(57)【要約】      （修正有）【課題】処理液の送液時間の短縮に有効な液処理装置、液処理方法及び記憶媒体を提供する。【解決手段】液処理装置は、処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を同一の管路に吐出する吐出動作とをそれぞれ行う少なくとも３つのポンプ５０と、同一の管路に吐出された処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を吐出する吐出動作とを行う後段ポンプ４０と、３つのポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのポンプ５０に順次受入動作を実行させることとを繰り返す送液制御部と、を備える。【選択図】図２
2020202305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた前記処理液を同一の管路に吐出する吐出動作とをそれぞれ行う少なくとも３つのポンプと、
前記同一の管路に吐出された前記処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた前記処理液を吐出する吐出動作とを行う後段ポンプと、
前記３つのポンプのいずれか２つに前記吐出動作を実行させることと、前記処理液を吐出した２つの前記ポンプに順次前記受入動作を実行させることとを繰り返す送液制御部と、を備える液処理装置。
【請求項２】
前記送液制御部は、前記３つのポンプのいずれか２つに前記吐出動作を実行させる期間に、残りの１つに前記受入動作を実行させる、請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】
前記送液制御部は、前記３つのポンプのそれぞれに、前記受入動作と、前記吐出動作と、他の前記ポンプの前記受入動作の待機と、前記受入動作と、他の前記ポンプの前記受入動作の待機と、前記吐出動作とを順に含む１セットの動作を繰り返し実行させる、請求項２記載の液処理装置。
【請求項４】
前記３つのポンプのいずれか２つが前記吐出動作を実行する期間に前記後段ポンプに前記受入動作を実行させることと、前記処理液を吐出した２つの前記ポンプが順次前記受入動作を実行する期間に前記後段ポンプに前記吐出動作を実行させることと、を繰り返す後段送液制御部と、を更に備える請求項１〜３のいずれか一項記載の液処理装置。
【請求項５】
前記３つのポンプのいずれか２つが前記吐出動作を実行する期間に、当該２つのポンプが吐出した前記処理液を前記後段ポンプに通液させる後段メンテナンス制御部を更に備える、請求項４記載の液処理装置。
【請求項６】
処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた前記処理液を同一の管路に吐出する吐出動作とをそれぞれ行う少なくとも３つのポンプのいずれか２つに前記吐出動作を実行させることと、前記処理液を吐出した２つの前記ポンプに順次前記受入動作を実行させることと、を繰り返す送液制御と、
前記３つのポンプのいずれか２つが吐出した前記処理液を受け入れる受入動作を後段ポンプに実行させることと、受け入れた前記処理液を吐出する吐出動作を前記後段ポンプに実行させることと、を繰り返す後段送液制御と、を含む液処理方法。
【請求項７】
前記送液制御は、前記３つのポンプのいずれか２つに前記吐出動作を実行させる期間に、残りの１つに前記受入動作を実行させることを含む、請求項６記載の液処理方法。
【請求項８】
前記送液制御は、前記３つのポンプのそれぞれに、前記受入動作と、前記吐出動作と、他の前記ポンプの前記受入動作の待機と、前記受入動作と、他の前記ポンプの前記受入動作の待機と、前記吐出動作とを順に含む１セットの動作を繰り返し実行させることを含む、請求項７記載の液処理方法。
【請求項９】
前記後段送液制御は、前記３つのポンプのいずれか２つが吐出動作を実行する期間に前記受入動作を前記後段ポンプに実行させ、前記処理液を吐出した２つの前記ポンプが順次前記受入動作を実行する期間に前記吐出動作を前記後段ポンプに実行させる、請求項６〜８のいずれか一項記載の液処理方法。
【請求項１０】
前記３つのポンプのいずれか２つが前記吐出動作を実行する期間に、当該２つのポンプが吐出した前記処理液を前記後段ポンプに通液させる後段メンテナンス制御を更に含む、請求項９記載の液処理方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずれか一項記載の液処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液処理装置、液処理方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、処理液を貯留する処理容器と、処理液を送る吐出ポンプと、処理容器から処理液を吸引し、吸引した処理液を吐出ポンプに送り込む送り込みポンプと、を備える基板処理装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１７−１４７３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理液の送液時間の短縮に有効な液処理装置、液処理方法及び記憶媒体を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一側面に係る液処理装置は、処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を同一の管路に吐出する吐出動作とをそれぞれ行う少なくとも３つのポンプと、同一の管路に吐出された処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を吐出する吐出動作とを行う後段ポンプと、３つのポンプのいずれか２つに吐出動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのポンプに順次受入動作を実行させることとを繰り返す送液制御部と、を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、処理液の送液時間の短縮に有効な液処理装置、液処理方法及び記憶媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】基板液処理システムの概略構成を例示する模式図である。
【図２】液処理ユニットの概略構成を例示する模式図である。
【図３】制御部のハードウェア構成を例示するブロック図である。
【図４】液処理手順を例示するフローチャートである。
【図５】アシストポンプの送液制御手順を例示するフローチャートである。
【図６】主ポンプの送液制御手順を例示するフローチャートである。
【図７】アシストポンプのメンテナンス制御手順を例示するフローチャートである。
【図８】主ポンプのメンテナンス制御手順を例示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔基板処理システム〕
図１に示すように、基板処理システム１は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハＷである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム１は、塗布・現像装置２と露光装置３とを備える。露光装置３は、ウェハＷ（基板）上に形成されたレジスト膜（感光性被膜）の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置２は、露光装置３による露光処理の前に、ウェハＷ（基板）の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
【００１０】
〔塗布処理装置〕
以下、液処理装置の一例として、塗布・現像装置２の構成を説明する。塗布・現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、制御部１００とを備える。
【００１１】
キャリアブロック４は、塗布・現像装置２内へのウェハＷの導入及び塗布・現像装置２内からのウェハＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ウェハＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームＡ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のウェハＷを収容する。受け渡しアームＡ１は、キャリアＣからウェハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウェハＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。
【００１２】
処理ブロック５は、複数の処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。処理モジュール１１，１２，１３は、塗布ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。
【００１３】
処理モジュール１１は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりウェハＷの表面上に下層膜を形成する。処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１は、下層膜形成用の成膜液をウェハＷ上に塗布する。処理モジュール１１の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。下層膜の具体例としては、例えばスピンオンカーボン（ＳＯＣ）膜等の所謂ハードマスクが挙げられる。
【００１４】
処理モジュール１２は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の成膜液を下層膜の上に塗布する。処理モジュール１２の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１５】
処理モジュール１３は、塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１は、上層膜形成用の成膜液をレジスト膜の上に塗布する。処理モジュール１３の熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
【００１６】
処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３と、熱処理ユニットＵ４と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４により、露光後のレジスト膜の現像処理を行う。現像ユニットＵ３は、露光済みのウェハＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ４は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Ｐｏｓｔ  Ｂａｋｅ）等が挙げられる。
【００１７】
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウェハＷを昇降させる。
【００１８】
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
【００１９】
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でウェハＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたウェハＷを露光装置３に渡し、露光装置３からウェハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
【００２０】
制御部１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布・現像装置２を制御する。まず制御部１００は、キャリアＣ内のウェハＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように受け渡しアームＡ１を制御し、このウェハＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２１】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１１内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの表面上に下層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、下層膜が形成されたウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２２】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１２内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように昇降アームＡ７を制御する。
【００２３】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１０のウェハＷを処理モジュール１３内の塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように塗布ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送アームＡ３を制御する。
【００２４】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを露光装置３に送り出すように受け渡しアームＡ８を制御する。その後制御部１００は、露光処理が施されたウェハＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように受け渡しアームＡ８を制御する。
【００２５】
次に制御部１００は、棚ユニットＵ１１のウェハＷを処理モジュール１４内の現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４に搬送するように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷのレジスト膜に現像処理を施すように現像ユニットＵ３及び熱処理ユニットＵ４を制御する。その後制御部１００は、ウェハＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送アームＡ３を制御し、このウェハＷをキャリアＣ内に戻すように昇降アームＡ７及び受け渡しアームＡ１を制御する。以上で塗布・現像処理が完了する。
【００２６】
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した塗布・現像装置２の構成に限られない。基板処理装置は、塗布ユニットＵ１と、これを制御可能な制御部１００とを備えていればどのようなものであってもよい。
【００２７】
〔塗布ユニット〕
続いて、処理モジュール１２の塗布ユニットＵ１の構成を具体的に説明する。図２に示すように、塗布ユニットＵ１は、回転保持部２０と、液供給部３０とを有する。
【００２８】
回転保持部２０は、ウェハＷを裏面Ｗｂ側から保持して回転させる。例えば回転保持部２０は、保持部２１と回転駆動部２２とを有する。保持部２１は、表面Ｗａを上にして水平に配置されたウェハＷの中心部（中心を含む部分）を裏面Ｗｂ側から支持し、当該ウェハＷを例えば真空吸着等により保持する。回転駆動部２２は、例えば電動モータ等を動力源として、ウェハＷの中心を通る鉛直な軸線まわりに保持部２１を回転させる。これによりウェハＷも回転する。
【００２９】
液供給部３０は、保持部２１が保持するウェハＷの表面Ｗａにレジスト膜の形成用の処理液を供給する。液供給部３０は、ノズル３１と、液源３２と、主ポンプ４０と、３つのアシストポンプ５０と、貯留タンク３５と、フィルタ３６とを有する。ノズル３１は、回転保持部２０の上方に位置し、回転保持部２０が保持するウェハＷに処理液を吐出する。液源３２は、ノズル３１に供給するための処理液を収容する。
【００３０】
主ポンプ４０（後段ポンプ）は、管路３７を介してノズル３１に接続され、管路３８を介して液源３２に接続されており、液源３２側からノズル３１側に処理液を圧送する。例えば主ポンプ４０は、管路３８から処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を管路３７に吐出する吐出動作とを行う。
【００３１】
一例として、主ポンプ４０は、処理液を圧送するための収容室４１と、管路３７，３８をそれぞれ開閉するバルブ４２，４３とを有する。受入動作において、主ポンプ４０は、バルブ４３が開きバルブ４２が閉じた状態で収容室４１を拡大させ、管路３８から収容室４１内に処理液を受け入れる。吐出動作において、主ポンプ４０は、バルブ４３が閉じバルブ４２が開いた状態で収容室４１を縮小させ、収容室４１内の処理液を管路３７に吐出する。主ポンプ４０の具体例としては、ベローズポンプ、ダイヤフラムポンプ、及びチューブフラムポンプ等が挙げられる。
【００３２】
３つのアシストポンプ５０（ポンプ）は、管路３８を介して主ポンプ４０に接続され、管路３９を介して液源３２に接続され、液源３２側から主ポンプ４０側に処理液を圧送して主ポンプ４０による処理液の受け入れをアシストする。いずれのアシストポンプ５０も、同一の管路３９から処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を同一の管路３８に吐出する吐出動作とを行う。
【００３３】
一例として、アシストポンプ５０は、処理液を圧送するための収容室５１と、管路３８との間を開閉するバルブ５２と、管路３９との間を開閉するバルブ５３とを有する。受入動作において、アシストポンプ５０は、バルブ５３が開きバルブ５２が閉じた状態で収容室５１を拡大させ、管路３９から収容室５１内に処理液を受け入れる。吐出動作において、アシストポンプ５０は、バルブ５３が閉じバルブ５２が開いた状態で収容室５１を縮小させ、収容室５１内の処理液を管路３８に吐出する。アシストポンプ５０の具体例としては、ベローズポンプ、ダイヤフラムポンプ、及びチューブフラムポンプ等が挙げられる。なお、以下の説明においては、必要に応じ３つのアシストポンプ５０をアシストポンプ５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃとして区別する。液供給部３０が有するアシストポンプ５０の数は、３つ以上であればよいので必ずしも３つに限られない。液供給部３０は４つ以上のアシストポンプ５０を有していてもよい。
【００３４】
貯留タンク３５は、管路３９に設けられており、液源３２からアシストポンプ５０に送られる処理液を貯留して処理液内の気泡を除去する。フィルタ３６は、管路３８に設けられており、アシストポンプ５０から主ポンプ４０に送られる処理液内のパーティクルを除去する。
【００３５】
塗布ユニットＵ１は、制御部１００により制御される。塗布ユニットＵ１の制御に際し、制御部１００は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０に順次受入動作を実行させることと、を繰り返す送液制御を実行するように構成されている。例えば制御部１００は、機能上の構成（以下、「機能ブロック」という。）として、送液制御部１１１と、後段送液制御部１１２と、後段メンテナンス制御部１１３と、回転制御部１１４とを有する。
【００３６】
送液制御部１１１は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０に順次受入動作を実行させることとを繰り返す（すなわち上記送液制御を実行する。）。送液制御において、送液制御部１１１は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させる期間に、残りの１つに受入動作を実行させてもよい。送液制御において、送液制御部１１１は、吐出動作に用いる２つのアシストポンプ５０を順次変更し、２つのアシストポンプ５０の全組み合わせによる吐出動作を繰り返し実行させてもよい。
【００３７】
送液制御において、送液制御部１１１は、３つのアシストポンプ５０のそれぞれに、受入動作と、吐出動作と、他のアシストポンプ５０の受入動作の待機と、受入動作と、他のアシストポンプ５０の受入動作の待機と、吐出動作とを順に含む１セットの動作を繰り返し実行させてもよい。
【００３８】
一例として送液制御部１１１は、送液制御において以下３セットの動作を繰り返す。
第１セット）  アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂに吐出動作を実行させた後、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂに順に受入動作を実行させる。
第２セット）  アシストポンプ５０Ｃ，５０Ａに吐出動作を実行させた後、アシストポンプ５０Ｃ，５０Ａに順に受入動作を実行させる。
第３セット）  アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃに吐出動作を実行させた後、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃに順に受入動作を実行させる。
【００３９】
この繰り返しにおいて、送液制御部１１１は、第１セットの最後と第２セットの最初とを重複させ、アシストポンプ５０Ｃ，５０Ａに吐出動作を実行させる期間にアシストポンプ５０Ｂに受入動作を実行させる。また、送液制御部１１１は、第２セットの最後と第３セットの最初とを重複させ、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃに吐出動作を実行させる期間にアシストポンプ５０Ａに受入動作を実行させる。更に、送液制御部１１１は、第３セットの最後と第１セットの最初とを重複させ、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂに吐出動作を実行させる期間にアシストポンプ５０Ｃに受入動作を実行させる。
【００４０】
以上の動作規則によれば、各アシストポンプ５０が、受入動作と、吐出動作と、他のアシストポンプ５０の受入動作の待機と、受入動作と、他のアシストポンプ５０の受入動作の待機と、吐出動作とを順に含む１セットの動作を繰り返すこととなる。
【００４１】
例えば送液制御部１１１は、主ポンプ４０による処理液の受け入れを２つのアシストポンプ５０の吐出動作によりアシストするために上記送液制御を行う。以下、この送液制御を「通常送液制御」という。
【００４２】
送液制御部１１１は、２つのアシストポンプ５０の吐出動作により主ポンプ４０に処理液を通液させるために上記送液制御を行ってもよい。以下、この送液制御を「メンテナンス送液制御」という。
【００４３】
後段送液制御部１１２は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出した処理液を受け入れる受入動作を主ポンプ４０に実行させることと、受け入れた処理液を吐出する吐出動作を主ポンプ４０に実行させることと、を繰り返す。例えば、後段送液制御部１１２は、上記通常送液制御により３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出動作を実行する期間に主ポンプ４０に受入動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０が順次受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に吐出動作を実行させることと、を繰り返す。
【００４４】
例えば後段送液制御部１１２は、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂが吐出動作を実行しアシストポンプ５０Ｃが受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に受入動作を実行させ、その後アシストポンプ５０Ａが受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に吐出動作を実行させる。
【００４５】
また、後段送液制御部１１２は、アシストポンプ５０Ｃ，５０Ａが吐出動作を実行しアシストポンプ５０Ｂが受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に受入動作を実行させ、その後アシストポンプ５０Ｃが受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に吐出動作を実行させる。
【００４６】
また、後段送液制御部１１２は、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃが吐出動作を実行しアシストポンプ５０Ａが受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に受入動作を実行させ、その後アシストポンプ５０Ｂが受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に吐出動作を実行させる。
【００４７】
後段メンテナンス制御部１１３は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出動作を実行する期間に、当該２つのアシストポンプ５０が吐出した処理液を主ポンプ４０に通液させる。例えば後段メンテナンス制御部１１３は、少なくとも上記メンテナンス送液制御により２つのアシストポンプ５０の吐出動作が繰り返される期間に主ポンプ４０のバルブ４２，４３を開状態に保つ。回転制御部１１４は、回転保持部２０によりウェハＷを保持して回転させる。
【００４８】
図３は、制御部１００のハードウェア構成を示すブロック図である。制御部１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。図８に示すように、制御部１００は、回路１２０を有する。回路１２０は、少なくとも一つのプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４とを含む。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。ストレージ１２３は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０に順次受入動作を実行させることと、を繰り返す送液制御と、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出した処理液を受け入れる受入動作を主ポンプ４０に実行させることと、受け入れた処理液を吐出する吐出動作とを主ポンプ４０に実行させることと、を繰り返す後段送液制御と、を制御部１００に実行させるためのプログラムを記憶している。
【００４９】
メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能ブロックを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、回転保持部２０、主ポンプ４０及びアシストポンプ５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃとの間で電気信号の入出力を行う。
【００５０】
なお、制御部１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能ブロックを構成するものに限られない。例えば制御部１００の上記機能ブロックの少なくとも一部は、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）により構成されていてもよい。
【００５１】
なお、上述した液供給部３０の構成はあくまで一例である。液供給部３０の構成は、処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を同一の管路に吐出する吐出動作とをそれぞれ行う少なくとも３つのポンプと、同一の管路に吐出された処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を吐出する吐出動作とを行うポンプと、を有する限りにおいて適宜変更可能である。
【００５２】
〔液処理手順〕
続いて、基板液処理方法の具体例として、塗布ユニットＵ１が実行する基板液処理手順を例示する。図４に示すように、制御部１００は、ステップＳ０１，Ｓ０２，Ｓ０３，Ｓ０４，Ｓ０５，Ｓ０６，Ｓ０７，Ｓ０８を順に実行する。ステップＳ０１では、搬送アームＡ３により塗布ユニットＵ１にウェハＷが搬入され、保持部２１上に配置されるのを回転制御部１１４が待機する。ステップＳ０２では、回転制御部１１４が、ウェハＷを保持部２１に保持させる。ステップＳ０３では、回転制御部１１４が、回転駆動部２２によるウェハＷの回転駆動を開始させる。
【００５３】
ステップＳ０４では、後段送液制御部１１２が、ノズル３１から処理液を吐出させるように、主ポンプ４０に吐出動作を実行させる。ノズル３１から吐出された処理液は、回転中のウェハＷの表面Ｗａに到達した後に遠心力により広がる。これにより、表面Ｗａに処理液の液膜が形成される。ステップＳ０５では、回転制御部１１４が、所定の乾燥時間の経過を待機する。乾燥時間は、液膜を乾燥させられるように予め設定されている。
【００５４】
ステップＳ０６では、回転制御部１１４が、回転駆動部２２によるウェハＷの回転駆動を停止させる。ステップＳ０７では、搬送アームＡ３が塗布ユニットＵ１に到着してウェハＷの搬送準備が完了するのを回転制御部１１４が待機する。ステップＳ０８では、回転制御部１１４が、保持部２１によるウェハＷの保持を解除させる。以上で基板液処理手順が完了する。
【００５５】
以下、ステップＳ０４においてノズル３１から処理液を吐出させるために、制御部１００が実行する液供給部３０の制御手順を詳細に例示する。この制御手順は、通常送液制御手順と、後段送液制御手順と、メンテナンス送液制御手順と、後段メンテナンス制御手順とを含む。
【００５６】
通常送液制御手順は、主ポンプ４０による処理液の受け入れを２つのアシストポンプ５０の吐出動作によりアシストするために行われる上記通常送液制御の手順である。後段送液制御手順は、上記通常送液制御により３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出動作を実行する期間に主ポンプ４０に受入動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０が順次受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に吐出動作を実行させることと、を繰り返す後段送液制御の手順である。
【００５７】
メンテナンス送液制御手順は、２つのアシストポンプ５０の吐出動作により主ポンプ４０に処理液を通液させるために行われる上記メンテナンス送液制御の手順である。後段メンテナンス制御手順は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出動作を実行する期間に、当該２つのアシストポンプ５０が吐出した処理液を主ポンプ４０に通液させる後段メンテナンス制御の手順である。以下、各制御手順を詳細に例示する。
【００５８】
（通常送液制御手順）
図５が示すフローチャートは、全てのアシストポンプ５０が空である状態から開始される通常送液手順を例示している。空である状態とは、上記吐出動作のための処理液が補充されていない状態を意味する。図５に示すように、制御部１００は、まずステップＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３，Ｓ１４，Ｓ１５を実行する。ステップＳ１１では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ａに上記受入動作を実行させる。ステップＳ１２では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｃを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ｂに受入動作を実行させる。
【００５９】
ステップＳ１３では、送液制御部１１１が、主ポンプ４０による受入動作の開始を待機する。送液制御部１１１は、主ポンプ４０の動作状態に基づいて主ポンプ４０による受入動作の開始を検知してもよいし、経過時間に基づいて主ポンプ４０による受入動作の開始を検知してもよい。
【００６０】
ステップＳ１４では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂに吐出動作を実行させ、アシストポンプ５０Ｃに受入動作を実行させる。ステップＳ１５では、処理対象の全てのウェハＷの液処理が完了したか否かを送液制御部１１１が確認する。
【００６１】
ステップＳ１５において液処理が完了していない処理対象のウェハＷがあると判定した場合、制御部１００はステップＳ１６，Ｓ１７，Ｓ１８，Ｓ１９を実行する。ステップＳ１６では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ａに受入動作を実行させる。ステップＳ１７では、送液制御部１１１が、ステップＳ１３と同様に、主ポンプ４０による受入動作の開始を待機する。ステップＳ１８では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｃに吐出動作を実行させ、アシストポンプ５０Ｂに受入動作を実行させる。ステップＳ１９では、処理対象の全てのウェハＷの液処理が完了したか否かを送液制御部１１１が確認する。
【００６２】
ステップＳ１９において液処理が完了していない処理対象のウェハＷがあると判定した場合、制御部１００はステップＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３，Ｓ２４を実行する。ステップＳ２１では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ｃに受入動作を実行させる。ステップＳ２２では、送液制御部１１１が、ステップＳ１３と同様に、主ポンプ４０による受入動作の開始を待機する。ステップＳ２３では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃに吐出動作を実行させ、アシストポンプ５０Ａに受入動作を実行させる。ステップＳ２４では、処理対象の全てのウェハＷの液処理が完了したか否かを送液制御部１１１が確認する。
【００６３】
ステップＳ２４において液処理が完了していない処理対象のウェハＷがあると判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ１２に戻す。以後、全てのウェハＷの液処理が完了するまでは、主ポンプ４０の受入動作のタイミングに合わせて２つのアシストポンプ５０に吐出動作を実行させることと、当該２つのアシストポンプ５０に順次受入動作を実行させることとが繰り返される。
【００６４】
ステップＳ１５、ステップＳ１９及びステップＳ２４において処理対象の全てのウェハＷの液処理が完了したと判定した場合、制御部１００は通常送液制御を完了させる。
【００６５】
（後段送液制御手順）
図６に示すように、制御部１００は、まずステップＳ３１，Ｓ３２，Ｓ３３，Ｓ３４，Ｓ３５を実行する。ステップＳ３１では、３つのアシストポンプ５０において、主ポンプ４０による受入動作のアシストの準備が完了するのを後段送液制御部１１２が待機する。例えば後段送液制御部１１２は、２つのアシストポンプ５０による受入動作が完了するのを待機する。ステップＳ３２では、後段送液制御部１１２が、主ポンプ４０に受入動作を実行させる。
【００６６】
ステップＳ３３では、後段送液制御部１１２が、上記ステップＳ０４における処理液の吐出タイミングを待機する。ステップＳ３４では、後段送液制御部１１２が、主ポンプ４０に吐出動作を実行させる。ステップＳ３５では、処理対象の全てのウェハＷの液処理が完了したか否かを確認する。
【００６７】
ステップＳ３５において液処理が完了していない処理対象のウェハＷがあると判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ３１に戻す。以後、全てのウェハＷの液処理が完了するまでは、吐出タイミングにおける主ポンプ４０による吐出動作が繰り返される。ステップＳ３５において処理対象の全てのウェハＷの液処理が完了したと判定した場合、制御部１００は後段送液制御を完了させる。
【００６８】
（メンテナンス送液制御手順）
図７が示すフローチャートは、全てのアシストポンプ５０が空である状態から開始されるメンテナンス送液手順を例示している。図７に示すように、制御部１００は、まずステップＳ４１，Ｓ４２，Ｓ４３，Ｓ４４，Ｓ４５，Ｓ４６，Ｓ４７，Ｓ４８，Ｓ４９，Ｓ５１を実行する。ステップＳ４１では、送液制御部１１１が、メンテナンスの実行指令を待機する。メンテナンスの実行指令は、例えばユーザにより制御部１００に入力される。ステップＳ４２では、主ポンプ４０のバルブ４２，４３が開かれるのを送液制御部１１１が待機する。
【００６９】
ステップＳ４３では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ａに上記受入動作を実行させる。ステップＳ４４では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｃを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ｂに受入動作を実行させる。ステップＳ４５では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂに吐出動作を実行させ、アシストポンプ５０Ｃに受入動作を実行させる。
【００７０】
ステップＳ４６では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ａに受入動作を実行させる。ステップＳ４７では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｃに吐出動作を実行させ、アシストポンプ５０Ｂに受入動作を実行させる。
【００７１】
ステップＳ４８では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ａ，５０Ｂを待機させた状態で、アシストポンプ５０Ｃに受入動作を実行させる。ステップＳ４９では、送液制御部１１１が、アシストポンプ５０Ｂ，５０Ｃに吐出動作を実行させ、アシストポンプ５０Ａに受入動作を実行させる。ステップＳ５１では、送液制御部１１１が、メンテナンス送液制御用の所定回数の吐出動作が完了したか否かを確認する。
【００７２】
ステップＳ５１において吐出動作の回数が所定回数に達していないと判定した場合、制御部１００は処理をステップＳ４４に戻す。以後、所定回数の吐出動作が完了するまでは、２つのアシストポンプ５０に吐出動作を実行させることと、当該２つのアシストポンプ５０に順次受入動作を実行させることとが繰り返される。ステップＳ５１においてメンテナンス送液制御用の所定回数の吐出動作が完了したと判定した場合、制御部１００はメンテナンス送液制御を完了させる。
【００７３】
（後段メンテナンス制御手順）
図８に示すように、制御部１００は、ステップＳ６１，Ｓ６２，Ｓ６３，Ｓ６４を順に実行する。ステップＳ６１では、後段メンテナンス制御部１１３が、上述したメンテナンスの実行指令を待機する。ステップＳ６２では、後段メンテナンス制御部１１３が、主ポンプ４０のバルブ４２，４３を閉状態から開状態にする。
【００７４】
ステップＳ６３では、後段メンテナンス制御部１１３が、主ポンプ４０への通液が完了するのを待機する。例えば後段メンテナンス制御部１１３は、上記メンテナンス送液制御手順による上記所定回数の吐出動作が完了するのを待機する。ステップＳ６４では、後段メンテナンス制御部１１３が、主ポンプ４０のバルブ４２，４３を開状態から閉状態にする。以上で後段メンテナンス制御手順が完了する。
【００７５】
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、塗布・現像装置２は、処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を同一の管路３８に吐出する吐出動作とをそれぞれ行う少なくとも３つのアシストポンプ５０と、同一の管路３８に吐出された処理液を受け入れる受入動作と、受け入れた処理液を吐出する吐出動作とを行う主ポンプ４０と、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０に順次受入動作を実行させることとを繰り返す送液制御部１１１と、を備える。
【００７６】
この塗布・現像装置２によれば、２つのアシストポンプ５０に吐出動作を実行させることによって送液量を増やすことができる。また、２つのアシストポンプ５０が吐出動作を実行する期間と、残りの１つのアシストポンプ５０が受入動作を実行する期間とを重複させることによって、２つのアシストポンプ５０による吐出動作と、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０の受入動作との繰り返しのサイクルタイムを短縮することができる。従って、送液時間の短縮に有効である。
【００７７】
送液制御部１１１は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つに吐出動作を実行させる期間に、残りの１つに受入動作を実行させてもよい。この場合、送液時間をより確実に短縮することができる。
【００７８】
送液制御部１１１は、３つのアシストポンプ５０のそれぞれに、受入動作と、吐出動作と、他のアシストポンプ５０の受入動作の待機と、受入動作と、他のアシストポンプ５０の受入動作の待機と、吐出動作とを順に含む１セットの動作を繰り返し実行させてもよい。この場合、３つのアシストポンプ５０の動作頻度の均一性を向上させることができる。
【００７９】
塗布・現像装置２は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出動作を実行する期間に主ポンプ４０に受入動作を実行させることと、処理液を吐出した２つのアシストポンプ５０が順次受入動作を実行する期間に主ポンプ４０に吐出動作を実行させることと、を繰り返す後段送液制御部１１２と、を更に備えていてもよい。この場合、受入動作と吐出動作とを繰り返す主ポンプ４０のサイクルタイムの短縮に３つのアシストポンプ５０を有効活用することができる。
【００８０】
塗布・現像装置２は、３つのアシストポンプ５０のいずれか２つが吐出動作を実行する期間に、当該２つのアシストポンプ５０が吐出した処理液を主ポンプ４０に通液させる後段メンテナンス制御部１１３を更に備えていてもよい。この場合、通液による主ポンプ４０のメンテナンス期間の短縮にも３つのアシストポンプ５０を有効活用することができる。
【００８１】
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、以上に例示した構成は、処理モジュール１１の塗布ユニットＵ１及び処理モジュール１３の塗布ユニットＵ１にも適用可能である。処理対象の基板は、半導体ウェハに限られず、例えばガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等であってもよい。
【符号の説明】
【００８２】
２…塗布・現像装置（液処理装置）、３８…管路、４０…主ポンプ（後段ポンプ）、５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ…アシストポンプ（ポンプ）、１１１…送液制御部、１１２…後段送液制御部、１１３…後段メンテナンス制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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