(57)【要約】【課題】配線の微細化とファインピッチ化に伴う絶縁性の低下を回避し、ビアホールの微細化に対応可能な半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】配線層２と絶縁層１が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板において、配線層は、同じ配線層の隣接する配線においては、いずれか一方または両方の配線と絶縁層との間に空隙５が形成されており、絶縁層は、感光性絶縁樹脂を光硬化させた樹脂層であり、ビアはフォトビアであることを特徴とする多層半導体パッケージ基板。【選択図】図４
2020202342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板において、
配線層は、同じ配線層の隣接する配線において、少なくともいずれか一方の配線と絶縁層との間の少なくとも一部に空隙が形成されており、
絶縁層は、感光性絶縁樹脂を光硬化させた樹脂層であることを特徴とする多層半導体パッケージ基板。
【請求項２】
配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板において、
配線層は、
隣接する上層の配線層と下層の配線層の配線において、上層の配線層と下層の配線層の対向する面の少なくともいずれか一方の面と絶縁層との間の少なくとも一部に空隙が形成されており、
絶縁層は、感光性絶縁樹脂を光硬化させた樹脂層であり、
ビアは、フォトビアであることを特徴とする多層半導体パッケージ基板。
【請求項３】
前記配線層は銅からなることを特徴とする請求項１または２に記載の多層半導体パッケージ基板。
【請求項４】
前記空隙に面する前記配線層の表面には少なくとも酸化銅被膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の多層半導体パッケージ基板。
【請求項５】
前記感光性絶縁樹脂の感光剤がナフトキノンジアジドと光ラジカル発生剤と光塩基発生剤から選ばれるいずれか１つ以上を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層半導体パッケージ基板。
【請求項６】
銅配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたフォトビアを介して上層と下層の銅配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板の製造方法であって、
絶縁層によって絶縁された一対の、銅配線層間または銅配線間に、高温高湿環境下で電圧を印加することにより、陽極側の銅配線層または銅配線の周囲に水酸化銅被膜を形成する工程と、
水酸化銅被膜が形成された基板を加熱乾燥することにより、水酸化銅被膜を酸化銅被膜に変化させる工程と、を備えていることを特徴とする多層半導体パッケージ基板の製造方法。
【請求項７】
前記電圧印加時の電圧が１．３Ｖ以上であり、前記加熱乾燥時の基板の温度が６０℃〜９０℃である、そのいずれか一方または両方の処理条件を適用することを特徴とする請求項６に記載の多層半導体パッケージ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層半導体パッケージ基板に関し、特に高密度化、微細化および多層化された配線を有する多層半導体パッケージ基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体素子は、更なる高集積化、高密度化の傾向にあり、それに伴い、半導体素子に設けられる入出力用のピンについては、更なる多ピン化、ファインピッチ化の傾向にある。例えば、半導体素子を搭載するための多層半導体パッケージ基板については、このような多ピン化およびファインピッチ化に対応すべく、かつ、半導体素子の電気的特性の向上を図るべく、配線の更なる高密度化、微細化および多層化が強く求められている。
【０００３】
半導体素子を搭載するための多層半導体パッケージ基板の積層構造は、主として、パターン化された複数の配線層と、各配線層を電気的に隔絶するための複数の絶縁層と、所定の配線層を電気的に接続するための絶縁層を貫通する複数のビアによって構成されている。
【０００４】
これらのビアの形成には、紫外線レーザ（例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ）、炭酸ガスレーザなどを照射してビアホールを形成する方法（特許文献１）が用いられているが、近年における多層半導体パッケージ基板の高性能化に応じるため、より微細なビアホールを安定して形成することが求められている。このようなことから、絶縁層に感光性絶縁樹脂を用いてフォトリソグラフィによりビアホールを形成する方法（特許文献２）が提案されている。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、微細なビアホールを安定して形成することが困難であり、今後の更なるファインピッチ化などへの対応は難しいと考えられる。また、特許文献２に記載の技術では、感光性絶縁樹脂が含有する感光剤が絶縁性に悪影響を及ぼす懸念があり、更にファインピッチ化が進んだ場合は良好な絶縁性を得る事が困難になると考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−３４２４８５号公報
【特許文献２】特開２００４−３９８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑み、配線の微細化とファインピッチ化に伴う絶縁性の低下を回避し、ビアホールの微細化に対応可能な半導体パッケージ基板およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項１に記載の発明は、配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板において、
配線層は、同じ配線層の隣接する配線において、少なくともいずれか一方の配線と絶縁層との間の少なくとも一部に空隙が形成されており、
絶縁層は、感光性絶縁樹脂を光硬化させた樹脂層である。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板において、
配線層は、
隣接する上層の配線層と下層の配線層の配線において、上層の配線層と下層の配線層の対向する面の少なくともいずれか一方の面と絶縁層との間の少なくとも一部に空隙が形成されており、
絶縁層は、感光性絶縁樹脂を光硬化させた樹脂層であり、
ビアは、フォトビアであることを特徴とする多層半導体パッケージ基板である。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、前記配線層は銅からなることを特徴とする請求項１または２に記載の多層半導体パッケージ基板である。
【００１１】
また、請求項４に記載の発明は、前記空隙に面する前記配線層の表面には少なくとも酸化銅被膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の多層半導体パッケージ基板である。
【００１２】
また、請求項５に記載の発明は、前記感光性絶縁樹脂の感光剤がナフトキノンジアジドと光ラジカル発生剤と光塩基発生剤から選ばれるいずれか１つ以上を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の多層半導体パッケージ基板である。
【００１３】
また、請求項６に記載の発明は、銅配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたフォトビアを介して上層と下層の銅配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板の製造方法であって、
絶縁層によって絶縁された一対の、銅配線層間または銅配線間に、高温高湿環境下で電圧を印加することにより、陽極側の銅配線層または銅配線の周囲に水酸化銅被膜を形成する工程と、
水酸化銅被膜が形成された基板を加熱乾燥することにより、水酸化銅被膜を酸化銅被膜に変化させる工程と、を備えていることを特徴とする多層半導体パッケージ基板の製造方法である。
【００１４】
また、請求項７に記載の発明は、前記電圧印加時の電圧が１．３Ｖ以上であり、前記加熱乾燥時の基板の温度が６０℃〜９０℃である、そのいずれか一方または両方の処理条件を適用することを特徴とする請求項６に記載の多層半導体パッケージ基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の、配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板によれば、同じ配線層の隣接する配線においては、いずれか一方の配線と絶縁層との間に空隙が形成されている。または、隣接する異なる配線層の配線においては、いずれか一方の配線層の配線の上面または下面と絶縁層との間に空隙が形成されている。その為、絶縁層として絶縁性に不利な感光性絶縁樹脂を使用しても、配線層間または配線間に空隙が形成されている事により、配線の微細化とファインピッチ化が進んでも、良好な絶縁性を備えることができる。また、絶縁層の形成に感光性絶縁樹脂を使用している為、フォトビアが可能であるため、レーザービアより微細化に対応可能である。
【００１６】
また、本発明の多層半導体パッケージ基板の製造方法によれば、配線層の材料として銅を使用しており、また、絶縁層によって絶縁された銅配線層間または銅配線間に、高温高
湿環境下で電圧を印加することにより、陽極側の銅配線層または銅配線の周囲に水酸化銅被膜を形成する工程と、水酸化銅被膜が形成された基板を加熱乾燥することにより、水酸化銅被膜を酸化銅被膜に変化させる工程と、を備えている。その為、銅配線層または銅配線の陽極側の銅の表面に水酸化銅の被膜が形成された後、加熱乾燥する事により、水酸化銅が酸化銅に変化する際に、被膜の体積が減少する。その事により、銅配線層または銅配線と絶縁層の間に空隙が形成される。その空隙の形成により、絶縁性に劣る感光性絶縁樹脂を絶縁層に使用しても、良好な絶縁性を確保する事が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の多層半導体パッケージ基板の銅配線／絶縁層間の空隙形成方法の一例を示す断面模式図。
【図２】本発明の多層半導体パッケージ基板の銅配線／絶縁層間の空隙形成方法の一例を示す断面模式図。
【図３】本発明の多層半導体パッケージ基板の銅配線／絶縁層間の空隙形成方法の一例を示す断面模式図。
【図４】本発明の多層半導体パッケージ基板の銅配線／絶縁層間の空隙形成方法の一例を示す断面模式図。
【図５】本発明の多層半導体パッケージ基板の配線形成方法のうち、銅配線の形成工程の一例を示す断面模式図。
【図６】本発明の多層半導体パッケージ基板の配線形成方法のうち、銅配線／絶縁層間の空隙形成工程の一例を示す断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の多層半導体パッケージ基板とその製造方法について説明する。
【００１９】
＜多層半導体パッケージ基板＞
本発明の半導体パッケージ基板は、配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたビアを介して上層と下層の配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板である。
【００２０】
本発明の半導体パッケージ基板においては、配線層は、同じ配線層の隣接する配線において、少なくともいずれか一方の配線と絶縁層との間の少なくとも一部に空隙が形成されている。この空隙により、配線の微細化やファインピッチ化が進行し、隣接する配線同士が近接しても、配線間の絶縁性を良好に保持することができる。
【００２１】
または、隣接する上層の配線層と下層の配線層の配線において、上層の配線層と下層の配線層の対向する面の少なくともいずれか一方の面と絶縁層との間の少なくとも一部に空隙が形成されている。この空隙により、絶縁層が薄くなっても、上層と下層の配線層間の絶縁性を良好に保持することができる。
【００２２】
上述した様に、同一の配線層における配線と絶縁層の間に空隙が備えられていると同時に、上層と下層の配線層の配線と絶縁層の間にも空隙が備えられていても良い。
【００２３】
また、絶縁層は、感光性絶縁樹脂を光硬化させた樹脂層により構成されている。その為、ビアは、感光性絶縁樹脂を使用したフォトビアとすることができる。フォトビアは、レーザービアより微細化への対応性に優れている。
【００２４】
また、配線層を構成する材料は銅である事が好ましい。銅を使用する事により、高温高湿環境下で、１．３Ｖ以上の電圧を印加した場合、陽極側にされた銅の表面には水酸化銅がその周囲に形成される。そして、その水酸化銅は、６０℃〜９０℃の加熱により酸化銅に変化する。その際、体積が減少する為、配線層とそれに接していた絶縁層の間に空隙が
形成される。この様にして、陽極側にした配線層の配線の表面には酸化銅被膜が形成される。ただし、チタン薄膜などのバリア層を予め銅配線の表面に形成した場合は、その部分には水酸化銅被膜は形成されない為、空隙も形成されない。
【００２５】
＜多層半導体パッケージ基板の製造方法＞
本発明の多層半導体パッケージ基板の製造方法は、銅配線層と絶縁層が交互に積層され、絶縁層に備えられたフォトビアを介して上層と下層の銅配線層が接続された多層配線層を備えた多層半導体パッケージ基板の製造方法である。
【００２６】
本発明の多層半導体パッケージ基板の製造方法は、絶縁層によって絶縁された一対の、銅配線層間または銅配線間に、高温高湿環境下で電圧を印加することにより、陽極側の銅配線層または銅配線の周囲に水酸化銅被膜を形成する工程と、水酸化銅被膜が形成された基板を加熱乾燥することにより、水酸化銅被膜を酸化銅被膜に変化させる工程と、を備えていることが特徴である。電圧印加時の電圧が、水酸化銅（Ｃｕ（ＯＨ）２）が形成される１．３Ｖ以上であることが望ましく、加熱乾燥時の基板の温度が、水酸化銅（Ｃｕ（ＯＨ）２）が酸化銅（ＣｕＯ）に変化する温度に相当する、６０℃〜９０℃である事が望ましい。
【００２７】
以下に、本発明に係る実施の形態を、図１〜図６を参照して更に詳しく説明する。
図１（ａ）は、特許文献２の方法にて作製した多層半導体パッケージ基板における配線の一部の断面模式図である。なお、配線には銅（銅配線２）、絶縁層１を形成する感光性絶縁樹脂の感光剤にはナフトキノンジアジドを用いることができる。但し、感光性絶縁樹脂の感光剤は、光酸発生剤単独ではなく、ナフトキノンジアジド、光ラジカル発生剤および光塩基発生剤から選ばれるひとつあるいは複数を含有した物であれば良い。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示す様に、前記多層半導体パッケージ基板における隣接する銅配線２間に高温多湿下で電圧を印加する。具体的には、本処理は温度１３０℃、湿度８５％、電圧３．３Ｖ、２００時間で実施することにより可能であるが、これに限定されるものではなく、銅配線２の表面に水酸化銅３被膜を形成できる電圧１．３Ｖ以上であり、所望の厚さに形成できる時間で実施すれば良い。この様にして、陽極にあたる銅配線２の周囲に水酸化銅３の被膜が形成される。
【００２９】
次に、前記高温多湿下で電圧をかけた多層半導体パッケージ基板を取り出し、乾燥させることにより、水酸化銅を酸化銅に変えることができる。具体的には、多層半導体パッケージ基板に付着した水滴を拭き取り、８０℃のオーブンにて実施することができるが、これに限定されるものではない。６０℃〜９０℃であれば良い。図１（ｃ）に示す様に、この処理により、銅配線２の周囲に形成された水酸化銅３の被膜が酸化銅４に変化し、これに伴い前記の水酸化銅３の被膜がシュリンクし、体積が減少することにより酸化銅４と絶縁層１の間に空隙５が形成される。
【００３０】
次に、図２（ａ）は、図１（ａ）の銅配線２の下面と側面にバリアメタル６を形成した場合の多層半導体パッケージ基板の上に、バリアメタル６が同様に形成された銅配線２が絶縁層１を介して積層してある場合を例示している。なお、バリアメタルにはチタン、絶縁層を形成する感光性絶縁樹脂の感光剤にはナフトキノンジアジドを用いることができる。但し、感光性絶縁樹脂の感光剤は、光酸発生剤単独ではなく、ナフトキノンジアジド、光ラジカル発生剤および光塩基発生剤から選ばれるひとつあるいは複数を含有した物であれば良い。また、バリアメタル６にチタン以外を用いても良い。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示す様に、前記多層半導体パッケージ基板における上層の銅配線２と下層の銅配線２´間に、高温多湿下で、下層の銅配線２´が陽極となる様に電圧をかけ
た。なお、本処理は温度１３０℃、湿度８５％、電圧３．３Ｖ、２００時間で実施することができるが、これに限定されるものではなく、銅配線２の表面に水酸化銅３被膜を形成できる電圧１．３Ｖ以上であり、所望の厚さに形成できる時間で実施すれば良い。この様にして、陽極にあたる下層の銅配線２´の上部（バリアメタルで被覆されていない部分）に水酸化銅３の被膜が形成される。
【００３２】
次に、前記高温多湿下で電圧をかけた多層半導体パッケージ基板を取り出し、乾燥させることにより、水酸化銅３を酸化銅に変えることができる。具体的には、乾燥は、多層半導体パッケージ基板に付着した水滴を拭き取り、８０℃のオーブンにて実施することができるが、これに限定されるものではない。６０℃〜９０℃であれば良い。図２（ｃ）に示す様に、この処理により、下層の銅配線２´の上部に形成された水酸化銅３被膜が酸化銅４に変化し、これに伴い水酸化銅３被膜がシュリンクし、体積が減少することにより銅配線２´／絶縁層１間に空隙５が形成される。
【００３３】
次に、図３（ａ）は、セミアディティブ工法にて作製した多層半導体パッケージ基板における配線の一部の断面模式図である。なお、配線には銅（銅配線２）、絶縁層１を形成する感光性絶縁樹脂の感光剤にはナフトキノンジアジドを用いた。但し、感光性絶縁樹脂の感光剤は、光酸発生剤単独ではなく、ナフトキノンジアジド、光ラジカル発生剤および光塩基発生剤から選ばれるひとつあるいは複数を含有した物であれば良い。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に示す様に、前記多層半導体パッケージ基板における隣接する銅配線２間に高温多湿下で電圧を印加する。具体的には、本処理は、温度１３０℃、湿度８５％、電圧３．３Ｖ、２００時間で実施することにより可能であるが、これに限定されるものではない。銅配線２の表面に水酸化銅３被膜を形成できる電圧１．３Ｖ以上であり、所望の厚さに形成できる時間で実施すれば良い。この処理により、陽極にあたる銅配線２の周囲に水酸化銅３の被膜が形成される。
【００３５】
次に、前記高温多湿下で電圧をかけた多層半導体パッケージ基板を取り出し、乾燥させることにより水酸化銅を酸化銅に変えることができる。具体的には、乾燥方法は、多層半導体パッケージ基板に付着した水滴を拭き取り、８０℃のオーブンにて実施したが、これに限定されるものではない。６０℃〜９０℃であれば良い。図３（ｃ）に示す様に、この処理により、陽極にあたる銅配線２の周囲に形成された前記水酸化銅３被膜が酸化銅４に変化し、これに伴い前記水酸化銅３被膜がシュリンクすることにより銅配線２／絶縁層１間に空隙５が形成される。
【００３６】
次に、図４（ａ）は、図３（ａ）の配線の下面にバリアメタル６を形成した場合の多層半導体パッケージ基板における配線の一部の断面模式図である。なお、配線には銅（銅配線２）、バリアメタル６にはチタン、絶縁層１を形成する感光性絶縁樹脂の感光剤にはナフトキノンジアジドを用いることができる。但し、感光性絶縁樹脂の感光剤は、光酸発生剤単独ではなく、ナフトキノンジアジド、光ラジカル発生剤および光塩基発生剤から選ばれるひとつあるいは複数を含有した物であれば良い。また、バリアメタル６にチタン以外を用いても良い。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示す様に、前記多層半導体パッケージ基板における隣接する銅配線２間に高温多湿下で電圧を印加する。具体的には、本処理は、温度１３０℃、湿度８５％、電圧３．３Ｖ、２００時間で実施することができるが、これに限定されるものではない。銅配線２の表面に水酸化銅３被膜を形成できる電圧１．３Ｖ以上であり、所望の厚さに形成できる時間で実施すれば良い。この処理により、陽極にあたる銅配線２のバリアメタル６を形成した以外の周囲に水酸化銅３の被膜が形成される。
【００３８】
次に、前記高温多湿下で電圧をかけた多層半導体パッケージ基板を取り出し、乾燥させる事により、水酸化銅を酸化銅に変化させることができる。具体的には、乾燥方法は、多層半導体パッケージ基板に付着した水滴を拭き取り、８０℃のオーブンにて実施する事ができるが、これに限定されるものではない。６０℃〜９０℃であれば良い。図４（ｃ）に示す様に、この処理により、銅配線２の周囲に形成された前記水酸化銅３被膜が酸化銅４に変化し、これに伴い前記水酸化銅３被膜がシュリンクし、体積が縮小することにより、銅配線２／絶縁層１間で空隙５が形成される。
【００３９】
次に、図６（ａ）は、基板にガラスを用いた多層配線回路モジュールの最下層の配線の一部の断面模式図である。なお、配線には銅（銅配線２）、バリアメタル６にはチタン、絶縁層１を形成する感光性絶縁樹脂の感光剤にはナフトキノンジアジドを用いることができる。但し、感光性絶縁樹脂の感光剤は、光酸発生剤単独ではなく、ナフトキノンジアジド、光ラジカル発生剤および光塩基発生剤から選ばれるひとつあるいは複数を含有した物であれば良い。また、バリアメタル６にチタン以外を用いても良く、基板にガラス以外を用いても良い。
【００４０】
次に、図６（ｂ）に示す様に、前記多層半導体パッケージ基板における隣接する銅配線２間に高温多湿下で電圧を印加する。具体的には、本処理は、温度１３０℃、湿度８５％、電圧３．３Ｖ、２００時間で実施することができるが、これに限定されるものではない。銅配線２の表面に水酸化銅３被膜を形成できる電圧１．３Ｖ以上であり、所望の厚さに形成できる時間で実施すれば良い。この処理により、陽極にあたる銅配線２の周囲に水酸化銅３の被膜が形成される。
【００４１】
次に、前記高温多湿下で電圧をかけた多層半導体パッケージ基板を取り出し、乾燥させることにより、水酸化銅を酸化銅に変えることができる。具体的には、乾燥方法は、多層半導体パッケージ基板に付着した水滴を拭き取り、８０℃のオーブンにて実施することができるが、これに限定されるものではない。６０℃〜９０℃であれば良い。図６（ｇ）に示す様に、この処理により、配線の周囲に形成された前記水酸化銅３被膜が酸化銅４に変化し、これに伴い水酸化銅３被膜がシュリンクし、体積が減少することにより銅配線２／絶縁層１間に空隙５が形成される。
【００４２】
本実施形態に係る発明は、以下の効果を奏する。
多層半導体パッケージ基板における絶縁層１に、感光性絶縁樹脂を用いることにより微細なビアホールが形成可能である。一方、非感光性絶縁樹脂に比べて絶縁性に劣る感光性絶縁樹脂であっても、銅配線２と絶縁層１との間に空隙５を形成することにより、銅配線２間の絶縁性が良好となり、この効果により、配線の微細化やファインピッチ化が進んでも、銅配線２間の絶縁性の低下を回避可能である。また、絶縁層１が薄くなっても、同様にして、上層と下層の配線層の対向する面の、少なくともいずれか一方に空隙を形成する事により、同様の効果を発揮する事ができる。
【実施例】
【００４３】
以下に図５および図６を用いて、本発明に関する実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００４４】
図５（ａ）は、ガラス基板７上にシード層としてチタン膜のバリアメタル６と銅のスパッタ膜８をこの順番で成膜した断面模式図である。なお、チタン膜の膜厚は５０ｎｍ、銅のスパッタ膜の膜厚は２００ｎｍ、となる様に成膜した。
【００４５】
その後、図５（ｂ）に示すように、フォトレジストを銅のスパッタ膜８上に塗布し、配線の逆パターンであるフォトレジストパターン９をフォトリソグラフィにより形成した。
なお、フォトレジストの膜厚は５μｍで塗膜し、露光および現像を施してパターン形成を実施した。
【００４６】
その後、図５（ｃ）に示すように、セミアディティブ法により、銅のスパッタ膜８上に電解銅めっきを３μｍ厚で形成した。
【００４７】
その後、図５（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン９および不要部分のシード層を除去することにより、銅配線２を形成した。なお、最も微細な配線部のＬ＆Ｓ（ライン／スペース）値は、２μｍ／２μｍとすることが可能であった。
【００４８】
その後、図６（ａ）に示すように、感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィにより、層間接続用の配線端子部（図示省略）を開口させた絶縁層１を形成し、配線基板を完成させた。なお、感光性絶縁樹脂の感光剤にはナフトキノンジアジドを用いており、絶縁層１の膜厚は、５μｍで形成した。
【００４９】
その後、図６（ｂ）に示すように、前記配線基板の配線端子部（図示省略）より隣接する配線間に高温多湿下で電圧を印加した。具体的には、本処理は、温度１３０℃、湿度８５％、電圧３．３Ｖで２００時間実施した。この処理により、陽極にあたる配線の周囲に水酸化銅３の被膜が形成された。
【００５０】
その後、図６（ｃ）に示すように、高温多湿下で電圧をかけた前記配線基板を取り出し、水滴を拭き取った後、８０℃のオーブンにて乾燥させた。この処理により、銅配線２の周囲に形成された前記水酸化銅３被膜が酸化銅４に変化し、これに伴い水酸化銅３被膜がシュリンクし、体積が減少することにより銅配線２／絶縁層１間で空隙５が形成された。
【００５１】
電子顕微鏡観察により、陽極にあたる銅配線２線と絶縁層１の間に空隙５が確認でき、銅配線２間の絶縁抵抗値を計測したところ、良好な絶縁性が得られていることを確認した。
【００５２】
同様にして、図２（ｃ）に例示した様に、下層の銅配線２´についても同様にバリアメタル６が形成されていない部分に、空隙５を形成することができた。
この様にして、絶縁層によって絶縁された隣接する銅配線のいずれか一方に、銅配線と絶縁層の間に空隙を形成することができた。その様にして空隙が形成されることにより、空隙が形成されていない場合より、良好な絶縁性が得られることが確認された。
【００５３】
本発明によれば、多層半導体パッケージ基板における絶縁層に、感光性絶縁樹脂を用いることにより微細なビアホールが形成可能であり、非感光性絶縁樹脂に比べて絶縁性に劣る感光性絶縁樹脂であっても、配線と絶縁層との間に空隙を形成することにより、配線間の絶縁性が良好となり、これら効果により、配線間の絶縁性を維持しつつ、微細なビアホールが形成可能な多層半導体パッケージ基板及びその製造方法を提供することが可能となる。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・絶縁層
２・・・配線層または銅配線層
３・・・水酸化銅
４・・・酸化銅
５・・・空隙
６・・・バリアメタル
７・・・ガラス基板
８・・・銅（の）スパッタ膜
９・・・フォトレジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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