(57)【要約】【課題】プロセスマージンが広く、かつ放電空間で反応ガスとの反応が生じ難い、反応性スパッタリングを用いた成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置は、処理チャンバと、スパッタ粒子を放出させるスパッタ機構と、スパッタ粒子が放出される放電空間を遮蔽するスパッタ粒子遮蔽部材と、処理チャンバ内に設けられた反応室と、反応室内で基板を支持する基板支持部と、基板を移動させる移動機構と、スパッタ粒子遮蔽部材に設けられ、基板よりも狭い面積を有し、スパッタ粒子を基板に向けて通過させるパッタ粒子通過孔と、反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入部とを具備し、基板を移動させながら、スパッタ粒子通過孔を通過したスパッタ粒子を、反応室に導入された反応ガスと反応させ、反応性スパッタ膜を基板上に成膜する。【選択図】図１
2020019996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性スパッタリングにより膜を形成する成膜装置であって、
基板に対して成膜処理が行われる処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で、ターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ機構と、
前記スパッタ機構により放出されたスパッタ粒子が放出される放電空間を遮蔽するスパッタ粒子遮蔽部材と、
前記処理チャンバ内の前記放電空間とは別個に設けられた反応室と、
前記反応室内で基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板を移動させる移動機構と、
前記スパッタ粒子遮蔽部材に設けられ、前記基板よりも狭い面積を有し、前記スパッタ粒子を前記反応室の基板に向けて通過させるパッタ粒子通過孔と、
前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入部と、
を具備し、
前記基板移動機構により前記基板を移動させながら、前記スパッタ機構により前記放電空間に放出され、前記スパッタ粒子通過孔を通過して前記反応室に射出されたスパッタ粒子を、前記反応室に導入された反応ガスと反応させ、この反応により生成された反応性スパッタ膜を前記基板上に成膜する、成膜装置。
【請求項２】
前記スパッタ粒子通過孔の面積は、基板の面積の９０％以下である、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記スパッタ粒子通過孔の面積は、基板の面積の１０〜５０％である、請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記基板は、前記基板支持部に水平に配置され、
前記基板移動機構は、前記基板を水平面内に移動させ、
前記スパッタ粒子遮蔽部材は、前記基板の直上に配置され、前記スパッタ粒子通過孔が形成されたスパッタ粒子遮蔽板を有し、
前記スパッタ粒子と前記反応ガスは、前記スパッタ粒子遮蔽板と前記基板との間の反応空間で反応する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記スパッタ粒子遮蔽板と前記基板との間の距離は２ｍｍ以上である、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記スパッタ粒子遮蔽板は、前記反応ガスを整流する整流板として機能する請求項４または請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記スパッタ機構は、
前記スパッタ粒子を放出させるためのターゲットを保持するターゲット保持部と、
前記放電空間にスパッタリングガスを導入するスパッタリングガス導入部と、
前記ターゲット保持部に電圧を印加する電源と
を有し、
前記ターゲット保持部に電圧が印加されることにより、前記ターゲットの周囲で前記スパッタリングガスが解離し、解離した前記スパッタリングのイオンが前記ターゲットに衝突し、スパッタ粒子を放出させる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記ターゲットホルダは、前記ターゲットを前記基板に対して斜めに保持し、前記ターゲットから放出された前記スパッタ粒子は、前記基板に対して斜めに照射される、請求項７に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記基板移動機構は、前記基板を直線的に移動させる、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記基板移動機構は、前記基板を回転させる、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項１１】
成膜装置を用いて反応性スパッタリングにより膜を形成する成膜方法であって、
前記成膜装置は、
基板に対して成膜処理が行われる処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で、ターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ機構と、
前記スパッタ機構により放出されたスパッタ粒子が放出される放電空間を遮蔽するスパッタ粒子遮蔽部材と、
前記処理チャンバ内の前記放電空間とは別個に設けられた反応室と、
前記反応室内で基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部に支持された基板を移動させる移動機構と、
前記スパッタ粒子遮蔽部材に設けられ、前記基板よりも狭い面積を有し、前記スパッタ粒子を前記反応室の基板に向けて通過させるパッタ粒子通過孔と、
前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入部と、
を具備し、
前記基板移動機構により前記基板を移動させる工程と、
前記基板を移動させる工程を行いながら、前記スパッタ機構により前記放電空間に前記スパッタ粒子を放出させ、前記スパッタ粒子通過孔を通過させて前記反応出に射出する工程と、
前記反応室に射出されたスパッタ粒子を、前記反応室に導入された反応ガスと反応させる工程と、
前記反応させる工程により生成された反応性スパッタ膜を前記基板上に成膜する工程と
を有する、成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、基板上に膜を形成する成膜処理が行われる。
【０００３】
成膜処理としては、ターゲットから放出されたスパッタ粒子と酸素や窒素等の反応性ガスとを反応させて基板上に酸化膜や窒化膜等の化合物薄膜を形成する反応性スパッタリングが知られている（例えば特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−４１７３３号公報
【特許文献２】特開２００５−４２２００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、プロセスマージンが広く、かつ放電空間で反応ガスとの反応が生じ難い、反応性スパッタリングを用いた成膜装置および成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る成膜装置は、反応性スパッタリングにより膜を形成する成膜装置であって、基板に対して成膜処理が行われる処理チャンバと、前記処理チャンバ内で、ターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ機構と、前記スパッタ機構により放出されたスパッタ粒子が放出される放電空間を遮蔽するスパッタ粒子遮蔽部材と、前記処理チャンバ内の前記放電空間とは別個に設けられた反応室と、前記反応室内で基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板を移動させる移動機構と、前記スパッタ粒子遮蔽部材に設けられ、前記基板よりも狭い面積を有し、前記スパッタ粒子を前記反応室の基板に向けて通過させるパッタ粒子通過孔と、前記反応室内に反応ガスを導入する反応ガス導入部と、を具備し、前記基板移動機構により前記基板を移動させながら、前記スパッタ機構により前記放電空間に放出され、前記スパッタ粒子通過孔を通過して前記反応室に射出されたスパッタ粒子を、前記反応室に導入された反応ガスと反応させ、この反応により生成された反応性スパッタ膜を前記基板上に成膜する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、プロセスマージンが広く、かつ放電空間で反応ガスとの反応が生じ難い、反応性スパッタリングを用いた成膜装置および成膜方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。
【図２】図１の成膜装置のスパッタ粒子通過孔と基板との関係を示す図である。
【図３】第１の実施形態により膜を形成する様子を説明するための模式図である。
【図４】第２の実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。
【図５】図４の成膜装置のスパッタ粒子通過孔と基板との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態について具体的に説明する。
【００１０】
＜第１の実施形態＞
まず、第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。
本実施形態の成膜装置１は、基板Ｗ上に反応性スパッタリングによって膜を形成するものである。成膜装置１は、処理チャンバ１０と、基板支持部１２と、基板移動機構１４と、ターゲットホルダ１６と、電源１８と、スパッタ粒子遮蔽部材２０と、スパッタリングガス導入部２２と、反応ガス導入部２４と、排気装置２６とを有している。基板Ｗとしては、例えば半導体ウエハを挙げることができるがこれに限定されない。
【００１１】
処理チャンバ１０は、上部が開口されたチャンバ本体１０ａと、チャンバ本体１０ａの上部開口を塞ぐように設けられた蓋体１０ｂとを有する。蓋体１０ｂは、断面形状が台形状をなしている。
【００１２】
処理チャンバ１０の底部には排気口２５が形成され、上記排気装置２６はこの排気口２５に接続されている。排気装置２６は、圧力制御弁、および真空ポンプを含んでおり、排気装置２６により、処理チャンバ１０内が所定の真空度まで真空排気されるようになっている。
【００１３】
処理チャンバ１０の側壁には、隣接する搬送室（図示せず）に基板Ｗを搬入出するための搬入出口２９が形成されている。搬入出口２９はゲートバルブ３０により開閉される。
【００１４】
基板支持部１２は、処理チャンバ１０のチャンバ本体１０ａ内に設けられ、基板Ｗを水平に支持するようになっている。基板支持部１２は、基板移動機構１４により水平方向に直線的に移動可能となっている。したがって、基板支持部１２に支持された基板Ｗは、基板移動機構１４により水平面内で直線移動される。基板移動機構１４は、多関節アーム部３１と、駆動部３２とを有しており、駆動部３２により多関節アーム部３１を駆動することにより、基板支持部１２を水平方向に移動可能となっている。
【００１５】
スパッタリングガス導入部２２は、処理チャンバ１０の頂部に設けられている。スパッタリングガス導入部２２から、スパッタリングガスである、Ａｒガス、Ｋｒガス等の不活性ガスが処理チャンバ１０内に導入される。
【００１６】
ターゲットホルダ１６は、ターゲット２８を保持するものであり、導電性材料で形成され、絶縁性の部材を介して、処理チャンバ１０の蓋体１０ｂの傾斜面に、基板Ｗに対して斜めに取り付けられている。ターゲット２８は、成膜しようとする膜の構成元素を含む材料からなる。例えば、成膜する膜がＴｉＮ膜である場合には、Ｔｉからなる。
【００１７】
ターゲットホルダ１６には、電源１８が電気的に接続されている。電源１８は、ターゲット２８が導電性材料である場合には、直流電源であってよく、ターゲット２８が誘電性材料である場合には、高周波電源であってよい。電源１８が高周波電源である場合には、電源１８は整合器を介してターゲットホルダ１６に接続される。ターゲットホルダ１６に電圧が印加されることにより、ターゲット２８の周囲でスパッタリングガス導入部２２から導入されたスパッタリングガスである不活性ガスが解離する。そして、解離したガス中のイオンがターゲット２８に衝突し、ターゲット２８からその構成材料の粒子であるスパッタ粒子が斜め下方に放出される。
【００１８】
なお、ターゲットホルダ１６、電源１８、およびスパッタリングガス導入部２２は、ターゲット２８からスパッタ粒子を放出するスパッタ機構を構成する。
【００１９】
反応ガス導入部２４は、処理チャンバ１０の底部に設けられている。反応ガス導入部２４は、例えばＯ２ガス、Ｎ２ガス等の反応ガスを処理チャンバ１０内に導入する。反応ガスは、ターゲット２８から放出されたスパッタ粒子と反応して、基板支持部１２上に基板Ｗの表面に所定の化合物膜を形成させる。例えば、ターゲット３８がＴｉで、反応ガスがＮ２ガスの場合は、ＴｉＮ膜が形成される。
【００２０】
スパッタ粒子遮蔽部材２０は、処理チャンバ１０内に設けられ、ターゲット２８から放出されたスパッタ粒子を遮蔽する機能を有しており、スパッタ粒子遮蔽板３６と、シールド部材３８と、スパッタ粒子通過孔３７とを有している。
【００２１】
スパッタ粒子遮蔽板３６は、略板状をなし、基板支持部１２の直上に水平に設けられており、スパッタ粒子通過孔３７が形成されている。スパッタ粒子通過孔３７は、スパッタ粒子遮蔽板３６の板厚方向に貫通している。シールド部材３８は、スパッタ粒子遮蔽板３６の上方に設けられている。そして、スパッタ粒子遮蔽板３６とシールド部材３８により、遮蔽された空間が形成され、その空間がターゲット２８からスパッタ粒子が放出される放電空間Ｓ１となる。スパッタ粒子遮蔽板３６とシールド部材３８の間は、１〜２ｍｍ程度のクリアランスが形成され、ラビリンス構造となっている。
【００２２】
処理チャンバ１０内の基板Ｗが配置されて反応ガスとスパッタ粒子が反応する領域は、放電空間Ｓ１とは別個の反応室Ｓ２となっている。そして、スパッタ粒子通過孔３７は、放電空間Ｓ１のスパッタ粒子を、反応室Ｓ２の基板Ｗに向けて通過させる。放電空間Ｓ１と反応室Ｓ２とは、スパッタリングガスである不活性ガスと反応ガスの流量等を調整することにより圧力を独立して制御することができる。
【００２３】
なお、上述したスパッタリングガス導入部２２は、放電空間Ｓ１へスパッタリングガスを供給するようになっており、反応ガス導入部２４は、反応室Ｓ２へ反応ガスを供給するようになっている。
【００２４】
遮蔽された放電空間Ｓ１では、スパッタ粒子は、ターゲット２８から斜め下方に放出され、スパッタ粒子通過孔３７を通過し、反応室Ｓ２に存在する基板Ｗに斜めに照射される。
【００２５】
スパッタ粒子通過孔３７は、基板Ｗよりも小さい面積を有しており、反応ガスが放電空間Ｓ１へ回り込み難くなっている。スパッタ粒子通過孔３７の面積は、基板Ｗの面積の９０％以下が好ましく、１０〜９０％、さらには１０〜５０％がより好ましい。本例のように基板Ｗが直進する場合には、スパッタ粒子通過孔３７の形状は、図２に示すように、基板Ｗの直径（幅）以上の長さを有する長方形とすることができる。
【００２６】
一方、反応室Ｓ２において、スパッタ粒子通過孔３７と基板Ｗとの間は、放電空間Ｓ１からスパッタ粒子が降り注ぐとともに、反応ガスが供給され、スパッタ粒子と反応ガスとの反応が生じる反応空間Ｓ３となる。この反応空間Ｓ３での反応により、成膜しようとする化合物が生成され、基板Ｗ上にその化合物からなる反応性スパッタ膜が形成される。
【００２７】
このとき、スパッタ粒子遮蔽板３６と基板Ｗとの間の距離は、反応空間Ｓ３に十分大きいコンダクタンスで反応ガスが供給可能な距離とすればよい。これにより、反応空間Ｓ３でスパッタ粒子と反応ガスの反応性を良好にすることができる。このような観点から、スパッタ粒子遮蔽板３６と基板Ｗとの間の距離は２ｍｍ以上が好ましく、４ｍｍ以上であることがより好ましい。
【００２８】
また、スパッタ粒子遮蔽板３６のスパッタ粒子通過孔３７以外の部分は、反応ガスを整流する整流板の機能を有し、反応ガスを基板Ｗ上へ層流状態で安定して供給することができる。
【００２９】
成膜装置１は、さらに制御部４０を有する。制御部４０は、コンピュータからなり、成膜装置１の各構成部、例えば、電源１８、スパッタリングガスの導入、反応ガスの導入、排気装置２６、駆動機構３２等を制御する、ＣＰＵからなる主制御部を有する。また、その他に、キーボードやマウス等の入力装置、出力装置、表示装置、記憶装置を有する。制御部４０の主制御部は、記憶装置に処理レシピが記憶された記憶媒体をセットすることにより、記憶媒体から呼び出された処理レシピに基づいて成膜装置１に所定の動作を実行させる。
【００３０】
次に、以上のように構成される成膜装置の成膜動作について説明する。
まず、ゲートバルブ３０を開け、処理チャンバ１０に隣接する搬送室（図示せず）から、搬送装置（図示せず）により処理チャンバ１０内の反応室Ｓ２に基板Ｗを搬入し、基板支持部１２に載置する。
【００３１】
次いで、スパッタリングガス導入部２２から処理チャンバ１０内の放電空間Ｓ１にスパッタリングガスとしてＡｒガス、Ｋｒガス等の不活性ガスを導入しつつ処理チャンバ１０内を所定圧力に調圧する。
【００３２】
次いで、基板移動機構１４により基板支持部１２に載置された基板Ｗを水平面内で直線的に移動させながら、電源１８からターゲットホルダ１６に電圧を印加するとともに、反応ガス導入部２４から反応ガスを処理チャンバ１０内の反応室Ｓ２へ導入する。
【００３３】
このとき、ターゲットホルダ１６に電圧を印加することにより形成される電磁界により、スパッタリングガス導入部２２から導入されたスパッタリングガスが解離する。そして、解離したガス中のイオンがターゲット２８に衝突し、ターゲット２８からその構成材料のスパッタ粒子が斜め下方に放出される。図３に示すように、ターゲット２８から放出されたスパッタ粒子Ｐは、スパッタ粒子通過孔３７を通過して反応室Ｓ２に射出され、基板Ｗに向けて照射される。一方、反応ガス導入部２４から処理チャンバ１０内に導入された反応ガスＧは、処理チャンバ１０内を拡散し、スパッタ粒子通過孔３７から基板１０へスパッタ粒子Ｐが降り注ぐ反応空間Ｓ３に到達すると、スパッタ粒子Ｐと反応して成膜しようとする化合物が生成され、基板Ｗ上にその化合物からなる反応性スパッタ膜Ｆが形成される。
【００３４】
従来の反応性スパッタリング装置では、スパッタ粒子が放出される放電空間に反応ガスが供給される場合が多い。この場合、放電空間は、一般的にシールドで覆われており、シールドは反応ガス導入用の隙間が形成されている。しかし、スパッタ粒子の漏出を抑制する観点から、その隙間を小さくすると、反応ガスが放電空間に入りにくく、制御が難しいためプロセスマージンが狭くなる傾向にある。逆に、反応ガスが十分入るようにすると、反応ガスが過剰に供給されてターゲット表面まで反応して成膜レートが低下したり、ごみ（パーティクル）が出たりする等の問題が生じる（Poisson Mode）。
【００３５】
また、従来の反応性スパッタリング装置では、基板周辺のシールド部分（スパッタ粒子遮蔽部材２０の内部等）にも反応性スパッタ膜が堆積する。一般に、反応性スパッタ膜は膜ストレスが大きく、剥がれやすいため、基板周辺のシールド部分にも反応性スパッタ膜が堆積すると、ごみ（パーティクル）が発生する等の問題が生じ、メンテナンス周期が短くなってしまう。
【００３６】
特許文献１、２の技術は、差圧板、仕切り板により、反応性ガスが放電空間に入りこむことを抑制し、反応ガスがターゲットに到達し難くしている。しかし、差圧板、仕切り板に形成されたスパッタ粒子通過孔は、基板よりも広く形成されており、反応ガスの放電空間への侵入を必ずしも効果的に抑制することができない。
【００３７】
これに対し、本実施形態では、基板Ｗを直線的に移動させながら、放電空間Ｓ１からのスパッタ粒子が、基板Ｗの面積よりも小さいスパッタ粒子通過孔３７を通過して、放電空間Ｓ１外の反応空間Ｓ３で反応ガスと反応されるようにした。
【００３８】
これにより、反応ガスを小さなコンダクタンスで放電空間に供給する必要がなく、反応ガスを十分大きなコンダクタンスで基板Ｗに供給することができるので、プロセスマージンを広くすることができる。また、スパッタ粒子通過孔３７を基板よりも小さい面積とし、基板Ｗを移動させるようにしたので、反応ガスが放電空間に流れ込み難く、ターゲットと反応ガスとの反応を抑制することができる。このとき、スパッタ粒子通過孔３７の面積は、基板Ｗの面積の９０％以下が好ましく、１０〜９０％、さらには１０〜５０％がより好ましい。また、放電空間Ｓ１からスパッタ粒子通過孔３７を通過して反応空間Ｓ３に降り注ぐスパッタ粒子に反応ガスを供給するので、反応ガスは放電空間へ一層侵入し難くなり、ターゲットと反応ガスとの反応をより確実に防止することができる。
【００３９】
さらに、このように放電空間と反応空間を分けたことにより、基板周辺のシールド部分（スパッタ粒子遮蔽部材２０等）でスパッタ粒子と反応ガスが反応して反応性スパッタ膜が堆積することが防止される。このため、基板周辺のシールド部分でごみ（パーティクル）が発生することが抑制され、メンテナンス周期が短くなる問題も生じない。
【００４０】
さらにまた、本実施形態のように、処理チャンバ１０内にスパッタ粒子遮蔽部材２０で遮蔽された放電空間Ｓ１を別途区画する場合には、この放電空間Ｓ１の容積を変更することにより、以下のような効果を奏することができる。すなわち、放電空間Ｓ１が区画されていない場合、処理チャンバ１０の形状および容積が固定されているため、膜種や膜厚等の要件によっては、最適な条件でスパッタ粒子を放出できない場合がある。この場合、処理チャンバ１０の形状や容積を変更することは困難である。これに対して、処理チャンバ１０内の放電空間Ｓ１の容積を変更することにより、ターゲット周辺圧力やスパッタリングガスのガス濃度等を容易に変更できる。このため、処理チャンバの形状変更することなく、容易に最適な条件でスパッタ粒子を放出させることができる。
【００４１】
さらにまた、スパッタ粒子遮蔽板３６と基板Ｗとの間の距離を、反応空間Ｓ３に十分大きいコンダクタンスで反応ガスが供給可能な距離とすることにより、反応空間Ｓ３でスパッタ粒子と反応ガスの反応性を良好にすることができる。このような観点から、スパッタ粒子遮蔽板３６と基板Ｗとの間の距離は２ｍｍ以上が好ましく、４ｍｍ以上であることがより好ましい。
【００４２】
さらにまた、スパッタ粒子遮蔽板３６のスパッタ粒子通過孔３７以外の部分は、反応ガスを反応空間Ｓ３に導くための整流板として機能するので、反応ガスを基板Ｗ上へ層流状態で安定して供給することができる。
【００４３】
さらにまた、本実施形態では、スパッタ粒子通過孔３７の形状を基板Ｗの直径（幅）以上の長さを有する長方形とし、基板Ｗを直線的に移動させながらターゲット２８からスパッタ粒子を斜めに基板Ｗに照射しつつ反応ガスと反応させる。このため、スパッタ粒子の角度をほぼ一定にして、指向性の高い斜め成膜を行うことができる。
【００４４】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。
図４は、第２の実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。
本実施形態の成膜装置１′は、基板移動機構１４の代わりに基板移動機構１４′を有する他は、図１に示す成膜装置１と同様に構成されている。
【００４５】
基板移動機構１４′は、回転駆動部４１と回転軸４２とを有しており、回転軸４２は、基板支持部１２の中心に固定されている。したがって、回転駆動部４１により回転軸４２を介して基板支持部１２が回転され、これにともなってその上の基板Ｗが水平面内で回転される。
【００４６】
本実施形態では、このように基板移動機構１４′により基板Ｗを回転移動させながら、第１の実施形態と同様に反応性スパッタリングを行う。
【００４７】
本実施形態においては、スパッタ粒子遮蔽板３６に形成されるスパッタ粒子通過孔３７の形状が、図５に示すように、基板Ｗの外周部で広く、中心部で狭い形状を有することが好ましい。これにより、スパッタ粒子を基板の外周部と中心部で、より均等に供給することができる。
【００４８】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様、プロセスマージンが広く、かつ放電空間に反応ガスとの反応が生じ難くすることができる。また、第１の実施形態の他の効果も同様に奏することができる。
【００４９】
＜他の適用＞
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５０】
例えば、上記実施形態のスパッタ粒子を放出させる手法は例示であり、他の方法でスパッタ粒子を放出させてもよい。また、上記実施形態では、ターゲットを斜めに配置して斜め成膜を行った例を示したが、これに限るものではなく、ターゲットを中央に配置してもよい。さらに、上記実施形態では、基板の水平面内での移動を、直進的な移動と回転を例にとって示したが、揺動等の他の移動であってもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１；成膜装置
１０；処理チャンバ
１０ａ；チャンバ本体
１０ｂ；蓋体
１２；基板支持部
１４，１４′；基板移動機構
１６；ターゲットホルダ
１８；電源
２０；スパッタ粒子遮蔽部材
２２；スパッタリングガス導入部
２４；反応ガス導入部
２６；排気機構
２８；ターゲット
３６；スパッタ粒子遮蔽板
３７；スパッタ粒子通過孔
３８；シールド部材
Ｓ１；放電空間
Ｓ２；反応室
Ｓ３；反応空間
Ｗ；基板
【図１】
2020019996.tif 000003
【図２】
2020019996.tif 000004
【図３】
2020019996.tif 000005
【図４】
2020019996.tif 000006
【図５】
2020019996.tif 000007