(57)【要約】【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第１主面と、第１凹部と、を備えた第１基板と、前記第１主面に対向する第２主面と、前記第２主面に設けられ前記第１主面に接するメインスペーサと、前記第２主面に設けられ前記第１基板から離間したサブスペーサと、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備え、前記サブスペーサは、前記第１凹部の内部に位置する端部を有し、前記メインスペーサは、第１高さを有し、前記サブスペーサは、第２高さを有し、前記第２高さは、前記第１高さより大きい、表示装置。【選択図】  図１
2020118790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、第１凹部と、を備えた第１基板と、
前記第１主面に対向する第２主面と、前記第２主面に設けられ前記第１主面に接するメインスペーサと、前記第２主面に設けられ前記第１基板から離間したサブスペーサと、を備えた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備え、
前記サブスペーサは、前記第１凹部の内部に位置する端部を有し、
前記メインスペーサは、第１高さを有し、
前記サブスペーサは、第２高さを有し、
前記第２高さは、前記第１高さより大きい、表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は、前記第１凹部と前記サブスペーサとの間に位置する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１凹部は、底部を有し、
前記底部と前記第２主面との間の第１距離は、前記第２高さより大きい、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１主面と前記第２主面との間の第２距離は、前記第１高さと同等であり、前記第２高さより小さい、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、第１方向に並び、
前記サブスペーサは、前記第１方向に沿った第１長さと、前記第１方向に交差する第２方向に沿った第２長さと、を有し、
前記第１長さは、前記第２長さより大きい、請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記メインスペーサは、前記第２方向に沿った第３長さを有し、
前記第３長さは、前記第２長さより大きい、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１基板は、前記サブスペーサと前記メインスペーサとの間に位置する第２凹部を備え、
前記第２基板は、前記第１方向に沿って延出した遮光部を備え、
平面視で、前記遮光部は、前記サブスペーサ、前記第２凹部、及び、前記メインスペーサと重畳し、
前記遮光部は、前記サブスペーサと重畳する位置において第１幅を有し、前記第２凹部と重畳する位置において第２幅を有し、
前記第１幅は、前記第２幅と同等である、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１基板は、第３凹部を備え、
前記メインスペーサは、前記第２凹部と前記第３凹部との間に位置し、
前記第２凹部と前記第３凹部との間隔は、前記第１凹部と前記第２凹部との間隔より大きい、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１基板は、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板と前記液晶層との間に位置する第１有機絶縁膜と、を備え、
前記第１有機絶縁膜は、貫通孔を有し、
前記第１凹部は、前記貫通孔によって形成される、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板は、第１信号線と、第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置するドレイン電極と、を備え、
前記第１有機絶縁膜は、前記第１信号線及び前記第２信号線を覆い、
前記貫通孔は、前記ドレイン電極まで貫通している、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１信号線及び前記第２信号線は、第１方向に沿って間隔をおいて並び、
前記貫通孔は、前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置し、前記第１方向に沿った幅を有し、
前記幅は、前記間隔より小さい、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２基板は、第２絶縁基板と、第２有機絶縁膜と、前記第２絶縁基板と前記第２有機絶縁膜との間に位置するカラーフィルタ層と、を備え、
前記カラーフィルタ層は、前記サブスペーサと重畳する単一色のカラーフィルタと、前記メインスペーサと重畳する複数色のカラーフィルタと、を備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２基板は、第２絶縁基板と、前記第２主面を有する第２有機絶縁膜と、を備え、
前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、それぞれ前記第２主面を基準とした前記第１高さ及び前記第２高さを有している、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２基板は、前記第２主面を有する第２絶縁基板を備え、
前記メインスペーサ及び前記サブスペーサは、それぞれ前記第２主面を基準とした前記第１高さ及び前記第２高さを有している、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一例では、第１基板と第２基板との間隔を規定する第１スペーサと、第１基板の凹部に対向する位置に設けられた第２スペーサと、を備えた液晶表示装置が開示されている。この第２スペーサは、第１スペーサとほぼ同じ高さを有している。外部から押圧力が加わった場合には、第１スペーサは、その付近における両基板の間隔を保持するように機能する一方で、第２スペーサは、凹部に嵌り込む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１６３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態によれば、
第１主面と、第１凹部と、を備えた第１基板と、前記第１主面に対向する第２主面と、前記第２主面に設けられ前記第１主面に接するメインスペーサと、前記第２主面に設けられ前記第１基板から離間したサブスペーサと、を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を備え、前記サブスペーサは、前記第１凹部の内部に位置する端部を有し、前記メインスペーサは、第１高さを有し、前記サブスペーサは、第２高さを有し、前記第２高さは、前記第１高さより大きい、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰを示す断面図である。
【図２】図２は、表示装置ＤＳＰの比較例を示す断面図である。
【図３】図３は、輝点発生荷重を評価する実験装置ＬＤの断面図である。
【図４】図４は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの構成例を示す平面図である。
【図５】図５は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。
【図６】図６は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。
【図７】図７は、図６に示した画素レイアウトに対応した遮光層ＢＭを示す平面図である。
【図８】図８は、図７に示したＡ−Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。
【図９】図９は、図７に示したＣ−Ｄ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。
【図１０】図１０は、図９に示した第１基板ＳＵＢ１の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
【０００８】
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰを示す断面図である。一例では、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。本明細書において、第３方向Ｚを示す矢印の先端に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第３方向Ｚを示す矢印の先端側に表示装置ＤＳＰを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ−Ｙ平面に向かって見ることを平面視という。
【０００９】
本実施形態においては、表示装置ＤＳＰの一例として、液晶表示装置について説明する。
【００１０】
図１では、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの断面を概略的に示している。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬを備えている。表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、シールＳＥ、及び、液晶層ＬＣを備えている。シールＳＥは、セルギャップが形成された状態で第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせている。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持されている。
【００１１】
第１基板ＳＵＢ１は、主面１Ａと、主面１Ｂと、凹部ＣＣ１と、を備えている。さらに、図示しないが第１基板ＳＵＢ１の主面１Ａの上面と第２基板ＳＵＢ２の主面２Ｂの下面には配向膜が形成される。主面１Ａ及び凹部ＣＣ１は、液晶層ＬＣに接している。主面１Ａは、Ｘ−Ｙ平面とほぼ平行な平坦面である。主面１Ｂは、主面１Ａとは反対側に位置し、液晶層ＬＣに接していない。凹部ＣＣ１は、主面１Ａに対して窪んでいる。凹部ＣＣ１は、底部ＣＢを有している。底部ＣＢとは、凹部ＣＣ１において、第２基板ＳＵＢ２から最も離れた部分、あるいは、主面１Ｂに最も近接した部分に相当する。凹部ＣＣ１は、主面１Ａから底部ＣＢまでの深さＤＰを有している。このような凹部ＣＣ１は、後述するが、有機絶縁膜を貫通する貫通孔、あるいは、有機絶縁膜の凹部によって形成されるものである。深さＤＰは、例えば、１μｍ〜５μｍであり、第１基板ＳＵＢ１に備えられる無機絶縁膜の膜厚より大きい。凹部ＣＣ１が有機絶縁膜の貫通孔によって形成される場合、深さＤＰは、有機絶縁膜の膜厚とほぼ同等である。また、凹部ＣＣ１は、第３方向Ｚに積層された複数の有機絶縁膜の貫通孔によって形成されてもよい。
【００１２】
第２基板ＳＵＢ２は、主面２Ａと、主面２Ｂと、メインスペーサＭＳＰと、サブスペーサＳＳＰと、を備えている。主面２Ｂは、液晶層ＬＣを挟んで主面１Ａに対向し、Ｘ−Ｙ平面とほぼ平行な平坦面である。図示した例では、主面２Ｂは、液晶層ＬＣに接しているが、液晶層ＬＣに接していない場合もありうる。主面２Ａは、主面２Ｂとは反対側に位置し、液晶層ＬＣに接していない。メインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰは、いずれも主面２Ｂに設けられている。但し、メインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰが主面２Ｂに接していてもよいし、メインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰと主面２Ｂとの間に、絶縁層や導電層が介在していてもよい。
【００１３】
メインスペーサＭＳＰは、外部から表示パネルＰＮＬに押圧力が加わっていない定常状態において、液晶層ＬＣを保持するためのセルギャップを形成するものである。メインスペーサＭＳＰは、主面１Ａに接する端部ＭＳＰＥを有している。メインスペーサＭＳＰは、主面２Ｂから端部ＭＳＰＥまでの高さＨ１を有している。  
サブスペーサＳＳＰは、定常状態において、第１基板ＳＵＢ１から離間しており、セルギャップ形成に寄与しないものである。サブスペーサＳＳＰは、凹部ＣＣ１と重畳する位置に形成されている。サブスペーサＳＳＰは、凹部ＣＣ１の内部に位置する端部ＳＳＰＥを有している。サブスペーサＳＳＰは、主面２Ｂから端部ＳＳＰＥまでの高さＨ２を有している。高さＨ２は、高さＨ１より大きい。つまり、サブスペーサＳＳＰの端部ＳＳＰＥは、メインスペーサＭＳＰの端部ＭＳＰＥよりも、第１基板ＳＵＢ１の主面１Ｂに近接している。なお、第２基板ＳＵＢ２の主面２Ａと主面２Ｂとの間の第３方向Ｚに沿った厚さについて、メインスペーサＭＳＰが接する位置での厚さＴ２１は、サブスペーサＳＳＰが接する位置での厚さＴ２２と同等である。したがって、メインスペーサＭＳＰの高さＨ１及びサブスペーサＳＳＰの高さＨ２は、Ｘ−Ｙ平面に平行な同一平面を基準として計測されるものである。また、端部ＭＳＰＥ及び端部ＳＳＰＥとは、メインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰのそれぞれにおいて、主面２Ｂから最も離れた部分、あるいは、最も主面１Ｂに近接した部分に相当する。
【００１４】
定常状態のサブスペーサＳＳＰについて、より詳細に説明する。端部ＳＳＰＥは、底部ＣＢから離間している。端部ＳＳＰＥの第３方向Ｚに沿った位置は、底部ＣＢと主面１Ａとの間にある。底部ＣＢと端部ＳＳＰＥとの間の距離Ｄ１０は、凹部ＣＣ１の深さＤＰより小さい。また、サブスペーサＳＳＰは、凹部ＣＣ１のいずれの部分にも接していない。このため、液晶層ＬＣは、凹部ＣＣ１とサブスペーサＳＰとの間に位置している。当然のことながら、液晶層ＬＣは、凹部ＣＣ１の底部ＣＢとサブスペーサＳＰの端部ＳＳＰＥとの間にも位置している。
【００１５】
底部ＣＢと主面２Ｂとの間の距離Ｄ１１は、サブスペーサＳＳＰの高さＨ２より大きい。また、主面１Ａと主面２Ｂとの間の距離Ｄ１２は、メインスペーサＭＳＰの高さＨ１と同等であり、サブスペーサＳＳＰの高さＨ２より小さい。なお、距離Ｄ１１は、距離Ｄ１０と高さＨ２との和と同等である。高さＨ２と高さＨ１との差分は、深さＤＰより小さい。なお、第１基板ＳＵＢ１の主面１Ａと主面１Ｂとの間の第３方向Ｚに沿った厚さについて、メインスペーサＭＳＰの端部ＭＳＰＥが接する位置での厚さＴ１１は、サブスペーサＳＳＰの端部ＳＳＰＥが接する位置での厚さＴ１２より大きく、深さＤＰは、厚さＴ１１と厚さＴ１２との差分に相当する。
【００１６】
なお、本明細書において、深さＤＰ、高さＨ１及びＨ２、厚さＴ１１及びＴ１２、厚さＴ２１及びＴ２２、距離Ｄ１０、距離Ｄ１１及びＤ１２は、第３方向Ｚに沿った長さに相当する。
【００１７】
表示パネルＰＮＬの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルＰＮＬは、第３方向Ｚに沿った縦電界を利用する表示モード、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、Ｘ−Ｙ平面に沿った横電界を利用する表示モード、さらには、上記の縦電界、横電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を有していてもよい。  
本実施形態の表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えるが、これに限らない。例えば、表示パネルＰＮＬは、第２基板ＳＵＢ２の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えていてもよいし、透過表示機能及び反射表示機能の双方を備えていてもよい。
【００１８】
図２は、表示装置ＤＳＰの比較例を示す断面図である。図示した比較例は、図１に示した構成例と比較して、サブスペーサＳＳＰの端部ＳＳＰＥは主面１Ａから離間し、サブスペーサＳＳＰの高さＨ２はメインスペーサＭＳＰの高さＨ１より小さい点で相違している。
【００１９】
図３は、輝点発生荷重を評価する実験装置ＬＤの断面図である。ここでは、サブスペーサＳＳＰの図示を省略している。実験装置ＬＤは、実験対象である表示パネルＰＮＬを支持する支持部ＳＴと、表示パネルＰＮＬを押圧する荷重部ＰＬと、を備えている。支持部ＳＴは、第１基板ＳＵＢ１の主面１Ｂを部分的（線状または点状）に支持する。荷重部ＰＬは、第２基板ＳＵＢ２の主面２Ａから第１基板ＳＵＢ１に向かって荷重をかける。荷重がかかった表示パネルＰＮＬは変形し、変形に伴って第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのいずれか一方、または、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの双方に沿って、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とのずれが生ずる。このような基板同士のずれは、第２基板ＳＵＢ２に設けられたメインスペーサＭＳＰが第１基板ＳＵＢ１の配向膜を擦り、配向膜を損傷させ、液晶分子の配向不良に起因した光漏れ（輝点）を生ずる原因となりうる。上記の実験装置ＬＤでは、荷重部ＰＬが表示パネルＰＮＬを押圧する荷重と、輝点の有無との関係を測定した。輝点発生荷重とは、輝点が発生した際の荷重である。発明者が確認したところ、図２に示した比較例における輝点発生荷重を１としたときに、図１に示した本実施形態の構成例における輝点発生荷重は、比較例の約１．２倍であった。従って、図１に示すように、サブスペーサＳＳＰを形成することにより、外部から荷重がかかった際にも、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のＸ−Ｙ平面での横ずれを防止し、輝点発生の低減に対し一定の効果がある。
【００２０】
再び図１を参照しながら説明する。外部から表示パネルＰＮＬに押圧力が加わった場合には、サブスペーサＳＳＰは、その端部ＳＳＰＥが凹部ＣＣ１の側面に接することなく凹部ＣＣ１の底部ＣＢに接し、表示パネルＰＮＬの過度の変形が抑制される。すなわち、サブスペーサＳＳＰが凹部ＣＣ１の内部にとどまるため、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とのずれが抑制される。このため、メインスペーサＭＳＰの可動量を制限することができる。これにより、メインスペーサＭＳＰの可動による配向膜の損傷を抑制することができ、液晶分子の配向不良に起因した表示品位の低下を抑制することができる。
【００２１】
図１に示した本実施形態の構成例において、主面１Ａは第１主面に相当し、凹部ＣＣ１は第１凹部に相当し、主面２Ｂは第２主面に相当し、高さＨ１は第１高さに相当し、高さＨ２は第２高さに相当し、距離Ｄ１１は第１距離に相当し、距離Ｄ１２は第２距離に相当する。
【００２２】
図４は、本実施形態の表示パネルＰＮＬの構成例を示す平面図である。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせるシールＳＥは、ループ状に形成され、液晶注入口を含まない。表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。
【００２３】
ＩＣチップ１及びフレキシブルプリント回路基板２は、非表示領域ＮＤＡに位置し、第１基板ＳＵＢ１に接続されている。なお、ＩＣチップ１は、フレキシブルプリント回路基板２に実装されていてもよい。ＩＣチップ１は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバを内蔵している。ここでのディスプレイドライバは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。
【００２４】
このような表示パネルＰＮＬは、例えば以下のようなプロセスによって製造される。すなわち、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２をそれぞれ用意した後に、メインスペーサＭＳＰの高さＨ１を計測し、液晶層ＬＣの体積を算出する。その後、シールＳＥをループ状に形成し、シールＳＥが未硬化の状態で、算出した体積の液晶材料をシールＳＥの内側に滴下する。その後、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせ、シールＳＥを硬化させる。
【００２５】
図５は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの構成例を示す図である。表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、マトリクス状に配置されている。また、表示装置ＤＳＰは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々走査線駆動回路ＧＤに接続されている。信号線Ｓは、各々信号線駆動回路ＳＤに接続されている。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置され、共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。  
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備え、図１に示した第１基板ＳＵＢ１に設けられている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと同電位の電極、及び、画素電極ＰＥと同電位の電極の間に形成される。
【００２６】
図６は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。図６において、第２方向Ｙに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｅ１と定義し、第２方向Ｙに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向Ｅ２と定義する。なお、第２方向Ｙと方向Ｅ１とのなす角度θ１は、第２方向Ｙと方向Ｅ２とのなす角度θ２とほぼ同一である。走査線Ｇ１１乃至Ｇ１３は、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。信号線Ｓ１１乃至Ｓ１５は、それぞれ概ね第２方向Ｙに沿って延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。
【００２７】
画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１４は、走査線Ｇ１１及びＧ１２の間に配置されている。画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１４は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。画素電極ＰＥ２１乃至ＰＥ２４は、走査線Ｇ１２及びＧ１３の間に配置されている。画素電極ＰＥ２１乃至ＰＥ２４は、第１方向Ｘに沿って並んでいる。画素電極ＰＥ１１及びＰＥ２１は信号線Ｓ１１及びＳ１２の間に配置され、画素電極ＰＥ１２及びＰＥ２２は信号線Ｓ１２及びＳ１３の間に配置され、画素電極ＰＥ１３及びＰＥ２３は信号線Ｓ１３及びＳ１４の間に配置され、画素電極ＰＥ１４及びＰＥ２４は信号線Ｓ１４及びＳ１５の間に配置されている。
【００２８】
画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１４は、それぞれ方向Ｅ１に沿って延出した帯電極Ｐａ１を有している。画素電極ＰＥ２１乃至ＰＥ２４は、それぞれ方向Ｅ２に沿って延出した帯電極Ｐａ２を有している。図示した例では、帯電極Ｐａ１及びＰａ２は、２本であるが、１本でもよいし、３本以上であってもよい。なお、画素電極ＰＥの形状はこれに限ったものではなく、矩形状であってもよいし、正方形であってもよい。
【００２９】
共通電極ＣＥ１１及びＣＥ１２は、信号線Ｓ１１乃至Ｓ１５の上に重畳している。画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１４は、共通電極ＣＥ１１の上に重畳している。画素電極ＰＥ２１乃至ＰＥ２４は、共通電極ＣＥ１２の上に重畳している。図示した例では、走査線Ｇ１２は、共通電極ＣＥ１１及びＣＥ１２の間に位置している。
【００３０】
図７は、図６に示した画素レイアウトに対応した遮光層ＢＭを示す平面図である。遮光層ＢＭは、図１に示した第２基板ＳＵＢ２に設けられている。遮光層ＢＭは、図示した例では格子状に形成され、遮光部ＢＭＸ及びＢＭＹを備えている。遮光層ＢＭによって囲まれた開口部ＯＰは、画素ＰＸにおいて表示に寄与する領域に相当する。遮光部ＢＭＸは、間隔をおいて第２方向Ｙに並び、それぞれ第１方向Ｘに沿って延出している。遮光部ＢＭＸは、平面視で走査線Ｇ１１乃至Ｇ１３のそれぞれと重畳している。遮光部ＢＭＸは、第２方向Ｙに沿ってほぼ一定の幅ＷＸを有する帯状に形成されている。遮光部ＢＭＹは、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、それぞれ第２方向Ｙに沿って延出している。遮光部ＢＭＹは、平面視で信号線Ｓ１１乃至Ｓ１５のそれぞれと重畳している。遮光部ＢＭＹは、第１方向Ｘに沿ってほぼ一定の幅を有する帯状に形成されている。
【００３１】
ここで、第１基板ＳＵＢ１に設けられる凹部ＣＣ１乃至ＣＣ３と、第２基板ＳＵＢ２に設けられるメインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰとの位置関係の一例について説明する。なお、遮光部ＢＭＸ２は、遮光部ＢＭＸのうち、走査線Ｇ１２に重なる遮光部に相当する。
【００３２】
凹部ＣＣ１乃至ＣＣ３は、間隔をおいて第１方向Ｘに並び、遮光部ＢＭＸ２に重畳している。また、凹部ＣＣ１乃至ＣＣ３の各々は、隣接する信号線の間に位置している。
【００３３】
サブスペーサＳＳＰ及びメインスペーサＭＳＰは、第１方向Ｘに並び、遮光部ＢＭＸ２に重畳している。メインスペーサＭＳＰは、凹部ＣＣ２及びＣＣ３の間に位置し、また、走査線Ｇ１２と信号線Ｓ１３との交差部に位置している。サブスペーサＳＳＰは、凹部ＣＣ１に重畳し、また、信号線Ｓ１１及びＳ１２の間に位置している。
【００３４】
サブスペーサＳＳＰは、第１方向Ｘに沿った長さＬＸ１と、第２方向Ｙに沿った長さＬＹ１とを有している。長さＬＸ１は、長さＬＹ１より大きい。すなわち、サブスペーサＳＳＰは、平面視において、第１方向Ｘに拡張された横長の形状を有している。図示した例では、サブスペーサＳＳＰは、長円形状に形成されているが、長方形状などの他の形状に形成されていてもよい。なお、図中のサブスペーサＳＳＰは、いずれも同様の形状を有している。
【００３５】
凹部ＣＣ１は、第１方向Ｘに沿った長さＬＸ１１と、第２方向Ｙに沿った長さＬＹ１１とを有している。長さＬＸ１１は、長さＬＹ１１より大きい。また、長さＬＸ１１は、サブスペーサＳＳＰの長さＬＸ１より大きい。長さＬＹ１１は、サブスペーサＳＳＰの長さＬＹ１より大きい。つまり、凹部ＣＣ１は、サブスペーサＳＳＰが入り込むのに十分な大きさを有している。なお、長さＬＸ１と長さＬＸ１１との差分は、第１方向Ｘに沿った基板同士のずれの許容量に応じて決定され、同様に、長さＬＹ１と長さＬＹ１１との差分は、第２方向Ｙに沿った基板同士のずれの許容量に応じて決定される。
【００３６】
凹部ＣＣ２及びＣＣ３については、いずれのサブスペーサとも重畳しない。このため、凹部ＣＣ２及びＣＣ３は、凹部ＣＣ１とは異なる形状を有する場合がありうる。例えば、凹部ＣＣ２及びＣＣ３の間においてメインスペーサＭＳＰが接触する領域を平坦化するために、凹部ＣＣ２及びＣＣ３の第１方向Ｘに沿った長さは、凹部ＣＣ１の長さＬＸ１１よりも小さくしてもよい。あるいは、凹部ＣＣ２及びＣＣ３の間隔Ｄ２は、凹部ＣＣ１及びＣＣ２の間隔Ｄ１よりも大きくしてもよい。これにより、メインスペーサＭＳＰが凹部ＣＣ２及びＣＣ３の間に接触した際に、凹部ＣＣ２及びＣＣ３の影響を受けにくくなり、セルギャップを均一化することができる。なお、ここでの間隔Ｄ１及びＤ２は、いずれも第１方向Ｘに沿った長さである。
【００３７】
メインスペーサＭＳＰは、第１方向Ｘに沿った長さＬＸ２と、第２方向Ｙに沿った長さＬＹ２とを有している。長さＬＸ２は、長さＬＹ２と同等である。図示した例では、メインスペーサＭＳＰは、平面視においてほぼ円形状に形成されているが、正方形状などの他の形状に形成されてもよい。長さＬＹ２は、サブスペーサＳＳＰの長さＬＹ１より大きい。
【００３８】
上記の通り、メインスペーサＭＳＰは、走査線Ｇ１２と信号線Ｓ１３との交差部に位置しており、遮光部ＢＭＸ２と遮光部ＢＭＹとの交差部に重畳している。このため、メインスペーサＭＳＰの周囲は、遮光部ＢＭＸ２及び遮光部ＢＭＹによって遮光される。しかも、表示パネルＰＮＬに押圧力が加わった場合にメインスペーサＭＳＰの可動量が制限されるため、メインスペーサＭＳＰの周囲の遮光面積を低減することができる。これにより、一画素ＰＸあたりの開口部ＯＰの面積を増加することができる。
【００３９】
一方で、サブスペーサＳＳＰは、信号線Ｓ１１及びＳ１２の間に位置しており、遮光部ＢＭＸ２と重畳するが、遮光部ＢＭＹとは重畳しない。このため、サブスペーサＳＳＰがメインスペーサＭＳＰと同様の長さＬＹ２を有する場合には、サブスペーサＳＳＰの周囲を遮光するために、遮光部ＢＭＸ２の第２方向Ｙに沿った幅を拡張する必要がある。図示した例では、サブスペーサＳＳＰの長さＬＹ１がメインスペーサＭＳＰの長さＬＹ２より小さいため、遮光部ＢＭＸ２を拡張することなく、サブスペーサＳＳＰの周囲を遮光することができる。例えば、遮光部ＢＭＸ２において、サブスペーサＳＳＰと重畳する位置における幅Ｗ１１は、凹部ＣＣ２と重畳する位置における幅Ｗ１２と同等である。ここでの幅Ｗ１１及びＷ１２は、いずれも第２方向Ｙに沿った長さである。
【００４０】
図７に示した構成例において、凹部ＣＣ１乃至ＣＣ３はそれぞれ第１凹部乃至第３凹部に相当し、長さＬＸ１は第１長さに相当し、長さＬＹ１は第２長さに相当し、長さＬＹ２は第３長さに相当し、幅Ｗ１１は第１幅に相当し、幅Ｗ１２は第２幅に相当する。
【００４１】
図８は、図７に示したＡ−Ｂ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬと、光学素子ＯＤ１及びＯＤ２と、照明装置ＩＬと、を備えている。照明装置ＩＬ、光学素子ＯＤ１、表示パネルＰＮＬ、及び、光学素子ＯＤ２は、この順に第３方向Ｚに沿って配置されている。
【００４２】
第１基板ＳＵＢ１は、絶縁基板１０、絶縁膜１１乃至１４、走査線Ｇ１２、半導体層ＳＣ、信号線Ｓ１３、共通電極ＣＥ１１及びＣＥ１２、配向膜ＡＬ１などを備えている。絶縁基板１０は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。半導体層ＳＣは、絶縁基板１０と絶縁膜１１との間に位置している。半導体層ＳＣは、図５に示したスイッチング素子ＳＷに含まれる。半導体層ＳＣは、例えば、多結晶シリコン（例えば低温ポリシリコン）によって形成されているが、アモルファスシリコンや酸化物半導体によって形成されてもよい。走査線Ｇ１２は、絶縁膜１１及び１２の間に位置している。信号線Ｓ１３は、絶縁膜１２及び１３の間に位置している。信号線Ｓ１３は、絶縁膜１１及び１２を貫通する貫通孔ＣＨ１において、半導体層ＳＣにコンタクトしている。走査線Ｇ１２及び信号線Ｓ１３は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。
【００４３】
共通電極ＣＥ１１及びＣＥ１２は、絶縁膜１３及び１４の間に位置している。共通電極ＣＥ１１及びＣＥ１２は、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。配向膜ＡＬ１は、絶縁膜１４の上に位置している。
【００４４】
絶縁膜１１、１２、１４は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機材料によって形成された無機絶縁膜であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁膜１３は、例えば、アクリル樹脂などの有機材料によって形成された有機絶縁膜である。なお、絶縁膜１３は、無機絶縁膜であってもよい。
【００４５】
第２基板ＳＵＢ２は、絶縁基板２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタ層ＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、配向膜ＡＬ２、メインスペーサＭＳＰなどを備えている。絶縁基板２０は、絶縁基板１０と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層ＢＭ及びカラーフィルタ層ＣＦは、絶縁基板２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、図７に示した遮光部ＢＭＸ及びＢＭＹを備えている。カラーフィルタ層ＣＦは、例えば、赤色、緑色、青色のそれぞれのカラーフィルタを備えている。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタ層ＣＦを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣの下面ＯＣＢを覆っている。配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。上述した第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。
【００４６】
メインスペーサＭＳＰは、オーバーコート層ＯＣの下面ＯＣＢに接して設けられている。図示した例では、メインスペーサＭＳＰの一部が配向膜ＡＬ２によって覆われているが、端部ＭＳＰＥは、配向膜ＡＬ２から露出している。この端部ＭＳＰＥは、共通電極ＣＥ１１と共通電極ＣＥ１２との間において、配向膜ＡＬ１の上面ＡＬＡに接している。なお、メインスペーサＭＳＰの全体が配向膜ＡＬ２によって覆われる場合もありうる。この場合、絶縁膜１４とメインスペーサＭＳＰとの間に配向膜ＡＬ１及びＡＬ２が介在する。メインスペーサの直下では、走査線Ｇ１２と信号線Ｓ１３とが交差している。  
このような例においては、上面ＡＬＡは図１に示した主面１Ａあるいは第１主面に相当し、下面ＯＣＢは主面２Ｂあるいは第２主面に相当し、また、絶縁基板１０の下面１０Ｂは主面１Ｂに相当し、絶縁基板２０の上面２０Ａは主面２Ａに相当する。また、絶縁基板２０の下面２０Ｂが主面２Ｂあるいは第２主面に相当する場合もありうる。
【００４７】
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間に位置し、配向膜ＡＬ１と配向膜ＡＬ２との間に保持されている。液晶層ＬＣは、液晶分子ＬＭを備えている。液晶層ＬＣは、ポジ型（誘電率異方性が正）の液晶材料、あるいは、ネガ型（誘電率異方性が負）の液晶材料によって構成されている。
【００４８】
偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、絶縁基板１０の下面１０Ｂに接着されている。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、絶縁基板２０の上面２０Ａに接着されている。なお、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。
【００４９】
このような表示パネルＰＮＬにおいては、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子ＬＭは、配向膜ＡＬ１及び配向膜ＡＬ２の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ＩＬから表示パネルＰＮＬに向けて照射された光は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子ＬＭは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ＩＬからの光の一部は、光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２を透過し、明表示となる。
【００５０】
図９は、図７に示したＣ−Ｄ線に沿った表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、絶縁基板１０と絶縁膜１２との間の層の図示を省略している。第１基板ＳＵＢ１は、さらに、信号線Ｓ１１乃至Ｓ１４、ドレイン電極ＤＥ１１乃至ＤＥ１３、画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３などを備えている。ドレイン電極ＤＥ１１乃至ＤＥ１３の各々は、図５に示したスイッチング素子ＳＷに含まれる電極である。例えば、ドレイン電極ＤＥ１２は、図８に示した半導体層ＳＣを介して信号線Ｓ１３と電気的に接続されている。
【００５１】
信号線Ｓ１１乃至Ｓ１４は、いずれも絶縁膜１３によって覆われている。ドレイン電極ＤＥ１１乃至ＤＥ１３は、絶縁膜１２の上に位置している。ドレイン電極ＤＥ１１は信号線Ｓ１１と信号線Ｓ１２との間に位置し、ドレイン電極ＤＥ１２は信号線Ｓ１２と信号線Ｓ１３との間に位置し、ドレイン電極ＤＥ１３は信号線Ｓ１３と信号線Ｓ１４との間に位置している。
【００５２】
位置Ｐ１は、ドレイン電極ＤＥ１１上における絶縁膜１３の縁部を示している。位置Ｐ２及びＰ３は、ドレイン電極ＤＥ１２上における絶縁膜１３の縁部を示している。位置Ｐ４は、ドレイン電極ＤＥ１３上における絶縁膜１３の縁部を示している。位置Ｐ１及びＰ２は、信号線Ｓ１２に隣接し、位置Ｐ１と信号線Ｓ１２との間隔は信号線Ｓ１２と位置Ｐ２との間隔より小さい。位置Ｐ３及びＰ４は、信号線１３に隣接し、位置Ｐ３と信号線Ｓ１３との間隔は信号線Ｓ１３と位置Ｐ４との間隔と同等である。第１方向Ｘに沿った位置Ｐ１から位置Ｐ２までの長さは、図７に示した間隔Ｄ１に相当する。第１方向Ｘに沿った位置Ｐ３から位置Ｐ４までの長さは、間隔Ｄ２に相当する。間隔Ｄ１は、間隔Ｄ２より小さい。
【００５３】
絶縁膜１３は、貫通孔ＣＨ１１乃至ＣＨ１３を有している。貫通孔ＣＨ１１乃至ＣＨ１３は、それぞれドレイン電極ＤＥ１１乃至ＤＥ１３まで貫通している。凹部ＣＣ１乃至ＣＣ３は、それぞれ貫通孔ＣＨ１１乃至ＣＨ１３によって形成されている。例えば、貫通孔ＣＨ１１は、信号線Ｓ１１及びＳ１２の間に位置し、幅Ｗ２１を有している。ここでの幅Ｗ２１は、絶縁膜１３から露出したドレイン電極ＤＥ１１の第１方向Ｘに沿った長さに相当する。また、ドレイン電極ＤＥ１１は、第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２２を有している。幅Ｗ２１及びＷ２２は、信号線Ｓ１１及びＳ１２の第１方向Ｘに沿った間隔Ｄ２１より小さい。図示した例では、幅Ｗ２１は幅Ｗ２２より小さいが、幅Ｗ２１は幅Ｗ２２より大きくてもよい。貫通孔ＣＨ１１において、信号線Ｓ１１及びＳ１２のいずれも露出することはない。
【００５４】
画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３は、絶縁膜１４の上に位置し、配向膜ＡＬ１によって覆われている。画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３は、上記のＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥ１１乃至ＰＥ１３は、それぞれドレイン電極ＤＥ１１乃至ＤＥ１３と電気的に接続されている。例えば、画素電極ＰＥ１１は、貫通孔ＣＨ１１においてドレイン電極ＤＥ１１にコンタクトしている。なお、ドレイン電極ＤＥ１１と画素電極ＰＥ１１との間に、他の透明電極（例えば共通電極ＣＥと同一工程で形成される電極）や、他の金属電極（例えば共通電極ＣＥを低抵抗化するための金属配線と同一工程で形成される電極）などが介在していてもよい。
【００５５】
第２基板ＳＵＢ２において、サブスペーサＳＳＰは、メインスペーサＭＳＰと同様に、オーバーコート層ＯＣの下面ＯＣＢに接して設けられている。これらのサブスペーサＳＳＰ及びメインスペーサＭＳＰは、同一材料を用いて同一工程で形成される。図１に示した例と同様に、メインスペーサＭＳＰは高さＨ１を有し、サブスペーサＳＳＰは高さＨ２を有し、高さＨ２は高さＨ１より高い。ここでの高さＨ１及びＨ２は、オーバーコート層ＯＣの下面ＯＣＢが第２主面２Ｂに相当するものとして、下面ＯＣＢを基準とした第３方向Ｚに沿った長さとして定義されたものである。なお、上記の通り、絶縁基板２０の下面２０Ｂが第２主面２Ｂに相当してもよい。この場合、下面２０Ｂを基準とした第３方向Ｚに沿った長さとして、メインスペーサＭＳＰの高さＨ１１と、サブスペーサＳＳＰの高さＨ１２とを定義することができる。このような場合であっても、高さＨ１２は、高さＨ１１より高い。但し、下面２０Ｂを基準としたメインスペーサＭＳＰの高さＨ１１と、下面ＯＣＢを基準としたサブスペーサＳＳＰの高さＨ２とを比較した場合には、高さＨ１１が高さＨ２より高い場合がありうる。  
サブスペーサＳＳＰの一部は、配向膜ＡＬ２によって覆われている。サブスペーサＳＳＰは、凹部ＣＣ１に重畳している。サブスペーサＳＳＰの端部ＳＳＰＥは、凹部ＣＣ１の内側に位置している。端部ＳＳＰＥは、配向膜ＡＬ１から離間している。つまり、端部ＳＳＰＥは、第１基板ＳＵＢ１に接していない。端部ＳＳＰＥは、端部ＭＳＰＥよりも絶縁基板１０に近接している。
【００５６】
カラーフィルタ層ＣＦと、メインスペーサＭＳＰ及びサブスペーサＳＳＰとの位置関係に着目する。カラーフィルタ層ＣＦは、互いに異なる色のカラーフィルタＣＦ１乃至ＣＦ３を備えている。一例では、カラーフィルタＣＦ１は緑色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ２は赤色カラーフィルタであり、カラーフィルタＣＦ３は青色カラーフィルタである。サブスペーサＳＳＰと重畳するカラーフィルタの個数は、メインスペーサＭＳＰと重畳するカラーフィルタの個数より少ない。図示した例では、単一色のカラーフィルタＣＦ１のみがサブスペーサＳＳＰと重畳する一方で、複数色のカラーフィルタＣＦ２及びＣＦ３がメインスペーサＭＳＰと重畳している。
【００５７】
図９に示した構成例において、絶縁基板１０は第１絶縁基板に相当し、絶縁基板２０は第２絶縁基板に相当し、信号線Ｓ１１及びＳ１２は第１信号線及び第２信号線に相当し、絶縁膜１３は第１有機絶縁膜に相当し、オーバーコート層ＯＣは第２有機絶縁膜に相当する。
【００５８】
図１０は、図９に示した第１基板ＳＵＢ１の変形例を示す断面図である。図９に示した構成例と比較して、第１基板ＳＵＢ１が金属配線ＭＬ１１及びＭＬ１２と、絶縁膜１５と、を備えた点で相違している。凹部ＣＣ１において、画素電極ＰＥ１１とドレイン電極ＤＥ１１との間には、接続電極ＢＥ及びＲＥが配置されている。なお、接続電極ＢＥ及びＲＥのいずれかが省略されてもよい。金属配線ＭＬ１１及びＭＬ１２は、絶縁膜１３及び１５の間に位置している。接続電極ＢＥ、金属配線ＭＬ１及びＭＬ２は、同一の金属材料によって形成されている。図８に示した共通電極ＣＥ１１は、絶縁膜１５及び１４の間に位置している。接続電極ＲＥは、共通電極ＣＥ１１と同一の透明導電材料によって形成されている。一例では、絶縁膜１３及び１５は、有機絶縁膜であるが、絶縁膜１５は、無機絶縁膜であってもよい。
【００５９】
このような変形例においては、凹部ＣＣ１は、絶縁膜１３及び１５の貫通孔によって形成される。絶縁膜１３及び１５が有機絶縁膜である場合、図９に示した構成例と比較して、より深い凹部ＣＣ１を形成することができる。このため、外部から押圧力が加わった際に、サブスペーサＳＳＰが凹部ＣＣ１から離脱しにくくなり、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とのずれを抑制することができる。
【００６０】
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【００６１】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
ＤＳＰ…表示装置  ＰＮＬ…表示パネル  ＭＳＰ…メインスペーサ  ＳＳＰ…サブスペーサ  ＣＣ…凹部  ＣＨ…貫通孔  ＡＬ…配向膜  Ｓ…信号線  Ｇ…走査線  
【図１】
2020118790.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2020118790.tif 000009
【図８】
2020118790.tif 000010
【図９】
2020118790.tif 000011
【図１０】
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