(57)【要約】      （修正有）【課題】吸収性波長のレーザー光線でウエーハを切断する際、デバイスチップの品質を低下させることのないレーザー加工方法の提供。【解決手段】板状物１０を保持する保持手段と、板状物に対して吸収性波長のレーザー光線ＬＢを集光してアブレーション加工するレーザー光線照射手段４０と、保持手段とレーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、レーザー光線が上面１０ａから照射される板状物の下面１０ｂに蝋材（Ｐ１、Ｐ２）を塗布すると共に、下面をサブストレートＴで支持する蝋材塗布工程と、板状物のサブストレート側を保持手段に保持する保持工程と、板状物のレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程において、レーザー光線の集光点が下面に至り蝋材の溶融によってデバイスチップの裏面角部が冷却されるレーザー加工方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を集光器で集光してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、
レーザー光線が上面から照射される板状物の下面に蝋材を塗布すると共に、該下面をサブストレートで支持する蝋材塗布工程と、
該板状物のサブストレートにより支持された側を保持手段に保持する保持工程と、
レーザー加工すべき領域に該集光器を位置付けてレーザー光線を照射し該板状物の上面から下面に向けてアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、
から少なくとも構成され、
該レーザー加工工程において、レーザー光線の集光点が下面に至り蝋材の溶融によってデバイスチップの裏面角部が冷却されるレーザー加工方法。
【請求項２】
該レーザー加工工程の前に、板状物の上面に蝋材を塗布して保護膜を生成する請求項１に記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
該蝋材は、パラフィンである請求項１、又は２に記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
該サブストレートは、ダイシングテープである請求項１乃至３のいずれかに記載のレーザー加工方法。
【請求項５】
該蝋材は、再生され使用される請求項１乃至４のいずれかに記載されたレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、板状物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を集光器で集光してアブレーション加工を施すレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される（例えば特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載された技術によれば、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを完全切断するレーザー加工溝を形成して個々のデバイスチップに分割することができる。しかし、レーザー光線を照射して該レーザー加工溝を形成する際に、裏面側の角部に沿って複数のチッピング（欠け）が生じて、デバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
【０００５】
また、レーザー加工を施す際にウエーハの裏面を支持するダイシングテープの粘着層がデバイスチップの裏面角部に付着したまま残留し、デバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射してウエーハを完全切断するレーザー加工を実施する際に、デバイスチップの品質を低下させることのないレーザー加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、板状物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された板状物に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を集光器で集光してアブレーション加工を施すレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段と、から少なくとも構成されたレーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、レーザー光線が上面から照射される板状物の下面に蝋材を塗布すると共に、該下面をサブストレートで支持する蝋材塗布工程と、該板状物のサブストレートにより支持された側を保持手段に保持する保持工程と、レーザー加工すべき領域に該集光器を位置付けてレーザー光線を照射し該板状物の上面から下面に向けてアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程において、レーザー光線の集光点が下面に至り蝋材の溶融によってデバイスチップの裏面角部が冷却されるレーザー加工方法が提供される。
【０００８】
該レーザー加工工程の前に、板状物の上面に蝋材を塗布して保護膜を生成することが好ましい。該蝋材は、パラフィンを採用することができる。該サブストレートは、ダイシングテープを採用することができる。該蝋材は、再生され使用されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のレーザー加工方法は、レーザー加工装置を用いたレーザー加工方法であって、レーザー光線が上面から照射される板状物の下面に蝋材を塗布すると共に、該下面をサブストレートで支持する蝋材塗布工程と、該板状物のサブストレートにより支持された側を保持手段に保持する保持工程と、レーザー加工すべき領域に該集光器を位置付けてレーザー光線を照射し該板状物の上面から下面に向けてアブレーション加工を施すレーザー加工工程と、から少なくとも構成され、該レーザー加工工程において、レーザー光線の集光点が下面に至り蝋材の溶融によってデバイスチップの裏面角部が冷却されることから、レーザー加工溝に沿って形成される下面側の角部の熱が、流動する蝋材によって吸収され、速やかに冷却される。この結果、蝋材によるデバイスチップの保持力と相まって、レーザー加工溝の下面側の角部に沿って複数のチッピング（欠け）が発生することが防止され、分割後のデバイスチップの品質を低下させるという問題が解消される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ダイシングテープ上に蝋材を塗布する態様を示す斜視図である。
【図２】ダイシングテープ上にウエーハを載置する態様を示す斜視図である。
【図３】（ａ）ウエーハを上方から加熱押圧して、蝋材を介してダイシングテープにより支持する状態とする態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示すウエーハの一部拡大断面図である。
【図４】（ａ）ウエーハの上面に蝋材を塗布する態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示すウエーハの一部拡大断面図である。
【図５】レーザー加工装置の全体斜視図である。
【図６】（ａ）図５に示すレーザー加工装置によりアブレーション加工を施すレーザー加工工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）アブレーション加工時の様子を示すウエーハの一部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に基づき構成されたレーザー加工方法の実施形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
本実施形態のレーザー加工方法を実施するに際し、レーザー光線が上面から照射される被加工物の下面に蝋材を塗布すると共に、該下面をサブストレートで支持する蝋材塗布工程を実施する。該蝋材塗布工程について、図１乃至図３を参照しながら、より具体的に説明する。
【００１３】
蝋材塗布工程を実施するには、まず、被加工物を支持するサブストレートを用意する。該サブストレートとしては、図１に示すようなポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるダイシングテープＴを採用できる。本実施形態のダイシングテープＴは、その外周が環状のフレームＦで支持されている。
【００１４】
ダイシングテープＴを用意したならば、上面が平坦に形成された図示しない保持テーブル上に載置して、ダイシングテープＴの中央領域を、図に示す蝋材供給ノズル１００（一部のみ示す）の直下に位置付ける。蝋材供給ノズル１００は、図示しない蝋材供給手段に接続されており、溶融状態の蝋材、例えばパラフィンを供給可能に構成されている。蝋材供給ノズル１００の直下に、ダイシングテープＴを位置付けたならば、蝋材供給ノズル１００から、５０℃〜７０℃に加熱されて溶融状態にされたパラフィンＰ１を、ダイシングテープＴ上に滴下する。
【００１５】
蝋材供給ノズル１００からダイシングテープＴ上にパラフィンＰ１を滴下したならば、図２に示すように、被加工物としてのウエーハ１０をダイシングテープＴ上に位置付ける。ウエーハ１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる厚さ３００μｍの基板上に、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画されて形成されている。ウエーハ１０のレーザー光線が照射される上面１０ａとは反対側の下面１０ｂ側を下方に向けて、パラフィンＰ１が滴下されたダイシングテープＴの中央領域に載置する。
【００１６】
ダイシングテープＴ上にパラフィンＰ１を介してウエーハ１０を載置したならば、図３（ａ）に示すように、加熱押圧手段１１０をウエーハ１０上に位置付ける。加熱押圧手段１１０は、下面が平坦に形成され、ウエーハ１０の直径よりもやや大きい寸法で形成された押圧部材１２０を備えており、押圧部材１２０の下面を加熱するための電気ヒータ（図示は省略）を内蔵している。加熱押圧手段１１０をウエーハ１０上に位置付けたならば、該電気ヒータを作動して押圧部材１２０の下面を昇温し、徐々に下降させて、ウエーハ１０の上面１０ａを押圧する。押圧部材１２０によってウエーハ１０を押圧する際の押圧部材１２０の下面の温度は、ウエーハ１０とダイシングテープＴ間に介在されたパラフィンＰ１が５０℃〜７０℃程度に加熱されて溶融状態になるように設定される。この結果、図３（ｂ）に一部拡大断面図として示すように、ウエーハ１０の下面１０ｂにパラフィンＰ１が塗布されると共に、下面１０ｂがダイシングテープＴで支持された状態となり、蝋材塗布工程が完了する。なお、ダイシングテープＴ上に蝋材供給ノズル１００からパラフィンＰ１を滴下する際の滴下量は、蝋材塗布工程が完了した状態で、ウエーハ１０の下面１０ｂとダイシングテープＴ間に、１０μｍ〜２０μｍの厚みのパラフィンＰ１の層が形成される程度の量で設定される。
【００１７】
蝋材塗布工程を実施する際の具体的な形態は、上記した実施形態に限定されない。例えば、ダイシングテープＴ上にパラフィンＰ１を滴下するのではなく、ウエーハ１０の下面１０ｂを上方に向けて保持テーブルに載置し、ウエーハ１０の下面１０ｂにパラフィンＰ１を滴下して、その上からダイシングテープＴを被せて、ダイシングテープＴを上方から押圧部材１２０によって押圧することによりウエーハ１０の下面１０ｂがダイシングテープＴで支持された状態にすることもできる。
【００１８】
上記した蝋材塗布工程を実施した後、ウエーハ１０の上面１０ａからレーザー光線を照射してアブレーション加工を実施するが、レーザー加工工程を実施する前に、ウエーハ１０の上面１０ａにも蝋材を塗布して保護膜を形成する保護膜形成工程を実施することが好ましい。より具体的には、図４（ａ）に示すように、蝋材塗布工程が実施されたウエーハ１０の上面１０ａの中央上方に、蝋材供給ノズル１００を位置付けて、上方から溶融状態に加熱されたパラフィンＰ２を所定量だけ滴下する。パラフィンＰ２をウエーハ１０の上面１０ａ上に滴下したならば、ウエーハ１０を保持する図示しない保持テーブルを矢印Ｒで示す方向に所定の速度（例えば１００ｒｐｍ〜３００ｒｐｍ）で回転させる。蝋材塗布工程を実施した直後であれば、ウエーハ１０の上面１０ａはパラフィンＰ２が溶融状態を維持できる程度の温度に加熱されていることから、格別の加熱手段を講じることなく、ウエーハ１０の上面１０ａ上の全域に溶融状態のパラフィンＰ２を塗布することができ、図４（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の上面１０ａを覆うパラフィンＰ２の保護膜が形成される。この際に形成される保護膜は１０μｍ〜２０μｍの厚みで形成されることが好ましい。なお、パラフィンＰ２を滴下した後、上面１０ａの全面にパラフィンＰ２を広げる途中でパラフィンＰ２が温度低下により硬化してしまう場合は、上方から温風を供給する手段を配設して溶融状態が維持できるように構成してもよい。
【００１９】
上記した蝋材塗布工程、及び保護膜形成工程を実施したならば、レーザー加工工程を実施すべく、ダイシングテープＴを介してフレームＦに保持されたウエーハ１０を、図５に示すレーザー加工装置１に搬送する。図５に示すレーザー加工装置１の概要について、図５を参照しながら説明する。
【００２０】
レーザー加工装置１は、ダイシングテープＴを介してフレームＦに支持されたウエーハ１０を保持する保持手段２０と、保持手段２０を移動させる移動手段３０と、保持手段２０に保持されたウエーハ１０にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４０と、アライメント手段５０と、を備えている。
【００２１】
保持手段２０は、図中に矢印Ｘで示すＸ軸方向において移動自在に基台２に載置される矩形状のＸ軸方向可動板２１と、図中に矢印Ｙで示すＹ軸方向において移動自在にＸ軸方向可動板２１に載置される矩形状のＹ軸方向可動板２２と、Ｙ軸方向可動板２２の上面に固定された円筒状の支柱２３と、支柱２３の上端に固定された矩形状のカバー板２６とを含む。カバー板２６には、カバー板２６上に形成された長穴を通って上方に延びる円形状のチャックテーブル２４が配設されている。チャックテーブル２４はウエーハ１０を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成されている。チャックテーブル２４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック２４ａが配置されている。吸着チャック２４ａは、支柱２３の内部を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。チャックテーブル２４には、タイシングテープＴを介してウエーハ１０を支持する環状のフレームＦを固定するためのクランプ２５も配設される。なお、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向で規定される平面は実質上水平である。
【００２２】
移動手段３０は、基台２上に配設され、保持手段２０をＸ軸方向に加工送りする加工送り手段３１と、保持手段２０をＹ軸方向に割り出し送りする割り出し送り手段３２と、を備えている。加工送り手段３１は、パルスモータ３３の回転運動を、ボールねじ３４を介して直線運動に変換してＸ軸方向可動板２１に伝達し、基台２上の案内レール２ａ、２ａに沿ってＸ軸方向可動板２１をＸ軸方向において進退させる。割り出し送り手段３２は、パルスモータ３５の回転運動を、ボールねじ３６を介して直線運動に変換してＹ軸方向可動板２２に伝達し、Ｘ軸方向可動板２１上の案内レール２１ａ、２１ａに沿ってＹ軸方向可動板２２をＹ軸方向において進退させる。なお、図示は省略するが、加工送り手段３１、割り出し送り手段３２、及びチャックテーブル２４には、位置検出手段が配設されており、チャックテーブル２４のＸ軸方向の位置、Ｙ軸方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、図示しない制御手段に伝達され、該制御手段から指示される指示信号に基づいて、加工送り手段３１、割り出し送り手段３２、及び図示しないチャックテーブル２４の回転駆動手段が駆動され、任意の座標位置、及び回転角度にチャックテーブル２４を位置付けることが可能である。
【００２３】
移動手段３０の側方には、枠体４が立設される。枠体４は、基台２上に配設される垂直壁部４ａ、及び垂直壁部４ａの上端部から水平方向に延びる水平壁部４ｂと、を備えている。枠体４の水平壁部４ｂの内部には、レーザー光線照射手段４０の光学系（図示は省略する。）が内蔵されている。水平壁部４ｂの先端部下面には、レーザー光線照射手段４０の一部を構成する集光器４２が配設され、集光器４２の内部には、図示しない集光レンズ等が内蔵されている。レーザー光線照射手段４０には、レーザー発振器（図示は省略する。）が配設され、該レーザー発振器から発振されたレーザー光線は、集光器４２の該集光レンズによって集光され、保持手段２０に保持されるウエーハ１０の所定の位置に照射される。
【００２４】
アライメント手段５０は、水平壁部４ｂの先端部下面において、集光器４２のＸ軸方向で隣接する位置に配設される。アライメント手段５０は、可視光線を照射する照明手段と、可視光線により撮像する撮像素子（ＣＣＤ）と、を備え（いずれも図示は省略する。）、必要に応じて、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える赤外線撮像素子を備えることもできる。
【００２５】
本実施形態のレーザー加工装置１は、概ね上記したとおりの構成を備えており、このレーザー加工装置１を用いてアブレーション加工を施すレーザー加工工程について以下に説明する。
【００２６】
図５に示すレーザー加工装置１にウエーハ１０を搬送したならば、保持手段２０のチャックテーブル２４上に、ウエーハ１０をパラフィンＰ１が塗付されダイシングテープＴによって支持された下面１０ｂを下方に向けて載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、ウエーハ１０をチャックテーブル２４に吸引保持する。また、ウエーハ１０を支持するフレームＦは、チャックテーブル２４に配設されたクランプ２５により固定される。
【００２７】
ウエーハ１０をチャックテーブル２４に吸引保持したならば、加工送り手段３１を作動し、ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル２４をアライメント手段５０の直下に位置付ける。次いで、アライメント手段５０によってウエーハ１０の上面１０ａを撮像し、所定方向に形成された分割予定ライン１４及び該所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン１４と、レーザー光線照射手段４０の集光器４２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理が遂行される（アライメント工程）。
【００２８】
上記のようにアライメント工程を実施したならば、チャックテーブル２４を、レーザー光線照射手段４０の集光器４２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、加工開始位置となる分割予定ライン１４の一端を集光器４２の直下に位置付ける。そして、図６（ａ）に示すように、集光器４２から照射されるパルスレーザー光線ＬＢの集光点をウエーハ１０の分割予定ライン１４に位置付け、レーザー光線照射手段４０の集光器４２からウエーハ１０に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線ＬＢを照射しつつ、チャックテーブル２４を矢印Ｘで示す方向に所定の加工送り速度で移動させることにより、パルスレーザー光線ＬＢの照射位置をウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿って移動させて、分割予定ライン１４に沿ってレーザー加工溝１４ａを形成するアブレーション加工を施す。パルスレーザー光線ＬＢの照射位置がウエーハ１０の端部に達したら、パルスレーザー光線ＬＢの照射を停止すると共にチャックテーブル２４の移動を一旦停止し、Ｙ軸方向に割り出し送りして、隣接する分割予定ライン１４に対しても同様のアブレーション加工を実施する。これを繰り返すことで、所定方向に形成された全ての分割予定ライン１４に対して該アブレーション加工を実施したならば、チャックテーブルを９０°回転させて、該所定方向に直交する方向に形成された分割予定ライン１４をＸ軸方向に沿うように位置付けて、同様のアブレーション加工を実施し、ウエーハ１０上に形成された全ての分割予定ライン１４に対してレーザー加工溝１４ａを形成し、ウエーハ１０上に形成されたデバイス１２を個々のデバイスチップに分割する。以上により、レーザー加工工程が完了する。
【００２９】
なお、上記したアブレーション加工を実施する際のレーザー加工条件は、例えば以下のように設定される。
波長                        ：５３２ｎｍ
繰り返し周波数              ：２０ＭＨｚ
平均出力                    ：６Ｗ
パルス幅                    ：１０ｐｓ
加工送り速度                ：２０ｍｍ／秒
【００３０】
図６（ｂ）に、上記したアブレーション加工を施す際のウエーハ１０の内部の様子を説明するための一部拡大断面図を示す。図６（ｂ）に示すように、分割予定ライン１４の上面１０ａから下面１０ｂに向けて貫通するレーザー加工溝１４ａが形成された際、下面１０ｂ側において該レーザー加工溝１４ａに対向する領域のパラフィンＰ１は、局所的に溶融温度（５０℃〜７０℃）以上に加熱され、溶融状態で流動するパラフィンＰ１’となる。これにより、レーザー加工溝１４ａに沿って形成される下面１０ｂ側の角部の熱が流動するパラフィンＰ１’によって吸収され、速やかに冷却される。この結果、パラフィンによるデバイスチップの保持力と相まって、レーザー加工溝１４ａの下面１０ｂ側の角部に沿って複数のチッピング（欠け）が発生することが防止され、分割後のデバイスチップの品質を低下させるという問題が解消される。
【００３１】
さらに、上記した実施形態では、上面１０ａ側にもパラフィンＰ２が塗付されている。ここで、ウエーハ１０の上面１０ｂから分割予定ライン１４に沿ってパルスレーザー光線ＬＢを照射すると、パルスレーザー光線ＬＢが照射された照射位置でデブリＤが発生する。この際、上面１０ａの該照射位置では、パラフィンＰ２が局所的に高温になり溶融し、溶融したパラフィンＰ２’内の温度分布に応じて流動する。この流動によって、上記したアブレーション加工によって生じたデブリＤが、レーザー加工溝１４ａ内に回り込み流動するパラフィンＰ２’内に取込まれ、レーザー加工溝１４ａ内の壁面に付着することが防止される。これにより、デブリＤが、分割後のデバイスチップの側面に付着して残留し、品質を低下させるという問題も解消される。
【００３２】
上記したように、レーザー加工工程を実施し、ウエーハ１０を個々のデバイスチップに分割したならば、ウエーハ１０の上面１０ａ側、下面１０ｂ側に塗布されたパラフィンＰ１、Ｐ２を除去する。除去するための手順は特に限定されないが、パラフィンの溶融温度は上記したように５０℃〜７０℃であることから、ウエーハ１０を適宜該溶融温度以上に加熱することにより、容易に除去することが可能である。より具体的には、ウエーハ１０の上面１０ａ側に塗布されたパラフィンＰ２を除去する場合は、図示しない温風供給手段から、所定温度（例えば、１５０℃〜２５０℃）の温風を、ウエーハ１０の上面１０ａ上に向けて吹付け、上面１０ａ側をパラフィンＰ２の溶融温度を大きく超える高い温度まで上昇させる。これと同期して、該保持テーブルを所定の速度で高速回転（例えば３０００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍ）させ、溶融したパラフィンＰ２をウエーハ１０の上面１０ａ側から外方向に吹き飛ばして、ウエーハ２０の上面１０ａからパラフィンＰ２を除去する。
【００３３】
また、下面１０ｂ側からパラフィンＰ１を除去する場合は、パラフィンＰ２が除去された上面１０ａ側を所定の図示しない保持テーブルで保持し、下面１０ｂ側を支持するダイシングテープＴ側に向けて、上記した温風供給手段から温風を吹き付けて加熱し、パラフィンＰ１を溶融状態にして、ダイシングテープＴを剥離する。さらに、ダイシングテープＴを剥離した後、下面１０ｂ側に直接該温風を吹き付けて加熱し、該保持テーブルを所定の速度で高速回転させて溶融したパラフィンＰ１をウエーハ１０の下面１０ｂ側から外方向に吹き飛ばして、ウエーハ１０の下面１０ｂからパラフィンＰ２を除去する。以上により、ウエーハ１０の上面１０ａ、及び下面１０ｂから蝋材として塗布されていたパラフィンを除去することができる（除去工程）。なお、ウエーハ１０の下面１０ｂ、及び上面１０ａから除去されたパラフィンＰ１、Ｐ２は、ウエーハ１０から除去された後に回収し、濾過して再生し、新たなウエーハ１０に塗布する際に使用することが好ましい。
【００３４】
上記したように、本実施形態では、ウエーハ１０の下面１０ｂ側をダイシングテープＴによって直接支持せず、蝋材（パラフィン）を間に介在させている。これにより、レーザー加工工程を実施した後、ウエーハ１０の下面１０ｂ側からダイシングテープＴを除去したとしても、ウエーハ１０を支持したダイシングテープＴの粘着層がデバイスチップの下面１０ｂ側の角部に付着してデバイスチップの品質を低下させる等の問題が発生するという問題が解消する。
【００３５】
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。例えば、上記した実施形態では、サブストレートとして、ダイシングテープを採用したが、本発明はこれに限定されず、ガラス板、金属板等のサブストレートを使用するものであってもよい。また、上記した実施形態では、ウエーハ１０の上面１０ａ、及び下面１０ｂ側に塗布する蝋材としてパラフィンを採用したが、本発明はこれに限定されず、石油系ワックス、合成ワックス、鉱物系ワックス等、アブレーション加工を施す際に照射されるレーザー光線によって昇温され溶融する蝋材であれば、いずれの蝋材を採用してもよい。
【００３６】
さらに、上記した実施形態では、ウエーハ１０のデバイス１２が形成された表面側を、レーザー光線を照射する上面１０ａとし、デバイス１２が形成された表面の反対側、すなわち裏面側を下面１０ｂとして、該裏面側に蝋材（パラフィンＰ１）を塗布すると共に、サブストレート（ダイシングテープＴ）で支持するようにしたが、本発明はこれに限定されず、ウエーハ１０の該裏面側を上面としてその裏面側からレーザー光線を照射してアブレーション加工を実施することとし、デバイス１２が形成された表面側を下面として蝋材を塗布してサブストレートで支持して、裏面側からパルスレーザー光線を照射してアブレーション加工を施すものであってもよい。
【符号の説明】
【００３７】
１：レーザー加工装置
２：基台
１０：ウエーハ
１０ａ：上面
１０ｂ：下面
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
２０：保持手段
２４：チャックテーブル
３０：移動手段
３１：加工送り手段
３２：割り出し送り手段
４０：レーザー光線照射手段
４２：集光器
５０：アライメント手段
１００：蝋材供給ノズル
１１０：加熱押圧手段
１２０：押圧部材
Ｐ１、Ｐ２：パラフィン（蝋材）
【図１】
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【図２】
2020138225.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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