(57)【要約】      （修正有）【課題】はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑えるフローソルダリング用フラックス、当該フラックスを用いたはんだ付け方法を提供する。【解決手段】ロジン系樹脂（Ａ）、二塩基酸（Ｂ）、アミン（Ｃ）及び溶剤（Ｄ）を含み、（Ｃ）成分が、全炭素数６〜１８のジアルキルアミン（ｃ１）及び２種以上のハロゲン化アミン塩（ｃ２）を含み、（Ａ）成分がアクリル化ロジン、アクリル化ロジンの水素化物、水素化ロジン及び不均化ロジンからなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、フローソルダリング用フラックス。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロジン系樹脂（Ａ）、二塩基酸（Ｂ）、アミン（Ｃ）及び溶剤（Ｄ）を含み、（Ｃ）成分が、全炭素数６〜１８のジアルキルアミン（ｃ１）及び２種以上のハロゲン化アミン塩（ｃ２）を含むフローソルダリング用フラックス。
【請求項２】
（Ａ）成分が、アクリル化ロジン、アクリル化ロジンの水素化物、水素化ロジン及び不均化ロジンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１のフローソルダリング用フラックス。
【請求項３】
（ｃ１）成分が、ジ（２−エチルヘキシル）アミン及び／又はジｎ−オクチルアミンを含む請求項１又は２のフローソルダリング用フラックス。
【請求項４】
フラックス成分１００重量％における（ｃ１）成分の含有量が、０．１〜１．５重量％である請求項１〜３のいずれかのフローソルダリング用フラックス。
【請求項５】
（ｃ２）成分が、フッ化アミン塩及び臭化アミン塩を含む、請求項１〜４のいずれかのフローソルダリング用フラックス。
【請求項６】
電子基板に、請求項１〜５のいずれかのフローソルダリング用フラックスを塗布した後、溶融はんだ合金を接触させてはんだ付けする工程を含むはんだ付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フローソルダリング用フラックス、はんだ付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器のはんだ付けの方法の１つにフローソルダリング法が汎用されている。一般に、フローソルダリング法は、はんだ付けの前に、発泡フラクサーやスプレーフラクサーにて電子回路基板のはんだ付け面にフラックスを塗布した後、電子回路基板をプリヒーターにて乾燥し、溶融はんだ合金を接触させることによりはんだ付けする方法である。当該フラックスには、ロジンや活性剤等を溶剤に溶解させた液状のポストフラックスが用いられ、電子回路基板のはんだ付け面の金属酸化皮膜を除去し、はんだ付け面に対するはんだ濡れ性を確保する役割を担う。
【０００３】
近年は、電子機器の小型化、薄物化、高機能化が進んでおり、電子回路基板には様々な電子部品が高密度に混載されている。そのため、電子部品を搭載する際に、フローソルダリングにてはんだ付けを施すと、はんだ合金が基板のランド間や部品のリード間に跨る“はんだブリッジ”が生じ、短絡（ショート）を引き起こすことがある。また、はんだ合金が鉛からスズ等へ置換されたことにより、はんだ濡れ性が低下しやすい傾向にあり、その低下もはんだブリッジを引き起こす要因となっている。そのため、フラックスには、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑えることが求められている。
【０００４】
これらの課題を解決する技術として、例えば、ロジンをベース樹脂として、アミンの酸塩、脂環式多価カルボン酸またはその無水物と、ハロゲン化カルボン酸無水物、ピラゾール化合物、（Ｅ）ピペリジン錯塩とを含有するはんだ付けフラックスが公知である（特許文献１）。しかしながら、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑える点では、未だ不十分であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−１２６６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑えるフローソルダリング用フラックス、当該フラックスを用いたはんだ付け方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記課題を解決すべく、フラックスの組成について鋭意検討したところ、特定のアミンを組み合わせたフラックスが効果を奏することを見出し、本発明を完成させるに至った。すなわち、本発明は、以下のフローソルダリング用フラックス、はんだ付け方法に関する。
【０００８】
１．ロジン系樹脂（Ａ）、二塩基酸（Ｂ）、アミン（Ｃ）及び溶剤（Ｄ）を含み、（Ｃ）成分が、全炭素数６〜１８のジアルキルアミン（ｃ１）及び２種以上のハロゲン化アミン塩（ｃ２）を含むフローソルダリング用フラックス。
【０００９】
２．（Ａ）成分が、アクリル化ロジン、アクリル化ロジンの水素化物、水素化ロジン及び不均化ロジンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、前項１のフローソルダリング用フラックス。
【００１０】
３．（ｃ１）成分が、ジ（２−エチルヘキシル）アミン及び／又はジｎ−オクチルアミンを含む前項１又は２のフローソルダリング用フラックス。
【００１１】
４．フラックス成分１００重量％における（ｃ１）成分の含有量が、０．１〜１．５重量％である前項１〜３のいずれかのフローソルダリング用フラックス。
【００１２】
５．（ｃ２）成分が、フッ化アミン塩及び臭化アミン塩を含む、前項１〜４のいずれかのフローソルダリング用フラックス。
【００１３】
６．電子基板に、前項１〜５のいずれかのフローソルダリング用フラックスを塗布した後、溶融はんだ合金を接触させてはんだ付けする工程を含むはんだ付け方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のフローソルダリング用フラックス（以下、単に“フラックス”ともいう）によれば、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑えることができる。また、良好な絶縁抵抗も確保できる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明のフラックスは、ロジン系樹脂（Ａ）（以下、（Ａ）成分という）、二塩基酸（Ｂ）（以下、（Ｂ）成分という）、アミン（Ｃ）（以下、（Ｃ）成分という）及び溶剤（Ｄ）（以下、（Ｄ）成分という）を含むものである。
【００１６】
（Ａ）成分としては、特に限定されず、例えば、ガムロジン、ウッドロジン、トール油ロジン等の天然ロジンもしくはこれらの水素化物（水素化ロジン）；アクリル化ロジン、不均化ロジン、ホルミル化ロジン、フマル化ロジン、マレイン化ロジンや重合ロジン等の変性ロジン類もしくはこれらの水素化物が挙げられる。これらは単独でも２種以上を組み合わせても良い。中でも、はんだ濡れ性に優れ、フラックス残渣の絶縁抵抗も維持する点からアクリル化ロジン、アクリル化ロジンの水素化物、水素化ロジンおよび不均化ロジンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１７】
（Ａ）成分の含有量（固形分換算、以下同様）としては、特に限定されず、（Ｄ）成分に溶解し、フラックス残渣の絶縁抵抗を維持する点から、全フラックス成分を１００重量％として、通常は１〜２０重量％程度、好ましくは５〜１５重量％程度である。
【００１８】
また、本発明のフラックスには、非ロジン系ベース樹脂（Ａ１）（以下、（Ａ１）成分という）を併用することもできる。（Ａ１）成分としては、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリオレフイン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂等の合成樹脂；イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、クロロプレンゴム、ナイロンゴム、ナイロン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー等のエラストマー等が挙げられる。また、（Ａ１）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ａ１）成分の合計を１００重量％として、５重量％未満である。
【００１９】
（Ｂ）成分としては、特に限定されず、例えば、コハク酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、デカン二酸、ドデカン二酸等の非ハロゲン系二塩基酸；２，３−ジブロモコハク酸、２−ブロモコハク酸、２，２−ジブロモアジピン酸、クロレンド酸等のハロゲン系二塩基酸等が挙げられる。これらは単独でも２種以上を組み合わせても良い。
【００２０】
（Ｂ）成分の含有量としては、特に限定されず、はんだ濡れ性に優れ、フラックス残渣の絶縁抵抗も維持する点から、全フラックス成分を１００重量％として、通常は０．２〜３重量％程度、好ましくは０．５〜２重量％程度である。
【００２１】
本発明のフラックスには、（Ｂ）成分以外の塩基酸（Ｂ１）（以下、（Ｂ１）成分という）を併用しても良い。（Ｂ１）成分としては、特に限定されず、例えば、ピコリン酸、Ｎ−ラウロイルサルコシンの非ハロゲン系一塩基酸；３−ブロモプロピオン酸、２−ブロモペンタン酸、５−ブロモ−ｎ−ペンタン酸、２−ブロモイソペンタン酸、２−ブロモ吉草酸、５−ブロモ−ｎ−吉草酸、２−ブロモイソ吉草酸等のハロゲン系一塩基酸等が挙げられる。これらは単独でも２種以上を組み合わせても良い。また（Ｂ１）の含有量としては、（Ｂ）成分及び（Ｂ１）成分の合計を１００重量％として、４重量％未満である。
【００２２】
（Ｃ）成分はアミンであり、全炭素数６〜１８のジアルキルアミン（ｃ１）（以下、（ｃ１）成分という）及び２種以上のハロゲン化アミン塩（ｃ２）（以下、（ｃ２）成分という）を含む。（ｃ１）成分及び（ｃ２）成分を使用することにより、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑えることができるフラックスとなる。また、（Ｃ）成分の含有量としては、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑える点から、全フラックス成分を１００重量％として、通常は０．２〜２．５重量％程度、好ましくは０．３〜２重量％程度である。
【００２３】
（ｃ１）成分は、全炭素数６〜１８のジアルキルアミンである。全炭素数が６未満、又は１８を超える場合は、はんだブリッジが発生し、短絡（ショート）等の不良を起こしやすくなる。
【００２４】
（ｃ１）成分としては、例えば、ジｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジーｔｅｒｔ−ブチルアミン、Ｎ−（ｎ−ブチル）−Ｎ−エチルアミン、Ｎ−（ｎ−ブチル）−Ｎ−（ｎ−プロピル）アミン、ジｎ−ペンチルアミン、ジイソペンチルアミン、ジｎ−ヘキシルアミン、ジｎ−ヘプチルアミン、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジｎ−オクチルアミン、ジｎ−ノニルアミン等の脂肪族アミン；Ｎ−メチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−エチルシクロヘキシルアミン、Ｎ−イソプロピルシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン等の脂環族アミン等が挙げられる。これらは単独でも２種以上を組み合わせても良い。中でもはんだブリッジの発生を抑える点から、ジ（２−エチルヘキシル）アミン、ジｎ−オクチルアミンを含むことが好ましい。
【００２５】
（ｃ１）成分の含有量としては、特に限定されず、はんだブリッジの発生を抑える点から、全フラックス成分を１００重量％として、通常は０．１〜１．５重量％程度、好ましくは０．１〜１．２重量％程度である。
【００２６】
（ｃ２）成分は、ハロゲン化アミン塩である。本発明のフラックスにおいては、はんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑える点から、２種以上の（ｃ２）成分を用いる。
【００２７】
（ｃ２）成分としては、例えば、三フッ化ホウ素モノエチルアミン、三フッ化ホウ素ピペリジン等のフッ化アミン塩；メチルアミン塩酸塩、ジメチルアミン塩酸塩、エチルアミン塩酸塩、ジエチルアミン塩酸塩、プロペンジオール塩酸塩、アリルアミン塩酸塩、ジアリルアミン塩酸塩、３−アミノ−１−プロペン塩酸塩、ｎ−ブチルアミン塩酸塩、ジｎ−ブチルアミン塩酸塩、Ｎ−（３−アミノプロピル）メタクリルアミド塩酸塩、シクロヘキシルアミン塩酸塩、ｏ−アニシジン塩酸塩、ｐ−アミノフェノール塩酸塩等の塩化アミン塩；メチルアミン臭化水素酸塩、ジメチルアミン臭化水素酸塩、エチルアミン臭化水素酸塩、ジエチルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩等の臭化アミン塩等が挙げられる。中でもはんだ濡れ性に優れ、はんだブリッジの発生を抑える点から、フッ化アミン塩及び臭化アミン塩を含むことが好ましく、三フッ化ホウ素モノエチルアミン及びジエチルアミン臭化水素酸塩を含むことがより好ましい。
【００２８】
（ｃ２）成分の含有量としては、特に限定されず、はんだブリッジの発生を抑え、フラックス残渣の絶縁抵抗も維持する点から、全フラックス成分を１００重量％として、通常は０．１〜１重量％程度、好ましくは０．２〜０．８重量％程度である。
【００２９】
本発明のフラックスには、（ｃ１）成分及び（ｃ２）成分以外のアミン（ｃ３）（以下、（ｃ３）成分という）を併用しても良い。（ｃ３）成分としては、特に限定されず、例えば、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−へプチルアミン、ｎ−オクチルアミン等のモノアルキルアミン；トリｎ−ヘキシルアミン、トリｎ−ヘプチルアミン、トリｎ−オクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルメチルアミン等のトリアルキルアミン；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン；シクロヘキシルアミン等の脂環族モノアミン；ジフェニルアミン、トリフェニルアミン等の芳香族アミン等が挙げられる。これらは単独でも２種以上を組み合わせても良い。また、（ｃ３）成分の含有量としては、特に限定されず、（Ｃ）成分を１００重量％として、１重量％未満である。
【００３０】
（Ｄ）成分としては、特に限定されず、例えば、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール等のアルコール；ブチルカルビトール、ヘキシルカルビトール等のグリコールエーテル；酢酸イソプロピル、プロピオン酸エチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル等のエステル；ｎ−ヘキサン、ドデカン、テトラデセン等の炭化水素等が挙げられる。これらは単独でも２種以上を組み合わせても良い。中でも、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分をよく溶解する点から、アルコールが好ましく、イソプロパノールがより好ましい。
【００３１】
（Ｄ）成分の含有量としては、特に限定されず、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分をよく溶解する点から、全フラックス成分を１００重量％として、通常は７０〜９５重量％程度、好ましくは８０〜９５重量％程度である。
【００３２】
本発明のフラックスは、更にアミノ基を有さないハロゲン系化合物（Ｅ）（以下、（Ｅ）成分という）を含んでも良い。（Ｅ）成分としては、特に限定されず、例えば、ｔｒａｎｓ−２，３−ジブロモ−１，４−ブテンジオール、ｃｉｓ−２，３−ジブロモ−１，４−ブテンジオール、１−ブロモ−２−ブタノール、１−ブロモ−２−プロパノール、３−ブロモ−１−プロパノール、３−ブロモ−１，２−プロパンジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、１，３−ジブロモ−２−プロパノール、２，２−ビス（ブロモメチル）−１，３−プロパンジオール、２，３−ジブロモ−１−プロパノール等のハロゲン化モノアルコール；１，４−ジブロモ−２，３−ブタンジオール、２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール、２，２−ビス（ブロモメチル）−１，３−プロパンジオール等のハロゲン化ジオール；１−ブロモ−３−メチル−１−ブテン、１，４−ジブロモブテン、１−ブロモ−１−プロペン、２，３−ジブロモプロペン、１，２−ジブロモ−１−フェニルエタン、１，２−ジブロモスチレン、１，２，３，４−テトラブロモブタン、１，２−ジブロモ−１−フェニルエタン、４−ステアロイルオキシベンジルブロミド、４−ステアリルオキシベンジルブロミド、４−ステアリルベンジルブロミド、４−ブロモメチルベンジルステアレート、４−ステアロイルアミノベンジルブロミド、２，４−ビスブロモメチルべンジルステアレート、４−パルミトイルオキシベンジルブロミド、４−ミリストイルオキシベンジルブロミド、４−ラウロイルオキシベンジルブロミド、４−ウンデカノイルオキシベンジルブロミド等の活性水素非含有ハロゲン化合物等が挙げられる。またその含有量も特に限定されず、全フラックス成分を１００重量％として、３重量％以下である。
【００３３】
本発明のフラックスには、更に酸化防止剤、防黴剤、艶消し剤（例えば、パルミチン酸等）等の添加剤を含んでも良い。全フラックス成分を１００重量％に対して、通常は、５重量％以下である。
【００３４】
本発明のフラックスの製造法は特に限定されず、各種公知の方法を採用でき、例えば、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分、必要に応じて前記添加剤を配合し、室温で充分に溶解するまで混合すること等が挙げられる。
【００３５】
本発明のはんだ付け方法は、電子基板に前記フラックスを塗布した後、溶融はんだ合金を接触させてはんだ付けする工程を含むものである。
【００３６】
電子基板としては、特に限定されず、各種公知のものを使用できるが、中でも、プリント配線基板が好適である。
【００３７】
フラックスの塗布方法としては、特に限定されず、例えば、電子基板の全体を塗布する方法、パレットマスク等の冶具で電子基板を覆い、はんだ付けしたい箇所のみに塗布する方法等が挙げられる。
【００３８】
溶融はんだ合金とは、はんだ合金を加熱して溶融させたものである。はんだ合金としては、鉛を含有しなければ、特に限定されず、各種公知のものを使用できる。例えば、Ｓｎをベースとするはんだ、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ｓｎ−Ｂｉ系のはんだ合金等が挙げられる。また、はんだ合金は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎの１種又は２種以上の元素がドープされたものであっても良く、例えば、Ｓｎ９６．５Ａｇ３Ｃｕ０．５、Ｓｎ９５Ｓｂ５、Ｓｎ９９．３Ｃｕ０．７、Ｓｎ９７Ｃｕ３、Ｓｎ９２Ｃｕ６Ａｇ２、Ｓｎ９９Ｃｕ０．７Ａｇ０．３、Ｓｎ９５Ｃｕ４Ａｇ１、Ｓｎ９７Ａｇ３、Ｓｎ９６．３Ａｇ３．７、Ｓｎ４２Ｂｉ５８等を例示できる。なお、はんだ合金を溶融する際の温度、時間等は、使用するはんだ合金に応じて、適宜選択すれば良い。
【００３９】
はんだ付け方法としては、溶融はんだ合金を電子基板に接触できるものであれば、特に限定されず、例えば、フローはんだ付け、ポイントディップ等が挙げられる。
【実施例】
【００４０】
以下に本発明を実施例により更に具体的に説明する。ただし、本発明の技術的範囲がこれら実施例に限定されるものではない。
【００４１】
実施例１
アクリル化ロジンの水素化物（商品名「ＫＥ−６０４」、荒川化学工業（株）製）を４．０重量％、水素化ロジン（商品名「ＣＲＷ−３００」、荒川化学工業（株）製）を７．０重量％、コハク酸を０．５重量％、クロレンド酸を０．５重量％、ジｎ−オクチルアミンを０．５重量％、ジエチルアミン臭化水素酸塩を０．３重量％、三フッ化ホウ素モノエチルアミンを０．４重量％、ｔｒａｎｓ−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオールを０．８重量％、パルミチン酸を１．０重量％及びイソプロパノールを８５．０重量％となるように、溶解するまで混合し、フラックスを調製した。組成を表１に示す（以下同様）。
【００４２】
実施例２〜１８、比較例１〜５
表１に示す組成に変更した他は、実施例１と同様にしてフラックスをそれぞれ調製した。
【００４３】
＜はんだ濡れ性＞
ＪＩＳ  Ｚ  ３１９７（はんだ広がり試験）に準拠して、はんだ濡れ性を評価した。評価基準は以下の通りである。評価結果を表１に示す（以下同様）。
（評価基準）
○：広がり率が７６％以上
△：広がり率が７０％以上７６％未満
×：広がり率が７０％未満
【００４４】
＜はんだブリッジ＞
２列コネクタ部品（リードピッチ：２ｍｍ、ピン数：３０）を６点搭載したプリント配線板（９ｃｍ×１５ｃｍ）に、フラックス塗布装置（商品名：『ＳＰＴ−３００ＸＬ』、生産技研サービス（有）製）を用いて、各フラックスを０．０１ｇ／ｃｍ２で噴霧した。噴流はんだ付け装置（商品名：『Ｃ２５０』、Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｏｌｂｏｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ｃｏ，ＬＴＤ．製）で、塗布後のプリント配線板を温度１１０℃でプリヒートした後、温度２５５℃の溶融はんだ合金（Ｓｎ−０．７Ｃｕ−０．０５Ｎｉ−Ｇｅ（商品名：『ＬＬＳ２２７Ｎ』、ソルダーコート（株）製））（以下、“ＬＬＳ２２７Ｎ”という）を４秒間接触させることではんだ付けした。６個の２列コネクタ部品について、はんだブリッジの有無を目視確認し、以下の基準で評価した。
（評価基準）
◎：全ての２列コネクタ部品ではんだブリッジが発生していない。
○：２列コネクタ部品１〜２個ではんだブリッジが発生。
△：２列コネクタ部品３〜５個ではんだブリッジが発生。
×：全ての２列コネクタ部品でブリッジが発生。
【００４５】
＜絶縁抵抗試験＞
くし型基板２型（ＪＩＳ  Ｚ  ３１９７に規定）に各フラックスを塗布した。塗布後の基板を温度１１０℃の乾燥機で５分間乾燥させ、２５５℃のはんだ浴（ＬＬＳ２２７Ｎ）に３秒間浸漬させ、はんだ付けを行った。その後、基板を引き上げ室温まで冷却させた。さらに基板を温度８５℃、湿度８５％の恒温恒湿槽に放置して、１６８時間後のフラックス残渣の抵抗値（単位：Ω）を測定した。抵抗値が大きいほど、絶縁抵抗に優れていることを示す。
【００４６】
【表１】
2020104174.tif 000002
【００４７】
表１における略号は、以下の化合物を意味する。
＜（Ａ）成分＞
・ＫＥ−６０４：アクリル化ロジンの水素化物（商品名「ＫＥ−６０４」、荒川化学工業（株）製）
・ＣＲＷ−３００：水素化ロジン（商品名「ＣＲＷ−３００」、荒川化学工業（株）製）
・ロンヂスＲ：不均化ロジン（商品名「ロンヂスＲ」、荒川化学工業（株）製）
＜その他＞
・ＤＢＢＯ：ｔｒａｎｓ−２，３−ジブロモ−２−ブテン−１，４−ジオール
・ＩＰＡ：イソプロパノール