(57)【要約】      （修正有）【課題】管内面に付着したプロセス膜の剥離を抑制し、パーティクルを低減することのできる炉芯管及びそれを用いた熱処理装置を提供する。【解決手段】炭化珪素を材料に用いた炉芯管３において、炉芯管の内面の表面粗さは、高さ方向に沿って下端から上端に向かって大きくなる勾配を有する。炉芯管の内面は、高さ方向に沿って複数の領域Ａ，Ｂ，Ｃに分けられ、下方より上方の領域の表面粗さが大きいことが望ましい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハを内部に収容し、熱処理を行う炉芯管において、
前記炉芯管の内表面の表面粗さＲａが１μｍ以上３０μｍ以下であって、
前記炉芯管の高さ方向に沿って、下端部から上端部に向かって大きくなる勾配を有することを特徴とする炉芯管。
【請求項２】
前記炉芯管の内表面は、
高さ方向に沿って複数の領域に分けられ、
下方より上方の領域の表面粗さが大きいことを特徴とする請求項１に記載された炉芯管。
【請求項３】
前記上端部が閉じられた蓋部を有する縦型の炉芯管であって、
前記炉芯管の内表面は高さ方向に沿って３つの領域に分けられ、
前記炉芯管の内表面において、前記蓋部の領域の表面粗さＲａは１０〜３０μｍであり、前記蓋部の下端から直胴部中央部までの領域の表面粗さＲａは５〜２０μｍであり、前記直胴部中央部から直胴部下端部までの領域の表面粗さＲａは１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された炉芯管。
【請求項４】
円筒状に形成され、その両端が水平に配置され横型の炉芯管であって、
炉芯管の一の内表面が下端とされ、前記一の内表面から１８０度離れた内表面が上端とされる横型の炉芯管において、
前記炉芯管の内表面は、前記炉芯管の高さ方向である直径方向に沿って２つの領域に分けられ、
前記炉芯管の内表面において、直径方向の上部の領域の表面粗さＲａは１０〜２０μｍであり、直径方向の下部の表面粗さＲａは１〜５μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された炉芯管。
【請求項５】
Ｓｉ−ＳｉＣ複合材に、ＳｉＣ膜が被覆されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された炉芯管。
【請求項６】
前記請求項１乃至請求項５のいずれかに記載された炉芯管を備える熱処理装置であって、
前記炉芯管と、
前記炉芯管に収容され、半導体ウェハを保持するボートと、
前記炉芯管を周囲から加熱する加熱源と、
を、少なくとも備えることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炉芯管及びそれを用いた熱処理装置に関し、特に炉芯管内面に付着したプロセス膜の剥離を抑制し、パーティクルを低減できる炉芯管及びそれを用いた熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造過程では、炉芯管（プロセスチューブ）を用いた熱処理装置において、半導体ウェハに対し種々の熱処理が行われる。
例えば、シリコンインゴッドから切り出された半導体ウェハは、熱処理装置の炉芯管に収容され、この炉芯管内に酸素（Ｏ２）ガス（或いは水蒸気）が注入され、加熱処理されることによって、ウェハ表面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）が形成される。
【０００３】
また、ウェハ表面にシリコン酸化膜が形成された前記半導体ウェハは、炉芯管内に例えばシラン（ＳｉＨ４）とアンモニア（ＮＨ３）のガスが注入され、加熱処理がされることによって、前記シリコン酸化膜の上にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）が成膜される。
【０００４】
ところで、前記熱処理に用いる炉芯管の材料として、従来は石英ガラスが多く用いられていたが、熱処理の際に高温で軟化変形し易く、また失透し易いため、炉芯管の寿命が短い等の欠陥がある。そのため近年では一般に、炉芯管の材料として耐熱性の高いＳｉＣ（炭化珪素）が広く用いられている。
【０００５】
前記ＳｉＣを材料に用いた炉芯管（ＳｉＣプロセスチューブとも呼ぶ）は、例えばシリコン／ＳｉＣ複合材料の表面に対し、ＳｉＣ−ＣＶＤコートを施したものが用いられている。シリコン／ＳｉＣ複合材料とは、例えばラバープレス法の場合、ゴム型にＳｉＣ原料の粉末を入れて圧縮成形し、純化処理後にシリコンを含浸させて酸処理したものである。
【０００６】
しかしながら、このようにＳｉＣを材料に用いた炉芯管を用いる場合、熱処理に長期間使用すると、炉芯管の内表面にポーラス（多孔質）なＳｉＯ２膜が成長し、パーティクルを発生させる原因となっていた。
【０００７】
このような課題に対し、特許文献１においては、炉芯管の内表面の粗さを１５０μｍ以下に形成し、ＳｉＯ２膜の生成量を抑制する提案がなされている。
即ち、炉芯管の内表面の粗さを１５０μｍ以下に形成することによって、炉芯管の内表面に付着する（生成される） ＳｉＯ２を抑制し、パーティクルの発生を抑制する発明が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６０−１３８９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、一般的に、前記したラバープレス法により形成したシリコン／ＳｉＣ複合材料からなる炉芯管の場合、管内表面は１〜１０μｍの表面粗さを有している。
したがって、このような管内表面が１〜１０μｍの表面粗さである炉芯管の場合、炉芯管の内表面に付着する（生成される）プロセス膜（例えば、ＳｉＯ２膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４））を抑制でき、パーティクルの発生を抑制できる。
【００１０】
しかしながら、管内表面が１〜１０μｍの表面粗さである炉芯管の場合、炉芯管の内表面に付着した（生成された）プロセス膜（例えば、ＳｉＯ２膜シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４））は、炉芯管の内表面の表面粗さが小さいため、アンカー力（付着強度）が不足し、炉芯管の内表面から剥離し易いという課題があった。
この炉芯管の内表面に付着した（生成された）プロセス膜のアンカー力（付着強度）が不足し、前記膜が炉芯管の内表面から剥離し易いことは、石英ガラス製の炉芯管においても同様である。
【００１１】
また、熱処理により半導体ウェハ表面に成膜するプロセスにおいては、管内表面の上部に下部よりも多くのプロセス膜が付着し、しかも、前記したように、炉芯管の内表面の表面粗さが小さいため、管内表面上部におけるプロセス膜が剥離し易く、パーティクルの原因となっていた。
【００１２】
本発明は、上記技術的課題を解決するためになされたものであり、管内表面に付着したプロセス膜の剥離を抑制し、パーティクルを低減できる炉芯管及びそれを用いた熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明にかかる炉芯管は、半導体ウェハを内部に収容し、熱処理を行う炉芯管において、前記炉芯管の内表面の表面粗さＲａが１μｍ以上３０μｍ以下であって、前記炉芯管の高さ方向に沿って、下端部から上端部に向かって大きくなる勾配を有することを特徴としている。
【００１４】
このように構成された炉芯管によれば、炉心管の内表面の表面粗さＲａが、高さ方向に沿って下端部から上端部に向かって大きくなるため、上端部におけるプロセス膜のアンカー効果が大きくなり、付着量が多くなる上端部のプロセス膜の剥離を、より効果的に抑制することができ、パーティクルの発生を低減することができる。
【００１５】
ここで、前記炉芯管の内表面は、高さ方向に沿って複数の領域に分けられ、下方より上方の領域の表面粗さが大きいことが望ましい。
【００１６】
また、前記上端部が閉じられた蓋部を有する縦型の炉芯管であって、前記炉芯管の内表面は高さ方向に沿って３つの領域に分けられ、前記炉芯管の内表面において、前記蓋部の領域の表面粗さＲａは１０〜３０μｍであり、前記蓋部の下端から直胴部中央部までの領域の表面粗さＲａは５〜２０μｍであり、前記直胴部中央部から直胴部下端部までの領域の表面粗さＲａは１〜１０μｍであることが望ましい。
尚、蓋部の領域の表面粗さＲａを１０〜３０μｍとしたのは、プロセス膜の付着量が多くなるためであり、蓋部の下端から直胴部中央部までの領域の表面粗さＲａを５〜２０μｍとしたのは、付着量が平均的であるためであり、直胴部中央部から直胴部下端部までの領域の表面粗さＲａを１〜１０μｍとしたのは、付着量が少ないためである。
【００１７】
このように構成された炉芯管によれば、直胴部中央部から直胴部下端部までの領域の表面粗さＲａが１〜１０μｍであり、炉芯管の内表面の表面粗さは小さく、アンカー力（付着強度）は小さい。しかしながら、直胴部中央部から直胴部下端部までの領域は、プロセス膜の付着量が少なく、前記表面粗さによっても、プロセス膜の剥離をより効果的に抑制することができ、パーティクルの発生を低減することができる。
また、蓋部の領域の表面粗さＲａは１０〜３０μｍであり、蓋部の領域はプロセス膜の付着量が多いが、前記表面粗さによってプロセス膜の剥離をより効果的に抑制することができ、パーティクルの発生を低減することができる。
【００１８】
また、本発明にかかる炉芯管は、円筒状に形成され、その両端が水平に配置され横型の炉芯管であっても良い。
具体的には、円筒状に形成され、その両端が水平に配置され横型の炉芯管であって、炉芯管の一の内表面が下端とされ、前記一の内表面から１８０度離れた内表面が上端とされる横型の炉芯管において、前記炉芯管の内表面は、前記炉芯管の高さ方向である直径方向に沿って２つの領域に分けられ、前記炉芯管の内表面において、直径方向の上部の領域の表面粗さＲａは１０〜３０μｍであり、直径方向の下部の表面粗さＲａは１〜１０μｍであることが望ましい。
【００１９】
また、本発明にかかる炉芯管は、Ｓｉ−ＳｉＣ複合材に、ＳｉＣ膜が被覆されている炉芯管であることが望ましい。
尚、本発明にかかる炉芯管は、当然、石英ガラス製の炉芯管にも適用することができる。
【００２０】
また、上記目的を達成するためになされた本発明にかかる熱処理装置は、前記炉芯管を備える熱処理装置であって、前記炉芯管と、前記炉芯管に収容され、半導体ウェハを保持するボートと、前記炉芯管を周囲から加熱する加熱源と、少なくとも備えることに特徴を有する。
【００２１】
このように構成された熱処理装置によれば、炉心管の内表面の表面粗さＲａが、高さ方向に沿って下端部から上端部に向かって大きくなるため、上端部におけるプロセス膜のアンカー効果が大きくなり、付着量が多くなる上端部のプロセス膜の剥離を、より効果的に抑制することができ、パーティクルの発生を低減することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、管内表面に付着したプロセス膜の剥離を抑制し、パーティクルを低減できる炉芯管及びそれを用いた熱処理装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、第一の実施の形態に係る炉芯管及びそれを用いた熱処理装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図２は、図１の炉芯管の内表面の表面粗さの分布を示す断面図である。
【図３】図３は、炉芯管内の高さ方向の領域と表面粗さとの関係を示すグラフである。
【図４】図４（ａ）は、炉芯管３の第二の実施の形態を示す正面から見た断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＶ−Ｖ矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明に係る炉芯管及びそれを用いた熱処理装置の第一の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。図１は、この第一の実施の形態に係る炉芯管及びそれを用いた熱処理装置の一実施形態を示す断面図であり、図２は、図１の炉芯管の内表面の表面粗さの分布を示す断面図である。
【００２５】
図１に示す熱処理装置１は、同心円筒状に配置された加熱源（カンタル線ヒータ、加熱ランプ等）２と、その内側に配置された縦型の炉芯管３（プロセスチューブ）とを有する。
炉芯管３の中には多数枚の半導体ウェハＷを保持する縦型ボート４が出し入れ可能に設置される。この縦型ボート４は、保持台５上に設置され、その下に設けられたキャップ６が炉芯管３の下端開口３ａを塞ぐように構成されている。
【００２６】
また、前記キャップ４の下には昇降装置７が設けられ、この昇降装置７により、前記縦型ボート４と保持台５、及びキャップ６が炉芯管３内部に向けて上下方向に移動可能となされている。
また、この熱処理装置１は、半導体ウェハＷの熱処理時、及びその前後に炉芯管３内部の雰囲気ガスを所定の状態（反応ガスが満たされた減圧、加圧又は常圧の状態）に保つための雰囲気ガス導入手段８、及び排出手段９を備えている。
【００２７】
本発明は、前記炉芯管３の構成に特徴を有する。図２に示す炉芯管３は、例えば直径（内径）φ４００ｍｍ、厚さ５ｍｍ、高さ１３００ｍｍに形成され、上端部が閉じられたドーム状の蓋部３ｂと、筒状の直胴部３ｃと、直胴部３ｃ下端部の下端開口３ａとを有する。
このような形状により、炉芯管３内部の高温雰囲気ガスの上昇流出が防止される。また、この炉芯管３は、Ｓｉ−ＳｉＣ複合材を基材とし、その表面にＳｉＣ−ＣＶＤコート（被覆）されたＳｉＣプロセスチューブである。
【００２８】
また、図２に示すように炉芯管３は、高さ方向に沿って複数の領域（図では３つの領域）に分けられる。そして管内面において、蓋部の領域Ａの表面粗さＲａは１０〜３０μｍとされ、蓋部の下端から直胴部中央部までの管上部領域Ｂの表面粗さＲａは５〜２０μｍとされる。また、直胴部中央部から下端部の開口部までの管下部領域Ｃの表面粗さＲａは１〜１０μｍとされる。
このように炉芯管３全体としては、管内表面の表面粗さＲａが、１〜３０μｍの範囲とされ、表面粗さの値が大きいほどプロセス膜に対するアンカー力（付着力）が大きい状態とされる。
【００２９】
また、望ましくは、図３のグラフの実線に示すように管内表面の表面粗さＲａに、上部ほど粗さが大きくなるよう勾配がつけられる。このようにすることにより、管内表面の表面粗さの分布と、管内表面に付着するプロセス膜の量の分布とが比例し、プロセス膜の剥離を効果的に抑制し、パーティクルの発生を低減することができる。
尚、図３のグラフに示す実線は、直線状であるが、それに限定されず、管内表面の表面粗さが上部ほど大きくなるのであれば、曲線状としてもよい。
【００３０】
また、図３のグラフの一点鎖線に示すように、管下部領域Ｃにおける表面粗さＲａは１〜１０μｍとし、管上部領域Ｂから蓋部の領域Ａまで上部ほど表面粗さが大きくなる勾配を持たせてもよい。
このとき、一般的に、前記したラバープレス法により形成したシリコン／ＳｉＣ複合材料からなる炉芯管の場合、管内表面は１〜１０μｍの表面粗さであるため、管下部領域Ｃは未加工として、管上部領域Ｂから蓋部の領域Ａまで上部ほど表面粗さが大きくなるように加工を施しても良い。
【００３１】
また、図３のグラフの破線に示すように、領域ごとに一様な表面粗さに形成してもよい。その場合、管下部領域Ｃにおける表面粗さＲａは１〜１０μｍの所定値（或いは未加工）とし、管上部領域Ｂの表面粗さＲａは前記領域Ｃより大きく、且つ５〜２０μｍの範囲内で設定した所定値とされる。さらに上端蓋部領域Ａにおける表面粗さＲａは前記領域Ｂより大きく、且つ１０〜３０μｍの範囲内で設定した所定値とされる。
【００３２】
このように本実施の形態においては、管内上部ほど表面粗さＲａが大きいため、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）等の成膜プロセス時において、管内表面に付着する（生成される）プロセス膜は多くなる。しかしながら、前記プロセス膜はアンカー効果により剥がれ難くなり、パーティクルの発生が抑制される。
【００３３】
また、前記のように管内面に１〜３０μｍの表面粗さＲａを形成するには、例えば管内面をサンドブラスト処理することにより可能である。
また、炉芯管３を逆さの状態とし、蓋部１を下に配置して、内表面にフッ硝酸を液滴することにより、Ｓｉを溶解し内表面の粗さを粗くすることができる。
尚、Ｓｉ−ＳｉＣ複合材から形成した炉芯管は、一般的に、製作された当初の状態で表面粗さＲａが１〜１０μｍであるため、管下部領域Ｃにおける表面粗さ加工を、特に行わなくても良い。
【００３４】
このように構成された熱処理装置１０においては、先ず炉芯管３の外に取り出されている縦型ボート４に半導体ウェハＷを装填し、次いで、縦型ボート４及びそれを保持する保持台５、キャップ６を昇降装置７により上昇させ、炉芯管３内に半導体ウェハＷを挿入する。
【００３５】
そして、排気手段９より内部の雰囲気ガスを排気した後に、徐々に導入手段８から半導体ウェハＷ用の雰囲気ガスを導入しつつ、炉芯管３の外部の加熱源２から熱を加えながら半導体ウェハＷの熱処理を行う。
半導体ウェハＷの熱処理中は、炉芯管３内は所定の処理温度に保たれ、半導体ウェハＷの表面に所定の熱処理（ＣＶＤ、熱拡散、アニール等）を行う。
【００３６】
ここで、炉芯管３の内表面の表面粗さは、下方から上方に向かって大きい値となるよう勾配を有するため、炉芯管３内部においては、上部ほど多くなるプロセス膜の付着量に比例して、上部のアンカー効果が大きくなる。そのため、熱処理中に付着したプロセス膜の剥離が抑制され、パーティクル発生量を低減することができる。
【００３７】
熱処理が全て終了すると、昇降装置７により縦型ボート４、保持台５及びキャップ６は下方に移動され、炉芯管３は開放状態となされる。
そして、炉芯管３の外に出された縦型ボート４から熱処理後の半導体ウェハＷが取り出される。
【００３８】
以上のように本発明に係る第一の実施の形態によれば、縦型の炉心管１を高さ方向に沿って複数（３つ）の領域に分割し、所定の表面粗さの範囲（１〜３０μｍ）において下部より上部の領域ほど内表面の粗さＲａが大きい構成とした。
これにより炉心管１の内表面において上部のアンカー効果が大きくなり、付着量が多くなる上部のプロセス膜の剥離を効果的に抑制することができ、パーティクルの発生を低減することができる。
【００３９】
続いて、本発明に係る炉心管１の第二の実施の形態について説明する。図４（ａ）は、炉芯管３の第二の実施の形態を示す正面から見た断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＶ−Ｖ矢視断面図である。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、第二の実施の形態に係る炉芯管３Ａは、横型の炉芯管である。
【００４０】
この横型の炉芯管３Ａは、管円筒状に形成され、その両端が水平に配置され、炉芯管３Ａの一の内表面が下端３Ａ１とされ、前記一の内表面から１８０度離れた内表面が上端３Ａ２とされる。
この横型の炉芯管３Ａの場合であっても、管内部において上部ほど管内表面に付着するプロセス膜の量が多くなる。そのため管内表面の表面粗さは、上部ほど大きくなるよう形成する必要がある。
具体的には、図示するように管内部は、高さ方向に沿って複数、例えば２つの領域Ｄ、Ｅに分けられる。領域Ｄは管の上端から高さ方向（直径方向）中央部の位置までの領域であり、領域Ｅは管の高さ方向（直径方向）中央から下端までの領域である。
上部の前記領域Ｄにおいては、例えば表面粗さＲａが１０〜２０μｍとされ、下部の前記領域Ｅにおいては、例えば表面粗さＲａが１〜５μｍとされる。
【００４１】
また、このように２段階に分割された表面粗さの分布は、下方から上方に向かって大きい値となるよう勾配を有することが望ましいが、例えば領域ごとに一様な表面粗さとし、領域Ｄの表面粗さが領域Ｅの表面粗さより大きくなるように形成してもよい。
【００４２】
このように本発明に係る第二の実施形態によれば、炉芯管３Ａ内部において、上部ほど多くなるプロセス膜の付着量に比例して、上部のアンカー効果が大きくなるため、プロセス膜の剥離が抑制され、パーティクル発生量を低減することができる。
【００４３】
尚、前記第一、第二の実施形態においては、炉芯管３、３Ａの内部を３つあるいは２つの領域に分け、上部の領域ほど表面粗さが大きくなるよう勾配を設けた。
しかしながら、本発明にあっては、炉芯管３、３Ａを高さ方向に分割する数は限定されるものではない。
例えば、複数の領域に分割せずに、上部ほど表面粗さが大きくなるように形成してもよく、あるいは高さ方向に沿って４つ以上の領域に分割し、上部の領域ほど表面粗さが大きくなるように形成してもよい。
【実施例】
【００４４】
続いて、本発明の炉芯管について、実施例に基づき更に説明する。
（実験１）
実験１では、直径φ４００ｍｍ、厚さ５ｍｍ、高さ１３００ｍｍの縦型の炉芯管を用い、図２に示したように、管内部を高さ方向に上部から下部に向かって３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃに分けた。領域Ａは蓋部の領域であり、領域Ｂは蓋部の下端から直胴部中央部までの領域であり、領域Ｃは直胴部部中央から下端部の開口部までの領域である。
そして、領域ごとに表面粗さＲａを設定して、炉芯管内に収容したボートに載置したウェーハに対し窒化珪素膜を形成するＬＰ−ＣＶＤプロセスの熱処理を行い、熱処理後にウェーハ上面に生じたパーティクルの量を測定し、本発明の有効性を検証した。
【００４５】
表１に実施例１〜３、及び比較例１〜９の条件を示す。尚、熱処理後のパーティクル量はパーティクルカウンターにより測定し、表１において、パーティクルの量が少ない（従来のパーティクル量の６０％未満）場合は○、若干少ない（従来のパーティクル量の８０％未満）場合は△、普通（従来と同じパーティクル量）の場合は×とした。尚、使用した炉芯管において、初期状態における管内表面の粗さＲａは１〜１０μｍであった。
【００４６】
【表１】
2020202246.tif 000003
【００４７】
この実験１の結果、領域Ａについては、表面粗さＲａ１０〜３０μｍの範囲においてプロセス膜の剥離が格段に抑制された。
また、領域Ｂについては、表面粗さ５〜２０μｍの範囲においてプロセス膜の剥離が格段に抑制された。
また、下部領域である領域Ｃにおいては、条件設定した表面粗さの内、１〜１５μｍの範囲においてプロセス膜の剥離が格段に抑制された。但し、初期状態の１〜１０μｍの範囲でも十分にプロセス膜の剥離を抑制できることから、この下部領域Ｃについては無理に表面粗さを大きくする必要はないと考えられる。
また、表面粗さＲａが０．０５μｍの場合には、アンカー力が足りないためにプロセス膜が容易に剥離し、パーティクルが多く発生した。
【００４８】
以上により、縦型の炉芯管において、領域Ａの表面粗さＲａは１０〜３０μｍ、領域Ｂの表面粗さＲａは５〜２０μｍ、領域Ｃの表面粗さＲａは１〜１０μｍであることが、付着したプロセス膜の剥離抑制に最も効果的であり、それによりパーティクルを低減することができると確認した。
【００４９】
（実験２）
実験２では、直径（高さ）φ３００ｍｍ、厚さ７ｍｍ、長さ２５００ｍｍの横型の炉芯管を用い、図４に示したように、管内部を高さ方向に上部から下部に向かって２つの領域Ｄ、Ｅに分けた。領域Ｄは管上端から高さ方向（直径方向）中央までの領域であり、領域Ｅは管の高さ方向（直径方向）中央から下端までの領域である。
そして、領域ごとに表面粗さＲａを設定して酸化の熱処理を行い、熱処理後に下部に生じたパーティクルの量を測定し、本発明の有効性を検証した。
【００５０】
表２に実施例４〜５、及び比較例１０〜１３の条件を示す。尚、熱処理後のパーティクル量はパーティクルカウンターにより測定し、表１と同様に、パーティクルの量が少ない（従来のパーティクル量の６０％未満）場合は○、若干少ない（従来のパーティクル量の８０％未満）場合は△、普通（従来と同じパーティクル量）の場合は×とした。
尚、使用した炉芯管において、初期状態における管内表面の粗さＲａは１〜１０μｍであった。
【００５１】
【表２】
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【００５２】
表２により、横型の炉芯管の場合には、領域Ｄの表面粗さＲａは１０〜２０μｍ、領域Ｅの表面粗さＲａは１〜５μｍであることが、付着したプロセス膜の剥離抑制に最も効果的であり、それによりパーティクルを低減することができると確認した。
【符号の説明】
【００５３】
１    熱処理装置
２    加熱源
３    炉芯管（プロセスチューブ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2020202246.tif 000007
【図４】
2020202246.tif 000008