(57)【要約】【課題】基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置において、高スループットが得られ、且つ省スペースとすること【解決手段】基板上の各第１の吐出位置で当該基板に第１の処理液を吐出する基板保持部毎に設けられる第１のノズルと、各基板上の第２の吐出位置で当該基板に、第１のノズルからの第１の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第２の処理液を吐出する、複数の基板保持部に共用される第２のノズルと、各基板保持部に保持される基板上の第３の吐出位置で基板に第３の処理液を吐出するために、基板保持部毎に設けられる第３のノズルと、第１の待機部と第１の吐出位置との間にて上面視前記第１のノズルを旋回させる旋回機構と、第３の待機部と第３の吐出位置との間にて上面視第３のノズルを直線移動させる直動機構と、を備える装置を構成する。【選択図】図２
2020202315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第１の吐出位置で当該基板に第１の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第１のノズルと、
前記第１のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第２の吐出位置で当該基板に、前記第１の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第２の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第２のノズルと、
前記第１のノズル及び前記第２のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第３の吐出位置で、前記基板に前記第１の処理液及び前記第２の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第３の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第３のノズルと、
前記第１のノズル、前記第２のノズル、前記第３のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第１の待機部、第２の待機部及び第３の待機部と、
前記第１の待機部と前記第１の吐出位置との間にて上面視前記第１のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第３の待機部と前記第３の吐出位置との間にて上面視前記第３のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備える塗布装置。
【請求項２】
前記第１の待機部と第１の吐出位置との間における前記第１のノズルの上面視での第１の移動軌跡と、前記第２の待機部と第２の吐出位置との間における前記第２のノズルの上面視での第２の移動軌跡と、前記第３の待機部と第３の吐出位置との間における前記第３のノズルの上面視での第３の移動軌跡とは、
前記第１の吐出位置及び前記第２の吐出位置が上面視互いに重なる共通吐出位置とされた場合の当該共通吐出位置を除くと、互いに重ならない請求項１記載の塗布装置。
【請求項３】
前記第２のノズルと共に移動し、当該第２のノズルに光照射する照明と、
前記第２のノズルと共に移動し、前記照明により光照射された当該第２のノズルを撮像する撮像部と、
を備える請求項１または２記載の塗布装置。
【請求項４】
前記照明は、前記第２のノズルに互いに異なる方向から光を照射するように、複数設けられる請求項３記載の塗布装置。
【請求項５】
前記基板に前記第１のノズルから前記第１の処理液が吐出される期間は、当該基板に前記第２のノズルから前記第２の処理液が吐出される期間よりも長い請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項６】
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第１の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第２の基板とし、
前記第１の待機部から前記第１のノズルが移動を開始するタイミングから前記第２のノズルが第２の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第１の基板に前記連続処理が行われる期間と、前記第２の基板に前記連続処理が行われる期間とが重なるように制御信号を出力する制御部が設けられる請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記第１の基板への前記連続処理の実行中に、
当該連続処理が終わるタイミングに応じて、前記第２の基板への前記連続処理の開始のタイミングを決定する請求項６記載の塗布装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第２の基板における前記第１の処理液の吐出終了から、前記第２の処理液が吐出されるまでの間隔を、予め設定された範囲内で調整する請求項７記載の塗布装置。
【請求項９】
前記第１のノズルから前記基板に前記第１の処理液を吐出中、前記第２のノズルは当該基板上で待機する請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項１０】
前記第１の基板への前記連続処理の実行中における前記他の基板保持部への前記第２の基板の搬送予定の有無に基づいて、
前記第２のノズルについて、前記第１の基板に前記第２の処理液を吐出した後、前記第２の待機部に移動させるか、当該第２の待機部に移動させずに前記第２の基板に対応する前記第２の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる請求項１ないし９のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項１１】
一の前記基板保持部に先に保持された前記第１の基板における前記連続処理の開始のタイミングと、他の前記基板保持部に後に保持された前記第２の基板における前記連続処理の開始のタイミングとの間隔に応じて、
前記第２のノズルについて、前記第１の基板に前記第２の処理液を吐出した後、前記第２の待機部に移動させるか、当該第２の待機部に移動させずに前記第２の基板に対応する前記第２の吐出位置へ向けて移動させるかを決定する決定機構が設けられる請求項１ないし９のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項１２】
前記第２のノズルの駆動部を共用して移動可能に設けられた、当該第２のノズルを撮像する撮像部と、当該第２のノズルへ向けて照明を当てる照明部と、を備え、
前記照明部は、上面視で前記第２のノズルと前記撮像部とを結ぶ直線で隔てられる２つの領域それぞれから、当該第２のノズルに照明を当てる請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の塗布装置。
【請求項１３】
前記照明部は前記第２のノズルの上方から前記第２のノズルに照明を当てる上方照射部材を有する請求項１２記載の塗布装置。
【請求項１４】
複数の基板保持部に基板を各々保持する工程と、
前記基板保持部毎に設けられる第１のノズルを、当該各基板保持部に保持される基板上の第１の吐出位置に配置して、各基板に第１の処理液を吐出する工程と、
前記複数の基板保持部に共用される第２のノズルを前記第１のノズルとは独立して移動させ、前記各基板保持部に保持される基板上の第２の吐出位置に配置する工程と、
前記第１のノズルからの前記基板への前記第１の吐出液の吐出に遅れて、塗布膜形成用の第２の処理液を前記第２の吐出位置における前記第２のノズルから当該基板に吐出する工程と、
前記各第１のノズルを、前記各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で待機させる第１の待機部と前記第１の吐出位置との間で上面視旋回するように移動させる工程と、
を備える塗布方法。
【請求項１５】
一の前記基板保持部に保持される前記基板を第１の基板、他の前記基板保持部に保持される前記基板を第２の基板とし、
前記第１の待機部から前記第１のノズルが移動を開始するタイミングから前記第２のノズルが第２の処理液の吐出を終えるタイミングまでを連続処理とすると、
前記第１の基板に連続処理が行われる期間と、前記第２の基板に連続処理が行われる期間とが重なる請求項１４記載の塗布方法。
【請求項１６】
前記第１の基板への前記連続処理の実行中に、
当該連続処理が終わるタイミングに応じて、前記第２の基板への前記連続処理の開始のタイミングを決定する工程を含む請求項１５記載の塗布方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては塗布装置が用いられ、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対してレジストなどの塗布膜形成用の処理液が供給されて、塗布膜が形成される。特許文献１には、ウエハを処理する２つの処理ユニットと、多数のノズルからなるノズル群と、ノズル群を待機させる温度調整ユニットと、ノズル移動機構と、を備えた塗布装置である液処理装置について記載されている。上記のノズル搬送機構は、処理ユニットと温度調整ユニットとの間でノズル群から選択された一のノズルを搬送する。上記のノズル移動機構、ノズル群及び温度調整ユニットについては、２つの処理ユニットに共用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４２１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置において、高スループットが得られ、且つ省スペースとすることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の塗布装置は、基板を各々保持する複数の基板保持部と、
前記各基板保持部に保持される基板上の第１の吐出位置で当該基板に第１の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第１のノズルと、
前記第１のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第２の吐出位置で当該基板に、前記第１の吐出液の吐出に遅れて塗布膜形成用の第２の処理液を吐出する、前記複数の基板保持部に共用される第２のノズルと、
前記第１のノズル及び前記第２のノズルとは独立して移動し、前記各基板保持部に保持される基板上の第３の吐出位置で、前記基板に前記第１の処理液及び前記第２の処理液の供給が行われていないときに前記基板に第３の処理液を吐出するために、前記基板保持部毎に設けられる第３のノズルと、
前記第１のノズル、前記第２のノズル、前記第３のノズルを、各基板保持部による前記基板の保持領域の上面視外側で夫々待機させる第１の待機部、第２の待機部及び第３の待機部と、
前記第１の待機部と前記第１の吐出位置との間にて上面視前記第１のノズルを旋回させる旋回機構と、
前記第３の待機部と前記第３の吐出位置との間にて上面視前記第３のノズルを直線移動させる直動機構と、
を備える。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布装置において、高スループットが得られ、且つ省スペースとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示の一実施形態であるレジスト塗布モジュールを含む基板処理装置の概略図である。
【図２】前記レジスト塗布モジュールの平面図である。
【図３】前記レジスト塗布モジュールの斜視図である。
【図４】前記レジスト塗布モジュールに設けられるカップの縦断側面図である。
【図５Ａ】前記レジスト塗布モジュールを構成する共有アームの斜視図である。
【図５Ｂ】前記共有アームに設けられる構成部材の位置関係を示す上面図である。
【図６】前記供給アームに保持されるレジストノズルの側面図である。
【図７】レジスト塗布モジュールに設けられるノズルの動作を示す説明図である。
【図８】レジスト塗布モジュールに設けられるノズルの動作を示す説明図である。
【図９】レジスト塗布モジュールに設けられるノズルの動作を示す説明図である。
【図１０】前記レジスト塗布モジュールに設けられる各ノズルの軌跡を示す上面図である。
【図１１】レジスト塗布モジュールの動作を示すチャート図である。
【図１２】レジスト塗布モジュールの動作を示すチャート図である。
【図１３】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図１４】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図１５】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図１６】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図１７】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図１８】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図１９】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図２０】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図２１】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図２２】レジスト塗布モジュールの動作を示す作用図である。
【図２３】レジスト塗布モジュールにおける他の処理例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示の塗布装置の一実施形態であるレジスト塗布モジュール２を含む、基板処理装置１を図１に示している。基板処理装置１には、複数枚のウエハＷを格納するキャリア１１が搬送される。また、基板処理装置１は、温度調整モジュール１２と、搬送機構１３と、を備えており、搬送機構１３は、キャリア１１、温度調整モジュール１２、レジスト塗布モジュール２、キャリア１１の順でウエハＷを搬送する。温度調整モジュール１２は、レジスト塗布モジュール２にてウエハＷに適切な処理が行われるように、ウエハＷを所定の温度に調整する。そして、ウエハＷの温度調整が完了してウエハＷが搬出可能になると、後述の制御部１００へ所定の信号（搬出信号とする）を出力する。
【０００９】
続いて、図２の平面図を参照しながら塗布装置であるレジスト塗布モジュール２について説明する。このレジスト塗布モジュール２は、ウエハＷへの第１の処理液であるシンナーの吐出と、このシンナーの吐出に遅れての第２の処理液であるレジストの吐出とを行い、ウエハＷに塗布膜であるレジスト膜を形成する。上記のシンナーの吐出は、ウエハＷ表面の異物を除去する洗浄処理を行うためのものであり、ウエハＷ表面のレジストに対する濡れ性を高めるプリウエットも兼ねている。上記のレジストの吐出については、各々異なる種類のレジストを吐出する複数のノズルのうちの一つが選択されることで行われ、ウエハＷのロットに応じたレジスト膜を形成することができる。また、レジスト塗布モジュール２においては、レジスト膜の形成後、ウエハＷの周縁部に第３の処理液であるシンナーを吐出し、レジスト膜の不要な部位を環状に除去するＥＢＲ（Edge Bead Removal）が行われる。
【００１０】
レジスト塗布モジュール２は横長の方形の筐体２１を備えており、筐体２１内には、ウエハＷを各々処理するための処理部２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃが、横方向にこの順に並んで設けられている。処理部２２（２２Ａ〜２２Ｃ）は、ウエハＷを載置し、上記の洗浄処理及びＥＢＲを行うための部材を備えている。また、筐体２１内には３つの処理部２２に共用されるレジスト供給機構６が設けられている。ウエハＷの洗浄、当該洗浄に続くレジスト塗布によるレジスト膜の形成、レジスト膜形成後のＥＢＲを一連の処理とすると、この一連の処理を、各処理部２２において行うことができる。
【００１１】
図中２３は、処理部２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃに各々ウエハＷを受け渡すための搬送口であり、筐体２１の前方側の側壁において処理部２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃに対応する位置に開口している。各搬送口２３は、シャッタ２４により互いに独立して開閉される。以下、処理部２２の配列方向を左右方向とし、右側、左側は特に記載無い限り、後方側から前方側に向かって見たときの夫々右側、左側であるものとして説明する。処理部２２Ａは左側に、処理部２２Ｃは右側に夫々配置されている。
【００１２】
筐体２１内の斜視図である図３も参照して説明する。処理部２２Ａ〜２２Ｃは、互いに同様に構成されている。以下、代表して処理部２２Ａについて、図４の縦断側面図も参照して説明する。処理部２２Ａは、上方が開口すると共にその内部の保持領域にウエハＷを収容するカップ３１Ａを備えている。図４中３２は当該カップ３１Ａに設けられる排液口であり、図４中３３は、ウエハＷの処理中に当該カップ３１Ａ内を排気するための排気口である。カップ３１Ａ内には基板保持部であるスピンチャック３４Ａが設けられており、ウエハＷの裏面の中央部を吸着し、ウエハＷを水平に保持する。スピンチャック３４Ａの下方側は回転駆動部３５に接続されている。回転駆動部３５により、スピンチャック３４Ａは保持しているウエハＷと共に、垂直軸周りに回転する。カップ３１Ａ内には昇降機構３６により昇降する３本のピン（図４では２本のみ表示）３７が設けられ、ウエハＷの搬送機構１３と、スピンチャック３４Ａとの間でウエハＷを受け渡す。
【００１３】
処理部２２Ａは、ＥＢＲを行うための周縁処理機構４Ａと、洗浄処理を行うための処理機構５Ａと、を備えている。以下、周縁処理機構４Ａについて説明する。周縁処理機構４Ａは、直動機構４１と、昇降機構４２と、アーム４３と、ノズル（以降、周縁ノズルと記載する）４４Ａと、カップ状の待機部４５Ａと、を備えている。直動機構４１はカップ３１Ａの後方側の右側方の領域において、左右に伸長して設けられている。この直動機構４１に昇降機構４２が接続されており、当該昇降機構４２は直動機構４１により、左右に水平に直線移動ができるように構成されている。昇降機構４２にはアーム４３の基端部が接続され、アーム４３の先端側は前方へ向けて伸長している。当該昇降機構４２により、アーム４３が垂直に昇降する。そして、アーム４３の先端部の下部側には、第３のノズルである周縁ノズル４４Ａが、例えば水平面に対して斜め方向且つ平面視後方側に向けてシンナーを吐出するように設けられている。このシンナーの吐出は、洗浄及びレジスト膜の形成後、即ち、後述の個別ノズル５５及びレジストノズル７１から処理液が吐出されていないときに行われる。周縁ノズル４４Ａは、配管を介して当該周縁ノズル４４Ａにシンナーを供給する図示しないシンナー供給機構に接続されている。
【００１４】
カップ３１Ａの前後の中央に対して右側方の領域に、第３の待機部である上記の待機部４５Ａが設けられている。直動機構４１及び昇降機構４２の協働により、周縁ノズル４４Ａは待機部４５Ａ内の待機位置と、カップ３１Ａ内であり、且つウエハＷの周縁部上で当該ウエハＷから所定の高さのシンナーの吐出位置（第３の吐出位置）との間で移動する。使用されないときには、周縁ノズル４４Ａは、上記の待機位置で待機する。
【００１５】
続いて、処理機構５Ａについて説明する。処理機構５Ａは、昇降機構５１と、回転機構５２と、アーム５３と、ノズル（以降、個別ノズルと記載する）５４Ａと、カップ状の待機部５５Ａと、を備えている。カップ３１Ａの前後の中央部の左側方に、昇降機構５１及び回転機構５２が設けられている。回転機構５２は昇降機構５１に接続され、当該昇降機構５１により垂直に昇降する。回転機構５２には、アーム５３の基端部が接続され、アーム５３の先端側は横方向に伸長している。回転機構５２により、アーム５３の基部側に設けられる垂直な回転軸５０（図２参照）まわりに当該アーム５３が回転する。即ち、アーム５３の先端側は、回転軸５０まわりに旋回し、回転機構５２は旋回機構をなす。アーム５３の先端部の下部側には、第２のノズルである個別ノズル５４Ａが、垂直下方にシンナーを吐出するように設けられている。個別ノズル５４Ａには配管５６の下流端が接続され、配管５６の上流端は当該個別ノズル５４Ａにシンナーを供給するシンナー供給機構５７に接続されている。
【００１６】
アーム５３の先端部には、配管５６の下流側を囲む箱体５８が設けられ、箱体５８内で配管５６の外側の空間には、温度調整された水が供給される。当該箱体５８には、供給管４７の一端及び排出管４８の一端が各々接続されており（図４参照）、供給管４７の他端及び排出管４８の他端は循環流形成機構４９に接続されている。循環流形成機構４９は、排出管４８から供給された水の温度を調整して、供給管４７を介して箱体５８内の上記の空間に供給する。つまり、循環流形成機構４９はチラーを構成しており、上記の温度調整された水の供給により、配管５６を通過するシンナーの温度が調整される。即ち、個別ノズル５４Ａから吐出されるシンナーの温度が調整される。
【００１７】
カップ３１Ａの左側方で、当該カップ３１Ａの前後の中央部よりも前方寄りの領域に、第１の待機部である待機部５５Ａが設けられている。昇降機構５１と回転機構５２との協働により、個別ノズル５４Ａは待機部５５Ａ内の待機位置と、カップ３１Ａ内であると共にウエハＷの中心部上で、当該ウエハＷから所定の高さにおける吐出位置（第２の吐出位置）との間で移動する。そして、使用されないときには、個別ノズル５４Ａは上記の待機部５５内の待機位置で待機する。
【００１８】
上記のように処理部２２Ｂ、２２Ｃは、各々処理部２２Ａと同様に構成されている。これら処理部２２Ｂ、２２Ｃの構成部材で、処理部２２Ａの構成部材と同じものについては、処理部２２Ａで使用した符号と同じ数字の符号を付して示している。ただし、数字の後に付した英字については、処理部間で異なる英字を用いて示している。処理部２２Ｂの符号の英字としてはＢ、処理部２２Ｃの符号の英字としてはＣを付して夫々示している。また、以降の説明では筐体２１内でカップ３１Ａ〜３１Ｃの後方領域を３８とする。
【００１９】
続いて、レジスト供給機構６について説明する。レジスト供給機構６は、待機部６１、１０個のレジストノズル７１及びノズル搬送機構６３を備えている。第２の待機部である待機部６１はカップ３１Ｂの後方側に配置されている。この待機部６１は、後方領域３８を前後に伸びると共に、平面視後方側が右側に向かう台として構成されている。そして、待機部６１の上部には１０個の凹部（図４参照）が、台の長さ方向に沿って、互いに間隔を空けて設けられている。各凹部は、レジストノズル７１が収納されて待機する待機位置６２として構成されている。当該待機位置６２にはシンナーが供給されることで、待機中のレジストノズル７１内におけるレジストの乾燥が防止される。
【００２０】
上記のようにカップ３１Ａ〜３１Ｃのうちの中央部のカップ３１Ｂの後方に待機部６１を設けるのは、この待機部６１からレジストノズル７１をウエハＷ上に搬送するにあたり、処理部２２間で待機部６１からの距離が大きく異なることを防ぐためである。より具体的に述べると、当該距離の異なりを抑えることで、後述のレジストノズル７１に接続される配管７４に加わるテンションが、各処理部２２における処理毎に異なることを抑制している。それにより、各処理部２２における処理間で吐出される液流の状態のばらつきが抑制されるようにしている。
【００２１】
各処理部２２に共用される第２のノズルである各レジストノズル７１については、鉛直下方にレジストを吐出する。後述のようにノズル内の撮像を行うために、レジストノズル７１は可視光の透過性を有するように構成されている。そして、レジストノズル７１上には後述のノズル搬送機構６３により保持されるブロック状の被保持部７２が設けられている。さらに、各レジストノズル７１には、左側からフレキシブルな配管７４の一端が接続されている。各配管７４の上流側は下方へ向かった後、右側に向かうように湾曲されており、この右側へと伸びる部位が床面に固定されている。図３中７５は、当該固定を行うための固定部である。各配管７４の上流側には、図示しないレジスト供給機構が接続されている。レジスト供給機構は配管７４毎に設けられ、各レジスト供給機構は互いに異なる種類のレジストを、配管７４を介してレジストノズル７１に供給する。
【００２２】
続いて、第２のノズルの駆動部であるノズル搬送機構６３について説明する。ノズル搬送機構６３は、直動機構６４、昇降機構６５、昇降部６６及び水平方向に伸びるアーム（以下、共有アームと記載する）６７を備えている。直動機構６４は、待機部６１の後方側を左右方向に伸びるように設けられる。この直動機構６４に昇降機構６５が設けられ、昇降機構６５は直動機構６４により左右に移動自在に構成されている。昇降機構６５には前後に伸びる昇降部６６の基端側が接続されており、昇降部６６の先端側には共有アーム６７の基端部が設けられている。共有アーム６７の基端部には垂直な回転軸６８（図２参照）が設けられており、図示しない回転機構により当該共有アーム６７は当該回転軸６８まわりに回転する。即ち、共有アーム６７の先端側は、回転軸６８まわりに旋回する。
【００２３】
共有アーム６７の先端下部には、レジストノズル７１の被保持部７２を着脱するための着脱機構６０が設けられており、待機部６１においてレジストノズル７１の持ち替えを自在に行うことができる。例えば被保持部７２の上部には例えば凹部が形成され、上記の着脱機構としては、当該凹部に進入する突起として構成される。そして、例えばこの突起の側面には当該側面を突没自在な小突起が設けられ、その突没により凹部の側面に対して係合した状態と、係合が解除された状態とが切り替えられることで上記の着脱が行われる。
【００２４】
直動機構６４、昇降機構６５及び共有アーム６７の協働により、各レジストノズル７１が、上記の待機部６１における待機位置と、カップ３１（３１Ａ〜３１Ｃ）内であり且つ各ウエハＷの中心部上で、当該ウエハＷの表面から所定の高さの吐出位置（第２の吐出位置）との間で移動することができる。ウエハＷ上にレジストノズル７１を搬送する際には、昇降機構６５が処理部２２Ａ〜２２Ｃに各々対応する位置で停止した状態で、先端が基端に対して左側に伸びた状態から平面視反時計回りに共有アーム６７が回転することで、レジストノズル７１が搬送される。また、待機部６１と処理部２２との間、及び各処理部２２間でレジストノズル７１を搬送するにあたり、直動機構６４によって昇降機構６５が左右に移動する際には、共有アーム６７は、その先端が右側に向かい、後方領域３８に位置する向きとなる。つまり、共有アーム６７は、各処理部２２における処理を妨げないように移動する。
【００２５】
上記の共有アーム６７について、先端側の斜視図である図５Ａ、概略上面図である図５Ｂも参照して説明する。共有アーム６７の基部側には、当該共有アーム６７の伸長方向に向かって見て左右に各々伸びる支持部８１が設けられている。なお、この左右は既述した筐体２１の長さ方向の左右とは必ずしも一致しない。各支持部８１の先端部にはＬＥＤ（Light Emitting Diode）である第１の照明８２が設けられており、各第１の照明８２は、比較的広い範囲で発光する平面を備え、当該平面から共有アーム６７に保持されたレジストノズル７１に向けて、光を照射することができる。第１の照明８２は互いに離れて設けられているため、レジストノズル７１には互いに異なる方向から光が照射される。更に詳細に記載すると、上面視においてカメラ８４（後述）とレジストノズル７１とを結ぶ直線Ｌ０で分けられる２つの領域夫々からレジストノズル７１に向けて光（図５Ｂ中点線の矢印で表示している）が照射される。カメラ８４とレジストノズル７１とを結ぶ直線とは、具体的には例えばカメラ８４の光軸であり、カメラ８４とレジストノズル７１との間の直線の他、その延長線も含む直線である。なお、そのように互いに異なる方向から光を照射しているのは後述のカメラ８４により取得される画像中におけるレジストノズル７１内に存在する液の範囲の特定のために、左及び右のレジストノズル７１の内壁をどちらも同等に認識するためである。つまり、レジストノズル７１内に液が存在するとき、レジストノズル７１の内壁のうち、その液と接している部分と液に接していない部分とで明暗のコントラストが生じて、両者の区別ができる。従ってその液の上面・下面を画像で明確に特定できなくとも、上記のコントラストによって、その液に接している内壁の範囲から液が存在する範囲を特定でき、また液の左右両方の内壁を同等に認識することで、より信頼性の高い液の存在範囲の特定が可能となる。
【００２６】
また、共有アーム６７の先端側には支持部８３が設けられ、この支持部８３には、カメラ８４及びＬＥＤである第２の照明８５が設けられている。カメラ８４は視野にレジストノズル７１及び当該レジストノズル７１の下方領域が含まれるように、その光軸が斜め下方に向けられている。第２の照明８５は、共有アームの６７の基端側且つ斜め下方に向けて光を照射する。この光は、レジストノズル７１の上端部に比較的小さい照射スポットを形成する。図６の矢印は、そのように第２の照明８５からレジストノズル７１に供給された光の当該レジストノズル７１内での光路を示しており、図中に示すように光は、レジストノズル７１における流路７０の外周面と、レジストノズル７１の外周面との間を反射しながら下方に向かう。このようにレジストノズル７１内を光が通過することで、レジストノズル７１の内部の明瞭な画像が得られる。また、上述の様に照明やカメラを、各処理部２２Ａ〜２２Ｃ毎に設けられている機構とは独立した、各処理部２２Ａ〜２２Ｃで共有して使用される共有アーム６７に設けることで、照明やカメラ等の使用個数の抑制や、その設置に要するスペースの削減（省スペース化）を行うことができる。
【００２７】
例えばレジストノズル７１からレジストの吐出を行うよりも若干前から、当該レジストの吐出を終了するまで、撮像部であるカメラ８４による撮像を行う。この撮像中、例えば第１の照明８２及び第２の照明８５により同時に光照射してレジストノズル７１の画像を取得してもよいし、第１の照明８２により光照射するタイミングと第２の照明８５により光照射するタイミングをずらし、各タイミングの画像を取得してもよい。カメラ８４で撮像された画像データは、後述の制御部１００に送信される。制御部１００は取得された画像から、レジストノズル７１に付着した汚れの有無、レジストノズル７１からのレジストのぼた落ち、ノズル内の液面の位置、泡噛みによるレジストの液流の途切れの有無などを検出し、この検出結果に基づいて異常の有無を判定することができる。第１の照明８２及び第２の照明８５は照明部を構成し、第２の照明８５は上方照射部材として構成される。第１の照明８５に加えて上方から光照射する第２の照明があることで、吐出される液のミストや飛散による汚れによる画像の見にくさを抑制しつつ、レジストノズル７１内の液の上面と下面とを画像で見ることができる。なお、液の下面についてもノズル内に留まる程度の僅かな高さなら、そのように上方からの照明で認識可能である。
【００２８】
上記のレジストノズル７１のレジストの吐出位置と、上記の個別ノズル５４（５４Ａ〜５４Ｃ）のシンナーの吐出位置とは、ウエハＷの中心部上であり、互いに重なる共通吐出位置とされている。これらのノズルの動作について説明すると、ウエハＷの洗浄後に速やかにレジストＲをウエハＷに供給して処理時間を短くするため、個別ノズル５４がウエハＷにシンナーＢ１を吐出中、レジストノズル７１は、レジストＲの吐出位置から水平方向に若干ずれた、直前待機位置で待機する（図７）。そして、個別ノズル５４がシンナーＢ１の吐出を終え、当該シンナーＢ１の吐出位置から水平方向に移動して退避すると（図８）、ノズル同士の干渉を確実に避けるためにこの移動に若干遅れてレジストノズル７１が水平方向に移動し、レジストＲの吐出位置で停止する。つまり、昇降機構６５による昇降は行われず、共有アーム６７の旋回動作のみで、レジストノズル７１は直前待機位置から吐出位置へ移動し、レジストＲの吐出が開始される（図９）。
【００２９】
ところで、処理部２２ＡでウエハＷを処理する際における個別ノズル５４Ａの移動軌跡、レジストノズル７１の移動軌跡、周縁ノズル４４Ａの移動軌跡を、夫々Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３とする。図１０では図示の便宜上、各ノズルの吐出口についての移動軌跡を、直線または曲線で表示している。既述したようにレジストノズル７１の吐出位置と、個別ノズル５４Ａの吐出位置とは重なるので、移動軌跡Ｄ１と移動軌跡Ｄ２とはウエハＷの中心部上で重なる。ただし、このウエハＷの中心部上における移動軌跡の重なりを除けば、移動軌跡Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３は互いに重ならない。なお、このように移動軌跡Ｄ１、Ｄ２が設定されるため、既述したレジストノズル７１の直前待機位置は、個別ノズル５４Ａの移動軌跡Ｄ１とは重ならない位置である。
【００３０】
移動軌跡Ｄ１〜Ｄ３について重なりが多いほど、ノズル同士の干渉を防ぐために各ノズルの動作の順番やタイミングを詳細に設定する必要が有る。即ち、各ノズルの移動制御が煩雑になる。しかし上記のように移動軌跡Ｄ１〜Ｄ３については、ウエハＷの中心部におけるＤ１、Ｄ２の重なりを除いて、移動軌跡Ｄ１〜Ｄ３が重ならない。このように移動軌跡Ｄ１〜Ｄ３の重なりが抑制されているため、上記の各ノズルの移動制御が煩雑となることが抑制される。代表して処理部２２ＡのウエハＷを処理する際の各ノズルの移動軌跡を示したが、他の処理部２２のウエハＷを処理する際においても各ノズルは同様の移動軌跡を描く。つまり、処理部２２Ｂ、２２Ｃにおいても、ウエハＷの中心部以外では上面視、各ノズルの移動軌跡が重ならない。なお、各処理部２２の周縁ノズル４４のシンナーの吐出位置についてはウエハＷ上であればよい。このウエハＷ上とはウエハＷに対して上方の意味であり、各図に示すように上面視ウエハＷに重なることには限られない。
【００３１】
ところで、上記のように個別ノズル５４（５４Ａ〜５４Ｃ）のシンナーの吐出位置は、ウエハＷの中心部上である。従って、カップ３１（３１Ａ〜３１Ｃ）の外側に設けられる当該個別ノズル５４（５４Ａ〜５４Ｃ）の待機部５５（５５Ａ〜５５Ｃ）と、当該吐出位置との上面視の距離は比較的長い。そのため、仮にアーム５３を介した個別ノズル５４の待機部５５と吐出位置との間の移動を、回転機構５２の代わりに周縁ノズル４４（４４Ａ〜４４Ｃ）を移動させるような直動機構により行う構成とすると、当該直動機構の長さが大きくなってしまう。つまり、カップ３１の側方において当該直動機構を設置するために、横方向に大きなスペースが必要になってしまう。なお、そのように個別ノズル５４を直動機構により移動する構成とした場合、直動機構をカップ３１の上方に配置することで当該スペースを不要にすることが考えられる。そのような構成とすると、直動機構から生じたパーティクルがウエハＷに落下して付着するおそれが有るので、そのような配置は望ましくない。従って、レジスト塗布モジュール２の大型化を防ぐために、個別ノズル５４の横方向の移動は、上記のように回転機構５２によって行うことが有効である。
【００３２】
一方、周縁ノズル４４の吐出位置は、ウエハＷの周縁部上である。従って、カップ３１の外側に設けられる当該周縁ノズル４４の待機部４５（４５Ａ〜４５Ｃ）と、当該吐出位置との上面視の距離が比較的短いため、上記のように直動機構４１により移動する構成であっても、当該直動機構４１の長さは比較的小さくなる。また、周縁ノズル４４を用いたＥＢＲにより、ウエハＷの周縁部のレジスト膜は環状に除去されるが、このレジスト膜の除去幅の設定が変更されたとする。上記のように周縁ノズル４４は傾いた状態でアーム４３に設けられるが、直動機構４１により水平に直線移動する場合は、そのように除去幅の設定が変更されてもウエハＷの回転方向に対するシンナーの吐出方向は変化しない。
【００３３】
しかし、仮にアーム４３を介した周縁ノズル４４の移動が、直動機構４１の代わりに個別ノズル４４を移動させるような回転機構により行われるとすると、除去幅の設定の変更により、ウエハＷの回転方向に対するシンナーの吐出方向が変化する。つまり、シンナーの着液位置がウエハＷの径方向に変化することの他に、このような吐出方向の変化によって、当該着液位置における遠心力が大きく変化し、着液位置からの液撥ねが大きくなるおそれが有る。そのため、上記の除去幅の設定を変える度に周縁ノズル４４の傾きの調整が必要になることが考えられる。従って、そのような調整の手間を抑える観点からも、周縁ノズル４４については、上記の直動機構４１により移動させることが好ましい。
【００３４】
ところで個別ノズル５４を支持するアーム５３は回転機構５２により旋回するので、当該アーム５３の移動に必要な領域（アーム５３の旋回領域）としては比較的大きい。そして仮に、個別ノズル５４の待機部５５及び当該回転機構５２を、周縁ノズル４４の待機部４５と同じく、カップ３１に対して右側方に配置したとする。この場合は、上記のようにアーム５３の移動に必要な領域が大きいので、周縁ノズル４４及び当該周縁ノズル４４を支持するアーム４３との干渉を避けるためのスペースを確保することが必要になり、モジュールが大型化してしまうおそれが有る。
【００３５】
また、仮に個別ノズル５４の待機部５５及び回転機構５２を共にカップ３１に対して後方に配置すると、レジストノズル７１及び当該レジストノズル７１を支持する共有アーム６７との干渉を避けるためのスペースを確保することが必要になる。そのため、やはりモジュールが大型化してしまうおそれが有る。さらに、仮に個別ノズル５４の待機部５５及び当該回転機構５２を共に、カップ３１に対して前方に配置したとする。その場合は、搬送口２３を介して処理部２２に搬入出されるウエハＷに干渉しないように、アーム５３を高い位置で待機させることが必要になるため、モジュールの高さが増加してしまい、やはりモジュールが大型化してしまうおそれが有る。
【００３６】
しかし、レジスト塗布モジュール２においては、カップ３１に対して左右の一方に個別ノズル５４の待機部５５及び回転機構５２を配置し、左右の他方に周縁ノズル４４の待機部４５を配置している。このようなレイアウトとすることで、既述のような各アームや各ノズルなどのモジュールの構成物同士の干渉、及びモジュールの構成物とウエハＷとの干渉を防ぐことができる。その結果として、モジュールの大型化を防ぐことができるので好ましい。
【００３７】
また、レジスト塗布モジュール２においては、上記のようにカップ３１の側方に設けられる個別ノズル５４の回転機構５２と待機部５５とについて、後方側に回転機構５２が、前方側に待機部５５が夫々位置している。このような配置により、図７〜図９で示したように、個別ノズル５４Ａを吐出位置から退避させる側とは反対側からレジストノズル７１を吐出位置に移動させることができる。従って、このように個別ノズル５４及びレジストノズル７１を移動させるにあたり、互いのノズル同士の干渉が起こらず、個別ノズル５４によるシンナーの吐出終了後、レジストノズル７１を速やかに吐出位置に配置してレジストの吐出を開始することができるので、スループットの向上を図ることができる。
【００３８】
続いて、レジスト塗布モジュール２を構成する制御部１００（図２参照）について説明する。制御部１００はコンピュータにより構成されている。制御部１００は、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、前述及び後述のようにレジスト塗布モジュール２が動作し、各処理部２２において処理が行われるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。当該プログラムによって、制御部１００からレジスト塗布モジュール２の各部に制御信号が出力されることで、そのような動作が行われる。上記のプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードまたはＤＶＤなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００３９】
レジスト塗布モジュール２においては、上記の搬送機構１３により例えば処理部２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃの順で繰り返しウエハＷが搬入され、各処理部２２にてウエハＷに洗浄、レジスト膜の成膜、ＥＢＲからなる一連の処理が行われる。上記のプログラムは、温度調整モジュール１２からウエハＷの搬出信号が出力されると、そのウエハＷについての処理スケジュール（ウエハＷに処理を行うためのモジュールの各部の動作予定）を設定する。そして、当該プログラムは、設定した処理スケジュールに基づいて一連の処理が行われるように上記の制御信号を出力する。
【００４０】
図１１は、上記のように設定される処理スケジュールのうち、個別ノズル５４及びレジストノズル７１の動作のタイミングを示すタイムチャートである。以下、このタイムチャート中に示した連続する期間Ｌ１〜Ｌ６における各動作ステップについて説明する。なお、この期間Ｌ１〜Ｌ６においてウエハＷは所定の回転数で回転している。期間Ｌ１の開始時点は、上記の一連の処理の開始時点である。この期間Ｌ１では、個別ノズル５４について、待機部５５から吐出位置への移動が行われる。期間Ｌ２では、吐出位置に移動した個別ノズル５４から回転中のウエハＷにシンナーＢ１の吐出が行われる。
【００４１】
期間Ｌ３では、後方領域３８からレジストノズル７１が、図８で説明したウエハＷの直前待機位置に移動する。後に具体的に示すように、このウエハＷへの直前待機位置への移動は、待機部６１からレジストノズル７１が移動する場合と、他のウエハＷの処理を終えたレジストノズル７１が待機部６１の外部から移動する場合とが有る。シンナーＢ１の吐出は継続して行われる。期間Ｌ４の開始時点でシンナーＢ１の吐出が停止し、当該期間Ｌ４においては図８、図９で説明した、吐出位置からの個別ノズル５４の退避、吐出位置へのレジストノズル７１の移動が順に行われる。そして、吐出位置から退避した個別ノズル５４は、待機部５５へ向かう。
【００４２】
期間Ｌ５では、吐出位置におけるレジストノズル７１から、レジストＲが吐出される。そして、期間Ｌ６の開始時点でこのレジストＲの吐出が停止し、レジストノズル７１は後方領域３８へ退避する。この後方領域３８への退避については、後述するように後続のウエハＷの搬送状態に応じ、待機部６１の待機位置に戻される場合と、待機位置に戻されない場合とが有る。制御部１００は、このようなレジストノズル７１の搬送経路を決定する決定機構をなす。この例ではレジストの吐出時間よりも洗浄用のシンナーの吐出時間の方が長く、期間Ｌ２＋Ｌ３＞期間Ｌ５である。そして各ウエハＷには同様の処理が行われるため、各基板の処理において期間Ｌ１〜Ｌ６の夫々の長さは同じである。なお、個別ノズル５４が待機部４４から移動を開始する期間Ｌ１の開始からレジストノズル７１からのレジストの吐出が終了する期間Ｌ５の終了までを連続処理と記載する場合が有る。
【００４３】
レジスト塗布モジュール２へのウエハＷの搬送間隔が比較的短い場合、先にウエハＷが搬送された一の処理部２２における一連の処理と並行して、次にウエハＷが搬送された他の処理部２２にて一連の処理が行われるように、他の処理部２２の処理スケジュールが設定される。より具体的には、処理部２２間で既述の連続処理が行われる期間が重なるように処理スケジュールが設定される。
【００４４】
上記のようにレジスト塗布モジュール２においては、レジストノズル７１及び共有アーム６７が、各処理部２２で共有される構成となっている。そのため、一の処理部２２でレジストノズル７１及び共有アーム６７を使用中は、他の処理部２２ではレジストノズル７１及び共有アーム６７を使用しない処理が行われるように、他の処理部２２の処理スケジュールが設定される。つまり、先に設定された一の処理部２２の処理スケジュールに基づいて、他の処理部２２の処理スケジュールが設定される。
【００４５】
他の処理部２２の処理スケジュールの設定について図１２も参照して、より具体的に述べる。一の処理部２２においてレジストノズル７１及び共有アーム６７の動作が終了する上記の期間Ｌ６の終了時点をｔ１とし、他の処理部２２において、レジストノズル７１及び共有アーム６７の動作が開始される期間Ｌ３の開始時点をｔ２とする。他の処理部２２の処理スケジュールは、上記の時点ｔ１の後が上記の時点ｔ２となり、時点ｔ１と時点ｔ２との間隔Ａ１が、設定時間以上の範囲内で最短の長さとなるように設定される。なお、この設定時間は、例えば０秒より長い時間である。
【００４６】
つまり一の処理部２２へウエハＷ（第１の基板）が搬送されてから、他の処理部２２へウエハＷ（第２の基板）が搬送されるまでのウエハＷの搬送間隔が短いほど上記の間隔Ａ１は短くなり、一の処理部２２と他の処理部２２とで並行してウエハＷが処理される時間が長くなる。ただし、間隔Ａ１が設定時間より短くなるようには設定されない。そして、搬送間隔が長くなるほど間隔Ａ１は長くなり、この搬送間隔によっては処理部２２間で並行した処理が行われず、一の処理部２２で一連の処理が終了した後に、他の処理部２２で一連の処理が開始されることになる。
【００４７】
各処理部２２でウエハＷは同様に処理が行われるので、このように間隔Ａ１を設定することは、処理部２２間におけるウエハＷの処理の開始の間隔を設定していることでもある。また、上記のように温度調整モジュール１２からウエハＷの搬出信号が出力されると、処理スケジュールが設定されるが、一の処理部２２で処理を開始してから短い間隔で次の搬出信号が出力されたとする。その場合、上記のように間隔Ａ１が設定されるため、一の処理部２２でレジストの吐出処理が終わる期間Ｌ５の終了のタイミングから所定の時間Ａ２を遡るように他の処理部２２での期間Ｌ１の開始タイミングが設定される。つまり、一の処理部２２におけるウエハＷの処理中に、当該ウエハＷへのレジストの吐出処理の終了予定のタイミング（連続処理の終了予定のタイミング）に応じて、他の処理部２２におけるウエハＷの連続処理の開始のタイミングが決定されていることになる。
【００４８】
上記の図１２については、一の処理部２２が２２Ａ、他の処理部２２が２２Ｂであるものとして、そのように処理部２２Ｂにおける処理スケジュールが設定された場合の期間Ｌ１〜Ｌ６を表すタイムチャートを示している。この例では上記の間隔Ａ１が上記の設定時間、つまり最小の時間となるように設定されている。間隔Ａ１の設定時間が０秒より大きい時間としているのは、一の処理部２２における実際の処理が処理スケジュールに対して遅れた場合であっても、不都合無く他の処理部２２における処理を行うことができるようにするためである。なお、このように処理部２２における処理スケジュールが設定されたウエハＷについては、この処理スケジュールの開始タイミングに応じて、温度調整モジュール１２から搬送されるように搬送機構１３が動作する。そして、処理部２２への搬送後は速やかに処理スケジュールに基づいて処理が開始される。
【００４９】
なお、上記のように処理スケジュールが設定されることにより、各処理部２２でシンナーの吐出が終了からレジストの吐出が開始されるまでの期間が予め設定された長さとなっている。仮にこの期間が長すぎるとウエハＷからシンナーが揮発してしまい、短すぎるとレジストノズル７１の吐出位置への移動が間に合わないおそれが有る。つまり、このような不具合が起きないように各処理部２２における処理スケジュールの設定がなされている。即ち、一の処理部２２においてシンナー吐出終了後のレジスト吐出開始までの時間が遅れないように、他の処理部２２における一連の処理の開始タイミングが決定されている。
【００５０】
ところで、図１１、図１２のタイムチャートの期間Ｌ６の動作について補足して説明する。処理スケジュールに沿ってウエハＷを処理中の所定のタイミング、例えば期間Ｌ６の開始時において、次のウエハＷの処理スケジュールが設定されていない、即ちレジスト塗布モジュール２への次のウエハＷの搬送予定が無いものとする。その場合、共有アーム６７に保持され、当該ウエハＷにレジストを吐出したレジストノズル７１は、待機部６１の待機位置６２へ搬送される。それにより、レジストノズル７１内でのレジストの乾燥を防ぐ。その一方で、期間Ｌ６の開始時に次のウエハＷの処理スケジュールが設定されている場合、共有アーム６７に保持されたレジストノズル７１は待機位置６２へは搬送されずに、例えば当該待機位置６２の上方に位置する。このように処理部２２へのウエハＷの搬送間隔が短く、レジストの吐出間隔について短くなることでレジストノズル７１内の乾燥が起こり難い場合には、待機位置６２への移動及び待機位置６２からの移動に必要なレジストノズル７１の昇降動作が省かれることになる。それにより、スループットの向上を図ることができる。なお、このように期間Ｌ６におけるレジストノズル７１の移動先が異なることで、既述したように期間Ｌ３におけるレジストノズル７１の移動元が異なることになる。
【００５１】
以下、処理部２２Ａ〜２２ＣにウエハＷが搬送されていない状態から、ウエハＷを当該処理部２２Ａ〜２２Ｃに順次搬送して処理を行うレジスト塗布モジュール２の動作例を説明する。上記のように実際には処理部２２Ａ〜２２Ｃに繰り返しウエハＷが搬送されるが、ここでは説明の複雑化を避けるために、同じロットのウエハＷが３枚のみ連続してレジスト塗布モジュール２に搬送されるものとする。これらのウエハＷについてレジスト塗布モジュール２への搬入順にＷ１、Ｗ２、Ｗ３とする。また、この説明ではウエハＷ１〜Ｗ３は比較的短い間隔を空けて各々温度調整モジュール１２から搬出可能となり、図１２で説明した間隔Ａ１は最小になるものとする。
【００５２】
周縁ノズル４４、個別ノズル５４、レジストノズル７１が夫々の待機部にて待機した状態で（図１３）、温度調整モジュール１２からウエハＷ１の搬出信号が出力され、処理部２２Ａにおける処理スケジュールが設定される。そして、ウエハＷ１が処理部２２Ａに搬送され、スピンチャック３４Ａに保持されて回転し、処理スケジュールに沿って処理が開始される。つまり、図１１、図１２のチャートで期間Ｌ１、Ｌ２の動作として説明した、待機部５５から吐出位置への個別ノズル５４Ａの移動、個別ノズル５４ＡからウエハＷ１の中心部へのシンナーＢ１の吐出が、順次行われる。遠心力によって、シンナーＢ１はウエハＷ１の表面全体に展伸されて、ウエハＷ１の表面が洗浄される。
【００５３】
このように処理部２２Ａにて処理が行われている間に、温度調整モジュール１２からウエハＷ２の搬出信号が出力され、処理部２２Ｂにおける処理スケジュールが設定される。そして、処理部２２Ａでは期間Ｌ３の動作が行われる。つまり、共有アーム６７が一つのレジストノズル７１を保持し、ウエハＷ１の直前待機位置に搬送する。その一方でウエハＷ２が処理部２２Ｂに搬送され、スピンチャック３４Ｂに保持されて回転する（図１４）。その後、処理部２２Ａでは期間Ｌ４の動作として、吐出位置から待機部５５へ向かう個別ノズル５４の移動、吐出位置へのレジストノズル７１の移動が順に行われる。その一方で、処理部２２Ｂでは処理スケジュールに沿って処理が開始され、期間Ｌ１の動作である待機部５５Ｂから吐出位置への個別ノズル５４Ｂの移動が行われる。
【００５４】
そして、処理部２２Ａでは期間Ｌ５の動作としてレジストＲの吐出が行われ、遠心力によって当該レジストＲはウエハＷ１表面全体に展伸される（図１５）。然る後、このレジストＲの吐出が停止し、期間Ｌ６の動作としてレジストノズル７１が後方領域３８に退避し、この間にウエハＷ１の表面のレジストＲは乾燥してレジスト膜Ｒ１となる。また、処理部２２Ｂでは期間Ｌ２の動作として、吐出位置における個別ノズル５４ＢからウエハＷ２へのシンナーＢ１の吐出が行われる（図１６）。このように処理部２２Ａ、２２Ｂで処理が行われている間に、温度調整モジュール１２からウエハＷ３の搬出信号が出力され、処理部２２Ｃにおける処理スケジュールが設定される。
【００５５】
その後、処理部２２Ａでは周縁ノズル４４Ａが処理位置に移動し、ウエハＷ１の周縁部にシンナーＢ２を吐出し、ウエハＷ１の周縁部におけるレジスト膜Ｒ１が除去される。その間に処理部２２Ｂでは期間Ｌ３の動作として、レジストノズル７１の直前待機位置への移動が行われる。なお、処理部２２Ａの期間Ｌ６の開始時に処理部２２Ｂの処理スケジュールが設定されているため、既述したようにレジストノズル７１は待機部６１には搬送されず、直接、上記の直前待機位置に搬送される。その一方でウエハＷ３が処理部２２Ｃに搬送され、スピンチャック３４Ｃに保持されて回転する（図１７）。
【００５６】
然る後、処理部２２Ａでは周縁ノズル４４ＡからのシンナーＢ２の吐出停止、周縁ノズル４４Ａの待機部４５Ａへの退避が順次行われ、処理済みのウエハＷ１が当該処理部２２Ａから搬出される。その間に処理部２２Ｂでは期間Ｌ４の動作として、個別ノズル５４Ｂの吐出位置からの退避、レジストノズル７１の吐出位置への移動が順次行われる。その一方で、処理部２２Ｃでは処理スケジュールに沿って処理が開始され、期間Ｌ１の動作である待機部５５Ｃから吐出位置への個別ノズル５４Ｃ移動が行われる。
【００５７】
そして、処理部２２Ｂでは期間Ｌ５の動作として、レジストＲの吐出が行われる（図１８）。然る後、このレジストＲの吐出が停止し、期間Ｌ６の動作としてレジストノズル７１が後方領域３８に退避する。この間にウエハＷ２の表面のレジストＲは乾燥してレジスト膜Ｒ１となる。また、その一方で処理部２２Ｃでは期間Ｌ２の動作として、吐出位置における個別ノズル５４ＣからウエハＷ３へのシンナーＢ１の吐出が行われる（図１９）。
【００５８】
その後、処理部２２Ｂでは周縁ノズル４４Ｂが処理位置に移動し、ウエハＷ２の周縁部にシンナーＢ２を吐出し、ウエハＷ２の周縁部におけるレジスト膜Ｒ１が除去される。その間に処理部２２Ｃでは期間Ｌ３の動作として、レジストノズル７１の直前待機位置への直接の移動が行われる（図２０）。
【００５９】
然る後、処理部２２Ｂでは周縁ノズル４４ＢからのシンナーＢ２の吐出停止、周縁ノズル４４Ｂの待機部４５への退避が順次行われ、処理済みのウエハＷ２が搬出される。その間に処理部２２Ｃでは期間Ｌ４の動作として、個別ノズル５４Ｃの吐出位置からの退避、レジストノズル７１の吐出位置への移動が行われ、期間Ｌ５の動作としてレジストＲの吐出が行われる（図２１）。レジストＲの吐出終了後は、期間Ｌ６の動作としてレジストノズル７１が後方領域３８に退避する。次のウエハＷの処理スケジュールが設定されていないため、このレジストノズル７１は、待機部６１に搬送されて待機位置６２にて待機する。その一方で、処理部２２Ｃでは、周縁ノズル４４Ｃが処理位置に移動し、ウエハＷ３の周縁部にシンナーＢ２を吐出し、ウエハＷ３の周縁部におけるレジスト膜Ｒ１が除去される（図２２）。その後、ウエハＷ３が処理部２２Ｃから搬出される。
【００６０】
上記のようにレジスト塗布モジュール２については、洗浄処理を行う個別ノズル５４、ＥＢＲを行う周縁ノズル４４については処理部２２毎に設けられる。そして、洗浄処理に遅れて使用されるレジスト塗布を行うレジストノズル７１については処理部２２間で共用され、これらの個別ノズル５４、レジストノズル７１、周縁ノズル４４が互いに独立してカップ３１外の待機部と、ウエハＷ上との間を移動可能である。従って、後にウエハＷが搬入された他の処理部２２において洗浄処理及び／または洗浄処理のための個別ノズル５４の移動を行う間、先にウエハＷが搬入された一の処理部２２でのレジスト塗布及び／または一の処理部２２から他の処理部２２へのレジストノズル７１の移動を行える。また、他の処理部２２におけるウエハＷの処理にかかわらず、一の処理部２２でＥＢＲ処理を行うことができる。それ故に、レジスト塗布モジュール２については、高いスループットを得ることができる。
【００６１】
特に、上記のように個別ノズル５４によるシンナーの吐出時間がレジストノズル７１によるレジストの吐出時間よりも長い場合、この吐出時間中に既述のように一の処理部２２でのレジストの吐出、レジストノズル７１の移動を行うことで、スループットの低下を防ぐことができるために有利である。さらに既述したように、レジスト塗布モジュール２においては、個別ノズル５４は回転機構５２により移動し、周縁ノズル４４については直動機構４１により移動することで、モジュールを省スペース化することができる。
【００６２】
既述の特許文献１の塗布装置については、上記のように多数のノズルが設けられるが、これらのノズルの全てが処理ユニット（処理部）に共通化されている。従って、一の処理ユニットにおける処理の終了後に他の処理ユニットにおける処理を行うことになるため、スループットの向上を図ることが困難である。また、特許文献１では、各ノズルとも同様に処理ユニットの後方から当該処理ユニットへ、共通のノズル搬送機構により搬送される。つまり引用文献１には、本開示のように互いに異なる役割のノズルを設けるにあたり、ノズルに応じて直動機構による移動と回転機構による移動とを使い分けることで、装置の大型化を防ぐという発想が無い。
【００６３】
さらに既述したように、個別ノズル５４によるシンナーの吐出中、レジストノズル７１はウエハＷ上の直前待機位置で待機するため、速やかに洗浄処理からレジストの吐出処理への切り替えを行うことができるので、スループットをより確実に高くすることができる。なお、シンナーの吐出時間がレジストの吐出時間に対して長く、且つこれらの吐出時間の差が大きいほど、シンナーの吐出中にレジストノズル７１を既述の直前待機位置で待機させやすい。つまり、一の処理部２２でレジストノズル７１による処理後、他の処理部２２でシンナーの吐出が終了するまでに、レジストノズル７１を直前待機位置へ配置しておくように処理スケジュールを組むことが容易になる。つまり、レジストノズル７１が処理部２２に共通化されていても、その動作がウエハＷの処理の律速にならず、ウエハＷにレジスト塗布を行うまでの待ち時間が抑制されることで、より確実に高いスループットを得ることができる。
【００６４】
さらに既述したように、一の処理部２２におけるウエハＷの処理状況に応じて、他の処理部２２のウエハＷの処理スケジュールが決められる。この処理スケジュールの決定は、図１２で述べたように各処理部２２における処理スケジュール同士の重なる期間が長くなるように行われる。従って、複数のウエハＷを続けて処理するにあたり、より確実にスループットを高くすることができる。
【００６５】
以下、既述したシンナー及びレジストの処理レシピとは異なる処理レシピを説明する。回転するウエハＷの中心部から外れた第１の位置にレジストが吐出されるようにレジストノズル７１を配置すると共に、第１の位置よりもウエハＷの周縁寄りの第２の位置にシンナーＢ１が吐出されるように個別ノズル５４を配置する。そして、レジストＲ、シンナーＢ１の吐出を夫々行う。図２３に示すように、レジストノズル７１については、レジストＲが吐出される位置がウエハＷの中心部上に移動するように横方向に移動させ、ウエハＷの着液時の衝撃を緩和させて着液位置からの飛散を抑制する。このようにレジストＲ及びシンナーＢ１を供給することで、ウエハＷ上において、レジストＲの液溜まりが中央部に位置し、この液溜まりを囲むようにシンナーＢ１がウエハＷに供給された状態とする。その後、ウエハＷの回転数を上昇させる。それにより、シンナーＢ１を供給済みのウエハＷの周縁部においては、レジストＲが当該周縁部に対して高い被覆性を有するように展伸され、ウエハＷの表面全体がより確実にレジストＲに被覆される。
【００６６】
この図２３における処理において、シンナーＢ１を吐出する時間帯、レジストＲを吐出する時間帯については、明確に分かれていなくてもよい。つまり、いずれか一方のノズルからの吐出を終えた後、他方のノズルからの吐出を開始することには限られず、レジストＲが吐出される時間帯、シンナーＢ１が吐出される時間帯について重なるように処理を行うことが可能である。図２３では、そのようにレジストＲ及びシンナーＢ１について、各々の吐出される時間帯が重なるように示している。そのようにシンナーＢ１を吐出する時間帯、レジストＲを吐出する時間帯が互いに重なるように処理レシピを設定した場合、その処理レシピに応じたタイミングでレジストノズル７１を保持する共有アーム６７が動作するようにしてもよい。なお、この図２３で述べた処理レシピを行う場合、ウエハＷの中心部上においても既述した各ノズルの移動軌跡Ｄ１〜Ｄ３が重ならないため、好ましい。
【００６７】
ところで、周縁ノズル４４から供給する処理液としてはシンナーに限られない。例えばシンナーの代わりに保護膜形成用の処理液を吐出し、レジスト膜形成後のウエハＷの周縁部を保護膜で被覆してもよい。この保護膜は、ウエハＷの周縁部における膜剥がれを防止するための保護膜である。そして、このような保護膜を形成する場合、ウエハＷの周方向における膜厚の均一性を高くすることが求められる場合が有る。上記のように仮に周縁ノズル４４を回転機構により移動させるとすると、保護膜が形成される領域の幅を変更するために着液位置を径方向にずらす場合、当該着液位置はウエハＷの周方向にもずれてしまう。それにより、ウエハＷの周方向における膜厚の均一性が低下してしまうおそれが有る。それを防ぐ観点からも周縁ノズル４４は上記のように直動機構４１により移動させることが好ましい。
【００６８】
また、洗浄（プリウエット）を行うノズルからのシンナーの吐出時間よりもレジストの吐出時間が長い場合、シンナーを吐出するノズルを各処理部２２で共用とし、レジストを吐出するノズルを処理部２２毎に設けてもよい。つまり、処理液の吐出時間が長いノズルを処理部２２毎に設け、処理液の吐出時間が短いノズルを各処理部２２で共用にする。そのような構成により、吐出時間が長いノズルからの処理液の吐出中に、吐出時間が短いノズルからの処理液の吐出及び／または吐出時間が短いノズルの処理部２２間での移動を行うことができる。従って、スループットを高くすることができる。
【００６９】
なお、上記の共有アーム６７に保持されたレジストノズル７１を、当該共有アーム６７に設けられるカメラ８４とは別方向から撮像するためのカメラを、カップ３１に対して固定されるように設けてもよい。また、共有アーム６７にカメラ８４を設けず、レジストノズル７１に保持されたレジストノズル７１を、各々異なる方向から撮像する複数のカメラがカップ３１に固定されるように設けてもよい。そのようにカップ３１に対して固定されるカメラから取得される画像についても、カメラ８４から取得される画像と同様に各種の異常を検出するために用いる。
【００７０】
ところで図１２で説明した一の処理部２２における一連の処理の開始タイミングと、他の処理部２２における一連の処理の開始タイミングとの時間差に基づいて、一の処理部２２で使用を終えたレジストノズル７１を待機部６１の待機位置６２にて待機させるか否かを決定してもよい。つまり、上記の時間差が予め決められた設定時間より短い場合は、レジストノズル７１を待機位置６２には搬送せずに、例えば当該待機位置６２の上方で待機させる。一方で、当該時間差が予め決められた設定時間以上の長さである場合は、レジストノズル７１を待機位置６２に搬送して待機させる。
【００７１】
上記のアーム５３に異なる種類のシンナーを吐出する複数の個別ノズル５４を設け、いずれか一つの選択された個別ノズル５４からシンナーを吐出するようにしてもよい。また、処理部２２の数は３つであることに限られず、４つ以上であってもよい。また、処理部２２の数が２つであってもよい。ただし、比較的多くの数の処理部２２に対してレジスト供給機構６が共有化されることで、レジスト塗布モジュール２を装置に複数設けるにあたり、モジュール数、処理液の供給ラインを削減し、装置の製造コストを低下させることができる。また製造やメンテナンスの工数を削減することができる。既述したようにレジスト塗布モジュール２によれば、そのように処理部２２の数が多くても、スループットの低下を抑えることができるように構成されており、有利である。さらに、本開示の塗布装置としては、レジストを塗布してレジスト膜を形成する構成とすることには限られない。例えば反射防止膜形成用の処理液を塗布して反射防止膜を形成する装置や、絶縁膜形成用の処理液を塗布して絶縁膜を形成する装置に、本開示の技術を適用してもよい。つまり、処理部２２に共有のノズルからこれらの膜を形成する処理液が供給される構成であってもよい。
【００７２】
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【符号の説明】
【００７３】
Ｂ１、Ｂ２        シンナー
Ｒ                レジスト
Ｗ                ウエハ
１                レジスト塗布装置
３４Ａ〜３４Ｃ    スピンチャック
４４              周縁ノズル
４５              待機部
５４              個別ノズル
５５              待機部
６１              待機部
７１              レジストノズル
【図１】
2020202315.tif 000003
【図２】
2020202315.tif 000004
【図３】
2020202315.tif 000005
【図４】
2020202315.tif 000006
【図５Ａ】
2020202315.tif 000007
【図５Ｂ】
2020202315.tif 000008
【図６】
2020202315.tif 000009
【図７】
2020202315.tif 000010
【図８】
2020202315.tif 000011
【図９】
2020202315.tif 000012
【図１０】
2020202315.tif 000013
【図１１】
2020202315.tif 000014
【図１２】
2020202315.tif 000015
【図１３】
2020202315.tif 000016
【図１４】
2020202315.tif 000017
【図１５】
2020202315.tif 000018
【図１６】
2020202315.tif 000019
【図１７】
2020202315.tif 000020
【図１８】
2020202315.tif 000021
【図１９】
2020202315.tif 000022
【図２０】
2020202315.tif 000023
【図２１】
2020202315.tif 000024
【図２２】
2020202315.tif 000025
【図２３】
2020202315.tif 000026