(57)【要約】【課題】表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる純チタン板の製造方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明の純チタン板の製造方法は、底部から頂部へ向かって溶製された純チタンスラブを熱間圧延する工程を備える純チタン板の製造方法であって、上記熱間圧延工程として、上記頂部から上記底部へ向かう順方向に上記純チタンスラブを１回又は連続して複数回圧延する順方向圧延工程と、上記順方向圧延工程後、上記順方向とは逆方向に上記純チタンスラブを圧延する逆方向圧延工程とを備え、上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率を上記順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする。【選択図】図３
2020104135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部から頂部へ向かって溶製された純チタンスラブを熱間圧延する工程を備える純チタン板の製造方法であって、
上記熱間圧延工程として、
上記頂部から上記底部へ向かう順方向に上記純チタンスラブを１回又は連続して複数回圧延する順方向圧延工程と、
上記順方向圧延工程後、上記順方向とは逆方向に上記純チタンスラブを圧延する逆方向圧延工程と
を備え、
上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率を上記順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする純チタン板の製造方法。
【請求項２】
上記熱間圧延工程として、上記順方向圧延工程と上記逆方向圧延工程との間に、３０秒以上１２０秒以下の間、上記順方向圧延工程後の上記純チタンスラブを保持する保持工程をさらに備える請求項１に記載の純チタン板の製造方法。
【請求項３】
上記順方向圧延工程での圧延の圧下率ｙ［％］が下記式（１）を満たし、
上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率ｚ［％］が下記式（２）を満たす請求項２に記載の純チタン板の製造方法。
２３≦ｙ≦０．１×ｘ−５１      ・・・（１）
ｚ≦２８                        ・・・（２）
ここで、ｘは、上記順方向圧延工程での上記純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【請求項４】
上記順方向圧延工程での圧延回数が、２回である請求項２に記載の純チタン板の製造方法。
【請求項５】
上記順方向圧延工程での１回目の圧延の圧下率ｙ１［％］が下記式（３）を満たし、
上記順方向圧延工程での２回目の圧延の圧下率ｙ２［％］が下記式（４）を満たし、
上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率ｚ［％］が下記式（５）を満たす請求項４に記載の純チタン板の製造方法。
２０≦ｙ１≦０．１×ｘ−５１    ・・・（３）
２０≦ｙ２≦４２                ・・・（４）
ｚ≦２８                        ・・・（５）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での上記純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【請求項６】
上記順方向圧延工程での圧延回数が、３回以上である請求項１に記載の純チタン板の製造方法。
【請求項７】
上記順方向圧延工程での１回目の圧延の圧下率ｙ１［％］が下記式（６）を満たし、
上記順方向圧延工程での２回目の圧延の圧下率ｙ２［％］が下記式（７）を満たし、
上記順方向圧延工程での３回目の圧延の圧下率ｙ３［％］が下記式（８）を満たし、
上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率ｚ［％］が下記式（９）を満たす請求項６に記載の純チタン板の製造方法。
２０≦ｙ１≦０．１×ｘ−５１    ・・・（６）
２０≦ｙ２≦４２                ・・・（７）
２０≦ｙ３≦４２                ・・・（８）
ｚ≦２８                        ・・・（９）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での上記純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【請求項８】
上記順方向圧延工程の後、続けて上記逆方向圧延工程を行う請求項６又は請求項７に記載の純チタン板の製造方法。
【請求項９】
上記順方向圧延工程での上記純チタンスラブの平均温度が７５０℃以上８６０℃未満である請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の純チタン板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、純チタン板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
工業用純チタン板の製造方法として、純チタンインゴットである純チタンスラブを熱間圧延する方法が用いられている。
【０００３】
純チタンスラブは、電子ビーム溶解法（ＥＢＭ）、プラズマアーク溶解法（ＰＡＭ）等を用いて溶解したスポンジチタン（純チタン原料）を鋳型に上方から投入し、冷却することによって、その底部から頂部へ向かって溶製（鋳造）される。
【０００４】
この溶製の際、純チタンスラブの表面部には粗大な結晶粒（粗大粒）が形成されることがある。このため、純チタンスラブをそのまま（直接）熱間圧延すると、この粗大な結晶粒の変形異方性に起因して、押圧面部に目視できる程の凹凸が生じ、この凹凸が表面疵となるおそれがある。
【０００５】
表面疵は純チタン板の歩留の低下に繋がる。このため、歩留の低下を抑制すべく、表面疵の発生を抑制する方法が用いられている。この表面疵の発生を抑制する方法として、熱間圧延前に純チタンスラブを分塊したり鍛造したりして粗大粒を微細化する前処理を行う方法が挙げられる。
【０００６】
しかし、上記前処理を行う方法では、分塊や鍛造といった煩雑な工程が必要となるため、製造コストが増加するおそれがある。
【０００７】
そこで、上記前処理を行う方法よりも低い製造コストで上記表面疵の発生を抑制する純チタン板の製造方法が提案されている（例えば、特開平１−１５６４５６号公報参照）。
【０００８】
かかる純チタン板の製造方法では、熱間圧延の前工程として、純チタンインゴット（純チタンスラブ）表面に加工ひずみを加える工程と、加工ひずみを加えた後、再結晶温度以上に加熱して表面層の組織を再結晶させる工程とを採用する。これらの工程を採用することによって、押圧面部の結晶粒が微細化されるため、分塊や鍛造といった煩雑な工程を行わなくても、表面疵の発生を抑制し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１−１５６４５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１の技術においても、加工ひずみの付与、再溶融といった前処理を必要とする。このため、純チタン板の製造方法には更なる製造コストの低減が求められている。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる純チタン板の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決すべく本発明者らが鋭意研究したところ、底部から頂部へ向かって溶製された純チタンスラブの表面部に形成された粗大な結晶粒は柱状晶であり、この柱状晶が表面疵を発生させる原因であることを知得した。本発明者らは、かかる柱状晶を有する純チタンスラブを、その頂部から底部に向かって一対の圧延ロールに通過させながら熱間圧延（順方向に圧延）すると、この一対の圧延ロールが、柱状晶を押圧面部と平行に近づく向きに寝かせるように押圧するため、押圧面部に凹凸が生じ難いことを見出して、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
すなわち、上記課題を解決するためになされた発明は、底部から頂部へ向かって溶製された純チタンスラブを熱間圧延する工程を備える純チタン板の製造方法であって、上記熱間圧延工程として、上記頂部から上記底部へ向かう順方向に上記純チタンスラブを１回又は連続して複数回圧延する順方向圧延工程と、上記順方向圧延工程後、上記順方向とは逆方向に上記純チタンスラブを圧延する逆方向圧延工程とを備え、上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率を上記順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする。
【００１４】
当該純チタン板の製造方法は、熱間圧延工程として順方向圧延工程を行うことで、純チタンスラブの押圧面部に存在している柱状晶を十分に寝かせることができ、これにより、次いで逆方向圧延工程を行う際に、純チタンスラブの結晶組織界面の割れが抑制される。加えて、逆方向圧延工程での圧延の圧下率を順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくすることで、純チタンスラブの結晶組織界面の割れが抑制され、表面疵の発生を抑制できる。また、かかる熱間圧延工程を行うと、前処理を行う必要がない。従って、当該純チタン板の製造方法は、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる。
【００１５】
上記熱間圧延工程として、上記順方向圧延工程と上記逆方向圧延工程との間に、３０秒以上１２０秒以下の間、上記順方向圧延工程後の上記純チタンスラブを保持する保持工程をさらに備えるとよい。このように上記順方向圧延工程と上記逆方向圧延工程との間に保持工程を備えることで、順方向圧延工程で寝かせた柱状晶組織を保持工程中の復熱によって再結晶組織に改変させ、逆方向圧延工程で、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
【００１６】
上記順方向圧延工程での圧延の圧下率ｙ［％］が下記式（１）を満たし、上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率ｚ［％］が下記式（２）を満たすとよい。このように順方向圧延工程及び逆方向圧延工程での圧延の圧下率を下記式（１）及び（２）を満たすようにすることで、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
２３≦ｙ≦０．１×ｘ−５１      ・・・（１）
ｚ≦２８                        ・・・（２）
ここで、ｘは、上記順方向圧延工程での上記純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【００１７】
上記順方向圧延工程での圧延回数が２回であるとよい。このように順方向圧延工程での
圧延回数を２回とすることで、圧延回数が１回である場合に比べ、柱状晶をさらに寝かせることができるため、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
【００１８】
上記順方向圧延工程での１回目の圧延の圧下率ｙ１［％］が下記式（３）を満たし、上記順方向圧延工程での２回目の圧延の圧下率ｙ２［％］が下記式（４）を満たし、上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率ｚ［％］が下記式（５）を満たすとよい。このように順方向圧延工程及び逆方向圧延工程での圧延の圧下率を下記式（３）〜（５）を満たすようにすることで、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
２０≦ｙ１≦０．１×ｘ−５１    ・・・（３）
２０≦ｙ２≦４２                ・・・（４）
ｚ≦２８                        ・・・（５）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【００１９】
上記順方向圧延工程での圧延回数が３回以上であるとよい。このように順方向圧延工程での圧延回数を３回以上とすることで、柱状晶を一層寝かせることができるため、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
【００２０】
上記順方向圧延での１回目の圧延の圧下率ｙ１［％］が下記式（６）を満たし、上記順方向圧延での２回目の圧延の圧下率ｙ２［％］が下記式（７）を満たし、上記順方向圧延での３回目の圧延の圧下率ｙ３［％］が下記式（８）を満たし、上記逆方向圧延工程での圧延の圧下率ｚ［％］が下記式（９）を満たすとよい。このように順方向圧延工程及び逆方向圧延工程での圧延の圧下率を下記式（６）〜（９）を満たすようにすることで、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
２０≦ｙ１≦０．１×ｘ−５１    ・・・（６）
２０≦ｙ２≦４２                ・・・（７）
２０≦ｙ３≦４２                ・・・（８）
ｚ≦２８                        ・・・（９）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【００２１】
上記順方向圧延工程の後、続けて上記逆方向圧延工程を行ってもよい。このように順方向圧延工程に続けて逆方向圧延工程を行うことで、製造効率を高めることができる。
【００２２】
上記順方向圧延工程での上記純チタンスラブの平均温度としては、７５０℃以上８６０℃未満が好ましい。このように順方向圧延工程での純チタンスラブの平均温度を上記範囲内とすることで、製造コストを低減しつつより確実に表面疵を抑制できる。
【００２３】
なお、本発明において、「純チタン」とは、ＪＩＳ−Ｈ４６００（１９６４）に規定される１種から４種までの純チタンをいい、Ｆｅ、Ｏ等の微量の不純物を含有するものも含む。「保持時間」とは、順方向圧延工程で純チタンスラブの後端が最後に一対の圧延ロールから排出されてから、逆方向圧延工程で上記後端が最初に一対の圧延ロールに挿入されるまでの時間をいう。「圧下率」とは、各圧延での圧延直前を基準とした圧下率をいう。「順方向圧延工程の後、続けて逆方向圧延工程を行う」とは、順方向圧延工程と逆方向圧延工程とを間断なく行うことをいい、順方向圧延工程と逆方向圧延工程との間に３０秒未満の僅かな間隔がある場合も含む。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明の純チタン板の製造方法を用いることで、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】純チタンスラブが溶製された状態を示す概略斜視図である。
【図２】図１の純チタンスラブをＡ−Ａ線で切断し、この切断面をこの純チタンスラブに含まれる柱状晶と共に模式的に示す断面図である。
【図３】本実施形態の熱間圧延工程で用いられる圧延装置に備えられた一対の圧延ロールを示す概略側面図である。
【図４】純チタンスラブを順方向に圧延した後の図２に示す柱状晶の状態を模式的に示す部分断面図である。
【図５】純チタンスラブを逆方向に圧延した後の図２に示す柱状晶の状態を模式的に示す部分断面図である。
【図６】本実施形態の逆方向圧延工程で純チタンスラブを圧延する場合の一対の圧延ロールを示す概略側面図である。
【図７】実施例の順方向圧延工程で圧延を１回行う場合の純チタンスラブの平均温度と圧下率との関係を、割れ評価と併せて示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の純チタン板の製造方法の実施形態について詳説する。
【００２７】
［第１実施形態］
本発明の一実施形態に係る純チタン板の製造方法は、底部から頂部に向かって溶製された純チタンスラブを熱間圧延する工程と、酸洗工程とを備える。以下、本実施形態について詳述する。
【００２８】
＜純チタンスラブ＞
当該純チタン板の製造方法で用いられる純チタンスラブは、スポンジチタン等の純チタン原料を溶製して得られたインゴットであり、純チタン原料を溶解し、鋳型等に上方から投入した後、冷却することによって、底部から頂部へ向かって製造される。
【００２９】
本実施形態では、上記純チタンスラブとして、鉛直方向を長手方向として平面視長方形状の板状に溶製された純チタンスラブを用いるが、上記純チタンスラブの形状はこれに限定されない。例えば、上記純チタンスラブは、鉛直方向を短手方向とする平面視長方形状の板状、平面視正方形状の板状、水平方向の断面が多角形状の柱状、円柱状、楕円柱状といった形状としてもよい。
【００３０】
上記純チタンスラブの平均厚みの下限としては、３０ｍｍが好ましく、１００ｍｍがより好ましく、１５０ｍｍがさらに好ましい。一方、上記純チタンスラブの平均厚みの上限としては、１０００ｍｍが好ましく、３００ｍｍがより好ましく、２５０ｍｍがさらに好ましい。上記純チタンスラブの平均厚みが上記下限を満たさないと、薄過ぎて熱間圧延が困難になるおそれがある。逆に、上記純チタンスラブの平均厚みが上記上限を超えると、厚過ぎて熱間圧延が困難になるおそれがある。
【００３１】
上記純チタンスラブの製造には、例えば、図１に示すように、上方に開口を有し、直方体状の内部空間を有する鋳型１を用いることができる。上記内部空間は、縦及び横のうち一方の長さが他方の長さよりも大きく、縦及び横の長さよりも高さが大きい。この鋳型１を用いた具体的な純チタンスラブの製造方法を以下に示す。
【００３２】
まず、ＥＢＭやＰＡＭ等によって溶解した純チタン原料を鋳型１に投入する。溶解した純チタン原料が鋳型１に投入されると、鉛直方向では先に投入された下方から上方に向かって順次冷却されると同時に、水平方向では周囲から中心に向かって順次冷却される。これによって、図１に示すように、鉛直方向を長手方向とする平面視長方形状の板状の純チタンスラブ２が、底部２ｂから頂部２ａに向かって溶製される。
【００３３】
上記下方から上方に向かう冷却と周囲から中心に向かう冷却とによって、純チタンスラブ２の側面部には、複数の柱状晶が成長する。後述する熱間圧延工程では、側面部のうち対向する２つの側面部がそれぞれ押圧面部２１となる。図２に、図１の純チタンスラブ２をその仮想中心線Ｒを切断線Ａ−Ａとして切断した断面を示す。押圧面部２１のうち、第１押圧面部２１ａで成長した柱状晶Ｇは、図２に示すように、第１押圧面部２１ａから純チタンスラブ２の鉛直方向に平行な仮想中心線Ｒに向かいながらも頂部２ａに向かうように傾斜しつつ、底部２ｂから頂部２ａに向けて成長し、成長した複数の柱状晶Ｇによって結晶組織が形成されている。図示は省略するが、第２押圧面部２１ｂにおいても、第１押圧面部２１ａと同様の柱状晶が成長している。
【００３４】
複数の柱状晶Ｇそれぞれの成長の向きは、例えば、純チタンスラブ２を切断し、その断面をエッチングした後、目視又は光学顕微鏡によって観察される。この各成長の向きは、鉛直方向に対する角度（鋭角）として算出することができ、この算出に用いる鉛直方向の向きが上向き、すなわち、底部２ｂから頂部２ａに向かう向きとなる。
【００３５】
＜圧延装置＞
当該純チタン板の製造方法で用いる圧延装置は、図３に示すように、正逆回転可能な一対の圧延ロール３を備えており、純チタンスラブ２を一対の圧延ロール３間に通過させつつ圧延する。上記圧延装置は、一対の圧延ロール３の間隔を調整することによって圧下率を調整できる。上記圧延装置は、不図示の加熱部を備えており、この加熱部で純チタン板スラブ２の温度を所望の温度に設定できる。図３では一対の圧延ロール３に左から右に純チタンスラブ２を通過させつつ圧延する状態を示すが、一対の圧延ロール３に図３の右から左に純チタンスラブ２を通過させつつ圧延することもできる（図６参照）。
【００３６】
＜熱間圧延工程＞
当該純チタン板の製造方法は、熱間圧延工程として、順方向圧延工程と、逆方向圧延工程とを備え、逆方向圧延工程での圧延の圧下率を順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする。本実施形態では、熱間圧延工程として、順方向圧延工程と逆方向圧延工程との間に保持工程をさらに備える。本実施形態では、順方向圧延工程の圧延回数が１回である。
【００３７】
本発明者らは、以下の通り、順方向の圧延及び逆方向の圧延の順序について知見を得ている。すなわち、上述したように、純チタンスラブ２は、押圧面部２１から成長した複数の柱状晶Ｇを有する。この純チタンスラブ２を、図３に示すように、その頂部２ａから底部２ｂに向かって一対の圧延ロール３に通過させながら熱間圧延（順方向に圧延）すると、押圧面部２１に凹凸が生じ難い。具体的には、このように順方向に圧延する場合、押圧面部２１のうち第１押圧面部２１ａでは、一対の圧延ロール３が、第１押圧面部２１ａの柱状晶Ｇを、第１押圧面部２１ａと平行に近づく向きに寝かせるように押圧する。この押圧により、図４に示すように、柱状晶Ｇ間に割れが生じ難いため、第１押圧面部２１ａに凹凸が発生し難い。図示は省略するが、第２押圧面部２１ｂでも同様に柱状晶が寝かされるため、第２押圧面部２１ｂにも凹凸が発生し難い。
【００３８】
逆に、上記純チタンスラブ２を、図６に示すように、その底部２ｂから頂部２ａに向かって一対の圧延ロール３に通過させて熱間圧延（逆方向に圧延）すると、押圧面部２１に凹凸が発生し易い。具体的には、このように逆方向に圧延する場合、押圧面部２１のうち第１押圧面２１ａでは、一対の圧延ロール３が、第１押圧面部２１ａの柱状晶Ｇに引っ掛かるように押圧する。この押圧により、図５に示すように、柱状晶Ｇ間に割れが生じ易いため、第１押圧面部２１ａに凹凸が発生し易い。図示は省略するが、第２押圧面部２１ｂでも同様に一対の圧延ロール３が柱状晶に引っ掛かるため、第２押圧面部２１ｂにも凹凸が発生し易い。
【００３９】
また、純チタンスラブ２の厚み（板厚）を効率的に小さくするためには順方向及び逆方向の両方向の圧延を行う必要がある。ここで、先に順方向に圧延した場合には、上述した通り、柱状晶Ｇを寝かせることができ、その後、逆方向に圧延した場合に、柱状晶Ｇを隙間なく十分に寝かせた状態で押圧面部２１を押圧できるため、押圧面部２１に凹凸が生じ難い。これに対し、先に逆方向に圧延した場合には、上述した通り、柱状晶Ｇ間に割れが生じ易く、その後、順方向に圧延した場合に、柱状晶Ｇ間に割れが生じた状態で押圧面部２１を押圧するため、押圧面部２１の凹凸を解消することが困難となる。つまり、先に順方向に圧延し、次いで逆方向に圧延することで、凹凸の少ない押圧面部２１が得られるのである。
【００４０】
本発明者らは、上記圧延の順序に加えて、順方向の圧延の圧下率と逆方向の圧延の圧下率との関係について、順方向の圧延の圧下率よりも小さな圧下率で逆方向に圧延することで、柱状晶Ｇ間の割れの一因である純チタンスラブ２の結晶組織界面の割れを抑制できるとの知見を得ている。つまり、逆方向に圧延する際の圧下率を順方向に圧延する際の圧下率よりも小さくすることで、さらに凹凸の少ない押圧面部２１が得られるのである。これらによって、押圧面部２１での凹凸の発生を抑制し、表面疵の発生を抑制できる。
【００４１】
そこで、本実施形態では、熱間圧延工程として順方向圧延工程を行った後、逆方向圧延工程を行い、逆方向圧延工程での圧延の圧下率を順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする。
【００４２】
＜順方向圧延工程＞
順方向圧延工程では、図３に示すように、頂部２ａから底部２ｂに向かう順方向に純チタンスラブ２を厚さ方向に１回圧延する。具体的には、頂部２ａが先頭、底部２ｂが後尾となる向きに純チタンスラブ２を通過させながら、一対の圧延ロール３で押圧面部２１を厚さ方向に押圧することによって、純チタンスラブ２を圧延する。なお、図３では、純チタンスラブ２を移動させているため、その移動の向き（図３の二点鎖線矢印）は、圧延の向き（図３の白抜き矢印）と反対となる。
【００４３】
この１回の圧延では、圧下率ｙ［％］が下記式（１）を満たすように圧延を行うことが好ましい。上記圧下率ｙが下記式（１）の下限を満たさないと、純チタンスラブ２の柱状晶Ｇを十分に寝かせることができず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。逆に、圧下率ｙが大きくなり過ぎると、等価的に純チタンスラブ２の平均温度ｘが小さくなり、純チタンスラブ２の母材の変形能が小さくなるため、柱状晶Ｇを十分に寝かせられないおそれがある。この観点から、上記圧下率ｙが下記式（１）の上限を超えると、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。
２３≦ｙ≦０．１×ｘ−５１    ・・・（１）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度［℃］である。
【００４４】
順方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度ｘの下限としては、７５０℃が好ましく、７７０℃がより好ましい。一方、順方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度の上限としては、８６０℃未満が好ましく、８５０℃がより好ましく、８３０℃がさらに好ましい。上記平均温度が上記下限に満たないと、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。逆に、上記平均温度が上記上限を超えると、熱エネルギーが無駄になり、製造コストが上昇するおそれがある。
【００４５】
順方向圧延工程での圧延速度（純チタンスラブ２の移動速度）の下限としては、４０ｍｐｍが好ましい。一方、順方向圧延工程での圧延速度の上限としては、３００ｍｐｍが好ましい。上記圧延速度が上記下限に満たないと、製造効率に劣るおそれがある。逆に、上記圧延速度が上記上限を超えると、柱状晶Ｇを十分に寝かせられないおそれがある。
【００４６】
＜保持工程＞
保持工程では、順方向圧延工程にて圧延された純チタンスラブ２を、一定時間これが圧縮されていない状態に維持する。この保持工程を行うことで、順方向圧延工程で寝かせた柱状晶Ｇを安定させ得るため、逆方向圧延工程にて、より確実に表面疵の発生を抑制できる。
【００４７】
保持工程での保持時間の下限としては、３０秒が好ましい。一方、保持工程での保持時間の上限としては、１２０秒が好ましい。上記保持時間が上記下限を満たさないと、寝かせた柱状晶Ｇを十分に安定させることができず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。逆に、上記保持時間が上記上限を超えると、製造効率が低下するおそれがある。
【００４８】
保持工程での純チタンスラブ２の平均温度は、順方向圧延工程での平均温度に応じて適宜設定され得る。例えば、保持工程での純チタンスラブ２の平均温度の上限としては、順方向圧延工程と同様、８６０℃未満が好ましい。一方、保持工程での純チタンスラブ２の平均温度の下限としては、６５０℃が好ましい。
【００４９】
＜逆方向圧延工程＞
逆方向圧延工程では、図６に示すように、順方向とは逆方向に純チタンスラブ２を厚さ方向に圧延する。具体的には、底部２ｂが先頭、頂部２ａが後尾となるように純チタンスラブ２を通過させながら、一対の圧延ロール３で押圧面部２１を厚さ方向に押圧することによって、純チタンスラブ２を圧延する。なお、図６では、純チタンスラブ２を移動させているため、その移動の向き（図６の実線矢印）は、圧延の向き（図６の白抜き矢印）と反対となる。
【００５０】
図６では、一対の圧延ロール３に図３とは反対側から純チタンスラブ２の底部２ｂを挿入し、一対の圧延ロール３を図３とは逆方向に通過させて圧延する態様を示す。しかし、一対の圧延ロール３に図３と同じ側から純チタンスラブ２の底部２ｂを挿入し、一対の圧延ロール３を図３と同方向に通過させて圧延してもよい。
【００５１】
逆方向圧延工程では、圧延を１回行っても、連続して複数回行ってもよいが、製造効率の観点から、圧延回数は１回が好ましい。逆方向圧延工程で圧延を１回行った後は、順方向及び逆方向のいずれに圧延しても、また、それぞれ任意の圧下率で圧延しても、表面疵の発生を抑制し得る。
【００５２】
逆方向圧延工程では、順方向圧延工程での圧延の圧下率ｙよりも小さな圧下率ｚで圧延を行う。この逆方向圧延工程では、圧下率ｚ［％］が下記式（２）を満たすように圧延を行うことが好ましい。圧下率ｚが下記式（２）を満たさないと、純チタンスラブ２の結晶組織界面の割れを抑制できず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。なお、下記式の下限としては、純チタンスラブ２を圧延し得る圧下率である限り、特に限定されないが、通常、３％が好ましく、５％がより好ましい。
ｚ≦２８                        ・・・（２）
【００５３】
逆方向圧延工程で２回以上逆方向に圧延する場合には、少なくとも１回目の圧延の圧下率が上記範囲を満たすように圧延すればよいが、２回目以降の圧延においても各圧延の圧下率が上記範囲を満たすように圧延してもよい。
【００５４】
逆方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度は、直前の保持工程での平均温度に応じて適宜設定され得る。例えば、逆方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度の上限としては、保持工程と同様、８６０℃未満が好ましい。一方、逆方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度の下限としては、保持工程と同様、６５０℃が好ましい。
【００５５】
逆方向圧延工程での圧延速度は、上記順方向圧延工程と同様の速度とすることができる。また、逆方向圧延工程での圧延速度としては、上記順方向圧延工程での圧延速度と一致する速度が好ましい。
【００５６】
＜酸洗工程＞
酸洗工程では、上記熱間圧延工程の後、上記熱間圧延工程で熱間圧延された純チタンスラブ２（熱間圧延体）を酸洗する。この酸洗工程では、上記熱間圧延体を、酸を含有する溶剤によって洗浄する。このように酸洗工程を行うことで、熱間圧延体の表面を清掃することができる。また、上記熱間圧延工程で表面疵の発生が抑制されていることから、この酸洗工程では、表面疵を除去すべく溶剤の使用量を増加させることを、不要とし得る。
【００５７】
＜純チタン板＞
当該純チタン板の製造方法で製造された純チタン板の平均厚みは、純チタン板の用途等に応じて適宜設定されればよく、特に限定されないが、例えば、３ｍｍ以上４ｍｍ以下とすることができる。
【００５８】
＜利点＞
当該純チタン板の製造方法は、熱間圧延工程として順方向圧延工程及び逆方向圧延工程を行うことで、純チタンスラブ２の押圧面部２１に存在している柱状晶を十分に寝かせることができ、これにより、次いで逆方向圧延工程を行う際に、純チタンスラブ２の結晶組織界面の割れが抑制される。加えて、逆方向圧延工程での圧延の圧下率を順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくすることで、純チタンスラブの結晶組織界面の割れを抑制できる。よって、かかる熱間圧延工程を行うことで、前処理を行わなくても表面疵の発生を抑制できる。従って、当該純チタン板の製造方法は、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる。
【００５９】
［第２実施形態］
本発明の他の実施形態に係る純チタン板の製造方法は、底部から頂部に向かって溶製された純チタンスラブを熱間圧延する工程と、酸洗工程とを備える。当該純チタン板の製造方法は、熱間圧延工程として、順方向圧延工程と、逆方向圧延工程とを備え、逆方向圧延工程での圧延の圧下率を順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする。本実施形態では、熱間圧延工程として、順方向圧延工程と逆方向圧延工程との間に保持工程をさらに備える。本実施形態では、順方向圧延工程の圧延回数が２回である。それ以外は第１実施形態の純チタン板の製造方法と同様であるため、説明を繰り返さない。
【００６０】
［熱間圧延工程］
本実施形態では、熱間圧延工程として、順方向圧延工程と、逆方向圧延工程と、保持工程とを行う。
【００６１】
（順方向圧延工程）
順方向圧延工程では、上記第１実施形態の順方向圧延工程での順方向の圧延を連続して２回行う。すなわち、頂部２ａから底部２ｂに向かう順方向に純チタンスラブ２を厚さ方向に連続して２回圧延する。具体的には、第１実施形態と同様、頂部２ａが先頭、底部２ｂが後尾となる向きに純チタンスラブ２を通過させながら、一対の圧延ロール３で押圧面部２１を厚さ方向に押圧する１回目の圧延を行い、これに連続して、１回目の圧延と同様の圧延を１回繰り返すことによって２回目の圧延を行う。
【００６２】
この２回の圧延では、１回目の圧延の圧下率ｙ１［％］が下記式（３）を満たし、２回目の圧延の圧下率ｙ２［％］が下記式（４）を満たすように圧延を行うことが好ましい。上記圧下率ｙ１、ｙ２が下記式（３）及び（４）の下限を満たさないと、純チタンスラブ２の柱状晶Ｇを十分に寝かせることができず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。逆に、圧下率ｙ１、ｙ２が大きくなり過ぎると、等価的に純チタンスラブ２の平均温度ｘが小さくなり、純チタンスラブ２の母材の変形能が小さくなるため、柱状晶Ｇを十分に寝かせられないおそれがある。この観点から、上記圧下率ｙ１及びｙ２が下記式（３）及び（４）の上限を超えると、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。
２０≦ｙ１≦０．１×ｘ−５１    ・・・（３）
２０≦ｙ２≦４２                ・・・（４）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【００６３】
上記以外は上記第１実施形態の順方向圧延工程と同様であるため、その説明を繰り返さない。
【００６４】
（保持工程）
保持工程として、上記第１実施形態と同様の保持工程を行う。このため、その詳細な説明を繰り返さない。
【００６５】
（逆方向圧延工程）
逆方向圧延工程では、上記第１実施形態と同様、上記順方向とは逆方向に逆方向圧延工程を行う。また、逆方向圧延工程では、順方向圧延工程での１回目及び２回目の圧延の各圧下率ｙ１、ｙ２よりも小さな圧下率ｚで圧延を行う。この逆方向圧延工程では、上記第１実施形態と同様、圧下率ｚ［％］が下記式（５）を満たすように圧延を行うことが好ましい。圧下率ｚが下記式（５）を満たさないと、純チタンスラブ２の結晶組織界面の割れを抑制できず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。なお、下記式の下限としては、純チタンスラブ２を圧延し得る圧下率である限り、特に限定されないが、通常、３％が好ましく、５％がより好ましい。
ｚ≦２８                        ・・・（５）
【００６６】
上記以外は上記第１実施形態の逆方向圧延工程と同様であるため、その説明を繰り返さない。
【００６７】
＜利点＞
当該純チタン板の製造方法は、上記第１実施形態の純チタン板の製造方法と同様、熱間圧延工程として順方向圧延工程及び逆方向圧延工程を行うことによって、前処理を行わなくても表面疵の発生を抑制できる。従って、当該純チタン板の製造方法は、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる。
【００６８】
［第３実施形態］
本発明の他の実施形態に係る純チタン板の製造方法は、底部から頂部に向かって溶製された純チタンスラブを熱間圧延する工程と、酸洗工程とを備える。当該純チタン板の製造方法は、熱間圧延工程として、順方向圧延工程と、逆方向圧延工程とを備え、逆方向圧延工程での圧延の圧下率を順方向圧延工程での圧延の圧下率よりも小さくする。本実施形態では、熱間圧延工程として、順方向圧延工程の後、続けて逆方向圧延工程を行う。本実施形態では、順方向圧延工程の圧延回数が３回以上である。それ以外は第１実施形態の純チタン板の製造方法と同様であるため、説明を繰り返さない。
【００６９】
（順方向圧延工程）
順方向圧延工程では、上記第１実施形態の順方向圧延工程での順方向の圧延を連続して３回以上行う。すなわち、頂部２ａから底部２ｂに向かう順方向に純チタンスラブ２を厚さ方向に連続して３回以上圧延する。具体的には、第１実施形態と同様、頂部２ａが先頭、底部２ｂが後尾となる向きに純チタンスラブ２を通過させながら、一対の圧延ロール３で押圧面部２１を厚さ方向に押圧する１回目の圧延を行い、これに連続して、１回目の圧延と同様の圧延を連続して２回以上繰り返すことによって２回目以降の圧延を行う。
【００７０】
この３回以上の圧延では、１回目の圧延の圧下率ｙ１［％］が下記式（６）を満たし、２回目の圧延の圧下率ｙ２［％］が下記式（７）を満たし、３回目の圧延の圧下率ｙ３［％］が下記式（８）を満たすことが好ましい。上記圧下率ｙ１、ｙ２、ｙ３が下記式（６）〜（８）の下限を満たさないと、純チタンスラブ２の柱状晶Ｇを十分に寝かせることができず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。逆に、圧下率ｙ１、ｙ２、ｙ３が大きくなり過ぎると、純チタンスラブ２の平均温度ｘが等価的に小さくなり、純チタンスラブ２の母材の変形能が小さくなるため、柱状晶Ｇを十分に寝かせられないおそれがある。この観点から、上記圧下率ｙ１、ｙ２、ｙ３が下記式（６）〜（８）の上限を超えると、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。
２０≦ｙ１≦０．１×ｘ−５１    ・・・（６）
２０≦ｙ２≦４２                ・・・（７）
２０≦ｙ３≦４２                ・・・（８）
ここで、ｘは、順方向圧延工程での純チタンスラブの平均温度［℃］である。
【００７１】
なお、順方向圧延工程で４回以上圧延する場合、１回目から３回目までの圧延の圧下率が上記式（６）〜（８）を満たせば、４回目以降の圧下率を任意の圧下率としても、より確実に表面疵の発生を抑制することができる。よって、順方向圧延工程で４回以上圧延する場合には、少なくとも１回目〜３回目の圧延の圧下率が上記式（６）〜（８）を満たすように圧延すればよいが、４回目以降の圧延の圧下率が２回目、３回目の圧延の上記式（７）、（８）を満たすように圧延してもよい。また、順方向圧延工程での圧延回数は３回以上であればよく、特に限定されないが、製造効率の観点から、圧延回数は３回が好ましい。
【００７２】
上記以外は上記第１実施形態の順方向圧延工程と同様であるため、その説明を繰り返さない。
【００７３】
（逆方向圧延工程）
逆方向圧延工程では、上記第１実施形態と同様、上記順方向とは逆方向に逆方向圧延工程を行う。また、逆方向圧延工程では、順方向圧延工程での１回目、２回目及び３回目の圧延の各圧下率ｙ１、ｙ２、ｙ３よりも小さな圧下率ｚで圧延を行う。この逆方向圧延工程では、上記第１実施形態と同様、圧下率ｚ［％］が下記式（９）を満たすように圧延を行うことが好ましい。圧下率ｚが下記式（９）を満たさないと、純チタンスラブ２の結晶組織界面の割れを抑制できず、表面疵の発生を抑制できないおそれがある。なお、下記式の下限としては、純チタンスラブ２を圧延し得る圧下率である限り、特に限定されないが、通常、３％が好ましく、５％がより好ましい。
ｚ≦２８                        ・・・（９）
【００７４】
逆方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度は、直前の順方向圧延工程での平均温度に応じて適宜設定され得る。例えば、逆方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度の上限としては、順方向圧延工程と同様、８６０℃未満が好ましい。一方、逆方向圧延工程での純チタンスラブ２の平均温度の下限としては、６５０℃が好ましい。
【００７５】
上記以外は上記第１実施形態の逆方向圧延工程と同様であるため、その説明を繰り返さない。
【００７６】
＜利点＞
当該純チタン板の製造方法は、上記第１実施形態の純チタン板の製造方法と同様、熱間圧延工程として順方向圧延工程及び逆方向圧延工程を行うことによって、前処理を行わなくても表面疵の発生を抑制できる。従って、当該純チタン板の製造方法は、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できる。
【００７７】
［その他の実施形態］
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。
【００７８】
上記実施形態では、上記酸洗工程を備える場合を説明したが、この工程は省略することができる。上記第３実施形態では、保持工程を備えない場合を説明したが、上記第３実施形態においても上記第１及び第２実施形態と同様の保持工程を備えることもできる。
【００７９】
当該純チタンの製造方法は、上記実施形態の各工程以外の工程を備えていてもよい。このような工程としては、例えば以下に示す後処理工程等が挙げられる。
【００８０】
＜後処理工程＞
後処理工程としては、例えば、上記酸洗工程の後、上記熱間圧延工程で熱間圧延された純チタンスラブ２（熱間圧延体）を焼鈍する工程、冷間圧延する工程や、さらに熱間圧延する後熱間圧延工程等が挙げられる。上記熱間圧延工程で既に表面疵の発生が抑制されているため、上記後処理工程を行っても、表面疵の発生を抑制できる。
【実施例】
【００８１】
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００８２】
［割れ評価］
純チタン板の割れ評価は、純チタン板をその鉛直方向に平行な仮想中心線に沿って厚さ方向に切断し、切断面の表面を研磨し、酸洗した後、走査電子顕微鏡で撮影し、得られたマクロ写真で押圧面部からの割れが発生しているか否かを観察することによって行った。評価基準として、押圧面部からの割れが発生していない場合を、表面疵の発生が極めて抑制されているとして「Ａ」と表した。押圧面部から小さな割れが発生している場合を、表面疵の発生が良好に抑制されているとして「Ｂ」と表した。押圧面部から大きな割れが発生している場合を、表面疵の発生の抑制の程度が小さいとして「Ｃ」と表した。
【００８３】
［純チタン原料］
純チタン原料として、ＪＩＳ−Ｈ４６００（１９６４）に規定される１種の工業用純チタン（ＣＰＴｉ）によって形成されたスポンジチタンを準備した。
【００８４】
［純チタンスラブの製造］
上記スポンジチタンを溶解し、図１に示すような鋳型に投入し、放冷することによって、底部から頂部に向かって純チタンスラブを溶製した。溶製された純チタンスラブは、鉛直方向を長手方向とする平面視長方形状の板状であり、その鉛直方向の長さが３５０ｍｍ、厚さが５０ｍｍ、幅が１２０ｍｍであった。
【００８５】
上記純チタンスラブの断面をエッチングした後、目視にて観察すると、この純チタンスラブには、図２に示すように、押圧面部から純チタンスラブの鉛直方向に平行な仮想中心線に向かいつつも頂部に向かうように傾斜した複数の柱状晶が成長していた。
【００８６】
［純チタン板の製造］
【００８７】
（実験例１〜１１）
上記純チタンスラブを、図３に示すような一対の圧延ロールを備えた圧延装置を用いて熱間圧延することで、純チタン板を製造した。具体的には、熱間圧延工程での純チタンスラブの平均温度、圧下率、保持時間をそれぞれ表１に示すように設定した。この設定条件で、熱間圧延工程として、純チタンスラブを頂部から底部に向かう順方向に１回圧延する順方向圧延工程を行い、次いで、圧延された純チタンスラブを保持する工程を行った後、保持された純チタンスラブを逆方向に１回圧延する逆方向圧延工程を行った。この熱間圧延工程によって、実験例１〜８、１０、１１の純チタン板を製造した。一方、表１に示す設定条件で、順方向圧延工程の後、保持工程を行うことなく続けて逆方向圧延工程を行うこと以外は上記実験例１〜８、１０、１１と同様にして、実験例９の純チタン板を製造した。
【００８８】
得られた実験例１〜１１の純チタン板について、割れ評価を行った。結果を表１に示す。また、実験例１〜１１のうち、保持工程を行わなかった実験例９及び逆方向延伸工程での圧延の圧下率が他の実験例よりも顕著に大きい実験例１１を除く、残りの実験例１〜８、１０について、純チタンスラブの平均温度と順方向圧延工程での１回の圧延の圧下率との関係を、割れ評価の結果と併せて図７のグラフに示す。なお、図７では、純チタン板に大きな割れが発生しておらず、「Ａ」又は「Ｂ」と評価された場合の凡例を「〇」、大きな割れが発生し、「Ｃ」と評価された場合の凡例を「×」で示す。
【００８９】
【表１】
2020104135.tif 000003
【００９０】
表１及び図７に示されるように、順方向圧延工程での１回の圧延の圧下率が上記式（１）を満たし、かつ逆方向圧延工程での圧延の圧下率が上記式（２）を満たす実験例１〜６は、順方向圧延工程での１回の圧延の圧下率が上記式（１）の下限を満たさない実験例７、９、１０よりも、割れの発生が少なく、表面疵の発生が抑制された。実験例７、９、１０で割れが発生した理由としては、順方向圧延工程での圧延の圧下率が小さ過ぎたため、柱状晶を十分に寝かせることができず、このため、逆工程圧延工程で純チタンスラブの結晶組織界面の一部が割れ、表面疵が発生したものと考えられる。また、保持工程を行った上記実験例１〜６は、保持工程を行わなかった実験例９よりも、割れの発生が少なく、表面疵が抑制された。実験例９で割れが発生した理由としては、上述の理由に加えて、実験例９では保持工程を行わなかったため、順方向圧延工程で寝かせた柱状晶が復熱によって再結晶組織に改変する前に逆方向圧延工程を行うことになり、このため、純チタンスラブの結晶組織界面の一部が割れ、表面疵が発生したものとも推察される。
【００９１】
上記実験例１〜６は、順方向圧延工程での圧延の圧下率が上記式（１）の上限を超える実験例８よりも、割れの発生が少なく、表面疵が抑制された。実験例８で割れが発生した理由としては、実験例８では、等価的に純チタンスラブの平均温度が小さくなり過ぎたため、純チタンスラブの母材の変形能が小さくなり、柱状晶を十分に寝かせることができず、このため、割れが発生したものと推察される。
【００９２】
上記実験例１〜６は、逆方向圧延工程での圧延の圧下率が上記式（２）を満たさない実験例１１よりも、割れの発生が少なく、表面疵の発生が抑制された。実験例１１で割れが発生した理由としては、逆方向圧延工程での圧延の圧下率が大き過ぎたため、寝かせた柱状晶が立ってしまい、純チタンスラブの結晶組織界面が割れたため、表面疵が発生したものと推察される。
【００９３】
（実験例１２〜１５）
上記純チタンスラブを、図３に示すような一対の圧延ロールを備えた圧延装置を用いて熱間圧延することで、純チタン板を製造した。具体的には、熱間圧延工程での純チタンスラブの平均温度、圧下率、保持時間をそれぞれ表２に示すように設定した。この設定条件で、熱間圧延工程として、純チタンスラブを頂部から底部に向かう順方向に連続して２回圧延する順方向圧延工程を行い、次いで、圧延された純チタンスラブを保持する工程を行った後、保持された純チタンスラブを逆方向に１回圧延する逆方向圧延工程を行った。この熱間圧延工程によって、実験例１２、１３の純チタンスラブを得た。一方、表２に示す設定条件で、順方向圧延工程の後、保持工程を行うことなく続けて逆方向圧延工程を行うこと以外は上記実験例１２、１３と同様にして、実験例１４、１５の純チタン板を製造した。
【００９４】
得られた実験例１２〜１５の純チタン板について、割れ評価を行った。結果を表２に示す。
【００９５】
【表２】
2020104135.tif 000004
【００９６】
表２に示されるように、順方向圧延工程での２回の圧延の圧下率が上記式（３）、（４）をそれぞれ満たし、逆方向圧延工程での圧延の圧下率が上記式（５）を満たし、かつ保持工程を行った実験例１２、１３は、順方向圧延工程での２回の圧延の圧下率が上記（３）、（４）をそれぞれ満たし、逆方向圧延工程での圧延の圧下率が上記式（５）を満たすものの、保持工程を行わなかった実験例１４、１５よりも、割れの発生が少なく、表面疵の発生が抑制された。実験例１４、１５で割れが発生した理由としては、実験例１４、１５では保持工程を行わなかったため、順方向圧延工程で寝かせた柱状晶が復熱によって再結晶組織に改変する前に逆方向圧延工程を行うことになり、その結果、純チタンスラブの結晶組織界面の一部が割れ、表面疵が発生したものと推察される。
【００９７】
（実験例１６、１７）
上記純チタンスラブを、図３に示すような一対の圧延ロールを備えた圧延装置を用いて熱間圧延することで、純チタン板を製造した。具体的には、熱間圧延工程での純チタンスラブの平均温度、圧下率、保持時間をそれぞれ表３に示すように設定した。この設定条件で、熱間圧延工程として、純チタンスラブを頂部から底部に向かう順方向に連続して３回圧延する順方向圧延工程を行い、圧延された純チタンスラブを保持する工程を行うことなく、順方向圧延工程に続けて逆方向に１回圧延する逆方向圧延工程を行った。この熱間圧延工程によって、実験例１６の純チタン板を製造した。一方、表３に示す設定条件で、順方向圧延工程と逆方向圧延工程との間にて順方向圧延工程で圧延された純チタンスラブを保持する工程を行うこと以外は上記実験例１６と同様にして、実験例１７の純チタン板を製造した。
【００９８】
得られた実験例１６、１７の純チタン板について、割れ評価を行った。結果を表３に示す。
【表３】
2020104135.tif 000005
【００９９】
表３に示されるように、順方向圧延工程での３回の圧延の圧下率が上記式（６）、（７）、（８）をそれぞれ満たし、逆方向圧延工程での圧延の圧下率が上記式（９）を満たす一方、保持工程を行わなかった実験例１６は、表面疵の発生が極めて良好に抑制された。一方、保持工程を行った実験例１７においても、割れの発生が少なく、表面疵の発生が良好に抑制された。この結果より、順方向圧延工程で３回以上の圧延を行う場合には、保持工程を行わない方が保持工程を行う場合よりも表面疵の発生が抑制されると推察される。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
以上説明したように、本発明の純チタン板の製造方法は、表面疵の発生を抑制しつつ、製造コストを低減できるので、安価で高品質な純チタン板を製造するのに適している。
【符号の説明】
【０１０１】
１  鋳型
２  純チタンスラブ
２ａ  頂部
２ｂ  底部
２１  押圧面部
２１ａ  第１押圧面部
２１ｂ  第２押圧面部
３  一対の圧延ロール
Ｇ  柱状晶
【図１】
2020104135.tif 000006
【図２】
2020104135.tif 000007
【図３】
2020104135.tif 000008
【図４】
2020104135.tif 000009
【図５】
2020104135.tif 000010
【図６】
2020104135.tif 000011
【図７】
2020104135.tif 000012