(57)【要約】【課題】画素間隔を過度に増大させることなくシェーディングの発生が抑制された表示装置を提供する。【解決手段】各々が複数の第一電極を含む複数の画素と、前記複数の第一電極の上に形成され前記複数の画素に共通の第二電極と、前記第一電極と同一の層に形成された引き回し配線と、を含む表示装置であって、前記引き回し配線は、隣接する前記画素間において第一の方向に延びる線部と、前記線部から前記隣接する画素の一方に含まれる前記第一電極の少なくとも一つに向かう第二の方向に延びて、その第一の方向には前記一方の画素の他の前記第一電極が配置される延設部と、を含み、前記第二電極は、その一部が前記延設部と物理的に接触することで前記引き回し配線と電気的に接続されている。【選択図】図３Ａ
2020118881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が複数の第一電極を含む複数の画素と、
前記複数の第一電極の上に形成され前記複数の画素に共通の第二電極と、
前記第一電極と同一の層に形成された引き回し配線と、
を含む表示装置であって、
前記引き回し配線は、隣接する前記画素間において第一の方向に延びる線部と、前記線部から前記隣接する画素の一方に含まれる少なくとも一つの前記第一電極に向かう第二の方向に延びて、その第一の方向には前記一方の画素の他の前記第一電極が配置される延設部と、を含み、
前記第二電極は、その一部が前記延設部と物理的に接触することで前記引き回し配線と電気的に接続されている、
表示装置。
【請求項２】
前記延設部の前記第二の方向の長さは、前記線部の幅より大きい、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記延設部の前記第一の方向の長さは、前記線部の幅より大きい、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第二電極の上に形成された封止膜をさらに含み、
前記複数の第一電極及び前記引き回し配線は有機層の上に形成され、
前記引き回し配線の前記延設部と、前記延設部に隣接する前記第一電極と、の間において前記有機層には溝部が形成され、
前記溝部において、前記第二電極のうち、前記延設部と物理的に接触している前記一部と、前記延設部に隣接する前記第一電極の上に形成された他の一部と、は物理的に切断されており、
前記第二電極の前記一部、及び前記引き回し配線の前記延設部の各々の、前記延設部に隣接する前記第一電極に向いた端面は、前記封止膜と物理的に接触している、
請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機層の前記溝部の、前記延設部に隣接する前記第一電極に向いた表面もさらに前記封止膜と物理的に接触している、
請求項４に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）表示装置や液晶表示装置等の表示装置は、画素ごとに形成された個別電極と、複数の画素に跨って形成された共通電極とを有し、当該共通電極に印加された電位に対し、画素ごとに個別電極の電位を印加することにより、画素を発光させている。
【０００３】
ここで、例えば、画面サイズが大きい場合、共通電極の電気抵抗が大きくなり、画面の外周領域に比べて中央領域の輝度が低下するシェーディングという問題が発生し得る。
【０００４】
この点、特許文献１には、基板上に配置される複数の走査信号線と、当該走査信号線に略直交して配置される複数の映像信号線と、これら交点付近に配置されるスイッチング素子と、当該スイッチング素子に接続され、第１電極および第２電極間に独立島状に形成される光変調層を備えた表示素子がマトリクス状に配置されるアクティブマトリクス型平面表示装置において、当該第１電極と同層に形成され、かつ当該第１電極とは電気的に絶縁され、当該第２電極と電気的に接続された補助配線を備えたことが記載され、当該補助配線と第２電極とは、画素間の隔壁に当該補助配線を露出するように設けられたコンタクト部を介して電気的に接続されることが記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、前述の特許文献１において補助電極と第２電極とを直接接続させることによる製造工程の煩雑化を課題として、発光素子及び当該発光素子を発光駆動するための回路素子を有する画素が行列状に配置された表示部と、当該表示部の外周領域に配置された給電線から当該画素に電源電圧を給電する電源部とを備える表示装置であって、当該画素は、当該回路素子が形成された駆動回路基板上に形成された第１電極と、当該駆動回路基板上に当該第１電極と離間して形成された補助配線と、当該第１電極の上方に形成された発光物質を含む発光層と、当該発光層の上方に形成された第２電極と、当該第１電極と当該第２電極との間に介在した中間層とを備え、当該中間層及び当該第２電極は、当該第１電極の上方から当該補助配線の上方に延設され、当該給電線から最も遠く離れた当該画素を当該給電線からＭ画素目に配置された第１画素とし、画素あたりの当該第２電極の抵抗値をＲ２ｐ、及び画素あたりの当該補助配線の抵抗値をＲｂｐとした場合、当該補助配線上の当該中間層の抵抗値Ｒｉｐは、Ｒｉｐ≦（Ｒ２ｐ−Ｒｂｐ）×Ｍ×（Ｍ＋１）／２なる関係を満たすことを特徴とする表示装置が記載されている。
【０００６】
また、特許文献３には、上部電極の有機層からの剥がれを防止することを目的として、隣接する２つの画素と、当該隣接する２つの画素を互いに区画しているバンクを有しているバンク層と、発光層を含み、当該バンク層上に形成され、当該バンクの上面に位置している部分を有している有機層と、当該有機層上の上部電極として機能する導電層を含む、当該有機層の上側に形成されている少なくとも１つの層と、を備え、当該少なくとも１つの層は、当該有機層の当該バンクの上面に位置している当該部分を貫通し当該バンクに接続する接続部を有していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特許第６３１１９０２号公報
【特許文献３】特開２０１６−０８５７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載されているように画素間において、補助電極と共通電極とを直接接続するためには、当該接続のために十分な広さの領域を当該画素間に確保する必要があり、その結果、画素間隔が増大し、画素密度が低下するという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、画素間隔を過度に増大させることなくシェーディングの発生が抑制された表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、各々が複数の第一電極を含む複数の画素と、前記複数の第一電極の上に形成され前記複数の画素に共通の第二電極と、前記第一電極と同一の層に形成された引き回し配線と、を含む表示装置であって、前記引き回し配線は、隣接する前記画素間において第一の方向に延びる線部と、前記線部から前記隣接する画素の一方に含まれる前記第一電極の少なくとも一つに向かう第二の方向に延びて、その第一の方向には前記一方の画素の他の前記第一電極が配置される延設部と、を含み、前記第二電極は、その一部が前記延設部と物理的に接触することで前記引き回し配線と電気的に接続されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態係る表示装置を平面視で概略的に示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態係る表示装置の回路図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態係る表示装置の表示領域における第一電極及び引き回し配線の形状及び配置の一例を平面視で概略的に示す模式図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す第一電極及び引き回し配線を抜き出して示す模式図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態係る表示装置の表示領域における第一電極及び引き回し配線の形状及び配置の他の例を抜き出して平面視で概略的に示す模式図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態係る表示装置の表示領域における第一電極及び引き回し配線の形状及び配置のさらに他の例を抜き出して平面視で概略的に示す模式図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態係る表示装置の表示領域における第一電極及び引き回し配線の形状及び配置のさらに他の例を抜き出して平面視で概略的に示す模式図である。
【図４】図３Ａに示すＩＶ−ＩＶ線で切断した表示装置の断面の一例を概略的に示す模式図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態係る表示装置の画素回路と第一電極との位置関係を平面視で概略的に示す模式図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す画素回路を構成する複数の層のうち一部の層を平面視で概略的に示す模式図である。
【図５Ｃ】図５Ａに示す画素回路を構成する複数の層のうち他の一部の層を平面視で概略的に示す模式図である。
【図５Ｄ】図５Ｂに示す層と図５Ｃに示す層との位置関係を平面視で概略的に示す模式図である。
【図５Ｅ】図５Ａに示す画素回路を構成する複数の層のうちさらに他の層を平面視で概略的に示す模式図である。
【図５Ｆ】図５Ｅに示す層と第一電極との位置関係を平面視で概略的に示す模式図である。
【図６】図３Ａに示すＶＩ−ＶＩ線で切断した表示装置の断面を概略的に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本明細書における開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更により容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。
【００１３】
図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書及び各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。また、数字とアルファベットとを含む符号について、当該アルファベットによる区別が不要な場合には、当該アルファベットを省略して数字のみで示すことがある。
【００１４】
また、本明細書において、ある構成物と他の構成物との位置関係を規定する際、「上に」及び「下に」とは、それぞれ当該ある構成物の直上及び直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、当該ある構成物と他の構成物との間にさらに他の構成物が介在する場合を含むものとする。
【００１５】
図１は、本実施形態に係る表示装置１００の一例を平面視で概略的に示す図である。本実施形態においては、表示装置１００が、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である例について説明する。
【００１６】
表示装置１００は、表示領域１０２と、額縁領域１０４とを含む。表示領域１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素２００（図３Ａ参照）を含む。各画素２００は、開口部２３０（図３Ａ参照）を含む。各画素２００は、その開口部２３０から光を発する。
【００１７】
各画素２００は、複数の副画素２１０（図３Ａ参照）を含む。すなわち、本実施形態において、各画素２００は、互いに異なる色で発光する複数の副画素２１０を含む。具体的に、各画素２００は、赤色に発光する第一副画素２１０Ｒ、緑色に発光する第二副画素２１０Ｇ、及び青色に発光する第三副画素２１０Ｂを含む（図３Ａ参照）。
【００１８】
各画素２００が複数の副画素２１０を含む場合、各副画素２１０は、開口部２３０を有する。したがって、各画素２００は、複数の副画素２１０に対応する複数の開口部２３０を含む。そして、各副画素２１０は、その開口部２３０から光を発する。
【００１９】
額縁領域１０４は、表示領域１０２を囲む領域である。図１に示す例において、額縁領域１０４には、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）１０６が接続されている。ＦＰＣ１０６には、例えば、図１に示すように、画像を表示するための素子を駆動するための駆動集積回路（ＩＣ：integrated circuit）１０８が搭載される。
【００２０】
駆動ＩＣ１０８は、例えば、１つの画素２００を構成する複数の副画素２１０の各々に対応して配置された画素トランジスタの走査信号線２８（図２参照）に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、各画素トランジスタの映像信号線３０（図２参照）に対して副画素２１０の階調値に対応する電流を流す。
【００２１】
図２は、表示装置１００の回路図である。表示装置１００は、画像を表示する画素アレイ部４と、当該画素アレイ部４を駆動する駆動部とを含む。画素アレイ部４は、各副画素２１０に対応して設けられた有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：organic light-emitting diode）６及び画素回路８を含む。
【００２２】
画素回路８は、点灯薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）１０、駆動ＴＦＴ１２、及びキャパシタ１４を含む。駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４及び制御装置２６を含む。駆動部は、画素回路８を駆動し、ＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００２３】
走査線駆動回路２０は、副画素２１０の水平方向の並び（副画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に電気的に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電位を印加する。
【００２４】
映像線駆動回路２２は、副画素２１０の垂直方向の並び（副画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に電気的に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を受け入れ、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された副画素行の映像信号に応じた電位を各映像信号線３０に印加する。この電位は、選択された副画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電位に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する副画素２１０のＯＬＥＤ６が発光する。
【００２５】
ＯＬＥＤ６は、アノード１６と、カソード１８と、当該アノード１６とカソード１８との間に形成された有機ＥＬ層４００（図４、図６参照）と、を含む。本実施形態において、アノード１６は各副画素２１０に個別電極として形成され、カソード１８は複数の画素２００に跨る共通電極として形成される。
【００２６】
アノード１６は、駆動ＴＦＴ１２を介して副画素列ごとに配置された駆動電源線３２に電気的に接続される。駆動電源線３２は、駆動電源回路２４に電気的に接続される。駆動電源回路２４は、駆動電源線３２を介してアノード１６に高電位を印加する。すなわち、アノード１６には、カソード１８の電位を基準とした電位が印加される。
【００２７】
カソード１８は、カソード電源線として使用される引き回し配線３００（図３Ａ−図３Ｅ参照）に電気的に接続される。カソード電源線には、カソード１８に印加する低電位（アノード１６に印加されるべき電位の基準となる電位）が供給され、又は、当該カソード電源線は接地される。前者の場合、カソード電源線は、駆動電源回路２４に電気的に接続され、当該駆動電源回路２４は、当該カソード電源線を介してカソード１８に低電位を印加する。カソード電源線の一部は、額縁領域１０４（図１参照）に配置されてもよい。
【００２８】
駆動電源回路２４は、駆動電源線３２、カソード電源線（引き回し配線３００）、及び選択された副画素行の駆動ＴＦＴ１２を介して、ＯＬＥＤ６に電流を供給する。その結果、ＯＬＥＤ６の有機ＥＬ層４００（図４、図６参照）が発光する。
【００２９】
図３Ａは、表示装置１００の表示領域１０２（図１参照）における第一電極２２０及び引き回し配線３００の形状及び配置を平面視で概略的に示す模式図である。図３Ｂは、説明の便宜のために、図３Ａに示す第一電極２２０及び引き回し配線３００を抜き出して示す模式図である。図４は、図３Ａに示すＩＶ−ＩＶ線で切断した表示装置１００の断面を概略的に示す模式図である。
【００３０】
表示装置１００は、複数の画素２００を含む。すなわち、図３Ａの中央に示す一つの画素２００Ｃに着目すると、当該画素２００Ｃの図中に示すＸ方向の一方側及び他方側には、それぞれ他の画素２００Ｘ１及び画素２００Ｘ２が隣接して配置され、当該画素２００Ｃの図中に示すＹ方向（Ｘ方向と直行する方向）の一方側及び他方側には、それぞれ他の画素２００Ｙ１及び画素２００Ｙ２が隣接して配置されている。このように、表示装置１００の表示領域１０２（図１参照）においては、複数の画素２００がマトリクス状に配置されている。
【００３１】
各画素２００は、複数の副画素２１０を含む。すなわち、本実施形態において、各画素２００は、互いに異なる色で発光する３つの副画素２１０を含んでいる。具体的に、例えば、図３Ａに示す画素２００Ｃは、赤色に発光する第一副画素２１０Ｒ、緑色に発光する第二副画素２１０Ｇ、及び青色に発光する第三副画素２１０Ｂを含んでいる。そして、表示装置１００の表示領域１０２（図１参照）においては、複数の副画素２１０もまた、マトリクス状に配置されている。
【００３２】
各画素２００は、複数の副画素２１０に対応する複数の第一電極２２０を含んでいる。すなわち、例えば、図３Ａに示す画素２００Ｃは、第一副画素２１０Ｒの第一電極２２０Ｒ、第二副画素２１０Ｇの第一電極２２０Ｇ、及び第三副画素２１０Ｂの第一電極２２０Ｂを含んでいる。このように、各副画素２１０は、第一電極２２０を含んでいる。
【００３３】
本実施形態において、第一電極２２０は、下部電極として形成されている。すなわち、図４に示すように、表示装置１００は、基板１１０と、当該基板１１０の上に形成された回路層１２０とを含み、第一電極２２０は、当該回路層１２０の上に下部電極として形成される。
【００３４】
回路層１２０は、第一電極２２０の上に形成された有機ＥＬ層４００における発光を制御するＴＦＴを含む。すなわち、本実施形態において、回路層１２０は、点灯ＴＦＴ１０及び駆動ＴＦＴ１２（図２参照）を含む。また、回路層１２０は、キャパシタ１４（図２参照）も含む。
【００３５】
具体的に、回路層１２０は、絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、半導体層を含む。ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層によって、トランジスタが構成される。基板１１０は、例えば、ガラス又は樹脂材料で形成される。
【００３６】
そして、第一電極２２０は、回路層１２０のＴＦＴと電気的に接続される。すなわち、第一電極２２０は、回路層１２０に形成されたコンタクトホール４０（例えば、図３Ａに示す画素２００Ｃにおける第一副画素２１０Ｒのコンタクトホール４０Ｒ、第二副画素２１０Ｇのコンタクトホール４０Ｇ、及び第三副画素２１０Ｂのコンタクトホール４０Ｂ）を介して当該回路層１２０に形成されたトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続される。
【００３７】
本実施形態において、第一電極２２０は、アノード１６として形成される。また、第一電極２２０は、反射電極として形成される。具体的に、第一電極２２０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ａｇ及びＩＴＯからなる三層積層構造を有する。
【００３８】
隣接する第一電極２２０間にはリブ１４０（図４参照）が形成される。リブ１４０は、隣接する副画素２１０の間を仕切る隔壁として形成される。すなわち、図４に示す例において、リブ１４０は、隣接する第一電極２２０の間から当該第一電極２２０の外周部分まで形成されている。すなわち、各第一電極２２０には、その外周部分を覆うリブ１４０が形成されている。
【００３９】
各副画素２１０においてリブ１４０で囲まれた領域が、当該各副画素２１０の開口部２３０である。すなわち、複数の副画素２１０の各々が、リブ１４０に囲まれた開口部２３０を有する。リブ１４０は、絶縁材料で形成される。具体的に、リブ１４０は、例えば、感光性アクリル等の有機材料で構成される。
【００４０】
各第一電極２２０の上には有機ＥＬ層４００が形成される。有機ＥＬ層４００は、表示装置１００による画像表示のために発光する発光層を含む。発光層は、例えば、アノード１６（図２参照）から注入されたホールと、カソード１８（図２参照）から注入された電子とが再結合することにより発光する。
【００４１】
有機ＥＬ層４００は、発光層から構成される単層であってもよいし、さらに他の層を含む多層に形成されてもよい。他の層としては、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層からなる群より選択される１以上が挙げられる。
【００４２】
本実施形態において、有機ＥＬ層４００は、副画素２１０ごとに形成されている。すなわち、図４に示すように、有機ＥＬ層４００は、第一電極２２０のリブ１４０に覆われていない中央部分を覆うように形成されている。図４に示す例において、有機ＥＬ層４００は、第一電極２２０を囲むリブ１４０の一部も覆うように形成されている。ただし、図４に示す例において、有機ＥＬ層４００は、複数の副画素２１０に跨っては形成されていない。このような有機ＥＬ層４００は、例えば、有機ＥＬ層４００の原料滴を副画素２１０ごとに、リブ１４０で囲まれた開口部２３０内に選択的に塗布する方法により好ましく形成される。
【００４３】
複数の第一電極２２０の上には、複数の画素２００に共通の第二電極５００が形成されている。すなわち、第二電極５００は、複数の画素２００の複数の第一電極２２０に跨って形成されている。なお、各第一電極２２０と第二電極５００との間には有機ＥＬ層４００が挟まれる。また、本実施形態において、第二電極５００は、カソード１８（図２参照）として形成される。
【００４４】
本実施形態において、表示装置１００は、トップエミッション型であるため、第二電極５００は、光透過性の電極として形成される。すなわち、第二電極５００は、透明電極として好ましく形成される。透明電極は、透明導電材料を用いて形成される。透明導電材料としては、例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、及び／又はＩＴＯが好ましく用いられる。なお、第二電極５００は、光透過性を有する金属薄膜電極として形成されてもよい。金属薄膜電極は、例えば、ＡｇＭｇを用いて好ましく形成される。
【００４５】
表示装置１００においては、第一電極２２０、有機ＥＬ層４００、及び第二電極５００により、ＯＬＥＤ６（図２参照）が構成される。すなわち、第一電極２２０と第二電極５００との間に電流を流すことにより、当該第一電極２２０と第二電極５００とに挟まれた有機ＥＬ層４００に含まれる発光層を発光させる。
【００４６】
その結果、表示装置１００の表示領域１０２（図１参照）において、各副画素２１０の開口部２３０が発光する。具体的に、例えば、図３Ａに示す画素２００Ｃにおいては、第一の副画素２１０Ｒの開口部２３０Ｒは赤色に発光し、第二の副画素２１０Ｇの開口部２３０Ｇは緑色に発光し、第三の副画素２１０Ｂの開口部２３０Ｂは青色に発光する。このような複数の色の発光により、表示装置１００は、フルカラー画像を表示することができる。
【００４７】
さらに表示装置１００は、第一電極２２０と同一の層に形成された引き回し配線３００を含む。ここで、引き回し配線３００が第一電極２２０と同一の層に形成されるとは、当該引き回し配線３００が、当該第一電極２２０の成膜と同時に成膜されたものであることを意味する。このため、例えば、表示装置１００の断面視において、引き回し配線３００が積層される下地層の上面の位置と、第一電極２２０が積層される下地層の上面の位置とがずれている場合には、当該引き回し配線３００の位置（例えば、当該引き回し配線３００の上面及び／又は下面の位置）と当該第一電極２２０の位置（例えば、当該第一電極２２０の上面及び／又は下面の位置）がずれていてもよい。引き回し配線３００は、カソード電源線として利用される。このため、引き回し配線３００には、カソード１８である第二電極５００に印加する低電位（アノード１６である第一電極２２０に印加されるべき電位の基準となる電位）が供給され、又は、当該引き回し配線３００は接地される。
【００４８】
さらに引き回し配線３００は、後述のとおり、第二電極５００とも電気的に接続される。この結果、第二電極５００には、引き回し配線３００（より具体的には、引き回し配線３００の延設部３３０）を介して、第一電極２２０に印加されるべき電位の基準となる電位が供給され、又は、当該第二電極５００は、引き回し配線３００を介して接地される。
【００４９】
引き回し配線３００は、上述のとおり、表示装置１００の製造過程において、第一電極２２０の形成と同時に形成される。具体的に、回路層１２０の上に第一電極２２０を成膜する際に、引き回し配線３００も成膜される。このため、本実施形態において、引き回し配線３００は、第一電極２２０と同一の材料で形成される。
【００５０】
そして、引き回し配線３００は、隣接する画素２００間において第一の方向に延びる線部（第一の線部３１０又は第二の線部３２０）と、当該線部から、当該隣接する画素２００の一方に含まれる少なくとも一つの第一電極２２０に向かう第二の方向に延びる延設部３３０とを含む。
【００５１】
すなわち、図３Ａ及び図３Ｂに示す例において、引き回し配線３００は、図中のＸ方向に延びる第一の線部３１０と、当該第一の線部３１０から図中のＹ方向（当該Ｘ方向に対して垂直な方向）に延びる延設部３３０とを含む。
【００５２】
具体的に、第一の線部３１０は、Ｙ方向において隣接する画素２００Ｃと画素２００Ｙ２との間で、Ｘ方向に延びている。これに対し、延設部３３０は、Ｙ方向において隣接する画素２００Ｃ，２００Ｙ２の一方である画素２００Ｃに含まれる複数の第一電極２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂのうち、一つの第一電極２２０Ｒに向かって、第一の線部３１０からＹ方向に延びている。
【００５３】
この結果、延設部３３０のＸ方向には、画素２００Ｃに含まれる他の第一電極２２０Ｇ，２２０Ｂが配置されている。すなわち、延設部３３０は、そのＸ方向に他の第一電極２２０Ｇ，２２０Ｂが配置されるよう、第一の線部３１０からＹ方向に、第一電極２２０Ｒに向かって延びている。
【００５４】
また、図３Ａ及び図３Ｂに示す例において、引き回し配線３００は、Ｘ方向に延びる第一の線部３１０に加えて、Ｙ方向に延びる第二の線部３２０を含んでいる。この第二の線部３２０は、Ｘ方向において隣接する画素２００Ｃと画素２００Ｘ２との間で、Ｙ方向に延びている。
【００５５】
そして、延設部３３０は、Ｘ方向において隣接する画素２００Ｃ，２００Ｘ２の一方である画素２００Ｃに含まれる複数の第一電極２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂのうち、一つの第一電極２２０Ｇに向かって、第二の線部３２０からＸ方向に延びている。
【００５６】
この結果、延設部３３０のＹ方向には、画素２００Ｃに含まれる他の第一電極２２０Ｒが配置されている。すなわち、延設部３３０は、そのＹ方向に他の第一電極２２０Ｒが配置されるよう、第二の線部３２０からＸ方向に第一電極２２０Ｇに向かって延びている。
【００５７】
そして、図４に示すように、第二電極５００は、その一部（第一の部分）５１０が、引き回し配線３００の延設部３３０と物理的に接触することで、当該引き回し配線３００と電気的に接続されている。
【００５８】
すなわち、第二電極５００は、Ｙ方向において隣接する画素２００Ｃと画素２００Ｙ２との間のリブ１４２（図４参照）の上から、一方の当該画素２００Ｃに向けて延びる第一の部分５１０で、当該画素２００Ｃに含まれる第一電極２２０に向かって延びる引き回し配線３００の延設部３３０と物理的に接触する。具体的に、図４に示すように、第二電極５００の第一の部分５１０は、延設部３３０の上面３３０ｂに直接接触している。
【００５９】
また、第一の線部３１０から第一電極２２０に向かって延びる延設部３３０のうち、当該延設部３３０と当該第一電極２２０との間に形成されるリブ１４０と、当該延設部３３０上に形成されるリブ１４２との間には、当該リブ１４０，１４２が形成されていない開口部２４０が形成されている（図３Ａ、図４参照）。そして、この開口部２４０の範囲内において、第二電極５００と延設部３３０とが物理的に接触している。
【００６０】
このように、第二電極５００と引き回し配線３００との電気的接続は、当該引き回し配線３００の延設部３３０を介して行われるため、当該引き回し配線３００の線部３１０，３２０は、当該第二電極５００と物理的に接触する必要がなく、実際に、本実施形態において、当該線部３１０，３２０は、隣接する画素２００間において、当該第二電極５００とは物理的に接触していない。
【００６１】
このため、引き回し配線３００の線部３１０，３２０は、必要最小限の幅を有する細い導電線として形成することができる。したがって、隣接する画素２００の間隔を過度に増大させることなく、第一電極２２０と同一層において、第二電極５００と引き回し配線３００とを電気的に接続することにより、シェーディングの発生が効果的に抑制される。
【００６２】
また、図３Ｂに示す例では、第一の線部３１０からＹ方向に延びる延設部３３０の当該Ｙ方向の長さＬｙが、当該第一の線部３１０の幅（すなわち、当該第一の線部３１０の当該Ｙ方向の長さ）Ｗ１より大きくなっている。同様に、第二の線部３２０からＸ方向に延びる延設部３３０の当該Ｘ方向の長さＬｘは、当該第二の線部３２０の幅（すなわち、当該第二の線部３２０の当該Ｘ方向の長さ）Ｗ２より大きくなっている。
【００６３】
さらに、図３Ｂに示す例では、第一の線部３１０からＹ方向に延びる延設部３３０のＸ方向の長さＬｘが、当該第一の線部３１０の幅Ｗ１より大きくなっている。同様に、第二の線部３２０からＸ方向に延びる延設部３３０のＹ方向の長さＬｙは、当該第二の線部３２０の幅Ｗ２より大きくなっている。
【００６４】
このように面積が比較的大きな延設部３３０を形成することで、当該延設部３３０と第二電極５００（具体的には、当該第二電極５００の第一の部分５１０）との物理的な接触が効果的に行われる。
【００６５】
なお、第一電極２２０及び引き回し配線３００の形状や配置は、図３Ａ及び図３Ｂに示す例に限られず、本発明の効果が得られる範囲内で、適宜設計することができる。
【００６６】
すなわち、例えば、図３Ａに示す例において、各第一電極２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂは、その下の回路層１２０（図４参照）に形成されたコンタクトホール４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂを介して、当該回路層１２０内において当該各第一電極２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂに対応して形成されたＴＦＴ（例えば、点灯ＴＦＴ１０及び駆動ＴＦＴ１２（図２参照））と電気的に接続されるような配置で形成されている。
【００６７】
ただし、第一電極２２０は、コンタクトホール４０を介して回路層１２０内のＴＦＴと電気的に接続が可能な範囲であれば、図３Ａに示す例に限られず、他の形状や配置で形成されてもよい。
【００６８】
また、引き回し配線３００も、前述したような延設部３３０を介した第二電極５００との電気的接続が可能な範囲であれば、図３Ａに示す例に限られず、他の形状や配置で形成されてもよい。
【００６９】
すなわち、例えば、引き回し配線３００は、Ｘ方向に延びる第一の線部３１０及びＹ方向に延びる第二の線部３２０の一方のみを含むこととしてもよい。具体的に、図３Ｃに示すように、引き回し配線３００は、Ｘ方向に延びる第一の線部３１０と、当該第一の線部３１０からＹ方向に延びる延設部３３０とを含むこととしてもよい。
【００７０】
図３Ｃの例において、延設部３３０は、第一の線部３１０から、画素２００Ｃに含まれる第一電極２２０Ｒに向かってＹ方向に延びている。この結果、延設部３３０のＸ方向には、他の第一電極２２０Ｇ，２２０Ｂが配置されている。
【００７１】
また、例えば、第一の方向に延びる線部３１０から、一つの画素２００に含まれる少なくとも一つの第一電極２２０に向かって延びる延設部３３０の当該第一の方向には、当該一つの画素２００に含まれる他の一つの第一電極２２０が配置されてもよいし、当該一つの画素２００に含まれる他の複数の第一電極２２０（ただし、当該画素２００に含まれる第一電極２２０の総数より少ない数の第一電極２２０）が配置されてもよい。
【００７２】
すなわち、図３Ｄに示すように、引き回し配線３００は、Ｘ方向に延びる第一の線部３１０から、画素２００Ｃに含まれる３つの第一電極２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂのうち一つの第一電極２２０Ｇに向かってＹ方向に延びる延設部３３０を含み、当該延設部３３０のＸ方向には、他の２つの第一電極２２０Ｒ，２２０Ｂが配置される。具体的に、図３Ｄに示す例において、延設部３３０のＸ方向の一方側には、他の一つの第一電極２２０Ｂが配置され、当該Ｘ方向の他方側には、さらに他の一つの第一電極２２０Ｒが配置されている。
【００７３】
また、例えば、引き回し配線３００の延設部３３０は、一つの画素２００に含まれる複数の第一電極２２０のうち一つの第一電極２２０にのみ向かって延びていてもよいし、当該画素２００に含まれる複数の第一電極２２０（ただし、当該画素２２０に含まれる第一電極２２０の総数より少ない数の第一電極２２０）に向かって延びていてもよい。
【００７４】
すなわち、例えば、図３Ｅに示すように、延設部３３０は、Ｘ方向に延びる第一の線部３１０からＹ方向に、画素２００Ｃに含まれる一つの第一電極２２０Ｒに向かって延びているとともに、さらに他の一つの第一電極２２０Ｇに向かっても延びていることとしてもよい。この場合、延設部３３０のＸ方向側には、残りの一つの第一電極２２０Ｂが配置されている。
【００７５】
また、引き回し配線３００は、第一電極２２０と同一の層に形成されるため、表示装置１００の製造においては、回路層１２０の上に形成される一つの層を設計するだけで、任意の形状及び配置の当該第一電極２２０及び引き回し配線３００を実現することができる。このため、例えば、従来の他の表示装置のために設計された回路層をそのまま利用することができる。
【００７６】
本実施形態において、表示装置１００は、第二電極５００の上に形成された封止膜６００をさらに含む（図４、図６参照）。封止膜６００は、複数の画素２００に跨って形成される。すなわち、本実施形態において、封止膜６００は、表示領域１０２（図１参照）の全体において、第二電極５００及びその下の層を覆うように形成される。
【００７７】
封止膜６００は、外部から有機ＥＬ層４００への水分の侵入を抑制するために形成される。このため、封止膜６００は、図４に示すように、無機膜（下層無機膜６１０、上層無機膜６３０）を含む。無機膜６１０，６３０は、水分が透過しない無機材料で形成される。このような無機材料としては、例えば、窒素とケイ素とを含む無機化合物（例えば、ＳｉＮ（例えば、Ｓｉ３Ｎ４）、ＳｉＣＮ、及びＳｉＯＮからなる群より選択される１以上）が好ましく用いられる。
【００７８】
図４に示す例において、封止膜６００は、第二電極５００の上に形成された下層無機膜６１０と、当該下層無機膜６１０の上に形成された有機膜６２０と、当該有機膜６２０の上に形成された上層無機膜６３０とを含んでいる。
【００７９】
下層無機膜６１０は、封止膜６００の最下層を構成している。また、上層無機膜６３０は、封止膜６００の最上層を構成している。有機膜６２０は、下層無機間膜６１０と上層無機膜６３０との間に配置される。下層無機膜６１０を構成する無機材料と、上層無機膜６３０を構成する無機材料とは同一でもよいし、異なっていてもよい。有機膜６２０は、有機材料で形成される。有機材料としては、例えば、アクリルやエポキシ等の樹脂材料が好ましく用いられる。
【００８０】
一方、図４に示すように、回路層１２０の最上部は有機層１３０で構成されており、第一電極２２０及び引き回し配線３００は、当該有機層１３０の上に形成されている。そして、引き回し配線３００の延設部３３０と、当該延設部３３０に隣接する第一電極２２０と、の間において、有機層１３０には溝部１３２が形成されている。
【００８１】
すなわち、図４に示す例では、第一電極２２０Ｒに向かって延びる延設部３３０と、当該第一電極２２０Ｒとの間の有機層１３０に、凹部としての溝部１３２が形成されている。この溝部１３２は、例えば、表示装置１００の製造過程において、延設部３３０と第一電極２２０Ｒとの間の有機層１３０の表面１３４の一部をエッチング等で削ることにより、形成される。より具体的に、例えば、有機層１３０の上に形成されたリブ１４０のエッチングを行う際に、当該有機層１３０の一部も同時に削ることにより、当該一部に溝部１３２が形成される。
【００８２】
溝部１３２においては、第二電極５００のうち、延設部３３０と物理的に接触している第一の部分５１０と、当該延設部３３０に隣接する第一電極２２０Ｒの上に形成された他の一部（第二の部分）５２０と、は物理的に切断されている。
【００８３】
すなわち、図４に示す例において、第二電極５００のうち、第一電極２２０Ｒの上に形成された第二の部分５２０から、延設部３３０に向けて延びて溝部１３２に形成されるさらに他の一部（第三の部分）５３０は、当該延設部３３０の上に形成された第一の部分５１０と物理的に切断されている。
【００８４】
この結果、第二電極５００の第一の部分５１０と、第二の部分５２０及び第三の部分５３０とは物理的に切断されている。ただし、第二電極５００は、複数の画素２００に跨る共通電極として形成されているため、第二電極５００の第一の部分５１０と、第二の部分５２０及び第三の部分５３０とは一体的に形成されており、電気的には接続されている。
【００８５】
そして、引き回し配線３００の延設部３３０の、当該延設部３３０に隣接する第一電極２２０Ｒに向いた端面３３０ａと、第二電極５００の第一の部分５１０の当該第一電極２２０Ｒに向いた端面５１０ａとは、それぞれ封止膜６００と物理的に接触している。
【００８６】
すなわち、図４に示す例において、延設部３３０の第一電極２２０Ｒに向いた端面３３０ａと、第二電極５００の第一の部分５１０の当該第一電極２２０Ｒに向いた端面５１０ａとは、この順に下から上に連なっており、これら連なった端面５１０ａ，３３０ａが、封止膜６００（より具体的には、封止膜６００の下層無機膜６１０）と物理的に接触している。
【００８７】
この結果、第二電極５００は、その第一の部分５１０の上面５１０ｂに加えて端面５１０ａでも封止膜６００と物理的に接触することにより、当該封止膜６００との接着面積が増加し、さらに、引き回し配線３００と当該封止膜６００との接着も形成されるため、これらの密着性が効果的に高められる。
【００８８】
また、図４に示す例においては、第二電極５００のうち、引き回し配線３００の延設部３３０が延びる方向に形成された第一電極２２０Ｒの上から当該延設部３３０に向けて延びて、溝部１３２内に形成された第三の部分５３０は、当該延設部３３０より下方に形成されている。
【００８９】
この結果、溝部１３２の表面１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃのうち、第一電極２２０Ｒに向いた表面１３２ａも、封止膜６００と物理的に接触している。すなわち、有機層１３０の溝部１３２の表面１３２ａ、延設部３３０の端面３３０ａ、第二電極５００の第一の部分５１０の端面５１０ａは、この順に下から上に連なっており、これら連なった表面５１０ａ，３３０ａ，１３２ａの全てが、封止膜６００と物理的に接触している。この結果、第二電極５００、引き回し配線３００、及び有機層１３０の密着性が効果的に高められる。
【００９０】
なお、図４に示すように、封止膜６００（より具体的には、封止膜６００の下層無機膜６１０）は、第二電極５００の第一の部分５１０、第三の部分５３０、及び第二の部分５２０に跨って連続的に形成され、これらの部分５１０，５２０，５３０を覆っている。
【００９１】
また、第二電極５００の第三の部分５３０は、その延設部３３０側の端面５３０ａで有機層１３０（より具体的には、有機層１３０の溝部１３２の表面１３２ａ）と物理的に接触し、その上面５３０ｂで封止膜６００と物理的に接触している。
【００９２】
また、溝部１３２に有機ＥＬ層４００は形成されていない。すなわち、溝部１３２の表面１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃと、第二電極５００の第三の部分５３０との間に有機ＥＬ層４００は形成されていない。そして、溝部１３２内において、第二電極５００の第三の部分５３０の上に、下層無機膜６１０の一部６１２が形成されている。図４に示す例では、この下層無機膜６１０の一部６１２の表面（延設部３３０に向いた表面）６１２ａと、溝部１３２の表面１３２ａ、延設部３３０の端面３３０ａ、及び第二電極５００の第一の部分５１０の端面５１０ａとが接触している。
【００９３】
また、図４には、引き回し配線３００の延設部３３０と、第一の線部３１０から当該延設部３３０が延びるＹ方向に配置された第一電極２２０Ｒとの間に溝部１３２が形成される例を示したが、例えば、当該延設部３３０と、第二の線部３２０から当該延設部３３０が延びるＸ方向に配置された第一電極２２０Ｇ（図３Ａ参照）との間においても、上述の例と同様の溝部及びその周辺の構造が形成されることとしてもよい。
【００９４】
図５Ａは、画素回路８（図２参照）の具体例を示す平面図である。図５Ｂ−図５Ｆは、図５Ａに示す画素回路を構成する層の１つ又は２つ以上を示す図である。図５Ｂは、半導体層の例を示す平面図である。図５Ｃは、ゲート層の例を示す平面図である。図５Ｄは、図５Ｂの半導体層と図５Ｃのゲート層とを重ねて示す平面図である。図５Ｅは、信号線・電源線層の例を示す平面図である。図５Ｆは、図５Ｅの信号線・電源線層に第一電極２２０を重ねて示す平面図である。
【００９５】
図２及び図５Ａに示すとおり、画素回路８は、点灯ＴＦＴ１０、駆動ＴＦＴ１２及びキャパシタ１４を含み、走査信号線２８、映像信号線３０及び駆動電源線３２に接続されている。そして、第一電極２２０は、図５Ａに示すように、図５Ｂ−図５Ｆに示す複数の層を含む回路層１２０の上に形成される。
【００９６】
図５Ｂに示すように、半導体層はチャネル部７１を含む。チャネル部７１の両端部にはパッド部７２，７３がそれぞれ設けられている。パッド部７２，７３の位置にはコンタクトホール６６，６７がそれぞれ形成される。
【００９７】
また、半導体層は、一体に形成された容量部７４及びチャネル部７５を含む。容量部７４とチャネル部７５の両端部にはパッド部７６，７７がそれぞれ設けられている。パッド部７６，７７の位置にはコンタクトホール６８，６９がそれぞれ形成される。
【００９８】
図５Ｃに示すように、半導体層の上に形成されるゲート層は、走査信号線２８を含む。また、ゲート層は、一体に形成されたパッド部８２、容量部８４、ゲート部８５及び容量部８６を有している。パッド部８２にはコンタクトホール６４が形成されている。ゲート層の容量部８４は、半導体層のチャネル部７１と平面視で重複しないように設けられている。
【００９９】
図５Ｄに示すように、半導体層のチャネル部７１と、ゲート層の走査信号線２８とは平面視で重複しており、これらは点灯ＴＦＴ１０（図２参照）を構成している。また、半導体層のチャネル部７５と、ゲート層のゲート部８５とは平面視で重複しており、これらは駆動ＴＦＴ１２（図２参照）を構成している。また、半導体層の容量部７４と、ゲート層の容量部８４，８６とは平面視で重複しており、これらはキャパシタ１４（図２参照）を構成している。
【０１００】
図５Ｅに示すように、ゲート層の上に形成される信号線・電源線層は、駆動電源線３２及び当該駆動電源線３２に設けられたパッド部３３を含む。駆動電源線３２は、パッド部３３のコンタクトホール６８を通じて半導体層のパッド部７６及び容量部７４（図５Ｂ参照）に接続されている。
【０１０１】
信号線・電源線層は、映像信号線３０及び当該映像信号線３０に設けられたパッド部３１を含む。映像信号線３０は、パッド部３１のコンタクトホール６６を通じて半導体層のパッド部７２（図５Ｂ参照）に接続されている。
【０１０２】
また、信号線・電源線層は接続部９３を有している。接続部９３は、平面視でコンタクトホール６４，６７の全体を含むように形成されている。接続部９３は、コンタクトホール６７を通じて半導体層のパッド部７３（図５Ｂ参照）と接続されるとともに、コンタクトホール６４を通じてゲート層の容量部８４，８６及びゲート部８５と一体に設けられたパッド部８２（図５Ｃ参照）と接続される。この結果、半導体層のパッド部７３とゲート層の容量部８４とが接続部９３を介して電気的に接続される。
【０１０３】
すなわち、点灯ＴＦＴ１０と駆動ＴＦＴ１２とが（図５Ａ参照）、コンタクトホール６４，６７の内側に形成された接続部９３を介して互いに接続される。より具体的には、点灯ＴＦＴ１０のチャネル部７１（図５Ｂ参照）の一方（すなわち、ソース電極及びドレイン電極の一方）は映像信号線２８に接続され、他方は駆動ＴＦＴ１２のゲート部８５及びキャパシタ１４の容量部８４，８６に接続される。
【０１０４】
また、信号線・電源線層は配線部９４を含む。配線部９４の両端部にはパッド部９５，９６がそれぞれ設けられている。配線部９４に設けられたパッド部９５は、コンタクトホール６９を通じて半導体層のパッド部７７（図５Ｂ参照）に接続される。
【０１０５】
図５Ｆに示すように、信号線・電源線層の上には第一電極２２０が設けられている。具体的には、信号線・電源線層のパッド部９５の上に接続電極９８が形成され、当該パッド部９５と当該接続電極９８とがコンタクトホール４０を通じて接続され、当該接続電極９８に第一電極２２０が接続されている。第一電極２２０を露出させる開口部２３０は、平面視で第一電極２２０の内側に形成されている。
【０１０６】
図６は、図３Ａに示すＶＩ−ＶＩ線で切断した表示装置１００の断面を概略的に示す模式図である。図６に示すように、第一電極２２０Ｒと、引き回し配線３００の第二の線部３２０とは、回路層１２０上で同一の層に形成されている。すなわち、引き回し配線３００の延設部３３０に加えて、線部３１０，３２０（図３Ａ−図３Ｅ参照）も第一電極２００と同一の層に形成されている。
【０１０７】
第一電極２２０Ｒの上には、リブ１４０が形成されていない中央部分から、当該リブ１４０の一部まで有機ＥＬ層４００が形成されている。さらにリブ１４０は、第一電極２２０Ｒの外周部分から引き回し配線３００の第二の線部３２０の上まで形成されている。
【０１０８】
引き回し配線３００の第二の線部３２０の上には有機ＥＬ層４００は形成されていない。第二電極５００は、第一電極２２０Ｒ、有機ＥＬ層４００、及び第二の線部３２０の上に形成されている。ただし、第二電極５００は、引き回し配線３００の第二の線部３２０とは物理的に接触していない。第二電極５００の上には、下層無機膜６１０、有機膜６２０、及び上層無機膜６３０を含む封止膜６００が形成されている。
【０１０９】
本実施形態においては、表示装置が有機ＥＬ表示装置である例を示したが、本発明に係る表示装置は、これに限られず、例えば、液晶表示装置等の自発光型表示装置や、電気泳動素子等を有する電子ペーパー型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置であってもよい。また、本発明は、中小型から大型まで、特に限定することなく任意のサイズの表示装置に適用が可能であることは言うまでもない。
【０１１０】
また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１１１】
４  画素アレイ部、６  有機発光ダイオード、８  画素回路、１０  点灯薄膜トランジスタ、１２  駆動薄膜トランジスタ、１４  キャパシタ、１６  アノード、１８  カソード、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３１  パッド部、３２  駆動電源線、３３  パッド部、４０，４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ  コンタクトホール、６６，６７，６８，６９  コンタクトホール、７１，７５  チャネル部、７２，７３，７６，７７  パッド部、７４  容量部、８２  パッド部、８４，８６  容量部、８５  ゲート部、９３  接続部、９４  配線部、９５，９６  パッド部、９８  接続電極、１００  表示装置、１０２  表示領域、１０４  額縁領域、１０６  フレキシブルプリント基板、１０８  駆動集積回路、１１０  基板、１２０  回路層、１３０  有機層、１３２  溝部、１３２ａ，１３２ｂ，１３２ｃ  溝部の表面、１３４  有機層の表面、１４０  リブ、１４２  リブ、２００，２００Ｃ，２００Ｘ１，２００Ｘ２，２００Ｙ１，２００Ｙ２  画素、２１０  副画素（２１０Ｒ  第一副画素、２１０Ｇ  第二副画素、２１０Ｂ  第三副画素）、２２０，２２０Ｒ，２２０Ｇ，２２０Ｂ  第一電極、２３０，２３０Ｒ，２３０Ｇ，２３０Ｂ  開口部、２４０  開口部、３００  引き回し配線、３１０  第一の線部、３２０  第二の線部、３３０  延設部、３３０ａ  延設部の端面、３３０ｂ  延設部の上面、４００  有機ＥＬ層、５００  第二電極、５１０  第二電極の第一の部分、５１０ａ  第二電極の第一の部分の端面、５１０ｂ  第二電極の第一の部分の上面、５２０  第二電極の第二の部分、５３０  第二電極の第三の部分、５３０ａ  第二電極の第三の部分の端面、５３０ｂ  第二電極の第三の部分の上面、６００  封止膜、６１０  下層無機膜、６１２  下層無機膜の一部、６１２ａ  下層無機膜の一部の表面、６２０  有機膜、６３０  上層無機膜。
【図１】
2020118881.tif 000003
【図２】
2020118881.tif 000004
【図３Ａ】
2020118881.tif 000005
【図３Ｂ】
2020118881.tif 000006
【図３Ｃ】
2020118881.tif 000007
【図３Ｄ】
2020118881.tif 000008
【図３Ｅ】
2020118881.tif 000009
【図４】
2020118881.tif 000010
【図５Ａ】
2020118881.tif 000011
【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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