(57)【要約】【課題】不良品と判定された個片に不要な加工が行われることを抑制する。【解決手段】本明細書によって開示されるセラミック素子の製造方法は、複数の金属抵抗体４１がセラミックス基板４３の表面に形成されることで複数の個片が一体化されたワークＷを所定の位置に配置する配置工程と、カバー基板４５をセラミックス基板４３に積層するカバー基板積層工程と、ワークＷの一方側から透過光を照射してワークＷの他方側からカメラ７３によって撮像することで個片が良品か不良品かを判定する外観検査工程と、外観検査工程で不良品と判定された個片に対して、不良品に関する情報を含む識別情報をマーキングするマーキング工程と、識別情報がマーキングされていない個片に対して金属抵抗体４１と電気的に接続される電極線２０の溶接を行う一方、識別情報がマーキングされた個片に対しては電極線２０の溶接を行わない電極線溶接工程と、を備えたものである。【選択図】図６
2020118551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に形成される複数の金属抵抗体と、複数の前記金属抵抗体を覆うとともに、接合層によって前記セラミックス基板に接合されるカバー基板と、を備えて構成されたセラミック素子の製造方法であって、
複数の前記金属抵抗体が前記セラミックス基板の表面に形成されることで複数の個片が一体化されたワークを所定の位置に配置する配置工程と、
前記カバー基板を前記セラミックス基板に積層するカバー基板積層工程と、
前記ワークの一方側から透過光を照射して前記ワークの他方側からカメラによって撮像することで前記個片が良品か不良品かを判定する外観検査工程と、
前記外観検査工程で前記不良品と判定された前記個片に対して、前記不良品に関する情報を含む識別情報をマーキングするマーキング工程と、
前記識別情報がマーキングされていない前記個片に対して前記金属抵抗体と電気的に接続される電極線の溶接を行う一方、前記識別情報がマーキングされた前記個片に対しては前記電極線の溶接を行わない電極線溶接工程と、を備えたセラミック素子の製造方法。
【請求項２】
前記外観検査工程では、前記ワークの他方側から反射光を照射して前記カメラによって撮像することで前記カバー基板からはみ出した前記接合層のはみ出し部を検出した場合に前記不良品と判定し、前記マーキング工程では、前記接合層のはみ出しによる不良品と判定された前記個片に対して前記識別情報をマーキングする請求項１に記載のセラミック素子の製造方法。
【請求項３】
前記外観検査工程では、前記電極線が溶接される電極パッドの形状が規定形状でないことを検出した場合に前記不良品と判定し、前記マーキング工程では、前記外観検査工程で前記不良品と判定された前記個片に対して前記識別情報をマーキングする請求項１または請求項２に記載のセラミック素子の製造方法。
【請求項４】
前記識別情報は、不良の種別に対応したエラーコードを含む請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のセラミック素子の製造方法。
【請求項５】
前記マーキング工程では、前記不良品と判定された前記個片の前記カバー基板に対してレーザー加工することで前記識別情報がマーキングされる請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のセラミック素子の製造方法。
【請求項６】
前記識別情報の位置が規定位置でないと判定された前記個片については当該個片を特定するためのシリアルナンバーを前記ワークの周縁部に刻印する請求項５に記載のセラミック素子の製造方法。
【請求項７】
前記シリアルナンバーがＯＣＲによって認識可能か否かを判定する請求項６に記載のセラミック素子の製造方法。
【請求項８】
前記カバー基板積層工程では、前記セラミックス基板にペースト状の接合材を塗布し、前記接合材に前記カバー基板を載置して焼成することで前記接合層を形成し、前記カバー基板を前記セラミックス基板に接合する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のセラミック素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書によって開示される技術は、セラミック素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック素子の一例として、例えば、特開２０１８−１１６０３０号公報（下記特許文献１）に記載のセラミック素子が知られている。このセラミック素子は、セラミックス基板と、セラミックス基板の表面に形成されている白金等の金属抵抗体と、金属抵抗体を覆うとともに、接合層を介してセラミックス基板に接合されているカバー基板と、を備えている。
【０００３】
セラミック素子は、基板準備工程（薄膜形成工程）、接合ペースト印刷工程、カバー基板載置工程、脱脂、焼成工程等の製造工程を経て製造される。基板準備工程（薄膜形成工程）では、セラミックス基板の表面に形成された白金の薄膜に、例えば周知のフォトレジスト法を施すことによってパターン状の金属抵抗体を形成する。接合ペースト印刷工程では、カバー基板をセラミックス基板に接合する接合材としてアルミナを主成分とするペースト材料が用いられ、このペースト材料をセラミックス基板および金属抵抗体に印刷する。カバー基板載置工程では、カバー基板をペースト材料上に載置し、脱脂、焼成工程では、周知の脱脂、焼成を行って、ペースト材料を焼き固めて接合層を形成し、金属抵抗体を封止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１８−１１６０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記したセラミック素子の製造工程は、ワークと呼ばれる単位で一括して加工が行われるようになっている。また、基板準備工程（薄膜形成工程）では、ワークに複数の金属抵抗体を形成した後、自工程保証としてのパターン検査が行われている。パターン検査によって不良品と判定された個片には、その後の製造工程で加工を行わないようにすることが理想である。
【０００６】
しかしながら、セラミックス基板にカバー基板を接合して金属抵抗体を封止してしまうと、不良品であることをカバー基板側から視認できなくなるため、その後の工程において個片の良否にかかわらず、全ての個片に対して加工を行っていた。例えば、電極線として高価な金属材が用いられる場合でも、良品と同じように不良品の個片に対して電極線を溶接していたため、電極線のロスを抑えることができなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書によって開示されるセラミック素子の製造方法は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に形成される複数の金属抵抗体と、複数の前記金属抵抗体を覆うとともに、接合層によって前記セラミックス基板に接合されるカバー基板と、を備えて構成されたセラミック素子の製造方法であって、複数の前記金属抵抗体が前記セラミックス基板の表面に形成されることで複数の個片が一体化されたワークを所定の位置に配置する配置工程と、前記カバー基板を前記セラミックス基板に積層するカバー基板積層工程と、前記ワークの一方側から透過光を照射して前記ワークの他方側からカメラによって撮像することで前記個片が良品か不良品かを判定する外観検査工程と、前記外観検査工程で前記不良品と判定された前記個片に対して、前記不良品に関する情報を含む識別情報をマーキングするマーキング工程と、前記識別情報がマーキングされていない前記個片に対して前記金属抵抗体と電気的に接続される電極線の溶接を行う一方、前記識別情報がマーキングされた前記個片に対しては前記電極線の溶接を行わない電極線溶接工程と、を備えたものである。
【０００８】
このような製造方法によると、例えば、電極線として白金等の高価な金属材を用いる場合でも、識別情報がマーキングされた個片に対しては電極線の溶接を行わず、識別情報がマーキングされていない個片に対して電極線の溶接を行うことができる。このため、少なくとも電極線溶接工程で生じる電極線のロスをなくすことができ、不良品と判定された個片に対して不要な加工が行われることを抑制できる。
【０００９】
本明細書によって開示される技術は、以下のようにしてもよい。
前記外観検査工程では、前記ワークの他方側から反射光を照射して前記カメラによって撮像することで前記カバー基板からはみ出した前記接合層のはみ出し部を検出した場合に前記不良品と判定し、前記マーキング工程では、前記接合層のはみ出しによる不良品と判定された前記個片に対して前記識別情報をマーキングするものとしてもよい。
このようにすると、接合層のはみ出しによる不良品と判定された個片に対して電極線の溶接を行わないようにすることができる。
【００１０】
前記外観検査工程では、前記電極線が溶接される電極パッドの形状が規定形状でないことを検出した場合に前記不良品と判定し、前記マーキング工程では、前記外観検査工程で前記不良品と判定された前記個片に対して前記識別情報をマーキングするものとしてもよい。
このようにすると、電極パッドの形状が規定形状でない個片に対して電極線の溶接を行わないようにすることができる。
【００１１】
前記識別情報は、不良の種別に対応したエラーコードを含むものとしてもよい。
このようにすると、不良品であることを知ることができるだけでなく、エラーコードによって不良の種別も知ることができる。
【００１２】
前記マーキング工程では、前記不良品と判定された前記個片の前記カバー基板に対してレーザー加工することで前記識別情報がマーキングされるものとしてもよい。
このようにすると、レーザー加工によってカバー基板に識別情報をマーキングできる。
【００１３】
前記識別情報の位置が規定位置でないと判定された前記個片については当該個片を特定するためのシリアルナンバーを前記ワークの周縁部に刻印するものとしてもよい。
このようにすると、識別情報の位置が規定位置でない個片がある場合に、その個片をシリアルナンバーによって特定できる。
【００１４】
前記カバー基板積層工程では、前記セラミックス基板にペースト状の接合材を塗布し、前記接合材に前記カバー基板を載置して焼成することで前記接合層を形成し、前記カバー基板を前記セラミックス基板に接合するものとしてもよい。
このようにすると、カバー基板をセラミックス基板に接合することで金属抵抗体を封止できる。
【発明の効果】
【００１５】
本明細書によって開示される技術によれば、不良品と判定された個片に不要な加工が行われることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態の温度センサの構造を示す部分破断断面図
【図２】軸線方向における温度センサの先端側を破断し拡大して示す断面図
【図３】温度センサ素子の状態を表す平面図
【図４】図３における温度センサ素子、電極線、電極線固定材のＡ−Ａ断面における断面図
【図５】温度センサ素子のセラミックス基板上の金属抵抗体の平面形状を示す平面図
【図６】温度センサ素子の製造工程を示した図
【図７】セラミックス基板上に複数のカバー基板が接合された状態を示す平面図
【図８】セラミックス基板の表面に複数の金属抵抗体が形成された状態を示す平面図
【図９】図８に示すセラミックス基板にカバー基板を接合した状態を示す平面図
【図１０】ワークの下方側に設置された下部照明装置から赤外光を照射してワークの上方側に設置されたカメラによって金属抵抗体を撮像する様子を示す図
【図１１】不良品と判定された個片に対して×印をマーキングした状態を示す平面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜実施形態＞
実施形態を図１から図１１の図面を参照しながら説明する。本実施形態では、セラミック素子として、自動車などの内燃機関の排ガスの温度検出に用いられる温度センサ１を例示している。
【００１８】
図１に示す温度センサ１は、例えば、内燃機関の排気管などの流通管に装着される。流通管には排ガスなどの測定対象ガスが流れており、温度センサ１の先端部が流通管内に配置されることにより、測定対象ガスの温度が検出される。
【００１９】
なお、図１においては、温度センサ１の長手方向（軸線Ｐで示す軸線方向）が上下方向である。また、温度センサ１における先端側は図１の図示下側であり、温度センサ１における後端側は図１の図示上側である。
【００２０】
温度センサ１は、シース部材３と、金属チューブ５と、取付部材７と、ナット部材９と、外筒１１と、温度センサ素子１３と、を備えている。図２に示すように、シース部材３は、一対のシース芯線１５と、一対のシース芯線１５を覆う絶縁体１７と、絶縁体１７を覆う金属製の外皮部材１９と、を備える。
【００２１】
シース芯線１５は、温度センサ素子１３との導通を得るための線材である。このようなシース芯線１５は耐腐食性金属によって形成され、例えば耐熱性金属であるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金やＡｌを含有するＮｉ基合金で形成されている。
【００２２】
絶縁体１７は、外皮部材１９と一対のシース芯線１５との間を電気的に絶縁してシース芯線１５を保持するものである。このような絶縁体１７は絶縁材料によって形成され、例えばシリカ、マグネシア、アルミナで形成されている。
【００２３】
外皮部材１９は、絶縁体１７の周囲を覆う筒状に形成されている。このような外皮部材１９は耐腐食性金属によって形成され、例えば耐熱性金属であるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金やＡｌを含有するＮｉ基合金で形成されている。
【００２４】
図１に示すように、シース芯線１５の先端部は、抵抗溶接やレーザー溶接等の溶接手段により、温度センサ素子１３から延びる電極線２０と接続されている。一方、シース芯線１５の後端部は、抵抗溶接等の溶接手段により、加締め端子２１と接続されている。これにより、シース芯線１５は、加締め端子２１を介して外部回路に接続するための外部リード線２３と接続されている。このような外部回路としては、例えば車両の電子制御装置（ＥＣＵ）等が挙げられる。
【００２５】
なお、一対のシース芯線１５および一対の加締め端子２１は、一対の絶縁チューブ２５により互いに絶縁される。外部リード線２３は、導線が絶縁性の被覆材によって被覆されたものである。この外部リード線２３は、耐熱ゴム製のグロメット２７の内部を貫通する状態で配置される。
【００２６】
金属チューブ５は耐腐食性金属によって形成され、例えば耐熱性金属であるＳＵＳ３１０Ｓなどのステンレス合金やＡｌを含有するＮｉ基合金で形成されている。金属チューブ５は、径が小さく設定された先端側の小径部３１と、径が小径部３１よりも大きく設定された後端側の大径部３２と、段差状をなして小径部３１の後端と大径部３２の前端とを連結する段差部３３と、を備えている。小径部３１は鋼板の深絞り加工により軸線Ｐに沿って延びる筒状をなし、先端が閉塞している。一方、大径部３２は小径部３１と同軸でかつ筒状をなし、後端が後方に開口している。
【００２７】
取付部材７は、径方向外側に突出する突出部３５と、突出部３５の後端側に位置するとともに軸線Ｐに沿って延びる後端側鞘部３６と、を有している。取付部材７は、金属チューブ５の後端側の外周面を取り囲んで金属チューブ５を支持する。
【００２８】
ナット部材９は、六角ナット部３７およびネジ部３８を有する。外筒１１は、取付部材７の後端側に嵌め合わされている。
【００２９】
図２に示すように、温度センサ素子１３は、金属チューブ５の先端側の小径部３１内に配置され、温度センサ素子１３の後端側からは一対の電極線２０が後方に延びており、この電極線２０の後端側にシース芯線１５が接続されている。
【００３０】
なお、電極線２０は白金（Ｐｔ）からなる白金線であり、この電極線２０は、例えばレーザー溶接により温度センサ素子１３に接続されている。電極線２０は、白金（Ｐｔ）を主成分とする白金合金線であってもよい。
【００３１】
また、温度センサ素子１３の周囲には、隙間が生じないように、セメント（即ち充填材）３９が充填されており、このセメント３９は、非晶質のシリカにアルミナ骨材を含有した絶縁材で形成されている。
【００３２】
次に、温度センサ素子１３の構成について、図３から図５の図面を参照しながら説明する。図３及び図４に示すように、温度センサ素子１３は、温度によって電気的特性（電気抵抗値）が変化する金属抵抗体４１を備えている。つまり、温度センサ素子１３は、温度によって電気抵抗値が変化する感温素子である。
【００３３】
この温度センサ素子１３は、セラミックス基板４３と、セラミックス基板４３の表面の一部に薄膜状に形成された金属抵抗体４１と、金属抵抗体４１の先端側（図４の図示左側）を覆うように配置されたセラミックス製のカバー基板４５と、を有している。
【００３４】
このうち、セラミックス基板４３及びカバー基板４５は、例えばアルミナ純度が９５．５％以上のアルミナ基板である。なお、セラミックス基板４３及びカバー基板４５の熱膨張率は、７．０×１０−６：２０℃〜３００℃である。
【００３５】
また、金属抵抗体４１は、白金（Ｐｔ）からなる白金抵抗体であり、温度変化に応じて電気抵抗値が変化する。なお、金属抵抗体４１の熱膨張率は、９．５×１０−６：２０℃〜３００℃である。
【００３６】
この金属抵抗体４１は、図５に示すように、長尺で場所によって幅が異なる線状部分（ライン）４７が各所で曲げられたパターン形状を有している。具体的には、先端側（図５の図示上側）には、幅の狭い領域４７Ａが複数回蛇行するように形成された抵抗決定部４９が形成され、その抵抗決定部４９の後端側（図５の図示下側）には、幅の広い領域４７Ｂからなる一対の端子部５１が形成されている。
【００３７】
図４に示すように、カバー基板４５は、例えばアルミナ純度９９．５％以上の接合材６７からなる接合層５９により、セラミックス基板４３の先端側（図４の図示左側）に接合されている。詳しくは、カバー基板４５は、金属抵抗体４１の先端側（即ち抵抗決定部４９）を覆うようにして、セラミックス基板４３に接合されている。
【００３８】
特に本実施形態では、カバー基板４５の厚さは、セラミックス基板４３の厚さよりも薄い。具体的には、カバー基板４５の厚さは、例えば０．１５ｍｍ〜０．２５ｍｍの範囲（例えば０．２０ｍｍ）、セラミックス基板４３の厚さは、例えば０．３ｍｍ〜０．５ｍｍである。
【００３９】
また、金属抵抗体４１のうち後端側（図４の図示右側）の一対の端子部５１は、例えば白金とアルミノケイ酸塩ガラスからなる電極パッド６１に覆われており、この電極パッド６１を介して、電極線２０と電気的に接続されている。なお、電極パッド６１と電極線２０とは、溶接点６３にて電気的に接続されている。
【００４０】
そして、温度センサ素子１３と電極線２０との接続部分は、例えばアルミノケイ酸塩ガラスを主体とするガラス材料からなる電極線固定材６５によって覆われている。これにより、温度センサ素子１３と電極線２０とが強固に接続されている。このように構成された温度センサ素子１３は、電極線２０及びシース芯線１５を介して外部機器などと電気的に接続される。
【００４１】
次に、温度センサ素子１３の製造方法について、図６から図１１の図面を参照しながら説明する。ここでは、図７に示すように、複数の個片ＷＬ３、ＷＲ３が一体化された１枚のワークＷによって複数の温度センサ素子１３を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００４２】
ワークＷは平面視で略矩形のシート状とされ、左側部材ＷＬと、右側部材ＷＲと、からなる。各部材ＷＬ、ＷＲは、複数の個片ＷＬ３、ＷＲ３が左右に並んで配置された複数の短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１を備えて構成されている。図７では、例えば例えば１０個の短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１が、各部材ＷＬ、ＷＲ内に上下に並んで配置され、１６個の個片ＷＬ３、ＷＲ３が、各短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１内に左右に並んで配置されている。
【００４３】
各短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１は、さらに複数のブロックＷＬ２、ＷＲ２に分割されており、例えば４個の個片ＷＬ３、ＷＲ３で１個のブロックＷＬ２、ＷＲ２が構成されている。各ブロックＷＬ２、ＷＲ２内の個片ＷＬ３、ＷＲ３にはそれぞれ個片Ｎｏが設定されている。このようにして、ワークＷ内の全ての個片ＷＬ３、ＷＲ３について、各短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１の行番号、各ブロックＷＬ２、ＷＲ２の列番号、各個片Ｎｏの組み合わせにより特定可能となっている。
なお、図８、図９、図１１においては、左側部材ＷＬの個片ＷＬ３のみを図示しており、右側部材ＷＲについては左側部材ＷＬと同様のため図示を省略する。
【００４４】
＜基板準備工程＞
セラミックス基板４３を製造する場合には、まず、周知のように、セラミックス基板４３のセラミックス原料（例えばアルミナ）とバインダー等とを混合した混合材料を用いて、例えばドクターブレード法によって、複数のセラミックス基板４３の母材となるセラミックスグリーンシート（図示せず）を作製する。
【００４５】
次に、このセラミックスグリーンシートを所定形状に切断し、その切断したセラミックスグリーンシートを所定の温度（例えば１２００℃〜１６００℃）で焼成してセラミックス基板４３を作製する。
【００４６】
次に、セラミックス基板４３の表面に、図５に示すパターン形状の金属抵抗体４１を形成する。具体的には、まず、セラミックス基板４３の表面に対して洗浄及び脱脂を行った後に、表面全体に、周知の蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成方法によって、ほぼ均一な厚み（例えば厚み約１．２μｍ）を有する白金の薄膜を形成する。次に、薄膜に対して、例えば周知のフォトレジスト法によって、複数の金属抵抗体４１がセラミックス基板４３の表面に形成される（薄膜形成工程）。
【００４７】
複数の金属抵抗体４１の形成は、ワークＷと呼ばれる単位で一括して行われ、１個の金属抵抗体４１が１個の個片ＷＬ３、ＷＲ３に形成される。上記の薄膜形成工程で金属抵抗体４１を形成する際には、自工程保証としてのパターン検査が行われており、この検査段階で不良品が見つかった場合には、図８に示すように、長方形状の目印７５が形成される。目印７５は、金属抵抗体４１の一部をセラミックス基板４３とともに打ち抜く（トリミングする）ことで形成されたものである。
【００４８】
＜配置工程＞
基板準備工程における薄膜形成工程にて複数の金属抵抗体４１がセラミックス基板４３の表面において上下左右に並んで配置されたワークＷが作製された後、このワークＷを基板セット台（図示せず）における所定の位置に配置する。
【００４９】
＜パッド印刷工程＞
次に、各金属抵抗体４１の表面のうち、一対の端子部５１の表面に、電極パッド６１の材料である白金等を含むペースト材料を印刷して、パッド材料層６９を形成する。
【００５０】
＜接合ペースト印刷工程＞
次に、各短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１に、各抵抗決定部４９を一括して覆うように、接合層５９の材料であるアルミナを主成分とするペースト状の接合材６７を印刷して、図８に示すように、短冊状の接合材６７を形成する。
【００５１】
＜カバー基板積層工程＞
図７に示すように、各接合材６７の上に、短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１とほぼ同じ幅の短冊状のカバー基板４５を載置して貼り付ける。カバー基板４５は、セラミックス基板４３と同様の方法によって作製される。具体的には、カバー基板４５の母材となるセラミックス原料（例えばアルミナ）とバインダー等を混合した混合材料を用いて、フィルム（図示せず）上に例えばドクターブレード法によって、セラミックスグリーンシートを作製する。次に、このセラミックスグリーンシートを所定形状に切断し、その切断したセラミックスグリーンシートを所定の温度（例えば１２００℃〜１６００℃）で焼成してカバー基板４５を作製する。
【００５２】
＜脱脂・焼成工程＞
次に、接合材６７に対して、周知の脱脂、焼成を行って、接合層５９を形成する。図４に示すように、接合層５９によってカバー基板４５とセラミックス基板４３の間に金属抵抗体４１が挟まれた状態で、カバー基板４５をセラミックス基板４３に接合してこれらを一体化する。
なお、この焼成によって、各電極パッド６１が形成される。
【００５３】
＜外観検査工程＞
外観検査装置７０は、図１０に示すように、基台７１に設置された下部照明装置７２と、下部照明装置７２の上方に設置されたカメラ７３と、カメラ７３に内蔵された上部照明装置（図示せず）と、を備えて構成されている。カメラ７３の下部にはレンズ７４が装着されている。ワークＷは、下部照明装置７２とレンズ７４の間に配置される。
【００５４】
上部照明装置は、ワークＷに向けて可視光などの反射光を照射する装置である。図９に示すように、カバー基板４５をセラミックス基板４３に接合する際に、接合層５９の一部がはみ出すことではみ出し部５９Ａが形成される場合がある。はみ出し部５９Ａは、カバー基板４５やセラミックス基板４３よりも反射率が高いため、上部照明装置からワークＷに可視光を照射してカメラ７３によって撮像することではみ出し部５９Ａの反射画像を得ることができる。
【００５５】
はみ出し部５９Ａのある反射画像とはみ出し部５９Ａがない反射画像とに基づいてはみ出し部５９Ａを検出できる。その結果、はみ出し部５９Ａがあると判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３については、不良の種別（接合部５９のはみ出し不良）に対応したエラーコードとその個片ＷＬ３、ＷＲ３の位置データとを関連付けして記憶装置に記憶させておく。
【００５６】
下部照明装置７２は、ワークＷに向けて赤外光を照射する装置である。赤外光は、個片ＷＬ３、ＷＲ３内のセラミックス基板４３とカバー基板４５に対しては透過光として機能する一方、個片ＷＬ３、ＷＲ３内の金属抵抗体４１に対しては透過しない性質を有する。したがって、下部照明装置７２からワークＷに赤外光を照射してカメラ７３によって撮像することで金属抵抗体４１の透過画像を得ることができる。
【００５７】
このように赤外光によって金属抵抗体４１を撮像すると、金属抵抗体４１のうちカバー基板４５に覆われていない部分のみならず金属抵抗体４１のうちカバー基板４５に覆われた部分についてもカメラ７３によって撮像できる。したがって、目印７５がカバー基板４５に覆われた状態では反射画像によって目印７５を確認できないものの、透過画像によって目印７５を確認できる。
【００５８】
目印７５がある個片ＷＬ３、ＷＲ３の透過画像と目印７５がない個片ＷＬ３、ＷＲ３の透過画像とを比較することで目印７５を検出できる。目印７５があることで不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３については、不良の種別（金属抵抗体４１の不良）に対応したエラーコードとその個片ＷＬ３、ＷＲ３の位置データとを関連付けして記憶装置に記憶させておく。
【００５９】
次に、電極パッド６１の形状が規定形状であるか否かについても判定を行う。電極パッド６１の形状については、電極パッド６１の透過画像に基づいて判定できる。具体的には、電極パッド６１の幅寸法と隣り合う一対の電極パッド６１間のクリアランス寸法とに基づいて、電極パッド６１の形状が規定形状であるか否かについて判定を行う。各寸法が規定範囲内にある場合には良品と判定され、各寸法が規定範囲外にあり、規定形状でないことを検出した場合には不良品と判定される。この判定は一つの電極パッド６１内の複数の測定箇所（例えば上下２カ所の異なる箇所）で行われる。電極パッド６１が規定形状でなく、不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３については、不良の種別（電極パッド６１の不良）に対応したエラーコードとその個片ＷＬ３、ＷＲ３の位置データとを関連付けして記憶装置に記憶させておく。
【００６０】
＜マーキング工程＞
不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３に対しては、図１１に示すように、カバー基板４５の表面にレーザー加工を行うことで×印７６とエラーコード（図示せず）とがマーキングされる。エラーコードは、不良の種別の組み合わせによって、例えばアルファベット等の識別符号で規定されており、不良品毎に該当する識別符号がマーキングされる。
【００６１】
次に、×印７６の位置が規定位置にあるか否かが判断される。例えば、×印７６に可視光を照射してカメラ７３によって撮像し、得られた反射画像から×印７６の中心の位置データを取得する。この位置データに基づいて×印７６の中心が規定位置でないと判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３については当該個片ＷＬ３、ＷＲ３を特定するためのシリアルナンバーがワークＷの周縁部に刻印される。
【００６２】
シリアルナンバーは、各短冊部材ＷＬ１、ＷＲ１を構成するブロックＷＬ２、ＷＲ２の位置を特定するものである。既述したとおり、各ブロックＷＬ２、ＷＲ２には複数の個片ＷＬ３、ＷＲ３が配置されており、各個片ＷＬ３、ＷＲ３には個片Ｎｏが設定されているから、シリアルナンバーと個片Ｎｏとの組み合わせによって個片ＷＬ３、ＷＲ３の位置が特定される。同一のブロックＷＬ２、ＷＲ２の中に不良品の個片ＷＬ３、ＷＲ３があった場合には、当該不良品の個片ＷＬ３、ＷＲ３だけが廃棄される。
【００６３】
シリアルナンバーの刻印エリア７７は、図７に示すように、例えばワークＷの右下角部に設定されている。シリアルナンバーが刻印エリア７７に刻印されると、そのシリアルナンバーがＯＣＲによって認識可能か否かが判定される。そのシリアルナンバーがＯＣＲによって認識できない場合、不良の種別（ＯＣＲ認識不良）に対応したエラーコードとそのシリアルナンバーとを関連付けして記憶装置に記憶させる。
【００６４】
＜ダイシング工程１＞
次に、ワークＷを複数に分割するようにダイシング（すなわち切断）して、複数のブロックＷＬ２、ＷＲ２を作製する。このとき、記憶装置に記憶されたシリアルナンバーを参照することによりＯＣＲ認識不良と判定されたシリアルナンバーのブロックＷＬ２、ＷＲ２を廃棄する。
【００６５】
＜パレタイズ工程＞
次に、複数のブロックＷＬ２、ＷＲ２を所定方向に向けて配列する。
【００６６】
＜電極線溶接工程＞
次に、各ブロックＷＬ２、ＷＲ２の各金属抵抗体４１の各端子部５１の表面を覆う電極パッド６１に対して、白金線である電極線２０をレーザー溶接する。このとき、記憶装置に記憶された個片ＷＬ３、ＷＲ３の位置データを参照することにより不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３については加工対象から除外し、電極線２０の溶接を行わないようにする。
【００６７】
＜ガラス塗布工程＞
次に、電極線２０及び電極パッド６１並びにその周囲を覆うように、電極線固定材６５となるペースト状のガラス材料を短冊状に塗布し、焼き付ける。これによって、電極線固定材６５が形成される。
【００６８】
＜ダイシング工程２＞
次に、電極線固定材６５が形成された各ブロックＷＬ２、ＷＲ２を、複数個の個片ＷＬ３、ＷＲ３に分割するようにダイシングする。これにより、１個の個片ＷＬ３、ＷＲ３に１個の温度センサ素子１３が形成される。
【００６９】
＜個片検査工程＞
その後、分割された個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して、周知のように、検査し易いようにパレタイズし、特性検査や外観検査を行う。このとき、×印７６がマーキングされた個片ＷＬ３、ＷＲ３については廃棄する。
【００７０】
以上のように本実施形態では、例えば、電極線２０として白金等の高価な金属材を用いる場合でも、×印７６がマーキングされた個片ＷＬ３、ＷＲ３に対しては電極線２０の溶接を行わず、×印７６がマーキングされていない個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して電極線２０の溶接を行うことができる。このため、少なくとも電極線溶接工程で生じる電極線２０のロスをなくすことができ、不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して不要な加工が行われることを抑制できる。
【００７１】
外観検査工程では、ワークＷの他方側から反射光を照射してカメラ７３によって撮像することでカバー基板４５からはみ出した接合層５９のはみ出し部５９Ａがある場合に不良品と判定し、マーキング工程では、接合層５９のはみ出しによる不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して識別情報をマーキングするものとしてもよい。
このようにすると、接合層５９のはみ出しによる不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して電極線２０の溶接を行わないようにすることができる。
【００７２】
外観検査工程では、電極線２０が溶接される電極パッド６１の形状が規定形状でないことを検出した場合に不良品と判定し、マーキング工程では、外観検査工程で不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して識別情報をマーキングするものとしてもよい。
このようにすると、電極パッド６１の形状が規定形状でない個片ＷＬ３、ＷＲ３に対して電極線２０の溶接を行わないようにすることができる。
【００７３】
識別情報は、不良の種別に対応したエラーコードを含むものとしてもよい。
このようにすると、不良品であることを知ることができるだけでなく、エラーコードによって不良の種別も知ることができる。
【００７４】
マーキング工程では、不良品と判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３のカバー基板４５に対してレーザー加工することで×印７６がマーキングされるものとしてもよい。
このようにすると、レーザー加工によってカバー基板４５に×印７６をマーキングできる。
【００７５】
×印７６の位置が規定位置でないと判定された個片ＷＬ３、ＷＲ３については当該個片ＷＬ３、ＷＲ３を特定するためのシリアルナンバーをワークＷの周縁部に刻印するものとしてもよい。
このようにすると、×印７６の位置が規定位置でない個片ＷＬ３、ＷＲ３がある場合に、その個片ＷＬ３、ＷＲ３をシリアルナンバーによって特定できる。
【００７６】
カバー基板積層工程では、セラミックス基板４３にペースト状の接合材６７を塗布し、接合材６７にカバー基板４５を載置して焼成することで接合層５９を形成し、カバー基板４５をセラミックス基板４３に接合するものとしてもよい。
このようにすると、カバー基板４５をセラミックス基板４３に接合することで金属抵抗体４１を封止できる。
【００７７】
＜他の実施形態＞
本明細書によって開示される技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような種々の態様も含まれる。
【００７８】
（１）上記実施形態では金属抵抗体４１を形成する際にパターン検査を行い、不良品があった場合に目印７５を形成しておき、その後の外観検査工程で目印７５の有無を確認しているものの、外観検査工程で金属抵抗体４１のパターン検査を行うものとしてもよい。この場合、透過光によって金属抵抗体４１の検査を行うようにすればよい。
【００７９】
（２）上記実施形態ではセラミック素子として、温度センサ１に用いられる温度センサ素子１３に適用したものを例示したが、セラミックヒータに用いられる素子に適用したものでもよい。
【００８０】
（３）上記実施形態ではワークＷの下側に透過光用照明装置（下部照明装置７２）を設置し、ワークＷの上側に透過光兼反射光用カメラ（カメラ７３）を設置したが、ワークＷの上側に透過光照明装置を設置し、ワークＷの下側に透過光用カメラを設置してもよい。この場合、透過光用カメラは反射光用カメラ（カメラ７３）とは別に設置することになる。
【００８１】
（４）上記実施形態では識別情報として、不良品であることを示す目印７５と×印７６とエラーコードとを例示したが、必ずしも不良品に関する情報だけでなく、良品と識別するための情報を識別情報に含めてもよい。例えば、外観検査装置７０で認識できなかった個片ＷＬ３、ＷＲ３を個片検査工程で目視検査するための識別情報であってもよい。
【００８２】
（５）上記実施形態では接合層５９のはみ出し部５９Ａを検出した場合に不良品と判定しているものの、はみ出し部５９Ａのはみ出し量が所定の寸法以下であれば良品と判定してもよい。
【００８３】
（６）上記実施形態では電極パッド６１の透過画像に基づいて電極パッド６１の形状が規定形状か否かを判定しているものの、電極パッド６１の反射画像に基づいて電極パッド６１の形状が規定形状か否かを判定してもよい。
【００８４】
（７）上記実施形態ではレーザー加工することで識別情報をマーキングしているものの、スタンプによって識別情報をマーキングしてもよい。
【００８５】
（８）上記実施形態ではシリアルナンバーをワークＷの右下角部に刻印しているものの、シリアルナンバーをワークＷの左下角部に刻印してもよい。
【００８６】
（９）上記実施形態ではシリアルナンバーがＯＣＲによって認識可能か否かを判定しているものの、シリアルナンバーを二次元バーコードで表示し、この二次元バーコードがカメラによって認識可能な否かを判定してもよい。
【００８７】
（１０）上記実施形態ではセラミックス基板４３に接合材６７を塗布し、接合材６７にカバー基板４５を載置しているものの、カバー基板４５に接合材６７を塗布したものをセラミックス基板４３に載置してもよい。
【符号の説明】
【００８８】
１３…温度センサ素子（セラミック素子）
２０…電極線
４１…金属抵抗体
４３…セラミックス基板
４５…カバー基板
５９…接合層
５９Ａ…はみ出し部
６１…電極パッド
６７…接合材
７３…カメラ
７５…目印（識別情報）
７６…×印（識別情報）
【図１】
2020118551.tif 000003
【図２】
2020118551.tif 000004
【図３】
2020118551.tif 000005
【図４】
2020118551.tif 000006
【図５】
2020118551.tif 000007
【図６】
2020118551.tif 000008
【図７】
2020118551.tif 000009
【図８】
2020118551.tif 000010
【図９】
2020118551.tif 000011
【図１０】
2020118551.tif 000012
【図１１】
2020118551.tif 000013