(57)【要約】【課題】基板の表面に形成される被膜の膜厚均一性を向上させる。【解決手段】本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、処理液を吐出するノズルを有し、回転保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する液供給部と、基板の中心と周縁部との間においてノズルを移動させる駆動部と、回転保持部、液供給部、及び駆動部を制御する制御部と、を備える。制御部は、基板を回転させつつ、ノズルを基板の中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズルから処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡である供給軌跡を形成するように基板の表面に処理液を供給する供給制御を実行し、供給制御を実行する際に、少なくとも供給軌跡の最外周を形成する部分において、基板の表面の単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させる。【選択図】図８
2020202309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる回転保持部と、
処理液を吐出するノズルを有し、前記回転保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、
前記基板の中心と周縁部との間において前記ノズルを移動させる駆動部と、
前記回転保持部、前記液供給部、及び前記駆動部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板を回転させつつ、前記ノズルを前記基板の中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズルから前記処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡である供給軌跡を形成するように前記基板の表面に前記処理液を供給する供給制御を実行し、
前記供給制御を実行する際に、少なくとも前記供給軌跡の最外周を形成する部分において、前記基板の表面の単位面積あたりの前記処理液の吐出量を徐々に減少させる、
基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記供給制御を実行する際に、少なくとも前記最外周を形成する部分において、前記ノズルからの単位時間あたりの前記処理液の吐出量を徐々に減少させる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記液供給部は、前記ノズルまで前記処理液を導く流路と、前記流路の開閉状態を切り替えるバルブと、を有し、
前記制御部は、前記供給制御を実行する際に、前記供給軌跡のうちの終点を含む終端部分を形成する部分において、前記バルブにより前記流路を開状態から閉状態に徐々に遷移させる、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記液供給部は、前記流路を介して前記ノズルと接続され前記処理液を貯留するタンクと、前記タンク内の圧力を調節する圧力調節部と、を有し、
前記制御部は、前記供給制御を実行する際に、少なくとも前記最外周を形成する部分において、前記タンク内の圧力を徐々に減少させることで、前記ノズルからの単位時間あたりの前記処理液の吐出量を徐々に減少させる、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記供給制御を実行する際に、前記供給軌跡の前記最外周を形成する部分よりも前から前記基板の表面の単位面積あたりの前記処理液の吐出量を徐々に減少させる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理液の粘度は、３００ｃＰ以上である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を回転させつつ、ノズルを前記基板の中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズルから処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡である供給軌跡を形成するように前記基板の表面に前記処理液を供給することを含み、
前記処理液を供給することは、少なくとも前記供給軌跡の最外周を形成する部分において、前記基板の表面の単位面積あたりの前記処理液の吐出量を徐々に減少させることを含む、
基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板支持器を基板とともに回転させる回転手段と、回転する基板の被処理面上に塗布液を供給するノズルと、ノズルの位置を水平方向に移動させる水平移動手段と、を備える塗布装置（基板処理装置）が開示されている。この基板処理装置では、基板の被処理面に塗布液がスパイラル状に塗布されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−４６６９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板の表面に形成される被膜の膜厚均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、処理液を吐出するノズルを有し、回転保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する液供給部と、基板の中心と周縁部との間においてノズルを移動させる駆動部と、回転保持部、液供給部、及び駆動部を制御する制御部と、を備える。制御部は、基板を回転させつつ、ノズルを基板の中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズルから処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡である供給軌跡を形成するように基板の表面に処理液を供給する供給制御を実行し、供給制御を実行する際に、少なくとも供給軌跡の最外周を形成する部分において、基板の表面の単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させる。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板の表面に形成される被膜の膜厚均一性を向上させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、基板処理システムの一例を示す模式図である。
【図２】図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。
【図３】図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。
【図４】図４は、制御装置の機能的な構成の一例を示すブロック図である。
【図５】図５は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図６】図６は、処理液供給手順の一例を示すフローチャートである。
【図７】図７は、スパイラル状の供給軌跡の一例を示す模式図である。
【図８】図８は、吐出レートの時間変化の一例を説明するための図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、可変制御における吐出量の減少を説明するための図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、バルブの閉塞速度に応じた吐出レートの上昇を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
【０００９】
本開示の一側面に係る基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転保持部と、処理液を吐出するノズルを有し、回転保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する液供給部と、基板の中心と周縁部との間においてノズルを移動させる駆動部と、回転保持部、液供給部、及び駆動部を制御する制御部と、を備える。制御部は、基板を回転させつつ、ノズルを基板の中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズルから処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡である供給軌跡を形成するように基板の表面に処理液を供給する供給制御を実行し、供給制御を実行する際に、少なくとも供給軌跡の最外周を形成する部分において、基板の表面の単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させる。
【００１０】
この基板処理装置では、基板の表面にスパイラル状に処理液が供給される。単位面積あたりの処理液の吐出量が略一定に維持された状態で、基板の中心からスパイラル状に処理液を供給する場合には、最外周の近傍において基板の周方向の位置に応じて基板の表面に供給される処理液の量に差が生じるため、膜厚の差が生じ得る。これに対して、上記構成では、供給軌跡の最外周を形成する部分において基板の表面の単位面積あたりの吐出量が徐々に減少するので、基板の周方向において生じる吐出量の差が縮小される。その結果、少なくとも最外周の近傍において周方向の膜厚の差は縮小するので、基板の表面に形成される被膜の膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【００１１】
制御部は、供給制御を実行する際に、少なくとも最外周を形成する部分において、ノズルからの単位時間あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。この場合、ノズルに送り出す処理液の流量を調節することで処理液の吐出量を調整できるので、基板の表面における単位面積あたりの処理液の吐出量を減少させることが容易である。
【００１２】
液供給部は、ノズルまで処理液を導く流路と、流路の開閉状態を切り替えるバルブと、を有してもよい。制御部は、供給制御を実行する際に、供給軌跡のうちの終点を含む終端部分を形成する部分において、バルブにより流路を開状態から閉状態に徐々に遷移させてもよい。この場合、バルブを閉じる動作に伴う処理液の吐出量の急激な上昇が抑制される。その結果、基板の表面に形成される被膜の膜厚均一性をさらに向上させることが可能となる。
【００１３】
液供給部は、流路を介してノズルと接続され処理液を貯留するタンクと、タンク内の圧力を調節する圧力調節部と、を有してもよい。制御部は、供給制御を実行する際に、少なくとも最外周を形成する部分において、タンク内の圧力を徐々に減少させることで、ノズルからの単位時間あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。この場合、バルブの開閉制御とは別に処理液の吐出量を調節できるので、吐出量を徐々に減少させることが容易である。
【００１４】
制御部は、供給制御を実行する際に、供給軌跡の最外周を形成する部分よりも前から基板の表面の単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。この場合、最外周の近傍における処理液の吐出量の調整が最外周よりも前から行われるので、少なくとも最外周の近傍における周方向の膜厚の差をより確実に縮小させることが可能となる。
【００１５】
処理液の粘度は、３００ｃＰ以上であってもよい。高い粘度の処理液は、流動性が低いため、スパイラル状に基板に供給する際の処理液の供給量が膜厚に大きく影響する。このような高い粘度の処理液を基板に供給する際に上記の制御を用いることにより、当該処理液から形成される被膜において膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【００１６】
本開示の別の側面に係る基板処理方法は、基板を回転させつつ、ノズルを基板の中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズルから処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡である供給軌跡を形成するように基板の表面に処理液を供給することを含む。処理液を供給することは、少なくとも供給軌跡の最外周を形成する部分において、供給軌跡に沿った基板の表面の単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させることを含む。
【００１７】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
［基板処理システム］
まず、図１及び図２を参照して基板処理システムの概略構成を説明する。基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００１９】
［基板処理装置］
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。図１及び図２に示されるように、塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御装置１００（制御部）とを備える。
【００２０】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
【００２１】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３，１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームを含む搬送装置Ａ３とを内蔵している。液処理ユニットＵ１は、処理液をウェハＷの表面に供給することで液処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板及び冷却板を内蔵しており、熱板によりウェハＷを加熱し、加熱後のウェハＷを冷却板により冷却して熱処理を行う。
【００２２】
処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の液処理ユニットＵ１は、下層膜を形成するための処理液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２３】
処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre  Applied  Bake）が挙げられる。
【００２４】
処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の液体をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００２５】
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。処理モジュール１４の液処理ユニットＵ１は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post  Exposure  Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post  Bake）等が挙げられる。
【００２６】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００２７】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００２８】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００２９】
［塗布・現像処理手順］
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
【００３０】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
【００３１】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷの表面に対してレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
【００３２】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。
【００３３】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
【００３４】
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００３５】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、基板に処理液を供給して液処理を行う液処理ユニットと、このユニットを制御可能な制御装置１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００３６】
（液処理ユニット）
続いて、図３を参照して液処理ユニットＵ１の一例を詳細に説明する。ここでは、レジスト膜を形成する処理モジュール１２における液処理ユニットＵ１を例に説明する。図３に示されるように、液処理ユニットＵ１は、回転保持部２０と、液供給部３０と、駆動部６０とを備える。
【００３７】
回転保持部２０は、ウェハＷを保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上方に向けた状態で水平に配置されたウェハＷの中心部を支持し、当該ウェハＷを吸着（例えば真空吸着）により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータを動力源として、鉛直な中心軸ＣＬまわりに保持部２１を回転させる。これによりウェハＷが回転する。
【００３８】
液供給部３０は、ウェハＷの表面Ｗａに被膜（ここでは、レジスト膜）形成用の処理液を供給する。処理液は、高粘度な液であってもよい。例えば、処理液の粘度は、３００ｃＰ（０．３Ｐａ・ｓ）以上であってもよい。処理液の粘度は、４００ｃＰ以上であってもよい。あるいは、処理液の粘度は、４５０ｃＰ以上であってもよい。液供給部３０は、図３に示されるように、ノズル４０と、支持部４１と、液送出部５０とを有する。
【００３９】
ノズル４０は、ウェハＷの表面Ｗａに向けて処理液を吐出する。例えば、ノズル４０は、回転保持部２０に保持されているウェハＷの上方に配置されている。また、上方に配置されたノズル４０は、鉛直方向下向きに処理液を吐出する。ノズル４０からウェハＷの表面Ｗａに処理液が吐出されることで、ウェハＷの表面Ｗａに処理液が供給される。図３に示されるように、ノズル４０は、水平方向に延びる支持部４１に沿って移動可能となるように支持部４１に保持されていてもよい。
【００４０】
液送出部５０は、ノズル４０まで処理液を送出する。つまり、ノズル４０は、液送出部５０から送られる処理液をウェハＷの表面Ｗａに向けて吐出する。例えば液送出部５０は、タンク５１と、液源５２と、圧力調節部５３と、流路５４と、開閉バルブ５５（バルブ）とを含んでいる。
【００４１】
タンク５１は、液源５２から補充される処理液を一時的に貯留する。液源５２は、処理液の供給源である。例えばタンク５１は、処理液を収容する容器を含んでいる。圧力調節部５３は、タンク５１の容器内の処理液に加わる圧力（タンク５１内の圧力）を調節する。例えば、圧力調節部５３は、調整バルブ５９と、ガス源Ｇとを含んでいる。タンク５１の容器内には、調整バルブ５９を介してガス源Ｇからガスが供給される。タンク５１の容器内にガスが充填されることで、タンク５１の容器内が加圧される。タンク５１に供給されるガスとしては、例えば窒素ガスが用いられる。調整バルブ５９は、例えば電子バルブであり、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作する。調整バルブ５９により、ガス源Ｇからタンク５１の容器内へのガスの流量（単位時間あたりの流量）が調節されることで、タンク５１の容器内の圧力が調節される。
【００４２】
流路５４は、タンク５１とノズル４０とを接続する。つまり、タンク５１は、流路５４を介してノズル４０と接続されている。これにより、流路５４は、タンク５１から送られる処理液をノズル４０に導く。開閉バルブ５５は、流路５４に設けられており、制御装置１００の動作指示に応じて、流路５４の開閉状態を開状態と閉状態とに切り替える。開閉バルブ５５は、例えばエアオペレーションバルブである。開閉バルブ５５が開いた状態において、タンク５１の容器内の圧力に応じた流量で処理液がノズル４０まで導かれる。換言すると、流路５４が開状態であるときに、タンク５１の容器内の圧力に応じた流量で処理液がノズル４０からウェハＷの表面Ｗａに向けて吐出される。開閉バルブ５５が閉じた状態（流路５４が閉状態）では、タンク５１からノズル４０まで処理液が送られずに、ノズル４０からの処理液の吐出が停止する。開閉バルブ５５は、制御装置１００から閉状態への切り替えの指示を受けると、流路５４を開状態から閉状態に徐々に遷移させてもよい。例えば、開閉バルブ５５は、０．１秒〜数十秒程度で流路５４を開状態から閉状態に徐々に遷移してもよい。
【００４３】
駆動部６０は、電動モータなどを動力源としてノズル４０を支持部４１に沿って移動させる。具体的には、駆動部６０は、制御装置１００からの動作指示に基づいて、中心軸ＣＬとウェハＷ外の領域との間でノズル４０を水平方向に移動させる。換言すると、駆動部６０は、上方から見て、回転保持部２０により保持されているウェハＷの半径方向（ウェハＷの中心から周縁部までの方向）に沿って、ノズル４０を移動させる。
【００４４】
（制御装置）
続いて、制御装置１００の一例について詳細に説明する。制御装置１００は、塗布・現像装置２に含まれる各要素を制御する。制御装置１００は、ウェハＷを回転させつつ、ノズル４０をウェハＷの中心から周縁部に向けて移動させながら当該ノズル４０から処理液を吐出させることで、スパイラル状の軌跡が形成されるようにウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する供給制御を実行するように構成されている（図７も参照）。以下では、スパイラル状に処理液を供給する際のウェハＷに対するノズル４０の軌跡を「供給軌跡」と称して説明する。
【００４５】
なお、ノズル４０の軌跡はウェハＷの表面Ｗａに供給される処理液の軌跡ともいえる。すなわち、「供給軌跡」は、ウェハＷに対するノズル４０の軌跡（より詳細にはノズル４０の吐出口の中心の軌跡）であると共に、ウェハＷの表面Ｗａに対して供給される処理液の軌跡（より詳細にはウェハＷの表面Ｗａに供給された処理液の中心の軌跡）である。なお、本実施形態における「スパイラル状」とは、ウェハＷの表面Ｗａにおいて処理液が渦巻状に供給される状態である。例えばスパイラル状として、隣接する線同士の間隔が等しい所謂アルキメデスの螺旋が想定される。アルキメデスの螺旋とは極方程式ｒ＝ａθ（ａ＞０、θ≧０）で記述される曲線である。
【００４６】
供給制御には、略一定の流量で処理液を供給する定吐出制御と、ウェハＷの表面Ｗａの単位面積あたりの吐出量を徐々に減少させて処理液を供給する可変制御と、流路５４を開状態から閉状態に徐々に遷移させるクローズ制御とが含まれてもよい。これらの各種制御の詳細については後述する。
【００４７】
図４に示されるように、制御装置１００は、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、回転制御部１１０と、駆動制御部１２０と、液供給制御部１３０と、を有する。
【００４８】
回転制御部１１０は、回転駆動部２２によるウェハＷの回転を制御する機能を有する。回転制御部１１０は、予め設定された回転速度でウェハＷを回転させるように回転駆動部２２を制御してもよい。例えば、回転制御部１１０は、１回転あたり０．０１秒〜数十秒程度の回転速度でウェハＷを回転させてもよい。
【００４９】
駆動制御部１２０は、水平方向にノズル４０を移動させるように駆動部６０を制御する機能を有する。具体的には、駆動制御部１２０は、駆動部６０を制御することで、ノズル４０による処理液の吐出開始前に、ウェハＷ外からウェハＷの中心（中心軸ＣＬ上）にノズル４０を移動させる（配置させる）。また、駆動制御部１２０は、ノズル４０からの処理液の吐出が行われる際に、駆動部６０を制御することで、ウェハＷの中心からウェハＷの周縁部に向かう方向（以下、「半径方向」という。）にノズル４０を移動させる。
【００５０】
液供給制御部１３０は、ウェハＷの表面Ｗａに向けて処理液を供給するように液供給部３０を制御する機能を有する。具体的には、液供給制御部１３０は、回転制御部１１０によりウェハＷが回転しており、駆動制御部１２０によりノズル４０がウェハＷの半径方向に移動している状態で、ノズル４０から処理液を吐出させるように液供給部３０を制御する。液供給制御部１３０は、流量制御部１３１と、開閉制御部１３２と、を含む。
【００５１】
流量制御部１３１は、定吐出制御及び可変制御において調整バルブ５９を制御することで、ノズル４０から吐出される処理液の流量を調整する機能を有する。開閉制御部１３２は、供給制御の開始時及びクローズ制御において開閉バルブ５５を制御する機能を有する。
【００５２】
制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図５に示される回路１５１を有する。回路１５１は、一つ又は複数のプロセッサ１５２と、メモリ１５３と、ストレージ１５４と、入出力ポート１５５と、タイマ１５６と、を有する。
【００５３】
ストレージ１５４は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の処理液供給手順を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。メモリ１５３は、ストレージ１５４の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１５２による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１５２は、メモリ１５３と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。タイマ１５６は、例えば一定周期の基準パルスをカウントすることで経過時間を計測する。入出力ポート１５５は、プロセッサ１５２からの指令に従って、制御対象の部材との間で電気信号の入出力を行う。
【００５４】
なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）により構成されていてもよい。
【００５５】
［処理液供給手順］
続いて、図６〜図１０（ｂ）を参照して、基板処理方法の一例として、塗布・現像装置２において実行される処理液供給手順を説明する。ここでは、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１において実行される処理液供給手順を例に説明する。図６は、処理液供給手順の一例を示すフローチャートである。
【００５６】
処理液供給手順において、図６に示されるように、まず制御装置１００は、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、例えば駆動制御部１２０が、駆動部６０を制御することで、回転保持部２０の保持部２１に保持されているウェハＷの中心上にノズル４０を配置する。
【００５７】
次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、例えば回転制御部１１０が、回転保持部２０の回転駆動部２２を制御することで、ウェハＷの回転を開始する。ウェハＷの回転開始後、回転制御部１１０は、予め定められた回転数でウェハＷが回転するように回転駆動部２２の制御を行う。
【００５８】
次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、制御装置１００が、液供給部３０を制御することで、ウェハＷへの処理液の供給を開始する。例えば、駆動制御部１２０が、ウェハＷの半径方向に沿ったノズル４０の移動を開始させると共に、液供給制御部１３０が、ノズル４０からのウェハＷの表面Ｗａに向けた処理液の吐出を開始させる。処理液の吐出を開始させるために、具体的には、液供給制御部１３０の開閉制御部１３２が、開閉バルブ５５を制御することで、流路５４を閉状態から開状態に切り替える。ステップＳ０２，Ｓ０３により供給制御が開始される。
【００５９】
次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、制御装置１００が、ステップＳ０３の処理液の供給開始時刻から第１所定時間が経過するまで待機する。これにより、第１所定時間において、ウェハＷが回転すると共にノズル４０がウェハＷの半径方向に沿って移動している状態で、ノズル４０からウェハＷの表面Ｗａに処理液が吐出され、ウェハＷの表面Ｗａにおいて処理液がスパイラル状に供給されていく（図７参照）。なお、図７では、処理液の供給軌跡が「軌跡ＳＴ」として示されている。軌跡ＳＴは、ノズル４０の吐出口の中心の軌跡及びノズル４０からウェハＷの表面Ｗａに供給される処理液の中心の軌跡に対応している。
【００６０】
この第１所定時間において、液供給制御部１３０の流量制御部１３１は、ノズル４０からの軌跡ＳＴに沿ったウェハＷの表面Ｗａにおける単位面積あたりの処理液の吐出量が略一定となるように、ノズル４０に送り出す処理液の流量を制御する。軌跡ＳＴに沿ったウェハＷの表面Ｗａにおける単位面積とは、例えば、ウェハＷを上面から見て、所定の長さの軌跡ＳＴを中心とした所定幅の領域の面積とすることができる。
【００６１】
例えば、流量制御部１３１は、第１所定時間において、調整バルブ５９を制御することにより、ノズル４０からの単位時間あたりの処理液の吐出量が略一定となるように、タンク５１内の圧力を略一定に維持させてもよい。ノズル４０からの単位時間あたりの処理液の吐出量を略一定にする場合に、ウェハＷの回転速度を略一定にすると仮定すると、ノズル４０がウェハＷの外縁に近づくにつれて軌跡ＳＴに沿ったウェハＷの表面Ｗａの単位面積あたりの処理液の吐出量が減少する。このため、回転制御部１１０は、ノズル４０が中心から外方に向かうにつれて、ウェハＷの回転数を減少させるように回転駆動部２２を制御してもよい。
【００６２】
また、駆動制御部１２０は、ウェハＷの半径方向における軌跡ＳＴ同士の間隔が略一定となるように、ウェハＷの回転数に応じてノズル４０の移動速度を制御してもよい。具体的には、駆動制御部１２０は、１回転あたりに略一定の間隔でウェハＷの半径方向にノズル４０が移動するように、ウェハＷの回転数の減少に応じてノズル４０の移動速度を減少させてもよい。供給制御の全期間において、上述したウェハＷの回転数の制御及びノズル４０の移動速度の制御が継続されてもよい。
【００６３】
このようなステップＳ０２〜Ｓ０４が実行されることで、第１所定時間において、略一定の流量（吐出レート）でノズル４０からウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する定吐出制御が行われてもよい。図７に示される例では、軌跡ＳＴのうちの軌跡Ｔｒ１で示される区間（点ＣＰから点Ｐ１までの区間）において定吐出制御が行われる。
【００６４】
処理液の供給開始時刻から第１所定時間が経過すると、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、制御装置１００が可変制御を開始する。可変制御では、制御装置１００が、少なくとも軌跡ＳＴに含まれる最外周を形成する部分（軌跡ＳＴの最外周に対応する部分）において、軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量が徐々に減少するように液供給部３０を制御する。制御装置１００は、軌跡ＳＴの最外周を形成する部分において可変制御を実行してもよく、軌跡ＳＴの最外周を形成する部分と最外周に続く接続部分を形成する部分とを含む区間において可変制御を実行してもよい。図７に示す例において、例えば軌跡ＳＴのうちの軌跡Ｔｒ２で示される区間（点Ｐ１から点Ｐ２までの区間）と軌跡Ｔｒ３とで示される区間（点Ｐ２から点ＥＰまでの区間）とにおいて可変制御が行われてもよい。
【００６５】
軌跡ＳＴの最外周とは、例えば、軌跡ＳＴのうちウェハＷの半径方向において外方に他の軌跡が存在しない区間（最も外側に位置する区間）を意味する。例えば、図７に示される例において、軌跡ＳＴ（軌跡Ｔｒ３）のうちの点ＩＰから点ＥＰ（終点）までの１周分が、軌跡ＳＴの最外周に対応する。
【００６６】
ウェハＷの表面Ｗａにおける単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させる一例として、制御装置１００は、ノズル４０からの単位時間あたりの処理液の吐出量（吐出レート）を徐々に減少させてもよい。例えば、可変制御において、ウェハＷの回転数及びノズル４０の移動速度が定吐出制御と同様に制御された状態で、流量制御部１３１がタンク５１内の圧力を徐々に減少させてもよい。換言すると、流量制御部１３１は、可変制御において、調整バルブ５９を制御してタンク５１内の圧力を徐々に減少させることで、ノズル４０からの単位時間あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。なお、本明細書において「徐々に減少する（減少させる）」ことには、減少させる対象の値（例えば吐出レート）が、時間に対して略線形の関係で減少すること、及び時間に対して少なくとも２段以上の階段状に減少することを含む。
【００６７】
次に、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、制御装置１００が、可変制御の実行を開始した時刻から第２所定時間が経過するまで待機する。これにより、第２所定時間において可変制御が実行される。図７に示される例では、軌跡Ｔｒ２の間において、軌跡ＳＴの単位長さあたりの処理液の吐出量が徐々に減少した状態でウェハＷに処理液が供給されていく。
【００６８】
可変制御の実行開始時刻から第２所定時間が経過すると、制御装置１００は、ステップＳ０７を実行する。ステップＳ０７では、制御装置１００がクローズ制御を実行する。ステップＳ０７が実行されている間に、制御装置１００は可変制御を継続してもよい。クローズ制御（ステップＳ０７）では、開閉制御部１３２が、開閉バルブ５５を制御することにより、流路５４を開状態から閉状態に徐々に遷移させる。なお、クローズ制御が実行される間、ウェハＷの回転数及びノズル４０の移動速度が定吐出制御と同様に制御された状態が継続されてもよい。
【００６９】
ここで、流路５４が閉状態に遷移するとは、例えば、ノズル４０から処理液の吐出が停止することである。流路５４が開状態から閉状態まで遷移する時間（以下、「遷移時間」という。）は、開閉バルブ５５が開いた状態から閉じた状態まで遷移する時間（以下、「バルブ閉塞時間」という。）に応じて定められてもよい。開閉バルブ５５は、制御装置１００（開閉制御部１３２）からの動作指示により示されるバルブ閉塞時間で開いた状態から閉じた状態に遷移してもよい。遷移時間とバルブ閉塞時間とは互いに略一致していてもよく、遷移時間は、バルブ閉塞時間よりも小さくてもよい。例えば、遷移時間は、バルブ閉塞時間の半分程度であってもよい。
【００７０】
遷移時間は、０．１秒〜数十秒程度に設定されてもよい。遷移時間は、供給制御におけるウェハＷの１回転あたりの時間（以下、「回転時間」という。）以上に設定されてもよい。例えば、遷移時間は、供給制御において最も大きい回転数での回転時間以上に設定されてもよい。なお、回転時間と遷移時間との関係は上述の例に限られず、例えば、遷移時間は、最も大きい回転数での回転時間の半分以上に設定されてもよく、最も大きい回転数での回転時間の１／４以上に設定されてもよい。遷移時間の上限値は、開閉バルブ５５の性能に応じて定められてもよい。図７に示される例において、制御装置１００は、軌跡ＳＴのうちの軌跡Ｔｒ３に示される区間（終端部分）においてクローズ制御と可変制御とを実行してもよい。この場合には、制御装置１００は、軌跡ＳＴの最外周においてクローズ制御と可変制御とを実行してもよい。
【００７１】
開閉バルブ５５が閉じた状態となった後に、制御装置１００は、ステップＳ０８を実行する。ステップＳ０８では、回転制御部１１０が、回転駆動部２２を制御することでウェハＷの回転を停止させる。これにより、一枚のウェハＷに対してスパイラル状の軌跡ＳＴに沿って処理液が供給される。制御装置１００は、処理液が供給されたウェハＷを熱処理ユニットＵ２に搬送させ、熱処理ユニットＵ２に当該ウェハＷに対する熱処理を行わせてもよい。これにより、ウェハＷ上には処理液を材料とする被膜（例えばレジスト膜）が形成される。
【００７２】
以上のステップＳ０１〜Ｓ０８をまとめると、図８に示されるように、制御装置１００は、まず第１所定時間において定吐出制御を実行する。この定吐出制御が行われる間、ノズル４０から吐出される処理液の吐出レート（単位時間あたりの吐出量）は略一定に維持されてもよい。定吐出制御において処理液が供給されることで、図７に示されるような軌跡Ｔｒ１が形成される。そして、制御装置１００は、第２所定時間において可変制御を実行する。この可変制御が行われる間、ノズル４０から吐出される処理液の吐出レートは徐々に（例えば略線形に）減少する。可変制御において処理液が供給されることで、図７に示されるような軌跡Ｔｒ２が形成される。定吐出制御の実行時間は、例えば、可変制御の実行時間の１０倍〜４０倍程度であってもよい。
【００７３】
その後、制御装置１００は、可変制御を継続しつつクローズ制御を実行する。このクローズ制御が行われる間、開閉バルブ５５が閉じた状態に遷移していくので、吐出レートはさらに減少していく。またクローズ制御を実行中において、吐出レートがゼロとなり、ノズル４０からの処理液の吐出が停止する。可変制御及びクローズ制御において処理液が供給されることで、図７に示されるような軌跡Ｔｒ３が形成される。このように、制御装置１００は、１枚のウェハＷに対して、軌跡Ｔｒ１を形成する部分に定吐出制御により処理液を供給させ、軌跡Ｔｒ２を形成する部分に可変制御により処理液を供給させ、軌跡Ｔｒ３を形成する部分に可変制御及びクローズ制御により処理液を供給させてもよい。
【００７４】
［作用］
以上の実施形態では、軌跡ＳＴの最外周を形成する部分においてウェハＷの表面Ｗａにおける単位面積あたりの処理液の吐出量が徐々に減少する。単位面積あたりの処理液の吐出量が略一定に維持された状態で、ウェハＷの中心からスパイラル状の軌跡ＳＴを形成するように処理液を供給する場合には、最外周の近傍（最外周を含む近傍部分）においてウェハＷの周方向において処理液の量に差が生じ得る。具体的には、点ＣＰを中心としたウェハＷの周方向における位置に応じて、ウェハＷの周縁と最も外側に位置する軌跡ＳＴとの間の間隔が変動する。言い換えると、ウェハＷの周縁と軌跡ＳＴとの間に存在する未塗布エリアが、ウェハＷの周方向の位置に応じて変動する。
【００７５】
このため、単位面積あたりの吐出量を略一定に維持して軌跡ＳＴの全てに対応する部分に沿って処理液を供給すると、軌跡ＳＴの最外周の近傍において周方向において処理液の供給量に差が生じる。例えば、ウェハＷの半径方向における最外周の近傍位置を半径とした円に沿って、処理液を用いて形成された被膜の膜厚を測定した場合に、ウェハＷの周方向の位置に応じて膜厚にばらつきが生じるおそれがある。
【００７６】
これに対して、上記実施形態では、最外周において処理液の吐出量が徐々に減少するので、最外周の近傍において生じる吐出量の差が縮小される。図９（ａ）及び図９（ｂ）を参照して、吐出量の差の縮小について説明する。図９（ａ）及び図９（ｂ）は、軌跡ＳＴの最外周で単位面積あたりの処理液の吐出量を減少させた場合における処理液の吐出状態の断面（最外周近傍の断面）を模式的に示している。図９（ａ）は、ウェハＷの周縁と軌跡ＳＴとの間の間隔が大きい位置（例えば、図７において点ＩＰ付近）での断面を示している。図９（ｂ）は、ウェハＷの周縁と軌跡ＳＴとの間の間隔が小さい位置（例えば、図７において点ＩＰから半周程度進んだ位置）での断面を示している。
【００７７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示されるように、軌跡ＳＴの最外周に沿って供給される処理液（供給液ＬＮ）の量は、ウェハＷの周縁と軌跡ＳＴとの間の間隔が大きいときには多くなり、ウェハＷの周縁と軌跡ＳＴとの間の間隔が小さいときには少なくなっている。そして、図９（ｂ）に示される例では、内側の軌跡ＳＴに対して略一定の間隔で供給された供給液ＬＮが、表面張力によって当該内側の軌跡ＳＴに位置する供給液に寄せられる。このように、軌跡ＳＴの最外周を形成する部分において、軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量を減少させることで、最外周の近傍において処理液の供給量の差が縮小されている。その結果、少なくとも最外周の近傍における周方向においてスパライル状に処理液を供給することに起因した膜厚の差は縮小するので、ウェハＷの表面Ｗａに形成される被膜の膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【００７８】
以上の実施形態において、制御装置１００は、供給制御に含まれる可変制御を実行する際に、少なくとも軌跡ＳＴの最外周を形成する部分において、ノズル４０からの単位時間あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させている。この場合、ノズル４０に送り出す処理液の流量（圧力）を調節することで処理液の吐出量を調整できるので、単位面積あたりの処理液の吐出量を減少させることが容易である。
【００７９】
以上の実施形態において、液供給部３０は、ノズル４０まで処理液を導く流路５４と、流路５４の開閉状態を切り替える開閉バルブ５５と、を有する。制御装置１００は、供給制御に含まれるクローズ制御を実行する際に、軌跡ＳＴのうちの終点（点ＥＰ）を含む軌跡Ｔｒ３を形成する部分において、開閉バルブ５５により流路５４を開状態から閉状態に徐々に遷移させる。開閉バルブ５５の閉塞に伴って処理液の吐出レートが一時的に上昇する場合がある。例えば、開閉バルブ５５を閉じることで流路５４内において処理液の流れを物理的に遮断する場合、当該開閉バルブ５５の物理的に遮断するための部材が、遮断時に処理液をノズル４０に向けて押し出す。このような開閉バルブ５５の閉じる動作に伴って、処理液の吐出レートが一時的に上昇してしまう現象が生じ得る。
【００８０】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、開閉バルブ５５の閉塞時間に応じた処理液の吐出レートの変動の違いを示している。図１０（ａ）は、クローズ制御を実行しない場合のバルブ閉塞時間（例えば数百ミリ秒）で開閉バルブ５５を閉じた場合の処理液の吐出レートの時間変動を示す。図１０（ｂ）は、クローズ制御を実行した場合のバルブ閉塞時間（例えば数十秒）で開閉バルブ５５を閉じた場合の処理液の吐出レートの時間変動を示す。
【００８１】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示されるように、バルブ閉塞時間が長いと、開閉バルブ５５を閉じる動作に伴う処理液の吐出レートの急激な上昇が抑制される。つまり、バルブ閉塞時間が長いほど、開閉バルブ５５を閉じる動作を開始する時刻ｔｃ直後における吐出レートの上昇幅が小さい。その結果、処理液の吐出レートの急激な上昇に起因して周方向の一部分において膜厚が大きくなることを防ぐことができ、ウェハＷの表面Ｗａに形成される被膜の膜厚均一性をさらに向上させることが可能となる。
【００８２】
以上の実施形態において、液供給部３０は、流路５４を介してノズル４０と接続され処理液を貯留するタンク５１と、タンク５１内の圧力を調節する圧力調節部５３と、を有する。制御装置１００は、可変制御を実行する際に、少なくとも軌跡ＳＴの最外周を形成する部分において、タンク５１内の圧力を徐々に減少させることで、ノズル４０からの単位時間あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させる。この場合、開閉バルブ５５の開閉制御とは別に処理液の吐出量を調節できるので、吐出量を徐々に減少させることが容易である。例えば、上記の構成を有することにより、可変制御とクローズ制御とを互いに独立して行うことができる。また、開閉バルブ５５がタンク５１の下流に位置することで、クローズ制御における処理液の吐出停止の反応性を向上させる（例えば、液切れを良くする）ことができる。
【００８３】
以上の実施形態において、制御装置１００は、可変制御を実行する際に、軌跡ＳＴの最外周を形成する部分よりも前から（最外周及び接続部分を形成する部分において）処理液の吐出量を徐々に減少させる。この場合、最外周の近傍における処理液の吐出量の調整が最外周よりも前から行われるので、少なくとも最外周の近傍におけるウェハＷの周方向の膜厚の差をより確実に縮小させることが可能となる。
【００８４】
以上の実施形態において、処理液の粘度は、３００ｃＰ以上であってもよい。ウェハＷの表面Ｗａに処理液を供給する方法として、ウェハＷの中心に処理液を吐出し、ウェハＷを回転させて吐出された処理液を表面Ｗａ上に広げる塗布方法もある。しかしながら、処理液の粘度が高いとウェハＷの回転により処理液を広げることが難しいので、処理液の粘度が高い場合にはスパライル状に供給する上記実施形態の方法を用いる場合が多い。換言すると、処理液をスパイラル状に供給したとしても、処理液の移動が少ないため、ウェハＷへの処理液の供給量が膜厚に影響しやすい。上記実施形態では、高い粘度の処理液をスパイラル状に供給しても、当該処理液から形成される被膜において膜厚均一性を向上させることが可能となる。
【００８５】
［変形例］
処理液供給手順は上述した例に限られない。上述の例では、可変制御及びクローズ制御により、制御装置１００は、少なくとも供給軌跡の最外周を形成する部分において、軌跡ＳＴに沿ったウェハＷの表面Ｗａにおける単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させている。制御装置１００は、クローズ制御を行うことなく可変制御を行うことで、少なくとも最外周を形成する部分において、軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。制御装置１００は、可変制御とクローズ制御とを順に実行することで（可変制御を停止した後にクローズ制御を実行することで）、少なくとも最外周を形成する部分において、軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。
【００８６】
制御装置１００は、可変制御において、定吐出制御時におけるウェハＷの回転速度の減少幅を徐々に小さくすることで軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。例えば、駆動制御部１２０及び液供給制御部１３０により、ノズル４０の移動速度及び処理液の吐出レートが定吐出制御と同様に制御された状態で、回転制御部１１０はウェハＷの回転速度の減少幅を徐々に小さくしてもよい。ウェハＷの回転速度の減少幅を徐々に縮小することには、ウェハＷの回転速度を略一定に維持すること、又は徐々に増加することが含まれてもよい。
【００８７】
制御装置１００は、可変制御において、定吐出制御時におけるノズル４０のウェハＷの半径方向に沿った移動速度の減少幅を徐々に小さくすることで、軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。例えば、回転制御部１１０及び液供給制御部１３０により、ウェハＷの回転速度及び処理液の吐出レートが定吐出制御と同様に制御された状態で、駆動制御部１２０はノズル４０の移動速度の減少幅を徐々に小さくしてもよい。ノズル４０の移動速度の減少幅を徐々に縮小することには、ノズル４０の移動速度を略一定に維持すること、又は徐々に増加することが含まれてもよい。
【００８８】
制御装置１００は、ノズル４０からの処理液の吐出レートを徐々に減少させること及びウェハＷの回転速度の減少幅を小さくすることの少なくとも一方を行うことで、可変制御において、軌跡ＳＴの単位長さあたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。制御装置１００は、処理液の吐出レートの減少、ウェハＷの回転速度における減少幅の縮小、及びノズル４０の移動速度における減少幅の縮小のうちの少なくとも２つの組合せを行うことで、可変制御において、軌跡ＳＴに沿った単位面積あたりの処理液の吐出量を徐々に減少させてもよい。なお、上述したノズル４０からの処理液の吐出レートを減少させる方法を用いる場合には、他の２つに比べて機械的な動作を制御することなく、単位面積あたりの処理液の吐出量が調整される。このため、当該方法では単位面積あたりの処理液の吐出量を減少させる幅の調節が容易である。
【００８９】
液送出部５０は、タンク５１、調整バルブ５９、及びガス源Ｇを備えずに、液源５２からノズル４０までを接続する流路に上流側から順に配置されたポンプと開閉バルブ５５とを備えていてもよい。このポンプは、制御装置１００からの動作指示に基づいて動作し、液源５２から処理液を吸引し、流路５４及び開閉バルブ５５を介して処理液をノズル４０に送り出してもよい。制御装置１００は、ポンプによる吸引力（圧力）を調節することによって、ノズル４０からの処理液の吐出レートを調整してもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１…基板処理システム、２…塗布・現像装置、２０…回転保持部、３０…液供給部、４０…ノズル、５０…液送出部、５１…タンク、５３…圧力調節部、５４…流路、５５…開閉バルブ、６０…駆動部、１００…制御装置、Ｕ１…液処理ユニット、Ｗ…ウェハ、Ｗａ…表面、ＳＴ…軌跡。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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