(57)【要約】【課題】マイクロ波を利用して被検査物を適正に検査することができる検査装置を提供する。【解決手段】被検査物１０にマイクロ波Ｗ１を照射すると共に、マイクロ波Ｗ１の照射位置にレーザー光線Ｌ１を照射して光励起により発生したキャリアにより反射率が高められた該照射位置Ｐで反射したマイクロ波Ｗ２を受信してキャリアライフタイムを計測することにより、被検査物１０の特性を検査する検査装置１であって、被検査物１０を保持する保持手段２０と、保持手段２０に保持された被検査物１０に対してマイクロ波Ｗ１を照射するマイクロ波照射手段５０と、被検査物１０で反射したマイクロ波Ｗ２を受信するマイクロ波受信手段６０と、マイクロ波Ｗ１が照射された照射位置Ｐにレーザー光線Ｌ１を照射するレーザー光線照射手段４１と、を備え、レーザー光線照射手段４１は、レーザー光線Ｌ１の波長を選択できる波長選択部４４を備える検査装置１が提供される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物にマイクロ波を照射すると共に、該マイクロ波の照射位置にレーザー光線を照射して光励起により発生したキャリアにより反射率が高められた該照射位置で反射したマイクロ波を受信してキャリアライフタイムを計測することにより、被検査物の特性を検査する検査装置であって、
被検査物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被検査物に対してマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、被検査物で反射したマイクロ波を受信するマイクロ波受信手段と、マイクロ波が照射された照射位置にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を備え、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線の波長を選択できる波長選択部を備える検査装置。
【請求項２】
該レーザー光線照射手段は、光源として白色光源を備え、波長選択部として該白色光源から複数の波長の光を選択的に抽出して照射する複数種類のバンドパスフィルターを備えた請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
該レーザー光線照射手段は、波長可変レーザー生成手段を備える請求項１に記載の検査装置。
【請求項４】
該白色光源は、ＳＬＤ光源、ＡＳＥ光源、スーパーコンティニウム光源、ＬＥＤ光源、ハロゲン光源、キセノン光源、水銀光源、メタルハライド光源のいずれかである、請求項２に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検査物の特性を検査する検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削され、所定の厚みに仕上げられた後、切削装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
上記したデバイスチップの品質を向上させる手段として、ウエーハの裏面を研削し、該研削による歪み層を残存させることによりウエーハの内部に存在する銅等の金属イオンの動きを封じることによりゲッタリング効果を生じさせることが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
また、半導体ウエーハの物理的特性を検査する際に、マイクロ波を検査の対象となる半導体ウエーハの所定の照射位置に照射すると共に、該照射位置に対してレーザー光線を照射して、光励起によって発生したキャリア（光電子、正孔対）の密度に応じて反射率が高められた該照射位置で反射したマイクロ波を受信し、該反射率が減衰して消滅するまでの時間、いわゆるキャリアライフタイムを計測することで半導体ウエーハの物理的特性を評価することも知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３１７８４６号公報
【特許文献２】特開２００５−１４２３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載された技術では、キャリアライフタイムの長さによって半導体ウエーハの物理的特性を評価する。しかし、被検査物の材質や、被検査物に含まれる異物（重金属等）層の種類、及び被検査物に照射されるレーザー光線の波長によってキャリアライフタイムが影響を受けることから、マイクロ波を利用してキャリアライフタイムの長さに基づいて物理的特性の適切な評価を実施するためには、被検査物の材質や被検査物の異物（重金属等）層の種類に応じて照射するレーザー光線の波長を適正に選択する必要があるのに対し、従来においては、被検査物に対応する適正な波長の元での検査を実施することが困難であるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、マイクロ波を利用して被検査物を適正に検査することができる検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被検査物にマイクロ波を照射すると共に、該マイクロ波の照射位置にレーザー光線を照射して光励起により発生したキャリアにより反射率が高められた該照射位置で反射したマイクロ波を受信してキャリアライフタイムを計測することにより、被検査物の特性を検査する検査装置であって、被検査物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被検査物に対してマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、被検査物で反射したマイクロ波を受信するマイクロ波受信手段と、マイクロ波が照射された照射位置にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を備え、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線の波長を選択できる波長選択部を備える検査装置が提供される。
【０００９】
該レーザー光線照射手段は、光源として白色光源を備え、波長選択部として該白色光源から複数の波長の光を選択的に抽出して照射する複数種類のバンドパスフィルターを備えるようにしてもよい。また、該レーザー光線照射手段は、波長可変レーザー生成手段を備えるようにすることもできる。さらに、該白色光源は、ＳＬＤ光源、ＡＳＥ光源、スーパーコンティニウム光源、ＬＥＤ光源、ハロゲン光源、キセノン光源、水銀光源、メタルハライド光源のいずれかから選択されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の検査装置は、被検査物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被検査物に対してマイクロ波を照射するマイクロ波照射手段と、被検査物で反射したマイクロ波を受信するマイクロ波受信手段と、マイクロ波が照射された照射位置にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、を備え、該レーザー光線照射手段は、レーザー光線の波長を選択できる波長選択部を備えるようにしたことにより、被検査物に合わせて適正に検査を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】検査装置の全体斜視図である。
【図２】保持手段に被検査物を載置する態様を示す斜視図である。
【図３】図１に記載された検査装置の光学系、マイクロ波照射手段、及びマイクロ波受信手段を示すブロック図である。
【図４】図３に示す波長選択部の具体的な実施態様を示す斜視図である。
【図５】レーザー光線照射手段の変形例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に基づき構成された検査装置に係る実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１３】
図１には、被検査部にマイクロ波を照射すると共に、該マイクロ波の照射位置にレーザー光線を照射して光励起により発生したキャリア（光電子、正孔対）により反射率が高められた照射位置で反射したマイクロ波を受信して、キャリアライフタイムを計測することにより、被検査物の特性を検査する検査装置１の斜視図が示されている。
【００１４】
検査装置１は、被検査物（例えば、図２に示すウエーハ１０）を保持する保持手段２０と、保持手段２０を移動させる移動手段３０と、レーザー光線照射手段４１を備えた光学系４０と、マイクロ波照射手段５０と、マイクロ波受信手段６０とを備えている。
【００１５】
保持手段２０は、図中に矢印Ｘで示すＸ軸方向において移動自在に基台２に載置される矩形状のＸ軸方向可動板２１と、図中に矢印Ｙで示すＹ軸方向において移動自在にＸ軸方向可動板２１に載置される矩形状のＹ軸方向可動板２２と、Ｙ軸方向可動板２２の上面に固定された円筒状の支柱２３と、支柱２３の上端に固定された矩形状のカバー板２６とを含む。カバー板２６の中央には、カバー板２６上に形成された長穴２６ａを通って上方に延びる円形状のチャックテーブル２４が配設されている。チャックテーブル２４はウエーハ１０を保持し、図示しない回転駆動手段により回転可能に構成されている。チャックテーブル２４の上面には、多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック２４ａが配置されている。吸着チャック２４ａは、支柱２３の内部を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。なお、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向で規定される平面は実質上水平である。
【００１６】
移動手段３０は、静止基台２上に配設され、保持手段２０をＸ軸方向に加工送りするＸ軸方向送り手段３１と、保持手段２０をＹ軸方向に割り出し送りするＹ軸方向送り手段３２と、を備えている。Ｘ軸方向送り手段３１は、パルスモータ３３の回転運動を、ボールねじ３４を介して直線運動に変換してＸ軸方向可動板２１に伝達し、基台２上の案内レール２ａ、２ａに沿ってＸ軸方向可動板２１をＸ軸方向において進退させる。Ｙ軸方向送り手段３２は、パルスモータ３５の回転運動を、ボールねじ３６を介して直線運動に変換してＹ軸方向可動板２２に伝達し、Ｘ軸方向可動板２１上の案内レール２１ａ、２１ａに沿ってＹ軸方向可動板２２をＹ軸方向において進退させる。なお、図示は省略するが、Ｘ軸方向送り手段３１、Ｙ軸方向送り手段３２、及びチャックテーブル２４には、位置検出手段が配設されており、チャックテーブル２４のＸ軸方向の位置、Ｙ軸方向の位置、周方向の回転角度位置が正確に検出され、後述する制御手段１００（図３を参照。）に伝達され、制御手段１００から指示される指示信号に基づいて、Ｘ軸方向送り手段３１、Ｙ軸方向送り手段３２、及び図示しないチャックテーブル２４の回転駆動手段が駆動され、任意の座標位置、及び回転角度にチャックテーブル２４を位置付けることが可能である。
【００１７】
移動手段３０の側方には、枠体４が立設される。枠体４は、基台２上に配設される垂直壁部４ａ、及び垂直壁部４ａの上端部から水平方向に延びる水平壁部４ｂと、を備えている。枠体４の水平壁部４ｂの内部には、レーザー光線照射手段４１を備えた光学系４０、マイクロ波照射手段５０、マイクロ波受信手段６０が内蔵されている。水平壁部４ｂの先端部下面には、該光学系４０の一部を構成する集光器４２が配設され、集光器４２の内部には、図示しない集光レンズ等が内蔵されている。
【００１８】
本実施形態の被検査物は、図２に示す半導体ウエーハ１０である。半導体ウエーハ１０の表面１０ａ側には、格子状に形成された分割予定ライン１４の各領域にデバイス１２が形成されている。また、裏面１０ｂ側は、図示しない研削装置によって研削加工が施され、例えば、透過型電子顕微鏡による観察で０．２μｍ以下の厚さのマイクロクラックからなりゲッタリング効果を生じさせる歪み層が形成されている。チャックテーブル２４に半導体ウエーハ１０を保持する際には、半導体ウエーハ１０の該歪み層が形成された裏面１０ｂ側を上方に向けて表面１０ａを吸着チャック２４ａに載置し、図示しない吸引手段を作動して吸引保持する。
【００１９】
図３には、レーザー光線照射手段４１を備えた光学系４０を示すブロック図が示されている。光学系４０は、レーザー光線照射手段４１と、レーザー光線照射手段４１から照射されるレーザー光線Ｌ１の光路をチャックテーブル２４に向けて変更する反射ミラー４８と、反射ミラー４８によって導かれたレーザー光線Ｌ１を集光してチャックテーブル２４上に保持された半導体ウエーハ１０上の所定の照射位置Ｐに照射する集光器４２とを備える。なお、集光器４２、及び反射ミラー４８は、必要に応じて適宜配設されるものである。レーザー光線照射手段４１は、光源４３と、波長選択部４４とを備える。波長選択部４４は、光源４３から照射される光Ｌ０から所望の波長のレーザー光Ｌ１を選択して照射する。
【００２０】
光Ｌ０を発する光源４３として、例えば白色光源を採用することができる。白色光源から照射される光Ｌ０（以下、「白色光Ｌ０」という。）は、可視光を含む幅広い波長（例えば、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲）を含む光であることが好ましい。白色光Ｌ０を発する白色光源は、例えば、ＳＬＤ光源、ＡＳＥ光源、ＳＣ光源、ＬＥＤ光源、ハロゲン光源、キセノン光源、水銀光源、メタルハライド光源等のいずれかから選択することができる。波長選択部４４の具体的な構成例を図４に示す。図４に示す波長選択部４４は、バンドパスフィルター板４４４と、パルスモータ４４６とを備える。バンドパスフィルター板４４４は、円盤状をなし、外周領域に、光源４３から照射される白色光Ｌ０から所定の波長の光を選択的に抽出して照射する複数種類のバンドパスフィルター４４４ａ〜４４４ｈを備えている。
【００２１】
バンドパスフィルター４４４ａ〜４４４ｈは、それぞれ異なる所定波長の光を選択的に通過させてレーザー光線Ｌ１として照射する光学フィルターであり、例えば、バンドパスフィルター４４４ａは３００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｂは４００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｃは５００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｄは６００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｅは７００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｆは８００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｇは９００ｎｍの波長の光を、バンドパスフィルター４４４ｈは１０００ｎｍの波長の光を通過させる機能を備える。制御手段１００によってパルスモータ４４６を駆動することにより、バンドパスフィルター板４４４を矢印Ｒで示す方向に回転し、上記したバンドパスフィルター４４４ａ〜４４４ｈのうちいずれか任意のバンドパスフィルターを、白色光Ｌ０の通過位置に位置付けることが可能であり、白色光Ｌ０から所望の波長の光を選択的に抽出してレーザー光線Ｌ１を生成することが可能になっている。なお、上記した実施形態では、８つのバンドパスフィルターを備える構成としたが、本発明はこれに限定されず、必要な種類のバンドパスフィルターを任意の数だけ備えるように構成すればよい。
【００２２】
枠体４の水平壁部４ｂには、マイクロ波照射手段５０、及びマイクロ波受信手段６０が配設される。図３に示すようにマイクロ波照射手段５０から照射されるマイクロ波Ｗ１は、所定の入射角をもって半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂ上に照射され、マイクロ波Ｗ１の照射位置は、レーザー光線Ｌ１が照射される照射位置Ｐに設定される。所定の照射位置Ｐにおいて反射したマイクロ波Ｗ２は、該入射角と一致する反射角で反射され、マイクロ波受信手段６０によって受信される。上記したように、半導体ウエーハ１０上の照射位置Ｐに対してレーザー光線Ｌ１が照射されることから、半導体ウエーハ１０の照射位置Ｐでは光励起によりキャリア（光電子及び正孔対）が生成される。該キャリアは半導体の導電性を変化させるものであり、生成されたキャリアは時間経過に応じて再結合し、半導体ウエーハ１０の物理的特性によって決まるキャリアライフタイムの後に消滅する。半導体ウエーハ１０の照射位置Ｐにおけるマイクロ波の反射率は、生成されるキャリアの密度によって変化することから、生成されたキャリアが時間経過に応じて再結合されることに伴って該反射率が低下する。よって、マイクロ波受信手段６０によって受信されるマイクロ波の変化に基づいてキャリアライフタイムを計測することができ、該キャリアライフタイムから、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂにおいてレーザー光線Ｌ１が照射される照射位置Ｐにおける歪み層の物理的特性を検査することができる。
【００２３】
制御手段１００は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略する。）。この制御手段１００は、検査装置１の各作動部を制御する制御手段として機能すると共に、マイクロ波照射手段５０からのマイクロ波の照射、及びマイクロ波受信手段６０によって受信されたマイクロ波の信号強度波形の解析を実施する制御プログラムが記憶されている。図３に示すように、マイクロ波受信手段６０によって受信されたマイクロ波の信号強度波形Ｆの時間経過に伴う変化は、制御手段１００に接続された表示モニター１２０に表示される。
【００２４】
本実施形態の検査装置１は概ね上記したとおりの構成を備えており、検査装置１の作用について以下に説明する。
【００２５】
本実施形態において検査を開始するにあたっては、図２に示すように、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を上方に向け、チャックテーブル２４上に載置する。次いで、移動手段３０を作動して、チャックテーブル２４を移動して半導体ウエーハ１０を集光器４２の直下の所望の位置に位置付ける。
【００２６】
集光器４２の直下に半導体ウエーハ１０を位置付けたならば、図３に示すようにマイクロ波照射手段５０、及びマイクロ波受信手段６０を作動して、裏面１０ｂの照射位置Ｐに向けて所定のマイクロ波Ｗ１の照射を開始する。図２の表示モニター１２０に示されているように、時間ｔ０では、レーザー光線Ｌ１が照射されておらず、照射位置Ｐにおいてキャリアが生成されないため、照射位置Ｐにおけるマイクロ波の反射率は極めて低い状態であり、マイクロ波受信手段６０によってマイクロ波は殆ど受信されないか、又は極めて低い信号強度で受信される。
【００２７】
次いで、レーザー光線照射手段４１に配設された白色光源からなる光源４３を作動して、白色光Ｌ０を発生させる。ここで、本実施形態では、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された歪み層の物理的特性を検出するのに適した波長８００ｎｍのレーザー光線Ｌ１を照射すべく、予め波長選択部４４を作動して、白色光Ｌ０の光路上に、８００ｎｍの波長の光を透過させるバンドパスフィルター４４４ｆが位置付けられている。白色光Ｌ０がバンドパスフィルター４４４ｆを通過することにより波長８００ｎｍの光が選択されて、レーザー光線照射手段４１から波長８００ｎｍのレーザー光線Ｌ１が照射される。
【００２８】
レーザー光線照射手段４１から照射位置Ｐに向けてレーザー光線Ｌ１が照射されると、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂ上の歪み層の物理的特性に応じて、光励起によってキャリア（光電子及び正孔対）が生成され、該照射位置Ｐにおける歪み層の導電性が変化する。図２の表示モニター１２０に示されているように、レーザー光線Ｌ１が半導体ウエーハ１０の照射位置Ｐに向けて照射されたタイミング（時間ｔ１）でキャリアが生成されると、照射位置Ｐにおけるマイクロ波の反射率が急激に上昇し、マイクロ波受信手段６０によって受信されるマイクロ波Ｗ２の信号強度波形Ｆも急激に上昇し、図２の表示モニター１２０に示されているように、ピークｆ１を示す。マイクロ波受信手段６０により受信されたマイクロ波Ｗ２の信号強度が時間ｔ１でピークｆ１を示した後、光励起によって生成されたキャリアが時間経過とともに再結合することによって、照射位置Ｐにおけるマイクロ波の反射率が徐々に低下する。これに伴い、図２の表示モニター１２０に示される信号強度波形Ｆは、ｆ２で示されている領域で徐々に低下する。ここで、制御手段１００には、マイクロ波受信手段６０によって受信されるマイクロ波Ｗ２の信号強度の変化から該キャリアが消滅するタイミングを判定するための閾値Ｐ１が設定されている。該閾値Ｐ１は、例えば、レーザー光線Ｌ１が照射位置Ｐに向けて照射される前に、マイクロ波受信手段６０によって受信されるマイクロ波Ｗ２の信号強度よりも若干高い値が設定される。該信号強度波形Ｆが徐々に低下して、閾値Ｐ１を下回った点ｆ３の時間ｔ２を検知したならば、照射位置Ｐにおいて生成されたキャリアが十分消滅したものと見做し、レーザー光線Ｌ１が照射されたことにより生成されたキャリアのキャリアライフタイムが（ｔ２−ｔ１）として検出され、制御手段１００に記憶されて、半導体ウエーハ１０の裏面１０ｂに形成された歪み層の物理的特性の解析に供される。
【００２９】
ところで、半導体ウエーハ１０の材質や、歪み層に含まれる異物等が異なる場合は、光励起を生じさせるためのレーザー光線Ｌ１の波長を８００ｎｍではなく、他の波長、例えば３００ｎｍとした方が適切である場合がある。その場合は、バンドパスフィルター板４４４を矢印Ｒで示す方向に回転させて、バンドパスフィルター４４４ａを白色光Ｌ０の光路に位置付ける。このように、波長選択部４４を適宜作動することで、レーザー光線Ｌ１の波長の選択が容易に実現され、被検査物に合わせて適正な検査を実施することができる。
【００３０】
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。例えば、上記した実施形態では、レーザー光線照射手段４１の光源４３として、白色光源を採用したが、本発明はこれに限定されず、図５に示すように、波長可変レーザー生成手段を備える光源４３’とすることもできる。図に示すように、光源４３’は、例えば、波長１０６４ｎｍのレーザー光線を発振するレーザー光線発振器４３１と、非線形結晶であるＫＴＰ結晶４３２と、非線形結晶であるＣＬＢＯ結晶４３３とを備えた波長可変レーザー生成手段により構成される。レーザー発振器４３１から発振された１０６４ｎｍの波長のレーザー光線は、ＫＴＰ結晶４３２を透過することによりその一部が５３２ｎｍの波長のレーザー光線に変換される。さらに、ＫＴＰ結晶を透過した該レーザー光線は、ＣＬＢＯ結晶を透過することにより、５３２ｎｍの波長のレーザー光線の一部が２６６ｎｍの波長のレーザー光線に変換される。すなわち、該光源４３’は、レーザー発振器４３１から発振された１０６４ｎｍの波長のレーザー光線を変換し、１０６４ｎｍの波長のレーザー光線と、５３２ｎｍの波長のレーザー光線と、２６６ｎｍの波長のレーザー光線とを含むレーザー光線Ｌ０’を生成する。レーザー光線照射手段４１には、この光線Ｌ０’から、適宜の波長のレーザー光線を選択する波長選択部４４’が配設されている。波長選択部４４’は、詳細については省略するが、図４に示す波長選択部４４と略同様の構成を備えており、波長選択部４４に配設されるバンドパスフィルター４４４ａ〜４４４ｈに代えて、１０６４ｎｍの波長のレーザー光線を透過するバンドパスフィルター、５３２ｎｍの波長のレーザー光線を透過するバンドパスフィルター、及び２６６ｎｍの波長のレーザー光線を透過するバンドパスフィルターを備えたバンドパスフィルター板４４４’を備えていればよい。そして、パルスモータ４４６’を作動させてバンドパスフィルター板４４４’を回転させることで、所望の波長のレーザー光線Ｌ１’を選択して照射することができる。なお、上記波長可変レーザー生成手段の構成は上記した例に限定されない。例えば、レーザー発振器４３１から発振されるレーザー光線の波長は１０６４ｎｍであることに限定されず、他の波長のレーザー光線を発振するレーザー発振器であってもよい。また波長を変換するための非線形結晶は、上記したＫＴＰ結晶、ＣＬＢＯ結晶の組み合わせに限定されず、同じ非線形結晶の組み合わせであったり、他の非線形結晶、例えば、ＬＢＯ結晶、ＫＤＰ結晶等を含む組み合わせであったりしてもよく、種々の波長のレーザー光線を生成することが可能である。
【００３１】
上記した実施形態では、マイクロ波照射手段５０から照射位置Ｐに向けて、マイクロ波Ｗ１が所定の入射角で照射されるように位置付け、該入射角に対応する反射角で反射されたマイクロ波を受信する位置にマイクロ波受信手段６０を配設したが、本発明はこれに限定されない。例えば、マイクロ波照射手段として機能するマイクロ波発振器から照射されたマイクロ波を、導波管を使用して伝送させることによって、被検査物の所定の照射位置に垂直上方から照射し、該照射位置で反射したマイクロ波を該導波管に再び導いて伝送し、該反射したマイクロ波を、該導波管の途中に配設する分岐導波管（マジックＴ）によって分岐させて、分岐させた先に配設するマイクロ波受信手段に導いて受信するようにすることもできる。その際、レーザー光線照射手段から照射されるレーザー光線は、該導波管の適宜の位置に形成する貫通孔から導くように構成することで、該マイクロ波発振器から照射されるマイクロ波と同様に被検査物の該照射位置に対して垂直上方から照射することができる（特許文献２も参照されたい。）。
【符号の説明】
【００３２】
１：検査装置
２：基台
４：枠体
１０：半導体ウエーハ
１０ｂ：裏面
２０：保持手段
２４：チャックテーブル
３０：移動手段
４０：光学系
４１、４１’：レーザー光線照射手段
４２：集光器
４３、４３’：光源
４３１：レーザー発振器
４３２：ＫＴＰ結晶
４３３：ＣＬＢＯ結晶
４４、４４’：波長選択部
５０：マイクロ波照射手段
６０：マイクロ波受信手段
１００：制御手段
１２０：表示モニター
【図１】
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【図２】
2020118597.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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