(57)【要約】【課題】パッシブ調心可能な非円形な断面形状を有するマルチコア光ファイバを容易に製造するマルチコア光ファイバの製造方法を提供する。【解決手段】長手方向に延びる複数のコア５０と、複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッド６０とを備えたマルチコア光ファイバ４０の製造方法である。円周の一部を一本または互いに平行な二本の弦（上面３３で例示）で置き換えた線で区切られた断面形状の光ファイバ母材１０を準備する工程と、光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、マルチコア光ファイバとする工程と、を含む。円周を決めている円の中心から弦までの距離に対する円の半径の比率で定義されるクラッドのアスペクト比ｘと、線引き張力ｙとは、共通クラッドが、一本または互いに平行な二本の弦に対応する面の中央に凹み６３ａを有するよう設定されている。【選択図】図３
2020164363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延びる複数のコアと、前記複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッドとを備えたマルチコア光ファイバの製造方法であって、
円周の一部を一本または互いに平行な二本の弦で置き換えた線で区切られた断面形状の光ファイバ母材を準備する工程と、
前記光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、前記マルチコア光ファイバとする工程と、を含み、
前記円周を決めている円の中心から前記弦までの距離に対する前記円の半径の比率で定義される前記クラッドのアスペクト比ｘと、前記線引き張力ｙとは、前記共通クラッドが、前記一本または互いに平行な二本の弦に対応する面の中央に凹みを有するよう設定されている、マルチコア光ファイバの製造方法。
【請求項２】
長手方向に延びる複数のコアと、前記複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッドとを備えたマルチコア光ファイバの製造方法であって、
長さが等しく平行な二本の直線とこれら二本の直線を結ぶ二本の円弧で区切られた断面形状の光ファイバ母材を準備する工程と、
前記光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、前記マルチコア光ファイバとする工程と、を含み、
前記二本の直線の間隔に対する前記二本の直線と平行な直線が前記二本の円弧各々と交わる二点間の最大長の比率で定義される前記クラッドのアスペクト比ｘと、前記線引き張力ｙとは、前記共通クラッドが、前記二本の直線に対応する面の中央に凹みを有するよう設定されている、マルチコア光ファイバの製造方法。
【請求項３】
前記アスペクト比ｘ、および前記線引き張力ｙは、
ｘ≧１．２４、
および
ｙ≧−１１．５９４ｘ3＋６５．３６９ｘ2−１２４．４０ｘ＋８０．７８８
を満たす、請求項１または請求項２に記載のマルチコア光ファイバの製造方法。
【請求項４】
前記アスペクト比が１．５３以上である、請求項３に記載のマルチコア光ファイバの製造方法。
【請求項５】
前記アスペクト比ｘ、および前記線引き張力ｙは、
ｘ≦２．０８、
および
ｙ≧４３．５９ｘ3−２３２．８６ｘ2＋４１３．７６ｘ−２４０．４６
を満たす、請求項３に記載のマルチコア光ファイバの製造方法。
【請求項６】
前記アスペクト比が１．６以下である、請求項５に記載のマルチコア光ファイバの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、マルチコア光ファイバの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マルチコア光ファイバは、共通クラッドに覆われた複数のコアを含み、光ファイバ１本当たりの伝送容量を大きくしている。
２本のマルチコア光ファイバ同士を接続するには、マルチコア光ファイバの中心軸同士を合わせるだけでなく、各コアの位置または共通クラッドに設けたマーカーの位置を合わせる作業（回転調心ともいう）が必要になる。
【０００３】
マルチコア光ファイバが断面視で円形状である場合は、コアの配列方向を特定の方向に揃えにくくなる。例えば、特許文献１−３には、共通クラッドの外表面の一部を切り取って平坦面にした、長手方向に垂直な断面が略Ｄ型のマルチコア光ファイバの構造が開示され、特許文献４には、共通クラッドの外表面に凹みを設けたマルチコア光ファイバの構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１７−１４６３４２号公報
【特許文献２】特開２０１３−２０５５５７号公報
【特許文献３】特開２０１５−１１８２７０号公報
【特許文献４】米国特許出願公開第２０１７／００８２７９７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１−４に記載の断面形状は、コアまたはマーカーの位置を直接観察せずに行う調心（パッシブ調心ともいう）するために有用である。しかしながら、上記特許文献１、２、４には、いずれも共通クラッドを上記断面形状とするための具体的な方法は記載されていない。上記特許文献３には、母材製造方法についての一般的な記載はあるものの、目標とする断面形状を得るために必要な母材形状と線引き条件の定量的な関係は明らかになっていない。一般に、光ファイバ母材の線引き工程では、光ファイバ母材を加熱すると、光ファイバ母材のクラッドの外周には表面張力が働いてクラッドの断面形状の曲率が小さくなる。このため、非円形な断面形状の光ファイバ母材を用いても、この断面形状と相似形の、非円形な断面形状を有するマルチコア光ファイバに形成することは難しい。
【０００６】
本開示は、上述のような実情に鑑みてなされたもので、パッシブ調心可能な非円形な断面形状を有するマルチコア光ファイバを容易に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一態様に係るマルチコア光ファイバの製造方法は、長手方向に延びる複数のコアと、前記複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッドとを備えたマルチコア光ファイバの製造方法であって、円周の一部を一本または互いに平行な二本の弦で置き換えた線で区切られた断面形状の光ファイバ母材を準備する工程と、前記光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、前記マルチコア光ファイバとする工程と、を含み、前記円周を決めている円の中心から前記弦までの距離に対する前記円の半径の比率で定義される前記クラッドのアスペクト比ｘと、前記線引き張力ｙとは、前記共通クラッドが、前記一本または互いに平行な二本の弦に対応する面の中央に凹みを有するよう設定されている。
【０００８】
本開示の他の態様に係るマルチコア光ファイバの製造方法は、長手方向に延びる複数のコアと、前記複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッドとを備えたマルチコア光ファイバの製造方法であって、長さが等しく平行な二本の直線とこれら二本の直線を結ぶ二本の円弧で区切られた断面形状の光ファイバ母材を準備する工程と、前記光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、前記マルチコア光ファイバとする工程と、を含み、前記二本の直線の間隔に対する前記二本の直線と平行な直線が前記二本の円弧各々と交わる二点間の最大長の比率で定義される前記クラッドのアスペクト比ｘと、前記線引き張力ｙとは、前記共通クラッドが、前記二本の直線に対応する面の中央に凹みを有するよう設定されている。
【発明の効果】
【０００９】
上記によれば、共通クラッドの外表面に凹みを設けたマルチコア光ファイバを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】光ファイバ母材の断面形状の一例を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ａの光ファイバ母材を線引きして得られたマルチコア光ファイバの共通クラッドの断面形状の例を説明するための図である。
【図１Ｃ】図１Ａの光ファイバ母材を線引きして得られたマルチコア光ファイバの共通クラッドの断面形状の他の例を説明するための図である。
【図２Ａ】非円形の断面を有するマルチコア光ファイバの外径測定を説明するための図である。
【図２Ｂ】非円形の断面を有するマルチコア光ファイバの外径測定の設備構成を説明するための図である。
【図３】本開示の一態様に係る製造方法により製造されたマルチコア光ファイバの共通クラッドの断面形状の一例を示す図である。
【図４】クラッドのアスペクト比と図３に示す角度範囲４５°以内での第１凸曲面あるいは第２凸曲面の円弧からの乖離量を１μｍ以下にするための線引き張力の最小値との関係を説明する図である。
【図５】クラッドのアスペクト比と第１面および第２面に対応する面に凹みを設けるための線引き張力の最小値との関係を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
本開示に係るマルチコア光ファイバの製造方法は、（１）長手方向に延びる複数のコアと、前記複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッドとを備えたマルチコア光ファイバの製造方法であって、円周の一部を一本または互いに平行な二本の弦で置き換えた線で区切られた断面形状の光ファイバ母材を準備する工程と、前記光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、前記マルチコア光ファイバとする工程と、を含み、前記円周を決めている円の中心から前記弦までの距離に対する前記円の半径の比率で定義される前記クラッドのアスペクト比ｘと、前記線引き張力ｙとは、前記共通クラッドが、前記一本または互いに平行な二本の弦に対応する面の中央に凹みを有するよう設定されている。
本開示の他の態様に係るマルチコア光ファイバの製造方法は、（２）長手方向に延びる複数のコアと、前記複数のコアのそれぞれを覆う共通クラッドとを備えたマルチコア光ファイバの製造方法であって、長さが等しく平行な二本の直線とこれら二本の直線を結ぶ二本の円弧で区切られた断面形状の光ファイバ母材を準備する工程と、前記光ファイバ母材の一端に線引き張力を加えて線引きし、前記マルチコア光ファイバとする工程と、を含み、前記二本の直線の間隔に対する前記二本の直線と平行な直線が前記二本の円弧各々と交わる二点間の最大長の比率で定義される前記クラッドのアスペクト比ｘと、前記線引き張力ｙとは、前記共通クラッドが、前記二本の直線に対応する面の中央に凹みを有するよう設定されている。
本開示は、断面形状に弦を有した非円形の光ファイバ母材において、マルチコア光ファイバの、弦に対応する面の中央に凹みを設けるためには、光ファイバ母材の断面のアスペクト比に応じて線引き張力を変更する必要があることに着目したものである。クラッドのアスペクト比が大きいほど凹みを得るために必要な線引き張力は小さく、アスペクト比が小さいほど必要な線引き張力は大きくなることから、アスペクト比に応じて線引き張力を決定することで、弦に対応する面の中央に凹みを設けたマルチコア光ファイバを容易に製造することができる。
【００１２】
（３）本開示のマルチコア光ファイバの製造方法の一態様では、前記アスペクト比ｘ、および前記線引き張力ｙは、ｘ≧１．２４、およびｙ≧−１１．５９４ｘ3＋６５．３６９ｘ2−１２４．４０ｘ＋８０．７８８を満たす。アスペクト比が１．２４以上の光ファイバ母材を用いれば、線引き張力を５Ｎ以下に設定した場合にも、二本の弦にそれぞれ対応する面の中央に０．２μｍ程度の凹みをそれぞれ設けることができる。よって、パッシブ調心を容易に実現することができる。
（４）本開示のマルチコア光ファイバの製造方法の一態様では、前記アスペクト比が１．５３以上である。アスペクト比が１．５３以上の光ファイバ母材を用いれば、線引き張力を２Ｎ以下に設定した場合にも、二本の弦にそれぞれ対応する面の中央に０．２μｍ程度の凹みを設けることができる。
【００１３】
（５）本開示のマルチコア光ファイバの製造方法の一態様では、前記アスペクト比ｘ、および前記線引き張力ｙは、ｘ≦２．０８、およびｙ≧４３．５９ｘ3−２３２．８６ｘ2＋４１３．７６ｘ−２４０．４６を満たす。アスペクト比が２．０８以下の光ファイバ母材を用いれば、線引き張力を５Ｎ以下に設定した場合にも、円弧に対応する面の曲率半径の変動を±１μｍ以下に収めることができる。よって、４台の測定器でマルチコア光ファイバの外径を測定することができる。
（６）本開示のマルチコア光ファイバの製造方法の一態様では、前記アスペクト比が１．６以下である。アスペクト比が１．６以下の光ファイバ母材を用いれば、線引き張力を４Ｎ以下に設定した場合にも、円弧に対応する面の曲率半径の変動を±１μｍ以下に収めることができる。
【００１４】
［本開示の実施形態の詳細］
以下、添付図面を参照しながら、本開示によるマルチコア光ファイバの製造方法の好適な実施の形態について説明する。
図１Ａは、光ファイバ母材１０の断面形状の一例を示す図である。また、図１Ｂ、図１Ｃは、光ファイバ母材１０を線引きして得られたマルチコア光ファイバ４０の共通クラッドの断面形状の例を説明するための図である。
【００１５】
光ファイバ母材１０は、例えば石英系ガラスで形成されており、図１Ａに示すように、複数（例えば４個）のコア２０と、各コア２０の周囲に形成されたクラッド３０を有しており、紙面に垂直に延びている。
図示の断面内で、コア２０は、一本の直線（Ｘ軸）に沿って等間隔に配列されている。クラッド３０は、４個のコア２０の全周を取り囲んでおり、Ｘ軸およびＸ軸に垂直な一直線（Ｙ軸）の双方に対して線対称な非円形状である。
【００１６】
図示の断面内で、クラッド３０は、長さが等しく平行な２本の直線と、これら２本の直線を結ぶ２本の円弧と、によって囲まれた形状である。より詳しくは、Ｙ軸（クラッド３０の短軸）に対して線対称の位置に形成された第１凸曲面３１および第２凸曲面３２と、Ｘ軸（クラッド３０の長軸）に対して線対称の位置に形成された上面３３および下面３４と、を有する。
【００１７】
第１凸曲面３１は、クラッド３０の中心から離間するように突出して湾曲している。第２凸曲面３２は、例えば第１凸曲面３１を構成する円周とは異なる円周上に形成されており（なお、第１凸曲面３１を構成する円周と同一の円周上に形成してもよい。この場合は、円周の一部を一本または互いに平行な二本の弦で置き換えた線で区切られた断面形状である。）、第１凸曲面３１と同様に、クラッド３０の中心から離間するように突出して湾曲している。
【００１８】
上面３３は、Ｘ軸に平行に形成され、第１凸曲面３１および第２凸曲面３２各々を構成する円周よりもクラッド３０の中心に向けて内側に切り込まれている。下面３４は、クラッド３０の中心を挟んで上面３３とは反対側の位置でＸ軸に平行に形成され、上面３３と同様に、第１凸曲面３１および第２凸曲面３２各々を構成する円周よりもクラッド３０の中心に向けて内側に切り込まれている。上面３３や下面３４が本開示の弦に相当する。
【００１９】
光ファイバ母材１０の図示された断面において、クラッド３０の長軸の長さ（Ｘ軸に沿った、第１凸曲面３１から第２凸曲面３２までの距離）をＤ、クラッド３０の短軸の長さ（Ｙ軸に沿った、上面３３から下面３４までの距離）をＴとすると、光ファイバ母材１０のクラッドはアスペクト比Ｄ／Ｔで表すことができる。
なお、上面３３あるいは下面３４のいずれかのみを有したクラッドの場合、図示された断面において、クラッドの外周形状は、Ｘ軸、Ｙ軸の交点を中心とする円の１本の弦と、この１本の弦の両端を結ぶ１本の円弧と、によって囲まれた形状である。そして、アスペクト比は、円の半径をＲ、円の中心から弦までの距離をｄとすると、Ｒ／ｄで表すことができる。
【００２０】
図１Ａに示した断面非円形の光ファイバ母材１０を準備し、線引炉内に配置して光ファイバ母材１０の一端を加熱しながら線引きする。
光ファイバ母材１０の一端に所定の線引き張力を加え、一例として、紡糸速度１５０ｍ／ｍｉｎ、炉温２４００Ｋで線引きした場合、図１Ｂに示すように、マルチコア光ファイバ４０の共通クラッド６０は、光ファイバ母材１０の上面３３や下面３４に対応する面が外方向にやや丸く膨らんでしまう。
【００２１】
これに対し、仮に、同じく紡糸速度１５０ｍ／ｍｉｎであるが、炉温を２３００Ｋに下げて線引きした場合、マルチコア光ファイバ４０の共通クラッド６０は、図１Ｃに示すように、光ファイバ母材１０の上面３３に対応する上面６３の中央や、下面３４に対応する下面６４の中央にそれぞれ凹み（０．２μｍ程度）が形成される。このように、炉温を２３００Ｋのように十分に低くして線引きした場合には、平坦な面の中央に凹みを有したマルチコア光ファイバ４０を得ることできる。
【００２２】
上記の凹みを設けた共通クラッド６０は、上面６３や下面６４が平面に対して少なくとも２点で接触できるため、コアの配列方向を所望の方向に容易に揃えることができる。
また、光ファイバ母材１０の外周を平面状に研削して上面３３や下面３４を形成しておけばよいので、特許文献３のように切欠加工する場合に比べて、共通クラッド６０の製造が容易である。
【００２３】
ところで、上記のような共通クラッド６０の上面６３や下面６４の中央にそれぞれ凹みを設けるためには、光ファイバ母材１０のクラッド３０のアスペクト比を大きくする（上面３３や下面３４を広くする）ことが有用である。
一方、単にアスペクト比を大きくすると、加熱時に生ずる表面張力によって、第１凸曲面３１や第２凸曲面３２に変形が生じやすくなる。これでは、マルチコア光ファイバ４０の外径測定の際に精度が低下する。
【００２４】
図２Ａ、図２Ｂを用いて、非円形のマルチコア光ファイバにおける外径測定の問題点を示す。
マルチコア光ファイバ４０は、光ファイバ母材１０から下方に引き出されて検出装置１０１に到達する。マルチコア光ファイバ４０の外径は検出装置１０１を用いて光学的に検出される。検出装置１０１は、所定の検査光Ｌを発する投光器Ｅｆと、投光器Ｅｆからの光を受け取るラインセンサＥｒとを有する。このラインセンサＥｒとは、フォトトランジスタやフォトダイオード、ＣＣＤ（Charged Coupled Devices）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）であったり、フォトセンサーをライン上に並べたものであったりしてもよい。
【００２５】
検出装置１０１は、例えば冷却装置（図示省略）の下流側に設けられる。図２Ｂに示すように、投光器ＥｆとラインセンサＥｒは同じ水平面上に配置されており、投光器Ｅｆから発せられる検査光Ｌも水平面状に広がる。
共通クラッド６０が非円形の場合、図２Ａに示すように、同一の共通クラッド６０であっても、検出装置１０１内で共通クラッド６０の向きが変わると、異なる外径値が出力される。これでは、共通クラッド６０を正確に測定できず、線引き時のクラッド径一定制御への適切なフィードバックが困難となる。
【００２６】
この場合、図２Ｂに示すように、例えば４台の検出装置１０１−１０４を、検査光Ｌの方向が４５ｄｅｇずつずれるように設ければよい。詳しくは、検出装置１０１は、投光器Ｅｆを所定の基準位置に設置する。検出装置１０２，１０３，１０４は、検出装置１０１よりも下流側に順に配置され、検出装置１０２は基準位置に対して＋４５ｄｅｇ、検出装置１０３は基準位置に対して＋９０ｄｅｇ、検出装置１０４は基準位置に対して＋１３５ｄｅｇずらして設置されている。アスペクト比２．６以下の形状であれば４台の検出装置１０１−１０４で検出された値の最大値をマルチコア光ファイバ４０の外径とみなせば、マルチコア光ファイバ４０をより正確に測定できる。
【００２７】
検出装置１０１−１０４で外径が測定されたマルチコア光ファイバ４０は、ダイ１１０で樹脂層が形成されて、ローラ１２０を介してキャプスタン１３０に案内されてボビン１４０に巻き取られる。
【００２８】
図３は、光ファイバ母材１０を紡糸速度１５０ｍ／ｍｉｎ、炉温２３００Ｋで線引きして製造されたマルチコア光ファイバ４０の共通クラッドの断面形状の一例を示す図である。マルチコア光ファイバ４０は、複数（例えば４個）のコア５０と、各コア５０の周囲に形成された共通クラッド６０を有しており、紙面に垂直に延びている。図示の断面内で、コア５０は一本の直線（Ｘ軸）に沿って等間隔に配列されている。共通クラッド６０は、４個のコア５０の全周を取り囲んでおり、Ｘ軸およびＸ軸に垂直な一直線（Ｙ軸）の双方に対して線対称な非円形状である。
【００２９】
マルチコア光ファイバ４０の外周形状は、Ｙ軸（共通クラッド６０の短軸）に対して線対称の位置に形成された第１凸曲面６１および第２凸曲面６２と、Ｘ軸（共通クラッド６０の長軸）に対して線対称の位置に形成された上面（本開示の弦に対応する面に相当する）６３および下面（本開示の弦に対応する面に相当する）６４と、を有する。
【００３０】
詳しくは、第１凸曲面６１は、共通クラッド６０の中心から離間するように突出して湾曲している。第２凸曲面６２は、例えば第１凸曲面６１を構成する円周とは異なる円周上に形成されており（なお、第１凸曲面６１を構成する円周と同一の円周上に形成してもよい）、第１凸曲面６１と同様に、共通クラッド６０の中心から離間するように突出して湾曲している。
【００３１】
上面６３は、Ｘ軸に平行に形成され、第１凸曲面６１および第２凸曲面６２を構成する円周よりも共通クラッド６０の中心に向けて内側に切り込まれている。下面６４は、共通クラッド６０の中心を挟んで上面６３とは反対側の位置でＸ軸に平行に形成され、上面６３と同様に、第１凸曲面６１および第２凸曲面６２を構成する円周よりも共通クラッド６０の中心に向けて内側に切り込まれている。これら上面６３あるいは下面６４が、マルチコア光ファイバ同士を接続する際に、基準面として機能する。そして、上面６３の中央には０．２μｍ程度の凹み６３ａが生成し、下面６４の中央にも０．２μｍ程度の凹み６４ａが生成している。
【００３２】
図２Ｂで説明した検出装置の所要台数は、光ファイバ母材１０のクラッド３０のアスペクト比により決まる。このアスペクト比が２であれば最低３台、このアスペクト比が√２であれば最低２台必要である。
上記のように４台の検出装置１０１−１０４を使用する場合、図３に示すように、共通クラッド６０の中心から４５ｄｅｇの角度範囲内における第１凸曲面６１（あるいは第２凸曲面６２）の曲率半径の変動量（円弧乖離量と称する）が±１．０μｍ以下であれば、共通クラッド６０の外径±２．０μｍの精度で検知することができる。
【００３３】
上述の円弧乖離量は、第１凸曲面６１を構成する円周と第１凸曲面の端部分６１ａとの差（あるいは第２凸曲面６２を構成する円周と第２凸曲面の端部分６２ａとの差）で定義される。この円弧乖離量を小さくするには、光ファイバ母材１０のクラッド３０のアスペクト比を小さく（図１Ａで説明した上面３３や下面３４を狭く）すればよい。
【００３４】
一方、単にアスペクト比を小さくすると、共通クラッド６０の上面６３の中央に凹み６３ａ（あるいは下面６４の中央に凹み６４ａ）を得るための線引き張力を大きくしなければならず、マルチコア光ファイバ４０が断線しやすくなる。
【００３５】
図４は、クラッド３０のアスペクト比と図３に示す角度範囲４５°以内での円弧乖離量を１μｍ以下にするための線引き張力の最小値との関係を計算して求めた図である。
光ファイバ母材１０のクラッド３０のアスペクト比をｘ、線引き張力をｙとする直交座標軸を設定したとき、共通クラッド６０の中心の周りの角度４５°の範囲で円弧乖離量を１．０μｍ以下にするためのアスペクト比ｘおよび線引き張力ｙは、式ｙ≧４３．５９ｘ3−２３２．８６ｘ2＋４１３．７６ｘ−２４０．４６を満たしている。
【００３６】
線引き張力を、線引き中の断線を避けるために５Ｎ以下に設定した場合に、円弧乖離量を１．０μｍ以下にするためには、クラッド３０のアスペクト比を２．０８以下にすればよいことが分かる。
そして、線引き張力を、線引き中の断線をより確実に避けるために４Ｎ以下に設定した場合には、クラッド３０のアスペクト比を１．６以下にするのが望ましいことが分かる。
【００３７】
図５は、クラッド３０のアスペクト比と凹みを設けるための線引き張力の最小値との関係を説明する図である。
クラッド３０のアスペクト比をｘ、線引き張力をｙとする直交座標軸を設定したとき、共通クラッド６０の上面６３および下面６４の中央に凹みをそれぞれ設けるためのアスペクト比ｘおよび線引き張力ｙは、式ｙ≧−１１．５９４ｘ3＋６５．３６９ｘ2−１２４．４０ｘ＋８０．７８８を満たしている。
【００３８】
線引き張力を、線引き中の断線を避けるために５Ｎに設定した場合に、０．２μｍ程度の凹みを設けるためには、クラッド３０のアスペクト比を１．２４以上にすればよいことが分かる。
そして、線引き張力を、線引き中の断線をより確実に避けるために２Ｎ以下に設定した場合には、クラッド３０のアスペクト比を１．５３以上にするのが望ましいことが分かる。
【００３９】
このように、クラッド３０のアスペクト比が大きくなれば低い線引き張力に設定し、アスペクト比が小さくなれば高い線引き張力に設定するので、上面６３や下面６４の中央に凹みを設けたマルチコア光ファイバを容易に製造することができる。
【００４０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した意味ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４１】
１０…光ファイバ母材、２０…コア、３０…クラッド、３１…第１凸曲面、３２…第２凸曲面、３３…上面、３４…下面、４０…マルチコア光ファイバ、５０…コア、６０…共通クラッド、６１…第１凸曲面、６１ａ…第１凸曲面の端部分、６２…第２凸曲面、６２ａ…第２凸曲面の端部分、６３…上面、６３ａ…凹み、６４…下面、６４ａ…凹み、１０１，１０２，１０３，１０４…検出装置、１１０…ダイ、１２０…ローラ、１３０…キャプスタン、１４０…ボビン。
【図１Ａ】
2020164363.tif 000003
【図１Ｂ】
2020164363.tif 000004
【図１Ｃ】
2020164363.tif 000005
【図２Ａ】
2020164363.tif 000006
【図２Ｂ】
2020164363.tif 000007
【図３】
2020164363.tif 000008
【図４】
2020164363.tif 000009
【図５】
2020164363.tif 000010