(57)【要約】【課題】電荷を発生させる放射線検出素子を有する放射線撮影装置において、信号値の読み出し時に生じるバイアス電圧の降下に起因する信号値の変動を補正できるようにする。【解決手段】放射線画像処理装置１００ｂ，１００ｃは、受けた放射線に応じた電荷を発生させる複数の放射線検出素子３４と、放射線検出素子３４に逆バイアス電圧を印加するバイアス電源回路４３と、放射線検出素子３４が発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す読み出し部５と、を備える放射線撮影手段３，４，５によって生成される放射線画像の画像データを処理するものであって、放射線画像の行毎の信号値、及び推定係数に基づいて、信号値の読み出しに起因するバイアス電圧の変動に伴って変動する信号値の変動量を行毎に推定する推定手段と、推定した信号値の変動量に基づいて信号値を行毎に補正する信号値補正手段と、を備える。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に放射線画像の各画素に対応する行列状となるように配列され、受けた放射線に応じた電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、前記複数の放射線検出素子にそれぞれ逆バイアス電圧を印加するバイアス電源回路と、前記複数の放射線検出素子がそれぞれ発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す読み出し部と、を備える放射線撮影手段によって生成される放射線画像の画像データを処理する放射線画像処理装置であって、
前記放射線画像の行毎の信号値、及び予め保持している推定係数に基づいて、前記信号値の読み出しに起因するバイアス電圧の変動に伴って変動する信号値の変動量を行毎に推定する推定手段と、
前記推定手段が推定した前記信号値の変動量に基づいて前記信号値を行毎に補正する信号値補正手段と、を備える放射線画像処理装置。
【請求項２】
処理する対象となる前記放射線画像は、複数のフレームからなる動態画像であり、
前記推定手段は、前記読み出し部が読み出した補正対象フレームの行毎の信号値、前記補正対象フレームより前に生成された先行フレームの行毎の信号値、及び前記推定係数に基づいて、前記信号値の変動量を推定し、
前記信号値補正手段は、前記推定手段が推定した前記信号値の変動量に基づいて前記補正対象フレームの信号値を補正する請求項１に記載の放射線画像処理装置。
【請求項３】
処理する対象となる前記放射線画像は、前記画像データに含まれるノイズ成分を前記放射線画像の行毎に検出するノイズ検出部を備えた前記放射線撮影手段が生成したものであり、
前記推定手段は、前記ノイズ検出部が検出した行毎のノイズ成分、前記読み出し部が読み出した行毎の信号値、及び予め保持している推定係数に基づいて、各行のノイズ補正に伴い発生する第二の信号値の変動量を推定し、
前記信号値補正手段は、前記推定手段が推定した前記第二の信号値の変動量に基づいて前記信号値を補正する請求項１に記載の放射線画像処理装置。
【請求項４】
処理する対象となる前記放射線画像は、前記画像データに含まれるノイズ成分を前記放射線画像の行毎に検出するノイズ検出部を備えた前記放射線撮影手段が生成したものであり、
前記推定手段は、前記ノイズ検出部が検出した前記補正対象フレームの行毎のノイズ成分、前記先行フレームの行毎のノイズ成分、前記読み出し部が読み出した前記補正対象フレームの行毎の信号値、前記先行フレームの行毎の信号値、及び前記推定係数に基づいて、各行のノイズ補正に伴い発生する第二の信号値の変動量を推定し、
前記信号値補正手段は、前記推定手段が推定した前記第二の信号値の変動量に基づいて前記補正対象フレームの信号値を補正する請求項２に記載の放射線画像処理装置。
【請求項５】
前記放射線画像を撮影したときの撮影形態に関する撮影形態情報を取得する取得手段を備え、
前記推定手段は、予め保持している複数の推定係数の中から、前記取得手段が取得した撮影形態情報に応じた推定係数を選択し、選択した推定係数に基づいて前記信号値の変動量を推定する請求項１又は請求項２に記載の放射線画像処理装置。
【請求項６】
前記放射線画像を撮影したときの撮影形態に関する撮影形態情報を取得する取得手段を備え、
前記推定手段は、予め保持している複数の推定係数の中から、前記取得手段が取得した撮影形態情報に応じた推定係数を選択し、選択した推定係数に基づいて、前記信号値の変動量及び前記第二の信号値の変動量をそれぞれ推定する請求項３又は請求項４に記載の放射線画像処理装置。
【請求項７】
処理する対象となる前記放射線画像は、前記バイアス電源回路を複数備え、一部の列の前記放射線検出素子と他の列の前記放射線検出素子とで逆バイアス電圧の印加を受けるバイアス電源回路が異なる前記放射線撮影手段が生成したものであり、
前記推定手段は、一の前記バイアス電源回路からバイアス電圧の印加を受ける前記放射線検出素子の群に対応する画素の信号値の変動量を推定するときと、他の前記バイアス電源回路からバイアス電圧の印加を受ける前記放射線検出素子の群に対応する画素の信号値の変動量を推定するときとで、用いる推定アルゴリズムと前記推定係数のうちの少なくとも一方を変える請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像処理装置。
【請求項８】
前記推定手段は、前記一の前記バイアス電源回路からバイアス電圧の印加を受ける前記放射線検出素子の群における、他の前記バイアス電源回路からバイアス電圧の印加を受ける前記放射線検出素子の群と隣接する行の放射線検出素子に対応する画素に生じる第三の信号値の変動量を更に推定し、
前記信号値補正手段は、前記推定手段が推定した前記第三の信号値の変動量に基づいて前記隣接する行の放射線検出素子に対応する画素の信号値を補正する請求項７に記載の放射線画像処理装置。
【請求項９】
前記撮影形態に応じて前記放射線検出素子に印加する逆バイアス電圧を変化させた状態で前記放射線撮影手段が生成した画像データに基づいて、行毎の信号値に関する特徴量と前記信号値の変動量との比の値を前記推定係数として算出する係数算出手段を備える請求項５又は請求項６に記載の放射線画像処理装置。
【請求項１０】
前記複数の放射線検出素子に前記撮影形態に応じた放射線の照射を受けることで前記放射線撮影手段が生成した画像データに基づいて、行毎の信号値に関する特徴量と前記信号値の変動量との比の値を前記推定係数として算出する係数算出手段を備える請求項５又は請求項６に記載の放射線画像処理装置。
【請求項１１】
処理する対象となる前記放射線画像は、前記画像データに含まれるノイズ成分を前記放射線画像の行毎に検出するノイズ検出部を備えた前記放射線撮影手段が生成したものであり、
前記係数算出手段は、前記画像データ及び前記ノイズ検出部が検出した前記ノイズ成分に基づいて、行毎の信号値に関する特徴量と前記ノイズ成分の変動量との比の値を更に算出する請求項９又は請求項１０に記載の放射線画像処理装置。
【請求項１２】
基板の表面に放射線画像の各画素に対応する行列状となるように配列され、受けた放射線に応じた電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、前記複数の放射線検出素子にそれぞれ逆バイアス電圧を印加するバイアス電源回路と、前記複数の放射線検出素子がそれぞれ発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す読み出し部と、を備える放射線撮影手段によって放射線画像の画像データを生成する画像データ生成工程と、
前記放射線画像の行毎の信号値、及び予め保持している推定係数に基づいて、前記信号値の読み出しに起因するバイアス電圧の変動に伴って変動する信号値の変動量を行毎に推定する推定工程と、
前記推定工程において推定した前記信号値の変動量に基づいて前記信号値を行毎に補正する信号値補正工程と、を有する画像処理方法。
【請求項１３】
基板の表面に放射線画像の各画素に対応する行列状となるように配列され、受けた放射線に応じた電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、前記複数の放射線検出素子にそれぞれ逆バイアス電圧を印加するバイアス電源回路と、前記複数の放射線検出素子がそれぞれ発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す読み出し部と、を備える放射線撮影手段によって生成される放射線画像の画像データを処理することが可能なコンピューターに、
前記放射線画像の行毎の信号値、及び予め保持している推定係数に基づいて、前記信号値の読み出しに起因するバイアス電圧の変動に伴って変動する信号値の変動量を行毎に推定する推定処理と、
前記推定処理において推定した前記信号値の変動量に基づいて前記信号値を行毎に補正する信号値補正処理と、を実行させるプログラム。
【請求項１４】
基板の表面に放射線画像の各画素に対応する行列状となるように配列され、受けた放射線に応じた電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、
前記複数の放射線検出素子にそれぞれ逆バイアス電圧を印加するバイアス電源回路と、
前記複数の放射線検出素子がそれぞれ発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す読み出し部と、
前記放射線画像の行毎の信号値、及び予め保持している推定係数に基づいて、前記信号値の読み出しに起因するバイアス電圧の変動に伴って変動する信号値の変動量を行毎に推定し、推定した前記信号値の変動量に基づいて前記信号値を行毎に補正する制御部と、を備える放射線撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像処理装置、画像処理方法、プログラム及び放射線撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオード等の放射線検出素子を用いて放射線画像を生成する放射線撮影装置においては、放射線検出素子が生成させた電荷を増幅回路に送るため、放射線検出素子にバイアス電圧が印加されている。このバイアス電圧は、放射線の照射時に低下してしまうことが従来知られていた。このバイアス電圧の降下は、画素の信号値を変動させてしまう原因となる。
そこで、従来、例えば特許文献１に記載されたような、バイアス線を流れる電流を検出する電流検出手段を備え、放射線の照射時に電流検出手段が検出した電流値に基づいて信号値の読み出しを行う際の増幅回路のゲインを設定する放射線画像検出装置が提案されている。
こうした放射線画像検出装置によれば、放射線照射時のバイアス電圧の降下に起因する信号値の変動は勿論、電流検出手段内の抵抗による電圧降下に起因する信号値の変動も補正することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２１９５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１に記載されたような従来の放射線画像検出装置を用いて、例えば、例えば図１７に示すような、放射線の照射野を放射線検出領域（複数の放射線検出素子が二次元状に配列された領域）の一部（照射領域Ｒｅ）に絞った撮影を行うと、図１８に示すように、照射領域Ｒｅにおける信号値は本来得られるはずだった信号値に比べて低下し、放射線を受けていない非照射領域Ｒｎｅであって、放射線を受けた照射領域Ｒｅの画素と信号線が共通する画素を有する領域（図１７におけるＬｕとＬｖの間の領域であって照射領域Ｒｅの側方に位置する領域）における信号値は、他の非照射領域Ｒ（照射領域Ｒｅの上方又は下方に位置する領域、Ｌ１とＬｕ，ＬｖとＬｘの間の領域）に比べて低下するという現象が生じることが知られていた。
【０００５】
このような現象が生じる原因を調べたところ、バイアス電圧の降下は、放射線の照射時だけでなく、信号値の読み出しを行う際にも生じることが分かってきた。そして、この読み出し時に生じるバイアス電圧の降下が、上述した照射領域Ｒｅ及び非照射領域Ｒｎｅの信号値低下の原因になっていることも分かってきた。
しかし、従来の放射線画像検出装置は、読み出し時に生じるバイアス電圧の降下に起因して変動した信号値を補正することはできなかった。
【０００６】
本発明は、上記の点を鑑みてなされたものであり、電荷を発生させる放射線検出素子を有する放射線撮影装置において、信号値の読み出し時に生じるバイアス電圧の降下に起因する信号値の変動を補正できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、
基板の表面に放射線画像の各画素に対応する行列状となるように配列され、受けた放射線に応じた電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、前記複数の放射線検出素子にそれぞれ逆バイアス電圧を印加するバイアス電源回路と、前記複数の放射線検出素子がそれぞれ発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す読み出し部と、を備える放射線撮影手段によって生成される放射線画像の画像データを処理する放射線画像処理装置であって、
前記放射線画像の行毎の信号値、及び予め保持している推定係数に基づいて、前記信号値の読み出しに起因するバイアス電圧の変動に伴って変動する信号値の変動量を行毎に推定する推定手段と、
前記推定手段が推定した前記信号値の変動量に基づいて前記信号値を行毎に補正する信号値補正手段と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、信号値の読み出し時に生じるバイアス電圧の降下に起因する信号値の変動を補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第一，第二実施形態に係る放射線撮影システムを表すブロック図である。
【図２】図１の放射線撮影装置の外観を示す斜視図である。
【図３】図２の放射線撮影装置を表すブロック図である。
【図４】図２の放射線撮影装置が備えるセンサー部の構成の一例を示す平面図である。
【図５】図２の放射線撮影装置が備える読み出し回路を表す回路図である。
【図６】図２の放射線撮影装置の各部の動作を示すタイミングチャートである。
【図７】図２の放射線撮影装置の制御部が実行する撮影装置内処理の流れを表すフローチャートである。
【図８】制御部が撮影装置内処理を実行するときのセンサー部の動作を示すタイミングチャートである。
【図９】撮影装置内処理における画像補正処理の一つである横クロストーク補正処理の流れを表すフローチャートである。
【図１０】図２の放射線撮影装置の制御部が実行する撮影装置内処理の他の例の流れを表すフローチャートである。
【図１１】他の例の撮影装置内処理における画像補正処理である横クロストーク補正処理の流れを表すフローチャートである。
【図１２】図２の放射線撮影装置が備えるノイズ検出部を表す回路図である。
【図１３】制御部が撮影装置内処理を実行するときのセンサー部及びノイズ検出部の動作を示すタイミングチャートである。
【図１４】図２の放射線撮影装置が備えるバイアス電源回路が生成するバイアス電圧の電圧を示すグラフである。
【図１５】変形例に係る横クロストーク補正処理の流れを表すフローチャートである。
【図１６】変形例に係る横クロストーク補正処理の流れを表すフローチャートである。
【図１７】実験の際の放射線検出領域及び放射線の照射領域を示す図である。
【図１８】（ａ）は放射線の照射領域を通る行における信号値の分布を示すグラフ、（ｂ）は照射領域を通らない行における信号値の分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。ただし、本発明の範囲は、以下の実施形態や図面に記載されたものに限定されるものではない。
【００１１】
＜１．放射線撮影システム＞
初めに、本実施形態に係る放射線撮影システム１００の概略構成について説明する。図１は放射線撮影システム１００を表すブロック図である。
【００１２】
本実施形態の放射線撮影システム１００は、図１に示すように、放射線発生装置（以下、発生装置１００ａ）と、放射線撮影装置（以下、撮影装置１００ｂ）と、コンソール１００ｃと、を備えている。
これらは、通信ネットワーク１００ｄを介して互いに通信可能となっている。
【００１３】
なお、放射線撮影システム１００は、図示しない病院情報システム（Hospital Information System：ＨＩＳ）や、放射線科情報システム（Radiology Information System：ＲＩＳ）、画像保存通信システム（Picture Archiving and Communication System：ＰＡＣＳ）、画像解析装置等と接続することが可能となっていてもよい。
【００１４】
〔１−１．放射線発生装置〕
発生装置１００ａは、図示を省略するが、照射指示スイッチが操作されたことに基づいて、予め設定された放射線照射条件（管電圧や管電流、照射時間（ｍＡｓ値）等）に応じた電圧を印加するジェネレーターや、ジェネレーターから電圧が印加されると、印加された電圧に応じた線量の放射線（例えばＸ線）を生成する放射線源等を備えている。
そして、発生装置１００ａは、撮影する放射線画像（静止画像・動態画像）に応じた態様で放射線を発生させるようになっている。
【００１５】
なお、発生装置１００ａは、撮影室内に据え付けられたものであってもよいし、コンソール１００ｃ等と共に回診車と呼ばれる移動可能に構成されたものとなっていてもよい。
【００１６】
〔１−２．放射線撮影装置〕
撮影装置１００ｂは、受けた放射線に応じた放射線画像を生成するものである。
また、本実施形態に係る撮影装置１００ｂは、生成した放射線画像の画像データを処理する放射線画像処理装置をなすものでもある。
なお、撮影装置１００ｂは、例えばパネル状をした可搬型のものであってもよいし、支持台等と一体的に形成されたものであってもよい。
この撮影装置１００ｂの詳細については後述する。
【００１７】
〔１−３．コンソール〕
コンソール１００ｃは、他のシステム（ＨＩＳやＲＩＳ等）から取得した撮影オーダー情報やユーザーによる操作に基づいて、各種撮影条件（管電圧や管電流、照射時間（ｍＡｓ値）、フレームレート、被写体の体格、グリッドの有無等）を発生装置１００ａや撮影装置１００ｂに設定したり、放射線画像に所定の画像処理を施したりするためのものであり、ＰＣや専用の装置等で構成されている。
【００１８】
〔１−４．動作〕
このように構成された本実施形態に係る放射線撮影システム１００は、発生装置１００ａの放射線源と撮影装置１００ｂとを間を空けて対向配置し、それらの間に配置された被写体へ放射線源から放射線を照射することにより、被写体を放射線撮影することが可能となっている。
放射線画像が静止画像である場合には、１回の撮影操作（照射指示スイッチの押下）につき放射線の照射及び放射線画像の生成を１回だけ行い、放射線画像が動態画像である場合には、１回の撮影操作につきパルス状の放射線の照射及びフレームの生成を短時間に複数回（例えば１秒間に１５回）繰り返す。
その結果、撮影装置１００ｂは、一枚の静止画像又は動態画像を生成する。
【００１９】
＜２．放射線撮影装置＞
次に、上記放射線撮影システム１００が備える撮影装置１００ｂの具体的構成について説明する。図２は撮影装置１００ｂの外観を示す斜視図、図３は撮影装置１００ｂを表すブロック図、図４は撮影装置１００ｂが備えるセンサー部３の構成の一例を示す平面図、図５は撮影装置１００ｂが備える読み出し回路５１を表すブロック図、図６は撮影装置１００ｂの各部の動作を示すタイミングチャート、図７は撮影装置１００ｂの制御部６が実行する撮影装置内処理の流れを表すフローチャート、図８は制御部６が撮影装置内処理を実行するときのセンサー部３の動作を示すタイミングチャート、図９は撮影装置内処理における画像補正処理の一つである横クロストーク補正処理の流れを表すフローチャートである。
【００２０】
〔２−１．概略構成〕
本実施形態に係る撮影装置１００ｂは、図２，３に示すように、筐体１の他、この筐体１に収納される、シンチレーター２と、センサー部３と、センサー駆動部４と、読み出し部５と、制御部６と、記憶部７と、通信部８と、内蔵電源９と、を備えている。
【００２１】
筐体１は、図２に示したように、パネル状に形成されている。
また、筐体１の寸法は、従来ある医用放射線フィルムカセッテと略等しくなっている。
筐体１の一側面には、図２に示したように、電源スイッチ１１や操作スイッチ１２、インジケーター１３、通信部８のコネクター８２等が設けられている。
【００２２】
（２−１−１．シンチレーター）
シンチレーター２は、放射線を受けると可視光等の放射線よりも波長の長い電磁波（例えば可視光）を、受けた放射線の線量に応じた分だけ発する材料（例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）の柱状結晶等）で板状に形成されている。
なお、センサー部３により多くの電磁波が伝わるように、シンチレーター２におけるセンサー部３と対応する面に反射層を備えていてもよい。
【００２３】
（２−１−２．センサー部）
センサー部３は、図３に示したように、基板３１と、複数の走査線３２と、複数の信号線３３と、複数の検出素子３４と、複数のスイッチ素子３５と、複数のバイアス線３６と、結線３７と、を有している。
【００２４】
基板３１は、板状に形成され、シンチレーター２と並行に対向するよう配置されている。
本実施形態における複数の走査線３２は、基板３１の表面に、所定間隔を空けて互いに平行に延びるよう設けられている。
本実施形態における複数の信号線３３は、所定間隔を空けて互いに平行に延び、走査線３２と直交し、かつ各走査線と交差部において導通しないように設けられている。
すなわち、本実施形態における複数の走査線３２及び複数の信号線３３は格子状に設けられている。
【００２５】
複数の検出素子３４は、例えばフォトダイオードやフォトトランジスター等で、シンチレーター２が発生させた電磁波の量（受けた放射線の線量）に応じた量の電荷をそれぞれ発生させるようになっている。
各検出素子３４の一方の端子３４ａには、スイッチ素子３５のドレイン端子が接続され、他方の端子３４ｂにはバイアス線３６が接続されている。
なお、ここでは、検出素子３４として、シンチレーター２が発生させた電磁波（光）の量に応じた電荷を発生させるものとしたが、放射線を直接電荷に変換するものであってもよい。
放射線を直接電荷に変換する検出素子３４を用いる場合には、シンチレーター２は不要となる。
【００２６】
また、各検出素子３４は、基板３１の表面に二次元状に配列され、それぞれシンチレーターと対向している。
本実施形態に係る検出素子３４は、複数の走査線３２及び信号線３３によって格子状に区画された複数の矩形領域内にそれぞれ設けられることで行列状（マトリクス状）に配列されている。
この走査線３２と信号線３３とによって区画される複数の矩形領域やその中に設けられる検出素子３４は、放射線画像の各画素に対応することになる。
以下、矩形領域を画素領域Ｐと称し、基板３１の表面における複数の画素領域Ｐが設けられた領域全体を放射線検出領域Ｒと称する。
【００２７】
本実施形態における複数のスイッチ素子３５は、検出素子３４と同様、複数の画素領域Ｐ内にそれぞれ設けられている。
本実施形態におけるスイッチ素子３５は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されており、ゲート電極が近接する走査線３２に接続され、ソース電極が近接する信号線３３に接続され、ドレイン電極が同じ画素領域Ｐ内の検出素子３４の一方の端子３４ａに接続されている。
そして、各スイッチ素子３５は、ゲート電極に印加される電圧（オン電圧Ｖｏｎ／オフ電圧Ｖｏｆｆ）に応じて、検出素子３４と信号線３３（積分回路５１１）とが導通した導通状態、又は検出素子３４と信号線３３とが導通していない非導通状態に切り替えることが可能となっている。
【００２８】
複数のバイアス線３６は、各検出素子３４の他方の端子３４ｂに接続されている。
なお、本実施形態のバイアス線３６は、結線３７で接続する構成としているが、各バイアス線３６をバイアス電源回路４３に直接接続してもよいし、複数本の結線３７にバイアス線３６を分けて接続してもよい。
また、バイアス線３６は、配線抵抗の影響を低減するため、面状に広がったものとしてもよいし、縦横に配置した配線が交差部で接続した格子状のものとしてもよい。
バイアス線３６を面状、格子状とする場合には、結線３７は不要となる。
【００２９】
（２−１−３．センサー駆動部）
センサー駆動部４は、ゲート電源回路４１と、ゲートドライバー４２と、バイアス電源回路４３と、を備えている。
【００３０】
ゲート電源回路４１は、それぞれ電圧の異なるオン電圧Ｖｏｎとオフ電圧Ｖｏｆｆを生成し、ゲートドライバー４２に供給するようになっている。
【００３１】
ゲートドライバー４２は、オン電圧Ｖｏｎを印加する走査線３２を選択的に切り替えることが可能に構成されている。
オン電圧Ｖｏｎが印加されない走査線３２には、オフ電圧Ｖｏｆｆを印加するようになっている。
【００３２】
バイアス電源回路４３は、逆バイアス電圧Ｖｂを生成し、結線３７やバイアス線３６を介して各検出素子３４にそれぞれ逆バイアス電圧Ｖｂを印加するようになっている。
【００３３】
このように構成されたセンサー駆動部４は、センサー部３の各スイッチ素子３５の導通状態／非導通状態を切り替えて各検出素子３４から電荷を放出させることが可能となっている。
【００３４】
（２−１−４．読み出し部）
読み出し部５は、複数の読み出し回路５１と、アナログマルチプレクサー５２と、Ａ／Ｄ変換器５３と、を備えている。
なお、図３には、撮影装置１００ｂとして、一のセンサー部３に対し読み出し部５が一つ備えられたものを例示したが、例えば図４に示すように、一のセンサー部３に対して読み出し部５をｎ個（複数）備え、全部でＮ本ある信号線３３を各読み出し部５にＮ／ｎ本ずつ接続するようにしてもよい。
【００３５】
複数の読み出し回路５１は、図３に示したように、検出素子３４の各列に対応してそれぞれ設けられた各信号線３３にそれぞれ接続されている。
また、各読み出し回路５１は、積分回路５１１と、相関二重サンプリング（Correlated Double Sampling、）回路（以下、ＣＤＳ回路５１２）と、をそれぞれ備えている。
そして、各読み出し回路５１は、各信号線３３から入力された電荷の量に基づいてアナログ信号値ΔＶを生成し、アナログマルチプレクサー５２へ出力するようになっている。
なお、読み出し回路５１の詳細については後述する。
【００３６】
アナログマルチプレクサー５２には、複数の読み出し回路５１の各出力端子がそれぞれ接続されている。
また、アナログマルチプレクサー５２は、複数の読み出し回路５１の中からＡ／Ｄ変換器５３に接続する読み出し回路５１を選択的に切り替えることで、各読み出し回路５１から入力されたアナログ信号値ΔＶを一つずつＡ／Ｄ変換器５３へ出力するようになっている。
なお、ここでは、アナログマルチプレクサー５２を、アナログ信号値ΔＶを一つずつ出力するものとしたが、複数の画素から一つの画素（例えば、４画素を平均化した１画素）を生成する（ハードビニングを行う）ため、アナログマルチプレクサー５２を、アナログ信号値ΔＶを二つ以上ずつＡ／Ｄ変換器５３へ出力できるように構成してもよい。
【００３７】
Ａ／Ｄ変換器５３は、入力されたアナログ信号値ΔＶをデジタル信号値に順次変換するようになっている。
なお、ここでは、複数のＣＤＳ回路５１２に対して一つのＡ／Ｄ変換器を備えることとしたが、Ａ／Ｄ変換器５３は、各ＣＤＳ回路５１２にそれぞれ接続されていてもよい。
その場合、アナログマルチプレクサー５２は不要となる。
【００３８】
このように構成された読み出し部５は、センサー部３の複数の検出素子３４がそれぞれ発生させた電荷の量に基づいて放射線画像の各画素の信号値を読み出すようになっている。
【００３９】
（２−１−５．その他）
本実施形態に係る制御部６は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等で構成されている。
そして、制御部６のＣＰＵは、記憶部７に記憶されている各種プログラムを読み出してＲＡＭ内に展開し、展開されたプログラムに従って各種処理を実行し、撮影装置１００ｂ各部の動作を集中制御するようになっている。
なお、制御部６は、専用の制御回路で構成されていてもよい。
【００４０】
本実施形態に係る記憶部７は、ＳＲＡＭ（Static RAM）やＳＤＲＡＭ（Synchronous DRAM）、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー等で構成されている。
また、記憶部７は、制御部６が実行する各種プログラムやプログラムの実行に必要なパラメーター等を記憶している。
なお、記憶部７を、生成した放射線画像の画像データを保存することが可能に構成してもよい。
【００４１】
また、記憶部７は、後述する画像補正処理で用いる推定係数αを記憶している。
この推定係数αは、他の装置が算出したものを通信部８を介して取得したものであってもよいし、制御部６が算出したものであってもよい。
この推定係数αの詳細については後述する。
【００４２】
通信部８は、例えば通信モジュールで構成され、アンテナ８１やコネクター８２を介して他の装置（コンソールや放射線発生装置）と無線又は有線で通信することが可能となっている。
【００４３】
内蔵電源９は、リチウムイオン電池やリチウムイオンキャパシタ等で構成され、撮影装置１００ｂの各部に電力を供給するようになっている。
【００４４】
〔２−２．読み出し回路〕
各読み出し回路５１は、例えば図５に示すように、積分回路５１１と、ＣＤＳ回路５１２と、をそれぞれ備えている。
【００４５】
（２−２−１．積分回路）
積分回路５１１は、オペアンプ５１１ａと、コンデンサー５１１ｂと、リセットスイッチ５１１ｃと、を備えている。
オペアンプ５１１ａは、反転入力端子に信号線３３が接続され、非反転入力端子に基準電圧Ｖ０が印加されている。このため、信号線３３に印加される電圧も基準電圧Ｖ０となっている。
そして、信号線３３から電荷が流入すると、その電荷の量に応じた出力電圧Ｖｏｕｔを出力するようになっている。
なお、基準電圧Ｖ０としてＧＮＤ電位を印加してもよい。
【００４６】
コンデンサー５１１ｂと及びリセットスイッチ５１１ｃは、オペアンプ５１１ａの反転入力端子と出力端子との間に並列に接続されている。
積分回路５１１は、このように構成されることで、流入した電荷の量を時間積分して電圧をＣＤＳ回路５１２へ出力することが可能となっている。
また、リセットスイッチ５１１ｃが導通状態にされると、コンデンサー５１１ｂに蓄積していた電荷を放出して電圧をリセットするようになっている。
【００４７】
（２−２−２．相関二重サンプリング回路）
ＣＤＳ回路５１２は、抵抗５１２ａと、第一サンプルホールド（ＣＤＳ１）回路５１２ｂと、第二サンプルホールド（ＣＤＳ２）回路５１２ｃと、差分回路５１２ｄと、を備えている。
【００４８】
抵抗５１２ａは、積分回路５１１のオペアンプ５１１ａの出力端子に直列に接続されている。
【００４９】
第一サンプルホールド回路５１２ｂは、第一コンデンサーＣｒと、第一スイッチＳｒと、を備えている。
第一コンデンサーＣｒは一方の電極が抵抗５１２ａと差分回路５１２ｄの反転入力端子との間に接続され、他方の電極がＧＮＤに接続されている。
第一スイッチＳｒは、抵抗５１２ａと第一コンデンサーＣｒとの間に設けられている。
そして、図６に示すように、第一パルス信号Ｓｐ１に基づいて第一スイッチＳｒが導通状態にされると、積分回路５１１と第一コンデンサーＣｒとが接続され、第一コンデンサーＣｒが充電される。
その後、第二パルス信号Ｓｐ２に基づいて第一スイッチＳｒが非導通状態にされると、積分回路５１１と第一コンデンサーＣｒとの接続が解除され、その時点の第一コンデンサーＣｒの両電極間の電圧（以下、第一電圧Ｖｃｒ）を保持するようになっている。
【００５０】
第二サンプルホールド回路５１２ｃは、図５に示したように、第二コンデンサーＣｓと、第二スイッチＳｓと、を備えている。
第二コンデンサーＣｓは一方の電極が抵抗５１２ａと差分回路５１２ｄの非反転入力端子との間に接続され、他方の電極がＧＮＤに接続されている。
第二スイッチＳｓは、抵抗５１２ａと第二コンデンサーＣｓとの間に設けられている。
そして、第二スイッチＳｓが導通状態にされると、積分回路５１１と第二コンデンサーＣｓとが接続され、第二コンデンサーＣｓが充電されるようになっている。
その後、第二スイッチＳｓが非導通状態にされると、積分回路５１１と第二コンデンサーＣｓとの接続が解除され、その時点の第二コンデンサーＣｓの両電極間の電圧（以下、第二電圧Ｖｃｓ）を保持するようになっている。
【００５１】
差分回路５１２ｄは、反転入力端子に第一サンプルホールド回路５１２ｂが接続され、非反転入力端子に第二サンプルホールド回路５１２ｃが接続されている。
そして、差分回路５１２ｄは、第二サンプルホールド回路５１２ｃが保持している信号値としての第二電圧Ｖｃｓから第一サンプルホールド回路５１２ｂが保持している第一電圧Ｖｃｒを差し引いた差分を出力するようになっている。
この差分は、前述したアナログ信号値ΔＶとして、アナログマルチプレクサー５２へ出力される。
【００５２】
〔２−３．動作〕
上述したように構成された本実施形態に係る撮影装置１００ｂの制御部６は、各部に対し撮影のための各種動作を行わせたり、係数算出処理や撮影装置内処理を実行したりするようになっている。
【００５３】
（２−３−１．係数算出処理）
まず、制御部６は、後述する撮影装置内処理を実行していないときに、例えば操作スイッチ１２に所定操作がなされたことや、センサー部３への放射線照射を検知したこと等を契機として、係数算出処理を実行する。
上述したように、画像データを生成する際には、ある画素から読み出される信号値及び当該画素と同一ラインの（走査線が共通する）画素から読み出される信号値が、逆バイアス電圧の降下によって低下するという現象（以下、横クロストークと称する）が生じる。
この係数算出処理では、横クロストークに伴う信号値の変動量（以下、クロストーク成分ｄＣＴ１）の補正に必要な推定係数αを算出する。
【００５４】
クロストーク成分ｄＣＴ１は、バイアス線３６と信号線３３との交差部分に形成される寄生容量（Ｃｓｂ）と、読み出し時の逆バイアス電圧Ｖｂの低下量の積で算出することができる。
一方、クロストーク成分ｄＣＴ１は、信号値（信号値に関する特徴量）に比例する。
そこで、この係数算出処理では、まず、横クロストークが生じた状態の画像データを生成する。
【００５５】
画像データを生成させる方法には、大きく分けて二種類ある。制御部６は、いずれか一つの方法を用いるようになっていてもよいし、ユーザーによる操作等に基づいていずれかの方法を選択するようになっていてもよい。
一つ目の方法は、撮影形態に応じて検出素子３４に印加する逆バイアス電圧Ｖｂを低下（変化）させ、逆バイアス電圧Ｖｂが低下した状態で画像データを生成する方法である。
二つ目の方法は、発生装置１００ａから撮影装置１００ｂへ撮影形態に応じた放射線を実際に照射して（複数の検出素子３４に撮影形態に応じた放射線の照射を受けて）、画像データを生成する方法である。
【００５６】
ここで、「撮影形態」とは、放射線の線量、撮影する放射線画像の種類（静止画と動体画像のどちらであるか）、静止画撮影用もしくは動画撮影用のいずれかを示す補正画像の種類、フレームレート、ビニングの有無、グリッドの有無、被写体の動きと放射線源の動きが同期する撮影の有無、放射線源と撮影装置１００ｂとの距離（ＳＩＤ）、読み出し画素サイズの少なくともいずれかである。
そして、生成した画像データに基づいて、行毎の信号値に関する特徴量とクロストーク成分ｄＣＴ１との比の値を推定係数αとして算出する。
そして、制御部６は、算出した推定係数αを、記憶部７に保持させる。
【００５７】
本実施形態に係る制御部６は、この係数算出処理を実行することにより、係数算出手段取得手段として機能する。
なお、推定係数αは、複数の撮影形態に応じて、すなわち、各撮影形態でそれぞれ生成した複数の画像データに基づいて推定係数αをそれぞれ算出するようにしてもよい。
また、各撮影形態に応じた推定係数αを算出する際、撮影形態に応じて逆バイアス電圧Ｖｂの低下量を変えるようにしてもよい。
【００５８】
（２−３−２．撮影装置内処理）
撮影の準備が整う（例えば、電源がオンにされる、ケーブルが接続される、所定の制御信号を受信する等）と、制御部６は、例えば図７に示すような撮影装置内処理を開始して、各部に所定の動作を行わせる。
【００５９】
この撮影装置内処理では、まず、センサー部３のリセットを行う（ステップＳ１）。
このリセットでは、例えば図８に示すように、センサー駆動部４のゲートドライバー４２に、走査線３２の各ラインＬ１〜Ｌｘへオン電圧Ｖｏｎを順次印加させることで、それまで各画素領域Ｐに蓄積されていた電荷を信号線３３に放出させる。
【００６０】
発生装置１００ａから放射線の照射を開始する旨の信号を受信する、又は照射された放射線を検知すると、制御部６は、図７に示したように、各部を電荷蓄積状態に移行させる（ステップＳ２）。
この電荷蓄積状態では、図８に示したように、ゲートドライバー４２に、走査線３２の全ラインＬ１〜Ｌｘへオフ電圧Ｖｏｆｆを一斉に印加させることで、各画素領域Ｐから信号線３３へ電荷が放出されないようにする。
この電荷蓄積状態において、発生装置１００ａから撮影装置１００ｂへ放射線が照射されると、各検出素子３４が発生させた電荷が各画素領域Ｐ内にそれぞれ蓄積される。
【００６１】
発生装置１００ａから放射線の照射を終了する旨の信号を受信する、又は放射線が検知されなくなると、制御部６は、図７に示したように、読み出しを開始する（ステップＳ３）。
この読み出し処理では、図８に示したように、ゲートドライバー４２に、走査線３２の各ラインＬ１〜Ｌｘへオン電圧Ｖｏｎを順次印加させることで、電荷蓄積状態の際に各画素領域Ｐ内に蓄積された電荷を信号線３３に放出させる。すると、読み出し部５が、複数の検出素子３４がそれぞれ発生させた電荷に基づいて各画素の信号値を読み出す。
そして、制御部６は、読み出し部５が読み出した、各画素に対応する複数の信号値に基づいて放射線画像の画像データを生成する。
すなわち、センサー部３、センサー駆動部４、読み出し部５及び制御部６は、放射線撮影手段をなす。
なお、この画像データの生成動作は、画像処理方法における画像データ生成工程に相当する。
【００６２】
画像データを生成した後、制御部６は、図７に示したように、画像補正処理を実行する（ステップＳ４）。
本実施形態では、画像補正処理の一つとして、横クロストーク補正処理を実行する。
この横クロストーク補正処理の詳細については後述する。
【００６３】
画像補正処理を実行した後、制御部６は、補正後の画像データを、通信部８を介してコンソール１００ｃや他のシステム等に出力する（ステップＳ５）。
画像データを出力した後、制御部６は、撮影が終了したか否かを判断する（ステップＳ６）。
ここで、撮影が終了していないと判断した場合には（ステップＳ６：Ｎｏ）、ステップＳ２の処理に戻る。一方、撮影が終了したと判断した場合には（ステップＳ６：Ｙｅｓ）、撮影装置内処理を終了する。
なお、画像補正処理（ステップＳ４）を、読み出し（ステップＳ３）の後に直ちに実行するのではなく、撮影が終了したか否かの判断（ステップＳ６）の後に実行するようにしてもよい。
また、補正後の画像データの出力（ステップＳ５）を、画像補正処理（ステップＳ４）の後に直ちに実行するのではなく、撮影が終了したか否かの判断（ステップＳ６）の後に実行するようにしてもよい。
【００６４】
（２−３−３．横クロストーク補正処理）
ステップＳ４の横クロストーク補正処理では、制御部６は、例えば図９に示すように、まず推定処理を実行する（ステップＳ４１）。
この推定処理では、放射線画像の行毎の信号値、及び予め保持している推定係数αに基づいて、信号値の読み出しに起因する逆バイアス電圧の変動に伴って変動するクロストーク成分ｄＣＴ１を行毎に推定する。
具体的には、読み出した各信号値に推定係数αをそれぞれ乗じる、又は各信号値を推定係数αで除することで、各信号値のクロストーク成分ｄＣＴ１をそれぞれ算出する。
本実施形態に係る制御部６は、この推定処理を実行することにより、推定手段として機能する。
また、この推定処理の実行が、画像処理方法における推定工程に相当する。
【００６５】
なお、推定処理を実行する前に、放射線画像を撮影したときの撮影形態に関する撮影形態情報を取得する取得処理を実行するようにしてもよい。
そして、予め保持している複数の推定係数αの中から、取得した撮影形態情報に応じた推定係数αを選択し、選択した推定係数αに基づいてクロストーク成分ｄＣＴ１を推定するようにしてもよい。
このようにすれば、本実施形態に係る制御部６は、取得手段として機能することになる。
【００６６】
クロストーク成分ｄＣＴ１を推定した後、制御部６は、信号値補正処理を実行する（ステップＳ４２）。
この信号値補正処理では、推定したクロストーク成分ｄＣＴ１に基づいて各信号値を行毎に補正する。
具体的には、読み出した各信号値に、算出したクロストーク成分ｄＣＴ１をそれぞれ加算又は減算することで補正後の信号値をそれぞれ算出する。
本実施形態に係る制御部６は、この信号値補正処理を実行することにより、信号値補正手段として機能する。
また、この信号値補正処理の実行が、画像処理方法における信号値補正工程に相当する。
【００６７】
（２−３−４．オフセット補正）
ところで、検出素子３４内は、自身の熱（温度）に起因する熱励起により暗電荷を常時発生させる。このため、読み出し部５が読み出した各信号値には、暗電荷によるオフセット成分が重畳されてしまう。
そこで、画像データを生成した後であって、上記横クロストーク補正処理を実行する前に、画像データにオフセット補正処理を実行するのが好ましい。具体的には、各画素に対応する複数のオフセット成分に基づいて暗画像データを生成し、画像データから暗画像データを減算する。
暗画像データは、撮影を行う前又は撮影を行った後に、撮影装置１００ｂに放射線が照射されない状態で上記読み出し（ステップＳ３）を繰り返すことで得ることができる。
このようにすれば、放射線の照射により検出素子３４内で発生した電荷に起因する真の画像データを算出することが可能となる。
【００６８】
〔２−４．変形例１〕
なお、撮影装置１００ｂが処理する対象となる放射線画像を、複数のフレームからなる動態画像としてもよい。
【００６９】
（２−４−１．係数算出処理）
処理する対象となる放射線画像が動態画像である場合、横クロストークは、読み出しに起因する逆バイアス電圧Ｖｂの低下に伴って生じるだけでなく、先行フレーム（少なくとも一つ前のフレーム）を読み出した時と現フレームを読み出した時の逆バイアス電圧Ｖｂの差によっても生じることになる。
【００７０】
この動態画像特有の信号値の変動量（以下、クロストーク成分ｄＣＴ２）は、検出素子３４の静電容量（Ｃｐｄ）と、先行フレームの読み出し時と現フレームの読み出し時の逆バイアス電圧Ｖｂの差の積で算出することができる。
一方、クロストーク成分ｄＣＴ２は、先行フレームの信号値と現フレームの信号値との差（信号値に関する特徴量）に比例する。
そこで、この場合の係数算出処理では、まず、逆バイアス電圧Ｖｂを低下させながら、又は発生装置１００ａが発生させた放射線を受けながら読み出しを繰り返し行うことで、それぞれ横クロストークが発生した状態となった複数のフレームからなる動態画像の画像データを生成する。
そして、生成した画像データに基づいて、行毎の信号値に関する特徴量とクロストーク成分ｄＣＴ２との比の値を推定係数βとして算出する。
【００７１】
（２−４−２．撮影装置内処理）
また、処理する対象となる放射線画像を動態画像とする場合には、撮影装置内処理が例えば図１０に示すようなものとなる。
具体的には、センサー部３のリセット（ステップＳ１）の後、電荷蓄積状態への移行（ステップＳ２Ａ）、読み出し（ステップＳ３Ａ）、画像補正処理（ステップＳ４Ａ）を短時間の間に、予め設定されたフレーム数だけ繰り返し実行する。
【００７２】
なお、画像補正処理（ステップＳ４Ａ）を、読み出し（ステップＳ３Ａ）の後に直ちに実行するのではなく、次フレーム以降の電荷蓄積状態への移行（Ｓ２Ａ）及び読み出し（Ｓ３Ａ）と並行して実行してもよいし、読み出した画像データが最終フレームのものであるか否かの判断（ステップＳ６Ａ）の後に実行するようにしてもよい。
また、補正後の画像データの出力（ステップＳ５）を、画像補正処理（ステップＳ４Ａ）の後に直ちに実行するのではなく、次フレーム以降の電荷蓄積状態への移行（Ｓ２Ａ）及び読み出し（Ｓ３Ａ）と並行して実行してもよいし、読み出した画像データが最終フレームのものであるか否かの判断（ステップＳ６Ａ）の後に実行するようにしてもよい。
【００７３】
また、処理する対象となる放射線画像を動態画像とする場合には、横クロストーク処理が例えば図１１に示すようなものとなる。
具体的には、まず、読み出したフレームが１フレーム目のものであるか否かを判断する（ステップＳ４０）。
ここで、１フレームのものであると判断した場合には（ステップＳ４０：Ｙｅｓ）、上述したステップＳ４１，Ｓ４２と同様の処理を実行する。
ステップＳ４２の処理を終えた後は、１フレーム目の各画素の補正前の信号値を記憶部７に記憶させる（ステップＳ４３）。
ここで記憶した信号値は、２フレーム目におけるクロストーク成分ｄＣＴ２を推定する際の先行フレームの信号値となる。
【００７４】
一方、ステップＳ４０で、１フレーム目のものではないと判断した場合には（ステップＳ４０：Ｎｏ）、ステップＳ４１とは異なる推定処理を実行する（ステップＳ４４）。
この推定処理では、読み出し部５が読み出した補正対象フレームの行毎の信号値、補正対象フレームよりも前に読み出された先行フレームの行毎の信号値、及び推定係数α，βに基づいて、クロストーク成分を推定する。
具体的には、現フレームの信号値に推定係数αを乗じる、又は信号値を推定係数αで除することで、クロストーク成分ｄＣＴ１を算出する。そして、先行フレームの信号値と現フレームの信号値との差に推定係数βを乗じる、又は先行フレームの信号値と現フレームの信号値との差を推定係数βで除することで、クロストーク成分ｄＣＴ２を算出する。
【００７５】
２フレーム目以降のフレームのクロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２を推定した後、制御部６は、信号値補正処理を実行する（ステップＳ４５）。
この信号値補正処理では、推定したクロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２に基づいて補正対象フレームの信号値を補正する。
具体的には、読み出した現フレームの信号値に、算出したクロストーク成分ｄＣＴ１及びクロストーク成分ｄＣＴ２を加算又は減算することで補正後の信号値を算出する。
【００７６】
２フレーム目以降のフレームの信号値を補正した後は、２フレーム目以降の各画素の補正前の信号値を記憶部７に記憶させる（ステップＳ４６）。
ここで記憶した補正前の信号値は、次のフレームにおけるクロストーク成分ｄＣＴ２を推定する際の先行フレームの信号値となる。
【００７７】
（２−４−３．オフセット補正）
撮影装置１００ｂを用いて動画撮影を行うと、読み出し部５の温度が次第に上昇し、それに伴って読み出された信号値に含まれるオフセット成分が増加してくる。
また、オフセット成分の増加率（フレーム数や経過時間を横軸、信号値を縦軸とするグラフの傾き）は読み出し部５毎に差があるため、一のセンサー部３に対し読み出し部５が複数設けられている場合、後のフレームになる程、信号値に含まれるオフセット成分の差が大きくなる。このため、動態画像を再生していくと、放射線検出領域Ｒのうち一の読み出し部５が接続された領域に対応する画素と、当該領域に隣接し他の読み出し部５と接続された領域に対応する画素と、の間に視認性の差が生じてしまう可能性がある。
【００７８】
そこで、画像データを生成した後であって、上記横クロストーク補正処理を実行する前に、読み出し部５毎に異なる（各読み出し部５の特性に応じた）オフセット補正処理を実行するのが好ましい。
このようにすれば、動態画像を再生しても、一の読み出し部５が接続された領域に対応する画素と、当該領域に隣接し他の読み出し部５と接続された領域に対応する画素と、の間に視認性の差が生じることがなくなる。
【００７９】
〔２−５．変形例２〕
また、図４に示したように、バイアス電源回路４３を複数備え、一部の列の検出素子３４と他の列の検出素子３４とで逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受けるバイアス電源回路４３が異なるようにしてもよい。
【００８０】
（２−５−１．構成）
具体的には、放射線検出領域Ｒの左半分の領域に配列されたＮ／２列の検出素子３４に接続されたバイアス線３６を、二つ備えられたバイアス電源回路４３のうちの一方のバイアス電源回路４３に接続し、放射線検出領域Ｒの右半分の領域に配列されたＮ／２列の検出素子３４に接続されたバイアス線３６を、他方のバイアス電源回路４３に接続するようにしてもよい。
また、バイアス電源回路４３を複数備える場合、基板３１を複数に分け、各基板３１に同じバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂを受ける検出素子３４の群を配列するようにしてもよい。
【００８１】
（２−５−２．横クロストーク補正処理）
このように構成した場合には、横クロストーク補正処理において、クロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２を、同じバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群に対応する画素ごとに算出する。
その際、一のバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群に対応する画素のクロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２を推定するときと、他のバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群に対応する画素のクロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２を推定するときとで、用いる推定アルゴリズムと推定係数α，βのうちの少なくとも一方を変えるようにしてもよい。
【００８２】
（２−５−３．境界部の信号値の補正）
ところで、このように構成する場合、一のバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群における、他のバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群と隣接する行Ｌ（図４参照）の検出素子３４に対応する画素の信号値に更に変動が生じることがある。
これは、各バイアス電源回路４３が印加する逆バイアス電圧Ｖｂがそれぞれ僅かに異なっていることが原因である。
【００８３】
このため、このような場合には、上記推定処理において、この信号値の変動量（第三の信号値の変動量、以下、隣接行変動成分ｄＬと称する）を更に推定するようにしてもよい。
そして、推定した隣接行変動成分ｄＬに基づいて隣接する行の放射線検出素子に対応する画素の信号値を補正すればよい。
具体的には、一のバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群におけるクロストーク成分ｄＣＴ２と、他のバイアス電源回路４３から逆バイアス電圧Ｖｂの印加を受ける検出素子３４の群におけるクロストーク成分ｄＣＴ２の差に所定の定数（例えば０．５）を乗じる、又は差を定数で除することで、隣接行変動成分ｄＬを算出する。
【００８４】
そして、横クロストーク補正処理を実行する際、上記隣接する行Ｌに対応する画素の信号値については、他の画素の信号値とは異なる補正を行う。
具体的には、読み出した信号値に、算出したクロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２を加算又は減算したものから、隣接行変動成分ｄＬを加算又は減算することで補正後の信号値を算出する。
【００８５】
〔２−６．変形例３〕
また、図４に示したように、撮影装置１００ｂにノイズ検出部Ｎを備え、検出したノイズ成分に基づいて、信号値を行毎に補正する（ラインノイズ補正を行う）ようにしてもよい。
【００８６】
（２−６−１．ノイズ検出部）
ノイズ検出部Ｎは、画像データに含まれるノイズ成分ｄｎを放射線画像の行毎に検出するものである。
なお、ノイズ検出部Ｎを設ける場所は特に限定されるものではなく、例えば基板３１の表面又は裏面に設けてもよいし、センサー駆動部４や読み出し部５とセンサー部３とを接続するフレキシブル回路基板に設けてもよい。
また、ノイズ検出部Ｎは、一の放射線検出領域Ｒに対して複数設けられていてもよい。
【００８７】
（２−６−２．ノイズ検出部の全体構成）
本実施形態に係るノイズ検出部Ｎは、図１２に示すように、第二信号線３３Ａと、第三〜第五コンデンサーＣ３〜Ｃ５と、第二信号線３３Ａに接続された第二読み出し回路５１Ａと、を備えている。
なお、図１２において、各配線の端（矢印）の先に付された符号は、各配線が接続される接続先を表す。
【００８８】
第二信号線３３Ａは、例えば、ゲートドライバー４２と、放射線検出領域Ｒ（当該ゲートドライバー４２に最も近い信号線３３）との間に、信号線３３と平行に配設されている。
【００８９】
本実施形態に係る第二読み出し回路５１Ａは、例えば図４に示したように、読み出し部５に設けられた読み出し回路５１を用いたものとなっている。すなわち、このノイズ検出部Ｎの第二読み出し回路５１Ａの構成は、読み出し部５における他の読み出し回路５１と同様となっている。
なお、第二読み出し回路５１Ａを、読み出し部５に設けられた読み出し回路５１とは別に設けるようにしてもよい。
【００９０】
あるタイミングで画素領域Ｐに接続された読み出し回路５１が各ラインＬ１〜Ｌｘについて信号値の読み出しを行うと、図１３に示すように、第二読み出し回路５１Ａも同じタイミングで対応するラインＬ１〜Ｌｘについて信号値の読み出しを行う。
読み出し回路５１が読み出す信号値は、検出素子３４が発生させた電荷の量に対応する成分の他にノイズ成分ｄｎを含んでいる。
一方、第二読み出し回路５１Ａが読み出す信号値は、画素領域Ｐに接続された読み出し回路５１と異なり、検出素子３４が発生させる電荷の量に対応する成分を含んでおらず、ノイズ成分ｄｎだけとなる。
読み出されたノイズ成分ｄｎは、他の読み出し回路５１が読み出した信号値と同様に、Ａ／Ｄ変換器５３でデジタル化されて記憶部７に記憶される。
【００９１】
また、本実施形態に係るノイズ検出部Ｎは、それぞれ異なるノイズ成分を検出する第一〜第三ノイズ検出部Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃを１つにまとめたものとなっている。
そして、本実施形態に係るノイズ検出部Ｎが検出するノイズ成分ｄｎは、第一〜第三ノイズ検出部Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃが検出する第一〜第三ノイズ成分ｄｎａ、ｄｎｂ、ｄｎｃを合算したものとなっている。
なお、第一〜第三ノイズ検出部Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｃは、それぞれ個別に設けることも可能であるし、それらのうちのいずれか二つを組み合わせるように構成することも可能である。
【００９２】
（２−６−３．第一ノイズ検出部）
第一ノイズ検出部Ｎａは、第一ノイズ成分ｄｎａを検出するためのもので、図１２に示したように、第三コンデンサーＣ３を備えている。
各第三コンデンサーＣ３の静電容量ｃ１は、１つの検出素子３４の静電容量と同じになるよう設定されている。
そして、第三コンデンサーＣ３は、第二信号線３３Ａと結線３７（又はバイアス線３６）との間の電位差を電荷に変換するようになっている。すなわち、第三コンデンサーＣ３は、ｃ１×（Ｖ０−Ｖｂ）の電荷を蓄積するようになっている。
【００９３】
ところで、逆バイアス電圧Ｖｂには、例えば図１４に示すように経時的な揺らぎが生じるため、第三コンデンサーＣ３に蓄積される電荷の量にも揺らぎが生じる。
また、各検出素子３４内に蓄積される電荷の量にも第三コンデンサーＣ３の電荷量の変化と同じ位相で揺らぎが生じる。
このため、このように構成された第一ノイズ検出部Ｎａは、あるタイミングで第二読み出し回路５１Ａが読み出しを行った時の、逆バイアス電圧Ｖｂの揺らぎ量を第一ノイズ成分ｄｎａとして検出する。
【００９４】
（２−６−４．第二ノイズ検出部）
第二ノイズ検出部Ｎｂは、第四コンデンサーＣ４を備えている。
第四コンデンサーＣ４（静電容量ｃ２）は、第二信号線３３Ａと結線３７との間の電位差を電荷に変換するようになっている。
なお、各第四コンデンサーＣ４の静電容量ｃ２は、当該第四コンデンサーＣ４と第二スイッチ素子３５Ａを介して接続されている走査線３２のあるラインＬｎに接続されている各検出素子３４の寄生容量（或いはそれらの平均値）と同じになるよう設定されている。
また、第四コンデンサーＣ４は、走査線３２のラインＬ１〜Ｌｘ毎にそれぞれ設けられている。
【００９５】
各第四コンデンサーＣ４と第二信号線との間には、第四コンデンサーＣ４と第二信号線３３Ａとの接続／非接続を切り替える第二スイッチ素子３５Ａが接続されている。
この第二スイッチ素子３５Ａも、画素領域Ｐのスイッチ素子３５と同様に、例えばＴＦＴで構成することが可能である。
そして、各第二スイッチ素子３５Ａは、走査線３２の各ラインＬ１〜Ｌｘに印加されるオン電圧Ｖｏｎやオフ電圧Ｖｏｆｆによりオン／オフ状態が切り替わるようになっている。
このように構成された第二ノイズ検出部Ｎｂは、検出素子３４をリセットする際に第二スイッチ素子３５Ａに印加される電圧をオン電圧Ｖｏｎからオフ電圧Ｖｏｆｆに切り替えたときの逆バイアス電圧Ｖｂの揺らぎと、その後の信号値を読み出す際に第二スイッチ素子３５Ａに印加される電圧をオン電圧Ｖｏｎからオフ電圧Ｖｏｆｆに切り替えたときの逆バイアス電圧Ｖｂの揺らぎとの差に対応する第二ノイズ成分ｄｎｂを検出する。
【００９６】
（２−６−５．第三ノイズ検出部）
第三ノイズ検出部Ｎｃは、第五コンデンサーＣ５を備えている。
第五コンデンサーＣ５の静電容量ｃ３は、１本の信号線３３と交差する複数の走査線３２との各交差部分に形成された寄生容量ｃの総和Σｃと等しくなるように設定されている。
第五コンデンサーＣ５（静電容量ｃ３）は、第二信号線３３Ａと、センサー駆動部４のゲート電源回路４１からゲートドライバー４２へオン・オフ電圧Ｖｏｆｆを供給するための配線４ａとの間の電位差を電荷に変換するようになっている。すなわち、第五コンデンサーＣ５は、第五コンデンサーＣ５にｃ３×（Ｖ０−Ｖｏｆｆ）の電荷を蓄積するようになっている。
【００９７】
一方、オフ電圧Ｖｏｆｆには、上記逆バイアス電圧Ｖｂと同様に、経時的な揺らぎが生じるため、第五コンデンサーＣ５に蓄積される電荷の量にも揺らぎが生じる。
このため、このように構成された第三ノイズ検出部Ｎｃは、あるタイミングで第二読み出し回路５１Ａが読み出しを行った時の、オフ電圧Ｖｏｆｆの揺らぎ量を第三ノイズ成分ｄｎｃとして検出する。
【００９８】
（２−６−６．係数算出処理）
ところで、横クロストークが生じたラインＬｕ〜Ｌｖ（図１７参照）においては、読み出し回路５１が読み出した信号値、第二読み出し回路５１Ａが読み出したノイズ成分ｄｎ共に、クロストーク成分ｄＣＴ１の分だけ値が低下することになる。
しかし、クロストーク成分ｄＣＴ１は、読み出し回路５１が読み出した信号値と第二読み出し回路５１Ａが読み出したノイズ成分とでは、低下量が異なる。
このため、横クロストークが生じたラインにおいては、単純に信号値とノイズ成分との差をとっただけでは、補正が不十分となってしまう。
そこで、ノイズ検出部Ｎを備える場合の係数算出処理では、画像データ及びノイズ検出部Ｎが検出したノイズ成分ｄｎに基づいて、行毎の信号値に関する特徴量とノイズ成分ｄｎの変動量との比の値を推定係数γとして更に算出する。
【００９９】
（２−６−７．撮影装置内処理）
この場合の撮影装置内処理では、画像補正処理（ステップＳ４）において、ラインノイズ補正処理を実行した後に、横クロストーク補正処理を実行する。
【０１００】
上述したように、読み出し回路５１が読み出した信号値には、同じタイミングで第二読み出し回路５１Ａが読み出したノイズ成分ｄｎが含まれている。このため、ラインノイズ補正処理では、上記のようにしてライン毎に読み出した各検出素子３４の信号値に、同じタイミングでノイズ検出部Ｎが読み出したノイズ成分ｄｎをそれぞれ加算、又は信号値からノイズ成分ｄｎをそれぞれ減算して補正後の信号値を算出し、補正後の信号値に基づいて補正後の画像データを生成する。
【０１０１】
ラインノイズ補正処理を実行する場合には、横クロストーク補正処理が例えば図１５に示すようなものとなる。
具体的には、ステップＳ４１（クロストーク成分ｄＣＴ１算出）の処理の後、ノイズ検出部Ｎが検出した行毎のノイズ成分ｄｎ、読み出し部５が読み出した行毎の信号値、及び予め保持している推定係数γに基づいて、各行のノイズ補正に伴い発生する信号値の変動量（第二の信号値の変動量、信号値のクロストーク成分ｄＣＴ１とノイズ成分ｄｎのクロストーク成分ｄＣＴ１との差、以下、差分変動成分ｄｄ）を推定する（ステップＳ４１Ａ）。
そして、ステップＳ４２（クロストーク成分ｄＣＴ１に基づく補正）の処理の後、差分変動成分ｄｄに基づいて補正対象フレームの信号値を補正する（ステップＳ４２Ａ）。
【０１０２】
なお、処理する対象となる前記放射線画像が動態画像である場合には、横クロストーク補正処理が例えば図１６に示すようなものとなる。
具体的には、まず、読み出したフレームが１フレーム目のものであるか否かを判断する（ステップＳ４０）。
ここで、１フレームのものであると判断した場合には（ステップＳ４０：Ｙｅｓ）、上述したステップＳ４１，Ｓ４１Ａ，Ｓ４２，Ｓ４２Ａ，Ｓ４３と同様の処理を実行する。
【０１０３】
一方、ステップＳ４０で、１フレーム目のものではないと判断した場合には（ステップＳ４０：Ｎｏ）、ステップＳ４４（クロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２推定）の処理を実行し、ノイズ検出部Ｎが検出した補正対象フレームの行毎のノイズ成分ｄｎ、先行フレームの行毎のノイズ成分ｄｎ、読み出し部５が読み出した補正対象フレームの行毎の信号値、先行フレームの行毎の信号値、及び推定係数γに基づいて、各行のノイズ補正に伴い発生する差分変動成分ｄｄを推定する（ステップＳ４４Ａ）。
【０１０４】
そして、ステップＳ４５（（クロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２に基づく補正）の処理の後、差分変動成分ｄｄに基づいて補正対象フレームの信号値を補正する（ステップＳ４５Ａ）。
【０１０５】
なお、複数の推定係数α，β，γを予め保持しておき、複数の推定係数α，β，γの中から、取得した撮影形態情報に応じた推定係数α，β，γを選択し、選択した推定係数α，β，γに基づいて、クロストーク成分ｄＣＴ１，ｄＣＴ２及び差分変動成分ｄｄをそれぞれ推定するようにしてもよい。
【０１０６】
＜３．効果＞
以上のように構成された本実施形態に係る撮影装置１００ｂは、推定係数α，ｂを算出・保持し、読み出した信号値及び推定係数α，βに基づいて、信号値の読み出し時に生じるバイアス電圧Ｖｂの低下に起因する信号値の変動の大きさを示すクロストーク成分ｄＣＴ１を算出し、算出した信号値にクロストーク成分ｄＣＴ１を加算、又は信号値からクロストーク成分ｄＣＴ１を減算するようになっている。
このため、本実施形態に係る撮影装置１００ｂによれば、信号値の読み出し時に生じるバイアス電圧Ｖｂの降下に起因する信号値の変動を補正することができる。
【０１０７】
なお、本発明が上記の実施形態等に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。
例えば、上記実施形態では、横クロストーク補正処理を撮影装置１００ｂが実行したが、この処理を撮影装置１００ｂで実行せずにコンソール１００ｃや他のシステムで実行するようにしてもよい。
また、画像補正処理（ステップＳ４）において、オフセット補正処理、ラインノイズ補正処理、横クロストーク補正処理以外の画像補正処理を行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１００  放射線撮影システム
１００ａ  放射線発生装置
１００ｂ  放射線撮影装置（放射線画像処理装置）
１  筐体
１１  電源スイッチ
１２  操作スイッチ
１３  インジケーター
２  シンチレーター
３  センサー部
３１  基板
３２  走査線
３３  信号線
３３Ａ  第二信号線
３４  放射線検出素子
３４ａ，３４ｂ  端子
３５  スイッチ素子
３５Ａ  第二スイッチ素子
３６  バイアス線
３７  結線
４  センサー駆動部
４ａ  配線
４１  ゲート電源回路
４２  ゲートドライバー
４３  バイアス電源回路
５  読み出し部
５１  読み出し回路
５１Ａ  第二読み出し回路
５１１  積分回路
５１１ａ  オペアンプ
５１１ｂ  コンデンサー
５１１ｃ  リセットスイッチ
５１２  相関二重サンプリング回路
５１２ａ  抵抗
５１２ｂ  第一サンプルホールド回路
Ｃｒ  第一コンデンサー
Ｓｒ  第一スイッチ
５１２ｃ  第二サンプルホールド回路
Ｃｓ  第二コンデンサー
Ｓｓ  第二スイッチ
５１２ｄ  差分回路
５２  アナログマルチプレクサー
５３  Ａ／Ｄ変換器
６  制御部
７  記憶部
８  通信部
８１  アンテナ
８２  コネクター
９  内蔵電源
１００ｃ  コンソール（放射線画像処理装置）
１００ｄ  通信ネットワーク
Ｌ  他のバイアス電源回路からバイアス電圧の印加を受ける放射線検出素子の群と隣接する行
Ｎ  ノイズ検出部
Ｎａ  第一ノイズ検出部
Ｃ３  第三コンデンサー
Ｎｂ  第二ノイズ検出部
Ｃ４  第四コンデンサー
Ｎｃ  第三ノイズ検出部
Ｃ５  第五コンデンサー
Ｐ  画素領域
Ｒ  放射線検出領域
Ｒｅ  照射領域
Ｒｎｅ  非照射領域
Ｓｐ１  第一パルス信号
Ｓｐ２  第二パルス信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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