(57)【要約】【課題】両面に反射膜を形成した大型ガラス透明基板から精度よく個片デバイス基板を切り出し，当該透明個片デバイス基板を複数枚、高精度で強固に積層した光制御パネル用ユニットの製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板の片側全面に金属反射膜等を成膜し，個片デバイス基板の外形のカットラインに沿って当該金属反射膜を除去後，反対面に形成した金属反射膜等全体に微粘着シートを貼合する。カットラインに沿ってガラス表面を割断し，微粘着シートから個片デバイス基板を分離後，当該個片デバイス基板を有機系接着剤，もしくは最上層の金属層同士を金属結合により接合する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
大型ガラス基板の片側全面に金属反射膜を成膜し，個片デバイス基板の外形カットラインに沿って当該金属反射膜を除去後，反対面に形成した金属反射膜全体に微粘着シートを貼合する。カットラインに沿ってガラス表面を割断し，微粘着シートから個片デバイス基板を分離後，有機系接着剤により当該個片同士を接合する，もしくは最上層に設けた低融点合金層間を接合する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【請求項２】
直径もしくは断面径が1〜500μmの有機ポリマー粒子，もしくはガラス繊維，もしくはセラミック粒子からなるスペーサーを，紫外線硬化型，熱硬化型，Bステージ型，もしくはそれらの複合型である有機系接着剤固形物中に，0.01wt％以上含まれることを特徴とする請求項１に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【請求項３】
個片デバイス間を接合する有機系透明接着剤中に混入するスペーサー径を，個片デバイス基板間で変える，もしくはガラス導光体の厚さを変えることにより基板の整列ピッチを変化させ，光学干渉による画質劣化を防止したことを特徴とする請求項２に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【請求項４】
ガラス基板表面に成膜した金属反射膜の最上層に0.5〜30μm厚さのスズ系金属層を形成して個片デバイス基板をつくり，スズ系金属表面を還元して当該個片デバイス基板間を熔融接合することによって積層されたことを特徴とする請求項１に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【請求項５】
金属反射膜上の上層金属が金属反射膜およびスズ系はんだと金属結合が可能な金属であって，当該金属膜上にスズ系はんだクリームを適量塗布し，各個片デバイス基板を接合した状態でスズ系はんだクリームを熔融し接合することにより積層されたことを特徴とする請求項１に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【請求項６】
スズ系合金はんだクリーム内に，直径が1〜30μmのガラス粒子もしくは金属粒子，もしくはセラミック粒子によるスペーサーを0.01wt％以上分散含有し，個片デバイス基板の積層ギャップを一定にし，さらには個片基板間の整列ピッチを変えたことを特徴とする請求項５に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【請求項７】
個片デバイス間をスズ系金属で接合してなる積層体において，ガラス導光体の厚さを変えることにより整列ピッチを変化させることで，光学干渉による画質劣化を防止したことを特徴とする請求項４〜６に記載する光制御パネル用ユニットの製造方法，およびそれを使用した光制御パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射膜を有する個片デバイス基板の生産性の高い製造法に関し，さらには当該個片デバイスの複数枚を強固に接合する製造方法、特には空中に立体像を形成する光学装置に使用する光制御パネルユニットの製造方法，および当該ユニットを使用した光制御パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
動画や静止画像を直接視認する一般的な直視型ディスプレイではなく、ディスプレイ等からの光学情報を、光制御パネルを通過させることで空中に結像させる方法が提案されている（特許文献１参照）。光制御パネルは透明基板内に一定間隔で反射膜が形成された構造をユニットとし、当該ユニット２枚を直交させる構造であり、詳細な原理は特許文献等に記載されている。
【０００３】
ユニットの製造方法として、金属反射面が片面に形成された一定厚みの透明合成樹脂基板又はガラス板を、前記金属反射面が一方向に配置されるようにして、透明接着剤層を介して多数枚積層して積層体を作成する工程と、前記積層体を前記金属反射面に対して垂直な切り出し面が形成されるように切り出す工程を有することが記載されている。
また，他の方法として透明基板間に接着剤を使用しないで，透明基板と空気層の屈折率の差異による全反射を利用したユニットの製造方法が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2015-172782
【特許文献２】特開2017-53922
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では反射層を持つシート全体を接着積層して、必要な寸法で反射面に対して垂直に切り出す方法であり、安定的な製造には多くの労力を必要とする。例えば、透明基材としてガラス基板を使用する場合、ガラスの切断により発生する応力や熱，冷却水に耐えられる接着強度が必要である。また、透明樹脂基板の場合、ガラス基板に比較して容易に切断できるが、樹脂の吸湿膨張や温度による熱膨張などで反射面の耐久性，さらには表面の平坦度などに課題がある。
【０００６】
特許文献２においては，個片デバイス基板間を接合しないで空気層とガラス層との屈折率の差異による全反射を利用して，入力された画像情報を伝送する。全半射角は約41度であり，それ以上の角度では反射されない。また，片面に反射膜を形成する場合，あるいは反射膜が無い場合，ガラス面同士が接着剤無しで接合される場合もあり，安定した反射面が得られにくい。
【０００７】
光制御パネルにおいて重要な特性の一つは，歪等が無い画像情報の伝送である。したがって，ユニットの反射面にごみや気泡などの異物があってはならない。しかし，両面や片面に反射膜がないデバイスを使用する場合，ごみが入り込んだり気泡が残ったりする可能性が高い。特許文献１および２におけるユニット製造方法では，完成後に異物の存在がわかっても基本的に修正方法がなく，製造時に個片デバイス基板間にごみなどの光学的異物が存在しないような極めて清浄な製造環境と，使用材料に対して高い清浄度が要求される。これらは大きなコストアップの要因となる。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、基板の両面に反射膜を形成することを基本構造とする。反射面の異物等を極限まで減らすために，大型基板の両側に真空プロセスで反射膜を形成し，当該大型基板から個片デバイス基板を効率よく切り出し，さらには各個片基板間を精度よく，積層する方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、スパッタリングなどの真空成膜法により透明ガラス基板の両面に反射膜を形成する。しかし，両側に金属膜を有するガラス基板から個片デバイスを切り出すことは容易ではなく，本発明においては，少なくとも片面の金属反射膜をカッティングラインに沿って除去した構造を採用する。すなわち，片面に反射膜等を成膜した後，フォトリソグラフ法などによって，カッティングラインに沿って反射膜等の金属を除去する。この方法は，フォトリソグラフ法，レーザーアブレーション法，あるいは機械的に金属をかきとる方法などがあり，本発明はその方法によって制限されるものではない。
次に，パターニングされた反射膜等を有する大型ガラス基板の反対面に，スパッタリングなどの真空成膜法により反射膜を形成する。
【００１０】
裏面に反射膜を成膜後，大型ガラス基板から個片デバイス基板を，カッティングにより切り出す。切り出す方法は，レーザーアブレーション法やウォータージェット，ホイール状工具による割断などがあり，本発明はその方法によって制限されるものではない。しかし，個片デバイス基板は，厚さが0.5ｍｍ前後で幅が約2ｍｍ程度であり，大型ガラス基板から切り出したあとのハンドリングのしやすさが，生産性に大きな影響を与える。
【００１１】
本発明では，前記大型ガラス基板の反射膜を全面に形成した面に，微粘着ポリマーシートを貼合する。カッティング方法としては，ホイール状工具によって切り溝（ニュー）を入れ，次に曲げ応力を加えて亀裂を入れることで個片デバイス基板に加工される。この状態でも微粘着シートで固定されており，ハンドリングは容易である。
【００１２】
本発明では，このようにして得られた個片デバイス基板同士を積層接合するが，当該デバイス基板の両側に反射面が形成されていることから，ごみなどの異物混入に対しては優位性が高い。また，個片デバイス基板単独で反射特性をチェックすることもできる。さらには，フォトリソグラフ法により精密加工用パターンを形成することにより，個片デバイス基板の微細な寸法加工も容易で，積層後の後加工処理を提言できる。
【００１３】
本発明による個片デバイス基板は両面に反射膜を有することから，当該基板間の接合方法として無色透明もしくは不透明な有機系接着剤による接合，さらには反射膜上に形成された低融点金属による金属結合による接合が可能である。
【００１４】
有機系接着剤による接合としては，UV硬化型接着剤，熱硬化型接着剤，その併用型である。接着剤の材料としては，アクリル系，エポキシ系，シリコン系などの多くの材料を適用することができる。基本的には，積層前に個片デバイス基板の片面，もしくは両面に塗布後にUV光や熱を印加することで接着剤を硬化させて積層体ユニットを作る。塗布方法は，ジェットディスペンサー等により高速で精密量の塗布を行うことができる。
【００１５】
Bステージ型接着剤を使用する場合，スクリーン印刷，ジェットディスペンサーなどの方法によって大型基板の片面に当該接着剤を塗布し，所定の温度で乾燥させる。この状態で個片デバイス基板に割断するが，Bステージ接着剤は粘着性などが全くない状態であり，割断工程による影響を受けない。この状態で，個片デバイス基板を積層し，加圧加温することで，Bステージから硬化反応が進み，信頼性の高い基板間接合が完了する。
【００１６】
画像情報を精度よく伝送するために，反射面の品質とともに，各個片デバイス基板間の平行度が重要である。平行度は，個片デバイス基板の高さ方向（約2mm）だけでなく，長さ方向（画像寸法による）においても重要であり，各基板間の平行度のばらつきが全体で累積値が大きくなる場合もある。
【００１７】
精度の高い基板間平行度を実現するために，本発明においては請求項２に記載するように，有機系接着剤中に有機ポリマー粒子やガラス繊維，セラミック粒子をスペーサーとして混入させることができる。すなわち，接着剤硬化時に圧力を加えると当該粒子によって基板間の距離が一定になる。粒子は，有機ポリマーやシリカ粒子があり，有機ポリマー粒子の場合，例えば5.00μm±0.05μmの精度を利用することができ，高い平行度を実現できる。シリカやガラス繊維などの無機系スペーサーは，ヤング率が大きいために圧力による変形が無く，粒径の高い方が間隙寸法を決定する。
【００１８】
使用する粒径は，1μm未満でも500μm超でも使用できるが，厚さが薄い場合は硬化性，フィラーおよび異物の管理，厚い場合は硬化性だけでなく硬化収縮，さらには開口率が悪化するために，使用する有機系接着剤の種類によって決めることができる。一般的には1μm〜20μmであり，望ましくは10μm前後である。また，混入量は，接着剤固形分に対して0.01wt%から効果を確認できるが，接着剤の種類を含めた最適量を決めることができる。なお，無機系粒子の比重が約2.5前後，有機ポリマーは約1.2前後であり，体積としては2倍の差がある。
【００１９】
本発明においては，請求項３に示すように有機系接着剤を高透過率の透明接着剤を使用し，個片デバイス基板間のスペーサー径を変えることで，開口率を低下させずに，整列ピッチを変えて，画像情報源であるディスプレイの画素ピッチとの光学干渉を防止することができる。また，スペーサー径は同一で，ガラス導光体の異なる厚さの組み合わせでも同様の効果を得ることができる。画像情報源であるディスプレイは数100μmの格子で構成されることが多く，高精細の光制御パネルの格子と光学干渉を起こす場合があり，本発明のように，個片デバイス基板の整列ピッチを変化させることにより光学干渉を防止できる。
【００２０】
最適な整列ピッチや配列は，一義的に決めることは困難である。すなわち，ディスプレイ側のブラックマトリクスを含むピッチは多様であり，それに対して設置する光制御パネルの設置角度や整列ピッチも多様な組み合わせとなり得る。したがって，最適な組み合わせは，実際にカットアンドトライによって行われる。また，光制御パネルはユニットを２枚組み合わせて構成されるが，それぞれのユニットにおける整列ピッチを変えたものを使用できる。
【００２１】
次に請求項４〜請求項7に記載した反射膜上に形成したスズ系金属層同士の接合を利用した個片デバイス基板間の積層について説明する。
本発明においては，金属反射膜上に低融点金属であるスズ系金属層を形成し，当該金属同士を熔融接合することで，個片デバイス基板間を金属結合した光制御パネルのユニットを得ることができる。
【００２２】
一般的に，金属反射膜としてアルミニウム合金や銀合金を使用するが，これらの金属同士を直接接合することは極めて困難である。本発明では，これらの金属反射膜上の最上層に0.5〜30μm厚さのスズ系金属層を形成して個片デバイス基板をつくり，スズ系金属表面を還元して当該個片デバイス基板間を熔融接合する。成膜方法としては，スパッタリングなどの真空成膜法，電気メッキ，熔融めっき，クリームはんだを印刷後リフロー熔融などのプロセスを使用することができる。
【００２３】
スズ系金属膜を熔融接合する際に，例えば反射膜とアルミニウム合金膜とスズ系合金との濡れ性改善のために，例えば両金属間に銅やニッケルなどの金属層を形成することができる。これらの金属，例えばアルミニウム合金膜，銅膜，スズ系合金は，真空中で連続的に成膜することができる。
【００２４】
また，平坦な個片デバイス基板間を接合するには，スズ系合金膜の厚さは0.5μm以上，好ましくは1μm以上であり，スパッタリング以外の方法，例えば電気メッキや熔融したスズ浴による熔融はんだメッキ，スズ系はんだクリームを印刷後にリフローするプロセスを使用することもでき，本発明はその方法に限定されない。また，スズ系金属層の成膜は，大型基板で成膜することも可能であり，熔融はんだメッキおよびスズ系はんだクリームの印刷やジェットディスペンサーによる塗布後の熔融プロセスは，大型基板だけではなく，個片デバイス基板で行なうこともできる。
【００２５】
スズ系金属としては，スズ単独（融点：231℃），BiSn42（Sn42）（融点：139℃），Sn-3Ag-0.5Cu（融点：217℃），InSn48（融点：119℃）など多くの鉛フリーはんだが提供されており，本発明は個片デバイス基板同士の接合を目的として，これらを使用することができる。
【００２６】
実際の接合方法の一つとして，請求項４に記載するようにスズ系金属表面を還元し，熔融することで相互に結合する。スズ系金属表面は，数nmの厚さで酸化膜が存在しており，この酸化膜を除去することが必要であり，一般的にはフラックス称される還元材料を使用する。フラックスはこれらの酸化膜を腐食反応によって除去するものであることから，信頼性を確保するうえで，処理後の残渣が無いことが必要である。しかし，個片デバイス基板間の接合は，接合時に２面が閉ざされた構造となることから，フラックスの選定は極めて重要である。
【００２７】
本発明では，従来からのフラックスも使用を制限するものではないが，このような状況に鑑みて，ギ酸ガスを利用した還元プロセスが有効である。すなわち，チャンバー内に個片デバイス基板を必要量積層した状態で真空状態にし，スズ系金属の融点近傍まで温度を上昇させ，この状態で窒素をキャリアガスとして，ギ酸を真空チャンバー内に導入する。ギ酸ガスは個片デバイス基板間にも浸透し，160℃程度で分解し活性水素と炭酸ガス（CO2）になる。活性水素はスズ系金属表面の酸化スズを還元して，金属スズ（Sn）と水（H2O）となる。この状態で，個片デバイス基板の積層体に圧力を加えると，熔融した金属同士が金属結合による接合する。結果的に，ギ酸は熱分解反応及び還元反応によって，CO2とH2Oになり，腐食性の化合物として残存しない。また，真空環境での接合であり，気泡（Void）も発生しにくく，信頼性の高い接合面が実現できる。
【００２８】
本発明では，低融点クリームはんだを基板上に印刷やディスペンサーによって，適量塗布して接合に使用することができるが，この場合個片デバイス基板間の平行度および間隙寸法は，クリームはんだ熔融時の圧力に依存する。請求項６に記載するように，平行度および間隙寸法を成業するために，はんだクリーム内に，直径が1〜30μmのガラス粒子もしくは金属粒子，セラミック粒子を0.01wt％以上分散含有することができる。
【００２９】
粒子径は大きくなると個片デバイス基板間の間隙寸法が 大きくなり，画像情報を伝送するガラス基板の開口面積に対する割合が大きくなる。すなわち，開口率が悪化することからできる限り間隙寸法は小さい方がよく，1〜10μmが好ましい。
スズ系金属層の膜厚を，1〜10μmで精度よく成膜できる場合は，例えば，電気メッキや真空成膜プロセスによる場合は，特にスペーサーを必要としない。
【発明の効果】
【００３０】
本発明では，大型基板の両側に金属反射膜を形成して個片デバイス基板を切り出し，当該個片デバイス基板間の平行度，間隙寸法を高い精度で積層している。個片デバイス基板単独での機械的寸法加工や，光学伝送特性等を管理できるだけでなく，積層時の異物などによる歩留まり悪化を防止できるという点で極めて大きな効果を有している。
【００３１】
また本発明は，両面に金属反射膜を形成した大型ガラス基板から個片デバイス基板を切り出す方法として，ガラス基板の片側から金属反射膜を除去することで，高い寸法精度を確保し，割断（ブレーキング）による外観不良を防止する。
【００３２】
本発明では，個片デバイス基板間の接合方法として，有機系接着剤だけでなく，スズ系金属を反射膜上に形成し，当該スズ系金属同士の金属結合による接合するプロセスを採用している。これによって，全無機材料による光制御パネル用ユニットが実現でき，車載用途など高温多湿環境下で使用可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態の両面に反射膜を有する個片デバイス基板の製造方法を示す。
【図２】本発明の別の実施形態で反射膜上にスズ系金属を有する構造を示す。
【図３】本発明の実施形態のスペーサー混入接着剤による積層接合の例を示す。
【図４】本発明に実施形態で両面にスズ金属膜を有する個片デバイス間の接合模式図である。
【図５】スズめっき膜の表面分析であって，酸素原子のスペクトル変化を示す。
【図６】スズめっき膜の表面分析であって，スズ原子のスペクトル変化を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図にしたがって本発明の具体的な実施例について説明する。
【００３５】
図１は，本発明による個片デバイス基板の一般的な製造方法を示すものである。図1-(a)
のように，ガラス基板１の片面に反射金属膜2aを成膜する。ガラス基板1は，ソーダガラス，ホウケイ酸ガラスなど多種類のガラスが使用できる。反射膜2a,2bは，アルミニウム系や銀系，さらには増反射膜処理などが使用できる。具体的には，アルミニウム・ネオジウム合金（Al-Nd），銀・パラジウム・銅合金（Ag-Pd-Cu：フルヤ金属製APC合金）などである。画像情報の伝送には可視領域（380nm〜780nm）において透過スペクトルが平坦であることが好ましい。膜厚は導電性を要求しないので制限されないが，10nm〜20nm程度であり，それ以上でも良い。また，図示されていないが，ガラス基板1との密着性を確保するために，反射膜2a,2bとガラス基板1との間に二酸化ケイ素（SiO2）膜などの透明膜を形成してもよい。
【００３６】
図１-(b)は，成膜した反射膜2aをカッティングライン部分に沿って除去し，さらに反対面に反射膜2bを成膜したものである。除去方法は，フォトリソグラフ法，レーザーアブレーション法でも良いし，例えば超硬ヘッドなどを使って機械的に削っても良い。
本発明では，基板両面に反射金属膜2a,2bを形成して個片デバイス基板10を切り出すが，両側に金属膜2a,2bが存在するとガラス基板1を精度よく割断できない。これはガラス基板1の表面に機械的や熱的に歪（ニュー）を発生させ，ニューを成長させることにより割断するためである。
【００３７】
次に，パターニングした面2aと反対面に反射膜2bを成膜する。スパッタリングなどの真空成膜プロセスでは，成膜面の反対面に成膜されないため，特別にパターニング面を保護する必要がなく工程負荷が少ない。反射面2aを機械的やレーザーアブレーションでパターニングする場合は，反射面2a，2bを成膜後にパターニングしても良い。
【００３８】
この状態で，反射面2bに微粘着フィルム3を貼合する。レーザーアブレーションによってフルカットする場合は，当該フィルム3は不要であるが，一般的には前述のように，カットラインに沿ってスクライブすることで歪を発生させ，これを成長させて個片デバイス基板10にブレーキングする。個片デバイス基板10の幅は約2mm，厚さは0.5mm前後であることから，スクライブ時に個片になる場合もあり，当該微粘着フィルム3は繁雑な状況を回避し，作業生産性を向上させることができる。
例えば，表面保護用フィルムSPVシリーズ（日東電工製）や，紫外線照射によって剥離が容易なエレップホルダーシリーズ（日東電工製）などが使用できるが，本発明においては多様なフィルムを使用することができる。
【００３９】
次に，図1-(d)に示すように，パターニングされたカットライン部分から，スクライブする。この工程で，部分的にフルカットされて個片デバイス基板10になっても，微粘着フィルム3に保持され，その結果，ステージ表面への固定も安定的に保持される。
全てのスクライブが終了後図1-(e)に示すように，微粘着フィルム3を上にして，ブレーキングステージB上にセットし，上部から圧力Fを印加する。ブレーキングステージBの表面は，比較的柔らかいゴム状物質であり，圧力Fによって沈み込みことからガラス基板1の歪が進行し，最終的に個片に分割されるが，個片デバイス基板10微粘着フィルム3に保持される。
【００４０】
以上によって，光制御パネル用ユニットの個片デバイス基板10が完成する。請求項2〜3に記載されるように，当該個片デバイス基板10を有機系接着剤6によって積層接合することができる。図２は，その断面の模式図である。接着剤6はスペーサー7を含んでおり，これによって個片デバイス基板間の間隙距離が一定となり，基板間の平行度も安定し，反射面による画質低下を低減できる。
【００４１】
有機系接着剤の光透過率が高く，かつ厚さが大きい場合，高透過率有機系接着剤をガラス導光体10と同程度の厚さで形成して，画像伝送体として活用することができる。また，厚さをスペーサーの径で変化させることで，同一ピッチによる光学干渉を防止することができる。同様に，スペーサー径を同一径とし，ガラス導光体の厚さを変えることで，整列ピッチを変えることでも光学干渉を防止できる。
【００４２】
図３は，個片デバイス基板11間を金属結合によって積層する例であって，反射膜2a,2bの上に例えば銅薄膜3a,3bを成膜し，さらにスズ系金属4a,4bを成膜する。あるいは，銅薄膜3a,3bとの間に接合強度を補強する他の金属薄膜等（図示されていない）を形成してもよい。反射膜2a,2bは，導電性を要求しないので膜厚は制限されず，10nm〜20nm程度でもよく，それ以上でも良い。銅薄膜3a,3bは，上部に形成するスズ系金属膜4a,4bを熔融して接合に供するために，厚さは厚い方がよく，100nm以上で好ましくは200nm以上であるが，最上部のスズ系金属4a,4bの接合方法によって決定される。
【００４３】
スズ系金属膜4a,4bの膜厚は，個片デバイス基板11同士を接合する場合は，基板表面のうねりなどの平坦性の影響を受けないように，十分な厚さが必要で，0.5μm以上好ましくは1μm以上が良い。
成膜方法は，前述のように真空成膜法，電気メッキ，熔融はんだメッキ，半田クリームの印刷後のリフロー熔融などのプロセスを利用できる。
【００４４】
図４は，スズ系金属膜4a.4bを有する個片デバイス基板11同士を接合する例であって，加温が可能なステージSに当該個片デバイス基板11を必要数量整列させる。ギ酸還元による接合の場合は，このステージS全体が真空チャンバー内にセットされ，真空状態とする。例えばチャンバー真空度を20〜100Paとし，この状態で窒素ガスをキャリアガスとしてギ酸を導入する。温度160℃程度からギ酸は分解してCO2と活性水素Hとなり，当該活性水素がスズ膜表面の酸化スズ（SnO2）を還元してSnとH2Oとなる。この状態で融点231℃以上の温度でスズ金属膜4a,4bが熔融し，圧力Gを印加することで接合する。
【００４５】
図５および図６は，めっきスズ表面とその下部2 nm程度の状態をX線光電子分光分析で分析した結果である（ULVAC-PHI社，PHI-5000  VersaProbe,加速電圧2kV，Ar）。図５は酸素原子のスペクトルO1s，図６はスズ原子のスペクトルSn3dの変化を示したものであり，最表面は酸化膜となっているが，すぐ下部は酸素が全くなく金属スズであることがわかる。したがって，表面の2 nm程度の還元によって金属スズとなり，相互に金属結合を形成することができる。
【００４６】
スズ金属の融点231℃をさらに低温度にするために，低融点のスズ合金を使用することができる。例えば，ビスマス（Bi）58重量部とスズ（Sn）42重量部の合金はBiSn42と呼ばれ，融点は約139℃である。したがって，ギ酸の分解温度である約160℃程度のプロセス温度で接合することができる。このようなスズ合金を真空成膜することは一般的ではなく，クリームはんだや，熔融ハンダ浴による熔融めっき処理を使用する。
【００４７】
例えば，BiSn42をベースとしたクリームはんだは，SB6-HLGQ-20（ニホンゲンマ製，Sn-57Bi-0.4Ag＋α）などが使用でき，シルク印刷やジェットディスペンサーによって基板表面に適量塗布し，基板温度を昇温速度2〜4℃/秒で，170〜200℃にすることでリフローしスズ合金膜にすることができる。クリームはんだには，熔融接合時に個片デバイス基板間の平行度や間隙寸法を一定にするためにスペーサーを混入することができる。スペーサーは有機系ではなく，金属粒子やガラス，セラミックなどを使用することができ，例えば本発明の試作ではシリカ系粒子である真絲球SW5.0μm（日揮触媒化成製）を使用した。
【００４８】
前項で作成した個片デバイス基板は，ギ酸還元接合によって，基板同士を積層接合できる。この際，リフローで銅膜上に形成したスズ系金属膜は，厚膜で形成することが容易であるため，基板の平坦性のばらつきを吸収する余裕度が高いため，両面に形成せず片面だけでもよい。片側の銅膜も表面は2~3nmの酸化銅膜であり，スズ金属表面と同様にギ酸によって容易に還元される（データ図示無し）。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は，空中に映像を結像させる光学結像装置に用いる光制御パネルに使用するユニットの製造方法等に適用可能である。
【符号の説明】
【００５０】
1  ガラス基板  2a・2b 反射膜  3 微粘着シート  4a・4b 銅薄膜  5a・5b スズ系金属薄膜  6 接着剤  7 スペーサー  
8 接合部10 個片デバイス基板  11 個片デバイス基板B ブレーキングステージ  D スクライビングヘッド  F ブレーキング圧力  G 接合加圧 S 加温加圧ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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