を適用可能な電気光学装置は、透過型の液晶装置１００に限定されない。例えば、画素に有機ＥＬ素子などの発光素子を備えた表示装置において、発光素子からの光による薄膜トランジスターの光リーク電流の発生を抑制する遮光構造としても適用することができる。
【０１４２】
（変形例３）上記実施形態の液晶装置が適用される電子機器は、上記第３実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、液晶装置として画素に着色層を有するカラーフィルターを備える構成とすることで、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【０１４３】
以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。
【０１４４】
本願の電気光学装置は、基板と、シリコンを含むゲート電極を有するトランジスターと、基板とトランジスターとの間に、遮光性を有する走査線と、走査線とトランジスターとの間に、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するコンタクトホールが設けられ、酸素原子を含む材料で構成された絶縁膜と、を備え、コンタクトホール内に、ゲート電極と絶縁膜との間に光吸収性を有する金属酸化膜と、ゲート電極と走査線との間に金属酸化膜を構成する金属原子を含む金属シリサイド膜とを有することを特徴とする。
【０１４５】
本願の構成によれば、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するコンタクトホールの内側において、ゲート電極と絶縁膜との間に光吸収性の金属酸化膜が設けられている。したがって、ゲート電極の端部や走査線の端部で回折した回折光はコンタクトホール内の金属酸化膜に入射すると吸収される。加えて、コンタクトホール内のゲート電極と走査線との間に金属シリサイド膜が設けられていることから、ゲート電極の端部や走査線の端部で回折した回折光がコンタクトホールを透過し難い構造となっている。すなわち、コンタクトホールと絶縁膜との界面で回折光が反射し難く、且つコンタクトホールを透過し難い構造となっていることから、回折光によるトランジスターの光リーク電流の発生を低減可能な遮光構造を有する電気光学装置を提供することができる。
【０１４６】
上記に記載の電気光学装置において、ゲート電極は、シリコンを含む材料で構成される第１導電膜と、第１導電膜に積層された第２導電膜とを含み、第１導電膜が金属シリサイド膜と接していることを特徴とする。
この構成によれば、シリコンを含む第１導電膜のみでゲート電極を構成する場合に比べて、第１導電膜に第２導電膜を積層させているのでゲート電極の低抵抗化を図ることができる。加えて、シリコンを含む第１導電膜が金属シリサイド膜と接していることから、金属シリサイド膜を介してゲート電極と走査線との電気的な接続を安定化させることができる。
【０１４７】
上記に記載の電気光学装置において、金属原子は、チタン、ハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかであることが好ましい。
この構成によれば、チタン、ハフニウム、ジルコニウムは、酸素と反応して金属酸化膜となり易く、金属酸化膜は優れた光吸収性を示す。一方で、チタン、ハフニウム、ジルコニウムのいずれかの金属シリサイド膜は、優れた遮光性を示す。つまり、チタン、ハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを用いて構成された金属酸化膜と、チタン、ハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを用いて構成された金属シリサイド膜を内部に備えるコンタクトホールは、優れた光吸収性と遮光性とを示す。
【０１４８】
上記に記載の電気光学装置において、走査線は、シリコンを含む材料で構成されることが好ましい。
この構成によれば、走査線がシリコンを含む材料で構成されることから、走査線と金属シリサイド膜を含むコンタクトホールとの電気的な接続を安定化させることができる。
【０１４９】
上記に記載の電気光学装置において、金属酸化膜は、波長が５５０ｎｍの光に対して屈折率が２．０以上４．０以下であり、消衰係数が０．０以上２．０以下であることが好ましい。
この構成によれば、金属酸化膜は、より優れた光吸収性を示す。
【０１５０】
上記に記載の電気光学装置において、走査線を覆う光吸収性を有する他の金属酸化膜を有し、他の金属酸化膜は、チタン、ハフニウム、及びジルコニウムのうちのいずれかの金属原子を含むことが好ましい。
この構成によれば、他の金属酸化膜は優れた光吸収性を示し、走査線の端部で回折した回折光は、走査線を覆う他の金属酸化膜で吸収されて反射し難くなる。したがって、当該回折光によるトランジスターの光リーク電流の発生がより低減される。
【０１５１】
上記に記載の電気光学装置において、コンタクトホールは、平面視で、トランジスターの半導体層に沿って設けられ、半導体層のチャネル領域との間が第１の距離である本体部と、本体部から半導体層のチャネル領域以外の領域に向かって突出し、チャネル領域以外の領域との間が第１の距離よりも小さい第２の距離である突出部とを有することが好ましい。
この構成によれば、ゲート電極の端部や走査線の端部で回折した回折光は、半導体層とコンタクトホールの突出部との間に侵入し難くなることから、半導体層とコンタクトホールとの間に侵入した回折光によるトランジスターの光リーク電流の発生がより低減される。
【０１５２】
上記に記載の電気光学装置において、走査線は、半導体層と重なる領域に、半導体層の延在方向に突出する突出部を有し、コンタクトホールの突出部は、半導体層の両側に設けられており、半導体層の両側に設けられたコンタクトホールの突出部の間の距離は、走査線の突出部の幅よりも小さいことが好ましい。
この構成によれば、走査線の突出部の端部で回折した回折光は、半導体層とコンタクトホールの突出部との間により侵入し難くなる。つまり、半導体層とコンタクトホールとの間に侵入した回折光によるトランジスターの光リーク電流の発生がより低減される。
【０１５３】
上記に記載の電気光学装置において、光源から出射された光が基板側から入射することを特徴とする。
この構成によれば、基板側から入射して走査線の端部で回折した回折光によるトランジスターの光リーク電流の発生を低減することができる。
【０１５４】
本願の電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
回折光によるトランジスターの光リーク電流の発生を低減可能な遮光構造を有する電気光学装置を備えていることから、光源から強い光が画素に入射しても安定した表示状態が実現される電子機器を提供することができる。
【符号の説明】
【０１５５】
３…走査線または第１走査線、３ｅ…他の金属酸化膜としての第１金属酸化膜、１０ｓ…基板としての基材、１１ａ…絶縁膜としての下地絶縁膜、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｇ…ゲート電極、３３，３４…コンタクトホール、３３ａ，３４ａ…コンタクトホールの本体部、３３ｂ，３４ｂ…コンタクトホールの突出部、４１ａ…金属酸化膜または第２金属酸化膜、４１ｂ…金属シリサイド膜、４２…第１導電膜、４３…第２導電膜、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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