(57)【要約】【課題】載置台の温度制御を行う際の計算負荷を低減することができる温度調整装置及び載置台の制御方法を提供する。【解決手段】径方向及び周方向でそれぞれ少なくとも２以上の個別セグメントを有するセグメント内の前記個別セグメント毎に設けられた複数の加熱部と、前記個別セグメントの数よりも少ない数の温度検出部であって、複数の前記個別セグメントに設置された複数の前記温度検出部と、を有する載置台と、前記温度検出部が設けられた第１の個別セグメントに設置された前記加熱部と、該第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントに設置され、前記温度検出部が設けられていない前記加熱部とを、該温度検出部が検出した温度に応じて制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントを切り替える切替部を有する、温度調整装置。【選択図】図３
2020202267.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
径方向及び周方向でそれぞれ少なくとも２以上の個別セグメントを有するセグメント内の前記個別セグメント毎に設けられた複数の加熱部と、
前記個別セグメントの数よりも少ない数の温度検出部であって、複数の前記個別セグメントに設置された複数の前記温度検出部と、を有する載置台と、
前記温度検出部が設けられた第１の個別セグメントに設置された前記加熱部と、該第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントに設置され、前記温度検出部が設けられていない前記加熱部とを、該温度検出部が検出した温度に応じて制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントを切り替える切替部を有する、
温度調整装置。
【請求項２】
前記切替部は、前記第１の個別セグメントと径方向に隣接する前記個別セグメントと、前記第１の個別セグメントと周方向に隣接する前記個別セグメントとで前記第２の個別セグメントを切り替える、
請求項１に記載の温度調整装置。
【請求項３】
前記温度検出部は、最外周の前記個別セグメントとその内側の前記個別セグメントとで交互に設けられる、
請求項１又は請求項２に記載の温度調整装置。
【請求項４】
前記制御装置は、ＰＷＭ信号により前記加熱部を制御する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の温度調整装置。
【請求項５】
前記切替部は、配線をつなぎ替えることにより前記個別セグメントの切り替えを行う、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の温度調整装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の温度調整装置と、
前記載置台が内部に配置された処理容器と、を備える基板処理装置。
【請求項７】
径方向及び周方向でそれぞれ少なくとも２以上の個別セグメントを有するセグメント内の前記個別セグメント毎に設けられた複数の加熱部と、
前記個別セグメントの数よりも少ない数の温度検出部であって、複数の前記個別セグメントに設置された複数の前記温度検出部と、を有する載置台の制御方法であって、
前記温度検出部が設けられた第１の個別セグメントに設置された前記加熱部と、該第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントに設置され、前記温度検出部が設けられていない前記加熱部とを、該温度検出部が検出した温度に応じて制御する手順と、
前記第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントを切り替える手順と、を備える、
載置台の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、温度調整装置、基板処理装置及び載置台の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、ウエハの載置台をなす熱板を複数の領域に分割する載置台が開示されている。また、特許文献１には、当該載置台の熱板の各分割領域に、ヒータ用の温度センサが設けられていることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１８−１２５３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、載置台の温度制御を行う際の計算負荷を低減することができる温度調整装置、基板処理装置及び載置台の制御方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は、径方向及び周方向でそれぞれ少なくとも２以上の個別セグメントを有するセグメント内の前記個別セグメント毎に設けられた複数の加熱部と、前記個別セグメントの数よりも少ない数の温度検出部であって、複数の前記個別セグメントに設置された複数の前記温度検出部と、を有する載置台と、前記温度検出部が設けられた第１の個別セグメントに設置された前記加熱部と、該第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントに設置され、前記温度検出部が設けられていない前記加熱部とを、該温度検出部が検出した温度に応じて制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントを切り替える切替部を有する、温度調整装置である。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、載置台の温度制御を行う際に計算負荷を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の第一実施形態に係る載置台を有する基板処理装置の全体構成図。
【図２】本開示の第一実施形態に係る載置台のセグメントの定義について説明する図。
【図３】本開示の第一実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図。
【図４】本開示の第一実施形態に係る載置台のセグメントの温度制御状態の一例を示す図。
【図５】本開示の第二実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図。
【図６】本開示の第三実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図。
【図７】本開示の第四実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図。
【図８】本開示の実施形態に係る載置台の第一変形例のセグメントの温度制御状態の一例を示す図。
【図９】本開示の実施形態に係る載置台の第二変形例のセグメントの温度制御状態の一例を示す図。
【図１０】本開示の実施形態に係る載置台の第三変形例のセグメントの温度制御状態の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【０００９】
＜第一実施形態＞
≪基板処理装置の全体構成≫
図１は、本開示の第一実施形態に係る載置台を有する基板処理装置の全体構成図である。本実施形態に係る載置台１は、例えば、プラズマ処理を行うプラズマ処理装置等において、基板Ｗを載置して保持する台である。
【００１０】
基板処理装置１０は、処理容器１１１と、その内部に配置された載置台１とを有する。処理容器１１１は、接地されている。載置台１は、静電チャック（ＥＳＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｃｈｕｃｋ））１１と、接着層１２と、基台１３とを有する。基台１３は、静電チャック１１を支持する。静電チャック１１と基台１３は、接着層１２により接着されている。載置台１は、絶縁部材の支持部１１４を介して処理容器１１１の底部に配置されている。
【００１１】
基台１３は、アルミニウム等で形成されている。静電チャック１１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の誘電体で形成されている。静電チャック１１は、上面視略円形である。静電チャック１１は、図示しない電極に直流電圧を印加することで発生した静電吸引力により基板Ｗを保持する。
【００１２】
静電チャック１１は、複数のサーミスタ２０を備える。サーミスタ２０は、静電チャック１１の内部の温度を測定する素子である。サーミスタ２０は、載置台１（静電チャック１１）のセグメントＳｅｇの一部に備えられている（図２参照）。サーミスタ２０は、後述するサーミスタ２０ａ、２０ｂ・・・の総称である（図４参照）。
【００１３】
また、静電チャック１１は、ヒータ４５を備える。ヒータ４５は、静電チャック１１を加熱することによって、基板Ｗを温度制御する。ヒータ４５は、静電チャック１１の内部に埋め込まれている。ヒータ４５は複数に分割されている。各ヒータ４５は、セグメントＳｅｇ内で分割された各個別セグメントに備えられている。各ヒータ４５は、それぞれ個別に動作することができる。ヒータ４５は、後述するヒータ４５ａ、４５ｂ、４５ｃ・・・の総称である（図４参照）。
【００１４】
静電チャック１１には、中央にて基板Ｗが載置され、外周にて基板Ｗの周囲を囲む環状のエッジリング１１５（フォーカスリングともいう）が載置される。
【００１５】
処理容器１１１の側壁と載置台１の側壁の間には、環状の排気路１２３が形成され、排気口１２４を介して排気装置１２２に接続されている。排気装置１２２は、真空ポンプから構成され、処理容器１１１内のガスを排気することで、処理容器１１１内の処理空間を所定の真空度に減圧する。
【００１６】
排気路１２３には、処理空間と排気空間とを分け、ガスの流れを制御するバッフル板１２７が設けられている。載置台１は、第１の高周波電源１１７及び第２の高周波電源１１８に接続される。第１の高周波電源１１７は、例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用の高周波電力ＨＦを載置台１に印加する。第２の高周波電源１１８は、例えば４０ＭＨｚのイオン引き込み用の高周波電力ＬＦを載置台１に印加する。
【００１７】
処理容器１１１の天井の開口には、外周にリング状の絶縁部材１２８を介してシャワーヘッド１２１が設けられている。ガス供給源１１９は、プロセス条件に応じたガスを供給する。ガスは、ガス配管１２１ａを介してシャワーヘッド１２１内に入り、処理容器１１１内にシャワー状に導入される。高周波電力ＨＦは載置台１とシャワーヘッド１２１との間に容量的に印加され、高周波電力ＨＦによりガスからプラズマが生成される。
【００１８】
ここで、載置台１のセグメントについて説明する。図２は、本開示の第一実施形態に係る載置台１のセグメントの定義について説明する図である。図２は、図１の静電チャック１１におけるＡ−Ａ断面を示す図である。載置台１の静電チャック１１に埋設されたヒータ４５は、複数のヒータ４５を含む。複数のヒータ４５は、セグメントＳｅｇ内に分割して配置されている。セグメントＳｅｇの外径は、載置する基板Ｗの外径と略同一の円形となっている。セグメントＳｅｇは複数の個別セグメントから構成されている。円の中心部分に一つの個別セグメントが設けられている。そして、図２の例では、本実施形態の載置台１は、中心の個別セグメントの外側に径方向に３領域、周方向に１２領域の個別セグメントに分割されている。したがって、本実施形態の載置台１は、１＋３×１２＝３７の個別セグメントを備える。また、当該個別セグメントは、外側の方が径方向の長さが短くなっている。ただし、セグメントＳｅｇ内の個別セグメントの配置及び個数はこれに限られず、径方向及び周方向にそれぞれ少なくとも２以上分割された個別セグメントが設けられていればよい。なお、図２の例では、円の中心部分に一つの個別セグメントが設けられているが、当該中心部分の個別セグメントについても、周方向に分割してもよい。
【００１９】
ここでセグメントＳｅｇの各個別セグメントの位置を表す形式について説明する。各個別セグメントの位置は、Ｓａ，ｂという形式で表す。ここで、「ａ」は、径方向の位置を表す。具体的には、「ａ」は中心の個別セグメントを０として、径方向に中心から離れるにつれて大きい値となる。また、「ｂ」は、周方向の位置を表す。具体的には、「ｂ」は、基準の周方向の位置（図２において中心の真上の右側）を１として、周方向（図２において時計回り）に進むにつれて大きい値となる。なお、中心の個別セグメントについては、ｂは０とする。
【００２０】
サーミスタ２０は、図２では図示を省略しているが、複数の個別セグメントの一部に設けられ、複数の個別セグメントの全部に一対一に設けられてはいない。このため、サーミスタ２０の数は、セグメントＳｅｇが有する個別セグメントの数より少ない。
【００２１】
ヒータ４５は、複数の個別セグメントの全部に一対一に設けられている。すなわち、ヒータ４５の数は、セグメントＳｅｇが有する個別セグメントの数と同じである。
【００２２】
図１に戻り、基板処理装置１０は、制御装置１５を有する。制御装置１５は、基板処理装置１０の全体を制御する。以下では、制御装置１５が行う基板処理装置１０の制御のうち、載置台１の温度制御について説明する。すなわち、以下では、基板処理装置１０が有する載置台１及び制御装置１５を温度調整装置として、制御装置１５が行う載置台１の温度制御について説明する。
【００２３】
≪温度調整装置の動作≫
図３は、本開示の第一実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図である。図４は、本開示の第一実施形態に係る載置台１におけるセグメントの温度制御状態の一例を示す図である。
【００２４】
温度調整装置は、載置台１及び制御装置１５を有し、図３に示すように、制御装置１５には、載置台１に設けられたサーミスタ２０とヒータ４５とが接続されている。なお、図３では、図４に示したサーミスタ２０ａ、２０ｂと、複数のヒータ４５ａ、４５ｂ、４５ｃと、制御装置１５と、を示している。サーミスタ２０ａ、２０ｂ・・・は載置台１の温度を測定する温度検出部の一例である。温度検出部は、サーミスタに限られず、温度を検出可能な温度測定器であればいずれでもよい。ヒータ４５ａ、４５ｂ、４５ｃ・・・は、載置台１を加熱する複数の加熱部の一例である。加熱部は、載置台１に埋め込まれたヒータに限られず、載置台１に貼りつけらえたシート状のヒータであってもよい。
【００２５】
制御装置１５は、載置台１の温度制御を行う。制御装置１５は、温度制御部１１０と温度取得部１２０と切替部１５０と駆動部３００とを備える。温度制御部１１０と温度取得部１２０と切替部１５０とは、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ−Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）又は記憶装置等に記憶されたプログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）等により実現され得る。駆動部３００は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）により実現され得る。駆動部３００は、例えば駆動回路であり、制御装置１５に含まれなくてもよい。駆動部３００は、駆動部３００ａ、３００ｂ、３００ｃ・・・の総称である。
【００２６】
温度取得部１２０は、サーミスタ２０ａ、２０ｂ・・・が測定した測定値を取得する。温度取得部１２０は、取得した測定値を測定値に変換して、温度制御部１１０に出力する。なお、温度取得部１２０のおける測定値への変換は、サーミスタ２０ａ、２０ｂ・・・からデジタル信号が入力される場合はそのデジタル値を測定値に変換し、アナログ信号が入力される場合は、アナログ−デジタル変換を行い、測定値に変換する。
【００２７】
温度制御部１１０は、載置台１に載置された基板Ｗの温度を制御する。温度制御部１１０は、変換した測定値に基づき基板Ｗの温度が所望の温度になるように駆動部３００を制御する。温度制御部１１０は、温度取得部１２０から測定値を入力して、駆動部３００に制御信号を出力する。温度制御部１１０は、例えば、入力した測定値をフィードバックし、ＰＩＤ制御等を行う。
【００２８】
切替部１５０は、温度制御部１１０から制御信号の出力先の切り替えを行う。駆動部３００は、対応するヒータ４５を駆動する。
【００２９】
サーミスタ２０ａ、２０ｂ・・・は、図４に示すように、載置台１の個別セグメントのすべてに設けられておらず、所定の位置に設けられている。具体的には、サーミスタ２０は、周方向及び径方向に一つおきに設けられている。また、最外周の個別セグメントとその内側の個別セグメントとで交互に設けられている。例えば、サーミスタ２０ａは、個別セグメントＳ３，１に設けられ、個別セグメントＳ３，１の温度を計測する。同様に、サーミスタ２０ｂは、個別セグメントＳ２，２の温度を計測する。個別セグメントＳ２，１及びＳ３，２にはいずれのサーミスタも設けられていない。ただし、サーミスタ２０の位置は、これに限られず、最外周の個別セグメントとその内側の個別セグメントとで周方向にずれて設けられてもよい。
【００３０】
駆動部３００は、ヒータ４５を駆動する。図３の例では、駆動部３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄは、制御装置１５からの制御信号に基づいてヒータ４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄにそれぞれ駆動信号を出力する。駆動部３００から出力される駆動信号は、例えば駆動電流、駆動電圧等による信号である。本実施形態の駆動部３００は、ヒータ４５一つに対して一つ設けられている。すなわち、駆動部３００の数は、ヒータ４５の数と同じである。ヒータ４５ａ、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄは、駆動部３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄによりそれぞれ駆動される。なお、駆動部３００は、制御装置１５の外に設けるようにしてもよい。
【００３１】
ヒータ４５は、駆動部３００からの制御信号に基づいて静電チャック１１を加熱する。ヒータ４５は、各個別セグメントに設けられている。例えば、ヒータ４５ａは、個別セグメントＳ３，１に設けられ、個別セグメントＳ３，１において、静電チャック１１の加熱を行う。同様に、ヒータ４５ｂは個別セグメントＳ２，１に設けられ、ヒータ４５ｃは個別セグメントＳ３，２設けられ、それぞれ個別セグメントにおいて静電チャック１１の加熱を行う。
【００３２】
本実施形態の載置台１では、制御装置１５の制御により加熱の際に求められる性能に応じてサーミスタ２０に対応して制御されるヒータ４５の切り替えを行う。
【００３３】
具体的な第一実施形態の載置台１の動作について図４を用いて説明する。
【００３４】
温度制御部１１０が、最外周の個別セグメントＳ３，１のサーミスタ２０ａの測定値を用いて温度制御を行うヒータ４５について説明する。温度制御部１１０は、少なくとも当該サーミスタ２０ａを備える個別セグメントＳ３，１のヒータ４５ａは、サーミスタ２０ａの測定値を用いて温度制御を行う。
【００３５】
載置台１で基板Ｗを加熱する場合に、以下の２つの場合が考えられる。（１）基板Ｗの周方向には細かく、径方向には粗く温度の制御を行いたい場合と（２）基板Ｗの周方向には粗く、径方向には細かく温度の制御を行いたい場合である。それぞれについて説明する。
【００３６】
（１）基板Ｗの周方向には細かく、径方向には粗く温度の制御を行いたい場合
載置台１で基板Ｗを加熱する際に、基板Ｗの周方向には細かく、径方向には粗く温度の制御を行いたい場合には、図４のセグメント集合Ａ、具体的には、個別セグメントＳ３，１及び個別セグメントＳ２，１、におけるヒータ４５ａ及びヒータ４５ｂを、サーミスタ２０ａの測定値を用いて制御を行う。より具体的には、サーミスタ２０ａの測定値に基づいて温度制御部１１０により出力された制御信号を切替部１５０が、駆動部３００ａと駆動部３００ｂに出力するように切り替える。それにより、駆動部３００ａと駆動部３００ｂにより、ヒータ４５ａとヒータ４５ｂがサーミスタ２０ａの測定値に応じた温度に基板Ｗ温度がなるように制御される。
【００３７】
このとき、基板Ｗの周方向の温度制御は、周方向に分割されている個別セグメントと同じ分解能で制御がなされるため、基板Ｗの周方向の温度制御は、径方向よりも細かく温度制御がなされる。かかる制御によって、載置台１で基板Ｗを加熱する際に、基板Ｗの周方向には細かく、径方向には粗く温度の制御を行うことができる。
【００３８】
（２）基板Ｗの周方向には粗く、径方向には細かく温度の制御を行いたい場合
載置台１で基板Ｗを加熱する際に、基板Ｗの周方向には粗く、径方向には細かく温度の制御を行いたい場合には、図４のセグメント集合Ｂ、具体的には、個別セグメントＳ３，１及び個別セグメントＳ３，２、におけるヒータ４５ａ及びヒータ４５ｃを、サーミスタ２０ａの測定値を用いて制御を行う。より具体的には、サーミスタ２０ａの測定値に基づいて温度制御部１１０により出力された制御信号を切替部１５０が、駆動部３００ａと駆動部３００ｃに出力するように切り替える。それにより、駆動部３００ａと駆動部３００ｃにより、ヒータ４５ａとヒータ４５ｃがサーミスタ２０ａの測定値に応じた温度に基板Ｗ温度がなるように制御される。
【００３９】
このとき、基板Ｗの径方向の温度制御は、径方向に分割されている個別セグメントと同じ分解能で制御がなされるため、基板Ｗの径方向の温度制御は、周方向よりも細かく温度制御がなされる。かかる制御によって、載置台１で基板Ｗを加熱する際に、基板Ｗの周方向には粗く、径方向には細かく温度の制御を行うことができる。
【００４０】
本実施形態の載置台１においては、切替部１５０によって、サーミスタ２０ａが配置された個別セグメントＳ３，１に隣接する、セグメントＳｅｇの最外周の個別セグメントＳ３，２、又は、個別セグメントＳ３，１の内側の個別セグメントＳ２，１との間で切り替えを行う。
【００４１】
また、本実施形態の載置台１では、上記のように、制御装置１５によって、サーミスタ２０ａが設けられたヒータ４５ａをサーミスタ２０ａの測定値に基づいて制御するとともに、ヒータ４５ｂとヒータ４５ｃとの切り替えに応じてヒータ４５ｂ又はヒータ４５ｃを制御する手順と、を備える制御方法により制御を行っている。なお、サーミスタ２０ａが配置された個別セグメントＳ３，１は、温度検出部が設けられた第１の個別セグメントの一例である。個別セグメントＳ３，１に周方向に隣接する個別セグメントＳ３，２又は径方向に隣接する個別セグメントＳ２，１は、第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントの一例である。なお、「同期して制御」とは、温度検出部が設けられた第１の個別セグメントにて温度検出部が測定した測定値に基づき温度検出部が設けられていない第２の個別セグメントが制御されることをいう。
【００４２】
≪作用・効果≫
本実施形態の載置台１では、所定の位置に設けられた一の個別セグメントのサーミスタ２０によって、複数の個別セグメントのヒータ４５が制御される。つまり、載置台１は、セグメントＳｅｇを分割した個別セグメント毎に設けられた複数のヒータ４５と、前記個別セグメントの数よりも少ない数であって、前記個別セグメントのいずれかに設置された複数のサーミスタ２０とを有する。制御装置１５は、所定の位置のサーミスタ２０が設けられた一の個別セグメントに設置されたヒータ４５と、該一の個別セグメントに同期して制御される同一セグメント集合の他の個別セグメントに設置された、前記サーミスタ２０が設けられていない前記ヒータ４５とを、前記サーミスタ２０が検出した温度に応じて制御する。制御装置１５の切替部１５０は、第１の個別セグメントに同期して制御される第２の個別セグメントを切り替える。
【００４３】
これによって、サーミスタ２０等の数を、ヒータ４５の数より少なくすることができる。それによって、制御装置１５を構成するＦＰＧＡ等の計算負荷を減らすことができる。また、載置台１のセグメントＳｅｇ中の複数の個別セグメントをまとめて制御することによって、サーミスタ、配線、ボード内の回路、等々を減らすことができる。
【００４４】
また、本実施形態の載置台１は、切替部１５０によって、制御するヒータ４５を切り替えることができる。例えば、本実施形態の載置台１は、基板Ｗの周方向には細かく、径方向には粗く、又は、基板Ｗの周方向には粗く、径方向には細かく、温度の制御を行うことができる。それによって、載置台のモデル数を絞り、原価低減、在庫管理コストの低減、納期の短縮を行うことができる。
【００４５】
＜第二実施形態＞
図５は、本開示の第二実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図である。
【００４６】
第二実施形態に係る載置台２では、ヒータ４５の切り替えを切替部５００により行う。
【００４７】
切替部５００は、駆動部３００から入力された駆動信号を切替制御部１５５からの制御信号に基づいて、複数のヒータ４５のいずれかに切り替える。例えば、図５において、切替部５００は、駆動部３００ａから出力された駆動信号をヒータ４５ｂ又はヒータ４５ｃに切り替える。このように切り替えることによって、温度検出部に対応して制御されるヒータ４５の切り替えを行う。
【００４８】
第二実施形態に係る載置台２では、駆動部３００の数を、ヒータ４５の数に対して減らすことができる。なお、駆動部３００及び切替部５００は、制御装置１５の外に設けるようにしてもよい。
【００４９】
＜第三実施形態＞
図６は、本開示の第三実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図である。
【００５０】
第三実施形態に係る載置台３では、複数のヒータ４５を直列に接続する。
【００５１】
切替部５００は、ヒータ４５から入力された駆動信号を切替制御部１５５からの制御信号に基づいて別の複数のヒータ４５のいずれかに切り替える。例えば、図６において、切替部５００は、ヒータ４５ａから出力された駆動信号をヒータ４５ｂ又はヒータ４５ｃに切り替える。このように切り替えることによって、温度検出部に対応して制御されるヒータ４５の切り替えを行う。
【００５２】
第三実施形態に係る載置台３では、ヒータ４５を直列につなぐことによって、抵抗値を大きくすることができる。したがって、流れる電流を減らすことができる。なお、駆動部３００及び切替部５００は、制御装置１５の外に設けるようにしてもよい。
【００５３】
＜第四実施形態＞
図７は、本開示の第四実施形態に係る温度調整装置の構成及び動作を説明する図である。
【００５４】
第四実施形態に係る載置台４では、ヒータ４５の切り替えを切替部６００により行う。ヒータ４５であるヒータは、制御ボードから切替部６００においてコネクタにより接続されている。そのコネクタの接続先を換えたり、ピンアサインを変更したりすることにより、接続先を変更する。このように、切替部６００において、配線をつなぎ替えることにより個別セグメントの切り替えを行う。
【００５５】
制御装置１５において、切り替えの制御が不要であることから、制御装置１５を構成する例えばＦＰＧＡ等の規模を小さくすることができる。なお、駆動部３００及び切替部６００は、制御装置１５の外に設けるようにしてもよい。
【００５６】
＜変形例＞
本開示の実施形態に係る載置台において、セグメント集合Ａ、Ｂを構成する個別セグメントの数は２であったが、その数は２に限らない。例えば、図８は、本開示の実施形態に係る載置台の第一変形例のセグメントの温度制御状態の一例を示す図である。各セグメント集合を構成する個別セグメントの数を、図８に示すように３としてもよい。さらには、各セグメント集合を構成する個別セグメントの数を、３以上としてもよい。すなわち、切替部においてセグメント群を切り替えるようにしてもよい。
【００５７】
本開示の実施形態に係る載置台において、セグメント集合Ａ、Ｂを構成する個別セグメントの数は両セグメントで同じ数であったが、各セグメント集合の個別セグメントの数は同数に限らない。例えば、図９は、本開示の実施形態に係る載置台の第二変形例のセグメントの温度制御状態の一例を示す図である。図９に示すように、片方を２つの個別セグメント、他方を３つの個別セグメントにより構成してもよい。すなわち、セグメント集合を構成する個別セグメントの数は、各個別セグメントの間で異なっていてもよい。
【００５８】
本開示の実施形態に係る載置台において、セグメント集合Ａ、Ｂのそれぞれを構成する個別セグメント同士は隣接していたが、各セグメント集合を構成する個別セグメントは隣接していなくてもよい。例えば、図１０は、本開示の実施形態に係る載置台の第三変形例のセグメントの温度制御状態の一例を示す図である。図１０に示すように、離れたセグメントによりセグメント集合を構成してもよい。
【００５９】
セグメント集合内の個別セグメントのヒータ４５について、ヒータ４５の駆動パワーについては、各個別セグメントで異ならせてもよい。また、温度制御する際には、事前に発生する温度分布を測定して、その温度分布を用いて制御してもよい。ヒータ４５は、ＰＷＭによりデューティ比により駆動してもよい。
【００６０】
セグメント集合については、セグメントＳｅｇの端部を含む個別セグメントの集合に限らない。例えば、セグメントＳｅｇの中央付近の個別セグメントでセグメント集合を構成してもよい。
【００６１】
なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１  載置台
１０  基板処理装置
１５  制御装置
２０  サーミスタ
４５  ヒータ
１１０  温度制御部
１５０  切替部
３００  駆動部
５００  切替部
６００  切替部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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