(57)【要約】【課題】減衰特性の調整を容易に行うことが可能なフィルタモジュールを提供する。【解決手段】モジュール基板にフィルタ素子が実装されている。フィルタ素子は、グランド端子、及び一対の信号端子を有する。モジュール基板は、グランドプレーンと、グランド用ランドと、グランド用ランドをグランドプレーンに接続するインダクタンス調整配線とを有する。フィルタ素子のグランド端子がモジュール基板のグランド用ランドに接続されている。インダクタンス調整配線は、モジュール基板の面内方向に延びる面内延伸部分を含んでいる。【選択図】図５
2020202484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュール基板と、
前記モジュール基板に実装されたフィルタ素子と
を有し、
前記フィルタ素子は、グランド端子、及び一対の信号端子を有し、
前記モジュール基板は、グランドプレーンと、グランド用ランドと、前記グランド用ランドを前記グランドプレーンに接続するインダクタンス調整配線とを有し、
前記フィルタ素子の前記グランド端子が前記モジュール基板の前記グランド用ランドに接続されており、
前記インダクタンス調整配線は、前記モジュール基板の面内方向に延びる面内延伸部分を含んでいるフィルタモジュール。
【請求項２】
前記グランド用ランドと前記グランドプレーンとは、前記モジュール基板の厚さ方向に関して異なる位置に配置されており、前記グランドプレーンに開口が設けられており、
前記開口は、平面視において前記グランド用ランドと少なくとも部分的に重なる位置に配置されており、
前記インダクタンス調整配線は、さらに、前記面内延伸部分と前記グランド用ランドとを接続する少なくとも１本のビア導体とを含む請求項１に記載のフィルタモジュール。
【請求項３】
前記少なくとも１本のビア導体は、複数本のビア導体を含む請求項２に記載のフィルタモジュール。
【請求項４】
前記面内延伸部分は、前記開口の縁の異なる複数の箇所から前記開口の内部に向かって延びている請求項２または３に記載のフィルタモジュール。
【請求項５】
前記グランド用ランドと前記グランドプレーンとが同一の導体層内に配置されており、前記インダクタンス調整配線は、前記グランド用ランド及び前記グランドプレーンと同一の導体層内において両者を接続している請求項１に記載のフィルタモジュール。
【請求項６】
前記面内延伸部分は、平面視においてメアンダ形状またはスパイラル形状を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載のフィルタモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種の高周波フィルタが携帯電話等の無線機器に利用されている。高周波フィルタは、所望の周波数帯のみの信号を通過させることで、通過帯域外の信号による高周波回路への影響、例えばＳ／Ｎ比の劣化等を抑制する機能を持つ。下記の特許文献１に、積層型高周波フィルタが開示されている。積層型高周波フィルタは、導体パターンが形成された複数の誘電体層が積み重ねられた積層構造を有する。
【０００３】
特許文献１に開示された積層型高周波フィルタは、フィルタ機能を実現する回路機能部とグランド電極とを接続する導体（配線）の寄生インダクタンスを低減させるために、グランドインピーダンス調整回路を備えている。グランドインピーダンス調整回路を備えることにより、高周波数帯での減衰特性の劣化を防止している。積層型高周波フィルタを実装するモジュール基板のグランドと、積層型高周波フィルタのグランド電極とは、両者の間に追加の寄生インダクタンスが発生しないように、強固に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１１４８５１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高周波フィルタには、実使用時の周波数環境や他部品の周波数特性等に合わせて、通過帯域外の減衰特性を微調整することが必要とされる。特許文献１に開示された積層型高周波フィルタにおいては、各導体層の導体パターンの形状や大きさを微調整することによって減衰特性を微調整することができる。言い換えると、必要とされる減衰特性ごとに、導体パターンの形状や大きさを異ならせた部品が必要となるため、開発のコストや量産化時のコストが増大する。
【０００６】
本発明の目的は、減衰特性の調整を容易に行うことが可能なフィルタモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によると、
モジュール基板と、
前記モジュール基板に実装されたフィルタ素子と
を有し、
前記フィルタ素子は、グランド端子、及び一対の信号端子を有し、
前記モジュール基板は、グランドプレーンと、グランド用ランドと、前記グランド用ランドを前記グランドプレーンに接続するインダクタンス調整配線とを有し、
前記フィルタ素子の前記グランド端子が前記モジュール基板の前記グランド用ランドに接続されており、
前記インダクタンス調整配線は、前記モジュール基板の面内方向に延びる面内延伸部分を含んでいるフィルタモジュールを提供することである。
【発明の効果】
【０００８】
インダクタンス調整配線の持つインダクタンスを調整することにより、フィルタ素子自体の減衰特性を変化させることなく、フィルタモジュールの減衰特性を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１Ａは、シミュレーション対象のフィルタモジュールのブロック図であり、図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄは、シミュレーション対象の試料の第１信号用ランド、グランド用ランド、第２信号用ランド、及びビア導体の平面視における配置を示す図である。
【図２】図２は、通過係数Ｓ２１のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図３】図３は、第１実施例によるフィルタモジュールに含まれるフィルタ素子及びモジュール基板の等価回路図である。
【図４】図４は、第１実施例によるフィルタモジュールのブロック図である。
【図５】図５Ａは、モジュール基板の第１信号用ランド、第２信号用ランド、及びグランド用ランドが配置されている表面導体層の平面図であり、図５Ｂは、モジュール基板のグランドプレーンが配置されている導体層の平面図であり、図５Ｃは、図５Ａ及び図５Ｂの一点鎖線５Ｃ−５Ｃにおける断面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、フィルタ素子、面内延伸部分、開口等の大きさの関係を示す図であり、図６Ｃ及び図６Ｄは、面内延伸部分の他の構成例を示す図である。
【図７】図７Ａは、第２実施例によるフィルタモジュールのモジュール基板の第１信号用ランド、第２信号用ランド、及びグランド用ランドが配置されている表層導体層の平面図であり、図７Ｂは、モジュール基板のグランドプレーンが配置されている導体層の平面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれビア導体が１本の場合、及び２本の場合のフィルタ素子の入力ポートからローノイズアンプの出力ポートまでの通過係数Ｓ２１のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図９】図９は、第２実施例の変形例によるフィルタモジュールのグランドプレーンが配置された導体層の平面図である。
【図１０】図１０は、第３実施例によるフィルタモジュールの断面図である。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、それぞれ第４実施例及びその変形例によるフィルタモジュールのモジュール基板に形成された表層導体層の平面図である。
【図１２】図１２は、第５実施例によるフィルタモジュールの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施例について説明する前に、本願の発明者らが行ったフィルタ特性のシミュレーション結果について説明する。
【００１１】
図１Ａは、シミュレーション対象のフィルタモジュールのブロック図である。モジュール基板２２にフィルタ素子２０及びローノイズアンプ２１が実装されている。フィルタ素子２０の入力端子、グランド端子、及び出力端子が、それぞれモジュール基板２２の第１信号用ランド２３、グランド用ランド２４、及び第２信号用ランド２５に接続されている。ローノイズアンプ２１の入力端子及び出力端子が、それぞれモジュール基板２２の第３信号用ランド２６及び第４信号用ランド２７に接続されている。グランド用ランド２４が、ビア導体２８を介して、モジュール基板２２内のグランドプレーン２９に接続されている。第２信号用ランド２５と第３信号用ランド２６とが、モジュール基板２２内の伝送線路によって相互に接続されている。第１信号用ランド２３から第４信号用ランド２７までの通過係数Ｓ２１を、電磁界シミュレータを用いて算出した。
【００１２】
図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄは、シミュレーション対象の試料の第１信号用ランド２３、グランド用ランド２４、第２信号用ランド２５、及びビア導体２８の平面視における配置を示す図である。いずれの試料においても、第１信号用ランド２３、グランド用ランド２４、及び第２信号用ランド２５がこの順番に１列に並んでいる。図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄに示した試料においては、それぞれビア導体２８が１５個、２個、及び１個配置されている。
【００１３】
図２は、通過係数Ｓ２１のシミュレーション結果を示すグラフである。横軸は周波数を単位「ＧＨｚ」で表し、縦軸は通過係数Ｓ２１を単位「ｄＢ」で表す。図２のグラフ中の破線、細い実線、及び太い実線は、それぞれ図１Ｂ、図１Ｃ、及び図１Ｄに示した試料のシミュレーション結果を示す。いずれの試料においても、第５世代移動通信システム（５Ｇ）のバンドｎ７７相当の３．３ＧＨｚ以上４．２ＧＨｚ以下の周波数帯を通過帯域としている。
【００１４】
図１Ｄの試料において、通過帯域より高周波側に２つの減衰極ＡＤ１、ＡＤ２が現れており、図１Ｃの試料においても、通過帯域より高周波側に２つの減衰極ＡＣ１、ＡＣ２が現れておいる。図１Ｂの試料においては、通過帯域より高周波側に減衰極ＡＢ１が現れている。図１Ｂの試料の２つ目の減衰極は周波数１０ＧＨｚ以上の領域に現れる。
【００１５】
２つの減衰極のうち低周波側の減衰極ＡＤ１、ＡＣ１、ＡＢ１は、ビア導体２８の個数が少ないほど高周波側に位置している。逆に、高周波側の減衰極ＡＤ２、ＡＣ２は、ビア導体２８の個数が少ないほど低周波側に位置している。
【００１６】
ビア導体２８の個数は、グランド用ランド２４（図１Ａ）とグランドプレーン２９（図１Ａ）との間の寄生インダクタンスに影響を及ぼす。ビア導体２８の個数が少ないほど、この寄生インダクタンスが大きくなる。図２に示した減衰特性の試料間の相違は、寄生インダクタンスの相違に起因する。これは、グランド用ランド２４とグランドプレーン２９との間の寄生インダクタンスを調整することによって、フィルタ素子２０をモジュール基板２２に実装した状態における減衰特性の調整が可能であることを示唆している。
【００１７】
［第１実施例］
次に、図３から図６Ｂまでの図面を参照して第１実施例によるフィルタモジュールについて説明する。
【００１８】
図３は、第１実施例によるフィルタモジュールに含まれるフィルタ素子３０及びモジュール基板４０の等価回路図である。フィルタ素子３０は、第１信号端子３１、第２信号端子３２、グランド端子３３、及び２つの並列共振回路ＰＲ１、ＰＲ２を含む。一方の並列共振回路ＰＲ１は、相互に並列に接続されたインダクタＬ１とキャパシタＣ１とで構成され、他方の並列共振回路ＰＲ２は、相互に並列に接続されたインダクタＬ２とキャパシタＣ２とで構成される。
【００１９】
第１信号端子３１と並列共振回路ＰＲ１の一端とがキャパシタＣ４を介して結合しており、並列共振回路ＰＲ１の他端はグランド端子３３に接続されている。第２信号端子３２と並列共振回路ＰＲ２の一端とがキャパシタＣ５を介して結合しており、並列共振回路ＰＲ２の他端はグランド端子３３に接続されている。並列共振回路ＰＲ１とＰＲ２とは、キャパシタＣ３を介して結合している。さらに、インダクタＬ１とＬ２とが、相互インダクタンスＭ１２で結合している。第１信号端子３１と第２信号端子３２とが、キャパシタＣ６を介して結合している。
【００２０】
モジュール基板４０の表面に、第１信号用ランド４１、第２信号用ランド４２、及びグランド用ランド４３が設けられている。モジュール基板４０は、内部にグランドプレーン４４を含んでいる。グランド用ランド４３とグランドプレーン４４とが、インダクタンス調整配線６０を介して相互に接続されている。
【００２１】
フィルタ素子３０の第１信号端子３１、第２信号端子３２、及びグランド端子３３が、それぞれモジュール基板４０の第１信号用ランド４１、第２信号用ランド４２、及びグランド用ランド４３に接続されている。
【００２２】
図４は、第１実施例によるフィルタモジュール５０のブロック図である。第１実施例によるフィルタモジュール５０は、２つのアンテナ端子５１、５２、及び２つの出力端子５３、５４を有する。２つのアンテナ端子５１、５２が、高周波スイッチ５５を介して２つのフィルタ素子３０、３５に接続されている。一方のフィルタ素子３０は、５Ｇのバンドｎ７７の周波数帯の信号を通過させるバンドパスフィルタであり、他方のフィルタ素子３５は、５Ｇのバンドｎ７９の周波数帯の信号を通過させるバンドパスフィルタである。
【００２３】
フィルタ素子３０、３５を通過した信号が、それぞれローノイズアンプ５６、５７に入力される。ローノイズアンプ５６、５７で増幅された信号が、高周波スイッチ５８を介して出力端子５３、５４から外部に出力される。
【００２４】
図５Ａは、モジュール基板４０（図３）の第１信号用ランド４１、第２信号用ランド４２、及びグランド用ランド４３が配置されている表面導体層の平面図である。図５Ｂは、モジュール基板４０（図３）のグランドプレーン４４が配置されている導体層の平面図である。図５Ａ及び図５Ｂにおいて、導体部分にハッチングを付している。図５Ｃは、図５Ａ及び図５Ｂの一点鎖線５Ｃ−５Ｃにおける断面図である。
【００２５】
平面視において第１信号用ランド４１と第２信号用ランド４２との間にグランド用ランド４３が配置されている。フィルタ素子３０の第１信号端子３１、第２信号端子３２、及びグランド端子３３が、それぞれハンダ７０を介してモジュール基板４０の第１信号用ランド４１、第２信号用ランド４２、及びグランド用ランド４３に接続されている。
【００２６】
グランドプレーン４４は、モジュール基板４０の厚さ方向に関してグランド用ランド４３と異なる位置に配置されている。例えば、グランド用ランド４３は、モジュール基板４０を構成する誘電体部分の表面に配置されており、グランドプレーン４４は誘電体部分の内部に配置されている。グランドプレーン４４はグランド用ランド４３よりも十分大きく、フィルタ素子３０、３５、ローノイズアンプ５６、５７（図４）等からなる高周波回路のグランドとして機能する。グランドプレーン４４は、平面視においてモジュール基板４０のほぼ全域に亘って配置されている。グランドプレーン４４に円形の開口６３が設けられている。開口６３は、平面視においてグランド用ランド４３に部分的に重なっている。
【００２７】
インダクタンス調整配線６０が、グランド用ランド４３とグランドプレーン４４とを接続している。インダクタンス調整配線６０は、開口６３の縁から開口６３の内部に向かって面内方向に延びる１本の面内延伸部分６２と、面内延伸部分６２とグランド用ランド４３とを接続する１本のビア導体６１とを含む。
【００２８】
次に、第１実施例の優れた効果について説明する。
第１実施例では、モジュール基板４０の厚さ方向に延びるビア導体６１に対して面内方向に延びる面内延伸部分６２が直列に接続されて、インダクタンス調整配線６０を構成している。このため、ビア導体６１のみでインダクタンス調整配線６０を構成する場合に比べて、インダクタンス調整配線６０の持つインダクタンスを大きくすることができる。
【００２９】
ビア導体６１のインダクタンスを大きくするためには、グランド用ランド４３とグランドプレーン４４との間に配置されている誘電体層を厚くすることによってビア導体６１の長さＨを長くすればよい。ところが、誘電体層の厚さは、伝送線路の特性インピーダンス等に影響を与えるため、誘電体層の厚さを調整する自由度は低い。さらに、誘電体層を厚くすると、モジュール基板４０自体の厚さも増大するため、フィルタモジュールとしての高さ方向の制約を受けてしまう。これに対し、面内延伸部分６２の長さ調整の自由度は、ビア導体６１の長さ調整の自由度に比べて高い。従って、グランド用ランド４３とグランドプレーン４４とをビア導体６１のみで接続する場合と比べて、インダクタンス調整配線６０によるインダクタンスの調整の自由度が高いという優れた効果が得られる。
【００３０】
図６Ａ及び図６Ｂは、フィルタ素子３０、面内延伸部分６２、開口６３等の大きさの関係を示す図である。図６Ｂに示した例の面内延伸部分６２が、図６Ａに示した例の面内延伸部分６２より長い。このため、図６Ａに示した例と、図６Ｂに示した例とでは、インダクタンス調整配線６０の持つインダクタンスが異なる。このように、グランドプレーン４４のパターンを変更することにより、インダクタンス調整配線６０のインダクタンスを変化させることができる。モジュール基板４０に設けられているグランドプレーン４４のパターンを変更することにより、フィルタ素子３０の変更を行うことなく、減衰特性の異なる種々のフィルタモジュールを実現することが可能である。なお、開口６３を大きくする代わりに、または開口６３を大きくするとともに、面内延伸部分６２を図６Ｃに示すようにメアンダ形状にしたり、図６Ｄに示すようにスパイラル形状にしたりすることにより、面内延伸部分６２を長くする構成を実現させてもよい。
【００３１】
［第２実施例］
次に、図７Ａから図８Ｂまでの図面を参照して第２実施例によるフィルタモジュールについて説明する。以下、第１実施例によるフィルタモジュール５０と共通の構成については説明を省略する。
【００３２】
図７Ａは、第２実施例によるフィルタモジュールのモジュール基板４０（図３）の第１信号用ランド４１、第２信号用ランド４２、及びグランド用ランド４３が配置されている表層導体層の平面図である。図７Ｂは、モジュール基板４０（図３）のグランドプレーン４４が配置されている導体層の平面図である。第１実施例では、インダクタンス調整配線６０が１本のビア導体６１を含んでおり、面内延伸部分６２が開口６３の縁の１箇所においてグランドプレーン４４に接続されている。これに対し第２実施例では、インダクタンス調整配線６０が２本のビア導体６１を含んでおり、面内延伸部分６２が開口６３の縁の２か所でグランドプレーン４４に接続されている。面内延伸部分６２は、開口６３の縁の異なる２箇所から開口６３の内部に向かって延び、開口６３の内部で相互に連続している。
【００３３】
次に、図８Ａ及び図８Ｂを参照して第２実施例の優れた効果について説明する。ビア導体６１の長さＨ（図５Ｃ）は、誘電体層の厚さに依存する。個体間で誘電体層の厚さのばらつきをなくすことは困難であるため、ビア導体６１の長さにも個体間でばらつきが生じる。第２実施例では、インダクタンス調整配線６０が、相互に並列に接続された２本のビア導体６１を含んでいるため、ビア導体６１の長さのばらつきがインダクタンス調整配線６０の持つインダクタンスに与える影響を軽減することができる。ビア導体６１が１本の場合と２本の場合とで、ビア導体６１の長さのばらつきが通過係数Ｓ２１に与える影響をシミュレーションによって評価した。
【００３４】
図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれビア導体６１が１本の場合、及び２本の場合のフィルタ素子３０（図４）の入力ポートからローノイズアンプ５６（図４）の出力ポートまでの通過係数Ｓ２１のシミュレーション結果を示すグラフである。横軸は周波数を単位「ＧＨｚ」で表し、縦軸は通過係数Ｓ２１を単位「ｄＢ」で表す。図８Ａ及び図８Ｂに示したグラフにおいて、太い実線、破線、及び細い実線は、それぞれビア導体６１の長さＨが２０μｍ、２５μｍ、及び３０μｍのときの通過係数Ｓ２１を示す。
【００３５】
図８Ａ、図８Ｂのいずれの場合も、５Ｇのバンドｎ７７用のバンドパスフィルタである。ビア導体６１の長さが２５μｍのとき、図８Ａ、図８Ｂのいずれにおいても通過帯域よりも高い６ＧＨｚ以上７ＧＨｚ以下の範囲の近傍に２つの減衰極ＡＬ、ＡＨが現れている。ビア導体６１の長さＨが２０μｍまで短くなると、高周波側の減衰極ＡＨが高周波側にシフトし、低周波側の減衰極ＡＬが低周波側にシフトする。低周波側の減衰極ＡＬのシフト量は図８Ａ、図８Ｂの場合でほぼ等しいが、高周波側の減衰極ＡＨのシフト量は、図８Ａの場合に約８５０ＭＨｚであり、図８Ｂの場合には約６５０ＭＨｚである。このように、ビア導体６１の本数を増やすと、ビア導体６１の長さＨが変動した場合の減衰極ＡＨのシフト量が小さくなる。
【００３６】
ビア導体６１の長さＨが２５μｍから３０μｍに長くなると、図８Ａ、図８Ｂのいずれにおいても２つの減衰極ＡＬ、ＡＨが１つにまとまり、６ＧＨｚの近傍において通過係数Ｓ２１が大きくなっている。６ＧＨｚの近傍における図８Ｂの場合の通過係数Ｓ２１の上昇幅は、図８Ａの場合の通過係数Ｓ２１の上昇幅より小さい。このように、ビア導体６１の本数を増やすと、ビア導体６１の長さＨが変動した場合の通過係数Ｓ２１の変動幅が小さくなる。
【００３７】
図８Ａ及び図８Ｂに示したシミュレーションにより、ビア導体６１の長さＨのばらつきが、フィルタモジュールの通過係数Ｓ２１に与える影響を軽減することができることが確認された。
【００３８】
次に、図９を参照して第２実施例の変形例について説明する。
図９は、第２実施例の変形例によるフィルタモジュールのグランドプレーン４４が配置された導体層の平面図である。第２実施例（図７Ｂ）では、インダクタンス調整配線６０の面内延伸部分６２が、開口６３の縁の２箇所においてグランドプレーン４４に接続されているが、図９に示した変形例では、面内延伸部分６２が、開口６３の縁の３箇所においてグランドプレーン４４に接続されている。このように、面内延伸部分６２とグランドプレーン４４との接続箇所を３箇所にしてもよいし、４箇所以上にしてもよい。
【００３９】
また、第２実施例（図７Ａ、図７Ｂ）、及び変形例（図９）では、ビア導体６１を２本配置しているが、ビア導体６１を３本以上配置してもよい。また、開口６３の形状を円形にしているが、円形以外の形状、例えばレーストラック形状や楕円形状等にしてもよい。
【００４０】
［第３実施例］
次に、図１０を参照して第３実施例によるフィルタモジュールについて説明する。以下、第１実施例によるフィルタモジュールと共通の構成については説明を省略する。
【００４１】
図１０は、第３実施例によるフィルタモジュールの断面図である。第１実施例（図５Ｃ）では、インダクタンス調整配線６０が、フィルタ素子３０が実装されている実装面から深さ方向に向かって１層目の導体層に配置されたグランドプレーン４４に接続されている。これに対して第３実施例では、インダクタンス調整配線６０が、３層目の導体層に配置されたグランドプレーン４４に接続されている。例えば、１層目の導体層には、他のグランドプレーン４５が配置されており、２層目の導体層には伝送線路４６が配置されている。ビア導体６１は、グランド用ランド４３から、１層目のグランドプレーン４５に設けられた開口を通って３層目のグランドプレーン４４に達している。
【００４２】
次に、第３実施例の優れた効果について説明する。第３実施例では、第１実施例の場合と比べてビア導体６１が長くなる。その結果、インダクタンス調整配線６０が持つインダクタンスが大きくなる。インダクタンス調整配線６０のインダクタンスを大きくしたい場合に、第３実施例の構造が有効である。
【００４３】
［第４実施例］
次に、図１１Ａを参照して第４実施例によるフィルタモジュールについて説明する。以下、第１実施例によるフィルタモジュールと共通の構成については説明を省略する。
【００４４】
図１１Ａは、第４実施例によるフィルタモジュールのモジュール基板４０（図３）に形成された表層導体層の平面図である。第１実施例では、インダクタンス調整配線６０が接続されているグランドプレーン４４（図５Ｃ）が１層目の導体層に配置されているが、第４実施例では、インダクタンス調整配線６０が、表層導体層に配置されたグランドプレーン４４に接続されている。このため、インダクタンス調整配線６０は、異なる導体層間を接続するビア導体を含まず、表層導体層に配置された面内延伸部分６２のみを含んでいる。グランド用ランド４３には、グランドプレーン４４に接続するためのビア導体が接続されていない。
【００４５】
次に、第４実施例の優れた効果について説明する。
モジュール基板４０の表層導体層にグランドプレーン４４が配置されている場合には第４実施例による構造を採用することができる。第４実施例の場合においても、面内延伸部分６２の長さを調整することによって、インダクタンス調整配線６０のインダクタンスを調整することができる。
【００４６】
次に、図１１Ｂを参照して第４実施例の変形例について説明する。
図１１Ｂは、第４実施例の変形例によるフィルタモジュールのモジュール基板４０（図３）に形成された表層導体層の平面図である。本変形例では、表層導体層に形成されたグランドプレーン４４に、縁から内部に向かう切り欠き部４７が設けられている。インダクタンス調整配線６０は、切り欠き部４７の最奥部の縁に接続されている。
【００４７】
図１１Ｂに示した変形例では、グランド用ランド４３とグランドプレーン４４との間隔に依存することなく、切り欠き部４７の深さを調整することにより、インダクタンス調整配線６０の長さを調整することができる。なお、インダクタンス調整配線６０のインダクタンス値を大きくするために、インダクタンス調整配線６０をメアンダ形状やスパイラル形状にしてもよい。
【００４８】
［第５実施例］
次に、図１２を参照して第５実施例によるフィルタモジュールについて説明する。以下、第１実施例によるフィルタモジュールと共通の構成については説明を省略する。
【００４９】
図１２は、第５実施例によるフィルタモジュールの等価回路図である。モジュール基板４０の構成は、第１実施例によるモジュール基板４０の構成と同一である。フィルタ素子３０は、１段目から４段目までの４個の並列共振回路ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４を含む。１段目の並列共振回路ＰＲ１は、並列接続されたインダクタＬ１とキャパシタＣ１とを含む。２段目の並列共振回路ＰＲ２は、並列接続されたインダクタＬ２とキャパシタＣ２とを含む。３段目の並列共振回路ＰＲ３は、並列接続されたインダクタＬ３とキャパシタＣ３とを含む。４段目並列共振回路ＰＲ４は、並列接続されたインダクタＬ４とキャパシタＣ４とを含む。フィルタ素子３０は、例えば５Ｇのバンドｎ７７用のバンドパスフィルタである。
【００５０】
４個の並列共振回路ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４の各々の一方の端子（以下、グランド側の端子という。）が共通のインダクタＬｇを介してグランド端子３３に接続されている。並列共振回路ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４の各々のグランド側の端子とは反対側の端子を、信号側の端子という。
【００５１】
１段目の並列共振回路ＰＲ１の信号側の端子が第１信号端子３１に接続されている。１段目の並列共振回路ＰＲ１の信号側の端子と、２段目の並列共振回路ＰＲ２の信号側の端子との間にキャパシタＣ１２が接続されている。４段目の並列共振回路ＰＲ４の信号側の端子が第２信号端子３２に接続されている。３段目の並列共振回路ＰＲ３の信号側の端子と、４段目の並列共振回路ＰＲ４の信号側の端子との間にキャパシタＣ３４が接続されている。第１信号端子３１と第２信号端子３２との間にキャパシタＣ１４が接続されている。４個の並列共振回路ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４のインダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４は相互に誘導結合している。インダクタＬｇに対して、モジュール基板４０側のインダクタンス調整配線６０が直列に挿入される。
【００５２】
次に、第５実施例の優れた効果について説明する。
第５実施例では、モジュール基板４０側のインダクタンス調整配線６０のインダクタンスを調整することにより、並列共振回路ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４のグランド側の端子とモジュール基板４０のグランドプレーン４４との間に挿入されるインダクタンスを調整することができる。その結果、第１実施例の場合と同様に、フィルタ素子３０の設計変更を行うことなく、第１信号端子３１から第２信号端子３２までの通過係数Ｓ２１の減衰特性を調整することができる。
【００５３】
次に、第５実施例の変形例について説明する。
モジュール基板４０に実装するフィルタ素子３０として、図３に示した第１実施例によるフィルタ回路、図１２に示した第５実施例によるフィルタ回路以外のフィルタ回路を持つものを用いてもよい。この場合にも、モジュール基板４０側のインダクタンス調整配線６０のインダクタンスを調整することにより、フィルタ素子３０の減衰特性を調整することが可能である。
【００５４】
上述の各実施例は例示であり、異なる実施例で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。複数の実施例の同様の構成による同様の作用効果については実施例ごとには逐次言及しない。さらに、本発明は上述の実施例に制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５５】
２０  フィルタ素子
２１  ローノイズアンプ
２２  モジュール基板
２３  第１信号用ランド
２４  グランド用ランド
２５  第２信号用ランド
２６  第３信号用ランド
２７  第４信号用ランド
２８  ビア導体
２９  グランドプレーン
３０  フィルタ素子
３１  第１信号端子
３２  第２信号端子
３３  グランド端子
３５  フィルタ素子
４０  モジュール基板
４１  第１信号用ランド
４２  第２信号用ランド
４３  グランド用ランド
４４、４５  グランドプレーン
４６  伝送線路
４７  切り欠き部
５０  フィルタモジュール
５１、５２  アンテナ端子
５３、５４  出力端子
５５  高周波スイッチ
５６、５７  ローノイズアンプ
５８  高周波スイッチ
６０  インダクタンス調整配線
６１  ビア導体
６２  面内延伸部分
６３  開口
７０  ハンダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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