(57)【要約】      （修正有）【課題】塩基性ガスを効率的に処理することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を処理する装置は、内部空間３２０２を有する熱処理チャンバー３２００と、前記内部空間に提供され、処理空間を有するハウジング３２１０と、前記処理空間に基板を疎水化させる疎水化ガスを供給するガス供給ライン３２３７と、前記処理空間から前記内部空間に流出される塩基性ガスを分解する分解ユニット３２５０と、を含むことができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する装置において、
内部空間を有する熱処理チャンバーと、
前記内部空間に提供され、処理空間を有するハウジングと、
前記処理空間に基板を疎水化させる疎水化ガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理空間から前記内部空間に流出される塩基性ガスを分解する分解ユニットと、を含む基板処理装置。
【請求項２】
前記ハウジングは、
上部が開放されたボディーと、
前記ボディーの上部を覆うカバーと、を含み、
前記処理空間は、前記ボディーと前記カバーが組み合わせて形成され、
前記カバーは、上下方向に移動して前記処理空間を開閉する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記熱処理チャンバーには基板が出入される搬入口が形成され、
前記装置は、
前記搬入口を開閉するドアをさらに含む請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記分解ユニットは、光触媒を含む請求項１乃至請求項３のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記光触媒は、
フィルム形状に提供され、
前記ハウジングを囲むように提供される請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記光触媒は、
バー（Ｂａｒ）形状に提供される請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記分解ユニットは、
前記光触媒に光を照射する照射部材をさらに含む請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記照射部材は、
前記熱処理チャンバーの内壁に提供され、
前記光触媒は、
前記照射部材の一面に提供される請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記光触媒は、
前記塩基性ガスが前記処理空間から前記内部空間に流出される経路上に配置される請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記光触媒は、
リング形状を有する請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記光触媒は、
支持部材と結合される請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記光触媒は、
前記支持部材と脱着可能に提供される請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記光触媒は、
上部と下部が開放された円筒形状に提供される請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記光触媒は、
前記ハウジングより大きい半径を有する請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記光触媒は、
前記熱処理チャンバーの内側壁に提供される請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記光触媒は、
前記搬入口を囲む形状を有する請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記光触媒は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）を含む請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記塩基性ガスは、アンモニアガスである請求項１乃至請求項３のいずれかの一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板を処理する装置に関り、より具体的に基板にガスを供給して基板を処理する基板処理装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の中で写真工程（ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ｐｒｏｃｅｓｓ）はウエハ上に望むパターンを形成させる工程である。写真工程は普通露光設備が連結されて塗布工程、露光工程、そして現像工程を連続的に処理するスピナー（ｓｐｉｎｎｅｒ  ｌｏｃａｌ）設備で進行される。このようなスピナー設備はヘキサメチルジシラザン（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ  ｄｉｓｉｌａｚａｎｅ、以下、ＨＭＤＳとする）処理工程、塗布工程、ベーク工程、そして現像工程を順次的に遂行する。ここで、ＨＭＤＳ処理工程は感光液（ＰＲ：Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）の密着効率を上昇させるために感光液を塗布する前にウエハ上にＨＭＤＳを供給する工程である。
【０００３】
一般的に、ＨＭＤＳ処理工程は基板が収容されたチャンバー内で基板を支持し、基板にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスを供給する。そして、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）ガスが基板に供給されて、基板を処理する過程でアンモニアのような塩基性ガスが発生する。このような塩基性ガスはチャンバーに基板を搬入するか、或いはチャンバー内から基板を搬出する場合、外部に流出されることができる。このため、チャンバーには排気ラインが設置され、ＨＭＤＳ処理のうちに発生される塩基性ガスを排気する。
【０００４】
しかし、チャンバーに設置された排気ラインが提供する排気圧力又は排気量は限定されている。このため、チャンバー内の塩基性ガスが適切に排気されないことがあり得る。また、塩基性ガスを排気するために、排気圧力又は排気量を調節する場合、チャンバー内のガス流動が変化される。このようなガス流動の変化によって、チャンバー内で渦流が発生することができる。また、塩基性ガスがチャンバー内の構成と衝突してパーティクルを発生させる恐れがある。また、ガス流動の変化によって、ＨＭＤＳガスによる基板処理が均一に遂行されないことがあり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２０１４−００８９２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は基板を効率的に処理することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は塩基性ガスを効率的に処理することができる基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題はここに制限されなく、言及されないその他の課題は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、内部空間を有する熱処理チャンバーと、前記内部空間に提供され、処理空間を有するハウジングと、前記処理空間に基板を疎水化させる疎水化ガスを供給するガス供給ラインと、前記処理空間から前記内部空間に流出される塩基性ガスを分解する分解ユニットと、を含むことができる。
【００１０】
一実施形態によれば、前記ハウジングは、上部が開放されたボディーと、前記ボディーの上部を覆うカバーと、を含み、前記処理空間は前記ボディーと前記カバーが組み合わせて形成され、前記カバーは上下方向に移動して前記処理空間を開閉することができる。
【００１１】
一実施形態によれば、前記熱処理チャンバーには基板が出入される搬入口が形成され、前記装置は、前記搬入口を開閉するドアをさらに含むことができる。
【００１２】
一実施形態によれば、前記分解ユニットは光触媒を含むことができる。
【００１３】
一実施形態によれば、前記光触媒は、フィルム形状に提供され、前記ハウジングを囲むように提供されることができる。
【００１４】
一実施形態によれば、前記光触媒は、バー（Ｂａｒ）形状に提供され、前記塩基性ガスが前記処理空間から前記内部空間に流出される経路上に配置されることができる。
【００１５】
一実施形態によれば、前記分解ユニットは、前記光触媒に光を照射する照射部材をさらに含むことができる。
【００１６】
一実施形態によれば、前記光触媒は二酸化チタン（ＴｉＯ２）を含むことができる。
【００１７】
一実施形態によれば、前記塩基性ガスはアンモニアガスである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。
【００１９】
また、本発明は塩基性ガスを効率的に処理することができる基板処理装置を提供することができる。
【００２０】
本発明の効果が上述した効果によって限定されることはなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図である。
【図３】図１の基板処理装置の平面図である。
【図４】図３の搬送ユニットのハンドの一例を示す図面である。
【図５】図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平断面図である。
【図６】図５の熱処理チャンバーの正断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による熱処理チャンバーが塩基性ガスを分解する形状を示す図面である。
【図８】本発明の他の実施形態による熱処理チャンバーの一部を示す図面である。
【図９】本発明のその他の実施形態による熱処理チャンバーの一部を示す図面である。
【図１０】本発明のその他の実施形態による熱処理チャンバーの一部を示す図面である。
【図１１】本発明の他の実施形態による熱処理チャンバーの一部を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面全体に亘って同一な符号を使用する。
【００２３】
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
【００２４】
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
【００２５】
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。
【００２６】
図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール２０（ｉｎｄｅｘ  ｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール３０（ｔｒｅａｔｉｎｇ  ｍｏｄｕｌｅ）、そしてインターフェイスモジュール４０（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  ｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０は順次的に一列に配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そしてインターフェイスモジュール４０が配列された方向をＸ軸方向１２とし、上部から見る時、Ｘ軸方向１２と垂直になる方向をＹ軸方向１４とし、Ｘ軸方向１２及びＹ軸方向１４に全て垂直になる方向をＺ軸方向１６とする。
【００２７】
インデックスモジュール２０は基板Ｗが収納された容器１０から基板Ｗを処理モジュール３０に搬送し、処理が完了された基板Ｗを容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向はＹ軸方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準にロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板Ｗが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。ロードポート２２は複数が提供されることができ、複数のロードポート２２はＹ軸方向１４に沿って配置されることができる。
【００２８】
容器１０としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ：ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器１０はオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇｕｉｄｅｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート２２に置かれることができる。
【００２９】
インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には横方向がＹ軸方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板Ｗが置かれるハンド２２２０を含み、ハンド２２２０は前進及び後進移動、Ｚ軸方向１６を軸とした回転、そしてＺ軸方向１６を沿って移動可能に提供されることができる。
【００３０】
処理モジュール３０は基板Ｗに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール３０は塗布ブロック３０ａ及び現像ブロック３０ｂを有する。塗布ブロック３０ａは基板Ｗに対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３０ｂは基板Ｗに対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３０ａは複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供される。現像ブロック３０ｂは複数が提供され、現像ブロック３０ｂは互いに積層されるように提供される。図３の実施形態によれば、塗布ブロック３０ａは２つが提供され、現像ブロック３０ｂは２つが提供される。塗布ブロック３０ａは現像ブロック３０ｂの下に配置されることができる。一実施形態によれば、２つの塗布ブロック３０ａは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造に提供されることができる。また、２つの現像ブロック３０ｂは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造に提供されることができる。
【００３１】
図３を参照すれば、塗布ブロック３０ａは熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、液処理チャンバー３６００、そしてバッファチャンバー３８００を有する。熱処理チャンバー３２００は基板Ｗに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバー３６００は基板Ｗ上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜又は反射防止膜である。搬送チャンバー３４００は塗布ブロック３０ａ内で熱処理チャンバー３２００と液処理チャンバー３６００との間に基板Ｗを搬送する。
【００３２】
搬送チャンバー３４００はその横方向がＸ軸方向１２と平行に提供される。搬送チャンバー３４００には搬送ユニット３４２０が提供される。搬送ユニット３４２０は熱処理チャンバー３２００、液処理チャンバー３６００、そしてバッファチャンバー３８００の間に基板を搬送する。一実施形態によれば、搬送ユニット３４２０は基板Ｗが置かれるハンドＡを有し、ハンドＡは前進及び後進移動、Ｚ軸方向１６を軸とした回転、そしてＺ軸方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。搬送チャンバー３４００内にはその横方向がＸ軸方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、搬送ユニット３４２０はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。
【００３３】
図４は図３の搬送ユニットのハンドの一例を示す図面である。図４を参照すれば、ハンドＡはベース３４２８及び支持突起３４２９を有する。ベース３４２８は円周の一部が切断された環状のリング形状を有することができる。ベース３４２８は基板Ｗの直径より大きい内径を有する。支持突起３４２９はベース３４２８からその内側に延長される。支持突起３４２９は複数が提供され、基板Ｗの縁領域を支持する。一実施形態によれば、支持突起３４２９は等間隔に４つが提供されることができる。
【００３４】
再び、図２と図３を参照すれば、熱処理チャンバー３２００は複数に提供される。熱処理チャンバー３２００は第１の方向１２に沿って並べに配置される。熱処理チャンバー３２００は搬送チャンバー３４００の一側に位置される。
【００３５】
図５は図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平断面図であり、図６は図５の熱処理チャンバーの正断面図である。熱処理チャンバー３２００はハウジング３２１０、冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、搬送プレート３２４０、そして分解ユニット３２５０を有する。
【００３６】
熱処理チャンバー３２００は内部空間３２０２を有する。熱処理チャンバー３２００は大体に直方体の形状に提供される。熱処理チャンバー３２００の側壁には、基板Ｗが出入される搬入口３２０４が形成される。また、搬入口３２０４を開閉するようにドア３２１０が提供されることができる。搬入口３２０４は選択的に開放された状態に維持されることができる。冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、搬送プレート３２４０、そして分解ユニット３２５０は熱処理チャンバー３２００の内部空間３２０２内に提供される。冷却ユニット３２２０及び加熱ユニット３２３０はＹ軸方向１４に沿って並べて提供される。
【００３７】
冷却ユニット３２２０は冷却板３２２２を有する。冷却板３２２２は上部から見る時、大体に円形の形状を有することができる。冷却板３２２２には冷却部材３２２４が提供される。一実施形態によれば、冷却部材３２２４は冷却板３２２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
【００３８】
加熱ユニット３２３０はハウジング３２３２、加熱板３２３４、ヒーター３２３５、ガス供給ライン３２３７、そして排気ライン３２３８を含むことができる。ハウジング３２３２はボディー３２３２ａ、そしてカバー３２３２ｂを含むことができる。ボディー３２３２ａは上部が開放された形状を有することができる。ボディー３２３２ａは上部が開放された円筒形状を有することができる。カバー３２３２ｂはボディー３２３２ａの上部を覆うことができる。カバー３２３２ｂは下部が開放された円筒形状を有することができる。これと異なりに、カバー３２３２ｂはボディー３２３２ａの上部を覆う板形状を有してもよい。ボディー３２３２ａとカバー３２３２ｂは互いに組み合わせて処理空間３２３３を形成することができる。また、カバー３２３２ｂはカバー３２３２ｂを上下方向に移動させる駆動部材（図示せず）と連結されることができる。このため、カバー３２３２ｂは上下方向に移動して処理空間３２３３を開閉することができる。例えば、基板Ｗが処理空間３２３３に搬入又は搬入される場合、カバー３２３２ｂは上昇して、処理空間３２３３を開放することができる。また、基板Ｗが処理空間３２３３で処理される場合、カバー３２３２ｂは下降して処理空間３２３３を閉鎖することができる。
【００３９】
加熱板３２３４は処理空間３２３３で基板Ｗを支持することができる。加熱板３２３４は上部から見る時、大体に円形の形状を有する。加熱板３２３４は基板Ｗより大きい直径を有する。加熱板３２３４にはヒーター３２３５が設置される。ヒーター３２３５は電流が印加される発熱抵抗体で提供されることができる。加熱板３２３５にはＺ軸方向１６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン３２３６が提供される。リフトピン３２３６は加熱ユニット３２３０外部の搬送手段から基板Ｗを引き受けて加熱板３２３４上に置くか、或いは加熱板３２３４から基板Ｗを持ち上げて加熱ユニット３２３０の外部の搬送手段に引き渡す。一実施形態によれば、リフトピン３２３４は３つが提供されることができる。
【００４０】
ガス供給ライン３２３７は処理空間３２３３内に位置した基板Ｗにガスを供給することができる。ガスは基板を疎水化させる疎水化ガスである。疎水化ガスは基板Ｗの性質を親水性から疎水性に変化させることができる。疎水化ガスは基板Ｗに感光液（ＰＲ：Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）を塗布する前に供給されることができる。疎水化ガスはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を含むことができる。また、疎水化ガスは非活性ガスを含むことができる。一例として、非活性ガスは窒素ガスである。
【００４１】
排気ライン３２３８は処理空間３２３３を排気することができる。排気ライン３２３８は処理空間３２３３内を減圧することができる。排気ライン３２３８は複数に提供されることができる。複数の排気ライン３２３８は各々ハウジング３２３２の底面に連結されることができる。また、複数の排気ライン３２３８は一定な間隔に離隔されて提供されることができる。また、複数の排気ライン３２３８は加熱板３２３４の外側周囲に提供されることができる。排気ライン３２３８には減圧部材（図示せず）が連結されることができる。減圧部材はポンプである。しかし、減圧部材（図示せず）がポンプであることに限定されることではなく、処理空間３２３３に減圧を提供することができる公知の機材で多様に変形されることができる。
【００４２】
搬送プレート３２４０は大体に円板形状を提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート３２４０の縁にはノッチ３２４４が形成される。ノッチ３２４４は上述した搬送ロボット３４２０のハンドＡに形成された突起３４２９と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンドＡに形成された突起３４２９と対応される数に提供され、突起３４２９と対応される位置に形成される。ハンドＡと搬送プレート３２４０が上下方向に整列された位置でハンドＡと搬送プレート３２４０の上下位置が変更すれば、ハンドＡと搬送プレート３２４０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート３２４０はガイドレール３２４９上に装着され、駆動器３２４６によってガイドレール３２４９に沿って移動される。搬送プレート３２４０にはスリット形状のガイド溝３２４２が複数が提供される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０の終端で搬送プレート３２４０の内部まで延長される。ガイド溝３２４２はその横方向がＹ軸方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４２はＸ軸方向１２に沿って互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４２は搬送プレート３２４０と加熱ユニット５０００との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート３２４０とリフトピンが互いに干渉されることを防止する。
【００４３】
分解ユニット３２５０は処理空間３２３３から内部空間３２０２に流出されるガスを分解することができる。分解ユニット３２５０が分解するガスは塩基性ガスである。塩基性ガスはアンモニアガスである。しかし、これに限定されることではなく、分解ユニット３２５０は有機性化合物を含む多様なガスを分解することができる。分解ユニット３２５０は光触媒３２５２、そして照射部材３２５４を含むことができる。
【００４４】
光触媒３２５２はバー（Ｂａｒ）形状に提供されることができる。光触媒３２５２は加熱ユニット３２３０の上部に提供されることができる。例えば、光触媒３２５２は加熱ユニット３２３０の上部に、そして熱処理チャンバー３２００の内壁に隣接するように配置されることができる。例えば、光を照射する照射部材３２５４が熱処理チャンバー３２００の内壁に提供され、照射部材３２５４の一面に光触媒３２５２が提供されることができる。
【００４５】
光触媒３２５２は照射部材３２５４が照射する光を受けることができる。光触媒３２５２は光エネルギーを受けて触媒作用が引き起こす物質を含むことができる。即ち、光触媒３２５２は光をエネルギー源として触媒反応（酸化、還元反応）を引き起こし、触媒反応を通じて反応性物質を発生させることができる。反応性物質は活性酸素である。また、光触媒３２５２は二酸化チタン（ＴｉＯ２）を含むことができる。光触媒３２５２は照射部材３２５４が照射する光を受けて、光触媒３２５２の表面で生じる電子が離脱した正孔が処理空間３２３３内の空気又は水分と反応して反応性物質を発生させることができる。反応性物質はヒドロキシラジカルＲである。
【００４６】
図７は本発明の一実施形態による熱処理チャンバーが塩基性ガスを分解する形状を示す図面である。図７を参照すれば、ハウジング３２３２の処理空間３２３３には疎水化ガスを基板Ｗに供給して処理する過程で発生された塩基性ガスＧが残留することができる。基板Ｗがハウジング３２３２の処理空間３２３３に搬入されるか、或いはハウジング３２３２の処理空間３２３３から搬出される場合、カバー３２３２ｂは駆動部材によって上昇する。この時、処理空間３２３３に残留していた塩基性ガスＧは処理空間３２３３から内部空間３２０２に流出されることができる。また、カバー３２３２ｂが上昇する場合、照射部材３２５４は光触媒３２５２に光を照射することができる。光触媒３２５２は上述したように二酸化チタン（ＴｉＯ２）を含むことができる。これによって、光を受けた光触媒３２５２は触媒作用を通じて反応性物質を生成することができる。反応性物質はヒドロキシラジカルＲである。ヒドロキシラジカルＲは処理空間３２３３で内部空間３２０２に流出した塩基性ガスＧと反応することができる。塩基性ガスＧがアンモニアガスである場合、反応式は下の通りである。
【数１】
2020202374.tif 000003
【００４７】
塩基性ガスＧは反応性物質と反応して、水又は窒素のような非活性ガスに分解されることができる。一般的に、排気ラインをチャンバーに設置して塩基性ガスを排気する場合、排気量又は排気圧力の限界によって塩基性ガスが適切に排気されなくともあり得る。また、塩基性ガスの排気を円滑にするために、排気量又は排気圧力を変更する場合、チャンバー内の気流が変化することができる。このような気流の変化はパーティクルを発生させるか、或いは基板の処理が均一に遂行されることを妨害することができる。また、チャンバーのシーリング（Ｓｅａｌｉｎｇ）技術の限界によって、チャンバー内で塩基性ガスが流出されることを完全に防止することは難しい。しかし、本発明の一実施形態によれば、ハウジング３２３２に提供される排気ライン３２３８の排気とは独立的に、処理空間３２３３から流出される塩基性ガスＧを分解することができる。塩基性ガスＧは水又は窒素等の無害な物質に分解される。また、排気ライン３２３８の排気量、排気圧、そしてハウジング３２３２のシーリング（Ｓｅａｌｉｎｇ）の技術に影響を受けない。このため、ハウジング３２３２の処理空間３２３３で基板Ｗを処理するのに所要される影響を最小化することができる。
【００４８】
再び、図４及び図５を参照すれば、バッファチャンバー３８００は複数に提供される。バッファチャンバー３８００の中で一部はインデックスモジュール２０と搬送チャンバー３４００との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーをフロントバッファ３８０２（ｆｒｏｎｔ  ｂｕｆｆｅｒ）と称する。フロントバッファ３８０２は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。バッファチャンバー３８０２、３８０４の中で他の一部は搬送チャンバー３４００とインターフェイスモジュール４０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーをリアーバフファ３８０４（ｒｅａｒ  ｂｕｆｆｅｒ）と称する。リアーバフファ３８０４は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。フロントバッファ３８０２及びリアーバフファ３８０４の各々は複数の基板がＷを一時的に保管する。フロントバッファ３８０２に保管された基板Ｗはインデックスロボット２２００及び搬送ユニット３４２０によって搬入又は搬出される。リアーバフファ３８０４に保管された基板Ｗは搬送ユニット３４２０及び第１ロボット４６０２によって搬入又は搬出される。
【００４９】
現像ブロック３０ｂは熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００を有する。現像ブロック３０ｂの熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００は塗布ブロック３０ａの熱処理チャンバー３２００、搬送チャンバー３４００、そして液処理チャンバー３６００と大体に類似な構造及び配置に提供するので、これに対する説明は省略する。但し、現像ブロック３０ｂで液処理チャンバー３６００は全て同様に現像液を供給して基板を現像処理する現像チャンバー３６００で提供される。
【００５０】
インターフェイスモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェイスモジュール４０はインターフェイスフレーム４１００、付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００を有する。
【００５１】
インターフェイスフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバー４２００、インターフェイスバッファ４４００、そして搬送部材４６００はインターフェイスフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバー４２００は塗布ブロック３０ａから工程が完了された基板Ｗが露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバー４２００は露光装置５０から工程が完了された基板Ｗが現像ブロック３０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一実施形態によれば、付加工程は基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光工程、又は基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄工程、又は基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄工程である。付加工程チャンバー４２００は複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバー４２００は全て同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に付加工程チャンバー４２００の中で一部は互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
【００５２】
インターフェイスバッファ４４００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂの間に搬送される基板Ｗが搬送の途中に一時的に留まる空間を提供する。インターフェイスバッファ４４００は複数が提供され、複数のインターフェイスバッファ４４００は互いに積層されるように提供されることができる。
【００５３】
一実施形態によれば、搬送チャンバー３４００の長さ方向の延長線を基準として一側面には付加工程チャンバー４２００が配置し、他の側面にはインターフェイスバッファ４４００が配置されることができる。
【００５４】
搬送部材４６００は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂの間に基板Ｗを搬送する。搬送部材４６００は１つ又は複数のロボットが提供されることができる。一実施形態によれば、搬送部材４６００は第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６を有する。第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０ａ、付加工程チャンバー４２００、そしてインターフェイスバッファ４４００の間に基板Ｗを搬送し、インターフェイスロボット４６０６はインターフェイスバッファ４４００と露光装置５０との間に基板Ｗを搬送し、第２ロボット４６０４はインターフェイスバッファ４４００と現像ブロック３０ｂとの間に基板Ｗを搬送するように提供されることができる。
【００５５】
第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６は各々基板Ｗが置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、Ｚ軸方向１６に平行である軸を基準とした回転、そしてＺ軸方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
【００５６】
上述した実施形態では、光触媒３２５２がハウジング３２３２の上部に提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、図８に図示されたように光触媒３２５２はフィルム形状に提供されることができる。フィルム形状に提供される光触媒３２５２はハウジング３２３２を囲むように提供されることができる。この場合、処理空間３２３３で流出される塩基性ガスは光触媒３２５２が発生させる反応性物質と直ちに反応して分解されることができる。
【００５７】
上述した実施形態では、光触媒３２５２がハウジング３２３２の上部に提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、図９に図示されたように光触媒３２５２は塩基性ガスＧが処理空間３２３３から内部空間３２０２に流出される経路上に配置されることができる。例えば、カバー３２３２ｂが上昇してボディー３２３２ａと離隔される場合、ボディー３２３２ａとカバー３２３２ｂが離隔される領域の外側に光触媒３２５２が配置されることができる。この時、光触媒３２５２は上部から見る時、リング形状に提供されることができる。リング形状の光触媒３２５２はハウジング３２３２よりさらに大きい半径を有することができる。また、リング形状の光触媒３２５２は図示しない支持部材に結合されることができる。リング形状の光触媒３２５２は支持部材と脱着可能に提供されることができる。
【００５８】
また、光触媒３２５２は図１０に図示されたように、上部と下部が開放された円筒形状に提供されることができる。上下部が開放された円筒形状の光触媒３２５２はハウジング３２３２よりさらに大きい半径を有することができる。図１０に図示された実施形態によれば、図９に図示された実施形態と類似に、塩基性ガスＧが処理空間３２３３から内部空間３２０２に流出される経路上に光触媒３２５２が配置される。このため、塩基性ガスＧの分解効率をさらに高めることがきる。
【００５９】
また、光触媒３２５２は図１１に図示されたように、搬入口３２０４と隣接するように配置されることができる。この時、光触媒３２５２は熱処理チャンバー３２００の内側壁に提供され、搬入口３２０４を囲む形状を有することができる。搬入口３２０４は基板Ｗが搬入又は搬出される開口であるので、搬入口３２０４に向かう方向に気流が発生する。このため、処理空間３２３３から内部空間３２０２に流出される塩基性ガスＧは搬入口３２０４に向かう方向に流れやすい。このため、光触媒３２５２が搬入口３２０４と隣接するように配置される場合、塩基性ガスＧの分解効率をさらに高めることがきる。
【００６０】
上述した実施形態では光触媒３２５２が単一に配置されることを例として図示したが、これに限定されることではない。例えば、上述した実施形態で説明した光触媒３２５２の形状及び配置は単独に使用されるか、或いは互いに組み合わせて使用されることができる。
【００６１】
上述した実施形態では光触媒３２５２と別個に照射部材３２５４が提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、照射部材３２５４は省略されることができる。また、照射部材３２５４は光触媒３２５２と一体に提供されてもよい。
【００６２】
上述した実施形態では処理ガスがＨＭＤＳガスであり、基板処理はフォトレジスト塗布工程の前に基板を疎水化させる工程であることと説明した。しかし、これと異なりに基板を処理する工程は上と異なる工程であってもよい。例えば、基板を処理する工程は基板上に薄膜を形成する蒸着工程、基板上に膜を除去する蝕刻工程等である。
【００６３】
以上の詳細な説明は本発明を例示することである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むこととして解析されなければならない。
【符号の説明】
【００６４】
３２００  熱処理チャンバー
３２３２  ハウジング
３２３４  加熱板
３２３５  ヒーター
３２３７  ガス供給ライン
３２３８  排気ライン
３２５０  分解ユニット
３２５２  光触媒
３２５４  照射部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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