(57)【要約】【課題】加工により部品を得る際に、この加工により生じる半導体基板の反りに起因した問題点を的確に抑制または防止された粘着テープを提供すること。【解決手段】粘着テープ２００は、基材８２と、この基材８２の一方の面に積層された粘着層８１とを備え、粘着層８１上に、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定する際に用いられるものであり、粘着層８１は、粘着性を有するベース樹脂と、タッキファイヤーとを含有し、粘着テープ２００を、ミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときのミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に当該粘着テープを幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、当該粘着テープの下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際のＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、
前記粘着層上に、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定する際に用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、タッキファイヤーとを含有し、当該粘着テープを、ミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときの前記ミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に当該粘着テープを幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、当該粘着テープの下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを特徴する粘着テープ。
【請求項２】
前記タッキファイヤーは、ロジン系タッキファイヤーである請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
前記ロジン系タッキファイヤーは、前記粘着層における含有量が前記ベース樹脂１００重量部に対して０．５重量部以上２０重量部以下である請求項２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
前記粘着層は、その厚さが１μｍ以上７０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項５】
前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いる粘着テープに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの小型化・大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法としては、複数の半導体素子が作り込まれた半導体用ウエハをダイシングすることにより、複数の半導体素子に切断分離（個片化）し、次いで、得られた半導体素子を、金属リードフレームあるいは基板に接合した後、さらに、モールド樹脂により封止することで、半導体装置が製造される。
【０００４】
ここで、半導体素子ひいては半導体装置およびＩＣパッケージの小型化を実現することを目的に、半導体用ウエハの半導体素子が作り込まれた表面と反対側の裏面を研削・研磨することで、得られる半導体素子の薄型化が行われている。
【０００５】
半導体用ウエハの裏面に研削・研磨の加工を行うには、半導体用ウエハを支持するための基材上に半導体用ウエハを、表面側で、一時的に仮固定する必要があり、そのための方法として、例えば、基材としてのＰＥＴフィルムに粘着層を設けた仮固定用テープ上に、半導体用ウエハを固定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この粘着テープは、半導体用ウエハを研削・研磨する研削・研磨工程の後に、半導体用ウエハから剥離して用いられるが、前記研削・研磨工程において、半導体用ウエハに生じる反りに起因する割れやクラックが半導体用ウエハに発生し、その結果、製造される半導体装置の歩留まりが低下するという問題があった。
【０００７】
なお、このような反りに起因する問題は、上記のように、半導体用ウエハの加工面を研削して半導体用ウエハの厚さを薄くする加工を施す場合に限らず、例えば、半導体ウエハや半導体基板を、その厚さ方向に切断することで個片化して、複数の半導体チップを得る加工を施す場合等の部品の加工の際についても同様に生じている。また、半導体ウエハや半導体基板の他、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板の加工の際についても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＷＯ２００９／２８０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、加工により部品を得る際に、この加工により生じる基板の反りに起因した問題点を的確に抑制または防止された粘着テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記（１）〜（５）に記載の本発明により達成される。
（１）  基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層とを備え、
前記粘着層上に、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定する際に用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、タッキファイヤーとを含有し、当該粘着テープを、ミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときの前記ミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に当該粘着テープを幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、当該粘着テープの下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを特徴する粘着テープ。
【００１１】
（２）  前記タッキファイヤーは、ロジン系タッキファイヤーである上記（１）に記載の粘着テープ。
【００１２】
（３）  前記ロジン系タッキファイヤーは、前記粘着層における含有量が前記ベース樹脂１００重量部に対して０．５重量部以上２０重量部以下である上記（２）に記載の粘着テープ。
【００１３】
（４）  前記粘着層は、その厚さが１μｍ以上７０μｍ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１４】
（５）  前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ミラーウエハに対する前記粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつ前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを満足していることから、加工により得られた部品を粘着テープにより粘り強く固定することができる。そのため、例えば、基板としての半導体基板を加工することで半導体素子のような部品を得る際に、半導体基板に反りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。その結果、半導体基板の反りに起因して、半導体基板のダイシング時に個片化した半導体チップがチップ飛びすること等の部品の加工の際の問題点を的確に抑制または防止することができる。
【００１６】
さらに、この加工の後に、粘着テープを、加工により得られた半導体素子すなわち部品から、粘着層の残存を的確に抑制または防止した状態で、剥離させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００１９】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
半導体装置１０は、図１に示すように、電極パッド２６（バンプ）を備える半導体素子２０と、半導体素子２０の上面側を封止する封止部２７（モールド部）と、半導体素子２０の下面を被覆し、かつ半導体素子２０が備える電極パッド２６を露出させるように設けられた、開口部２５１を備えるインターポーザー２５（基板）と、開口部２５１を埋め、かつインターポーザー２５の一部を覆うことで電極パッド２６に電気的に接続された配線２３と、配線２３に電気的に接続されたバンプ（端子）２１と、配線２３を被覆し、かつバンプ２１を露出させるように設けられた被覆部２２とを有している。
【００２１】
半導体素子２０（半導体チップ）は、電極パッド２６をその下面側に有しており、この電極パッド２６に対応してインターポーザー２５が備える開口部２５１が配置されるように、インターポーザー２５が半導体素子２０の下面に接して形成されている。
【００２２】
かかる位置に半導体素子２０に対してインターポーザー２５が配置された状態で、封止部２７は、半導体素子２０およびインターポーザー２５の上面側をほぼ全て覆うように形成される。
【００２３】
インターポーザー２５は、半導体素子２０の下面側に配置された基板であり、その平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされ、平面視において半導体素子２０を包含するように半導体素子２０に対して大きく形成され、これにより、インターポーザー２５を覆うように形成される配線２３、ひいては、この配線２３に電気的に接続して設けられるバンプ２１を形成する位置の選択性の幅が広がる。このインターポーザー２５には、半導体素子２０が備える電極パッド２６に対応して、その厚さ方向に貫通する複数（本実施形態では３つ）の開口部（スルーホール）２５１が形成されている。
【００２４】
また、インターポーザー２５の下面には、所定形状に形成された配線２３が開口部２５１を埋めるように設けられ、この配線２３が開口部２５１における上側の端部で、電極パッド２６と電気的に接続される。
【００２５】
さらに、配線２３の下面には、バンプ２１が電気的に接続されており、これにより、半導体素子２０とバンプ２１とが、電極パッド２６および配線２３を介して電気的に接続される。
【００２６】
そして、バンプ２１をその下側から露出させるための開口部２２１を備える被覆部２２が配線２３を被覆するように設けられている。
【００２７】
なお、上述した半導体装置１０が備える各部のうち、配線２３、被覆部２２およびバンプ２１により半導体素子２０に電気的に接続された配線層が構成される。
【００２８】
かかる構成の半導体装置１０は、例えば、本発明の粘着テープを用いて、例えば、以下のようにして製造される。
【００２９】
＜半導体装置の製造方法＞
図２〜図４は、図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３０】
［１Ａ］まず、複数の半導体素子２０が作り込まれた半導体用ウエハ７、および、基材８２と、基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを有する粘着テープ２００（本発明の粘着テープ）を用意し、半導体用ウエハ７の表面７１（保護面）に、粘着テープ２００の粘着層８１を表面７１側にして、粘着テープ２００を押圧することで、積層（貼付）する（図２（ａ）参照）。
すなわち、半導体用ウエハ７を粘着テープ２００で仮固定する。
【００３１】
なお、本工程では、半導体用ウエハ７への粘着テープ２００の仮固定に先立って、粘着テープ２００を少なくとも一方向に伸ばす伸長力を粘着テープ２００に付与し、その後、半導体用ウエハ７に粘着テープ２００が仮固定される。この場合、粘着テープ２００に伸長力を付与する方向は、粘着テープ２００が半導体用ウエハ７の形状に対応して円盤状をなす場合、粘着テープ２００の中心から放射線状をなす方向であってもよいし、粘着テープ２００の中心を通る一方向であってもよい。さらに、粘着テープ２００の平面形状が長方形のシート状をなす場合、長手方向および短手方向のうちの何れか一方または双方であってもよい。
【００３２】
また、複数の半導体素子２０は、半導体用ウエハ７の表面７１側に作り込まれ、半導体素子２０が備える電極パッド２６（図２、図３中には示さず）が表面７１側に位置し、半導体用ウエハ７は、この電極パッド２６に起因する複数の凹凸（突起物）を、表面７１に備えている。
【００３３】
［２Ａ］次に、半導体用ウエハ７の表面７１とは反対側の裏面（加工面）７２を、表面７１側に粘着テープ２００（本発明の粘着テープ）を貼付した状態で、研削または研磨（バックグラインド）する（研削・研磨工程、図２（ｃ）参照）。
【００３４】
この半導体用ウエハ７の裏面７２の研削・研磨は、図２（ｂ）に示すように、例えば、研削装置（グラインダー）を用いて行うことができる。
【００３５】
かかる裏面７２の研削・研磨により、半導体用ウエハ７の厚さは、半導体装置１０が適用される電子機器によっても異なるが、好ましくは５０μｍ以上６００μｍ以下程度に設定され、より好ましくは５０μｍ以上２００μｍ以下程度に設定される。これにより、得られる半導体素子２０の薄型化が行われ、かかる半導体素子２０を備える半導体装置１０さらにはＩＣパッケージの小型化が実現される。
【００３６】
ここで、本工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨する際に、本発明では、粘着テープ２００を、半導体基板としてのミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときのミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に粘着テープ２００を幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、この粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを満足していることから、半導体用ウエハ７を粘着テープ２００により粘り強く固定することができる。そのため、半導体用ウエハ７が研削・研磨されることによる薄厚化により、半導体用ウエハ７に反りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、半導体用ウエハ７に反りが生じることに起因する、半導体用ウエハ７における割れやクラック等の発生を的確に抑制または防止することができるが、粘着テープの詳細な説明は後に行うこととする。
【００３７】
［３Ａ］次に、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する粘着テープ１００（本発明の粘着テープ）を用意し、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２において、裏面７２（粘着テープ２００が積層されている表面７１と反対側の面）を、粘着層２の上に置き、軽く押圧することで、半導体用ウエハ７を積層（貼付）する（図２（ｄ）参照）。
【００３８】
なお、粘着テープ１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
【００３９】
［４Ａ］次に、粘着層８１に基材８２を介してエネルギー線を照射して、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着力を低下させることで、図２（ｅ）に示すように、半導体用ウエハ７から粘着テープ２００を剥離する。
すなわち、半導体用ウエハ７の粘着テープ２００への仮固定の状態を解除する。
【００４０】
なお、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層８１の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
【００４１】
［５Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化する（図３（ａ）参照）。
【００４２】
これにより、部品（電子部品）としての半導体素子２０が、粘着テープ１００上で、粘着層２に粘着した状態で形成される。
【００４３】
また、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図３（ａ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハ７の個片化を確実に実施することができる。
【００４４】
ここで、本工程［５Ａ］において、半導体用ウエハ７を切断して個片化する際に、本発明では、粘着テープ１００を、半導体基板としてのミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときのミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に粘着テープ２００を幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、この粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを満足していることから、半導体用ウエハ７を粘着テープ２００により粘り強く固定することができる。そのため、前記工程＜２Ａ＞において、研削・研磨されることによる薄厚化された半導体用ウエハ７に反りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。そのため、本工程［５Ａ］において、半導体用ウエハ７を切断して個片化する際に、半導体用ウエハ７に反りが生じることに起因して、個片化することで得られる半導体素子２０（半導体チップ）のチップ飛びが生じるのを的確に抑制または防止することができるが、粘着テープの詳細な説明は後に行うこととする。
【００４５】
［６Ａ］次に、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体素子２０（個片化された半導体用ウエハ７）に対する粘着性を低下させる。
これにより、粘着層２と半導体素子２０との間で剥離が生じる状態とする。
【００４６】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられる。
【００４７】
また、エネルギー線としては、前記工程［４Ａ］で説明したのと同様のものが挙げられる。
【００４８】
［７Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、半導体素子２０（個片化された半導体用ウエハ７）を一定の間隔に開き（図３（ｂ）参照）、その後、この半導体素子２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（図３（ｃ）参照）。
【００４９】
［８Ａ］次に、半導体素子２０が備える電極パッド２６に対応する位置に、予め開口部２５１が形成されたインターポーザー２５（基板）上に、ピックアップした半導体素子２０を配置する（図４（ａ）参照）。
【００５０】
このインターポーザー２５としては、特に限定されないが、例えば、コア材で構成されるコア基板、ビルドアップ材で構成されるビルドアップ基板のようなリジット基板（硬性基板）またはフレキシブル基板（可撓性基板）が用いられる。
【００５１】
［９Ａ］次に、インターポーザー２５の上面、すなわち半導体素子２０が配置されている側の面に、インターポーザー２５と半導体素子２０とを覆うように封止部２７を形成する（図４（ｂ）参照）。
【００５２】
封止部２７を形成する方法としては、特に限定されないが、例えば、金型が備える凹部内に顆粒状のエポキシ樹脂組成物を収納した状態で、インターポーザー２５、半導体素子２０を覆うようにインターポーザー２５の上面を、このエポキシ樹脂組成物に接触させた後、金型を用いてエポキシ樹脂組成物を加熱・圧縮成形する方法（コンプレッションモールド成形方法）が挙げられる。
【００５３】
［１０Ａ］次に、インターポーザー２５の半導体素子２０とは反対の面側に、開口部２５１で露出する電極パッド２６に電気的に接続するように、所定形状にパターニングされた配線２３を、開口部２５１を埋めて電極パッド２６に接続した状態で形成する（図４（ｃ）参照）。
この配線２３は、例えば、各種メッキ法を用いて形成することができる。
【００５４】
［１１Ａ］次に、インターポーザー２５の半導体素子２０とは反対の面側に、配線２３の一部が露出するように、開口部２２１を備える被覆部２２を形成する（図４（ｄ）参照）。
【００５５】
なお、この開口部２２１は、次工程［１２Ａ］において、バンプ２１を形成する位置に対応するように形成される。
【００５６】
この被覆部２２の形成は、例えば、感光性を有する絶縁性材料を含有する液状材料（ワニス）を、塗布法等を用いてインターポーザー２５の半導体素子２０とは反対の面側に供給し、次いで、形成すべき開口部２２１の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液（エッチング液）で開口部２２１とすべき領域を除去することにより行うことができる。
【００５７】
［１２Ａ］次に、開口部２２１から露出する配線２３に電気的に接続するようにバンプ２１を形成する（図４（ｅ）参照）。
【００５８】
ここで、本実施形態のように、電極パッド２６とバンプ２１との接続を、配線２３を介して行う構成とすることにより、バンプ２１を、インターポーザー２５の面方向において、開口部２５１とは異なる位置に配置することができる。換言すれば、バンプ２１と開口部２５１との中心部が重ならないように、これらを配置することができる。したがって、得られる半導体装置１０における下面の所望の位置にバンプ２１を形成することができる。
【００５９】
このバンプ２１を配線２３に接合する方法としては、特に限定されないが、例えば、バンプ２１と配線２３との間に、粘性を有するフラックスを介在させることにより行われる。
【００６０】
また、バンプ２１の構成材料としては、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材等が挙げられる。
以上のような工程を経ることで、半導体装置１０が製造される。
【００６１】
以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる粘着テープ１００および粘着テープ２００（本発明の粘着テープ）について説明する。
【００６２】
なお、粘着テープ１００と粘着テープ２００とは、同一の構成をなすものを用いることができるため、以下では、粘着テープ２００、すなわち、本発明の粘着テープをバックグラインドテープに適用した場合を一例に説明する。
【００６３】
＜粘着テープ＞
図５は、本発明の粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６４】
粘着テープ２００は、基材８２と、この基材８２の上面（一方の面）に積層された粘着層８１とを備える積層体により構成されるものであり、粘着層８１は、粘着性を有するベース樹脂と、タッキファイヤーとを含有し、この粘着テープ２００を、半導体基板としてのミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときのミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に粘着テープ２００を幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、この粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを満足している。
【００６５】
これにより、半導体用ウエハ７が粘着テープ２００で粘り強く固定されていると言うことができる。したがって、前記工程［２Ａ］における、半導体用ウエハ７の研削・研磨の際に、半導体用ウエハ７に反りが生じるのを的確に抑制または防止した状態で、半導体用ウエハ７を粘着テープ２００で固定することができる。そのため、半導体用ウエハ７の反りが生じるのに起因して、半導体用ウエハ７に割れやクラックが発生するのを的確に抑制または防止することができる。
【００６６】
さらに、ミラーウエハに対する粘着力が前記範囲内に設定されているため、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ２００の剥離の際に、粘着テープ２００を、半導体用ウエハ７から、半導体用ウエハ７に対する粘着層８１の残存を的確に抑制または防止した状態で、剥離させることができる。
【００６７】
以上のことから、半導体用ウエハ７に割れやクラックが発生するのが的確に抑制または防止された状態で、薄厚化された半導体用ウエハ７を粘着テープ２００から剥離させることができる。
【００６８】
以下、このような粘着テープ２００（ダイシングテープ）が有する、基材８２および粘着層８１について、詳述する。
【００６９】
＜基材８２＞
基材８２は、主として樹脂材料から成り、この基材８２上に設けられた粘着層８１を支持する機能を有している。
【００７０】
かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリイソブチレン等のポリオレフィン系樹脂（オレフィン系高分子）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン系高分子）、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー（オレフィン系高分子）、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられ、中でも、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、アイオノマー、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物であることが好ましく、特に、エステル類高分子、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いることが好ましい。
【００７１】
また、上記のうちエラストマーとしては、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと、下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体（スチレン−イソプレンブロック共重合体：ＳＩＳ）が好ましい。
【００７２】
【化１】
2020164786.tif 000003
（一般式（１）中、ｎは２以上の整数を表す。）
【００７３】
【化２】
2020164786.tif 000004
（一般式（２）中、ｎは２以上の整数を表す。）
【００７４】
また、基材８２は、導電性を有する導電性材料を含有してもよい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記研削・研磨工程［２Ａ］における、半導体用ウエハ７での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。
【００７５】
この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７６】
これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。
【００７７】
永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。
【００７８】
また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。
【００７９】
金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。
【００８０】
さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。
【００８１】
これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記研削・研磨工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨する際に、基材８２が加熱されたとしても、その表面抵抗値の変化量を小さくすることができる。
【００８２】
さらに、基材８２は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。
【００８３】
基材８２の厚さは、特に限定されないが、例えば、３０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、５０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材８２の厚さがこの範囲内であると、前記研削・研磨工程［２Ａ］における半導体用ウエハ７の研削・研磨を優れた作業性により実施することができる。
【００８４】
さらに、基材８２は、その表面に、粘着層８１に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。
【００８５】
また、基材８２は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。
【００８６】
＜粘着層＞
粘着層８１は、前記研削・研磨工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨する際に、半導体用ウエハ７と粘着層８１（粘着テープ２００）との間で剥離を生じさせることなく、半導体用ウエハ７を粘り強く粘着して支持し、かつ、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線の照射の後に、半導体用ウエハ７と粘着層８１との間で剥離し得る程度の粘着性を有するものであり、具体的には、ミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときの前記ミラーウエハに対する粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であり、かつ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に粘着テープ２００を幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下となっている。
【００８７】
かかる機能を備える粘着層８１は、本発明では、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）タッキファイヤーとを含有する樹脂組成物で構成される。
以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
【００８８】
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体用ウエハ７（半導体素子２０）に対する粘着性を粘着層８１に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
【００８９】
このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。
【００９０】
アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。
【００９１】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。
【００９２】
なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。
【００９３】
また、このアクリル系樹脂は、そのガラス転移点が２０℃以下であることが好ましい。これにより、粘着層８１に優れた粘着性を発揮させることができる。
【００９４】
アクリル系樹脂は、前記研削・研磨工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７を研削・研磨する際に、アクリル系樹脂による半導体用ウエハ７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは５０万〜５００万に設定され、さらに好ましくは８０万〜３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体用ウエハ７等に対する汚染防止性が低下し、半導体用ウエハ７を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。
【００９５】
（２）タッキファイヤー
タッキファイヤーは、ベース樹脂を構成する高分子同士の間に、凝集体を形成して介在することで、粘着層８１の高弾性率化を図り、これにより、粘着テープ２００を、ミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときの前記ミラーウエハに対する粘着力を１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下に設定し、かつ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に粘着テープ２００を幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量を０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定するためのものである。
【００９６】
このようなタッキファイヤーとしては、例えば、ロジン系タッキファイヤー、テルペン系タッキファイヤー、石油樹脂系タッキファイヤーが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、中でも、ロジン系タッキファイヤーであることが好ましい。ロジン系タッキファイヤーを用いることで、前記粘着力および前記テープずれ量を比較的容易に、前記範囲内に設定することができる。
【００９７】
ロジン系タッキファイヤーとしては、例えば、松ヤニや松根油中のアビエチン酸を主成分とするロジン酸とグリセリンやペンタエリスリトールとのエステル、および、これらの水添物等が挙げられ、具体的には、ガムロジン、トール油ロジン、ウッドロジン、水素添加ロジン、重合ロジン、変性ロジンおよびロジンエステル等が挙げられる。これらの中でも、重合ロジンエステル系タッキファイヤーであることが好ましい。
【００９８】
なお、テルペン系タッキファイヤーとしては、例えば、松に含まれるテルペン油やオレンジの皮等に含まれる天然のテルペンを、重合したものが挙げられ、具体的には、テルペン樹脂、芳香族変性テルペン樹脂および水素添加テルペン樹脂等が挙げられる。
【００９９】
また、石油樹脂系タッキファイヤーとしては、例えば、石油を原料とした脂肪族、脂環族、芳香族系の樹脂等が挙げられ、具体的には、Ｃ５系石油樹脂、Ｃ９系石油樹脂、共重合系石油樹脂、脂環族飽和炭化水素樹脂およびスチレン系石油樹脂等が挙げられる。
【０１００】
タッキファイヤーは、ロジン系タッキファイヤーを用いる場合、ベース樹脂１００重量部に対して０．５重量部以上２０重量部以下で配合されることが好ましく、１．５重量部以上１６重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のようにタッキファイヤーの配合量を調整することによって、前記粘着力および前記テープずれ量を比較的容易に、前記範囲内に設定することができる。
【０１０１】
（３）エネルギー線重合性化合物
また、樹脂組成物には、エネルギー線の照射により重合し、その結果、硬化する硬化性を備えるエネルギー線重合性化合物が含まれていることが好ましい。このエネルギー線重合性化合物の硬化によってベース樹脂がエネルギー線重合性化合物の架橋構造に取り込まれ、その結果、粘着層８１の粘着力が低下する。そのため、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線の照射により、半導体用ウエハ７と粘着層８１との間の粘着力を、これら同士の間で、剥離し得る程度の大きさに、比較的容易に設定することができる。
【０１０２】
このようなエネルギー線重合性化合物としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。
【０１０３】
具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル）２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射によりエネルギー線重合性化合物をより確実に硬化させることができる。
【０１０４】
なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。
【０１０５】
エネルギー線重合性化合物は、その重量平均分子量が１００以上１００００以下程度であることが好ましく、２００以上５０００以下程度であることがより好ましい。さらに、エネルギー線重合性化合物の官能基数は、１官能基以上１０官能基以下程度であることが好ましく、２官能基以上６官能基以下程度であることがより好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【０１０６】
また、エネルギー線重合性化合物は、粘着層８１（樹脂組成物）において、３０ｗｔ％以上６０ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、３５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、４２．４ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。
【０１０７】
上記のようにエネルギー線重合性化合物の配合量を調整することにより、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、より優れた精度で実施することができるようになる。
【０１０８】
なお、このエネルギー線重合性化合物は、前述したベース樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略することができる。これは、ベース樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層８１が硬化し、これにより、粘着層８１の粘着力が低下することによる。
【０１０９】
（４）エネルギー線重合開始剤
さらに、樹脂組成物には、樹脂組成物にエネルギー線重合性化合物が含まれ、このエネルギー線重合性化合物がエネルギー線として紫外線等により硬化するものである場合、樹脂組成物には、エネルギー線重合性化合物の重合開始を容易とするためにエネルギー線重合開始剤（光重合開始剤）を含有することが好ましい。
【０１１０】
エネルギー線重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１１】
また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を生成するものを備えるものであり、この反応性官能基を介して、アクリル系共重合体やエネルギー線重合性化合物に連結することができ、エネルギー線重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。
【０１１２】
また、エネルギー線重合開始剤は、粘着層８１（樹脂組成物）において、１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下で配合されることが好ましく、１．５ｗｔ％以上４．５ｗｔ％以下で配合されることがより好ましく、２．８ｗｔ％で配合されることがさらに好ましい。
【０１１３】
上記のようにエネルギー線重合開始剤の配合量を調整することにより、前記工程［４Ａ］における、粘着テープ２００の半導体用ウエハ７からの剥離を、半導体用ウエハ７の表面７１に形成されている電極パッド２６（突起物）に、粘着層８１が残存することなく、優れた精度で実施することができるようになる。
【０１１４】
（５）架橋剤
さらに、樹脂組成物には、ベース樹脂の種類に応じて、ベース樹脂と反応性を有する架橋剤が含まれていることが好ましい。ベース樹脂と架橋剤との間で架橋構造を形成することで、粘着層８１の高弾性率化を図ることができる。そのため、かかる架橋構造を形成によっても、前記粘着力を、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下の範囲内に設定し、かつ、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に粘着テープ２００を幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量を０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。
【０１１５】
架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもエポキシ系架橋剤またはイソシアネート系架橋剤が好ましい。
【０１１６】
イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
【０１１７】
また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。
【０１１８】
エポキシ系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ、エビクロルヒドリン型のエポキシ系樹脂、エチレングリコールグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールグリシジルエーテル、グリセリングリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ジグリシジルアニリン、ジグリシジルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン等が挙げられる。
【０１１９】
また、架橋剤は、イソシアネート系架橋剤を用いる場合、ベース樹脂１００重量部に対して０．９重量部以上５．０重量部以下で配合されることが好ましく、０．９５重量部以上３．０重量部以下で配合されることがより好ましい。さらに、エポキシ系架橋剤を用いる場合、ベース樹脂１００重量部に対して０．０２重量部以上０．２重量部以下で配合されることが好ましく、０．０３重量部以上０．１５重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように、架橋剤の種類に応じて、架橋剤の配合量を調整することによって、前記粘着力および前記テープずれ量を比較的容易に、前記範囲内に設定することができる。
【０１２０】
（６）導電性材料（帯電防止剤）
さらに、粘着層８１を構成する樹脂組成物には、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記研削・研磨工程［２Ａ］における、半導体用ウエハ７での静電気の発生が的確に抑制または防止される。
【０１２１】
この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材８２に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。
【０１２２】
なお、基材８２および粘着層８１のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材８２に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体用ウエハ７に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体用ウエハ７での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。
【０１２３】
（７）その他の成分
さらに、粘着層８１を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（６）の他に他の成分として、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。
【０１２４】
また、粘着層８１の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上７０μm以下であるのが好ましく、５μｍ以上６０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層８１の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層８１を、前記研削・研磨工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記剥離工程［４Ａ］において、エネルギー線の照射の後に、粘着層８１と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるもの、すなわち、前記粘着力を１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下の範囲内、さらには、前記テープずれ量を０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の範囲内に設定することができる。
【０１２５】
なお、粘着層８１は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。
【０１２６】
ここで、粘着テープ２００を、半導体基板としてのミラーウエハから１８０°の方向に引き剥がしたときのミラーウエハに対する粘着力は、１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であればよいが、１２００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。前記粘着力をかかる範囲内に設定することにより、前記研削・研磨工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７に反りが生じるのを的確に抑制または防止した状態で、半導体用ウエハ７を粘着テープ２００で固定することができるとともに、前記工程［４Ａ］において、半導体素子２０に対して、粘着層８１をより確実に残存させることなく、剥離させることができる。
【０１２７】
なお、本明細書中において、ミラーウエハとは、ポリッシング等により両面が鏡面とされたシリコン基板のことを言う。
【０１２８】
さらに、粘着テープ２００を、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下でＳＵＳ板に幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼り付け、この粘着テープ２００の下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した際の前記ＳＵＳ板からのテープずれ量は、０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよいが、０ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であることが好ましい。前記テープずれ量をかかる範囲内に設定することにより、前記研削・研磨工程［２Ａ］において、半導体用ウエハ７に反りが生じるのを的確に抑制または防止した状態で、半導体用ウエハ７の研削・研磨をより優れた精度で実施することができる。
【０１２９】
なお、本明細書中において、ＳＵＳ板とは、ＳＵＳ３０４で構成される基板のことを言う。
【０１３０】
なお、本実施形態では、本発明の粘着テープを、半導体用ウエハ７の加工面を研削・研磨して半導体用ウエハ７の厚さを薄くする研削・研磨工程に適用する場合について説明したが、この場合に限定されず、前述の通り、例えば、半導体用ウエハ７を、その厚さ方向に切断して、半導体用ウエハ７を個片化することで、複数の半導体素子２０（半導体チップ）を得る前記工程［５Ａ］すなわち個片化工程にも適用することができる。この場合、半導体用ウエハ７に反りが生じるのを的確に抑制または防止することができるため、基板としての半導体用ウエハ７を切断して個片化する際に、半導体用ウエハ７に反りが生じることに起因して、個片化することで得られる半導体素子２０（半導体チップ）のチップ飛びが生じるのを的確に抑制または防止することができる。さらに、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板の加工の際にも、各種基板に反りが生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【０１３１】
以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１３２】
例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。
【０１３３】
また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【実施例】
【０１３４】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１３５】
１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。
【０１３６】
（樹脂材料１）
樹脂材料１として、ポリプロピレン６０重量部と、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体（ＳＩＳ）４０重量部とを含有するものを用意した。
【０１３７】
【化３】
2020164786.tif 000005
（式（１）中、ｎは２以上の整数）
【０１３８】
【化４】
2020164786.tif 000006
（式（２）中、ｎは２以上の整数）
【０１３９】
（ベース樹脂１〜３）
ベース樹脂１〜３として、アクリル酸ブチル、アクリル酸、メタクリル酸ブチル、２−エチルヘキシルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドのうちの少なくとも２種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。
【０１４０】
なお、ベース樹脂（アクリル共重合体）１〜３における、ガラス転移点および重量平均分子量は、それぞれ、以下に示す通りであった。
【０１４１】
ベース樹脂１（ガラス転移点：−４５℃、重量平均分子量：９０万）
ベース樹脂２（ガラス転移点：−２５℃、重量平均分子量：５０万）
ベース樹脂３（ガラス転移点：−４５℃、重量平均分子量：５０万）
【０１４２】
（架橋剤１）
架橋剤１として、エポキシ系架橋剤であるテトラッドC（三菱瓦斯化学社製、品番：テトラッドC）を用意した。
【０１４３】
（架橋剤２）
架橋剤２として、イソシアネート系架橋剤であるポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業社製、品番：コロネートＬ）を用意した。
【０１４４】
（タッキファイヤー１）
タッキファイヤー１として、ロジン系タッキファイヤー（ハリマ化成社製、品番：ハリタックPCＪ）を用意した。
【０１４５】
２．粘着テープの作製
［実施例１］
樹脂材料１（８５重量部）と導電性材料１（１５重量部）とを２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚さ７５μｍの基材８２を作製した。
【０１４６】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して０．０４重量部）、およびタッキファイヤー１（ベース樹脂１００重量部に対して８．６重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層８１の厚さが２５μｍになるようにして基材８２にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材８２の上面（一方の面）に粘着層８１を形成することで、実施例１の粘着テープを製造した。
【０１４７】
［実施例２〜４、比較例１〜５］
樹脂組成物中に含まれるベース樹脂、架橋剤およびタッキファイヤーの種類ならびに添加量を、表１に示すように変更した以外は、前記実施例１と同様にして、実施例２〜４、比較例１〜５の粘着テープを得た。
【０１４８】
３．評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。
【０１４９】
３−１．粘着層の粘着力の評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、粘着テープを、２３℃下で、ミラーウエハ（ＳＵＭＣＯ社製）に貼付した後、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、ミラーウェハから１８０°の方向に引き剥がしたときの前記ミラーウェハに対する粘着力を測定した。
【０１５０】
３−２．粘着層のテープずれ量の評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、粘着テープを、ＳＵＳ板（ＳＵＳ３０４）に幅２５ｍｍおよび長さ２５ｍｍの面積で貼付した後、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して、２３℃下で、前記粘着テープの下端に２ｋｇ荷重をかけて３時間静置した。そして、この際のＳＵＳ板からのテープずれ量を測定した。
【０１５１】
３−３．反り量の評価
長方形状をなす縦２０ｍｍ×横１００ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのアルミニウム板を用意し、屈曲幅が２０ｍｍとなるように屈曲させ、２３℃下で２４時間放置した。各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、縦６０ｍｍ×横１１０ｍｍに切り出し、粘着面にアルミニウム板を貼り付けた。その後、ポリカーボネート板の上面に両面テープを貼り付け、両面テープの離型フィルムを剥がして粘着面を露出させた。その後、両面テープの粘着面に、アルミニウム板を貼り付けた粘着テープの基材面を貼り付けた際に、粘着テープの粘着面とアルミニウム板とに形成される空隙の最大高さである反り量Ｔについて、それぞれ、下記に示す評価基準に基づいて評価した。
【０１５２】
［評価基準］
◎：反り量Ｔの大きさが０．５ｍｍ未満
〇：反り量Ｔの大きさが０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満
×：反り量Ｔの大きさが１ｍｍ以上
【０１５３】
３−４．糊残りの評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、４ｉｎｃｈ×厚さ５００μｍの、シリコンで構成されるミラーウエハを、粘着層に接触させて貼付した。そして、２３℃下で３時間放置した後、ミラーウエハから、粘着テープを引き剥がし、その後、ミラーウエハ表面への糊残りの有無について、下記に示す評価基準に基づいて評価した。
【０１５４】
［評価基準］
○：粘着層が残存すること無く、剥離することができる
×：貼り付け箇所に粘着層が残存する
以上の評価結果を、表１に示す。
【０１５５】
【表１】
2020164786.tif 000007
【０１５６】
表１から明らかなように、各実施例の粘着テープでは、前記粘着力が１０００ｃＮ／２５ｍｍ以上２１００ｃＮ／２５ｍｍ以下に設定され、さらに、前記テープずれ量が０ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されることで、アルミニウム板に反りが生じるのが抑制されている結果を示した。さらに、前記粘着力および前記テープずれ量が前記範囲内に設定されることにより、個片化チップに対して粘着層が残存するのが抑制されている結果を示した。したがって、半導体ウエハのバックグラインドの際に、半導体ウエハに割れやクラックが発生したり、半導体基板の厚さ方向に対する切断の際に、個片化された個片化チップの飛びが生じるのを抑制することができると推察される結果が得られた。
【０１５７】
これに対して、各比較例の粘着テープでは、前記粘着力および前記テープずれ量のうちの少なくとも一方を前記範囲内に設定することができず、これに起因して、アルミニウム板に反りが生じる結果を示した。さらに、前記粘着力および前記テープずれ量のうちの少なくとも一方が前記範囲内に設定されないことに起因して、ミラーウエハに対して粘着層が残存する傾向を示す結果が得られた。
【符号の説明】
【０１５８】
２              粘着層
４              基材
７              半導体用ウエハ
９              ウエハリング
１０            半導体装置
２０            半導体素子
２１            バンプ
２２            被覆部
２３            配線
２５            インターポーザー
２６            電極パッド
２７            封止部
７１            表面
７２            裏面
８１            粘着層
８２            基材
１００          粘着テープ
１２１          外周部
１２２          中心部
２００          粘着テープ
２２１          開口部
２５１          開口部
【図１】
2020164786.tif 000008
【図２】
2020164786.tif 000009
【図３】
2020164786.tif 000010
【図４】
2020164786.tif 000011
【図５】
2020164786.tif 000012